(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（Ｉａ）又は（Ｉｂ）で示されるピラン誘導体を製造する方法であって、
【化１】
0004540217.tif 000018
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、水素原子；置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ20アルキル基；置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ20アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ20アリールオキシ基；又は置換基を有していてもよいシリル基であり、ただし、Ｒ2及びＲ3は、互いに架橋してＣ4〜Ｃ20飽和環又は不飽和環を形成してもよく、前記環は、酸素原子、硫黄原子、珪素原子又は式−Ｎ（Ｒ5）−で示される基（式中、Ｒ5は水素原子又はＣ1〜Ｃ20炭化水素基である。）で中断されていてもよく、かつ、置換基を有していてもよく、Ａ1及びＡ2は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、シアノ基（−ＣＮ）；ニトロ基（−ＮＯ2）；置換基を有していてもよいＣ2〜Ｃ20アルキルオキシカルボニル基、置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ20アリールオキシカルボニル基、又は、式−ＣＯ−ＮＲ7Ｒ8で示される基（式中、Ｒ7及びＲ8は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、水素原子又はＣ1〜Ｃ20炭化水素基である。）から選ばれる電子吸引基である。）
ビスマスを含む金属ハロゲン化物の存在下、下記式（ＩＩ）で示されるメタラシクロペンタジエンと、
【化２】
0004540217.tif 000019
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は、上記の意味を有する。Ｍは、チタン、ジルコニウム又はハフニウムであり；Ｌ1及びＬ2は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、シクロペンタジエニル基、メチルシクロペンタジエニル基、エチルシクロペンタジエニル基、イソプロピルシクロペンタジエニル基、ｎ−ブチルシクロペンタジエニル基、ｔ−ブチルシクロペンタジエニル基、ジメチルシクロペンタジエニル基、ジエチルシクロペンタジエニル基、ジイソプロピルシクロペンタジエニル基、ジ−ｔ−ブチルシクロペンタジエニル基、テトラメチルシクロペンタジエニル基、インデニル基、２−メチルインデニル基、２−メチル−４−フェニルインデニル基、テトラヒドロインデニル基、ベンゾインデニル基、フルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、テトラヒドロフルオレニル基、オクタヒドロフルオレニル基及びアズレニル基からなる群から選ばれる非局在化環状η5−配位系配位子を示し、ただし、Ｌ1及びＬ2は、架橋されていてもよい。）
下記式（ＩＩＩ）で示されるケトンとを、
【化３】
0004540217.tif 000020
（Ａ1及びＡ2は、上記の意味を有する。）
２０℃以下で反応させることを特徴とするピラン誘導体の製造方法。
【請求項２】
下記式（Ｉａ）又は（Ｉｂ）で示されるピラン誘導体。
【化４】
0004540217.tif 000021
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、ハロゲン原子、水酸基及びアミノ基からなる群から選択される置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ20アルキル基であり、ただし、Ｒ2及びＲ3は、互いに架橋してＣ4〜Ｃ20飽和環又は不飽和環を形成してもよく、前記環は、酸素原子、硫黄原子、珪素原子又は式−Ｎ（Ｒ5）−で示される基（式中、Ｒ5は水素原子又はＣ1〜Ｃ20炭化水素基である。）で中断されていてもよく、かつ、Ｃ1〜Ｃ20炭化水素基、Ｃ1〜Ｃ20アルコキシ基、Ｃ6〜Ｃ20アリールオキシ基、アミノ基、水酸基及びシリル基からなる群から選択される置換基を有していてもよく、Ａ1及びＡ2は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、Ｃ2〜Ｃ20アルキルオキシカルボニル基である。）
【請求項３】
前記Ｒ1と前記Ｒ2とが同一の基であり、前記Ｒ3と前記Ｒ4とが同一の基であり、かつ、前記Ｒ1及び前記Ｒ3とが異なる基である請求項２に記載のピラン誘導体。
【請求項４】
前記Ｒ1と前記Ｒ2とが異なる基であり、かつ、前記Ｒ1と前記Ｒ4とが異なる基である請求項２に記載のピラン誘導体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ピラン誘導体及びその製造方法に関し、より詳しくは、２Ｈ−ピラン誘導体及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】
ピラン誘導体は、香料や医薬品の中間体として使用することができ、その価値は高い。そして、これらの用途では、ピラン環に様々な置換基を導入することが求められている。
【０００３】
従来、ジインとアルデヒドからニッケル存在下でピラン誘導体を製造する方法は知られていた。また、アセチレンとアルデヒドからニッケル存在下でピラン誘導体を製造する方法が知られていた。しかしながら、２種類の異なるアセチレンから、位置選択的な構造を有するピラン誘導体を合成するという手法、及び多置換ピラン誘導体自体は知られていない。
【０００４】
本発明は、多置換ピラン誘導体を選択的、かつ、高収率で提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明では、下記式（Ｉａ）又は（Ｉｂ）で示されるピラン誘導体を製造する方法であって、
【０００６】
【化５】
0004540217.tif 000002
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、水素原子；置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ20炭化水素基；置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ20アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ20アリールオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいシリル基又は水酸基であり、ただし、Ｒ2及びＲ3は、互いに架橋してＣ4〜Ｃ20飽和環又は不飽和環を形成してもよく、前記環は、酸素原子、硫黄原子、珪素原子、スズ原子、ゲルマニウム原子又は式−Ｎ（Ｒ5）−で示される基（式中、Ｒ5は水素原子又はＣ1〜Ｃ20炭化水素基である。）で中断されていてもよく、かつ、置換基を有していてもよく、Ａ1及びＡ2は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、水素原子；ハロゲン原子；置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ20炭化水素基；置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ20アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ20アリールオキシ基；置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ20アルキルアリールオキシ基；置換基を有していてもよいＣ2〜Ｃ20アルキルオキシカルボニル基；置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ20アリールオキシカルボニル基；シアノ基（−ＣＮ）；ニトロ基（−ＮＯ2）；イソシアノ基（−ＮＣ）；カルバモイル基（−Ｃ（＝Ｏ）ＮＨ2）；ハロホルミル基（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｂ、式中、Ｂはハロゲン原子を示す。）；ホルミル基（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｈ）；イソシアナト基（−ＮＣＯ）、チオシアナト基（−ＳＣＮ）又はイソチオシアナト基（−ＮＣＳ）である。）典型金属を含む金属化合物の存在下、下記式（ＩＩ）で示されるメタラシクロペンタジエンと、
【０００７】
【化６】
0004540217.tif 000003
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は、上記の意味を有する。Ｍは、周期表の第３族〜第５族またはランタニド系列の金属を示し；Ｌ1及びＬ2は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、アニオン性配位子を示し、ただし、Ｌ1及びＬ2は、架橋されていてもよい。）下記式（ＩＩＩ）で示されるケトンとを、
【０００８】
【化７】
0004540217.tif 000004
（Ａ1及びＡ2は、上記の意味を有する。）反応させることを特徴とするピラン誘導体の製造方法が提供される。
【０００９】
本発明にかかるピラン誘導体の製造方法において、前記金属化合物が、金属ハロゲン化物であることが好ましい。また、Ｍが、周期表第４族もしくは第５族またはランタニド系列の金属であり、前記アニオン性配位子が、非局在化環状η5−配位系配位子であることが好ましく、前記非局在化環状η5−配位系配位子が、置換されていてもよいシクロペンタジエニル基、インデニル基、フルオレニル基又はアズレニル基であることが更に好ましい。
【００１０】
また、前記メタラシクロペンタジエンと、前記ケトンとを、２０℃以下で反応させることが好ましい。
【００１１】
本発明では、下記式（Ｉａ）又は（Ｉｂ）で示されるピラン誘導体が提供される。
【００１２】
【化８】
0004540217.tif 000005
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ20炭化水素基；置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ20アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ20アリールオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいシリル基又は水酸基であり、ただし、Ｒ2及びＲ3は、互いに架橋してＣ4〜Ｃ20飽和環又は不飽和環を形成してもよく、前記環は、酸素原子、硫黄原子、珪素原子、スズ原子、ゲルマニウム原子又は式−Ｎ（Ｒ5）−で示される基（式中、Ｒ5は水素原子又はＣ1〜Ｃ20炭化水素基である。）で中断されていてもよく、かつ、置換基を有していてもよく、ただし、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4がすべて水素原子である場合を除き、Ａ1及びＡ2は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、シアノ基（−ＣＮ）；ニトロ基（−ＮＯ2）；置換基を有していてもよいＣ2〜Ｃ20アルキルオキシカルボニル基、置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ20アリールオキシカルボニル基、又は、式−ＣＯ−ＮＲ7Ｒ8で示される基（式中、Ｒ7及びＲ8は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、水素原子又はＣ1〜Ｃ20炭化水素基である。）から選ばれる電子吸引基である。）
【００１３】
前記Ｒ1と前記Ｒ2とは同一の基であり、前記Ｒ3と前記Ｒ4とは同一の基であり、かつ、前記Ｒ1及び前記Ｒ3とは異なる基であってもよい。
また、前記Ｒ1と前記Ｒ2とは異なる基であり、かつ、前記Ｒ1と前記Ｒ4とは異なる基であってもよい。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施態様を更に詳しく説明する。
【００１５】
本発明において、下記式（Ｉａ）又は（Ｉｂ）で示されるピラン誘導体が提供される。
【００１６】
【化９】
0004540217.tif 000006
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ａ1及びＡ2は、上記の意味を有する。）
【００１７】
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、水素原子；置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ20炭化水素基；置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ20アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ20アリールオキシ基；置換基を有していてもよいアミノ基；置換基を有していてもよいシリル基又は水酸基である。
【００１８】
本明細書では、Ｃ1〜Ｃ20炭化水素基は、飽和若しくは不飽和の非環式であってもよいし、飽和若しくは不飽和の環式であってもよい。Ｃ1〜Ｃ20炭化水素基が非環式の場合には、線状でもよいし、枝分かれでもよい。Ｃ1〜Ｃ20炭化水素基には、Ｃ1〜Ｃ20アルキル基、Ｃ2〜Ｃ20アルケニル基、Ｃ2〜Ｃ20アルキニル基、Ｃ3〜Ｃ20アリル基、Ｃ4〜Ｃ20アルキルジエニル基、Ｃ4〜Ｃ20ポリエニル基、Ｃ6〜Ｃ18アリール基、Ｃ6〜Ｃ20アルキルアリール基、Ｃ6〜Ｃ20アリールアルキル基、Ｃ4〜Ｃ20シクロアルキル基、Ｃ4〜Ｃ20シクロアルケニル基、（Ｃ3〜Ｃ10シクロアルキル）Ｃ1〜Ｃ10アルキル基などが含まれる。
【００１９】
Ｃ1〜Ｃ20アルキル基、Ｃ2〜Ｃ20アルケニル基、Ｃ2〜Ｃ20アルキニル基、Ｃ3〜Ｃ20アリル基、Ｃ4〜Ｃ20アルキルジエニル基、及び、Ｃ4〜Ｃ20ポリエニル基は、それぞれ、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ2〜Ｃ10アルケニル基、Ｃ2〜Ｃ10アルキニル基、Ｃ3〜Ｃ10アリル基、Ｃ4〜Ｃ10アルキルジエニル基、及び、Ｃ4〜Ｃ10ポリエニル基であることが好ましい。
【００２０】
Ｃ6〜Ｃ18アリール基、Ｃ6〜Ｃ20アルキルアリール基、Ｃ6〜Ｃ20アリールアルキル基、Ｃ4〜Ｃ20シクロアルキル基、及び、Ｃ4〜Ｃ20シクロアルケニル基は、それぞれ、Ｃ6〜Ｃ10アリール基、Ｃ6〜Ｃ12アルキルアリール基、Ｃ6〜Ｃ12アリールアルキル基、Ｃ4〜Ｃ10シクロアルキル基、及び、Ｃ4〜Ｃ10シクロアルケニル基が好ましい。
【００２１】
本発明の実施において有用なアルキル基の例としては、制限するわけではないが、メチル、エチル、プロピル、ｎ−ブチル、ｔ−ブチル、ドデカニル、トリフルオロメチル、ペルフルオロ−ｎ−ブチル、２，２，２−トリフルオロエチル、ベンジル、２−フェノキシエチル等がある。
【００２２】
本発明の実施において有用なアリール基の例としては、制限するわけではないが、フェニル、２−トリル、３−トリル、４−トリル、ナフチル、ビフェニル、４−フェノキシフェニル、４−フルオロフェニル、３−カルボメトキシフェニル、４−カルボメトキシフェニル等がある。
【００２３】
本発明の実施において有用なアルコキシ基の例としては、制限するわけではないが、メトキシ、エトキシ、２−メトキシエトキシ、ｔ−ブトキシ等がある。
【００２４】
本発明の実施において有用なアリールオキシ基の例としては、制限するわけではないが、フェノキシ、ナフトキシ、フェニルフェノキシ、４−メチルフェノキシ、２−トリルオキシ、３−トリルオキシ、４−トリルオキシ、ナフチルオキシ、ビフェニルオキシ、４−フェノキシフェニルオキシ、４−フルオロフェニルオキシ、３−カルボメトキシフェニルオキシ、４−カルボメトキシフェニルオキシ等がある。
【００２５】
Ｃ1〜Ｃ20炭化水素基、Ｃ1〜Ｃ20アルコキシ基、Ｃ6〜Ｃ20アリールオキシ基、アミノ基、シリル基には、置換基が導入されていてもよく、この置換基としては、例えば、Ｃ1〜Ｃ10炭化水素基、ハロゲン原子、水酸基、アミノ基などが挙げられる。
【００２６】
本発明の実施において有用なアミノ基の例としては、制限するわけではないが、アミノ、ジメチルアミノ、メチルアミノ、メチルフェニルアミノ、フェニルアミノ等がある。
【００２７】
本発明の実施において有用なシリル基としては、制限するわけではないが、トリメチルシリル、トリエチルシリル、トリメトキシシリル、トリエトキシシリル、ジフェニルメチルシリル、トリフェニルシリル、トリフェノキシシリル、ジメチルメトキシシリル、ジメチルフェノキシシリル、メチルメトキシフェニル等がある。
【００２８】
ただし、Ｒ2及びＲ3は、互いに、架橋してＣ4〜Ｃ20飽和環又は不飽和環を形成してもよい。これらの置換基が形成する環は、４員環〜１６員環であることが好ましく、４員環〜１２員環であることが更に好ましい。この環は、ベンゼン環等の芳香族環あってもよいし、脂肪族環であってもよい。また、これらの置換基が形成する環に、更に単数又は複数の環が形成されていてもよい。
【００２９】
前記飽和環または不飽和環は、酸素原子、硫黄原子、珪素原子、スズ原子、ゲルマニウム原子または式―Ｎ（Ｒ5）―で示される基（式中、Ｒ5は水素原子またはＣ1〜Ｃ20炭化水素基である。）で中断されていてもよい。即ち、前記飽和環または不飽和環はヘテロ環であってもよい。かつ、置換基を有していてもよい。不飽和環は、ベンゼン環等の芳香族環であってもよい。
【００３０】
Ｒ5は水素原子またはＣ1〜Ｃ10炭化水素基であることが好ましく、水素原子またはＣ1〜Ｃ7炭化水素基であることが更に好ましく、Ｒ5は水素原子、Ｃ1〜Ｃ3アルキル基、フェニル基またはベンジル基であることが更になお好ましい。
【００３１】
この飽和環又は不飽和環は、置換基を有していてもよく、たとえば、Ｃ1〜Ｃ20炭化水素基、Ｃ1〜Ｃ20アルコキシ基、Ｃ6〜Ｃ20アリールオキシ基、アミノ基、水酸基又は式シリル基などの置換基が導入されていてもよい。
【００３２】
Ｒ1とＲ2とは同一の基であり、かつ、Ｒ3とＲ4とが同一の基であり、かつ、Ｒ1及びＲ3とが異なる基であってもよい。また、Ｒ1とＲ2とが異なる基であり、かつ、Ｒ1とＲ4とが異なる基であってもよい。
【００３３】
Ａ1及びＡ2は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、水素原子；ハロゲン原子；置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ20炭化水素基；置換基を有していてもよいＣ1〜Ｃ20アルコキシ基；置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ20アリールオキシ基；置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ20アルキルアリールオキシ基；置換基を有していてもよいＣ2〜Ｃ20アルキルオキシカルボニル基；置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ20アリールオキシカルボニル基；シアノ基（−ＣＮ）；ニトロ基（−ＮＯ2）；イソシアノ基（−ＮＣ）；カルバモイル基（−Ｃ（＝Ｏ）ＮＨ2）；ハロホルミル基（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｂ、式中、Ｂはハロゲン原子を示す。）；ホルミル基（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｈ）；イソシアナト基（−ＮＣＯ）、チオシアナト基（−ＳＣＮ）又はイソチオシアナト基（−ＮＣＳ）である。
【００３４】
Ａ1及びＡ2は、シアノ基（−ＣＮ）；ニトロ基（−ＮＯ2）；置換基を有していてもよいＣ2〜Ｃ20アルキルオキシカルボニル基、置換基を有していてもよいＣ6〜Ｃ20アリールオキシカルボニル基、又は、式−ＣＯ−ＮＲ7Ｒ8で示される基（式中、Ｒ7及びＲ8は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、水素原子又はＣ1〜Ｃ20炭化水素基である。）から選ばれる電子吸引基であることが好ましい。
【００３５】
本発明の実施において有用なアルキルオキシカルボニル基の例としては、制限するわけではないが、メチルオキシカルボニル、エチルオキシカルボニル、プロピルオキシカルボニル、ｎ−ブチルオキシカルボニル、ｔ−ブチルオキシカルボニル、ドデカニルオキシカルボニル、トリフルオロメチルオキシカルボニル、ペルフルオロ−ｎ−ブチルオキシカルボニル、２，２，２−トリフルオロエチルオキシカルボニル等がある。
【００３６】
本発明の実施において有用なアリールオキシカルボニル基の例としては、制限するわけではないが、フェニルオキシカルボニル、２−トリルオキシカルボニル、３−トリルオキシカルボニル、４−トリルオキシカルボニル、ナフチルオキシカルボニル、ビフェニルオキシカルボニル、４−フェノキシフェニルオキシカルボニル、４−フルオロフェニルオキシカルボニル、３−カルボメトキシフェニルオキシカルボニル等がある。
【００３７】
本発明では、また、下記式（Ｉａ）又は（Ｉｂ）で示されるピラン誘導体を製造する方法であって、典型金属を含む金属化合物の存在下、下記式（ＩＩ）で示されるメタラシクロペンタジエンと、下記式（ＩＩＩ）で示されるケトンとを、反応させることを特徴とするピラン誘導体の製造方法が提供される。
【００３８】
【化１０】
0004540217.tif 000007
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ａ1、Ａ2、Ｍ、Ｌ1及びＬ2は、上記の意味を有する。）
【００３９】
本発明にかかるピラン誘導体の製造方法において、下記式（ＩＩ）で示されるメタラシクロペンタジエンが用いられる。
【００４０】
【化１１】
0004540217.tif 000008
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は、上記の意味を有する。）
【００４１】
Ｍは、周期表の第３族〜第５族又はランタニド系列の金属を示す。Ｍとしては、周期表第４族又はランタニド系列の金属が好ましく、周期表第４族の金属、即ち、チタン、ジルコニウム及びハフニウムが更に好ましい。
【００４２】
Ｌ1及びＬ2は、互いに独立し、同一又は異なって、アニオン性配位子を示す。ただし、Ｌ1及びＬ2は、架橋されていてもよい。前記アニオン性配位子は、非局在化環状η5−配位系配位子、Ｃ1〜Ｃ20アルコキシ基、Ｃ6〜Ｃ20アリールオキシ基又はジアルキルアミド基であることが好ましい。
【００４３】
Ｌ1及びＬ2は、非局在化環状η5−配位系配位子であることが好ましい。非局在化環状η5−配位系配位子の例は、無置換のシクロペンタジエニル基、及び置換シクロペンタジエニル基である。この置換シクロペンタジエニル基は例えば、メチルシクロペンタジエニル、エチルシクロペンタジエニル、イソプロピルシクロペンタジエニル、ｎ−ブチルシクロペンタジエニル、ｔ−ブチルシクロペンタジエニル、ジメチルシクロペンタジエニル、ジエチルシクロペンタジエニル、ジイソプロピルシクロペンタジエニル、ジ−ｔ−ブチルシクロペンタジエニル、テトラメチルシクロペンタジエニル、インデニル基、２−メチルインデニル基、２−メチル−４−フェニルインデニル基、テトラヒドロインデニル基、ベンゾインデニル基、フルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、テトラヒドロフルオレニル基、オクタヒドロフルオレニル基及びアズレニル基である。
【００４４】
非局在化環状η5−配位系配位子は、非局在化環状π系の１個以上の原子がヘテロ原子に置換されていてもよい。水素の他に、周期表第１４族の元素及び／又は周期表第１５、１６及び１７族の元素のような１個以上のヘテロ原子を含むことができる。
【００４５】
非局在化環状η5−配位系配位子、例えば、シクロペンタジエニル基は、中心金属と、環状であってもよい、一つの又は複数の架橋配位子により架橋されていてもよい。架橋配位子としては、例えば、ＣＨ2、ＣＨ2ＣＨ2、ＣＨ（ＣＨ3）ＣＨ2、ＣＨ（Ｃ4Ｈ9）Ｃ（ＣＨ3）2、Ｃ（ＣＨ3）2、（ＣＨ3）2Ｓｉ、（ＣＨ3）2Ｇｅ、（ＣＨ3）2Ｓｎ、（Ｃ6Ｈ5）2Ｓｉ、（Ｃ6Ｈ5）（ＣＨ3）Ｓｉ、（Ｃ6Ｈ5）2Ｇｅ、（Ｃ6Ｈ5）2Ｓｎ、（ＣＨ2）4Ｓｉ、ＣＨ2Ｓｉ（ＣＨ3）2、ｏ−Ｃ6Ｈ4又は２、２'−（Ｃ6Ｈ4）2が挙げられる。
【００４６】
上記式（ＩＩ）で示されるメタラシクロペンタジエンは、二つ以上のメタロセン部分 (moiety)を有する化合物も含む。このような化合物は多核メタロセンとして知られている。前記多核メタロセンは、いかなる置換様式及びいかなる架橋形態を有していてもよい。前記多核メタロセンの独立したメタロセン部分は、各々が同一種でも、異種でもよい。前記多核メタロセンの例は、例えばＥＰ−Ａ−６３２０６３、特開平４−８０２１４号、特開平４−８５３１０、ＥＰ−Ａ−６５４４７６に記載されている。
【００４７】
本発明にかかるピラン誘導体の製造方法において、下記式（ＩＩＩ）で示されるケトンが用いられる。
【００４８】
【化１２】
0004540217.tif 000009
（Ａ1及びＡ2は、上記の意味を有する。）
【００４９】
上記式（ＩＩＩ）で示されるケトンの量は、メタラシクロペンタジエン（ＩＩ）１モルに対し、０．０１モル〜２０モルであり、生成物である上記式（Ｉ）のピラン誘導体の収率を上げる観点からは、好ましくは０．１モル〜８モルであり、更に好ましくは、０．９モル〜２モルである。
【００５０】
本発明にかかるピラン誘導体の製造方法は、典型金属を含む金属化合物存在下で行われる。典型金属としては、特に制限はないが、Ｂｉ、Ａｌ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｃｄ等を挙げることができ、Ｂｉ、Ｓｎ、Ｇｅを好ましく挙げることができる。
【００５１】
金属化合物は、典型金属のハロゲン化物であることが好ましく、ハロゲン原子としては、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｆ、Ｉを挙げることができ、Ｃｌ、Ｂｒを好ましく挙げることができる。
【００５２】
典型的には、上記式（ＩＩ）で示されるメタラシクロペンタジエンの溶液に、金属化合物を添加し、攪拌した後に、上記式（ＩＩＩ）で示されるケトンを添加する。もっとも、金属化合物と上記式（ＩＩＩ）で示されるケトンを添加する順序には制限がない。金属化合物及びケトン（ＩＩＩ）を同時に添加してもよいし、ケトン（ＩＩＩ）を添加した後に、金属化合物を添加してもよい。
【００５３】
金属化合物は、触媒として反応に関わるのではなく、化学量論的に反応に関わり、上記式（ＩＩ）で示されるメタラシクロペンタジエンと反応して中間体を生成していると思われる。
【００５４】
たとえば、反応機構としては、下記のスキームが提案される。
【化１３】
0004540217.tif 000010
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ａ1、Ａ2、Ｍ、Ｌ1及びＬ2は、上記の意味を有する。Ｍ1は典型金属であり、Ｘはハロゲン原子である。）
【００５５】
メタラシクロペンタジエン（ＩＩ）は、金属化合物Ｍ1Ｘと反応し、中間体（ＩＩ’）を生成する。この中間体（ＩＩ’）にケトン（ＩＩＩ）を添加し、（ＩＶａ）又は（ＩＶｂ）で示される中間体に変換し、更に、ピラン誘導体（Ｉａ）又は（Ｉｂ）が生成する。なお、この反応機構は仮説に過ぎず、本発明はこの反応機構に限定されるものではない。
【００５６】
金属化合物の量は、メタラシクロペンタジエン（ＩＩ）１モルに対し、０．０１モル〜２０モルであり、生成物である上記式（Ｉ）のピラン誘導体の収率を上げる観点からは、好ましくは０．１モル〜８モルであり、更に好ましくは、０．９モル〜２モルである。
【００５７】
反応は、好ましくは−１００℃〜３００℃の温度範囲で行われ、特に好ましくは−８０℃〜１００℃の温度範囲、更に好ましくは−５０℃〜５０℃、最も好ましくは、２０℃以下の温度範囲で行われる。圧力は、例えば、０．１バール〜２５００バールの範囲内で、好ましくは０．５バール〜１０バールの範囲内である。
【００５８】
溶媒としては、上記式（ＩＩ）で示されるメタラシクロペンタジエンを溶解することができる溶媒が好ましい。溶媒は、脂肪族又は芳香族の有機溶媒が用いられる。エーテル系溶媒、例えばテトラヒドロフラン又はジエチルエーテル；塩化メチレンのようなハロゲン化炭化水素；ｏ−ジクロロベンゼンのようなハロゲン化芳香族炭化水素；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド;ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素が用いられる。
【００５９】
上記式（ＩＩ）で示されるメタラシクロペンタジエンは、ビスシクロペンタジエニルジルコニウムジアルキルのようなメタロセンに２当量のアルキン又は１当量のジインを作用させることにより得ることができる。メタラシクロペンタジエンの生成については、例えば、T. Takahashi et al. J. Org. Chem. 1995, 60, 4444 に記載されており、これと同一又は近似した条件で反応が進行する。上記式（ＩＩ）で示されるメタラシクロペンタジエンは、単離される必要はなく、in situで更に金属化合物、ケトン（ＩＩＩ）と反応させてもよい。
【００６０】
溶媒は、脂肪族又は芳香族の溶媒が用いられ、好ましくは、極性溶媒が用いられる。エーテル系溶媒、例えばテトラヒドロフラン又はジエチルエーテル；塩化メチレンのようなハロゲン化炭化水素；ｏ−ジクロロベンゼンのようなハロゲン化芳香族炭化水素；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド、ジメチルスルホキシド等のスルホキシドが用いられる。あるいは、芳香族の溶媒として、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素を用いてもよい。
【００６１】
反応は好ましくは−８０℃〜３００℃の温度範囲で行われ、特に好ましくは−８０℃〜５０℃の温度範囲で行われる。圧力は０．１バール〜２５００バールの範囲内で、好ましくは０．５バール〜１０バールの範囲内である。反応は継続的に又はバッチ式で、一段階又はそれより多段階で、溶液中、懸濁液中、気相中又は超臨界媒体中で行える。
【００６２】
本発明の一側面で用いるメタラシクロペンタジエンは、例えば、下記のメタロセンを用いて合成することができる。
【００６３】
なお、ビス（インデニル）ジクロロジルコニウム；ビス（フルオレニル）ジクロロジルコニウム；（インデニル）（フルオレニル）ジクロロジルコニウム；ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロジルコニウム；ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロチタン；（ジメチルシランジイル）ビス（インデニル）ジクロロジルコニウム；（ジメチルシランジイル）ビス（テトラヒドロインデニル）ジクロロジルコニウム；（ジメチルシランジイル）（インデニル）ジクロロジルコニウム；（ジメチルシランジイル）ビス（２−メチルインデニル）ジクロロジルコニウム；（ジメチルシランジイル）ビス（２−エチルインデニル）ジクロロジルコニウム；（ジメチルシランジイル）ビス（２−メチル−４，５−ベンゾインデニル）ジクロロジルコニウム；（ジメチルシランジイル）ビス（２−エチル−４，５−ベンゾインデニル）ジクロロジルコニウム；（ジメチルシランジイル）ビス（２−メチル−４−フェニルインデニル）ジクロロジルコニウム；（ジメチルシランジイル）ビス（２−エチル−４−フェニルインデニル）ジクロロジルコニウム；（ジメチルシランジイル）ビス（２−メチル−４，６−ジイソプロピルインデニル）ジクロロジルコニウムなどのジクロロ体については、ナトリウム等のアルカリ金属、マグネシウム等のアルカリ土類金属のような強塩基で還元するか、又は、ジアルキル体に変換してから、メタラシクロペンタジエンを生成させる。
【００６４】
ビス（シクロペンタジエニル）ジブチルジルコニウム；
ビス（メチルシクロペンタジエニル）ジブチルジルコニウム；
ビス（ブチルシクロペンタジエニル）ジブチルジルコニウム；
ビス（インデニル）ジブチルジルコニウム；
ビス（フルオレニル）ジブチルジルコニウム；
（インデニル）（フルオレニル）ジブチルジルコニウム；
（３−メチル−５−ナフチルインデニル）（２，７−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフルオレニル）ジブチルジルコニウム；
（３−メチル−５−ナフチルインデニル）（３，４，７−トリメトキシフルオレニル）ジブチルジルコニウム；
（ペンタメチルシクロペンタジエニル）（テトラヒドロインデニル）ジブチルジルコニウム；
（シクロペンタジエニル）（１−オクテン−８−イルシクロペンタジエニル）ジブチルジルコニウム；
（インデニル）（１−ブテン−４−イルシクロペンタジエニル）ジブチルジルコニウム；
［１，３−ビス（トリメチルシリル）シクロペンタジエニル］（３，４−ベンゾフルオレニル）ジブチルジルコニウム；。
【００６５】
ビス（シクロペンタジエニル）ジブチルチタン；
ジメチルシランジイルビス（インデニル）ジブチルジルコニウム；
ジメチルシランジイルビス（テトラヒドロインデニル）ジブチルジルコニウム；
ジメチルシランジイル（シクロペンタジエニル）（インデニル）ジブチルジルコニウム；
ジメチルシランジイルビス（２−メチルインデニル）ジブチルジルコニウム；
ジメチルシランジイルビス（２−エチルインデニル）ジブチルジルコニウム；
ジメチルシランジイルビス（２−メチル−４，５−ベンゾインデニル）ジブチルジルコニウム；
ジメチルシランジイルビス（２−エチル−４，５−ベンゾインデニル）ジブチルジルコニウム；
ジメチルシランジイルビス（４，５−ジヒドロ−８−メチル−７Ｈ−シクロペント〔ｅ〕アセナフチレン−７−イリデン）ジブチルジルコニウム；
ジメチルシランジイル（２−メチル−４，５−ベンゾインデニル）（２−メチル−４−フェニルインデニル）ジブチルジルコニウム；
ジメチルシランジイル（２−エチル−４，５−ベンゾインデニル）（２−メチル−４−フェニルインデニル）ジブチルジルコニウム；
ジメチルシランジイル（２−メチル−４，５−ベンゾインデニル）（２−エチル−４−フェニルインデニル）ジブチルジルコニウム；
ジメチルシランジイル（２−エチルインデニル）（２−エチル−４−フェニルナフチル）ジブチルジルコニウム；
ジメチルシランジイル（２−メチルインデニル）（４−フェニルインデニル）ジブチルジルコニウム；
ジメチルシランジイルビス（２−メチル−４−フェニルインデニル）ジブチルジルコニウム；
ジメチルシランジイルビス（２−エチル−４−フェニルインデニル）ジブチルジルコニウム；
ジメチルシランジイルビス（２−メチル−４，６−ジイソプロピルインデニル）ジブチルジルコニウム；
ジメチルシランジイルビス（２−エチル−４，６−ジイソプロピルインデニル）ジブチルジルコニウム；
ジメチルシランジイルビス（２−メチル−４−ナフチルインデニル）ジブチルジルコニウム；
ジメチルシランジイルビス（２−エチル−４−ナフチルインデニル）ジブチルジルコニウム；。
【００６６】
メチルフェニルシランジイルビス（インデニル）ジブチルジルコニウム；
メチルフェニルシランジイル（シクロペンタジエニル）（インデニル）ジブチルジルコニウム；
メチルフェニルシランジイルビス（テトラヒドロインデニル）ジブチルジルコニウム；
メチルフェニルシランジイルビス（２−メチルインデニル）ジブチルジルコニウム；
メチルフェニルシランジイルビス（２−エチルインデニル）ジブチルジルコニウム；
メチルフェニルシランジイルビス（２−メチル−４，５−ベンゾインデニル）ジブチルジルコニウム；
メチルフェニルシランジイルビス（２−エチル−４，５−ベンゾインデニル）ジブチルジルコニウム；
メチルフェニルシランジイルビス（４，５−ジヒドロ−８−メチル−７Ｈ−シクロペント〔ｅ〕アセナフチレン−７−イリデン）ジブチルジルコニウム；
メチルフェニルシランジイル（２−メチル−４，５−ベンゾインデニル）（２−メチル−４−フェニルインデニル）ジブチルジルコニウム；
メチルフェニルシランジイル（２−エチルインデニル）（２−メチル−４−フェニルインデニル）ジブチルジルコニウム；
メチルフェニルシランジイル（２−メチル−４，５−ベンゾインデニル）（２−エチル−４−フェニルインデニル）ジブチルジルコニウム；
メチルフェニルシランジイル（２−エチル−４，５−ベンゾインデニル）（２−エチル−インデニル）ジブチルジルコニウム；
メチルフェニルシランジイル（２−メチルインデニル）（４フェニルインデニル）ジブチルジルコニウム；。
【００６７】
メチルフェニルシランジイルビス（２−メチル−４フェニルインデニル）ジブチルジルコニウム；
メチルフェニルシランジイルビスジブチルジルコニウム；
メチルフェニルシランジイルビス（２−メチル−４，６−ジイソプロピルインデニル）ジブチルジルコニウム；
メチルフェニルシランジイルビス（２−エチル−４，６−ジイソプロピルインデニル）ジブチルジルコニウム；
メチルフェニルシランジイルビス（４−ナフチルインデニル）ジブチルジルコニウム；
メチルフェニルシランジイルビス（２−エチル−４−ナフチルインデニル）ジブチルジルコニウム；
ジフェニルシランジイルビス（インデニル）ジブチルジルコニウム；
ジフェニルシランジイルビス（２−メチルインデニル）ジブチルジルコニウム；
ジフェニルシランジイルビス（２−エチルインデニル）ジブチルジルコニウム；
ジフェニルシランジイル（シクロペンタジエニル）（インデニル）ジブチルジルコニウム；
ジフェニルシランジイルビス（２−メチル−４，５−ベンゾインデニル）ジブチルジルコニウム；
ジフェニルシランジイルビス（２−エチル−４，５−ベンゾインデニル）ジブチルジルコニウム；
ジフェニルシランジイル（２−メチル−４，５−ベンゾインデニル）（２−メチル−４フェニルインデニル）ジブチルジルコニウム；
ジフェニルシランジイル（２−エチル−４，５−ベンゾインデニル）（２−メチル−４フェニルインデニル）ジブチルジルコニウム；
ジフェニルシランジイル（２−メチル−４，５−ベンゾインデニル）（２−エチル−４フェニルインデニル）ジブチルジルコニウム；
ジフェニルシランジイル（２−エチル−４，５−ベンゾインデニル）（２−エチル−４ナフチルインデニル）ジブチルジルコニウム；
ジフェニルシランジイル（２−メチルインデニル）（４フェニルインデニル）ジブチルジルコニウム；
ジフェニルシランジイルビス（２−メチル−４フェニルインデニル）ジブチルジルコニウム；
ジフェニルシランジイルビス（２−エチル−４フェニルインデニル）ジブチルジルコニウム；
ジフェニルシランジイルビス（２−メチル−４，６−ジイソプロピルインデニル）ジブチルジルコニウム；。
【００６８】
ジフェニルシランジイルビ；ス（２−エチル−４，６−ジイソプロピルインデニル）ジブチルジルコニウム
ジフェニルシランジイルビス（２−メチル−４−ナフチルインデニル）ジブチルジルコニウム；
ジフェニルシランジイルビス（２−エチル−４−ナフチルインデニル）ジブチルジルコニウム；
１−シラシクロペンタン−１、１−ビス（インデニル）ジブチルジルコニウム；
１−シラシクロペンタン−１、１−ビス（２−メチルインデニル）ジブチルジルコニウム；
１−シラシクロペンタン−１、１−ビス（２−エチルインデニル）ジブチルジルコニウム；
１−シラシクロペンタン−１、１−ビス（２−メチル−４，５−ベンゾインデニル）ジブチルジルコニウム；
１−シラシクロペンタン−１、１−ビス（２−エチル−４，５−ベンゾインデニル）ジブチルジルコニウム；
１−シラシクロペンタン−１−（２−メチル−４，５−ベンゾインデニル）−１−（２−メチル−４−フェニルインデニル）ジブチルジルコニウム；
１−シラシクロペンタン−１−（２−エチル−４，５−ベンゾインデニル）−１−（２−メチル−４−フェニルインデニル）ジブチルジルコニウム；
１−シラシクロペンタン−１−（２−メチル−４，５−ベンゾインデニル）−１−（２−エチル−４−フェニルインデニル）ジブチルジルコニウム；
１−シラシクロペンタン−１−（２−エチル−４，５−ベンゾインデニル）−１−（２−エチル−４−ナフチルインデニル）ジブチルジルコニウム；
１−シラシクロペンタン−１−（２−メチルインデニル）−１−（４−フェニルインデニル）ジブチルジルコニウム；
１−シラシクロペンタン−１，１−ビス（２−メチル−４−フェニルインデニル）ジブチルジルコニウム；
１−シラシクロペンタン−１，１−ビス（２−エチル−４−フェニルインデニル）ジブチルジルコニウム；
１−シラシクロペンタン−１，１−ビス（２−メチル−４，６−ジイソプロピルインデニル）ジブチルジルコニウム；
１−シラシクロペンタン−１，１−ビス（２−エチル−４，６−ジイソプロピルインデニル）ジブチルジルコニウム；
１−シラシクロペンタン−１，１−ビス（２−メチル−４−ナフチルインデニル）ジブチルジルコニウム；
１−シラシクロペンタン−１，１−ビス（２−エチル−４−ナフチルインデニル）ジブチルジルコニウム；
ビス（シクロペンタジエニル）ジブチルチタン；
エチレン−１，２−ビス（インデニル）ジブチルジルコニウム；
エチレン−１，２−ビス（テトラヒドロインデニル）ジブチルジルコニウム；
エチレン−１−（シクロペンタジエニル）−２−（１−インデニル）ジブチルジルコニウム；
エチレン−１−（シクロペンタジエニル）−２−（２−インデニル）ジブチルジルコニウム；
エチレン−１−（シクロペンタジエニル）−２−（２−メチル−１−インデニル）ジブチルジルコニウム；
エチレン−１，２−ビス（２−メチルインデニル）ジブチルジルコニウム；
エチレン−１，２−ビス（２−エチルインデニル）ジブチルジルコニウム；
エチレン−１，２−ビス（２−メチル−４，５−ベンゾインデニル）ジブチルジルコニウム；
エチレン−１，２−ビス（２−エチル−４，５−ベンゾインデニル）ジブチルジルコニウム；。
【００６９】
エチレン−１，２−ビス（４，５−ジヒドロ−８−メチル−７Ｈ−シクロペント〔ｅ〕アセナフチレン−７−イリデン）ジブチルジルコニウム；
エチレン−１−（２−メチル−４，５−ベンゾインデニル）−２−（２−メチル−４−フェニルインデニル）ジブチルジルコニウム；
エチレン−１−（２−エチル−４，５−ベンゾインデニル）−２−（２−メチル−４−フェニルインデニル）ジブチルジルコニウム；
エチレン−１−（２−メチル−４，５−ベンゾインデニル）−２−（２−エチル−４−フェニルインデニル）ジブチルジルコニウム；
エチレン−１−（２−エチル−４，５−ベンゾインデニル）−２−（２−エチル−４−ナフチルインデニル）ジブチルジルコニウム；
エチレン−１−（２−メチルインデニル）−２−（４−フェニルインデニル）ジブチルジルコニウム；
エチレン−１，２−ビス（２−メチル−４−フェニルインデニル）ジブチルジルコニウム；
エチレン−１，２−ビス（２−エチル−４−フェニルインデニル）ジブチルジルコニウム；
エチレン−１，２−ビス（２−メチル−４，６−ジイソプロピルインデニル）ジブチルジルコニウム；
エチレン−１，２−ビス（２−エチル−４，６−ジイソプロピルインデニル）ジブチルジルコニウム；
エチレン−１，２−ビス（２−メチル−４−ナフチルインデニル）ジブチルジルコニウム；
エチレン−１，２−ビス（２−エチル−４−ナフチルインデニル）ジブチルジルコニウム；
プロピレン−２，２−ビス（インデニル）ジブチルジルコニウム；
プロピレン−２−シクロペンタジエニル−２−（１−インデニル）ジブチルジルコニウム；
プロピレン−２−シクロペンタジエニル−２−（４−フェニル−１−インデニル）ジブチルジルコニウム；
プロピレン−２−シクロペンタジエニル−２−（９−フルオレニル）ジブチルジルコニウム；
プロピレン−２−シクロペンタジエニル−２−（２，７−ジメトキシ−９−フルオレニル）ジブチルジルコニウム；
プロピレン−２−シクロペンタジエニル−２−（２，７−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−９−フルオレニル）ジブチルジルコニウム；
プロピレン−２−シクロペンタジエニル−２−（２，７−ジブロモ−９−フルオレニル）ジブチルジルコニウム；
プロピレン−２−シクロペンタジエニル−２−（２，７−ジフェニル−９−フルオレニル）ジブチルジルコニウム；
プロピレン−２−シクロペンタジエニル−２−（２，７−ジメチル−９−フルオレニル）ジブチルジルコニウム；
プロピレン−２−（３−メチルシクロペンタジエニル）−２−（２，７−ジブチル−９−フルオレニル）ジブチルジルコニウム；
プロピレン−２−（３−ｔｅｒｔ−ブチルシクロペンタジエニル）−２−（２，７−ジブチル−９−フルオレニル）ジブチルジルコニウム；
プロピレン−２−（３−トリメチルシリルシクロペンタジエニル）−２−（３，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−９−フルオレニル）ジブチルジルコニウム；
プロピレン−２−シクロペンタジエニル−２−［２，７−ビス（３−ブテン−１−イル）−９−フルオレニル］ジブチルジルコニウム；
プロピレン−２−シクロペンタジエニル−２−（３−ｔｅｒｔ−ブチル−９−フルオレニル）ジブチルジルコニウム；
プロピレン−２，２−ビス（テトラヒドロインデニル）ジブチルジルコニウム；
プロピレン−２，２−ビス（２−メチルインデニル）ジブチルジルコニウム；
プロピレン−２，２−ビス（２−エチルインデニル）ジブチルジルコニウム；
プロピレン−２，２−ビス（２−メチル−４，５−ベンゾインデニル）ジブチルジルコニウム；
プロピレン−２，２−ビス（２−エチル−４，５−ベンゾインデニル）ジブチルジルコニウム；
プロピレン−２，２−ビス（４，５−ジヒドロ−８−メチル−７Ｈ−シクロペント〔ｅ〕アセナフチレン−７−イリデン）ジブチルジルコニウム；
プロピレン−２−（２−メチル−４，５−ベンゾインデニル）−２−（２−メチル−４−フェニルインデニル）ジブチルジルコニウム；
プロピレン−２−（２−エチル−４，５−ベンゾインデニル）−２−（２−メチル−４−フェニルインデニル）ジブチルジルコニウム；
プロピレン−２−（２−メチル−４，５−ベンゾインデニル）−２−（２−エチル−４−フェニルインデニル）ジブチルジルコニウム；
プロピレン−２−（２−エチル−４，５−ベンゾインデニル）−２−（２−エチル−４−ナフチルインデニル）ジブチルジルコニウム；
プロピレン−２−（２−メチルインデニル）−２−（４−フェニルインデニル）ジブチルジルコニウム；
プロピレン−２，２−ビス（２−メチル−４−フェニルインデニル）ジブチルジルコニウム；
プロピレン−２，２−ビス（２−エチル−４−フェニルインデニル）ジブチルジルコニウム；
プロピレン−２，２−ビス（２−メチル−４，６−ジイソプロピルインデニル）ジブチルジルコニウム；
プロピレン−２，２−ビス（２−エチル−４，６−ジイソプロピルインデニル）ジブチルジルコニウム；
プロピレン−２，２−ビス（２−メチル−４−ナフチルインデニル）ジブチルジルコニウム；
プロピレン−２，２−ビス（２−エチル−４−ナフチルインデニル）ジブチルジルコニウム；。
【００７０】
１，６−ビス［メチルシリルビス（２−メチル−４−フェニルインデニル）ジブチルジルコニウム］ヘキサン；
１，６−ビス［メチルシリルビス（２−メチル−４，５−ベンゾインデニル）ジブチルジルコニウム］ヘキサン；
１，６−ビス［メチルシリルビス（２−エチル−４−フェニルインデニル）ジブチルジルコニウム］ヘキサン；
１，６−ビス［メチルシリルビス（２−メチル−４−ナフチルインデニル）ジブチルジルコニウム］ヘキサン；
１，６−ビス［メチルシリルビス（２−メチル−４，６−ジイソプロピルインデニル）ジブチルジルコニウム］ヘキサン；
１，６−ビス［メチルシリル（２−メチル−４フェニルインデニル）（４，５−ベンゾインデニル）ジブチルジルコニウム］ヘキサン；
１−［メチルシリルビス（テトラヒドロインデニル）ジブチルジルコニウム］−６−［エチルスタニル（シクロペンタジエニル）（フルオレニル）ジブチルジルコニウム］ヘキサン；
１，６−ジシラ−１，１，６，６−テトラメチル−１，６−ビス［メチルシリルビス（２−メチル−４フェニルインデニル）ジブチルジルコニウム］ヘキサン；
１，４−ジシラ１，４−ビス［メチルシリルビス（２−メチル−４フェニルインデニル）ジブチルジルコニウム］シクロヘキサン；
［１，４−ビス（１−インデニル）−１，１，４，４−テトラメチル−１，４−ジシラブタン］ビス（ペンタメチルシクロペンタジエニルジブチルジルコニウム）；
［１，４−ビス（９−フルオレニル）−１，１，４，４−テトラメチル−１，４−ジシラブタン］ビス（シクロペンタジエニルジブチルジルコニウム）；
［１，４−ビス（１−インデニル）−１，１，４，４−テトラメチル−１，４−ジシラブタン］ビス（シクロペンタジエニルジブチルジルコニウム）；
［１−（１−インデニル）−６−（２−フェニル−１−インデニル）−１，１，６，６−テトラエチル−１，６−ジシラ−４−オキサヘキサン］ビス（ｔｅｒｔ−ブチルシクロペンタジエニルジブチルジルコニウム）；
［１，１０−ビス（２，３−ジメチル−１−インデニル）−１，１，１０，１０−テトラメチル−１，１０−ジゲルマデカン］ビス（２−メチル−４−フェニルインデニルジブチルジルコニウム）；
（１−メチル−３−ｔｅｒｔ−ブチルシクロペンタジエニル）（１−フェニル−４−メトキシ−７−クロロフルオレニル）ジブチルジルコニウム；
（４，７−ジクロロインデニル）（３，６−ジメシチルフルオレニル）ジブチルジルコニウム；
ビス（２，７−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−９−シクロへキシルフルオレニル）ジブチルジルコニウム；
（２，７−ジメシチルフルオレニル）［２，７−ビス（１−ナフチル）フルオレニル］ジブチルジルコニウム；
ジメチルシリルビス（フルオレニル）ジブチルジルコニウム；
ジブチルスタニルビス（２−メチルフルオレニル）ジブチルジルコニウム；
１，１，２，２−テトラエチルジシランジイル（２−メチルインデニル）（４−フェニルフルオレニル）ジブチルジルコニウム；
プロピレン−１−（２−インデニル）−２−（９−フルオレニル）ジブチルジルコニウム；
１，１−ジメチル−１−シラエチレンビス（フルオレニル）ジブチルジルコニウム；
［４−（シクロペンタジエニル）４，７，７−トリメチル（テトラヒドロインデニル）ジブチルジルコニウム；
［４−（シクロペンタジエニル）４，７−ジメチル−７−フェニル（５，６−ジメチルテトラヒドロインデニル）ジブチルジルコニウム；
［４−（シクロペンタジエニル）−４，７−ジメチル−７−（１−ナフチル）（７−フェニルテトラヒドロインデニル）］ジブチルジルコニウム；
［４−（シクロペンタジエニル）−４，７−ジメチル−７−ブチル（６，６−ジエチルテトラヒドロインデニル）］ジブチルジルコニウム；
［４−（３−ｔｅｒｔ−ブチルシクロペンタジエニル）−４，７，７−トリメチル（テトラヒドロインデニル）］ジブチルジルコニウム；
［４−（１−インデニル）−４，７，７−トリメチル（テトラヒドロインデニル）］ジブチルジルコニウム；
ビス（シクロペンタジエニル）ジブチルハフニウム；
ビス（インデニル）ジブチルバナジウム；
ビス（フルオレニル）ジブチルスカンジウム；
（インデニル）（フルオレニル）ジブチルニオブ；
（２−メチル−７−ナフチルインデニル）（２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフルオレニル）ジブチルチタン；
臭化（ペンタメチルシクロペンタジエニル）（テトラヒドロインデニル）ブチルハフニウム；
（シクロペンタジエニル）（１−オクテン−８−イルシクロペンタジエニル）ジブチルハフニウム；。
【００７１】
【実施例】
以下、本発明を実施例に基づいて説明する。ただし、本発明は、下記の実施例に制限されるものではない。
【００７２】
すべての反応は、窒素雰囲気下で標準的なシュレンク技術を用いて行われた。溶媒として用いたＴＨＦ（テトラヒドロフラン）は、ナトリウム金属、ベンゾフェノンで蒸留して無水とした。ジルコノセンジクロライドは、アルドリッチ（Aldrich Chemical Company, Inc）から、ｎ―ブチルリチウム (1.6M ヘキサン溶液) は、関東化学から購入したものを用い、３―ヘキシン又はジフェニルアセチレンのようなアルキンは、東京化成（TCI Co. Ltd）から、購入した。ジルコナシクロペンタジエン誘導体は、既知の方法により調製した。ケトマロン酸ジエチルは、東京化成から購入した。
【００７３】
1H-NMRおよび13C-NMRスペクトルは、２５℃にて重水素化クロロホルム溶液（ＴＭＳ１％含有）を内部標準として、Bruker ARX-400を用いて測定した。ガスクロマトグラフ分析は、シリカガラスキャピラリカラムSHIMADZU CBP1-M25-O25 及び SHIMADZU C-R6A-Chromatopac integrator を備えたSHIMADZU GC-14A ガスクロマトグラフで測定した。単結晶Ｘ線回折は、モリブデン又は銅の電極を持つEnraf-Nonius CAD4 回折装置を用いて測定した。
【００７４】
実施例１
ジエチル3,4,5,6-テトラエチル -2H-ピラン -2,2-ジカルボキシレート
【００７５】
ジルコナシクロペンタジエンのＴＨＦ溶液である、ビス（η5−シクロペンタジエニル）２，３，４，５−テトラエチル−１−ジルコナ−２，４−シクロペンタジエンのＴＨＦ溶液に、真空下で100℃で2時間乾燥させたBiCl3 (2.0 mmol)を加え、室温にて1時間攪拌した。反応混合物は、0℃まで冷却し、ケトマロン酸ジエチル(2.0 mmol) を滴下して加え、1時間攪拌した。続いて、反応混合物に3N塩酸を添加し、反応を終了させ、エーテルで抽出した (3x30 ml)。抽出物は水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。減圧下で濃縮した後、残渣について、シリカゲルを充填剤として、カラムクロマトグラフィーを行い、精製した。NMR 収率 98%。シリカゲルを充填剤としたカラムクロマトグラフィー(EA/ヘキサン 1/9)を行い、無色液体の表題化合物を269 mg (単離収率80%) にて得た。
【００７６】
1H NMR (CDCl3, Me4Si)δ0.89(t, J=7.5Hz, 3H), 1.00(t, J=7.5Hz, 3H), 1.05(t, J=7.5Hz, 3H), 1.14(t, J=7.2Hz, 3H), 1.30(t, J=7.2Hz, 6H), 2.12(q, J = 7.5Hz, 2H), 2.20(q, J =7.2Hz, 2H), 2.23(q, J = 6.6Hz, 2H), 2.29(q, J= 7.5Hz, 2H), 4.26(q, J= 6.9Hz, 4H); 13C NMR (CDCl3, Me4Si) δ12.07, 14.06(2C), 14.41, 14.61, 16.07, 19.46, 20.46, 22.13, 23.48, 61.91(2C), 85.23, 115.28, 121.51, 134.62, 150.85, 169.41(2C);  高分解能質量分析計 計算値C19H30O5 338.2093, 実測値338.2093。
【００７７】
実施例２
ジエチル3,4,5,6-テトラプロピル -2H-ピラン -2,2-ジカルボキシレート
【００７８】
実施例１と同様の手順を行った。ただし、ジルコナシクロペンタジエンとして、ビス（η5−シクロペンタジエニル）２，３，４，５−テトラプロピル−１−ジルコナ−２，４−シクロペンタジエンを用いた。NMR 収率80%。シリカゲルを充填剤としたカラムクロマトグラフィー(EA/ヘキサン 1/12)を行い、無色液体の表題化合物を256 mg (単離収率65%) にて得た。
【００７９】
1H NMR (CDCl3, Me4Si) δ0.83(t, J =7.2Hz, 3H), 0.90(t, J =7.5Hz, 3H), 0.92(t, J =7.2Hz, 3H), 0.94(t, J = 6.9Hz, 3H), 1.1-1.4(m, 4H), 1.29(t, J = 6.9Hz, 6H), 1.4-1.7(m, 4H), 2.0-2.2(m, 6H), 2.23(t, J =7.8Hz, 2H), 4.23(q, J =7.2Hz, 4H);  13C NMR (CDCl3, Me4Si) δ13.77, 14.02(2C), 14.21, 14.46, 14.59, 20.51, 23.03, 23.40, 24.31, 28.63, 30.02, 31.69, 32.38, 61.90(2C), 85.32, 114.61, 120.60, 133.77, 149.97, 169.46(2C).  元素分析計算値C23H38O5: C, 70.02; H, 9.71. 実測値: C, 69.09; H, 9.63。
【００８０】
実施例３
ジエチル3,4,5,6-テトラメチル -2H-ピラン -2,2-ジカルボキシレート
【００８１】
実施例１と同様の手順を行った。ただし、ジルコナシクロペンタジエンとして、ビス（η5−シクロペンタジエニル）２，３，４，５−テトラメチル−１−ジルコナ−２，４−シクロペンタジエンを用いた。NMR 収率76%。シリカゲルを充填剤としたカラムクロマトグラフィー(EA/ヘキサン 1/5)を行い、無色液体の表題化合物を140 mg (単離収率58%) にて得た。
【００８２】
1H NMR (CDCl3, Me4Si) δ1.30(t, J = 7.2Hz, 6H), 1.67(s, 3H), 1.77(s, 3H), 1.83(3H), 1.93(s, 3H), 4.1-4.4(m, 4H); 13C NMR (CDCl3, Me4Si) δ12.92, 14.02, 14.05(2C), 14.98, 16.17, 62.03(2C), 85.27, 108.89, 115.52, 128.53, 144.92, 169.11(2C);  高分解能質量分析計計算値 C15H22O5 282.1467, 実測値 282.1459。
【００８３】
実施例４
ジエチル3,4-ジエチル -5,6-ジフェニル-2H-ピラン-2,2-ジカルボキシレート
【００８４】
実施例１と同様の手順を行った。ただし、ジルコナシクロペンタジエンとして、ビス（η5−シクロペンタジエニル）２，３―ジエチル−４，５−ジフェニル−１−ジルコナ−２，４−シクロペンタジエンを用いた。NMR 収率93%。シリカゲルを充填剤としたカラムクロマトグラフィー(EA/ヘキサン 1/15)を行い、白色液体の表題化合物を308 mg (単離収率72%) にて得た。図１に表題化合物の単結晶Ｘ線構造解析の図を示す。
【００８５】
1H NMR (CDCl3, Me4Si) δ0.77(t, J = 7.5Hz, 3H), 1.14(t, J= 7.5Hz, 3H), 1.30(t, J = 7.2Hz, 6H), 2.19(q, J = 7.5Hz, 2H), 2.34(q, J = 7.5Hz, 2H), 4.33(dq, J = 7.2Hz, 0.2Hz, 4H); 13C NMR (CDCl3, Me4Si) δ13.90, 14.07(2C), 14.19, 20.98, 22.26, 62.21(2C), 85.65, 119.56, 123.11, 126.97, 127.32(2C), 127.93, 128.13(2C), 129.33(2C), 131.31(2C), 133.98, 135.42, 136.75, 147.61, 168.95(2C). 元素分析計算値 C27H30O5: C, 74.63; H, 6.96. 実測値: C, 74.39; H, 7.07。
【００８６】
実施例５
ジエチル3,4-ジエチル -5-ヘキシル-6-t-ブチル-2H-ピラン-2,2-ジカルボキシレート
【００８７】
実施例１と同様の手順を行った。ただし、ジルコナシクロペンタジエンとして、ビス（η5−シクロペンタジエニル）２，３−ジエチル−４−ヘキシル−５―ｔ―ブチル−１−ジルコナ−２，４−シクロペンタジエンを用いた。シリカゲルを充填剤としたカラムクロマトグラフィー(EA/ヘキサン 1/50)を行い、無色液体の表題化合物を100 mg (単離収率36%) にて得た。
【００８８】
1H NMR (CDCl3, Me4Si) δ0.88(t, J = 7.0Hz, 3H), 0.96(t, J = 7.5Hz, 3H), 1.05(t, J = 7.6Hz, 3H), 1.06-1.20(m.4H), 1.2-1.4(m, 8H), 1.26(s, 9H), 1.29(t, J = 7.2Hz, 6H), 2.1-2.3(m, 6H), 4.1-4.2(m, 4H);  13C NMR (CDCl3, Me4Si) δ13.96(3C), 14.03, 14.45, 14.70, 20.35, 21.94, 22.67, 26.71, 29.52, 29.57(4C), 31.48, 31.67, 25.96, 61.68(2C), 85.46, 114.98, 121.93, 136.08, 155.46, 169.53(2C);  高分解能質量分析計計算値 C27H46NO  450.3345,実測値 450.3348。
【００８９】
実施例６
ジエチル5,6,7,8-テトラヒドロ-1,4-ジエチル-3H-2-ベンゾピラン-3,3-ジカルボキシレート
【００９０】
実施例１と同様の手順を行った。ただし、ジルコナシクロペンタジエンとして、ビス（η5−シクロペンタジエニル）２，５−ジエチル−３，４―テトラメチレン―１−ジルコナ−２，４−シクロペンタジエンを用いた。NMR 収率72%。シリカゲルを充填剤としたカラムクロマトグラフィー(EA/ヘキサン 1/5)を行い、無色液体の表題化合物を178 mg (単離収率53%) にて得た。
【００９１】
1H NMR (CDCl3, Me4Si) δ1.0(dt, J =7.5Hz, 1.8Hz, 3H), 1.10(dt, J =7.8Hz, 1.8Hz, 3H), 1.29(t, J =7.2Hz, 3H), 1.30(t, J =6.9Hz, 3H), 1.5-1.7(m, 4H), 2.19(t, J=7.5Hz, 2H), 2.22-2.30(m, 4H), 2.36(t, J =6.0Hz, 2H), 4.0-4.4(m, 4H);  13C NMR (CDCl3, Me4Si) δ11.37, 12.99, 14.05(2C), 21.89, 22.99, 23.37, 23.81, 24.25, 25.62, 61.94(2C), 85.07, 109.40, 119.66, 129.81, 148.98, 169.42(2C); 高分解能質量分析計計算値 C19H28NO5  336.1937, 実測値 336.1942。
【００９２】
実施例７
ジエチル5,6,7,8-テトラヒドロ-1,4-ジメチル-3H-2-ベンゾピラン-3,3-ジカルボキシレート
【００９３】
実施例１と同様の手順を行った。ただし、ジルコナシクロペンタジエンとして、ビス（η5−シクロペンタジエニル）２，５−ジメチル−３，４−テトラメチレン−１−ジルコナ−２，４−シクロペンタジエンを用いた。シリカゲルを充填剤としたカラムクロマトグラフィー(EA/ヘキサン 1/16)を行い、無色液体の表題化合物を110 mg (単離収率36%) にて得た。
【００９４】
1H NMR (CDCl3, Me4Si) δ1.29(t, J = 7.2Hz, 3H), 1.30(t, J = 6.9Hz, 3H), 1.45-1.65(m, 4H), 1.77(s, 3H), 1.90(s, 3H), 2.1-2.25(m, 2H), 2.25-2.35(m, 2H), 4.1-4.4(m, 4H); 13C NMR (CDCl3, Me4Si) δ14.07(2C), 14.20, 15.56, 23.27, 23.65, 24.71, 25.87, 62.01(2C), 85.24, 109.85, 114.27, 128.87, 144.43, 169.18(2C); 高分解能質量分析計計算値 C17H24O5  308.1624, 実測値 308.1612。
【００９５】
実施例８
【００９６】
【化１４】
0004540217.tif 000011
実施例１と同様の手順を行った。ただし、ジルコナシクロペンタジエンとして、下記式で示される化合物を用いた。
【００９７】
【化１５】
0004540217.tif 000012
NMR収率68%。シリカゲルを充填剤としたカラムクロマトグラフィー(Et2O/ヘキサン 1/20)を行い、無色液体の表題化合物を256 mg (単離収率55%) にて得た。
【００９８】
1H NMR (CDCl3, Me4Si) δ-0.02(s, 6H), 0.15(s, 6H), 0.85(t, J =7.4Hz, 3H), 0.91(t, J =7.4Hz, 3H), 1.28(t, J =7.2Hz, 6H), 1.3-1.4(m, 2H), 1.53(s, 2H), 1.54-1.60(m, 2H), 1.71(s, 2H), 2.0-2.1(m, 2H), 2.15-2.25(m, 2H), 4.15-4.30(m, 4H);  13C NMR (CDCl3, Me4Si) δ-0.38(2C), 0.49(2C), 13.97(2C), 14.38, 14.64, 18.20, 20.66, 21.05, 21.89, 31.51, 32.96, 61.92(2C), 84.54, 109.62, 116.91, 130.42, 147.25, 169.56(2C);  高分解能質量分析計計算値 C23H40O6Si2 468.2363, 実測値 468.2366。
【００９９】
実施例９
【０１００】
【化１６】
0004540217.tif 000013
実施例１と同様の手順を行った。ただし、ジルコナシクロペンタジエンとして、下記式で示される化合物を用いた。
【０１０１】
【化１７】
0004540217.tif 000014
NMR収率76%。シリカゲルを充填剤としたカラムクロマトグラフィー(EA/ヘキサン 1/16)を行い、黄色固体の表題化合物を220 mg (単離収率53%) にて得た。
【０１０２】
1H NMR (CDCl3, Me4Si) δ.94(t, J =7.6Hz, 3H), 0.96(t, J = 7.5Hz, 3H), 1.26(t, J = 7.1Hz, 6H), 1.4-1.55(m, 2H), 1.6-1.7(m, 2H), 2.23(t, J = 8.1Hz, 2H), 2.30(t, J = 7.4Hz, 2H), 3.40(s, 2H), 3.52(s, 2H), 4.15-4.25(m, 4H), 7.0-7.2(m, 4H);  13C NMR (CDCl3, Me4Si) δ13.92(3C), 14.44, 20.31,22.40, 30.20, 31.17, 31.79, 31.87, 61.99(2C), 85.10, 108.72, 117.17, 126.25, 126.29, 126.84, 127.25, 129.74, 135.96, 136.89, 147.75, 169.08(2C); 高分解能質量分析計計算値 C25H32O5 412.2250, 実測値 412.2254。
【０１０３】
参考例１
【０１０４】
【化１８】
0004540217.tif 000015
ジルコナシクロペンタジエンのＴＨＦ溶液である、ビス（η5−シクロペンタジエニル）２，３，４，５−テトラフェニル−１−ジルコナ−２，４−シクロペンタジエンのＴＨＦ溶液に、真空下で100℃で2時間乾燥させたBiCl3 (2.0 mmol)を加え、室温にて1時間攪拌した。反応混合物に、室温にてケトマロン酸ジエチル(2.0 mmol) を滴下して加え、室温にて１２時間攪拌した。続いて、反応混合物に3N塩酸を添加し、反応を終了させ、エーテルで抽出した (3x30 ml)。抽出物は水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。減圧下で濃縮した後、残渣について、シリカゲルを充填剤として、カラムクロマトグラフィーを行い、精製した。シリカゲルを充填剤としたカラムクロマトグラフィー(Et2A/ヘキサン 1/5)を行い、黄色液体の表題化合物を280 mg (単離収率53%) にて得た。図２に、表題化合物の単結晶Ｘ線構造解析の図を示す。
【０１０５】
1H NMR (CDCl3, Me4Si) δ1.05(t, J = 7.2Hz, 6H), 3.80-4.10(m, 4H), 4.73(s, 1H), 6.80(s, 1H), 6.9-7.2(m, 15H), 7.21-7.4(m, 5H);  13C NMR (CDCl3, Me4Si) δ13.72(2C), 61.82(2C), 77.53, 126.27, 126.58, 126.86, 127.58(2C), 127.77(2C), 128.00(4C), 128.58, 129.40(2C), 129.53(2C), 129.78, 130.59(2C), 130.98(3C), 133.81, 137.17, 138.61, 139.40, 140.39, 151.14, 165.70(2C);  高分解能質量分析計計算値 C35H32O5  532.2250, 実測値 532.2247。
【０１０６】
参考例２
【０１０７】
参考例１と同様の手順を行った。ただし、塩酸の代わりに、重塩酸を用いた。単離収率52%。
【０１０８】
1H NMR (CDCl3, Me4Si) δ1.07(t, J = 7.1Hz, 6H), 3.80-4.10(m, 4H), 4.72(s, 0.46H), 6.9-7.3(m, 20H);  13C NMR (CDCl3, Me4Si) δ13.69(2C), 61.81(2C), 77.31(t, J = 12Hz), 77.53, 126.22, 126.54, 126.82, 127.54(2C), 127.74(2C), 127.97(4C), 128.53, 129.37(2C), 129.51(2C), 129.73, 130.59(2C), 130.97(3C), 133.80, 137.10, 138.62, 139.40, 140.26, 151.07, 165.69(2C); 高分解能質量分析計計算値 C35H30D2O5  534.2373, 実測値 534.2362. 元素分析 計算値 C35H30D2O5 : C, 78.63; H, 6.41. 実測値 C, 78.76; H, 6.27。
参考例１及び参考例２のスキームを下記に示す。
【化１９】
0004540217.tif 000016
【０１０９】
実施例１〜９及び参考例の結果を表１に示す。
【０１１０】
【表１】
0004540217.tif 000017
なお、収率は、NMR収率を示す。単離収率はかっこ内に記載する。
【０１１１】
【発明の効果】
本発明の方法により、簡易にピラン誘導体を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  ジエチル3,4-ジエチル -5,6-ジフェニル-2H-ピラン-2,2-ジカルボキシレートの単結晶Ｘ線構造解析の図である。
【図２】  参考例１の単結晶Ｘ線構造解析の図である。
【図１】
0004540217.tif 000022
【図２】
0004540217.tif 000023