(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（Ｉ）で表されるアントラセン系化合物
【化１】
0004407102.tif 000088
（式中、Ａｒ1およびＡｒ2は、それぞれ独立して、ハロゲン原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数２〜７のアルコキシカルボニル基、アリールオキシ基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基およびジアラルキルアミノ基から選ばれる置換基を有していてもよい５または６員環の、芳香族炭化水素環または芳香族複素環の単環基又は２〜５の縮合環基を示す。
Ｒ1およびＲ2のうち一方は、５または６員環の芳香族炭化水素環又は芳香族複素環の単環基または２〜５の縮合環基を表し、他方は、５または６員環の芳香族炭化水素環又は芳香族複素環の単環基または２〜５の縮合環基、あるいは二つの水素原子が共に炭素数１〜７のアルキル基あるいは５または６員環の芳香族炭化水素環又は芳香族複素環の単環基または２〜５の縮合環基で置換されているアミノ基を表し、
前記５または６員環の芳香族炭化水素環又は芳香族複素環の単環基または２〜５の縮合環基および前記アミノ基の置換基は更にそれぞれハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アリールアミノ基、アルキルアミノ基、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基から選ばれた置換基により置換されていてもよく、前記アリールアミノ基においては、窒素原子に縮合する二つのアリール基が互いに結合し、非芳香族性の環を形成していてもよい。）
【請求項２】
前記一般式（Ｉ）において、Ａｒ1およびＡｒ2がそれぞれ独立してハロゲン原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数２〜７のアルコキシカルボニル基、アリールオキシ基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基およびジアラルキルアミノ基から選ばれる置換基を有していてもよいフェニル基、ナフチル基、アントリル基、ビフェニル基、カルバゾリル基、チエニル基およびピリジル基から選ばれることを特徴とする請求項１記載のアントラセン系化合物。
【請求項３】
前記一般式（Ｉ）においてＲ1およびＲ2の相方または一方が表す５または６員環の芳香族炭化水素環又は芳香族複素環の単環基又は２〜５の縮合環基がフェニル基、ナフチル基、アントリル基、ビフェニル基およびカルバゾリル基から選ばれる基である請求項１または２記載のアントラセン系化合物。
【請求項４】
上記一般式（Ｉ）で表される化合物が、下記一般式（II）または（III）のいずれかで表されることを特徴とする、請求項１ないし３のいずれかに記載のアン
トラセン系化合物。
【化２】
0004407102.tif 000089
（式中、Ａｒ1およびＡｒ2は、それぞれ独立してハロゲン原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数２〜７のアルコキシカルボニル基、アリールオキシ基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基およびジアラルキルアミノ基から選ばれる置換基を有していてもよい５または６員環の芳香族炭化水素環または芳香族複素環の単環基または２〜５の縮合環基を表し、Ａｒ3およびＡｒ4は各々独立してハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アリールアミノ基、アルキルアミノ基、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基から選ばれる置換基を有していてもよい５または６員環の芳香族炭化水素環または芳香族複素環の単環基または２〜５の縮合環基を表す。
【化３】
0004407102.tif 000090
（式中、Ａｒ1、Ａｒ2は、それぞれ独立してハロゲン原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数２〜７のアルコキシカルボニル基、アリールオキシ基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基およびジアラルキルアミノ基から選ばれる置換基を有していてもよい５または６員環の芳香族炭化水素環または芳香族複素環の単環基または２〜５の縮合環基を示す。Ａｒ5からＡｒ7は各々独立してハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アリールアミノ基、アルキルアミノ基、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基から選ばれる置換基を有していてもよい５または６員環の芳香族炭化水素環の単環基または２〜５の縮合環基を表す。
【請求項５】
下記一般式（VI）で表されるアントラセン誘導体
【化４】
0004407102.tif 000091
（式中、Ｘ1およびＸ2は各々独立にハロゲン原子を表し、Ａｒ1およびＡｒ2はそれぞれ独立してハロゲン原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数２〜７のアルコキシカルボニル基、アリールオキシ基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基およびジアラルキルアミノ基から選ばれる置換基を有していてもよい５または６員環の芳香族炭化水素環または芳香族複素環の単環基または２〜５の縮合環基を示す）を、下記一般式（IV）及び（Ｖ）で表される芳香族ホウ素誘導体
【化５】
0004407102.tif 000092
【化６】
0004407102.tif 000093
（式中、Ｒ3〜Ｒ6は水酸基またはアルコキシ基を示し、Ｒ3とＲ4、Ｒ5とＲ6は結合して環
を形成しても良い。Ａｒ3及びＡｒ4はそれぞれ独立してハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アリールアミノ基、アルキルアミノ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基から選ばれる置換基を有していてもよい５または６員環の芳香族炭化水素環または芳香族複素環の単環基または２〜５の縮合環基を表す。）
と反応させることを特徴とする下記一般式（II）
【化３４】
0004407102.tif 000094
（式中、Ａｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3およびＡｒ4は前記一般式（IV）〜（VI）式におけると同義である。）
で示されるアントラセン化合物の製造方法。
【請求項６】
少なくとも、請求項１ないし４のいずれかに記載のアントラセン系化合物を含有する層を有することを特徴とする、有機電界発光素子。
【請求項７】
有機電界発光素子が、対向する陽極と陰極との間に発光層を有し、請求項１ないし４のいいずれかに記載のアントラセン系化合物を含有する層を、該発光層と陽極との間に有することを特徴とする、請求項６に記載の有機電界発光素子。
【請求項８】
有機電界発光素子が、対向する陽極と陰極との間に発光層を有し、請求項１ないし４のいずれかに記載のアントラセン系化合物を含有する層を、該発光層として有することを特徴とする、請求項６に記載の有機電界発光素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は有機電界発光素子に関するものであり、詳しくは、有機化合物からなる発光層に電界をかけて光を放出する薄膜型デバイスにおいて、特定構造のアントラセン系化合物を含む層を有する有機電界発光素子、および該アントラセン系化合物とその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、薄膜型の電界発光（ＥＬ）素子としては、無機材料のII−VI族化合物半導体であるＺｎＳ、ＣａＳ、ＳｒＳ等に、発光中心であるＭｎや希土類元素（Ｅｕ、Ｃｅ、Ｔｂ、Ｓｍ等）をドープしたものが一般的であるが、上記の無機材料から作製したＥＬ素子は、
１）交流駆動が必要（一般に５０〜１０００Ｈｚ）、
２）駆動電圧が高い（一般に〜２００Ｖ程度）、
３）フルカラー化が困難（特に青色に問題がある）、
４）周辺駆動回路のコストが高い、
という問題点を有している。
【０００３】
しかし、近年、上記問題点の改良のため、有機薄膜を用いたＥＬ素子の開発が行われるようになった。特に、発光効率を高めるため、電極からのキャリアー注入の効率向上を目的として電極の種類の最適化を行い、芳香族ジアミンからなる正孔輸送層と８−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体からなる発光層とを設けた有機電界発光素子の開発（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，５１巻,９１３頁，１９８７年）により、従来のアントラセン等の単結晶を用いたＥＬ素子と比較して発光効率の大幅な改善がなされている。また、例えば、８−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体をホスト材料として、クマリン等のレーザ用蛍光色素をドープすること（Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，６５巻，３６１０頁，１９８９年）で、発光効率の向上や発光波長の変換等も行われている。
【０００４】
上記の様な低分子材料を用いた電界発光素子の他にも、発光層の材料として、ポリ（ｐ-フェニレンビニレン）、ポリ［２-メトキシ-５-(２-エチルヘキシルオキシ)-１,４-フェニレンビニレン］、ポリ（３-アルキルチオフェン）等の高分子材料を用いた電界発光素子の開発や、ポリビニルカルバゾール等の高分子に低分子の発光材料と電子移動材料を混合した素子の開発も行われている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
有機電界発光素子をフラットパネル・ディスプレイ等の表示素子に応用するためには、優れた耐熱性、低駆動電圧、高発光効率などが要求される。その中で、本発明者らは発光効率の向上につき鋭意検討した結果、特定構造のアントラセン系化合物が有効であることを見出し、本発明に至った。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は、上記課題を解決するため鋭意検討を重ね、９、１０−位に芳香族基を有し、かつ２、６−位に特定の置換基を導入した新規なアントラセン系化合物が、優れた性能を有することを見出し本発明を達成した。
即ち、本発明の要旨は、下記一般式（Ｉ）で表されるアントラセン系化合物
【０００７】
【化７】
0004407102.tif 000002
【０００８】
（式中、Ａｒ1およびＡｒ2は、それぞれ独立して置換基を有していてもよい５または６員環の、芳香族炭化水素環または芳香族複素環の単環基又は２〜５の縮合環基を示す。
Ｒ1およびＲ2のうち、一方は５または６員環の芳香族炭化水素環または芳香族複素環の単環基または２〜５の縮合環基を表し、他方は、５または６員環の芳香族炭化水素環または芳香族複素環の単環基または２〜５の縮合環基を表すか、または３級アミノ基、即ち、二つの水素原子が共に置換されているアミノ基を表す。なお、Ｒ1および／またはＲ2が３級アミノ基、芳香族炭化水素環基または芳香族複素環基を示す場合、これらは更に置換されていてもよい。）この製造方法およびこれを含有する層を有することを特徴とする有機電界発光素子に存する。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の化合物は前記一般式（Ｉ）で示される構造を有するものであって、２、６位および９、１０位が置換されていることに特徴がある。
一般式（Ｉ）においてＡr1及びＡr2は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい５又は６員環の、芳香族炭化水素環または芳香族複素環の単環基又は２〜５の縮合環基を示す。好ましくは５または６員環の芳香族炭化水素環または芳香族複素環の、単環基または２〜３の縮合環基であり、中でもフェニル基、ナフチル基、アントリル基、ピリジル基、チエニル基、カルバゾリル基が好ましい。特に好ましくは、フェニル基、ナフチル基またはカルバゾリル基である。
【００１０】
Ａｒ1およびＡｒ2が有しうる置換基としては、ハロゲン原子；メチル基、エチル基等の炭素数１〜６のアルキル基；メトキシ基、エトキシ基等の炭素数１〜６のアルコキシ基；メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等の炭素数２〜７のアルコキシカルボニル基；フェノキシ基、ベンジルオキシ基などのアリールオキシ基；ジエチルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基等のジアルキルアミノ基；ジフェニルアミノ基、フェニルナフチルアミノ基等のジアリールアミノ基；ジベンジルアミノ基、ジフェネチルアミノ基などのジアラルキルアミノ基等が挙げられる。
Ｒ1およびＲ2は各々独立に、３級アミノ基、あるいは５又は６員環の芳香族炭化水素環または芳香族複素環の、単環基又は２〜５の縮合環基を示す。但しＲ1およびＲ2のうち少なくとも一方は、上記単環基又は２〜５の縮合環基である。
【００１１】
３級アミノ基としては、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジフェニルアミノ基、フェニルナフチルアミノ基など炭素数１〜７のアルキル基やアリール基を有するものが挙げられ、特に好ましくはアリールアミノ基が挙げられる。
芳香族炭化水素基として、好ましくは５または６員環の芳香族炭化水素環の単環基または２〜３の縮合環基が挙げられ、中でも特にフェニル基、ナフチル基、アントリル基などが好ましい。
【００１２】
芳香族複素環基として、好ましくは５または６員環の芳香族複素環の、単環基または２〜３の縮合環基が挙げられ、中でも特にピリジル基、キノリル基、チエニル基、カルバゾリル基などが好ましい。
上記のＲ1およびＲ2が３級アミノ基、芳香族炭化水素環基または芳香族複素環基である場合、これらは更に置換されていてもよい。
【００１３】
このような置換基としてはハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アリールアミノ基、アルキルアミノ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基などが挙げられる。
該アリールアミノ基においては、窒素原子に結合する２つのアリール基が互いに結合し、非芳香族性の環を形成していても良く、このような例としては、例えば
【００１４】
【化８】
0004407102.tif 000003
【００１５】
等が挙げられる。
一般式（Ｉ）で表される化合物として、より具体的には下記一般式（II）または（III)のいずれかで表される化合物が挙げられる。
【００１６】
【化９】
0004407102.tif 000004
【００１７】
（式中、Ａｒ1からＡｒ4は、各々独立して、置換基を有していても良い５又は６員環の芳香族炭化水素環または芳香族複素環の単環基又は２〜５の縮合環基を表す）
【００１８】
【化１０】
0004407102.tif 000005
【００１９】
（式中、Ａｒ1からＡｒ7は、各々独立して、置換基を有していても良い５又は６員環の芳香族炭化水素環または芳香族複素環の単環基又は２〜５の縮合環基を表す）
【００２０】
一般式（II）におけるＡｒ3およびＡｒ4としては、一般式（Ｉ）におけるＡｒ1およびＡｒ2と同様の基が挙げられ、好ましい基も同様である。
一般式（III）におけるＡｒ5〜Ａｒ7としては、一般式（Ｉ）におけるＡｒ1およびＡｒ2と同様の基が挙げられ、好ましい基も同様である。よって、−ＮＡｒ5Ａｒ6)はジフェニルアミノ基、フェニルナフチルアミノ基など３級アリールアミノ基を表す。該アリールアミノ基においては、窒素原子に結合する２つのアリール基が互いに結合し、非芳香族性の環を形成していても良く、このような例としては、例えば
【００２１】
【化１１】
0004407102.tif 000006
【００２２】
等があげられる。
【００２３】
一般式（II）におけるＡｒ3およびＡｒ4、並びに一般式（III）におけるＡｒ7が有しうる置換基として、最も好ましくは、アリールアミノ基またはＮ−カルバゾリル基である。
一般式（II）および（III）で表されるこれらの化合物は、イオン化ポテンシャルが低く、正孔輸送材料として良い特性を示す。特に、高いガラス転移温度や融点を有することは有機電界発光素子における耐熱性という重要な課題を満足する。
また、一般式（III）で表される化合物は異なった型の置換基を有する非対称な化合物であり、これにより、３級アリールアミノ基と芳香族炭化水素基の両方の特性を有する化合物を得ることが出来、所望する特性を制御することが出来る。
【００２４】
本発明の化合物は、例えば下記に従って製造することができる。
下記一般式（VII）
【００２５】
【化１２】
0004407102.tif 000007
【００２６】
（式中、Ａｒ1およびＡｒ2は前記一般式（Ｉ）におけると同義。）
で表されるアントラセン系化合物と、所望のハロゲン原子を含むハロゲン化剤を用いて下記一般式（VI）
【００２７】
【化１３】
0004407102.tif 000008
【００２８】
（式中、Ｘ1およびＸ2は各々独立にハロゲン原子を表し、Ａｒ1およびＡｒ2は前記一般式（Ｉ）におけると同義である。）
で表されるハロゲン原子含有アントラセン系化合物を得る。ハロゲン化剤としては特に限定されるものではないが、所望の置換基Ｘ（Ｘはハロゲン原子を表す）を有するＮ−コハク酸イミド（J. Org. Chem. , vol. 44, No.25, 4733 (1979)）が好適に使用される。ハロゲン化剤の使用量は、前記一般式（VII）で表される化合物に対し、２〜１０倍モル、好ましくは２〜５倍モル程度である。
【００２９】
反応は通常、乾燥窒素やアルゴンなど不活性雰囲気下で行われる。また、反応は通常、不活性溶媒中で実施される。使用される不活性溶媒としては、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン、ニトロベンゼン、トルエン、キシレン、メチルセロソルブ、エチルセロソルブまたは水などが挙げられるが、これらのうち、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドンが好適である。溶媒の使用量は、一般式（VII）の化合物に対して、通常、５〜５０重量倍、好ましくは、１０〜２０重量倍が適当である。
【００３０】
反応温度は５０℃から２００℃の範囲、好ましくは５０℃から１００℃、反応時間は０．５〜４８時間程度である。
反応終了後、反応液を冷却し、析出した結晶を濾過し、メタノール、アセトンまたは水で洗浄し乾燥すれば目的物が得られる。また、冷却しても晶出しない場合には、反応液をメタノールか水に放出し、析出した結晶を濾過し、メタノールまたは水で洗浄し乾燥すれば目的物が得られる。メタノールか水に放出しても析出しない場合には、酢酸エチル、ジクロロメタン等で抽出し、洗浄、乾燥、濃縮すれば良い。生成物は必要に応じて再結晶またはカラムクロマトグラフィーにより精製することができる。この場合、精製溶媒としては、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トルエン、酢酸エチル、クロロホルム、塩化メチレンなどが好適である。
【００３１】
必要に応じて、前記文献におけるＮ−コハク酸イミドのＮ−置換基Ｘは、別のハロゲン原子に置き換えて良い。例えば臭素原子をヨウ素原子に置換する反応（Chemistry Letters, 411(1985)）が挙げられる。
続いて、得られたハロゲン化合物を下記一般式（IV）および（Ｖ）
【００３２】
【化１４】
0004407102.tif 000009
【００３３】
【化１５】
0004407102.tif 000010
【００３４】
（式中、Ａｒ3およびＡｒ4は式（II）におけると同義、Ｒ3〜Ｒ6は水酸基または置換基を有していてもよいアルコキシ基を示し、Ｒ3とＲ4、Ｒ5とＲ6は結合して環を形成しても良い。）
で表される芳香族ホウ素誘導体と鈴木カップリング法（Chem. Rev., Vol.95, 2457 (1995)）にて反応させることにより、前記一般式（II）で表されるアントラセン系化合物を得る。
【００３５】
また一般式（III）のように異なった型の置換基を非対称に設ける場合は、例えば前記式（VI）で表されるハロゲン化アントラセン化合物において、ハロゲン原子Ｘ1およびＸ2のうち一方を、下記一般式（VII）
【００３６】
【化１６】
0004407102.tif 000011
【００３７】
（式中、Ａｒ5およびＡｒ6は前記式（III）におけると同義）
で表される芳香族アミン誘導体と Ullmann反応（Organic Synthesis，1巻，544頁）、或いはPd法（Tetrahedron Letters, vol.39, 2367 (1998)）により置換し、他方のハロゲン原子を上述の鈴木カップリング法などによりＡｒ7に対応する芳香族環で置換すればよい。なお、−ＮＡｒ5Ａｒ6を導入する前に−Ａｒ7を導入してもよい。また、原料とする前記一般式（VI）で表わされる化合物において、ハロゲン原子Ｘ1およびＸ2を異なる原子（例えばＢｒとＩ）とすることにより、反応性の差を利用して、より収率よく、非対称化合物を得ることができる。
本発明における一般式（Ｉ）で表される化合物の代表例を、下記の表−１に示すが、本発明化合物はこれに限定されるものではない。
【００３８】
【表１】
0004407102.tif 000012
【００３９】
【表２】
0004407102.tif 000013
【００４０】
【表３】
0004407102.tif 000014
【００４１】
【表４】
0004407102.tif 000015
【００４２】
【表５】
0004407102.tif 000016
【００４３】
【表６】
0004407102.tif 000017
【００４４】
【表７】
0004407102.tif 000018
【００４５】
【表８】
0004407102.tif 000019
【００４６】
【表９】
0004407102.tif 000020
【００４７】
【表１０】
0004407102.tif 000021
【００４８】
【表１１】
0004407102.tif 000022
【００４９】
【表１２】
0004407102.tif 000023
【００５０】
【表１３】
0004407102.tif 000024
【００５１】
【表１４】
0004407102.tif 000025
【００５２】
【表１５】
0004407102.tif 000026
【００５３】
【表１６】
0004407102.tif 000027
【００５４】
【表１７】
0004407102.tif 000028
【００５５】
【表２０】
0004407102.tif 000029
【００５６】
【表１９】
0004407102.tif 000030
【００５７】
【表２０】
0004407102.tif 000031
【００５８】
【表２１】
0004407102.tif 000032
【００５９】
【表２２】
0004407102.tif 000033
【００６０】
【表２３】
0004407102.tif 000034
【００６１】
【表２４】
0004407102.tif 000035
【００６２】
【表２５】
0004407102.tif 000036
【００６３】
【表２６】
0004407102.tif 000037
【００６４】
【表２７】
0004407102.tif 000038
【００６５】
【表２８】
0004407102.tif 000039
【００６６】
【表２９】
0004407102.tif 000040
【００６７】
【表３０】
0004407102.tif 000041
【００６８】
【表３１】
0004407102.tif 000042
【００６９】
【表３２】
0004407102.tif 000043
【００７０】
【表３３】
0004407102.tif 000044
【００７１】
【表３４】
0004407102.tif 000045
【００７２】
【表３５】
0004407102.tif 000046
【００７３】
【表３６】
0004407102.tif 000047
【００７４】
【表３７】
0004407102.tif 000048
【００７５】
【表３８】
0004407102.tif 000049
【００７６】
【表３９】
0004407102.tif 000050
【００７７】
【表４０】
0004407102.tif 000051
【００７８】
【表４１】
0004407102.tif 000052
【００７９】
【表４２】
0004407102.tif 000053
【００８０】
【表４３】
0004407102.tif 000054
【００８１】
【表４４】
0004407102.tif 000055
【００８２】
【表４５】
0004407102.tif 000056
【００８３】
【表４６】
0004407102.tif 000057
【００８４】
【表４７】
0004407102.tif 000058
【００８５】
【表４８】
0004407102.tif 000059
【００８６】
【表４９】
0004407102.tif 000060
【００８７】
【表５０】
0004407102.tif 000061
【００８８】
【表５１】
0004407102.tif 000062
【００８９】
【表５２】
0004407102.tif 000063
【００９０】
【表５３】
0004407102.tif 000064
【００９１】
【表５４】
0004407102.tif 000065
【００９２】
【表５５】
0004407102.tif 000066
【００９３】
【表５６】
0004407102.tif 000067
【００９４】
【表５７】
0004407102.tif 000068
【００９５】
【表５８】
0004407102.tif 000069
【００９６】
【表５９】
0004407102.tif 000070
【００９７】
次に、添付図面を参照して、本発明の有機電界発光素子の実施の形態を詳細に説明する。
図１は本発明に用いられる有機電界発光素子の構造の一例を模式的に示す断面図であるが、これに限定されるものではない。１は基板、２は陽極、４は正孔輸送層、５は発光層、７は陰極を各々表わす。
【００９８】
基板１は有機電界発光素子の支持体となるものであり、石英やガラスの板、金属板や金属箔、プラスチックフィルムやシートなどが用いられる。特にガラス板や、ポリエステル、ポリメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスルホンなどの透明な合成樹脂の板が好ましい。合成樹脂基板を使用する場合にはガスバリア性に留意する必要がある。基板のガスバリア性が小さすぎると、基板を通過した外気により有機電界発光素子が劣化することがあるので好ましくない。このため、合成樹脂基板の少なくとも片面に緻密なシリコン酸化膜等を設けてガスバリア性を確保する方法も好ましい方法の一つである。
【００９９】
基板１上には陽極２が設けられるが、陽極２は正孔輸送層への正孔注入の役割を果たすものである。この陽極は、通常、アルミニウム、金、銀、ニッケル、パラジウム、白金等の金属、インジウム及び／またはスズの酸化物などの金属酸化物、ヨウ化銅などのハロゲン化金属、カーボンブラック、あるいは、ポリ（3-メチルチオフェン）、ポリピロール、ポリアニリン等の導電性高分子などにより構成される。陽極２の形成は通常、スパッタリング法、真空蒸着法などにより行われることが多い。また、銀などの金属微粒子、ヨウ化銅などの微粒子、カーボンブラック、導電性の金属酸化物微粒子、導電性高分子微粉末などの場合には、適当なバインダー樹脂溶液に分散し、基板１上に塗布することにより陽極２を形成することもできる。さらに、導電性高分子の場合は電解重合により直接基板１上に薄膜を形成したり、基板１上に導電性高分子を塗布して陽極２を形成することもできる（Appl．Phys．Lett．，60巻，2711頁，1992年）。陽極２は異なる物質で積層して形成することも可能である。陽極２の厚みは、必要とする透明性により異なる。透明性が必要とされる場合は、可視光の透過率を、通常、60％以上、好ましくは80％以上とすることが望ましく、この場合、厚みは、通常、5〜1000nm、好ましくは10〜500nm程度である。不透明でよい場合は陽極２は基板１と同一でもよい。また、さらには上記の陽極２の上に異なる導電材料を積層することも可能である。
【０１００】
陽極２の上には正孔輸送層４が設けられる。
図１に示す構成の素子の場合、本発明の特徴である一般式（Ｉ）で表される化合物を含む層は、この正孔輸送層４として設けられる。なお、一般式（Ｉ）で表される化合物を含む層は、陽極と後述する発光層との間に存在すればよく、該層と陽極の間、または該層と発光層との間に任意の層を有していてもよい。
【０１０１】
一般に正孔輸送層の材料に要求される条件としては、陽極からの正孔注入効率が高く、かつ、注入された正孔を効率よく輸送することができる材料であることが必要である。そのためには、イオン化ポテンシャルが小さく、可視光の光に対して透明性が高く、しかも正孔移動度が大きく、さらに安定性に優れ、トラップとなる不純物が製造時や使用時に発生しにくいことが要求される。また、発光層５に接するために発光層からの発光を消光したり、発光層との間でエキサイプレックスを形成して効率を低下させないことが求められる。上記の一般的要求以外に、車載表示用の応用を考えた場合、素子にはさらに耐熱性が要求される。従って、Tgとして85℃以上の値を有する材料が望ましい。
【０１０２】
一般式（Ｉ）で表される化合物は、上記条件の多くを満たすため好ましい。
なお、正孔輸送層４は一般式（Ｉ）で表される化合物に加えて、公知の正孔輸送材料を含有していても良い。
正孔輸送層４は塗布法または真空蒸着法などで形成することができる。
塗布法の場合は、一般式（Ｉ）で表される化合物を少なくとも１種以上と、必要により正孔のトラップにならないバインダー樹脂や塗布性改良剤などの添加剤、とを添加し、溶解して塗布溶液を調製し、スピンコート法などの方法により陽極２上に塗布し、乾燥して正孔輸送層４を形成する。バインダー樹脂としては、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル等が挙げられる。バインダー樹脂は添加量が多いと正孔移動度を低下させるので、少ない方が望ましく、通常、50重量％以下が好ましい。
【０１０３】
真空蒸着法の場合には、一般式（Ｉ）で表される化合物を真空容器内に設置されたルツボに入れ、真空容器内を適当な真空ポンプで10-4Pa程度にまで排気した後、ルツボを加熱して該化合物を蒸発させ、ルツボと向かい合って置かれた、陽極が形成された基板１上に正孔輸送層４を形成させる。
正孔輸送層４の膜厚は、通常、5〜300nm、好ましくは10〜100nmである。この様に薄い膜を一様に形成するためには、一般に真空蒸着法がよく用いられる。
【０１０４】
正孔輸送層４の上には発光層５が設けられる。発光層５は、電界を与えられた電極間において、陽極から注入されて正孔輸送層を移動する正孔と、陰極から注入されて電子輸送層６を移動する電子との再結合により励起されて強い発光を示す蛍光性化合物より形成される。
発光層５に用いられる蛍光性化合物としては、安定な薄膜形状を有し、固体状態で高い蛍光収率を示し、正孔および／または電子を効率よく輸送することができる化合物であることが必要である。さらに電気化学的かつ化学的に安定であり、トラップとなる不純物が製造時や使用時に発生しにくい化合物であることが要求される。
【０１０５】
このような条件を満たす材料としては、8-ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体（特開昭59-194393号公報）、10-ヒドロキシベンゾ[h]キノリンの金属錯体（特開平6-322362号公報）、ビススチリルベンゼン誘導体（特開平1-245087号公報、同2-222484号公報）、ビススチリルアリーレン誘導体（特開平2-247278号公報）、(2-ヒドロキシフェニル)ベンゾチアゾールの金属錯体（特開平8-315983号公報）、シロール誘導体等が挙げられる。これらの発光層材料は、通常は真空蒸着法により正孔輸送層上に積層される。
【０１０６】
また、前述の正孔輸送層材料のうち、蛍光性を有する芳香族アミン系化合物も発光層材料として用いることが出来る。
発光層５の膜厚は、通常、3〜200 nm、好ましくは5〜100 nmである。
発光層も正孔輸送層と同様の方法で形成することができるが、通常は真空蒸着法が用いられる。
【０１０７】
素子の発光効率を向上させるとともに発光色を変える目的で、例えば、8-ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体をホスト材料として、クマリン等のレーザー用蛍光色素をドープすること（J. Appl. Phys., 65巻, 3610頁, 1989年）等が行われている。このドーピング手法は、発光層５にも適用でき、ドープ用材料としては、クマリン以外にも各種の蛍光色素が使用できる。青色発光を与える蛍光色素としては、ペリレン、ピレン、アントラセン、クマリンおよびそれらの誘導体等が挙げられる。緑色蛍光色素としては、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体等が挙げられる。黄色蛍光色素としては、ルブレン、ペリミドン誘導体等が挙げられる。赤色蛍光色素としては、DCM系化合物、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体、ベンゾチオキサンテン誘導体、アザベンゾチオキサンテン等が挙げられる。
【０１０８】
上記のドープ用蛍光色素以外にも、ホスト材料に応じて、レーザー研究，8巻，694頁，803頁，958頁（1980年）；同9巻，85頁（1981年）、に列挙されている蛍光色素が発光層用のドープ材料として使用することができる。
ホスト材料に対して上記蛍光色素がドープされる量は、10-3〜10重量％が好ましい。
【０１０９】
上述の蛍光色素を発光層のホスト材料にドープする方法を以下に説明する。
塗布の場合は、前記発光層ホスト材料と、ドープ用蛍光色素、さらに必要により、電子のトラップや発光の消光剤とならないバインダー樹脂や、レベリング剤等の塗布性改良剤などの添加剤を添加し溶解した塗布溶液を調整し、スピンコート法などの方法により正孔輸送層４上に塗布し、乾燥して発光層５を形成する。バインダー樹脂としては、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル等が挙げられる。バインダー樹脂は添加量が多いと正孔／電子移動度を低下させるので、少ない方が望ましく、50重量％以下が好ましい。
【０１１０】
真空蒸着法の場合には、前記ホスト材料を真空容器内に設置されたるつぼに入れ、ドープする蛍光色素を別のるつぼに入れ、真空容器内を適当な真空ポンプで10-6Torr程度にまで排気した後、各々のるつぼを同時に加熱して蒸発させ、るつぼと向かい合って置かれた基板上に層を形成する。また、他の方法として、上記の材料を予め所定比で混合したものを同一のるつぼを用いて蒸発させてもよい。
【０１１１】
上記各ドーパントが発光層中にドープされる場合、発光層の膜厚方向において均一にドープされるが、膜厚方向において濃度分布があっても構わない。例えば、正孔輸送層側の界面近傍にのみドープしたり、逆に、陰極側の界面近傍にドープしてもよい。
陰極７は、発光層５に電子を注入する役割を果たす。陰極７として用いられる材料は、前記陽極２に使用される材料を用いることが可能であるが、効率よく電子注入を行なうには、仕事関数の低い金属が好ましく、スズ、マグネシウム、インジウム、カルシウム、アルミニウム、銀等の適当な金属またはそれらの合金が用いられる。具体例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、アルミニウム−リチウム合金等の低仕事関数合金電極が挙げられる。さらに、陰極と発光層または電子輸送層の界面にLiF、MgF2、Li2O等の極薄絶縁膜（0.1〜5nm）を挿入することも、素子の効率を向上させる有効な方法である（Appl. Phys. Lett., 70巻，152頁，1997年；特開平10-74586号公報；IEEE Trans. Electron. Devices，44巻，1245頁，1997年）。陰極７の膜厚は通常、陽極２と同様である。低仕事関数金属から成る陰極を保護する目的で、この上にさらに、仕事関数が高く大気に対して安定な金属層を積層することは素子の安定性を増す。この目的のために、アルミニウム、銀、銅、ニッケル、クロム、金、白金等の金属が使われる。
【０１１２】
正孔注入の効率をさらに向上させ、かつ、有機層全体の陽極への付着力を改善させる目的で、正孔輸送層４と陽極２との間に陽極バッファ層３を挿入することも行われている（図２参照）。陽極バッファ層３を挿入することで、初期の素子の駆動電圧が下がると同時に、素子を定電流で連続駆動した時の電圧上昇も抑制される効果がある。陽極バッファ層に用いられる材料に要求される条件としては、陽極とのコンタクトがよく均一な薄膜が形成でき、熱的に安定、すなわち、融点及びガラス転移温度が高く、融点としては 300℃以上、ガラス転移温度としては 100℃以上が要求される。さらに、イオン化ポテンシャルが低く陽極からの正孔注入が容易なこと、正孔移動度が大きいことが挙げられる。
【０１１３】
この目的のために、これまでに銅フタロシアニン等のフタロシアニン化合物（特開昭63-295695号公報）、ポリアニリン（Appl. Phys. Lett., 64巻、1245頁,1994年）、ポリチオフェン（Optical Materials, 9巻、125頁、1998年）等の有機化合物や、スパッタ・カーボン膜（Synth. Met., 91巻、73頁、1997年）や、バナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、モリブデン酸化物等の金属酸化物（J. Phys. D, 29巻、2750頁、1996年）が報告されている。
【０１１４】
陽極バッファ層の場合も、正孔輸送層と同様にして薄膜形成可能であるが、無機物の場合には、さらに、スパッタ法や電子ビーム蒸着法、プラズマCVD法が用いられる。
以上の様にして形成される陽極バッファ層３の膜厚は、通常、3〜100nm、好ましくは 5〜50nmである。
【０１１５】
素子の発光効率をさらに向上させることを目的として、発光層５と陰極７の間に電子輸送層６を設けてもよい。電子輸送層６は、電界を与えられた電極間において陰極から注入された電子を効率よく発光層５の方向に輸送することができる化合物より形成される。
電子輸送層６に用いられる電子輸送性化合物としては、陰極７からの電子注入効率が高く、かつ、高い電子移動度を有し注入された電子を効率よく輸送することができる化合物であることが必要である。
【０１１６】
このような条件を満たす材料としては、8-ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体（特開昭59-194393号公報）、10-ヒドロキシベンゾ[h]キノリンの金属錯体、オキサジアゾール誘導体、ジスチリルビフェニル誘導体、シロール誘導体、3-または5-ヒドロキシフラボン金属錯体、ベンズオキサゾール金属錯体、ベンゾチアゾール金属錯体、トリスベンズイミダゾリルベンゼン（米国特許第 5,645,948号）、キノキサリン化合物（特開平6-207169号公報）、フェナントロリン誘導体（特開平5-331459号公報）、2-t-ブチル-9,10-N,N'-ジシアノアントラキノンジイミン、n型水素化非晶質炭化シリコン、n型硫化亜鉛、n型セレン化亜鉛などが挙げられる。電子輸送層６の膜厚は、通常、5〜200nm、好ましくは10〜100 nmである。
【０１１７】
電子輸送層６は、正孔輸送層４と同様にして塗布法あるいは真空蒸着法により発光層５上に積層することにより形成される。通常は、真空蒸着法が用いられる。
尚、図１とは逆の構造、すなわち、基板上に陰極７、発光層５、正孔輸送層４、陽極２の順に積層することも可能であり、既述したように少なくとも一方が透明性の高い２枚の基板の間に本発明の有機電界発光素子を設けることも可能である。同様に、図２または図３に示した前記各層構成とは逆の構造に積層することも可能である。
【０１１８】
本発明は、有機電界発光素子が、単一の素子、アレイ状に配置された構造からなる素子、陽極と陰極がX-Yマトリックス状に配置された構造のいずれにおいても適用することができる。
【０１１９】
【実施例】
以下に実施例及び試験例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はその要旨を越えない限りこれらの例に限定されるものではない。なお、以下の実施例における化合物のＮｏ．は表−１の化合物のＮｏ．に対応する。
合成例１（２，６−ジブロモ−９，１０−ジフェニルアントラセンの合成）
9，10−ジフェニルアントラセン8.58g（26mmol）と、Ｎ−ブロモコハク酸イミド23.13g（130mmol）を177mlのＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドに加え、窒素下、 80℃で36.5時間反応させた。反応終了後、沈殿を濾別し、メタノール洗浄、アセトン洗浄を行い、5.18ｇの黄褐色粉末状の2，6−ジブロモ−9，10−ジフェニルアントラセンを得た（収率41％）。質量分析値ＭＳ＝４８６で目的物と一致した。融点310℃。1Ｈ−ＮＭＲにより、臭素の置換位置が２位と６位であることを確認した。
【０１２０】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 （δ＝ｐｐｍ））：７．３７（ｄｄ，２Ｈ），７．４２（ｍ，４Ｈ），７．５３（ｄ，２Ｈ），７．５８（ｍ，２Ｈ），７．６１（ｍ，４Ｈ），７．８２（ｄ，２Ｈ）
【０１２１】
【化１７】
0004407102.tif 000071
【０１２２】
合成例２（２，６−ジヨード−９，１０−ジフェニルアントラセンの合成）
合成例１で得られた2，6−ジブロモー9,１０−ジフェニルアントラセン4.98g（10mmol）と、ヨウ化カリウム41.73g（251mmol）、ヨウ化銅15.86ｇ（83mmol）を30mlのヘキサメチルリン酸トリアミドに加え、窒素下、 145℃で8時間反応させた。反応終了後、1規定塩酸水溶液中に放出し、生じた沈殿を濾別、水洗した。その後メタノール洗浄し、クロロホルムに可溶分のみ回収した。溶媒留去後、4.93ｇの黄色粉末状の2，6−ジヨード−9，10−ジフェニルアントラセンを得た（収率83％）。ＭＳ＝５８２で目的物と一致した。融点301℃。
【０１２３】
【化１８】
0004407102.tif 000072
【０１２４】
実施例１（化合物Ｃ−２０９の合成）
合成例１で得られた2，6−ジブロモ−9，10−ジフェニルアントラセン0.82g（1.7mmol）と、下記芳香族ホウ素誘導体（B-1）
【０１２５】
【化１９】
0004407102.tif 000073
【０１２６】
1.32g（3.6mmol）、リン酸三カリウム1.50ｇ（7.1mmol）、テトラキス（トリフェニルフォスフィノ）パラジウム0.09ｇ（0.08mmol）を12mlの乾燥N,N-ジメチルホルムアミドに加え、窒素下、 100℃で6時間反応させた。反応終了後、生成した沈殿を濾別し、水洗浄、熱アセトン懸洗し、1.18ｇの黄色粉末状の2，6−ビス｛４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェニル｝−9，10−ジフェニルアントラセンを得た（収率86％）。ＭＳ＝816で目的物と一致した。またセイコー電子社製ＤＳＣ−２０により示差熱分析測定したところ、ガラス転移温度（Ｔｇ）は171℃、融点440℃と大変高い値を示した。
【０１２７】
【化２０】
0004407102.tif 000074
【０１２８】
次に、ガラス基板をアセトンで超音波洗浄、純水で水洗、イソプロピルアルコールで超音波洗浄、乾燥窒素で乾燥、ＵＶ／オゾン洗浄を行った後、真空蒸着装置内に設置して、装置内の真空度が３×10-6Torr以下になるまで油拡散ポンプを用いて排気した。
化合物（Ｃ−２０９）をセラミックるつぼに入れ、るつぼの周囲のタンタル線ヒーターで加熱して蒸着を行った。蒸着時の真空度は7.0×10-7Torr（約9.3x10-5Pa）で、蒸着速度 0.1nm／秒で膜厚98nmの一様で透明な膜を得た。この薄膜試料のイオン化ポテンシャルを理研計器（株）製の紫外線電子分析装置（ＡＣ−１）を用いて測定したところ、5.27eVの値を示した。また、この薄膜試料の蛍光を測定したところ、励起波長363nmで486、536nmの発光ピークを示した。
実施例２（化合物Ｃ−３０９の合成）
（B-1）の代わりに下記芳香族ホウ素誘導体（B-２）
【０１２９】
【化２１】
0004407102.tif 000075
【０１３０】
を用いた以外は実施例１と同様に合成し、1.32ｇの橙色粉末状の2，6−ビス｛４−（Ｎ，Ｎ−ジ（ｐ−トリル）アミノ）フェニル｝−9，10−ジフェニルアントラセンを得た（収率79％）。ＭＳ＝872で目的物と一致した。またセイコー電子社製ＤＳＣ−２０により示差熱分析測定したところ、ガラス転移温度（Ｔｇ）は162℃と大変高い値を示した。融点353℃。
【０１３１】
【化２２】
0004407102.tif 000076
【０１３２】
化合物（Ｃ−２０９）と同様に、化合物（Ｃ−３０９）をセラミックるつぼに入れ、ガラス基板上に膜厚78nmの一様で透明な膜を得た。この薄膜試料のイオン化ポテンシャルを測定したところ5.05eVの値を示した。
実施例３（化合物Ｃ−２２９の合成）
（B-1）の代わりに下記芳香族ホウ素誘導体（B-３）
【０１３３】
【化２３】
0004407102.tif 000077
【０１３４】
を用いた以外は実施例１と同様に合成し、0.54ｇの黄色粉末状の2，6−ビス｛４−（Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ―フェニルアミノ）フェニル｝−9，10−ジフェニルアントラセンを得た（収率55％）。ＭＳ＝916で目的物と一致した。またセイコー電子社製ＤＳＣ−２０により示差熱分析測定したところ、ガラス転移温度（Ｔｇ）は170℃、融点436℃と大変高い値を示した。
【０１３５】
【化２４】
0004407102.tif 000078
【０１３６】
化合物（Ｃ−２０９）と同様に、化合物（Ｃ−２２９）をセラミックるつぼに入れ、ガラス基板上に膜厚８４ｎｍの一様で透明な膜を得た。この薄膜試料のイオン化ポテンシャルを測定したところ５．３１ｅＶの値を示した。
実施例４（化合物Ｒ−７１の合成）
合成例２にて得られた２，６−ジヨード−９，１０−ジフェニルアントラセン３．１ｇ（５．３ｍｍｏｌ）と、Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミン１．２ｇ（５．３ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム１．７ｇ（１２．３ｍｍｏｌ）、銅粉１．１ｇ（１６．７ｍｍｏｌ）を２０ｍｌのテトラエチレングリコールジメチルエーテルに加え、窒素下、１８０℃で１１時間反応させた。反応終了後、メタノールを添加、濾液を回収した。その後、シリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィーにより精製し、０．９４ｇの２−ヨード−６−（Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニル）アミノ−９，１０−ジフェニルアントラセンを得た（収率２６％）。
得られた２−ヨード−６−（Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニル）アミノ−９，１０−ジフェニルアントラセン０．９４ｇ（１．４ｍｍｏｌ）、下記芳香族ホウ素誘導体（Ｂ−４）０．６６ｇ（１．９ｍｍｏｌ）、
【０１３７】
【化２５】
0004407102.tif 000079
【０１３８】
テトラキス（トリフェニルフォスフィノ）パラジウム0.03ｇ（0.03mmol）を10mlのトルエンと3mlの２規定炭酸ナトリウム水溶液の混合溶液に加え、窒素下、 90℃で5時間反応させた。反応終了後、生成した沈殿を濾別し、トルエン可溶分を得た。溶媒留去後、熱メタノール懸洗し、0.94ｇの黄土色粉末状の2−（Ｎ-（１-ナフチル）-Ｎ−フェニル）アミノ−6-｛４−（Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ―フェニルアミノ）フェニル｝-9，10−ジフェニルアントラセンを得た（収率80％）。
【０１３９】
【化２６】
0004407102.tif 000080
【０１４０】
ＭＳ＝840で目的物と一致した。またセイコー電子社製ＤＳＣ−２０により示差熱分析測定したところ、ガラス転移温度（Ｔｇ）は158℃と大変高い値を示した。化合物（Ｃ−２２９）から芳香族連結基を一つ抜いた非対称形だが、Tgはあまり下がらず、耐熱性が維持された。
化合物（Ｃ−２０９）と同様に、化合物（Ｒ−７１）をセラミックるつぼに入れ、ガラス基板上に膜厚67.5nmの一様で透明な膜を得た。この薄膜試料のイオン化ポテンシャルを測定したところ5.12eVの値を示した。
【０１４１】
実施例５
図３に示す構造を有する有機電界発光素子を以下の方法で作製した。
ガラス基板１上にインジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）透明導電膜を１２０ｎｍ堆積したもの（ジオマテック社製；電子ビーム成膜品；シート抵抗１５Ω）を通常のフォトリソグラフィ技術と塩酸エッチングを用いて２ｍｍ幅のストライプにパターニングして陽極２を形成した。パターン形成したＩＴＯ基板をアセトンによる超音波洗浄、純水による水洗、イソプロピルアルコールによる超音波洗浄の順で洗浄後、窒素ブローで乾燥させ、最後に紫外線オゾン洗浄を行った。次に陽極バッファ層３として芳香族ジアミン含有ポリエーテル（G−１）；重量平均分子量25000；ガラス転移温度  199℃）
【０１４２】
【化２７】
0004407102.tif 000081
【０１４３】
及び、その１０重量％のアクセプタ−（J−１）
【０１４４】
【化２８】
0004407102.tif 000082
【０１４５】
を下記の条件で、上記ガラス基板上にスピンコートした：
溶媒                      １，２−ジクロロエタン
塗布液濃度                ３０[mg/ml]
スピナ回転数              2500[rpm]
スピナ回転時間            25[秒]
乾燥条件                  90分間自然乾燥
【０１４６】
上記のスピンコートにより30nmの膜厚の均一な薄膜が形成された。
次に上記ポリエーテルを塗布成膜した基板を真空蒸着装置内に設置した。上記装置の粗排気を油回転ポンプにより行った後、装置内の真空度が２×１０-6Ｔｏｒｒ以下になるまで液体窒素トラップを備えた油拡散ポンプを用いて排気した。
上記装置内に配置されたセラミックるつぼに入れた、下記構造式（Ｃ−２０９）で表される化合物をるつぼの周囲のＴａ線ヒーターで加熱して真空容器内で蒸発させた。蒸発時の真空度は１．３×１０-6Ｔｏｒｒであった。このようにして、膜厚４０ｎｍの正孔輸送層４を蒸着した。蒸着時間は５分１秒であった。
【０１４７】
【化２９】
0004407102.tif 000083
【０１４８】
引き続き、同様の操作にて、発光層５の材料として、以下の構造式に示すアルミニウムの８−ヒドロキシキノリン錯体（Ｅ−１）
【０１４９】
【化３０】
0004407102.tif 000084
【０１５０】
を温度２７０〜２７６℃、真空度１．１×１０-6Ｔｏｒｒ、蒸着速度０．１〜０．２ｎｍ／秒で、２分５３秒蒸着して、膜厚３０ｎｍで発光層５が得られた。  その際、下記に示す構造のルブレン（D−１）
【０１５１】
【化３１】
0004407102.tif 000085
【０１５２】
を発光層５中に化合物（Ｅ−１）に対して2.15重量％の濃度で膜厚方向で均一にドープした。
引き続き、電子輸送層６の材料として、アルミニウムの８−ヒドロキシキノリン錯体（Ｅ−１）を蒸着した。このときのるつぼの温度は２８４〜２８７℃の範囲で制御した。蒸着時の真空度は８．０×１０-7Ｔｏｒｒ、蒸着時間は２分１９秒であった。結果として膜厚３０ｎｍの電子輸送層６が得られた。
上記の正孔輸送層、発光層及び電子輸送層を真空蒸着する時の基板温度は室温に保持した。
【０１５３】
ここで、電子輸送層６までの蒸着を行った素子を、一度真空蒸着装置内より大気中に取り出して、陰極蒸着用のマスクとして２ｍｍ幅のストライプ状シャドーマスクを、陽極２のＩＴＯストライプと直交する様に素子と密着させて、別の真空蒸着装置内に設置して、有機層と同様にして装置内の真空度が２×１０-6Ｔｏｒｒ以下となるまで排気した。続いて陰極界面層としてフッ化リチウムをモリブデンボードを用いて膜厚０．３ｎｍとなるように蒸着した。蒸着時の真空度は４．５×１０-6Ｔｏｒｒであった。
次いで、陰極７として、アルミニウムをモリブデンボードを用いて１００ｎｍの膜厚で蒸着した。アルミニウム蒸着時の真空度は４．７×１０-6Ｔｏｒｒ、蒸着時間は３分１２秒であった。
【０１５４】
以上の様にして、２ｍｍ×２ｍｍのサイズの発光面積部分を有する有機電界発光素子が得られた。この素子は、発光開始電圧が2.8Ｖと低く、２５０ｍＡ／ｃｍ2 の定電流で連続駆動したところ、４０秒後での輝度は初期輝度の９６％であった。輝度−電流密度特性の傾きである輝度／電流特性は6.19cd/Aであった。化合物（Ｃ−２０９）の導入により、発光効率が向上された。
【０１５５】
実施例６
正孔輸送層４に化合物（Ｃ−３０９）を用いる以外は、実施例５と同様にして有機電界発光素子を作製した。この素子は、発光開始電圧が2.4Ｖと大変低く、２５０ｍＡ／ｃｍ2 の定電流で連続駆動したところ、４０秒後での輝度は初期輝度の９９％であった。輝度−電流密度特性の傾きである輝度／電流特性は6.53cd/Aであった。化合物（Ｃ−３０９）の導入により、駆動電圧の低下が達成された。
【０１５６】
実施例７
正孔輸送層４に化合物（Ｃ−２２９）を用いる以外は、実施例５と同様にして有機電界発光素子を作製した。この素子は、発光開始電圧が３Ｖと低く、２５０ｍＡ／ｃｍ2 の定電流で連続駆動したところ、４０秒後での輝度は初期輝度の９８％であった。輝度−電流密度特性の傾きである輝度／電流特性は5.97cd/Aであった。化合物（Ｃ−２２９）の導入により、駆動電圧の低下が達成された。
【０１５７】
比較例１
正孔輸送層４に、一般式（Ｉ）においてＲ1＝Ｒ2＝ジアリールアミン基とした下記化合物（F−１）（ガラス転移温度135℃）
【０１５８】
【化３２】
0004407102.tif 000086
【０１５９】
を用いる以外は、実施例５と同様にして有機電界発光素子を作製した。この素子は、発光開始電圧が３Ｖ、２５０ｍＡ／ｃｍ2 の定電流で連続駆動した時の、４０秒後での輝度は初期輝度の９７％であったが、輝度−電流密度特性の傾きである輝度／電流特性は3.90cd/Aと低かった。
化合物（Ｆ−１）は化合物（Ｃ−２２９）に類似しているが、アントラセン骨格に直接アミノ基が２置換していることにより、発光効率が低下した。
【０１６０】
実施例８
正孔輸送層４に化合物（Ｒ−７１）を用いる以外は、実施例５と同様にして有機電界発光素子を作製した。この素子は、発光開始電圧が2.4Ｖと大変低く、２５０ｍＡ／ｃｍ2 の定電流で連続駆動したところ、４０秒後での輝度は初期輝度の９８％であった。輝度−電流密度特性の傾きである輝度／電流特性は7.52cd/Aであった。
芳香族基が、一般式（Ｉ）におけるＲ1およびＲ2の一方に導入されただけで、化合物（Ｆ−１）より2倍近く効率が向上した。
【０１６１】
【化３３】
0004407102.tif 000087
【０１６２】
【発明の効果】
本発明のアントラセン系化合物は耐熱性が高く、極めて有用である。また、種々の置換基を有することが出来るため、要望される種種の特性を発揮できる。
また本発明にて得られる有機電界発光素子は、特定のアントラセン系化合物を含有することにより、発光開始電圧や素子の耐熱性など、いずれの点についても従来公知のアントラセン系化合物を含む素子より優れた性能を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】有機電界発光素子の実施の形態の一例を示した模式断面図である。
【図２】有機電界発光素子の実施の形態の別の例を示した模式断面図である。
【図３】有機電界発光素子の実施の形態の別の例を示した模式断面図である。
【符号の説明】
１      基板
２      陽極
３      陽極バッファ層
４      正孔輸送層
５      発光層
６      電子輸送層
７      陰極
【図１】
0004407102.tif 000095
【図２】
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【図３】
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