(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
タンタル酸リチウム基板と、
前記タンタル酸リチウム基板の上方に形成されたニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛層と、を含み、
前記タンタル酸リチウム基板は、３６〜４２度Ｙカット単結晶基板であり、
前記ニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛層は、立方晶表示で（１００）面に配向し、かつその（１００）面と前記タンタル酸リチウム基板の表面とのなす角度は、３度以上１０度以下であり、
前記ニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛層の立方晶（１００）面は、前記タンタル酸リチウム基板の（０１２）面と平行であり、
前記ニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛層の[０１１]ベクトルは、前記タンタル酸リチウム基板の［−２１１０］ベクトルと平行となるような向きでエピタキシャル成長している、圧電体積層体。
【請求項２】
請求項１において、
前記ニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛層は、菱面体晶（１００）配向し、かつその分極ベクトル［１１１］を前記タンタル酸リチウム基板の（０１２）面へ投影してできるベクトルは、前記タンタル酸リチウム基板の分極ベクトルを（０１２）面へ投影してできるベクトルの向きと平行で、かつ向きが一致している、圧電体積層体。
【請求項３】
請求項１において、
前記ニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛層は、正方晶（００１）配向し、かつその分極ベクトル［００１］は、前記タンタル酸リチウム基板の分極ベクトルをタンタル酸リチウム（０１２）面の法線ベクトルへ投影してできるベクトルの向きと平行で、かつ向きが一致している、圧電体積層体。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載の圧電体積層体を有する、デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、タンタル酸リチウム基板およびニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛層を含む圧電体積層体、およびこの圧電体積層体を含むデバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
情報通信分野の著しい発展に伴い、表面弾性波素子の需要が急速に拡大している。表面弾性波素子の開発の方向としては、小型化、高効率化、高周波化の方向にある。そのためには、より大きな電気機械結合係数、より安定的な温度特性、より大きな表面弾性波伝播速度が必要となる。
【０００３】
従来、表面弾性波素子としては、圧電体単結晶上にＩＤＴ（Interdigital  Transduser）を形成した構造が用いられてきた。そのうち、広帯域化や通過帯域の低損失化が要求されるＲＦフィルタの場合には、電気機械結合係数ｋ２の大きな圧電体単結晶として、ニオブ酸リチウム（以下ＬｉＮｂＯ３）、タンタル酸リチウム（以下ＬｉＴａＯ３）が使用されてきた。よく使われるものに、ＹカットＺ伝播ＬｉＮｂＯ３基板（ｋ２＝４．８％）、１２７．８°ＹカットＸ伝播ＬｉＮｂＯ３基板（ｋ２＝５．５％）、Ｘカット１１２．２°Ｙ伝播ＬｉＴａＯ３基板（ｋ２＝０．７５％）、ＹカットＺ伝播ＬｉＴａＯ３基板（ｋ２＝０．６６％）、３６°ＹカットＸ伝播（ｋ２＝０．６６％）、がある。このうち、大きなｋ２と小さな周波数温度係数（ＴＣＦ）を両立する理由により、現在のＲＦフィルタ用途では、３６°Ｙカット基板が主に使用されている。
【０００４】
圧電性単結晶基板を用いた表面弾性波素子では、ｋ２、温度係数、音速などの特性は材料固有の値であり、カット角および伝播方向で決定されてしまう。一方、何らかの基板上に圧電体薄膜を堆積し、その膜厚を制御して、音速やｋ２、温度特性のよいところを組合せて、デバイスとしての特性を向上させることが期待される。特に、圧電単結晶基板上にｋ２の大きな圧電薄膜を堆積することで、もともとの圧電単結晶基板のｋ２をさらに大きくすることが期待される。
【非特許文献１】Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ．３７（１９９８）２９２９．
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、タンタル酸リチウム基板とニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛層とを有する新規な圧電体積層体を提供することにある。
【０００６】
本発明の他の目的は、前記圧電体積層体を含むデバイスを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明にかかる圧電体積層体は、
タンタル酸リチウム基板と、
前記タンタル酸リチウム基板の上方に形成されたニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛層と、を含む。
【０００８】
本発明において、前記タンタル酸リチウム基板は、３６〜４２度Ｙカット単結晶基板であることができる。
【０００９】
本発明において、前記ニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛層は、立方晶表示で（１００）面に配向し、かつその（１００）面と前記タンタル酸リチウム基板の表面とのなす角度は、３度以上１０度以下であることができる。
【００１０】
本発明において、前記ニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛層の立方晶（１００）面は、前記タンタル酸リチウム基板の（０１２）面と平行であることができる。
【００１１】
本発明において、前記ニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛層の[０１１]ベクトルは、前記タンタル酸リチウム基板の［−２１１０］ベクトルと平行となるような向きでエピタキシャル成長していることができる。
【００１２】
本発明において、前記ニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛層は、菱面体晶（１００）配向し、かつその分極ベクトル［１１１］を前記タンタル酸リチウム基板の（０１２）面へ投影してできるベクトルは、前記タンタル酸リチウム基板の分極ベクトルを（０１２）面へ投影してできるベクトルの向きと平行で、かつ向きが一致していることができる。
【００１３】
本発明において、前記ニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛層は、正方晶（００１）配向し、かつその分極ベクトル［００１］は、前記タンタル酸リチウム基板の分極ベクトルをタンタル酸リチウム（０１２）面の法線ベクトルへ投影してできるベクトルの向きと平行で、かつ向きが一致していることができる。
【００１４】
本発明にかかるデバイスは、上記圧電体積層体を有する。かかるデバイスの具体例は後述する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の好適な実施形態について、図面を参照しながら説明する。
【００１６】
１．第１の実施形態
１．１．圧電体積層体
図１は、本実施形態に係る圧電体積層体１００を模式的に示す断面図である。図１に示すように、本実施形態に係る圧電体積層体１００は、タンタル酸リチウム基板１１と、基板１１上に形成されたニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛層１２と、を含むことができる。
【００１７】
タンタル酸リチウム基板（以下「ＬＴ基板」ともいう）１１としては、３６〜４２°Ｙカットのタンタル酸リチウム単結晶基板を用いることができる。３６〜４２°Ｙカットタンタル酸リチウム単結晶基板を用いることは、それ自体が電気機械結合係数の大きな表面弾性波素子として機能する点、ニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛層１２をエピタキシャル成長させることができる点、大面積基板を安価に入手できる点、で好ましい。
【００１８】
ニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛層１２は、単結晶または多結晶のニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛から構成される。ニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛層１２の厚さは、特に限定されず、適用されるデバイスなどによって適宜選択されるが、例えば、１００ｎｍ以上１０μｍ以下とすることができる。ニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛層１２は以下の特徴を有する。
【００１９】
本実施形態において、ニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛層１２は、立方晶表示で（１００）面に配向し、かつその（１００）面とＬＴ基板１１の表面とのなす角度は、３度以上１０度以下であることが好ましい。また、ニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛層１２は、立方晶（１００）面が、ＬＴ基板１１の（０１２）面と平行であることが好ましい。このことを図２および図３を用いて説明する。
【００２０】
図２は、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）結晶を六方晶で模式的に示す図であり、図３は、ニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴＮ）層１２の立方晶（１００）面の傾きを模式的に示す図である。ＬＴ基板１１の（０１２）面とは、図２においてグレーで示す面である。図３に示すように、ニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛層１２の立方晶（１００）面は、ＬＴ基板１１の（０１２）面に対して平行であり、ＬＴ基板の［−２１１０］ベクトル（−Ｘ軸）を回転軸として傾いている。言い換えるならば、ニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛層１２の立方晶（１００）面と、ＬＴ基板の（０１２）面とが交差する直線は、ＬＴ基板［−２１１０］ベクトル（−Ｘ軸）と平行である。
【００２１】
ニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛層１２の立方晶（１００）面が、ＬＴ基板１１の表面１１ａと成す角度δは、３度以上１０度以下であるのが好ましい。この理由は以下のようである。すなわち、図４に示すように、ＬＴ基板１１として用いられる３６゜〜４２°Ｙカット単結晶基板のカット角は、符号ａおよび符号ｂで示す角度の範囲である。そして、本願発明者によれば、後述する実験例からも明らかなように、ニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛層１２の立方晶（１００）面は、ＬＴ基板１１の（０１２）面に対して平行をなし、当該（０１２）面は、３２．９９°Ｙカット面（図４において符号ｃで示す角度）に相当することが確認された。したがって、ＬＴ基板１１の３２．９９°Ｙカット面（タンタル酸リチウムの（０１２）面）と３６゜〜４２°Ｙカット面とのなす角度が３．０１゜〜９．０１°であることを考慮すると、ＬＴ基板１１の表面１１ａとニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛層１２の立方晶（１００）面とのなす角度は、絶対値で３度以上１０度以下であるのが好ましい。
【００２２】
また、ニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛層１２の[０１１]ベクトルは、ＬＴ基板１１の［−２１１０］ベクトルと平行となるような向きでエピタキシャル成長していることが好ましい。そして、ニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛層１２は、菱面体晶（１００）配向し、かつその分極ベクトル［１１１］をＬＴ基板１１の（０１２）面へ投影してできるベクトルは、タンタル酸リチウム基板１１の分極ベクトルを（０１２）面へ投影してできるベクトルの向きと平行で、かつ向きが一致していることが好ましい。さらに、ニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛層１２は、正方晶（００１）配向し、かつその分極ベクトル［００１］は、ＬＴ基板１１の分極ベクトルをタンタル酸リチウム（０１２）面の法線ベクトルへ投影してできるベクトルの向きと平行で、かつ向きが一致していることが好ましい。
【００２３】
ニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛層１２がこのような結晶配向および分極の特徴を有することにより、電気機械結合係数の大きな圧電体を得ることができる。さらに、ＬＴ基板１１はそれ自身が比較的大きな電気機械結合係数を有し、当該ＬＴ基板１１上に、さらに電気機械結合係数の大きなニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛層１２を形成することにより、圧電体積層体全体として大きな電気機械結合係数を有することができる。したがって、かかる圧電体積層体を用いることにより、電気機械結合係数の大きな表面弾性波素子を得ることができる。また、ＬＴ基板１１を用いることにより、ニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛層１２をエピタキシャル成長させることができる。
【００２４】
１．２．圧電体積層体の製造方法
次に、圧電体積層体１００の製造方法について述べる。
【００２５】
（１）まず、図１に示すように、ＬＴ基板１１を用意する。ＬＴ基板１１としては、３６°〜４２゜Ｙカットタンタル酸リチウム単結晶基板を用いることができる。ＬＴ基板１１は、予め脱脂洗浄されている。脱脂洗浄は、ＬＴ基板１１を有機溶媒に浸漬させ、超音波洗浄機を用いて行うことができる。ここで、有機溶媒としては、特に限定されないが、例えばエチルアルコールとアセトンとの混合液を使用することができる。
【００２６】
（２）次に、図１に示すように、レーザーアブレーション法によって、ＬＴ基板１１上にニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛層１２を形成する。
【００２７】
具体的には、脱脂洗浄したＬＴ基板１１を基板ホルダーに装填したあと、室温での背圧が１×１０−７Ｔｏｒｒの真空装置内に基板ホルダーごと導入する。次に、例えば、５×１０−１Ｔｏｒｒの酸素分圧になるように酸素ガスを導入し、赤外線ランプを用いて２０℃／分で６００℃まで加熱昇温する。なお、昇温速度、基板温度、圧力などの条件は、これに限るものではない。
【００２８】
具体的には、レーザー光をニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛層用のターゲット（例えばＰｂ１．０５（Ｚｒ０．５０Ｔｉ０．３０Ｎｂ０．２０）Ｏ３ターゲット）に照射し、このターゲットから鉛原子、ジルコニウム原子、チタン原子、ニオブ原子および酸素原子を叩き出すレーザーアブレーション法により、プルームを発生させる。ターゲットに照射するレーザー光としては、波長が１５０〜３００ｎｍ程度、パルス長が１〜１００ｎｓ程度のパルス光が好適に用いられる。具体的には、レーザー光としては、ＡｒＦエキシマレーザー、ＫｒＦエキシマレーザー、ＸｅＣｌエキシマレーザー等のエキシマレーザー、さらにＹＡＧレーザー、ＹＶＯ４レーザー、ＣＯ２レーザーなどが挙げられる。これらの中でも、特にＡｒＦエキシマレーザーまたはＫｒＦエキシマレーザーが好適とされる。ＡｒＦエキシマレーザーおよびＫｒＦエキシマレーザーは、いずれも取り扱いが容易であり、また、より効率良く原子をターゲットから叩き出すことができる。そして、このプルームは、ＬＴ基板１１上に向けて出射されてＬＴ基板１１に接触する。その結果、ＬＴ基板１１上に、立方晶表示において（１００）配向のニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛層１２がエピタキシャル成長によって形成される。このニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛層１２の立方晶（１００）面は、ＬＴ基板１１の（０１２）面に対して平行であり、あるいはＬＴ基板１１の表面に対して、［−２１１０］ベクトル（−Ｘ軸）を回転軸として３度以上１０度以下傾いている。
【００２９】
また、レーザーアブレーション法の条件は、プルームが十分ＬＴ基板１１に到達できるならば、特に限定されない。レーザー光の照射時の条件としては、例えば、レーザーエネルギー密度が２Ｊ／ｃｍ２以上４Ｊ／ｃｍ２以下、レーザー周波数が５Ｈｚ以上２０Ｈｚ以下、ターゲット基板間距離が３０ｍｍ以上１００ｍｍ以下、基板温度が６００℃以上８００℃以下、堆積中の酸素分圧が１×１０−２Ｔｏｒｒ以上１Ｔｏｒｒ以下とすることができる。
【００３０】
なお、上述した例では、Ｐｂ１．０５（Ｚｒ０．５０Ｔｉ０．３０Ｎｂ０．２０）Ｏ３ターゲットを用いたが、形成されたニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛層１２がペロブスカイト構造を確保できるのであれば、ターゲットの組成比はこれに限定されない。
【００３１】
以上の工程により、図１に示す圧電体積層体１００を形成することができる。
【００３２】
また、本実施形態では、ニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛層１２の成膜方法として、レーザーアブレーションを用いたが、成膜方法はこれに限定されず、例えば蒸着法、ＭＯＣＶＤ法、スパッタ法、ゾルゲル法、ＭＯＤ法を用いることができる。
【００３３】
１．３．作用効果
本実施形態によれば、３６〜４２°ＹカットＬＴ基板１１の上にニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛層１２を形成する。これにより、後述する実験例からも明らかなように、ニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛の単一相薄膜を（１００）配向でエピタキシャル成長させることができる。このニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛層１２を用いることにより、電気機械結合係数の大きな圧電体積層体を得ることができる。
【００３４】
さらに、本実施形態によれば、ニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛層１２の立方晶（１００）面は、ＬＴ基板１１の（０１２）面に対して平行であり、あるいはＬＴ基板１１の表面に対して、［−２１１０］ベクトル（−Ｘ軸）を回転軸として３度以上１０度以下傾いていることが好ましい。このニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛層１２を用いることにより、後述するように、電気機械結合係数のより一層大きな圧電体積層体を得ることができる。
【００３５】
さらに、本実施形態によれば、タンタル酸リチウム基板１１上にニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛層１２を形成することにより、圧電体積層体全体として大きな電気機械結合係数を有することができる。
【００３６】
１．４．実験例
（１）第１の実験例
本実験例では、以下の方法によりタンタル酸リチウム基板およびニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛層を有する圧電体積層体１００（図１参照）を形成した。本実験例では、ニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛の立方晶薄膜を得ることができた。
【００３７】
まず、ＬＴ基板１１の脱脂洗浄を行った。次に、基板１１を基板ホルダーに装填した後、真空装置内に基板ホルダーごと導入し、酸素ガスを導入し、６００℃まで加熱昇温した。
【００３８】
次に、ＰＺＴＮ（Ｐｂ１．０５（Ｚｒ０．５０Ｔｉ０．３０Ｎｂ０．２０）Ｏ３）ターゲットの表面に、エネルギー密度２Ｊ／ｃｍ２、周波数１０Ｈｚ、パルス長１０ｎｓの条件でＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）のパルス光を入射し、ターゲット表面にＰｂ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｏのプラズマプルームを発生させた。このプラズマプルームを、基板温度６００℃、酸素分圧５×１０−１Ｔｏｒｒの条件で基板１１に向けて照射し、ＬＴ基板１１の上にニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛層１２を形成した。ニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛層１２の膜厚は０．５μｍとした。ターゲット基板間距離は７０ｍｍとし、照射時間は３０分とした。
【００３９】
以上の工程により、タンタル酸リチウム基板上にニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛層が積層された圧電体積層体１００を得た。
【００４０】
さらに、この圧電体積層体のニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴＮ）層１２のＸ線回折パターン（２θ−θスキャン）を図５に示す。ここでは、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）基板１１の（０１２）面で軸立てを行っている。図５に示すように、ＰＺＴＮを立方晶の面指数で表記すると、ＰＺＴＮ（１００）、ＰＺＴＮ（２００）のピークが、ＬｉＴａＯ３（０１２）、（０２４）、（０３６）のピークと共に観測された。従って、ＰＺＴＮは、ＬｉＴａＯ３（０１２）上に立方晶（１００）配向していることが確認された。
【００４１】
また、Ｘ線回折φスキャンを測定したところ、図６に示す結果が得られた。図６は、ＰＺＴＮ（０１１）（２θ＝３１．５°）のＸ線回折φスキャンである。図６に示すように、ＰＺＴＮ（１０１）のスポットは、ともに４回対称性を示しており、面間でＰＺＴＮ（１００）／ＬｉＴａＯ３（０１２）、面内でＰＺＴＮ［０１１］／／ＬｉＴａＯ３［−２１１０］（−Ｘ軸）のエピタキシャル成長方位の関係になっていることが分かった。この方位関係を図に示すと図７のようになる。なお、図７において、表面弾性波は［−２１１０］方向に伝搬する。
【００４２】
（２）第２の実験例
本実験例では、以下の方法によりタンタル酸リチウム基板とニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛層の積層体１００（図１参照）を形成した。第２の実験例では、ニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛層の成膜温度が第１の実験例と異なる以外は、第１の実験例と同様の方法を用いた。本実験例では、ニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛の菱面体晶薄膜を得ることができた。
【００４３】
まず、ＬＴ基板１１の脱脂洗浄を行った。次に、第１の実験例と同様に、ＬＴ基板１１を基板ホルダーに装填した後、真空装置内に基板ホルダーごと導入し、酸素ガスを導入し、５５０℃まで加熱昇温した。
【００４４】
次に、Ｐｂ１．０５（Ｚｒ０．５０Ｔｉ０．３０Ｎｂ０．２０）Ｏ３ターゲットの表面に、エネルギー密度２Ｊ／ｃｍ２、周波数１０Ｈｚ、パルス長１０ｎｓの条件でＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）のパルス光を入射し、ターゲット表面にＰｂ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｏのプラズマプルームを発生させた。このプラズマプルームを、基板温度５５０℃、酸素分圧５×１０−１Ｔｏｒｒの条件で基板１１に向けて照射し、ＬＴ基板１１の上にニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛層１２を形成した。ニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛層１２の膜厚は０．５μｍとした。ターゲット基板間距離は７０ｍｍとし、照射時間は３０分とした。
【００４５】
以上の工程により、タンタル酸リチウム上にニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛層が積層された圧電体積層体１００を得た。
【００４６】
さらに、この圧電体積層体のニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴＮ）層１２のＸ線回折パターン（２θ−θスキャン）を測定したところ、図５と同様の結果が得られ、ＰＺＴＮは、ＬｉＴａＯ３（０１２）上に立方晶（１００）配向していることが確認された。
【００４７】
また、Ｘ線回折φスキャンを測定したところ、図５と同様の結果が得られ、面間でＰＺＴＮ（１００）／ＬｉＴａＯ３（０１２）、面内でＰＺＴＮ［０１１］／／ＬｉＴａＯ３［−２１１０］（−Ｘ軸）のエピタキシャル成長方位の関係になっていることが分かった。
【００４８】
さらに、このニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛層１２の表面分極状態を調べたところ、菱面体晶（１００）配向し、かつその分極ベクトル［１１１］をタンタル酸リチウム単結晶（０１２）面へ投影してできるベクトルの向きは、タンタル酸リチウム単結晶の分極ベクトルを（０１２）面へ投影してできるベクトルの向きと平行で、かつ向きも一致していることが分かった。これは、ニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛層１２の堆積温度が５５０℃とタンタル酸リチウムのキュリー温度６０３℃より低いために、タンタル酸リチウムの分極された分極モーメントが保存され、その上のニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛層の分極ドメインが一方向に揃ったためと考えられる。この方位関係を図に示すと図８（Ａ），（Ｂ）のようになる。図８（Ａ）、（Ｂ）において、「ＰＺＴＮ（１００）rhombo」は、ニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛層の菱面体（１００）配向ドメインを示す。図８（Ｂ）において、矢印Ｐ１はタンタル酸リチウムの分極ベクトルを示し、矢印Ｐ２は当該分極ベクトルＰ１を（０１２）面に投影したベクトルを示し、Ｐ３はニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛層の分極軸を示し、矢印Ｐ４は分極ベクトルＰ３をタンタル酸リチウムの（０１２）面に投影したベクトルを示す。なお、図８（Ａ）において、表面弾性波は［−２１１０］方向に伝搬する。
【００４９】
（３）第３の実験例
本実験例では、以下の方法によりタンタル酸リチウム基板とニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛層の積層体１００（図１参照）を形成した。第３の実験例では、ニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛層の組成が第２の実験例と異なる以外は、第１の実験例と同様の方法を用いた。本実験例では、ニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛の正方晶薄膜を得ることができた。
【００５０】
まず、ＬＴ基板１１の脱脂洗浄を行った。次に、第１の実験例と同様に、ＬＴ基板１１を基板ホルダーに装填した後、真空装置内に基板ホルダーごと導入し、酸素ガスを導入し、６００℃まで加熱昇温した。
【００５１】
次に、Ｐｂ１．０５（Ｚｒ０．４０Ｔｉ０．４０Ｎｂ０．２０）Ｏ３ターゲットの表面に、エネルギー密度２Ｊ／ｃｍ２、周波数１０Ｈｚ、パルス長１０ｎｓの条件でＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）のパルス光を入射し、ターゲット表面にＰｂ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｏのプラズマプルームを発生させた。このプラズマプルームを、基板温度５５０℃、酸素分圧５×１０−１Ｔｏｒｒの条件で基板１１に向けて照射し、ＬＴ基板１１の上にニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛層１２を形成した。ニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛層１２の膜厚は０．５μｍとした。ターゲット基板間距離は７０ｍｍとし、照射時間は３０分とした。
【００５２】
以上の工程により、タンタル酸リチウム基板上にニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛層が積層された圧電体積層体１００を得た。
【００５３】
さらに、この積層体のニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴＮ）層１２のＸ線回折パターン（２θ−θスキャン）を測定したところ、図５と同様の結果が得られ、ＰＺＴＮは、ＬｉＴａＯ３（０１２）上に立方晶表示で（１００）配向していることが確認された。
【００５４】
また、Ｘ線回折φスキャンを測定したところ、図５と同様の結果が得られ、面間でＰＺＴＮ（１００）／ＬｉＴａＯ３（０１２）、面内でＰＺＴＮ［０１１］／／ＬｉＴａＯ３［−２１１０］（−Ｘ軸）のエピタキシャル成長方位の関係になっていることが分かった。
【００５５】
さらに、このニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛層１２の表面分極状態を調べたところ、正方晶（００１）配向し、かつその分極ベクトル［００１］は、タンタル酸リチウム単結晶の分極ベクトルを（０１２）面へ投影してできるベクトルの向きと平行で、かつ向きも一致していることが分かった。これは、ニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛層１２の堆積温度が５５０℃とタンタル酸リチウムのキュリー温度６０３℃より低いために、タンタル酸リチウムの分極された分極モーメントが保存され、その上のニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛層の分極ドメインが一方向に揃ってしまったためである。この方位関係を図に示すと図９（Ａ），（Ｂ）のようになる。図９（Ａ）、（Ｂ）において、「ＰＺＴＮ（１００）tetora」は、ニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛層の正方晶（００１）配向ドメインを示す。図９（Ｂ）において、矢印Ｐ１はタンタル酸リチウムの分極ベクトルを示し、矢印Ｐ２は当該分極ベクトルＰ１を（０１２）面に投影したベクトルを示し、Ｐ３はニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛層の分極軸を示す。なお、図９（Ａ）において、表面弾性波は［−２１１０］方向に伝搬する。
【００５６】
２．第２の実施形態
次に本発明にかかる圧電体積層体を適用したデバイスの例について述べる。
【００５７】
２．１．表面弾性波素子
第２の実施形態に係る表面弾性波素子の一例について、図面を参照しながら説明する。図１０は、本実施形態に係る表面弾性波素子２００を模式的に示す断面図である。図１０において、図１に示す圧電体積層体１００の部材と実質的に同じ部材には同一の符号を付し、詳細な説明を省略する。
【００５８】
表面弾性波素子２００は、ＬＴ基板１１と、ＬＴ基板１１上に形成されたニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛層１２と、ニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛層１２上に形成されたインターディジタル型電極（以下、「ＩＤＴ電極」という）１８，１９と、を含む。ＩＤＴ電極１８，１９は、所定のパターンを有する。
【００５９】
本実施形態に係る表面弾性波素子２００は、本発明に係る圧電体積層体を含み、当該圧電体積層体の特徴を有する。
【００６０】
本実施形態に係る表面弾性波素子２００は、本発明に係る圧電体積層体を用いて、例えば以下のようにして形成される。
【００６１】
まず、図１に示す圧電体積層体１００のニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛層１２上に、例えば真空蒸着法により金属層を形成する。金属層としては、例えばアルミニウムを用いることができる。次に、公知のリソグラフィー技術およびエッチング技術を用いて金属層をパターニングすることにより、ニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛層１３上にＩＤＴ電極１８，１９を形成する。
【００６２】
本実施形態に係る表面弾性波素子２００は、本発明に係る圧電体積層体を有する。従って、この表面弾性波素子２００によれば、電気機械結合係数の大きな表面弾性波素子を実現することが可能となる。
【００６３】
次に、本実施形態に係る表面弾性波素子２００について行った実験例について述べる。
【００６４】
（１）第１の実験例
第１の実施形態における第１の実験例で得られた圧電体積層体１００を用いて、第１の実験例の表面弾性波素子２００を形成した。圧電体積層体１００は、立方晶表示で（１００）面に配向してエピタキシャル成長したニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛層１２を有する。なお、ＩＤＴ電極としては、厚さ１００ｎｍのアルミニウム層を用いた。
【００６５】
得られた表面弾性波素子２００について、ＩＤＴ電極１８，１９の間での表面弾性波の遅延時間Ｖｏｐｅｎを測定した。その結果から求められた音速は、５０００ｍ／ｓであった。また、ＩＤＴ電極１８，１９の間を金属薄膜で覆った場合の表面弾性波の遅延時間Ｖｓｈｏｒｔとの差から求められた電気機械結合係数は１０％であった。
【００６６】
（２）第２の実験例
また、第１の実施形態における第２の実験例で得られた圧電体積層体１００を用いて、第２の実験例の表面弾性波素子２００を形成した。圧電体積層体１００は、単一ドメインのニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛層１２を有する。このニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛層は、斜方晶ｂ軸配向ドメインを含み、分極ベクトルは、基板１１の［−２１１０］ベクトル（−Ｘ軸）に対して垂直であった。なお、ＩＤＴ電極としては、第１の実験例と同様、厚さ１００ｎｍのアルミニウム層を用いた。
【００６７】
得られた表面弾性波素子２００について、ＩＤＴ電極１８，１９の間での表面弾性波の遅延時間Ｖｏｐｅｎを測定した。その結果から求められた音速は、５０００ｍ／ｓであった。また、ＩＤＴ電極１８，１９の間を金属薄膜で覆った場合の表面弾性波の遅延時間Ｖｓｈｏｒｔとの差から求められた電気機械結合係数は３５％であった。このように、立方晶（１００）配向のニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛層１２を用いた場合（第１の実験例）の電気機械結合係数（１０％）に比べ、単一ドメインのニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛層１２をエピタキシャル成長させることによって、電気機械結合係数が改善されることが明らかとなった。
【００６８】
２．２．周波数フィルタ
次に、第２の実施形態に係る周波数フィルタの一例について、図面を参照しながら説明する。図１１は、本実施形態の周波数フィルタを模式的に示す図である。
【００６９】
図１１に示すように、周波数フィルタは基体１４０を有する。この基体１４０としては、本発明に係る圧電体積層体、例えば図１に示す圧電体積層体１００を用いることができる。
【００７０】
基体１４０の上面には、ＩＤＴ電極１４１、１４２が形成されている。また、ＩＤＴ電極１４１、１４２を挟むように、基体１４０の上面には吸音部１４３、１４４が形成されている。吸音部１４３、１４４は、基体１４０の表面を伝播する表面弾性波を吸収するものである。基体１４０上に形成されたＩＤＴ電極１４１には高周波信号源１４５が接続されており、ＩＤＴ電極１４２には信号線が接続されている。
【００７１】
次に、上述の周波数フィルタの動作について説明する。
【００７２】
前記構成において、高周波信号源１４５から高周波信号が出力されると、この高周波信号はＩＤＴ電極１４１に印加され、これによって基体１４０の上面に表面弾性波が発生する。ＩＤＴ電極１４１から吸音部１４３側へ伝播した表面弾性波は、吸音部１４３で吸収されるが、ＩＤＴ電極１４２側へ伝播した表面弾性波のうち、ＩＤＴ電極１４２のピッチ等に応じて定まる特定の周波数または特定の帯域の周波数の表面弾性波は電気信号に変換されて、信号線を介して端子１４６ａ、１４６ｂに取り出される。なお、前記特定の周波数または特定の帯域の周波数以外の周波数成分は、大部分がＩＤＴ電極１４２を通過して吸音部１４４に吸収される。このようにして、本実施形態の周波数フィルタが有するＩＤＴ電極１４１に供給した電気信号のうち、特定の周波数または特定の帯域の周波数の表面弾性波のみを得る（フィルタリングする）ことができる。
【００７３】
２．３．発振器
第２の実施形態に係る発振器の一例について、図面を参照しながら説明する。図１２は、本実施形態の発振器を模式的に示す図である。
【００７４】
図１２に示すように、発振器は基体１５０を有する。この基体１５０としては、上述した周波数フィルタと同様に、本発明に係る圧電体積層体、例えば図１に示す圧電体積層体１００を用いることができる。
【００７５】
基体１５０の上面には、ＩＤＴ電極１５１が形成されており、さらに、ＩＤＴ電極１５１を挟むように、ＩＤＴ電極１５２、１５３が形成されている。ＩＤＴ電極１５１を構成する一方の櫛歯状電極１５１ａには、高周波信号源１５４が接続されており、他方の櫛歯状電極１５１ｂには、信号線が接続されている。なお、ＩＤＴ電極１５１は、電気信号印加用電極に相当し、ＩＤＴ電極１５２、１５３は、ＩＤＴ電極１５１によって発生される表面弾性波の特定の周波数成分または特定の帯域の周波数成分を共振させる共振用電極に相当する。
【００７６】
次に、上述の発振器の動作について説明する。
【００７７】
前記構成において、高周波信号源１５４から高周波信号が出力されると、この高周波信号は、ＩＤＴ電極１５１の一方の櫛歯状電極１５１ａに印加され、これによって基体１５０の上面にＩＤＴ電極１５２側に伝播する表面弾性波およびＩＤＴ電極１５３側に伝播する表面弾性波が発生する。これらの表面弾性波のうちの特定の周波数成分の表面弾性波は、ＩＤＴ電極１５２およびＩＤＴ電極１５３で反射され、ＩＤＴ電極１５２とＩＤＴ電極１５３との間には定在波が発生する。この特定の周波数成分の表面弾性波がＩＤＴ電極１５２、１５３で反射を繰り返すことにより、特定の周波数成分または特定の帯域の周波数成分が共振して、振幅が増大する。この特定の周波数成分または特定の帯域の周波数成分の表面弾性波の一部は、ＩＤＴ電極１５１の他方の櫛歯状電極１５１ｂから取り出され、ＩＤＴ電極１５２とＩＤＴ電極１５３との共振周波数に応じた周波数（または、ある程度の帯域を有する周波数）の電気信号が端子１５５ａと端子１５５ｂに取り出すことができる。
【００７８】
図１３および図１４は、上述した発振器をＶＣＳＯ（Voltage Controlled ＳＡＷ Oscillator：電圧制御ＳＡＷ発振器）に応用した場合の一例を模式的に示す図であり、図１３は側面透視図であり、図１４は上面透視図である。
【００７９】
ＶＣＳＯは、金属製（Ａｌまたはステンレススチール製）の筐体６０内部に実装されて構成されている。基板６１上には、ＩＣ（Integrated Circuit）６２および発振器６３が実装されている。この場合、ＩＣ６２は、外部の回路（不図示）から入力される電圧値に応じて、発振器６３に印加する周波数を制御する発振回路である。
【００８０】
発振器６３は、基体６４上に、ＩＤＴ電極６５ａ〜６５ｃが形成されており、その構成は、図１２に示す発振器とほぼ同様である。基体６４としては、上述した図１２に示す発振器と同様に、本発明に係る圧電体積層体、例えば図１に示す圧電体積層体１００を用いることができる。
【００８１】
基板６１上には、ＩＣ６２と発振器６３とを電気的に接続するための配線６６がパターニングされている。ＩＣ６２および配線６６が、例えば金線等のワイヤー線６７によって接続され、発振器６３および配線６６が金線等のワイヤー線６８によって接続されている。これにより、ＩＣ６２と発振器６３とが配線６６を介して電気的に接続されている。
【００８２】
図１３および図１４に示すＶＣＳＯは、例えば、図１５に示すＰＬＬ回路のＶＣＯ（Voltage Controlled Oscillator）として用いられる。図１５は、ＰＬＬ回路の基本構成を示すブロック図である。ＰＬＬ回路は、位相比較器７１、低域フィルタ７２、増幅器７３、およびＶＣＯ７４から構成されている。位相比較器７１は、入力端子７０から入力される信号の位相（または周波数）と、ＶＣＯ７４から出力される信号の位相（または周波数）とを比較し、その差に応じて値が設定される誤差電圧信号を出力するものである。低域フィルタ７２は、位相比較器７１から出力される誤差電圧信号の位置の低周波成分のみを通過させるものである。増幅器７３は、低域フィルタ７２から出力される信号を増幅するものである。ＶＣＯ７４は、入力された電圧値に応じて発振する周波数が、ある範囲で連続的に変化する発振回路である。
【００８３】
このような構成のもとにＰＬＬ回路は、入力端子７０から入力される位相（または周波数）と、ＶＣＯ７４から出力される信号の位相（または周波数）との差が減少するように動作し、ＶＣＯ７４から出力される信号の周波数を入力端子７０から入力される信号の周波数に同期させる。ＶＣＯ７４から出力される信号の周波数が入力端子７０から入力される信号の周波数に同期すると、その後は一定の位相差を除いて入力端子７０から入力される信号に一致し、また、入力信号の変化に追従するような信号を出力するようになる。
【００８４】
以上述べたように、本実施形態に係る周波数フィルタおよび発振器は、本発明に係る電気機械結合係数の大きな表面弾性波素子を有する。従って、本実施形態によれば、周波数フィルタおよび発振器の小型化を実現することが可能となる。
【００８５】
２．４．電子回路および電子機器
（１）第１の電子回路および電子機器
第２の実施形態に係る電子回路および電子機器の第１の例について、図面を参照しながら説明する。図１６は、本実施形態に係る電子機器３００の電気的構成を示すブロック図である。電子機器３００とは、例えば携帯電話機である。
【００８６】
電子機器３００は、電子回路３１０、送話部８０、受話部９１、入力部９４、表示部９５、およびアンテナ部８６を有する。電子回路３１０は、送信信号処理回路８１、送信ミキサ８２、送信フィルタ８３、送信電力増幅器８４、送受分波器８５、低雑音増幅器８７、受信フィルタ８８、受信ミキサ８９、受信信号処理回路９０、周波数シンセサイザ９２、および制御回路９３を有する。
【００８７】
電子回路３１０において、送信フィルタ８３および受信フィルタ８８として、図１１に示す周波数フィルタを用いることができる。フィルタリングする周波数（通過させる周波数）は、送信ミキサ８２から出力される信号のうちの必要となる周波数、および、受信ミキサ８９で必要となる周波数に応じて、送信フィルタ８３および受信フィルタ８８で個別に設定されている。また、周波数シンセサイザ９２内に設けられるＰＬＬ回路（図１５参照）のＶＣＯ７４として、図１２に示す発振器、または図１３および図１４に示すＶＣＳＯを用いることができる。
【００８８】
送話部８０は、例えば音波信号を電気信号に変換するマイクロフォン等で実現されるものである。送信信号処理回路８１は、送話部８０から出力される電気信号に対して、例えばＤ／Ａ変換処理、変調処理等の処理を施す回路である。送信ミキサ８２は、周波数シンセサイザ９２から出力される信号を用いて送信信号処理回路８１から出力される信号をミキシングするものである。送信フィルタ８３は、中間周波数（以下、「ＩＦ」と表記する）の必要となる周波数の信号のみを通過させ、不要となる周波数の信号をカットするものである。送信フィルタ８３から出力される信号は、変換回路（図示せず）によってＲＦ信号に変換される。送信電力増幅器８４は、送信フィルタ８３から出力されるＲＦ信号の電力を増幅し、送受分波器８５へ出力するものである。
【００８９】
送受分波器８５は、送信電力増幅器８４から出力されるＲＦ信号をアンテナ部８６へ出力し、アンテナ部８６から電波の形で送信するものである。また、送受分波器８５は、アンテナ部８６で受信した受信信号を分波して、低雑音増幅器８７へ出力するものである。低雑音増幅器８７は、送受分波器８５からの受信信号を増幅するものである。低雑音増幅器８７から出力される信号は、変換回路（図示せず）によってＩＦに変換される。
【００９０】
受信フィルタ８８は、変換回路（図示せず）によって変換されたＩＦの必要となる周波数の信号のみを通過させ、不要となる周波数の信号をカットするものである。受信ミキサ８９は、周波数シンセサイザ９２から出力される信号を用いて、受信フィルタ８８から出力される信号をミキシングするものである。受信信号処理回路９０は、受信ミキサ８９から出力される信号に対して、例えばＡ／Ｄ変換処理、復調処理等の処理を施す回路である。受話部９１は、例えば電気信号を音波に変換する小型スピーカ等で実現されるものである。
【００９１】
周波数シンセサイザ９２は、送信ミキサ８２へ供給する信号、および、受信ミキサ８９へ供給する信号を生成する回路である。周波数シンセサイザ９２は、ＰＬＬ回路を有し、このＰＬＬ回路から出力される信号を分周して新たな信号を生成することができる。制御回路９３は、送信信号処理回路８１、受信信号処理回路９０、周波数シンセサイザ９２、入力部９４、および表示部９５を制御する。表示部９５は、例えば携帯電話機の使用者に対して機器の状態を表示する。入力部９４は、例えば携帯電話機の使用者の指示を入力する。
【００９２】
（２）第２の電子回路および電子機器
第２の実施形態に係る電子回路および電子機器の第２の例について、図面を参照しながら説明する。本実施形態では、電子機器の例として、リーダライタ２０００およびそれを用いた通信システム３０００について説明する。図１７は、本実施形態に係るリーダライタ２０００を用いた通信システム３０００を示す図であり、図１８は、図１７に示す通信システム３０００の概略ブロック図である。
【００９３】
図１７に示すように、通信システム３０００は、リーダライタ２０００と、非接触情報媒体２２００と、を含む。リーダライタ２０００は、キャリア周波数ｆｃを有する電波Ｗ（以下「キャリア」ともいう）を非接触情報媒体２２００へ送信し、または非接触情報媒体２２００から受信し、無線通信を利用して非接触情報媒体２２００と交信する。電波Ｗは任意の周波数帯のキャリア周波数ｆｃを使用することができる。図１７および図１８に示されるように、リーダライタ２０００は、本体２１０５と、本体２１０５上面に位置するアンテナ部２１１０と、本体２１０５内部に格納される制御インターフェース部２１２０と、電源回路１７２と、を含む。アンテナ部２１１０と制御インターフェース部２１２０とは、ケーブル２１８０によって電気的に接続されている。また、図示はしないが、リーダライタ２０００は、制御インターフェース部２１２０を介して、外部ホスト装置（処理装置など）に接続されている。
【００９４】
アンテナ部２１１０は、非接触情報媒体２２００との間で情報の通信を行う機能を有する。アンテナ部２１１０は、図１７に示すように、所定の通信領域（点線で示す領域）を有する。アンテナ部２１１０は、ループアンテナ１１２および整合回路１１４により構成される。
【００９５】
制御インターフェース部２１２０は、送信部１６１と、減衰振動キャンセル部（以下「キャンセル部」という）１４０と、受信部１６８と、コントローラ１６０と、を含む。
【００９６】
送信部１６１は、外部装置（図示せず）より送信されたデータを変調し、ループアンテナ１１２に送信する。送信部１６１は、発振回路１６２と、変調回路１６３と、駆動回路１６４と、を含む。発振回路１６２は、所定の周波数のキァリアを発生させるための回路である。発振回路１６２は、通常、水晶振動子等を用いて構成されるが、上述した発振器を用いることにより、通信周波数の高周波化、検出感度の向上が可能となる変調回路１６３は、キャリアを与えられた情報に従って変調する回路である。駆動回路１６４は、変調されたキャリアを受けて電力増幅し、アンテナ部２１１０を駆動する。
【００９７】
キャンセル部１６５は、キャリアのＯＮ／ＯＦＦに伴い、アンテナ部２１１０のループアンテナ１１２によって発生する減衰振動を抑制する機能を有する。キャンセル部１６５は、ロジック回路１６６と、キャンセル回路１６７と、を含む。
【００９８】
受信部１６８は、検波部１６９と、復調回路１７０と、を含む。受信部１６８は、非接触情報媒体２２００が送信した信号を復元する。検波部１６９は、例えば、ループアンテナ１１２に流れる電流の変化を検出する。復調回路１７０は、検波部１６９で検出された変化分を復調する回路である。
【００９９】
コントローラ１６０は、復調した信号から情報を取り出して外部装置に転送する。電源回路１７２は、外部より電力の供給を受けて適宜電圧変換を行い、各回路に対し必要電力を供給する回路である。なお、内蔵電池を電力源とすることもできる。
【０１００】
非接触情報媒体２２００は、リーダライタ２０００と電磁波（電波）を用いて交信する。非接触情報媒体２２００としては、例えば、非接触ＩＣタグ、非接触ＩＣカードなどを挙げることができる。
【０１０１】
次に、本実施形態のリーダライタ２０００を用いた通信システム３０００の動作について説明する。リーダライタ２０００から非接触情報媒体２２００にデータが送られる場合には、図示しない外部装置からのデータは、リーダライタ２０００において、コントローラ１６０で処理されて送信部１６１に送られる。送信部１６１では、発振回路１６２から一定振幅の高周波信号がキャリアとして供給されており、このキャリアが変調回路１６３により変調されて、変調高周波信号が出力される。変調回路１６３から出力される変調高周波信号は、駆動回路１６４を介してアンテナ部２１１０に供給される。これと同時に、キャンセル部１６５が、変調高周波信号のＯＦＦタイミングに同期して、所定のパルス信号を生成し、ループアンテナ１１２における減衰振動の抑制に寄与する。
【０１０２】
非接触情報媒体２２００においては、アンテナ部１８６を介して、変調高周波信号が受信回路１８０に供給される。また、変調高周波信号は、電源回路１８２に供給されて、非接触情報媒体２２００の各部に必要な所定の電源電圧が生成される。受信回路１８０から出力されたデータは、復調されてロジック制御回路１８４に供給される。ロジック制御回路１８４は、クロック１８３の出力に基づいて動作し、供給されるデータを処理して所定のデータをメモリ１８５に書き込む。
【０１０３】
非接触情報媒体２２００からリーダライタ２０００にデータが送られる場合は、リーダライタ２０００において、変調回路１６３からは無変調で一定振幅の高周波信号が出力される。高周波信号は、駆動回路１６４、アンテナ部２１１０のループアンテナ１１２を介して、非接触情報媒体２２００に送られる。
【０１０４】
非接触情報媒体２２００においては、メモリ１８５から読み出されたデータがロジック制御回路１８４で処理されて、送信回路１８１に供給される。送信回路１８１では、データの‘１’、‘０’ビットに応じて、スイッチがＯＮ／ＯＦＦする。
【０１０５】
リーダライタ２０００においては、送信回路１８１のスイッチがＯＮ／ＯＦＦすると、アンテナ部２１１０のループアンテナ１１２の負荷が変動する。このため、ループアンテナ１１２に流れる高周波電流の振幅が変動する。即ち、高周波電流は、非接触情報媒体２２００から供給されるデータによって振幅変調される。この高周波電流は、受信部１６８の検波部１６９で検出され、復調回路１７０で復調されてデータが得られる。このデータは、コントローラ１６０で処理され、外部装置などに送られる。
【０１０６】
本実施形態に係る電子回路および電子機器は、本発明に係る電気機械結合係数の大きな表面弾性波素子を有する。従って、本実施形態によれば、電子回路および電子機器の省電力化を実現することが可能となる。
【０１０７】
上記のように、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の新規事項および効果から実体的に逸脱しない多くの変形が可能であることは当業者には容易に理解できるであろう。従って、このような変形例はすべて本発明の範囲に含まれるものとする。
【０１０８】
例えば、本発明に係る周波数フィルタ、発振器はそれぞれ、ＵＷＢシステム、携帯電話機、無線ＬＡＮ等における広帯域フィルタ、ＶＣＯに適用することができる。
【０１０９】
また、例えば、上記実施形態においては、電子機器として携帯電話機およびリーダライタを用いた通信システムを、電子回路として携帯電話機およびリーダライタ内に設けられる電子回路をその一例として挙げて説明した。しかしながら、本発明はこれらに限定されることなく、種々の移動体通信機器およびその内部に設けられる電子回路に適用することができる。例えば、ＢＳ（Broadcast Satellite）放送等を受信するチューナなどの据置状態で使用される通信機器およびその内部に設けられる電子回路、光ケーブル中を伝播する光信号等を用いるＨＵＢなどの電子機器およびその内部に設けられる電子回路にも適用することができる。
【０１１０】
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。たとえば、本発明は、実施形態で説明した構成と実質的に同一の構成（たとえば、機能、方法および結果が同一の構成、あるいは目的および効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成または同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【図面の簡単な説明】
【０１１１】
【図１】第１の実施形態に係る圧電体積層体を模式的に示す断面図。
【図２】タンタル酸リチウム結晶を六方晶で模式的に示す図。
【図３】ニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛層のタンタル酸リチウム基板との傾きを模式的に示す図。
【図４】Ｙカットタンタル酸リチウム基板のカット角度と（０１２）面との関係を模式的に示す図。
【図５】第１の実験例に係るＫＮｂＯ３層の２θ−θスキャンのＸ線回折図。
【図６】第１の実験例に係るＫＮｂＯ３層のφスキャンのＸ線回折図。
【図７】第１の実験例に係る立方晶ＰＺＴＮ層のＬｉＴａＯ３基板との方位関係を示す図。
【図８】（Ａ），（Ｂ）は、第２の実験例に係る菱面体晶ＰＺＴＮ層のＬｉＴａＯ３基板との方位関係を示す図。
【図９】（Ａ），（Ｂ）は、第３の実験例に係る正方晶ＰＺＴＮ層のＬｉＴａＯ３基板との方位関係を示す図。
【図１０】第２の実施形態に係る表面弾性波素子を示す断面図。
【図１１】第２の実施形態に係る周波数フィルタを示す斜視図。
【図１２】第２の実施形態に係る発振器を示す斜視図。
【図１３】第２の実施形態に係る発振器をＶＣＳＯに応用した一例を示す概略図。
【図１４】第２の実施形態に係る発振器をＶＣＳＯに応用した一例を示す概略図。
【図１５】ＰＬＬ回路の基本構成を示すブロック図。
【図１６】第２の実施形態に係る電子回路の構成を示すブロック図。
【図１７】第２の実施形態に係るリーダライタを用いた通信システムを示す図。
【図１８】図１７に示す通信システムの概略ブロック図。
【符号の説明】
【０１１２】
１１  ＬＴ基板、１２  ニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛層、１８，１９  ＩＤＴ電極、７０  入力端子、７１  位相比較器、７２  低域フィルタ、７３  増幅器、７４  ＶＣＯ、８０  送話部、８１  送信信号処理回路、８２  送信ミキサ、８３  送信フィルタ、８４  送信電力増幅器、８５  送受分波器、８６  アンテナ部、８７  低雑音増幅器、８８  受信フィルタ、８９  受信ミキサ、９０  受信信号処理回路、９１  受話部、９２  周波数シンセサイザ、９３  制御回路、９４  入力部、９５  表示部、１００  圧電体積層体、１１２  ループアンテナ、１１４  整合回路、１４０  基体、１４１  ＩＤＴ電極、１４２  ＩＤＴ電極、１４３  吸音部、１４４  吸音部、１４５  高周波信号源、１５０  基体、１５１  ＩＤＴ電極、１５２  ＩＤＴ電極、１５３  ＩＤＴ電極、１５４  高周波信号源、１６０  コントローラ、１６１  送信部、１６２  発振回路、１６３  変調回路、１６４  駆動回路、１６５  キャンセル部、１６６  ロジック回路、１６７  キャンセル回路、１６８  受信部、１６９  検波部、１７０  復調回路、１７２  電源回路、１８０  受信回路、１８１  送信回路、１８２  電源回路、１８３  クロック、１８４  ロジック制御回路、１８５  メモリ、１８６  アンテナ部、２００  表面弾性波素子、２５０  発振器、３００  電子機器、３１０  電子回路、２０００  リーダライタ、２１０５  本体、２１１０  アンテナ部、２１２０  制御インターフェース部、２２００  非接触情報媒体，３０００  通信システム
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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