(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ光を出射するレーザ光源と、
前記レーザ光を集光する集光手段と、
加工対象物に対して前記集光手段を相対的に移動させて前記レーザ光の集光点の位置を前記加工対象物の厚み方向で調整可能な第１の移動手段と、
前記集光手段に対して前記加工対象物を前記レーザ光の光軸と略直交する平面内で相対的に移動可能な第２の移動手段と、
前記第２の移動手段による前記加工対象物の相対移動により前記加工対象物の切断予定位置に沿って前記レーザ光を照射する１回の走査ごとに、前記レーザ光の集光点の位置が前記加工対象物の厚み方向にずれるように前記第１の移動手段を制御すると共に、前記レーザ光を照射する１回の走査ごとに前記加工対象物の相対移動速度を変えるように前記第２の移動手段を制御する制御部を備えていることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記レーザ光を照射する１回の走査ごとに前記加工対象物が前記レーザ光を多光子吸収して形成される改質領域が前記厚み方向に連続するように前記第１の移動手段を制御して、前記レーザ光の集光点の位置を前記加工対象物の厚み方向にずらすことを特徴とする請求項１に記載のレーザ照射装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記レーザ光の集光点の位置が前記レーザ光の入射面に対して反対側の表面の近傍から前記入射面の近傍まで前記厚み方向に順次ずれるように前記第１の移動手段を制御すると共に、前記レーザ光を照射する１回の走査ごとに前記加工対象物の相対移動速度を徐々に速めるように前記第２の移動手段を制御することを特徴とする請求項２に記載のレーザ照射装置。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか一項に記載のレーザ照射装置を用い、集光されたレーザ光を照射して、加工対象物が多光子吸収して形成される改質領域を前記加工対象物の切断予定位置に沿った厚み方向に形成するレーザスクライブ方法であって、
前記レーザ光の光軸が前記加工対象物の前記切断予定位置の線上に位置するように前記第２の移動手段により前記集光手段と前記加工対象物とを相対的に位置決めする位置決め工程と、
前記レーザ光が集光された集光領域の端部が前記加工対象物の前記レーザ光の入射面に対して反対側の表面に掛かるように前記第１の移動手段により集光点の位置を調整する調整工程と、
前記第２の移動手段により前記加工対象物を相対移動させて前記切断予定位置に沿って前記レーザ光を照射して第１の改質領域を形成する第１の走査工程と、
前記第１の移動手段によって前記集光点の位置を前記加工対象物の前記入射面側に順次ずらすと共に、前記第２の移動手段により前記加工対象物を相対移動させる速度を順次速めて前記切断予定位置に沿って前記レーザ光を照射して、前記第１の走査工程により形成された前記第１の改質領域に前記厚み方向に連続するように第２の改質領域以降を形成する第２の走査工程とを備えることを特徴とするレーザスクライブ方法。
【請求項５】
請求項１ないし３のいずれか一項に記載のレーザ照射装置を用い、集光されたレーザ光を照射して、加工対象物が多光子吸収して形成される改質領域を前記加工対象物の切断予定位置に沿った厚み方向に形成するレーザスクライブ方法であって、
前記レーザ光の光軸が前記加工対象物の前記切断予定位置の線上に位置するように前記第２の移動手段により前記集光手段と前記加工対象物とを相対的に位置決めする位置決め工程と、
前記レーザ光が集光された集光領域の端部が前記加工対象物の前記レーザ光の入射面に対して反対側の表面に掛かるように前記第１の移動手段により集光点の位置を調整する第１の調整工程と、
前記第２の移動手段により前記加工対象物を相対移動させて前記切断予定位置に沿って前記レーザ光を照射して第１の改質領域を形成する第１の走査工程と、
前記レーザ光が集光された集光領域の端部が前記加工対象物の前記レーザ光の入射面に掛かるように前記第１の移動手段により集光点の位置を調整する第２の調整工程と、
前記第２の移動手段により前記加工対象物を相対移動させて前記切断予定位置に沿って前記レーザ光を照射して第２の改質領域を形成する第２の走査工程と、
前記第１の改質領域と前記第２の改質領域の間の中間領域において前記第１の移動手段によって前記集光点の位置を順次ずらすと共に、前記第２の移動手段により前記加工対象物を相対移動させる相対移動速度を前記第１の走査工程の相対移動速度に対して順次速めて前記切断予定位置に沿って前記レーザ光を照射して、前記中間領域において前記厚み方向に連続するように第３の改質領域以降を形成する第３の走査工程とを備えることを特徴とするレーザスクライブ方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザ照射装置およびこのレーザ照射装置を用いた半導体等の基板のレーザスクライブ方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体等の基板にレーザを照射して基板を切断あるいは分割するための分割領域を形成するレーザ照射装置としては、パルス幅が１μｓ以下のレーザ光を出射するレーザ光源と、出射されたレーザ光を集光する集光レンズとを備えたレーザ加工装置が知られている（特許文献１）。
【０００３】
このレーザ加工装置を用いたレーザ加工方法（レーザスクライブ方法）は、加工対象物の内部に集光部を合わせてレーザ光を照射し、加工対象物の内部に多光子吸収による改質領域を形成するものである。そして、この改質領域により構成され、加工対象物のレーザ光入射面側の表面より所定距離内側に離間した領域に切断予定ラインを形成する。その後、加工対象物に外部から応力を加えると、切断予定ラインを起点にして加工対象物が割れる。また、集光点におけるピークパワー密度が１×１０8（Ｗ／ｃｍ2）以上となるようにレーザ光を集光させている。
【０００４】
このレーザ加工方法は、加工対象物の内部に集光部を合わせて改質領域を形成するため、加工対象物のレーザ光入射面側の表面に、回路を構成する配線等が存在しても、これらの配線等に熱的なダメージを与えることなく、切断予定ラインに沿って厚み方向に加工対象物を割ることができるとしている。
【０００５】
また、このレーザ加工装置を用いたレーザ加工方法において、加工対象物の内部に形成される改質領域あるいはこれを起点として形成されるクラック部（クラックスポット）の大きさは、集光レンズの特性と、レーザ光のピークパワー密度に依存する。例えば、上記特許文献１に示されたガラス（厚さ７００μｍ）をＹＡＧレーザを用いて切断する実施例では、集光レンズの開口数が０．５５の場合、ピークパワー密度がおよそ１×１０11（Ｗ／ｃｍ２）では、クラックスポットの大きさは、およそ１００μｍである。また、ピークパワー密度がおよそ５×１０11（Ｗ／ｃｍ２）では、およそ２５０μｍである。
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−１９２３７０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、加工対象物の厚みが、クラックスポットの大きさよりも相当に厚い場合は、切断予定ラインを形成した後に、加工対象物を破断面が変形することなく割ることは困難である。外部応力を加えたときに改質領域を起点としたクラックの成長方向がずれて切断予定ラインに沿って割れず外形不良が生じるという課題がある。このような課題を改善するには、加工対象物の厚みに対応して、改質領域が厚み方向に連続するように、繰り返してレーザ光を照射する方法が考えられるが、レーザ光を照射する加工時間が長くなり生産性が低下するという課題を有している。
【０００８】
本発明は、上記課題を考慮してなされたものであり、高い生産性で加工対象物のスクライブが可能なレーザ照射装置およびレーザスクライブ方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明のレーザ照射装置は、レーザ光を出射するレーザ光源と、レーザ光を集光する集光手段と、加工対象物に対して集光手段を相対的に移動させてレーザ光の集光点の位置を加工対象物の厚み方向で調整可能な第１の移動手段と、集光手段に対して加工対象物をレーザ光の光軸と略直交する平面内で相対的に移動可能な第２の移動手段と、第２の移動手段による加工対象物の相対移動により加工対象物の切断予定位置に沿ってレーザ光を照射する１回の走査ごとに、レーザ光の集光点の位置が加工対象物の厚み方向にずれるように第１の移動手段を制御すると共に、レーザ光を照射する１回の走査ごとに加工対象物の相対移動速度を変えるように第２の移動手段を制御する制御部を備えていることを特徴とする。
【００１０】
レーザ光を加工対象物の切断予定位置に沿って照射し、加工対象物がレーザ光を多光子吸収して切断の起点となる改質領域を形成しようとする場合、レーザ光を出射するレーザ光源の出力を一定とすれば、加工対象物の厚み方向におけるレーザ光の集光点の位置によって、レーザエネルギー密度が異なる。なぜならば、加工対象物に入射したレーザ光は、加工対象物の屈折率に応じて屈折し、集光点がレーザ光の入射面から遠ざかるほど、軸上色収差によってレーザ光の集光領域の厚み方向における幅が拡大するためである。この構成によれば、制御部は、第２の移動手段による加工対象物の相対移動により加工対象物の切断予定位置に沿ってレーザ光を照射する１回の走査ごとに、レーザ光の集光点の位置が加工対象物の厚み方向にずれるように第１の移動手段を制御すると共に、レーザ光を照射する１回の走査ごとに加工対象物の相対移動速度を変えるように第２の移動手段を制御する。したがって、レーザ光の集光点の位置に対応して、すなわち、レーザ光の集光領域のレーザエネルギー密度に対応して、１回の走査ごとに加工対象物の相対移動速度を変えることができる。よって、一定の速度で加工対象物を相対移動させてレーザ光を照射する場合に比べて、改質領域が形成可能なレーザエネルギー密度となるように相対移動速度を速めてレーザ光を照射する走査が可能となる。ゆえに、レーザ加工の時間を短縮して高い生産性で加工対象物のスクライブが可能なレーザ照射装置を提供することができる。
【００１１】
また、上記制御部は、レーザ光を照射する１回の走査ごとに加工対象物がレーザ光を多光子吸収して形成される改質領域が厚み方向に連続するように、第１の移動手段を制御してレーザ光の集光点の位置を加工対象物の厚み方向にずらすことが好ましい。
【００１２】
この構成によれば、制御部は、加工対象物の厚み方向に改質領域が連続するように、第１の移動手段を制御してレーザ光の集光点の位置を加工対象物の厚み方向にずらす。したがって、加工対象物に外部応力を加えれば、切断予定位置に沿った厚み方向に連続した改質領域を起点として容易に切断することができる。
【００１３】
また、上記制御部は、レーザ光の集光点の位置がレーザ光の入射面に対して反対側の表面の近傍から入射面の近傍まで厚み方向に順次ずれるように第１の移動手段を制御すると共に、レーザ光を照射する１回の走査ごとに加工対象物の相対移動速度を徐々に速めるように第２の移動手段を制御することが好ましい。
【００１４】
この構成によれば、制御部は、第１の移動手段を制御してレーザ光の集光点の位置をレーザ光の入射面に対して反対側の表面の近傍から入射面の近傍まで厚み方向に順次ずらしてゆく。これにより、集光点におけるレーザ光の集光領域の厚み方向の幅が、最も大きい状態から最も小さい状態に順次集光点の位置がずれてゆく。また制御部は、これに同期してレーザ光を照射する１回の走査ごとに加工対象物の相対移動速度を徐々に速めるように第２の移動手段を制御する。したがって、レーザ光を出射するレーザ光源の出力を一定とすれば、レーザ光の集光領域におけるレーザエネルギー密度が最も小さい状態から最も大きい状態に集光点の位置が順次ずれてゆく。これに対応して加工対象物の相対移動速度を徐々に速めれば、加工対象物の厚み方向に連続した改質領域を適切な条件で形成することができる。
【００１５】
また、上記制御部は、集光点におけるレーザ光の集光領域の厚み方向の幅に比して加工対象物の相対移動速度を速めるように第２の移動手段を制御することが好ましい。
【００１６】
この構成によれば、制御部は、第２の移動手段によってレーザ光の集光領域の厚み方向の幅に比して加工対象物の相対移動速度を速める。したがって、レーザ光を出射するレーザ光源の出力を一定とすれば、レーザ光の集光領域におけるレーザエネルギー密度がほぼ一定となるようにレーザ光を加工対象物に照射することになる。ゆえに、加工対象物の厚み方向に連続した改質領域をより均質な状態で形成することができる。
【００１７】
本発明のレーザスクライブ方法は、上記発明のレーザ照射装置を用い、集光されたレーザ光を照射して、加工対象物が多光子吸収して形成される改質領域を加工対象物の切断予定位置に沿った厚み方向に形成するレーザスクライブ方法であって、レーザ光の光軸が加工対象物の切断予定位置の線上に位置するように第２の移動手段により集光手段と加工対象物とを相対的に位置決めする位置決め工程と、レーザ光が集光された集光領域の端部が加工対象物のレーザ光の入射面に対して反対側の表面に掛かるように第１の移動手段により集光点の位置を調整する調整工程と、第２の移動手段により加工対象物を相対移動させて切断予定位置に沿ってレーザ光を照射して第１の改質領域を形成する第１の走査工程と、第１の移動手段によって集光点の位置を加工対象物の入射面側に順次ずらすと共に、第２の移動手段により加工対象物を相対移動させる速度を順次速めて切断予定位置に沿ってレーザ光を照射して、第１の走査工程により形成された第１の改質領域に厚み方向に連続するように第２の改質領域以降を形成する第２の走査工程とを備えることを特徴とする。
【００１８】
この方法によれば、位置決め工程では、第２の移動手段により集光手段に対して加工対象物を相対的に移動して、レーザ光の光軸が加工対象物の切断予定位置の線上に位置するように位置決めする。調整工程では、第１の移動手段によりレーザ光の集光領域の端部が加工対象物のレーザ光の入射面に対して反対側の表面に掛かるように集光点の位置を設定する。そして、第１の走査工程では、第２の移動手段により加工対象物を相対移動させて切断予定位置に沿ってレーザ光を照射して第１の改質領域を形成する。次に、第２の走査工程では、第１の移動手段によって集光点の位置を加工対象物の入射面側に順次ずらすと共に、第２の移動手段により加工対象物を相対移動させる相対移動速度を順次速めて切断予定位置に沿ってレーザ光を照射して、第１の走査工程により形成された第１の改質領域に厚み方向に連続するように第２の改質領域以降を形成する。したがって、一定の速度で加工対象物を相対移動させてレーザ光を照射する場合に比べて、加工対象物の切断予定位置に沿った厚み方向に連続した改質領域を形成するレーザ加工の時間を短縮して高い生産性で加工対象物のスクライブが可能なレーザスクライブ方法を提供することができる。
【００１９】
また、本発明の他のレーザスクライブ方法は、上記発明のレーザ照射装置を用い、集光されたレーザ光を照射して、加工対象物が多光子吸収して形成される改質領域を加工対象物の切断予定位置に沿った厚み方向に形成するレーザスクライブ方法であって、レーザ光の光軸が加工対象物の切断予定位置の線上に位置するように第２の移動手段により集光手段と加工対象物とを相対的に位置決めする位置決め工程と、レーザ光が集光された集光領域の端部が加工対象物のレーザ光の入射面に対して反対側の表面に掛かるように第１の移動手段により集光点の位置を調整する第１の調整工程と、第２の移動手段により加工対象物を相対移動させて切断予定位置に沿ってレーザ光を照射して第１の改質領域を形成する第１の走査工程と、レーザ光が集光された集光領域の端部が加工対象物のレーザ光の入射面に掛かるように第１の移動手段により集光点の位置を調整する第２の調整工程と、第２の移動手段により加工対象物を相対移動させて切断予定位置に沿ってレーザ光を照射して第２の改質領域を形成する第２の走査工程と、第１の改質領域と第２の改質領域の間の中間領域において第１の移動手段によって集光点の位置を順次ずらすと共に、第２の移動手段により加工対象物を相対移動させる相対移動速度を第１の走査工程の相対移動速度に対して順次速めて切断予定位置に沿ってレーザ光を照射して、中間領域において厚み方向に連続するように第３の改質領域以降を形成する第３の走査工程とを備えることを特徴とする。
【００２０】
この方法によれば、第１の走査工程により加工対象物の入射面に対して反対側の表面側に沿って第１の改質領域が形成され、第２の走査工程により入射面側に沿って第２の改質領域が形成される。さらに第３の走査工程において、第１の改質領域と第２の改質領域の間の中間領域を埋めるように連続する第３の改質領域以降が形成される。また、第３の改質領域以降は、第１の走査工程の加工対象物の相対移動速度よりも順次速められた速度でレーザ光が照射されて形成される。したがって、加工対象物の表裏面によりレーザエネルギー密度が高い状態で第１および第２の改質領域が形成され、中間領域には、レーザエネルギー密度を低下させた状態で第３の改質領域以降が形成される。ゆえに、加工対象物に外部応力を加えて切断する際に、高いレーザエネルギー密度で形成された第１または第２の改質領域を起点として切断が進行して、より容易に切断予定位置で加工対象物を切断することができる。すなわち、外部応力による切断をより容易にし、且つ高い生産性で加工対象物のスクライブが可能なレーザスクライブ方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
本発明の実施形態は、液晶表示装置を構成する液晶表示パネルを製造する工程において、液晶表示パネルが区画形成されたマザー基板を切断する工程で用いられるレーザ照射装置と、このレーザ照射装置を用いたレーザスクライブ方法を例に説明する。
【００２２】
（液晶表示パネル）
まず、液晶表示パネルについて説明する。図１は、液晶表示パネルの構造を示す概略図である。同図（ａ）は概略正面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ線で切った概略断面図である。
【００２３】
図１（ａ）および（ｂ）に示すように、液晶表示パネル１０は、ＴＦＴ（Thin  Film  Transistor）素子３を有する素子基板１と、対向電極６を有する対向基板２と、シール材４によって接着された両基板１，２の隙間に充填された液晶５とを備えている。素子基板１は対向基板２より一回り大きく額縁状に張り出した状態となっている。
【００２４】
素子基板１は、厚みおよそ１．２ｍｍの石英ガラス基板を用いており、その表面には画素を構成する画素電極（図示省略）と、３端子のうちの一つが画素電極に接続されたＴＦＴ素子３が形成されている。ＴＦＴ素子３の残りの２端子は、画素電極を囲んで互いに絶縁状態で格子状に配置されたデータ線（図示省略）と走査線（図示省略）とに接続されている。データ線は、Ｙ軸方向に引き出されて端子部１ａにおいてデータ線駆動回路部９に接続されている。走査線は、Ｘ軸方向に引き出され、左右の額縁領域に形成された２つの走査線駆動回路部１３，１３に個々に接続されている。各データ線駆動回路部９および走査線駆動回路部１３の入力側配線は、端子部１ａに沿って配列した実装端子１１にそれぞれ接続されている。端子部１ａとは反対側の額縁領域には、２つの走査線駆動回路部１３，１３を繋ぐ配線１２が設けられている。
【００２５】
対向基板２は、厚みおよそ１．０ｍｍの透明なガラス基板を用いており、共通電極としての対向電極６が設けられている。対向電極６は、対向基板２の四隅に設けられた上下導通部１４を介して素子基板１側に設けられた配線と導通しており、当該配線も端子部１ａに設けられた実装端子１１に接続されている。
【００２６】
液晶５に面する素子基板１の表面および対向基板２の表面には、それぞれ配向膜７，８が形成されている。
【００２７】
液晶表示パネル１０は、外部駆動回路と電気的に繋がる中継基板が実装端子１１に接続される。そして、外部駆動回路からの入力信号が各データ線駆動回路部９および走査線駆動回路部１３に入力されることにより、ＴＦＴ素子３が画素電極ごとにスイッチングされ、画素電極と対向電極６との間に駆動電圧が印加されて表示が行われる。
【００２８】
尚、図１には図示省略したが、液晶表示パネル１０の表裏面には、それぞれ入出射する光を偏向する偏光板が設けられる。
【００２９】
図２は、液晶表示パネルが区画形成されたマザー基板を示す概略図である。同図（ａ）は概略平面図、同図（ｂ）は、同図（ａ）のＢ−Ｂ線で切った概略断面図である。
【００３０】
図２（ａ）に示すように、１つの液晶表示パネル１０に相当する素子基板１がマザー基板としてのウェハ状の基板Ｗに複数区画形成されている。そして、図２（ｂ）に示すように、対向基板２が個々に区画形成された素子基板１と接着されている。１つの液晶表示パネル１０は、区画領域Ｄｘ，Ｄｙに沿った切断予定位置を切断して、基板Ｗから取り出される。この場合、基板Ｗは、厚み１．２ｍｍ、直径１２インチの石英ガラス基板であり、２００個分の液晶表示パネル１０が区画形成されている。
【００３１】
尚、本実施形態では、基板Ｗに個々の対向基板２を接着した形態であるが、ウェハ状の基板内に対向基板２が複数区画形成された他のマザー基板と基板Ｗとを接着し、相方のマザー基板を切断して液晶表示パネル１０を取り出すようにしてもよい。
【００３２】
（レーザ照射装置）
次に、本発明を適用したレーザ照射装置について説明する。図３は、レーザ照射装置の構成を示す概略図である。
【００３３】
図３に示すように、レーザ照射装置１００は、レーザ光を出射するレーザ光源１０１と、出射されたレーザ光を反射するダイクロイックミラー１０２と、反射したレーザ光を集光する集光手段としての集光レンズ１０３とを備えている。また、加工対象物としての基板Ｗを載置するステージ１０５と、集光レンズ１０３に対してステージ１０５をレーザ光の光軸１０１ａと略直交する平面内で相対的に移動可能な第２の移動手段としてのＸ軸スライド部１０８およびＹ軸スライド部１０６とを備えている。また、ステージ１０５に載置された基板Ｗに対して集光レンズ１０３を相対的に移動させてレーザ光の集光点の位置を基板Ｗの厚み方向で調整可能な第１の移動手段としてのＺ軸スライド機構１０４を備えている。さらには、ダイクロイックミラー１０２を挟んで集光レンズ１０３と反対側に位置する撮像装置１１０を備えている。
【００３４】
レーザ照射装置１００は、上記各構成を制御する制御部としてのメインコンピュータ１２０を備えている。メインコンピュータ１２０には、ＣＰＵや各種メモリーの他に撮像装置１１０が撮像した画像情報を処理する画像処理部１２４を有している。撮像装置１１０は、同軸落射型光源とＣＣＤ（固体撮像素子）が組み込まれたものである。同軸落射型光源から出射した可視光は、集光レンズ１０３を透過して焦点を結ぶ。
【００３５】
また、メインコンピュータ１２０には、レーザ加工の際に用いられる各種加工条件のデータを入力する入力部１２５とレーザ加工時の各種情報を表示する表示部１２６が接続されている。そして、レーザ光源１０１の出力やパルス幅、パルス周期を制御するレーザ制御部１２１と、Ｚ軸スライド機構１０４を駆動して集光レンズ１０３のＺ軸方向の位置を制御するレンズ制御部１２２とが接続されている。さらに、Ｘ軸スライド部１０８とＹ軸スライド部１０６をそれぞれレール１０７，１０９に沿って移動させるサーボモータ（図示省略）を駆動するステージ制御部１２３が接続されている。メインコンピュータ１２０は、Ｘ軸スライド部１０８とＹ軸スライド部１０６によるステージ１０５の相対移動により基板Ｗの切断予定位置に沿ってレーザ光を照射する１回の走査ごとに、レーザ光の集光点の位置が基板Ｗの厚み方向にずれるようにレンズ制御部１２２に制御信号を送ってＺ軸スライド機構１０４を制御する。また、レーザ光を照射する１回の走査ごとに基板Ｗの相対移動速度を変えるようにステージ制御部１２３に制御信号を送ってＸ軸スライド部１０８およびＹ軸スライド部１０６を制御することが可能である。
【００３６】
集光レンズ１０３をＺ軸方向に移動させるＺ軸スライド機構１０４には、移動距離を検出可能な位置センサが内蔵されており、レンズ制御部１２２は、この位置センサの出力を検出して集光レンズ１０３のＺ軸方向の位置を制御可能となっている。したがって、撮像装置１１０の同軸落射型光源から出射した可視光の焦点が基板Ｗの表面と合うように集光レンズ１０３をＺ軸方向に移動させれば、基板Ｗの厚みを計測することが可能である。
【００３７】
レーザ光源１０１は、例えばチタンサファイアを固体光源とするレーザ光をフェムト秒のパルス幅で出射するいわゆるフェムト秒レーザである。この場合、レーザ光は、波長分散特性を有しており、中心波長が８００ｎｍであり、その半値幅はおよそ１０ｎｍである。またパルス幅はおよそ３００ｆｓ（フェムト秒）、パルス周期は１ｋＨｚ、出力はおよそ７００ｍＷである。
【００３８】
集光レンズ１０３は、この場合、倍率が１００倍、開口数（ＮＡ）が０．８、ＷＤ（Working  Distance）が３ｍｍの対物レンズである。集光レンズ１０３はＺ軸スライド機構１０４から延びたスライドアーム１０４ａによって支持されている。
【００３９】
尚、本実施形態では、ステージ１０５は、Ｙ軸スライド部１０６に支持されているが、Ｘ軸スライド部１０８とＹ軸スライド部１０６との位置関係を逆転させてＸ軸スライド部１０８に支持される形態としてもよい。また、ステージ１０５をθテーブルを介してＹ軸スライド部１０６に支持することが好ましい。これによれば、基板Ｗを光軸１０１ａに対してより垂直な状態とすることが可能である。
【００４０】
図４は、集光領域の状態を示す概略断面図である。同図（ａ）はレーザ光の集光領域の端部がレーザ光の入射面と反対側の表面に掛かるように位置決めされた状態を示す概略断面図、同図（ｂ）はレーザ光の集光領域が入射面に徐々に近づいた状態を示す概略断面図である。
【００４１】
図４（ａ）に示すように、集光レンズ１０３により集光されたレーザ光１１３は、波長分散特性を有しているため、屈折率がおよそ１．４６の基板Ｗに入射すると、短波長側のレーザ光１１４から長波長側のレーザ光１１５までその集光点が光軸１０１ａ上でずれた集光領域１１６に集光される。集光領域１１６は、いわゆる軸上色収差を有している。この場合、集光領域１１６の長波長側のレーザ光１１５の集光点が表面Ｗｂに近接しているので、短波長側のレーザ光１１４と長波長側のレーザ光１１５との光路差が最も大きくなっている。すなわち、基板Ｗの厚み方向における集光領域の幅が最大となっている。
【００４２】
図４（ｂ）に示すように、集光領域の位置を入射面Ｗａ側に近づくように、Ｚ軸スライド機構１０４を駆動して集光レンズ１０３をＺ軸方向に移動させてゆくと、短波長側のレーザ光１１４と長波長側のレーザ光１１５との光路差が次第に小さくなってゆく。したがって、基板Ｗの厚み方向における集光領域の幅が集光領域１１７から集光領域１１８へと徐々に小さくなるように変化する。
【００４３】
尚、レーザ光源１０１として波長分散特性が小さい、すなわち半値幅が非常に狭く、且つ集光レンズ１０３の色収差が小さいあるいは補正されたものを用いれば、集光点の位置によって集光領域の幅が変化する変化量を抑えることは可能である。
【００４４】
ここで多光子吸収による改質領域の形成について説明する。加工対象物が透明な材料であっても、材料の吸収のバンドギャップＥｇよりも光子のエネルギーｈνが非常に大きいと吸収が生じる。これを多光子吸収と言い、レーザ光のパルス幅を極めて短くして、多光子吸収を加工対象物の内部に起こさせると、多光子吸収のエネルギーが熱エネルギーに転化せずに、イオン価数変化、結晶化または分極配向等の永続的な構造変化が誘起されて屈折率変化領域が形成される。本実施形態では、この屈折率変化領域を改質領域と呼ぶ。
【００４５】
次に具体的な集光点の位置の調整方法について説明する。図５は、レーザ光の集光点の位置を算出する方法を示す概略断面図である。同図（ａ）は集光点が基板の入射面に結んだ状態を示し、同図（ｂ）は集光レンズを基板に近づけたときの集光点の位置を示すものである。
【００４６】
図５（ａ）に示すように、集光点が基板Ｗの入射面Ｗａに結んだときのレーザ光１１３と光軸１０１ａとの角度θは、集光レンズ１０３の開口数（ＮＡ）によって求められる。すなわち、ＮＡ＝ｎ×ｓｉｎθの関係式によって、この場合、ＮＡ＝０．８、ｎ＝１（空気中の屈折率）であるので、θ＝５３．１３°となる。
【００４７】
図５（ｂ）に示すように、集光レンズ１０３を基板Ｗに、移動距離ΔＬ近づけたときの集光点における屈折したレーザ光１１３と光軸１０１ａとの角度θ´は、基板Ｗの屈折率をｎ´とすると、ｎ×ｓｉｎθ＝ｎ´×ｓｉｎθ´の関係式から、ｎ´＝１．４６とするとθ´＝３３．２３°となる。よって、集光点の位置（入射面Ｗａからの距離）Ｘは、ｔａｎθ´＝Ｒ／Ｘであることから、Ｘ＝Ｒ／ｔａｎθ´となる。Ｒ＝ΔＬ×ｔａｎθであるため、置き換えるとＸ＝ΔＬ×ｔａｎθ／ｔａｎθ´≒ΔＬ×２．０３となる。尚、Ｒは、レーザ光１１３の入射面Ｗａにおけるスポットの半径である。
【００４８】
図６は、レーザ光の集光点の位置調整方法を示すグラフである。同図（ａ）は、集光レンズの移動距離と基板の内部の集光点の位置との関係を示し、同図（ｂ）は、基板の内部の集光点の位置と改質領域の幅との関係を示すものである。
【００４９】
図６（ａ）において、Ｘ座標は、基板Ｗの入射面Ｗａにレーザ光１１３の集光点が位置するときの集光レンズ１０３の位置を「０」とし、集光レンズ１０３を基板Ｗに近づくようにＺ軸方向に移動させた距離である。Ｙ座標は、基板Ｗの内部の集光点の位置（入射面Ｗａからの距離）である。図６（ａ）は前述の関係式（Ｘ＝ΔＬ×ｔａｎθ／ｔａｎθ´）を具体的にグラフとしたものである。図６（ａ）に示すように、集光レンズ１０３の移動距離ΔＬと基板Ｗの内部の集光点の位置Ｘとの関係は、傾きがほぼ２の直線Ｆとなっている。したがって、基板Ｗに入射したレーザ光１１３の集光点の位置Ｘは、集光レンズ１０３の移動距離ΔＬのほぼ２倍となっている。よって、メインコンピュータ１２０は、集光点を所望の位置Ｘに設定する場合、基板Ｗの入射面Ｗａからほぼ位置Ｘの半分の距離離れた位置に集光レンズ１０３が配置されるように、レンズ制御部１２２に制御信号を送りＺ軸スライド機構１０４を制御して集光レンズ１０３を移動させる。
【００５０】
実際には、図４（ｂ）に示したように、基板Ｗに入射したレーザ光１１３は、波長分散特性により軸上色収差を有する。よって、レーザ光１１３の集光点の位置を表面Ｗｂの近傍から入射面Ｗａの近傍までＺ軸スライド機構１０４によって集光レンズ１０３を移動させた場合、集光領域１１６から集光領域１１８まで厚み方向の幅が変化する。これに対応した改質領域の厚み方向の幅は、あらかじめ試験することによって求めることができる。この場合、図６（ｂ）の直線Ｄが示すように、改質領域の幅はおよそ３００μｍから５０μｍに変化する。したがって、基板Ｗの厚み方向に改質領域が連続するように形成するための集光点の位置の設定方法を次のように求める。まず、集光点の位置は、集光領域の中心として定義する。次に基板Ｗの厚みが１．２ｍｍ（１２００μｍ）であるため、集光領域１１８の端部が入射面Ｗａに掛かる位置ＸｎａをＸ座標で０ｍｍとする幅５０μｍの直線Ｃｎと、集光領域１１６の端部が表面Ｗｂに掛かる位置Ｘ１ｂをＸ座標で１．２ｍｍとする幅３００μｍの直線Ｃ１とを直線Ｄに対して与える。直線Ｃ１の一方の位置Ｘ１ａと直線Ｃｎの一方の位置Ｘｎａとを結ぶ直線Ｄａを求める。同様に直線Ｃ１の他方の位置Ｘ１ｂと直線Ｃｎの他方の位置Ｘｎｂとを結ぶ直線Ｄｂを求める。これにより、直線Ｃ１にＸ座標に沿って連続させるための位置Ｘ２ａから位置Ｘ２ｂまでの幅を有する直線Ｃ２を求めることができる。同様にして、直線Ｃ２にＸ座標に沿って連続させるための位置Ｘ３ａから位置Ｘ３ｂまでの幅を有する直線Ｃ３を求めることができる。したがって、直線Ｃ１と直線Ｄとの交点すなわち集光点の位置を位置Ｘ１とすれば、直線Ｃ２と直線Ｄとの交点すなわち幅３００μｍの改質領域に連続させる次の改質領域を形成するための集光点の位置Ｘ２が求められる。これを繰り返せば、順次ずらしてゆく集光点の位置Ｘ３〜Ｘｎが求められる。当然ながら、直線Ｃｎを起点に集光点の位置を求めてもよい。
【００５１】
これらの集光点の位置を調整するためのデータは、メインコンピュータ１２０の入力部１２５から入力され、記憶部に記憶される。
【００５２】
尚、実際には、基板Ｗの厚みのバラツキや集光レンズ１０３をＺ軸方向に移動させるＺ軸スライド機構１０４の動作精度等を考慮して、直線Ｃ１〜Ｃｎが互いに一部重複するように設定することが好ましい。このようにすれば、基板Ｗの厚み方向により確実に改質領域を連続して形成することが可能となる。本実施形態のレーザ照射装置１００は、厚み１．２ｍｍの基板Ｗに対して改質領域を形成するためにレーザ光１１３を照射する走査を１０回行うように設定している。
【００５３】
レーザ光１１３を出射するレーザ光源１０１の出力を一定とすれば、集光点が入射面Ｗａに近づくほど集光領域におけるレーザエネルギー密度が上昇することになる。改質領域を形成するには、所定のレーザエネルギーを与えるようにレーザ光１１３を照射すればよい。したがって、集光領域の幅が小さくなるほど基板Ｗの相対移動速度を速めても改質領域を形成することが可能である。
【００５４】
本実施形態のレーザ照射装置１００において、制御部としてのメインコンピュータ１２０は、レーザ光１１３の集光点の位置が入射面Ｗａに対して反対側の表面Ｗｂの近傍から入射面Ｗａの近傍まで厚み方向に順次ずれるようにＺ軸スライド機構１０４を制御する。そして、同時に切断予定位置に沿ってレーザ光１１３を照射する１回の走査ごとに基板Ｗの相対移動速度を徐々に速めるようにＸ軸スライド部１０８とＹ軸スライド部１０６を制御する。また、１回の走査ごとに形成される改質領域が厚み方向に連続するように、Ｚ軸スライド機構１０４を制御してレーザ光１１３の集光点の位置を順次ずらす。これによりレーザ光１１３を照射するレーザ加工の時間をより短縮して、高い生産性で基板Ｗのスクライブを可能としている。
【００５５】
（レーザスクライブ方法）
次に本発明を適用したレーザスクライブ方法について説明する。図７は、レーザスクライブ方法を示すフローチャートである。
【００５６】
図７に示すように、本実施形態のレーザスクライブ方法は、レーザ照射装置１００を用い、集光レンズ１０３とステージ１０５に載置された基板Ｗとを相対的に位置決めする位置決め工程（ステップＳ１）と、Ｚ軸スライド機構１０４によりレーザ光１１３の集光点の位置を調整する調整工程（ステップＳ３）とを備えている。また、Ｘ軸スライド部１０８およびＹ軸スライド部１０６により基板Ｗを相対移動させながら切断予定位置に沿ってレーザ光１１３を照射して第１の改質領域を形成する第１の走査工程としての１次レーザスキャン工程（ステップＳ４）を備えている。さらに、Ｚ軸スライド機構１０４によって集光点の位置を基板Ｗの入射面Ｗａ側に順次ずらすと共に、Ｘ軸スライド部１０８およびＹ軸スライド部１０６により基板Ｗを相対移動させる速度を順次速めて切断予定位置に沿ってレーザ光１１３を照射して、第１の改質領域に厚み方向に連続するように第２の改質領域以降を形成する第２の走査工程としての２次レーザスキャン工程（ステップＳ５）を備えている。
【００５７】
図７のステップＳ１は、基板Ｗの位置決め工程である。ステップＳ１では、図２に示した基板Ｗを対向基板２側がステージ１０５の表面に接するように載置する。そして、区画領域ＤｘがＸ軸方向に平行となるように基板Ｗを位置決めする。また、ステージ制御部１２３は、レーザ光１１３の光軸１０１ａが基板Ｗの任意の区画領域Ｄｘ，Ｄｙの切断予定位置の線上に位置するように、サーボモータを駆動しＸ軸スライド部１０８およびＹ軸スライド部１０６を移動させる。この場合、ウェハ状の基板Ｗには、位置決め用のアライメントマークが形成されており、撮像装置１１０によってこのアライメントマークを認識し、画像処理部１２４に取り込んだ画像データに基づいて座標を演算することにより、基板Ｗを位置決めする。そして、ステップＳ２へ進む。
【００５８】
図７のステップＳ２は、基板Ｗの厚みを計測する工程である。ステップＳ２では、オペレータは、メインコンピュータ１２０を操作して、基板Ｗの厚み測定を実施する。撮像装置１１０が捉えた映像を表示部１２６に表示させ、基板Ｗのレーザ光１１３の入射面Ｗａ（図４参照）と、もう一方の反対側の表面Ｗｂ（図４参照）とに撮像装置１１０から出射される可視光の焦点を合わせる動作を行わせることにより、メインコンピュータ１２０は、Ｚ軸スライド機構１０４の位置センサの出力から基板Ｗの厚みを演算する。演算結果は、メインコンピュータ１２０の記憶部にＺ軸方向の座標として記憶される。そして、ステップＳ３に進む。
【００５９】
図７のステップＳ３は、レーザ光１１３の集光点の位置を調整する調整工程である。ステップＳ３では、撮像装置１１０が捉えた可視光の焦点と集光領域１１６とのＺ軸方向の位置関係をあらかじめレーザ照射する予備試験の結果から求めておき、データとして入力しておく。このデータとステップＳ２で求められた基板Ｗの厚みデータ（Ｚ軸方向の座標）とに基づいて、ステップＳ３では、図４（ａ）に示すように、レンズ制御部１２２は、Ｚ軸スライド機構１０４を駆動して集光領域１１６の端部が基板Ｗのレーザ光１１３の入射面Ｗａに対して反対側の表面Ｗｂに掛かるように集光レンズ１０３をＺ軸方向に移動させる。より具体的には、図６（ｂ）に示す位置Ｘ１にレーザ光１１３の集光点が位置するように、集光レンズ１０３をＺ軸スライド機構１０４を制御して移動させる。そして、ステップＳ４へ進む。
【００６０】
図７のステップＳ４は、１次レーザスキャン工程である。図８は、改質領域が形成された状態を示す概略断面図である。ステップＳ４では、図８（ａ）に示すように集光レンズ１０３に対して基板Ｗを相対移動させながら切断予定位置に沿ってレーザ光１１３を照射して第１の改質領域２１を形成する。この場合、図２に示すように基板Ｗには複数（２００個）の液晶表示パネル１０が区画形成されており、区画領域Ｄｘに対応してＸ軸方向に基板Ｗを横断するレーザスキャンを１９回行う。また、続いて区画領域Ｄｙに対応してＹ軸方向に基板Ｗを横断するレーザスキャンを１５回行う。当然、液晶表示パネル１０の基板Ｗにおける区画配置に対応して所定のピッチでＸ軸またはＹ軸方向にずらしながら各レーザスキャンを行う。切断予定位置は、あらかじめデータとして入力されているので、メインコンピュータ１２０は、このデータに基づいた制御信号をステージ制御部１２３に送る。ステージ制御部１２３は、制御信号に基づいてＸ軸スライド部１０８とＹ軸スライド部１０６とを移動させることにより、基板Ｗを集光レンズ１０３に対して相対移動させる。この場合、レーザ光１１３の照射に対応して基板Ｗを移動させる速度すなわちレーザースキャン速度は、およそ２０ｍｍ／秒である。したがって、Ｘ軸方向へ１９回およびＹ軸方向へ１５回のレーザスキャンに要する時間は、基板Ｗのウェハサイズが１２インチ（３００ｍｍ）のため、およそ９分である。この場合の集光領域１１６におけるピークパワー密度は、８×１０12Ｗ／ｃｍ2である。このようにして基板Ｗがレーザ光１１３を多光子吸収して形成された第１の改質領域２１の幅は、およそ３００μｍである。そして、ステップＳ５へ進む。
【００６１】
図７のステップＳ５は、２次レーザスキャン工程である。ステップＳ５では、先のステップＳ４と同様にして、メインコンピュータ１２０は、ステージ制御部１２３を制御してＸ軸スライド部１０８およびＹ軸スライド部１０６を駆動し区画領域Ｄｘ，Ｄｙの切断予定位置に対応してＸ軸方向へ１９回、Ｙ軸方向へ１５回のレーザスキャンを行う。また、これらのレーザスキャンに同期してＺ軸スライド機構１０４により集光レンズ１０３をＺ軸方向に移動させレーザ光１１３の集光点の位置を入射面Ｗａ側にずらす。この場合のレーザスキャン速度は、集光領域の幅の変化に対応して２６ｍｍ／秒に速めている。したがって、このレーザスキャンに要する時間は、およそ７分である。これにより、図８（ｂ）に示すように、第１の改質領域２１に厚み方向に連続した第２の改質領域２２が形成される。
【００６２】
以降、図８（ｃ）に示すように、Ｚ軸スライド機構１０４によりレーザ光１１３の集光点の位置を入射面Ｗａ側に順次ずらすと共に、上記のようなレーザスキャンを８回繰り返して最後に幅およそ５０μｍの第１０の改質領域３０を形成する。この間、レーザスキャン速度は、１次レーザスキャン工程に比べて徐々に上昇させ、最後は１２０ｍｍ／秒に達する。改質領域を厚み方向に連続して形成するレーザ光１１３の照射時間は、延べおよそ３８分である。そして、ステップＳ６へ進む。
【００６３】
図７のステップＳ６は、基板Ｗを切断予定位置で切断するブレイク工程である。図９は、ブレイク方法を示す概略断面図である。同図（ａ）は外部応力の与え方を示す断面図、同図（ｂ）はブレイク後の断面図である。ステップＳ６では、例えば図９（ａ）に示すように、ステップＳ４およびステップＳ５によって、基板Ｗの厚み方向に連続して形成された改質領域Ｒｃに対して、ＣまたはＤ方向に外部応力を加える。これにより基板Ｗは、図９（ｂ）に示すように、改質領域Ｒｃで分断される。改質領域Ｒｃは、厚み方向に連続して形成されているため、破断面に外形不良が発生することを低減することができる。また、改質領域Ｒｃの幅（Ｚ軸方向に直交する方向の幅）は、およそ１０〜２０μｍである。したがって、高い精度で切断が可能である。
【００６４】
仮に２０ｍｍ／秒の一定速度で基板Ｗを相対移動させた場合は、レーザ光１１３の照射時間は、およそ８５分を要する。よって、このようなレーザスクライブ方法は、レーザスキャン速度を徐々に速めることにより、レーザ光１１３の照射時間をおよそ４７分短縮している。
【００６５】
上記実施形態の効果は、以下の通りである。
（１）上記実施形態のレーザ照射装置１００およびレーザスクライブ方法において、メインコンピュータ１２０は、１次レーザスキャン工程と２次レーザスキャン工程において、レーザ光１１３の集光点の位置が入射面Ｗａに対して反対側の表面Ｗｂの近傍から入射面Ｗａの近傍まで厚み方向に順次ずれるようにＺ軸スライド機構１０４を制御する。そして、レーザ光１１３を照射する１回の走査ごとに基板Ｗの相対移動速度を徐々に速めるようにＸ軸スライド部１０８とＹ軸スライド部１０６を制御する。また、厚み方向に連続した改質領域Ｒｃが形成されるように、１回の走査ごとにＺ軸スライド機構１０４を制御してレーザ光１１３の集光点の位置を順次ずらす。したがって、一定の速度で基板Ｗを相対移動させてレーザ光１１３を照射する場合に比べて、レーザ光１１３の照射時間をより短縮して、高い生産性で基板Ｗのスクライブを可能なレーザ照射装置１００およびレーザスクライブ方法を提供することができる。
【００６６】
（２）上記実施形態のレーザ照射装置１００およびレーザスクライブ方法において、切断予定位置に沿ってレーザ光１１３を照射する走査によって形成された改質領域Ｒｃは、厚み方向に連続して形成されているので、ブレイク工程で外部応力を加えて切断された基板Ｗの破断面に外形不良が発生することを低減して高い精度で切断を行うことができる。
【００６７】
（３）上記実施形態のレーザ照射装置１００およびレーザスクライブ方法において、各集光点におけるレーザ光１１３の集光領域の厚み方向の幅に比して基板Ｗの相対移動速度すなわちレーザスキャン速度を速めている。したがって、ほぼ一定したレーザエネルギーを与えるようにレーザ光１１３が照射され、厚み方向に連続した改質領域をほぼ均質な状態で形成することができる。
【００６８】
上記実施形態以外の変形例は、以下の通りである。
（変形例１）上記実施形態のレーザ照射装置１００において、基板Ｗを相対移動させる構成は、これに限定されない。例えば、ステージ１０５をＺ軸方向に移動させる移動手段と、レーザ光源１０１とダイクロイックミラー１０２および集光レンズ１０３を一体としてＸ軸、Ｙ軸方向に移動させる移動手段とを備えたものでもよい。
【００６９】
（変形例２）上記実施形態のレーザ照射装置１００において、レーザ光源１０１は、固体光源としてチタンサファイアを用いたフェムト秒レーザとしたが、これに限定されない。例えば、加工対象物が半導体ウェハのようにシリコン等からなる基板ならばＹＡＧレーザを用いることもできる。
【００７０】
（変形例３）上記実施形態のレーザスクライブ方法において、レーザ加工の順番および方法は、これに限定されない。例えば、調整工程においてレーザ光１１３の集光点の位置を入射面Ｗａの近傍に位置するように調整して第１の改質領域を形成し、これに続くように集光点の位置を入射面Ｗａに対して反対側のＷｂに近づけてゆくように順次ずらしてレーザ光１１３を照射してもよい。また、ほぼ基板Ｗの厚みの半分程度まで改質領域を形成した後に、基板Ｗを反転してステージ１０５に載置し、再び集光点の位置を順次ずらすと共に切断予定位置に沿ってレーザ光１１３を照射する走査を行ってもよい。これによれば、基板Ｗを反転させる時間が増えてしまうが、基板Ｗの厚みのほぼ半分程度まで改質領域を形成するのに必要な走査回数は、少なくとも３回でよいので、途中で基板Ｗを反転させることにより、レーザ光１１３の照射時間をさらに削減することが可能である。
【００７１】
（変形例４）上記実施形態のレーザスクライブ方法において、基板Ｗの相対移動速度を変えてレーザ光１１３を照射する方法は、これに限定されない。例えば、第１の調整工程で表面Ｗｂの近傍に集光点が位置するように集光レンズ１０３の位置を調整する。そして、第１の走査工程で一定の速度で基板Ｗを相対移動させてレーザ光１１３を照射することにより第１の改質領域を形成する。同様に第２の調整工程で入射面Ｗａの近傍に集光点が位置するように集光レンズ１０３の位置を調整する。そして、第２の走査工程で一定の速度で基板Ｗを相対移動させてレーザ光１１３を照射することにより第２の改質領域を形成する。次に第３の走査工程で、第１の改質領域と第２の改質領域の間の中間領域において、集光点の位置を順次ずらし基板Ｗの相対移動速度を第１の走査工程の相対移動速度よりも順次速めてレーザ光１１３を照射して、厚み方向に連続するように第３の改質領域以降を形成する走査を行う。これによれば、基板Ｗの表裏面の近傍に、よりレーザエネルギー密度が高い状態で形成された第１および第２の改質領域を配することにより、ブレイク工程で外部応力を加えた場合に、第１または第２の改質領域を起点として切断し易くすることが可能である。
【００７２】
（変形例５）上記実施形態のレーザスクライブ方法において、加工対象物は石英ガラスからなる基板Ｗに限定されない。レーザ光に対して透明な加工対象物であれば本発明のレーザスクライブ方法を適用することが可能であり、例えば、低アルカリガラスやソーダガラス、あるいはシリコン等からなる半導体ウェハのスクライブにも用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】液晶表示パネルの構造を示す概略図。
【図２】液晶表示パネルが区画形成されたマザー基板を示す概略図。
【図３】レーザ照射装置の構成を示す概略図。
【図４】集光領域の状態を示す概略断面図。
【図５】レーザ光の集光点の位置を算出する方法を示す概略断面図。
【図６】レーザ光の集光点の位置調整方法を示すグラフ。
【図７】レーザスクライブ方法を示すフローチャート。
【図８】（ａ）〜（ｃ）は、改質領域が形成された状態を示す概略断面図。
【図９】ブレイク方法を示す概略断面図。
【符号の説明】
【００７４】
２１…第１の改質領域、２２…第２の改質領域、１００…レーザ照射装置、１０１…レーザ光源、１０１ａ…光軸、１０３…集光手段としての集光レンズ、１０４…第１の移動手段としてのＺ軸スライド機構、１０６…第２の移動手段としてのＹ軸スライド部、１０８…第２の移動手段としてのＸ軸スライド部、１１３…レーザ光、１１６，１１７，１１８…集光領域、Ｗ…加工対象物としての基板、Ｗａ…レーザ光の入射面、Ｗｂ…入射面に対して反対側の表面。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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