(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
設計パターンからウェハ上で所望形状が得られるようにマスクパターンを生成するマスクパターン作成方法であって、
前記マスクパターンの作成開始前で前記設計パターンの設計時に、前記設計パターンの作成に用いられているスタンダード・セルのレイアウトパターンに対して基準点を設定し、設定された基準点を中心とする該セル内の領域に含まれるパターンのエッジ座標群を求めるステップと、
予め決められた補正パラメータを用いてシミュレーションによりエッジ座標群に関する補正値を算出するステップと、
前記設計パターンの設計が終了する前に、前記エッジ座標群とそれに対応する補正値とが登録された補正値ライブラリを作成するステップと、
前記マスクパターンの作成開始後に、前記設計パターンに基準点を設定し、設定された基準点を中心とする領域に含まれるパターンのエッジ座標群を求めるステップと、
求められたエッジ座標群について、前記補正値ライブラリを参照するステップと、
求められたエッジ座標群が前記補正値ライブラリに登録されていない場合、予め決められた補正パラメータに基づいたシミュレーションにより、前記エッジ座標群に対する補正値を算出するステップと、
求められた補正値とそれに対応するエッジ座標群とを前記補正値ライブラリに追加登録するステップと、
求められたエッジ座標群が前記補正値ライブラリに登録されている場合、該補正値ライブラリに収められた補正値を読み出すステップと、
算出された補正値、または読み出された値のいずれかに従って設計パターンを補正して、マスクパターンを生成するステップと、
を含むことを特徴とするマスクパターン作成方法。
【請求項２】
設計途中の第１の設計パターンに対して、基準点を設定し、設定された基準点を中心とする領域に含まれるパターンのエッジ座標群を求めるステップと、
予め決められた補正パラメータに基づいたシミュレーションによりエッジ座標群に関する補正値を算出するステップと、
前記設計パターンの設計が終了する前に、算出された補正値とそれに対応する前記エッジ座標群とが登録された前記補正値ライブラリを作成するステップと、
を含むことを特徴とする請求項１に記載のマスクパターン作成方法。
【請求項３】
前記補正値は、光学シミュレーション及びプロセスシミュレーションのうち、少なくとも光学シミュレーションを行うことにより算出されることを特徴とする請求項１に記載のマスクパターン作成方法。
【請求項４】
請求項１に記載されたマスクパターン作成方法によってマスクを作成し、このマスクを用いて半導体装置の製造途中の半導体基板上に形成された被加工膜に対して露光を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置を製造するためのマスクパターン作成方法および半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年の半導体製造技術の進歩は非常に目覚しく、最小加工寸法０．１８μｍサイズの半導体が量産されている。このような微細化はマスクプロセス技術、光リソグラフィ技術、およびエッチング技術等の微細パターン形成技術の飛躍的な進歩により実現されている。パターンサイズが十分大きい時代には、ウェハ上に形成したいＬＳＩパターンの平面形状をそのまま設計パターンとして描き、その設計パターンに忠実なマスクパターンを作成し、そのマスクパターンを投影光学系によってウェハ上に転写し、下地をエッチングすることによってほぼ設計パターン通りのパターンがウェハ上に形成できた。しかしパターンの微細化が進むにつれて、各プロセスでパターンを忠実に形成することが困難になってきており、最終的な仕上り寸法が設計パターン通りにならない問題が生じてきた。
【０００３】
特に微細加工を達成するために最も重要なリソグラフィおよびエッチングプロセスにおいては、形成したいパターンの周辺に配置された他のパターンレイアウト環境が、そのパターンの寸法精度に大きく影響する。そこでこれらの影響を低減させるために、加工後の寸法が所望パターンに形成されるように、予め設計パターンに補助パターンを付加する光近接効果補正（ＯＰＣ：Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ  Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ）またはプロセス近接効果補正（ＰＰＣ：Ｐｒｏｃｅｓｓ  ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ  Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ）技術など（以下、ＰＰＣ手法と呼ぶ）が特開平９−３１９０６７号公報や、ＳＰＩＥ  Ｖｏｌ．２３２２（１９９４）３７４（Ｌａｒｇｅ  Ａｒｅａ  Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ  Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ  ｕｓｉｎｇ  Ｐａｔｔｅｒｎ  Ｂａｓｅｄ  Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ，Ｄ．Ｍ．Ｎｅｗｍａｒｋ  ｅｔ．ａｌ）で報告されている。
【０００４】
ＰＰＣ手法は大きく２つの手法に分類され、補正値をある基準にしたがってルール化し、そのルールに基づいてパターン補正を行うルールベースＰＰＣ手法と、マスク、リソグラフィ、エッチングプロセスを通過した後のウェハ上での仕上がり形状を予測できるシミュレーターを用いて補正値を算出するシミュレーションベースＰＰＣ手法とがある。ルールベースＰＰＣ手法では、高速な補正が可能であるが、高精度な補正を行うことが困難であり、シミュレーションベースＰＰＣ手法では、高精度な補正が可能であるが、光学シミュレーション等の複雑な計算が必要となるため補正値の算出に時間がかかり、マスク作成のターン・アラウンド・タイム（ＴＡＴ：ｔｕｒｎ  ａｒｏｕｎｄ  ｔｉｍｅ）が悪くなる。
【０００５】
補正値算出の時間を低減させるために、上記公知例では以下の手法を提案し、補正値算出時間を低減させている。この手法の一例を図６に示す。
【０００６】
ステップＳ４０１：
設計レイアウトに基準点を設定し、その基準点を中心としたある大きさの領域を切りだす。上記特開平９−３１９０６７号公報では、「回りのレイアウトに対応して」この基準点が決められ、ＳＰＩＥでは、「ｃｏｒｎｅｒやｌｉｎｅ  ｓｅｇｍｅｎｔに対応して」この基準点が決められるとの記述がある。
【０００７】
ステップＳ４０２
領域内に含まれるエッジ座標群（今後、補正環境と呼ぶ）と、その補正環境に対応する補正値とが収められたデータベース（このデータベースを今後、補正値ライブラリと呼ぶ）を調べ、この補正値ライブラリに、ステップＳ４０１で切り出された補正環境と一致するものがあるかどうかを検索する。
【０００８】
ステップＳ４０３
もし、一致するものが存在する場合には、対応して収められている補正値を参照して、補正を行なう。
【０００９】
ステップＳ４０４
もし、一致するものが存在しない場合には、光学シミュレーション、プロセスシミュレーション、又は補正値を多項式で表現した数式等により、補正値を算出する。そして、そのときの補正環境と、対応する補正値とを補正値ライブラリに追加する。
【００１０】
すべての基準点に対して、上記Ｓ４０１〜Ｓ４０４の処理を行って、マスクパターンの作成が終了する。
【００１１】
この補正方法では、一度現われた補正環境とそれに対応する補正値とが、補正値ライブラリに収められるため、再び同じ環境が現われても補正値算出を行なう必要がない。その結果、時間を要するシミュレーションの回数を可能な限り少なくできるため、マスクパターンの作成時間を低減させることが可能となる。
【００１２】
実際のデバイス開発では、最初にデバイス特性測定およびプロセスフロー構築を目的とした小規模な設計データが作成され、そのデータに基づいてマスク作成が行なわれる。その後、量産用製品が開発され、さらにその製品に派生する製品（派生品と呼ぶ）が作成されることもある。これら小規模データ、量産用製品や派生品に使用されるパターンレイアウトの種類は、必ずしもすべて異なるわけではなく、重複しているパターン種が数多く存在する。また、デバイス開発時には、主にマスク、リソグラフィ、エッチングなどの微細加工プロセスの条件変更に伴うマスクの改版もしばしば行なわれる。
【００１３】
このような状況下では、従来のマスクパターン処理を行った場合、以下のような点でマスク作成のＴＡＴを遅らせる問題点が考えられる。まず、マスクパターンの作成開始時の補正値ライブラリには、エッジ座標群とそれに対応する補正値とが含まれないため、入力されるエッジ座標群をシミュレーションで補正値を求める割合が非常に高い。これは設計データの規模が大きいほど、シミュレーションされる補正環境数が増大し、マスク作成のＴＡＴを悪化させる原因となる。
【００１４】
また、従来法では、マスクの改版の際にも補正値ライブラリを再度新規に作成する必要があり、上記のような状況を鑑みて補正値ライブラリを効率的に使用する手法についての記述は一切なされていない。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように、マスクパターンの作成開始時には、補正値ライブラリにエッジ座標群とそれに対応する補正値とが入力されておらず、シミュレーションで補正値を算出する割合が多く、マスクパターン作成のＴＡＴを悪化させるという問題があった。
【００１６】
また、従来法では、マスクの改版の際にも補正値ライブラリを再度新規に作成する必要があり、上記のような状況を鑑みて補正値ライブラリを効率的に使用する手法についての記述は一切なされていない。
【００１７】
本発明の目的は、マスクパターンの作成開始時においても、エッジ座標群とそれに対応する補正値とを用いることができ、マスクパターン作成のＴＡＴの改善を図り得るマスクパターン作成方法及び半導体装置の製造方法を提供することにある。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記目的を達成するために以下のように構成されている。
【００２０】
本発明に係わるマスクパターン作成方法は、設計パターンからウェハ上で所望形状が得られるようにマスクパターンを生成するマスクパターン作成方法であって、前記マスクパターンの作成開始前で前記設計パターンの設計時に、前記設計パターンの作成に用いられているスタンダード・セルのレイアウトパターンに対して基準点を設定し、設定された基準点を中心とする該セル内の領域に含まれるパターンのエッジ座標群を求めるステップと、予め決められた補正パラメータを用いてシミュレーションによりエッジ座標群に関する補正値を算出するステップと、前記設計パターンの設計が終了する前に、前記エッジ座標群とそれに対応する補正値とが登録された補正値ライブラリを作成するステップと、前記マスクパターンの作成開始後に、前記設計パターンに基準点を設定し、設定された基準点を中心とする領域に含まれるパターンのエッジ座標群を求めるステップと、求められたエッジ座標群について、前記補正値ライブラリを参照するステップと、求められたエッジ座標群が前記補正値ライブラリに登録されていない場合、予め決められた補正パラメータに基づいたシミュレーションにより、前記エッジ座標群に対する補正値を算出するステップと、求められた補正値とそれに対応するエッジ座標群とを前記補正値ライブラリに追加登録するステップと、求められたエッジ座標群が前記補正値ライブラリに登録されている場合、該補正値ライブラリに収められた補正値を読み出すステップと、算出された補正値、または読み出された値のいずれかに従って設計パターンを補正して、マスクパターンを生成するステップとを含むことを特徴とする。
【００２２】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を以下に図面を参照して説明する。
【００２３】
（第１の実施形態）
本発明の第１の実施例を説明する。まず、従来のデバイス開発の流れに伴うマスクパターン補正処理手法を図１に示す。通常、メモリ、ロジック等のデバイス開発は、図１の矢印に示す流れに従って行なわれる。最初に、小規模なテストサンプルが作成され、そのテストサンプルはプロセスフローの構築やデバイスの基本特性を測定することを主目的として利用される。このテストサンプルで基本的な評価が終了した後に、製品デバイスを作成し始める。
【００２４】
そこで、図１は、本発明の第１の実施形態に係わるマスクデータ作成装置の概略構成を示すブロック図である。図２〜３は、本発明の第１の実施形態に係わるマスクデータの作成方法を示すフローチャートである。図４は、本発明の第１の実施形態に係わるマスクパターン作成方法の概念を示す図である。
そこで、図１は、本発明の第１の実施形態に係わるマスクパターン補正処理方法を示す図である。
【００２５】
（ステップＳ１０１）
先ず、テストサンプルの設計を開始する。
【００２６】
（ステップＳ１０２）
テストサンプルの設計が終了する前に、補正値ライブラリ１１２を作成する。補正値ライブラリ１１２中には、デバイスの種類、レイヤー種類、プロセスパラメータ等によって分類された各々の補正値ライブラリファイルが管理されている。テストサンプルのマスクパターンの生成を行う場合、補正値ライブラリ１１２中には、データが無い。しかし、テストサンプルの設計が終了する前に、エッジ座標群に対する補正値を補正値ライブラリ１１２に入力しておくことが望ましい。テストサンプルの設計終了前に、エッジ座標群に対する補正値を作成する方法の例を以下に３つ示す。
【００２７】
第１の作成方法：テストサンプルに使用されるパターン群を設計中もしくは終了前に予め入手し、そのパターン群に対応する補正値を算出する。
【００２８】
第２の作成方法：配線パターンの設計に用いられているスタンダード・セル等のモジュールの情報を予め設計者から入手し、入手したモジュールのパターンに対して予めシミュレーションを行って、各モジュールのパターンに対する補正値を求める。
【００２９】
第３の作成方法：設計者がレイアウト設計時に、ウェハ上での仕上がり形状を予測するために小規模なパターンで、データ処理およびリソグラフィシミュレーションを行なっている場合には、そのデータ処理時に作成されるライブラリファイルを設計者から回収する。
【００３０】
第４の作成方法：前世代に使用された設計資産（設計レイアウト）を、今世代でのデザインルール（Ｄ．Ｒ．：ｄｅｓｉｇｎ  ｒｕｌｅ）を満たすようにシュリンクして、今世代で使用されることが予測される設計レイアウトを作成し、その設計レイアウトに基づいてデータ処理時に使用されるライブラリファイルを作成する。
第１の作成方法は、予め設計者との合意があれば、設計中／設計終了前のデータを入手することは比較的容易である。第２の作成方法は、各モジュール毎に設計を行なうロジックデバイスなどで有効な方法である。
【００３１】
また、今後さらにリソグラフィプロセスの困難度が増すと、設計者自身が設計しながら、そのパターンがウェハ上に形成可能かどうかをシミュレーション結果を基に判断する必要が生じる。このような設計形態を想定した場合には、小規模データで、頻繁にデータ処理、およびリソグラフィシミュレーションが繰り返し行なわれるため、そのときに生成されるライブラリファイルを回収することにより、テストサンプルに含まれるパターン群を予め知ることができる。
【００３２】
さらに第４の作成方法では、本世代でのＤ．Ｒ．と、前世代で使用された設計レイアウトをコンパクションツールと呼ばれるツールに入力することで、前世代の設計レイアウトを本世代のＤ．Ｒ．を満たす設計レイアウトにコンパクションすることが可能となる。このツールを使用することにより、設計者がレイアウトを設計する前に、本世代で使用することが予測される設計レイアウトをある程度準備することができる。こうして予測された設計レイアウトから予め本世代で使用されると思われるパターン群を予測することも可能である。
【００３３】
（ステップＳ１０３）
テストサンプルのレイアウト終了後、設計パターン／マスクパターン格納部１１１にテストサンプルの設計パターン（第１の設計パターン）１１１ａのデータを格納する。
【００３４】
（ステップＳ１０４）
マスクパターン作成装置１００の基準点設定部１０１が、テストサンプルの設計パターン１１１ａの所定の位置に基準点を設定する。各基準点を中心としたある大きさの領域を切りだす。ここで、切り出す領域は、補正対象点から近接効果の及ぶ範囲である。基準点は、回りのレイアウトに対応して、角部や辺に対応して設定される。
【００３５】
（ステップＳ１０５）
ステップ１０２で設定された基準点に関し、順次補正を行う。
【００３６】
（ステップＳ１０６）
マスクパターン作成装置１００のエッジ座標群算出部１０２は、切り出された領域中に含まれる、パターンのエッジの座標位置を求める。これ以降、求められた座標位置の集まりをエッジ座標群と呼ぶことにする。
【００３７】
（ステップＳ１０７）
次いで、マスクパターン作成装置１００の補正値ライブラリ参照部１０３は、そのエッジ座標群に対応する補正値とが収められた補正値ライブラリ１１２を参照し、この補正値ライブラリ１１２に、ステップＳ１０６で求められたエッジ座標群と一致するものがあるかどうかを検索する。
【００３８】
（ステップＳ１０８）
補正値ライブラリ１１２にエッジ座標群が有る場合、補正値ライブラリ参照部１０３は、補正値ライブラリ１１２からエッジ座標群に対応する補正値を取得する。
【００３９】
（ステップＳ１０９）
補正値ライブラリ参照部１０３は、エッジ座標群と取得した補正値とを、マスクパターン作成装置１００のエッジ移動部１０４に渡す。そして、エッジ移動部は、渡された補正値に基づいて、設計パターン／マスクパターン格納部１１１に格納されているテストサンプルの設計パターン１１１ａ中のエッジ座標群を含む辺のエッジを移動させる。
【００４０】
（ステップＳ１１０）
補正値ライブラリ１１２にエッジ座標群が無い場合、マスクパターン作成装置１００の補正値算出部１０５は、補正パラメータ１１３の条件下で、光学シミュレーション、又は補正値を多項式で表現した数式等を用いたＯＰＣ、及びプロセスシミュレーション、又は補正値を多項式で表現した数式等を用いたＰＰＣにより、エッジ座標群に対応する補正値を算出する。補正パラメータ１１３は、光学パラメータ、及びプロセスパラメータで構成されている。なお、プロセス近接効果が問題とならない場合、プロセス近接効果補正を行う必要はなく、光近接効果補正のみを行えばよい。
【００４１】
（ステップＳ１１１）
マスクパターン作成装置１００のエッジ座標群・補正値登録部１０６は、ステップＳ１１０で新たに求められた補正値と、それに対応するエッジ座標群とを補正値ライブラリ１１２に追加格納する。その後、ステップＳ１０７〜Ｓ１０９を順次実行する。
【００４２】
（ステップＳ１１２）
以上の処理が各基準点に対して施され、全ての基準点に対する光近接効果補正及びプロセス近接効果補正が実施されると、テストサンプルのマスクパターン（第１のマスクパターン）の作成が終了する。
【００４３】
（ステップＳ１１３，Ｓ１１４，Ｓ１１５）
作成されたマスクパターンを用いてマスクを作成し、作成されたマスクを用いてテストサンプルを作成する（Ｓ１１３）。このテストサンプルでプロセスフローの構築やデバイスの基本特性の評価を行う（Ｓ１１４）。そして、製品デバイスの設計を行う（Ｓ１１５）。
【００４４】
（ステップＳ１１６）
製品デバイスの設計が終了したら、製品デバイスの設計パターン（第２の設計パターン）１１１ｂを設計パターン／マスクパターン格納部１１１に格納する。
【００４５】
（ステップＳ１１７）
基準点設定部１０１は、設計データ格納部１１１に格納されている製品デバイスの設計データ１１１ａから、製品デバイスの設計パターン１１１ｂ上の任意の位置に基準点を複数設定する。各基準点を中心としたある大きさの領域を切りだす。ここで、切り出す領域は、補正対象点から近接効果の及ぶ範囲である。基準点は、回りのレイアウトに対応して、角部や辺に対応して設定される。
【００４６】
（ステップＳ１１８）
ステップ１１５で設定された基準点に関し、順次補正が行われる。
【００４７】
（ステップＳ１１９）
エッジ座標群算出部１０２は、各基準点を中心として切り出された領域中に含まれる、パターンのエッジの座標位置を求める。
【００４８】
（ステップＳ１２０）
次いで、補正値ライブラリ参照部１０３は、そのエッジ座標群に対応する補正値とが収められた補正値ライブラリ１１２を参照し、この補正値ライブラリ１１２に、ステップＳ１１９で求められたエッジ座標群と一致するものがあるかどうかを検索する。
【００４９】
（ステップＳ１２１）
補正値ライブラリ１１２にエッジ座標群が有る場合、補正値ライブラリ参照部１０３は、補正値ライブラリ１１２からエッジ座標群に対応する補正値を取得する。
【００５０】
（ステップＳ１２２）
補正値ライブラリ参照部１０３は、エッジ座標群と取得した補正値とをエッジ移動部１０４に渡す。そして、エッジ移動部１０４は、渡された補正値に基づいて、設計パターン／マスクパターン格納部１１１に格納されている製品デバイスの設計パターン１１１ｂのエッジ座標群を含む辺のエッジを移動させる。
【００５１】
（ステップＳ１２３）
補正値ライブラリ１１２にエッジ座標群が無い場合、補正値算出部１０５は、補正パラメータ１１３の条件下で、光学シミュレーション、又は補正値を多項式で表現した数式等を用いたＯＰＣ、及びプロセスシミュレーション、又は補正値を多項式で表現した数式等を用いたＰＰＣにより、エッジ座標群に対応する補正値を算出する。
【００５２】
（ステップＳ１２４）
エッジ座標群・補正値登録部１０６は、ステップＳ１２３で新たに求められた補正値と、それに対応するエッジ座標群とを補正値ライブラリ１１２に追加格納する。その後、ステップＳ１２０〜Ｓ１２２を順次実行する。
【００５３】
（ステップＳ１２５）
以上の処理が各基準点に対して施され、全ての基準点に対する光近接効果補正及びプロセス近接効果補正が実施されると、製品デバイスのマスクパターンの作成が終了する。
【００５４】
その後、作成されたマスクパターンに基づいて実際にマスクを製造する。その後、製造されたマスクを用いて、半導体装置の製造途中の半導体基板上に形成されたレジスト膜等（被加工膜）に対して露光を行い、公知の手法を用いて半導体装置を製造する。
【００５５】
上述したマスクパターン作成方法では、テストサンプルに含まれるエッジ座標群の一部とそれに対応する補正値とが、予め補正値ライブラリ１１２に収められているため、補正値算出のためのシミュレーション回数を低減させることが可能となる。
【００５６】
そして、製品デバイスのマスクデータを作成するときには、補正値ライブラリ１１２を参照しつつ補正を行う。さらに、テストサンプルのマスクデータ作成後の補正値ライブラリ１１２には、テストサンプルの座標群に対する補正値がすべて収められている。従って、従来のように新規で補正を行うより、シミュレーションによる補正値算出の回数が低減する。
【００５７】
さらに、製品デバイス用マスク作成後、マスクの改版が有る、又は派生製品デバイスを作成する場合、製品デバイスのマスクデータを作成した後の補正値ライブラリ１１２を用いて、マスクデータを作成することによって、マスクデータの作成時間を短縮することができる。
【００５８】
この方法で補正を行えば、補正値ライブラリファイルには補正パターンについての情報とその補正値とが次第に蓄えられてゆくため、新たなマスクデータ作成の際にはシミュレーションによる補正値算出の回数が激減する。これにより、マスク作成に要する時間を大幅に低減させることが可能である。
【００５９】
（第２の実施形態）
第１の実施形態で説明したように、ライブラリデータベースで補正値ライブラリファイルを管理し、そのライブラリファイルを補正の度に取得してマスクパターン補正を行うことでシミュレーションによる補正値算出時間を低減させることができ、マスクパターン補正処理時間を低減できることが分かった。しかし、実際には補正値ライブラリ１１２に収められている補正値は、プロセスの変更に伴って変更する必要がある。テストサンプル補正時に使用した補正パラメータは、製品に対しても同様であることはほとんど無く、テストサンプルの時とは異なる製品時での補正パラメータ用いて補正値を算出することが必要となる。
【００６０】
そこで、我々は補正値ライブラリ１１２の編集ツールを開発した。図５に補正値ライブラリ編集ツールの概略を示す。図５は、第２の実施形態に係わる補正値ライブラリ編集ツールの概略構成を示すブロック図である。
【００６１】
この補正値ライブラリ編集ツール２００は、マスクパターン作成装置１００の補正値算出部１０５と同じ機能を有する補正値算出部２０１と、補正値書き換え部２０２とから構成されている。補正パラメータ１１４が補正値ライブラリ編集ツール２００に入力されると、補正値算出部２０１は補正値ライブラリ１１２からエッジ座標群を順次読み出し、読み出された各エッジ座標群に対してそれぞれ補正値を算出する。補正値ライブラリ１１２に格納されている補正値は、補正値書き換え部２０２によって、新たに算出された補正値に書き換えられる。
【００６２】
この補正値ライブラリ編集ツール２００を用いれば、テストサンプル、製品デバイスに含まれる補正パターンのエッジ座標群毎に、新たなプロセスに適用される補正値を算出しておくことが可能となる。
【００６３】
この補正値ライブラリ編集ツール２００を用いることにより、マスクパターン補正処理を開始する前に、オフラインでライブラリファイルのみを最新の補正値に編集することができるため、マスクパターン補正処理中に時間のかかるシミュレーションを行う必要がなくなり、マスクパターン補正処理時間の低減およびマスク作成のＴＡＴを向上させることができる。また、補正値ライブラリ編集ツール２００の編集作業を複数のＣＰＵ、複数のコンピュータで並行処理を行うと、補正値ライブラリをさらに高速に編集することができる。
【００６４】
このようにして、プロセスおよび補正パラメータが変わることに対応して補正値ライブラリも書きかえることが可能となり、プロセスが変わった場合にも非常に短時間でデータ処理を行うことが可能となった。
【００６５】
なお、補正値ライブラリ１１２の補正値を書き換える必要はなく、エッジ座標群に対して新たに算出された補正値を追加対応させても良い。
【００６６】
（第３の実施形態）
第１の実施形態にしたがって、ＤＲＡＭ層のメタルレイヤーを補正した。まず、テストサンプルを補正し、補正により作成されたライブラリファイルを保持しておく。そして、製品データをテストサンプルから作成されたライブラリファイルを用いた場合と、用いない場合でそれぞれ補正を行い、それぞれでのデータ処理時間を算出した。その結果、ライブラリファイルが有る場合の補正時間は無い場合の補正時間の１／１０倍適度にまで短縮されることが見出された。
【００６７】
さらに、この世代の派生品に対しても、同様の方法で補正を行なった。従来ならば、ライブラリを０から作成する必要があり、非常にデータ処理時間がかかっていたが、派生品では、そのマザー製品に対するライブラリファイルが既に存在しており、共通のパターン群が多数使用されているため、非常に高速に補正できることが見出だされ、派生品に対しても非常に有効であることが分かった。
【００６８】
なお、本発明は、上記各実施形態に限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々に変形することが可能である。更に、上記実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。例えば、実施形態に示される全構成要件から幾つかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題の少なくとも１つが解決でき、発明の効果の欄で述べられている効果の少なくとも１つが得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。
【００６９】
その他、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施することが可能である。
【００７０】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、設計パターンの設計終了前に、予め補正値ライブラリを作成しておくことにより、マスクパターンの作成初期段階においても補正値ライブラリを利用することができ、シミュレーションによる補正値算出時間が大幅に低減するため、マスクパターン作成のＴＡＴの改善を図り得る。
【００７１】
また、本発明によれば、補正値ライブラリを複数のマスクパターンの作成に用いることによって、シミュレーションによる補正値算出時間が大幅に低減するため、マスク作成のＴＡＴを向上させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施形態に係わるマスクパターン作成装置の概略構成を示すブロック図。
【図２】第１の実施形態に係わるマスクパターンの作成方法を説明するためのフローチャート。
【図３】第１の実施形態に係わるマスクパターンの作成方法を説明するためのフローチャート。
【図４】第１の実施形態に係わるマスクパターンの作成方法の概念を示す図。
【図５】第２の実施形態に係わる補正値ライブラリ編集ツールの概略構成を示すブロック図。
【図６】従来のマスクパターンの作成方法を説明するためのフローチャート。
【符号の説明】
１０１…基準点設定部
１０２…エッジ座標群算出部
１０３…補正値ライブラリ参照部
１０４…エッジ移動部
１０５…補正値算出部
１０６…エッジ座標群・補正値登録部
１１１…設計パターン／マスクパターン格納部
１１２…補正値ライブラリ
１１３…補正パラメータ
【図１】
0004592240.tif 000002
【図２】
0004592240.tif 000003
【図３】
0004592240.tif 000004
【図４】
0004592240.tif 000005
【図５】
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【図６】
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