(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性の放熱基板と、
前記放熱基板上に直接に配設された半導体素子と、
それぞれの一方端が前記半導体素子の主電極に電気的に接続された複数の主電極板と、
前記放熱基板、前記半導体素子、前記複数の主電極板を樹脂封止する樹脂パッケージと、を備え、
前記放熱基板の外形寸法は、前記樹脂パッケージの外形寸法と同等の大きさであって、
前記複数の主電極板の、それぞれの他方端は、前記樹脂パッケージの上面側において外部に露出し、
前記樹脂パッケージは、モールド成形により一体で成形されている、半導体装置。
【請求項２】
前記樹脂パッケージは箱状であって、
前記複数の主電極板は、
前記樹脂パッケージの上面において、前記それぞれの他方端の主面のみが露出する、請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記複数の主電極板の、前記それぞれの他方端の主面の露出位置は、前記樹脂パッケージの上面の中央寄りの位置である、請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記樹脂パッケージは、箱状の本体部と、該本体部の上面からそれぞれ突出し、前記複数の主電極板を内部に含む複数の電極突出部とを有し、
前記複数の主電極板は、前記複数の電極突出部のそれぞれの上面において、前記それぞれの他方端の主面のみが露出する、請求項１記載の半導体装置。
【請求項５】
前記複数の電極突出部は、前記本体部との境界部分が曲面を有して構成される、請求項４記載の半導体装置。
【請求項６】
前記複数の電極突出部は、前記本体部の端縁部に配設され、その内部に空洞部を有し、
前記複数の主電極板の前記それぞれの他方端は、前記空洞部の上部を覆うように配設される、請求項４記載の半導体装置。
【請求項７】
前記複数の主電極板の前記それぞれの他方端は貫通孔を有し、
前記貫通孔は、その内周にネジ溝を有する、請求項６記載の半導体装置。
【請求項８】
前記貫通孔は、バーリング加工によって形成され、
前記ネジ溝は、前記バーリング加工によって前記空洞部側に突出するバーリング部に配設される、請求項７記載の半導体装置。
【請求項９】
前記複数の主電極板の前記それぞれの他方端は貫通孔を有し、
前記複数の電極突出部は、前記貫通孔に、そのネジ孔が連通するように埋め込まれたナットをさらに有する、請求項６記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記半導体装置は、
前記放熱基板上に配設され、前記半導体素子の駆動制御を行う制御回路をさらに備える、請求項１記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記制御回路は、前記樹脂パッケージのモールド樹脂よりも粘度が小さい樹脂によって覆われる、請求項１０記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記放熱基板の、前記半導体素子の搭載面とは反対側の底面は、前記樹脂パッケージの底面から露出し、
前記半導体装置は、
少なくとも前記放熱基板の前記底面を完全に覆うように、前記樹脂パッケージの前記底面側に配設された絶縁層をさらに備える、請求項１記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記絶縁層は、前記樹脂パッケージの底面に貼付された、シート状の絶縁材により構成される、請求項１２記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記樹脂パッケージの前記底面に、前記放熱基板の前記底面の露出領域に対応する領域が窪んだ段差領域を有し、
前記段差領域の高さは、前記絶縁層の厚さよりも低い、請求項１２記載の半導体装置。
【請求項１５】
前記樹脂パッケージの前記底面に、前記放熱基板の前記底面の露出領域を囲むように配設された複数の突起部を有し、
前記複数の突起部の高さは、前記絶縁層の厚さよりも低い、請求項１２記載の半導体装置。
【請求項１６】
前記半導体装置は、
前記絶縁層に密着する、前記絶縁層よりも広い面積の放熱板をさらに備える、請求項１２記載の半導体装置。
【請求項１７】
導電性の複数の放熱基板と、
前記複数の放熱基板上にそれぞれ直接に配設された半導体素子と、
それぞれの一方端が前記半導体素子の主電極に電気的に接続された複数の主電極板と、
前記複数の放熱基板、前記半導体素子、前記複数の主電極板を樹脂封止する樹脂パッケージと、を備え、
前記複数の放熱基板を平面的に配列した状態での外形寸法は、前記樹脂パッケージの外形寸法と同等の大きさであって、
前記複数の主電極板の、それぞれの他方端は、前記樹脂パッケージの上面側において外部に露出し、
前記樹脂パッケージは、モールド成形により一体で成形されている、半導体装置。
【請求項１８】
前記複数の放熱基板は、何れも同じ矩形形状を有し、その長辺どうしが平行するように配列される、請求項１７記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置に関し、特に、高耐圧の電力用半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図２９に従来の半導体装置の一例として、半導体装置Ｍ７０の断面構成を示す。図２９に示すように、半導体装置Ｍ７０は、例えば、無酸素銅で形成されたベース板１０４上に絶縁基板１０２が搭載され、当該絶縁基板１０２上にスイッチング素子である半導体素子１０１が搭載されている。絶縁基板１０２は、絶縁性の基板の一方の主面に所定の導体パターンが配設され、当該導体パターン上に半導体素子等が配設される。また、他方の主面には導体層が配設され、導体板等に半田付け等で接着される構成となっている。
【０００３】
ベース板１０４の端縁部を囲むように、例えばＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）で構成される樹脂ケース１０５が配設されている。
【０００４】
樹脂ケース１０５には、外部接続電極板１０８、接続導体１０６、内部接続電極１０７で構成される電極板ＤＥが部分的に埋め込まれるように配設されている。内部接続電極１０７は、半導体素子１０１や絶縁基板１０２の導体パターンに、直径２００〜３００μｍのアルミニウム配線１０９で電気的に接続されている。
【０００５】
そして、ベース板１０４と樹脂ケース１０５とで規定される内部空間には、絶縁性を確保するために、例えばシリコーンゲル１１０が充填されており、また、シリコーンゲル１１０と外気とを遮断するために、樹脂ケース１０５の開口部には蓋１１１が配設されている。
【０００６】
また、外部接続電極板１０８の主面の一部は樹脂ケース１０５の主面に露出しているが、その部分には外部導体（図示せず）との接続のための貫通孔が設けられており、当該貫通孔に対応する位置の樹脂ケース１０５内には、ナット１１２が埋め込まれている。従って、外部接続電極板１０８と外部導体とはボルト（図示せず）を用いて接合することができ、ボルトの締め付けにより接触抵抗を小さくできる。
【０００７】
このように、半導体装置Ｍ７０においては、樹脂ケース１０５内に半導体素子１０１を収容する構成を採るため、製造工程が煩雑となり、外形寸法も大きくなるので、小型化やコスト削減には限界があった。
【０００８】
また、図３０に従来の半導体装置の一例として、半導体装置Ｍ８０の断面構成を示す。
【０００９】
図３０に示すように、半導体装置Ｍ８０は、例えば銅合金で構成されるフレーム２１３上にスイッチング素子である半導体素子２０１が搭載され、半導体素子２０１はアルミニウム配線２０９によってリード２０７に電気的に接続される。
【００１０】
半導体素子２０１、リード２０７およびフレーム２１３は、トランスファーモールド成形を用いてモールド樹脂２１４により樹脂封止され、一体となっている。そして、リード２０７の一部、およびフレーム２１３から延在するリード２１５の一部がモールド樹脂２１４から外部に突出しており、例えば、スルーホールを有するプリント基板に半田付けされる。
【００１１】
このように、半導体装置Ｍ８０においては、トランスファーモールド成形を用いて半導体素子２０１を樹脂封止するので、部品点数が少なくコストは低く抑えることができるが、動作時に半導体素子２０１が発する熱は、熱伝導率が数Ｗｍ・Ｋのモールド樹脂２１４を介して放熱されることになり、熱抵抗が大きく、放熱性に問題があった。
【００１２】
また、リード２０７は細く、大きな電流を流すには、リード２０７の断面積や、リード２０７が接続されるプリント基板の回路パターンの断面積が十分に得られないので、電気抵抗による損失が無視できなくなり、大電流の半導体装置には適さないという問題があった。
【００１３】
また、図３１に従来の半導体装置の一例として、半導体装置Ｍ９０の断面構成を示す。
【００１４】
図３１に示すように、半導体装置Ｍ９０は、絶縁基板３０２上にスイッチング素子である半導体素子３０１が搭載され、半導体素子３０１はアルミニウム配線３０９によってリード３１５に電気的に接続されている。そして、絶縁基板３０２、半導体素子３０１およびリード３１５は、トランスファーモールド成形を用いてモールド樹脂３１４により樹脂封止され、一体となっている。
【００１５】
絶縁基板３０２の半導体素子３０１の搭載主面とは反対の主面は、モールド樹脂３１４から露出しており、金属基板３０４に半田付けされる。また、金属基板３０４上には、制御回路基板３１７や、中継基板３１８も配設されている。
【００１６】
制御回路基板３１７は、半導体素子３０１の動作制御を行う制御回路等が配設される基板であり、中継基板３１８は、リード３１５の中継点が設けられた基板である。
【００１７】
モールド樹脂３１４から延在するリード３１５は、中継基板３１８および制御回路基板３１７に設けられた導体層３１９に接続され、中継基板３１８に接続されたリード３１５は、導体層３１９を介して外部接続電極板３１６に電気的に接続され、制御回路基板３１７に接続されたリード３１５は、導体層３１９を介して制御端子３２０に接続されている。
【００１８】
このように、半導体装置Ｍ９０においては、半導体素子３０１を搭載する絶縁基板３０２が、金属基板３０４上に接触しているので、放熱性の点では半導体装置Ｍ８０より優れるが、制御回路基板３１７および中継基板３１８を金属基板３０４上に別個に設けるので、配設効率が悪く、小型化が困難という問題があった。
【００１９】
また、外部接続電極板３１６から中継基板３１８、リード３１５を経て半導体素子３０１の一方の主電極に到り、他方の主電極から中継基板３１８、リード３１５を経て外部接続電極板３１６に到るように形成されるループ回路の面積が大きいので、インダクタンスが大きくなり、大きなサージ電圧が発生する要因となる。このため、半導体素子３０１をスイッチング動作させた場合の電流の変化率が大きくなり、耐電圧の大きな素子を準備しなければならず、コストを増加させる一因となっていた。
【００２０】
【発明が解決しようとする課題】
以上説明したように、従来の半導体装置においては、放熱性と小型化の両方の要求を満足することは困難であった。
【００２１】
本発明は上記のような問題点を解消するためになされたもので、大電流の半導体素子を有しながらも、放熱性と小型化の両方の要求を満足する半導体装置を提供することを目的とする。
【００２２】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る請求項１記載の半導体装置は、導電性の放熱基板と、前記放熱基板上に直接に配設された半導体素子と、それぞれの一方端が前記半導体素子の主電極に電気的に接続された複数の主電極板と、前記放熱基板、前記半導体素子、前記複数の主電極板を樹脂封止する樹脂パッケージと、を備え、前記放熱基板の外形寸法は、前記樹脂パッケージの外形寸法と同等の大きさであって、前記複数の主電極板の、それぞれの他方端は、前記樹脂パッケージの上面側において外部に露出し、前記樹脂パッケージは、モールド成形により一体で成形されている。
【００２３】
本発明に係る請求項２記載の半導体装置は、前記樹脂パッケージが箱状であって、前記複数の主電極板は、前記樹脂パッケージの上面において、前記それぞれの他方端の主面のみが露出する。
【００２４】
本発明に係る請求項３記載の半導体装置は、前記複数の主電極板の、前記それぞれの他方端の主面の露出位置が、前記樹脂パッケージの上面の中央寄りの位置である。
【００２５】
本発明に係る請求項４記載の半導体装置は、前記樹脂パッケージは、箱状の本体部と、該本体部の上面からそれぞれ突出し、前記複数の主電極板を内部に含む複数の電極突出部とを有し、前記複数の主電極板は、前記複数の電極突出部のそれぞれの上面において、前記それぞれの他方端の主面のみが露出する。
【００２６】
本発明に係る請求項５記載の半導体装置は、前記複数の電極突出部が、前記本体部との境界部分が曲面を有して構成される。
【００２７】
本発明に係る請求項６記載の半導体装置は、前記複数の電極突出部が、前記本体部の端縁部に配設され、その内部に空洞部を有し、前記複数の主電極板の前記それぞれの他方端は、前記空洞部の上部を覆うように配設される。
【００２８】
本発明に係る請求項７記載の半導体装置は、前記複数の主電極板の前記それぞれの他方端は貫通孔を有し、前記貫通孔は、その内周にネジ溝を有する。
【００２９】
本発明に係る請求項８記載の半導体装置は、前記貫通孔が、バーリング加工によって形成され、前記ネジ溝は、前記バーリング加工によって前記空洞部側に突出するバーリング部に配設される。
【００３０】
本発明に係る請求項９記載の半導体装置は、前記複数の主電極板の前記それぞれの他方端が貫通孔を有し、前記複数の電極突出部は、前記貫通孔に、そのネジ孔が連通するように埋め込まれたナットをさらに有する。
【００３１】
本発明に係る請求項１０記載の半導体装置は、前記半導体装置が、前記放熱基板上に配設され、前記半導体素子の駆動制御を行う制御回路をさらに備える。
【００３２】
本発明に係る請求項１１記載の半導体装置は、前記制御回路が、前記樹脂パッケージのモールド樹脂よりも粘度が小さい樹脂によって覆われる。
【００３３】
本発明に係る請求項１２記載の半導体装置は、前記放熱基板の、前記半導体素子の搭載面とは反対側の底面は、前記樹脂パッケージの底面から露出し、前記半導体装置は、少なくとも前記放熱基板の前記底面を完全に覆うように、前記樹脂パッケージの前記底面側に配設された絶縁層をさらに備える。
【００３４】
本発明に係る請求項１３記載の半導体装置は、前記絶縁層は、前記樹脂パッケージの底面に貼付された、シート状の絶縁材により構成される。
【００３５】
本発明に係る請求項１４記載の半導体装置は、前記樹脂パッケージの前記底面に、前記放熱基板の前記底面の露出領域に対応する領域が窪んだ段差領域を有し、前記段差領域の高さは、前記絶縁層の厚さよりも低い。
【００３６】
本発明に係る請求項１５記載の半導体装置は、前記樹脂パッケージの前記底面に、前記放熱基板の前記底面の露出領域を囲むように配設された複数の突起部を有し、前記複数の突起部の高さは、前記絶縁層の厚さよりも低い。
【００３７】
本発明に係る請求項１６記載の半導体装置は、前記半導体装置が、前記絶縁層に密着する、前記絶縁層よりも広い面積の放熱板をさらに備える。
【００３８】
本発明に係る請求項１７記載の半導体装置は、導電性の複数の放熱基板と、前記複数の放熱基板上にそれぞれ直接に配設された半導体素子と、それぞれの一方端が前記半導体素子の主電極に電気的に接続された複数の主電極板と、前記複数の放熱基板、前記半導体素子、前記複数の主電極板を樹脂封止する樹脂パッケージと、を備え、前記複数の放熱基板を平面的に配列した状態での外形寸法は、前記樹脂パッケージの外形寸法と同等の大きさであって、前記複数の主電極板の、それぞれの他方端は、前記樹脂パッケージの上面側において外部に露出し、前記樹脂パッケージは、モールド成形により一体で成形されている。
【００３９】
本発明に係る請求項１８記載の半導体装置は、前記複数の放熱基板は、何れも同じ矩形形状を有し、その長辺どうしが平行するように配列される。
【００４０】
【発明の実施の形態】
＜Ａ．実施の形態１＞
＜Ａ−１．装置構成＞
本発明に係る実施の形態１として、図１に半導体装置Ｍ１００の構成を斜視図で示す。なお、図１においては便宜的に樹脂パッケージ２３の一部を省略して内部構成を明示している。
【００４１】
図１に示すように、半導体装置Ｍ１００は、熱伝導性および電導性の良好な金属で構成された細長形状のヒートスプレッダ２５（放熱基板）の主面上に配設された、ＩＧＢＴ（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）素子１およびダイオード素子２を有し、これらの構成は樹脂パッケージ２３内に埋め込まれている。
【００４２】
ヒートスプレッダ２５の主面上には、ＩＧＢＴ素子１よりも外側に中継端子台２０が配設され、中継端子台２０、ＩＧＢＴ素子１およびダイオード素子２は一列をなしている。そして、これらの配列の両側に、それぞれ外部接続電極板８１および８２が配設されている。外部接続電極板８１および８２は、外部接続電極板８（主電極板）と総称する場合もある。
【００４３】
ＩＧＢＴ素子１とダイオード素子２との間、ＩＧＢＴ素子１と中継端子台２０との間、ダイオード素子２と外部接続電極板８２との間は、何れも複数のアルミニウム配線ＷＲによって電気的に接続されている。なお、ＩＧＢＴ素子１とダイオード素子２のそれぞれの下主面には主電極が露出しており、ヒートスプレッダ２５に半田付けされている。
【００４４】
中継端子台２０は、ＩＧＢＴ素子１に電気的に接続される複数のアルミニウム配線ＷＲが接続される中継端子板群２１と、ＩＧＢＴ素子１の制御のための制御信号を外部機器との間で入出力する中継ピン端子群２２とを備え、中継ピン端子群２２はヒートスプレッダ２５の主面に対して垂直に延在している。
【００４５】
なお、中継端子板群２１には、ＩＧＢＴ素子１のゲートおよびエミッタにそれぞれ電気的に接続される、ゲート中継端子板３および制御エミッタ中継端子板４が含まれ、また、中継ピン端子群２２には、ゲート中継端子板３および制御エミッタ中継端子板４にそれぞれ対応して設けられたゲート中継ピン１３および制御エミッタ中継ピン１４が含まれている。
【００４６】
外部接続電極板８１は、その一端がヒートスプレッダ２５の主面に接続され、他方端の主面が樹脂パッケージ２３の上面に露出するように配設されている。
【００４７】
外部接続電極板８２も外部接続電極板８１と同様の形状を有するが、ヒートスプレッダ２５には電気的に接続されず、その端部はヒートスプレッダ２５の主面上方に位置している。なお、外部接続電極板８の樹脂パッケージ２３から露出する部分にはバスバー配線（図示せず）との接続のための貫通孔が設けられている。
【００４８】
これら、ヒートスプレッダ２５、ＩＧＢＴ素子１、ダイオード素子２、中継端子台２０および外部接続電極板８は、トランスファーモールド成形を用いて箱状に樹脂封止され、樹脂パッケージ２３が半導体装置Ｍ１００の外形を規定している。
【００４９】
なお、樹脂パッケージ２３の四隅には、半導体装置Ｍ１００を図示しないヒートシンク等に固定する貫通孔２４が設けられている。
【００５０】
図２に、半導体装置Ｍ１００の長手方向での断面構成を示す。図２に示すように、ヒートスプレッダ２５は樹脂パッケージ２３内に完全に埋め込まれており、また、ヒートスプレッダ２５との間には樹脂パッケージ２３が介在している。
【００５１】
ここで、図３にＩＧＢＴ素子１およびダイオード素子２の接続関係を示す。図３に示すようにダイオード素子２は、フリーホイールダイオードとして機能するように、ＩＧＢＴ素子１に対して順電流が還流する向きに並列に接続されている。
【００５２】
なお、ＩＧＢＴ素子１のエミッタは外部接続電極板８１に接続されるとともに、制御エミッタ中継端子板４を介して制御エミッタ中継ピン１４にも接続されている。
【００５３】
また、ＩＧＢＴ素子１のゲートは、ゲート中継端子板３を介してゲート中継ピン１３に接続されている。
【００５４】
制御エミッタ中継ピン１４はＩＧＢＴ素子１の駆動に際して使用され、制御エミッタ中継ピン１４とゲート中継ピン１３との間に、ゲート−エミッタ間電圧（例えば１５Ｖ程度）を印加することでＩＧＢＴ素子１を駆動することができる。
【００５５】
なお、制御エミッタ中継ピン１４とゲート中継ピン１３は、図示しない制御回路や駆動回路等に接続される。
【００５６】
なお、ＩＧＢＴ素子１には、エミッタに流れる電流の数千分の１の電流（センス電流）が流れるように構成された電流センス電極を有し、当該電流センス電極に電気的に接続され、センス電流を出力するための中継ピンや、温度検出のための中継ピン端子群２２に含まれるが、それらについては説明を省略している。
【００５７】
＜Ａ−２．製造方法＞
次に、図１および図２を参照して半導体装置Ｍ１００の製造方法について説明する。
まず、ヒートスプレッダ２５に、ＩＧＢＴ素子１、ダイオード素子２、中継端子台２０および外部接続電極板８１を半田付けにより接続する。このとき、各構成間に、アルミニウム配線ＷＲをワイヤボンディングする。
【００５８】
外部接続電極板８１は、ヒートスプレッダ２５を取り囲む枠状のリードフレーム（図示せず）と一体に形成されており、外部接続電極板８１をヒートスプレッダ２５に接続することで、リードフレームとヒートスプレッダ２５とが一体になる。なお、外部接続電極板８２もリードフレームと一体に形成されているが、こちらは、ヒートスプレッダ２５には接続されない。
【００５９】
この状態で、リードフレームをトランスファーモールド成形用の金型内に入れ、溶融した樹脂を金型内に流し込むことで樹脂封止が完了する。この後、金型を取り外し、リードフレームから外部接続電極板８１および８２を分離することで、樹脂パッケージ２３で覆われた半導体装置Ｍ１００を得ることができる。
【００６０】
＜Ａ−３．作用効果＞
以上説明したように、本発明に係る半導体装置Ｍ１００は、トランスファーモールド成形により、ＩＧＢＴ素子１、ダイオード素子２、中継端子台２０、外部接続電極板８およびヒートスプレッダ２５を一体で樹脂封止するので、配設効率が良く、また、ヒートスプレッダ２５の外形寸法を、樹脂パッケージ２３の外形寸法と同程度まで大きくすることができ、放熱能力を保っての小型化が可能となる。
【００６１】
また、外部接続電極板８は樹脂パッケージ２３の上面に、外部導体との接続部分が露出するように配設されるので、２つの外部接続電極板８と、ＩＧＢＴ素子１の２つの主電極および、これらを電気的に接続する電流経路とで構成されるループ回路の面積が小さくなり、当該ループ回路のインダクタンスを小さくできる。
【００６２】
スイッチング素子をスイッチング動作させたときに、電流変化に伴って生じるサージ電圧のピーク電圧は、インダクタンスに比例して小さくなり、その結果、スイッチング損失が小さくなる。このため、ＩＧＢＴ素子１で生じる発熱が少なくなり、ヒートスプレッダ２５の面積を小さくしても、熱設計上の動作範囲が広くなる。従って、装置全体の小型化を達成できるとともに、サージ電圧が低下するので、耐電圧を下げることができ、コスト的に安価となる。
【００６３】
また、外部接続電極板８の外部導体との接続部分が樹脂パッケージ２３の上面に配置されているので、ヒートシンクから外部接続電極板８までの絶縁距離を確保しやすく、耐電圧特性に優れた半導体装置を得ることができる。この特徴について、図４を用いて説明する。
【００６４】
図４は、外部接続電極板８の配設位置によるモールド樹脂の厚みの変化を模式的に示す図である。
【００６５】
図４において、向かって左側の半導体装置は、外部接続電極板８が樹脂パッケージ２３Ａの上面端縁部近傍に配設されており、ヒートシンクＨＳから外部接続電極板８までの絶縁距離Ｌは、樹脂パッケージ２３Ａの厚さで規定されている。
【００６６】
一方、図に向かって右側の半導体装置は、外部接続電極板８が樹脂パッケージ２３の上面中央よりの位置に配設されており、ヒートシンクＨＳから外部接続電極板８までの絶縁距離Ｌは、樹脂パッケージ２３の厚さと、樹脂パッケージ２３の上面端縁部からの距離とで規定されている。
【００６７】
このように、外部接続電極板８の外部導体との接続部分を樹脂パッケージ２３の上面に配置することで、ヒートシンクＨＳから外部接続電極板８までの絶縁距離Ｌを確保しやすくなるので、樹脂パッケージ２３の厚さは薄くても、耐電圧の高い半導体装置を得ることができる。
【００６８】
そして、樹脂パッケージ２３の厚さを薄くできれば、装置使用時の発熱による樹脂パッケージ２３の反りを抑制することができる。
【００６９】
すなわち、モールド樹脂とヒートスプレッダ２５とは材質の違いにより線膨張率に大きな差がある。従って、装置使用時の発熱により温度変化が生じると樹脂パッケージ２３全体に反りが生じる。そして、この反り量が、例えば数百μｍを越える場合には、樹脂パッケージ２３と、それを固定するヒートシンク（図示せず）との間に隙間が生じ、半導体装置からヒートシンクへの放熱が阻害され、半導体装置の温度が許容値以上に高くなる可能性がある。
【００７０】
しかし、樹脂パッケージ２３の厚さが、ヒートスプレッダ２５の厚さに比べて薄いと、同じように温度変化が生じても反りが小さくなる。その結果、ヒートシンクとの接触部での熱抵抗を小さく保つことができ、放熱効果を維持できる。
【００７１】
また、放熱効果を維持できることで、半導体装置の温度上昇を抑制できるので、モールド樹脂の材質の選択の幅が広くなり、より安価なモールド樹脂を使用することで、コストを低減できる。
【００７２】
このように、外部接続電極板８の外部導体との接続部分を樹脂パッケージ２３の上面の中央寄りに配置することで、樹脂パッケージ２３を薄くしても十分な絶縁距離を確保でき、数十℃の温度変化が生じるような大電流を流す半導体装置であっても、数百ボルト以上の耐電圧を得ることができる。
【００７３】
なお、樹脂パッケージ２３の反りを抑制するには、モールド樹脂の線膨張率は、ヒートスプレッダ２５の線膨張率に近い方が望ましく、例えば、ヒートスプレッダ２５が銅（Ｃｕ）で構成されている場合には、１６×１０-6／Ｋ程度であることが望ましい。
【００７４】
なお、以上説明した半導体装置Ｍ１００は、ＩＧＢＴ素子１およびダイオード素子２を１個ずつ有する構成であったが、ＩＧＢＴ素子１およびダイオード素子２を同数ずつ複数個有する構成であっても良いのはもちろんだが、半導体装置Ｍ１００を複数個集め、電気的に並列に接続してユニットを構成することで、並列に接続された複数のＩＧＢＴ素子を有する１個の半導体装置と等価な構成にできる。従って、あらゆる電流容量に対応した半導体装置を容易に得ることができる。
【００７５】
また、３相モータのインバータに使用する場合は半導体装置Ｍ１００を６個用いるなど、用途に応じて任意に組み合わせて用いることができ、製品の種類を増やすことなく生産性を高めることができる。
【００７６】
なお、２つの外部接続電極板８は樹脂パッケージ２３の上面に、外部導体との接続部分が露出するように配設されているが、外部導体との接続においては、図５に示すような外部導体取り付け電極ＯＥをネジ止め等により接続することで、種々の外部導体への接続が可能となり、汎用的な使用が可能となる。
【００７７】
＜Ａ−４．変形例＞
以上説明した半導体装置Ｍ１００においては、２つの外部接続電極板８がモールド樹脂内に完全に埋め込まれ、樹脂パッケージ２３の上面において、外部導体との接続部分が露出するように配設された構成を示したが、図６に示す半導体装置Ｍ１０１のような構成としても良い。
【００７８】
すなわち、２つの外部接続電極板８Ａは、樹脂パッケージ２３の厚さ方向のほぼ中央部、より具体的にはヒートスプレッダ２５の上主面に相当する位置から樹脂パッケージ２３の側面外部に突出し、そこから樹脂パッケージ２３の側面に沿って折れ曲がり、樹脂パッケージ２３の上面に達する位置で、上面に沿う方向に折れ曲がった形状を有している。
【００７９】
このように、２つの外部接続電極板８Ａを樹脂パッケージ２３の側面から突出させることで樹脂パッケージ２３内に複雑な形状の外部接続電極板を埋め込む必要がなくなり、トランスファーモールド成形に際して複雑な構造の金型を準備する必要がなくなるという利点がある。
【００８０】
この結果、金型の設計、製造が容易となり、コストを低減できるとともに、生産設備に対する制約が低減し、生産性を高めることができる。
【００８１】
また、２つの外部接続電極板８Ａは、ヒートスプレッダ２５に平行に延在する部分と、樹脂パッケージ２３の上面に平行に延在する部分とを有しているので、当該両部分においては、通電時に生じるインダクタンスをキャンセルでき、通電時に外部接続電極板８Ａで発生するインダクタンスを低減することができる。
【００８２】
そして、インダクタンスの低下によりスイッチング損失が小さくなり、ＩＧＢＴ素子１で生じる発熱が減少することで、結果的に装置全体を小型化できることは先に説明した通りである。
【００８３】
なお、半導体装置Ｍ１０１が取り付けられるヒートシンク（図示せず）と外部接続電極板８Ａとの最小距離は、半導体装置Ｍ１０１の使用に際しての絶縁耐圧を確保するという観点から、半導体装置Ｍ１０１の電源電圧に対して沿面放電を起こさないような値に決定される。
【００８４】
＜Ｂ．実施の形態２＞
＜Ｂ−１．装置構成＞
本発明に係る実施の形態２として、図７に半導体装置Ｍ２００の構成を斜視図で示す。なお、図７においては便宜的に樹脂パッケージ２３Ｂの一部を省略して内部構成を明示している。
【００８５】
図７に示すように、半導体装置Ｍ２００の内部構成は、基本的には図１を用いて説明した半導体装置Ｍ１００と同じであり、同一の構成には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【００８６】
半導体装置Ｍ２００においては、樹脂パッケージ２３Ｂが、図１に示した樹脂パッケージ２３のように単純な箱状ではなく、樹脂パッケージ２３に相当する本体部２３１Ｂの上面に、２つの電極突出部２３２Ｂを有した形状となっている。
【００８７】
電極突出部２３２Ｂは直方体形状をなし、その内部に本体部２３１Ｂから延在する外部接続電極板８Ｂを有している。
【００８８】
外部接続電極板８Ｂは、半導体装置Ｍ１００における外部接続電極板８と基本的には同じ形状を有するが、外部接続電極板８よりも、高さ方向においてより長く延在している。なお、２つの外部接続電極板８Ｂのうち、ヒートスプレッダ２５に接続されるものを外部接続電極板８１Ｂ、ダイオード素子２に電気的に接続されるものを外部接続電極板８２Ｂと呼称する。
【００８９】
図８に半導体装置Ｍ２００の長手方向での断面構成を示す。図８に示すように、外部接続電極板８１Ｂは、その一端がヒートスプレッダ２５の主面に接続され、他方端の主面が電極突出部２３２Ｂの上面に露出するように配設されている。
【００９０】
外部接続電極板８２Ｂも外部接続電極板８１Ｂと同様の形状を有するが、ヒートスプレッダ２５には電気的に接続されず、その端部はヒートスプレッダ２５の主面上方に位置している。
【００９１】
また、電極突出部２３２Ｂの内部は、空洞部ＯＳとなっており、空洞部ＯＳの上部を外部接続電極板８Ｂが塞ぐ構成となっている。そして、外部接続電極板８Ｂの露出部には貫通孔２８が設けられている。
【００９２】
＜Ｂ−２．製造方法＞
ここで、図９を用いて電極突出部２３２Ｂの形成方法について説明する。樹脂パッケージ２３Ｂは、トランスファーモールド成形により形成するので、図９に示すように、電極突出部２３２Ｂに相当する部分に、電極突出部２３２Ｂの外形に合致する凹部５１１を設けた上金型５１および、空洞部ＯＳの外形に合致する凸部５２１を設けた下金型５２を準備する。
【００９３】
そして、ヒートスプレッダ２５が接続されたリードフレームを、上金型５１と下金型５２とで挟み込んで、溶融した樹脂を金型内に流し込むことで樹脂封止が完了する。
【００９４】
＜Ｂ−３．作用効果＞
このように、外部接続電極板８Ｂを、樹脂パッケージ２３Ｂの本体部２３１Ｂの上面から突出させることで、半導体装置Ｍ２００を取り付けるヒートシンク（図示せず）と、外部接続電極板８Ｂの露出部との距離、すなわち絶縁距離を十分に確保できるので、耐電圧をより大きく設定することが可能となる。
【００９５】
そして、電極突出部２３２Ｂの存在により、ヒートスプレッダ２５が埋め込まれる本体部２３１Ｂの厚さは最小限に設定することができるので、装置使用時の発熱により温度変化が生じても、樹脂パッケージ２３Ｂ全体に反りが生じることを抑制でき、半導体装置からヒートシンクへの放熱効果が低下することを防止して、半導体装置の温度が許容値以上に高くなることを防止できる。
【００９６】
また、電極突出部２３２Ｂの内部は、空洞部ＯＳとなっているので、外部接続電極板８Ｂの露出部上に外部導体（図示せず）を配設し、また、空洞部ＯＳにナット（図示せず）を配設し、ボルト（図示せず）とナットとで外部導体を締め付けることで、外部導体と外部接続電極板８Ｂとを、接触抵抗を小さくして接合することができる。
【００９７】
＜Ｂ−４．変形例１＞
半導体装置Ｍ２００の変形例として、図１０に半導体装置Ｍ２０１の断面構成を示す。半導体装置Ｍ２０１の構成は、基本的には図７および図８を用いて説明した半導体装置Ｍ２００と同じであり、同一の構成には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【００９８】
半導体装置Ｍ２０１は、本体部２３１Ｂと電極突出部２３２Ｂとの境界部分が曲率を有する曲面部ＲＰとなっている点が半導体装置Ｍ２００と異なっている。
【００９９】
このようなフィレット構造を採ることで、電極突出部２３２Ｂにおいて外部導体と外部接続電極板８Ｂとをボルトで締め付ける場合に、大きなトルクでボルトを締め付けても、本体部２３１Ｂと電極突出部２３２Ｂとの境界部分に生じる応力が小さくなり、電極突出部２３２Ｂの寸法が小さくても、ボルトの締め付けに耐えることができ、半導体装置の小型化を達成できる。
【０１００】
また、同様の理由から、本体部２３１Ｂの厚さを厚くする必要がないので、装置使用時の発熱により温度変化が生じても、樹脂パッケージ２３Ｂ全体に反りが生じることを抑制でき、半導体装置からヒートシンクへの放熱効果が低下することを防止して、半導体装置の温度が許容値以上に高くなることを防止できる。
【０１０１】
また、ボルトの締め付けに対する耐性が高まるので、ボルトの締め付けのためのトルク管理が容易となり、作業性を向上できる。
【０１０２】
＜Ｂ−５．変形例２＞
半導体装置Ｍ２００の変形例として、図１１に半導体装置Ｍ２０２の断面構成を示す。半導体装置Ｍ２０２の構成は、基本的には図７および図８を用いて説明した半導体装置Ｍ２００と同じであり、同一の構成には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。また、図１０を用いて説明した半導体装置Ｍ２０１と同様に、本体部２３１Ｂと電極突出部２３２Ｂとの境界部分が曲面部ＲＰとなっている。
【０１０３】
半導体装置Ｍ２０２は、外部接続電極板８Ｂの露出部に設けられた貫通孔２８が、バーリング加工により設けられたバーリング部ＢＰを有している。
【０１０４】
そして、当該バーリング部ＢＰにはネジ溝が設けられており、ナットを使うことなく、ボルト締めが可能となっている。
【０１０５】
以下、図１２〜図１４を用いてバーリング加工について説明する。図１２に示すように、外部接続電極板８Ｂ露出部となる部分にポンチＰＯ等を用いて孔を開ける。この際、外部接続電極板８Ｂを削り取るのではなく、押し広げるようにすることで、貫通孔２８の周囲に壁を形成する。
【０１０６】
そして、図１３に示すように、ネジ溝加工のためのタップＴＰを用いて、孔の周囲に残る壁の部分にネジ溝を形成することで、図１４に示すようなネジ溝を有するバーリング部ＢＰが得られる。
【０１０７】
＜Ｂ−６．変形例３＞
半導体装置Ｍ２００の変形例として、図１５に半導体装置Ｍ２０３の断面構成を示す。半導体装置Ｍ２０３の構成は、基本的には図７および図８を用いて説明した半導体装置Ｍ２００と同じであり、同一の構成には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。また、図１０を用いて説明した半導体装置Ｍ２０１と同様に、本体部２３１Ｂと電極突出部２３２Ｂとの境界部分が曲面部ＲＰとなっている。
【０１０８】
半導体装置Ｍ２０３は、外部接続電極板８Ｂの露出部の下面側にナット３１を有しており、貫通孔２８から挿入したボルト（図示せず）により、外部導体を締め付ける際に、ナットを準備する必要がなくなり、作業性が向上する。
【０１０９】
ナット３１は外部接続電極板８Ｂの下面にロウ付け等で接合しても良いし、トランスファーモールド成形により樹脂パッケージ２３Ｂを形成する際に、空洞部ＯＳ内に埋め込むようにしても良い。
【０１１０】
以下、図１６を用いてナット３１を樹脂パッケージ２３Ｂに埋め込む工程について説明する。
【０１１１】
図１６に示すように、電極突出部２３２Ｂに相当する部分に、電極突出部２３２Ｂの外形に合致する凹部６１１を設けた上金型６１および、空洞部ＯＳの外形に合致する凸部６２１を設けた下金型６２を準備する。
【０１１２】
下金型６２び凸部６２１の先端には、直径がナット３１のネジ孔の直径よりも若干小さい円筒状のピン６２３が配設されており、当該ピン６２３にナット３１が挿入される。ピン６２３の長さは、ナット３１が挿入された状態でナット３１の端面から若干突出する長さに設定される。
【０１１３】
凸部６２１は、ナット３１を搭載する部分として、その直径がナット３１のネジ孔の直径よりも大きく、外径よりも小さい円筒状の基部６２２を有している。
【０１１４】
トランスファーモールド成形に際しては、ピン６２３にナット３１を挿入した状態で、ヒートスプレッダ２５が接続されたリードフレームを、上金型６１と下金型６２とで挟み込む。
【０１１５】
上金型６１と下金型６２とを閉じると、ナット３１は基部６２２と外部接続電極板８Ｂとで挟まれて固定され、ナット３１の端面から突出したピン６２３は、外部接続電極板８Ｂの貫通孔２８に挿入される。ここで、ピン６２３のナット３１の端面からの突出部分の長さが、外部接続電極板８Ｂの厚さよりも短くなるようにピン６２３の長さが設定されている。
【０１１６】
従って、ピン６２３は貫通孔２８内に収まり、上金型６１に干渉することはない。この状態で、溶融した樹脂を金型内に流し込むことで樹脂封止が完了する。
【０１１７】
なお、ナット３１は基部６２２と外部接続電極板８Ｂとで挟み込まれているので、ナット３１の内部にモールド樹脂が侵入することは防止される。
【０１１８】
また、外部接続電極板８Ｂの上面も上金型６１に押し付けられるので、モールド樹脂が外部接続電極板８Ｂの上面を覆うことを防止できる。
【０１１９】
注入したモールド樹脂が硬化した後、上金型６１と下金型６２とを開くと、ピン６２３がナット３１内から抜き取られ、ナット３１の端面およびネジ孔が露出する。
【０１２０】
なお、ナット３１はモールド樹脂内に埋め込まれているので、ボルトの締め付け際してはナット３１を器具を用いて固定する必要はなく、ボルトの締め付けを容易に行うことができる。
【０１２１】
＜Ｃ．実施の形態３＞
＜Ｃ−１．装置構成＞
本発明に係る実施の形態３として、図１７に半導体装置Ｍ３００の構成を斜視図で示す。なお、図１７においては便宜的に樹脂パッケージ２３Ｃの一部を省略して内部構成を明示している。
【０１２２】
図１７に示すように、半導体装置Ｍ３００は６個のＩＧＢＴ素子およびダイオード素子を有する３相ブリッジ回路を示している。
【０１２３】
そして、６個のＩＧＢＴ素子およびダイオード素子のうち、１個ずつが配設されたヒートスプレッダ２５１を３個、ＩＧＢＴ素子およびダイオード素子が３個ずつ配設されたヒートスプレッダ２５２を１個有している。ヒートスプレッダ２５１および２５２は、何れも矩形状をなし、ヒートスプレッダ２５１は短辺が直線上に並ぶように並列に配設され、ヒートスプレッダ２５１は、ヒートスプレッダ２５１の配列とほぼ同じ大きさを有し、その長辺がヒートスプレッダ２５１の配列に平行になるように配設されている。
【０１２４】
また、ヒートスプレッダ２５１の配列と、ヒートスプレッダ２５２との間には、導体板２６を有している。
【０１２５】
ここで、ヒートスプレッダ２５１に配設されるＩＧＢＴ素子およびダイオード素子を、ＩＧＢＴ素子１Ｐおよびダイオード素子２Ｐとし、ヒートスプレッダ２５２に配設されるＩＧＢＴ素子およびダイオード素子を、ＩＧＢＴ素子１Ｎおよびダイオード素子２Ｎとする。
【０１２６】
各ヒートスプレッダ２５１の主面上には、ＩＧＢＴ素子１よりも外側に中継端子台２０Ｐが配設され、中継端子台２０Ｐ、ＩＧＢＴ素子１Ｐおよびダイオード素子２Ｐは一列をなしている。そして、中継端子台２０Ｐの外側に外部接続電極板８が接続されている。ここで、各ヒートスプレッダ２５１に接続される外部接続電極板８には、便宜的に、図に向かって左側から順に、８Ｕ、８Ｖ、８Ｗの符号を付して区別している。
【０１２７】
また、ヒートスプレッダ２５２の主面上には、ヒートスプレッダ２５２の短辺に平行するように、一列に配列されたＩＧＢＴ素子１Ｎおよびダイオード素子２Ｎの組が３組、間隔を開けて配設されている。
【０１２８】
そして、各ＩＧＢＴ素子１Ｎの外側には、それぞれ中継端子台２０Ｎが配設されている。
【０１２９】
また、ヒートスプレッダ２５２の一方の短辺側の端縁部には、外部接続電極板８Ｎが接続されている。なお、導体板２６の一方の短辺側の端縁部には、外部接続電極板８Ｐが接続されており、外部接続電極板８Ｎおよび８Ｐは平行して存在している。外部接続電極板８Ｎおよび８Ｐは外部接続電極板８と総称する。
【０１３０】
なお、ＩＧＢＴ素子１Ｐとダイオード素子２Ｐとの間、ＩＧＢＴ素子１Ｐと中継端子台２０Ｐとの間、ダイオード素子２Ｐと導体板２６との間、ＩＧＢＴ素子１Ｎとダイオード素子２Ｎとの間、ＩＧＢＴ素子１Ｎと中継端子台２０Ｎとの間、ダイオード素子２Ｎと各ヒートスプレッダ２５１との間は、何れも複数のアルミニウム配線ＷＲによって電気的に接続されている。
【０１３１】
そして、樹脂パッケージ２３Ｃが、図７に示した樹脂パッケージ２３Ｂのように箱状の本体部２３１Ｃの上面に、５つの外部接続電極板８がそれぞれ突出する５つの電極突出部２３２Ｃを有した形状となっている。
【０１３２】
次に、図１８を用いて３相ブリッジ回路の構成を示す。図１８に示すように、電源ラインとなるＰ−Ｎ線間（それぞれの入力端子は８Ｐおよび８Ｎとなる）に、３組のＩＧＢＴ素子２Ｐおよび２Ｎの組がトーテムポール接続されている。なお、入力端子８Ｐおよび８Ｎが、図１７に示す外部接続電極板８Ｐおよび８Ｎとなる。
【０１３３】
各々のトーテムポール接続されたＩＧＢＴ素子の接続点の各々は図示しない負荷に接続される。なお、上記接続点は、それぞれＵ相、Ｖ相、Ｗ相の出力端となり、それらが図１７に示す外部接続電極板８Ｕ、８Ｖおよび８Ｗとなる。
【０１３４】
また、それぞれのＩＧＢＴ素子１Ｐおよび１Ｎには、それぞれフリーホイールダイオード２Ｐおよび２Ｎが逆並列接続されている。
【０１３５】
＜Ｃ−２．製造方法＞
次に、図１９を用いて半導体装置Ｍ３００の製造方法について説明する。
まず、３個のヒートスプレッダ２５１のそれぞれに、ＩＧＢＴ素子１Ｐ、ダイオード素子２Ｐおよび中継端子台２０Ｐを、また、ヒートスプレッダ２５２に、ＩＧＢＴ素子１Ｎ、ダイオード素子２Ｎ、中継端子台２０Ｎを半田付けにより接続する。
【０１３６】
また、３個のヒートスプレッダ２５１には、それぞれ外部接続電極板８Ｕ、８Ｖおよび８Ｗを半田付けにより接続し、また、ヒートスプレッダ２５２には外部接続電極板８Ｎを、導体板２６には外部接続電極板８Ｐを半田付けにより接続する。また、各構成間には、アルミニウム配線ＷＲをワイヤボンディングする。
【０１３７】
各外部接続電極板８は、ヒートスプレッダ２５１および２５２を取り囲む枠状のリードフレーム（図示せず）と一体に形成されており、各外部接続電極板８をヒートスプレッダ２５１、２５２および導体板２６に接続することで、リードフレームとヒートスプレッダ２５１、２５２および導体板２６とが一体になる。
【０１３８】
この状態で、リードフレームをトランスファーモールド成形用の金型内に入れ、溶融した樹脂を金型内に流し込むことで樹脂封止が完了する。図１９は、金型に入れた状態で、図１７におけるＢ−Ｂ線での断面部分を示している。
【０１３９】
図１９に示すように、トランスファーモールド成形用の金型は、上金型７１および下金型７２で構成され、上金型７１には、電極突出部２３２Ｃに相当する部分に、電極突出部２３２Ｃの外形に合致する凹部７１１を有し、また、下金型７２は、電極突出部２３２内の空洞部の外形に合致する凸部７２１を有している。
【０１４０】
さらに下金型７２には、ヒートスプレッダ２５１、２５２および導体板２６に対応する部分に貫通孔７２３が複数配設されており、貫通孔７２３には外部から出し入れ可能な可動ピンＭＰが挿入されている。なお、可動ピンＭＰはヒートスプレッダ２５１、２５２および導体板２６を一時的に支えるだけなので、直径は１〜２ｍｍ程度で良く、貫通孔７２３も同様である。
【０１４１】
上金型７１および下金型７２で規定されるキャビティ内にヒートスプレッダ２５１、２５２および導体板２６が入れられた状態では、可動ピンＭＰがそれらの底面に接触して支えており、各外部接続電極板８による支持と併せて、ヒートスプレッダ２５１、２５２および導体板２６を確実に保持することができる。
【０１４２】
なお、図示しないリードフレームには位置決め用の貫通孔が設けられ、そこに位置決めピン（図示せず）を挿入することで位置が固定される。
【０１４３】
そして、溶融したモールド樹脂がキャビティ内に注入され、モールド樹脂によってヒートスプレッダ２５１、２５２および導体板２６が保持される状態になると、可動ピンＭＰの先端が下金型７２の内壁面と同じ位置に達するまで可動ピンＭＰが引き下げられる。可動ピンＭＰが退去した後にはモールド樹脂が流入し、ヒートスプレッダ２５１、２５２および導体板２６の下部には、隙間のない樹脂層が形成される。
【０１４４】
この後、金型を取り外し、リードフレームから各外部接続電極板８を分離することで、樹脂パッケージ２３Ｃで覆われた半導体装置Ｍ３００を得ることができる。
【０１４５】
＜Ｃ−３．作用効果＞
以上説明した半導体装置Ｍ３００においては、複数のＩＧＢＴ素子およびダイオード素子で構成される３相ブリッジ回路がパッケージ化されているので、運搬性に優れ、また、隣合うヒートスプレッダの間隔を小さくすることで、図１に示すような独立した半導体装置を複数個組み合わせる場合に比べて、装置面積を小さくでき、小型化、軽量化、低コストを達成できる。
【０１４６】
＜Ｃ−４．変形例＞
複数のＩＧＢＴ素子およびダイオード素子で構成される３相ブリッジ回路をパッケージ化する構成としては、図２０に示す半導体装置Ｍ３０１のような構成としても良い。
【０１４７】
すなわち、半導体装置Ｍ３０１は、図７に示す半導体装置Ｍ２００を６個、長辺どうしが平行するように互い違いに配列した構成に対応するが、樹脂パッケージ２３Ｂを一体化することで、小型化することができる。
【０１４８】
また、このような構成を採る場合、外部接続電極板８２Ｂからアルミニウム配線ＷＲ、ＩＧＢＴ素子１、ヒートスプレッダ２５を介して外部接続電極板８１Ｂに到る電流経路、そして、外部接続電極板８１Ｂと隣合う外部接続電極板８２Ｂとの間を接続する図示しない外部導体、さらに、隣合う外部接続電極板８２Ｂからアルミニウム配線ＷＲ、ＩＧＢＴ素子１、ヒートスプレッダ２５を介して外部接続電極板８１Ｂに到る電流経路で構成される回路ループ（図２０において矢示する経路）の面積を小さくでき、半導体装置Ｍ３０１の発生する発熱量を小さくできるので、ヒートスプレッダ２５の面積を小さくでき、装置全体の小型化、軽量化、低コストを達成できる。
【０１４９】
なお、半導体装置Ｍ３０１を３相ブリッジ回路として用いるには、外部導体を用いて、外部接続電極板８２Ｂどうし、および外部接続電極板８１Ｂどうしを並列に接続すれば良い。
【０１５０】
＜Ｄ．実施の形態４＞
＜Ｄ−１．装置構成＞
本発明に係る実施の形態４として、図２１に半導体装置Ｍ４００の構成を断面図で示す。なお、図２１において、図７を用いて説明した半導体装置Ｍ２００と同じ構成には同じ符号を付し、重複する説明は省略する。
【０１５１】
図２１に示すように半導体装置Ｍ４００は、ヒートスプレッダ２５の主面上の、ＩＧＢＴ素子１と外部接続電極板８１Ｂとの間に、中継端子台２０の代わりに制御回路基板１７を有している。制御回路基板１７は絶縁性の基板の主面に所定の導体パターンが配設され、当該導体パターンに制御回路４０が電気的に接続されている。
【０１５２】
制御回路４０はパッケージ化されており、複数のリードを有している。そして、複数のリードの幾つかは、上記導体パターンを介してＩＧＢＴ素子１に電気的に接続され、また、幾つかは中継ピン端子群４１として樹脂パッケージ２３Ｂから外部に突出している。
【０１５３】
＜Ｄ−２．作用効果＞
制御回路４０は、ＩＧＢＴ素子１のスイッチング動作の制御を行う回路であり、当該制御回路４０をＩＧＢＴ素子１の近傍に配設することで、半導体装置の外部に配設する場合に比べて、制御回路４０とＩＧＢＴ素子１との間に形成される制御配線ループの面積を小さくすることができる。
【０１５４】
ここで、図２２に上記制御配線ループを示す。図２２において、ＩＧＢＴ素子１のゲートは制御回路４０のリード４２の一つに接続され、また、ＩＧＢＴ素子１のエミッタも制御回路４０のリード４２の一つに接続されている。
【０１５５】
従って、ＩＧＢＴ素子１のゲートおよびエミッタと制御回路４０との間で制御配線ループが形成される。
【０１５６】
ＩＧＢＴ素子１だけでなく、各種スイッチング素子をオン・オフ動作させると電磁ノイズが発生する。電磁ノイズは素子に流れる主電流に比例して大きくなり、当該電磁ノイズが、上述した制御配線ループを貫くと、制御信号に電圧変動が生じる。この電圧変動が、スイッチング素子の動作しきい値を超えると、誤動作が生じる。
【０１５７】
しかし、制御回路４０をＩＧＢＴ素子１の近傍に配設することで、制御回路４０とＩＧＢＴ素子１との間に形成される制御配線ループの面積を小さくすることができ、本発明が対象とする大電流のスイッチング素子において、大きな電磁ノイズが生じたとしても、制御信号に電圧変動が生じることを抑制できる。
【０１５８】
また、制御回路４０を内蔵することで、装置外部に別途、制御回路基板を設ける必要がなくなり、装置の取扱いが容易となる。
【０１５９】
＜Ｄ−３．変形例１＞
以上説明した半導体装置Ｍ４００においては、制御回路４０のリード４２の幾つかを中継ピン端子群４１として樹脂パッケージ２３Ｂから外部に突出させる構成を示したが、一般的な半導体パッケージにおいてはリードの長さはそれほど長いものではない。従って、制御回路４０のような構成を得るには、特別な仕様に基づいて製作する必要があるが、図２３に示す半導体装置Ｍ４０１のような構成を採用すれば、パッケージ化されていない、半導体チップの状態の制御回路を使用することができる。
【０１６０】
すなわち、半導体装置Ｍ４０１においては、ヒートスプレッダ２５の主面上の、ＩＧＢＴ素子１と中継端子台２０との間に制御回路基板１７を有し、制御回路基板１７上の導体パターンには、制御回路４０Ａが電気的に接続されている。
【０１６１】
制御回路４０Ａは、パッケージ化されていない半導体チップの状態である。そして、制御回路４０Ａは上記導体パターンを介してＩＧＢＴ素子１に電気的に接続され、また、中継端子台２０の中継端子板群２１にも電気的に接続され、中継ピン端子群２２を介して外部に接続される。
【０１６２】
ここで、制御回路４０Ａと制御回路基板１７上の導体パターンとは、金配線ＡＷにより電気的に接続されており、制御回路４０Ａは、金配線ＡＷを封止時のモールド樹脂の圧力から保護するため、カバー樹脂３０でドーム状に覆われている。
【０１６３】
すなわち、樹脂パッケージ２３Ｂを形成するために、トランスファーモールド成形によりモールド樹脂を金型に流し込むが、ここで使用されるモールド樹脂は、熱伝導率を大きくするため、シリカの微粉末を混入するなどの手法が採られるが、シリカの含有量が多くなるほど粘度が大きくなる。また、モールド樹脂の熱膨張率をヒートスプレッダ２５のそれに近づけるためにもシリカの含有量を多くする必要があり、結果として粘度が大きくなる。
【０１６４】
そして、そのモールド樹脂の圧力を受けても撓んだり、曲がったりしないように、ヒートスプレッダ２５上の各構成間の接続には、比較的太いアルミニウム配線ＷＲが使用されているが、金配線ＡＷはアルミニウム配線ＷＲよりも細く、また軟らかいので、粘度の大きなモールド樹脂の導入時の圧力により、撓んだり、曲がったり、場合によっては破断する可能性がある。
【０１６５】
そこで、半導体装置Ｍ４０１においては制御回路４０Ａをカバー樹脂３０で覆うことで金配線ＡＷを保護している。
【０１６６】
なお、金配線ＡＷによるワイヤボンディングやカバー樹脂３０の形成は、ハンドリング時の金配線ＡＷの変形や破損を防ぐ観点から、制御回路基板１７をヒートスプレッダ２５に搭載する前に行うことが望ましい。
【０１６７】
また、カバー樹脂３０の材質としては、樹脂パッケージ２３Ｂのモールド樹脂よりも粘度が小さく、トランスファーモールド成形においても変形しないことが必要で、例えば、熱硬化型の樹脂であって、ガラス転移温度がトランスファーモールド時の周囲温度である２００℃以上であることが望ましく、より具体的にはエポキシ系樹脂や、ポリイミド系樹脂を用いる。なお、樹脂の代わりに金属キャップをかぶせる構造でも良い。
【０１６８】
また、カバー樹脂３０はドーム状に形成せずとも良く、例えば、制御回路４０Ａの周囲にダムを設け、その内部に樹脂を充填するようにしても良い。
【０１６９】
また、金配線ＡＷの代わりにアルミニウム配線を使用した場合にも、カバー樹脂３０を設けることは有効である。
【０１７０】
なお、制御回路基板１７はヒートスプレッダ２５上に配設するが、制御回路４０Ａの信頼性を長期に維持する観点から、ヒートスプレッダ２５からの熱が伝わりにくい方が望ましい。そのため、ヒートスプレッダ２５の制御回路基板１７の搭載位置に突起を設け、制御回路基板１７との間に数百μｍの隙間を形成してヒートスプレッダ２５と制御回路基板１７との間の熱抵抗を大きくすることで、制御回路４０Ａの温度を低く維持する。
【０１７１】
なお、ヒートスプレッダ２５と制御回路基板１７との間の隙間にはモールド樹脂が充填されることは言うまでもなく、また、制御回路基板１７の側に突起を設けるようにしても良いことは言うまでもない。
【０１７２】
＜Ｄ−４．変形例２＞
以上説明した半導体装置Ｍ４０１においては、制御回路基板１７上には制御回路４０Ａのみを配置し、中継端子台２０はヒートスプレッダ２５上に配置した構成を示したが、図２４に示す半導体装置Ｍ４０２のように、中継端子台２０も制御回路基板１７上に配設した構成としても良い。
【０１７３】
＜Ｅ．実施の形態５＞
＜Ｅ−１．装置構成＞
本発明に係る実施の形態５として、図２５に半導体装置Ｍ５００の構成を断面図で示す。なお、図２５において、図７を用いて説明した半導体装置Ｍ２００と同じ構成には同じ符号を付し、重複する説明は省略する。
【０１７４】
図２５に示すように半導体装置Ｍ５００は、ヒートスプレッダ２５の底面が樹脂パッケージ２３Ｂの底面から露出している。そして、樹脂パッケージ２３Ｂの底面には、露出したヒートスプレッダ２５を覆うように絶縁層９１が配設されている。
【０１７５】
絶縁層９１としては、例えばシリコーン樹脂等の絶縁材のシートの表面に、粘着剤を塗布したものを使用し、樹脂パッケージ２３Ｂの底面に貼り付けるようにする。
【０１７６】
シリコーン樹脂は、５００μｍ程度の厚みで数ＫＶの耐電圧を実現できるので、半導体装置Ｍ５００を図示しないヒートシンク上に搭載する場合でも、所望の耐電圧を達成する厚さのシリコーン樹脂を使用すれば、半導体装置Ｍ５００の絶縁を保つことができる。
【０１７７】
なお、樹脂パッケージ２３Ｂとシリコーン樹脂のシートとの界面での放電を避けるため、ヒートスプレッダ２５の面積よりも大きな面積のシリコーン樹脂のシートを貼り付けることが望ましい。
【０１７８】
＜Ｅ−２．作用効果＞
トランスファーモールド成形において、ヒートスプレッダ２５の下部と金型との間に数百μｍ程度の隙間を設け、そこにモールド樹脂を空隙なく充填するには技術的な問題がある。
【０１７９】
すなわち、ヒートスプレッダ２５の下部と金型との間の数百μｍ程度の隙間に対し、ヒートスプレッダ２５の上部と金型との間には数ｍｍ以上の隙間がある。そのため、ヒートスプレッダ２５の上部でのモールド樹脂の流動速度が、下部での流動速度よりも速く、モールド樹脂がヒートスプレッダ２５の上部の隙間を通って下部の隙間に回り込む現象が発生する。
【０１８０】
この結果、ヒートスプレッダ２５の下部の隙間に異なる経路を通ってモールド樹脂が流入し、それらが接触した部分にウェルド（ｗｅｌｄ）と呼称される領域が形成される。この場合、ウェルドにボイドが形成される可能性があり、所定の耐電圧を維持できないなどの原因となって、生産性が低下するという問題がある。
【０１８１】
これに対し、ヒートスプレッダ２５の底面を樹脂パッケージ２３Ｂの底面から露出させ、そこに絶縁層９１を設けるようにすることで、上述の問題は発生せず、生産性を高めることができる。
【０１８２】
＜Ｅ−３．変形例１＞
以上説明した半導体装置Ｍ５００においては、樹脂パッケージ２３Ｂの底面に絶縁層９１を設ける構成を示したが、図２６に示す半導体装置Ｍ５０１のような構成としても良い。
【０１８３】
すなわち、樹脂パッケージ２３Ｂは、その底面がヒートスプレッダ２５よりも若干広い領域に渡って窪んだ段差領域ＳＰを有し、ヒートスプレッダ２５の底面は、当該段差領域ＳＰにおいて露出している。そして、段差領域ＳＰの高さは、絶縁層９１、すなわち、絶縁シートの厚さよりも低くなっている。
【０１８４】
そのため、段差領域ＳＰ内に絶縁層９１を設けると、絶縁層９１の主面が段差領域ＳＰから突出するが、半導体装置Ｍ５０１を図示しないヒートシンクに取り付ける際に、段差領域ＳＰの周囲の樹脂パッケージ２３Ｂがヒートシンクに完全に接触するまでボルト等で締め付けを行うことで、絶縁層９１が圧縮されて、その厚さが段差領域ＳＰの高さと同じになる。
【０１８５】
従って、段差領域ＳＰの高さを、絶縁性を確保するための絶縁シートの最小厚さに等しく設定しておき、樹脂パッケージ２３Ｂがヒートシンクに完全に接触するまで締め付けを行うことで、締め付けのばらつきにより、絶縁シートが最小厚さによりも薄くなることを防止でき、また、絶縁シートの厚さに必要以上のマージンを見込む必要がなくなるので、放熱性を向上できる。
【０１８６】
そして、放熱性が向上することで、ヒートスプレッダ２５の底面積を大きくせずに済むので、装置が大型化することを抑制できる。
【０１８７】
＜Ｅ−４．変形例２＞
半導体装置Ｍ５００においては、樹脂パッケージ２３Ｂの底面に絶縁層９１を設ける構成を示したが、図２７に示す半導体装置Ｍ５０２のような構成としても良い。
【０１８８】
すなわち、樹脂パッケージ２３Ｂは、その底面に、ヒートスプレッダ２５の底面を囲むように配設された複数の突起部ＮＰを有し、絶縁層９１、すなわち、絶縁シートは複数の突起部ＮＰで囲まれる領域内において、ヒートスプレッダ２５の底面を覆うように配設されている。そして、突起部ＮＰの高さは、絶縁層９１、すなわち、絶縁シートの厚さよりも低くなっている。
【０１８９】
そのため、突起部ＮＰで囲まれる領域内に絶縁層９１を設けると、絶縁層９１の主面が突起部ＮＰの先端から突出するが、半導体装置Ｍ５０２を図示しないヒートシンクに取り付ける際に、突起部ＮＰの先端がヒートシンクに完全に接触するまでボルト等で締め付けを行うことで、絶縁層９１が圧縮されて、その厚さが突起部ＮＰの高さと同じになる。
【０１９０】
従って、突起部ＮＰの高さを、絶縁性を確保するための絶縁シートの最小厚さに等しく設定しておき、突起部ＮＰがヒートシンクに完全に接触するまで締め付けを行うことで、締め付けのばらつきにより、絶縁シートが最小厚さによりも薄くなることを防止でき、また、絶縁シートの厚さに必要以上のマージンを見込む必要がなくなるので、放熱性を向上できる。
【０１９１】
そして、放熱性が向上することで、ヒートスプレッダ２５の底面積を大きくせずに済むので、装置が大型化することを抑制できる。
【０１９２】
なお、突起部ＮＰは直径２ｍｍ程度の円筒とし、ヒートスプレッダ２５の各辺に対応して４〜６個ずつを配設すれば良い。なお、突起部ＮＰは樹脂パッケージ２３Ｂと一体で形成すれば良い。
【０１９３】
＜Ｅ−５．変形例３＞
半導体装置Ｍ５００においては、樹脂パッケージ２３Ｂの底面に絶縁層９１を設ける構成を示したが、図２８に示す半導体装置Ｍ５０３のような構成としても良い。
【０１９４】
すなわち、樹脂パッケージ２３Ｂは、その底面がヒートスプレッダ２５よりも若干広い領域に渡って窪んだ段差領域ＳＰを有し、ヒートスプレッダ２５の底面は、当該段差領域ＳＰにおいて露出している。そして、段差領域ＳＰの高さは、絶縁層９１の厚さよりも低くなっている。
【０１９５】
ここで、絶縁層９１としては先に説明した絶縁シートを貼付することで形成しても良いが、印刷により所定量の絶縁性樹脂を塗布し、その上から放熱板ＢＳを押し付けることで、絶縁性樹脂を均一な厚さに広げる方法を用いても良い。なお、このプロセスを減圧環境下で行うことで、絶縁層９１中にボイドが発生することを防止できる。
【０１９６】
なお、印刷による樹脂の塗布とは、溶融した絶縁性樹脂を目的とする領域に供給し、へら等を用いて刷り広げるものであり、半導体装置Ｍ５０３においては、段差領域ＳＰの高さを絶縁層９１の最小厚さに等しく設定しておき、段差領域ＳＰの高さを若干越える程度に絶縁性樹脂を刷り広げ、放熱板ＢＳを押し付けることで絶縁性樹脂がさらに広がって均一になると共に、放熱板ＢＳに絶縁層９１が密着することになる。
【０１９７】
なお、放熱板ＢＳは絶縁性樹脂を広げるだけでなく、ヒートスプレッダ２５よりも面積の大きな放熱板ＢＳを取り付けることで、ヒートシンクとの接触面積が増えるので、放熱性を向上させることができる。
【０１９８】
【発明の効果】
本発明に係る請求項１記載の半導体装置によれば、複数の主電極板の、それぞれの他方端が、樹脂パッケージの上面側において外部に露出し、樹脂パッケージはモールド成形により一体成形されているので、配設効率が良く、また、放熱基板の外形寸法を、樹脂パッケージの外形寸法と同等の大きさとすることで、放熱能力を保っての小型化が可能となる。また、複数の主電極板は樹脂パッケージの上面において露出するように配設されるので、複数の主電極板と、これらを電気的に接続する電流経路とで構成されるループ回路の面積が小さくなり、当該ループ回路のインダクタンスを小さくできる。
【０１９９】
本発明に係る請求項２記載の半導体装置によれば、樹脂パッケージが箱状であって、複数の主電極板が樹脂パッケージの上面において、それぞれの他方端の主面のみが露出するように配設されているので、形状が単純であり、強度的にも強い構造となる。
【０２００】
本発明に係る請求項３記載の半導体装置によれば、複数の主電極板の、それぞれの他方端の主面の露出位置が、樹脂パッケージの上面の中央寄りの位置であるので、樹脂パッケージをヒートシンクに取り付ける場合、ヒートシンクから主電極板までの絶縁距離が確保しやすくなり、樹脂パッケージの厚さは薄くても、耐電圧の高い半導体装置を得ることができる。
【０２０１】
本発明に係る請求項４記載の半導体装置によれば、樹脂パッケージが、箱状の本体部と、該本体部の上面からそれぞれ突出する複数の電極突出部とを有しているので、樹脂パッケージをヒートシンクに取り付ける場合、ヒートシンクから主電極板までの絶縁距離がさらに確保しやすくなり、本体部の厚さは薄くても、耐電圧の高い半導体装置を得ることができる。そして、電極突出部の存在により、放熱基板が埋め込まれる本体部の厚さは最小限に設定することができるので、装置使用時の発熱により温度変化が生じても、樹脂パッケージ全体に反りが生じることを抑制でき、半導体装置からヒートシンクへの放熱効果が低下することを防止して、半導体装置の温度が許容値以上に高くなることを防止できる。
【０２０２】
本発明に係る請求項５記載の半導体装置によれば、複数の電極突出部の本体部との境界部分が曲面を有して構成されているので、例えば電極突出部において主電極板と外部の導体とをボルトで締め付けるような場合に、大きなトルクでボルトを締め付けても、本体部と電極突出部との境界部分に生じる応力が小さくなり、電極突出部の寸法が小さくても、ボルトの締め付けに耐えることができ、半導体装置の小型化を達成できる。
【０２０３】
本発明に係る請求項６記載の半導体装置によれば、複数の電極突出部の内部に空洞部を有しているので、空洞部内にナットを配設し、主電極板と外部の導体とをボルトで締め付けることが可能となり、外部の導体と主電極板とを、接触抵抗を小さくして接合することができる。
【０２０４】
本発明に係る請求項７記載の半導体装置によれば、複数の主電極板のそれぞれの他方端に貫通孔を有し、貫通孔の内周にネジ溝を有するので、主電極板と外部の導体とをボルトで締め付ける際に、ナットを準備する必要がなく、作業性が向上する。
【０２０５】
本発明に係る請求項８記載の半導体装置によれば、貫通孔が、バーリング加工によって形成され、ネジ溝がバーリング部に配設されているので、主電極板の厚さが薄くてもネジ溝を形成することができる。
【０２０６】
本発明に係る請求項９記載の半導体装置によれば、複数の電極突出部は、貫通孔に、ネジ孔が連通するように埋め込まれたナットを有するので、主電極板と外部の導体とをボルトで締め付ける際に、ナットを準備する必要がなく、作業性が向上する。
【０２０７】
本発明に係る請求項１０記載の半導体装置によれば、放熱基板上に半導体素子の駆動制御を行う制御回路を備えるので、制御回路が半導体素子の近傍に配設されることになり、制御回路を半導体装置の外部に配設する場合に比べて、制御回路と半導体素子との間に形成される制御配線ループの面積を小さくすることができ、例えば大電流のスイッチング素子において、大きな電磁ノイズが生じたとしても、制御信号に電圧変動が生じることを抑制できる。
【０２０８】
本発明に係る請求項１１記載の半導体装置によれば、制御回路が樹脂パッケージのモールド樹脂よりも粘度が小さい樹脂によって覆われるので、パッケージ化されていない半導体チップの状態の制御回路であっても、樹脂パッケージの成型時のモールド樹脂の圧力から保護することができる。
【０２０９】
本発明に係る請求項１２記載の半導体装置によれば、放熱基板の底面が樹脂パッケージの底面から露出し、少なくとも放熱基板の底面を完全に覆うように絶縁層が配設されているので、放熱基板を樹脂パッケージ内に埋め込む構成において発生する可能性があるモールド樹脂内のボイドが発生せず、生産性を高めることができる。
【０２１０】
本発明に係る請求項１３記載の半導体装置によれば、絶縁層が、樹脂パッケージの底面に貼付された、シート状の絶縁材により構成されるので、形成が容易であり、また、その厚さも均一にできる。
【０２１１】
本発明に係る請求項１４記載の半導体装置によれば、樹脂パッケージの底面に、放熱基板の底面の露出領域に対応する段差領域を有し、段差領域の高さが絶縁層の厚さよりも低いので、例えば、半導体装置をヒートシンクに取り付ける際に、段差領域の周囲の樹脂パッケージがヒートシンクに完全に接触するまでボルト等で締め付けを行うことで、絶縁層が圧縮されて、その厚さが段差領域の高さと同じになる。従って、段差領域の高さを、絶縁性を確保するための絶縁層の最小厚さに等しく設定しておき、樹脂パッケージがヒートシンクに完全に接触するまで締め付けを行うことで、締め付けのばらつきにより、絶縁層が最小厚さによりも薄くなることを防止でき、また、絶縁層の厚さに必要以上のマージンを見込む必要がなくなるので、放熱性を向上できる。
【０２１２】
本発明に係る請求項１５記載の半導体装置によれば、樹脂パッケージの底面に、放熱基板の底面の露出領域を囲むように配設された複数の突起部を有し、複数の突起部の高さが、絶縁層の厚さよりも低いので、例えば、半導体装置をヒートシンクに取り付ける際に、突起部がヒートシンクに完全に接触するまでボルト等で締め付けを行うことで、絶縁層が圧縮されて、その厚さを突起部の高さと同じにできる、その結果、締め付けのばらつきにより、絶縁層が最小厚さによりも薄くなることを防止でき、また、絶縁層の厚さに必要以上のマージンを見込む必要がなくなるので、放熱性を向上できる。
【０２１３】
本発明に係る請求項１６記載の半導体装置によれば、絶縁層に密着する、絶縁層よりも広い面積の放熱板をさらに備えるので、例えば、半導体装置をヒートシンクに取り付ける際に、ヒートシンクとの接触面積が増え、放熱性を向上させることができる。
【０２１４】
本発明に係る請求項１７記載の半導体装置によれば、複数の放熱基板の間隔を小さくすることで、独立した半導体装置を複数個組み合わせる場合に比べて、装置面積を小さくでき、小型化、軽量化、低コストを達成できる。
【０２１５】
本発明に係る請求項１８記載の半導体装置によれば、主電極板、半導体素子、放熱基板を介して異なる主電極板に到る半導体素子の主電流経路と、隣合う放熱基板上に配設された半導体素子についての主電流経路とで構成される回路ループの面積を小さくでき、ループ回路のインダクタンスを小さくできる。その結果、半導体素子での電力損失を低減して半導体装置で発生する発熱量を小さくできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明に係る実施の形態１の半導体装置の構成を示す斜視図である。
【図２】  本発明に係る実施の形態１の半導体装置の構成を示す断面図である。
【図３】  本発明に係る実施の形態１の半導体装置の等価回路図である。
【図４】  本発明に係る実施の形態１による効果を説明する模式図である。
【図５】  本発明に係る実施の形態１の半導体装置の使用形態を示す斜視図である。
【図６】  本発明に係る実施の形態１の半導体装置の変形例の構成を示す断面図である。
【図７】  本発明に係る実施の形態２の半導体装置の構成を示す斜視図である。
【図８】  本発明に係る実施の形態２の半導体装置の構成を示す断面図である。
【図９】  本発明に係る実施の形態２の半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図１０】  本発明に係る実施の形態２の半導体装置の変形例１の構成を示す断面図である。
【図１１】  本発明に係る実施の形態２の半導体装置の変形例２の構成を示す断面図である。
【図１２】  本発明に係る実施の形態２の半導体装置の変形例２の製造工程を示す模式図である。
【図１３】  本発明に係る実施の形態２の半導体装置の変形例２の製造工程を示す模式図である。
【図１４】  本発明に係る実施の形態２の半導体装置の変形例２の製造工程を示す模式図である。
【図１５】  本発明に係る実施の形態２の半導体装置の変形例３の構成を示す断面図である。
【図１６】  本発明に係る実施の形態２の半導体装置の変形例３の製造工程を示す断面図である。
【図１７】  本発明に係る実施の形態３の半導体装置の構成を示す斜視図である。
【図１８】  本発明に係る実施の形態３の半導体装置の等価回路図である。
【図１９】  本発明に係る実施の形態３の半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図２０】  本発明に係る実施の形態３の半導体装置の変形例の構成を示す斜視図である。
【図２１】  本発明に係る実施の形態４の半導体装置の構成を示す断面図である。
【図２２】  本発明に係る実施の形態４の半導体装置の効果を説明する模式図である。
【図２３】  本発明に係る実施の形態４の半導体装置の変形例１の構成を示す断面図である。
【図２４】  本発明に係る実施の形態４の半導体装置の変形例２の構成を示す断面図である。
【図２５】  本発明に係る実施の形態５の半導体装置の構成を示す断面図である。
【図２６】  本発明に係る実施の形態５の半導体装置の変形例１の構成を示す断面図である。
【図２７】  本発明に係る実施の形態５の半導体装置の変形例２の構成を示す断面図である。
【図２８】  本発明に係る実施の形態５の半導体装置の変形例３の構成を示す断面図である。
【図２９】  従来の半導体装置の構成を示す断面図である。
【図３０】  従来の半導体装置の構成を示す断面図である。
【図３１】  従来の半導体装置の構成を示す断面図である。
【符号の説明】
１  ＩＧＢＴ素子、２  ダイオード素子、８，８１，８２，８１Ｂ，８２Ｂ  外部接続電極、２３，２３Ｂ  樹脂パッケージ、２５  ヒートスプレッダ、２３１Ｂ  本体部、３０  カバー樹脂、２３２Ｂ  電極突出部、ＯＳ  空洞部、ＲＰ曲面部、ＢＰ  バーリング部、４０，４０Ａ  制御回路、９１  絶縁層、ＳＰ段差領域、ＮＰ  突起部、ＢＳ  放熱板。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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