(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
リアクタの対向電極間の高周波電界によってプラズマ化された反応ガスを、大気圧近傍の圧力の下に被処理基板に噴射供給して表面処理を行う装置において、
前記対向電極は、それぞれが固体誘電体で覆われた平行平板電極で構成され、この対向電極が、前記被処理基板と対面する一方の電極と、この一方の電極と所定の間隙を保ち、この一方の電極によって被処理基板から隠される位置に配置される他方の電極とから構成されるとともに、前記被処理基板を搬送するコンベアを横断して該コンベアと直交するように配置されてなり、
前記一方の電極が高周波電源の出力端子の接地側に接続されるとともに、前記他方の電極における被処理基板の搬送方向の幅が前記一方の電極の幅よりも小さく設定され、
前記反応ガスは、前記リアクタの対向電極の一方の側端から供給され対向電極の間隙を通り、その他方の側端に下方に向けてスリット状に開口して設けられた噴射孔から被処理基板に向けて噴射されるように構成されていることを特徴とするプラズマ表面処理装置。
【請求項２】
前記リアクタの外周に、前記一方の電極と前記反応ガスの噴射孔の位置を除いて、接地導体板を配置したことを特徴とする請求項１に記載のプラズマ表面処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波電圧が印加される対向電極間に反応ガスを流し、これをプラズマ化して、大気圧近傍圧力の下に被処理基板に噴射供給するダウンストリーム方式のプラズマ表面処理装置に関し、さらに詳細には、誘導電流およびアークによる被処理基板の損傷を防止する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）の製造工程、およびＩＣや太陽電池等の半導体デバイス製造工程は、ガラス基板や半導体ウエーハ等の各種基板の上に、有機物又は無機物材質の薄膜の形成を繰り返して行うことにより進められる。
【０００３】
これらの形成の際には、前処理としての表面改質が必要とされる。これは、レジスト塗布前、現像処理前、現像処理後のレジスト残渣物除去、ウエットエッチ前処理、ウェット洗浄前処理等である。
【０００４】
この前処理は、一般に、ＵＶランプ、エキシマランプによる光洗浄によって行なわれている。しかし、ランプ寿命のため高額のランプを年間に数回交換する必要があり、ランプ費用の負担とランプ交換に伴う稼働率低下により、製品の製造コストの増加要因になっていた。
【０００５】
また、上記ランプを使用する場合、ランプハウス下部の光照射窓に装着されている高額な合成石英板が処理に伴う生成物の付着によって曇るので、１〜３ヶ月間に数回のクリーニング、２年に１、２回以上の交換が必要になる。このことによっても製造コストが上昇する。
このようにＵＶランプやエキシマランプを用いた表面改質は、製造コストの増大を招く。 
【０００６】
このため、プラズマ化した反応ガスによって、大気圧近傍の圧力の下に被処理基板の表面処理を行うプラズマ表面処理装置が使用され始めている。
【０００７】
この表面処理において、被処理基板の損傷を少なくしたい場合は、ダウンストリーム方式が採用される。これは、図６（ａ）に示すように高周波電圧が加えられたリアクタの対向電極ａ,ｂの間に反応ガスｎを通してプラズマ化し、被処理基板ｗに噴射供給するもので、残留物の除去等による密着性向上や乾燥等にも使用される。
【０００８】
このダウンストリーム方式は、図６（ｂ）に示すプラナー方式のように、対向電極ｃ、ｄ間の高周波電界ｈを被処理基板ｗに直接作用させないので、損傷を与え難い。
【０００９】
しかし、被処理基板ｗに、トランジスタや配線等の微小パターンが半導体や導体によって形成されている場合は、ダウンストリーム方式であっても、これらを損傷させることがある。
【００１０】
これは、図６（ａ）に示すように、対向電極ａ,ｂの間に高周波高電圧を加えると、その側方に膨らむように生じる高周波電界ｈｓが被処理基板ｗに作用して上記微小パターンに誘導電流を流し、対向電極ａ,ｂと被処理基板ｗの間にアークを発生させるためである。損傷を最も受け易いのは、Ｃ結合構造を持つＦＥＴのゲートで、前記側方の高周波電界ｈｓによって絶縁性が損なわれ、流入する電流によって特性が劣化する。上記誘導電流またはアークが大きく、熱による損傷に至る場合もあるが、被処理基板Ｗに対する表面処理では、上記ＦＥＴのゲートのように構造的に最も弱い部分の特性をも劣化させないことが求められ、前記側方の高周波電界ｈｓの対策が必要になる。
【００１１】
上記反応ガスとしては、希ガス、特にＨｅガスがよく使用される。本出願人は、ランニングコストを低減することを目的とし、高額な希ガスに代え、窒素ガスを反応ガスとして使用することを考えた。
【００１２】
窒素ガスは安価であるが、所定の処理能力を得るには、希ガスに比べて流量を相当多くする必要がある。また、大気圧下でプラズマ化に必要な高周波電力の使用量で比較しても、窒素ガスは希ガスよりも多く電力を必要とする。窒素ガスの場合に必要な使用電力量は、希ガスの中で、他のＨｅ、Ｋｒ、Ｘｅガスに比べ最も使用電力量が大きいＡｒガスより４倍の電力量が必要になる。
【００１３】
すなわち、製造ラインで使用するためには窒素ガスの使用量と使用電力量の双方を少なくする必要がある。
【特許文献１】特開２００２−１１０６３９
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
そこで、本発明は、ダウンストリーム方式のプラズマ表面処理装置において問題となっている誘導電流およびアークによる損傷をなくすことができる装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明は、リアクタの対向電極間の高周波電界によってプラズマ化された反応ガスを、大気圧近傍の圧力の下に被処理基板に噴射供給して表面処理を行う装置において、上記対向電極は、それぞれが固体誘電体で覆われた平行平板電極で構成され、この対向電極が、上記被処理基板と対面する一方の電極と、この一方の電極と所定の間隙を保ち、この一方の電極によって被処理基板から隠される位置に配置される他方の電極とから構成されるとともに、上記被処理基板を搬送するコンベアを横断して該コンベアと直交するように配置されてなり、上記一方の電極が高周波電源の出力端子の接地側に接続されるとともに、上記他方の電極における被処理基板の搬送方向の幅が上記一方の電極の幅よりも小さく設定され、上記反応ガスは、上記リアクタの対向電極の一方の側端から供給され対向電極の間隙を通り、その他方の側端に下方に向けてスリット状に開口して設けられた噴射孔から被処理基板に向けて噴射されるように構成されていることを特徴とする。
【００１７】
上記一方の電極は、高周波電源の出力端子の接地側に接続されて接地電位に保たれているので、リアクタの外周につき、一方の電極と反応ガスの噴射孔の位置を除いて、接地導体板を配置することにより、高周波電磁界の漏れを略完全になくすことができる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明では、リアクタの対向電極が、被処理基板と対面する一方の電極と、この一方の電極と所定の間隙を保ち、被処理基板から隠された位置に配置される他方の電極とから構成されるとともに、上記被処理基板を搬送するコンベアを横断して該コンベアと直交するように配置されてなり、さらに、上記一方の電極が高周波電源の出力端子の接地側に接続されるとともに、上記他方の電極における被処理基板の搬送方向の幅が上記一方の電極の幅よりも小さく設定されている。すなわち、一方の電極と他方の電極との間に生じる高周波電磁界が、一方の電極によって被処理基板に対して隠され、被処理基板に流れる誘導電流とアークを少なくすることができる。しかも、本発明では、上記リアクタの対向電極の間隙を通り、その一側端に抜ける反応ガスが、被処理基板に向けて噴射される構成に加えて、上記他方の電極の幅が上記一方の電極の幅より小さくされていることから、一方の電極による遮蔽効果が確実なものとなる。
【００２４】
また、本発明は、一方の電極を高周波電源の出力端子の接地側に接続して接地電位に保つことによって、一方の電極と被処理基板との電位差を生じさせない。これによって、一方の電極に完全なシールド作用をさせて、被処理基板の損傷を防止できる。
【００２５】
これは、対向電極間の高周波電磁界による被処理基板の誘導電流の発生がなくなること、および電位差がないことから一方の電極から被処理基板へアーク電流の流れ込みがなくなることによる。
【００２６】
この構造は、リアクタと被処理基板の間に別のシールド板を配置する構造と比較し、リアクタを被処理基板に接近させて、処理効率を高くできるという効果を有するものである。反応ガス中に生じさせるプラズマ活性種の寿命は短いので、リアクタを被処理基板から離すと、プラズマ活性種の被処理基板への到達率が低下するのである。
【００２７】
さらに、本発明では、リアクタの外周に、一方の電極と反応ガスの噴射孔の位置を除いて、接地導体板を配置したので、リアクタ全体からの高周波電磁界の漏れをなくして、上記シールド作用を完全なものにすることができる。
【００２８】
また、リアクタの構造は、対向電極が平行平板電極であるので構造が簡単で、製造コストを低減できる特徴を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
図１は、本発明の一実施形態であるプラズマ表面処理装置１の外観を示す斜視図である。プラズマ表面処理装置１は、被処理基板ｗを載置して運ぶコンベア２の途中に直交して配置され、被処理基板ｗに対して上方からプラズマ活性化した反応ガスを噴射して表面処理を行う。
【００３４】
このプラズマ表面処理装置１は、接地される導体板により、下方を開放した細長い箱型のシールドケース３を作り、その内部に、高周波電力が供給されるリアクタを収容したものである。
【００３５】
このリアクタの代表的構造例を、図２（ａ）（ｂ）（ｃ）に断面図で示して説明する。これらの断面図は、図1のプラズマ表面処理装置１をコンベア２の搬送方向に沿う鉛直な面で切断したもので、いずれの図のリアクタ４、５、６も紙面と垂直な方向に、コンベア２を横断する長さの奥行きを持っている。
【００３６】
図２（ａ）は、リアクタ４を平行平板電極７、８で構成したもので、一方の電極７を被処理基板ｗと対面させ、他方の電極８を、一方の電極７により被処理基板ｗから隠される位置に配置して、接地導体板であるシールドケース３ａの内部に固定している。
【００３７】
各平板電極７、８は、例えばアルミニウムで製作され固体誘電体９で覆われている。
固体誘電体９で覆ったのは、平板電極７、８の金属で被処理基板ｗが汚染されるのを防止するためで、固体誘電体９の比誘電率が大きく、固体誘電体９の表面間に電界が集中するので、固体誘電体９の間隙が、実質的な電極間隙Ｇとなる。この電極間隙Ｇの長さは、改質性能に大きい変化を与えるので、通過する反応ガスの励起状態を発光分光器で観測することにより決定する。
【００３８】
各平板電極７、８は高周波電源ＲＦから給電を受ける。この高周波電源ＲＦは、昇圧トランスを介して前記電極に高周波電力を供給するもので、被処理基板ｗに対面する一方の電極７に接続される出力端子（図で−で示される）を接地ｅ1している。
【００３９】
また、この高周波電源ＲＦは、各平板電極７、８に前記昇圧トランスの２次側が接続されて生じる並列共振回路の共振周波数の変動に、高周波周波数を追従させるＰＬＬ回路を備え、無効電力を最小にして電力の供給効率を高めている。
【００４０】
反応ガスは、固体誘電体９と絶縁物１２で形成された内部通路を通る。すなわち、反応ガスは平行平板電極７、８の一方の側端に、前記コンベア２の幅の長さで設けた供給孔１０から供給され、電極間隙Ｇをプラズマ化されながら横方向に流れて、平行平板電極７、８の他方の側端に下方に向けスリット孔状に開口した噴射孔１１から、被処理基板ｗが搬送されるコンベア２の上に噴射される。
【００４１】
さらに、シールドケース３ａも一方の電極７と同様に接地ｅ2されて、コンベア２の上の被処理基板ｗと同じ接地電位に保たれる。これによって、リアクタ４から被処理基板ｗに漏れる高周波電磁界を小さなものにし、誘導電流やアーク放電によって被処理基板ｗの微小パターンを損傷させない。
【００４２】
図２（ｂ）のリアクタ５は、図２（ａ）で説明したリアクタ４の平行平板電極７、８の他方の電極８を、反応ガスの供給孔１３となる間隔を開けて二分割し、８ａ、８ｂとしたものである。
【００４３】
供給孔１３は、リアクタ５の全長に延びて形成され、この供給孔１３から入った反応ガスは、平行平板電極の両側の部分７,８ａと７，８ｂの電極間隙Ｇに分流し、ここでプラズマ化される。そして、両側の端部に設けた噴射口１４、１５から被処理基板ｗが搬送されるコンベア上に供給される。
【００４４】
この図２（ｂ）のリアクタ５は、一台の装置に、二つの平行な反応ガスの噴射孔１４、１５を持つことが特徴で、二つのリアクタを併設する代わりに使用できる。その他の部分の構造と、その作用と効果は、図２（ａ）のリアクタ４と共通する。
【００４５】
図２（ｃ）のリアクタ６は、反応ガスの供給路を二本設けたものである。このために、被処理基板ｗと対面する一方の電極１６ａ、１６ｂを、反応ガスの噴射孔１８となる間隔を開けて二分割されたものとする。また、被処理基板ｗから隠される位置に配置される他方の電極１７の形状を、二分割された一方の電極１６ａ、１６ｂの夫々との間に、反応ガスの供給路１９ａ、１９ｂとなる所定の間隙Ｇを形成し、かつ、これら二つの供給路１９ａ、１９ｂが合流して、前記反応ガスの噴射孔１８につながるものとする。
【００４６】
この目的のため、図示例においては、二分割された一方の電極１６ａ、１６ｂの断面は直角三角形状、他方の電極１７の断面は二等辺三角形状となり、二つの供給路１９ａ、１９ｂの断面は逆Ｙ字形状となっている。そして、反応ガスの供給孔２０、２１は上方に二つ設けられる。
【００４７】
上記図２（ａ）のリアクタ４の具体的構造例を図３に示す。この例では、他方の電極８の幅を一方の電極７の幅より小さくし、一方の電極７の遮蔽効果を、確実なものとしている。
反応ガスは、絶縁体１２に設けた内部空洞２２から、拡散板２３ａを備えた拡散室２３に流され、乱流をなくした状態で対向した一方の電極７と他方の電極８との間に供給される構造となっている。
【００４８】
また、一方の電極７と他方の電極８の内部に冷却用空洞２４、２４を設け、ここに冷却液である純水等の絶縁液体を循環圧送して電極７、８の発熱を抑えている。この冷却は、被処理基板Ｗの熱損傷が起こらないように、例えば電極が１００℃以下に保たれるようする。
【００４９】
上記図２（ｃ）のリアクタ６の具体的構造例を図４に示す。この構造例は、二つの供給路１９ａ、１９ｂを持つので、反応ガスの供給系を二系統設ける。すなわち、絶縁体１２に、二つの内部空洞２５、２５と、拡散板２６ａ、２６ａを備える二つの拡散室２６、２６を設け、反応ガスを、個別に二つの供給路１９ａ、１９ｂに供給する。各供給路１９ａ、１９ｂでプラズマ活性化された反応ガスは、混合室２９で混合されて噴射孔１８から噴射される。
【００５０】
また、一方の電極１６ａ、１６ｂには冷却用空洞２７、２７を設け、他方の電極１７には冷却用空洞２８を設け、被処理基板Ｗの熱損傷を防止している。
【００５１】
上記図２（ｃ）と図４で説明したリアクタ６の使用法を説明する。リアクタ６は、電極間隙Ｇである供給路１９ａ、１９ｂを二つ持つ。この構造は、対向電極が一つの場合に比べて効率良くプラズマ活性化を行うことができる。 そこで、これらに同じ反応ガスを供給して、この効果を得ることができる。
【００５２】
反応ガスに、窒素等のキャリアガスに酸素または空気を添加したものを用いる場合のリアクタ６の使用法を考察する。
【００５３】
窒素等のキャリアガスに酸素を添加すると、キャリアガス単体の場合に比べて、例えば１／７の流量で、表面改質の達成目標値の一つである接触角を５°以下にすることが可能になるというデータがある。これは、反応ガスに安価な窒素を使用すると、ガス使用量と使用電力量が多くなるという前記問題を解決するものである。
【００５４】
このために、図５（ａ）に示すように、流量調整弁３０、３１で供給量を設定した窒素と酸素を、混合器３２で混合して、リアクタ６の二つの供給路に供給する方法を採用してみた。
【００５５】
この場合は、上述したように、１／７の流量で接触角を５°以下にするという結果は得られた。しかし、酸素の添加量が、例えば０．０１〜０．２５％と微量であるため、リアクタ６に供給された高周波電力のほとんどが、窒素の活性化に費やされ、表面処理の実質的な有効成分である酸素が十分に活性化されないことが分かった。
【００５６】
そこで、図５（ｂ）に示すように、窒素と酸素を別々にリアクタ６の供給路１９ａ、１９ｂに供給するという方法を採用してみた。すると、酸素が十分にプラズマ活性化される結果、表面処理の効率が高まり、窒素および酸素の使用量と、使用電力量を、図５（ａ）で説明した場合に比べて削減できることが分かった。
【００５７】
なお、酸素を添加する代わりに、０．１〜２．５％の空気を添加する方法を採用してもよい。空気には窒素が含まれるが、その比率がキャリアガスに比べるとかなり小さいので、酸素を十分に活性化することができる。
【００５８】
このように、酸素を個別にプラズマ活性化した後に、窒素等のキャリアガスに混入するという手法は、図２（ｃ）と図４で説明したリアクタ６以外の構造のリアクタで採用することも可能である。
【産業上の利用可能性】
【００５９】
本発明は、ダウンストリーム方式の表面処理装置を用いて、ＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ），ＦＰＤ用フィルター、プリント基板、フィルム状基板、半導体ウエ−ハ、フォトマスク、太陽電池基板等の被処理基板に、大気圧近傍圧力の下にプラズマによって表面処理をして、親水性または疎水性を与えるための改質処理、残留物の除去等による密着性向上、乾燥等を行う場合において、被処理基板に流れる誘導電流とアークによる損傷を回避するのに利用できる。また、この用途において、反応ガスの使用量と消費電力量を低減するのに使用できる。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】本発明の一実施形態であるプラズマ表面処理装置の外観を示す斜視図である。
【図２】図１のプラズマ表面処理装置の内部構造例（ａ）（ｂ）（ｃ）を列挙して示す断面図である。
【図３】図２（ａ）のリアクタの、具体的構造例を示す断面図である。
【図４】図２（ｃ）のリアクタの、具体的構造例を示す断面図である。
【図５】酸素を添加した反応ガスをリアクタに供給する方法を説明する図で、（ａ）は混合して供給する場合、（ｂ）は別々に供給する場合を示す。
【図６】従来のリアクタの構造を示す断面図で、（ａ）はダウンストリーム型、（ｂ）はプラナー型を示す。
【符号の説明】
【００６１】
1                  プラズマ表面処理装置
２                 コンベア
３                 シールドケース
４、５、６         リアクタ
７、１６ａ、１６ｂ    一方の電極
８、８ａ、８ｂ、１７  他方の電極
９                  固体誘電体
１０、１３、２０、２１ 反応ガスの供給孔
１２                   絶縁物
１１、１４、１５、１８    反応ガスの噴射孔
１９ａ、１９ｂ      供給路
２２、２５          内部空洞
２３ａ、２６ａ      拡散板
２３、２６          拡散室
２４、２７、２８    冷却用空洞
２９                混合室   
３０、３１           流量調整弁
３２                 混合器
Ｇ                   電極間隙
ＲＦ                 高周波電源
【図１】
0004579522.tif 000002
【図２】
0004579522.tif 000003
【図３】
0004579522.tif 000004
【図４】
0004579522.tif 000005
【図５】
0004579522.tif 000006
【図６】
0004579522.tif 000007