(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
側傍に光を放出するように側面にＬＥＤ窓が設けられた側面型ＬＥＤにおいて、
端子となる一対のリードフレームと、
前記リードフレームの一面に付着して前記リードフレームと電気的に連結されたＬＥＤチップと、
前記リードフレームを封止しながら前記ＬＥＤチップの周りに前記ＬＥＤ窓となる凹部が形成された、樹脂製のパッケージ本体と、
前記凹部の壁面に沿って連続して一体で形成された高反射率の金属層と、
前記高反射率の金属層と前記壁面との間に介在された、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、およびＡｌ２Ｏ３の少なくとも一種から成る絶縁体の中間層と、
前記高反射率の金属層上に形成された、絶縁体の保護膜と、
前記ＬＥＤチップを封止するように前記凹部に満たされて前記ＬＥＤ窓を形成する、樹脂製の透明封止部と、
前記リードフレームを前記高反射率の金属層から絶縁させるように前記リードフレームの一面の予め決められた領域に形成された絶縁層と、
を含む側面型ＬＥＤ。
【請求項２】
前記絶縁層は、前記リードフレームと前記金属層との間の連結領域に形成される請求項１に記載の側面型ＬＥＤ。
【請求項３】
前記絶縁層は、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、およびＡｌ２Ｏ３の少なくとも一種から成る請求項１または２に記載の側面型ＬＥＤ。
【請求項４】
前記絶縁層は、蒸着物である請求項３に記載の側面型ＬＥＤ。
【請求項５】
前記高反射率の金属層は、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｄ、およびこれらの合金の少なくとも一種から成る請求項１から４のいずれかに記載の側面型ＬＥＤ。
【請求項６】
前記高反射率の金属層は、蒸着物である請求項５に記載の側面型ＬＥＤ。
【請求項７】
前記中間層は、蒸着物である請求項１に記載の側面型ＬＥＤ。
【請求項８】
前記保護膜は、透明な絶縁体であることを特徴とする請求項１に記載の側面型ＬＥＤ。
【請求項９】
前記保護膜は、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、およびＡｌ２Ｏ３の少なくとも一種から成ることを特徴とする請求項８に記載の側面型ＬＥＤ。
【請求項１０】
前記保護膜は、蒸着物であることを特徴とする請求項８または９に記載の側面型ＬＥＤ。
【請求項１１】
前記パッケージ本体は、透明樹脂から成ることを特徴とする請求項１から１０のいずれかに記載の側面型ＬＥＤ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願は、側傍に光を放出するように側面にＬＥＤ窓が設けられた側面型発光ダイオードに関するものであり、さらに具体的には、光効率と放熱効率を向上させるように改善した側壁反射構造を有する側面型発光ダイオードに関する。
【背景技術】
【０００２】
モニタ、携帯電話およびＰＤＡ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｄｉｇｉｔａｌ Ａｓｓｉｓｔａｎｔ）などに装着された液晶表示装置（ＬＣＤ）は、装置自体に照明がないので外部照明を必要とし、一般的にバックライト装置を照明装置として使用する。バックライト装置は、ＬＣＤを後方から照明し、ＣＣＦＬ（Ｃｏｌｄ ＣａｔｈｏｄｅＦｌｕｏｒｅｓｃｅｎｔ Ｌａｍｐ）、発光ダイオード（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ：ＬＥＤ）などを光源とする。
【０００３】
一方、携帯電話およびＰＤＡなどの小型ＬＣＤに装着されるバックライト装置は、側面型ＬＥＤを光源として使用する。このような側面型ＬＥＤは、側傍に光を放出するように側面にＬＥＤ窓が形成されており、通常、図１に示しているようにバックライト装置に装着される。
【０００４】
図１を参照すると、バックライト装置５０は、基板５２上に平坦な導光板５４が配され、この導光板５４の側面には、複数の側面型ＬＥＤ１（一つのみ図示）がアレイ形態で配される。側面型ＬＥＤ１から導光板５４に入射した光（Ｌ）は、導光板５４の底面に提供された微細なドットパターンで反射シート５６により上部へ反射されて導光板５４から出射した後、導光板５４の上部の液晶パネル５８にバックライトを提供するようになる。
【０００５】
図２は、図１に示しているような従来技術の側面型ＬＥＤ１の一例を示す正面図であり、図３は、図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿って切断した断面図である。
【０００６】
図２および図３を参照すると、側面型ＬＥＤ１は、パッケージ本体１０、このパッケージ内に配された一対のリードフレーム２０および２２、並びにリードフレーム２０に装着されたＬＥＤチップ３０を含む。
【０００７】
パッケージ本体１０は、通常高反射率の樹脂を成形して成るもので、リードフレーム２０および２２を中心に前半部１０ａと後半部１０ｂとに区分することができる。前半部１０ａには、凹部１２と、その周りの壁１４とが形成されている。凹部１２は、底が平たく、前方、即ち図３の上部方向に広がって全体的に底が平たい（切れた）Ｖ字またはＵ字の形状を有する。これはＬＥＤチップ３０から発生した光を図３の矢印（Ａ）方向に案内するためである。このような凹部１２形状によって、壁１４は、矢印（Ａ）方向に行くほど厚さが薄くなり、壁１４の内面１６は、斜面で形成される。
【０００８】
また、凹部１２の内部には、透明封止部４０が満たされ、ＬＥＤチップ３０を外部から密封する。一方、透明封止部４０には、ＬＥＤチップ３０から発生する光または紫外線を、例えば白色光に変換させる蛍光物質などが含有されてもよい。
【０００９】
一方、ＬＥＤチップ３０は、ワイヤ（Ｗ）によって、リードフレーム２０および２２に電気的に連結され、リードフレーム２０および２２は、一部がパッケージ本体１０の外に延長されて外部端子を形成する。
【００１０】
かかる従来技術の側面型ＬＥＤ１は、下記のような短所を有する。
【００１１】
先ず、パッケージ本体１０を構成する物質は、略７５％の反射率を有する。即ち、ＬＥＤチップ３０から発生した光が壁１４の内面１６で反射した場合、相当量吸収され、一部は壁１４を透過したりもする。これは側面型ＬＥＤ１から前方、即ち、矢印（Ａ）方向に照射される光の量を減少させるので、好ましくない。
【００１２】
それとともに、壁１４の内面１６で吸収されたり、壁１４を透過する間に吸収されたりする光は、壁１４の内部で熱に変換されて壁１４の温度を増加させる。このように光が熱に変換されるのは、壁１４の内面１６で、特に集中的に起こって内面１６とその周辺領域、即ち壁１４と透明封止部４０の温度を上げる。こうなると、壁１４と特に透明封止部４０などに有害な影響を与えるようになって、好ましくない。
【００１３】
かかる従来技術の側面型ＬＥＤの問題点を克服するための方案として、図４乃至図６に示した形態の側面型ＬＥＤが提案された。これらの図面において、図４は、従来技術による側面型ＬＥＤ１の他の例を示す正面図であり、図５は、図４のＶ−Ｖ線に沿って切断した断面図であり、図６は、図５の分解図である。
【００１４】
図４乃至図６に示すように、側面型ＬＥＤ１の凹部１２の周り、即ち、側壁１４の内面に一対の反射部材１８ａ、１８ｂを設ける。これらの反射部材１８ａ、１８ｂは、薄い板金形態の高反射率金属で形成する。このように、反射部材１８ａ、１８ｂを設けると、ＬＥＤチップ３０から発生した光を矢印（Ａ）方向に沿って前方に反射することができるので、側面型ＬＥＤ１の光効率を向上させることができる。また、壁１４の内面で光が吸収されないので、放熱効果も期待できる。
【００１５】
しかしながら、このような反射構造は、次のような短所がある。反射部材１８ａ、１８ｂは、薄い板金で形成するので、狭い凹部１２の中に設置し難い。また、反射部材１８ａ、１８ｂを壁１４の内面に結合するためには、図６の矢印（Ｂ）方向に反射部材１８ａ、１８ｂを移動させ、接着および／または圧着を行わなければならないが、このような作業は、壁１４のみならず、ＬＥＤチップ３０、ワイヤ（Ｗ）、さらには反射部材１８ａ、１８ｂ自体にも損傷を与える恐れがある。
【００１６】
さらに、反射部材１８ａ、１８ｂは、リードフレーム２０および２２と直接接触するので一つで形成することができない。即ち、反射部材１８ａ、１８ｂを予め定められた間隔（Ｇ）に互いに離すべきである。これは部品数を増加させて作業を複雑にさせる。また、間隔（Ｇ）において光の吸収が起こるので、反射効率が低下され得る。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
したがって、本願に係る側面型ＬＥＤは、前述した従来技術の問題を解決するために案出されたものであって、本願の目的は、側傍に光を放出するように側面にＬＥＤ窓が形成された側面型ＬＥＤで、リードフレームが短絡することなく、光効率と放熱効率が向上できるように改善した側壁反射構造を有する側面型ＬＥＤを提供することである。
【００１８】
本願の他の目的は、側壁内面に優れた反射率を有する金属を蒸着して形成した反射構造を具備することにより、優れた反射性能と放熱効果を有する側面型ＬＥＤを提供することである。
【００１９】
本願のさらに他の目的は、側壁内面に優れた反射率を有する金属を蒸着して形成した反射構造を具備することにより、従来技術の物理的な反射構造圧入による側壁、ＬＥＤチップなどの損傷を防止することのできる側面型ＬＥＤを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
前述した本願の目的を達成するために、本願は、側傍に光を放出するように側面にＬＥＤ窓が形成された側面型ＬＥＤを提供し、本願に係る側面型ＬＥＤは、端子となる一対のリードフレームと、上記リードフレームの一面に付着されて上記リードフレームと電気的に連結されたＬＥＤチップと、上記リードフレームを封止しながら上記ＬＥＤチップの回りに上記ＬＥＤ窓となる凹部が形成されたパッケージ本体と、上記凹部の壁面に沿って連続して一体で形成された高反射率の金属層と、高反射率の金属層と前記壁面との間に介在された中間層と、上記ＬＥＤチップを封止するように上記凹部に満たされて上記ＬＥＤ窓を形成する透明封止部と、上記リードフレームを上記高反射率の金属層から絶縁させるように上記リードフレームの一面の予め決められた領域に形成された絶縁層とを含む。
【００２１】
本願に係る側面型ＬＥＤにおいて、上記絶縁層は、上記リードフレームと上記金属層との間の連結領域に形成されると好ましい。
【００２２】
本願に係る側面型ＬＥＤにおいて、上記絶縁層は、ＳｉＯ２、ＳｉＮおよびＡｌ２Ｏ３の少なくとも一種から成ると好ましい。この場合、上記絶縁層は、蒸着物であると好ましい。
【００２３】
本願に係る側面型ＬＥＤにおいて、上記高反射率の金属層は、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｄおよびこれらの合金の少なくとも一種から成ると好ましい。この場合、上記高反射率の金属層は、蒸着物であると好ましい。
【００２４】
また、本願に係る側面型ＬＥＤは、上記高反射率の金属層と上記壁面との間に介在された中間層をさらに含むことができる。この場合、上記中間層は、ＳｉＯ２、ＳｉＮおよびＡｌ２Ｏ３の少なくとも一種から成ると好ましく、上記中間層は、蒸着物であるとさらに好ましい。
【００２５】
一方、本願に係る側面型ＬＥＤは、上記高反射率の金属層上に形成された保護膜をさらに含むことができる。この場合、上記保護膜は、透明な絶縁体であると好ましく、ＳｉＯ２、ＳｉＮおよびＡｌ２Ｏ３の少なくとも一種から成るとさらに好ましく、蒸着物であるとさらにまた好ましい。
【００２６】
また、本願に係る側面型ＬＥＤにおいて、上記パッケージ本体は、透明樹脂および／または不透明樹脂から成ると好ましい。
【発明の効果】
【００２７】
絶縁層を設けたので、リードフレームが短絡することなく、側壁の内面に、優れた反射性能を有する反射層を配することができる。これにより、ＬＥＤの光効率を向上させることができる。また、反射層は、優れた放熱効果も有するので、ＬＥＤの放熱能力も改善することができる。さらに、蒸着によって反射層を形成するので、板金を狭い凹部に押し込むことによる側壁、ＬＥＤチップなどの損傷を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、本発明の好ましい実施形態を添付の図面を参照してより詳しく説明する。
【００２９】
先ず、図７および図８を参照して、第１実施形態による側壁反射構造を有する側面型ＬＥＤ１００を説明する。これらの図面において、図７は、第１実施形態による側面型ＬＥＤ１００の正面図であり、図８は、図７のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に沿って切断した断面図である。
【００３０】
図７および図８に示すように、第１実施形態による側面型ＬＥＤ１００は、側傍に光を放出するように側面にＬＥＤ窓が形成されており、図１で前述したようにバックライト装置に装着する。
【００３１】
側面型ＬＥＤ１００は、端子となる一対のリードフレーム１２０および１２２、リードフレーム１２０の一面に付着されてリードフレーム１２０および１２２と電気的に連結したＬＥＤチップ１０２、リードフレーム１２０および１２２を封止しながらＬＥＤチップ１０２の周りに前述したＬＥＤ窓となる凹部１１２が形成されたパッケージ本体１１０、凹部１１２の周りの側壁１１４の内面に一体で形成された高反射率を有する反射層１２６、ＬＥＤチップ１０２を封止するように凹部１１２に満たされて前述したＬＥＤ窓を形成する透明封止部１４０、並びにリードフレーム１２０および１２２を反射層１２６から絶縁させるようにリードフレーム１２０および１２２の一面の予め決まった領域に形成された絶縁層１２４を含む。
【００３２】
リードフレーム１２０に付着されたＬＥＤチップ１０２は、ワイヤ１０４によってリードフレーム１２０および１２２と電気的に連結され、ワイヤ１０４は、ソルダー１０６によってＬＥＤチップ１０２、並びにリードフレーム１２０および１２２に結合される。
【００３３】
一方、絶縁層１２４は、ＬＥＤチップ１０２の安着とソルダー１０６の形成とができるように、リードフレーム１２０および１２２の一面に予め決まった領域に形成される。即ち、ＬＥＤチップ１０２の安着する領域には、絶縁層１２４が形成せず、図７のように、ソルダー１０６の形成のための丸い開放領域（Ｈ）にもやはり形成しない。
【００３４】
絶縁層１２４は、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、Ａｌ２Ｏ３などから成り、好ましくは、スパッタリングおよび電子ビーム工法のような蒸着作業によって形成する。このような作業によって、絶縁層１２４を数Å〜数μｍの厚さにも形成することができる。しかし、絶縁層１２４の厚さを特に限定する必要はなく、リードフレーム１２０および１２２と反射層１２６との間の電気的絶縁を確保する程度の値であればよい。
【００３５】
反射層１２６は、高反射率の金属、例えばＡｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｄおよびこれらの合金の少なくとも一種から成る。このような金属をスパッタリングおよび電子ビーム工法により、側壁１１４の内面に数Å〜数μｍの厚さに蒸着して反射層１２６が形成される。
【００３６】
こうすると、反射層１２６は、略９０％以上の反射率を有するようになるので、ＬＥＤチップ１０２から側壁１１４に投射した光を効率的に矢印（Ａ）方向、即ち前方に反射する。反射層１２６は、パッケージ本体１１０を構成する樹脂より反射率が優れるので、側面型ＬＥＤ１００は、従来技術の側面型ＬＥＤより遥かに優れた内壁反射効率を有するようになり、それにより光効率もやはり向上される。また、蒸着によって反射層１２６を形成するので精緻な厚さ制御ができるばかりでなく、極めて薄い厚さを実現することもやはりできる。
【００３７】
また、反射層１２６がリードフレーム１２０および１２２のようにＬＥＤチップ１０２から発生した光を前方に反射するようになるので、ＬＥＤチップ１０２から発生した光がパッケージ本体１１０に直接到達することはほぼない。したがって、パッケージ本体１１０を透明封止部１４０と同様に透明な樹脂で形成してもよい。このような透明な樹脂から成るパッケージ本体１１０は、綺麗な外観を提供する長所がある。
【００３８】
一方、透明封止部１４０は、ＬＥＤチップ１０２が短波長ＬＥＤチップの場合に発生した短波長光を多波長光、即ち、多色光に変換する蛍光体を含むことができる。また、紫外線吸収剤／変換剤および散乱剤なども含むことができる。
【００３９】
以下、図９を参照して、第１実施形態による側面型ＬＥＤ１００で反射層による反射および放熱を説明する。
【００４０】
ＬＥＤチップ１０２が作動すると、発生した光（Ｌ）は、前方（Ａ）に放出されてＬＥＤ窓、即ち透明封止部１４０を通して外部へ出る。また、側傍または後方に放出された光は、リードフレーム１２０および１２２、または反射層１２６によって反射されて前方（Ａ）に沿って外部へ出る。この場合、反射層１２６の反射率が高いので、前述したように側面型ＬＥＤ１００の光効率が向上する。
【００４１】
これと共に、反射層１２６において一部吸収された光は熱に変換されるが、この熱は、Ｈで示したように反射層１２６に沿って流れリードフレーム１２０および１２２に伝達される。勿論、反射層１２６とリードフレーム１２０および１２２との間には絶縁層１２４があるが、絶縁層１２４の厚さは極めて小さいので、絶縁層１２４による熱流れの遮断効果はほぼ無視できる。このように、反射層１２６は、側面型ＬＥＤ１００の光効率を向上させるばかりでなく、放熱効率も改善することがわかる。
【００４２】
続いて、図１０および図１１を参照して、本実施形態による側面型ＬＥＤ１００の放熱効果を従来技術のものと比較する。これらの図面において、図１０は、第１実施形態による側面型ＬＥＤ１００の動作中の熱分布を示す写真であり、図１１は、従来技術による側面型ＬＥＤの動作中の熱分布を示す写真である。
【００４３】
図１０から分かるように、本実施形態による側面型ＬＥＤ１００では、ＬＥＤチップから発生した光が側壁１１４に突き当たった場合に発生する熱が少なく、またこの熱は、反射層を介してリードフレーム１２０および１２２に円滑に抜け出すので、側壁１１４および透明封止部１４０内の温度は一定であり、全般的に従来技術の側面型ＬＥＤのことに比べて低いことがわかる。
【００４４】
これと共に、図１１の従来技術の側面型ＬＥＤの場合、透明封止部４０内の温度が非常に高いばかりでなく、ＬＥＤチップ３０が装着されたリードフレーム２０と他のリードフレーム２２との温度差が大きいこともやはり分かる。
【００４５】
このように、本実施形態による側面型ＬＥＤ１００は、優れた光効率のみならず、向上された放熱効果を有する。
【００４６】
以下、先行する図８に対応する断面図である図１２を参照して、第２実施形態よる側面型ＬＥＤについて説明する。
【００４７】
図１２に示すように、第２実施形態による側面型ＬＥＤ２００は、側壁２１４と反射層２２６との間に設けられた中間膜２２８を除いては、図８の第１実施形態による側面型ＬＥＤ１００と同一である。したがって、同一な構成要素には１００ずつ足して図面の符号を付し、その説明は省略する。
【００４８】
中間膜２２８は、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、Ａｌ２Ｏ３などの絶縁体で反射層２２６を設ける前に形成し、好ましくは、スパッタリングおよび電子ビーム工法のような蒸着作業によって形成する。このような作業によって、中間膜２２８を数Å〜数μｍの厚さにも形成することができる。
【００４９】
このように形成した中間膜２２８は、反射層２２６の成膜を促進することができる。即ち、金属を樹脂から成る側壁２１４の内面に直接蒸着すると、金属により側壁２１４との結合力が弱くなる恐れがある。しかし、絶縁体より成った中間膜２２８を先に設けた後、その上に金属を蒸着すれば、金属蒸着物と中間膜２２８の間の結合力が高くて、かつ優れた反射層２２６を得ることができる。
【００５０】
一方、ＬＣＰなどのような一部樹脂の場合には、金属を容易に蒸着することができ中間膜２２８を形成しなくてもＡｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｄおよびこれらの合金の少なくとも一種から成る優れた反射層２２６を得ることができる。
【００５１】
続いて、先行した図８に対応する断面図である図１３を参照して、第３実施形態による側面型ＬＥＤを説明する。
【００５２】
図１３に示すように、第３実施形態による側面型ＬＥＤ２００Ａは、反射層２２６の上に保護膜（Ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ ｆｉｌｍ）２３０を形成したことを除いては、図１２の第２実施形態による側面型ＬＥＤ２００と同一である。したがって、同一な構成要素には１００ずつ足した図面の符号を付し、その説明は省略する。
【００５３】
反射層２２６の上に設けられた保護膜２３０は、前述した中間膜２２８と同様にＳｉＯ２、ＳｉＮ、Ａｌ２Ｏ３などの絶縁体で形成する。保護膜２３０は、好ましくは、スパッタリングおよび電子ビーム工法のような蒸着作業により形成し、厚さは数Å〜数μｍが好ましい。
【００５４】
保護膜２３０は、反射層２２６の剥離を防止する目的に適用する。側面型ＬＥＤ２００を製造する場合、反射層２２６を形成してＬＥＤチップ２０２を装着した後に、透明樹脂を凹部２１２に流し込んで透明封止部２４０を形成する。しかし、一部の金属蒸着物の場合には、樹脂と直接接触すると樹脂中に剥離する可能性がある。金属蒸着物が樹脂中に剥離すると反射層２２６の質を低下させるばかりでなく、樹脂から成る透明封止部２４０の透明度も落とす恐れがある。したがって、反射層２２６上に保護膜２３０を設けて、金属が樹脂中に剥離することを防止することができる。こうすると、反射層２２６の質と安全性を向上させることできる。
【００５５】
以下、先行する図８に対応する断面図である図１４を参照して、第４実施形態による側面型ＬＥＤを説明する。
【００５６】
図１４に示すように、第４実施形態による側面型ＬＥＤ２００Ｂは、反射層２２６とリードフレーム２２０および２２２との連結部位にのみ絶縁層２２４を形成した点から、図１３の第３実施形態による側面型ＬＥＤ２００Ａと区別される。したがって、同一な構成要素には１００ずつ足した図面の符号を付し、その説明は省略する。
【００５７】
このように、反射層２２６とリードフレーム２２０および２２２との連結部位にのみ絶縁層２２４を設けると、前述した第１乃至第３実施形態に比べてソルダー２０６の形成作業が容易である。
【００５８】
一方、前述したようにＬＣＰなどのような一部樹脂の場合には、金属が容易に蒸着でき、中間膜２２８を形成しなくてもＡｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｄおよびこれらの合金の少なくとも一種から成る優れた反射層２２６を得ることができる。したがって、中間膜２２８を形成することなく、側壁２１４に反射層２２６および保護膜２３０を形成した構造を図１３および図１４の側面型ＬＥＤに適用することもできる。
【００５９】
以下、図１５ａ乃至図１５ｆの断面図を参照して、上記実施形態による側面型ＬＥＤの製作過程を段階別に説明する。
【００６０】
先に図１５ａに示すように、リードフレーム２２０および２２２を備え、その上に絶縁層２２４を予め決まったパターンで形成する。絶縁層２２４は、リードフレーム２２０および２２２の一面に予め決まった領域が露出するように形成したり、一定領域にのみ形成したりすることができる。即ち、少なくとも後続作業においてＬＥＤチップ２０２を装着してソルダー２０６を形成する領域を残して絶縁層２２４を形成する。
【００６１】
絶縁層２２４は、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、Ａｌ２Ｏ３などで形成し、好ましくは、スパッタリングおよび電子ビーム工法のような蒸着作業により形成する。このような作業によって、絶縁層２２４を数Å〜数μｍの厚さにも形成することができる。
【００６２】
絶縁層２２４を形成する方法には、エッチングとリフトオフ（ｌｉｆｔ‐ｏｆｆ）がある。
【００６３】
エッチングは、対象物の全体表面、即ちリードフレーム２２０および２２２の一面全体に絶縁物を蒸着し、ＰＲパターンをマスクとして利用して絶縁物を一定パターンでエッチングした後、ＰＲパターンを除去して所望のパターンの絶縁層を得る方法である。
【００６４】
一方、リフトオフは、ＰＲパターンを先に対象物の表面に付着し、ＰＲパターンをマスクとして使用して絶縁物をＰＲパターンの開放領域にのみ蒸着した後、ＰＲパターンを除去して所望のパターンの絶縁層を得る方法である。
【００６５】
このように絶縁層２２４が形成されると、モールドを用いて樹脂を射出して図１５ｂに示しすようなパッケージ本体２１０を形成する。パッケージ本体２１０の樹脂には、従来の不透明樹脂以外にも透明な樹脂を使用してもよい。
【００６６】
続いて、図１５ｃに示すように、凹部２１２の底にスクリーン２５０を載せた後、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、Ａｌ２Ｏ３などの絶縁体を矢印（Ａ）で示したように側壁２１４の内面２１６に蒸着して中間膜２２８、図１５ｄ参照）を設ける。この場合、スクリーン２５０は、内面２１６から予め決まった間隔を維持するとよい。好ましくは、中間膜２２８の厚さに該当する数Å〜数μｍの間隔を有することができる。
【００６７】
中間膜２２８が形成されると、図１５ｄに示すように、スクリーン２５０を矢印（Ｂ）方向に引き離す。
【００６８】
この後、図１５ｃおよび図１５ｄと類似する段階を繰り返して反射層２２６および保護膜２３０を順次に形成する（図１５ｅ）。
【００６９】
続いて、図１５ｆに示すように、ＬＥＤチップ２０２をリードフレーム２２０の一面の開放領域に装着し、ワイヤ２０４およびソルダー２０６を利用してリードフレーム２２０と電気的に連結する。
【００７０】
この状態で凹部２１２に透明樹脂を流し込んで硬化させると、図１４に示したような本実施形態による側面型ＬＥＤ２００Ｂが得られる。
【００７１】
以上、説明したＬＥＤ製造方法は、第１乃至第３実施形態の側面型ＬＥＤ１００、２００、２００Ａのみならず、様々な変形例にも適用できる。例えば、側壁１１４、２１４に直接反射層１２６、２２６を設けた後、その上に保護膜を形成する変形例にも同様に適用できる。
【００７２】
上記では、本発明の好ましい実施形態を参照して説明したが、当該技術分野において通常の知識を有する者であれば、下記の特許請求範囲に記載された本発明の思想および領域から外れない範囲内において本発明を多様に修正および変更できることを理解するであろう。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】一般的な側面型ＬＥＤ１を光源として使用するバックライト装置の断面図である。
【図２】従来技術による側面型ＬＥＤ１の一例を示す正面図である。
【図３】図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿って切断した断面図である。
【図４】従来技術による側面型ＬＥＤ１の他の例を示す正面図である。
【図５】図４のＶ−Ｖ線に沿って切断した断面図である。
【図６】図５の分解図である。
【図７】第１実施形態による側面型ＬＥＤ１００の正面図である。
【図８】図７のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に沿って切断した断面図である。
【図９】第１実施形態による側面型ＬＥＤ１００において反射層による反射および放熱を説明する断面図である。
【図１０】第１実施形態による側面型ＬＥＤ１００の動作中の熱分布を示す図面である。
【図１１】従来技術による側面型ＬＥＤの動作中の熱分布を示す図である。
【図１２】第２実施形態による側面型ＬＥＤの図８に対応する断面図である。
【図１３】第３実施形態による側面型ＬＥＤの図８に対応する断面図である。
【図１４】第４実施形態による側面型ＬＥＤの図８に対応する断面図である。
【図１５ａ】側面型ＬＥＤの製作過程を示す断面図である。
【図１５ｂ】側面型ＬＥＤの製作過程を示す断面図である。
【図１５ｃ】側面型ＬＥＤの製作過程を示す断面図である。
【図１５ｄ】側面型ＬＥＤの製作過程を示す断面図である。
【図１５ｅ】側面型ＬＥＤの製作過程を示す断面図である。
【図１５ｆ】側面型ＬＥＤの製作過程を示す断面図である。
【符号の説明】
【００７４】
１００    側面型ＬＥＤ
１０２    ＬＥＤチップ
１０４    ワイヤ
１０６    ソルダー
１１０    パッケージ本体
１１２    凹部
１１４    側壁
１２０    リードフレーム
１２２    リードフレーム
１２４    絶縁層
１２６    反射層
１２８    中間膜
１３０    保護膜
１４０    透明封止部
２００    側面型ＬＥＤ
２０２    ＬＥＤチップ
２０４    ワイヤ
２０６    ソルダー
２１０    パッケージ本体
２１２    凹部
２１４    側壁
２１６    内面
２２０    リードフレーム
２２２    リードフレーム
２２４    絶縁層
２２６    反射層
２２８    中間膜
２３０    保護膜
２４０    透明封止部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５ａ】
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【図１５ｂ】
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【図１５ｃ】
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【図１５ｄ】
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【図１５ｅ】
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【図１５ｆ】
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【図１０】
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【図１１】
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