(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板を貫通する第１の開口部と、
前記基板に取り付けられた第１のダイであって、前記開口部の中に位置する第１のダイ接点を有する第１のダイと、
前記基板に取り付けられた第１のトレースと、
前記基板に取り付けられた第２のトレースと、
前記第１の開口部の上をまたいで前記第１のトレースを前記第２のトレースに接続する第１の配線と、
を含む集積回路アセンブリ。
【請求項２】
前記第１の配線は、前記第１のトレースおよび前記第２のトレースに接続されたワイヤを含む、請求項１に記載の集積回路アセンブリ。
【請求項３】
前記ワイヤは更に、前記第１のダイ接点にも接続される、請求項２に記載の集積回路アセンブリ。
【請求項４】
前記第１の配線は、
前記第１のトレースおよび前記第１のダイ接点に接続された第１のワイヤと、
前記第２のトレースおよび前記第１のダイ接点に接続された第２のワイヤと、
を含む、請求項１に記載の集積回路アセンブリ。
【請求項５】
前記第１の配線はストリップトレースを含む、請求項１に記載の集積回路アセンブリ。
【請求項６】
前記ストリップトレースは、前記第１のトレースおよび前記第２のトレースに接続される、請求項５に記載の集積回路アセンブリ。
【請求項７】
前記ストリップトレースは更に、前記第１のダイ接点にも接続される、請求項６に記載の集積回路アセンブリ。
【請求項８】
前記第１のトレースと、前記第２のトレースと、前記ストリップトレースとが、１つの一体型トレースを形成する、請求項５に記載の集積回路アセンブリ。
【請求項９】
前記第１のトレースは前記基板に埋め込まれ、前記基板から前記第１の開口部の中に張り出している、請求項１に記載の集積回路アセンブリ。
【請求項１０】
前記第２のトレースは前記基板に埋め込まれ、前記基板から前記第１の開口部の中に張り出している、請求項９に記載の集積回路アセンブリ。
【請求項１１】
前記基板は薄い可撓性フィルムを含む、請求項１に記載の集積回路アセンブリ。
【請求項１２】
前記基板は第２の開口部を更に備え、前記集積回路アセンブリは、
前記基板に取り付けられた第２のダイであって、前記第２の開口部の中に位置する第２のダイ接点を有する第２のダイと、
前記第２のダイ接点を前記第２のトレースに接続する第２の配線と、
を更に含む、請求項１に記載の集積回路アセンブリ。
【請求項１３】
前記第１のダイおよび前記第２のダイは、前記基板の両面で基板に取り付けられる、請求項１２に記載の集積回路アセンブリ。
【請求項１４】
前記第１のトレース、前記第２のトレース、および前記第１の配線を電気的にシールドする手段を更に含む、請求項１に記載の集積回路アセンブリ。
【請求項１５】
前記第１のトレース、前記第２のトレース、および前記第１の配線のインピーダンスを調節する手段を更に含む、請求項１に記載の集積回路アセンブリ。
【請求項１６】
前記第１のトレースおよび前記第２のトレースのうちの一方の末端部の近くに抵抗器手段を更に含む、請求項１に記載の集積回路アセンブリ。
【請求項１７】
前記第１のダイは、パッケージ化されていないダイである、請求項１に記載の集積回路アセンブリ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は集積回路に関し、詳しくは基板上にＫｎｏｗ−Ｇｏｏｄ−Ｄｉｅを使用した集積回路アセンブリに関する。
【背景技術】
【０００２】
集積回路は、ＬＯＣ（Lead-Over-Chip)リードフレームに機械的に取り付けられ、且つＬＯＣリードフレームに電気的に接続された半導体ダイを有する場合がある。半導体ダイとリードフレームは通常、プラスチックパッケージ、セラミックパッケージ、または金属パッケージの中にトランスファー封入成形される。パッケージ化されたダイの代わりにＫｎｏｗ−Ｇｏｏｄ−Ｄｉｅ（ＫＧＤ）を使用することにより、製造効率を向上させコストを低減できることがある。ＫＧＤとは、検査および／または稼動試験により、他の同等のパッケージ化されたダイと同じ品質および信頼性を有していると概ね判断されたパッケージ化されていないダイのことである。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
性能を向上させ、製造コストを低減した集積回路アセンブリと、その製造方法が必要とされている。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
大まかに言えば、基板上にＫｎｏｗ−Ｇｏｏｄ−Ｄｉｅ（ＫＧＤ）を使用した改良型集積回路アセンブリを提供する。基板上のパッドをトレースその他の導体に配線要素を用いて電気接続したり、基板上のパッドを他のダイ上のパッドに接続したりする。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００５】
次に、本発明の原理の理解を助けるために、図面に描かれた実施形態を参照して、具体的な言葉を用いてそれらの実施形態について説明する。ただし、それらに本発明の範囲を制限する意図はなく、例示する装置の変形や変更、並びに本明細書に記載する発明の原理のさらなる応用はすべて、本発明に関連する技術分野の当業者にとって普通に想起されるものと考えられる。
【０００６】
図１および図２は、本発明の一実施形態による集積回路アセンブリ１０を示す。アセンブリ１０は一般に、複数のダイ、好ましくは事前にテストされたＫｎｏｗ−Ｇｏｏｄ−Ｄｉｅ（ＫＧＤ）１２〜１５、および複数のボンディングワイヤ１８のような配線を含む。基板１９は、ダイの組み付けに適したものであればどのような基板でもよく、プリント回路基板、セラミック、プラスチック、可撓性回路などが挙げられるが、それらに限定される訳ではない。全ての集積回路を基板上に組み付ける最終組立ての前または後に、基板１９を研削または研磨して基板１９を薄くする場合があることに注意して欲しい。トレース２１は様々な組み合わせにより、電力、グラウンド、並びにデータ、アドレス、および制御などの信号を基板１９に接続された１以上のＫＧＤに提供するためのバスを形成する。基板１９には複数の開口部２３〜２６が互いに間隔を空けて形成され、それらが複数の位置でトレース１９を遮断している。開口部のサイズや形は様々であってよく、開口部は基板で完全に囲まれたものでも部分的に囲まれたものでもよく、それらの周辺付近に画定されるものであってもよい。このように、トレース２１のうちのあるものは、図示のように隣り合う一組の開口部２３〜２６間に延び、中央トレース２７と呼ばれる。各グループのトレース（すなわち、開口部２４と開口部２５の間に延びる５本のトレースからなるグループや、開口部２３から外側へ向けて延びる５本のトレースからなるグループ）は並んで延び、実質的に平行で、且つ実質的に同じ長さであることが望ましい。場合によっては、縁部補強材２８が基板１９の十分な部分に結合または使用され、その部分が補強される。図１の実施形態の場合、縁部補強材２８は、図示のように基板１９の周辺を取り囲む一対の金属ストリップ（１つは上、１つは下）からなる。トレース２１のうちのあるものは、基板１９の縁部から外側へ向けて延び、上位回路に接続するためのコネクタ２９を形成する。基板１９の縁部から外側へ向けて延びるトレースは、縁部トレース３０と呼ばれる。縁部トレース３０は補強材２８を貫通して延びている。補強材２８は、ヒートシンクとして機能するサイズおよび構成にしてもよい。ヒートシンクのサイズ、形、組成はどのようなものでもよく、棒状、プレート状、周囲フレーム（全部または一部）、その他が挙げられるが、それらに限定される訳ではない。基板１９が薄いものである場合（例えば、可撓性回路材料のような可撓性フィルムの場合）、補強材２８は、通常ならばダイの重さで湾曲してしまうであろう可撓性フィルム基板を実質的に平坦な形状に保つのに役立つ。ただし、上記のように可撓性フィルムは基板の一例に過ぎない。もっと硬い基板を使用すれば（例えば、プリント回路基板材料など）、補強材は不要な場合もある。
【０００７】
米国特許第６，２１４，６４１Ｂ１号および第６，２１９，９０８Ｂ１号に記載されているように（これらは参照によって取り込まれる）、Ｋｎｏｗ−Ｇｏｏｄ−Ｄｉｅ（ＫＧＤ）とは、検査および／または稼動試験により、他の同等のパッケージ化されたダイと同じ品質および信頼性を概ね有しているものと判断されたパッケージ化されていないダイのことである。こうしたＫＧＤは基板に固定され、コンピュータ、電気通信装置、自動車、腕時計、電気器具、そして恐らくは非常に様々な電子機器に使用されるマルチチップモジュールを形成する。図１の集積回路アセンブリにおいて、ＫＧＤ１２〜１５はそれぞれ１以上の電気的なダイ接点、すなわちダイパッド３１を有している。各ダイパッド３１は、ＫＧＤの電気接点（例えば、グラウンド接続、電力接続、信号接続などに使用される）として機能する。ダイパッドの形や数は、ダイの設計に応じて任意の適当な形および数であってよい。ＫＧＤ１２〜１５は（図２に示すように）基板１９の下面３２に固定され、ダイパッド３１は対応する開口部２３〜２６の中に配置される。すなわち、ダイパッド３１には、基板１９の上面から開口部を通じて接続することができる。ＫＧＤ１２〜１５を基板１９に固定する手段は、接着剤３３のような一般的な任意の適当な手段であってよい。一般的なボンディング技術を使用して、トレース２１からダイパッド３１までワイヤ１８を接続したり、あるトレースの一端３６から別のトレースの一端３７まで開口部２４をまたいでワイヤ１８をジャンパ接続したりすることができる。ワイヤ接続を容易にするために、トレース端部（例えば３６や３７）は開口部２３〜２６の近くにおいてそれぞれ拡大されているので、ワイヤはそのようなトレース端部に接続することが望ましい。ただし、必要に応じて、あるいは特定の電気的構成を実現するために、トレース上の任意の点に１以上のワイヤ１８を接続する場合もあるものと考えられる。
【０００８】
図３は、基板１９の下側のダイ面にだけ補強材３９（およびヒートシンク）を使用する代替実施形態を示している。この例の場合、基板１９は可撓性回路であり、可撓性回路は外縁３４まで延び、そこで捲り返されるか、または小さな挿入基板（図示せず）を巻き込んで捲り返され、上位回路に接続するための代替接続面を形成する。
【０００９】
図４および図５は、代替実施形態による集積回路アセンブリ４０を示す。トレース２１からなる層とトレース４１からなる層の２つの層が、基板１９に取り付けられている。トレース４１の通り道は絶縁層４２に埋め込まれ、トレース２１とトレース４１の間が絶縁層４２により絶縁されている。トレース２１からなる上側の層は図１の実施形態と同様に長手方向に延び、トレース４１からなる下側の層はそのトレース２１に対して横向きに、すなわち概ね垂直に延びている。トレース４１の外側の端部は基板１９および補強材４４から外向きに延び、基板１９の一部に沿ってその上にコネクタ４３が形成される。バイア４６は基板１９を貫通して延び、長手方向に延びる上側トレース２１を、それを横切る方向に延びる下側トレース４１に接続する働きをする。このような長手方向に延びるトレース、横切る方向に延びるトレース、およびバイアは、複雑な多層回路構造を形成するために、基板１９のどの部分に形成してもよい。例えば、基板１９の開口部２３〜２６の上および／または下にある層に途切れのないトレースを設け、別の層にその長手方向に延びるトレースから開口部間の表面領域まで通じる垂直バイアを形成し、さらに、バイアからダイパッドまでワイヤを接続する場合がある。横切る方向のトレースは、長手方向のトレース２１に対して概ね垂直に延びるものとして描かれている。ただし、この第２の下側トレース４１は、上側のトレース２１に対して９０度以外の角度で、互いに平行にならない角度で配置される場合もある。第２のトレース層（もし有れば第３のトレース層や第４のトレース層も）は単に、上側トレースの層に対して相互排他的であればよい。
【００１０】
図６〜図８は、基板４８が多層化された代替実施形態による集積回路アセンブリ４７を示す。バストレース４９（図７に描かれ、図６にも１本だけ破線で描かれている）はトレース２１と同様に基板４８に埋め込まれ、開口部５０〜５３により分断されている。開口部５０〜５３のうちの１つに向かって延びる大部分のトレース４９の端部は、接合端５５を形成する。基板４８の上側を外側へ向けて延びるトレース４９は、その一端４６に上位回路と接続するためのコネクタ５７を形成する。集積回路アセンブリ１０と同様に、接合端５５から基板４８の裏面に取り付けられたＫＧＤ６０〜６３のダイパッド５８にワイヤ６４を接続したり、ある接合端５５から別の接合端５５にワイヤ６４を接続したりすることができる。アセンブリ４７は更に、グラウンド平面トレース６４と電源平面トレース６７を有し、これらがそれぞれ基板４８の上側を長手方向に延びている。グラウンドトレース６６と電源トレース６７は、バイアにより基板４８に接続され（グラウンドトレース６６の場合、符号６９で示されているように）、それぞれ対応する横方向のトレース４９に接続され、横方向の埋め込みグラウンドトレースと横方向の埋め込み電源トレースを形成している（図面にはグラウンドトレース７０しか描いていない）。基板４８から外向きに延びるグラウンドトレースおよび電源トレースは、基板４８の縁部５６に、上位回路と接続するためのグランドコネクタ７２および電源コネクタ７３を形成している。
【００１１】
信号反射を抑制または低減するために、任意選択で、バスの末端部またはその近くに（任意形状の）抵抗器を設けてもよい。抵抗器は、ボンディングワイヤその他の配線要素によりトレースに接続される。任意選択で、抵抗器はグラウンドに接続してもよい。また、トレース間、またはトレースの周りにワイヤ、トレース、シールド、フィルムなどを配置し、アセンブリのトレース間または他の導体間における電気信号その他の信号の干渉を抑制または防止してもよい。
【００１２】
グラウンド平面トレース６６と電源平面トレース６７を基板４８へ向けて下向きに折り曲げ（符号６９に示すように）た後、さらに外向きに折り曲げ、基板４８の縁部５６から取り出してグラウンドコネクタ７２と電源コネクタ７３を直接形成し、グラウンドトレース７０や電源トレース７１を使用しない代替実施形態も考えられる。
【００１３】
グラウンドや電源をグラウンドトレース７０と電源トレース７１のみによって供給し、グランドトレース７０と電源トレース７１を縁部コネクタ７１および７２で終端し、グラウンド平面トレース６６や電源平面トレース６７を全く形成しない代替実施形態も考えられる。
【００１４】
グラウンド平面トレース６６と電源平面トレース６７をバストレース（図１のトレース２１のような）で置き換える実施形態も考えられ、その場合、埋め込みグラウンドトレース７０および／または埋め込み電源トレース７１は使用してもしなくてもよい。
【００１５】
バストレースを基板４８の外側表面に設け（図１や他の図面のトレース２１のように）、そこに接続されたボンディングワイヤを用いて、必要に応じて電源、グラウンド、信号などを供給する代替実施形態も考えられる。このような表面実装型バストレースは、本明細書に記載する埋め込みトレースや平面トレースの代わりに設けてもよいし、それらに追加して設けてもよい。
【００１６】
図９は、ＫＧＤ７７〜８０が基板８１の両面に取り付けられた代替実施形態による集積回路アセンブリ７６を示す。
【００１７】
図１０は、図１や図２のアセンブリ１０と同様にバストレース８３が基板８４に表面実装された代替実施形態による集積回路アセンブリ８２を示す。ＫＧＤ８６〜８９は基板８４の両面に表面実装され、少なくとも１つのＫＧＤが表面実装トレース８３の上に直接取り付けられている。ＫＧＤ８７および８９をトレース８３上に取り付けできるようにするために、一部のトレース８３は図示のように対応する開口部９１および９２の中にまで延び、そこにワイヤ９３を接続できるようになっている。あるいは、図４および図５の集積回路アセンブリ４０について説明したように、複数階層のトレースを使用してもよい。例えば、基板開口部の上および／または下にある層に途切れのない横方向トレースを設け、別の層にそれらの横方向トレースから開口部間の領域まで延びる垂直トレースを設け、さらに、垂直トレースからダイパッドまでワイヤを接続することもできる。このようなトレース構成は、基板の片面に設けることも両面に設けることもできる。
【００１８】
図１１は、複数の縁部トレース９６が外側の開口部から外側へ向けて延び、基板長手方向の中間点まで折り返し、基板の横縁から外側へ延びて横縁コネクタ９７を形成する、代替実施形態による集積回路アセンブリ９５を示す。
【００１９】
図１〜図１１に開示した実施形態の種々の態様を詳しく開示されていない組み合わせで組み合わせた実施形態も考えられる。限定はしないが例えば、図１１の実施形態は、基板の上面と下面の両方に取り付けられたＫＧＤを有することもでき、および／または、２以上の異なるトレース層を有することもできる。種々の形の補強材、カバー、および／または、他の適当な保護材料（参照により本明細書に取り込まれた米国特許第６，２１４，６４１号に開示されている非導電性粘性物質の塊など）を基板、および／または、基板の周りに使用し、基板、ＫＧＤ、トレース、ワイヤなどを補強または保護する実施形態も考えられる。ＫＧＤ、ワイヤおよび関連部品を支持するとともに、取り扱い、およびいかなる磨耗および亀裂にも耐える何らかの適当な材料から基板を構成する実施形態も考えられる。限定はしないが、そうした材料には、可撓性のシリコン、セラミック、エポキシ樹脂、ポリアミド、テフロン、フッ素樹脂の他、有機材料や誘電体材料などがある。
【００２０】
図１２および図１３は、トレース１０６がバスとして機能するように配線された集積回路アセンブリ１０５の一構成例を示す。つまり、バスの形成は、各トレースの端部（例えば１０７）をワイヤ１０９でダイパッド１０８に接続した後、さらにそれを次のトレース端部（例えば１１０）に別のワイヤ１０９で接続することにより行われる。
【００２１】
図１４は、集積回路アセンブリ１０５と同様にトレースがバスとして機能するように配線された代替実施形態による集積回路アセンブリ１１３を示す。隣りあう各対の開口部（例えば１１４と１１５）の間において、基板１１７の上に配置されたトレース１１６は、バイア１１８により基板１１７下側のトレース１１９に接続される。ＫＧＤは、フィルム１１７の上側と下側に交互に取り付けられ、あるＫＧＤのダイパッド１２０は、図示のようにワイヤ１２１、上側トレース１１６、下側トレース１１９、およびもう１つのワイヤ１２１を介して隣りのＫＧＤ１２４のダイパッド１２０に接続される。このようにして、すべてのＫＧＤ１２３〜１２６が実質的に共通バスに沿って接続される。あるいは、バイア１１８で相互接続された互い違い構成のトレース（すなわち１１６と１１９）を何らかの所望の態様でＫＧＤに接続し、それを連続バス等にしてもよい。図７のグラウンドトレース７０のように、基板１９の上面と下面の間にグラウンド平面板を埋め込む代替実施形態も考えられる。こうしたグラウンド平面板は、バイアおよびトレースのインピーダンスを調節するのに使用される。グラウンド平面板は、任意の所望の形に作成することができる。グラウンド平面版は、例えば図６のトレース４９と同じくらい細く作成してもよいし、基板の全幅と同じくらい太く作成することもでき、両者の間の任意の幅または形に作成することができる。グラウンド平面板は、絶縁された開口部を有することが望ましく、その中に１以上のバイア１１８を通すことが望ましい。トレースのうちの１以上は、グラウンド平面板に接続される場合がある。
【００２２】
図１５は、図５の集積回路アセンブリ４０に似た代替実施形態による集積回路アセンブリ１３２を示す。ただし、横方向に延びるトレース１３４が基板１９に埋め込まれ、トレース１３４が必要に応じてバイア１３６により上側の長手方向に延びるトレース１３５の層に接続されている点が異なる。
【００２３】
本明細書に記載する実施形態は、トレースをダイパッドや他のトレースに接続するための配線としてワイヤ（例えば、図１のワイヤ１８）を使用している。本発明で使用される配線には、ある電気的なダイ接点またはトレースを別の電気的なダイ接点またはトレースに電気接続するのに適した任意のデバイス、材料または要素が含まれる。他の配線や、他の配線を使用する方法も考えられ、限定はしないが、例えば導電性ポリマー、接着剤またはエポキシなどをリソグラフィにより転写し、マスクスクリーンやディスペンサを使用するといった方法もある。図１６〜図１７はさらに他の実施形態を示す。図１６に示す集積回路アセンブリ１３９では、超音波ボンディングにより、あるトレース１４１から別のトレース１４２までストリップトレース１４０を接着している。図１７の場合、ストリップトレース１４０は、あるトレース１４１からダイパッド１４３まで下がり、反対側の隣りのトレース１４２に戻るように接着される。
【００２４】
図１８〜図１９は、ストリップトレース１４８が基板１４９の長手方向に沿って種々の開口部１５１および１５２の上に配置された代替回路アセンブリ１４７を示す。その後必要に応じて、ワイヤボンディングや本明細書に記載している他の方法などの任意の適当な方法を用いて、ストリップトレース１４８がその下のダイパッド１５３に接続される。ストリップトレース１４８をダイパッド１５８に接続する方法は他にもあり、例えば導電性ボール１５４（図１９）を使用すること、ストリップトレース１４８を接着するときにバンプ１５５を最初から形成しておくこと（図２０）、ストリップトレース１４８を接着（図１８のように）した後でストリップトレース１４８のダイパッドの位置を変形させ、接続用バンプ１５５を形成することなどが考えられる。あるいは、トレースを接続しようとするダイパッド１５３の上に、バンプやボールを直接形成してもよい（ダイを基板に接着する前に行うのが好ましい）。
【００２５】
図２１は、図１７の構造を示し、トレース１４１と配線要素１４０の上に第１の絶縁材料１６０が配置されている。第１の絶縁材料１６０の上に導電体層１６２が配置され、導電体層１６２の上に第２の絶縁材料１６４が配置される。トレース１４１および配線要素１４０のインピーダンスを調節するために、導電体層１６２はグラウンドまたは電源に接続することができる。あるいは、導電体層１６２は、グラウンドにも電源にも接続せず、トレース１４１、配線要素１４０およびダイ１２３を単にシールドするものにしてもよい。当然ながら、層１６０、１６２および１６４は、アセンブリの一部を包むものであってもよいし、全体を包むものであってもよい。さらに他の代替として、導電体層１６２は、基板１１７に取り付けられた金属ケースであってもよい。そのような場合、層１６４は空気として実施することができ、層１６０も空気にすることができる。当然ながら、類似の層１６０、１６２、および１６４は、本明細書に記載しているどの実施形態にも使用することができる。
【００２６】
図２２および図２３は、マイクロプロセッサ２０２がはんだボール２１８によりトレース２１０および２１２に接続される実施形態を示す。４つのメモリダイ２０４が、図２２および図２３に示すように、配線要素２１４およびトレース２１０によってマイクロプロセッサ２０２に接続されている。当然ながら、図２２および図２３は、様々なタイプのダイを組み合わせて電子システムを形成するシステムの一例を示しているに過ぎない。無線周波数ダイ、アナログダイ、ロジックダイ、または、他のタイプのダイを組み合わせて配線することにより、そのようなシステムが形成される。
【００２７】
図２４および図２５は、ダイ３０４が基板３０６の表面に接着される実施形態を示す。トレース３１０が、接続端３２０からダイ３０４の横の空間まで延びている。配線要素３１４は、ダイ３０４上の端子３１６をトレース３１０に接続している。また、幾つかの配線要素３２０は、ダイ３０４上の端子３１６を別のダイ上の端子３１６に接続している。
【００２８】
図２６および図２７は、基板４０６の裏面（すなわち、ダイ４０４が接着される面）の開口部間にトレース４１０が配置される、更に他の実施形態を示す。図２６および図２７に示すように、配線要素４１４はダイ４０４上の端子４１６をバイア４２０に接続している。バイア４２０は基板４０６を貫通してトレース４１０まで通じている。
【００２９】
本発明は図面と上記の説明に詳しく描かれ説明されているが、それらは例と考えるべきものであり、制限的性質を有するものではなく、好ましい実施形態を図示説明したものにすぎない。本発明の思想の範囲内に属する変形や変更は、すべて保護されることが望ましい。「ａ」、「ａｎ」、「ｓａｉｄ」、および「ｔｈｅ」という冠詞は、単数の要素に限定するためのものではなく、そのような要素を１以上含むことを意味している。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明の一実施形態による集積回路アセンブリ１０を示す平面図である。
【図２】図１の集積回路アセンブリ１０を線２−２に沿って切断し、矢印の方向から見たときの側断面図である。
【図３】図１の集積回路アセンブリ１０の代替実施形態の側断面図である。
【図４】本発明の他の実施形態による集積回路アセンブリ４０を示す平面図である。
【図５】図４の集積回路アセンブリ４０を線５−５に沿って切断し、矢印の方向から見たときの側断面図である。
【図６】本発明の他の実施形態による集積回路アセンブリ４７を示す平面図である。
【図７】図６の集積回路アセンブリ４７を線７−７に沿って切断し、矢印の方向から見たときの側断面図である。
【図８】図６の集積回路アセンブリ４７の底面図である。
【図９】本発明の他の実施形態による集積回路アセンブリ７６の側断面図である。
【図１０】本発明の他の実施形態による集積回路アセンブリ８２の側断面図である。
【図１１】本発明の他の実施形態による集積回路アセンブリ９５を示す平面図である。
【図１２】本発明の他の実施形態による集積回路アセンブリ１０５を示す平面図である。
【図１３】図１２の集積回路アセンブリ１０５を線１３−１３に沿って切断し、矢印の方向から見たときの側断面図である。
【図１４】本発明の他の実施形態による集積回路アセンブリ１１３の側断面図である。
【図１５】本発明の他の実施形態による集積回路アセンブリの側断面図である。
【図１６】本発明の他の実施形態による集積回路アセンブリの側断面図である。
【図１７】本発明の他の実施形態による集積回路アセンブリの側断面図である。
【図１８】本発明の他の実施形態による集積回路アセンブリの側断面図である。
【図１９】本発明の他の実施形態による集積回路アセンブリの側断面図である。
【図２０】本発明の他の実施形態による集積回路アセンブリの側断面図である。
【図２１】導電性トレースおよび配線要素のインピーダンスを調節するための、導電性トレースおよび配線要素から絶縁された導電性平面板の追加を示す図である。
【図２２】相互接続された異なるタイプの集積回路を含むシステムの組み立てを示す平面図である。
【図２３】図２２のアセンブリの側面図である。
【図２４】ある集積回路から別の集積回路に直接配線されるアセンブリの平面図である。
【図２５】図２４のアセンブリの側断面図である。
【図２６】ダイ上の端子から基板のバイアまで配線され接続される本発明の一実施形態を示す平面図である。
【図２７】図２６のアセンブリの側断面図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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