(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像部と、
該撮像部より転送された電荷を水平方向に転送する第１の水平電荷転送部及び第２の水平電荷転送部と、
前記第１の水平電荷転送部及び第２の水平電荷転送部の間に設けられた転送チャネル領域に電圧を印加する水平電荷転送部間転送電極と、
前記第１の水平電荷転送部及び第２の水平電荷転送部の上層に設けられた導電材料から成る第１の遮光膜とを備える固体撮像装置において、
前記水平電荷転送部間転送電極と前記第１の遮光膜が電気的に接続された
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
前記第１の遮光膜と、前記撮像部の周辺に位置するオプティカルブラック領域の上層に設けられた第２の遮光膜間に電気的に絶縁される間隙が形成された
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記間隙の形成位置に対応する位置に第３の遮光膜が形成された
ことを特徴とする請求項２に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記転送チャネル領域同士の間に設けられたチャネルストップ領域の上方で、前記水平電荷転送部間転送電極と前記第１の遮光膜とが電気的に接続された
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は固体撮像装置に関する。詳しくは、複数の水平電荷転送部を有する固体撮像装置に係るものである。
【背景技術】
【０００２】
デジタルスチルカメラの高解像度化と高性能化の要望に応えるために固体撮像素子の多画素化と各種撮像特性の向上を目指した開発が進められている。そして、最近では高解像度を目指した複数の水平電荷転送部を有する固体撮像装置が開発され、実用化されるに至っている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
図６は２本の水平電荷転送部を有する固体撮像装置を説明するための模式図であり、ここで示す固体撮像装置１０１は、ＣＣＤ固体撮像素子１０２及びタイミング信号発生回路１０３を有し、ＣＣＤ固体撮像素子は、撮像部１０４ａ、オプティカルブラック領域１０４ｂ、第１の水平電荷転送部１０５、第２の水平電荷転送部１０６及び出力部１０７により概略構成されている。
また、撮像部はマトリクス状に配列された受光部１０８と各受光部の垂直列毎に設けられて各受光部からの電荷を転送する垂直電荷転送部１０９とにより構成され、第１の水平電荷転送部と第２の水平電荷転送部との間には水平電荷転送部間転送電極（以下、「Ｈ−Ｈ転送電極」と称する。）１１０が設けられている。
【０００４】
上記の様に構成された固体撮像装置では、タイミング信号発生回路から図７で示すタイミングで垂直転送クロックＶφ１、Ｖφ２、Ｖφ３及びＶφ４を垂直電荷転送部に印加することによって、受光部から垂直電荷転送部に読み出された電荷を垂直方向に転送し、タイミング信号発生回路から図７で示すタイミングで水平転送クロックＨφ１及びＨφ２を第１の水平電荷転送部及び第２の水平電荷転送部に印加することによって、順次第１の水平電荷転送部及び第２の水平電荷転送部から出力部へ電荷を水平転送して出力部から出力することになる。
【０００５】
ここで、第２の水平電荷転送部から出力部へ電荷を水平転送して出力部から出力するためには、第１の水平電荷転送部と第２の水平電荷転送部の間での電荷の転送（以下、「Ｈ−Ｈ転送」と称する）を行う必要がある。
【０００６】
以下、Ｈ−Ｈ転送を実現するための構成について図面を用いて説明を行なう。
即ち、Ｈ−Ｈ転送を実現するためには、先ず、第１の水平電荷転送部と第２の水平電荷転送部間にイオン注入を行なって、図６中符合Ｘで示す領域の部分拡大断面図ある図８（ａ）で示す様に、転送チャネル領域１１１及びチャネルストップ領域１１２を形成した後に、転送チャネル領域及びチャネルストップ領域の上にＨ−Ｈ転送電極（第１層目の電極）を第１の水平電荷転送部及び第２の水平電荷転送部と並行に配置する（図８（ｂ）参照。）。
次に、第１の水平電荷転送部及び第２の水平電荷転送部に共通の水平転送電極を形成するのであるが、一般に水平電荷転送部はストレージ部及びトランスファー部を有するために２層の水平転送電極を形成する。具体的には、図８（ｃ）で示す様に、第２層目の水平転送電極１１３を形成し、続いて、図８（ｄ）で示す様に、第３層目の水平転送電極１１４を形成するのである。
以上の様な構成を採ることによって、タイミング信号発生回路から図７で示すタイミングでＨ−Ｈ転送クロックＨＨＧφをＨ−Ｈ電極に印加し、Ｈ−Ｈ電極に印加されたＨ−Ｈ転送クロックが転送チャネル領域に印加されることによって、Ｈ−Ｈ転送が実現するのである。
【０００７】
【特許文献１】特開平９−６９６２０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、Ｈ−Ｈ転送を実現すべく図８で示す様な構成を採用した場合には、Ｈ−Ｈ転送電極（第１層）の上層に２層の水平転送電極（第２層、第３層）が重ね合わせられるために、最大で３層分の段差が生じ（例えば、各層が約６００ｎｍであったとすると、最大で約１．８μｍの段差が生じ）、こうした段差がプロセス加工上の大きな課題となる。
【０００９】
図８で示す様な構成を採用することによる不具合の具体例としては、例えば、３層目の水平転送電極の製造方法として、先ず、２層目の水平転送電極の上層に３層目の水平転送電極を構成する導電層を形成し、この導電層の上層にフォトレジストを塗布し、続いて、リソグラフィ技術を用いてフォトレジストのパターニングを行なった後に、パターニングしたフォトレジストをエッチングマスクとして導電層をエッチングするといった方法が考えられるが、段差を有するために、（１）リソグラフィ技術によってフォトレジストのパターニングを行なう際の露光におけるフォーカス高さが変わってしまい、高精度なフォトレジストのパターニングが行なうことができない、（２）パターニングされたフォトレジストをエッチングマスクとして導電層をエッチングする際において、エッチング残りが生じてしまうといった不具合が考えられる。
また、第３層目の水平転送電極の上層にも各種の積層を行なうのであるが、段差を有するために、これらの層の形成にも悪影響を及ぼす恐れが考えられる。
【００１０】
ここで、上記した段差が生じることの不具合の対応策として、Ｈ−Ｈ転送電極の薄膜化が考えられるものの、Ｈ−Ｈ転送電極の薄膜化によりＨ−Ｈ転送電極の抵抗値が増加し、Ｈ−Ｈ転送電極の端部から印加するＨ−Ｈ転送クロックの伝播遅延が生じて、Ｈ−Ｈ転送電極の中央部で実効振幅が低下してしまう。そして、Ｈ−Ｈ転送電極の中央部で実効振幅が低下すると、Ｈ−Ｈ転送の効率が低下して充分な水平転送ができず、また、Ｈ−Ｈ転送電極の端部領域と中央領域での不均一が生じてしまう。従って、単にＨ−Ｈ転送電極の薄膜化による対応のみでは不充分である。
【００１１】
そのために、Ｈ−Ｈ転送電極の薄膜化を行なうと共に、Ｈ−Ｈ転送電極の低抵抗化を図るべく、新たに低抵抗の並列配線を形成し、いわゆるシャント構造を採用することが考えられるものの、この対応策の場合には、新たに並列配線を形成するための工程増加を余儀なくされるために、必ずしも現実的な対応策であるとは言い難い。
【００１２】
本発明は以上の点に鑑みて創案されたものであって、Ｈ−Ｈ転送電極の薄膜化を実現することができる固体撮像装置を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記の目的を達成するために、本発明に係る固体撮像装置は、撮像部と、該撮像部より転送された電荷を水平方向に転送する第１の水平電荷転送部及び第２の水平電荷転送部と、前記第１の水平電荷転送部及び第２の水平電荷転送部の間に設けられた転送チャネル領域に電圧を印加する水平電荷転送部間転送電極と、前記第１の水平電荷転送部及び第２の水平電荷転送部の上層に設けられた導電材料から成る第１の遮光膜とを備える固体撮像装置において、前記水平電荷転送部間転送電極と前記第１の遮光膜が電気的に接続されている。
【００１４】
ここで、Ｈ−Ｈ転送電極と第１の遮光膜が電気的に接続されたことによって、第１の遮光膜をシャント配線として機能させることができ、Ｈ−Ｈ転送電極の低抵抗化が実現する。そして、Ｈ−Ｈ転送電極の低抵抗化は、Ｈ−Ｈ転送電極の薄膜化を可能とする。
即ち、第１の遮光膜をシャント配線として機能させることでＨ−Ｈ転送電極の抵抗値が充分に小さいために、Ｈ−Ｈ転送電極の薄膜化が可能となるのである。
また、第１の遮光膜をシャント配線として利用しているために、即ち、第１の遮光膜に遮光膜としての機能とシャント配線としての機能を兼ねさせているために、新たなシャント配線を形成する必要が無く、工程を増加することなくシャント構造を実現することができる。
【００１５】
また、第１の遮光膜と第２の遮光膜間に電気的に絶縁される間隙が形成されたことによって、第１の遮光膜と第２の遮光膜とを電気的に分離することができるために、第１の遮光膜にＨ−Ｈ転送クロックを印加したとしても撮像部の近傍に位置する第２の遮光膜にＨ−Ｈ転送クロックが印加されることがなく、画素に蓄積された信号電荷に及ぼす悪影響を抑制することができる。
即ち、第１の遮光膜をシャント配線として機能させる場合には、第１の遮光膜にはＨ−Ｈ転送クロックが印加されることになるが、第１の遮光膜と第２の遮光膜が電気的に接続されていると、第２の遮光膜にもＨ−Ｈ転送クロックが印加されてしまい、第２の遮光膜はオプティカルブラック領域の画素上の遮光膜でもあることから、画素に蓄積している信号電荷へ悪影響を及ぼすことが考えられる。そこで、第１の遮光膜と第２の遮光膜間に電気的に絶縁される間隙を形成して、第２の遮光膜にＨ−Ｈ転送クロックが印加されないようにしているのである。
【００１６】
更に、第１野遮光膜と第２野遮光膜間の間隙の形成位置に対応する位置に第３の遮光膜が形成されたことによって、第１の遮光膜と第２の遮光膜との間隙からの光の漏れ込みを抑制することができる。
【００１７】
また、転送チャネル領域同士の間に設けられたチャネルストップ領域の上方で、Ｈ−Ｈ転送電極と第１の遮光膜とが電気的に接続されることによって、第１の水平電荷転送部及び第２の水平電荷転送部の水平転送劣化を抑制することができる。
即ち、第１の遮光膜を構成する材料（例えばアルミニウム）とＨ−Ｈ転送電極を構成する材料（例えばポリシリコン）とが電気的に接続される場合には、両者の仕事関数が異なることからポテンシャルシフトが発生すると考えられている（米本和也、阿部秀司，「ＨＤＴＶ用２００万画素ＦＩＴ−ＣＣＤイメージセンサ」，電子情報学会，平成２年６月，ＶＬＤ９０−２２、ＩＣＤ９０−５８，参考資料１参照。）。そして、ポテンシャルシフトが発生すると、第１の遮光膜とＨ−Ｈ転送電極の接続点におけるポテンシャルが不均一に変化し、第１の水平電荷転送部及び第２の水平電荷転送部の大幅な水平転送劣化を招いてしまう。
従って、Ｈ−Ｈ転送に影響を及ぼす転送チャネル領域の上方でポテンシャルシフトを発生させないように、換言すると、Ｈ−Ｈ転送には影響を及ぼしにくいチャネルストップ領域の上方でポテンシャルシフトが発生する様に、チャネルストップ領域の上方でＨ−Ｈ転送電極と第１の遮光膜とを電気的に接続して第１の水平電荷転送部及び第２の水平電荷転送部の水平転送劣化を抑制しているのである。
【００１８】
なお、Ｈ−Ｈ転送において隣り合う転送チャネル領域同士の信号電荷の漏れ込みを抑制するためのチャネルストップ領域が必然的に存在し、このチャネルストップ領域は一般に高濃度のＰ型不純物をイオン注入して形成され、グランド電位が印加されていることが理想的であると言える。
従って、チャネルストップ領域の上方でＨ−Ｈ転送電極と第１の遮光膜とを電気的に接続し、チャネルストップ領域の上方でポテンシャルシフトを発生させることで、元来グランド電位が印加されているチャネルストップ領域の電位をよりグランド電位へ近づける様に作用させることができ、有益にこそなれ、全く問題にはならない。
【発明の効果】
【００１９】
上記した本発明の固体撮像装置では、第１の遮光膜をシャント配線として機能させることによりＨ−Ｈ転送電極の低抵抗化が実現するために、Ｈ−Ｈ転送電極の薄膜化が実現する。
また、Ｈ−Ｈ転送を実現すべく図８で示す様な３層構造を採用したとしても、Ｈ−Ｈ転送電極の薄膜化が実現することによって、段差を小さくすることができ、段差に起因するプロセス加工上の不具合を解消することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明し、本発明の理解に供する。
図１は本発明を適用した固体撮像装置の一例であるＣＣＤ固体撮像装置を説明するための模式図であり、図２（図２（ａ）は模式的な平面図、図２（ｂ）は模式的な斜視図）は本発明を適用した固体撮像装置の一例であるＣＣＤ固体撮像装置の遮光膜（第１の遮光膜、第２の遮光膜及び第３の遮光膜）を説明するための模式図である。なお、図示の便宜上、図２（ｂ）では、第２層目の水平転送電極及び第３層目の水平転送電極の図示を省略している。
【００２１】
図１に示すＣＣＤ固体撮像装置１は、従来の固体撮像装置と同様に、ＣＣＤ固体撮像素子２及びタイミング信号発生回路３を有し、ＣＣＤ固体撮像素子は、撮像部４ａ、オプティカルブラック領域４ｂ、第１の水平電荷転送部５、第２の水平電荷転送部６及び出力部７により概略構成されている。
また、撮像部はマトリクス状に配列された受光部８と各受光部の垂直列毎に設けられて各受光部からの電荷を転送する垂直電荷転送部９とにより構成されている。
【００２２】
更に、第１の水平電荷転送部と第２の水平電荷転送部間にはイオン注入を行なうことによって形成された転送チャネル領域１６ａ及びチャネルストップ領域１６ｂが形成されている。また、転送チャネル領域及びチャネルストップ領域の上には約３００ｎｍ厚のＨ−Ｈ転送電極１０（１層目）、約６００ｎｍ厚の第２層目の水平転送電極１１及び約６００ｎｍ厚の第３層目の水平転送電極１２が形成されている。
【００２３】
また、ＣＣＤ固体撮像素子の上層には、オプティカルブラック領域を遮光すると共に第１の水平電荷転送部及び第２の水平電荷転送部を遮光するためのアルミニウムから成る遮光膜１３が形成されており、この遮光膜はスリット１４が設けられることによって、第１の水平電荷転送部及び第２の水平電荷転送部を遮光する第１の遮光膜１３ａとオプティカルブラック領域を遮光する第２の遮光膜１３ｂとに分けられている。更に、遮光膜に設けられたスリットに対応する位置にはタングステンから成る第３の遮光膜１３ｃが形成されている。なお、ここでのスリットは、第１の遮光膜と第２の遮光膜間を電気的に絶縁するために形成される間隙の一例である。
【００２４】
また、図３で示す様に、Ｈ−Ｈ転送電極のうちのチャネルストップ領域の上方に位置する領域にコンタクト領域１７が設けられ、このコンタクト領域と第１の遮光膜とがアルミニウム配線１５で電気的に接続されてＨ−Ｈ転送クロックが印加される様に構成されており、第２の遮光膜及び第３の遮光膜にはグランド電位が印加されるように構成されている。
【００２５】
そして、上記した従来の固体撮像装置と同様に、タイミング信号発生装置から図７で示すタイミングで垂直転送クロックφＶ１、φＶ２、φＶ３及びφＶ４を垂直電荷転送部に印加することによって受光部から垂直電荷転送部に読み出された電荷を垂直方向に転送し、タイミング信号発生回路から図７で示すタイミングでＨ−Ｈ転送クロックＨＨＧφをＨ−Ｈ転送電極及び第１の遮光膜に印加することによって垂直電荷転送部から第１の水平電荷転送部に転送された電荷を第２の水平電荷転送部に転送し、タイミング信号発生回路から図７で示すタイミングで水平転送クロックＨφ１及びＨφ２を第１の水平電荷転送部及び第２の水平電荷転送部に印加することによって、順次第１の水平電荷転送部及び第２の水平電荷転送部から出力部へ電荷を水平転送して出力部から出力することができるのである。
【００２６】
上記した本発明を適用したＣＣＤ固体撮像装置では、第１の遮光膜をシャント配線とすることでＨ−Ｈ転送電極の低抵抗化を実現しているために、Ｈ−Ｈ転送電極を約３００ｎｍ厚に薄膜化したとしても、伝播遅延の問題が生じにくいと考えられる。
そして、Ｈ−Ｈ転送電極の薄膜化の実現によって、Ｈ−Ｈ転送を実現するために３層構造（第１層目のＨ−Ｈ転送電極、第２層目の水平転送電極及び第３層目の水平転送電極の３層構造）を採用した場合における段差に起因するプロセス加工上の不具合を解消することができる。
なお、シャント配線として既存の第１の遮光膜を利用しているために、新たにシャント配線を形成することなくＨ−Ｈ転送電極の低抵抗化が実現する。
【００２７】
また、上記した本発明を適用したＣＣＤ固体撮像装置では、遮光膜にスリットを形成して第１の遮光膜と第２の遮光膜とに分けているために、画素に蓄積している電荷に及ぼす悪影響を抑制することができる。以下、この点について説明を行う。
先ず、従来の固体撮像装置における遮光膜はスリットが形成されておらず、第１の水平電荷転送部及び第２の水平電荷転送部を遮光する領域（本実施例の第１の遮光膜に対応する領域）とオプティカルブラック領域を遮光する領域（本実施例の第２の遮光膜に対応する領域）とは一体化されている（図４（ａ）参照。）。
ところが、遮光膜をシャント配線として利用する場合には、Ｈ−Ｈ転送電極と遮光膜とを電気的に接続する必要があるために（図４（ｂ）参照。）、遮光膜にもＨ−Ｈ転送電極に印加されるＨ−Ｈ転送クロックが印加されることとなる。そして、オプティカルブラック領域を遮光している遮光膜にＨ−Ｈ転送クロックが印加されると、画素に蓄積されている電荷に影響を及ぼす恐れがある。
そこで、遮光膜にスリットを形成して第１の遮光膜と第２の遮光膜とに分ける構成を採ることによって、即ち、第１の遮光膜と第２の遮光膜とを電気的に分断し、第１の遮光膜をシャント配線として機能させるべく第１の遮光膜とＨ−Ｈ転送電極とを電気的に接続して第１の遮光膜にＨ−Ｈ転送クロックが印加されたとしても、第２の遮光膜にはＨ−Ｈ転送クロックが印加されない構成を採ることによって、画素に蓄積されている電荷への悪影響を抑制することができるのである。
なお、画素に蓄積されている電荷への影響を少しでも抑制するために、従来の固体撮像装置における遮光膜には一般的にはグランド電位が印加されていたのと同様の理由から、本実施例の第２の遮光膜にもグランド電位を印加している。
【００２８】
更に、上記した本発明を適用したＣＣＤ固体撮像装置では、スリットに対応する位置にタングステンから成る第３の遮光膜が形成されているために、スリットからの光の漏れ込みを抑制することができる。
即ち、遮光膜をシャント配線として機能させるためには遮光膜にＨ−Ｈ転送クロックを印加する必要があり、そのために上記した様にスリットを形成しているのであるが、スリットを形成することによって、スリットからの光の漏れ込みが懸念される（図４（ｃ）参照。）。そこで、スリットに対応する位置にタングステンから成る第３の遮光膜が形成されることによって、スリットからの光の漏れ込みを抑制することができるのである。
【００２９】
ここで、本発明を適用したＣＣＤ固体撮像装置では、遮光膜（第１の遮光膜及び第２の遮光膜）の下層に第３の遮光膜が形成されているものの、第３の遮光膜はスリットからの光の漏れ込みを抑制することができれば充分であり、必ずしも遮光膜（第１の遮光膜及び第２の遮光膜）の下層に形成される必要はなく、遮光膜（第１の遮光膜及び第２の遮光膜）の上層に形成されても良い。但し、オプティカルブラック領域を遮光する第２の遮光膜の下層には、撮像部全体（垂直電荷転送部、画素間部、オプティカルブラック領域等を遮光し受光部は開口する）を遮光するためのタングステンから成る遮光膜（図示せず）が一般に形成されるために、この垂直電荷転送部を遮光するための遮光膜を形成する際に第３の遮光膜をも同時に形成することによる効率化を考慮すると、遮光膜（第１の遮光膜及び第２の遮光膜）の下層に第３の遮光膜を形成することとして、垂直電荷転送部を遮光するための遮光膜を形成する際に併せて第３の遮光膜を形成する方が好ましい。また、第３の遮光膜は上記撮像部全体を遮光する遮光膜を延在して形成すると更に好ましい。
【００３０】
なお、垂直電荷転送部を遮光するための遮光膜を形成する際に同時に形成するタングステン膜をスリットから漏れ込む光を遮光するために利用するのではなく、そもそもシャント配線として利用するということも考えられる。即ち、図５で示す様に、アルミニウムから成る遮光膜については従来の固体撮像装置と同様にスリットが形成されていない状態とし、スリットが形成されていない状態の遮光膜１３の下層にタングステン膜１３ｃを形成し、このタングステン膜をシャント配線として利用することによってもシャント構造を実現することは可能である。
しかし、垂直電荷転送部の遮光膜（タングステン膜）と同時に形成されるタングステン膜は、同タングステン膜とＨ−Ｈ転送電極との間に絶縁膜（数１０ｎｍ〜１００ｎｍ程度）を介して両者が極めて近接していることから、第１の水平電荷転送部及び第２の水平電荷転送部の同タングステン膜とのコンデンサ容量が増加し電荷の水平転送に悪影響を及ぼすことが懸念される。なお、アルミニウムの遮光膜は、Ｓｉ基板へのアルミニウム金属拡散による暗電流増加を抑制するため、Ｈ−Ｈ転送電極等のＳｉ基板面に近い電極とは、平坦化膜を兼ねた数１００ｎ〜１μｍ厚の絶縁膜を介して設けられているため、上記タングステン膜の場合に懸念されたコンデンサ容量は構造的に低いものである。（想定のコンデンサの電極間距離が大きいため）
従って、第１の水平電荷転送部及び第２の水平電荷転送部の上に形成されるタングステン膜をシャント配線として利用する方法は必ずしも妥当であるとは言い難い。
【００３１】
また、本発明を適用したＣＣＤ固体撮像装置では、Ｈ−Ｈ転送電極のうちのチャネルストップ領域の上方に位置する領域にコンタクト領域を設け、このコンタクト領域と第１の遮光膜とがアルミニウム配線で電気的に接続されているために、第１の水平電荷転送部及び第２の水平電荷転送部の水平転送劣化を抑制することができる。以下、この点について説明する。
即ち、アルミニウムから成る第１の遮光膜とポリシリコンから成るＨ−Ｈ転送電極とは仕事関数に差があるために、前述した様にポテンシャルシフトが発生する。
そして、仮にＨ−Ｈ転送電極のうちの転送チャネル領域の上方に位置する領域と第１の遮光膜とがアルミニウム配線で電気的に接続された場合には、接続点においてポテンシャルが不均一に変化して、第１の水平電荷転送部及び第２の水平電荷転送部の水平転送劣化を招くことが懸念される。一方、Ｈ−Ｈ転送電極のうちのチャネルストップ領域の上方に位置する領域と第１の遮光膜とがアルミニウム配線で電気的に接続されて、接続点でポテンシャルシフトが発生したとしても、そもそもチャネルストップ領域は高濃度のＰ型不純物がイオン注入されると共に、理想とされるグランド電位が印加されているものであり、元来グランド電位が理想とされるチャネルストップ領域の電位をよりグランド電位へ近づける様に作用するのみであるために、第１の水平電荷転送部及び第２の水平電荷転送部の水平転送には何ら悪影響を及ぼすことは無いと考えられる。
従って、Ｈ−Ｈ転送電極のうちのチャネルストップ領域の上方に位置する領域と第１の遮光膜とをアルミニウム配線で接続し、転送チャネル領域の上方にポテンシャルシフトが発生しない環境とすることで、上記した様に、第１の水平電荷転送部及び第２の水平電荷転送部の水平転送劣化を抑制することができるのである。
【００３２】
なお、本発明を適用したＣＣＤ固体撮像装置では第１の遮光膜にＨ−Ｈ転送クロックを印加することとなり、従来の固体撮像装置では遮光膜を接地していたこととの兼ね合いから、水平電荷転送部（第１の水平電荷転送部及び第２の水平電荷転送部）へのカップリングによるノイズ成分が懸念される。しかし、Ｈ−Ｈ転送電極は水平電荷転送部（第１の水平電荷転送部及び第２の水平電荷転送部）が駆動していない水平ブランキング期間（図７中の符合ｔ１〜ｔ１９に相当）にのみ駆動するため、即ち、第１の遮光膜にＨ−Ｈ転送クロックが印加されるのは水平ブランキング期間のみであるために、第１の遮光膜にＨ−Ｈ転送クロックを印加したとしても、Ｈ転送に悪影響を及ぼすものではないと考えられる。
また、本発明に用いられた水平、Ｈ、垂直等の用語の概念は、機能を区別するために慣用的に用いているに過ぎない語であって、方向性を限定するものではない。
例えば、図1のＣＣＤ固体撮像装置２が平面状９０度回転した構成（つまり水平、Ｈ→垂直方向、垂直→水平、Ｈ）であったとしても本発明の効果には変わりないものである。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明を適用したＣＣＤ固体撮像装置を説明するための模式図である。
【図２】本発明を適用したＣＣＤ固体撮像装置の遮光膜を説明するための模式図である。
【図３】Ｈ−Ｈ転送電極と第１の遮光膜との電気的接続を説明するための模式図である。
【図４】遮光膜にスリットを形成したことを説明するための模式図である。
【図５】タングステン膜をシャント配線として利用する場合を説明するための模式図である。
【図６】従来の固体撮像装置を説明するための模式図である。
【図７】タイミング信号発生回路から出力される各信号のタイミングチャートである。
【図８】Ｈ−Ｈ転送を実現するための構成の説明図である。
【符号の説明】
【００３４】
１    ＣＣＤ固体撮像装置
２    ＣＣＤ固体撮像素子
３    タイミング信号発生回路
４ａ  撮像部
４ｂ  オプティカルブラック領域
５    第１の水平電荷転送部
６    第２の水平電荷転送部
７    出力部
８    受光部
９    垂直電荷転送部
１０    Ｈ−Ｈ転送電極
１１    ２層目の水平転送電極
１２    ３層目の水平転送電極
１３    遮光膜
１３ａ  第１の遮光膜
１３ｂ  第２の遮光膜
１３ｃ  第３の遮光膜
１４    スリット
１５    アルミニウム配線
１６ａ  転送チャネル領域
１６ｂ  チャネルストップ領域
１７    コンタクト領域
【図１】
0004431990.tif 000002
【図２】
0004431990.tif 000003
【図３】
0004431990.tif 000004
【図４】
0004431990.tif 000005
【図５】
0004431990.tif 000006
【図６】
0004431990.tif 000007
【図７】
0004431990.tif 000008
【図８】
0004431990.tif 000009