(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）平板状の基板の上に第１及び第２空洞部を形成するステップであって、
−  前記第１及び第２空洞部の双方は、前記基板の一の中心線上に形成され、
−  前記第１及び第２空洞部のそれぞれは、互いに所定距離を置いて前記基板上に形成された凹所とされ、
−  前記第１及び第２空洞部のそれぞれは、前記基板の端部から間隔を置いて形成されている、
第１及び第２空洞部を形成するステップと、
（ｂ）前記第１及び第２空洞部の上部に第１及び第２アクチュエータを形成するステップと、
（ｃ）前記基板の上面に前記第１及び第２空洞部と交差しないように第１及び第２固定ラインを形成するステップであって、
−  前記第１及び第２固定ラインは、前記第１空洞部と第２空洞部との間を通り、前記基板の一の中心線に直交する中心線上に形成され、
−  前記第１及び第２固定ラインは、前記第１及び第２空洞部から離隔して形成されている、
第１及び第２固定ラインを形成するステップと、
（ｄ）前記第１及び第２固定ラインの表面から一定の距離で離隔された位置に配置され、前記第１及び第２アクチュエータの駆動時、前記第１及び第２固定ラインと接触可能となるように一定領域は凹状であり、前記一定領域の両側領域は各々前記第１及び第２固定ラインと接続されるように突出される形状を有する接続パッドを形成するステップと、
を含むことを特徴とする下向型ＭＥＭＳスイッチの製造方法。
【請求項２】
（ｅ）前記接続パッドの表面から一定の距離で離隔された位置に前記第１及び第２アクチュエータの一端と連結され、前記接続パッドの突出された領域の上面と接触され、前記凹状の領域とは離隔された位置に保持層を形成するステップを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の下向型ＭＥＭＳスイッチの製造方法。
【請求項３】
電源が印加されると、前記第１及び第２アクチュエータから発生する圧電力によって、前記接続パッドは前記第１及び第２固定ラインのうち少なくとも一つと接続されるように下向き駆動されることを特徴とする請求項１に記載の下向型ＭＥＭＳスイッチの製造方法。
【請求項４】
前記第１及び第２固定ラインは、互いに異なる帯域幅のアンテナ信号ラインであることを特徴とする請求項１に記載の下向型ＭＥＭＳスイッチの製造方法。
【請求項５】
前記（ｂ）ステップは、
（ｂ１）前記基板の上に前記第１及び第２空洞部を覆う下部電極を形成するステップと、
（ｂ２）前記下部電極の上に圧電セラミックから成る圧電層を形成するステップと、
（ｂ３）前記圧電層の上に上部電極を形成するステップと、
（ｂ４）前記上部電極の上にメンブレイン層を形成するステップと、
を含むことを特徴とする請求項１に記載の下向型ＭＥＭＳスイッチの製造方法。
【請求項６】
第１及び第２空洞部が形成される平板状の基板であって、
−  前記第１及び第２空洞部の双方は、前記基板の一の中心線上に形成され、
−  前記第１及び第２空洞部のそれぞれは、互いに所定距離を置いて前記基板上に形成された凹所とされ、
−  前記第１及び第２空洞部のそれぞれは、前記基板の端部から間隔を置いて形成されている、
基板と、
前記第１及び第２空洞部と交差しないように前記基板の上面に形成される第１及び第２固定ラインであって、
−  前記第１及び第２固定ラインは、前記第１空洞部と第２空洞部との間を通り、前記基板の一の中心線に直交する中心線上に形成され、
−  前記第１及び第２固定ラインは、前記第１及び第２空洞部から離隔して形成されている、
第１及び第２固定ラインと、
前記第１及び第２固定ラインの表面から一定の距離で離隔されて形成される接続パッドと、
前記第１及び第２空洞部の上部に位置し、電源が供給されると前記接続パッドを前記第１及び第２固定ラインのうち少なくとも一つに接触されるように下向き駆動する第１及び第２アクチュエータと、
を含み、
前記接続パッドは、前記第１及び第２アクチュエータの駆動時、前記第１及び第２固定ラインと接触可能となるように一定領域は凹状であり、前記一定領域の両側領域は各々前記第１及び第２固定ラインと接続されるように突出される形状を有することを特徴とする下向型ＭＥＭＳスイッチ。
【請求項７】
前記第１及び第２アクチュエータの一端に連結され、前記接続パッドの表面から一定の距離で離隔された位置に浮遊され、前記接続パッドの突出された領域の上面と接触され、前記凹状の領域とは離隔された位置に形成される保持層を更に含むことを特徴とする請求項６に記載の下向型ＭＥＭＳスイッチ。
【請求項８】
前記第１及び第２固定ラインは、互いに異なる帯域幅のアンテナ信号ラインであることを特徴とする請求項６に記載の下向型ＭＥＭＳスイッチ。
【請求項９】
前記第１及び第２アクチュエータの各々は、
前記基板の上に位置し前記第１及び第２空洞部を覆う下部電極と、
前記下部電極の上に位置し圧電セラミックから成る圧電層と、
前記圧電層の上に位置する上部電極と、
前記上部電極の上に位置するメンブレイン層と、
を含むことを特徴とする請求項６に記載の下向型ＭＥＭＳスイッチ。
【請求項１０】
前記接続パッドは、前記第１及び第２アクチュエータ、前記第１及び第２固定ラインが製造された後に製造されることを特徴とする請求項６に記載の下向型ＭＥＭＳスイッチ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は下向型ＭＥＭＳスイッチの製造方法及び下向型ＭＥＭＳスイッチに関し、より詳細には圧電力によって下向き駆動する接続パッドをＲＦ信号ラインとレイヤを共有して製造するが、ＲＦ信号ラインを製造した後に製造する下向型ＭＥＭＳスイッチの製造方法及び下向型ＭＥＭＳスイッチに関する。
【背景技術】
【０００２】
再構成アンテナは機械的又は電気的な方法で中心周波数、帯域幅、利得などのアンテナの特性を変換するアンテナであって、最近はマルチバンドアンテナの製造に応用されている。マルチバンドアンテナが移動通信機器に適用される場合、移動通信機器は周波数帯域の信号を区分するためのスイッチを備える必要がある。
【０００３】
既存の再構成マルチバンドアンテナに使われるスイッチとしては、半導体スイッチ、静電気駆動による静電型スイッチ、カンチレバースイッチなどが挙げられる。
【０００４】
しかし、半導体スイッチを使う場合、半導体スイッチとアンテナ間での、製造互換性に関わる問題が発生するため、同一基板に半導体スイッチとアンテナを製造するには多くの困難さがある。
【０００５】
また、静電型スイッチは一般的にＭＥＭＳ技術を用いてスイッチを製造するので基板の一部はメタル（金属）を用いるようになる。従って、従来の静電型スイッチを使う場合、アンテナのメタルと基板のメタル上に電磁結合現象が発生する余地が高いので、性能の向上及び設計などが難しく、小型化及び低電圧駆動も難しい。
【０００６】
一方、カンチレバースイッチは圧電方式で主に使われるスイッチであって、マルチレイヤの製造によるストレスのため、初期変位が起こりやすく、これは正確なスイッチングの制御に大きな制約となる。
【０００７】
また、カンチレバースイッチは一側のみ駆動レイヤが備えられるため、その非対称構造により両側で駆動するＭＥＭＳスイッチに比べ駆動力が小さくて性能が落ちる問題点がある。
【０００８】
また、従来の両側で駆動するＭＥＭＳスイッチの場合、アンテナラインと接触される接続パッドをアクチュエータを製造する前に形成することで、高いカップリング現象を発生させる問題点がある。
【特許文献１】米国特許第６０６９５８７号明細書
【特許文献２】米国特許出願公開第２００４−００９４８１５号明細書
【特許文献３】韓国特許出願公開第２００５−０４７３５１号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の目的は、ＭＥＭＳスイッチの製造時、圧電力によってＲＦラインと接続される基板のメタルを、スイッチを駆動するアクチュエータ及びアンテナラインを製造した後に形成することで、前述の問題点を解消することのできる下向型ＭＥＭＳスイッチの製造方法及び下向型ＭＥＭＳスイッチを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前述の問題点を解決するための本発明に係る下向型ＭＥＭＳスイッチの製造方法は、（ａ）基板の上に第１及び第２空洞部を形成するステップと、（ｂ）前記第１及び第２空洞部の上部に第１及び第２アクチュエータを形成するステップと、（ｃ）前記基板の上面に前記第１及び第２空洞部と交差しないように第１及び第２固定ラインを形成するステップと、（ｄ）前記第１及び第２固定ラインの表面から一定の距離で離隔された位置に配置され、前記第１及び第２アクチュエータの駆動時、前記第１及び第２固定ラインと接触可能な形の接続パッドを形成するステップと、を含む。
【００１１】
好ましくは、（ｅ）前記接続パッドの表面から一定の距離で離隔された位置に前記第１及び第２アクチュエータの一端と連結される保持層を形成するステップを更に含む。
【００１２】
詳細には、電源が印加されると、前記第１及び第２アクチュエータから発生する圧電力によって、前記接続パッドは前記第１及び第２固定ラインのうち少なくとも一つと接続されるように下向き駆動される。
【００１３】
ここで、前記第１及び第２固定ラインは、互いに異なる帯域幅のアンテナ信号ラインである。
【００１４】
また、前記接続パッドの一定領域は凹状であり、前記一定領域の両側上端は各々前記第１及び第２固定ラインと接続されるように両側に突出される形状を有する。
【００１５】
より詳細には、前記（ｂ）ステップは、（ｂ１）前記基板の上に前記第１及び第２空洞部を覆う下部電極を形成するステップと、（ｂ２）前記下部電極の上に圧電セラミックから成る圧電層を形成するステップと、（ｂ３）前記圧電層の上に上部電極を形成するステップと、（ｂ４）前記上部電極の上にメンブレイン層を形成するステップと、を含む。
【００１６】
一方、前述の課題を解決するための本発明に係る下向型ＭＥＭＳスイッチは、第１及び第２空洞部が形成される基板と、前記第１及び第２空洞部と交差しないように前記基板の上面に形成される第１及び第２固定ラインと、前記第１及び第２固定ラインの表面から一定の距離で離隔されて形成される接続パッドと、前記第１及び第２空洞部の上部に位置し、電源が供給されると前記接続パッドを前記第１及び第２固定ラインのうち少なくとも一つを接触されるように下向き駆動する第１及び第２アクチュエータと、を含む。
【００１７】
前記接続パッドは、前記第１及び第２アクチュエータ、前記第１及び第２固定ラインが製造された後に製造される。
【００１８】
好ましくは、前記第１及び第２アクチュエータの一端に連結され、前記接続パッドの表面から一定の距離で離隔された位置に浮遊された保持層を更に含む。
【００１９】
詳細には、前記第１及び第２アクチュエータの各々は、前記基板の上に位置し前記第１及び第２空洞部を覆う下部電極と、前記下部電極の上に位置し圧電セラミックから成る圧電層と、前記圧電層の上に位置する上部電極と、前記上部電極の上に位置するメンブレイン層と、を含む。
【発明の効果】
【００２０】
本発明に係る下向型ＭＥＭＳスイッチの製造方法及び下向型ＭＥＭＳスイッチによると、圧電方式を用いてスイッチを製造することにより、低電圧駆動ができ、アンテナとスイッチの製造時に発生する互換性の問題が解消され、アンテナとスイッチを同一基板に製造することができる。これにより、パッケージング費用を削減するとともに小型化が可能になる。
【００２１】
また、圧電力を用いたスイッチを使うことで、アンテナラインのメタルと基板のメタル上で発生する電磁結合現象を解消することができ、これにより性能も改善される。
【００２２】
また、互いに対称な２つのアクチュエータを用いることで、初期変位の発生を事前に防止することができ正確にスイッチングの制御を行うことができる。更に、対称構造により駆動力が縮小されることを防止することができる。
【００２３】
また、アンテナラインと接触される接続パッドをアクチュエータを製造した後に形成することで、カップリング現象を縮小させる効果がある。
【００２４】
また、前述の効果を有するＭＥＭＳスイッチをマルチバンドのために再構成アンテナに適用することで、再構成アンテナの性能及び再構成アンテナが適用されるモバイル機器等の性能も改善される効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、添付の図面に基づいて本発明の好適な実施形態を詳説する。
【００２６】
図１は本発明の好適な実施形態に係る下向型ＭＥＭＳスイッチを示す平面図であり、図２は図１の保持層が省略された下向型ＭＥＭＳスイッチの一部を示す斜視図であり、図３は図１の保持層が省略された図１のＡ−Ａ’断面図であり、図４は図１のＢ−Ｂ’断面図である。
【００２７】
図１ないし図４に示すように、下向型ＭＥＭＳスイッチ１００は、第１及び第２空洞部１２０、１２２が形成される基板１１０、第１アクチュエータ１３０、第２アクチュエータ１３２、第１固定ライン１４０、第２固定ライン１４２、接続パッド１５０、及び保持層１６０を含み、後述する圧電方式で駆動する。
【００２８】
第１空洞部１２０及び第２空洞部１２２は、基板１１０の第１領域及び第２領域に互いに対称なように形成され、一定の距離で離隔して形成される。
【００２９】
第１アクチュエータ１３０及び第２アクチュエータ１３２は、各々第１空洞部１２０及び第２空洞部１２２の上部に形成され、基板１１０の一端に先端が固定される。図１において、第１及び第２サブアクチュエータ１３０’、１３２’側に位置する第１アクチュエータ１３０及び第２アクチュエータ１３２の先端が基板１１０に固定される。電源が印加されると、第１アクチュエータ１３０及び第２アクチュエータ１３２は圧電力を用いて接続パッド１５０が第１及び第２固定ライン１４０、１４２のうち少なくとも一つに接触されＲＦ信号を伝送するように下向き駆動する。
【００３０】
そのために、第１アクチュエータ１３０は第１下部電極１３０ａ、第１圧電層１３０ｂ、第１上部電極１３０ｃ、及び第１メンブレイン層１３０ｄを有し、第２アクチュエータ１３２は第２下部電極１３２ａ、第２圧電層１３２ｂ、第１上部電極１３２ｃ、及び第２メンブレイン層１３２ｄを有する。
【００３１】
第１下部電極１３０ａ及び第２下部電極１３２ａは基板の上に位置し、第１空洞部１２０及び第２空洞部１２２を覆う。
【００３２】
第１圧電層１３０ｂ及び第２圧電層１３２ｂは各々第１下部電極１３０ａ及び第２下部電極１３２ａの上に位置し圧電セラミックから成る。圧電セラミックはＰｂＯ、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２を用いたセラミック製造によって作られる圧電層であって、ＰＺＴともいう。
【００３３】
第１上部電極１３０ｃ及び第２上部電極１３２ｃは各々第１圧電層１３０ｂ及び第２圧電層１３２ｂの上に位置し、第１メンブレイン層１３０ｄ及び第２メンブレイン層１３２ｄは各々第１圧電層１３０ｂ及び第２圧電層１３２ｂの上に位置する。
【００３４】
第１下部電極１３０ａ及び第１上部電極１３０ｃは各々上部端子１７０及び下部端子１７１によって第１サブアクチュエータ１３０’と連結され、第１電極パッド１８０及び第１接地パッド１８１は駆動ライン１９０、１９１によって第１サブアクチュエータ１３０’と連結される。
【００３５】
第２アクチュエータ１３２は第２下部電極１３２ａ、第２圧電層１３２ｂ、第２上部電極１３２ｃ、及び第２メンブレイン層１３２ｄを有し、これは第１アクチュエータ１３０と対応されるため、説明の便宜上、詳細説明は省略する。
【００３６】
但し、第２下部電極１３２ａ及び第２上部電極１３２ｃは各々上部端子１７２及び下部端子１７３によって第２サブアクチュエータ１３２’と連結され、第２電極パッド１８２及び第２接地パッド１８３は駆動ライン１９２、１９３によって第２サブアクチュエータ１３２’と連結される。
【００３７】
第１固定ライン１４０及び第２固定ライン１４２は第１空洞部１２０及び第２空洞部１２２と交差しないように基板１１０の上面に形成され、各一端は突出型で形成される。これは、接続パッド１５０が下向き駆動される時、第１固定ライン１４０及び第２固定ライン１４２のうち少なくとも一つとより正確に接続されるようにするためである。
【００３８】
本発明において、第１固定ライン１４０及び第２固定ライン１４２は、再構成アンテナに適用するために、互いに異なる帯域幅のアンテナ信号ラインが用いられる。また、第１固定ライン１４０及び第２固定ライン１４２は、信号線と接地を一面にもつＣＰＷラインを使用する。
【００３９】
接続パッド１５０は、第１固定ライン１４０及び第２固定ライン１４２の表面から一定の距離を隔てて形成される。接続パッド１５０は直方体又は立方体など第１固定ライン１４０及び第２固定ライン１４２と連結される形態を有する。
【００４０】
本発明において、接続パッド１５０は、図１に示すように一定領域は凹状であり、一定領域の両側上端は各々第１及び第２固定ライン１４０、１４２と連結されるように両側に突出される形状を有する。従って、接続パッド１５０が下向き駆動されると、第１及び第２固定ライン１４０、１４２の突出部位は接続パッド１５０の突出された両側と接触されスイッチングオンされる。しかし、このような突出形態は接続パッド１５０の一例であって、この形状に限定されるものではない。
【００４１】
第１固定ライン１４０、第２固定ライン１４２、及び接続パッド１５０は伝導性の金属材質で、例えば金で作ることができ、接続パッド１５０は第１及び第２アクチュエータ１３０、１３２、第１及び第２固定ライン１４０、１４２が製造された後に製造される。これは、接続パッド１５０と第１及び第２アクチュエータ１３０、１３２、又は接続パッド１５０と第１及び第２固定ライン１４０、１４２との間など、ＭＥＭＳスイッチ１００内で発生し得るカップリング現象を解消するためである。
【００４２】
保持層１６０は、第１及び第２アクチュエータ１３０、１３２に電源が印加され圧電力が発生する場合、接続パッド１５０が上向きに移動したり落ちることを防止する。そのために、保持層１６０の両端は第１及び第２メンブレイン層１３０ｄ、１３２ｄの一端に連結され、接続パッド１５０の凹状の表面又は全体表面から一定の距離を隔てた位置に形成される。また、接続パッド１５０の突出された部位の上面は保持層１６０と接触されることで接続パッド１５０の上向き移動を防止することができる。
【００４３】
図５Ａないし図５Ｆは、図１に係る下向型ＭＥＭＳスイッチの製造過程を説明するための図面である。
【００４４】
まず、図５Ａに示すように、エッチングによって第１及び第２空洞部１２０、１２２を形成した後、基板１１０の表面に保護層１１２と第１及び第２犠牲層１２０ａ、１２２ａを蒸着する。
【００４５】
次に、第１及び第２犠牲層１２０ａ、１２２ａをポリレジストでコーティング及びパターニングした後、化学機械研磨（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ：ＣＭＰ）を行う。第１及び第２犠牲層１２０ａ、１２２ａとしてはポリシリコン、ＰＲポリマー、金属などを使うことができる。ここで、第１及び第２犠牲層１２０ａ、１２２ａは一定の距離で離隔されるように形成する。そして、第１及び第２犠牲層１２０ａ、１２２ａを含む基板１１０の上に下部電極１、圧電層２、上部電極３、及びメンブレイン層４を順に蒸着してアクチュエータ１０を形成する。
【００４６】
次に、図５Ｂに示すように、アクチュエータ１０をパターニングして第１及び第２アクチュエータ１３０、１３２、第１及び第２サブアクチュエータ１３０’、１３２’を形成するが、第１及び第２犠牲層１２０ａ、１２２ａが形成されていない基板１１０の領域には第１及び第２サブアクチュエータ１３０’、１３２’が形成されるようにパターニングする。
【００４７】
次に、図５Ｃに示すように、第１及び第２アクチュエータ１３０、１３２が形成された基板１１０に第１及び第２固定ライン１４０、１４２を形成する。図５Ｃには第１固定ライン１４０のみ示されている。第１及び第２固定ライン１４０、１４２は一般的にＣＰＷラインで形成され、Ａｕのようなコンタクトメタルを使う。第１及び第２固定ライン１４０、１４２の一端は突出型であるため、Ｂ−Ｂ’断面図で第１及び第２アクチュエータ１３０、１３２より高い線上に位置する。
【００４８】
それとともに、上部端子１７０、１７２と下部端子１７１、１７３が電源供給経路として第１アクチュエータ１３０と第１サブアクチュエータ１３０’との間及び第２アクチュエータ１３２と第２サブアクチュエータ１３２’との間に形成される。そして、第３及び第４犠牲層２００ａ、２００ｂとシード層（図示せず）を蒸着した後、接続パッド１５０を形成するためにメッキ形成を行う。この過程で第３及び第４犠牲層２００ａ、２００ｂの厚さによって第１及び第２固定ライン１４０、１４２と接続パッド１５０との間の間隔を調整することができる。
【００４９】
次に、図５Ｄに示すように、メッキ形成された位置に電気メッキによって接続パッド１５０を形成する。ここで、接続パッド１５０の両端は突出されるように形成され接続パッド１５０の両端が下向き駆動される場合、各々第１及び第２固定ライン１４０、１４２の一端に接触されるようにする。
【００５０】
次に、図５Ｅに示すように、第１及び第２アクチュエータ１３０、１３２、第１及び第２固定ライン１４０、１４２、及び接続パッド１５０が露出されるように第３及び第４犠牲層２００ａ、２００ｂを除去し、図５Ｆに示すように第１及び第２空洞部１２０、１２２が形成されるように第１及び第２犠牲層１２０ａ、１２２ａを除去する。そして、図５Ｅには示していないが、接続パッド１５０の上部を通過する保持層１６０の両端が第１及び第２メンブレイン層１３０ｄ、１３２ｄの一端に連結されるように接続パッド１５０を形成する。
【００５１】
従って、第１及び第２電極パッド１８０、１８２、駆動ライン１９０、１９２、第１及び第２サブアクチュエータ１３０’、１３２’、上部端子１７０、１７２、及び下部端子１７１、１７３を介して電源が印加されると、第１及び第２アクチュエータ１３０、１３２は圧電力を発生する。これによって接続パッド１５０は下向き駆動され、第１及び第２固定ライン１４０、１４２のうち少なくとも１つと接触され所定の帯域幅のＲＦ信号が伝送される。
【００５２】
図６Ａは図１の下向型ＭＥＭＳスイッチが適用された再構成アンテナの第１実施形態を示す図面であり、図６Ｂは図１の下向型ＭＥＭＳスイッチが適用された再構成アンテナの第２実施形態を示す図面である。
【００５３】
図６Ａに示すように、再構成アンテナはマルチバンドのためのダイポールアンテナであって、示された２つのＭＥＭＳスイッチ１００がオンすると、２つのＭＥＭＳスイッチ１００の間にある第１及び第２固定ライン（１）、（２）が電気的に接続され第１帯域幅のＲＦ信号を伝送する。
【００５４】
また、図６Ｂでは、図６Ａに示された図面番号と同様の要素に対しては同一な図面番号を記載しているが、ただ保持層１６０又は駆動ライン１９０〜１９３などの配置のみを変更している。再構成アンテナはマルチバンドのためのダイポールアンテナであって、示された２つのＭＥＭＳスイッチ１００がオンすると、２つのＭＥＭＳスイッチ１００の間にある固定ライン（３）が電気的に接続され第２帯域幅のＲＦ信号を伝送する。
【００５５】
前述の本発明によると、アンテナラインとしての第１及び第２固定ライン１４０、１４２と接続パッド１５０はレイヤを共有して最終的にパッケージングされ、第１及び第２固定ライン１４０、１４２に接続される接続パッド１５０は最終ステップにおいて製造される。これにより、各構成要素間で発生するカップリング現象が減少し、低電圧での駆動も可能になる。
【００５６】
以上、本発明の好適な実施形態を図示及び説明してきたが、本発明の技術的範囲は前述の実施形態に限定するものではなく、特許請求の範囲に基づいて定められ、特許請求の範囲において請求する本発明の要旨から外れることなく、当該発明が属する技術分野において通常の知識を有する者であれば誰もが多様な変形実施が可能であることは勿論のことであり、該変更した技術は特許請求の範囲に記載された発明の技術的範囲に属するものである。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明の好適な実施形態に係る下向型ＭＥＭＳスイッチを示す平面図である。
【図２】図１の保持層が省略された下向型ＭＥＭＳスイッチの一部を示す斜視図である。
【図３】図１の保持層が省略されたＡ−Ａ’断面図である。
【図４】図１のＢ−Ｂ’断面図である。
【図５Ａ】図１に係る下向型ＭＥＭＳスイッチの製造過程を説明するための図面である。
【図５Ｂ】図１に係る下向型ＭＥＭＳスイッチの製造過程を説明するための図面である。
【図５Ｃ】図１に係る下向型ＭＥＭＳスイッチの製造過程を説明するための図面である。
【図５Ｄ】図１に係る下向型ＭＥＭＳスイッチの製造過程を説明するための図面である。
【図５Ｅ】図１に係る下向型ＭＥＭＳスイッチの製造過程を説明するための図面である。
【図５Ｆ】図１に係る下向型ＭＥＭＳスイッチの製造過程を説明するための図面である。
【図６Ａ】図１の下向型ＭＥＭＳスイッチが適用された再構成アンテナの第１実施形態を示す図面である。
【図６Ｂ】図１の下向型ＭＥＭＳスイッチが適用された再構成アンテナの第２実施形態を示す図面である。
【符号の説明】
【００５８】
１００  下向型ＭＥＭＳスイッチ
１２０  第１空洞部
１２２  第２空洞部
１３０  第１アクチュエータ
１３２  第２アクチュエータ
１４０  第１固定ライン
１４２  第２固定ライン
１５０  接続パッド
１６０  保持層
【図１】
0004402682.tif 000002
【図２】
0004402682.tif 000003
【図３】
0004402682.tif 000004
【図４】
0004402682.tif 000005
【図５Ａ】
0004402682.tif 000006
【図５Ｂ】
0004402682.tif 000007
【図５Ｃ】
0004402682.tif 000008
【図５Ｄ】
0004402682.tif 000009
【図５Ｅ】
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【図５Ｆ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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