(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源と、光源からの出射光を光記録媒体上に集光させるための対物レンズと、光源と対物レンズとの間に設けられた出射光の波面を変化させる位相補正素子と、波面を変化させるための電圧を位相補正素子へ出力する制御電圧発生手段とを備えた光ヘッド装置であって、
位相補正素子は一対の透明基板と、透明基板間に挟持された液晶層と、液晶層への電圧印加時に使用される、透明基板面上の分割された複数の電極とを備えており、
同一透明基板上の複数の電極のうち２つ以上が第１の抵抗体を挟んで導電接続されており、さらに少なくとも１つの第１の抵抗体の一方の末端が、第２の抵抗体の一方の末端に導電接続され、かつ、第２の抵抗体の他方の末端が制御電圧発生手段のみ、に導電接続されているとともに、第１、第２の抵抗体は透明導電性薄膜により形成された薄膜抵抗であって、
前記位相補正素子の透明基板上に形成され、直列接続される第１と第２の抵抗体の両末端には、制御電圧発生手段から同位相で振幅が異なる電圧が印加され、電圧の振幅を調整して収差を補正させることを特徴とする光ヘッド装置。
【請求項２】
第２の抵抗体の抵抗値は、第１の抵抗体の抵抗値の総和の０.２倍から１倍までの値を有する請求項１記載の光ヘッド装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光ディスクや光磁気ディスクなどの光記録媒体の情報の記録・再生を行う光ヘッド装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
光ディスクであるＤＶＤは、同じく光ディスクであるＣＤに比べデジタル情報が高密度で記録されており、ＤＶＤを再生するための光ヘッド装置は、光源の波長をＣＤの７８０ｎｍよりも短い６５０ｎｍまたは６３５ｎｍとしたり、対物レンズの開口数（ＮＡ）をＣＤの０．４５よりも大きい０．６にして光ディスク面上に集光するスポット径を小さくしている。
【０００３】
さらに、次世代の光記録においては光源の波長を４００ｎｍ程度、ＮＡを０．６以上とすることで、より大きな記録密度を得ることが提案されている。しかし、光源の短波長化や対物レンズの高ＮＡ化が原因で、光ディスク面が光軸に対して直角より傾くチルトの許容量や光ディスクの厚みムラの許容量が小さくなる。
【０００４】
これら許容量が小さくなる理由は、光ディスクのチルトの場合にはコマ収差が発生し、光ディスクの厚みムラの場合には球面収差が発生するために、光ヘッド装置の集光特性が劣化して信号の読み取りが困難になることによる。高密度記録において、光ディスクのチルトや厚みムラに対する光ヘッド装置の許容量を拡げるためにいくつかの方式が提案されている。
【０００５】
一つの方式として、通常光ディスクの接線方向と半径方向との２軸方向に移動する対物レンズのアクチュエータに、検出されたチルト角に応じて対物レンズを傾けるように傾斜用の軸を追加する方式がある。しかし、この追加方式では球面収差は補正できないことや、アクチュエータの構造が複雑になることなどの問題がある。
【０００６】
また別の方式として、対物レンズと光源との間に備えた位相補正素子により波面収差を補正する方式がある。この補正方式では、アクチュエータに大幅な改造を施すことなく光ヘッド装置に素子を組み入れるだけで光ディスクのチルトの許容量や厚みムラの許容量を拡げることができる。
【０００７】
例えば、位相補正素子を用いて光ディスクのチルトを補正する上記の補正方式に特開平１０−２０２６３がある。これは、位相補正素子を構成している液晶などの複屈折性材料を挟持している一対の基板のそれぞれに、電極が分割されて形成された分割電極に電圧を印加して、複屈折性材料の実質的な屈折率を光ディスクのチルト角に応じて変化させ、この屈折率の変化により発生した透過光の位相（波面）変化により、光ディスクのチルトで発生したコマ収差を補正する方式である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
液晶を利用した位相補正素子で波面収差を補正するには、位相補正素子の場所により異なる電圧を印加して液晶分子の配向を変化させ、生じた屈折率分布による位相変化と補正する波面収差を相殺させる。したがって、発生させる位相変化量は液晶に印加する電圧で制御するが、位相変化の電圧依存性が急峻である場合、細かく位相変化を制御するためには、電圧の変化量を微細に制御する必要があるために、制御性が悪くなる。特に、ある種の液晶において、液晶の厚さを増加して複屈折性を高めた場合、制御電圧をほとんど変化させなくとも、位相変化量が大きくなるために、位相変化の制御性が悪くなる。
【０００９】
このように制御性が悪い場合の解決方法して、電圧依存性の緩やかな特性を有する液晶材料を用いる、また液晶駆動用のより高精度な電圧発生回路を用いる方法があった。しかし、前者の場合は、液晶材料選定に制約があるとともに、他の特性とのトレードオフとなることがあり、また、後者の場合は、液晶駆動用の電圧発生回路のコスト高になる問題があった。したがって、液晶材料の特性に依存せず、また汎用の液晶駆動用の電圧発生回路を用いても、高精度に位相補正素子の位相変化を制御できる技術が望まれていた。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであり、光源と、光源からの出射光を光記録媒体上に集光させるための対物レンズと、光源と対物レンズとの間に設けられた出射光の波面を変化させる位相補正素子と、波面を変化させるための電圧を位相補正素子へ出力する制御電圧発生手段とを備えた光ヘッド装置であって、位相補正素子は一対の透明基板と、透明基板間に挟持された液晶層と、液晶層への電圧印加時に使用される、透明基板面上の分割された複数の電極とを備えており、同一透明基板上の複数の電極のうち２つ以上が第１の抵抗体を挟んで導電接続されており、さらに少なくとも１つの第１の抵抗体の一方の末端が、第２の抵抗体の一方の末端に導電接続され、かつ、第２の抵抗体の他方の末端が制御電圧発生手段のみ、に導電接続されているとともに、第１、第２の抵抗体は透明導電性薄膜により形成された薄膜抵抗であって、前記位相補正素子の透明基板上に形成され、直列接続される第１と第２の抵抗体の両末端には、制御電圧発生手段から同位相で振幅が異なる電圧が印加され、電圧の振幅を調整して収差を補正させることを特徴とする光ヘッド装置を提供する。
【００１４】
また、第２の抵抗体の抵抗値は、第１の抵抗体の抵抗値の総和の０.２倍から１倍までの値を有する上記の光ヘッド装置を提供する。
【００１５】
【発明の実施の形態】
図４に本発明の光ヘッド装置の原理構成の一例を示す。図４に示した光ヘッド装置はＣＤまたはＤＶＤなどの光ディスク８に記録された情報を再生するためのものであり、光源である例えば半導体レーザ１から出射した光は例えばホログラムタイプの偏光ビームスプリッタ２を透過した後、コリメートレンズ３により平行光となり、位相補正素子４を透過後、４分の１波長板５を透過し、立ち上げミラー１１で９０°方向に反射され、アクチュエータ７に設置された対物レンズ６により光ディスク８上に集光される。集光された光は光ディスク８により反射され対物レンズ６、立ち上げミラー１１、４分の１波長板５、位相補正素子４、コリメートレンズ３を順次先程とは逆に透過した後、偏光ビームスプリッタ２により回折され光検出器９に入射する。前述の半導体レーザ１からの出射光が光ディスク８により反射される際、光ディスクの面上に記録された情報により反射光は振幅変調され、光検出器９により光強度信号として記録情報を読み取ることができる。
【００１６】
偏光ビームスプリッタ２は例えば偏光性のホログラムを備えており、異方性方向（屈折率に差がある方向）に偏光成分を有する光を強く回折して光検出器９に導く。光検出器９より得られる光ディスクの例えば再生信号の強度が最適となるように、位相補正素子４に向けて制御電圧発生手段である位相補正素子制御回路１０により電圧が出力される。位相補正素子制御回路１０より出力される電圧は、光ディスクのチルト量や厚みムラに応じた電圧であり、位相補正素子４の電極に印加する実質的に変化する電圧となる。
【００１７】
次に本発明において使用する位相補正素子の構成を図２を用いて説明する。透明基板２１ａ、２１ｂが、例えばエポキシ系樹脂を主成分とするシール材２２により接着され液晶セルを形成している。透明基板２１ａ、２１ｂには、ガラス、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、塩化ビニル系樹脂、ポリカーボネートなどが使用できるが、耐久性などの点からガラスの基板が好ましい。したがって、以下では基板の材料としてガラスを使用する場合について説明する。
【００１８】
シール材２２には例えばガラス製のスペーサと、例えば樹脂の表面に金などを被膜した導電性スペーサが含有されている。ガラス基板２１ａの内側表面には、内側表面から電極２４ａ、シリカなどを主成分とする絶縁膜２５ａ、配向膜２６ａがこの順に、またガラス基板２１ｂの内側表面には、内側表面から電極２４ｂ、シリカなどを主成分とする絶縁膜２５ｂ、配向膜２６ｂがこの順に被膜されている。液晶セルの外側表面には反射防止膜が被膜されていてもよい。
【００１９】
電極２４ａは電極引出部２７でフレキシブル基板などによって位相補正素子制御回路と接続できるようパターン配線されている。また電極２４ｂは上述の金などを被膜した導電性スペーサによりガラス基板２１ａ上に形成された電極２４ａと電気的に接続しており、したがって、電極２４ｂは電極引出部２７で接続線によって位相補正素子制御回路と接続できる。図２には、電極２４ｂと電極２４ａとがシール材２２と接している様子が示されていないが、紙面と平行なシール材とは接しており両電極は電性スペーサを通じて電気的に接続されている。液晶セル内部には液晶が充填され液晶層２３とされており、図２に示した液晶分子２８は、一方向に配向されたホモジニアス配向の状態にある。使用される液晶はディスプレイなどで用いられているネマティック液晶が好ましく、ツイストしていてもよい。
【００２０】
配向膜２６ａ、ｂの材料としては、液晶分子２８のプレチルト角が２〜１０゜となれば好ましく、ポリイミド膜を図２の紙面に平行で左右方向にラビングしたものや、シリカ膜を斜め蒸着したものなどがよい。電極２４ａ、２４ｂの材質は透過率が高い方が望ましく、ＩＴＯ膜などの透明導電膜を使用すればよい。
【００２１】
以上は位相補正素子を用いて波面を変化させる機能に必要な構成を述べたが、波長板や偏光性のホログラムを位相補正素子４に積層することにより、波長板５や偏光ビームスプリッタ２の機能を位相補正素子４が併せ持つようにできる。この場合、光ヘッド装置を構成する光学部品の点数が減ることで組立、調整が簡易となり、生産性が向上して好ましい。
【００２２】
また位相補正素子４に、回折格子や光源の波長により光束径を変化させるためのダイクロイック開口制限層などを積層し、またガラス基板２１ａ、２１ｂの外側表面上に直接形成することもでき、この場合も個々の部品を新たに追加することに比べて生産性が向上して好ましい。波長板を積層する場合には、光ディスク側のガラス基板に直接貼り合せるか、または貼り合わせたガラス基板をさらに積層すればよい。
【００２３】
次に本発明における位相補正素子を用いて波面収差を補正する方法について述べる。図３はディスクチルトにより発生するコマ収差分布を示すものであり、対物レンズのＮＡが０.６、光ディスクの厚さ０.１ｍｍ、ディスクチルト角は１°である。
【００２４】
図１は、本発明における位相補正素子の電極パターンおよび変圧用抵抗の等価回路の一例を示し、ラジアル方向（図中の上下方向）のディスクチルトにより発生したコマ収差を補正するための例である。分割された電極３１〜３５は位相補正素子内部の電極２４ａ（図２）を、フォトリソグラフィー技術を用いてパターニングしたものであり、さらに電極３１と電極３４、および電極３２と電極３５は、第１の抵抗体である電極内部の配線によりおのおの導電接続されていて（太線で図示）、等電位電極になっている。また、抵抗値Ｒｓを有する変圧用抵抗３６、および抵抗値Ｒｔを有する変圧用抵抗３７（これら変圧用抵抗は第２の抵抗体である）は、本例の場合各２個の抵抗が直列接続されており、その両末端は位相補正素子制御回路と接続されている。図４に示す光ヘッド装置では、図１に示す電極３１〜３５のパターン中心点を光軸が通過するように位相補正素子を設置する。
【００２５】
上述のように、位相補正素子制御回路はディスクチルト量に応じて、異なる電圧を位相補正素子に供給する。図１に示した例の場合、固定電圧をＶａ、Ｖｂ、ディスクチルトに比例した補正電圧をΔＶとして、電圧Ｖａ＋ΔＶは電極３２、３５へ、電圧Ｖａは電極３３へ、電圧Ｖａ−ΔＶは電極３１、３４に対して出力される。一方、電圧Ｖｂの信号は液晶層を挟んで電極３１〜３５と対向する電極２４ｂに印加される。
【００２６】
図５は本発明における位相補正素子への印加電圧波形の一例を示す模式図である。Ｖａ、Ｖａ±ΔＶは、同位相であるが振幅が異なっている（図５の（ａ）、（ｂ）、（ｃ））。また、Ｖｂは、Ｖａとは逆位相の実効電圧値（時間的二乗平均根）が一定である交流波（ｄ）か、または電圧値が一定である直流波（ｅ）のいずれであってもよく、結果的に液晶に印加される実効電圧（電極２４ａ、２４ｂ間の電圧）が直流成分を持たないようにすればよい。
【００２７】
変圧用抵抗３６、３７に比べ電極３２、３５などを導電接続する配線の抵抗が無視できるほど小さい場合、光軸が通過する電極３３には電圧Ｖａが印加される。一方、電極３３に対する電極３１と３４の電圧差ΔＶ’、および電極３３に対する電極３２と３５の電圧差ΔＶ’は、位相補正素子制御回路の補正電圧ΔＶが変圧用抵抗３６、３７により変圧され、数（１）のように表される。
【００２８】
【数１】
0004547118.tif 000002
【００２９】
したがって、本発明の位相補正素子の場合、変圧用抵抗３６と３７との抵抗値の比Ｒｓ／Ｒｔにより、位相補正素子制御回路が発生する電圧幅ΔＶより小さな電圧を液晶に印加できる。
【００３０】
図６は本発明における位相補正素子に対する位相差電圧特性の一例を示す図であり、１.８Ｖｒｍｓを基準にし位相差ゼロとして縦軸＋側は位相が遅れる方向、−側は位相が進む方向である。従来の変圧用抵抗を用いない位相補正素子の場合、位相補正素子制御回路は図６の傾きである−１λ／Ｖｒｍｓで制御する必要があるが、図１に示した例においてＲｓ＝Ｒｔとした場合、（１）式よりΔＶ’＝０.５×ΔＶであるため、０.５λ／Ｖｒｍｓで制御できるため、制御性は向上する。
【００３１】
以上は、図１に示した例を用いて本発明における位相補正素子の動作原理を説明したが、同じ原理を用いることにより電極３１〜３５以外の電極形状を有する位相補正素子にも適用できる。図７は一般化された本発明における位相補正素子の等価回路を示す模式図である。電極Ａ１〜Ａｎ、電極Ｂ１〜Ｂｍは、位相補正素子の電極２４ａ、２４ｂ部分におのおの形成された電極であり液晶を挟んで対向している。以下、電極Ａ１〜Ａｎに関して述べる。
【００３２】
ｎ＋１個の変圧用抵抗ＲＡｔ、ＲＡ１〜ＲＡｎ−１、ＲＡｔ’は直列接続され、各抵抗間には電極Ａ１〜Ａｎが接続されており、両末端は位相補正素子制御回路に接続され電圧ＶＡ１、ＶＡ２が印加される。したがって、電極Ａ１〜Ａｎには、変圧用抵抗ＲＡｔ、ＲＡ１〜ＲＡｎ−１、ＲＡｔ’により分圧された電圧が印加され、ＲＡ１〜ＲＡｎ−１とＲＡｔ、ＲＡｔ’の値を適切に選ぶことにより、位相補正素子制御回路の電圧制御範囲を所望の範囲に調整できる。
【００３３】
また、ＲＡ１〜ＲＡｎ−１が全て同じ抵抗値の場合、電極Ａ１〜電極Ａｎに印加される電圧は等分割の電圧であるため、各対向電極間で発生する位相変化量は等分割になる。また、電極Ａ２〜電極Ａｎ−１のうちのいくつかは、ＶＡ３、ＶＡ４・・の電圧を個々に印加することもできる。しかし、ＶＡ３、ＶＡ４・・の電圧数が多くなると位相補正素子制御回路が複雑になるため好ましくなく、例えば光軸が通過する電極など、基準となる電極にのみＶＡｋを印加することが好ましい。以上、ｎ個の電極Ａ１〜Ａｎの場合、２つの変圧用抵抗ＲＡｔ、ＲＡｔ’とｎ−１個の変圧抵抗ＲＡ１〜Ｒｎ−１、および最低２つの電圧ＶＡ１、ＶＡ２により位相補正素子は動作できる。
【００３４】
２つのガラス基板間で、電極Ａ１〜Ａｎと対向するｍ個の電極Ｂ１〜Ｂｍにおいても、電極Ａ１〜Ａｎと同様に動作させることができる。しかし、図１に示した例のように、変圧用抵抗を用いず１つの平面電極に一つの電圧を印加する構成を採ることもできる。また、変圧用抵抗を用いずｍ個の電極Ｂ１〜Ｂｍ全てに対して、電圧ＶＢ１〜Ｖｍをそれぞれ印加できるよう位相補正素子制御回路を構成できる。複数の電極Ｂ１〜Ｂｍとすることで、前述したコマ収差だけでなく、球面収差、非点収差など異なる複数の波面収差成分を同時に補正できる。
【００３５】
電極数、電極形状、印加電圧数などは、波面収差の補正性能、位相補正素子制御回路の製作コストなどにより最適化すればよく、変圧用抵抗の抵抗値は所望の駆動電圧範囲が得られるように選択すればよい。変圧用抵抗の抵抗値は、配線などその他の部分の抵抗値に比べて大きくした方がよい。変圧用抵抗の抵抗値が小さい場合には、配線部分の電気的影響を無視できなくなるために、（１）式においても配線の影響を考慮する必要がある。場合によっては、各電極の配線長の違いなどにより電圧のバランスが崩れるなどするため好ましくない。したがって、変圧用抵抗の抵抗値は１ｋΩ以上にすることが好ましい。また、制御電圧幅を大きくするためには、第１の抵抗体と第２の抵抗体の比を適切にする必要がある。
ここで、第１の抵抗体の抵抗値とは図７のＲＡｔとＲＡｔ’の和Ｒｔであり、第２の抵抗体の抵抗値はＲＡ１〜ＲＡｎ−１の総和Ｒｓとする。ここで、ΔＶ＝ＶＡ１−ＶＡ２、電極Ａ１と電極Ａｎの電位差をΔＶ’とすると、オームの法則より制御電圧幅の拡大率βは、β＝ΔＶ／ΔＶ’＝１＋Ｒｔ／Ｒｓ、したがって、抵抗比Ｒｔ／Ｒｓを０.２から１までとすると、制御電圧幅の拡大率βを１.２倍から２倍にすることができ、位相補正素子制御回路の特性面において現実的な値となり好ましい。
変圧用抵抗Ｒｔ、Ｒｓは位相補正素子内部に形成してもよく（点線の囲みで表わした、図７の形態１）、位相補正素子外部の位相補正素子制御回路との間の結線中に配置してもよいし（破線の囲みで表わした、図７の形態２）、変圧用抵抗Ｒｓのみ位相補正素子内部に形成し、変圧用抵抗Ｒｔを位相補正素子外部に配置してもよい。
【００３６】
位相補正素子の内部に変圧用抵抗を配置する場合、透明電極２４ａ、２４ｂと同じ面に、所望の抵抗値が得られるよう寸法調整された薄膜抵抗を形成することで達成できる。変圧用抵抗を位相補正素子の内部に配置することにより、引き出し配線数が減る効果がある。
【００３７】
以上のように、本発明の光ヘッド装置を用いるとき、変圧用抵抗を上記の例のように配置することにより、実際の液晶の電圧駆動幅が狭い場合でも、位相補正素子制御回路の制御電圧幅を広げられるため、制御が容易となり、低コストの位相補正素子制御回路を使用できる。また、位相補正素子を用いることにより、コマ収差をはじめ球面収差、非点収差などの波面収差を補正できる。
【００３８】
【実施例】
「例１」
本例の光ヘッド装置は、光ディスクのチルトにより発生するコマ収差を補正する位相補正素子を備えており、同じ液晶材料を用いた従来例に比べ約２倍の電圧幅で制御できるため、電圧制御精度が低い位相補正素子制御回路を用いても精度よく補正できることが特徴である。本例における位相補正素子を組み込んだ光ヘッド装置は、図４に示したものと同じである。また、位相補正素子の断面構成は図２に示したものと同じである。
【００３９】
図１は本例における位相補正素子の電極パターンおよび変圧用抵抗の等価回路を示し、図２に示す電極２４ａ部に形成されている。斜線部はＩＴＯ膜により形成され分割された電極３１〜３５であり、ガラス基板にスパッタ法にてＩＴＯ膜を形成した後、フォトリソグラフィー技術によりパターニングして形成した。同時に変圧用抵抗３６、３７もＩＴＯ膜をパターニングして形成した。変圧用抵抗３６、３７は、幅５０μｍ、長さ１ｍｍの線状抵抗であり、抵抗値はＲｓ＝Ｒｔ＝１０ｋΩであった。
【００４０】
位相補正素子と位相補正素子制御回路はフレキシブル基板により導電接続されており、電圧Ｖａ、Ｖａ＋ΔＶおよびＶａ−ΔＶが電極２４ａに印加され、電圧Ｖｂ＝０Ｖが一様な電極２４ｂに印加された。本例では、電圧Ｖａは１.８Ｖｒｍｓであり、ΔＶは発生したディスクチルト量に比例して変化する補正電圧とした。おのおのの電圧波形は図５に示すような周波数１ｋＨｚの矩形交流波であり、交流波の上下幅の中心を０Ｖに設定した。
【００４１】
液晶による位相差の電圧特性は図６に示したものであり、-１λ／Ｖｒｍｓの勾配を有している。一方、式（１）によりＲｔ＝Ｒｓ＝１０ｋΩの場合は、ΔＶ’＝ΔＶ／２であるから、位相補正素子制御回路が発生する補正電圧ΔＶに対する位相差の電気特性の勾配は-０.５λ／Ｖｒｍｓであり、勾配が緩やかになったため位相補正素子の電圧制御が容易になった。
【００４２】
「例２」
本例の光ヘッド装置は、光ディスクの厚さムラにより生ずる球面収差を補正する位相補正素子を備えている。対物レンズは光ディスクの厚さが設計値からずれると球面収差を発生し信号の読み取り精度が低下する。この球面収差を補正する位相補正素子を図４の光ヘッド装置の位相補正素子４として組み込んだ。ただし、位相補正素子制御回路１０は本例の位相補正素子用に改良されている。
【００４３】
本例の位相補正素子の素子構造は図２に示したものと同じで、以下に述べる電極パターンおよび変圧用抵抗のみが異なっている。したがって位相補正素子の製造方法、構成材料などは例１と同じものを使用した。
【００４４】
図８は本例における位相補正素子の電極パターンおよび変圧用抵抗の等価回路を示し、図２に示す電極２４ａ部に形成されている。斜線部はＩＴＯ膜により形成され分割された電極４１〜４４であり、ガラス基板にスパッタ法にてＩＴＯ膜を形成した後、フォトリソグラフィー技術によりパターニングして形成した。電極４１〜４４は、第１の抵抗体である変圧用抵抗Ｒｓ１〜Ｒｓ３および、第２の抵抗体である変圧用抵抗Ｒｔ１、Ｒｔ２の間のＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄ各点に接続されている。変圧用抵抗Ｒｔ１、Ｒｓ１〜Ｒｓ３、Ｒｔ２は直列接続され、その末端は位相補正素子制御回路に接続されている。位相補正素子制御回路は、固定電圧Ｖａ、Ｖｂ、および光ディスクの厚さムラにより発生する球面収差量に比例した補正電圧ΔＶを発生する。本例では、電圧Ｖｂは０Ｖとし、電圧Ｖａ、Ｖａ±ΔＶの波形は図５に示すような周波数１ｋＨｚの矩形交流波とし、上下幅の中心を０Ｖに設定した。
【００４５】
図９に本例の位相補正素子と位相補正素子制御回路を導電接続するために用いたフレキシブル基板５２を模式的に図示した。接続部５３は位相補正素子制御回路と接続される部分であり、３つのメタルランド部が露出している（図中黒塗り）。一方、位相補正素子５１との接続は電極４１〜４４および対向電極２４ｂに対応する５本の接続線により導電接続されており、フレキシブル基板中に設置された第１の変圧用抵抗５４および第２の変圧用抵抗５５が接続されている。
【００４６】
図９の配線は図８の等価回路と同等であり、変圧用抵抗５４は図８のＲｓ１〜Ｒｓ３に、変圧用抵抗５５はＲｔ１、Ｒｔ２にそれぞれ対応している。変圧用抵抗５４、５５はフレキシブル基板上にハンダ付けされた抵抗素子であり、抵抗値はおのおの１０ｋΩと１５ｋΩであった。
【００４７】
液晶による位相差の電圧特性は、例１と同様に図６に示したものであり、-１λ／Ｖｒｍｓの勾配を有している。一方、図８におけるＡ点とＤ点の電圧差を２×ΔＶ’とすると、２×ΔＶ’＝２×ΔＶ×（Ｒｓ１＋Ｒｓ２＋Ｒｓ３）／（Ｒｔ１＋Ｒｓ１＋Ｒｓ２＋Ｒｓ３＋Ｒｔ２）の関係から、Ｒｓ１＝Ｒｓ２＝Ｒｓ３＝１０ｋΩ、Ｒｔ１＝Ｒｔ２＝１５ｋΩでは、ΔＶ’＝ΔＶ／２となる。したがって、位相補正素子制御回路が発生する補正電圧ΔＶに対する位相差の特性勾配は-０.５λ／Ｖｒｍｓとなり、特性勾配が緩やかになったため位相補正素子の電圧制御が容易になった。
【００４８】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の光ヘッド装置においては、位相補正素子と位相補正素子制御回路の間に設置された変圧用抵抗により、位相補正素子制御回路が発生する電圧幅より小さな電圧を位相補正素子に印加できるので、実際の液晶動作電圧幅より広い電圧幅で位相補正素子を制御できる。それにより、小さな電圧差で位相差量が急激に変化する場合においても、より大きな電圧差により位相差量を制御できるため、制御性が向上し通常の位相補正素子制御回路においても高精度で制御できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明における位相補正素子の電極パターンと変圧用抵抗の等価回路の一例を示す模式図。
【図２】本発明における位相補正素子の一例を示す断面図。
【図３】光ディスクのチルト１゜が発生したときの波面収差を示す図。
【図４】本発明の光ヘッド装置の原理構成の一例を示す概念的断面図。
【図５】本発明における位相補正素子制御回路が発生する電圧波形の一例を示す模式図、（ａ）Ｖａ＋ΔＶ、（ｂ）Ｖａ、（ｃ）Ｖａ−ΔＶ、（ｄ）Ｖａで、（ｂ）と逆位相、（ｅ）直流波。
【図６】実施例１、２などにおける位相補正素子により発生した位相変化の電圧特性を示す図。
【図７】一般化された位相補正素子の電極と変圧用抵抗の等価回路を示す模式図。
【図８】実施例２における位相補正素子の電極パターンと変圧用抵抗の等価回路を示す模式図。
【図９】実施例２における位相補正素子とフレキシブル基板を示す模式図。
【符号の説明】
１：半導体レーザ
２：偏光ビームスプリッタ
３：コリメートレンズ
４、５１：位相補正素子
５：４分の１波長板
６：対物レンズ
７：アクチュエータ
８：光ディスク
９：光検出器
１０：位相補正素子制御回路
１１：立ち上げミラー
２１ａ、２１ｂ：ガラス基板
２２：シール材
２３：液晶層
２４ａ、２４ｂ：電極
２５：絶縁膜
２６：配向膜
２７：電極引出部
２８：液晶分子
３１〜３５、４１〜４４：電極
３６、３７：変圧用抵抗
５２：フレキシブル基板
５３：電極取り出し部
５４、５５変圧用抵抗
【図１】
0004547118.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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