(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワ−クを回転させて処理するスピン処理装置において、
回転駆動される回転テ−ブルと、
この回転テ−ブルの周辺部に周方向に所定間隔で設けられ上端に上記ワ−クの周縁部を保持する保持部が設けられた複数の保持部材と、
この保持部材に保持されたワークの下面側に設けられ、上記ワークの下面を乾燥させる気体を噴出する気体供給手段であって、上記気体の噴出方向が、上記ワークの下面側の径方向中心から外れた位置から径方向中心部に向かって傾斜する、気体供給手段を具備し、
上記回転テーブルには、内径寸法が上記回転テーブルの外径寸法と同じに形成された円筒状の周壁部と、この周壁部の上端開口を閉塞し上記ワークの下面と対向する鏡板部とが形成されて上記保持部材を収容し、上記回転テーブルの回転に伴う上記ワークの下面側における乱流発生を防止する規制部材が設けられ、上記気体供給手段からの気体が、上記鏡板部に形成された開口を通って上記ワークの下面側に導かれることを特徴とするスピン処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明はワ−クを回転させながら洗浄や乾燥などの処理を行うスピン処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
たとえば、半導体装置や液晶表示装置の製造過程においては、ワ−クとしての半導体ウエハや矩形状の液晶用ガラス基板に回路パタ−ンを形成するための成膜プロセスやフォトプロセスがある。これらのプロセスでは、上記ワ−クの薬液処理、洗浄液による洗浄処理および乾燥処理などが繰り返し行われる。
【０００３】
上記ワ−クに上述した各種の処理を行うには、スピン処理装置が用いられる。このスピン処理装置は、回転駆動される回転テ−ブルを有し、この回転テ−ブルの周辺部には周方向に所定間隔で複数の保持部材が立設されている。各保持部材の上端には上記ワ−クの周縁部を保持するために保持部としてのピンが設けられている。
【０００４】
上記ワ−クを処理する場合、このワ−クの周縁部を上記保持部材のピンによって保持したならば、このワ−クを回転テ−ブルとともに回転させる。そして、ワ−クの上面側と下面側に向けて処理液あるいは洗浄液を供給することで、このワ−クを処理あるいは洗浄することができ、さらに処理液や洗浄液を供給せずに、上記回転テ−ブルを高速回転させることで、上記ワ−クを乾燥処理することができる。
【０００５】
ワークの上面側は、スピン処理装置が設置されるクリーンルームの天井からのダウンフローによってその上面の中心部分から径方向外方に沿う気体の流れが生じる。そのため、ワーク上面の洗浄液はワークの回転による遠心力とダウンフローによって確実に除去されるから、乾燥処理後に、いわゆるウオータマークといわれるしみが生じることはほとんどない。
【０００６】
しかしながら、ワークの下面側はダウンフローが作用しない。そのため、回転に伴なう遠心力だけでは洗浄液が確実に除去されないため、乾燥処理後に洗浄液の残りがしみとなる、ウオータマークが生じるということがあった。
【０００７】
ワークの下面の乾燥不良を防止するため、ワークの下面側に乾燥用の気体を吹き付けるということが考えられている。しかしながら、ワークの下面側に乾燥用の気体を単に吹き付けたのではその気体がワークの下面の中心部部分から径方向外方へ沿う流れとならないから、洗浄液が残留してしみができるということが避けられない。
【０００８】
さらに、保持部材に保持されたワ−クの下面側には比較的大きな空間部が形成され、この空間部の気体流は、回転テ−ブルを回転させることで保持部材が風を切るために乱流になり易い。
【０００９】
そのため、そのことによってもワークの下面側に洗浄液が残留してしみが発生するということがあったり、上面側の空気を下面側に巻き込み、その気体流に含まれるミストがワークに付着してしみや汚れになるなどのことがある。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
このように、ワ−クを回転テ−ブルに保持し、この回転テ−ブルを回転させながら上記ワ−クを乾燥処理する場合、このワ−クの下面側には洗浄液が残り易いから、それによってしみの発生を招くということがあり、またワークの下面に気体を単に吹き付けても、その下面に付着した洗浄液を確実に除去してしみの発生を防止するということができなかった。
【００１１】
この発明の目的は、回転テ−ブルに保持されたワ−クの下面に付着した液体を確実に乾燥除去できるようにすることで、上記ワークの下面に洗浄液によるしみが発生することがないようにしたスピ処理装置を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明は、ワ−クを回転させて処理するスピン処理装置において、
回転駆動される回転テ−ブルと、
この回転テ−ブルの周辺部に周方向に所定間隔で設けられ上端に上記ワ−クの周縁部を保持する保持部が設けられた複数の保持部材と、
この保持部材に保持されたワークの下面側に設けられ、上記ワークの下面を乾燥させる気体を噴出する気体供給手段であって、上記気体の噴出方向が、上記ワークの下面側の径方向中心から外れた位置から径方向中心部に向かって傾斜する、気体供給手段を具備し、
上記回転テーブルには、内径寸法が上記回転テーブルの外径寸法と同じに形成された円筒状の周壁部と、この周壁部の上端開口を閉塞し上記ワークの下面と対向する鏡板部とが形成されて上記保持部材を収容し、上記回転テーブルの回転に伴う上記ワークの下面側における乱流発生を防止する規制部材が設けられ、上記気体供給手段からの気体が、上記鏡板部に形成された開口を通って上記ワークの下面側に導かれることを特徴とする。
【００１４】
請求項１の発明によれば、ワークの下面に、この下面の中心から外れた位置から径方向中心に向けて乾燥用の気体を噴出させるようにしたことで、ワークの下面には径方向中心部から外方に向かって気体を流すことができる。そのため、ワークの下面に付着した洗浄液をその下面から確実に除去できるから、乾燥によるしみが生じるのを防止することができる。
【００１５】
また、回転テーブルに、ワークの下面側における気体の流れを規制する規制部材を設けたことで、ワークの下面側に乱流が発生しにくくなり、しかも規制部材に形成された開口部からワークの下面に向けて乾燥用の気体が供給されることで、この気体によるワークの下面の乾燥を効率よく行うことができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の一実施の形態を図面を参照して説明する。
図２に示すこの発明のスピン処理装置は本体ベ−ス１を有する。この本体ベ−ス１には円筒状の支持体２が上下方向に貫通して設けられている。この支持体２には同じく円筒状の回転軸３が中途部を上下一対の軸受４によって回転自在に支持されて設けられている。
【００１７】
上記回転軸３の下端部は上記支持体２から突出し、その下端部には従動プ−リ５が嵌着されている。この従動プ−リ５の近傍にはステップモ−タ６が配設されている。このステップモ−タ６の回転軸６ａには駆動プ−リ７が嵌着され、この駆動プ−リ７と上記従動プ−リ５とにはベルト８が張設されている。したがって、上記ステップモ−タ６が作動すれば、上記回転軸３が回転駆動されるようになっている。
【００１８】
上記回転軸３の上端には回転テ−ブル９がねじ９ａによって着脱自在に取り付けられている。図１に示すようにこの回転テ−ブル９には周方向に９０度間隔で４本の保持部材１１がブッシュ１２を介して回転自在に立設されている。上記保持部材１１は図２に示すように円筒部１３を有する。この円筒部１３は上端が閉塞され、下端が開口している。円筒部１３からは支軸１４が下端部を突出させて垂設され、この支軸１４が上記ブッシュ１２に回転自在に支持されている。
【００１９】
上記円筒部１３の上面には保持部を形成する支持ピン１６と、この支持ピン１６に比べて背の高い逆テ−パ状のロックピン１７とが立設されている。支持ピン１６は上記支軸１４と軸中心をほぼ一致させており、ロックピン１７は上記軸線に対して偏心して設けられている。
【００２０】
上記構成の４本の保持部材１１には図１と図２に示すようにワ−クとしての半導体ウエハ２１が保持される。つまり、半導体ウエハ２１はその裏面の周辺部が上記支持ピン１６に支持されて設けられる。半導体ウエハ２１が支持ピン１６に支持された状態で上記保持部材１１は図示しないばねによって回転方向に付勢されている。
【００２１】
それによって、上記保持部材１１に設けられたロックピン１７が偏心回転して上記半導体ウエハ２１の外周面に当接するから、半導体ウエハ２１は径方向にずれ動くことなく保持されることになる。
【００２２】
上記回転テ−ブル９の中心部分には図１に示すように通孔２５が形成されている。この通孔２５の個所には円錐状の下部ノズル体２６が設けられている。この下部ノズル体２６は上記通孔２５に非接触状態で嵌挿される中心部２６ａと、この中心部２６ａの外周面に螺合された、上記通孔２５よりも大径な傘部２６ｂとからなる。
【００２３】
上記回転テ−ブル９の上記通孔２５の周辺部には環状の第１のシ−ル壁２０ａが突設され、上記傘部２６ｂの下面には上記第１のシ−ル壁２０ａの外周面に離間対向する環状の第２のシ−ル壁２０ｂが垂設されている。
【００２４】
上記下部ノズル体２６の傘部２６ｂは回転軸３の上端面を覆うから、半導体ウエハ２１を洗浄した洗浄液が回転軸３の内部に浸入するのを阻止するようになっている。
【００２５】
上記下部ノズル体２６の傘部２６ｂは回転テ−ブル９の上面を覆っているが、この傘部２６ｂは中心部２６ａに着脱自在に螺合されている。そのため、上記中心部２６ａから傘部２６ｂを外すことで、上記回転テ−ブル９を回転軸３の上端に取着したねじ９ａを露出させることができる。それによって、このねじ９ａを緩めて上記回転テ−ブル９を回転軸３から取り外すことができるようになっている。
【００２６】
上記中心部２６ａの外周面と傘部２６ｂの内周面とにはそれぞれ段部が形成され、これらの段部間には中心部２６ａと傘部２６ｂとの間の液密を確保するためのパッキング２６ｃが介装されている。また、上記下部ノズル体２６の中心部２６ａにはその上面に開放した第１のノズル孔２７が上下方向に貫通して形成されている。
【００２７】
上記下部ノズル体２６の中心部２６ａの下端部にはブラケット３１が嵌着されている。このブラケット３１は上記回転軸３内の上部に軸受２９によって回転自在に支持されている。
【００２８】
また、回転軸３の内部の上記ブラケット３１の下方には、上記軸受２９と図２に示す他の軸受３２とによって上下端部が回転自在に支持されたハウジング３３が挿通されている。このハウジング３３と上記ブラケット３１は一体的に結合され、固定軸を構成している。ハウジング３３の下端部は上記回転軸３から突出し、上記ベ−ス本体１の下面側に結合された取付板１ａに固定されている。
【００２９】
上記ハウジング３３には貫通孔３６ａが穿設され、この貫通孔３６a には上記第１のノズル孔２７に一端を接続した供給チュ−ブ３５が挿通されている。
なお、上記下部ノズル体２６は上記ハウジング３３と図示しない連結ロッドによって一体的に結合されている。それによって、上記回転軸３とともに上記回転テ−ブル９が回転駆動されても、上記下部ノズル体２６とハウジング３３とは回転しないようになっている。
【００３０】
上記供給チュ−ブ３５の他端は図示しない洗浄液の供給部に連通している。したがって、第１のノズル孔２７からは、上記供給チュ−ブ３５からの洗浄液を保持部材１１に保持された半導体ウエハ２１の下面側に沿って流すことができるようになっている。
【００３１】
上記半導体ウエハ２１の上面側には上部ノズル体３８が配置されている。
この上部ノズル体３８からは上記半導体ウエハ２１の上面中央部分に向けて洗浄液が噴射される。それによって、半導体ウエハ２１の上面が洗浄されるようになっている。つまり、半導体ウエハ２１は上面だけでなく裏面も同時に洗浄処理できるようになっている。
【００３２】
なお、上部ノズル体３８から半導体ウエハ２１へは、洗浄液に代わり薬液を噴射してもよく、また第１のノズル孔２７からは洗浄液に代わり薬液を噴射するようにしてもよい。
【００３３】
上記回転テ−ブル９の下面側で、上記回転軸３の上部外周面には円筒状のロック筒体４１が上下一対の軸受４０によって回転自在に設けられている。図１に示すように、このロック筒体４１の上端にはフランジ４２が設けられ、このフランジ４２には径方向外方に向かって４つのア−ム３９（２つのみ図示）が周方向に９０度間隔で突設され、各ア−ム３９の先端部分にはそれぞれスライド溝３６が径方向に沿って形成されている。各スライド溝３６には、嵌合孔３７ａが形成されたコマ３７がスライド自在に設けられている。
【００３４】
上記コマ３７の嵌合孔３７ａには係止ピン４３が着脱自在に嵌合される。この係止ピン４３はレバ−４４の一端に突設されている。このレバ−４４の他端は上記保持部材１１の支軸１４の上記回転テ−ブル９の下面側に突出した下端部に連結固定されている。
【００３５】
したがって、上記ロック筒体４１を所定方向、たとえば時計方向に回転させ、コマ３７および係止ピン４３を介して上記レバ−４４を回動させれば、このレバ−４４に連結された上記支軸１４を介して上記保持部材１１を回動させることができる。
【００３６】
それによって、ロックピン１７が偏心回転するから、支持ピン１６に支持された半導体ウエハ２１の外周面に上記ロックピン１７を当接させ、半導体ウエハ２１の支持状態をロックできる。つまり、上記ロックピン１７は、上記支持ピン１６に支持された半導体ウエハ２１が径方向にずれ動くのを阻止する。
【００３７】
なお、上記ロック筒体４１を反時計方向に回動させれば、上記ロックピン１７による半導体ウエハ２１のロック状態を解除することができる。
上記ロックピン１７による半導体ウエハ２１のロックおよびロックの解除、つまりロック筒体４１の回動は解除機構５１によって行われる。この解除機構５１は図２に示すように上記回転軸３の外周面に設けられた第１の係止片５２と、上記ロック筒体４１の外周面に設けられた第２の係止片５３とを有する。
【００３８】
第１の係止片５２と第２の係止片５３との間には図示しないばねが張設されている。このばねは上記第２の係止片５３を介してロック筒体４１を第１の係止片５２の方向に付勢している。つまり、ロック筒体４１を反時計方向に付勢している。したがって、ばねはロック筒体４１を回動させるから、係止ピン４３およびレバ−４４を介して回転テ−ブル９に設けられた保持部材１１が回動させられ、そのロックピン１７が半導体ウエハ２１の外周面に当接するロック状態になる。
【００３９】
ロックピン１７による半導体ウエハ２１のロック状態の解除は、上記回転軸３を所定の回転角度で停止させたならば、上記第１の係止片５２を保持し、その状態で、第２の係止片５３をばねの付勢力に抗して押圧する。
【００４０】
それによって、上記ロック筒体４１はばねの付勢力に抗して回転させられるから、係止ピン４３およびレバ−４４を介して保持部材１１がロック時とは逆方向に回転させられる。したがって、ロックピン１７が偏心回転して半導体ウエハ２１のロック状態を解除するようになっている。
【００４１】
図２に示すように上記回転軸３の下端部外周面にはドグ７１が設けられ、このドグ７１はマイクロフォトセンサ７２によって検知される。このマイクロフォトセンサ７２の検知信号で上記ステップモ−タ６による回転軸３の回転角度が制御される。つまり、半導体ウエハ２１のロック状態を解除するときに、第１の係止片５２と第２の係止片５３とが所定の位置になるよう回転軸３の回転角度を制御できるようになっている。
【００４２】
上記本体ベ−ス１の上面側には上記回転軸３の上部が遊挿される通孔７５ａが形成され内部に上記回転軸３を収容した下カップ７５と、上記保持部材１１に保持された半導体ウエハ２１の上面側周辺部を覆うとともに上面に開口部７６ａが形成された上カップ７６とが設けられている。上カップ７６は上下動自在に設けられ、図示しない上下駆動シリンダのロッド７７が連結されている。このシリンダが作動することで上カップ７６が上下駆動される。
【００４３】
上記上カップ７６を下降させると、その上面開口部から保持部材１１の上部が突出する。したがって、図示しないロボットによって上記保持部材１１へ未処理の半導体ウエハ２１を供給したり、乾燥処理された半導体ウエハ２１を取り出すことができるようになっている。さらに、下カップ７５には排出管７８が接続されている。この排出管７８は下カップ７５内部の洗浄液や雰囲気を排出する。
【００４４】
図１に示すように、上記下カップ７５の通孔７５ａの周辺部には、上記回転テ−ブル９の下面周辺部に対向するリング状の対向部材８１が設けられている。この対向部材８１の上面周辺部には内周壁８２ａと、この内周壁８２ａよりも背の低い外周壁８２ｂとによって環状溝８３が形成されている。この環状溝８３の底部には液体Ｌの供給管８４が接続されていて、上記環状溝８３に液体Ｌを供給するようになっている。環状溝８３を形成する外周壁８２ｂは内周壁８２ａよりも背が低いから、上記環状溝８３に供給された液体Ｌは外側へオ−バフロ−することになる。
【００４５】
上記回転テ−ブル９の下面周辺部には上記環状溝８３に入り込むシ−ル壁８５が全周に亘って設けられている。上記シ−ル壁８５が液体Ｌが収容された環状溝８３に挿入されることで、上記回転テ−ブル９の下面側と外周側とが気密に遮断される。
【００４６】
それによって、塵埃を含む外気が上記下カップ７５の通孔７５ａ部分から下カップ７５内へ流入するのが阻止されるとともに、上下のカップ７５、７６内に飛散した洗浄液や薬液などの処理液が上記下カップ７５の通孔７５ａから外部へ流出するのが防止される。
【００４７】
処理液が酸性度の高い液体の場合、各カップ７５、７６や回転テ−ブル９は耐酸性を有する、たとえば弗素樹脂などの材料によって作られているので、腐蝕されることはないが、その洗浄液が下カップ７５から外部に流出して金属で作られた他の部品に付着すると、その部品が腐蝕される虞があり、また軸受部分などの可動部に浸入すると、その可動部が早期に損傷することがある。しかしながら、上述したシ−ル構造によって、下カップ７５内から洗浄液が外部に流出するのが阻止されているから、そのような不都合が生じることがない。
【００４８】
上記回転軸３内に設けられたハウジング３３には窒素などの不活性ガスの供給管９１が設けられている。この供給管９１は上記ブラケット３１の上面側と下部ノズル体２６の下面側との間の第１の空間部９２ａに連通している。上記ブラケット３１の周壁には、この外周面と回転軸３の内周面との間の第２の空間部９２ｂに連通する連通孔９３が形成されている。
【００４９】
したがって、上記供給管９１から上記第１の空間部９２ａに供給された不活性ガスは上記連通孔９３から第２の空間部９２ｂへ流れ、この第２の空間部９２ｂから下部ノズル体２６の下面側に沿って流出する。つまり、上記第２の空間部９２ｂは不活性ガスによって正圧になるから、その圧力で上記第２の空間部９２ｂに洗浄液が流入するのが防止される。
【００５０】
さらに、上記下部ノズル体２６には気体供給手段としての第２のノズル孔９１ａが穿設されている。この第２のノズル孔９１ａは上記供給管９１から上記第２の空間部９２ｂに供給された不活性ガスの一部を上記半導体ウエハ２１の下面に向けて噴出するようになっている。
【００５１】
つまり、上記第２のノズル孔９１ａは下部ノズル体２６の中心軸から径方向外方へ所定寸法ずれた位置、つまり半導体ウエハ２１の径方向中心部から外れた位置に穿設されていて、下部ノズル体２６の上面に開口する先端部分は上記半導体ウエハ２１の下面の中心に向かうよう傾斜している。
【００５２】
したがって、上記第２のノズル孔９１a からは不活性ガスが上記半導体ウエハ２１の下面の中心部に斜め下方向から噴射されるから、その不活性ガスによって半導体ウエハ２１の下面が乾燥処理されるようになっている。
【００５３】
図２に示すように上記回転軸３を回転自在に支持した支持体２の周壁には図示しない吸引ポンプに接続される第１の吸引孔９５ａが穿設されている。上記回転軸３の周壁の上記第１の吸引孔９５ａと対向する部位には第２の吸引孔９５ｂが穿設されている。さらに、上記回転軸３の周壁の、上記ロック筒体４１と対向する部分には第３の吸引孔９５ｃが穿設されている。
【００５４】
したがって、上記第１の吸引孔９５ａに接続された吸引ポンプの吸引力により、上記回転軸３を支持体２に回転自在に支持した軸受４と、上記回転軸３をハウジング３３に回転自在に支持した軸受２９、３２と、上記ロック筒体４１を上記回転軸３に回転自在に支持した軸受４０とで発生する塵埃が排出されるから、上記各軸受で発生した塵埃が周囲に飛散するのが防止されるようになっている。
【００５５】
上記回転テ−ブル９には、上記保持部材１１に保持された半導体ウエハ２１の下面に空気流が発生するのを規制する規制部材１０１が設けられている。この規制部材１０１は、内径寸法が上記回転テ−ブル９の外形寸法とほぼ同じに形成された円筒状の周壁部１０２と、この周壁部１０２の上端開口を閉塞した鏡板部１０３とが一体的に形成されてなる。
【００５６】
上記鏡板部１０３には、図３に示すように周辺部に上記支持ピン１６とロックピン１７とを突出させる４つの第１の開口部１０４が周方向に９０度間隔で形成され、中央部には上記第１のノズル孔２７からの洗浄液と上記第２のノズル孔９１ａからの不活性ガスを半導体ウエハ２１の下面側に噴出させるための第２の開口部１０５が形成されている。
【００５７】
そして、上記規制部材１０１は、図１に示すようにその周壁部１０２の下端部を回転テ−ブル９の外周面に外嵌させ、これらの接合部分をねじ１０６で結合することで、その内部に保持部材１１を収容するとともに、鏡板部１０３の開口部１０４から上記支持ピン１６とロックピン１７とを突出させて上記回転テ−ブル９に設けられている。
【００５８】
それによって、上記規制部材１０１は、半導体ウエハ２１の下面と鏡板部１０３の上面との間にわずかな間隔、たとえば数mm程度の間隔の第１の空間部Ｓ１を残して回転テ−ブル９の上面側の第２の空間部Ｓ２を閉塞している。つまり、規制部材１０１は保持部材１１を内部に収容して回転テ−ブル９の上面側と半導体ウエハ２１の下面側との間の第２の空間部Ｓ2 を閉塞している。
【００５９】
つぎに、上記構成のスピン処理装置によって半導体ウエハ２１を洗浄及び乾燥処理する場合について図１と図２を参照して説明する。
まず、半導体ウエハ２１を回転テ−ブル９の上面に立設された４本の保持部材１１によって保持する。つまり、半導体ウエハ２１の下面周辺部を支持ピン１６によって支持するとともに、外周面にロックピン１７を当接させることで、上記半導体ウエハ２１を回転テ−ブル９に保持する。上記ロックピン１７は逆テ−パ状であるから、半導体ウエハ２１を径方向にずれないように保持するだけでなく、支持ピン１６から浮き上がるのも阻止する。
【００６０】
回転テ−ブル９に半導体ウエハ２１を保持したならば、ステップモ−タ６を作動させて回転軸３とともに上記回転テ−ブル９を回転させる。それと同時に、上部ノズル体３８および下部ノズル体２６の第１のノズル孔２７から洗浄液を半導体ウエハ２１の上面と下面に向けてそれぞれ噴出させれば、この半導体ウエハ２１の上面と下面とを同時に洗浄することができる。
【００６１】
上記回転テ−ブル９の上面側の第２の空間部Ｓ２は規制部材１０１によって第１の空間部Ｓ１を残して閉塞され、しかも半導体ウエハ２１の下面側の上記第１の空間部Ｓ１はその規制部材１０１の鏡板部１０３によって間隔（高さ寸法）が十分に狭められている。
【００６２】
そのため、回転テ−ブル９が回転しても、保持部材１１によって半導体ウエハ２１の下面側の第２の空間部Ｓ２に乱流が発生するのが規制されるばかりか、第１の空間部Ｓ１に空気流が生じることもほとんどない。
【００６３】
したがって、半導体ウエハ２１の上面側を洗浄液で洗浄することでパ−ティクルやミストが発生しても、それらが半導体ウエハ２１の下面側に流れ込んで付着するのが防止される。また、半導体ウエハ２１の下面側に供給された洗浄液はその下面や規制部材１０１の鏡板部１０３の上面に沿って第１の空間部Ｓ１から流出し、その流れが乱れることがないから、半導体ウエハ２１の下面を洗浄した洗浄液に含まれるパ−ティクルがその下面に再付着することもない。
【００６４】
半導体ウエハ２１の上面と下面とを洗浄したならば、上部ノズル体３８あるいは図示しない別のノズル体３８から半導体ウエハ２１の上面に純水を供給するとともに、第１のノズル孔２７から半導体ウエハ２１の下面に純水を供給し、上下両面をリンスする。ついで、半導体ウエハ２１を高速回転させることで、乾燥処理を行う。
【００６５】
その際、半導体ウエハ２１の上面側は、クリーンルームにおけるダウンフローによって清浄な空気の流れがあるから良好に乾燥処理されることになる。これに対して半導体ウエハ２１の下面側の第１の空間部Ｓ１の高さ寸法は規制部材１０１の鏡板部１０３によって十分に狭められているため、空気流がほとんど発生しない。
【００６６】
そのため、上記第１の空間部Ｓ１に半導体ウエハ２１の上面を洗浄した洗浄液が回り込んで下面を汚すということはないものの、半導体ウエハ２１の下面は乾燥処理されにくくなる。しかしながら、第２のノズル孔９１ａから不活性ガスを供給することで、半導体ウエハ２１の下面は良好に乾燥処理されることになる。
【００６７】
つまり、上記半導体ウエハ２１の下面には、第２のノズル孔９１ａから不活性ガスが半導体ウエハ２１の径方向中心からずれた位置から径方向中心部に向かうよう、斜め方向に噴射される。そのため、半導体ウエハ２１の下面では、第２のノズル孔９１ａから噴射された不活性ガスが径方向中心部から外周に向かって流れるから、その不活性ガスの流れによって半導体ウエハ２１の下面に付着した洗浄液はその下面から良好に排除されることになる。しかも、半導体ウエハ２１が高速回転されることで遠心力が発生するから、その遠心力によっても半導体ウエハ２１の下面から洗浄液が排除される。
【００６８】
そのため、半導体ウエハ２１の下面からは洗浄液が確実に排除され、洗浄液が残留するということがなくなるから、半導体ウエハ２１の下面にウオータマークによるしみが生じることがない。
【００６９】
しかも、半導体ウエハ２１の下面側を、規制部材１０１によって高さ寸法が数ミリの第１の空間部Ｓ１に形成したから、第２のノズル孔９１ａから半導体ウエハ２１の下面側に噴射される不活性ガスの量がわずかであっても、その不活性ガスを半導体ウエハ２１の下面に沿って所定の流速で流すことができるから、半導体ウエハ２１の下面を効率よく乾燥処理することができる。
【００７０】
この発明は上記一実施の形態に限定されるものでなく、たとえばワ−クとしては半導体ウエハに代わり液晶用ガラス基板であってもよく、また規制部材は周壁部と鏡板部とが一体あるいは別体のいずれであってもよく、さらに規制部材は半導体ウエハの下面側の隙間を小さくする鏡板部だけであってもよい。
【００７１】
さらに、ワークの下面に吹き付ける気体としては不活性ガスに限られず、清浄な空気などであってもよく、要はワークに要求される品質を損なうことがない気体であればよい。
【００７２】
【発明の効果】
以上述べたように請求項１の発明によれば、ワークの下面に、この下面の中心から外れた位置から径方向中心に向けて乾燥用の気体を噴出させるようにしたから、ワークの下面に径方向中心部から外方に向かって気体を流すことができる。
【００７３】
そのため、ワークの下面に付着した洗浄液を確実に除去することができるから、ワークの下面に残留した洗浄液によってしみが生じるのが防止される。
また、回転テーブルに、ワークの下面側における気体の流れを規制する規制部材を設けた。
【００７４】
そのため、ワークの下面側に乱流が発生しにくくなるから、ミストやパーティクルを含む気体が上面側から下面側へ回り込んで下面を汚染するのを防止することができるばかりか、ワークの下面側の空間部は規制部材によって規制されるため、規制部材に形成された開口部からワークの下面に向けて供給される乾燥用の気体を、流速や流量などの点で効率よくワークに作用させることができるから、そのことによってもワークの下面の乾燥を効率よく行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施の形態の要部を示す拡大断面図。
【図２】同じく処理装置の全体構造を示す断面図。
【図３】同じく規制部材の斜視図。
【符号の説明】
９…回転テ−ブル
１１…保持部材
１６…支持ピン（保持手段）
１７…ロックピン（保持手段）
２１…半導体ウエハ（ワ−ク）
９１ａ…第２のノズル孔（気体供給手段）
１０１…規制部材
１０５…第２の開口部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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