(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板を載置するステージを有する真空処理室と、
この真空処理室の周壁に設けられ、前記ステージに対して被処理基板を搬入・搬出する搬送口とからなり、前記真空処理室内でプラズマを発生させ、前記ステージ上の被処理基板をプラズマ処理する真空処理装置において、
加熱機構を有し、前記ステージ上に対して前記被処理基板を外部と受け渡しを行う際には、退避し、前記真空処理室内でプラズマを発生する際には、前記ステージの周囲を覆うように設置されて、前記搬送口を閉塞しつつプラズマ発生領域を取り囲むことにより、プラズマの乱れを防止するシャッタを設けたことを特徴とする真空処理装置。
【請求項２】
前記シャッタは、前記真空処理室の内周壁に沿う筒体であり、この真空処理室内でプラズマを発生する際に、シャッタ駆動機構によって上昇して前記搬送口を閉塞することを特徴とする請求項１記載の真空処理装置。
【請求項３】
前記シャッタ駆動機構は、大気側に設置されたエアシリンダと、このエアシリンダによって昇降し、前記シャッタを昇降する駆動軸とからなることを特徴とする請求項２に記載の真空処理装置。
【請求項４】
前記シャッタは、前記真空処理室の内周壁に沿う板状体であり、前記真空処理室内でプラズマを発生する際に、シャッタ駆動機構によって上昇して前記搬送口を閉塞することを特徴とする請求項１に記載の真空処理装置。
【請求項５】
前記シャッタ駆動機構は、大気側に設置されたエアシリンダと、このエアシリンダによって昇降し、前記シャッタを昇降する駆動軸とからなることを特徴とする請求項３に記載の真空処理装置。
【請求項６】
前記シャッタは、その電位が接地されていることを特徴とする請求項１記載の真空処理装置。
【請求項７】
被処理基板を載置するステージを有する真空処理室と、この真空処理室の周壁に設けられ、前記ステージに対して被処理基板を搬入・搬出するための搬送口とを有し、前記真空処理室内でプラズマを発生させ、前記ステージ上の被処理基板をプラズマ処理する真空処理装置において、
前記真空処理室の内周壁に沿って設置されたデポシールドと、
前記真空処理室の内周壁に沿って、昇降可能に設置されたシャッタと、を具備し、
前記デポシールドと前記シャッタは、それぞれ接地された電位であるとともに、前記搬送口から前記被処理基板を出し入れする際には、前記シャッタを退避させ、プラズマ処理時には、前記シャッタを前記デポシールドに当接させるように変位させ、凹凸のない曲面でプラズマ発生領域を取り囲むことにより、均一なプラズマを生成することを特徴とする真空処理装置。
【請求項８】
前記シャッタは、前記真空処理室内でプラズマを発生する際に、シャッタ駆動機構によって上昇されて、前記デポシールドに合致して前記搬送口の前方を閉塞することを特徴とする請求項７記載の真空処理装置。
【請求項９】
前記デポシールドは、前記真空処理室の内周壁に沿った、切り欠き部分を有する筒体であり、
前記シャッタは、前記デポシールドの内面に沿う曲板体で、前記切り欠き部分に合致する形状であり、
この真空処理室内でプラズマを発生する際に、シャッタ駆動機構によって前記シャッタを前記切り欠き部分に押しあて、前記搬送口の前方を閉塞すると共に、該シャッタの内面が前記デポシールドの内面と同一曲面を成すことを特徴とする請求項７記載の真空処理装置。
【請求項１０】
前記シャッタの前記デポシールド側端面において、
前記端面は平坦な面に形成され、前記ステージ側にはＯリングを嵌め入れる溝と、その外周には金属からなるスパイラルシールを嵌め入れる溝がそれぞれ形成され、
前記プロセス処理時に、前記デポシールドと前記シャッタとが前記スパイラルシールを介在して、電気的に接続されることを特徴とする請求項７記載の真空処理装置。
【請求項１１】
前記シャッタの前記デポシールド側端面において、  前記端面は前記デポシールドの端面と互いに噛み合う様にＬ字形で、前記シャッタの端面で外周側が凸部になるように形成され、
前記シャッタの凸部の端面に金属からなるスパイラルシールを嵌め入れる溝が形成され、前記プロセス処理時に、前記デポシールドの凹部分と前記シャッタの凸部分とが前記スパイラルシールを介在して、電気的に接続されることを特徴とする請求項７記載の真空処理装置。
【請求項１２】
前記デポシールドと前記シャッタには、それぞれ加熱機構が備えられていることを特徴とする請求項７記載の真空処理装置。
【請求項１３】
前記ステージの周囲には円盤状の排気プレートが配置され、前記シャッタが上昇した際、前記シャッタと前記排気プレートとが互いに接触して電気的に接続されることを特徴とする請求項７記載の真空処理装置。
【請求項１４】
被処理基板を載置するステージを有する真空処理室と、この真空処理室の周壁に設けられ、前記ステージに対して被処理基板を搬入・搬出するための搬送口とを有し、前記真空処理室内でプラズマを発生させ、前記ステージ上の被処理基板をプラズマ処理する真空処理装置において、
前記真空処理室の内周壁に沿って設置され、前記搬送口に対向する位置に切り欠き部を有するデポシールドと、
前記デポシールドの前記切り欠き部に合致する形状を成し、該切り欠き部に合致した場合には、内側がデポシールド内面と同一曲面となるように形成され、且つ昇降可能に設置されたシャッタと、を具備し、
前記デポシールドと前記シャッタは、それぞれ接地された電位であるとともに、前記搬送口から前記被処理基板を出し入れする際には、前記シャッタを退避させて前記切り欠き部を通過して該被処理基板の搬送を行い、プラズマ処理の際には、前記シャッタを前記デポシールドの前記切り欠き部に合致させるように変位させて、凹凸のない曲面でプラズマ発生領域を取り囲むことにより、均一なプラズマを生成することを特徴とする真空処理装置。
【請求項１５】
前記シャッタは、前記真空処理室内でプラズマを発生する際に、シャッタ駆動機構によって上昇されて前記切り欠き部に合致して前記搬送口を閉塞すると共に、該シャッタの内面が前記デポシールドの内面と同一曲面を成すことを特徴とする請求項１４記載の真空処理装置。
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、プラズマを用いた半導体製造技術により、被処理基板に対して成膜若しくはエッチング等を施す真空処理装置に関する。
背景技術
一般に、排気系により排気されて真空状態となる処理チャンバー内に被処理基板となる、例えば液晶用ガラス基板や半導体ウエハを配置して、それらの基板表面にプラズマを用いて、薄膜を成模するＣＶＤ（ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置や選択的なエッチングを行うＲＩＥ（ｒｅａｃｔｉｖｅ  ｉｏｎ  ｅｔｃｈｉｎｇ）装置等のプラズマ処理装置が知られている。
図１０は、従来のプラズマ処理装置の概略的構成を示す。
このプラズマ処理装置１において、図示しない排気系により真空引きされる筒状の処理チャンバー２を備え、その内部には、ボールねじ等の駆動軸３によって支持されたステージ４が設けられている。このステージ４上は被処理基板（液晶用ガラス基板や半導体ウエハ等）５が載置されるように平坦になっている。また、ステージ４の下部と真空処理チャンバー２の底部との間には駆動軸３を囲み気密となるようにベローズ６が設けられ、このベローズ６の内部は外部に通じて大気圧となっている。
さらに、処理チャンバー２の内周壁の略中央には図示しないゲートバルブにより開閉可能な搬送口７が設けられており、外部から図示しない搬送アームに持たれた被処理基板が搬入され、ステージ４上に載置され、又は処理が施された被処理基板が搬出される。
従って、搬送口７の部分は処理チャンバー内周壁面からみると凹部となっており、この状態でプラズマを発生させると、プラズマ密度の均一性が乱れることとなる。例えば、ＣＶＤ装置に適用すれば、被処理基板に堆積する膜厚の分布が不均一になる等の問題が発生する。
そこで、前述したような上下移動可能なステージ４を備えて、被処理体の搬入搬出時には、図１０の２点鎖線で示すように搬送口７より若干下方に移動させて、搬送アームによる被処理基板５とのやり取りを行い、載置された後ステージ４を上昇させて、搬送口７の凹部が発生するプラズマに掛からないようにしている。
前述したような上下移動可能なステージ４を備えるプラズマ処理装置は、上下移動させるスペースが処理チャンバー内に必要となり、処理チャンバー２の高さ寸法を大きくとる必要がある。このため処理装置全体では大型化になるという問題に繋がる。
さらに、ステージ４を上下移動させるために処理チャンバー２の内周壁との間に移動マージンとなる隙間８を設けているため、プラズマが発生した際に、この隙間８を通じて、ステージ４の下方側に回り込み、これが原因となってプラズマ密度に乱れが発生するという問題がある。
これらの問題を解消するために、例えば、特開明６３−２７５１１７号公報に開示されるプラズマ処理装置では、チャンバー内のプラズマ引出し口から被処理基板までの空間を取り囲むように複数の磁性体を配置し、これらの磁性体をプラズマ流に垂直な方向に磁力線を形成することによりプラズマ流の径を制御するようにしている。
これによりプラズマの拡散を抑制してプラズマ密度の均一化を図り、大口径の被処理基板においても均一なプラズマ処理を実現している。しかしこの技術においても、複数の磁性体によりプラズマ流に垂直な方向に磁界を発生させるために、それぞれに独立したモータとその駆動装置が必要であるため、構造的に複雑になってしまうという問題がある。
発明の開示
本発明は、プラズマの発生時に、そのプラズマが被処理基板を搬入・搬出する搬送口へ廻り込むのを防止し、プラズマの乱れをなくして均一なプラズマ処理ができ、しかも構造的に簡単で装置の小型化を図ることが可能な真空処理装置を提供することを目的とする。
本発明は、前記目的を達成するために、被処理基板を載置するステージを有する真空処理チャンバーと、この真空処理チャンバーを形成する周壁に設けられ、前記ステージに対して被処理基板を搬入・搬出する搬送口とからなり、前記真空処理チャンバー内でプラズマを発生させ、前記ステージ上の被処理基板をプラズマ処理する真空処理装置において、前記真空処理チャンバー内でプラズマを発生する際に、前記搬送口を閉塞してプラズマの乱れを防止するシャッタを設けた真空処理装置を提供する。
また前記シャッタは、前記真空処理チャンバーの内周壁に沿う筒体であり、真空処理チャンバー内でプラズマを発生する際に、シャッタ駆動機構によって上昇して前記搬送口を閉塞する。前記シャッタは、前記真空処理チャンバーの内周壁に沿う板状体であり、前記真空処理チャンバー内でプラズマを発生する際に、シャッタ駆動機構によって上昇して前記搬送口を閉塞する。
さらに、前記シャッタ駆動機構は、大気側に設置されたエアシリンダと、このエアシリンダによって昇降し、前記シャッタを昇降する駆動軸とからなる。
以上のように構成された真空処理装置は、プラズマ発生時に、エアシリンダによってシャッタを上昇させ、真空処理チャンバーへ被処理基板を搬入・搬出する搬送口をシャッタによって閉塞して真空処理チャンバーの内周壁に凹凸をなくすことにより、プラズマの乱れをなくして均一な．プラズマ処理ができる。
発明を実施するための最良の形態
以下、本発明による実施形態について詳細に説明する。
図１乃至図３は第１の実施形態を示し、図１は真空処理装置の縦断正面図、図２はシャッタ駆動装置の正面図、図３はシャッタの斜視図である。
図１に示すように、真空処理装置の本体を構成する処理チャンバー１１は、例えばアルミニウム等の導電性材料により形成され、その内部はリング状の仕切り壁１３によって上下に仕切られ、上方が真空処理室１４として、下方が大気室１５として設けられている。
この仕切り壁１３の中央にはステージ１６が設けられる。このステージ１６の上面には、セラミック又は石英等による絶縁部材が配置され、液晶用ガラス基板若しくは、半導体ウエハ等の被処理基板１７を載置する載置面１６ａとなっている。
ステージ１６は、例えば表面がアルマイト処理（陽極酸化処理）されたアルミニウム等からなり、その内部にはセラミックヒータ等の加熱部位や冷媒流路等の温度制御機構及び温度センサ（いずれも図示しない）が設けられている。
また真空処理室１４を構成する処理チャンバー１１の周壁の一部には、被処理基板１７を搬送アーム（図示しない）によって載置面１６ａに搬入・搬出する搬送口１８が設けられている。この搬送口１８は処理チャンバー１１の周方向に沿って扁平矩形状に開口しているとともに、開口縁から外側に一体に突出する突出ポート１９を有している。
さらに、処理チャンバー１１の内部にはその内周壁に沿うシャッタ２０が昇降自在に設けられている。このシャッタ２０は、図２及び図３に示すように、処理チャンバー１１と同一のアルミニウム等の導電性材料からなり、両端が開口する円筒体であり、その周壁の高さ前記搬送口１８を閉塞するに十分な寸法に形成され、後述するシャッタ駆動機構２１によって昇降されるようになっている。
さらに、シャッタ２０には電気ヒータ２０ａが内蔵され、熱ロスを防止し、処理効率アップを図りつつ、また反応性生成物の付着を抑制し、メンテナンス周期を延ばす機能を有する。尚、シャッタ２０の電位は、接地されている。
次に、シャッタ駆動機構２１について説明する。
処理チャンバー１１の下部の大気室１５側にはエアシリンダ２２が取付け具２３によって鉛直方向に取付けられている。このエアシリンダ２２の昇降ロッド２４にはリング状の昇降プレート２５が水平状態に固定されている。
昇降プレート２５には複数本の駆動軸２６が鉛直方向に設けられ、これら駆動軸２６の上端には前記シャッタ２０がねじによって固定されている。駆動軸２６は仕切り壁１３を貫通するガイド孔２７に軸方向にスライド自在に設けられ、このガイド孔２７にはシール部材２８とスライドベアリング２９が設けられている。
そして、エアシリンダ２２によって昇降ロッド２４を昇降することにより、昇降プレート２５及び駆動軸２６を介してシャッタ２０が昇降し、下降位置においてはシャッタ２０によって搬送口１８が開口し、上昇位置においてはシャッタ２０によって搬送口１８が閉塞され、真空処理室１４の周壁に凹凸のないフラットな面が形成されるようになっている。また、シャッタ２０は、デポシールドとして機能する。
次に、第１の実施形態の作用について説明する。
まず、エアシリンダ２２によって昇降ロッド２４を下降し、昇降プレート２５及び駆動軸２６を介してシャッタ２０を下降させて退避させる。その後、搬送口１８を開口させる。この状態で、搬送アームによって把持された被処理基板１７が搬送口１８から真空処理室１４内に搬入され、ステージ１６の載置面１６ａに載置される。
次に、搬送口１８がゲートバルブ（図示しない）によって閉塞された後、真空処理室１４を排気して真空状態とする。なお、真空処理室１４内は予め真空であってもよい。真空処理室１４が所定の真空度になった後、真空処理室１４にプロセスガスを導入する。これと同時に、エアシリンダ２２を駆動させて、昇降ロッド２４を上昇させると、昇降プレート２５及び駆動軸２６を介してシャッタ２０が上昇して搬送口１８を閉塞する。これにより、真空処理室１４の周壁に凹凸のないフラットな面が形成される。
次に、真空処理室１４内でプラズマを発生させて被処理基板１７をプラズマ処理するが、シャッタ２０がこのときプラズマ発生領域を円筒状に取り囲む。このシャッタ２０には、凹凸部分がないため、プラズマ流の偏りがなく、大口径の被処理基板１７であってもプラズマＣＶＤによる成膜を例にとれば、膜厚分布が均一になるなど、プラズマ処理の均一性が得られる。
また、ステージ１６を昇降させる必要がなく、シャッタ２０のみを真空処理室１４内で昇降させればよいので、真空処理室１４の高さ寸法を小さくでき、装置の小型化、省エネ化、低コスト化を図ることができる。
次に、本発明による第２の実施形態に係る真空処理装置について説明する。
図４は真空処理室１４を構成する処理チャンバー１１の横断平面図、図５はシャッタ駆動装置の斜視図である。本実施形態の構成部位において、前述した第１の実施形態と同一構成部位には同じ参照符号をふして、その詳細な説明は省略する。
この真空処理装置の処理チャンバー１１の周壁の一部には、搬送口３０が周方向に沿って扁平矩形状に開口しているとともに、搬送口３０は、その下端手開口部３０ａが設けられている。
さらに、真空処理室１４の内部には搬送口３０を気密になるように開閉するゲート３１が昇降自在に設けられている。このゲート３１は、処理チャンバー１１と同一のアルミニウム等の導電性材料からなり、搬送口３０の開口部分を塞ぐ寸法からなる矩形板状体で、処理チャンバー１１の周壁と同一の曲率に湾曲している。
このゲート３１は、処理チャンバー１１の下部の大気室１５側に設けられるエアシリンダ２２の昇降ロッド２４に連結され、昇降するようになっている。そして、昇降ロッド２４の下降位置においてはゲート３１が下がって搬送口３０が開口しされ、上昇位置においてはゲート３１が搬送口３０を気密になるように閉塞する。これにより、真空処理室１４の周壁面に凹凸がなくなる。
本実施形態によれば、搬送口３０を開閉するゲート３１のみを昇降駆動すれぱよく、前述したシャッタと同様に、真空処理室１４の周壁面に凹凸を無くし、且つゲート３１を小型軽量に形成することができ、エアシリンダ２２の小型化を図ることができる。
次に本発明による第３の実施形態に係る真空処理装置について説明する。
図６には、本実施形態の真空処理装置の縦断正面図を示す。
この真空処理装置の本体を構成する処理チャンバー４１は、アルミニウム等の導電性材料により形成され、その内部はリング状の仕切り壁４２によって上下に仕切られ、上方が真空処理室４３として、下方が大気室４４として設けられている。
この仕切り壁４２の中央にはステージ４５が設けられる。このステージ４５の上面には、セラミック又は石英等による絶縁部材が配置され、液晶用ガラス基板若しくは、半導体ウエハ等の被処理基板４６を載置する載置面４５ａとなっている。また、ステージ４５の周囲には、円盤状の排気プレート５６を設けている。ステージ４５は、例えば表面がアルマイト処理（陽極酸化処理）されたアルミニウム等からなり、その内部にはセラミックヒータ等の加熱部位４７や、冷媒流路等の温度制御機構及び温度センサ（図示せず）が設けられている。
また真空処理室４３内の周壁の一部には、被処理基板４６を搬送アーム（図示しない）によって載置面４５ａに搬入・搬出する搬送口４７が設けられている。この搬送口４７の大気側には開閉するゲートバルブ４８が設けられている。このゲートバルブ４８は、図示しないエアシリンダ等により駆動し、閉じた場合には、真空処理室４３内を気密にする。
また、処理チャンバー４１の天井板５４内には、ガス導入系を含む上部電極５５が設けられている。さらに、真空処理室４３内には、図７に示すような昇降可能なシャッタ４９及び固定されるデポシールド５０が設けられている。
このデポシールド５０は、アルミニウム等の導電性材料からなり、両端が開口する円筒体であり、図６に示すように真空処理室４３内ではスペーサ５３を介在して固定されている。デポシールド５０は、接地されており、処理チャンバーと同電位のＧＮＤ電位である。また、デポシールド５０は、一部に切り欠き部分を有しており、この切り欠き部分に上昇したシャッタ４９が合致する。
また、シャッタ４９及びデポシールド５０には共に電気ヒータ（図示せず）が内蔵され、真空処理室４３内の熱損失を防止して処理効率アップを図りつつ、また反応性生成物の付着を抑制し、メンテナンス周期を延ばす機能を有する。
このシャッタ４９は、処理チャンバー４１の下部の大気室４４側から磁性流体シールなどを用いて気密に導入される駆動軸５１の一端に連結される。さらに、この駆動軸５１の他端は、エアシリンダ５２に連結されており、エアシリンダ５２の駆動により、シャッタ４９が上下方向に昇降する。つまり、被処理基板を搬送口４７から出し入れする際には、下降して退避し、プラズマ発生時には上昇させてデポシールド５０の切り欠き部分に合致させて凹凸のない曲面を形成している。
前述した第２の実施形態においては、上昇したシャッタ３１が処理チャンバー１１の周壁との段差を無くして同一の周面を形成する場合には、シャッタ３１が処理チャンバー１１になるべく近づいた状態が好ましいが、上昇時に当接すると、その箇所が擦れてパーティクルを発生させるおそれがある。しかし、隙間をあけると電気的な繋がりが無くなり、プラズマを用いた処理装置においては、そのプラズマに晒されるため、シャッタ３１が処理チャンバー１１とは異なった電位となる場合がある。
そこで、図７におけるＡ−Ａ断面となる図８Ａに示すように、デポシールド５０とシャッタ４９を電気的に接続するためのステンレス等の金属からなるスパイラルシール６１を用いる。つまり、シャッタ４９の端面に、スパイラルシール６１の一部が出るように収納する溝を形成し、さらに並行してＯリングを同様に収納する溝を形成して、それぞれを収納する。この時、スパイラルシール用溝は処理チャンバー４１側に、Ｏリング用溝は真空室４６側に形成する。また、スパイラルシール用溝の内面６４と、スパイラルシール６１が当接するデポシールド５０の接触面６３のアルマイト６５は除去して、電気的な接続ができる状態にする。
そして、図８Ｂに示すように、駆動軸５１により上昇したシャッタ４９がデポシールド５０に当接する際に、スパイラルシール６１がデポシールド５０の接触面６３に接触する際に、金属粉即ちパーティクルが発生した場合でも、Ｏリング６２により真空処理室４３側にパーティクルが入り込むことを防止できる。また、Ｏリングは、デポシールド５０に当接する際の衝撃を吸収するように作用する。
また、シャッタ４９が上昇した際に、排気プレート５６に接触して電気的に接続させるためのスパイラルシール６６を同様に設けてもよい。
次に、第３の実施形態の変形例を図９に示し説明する。
この変形例は、シャッタ４９とデポシールド５０との当接する端面の形状が異なっており、Ｏリングを用いずに実現した例である。
図９に示すように、それぞれの端面を噛み合うようにＬ字形に形成する。この時、処理チャンバー４１側が真空処理室４３側よりも高くなる、つまり外周側が凸形になるようにする。
この変形例においても、シャッタ４９の凸形端面上には、前述したと同様なスパイラルシール用溝を形成して、スパイラルシール７２をはめ込み、シャッタ７１を上昇させた場合に、デポシールド７０に当接させて、電気的な接続を図る。この時、当接部分がＬ字形型となっているため、デポシールド７０へスパイラルシール７２が接した際に、パーティクルが発生しても、Ｌ字形部分で遮られるため、被処理基板４６までそのパーティクルが到達せずにすむ。これにより、真空処理室１４の周壁に凹凸のないフラットな面が形成される。尚、本実施形態では、Ｏリングを用いたが、他にもテフロン等で弾性を発生させる形状例えば、Ｕ字溝形状に成形して用いることもできる。
以上説明したように、この発明によれば、真空処理室へ被処理基板を搬入・搬出する搬送口をシャッタによって閉塞して真空処理室の内周壁に凹凸をなくすことにより、プラズマの発生時に、プラズマの乱れをなくして均一なプラズマ処理ができるという効果がある。また、被処理基板を載置する載置台を昇降させる必要がなく、構造的に簡単で、装置の小型化を図ることができるという効果がある。
さらに、電気的にデポシールドとシャッタと排気プレートが同電位（例えば接地電位）となるため、電気的なプラズマの乱れも無くして、さらに均一なプラズマ処理ができる。
産業上の利用可能性
本発明の真空処理室の内周壁から凹凸をなくすことにより、プラズマの発生時に、プラズマの乱れをなくして均一なプラズマ処理ができる真空処理装置を提供することにある。
本発明の真空処理装置は、プラズマを用いてステージに載置された被処理基板に所定処理を施す真空処理室を備え、その真空処理室内の周壁を覆い、且つ上下移動するシャッタが配置される。このシャッタは、搬送口を介してステージとの被処理基板の受け渡しの際に、その全体を退避させ、またプラズマ処理の際には、プラズマ発生領域を取り囲む様に設置され、真空処理室内の凹凸を無くし、デポシールドとして機能する。また、ステージ外周で真空処理室内の周壁を覆うようにデポシールドが固定され、搬送口をカバーする切り欠き部分が設けられ、この切り欠き部分に合致する昇降可能なシャッタを設け、搬送口から被処理基板を出し入れする際には、シャッタを下降させて退避させ、プラズマ処理時には上昇させて切り欠き部分に合致させ、凹凸のない曲面を形成しつつ同じ電位になり、プラズマの乱れをなくして均一なプラズマ処理を行う真空処理装置である。
【図面の簡単な説明】
図１は、本発明による第１の実施形態に係る真空処理装置の縦断面構造を示す図である。
図２は、第１の実施形態のシャッタ駆動装置の正面図である。
図３は、第１の実施形態のシャッタの斜視図示す図である。
図４は、第２の実施形態を示す処理チャンバーの断面構造を示す図である。
図５は、第２の実施形態のシャッタ駆動装置の斜視図である。
図６は、第３の実施形態に係る真空処理装置の縦断面構造を示す図である。
図７は、第３の実施形態のシャッタ駆動装置の斜視図である。
図８Ａ及び８Ｂは、第３の実施形態のシャッタ駆動装置の断面構造を示す図である。
図９は、第３の実施形態の変形例のシャッタ駆動装置の断面構造を示す図である。
図１０は、従来の真空処理装置の縦断面構造を示す図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図９】
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【図１０】
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