(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＯＬＥＤパネルを駆動する電流ミラーであって：
第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタであり：
第１基準電圧に結合されるソース端子；
ドレイン端子；及び
当該第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたゲート端子；
を有する第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタ；
第２の低圧ＰＭＯＳトランジスタであり：
前記第１基準電圧に結合されるソース端子；
ドレイン端子；及び
前記第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ゲート端子に結合されたゲート端子；
を有する第２の低圧ＰＭＯＳトランジスタ；
前記第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子と第１電流源との間に結合され、前記第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第１のデバイス；並びに
前記第２の低圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子と前記ＯＬＥＤパネルとの間に結合され、前記第２の低圧ＰＭＯＳトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第２のデバイス；
を有し；
前記第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタが、前記第１基準電圧に結合されるベース端子をさらに有し；かつ
前記第２の低圧ＰＭＯＳトランジスタが、前記第１基準電圧に結合されるベース端子をさらに有し；
前記第１のデバイスが：
前記第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたソース端子；
前記第１電流源に結合されるドレイン端子；及び
第２基準電圧に結合されるゲート端子；
を有する第１の高圧ＰＭＯＳトランジスタを含み；かつ
前記第２のデバイスが：
前記第２の低圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたソース端子；
前記ＯＬＥＤパネルに結合されるドレイン端子；及び
第３基準電圧に結合されるゲート端子；
を有する第２の高圧ＰＭＯＳトランジスタを含み；
前記第１の高圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ゲート端子が該第１の高圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合されており；
前記第２基準電圧が前記第３基準電圧に等しく；
前記第１の高圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ゲート端子が該第１の高圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合され、かつ、前記第２の高圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ゲート端子が前記第１の高圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合されている；
電流ミラー。
【請求項２】
請求項１に記載の電流ミラーであって：
第１個数の低圧ＰＭＯＳトランジスタであり、各々が：
前記第１基準電圧に結合されるソース端子；
ドレイン端子；及び
前記第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたゲート端子；
を有する、ところの第１個数の低圧ＰＭＯＳトランジスタ；並びに
該第１個数の低圧ＰＭＯＳトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第１個数のデバイスであり、各々が前記ＯＬＥＤパネルと前記第１個数の低圧ＰＭＯＳトランジスタ内の対応する１つの低圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子との間に結合されている、ところの第１個数のデバイス；
をさらに有し；
前記第１個数の低圧ＰＭＯＳトランジスタの各々が、前記第１基準電圧に結合されるベース端子をさらに有し；
前記第１のデバイスが：
前記第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたソース端子；
前記第１電流源に結合されるドレイン端子；及び
第２基準電圧に結合されるゲート端子；
を有する第１の高圧ＰＭＯＳトランジスタを含み；
前記第２のデバイスが：
前記第２の低圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたソース端子；
前記ＯＬＥＤパネルに結合されるドレイン端子；及び
第３基準電圧に結合されるゲート端子；
を有する第２の高圧ＰＭＯＳトランジスタを含み；かつ
前記第１個数のデバイスの各々が：
対応する低圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたソース端子；
前記ＯＬＥＤパネルに結合されるドレイン端子；及び
第３基準電圧に結合されるゲート端子；
を有する高圧ＰＭＯＳトランジスタを含み；
前記第２基準電圧が前記第３基準電圧に等しく；
各々の高圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ゲート端子が前記第１の高圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合されており；
前記第１の高圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ゲート端子が該第１の高圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合されている、ところの電流ミラー。
【請求項３】
請求項１に記載の電流ミラーであって、ＰＭＯＬＥＤパネルを駆動するための電流ミラー。
【請求項４】
請求項１に記載の電流ミラーであって、電流モードのＡＭＯＬＥＤパネルを駆動するための電流ミラー。
【請求項５】
ＯＬＥＤパネル；並びに
該ＯＬＥＤパネルを駆動する電流ミラーであって：
第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタであり：
第１基準電圧に結合されたソース端子；
ドレイン端子；及び
当該第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたゲート端子；
を有する第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタ；
第２の低圧ＰＭＯＳトランジスタであり：
前記第１基準電圧に結合されたソース端子；
ドレイン端子；及び
前記第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ゲート端子に結合されたゲート端子；
を有する第２の低圧ＰＭＯＳトランジスタ；
前記第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子と第１電流源との間に結合され、前記第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第１のデバイス；及び
前記第２の低圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子と前記ＯＬＥＤパネルとの間に結合され、前記第２の低圧ＰＭＯＳトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第２のデバイス；
を有する電流ミラー；
を有し；
前記第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタが、前記第１基準電圧に結合されたベース端子をさらに有し；かつ
前記第２の低圧ＰＭＯＳトランジスタが、前記第１基準電圧に結合されたベース端子をさらに有し；
前記第１のデバイスが：
前記第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたソース端子；
前記第１電流源に結合されたドレイン端子；及び
第２基準電圧に結合されたゲート端子；
を有する第１の高圧ＰＭＯＳトランジスタを含み；かつ
前記第２のデバイスが：
前記第２の低圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたソース端子；
前記ＯＬＥＤパネルに結合されたドレイン端子；及び
第３基準電圧に結合されたゲート端子；
を有する第２の高圧ＰＭＯＳトランジスタを含み；
前記第２基準電圧が前記第３基準電圧に等しく、
前記第１の高圧ＰＭＯＳトランジスタ4の前記ゲート端子が該第１の高圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合され、かつ、前記第２の高圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ゲート端子が前記第１の高圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合されており；
前記第１の高圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ゲート端子が該第１の高圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合されている、ところのＯＬＥＤディスプレー。
【請求項６】
請求項５に記載のＯＬＥＤディスプレーであって、前記電流ミラーが：
第１個数の低圧ＰＭＯＳトランジスタであり、各々が：
前記第１基準電圧に結合されたソース端子；
ドレイン端子；及び
前記第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ゲート端子に結合されたゲート端子；
を有する第１個数の低圧ＰＭＯＳトランジスタ；並びに
該第１個数の低圧ＰＭＯＳトランジスタをバイアスする第１個数のデバイスであり、各々が前記ＯＬＥＤパネルと前記第１個数の低圧ＰＭＯＳトランジスタ内の対応する１つの低圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子との間に結合されている、ところの第１個数のデバイス；
をさらに有し；
前記第１個数の低圧ＰＭＯＳトランジスタの各々が、前記第１基準電圧に結合されたベース端子をさらに有し；
前記第１のデバイスが：
前記第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたソース端子；
前記第１電流源に結合されたドレイン端子；及び
第２基準電圧に結合されたゲート端子；
を有する第１の高圧ＰＭＯＳトランジスタを含み；
前記第２のデバイスが：
前記第２の低圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたソース端子；
前記ＯＬＥＤパネルに結合されたドレイン端子；及び
第３基準電圧に結合されたゲート端子；
を有する第２の高圧ＰＭＯＳトランジスタを含み；かつ
前記第１個数のデバイスの各々が：
対応する低圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたソース端子；
前記ＯＬＥＤパネルに結合されたドレイン端子；及び
第３基準電圧に結合されたゲート端子；
を有する高圧ＰＭＯＳトランジスタを含み；
前記第２基準電圧が前記第３基準電圧に等しく；
各々の高圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ゲート端子が前記第１の高圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合されており；
前記第１の高圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ゲート端子が該第１の高圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合されている、ところのＯＬＥＤディスプレー。
【請求項７】
請求項５に記載のＯＬＥＤディスプレーであって、前記ＯＬＥＤパネルがＰＭＯＬＥＤパネルである、ところのＯＬＥＤディスプレー。
【請求項８】
請求項５に記載のＯＬＥＤディスプレーであって、前記ＯＬＥＤパネルが電流モードＡＭＯＬＥＤパネルである、ところのＯＬＥＤディスプレー。
【請求項９】
ＰＭＯＬＥＤパネルを駆動する電流ミラーであって：
電流源；
第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタであり：
第１基準電圧に結合されるソース端子；
ドレイン端子；及び
当該第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたゲート端子；
を有する第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタ；
第２の低圧ＰＭＯＳトランジスタであり：
前記第１基準電圧に結合されるソース端子；
ドレイン端子；及び
前記第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたゲート端子；
を有する第２の低圧ＰＭＯＳトランジスタ；
前記第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合され、前記第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第１のデバイス；
前記第２の低圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子及び前記ＰＭＯＬＥＤパネルに結合され、前記第２の低圧ＰＭＯＳトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第２のデバイス；
前記第１のデバイスに結合され、前記第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタを通る電流を制御するＰＡＭモジュール；並びに
ＮＭＯＳトランジスタであり：
前記電流源に結合されたソース端子；
ドレイン端子；及び
前記ＰＡＭモジュールに結合され、該ＰＡＭモジュールの機能を有効にするゲート端子；
を有するＮＭＯＳトランジスタ；
を有し；
前記第１及び第２の低圧ＰＭＯＳトランジスタの各々が、前記第１基準電圧に結合されるベース端子をさらに有し；
前記第１のデバイスが：
前記第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたソース端子；
前記ＰＡＭモジュールに結合されたドレイン端子；及び
第２基準電圧に結合されるゲート端子；
を有する第１の高圧ＰＭＯＳトランジスタを含み；かつ
前記第２のデバイスが：
前記第２の低圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたソース端子；
前記ＰＭＯＬＥＤパネルに結合されるドレイン端子；及び
第３基準電圧に結合されるゲート端子；
を有する第２の高圧ＰＭＯＳトランジスタを含み；
前記第１の高圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ゲート端子が該第１の高圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合されており；
前記第２基準電圧が前記第３基準電圧に等しく；
前記第１の高圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ゲート端子が該第１の高圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合されている；
電流ミラー。
【請求項１０】
請求項９に記載の電流ミラーであって、前記ＮＭＯＳトランジスタが高圧ＮＭＯＳトランジスタである、ところの電流ミラー。
【請求項１１】
請求項９に記載の電流ミラーであって、前記ＰＡＭモジュールが：
並列に結合された複数のＮＭＯＳトランジスタ；及び
複数のスイッチであり、各々が前記複数のＮＭＯＳトランジスタ内の対応する１つのＮＭＯＳトランジスタに直列接続されている、ところの複数のスイッチ；
を有する、ところの電流ミラー。
【請求項１２】
請求項９に記載の電流ミラーであって：
第１個数の第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタであり、各々が：
前記第１基準電圧に結合されるソース端子；
ドレイン端子；及び
該第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたゲート端子；
を有する、ところの第１個数の第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタ；
第１個数の前記第２の低圧ＰＭＯＳトランジスタであり、各々が：
前記第１基準電圧に結合されるソース端子；
ドレイン端子；及び
前記第１個数の第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタ内の対応する１つの第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたゲート端子；
を有する、ところの第１個数の第２の低圧ＰＭＯＳトランジスタ；
前記第１個数の第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第１個数の第１のデバイスであり、各々が前記第１個数の第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタ内の対応する１つの第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合されている、ところの第１個数の第１のデバイス；
前記第１個数の第２の低圧ＰＭＯＳトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第１個数の第２のデバイスであり、各々が前記ＰＭＯＬＥＤパネルと前記第１個数の第２の低圧ＰＭＯＳトランジスタ内の対応する１つの第２の低圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合されている、ところの第１個数の第２のデバイス；並びに
第１個数のＰＡＭモジュールであり、各々が、前記第１個数の第１のデバイス内の対応する１つの第１のデバイスと前記ＮＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子との間に結合され、前記第１個数の第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタ内の対応する１つの低圧ＰＭＯＳトランジスタを通る電流を制御する、ところの第１個数のＰＡＭモジュール；
をさらに有し；
前記第１個数の第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタの各々が、前記第１基準電圧に結合されるベース端子をさらに有し；かつ
前記第１個数の第２の低圧ＰＭＯＳトランジスタの各々が、前記第１基準電圧に結合されるベース端子をさらに有し；
前記第１個数の第１のデバイスの各々が：
前記第１個数の第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタ内の対応する１つの第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたソース端子；
前記第１個数のＰＡＭモジュール内の対応する１つのＰＡＭモジュールに結合されたドレイン端子；及び
第２基準電圧に結合されるゲート端子；
を有する第１の高圧ＰＭＯＳトランジスタを含み；かつ
前記第１個数の第２のデバイスの各々が：
前記第１個数の第２の低圧ＰＭＯＳトランジスタ内の対応する１つの第２の低圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたソース端子；
前記ＰＭＯＬＥＤパネルに結合されるドレイン端子；及び
第３基準電圧に結合されるゲート端子；
を有する第２の高圧ＰＭＯＳトランジスタを含み；
各々の前記第１個数の第１の高圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ゲート端子が該第１の高圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合されている、ところの電流ミラー。
【請求項１３】
請求項１２に記載の電流ミラーであって、前記第１個数のＰＡＭモジュールの各々が：
並列に結合された複数のＮＭＯＳトランジスタ；及び
複数のスイッチであり、各々が前記複数のＮＭＯＳトランジスタ内の対応する１つのＮＭＯＳトランジスタに直列接続されている、ところの複数のスイッチ；
を含む、ところの電流ミラー。
【請求項１４】
ＰＭＯＬＥＤパネル；並びに
該ＰＭＯＬＥＤパネルを駆動する電流ミラーであって：
電流源；
第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタであり：
第１基準電圧に結合されたソース端子；
ドレイン端子；及び
当該第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたゲート端子；
を有する第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタ；
第２の低圧ＰＭＯＳトランジスタであり：
前記第１基準電圧に結合されたソース端子；
ドレイン端子；及び
前記第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたゲート端子；
を有する第２の低圧ＰＭＯＳトランジスタ；
前記第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合され、前記第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第１のデバイス；
前記第２の低圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子と前記ＰＭＯＬＥＤパネルとの間に結合され、前記第２の低圧ＰＭＯＳトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第２のデバイス；
前記第１のデバイスに結合され、前記第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタを通る電流を制御するＰＡＭモジュール；及び
ＮＭＯＳトランジスタであり：
前記電流源に結合されたソース端子；
ドレイン端子；及び
前記ＰＡＭモジュールに結合され、該ＰＡＭモジュールの機能を有効にするゲート端子；
を有するＮＭＯＳトランジスタ；
を有する電流ミラー；
を有し；
前記第１及び第２の低圧ＰＭＯＳトランジスタの各々が、前記第１基準電圧に結合されたベース端子をさらに有し；
前記第１のデバイスが：
前記第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたソース端子；
前記ＰＡＭモジュールに結合されたドレイン端子；及び
第２基準電圧に結合されたゲート端子；
を有する第１の高圧ＰＭＯＳトランジスタを含み；かつ
前記第２のデバイスが：
前記第２の低圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたソース端子；
前記ＰＭＯＬＥＤパネルに結合されたドレイン端子；及び
第３基準電圧に結合されたゲート端子；
を有する第２の高圧ＰＭＯＳトランジスタを含み；
前記第１の高圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ゲート端子が該第１の高圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合されており；
前記第２基準電圧が前記第３基準電圧に等しく；
前記第１の高圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ゲート端子が該第１の高圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合されている；
ＰＭＯＬＥＤディスプレー。
【請求項１５】
請求項１４に記載のＰＭＯＬＥＤディスプレーであって、前記ＰＡＭモジュールが：
並列に結合された複数のＮＭＯＳトランジスタ；及び
複数のスイッチであり、各々が前記複数のＮＭＯＳトランジスタ内の対応する１つのＮＭＯＳトランジスタに直列接続されている、ところの複数のスイッチ；
を有する、ところのＰＭＯＬＥＤディスプレー。
【請求項１６】
請求項１４に記載のＰＭＯＬＥＤディスプレーであって：
第１個数の第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタであり、各々が：
前記第１基準電圧に結合されたソース端子；
ドレイン端子；及び
該第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたゲート端子；
を有する、ところの第１個数の第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタ；
第１個数の前記第２の低圧ＰＭＯＳトランジスタであり、各々が：
前記第１基準電圧に結合されたソース端子；
ドレイン端子；及び
前記第１個数の第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタ内の対応する１つの第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたゲート端子；
を有する、ところの第１個数の第２の低圧ＰＭＯＳトランジスタ；
前記第１個数の第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第１個数の第１のデバイスであり、各々が前記第１個数の第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタ内の対応する１つの第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合されている、ところの第１個数の第１のデバイス；
前記第１個数の第２の低圧ＰＭＯＳトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第１個数の第２のデバイスであり、各々が前記ＰＭＯＬＥＤパネルと前記第１個数の第２の低圧ＰＭＯＳトランジスタ内の対応する１つの第２の低圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合されている、ところの第１個数の第２のデバイス；並びに
第１個数のＰＡＭモジュールであり、各々が前記第１個数の第１のデバイス内の対応する１つの第１のデバイスと前記ＮＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子とに結合されている、ところの第１個数のＰＡＭモジュール；
をさらに有し；
前記第１個数の第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタの各々が、前記第１基準電圧に結合されたベース端子をさらに有し；かつ
前記第１個数の第２の低圧ＰＭＯＳトランジスタの各々が、前記第１基準電圧に結合されたベース端子をさらに有し；
前記第１個数の第１のデバイスの各々が：
前記第１個数の第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタ内の対応する１つの第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたソース端子；
前記第１個数のＰＡＭモジュール内の対応する１つのＰＡＭモジュールに結合されたドレイン端子；及び
第２基準電圧に結合されたゲート端子；
を有する第１の高圧ＰＭＯＳトランジスタを含み；かつ
前記第１個数の第２のデバイスの各々が：
前記第１個数の第２の低圧ＰＭＯＳトランジスタ内の対応する１つの第２の低圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたソース端子；
前記ＰＭＯＬＥＤパネルに結合されたドレイン端子；及び
第３基準電圧に結合されたゲート端子；
を有する第２の高圧ＰＭＯＳトランジスタを含み；
各々の前記第１個数の第１の高圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ゲート端子が該第１の高圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合されている、ところのＰＭＯＬＥＤディスプレー。
【請求項１７】
請求項１６に記載のＰＭＯＬＥＤディスプレーであって、前記第１個数のＰＡＭモジュールの各々が：
並列に結合された複数のＮＭＯＳトランジスタ；及び
複数のスイッチであり、各々が前記複数のＮＭＯＳトランジスタ内の対応する１つのＮＭＯＳトランジスタに直列接続されている、ところの複数のスイッチ；
を含む、ところのＰＭＯＬＥＤディスプレー。
【請求項１８】
ＡＭＯＬＥＤパネルを駆動する電流ミラーであって：
電流源；
第１の低圧ＮＭＯＳトランジスタであり：
ソース端子；
ドレイン端子；及び
当該第１の低圧ＮＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたゲート端子；
を有する第１の低圧ＮＭＯＳトランジスタ；
第２の低圧ＮＭＯＳトランジスタであり：
前記第１の低圧ＮＭＯＳトランジスタの前記ソース端子に結合されたソース端子；
ドレイン端子；及び
前記第１の低圧ＮＭＯＳトランジスタの前記ゲート端子に結合されたゲート端子；
を有する第２の低圧ＮＭＯＳトランジスタ；
前記第１の低圧ＮＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子と前記電流源との間に結合され、前記第１の低圧ＮＭＯＳトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第１のデバイス；
前記第２の低圧ＮＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合され、前記第２の低圧ＮＭＯＳトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第２のデバイス；並びに
前記第２のデバイスと前記ＡＭＯＬＥＤパネルとの間に結合されるスイッチ；
を有し；
前記第１の低圧ＮＭＯＳトランジスタの前記ソース端子がグランドに結合されており；
前記第１のデバイスが：
前記第１の低圧ＮＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたソース端子；
前記電流源に結合されたドレイン端子；及び
第１基準電圧源に結合されるゲート端子；
を有する第１の高圧ＮＭＯＳトランジスタを含み；かつ
前記第２のデバイスが：
前記第２の低圧ＮＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたソース端子；
前記スイッチに結合されたドレイン端子；及び
第２基準電圧源に結合されるゲート端子；
を有する第２の高圧ＮＭＯＳトランジスタを含み；
前記第１の高圧ＮＭＯＳトランジスタの前記ゲート端子が該第１の高圧ＮＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合されており；
前記第１基準電圧が前記第２基準電圧に等しく；
前記第１の高圧ＮＭＯＳトランジスタの前記ゲート端子が該第１の高圧ＮＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合されている；
電流ミラー。
【請求項１９】
請求項１８に記載の電流ミラーであって：
第１個数の第３の低圧ＮＭＯＳトランジスタであり、各々が：
前記第１の低圧ＮＭＯＳトランジスタのソース端子に結合されたソース端子；
ドレイン端子；及び
前記第１の低圧ＮＭＯＳトランジスタの前記ゲート端子に結合されたゲート端子；
を有する、ところの第１個数の第３の低圧ＮＭＯＳトランジスタ；
前記第１個数の第３の低圧ＮＭＯＳトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第１個数の第３のデバイスであり、各々が前記第１個数の第３の低圧ＮＭＯＳトランジスタ内の対応する１つの第３の低圧ＮＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合されている、ところの第１個数の第３のデバイス；並びに
第１個数のスイッチであり、各々が、対応する１つの第３のデバイスと前記ＡＭＯＬＥＤパネルとの間に結合される、ところの第１個数のスイッチ；
をさらに有する、ところの電流ミラー。
【請求項２０】
請求項１９に記載の電流ミラーであって、前記第１個数の第３のデバイスの各々が：
前記第１個数の第３の低圧ＮＭＯＳトランジスタ内の対応する１つの第３の低圧ＮＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたソース端子；
前記第１個数のスイッチ内の対応する１つのスイッチに結合されたドレイン端子；及び
第２基準電圧源に結合されるゲート端子；
を有する第３の高圧ＮＭＯＳトランジスタを含む、ところの電流ミラー。
【請求項２１】
ＡＭＯＬＥＤパネル；並びに
該ＡＭＯＬＥＤパネルを駆動する電流ミラーであって：
電流源；
第１の低圧ＮＭＯＳトランジスタであり：
ソース端子；
ドレイン端子；及び
当該第１の低圧ＮＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたゲート端子；
を有する第１の低圧ＮＭＯＳトランジスタ；
第２の低圧ＮＭＯＳトランジスタであり：
前記第１の低圧ＮＭＯＳトランジスタの前記ソース端子に結合されたソース端子；
ドレイン端子；及び
前記第１の低圧ＮＭＯＳトランジスタの前記ゲート端子に結合されたゲート端子；
を有する第２の低圧ＮＭＯＳトランジスタ；
前記第１の低圧ＮＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子と前記電流源との間に結合され、前記第１の低圧ＮＭＯＳトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第１のデバイス；
前記第２の低圧ＮＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合され、前記第２の低圧ＮＭＯＳトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第２のデバイス；及び
前記第２のデバイスと前記ＡＭＯＬＥＤパネルとの間に結合されるスイッチ；
を有する電流ミラー；
を有し；
前記第１の低圧ＮＭＯＳトランジスタの前記ソース端子がグランドに結合されており；
前記第１のデバイスが：
前記第１の低圧ＮＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたソース端子；
前記電流源に結合されたドレイン端子；及び
第１基準電圧源に結合されるゲート端子；
を有する第１の高圧ＮＭＯＳトランジスタを含み；かつ
前記第２のデバイスが：
前記第２の低圧ＮＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたソース端子；
前記スイッチに結合されたドレイン端子；及び
第２基準電圧源に結合されるゲート端子；
を有する第２の高圧ＮＭＯＳトランジスタを含み；
前記第１の高圧ＮＭＯＳトランジスタの前記ゲート端子が該第１の高圧ＮＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合されており；
前記第１基準電圧が前記第２基準電圧に等しく；
前記第１の高圧ＮＭＯＳトランジスタの前記ゲート端子が該第１の高圧ＮＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合されている；
ＡＭＯＬＥＤディスプレー。
【請求項２２】
請求項２１に記載のＡＭＯＬＥＤディスプレーであって：
第１個数の第３の低圧ＮＭＯＳトランジスタであり、各々が：
前記第１の低圧ＮＭＯＳトランジスタのソース端子に結合されたソース端子；
ドレイン端子；及び
前記第１の低圧ＮＭＯＳトランジスタの前記ゲート端子に結合されたゲート端子；
を有する、ところの第１個数の第３の低圧ＮＭＯＳトランジスタ；
前記第１個数の第３の低圧ＮＭＯＳトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第１個数の第３のデバイスであり、各々が前記第１個数の第３の低圧ＮＭＯＳトランジスタ内の対応する１つの第３の低圧ＮＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合されている、ところの第１個数の第３のデバイス；並びに
第１個数のスイッチであり、各々が前記第１個数の第３のデバイス内の対応する１つの第３のデバイスと前記ＡＭＯＬＥＤパネルとの間に結合される、ところの第１個数のスイッチ；
をさらに有し；
前記第１個数の第３のデバイスの各々が：
前記第１個数の第３の低圧ＮＭＯＳトランジスタ内の対応する１つの第３の低圧ＮＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたソース端子；
前記第１個数のスイッチ内の対応する１つのスイッチに結合されたドレイン端子；及び
第２基準電圧源に結合されるゲート端子；
を有する第３の高圧ＮＭＯＳトランジスタを含む、ところのＡＭＯＬＥＤディスプレー。
【請求項２３】
ＡＭＯＬＥＤパネルを駆動する電流ミラーであって：
電流源；
第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタであり：
ソース端子；
ドレイン端子；及び
当該第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたゲート端子；
を有する第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタ；
第２の低圧ＰＭＯＳトランジスタであり：
前記第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ソース端子に結合されたソース端子；
ドレイン端子；及び
前記第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ゲート端子に結合されたゲート端子；
を有する第２の低圧ＰＭＯＳトランジスタ；
前記第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子と前記電流源との間に結合され、前記第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第１のデバイス；
前記第２の低圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合され、前記第２の低圧ＰＭＯＳトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第２のデバイス；並びに
前記第２のデバイスと前記ＡＭＯＬＥＤパネルとの間に結合されるスイッチ；
を有し；
前記第１のデバイスが：
前記第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたソース端子；
前記電流源に結合されたドレイン端子；及び
第１基準電圧源に結合されるゲート端子；
を有する第１の高圧ＰＭＯＳトランジスタを含み；かつ
前記第２のデバイスが：
前記第２の低圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたソース端子；
前記スイッチに結合されたドレイン端子；及び
第２基準電圧源に結合されるゲート端子；
を有する第２の高圧ＰＭＯＳトランジスタを含み；
前記第１の高圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ゲート端子が該第１の高圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合されており；
前記第１基準電圧が前記第２基準電圧に等しく；
前記第１の高圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ゲート端子が該第１の高圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合されている；
電流ミラー。
【請求項２４】
請求項２３に記載の電流ミラーであって：
第１個数の第３の低圧ＰＭＯＳトランジスタであり、各々が：
前記第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタのソース端子に結合されたソース端子；
ドレイン端子；及び
前記第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ゲート端子に結合されたゲート端子；
を有する、ところの第１個数の第３の低圧ＰＭＯＳトランジスタ；
前記第１個数の第３の低圧ＰＭＯＳトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第１個数の第３のデバイスであり、各々が前記第１個数の第３の低圧ＰＭＯＳトランジスタ内の対応する１つの第３の低圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合されている、ところの第１個数の第３のデバイス；並びに
第１個数のスイッチであり、各々が、対応する１つの第３のデバイスと前記ＡＭＯＬＥＤパネルとの間に結合される、ところの第１個数のスイッチ；
をさらに有し；
前記第１個数の第３のデバイスの各々が：
前記第１個数の第３の低圧ＰＭＯＳトランジスタ内の対応する１つの第３の低圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたソース端子；
前記第１個数のスイッチ内の対応する１つのスイッチに結合されたドレイン端子；及び
前記第２基準電圧源に結合されるゲート端子；
を有する第３の高圧ＰＭＯＳトランジスタを含む、ところの電流ミラー。
【請求項２５】
ＡＭＯＬＥＤパネル；並びに
該ＡＭＯＬＥＤパネルを駆動する電流ミラーであって：
電流源；
第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタであり：
ソース端子；
ドレイン端子；及び
当該第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたゲート端子；
を有する第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタ；
第２の低圧ＰＭＯＳトランジスタであり：
前記第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ソース端子に結合されたソース端子；
ドレイン端子；及び
前記第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ゲート端子に結合されたゲート端子；
を有する第２の低圧ＰＭＯＳトランジスタ；
前記第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子と前記電流源との間に結合され、前記第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第１のデバイス；
前記第２の低圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合され、前記第２の低圧ＰＭＯＳトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第２のデバイス；及び
前記第２のデバイスと前記ＡＭＯＬＥＤパネルとの間に結合されるスイッチ；
を有する電流ミラー；
を有し；
前記第１のデバイスが：
前記第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたソース端子；
前記電流源に結合されたドレイン端子；及び
第１基準電圧源に結合されるゲート端子；
を有する第１の高圧ＰＭＯＳトランジスタを含み；かつ
前記第２のデバイスが：
前記第２の低圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたソース端子；
前記スイッチに結合されたドレイン端子；及び
第２基準電圧源に結合されるゲート端子；
を有する第２の高圧ＰＭＯＳトランジスタを含み；
前記第１の高圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ゲート端子が該第１の高圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合されおり；
前記第１基準電圧が前記第２基準電圧に等しく；
前記第１の高圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ゲート端子が該第１の高圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合されている、
ＡＭＯＬＥＤディスプレー。
【請求項２６】
請求項２５に記載のＡＭＯＬＥＤディスプレーであって：
第１個数の第３の低圧ＰＭＯＳトランジスタであり、各々が：
前記第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタのソース端子に結合されたソース端子；
ドレイン端子；及び
前記第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ゲート端子に結合されたゲート端子；
を有する、ところの第１個数の第３の低圧ＰＭＯＳトランジスタ；
前記第１個数の第３の低圧ＰＭＯＳトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第１個数の第３のデバイスであり、各々が前記第１個数の第３の低圧ＰＭＯＳトランジスタ内の対応する１つの第３の低圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合されている、ところの第１個数の第３のデバイス；並びに
第１個数のスイッチであり、各々が、対応する１つの第３のデバイスと前記ＡＭＯＬＥＤパネルとの間に結合される、ところの第１個数のスイッチ；
をさらに有し；
前記第１個数の第３のデバイスの各々が：
前記第１個数の第３の低圧ＰＭＯＳトランジスタ内の対応する１つの第３の低圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたソース端子；
前記第１個数のスイッチ内の対応する１つのスイッチに結合されたドレイン端子；及び
前記第２基準電圧源に結合されるゲート端子；
を有する第３の高圧ＰＭＯＳトランジスタを含む、ところのＡＭＯＬＥＤディスプレー。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）パネル及びそれを駆動する電流ミラーに関し、より具体的には、ＯＬＥＤパネル及び該ＯＬＥＤパネルを駆動するための安定した駆動電流を供給可能な電流ミラーに関する。
【背景技術】
【０００２】
技術の急速な進展に伴って、軽くて持ち運び可能で、低消費電力性を備えた電子デバイスが日常生活において広く用いられるようになっている。例えば移動電話、携帯情報端末（ＰＤＡ）又はノート型コンピュータ等のこれら電子デバイスにおいては、ユーザと機械との間の交流インターフェースとしてディスプレーが必要である。近年、高解像度イメージ、大型スクリーン、及び低コスト化のため、平面パネルディスプレー（ＦＰＤ）デバイスの開発が進められている。様々なＦＰＤデバイスの中でも、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）パネルが、中／小型応用において、ますます大きな注目を得るに至っている。それは、例えば、自発光源、広視野角、高速応答時間、低消費電力、高コントラスト、高輝度、フルカラー、簡易な構造、及び広い動作温度範囲といった利点のためである。例えば、低歩留まり、不都合なマスク適用、又は不安定なキャップ封止プロセスといった製造上の課題も近年解決されつつあり、ＯＬＥＤパネルは将来動向となってきている。
【０００３】
ＯＬＥＤパネルは電流駆動デバイスであり、その輝度は通過電流によって決定される。故に、駆動電流の安定化が非常に重要である。高解像度のパッシブマトリックス型ＯＬＥＤ（ＰＭＯＬＥＤ）、又は電流モードのアクティブマトリックス型ＯＬＥＤ（ＡＭＯＬＥＤ）を用いるパネルでは、ＯＬＥＤの各画素に供給される電流間の均一性が、高品質イメージを提供するために極めて重要である。
【０００４】
ＰＭＯＬＥＤパネルはパルス幅変調（ＰＷＭ）によって駆動可能である。ＰＷＭでは、ＰＭＯＬＥＤの発光を制御するために、パルス電圧のデューティサイクルが変化させられる。従来から、ＯＬＥＤパネルを駆動するために電流ミラーが用いられてきた。高圧電源が必要であるため、電流ミラーは高電圧の金属酸化膜半導体（高圧ＭＯＳ）トランジスタを有している。図１は、ＰＷＭによってＯＬＥＤパネルを駆動するための従来の電流ミラー100を示している。電流ミラー100はn+1個の高圧ｐ型ＭＯＳ（高圧ＰＭＯＳ）トランジスタP0乃至Pn（図１にはP0、P1、P2及びPnのみが示されている）を有している。電流ミラー100は高電圧であるVcc_HVを受けている。図１に示されるように、各高圧ＰＭＯＳトランジスタのソース端子及びベース端子は高圧電源Vcc_HVに結合されている。電流ミラー100は、高圧ＰＭＯＳトランジスタP0乃至Pnのドレイン端子側のＯＬＥＤパネルに、電流I1乃至Inを出力する。しかし、高圧ＰＭＯＳトランジスタP0乃至Pnの閾値電圧が公称値から別々に外れ、電流I1乃至In間に大きなばらつきを生じさせ得る。従って、従来の電流ミラー100は、高解像度イメージを実現するために要求される安定した電流をＯＬＥＤパネルに供給することができなかった。
【０００５】
図２は、ＰＷＭによってＯＬＥＤパネルを駆動するための他の従来の電流ミラー200を示している。従来の電流ミラー100に対して、従来の電流ミラー200はカスコード構造をしており、対応する高圧ＰＭＯＳトランジスタP0乃至Pnに直列接続されたn+1個の高圧ＰＭＯＳトランジスタPC0乃至PCn（図２にはPC0、PC1、PC2及びPCnのみが示されている）をさらに有している。トランジスタP0乃至Pnは高圧ＰＭＯＳトランジスタであるため、ドレイン端子（図２のノードA0乃至An）に定められる電圧は非常に高くなり得る。安全性の観点から、従来の電流ミラー200に用いられる全てのデバイスが高圧ＰＭＯＳトランジスタでなければならない。故に、高圧ＰＭＯＳトランジスタP0乃至Pn、及びPC0乃至PCnの閾値電圧はやはり、公称値から別々に外れ、電流I1乃至In間に大きなばらつきを生じさせ得る。従って、従来の電流ミラー200は、高解像度イメージを実現するために要求される安定した電流をＯＬＥＤパネルに供給することができなかった。
【０００６】
ＰＭＯＬＥＤパネルはまた、パルス振幅変調（ＰＡＭ）によっても駆動可能である。図３は、ＭビットＰＡＭモジュール30を示している。ＰＡＭモジュール30はスイッチSW1乃至SWm、及びＮＭＯＳトランジスタN1乃至Nmを有している。IDC1乃至IDCmは、それぞれ、ＮＭＯＳトランジスタN1乃至Nmを通る電流を示している。ＰＡＭモジュール30は、電流IDC1乃至IDCmの経路をスイッチSW1乃至SWmを用いて制御し、それによって全体電流IDCの量を制御する。
【０００７】
図４は、ＰＡＭによってＯＬＥＤパネルを駆動するための従来の電流ミラー400を示している。電流ミラー400は電流源IDC、ｎ型金属酸化膜半導体（ＮＭＯＳ）トランジスタN0、2n個の高圧ＰＭＯＳトランジスタP1乃至Pn及びP1’乃至Pn’、並びにＰＡＭモジュールPAM1乃至PAMnを有している。電流ミラー400は高電圧Vcc_HVを受け取っている。図４に示されるように、各高圧ＰＭＯＳトランジスタのソース端子及びベース端子は高電圧Vcc_HVに結合され、高圧ＰＭＯＳトランジスタP1乃至Pnのドレイン端子は、それぞれ、ＰＡＭモジュールPAM1乃至PAMnに結合されている。ＰＡＭモジュールPAM1乃至PAMnの各々は図３に示されるＭビットＰＡＭモジュール30を含むことができる。ドレイン電流I1’乃至In’がＯＬＥＤパネルに出力される。ＰＡＭモジュールPAM1乃至PAMnは、高圧ＰＭＯＳトランジスタP1乃至Pnを通るドレイン電流I1乃至Inの量を制御し、それによって、高圧ＰＭＯＳトランジスタP1’乃至Pn’を通るドレイン電流I1’乃至In’の量を制御する。高圧ＰＭＯＳトランジスタP1乃至Pn及びP1’乃至Pn’の閾値電圧は公称値から別々に外れ、電流I1’乃至In’間に大きなばらつきを生じさせ得る。従って、電流ミラー400は、高解像度イメージを実現するために要求される安定した電流をＯＬＥＤパネルに供給することができなかった。
【０００８】
図５は、ＰＡＭによってＯＬＥＤパネルを駆動するための他の従来の電流ミラー500を示している。従来の電流ミラー400に対して、従来の電流ミラー500はカスコード構造をしており、対応する高圧ＰＭＯＳトランジスタP1乃至Pn及びP1’乃至Pn’にそれぞれ直列接続された2n個の高圧ＰＭＯＳトランジスタPC1乃至PCn及びPC1’乃至PCn’をさらに有している。トランジスタP1乃至Pn及びP1’乃至Pn’は高圧ＰＭＯＳトランジスタであるため、ドレイン端子（図５のノードA1乃至An）に設立される電圧は非常に高くなり得る。安全性の観点から、従来の電流ミラー500に用いられる全てのデバイスが高圧ＰＭＯＳトランジスタでなければならない。故に、高圧ＰＭＯＳトランジスタP1乃至Pn及びP1’乃至Pn’の閾値電圧はやはり、公称値から別々に外れ、ＯＬＥＤパネルに出力される電流I1’乃至In’間に大きなばらつきを生じさせ得る。従って、電流ミラー500は、高解像度イメージを実現するために要求される安定した電流をＯＬＥＤパネルに供給することができなかった。
【０００９】
図６は、ＰＡＭによってＯＬＥＤパネルを駆動するための他の従来の電流ミラー600を示している。従来の電流ミラー500に対して、従来の電流ミラー600もまたカスコード構造をしているが、高圧ＰＭＯＳトランジスタP1乃至Pnのドレイン端子がそれぞれ高圧ＰＭＯＳトランジスタPC1乃至PCnのゲート端子に結合され、高圧ＰＭＯＳトランジスタPC1乃至PCn及びPC1’乃至PCn’のゲート端子が基準電圧に結合されている。電流ミラー600では、高圧ＰＭＯＳトランジスタP1乃至Pn及びP1’乃至Pn’の閾値電圧は、公称値から別々に外れ、ＯＬＥＤパネルに出力される電流I1’乃至In’間に大きなばらつきを生じさせ得る。従って、電流ミラー500は、高解像度イメージを実現するために要求される安定した電流をＯＬＥＤパネルに供給することができなかった。
【００１０】
ＡＭＯＬＥＤパネルにおいては、各ＯＬＥＤ画素は薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）スイッチで制御される。ＡＭＯＬＥＤパネルを駆動するデータドライバーは、イメージデータに対応する駆動電流を生成可能なデジタル・アナログ変換器（ＤＡＣ）を有する。電流方向に応じて、データドライバーは２つの型式に分類される。シンクモードのデータドライバー及びソースモードのデータドライバーである。図７は、ＡＭＯＬＥＤパネルを駆動するための従来のシンクモード電流ミラー700を示している。電流ミラー700は電流源IDC、n+1個の高圧ＮＭＯＳトランジスタN0乃至Nn、及びスイッチSW1乃至SWnを有している。高圧ＮＭＯＳトランジスタN0のドレイン端子は電流源IDCに結合され、高圧ＮＭＯＳトランジスタN1乃至Nnのドレイン端子はそれぞれスイッチSW1乃至SWnを介してＡＭＯＬＥＤパネルに結合されている。故に、電流ミラー700はスイッチSW1乃至SWnをオン／オフさせることにより駆動電流Iの量を制御する。しかし、高圧ＮＭＯＳトランジスタN1乃至Nnの閾値電圧はやはり、公称値から別々に外れ、各々の高圧ＮＭＯＳトランジスタを通る電流間に大きなばらつきを生じさせ得る。従って、電流ミラー700は、高解像度イメージを実現するために要求される安定した電流をＡＭＯＬＥＤパネルに供給することができなかった。
【００１１】
図８は、ＡＭＯＬＥＤパネルを駆動するための従来のソースモード電流ミラー800を示している。電流ミラー800は電流源IDC、n+1個の高圧ＰＭＯＳトランジスタP0乃至Pn、及びスイッチSW1乃至SWnを有している。高圧ＰＭＯＳトランジスタP0のドレイン端子は電流源IDCに結合され、高圧ＰＭＯＳトランジスタP1乃至Pnのドレイン端子はそれぞれスイッチSW1乃至SWnを介してＡＭＯＬＥＤパネルに結合されている。故に、電流ミラー800はスイッチSW1乃至SWnをオン／オフさせることにより駆動電流Iの量を制御する。しかし、高圧ＰＭＯＳトランジスタP0乃至Pnの閾値電圧はやはり、公称値から別々に外れ、各々の高圧ＰＭＯＳトランジスタを通る電流間に大きなばらつきを生じさせ得る。従って、電流ミラー800は、高解像度イメージを実現するために要求される安定した電流をＡＭＯＬＥＤパネルに供給することができなかった。
【特許文献１】台湾特許出願第９１１３７５５１号明細書
【特許文献２】台湾特許第４５９１６９号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明の目的は、ＯＬＥＤパネルに均一性の高い電流を供給することが可能な、ＯＬＥＤパネルを駆動するための電流ミラー、及びそれを用いたＯＬＥＤディスプレーを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明によって提供される有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）パネルを駆動する電流ミラーは、第１の低電圧Ｐ型ＭＯＳ（低圧ＰＭＯＳ）トランジスタであり、第１基準電圧に結合されるソース端子、ドレイン端子、及び当該第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたゲート端子、を有する第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタ；第２の低圧ＰＭＯＳトランジスタであり、前記第１基準電圧に結合されるソース端子、ドレイン端子、及び前記第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ゲート端子に結合されたゲート端子、を有する第２の低圧ＰＭＯＳトランジスタ；前記第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子と第１電流源との間に結合され、前記第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第１の高圧デバイス；並びに前記第２の低圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子と前記ＯＬＥＤパネルとに結合され、前記第２の低圧ＰＭＯＳトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第２の高圧デバイスを有する。
【００１４】
本発明によって提供されるＯＬＥＤディスプレーは、ＯＬＥＤパネル及び該ＯＬＥＤパネルを駆動する電流ミラーを有する。該電流ミラーは、第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタであり、第１基準電圧に結合されたソース端子、ドレイン端子、及び当該第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたゲート端子、を有する第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタ；第２の低圧ＰＭＯＳトランジスタであり、前記第１基準電圧に結合されたソース端子、ドレイン端子、及び前記第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ゲート端子に結合されたゲート端子、を有する第２の低圧ＰＭＯＳトランジスタ；前記第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子と第１電流源との間に結合され、前記第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第１の高圧デバイス；並びに前記第２の低圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子と前記ＯＬＥＤパネルとの間に結合され、前記第２の低圧ＰＭＯＳトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第２の高圧デバイスを有する。
【００１５】
本発明によってさらに提供されるパッシブマトリックス型（ＰＭ）ＯＬＥＤパネルを駆動する電流ミラーは、電流源；第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタであり、第１基準電圧に結合されるソース端子、ドレイン端子、及び当該第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたゲート端子、を有する第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタ；第２の低圧ＰＭＯＳトランジスタであり、前記第１基準電圧に結合されるソース端子、ドレイン端子、及び前記第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたゲート端子、を有する第２の低圧ＰＭＯＳトランジスタ；前記第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合され、前記第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第１の高圧デバイス；前記第２の低圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子及び前記ＰＭＯＬＥＤパネルに結合され、前記第２の低圧ＰＭＯＳトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第２の高圧デバイス；前記第１の高圧デバイスに結合され、前記第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタを通る電流を制御するパルス振幅変調（ＰＡＭ）モジュール；並びにＮ型ＭＯＳ（ＮＭＯＳ）トランジスタであり、前記電流源に結合されたソース端子、ドレイン端子、及び前記ＰＡＭモジュールに結合され、該ＰＡＭモジュールの機能を有効にするゲート端子、を有するＮＭＯＳトランジスタを有する。
【００１６】
本発明によってさらに提供されるＰＭＯＬＥＤディスプレーは、ＰＭＯＬＥＤパネル及び該ＰＭＯＬＥＤパネルを駆動する電流ミラーを有する。該電流ミラーは、電流源；第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタであり、第１基準電圧に結合されたソース端子、ドレイン端子、及び当該第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたゲート端子、を有する第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタ；第２の低圧ＰＭＯＳトランジスタであり、前記第１基準電圧に結合されたソース端子、ドレイン端子、及び前記第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたゲート端子、を有する第２の低圧ＰＭＯＳトランジスタ；前記第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合され、前記第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第１の高圧デバイス；前記第２の低圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子と前記ＰＭＯＬＥＤパネルとの間に結合され、前記第２の低圧ＰＭＯＳトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第２の高圧デバイス；前記第１の高圧デバイスに結合され、前記第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタを通る電流を制御するＰＡＭモジュール；並びにＮＭＯＳトランジスタであり、前記電流源に結合されたソース端子、ドレイン端子、及び前記ＰＡＭモジュールに結合され、該ＰＡＭモジュールの機能を有効にするゲート端子、を有するＮＭＯＳトランジスタを有する。
【００１７】
本発明によってさらに提供されるアクティブマトリックス型（ＡＭ）ＯＬＥＤパネルを駆動する電流ミラーは、電流源；第１の低圧ＮＭＯＳトランジスタであり、ソース端子、ドレイン端子、及び当該第１の低圧ＮＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたゲート端子、を有する第１の低圧ＮＭＯＳトランジスタ；第２の低圧ＮＭＯＳトランジスタであり、前記第１の低圧ＮＭＯＳトランジスタの前記ソース端子に結合されたソース端子、ドレイン端子、及び前記第１の低圧ＮＭＯＳトランジスタの前記ゲート端子に結合されたゲート端子、を有する第２の低圧ＮＭＯＳトランジスタ；前記第１の低圧ＮＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子と前記電流源との間に結合され、前記第１の低圧ＮＭＯＳトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第１の高圧デバイス；前記第２の低圧ＮＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合され、前記第２の低圧ＮＭＯＳトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第２の高圧デバイス；並びに前記第２の高圧デバイスと前記ＡＭＯＬＥＤパネルとの間に結合されるスイッチを有する。
【００１８】
本発明によってさらに提供されるＡＭＯＬＥＤディスプレーは、ＡＭＯＬＥＤパネル及び該ＡＭＯＬＥＤパネルを駆動する電流ミラーを有する。該電流ミラーは、電流源；第１の低圧ＮＭＯＳトランジスタであり、ソース端子、ドレイン端子、及び当該第１の低圧ＮＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたゲート端子、を有する第１の低圧ＮＭＯＳトランジスタ；第２の低圧ＮＭＯＳトランジスタであり、前記第１の低圧ＮＭＯＳトランジスタの前記ソース端子に結合されたソース端子、ドレイン端子、及び前記第１の低圧ＮＭＯＳトランジスタの前記ゲート端子に結合されたゲート端子、を有する第２の低圧ＮＭＯＳトランジスタ；前記第１の低圧ＮＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子と前記電流源との間に結合され、前記第１の低圧ＮＭＯＳトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第１の高圧デバイス；前記第２の低圧ＮＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合され、前記第２の低圧ＮＭＯＳトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第２の高圧デバイス；並びに前記第２の高圧デバイスと前記ＡＭＯＬＥＤパネルとの間に結合されるスイッチを有する。
【００１９】
本発明によってさらに提供されるＡＭＯＬＥＤパネルを駆動する電流ミラーは、電流源；第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタであり、ソース端子、ドレイン端子、及び当該第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたゲート端子、を有する第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタ；第２の低圧ＰＭＯＳトランジスタであり、前記第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ソース端子に結合されたソース端子、ドレイン端子、及び前記第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ゲート端子に結合されたゲート端子、を有する第２の低圧ＰＭＯＳトランジスタ；前記第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子と前記電流源との間に結合され、前記第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第１の高圧デバイス；前記第２の低圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合され、前記第２の低圧ＰＭＯＳトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第２の高圧デバイス；並びに前記第２の高圧デバイスと前記ＡＭＯＬＥＤパネルとの間に結合されるスイッチを有する。
【００２０】
本発明によってさらに提供されるＡＭＯＬＥＤディスプレーは、ＡＭＯＬＥＤパネル及び該ＡＭＯＬＥＤパネルを駆動する電流ミラーを有する。該電流ミラーは、電流源；第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタであり、ソース端子、ドレイン端子、及び当該第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合されたゲート端子、を有する第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタ；第２の低圧ＰＭＯＳトランジスタであり、前記第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ソース端子に結合されたソース端子、ドレイン端子、及び前記第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ゲート端子に結合されたゲート端子、を有する第２の低圧ＰＭＯＳトランジスタ；前記第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子と前記電流源との間に結合され、前記第１の低圧ＰＭＯＳトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第１の高圧デバイス；前記第２の低圧ＰＭＯＳトランジスタの前記ドレイン端子に結合され、前記第２の低圧ＰＭＯＳトランジスタを所定の低電圧で動作するようにバイアスする第２の高圧デバイス；並びに前記第２の高圧デバイスと前記ＡＭＯＬＥＤパネルとの間に結合されるスイッチを有する。
【００２１】
本発明のこれら及び他の目的は、様々な図に例示される好ましい実施形態についての以下の詳細な記載により、当業者にとって明白となるところである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
図９は本発明に従った、ＰＷＭによってＰＭＯＬＥＤパネルを駆動するための電流ミラー900を示している。従来の電流ミラーと異なり、電流ミラー900はn+1個の低圧ｐ型金属酸化膜半導体（低圧ＰＭＯＳ）トランジスタPL0乃至PLn（図９にはPL0、PL1、PL2及びPLnのみが示されている）、及び、低圧ＰＭＯＳトランジスタPL0乃至PLnにそれぞれ直列接続された高圧デバイス90乃至9nを有している。高圧デバイス90乃至9nは低圧ＰＭＯＳトランジスタPL0乃至PLnにバイアス電圧を供給する。図９に示されるように、電流ミラー900はまた、高電圧HV_Vccを受けている。言い換えれば、各低圧ＰＭＯＳトランジスタのソース端子及びベース端子は高電圧HV_Vccに結合されている。低圧ＰＭＯＳトランジスタの閾値電圧は高圧ＰＭＯＳトランジスタのそれより安定しているので、電流ミラー900は高解像度イメージを実現するために、安定した駆動電流Ih1乃至IhnをＰＭＯＬＥＤパネルに供給することができる。低圧ＰＭＯＳトランジスタPL0乃至PLnの大きさ（Ｗ／Ｌ比）はそれらの動作電圧限界に基づいて決定することができ、高圧デバイス90乃至9nを用いて低圧ＰＭＯＳトランジスタPL0乃至PLnのドレイン端子に適切なバイアス電圧を与えることができる。従って、電流ミラー900は高電圧HV_Vccを受けているものの、やはり、高解像度イメージを実現するために安定した駆動電流Ih1乃至IhnをＰＭＯＬＥＤパネルに供給することができる。
【００２３】
図１０は、電流ミラー900の構成を基礎とする本発明の第１実施形態に従った、ＰＭＯＬＥＤパネルを駆動するための電流ミラー1000を示している。図１０に示されるように、電流ミラー1000はカスコード構造をしており、低圧ＰＭＯＳトランジスタPL0乃至PLnをそれぞれバイアスするためのn+1個の高圧ＰＭＯＳトランジスタPH0乃至PHn（図１０にはPH0、PH1、PH2及びPHnのみが示されている）を有している。高圧ＰＭＯＳトランジスタPH0乃至PHnのゲート端子は基準電圧Vrefに結合され、高圧ＰＭＯＳトランジスタPH0乃至PHnのソース端子はそれぞれ低圧ＰＭＯＳトランジスタPL0乃至PLnのドレイン端子に結合されている。
【００２４】
図１１、１２及び１３はそれぞれ、電流ミラー900の構成を基礎とする本発明の第２、３及び４の実施形態に従った電流ミラー1100、1200及び1300を示している。電流ミラー1000と同様に、電流ミラー1100乃至1300では、高圧ＰＭＯＳトランジスタPH0乃至PHnが高圧デバイス90乃至9nに用いられている。しかし、高圧ＰＭＯＳトランジスタPH0乃至PHnのゲート端子は、電流ミラー1100乃至1300で異なるように結合されている。電流ミラー1100では図１１に示されるように、高圧ＰＭＯＳトランジスタPH0乃至PHnのゲート端子は高圧ＰＭＯＳトランジスタPH0のドレイン端子に結合されている。電流ミラー1200では図１２に示されるように、高圧ＰＭＯＳトランジスタPH0のゲート端子は第１基準電圧Vref1に結合され、高圧ＰＭＯＳトランジスタPH1乃至PHnのゲート端子は第２基準電圧Vref2に結合されている。電流ミラー1300では図１３に示されるように、高圧ＰＭＯＳトランジスタPH0のゲート端子及びドレイン端子はともに結合され、高圧ＰＭＯＳトランジスタPH1乃至PHnのゲート端子は基準電圧Vrefに結合されている。基準電圧Vref、Vref1及びVref2の生成のために、当業者に一般に知られている様々な回路が用いられ得る。
【００２５】
図１４は本発明に従った、ＰＡＭによってＰＭＯＬＥＤパネルを駆動するための電流ミラー1400を示している。従来の電流ミラー400と異なり、電流ミラー1400は、2n個の低圧ＰＭＯＳトランジスタPL1乃至PLn及びPL1’乃至PLn’、並びに、低圧ＰＭＯＳトランジスタPL1乃至PLn及びPL1’乃至PLn’にそれぞれ直列接続された高圧デバイス140乃至14nを有している。高圧デバイス140乃至14nは低圧ＰＭＯＳトランジスタPL1乃至PLn及びPL1’乃至PLn’にバイアス電圧を供給する。図１４に示されるように、電流ミラー1400はまた、高電圧HV_Vccを受けている。言い換えれば、各低圧ＰＭＯＳトランジスタのソース端子及びベース端子は高電圧HV_Vccに結合されている。そして、低圧ＰＭＯＳトランジスタPL1乃至PLnのドレイン端子、それぞれ、高圧デバイス140乃至14nを介してＰＡＭモジュールPAM1乃至PAMnに結合されている。ＰＡＭモジュールPAM1乃至PAMnの各々は図３に示されるＭビットＰＡＭモジュール30を含むことができる。低圧ＰＭＯＳトランジスタPL1乃至PLnに結合された高圧デバイス140乃至14nは電流Ih1乃至Ihnを出力する。一方、低圧ＰＭＯＳトランジスタPL1’乃至PLn’に結合された高圧デバイス140乃至14nは、電流Ih1’乃至Ihn’をＰＭＯＬＥＤパネルに出力する。ＰＡＭモジュールPAM1乃至PAMnは、高圧ＰＭＯＳトランジスタPL1乃至PLnを通るドレイン電流Ih1乃至Ihnの量を制御し、それによって、高圧ＰＭＯＳトランジスタPL1’乃至PLn’を通るドレイン電流Ih1’乃至Ihn’の量を制御する。低圧ＰＭＯＳトランジスタの閾値電圧は高圧ＰＭＯＳトランジスタのそれより安定しているので、電流ミラー1400は高解像度イメージを実現するために、安定した駆動電流Ih1’乃至Ihn’をＰＭＯＬＥＤパネルに供給することができる。各低圧ＰＭＯＳトランジスタの大きさ（Ｗ／Ｌ比）はそれらの動作電圧限界に基づいて決定することができ、高圧デバイス140乃至14nを用いて低圧ＰＭＯＳトランジスタPL1乃至PLn及びPL1’乃至PLn’のドレイン端子に適切なバイアス電圧を与えることができる。従って、電流ミラー1400は高電圧HV_Vccを受けているものの、やはり、高解像度イメージを実現するために安定した駆動電流Ih1’乃至Ihn’をＰＭＯＬＥＤパネルに供給することができる。
【００２６】
図１５は、電流ミラー1400の構成を基礎とする本発明の第５実施形態に従った、ＰＭＯＬＥＤパネルを駆動するための電流ミラー1500を示している。図１５に示されるように、電流ミラー1500は、低圧ＰＭＯＳトランジスタPL1乃至PLn及びPL1’乃至PLn’をそれぞれバイアスするための2n個の高圧ＰＭＯＳトランジスタPCH1乃至PCHn及びPCH1’乃至PCHn’を有している。高圧ＰＭＯＳトランジスタPCH1乃至PCHn及びPCH1’乃至PCHn’のゲート端子は基準電圧Vrefに結合され、高圧ＰＭＯＳトランジスタPCH1乃至PCHn及びPCH1’乃至PCHn’のソース端子は、それぞれ、低圧ＰＭＯＳトランジスタPL1乃至PLn及びPL1’乃至PLn’のドレイン端子に結合されている。低圧ＰＭＯＳトランジスタの閾値電圧は高圧ＰＭＯＳトランジスタのそれより安定しているので、電流ミラー1500は高解像度イメージを実現するために、安定した駆動電流Ih1’乃至Ihn’をＰＭＯＬＥＤパネルに供給することができる。
【００２７】
図１６、１７及び１８はそれぞれ、電流ミラー1400の構成を基礎とする本発明の第６、７及び８の実施形態に従った電流ミラー1600、1700及び1800を示している。電流ミラー1500と同様に、電流ミラー1600乃至1800では高圧ＰＭＯＳトランジスタPCH1乃至PCHn及びPCH1’乃至PCHn’が高圧デバイスに用いられている。しかし、高圧ＰＭＯＳトランジスタPCH1乃至PCHn及びPCH1’乃至PCHn’のゲート端子は、電流ミラー1600乃至1800で異なるように結合されている。電流ミラー1600では図１６に示されるように、高圧ＰＭＯＳトランジスタPCH1乃至PCHnのゲート端子及びドレイン端子はともに結合され、高圧ＰＭＯＳトランジスタPCH1’乃至PCHn’のゲート端子は基準電圧Vrefに結合されている。電流ミラー1700では図１７に示されるように、高圧ＰＭＯＳトランジスタPCH1乃至PCHnのゲート端子は第１基準電圧Vref1に結合され、高圧ＰＭＯＳトランジスタPCH1’乃至PCHn’のゲート端子は第２基準電圧Vref2に結合されている。電流ミラー1800では図１８に示されるように、高圧ＰＭＯＳトランジスタPCH1乃至PCHnのゲート端子及びドレイン端子はともに結合されている。基準電圧Vref、Vref1及びVref2の生成のために、当業者に一般に知られている様々な回路が用いられ得る。
【００２８】
図１９は本発明に従った、ＡＭＯＬＥＤパネルを駆動するためのシンクモード電流ミラー1900を示している。電流ミラー1900は電流源IDC、n+1個の低圧ＮＭＯＳトランジスタNL0乃至NLn（図１９にはNL0、NL1、NL2及びNLnのみが示されている）、高圧デバイス190乃至19n（図１９には190、191、192及び19nのみが示されている）、及びスイッチSW1乃至SWn（図１９にはSW1、SW2及びSWnのみが示されている）を有している。従来の電流ミラー700と異なり、本発明に係る電流ミラー1900は低圧ＮＭＯＳトランジスタNL0乃至NLn、及び、低圧ＮＭＯＳトランジスタをそれぞれバイアスする高圧デバイス190乃至19nを有している。高圧デバイス190乃至19nは高圧ＮＭＯＳトランジスタを含み得る。低圧ＮＭＯＳトランジスタNL0のドレイン端子は高圧デバイス190を介して電流源IDCに結合され、低圧ＮＭＯＳトランジスタNL1乃至NLnのドレイン端子は、それぞれ、高圧デバイス191乃至19n及びスイッチSW1乃至SWnを介してＡＭＯＬＥＤパネルに結合されている。電流ミラー1900はスイッチSW1乃至SWnを用いて駆動電流量を制御する。低圧ＮＭＯＳトランジスタの閾値電圧は高圧ＮＭＯＳトランジスタのそれより安定しているので、低圧ＮＭＯＳトランジスタNL1乃至NLnを通る電流は大きなばらつきを持たない。従って、電流ミラー1900は高解像度イメージを実現するために、安定した駆動電流をＡＭＯＬＥＤパネルに供給することができる。
【００２９】
図２０は本発明に従った、ＡＭＯＬＥＤパネルを駆動するためのソースモード電流ミラー2000を示している。電流ミラー2000は電流源IDC、n+1個の低圧ＰＭＯＳトランジスタPL0乃至PLn（図２０にはPL0、PL1、PL2及びPLnのみが示されている）、高圧デバイス200乃至20n（図２０には200、201、202及び20nのみが示されている）、及びスイッチSW1乃至SWn（図２０にはSW1、SW2及びSWnのみが示されている）を有している。従来の電流ミラー800と異なり、本発明に係る電流ミラー2000は低圧ＰＭＯＳトランジスタPL0乃至PLn、及び、低圧ＰＭＯＳトランジスタPL0乃至PLnをそれぞれバイアスする高圧デバイス200乃至20nを有している。高圧デバイス200乃至20nは高圧ＰＭＯＳトランジスタを含み得る。低圧ＰＭＯＳトランジスタPL0のドレイン端子は高圧デバイス200を介して電流源IDCに結合され、低圧ＰＭＯＳトランジスタPL1乃至PLnのドレイン端子は、それぞれ、高圧デバイス201乃至20n及びスイッチSW1乃至SWnを介してＡＭＯＬＥＤパネルに結合されている。電流ミラー2000はスイッチSW1乃至SWnを用いて駆動電流量を制御する。低圧ＰＭＯＳトランジスタの閾値電圧は高圧ＰＭＯＳトランジスタのそれより安定しているので、低圧ＰＭＯＳトランジスタPL1乃至PLnを通る電流は大きなばらつきを持たない。従って、電流ミラー2000は高解像度イメージを実現するために、安定した駆動電流をＡＭＯＬＥＤパネルに供給することができる。
【００３０】
図２１、２２、２３及び２４はそれぞれ、シンクモード電流ミラー1900の構成を基礎とする本発明の第９、１０、１１及び１２の実施形態に従った電流ミラー2100、2200、2300及び2400を示している。シンクモード電流ミラー1900と同様に、電流ミラー2100乃至2400では、高圧ＮＭＯＳトランジスタNH0乃至NHnが高圧デバイスに用いられている。しかし、高圧ＮＭＯＳトランジスタNH0乃至NHnのゲート端子は、電流ミラー2100乃至2400で異なるように結合されている。電流ミラー2100では図２１に示されるように、高圧ＮＭＯＳトランジスタNH0乃至NHnのゲート端子は基準電圧Vrefに結合されている。電流ミラー2200では図２２に示されるように、高圧ＮＭＯＳトランジスタNH0のゲート端子及びソース端子はともに結合されている。電流ミラー2300では図２３に示されるように、高圧ＮＭＯＳトランジスタNH0のゲート端子は第１基準電圧Vref1に結合され、高圧ＮＭＯＳトランジスタNH1乃至NHnのゲート端子は第２基準電圧Vref2に結合されている。電流ミラー2400では図２４に示されるように、高圧ＮＭＯＳトランジスタNH0のゲート端子及びソース端子はともに結合され、高圧ＮＭＯＳトランジスタNH1乃至NHnのゲート端子は基準電圧Vrefに結合されている。基準電圧Vref、Vref1及びVref2の生成のために、当業者に一般に知られている様々な回路が用いられ得る。
【００３１】
図２５、２６、２７及び２８はそれぞれ、ソースモード電流ミラー2000の構成を基礎とする本発明の第１３、１４、１５及び１６の実施形態に従った電流ミラー2500、2600、2700及び2800を示している。ソースモード電流ミラー2000と同様に、電流ミラー2500乃至2800では、高圧ＰＭＯＳトランジスタPH0乃至PHnが高圧デバイスに用いられている。しかし、高圧ＰＭＯＳトランジスタPH0乃至PHnのゲート端子は、電流ミラー2500乃至2800で異なるように結合されている。電流ミラー2500では図２５に示されるように、高圧ＰＭＯＳトランジスタPH0乃至PHnのゲート端子は基準電圧Vrefに結合されている。電流ミラー2600では図２６に示されるように、高圧ＰＭＯＳトランジスタPH0のゲート端子及びソース端子はともに結合されている。電流ミラー2700では図２７に示されるように、高圧ＰＭＯＳトランジスタPH0のゲート端子は第１基準電圧Vref1に結合され、高圧ＰＭＯＳトランジスタPH1乃至PHnのゲート端子は第２基準電圧Vref2に結合されている。電流ミラー2800では図２８に示されるように、高圧ＰＭＯＳトランジスタPH0のゲート端子及びソース端子はともに結合され、高圧ＰＭＯＳトランジスタPH1乃至PHnのゲート端子は基準電圧Vrefに結合されている。基準電圧Vref、Vref1及びVref2の生成のために、当業者に一般に知られている様々な回路が用いられ得る。
【００３２】
要するに、本発明は電圧バイアスをもたらす高圧デバイスに接続されたＬＶトランジスタを用いる電流ミラーを提供する。本発明に従った電流ミラーは、ＯＬＥＤパネルに用いられる高電圧を受けることができると同時に、安定した閾値電圧を有するＬＶトランジスタを用いて安定した駆動電流を供給することができるので、ＯＬＥＤパネルは高解像度イメージを提供することが可能である。図９乃至２８に例示された図は単に本発明の実施形態であり、本発明の範囲を限定するものではない。
【００３３】
本発明の教示の範囲内で、デバイス及び方法に多数の変更及び代替が為され得ることは当業者が容易に気付くところである。従って、上述の開示は添付の請求項の境界及び範囲によってのみ限定されるものとして解釈されるべきものである。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】従来技術に係る、ＰＷＭによってＯＬＥＤパネルを駆動するための電流ミラーを示す回路図である。
【図２】従来技術に係る、ＰＷＭによってＯＬＥＤパネルを駆動するための他の電流ミラーを示す回路図である。
【図３】ＭビットＰＡＭモジュールを示す回路図である。
【図４】従来技術に係る、ＰＡＭによってＯＬＥＤパネルを駆動するための電流ミラーを示す回路図である。
【図５】従来技術に係る、ＰＡＭによってＯＬＥＤパネルを駆動するための他の電流ミラーを示す回路図である。
【図６】従来技術に係る、ＰＡＭによってＯＬＥＤパネルを駆動するための他の電流ミラーを示す回路図である。
【図７】従来技術に係る、ＡＭＯＬＥＤパネルを駆動するためのシンクモード電流ミラーを示す回路図である。
【図８】従来技術に係る、ＡＭＯＬＥＤパネルを駆動するためのソースモード電流ミラーを示す回路図である。
【図９】本発明に従った、ＰＷＭによってＰＭＯＬＥＤパネルを駆動するため電流ミラーを示す回路図である。
【図１０】本発明の第１実施形態に従った、ＰＭＯＬＥＤパネルを駆動するための電流ミラーを示す回路図である。
【図１１】本発明の第２実施形態に従った、ＰＭＯＬＥＤパネルを駆動するための電流ミラーを示す回路図である。
【図１２】本発明の第３実施形態に従った、ＰＭＯＬＥＤパネルを駆動するための電流ミラーを示す回路図である。
【図１３】本発明の第４実施形態に従った、ＰＭＯＬＥＤパネルを駆動するための電流ミラーを示す回路図である。
【図１４】本発明に従った、ＰＡＭによってＰＭＯＬＥＤパネルを駆動するための電流ミラーを示す回路図である。
【図１５】本発明の第５実施形態に従った、ＰＭＯＬＥＤパネルを駆動するための電流ミラーを示す回路図である。
【図１６】本発明の第６実施形態に従った、ＰＭＯＬＥＤパネルを駆動するための電流ミラーを示す回路図である。
【図１７】本発明の第７実施形態に従った、ＰＭＯＬＥＤパネルを駆動するための電流ミラーを示す回路図である。
【図１８】本発明の第８実施形態に従った、ＰＭＯＬＥＤパネルを駆動するための電流ミラーを示す回路図である。
【図１９】本発明に従った、ＡＭＯＬＥＤパネルを駆動するためのシンクモード電流ミラーを示す回路図である。
【図２０】本発明に従った、ＡＭＯＬＥＤパネルを駆動するためのソースモード電流ミラーを示す回路図である。
【図２１】本発明の第９実施形態に従った、ＡＭＯＬＥＤパネルを駆動するためのシンクモード電流ミラーを示す回路図である。
【図２２】本発明の第１０実施形態に従った、ＡＭＯＬＥＤパネルを駆動するためのシンクモード電流ミラーを示す回路図である。
【図２３】本発明の第１１実施形態に従った、ＡＭＯＬＥＤパネルを駆動するためのシンクモード電流ミラーを示す回路図である。
【図２４】本発明の第１２実施形態に従った、ＡＭＯＬＥＤパネルを駆動するためのシンクモード電流ミラーを示す回路図である。
【図２５】本発明の第１３実施形態に従った、ＡＭＯＬＥＤパネルを駆動するためのソースモード電流ミラーを示す回路図である。
【図２６】本発明の第１４実施形態に従った、ＡＭＯＬＥＤパネルを駆動するためのソースモード電流ミラーを示す回路図である。
【図２７】本発明の第１５実施形態に従った、ＡＭＯＬＥＤパネルを駆動するためのソースモード電流ミラーを示す回路図である。
【図２８】本発明の第１６実施形態に従った、ＡＭＯＬＥＤパネルを駆動するためのソースモード電流ミラーを示す回路図である。
【符号の説明】
【００３５】
100、200、400、500、600、700、800、900、1000、1100、1200、1300、1400、1500、1600、1700、1800、1900、2000、2100、2200、2300、2400、2500、2600、2700、2800  …  電流ミラー
30  …  ＰＡＭモジュール
90、91、92、9n、140、141、14n、190、191、192、19n、200、201、202、20n  …  高圧デバイス
PL0、PL1、PL2、PLn、PL1’、PL2’、PLn’  …  低圧ＰＭＯＳトランジスタ
PH0、PH1、PH2、PHn、PCH1、PCH2、PCHn、PCH1’、PCH2’、PCHn’  …  高圧ＰＭＯＳトランジスタ
N0、N1、N2、Nm  …  ＮＭＯＳトランジスタ
NL0、NL1、NL2、NLn  …  低圧ＮＭＯＳトランジスタ
NH0、NH1、NH2、NHn  …  高圧ＮＭＯＳトランジスタ
【図１】
0004537363.tif 000002
【図２】
0004537363.tif 000003
【図３】
0004537363.tif 000004
【図４】
0004537363.tif 000005
【図５】
0004537363.tif 000006
【図６】
0004537363.tif 000007
【図７】
0004537363.tif 000008
【図８】
0004537363.tif 000009
【図９】
0004537363.tif 000010
【図１０】
0004537363.tif 000011
【図１１】
0004537363.tif 000012
【図１２】
0004537363.tif 000013
【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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