(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、発光素子と前記発光素子の駆動電流を制御する駆動回路とが各々複数個配置された表示領域を有する表示装置であって、
前記発光素子は下層の第１電極と上層の第２電極との間に設けられ、
前記駆動回路は第１電源配線に接続され、前記第１電極を介して前記発光素子に駆動電流を供給し、
前記第２電極は、前記表示領域の周囲に設けられたコンタクトホールを介して記第２電極よりも下層の第２電源配線に接続され、
前記基板の面内において、前記第１電源配線は前記第２電源配線よりも表示領域側に、前記第２電源配線に沿って配置され、
前記第２電源配線と前記第２電極とは、前記第２電源配線と前記第２電極との接触抵抗を低減させるメタル層を挟んで接触しており、前記第２電極に接触している部分より、前記第１電源配線が配置される側と反対側に延びて幅が広がっており、
前記コンタクトホールで取り囲まれた領域および前記コンタクトホールの上には、水分の侵入を遮断するためのパシベーション膜が設けられていることを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置及びカメラに関し、特に、基板上に電流駆動型の発光素子と前記発光素子の駆動電流を制御する画素回路（駆動回路とも言う）とを備えた単位画素が複数個配置された表示領域を有する表示装置に係わる。そして本発明は、特に電流を流して発光するエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子をマトリクス状に配置した表示装置に好適に用いられるものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、エレクトロルミネッセンス（EL）素子を用いた表示装置がCRTやLCDに替わる表示装置として注目され、その中でも素子に流れる電流によって発光輝度が制御される電流駆動型の発光素子である有機ＥＬ素子の応用開発が活発に行われている。
【０００３】
そして、有機ＥＬ素子と、有機ＥＬ素子に流す電流を制御する制御素子となる薄膜トランジスタ（TFT）と、を含む画素を複数配列して表示領域を構成した表示装置が検討されている。また周辺回路を含んだ有機EL表示装置では表示領域に限らず、周辺回路においても薄膜トランジスタ（TFT）が用いられている。
【０００４】
近年の表示装置において、表示領域の大面積化、高精細化が進み、信号線や走査線等の配線の数及び配線の長さが増大し、表示領域の各画素に電流を流すための電力供給線や共通電位線の配線の長さも増大している。
【０００５】
配線長が長くなることにより配線抵抗が増大する。また表示装置の大面積化、高精細化により表示装置に流れる電流量も増大する。配線抵抗と電流量の増大に伴って、配線に沿った電位降下の影響が大きくなり、表示領域全域に一定の電源電位を供給できず、表示品質を低下させてしまうという問題がある。
【０００６】
上記問題を解決する手段として、外部接続端子と表示領域とをつなぐ電源配線の幅を広くして配線抵抗を低減し、更に幅広のコンタクトホールを形成して電源配線と画素電極とのコンタクト抵抗を低減して電位降下を抑制する手法が特許文献１に開示されている。しかし、電源配線幅を広げ、コンタクトホールを大きくすると、表示領域周辺、いわゆる額縁の面積が大きくなる。応用製品によっては額縁をできるだけ小さくすることが求められているので、配線の幅やコンタクトホールサイズを大きくするには限度がある。
【０００７】
有機ＥＬ表示装置は、水分が有機ＥＬ素子に侵入すると、発光しないエリア（ダークスポット）の発生や、輝度の劣化の問題を引き起こす。よって水分の侵入を抑えるための封止技術が求められる。特許文献２には、無機材料から成る水分遮断構造物で平面的に画素領域を取り囲んで、水分を遮断する技術が開示されている。
【０００８】
また、水分を含む外気からＥＬ素子を保護するため、水分を通さないパッシベーション膜で表示部全体を被うことが行われている。水分通過を抑えるにはパッシベーション膜を一定以上の厚さにすることが望ましい。これによって表示領域は厚さ方向からの水分侵入を遮断することが出来る。
【０００９】
水分侵入は面方向からも起きる。これは、主として表示装置を構成する膜のうち水分を吸収しやすい膜を通って侵入する。特に有機ＥＬ素子の下層に形成される平坦化膜はアクリル樹脂などの有機化合物で形成されるため水分を通しやすい。
【００１０】
特許文献３には、周辺領域で電源配線と表示素子の電極とを接続するコンタクトホールを設け、これにより表示領域内の平坦化膜と、その外側の平坦化膜とを分離する発明が開示されている。外側の平坦化膜に浸入した水分は、コンタクト部で遮断され、内側の平坦化膜へ侵入することができない。これにより、水平方向の水分侵入が抑えられる。コンタクトホールで表示領域を囲むことによって、表示領域への横方向からの水分浸入を大部分遮断することができる。
【００１１】
コンタクトホールによって平坦化膜を分断する方法に限らず、横方向の水分侵入を抑える手段がコンタクトホール部分に設けられているとき、パッシベーション膜は、少なくともコンタクトホールの上までは、表示領域と同じ縦方向の水分侵入を遮断するのに十分な厚さを有していなければならない。
【００１２】
通常パッシベーション膜は印刷またはマスク成膜によって形成されるので、端部までの一定の範囲で厚さが徐々に薄くなっている。このために、コンタクトホール上で所定の厚さを有するためには、コンタクトホールの外側から基板端まで、あるいは封止キャップの接着領域の内側の縁までの間に、厚さが漸減するためのある所定の距離が求められる。
【００１３】
一方、有機ＥＬ層もマスク成膜で形成されるので、その位置がずれることがある。これを吸収し、有機ＥＬ層がコンタクトホールに接触しないように、表示領域の外縁とコンタクトホールの内縁との間でも、一定の距離を確保することが求められる。
【００１４】
このように、コンタクトホールは、基板端と表示領域の外縁とのそれぞれに一定の距離を確保して配置されていなければならない。この制約も額縁を小さくする上での障害となっている。
【特許文献１】米国特許第６６９０１１０号明細書
【特許文献２】特開２００５−１５８２９２号公報
【特許文献３】特開２００６−０６６２０６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
本発明は、表示領域の大型化に伴う配線長の増大とその結果の配線抵抗の増大、および高精細化のために必要な電流量の増大によって生じる、電源電位の変動を、額縁面積を大きくすることなく抑制するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明の表示装置は、基板上に、発光素子と前記発光素子の駆動電流を制御する駆動回路とが各々複数個配置された表示領域を有する表示装置であって、
前記発光素子は下層の第１電極と上層の第２電極との間に設けられ、
前記駆動回路は第１電源配線に接続され、前記第１電極を介して前記発光素子に駆動電流を供給し、
前記第２電極は、前記表示領域の周囲に設けられたコンタクトホールを介して記第２電極よりも下層の第２電源配線に接続され、
前記基板の面内において、前記第１電源配線は前記第２電源配線よりも表示領域側に、前記第２電源配線に沿って配置され、
前記第２電源配線と前記第２電極とは、前記第２電源配線と前記第２電極との接触抵抗を低減させるメタル層を挟んで接触しており、前記第２電極に接触している部分より、前記第１電源配線が配置される側と反対側に延びて幅が広がっており、
前記コンタクトホールで取り囲まれた領域および前記コンタクトホールの上には、水分の侵入を遮断するためのパシベーション膜が設けられていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、発光素子と、発光素子に電流を流すための駆動回路（画素回路）とを備えた構成要素が複数個配置された領域に接続される電源配線の電位変動を、装置の額縁面積を増大させることなく低減させることが可能となる。表示領域の大面積化や高精細化が進んでも、電位変動の影響による表示品質の劣化を軽減させる表示装置を提供することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。
【００２１】
有機ＥＬ素子は電流駆動型の発光素子、すなわち流れる電流に応じた輝度で発光する素子である。本発明は、有機ＥＬ素子を用いたアクティブマトリクス型表示装置に好適に適用される。以下、本発明のいくつかの実施形態に共通するＥＬ素子の構造について説明する。
【００２２】
図１は基板１０の上に構成された有機ＥＬ素子部２０とその駆動回路１９の断面図である。等価回路を図２に示す。
【００２３】
有機ＥＬ素子部２０は、下層の第１電極２２と、上層の第２電極２４と、第１電極２２と第１電極２２とに挟まれたいくつかの有機化合物の層（有機ＥＬ素子となる）２３からなっている。カラー表示装置の場合は異なる有機化合物層を含むＲＧＢ３色のＥＬ素子が並んでおり、隣同士の画素には異なる色の発光素子を構成する有機層２３ａと２３ｂが形成されている。
【００２４】
有機ＥＬ素子部２０に供給される電流は下層の第１電極２２と上層の第２電極２４との間を流れる。第１電極２２は画素ごとに分離して設けられ、第２電極２４は各画素に対して共通に設けられる。画素間には隣接画素への電流漏れを防ぐために素子分離層２６が設けられている。
【００２５】
第２電極２４は全部の画素に共通の電極であって、表示領域全体にわたって有機ＥＬ層（有機ＥＬ素子となる）２３を被っている。光が上方に取り出されるトップエミッション型有機ＥＬ表示装置では第２電極は透明電極である。
第１電極２２は、駆動回路１９から絶縁するため絶縁膜（絶縁層）２８の上に設けられている。絶縁膜２８は、第１電極２２が形成される上面を平坦に保つために有機樹脂材料を用いて形成されている。以下、絶縁膜２８を平坦化膜ともいう。
【００２６】
図１では、駆動回路１９として、半導体層１１と、ゲート電極１２、ソース電極１３、ドレイン電極１４、絶縁膜１５からなる駆動ＴＦＴの断面が描かれている。駆動トランジスタ（ＴＦＴ）は、ドレイン電極１４が有機ＥＬ素子２０の第１電極２２に接続されている。駆動トランジスタ（ＴＦＴ）は図２のトランジスタ Ｍ１に対応する。駆動回路１９には、この他に、図２の回路に示されている（図１では不図示の）スイッチングトランジスタ（ＴＦＴ） Ｍ２，Ｍ３，Ｍ４とキャパシタＣ１が含まれている。
【００２７】
駆動回路１９の電源は、表示領域内に行方向または列方向に設けられた複数の電源線１６を通じて供給される。有機ＥＬ素子部２０の駆動電流は、電源線１６から駆動回路１９の駆動ＴＦＴを通り、第１電極２２から有機ＥＬ素子２３に供給され、第２電極２４へ流れ出る。図２においては、電源線１６は電源線１０３が対応する。
【００２８】
有機ＥＬ素子２３の層構成によっては、電流は逆方向に流れる。そのときは図２の駆動トランジスタＭ１にＮＭＯＳトランジスタを用い、ＥＬ素子の陰極と陽極を入れ替え、電源ＶＣＣとＧＮＤを入れ替える。
【００２９】
外気からの水分侵入を遮断するために、第２電極２４は全体が保護層（以下パッシベーション膜という）２５で覆われている。
【００３０】
以下の実施形態は有機ＥＬ素子を例にとって説明するが、有機ＥＬ層（有機ＥＬ素子）２３の代わりに、無機ＥＬ、ＬＥＤその他の発光材料が上下一対の電極に挟まれた電流駆動型の発光素子であってもよい。
（実施形態１）
図３は、本発明の第１の実施形態である有機ＥＬ表示装置の概略図である。図４（ａ）、図４（ｂ）、図４（ｃ）は図３のＡ部、Ｂ部、Ｃ部の拡大図である。
【００３１】
図３の表示装置１００は１枚の基板１０からなり、基板面は、表示領域６（内側の２点鎖線領域内）と周辺領域３（内側と外側の２点鎖線で囲まれた領域）とに分けられる。ＥＬ素子を外気から遮断するためにガラスまたは金属性のキャップで基板面を被う場合は、周辺領域３のさらに外側に、封止キャップを接着するための接着領域４が設けられる。
【００３２】
表示領域６は、図１に示した有機ＥＬ素子部２０と駆動回路１９とが行方向及び列方向に配列して（マトリクス状に）配置された領域である。本実施形態では、電源線１６が行方向に設けられており、ゲート信号線と平行である。電源線１６を縦方向にゲート信号線に平行に設けることもできる。
【００３３】
周辺領域３には、不図示の列制御回路、コラムシフトレジスタ、ロウシフトレジスタなどの周辺回路が配置されている。これらの回路は、駆動回路１９と同一プロセスで形成され、駆動回路１９のＴＦＴと同じ半導体層１１その他の層で形成される。
【００３４】
映像信号、制御信号、電源などは、外部接続端子５を介して外部より供給される。図３では外部接続端子５は基板１０の下の１辺に配置されているが、左右の２辺に配置されていてもよい。
【００３５】
周辺領域３には、駆動回路（画素回路）に電力供給を行う第１の電源配線（以下電力供給線という）１と、第２の電源配線（以下共通電位線という）２１との２系統の電源配線が配置されている。
【００３６】
電力供給線１と共通電位線２１は表示領域６の周囲に沿うように配置され、それぞれ外部接続端子５に終端される。
【００３７】
電力供給線１には電源線１６が共通に接続されており、外部接続端子５の１つまたは２以上に接続されている。電力供給線１は、外部接続端子５を通じて外部の電源（不図示）から与えられる一定電圧に保たれている。共通電位線２１は、有機ＥＬ素子部２０の第２電極２４を外部接続端子５まで導くために設けられた配線である。
【００３８】
図５は周辺領域３のＡ−Ａ’に沿った断面図、図６はＢ−Ｂ’に沿った断面図である。
【００３９】
電力供給線１と共通電位線２１は、抵抗を小さくするために、ともに駆動回路（画素回路）１９のソース／ドレイン電極１３，１４と同じ金属で形成されている。ソース／ドレイン電極１３，１４の成膜とパタンニングの工程で、電力供給線１と共通電位線２１も同時に形成される。
【００４０】
本実施形態では電源線１６はゲートメタルと同じプロセスで形成されるので、電源線１６と電力供給線１ａ，１ｂは、その交点近くで、図６と類似の構造で接続される。
【００４１】
共通電位線２１は、絶縁層（平坦化膜）２８を挟んで第２電極２４よりも下層に形成されているので、コンタクトホール２を介して、第２電極２４に接続されている。
【００４２】
パッシベーション膜２５はコンタクトホール２の上では、表示領域６と同じ厚さを持ち、その外側で徐々に薄くなる。封止キャップの接着される領域４までには到達しない。
【００４３】
コンタクトホール２は、周辺領域３に延長された第２電極２４の四辺に沿って連続して四角状に形成された開口である。コンタクトホール２は飛び飛びに複数設けられていてもよいが、その場合は平坦化膜２８の分離効果を保つ程度に間隔を狭くしておく。
【００４４】
また、第２電極２４と共通電位線２１との接触抵抗を少なくするため、できるだけコンタクトホール２の面積を大きくする。そのため、共通電位線１の幅いっぱいにコンタクトホールを開けることが好ましい。
【００４５】
電力供給線１は共通電位線２１を挟んでその両側に（コンタクトホール２を挟んでその両側に配されるともいえる）並行に２本設けられる。電力供給線１は共通電位線２１に沿って配置される。
【００４６】
図３では、左右の２辺の周辺領域３で、共通電位線２１を挟んで２本の電力供給線１ａと１ｂが設けられている。これ以外に、外部接続端子５が配置される下辺において、電力供給線１が共通電位線２を挟んで２本に分割されていても良い。また、外部接続端子５が配置されている辺と対向する上辺において分割されていてもよい。下辺および左右辺で、あるいは全辺で２本にしてもよい。
【００４７】
分割された電力供給線１は、図６に示す端部Ｂ−Ｂ’で下層の導電材５１を介して迂回接続される。また、電源線１６も同じ構造で２本の電力供給線１ａと１ｂに接続されている。下層の導電材５１はゲートメタル層１２と同時に形成されていることが好ましい。
【００４８】
コンタクトホール２は、平坦化膜２８を分断することによって平坦化膜を通した面方向の水分侵入路を遮断する役割も果たしている。
【００４９】
コンタクトホール２によって平坦化膜２８は、表示領域側と基板端辺側の内外２つに分離される。これによって平坦化膜２８を通って侵入する水分を表示領域６内にまで侵入させず、コンタクトホール２のところで食い止めることができる。
【００５０】
先にも述べたとおり、コンタクトホール２は、パッシベーション膜の厚さ確保のため、基板の端あるいは接着領域４の内縁から一定距離はなれて配置することが求められる。加えて、コンタクトホール２は、表示領域の有機ＥＬ層の位置ずれマージンを確保するために、表示領域６の外縁に対しても一定の距離を確保して配置することが求められる。
【００５１】
本実施形態は、電力供給線１を周辺領域３の少なくとも一部で２本設けて、一方を表示領域６の外縁と共通電位線２１の内縁の間に配置し、もう一方を共通電位線２１の外縁と封止キャップ接着領域４の内縁との間に配置する。後者はパッシベーション膜２５の厚さが薄くなる領域と重なっていてもよい。なお、キャップ封止をしないときは接着領域内縁は基板端に置き換えることができる。
【００５２】
２本の電力供給線１を共通電位線２１の両側に配置することにより、電力供給線１全体としての幅を大きくすることができ、電力供給線１の配線抵抗が小さくなり、大きな電流が流れても電圧降下が少ない。
【００５３】
今、共通電位線２１の必要な最小配線幅をＡ、電力供給線１の必要な最小配線幅をＢとする。コンタクトホール２の面積をできるだけ広くすると、共通電位線２１とほぼ同じ幅Ａになる。その外側に必要な距離マージンをＭ１、内側に必要な距離マージンをＭ２とする。
【００５４】
従来のように電力供給線１を共通電位線２１の内側にのみ配置すると、コンタクトホール内側にＢの幅が必要で、これがＭ２より大きいときは全体としての額縁幅がＡ＋Ｂ＋Ｍ１になる。電力供給線１を共通電位線２１の外側にのみ配置したときはＡ＋Ｂ＋Ｍ２である。
【００５５】
本実施形態のように電力供給線１をｂ１とｂ２（ｂ１＋ｂ２＝Ｂ）の幅の２本に分割し、これがそれぞれＭ１、Ｍ２より小さくなるようにすると、全体の額縁幅はＡ＋Ｍ１＋Ｍ２になり、上の２つの従来値より小さくなる。
【００５６】
このように電力供給線１を２本に分割することは額縁面積を小さくすることにも有効である。
（実施形態２）
図７は本発明の表示装置の第２の実施形態を示す概略図である。第１の実施形態と同じ部分には同じ符号をつけた。表示領域のＥＬ素子と駆動回路は第１の実施形態と同じである。
【００５７】
周辺領域のＣ−Ｃ‘断面を図８に示す。
【００５８】
電力供給線１は実施形態１では２つに分割されていたが、本実施形態では１本にし、共通電位線２１の内側（共通電位線の片側）、すなわち表示領域６に近い側に、共通電位線２１に並列して（共通電位線２１に沿って）設ける。なお、共通電位線の片側とはコンタクトホールの片側ともいえる。
【００５９】
第２電極２４と共通電位線２１とは、直接には接触せず間に別のメタル層２９を挟んでいる。これは第２電極と共通電位線の接触抵抗を小さくするためである。もともと接触抵抗が小さければメタル層２９は必ずしも必要ではない。図８のように、メタル層２９は、第１電極２２と同じ面に、同じ材料で、かつ同じ工程で形成されることが好ましい。
【００６０】
実施形態１で説明したように、コンタクトホール２の外縁から接着領域４までは一定以上の距離を開けておかねばならない。
【００６１】
メタル層２９を導入することにより接触抵抗が低くなると、コンタクトホール２の幅を共通電位線２１の幅よりも狭くすることができる。このとき、共通電位線２１の一部を、電力供給線１とは反対側つまり外側に幅を広げ、コンタクトホールよりはみ出した形で（外側に延びて幅が広がった形で）、電力供給線１と並行に配置する。つまり、この場合の第２の電源配線は、コンタクトホールで第２電極に接触した共通電位線２１ａと、コンタクトホールから拡幅された共通電位線２１ｂの２つの部分からなる。ただし、コンタクトホール２の幅は実施形態１よりも狭くするので、共通電位線２１ａの幅は狭くなるが、共通電位線２１ｂと合わせた幅は、配線抵抗が大きくならないよう、実施形態１と同じ幅に保たれている。
【００６２】
共通電位線２１ａの幅ａ１はコンタクトホール幅と同じである。共通電位線２１ｂの幅をａ２、電力供給線１の最小配線幅をＢ、コンタクトホールの両側のマージンをＭ１,Ｍ２とする。コンタクトホールの幅ａはａ１に等しい。またａ１＋ａ２＝Ａである。
【００６３】
電力供給線１はコンタクトホール２に対して内側に配置されるので、内側では表示領域までの幅がＢだけ必要になり、最小マージンＭ２より広くなる。一方、コンタクトホールより外側では、接着領域までのマージンＭ１の範囲内で共通電位線２１ｂの幅ａ２を吸収できるとき、すなわちａ２＜Ｍ１の成り立つときは、外側の必要幅はＭ１である。
【００６４】
したがって全体の額縁幅はａ＋Ｂ＋Ｍ１となり、従来幅Ａ＋Ｂ＋Ｍ１よりも狭くできることがわかる。
【００６５】
ａ２＞Ｍ１が成り立ち、Ｍ１の範囲内で共通電位線２１ｂの幅ａ２を吸収できないときは、外側の必要幅はａ２、全体の額縁幅はａ１＋ａ２＋ＢすなわちＡ＋Ｂである。これも従来幅より狭い。
【００６６】
このように、本実施形態のようにコンタクトホール幅ａが共通電位線の幅Ａより狭くできるときは、共通電位線をコンタクトホールより外側に広げることによって、額縁を狭くすることができる。
【００６７】
上記の額縁幅ａ＋Ｂ＋Ｍ１またはＡ＋Ｂを、第１の実施形態の額縁幅Ａ＋Ｍ１＋Ｍ２と比較すると、Ｍ１の範囲内で共通電位線の幅Ａを吸収できて、かつａ２＞Ｂ−Ｍ２のときに、第１の実施形態の額縁幅より狭くなる。つまり、コンタクトホール幅ａが共通電位線の幅Ａより十分小さくなり、電力供給線１を１本にしたことによる増大を吸収できるなら、全体としての額縁幅が第１実施形態よりも狭くなる。
【００６８】
電力供給線１をコンタクトホール２に対して外側に配置し、共通電位線１をコンタクトホール２から内側に広げることも可能である。額縁幅は上記の結果でＭ１とＭ２を置き換えるだけであり、結論は変わらない。
【００６９】
外部接続端子５のある下辺では、電力供給線１に流れる電流が大きいために、電力供給線１の幅Ｂを左右辺のそれより大きくすることが好ましい。このような場合、上の条件ａ２＞Ｂ−Ｍ２が成り立たず、第２の実施形態の構成にすると額縁がかえって広がってしまう。そのような場合は、左右の２辺では第２の実施形態の構成を採用し、下辺では第１の実施形態の構成を採用するというように、辺によって第１と第２の実施形態の構成を使い分けることも有効である。
【００７０】
以上の２つの実施形態で説明したように、本発明は、表示領域の周囲を取り囲み水分侵入経路を遮断するコンタクトホールの両サイドに、電力供給線と共通電位線のいずれかの電源配線を設ける。これにより電源配線の幅を広く取ることができて、電源配線の電圧降下を防ぐことができる。また、表示領域の周囲の部分、いわゆる額縁幅を小さくすることができる。
（画素回路）
以下、第１と第２の実施形態に共通の画素回路について、図２を用いて説明する。図２はＥＬ素子とその駆動回路（画素回路）である。
【００７１】
駆動トランジスタＭ１のソースは電源線１０３に接続され、ゲートは容量Ｃ１とトランジスタＭ２のソースとに接続され、ドレインはトランジスタＭ４を介してＥＬ素子ＥＬに繋がっている。
【００７２】
制御線１０４、１０５は駆動回路（画素回路）をプログラミング動作と発光動作に切替えて、トランジスタＭ２−トランジスタＭ４の各スイッチングトランジスタをオン・オフする。プログラミング期間には、トランジスタＭ２，Ｍ３をオン、トランジスタＭ４をオフにして容量Ｃ１に電流値を書き込む。電流データＩ（ｄａｔａ）はデータ信号線１０２、トランジスタＭ３を介して、ゲート−ドレイン間が短絡されたＭ１に流れ、その結果容量Ｃ１に電流値が書き込まれる。
【００７３】
発光期間には、トランジスタＭ２，Ｍ３はオフ、トランジスタＭ４はオンになる。容量Ｃ１に書き込まれた電流がトランジスタＭ１からＭ４を介してＥＬ素子ＥＬに流れ、流れた電流に応じてＥＬ素子が発光する。
【００７４】
なお、ＥＬ素子の発光制御方法には図２の電流設定方式の他に電圧設定方式がある。本発明はそのいずれにも適用できる。
【００７５】
上記の実施形態１及び２の表示装置は、トップエミッション型のＥＬ表示装置であるが、駆動回路（画素回路）が形成された透明基板側から光を取り出すボトムエミッション型のＥＬ表示装置でも適用可能である。この場合、基板に対して下層の第１電極となる画素電極は透明電極が用いられる。上層の第２電極は透明電極であってもよいが、反射光を用いる場合にはアルミ等の金属の電極が用いられる。
【００７６】
以上、ＥＬ素子を用いた表示装置を例にあげて説明したが、本発明はそれに限らず、例えばＰＤＰ（Plasma Display Panel）やＦＥＤ（Field Emission Display）等の電流駆動型の表示装置に適用可能である。
【００７７】
上述した実施形態１及び２の表示装置は情報表示装置を構成できる。この情報表示装置は携帯電話、携帯コンピュータ、スチルカメラもしくはビデオカメラ等、もしくはそれらの各機能の複数を実現する装置である。情報表示装置は情報入力部を備えている。例えば、携帯電話の場合には情報入力部はアンテナを含んで構成される。ＰＤＡや携帯パソコンの場合には情報入力部はネットワークに対するインターフェース部を含んで構成される。スチルカメラやムービーカメラの場合には情報入力部はＣＣＤやＣＭＯＳなどによるセンサ部を含んで構成される。
【００７８】
以下本発明の実施形態として、上述した本実施形態１又は２に記載の表示装置を用いたデジタルカメラについて説明する。
【００７９】
図９は、本実施形態のデジタルスチルカメラシステムの一例のブロック図である。図中、５０はデジタルスチルカメラシステム、５１は撮影部（撮像部）、５２は映像信号処理回路、５３は表示パネル、５４はメモリ、５５はＣＰＵ、５６は操作部を示す。
【００８０】
図９において、撮像部５１で撮影した映像または、メモリ５４に記録された映像を、映像信号処理回路５２で信号処理し、表示パネル５３で見ることができる。ＣＰＵ５５では、操作部５６からの入力によって、撮影部５１、メモリ５４、映像信号処理回路５２などを制御して、状況に適した撮影、記録、再生、表示を行う。また、表示パネル５３は、この他にも各種電子機器の表示部として利用できる。
【産業上の利用可能性】
【００８１】
本発明は、基板上に電流駆動型の発光素子と発光素子の駆動電流を制御する画素回路（駆動回路）とを備えた単位画素が複数個配置された表示領域を有する表示装置に利用される。特に電流を流して発光するエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子をマトリクス状に配置した表示装置に好適に用いられる。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】有機ＥＬ素子の構成を示す断面図である。
【図２】有機ＥＬ素子の画素回路を示す回路図である。
【図３】本発明の第１の実施形態の表示装置の平面図である。
【図４】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は図３のＡ部、Ｂ部、Ｃ部の拡大図である。
【図５】図３のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。
【図６】図３のＢ−Ｂ’線に沿った断面図である。
【図７】本発明の第２の実施形態の表示装置の平面図である。
【図８】図７のＣ−Ｃ’線に沿った断面図である。
【図９】デジタルスチルカメラの一例のブロック図である。
【符号の説明】
【００８３】
１  電力供給線
２  コンタクトホール
３  周辺領域
４  接着領域
５  外部接続端子
６  表示領域
１０  基板
２１  共通電位線
２２  第１電極
２３  有機ＥＬ層
２４  第２電極
２５  パッシベーション膜
２６  素子分離膜
２８  平坦化膜
２９  メタル層
【図１】
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【図２】
0004599336.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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