(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｓｉ原子とＣｌ原子を分子構造に含むガスを少なくとも構成要素とする原料ガスを用いて化合物半導体をドライ・エッチングしたのち、Ｏ２ガス或いはＮ２ガスの少なくとも一方を含む原料ガスを用いたプラズマ照射処理を行い、次いで、酸溶液を用いて前記プラズマ照射処理により変質させた前記ドライ・エッチング時の表面生成物を除去することを特徴とする化合物半導体装置の製造方法。
【請求項２】
上記プラズマ照射処理に用いる原料ガスに、Ａｒが含まれていることを特徴とする請求項１記載の化合物半導体装置の製造方法。
【請求項３】
上記酸溶液が、塩酸を含む酸溶液であることを特徴とする請求項１または２に記載の化合物半導体装置の製造方法。
【請求項４】
上記酸溶液を用いた表面処理工程の後、少なくとも前記処理表面に結晶再成長を行うことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の化合物半導体装置の製造方法。
【請求項５】
上記結晶再成長工程が、半導体レーザの電流ブロック層を含む埋込層を成長させる工程であることを特徴とする請求項４記載の化合物半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は化合物半導体装置の製造方法に関するものであり、特に、半導体レーザやＨＥＭＴ（高電子移動度トランジスタ）等の化合物半導体装置を構成するＩｎＰやＧａＡｓ等の化合物半導体表面をドライ・エッチングした際のエッチング反応生成物の除去工程に特徴のある化合物半導体装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より化合物半導体装置の製造においては、化合物半導体装置の構造や用途によらず、多くの場合に化合物半導体層の微細加工が必要となる。
この様な微細加工技術としては、半導体表面に誘電体マスクを形成するフォトリソグラフィー技術と、誘電体マスクに覆われていない部分の半導体層を除去するドライ・エッチング技術との組合せが一般的に用いられている。
【０００３】
ドライ・エッチング技術には、設計通りの形状に加工することや、エッチングによるダメージを小さく抑えることが要求されるが、近年、この様な要求に応える技術として、原料ガスとしてＳｉＣｌ4 を用いたドライ・エッチングがＧａＡｓやＩｎＰ等のIII-Ｖ族化合物半導体に対して用いられている。
【０００４】
この内、ＧａＡｓに対しては、ＡｌＧａＡｓに対する選択性と、垂直異方性形状を両立するために、ＳｉＣｌ4 とＳＦ6 の混合ガスを用いたドライ・エッチングが行われており、良好な結果が得られることが報告されている（Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ，Ｖｏｌ．５１，Ｎｏ．１４，ｐ．１０８３−１０８５，１９８７参照）。
【０００５】
また、ＩｎＰに対しても、ＳｉＣｌ4 を含むガス系によりＩｎＰの平滑なエッチングが、低い基板バイアス電圧でなされ、したがって、エッチングダメージを低減することが可能であるとともに、エッチング側面の形状が垂直に近くなることが報告されている（第５９回応用物理学会学術講演会，講演予稿集，Ｎｏ．３，ｐ．１１７６，「ＳｉＣｌ4 ／Ａｒ誘導結合型プラズマ（ＩＣＰ）によるＩｎＰのドライエッチング」，１９９８参照）。
【０００６】
ここで、図７及び図８を参照して、ＩｎＰ系半導体に対する微細加工の一例である、従来の半導体レーザの製造工程を説明する。
図７（ａ）参照
まず、ｎ型ＩｎＰ基板３１上に、ＭＯＶＰＥ法（有機金属気相成長法）を用いて、ＩｎＧａＡｓＰＭＱＷ活性層３２、及び、ｐ型ＩｎＰクラッド層３３を順次成長させたのち、全面にＳｉＯ2 膜を堆積させ、次いで、通常のフォトエッチングを施すことによってストライプ状のＳｉＯ2 マスク３４を形成する。
【０００７】
図７（ｂ）参照
次いで、このＳｉＯ2 マスク３４をエッチングマスクとしてＳｉＣｌ4 とＡｒからなるエッチングガス３５を用いた反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を施すことによって、ｎ型ＩｎＰ基板３１に達するまでエッチングしてストライプ状メサ３６を形成する。
【０００８】
図８（ｃ）参照
次いで、このＳｉＯ2 マスク３４を選択成長マスクとしてそのまま用いて、再び、ＭＯＶＰＥ法によってストライプ状メサ３６の側面にｐ型ＩｎＰ埋込層３７及びｎ型ＩｎＰ電流ブロック層３８を順次選択的に成長させて、ストライプ状メサ３６をｐｎ逆バイアス接合によって埋め込んで電流狭窄構造を形成する。
【０００９】
図８（ｄ）参照
次いで、ＳｉＯ2 マスク３４をフッ酸溶液を用いて除去したのち、再び、ＭＯＶＰＥ法によって全面にｐ型ＩｎＰクラッド層３９及びｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層４０を順次堆積させ、最後に、ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層４０にｐ側電極（図示を省略）するとともに、ｎ型ＩｎＰ基板３１の裏面にｎ側電極（図示を省略）することによって、半導体レーザの基本構造が完成する。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、この様なＳｉＣｌ4 を用いたドライ・エッチング工程においては、エッチング後の半導体表面にＳｉ系の化合物からなるエッチング反応生成物が除去困難なエッチング残渣として残存するという問題があるので、図９を参照してこの事情を説明する。
【００１１】
図９参照
図９は、ＳｉＣｌ4 を用いたストライプ状のメサエッチングを行ったのち、酸溶液で表面処理し、次いで、埋込層を成長させたものを試料とし、この試料の表面をエッチングしながらＳＩＭＳ（二次イオン質量分析器）を用いて露出表面の不純物濃度を測定した場合のＳｉとＯの含有量を示したものであり、図における深さが０μｍの位置がエッチング加工表面を示している。
【００１２】
図から明らかなように、メサエッチングしたのち酸処理をしても、エッチング加工表面に残留するＳｉとＯの濃度は、夫々５×１０19ｃｍ-3、１×１０20ｃｍ-3であり、非常に高濃度で残留していることが理解される。
【００１３】
この様にエッチング加工表面に、エッチング反応生成物からなるエッチング残渣が存在した場合、その後の素子作製工程や出来上がった素子の動作に悪影響を与える。
【００１４】
即ち、従来の半導体レーザにおいては、ｎ型ＩｎＰ基板３１とｐ型ＩｎＰ埋込層３７との間にｐｎ接合が形成されるが、界面において良好な結晶成長が行わなければ良好な電気的特性を有するｐｎ接合が形成されなくなり、その結果、電流がブロックされずリーク電流が増大し、素子特性が悪化することになる。
【００１５】
なお、この様なエッチング残渣に起因する問題を解決するために、ＧａＡｓ系半導体をドライ・エッチングしたのち、表面にＦ系ガスによるプラズマを照射して、Ｓｉ系のエッチング残渣を除去することが提案されている（必要ならば、特開平１０−２０９１８１号公報参照）。
【００１６】
しかし、上記の提案には問題があり、実際の素子の製造工程に適用できないという問題がある。
即ち、第１に、Ｆ系のガスは、ウェハ表面に露出しているＳｉＯ2 等の半導体以外の材料に対しても大きな化学反応性を有するため、半導体以外の材料がプラズマ処理によって形状が変化してしまい、その結果、最終的に出来上がった素子特性に悪影響を与えるという問題がある。
【００１７】
特に、上述の半導体レーザにおいては、ストライプ状メサ３６の頂面に存在するＳｉＯ2 マスク３４を選択成長マスクとしても使用するので、このＳｉＯ2 マスク３４がＣＦ4 処理においてエッチングされ、以降の選択成長において成長させる素子形状に影響を与えるという問題がある。
【００１８】
第２に、Ｆ系のガスを製造工場で用いる場合、オゾン層に対する影響を考慮する必要があり、対環境性が問題となる。
【００１９】
したがって、本発明は、ドライ・エッチング工程に伴って発生するＳｉ系の化合物からなるエッチング反応生成物を、良好な表面モフォロジーを保った状態で確実に除去することを目的とする。
【００２０】
【課題を解決するための手段】
ここで、図１を参照して、本発明における課題を解決するための手段を説明する。なお、図１は本発明の特徴点を示す製造フロー図である。
図１参照
上述の目的を達成するために、本発明においては、ＳｉＣｌ４等のＳｉ原子とＣｌ原子を分子構造に含むガスを少なくとも構成要素とする原料ガスを用いて化合物半導体をドライ・エッチングしたのち、Ｏ２＋Ａｒ或いはＮ２＋Ａｒ等のＯ２ガス或いはＮ２ガスの少なくとも一方を含む原料ガスを用いたプラズマ照射処理を行い、次いで、塩酸を含む溶液等の酸溶液を用いて前記プラズマ照射処理により変質させた前記ドライ・エッチング時の表面生成物を除去することを特徴とする。
【００２１】
この様に、Ｏ2 ＋Ａｒ或いはＮ2 ＋Ａｒ等のＯ2 ガス或いはＮ2 ガスの少なくとも一方を含む原料ガスを用いたプラズマ照射処理を行うことによって、スパッタ効果等のガスの物理的作用によりドライ・エッチングに起因するＳｉ系の化合物からなるエッチング残渣を塩酸を含む溶液等の酸溶液に溶解しやすい形態に変質させるとともに、変質したエッチング残渣をその直下の半導体層から浮かせることができる。
なお、この場合の原料ガスとしては、Ｏ2 ガスのみ或いはＮ2 ガスのみでも良いが、Ａｒガスを混入した場合に比べてスパッタ効果が小さくなる。
【００２２】
次いで、酸溶液を用いてエッチング表面を処理することにより表面から浮き、且つ、酸溶液に溶解しやすい形態に変質したエッチング残渣を容易に除去することができる。
また、この酸溶液を用いた表面処理は、ドライ・エッチング工程及びプラズマ照射処理工程に伴って発生する表面ダメージを除去する作用もある。
【００２３】
特に、化合物半導体表面を０．０５〜０．１５μｍのシャローエッチングが可能であり、且つ、化合物半導体表面のモフォロジー、化合物半導体層の形状を大きく変化させない酸溶液が好適であり、例えば、ＨＣｌ＋Ｈ2 Ｏ2 ＋Ｈ2 Ｏからなる混合溶液等の塩酸を含む酸溶液が好適である。
【００２４】
また、本発明は、酸溶液を用いた表面処理工程の後、少なくとも処理表面に結晶再成長を行うこと、特に、半導体レーザの電流ブロック層を含む埋込層を成長させることを特徴とする。
【００２５】
この様に、酸溶液を用いた表面処理を行うことによって、少なくとも処理表面に結晶再成長を行った場合、良好な結晶成長を行うことができる。
特に、半導体レーザの電流ブロック層を含む埋込層を成長させた場合、電気的特性に優れたｐｎ接合を形成することができ、それによって埋込層を介して流れるリーク電流を低減することができる。
【００２６】
【発明の実施の形態】
ここで、図２乃至図５を参照して本発明の第１の実施の形態を説明するが、まず、図２乃至図４を参照して本発明の第１の実施の形態の製造工程を説明する。
図２（ａ）参照
まず、（１００）面を主面とするｎ型ＩｎＰ基板１１上に、ＭＯＶＰＥ法を用いて、厚さが、例えば、０．３５μｍのｎ型ＩｎＰクラッド層１２、ＩｎＧａＡｓＰＭＱＷ活性層１３、及び、厚さが、例えば、２５０ｎｍのｐ型ＩｎＰクラッド層１４を順次成長させる。
なお、この場合のＩｎＧａＡｓＰＭＱＷ活性層１３は、発光のピーク波長が、例えば、１．３μｍになるように構成するものであり、その構造としては、バンドギャップ波長λg が、例えば、１．１μｍ組成で、厚さが、例えば、１０ｎｍのｉ型ＩｎＧａＡｓＰバリア層と、バンドギャップ波長λg が、例えば、１．３９μｍ組成で、厚さが、例えば、５ｎｍのｉ型ＩｎＧａＡｓ井戸層とを交互に１０ペア成長させたものである。
【００２７】
次いで、全面に厚さが、例えば、３００ｎｍのＳｉＯ2 膜を堆積させたのち、通常のレジストパターン（図示せず）を用いたフォトエッチングを施すことによって幅が、例えば、２μｍのストライプ状のＳｉＯ2 マスク１５を形成する。
【００２８】
図２（ｂ）参照
次いで、レジストパターンを除去したのち、ＩＣＰ−ＲＩＥ（誘導結合型プラズマ反応性イオンエッチング）装置を用い、このＳｉＯ2 マスク１５をエッチングマスクとしてＳｉＣｌ4 ＋Ａｒからなる混合ガス１６を用いた反応性イオンエッチングを施すことによって、ｎ型ＩｎＰクラッド層１２に達するまで、例えば、２μｍの深さにエッチングしてストライプ状メサ１７を形成する。
【００２９】
この場合のドライ・エッチング工程の条件は、
原料ガス流；ＳｉＣｌ4 ：Ａｒ＝１０ｓｃｃｍ：２０ｓｃｃｍ
圧力；２Ｐａ
ＩＣＰコイル電力；２００Ｗ（／４５００ｃｍ3 ）
基板バイアス電圧；１００Ｗ（印加電圧；−３００Ｖ）
基板温度；１８０℃
とし、３分間エッチングを行った。
【００３０】
図３（ｃ）参照
引き続いて、ＩＣＰ−ＲＩＥ装置中のＳｉＣｌ4 ＋Ａｒからなる混合ガス１６を排気したのち、Ｏ2 ＋Ａｒからなる混合ガスを導入し、電力を供給してプラズマを発生させ、ウェハをプラズマ１８中に晒すことによって露出表面にプラズマ１８を照射する。
【００３１】
この場合のプラズマ照射処理工程の条件は、
原料ガス流；Ｏ2 ：Ａｒ＝５０ｓｃｃｍ：５０ｓｃｃｍ
圧力；１０Ｐａ
ＩＣＰコイル電力；２００Ｗ（／４５００ｃｍ3 ）
基板バイアス電圧；１２Ｗ（印加電圧；−７０Ｖ）
基板温度；１００℃
とし、５分間のプラズマ照射処理を行った。
【００３２】
このプラズマ照射処理によって、ウェハの露出表面に付着しているＳｉ系化合物からなるドライ・エッチング工程に起因するエッチング残渣が酸溶液に溶解しやすくなるとともに、ウェハ表面から浮き上がることになる。
【００３３】
図３（ｄ）参照
次いで、ウェハを、例えば、ＨＣｌ：Ｈ2 Ｏ2 ：Ｈ2 Ｏ＝１：１：１からなる酸溶液１９に、例えば、１分間浸漬することによって、露出表面を、例えば、０．０５μｍエッチングする。
この酸溶液１９によるエッチングによって、浮き上がったエッチング残渣を除去するとともに、ドライ・エッチング工程及びプラズマ照射工程によって発生した物理的ダメージを除去する。
【００３４】
図４（ｅ）参照
次いで、ＳｉＯ2 マスク１５を選択成長マスクとしてそのまま用いて、再び、ＭＯＶＰＥ法によってストライプ状メサ１７の側面に厚さが、例えば、０．６μｍで、不純物濃度が２×１０18ｃｍ-3のｐ型ＩｎＰ電流埋込層２０、及び、厚さが、例えば、１．０μｍのｎ型ＩｎＰ電流ブロック層２１を順次選択的に成長堆積させて、ストライプ状メサ１７をｐｎ逆バイアス接合によって埋め込んで電流狭窄構造を形成する。
なお、ＳｉＨ4 をドーパント原料とするｎ型ＩｎＰ電流ブロック層２１の不純物濃度は成長面の結晶方位に依存するが、最も濃度の低い領域において、２×１０18ｃｍ-3になるようにする。
【００３５】
図４（ｆ）参照
次いで、ＳｉＯ2 マスク１５をフッ酸溶液を用いて除去したのち、再び、ＭＯＶＰＥ法によって全面に表面が平坦になるように、厚さが、例えば、２．９μｍで、不純物濃度が１．０×１０18ｃｍ-3のｐ型ＩｎＰクラッド層２２、及び、厚さが、例えば、０．７μｍで、不純物濃度が１．５×１０19ｃｍ-3のｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層２３を順次堆積させる。
【００３６】
以降は、図示を省略するものの、ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層２３にｐ側電極を形成するとともに、ｎ型ＩｎＰ基板１１の裏面を研磨したのちｎ側電極を形成し、次いで、ｐ側電極及びｎ側電極上にＡｕメッキを施すことによって、半導体レーザの基本構成が完成する。
【００３７】
図５参照
図５は、本発明の第１の実施の形態における表面処理後の不純物濃度の説明図であり、深さが０μｍの位置が、ストライプ状メサ１７の表面位置である。
図から明らかなように、従来と同様にＳＩＭＳ分析を行った結果、ストライプ状メサ１７の表面位置におけるＳｉ及びＯの濃度は、夫々１×１０17ｃｍ-3、３×１０17ｃｍ-3となっており、図９に示した酸処理のみの場合に比べて約２桁程度小さくなっていることが理解される。
【００３８】
この様に、本発明の第１の実施の形態においては、まず、Ｏ2 ＋Ａｒからなる混合ガスのプラズマのスパッタ効果によって、表面に付着したエッチング残渣を変質させるとともに、浮かせ、次いで、ＨＣｌ：Ｈ2 Ｏ2 ：Ｈ2 Ｏ＝１：１：１からなる酸溶液を用いた酸処理を行うことによって浮き上がったエッチング残渣を除去しているので、酸処理のみでは除去が困難であったエッチング残渣を確実に除去することが可能になる。
【００３９】
したがって、ｐ型ＩｎＰ埋込層２０等の再成長層を良好な結晶性を保った状態で成長させることができ、それによって、良好な電流狭窄構造を構成することができるので、リーク電流を低減することができる。
【００４０】
また、本発明の第１の実施の形態においては、酸処理工程において、ＨＣｌ：Ｈ2 Ｏ2 ：Ｈ2 Ｏ＝１：１：１からなる塩酸を含む酸溶液を用いているので、表面モフォロジーを良好に保つことができるとともに、ストライプ状メサ１７の形状を良好に保つことができる。
【００４１】
次いで、本発明の第２の実施の形態を説明するが、プラズマ照射処理工程における条件が異なるだけで、他の工程は上記の第１の実施の形態と全く同様であるので、図３（ｃ）を借用してプラズマ照射処理工程のみを説明する。
再び、図３（ｃ）参照
上記の第１の実施の形態と同様にＩＣＰ−ＲＩＥ装置を用いてストライプ状メサ１７を形成したのち、引き続いて、ＩＣＰ−ＲＩＥ装置中のＳｉＣｌ4 ＋Ａｒからなる混合ガスを排気し、次いで、Ｏ2 からなる混合ガスを導入し、電力を供給してプラズマを発生させ、ウェハをこのプラズマ１８中に晒すことによって露出表面にプラズマ１８を照射する。
【００４２】
この場合のプラズマ照射処理工程の条件は、
原料ガス流；Ｏ2 ＝５０ｓｃｃｍ
圧力；５Ｐａ
ＩＣＰコイル電力；２００Ｗ（／４５００ｃｍ3 ）
基板バイアス電圧；１２Ｗ（印加電圧；−３０Ｖ）
基板温度；１００℃
とし、５分間のプラズマ照射処理を行った。
以降は、再び、上記の第１の実施の形態と全く同様の工程を経ることによって、上記の第１の実施の形態と同様の半導体レーザが得られる。
【００４３】
図６参照
図６は、本発明の第２の実施の形態における表面処理後の不純物濃度の説明図であり、深さが０μｍの位置が、ストライプ状メサ１７の表面位置である。
図から明らかなように、従来と同様にＳＩＭＳ分析を行った結果、ストライプ状メサ１７の表面位置におけるＳｉ及びＯの濃度は、夫々３×１０18ｃｍ-3、８×１０18ｃｍ-3となっており、図９に示した酸処理のみの場合に比べて約１桁程度小さくなっていることが理解される。
なお、上記の第１の実施の形態に比べて１桁程度大きくなっている。
【００４４】
以上、本発明の各実施の形態を説明してきたが、本発明は各実施の形態に記載した構成及び条件に限られるものではなく、各種の変更が可能である。
例えば、本発明の各実施の形態においては、ドライ・エッチング工程とプラズマ照射工程を同じ装置中における一連の工程としているが、バッチ処理等におけるように、不連続的な工程として行っても良いものであり、さらには、ドライ・エッチング工程とプラズマ照射工程とを別の製造装置を用いて行っても良いものである。
【００４５】
また、上記の各実施の形態の説明においては、プラズマ照射処理における原料ガス流量をＯ2 ：Ａｒ＝５０：５０、或いは、Ｏ2 ガスのみとしているが、これらの流量比に限られるものではなく、例えば、原料ガス流量をＯ2 ：Ａｒ＝５０：０〜５０：２００の範囲で使用することが好適である。
なお、Ａｒガスのみを用いた場合には、スパッタ効果が大きくなりすぎ、ストライプ状メサの形状が変わるので好ましくない。
【００４６】
また、プラズマ照射処理における原料ガスは、Ｏ2 ＋Ａｒ、或いは、Ｏ2 に限られるものではなく、Ｏ2 と同様にソフトなスパッタ効果の得られるＮ2 を用いても良いものであり、したがって、Ｎ2 ＋Ａｒ、或いは、Ｎ2 を用いても良いものである。
【００４７】
また、上記各実施の形態においては、ＩｎＰ系半導体レーザとして説明しているが、ＧａＡｓ系半導体レーザにも同様に適用されるものであり、対象も半導体レーザに限られるものではなく、ドライ・エッチング工程を伴う発光ダイオードやフォトダイオード等の光半導体装置にも適用されるものである。
【００４８】
さらには、光半導体装置に限られるものではなく、エッチング後の再成長工程を伴わないＨＥＭＴ（高電子移動度トランジスタ）等の他の化合物半導体装置にも適用されるものである。
【００４９】
例えば、ゲートリセス工程において、ＳｉＣｌ4 を用いてドライ・エッチングを行った場合、表面にエッチング残渣が存在するとゲート電極のショットキーバリア性が低下して所期のゲート特性が得られなくなる虞れがあるものの、本発明のプラズマ照射処理及び酸処理を行うことによって、良好なゲート特性を得ることができる。
【００５０】
また、上記の各実施の形態においてプラズマ照射処理工程において、ＩＣＰ−ＲＩＥ装置を用いているが、ＩＣＰ−ＲＩＥ装置に限られるものではなく、通常の一般的な平行平板型のＲＩＥ装置を用いても良いものであり、さらには、ウェハにバイアスを与えることはできず、エッチング残渣の除去効果は劣るものの、バレル型の装置を用いても良いものである。
【００５１】
（付記１）  Ｓｉ原子とＣｌ原子を分子構造に含むガスを少なくとも構成要素とする原料ガスを用いて化合物半導体をドライ・エッチングしたのち、Ｏ２ガス或いはＮ２ガスの少なくとも一方を含む原料ガスを用いたプラズマ照射処理を行い、次いで、酸溶液を用いて前記プラズマ照射処理により変質させた前記ドライ・エッチング時の表面生成物を除去することを特徴とする化合物半導体装置の製造方法。
（付記２）  上記Ｓｉ原子とＣｌ原子を分子構造に含むガスが、ＳｉＣｌ４であることを特徴とする付記１記載の化合物半導体装置の製造方法。
（付記３）  上記プラズマ照射処理に用いる原料ガスに、Ａｒが含まれていることを特徴とする付記１または２に記載の化合物半導体装置の製造方法。
（付記４）  上記酸溶液が、塩酸を含む酸溶液であることを特徴とする付記１乃至３のいずれか１に記載の化合物半導体装置の製造方法。
（付記５）  上記酸溶液を用いた表面処理工程の後、少なくとも前記処理表面に結晶再成長を行うことを特徴とする付記１乃至４のいずれか１に記載の化合物半導体装置の製造方法。
（付記６）  上記結晶再成長工程が、半導体レーザの電流ブロック層を含む埋込層を成長させる工程であることを特徴とする付記５記載の化合物半導体装置の製造方法。
【００５２】
【発明の効果】
本発明によれば、ＳｉＣｌ4 等のガスを用いてドライ・エッチングを施したのち、Ｏ2 或いはＮ2 を含むガスによるプラズマ照射を行うとともに、引き続いて酸溶液処理を行っているので、ドライ・エッチングに伴って発生するエッチング残渣を表面モフォロジーを保ったままで確実に除去することができ、それによって、半導体レーザ等の化合物半導体装置の特性の向上、信頼性の向上に寄与するところが大きい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の原理的構成の説明図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態の途中までの製造工程の説明図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態の図２以降の途中までの製造工程の説明図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態の図３以降の製造工程の説明図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態における表面処理後の不純物濃度の説明図である。
【図６】本発明の第２の実施の形態における表面処理後の不純物濃度の説明図である。
【図７】従来の半導体レーザの途中までの製造工程の説明図である。
【図８】従来の半導体レーザの図７以降の製造工程の説明図である。
【図９】従来のドライ・エッチング技術により作製した半導体レーザにおけるドライ・エッチング加工面の不純物濃度の説明図である。
【符号の説明】
１１  ｎ型ＩｎＰ基板
１２  ｎ型ＩｎＰクラッド層
１３  ＩｎＧａＡｓＰＭＱＷ活性層
１４  ｐ型ＩｎＰクラッド層
１５  ＳｉＯ2 マスク
１６  エッチングガス
１７  ストライプ状メサ
１８  プラズマ
１９  酸溶液
２０  ｐ型ＩｎＰ埋込層
２１  ｎ型ＩｎＰ電流ブロック層
２２  ｐ型ＩｎＰクラッド層
２３  ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層
３１  ｎ型ＩｎＰ基板
３２  ＩｎＧａＡｓＰＭＱＷ活性層
３３  ｐ型ＩｎＰクラッド層
３４  ＳｉＯ2 マスク
３５  エッチングガス
３６  ストライプ状メサ
３７  ｐ型ＩｎＰ埋込層
３８  ｎ型ＩｎＰ電流ブロック層
３９  ｐ型ＩｎＰクラッド層
４０  ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層
【図１】
0004537549.tif 000002
【図２】
0004537549.tif 000003
【図３】
0004537549.tif 000004
【図４】
0004537549.tif 000005
【図５】
0004537549.tif 000006
【図６】
0004537549.tif 000007
【図７】
0004537549.tif 000008
【図８】
0004537549.tif 000009
【図９】
0004537549.tif 000010