(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
原板の表面にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜に電子ビームを照射して所定のパターンを形成するパターニング処理を施す工程と、
前記パターニング処理を施した後のレジスト膜の表面に金属材料よりなる電極膜を形成する工程と、
前記電極膜を電極として使用する電鋳法により、電極膜の表面に金属層を積層させ、その金属層を電極膜とともにレジスト膜から剥離してスタンパを形成する工程と、
前記スタンパを成形用の金型として使用し、合成樹脂製の基板を射出成形する工程と、
前記基板の表面に反射膜及び保護層を積層し、光ディスクを製造する工程とを備え、
前記電極膜の金属材料は、銀（Ａｇ）元素を主成分とするとともに、この銀（Ａｇ）元素に他の元素として金（Ａｕ）元素及び銅（Ｃｕ）元素を添加し、前記銀（Ａｇ）元素及び前記他の元素とから固溶体を形成したものであることを特徴とする光ディスクの製造方法。
【請求項２】
前記銀（Ａｇ）元素を９０重量パーセント以上含有することを特徴とする請求項１に記載の光ディスクの製造方法。
【請求項３】
原板の表面にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜に電子ビームを照射して所定のパターンを形成するパターニング処理を施す工程と、
前記パターニング処理を施した後のレジスト膜の表面に金属材料よりなる電極膜を形成する工程と、
前記電極膜を電極として使用する電鋳法により、電極膜の表面に金属層を積層させ、その金属層を電極膜とともにレジスト膜から剥離してスタンパを形成する工程と、
前記スタンパを成形用の金型として使用し、合成樹脂製の基板を射出成形する工程と、
前記基板の表面に反射膜及び保護層を積層し、光ディスクを製造する工程とを備え、
前記電極膜の金属材料は、銀（Ａｇ）元素を主成分として含有するとともに、金（Ａｕ）及び銅（Ｃｕ）の他の元素を含有し、かつ、前記金（Ａｕ）元素及び銅（Ｃｕ）元素の含有率をそれぞれ５．０重量パーセント以下に設定したことを特徴とする光ディスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、ＣＤ（Ｃｏｍｐａｃｔ  Ｄｉｓｋ）やＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｋ）等の光ディスクを、スタンパと呼ばれる原盤を用いて製造する光ディスクの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、例えばＣＤ等といった光ディスクを製造する場合には、まず、図３（ａ）に示すように、その表面を研磨して平滑にしたガラス製の原板１０１の表面にスピンコート等によりレジスト膜１０２を形成する。次いで、このレジスト膜１０２に対してパターニング処理が施される。パターニング処理は、図３（ｂ）に示すように、レジスト膜１０２をレーザビームで露光し、潜像１０２ａを形成した後、現像することにより行われる。すると、図３（ｃ）に示すように、レジスト膜１０２の表面には複数の溝部よりなる凹パターン１０２ｂが形成される。
【０００３】
パターニング処理が行われた後、図３（ｄ）に示すように、レジスト膜１０２上には凹パターン１０２ｂの全体を被覆するように、金属材料よりなる電極膜１０３がスパッタリング法、蒸着法等により形成される。この電極膜１０３の金属材料には導電率が高く、膜形成後に組成変化しづらいことから、ニッケル（Ｎｉ）元素が単体で使用されており、その膜厚は均一なものとなっている。その後、図３（ｅ）に示すように、この電極膜１０３を電極として用いる電鋳法により、電極膜１０３の表面にはＮｉ製の金属層１０４が積層される。
【０００４】
この後、図３（ｆ）に示すように、電極膜１０３とともに金属層１０４をレジスト膜１０２の表面から剥離させると、電極膜１０３及び金属層１０４が一体となったスタンパ１０４ａが得られる。このスタンパ１０４ａの表面には前記凹パターン１０２ｂとは逆転した形状となるように、複数の突部よりなる凸パターン１０４ｂが転写されている。そして、スタンパ１０４ａを成形型として使用し、凸パターン１０４ｂ側に合成樹脂材料を射出することにより、その表面に前記凹パターン１０２ｂと同一の凹パターンが複写された基板が形成され、この凹パターンを覆うように基板上に反射膜、保護層等を積層することにより光ディスクが製造される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
近年の光ディスクには、例えばＣＤに対するＤＶＤ等のように、サイズを大きくすることなく記憶容量を増大させるため、単位面積当たりの記録密度をさらに高度化させることが課題となっている。このため、前述したパターニング処理においては、レーザビームと比較して溝部をより幅狭とすることができ、高精細な凹パターン１０２ｂを形成可能な電子ビームが使用されるようになっている。そして、電子ビームで露光を行う際には、レジスト膜１０２を形成するレジスト材料に塩素、硫黄、あるいはフッ素等の電子吸引性の元素又は電子吸引機能を有する基（これ以降、電子吸引基として記載する）等が添加されることにより、レジスト膜１０２の電子吸収感度が向上されている。
【０００６】
ところが、上記のように電子吸収感度を向上させたレジスト膜１０２を使用すると、電鋳法で電極膜１０３上に金属層１０４を積層する際、電極膜１０３は、その材料であるＮｉ元素が電子吸引性の元素又は電子吸引基に対して反応し、変質する等して損傷するおそれがある。すると、スタンパ１０４ａは、この電極膜１０３により凸パターン１０４ｂの表面部分が形成されていることから、損傷した電極膜１０３により凸パターン１０４ｂの表面が荒れるという不具合を生じてしまう。そして、このようなスタンパ１０４ａを使用して形成された基板には前記凹パターン１０２ｂが正確に複写されず、データ読取り時のノイズが大きくなり、Ｓ／Ｎ比（Ｓｉｇｎａｌ−ｔｏ−Ｎｏｉｓｅ  ｒａｔｉｏ）が低く、品質の低下した光ディスクが製造されてしまうという問題があった。
【０００７】
この発明は、このような従来技術に存在する問題点に着目してなされたものである。その目的とするところは、電極膜の耐腐食性を向上させ、その損傷を抑制し、形成されるスタンパを高品質なものとすることにより、Ｓ／Ｎ比の向上が図られて品質を高度に維持した光ディスクを製造することができる光ディスクの製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、請求項１に記載の光ディスクの製造方法の発明は、原板の表面にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜に電子ビームを照射して所定のパターンを形成するパターニング処理を施す工程と、前記パターニング処理を施した後のレジスト膜の表面に金属材料よりなる電極膜を形成する工程と、前記電極膜を電極として使用する電鋳法により、電極膜の表面に金属層を積層させ、その金属層を電極膜とともにレジスト膜から剥離してスタンパを形成する工程と、前記スタンパを成形用の金型として使用し、合成樹脂製の基板を射出成形する工程と、前記基板の表面に反射膜及び保護層を積層し、光ディスクを製造する工程とを備え、前記電極膜の金属材料は、銀（Ａｇ）元素を主成分とするとともに、この銀（Ａｇ）元素に他の元素として金（Ａｕ）元素及び銅（Ｃｕ）元素を添加し、前記銀（Ａｇ）元素及び前記他の元素とから固溶体を形成したものであることを特徴とするものである。
【００１０】
請求項２に記載の光ディスクの製造方法の発明は、請求項１に記載の発明において、前記銀（Ａｇ）元素を９０重量パーセント以上含有することを特徴とするものである。
【００１１】
請求項３に記載の光ディスクの製造方法の発明は、原板の表面にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜に電子ビームを照射して所定のパターンを形成するパターニング処理を施す工程と、前記パターニング処理を施した後のレジスト膜の表面に金属材料よりなる電極膜を形成する工程と、前記電極膜を電極として使用する電鋳法により、電極膜の表面に金属層を積層させ、その金属層を電極膜とともにレジスト膜から剥離してスタンパを形成する工程と、前記スタンパを成形用の金型として使用し、合成樹脂製の基板を射出成形する工程と、前記基板の表面に反射膜及び保護層を積層し、光ディスクを製造する工程とを備え、前記電極膜の金属材料は、銀（Ａｇ）元素を主成分として含有するとともに、金（Ａｕ）及び銅（Ｃｕ）の他の元素を含有し、かつ、前記金（Ａｕ）元素及び銅（Ｃｕ）元素の含有率をそれぞれ５．０重量パーセント以下に設定したことを特徴とするものである。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施形態を、図面に基づいて詳細に説明する。
図２（ｂ）に示すように、光ディスクを構成する基板２１は、合成樹脂である透明なポリカーボネートにより円板状に形成され、その上面には複数の微細な溝部よりなる凹パターン２１ａを有している。基板２１の上部には、この凹パターン２１ａの各溝部を被覆するようにアルミニウム製の薄膜よりなる反射膜２２が積層されている。さらに、反射膜２２の上部には、紫外線硬化樹脂よりなる保護層２３が凹パターン２１ａの各溝部を埋めつつ、さらに基板２１をその全面に渡って被覆するように積層されており、この保護層２３により凹パターン２１ａ及び反射膜２２の損傷が防止されている。
【００１３】
図２（ａ）に示すように、前記基板２１は、後述する製造方法により成形された金属製のスタンパ１５を使用して形成される。このスタンパ１５は、ニッケル（Ｎｉ）製の金属層１４と、金属層１４の下面に積層された金属材料よりなる電極膜１３とにより形成されている。スタンパ１５の下面には基板２１の凹パターン２１ａとは逆転した形状をなし、複数の突部よりなる凸パターン１６を有している。そして、前記基板２１を射出成形する工程は、スタンパ１５を成形型として用い、凸パターン１６を有する下面側にポリカーボネート材料を射出して、ポリカーボネート材料が硬化した後、スタンパ１５から離型させることにより行われる。また、光ディスクを製造する工程は、射出成形された基板２１にスパッタリング法、蒸着法等の方法により反射膜２２を形成した後、反射膜２２上に保護層２３が形成される。
【００１４】
次に、上記スタンパ１５を成形するための製造方法について説明する。
さて、スタンパ１５を成形するための製造方法として、まず、図１（ａ）に示すように、原板１１上にレジスト膜１２を形成する工程について説明する。この工程は、その表面が研磨、洗浄されて平滑面とされたガラス板又はシリコンウェハからなる原板１１上にスピンコート法等により液状のレジスト材料を均一な厚さとなるように塗布し、その後、プリベークすることにより行われる。すると、レジスト材料が加熱乾燥されてレジスト膜１２が形成される。このレジスト材料には、例えば塩素、硫黄、フッ素等のような電子吸引性の元素又は電子吸引機能を有する基（これ以降、電子吸引基として記載する）等が添加されているため、形成されるレジスト膜１２は、その電子吸収感度が向上されている。
【００１５】
次いで、レジスト膜１２に対し、パターニング処理を施す工程について説明する。この工程では、まず、図１（ｂ）に示すように、レジスト膜１２に対し、その上面側から電子ビームが照射され、レジスト膜１２が露光されることにより、レジスト膜１２の表面に潜像１２ａが形成されて、データ信号の記録が行われる。この後、図１（ｃ）に示すように、レジスト膜１２が現像され、ポストベークされることにより潜像１２ａ部分が除去されて、レジスト膜１２の上面に複数の溝部よりなる凹パターン１２ｂが形成されることにより、レジスト膜１２に対してパターニング処理が施される。
【００１６】
続いて、図１（ｄ）に示すように、電極膜１３を形成する工程について説明する。この工程は、スパッタリング法、蒸着法、無電界メッキ法等の方法により、レジスト膜１２の上面に金属材料よりなる電極膜１３が均一な膜厚となるように形成されることにより行われる。この状態で電極膜１３には凹パターン１２ｂの形状が正確に転写されている。
【００１７】
最後に、スタンパ１５を形成する工程について説明する。この工程では、まず、図１（ｅ）に示すように、前記電極膜１３を電極として使用し、電鋳法を施すことにより、電極膜１３の上面にＮｉ元素が堆積され、金属層１４が積層される。そして、金属層１４を電極膜１３とともに、原板１１及びレジスト膜１２の表面から剥離させることにより、図１（ｆ）に示すように、金属層１４及び電極膜１３が一体となったスタンパ１５が形成される。このスタンパ１５の下面には、凹パターン１２ｂの形状が正確に転写された電極膜１３により、前記凹パターン１２ｂとは逆転した形状をなす複数の突部より構成された凸パターン１６が形成されている。そして、このスタンパ１５を利用することにより、上述したように光ディスクの基板２１が射出形成される。
【００１８】
なお、スタンパ１５を形成した以降の工程として、上記の工程で得られるスタンパ１５をマスタスタンパとし、凸パターン１６が形成された面上に電鋳法を施すことにより、凹パターンを有するサブマスタスタンパの形成を行ってもよい。この後、サブマスタスタンパを利用してマスタスタンパと同一形状の複数のベビースタンパを形成し、これらベビースタンパを使用して光ディスクの基板２１を射出形成してもよい。
【００１９】
上記電極膜１３に使用する金属材料には、導電率が高く、レジスト材料中の電子吸引性の元素又は電子吸引基に対して化学反応を起こしにくいことから、銀（Ａｇ）を主成分とし、これに少なくとも１種の他の元素を添加したものが使用される。なお、この明細書中で主成分とは、金属材料のなかで含有量の最も多いものを指すものとする。前記他の元素には、電極膜１３の耐腐食性を向上させるために、金（Ａｕ）及び銅（Ｃｕ）の少なくともいずれか１種を選択することが好ましい。また、金（Ａｕ）及び銅（Ｃｕ）以外に、他の元素としてアルミニウム（Ａｌ）、パラジウム（Ｐｄ）、ニッケル（Ｎｉ）、バナジウム（Ｖ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、ルテニウム（Ｒｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）の少なくともいずれか１種を選択することも可能である。
【００２０】
この実施形態の金属材料には、Ａｇを主成分とし、前に挙げた金属元素のうち、Ａｕ及びＣｕが添加されたものが使用されている。このように材料にＡｕ及びＣｕを添加した場合、電極膜１３の導電性を維持しつつ、塩素、硫黄、フッ素等の電子吸引性の元素又は電子吸引基に対する耐腐食性の向上を図ることができる。
【００２１】
Ａｕを添加する場合、材料中におけるＡｕの含有率は、５.０重量パーセント以下とすることが好ましく、より好ましくは３.０重量パーセント以下であり、さらに好ましくは１.５重量パーセント以下である。Ａｕを５.０重量パーセントより多く含有すると、その組成によってはＡｇ及びＣｕのそれぞれと固溶体を形成しづらくなったり、生成される金属材料の性質が安定しなかったり、所望の耐腐食性を有していなかったりするおそれがある。また、材料中におけるＣｕの含有率は、５.０重量パーセント以下とすることが好ましく、より好ましくは３.０重量パーセント以下であり、さらに好ましくは１.５重量パーセント以下である。Ｃｕを５.０重量パーセントより多く含有すると、その組成によってはＡｇ及びＡｕと固溶体を形成しづらくなったり、生成される金属材料の性質が安定しなかったり、所望の耐腐食性を有していなかったりするおそれがある。
【００２２】
前記の実施形態によって発揮される効果について、以下に記載する。
・  電極膜１３には、Ａｇ、Ａｕ及びＣｕからなる金属材料が用いられている。Ａｇ、Ａｕ及びＣｕからなる金属材料は、塩素、硫黄、フッ素等の電子吸引性の元素又は電子吸引基に対する耐腐食性が高いことから、電鋳法によりＮｉ製の金属層１４を形成する際の電極膜１３の変質等といった損傷を防止することができる。この電極膜１３により凸パターン１６の表面が形成されたスタンパ１５は、レジスト膜１２の凹パターン１２ｂが正確に転写されたままの状態で、その表面を平滑面として維持することができる。従って、このようなスタンパ１５を使用して形成された光ディスクの基板２１は、レジスト膜１２の凹パターン１２ｂが正確に複写された凹パターン２１ａを有するとともに、凹パターン２１ａを構成する各溝部の内面が平滑面となる。そして、光ディスクに記録されたデータを読み取るための光学ピックアップから照射されるレーザの乱反射が抑制されることから、Ｓ／Ｎ比（Ｓｉｇｎａｌ−ｔｏ−Ｎｏｉｓｅ  ｒａｔｉｏ）が向上し、光ディスクの品質を高度に維持することができる。
【００２３】
・  さらに、合金材料中におけるＡｕの含有率を５.０重量パーセント以下に、Ｃｕの含有率を５.０重量パーセント以下に設定することにより、電極膜１３の耐腐食性のさらなる向上を図ることができる。
【００２４】
【実施例】
以下、実施例を挙げ、前記実施形態をさらに具体的に説明する。なお、この発明はそれらの実施例に限定されるものではない。
（実施例１〜６）
石英基板上に、ＲＦスパッタ装置を使用してＡｇ、Ａｕ及びＣｕからなる電極膜１３を形成した。すなわち、Ａｇ、Ａｕ及びＣｕの３種類のスパッタリングターゲットを用意し、ＲＦスパッタ装置に装着してスパッタリングを行い、各金属を同時に基板上に堆積させて電極膜１３を形成した。このとき、スパッタリングターゲットのサイズは、直径７.６２ｃｍ（３ｉｎｃｈ）、厚さ５ｍｍであり、このスパッタリングターゲットから基板までの距離を約９０ｃｍとした。成膜条件は、到達真空度を３×１０-5Ｐａ、成膜時のガス圧を０.７〜１.０Ｐａとした。また、ＲＦ投入電力は１００〜５００Ｗとした。
【００２５】
そして、Ｃｕの含有率を０．１重量パーセント（これ以降、ｗｔ％として記載する）で一定とし、これに対してＡｕの含有率を各実施例でそれぞれ変えて、電極膜１３を形成した。なお、含有率は、各金属原子の放出量を制御することにより調整し、この金属原子の放出量の制御は、各スパッタリングターゲットへのＲＦ投入電力により行った。
（比較例１）
石英基板上に、ＲＦスパッタ装置を使用してＡｇのみからなる電極膜１３を形成した。すなわち、Ａｇのスパッタリングターゲットを用意し、ＲＦスパッタ装置に装着し、スパッタリングを行って電極膜１３を形成した。スパッタリングターゲットのサイズは、直径７.６２ｃｍ（３ｉｎｃｈ）、厚さ５ｍｍであり、このスパッタリングターゲットから基板までの距離を約９０ｃｍとした。成膜条件は、到達真空度を３×１０-5Ｐａ、成膜時のガス圧を０.７〜１.０Ｐａとした。また、ＲＦ投入電力は１００〜５００Ｗとした。
（耐腐食性の評価）
実施例１〜６及び比較例１で得られた電極膜１３を石英基板とともに、その濃度が５体積パーセント（これ以降、ｖｏｌ％として記載する）の塩化ナトリウム水溶液中に常温で浸し、所定時間放置した後、経時変化の有無を評価した。測定結果を表１に示した。なお、金属材料中における組成、つまり各金属元素の含有率は、ｗｔ％で示した。経時変化の有無の評価は測定者の目視により行い、測定時に電極膜１３の表面が全く変質しなかったものを○、表面が若干変質したものを△、表面が変質したものを×として評価した。また、塩化ナトリウム水溶液を使用した理由は、任意で選択したレジスト材に塩素およびナトリウム含有による腐食作用が懸念されたためである。
【００２６】
【表１】
0004431287.tif 000002
表１の結果より、比較例１は、塩化ナトリウム水溶液に浸漬すると、電極膜１３の表面において、その端部全体が黄色となるように変質した。これは、合金材料中のいずれかの金属元素が塩素と反応したことを示すものである。また、実施例６においては、電極膜１３の表面において、その端部の一部が若干黄色となるように変質した。一方、実施例１〜５においては、塩化ナトリウム水溶液に浸漬しても、電極膜１３の表面は変質しなかった。このため、Ａｇを主成分とする合金材料にＡｕ及びＣｕを添加することにより、耐腐食性が向上することが示された。
【００２７】
また、Ｃｕの含有率が一定であり、Ａｕの含有率を０．１〜６．０ｗｔ％の範囲内で変えた結果、実施例１〜５では電極膜１３の表面に変質はなく、実施例６では電極膜１３の表面が若干変質したことから、Ａｕの含有率は５．０ｗｔ％以下に設定することが好ましいことが示された。さらに、Ａｇの含有率が９４〜９９．９ｗｔ％の場合、Ａｕの含有率をＣｕの含有率と比較して１〜５０倍の範囲内に設定することが好ましいことが示された。そこで、以下に示す実施例では、電極膜１３を作製するためのＣｕの含有率の最適な条件を求めた。
（実施例７〜１１）
実施例１〜６と同様に各金属原子の放出量を制御しながらスパッタリングを行い、Ａｕの含有率を５．０ｗｔ％で一定とし、これに対してＣｕの含有率を実施例７〜１１でそれぞれ変えて、電極膜１３を形成した。そして、各実施例で得られた電極膜１３を前に挙げた耐腐食性の評価と同様に評価した。測定結果を表２に示した。
【００２８】
【表２】
0004431287.tif 000003
表２の結果より、実施例７〜１０においては、塩化ナトリウム水溶液に浸漬しても、電極膜１３の表面は変質しなかった。実施例１１は、塩化ナトリウム水溶液に浸漬すると、電極膜１３の表面において、その端部の一部が若干黄色となるように変質した。Ａｕの含有率が一定であり、Ｃｕの含有率を０．７〜６．０ｗｔ％の範囲内で変えた結果、実施例７〜１０では電極膜１３の表面が変質せず、実施例１１では電極膜１３の表面が若干変質したことから、Ｃｕの含有率は５．０ｗｔ％以下に設定することが好ましいことが示された。さらに、Ａｇの含有率が９０〜９５．０ｗｔ％の場合、Ａｕの含有率をＣｕの含有率と比較して１．０〜７．５倍の範囲内に設定することが好ましいことが示された。
【００２９】
この結果を基にして、以下に示す実施例では、電極膜１３を作製するためのさらに最適な条件を求めた。
（実施例１２〜１８）
実施例１〜６と同様に各金属原子の放出量を制御しながらスパッタリングを行い、実施例１２〜１６においては、Ａｕの含有率を０．５ｗｔ％で一定とし、これに対してＣｕの含有率をそれぞれ変え、実施例１７及び実施例１８においては、Ｃｕの含有率を０．５ｗｔ％で一定とし、これに対してＡｕの含有率をそれぞれ変えて電極膜１３を形成した。そして、各実施例で得られた電極膜１３を上記の耐腐食性の評価と同じく、濃度が５ｖｏｌ％の塩化ナトリウム水溶液中に常温で浸し、５時間（これ以降、ｈｒとして記載する）、１０ｈｒ、２４ｈｒ後の変化の有無を評価した。測定結果を表３に示した。なお、変化の有無の評価は測定者の目視により行い、測定時に電極膜１３の表面が変質しなかったものを○、表面が変質したものを×として評価した。
【００３０】
【表３】
0004431287.tif 000004
表３の結果より、実施例１２においては、５ｈｒの浸漬では電極膜１３の表面に変質が見られず、１０ｈｒの浸漬で変質が見られた。実施例１３及び実施例１４においては、５〜１０ｈｒの浸漬では電極膜１３の表面に変質が見られず、２４ｈｒの浸漬で変質が見られた。実施例１５〜１８においては、２４ｈｒの浸漬でも電極膜１３の表面に変質が見られなかった。
【００３１】
実施例１２及び実施例１３を比較すると、Ａｕの含有率が同じく０．５ｗｔ％であるにも係わらず、実施例１２よりも実施例１３の耐腐食性が高いことが示された。このため、Ａｕの含有率を０．５ｗｔ％とした場合には、Ｃｕの含有率は３．５ｗｔ％以下に設定することがより好ましいと考えられる。加えて、実施例１４及び実施例１５を比較すると、Ａｕの含有率が同じく０．５ｗｔ％であるにも係わらず、実施例１４よりも実施例１５の耐腐食性が高いことが示された。このため、Ａｕの含有率を０．５ｗｔ％とした場合には、Ｃｕの含有率は１．５ｗｔ％以下に設定することがさらに好ましいと考えられる。さらに、Ａｇの含有率が９８〜９９ｗｔ％の場合、Ｃｕの含有率をＡｕの含有率と比較して１〜３倍の範囲内に設定することがより好ましいことが示された。
【００３２】
一方、Ｃｕの含有率を０．５ｗｔ％で一定とした実施例１７及び実施例１８においては、両実施例ともに耐腐食性が非常に高いことが示された。この結果、Ｃｕの含有率を０．５ｗｔ％以下に設定するとともに、Ａｇの含有率を５．０ｗｔ％以下に設定することで最も良好な耐食性を付与することができると考えられる。さらに、Ａｇの含有率が９４〜９７ｗｔ％の場合、Ａｕの含有率をＣｕの含有率と比較して６〜１０倍の範囲内に設定することが好ましいことが示された。
【００３３】
なお、本実施形態は、次のように変更して具体化することも可能である。
・  上記実施形態の光ディスクは、基板２１、反射膜２２及び保護層２３をそれぞれ１層ずつ有するものであったが、これに限定されず、例えば基板２１、反射膜２２及び保護層２３をそれぞれ２層づつ有する光ディスクとしてもよい。
【００３４】
さらに、前記実施形態より把握できる技術的思想について以下に記載する。
・  前記他の元素は、金（Ａｕ）及び銅（Ｃｕ）から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする請求項１に記載の光ディスクの製造方法。このように構成した場合、電極に良好な耐腐食性を付与することができる。
【００３５】
・  前記合金材料は、銀（Ａｇ）元素、金（Ａｕ）元素及び銅（Ｃｕ）元素を含有し、合金材料中における銀（Ａｇ）元素の含有率を９４〜９９．９重量パーセントにするとともに、金（Ａｕ）元素の含有率が銅（Ｃｕ）元素の含有率と比較して１．０〜５０．０倍となるように設定したことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記載の光ディスクの製造方法。このように構成した場合、スタンパを形成する電極膜にさらに良好な耐腐食性を付与することができる。
【００３６】
・  前記合金材料は、銀（Ａｇ）元素、金（Ａｕ）元素及び銅（Ｃｕ）元素を含有し、合金材料中における銀（Ａｇ）元素の含有率を９８〜９９重量パーセントにするとともに、銅（Ｃｕ）元素の含有率が金（Ａｕ）元素の含有率と比較して１〜３倍となるように設定したことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記載の光ディスクの製造方法。このように構成した場合、スタンパを形成する電極膜にさらに良好な耐腐食性を付与することができる。
【００３７】
・  前記合金材料は、銀（Ａｇ）元素、金（Ａｕ）元素及び銅（Ｃｕ）元素を含有し、合金材料中における銀（Ａｇ）元素の含有率を９４〜９７重量パーセントにするとともに、金（Ａｕ）元素の含有率が銅（Ｃｕ）元素の含有率と比較して６〜１０倍となるように設定したことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記載の光ディスクの製造方法。このように構成した場合、スタンパを形成する電極膜にさらに良好な耐腐食性を付与することができる。
【００３８】
【発明の効果】
以上詳述したように、この発明によれば、次のような効果を奏する。
請求項１に記載の発明によれば、電極膜の耐腐食性を向上させ、その損傷を抑制し、形成されるスタンパを高品質なものとすることにより、Ｓ／Ｎ比の向上が図られて品質を高度に維持した光ディスクを製造することができる。
【００３９】
請求項２に記載の発明によれば、請求項１に記載の発明の効果に加えて、電極膜により良好な耐腐食性を付与することができる。
【００４０】
請求項３に記載の発明によれば、電極膜にさらに良好な耐腐食性を付与することができ、その損傷を抑制し、形成されるスタンパを高品質なものとすることにより、Ｓ／Ｎ比の向上が図られて品質を高度に維持した光ディスクを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  （ａ）は実施形態の光ディスクの製造方法において、基材板上にレジスト膜を形成する工程を示す断面図、（ｂ）はレジスト膜に潜像を形成する工程を示す断面図、（ｃ）は潜像を現像する工程を示す断面図、（ｄ）はレジスト膜上に薄膜を形成する工程を示す断面図、（ｅ）は電鋳法により薄膜上に基材層を形成する工程を示す断面図、（ｆ）はスタンパを示す断面図。
【図２】  （ａ）はスタンパを使用して基板を形成する工程を示す断面図、（ｂ）は光ディスクを示す断面図。
【図３】  （ａ）は従来の光ディスクの製造方法において、基材板上にレジスト膜を形成する工程を示す断面図、（ｂ）はレジスト膜に潜像を形成する工程を示す断面図、（ｃ）は潜像を現像する工程を示す断面図、（ｄ）はレジスト膜上に薄膜を形成する工程を示す断面図、（ｅ）は電鋳法により薄膜上に基材層を形成する工程を示す断面図、（ｆ）はスタンパを示す断面図。
【符号の説明】
１１…原板、１２…レジスト膜、１３…電極膜、１４…金属層、１５…スタンパ、２１…基板、２２…反射膜、２３…保護層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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