(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスク製造プロセスを分析する方法であって、
ウェハ構造形成プロセスにおいて用いられるべきマスクの少なくともある部分を作像することと、
前記マスクの前記ある部分の作像から受取られるかまたは導き出されるデータを用いてリソグラフィ処理をシミュレートし、それによって、第１のシミュレートされたウェハ構造を取得することと、
入力として前記マスクの前記作像された部分に対応するマスク設計データを用いてリソグラフィ処理をシミュレートし、それによって、第２のシミュレートされたウェハ構造を取得することと、
前記第１のシミュレートされたウェハ構造を前記第２のシミュレートされたウェハ構造とを比較することと、
前記第１および第２のシミュレートされたウェハ構造を、前記マスクによって転写されるべき、形成されたウェハ上において所望される構造を表わす理想的なウェハ構造と比較することと、
２つの前記比較に基づいて、ウェハ構造にわたってクリティカル・ディメンション変動を評価することとを含む、方法。
【請求項２】
第１および第２のシミュレートされたウェハ構造は同じシミュレーション方法により得られる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
第１および第２のシミュレートされたウェハ構造は光学画像シミュレーションにより得られる、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
第１および第２のシミュレートされたウェハ構造は異なるシミュレーション方法により得られる、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記第１のシミュレートされたウェハ構造を表示画面上に表示することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第２のシミュレートされたウェハ構造を前記表示画面上に表示することをさらに含み、前記第１および第２のシミュレートされたウェハ構造は少なくとも部分的に互いと重なる、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記シミュレートされたウェハ構造間のクリティカル・ディメンション変動が計算されることになる性能指数（ＦＯＭ）を選択するというオプションをユーザに与える、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記ＦＯＭは線の幅である、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記ＦＯＭは前記第１および第２のシミュレートされた構造の全面積におけるパーセンテージ差である、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記作像は走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いてＳＥＭ画像を取得することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記ＳＥＭ画像をコンピュータ読出可能データに変換することをさらに含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記変換は画像分析アルゴリズムを画像データに適用することを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記データをスケーリングすることをさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記作像において得られる、第１のタイプのデータを、前記シミュレートにおいて用いられるよう、第２のタイプのデータに変換することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記シミュレートはコンピュータプログラムを用いる光学シミュレーションを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記シミュレートは、さらに、現像されたレジスト画像をシミュレートすることを含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記シミュレートは光学画像顕微鏡システムを用いてシミュレートすることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
前記第１および第２のシミュレートされたウェハ構造の少なくとも１つを前記ウェハ構造形成プロセスのさまざまな段階において形成し、前記シミュレートされたウェハ構造のすべてを表示画面上に重ね合わせることをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
前記第１のシミュレートされたウェハ構造と前記第２のシミュレートされたウェハ構造との間における最も大きなクリティカル・ディメンション変動の場所を判断することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【技術分野】
この発明は、一般的には、半導体ウェハ製造の分野に関し、より特定的には、半導体ウェハ製造プロセスの評価およびシミュレーションの分野に関する。
【０００２】
【発明の背景】
まず図１ａを参照し、集積回路が、典型的にはシリコンからなる半導体ウェハ１０の上に形成される。ウェハ１０は、実質的に円形であり、典型的には約１５から２０ｃｍの直径を有する。各ウェハ１０は、集積回路を含む個々の回路ダイ１５に分割される。単一の集積回路ダイ１５はしばしば１ｃｍ2以下であるので、非常に多くの集積回路ダイ１５を単一のウェハ１０上に形成することができる。ウェハ１０を加工してその表面上に多数の集積回路ダイを形成した後、ウェハ１０をスクライブ線２０に沿ってカットし、集積回路ダイを分離してその後にパッケージングして使用する。
【０００３】
ダイの構造（ウェハ構造）は、一般的に図１ｂに概観されるウェハ製造プロセス２１によって形成される。ステップ２２において、所望のウェハ構造を獲得するという最終目標によりマスクまたはレチクル設計が作られる。設計は、ステップ２３においてマスクまたはレチクルを製作するのに使用される。最後に、ステップ２４において、ウェハは、リソグラフィプロセスを用いて製作され、そのようなフォトリソグラフィプロセスは、マスクまたはレチクルのパターンをウェハに転写するために用いられる。一般的に、リソグラフィとは、さまざまな媒体間でのパターン転写のためのプロセスのことをいう。基本的なフォトリソグラフィシステムは、光源と、ウェハに転写されるべきパターンを含むフォトマスクと、レンズの集合と、ウェハの上の既存パターンをフォトマスク上のパターンと整列させるための手段とからなる。（ここで用いられる「マスク」および「フォトマスク」という言葉は、マスクおよびレチクルの両方を含むものとされる。）
図１ｃを参照し、製造サイクルにおける中間段階の間、ウェハ１０は、ウェハ１０上にある膜２５と膜２５の上に堆積されるレジスト３０とを含むものと示される。フォトマスク３４を介して、適切な波長の光または光源３２からの放射にレジスト３０を露出することにより、レジストポリマーの分子構造における改質が起こり、フォトマスクからレジスト３０にパターンを転写することができる。ポジのレジストが用いられると仮定して、分子構造の改質により、レジスト開発者は露出した領域においてレジストを溶かし除去することができる。ネガのレジストが使用されるならば、開発者は露出していない領域においてレジストを除去する。
【０００４】
図１ｄを参照し、ウェハ上のレジスト３０が現像されると、最終的には所望のパターンをウェハ１０に転写することのできる１つ以上のエッチングステップが行なわれる。たとえば、レジスト３０とウェハ１０との間に堆積された膜２５をエッチングするために、ウェットまたはドライエッチャントが、パターニングされたレジスト３０の上に塗布される。エッチャントは、レジスト露光ステップおよび現像ステップの間に形成されたレジストにおける開口３５を通過することにより、下にある膜層と接触する。したがって、エッチャントは、膜層のうちレジストの開口に対応する領域をエッチング除去して、図１ｅに示すようにレジストのパターンを膜層に有効に転写する役割を担う。その後のステップにおいて、レジストを除去し、別のエッチャントをパターニングされた膜層の上に塗布して、同様の態様でパターンをウェハまたは別の層に転写し得る。
【０００５】
半導体産業における性能要求は増加し続けているので、ウェハ上に形成されるパターンのデバイス密度も増大している。したがって、線幅、ラインスペースおよびコンタクトホール（たとえばバイア）のサイズすべてが著しく低減してきており、そのため、半導体ウェハ上に形成される特徴部のクリティカル・ディメンション（critical dimension）（ＣＤ）を制御することが益々困難となってきている。製造プロセスの整合性を維持するために、ＣＤの変動を許容範囲内に保つことが非常に重要である。この理由のために、選択された性能指数（figure of merit）（ＦＯＭ）に従ってＣＤ変動を測定するためにさまざまな方法が開発されてきた。
【０００６】
ＦＯＭは、ウェハ上に形成された構造を分析してそのような構造が所望の構造にどれほど類似しているかを判断する基準に対応している。そのような分析の結果に基づいて、測定されたＣＤ変動を補償するために、マスク設計、マスク製作プロセスおよび／またはリソグラフィプロセスの修正を行なうことで、より最適なチップ設計を可能にし得る。たとえば、測定されたＣＤ変動を説明するのに、レンズおよび／またはマスクパターンに変動があるのかもしれない。
【０００７】
今日利用されている最も一般的なＦＯＭの１つは、構造の線幅の測定である。たとえば、図２を参照し、構造５０の像が示される。構造５０の像は、ウェハ上に形成された構造の高解像度像を与えることが知られている走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）などの装置を用いて得られたものである。構造５０のＣＤ変動を評価するための基礎として、構造５０の線幅ＬＷ１を、構造５０の端間のほぼ半分のところの選択された位置で測定する。測定された線幅ＬＷ１をメモリに記憶された所望の線幅と比較し、ＣＤ変動を判断する。しかしながら、残念なことに、図２からわかるように、構造５０の線幅は位置によって異なることがある。たとえば、線幅はある位置においてはより狭く他の場所においてはより広い。したがって、ＳＥＭ像を用いて選択された位置の構造の線幅を測定することによっては、リソグラフィプロセス中に生じたであろうＣＤ変動の全容に関し、限られた量の情報しか得られない。
【０００８】
構造の線幅を判断するための別の方法は、電気的線幅測定（electrical line width measurement）（ＥＬＭ）として知られている。ＥＬＭに従うと、ウェハ上に形成された構造の抵抗が既知の量の電流の印加中に測定される。ＥＬＭを用いて測定された構造の抵抗と最適に形成された構造の期待抵抗とを比較することにより、線幅変動の予測をすることができる。残念ながら、ＥＬＭ技術の実現から得られる情報は、ＣＤ変動をモニタするのに有用ではあるが、そのような情報はまた、各構造において生じるＣＤ変動の精密な性質の完全かつ正確な理解を与えることができない。さまざまな他のＣＤ変動計算技術も公知である。しかしながら、ＣＤ分析の基礎として選択されるＦＯＭに依存して、分析の結果は不完全および／または変動する結果を与え得ることが認められる。
【０００９】
したがって、半導体ウェハ上に形成された構造にわたって生じるＣＤ変動の全容を迅速かつ簡単に分析するための方法および装置が当該技術において強く必要とされている。
【００１０】
さらに、マスクまたはレチクル上のパターンは、設計者によって生成された設計と比べて、常に幾分か劣化していることが知られている。たとえば、レーザパターン生成器の使用などの、いくつかのマスク生成プロセスは、角が丸くなったマスクを生じがちである。したがって、たとえば光近接効果補正（optical proximity correction）（ＯＰＣ）のために含まれる特徴部を備える、設計者によって作られる複雑でくっきりと規定されたマスク形状は、マスク設計において正確に再現されないことがある。これは、ＯＰＣを有するマスク設計が、高電圧ｅビームパターン生成などの専用のマスク生成プロセスを必要とすることを示唆する。しかしながら、そのような専用のプロセスの使用はコストを増大させる可能性があり、したがってマスク生成プロセスを評価する際、得られたウェハ構造に対する、マスク形成による設計の劣化の影響を評価することが望ましい。
【００１１】
【発明の概要】
ウェハ構造形成プロセスを評価する方法は、実際のマスクパターンの輪郭を抽出するステップと、実際のマスクパターンを用いてリソグラフィプロセスをシミュレートしてシミュレートされたウェハ構造を得るステップとを含む。実際のマスクパターンの輪郭を抽出するステップは、たとえば、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて実際のマスクを作像するステップを含み得る。第２のシミュレートされたウェハ構造は、実際のマスクパターンを生成するのに用いられた理想的なマスクパターン設計を用いてリソグラフィプロセスをシミュレートすることにより得られてもよい。したがって、ウェハ近接効果全体に対するマスクパターン効果の相対的寄与は、２つのシミュレートされたウェハ構造を、互いにまたはウェハ上の所望の理想的な目標層構造などのベンチマークに対して比較することにより評価されてもよい。次に、この情報は、マスクパターニング誤差を補償しかつより良好なウェハ性能を与える光近接効果補正（ＯＰＣ）マスク設計を生成するために用いられ得る。シミュレートされたウェハ構造は、ＣＤ変動の直接的比較または完全な分析を可能にするために互いに重ね合わせされ得る。異なったウェハ層からのシミュレートされた構造が、互いに重ね合わせされてもよい。
【００１２】
実際のマスクパターンの輪郭からシミュレートされたウェハ構造を得るために、実際のマスクパターンの画像データが、リソグラフィプロセスのシミュレーションを行なうためのコンピュータプログラムまたは他のアルゴリズムと互換性あるフォーマットに変換され得る。たとえば、画像データ中の構造の端縁を検出し画像データをシミュレーションプログラムと互換性のあるデータに変換するために、画像分析プログラムが画像データに適用されてもよい。同様に、マスク設計データは、リソグラフィプロセスのシミュレーションを行なうためのコンピュータプログラムまたは他のアルゴリズムと互換性のあるフォーマットに変換されてもよい。
【００１３】
リソグラフィプロセスをシミュレートするための例示のコンピュータプログラムは、光学像シミュレーションまたは変換を行なうためのプログラムである。たとえば、レンズ収差によって生じる予想されるＣＤ変動を斟酌して、光学像変換を設計データに対して行なってもよい。光学像変換は、リソグラフィ転写プロセス中のレンズ収差の効果を予想するための公知のシミュレーションパッケージに従って行なわれ得る。
【００１４】
シミュレートされたウェハ構造データは、データを見るために用いられる設計ビューワにロードされ得る。シミュレートされたウェハ構造は互いに自動的に整列させられ重ね合わされ、シミュレートされたウェハ構造間の直接的比較を提供し得る。したがって、オペレータは、効率的な態様で、ウェハ上に形成された構造上のすべての点で生じた正確なクリティカル・ディメンション変動を目で比較することができる。
【００１５】
視覚的比較に加えて、オペレータには、どのシミュレートされたウェハ構造が評価され得るかに従ってさまざまなメニューオプションが与えられる。たとえば、メニューオプションは、どのＣＤ変動が自動的に分析され計算されるべきかに従ってさまざまな性能指数（ＦＯＭ）から選択することを可能にし得る。さらに、メニューオプションは、最大のＣＤ変動の位置を判断し、重ね合わされた画像を手動で再整列し、１つまたは両方の画像を拡大するなどを可能にし得る。これにより、オペレータには、ウェハ上に形成された構造のＣＤ変動を完全に分析する便利かつ広範なツールが与えられることになる。
【００１６】
この発明のある局面に従えば、ウェハ製造プロセスを分析する方法は、ウェハ構造形成プロセスにおいて用いられるべきマスクの少なくとも一部を作像するステップと、マスクの一部の作像から受けたまたは導出されたデータを用いてリソグラフィ処理をシミュレートし、シミュレートされたウェハ構造を得るステップとを含む。
【００１７】
以上のおよび関連した目的の達成のために、この発明は、以下に完全に記載されかつ特に特許請求の範囲に指摘される特徴を含む。以下の説明および添付の図面は、この発明のある例示的な実施例を詳細に述べる。しかしながら、これらの実施例は、この発明の原理が採用され得るさまざまな態様のいくつかを示すに過ぎない。この発明の他の目的、利点および新規な特徴は、図面と関連付けて考慮されるとこの発明の以下の詳細な説明から明らかとなる。
【００１８】
【詳細な説明】
図３を参照し、この発明のこの実施例に従うパターン分析およびシミュレーションシステム１００の概観図が表わされる。システム１００は、複数個の構造または特徴部１０９（「パターン」）が上に形成されたマスク１０７を作像するための作像装置１０５と、ビューイングステーション１１０と、リソグラフィプロセスシミュレータ１１５と、サーバ１２０とを含む。ローカルエリアネットワークなどのネットワーク接続１２５が、作像装置１０５、ビューイングステーション１１０および／またはシミュレータ１１５を互いに結合し、データがその間でやり取りされることを可能にする。サーバ１２０は、従来の態様でネットワーク接続１２５でのデータ通信を促進する。しかしながら、代替的に作像装置１０５、ビューイングステーション１１０および／またはシミュレータ１１５はネットワーク接続１２５を介して接続されていなくてもよいことが認められる。そのような場合には、データは、ディスク１３０、無線インターフェイスなどを介して作像装置１０５、ビューイングステーション１１０および／またはシミュレータ１１５間を転送され得る。
【００１９】
以下により詳細に記載するように、この発明は、１）マスク１０７を利用するリソグラフィプロセスから得られるウェハ構造をシミュレートし、そのシミュレーションが、シミュレータ１１５のための入力としてマスク１０７上に形成されたパターン１０９から導出される画像データまたは情報を利用する、第１のシミュレートされたウェハ構造と、２）リソグラフィプロセスから得られたウェハ構造をシミュレートし、そのシミュレーションが、シミュレータ１１５のための入力としてマスク設計データを利用する、第２のシミュレートされたウェハ構造とを重ね合わせる。シミュレータ１１５のための入力として画像データまたは情報を利用するために、画像データまたは情報は、設計データを観察するために用いられる設計ビューワ上で見るのに互換性のあるフォーマットに変換され得る。たとえば、画像データは、画像データにおける構造の端縁を検出し、シミュレータ１１５によって使用するのに互換性のあるグラフィックまたは他のデータファイルを生成するパターン認識プログラムの適用により変換されてもよい。２つのシミュレートされたウェハ構造を重ね合わせることにより、シミュレートされたウェハ構造のクリティカル・ディメンション（ＣＤ）変動の完全な比較が、オペレータによって観察され分析され得る。さらに、選択された性能指数（ＦＯＭ）に従って自動ＣＤ変動計算を呼出すために、メニュー駆動オプションがオペレータに提供され得る。このように、オペレータには、半導体ウェハ上で生じるＣＤ変動の全容を分析するための、便利かつ使いやすいシステムが提供される。
【００２０】
所望のウェハ構造のさらなる設計データをシミュレートされたウェハ構造の１つまたは両方に重ね合わせ、所望のウェハ構造とシミュレートされたウェハ構造の１つまたは両方とのＣＤ変動の完全な比較を可能とし得る。
【００２１】
ここで図４を参照し、作像装置１０５のブロック図が示される。作像装置１０５は、カリフォルニア州サン・ノゼ（San Jose, CA）のＫＬＡ−テンコール（KLA-Tencor）から商業的に入手可能なＳＥＭなどの走査電子顕微鏡であってもよい。作像装置１０５は、ここに記載される動作を遂行するためのプロセッサ２００を含む。プロセッサ２００は、たとえば、アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ（Advanced Micro Devices）（ＡＭＤ）のAthlon(Ｒ）プロセッサ、Intel Pentium （Ｒ）IIIプロセッサまたは他のプロセッサであってもよい。プロセッサ２００に結合されるのはメモリ２０５である。以下により詳細に論じるように、標準の操作コードまたは他のデータに加えて、メモリ２０５は、作像装置１０５から得られる画像データをシミュレータ１１５によって使用するのに好適なフォーマットに変換する役割を担う画像分析プログラムを記憶していてもよい。ディスクドライブ２０８が、プロセッサ２００に結合されるものと示され、ディスク１３０（図３）から情報を取出しかつディスク１３０に情報を格納するために従来の態様で働く。たとえば、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）または光学顕微鏡などの他の好適な作像装置が代替的に使用されてもよいことが認められる。
【００２２】
光学顕微鏡２１０および電子顕微鏡２１５もプロセッサ２００に結合される。光学顕微鏡２１０は、光学顕微鏡２１０の視野内のマスク１０７の一部の拡大像を見るというオプションをユーザに提供する。電子顕微鏡２１５は、従来の走査電子顕微鏡結像技術を用いて生成されるマスク１０７の像をユーザに提供する。
【００２３】
ユーザ入力２２０およびモニタ２２５は各々、プロセッサ２００に結合され、作像装置１０５から得られる画像データを見るためのアクセスおよび制御をユーザに提供する。この実施例では、ユーザ入力２２０はキーボードであり、ディスプレイ装置２２５はＳＶＧＡカラーモニタである。もちろん、たとえばタッチスクリーンディスプレイを含む、さまざまな他のユーザ入力２２０およびモニタ２２５が使用されてもよい。ネットワークＩ／Ｏ２３０も、プロセッサ２００に接続されるものと示され、従来の態様で作像装置１０５のネットワーク接続１２５への双方向結合を可能とする。
【００２４】
ここで図５を参照し、シミュレータ１１５と関連付けられるハードウェア要素のブロック図が表わされる。シミュレータ１１５は、ここに記載される種々の機能を行ない実施するためのプロセッサ２３５を含む。プロセッサ２３５は、たとえば、アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ（ＡＭＤ）Athlon（Ｒ）プロセッサ、Intel Pentium（Ｒ） IIIプロセッサ、または他の好適なプロセッサであってもよい。プロセッサ２３５に結合されるのは、メモリ２３８である。メモリ２３８は、設計ファイル、作像装置１０５からのデータ、ここに記載されるウェハ製作シミュレーションなどの機能を遂行するためのソフトウェア、ならびに他の動作ソフトウェアおよびデータを記憶する役割を担う。ディスクドライブ２４０も、プロセッサ２３５に結合されるものと示され、ディスク１３０（図３）から情報を取出しかつこれに情報を記憶するために従来の態様で働く。
【００２５】
ユーザ入力２４２およびモニタ２４４も、プロセッサ２３５に結合される。ユーザ入力２４２およびモニタ２４４は、システム１００の他の構成要素に関連してここに他の所で記載されるものと同様のものであってよい。プロセッサ２３５に結合されるネットワーク入力／出力（Ｉ／Ｏ）コネクタ２４６が、シミュレータ１１５とネットワーク接続１２５との間のインターフェイスを与える。
【００２６】
ここで図６を参照し、ビューイングステーション１１０と関連付けられるハードウェア要素のブロック図が表わされる。ビューイングステーション１１０は、ここに記載されるさまざまな機能を行ない遂行するためのプロセッサ２５０を含む。プロセッサ２５０は、たとえば、アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ（ＡＭＤ）Athlon（Ｒ）プロセッサ、Intel Pentium（Ｒ） IIIプロセッサ、または他の好適なプロセッサであってもよい。プロセッサ２５０に結合されるのはメモリ２５５である。メモリ２５５は、ＣＡＤドローイングファイル２５７、設計ビューワソフトウェア２５９ならびに他の動作ソフトウェアおよびデータを記憶する役割を担う。ディスクドライブ２６０も、プロセッサ２５０に結合されるものと示され、ディスク１３０（図３）から情報を取出しかつそこに情報を記憶するために従来の態様で働く。
【００２７】
引き続き図６を参照し、ユーザ入力２６５およびモニタ２７０も、ビューイングステーション１１０のプロセッサ２５０に結合される。この実施例では、ユーザ入力２６５は、キーボードおよびコンピュータマウスの組合せを含む。しかしながら、他の従来のユーザ入力装置が代替的に使用されてもよいことが認められる。モニタ２７０は、好ましくは、４８０×６４０画素のディスプレイ画面サイズを有するＳＶＧＡモニタであるが、他のモニタが使用されてもよい。プロセッサ２５０に結合されるネットワーク入力／出力（Ｉ／Ｏ）コネクタ２７５が、ビューイングステーション１１０とネットワーク接続１２５との間のインターフェイスを与える。
【００２８】
以上に簡単に記載しかつ以下により詳細に記載するように、作像装置１０５は、マスクパターンに関する画像または他のデータを取得するよう機能する。シミュレータ１１５は、入力として画像または他のデータを用いて第１のシミュレートされたウェハ構造を作製する。シミュレータ１１５は、入力として設計データを用いてシミュレートされたウェハ構造を作製する、たとえば本質的に理想的なマスクパターンを用いたウェハ製作をシミュレートすることもできる。ビューイングステーション１１０は、１つ以上のシミュレートされたウェハ構造、理想的なウェハ構造および／または実際のウェハ構造の表示と、互いとのまたは所望のウェハ構造などの何らかの基準との構造の比較とを行なうことができる。たとえば、ウェハ構造のクリティカル・ディメンションまたは他の計量（たとえば、共通の重なった領域）が比較されてもよい。
【００２９】
上述した作像装置１０５、ビューイングステーション１１０およびシミュレータ１１５の構成は例示にすぎず、広範な変形が可能であることが認められる。たとえば、作像装置１０５およびシミュレータ１１５のいくつかまたはすべての機能が単一の装置に組合されてもよい。そのような一体型装置は、たとえば、プロセッサの使用によりまたは他の手段により画像を取得しウェハ製作プロセスをシミュレートし得る。同様に、シミュレータ１１５およびビューイングステーション１１０の動作のいくつかまたはすべてが単一の装置に組合されてもよい。たとえば、ビューイングステーション１１０のプロセッサ２５０は、ウェハ製作プロセスを行なうようプログラムされるかまたは他の態様で構成されてもよい。
【００３０】
単一の作像装置１０５、ビューイングステーション１１０およびシミュレータ１１５のいずれかの代わりに複数の装置が代替的に使用されてもよいことがさらに認められる。たとえば、入力として画像データを用いるウェハ製作シミュレーションは、入力として設計データを用いるウェハ製作シミュレーションと異なる装置および／または異なる方法により行なわれてもよい。
【００３１】
ここで図７を参照し、マスク１０７から得られる画像データ３００が、シミュレータ１１５により使用されるのに好適なフォーマットに変換される態様が表わされる。作像装置１０５から得られる画像データ３００は、マスク１０７上に形成されたさまざまな構造の表現を含む。図７において、画像データ３００は例示の目的で２つの構造３０５、３１０のみを含むものと示される。従来のように、作像装置１０５のモニタ２２５上の構造３０５、３１０の表示は、グレイスケールコントラストの程度をさまざまにして示される構造３０５、３１０の可視表現をユーザに与える。画像データ３００の各部と関連付けられる実際のグレイスケールの色は、ＳＥＭ走査中に構造によって反射される電子の数に依存する。したがって、図７に示すように、各構造３０５、３１０は、ＳＥＭ走査に対するそれらの異なった応答のために互いと区別のつくさまざまな領域を含むものと示される。特に、構造３０５、３１０は、上表面３２０と、上表面端縁３２５と、下方傾斜領域３３０と、外側端縁３３５と、下表面３４０とを含む。作像装置１０５から得られる画像データ３００は、作像装置のメモリ２０５に記憶され、モニタ２２５（図４）の上に従来の態様で表示されてもよい。しかしながら、ウェハ製作プロセスのシミュレーションのために入力として画像データ３００を用いるために、画像データは、シミュレータ１１５での使用と互換性のあるフォーマットに変換される。
【００３２】
より特定的には、画像データ３００をシミュレータ１１５と互換性のあるフォーマットに変換するために、画像分析アルゴリズムが画像データ３００に適用されてもよい。画像分析アルゴリズムは、作像装置１０５のメモリ２０５に記憶され得るが、代替的に、画像分析アルゴリズムは、他の場所で記憶され画像データ３００に適用されてもよい。図７に示すように、画像分析アルゴリズムは、画像データ３００のさまざまな端縁を検出しかつ画像データを変換された画像データ３５０（以下変換データ３５０という）に変換する役割を担う。たとえば、この実施例では、画像分析アルゴリズムは、構造３０５、３１０の各々の外側端縁３３５を検出して変換された構造３５２および３５４を得るよう構成される。しかしながら、画像分析アルゴリズムは、代替的に、当面のアプリケーションに依存して上表面端面３２５および／または他の特徴部を検出するよう構成されてもよいことが認められる。画像分析アルゴリズムはまた、変換された構造を含む画像を２値化し、輪郭内の領域がはっきりしているか、不明瞭であるかまたは位相シフトしているということを表示する。さらに、クロムおよび石英領域の両方を有するマスクを作像する際、画像分析アルゴリズムは、半透明の色つきオーバレイ（たとえば赤いオーバレイ）として石英領域を表示し、ユーザが領域を容易に見分けることができるよう構成されてもよい。２値化された画像は好適に変倍されてもよい。この発明で用いるのに好適である画像分析アルゴリズムは、以前、マサチューセッツ州アマースト（Amherst, Massachusetts）のAmerinexから入手可能であったAphelion画像分析ソフトウェアを含む。
【００３３】
一旦変換されると、変換されたデータ３５０はシミュレータ１１５と互換性があるファイルフォーマットに記憶される。たとえば、変換された画像データが記憶されてもよいファイルフォーマットは、「.tif」、「.jpg」、「.bmp」、「.bit」、「.gif」、GDS、Mebes、などタイプのファイルを含む。変換されたデータ３５０が記憶されるフォーマットは設計データと同じフォーマットであってもよいしまたはそうでなくてもよいが、それはただし双方のフォーマットがシミュレータ１１５との使用に対して互換性がある限りにおいてである。そのような変換に続き、変換されたデータ３５０はシミュレータ１１５に転送される。上で論じたように、変換されたデータ３５０は、ネットワーク接続１２５、またはディスク１３０を介し、または他の従来の手段によって転送されてもよい。本実施例は画像データ３００を作像装置１０５で変換することを示すが、画像データ３０５をシミュレータ１１５を含むさまざまな他の位置で変換することも可能であることが理解される。
【００３４】
代替的に、画像データ３００を設計ビューワによる表示に対して好適であるフォーマットに変換してもよく、たとえばそうするとドローイングファイル２５７からの画像データ３００および設計データは重ね合わされモニタ２７０上に同時に見られることが理解される。これにより、簡便な態様で、各構造に沿った任意の点で生ずるＣＤ変動が分析される。
【００３５】
シミュレータ１１５は、変換されたデータ３５０をさらに変換して、ウェハ製造プロセスたとえばリソグラフィプロセスなどによって製造されたウェハ構造をシミュレートする。たとえば、光学像変換を変換されたデータ３５０において実行して、レンズ収差により生ずる予期される変動を考慮してもよい。光学像変換とは、公知のレンズ収差または他の要因により生ずる予期されるＣＤ変動を事前に説明するよう修正される変換されたデータ３５０によるプロセスを指す。予期されるＣＤ変動は、公知のシミュレーションプログラム、たとえばドイツ（Germany）、ミュンヘン（Munich）のシグマ−Ｃ（Sigma-C）により製造されるソリッド−Ｃ（Solid-C）などを介して取得可能であり、したがって、そのようなＣＤ変動が得られる態様に関するさらなる詳細は省略する。リソグラフィプロセスのため予期されるＣＤ変動はプロセスの詳細、たとえばレジストのタイプ、レジストを露光するのに用いられる光の波長、光の強度および露光時間、ならびに利用される光学素子の開口数などに依存することが理解される。
【００３６】
図８に示されるように、変換されたマスクデータ３５０における光学像変換の実行で、第１のシミュレートされたウェハ構造３５０′が得られるが、そこでは、たとえば、レンズ収差のため予期されるＣＤ変動は図示されるように説明される。たとえば、シミュレートされた構造要素３５０′および３５４′はシミュレーションプログラムから決定されたとおりの予期されたＣＤ変動を有する。
【００３７】
リソグラフィプロセスのさらなるシミュレーションを、光学画像シミュレーション結果を用いて行なってもよい。たとえば、フォトレジストの層におけるプロセスのシミュレーションをさまざまなシミュレーションモデルを用いて行なってもよい。
【００３８】
マスク１０７の画像の、そのマスクを用いたウェハ製造（リソグラフィ）プロセスから予期されるべきシミュレートされたウェハ構造への変換を、代替的に、他の手段を用いて得てもよいことが理解される。たとえば、そのような手段とは、カリフォルニア州（California）、サンホセ（San Jose）のニューメリカル・テクノロジーズ・インク（Numerical Technologies, Inc.）から入手可能なバーチャル・ステッパ・システム（Virtual Stepper System）ソフトウェア、およびカール・ゼイス・インク（Carl Zeiss, Inc.）から入手可能な光学画像測定システム（Aerial Image Measurement System (AIMS)）などである。
【００３９】
バーチャル・ステッパ・システムはマスクの像を光学顕微鏡などで取り、それを、該マスクパターンをウェハ画像に転送するために用いられる光学システムをエミュレートするシミュレーションプログラムのための入力として直接用いる。モデル発生において用いられる投影システムの光学パラメータは、波長、開口数、コヒーレント・ファクタ（シグマ）、マスク対ウェハ低減ファクタ、照射モード、および焦点ボケ値を含んでもよい。
【００４０】
ＡＩＭＳは、ステッパの条件のエミュレートを、所望の数値およびシグマ開口数を顕微鏡の光学コラムに挿入し、次いで照明器をウェハ製造（リソグラフィ）プロセスのステッパによって用いられる同じ波長に対し設定することにより行なう。マスク画像を次いでこれら予め定められた条件の下捕捉する。ＡＩＭＳソフトウェア分析は、次いで、シミュレートされたウェア構造を、シミュレートされたレジスト輪郭マッピングにより判断する。
【００４１】
同様に、第２のシミュレートされたウェハ構造３５０″（図９）を、シミュレータ１１５によって設計データを変換させてウェハ製造プロセスをシミュレートすることにより得てもよい。そのようなシミュレーションは上述の光学像シミュレーションと同様の光学像シミュレーショント同様の光学像シミュレーションによって行なわれてもよい。所望される場合には、設計データの変換を、ウェハ製造プロセスをシミュレートする前に行なって、マスク製造プロセスにおいて生ずるかもしれないクリティカル・ディメンションにおける差をシミュレートしてもよいことが理解される。マスク製造プロセスをシミュレートするための技法は、ウェハ製造プロセスをシミュレートするための技法と同様でもよく異なっていてもよい。
【００４２】
シミュレートされたウェハ構造３５０′および３５０″はビューイングステーション１１０に送信されるか、またはそうでなければ、好適なデータフォーマットでビューイングステーション１１０に与えられてもよく、そこにおいてそれらは互いに重ね合わされてもよい。特に、両方のデータの組を同じ設計ビューワ２５９を介して見てもよい。したがって、図９に示されるように、オペレータが表示されるべき所望のファイルを選択すると、プロセッサ２５０は第１のウェハ構造３５０′および第２のウェハ構造３５０″の両方をオーバラップする態様で表わすデータ（「重ね合わされた画像」とも称される）を表示する。
【００４３】
シミュレートされたウェハ構造３５０′および３５０″に対する輪郭は、露光量がある構造をウェハ上にもたらすよう十分であるかどうかを判断する際に用いられる強度しきい値に依存することが理解される。シミュレートされたウェハ構造３５０′および３５０″の輪郭を表示するための強度しきい値は、構造の各々に対し同じでもよく、または２つの構造に対して異なっていてもよい。強度しきい値はオペレータによって選択されてもよく、または自動的にシミュレータ１１５またはビューイングステーション１１０のソフトウェアを介して選択されてもよい。たとえば、双方のシミュレートされたウェハ構造が同じ強度しきい値にあって、そのうち一方のウェハ構造の平均寸法が他方に比して大きすぎるかまたは小さすぎる場合、それら２つの画像の「正規化」を、一方または両方の強度しきい値を変更することにより行なうことが望ましいかもしれない。これは、たとえば長い線など、ウェハ製造プロセスに対し相対的により感度が低い特徴を選択し、そのような特徴に対し目標ＣＤに対応するよう、シミュレートされたウェハ構造の２つの画像に対ししきい値強度を選択することにより行なってもよい。
【００４４】
シミュレートされたウェハ構造３５０′および３５０″を方向付け整列させるために、それらシミュレートされたウェハ構造をまず同じレベルに変倍して構造が直接比較されるようにしてもよい。特に、シミュレートされたウェハ構造３５０′および３５０″は、ビューイングステーション１１０のメモリ２５５に記憶される予め規定されたデフォルト倍率、または後でユーザによってユーザ入力２６５を介して入力される共通の倍率に変倍されてもよい。たとえば、各画像は３０，０００Ｘ〜８０，０００Ｘの範囲においてある倍率に設定されてもよい。
【００４５】
変倍されると、ビューイングステーション１１０のプロセッサ２５０はシミュレートされたウェハ構造３５０′および３５０″を整列させる。たとえば、図１０に示されるように、第１のシミュレートされたウェハ構造３５０′と第２のシミュレートされたウェハ構造３５０″との整列は、予め定められた構造３５４′の中心点Ｃ１を対応の構造３５４″の中心点Ｃ２と整列させることによって行なってもよい。もちろん、他のさまざまな整列方法、たとえば２つの角を固定する、手動整列、などを代替的に用いてもよい。
【００４６】
整列されると、シミュレートされたウェハ構造３５０′および３５０″は互いと直接比較されることが可能である。たとえば、図９に示されるように、構造要素３５０′、３１０′に生じた丸めの量、線幅の変動およびその他のＣＤ変動の迅速かつ正確な判断を、そのような画像を、重ね合わされた構造上の要素３５２″、３５４″とそれぞれ直接対比させることにより行なうことが可能である。さらには、本実施例によって、オペレータは、ＣＤ変動の自動計算を、選択されたメニューに駆動されるオプションを介して開始することができる。
【００４７】
より特には、図１１に示されるように、本発明の本実施例によって、オペレータはＣＤ変動の分析を１つ以上のさまざまな性能指数（ＦＯＭ）に従って行なうことができる。たとえば、線幅メニューオプション４００、パーセンテージ面積メニューオプション４０２、および周縁測定メニューオプション４０４であるよう示される。
【００４８】
線幅メニューオプション４００を選択すると、ビューイングステーション１１０のプロセッサ２５０はオペレータに対しマウスポインタ４１５を用いて線幅基準バーＬＷrefを位置決めする機会を与える。本実施例の特徴として、線幅基準バーＬＷrefは好ましくはプロセッサ２５０により制御されて、マウスポインタ４１５を用いながら再位置決めの間のそれらウェハ構造のうちの１つの少なくとも１つの縁部に対し実質的に垂直に留まり、それによって、線幅基準バーＬＷrefはオペレータによって容易に操作および配置される。選択肢として、線幅基準バーＬＷrefは、その中心点Ｃのまわりを十分に回転可能に制御され、それによってさらに線幅測定をさまざまな斜角において可能にしてもよい。プロセッサ２５０によって測定された、結果として得られた線幅変動は、継続的に、オペレータに対し、結果フィールド４２０において、線幅基準バーＬＷrefをの再位置決め中も出力され、それによって、ＣＤ変動の即座のフィールドバックを与える。代替的に、結果として得られた線幅変動は、記憶媒体たとえばディスクなどに出力され、ネットワークを介して１つ以上の遠隔コンピュータシステムに転送され、および／またはそうでなければ処理もしくはは記憶されてもよい。したがって、本発明によって、単純かつ効率的な態様で、ＣＤ線幅変動の計算が作像フィールドにおける任意の位置で行なわれる。
【００４９】
パーセンテージ面積メニューオプション４０４が選択されると、ビューイングステーション１１０のプロセッサ２５０は、オペレータに対し、分析が所望される所望の構造をモニタ２７０上にて選択する機会を与える。たとえば、オペレータは構造上の要素３５２′を選択することを選択してもよい。オペレータは、構造上の要素３５２′の選択を、マウスポインタ４１５を構造上の要素３５２′上および／または重ね合わされた構造上の要素３５２″上に位置決めしマウスをクリックすることによって行なってもよい。代替的に、本発明の本実施例によって、オペレータは、異なる構造の選択を、キーボード上のタブキーまたは矢印キーを押すことによって行なうことができる。もちろん、他のさまざまな手段を用いても、所望の構造を選択することができるであろう。選択が行なわれると、プロセッサ２５０は、変換された構造３５２′を対応の構造３５２″と比較して、構造上の要素３５２′によって占められる全面積におけるパーセンテージ差を計算する。結果として得られるパーセンテージ差計算はオペレータに対し結果フィールド４２０において出力される。
【００５０】
周縁測定オプション４０４を選択すると、ビューイングステーション１１０のプロセッサ２５０は、オペレータに対し、分析されるべき所望される変換された構造を選択する機会を与える。所望される変換された構造を選択してもよい態様は、上においてパーセンテージ面積計算に対し構造を選択することに関して記載された態様と同様である。選択が行なわれると、プロセッサ２５０はプログラムされて、構造上の要素３５０′の周縁を対応の構造３５２″の周縁と比較する線積分を計算して、ＣＤ変動を当該技術分野において公知の従来の技法に従って計算する。この計算の結果はオペレータに対し結果フィールド４２０において出力される。
【００５１】
上記の比較により、直接的な手段で、マスク製造の、結果として得られるウェハ構造に対する影響が評価されることが理解される。多くの代替的な評価／分析が可能である。たとえば、シミュレートされたウェハ構造の一方または両方を何らかのベンチマークたとえば所望のまたは理想的なウェハ構造設計などと対比させてもよい。異なるマスクパターンに対するシミュレートされたウェハ構造を互いと比較し、それによって、異なるマスク設計および／またはマスク製造方法の影響を調べてもよい。さらには、ウェハ製造シミュレーションにおけるパラメータを変動させ、それによって、さまざまなタイプのウェハ製造プロセスに対するマスク設計の影響を調べてもよい。
【００５２】
本発明の本実施例はオペレータがシミュレートされたウェハ構造を分析するのに選択を行なってもよい３つの異なるＦＯＭを示すが、他のさまざまなＦＯＭを代替的に用いてもよく、本発明は上記の例には限定されないことが理解される。他の評価技法は、たとえば、「３次元光学リソグラフィシミュレーションを用いた近接効果の評価（Evaluation of Proximity Effects Using Three-Dimensional Optical Lithography Simulation）」、クリス・Ａ・マック（Chris A. Mack）、SPIE第２７２６巻、第６３４〜３９頁、光学マイクロリソグラフィIX（Optical Microlithograhy IX）（１９９６）に記載される技法を含み、これをここに引用により援用するものである。加えて、本実施例は、改善された特徴、たとえば最大線幅変動の自動検出などを斟酌する。たとえば、最大線幅変動オプション４０６が選択されると、プロセッサ２５０はモニタ２７０上の選択された変換された特徴を自動的に再検討して最大線幅変動の位置を判断する。特に、プロセッサ２５０は、線幅変動計算を選択された構造にわたる各位置で行なって、最大変動を与える位置を判断する。プロセッサ２５０によって判断された位置は、図形で、ユーザに対し、線幅基準バーＬＷrefをその計算された位置に自動的に配することにより、示される。一旦線幅基準バーＬＷrefがその計算された位置に置かれると、結果的な線幅変動もユーザに対し結果フィールド４２０において与えられる。したがって、本実施例は、半導体ウェハ上に形成される構造のＣＤ変動を迅速かつ十分に分析するための多数のオプションを可能にする。
【００５３】
ＣＤ分析メニューオプションに加えて、本実施例は、さらに、重ね合わされた画像の制御し操作するためのいくつかのさらなる特徴を与える。たとえば、続けて図９を参照して、オペレータに与えられるさらなるメニューオプションは、たとえば、重ね合わせトグルキー４３０、手動再整列キー４３２、ズームキー４３４、スクロール画面キー４３６、およびリターンキー４３８などを含む。
【００５４】
重ね合わせトグルキー４３０は、プロセッサ２５０によって、ユーザがモニタ２７０上において第１のシミュレートされたウェハ構造３５０′および第２のウェハ構造３５０″の選択の間でトグルを行なえるように構成される。
【００５５】
以下に記載されるように、このような特徴は、２つの層のうちの１つのみの操作が所与のときに所望される場合に有益である。手動再整列キー４３２は、プロセッサ２５０によって、トグルキー４３０で選択された層を移動させて重ね合わせ層を所望の度合に整列させることを斟酌するよう構成される。たとえば、手動再整列キー４３２が選択されると、オペレータは、選択された層を移動させる所望のオフセットにおいてタイプを行なってもよく、および／またはマウスを用いてその選択された層をモニタ２７０上の所望の位置にドラッグしてもよい。
【００５６】
ズームキー４３４は、プロセッサ２５０によって、モニタ２７０に示される画像のズームインまたはズームアウトを斟酌するように構成される。好ましくは、ズームインまたはズームアウトが行なわれると、両方の層は同時にサイズにおいて変更される。しかしながら、本実施例は選択肢として一度に１つの層のズームインまたはズームアウトを斟酌することが理解される。スクロール画面キー４３６は、プロセッサ２５０によって、重ね合わされた層におけるさまざまな位置に対するパンを行なってさまざまな部分をモニタ２７０上に表示することを可能にするよう構成される。リターンキー４３８は、プロセッサ２５０によって、自動的にオペレータをデフォルト重ね合わせ設定にリターンさせてオペレータが実施される変更を元に戻すことを手動で試みる必要がないようにすることを斟酌する。本実施例は、設計ビューワにより表示される重ね合わせ画像と関連して動作するよう、これらおよび他の機能を斟酌する。
【００５７】
上で論じた２つの画像の重ね合わせに加えて、３つ以上の画像を同時に同じ設計ビューワ２５９上に表示して比較してもよいことが理解される。たとえば、一実施例においては、ウェハ上におけるさまざまなステージおよび層において形成される構造の画像を重ね合わせることが望ましいかもしれない。そのようなステージおよび層は、レチクル上に形成される構造の対応の画像とともに重ね合わされる構造のＣＡＤ画像を含んでもよく、それは、さらに、フォトレジストにおいて形成される構造の対応の画像とともに重ね合わされ、それはさらにエッチングなどの後ウェハ上に形成される構造の対応の画像とともにさらに重ね合わされるものである。これらおよび他の実施例は本発明の範囲内にあることが理解される。
【００５８】
ここで図１２を参照して、上に記載されるような分析方法５００に関連付けられるさまざまなステップを示すフローチャートを示す。ステップ５１０から始まって、画像データをまず作像装置１１０によって取得することにより、マスク１０７上に形成される構造を表わす画像データ３００を取得するようにする。上で論じたように、画像データ３００は、ＳＥＭ、ＡＦＭ、または他の作像装置を用いて取得してもよい。画像データ３００は、たとえば、マスク／レチクル上に形成される構造の画像またはマスクのとられた画像などであってもよい。次に、ステップ５２０において、作像装置１１０から取得された画像データ３００を、変換されたデータ３５０に、画像分析アルゴリズムの適用によって変換する。次いで、ステップ５３０において、シミュレータ１１５によってさらにその変換されたデータ３５０を変換することにより、ウェハ製造プロセスたとえばリソグラフィプロセスなどによって製造されたウェハ構造をシミュレートし、それによって、第１のシミュレートされたウェハ構造３５０′に対するデータを取得する。ステップ５４０において、シミュレータ１１５はウェハ製造プロセスによって製造されたウェハ構造のシミュレーションを設計データを入力として用いて行ない、それによって、第２のシミュレートされたウェハ構造３５０″に対するデータを取得する。ステップ５５０において、シミュレートされたウェハプロセス３５０′および３５０″を互いに重ね合わせて表示する。このステップの一部として、プロセッサ２５０は、シミュレートされたウェハ構造を自動的に整列するよう、および／またはシミュレートされたウェハ構造の輪郭を判断する際に用いられるしきい値強度を自動的に調整するよう構成されてもよい。ステップ５６０において、オペレータは、ＣＤ変動分析を、所望のＦＯＭを選択し画像をモニタ２７０上において利用可能なメニューオプションに従って操作することにより行なってもよい。この態様で、便利でかつ使いやすいＣＤ変動ツールが与えられて、シミュレートされたウェハ構造上に生ずる変動の完全な分析を可能にする。ＣＤ変動分析の結果に基づいて、オペレータは、次いで、１つ以上のステップまたは装置を変更して、検出されたＣＤ変動を補ってもよい。
【００５９】
先に開示された変形および代替方法の多くは、先の段落において記載された方法に対する代替方法において用いられてもよいことが理解される。さらに、方法ステップのうちいくつかは、所望される場合には、省略および／または自動化されてもよいことが理解される。たとえば、ＣＤ変動分析の獲得は、さまざまなシミュレートされたウェハ構造間にせよ、またはそのような構造と所望される（理想的な）設計との間にせよ、アルゴリズムにより、しかもシミュレートされたウェハ構造を表示する必要なく行なわれてもよい。
【００６０】
本発明は、次いで、最終的なウェハ構造設計上において、ウェハ製造プロセスのさまざまなステップ（たとえばマスク製造）の予期される影響を調べるための改善された分析ツールを与える。シミュレートされたウェハ構造に対する影響を調べることにより、光学リソグラフィの空間的フィルタ処理局面を、マスク製造プロセスの評価および提案された光近接補正の影響の評価において考慮してもよい。さらには、さまざまな提案されるリソグラフィプロセスに対するマスク製造方法の影響を、ウェハ製造シミュレーションのパラメータを変動させることにより、安価かつ容易に調べてもよい。
【００６１】
本発明はある実施例に関して図示および記載されたが、等価な代替物および変形物が本明細書および添付の図面を読み理解する当業者には想起されることは自明である。たとえば、上の議論はメニューオプションを用いてＣＤ分析を実行するための基準を選択することを伴ったが、オペレータによってコマンドが代替的方法を介して入力されてもよいことが理解される。特に、上記の要素（構成要素、アセンブリ、装置、組成など）によって実行されるさまざまな機能に関し、そのような要素を記載するために用いられる用語（「手段」への言及を含む）は、特にそうではないと示されるのでなければ、記載された要素の特定の機能を実行する任意の要素（つまり機能的に等価であるもの）に対応することが意図されるが、ただし、この発明のここに例示される実施例においてその機能を実行する開示された構造に構造上等価ではない。加えて、本発明のある特定の特徴が上においていくつかの例示される実施例のうちたった１つまたはそれ以上に関して記載されたが、そのような特徴を、任意の所与のまたは特定の適用例に対して所望されおよび有利なように、他の実施例の１つ以上の他の特徴と組合せてもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１ａ】  回路ダイが上に形成された先行技術の半導体ウェハの等角図である。
【図１ｂ】  ウェハ構造形成プロセスのフローチャートの図である。
【図１ｃ】  ウェハの上を覆っている膜がレジスト層によって覆われている先行技術の半導体ウェハを示す部分断面図である。
【図１ｄ】  現像後の図１ｂのレジスト層を示す部分断面図である。
【図１ｅ】  エッチング後の図１ｃの膜層を示す部分断面図である。
【図２】  半導体ウェハ上に形成された構造のクリティカル・ディメンションを計算する先行技術の方法の一例の図である。
【図３】  この発明に従うパターン分析およびシミュレーションシステムの概観図である。
【図４】  この発明に従う作像装置と関連付けられるハードウェア要素のブロック図である。
【図５】  この発明に従うシミュレータと関連付けられるハードウェア要素のブロック図である。
【図６】  この発明に従うビューイングステーションと関連付けられるハードウェア要素のブロック図である。
【図７】  作像装置と互換性のある第１のフォーマットからシミュレータと互換性のある第２のフォーマットへの、作像装置から得られる画像データの変換を示す図である。
【図８】  ウェハ製作をシミュレートして、第１のシミュレートされたウェハ構造を生成するための、シミュレータによる画像データの変換の図である。
【図９】  第１および第２のシミュレートされたウェハ構造が重なった態様で表示されるビューイングステーションのモニタの図である。
【図１０】  第１および第２のシミュレートされたウェハ構造がモニタ上に表示されるとき互いに整列させられ得る参照システムの図である。
【図１１】  シミュレートされたウェハ構造に関してクリティカル・ディメンション変動を分析するために利用できるさまざまなメニューオプションの図である。
【図１２】  この発明に従うクリティカル・ディメンション分析を行なうためにとられるステップを表わすフローチャートの図である。
【図１ａ】
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【図１ｂ】
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【図１ｃ】
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【図１ｄ】
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【図１ｅ】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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