(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに異なる位置に配置された複数の膜原料から放出された成膜物質を用いて基板の表面に膜を形成する成膜方法であって、
所定の特性を持つ膜が形成される前記基板表面に対応する領域と前記膜原料との位置関係を探索する探索工程と、
前記所定の特性を持つ膜が形成される領域にマスクの開口が配置されるように前記マスクの位置を決定するマスク位置決定工程と、
前記基板を２次元的に平行移動させることで、前記基板表面に前記所定の特性を持つ膜を形成する膜形成工程と、を有することを特徴とする成膜方法。
【請求項２】
前記探索工程は、前記マスクを前記膜原料に対して移動し、コンビナトリアル成膜基板の表面の成膜領域を選択しながら成膜を行うことを特徴とする請求項１に記載の成膜方法。
【請求項３】
前記探索工程は、コンビナトリアル成膜基板の表面の成膜領域を選択することなしに成膜を行うことを特徴とする請求項１に記載の成膜方法。
【請求項４】
膜原料から放出された成膜物質を用いて基板の表面に膜を形成する成膜装置であって、
前記基板を２次元的に平行移動可能に保持する可動ステージと、
該可動ステージにより保持される前記基板を覆うように配置され、前記基板の表面の成膜領域を選択するための開口が形成されており、前記基板に対する位置が可変のマスクと、
互いに異なる位置に配置された複数の膜原料を保持し且つ該膜原料から前記成膜物質を放出させる膜原料保持部と、
前記可動ステージ、前記マスク及び前記膜原料保持部を制御する制御手段とを備えており、
前記制御手段は、所定の特性を持つ膜が形成される前記基板表面に対応する領域と前記膜原料との位置関係を探索し、前記所定の特性を持つ膜が形成される領域にマスクの開口が配置されるように前記マスクの位置を決定し、前記基板を２次元的に平行移動させることで前記基板表面に前記所定の特性を持つ膜を形成するように、前記可動ステージ、前記マスク及び前記膜原料保持部を制御することを特徴とする成膜装置。
【請求項５】
前記制御手段は、探索された所定の特性を持つ膜が形成される基板表面に対応する領域と前記膜原料保持部との位置関係を記憶する記憶部を有しており、該記憶部に記憶された前記位置関係における前記所定の特性を持つ膜が形成される前記基板表面に対応する領域に前記開口が対応するように前記マスクを位置させることを特徴とする、請求項４に記載の成膜装置。
【請求項６】
前記形成された膜の特性を測定するための測定手段を備えていることを特徴とする請求項４に記載の成膜装置。
【請求項７】
前記測定手段の出力が前記制御手段に入力されることを特徴とする、請求項６に記載の成膜装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、成膜方法及び成膜装置に関するものであり、特に基板表面の所要の領域全体における最適条件での成膜を可能にする方法及びそれに用いる装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機合成・薬品合成などの分野で開始されたコンビナトリアル的な合成手法は、現在では無機材料一般にも適用が広がり、新機能を有する材料の探索に必要不可欠な手法となっている。さらに、この手法を各種成膜方法に適用することにより、異なる薄膜材料を一度にたくさん形成する方法は一般にコンビナトリアル成膜と呼ばれており、各種薄膜材料の機能探索に有効に利用されつつある。こうしたコンビナトリアル成膜方法の１つとして、複数種のターゲットを基板の周囲に配置してスパッタ法で成膜することにより、各ターゲットに対する位置関係に応じて組成などを変化させた薄膜を基板上に形成する方法がある。このようにして基板上に形成された薄膜の各種特性を上記ターゲットに対する位置関係の異なる各領域にて評価することにより、所望の目的に対する最適な成膜条件を探索することが行なわれている。
【０００３】
例えば、特開２００２−６９６１３［特許文献１］には、単一基板上に複数の薄膜を分離して成膜可能な基板マスキング機構を備えたコンビナトリアル成膜装置が記載されている。
【特許文献１】特開２００２−６９６１３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記の様に、従来のコンビナトリアル成膜方法及びそれに用いる装置は、材料探索が主目的であった。コンビナトリアル成膜により探索された最適な成膜条件をもって容易に基板表面の所要の領域全体に所望の特性を持つ薄膜を形成する方法及び装置は、従来提案されていない。
【０００５】
本発明の目的は、コンビナトリアル成膜により最適な成膜条件を探索し且つ該最適成膜条件での基板全面における成膜を容易に行うことを可能にすることにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明によれば、上記の目的を達成するために、
互いに異なる位置に配置された複数の膜原料から放出された成膜物質を用いて基板の表面に膜を形成する成膜方法であって、
所定の特性を持つ膜が形成される前記基板表面に対応する領域と前記膜原料との位置関係を探索する探索工程と、
前記所定の特性を持つ膜が形成される領域にマスクの開口が配置されるように前記マスクの位置を決定するマスク位置決定工程と、
前記基板を２次元的に平行移動させることで、前記基板表面に前記所定の特性を持つ膜を形成する膜形成工程と、を有することを特徴とする成膜方法、
が提供される。
【０００７】
本発明の一態様においては、前記探索工程は、前記マスクを前記膜原料に対して移動し、コンビナトリアル成膜基板の表面の成膜領域を選択しながら成膜を行う。本発明の一態様においては、前記探索工程は、コンビナトリアル成膜基板の表面の成膜領域を選択することなしに成膜を行う。
【０００８】
更に、本発明によれば、上記の目的を達成するために、
膜原料から放出された成膜物質を用いて基板の表面に膜を形成する成膜装置であって、
前記基板を２次元的に平行移動可能に保持する可動ステージと、
該可動ステージにより保持される前記基板を覆うように配置され、前記基板の表面の成膜領域を選択するための開口が形成されており、前記基板に対する位置が可変のマスクと、
互いに異なる位置に配置された複数の膜原料を保持し且つ該膜原料から前記成膜物質を放出させる膜原料保持部と、
前記可動ステージ、前記マスク及び前記膜原料保持部を制御する制御手段とを備えており、
前記制御手段は、所定の特性を持つ膜が形成される前記基板表面に対応する領域と前記膜原料との位置関係を探索し、前記所定の特性を持つ膜が形成される領域にマスクの開口が配置されるように前記マスクの位置を決定し、前記基板を２次元的に平行移動させることで前記基板表面に前記所定の特性を持つ膜を形成するように、前記可動ステージ、前記マスク及び前記膜原料保持部を制御することを特徴とする成膜装置、
が提供される。
【０００９】
本発明の一態様においては、前記制御手段は、探索された所定の特性を持つ膜が形成される基板表面に対応する領域と前記膜原料保持部との位置関係を記憶する記憶部を有しており、該記憶部に記憶された前記位置関係における前記所定の特性を持つ膜が形成される前記基板表面に対応する領域に前記開口が対応するように前記マスクを位置させる。本発明の一態様においては、前記成膜装置は、前記形成された膜の特性を測定するための測定手段を備えている。本発明の一態様においては、前記測定手段の出力が前記制御手段に入力される。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の成膜方法及び成膜装置によれば、コンビナトリアル成膜により探索された位置関係における所望の特性を持つ膜が形成される基板表面の領域にマスク開口が対応するようにマスクを位置させ、且つ、基板を移動させてマスク開口に対する基板の配置を変化させることで基板の表面の所要の領域の全体に対してコンビナトリアル成膜により探索された位置関係を維持した成膜を行うことにより、最適成膜条件での基板の所要領域全体における成膜を容易に行うことが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、図面を参照しながら、本発明の実施の形態を説明する。
【００１３】
図１は本発明による成膜装置の一実施形態を説明するための模式図であり、図２は本発明による成膜方法の一実施形態を説明するための模式図である。
【００１４】
先ず、成膜装置につき説明する。本実施形態では、図１に示されるように、膜としての薄膜２を形成すべき基板１を保持する可動ステージ３と、該可動ステージ３の上方に基板１を覆うように配置されたマスク４と、該マスク４の上方にて互いに異なる位置に配置された膜原料保持部としての複数以上（図では２つ）のターゲット保持部６，７と、上記可動ステージ３、マスク４及びターゲット保持部６，７を制御するための制御手段１０と、該制御手段１０に対する外部装置との信号のやりとり又は手動による信号の入出力の操作を行う操作手段１１とを備えている。
【００１５】
可動ステージ３は、水平面内即ち図におけるＸ方向及びＹ方向（紙面と垂直の方向）の双方を含む面内（Ｘ−Ｙ面内）にて該Ｘ方向及びＹ方向にそれぞれ平行移動可能に形成されている。この平行移動は、該可動ステージ３に内蔵された不図示の駆動モータに対して制御手段１０から制御信号を入力することで、なされる。基板１は、その上面（即ち薄膜２が形成される表面）が水平面内に位置するように、可動ステージ３により保持される。従って、可動ステージ３をＸ方向及びＹ方向に移動させるに際して、基板１の上面の位置は同一の水平面内に維持される。
【００１６】
マスク４も、水平面内即ち図におけるＸ−Ｙ面内にてＸ方向及びＹ方向にそれぞれ平行移動可能に形成されている。この平行移動は、該マスク４に内蔵された不図示の駆動モータに対して制御手段１０から制御信号を入力することで、可動ステージ３の平行移動とは独立して、なされる。従って、マスク４は可動ステージ３に対する位置が可変である。
【００１７】
マスク４の材質としては、金属、半導体、セラミックス、有機材料など、任意のものが挙げられる。薄膜２の形成やコンビナトリアル成膜に際してマスク機能を発揮できるものであれば、マスク４の材質は特に制限されるものではない。マスク４の材質として基板２と同じような性質を有するものを用いることもできる。
【００１８】
マスク４には、基板２の表面の成膜領域を選択するための開口５が形成されている。該開口５としては、そのサイズが固定されたもの、サイズが可変なもの、サイズが複数以上のものから選択可能なもの（即ち、互いに異なるサイズの開口を持つ複数のマスク体を備えており、そのうちの所望のマスク体を選択使用するもの）など、任意のものが挙げられ、薄膜２の形成やコンビナトリアル成膜に不都合がなければ、開口５のサイズは特に制限されるものではない。所望の膜特性を有する成膜領域の好ましいサイズは必ずしも一定とは限らないので、複数以上のサイズから選択可能なものやサイズが可変なものなどの方が好ましい場合がある。
【００１９】
マスク４の開口５の形状としては、円形、楕円形、正方形、矩形、あるいはそれらの一部、あるいはそれらを組み合わせたものなど、任意のものが挙げられ、薄膜２の形成やコンビナトリアル成膜に不都合がなければ、開口５の形状は特に制限されるものではない。
【００２０】
ターゲット保持部６，７は、膜原料として互いに異なる材質のスパッタリングターゲットをそれぞれ保持することができる。即ち、本実施形態は、成膜をスパッタ法により行うものに関する。
【００２１】
但し、本発明においては、成膜手法としては、スパッタ法の他に、反応性スパッタ法、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、レーザーアブレーション法など、任意のものが挙げられ、薄膜２の形成やコンビナトリアル成膜に不都合がなければ、成膜手法は特に制限されるものではない。
【００２２】
スパッタリングターゲット等の膜原料の材質としては、金属、半導体、ガラス、セラミックス、酸化物、窒化物、有機材料など、任意のものが挙げられ、薄膜２の形成やコンビナトリアル成膜に不都合がなければ、膜原料の材質は特に制限されるものではない。
【００２３】
ターゲット保持部６，７は、保持された膜原料に対して成膜手法に応じた様式でエネルギーを加えて、該膜原料から原子や分子やイオンなどの形態で成膜物質を放出させることができる。このようなターゲット保持部６，７の動作は、制御手段１０から入力される制御信号に基づき実行される。即ち、ターゲット保持部６，７は、このようなエネルギー印加のための手段をも含むものである。但し、以下の説明において、特にターゲット保持部６，７の位置に関し言及する場合には、特に断らない限り膜原料たるスパッタリングターゲットの位置を指すものとする。
【００２４】
基板１の材質としては、金属、半導体、ガラス、セラミックス、有機材料など、任意のものが挙げられ、薄膜２の形成やコンビナトリアル成膜に不都合がなければ、基板の材質は特に制限されるものではない。
【００２５】
もちろん、コンビナトリアル成膜の際に使用される基板及びスパッタリングターゲットは、該コンビナトリアル成膜により探索された所望の特性を持つ薄膜が所要の領域全体に形成される基板１及び該基板１への成膜の際に使用されるスパッタリングターゲット６，７と同等のものである。
【００２６】
なお、以上の構成要素は必要に応じて真空容器（不図示）内に配置されており、該真空容器は真空排気系（不図示）により真空排気されている。但し、制御手段１０及び操作手段１１は、真空容器外に位置していてもよい。
【００２７】
次に、本実施形態の成膜装置における成膜方法を説明する。
【００２８】
先ず、コンビナトリアル成膜を行う。その際には、図２（ａ）に示されるように、コンビナトリアル成膜基板１’を所定位置に保持した可動ステージ３を、制御手段１０から入力される制御信号に基づきＸ方向及びＹ方向に関して所定位置に固定しておく。そして、所定の位置に配置されたターゲット保持部６，７に対して制御手段１０から制御信号を入力することで、ターゲット保持部６，７により保持されたスパッタリングターゲットから、それぞれ成膜物質８，９が放出される。マスク４は、制御手段１０から入力される制御信号に基づきＸ方向及びＹ方向に関して所定の様式にて移動する。このマスク移動の様式としては、例えば、Ｘ方向の主走査（間欠移動）とＹ方向の副走査（往復移動）とを組み合わせたものが例示され、これにより、開口５がコンビナトリアル成膜基板１’の表面の全体領域を順次露出させる。これにより、コンビナトリアル成膜基板１’の表面の全体領域に成膜物質８，９が堆積してコンビナトリアル薄膜２’が形成される。このコンビナトリアル薄膜２’は、ターゲット保持部６，７に対する位置関係に応じて、各領域で組成や結晶形態などが異なっており従って膜特性が異なる。
【００２９】
マスク移動の様式としては、その他、以上のような平行移動のみのもの、平行移動に他の移動（回転、揺動など）を組み合わせたものなど、任意のものが挙げられ、コンビナトリアル成膜に不都合がなければ、マスク移動の様式は特に制限されるものではない。ただし、コンビナトリアル薄膜２’の膜厚を一定にする必要がある場合には、コンビナトリアル薄膜２’の各領域のマスク開口５により露出される時間を一定にするのが好ましい。
【００３０】
また、以上の実施形態では、コンビナトリアル成膜に際して、マスク４を移動させることで、開口５がコンビナトリアル成膜基板１’の表面の全体領域を順次露出させるようにしているが、このような露出様式に代えて、制御手段１０から入力される制御信号に基づき、図３に示されるように、マスク４をＸ方向及びＹ方向に関して所定の退避位置（不図示）に配置した状態で、コンビナトリアル成膜基板１’の表面の全体領域に対して同時に成膜を行ってもよい。コンビナトリアル成膜に不都合がなければ、コンビナトリアル成膜時におけるマスク４の使用の有無は特に制限されない。
【００３１】
その後、制御手段１０から制御信号を入力することで、ターゲット保持部６，７により保持されたスパッタリングターゲットからの成膜物質８，９の放出が停止される。
【００３２】
以上のようにして形成されたコンビナトリアル薄膜２’の各領域に対して膜特性の測定がなされる。この測定は、コンビナトリアル薄膜２’の形成されたコンビナトリアル成膜基板１’を成膜装置外取り出して、適宜の測定装置を用いて実行することができる。測定される膜特性としては、光学特性、磁気特性、電気特性、触媒特性、熱特性など、任意のものが挙げられる、コンビナトリアル成膜に不都合がなければ、測定される膜特性は特に制限されるものではない。膜特性の測定方法としては、光学的測定、磁気的測定、電気的測定、触媒性測定、熱的測定、結晶構造測定、組成測定など、任意のものが挙げられ、コンビナトリアル成膜に不都合がなければ、膜特性の測定方法は特に制限されるものではない。
【００３３】
この測定結果に基づき、所望の特性を持つ膜が形成される基板表面の領域の探索がなされ、探索された基板表面領域とターゲット保持部６，７との位置関係が決定される。
【００３４】
次に、基板１の表面の全体領域に対して所望の特性を持つ膜を形成する。そのため、先ず、可動ステージ３の所定位置に基板１を保持する。そして、上記測定装置での測定結果に基づき探索された所望の特性を持つ膜が形成される基板表面領域とターゲット保持部６，７との位置関係の情報の信号が、操作手段１１を介して制御手段１０に入力される。制御手段１０は、その入力情報に基づき、図２（ｂ）に示されるように、マスク４の開口５とターゲット保持部６，７との位置関係が、以上のようにしてコンビナトリアル成膜による探索で得られた所望の特性を持つ膜が形成される基板表面の領域とターゲット保持部６，７との位置関係に対応することになるように（即ち、コンビナトリアル成膜により探索された位置関係における所望の特性を持つ膜が形成される基板表面の領域にマスク開口が対応するように）、マスク４をＸ方向及びＹ方向に関して位置決めする。
【００３５】
その後、ターゲット保持部６，７に対して制御手段１０から制御信号を入力することで、図２（ｃ）に示されるように、ターゲット保持部６，７により保持されたスパッタリングターゲットから、それぞれ成膜物質８，９が放出される。そして、可動ステージ３は、制御手段１０から入力される制御信号に基づきＸ方向及びＹ方向に関して所定の様式にて移動する。この可動ステージ移動の様式としては、例えば、Ｘ方向の主走査（間欠移動）とＹ方向の副走査（往復移動）とを組み合わせたものが例示され、これにより、開口５が基板１の表面の全体領域を順次露出させる。これにより、基板１の全体領域に成膜物質８，９が堆積して薄膜２が形成される。この薄膜２の所要領域全体は、コンビナトリアル成膜で探索された領域に形成された所望の特性を持つ膜と同等の膜特性を有する。即ち、基板１の表面の所要の領域の全体に対し、制御手段１０の記憶部に記憶された所望の特性を持つ薄膜が形成される基板表面領域とターゲット保持部６，７との位置関係を維持した成膜が行われる。
【００３６】
可動ステージ移動の様式としては、その他、以上のような平行移動のみのもの、平行移動に他の移動（回転、揺動など）を組み合わせたものなど、任意のものが挙げられ、成膜に不都合がなければ、可動ステージ移動の様式は特に制限されるものではない。ただし、薄膜２の膜厚を一定にする必要がある場合には、薄膜２の各領域のマスク開口５により露出される時間を一定にするのが好ましい。
【００３７】
以上の実施形態ではコンビナトリアル薄膜２’の膜特性の測定が成膜装置外の測定装置を用いてなされているが、本発明においては、成膜装置にコンビナトリアル薄膜２’の膜特性を測定する測定手段を設けておき、該測定手段によりコンビナトリアル薄膜２’の形成されたコンビナトリアル成膜基板１’が真空容器内にあるうちに膜特性測定を行ってもよい。即ち、コンビナトリアル成膜に不都合がなければ、膜特性の測定が行われる場所は特に制限されるものではない。図４は、そのような測定手段を持つ成膜装置の実施形態を説明するための模式図である。図４において、図１におけると同様の機能を有する部材及び部分には同一の符号が付されている。
【００３８】
図４において、測定手段１２は、上記の成膜装置外の測定装置と同等なものである。また、制御手段１０は記憶部１０ａを有している。測定手段１２により測定されたコンビナトリアル薄膜２’の各領域の膜特性値Ｐｎ（ここで、ｎは領域の番号を示す）を、制御手段１０内の記憶部１０ａに記憶することができる。該記憶部１０ａには、また、所望の膜特性値Ｐｒも予め記憶しておくことができる。そして、制御手段１０では、例えばＰｒとＰｎとの差の絶対値を全ての膜特性値Ｐｎにつき算出して、これが最小となる薄膜領域を特定し、この薄膜領域の特定情報（Ｘ方向位置及びＹ方向位置の情報等）を記憶部１０ａに記憶することができる。これにより、所望の特性を持つ膜が形成される基板表面の領域の探索がなされ、且つ、探索された基板表面領域とターゲット保持部６，７との位置関係の記憶がなされたことになる。
【００３９】
本実施形態では、測定手段１２によるコンビナトリアル薄膜２’の膜特性の測定に際して、必要に応じて、制御手段１０から制御信号を入力することで、マスク４をＸ方向及びＹ方向に関して所定の退避位置（不図示）に配置しておく。
【００４０】
本実施形態では、上記のようにして、コンビナトリアル薄膜２’の膜特性の測定が測定手段１２を用いて行われ、制御手段１０により所望の特性を持つ膜の形成される基板表面の領域の探索が行われること以外は、図１〜図３に関して説明したと同様な方法でコンビナトリアル薄膜２’の形成や基板１の表面の所要の領域の全体に対する薄膜２の形成を行うことができる。
【実施例】
【００４１】
以下、実施例をあげて、本発明を説明する。なお、以下の実施例は図１で示したような成膜装置を使用することにより実施され、ここでは、コンビナトリアル成膜により探索された成膜条件下、即ち所望の特性を持つ薄膜が形成される基板表面領域とターゲット保持部６，７との位置関係を維持した条件下で、図２及び図３に関し説明したようにして、基板全面に成膜を行った。
【００４２】
実施例１：
（ａ）コンビナトリアル成膜による所望の特性を持つ薄膜が形成される基板表面領域とターゲット保持部との位置関係の探索
まず、図２（ａ）に示すように、コンビナトリアル成膜基板１’及び可動ステージ３の位置を固定した状態で、開口５を有するマスク４を移動させながら、複数のターゲット保持部６，７により保持されたスパッタリングターゲットから成膜物質８，９を放出させ、コンビナトリアル成膜基板１’の表面に堆積させて、コンビナトリアル成膜基板１’上にコンビナトリアル薄膜２’を形成することで、コンビナトリアル成膜を行った。
【００４３】
ここで、コンビナトリアル成膜用基板１’としてガラス基板を用いた。また、成膜装置の成膜手法はスパッタ法である。さらに、ターゲット保持部６，７により保持されたスパッタリングターゲットは、ＺｎＯ及びＷＯ３であった。
【００４４】
次に、成膜終了後にコンビナトリアル成膜基板１’を成膜装置から取り出し、コンビナトリアル成膜基板１’の全面即ちコンビナトリアル薄膜２’の全面に光を照射してＰＬ（フォトルミネセンス）発光強度の測定を行い、最も発光強度の強い領域を探索した。
【００４５】
（ｂ）探索された基板表面領域とターゲット保持部との位置関係に対応するようなターゲット保持部に対するマスク開口の配置位置の選択
次に、図２（ｂ）に示すように、全面成膜用ガラス基板１を可動ステージ３にセットした後に、コンビナトリアル成膜で探索されたＰＬ発光強度の最も強い基板領域に対応するようにマスク４の開口５を位置させた。
【００４６】
（ｃ）所望の成膜条件の基板全面への適用
次に、図２（ｃ）に示すように、開口５を有するマスク４の位置を固定した状態で、全面成膜用ガラス基板１及び可動ステージ３をＸ−Ｙ面内で平行移動させながら、複数のターゲット保持部６，７により保持されたスパッタリングターゲットから成膜物質８，９を放出させ、基板１の表面に堆積させることで、基板１の全面に薄膜２を形成した。
【００４７】
成膜終了後、全面成膜用基板１を成膜装置から取り出し、基板全面即ち薄膜２の全面に光を照射してＰＬ発光強度の測定を行なったところ、基板全面からコンビナトリアル成膜で得られた最も強い発光強度が測定され、本発明の有効性が確認された。
【００４８】
実施例２：
（ａ）コンビナトリアル成膜による所望の特性を持つ薄膜が形成される基板表面領域とターゲット保持部との位置関係の探索
まず図３に示すように、コンビナトリアル成膜用基板１’及び可動ステージ３の位置を固定した状態で、開口５を有するマスク４を退避位置（不図示）にセットして、複数のターゲット保持部６，７により保持されたスパッタリングターゲットから成膜物質８，９を放出させ、コンビナトリアル成膜基板１’の表面に堆積させて、コンビナトリアル成膜基板１’上にコンビナトリアル薄膜２’を形成することで、コンビナトリアル成膜を行った。
【００４９】
ここで、コンビナトリアル成膜用基板１’としてＳｉＯ２膜／Ｓｉ基板を用いた。また、成膜装置の成膜手法は電子ビーム蒸着法である。さらに、ターゲット保持部６，７により保持されたターゲットは、Ｆｅ及びＰｔであった。
【００５０】
次に、成膜終了後にコンビナトリアル成膜基板１’を成膜装置から取り出し、５００℃でアニール処理を行い、コンビナトリアル成膜基板１’の全面即ちコンビナトリアル薄膜２’の全面に対してＸ線回折測定を行い、規則格子反射強度の最も強い領域を探索した。
【００５１】
（ｂ）探索された基板表面領域とターゲット保持部との位置関係に対応するようなターゲット保持部に対するマスク開口の配置位置の選択
次に、図２（ｂ）に示すように、全面成膜用ガラス基板１を可動ステージ３にセットした後に、コンビナトリアル成膜で探索された規則格子反射強度の最も強い基板領域に対応するようにマスク４の開口５を位置させた。
【００５２】
（ｃ）所望の成膜条件の基板全面への適用
次に、図２（ｃ）に示すように、開口５を有するマスク４の位置を固定した状態で、全面成膜用ガラス基板１及び可動ステージ３をＸ−Ｙ面内で平行移動させながら、複数のターゲット保持部６，７により保持されたスパッタリングターゲットから成膜物質８，９を放出させ、基板１の表面に堆積させることで、基板１の全面に薄膜２を形成した。
【００５３】
成膜終了後、全面成膜用基板１を成膜装置から取り出し、５００℃でアニール処理を行い、基板全面即ち薄膜２の全面に対してＸ線回折測定を行なったところ、基板全面からコンビナトリアル成膜で得られた最も強い規則格子反射強度が測定され、本発明の有効性が確認された。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明による成膜装置の一実施形態を説明するための模式図である。
【図２】本発明による成膜方法の一実施形態を説明するための模式図である。
【図３】本発明による成膜方法の一実施形態を説明するための模式図である。
【図４】本発明による成膜装置の一実施形態を説明するための模式図である。
【符号の説明】
【００５５】
１  基板
１’  コンビナトリアル成膜用基板
２  薄膜
２’  コンビナトリアル薄膜
３  可動ステージ
４  マスク
５  開口
６，７  ターゲット保持部
８，９  成膜物質
１０  制御手段
１０ａ  記憶部
１１  操作手段
１２  測定手段
【図１】
0004585938.tif 000002
【図２】
0004585938.tif 000003
【図３】
0004585938.tif 000004
【図４】
0004585938.tif 000005