(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェーハを載置して成るサセプタと、少なくとも一部が上記サセプタの下部側に配置され前記サセプタに設けた貫通孔を挿通してエピタキシャル層形成後のウェーハを押し上げるリフトピンとを有し、前記リフトピンの配置領域にはリフトピンを介して伝熱するウェーハ上面側とサセプタ下面側間のエピタキシャル層形成時における熱移動を抑制する伝熱抑制手段が設けられており、前記リフトピンはサセプタの貫通孔内部に収容されるヘッド部と、サセプタよりも下側に突き出る脚部とを有して構成されており、前記伝熱抑制手段は、上記リフトピンをサセプタの熱伝導率よりも低い１２８（Ｗ／ｍ・Ｋ）未満の熱伝導率の材料によって形成し、かつ、前記サセプタの下面に沿って流れるパージガスを加熱対象として加熱して前記リフトピンの脚部からパージガスへの放熱を防止するパージガスの加熱手段を設けることによって構成されていることを特徴とするエピタキシャルウェーハ製造装置。
【請求項２】
ウェーハを載置して成るサセプタと、少なくとも一部が上記サセプタの下部側に配置され前記サセプタに設けた貫通孔を挿通してエピタキシャル層形成後のウェーハを押し上げるリフトピンとを有し、前記リフトピンの配置領域にはリフトピンを介して伝熱するウェーハ上面側とサセプタ下面側間のエピタキシャル層形成時における熱移動を抑制する伝熱抑制手段が設けられており、前記リフトピンはサセプタの貫通孔内部に収容されるヘッド部と、サセプタよりも下側に突き出る脚部とを有して構成されており、前記サセプタの下側にはサセプタ支持体が設けられ、当該サセプタ支持体は前記サセプタの中心部位の上下方向に立設されたシャフトと、そのシャフトから外側に向けて伸長されたアームとを有し、当該アームの伸長先端部位には前記サセプタを支持する支持部位が設けられており、前記サセプタから下方に突き出るリフトピンの脚部の部位には前記アームは配されていてそのリフトピンの脚部の部位に対応するアームの位置には、前記サセプタの下面に沿って流れるパージガスが前記リフトピンの脚部に吹き付けてリフトピンからの熱を奪うのを抑制する防風部材が固定されており、前記伝熱抑制手段は、前記防風部材によって構成されていることを特徴とするエピタキシャルウェーハ製造装置。
【請求項３】
伝熱抑制手段は、防風部材を設けたことに加えて、上記リフトピンをサセプタの熱伝導率よりも低い１２８（Ｗ／ｍ・Ｋ）未満の熱伝導率の材料によって構成したものであることを特徴とする請求項２記載のエピタキシャルウェーハ製造装置。
【請求項４】
サセプタに形成されたリフトピン挿通用の貫通孔には上面側から下面側に向けて孔断面積が狭くなるように少なくとも上面側にテーパが付けられており、リフトピンのヘッド部は上面をほぼサセプタの上面に一致させて上記貫通孔にピッタリと隙間無く嵌まる皿形状であることを特徴とする請求項１又は請求項２又は請求項３記載のエピタキシャルウェーハ製造装置。
【請求項５】
ウェーハを載置して成るサセプタと、少なくとも一部が上記サセプタの下部側に配置され前記サセプタに設けた貫通孔を挿通してエピタキシャル層形成後のウェーハを押し上げるリフトピンとを有し、前記リフトピンの配置領域にはリフトピンを介して伝熱するウェーハ上面側とサセプタ下面側間のエピタキシャル層形成時における熱移動を抑制する伝熱抑制手段が設けられており、リフトピンはサセプタの貫通孔内部に収容されるヘッド部と、サセプタよりも下側に突き出る脚部とを有して構成されており、前記伝熱抑制手段は、リフトピンの脚部を加熱するピン加熱手段と、該ピン加熱手段の加熱制御を行ってエピタキシャル層形成時におけるリフトピンの脚部からの放熱分を補償する加熱制御部とを有して構成されていることを特徴とするエピタキシャルウェーハ製造装置。
【請求項６】
ピン加熱手段は赤外線ランプにより構成され、リフトピンの脚部の周りには防風部材が設けられており、この防風部材は透明な材料により形成されていることを特徴とした請求項５記載のエピタキシャルウェーハ製造装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はウェーハにエピタキシャル層を形成するためのエピタキシャルウェーハ製造装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
図７にはエピタキシャルウェーハ製造装置の主要構成の一例が模式的な断面図により示されている。この図７に示すエピタキシャルウェーハ製造装置１はシリコン等の半導体のウェーハＷにエピタキシャル層を形成するための装置であり、エピタキシャル層形成室２を有している。このエピタキシャル層形成室２は上側ドーム３と下側ドーム４とドーム取付体５を有して形成されている。上記上側ドーム３および下側ドーム４は石英等の透明な材料から成り、これら上側ドーム３と下側ドーム４はドーム取付体５に取り付けられており、それら上側ドーム３と下側ドーム４とドーム取付体５によってエピタキシャル層形成室２の壁面が形成されている。
【０００３】
上記エピタキシャル層形成室２の内部空間には図８の斜視図に示すような平板状のサセプタ６が図７に示すようにサセプタ支持体７によって支持されて配設されており、このサセプタ６によって、エピタキシャル層形成室２の内部空間は、サセプタ６よりも上側の空間部２ａとサセプタ６よりも下側の空間部２ｂとに区画されている。上記サセプタ６は、例えば、カーボンにＳｉＣが被膜形成された材料によって形成されており、熱伝導率が約１２８（Ｗ／ｍ・Ｋ）というように熱伝導が良いものである。このサセプタ６の上側にウェーハＷが載置される。
【０００４】
前記ドーム取付体５の内部には図７に示すように通路５ｃ，５ｄがそれぞれ形成されている。上記通路５ｃは、上記エピタキシャル層形成室２の内部空間と外部のエピタキシャル層形成用メインガスの供給源（図示せず）とを連通接続するための通路であり、エピタキシャル層形成室２の内壁面に形成されたメインガス供給口５ａが上記通路５ｃの端部開口となっている。また、前記通路５ｄは、エピタキシャル層形成室２の内部空間と外部のメインガス受け部（図示せず）とを連通接続するための通路であり、エピタキシャル層形成室２の内壁面に形成されたメインガス排出口５ｂが上記通路５ｄの端部開口となっている。
【０００５】
上記メインガス供給口５ａと、メインガス排出口５ｂとはほぼ対角となる位置に形成され、それぞれ上記エピタキシャル層形成室２の上側空間部２ａに向けて開口しており、前記通路５ｃを流れてきたメインガスは上記メインガス供給口５ａからエピタキシャル層形成室２の上側空間部２ａに吐出され、この吐出されたメインガスはサセプタ６の上面に沿って前記メインガス排出口５ｂに向かって流れメインガス排出口５ｂから通路５ｄを介してエピタキシャル層形成室２の外部に排出される。
【０００６】
また、エピタキシャル層形成室２の壁面にはパージガス供給口（図示せず）およびパージガス排出口（図示せず）が形成されている。これらパージガス供給口とパージガス排出口はほぼ対角となる位置に形成され、それぞれエピタキシャル層形成室２の下側空間部２ｂに向けて開口している。上記パージガス供給口からエピタキシャル層形成室２の下側空間部２ｂへ水素ガス等のパージガスが吐出され、この吐出されたパージガスはサセプタ６の下面に沿って前記パージガス排出口に向けて流れ、パージガス排出口からエピタキシャル層形成室２の外部に排出される。
【０００７】
上記サセプタ６には図８に示すように貫通孔８が１個以上（図示の例では３個）形成され、その貫通孔８にはリフトピン１０が上下移動自在に挿通されている。このリフトピン１０は、例えば、前記サセプタ６と同一材料（例えば、カーボンにＳｉＣを被膜形成した材料）によって形成されており、脚部１０ａと、この脚部１０ａよりも広径のヘッド部１０ｂとを有して構成されている。上記ヘッド部１０ｂは、図９に示すように、前記貫通孔８内に収容される形態であり、脚部１０ａはサセプタ６よりも下側に突き出る形態となっている。
【０００８】
図７に示すように、上記エピタキシャル層形成室２の下側空間部２ｂにはリフトピン移動手段１１が配設されている。このリフトピン移動手段１１は上記貫通孔８に挿通されたリフトピン１０を上下移動させるものであり、シャフト１１ａとアーム１１ｂと駆動部（図示せず）とを有して構成されている。上記アーム１１ｂは前記シャフト１１ａからリフトピン１０の下方側に向けて伸張形成されたものであり、シャフト１１ａと一体化している。
【０００９】
また、上記駆動部はシャフト１１ａを上下移動させるものである。この駆動部によってシャフト１１ａが上側へ移動すると、このシャフト１１ａの移動に伴ってアーム１１ｂが上側に移動し、この移動によってアーム１１ｂがリフトピン１０を押し上げて上側へ移動させる。このように、リフトピン移動手段１１によりリフトピン１０が上側に押し上げられることによって、リフトピン１０のヘッド部１０ｂがサセプタ６よりも上側に突き出て、サセプタ６上に載置されているウェーハＷを押し上げることができる。また、前記駆動部によってシャフト１１ａが下側へ移動すると、このシャフト１１ａの下側への移動に伴ってアーム１１ｂが下側へ移動してリフトピン１０を下側へ移動させる。
【００１０】
このように、リフトピン移動手段１１はリフトピン１０を上下移動させる。
【００１１】
さらに、図７に示すように、エピタキシャル層形成室２よりも上側と下側には加熱手段（例えば、赤外線ランプ）１２が複数個配設されており、これら加熱手段１２によってサセプタ６上に載置されたウェーハＷが上下両側から加熱される。また、それら加熱手段１２によるウェーハＷの加熱状態を監視する加熱状態監視手段（パイロメーター）１３がエピタキシャル層形成室２の上側と下側にそれぞれ設けられている。さらに、加熱手段制御部（図示せず）が設けられている。この加熱手段制御部は、上記パイロメーター１３の出力信号に基づいて、サセプタ６に載置されているウェーハＷの上面と下面がほぼ同様に加熱されるように上記複数の加熱手段１２の加熱制御を行う構成を備えている。
【００１２】
図７に示すエピタキシャルウェーハ製造装置１は上記のように構成されている。この図７に示すエピタキシャルウェーハ製造装置１では、サセプタ６上にウェーハＷを載置し該ウェーハＷの上面にエピタキシャル層を形成しているときには、ウェーハＷは加熱手段１２によって上下両側から加熱されると共に、そのウェーハＷの上面に沿ってメインガスが流れ、また、サセプタ６の下面に沿ってパージガスが流れており、リフトピン１０は図９に示すようにヘッド部１０ｂがサセプタ６の貫通孔８に収容され、脚部１０ａはサセプタ６よりも下側に突き出た状態となっている。
【００１３】
エピタキシャル層の形成が終了した然る後には、リフトピン移動手段１１によってリフトピン１０が押し上げられ、このリフトピン１０の上昇によってウェーハＷが押し上げられてサセプタ６から浮き上がり、サセプタ６とウェーハＷとの間に隙間が生じる。この隙間に、図示されていないウェーハの搬送手段のブレードが入り込み、その後、上記リフトピン移動手段１１によりリフトピン１０が下げられると共にウェーハＷも下がり、ウェーハＷが上記ブレード上に乗せられ、該ブレードによってウェーハＷはエピタキシャル層形成室２から外部に搬送される。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、従来では、上記図７に示すようなエピタキシャルウェーハ製造装置１を用いてウェーハＷの上面にエピタキシャル層を形成すると、ウェーハＷの前記リフトピン１０に対向する領域、例えば、図９に示す領域Ｐに形成されたエピタキシャル層の厚みが他の領域に比べて薄くなってしまうというエピタキシャル層落ち込み現象が生じていた。
【００１５】
本発明者がそのエピタキシャル層落ち込み現象の発生原因を調べたところ、エピタキシャル層形成中に、ウェーハＷの前記領域Ｐの温度が他の領域に比べて低く、この温度低下によって前記エピタキシャル層落ち込み現象が発生していることが分かった。
【００１６】
エピタキシャル層形成中に、上記ウェーハＷの領域Ｐの温度が他の領域よりも低下してしまうのは次のような理由に因ることが分かった。エピタキシャル形成中には、前述したようにリフトピン１０の脚部１０ａはサセプタ６よりも下側に突き出ており、サセプタ６の下面に沿ってパージガスが流れていることから、このパージガスによって上記脚部１０ａの熱が奪われてしまう。リフトピン１０は熱伝導率の良い材料によって形成されていることから、上記のようにパージガスによって脚部１０ａの熱が放熱されてしまうと、図９の矢印に示すように、ウェーハＷの上面側からリフトピン１０のヘッド部１０ｂを介して脚部１０ａに向かう方向の熱の流れ（熱移動）が生じてしまい、このことによって、ウェーハＷの、リフトピン１０に対向する領域Ｐの温度が他の領域に比べて低下してしまうこととなる。このように、エピタキシャル層形成中に、上記ウェーハＷの領域Ｐの温度が他の領域よりも低下してしまうので、そのウェーハＷの領域Ｐにおけるエピタキシャル層の厚みが他の領域よりも薄くなってしまい、前記エピタキシャル層落ち込み現象が発生していた。
【００１７】
この発明は上記課題を解決するために成されたものであり、その目的は、エピタキシャル層形成中に、サセプタ上に載置されたウェーハの上面側からリフトピンを介してサセプタの下側に向かう熱の移動を抑制し、ウェーハのリフトピンに対向する領域の温度低下を防止して、その温度低下に起因したエピタキシャル層の落ち込みを抑制することができるエピタキシャルウェーハ製造装置を提供することにある。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するためにこの発明は次に示すような構成をもって前記課題を解決する手段としている。すなわち、第１の発明は、ウェーハを載置して成るサセプタと、少なくとも一部が上記サセプタの下部側に配置され前記サセプタに設けた貫通孔を挿通してエピタキシャル層形成後のウェーハを押し上げるリフトピンとを有し、前記リフトピンの配置領域にはリフトピンを介して伝熱するウェーハ上面側とサセプタ下面側間のエピタキシャル層形成時における熱移動を抑制する伝熱抑制手段が設けられており、前記リフトピンはサセプタの貫通孔内部に収容されるヘッド部と、サセプタよりも下側に突き出る脚部とを有して構成されており、前記伝熱抑制手段は、上記リフトピンをサセプタの熱伝導率よりも低い１２８（Ｗ／ｍ・Ｋ）未満の熱伝導率の材料によって形成し、かつ、前記サセプタの下面に沿って流れるパージガスを加熱対象として加熱して前記リフトピンの脚部からパージガスへの放熱を防止するパージガスの加熱手段を設けることによって構成されている構成をもって前記課題を解決する手段としている。
【００１９】
第２の発明は、ウェーハを載置して成るサセプタと、少なくとも一部が上記サセプタの下部側に配置され前記サセプタに設けた貫通孔を挿通してエピタキシャル層形成後のウェーハを押し上げるリフトピンとを有し、前記リフトピンの配置領域にはリフトピンを介して伝熱するウェーハ上面側とサセプタ下面側間のエピタキシャル層形成時における熱移動を抑制する伝熱抑制手段が設けられており、前記リフトピンはサセプタの貫通孔内部に収容されるヘッド部と、サセプタよりも下側に突き出る脚部とを有して構成されており、前記サセプタの下側にはサセプタ支持体が設けられ、当該サセプタ支持体は前記サセプタの中心部位の上下方向に立設されたシャフトと、そのシャフトから外側に向けて伸長されたアームとを有し、当該アームの伸長先端部位には前記サセプタを支持する支持部位が設けられており、前記サセプタから下方に突き出るリフトピンの脚部の部位には前記アームは配されていてそのリフトピンの脚部の部位に対応するアームの位置には、前記サセプタの下面に沿って流れるパージガスが前記リフトピンの脚部に吹き付けてリフトピンからの熱を奪うのを抑制する防風部材が固定されており、前記伝熱抑制手段は、前記防風部材によって構成されていることを特徴として構成されている。
【００２０】
第３の発明は、上記第２の発明の構成を備え、伝熱抑制手段は、防風部材を設けたことに加えて、上記リフトピンをサセプタの熱伝導率よりも低い１２８（Ｗ／ｍ・Ｋ）未満の熱伝導率の材料によって構成したものであることを特徴として構成されている。
【００２１】
第４の発明は、上記第１又は第２又は第３の発明の構成を備え、サセプタに形成されたリフトピン挿通用の貫通孔には上面側から下面側に向けて孔断面積が狭くなるように少なくとも上面側にテーパが付けられており、リフトピンのヘッド部は上面をほぼサセプタの上面に一致させて上記貫通孔にピッタリと隙間無く嵌まる皿形状であることを特徴として構成されている。
【００２２】
第５の発明は、ウェーハを載置して成るサセプタと、少なくとも一部が上記サセプタの下部側に配置され前記サセプタに設けた貫通孔を挿通してエピタキシャル層形成後のウェーハを押し上げるリフトピンとを有し、前記リフトピンの配置領域にはリフトピンを介して伝熱するウェーハ上面側とサセプタ下面側間のエピタキシャル層形成時における熱移動を抑制する伝熱抑制手段が設けられており、リフトピンはサセプタの貫通孔内部に収容されるヘッド部と、サセプタよりも下側に突き出る脚部とを有して構成されており、前記伝熱抑制手段は、リフトピンの脚部を加熱するピン加熱手段と、該ピン加熱手段の加熱制御を行ってエピタキシャル層形成時におけるリフトピンの脚部からの放熱分を補償する加熱制御部とを有して構成されていることを特徴として構成されている。
【００２３】
第６の発明は、上記第５の発明の構成を備え、ピン加熱手段は赤外線ランプにより構成され、リフトピンの脚部の周りには防風部材が設けられており、この防風部材は透明な材料により形成されていることを特徴として構成されている。
【００２５】
上記構成の発明において、伝熱抑制手段は、エピタキシャル層形成中に、ウェーハ上面側からリフトピンを介してサセプタの下面側に向かう熱移動を抑制する。この伝熱抑制手段によって、ウェーハの、リフトピンに対向する領域の温度が他の領域よりも低下してしまうのを防止することができ、このことによって、温度低下に起因した前記エピタキシャル層落ち込み現象を抑制することができる。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下に、この発明に係る実施形態例を図面に基づいて説明する。
【００２７】
第１の実施形態例のエピタキシャルウェーハ製造装置において特徴的なことは後述する伝熱抑制手段が設けられていることであり、それ以外の構成は前記図７に示したエピタキシャルウェーハ製造装置の構成と同様であり、この第１の実施形態例では、前記図７に示すエピタキシャルウェーハ製造装置と同一構成部分には同一符号を付し、その共通部分の重複説明は省略する。
【００２８】
上記伝熱抑制手段は、ウェーハＷにエピタキシャル層を形成しているときに、ウェーハＷの上面側からリフトピン１０を介してサセプタ６の下面側に向かう熱の流れ（移動）を抑制するものであり、この第１の実施形態例では、次に示すような構成を備えている。
【００２９】
つまり、この第１の実施形態例では、上記伝熱抑制手段として、リフトピン１０をサセプタ６の熱伝導率よりも低い１２８（Ｗ／ｍ・Ｋ）未満の熱伝導率の材料によって形成している。そのリフトピン１０を構成する材料の例を挙げると、例えば、カーボンにPorous ＳｉＣとＳｉＣを順に積層被覆した材料（熱伝導率は約５５（Ｗ／ｍ・Ｋ））、不透明石英（熱伝導率は約１．３（Ｗ／ｍ・Ｋ））、透明石英（熱伝導率は約２．６（Ｗ／ｍ・Ｋ））等がある。なお、上記リフトピン１０は粉塵が発生し難い材料によって形成することが望ましい。
【００３０】
このように、リフトピン１０をサセプタ６の熱伝導率よりも低い１２８（Ｗ／ｍ・Ｋ）未満の熱伝導率の材料によって形成することによって、熱はリフトピン１０の内部を移動し難くなり、このことによって、エピタキシャル層の形成中に、ウェーハＷの上面側からリフトピン１０を介してサセプタ６の下面側に向かう熱の流れを抑制することができる。
【００３１】
ところで、エピタキシャル層形成中に、貫通孔８の内部にリフトピン１０のヘッド部１０ｂによって埋まらない図９に示すような大きな隙間１５があると、この大きな隙間１５によって、ウェーハＷの前記領域Ｐの温度低下が促進されてしまうことに本発明者は気付いた。
【００３２】
そこで、この第１の実施形態例では、リフトピン１０のヘッド部１０ｂの形状を次に示すような特有な形状とした。すなわち、図１の（ａ）や（ｂ）に示すように、リフトピン１０のヘッド部１０ｂは上面をサセプタ６の上面にほぼ一致させ、貫通孔８にピッタリと隙間無く嵌まる形状と成していることである。
【００３３】
つまり、図１の（ａ）に示す例では、貫通孔８はサセプタ６の上面側から下面側に向けて孔断面積が狭くなる方向にテーパが付けられていることから、リフトピン１０のヘッド部１０ｂは上面をサセプタ６の上面にほぼ一致させ、貫通孔８にピッタリと隙間無く嵌まる皿形状と成している。
【００３４】
また、図１の（ｂ）に示す例では、貫通孔８は下方部分の孔断面積が上方部分よりも狭くなっている円筒状と成していることから、リフトピン１０のヘッド部１０ｂは上面をサセプタ６の上面にほぼ一致させ、貫通孔８にピッタリと隙間無く嵌まる略円柱状と成している。
【００３５】
このように、リフトピン１０のヘッド部１０ｂは上面をサセプタ６の上面にほぼ一致させ、貫通孔８にピッタリと隙間無く嵌まる形状と成していることによって、前記したようなウェーハＷの前記領域Ｐにおける温度低下の促進作用を抑制することができる。なお、もちろん、上記ヘッド部１０ｂが貫通孔８内に収容されている状態では、ヘッド部１０ｂは上面がサセプタ６の上面よりも上側に食み出さないように形成されている。
【００３６】
この第１の実施形態例によれば、リフトピン１０をサセプタ６の熱伝導率よりも低い１２８（Ｗ／ｍ・Ｋ）未満の熱伝導率を持つ材料によって構成したので、リフトピン１０の内部で熱が移動し難くなり、このことによって、エピタキシャル層形成中に、ウェーハＷの上面側からリフトピン１０を介してサセプタ６の下面側に向かう熱の流れを抑制することができ、ウェーハＷの上面の前記領域Ｐの温度が他の領域よりも低下してしまうのを抑制することができ、その領域Ｐの温度低下に起因した前記領域Ｐのエピタキシャル層の落ち込みを緩和することができる。
【００３７】
上記リフトピン１０をサセプタ６の熱伝導率よりも低い１２８（Ｗ／ｍ・Ｋ）未満の熱伝導率を持つ材料によって構成することによる効果は本発明者の実験によって確認されている。その実験とは、互いに構成材料が異なる３種のリフトピン１０を用意し、これら３種の各リフトピン１０について、それぞれ、リフトピン１０の構成材料以外の条件は全て等しい状態でウェーハＷ上にエピタキシャル層を形成し、このようにして形成された３種のエピタキシャル層についてそれぞれ厚み（膜厚）を測定した。
【００３８】
その実験結果が図２のグラフに示されている。図２のグラフにおいて、横軸はウェーハＷの中心からの距離を示し、ここでは、前記領域Ｐおよびその近傍領域が抜き出されて示されている。また、縦軸はエピタキシャル層の相対厚み（膜厚）を示している。
【００３９】
図２に示す実線Ａは、従来と同様にサセプタ６と同一材料のリフトピン１０を用いてエピタキシャル層を形成した場合のエピタキシャル層の膜厚測定結果であり、鎖線Ｂは、前記カーボンにPorous ＳｉＣとＳｉＣを順に積層被覆した材料（熱伝導率は約５５（Ｗ／ｍ・Ｋ））のリフトピン１０を用いてエピタキシャル層を形成した場合のエピタキシャル層の膜厚測定結果であり、点線Ｃは、不透明石英（熱伝導率は約１．３（Ｗ／ｍ・Ｋ））のリフトピン１０を用いてエピタキシャル層を形成した場合のエピタキシャル層の膜厚測定結果である。
【００４０】
図２のグラフに示す上記実線Ａと、鎖線Ｂおよび点線Ｃとの比較から明らかなように、従来のリフトピン１０を用いてエピタキシャル層をウェーハＷ上に形成した場合（実線Ａ）に比べて、この第１の実施形態例に示すように、熱伝導率が１２８（Ｗ／ｍ・Ｋ）未満の材料によって構成されたリフトピン１０を用いてエピタキシャル層をウェーハＷに形成した場合（鎖線Ｂ、点線Ｃ）には、エピタキシャル層の落ち込みがかなり緩和されている。
【００４１】
また、熱伝導率が約５５（Ｗ／ｍ・Ｋ）である材料のリフトピン１０を用いた場合（鎖線Ｂ）に比べて、熱伝導率が約１．３（Ｗ／ｍ・Ｋ）である材料のリフトピン１０を用いた場合（点線Ｃ）の方が、前記領域Ｐにおけるエピタキシャル層の落ち込みがより緩和されていることから、エピタキシャル層の落ち込み抑制効果は、熱伝導率が低くなるに従って大きくなることが分かる。なお、上記３種のリフトピン１０を用いた場合におけるエピタキシャル層の形成前後のＳＥＭＩ規格によるＳＦＱＤ（Site Flatness front least-squares Deviation）に基づく測定・評価を行った。この結果からも、上記した効果を確認できた。
【００４２】
上記実験結果にも示されるように、リフトピン１０を熱伝導率が１２８（Ｗ／ｍ・Ｋ）未満の材料で形成することによって、ウェーハＷの前記領域Ｐにおけるエピタキシャル層の落ち込みを緩和することが可能である。
【００４３】
また、この第１の実施形態例では、リフトピン１０のヘッド部１０ｂは上面がサセプタ６の上面にほぼ一致し、貫通孔８にピッタリと隙間無く嵌まる形状と成しているので、前述したような貫通孔８の内部の大きな隙間１５に起因してウェーハＷの領域Ｐの温度低下が促進されてしまうという事態発生を抑制することができ、前記領域Ｐにおけるエピタキシャル層の落ち込みを緩和することができる。この効果も、本発明者の実験によって確認されている。
【００４４】
その実験とは、図９に示す形状のリフトピン１０と、図１の（ａ）に示す皿形状のリフトピン１０とを用意し、各リフトピン１０について、それぞれ、リフトピン１０の形状以外の条件が全て等しい状態でウェーハＷ上にエピタキシャル層を形成し、そのエピタキシャル層の膜厚を測定した。図２に示す実線Ａが、従来と同様の図９に示す形状のリフトピン１０を用いてウェーハＷ上にエピタキシャル層を形成した場合のエピタキシャル層の膜厚の測定結果であり、鎖線ａが、この第１の実施形態例に示した図１の（ａ）に示す皿形状のリフトピン１０を用いてウェーハＷ上にエピタキシャル層を形成した場合のエピタキシャル層の膜厚の測定結果である。
【００４５】
図２の実線Ａと鎖線ａに示されるように、上記従来例のように貫通孔８内に大きな隙間１５がある場合（実線Ａ）に比べて、この第１の実施形態例に示すように貫通孔８内に隙間を殆ど無くした場合（鎖線ａ）では、前記領域Ｐにおけるエピタキシャル層の落ち込みを緩和することができる。
【００４６】
この第１の実施形態例では、前述したように、リフトピン１０を熱伝導率が１２８（Ｗ／ｍ・Ｋ）未満の材料で形成し、ウェーハＷの上面側からリフトピン１０を介してサセプタ６の下面側に向かう熱移動を抑制することができる上に、リフトピン１０のヘッド部１０ｂはその上面をサセプタ６の上面にほぼ一致させ、貫通孔８に隙間無くピッタリと嵌まる形状と成しており、貫通孔８内の隙間に起因したウェーハＷの領域Ｐの温度低下促進作用も抑制することができるので、上記熱移動抑制作用と相俟って、ウェーハＷにおける領域Ｐの温度低下をほぼ抑制することができ、温度低下に起因した領域Ｐのエピタキシャル層落ち込み現象発生をほぼ回避することができる。
【００４７】
以下に、第２の実施形態例を説明する。この第２の実施形態例では、前記第１の実施形態例とは異なる形態の伝熱抑制手段の一例を示す。図３の（ａ）にはこの第２の実施形態例において特徴的な伝熱抑制手段が実線により示され、図３の（ｂ）には図３の（ａ）に示すα部分の断面図が示されている。なお、この第２の実施形態例の説明において、前記従来例と同一構成部分には同一符号を付し、その共通部分の重複説明は省略する。
【００４８】
この第２の実施形態例では、伝熱抑制手段は防風部材１６によって構成されている。この防風部材１６は、エピタキシャル層形成中にサセプタ６よりも下側に突き出るリフトピン１０の脚部１０ａの上部部分を覆い、サセプタ６の下面に沿って流れるパージガス等によって脚部１０ａの熱が放熱されてしまうのを抑制することができるものである。
【００４９】
この第２の実施形態例では、図３の（ａ）、（ｂ）に示されるように、上記防風部材１６はサセプタ支持体７のアーム７ａに取り付けられており、防風部材１６の頂部から上記アーム７ａの底部に掛けて貫通する貫通孔１４が形成されており、上記脚部１０ａはその貫通孔１４に上下移動自在に挿通される。
【００５０】
この第２の実施形態例によれば、伝熱抑制手段である防風部材１６が設けられているので、この防風部材１６によって、エピタキシャル層形成中にリフトピン１０の脚部１０ａにパージガスが吹き付けるのを防止することができ、パージガスの吹き付けに起因した脚部１０ａからの放熱を回避することができる。この結果、ウェーハＷの上面からリフトピン１０を介してサセプタ６の下面側に向かう熱の流れを抑制することができ、エピタキシャル層形成中に、ウェーハＷの前記領域Ｐの温度が他の領域に比べて低下してしまうのを防止することができ、このことによって、前記領域Ｐのエピタキシャル層の落ち込みを抑制することができる。
【００５１】
以下に、第３の実施形態例を説明する。この第３の実施形態例では、前記第１と第２の各実施形態例とは異なる形態の伝熱抑制手段の一例を示す。この第３の実施形態例では、伝熱抑制手段は、図４の実線に示すように、ピン加熱手段１７と、加熱制御部１８とを有して構成されている。
【００５２】
上記ピン加熱手段１７はリフトピン１０の脚部１０ａを加熱するリフトピン専用の加熱手段であり、前記加熱手段１２とは別個独立したものであり、例えば、赤外線ランプや、ヒーター等がある。
【００５３】
上記加熱制御部１８は上記ピン加熱手段１７の加熱制御を行う制御部であり、パージガスによる脚部１０ａからの放熱分を補償するようにピン加熱手段１７の加熱制御を行う。そのピン加熱手段１７の加熱制御の手法には様々な手法があり、ここでは、その複数の手法のうちの何れの手法を採用してもよいが、例えば、その一例として、次に示すようにピン加熱手段１７の加熱制御を行う。
【００５４】
例えば、パージガスによる脚部１０ａからの放熱量がほぼ一定であり、その放熱量を予め求めることが可能である場合には、その放熱量を補償するためのピン加熱手段１７へ供給する制御量（例えば、通電電流量や電圧量）を求め、その求めた制御量のデータを図４の点線に示すデータ格納部に格納しておき、加熱制御部１８はそのデータ格納部に格納されている制御量がピン加熱手段１７に供給されるようにピン加熱手段１７への供給制御量を制御してピン加熱手段１７の加熱制御を行う。
【００５５】
また、より精度良く脚部１０ａからの放熱量の補償を行う場合には、例えば、図４の鎖線に示すようなピン加熱監視部１９を設け、このピン加熱監視部１９によってピン加熱手段１７による脚部１０ａの加熱状態を監視し、ピン加熱監視部１９からの監視情報に基づいて、加熱制御部１８は、脚部１０ａからの放熱量を補償する方向にピン加熱手段１７への供給制御量を制御する。換言すれば、脚部１０ａの温度がサセプタ６の温度にほぼ一致するようにピン加熱手段１７への供給制御量を制御してピン加熱手段１７の加熱制御を行う。
【００５６】
この第３の実施形態例では、上記のように、ピン加熱手段１７と加熱制御部１８を設け、これらピン加熱手段１７と加熱制御部１８によって、パージガス等による脚部１０ａからの放熱分を補償する構成としたので、見かけ上、リフトピン１０の脚部１０ａからの放熱は無くなり、このことによって、ウェーハＷの上面からリフトピン１０を介してサセプタ６の下面に向かう熱の流れを抑制することができ、前記各実施形態例と同様に、エピタキシャル層形成中に、ウェーハＷの領域Ｐの温度が他の領域の温度よりも低下するのを防止することができ、このことによって、前記領域Ｐにおけるエピタキシャル層の落ち込みをほぼ回避することができる。
【００５７】
以下に、参考例を説明する。この参考例では、上記各実施形態例とは異なる形態の伝熱抑制手段の一例を示す。なお、この参考例の説明において、前記従来例と同一構成部分には同一符号を付し、その共通部分の重複説明は省略する。
【００５８】
この参考例では、図５の（ａ）に示すように、リフトピンは、ウェーハリフト補助栓部２０とピン軸部２１により構成されている。上記ウェーハリフト補助栓部２０は貫通孔８の内部に上側への移動が自在に嵌合収容されている。つまり、このウェーハリフト補助栓部２０の形状は上面をサセプタ６の上面にほぼ一致させ、かつ、サセプタ６の底面側よりも下側に突き出さず、貫通孔８に隙間無くピッタリと嵌まる形状と成している。このウェーハリフト補助栓部２０はサセプタ６と同様の材料によって形成される。
【００５９】
ピン軸部２１は、エピタキシャル層形成中には、図５の（ａ）に示すように、上記ウェーハリフト補助栓部２０の下方側に間隙２２を介して配置され、ウェーハＷを上方へ移動させる際には、前記リフトピン移動手段１１によって上側へ押し上げられ、図５の（ｂ）に示すように、上記ウェーハリフト補助栓部２０を押し上げ該ウェーハリフト補助栓部２０を介してウェーハＷを押し上げる構成と成している。
【００６０】
この参考例では、エピタキシャル層形成中におけるウェーハリフト補助栓部２０とピン軸部２１の間の隙間空間２２が伝熱抑制手段と成している。つまり、エピタキシャル層形成中に、ウェーハリフト補助栓部２０とピン軸部２１の間に隙間空間２２が形成されているので、この隙間空間２２によって、ウェーハＷの上面からウェーハリフト補助栓部２０を介してピン軸部２１に向かう方向の熱の流れは無く、このことによって、エピタキシャル層形成中に、ウェーハＷのリフトピンに対向する領域Ｐの温度が他の領域よりも低下してしまうのを確実に防止することができる。このことにより、前記温度低下に起因した領域Ｐのエピタキシャル層の落ち込みを確実に抑制することができる。
【００６１】
ところで、この参考例では、ピン軸部２１がウェーハリフト補助栓部２０を押し上げて該ウェーハリフト補助栓部２０がサセプタ６の上面よりも上側となったときに、ウェーハリフト補助栓部２０がピン軸部２１から落下しないように、次に示すような構成を備えている。例えば、図６の（ａ）、（ｂ）に示すように、ピン軸部２１の頂部に凸部２４を形成し、ウェーハリフト補助栓部２０の底部には上記ピン軸部２１の凸部２４が隙間無く挿入嵌合することができる凹部２５を形成する。
【００６２】
このように、ピン軸部２１の頂部に凸部２４を、また、ウェーハリフト補助栓部２０の底部に凹部２５をそれぞれ形成することによって、ピン軸部２１がリフトピン移動手段１１により押し上げられた際には、ピン軸部２１の凸部２４がウェーハリフト補助栓部２０の凹部２５に挿入嵌合して、ピン軸部２１はウェーハリフト補助栓部２０をがたつき無く押し上げることができ、かつ、ピン軸部２１の頂部からウェーハリフト補助栓部２０が落下するのを防止することができる。
【００６３】
なお、もちろん、上記ウェーハリフト補助栓部２０の底部に形成される凹部２５の形態およびピン軸部２１の頂部に形成される凸部２４の形態は図６の（ａ）、（ｂ）の形態に限定されるものではなく、様々な形態を採り得る。また、ウェーハリフト補助栓部２０の底部に凹部を、ピン軸部２１の頂部に凸部をそれぞれ設けるのではなく、図示はされていないが、ピン軸部２１の頂部には凹部を設け、ウェーハリフト補助栓部２０の底部には上記ピン軸部２１の凹部に隙間無く挿入嵌合できる凸部を設けてもよい。
【００６４】
さらに、ピン軸部２１の頂部をウェーハリフト補助栓部２０の底部に真空吸着させる構成を備え、ピン軸部２１がウェーハリフト補助栓部２０を介してウェーハＷを押し上げる際には、ピン軸部２１がウェーハリフト補助栓部２０に真空吸着し、ピン軸部２１はウェーハリフト補助栓部２０をがたつき無く押し上げ、かつ、ウェーハリフト補助栓部２０の落下を防止することができる構成としてもよい。
【００６５】
この参考例によれば、リフトピンはウェーハリフト補助栓部２０とピン軸部２１により構成されており、エピタキシャル層形成中には、貫通孔８内に収容されているウェーハリフト補助栓部２０と、ピン軸部２１との間には隙間空間２２があることから、この隙間空間２２によって、ウェーハＷの上面からウェーハリフト補助栓部２０を介してサセプタ６の下面側に向かう熱の流れを確実に抑制することができ、その熱の流れに起因したウェーハＷの上面の領域Ｐの温度が他の領域よりも低下するのを防止することができる。このことによって、ウェーハＷの領域Ｐにおけるエピタキシャル層の落ち込みを確実に防止することができる。
【００６６】
以下に、第４の実施形態例を説明する。この第４の実施形態例において特徴的なことは、前記第２の実施形態例に示した伝熱抑制手段と、前記第３の実施形態例に示した伝熱抑制手段とが組み合わせられていることである。それ以外の構成は、従来例の構成と同様であり、ここでは、従来例と同一構成部分には同一符号を付し、その共通部分の重複説明は省略する。
【００６７】
この第４の実施形態例では、前記第２の実施形態例に示した防風部材１６と同様の防風部材が設けられている。つまり、上記防風部材１６は、エピタキシャル層形成中にサセプタ６よりも下側に突き出るリフトピン１０の脚部１０ａの上部の周りを覆い、パージガス等による脚部１０ａの放熱を防止するものである。
【００６８】
上記防風部材１６を設けても、エピタキシャル層形成中に、パージガスによって脚部１０ａから僅かに熱が放熱されてしまうことがある。そこで、この第４の実施形態例では、前記第３の実施形態例に示したようなピン加熱手段１７および加熱制御部１８が設けられている。つまり、前記した如く、ピン加熱手段１７はリフトピン１０の脚部１０ａを加熱する専用の加熱手段であり、加熱制御部１８はパージガスによる脚部１０ａの放熱分を補償するようにピン加熱手段１７の加熱制御を行う。
【００６９】
なお、前記ピン加熱手段１７として採用することが可能な加熱手段には様々な種類があり、それら複数種のうちの何れの加熱手段をピン加熱手段１７として採用してもよいが、ピン加熱手段１７として赤外線ランプを採用する際には、防風部材１６を透明な材料（例えば、石英）によって形成し、ピン加熱手段１７による脚部１０ａの加熱が防風部材１６によって邪魔されてしまうのを防止する。
【００７０】
この第４の実施形態例によれば、防風部材１６を設け、この防風部材１６によって、エピタキシャル層形成中に、パージガスによる脚部１０ａの放熱がほぼ防止される上に、さらに、ピン加熱手段１７と加熱制御部１８が設けられ、これらピン加熱手段１７と加熱制御部１８によって、脚部１０ａの放熱分が補償される構成であることから、エピタキシャル層形成中に、ウェーハＷの上面からリフトピン１０を介してサセプタ６の下面に向かう熱の流れを確実に回避することができ、ウェーハＷの上面の領域Ｐの温度が他の領域よりも低下してしまうという問題発生をより一層確実に防止することができるので、上記温度低下に起因した領域Ｐのエピタキシャル層の落ち込みをより確実に回避することができる。
【００７１】
なお、この発明は上記各実施形態例に限定されるものではなく、様々な実施の形態を採り得る。例えば、上記第２、第４の各実施形態例では、防風部材１６は筒状の形状であり、脚部１０ａの上部の全周を囲むように設けられていたが、この防風部材１６はパージガスによる脚部１０ａの放熱を防止することができるものであればよく、例えば、脚部１０ａよりもパージガスの風上に板状や半筒状の防風部材１６を設けて脚部１０ａにパージガスが吹き付けるのを防止するようにしてもよい。
【００７２】
また、上記第２、第４の各実施形態例では、防風部材１６はサセプタ支持体７のアーム７ａよりも上側に配設され、脚部１０ａの上部を覆う構成であったが、図３の（ａ）の点線に示すように、上記アーム７ａよりも下側にも防風部材１６を配設し、脚部１０ａのほぼ全長に亙り防風部材１６によって覆われる構成としてもよい。このように防風部材１６を形成することによって、より確実にパージガスが脚部１０ａに吹き付けるのを抑制することができ、前記第２、第４の各実施形態例に示したような効果を奏することができる。もちろん、パージガスはサセプタ６の下面に沿って流れることから、上記第２、第４の各実施形態例に示したように脚部１０ａの上部のみを防風部材１６によって覆うだけでも、パージガスが脚部１０ａに吹き付けるのをほぼ回避することができ、十分に、前記領域Ｐのエピタキシャル層の落ち込みを回避することができるという効果を得ることができる。
【００７３】
また、上記第１の実施形態例では、リフトピン１０はサセプタ６よりも熱伝導率が低い１２８（Ｗ／ｍ・Ｋ）未満の材料によって形成され、かつ、リフトピン１０のヘッド部１０ｂはその上面をサセプタ６の上面にほぼ一致させ貫通孔８に隙間無くピッタリと嵌まる形状と成していたが、リフトピン１０を構成している材料の熱伝導率がかなり低く、エピタキシャル層形成中に、リフトピン１０のヘッド部１０ｂから脚部１０ａに向かう熱の流れがほぼ抑制できる場合には、脚部１０ａの形状を貫通孔８にピッタリと嵌まる形状としなくとも、前記エピタキシャル層形成中に、ウェーハＷの領域Ｐの温度低下を防止することができるので、脚部１０ａの形状を貫通孔８にピッタリと嵌まる形状としなくともよい。
【００７４】
さらに、上記第１の実施形態例に示したような伝熱抑制手段（つまり、リフトピン１０をサセプタ６の熱伝導率よりも低い１２８（Ｗ／ｍ・Ｋ）未満の材料による形成し、かつ、リフトピン１０のヘッド部１０ｂは上面をサセプタ６の上面にほぼ一致させ貫通孔８に隙間無くピッタリと嵌まる形状と成している構成）と、第２の実施形態例に示した伝熱抑制手段（つまり、リフトピン１０の脚部１０ａの周りに設けた防風部材１６）と、第３の実施形態例に示した伝熱抑制手段（つまり、パージガスによる脚部１０ａの放熱分を補償するためのピン加熱手段１７と加熱制御部１８を設ける構成）と、参考例に示した伝熱抑制手段（つまり、サセプタ６の貫通孔８に収容嵌合されるウェーハリフト補助栓部２０と、その下方側に隙間空間２２を介して配設されるピン軸部２１とを設ける構成）とのうちの２つ以上の構成を組み合わせた伝熱抑制手段を設けてもよい。
【００７５】
さらに、脚部１０ａに吹き付けるパージガスを加熱するパージガス加熱手段を設けてパージガスによる脚部１０ａの放熱を防止する構成を備えてもよい。
【００７６】
【発明の効果】
この発明によれば、伝熱抑制手段が設けられ、この伝熱抑制手段によって、リフトピンを介してのウェーハ上面側からサセプタ下面側間のエピタキシャル層形成時における熱移動が抑制されるので、エピタキシャル層の形成中に、ウェーハの上面の、リフトピンに対向する領域の温度が他の領域よりも低下するのを防止することができ、このことによって、上記温度低下に起因したエピタキシャル層の、リフトピンに対向する領域の落ち込みをほぼ回避することができる。
【００７７】
リフトピンはサセプタの貫通孔内部に収容されるヘッド部と、サセプタよりも下側に突き出る脚部とを有して構成され、このリフトピンをサセプタの熱伝導率よりも低い１２８（Ｗ／ｍ・Ｋ）未満の材料によって形成したものにあっては、リフトピンの熱伝導率がサセプタよりも悪く、リフトピンの上部側から下部側に向って熱が伝熱し難くなり、このことによって、エピタキシャル層形成中に、ウェーハの上面からリフトピンを介してサセプタの下面側に向かう熱の流れを抑制することができ、上記の如く、リフトピンに対向する領域のエピタキシャル層の落ち込みを回避することができる。
【００７８】
また、上記のように、リフトピンをサセプタの熱伝導率よりも低い１２８（Ｗ／ｍ・Ｋ）未満の材料によって形成し、かつ、リフトピンはその上面をサセプタの上面に一致させてサセプタの貫通孔にピッタリと隙間無く嵌まる形状と成しているものにあっては、上記のように、エピタキシャル層形成中に、ウェーハの上面からリフトピンを介してサセプタの下面側に向かう熱の流れを抑制することができる上に、貫通孔の内部の隙間によってウェーハの貫通孔に対向する領域の温度低下が促進されてしまうという問題をも回避することができるので、より確実に、エピタキシャル層形成中に、ウェーハの上面におけるリフトピンに対向する領域の温度が他の領域よりも低下してしまうのを回避することができ、上記温度低下に起因したリフトピンに対向する領域のエピタキシャル層の落ち込みを防止することができる。
【００７９】
伝熱抑制手段はリフトピンの脚部の周りに設けた防風部材によって構成されているものにあっては、サセプタの下面に沿って流れるパージガスの風がリフトピンの脚部に吹き付けるのを防止することができ、このことによって、上記風によってリフトピンの脚部の熱が放熱されてしまうのを回避することができる。このことから、上記脚部の放熱に起因したウェーハの上面からリフトピンを介してサセプタの下面側に向かう熱の移動を抑制することができ、ウェーハの上面におけるリフトピンに対向する領域の温度が他の領域よりも低下してしまうのを防止することができ、この温度低下に起因したリフトピンに対向する領域のエピタキシャル層の落ち込みを回避することができる。
【００８０】
伝熱抑制手段はピン加熱手段と加熱制御部を有して構成されており、これらピン加熱手段と加熱制御部によって、リフトピンの脚部の放熱分を補償する構成を備えているものにあっては、エピタキシャル層形成中にはリフトピンの脚部から熱が放熱されてしまうけれども、その放熱分がピン加熱手段による脚部の加熱によって補償されるので、見かけ上、脚部と外部との熱の移動は無くなり、このことにより、ウェーハ上面側からリフトピンを介してサセプタの下面側に向かう熱の移動を抑制することができ、その熱移動に起因した前記エピタキシャル層の落ち込みを回避することができる。
【００８１】
ピン加熱手段は赤外線ランプにより形成され、リフトピンの脚部の周りには防風部材が設けられており、その防風部材は透明な材料によって形成されているものにあっては、防風部材によってサセプタの下部側を流れるパージガスの風がリフトピンの脚部に吹き付けるのをほぼ防止することができる。その上、防風部材は透明な材料によって形成されているので、赤外線ランプによるリフトピンの脚部の加熱を妨害することはなく、リフトピンの脚部から僅かに放熱する放熱分がピン加熱手段の加熱によって確実に補償されることとなり、エピタキシャル層形成中に、ウェーハ上面からリフトピンを介してサセプタの下面側に向かう熱の移動を確実に抑制することができ、その熱移動に起因したエピタキシャル層の落ち込みをほぼ確実に回避することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  第１の実施形態例において特徴的なリフトピンの構成を示す説明図である。
【図２】  第１の実施形態例において特徴的なリフトピンの構成から得られる効果を示す実験結果を表すグラフである。
【図３】  第２の実施形態例において特徴的な伝熱抑制手段である防風部材を示す説明図である。
【図４】  第３の実施形態例において特徴的な伝熱抑制手段であるピン加熱手段および加熱制御部を示す説明図である。
【図５】  参考例において特徴的な伝熱抑制手段を示す説明図である。
【図６】  参考例に示したピン軸部がウェーハリフト補助栓部を押し上げた際に、ピン軸部の頂部からウェーハリフト補助栓部が落下してしまうのを防止するための手段の構成例を示す説明図である。
【図７】  エピタキシャルウェーハ製造装置の主要な構成部を模式的な断面により示す説明図である。
【図８】  サセプタの一例を示す斜視図である。
【図９】  従来の課題を示す説明図である。
【符号の説明】
１  エピタキシャルウェーハ製造装置
６  サセプタ
８  貫通孔
１０  リフトピン
１０ａ  脚部
１０ｂ  ヘッド部
１６  防風部材
１７  ピン加熱手段
１８  加熱制御部
２０  ウェーハリフト補助栓部
【図１】
0004402763.tif 000002
【図２】
0004402763.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
0004402763.tif 000006
【図６】
0004402763.tif 000007
【図７】
0004402763.tif 000008
【図８】
0004402763.tif 000009
【図９】
0004402763.tif 000010