(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電荷蓄積部と電荷転送部を備えた縦型オーバーフロードレイン構造のＣＣＤ撮像素子である固体撮像素子と、この固体撮像素子を駆動する駆動手段と、被写体を照明するための照明手段を制御する照明制御手段と、前記駆動手段及び照明制御手段を制御して露光を制御する露光制御手段とを具備してなり、
前記露光制御手段は、撮影対象たる画像の撮影に際して、少なくとも前記照明制御手段が制御する照明手段における発光終了時点から当該画像に関する露光終了時点までの期間が所定時間以上ある場合には、前記発光終了時点と露光終了時点の両方の時点において、前記固体撮像素子の電荷蓄積部から電荷転送部への電荷移送パルスＴＧを出力するとともに、少なくとも前記発光終了時点における電荷移送パルスＴＧの出力時点から前記露光終了時点における電荷移送パルスＴＧの出力時点に至る期間においては前記固体撮像素子の垂直転送路の駆動を停止するように構成されていることを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記照明制御手段は、ストロボを発光駆動するものであることを特徴とする請求項１記載の撮像装置。
【請求項３】
前記照明手段は、撮像装置本体に一体的に形成されていることを特徴とする請求項１又は２記載の撮像装置。
【請求項４】
前記所定時間は前記電荷移送パルスＴＧのパルス幅以上であり、当該撮影対象たる画像の撮影に際して、少なくとも前記発光終了時点から露光終了時点までの期間が前記電荷移送パルスＴＧのパルス幅に係る所定時間未満の場合には前記発光終了時点における電荷移送パルスＴＧの出力を禁止することを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＣＣＤ等の固体撮像素子を用いた撮像装置に係わり、特にストロボ等を発光させた際の固体撮像装置の駆動方法を改良した撮像装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子撮像装置は広く普及するに至っており、特に静止画撮影に使用されるデジタルカメラは銀塩カメラに匹敵する存在に近づきつつある。なお、本明細書では、特記しない限りデジタル化された電子スチルカメラをデジタルカメラと称する。本発明の技術はアナログ電子スチルカメラにも共通するが、これらを代表するものとして以下ではデジタルカメラについて論ずる。
【０００３】
静止画カメラとしての機能要求は多岐に渡るが、撮像に際しての露光制御は特に重視されており、銀塩カメラにおいて達成された各種露光機能はほぼ同様に可能ならしめられており、さらに銀塩カメラでは為し得ない機能の実現が図られている。
【０００４】
例えば、ＣＣＤ撮像素子において電荷蓄積を制御することによって実現されるいわゆる電子シャッタは、通常の銀塩カメラのメカシャッタでは実現不可能な高速シャッタが実現可能なものであり、これを有効活用するためにプログレッシブスキャン（順次走査）型のＣＣＤ撮像素子も使用されている。一方で、撮像素子に起因する様々な不具合（例えば画質劣化要因）も存在しており、デジタルカメラにおいてはこれらが顕在化しないように様々な工夫を施すことによって実用に供せられている。
【０００５】
特開平９−１６３２３９号公報に記載された技術は、このような不具合のうち、インターレーススキャン（飛越走査）型のＣＣＤ撮像素子をメカシャッタと組合わせて使用した場合に生じる問題を解決している。即ち、蓄積電荷リークに起因するライン間レベル差の問題を取り上げており、基板電圧を時間的に制御することで電荷リークを防ぎ、或いは各フィールド画像の電荷リークを同一にすることで問題の解決を図っている。
【０００６】
蓄積電荷リーク現象は、縦形オーバーフロードレイン構造のＣＣＤ撮像素子を用いてブルーミング抑圧制御を行う場合に顕著に生じるものである。周知の如くブルーミングは、フォトダイオードに蓄積できる信号電荷量に限度があるため、照度の高い光のスポットが入射したときに、光電変換により生じた信号電荷がフォトダイオードから溢れだして隣接したフォトダイオードや電荷転送部に流れ込み、画像崩れを生じる現象である。
【０００７】
ここで、本発明が問題とする上記電荷リークとは、例えばメカシャッタによる遮光後に顕著になるものであって、オーバーフローレベル以下の蓄積電荷の一部が時間と共に失われるために、信号の飽和レベルが低下する現象である。この原因は、電子の量子力学的揺らぎによって、上記オーバーフローレベルを乗り越えて蓄積電荷の一部が基板側に排出されてしまうためであるとされている。
【０００８】
このとき、（新たな光電荷の発生が無ければ）電荷がリークするのに伴って蓄積部の電位も下がることから、リーク電流は遮光後の時間経過に伴って減衰する。その結果、蓄積電荷量、即ち撮像素子出力の飽和信号量は、遮光後の経過時間に対して図６に一例を示したような対数関数的な減衰特性を示すことになる。もとよりこれは量子力学的効果であるから、取扱う電荷量が充分多い場合には無視し得るが、近年の撮像素子の高画素化によって画素当たりの電荷量が極めて小さくなっているために顕在化しつつある現象である。
【０００９】
従来この現象は、飛越走査型ＣＣＤ撮像素子において時間差のある２回の電荷位相パルス（ＴＧパルス）による信号読み出しが必須であるため、奇数フィールドと偶数フィールドの蓄積電荷量が一致しなくなる、という観点でのみ捉えられていた。従って上記文献においても、例えば基板電圧ＶＳＵＢをブルーミング抑圧が不要な遮光後に充分引き下げることによってオーバーフローレベルを充分高くし、電荷リークを事実上無くすことによって問題の解決を図っている。また、順次走査型ＣＣＤ撮像素子では、１回のＴＧパルスによって電子的にシャッタ閉が行われるからこの観点による不具合は生じない。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、従来は見過ごされていた、上記電荷リークがもたらす他の重大な弊害が存在している。即ち、被写体照明装置として、特にストロボ（エレクトロニックフラッシュ）に代表されるような発光タイミングを制御できる照明を利用した撮影の際に生じる飽和信号量の低下現象である。以下、照明はストロボであるとして、また撮像素子は順次走査型ＣＣＤであるとして、ストロボ撮影において広く使用されているところのいわゆる「先幕シンクロ露光」を例に取って、図７のタイムチャートによって説明する。
【００１１】
まず、外光を含めた露光全体は、最後のＶＳＵＢパルスの出力によって時刻ｔ１において電子的にシャッタ開となった後に、所定の露光時間経過後の時刻ｔ２においてＴＧパルスが出力され、電子的にシャッタが閉じられることによってなされる。この際、通常は電荷転送路内の不要電荷排出のため、ＴＧパルスの出力直前まで垂直シフトレジスタが通常の画像読み出し時よりも高レートの高速排出モードで駆動されている。そして、ＴＧパルスによる画像信号の移送が行われた後に、速やかに垂直シフトレジスタの通常駆動による画像信号の読み出しが行われる。
【００１２】
ストロボ使用時には上記シャッタ開のタイミングである時刻ｔ１の直後にストロボ発光制御信号ＳＴＢＯＮが出力され（時刻ｔ３）、ストロボが点弧し、その後公知の露出制御手法（例えばダイレクト測光・測距調光演算・プリ発光測光など）によって時刻ｔ４にストロボ停止信号ＳＴＢＯＦＦが出力され、ストロボは消弧する。発光停止までに遅延を含むこともあるので、実際に発光停止する時刻は区別してｔ５で示している。
【００１３】
さて、この時点でＣＣＤ撮像素子の各画素の蓄積領域にはストロボ光の被写体反射光による信号電荷が蓄積されているが、その後は（外光による影響を除けば）新たな光電荷の発生は無いから上記したような電荷リークが発生し、従ってＴＧパルスによるシャッタ閉（露光終了）までの時間に応じてより大きな実質的な飽和レベル低下が生じることになる。前記図６に示したような特性例の撮像素子の場合は、発光停止からＴＧパルスによるシャッタ閉（露光終了）まで１〜２ｍｓあると、飽和レベルは約７０％まで低下してしまうことになる。
【００１４】
なお、実際には外光も存在しているから現象はさらに複雑であるが、少なくとも日中シンクロや長時間（夜景）シンクロ撮影のように、主にストロボによって主要被写体が照明され、外光によっては主に背景しか照明されないような撮影シーンの場合には、主要被写体に着目すれば外光の影響は小さいから本質は変わらない。即ち、少なくともストロボ光成分のみに着目した場合には、発光停止以後ＴＧパルスが出力されるまでの時間Ｔｄ（＝ｔ２−ｔ５）に応じて、飽和信号レベルの低下が生じることになる。これは結果的に、「ストロボ撮影では白飛びが生じ易いカメラ」になることを意味する。特にこの現象が顕著に生じた場合は、白と見なし得るレベルに至る前に飽和してしまう「灰色飛び」を生じてしまうおそれさえある。
【００１５】
そして、先に説明した従来例の技術はこの問題に対しては無効である。即ち、少なくともメカシャッタ閉以後に基板電圧ＶＳＵＢを可変するものであるから、シャッタ閉よりも以前の時点で起こる上記ストロボ光成分に関する電荷リークに対処することはできないものであった。
【００１６】
また、仮に新規な試みとして、ストロボ消弧直後に基板電圧ＶＳＵＢを引き下げてストロボ光成分に関するリークを抑え飽和レベルの低下が生じないようにしたとすれば、これは以後のブルーミング抑圧が働かなくなることを意味するから、外光成分による露光に対してはブルーミングによる画質劣化を生じてしまうという欠点を有しているものである。
【００１７】
本発明は、上記事情を考慮して成されたもので、その目的とするところは、ストロボ光等の発光成分に関する電荷リークによって生じる飽和レベルの低下を防止し、且つブルーミング抑圧特性の低下による画質劣化を防止することができ、撮像画質の向上に寄与し得る撮像装置を提供することにある。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
（構成）
上記課題を解決するために本発明は次のような構成を採用している。
【００１９】
即ち本発明は、静止画の撮影に供される撮像装置において、電荷蓄積部と電荷転送部を備えた縦型オーバーフロードレイン構造のＣＣＤ撮像素子である固体撮像素子と、この固体撮像素子を駆動する駆動手段と、被写体を照明するための照明手段を制御する照明制御手段と、前記駆動手段及び照明手段を制御して露光を制御する露光制御手段とを具備してなり、前記露光制御手段は、撮影対象たる画像の撮影に際して、少なくとも前記制御手段が制御する照明手段における発光終了時点から当該画像に関する露光終了時点までの期間が所定時間以上ある場合には、前記発光終了時点と露光終了時点の両方の時点において、前記固体撮像素子の電荷蓄積部から電荷転送部への電荷移送パルスＴＧを出力するとともに、少なくとも前記発光終了時点における電荷移送パルスＴＧの出力時点から前記露光終了時点における電荷移送パルスＴＧの出力時点に至る期間においては前記固体撮像素子の垂直転送路の駆動を停止するように構成されていることを特徴とする。
【００２０】
ここで、本発明の望ましい実施態様としては次のものがあげられる。
(1) 照明制御手段は、ストロボを発光駆動するものであること。
(2) 照明手段は、撮像装置本体に一体的に形成されていること。
【００２１】
(3) 所定時間は電荷移送パルスＴＧのパルス幅以上であり、撮影対象たる画像の撮影に際して、少なくとも発光終了時点から露光終了時点までの期間が電荷移送パルスＴＧのパルス幅に係る所定時間未満の場合には、発光終了時点における電荷移送パルスＴＧの出力を禁止すること。
【００２２】
（作用）
本発明によれば、ストロボに代表される照明手段を用いた場合にも、発光終了時点から露光終了時点まで少なくとも所定時間以上ある場合には、発光終了時点と露光終了時点の両方でＴＧパルスを出すようにしている。これにより、少なくとも順次走査型撮像素子を使った場合には、発光成分に関しても光電荷がリークする前に転送路への電荷移送が行われるから、飽和レベルの低下を生じることがなく、またブルーミング抑圧特性が変化することもない。
【００２３】
また、照明手段としてストロボを用いることにより、ストロボ撮影に関してブルーミング特性の劣化を招くことなく、画像の飽和レベルの低下を生じないようにできる。さらに、ストロボを撮像装置本体に一体形成することにより、内蔵ストロボ撮影に関してブルーミング特性の劣化を招くことなく、画像の飽和レベルの低下を生じないようにできる。
【００２４】
また、発光終了時点から露光終了時点までの期間が電荷移送パルスＴＧのパルス幅に係る所定時間未満の場合には、発光終了時点における電荷移送パルスＴＧの出力を禁止することにより、ＴＧパルスが重複することによる不都合を避けることが可能となる。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の詳細を図示の実施形態によって説明する。
【００２６】
図１は、本発明の一実施形態に係わるデジタルカメラの回路構成を示すブロック図である。
【００２７】
図中１０１は各種レンズからなるレンズ系、１０２はレンズ系１０１を駆動するためのレンズ駆動機構、１０３はレンズ系１０１の絞りを制御するための露出制御機構、１０４はＬＰＦ等のフィルタ系、１０５は色フィルタを内蔵したＣＣＤカラー撮像素子、１０６は撮像素子１０５を駆動するためのＣＣＤドライバ、１０７はＡ／Ｄ変換器等を含むプリプロセス回路、１０８は色信号生成処理，マトリックス変換処理，その他各種のデジタル処理を行うためのデジタルプロセス回路、１０９はカードインターフェース、１１０はＣＦ等のメモリカード、１１１はＬＣＤ画像表示系を示している。
【００２８】
また、図中の１１２は各部を統括的に制御するためのシステムコントローラ（ＣＰＵ）、１１３は各種ＳＷからなる操作スイッチ系、１１４は操作状態及びモード状態等を表示するための操作表示系、１１５はレンズ駆動機構１０２を制御するためのレンズドライバ、１１６は発光手段としてのストロボ、１１７はストロボ１１６を制御するための露出制御ドライバ、１１８は各種設定情報等を記憶するための不揮発性メモリ（ＥＥＰＲＯＭ）を示している。
【００２９】
本実施形態のディジタルカメラにおいては、システムコントローラ１１２が全ての制御を統括的に行っており、特にＣＣＤ撮像素子１０５が順次走査型であることを利用してＣＣＤドライバ１０６によりＣＣＤ撮像素子１０５の駆動を制御して露光（電荷蓄積）及び信号の読み出しを行い、それをプリプロセス回路１０７を介してディジタルプロセス回路１０８に取込んで、各種信号処理を施した後にカードインターフェース１０９を介してメモリカード１１０に記録するようになっている。また、上記露光に際してストロボを使用する場合には、特に露出制御ドライバ１１７を制御してストロボ１１６に発光開始、停止の各制御信号を送ることによりストロボを発光させるようになっている。
【００３０】
図２は、本実施形態に用いたＣＣＤ撮像素子の基本構成を示す平面図であり、縦形オーバーフロードレイン構造のインターライン型ＣＣＤの構造である。マトリクス配置された複数個のフォトダイオード２０１と、隣接するフォトダイオード２０１間に縦列方向に配置された複数列の垂直シフトレジスタ２００と、各々のフォトダイオード２０１に蓄えられた信号電荷を垂直シフトレジスタ２００にそれぞれ読出すトランスファーゲート領域２０２と、垂直シフトレジスタ２００の一端に横列方向に設けられた水平シフトレジスタ２０３と、水平シフトレジスタ２０３の一端に配置されて信号電荷を検出する信号検出器２０４で構成されている。
【００３１】
図３は、図２におけるＡ−Ａ’線の断面図を示す。ｎ型半導体基板３００は接合の浅いｐウェルの第１領域３０１と接合の深いｐウェルの第２領域３０２で形成されている。第１領域３０１にはｎ型層からなる光電変換領域３０３が形成され、ｐｎ接合が形成された部分がフォトダイオードとして作用する。第２領域３０２には埋め込みチャネル３０４が形成され、その上に絶縁層３０６を介して転送電極３０５が形成され、これにより垂直シフトレジスタが構成されている。
【００３２】
光電変換領域３０３と対応する埋め込みチャネル３０４との間には、光電変換領域３０３の蓄積電荷を埋め込みチャネル３０４に読み出すためのトランスファーゲート領域３０８が配置されている。また、光電変換領域３０３と上記対応する埋め込みチャネル３０４以外の隣接する埋め込みチャネル３０４との間は、高いｐ型不純物層からなるチャネルストップ層３０７によって分離されている。
【００３３】
光電変換領域３０３以外の領域には最上層に金属層３０９が設けられ、これにより光電変換領域３０３以外は遮光されている。ブルーミング抑制は、ｎ型半導体基板３００とｐウェルの第１領域３０１及び第２領域３０２との接合に逆バイアス電圧である基板電圧（ＶＳＵＢ）３１１を印加し、光電変換領域３０３直下のｐウェルの第１領域３０１を完全に空乏化（空乏層化）することにより行われる。
【００３４】
図４は、図３におけるＢ−Ｂ’線上の深さ方向における電位分布図を示している。トランスファーゲート領域３０８がオン状態になると、光電変換領域３０３のｎ型領域の電圧が曲線４０１のようにセットされる。このとき、浅いｐウェルの第１領域３０１は完全に空乏化するように基板電圧（ＶＳＵＢ）３１１を印加する。
【００３５】
光電変換領域３０３で光情報を蓄積するときは、トランスファーゲート領域３０８をオフ状態にする。光電変換領域３０３のｎ型領域の電位は、蓄積される電子によって曲線４０２のように浅くなる。電荷蓄積量が増加してこの電位がトランスファーゲート領域３０８のチャネル電位を超えて低下すると、電荷が転送路に溢れ出しブルーミングを生じる。
【００３６】
しかし、実際には所定の基板電圧（ＶＳＵＢ）３１１が印加されているから、これ以前に光電変換領域３０３のｎ型領域と第１領域３０１の接合が順方向になり、新たに発生した光電荷はポテンシャル障壁を乗り超えてｎ型半導体基板３００に排出され、これによりブルーミングが抑制される。なお、このときのポテンシャル障壁の高さを以下ではオーバーフローレベルと呼ぶ。このように縦形オーバーフロードレイン構造は、基板電圧（ＶＳＵＢ）３１１によってブルーミング抑制を実現している。
【００３７】
そして、基板電圧３１１をさらに大きくすることによって、曲線４０３のように発生した電荷を全て基板に掃き出すことが可能になる。これを利用してＶＳＵＢに電荷排出パルスと呼ばれる常時よりも高い電圧パルスを印加することによって、電荷蓄積の実効的開始、即ち電子シャッタの「開」を制御することも行われている。この場合、電子シャッタの「閉」については順次走査型のＣＣＤ撮像素子であれば、転送電極３０５に通常の電荷転送時の印加パルス（転送クロック）よりも高い電圧の電荷移送パルス（ＴＧパルス）を印加して蓄積された電荷を垂直シフトレジスタに移送することによって、純電子的に行うことができる。
【００３８】
また、飛越走査型のＣＣＤ撮像素子の場合は、メカシャッタによって遮光することでシャッタを閉じ、その後に奇偶各フィールドの読み出しタイミングに対応して２回のＴＧパルスを出力して画像信号を読み出す必要がある。
【００３９】
ここまでの基本構成及び動作は従来例と実質的に同じであるが、本実施形態では以下に詳述するストロボを使用する場合の露光制御が大きく異なっている。
【００４０】
即ち、ストロボ撮影に際しては、従来技術の図７に換えて、図５のような制御を行う。図７の制御と異なる点は、第１に時刻ｔ５の直後の時刻であるｔ６において第１のＴＧパルスが出力されている点である。これによって、ストロボ光成分による露光電荷は転送路（垂直シフトレジスタ２００）に移送されるから、それ以後は電荷のリークは生じない。但し、この時点で図７の制御のように垂直シフトレジスタ２００が駆動されていては画像信号が失われてしまうから、ＴＧパルスの出力に先立って駆動パルスＶＣＣＤを停止しておく。この点が第２の相違点である。
【００４１】
以後は、所定の露光時間に達した時刻ｔ２に再び第２のＴＧパルスを出力して、外光成分による露光電荷を転送路に移送する。このとき、先に移送されたストロボ光成分の露光電荷と同画素間で加算されることになるから、ストロボ光に対する電荷リークが生じない他は従来と全く同じストロボ撮影画像が得られる。その後、速やかに垂直シフトレジスタ２００の通常駆動によって画像信号を読み出す。
【００４２】
このようにして得られた撮像信号は、適宜各種信号処理を経てメモリカード１１０に記録或いはＬＣＤ画像表示系１１１に表示される。このとき、記録或いは表示される画像は、ストロボ光成分に対する飽和レベル低下が生じない高画質な画像である。
【００４３】
本実施形態において始めのＴＧパルスを出すタイミングｔ６が発光停止時点ｔ５から遅れれば、その遅れに対応して前記図６に示すような飽和レベルの低下が生じるから、遅れは小さい程良い。図６のような特性の素子に対しては約５μｓ以下であればほぼ理想的である。実際のところｔ５と同時にすることもできる。即ち、ＳＴＢＯＦＦ信号を出力後、現実にストロボが発光停止するまでの時間を見込んでＴＧパルスを出力すれば良い。ただ、発光停止の遅延時間は状況によって異なったりばらついたりするから、場合によってはｔ５以前にＴＧパルスが出る危険が大きくなるものである。
【００４４】
もっとも、通常ＳＴＢＯＦＦ信号を出力した後の余剰発光量は本来の露光量よりも充分小さいことから、ｔ６とｔ５が多少逆転しても実用上は大きな問題にはならない。従って、上記では厳密を期してｔ４，ｔ５，ｔ６を区別しているものの、本発明の適用範囲としてはこれらを区別することなく同一視した（従ってｔ４，ｔ５，ｔ６の前後関係に若干の逆転が生じているような）制御態様をも含むものである。これに対して、ＴＧパルスを出力する時点でＶＣＣＤの駆動を停止しておくという要請の方は厳密なものであることは言うまでもない。
【００４５】
なお、上記ではＴＧパルスの遅延ｔ６−ｔ５（以後Ｔδとする）が５μｓ以下であれば理想的であると述べたが、もとよりこれは必須ではない。例えば、仮にＴδが５０μｓであったとしても９０％近い飽和レベルを確保可能であるから、例えば使用されることの多いシャッタ速１／１００秒＝１０ｍｓの場合の飽和レベルが約６５％以下であるのに対して改善効果は極めて大きいと言える。
【００４６】
このような考察をさらに進めると、上記実施形態では時刻ｔ５におけるストロボ発光停止から時刻ｔ２におけるシャッタ閉としてのＴＧパルスの出力に至る期間Ｔｄについては詳しく述べていないが、本実施形態の撮像素子の特性の場合でＴｄが数１０〜数１００μを境に飽和レベルの低下が顕著になるものであって、Ｔｄがそれ以上の場合には本発明の効果が特に顕著に顕われるということが言える。
【００４７】
無論Ｔｄがそれ以下の場合でも始めのＴＧパルスの遅延を充分小さくすれば効果は大きいが、一方トータル露光時間の設定値が短くなりＴｄ≒Ｔδとなった場合には２回のＴＧパルスがほぼ重なってしまうため、制御不能に陥ったり、撮像素子のポテンシャルが不安定になったりする不具合を生じる虞れがある。但し、ＴδはＴＧパルスの幅であり、数値は任意であるがここでの例示としては３μｓをあげておく。
【００４８】
このような考察を反映して、以下に示すようなさらに進んだ実施形態が考えられる。
【００４９】
（１）Ｔｄが所定値Ｔｒｅｆ（任意に設定できるが、ここでの例示としては２０μｓをあげておく）以上の場合には、必ずＴＧパルスを２回（時刻ｔ６及びｔ２）出力するように構成したもの。
【００５０】
（２）Ｔｄ＜ｋ×Ｔδ（ｋは設計係数：値には任意性があるが、ここでの例示としてはｋ＝１，ｋ＝１．５，ｋ＝２などをあげておく）の場合は、ストロボ発光直後のＴＧパルスを禁止し、時刻ｔ２においてのみＴＧパルスを出力するように構成したもの。
【００５１】
なお、Ｔｒｅｆ及びＴδが共に上記例示値である場合には（１）と（２）は両立し得る（２×Ｔδ≦Ｔｄ＜Ｔｒｅｆの場合については任意性がある）ものであることは言うまでもない。
【００５２】
なお、この他にも様々な変形例が考えられる。
【００５３】
上記では説明を簡明にするためストロボの発光は１撮影当たり１回としたが、分解写真効果等を狙った複数回の発光（マルチストロボ撮影）に対しても全く同様に適用できる。その場合、例えば毎回の発光に対して上記ＴｄによるＴＧパルス出力の是非判断を適用することが好適である。
【００５４】
また、実施形態ではストロボ１１６は本体に一体的に内蔵されていたが、これをいわゆる外付けストロボとして、カメラからはそのストロボに対して制御信号を送る構成にしても良い。
【００５５】
また、照明装置は必ずしも上記実施例のようにストロボである必要はなく、任意の照明装置を使用できる。そして、照明の発光自体を制御する形式であっても、例えば連続的な発光光源に回転セクタ（シャッタ）などを組合わせて照射の有無を制御する形式であっても良い。いずれの場合も、その照明による被写体露光が終了する時点を上記ストロボの消弧時点と同等に見做すことで本発明は好適に適用できる。
【００５６】
一方、実施形態において撮像素子１０５は順次（プログレッシブ）走査型であったが、これも必須ではない。例えば、飛越（インターレース）走査型の撮像素子であっても、例えばいわゆるフィールド画像の利用を考えれば、当該対象画像だけに着目すればこれは順次走査と等価な処理を行うことになるから、この場合は順次走査型ＣＣＤと同様に純電子式の素子シャッタを使用可能なものである。そしてこの場合は、実施形態と全く同様の構成をとることによって全く同様の効果を得ることができる。
【００５７】
以上本発明のいくつかの実施例を具体的に示したが、本発明はこれらに限られることなく、特許請求の範囲に記載の限りにおいて如何なる態様をも取り得るものであることは言うまでもない。
【００５８】
【発明の効果】
以上詳述したように本発明によれば、ストロボに代表される被写体照明手段を用いた場合にも、電荷リークに起因する飽和レベルの低下が生じることのない高画質な画像を得ることができる。特に、発光終了時点と露光終了時点の両方の時点において電荷移送パルスＴＧを出力するから、ブルーミング特性の劣化を伴うこともなく、画像の飽和レベルの低下を生じないようにすることができる。
【００５９】
また、照明手段としてストロボを用いた場合、ストロボ撮影に関してブルーミング特性の劣化を伴うこともなく、画像の飽和レベルの低下を生じないようにすることができる。さらに、照明手段を装置本体と一体的に形成することにより、内蔵ストロボ撮影に関してブルーミング特性の劣化を伴うこともなく、画像の飽和レベルの低下を生じないようにすることができる。
【００６０】
また、発光終了時点から露光終了時点までの期間がＴＧのパルス幅に係る所定値未満の場合には、発光終了時点における電荷移送パルスＴＧの出力を禁止することにより、ＴＧパルスが重複することによる不具合を生じない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係わるデジタルカメラの回路構成を示すブロック図。
【図２】実施形態に用いた縦形オーバーフロードレイン構造のインターライン型ＣＣＤの構造を示す平面図。
【図３】図２におけるＡ−Ａ’線の断面を示す図。
【図４】図３におけるＢ−Ｂ’線上の深さ方向における電位分布を示す図。
【図５】実施形態におけるストロボ撮影動作における各信号のタイミングを示す図。
【図６】遮光後の経過時間に対する撮像素子出力の飽和信号量の変化を示す図。
【図７】従来装置におけるストロボ撮影動作における各信号のタイミングを示す図。
【符号の説明】
１０１…レンズ系
１０２…レンズ駆動機構
１０３…露出制御機構
１０４…フィルタ系
１０５…ＣＣＤカラー撮像素子
１０６…ＣＣＤドライバ
１０７…プリプロセス部
１０８…デジタルプロセス部
１０９…カードインターフェース
１１０…メモリカード
１１１…ＬＣＤ画像表示系
１１２…システムコントローラ（ＣＰＵ）
１１３…操作スイッチ系
１１４…操作表示系
１１５…レンズドライバ
１１６…ストロボ
１１７…露出制御ドライバ
１１８…不揮発性メモリ（ＥＥＰＲＯＭ）
２００…垂直シフトレジスタ
２０１…フォトダイオード
２０２…トラスファゲート
２０３…水平シフトレジスタ
２０４…信号検出部
３００…ｎ型半導体基板
３０１…第１領域
３０２…第２領域
３０３…光電変換領域
３０４…埋め込みチャネル
３０５…転送電極
３０６…絶縁層
３０７…チャネルストップ領域
３０８…トランスファーゲート領域
３０９…金属層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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