(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体レーザー光源から出射した波長λのレーザー光の発散光中に設置される波長板において、
第１の角度に設定された光学軸を有して、前記波長λのレーザー光が第２の角度で入射して透過するときにλ／２（１８０°）のリタデーションを与え、前記第２の角度とは異なる第３の角度で入射して透過するときにはλ／２（１８０°）以外のリタデーションを与えて入射角依存性を有する１／２波長板であり、この１／２波長板に入射する前記発散光の有効領域における最小入射角度をθ°ｍｉｎ、前記発散光の有効領域における最大入射角度をθ°ｍａｘ、θ°ａｖｅｒ＝（θ°ｍｉｎ＋θ°ｍａｘ）／２、前記発散光の入射角度θ°ａｖｅｒにおけるリタデーション値をａ°、前記発散光の最小入射角度θ°ｍｉｎ及び最大入射角度θ°ｍａｘにおける各リタデーション値のうちで両者の値が同じである場合にはいずれか一方の値を、また、両者の値が異なる場合には１８０°に対する差分値が大きい方の値をｂ°とした時に、
|ａ°−１８０°｜≒|ｂ°−１８０°|（ただし、ａ°＝ｂ°＝１８０°を除く）
が成立することを特徴とする波長板。
【請求項２】
半導体レーザー光源から出射した波長λのレーザー光を対物レンズを介して光記録媒体の信号面に集光させて、前記光記録媒体に対して情報信号を記録または再生する光ピックアップ装置において、
前記半導体レーザー光源から出射したレーザー光の発散光中に、第１の角度に設定された光学軸を有して、前記波長λのレーザー光が第２の角度で入射して透過するときにλ／２（１８０°）のリタデーションを与え、前記第２の角度とは異なる第３の角度で入射して透過するときにはλ／２（１８０°）以外のリタデーションを与えて入射角依存性を有する１／２波長板を設置してなり、
前記１／２波長板は、入射する前記発散光の有効領域における最小入射角度をθ°ｍｉｎ、前記発散光の有効領域における最大入射角度をθ°ｍａｘ、θ°ａｖｅｒ＝（θ°ｍｉｎ＋θ°ｍａｘ）／２、前記発散光の入射角度θ°ａｖｅｒにおけるリタデーション値をａ°、前記発散光の最小入射角度θ°ｍｉｎ及び最大入射角度θ°ｍａｘにおける各リタデーション値のうちで両者の値が同じである場合にはいずれか一方の値を、また、両者の値が異なる場合には１８０°に対する差分値が大きい方の値をｂ°とした時に、
|ａ°−１８０°｜≒|ｂ°−１８０°|（ただし、ａ°＝ｂ°＝１８０°を除く）
が成立することを特徴とする光ピックアップ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザー光源から出射した波長λのレーザー光の発散光中に設置される波長板及びこの波長板を適用した光ピックアップ装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、円盤状の光ディスクやカード状の光カードなどの光記録媒体は、映像情報とか音声情報やコンピュータデータなどの情報信号を透明基板上で螺旋状又は同心円状に形成したトラックに高密度に記録し、且つ、記録済みのトラックを再生する際に所望のトラックを高速にアクセスできることから多用されている。
【０００３】
この種の光記録媒体となる光ディスクとして例えばＣＤ（Ｃｏｍｐａｃｔ  Ｄｉｓｃ）やＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｃ）などは既に市販されているが、最近では光ディスクに対して、より一層高密度化を図るために、ＣＤ，ＤＶＤよりも情報信号を超高密度に記録又は再生できるＢｌｕ−ｒａｙ  Ｄｉｓｃの開発が盛んに行われている。
【０００４】
ここで、上記した光記録媒体に対して記録または再生する一般的な光ピックアップ装置について図１７を用いて説明する。
【０００５】
図１７は一般的な光ピックアップ装置の概略構成を示した構成図である。
【０００６】
図１７に示した如く、一般的な光ピックアップ装置１００Ａでは、半導体レーザー光源１０１から直線偏光光のレーザー光Ｌが発散光Ｌｄとして出射され、この発散光Ｌｄがコリメータレンズ１０２で平行光Ｌｐとなり偏光ビームスプリッタ１０３に入射される。
【０００７】
この際、偏光ビームスプリッタ１０３は、４５°傾斜した貼り合せ面に誘電体膜からなる偏光分離面１０３ａが形成されており、例えばｐ偏光光の平行光Ｌｐが偏光分離面１０３ａを透過した後に、１／４波長板１０４に入射されて、この１／４波長板１０４で円偏光光Ｌｃに変換される。
【０００８】
この後、１／４波長板１０４を透過した円偏光光Ｌｃは対物レンズ１０５に入射して、対物レンズ１０５でスポット状に絞られて、スポット光Ｌｓが光記録媒体Ｄの信号面上に集光される。
【０００９】
更に、光記録媒体Ｄの信号面上でスポット光Ｌｓが反射された反射光Ｌｒは、対物レンズ１０５を透過し、１／４波長板１０４を透過する。この１／４波長板１０４で反射光Ｌｒが往路に対して９０°偏光方向を回転されてｓ偏光光に変換された後に、偏光ビームスプリッタ１０３に入射され、偏光ビームスプリッタ１０３の偏光分離面１０３ａで反射される。この後、反射光Ｌｒは検出レンズ１０６を透過して、光検出器１０７の受光面上に集光されて光電変換され、光記録媒体Ｄの信号面上に記録された情報信号を検出している。
【００１０】
ところで、上記した一般的な光ピックアップ装置１００Ａに対して光学系をコンパクトに小型化した光ピックアップ装置がある（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平１０−１７７７３７号公報
【００１１】
図１８は従来の光ピックアップ装置の概略構成を示した構成図、
図１９は従来の光ピックアップ装置において、半導体レーザー光源から出射したレーザー光の光量分布とリムインテンシティ（リム強度）とを説明するための図である。
【００１２】
図１８に示した従来の光ピックアップ装置１００Ｂは、上記した特許文献１（特開平１０−１７７７３７号公報）に開示されているものであり、ここでは特許文献１を参照して簡略に説明する。
【００１３】
図１８に示した如く、従来の光ピックアップ装置１００Ｂは、上記した一般的な光ピックアップ装置１００Ａと同じ構成部材１０１〜１０７を備えているものの、光学系を小型化するため、上記の光路と異なって偏光ビームスプリッタ１０３と１／４波長板１０４とを半導体レーザー光源１０１とコリメータレンズ１０２との間、すなわち、半導体レーザー光源１０１から出射したレーザー光Ｌの発散光Ｌｄ中に設置されている。
【００１４】
これによって、光ピックアップ装置１００Ｂ内の光路を有効に利用できるため、近年では半導体レーザー光源１０１から出射したレーザー光Ｌの発散光Ｌｄ中に１／４波長板１０４とか１／２波長板（図示せず）などの波長板を入れることが多い。
【００１５】
上記した１／４波長板１０４とか１／２波長板（図示せず）などの波長板は、単板シングルタイプ，単板マルチタイプ，貼り合せタイプなどの構造を採用したものが用いられている。
【００１６】
ここで、例えば、１／４波長板１０４を用いた場合を例にして説明すると、単板シングルタイプは偏光方向での位相差をλ／４として発生させ、単板マルチタイプは偏光方向での位相差を（λ／４）＋ｎλ（ｎ：自然数）として発生させ、貼り合せタイプは位相差φ１，φ２を有する２枚の位相差板によりφ１−φ２＝λ／４とするものである。
【００１７】
この際、図１７に示したように、１／４波長板１０４がコリメータレンズ１０２で平行光Ｌｐになった後に設置されている場合には、単板タイプであっても、貼り合せタイプであっても入射角０°のレーザー光が入射するため、特性上の問題はほとんどない。
【００１８】
しかし、図１８に示したように、１／４波長板１０４を半導体レーザー光源１０１から出射したレーザー光Ｌの発散光Ｌｄ中に設置した場合、１／４波長板１０４の構造によって入射角度依存性が異なる。その中でも、貼り合せタイプが最も入射角度依存性に優れているが、貼り合せタイプの波長板であっても、レーザー光Ｌの入射角度によりリタデーション（位相差）が異なる。
【００１９】
また、図１９に示した如く、半導体レーザー光源１０１から出射したレーザー光Ｌは、周知のガウス分布により放射角の長い方向と短い方向があるために楕円状の光量分布となっており、例えば、放射角の長い方向をＹ軸方向に、且つ、放射角の短い方向をＸ軸方向に対応させるように半導体レーザー光源１０１が予め位置決めして設置されている。
【００２０】
この場合、対物レンズ１０５（図１８）でスポット状に絞り込まれたスポット光Ｌｓが光記録媒体Ｄのトラック上に楕円状に照射されると、楕円状のスポット光Ｌｓの光量分布がトラックの接線方向（タンジェンシャル方向）と、この接線方向と直交する径方向（ラジアル方向）とで異なるためにリムインテンシティ（リム強度）が悪くなり、とくに、放射角の短い方向（Ｘ軸方向）と対応した径方向のリムインテンシティが低くなってしまう。
【００２１】
上記したリムインテンシティ（リム強度）は、対物レンズ１０５（図１８）の入射瞳中の最大強度に対する瞳端部における強度の比で示され、例えば、リムインテンシティ（リム強度）＝５０％の場合の取込光束は図１９に示したようになる。
【００２２】
とくに、最近では高倍速化が進み、半導体レーザー光源１０１のパワーにも限界があるため、結合効率を高くして、記録または再生が可能な限界までリムインテンシティを低くする傾向にある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２３】
ところで、図１８に示した従来の光ピックアップ装置１００Ｂのように、１／４波長板１０４を半導体レーザー光源１０１から出射したレーザー光Ｌの発散光Ｌｄ中に設置することで、光ピックアップ装置１００Ｂ内の光路を有効に利用でき、小型化を図ることができるものの、光ピックアップ装置１００Ｂの小型化を考えると、コリメータレンズ１０２の焦点距離は短い方が良い。
【００２４】
この際、焦点距離の短いコリメータレンズ１０２を使用して、半導体レーザー光源１０１から出射したレーザー光Ｌの発散光中に１／４波長板１０４とか１／２波長板（図示せず）などの波長板を入れると、波長板への入射角度がより大きくなり、入射角度によるリタデーションの違いもより大きくなる。そして、リタデーションの違いにより、偏光ビームスプリッタ１０３を透過した後の光量が、中心部と外周部とで異なってしまうという問題が発生する。
【００２５】
更に、半導体レーザー光源１０１から出射したレーザー光Ｌの光量分布はガウス分布により楕円状になっているため、波長板でのリタデーションの違いによる光量分布と重なると、光量分布の中心部と外周部で大きく光量が異なることが考えられる。このため、対物レンズ１０５上でのリムインテンシティが悪化し、良好な記録または再生が難しくなり、波長板の光量分布を適切にする必要がある。
【００２６】
そこで、光ピックアップ装置の小型化を図るために、半導体レーザー光源から出射した波長λのレーザー光の発散光中に波長板を設置させる際に、波長板のリタデーションを適切に設定して、光記録媒体を良好に記録または再生できる波長板及びこの波長板を適用した光ピックアップ装置が望まれている。
【課題を解決するための手段】
【００２７】
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、請求項１記載の発明は、半導体レーザー光源から出射した波長λのレーザー光の発散光中に設置される波長板において、
第１の角度に設定された光学軸を有して、前記波長λのレーザー光が第２の角度で入射して透過するときにλ／２（１８０°）のリタデーションを与え、前記第２の角度とは異なる第３の角度で入射して透過するときにはλ／２（１８０°）以外のリタデーションを与えて入射角依存性を有する１／２波長板であり、この１／２波長板に入射する前記発散光の有効領域における最小入射角度をθ°ｍｉｎ、前記発散光の有効領域における最大入射角度をθ°ｍａｘ、θ°ａｖｅｒ＝（θ°ｍｉｎ＋θ°ｍａｘ）／２、前記発散光の入射角度θ°ａｖｅｒにおけるリタデーション値をａ°、前記発散光の最小入射角度θ°ｍｉｎ及び最大入射角度θ°ｍａｘにおける各リタデーション値のうちで両者の値が同じである場合にはいずれか一方の値を、また、両者の値が異なる場合には１８０°に対する差分値が大きい方の値をｂ°とした時に、
|ａ°−１８０°｜≒|ｂ°−１８０°|（ただし、ａ°＝ｂ°＝１８０°を除く）
が成立することを特徴とする波長板である。
【００２８】
また、請求項２記載の発明は、半導体レーザー光源から出射した波長λのレーザー光を対物レンズを介して光記録媒体の信号面に集光させて、前記光記録媒体に対して情報信号を記録または再生する光ピックアップ装置において、
前記半導体レーザー光源から出射したレーザー光の発散光中に、第１の角度に設定された光学軸を有して、前記波長λのレーザー光が第２の角度で入射して透過するときにλ／２（１８０°）のリタデーションを与え、前記第２の角度とは異なる第３の角度で入射して透過するときにはλ／２（１８０°）以外のリタデーションを与えて入射角依存性を有する１／２波長板を設置してなり、
前記１／２波長板は、入射する前記発散光の有効領域における最小入射角度をθ°ｍｉｎ、前記発散光の有効領域における最大入射角度をθ°ｍａｘ、θ°ａｖｅｒ＝（θ°ｍｉｎ＋θ°ｍａｘ）／２、前記発散光の入射角度θ°ａｖｅｒにおけるリタデーション値をａ°、前記発散光の最小入射角度θ°ｍｉｎ及び最大入射角度θ°ｍａｘにおける各リタデーション値のうちで両者の値が同じである場合にはいずれか一方の値を、また、両者の値が異なる場合には１８０°に対する差分値が大きい方の値をｂ°とした時に、
|ａ°−１８０°｜≒|ｂ°−１８０°|（ただし、ａ°＝ｂ°＝１８０°を除く）
が成立することを特徴とする光ピックアップ装置である。
【発明の効果】
【００２９】
請求項１記載の波長板によると、半導体レーザー光源から出射した波長λのレーザー光の発散光中に、第１の角度に設定された光学軸を有して、波長λのレーザー光Ｌが第２の角度で入射して透過するときにλ／２（１８０°）のリタデーションを与え、第２の角度とは異なる第３の角度で入射して透過するときにはλ／２（１８０°）以外のリタデーションを与えて入射角依存性を有する１／２波長板を設置する際に、１／２波長板のリタデーションを適切にすることにより、１／２波長板を透過した後のレーザー光の光量分布が良好に得られる。
【００３０】
また、請求項２記載の光ピックアップ装置によると、半導体レーザー光源から出射した波長λのレーザー光の発散光中に、第１の角度に設定された光学軸を有して、波長λのレーザー光Ｌが第２の角度で入射して透過するときにλ／２（１８０°）のリタデーションを与え、第２の角度とは異なる第３の角度で入射して透過するときにはλ／２（１８０°）以外のリタデーションを与えて入射角依存性を有する１／２波長板を設置する際に、１／２波長板のリタデーションを適切にすることにより、対物レンズを介して光記録媒体上に集光させたスポット光の中心部に比べて外周部での光量を大きく低下させることなく、すなわち、リムインテンシティを適切にして、光記録媒体を良好に記録又は再生することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下に本発明に係る光ピックアップ装置の一実施例について図１〜図１６を参照して、実施例１、実施例２の順に詳細に説明する。
【実施例１】
【００３２】
図１は本発明の実施例１に係る波長板を適用した光ピックアップ装置の全体構成を示した図、
図２（ａ），（ｂ）は青色半導体レーザーを設置する際に、実施例１に対する比較例の場合を説明するために模式的にそれぞれ示した図、
図３（ａ），（ｂ）は青色半導体レーザーを設置する際に、実施例１の場合を説明するために模式的にそれぞれ示した図、
図４は本発明の実施例１に係る波長板として１／２波長板について説明するための図、
図５（ａ），（ｂ）は青色半導体レーザーから出射したレーザー光が１／２波長板を透過する前と、１／２波長板を透過した後の各状態を示した図、
図６は本発明の実施例１に係る１／２波長板へのレーザー光の入射角の定義を示した図、
図７は実施例１において、１／２波長板の入射角０°におけるリタデーションを１８０°とした場合の光学軸とリタデーションとの関係を示した図、
図８は実施例１において、青色半導体レーザーから出射した直後におけるレーザー光のＸ軸方向の光量分布を示した図、
図９は実施例１において、青色半導体レーザーから出射したレーザー光が図７に示した各特性を有する各１／２波長板を透過した後の対物レンズ上での光量分布を示した図、
図１０は実施例１において、光学軸が２２．５°の１／２波長板の入射角０°におけるリタデーション値をそれぞれシフトさせた態様を示した図、
図１１は実施例１において、光学軸が２２．５°の１／２波長板の入射角０°におけるリタデーション値を１８０°から１９７°までシフトさせた時に、青色半導体レーザーからのレーザー光が１／２波長板を透過した後の最大入射角θ°ｍａｘ又は最小入射角θ°ｍｉｎにおけるリタデーション差を示した図、
図１２は実施例１において、青色半導体レーザーからのレーザー光が、光学軸２２．５°，入射角０°のリタデーション値を１８０°とした１／２波長板を透過した後、及び、光学軸２２．５°，入射角０°のリタデーション値を１８８．５°とした１／２波長板を透過した後に、それぞれ対物レンズ上での光量分布を比較した図である。
【００３３】
図１に示した如く、本発明の実施例１に係る波長板を適用した光ピックアップ装置１０では、光記録媒体Ｄとして超高密度に記録又は再生できるＢｌｕ−ｒａｙ  Ｄｉｓｃが適用可能に構成されており、これに伴って、半導体レーザー光源１１として波長λが４０５ｎｍのレーザー光Ｌを出射する青色半導体レーザー１１Ｂが設けられており、この青色半導体レーザー１１Ｂから出射した直線偏光光のレーザー光Ｌ中で往路用として例えばｐ偏光光を用いている。
【００３４】
上記した光ピックアップ装置１０では、青色半導体レーザー１１Ｂと、この青色半導体レーザー１１Ｂから出射したレーザー光Ｌの発散光Ｌｄ中に順に設置された１／２波長板１２及び偏光ビームスプリッタ１３並びに１／４波長板１４と、１／２波長板１２及び偏光ビームスプリッタ１３を透過した発散光Ｌｄが１／４波長板１４で円偏光光Ｌｃに変換された後にこの円偏光光Ｌｃを平行光Ｌｐに変換するコリメータレンズ１５と、このコリメータレンズ１５を透過した平行光Ｌｐをスポット状に絞り込んでスポット光Ｌｓを記録媒体Ｄの信号面上に集光する対物レンズ１６と、光記録媒体Ｄからの反射光Ｌｒを検出するための検出レンズ１７及び光検出器１８とが図示の順で設置されている。
【００３５】
ここで、光ピックアップ装置１０内の詳細な動作を説明する前に、主要な各種の光学部材について先に説明する。
【００３６】
上記した各種の光学部材のうちで、青色半導体レーザー１１Ｂは、従来技術で述べたと同様に、ここから出射したレーザー光Ｌの光量分布がガウス分布により楕円状になっており、放射角の長い方向と短い方向とがある。
【００３７】
そこで、青色半導体レーザー１１Ｂを設置する場合には、図２に示した実施例１に対する比較例の場合と、図３に示した実施例１の場合とがある。
【００３８】
まず、実施例１に対する比較例の場合では、図２（ａ）に示したように、青色半導体レーザー１１Ｂ（１１）から出射したレーザー光Ｌのうちで、放射角の長い方向をＹ軸方向に、且つ、放射角の短い方向をＸ軸方向に対応させるように青色半導体レーザー１１Ｂが予め位置決めされているので、図２（ｂ）に示したように、このレーザー光Ｌを対物レンズ１６（図１）でスポット状に絞り込んだスポット光Ｌｓを光記録媒体ＤのトラックＴ上に照射すると、スポット光ＬｓがトラックＴに沿って楕円状に得られる。この場合、従来技術で説明したと同様に、楕円状のスポット光Ｌｓの光量分布がトラックＴの接線方向（タンジェンシャル方向）と、この接線方向と直交する径方向（ラジアル方向）とで異なるためにリムインテンシティ（リム強度）が悪くなり、とくに、放射角の短い方向（Ｘ軸方向）と対応した径方向のリムインテンシティが低くなってしまう。
【００３９】
そこで、比較例におけるリムインテンシティ（リム強度）の問題を解決するために、この実施例１の場合では、図３（ａ）に示したように、青色半導体レーザー１１Ｂ（１１）から出射したレーザー光Ｌのうちで、放射角の長い方向をＸ軸とＹ軸との中間となる４５°方向に対応させるように青色半導体レーザー１１Ｂが予め位置決めされているので、図３（ｂ）に示したように、このレーザー光Ｌを対物レンズ１６（図１）でスポット状に絞り込んだスポット光Ｌｓを光記録媒体ＤのトラックＴ上に照射すると、スポット光ＬｓがトラックＴの接線方向と、この接線方向と直交する径方向との中間方向に楕円状に得られる。この場合に、楕円状のスポット光Ｌｓの光量分布がトラックＴの接線方向と、この接線方向と直交する径方向とで見かけ上略同じになるためにリムインテンシティ（リム強度）が良好となる。
【００４０】
ここで、上記したように、青色半導体レーザー１１ＢをＸ軸とＹ軸との中間となる４５°方向に回転させた時に、この青色半導体レーザー１１Ｂからのレーザー光Ｌの偏光方向の回転を戻すため、この実施例１では、図１を用いて前述したように青色半導体レーザー１１Ｂと偏光ビームスプリッタ１３との間に１／２波長板１２を設置しており、これを言い換えると、１／２波長板１２は青色半導体レーザー１１Ｂから出射したレーザー光Ｌの発散光Ｌｄ中に設置されている。
【００４１】
上記した１／２波長板１２は、図４に示したように、光学軸がＸ軸方向に対して、所定の角度となる２２．５°方向にあり、青色半導体レーザー１１Ｂから出射した波長λのレーザー光Ｌが透過するときにλ／２（１８０°）のリタデーションを与えるものである。尚、上記した光学軸は、一般的に、複屈折媒体中で常光線と異常光線が同じ速度で伝播し、複屈折を示さない光軸である。
【００４２】
この際、青色半導体レーザー１１ＢをＸ軸とＹ軸との中間となる４５°方向に回転させており、且つ、青色半導体レーザー１１Ｂから出射した波長λのレーザー光Ｌは例えばｐ偏光光を用いているので、図５（ａ）に示したように、１／２波長板１２を透過する前は波長λのレーザー光Ｌの偏光方向がＸ軸方向に対して４５°傾いている。
【００４３】
そして、図５（ｂ）に示したように、青色半導体レーザー１１Ｂから出射した波長λのレーザー光Ｌが１／２波長板１２を透過した後に、波長λのレーザー光Ｌに対してλ／２のリタデーションが与えられ、また、１／２波長板１２の光学軸が２２．５°であるので、ｐ偏光光のレーザー光ＬはＸ軸方向に対して０°の偏光方向となる。
【００４４】
また、図６に示した如く、本発明の実施例１に係る１／２波長板１２は、青色半導体レーザー１１Ｂから出射したレーザー光Ｌの発散光Ｌｄ中に設置されているために、１／２波長板１２に入射する発散光Ｌｄの入射角度が中心部と外周部とで異なっており、入射角が０°となるＺ軸（光軸）を挟んで上下に最大入射角θ°ｍａｘと、最小入射角θ°ｍｉｎとが存在する。
【００４５】
ここでの最大入射角θ°ｍａｘ及び最小入射角θ°ｍｉｎは、後述する対物レンズ１６の有効径３．６ｍｍに対応させた外周部において、入射光線とＺ軸（光軸）に対して平行な仮想線との間のなす角度であり、この実施例１では最大入射角θ°ｍａｘ＝＋６°、最小入射角θ°ｍｉｎ＝−６°である。この際、θ°ａｖｅｒ＝（θ°ｍａｘ＋θ°ｍｉｎ）／２とすると、図示からも明らかなようにθ°ａｖｅｒ＝０°となる。
【００４６】
尚、最大入射角θ°ｍａｘ以上または、最小入射角θ°ｍｉｎ以下の範囲については集光に寄与しないレーザー光Ｌであるので、以下では集光に寄与しない領域を除いて説明する。
【００４７】
図１に戻り、偏光ビームスプリッタ１３は、４５°傾斜した貼り合せ面に膜付けした偏光選択性誘電体多層膜１３ａで１／２波長板１２からの発散光Ｌｄのｐ偏光光を透過させる一方、後述するように光記録媒体Ｄで反射された反射光Ｌｒのうちで例えばｓ偏光光を反射させる機能を備えている。
【００４８】
また、１／４波長板１４は、光学軸がＸ軸とＹ軸との中間となる４５°方向に向いており、青色半導体レーザー１１Ｂから出射した波長λの発散光Ｌｄが透過するときにλ／４（９０°）のリタデーションを与えるものである。
【００４９】
また、対物レンズ１６は、開口数０．８５、焦点距離２．１１８ｍｍ、有効径３．６ｍｍである。
【００５０】
ここで、光ピックアップ装置１０内の動作を説明すると、青色半導体レーザー１１Ｂから出射した波長λが４０５ｎｍのレーザー光Ｌは例えばｐ偏光光の発散光Ｌｄであり、このｐ偏光光の発散光Ｌｄは１／２波長板１２でλ／２（１８０°）のリタデーションが与えられて偏光ビームスプリッタ１３に入射する。この後、ｐ偏光光の発散光Ｌｄは偏光ビームスプリッタ１３の偏光選択性誘電体多層膜１３ａを透過し、１／４波長板１４を透過して、この１／４波長板１４でλ／４（９０°）のリタデーションを与えられて円偏光光Ｌｃとなる。
【００５１】
また、１／４波長板１４を透過した円偏光光Ｌｃはコリメータレンズ１５で平行光Ｌｐとなり、この平行光Ｌｐが対物レンズ１６でスポット状に絞られて、スポット光Ｌｓが光記録媒体Ｄの信号面上に集光される。そして、スポット光Ｌｓによって光記録媒体Ｄの信号面への記録又は再生が行われる。
【００５２】
更に、光記録媒体Ｄの信号面で反射された反射光Ｌｒは往路と反対回りの円偏光光となって対物レンズ１６に再入射し、この対物レンズ１６により平行光となり、コリメータレンズ１５を透過して、反射光Ｌｒは収束光となり、１／４波長板１４でｓ偏光光になる。よって、ｓ偏光光の反射光Ｌｒは偏光ビームスプリッタ１３の偏光選択性誘電体多層膜１３ａで反射され、検出レンズ１７で絞られて、光検出器１８に集光する。そして、光記録媒体Ｄの信号面からの情報信号によりトラッキングエラー信号，フォーカスエラー信号，メインデータ信号を検出している。
【００５３】
次に、図７は、実施例１において、１／２波長板の入射角０°におけるリタデーションを１８０°とした場合の光学軸とリタデーションの関係を示した図である。
【００５４】
この図７中において、◆は１／２波長板の光学軸が０°の場合を示し、■は１／２波長板の光学軸が２２．５°の場合を示し、▲は１／２波長板の光学軸が４５°の場合を示しており、光学軸が２２．５°の１／２波長板が本発明の実施例１に係る波長板であり、一方、光学軸が０°及び光学軸が４５°は比較例としてそれぞれ示した波長板である。
【００５５】
この際、光学軸が０°，２２．５°，４５°の各１／２波長板は、ここに入射するレーザー光Ｌの入射角０°の軸を中心にして各入射角に対する各リタデーションの値が左右対称になっている。
【００５６】
そして、各１／２波長板の光学軸が０°である場合には入射角によらず、リタデーション値は１８０°で一定なので問題がない。ところが、１／２波長板の光学軸が２２．５°や４５°といった場合には入射角の絶対値が大きくなるほどリタデーション値が１８０°から下方に向かって遠ざかっている。
【００５７】
この実施例１の場合に、１／２波長板１２の光学軸は２２．５°であるので、最大入射角θ°ｍａｘ＝＋６°及び最小入射角θ°ｍｉｎ＝−６°で共に１６３°のリタデーション値となる。そして、１／２波長板１２の光学軸が２２．５°の時に、入射角が０°の箇所はリタデーション値が１８０°であるので、１／２波長板１２を透過した後のｐ偏光成分は１００％であるが、最大入射角θ°ｍａｘ＝＋６°及び最小入射角θ°ｍｉｎ＝−６°の各箇所は１６３°であるので１／２波長板１２を透過した後のｐ偏光成分は入射角が０°の箇所に対して約９％少なくなる。
【００５８】
従って、偏光ビームスプリッタ４を透過した後の光量は、２２．５°の光学軸を有する１／２波長板１２の入射角０°の箇所を透過したレーザー光Ｌに比べて最大入射角θ°ｍａｘ＝＋６°及び最小入射角θ°ｍｉｎ＝−６°の各箇所を透過したレーザー光Ｌの方が約９％少なくなる。
【００５９】
次に、図８は、青色半導体レーザー１１Ｂを先に図２（ａ）で示した位置に仮に設置した時に、青色半導体レーザー１１Ｂから出射した直後におけるレーザー光ＬのＸ軸方向の光量分布を示しており、この場合に対物レンズ１６の中心部を通るレーザー光Ｌの光量を「１．０」として正規化したものである。この際、対物レンズ１６の有効径（３．６ｍｍ）と対応する箇所のレーザー光Ｌの光量は０．４である。なお、この実施例１では青色半導体レーザー１１Ｂを先に図３（ａ）で示したようにＸ軸とＹ軸との間の４５°方向に放射角の長い方を向けているので、図３（ａ）中でＸ軸方向の光量分布とＹ軸方向の光量分布とが略同じになる。
【００６０】
次に、図９は、図８の光量分布を持つレーザー光Ｌが図７に示した各特性を有する各１／２波長板を透過した後の対物レンズ１６上での光量分布を示している。
【００６１】
この図９から明らかなように、各１／２波長板は対物レンズ１６の中心部から外周部に向かって光量減少が大きくなり、リムインテンシティはより小さくなり、記録または再生に支障をきたす可能性がある。
【００６２】
次に、図１０は、光学軸が所定の角度となる２２．５°の１／２波長板１２の入射角０°におけるリタデーション値をそれぞれシフトさせた態様を示した図である。
【００６３】
この図１０において、シフト０の曲線は、１／２波長板１２の入射角０°におけるリタデーション値ａ°がａ０°＝１８０°であり、１／２波長板１２の最大入射角θ°ｍａｘ＝＋６°及び最小入射角θ°ｍｉｎ＝−６°における各リタデーション値ｂ°が共にｂ０°＝１６３°であり、先に図７に示した光学軸が２２．５°の曲線と同じ状態である。
【００６４】
一方、シフト１の曲線は、例えば、１／２波長板１２の入射角０°におけるリタデーション値ａ°をａ１°＝１８８．５°までシフトさせた状態であり、これに伴って、最大入射角θ°ｍａｘ＝＋６°及び最小入射角θ°ｍｉｎ＝−６°における各リタデーション値ｂ°は共にｂ１°＝１７１．５°になり、即ち、|ａ１°−１８０°|＝|ｂ１°−１８０°|になった状態である。
【００６５】
更に、シフト２の曲線は、例えば、１／２波長板１２の入射角０°におけるリタデーション値ａ°をａ２°＝１９７°までシフトさせた状態であり、これに伴って、最大入射角θ°ｍａｘ＝＋６°及び最小入射角θ°ｍｉｎ＝−６°における各リタデーション値ｂ°は共にｂ２°＝１８０°になった状態である。
【００６６】
ここで、上記のように、光学軸が２２．５°の１／２波長板１２の入射角０°におけるリタデーション値ａ°を１８０°から１９７°までの間で適宜シフトさせた時に図１１に示した結果が得られた。
【００６７】
即ち、図１１は、光学軸が２２．５°の１／２波長板１２の入射角０°におけるリタデーション値ａ°を１８０°から１９７°までシフトさせた時に、青色半導体レーザー１１Ｂからのレーザー光Ｌが１／２波長板１２を透過した後の最大入射角θ°ｍａｘ又は最小入射角θ°ｍｉｎにおけるリタデーション差を示した図であり、横軸に１／２波長板の入射角０°におけるリタデーション値ａ°を示し、縦軸に最大入射角θ°ｍａｘ又は最小入射角θ°ｍｉｎにおける|ａ°−１８０°|又は|ｂ°−１８０°|のうち大きい方のリタデーション差を示している。
【００６８】
上記した図１０と図１１とを参照すると、図１１から明らかなように、光学軸が２２．５°の１／２波長板１２の入射角０°におけるリタデーション値ａ°がａ０°＝１８０°である時には、最大入射角θ°ｍａｘ＝＋６°及び最小入射角θ°ｍｉｎ＝−６°における各リタデーション値ｂ°はｂ０°＝１６３°であるので、|ａ０°−１８０°|＝０°で、且つ、|ｂ０°−１８０°|＝１７°となるので、|ｂ０°−１８０°|の方が大きい値となる。
【００６９】
一方、光学軸が２２．５°の１／２波長板１２の入射角０°におけるリタデーション値ａ°がａ１°＝１８８．５°である時には、最大入射角θ°ｍａｘ＝＋６°及び最小入射角θ°ｍｉｎ＝−６°における各リタデーション値ｂ°はｂ１°＝１７１．５°であるので、|ａ１°−１８０°|＝８．５°で、且つ、|ｂ１°−１８０°|＝８．５°となるので、|ａ１°−１８０°|＝|ｂ１°−１８０°|となる。
【００７０】
更に、光学軸が２２．５°の１／２波長板１２の入射角０°におけるリタデーション値ａ°がａ２°＝１９７°である時には、最大入射角θ°ｍａｘ＝＋６°及び最小入射角θ°ｍｉｎ＝−６°における各リタデーション値ｂ°はｂ２°＝０°であるので、|ａ２°−１８０°|＝１７°で、且つ、|ｂ２°−１８０°|＝０°となるので、|ａ２°−１８０°|の方が大きい値となる。
【００７１】
この際、|ａ°−１８０°｜及び|ｂ°−１８０°|のリタデーション差が共に少ないということは、１／２波長板１２の透過場所よる光量差が少ないことを意味しており、従って、|ａ°−１８０°｜＝|ｂ°−１８０°|の条件の時が最良となり、即ち、光学軸が２２．５°の１／２波長板１２の入射角０°におけるリタデーション値ａ°を１８８．５にシフトさせたシフト１の曲線を有する１／２波長板１２を製作した時に、最良の光量分布が得られる位相特性となるが、１／２波長板１２の製作時のバラツキを考慮して、１／２波長板１２の入射角０°のリタデーション値を１８６°〜１９１°の範囲内に設定するのが好適である。
【００７２】
即ち、上記した技術的思想を一般化して説明すると、光学軸が２２．５°の１／２波長板１２を青色半導体レーザー１１Ｂから出射したレーザー光Ｌの発散光Ｌｄ中に設置させた際に、１／２波長板１２に入射する前記発散光Ｌｄの有効領域における最小入射角度をθ°ｍｉｎ、前記発散光Ｌｄの有効領域における最大入射角度をθ°ｍａｘ、θ°ａｖｅｒ＝（θ°ｍｉｎ＋θ°ｍａｘ）／２、前記発散光Ｌｄの入射角度θ°ａｖｅｒにおけるリタデーション値をａ°、前記発散光Ｌｄの最小入射角度θ°ｍｉｎ及び最大入射角度θ°ｍａｘにおける各リタデーション値のうちで両者の値が同じである場合にはいずれか一方の値を、また、両者の値が異なる場合には１８０°に対する差分値が大きい方の値をｂ°とした時に、下記の（式１）が成立するように、１／２波長板１２を製作すれば良いものである。
［数１］
|ａ°−１８０°｜≒|ｂ°−１８０°|        ………（式１）
【００７３】
そして、光学軸が２２．５°の１／２波長板１２を青色半導体レーザー１１Ｂから出射したレーザー光Ｌの発散光Ｌｄ中に設置して、１／２波長板１２に対するレーザー光Ｌの入射角が中心部と外周部とで異なっても、（式１）に基づいて製作した実施例１に係る１／２波長板１２を透過した後のレーザー光の光量分布が良好に得られる。
【００７４】
なお、リタデーション値Ｒと１８０°−Ｒ°は等価であり、例えば、１７９°と１８１°や、１７５°と１８５°は等価である。
【００７５】
次に、図１２は、光学軸が２２．５°で先に図７及び図１０中のシフト０に示した特性を有する１／２波長板１２の入射角０°におけるリタデーション値を適宜シフトさせた時の例として、青色半導体レーザー１１Ｂからのレーザー光Ｌが、光学軸２２．５°，入射角０°のリタデーション値を１８０°とした１／２波長板１２を透過した後、及び、光学軸２２．５°，入射角０°のリタデーション値を１８８．５°とした１／２波長板１２を透過した後に、それぞれ対物レンズ１６上での光量分布を比較した図であり、且つ、対物レンズ１６の中心部を通るレーザー光Ｌの光量を「１．０」として正規化したものである。
【００７６】
この図１２から明らかなように、光学軸が２２．５°の１／２波長板１２を透過するレーザー光Ｌに対して入射角０°のリタデーション値を１８０°（λ／２）から１８８．５°とすることで、最大入射角θ°ｍａｘ＝＋６°及び最小入射角θ°ｍｉｎ＝−６°の各光量を３６％から４０％に向上させることができる。よって、対物レンズ１６の中心部の光量を下げ、対物レンズ１６の外周部の光量を相対的に上げることもできる。
【００７７】
従って、実施例１に係る１／２波長板１２を適用した光ピックアップ装置１０により、光記録媒体Ｄに対して情報信号を記録または再生する際に、対物レンズ１６を介して光記録媒体Ｄ上に集光させたスポット光Ｌｓの中心部に比べて外周部での光量を大きく低下させることなく、すなわち、リムインテンシティを適切にして、光記録媒体Ｄを良好に記録又は再生することができる。
【実施例２】
【００７８】
図１３は実施例２において、１／２波長板の入射角０°におけるリタデーションを１８０°とした場合の光学軸とリタデーションの関係を示した図、
図１４は実施例２において、赤色半導体レーザーから出射した直後におけるレーザー光のＸ軸方向の光量分布を示した図、
図１５は実施例２において、赤色半導体レーザーから出射したレーザー光が図１３に示した各特性を有する各１／２波長板を透過した後の対物レンズ上での光量分布を示した図、
図１６は実施例２において、赤色半導体レーザーからのレーザー光が、光学軸２２．５°，入射角０°のリタデーション値を１８０°とした１／２波長板を透過した後、及び、光学軸２２．５°，入射角０°のリタデーション値を１８５°とした１／２波長板を透過した後に、それぞれ対物レンズ上での光量分布を比較した図である。
【００７９】
本発明の実施例２に係る波長板を適用した光ピックアップ装置１０は、先に説明した実施例１と一部を除いて同様の構成であるので、図１を用いて先に示した構成部材は必要に応じて適宜説明し、実施例１に対して異なる点についてのみ説明する。
【００８０】
この実施例２では、光記録媒体Ｄとして高密度に記録又は再生できるＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｃ）が適用可能に構成されており、これに伴って、半導体レーザー光源１１として波長λが６６０ｎｍのレーザー光Ｌを出射する赤色半導体レーザー１１Ｒが設けられており、この赤色半導体レーザー１１Ｒから出射した直線偏光光のレーザー光Ｌ中で往路用として例えばｐ偏光光を用いている。
【００８１】
この際、赤色半導体レーザー１１Ｒの設置方向は先に図３（ａ），（ｂ）を用いて説明した実施例１と同様に、赤色半導体レーザー１１Ｒ（１１）から出射したレーザー光Ｌのうちで、放射角の長い方向をＸ軸とＹ軸との中間となる４５°方向に対応させるように赤色半導体レーザー１１Ｒが予め位置決めされている。
【００８２】
また、１／２波長板１２は、先に図４を用いて説明した実施例１と同様に、光学軸が２２．５°であり、赤色半導体レーザー１１Ｒから出射したレーザー光Ｌの発散光Ｌｄ中に設置されているために、発散光Ｌｄの入射角度が中心部と外周部とで異なっており、入射角が０°となるＺ軸（光軸）を挟んで上下に最大入射角θ°ｍａｘと、最小入射角θ°ｍｉｎとが存在する。
【００８３】
ここでの最大入射角θ°ｍａｘ及び最小入射角θ°ｍｉｎは、後述する対物レンズ１６の有効径４．０ｍｍに対応させた外周部において、入射光線とＺ軸（光軸）に対して平行な仮想線との間のなす角度であり、この実施例２では最大入射角θ°ｍａｘ＝＋５°、最小入射角θ°ｍｉｎ＝−５°である。この際、θ°ａｖｅｒ＝（θ°ｍａｘ＋θ°ｍｉｎ）／２とすると、θ°ａｖｅｒ＝０°となる。
【００８４】
また、対物レンズ１６は、開口数０．６５、焦点距離３．０８ｍｍ、有効径４．０ｍｍである。
【００８５】
まず、図１３は、実施例２において、１／２波長板の入射角０°におけるリタデーションを１８０°とした場合の光学軸とリタデーションの関係を示した図である。
【００８６】
この図１３中において、◆は１／２波長板の光学軸が０°の場合を示し、■は１／２波長板の光学軸が２２．５°の場合を示し、▲は１／２波長板の光学軸が４５°の場合を示しており、光学軸が２２．５°の１／２波長板が本発明の実施例２に係る波長板であり、一方、光学軸が０°及び光学軸が４５°は比較例としてそれぞれ示した波長板である。
【００８７】
この際、光学軸が０°，２２．５°，４５°の各１／２波長板は、先に図７を用いて説明した実施例１とは異なって、ここに入射するレーザー光Ｌの入射角０°の軸を中心にして各入射角に対する各リタデーションの値が左右非対称になっており、即ち、最小入射角θ°ｍｉｎ＝−５°におけるリタデーション値は１８０°よりも下方の値であり、最大入射角θ°ｍａｘ＝＋５°におけるリタデーション値は１８０°近傍の値であり、言い換えると、１８０°に対する最小入射角θ°ｍｉｎ＝−５°におけるリタデーション値の差分値が、１８０°に対する最大入射角θ°ｍａｘ＝＋５°におけるリタデーション値の差分値よりも大きな値となっているので、最小入射角θ°ｍｉｎ＝−５°におけるリタデーション値だけを考慮すれば良いものである。
【００８８】
尚、図１３に示した各特性値とは異なって、入射角０°の軸に対して左右を反転させた各特性値を持つ各１／２波長板もある。
【００８９】
そして、１／２波長板の光学軸の角度によって多少のリタデーションの違いがあるものの、１／２波長板の光学軸よりはむしろ入射角によるリタデーションの違いの方が大きい。
【００９０】
また、光学軸が２２．５°の１／２波長板１２の場合は、最小入射角θ°ｍｉｎ＝−５°で１７２．５°のリタデーション値となる。
【００９１】
この際、リタデーション値１８０°の入射角０°のレーザー光の中心の箇所は１／２波長板１２を透過した後のｐ偏光成分が１００％であるが、リタデーション値１７２．５°の最小入射角θ°ｍｉｎ＝−５°の箇所は１／２波長板１２を透過した後のｐ偏光成分が約４％少なくなる。
【００９２】
従って、偏光ビームスプリッタ４を透過した後の光量は、２２．５°の光学軸を有する１／２波長板１２の入射角０°の箇所を透過したレーザー光Ｌに比べて最小入射角θ°ｍｉｎ＝−５°の箇所を透過したレーザー光Ｌの方が約４％少なくなる。
【００９３】
次に、図１４は、赤色半導体レーザー１１Ｒを先に図２（ａ）で示した位置に仮に設置した時に、赤色半導体レーザー１１Ｒから出射した直後におけるレーザー光ＬのＸ軸方向の光量分布を示しており、この場合に対物レンズ１６の中心部を通るレーザー光Ｌの光量を「１．０」として正規化したものである。この際、対物レンズ１６の有効径（４．０ｍｍ）と対応する箇所のレーザー光Ｌの光量は０．４３である。なお、この実施例２では赤色半導体レーザー１１Ｒを先に図３（ａ）で示したようにＸ軸とＹ軸との間の４５°方向に放射角の長い方を向けているので、図３（ａ）中でＸ軸方向の光量分布とＹ軸方向の光量分布とが略同じになる。
【００９４】
次に、図１５は、図１４の光量分布を持つレーザー光Ｌが図１３に示した各特性を有する各１／２波長板を透過した後の対物レンズ１６上での光量分布を示している。
【００９５】
この図１５から明らかなように、各１／２波長板を透過した後の光量は対物レンズ１６の中心部から外周部に向かって減少が大きくなり、リムインテンシティはより小さくなり、記録または再生に支障をきたす可能性がある。
【００９６】
よって、光学軸が０°，２２．５°，４５°の各１／２波長板のいずれも、最小入射角θ°ｍｉｎ＝−５°の光量が少なく、４３．１％である。記録または、再生を良好に行うためには、リムインテンシティをあげることが望まれる。
【００９７】
次に、図１６は、実施例１と同じ技術的思想を用いて、光学軸が２２．５°で先に図１３に示した特性を有する１／２波長板１２の入射角０°におけるリタデーション値を適宜シフトさせた時の例として、赤色半導体レーザー１１Ｒからのレーザー光Ｌが、光学軸２２．５°，入射角０°のリタデーション値を１８０°とした１／２波長板１２を透過した後、及び、光学軸２２．５°，入射角０°のリタデーション値を１８５°とした１／２波長板１２を透過した後に、それぞれ対物レンズ１６上での光量分布を比較した図であり、且つ、対物レンズ１６の中心部を通るレーザー光Ｌの光量を「１．０」として正規化したものである。
【００９８】
この図１６から明らかなように、光学軸が２２．５°の１／２波長板１２を透過するレーザー光Ｌに対して入射角０°のリタデーション値を１８０°（λ／２）から１８５°と僅かにずらすことで、最小入射角θ°ｍｉｎ＝−５°の光量が約４３％から約４６％に向上する。このため、リムインテンシティがあがるのと同時に、最大入射角θ°ｍａｘ＝＋５°の光量は４５％となるため、ほぼ対称な光量分布とすることができる。
【００９９】
そして、この実施例２でも実施例１の技術的思想を適用可能であるので、光学軸が２２．５°の１／２波長板１２を赤色半導体レーザー１１Ｒから出射したレーザー光Ｌの発散光Ｌｄ中に設置させた際に、１／２波長板１２に入射する前記発散光Ｌｄの有効領域における最小入射角度をθ°ｍｉｎ、前記発散光Ｌｄの有効領域における最大入射角度をθ°ｍａｘ、θ°ａｖｅｒ＝（θ°ｍｉｎ＋θ°ｍａｘ）／２、前記発散光の入射角度θ°ａｖｅｒにおけるリタデーション値をａ°、前記発散光Ｌｄの最小入射角度θ°ｍｉｎ及び最大入射角度θ°ｍａｘにおける各リタデーション値のうちで両者の値が同じである場合にはいずれか一方の値を、また、両者の値が異なる場合には１８０°に対する差分値が大きい方の値をｂ°とした時に、先に示した（式１）が成立するように、１／２波長板１２を製作すれば良いものである。
【０１００】
そして、光学軸が２２．５°の１／２波長板１２を赤色半導体レーザー１１Ｒから出射したレーザー光Ｌの発散光Ｌｄ中に設置して、１／２波長板１２に対するレーザー光Ｌの入射角が中心部と外周部とで異なっても、（式１）に基づいて製作した実施例２に係る１／２波長板１２を透過した後のレーザー光の光量分布が良好に得られる。
【０１０１】
従って、実施例２に係る１／２波長板１２を適用した光ピックアップ装置１０により、光記録媒体Ｄに対して情報信号を記録または再生する際に、対物レンズ１６を介して光記録媒体Ｄ上に集光させたスポット光Ｌｓの中心部に比べて外周部での光量を大きく低下させることなく、すなわち、リムインテンシティを適切にして、光記録媒体Ｄを良好に記録又は再生することができる。
【０１０２】
なお、上述した実施の形態は、本発明の好適な実施の形態の一例を示すものであり、本発明はそれに限定されることなく、半導体レーザー光源の設置する角度、波長板の位相、及び波長板の光学軸、光学構成などは、その要旨を逸脱しない範囲内において、種々変形実施が可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１０３】
【図１】本発明の実施例１に係る波長板を適用した光ピックアップ装置の全体構成を示した図である。
【図２】（ａ），（ｂ）は青色半導体レーザーを設置する際に、実施例１に対する比較例の場合を説明するために模式的にそれぞれ示した図である。
【図３】（ａ），（ｂ）は青色半導体レーザーを設置する際に、実施例１の場合を説明するために模式的にそれぞれ示した図である。
【図４】本発明の実施例１に係る波長板として１／２波長板について説明するための図である。
【図５】（ａ），（ｂ）は青色半導体レーザーから出射したレーザー光が１／２波長板を透過する前と、１／２波長板を透過した後の各状態を示した図である。
【図６】本発明の実施例１に係る１／２波長板へのレーザー光の入射角の定義を示した図である。
【図７】実施例１において、１／２波長板の入射角０°におけるリタデーションを１８０°とした場合の光学軸とリタデーションとの関係を示した図である。
【図８】実施例１において、青色半導体レーザーから出射した直後におけるレーザー光のＸ軸方向の光量分布を示した図である。
【図９】実施例１において、青色半導体レーザーから出射したレーザー光が図７に示した各特性を有する各１／２波長板を透過した後の対物レンズ上での光量分布を示した図である。
【図１０】実施例１において、光学軸が２２．５°の１／２波長板の入射角０°におけるリタデーション値をそれぞれシフトさせた態様を示した図である。
【図１１】実施例１において、光学軸が２２．５°の１／２波長板の入射角０°におけるリタデーション値を１８０°から１９７°までシフトさせた時に、青色半導体レーザーからのレーザー光が１／２波長板を透過した後の最大入射角θ°ｍａｘ又は最小入射角θ°ｍｉｎにおけるリタデーション差を示した図である。
【図１２】実施例１において、青色半導体レーザーからのレーザー光が、光学軸２２．５°，入射角０°のリタデーション値を１８０°とした１／２波長板を透過した後、及び、光学軸２２．５°，入射角０°のリタデーション値を１８８．５°とした１／２波長板を透過した後に、それぞれ対物レンズ上での光量分布を比較した図である。
【図１３】実施例２において、１／２波長板の入射角０°におけるリタデーションを１８０°とした場合の光学軸とリタデーションの関係を示した図である。
【図１４】実施例２において、赤色半導体レーザーから出射した直後におけるレーザー光のＸ軸方向の光量分布を示した図である。
【図１５】実施例２において、赤色半導体レーザーから出射したレーザー光が図１３に示した各特性を有する各１／２波長板を透過した後の対物レンズ上での光量分布を示した図である。
【図１６】実施例２において、赤色半導体レーザーからのレーザー光が、光学軸２２．５°，入射角０°のリタデーション値を１８０°とした１／２波長板を透過した後、及び、光学軸２２．５°，入射角０°のリタデーション値を１８５°とした１／２波長板を透過した後に、それぞれ対物レンズ上での光量分布を比較した図である。
【図１７】一般的な光ピックアップ装置の概略構成を示した構成図である。
【図１８】従来の光ピックアップ装置の概略構成を示した構成図である。
【図１９】従来の光ピックアップ装置において、半導体レーザー光源から出射したレーザー光の光量分布とリムインテンシティ（リム強度）とを説明するための図である。
【符号の説明】
【０１０４】
１０…光ピックアップ装置、
１１…半導体レーザー光源、
１１Ｂ…青色半導体レーザー、１１Ｒ…赤色半導体レーザー、
１２…１／２波長板、
１３…偏光ビームスプリッタ、１３ａ…偏光選択性誘電体多層膜、
１４…１／４波長板、１５…コリメータレンズ、１６…対物レンズ、
１７…検出レンズ、１８…光検出器、
Ｄ…光記録媒体、
Ｌ…レーザー光、Ｌｄ…発散光、Ｌｃ…円偏光光、Ｌｐ…平行光、Ｌｓ…スポット光、
Ｌｒ…反射光、
θ°ｍａｘ…最大入射角、θ°ｍｉｎ…最小入射角、
θ°ａｖｅｒ…（θ°ｍａｘ＋θ°ｍｉｎ）／２、
ａ…１／２波長板１２に入射するレーザー光Ｌの入射角度θ°におけるリタデーション値、
ｂ…１／２波長板１２に入射するレーザー光Ｌの最大入射角度θ°ｍａｘまたは最小入射角度θ°ｍｉｎにおけるリタデーション値。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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