(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
行及び列の状態に配列されている複数の放電セルに区分され、第１基板と第２基板との間に放電ガスで満たされた空間を有する該第１基板及び第２基板を有し、また、前記第１基板と接している上部及び前記第２基板上にあるベース層とを各々有し、２つの隣接するセルの列を各々隔てる隔壁を有する絶縁体隔壁のアレイを有し；
前記第１基板は、前記行に対して及び互いに対して平行である一般的方向に沿って方向付けられ、各々のアレイの電極が各々の放電セルを横切るように、それ故、対を形成するように備えられ、並びに、各々の対の電極を分離するギャップのどちらかの側において互いに対向する開始端縁と呼ばれる端縁を有する、維持電極と呼ばれる少なくとも２つのコプレーナ電極のアレイを有し；
各々の列分離隔壁は、該各々の列分離隔壁の上部において及び該各々の列分離隔壁の全体的な幅に亘って、各々の対の電極を分離するギャップの少なくとも各々の側において広がり、及び、前記対の前記電極の前記開始端縁の背後に対して８０μｍのところに位置付けられたラインから少なくとも開始し、並びに、３μｍより大きいが、前記隔壁の全高さの１／５を超えない膜厚と、前記隔壁の前記ベース層の平均誘電率の１／３より小さい平均誘電率と、を有する、一連の低誘電率領域を有する；
ことを特徴とするプラズマ表示パネル。
【請求項２】
請求項１に記載のプラズマ表示パネルであって、前記コプレーナ電極の各々は前記コプレーナ電極の全体的に有用な長さに亘って一定の幅を有する、ことを特徴とするプラズマ表示パネル。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のプラズマ表示パネルであって、各々の隔壁の上部における一連の低誘電率領域は連続的な低誘電率領域を構成する、ことを特徴とするプラズマ表示パネル。
【請求項４】
請求項１又は２に記載のプラズマ表示パネルであって、２つの列を分離する各々の隔壁の上部において、前記低誘電率領域は不連続であり、各々の対の電極を分離するギャップにおいて中断されている、ことを特徴とするプラズマ表示パネル。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項に記載のプラズマ表示パネルであって、前記低誘電率領域の厚さは少なくとも５μｍである、ことを特徴とするプラズマ表示パネル。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項に記載のプラズマ表示パネルであって、前記列分離隔壁は、前記隔壁のベース層と前記低誘電率領域との間の中間にあり、前記低誘電率領域の前記厚さより大きい厚さと前記隔壁のベース層の前記平均誘電率より大きい平均誘電率とを有する、高誘電率中間領域を更に有する、ことを特徴とするプラズマ表示パネル。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項に記載のプラズマ表示パネルであって、前記コプレーナ電極は、誘電体層と保護／二次電子放出層とがコーティングされている、ことを特徴とするプラズマ表示パネル。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項に記載のプラズマ表示パネルであって、前記第２基板は、セルの列において各々備えられた、アドレス電極と呼ばれる第３の電極アレイを有する、ことを特徴とするプラズマ表示パネル。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項に記載のプラズマ表示パネルであって、前記の隔壁のアレイはまた、２つの隣接するセルの行の各々を分離する隔壁を有する、ことを特徴とするプラズマ表示パネル。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一項に記載のプラズマ表示パネルであって、前記隔壁は少なくとも１００μｍの高さを有する、ことを特徴とするプラズマ表示パネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマ表示パネルであって、図１Ａ、１Ｂに示すように、行列状に配列された数多くの放電セル１８に区分され、放電ガスで満たされた空間が第１基板及び第２基板の間にあるそれら第１基板及び第２基板から構成され、又、２つの隣接するセルの列を各々隔てる隔壁１５から構成される絶縁体隔壁のアレイを含み、第１基板は、一般に、互いに平行であり前記隔壁に対して垂直である方向に方向付けられている維持電極と呼ばれる少なくとも２つのコプレーナ電極Ｙ、Ｙ´のアレイを含み、隔壁はこれらの一般の方向に対して垂直な一定の幅を有し、第１基板は又、各々のアレイの電極が各々の放電セルを横切るように配置されている、プラズマ表示パネルに関する。
【０００２】
隔壁１５は各々２つの隣接するセルの列を隔てているため、これらの隔壁は、下で記載する行隔壁に対して、列隔壁と呼ばれる。
【０００３】
それ故、対の維持電極が各々の放電セルを横断し、各々の対の維持電極は、それ故、放電セルの行に電源を供給する。いずれの１つの行の隣接セルの全ては絶縁体材料より成る列隔壁により隔てられている。このように、コプレーナ電極の一般方向において、いずれの１つの行における種々のセルの幅はこれらの列隔壁により制限される。これらの隔壁は、一般に、パネルの基板間のスペーサをしての役割を果たす。
【０００４】
コプレーナ電極は、一般に酸化マグネシウムに基づく保護／二次電子放出層１４をコーティングされた誘電体層１３をコーティングされている。
【０００５】
第２基板は、各々が２つの列隔壁間に置かれる、アドレス電極と呼ばれる第３電極アレイＸを含む。それ故、各々のアドレス電極は、放電セルの列に電源を供給する。これらのアドレス電極は又、誘電体層１７で覆われることが可能である。
【０００６】
従来技術の特定のパネルにおける隔壁のアレイは、図１Ａ、１Ｂに示すような隔壁により、全体の境界線に亘って、パネルの各々のセルが境界をつけられる方式で、セルの２つの隣接する行を各々隔てる行隔壁と呼ばれる隔壁１６を含む。
【０００７】
プラズマパネルを駆動する動作は、オンにされる必要があるセルをアクティブな状態にすることが意図されたアドレス期間であって、セルの行に電源を供給する維持電極Ｙ、Ｙ´間に一連の維持電圧パルスが供給される維持期間により後が続けられ、ギャップＧはそれらの電極を分離している、アドレス期間を従来通りに含む。これらの維持パルスの振幅は、予め、アクティブな状態にされていない行のセルにおいて放電を引き起こすには不十分であるが、予めアクティブな状態にされた行のセルにおいて放電を引き起こすには十分である必要がある。
【０００８】
放電セルのアドレッシングは、一般に、列電極と行電極の１つとの間で起こり、又、維持のために役立つ。
【０００９】
放電セル及び基板間の空間は、紫外線を放射する放電を得るために適切な低圧ガスで満たされている。
【００１０】
各々のセルの壁は、一般に、放電の紫外線放射により励起されるときに、特に、赤色、緑色又は青色の可視光を放射することができる蛍光体層を備えている。このような層は、一般に、隔壁の側壁と第２基板とに堆積されている。
【００１１】
三原色、即ち、赤色、緑色及び青色を放射するパネルの場合、これらの隣接放電セルは、赤色、緑色及び青色の状態で間接的に放射する放電が得られるように、異なる色の蛍光体を有する。
【００１２】
第１基板、即ち、コプレーナ電極を支持する基板は、一般に、パネルが表示することができる画像を観測している人のほうに向けられている前面基板としての役割を果たす。前面基板の電極がセルから入射する可視光の部分を吸収し過ぎないように、コプレーナ電極は、好適には、スズ酸化物又は混合されたＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）のような導電性があり、透明である材料から成る。これらの透明電極は、一般に、十分な導電性がないため、透明電極のアレイは、透明電極への放電電流に寄与するために“バス導体”と呼ばれる、不透明な金属導体と、一般に“二重”にされている。従来、バスの線形導電性は開始導体の導電性より大きい。バスは、銀等の高導電性金属材料から成り、それ故、光に対して不透明である。
【００１３】
維持期間中、十分な振幅の電圧パルスが、コプレーナ電極Ｙ、Ｙ´により電源を供給されるセルにおいて、いずれの１つの対である２つのコプレーナ電極Ｙ、Ｙ´間に印加されるとき、放電は、幅に関して、この時点でこのセルを規定する、列隔壁１５間に広がる前面に亘るこれらの電極の１つの開始端縁１９１近くのギャップＧにおいて開始される。図１Ａに示すように、放電は、このセルに対応するこの電極の一部の開始領域Ｚａにおいてこのセル内で開始する。この電極にコーティングされた誘電体層１３の表面電位特性は低電圧において放電を開始させるために十分均一であることが好ましい。開始後、放電は、開始端縁とは反対側の電極の放電終了端縁１９２まで、コプレーナ電極の一般的方向に対して垂直方向に広がる。放電が広がるフェーズは、拡大フェーズと呼ばれ、低電界による放電領域の形成を可能にし、このことは、ガスを励起し、紫外線光子を生成するために非常に効率的である。拡大フェーズは、それ故、放電の発光効率を改善する。拡大フェーズ中、放電が電極の放電終了端縁まで広がるとき、放電は、セルの幅を規定する２つの列隔壁１５により境界付けられているガス空間の略全てを占める。
【００１４】
維持期間中、セルを横断するいずれの１つの対である２つのコプレーナ電極Ｙ、Ｙ´間に電圧パルスが印加されるすぐ前に、これらの電極を覆う誘電体層領域は、特に、セルにおける前の放電から入ってくる“メモリ電荷”と呼ばれる残留電荷で、一般に覆われる。電圧パルスの印加の開始においてすぐ及びいずれの新しい放電の前に、これらの２つの電極間の放電ガス領域は、前の維持パルスからもたらされたメモリ電化からもたらされる電圧の合計及びこれらの電極間に印加された電圧の合計の影響を受ける。
【００１５】
図３は、メモリ電荷を残した他の同一のＡＣパルスから続く、それらの電極に印加される１００Ｖの振幅の維持電圧パルスの開始時における、セルの中央と列隔壁１５の中央との間の放電拡大領域のＡ１−Ａ１´の断面における等電位電圧線の分布を示しており、この範囲は、２つの隣接する列隔壁の中央の間の距離の半分、即ち、放電セルの距離の半分の幅に対応する。実線で示している等電位線は正の電位値に対応する一方、破線で示している電位線は負の電位値に対応する。２つの隣接する等電位曲線の間の電位差は一定であり、実線として示している１２本の“正の”等電位曲線を得ることに対して適している。１００Ｖの電圧パルスを開始する間に、ここでは、対象の電極は陰極として作用し、誘電体層１３の表面におけるこのセルに記憶された負のメモリ電荷は、同じ一連であるが、逆符号の前の維持電圧パルスにより生成された放電からもたらされる。この図においては、等電位曲線Ｖは、第１負等電位（正等電位の実線とは対称的に、破線で示している）に一致し、列隔壁１５の表面におけるこのポイントに堆積された負電荷の存在を示している。列隔壁における、深さに関する、この等電位の分布は、対象のパルスによりもたらされる開始の後、放電は隔壁の側壁に亘って、それ故、電極Ｙを覆う保護層１４と誘電体層１３の表面に亘って広がる。パネルが光を放射する維持期間中、それ故、隔壁は放電と実質的に接触した状態にある。この現象は、結果として、パネルの寿命における減少と輝度効率における減少を伴って、これらの隔壁を覆う蛍光体材料の加速度的劣化に対して及び隔壁における電荷種の大きい損失をもたらす。
【００１６】
例えば、欧州特許第０７８２１６７号明細書に記載されている先行技術においては、このような図２に示す問題点に対する解決方法を提供している。図２は、コプレーナ電極はセルの全体的幅に亘って単に広がっていない点で、図１Ａ及び１Ｂに示している構造とは異なるコプレーナ型プラズマ表示パネルのセルの構造の平面図である。各々の電極Ｙは、各々のセルにおいて、いずれの１つの行のセル全部を横切る放電終了端縁１９２における連続導体バスＹｂと、開始端縁１９１の範囲までそのバスから広がり、このセルより小さい幅を有する、このセルにおいて中央に突き出されたタング（ｔｏｎｇｕｅ）の形状の電極要素Ｙｐと、を含む。各々のセルの電極要素Ｙｂは、このセルを規定する最近接列隔壁１５の表面から非０距離Ｄにそれらのセルの幅方向における端縁が位置付けられるような方法で大きさが決められている。
【００１７】
そのようなコプレーナ電極Ｙ、Ｙ´に適用される構造は、上で説明した図３についてと同じ慣例及び仮定の、並びにＡ２−Ａ２´の断面に対して、図２に示しているセルにおける同電位曲線の分布を示す図４に示しているように、電極要素Ｙｂの幅方向における端縁に沿ってこれらの隔壁に近い保護層の表面部分における、及び列隔壁の側壁における等電位曲線の分布を改善することを可能にする。この図４は、破線で示している第１負等電位曲線が、保護層と誘電体層１３との界面において、この隔壁の上部におけるＶ字型列隔壁に適合していることを示している。
【００１８】
等電位曲線の分布の改善により示されたこれら誘電体特性から、図１Ａ及び１Ｂを参照して上で説明したパネルに関連して、図２を参照して、又は、欧州特許第０７８２１６７号明細書に記載されているパネルにおける拡大の開始における列隔壁からはなれて維持放電の良好な閉じ込めがあることが理解できる。このようにして、輝度効率及び寿命が改善されている。
【００１９】
しかしながら、放電の拡大の端縁において、即ち、コプレーナ電極のバスＹｂにおいて、電極はセルの全体の幅に亘って、拡大しているため、以前と同様な問題点に直面することとなる。保護層の表面及び隔壁表面に沿った電位は、バスに対応する電極部分Ｙｂ近くで大きいまま維持される。それ故、輝度効率及び寿命における改善は制限されたままである。
【００２０】
更に、そのような電極要素を有する構造は、図１Ａ及び１Ｂの構造に比べて、製造することがより困難であり、各々のセルに特定の電極要素が各々のセルにおいて完全に中央合わせがなされ２つの隣接する列隔壁から等距離にあるように、基板１１及び１２の水平方向の位置合わせのコストが掛かる操作を必要とする。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２１】
本発明の目的は、上記の制限及び問題点を回避することにより、プラズマパネルの輝度効率とその寿命とを増加させることである。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
このために、本発明の主題は、行列状に配列された多数の放電セルに区画され、放電ガスで満たされた空間を第１基板と第２基板との間に有する第１基板及び第２基板から構成されるプラズマ表示パネルであり、そのプラズマ表示パネルは又、前記第１基板と接触する上部と前記第２基板に置かれているベースとを各々有し、２つの隣接するセルの列を各々分離する隔壁から構成された絶縁性隔壁のアレイを含み、この第１基板は、前記行に対して及び互いに対して平行である一般的方向に沿って方向付けられ、各々のアレイの電極が各々の放電セルを横切るように、即ち、対を形成するように備えられ、各々の対の電極を分離するギャップのどちらかの側において互いに対向する開始端縁と呼ばれる端縁を有する、維持電極と呼ばれる少なくとも２つのコプレーナ電極のアレイＹ、Ｙ´を有し、各々の列分離隔壁は、その上部において及びその全体的な幅に亘って、各々の対の電極を分離するギャップの少なくとも各々の側において広がり、及び、この対の電極の開始端縁の裏に対して８０μｍのところに位置付けられたラインから少なくとも開始し、並びに、３μｍより大きく、前記隔壁の全高さの１／５を上回らない膜厚とベースから測定された前記隔壁の誘電率より少なくとも３倍小さい平均誘電率を有する、一連の低誘電率領域から構成されることを特徴とする。
【００２３】
それ故、低誘電率領域は、少なくとも、各々のセルのギャップの各々の側に亘って、広がっている。
【００２４】
隔壁における低誘電率領域の厚さは、第１基板と接触しているこの隔壁の上部から測定される。これらの領域の各々は、いずれの蛍光体層の厚さの範囲内に対して、実質的に全体的な隔壁の幅に亘って広がっている。
【００２５】
図２を参照して説明した従来技術についての構造におけるように、コプレーナ電極が一定の幅を有しない場合、本発明は、下で説明する本発明に特定な構造とこの構造において既に説明した効率の有利点を結合することを可能にする。
【００２６】
本発明は、コプレーナ電極各々がそれらの全体的に有用な長さに亘って、一定の幅を有する場合に、特に適用される。表現、電極の“有用な長さ”は、この電極により電源供給されるセル全てに対応する長さを意味していると理解される。コプレーナ電極の幅は、図１Ａ及び１Ｂを参照して説明した先行技術の構造において、一定であるため、電極のアレイは製造するのに、よりコストが掛からず、基板を組み立てる操作は位置合わせの制限を課されない。このようにして、図２を参照して説明した先行技術の構造の欠点は回避される一方、下で説明するように、輝度効率及び寿命の観点からよりよい優位性がない場合に少なくとも同等であるものが得られる。
【００２７】
本発明は、特に、図２及び３を参照して上で説明したように、各々のセルにおける電極の位置及び形状を改善することによってではなく、互いに近い保護層と誘電体層との近くに、各々のセルにおいて、等電位曲線を生成するために適切な方法で隔壁内の誘電率を変化させることによって、等電位曲線の分布を改善する。
【００２８】
低誘電率領域についての本発明に特定の膜厚のために、及び、そのような領域についての本発明に特定の平均誘電率のために、バリアリブから離れた保護層の及び誘電体層の表面に亘って維持放電のよりよい限定がなされ、それにより、放電拡大領域におけるプラズマにより隔壁における蛍光体の劣化及びプラズマからの荷電種の損失を低減することができる。
【００２９】
本発明に従ったパネルの構造の更なる有利点は、拡大の端縁においてさえ放電の好ましい制限を得ることによりもたらされる。このことは、輝度効率及び寿命において大きい改善を可能にする。
【００３０】
第１基板が３つの電極のアレイを有する場合、三つ組を構成する３つの電極は、それ故、各々のアレイからは成る各々のセルを横切る。
【００３１】
表現、“ギャップ”は、各々の対の電極を分離する領域を意味し、この場合、各々の三つ組の電極を分離する領域であるとして理解される。コプレーナ電極の幅が一定であるとき、電極を分離する領域の幅は又、一定である。
【００３２】
隔壁の上部に位置付けられた低誘電率領域は、それ故、不連続であり、即ち、このギャップを越えて、たかだか電極端縁の一方側において８０μｍまでの、各々の対のコプレーナ電極を分離するギャップにおいて中断されている。低誘電率領域は、それ故、特に、放電拡大領域におけるギャップの各々の側において広がっており、即ち、電極の表面に対向している。低誘電率領域は、例えば、コプレーナ電極を分離するギャップにより正確に中断されているとき、更に広げられることが可能である。
【００３３】
製造コストをより低減することができる、より簡単な変形に従って、各々の隔壁の上部における一連の低誘電率領域は、ギャップにおける中断のない連続的な低誘電率領域を構成する。
【００３４】
輝度効率及び寿命における大きい改善と放電の制限のよりよい制御を可能にする他の変形に従って、２つの列を隔てる各々の隔壁の上部において、低誘電体領域は、各々の対の電極を分離するギャップにおいて中断されている。
【００３５】
要約すると、本発明の主題は、少なくとも２つのコプレーナ電極のアレイを含む他の基板と接触した状態にある上部と一の基板にあるベースとを各々有する隔壁のアレイから構成されるプラズマ表示パネルであって、これらの隔壁は、それらの上部に、全高さの１／５を越えない３μｍより大きい厚さを有する低誘電率領域であって、ベースにおいて測定される隔壁の誘電率より少なくとも３倍小さい平均誘電率を有する、低誘電率領域を有する。
【００３６】
隔壁の側壁から遠い維持放電の制限を更に改善するために、本発明は又、１つ又はそれ以上の次の特徴を有することが可能である。
−  前記低誘電率領域の厚さは少なくとも５μｍに等しい。
−  隔壁を分離する列は、前記低誘電率領域と隔壁のベースとの中間であり、ベースにおいて測定され隔壁の誘電率より大きい平均誘電率と低誘電率領域の厚さより大きい厚さを有する、高誘電率の中間領域を更に有する。好適には、これらの高誘電率の中間領域の平均誘電率は、ベースにおいて測定される隔壁の誘電率の５倍より小さい。一連の高誘電率の中間領域は、連続的な高誘電率の中間領域を構成することが可能である。対照的に、各々の隔壁の上部においては、高誘電率領域は、各々の対の電極を分離するギャップにおいて中断されることが可能である。
【００３７】
本発明は、１つ又はそれ以上の次に特徴を更に含むことが可能である。
−  コプレーナ電極の一般的方向は、隔壁を分離する列に対して垂直である。
−  コプレーナ電極Ｙ、Ｙ´は、誘電体層と、一般に、酸化マグネシウムに基づく保護／二次電子放出層とコーティングされる。
−  第２基板は、各々がセルの列に備えられたセルアドレス電極と呼ばれる電極Ｘの第３アレイを有する。
−  隔壁のアレイは又、２つの隣接するセルの行を各々分離する隔壁を有する。
−  隔壁は、少なくとも１００μｍの高さを有する。
【００３８】
特許文献、特開２０００−３０６５１７号公報及び特開平０７−２６２９３０号公報（この特許文献の図２に関連する第２実施形態を参照）においては、誘電体層は低誘電率領域を有する第１基板に備えられている、プラズマパネルを開示している。特許文献、特開平０７−２６２９３０号公報においては、本発明におけるように、これらの領域は、列ではなく、セルの行の間に位置付けられている。そのような領域は、列の垂直方向における放電の拡大を制限することが可能である一方、本発明は又、行の水平方向における放電の拡大を制限することを可能にする。上記の２つの文献においては、これらの領域は、パネルの全体の有用な高さに亘って又は全体の幅に亘って連続的に拡大し、列を分離する隔壁の上部と接触する状態であることが可能である（特許文献、特開２０００−３０６５１７号の図１）。そのような低誘電率領域は、誘電体層の厚さにおいて生成することは特に困難である一方、本発明に従った低誘電率領域は、隔壁の上部において生成されることが非常に容易である。
【００３９】
本発明は、添付図面を参照して非制限的例として与えられる、以下の説明を読むことにより、より明確に理解されることであろう。
【００４０】
図面は、比率が重んじられる場合に明確に理解することができない特定の細部をより明らかにするように、スケーリングしないで描いた。
【００４１】
先行技術に対して本発明が陵駕する差異及び優位性を引き出すために及び説明を容易にするために、同一の参照番号を、同一の機能を提供する要素に対して用いている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４２】
図５に示す、本発明の第１実施形態に従って、プラズマパネルは、図１Ａ及び１Ｂを参照して説明した先行技術のパネルと同じ構造に配列された同じ要素を含み、第２基板１２の電極Ｘのアレイを覆う誘電体層１７と接触する状態にあるベース層１５ａと、第１基板１１のコプレーナ電極Ｙ、Ｙ´のアレイを覆う保護層１４と誘電体層１３の範囲まで広がり、ベース層１５ａに適用される連続的上部層１５ｂと、を有する。ここで、コプレーナ電極各々は、それらの全体に有用な長さに亘って一定の幅と、電極アレイは製造のためのコストが低く、基板の組み合わせの操作は位置合わせの制限により課せられない。
【００４３】
この実施形態に従って、一方で、ベース層の厚さ又は高さＤａ及びその成分材料の平均誘電率Ｅａは、他方で、上部層の厚さ又は高さＤｂ及びその成分材料の平均誘電率Ｅｂは、好適には、Ｅａ≧３Ｅｂ及びＤａ≧４Ｄｂであるように、ＥａはＥｂより大きく、ＤａはＤｂでより大きいように適合される。上部層の厚さは、それ故、せいぜい、隔壁の全高さの１／５である。重要な制限効果を得るためには、この層の膜厚は３μｍより大きいことが必要である。
【００４４】
本発明の第１実施形態に示すように、本発明の原理は、それ故、上部層の近くであって、ここでは、隔壁の高さの小さい部分Ｄｂに対して、即ち、誘電体層１３及び保護層１４の近くであって、維持放電が広がったそれらの層に対して、列隔壁の容量を実質的に低下させることにあり、それ故、電極容量は、コプレーナ基板１１と接しているこれらの隔壁の上方の一部において非常に小さく、及びこれらの隔壁の他の一部においてより大きい。本発明に特定の隔壁の静電容量におけるこのような非均一性は、基板１１のコプレーナ電極を覆う保護層及び誘電体層の基板近くに位置付けられた低容量領域における等電位ラインが互いにより密になっていることを可能にし、それ故、隔壁の側壁に対する“飛び越え”なしで、誘電体表面に対する維持放電の広がりは良好に閉じ込められる。上部層の高さＤｂがベース層の高さＤａに比べて小さくなるにつれ、及び、上部層の平均誘電率Ｅｂがベース層の平均誘電率Ｅａに比べて小さくなるにつれ、上記の、隔壁の２層構造からもたらされる容量性分割効果により、これらの隔壁近くの表面を分割する放電における電位を低下させる。
【００４５】
図６は、１００Ｖの電圧パルスが電極Ｙに印加されるとき及びこの電極がこのようなパルスに対して陰極として作用するとき、Ｅａ＝３Ｅｂ及びＤａ＝４Ｄｂである、まさに上で説明した第１実施形態に従った放電セル構造を用いてこの広げられた表面において得られた等電位線の分布を示している。この分布は、上記の図４及び３の場合におけるように、同じ仮定及び慣例の下で、放電の開始前に、パルスの印加の開始時における電位分に、即ち、負電位に対応する破線として示している等電位曲線と正電位に対応する実線として示している等電位曲線とに、対応する。この図６は、破線で示している第１の負の等電位の電位Ｖにより示されている放電の制限の度合いは、製造するのにコストが掛かり、困難である、各々のセルに対して特定の要素をコプレーナ電極が有する、図２及び４を参照して、上で説明した先行技術の場合に近いことを示している。この制限のために、輝度効率とパネルの寿命とにおける、少なくとも匹敵する改善は、それ故、より低コストに対して達成できる。
【００４６】
図７は、図６における場合と同様の慣例を用いて、ここでは、Ｅａ＝５Ｅｂ及びＤａ＝１０Ｄｂである、第１実施形態に従ったパネルに対して得られた等電位線の分布を示している。第１負等電位の電位Ｖは、ここでは、電極Ｙを覆う保護層の表面及び誘電体層の表面と一致している。維持期間中、放電は、それ故、隔壁の側壁に亘って、もはや、広がらない。このことは、本発明の一般目的と一致している。
【００４７】
図１２に示す本発明の第１実施形態の変形に従って、低誘電率Ｅｂの層１５ｂは、放電拡大領域に対応する隔壁領域の近くのみの隔壁の上部において生成され、それ故、電極間ギャップＧに対応する隔壁部分の近くおよび開始領域の近くにおいて、隔壁の上部は、ベース層の誘電率に等しい誘電率Ｅａ有する。
【００４８】
この変形に従って、各々の列分離隔壁は、その上部において及びその全体的な幅に亘って、開始領域Ｚａと拡大領域Ｚｂとの間の境界に位置付けられた線から各々の対の電極を分離するギャップのどちらかの側に広がる一連の低誘電率領域１５ｂ´を、この対の電極の開始端縁１９１の背後に有している。従来通り、この境界線は、せいぜい８０μｍだけ開始端縁から離されている。換言すれば、開始領域Ｚａの幅はせいぜい８０μｍである。これらの低誘電率領域は、上記の低誘電率領域と同じ厚さと同じ誘電率とを有する。
【００４９】
放電開始領域は低誘電率隔壁領域から離されているため、電極の開始端縁１９１の全体の長さに亘る非常に一様な電界が、それ故、有利に得られる。このことは、上記の先行技術のパネルにおける場合と同じイグニッション特性を得ることが可能とする。隔壁の側壁は放電からの荷電粒子に影響を受ける、危険を冒す放電拡大領域において、本発明に従った低誘電率領域１５ｂ´は、本発明に従って、上記のように、閉じ込められることが可能である。
【００５０】
図８は、図５と対比すると、隔壁が上記の上部層１５ｂに類似する連続上部層１５ｃを含む、本発明の第２実施形態を示している。この上部層１５ｃは又、小さい厚さＤｃと低誘電率Ｅｃとを有する。この上部層１５ｃは、上記のように、隔壁の丈夫を覆うばかりでなく、ここでは、第２基板１２の全体的な活性表面を連続的に覆って広がっている。そのような構成は、有利なことに、例えば、前記上部層を堆積するためにスクリーン印刷方法を用いて、上記の場合より、より容易になる。Ｅａ＝５Ｅｂ及びＤａ＝５Ｄｂであり、上記と同じ条件の下では、図９に示すような表面電位分布が得られる。この図は、得られる放電制限効果は、図７を参照して説明した実施形態により得られた放電制限効果と全く同等であることを示している。図７と９とを比較することにより、隔壁の上部層を全体の第２基板にコーティングされた連続上部層に置き換えることは、更に本発明の有利点を得るように、等電位線の分布を明らかに改善するものではない。
【００５１】
この実施形態に従って、一方で、ベース層の厚さ又は高さＤａとその成分材料の平均誘電率Ｅａと、他方で、上部層の厚さ又は高さＤｃとその成分材料の平均誘電率Ｅｃとは、ＥａがＥｃより大きく、ＤａがＤｃより大きいように、好適には、Ｅａ≧３Ｅｃ及びＤａ≧４Ｄｃであるように、適合される。上部層は、それ故、隔壁の低誘電率領域に対応する。上部層の厚さは、それ故、隔壁の全高さのせいぜい１／５である。重要な閉じ込め効果を得るためには、この層の厚さが３μｍより大きいことが必要である。
【００５２】
第１及び第２実施形態の場合、低誘電率領域１５ａ又は１５ｃは、例えば、酸化アルミニウムの多孔質層、即ち、隔壁の残りの部分により形成され、この場合、高誘電率のベース層１５ａは、例えば、酸化鉛のガラス層により形成される。
【００５３】
図１１は、上記の第１及び第２実施形態を結合させた、本発明の第３実施形態を示している。隔壁は、それ故、３つの重ね合わされた層、即ち、第２基板１２の電極Ｘのアレイを覆う誘電体層１７の上の厚さＤａ及び比誘電率Ｅａの第１のベース層１５ａと、第２実施形態におけるような、全体の第２基板１２を覆う、厚さＤ´ｃ及び比誘電率Ｅ´ｃの第２層１５ｃ´と、第１実施形態におけるような、隔壁の上部のみを覆う、厚さＤｂ及び比誘電率Ｅｂの第３層とを有する。
【００５４】
更に、この第３実施形態に従って、Ｅ´ｃ＞Ｅａ＞Ｅｂ及びＤａ＞Ｄ´ｃ＞Ｄｂである。好適には、Ｅ´ｃ≧５Ｅａ及びＥａ≧３Ｅｂであり、ここで、Ｄａ≧４Ｄ´ｃ及びＤ´ｃ≧Ｄｂである。
【００５５】
第１及び第２実施形態におけるように、隔壁の丈夫における低誘電率領域から離れて、それ故、ここでは、高誘電率領域が、隔壁のベースとこの低誘電率領域との間に挿入されている。
【００５６】
本発明の第１及び第２実施形態と比較すると、高誘電率中間領域、即ち、第２層１５ｃ´の隔壁への挿入は、第３層１５ｂにおける等電位線が先行技術より更により密に配置するような、それにより、放電の制限が改善されるような方法で、第２層１５ｃ´と第１層１５ａに対応する隔壁領域における等電位線が更に遠くに移動されることを可能にする。Ｅｂ＝Ｅａ／５、Ｅ´ｃ＝５Ｅａ及びＤｂ＝Ｄ´ｃ＝Ｄａ／５であり、従来と同じ慣習を用いて、放電領域の半分の幅に亘って、図１０に示す等電位線の分布が、それ故、得られる。
【００５７】
この第３実施形態においては、低誘電率の第３層１５ｂは、例えば、酸化アルミニウムの多孔質層であり、高誘電率の第１層１５aは酸化鉛のガラス層であることが可能であり、低誘電率の中間領域に対応する第２層１５ｃ´は、例えば、ＴｉＯ２又はＢａＴｉＯ３に基づく層であることが可能である。
【００５８】
上記の実施形態のいずれ１つにおける本発明に従ったパネルを製造するために、プラズマパネルの技術分野における熟達者自身に周知の適切な材料及び方法が用いられることができる。
【００５９】
このようにして得られるプラズマパネルを動作させるために、標準的なプラズマパネルの電源供給及び駆動システムを用いることは従来通りである。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１Ａ】先行技術に従ったプラズマパネルの一定の幅のコプレーナ電極を有するセルの平面図である。
【図１Ｂ】先行技術に従ったプラズマパネルの一定の幅のコプレーナ電極を有するセルの断面図である。
【図２】先行技術に従ったプラズマパネルの変化した幅のコプレーナ電極を有するセルの平面図である。
【図３】セルの半分のコプレーナ電極に１００Ｖ電圧パルスの引火の開始時における、図１Ａのセルの半分のＡ１−Ａ´１の断面における電位分布を示す図である。
【図４】セルの半分のコプレーナ電極に１００Ｖ電圧パルスの引火の開始時における、図１Ａのセルの半分のＡ２−Ａ´２の断面における電位分布を示す図である。
【図５】本発明の第１実施形態に従ったプラズマパネルのセルの断面図である。
【図６】図３及び４の場合のように、同じ慣例を用いて、図５に示すセルの半分のＡ１−Ａ´１の断面における電位分布の例を示す図である。
【図７】図３及び４の場合のように、同じ慣例を用いて、図５に示すセルの半分のＡ１−Ａ´１の断面における電位分布の例を示す図である。
【図８】本発明の第２実施形態に従ったプラズマパネルのセルの断面図である。
【図９】図３及び４におけるように、同じ慣例を又用いて、図８に示すセルの半分のＡ１−Ａ´１の断面において得られた電位分布を示す図である。
【図１０】図３及び４におけるように、同じ慣例を又用いて、図１１に示すセルの半分のＡ１−Ａ´１の断面において得られた電位分布を示す図である。
【図１１】本発明の第３実施形態に従ったプラズマパネルのセルの断面図である。
【図１２】隔壁の上部が放電拡大領域のみにおいて低誘電率領域を含むことに従って、図５の本発明の第１実施形態の変形を示す図である。
【図１Ａ−Ｂ】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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