(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＡｇとＣｕとＴｅ、ＳｅおよびＰの少なくとも1種の元素とＭｎよりなり、残りが不可避不純物であるＡｇ基合金からなり、Ｃｕを０．１〜２ｍａｓｓ％、Ｔｅ、ＳｅおよびＰの少なくとも1種の元素を０．０１〜１ｍａｓｓ％そしてＭｎを０．０１〜２ｍａｓｓ％含有し且つＴｅおよびＳｅの少なくとも１種の元素を含有する場合、Ｃｕ／（ＴｅおよびＳｅの少なくとも1種の元素）の比率が０．９〜２であることを特徴とする反射膜。
【請求項２】
ＡｇとＣｕとＴｅ、ＳｅおよびＰの少なくとも1種の元素とＭｎとＩｎ、ＳｎおよびＺｎから選ばれる少なくとも１種の金属よりなり、残りが不可避不純物であるＡｇ基合金からなり、Ｃｕを０．１〜２ｍａｓｓ％、Ｔｅ、ＳｅおよびＰの少なくとも1種の元素を０．０１〜１ｍａｓｓ％、Ｍｎを０．０１〜２ｍａｓｓ％そしてＩｎ、ＳｎおよびＺｎから選ばれる少なくとも１種の金属を０．１〜１．５ｍａｓｓ％含有し且つＴｅおよびＳｅの少なくとも1種の元素を含有する場合、Ｃｕ／（ＴｅおよびＳｅの少なくとも１種の元素）の比率が０．９〜２であることを特徴とする反射膜。
【請求項３】
ＡｇとＣｕとＴｅ、ＳｅおよびＰの少なくとも1種の元素とＭｎとＰｄ、Ａｕ、Ｐｔ、ＲｕおよびＩｒから選ばれる少なくとも１種の金属よりなり、残りが不可避不純物であるＡｇ基合金からなり、Ｃｕを０．１〜２ｍａｓｓ％、Ｔｅ、ＳｅおよびＰの少なくとも1種の元素を０．０１〜１ｍａｓｓ％、Ｍｎを０．０１〜２ｍａｓｓ％そしてＡｕを０．０１〜０．８ｍａｓｓ％、Ｐｄを０．０１〜１．５ｍａｓｓ％、Ｐｔを０．０１〜０．８ｍａｓｓ％、Ｒｕを０．０１〜０．５ｍａｓｓ％またはＩｒを０．０１〜０．２ｍａｓｓ％含有し且つＴｅおよびＳｅの少なくとも１種の元素を含有する場合、Ｃｕ／（ＴｅおよびＳｅの少なくとも１種の元素）の比率が０．９〜２であることを特徴とする反射膜。
【請求項４】
ＡｇとＣｕとＴｅ、ＳｅおよびＰの少なくとも1種の元素とＭｎとＦｅ、Ｎｉ、ＢｉおよびＣｒから選ばれる少なくとも１種の金属よりなり、残りが不可避不純物であるＡｇ基合金からなり、Ｃｕを０．１〜２ｍａｓｓ％、Ｔｅ、ＳｅおよびＰの少なくとも1種の元素を０．０１〜１ｍａｓｓ％、Ｍｎを０．０１〜２ｍａｓｓ％そしてＦｅ、Ｎｉ、ＢｉおよびＣｒから選ばれる少なくとも１種の金属を０．０１〜２ｍａｓｓ％含有し且つＴｅおよびＳｅの少なくとも１種の元素を含有する場合、Ｃｕ／（ＴｅおよびＳｅの少なくとも１種の元素）の比率が０．９〜２であることを特徴とする反射膜。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載のＡｇ基合金からなる配線用または電極用薄膜。
【請求項６】
請求項１〜４のいずれか１項に記載のＡｇ基合金からなる膜厚が５０ｎｍ以下の半反射型半透過膜。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、Ａｇ基合金からなるスパッタリングターゲット材または蒸着材料、高い反射率および低電気抵抗を維持しながら耐熱性を向上させたＡｇ基合金からなる反射膜、配線用または電極用薄膜、ならびにＡｇ基合金からなる膜厚が５０ｎｍ以下の半反射型半透過膜に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＣＤ（Ｃｏｍｐａｃｔ  Ｄｉｓｃ）等の光学記録媒体に使用されている反射膜や、液晶表示装置、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ  ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示装置等に使用されている反射膜、配線膜および／または電極膜には、一般に、ＡｌやＡｌ基合金の薄膜が使用される場合が多い。
【０００３】
また、二層方式のＤＶＤ−Ｒ  ＤＬ（Ｄｏｕｂｌｅ  Ｌａｙｅｒ）等に代表される多層型光学記録媒体は、書込および読取のため、記録層の下部に半反射・半透過層を有しており、該半反射・半透過層としては、例えば、ＡｇまたはＡｇ基合金の薄膜が使用されている。
【０００４】
これらの用途に使用される薄膜に対しては、低電気抵抗であり且つ熱や湿度に対して安定であることが求められる。また、反射膜として使用される場合にはさらに高い反射率も要求される。
【０００５】
ＡｌやＡｌ基合金からなる薄膜は、ある程度の反射率を有し且つ電気抵抗が低く、しかも、表層に不動態皮膜を形成するため、空気中においても安定した耐食性を有するが、Ａｌの薄膜は、熱や湿度に弱く、またそれを改善したＡｌ基合金の薄膜はＡｌと比較して電気抵抗が高くなるという欠点がある。
【０００６】
また、ＡｌやＡｌ基合金は、例えば波長が７００ｎｍの光に対する反射率が８０〜９０％であり、高反射率が要求される用途に対しては充分に満足できるものではない。
【０００７】
そのため、低電気抵抗や高い反射率が要求される用途、例えば、有機ＥＬディスプレイや液晶ディスプレイに使用される反射膜、配線用または電極用薄膜や、ＣＤやＤＶＤに代表される光ディスク媒体に使用される反射膜、半反射型半透過膜には、高反射率を有し且つ電気抵抗が低いＡｇまたはＡｇ基合金を使用することが提案されている。
【０００８】
液晶表示装置等のフラットパネルディスプレイには一般にカラーフィルターが使用されるが、カラーフィルターの中にはハロゲンを含有しているものがあり、反射膜、配線膜および／または電極膜上にカラーフィルターを付ける際、工程中に２５０℃付近まで加熱する場合があり、その加熱によりカラーフィルターに含まれる微量のハロゲン元素が遊離してＡｇとが反応し白濁もしくは黄変するという問題がある。
【０００９】
また、光学記録媒体においても、ＣＤやＤＶＤの製造工程で基板同士を貼り合わせる場合があり、その際使用される接着剤にハロゲンが含有されていると、８０℃程度の温度にさらされた場合に遊離ハロゲンが発生して反応し、反射率が低下するという問題点がある。
【００１０】
さらに、多層型光学記録媒体や半反射型液晶ディスプレイには、照射光の一部が反射し且つ一部が透過する膜厚が１〜５０ｎｍ程度の半反射型半透過膜が使用されているが、このような薄膜に対しては、熱や湿度に対する高い安定性が求められている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明の主たる目的は、熱による微量の遊離ハロゲンとの反応による反射率の低下を抑制し且つ耐熱性を改善しつつ、高い反射率および低い電気抵抗を有し、しかも熱や湿度に対しても高い安定性を有する反射膜、配線用または電極用薄膜および半反射型半透過膜、ならびにかかる膜の製造に有用なスパッタリングターゲット材および蒸着材料を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明者らは、上記の目的を達成すべく鋭意検討を重ねた結果、今回、Ａｇに、特定少量のＣｕとＴｅ、ＳｅおよびＰの少なくとも１種の元素とＭｎの３ないし５成分を複合添加して合金化すると、Ａｇがもつ高い反射率および低い電気抵抗を維持しつつ、熱による微量の遊離ハロゲンとの反応による反射率の低下が格段に抑制され且つ耐熱性が格段に向上したＡｇ基合金薄膜が得られること、また、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、ＲｕおよびＩｒの少なくとも１種を少量追加添加して合金化すると耐食性が向上すること、さらに、Ｎｉ、Ｆｅ、ＢｉおよびＣｒの少なくとも１種を少量追加添加して合金化すると耐熱性がさらに向上することを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１３】
かくして、本発明は、ＡｇとＣｕとＴｅ、ＳｅおよびＰの少なくとも1種の元素とＭｎを含んでなるＡｇ基合金からなり、Ｃｕを０．００５〜４．９９５ｍａｓｓ％、Ｔｅ、ＳｅおよびＰの少なくとも1種の元素を０．００５〜２．０ｍａｓｓ％そしてＭｎを０．００５〜３．０ｍａｓｓ％含有し且つＣｕ／（ＴｅおよびＳｅの少なくとも1種の元素）の比率が０．７５以上であることを特徴とするスパッタリングターゲット材および蒸着材料、ならびに反射膜、配線用または電極用薄膜および膜厚が５０ｎｍ以下の半反射型半透過膜を提供するものである。
【００１４】
本発明は、また、さらにＩｎ、ＳｎおよびＺｎから選ばれる少なくとも１種の金属を０．００５〜２．０ｍａｓｓ％含有する上記のＡｇ基合金からなることを特徴とするスパッタリングターゲット材および蒸着材料、ならびに反射膜、配線用または電極用薄膜および膜厚が５０ｎｍ以下の半反射型半透過膜を提供するものである。
【００１５】
本発明は、また、さらにＰｄ、Ａｕ、Ｐｔ、ＲｕおよびＩｒから選ばれる少なくとも１種の金属を０．００５〜２．０ｍａｓｓ％含有する上記のＡｇ基合金からなることを特徴とするスパッタリングターゲット材および蒸着材料、ならびに反射膜、配線用または電極用薄膜および膜厚が５０ｎｍ以下の半反射型半透過膜を提供するものである。
【００１６】
本発明は、また、さらにＦｅ、Ｎｉ、ＢｉおよびＣｒから選ばれる少なくとも１種の金属を０．００５〜３．０ｍａｓｓ％含有する上記のＡｇ基合金からなることを特徴とするスパッタリングターゲット材および蒸着材料、ならびに反射膜、配線用または電極用薄膜および膜厚が５０ｎｍ以下の半反射型半透過膜を提供するものである。
【００１７】
本発明は、また、さらにＩｎ、ＳｎおよびＺｎから選ばれる少なくとも１種の金属と、Ｐｄ、Ａｕ、Ｐｔ、ＲｕおよびＩｒから選ばれる少なくとも１種の金属を合計で０．０１〜４．０ｍａｓｓ％含有する上記のＡｇ基合金からなることを特徴とするスパッタリングターゲット材および蒸着材料、ならびに反射膜、配線用または電極用薄膜および膜厚が５０ｎｍ以下の半反射型半透過膜を提供するものである。
【００１８】
本発明は、また、さらにＩｎ、ＳｎおよびＺｎから選ばれる少なくとも１種の金属と、Ｆｅ、Ｎｉ、ＢｉおよびＣｒから選ばれる少なくとも１種の金属を合計で０．０１〜５．
０ｍａｓｓ％含有する上記のＡｇ基合金からなることを特徴とするスパッタリングターゲット材および蒸着材料、ならびに反射膜、配線用または電極用薄膜および膜厚が５０ｎｍ以下の半反射型半透過膜を提供するものである。
【００１９】
本発明は、また、さらにＰｄ、Ａｕ、Ｐｔ、ＲｕおよびＩｒから選ばれる少なくとも１種の金属と、Ｆｅ、Ｎｉ、ＢｉおよびＣｒから選ばれる少なくとも１種の金属を合計で０．０１〜５．０ｍａｓｓ％含有する上記のＡｇ基合金からなることを特徴とするスパッタリングターゲット材および蒸着材料、ならびに反射膜、配線用または電極用薄膜および膜厚が５０ｎｍ以下の半反射型半透過膜を提供するものである。
【００２０】
本発明は、また、さらにＩｎ、ＳｎおよびＺｎから選ばれる少なくとも１種の金属と、Ｐｄ、Ａｕ、Ｐｔ、ＲｕおよびＩｒから選ばれる少なくとも１種と、Ｆｅ、Ｎｉ、ＢｉおよびＣｒから選ばれる少なくとも１種の金属を合計で０．０１５〜７．０ｍａｓｓ％含有する上記のＡｇ基合金からなることを特徴とするスパッタリングターゲット材および蒸着材料、ならびに反射膜、配線用または電極用薄膜および膜厚が５０ｎｍ以下の半反射型半透過膜を提供するものである。
【００２１】
以下、本発明についてさらに詳細に説明する。なお、本明細書において、反射膜、配線用または電極用薄膜および半反射型半透過膜を総称して単に「薄膜」という。
【００２２】
本発明の薄膜は、基本的には、Ａｇをベースとし、これにＣｕとＴｅ、ＳｅおよびＰの少なくとも１種の元素とＭｎとの３ないし５成分を複合添加し合金化してなる四元系のＡｇ基合金からなり、Ｃｕを０．００５〜４．９９５ｍａｓｓ％、好ましくは０．１〜２ｍａｓｓ％、Ｔｅ、ＳｅおよびＰの少なくとも1種の元素を０．００５〜２．０ｍａｓｓ％、好ましくは０．０１〜１ｍａｓｓ％、そしてＭｎを０．００５〜３．０ｍａｓｓ％、好ましくは０．０１〜２ｍａｓｓ％含有し、残りは実質的にＡｇと不可避不純物であることができる。また、上記元素としてＴｅおよび／またはＳｅを使用する場合、添加されるＣｕとＴｅおよびＳｅの少なくとも１種の元素との比率：Ｃｕ／（ＴｅおよびＳｅの少なくとも１種の元素）は０．７５以上、好ましくは０．９〜２の範囲内であることが重要である。該比率が０．７５より小さいと、一般に、十分な耐熱性がえられず、加熱時に反射率の低下が大きくなる。
【００２３】
また、本発明の薄膜におけるＣｕとＴｅ、ＳｅおよびＰの少なくとも１種の元素とＭｎとの３成分の合計の含有量は、一般に０．０１５〜９．９９５ｍａｓｓ％、好ましくは０．０５〜２．０ｍａｓｓ％の範囲内とすることができる。
【００２４】
本発明の薄膜は、また、基本の上記四元系のＡｇ基合金成分に、さらに、Ｉｎ、ＳｎおよびＺｎから選ばれる少なくとも１種の金属元素（以下、「Ａ群金属元素」という）を添加し合金化してなる五元系のＡｇ基合金からなることができる。この五元系のＡｇ基合金において、Ａ群金属元素の含有量は、それぞれ、０．００５〜２．０ｍａｓｓ％、好ましくは０．１〜１．５ｍａｓｓ％の範囲内とすることができる。これらのＡ群金属元素の添加により、得られるＡｇ基合金の耐食性を向上させることができる。
【００２５】
本発明の薄膜は、また、上記四元系のＡｇ基合金成分に、さらに、Ｐｄ、Ａｕ、Ｐｔ、ＲｕおよびＩｒから選ばれる少なくとも一種の金属元素（以下、「Ｂ群金属元素」という）を添加し合金化してなる五元系のＡｇ基合金からなることができる。この五元系のＡｇ基合金において、Ｂ群金属元素の含有量は、それぞれ、０．００５〜２．０ｍａｓｓ％、好ましくはＡｕは０．０１〜０．８ｍａｓｓ％、Ｐｄは０．０１〜１．５ｍａｓｓ％、Ｐｔは０．０１〜０．８ｍａｓｓ％、Ｒｕは０．０１〜０．５ｍａｓｓ％そしてＩｒは０．０１〜０．２ｍａｓｓ％の範囲内とすることができる。これらのＢ群金属元素の添加によ
っても、得られるＡｇ基合金の耐食性を向上させることができる。
【００２６】
本発明の薄膜は、また、上記四元系のＡｇ基合金成分に、さらに、Ｆｅ、Ｎｉ、ＢｉおよびＣｒから選ばれる少なくとも一種の金属元素（以下、「Ｃ群金属元素」という）を添加し合金化してなる五元系のＡｇ基合金からなることができる。この五元系のＡｇ基合金において、Ｃ群金属元素の含有量は、それぞれ、０．００５〜３．０ｍａｓｓ％、好ましくは０．０１〜２．０ｍａｓｓ％の範囲内とすることができる。これらのＣ群金属元素の添加によって、得られるＡｇ基合金の耐熱性をさらに向上させることができる。
【００２７】
本発明の薄膜は、また、上記四元系のＡｇ基合金成分に、さらに、Ａ群金属元素とＢ群金属元素の両者を添加し合金化してなる六元系のＡｇ基合金からなることもできる。この六元系のＡｇ基合金において、Ａ群金属元素の含有量は、それぞれ、０．００５〜２．０ｍａｓｓ％、好ましくは０．０１〜１．５ｍａｓｓ％の範囲内とすることができ、また、上記Ｂ群金属元素の含有量は、それぞれ、０．００５〜２．０ｍａｓｓ％、好ましくはＡｕは０．０１〜０．８ｍａｓｓ％、Ｐｄは０．１〜１．５ｍａｓｓ％、Ｐｔは０．０１〜０．８ｍａｓｓ％、Ｒｕは０．０１〜０．５ｍａｓｓ％そしてＩｒは０．０１〜０．２ｍａｓｓ％の範囲内とすることができる。Ａ群金属元素とＢ群金属元素の両者を同時に添加することによって、得られるＡｇ基合金の耐食性をさらに一層向上させることができる。
【００２８】
本発明の薄膜は、また、上記四元系のＡｇ基合金成分に、Ａ群金属元素とＣ群金属元素の両者を添加し合金化してなる六元系のＡｇ基合金からなることもできる。この六元系のＡｇ基合金において、Ａ群金属元素の含有量は、それぞれ、０．００５〜２．０ｍａｓｓ％、好ましくは０．０１〜１．５ｍａｓｓ％の範囲内とすることができ、また、上記Ｃ群金属元素の含有量は、それぞれ、０．００５〜３．０ｍａｓｓ％、好ましくは０．０１〜２．０ｍａｓｓ％の範囲内とすることができる。Ａ群金属元素とＣ群金属元素の両者を同時に添加することによって、得られるＡｇ基合金の耐食性を向上させることができるとともに、耐熱性をさらに一層向上させることができる。
【００２９】
本発明の薄膜は、また、上記四元系のＡｇ基合金成分に、さらに、Ｂ群金属元素とＣ群金属元素の両者を添加し合金化してなる六元系のＡｇ基合金からなることもできる。この六元系のＡｇ基合金において、Ｂ群の金属元素の含有量は、それぞれ、０．００５〜２．０ｍａｓｓ％、好ましくはＡｕは０．０１〜０．８ｍａｓｓ％、Ｐｄは０．０１〜１．５ｍａｓｓ％、Ｐｔは０．０１〜０．８ｍａｓｓ％、Ｒｕは０．０１〜０．５ｍａｓｓ％そしてＩｒは０．０１〜０．２ｍａｓｓ％の範囲内とすることができ、また、Ｃ群の金属元素の含有量は、それぞれ、０．００５〜３．０ｍａｓｓ％、好ましくは０．０１〜２．０ｍａｓｓ％の範囲内とすることができる。Ｂ群金属元素とＣ群金属元素の両者を同時に添加することによって、得られるＡｇ基合金の耐食性を向上させることができるとともに、耐熱性をさらに一層向上させることが
できる。
【００３０】
本発明の薄膜は、また、上記四元系のＡｇ基合金成分に、さらに、Ａ群金属元素とＢ群金属元素とＣ群金属元素の三者を添加し合金化してなる七元系のＡｇ基合金からなることができる。この七元系のＡｇ基合金において、Ａ群金属元素の含有量は、それぞれ、０．００５〜２．０ｍａｓｓ％、好ましくは０．０１〜１．５ｍａｓｓ％の範囲内とすることができ、Ｂ群金属元素の含有量は、それぞれ、０．００５〜２．０ｍａｓｓ％、好ましくはＡｕは０．０１〜０．８ｍａｓｓ％、Ｐｄは０．０１〜１．５ｍａｓｓ％、Ｐｔは０．０１〜０．８ｍａｓｓ％、Ｒｕは０．０１〜０．５ｍａｓｓ％そしてＩｒは０．０１〜０．２ｍａｓｓ％の範囲内とすることができ、そしてＣ群金属元素の含有量は、それぞれ、０．００５〜３．０ｍａｓｓ％、好ましくは０．０１〜２．０ｍａｓｓ％の範囲内とすることができる。かくして、Ａ群金属元素とＢ群金属元素とＣ群金属元素の三者を同時に添
加することによって、得られるＡｇ基合金の耐食性および耐熱性を格段に向上させることができる。
【００３１】
本発明に従うＡｇ基合金は、それ自体既知の方法に従い、例えば、ＡｇにＣｕとＴｅ、ＳｅおよびＰの少なくとも１種の元素とＭｎを上記の量で添加し、あるいはＡｇにＣｕとＴｅ、ＳｅおよびＰの少なくとも１種の元素とＭｎとさらにＡ群金属元素、Ｂ群金属元素またはＣ群金属元素の１成分を上記の量で添加し、あるいはＡｇにＣｕとＴｅ、ＳｅおよびＰの少なくとも１種の元素とＭｎとさらにＡ群金属元素およびＢ群金属元素、Ａ群金属元素およびＣ群金属元素またはＢ群金属元素およびＣ群金属元素の２成分を上記の量で添加し、あるいはＡｇにＣｕとＴｅ、ＳｅおよびＰの少なくとも１種の元素とＭｎとさらにＡ群金属元素、Ｂ群金属元素およびＣ群金属元素の３成分を上記の量で添加して原料配合物を調製し、それをガス炉、高周波溶解炉などの適当な金属溶解炉内で約１０００〜約１２００℃の温度で溶融することにより製造することができる。溶解時の炉雰囲気としては通常大気が用いられるが、必要に応じて不活性ガス雰囲気もしくは真空を使用することもできる。また、溶融状態の上記Ａｇ基合金を適当な型に流し込むかまたは前記原料配合物を焼結してインゴットを作製し、次いでそれを鍛造し、必要に応じて鍛造したインゴットを冷間または熱間圧延して板状にした後、所定の大きさに切削することにより、本発明のスパッタリングターゲット材または蒸着材料を作製することができる。また、本発明のスパッタリングターゲット材または蒸着材料は、例えば、上記の如くして調製される原料配合物を型に入れ、ホットプレス法、ＨＩＰ法などにより焼結することによっても作製することができる。
【００３２】
使用される主原料であるＡｇとしては、粉末状、粒状、板状、塊状等の形態で市販されているものを使用することができ、通常、純度が９９．９５％以上、好ましくは９９．９９％以上のものが好適である。また、添加元素であるＣｕ、Ｔｅ、Ｓｅ、Ｐ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｂｉ、Ｃｒとしては、粉末状、粒状、板状、塊状等の形態で市販されているものを使用することができ、通常、純度が９９．９％以上、好ましくは９９．９５％以上のものが好適である。
【００３３】
本発明の薄膜は、例えば、上記の如くして成形されるスパッタリングターゲット材を、それ自体既知のスパッタリング法、例えば、高周波（ＲＦ）スパッタリング法、直流（ＤＣ）スパッタリング法などにより適当な基体上にスパッタリングし成膜することにより作製することができる。
【００３４】
本発明の薄膜は、また、例えば、ベースとなるスパッタリングターゲット材を作製しそして別に他の添加金属元素の１種もしくは複数種からなるバルクチップを作製し、該バルクチップを所定の組成になるようにしてベースとなるスパッタリングターゲット材上に載せたり、埋め込む等することにより複合型スパッタリングターゲット材を作製し、その複合型ターゲット材を上記のようにして基体上にスパッタリングし成膜したりすることにより作製することもできる。
【００３５】
あるいはまた、本発明の薄膜は、例えば、前記原料配合物の溶解インゴットやプレス成形体などの蒸着材料を電子ビームなどにより蒸発または昇華させ、基板上に付着凝固させて薄膜を作製することからなる蒸着法のよっても作製することができる。
【００３６】
本発明の薄膜は、さらに、例えば、上記の如くして得られるＡｇ基合金からなるインゴットまたは板を用い、それ自体既知の方法に従い、Ａｇ基合金を適当な基体上に蒸着などにより成膜することによっても作製することができる。
【００３７】
膜厚が５０ｎｍ以下、好ましくは１〜３０ｎｍの半反射型半透過膜は、例えば、上記の
スパッタリング法や蒸着法による成膜において、スパッタリングや蒸着の時間または出力などを制御することによって形成される膜の厚さをコントロールすることにより作製することができる。
【００３８】
また、本発明の薄膜から配線膜または電極膜の作製は、例えば、上記のスパッタリング法や蒸着法による成膜を、フォトエッチング法やフォトマスク法と組み合わせることにより行うことができる。
【００３９】
かくして得られるＡｇ基合金から構成される薄膜は、Ａｇが本来もつ高い反射率および低電気抵抗を維持しつつ、従来のＡｇに比べて耐熱性や耐ハロゲン性が格段に向上している。
【００４０】
したがって、本発明のＡｇ基合金から構成される薄膜は、例えば、高反射率が要求されるＣＤやＤＶＤに代表される光ディスク媒体の反射膜として、また、液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置などの反射膜、配線膜または電極膜として、さらに半反射型液晶表示装置や多層型光学記録媒体用として、あるいはまた二層方式のＤＶＤ−Ｒ  ＤＬ（Ｄｏｕｂｌｅ
Ｌａｙｅｒ）等に代表される多層型光学記録媒体の半反射・半透過層として有利に使用することができる。
【００４１】
以下、本発明を実施例によりさらに具体的に説明する。
【実施例】
【００４２】
Ａｇに、０．５９５ｍａｓｓ％のＣｕおよび０．５９５ｍａｓｓ％のＴｅ、または０．６８ｍａｓｓ％のＣｕおよび０．１２ｍａｓｓ％のＰを添加し、ガス炉にて溶解、鋳造し、インゴットを作製し、その後熱間鍛造を行い、鍛造したインゴットを熱間もしくは冷間圧延し、所定の厚さまで圧延した後、φ４インチに切削してスパッタリングターゲット材を作製した。さらに、比較用としてＡｇのみを上記と同様にして処理し、Ａｇターゲット材を作製した。
作製したスパッタリングターゲット材の元素分析値を表１に示す。
【表１】
0004585952.tif 000002
【００４３】
上記のスパッタリングターゲット材上に所定量の表２に示すバルクチップを１つまたは複数載せ、本発明に従う複合ターゲット材を作製した。さらに、Ａｇターゲット材上に、Ｍｎチップまたは５０ｍａｓｓ％Ｃｕ−５０ｍａｓｓ％Ｔｅ合金チップまたは５０ｍａｓｓ％Ｃｕ−５０ｍａｓｓ％Ｍｎ合金チップを載せ、比較例の複合ターゲット材を作製した。Ａｇターゲット材またはこれら複合ターゲット材をガラス板上に膜厚が２００ｎｍとなるように高周波（ＲＦ）スパッタリング法により成膜し、実施例用薄膜サンプル（サンプ
ルＮｏ．１−１〜１−１５）および比較例用薄膜サンプル（サンプルＮｏ．１−１〜１−４）を作製した。各薄膜サンプルの一部を採り、ガラス基板上の薄膜を硝酸などで溶液化し、ＩＣＰ発光分光分析装置にて分析した。その結果を表３に示す。
【表２】
0004585952.tif 000003
【００４４】
【表３】
0004585952.tif 000004
【００４５】
前記において、分析用に作製した薄膜サンプル以外に、性能試験用としてターゲット材の位置を動かさずに膜厚が１３０ｎｍの薄膜サンプルを同時に作製した。
【００４６】
作製した薄膜サンプルの組成の分析値は、上記表３に記載のとおりであり、また、作製した薄膜サンプルの反射率は、実施例および比較例ともに、６００〜７００ｎｍの波長域で９５％以上であった。
【００４７】
耐ハロゲン性試験
【００４８】
作製した各薄膜サンプル（膜厚１３０ｎｍ）の反射率を測定後、過飽和のＮａＣｌ水溶液に２〜３秒間浸漬し、取出し熱風乾燥機により乾燥し、薄膜上にＮａＣｌを膜状に堆積させ、８０℃で１時間熱処理した後、水洗してＮａＣｌ膜を除去し、乾燥し、再度反射率を測定し、処理前後の反射率の変化率を下記式（１）により算出した。反射率は入射角５°の絶対反射率の値を用いた。その結果を表４に示す。
変化率(％)=１００-（試験後の反射率/試験前の反射率×１００）        （１）
【００４９】
【表４】
0004585952.tif 000005
【００５０】
また、半反射型半透過膜の耐ハロゲン性を試験するため、前記と同様にしてターゲット材の位置を動かさずに膜厚が２０ｎｍの薄膜サンプルを作製した。
【００５１】
各薄膜サンプル（膜厚２０ｎｍ）の反射率および透過率を測定後、過飽和のＮａＣｌ水溶液に２〜３秒間浸漬し、取出し熱風乾燥機により乾燥し、薄膜上にＮａＣｌを膜状に堆積させ、８０℃で１時間熱処理した後、水洗してＮａＣｌ膜を除去し、乾燥し、再度反射率および反射率を測定し、処理前後の反射率および透過率の変化率を下記式（２）により算出した。反射率は入射角５°の絶対反射率の値を用いた。その結果を表５に示す。
反射率および透過率の変化率(%)＝
[[１００−(試験後の反射率／試験前の反射率)×１００]2]1/2
＋［[１００−(試験後の透過率／試験前の透過率) ×１００]2]1/2    （２）
【００５２】
【表５】
0004585952.tif 000006
【００５３】
遊離ハロゲンと熱の両者による影響を簡便に評価するする方法として、各薄膜サンプル（膜厚１３０ｎｍ）の反射率を測定後、２０％のＫＩ水溶液に２〜３秒間浸漬し、水洗し乾燥し、２５０℃で１時間熱処理した後、再度反射率を測定し、反射率の変化率を前記式（１）により算出した。反射率は入射角５°の絶対反射率の値を用いた。その結果を表６に示す。
【表６】
0004585952.tif 000007
【００５４】
表４〜６に示す結果によれば、実施例１-1〜1-15に代表される本発明のスパッタリングターゲット材または蒸着材料から作製される薄膜は、優れた耐ハロゲン性を示し、しかも、加熱下でも優れた耐ハロゲン性を有していることがわかる。