(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層を枠部にて略平面状に支持し、且つ、絶縁層の第１の面に、めっき形成された配線部の各配線の１面をそろえ、各配線を絶縁層に埋めて、配線部を略平面状に保持した半導体チップ搭載用配線部材で、絶縁層の第１面上に、半導体チップを搭載するためのダイパッドと、ダイパッド、配線部を囲み絶縁層を支持する枠部とを設け、前記絶縁層の第１の面と反対側の第２の面に、外部回路と接続するための外部端子をエリアアレイ配列したもので、各外部端子部は、絶縁層部に設けられた配線層に通じる開口を介して配線と接続されている半導体チップ搭載用配線部材を作製するための、半導体チップ搭載用配線部材の製造方法であって、順に、（ａ）ダイパッド、枠部をエッチング形成するための基材で、且つ配線部を電解めっき形成するためのベースとなる金属層基材の一面上に、配線部の形状に合せた所定の開口を有するレジストを形成するレジスト形成工程と、（ｂ）レジストの開口部に電解めっきを施し、配線部をめっき形成する電解めっき工程と、（ｃ）レジストを除去後、配線部を覆う厚さで、絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、（ｄ）絶縁層の外部端子を形成する箇所を孔開けして、配線の一部を露出させる開口を設ける外部端子用開口形成工程と、（ｅ）絶縁層の開口を介して配線と接続する外部端子を絶縁層表面部に設ける外部端子形成工程と、（ｆ）金属層基材の、配線部を形成した面側と反対側の面に、ダイパッド、枠部をエッチング形成する際のマスクとなる、ダイパッド、枠部の形状に合せた開口を有するレジストを形成するレジスト形成工程と、（ｇ）前記レジストの開口から露出した金属層基材をエッチング除去するエッチング工程とを行なうことを特徴とする半導体チップ搭載用配線部材の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体チップ搭載用配線部材の製造方法であって、電解めっき工程は、エッチング工程を行なう際に、配線部へのエッチングを防止するためのエッチングストッパー層をめっき形成する多層めっきを行なうものであることを特徴とする半導体チップ搭載用配線部材の製造方法。
【請求項３】
請求項１ないし２のいずれか１項に記載の半導体チップ搭載用配線部材の製造方法であって、金属層基材は、配線部をめっき形成する側から、下地めっき層、ベース基材をエッチングする際のエッチングストッパー層、ベース基材からなり、エッチング工程を行なう際、ベース基材をエッチングする第１のエッチングを行なった後、エッチングストッパー層と下地めっき層とを、一緒にあるいは別々に、エッチングするエッチング処理を行なうものであることを特徴とする半導体チップ搭載用配線部材の製造方法。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか１項に記載の半導体チップ搭載用配線部材の製造方法であって、外部端子形成工程は、絶縁層の開口から突出するように、電解めっきにより凸部状の外部端子を形成するものであることを特徴とする半導体チップ搭載用配線部材の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、絶縁層をベースにして配線層が形成された半導体チップ搭載用配線部材の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子機器の高性能化及び小型化の傾向から、それに用いられる半導体装置はＬＳＩのＡＳＩＣに代表されるように益々高集積化、高機能化が進んでいる。
高集積化、高機能化された半導体装置においては、信号の高速処理の為にパッケージ内のインダクタンスが無視できない状況となるので、そのインダクタンスの低減の為に電源及びグランドの接続端子数を多くし、実質的なインダクタンスを下げることで対応してきた。
この為、半導体の高集積化、高機能化は外部端子（ｐｉｎ）の総数の増加を促すことになり、益々の多ピン化が求められ、これに対応して先端のファインなリードフレーム等やＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｋａｇｅ）に代表されるようなパッケージが普及してきた。
このようなパッケージに対応するリードフレームの製造方法として、特開平９−２４６４４５号公報に記載のものが知られている。
この方法は、簡単には、厚い層と薄い層とを厚い層をエッチングする際のエッチングストッパー層を介して積層した金属積層板を準備し、その薄い層側に複数の配線層をめっき形成した後、金属積層板の配線層形成面側に該配線層を覆う厚さの絶縁層を、少なくとも電極を形成する部分の配線層領域を露出させる開口を有するようにして選択的に形成し、更に、厚い層における、複数の配線層が形成された配線層形成領域に当たる部分を、エッチングストップ層に対して浸食性の弱いエツチング液によって選択的にエッチングし、更に、配線層をマスクとして少なくともエッチングストツプ層をエッチングして各配線間を互いに電気的に分離独立されるものである。
このような製造方法により選られるリードフレームを使用すれば、高集積化、高機能化の進んだＬＳＩを組み立てることが可能である。
【０００３】
一方、近年の、ますますのＬＳＩの高機能化、高速化に伴い、ＬＳＩの発熱が原因で電気信号にノイズが入って誤動作を起こす危険性が出てきており、ＬＳＩの高集積化を計るに際しては、放熱、冷却等の対策、及び電源／グランドの安定化を図ることが必要となってきた。
このことは、先に述べた、特開平９−２４６４４５号公報に記載の製造方法で得られる、リードフレーム（半導体素子搭載用基板とも以下言う）を用いた半導体装置のように、小型化、多ピン化が可能で、マイグレーション等の問題に対して電気的に高い信頼性を有する半導体装置においても例外ではない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上記のように、特開平９−２４６４４５号公報に記載リードフレームの製造方法により形成されたリードフレームを用いた半導体装置においては、小型化、多ピン化が可能で、マイグレーション等の問題に対して電気的に高い信頼性を有するが、放熱、冷却等の対策及び電源あるいはグランドの安定化に対する対応が十分ではない。
本発明は、このような事情を鑑みて成されたものであり、その目的とするところは、小型化、多端子化が可能であり、且つ、放熱板を貼り付けるなど二次的工程を行うこと無く、簡単な構造で放熱性が高く、電気信号の安定化をもたらす電源ラインあるいはグランドラインを設けた半導体チップ搭載用配線部材を製造する、半導体チップ搭載用配線部材の製造方法を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明に関わる半導体チップ搭載用配線部材は、絶縁層を枠部にて略平面状に支持し、且つ、絶縁層の第１の面に、めっき形成された配線部の各配線の１面をそろえ、各配線を絶縁層に埋めて、配線部を略平面状に保持した半導体チップ搭載用配線部材であって、絶縁層の第１面上に、半導体チップを搭載するためのダイパッドと、ダイパッド、配線部を囲み絶縁層を支持する枠部とを設け、前記絶縁層の第１の面と反対側の第２の面に、外部回路と接続するための外部端子をエリアアレイ配列（二次元的配列とも言う）したもので、各外部端子部は、絶縁層部に設けられた配線層に通じる開口を介して配線と接続されていることを特徴とするものである。
そして、上記において、外側の配線部領域に、グランドラインあるいは電源ラインとするための、枠状の配線を設けていることを特徴とするものである。
そしてまた、上記において、枠部をグランドラインあるいは電源ラインとするため、枠部に接続する配線を設けていることを特徴とするものである。
また、上記において、ダイパッドと接続する配線を設け、該配線をグランドラインあるいは電源ラインとするための、枠状の配線あるいは枠部に接続していることを特徴とするものである。
また、上記において、ダイパッドと接続する配線を設け、該配線に接続する放熱用の外部端子を絶縁層の第２の面に設けていることを特徴とするものである。
【０００６】
本発明の半導体チップ搭載用配線部材の製造方法は、絶縁層を枠部にて略平面状に支持し、且つ、絶縁層の第１の面に、めっき形成された配線部の各配線の１面をそろえ、各配線を絶縁層に埋めて、配線部を略平面状に保持した半導体チップ搭載用配線部材で、絶縁層の第１面上に、半導体チップを搭載するためのダイパッドと、ダイパッド、配線部を囲み絶縁層を支持する枠部とを設け、前記絶縁層の第１の面と反対側の第２の面に、外部回路と接続するための外部端子をエリアアレイ配列したもので、各外部端子部は、絶縁層部に設けられた配線層に通じる開口を介して配線と接続されている半導体チップ搭載用配線部材を作製するための、半導体チップ搭載用配線部材の製造方法であって、順に、（ａ）ダイパッド、枠部をエッチング形成するための基材で、且つ配線部を電解めっき形成するためのベースとなる金属層基材の一面上に、配線部の形状に合せた所定の開口を有するレジストを形成するレジスト形成工程と、（ｂ）レジストの開口部に電解めっきを施し、配線部をめっき形成する電解めっき工程と、（ｃ）レジストを除去後、配線部を覆う厚さで、絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、（ｄ）絶縁層の外部端子を形成する箇所を孔開けして、配線の一部を露出させる開口を設ける外部端子用開口形成工程と、（ｅ）絶縁層の開口を介して配線と接続する外部端子を絶縁層表面部に設ける外部端子形成工程と、（ｆ）金属層基材の、配線部を形成した面側と反対側の面に、ダイパッド、枠部をエッチング形成する際のマスクとなる、ダイパッド、枠部の形状に合せた開口を有するレジストを形成するレジスト形成工程と、（ｇ）前記レジストの開口から露出した金属層基材をエッチング除去するエッチング工程とを行なうことを特徴とするものである。
そして、上記の半導体チップ搭載用配線部材の製造方法であって、電解めっき工程は、エッチング工程を行なう際に、配線部へのエッチングを防止するためのエッチングストッパー層をめっき形成する多層めっきを行なうものであることを特徴とするものである。
そしてまた、上記いずれかの半導体チップ搭載用配線部材の製造方法であって、金属層基材は、配線部をめっき形成する側から、下地めっき層、ベース基材をエッチングする際のエッチングストッパー層、ベース基材からなり、エッチング工程を行なう際、ベース基材をエッチングする第１のエッチングを行なった後、エッチングストッパー層と下地めっき層とを、一緒にあるいは別々に、エッチングするエッチング処理を行なうものであることを特徴とするものである。
また、上記いずれかの半導体チップ搭載用配線部材の製造方法であって、外部端子形成工程は、絶縁層の開口から突出するように、電解めっきにより凸部状の外部端子を形成するものであることを特徴とするものである。
【０００７】
本発明に関わる半導体装置は、上記本発明の半導体チップ搭載用配線部材のダイパッド上に半導体チップを搭載し、半導体チップを覆うように半導体チップ搭載用配線部材の一面側を樹脂封止したことを特徴とするものである。
【０００８】
【作用】
本発明に関わる半導体チップ搭載用配線部材は、このような構成にすることにより、小型化、多端子化が可能であり、且つ、放熱板を貼り付けるなど二次的工程を行うこと無く、簡単な構造で放熱性が高く、電気信号の安定化をもたらす電源ラインあるいはグランドラインを設けた半導体チップ搭載用配線部材の提供を可能とするものである。
具体的には、絶縁層を枠部にて略平面状に支持し、且つ、絶縁層の第１の面に、めっき形成された配線部の各配線の１面をそろえ、各配線を絶縁層に埋めて、配線部を略平面状に保持した半導体チップ搭載用配線部材であって、絶縁層の第１面上に、半導体チップを搭載するためのダイパッドと、ダイパッド、配線部を囲み絶縁層を支持する枠部とを設け、前記絶縁層の第１の面と反対側の第２の面に、外部回路と接続するための外部端子をエリアアレイ配列したもので、各外部端子部は、絶縁層部に設けられた配線層に通じる開口を介して配線と接続されていることにより、そして、外側の配線部領域に、グランドラインあるいは電源ラインとするための、枠状の配線を設けていることにより、更に、枠部をグランドラインあるいは電源ラインとするため、枠部に接続する配線を設けていることにより、これを達成している。
【０００９】
特に、ダイパッドと接続する配線を設け、該配線を、グランドラインあるいは電源ラインとなる枠状の配線、ないしグランドラインあるいは電源ラインとなる枠部に接続していることにより、半導体チップをダイパッドに搭載した際には電気信号の安定化を確保できるものとしている。
そしてまた、ダイパッドと接続する配線を設け、且つ絶縁層の第２の面に、外部回路と接続するための外部端子、あるいは放熱用の外部端子を設けていることにより、放熱性の高いものとできる。
【００１０】
本発明の半導体チップ搭載用配線部材の製造方法は、このような構成にすることにより、小型化、多端子化が可能であり、且つ、放熱板を貼り付けるなど二次的工程を行うこと無く、簡単な構造で放熱性が高く、電気信号の安定化をもたらす電源ラインあるいはグランドラインを設けた半導体チップ搭載用配線部材の製造方法の提供を可能とするものである。
【００１１】
本発明に関わる半導体装置は、このような構成にすることにより、小型化、多端子化を可能とし、放熱性が高く、電気信号の安定化が確保できる、エリアアレイタイプの半導体装置の提供を可能とする。
【００１２】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態例を、以下、図に基づいて説明する。
図１（ａ）は本発明に関わる半導体チップ搭載用配線部材の実施の形態の第１の例を示した概略断面図で、図１（ｂ）は本発明に関わる半導体チップ搭載用配線部材の実施の形態の第２の例を示した概略断面図で、図２は本発明に関わる半導体装置の実施の形態例の概略断面図で、図３は図１（ａ）に示す半導体チップ搭載用配線部材の製造工程の一部を示した工程図で、図４は図３に続く工程を示した工程図で、図５は図１（ａ）に示す半導体チップ搭載用配線部材を、図１（ａ）のＡ１側から見た図で、図６は図１（ｂ）に示す半導体チップ搭載用配線部材を、図１（ｂ）のＡ２側から見た図である。
尚、図５、図６中配線は、簡略的にその一部を示したもので、実際にはダイパッド１９１の周囲全体に渡り設けられている。
図１〜図６において、１１０は金属層基材、１１１はめっき下地層（単に下地層とも言う）、１１２はエッチングストッパー層、１１３はベース層（ベース基材とも言う）、１２０はレジスト、１２５は開口、１３０はめっき層、１３０Ｓは（配線の）面、１３１、１３２、１３３は配線、１３５は枠状の配線、１４０は絶縁層、１４０Ｓは第１の面、１４５は開口（絶縁層の設けた孔部）、１５０は外部端子部、１５５は放熱用外部端子、１６０はレジスト、１６５は開口、１７０は半導体チップ、１７１は端子、１７５はボンディングワイヤ、１８０は封止用樹脂、１９１はダイパッド、１９２は枠部である。
【００１３】
先ず、本発明に関わる半導体チップ搭載用配線部材の実施の形態の第１の例を説明する。
第１の例の半導体チップ搭載用配線部材は、その断面を図１（ａ）に示すように、絶縁層１４０を枠部１９２にて略平面状に支持し、且つ、絶縁層１４０の一方の面（この面を第１の面１４０Ｓとも言う）に、めっき形成された配線部の各配線１３０の１面１３０Ｓをそろえ、各配線１３０を絶縁層１４０に埋めて、配線部を略平面状に保持した半導体チップ搭載用配線部材であって、絶縁層１４０の第１面（図１（ａ）のＡ１側の面１４０Ｓ）上に、半導体チップを搭載するためのダイパッド１９１と、ダイパッド、配線部を囲み絶縁層１４０を支持する枠部１９２とを設け、絶縁層１４０の第１の面１４０Ｓと反対側の第２の面に、外部回路と接続するための外部端子１５０をエリアアレイ配列したものである。そして、各外部端子部１５０は、絶縁層１４０部に設けられた配線１３０に通じる開口１４５を介して配線と電気的に接続されている。
【００１４】
本例の半導体チップ搭載用配線部材においては、図５に示すように、枠部１９２を共通のグランドラインあるいは電源ラインとするための、枠部１９２に接続する配線１３１を設けている。
また、ダイパッド１９１にはこれと接続する配線１３３を複数設けており、一部は外部回路と接続するための外部端子１５０と接続し、一部は放熱用の外部端子１５５と接続している。
尚、放熱用の外部端子１５５は、半導体チップを搭載し動作させた際に発生する熱をダイパッド１９１、配線１３３、外部端子１５５を介して放熱するものである。
【００１５】
枠部１９２、ダイパッド１９１は、半導体チップ搭載用配線部材の製造工程においてめっきの際の給電層として機能する、元々一枚の導電性の金属層基材基板から、製造工程で選択的にエッチングされて形成されたもので、本例では、後述する製造工程（図３、図４の工程）に対応するため、めっき下地層１１１、ベース基材をエッチングする際のエッチングストッパー層１１２、ベース基材１１３からなる。
下地層１１１、エッチングストッパー層１１２、ベース基材１１３としては、後述する製造工程（図３、図４の工程）に対応できるものの組み合わせが用いられる。
通常は、下地層１１１、エッチングストッパー層１１２、ベース基材１１３をそれぞれ、薄い銅層、ニッケル層、厚い銅層とし、全体の厚を、枠部１９２が絶縁層１４０を問題なく支持できるようにする。
【００１６】
配線層１３０はめっき形成されたもので、導電性、コスト面等から銅めっき層を主体とするものが用いられる、銅めっき層単層、あるいは他のめっき金属層と積層したものもが挙げられるが、下地層１１１をエッチングする際に、配線を損傷しないように、配線層１３０の絶縁層１４０から露出した面１３０Ｓ側には、エッチング耐性のある金めっき層を設けておくのが普通である。
例えば、外側から順に、ニッケルめっき層、金、ニッケルめっき層、銅めっき層（主層）のような構成にする。
【００１７】
絶縁層としては、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等が挙げられるが、特に、絶縁性、機械的強度、化学的安定性に優れたポリイミド樹脂が好ましい。
【００１８】
外部端子部１５０は、配線１３０上に、順に、薄くめっき形成されたニッケル層、金めっき層上に半田ボールを形成し、第２の面側に突出するように凸状に形成したものである。
【００１９】
本例の変形例としては、枠部１９２、ダイパッド１９１を銅単層とし、配線１３０を、外側から順に、ニッケルめっき層、金、ニッケルめっき層、銅めっき層（主層）とした構成のものも挙げられる。
また、外部端子部１５０を、配線１３０上に、順に、薄くめっき形成されたニッケル層あるいは銅層−ニッケル層をコア層として、その上に金めっき層を設け、第２の面側に突出するように凸状に形成したものも挙げられる。
【００２０】
次に、本発明に関わる半導体チップ搭載用配線部材の実施の形態の第２の例を説明する。
第２の例の半導体チップ搭載用配線部材は、第１の例と同様、その断面を図１（ｂ）に示すように、絶縁層１４０を枠部１９２にて略平面状に支持し、且つ、絶縁層１４０の一方の面（この面を第１の面１４０Ｓとも言う）に、めっき形成された配線部の各配線１３０の１面１３０Ｓをそろえ、各配線１３０を絶縁層１４０に埋めて、配線部を略平面状に保持した半導体チップ搭載用配線部材であって、絶縁層１４０の第１面上に、半導体チップを搭載するためのダイパッド１９１と、ダイパッド、配線部を囲み絶縁層１４０を支持する枠部１９２とを設け、絶縁層１４０の第１の面１４０Ｓと反対側の第２の面に、外部回路と接続するための外部端子１５０をエリアアレイ配列したものであるが、本例の場合は、図６に示すように、枠部１９２の内側、外側の配線部領域に、グランドラインあるいは電源ラインとするための、枠状の配線１３５を設け、これに接続する配線１３４を設けている。勿論、第１の例と同様、ダイパッド１９１に接続する配線１３３を複数設け、一部は外部回路と接続するための外部端子１５０と接続し、一部は放熱用の外部端子１５５と接続している。
第２の例の場合、ダイパッド１９１に半導体チップを搭載し、樹脂封止した際、共通のグランドラインあるいは電源ラインとする枠状の配線１３５が外部に露出することは無く、電気的に安定した半導体装置を作製することができる。
各部の材質、構造等については、基本的に第１の例の場合と同様で、ここでは説明を省略する。
【００２１】
次に、本発明に関わる半導体装置の実施の形態の第の１例を挙げる。
本例は、図１（ａ）に示す第１の例の半導体チップ搭載用配線部材を用いて、ダイパッド上に半導体チップを搭載し、半導体チップを覆うように半導体チップ搭載用配線部材の一面側を樹脂封止したものであり、枠部１９２がそのまま封止用樹脂の封止用外枠となっているものである。
本例の場合は、半導体チップ搭載用配線部材はダイパッド１９１と接続する配線１３３を複数を設けており、その一部を該配線をグランドラインあるいは電源ラインに接続している。
封止用樹脂としては、通常、エポキシ系の樹脂等が用いられる。
【００２２】
半導体チップ搭載用配線部材を用いた本例の半導体装置の組み立ては、例えば、以下のように行なう。
まず、半導体チップ搭載用配線部材におけるダイパッド１９１の上にダイアタッチ剤等を用いて半導体チップ１７０を搭載する。
次に、Ａｕボンディングワイヤ１７１により電気的接続を施す。
続いて、枠部１９２に囲まれたエリアに対して、ポッティング法、モールド法等により樹脂封止を行う。
これにより、図２に示すような、一面を封止用樹脂１８０で覆われ、且つ、他面には外部端子がエリアアレイ配列した半導体装置が得られる。
【００２３】
次いで、本発明の半導体チップ搭載用配線部材の製造方法の実施の形態の１例を、図３、図４に基づいて説明する。
本例は、図１（ａ）に示す第１の例の半導体チップ搭載用配線部材を作製する製造方法の１例である。
先ず、図１（ａ）に示す第１の例の半導体チップ搭載用配線部材のダイパッド、枠部をエッチング形成するための基材で、且つ配線部を電解めっき形成するためのベースとなる金属層基材１１０を用意する。（図３（ａ））
ベースとなる金属層基材１１０は、後述する製造工程に対応するため、めっき下地層１１１、ベース基材をエッチングする際のエッチングストッパー層１１２、ベース基材１１３からなる。
通常は、下地層１１１、エッチングストッパー層１１２、ベース基材１１３をそれぞれ、薄い銅層、ニッケル層、厚い銅層とし、全体の厚を、枠部１９２が絶縁層１４０を問題なく支持できるようにする。
次いで、金属層基材１１０の一面上に、レジストを塗布、乾燥し（図３（ｂ））、所定の製版工程を行い、配線部の形状に合せた所定の開口を有するレジスト１２０を形成するレジスト形成する。（図３（ｃ））
レジスト１２０としては、所定の解像性があり、耐めっき性があり、処理性の良いものが好ましいが、特に限定はされない。
【００２４】
次いで、金属層基材１１０のレジストの開口１２５から露出した領域に配線をめっき形成する。（図３（ｄ））
めっきは、金属層基材１１０を給電層として電解めっきを行なう。
電解めっきにより、銅めっき層を主体とした配線を形成する。
後述する、エッチング工程にて配線が損傷されないために、順に、ニッケル層、金層、ニッケル層、銅層（主体層）を、それぞれ、所定のめっき浴を用いて、電解めっき形成しても良い。
【００２５】
次いで、レジスト１２０を除去した（図３（ｅ））後、配線を覆う厚さで、感光性の絶縁層１４０を形成し（図３（ｆ））、所定の製版を行い、絶縁層１４０の外部端子を形成する箇所を孔開けして、配線の一部を露出させる開口を設ける。（図３（ｇ））
絶縁層１４０としては、作業性の面からは、一般には、感光性絶縁層が用いられ、特に、絶縁性、機械的強度、化学的安定性に優れた感光性ポリイミド樹脂が好ましい。
他には、スクリーン印刷や電着等により、絶縁層を形成した後に、レーザ光により部端子を形成する所定の箇所のみ孔開けする方法もあるが、絶縁層形成および絶縁層への孔開け方法は、これらに限定はされない。
【００２６】
次いで、絶縁層１４０の開口１４５から露出した配線上に、金属層基材１１０を給電層として、半田ボール形成用の下地めっきを、電解めっきにより施した後、ハンダボールを配設し、絶縁層１４０の開口１４５を介して配線と接続する外部端子１５０を絶縁層１４０表面部に設ける。（図４（ｈ））
尚、半田ボールによる外部端子に代え、電解めっきにより、凸状に形成し、これを外部端子としても良い。
【００２７】
次いで、金属層基材１１０の、配線を形成した面側と反対側の面に、耐エッチング性のレジストを塗布、乾燥し（図４（ｉ））、所定の製版を行い、ダイパッド、枠部をエッチング形成する際のマスクとなる、ダイパッド、枠部の形状に合せた開口を有するレジスト１６０を形成する。（図４（ｊ））
次いで、レジスト１６０の開口１６５から露出した金属層基材１１０をエッチング除去し（図４（ｋ））、レジスト１６０を除去して、図１（ａ）に示す第１の例の半導体チップ搭載用配線部材を得る。（図４（ｌ））
金属層基材１１０は、配線をめっき形成する側から、下地めっき層１１１、ベース層をエッチングする際のエッチングストッパー層１１２、ベース層１１３からなり、エッチング工程を行なう際、ベース層をエッチングする第１のエッチングを行なった後、エッチングストッパー層および下地めっき層を一緒にあるいは別々にエッチングする、エッチング処理を行なうものである。
尚、例えば、金属層基材１１０を銅単層とし、配線を外側（金属層基材１１０側）から順に、第１のニッケル層、金層、第２のニッケル層、銅層とした場合には、第１のニッケル層、金層を金属層基材１１０のエッチングの際のエッチングストッパー層とすることもできる。
また、本例のようにエッチングストッパー層を設ける理由は、エッチングを安定的に行なうためである。
【００２８】
第２の例の半導体チップ搭載用配線部材は、第１の半導体チップ搭載用配線部材とは、配線形状が異なるだけであり、第２の例の半導体チップ搭載用配線部材を作製する、製造方法は、基本的には、上記の製造方法と同じである。
このようにして、図１（ａ）に示す第１の例の半導体チップ搭載用配線部材、図１（ｂ）に示す第２の例の半導体チップ搭載用配線部材を、作製することができるが、本例の製造方法は１例でこれに限定はされない。
【００２９】
【実施例】
次に、実施例を挙げ、本発明を更に説明する。
実施例は、図１（ａ）に示す第１の例の半導体チップ搭載用配線部材を、図３、図４に示す製造方法により作製したものである。
図３、図４に基づいて説明する。
先ず、図３（ａ）に示す、下地めっき層１１１、ベース基材をエッチングする際のエッチングストッパー層１１２、ベース基材１１３からなる、金属層基材（金属積層板とも言う）１１０を用意した。（図３（ａ））
下地めっき層１１１、エッチングストッパー層１１２、ベース基材１１３としては、それぞれ、１μｍ厚の銅層、２μｍ厚のニッケル層、０. ２ｍｍの銅層とした。
【００３０】
次に、金属層基材１１０におけるめっき下地層１１１上に、以下のようにして配線を形成した。
まず、金属層基材１１０の下地層１１１の上に、レジスト１２０（東京応化工業株式会社製のα３４０）を塗布し、乾燥し（図３（ｂ））、配線形状にあわせた所定のパーン版（単にマスクとも言う）を用いた露光とそれに続く現像を行い、配線形状の開口を有する、厚さ２５μｍ厚のレジスト１２０を形成した。（図３（ｃ））  次いで、レジスト１２０をマスクとして、露出した金属層基材１１０の下地層１１１の上に、下記のめっき浴にて電解銅めっきを行い、単層のＣｕめっき層を厚さ略２５μｍに電解めっき形成した。（図３（ｄ））
＜銅めっき条件＞
・  銅めっき組成
硫酸銅５水和物                        ７０ｇ／ｌ
硫酸                                ２００ｇ／ｌ
塩酸                              ０．５ｍｌ／ｌ
スーパースロー２０００    光沢剤    １０ｍｌ／ｌ
スーパースロー２０００    補正剤      ５ｍｌ／ｌ
・  温度２５℃
・  電流密度４Ａ／ｄｍ2 
・  処理時間３０分
【００３１】
めっき後、所定の剥離液にてレジスト１２０を剥離した（図３（ｅ））後、金属層基材１１０の配線形成面に、感光性のポリイミド（東レ株式会社製ＵＲ５４８０）からなる絶縁層１４０を形成し（図３（ｆ））、所定のパターン版（マスク）を用いた露光とそれに続く現像を行い、絶縁層１４０に配線と外部端子と接続するための開口１４５を形成形成した。図３（ｇ））
開口１４５から露出した配線層上に、金属層基材１１０を給電層とした電解めっきにより、以下の条件で、順にニッケルめっき層、金めっき層を、それぞれ、厚さ５μｍ、０. ５μｍに形成し、その上に通常の方法にて、半田ボールを形成し、外部端子１５０とした。（図４（ｈ））
＜ニッケルめっき条件＞
・ニッケルめっき浴組成
硫酸ニッケル                          ２８０ｇ／ｌ
塩化ニッケル                            ４５ｇ／ｌ
硫酸                                    ３４ｇ／ｌ
ｐＨ                                  ２．２〜５．５
・  温度                                      ５０°Ｃ
・  電流密度      ５分間                      ５Ａ／ｄｍ2 
・  処理時間３０分
＜金めっき条件＞
・  テンペレジスト    Ｋ−９１Ｓ（日本高純度化学社製）
・  温度                        ６０℃
・  電流密度                ０. ４Ａ／ｄｍ2 
・  時間                          １分
【００３２】
続いて、金属層基材１１０における配線形成面と反対側の面にレジスト１６０（東京応化工業株式会社製のα３７５）を形成し（図４（ｉ））、形成するダイパッド部、枠部に合せた所定のパタン版（マスク）を介してこのレジストを露光して現像することにより、ダイパッド、枠部をエッチング形成する際のマスクとなる、ダイパッド、枠部の形状に合せた開口１６５を有するレジスト１６０を形成した。（図４（ｊ））
次いで、開口１６５を有するレジスト１６０を耐エッチングマスクとして、銅層からなる厚いベース層１１３を選択的にエッチングする第１のエッチングを行った後、ニッケル層からなるエッチングストッパー層１１２及び銅層からなる下地層１１１を、それぞれ別にエッチングした。
ベース層１１３のエッチングは、銅層をエッチングできるがニッケルはエッチングできない有機アルカリ系のエッチング液（メルテックス社製のエープロセス）を用いて行った。
このエッチング液は、銅層を侵すがニッケル層は侵さないので、ニッケル層が、ベース層１１３をエッチングする際のエッチングストップ層１１２としての役割を果たすことができる。
また、ニッケルからなる、エッチングストッパー層１１２のエッチングは、銅層を溶かさないＨＮＯ3 ／Ｈ2 ＳＯ4 ／Ｈ2 ０2 系のエッチング液を使用して、ニッケル層を選択的に溶解することで行った。
また、銅層からなる下地層１１１は、厚さが１μｍと薄い為、フラッシュエッチング液（メルテック株式会社製ＡＤ４８５）によりソフトエッチングを行い、除去した。
これにより、枠部１９２、ダイパッド１９１が形成された。（図４（ｋ））
次いで、レジスト１６０を所定の剥離液で剥離除去して、図１（ａ）に示す半導体チップ搭載用配線部材を得た。（図４（ｌ））
【００３３】
【発明の効果】
本発明は、上記のように、小型化、多端子化が可能であり、且つ、放熱板を貼り付けるなど二次的工程を行うこと無く、簡単な構造で放熱性が高く、電気信号の安定化をもたらす電源ラインあるいはグランドラインを設けた半導体チップ搭載用配線部材の提供、およびその製造方法の提供を可能とした。
同時に、簡単な構造で放熱性が高く、電気信号の安定化が得られる半導体装置の提供を可能にした。
【図面の簡単な説明】
【図１】        図１（ａ）は本発明に関わる半導体チップ搭載用配線部材の実施の形態の第１の例を示した概略断面図で、図１（ｂ）は本発明に関わる半導体チップ搭載用配線部材の実施の形態の第２の例を示した概略断面図である。
【図２】        本発明に関わる半導体装置の実施の形態例の概略断面図である。
【図３】        図１（ａ）に示す半導体チップ搭載用配線部材の製造工程の一部を示した工程図である。
【図４】        図１（ａ）に示す半導体チップ搭載用配線部材の製造工程の、図３に続く工程を示した工程図である。
【図５】        図１（ａ）に示す半導体チップ搭載用配線部材を、図１（ａ）のＡ１側から見た図である。
【図６】        図１（ｂ）に示す半導体チップ搭載用配線部材を、図１（ｂ）のＡ２側から見た図である。
【符号の説明】
１１０            金属層基材
１１１            めっき下地層
１１２            エッチングストッパー層
１１３            ベース基材
１２０            レジスト
１２５            開口
１３０            めっき層
１３０Ｓ        （配線の）面
１３１、１３２、１３３      配線
１３５            枠状の配線
１４０            絶縁層
１４０Ｓ          第１の面
１４５            開口（絶縁層の設けた孔部）
１５０            外部端子部
１５５            放熱用外部端子
１６０            レジスト
１６５            開口
１７０            半導体チップ
１７１            端子
１７５            ボンディングワイヤ
１８０            封止用樹脂
１９１            ダイパッド
１９２            枠部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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