(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン基板の表面にフィールド酸化膜層を形成するステップと、
前記シリコン基板の活性領域上の前記フィールド酸化膜層を除去するとともに、前記シリコン基板の前記活性領域以外の領域上に残留している前記フィールド酸化膜層の一部に少なくとも１つの溝を形成するステップと、
前記活性領域上及び前記少なくとも１つの溝の底部にゲート酸化膜層を成長させるステップと、
該ゲート酸化膜層の上部表面及び前記少なくとも１つの溝に多結晶シリコン層を形成するステップと、
フォトレジスト層による共通フォトマスクステップにおいて、前記活性領域上の前記フォトレジスト層に間隔を隔てた複数のウィンドウを形成するとともに、前記少なくとも１つの溝の上方の前記フォトレジスト層に少なくとも１つのウィンドウを形成し、かつ、前記活性領域上の前記複数のウィンドウによって露出した前記多結晶シリコン層及び前記ゲート酸化膜層並びに前記少なくとも１つの溝中の前記多結晶シリコン層の一部のみをエッチング除去し、前記少なくとも１つの溝の底部に多結晶シリコン条片を残留させるステップと、
前記少なくとも１つの溝の底部に配置された前記多結晶シリコン条片と接触する金属ゲートコンタクトを形成するステップと
を備えたことを特徴とするＭＯＳゲート半導体デバイスの製造方法。
【請求項２】
前記複数のウィンドウを形成するステップの前段に、前記多結晶シリコン層の表面に多結晶酸化膜層を形成するステップを備えたことを特徴とする請求項１に記載のＭＯＳゲート半導体デバイスの製造方法。
【請求項３】
前記活性領域中の前記多結晶シリコン層をエッチングすることによって露出したシリコン基板に、前記複数のウィンドウを介してチャネル不純物及びソース不純物を注入し、かつ、拡散させるステップを備えたことを特徴とする請求項１に記載のＭＯＳゲート半導体デバイスの製造方法。
【請求項４】
前記活性領域中の前記多結晶シリコン層をエッチングすることによって露出したシリコン基板に、前記複数のウィンドウを介してチャネル不純物及びソース不純物を注入し、かつ、拡散させるステップを備えたことを特徴とする請求項２に記載のＭＯＳゲート半導体デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＭＯＳゲート半導体デバイス及びその製造方法に関し、より詳細には、ＭＯＳゲート半導体デバイスの製造方法及びその製造方法によって得られるＭＯＳゲート半導体デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
本出願は、２００１年３月２１日出願の米国仮出願第６０／２７７，６３７号の利益を主張するものである。
【０００３】
パワーＭＯＳＦＥＴおよびパワーＩＧＢＴなどのＭＯＳゲートデバイスについては、極めて良く知られており、一般的には、導電性多結晶シリコン製のゲート電極を有するとともに、ソース電極（すなわちエミッタ電極）から電気絶縁しなければならず、さらに、一般的にはアルミニウム製の外部金属ゲート導体すなわちゲートパッドに電気接続しなければならないゲート電極を有している。自己整列接触型（self aligned contact）パワーＭＯＳＦＥＴの場合、スペーサ技術を使用して、活性領域中でソースに接触させているが、ゲート金属とゲート多結晶シリコンをゲートパッド部分で接触させるためには、個別のフォトマスクステップを使用しなければならなかった。
【０００４】
そこで、コストを低減し、かつウェハからのデバイスの歩留りを向上させるためには、製造プロセスで必要なフォトマスクステップの数を少なくすることが望まれている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、このような状況に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、製造プロセスにおいて、多結晶シリコンゲート層とゲート金属を接続するための個別のマスクを使用する必要のないＭＯＳゲート半導体デバイスの製造方法及びその製造方法によって得られるＭＯＳゲート半導体デバイスを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明によれば、フィールド酸化膜層をエッチングすることによって活性領域を形成することになる溝が、活性マスクステップの間にＰ＋フィールド酸化膜中に形成される。したがって、この溝を形成するために、引き続いてマスクを追加する必要がない。次に、多結晶シリコンの蒸着時に、フィールド酸化膜の上部表面への多結晶シリコンの蒸着に応じて溝が充填される。
【０００７】
多結晶シリコンマスクエッチングステップ時に、酸化膜中および多結晶シリコンと金属が接触する領域中の溝の上側の多結晶シリコン層中に、追加ウィンドウが形成される。この場合も、この追加ウィンドウのための追加マスクを使用する必要がなく、必要な多結晶シリコンマスクが単純に修正される。
【０００８】
次に、従来の多結晶酸化膜（polyoxide）エッチングステップ、多結晶シリコンエッチングステップ、および絶縁スペーサステップが実施され、溝の底部に残留している多結晶シリコンが露出される。
【０００９】
次に、導電性の金属コンタクトが多結晶酸化膜の上部表面に蒸着され、予め形成されている１つまたは複数のウィンドウに金属コンタクトを充填し、溝中の、多結晶シリコン層のボディに接続される多結晶シリコンと接触する。したがって、余計なマスクを必要とすることなく、金属コンタクトが形成される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、図面を参照して本発明の実施の態様について説明する。
【００１１】
図１〜図３Ｃは、本発明のＭＯＳゲート半導体デバイスの製造方法を説明するための工程図である。
【００１２】
まず、図１において、従来構造のＮ＋基板（図示せず）の頂部に成長したＮ−エピタキシャル層を有するシリコンダイ（基板）１０が示されている。本発明は、Ｐ型基板を備えたデバイスにも等しく適用することができる。基板１０の上部表面に、フィールド酸化膜層１１が従来の方法で蒸着あるいは形成され、活性領域マスクステップで、広範囲にわたる活性領域からフィールド酸化膜層１１が除去され、後続する活性領域中への接合パターンの形成を可能にしている。本発明によれば、活性領域マスク中のさらに１つまたは複数のウィンドウにより、１つまたは複数の溝１２を形成することができ、それにより、後述するように、マスクステップを追加することなく、ゲート金属（金属ゲートコンタクト）３１を活性領域中の多結晶シリコン（ゲート）層１４に接触させることができる。
【００１３】
次に、図２に示すように、図１で露出した活性領域（活性シリコン領域）の上部表面にゲート酸化膜層１３を熱成長させ、このゲート酸化膜層１３の上部表面、および溝１２および残りのフィールド酸化膜層１１を覆って、導電性の多結晶シリコン層１４が形成される。
【００１４】
続いて、図３、図３Ａ、図３Ｂ及び図３Ｃに示すように、多結晶シリコン層１４の上部表面に、多結晶酸化膜層１５が従来の方法で形成される。次に、フォトレジスト層１６が多結晶酸化膜層１５の上部表面に形成され、ウィンドウ１７、１８、１９、２０および他の類似ウィンドウを形成するべく、マスクステップでパターン化される。マスクウィンドウ１８、１９および２０は、縦型伝導ＭＯＳＦＥＴのチャネル拡散領域２１およびソース拡散領域２２の形成に使用される従来の打込みウィンドウである（ドレインコンタクトは、基板１０の底部に形成されることになる）。これらのチャネル拡散領域２１およびソース拡散領域２２は、多孔性（cellular）、すなわち条片形態にすることができ、また、所望する任意のサイズ、深さおよびトポロジーにすることができる。マスクウィンドウ１７（図３、図３Ａ、図３Ｂ及び図３Ｃ）もこれと同じマスクステップで形成され、溝１２と整列して露出される。任意の数のウィンドウ１７を使用することができる。
【００１５】
次に、エッチングプロセスを使用して、多結晶酸化膜層１５、多結晶シリコン層１４およびゲート酸化膜層１３の部分が除去され、ウィンドウ１８乃至２０によって露出される。多結晶シリコン層１４の底部ライン部分５０は、このエッチングプロセスの後、溝１２の底部を維持していることに留意されたい（図４、図４Ａ及び図４Ｂ）。また、多結晶シリコンライン（条片）５０を形成するために、マスクステップを追加する必要がないことに留意されたい。なお、符号３０は絶縁スペーサを示している。
【００１６】
続いて、アルミニウム製の導電コンタクト層３１がスパッタリングによって蒸着され、多結晶シリコンライン５０、ソース拡散領域２２およびチャネル拡散領域２１と接触する。次に、コンタクトマスクステップにより、ギャップ３３（図４）中の金属が除去され、図４に示すように、ゲート金属とソース金属が分離される。図４、図４Ａ及び図４Ｂに示すように、ゲート金属３１は、多結晶シリコン条片５０と活性領域上の反転可能チャネル領域２１を覆っている多結晶シリコン層１４に直接接続されている。重要なことは、新規なプロセスにはマスクを追加する必要がないことである。
【００１７】
以上、本発明について、特定の実施形態に関連して説明したが、当分野技術者には、他の多くの変形形態、改変および他の用途が明らかになることと思われる。したがって、本発明は、本明細書における特定の開示に限定されないことが好ましい。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】活性領域表面、および活性領域中に引き続いて形成される多結晶シリコンと接触するコンタクト金属を受け入れることができる溝を露出させるべくパターン化されたフィールド酸化膜を備えた半導体基板の一部断面図である。
【図２】多結晶シリコン蒸着後の図１の断面図である。
【図３】多結晶シリコンの頂部への多結晶酸化膜層の形成、および多結晶酸化膜層の頂部へのフォトレジスト層（パターン化されている）の形成後における図２の構成図である。
【図３Ａ】フィールド酸化膜中の溝の頂部のフォトレジスト中にパターン化されたウィンドウの１つを示す、図３の一部の概略等角図である。
【図３Ｂ】図３Ａの断面線３ｂ−３ｂに沿った図３Ａの断面図である。
【図３Ｃ】図３Ａの断面線３ｃ−３ｃに沿った図３Ａの断面図である。
【図４】フォトレジスト中のウィンドウによって露出した多結晶酸化膜領域および多結晶シリコン領域のエッチング、多結晶シリコン層の露出縁上への絶縁スペーサの形成、およびコンタクト金属の蒸着後における図３の構成図である。
【図４Ａ】図４のプロセスステップ実施後における図３Ｂの構成図である。
【図４Ｂ】図４のプロセスステップ実施後における図３Ｃの構成図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図４】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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