(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検出電流が流れる導電性部材と、
集磁コアとホール素子とを備えるホール素子部と、
バイアス磁石と磁気抵抗素子とを備える磁気抵抗素子部と、
前記ホール素子の出力に応じた計測電流及び前記磁気抵抗素子の出力に応じた計測電流がゼロから所定範囲内である場合は前記磁気抵抗素子の出力に応じた計測電流を出力し、前記ホール素子の出力に応じた計測電流及び前記磁気抵抗素子の出力に応じた計測電流がゼロから所定範囲内でない場合は、前記ホール素子の出力に応じた計測電流を出力する出力回路と、を備えるものであって、
前記磁気抵抗素子部は、前記バイアス磁石及び前記磁気抵抗素子を２個ずつ備えるものであり、一方のバイアス磁石、磁気抵抗素子と他方のバイアス磁石、磁気抵抗素子とは、前記導電性部材に被検出電流が流れることによって生じる磁界の作用方向が、互いに反対方向となるように配置され、前記出力回路は、前記磁気抵抗素子の出力に応じた計測電流を出力する場合、前記一方の磁気抵抗素子の出力から前記他方の磁気抵抗素子の出力を引いた値を出力し、
前記導電性部材は、前記一方のバイアス磁石、磁気抵抗素子に対応する電流経路と、他方のバイアス磁石、磁気抵抗素子に対応する電流経路とに分岐され、前記一方のバイアス磁石、磁気抵抗素子と前記他方のバイアス磁石、磁気抵抗素子とは、同一平面であり、前記導電性部材に対して互いに反対方向に配置されることを特徴とする電流センサ。
【請求項２】
前記導電性部材は、少なくとも一つの折曲がり部を有するものであり、当該折曲がり部を境としてホール素子用領域と磁気抵抗素子用領域とを有し、
前記バイアス磁石及び前記磁気抵抗素子は、前記磁気抵抗素子用領域の近傍であり、前記被検出電流の流れる方向に並べて配置され、
前記集磁コアは、磁気ギャップを有するリングの形状に形成され、前記リングの略中心部に前記導電性部材のホール素子用領域が配置され、前記磁気ギャップに前記ホール素子が配置されることを特徴とする請求項１に記載の電流センサ。
【請求項３】
前記導電性部材は、略直線状をなし、
前記バイアス磁石及び前記磁気抵抗素子は、前記導電性部材の近傍であり、前記被検出電流の流れる方向に並べて配置され、
前記集磁コアは、磁気ギャップを有するリングの形状に形成され、前記リングの略中心部に前記導電性部材が配置され、前記磁気ギャップに前記ホール素子が配置されることを特徴とする請求項１に記載の電流センサ。
【請求項４】
前記磁気抵抗素子部は、前記磁気抵抗素子における前記導電性部材と対向する面以外を遮蔽するシールド部材を備えることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の電流センサ。
【請求項５】
前記磁気抵抗素子部は、前記導電性部材の近傍に配置される検出用バイアス磁石、検出用磁気抵抗素子と、前記導電性部材から離間して配置されるノイズキャンセル用バイアス磁石、ノイズキャンセル用磁気抵抗素子とを備えるものであり、前記出力回路は、前記磁気抵抗素子の出力に応じた計測電流を出力する場合、前記検出用磁気抵抗素子の出力から前記ノイズキャンセル用磁気抵抗素子の出力を引いた値を出力することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の電流センサ。
【請求項６】
前記出力回路は、前記ホール素子の出力電圧を増幅するホール素子用増幅回路と、前記磁気抵抗素子の出力電圧を増幅する磁気抵抗素子用増幅回路と、前記ホール素子及び前記磁気抵抗素子の出力に応じた計測電流が前記所定範囲であるか否かを判別する判別回路とを備えることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の電流センサ。
【請求項７】
前記出力回路は、前記ホール素子の出力電圧をＡＤ変換するホール素子用ＡＤ変換回路と、前記磁気抵抗素子の出力電圧をＡＤ変換する磁気抵抗素子用ＡＤ変換回路と、前記ホール素子及び前記磁気抵抗素子の出力に応じた計測電流が前記所定範囲であるか否かを判別するマルチプレクサとを備えることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の電流センサ。
【請求項８】
前記ホール素子部及び前記磁気抵抗素子部は、車両に搭載されるバッテリーのバッテリー電流を検出するものであることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれかに記載の電流センサ。
【請求項９】
前記ホール素子部及び前記磁気抵抗素子部は、モータの駆動電流を検出するものであることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれかに記載の電流センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電流センサに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、特許文献１に開示された電流センサや特許文献２に開示された電流検出装置などがあった。また、電流を検出する電流センサとしては、ホール素子を用いるものと、磁気抵抗素子を用いるものとがあった。図８は、従来技術におけるホール素子を用いた電流センサを説明する図面であり、（ａ）は電流センサの概略構成図であり、（ｂ）は断面図であり、（ｃ）は電流センサの出力特性を示すグラフである。図９は、従来技術における磁気抵抗素子を用いた電流センサを説明する図面であり、（ａ）は電流センサの概略構成図であり、（ｂ）は電流センサの出力特性を示すグラフである。
【０００３】
図８（ａ）及び（ｂ）において、１は被検出電流を流す導電性部材、２は磁性材料からなり磁気ギャップを有する集磁コア、３はホール素子である。ホール素子３を用いる電流センサは、導電性部材１に流れる被検出電流に応じた磁界による磁束を集磁コア２で集磁し、ホール素子３が集磁コア２にて集磁した磁束の大きさに応じたホール電圧を出力することによって被検出電流の検出を行うものである。このホール素子３を用いた電流センサは、図８（ｃ）に示すように、例えば±５００Ａ程度までの幅広いレンジの測定が可能である。
【０００４】
一方、図９（ａ）において、４は被検出電流を流す導電性部材、５はバイアス磁石、６は磁気抵抗素子６である。磁気抵抗素子６を用いる電流センサは、磁気抵抗素子６を導電性部材４に被検出電流が流れることによって生じる磁界中に配置して、バイアス磁石５による磁界を磁気抵抗素子６に印加する。そして、磁気抵抗素子６を用いた電流センサは、導電性部材４に被検出電流が流れることによって生じる磁界とバイアス磁石５によって生じる磁界とに応じた磁気抵抗素子６の抵抗変化で被検出電流の検出を行うものである。この磁気抵抗素子６を用いた電流センサは、図９（ｂ）に示すように、ＣＯＳカーブの出力となる。
【特許文献１】特開２００５−３０８５２６号公報
【特許文献２】特開２００４−２０３７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述のホール素子３を用いる電流センサは、磁性材料からなる集磁コア２を用いているため、図８（ｃ）に示すように、検出レンジは広いものの、集磁コア２のヒステリシス特性によって低レンジの精度が低下する。
【０００６】
また、磁気抵抗素子６を用いる電流センサは、図９（ｂ）に示すように、出力がＣＯＳカーブとなり、計測電流がゼロ付近の直線性の良い部分を用いると検出レンジが狭くなるという問題があった。
【０００７】
本発明は、上記問題点に鑑みなされたものであり、検出精度を低下させることなく、幅広いレンジで電流を検出できる電流センサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために請求項１に記載の電流センサは、被検出電流が流れる導電性部材と、集磁コアとホール素子とを備えるホール素子部と、バイアス磁石と磁気抵抗素子とを備える磁気抵抗素子部と、ホール素子の出力に応じた計測電流及び磁気抵抗素子の出力に応じた計測電流がゼロから所定範囲内である場合は磁気抵抗素子の出力に応じた計測電流を出力し、ホール素子の出力に応じた計測電流及び磁気抵抗素子の出力に応じた計測電流がゼロから所定範囲内でない場合は、ホール素子の出力に応じた計測電流を出力する出力回路とを備えるものであって、
磁気抵抗素子部は、バイアス磁石及び磁気抵抗素子を２個ずつ備えるものであり、一方のバイアス磁石、磁気抵抗素子と他方のバイアス磁石、磁気抵抗素子とは、導電性部材に被検出電流が流れることによって生じる磁界の作用方向が、互いに反対方向となるように配置され、出力回路は、磁気抵抗素子の出力に応じた計測電流を出力する場合、一方の磁気抵抗素子の出力から他方の磁気抵抗素子の出力を引いた値を出力し、
導電性部材は、一方のバイアス磁石、磁気抵抗素子に対応する電流経路と、他方のバイアス磁石、磁気抵抗素子に対応する電流経路とに分岐され、一方のバイアス磁石、磁気抵抗素子と他方のバイアス磁石、磁気抵抗素子とは、同一平面であり、導電性部材に対して互いに反対方向に配置されることを特徴とするものである。
【０００９】
このように、ホール素子と磁気抵抗素子とを用いて、計測電流がゼロから所定範囲内である場合は磁気抵抗素子の出力に応じた計測電流を出力し、計測電流がこの所定範囲内でない場合はホール素子の出力に応じた計測電流を出力することによって、集磁コアのヒステリシス特性に影響されず、検出レンジを広くすることができる。したがって、検出精度を低下させることなく、幅広いレンジで電流を検出できる。また、これによって、容易な構造で磁気抵抗素子に対する外乱磁界の影響を低減することができる。さらに、導電性部材の電流経路を分岐させることによって、バイアス磁石、磁気抵抗素子、ホール素子を同一の平面に形成することができる。
【００１０】
また、請求項２に示すように、導電性部材は、少なくとも一つの折曲がり部を有するものであり、その折曲がり部を境としてホール素子用領域と磁気抵抗素子用領域とを有し、バイアス磁石及び磁気抵抗素子は、磁気抵抗素子用領域の近傍であり、被検出電流の流れる方向に並べて配置し、コアは、磁気ギャップを有するリングの形状に形成し、リングの略中心部に導電性部材のホール素子用領域が配置し、磁気ギャップにホール素子を配置することによって、ホール素子と磁気抵抗素子の両方を用いる電流センサを容易な構造で構成することができる。
【００１１】
また、請求項３に示すように、導電性部材は、略直線状をなし、バイアス磁石及び磁気抵抗素子は、導電性部材の近傍であり、被検出電流の流れる方向に並べて配置し、コアは、磁気ギャップを有するリングの形状に形成し、リングの略中心部に導電性部材が配置し、磁気ギャップにホール素子を配置することによっても、ホール素子と磁気抵抗素子の両方を用いる電流センサを容易な構造で構成することができる。
【００１２】
また、磁気抵抗素子は、バイアス磁石による磁界と導電性部材に被検出電流が流れることによって生じる磁界とのベクトルで出力が決定されるので、外乱磁界に影響されやすい。したがって、請求項４に示すように、磁気抵抗素子部は、磁気抵抗素子における導電性部材と対向する面以外を遮蔽するシールド部材を備えると好ましい。
【００１６】
また、請求項５に記載の電流センサでは、磁気抵抗素子部は、導電性部材の近傍に配置される検出用バイアス磁石、検出用磁気抵抗素子と、導電性部材から離間して配置されるノイズキャンセル用バイアス磁石、ノイズキャンセル用磁気抵抗素子とを備えるものであり、出力回路は、磁気抵抗素子の出力に応じた計測電流を出力する場合、検出用磁気抵抗素子の出力からノイズキャンセル用磁気抵抗素子の出力を引いた値を出力することを特徴とするものである。
【００１７】
このように、ノイズキャンセル用磁気抵抗素子と検出用磁気抵抗素子とを設け、磁気抵抗素子の出力に応じた計測電流を出力する場合、検出用磁気抵抗素子の出力からノイズキャンセル用磁気抵抗素子の出力を引いた値を出力することによっても外乱磁界の影響を低減することができる。
【００１８】
また、請求項６に示すように、出力回路は、ホール素子の出力電圧を増幅するホール素子用増幅回路と、磁気抵抗素子の出力電圧を増幅する磁気抵抗素子用増幅回路と、ホール素子及び磁気抵抗素子の出力に応じた計測電流が所定範囲であるか否かを判別する判別回路とを備えるアナログ回路として構成することができる。
【００１９】
また、請求項７に示すように、出力回路は、ホール素子の出力電圧をＡＤ変換するホール素子用ＡＤ変換回路と、磁気抵抗素子の出力電圧をＡＤ変換する磁気抵抗素子用ＡＤ変換回路と、ホール素子及び磁気抵抗素子の出力に応じた計測電流が所定範囲であるか否かを判別するマルチプレクサとを備えるディジタル回路として構成することができる。
【００２０】
また、請求項８に示すように、ホール素子部及び磁気抵抗素子部は、車両に搭載されるバッテリーのバッテリー電流を検出するようにしてもよいし、請求項９に示すように、モータの駆動電流を検出するようにしてもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の実施の形態を図に基づいて説明する。
【００２２】
（第１の実施の形態）
まず、第１の実施の形態について説明する。図１は、本発明の第１の実施の形態における電流センサの概略構成を示す図面であり、（ａ）は平面図であり、（ｂ）はＩｂ-Ｉｂ断面図である。図２は、本発明の第１の実施の形態における電流センサの回路構成を示すブロック図であり、（ａ）はアナログ回路で構成した場合であり、（ｂ）はディジタル回路で構成した場合である。図３は、本発明の第１の実施の形態における電流センサの出力特性を示すグラフである。本実施の形態における電流センサは、例えば、車両に搭載されるバッテリーのバッテリー電流の検出、モータの駆動電流を検出などに適用されるものである。
【００２３】
図１に示すように、電流センサ１００は、ホール素子部１０、磁気抵抗素子部２０、出力回路３０、回路基板４０、バスバー（導電部材）１１０、ケース１２０などを備える。
【００２４】
ホール素子部１０は、ホール素子１１と集磁コア１２などを備える。集磁コア１２は、バスバー１１０に被検出電流が流れることによって生じる磁界による磁束を集磁するものであり、リング形状に形成された磁性材料を含む材料からなり、磁気ギャップを有する。ホール素子１１は、ケース１２０に実装される回路基板４０に実装されると共に、集磁コア１２の磁気ギャップに配置され、図示しない配線を介して出力回路３０に電気的に接続される。また、集磁コア１２の略中心部には、バスバー１１０のホール素子領域１１１が配置される。
【００２５】
このバスバー１１０は、被検出電流を流す導電性部材であり、図１（ｂ）に示すように樹脂ケース１２０にインサート成形される。また、バスバー１１０は、折曲がり部１１２を境として、ホール素子領域１１１と磁気抵抗素子部１１２とを備える。このように、バスバー１１０に折曲がり部１１２を設けることによって、ホール素子部１０、磁気抵抗素子部２０、処理回路３０を平面形状の回路基板４０に実装することができ、容易な構造でホール素子１１と磁気抵抗素子２１とを用いる電流センサを構成することができる。なお、バスバー１１０は、本実施の形態においては、平板状の導電性部材を用いて説明しているが本発明はこの形状に限定されるものではない。
【００２６】
磁気抵抗素子部２０は、磁気抵抗素子２１、バイアス磁石２２、及び磁気シールドケース２３などを備える。磁気抵抗素子２１及びバイアス磁石２２は、バスバー１１０における被検出電流の流れる方向に並べて配置される。そして、磁気抵抗素子２１は、回路基板４０に実装され、図示しない配線を介して出力回路３０に電気的に接続される。バイアス磁石２２は、回路基板４０に実装されて、バスバー１１０に被検出電流が流れることによって生じる磁界が磁気抵抗素子２１に印加される方向に対して、垂直方向に磁気抵抗素子２１に磁界が生じる用に配置される。
【００２７】
また、磁気抵抗素子２１は、バイアス磁石２２による磁界とバスバー１１０に被検出電流が流れることによって生じる磁界とのベクトルで出力が決定されるので、外乱磁界に影響されやすい。したがって、磁気抵抗素子２１におけるバスバー１１０と対向する面以外を遮蔽する磁気シールドケース２３を備えると好ましい。
【００２８】
ここで、出力回路３０について図を用いて説明する。出力回路３０は、図２（ａ）に示すようにアナログ回路で構成してもよい、図２（ｂ）に示すようにディジタル回路で構成してもよい。
【００２９】
まず、アナログ回路で構成した場合の出力回路３０に関して説明する。出力回路３０は、ホール素子１１の出力を増幅するオペアンプ１３１ａ、磁気抵抗素子２１の出力を増幅するオペアンプ２３１ｂ、判別回路３２、第１基準信号出力回路３３ａ、第２基準信号出力回路３３ｂなどを備える。
【００３０】
ホール素子１１及び磁気抵抗素子２１は、バスバー１１０に被検出電流がながれると、この被検出電流に応じた値を出力する。そして、オペアンプ１３１ａ及びオペアンプ２３１ｂは、ホール素子１１及び磁気抵抗素子２１の出力を増幅して判別回路３２へ出力する。
【００３１】
判別回路３２は、ホール素子１１及び磁気抵抗素子２１の出力に応じた計測電流が第１基準信号出力回路３３ａから入力された第１基準信号と第２基準信号出力回路３３ｂから出力された第２基準信号との間の範囲にあるか否かを判定する。この第１基準信号と第２基準信号と間の範囲とは、本発明における計測電流のゼロから所定範囲に対応するものである。
【００３２】
したがって、判別回路３２は、ホール素子１１及び磁気抵抗素子２１の出力に応じた計測電流が第１基準信号と第２基準信号と間の範囲である場合は、磁気抵抗素子２１の出力に応じた計測電流を出力する。そして、判別回路３２は、ホール素子１１及び磁気抵抗素子２１の出力に応じた計測電流が第１基準信号と第２基準信号と間の範囲でない場合は、ホール素子１１の出力に応じた計測電流を出力する。
【００３３】
次に、ディジタル回路で構成した場合の出力回路３０に関して説明する。出力回路３０は、ホール素子１１の出力をディジタル変換するＡ／Ｄ変換回路１３４ａ、磁気抵抗素子２１の出力をディジタル変換するＡ／Ｄ変換回路２３４ｂ、マルチプレクサ（ＭＵＸ）３５、第１基準信号出力回路３６ａ、第２基準信号出力回路３６ｂなどを備える。
【００３４】
ホール素子１１及び磁気抵抗素子２１は、バスバー１１０に被検出電流がながれると、この被検出電流に応じた値を出力する。そして、Ａ／Ｄ変換回路１３４ａ及びＡ／Ｄ変換回路２３４ｂは、ホール素子１１及び磁気抵抗素子２１の出力をディジタル信号に変換して判別回路３５へ出力する。
【００３５】
判別回路３５は、ホール素子１１及び磁気抵抗素子２１の出力に応じた計測電流が第１基準信号出力回路３６ａから入力された第１基準信号と第２基準信号出力回路３６ｂから出力された第２基準信号との間の範囲にあるか否かを判定する。この第１基準信号と第２基準信号と間の範囲とは、本発明における計測電流のゼロから所定範囲に対応するものである。
【００３６】
したがって、判別回路３５は、ホール素子１１及び磁気抵抗素子２１の出力に応じた計測電流が第１基準信号と第２基準信号と間の範囲である場合は、磁気抵抗素子２１の出力に応じた計測電流をＤ／Ａ変換回路３７でアナログ信号に変換して出力する。そして、判別回路３５は、ホール素子１１及び磁気抵抗素子２１の出力に応じた計測電流が第１基準信号と第２基準信号と間の範囲でない場合は、ホール素子１１の出力に応じた計測電流をＤ／Ａ変換回路３７でアナログ信号に変換して出力する。
【００３７】
このように、低レンジ側（例えば、±１０Ａ程度）は、ヒステリシス特性に影響されない磁気抵抗素子２１の出力に応じた計測電流を出力し、高レンジ側（例えば、±５００Ａ程度まで）は、検出レンジの広いホール素子１１の出力に応じた計測電流を出力することによって、検出精度を低下させることなく、幅広いレンジで電流を検出できる。
【００３８】
なお、本実施の形態おいては、低レンジ側の範囲をゼロから±１０Ａ程度として説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。磁気抵抗素子２１による計測電流は、ゼロに近いほうが直線性がよい点と分解能などを考慮すると、低レンジ側の範囲としては、±１０Ａ程度の低レンジが好ましい。しかしながら、低レンジ側の範囲としては、±１００Ａ程度までであってもよい。
【００３９】
また、本実施の形態おいては、高レンジ側の範囲を±５００Ａ程度として説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、±３００Ａ〜±１０００Ａ程度までであってもよい。
【００４０】
（第２の実施の形態）
次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。図４は、本発明の第２の実施の形態における電流センサの概略構成を示す図面であり、（ａ）は平面図であり、（ｂ）ＩＶｂＩＶｂ断面図である。
【００４１】
第２の実施の形態における電流センサ１００は、上述の第１の実施の形態によるものと共通するところが多いので、以下、共通部分についての詳しい説明は省略し、異なる部分を重点的に説明する。第２の実施の形態において、上述の第１の実施の形態と異なる点は磁気シールドケース２３を用いない点である。
【００４２】
第２実施の形態における電流センサ１００は、図４に示すように、磁気抵抗素子部２０を２個設ける。一方の磁気抵抗素子部２０（磁気抵抗素子２１ａ、バイアス磁石２２ａ）と他方の磁気抵抗素子部２０（磁気抵抗素子２１ｂ、バイアス磁石２２ｂ）とは、バスバー１１０を介して対向配置し、バスバー１１０に被検出電流が流れることによって生じる磁界の作用方向が互いに反対方向となるように配置する。そして、出力回路３０は、磁気抵抗素子２１の出力に応じた計測電流を出力する場合（低レンジ側）、一方の磁気抵抗素子２１ａの出力から他方の磁気抵抗素子２１ｂの出力を引いた値を出力する。なお、ケース１２０の裏面側（紙面下側）に配置する磁気抵抗素子２１ｂは、ケース１２０にスルーホール（図示せず）などを設け、このスルーホールに電気的接続部材を設けることによって出力回路３０と電気的に接続する。
【００４３】
このように、バスバー１１０に被検出電流が流れることによって生じる磁界の作用方向が互いに反対方向となるように２つの磁気抵抗素子部２０（磁気抵抗素子２１ａ，ｂ、バイアス磁石２２ａ，ｂ）を配置し、一方の磁気抵抗素子２１の出力から他方の磁気抵抗素子２１の出力を引いた値を出力することによって、外乱磁界成分がキャンセルされると共に、出力が２倍となるのでＳ／Ｎが良好となる。
【００４４】
なお、本実施の形態においては、２個の磁気抵抗素子部２０をバスバー１１０を介して対向配置する例を用いて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、バスバー１１０に被検出電流が流れることによって生じる磁界の作用方向が互いに反対方向となるように２つの磁気抵抗素子部２０（磁気抵抗素子２１ａ，ｂ、バイアス磁石２２ａ，ｂ）を配置すればよい。
【００４５】
（第３の実施の形態）
次に、本発明の第３の実施の形態について説明する。図５は、本発明の第３の実施の形態における電流センサの概略構成を示す断面図である。
【００４６】
第３の実施の形態における電流センサ１００は、上述の第１及び第２の実施の形態によるものと共通するところが多いので、以下、共通部分についての詳しい説明は省略し、異なる部分を重点的に説明する。第３の実施の形態において、上述の第１及び第２の実施の形態と異なる点はバスバー１１０を分岐させた点である。
【００４７】
第３実施の形態における電流センサ１００は、図５に示すように、磁気抵抗素子部２０を２個設ける。バスバー１１０は、一方の磁気抵抗素子部２０（磁気抵抗素子２１ａ、バイアス磁石２２ａ）に対応する電流経路１１０ａと、他方の磁気抵抗素子部２０（磁気抵抗素子２１ｂ、バイアス磁石２２ｂ）に対応する電流経路１１０ｂとに分岐する。一方の磁気抵抗素子部２０（磁気抵抗素子２１ａ、バイアス磁石２２ａ）と他方の磁気抵抗素子部２０（磁気抵抗素子２１ｂ、バイアス磁石２２ｂ）とは、バスバー１１０に被検出電流が流れることによって生じる磁界の作用方向が互いに反対方向となるように、同一平面、すなわち平面形状の回路基板４０上に搭載する。
【００４８】
そして、出力回路３０は、磁気抵抗素子２１の出力に応じた計測電流を出力する場合（低レンジ側）、一方の磁気抵抗素子２１の出力から他方の磁気抵抗素子２１の出力を引いた値を出力する。
【００４９】
このように、バスバー１１０を分岐させることによって、磁気抵抗素子２１、バイアス磁石２２、ホール素子１１を同一の平面に形成することができ、容易な構造で磁気抵抗素子２１に対する外乱磁界の影響を低減することができる。
【００５０】
（第４の実施の形態）
次に、本発明の第４の実施の形態について説明する。図６は、本発明の第４の実施の形態における電流センサの概略構成を示す平面図である。
【００５１】
第４の実施の形態における電流センサ１００は、上述の第１乃至第３の実施の形態によるものと共通するところが多いので、以下、共通部分についての詳しい説明は省略し、異なる部分を重点的に説明する。第４の実施の形態において、上述の第１乃至第３の実施の形態と異なる点はノイズキャンセル用磁気抵抗素子２１ｃを設けた点である。
【００５２】
第４の実施の形態における電流センサは、図６に示すように、バスバー１１０に被検出電流が流れることによって生じる磁界が影響しない程度の位置にノイズキャンセル用磁気抵抗素子２１ｃを設ける。そして、出力回路３０は、磁気抵抗素子２１の出力に応じた計測電流を出力する場合（低レンジ側）、磁気抵抗素子２１の出力からノイズキャンセル用磁気抵抗素子２１ｃの出力を引いた値を出力する。
【００５３】
このように、ノイズキャンセル用磁気抵抗素子２１ｃと検出用磁気抵抗素子２１とを設け、磁気抵抗素子２１の出力に応じた計測電流を出力する場合、検出用磁気抵抗素子２１の出力からノイズキャンセル用磁気抵抗素子２１ｃの出力を引いた値を出力することによっても外乱磁界の影響を低減することができる。なお、本実施の形態においては、バイアス磁石２２が本発明におけるノイズキャンセル用バイアス磁石を兼ねている。
【００５４】
（第５の実施の形態）
次に、本発明の第５の実施の形態について説明する。図７は、本発明の第５の実施の形態における電流センサの概略構成を示す図面であり、（ａ）は平面図であり、（ｂ）はＶＩＩｂ-ＶＩＩｂ断面図である。
【００５５】
第５の実施の形態における電流センサ１００は、上述の第１乃至第４の実施の形態によるものと共通するところが多いので、以下、共通部分についての詳しい説明は省略し、異なる部分を重点的に説明する。第５の実施の形態において、上述の第１乃至第４の実施の形態と異なる点はバスバー１１０を略直線状とした点である。
【００５６】
第５の実施の形態における電流センサ１００は、図７に示すように、略直線状のバスバー１１０がケース１２０にインサート形成されている。ホール素子部１０は、磁気抵抗素子部２０に対して垂直状態に配置されることとなる。そして、磁気抵抗素子２１ａ、磁気抵抗素子２１ｂは、ケース１２０にスルーホール（図示せず）などを設け、このスルーホールに電気的接続部材を設けることによって出力回路３０と電気的に接続する。
【００５７】
このように、バスバー１１０を略直線状としてもホール素子１１と磁気抵抗素子２１の両方を用いる電流センサ１００を容易な構造で構成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本発明の第１の実施の形態における電流センサの概略構成を示す図面であり、（ａ）は平面図であり、（ｂ）はＩｂ-Ｉｂ断面図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態における電流センサの回路構成を示すブロック図であり、（ａ）はアナログ回路で構成した場合であり、（ｂ）はディジタル回路で構成した場合である。
【図３】本発明の第１の実施の形態における電流センサの出力特性を示すグラフである。
【図４】本発明の第２の実施の形態における電流センサの概略構成を示す図面であり、（ａ）は平面図であり、（ｂ）はＩＶｂ-ＩＶｂ断面図である。
【図５】本発明の第３の実施の形態における電流センサの概略構成を示す断面図である。
【図６】本発明の第４の実施の形態における電流センサの概略構成を示す平面図である。
【図７】本発明の第５の実施の形態における電流センサの概略構成を示す図面であり、（ａ）は平面図であり、（ｂ）はＶＩＩｂ-ＶＩＩｂ断面図である。
【図８】従来技術におけるホール素子を用いた電流センサを説明する図面であり、（ａ）は電流センサの概略構成図であり、（ｂ）は断面図であり、（ｃ）は電流センサの出力特性を示すグラフである。
【図９】従来技術における磁気抵抗素子を用いた電流センサを説明する図面であり、（ａ）は電流センサの概略構成図であり、（ｂ）は電流センサの出力特性を示すグラフである。
【符号の説明】
【００５９】
１０  ホール素子部、１１  ホール素子、１２  集磁コア、２０  磁気抵抗素子部、２１  磁気抵抗素子、２２  バイアス磁石、３０  出力回路、４０  回路基板、１１０  バスバー、１２０  ケース、１００  電流センサ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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