(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップとリード端子が樹脂で封止され、前記リード端子の下面が前記樹脂の下面と面一である半導体装置において、
前記リード端子は、前記半導体チップの一方面が搭載される第一のリード端子と、前記半導体チップの他方面と電気的に接続される平板の第二のリード端子からなり、
前記第一のリード端子の前記樹脂面から樹脂内へ屈曲する第一屈曲部と、該第一屈曲部から前記半導体チップが搭載される箇所との間の第二屈曲部とを有し、前記第一リード端子の前記第一屈曲部の側面に凹部を形成したことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項２】
前記半導体チップの他方面と第二のリード端子との電気的な接続は、屈曲した補助端子で行われていることを特徴とする請求項１記載の樹脂封止型半導体装置。
【請求項３】
前記補助端子の半導体チップへの接続部は、半導体チップの電極の範囲内に納まることを特徴とする請求項２記載の樹脂封止型半導体装置。
【請求項４】
前記リード端子の下面に予備半田が施され樹脂の下面よりも突出していることを特徴とする請求項１記載の樹脂封止型半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体チップが樹脂封止される半導体装置に関し、特に半導体チップの表裏の電極面が導体と電気的に接続される樹脂封止型半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体チップが樹脂封止される半導体装置においては、半導体チップと半導体装置から外部に導出される外部端子との電気的な接続をワイヤボンディングによって行うことが一般的であった。しかし、ワイヤボンディングによる接続では、サージ電流のような大電流が流れた際に断線してしまうという問題点があり、また、サージ電流のような大電流が流れなくても、半導体チップの動作による温度変化を繰り返すことによって半導体装置内でワイヤが伸縮し、その応力から生じる金属疲労によってワイヤが断線してしまうという問題点があった。また、これらの弊害を防止するためにワイヤ径を太くすると、ボンディング時におけるループ径を高く採らなければならず、製品外形が大きくなってしまうという問題点があった。さらにリード端子が樹脂内部に屈曲部を有する構造とするために半導体チップの搭載前に該リード端子が屈曲されていると、この屈曲によりワイヤボンディング時のリード端子の固定が充分に行えず、リード端子にボンディング時の超音波振動が伝わりにくくボンディングしにくいという問題もあった。
【０００３】
このようなワイヤボンディングによる接続の問題点を解決する従来技術として、図３に示す半導体装置がある。この半導体装置は、半導体チップ１０４の下面が接続されるリード端子１０２、及び半導体チップの上面が接続されるリード端子１０１が一対で形成され、それらのリード端子１０１、１０２の間に半導体チップ１０４を配置し、半田１０３、１０５で接続し、樹脂１０６で樹脂封止して形成されるものである。リード端子１０１、１０２は、ワイヤボンディングに用いるワイヤに比べ、その厚み、幅とも十分大きく採ることが可能であるため、大電流が流れた場合、及び温度変化によって伸縮が繰り返された場合においても十分な強度を有し、また、その配置形状を自由に選択できるため、製品外形の小型化を図ることができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、この半導体装置では、半導体チップ１０４の上面に接続されるリード端子１０１の方が下面に接続されるリード端子１０２よりも長くなるため、リード端子１０１の熱膨張による伸縮が大きく、この伸縮によって半導体チップ１０４に余計な応力を与えてしまうことがある。更に、リード端子１０１はリード端子１０２との接触を防ぎ、絶縁距離を大きくするためにＬ字状に屈曲されている。また、リード端子１０２でも一方が樹脂１０６の下面に露出し、半導体チップ１０４が搭載される他方が樹脂１０６の内部に位置するようにリード端子がジグザグ状に屈曲されている。そして、生産効率を高めるために、リード端子１０１とリード端子１０２は、図示してないが、サイドフレームで連結された１つのリードフレームとなっており、樹脂１０６で樹脂封止後にサイドフレームから切断分離される。このように、連結されたリードフレームでしかも屈曲されているリード端子１０１、１０２はリードフレームでの搬送中や製造工程での組立中に突出した屈曲部が引っ掛かったりして、端子の変形が生じやすい。この端子の変形が生じたままで組立が行われると端子の未接続あるいは短絡が生じたりして半導体チップ１０４との確実な接続が行えないばかりか、リード端子１０１が樹脂１０６から突き出て露出してしまうことが考えられる。
【０００５】
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、製造工程でのリード端子の変形を防止することによって、信頼性を向上させた樹脂封止型半導体装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明では上記課題を解決するために、半導体チップとリード端子が樹脂で封止され、前記リード端子の下面が前記樹脂の下面と面一である半導体装置において、前記リード端子は、前記半導体チップの一方面が搭載される第一のリード端子と、前記半導体チップの他方面と電気的に接続される第二のリード端子からなり、前記第一のリード端子は前記半導体チップが搭載され樹脂内に位置する屈曲部を有し、前記第二のリード端子は平板であるものとする。つまり、半導体チップが搭載されない側のリード端子を平板とすることにより、リードフレームでの突出部が減り、製造途中でのリード端子の変形を防ぐことができる。
【０００７】
そして、前記半導体チップの他方面と第二のリード端子との電気的な接続は、屈曲した補助端子で行われているのがよい。こうすると、半導体チップと平板のリード端子との接続は屈曲した補助端子で確実に行える。しかもこの時の補助端子はＬ字状であるので、平板のリード端子を下面側に押す力が作用して、樹脂封止時のリード端子の下面への露出が充分に行える。
【０００８】
また、前記補助端子の半導体チップへの接続部は、半導体チップの電極の範囲内に納まることがよい。こうすると、半導体チップ周辺の酸化膜への半田の付着を防ぐことができる。
更に、前記リード端子の下面に予備半田が施され樹脂の下面よりも突出していることが好ましい。こうすると、プリント基板等の回路基板への接続が確実に行える。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。まず、本発明における第１の実施例について説明する。図１は、本実施例における半導体装置の構造を示した構造図である。ここで、（ａ）は透過平面図を示しており、（ｂ）は側断面図を示しており、（ｃ）は下面図を示している。
【００１０】
半導体装置は、例えば平均順電流ＩＦが１〜１０Ａのダイオードであり、導電性を有する下面側端子であるリード端子３、上面電極６ａ及び下面電極を有し、リード端子３の上面に電気的に接続されて配置される半導体チップ６、面積が縮少された電極接続部２ａを有し、この電極接続部２ａが屈曲していることによって半導体チップ６の上面電極６ａと電気的に接続される補助リード端子２、補助リード端子２と電気的に接続されるリード端子４、半導体チップ６等を封止する樹脂５、及び半田７、８、９によって構成されている。
【００１１】
半導体チップ６の上下面には、リード端子３、４と電気的に接続するための上面電極６ａ及び下面電極が形成されている。また、電極が形成されていない外周等の部分には絶縁層である酸化シリコン膜等の酸化膜６ｂが形成され、外部との耐圧を保っている。
リード端子３は、導電性を有する金属等で構成された厚さ０．２〜０．３ｍｍの長方形の板を、上面方向及び下面方向に１回ずつ屈曲させ、これにより、下面が露出してかつ樹脂５の下面と面一となる外側３ａと、樹脂５内に完全に埋没する内側３ｂとの互いに平行な２平面が段違いに形成されるように構成される。このように、平行な２平面が段違いに形成されていると、屈曲部は鋭角に曲げたとしても多少半径Ｒの丸みを有するため、この丸みの部分が樹脂５の薄肉部３ｄとなる。凹部３ｃはリード端子３の長手方向の側面に形成され、この凹部３ｃによる投錨効果で樹脂５との密着力の向上が図られている。
【００１２】
補助リード端子２も、導電性を有する金属等で構成された厚さ０．１〜０．３ｍｍの板を、上面方向及び下面方向に１回ずつ屈曲させ、これにより、互いに平行な２平面が段違いに形成され、更にＬ字状に２回屈曲して構成される。ただし、ここで使用される板は長方形ではなく、その一部の横幅が半導体チップ６の上面電極６ａの幅と略同一、或いはそれ以下になるように構成された電極接続部２ａを有する形状の板が用いられる。補助リード端子２における上面方向への屈曲は電極接続部２ａで行われ、なおかつ、電極接続部２ａに形成された１つの段差部の形状が、半導体チップ６に形成された上面電極６ａの領域に収まるように行われる。これにより、電極接続部２ａと半導体チップ６の上面電極６ａとを半田８で半田付けした際に、半導体チップ６の上面電極の周辺を覆っている酸化膜６ｂへ半田がはみ出すのを防ぐことができる。また、半導体チップ６で発生した熱の放熱効率、及び電気抵抗低減の面から、電極接続部２ａの横幅は、半導体チップ６の上面電極６ａの幅を越えない限度で、できるだけ広く採ることが望ましい。補助リード端子２のＬ字状に屈曲した部分２ｂは半田９によって平板なリード端子４に半田付けされている。このため、このＬ字状に屈曲した部分２ｂが樹脂封止時の加熱で膨張するとリード端子４を押す方向の力が作用するようになる。この力は、リード端子４を下方向へ押し付けることとなるので、樹脂封止時に確実にリード端子４の下面を露出させることができ、リード端子４の端部での樹脂バリを防ぐことができる。
【００１３】
リード端子４は、導電性を有する金属等で構成された厚さ０．２〜０．３ｍｍの長方形の平板により構成される。半導体チップが搭載されない側のリード端子４を平板とすることにより、リードフレームでの突出部が減り、製造途中でのリード端子の変形を防ぐことができる。
これらリード端子３，４は一つのリードフレーム中に多数個各対向させて形成し、樹脂で封止後にリード端子を切断するのが製造上好ましい。
【００１４】
なお、リード端子３、４、及び補助リード端子２に用いる材質としては、導電性を有し、ある程度の機械的強度が保持でき、酸化、半田のフラックス等に対する耐腐食性を有するものであれば、特に制限なく使用できる。
次に、半導体装置の配置構成について説明する。
リード端子３、４は、リード端子３、４の各１平面が同一平面上に配置され、この同一平面上に配置される各平面の末端が互いに外側を向き、また、この同一平面上に配置されるリード端子３の平面の屈曲が上面方向で後述の樹脂５内となるように配置される。そして、この同一平面上に配置される各平面の末端は、樹脂５の下面と面一となっている。
【００１５】
リード端子４の平面と同一平面上に配置されないが、その平面と平行に配置されることとなるリード端子３の屈曲後の平面上部には、半田８が塗布され、その上部には半導体チップ６が配置される。さらに、半導体チップ６の上部電極６ａには半田７が塗布され、その上部には補助リード端子２の電極接続部２ａが配置される。そして、半田７、８を溶解させることにより、リード端子３と半導体チップ６の下面電極、及び半導体チップ６の上面電極６ａと補助リード端子２の電極接続部２ａとの半田付けが行われる。また、この時リード端子４と補助リード端子２の間の半田９の半田付けも行われる。
【００１６】
このように配置された半導体チップ６等は樹脂５によって封止される。この際、樹脂５下面と同一平面上に配置されるリード端子３、４の各１平面の末端部は、樹脂５の外部に配置され、この外部に配置された末端部によって、外部の配線パターン等との電気的な接続が行われる。本実施例では、さらにこのリード端子３、４の各１平面の末端部に予備半田１が施され、この予備半田１の分だけ樹脂５の下面より突出することとなる。このように、予備半田１の部分が突出することにより回路基板の実装箇所との位置合わせが行い易いと共に確実な接続が行うことができる。
【００１７】
図２は、異なる実施例の側断面図である。以下の説明では、図１の実施例との相違点を中心に説明を行い、共通する部分については、その説明を省略する。図２に示すように、半導体チップ６の平均順電流ＩＦが小さくワイヤボンデイングの適用が可能である場合は、ワイヤ１０を用いて半導体チップ６とリード端子４の接続を行うことができる。これは、リード端子４が平板で屈曲部がないため、リード端子４の形状を変えることなく補助リード端子２をワイヤ１０に置き換えることができるためである。また、ワイヤ１０のボンデイングも平板のリード端子であるので行い易い。このように、ワイヤ１０を用いると半導体装置の重心が高さの半分より下になるので、装置自体の安定性が増し、実装時のずれ等を防ぐことができる。
【００１８】
なお、図１の実施例において、補助リード端子２をリード端子４と独立に設け、補助リード端子２をリード端子４に半田付けして接続することとしたため、半導体素子１の組み立て前にリード端子４が変形した場合であっても、組み立て時に補助リード端子２の位置を補正しつつリード端子４に半田付けすることが可能となり、補助リード端子２の電極接続部２ａを上面電極６ａからはみ出すことなく配置できることとなるため、酸化膜６ｂへの半田付着による半導体チップ６への半田成分の浸透を防止し、信頼性の向上を図ることが可能となる。さらに、半田９が応力緩和の役目をするので、リード端子４の熱膨張による伸縮の応力が半導体チップ６に加わるのを低減できる。
【００１９】
なお、本実施例では、半導体チップ６の上下面に電極が１カ所ずつ設けられ、それらに対応する補助リード端子２及びリード端子３、４が１つずつ配置される構成としたが、上下面の少なくとも一方に複数の電極が設けられた半導体チップ６を用い、各電極に対応する複数の補助リード端子２及びリード端子３、４を用い、半導体素子を構成することとしてもよい。
【００２０】
また、本実施例では、半導体チップを内蔵した半導体素子に適用したが、半導体チップ以外の素子を用いた電子部品に適用することとしてもよい。
さらに、本実施例では、各構成部品の接続を半田によって行うこととしたが、その他の導電性接合媒体を用いることとしてもよい。
なお、これらの実施例における樹脂５の外形は縦×横が２．５ｍｍ×４．０ｍｍで厚さが０．５〜２．５ｍｍであり、リード端子３、４の突出部（各０．５ｍｍ）を含めた横の長さが５．０ｍｍである。また、平均順電流ＩＦが３Ａのダイオードで樹脂の外形が１０ｍｍ2、１Ａのダイオードで樹脂の外形が５ｍｍ2である。
【００２１】
【発明の効果】
以上説明したように本発明では、補助端子を独立に設け、該補助端子と接続されるリード端子を平板としたため、半導体装置の組み立て時に端子の変形が起き難くなり、仮に組み立て前に端子が変形した場合であっても、組み立て時に補助端子の位置を補正しつつ半田付けすることが可能となり、半導体チップへの半田成分の浸透を防止し、高い信頼性を確保することが可能となる。さらに半導体チップに加わる応力の低減も図られる他に樹脂封止時に補助リード端子がリード端子を押す力が働くため、樹脂バリを生じることなくリード端子の下面の露出が行える。また、半導体チップの上面電極に、面積を縮少させ屈曲させた電極接続部によって補助リード端子を電気的に接続して半導体装置を構成することとしたため、小型化を図った上で半導体チップの酸化膜への半田の接触を避けつつ、補助端子を半導体チップの上面端子に半田付けすることが可能となり、半導体チップへの半田成分の浸透を防止し、半導体装置の信頼性の向上を図ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例の半導体装置の構造を示した構造図である。ここで、（ａ）は透過平面図を示しており、（ｂ）側断面図を示しており、（ｃ）は下面図を示している。
【図２】異なる実施例の側断面図である。
【図３】従来の半導体装置の構造を示した側断面図である。
【符号の説明】
１                          予備半田
２                          補助リード端子
２ａ                        電極接続部
３、４、１０１、１０２      リード端子
５、１０６                  樹脂
６、１０４                  半導体チップ
６ａ                        上面電極
６ｂ                        酸化膜
７、８、９、１０３、１０５  半田
１０                        ワイヤ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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