(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板主面及び前記基板主面にて開口するキャビティを有し、前記キャビティの内面に発光素子を搭載可能な搭載部が設けられたセラミック基板と、
前記キャビティの内面上に形成されたメタライズ層と、
前記メタライズ層上に形成された第１ニッケル層と、
前記第１ニッケル層よりも表層側に位置する第２ニッケル層と、
前記第２ニッケル層よりも表層側に位置し、その表面が前記発光素子からの発光光束を反射する光反射面として機能しうる反射金属層と、
前記第２ニッケル層と前記反射金属層との間に介在するストライクめっき層と
を備え、
前記第２ニッケル層が光沢剤を含有するニッケルめっき層であり、前記第１ニッケル層が光沢剤を実質的に含有しないニッケルめっき層であり、
前記第１ニッケル層の厚さが０．５μｍ以上２μｍ以下であり、前記第２ニッケル層の厚さが２μｍ以上１０μｍ以下であり、前記ストライクめっき層の厚さが０．０３μｍ以上０．２μｍ以下である
ことを特徴とする発光素子用セラミックパッケージ。
【請求項２】
前記第２ニッケル層の光沢度が前記第１ニッケル層の光沢度よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の発光素子用セラミックパッケージ。
【請求項３】
測定対象物の被測定面に対して４５°の角度をなす２箇所から光を入射させ、その入射光の反射光を前記被測定面に対して９０°の位置で受光し、入射光強度に対する反射光強度の対数を２から減じた値を、光沢度として規定した場合、前記第２ニッケル層の光沢度が１．０以上２．５以下であり、前記第１ニッケル層の光沢度が０．１以上０．８以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の発光素子用セラミックパッケージ。
【請求項４】
前記第２ニッケル層はコバルトを実質的に含有しないことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の発光素子用セラミックパッケージ。
【請求項５】
前記第１ニッケル層と前記第２ニッケル層との間にロウ材層を有していることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の発光素子用セラミックパッケージ。
【請求項６】
前記第２ニッケル層を構成するニッケル結晶粒が、前記第１ニッケル層を構成するニッケル結晶粒よりも細かいことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の発光素子用セラミックパッケージ。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか１項に記載の発光素子用セラミックパッケージの製造方法であって、
キャビティの内面上にメタライズ層が形成されたセラミック基板を準備する準備工程と、
無光沢ニッケルめっきを行って前記メタライズ層上に第１ニッケル層を形成する第１めっき工程と、
前記メタライズ層及び前記第１ニッケル層を加熱する熱処理工程と、
前記熱処理工程の後に光沢ニッケルめっきを行って第２ニッケル層を形成する第２めっき工程と、
前記第２めっき工程の後に反射金属層を形成する反射金属層形成工程と
を含むことを特徴とする発光素子用セラミックパッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子用セラミックパッケージ及びその製造方法に係り、特にはセラミック基板に形成されたキャビティ内に発光素子を搭載したときにその発光素子の発光光束を所定の方向に反射しうる構造を有したセラミックパッケージ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光素子の一種として、発光ダイオード（Light emission diode：以下ＬＥＤ素子とも記す）がよく知られている。近年においては、高輝度青色発光ダイオードが実用化された結果、赤色、緑色及び青色のＬＥＤ素子を組み合わせて高輝度の白色光が得られるようになった。そのため、これら３色のＬＥＤ素子を電球や自動車のヘッドライトとして使用するための開発が進められている。ＬＥＤ素子は電力消費量が少ないという利点を有するため、ヘッドライトにＬＥＤ素子を使用すればバッテリーの負荷を減らすことが可能である。そのほか、ＬＥＤ素子は長寿命という利点も有するため、蛍光灯や電球などといった室内照明への適用も検討されている。上記のような用途でＬＥＤ素子を使用する場合、ＬＥＤ素子の利点を最大限引き出すためには、ＬＥＤ素子を搭載するためのパッケージ自体の性能がよいことも重要なファクターとなる。その点、セラミックパッケージは、例えばオーガニックパッケージと比較して耐久性、耐熱性、耐食性、放熱性に優れることから、ＬＥＤ素子の実装に好適であると考えられている。
【０００３】
従来のＬＥＤ素子用セラミックパッケージは、ＬＥＤ素子を収容可能なキャビティをセラミック基板の上面中央部に有している（例えば特許文献１参照）。キャビティの底面の略中央部にはＬＥＤ素子の搭載部である導体層がメタライズによって形成され、その導体層上にはＬＥＤ素子が接合されている。キャビティの側面上にはメタライズ層が形成され、その上には第１ニッケル層、第２ニッケル層及び銀めっき層が順次積層形成されている。その結果、最表層の銀めっき層の表面が光反射面として機能し、ＬＥＤ素子の発光光束をセラミック基板の厚さ方向に反射するようになっている。
【０００４】
このような構造を有するパッケージは、セラミックグリーンシート積層法により、以下のような手順を経て製造可能である。まず、キャビティを有するグリーンシートを用意するとともに、そのキャビティの内面にメタライズ層形成用の導体ペーストをスクリーン印刷法等で塗布する。次に、ペースト印刷後のグリーンシートを焼成し、メタライズ層を有するセラミック焼結体とする。その後、第１ニッケルめっき、第２ニッケルめっき及び銀めっきを順次行い、パッケージを完成させる。この場合、通常よく使用される一般的な無光沢ニッケルめっき浴を用いて、第１ニッケルめっき層及び第２ニッケルめっき層の両方が形成される。
【特許文献１】特開２００４−２２８５４９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、特許文献１に記載の従来技術においては、メタライズ層との間に好適な密着性を確保するために、コバルトを含有する第１ニッケルめっき層の形成を行っている。また、表層にある銀めっき層との間に好適な密着性を確保するために、コバルトを含有する第２ニッケルめっき層の形成を行っている。
しかしながら、第２ニッケルめっき層の形成を一般的な無光沢ニッケルめっき浴を用いて行うと、第２ニッケルめっき層の結晶粒が粗くなり、その表面に微小な凹凸が生じやすい。よって、このような第２ニッケルめっき層の上に銀めっき層を形成した場合、前記微小な凹凸の影響が銀めっき層にも波及し、銀めっき層の表面（即ち光反射面）が粗くなってしまう。ゆえに、光沢度が低下してＬＥＤ素子の光を効率よく反射することができなくなる。
【０００６】
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、メタライズ層とニッケル層との密着性に優れるとともに、発光素子からの発光光束を効率よく反射しうる良質な光反射面を備えた発光素子用セラミックパッケージを提供することにある。また、本発明の別の目的は、上記の優れたセラミックパッケージの製造に好適な方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するための手段（手段１）としては、基板主面及び前記基板主面にて開口するキャビティを有し、前記キャビティの内面に発光素子を搭載可能な搭載部が設けられたセラミック基板と、前記キャビティの内面上に形成されたメタライズ層と、前記メタライズ層上に形成された第１ニッケル層と、前記第１ニッケル層よりも表層側に位置する第２ニッケル層と、前記第２ニッケル層よりも表層側に位置し、その表面が前記発光素子からの発光光束を反射する光反射面として機能しうる反射金属層と、前記第２ニッケル層と前記反射金属層との間に介在するストライクめっき層とを備え、前記第２ニッケル層が光沢剤を含有するニッケルめっき層であり、前記第１ニッケル層が光沢剤を実質的に含有しないニッケルめっき層であり、前記第１ニッケル層の厚さが０．５μｍ以上２μｍ以下であり、前記第２ニッケル層の厚さが２μｍ以上１０μｍ以下であり、前記ストライクめっき層の厚さが０．０３μｍ以上０．２μｍ以下であることを特徴とする発光素子用セラミックパッケージをその要旨とする。
【０００８】
従って、手段１のパッケージによると、光沢剤を含有するニッケルめっき層は、一般的に細かい結晶粒を有しており、表面の平滑性も高い。よって、このようなニッケルめっき層を下地層としてその上に形成された反射金属層についても、表面の平滑性が高くなり、発光素子からの発光光束を効率よく反射可能となる。また、メタライズ層上に形成される第１ニッケル層は、光沢剤を実質的に含有しないニッケルめっき層であるため、光沢剤を含有する同様のニッケルめっき層に比べて、メタライズ層に対する密着性が高い。よって、メタライズ層との接続信頼性に優れたパッケージが実現可能となる。
【０００９】
上記セラミックパッケージを構成するセラミック基板は、基板主面を有する板状部材であって、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化珪素、窒化ほう素、ベリリア、ムライトなどのセラミック絶縁材料を主体として構成されている。セラミック基板は発光素子に電力を供給するための導体層を有していることがよく、特にはこのような導体層を２層以上に有するセラミック多層基板を用いることが好ましい。
【００１０】
セラミック基板は、基板主面にて開口するキャビティを１つまたは２つ以上有している。このキャビティの底面の略中央部には、発光素子を搭載するための搭載部が設けられている。その具体例を挙げると、メタライズ等の手法によって形成された実装用パッドなどがある。
【００１１】
搭載部に搭載されるべき発光素子の好適例としてはＬＥＤ素子が挙げられるが、これ以外のもの、例えば半導体レーザ素子（ＬＤ素子）やＶＣＳＥＬなどを用いてもよい。１つのキャビティ内に搭載される発光素子は１つであっても、複数であってもよい。例えば、赤色、緑色及び青色のＬＥＤ素子を１つのキャビティ内に実装することで、白色光を得るように構成してもよい。
【００１２】
キャビティの側面は例えばキャビティの底面に対して２０°以上８０°未満の角度、特には３０°以上７０°未満の角度をもって傾斜し、キャビティは底面から基板主面に向かうに従って広がっていることがよい。この構成であると、発光素子の発光光束をセラミック基板の厚さ方向に反射させやすくなる。なお、キャビティの側面はキャビティの底面に対して９０°の角度をなす垂直面であってもよい。
【００１３】
上記セラミックパッケージを構成するメタライズ層は、キャビティの内面上に形成される。メタライズ層は、金属粉末を含む導体ペーストを従来周知の手法、例えばメタライズ印刷法で塗布した後に焼成することにより、形成される。同時焼成法によってメタライズ層とセラミック基板とを形成する場合、メタライズ層中の金属粉末は、そのセラミック基板の焼成温度よりも高融点である必要がある。例えば、セラミック基板がいわゆる高温焼成セラミック（例えばアルミナ等）からなる場合には、メタライズ層中の金属粉末として、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、マンガン（Ｍｎ）等が選択可能である。セラミック基板がいわゆる低温焼成セラミック（例えばガラスセラミック等）からなる場合には、メタライズ層中の金属粉末として、タングステンやモリブデンに加えて、銅（Ｃｕ）、銀（ Ａｇ）等が選択可能である。
【００１４】
上記セラミックパッケージを構成する第１ニッケル層は、メタライズ層上に形成されている。また、第２ニッケル層は、第１ニッケル層よりも表層側に位置している。これらの層はいずれも反射金属層の下地層としての役割を果たしている。第２ニッケル層は、第１ニッケル層上に直接的に形成されていてもよく、あるいはニッケル以外の金属からなる１層または２層以上の金属層を介して間接的に形成されていてもよい。後者の具体例としては、例えば、第１ニッケル層上にロウ材層を形成し、その上に第２ニッケル層を形成した構造などを挙げることができる。ロウ材層としては銅系ロウ材や銀系ロウ材等が好適である。なお、ロウ材層は、均一な厚さで平坦状に形成されてもよいが、意図的にフィレット状に形成されてもよい。ロウ材層をフィレット状に形成するメリットとしては、キャビティの側面を比較的容易に傾斜面にすることができる点である。
【００１５】
第２ニッケル層は、光沢剤を含有するニッケルめっき層（即ち光沢ニッケルめっき層）となっている。光沢ニッケルめっき層は表面の平滑性が高いため、その上に反射金属層を形成した場合にその反射金属層についても表面の平滑性が高くなるからである。なお、第２ニッケル層は、通常の光沢めっき層よりも光沢剤の含有量が少ない、いわゆる半光沢ニッケルめっき層であってもよい。
【００１６】
一方、第１ニッケル層は、光沢剤を実質的に含有しないニッケルめっき層（無光沢ニッケルめっき層）となっている。メタライズ層上に形成される第１ニッケル層は、光沢剤を含有するニッケルめっき層に比べて、メタライズ層に対する密着性が高いからである。「光沢剤を実質的に含有しない」とは、光沢剤を全く含有しない場合をいうほか、光沢剤を含有しているものの他の成分と比較してその量が極めて少なく光沢剤添加の影響が殆ど認められないような場合も含む。
【００１７】
ここで光沢剤には一次光沢剤と二次光沢剤とがある。一次光沢剤とは、めっきの結晶を微細化して光沢を付与する機能を持つ添加剤のことをいい、その具体例としては、ベンゼンスルホン酸、サッカリン、１，３，６ナフタレントリスルホン酸ナトリウム、パラトルエンスルホンアミドなどがある。二次光沢剤とは、めっき表面を平滑化する機能を持つ添加剤のことをいい、その具体例としては、ホルムアルデヒド、クマリン、２ブチン−１，４ジオール、チオ尿素、ピリジンなどがある。この種の光沢剤としては、有機系のものばかりでなく無機系のものも使用可能である。
【００１８】
第２ニッケル層の光沢度は、第１ニッケル層の光沢度よりも大きいことが好ましい。より具体的な例を挙げると、測定対象物の被測定面に対して４５°の角度をなす２箇所から光を入射させ、その入射光の反射光を前記被測定面に対して９０°の位置で受光し、入射光強度に対する反射光強度の対数を２から減じた値を、光沢度（ＢＬＫ値）として規定した場合、前記第２ニッケル層の光沢度（ＢＬＫ値）が１．０以上２．５以下であり、前記第１ニッケル層の光沢度（ＢＬＫ値）が０．１以上０．８以下であることが好ましい。より好ましくは、０．２以上０．４以下である。なお、この方法による光沢度（ＢＬＫ値）の測定は、通常、完成品についてではなく工程途中品（即ち被測定層が表面に露出している中間製品）について実施される。
【００１９】
第１ニッケル層はコバルトを含有していても、していなくてもどちらでも良い。ただし、前記第１ニッケル層と前記第２ニッケル層との間にロウ材層がある場合には、第１ニッケル層はロウ材の濡れ性の観点から、コバルトを含有していないほうが好ましい。
【００２０】
一方、第２ニッケル層はコバルトを実質的に含有しないことが好ましい。その理由は、第２ニッケル層はメタライズ層と接していないため、密着性向上のための熱処理に耐えうる耐熱性を備えている必要がないからである。また、コバルトを実質的に含有しないニッケル層のほうが、コバルトを含有するニッケル層に比べて表面の平滑性が高くなりやすく、従って光沢度も高くなりやすいからである。「コバルトを実質的に含有しない」とは、コバルトを全く含有しない場合をいうほか、コバルトを含有しているものの他の成分と比較してその量が極めて少なく添加の影響が殆ど認められないような場合も含む。例えば、第２ニッケル層のコバルト含有量は、完成品において０．１重量％以下であることがよく、特には０重量％以上０．００１重量％以下であることがよい（検出レベル以下）。ここで、コバルト含有量の測定方法としては、例えば、ニッケル層を切断してその断面をＥＤＳで定量分析する手法などが挙げられる。なお、この方法によるコバルト含有量の測定は、完成品及び工程途中品を問わず実施される。
【００２１】
前記第２ニッケル層を構成するニッケル結晶粒は、前記第１ニッケル層を構成するニッケル結晶粒よりも細かいことが好ましい。より具体的にいうと、前記第２ニッケル層を構成するニッケル結晶粒の平均粒径は１．０μｍ未満がよく、より好ましくは０．１μｍ未満である。前記第１ニッケル層を構成するニッケル結晶粒の平均粒径は１．０μｍ以上１０．０μｍ以下であることが好ましい。第２ニッケル層が１．０μｍ以下であると、光沢度の向上にとって好都合だからである。
【００２２】
前記第１ニッケル層の表面粗さＲａは前記メタライズ層の表面粗さＲａよりも小さいことが好ましく、前記第２ニッケル層の表面粗さＲａは前記第１ニッケル層の表面粗さＲａよりも小さいことが好ましい。より具体的には、メタライズ層の表面粗さＲａが１．０μｍ以上、第１ニッケル層の表面粗さＲａが０．４μｍ以上１．０μｍ未満、第２ニッケル層の表面粗さＲａが０．１μｍ以上０．４μｍ未満であることがよい。つまり、メタライズ層→第１ニッケル層→第２ニッケル層というように、表層側へ行くに従って表面粗さＲａが小さくなっていることがよい。そしてこの構成によれば、表面の平坦性の高い反射金属層を形成しやすくなる。ここで、表面粗さＲａの測定方法としては、触針法、光切断法、光反射法などといった従来周知の手法がある。これらの方法による表面粗さＲａの測定は、通常、完成品についてではなく工程途中品について実施される。なお、触針法とは、被測定物の面上を針ですり動かし、面の凹凸に従って針が上下する運動を機械的、電気的または光学的に拡大して測定する手法のことをいう。光切断法とは、被測定物の１つの断面内のプロフィルを光学的に直接観察しようとするもので、細いスリットから平行光線を面に向けて照射し、その面を顕微鏡で測定する手法のことをいう。光反射法とは、平行光線を被測定物の表面に照射し、その反射光線の強弱により平均粗さを求める手法のことをいう。
【００２３】
第２ニッケル層の厚さは１μｍ以上であることがよく、好ましくは１μｍ以上１５μｍ以下、特に好ましくは２μｍ以上１０μｍ以下である。即ち、１μｍ未満の厚さであると、表面の平滑性が確保しにくくなり、十分高い光沢度を有する第２ニッケル層にならない可能性があるからである。その点、２μｍ以上１０μｍ以下の範囲内であれば、層の形成のためのコストをある程度抑えつつ、十分高い光沢度を有する第２ニッケル層を確実に得ることができる。
【００２４】
第１ニッケル層の厚さは０．５μｍ以上であることがよく、好ましくは０．５μｍ以上２μｍ以下である。０．５μｍ未満の厚さであると、メタライズ層に対する好適な密着性が得られないおそれがあるからである。また、メタライズ層における凹凸の影響が第１ニッケル層の表面に波及しやすくなるからである。その点、０．５μｍ以上２μｍ以下の範囲内であれば、層の形成のためのコストをある程度抑えつつ、十分高い密着性を有しかつ表面の凹凸が少ない第１ニッケル層を確実に得ることができる。
【００２５】
また、第１ニッケル層及び第２ニッケル層のトータル厚みは、特に限定されないが、１．５μｍ以上１７μｍ以上であることがよく、特には２．５μｍ以上１２μｍ以上であることがよい。
【００２６】
上記セラミックパッケージを構成する反射金属層は、第２ニッケル層よりも表層側に位置し、その表面が前記発光素子からの発光光束を反射する光反射面として機能しうるものとなっている。好適な反射金属層の例としては、例えば、銀、金などの貴金属層や、白金、パラジウム、ロジウムなどの白金族層が挙げられ、これらの中でもとりわけ光沢度の高い銀層を選択することが望ましい。反射金属層は、第２ニッケル層上に直接的に形成されていてもよく、あるいはニッケル以外の金属からなる１層または２層以上の金属層を介して間接的に形成されていてもよい。後者の具体例としては、例えば、第２ニッケル層上に薄い金層を形成し、その上に反射金属層である銀層を形成した構造などを挙げることができる。
【００２７】
上記セラミックパッケージは、さらに、前記搭載部上に搭載された発光素子と、前記発光素子を覆うべく前記キャビティ内に充填された透明樹脂とを備えていてもよい。この構成であると、搭載部に搭載された発光素子が透明樹脂により封止されることで保護される。また、光を透過可能な透明樹脂であれば、発光素子からの発光光束を遮らずにキャビティ外に放射させることができる。
【００２８】
上記課題を解決するための別の手段（手段２）としては、基板主面及び前記基板主面にて開口するキャビティを有し、前記キャビティの内面に発光素子を搭載可能な搭載部が設けられたセラミック基板と、前記キャビティの内面上に形成されたメタライズ層と、前記メタライズ層上に形成された第１ニッケル層と、前記第１ニッケル層よりも表層側に位置する第２ニッケル層と、前記第２ニッケル層よりも表層側に位置し、その表面が前記発光素子からの発光光束を反射する光反射面として機能しうる反射金属層とを備え、前記第２ニッケル層がコバルトを実質的に含有しないことを特徴とする発光素子用セラミックパッケージがある。
【００２９】
従って、手段２のパッケージによると、コバルトを実質的に含有しない表層側のニッケルめっき層は、下地側のニッケル層に比べて表面の平滑性が高い。よって、このようなニッケル層を下地層としてその上に形成された反射金属層についても、表面の平滑性が高くなり、発光素子からの発光光束を効率よく反射可能となる。
【００３０】
さらに、手段１または手段２の発光素子用セラミックパッケージを製造するのに好適な方法（手段３）としては、キャビティの内面上にメタライズ層が形成されたセラミック基板を準備する準備工程と、無光沢ニッケルめっきを行って前記メタライズ層上に第１ニッケル層を形成する第１めっき工程と、前記メタライズ層及び前記第１ニッケル層を加熱する熱処理工程と、前記熱処理工程の後に光沢ニッケルめっきを行って第２ニッケル層を形成する第２めっき工程と、前記第２めっき工程の後に反射金属層を形成する反射金属層形成工程とを含むことを特徴とする発光素子用セラミックパッケージの製造方法がある。
【００３１】
従って、この手段３の製造方法によると、第１めっき工程後に熱処理工程を行うことにより、メタライズ層に対して第１ニッケル層を密着させることができる。また、第２ニッケル層の形成を熱処理工程後に行うことにより、光沢剤の熱分解等が回避される結果、表面が平滑で光沢度の高い第２ニッケル層を確実に得ることができる。それゆえ、第２めっき工程後に反射金属層形成工程を行えば、表面が平滑で光沢度の高い反射金属層を比較的簡単にかつ確実に形成することができる。しかも、第１ニッケル層及び第２ニッケル層の形成を廉価な手法であるめっき法により行っているため、製造コスト高を防止することができる。
【００３２】
以下、手段３の製造方法について説明する。
【００３３】
準備工程では、キャビティの内面上にメタライズ層が形成されたセラミック基板を準備する。
【００３４】
上記のセラミック基板は、例えば、キャビティとなるべき部分があらかじめ形成されたセラミックグリーンシートを作製する工程と、前記キャビティの内面となるべき部分の上にメタライズ層形成用材料を配置する工程と、前記セラミックグリーンシート及び前記メタライズ層形成用材料を同時焼成する工程と、を経て作製することができる。
【００３５】
あるいは、上記のセラミック基板は、キャビティとなるべき部分があらかじめ形成されたセラミックグリーンシートを作製する工程と、前記セラミックグリーンシートを焼成して焼結体とする工程と、前記焼結体における前記キャビティの内面上にメタライズ層形成用材料を配置する工程と、前記メタライズ層形成用材料を焼結させる工程と、を経て作製することができる。
【００３６】
この場合、セラミックグリーンシートは、セラミック原料粉末、有機バインダ、溶剤、可塑剤等を混合して得たスラリーをシート状に成形することにより作製される。キャビティとなるべき部分（具体的には貫通穴）の形成は、例えば、従来周知の打ち抜き加工によって行われる。好適な方法の一例を挙げると、まず、第１セラミックグリーンシートと、後にキャビティの一部となるべき貫通穴が打ち抜き加工により形成された第２セラミックグリーンシートとをそれぞれ作製する。次に、第２セラミックグリーンシートの有する貫通穴の内周面に、メタライズ層形成用材料を配置する。この場合に好適なメタライズ層形成用材料としては高融点金属粉末からなる導体ペーストがあり、その導体ペーストは従来周知の手法により前記貫通穴の内周面に塗布される。メタライズ配線層やビア導体などを形成する必要がある場合には、第１セラミックグリーンシートに導体ペーストを塗布してもよい。次に、第１セラミックグリーンシートと第２セラミックグリーンシートとを積層、圧着して積層体を得た後、その積層体をセラミックの焼成温度に加熱する。その結果、キャビティを有するセラミック基板が得られるとともに、メタライズ層形成用材料の焼結によってメタライズ層が形成される。
【００３７】
続く第１めっき工程では、無光沢ニッケルめっきを行って前記メタライズ層上に第１ニッケル層を形成する。この場合における無光沢ニッケルめっきとしては、例えば、スルファミン酸浴に代表されるニッケルめっき浴を用いた電解ニッケルめっきなどが好適である。なお、ニッケル−ホウ素浴に代表される無電解ニッケルめっき浴を用いた無電解ニッケルめっきを選択することも可能である。なお、第１めっき工程にて用いるめっき浴中には、光沢剤が実質的に含有されていないことが好ましい。その理由は前述したとおりである。
【００３８】
続く熱処理工程では、前記メタライズ層及び前記第１ニッケル層を例えば７００℃以上９００℃以下の温度に加熱し、第１ニッケル層をメタライズ層に対して密着させる。特に、コバルトを含有するニッケルめっき浴を用いて形成された第１ニッケルめっき層は、上記加熱温度に耐えうる耐熱性を有しているため、密着性向上を図るうえで好ましい。
【００３９】
次に、必要に応じてロウ材層形成工程を行うことで、第１ニッケル層上にロウ材層を形成してもよい。この工程においては、第１ニッケル層上にロウ材を配置した状態で７００℃〜９００℃程度の温度に加熱し、そのロウ材を溶融させてロウ材層とする。この場合の加熱温度は、第１ニッケル層の耐熱温度よりも低い温度に設定されることがよい。
【００４０】
第２めっき工程では、前記熱処理工程の後（またはロウ材層形成工程の後）に光沢ニッケルめっきを行って第２ニッケル層を形成する。この場合における光沢ニッケルめっきとしては、例えば、ワット浴ベースの光沢ニッケルめっき浴を用いた電解ニッケルめっきなどが好適である。ワット浴とは、実用性の高いニッケルめっき浴として従来知られているものであって、硫酸ニッケル、塩化ニッケル及びホウ酸を主成分とする浴のことをいう。なお、第２めっき工程にて用いるめっき浴中には、所定量の光沢剤が含有されていることが好ましい一方で、コバルトが実質的に含有されていないことが好ましい。その理由は前述したとおりである。
【００４１】
続く反射金属層形成工程では、前記第２めっき工程の後に反射金属層を形成する。反射金属層の形成方法は特に限定されず、従来周知の金属薄膜形成方法が採用可能である。その具体例としては、めっき法、スパッタ法、ＣＶＤなどがあるが、なかでもめっき法がコスト等の観点から好ましい。
【００４２】
反射金属層形成工程の後、前記搭載部上に発光素子を搭載する素子搭載工程をさらに実施してもよい。また、素子搭載工程の後、前記キャビティ内に透明樹脂を充填し、その透明樹脂で前記発光素子を覆うようにする充填工程をさらに実施してもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４３】
［第１の実施形態］
【００４４】
以下、本発明を具体化した実施形態の発光素子用セラミックパッケージ１０及びその製造方法を図１〜図１３に基づき説明する。
【００４５】
図１に示されるように、本実施形態の発光素子用セラミックパッケージ１０は、発光素子であるＬＥＤ素子２１を搭載するための装置である。このセラミックパッケージ１０を構成するセラミック基板１１は、図２に示されるように、上面１２（基板主面）及び下面１３を有する矩形平板状の部材である。このセラミック基板１１は、上側セラミック焼結層１４と下側セラミック焼結層１５とからなる２層構造を有している。本実施形態において、上側セラミック焼結層１４及び下側セラミック焼結層１５は、いずれもアルミナ焼結体からなる。
【００４６】
セラミック基板１１の上面１２の中央部には、ＬＥＤ素子２１が収容可能な大きさを有する有底のキャビティ３１が形成されている。このキャビティ３１は平面視で円形状を呈しており、その深さは上側セラミック焼結層１４の厚さ分に相当する。キャビティ３１の底面３３の中央部には、ＬＥＤ素子２１の搭載部である導体層３４が、タングステンのメタライズ上にニッケル−銀めっき層によって矩形状に形成されている。その導体層３４上には、例えば熱硬化性接着剤等を用いてＬＥＤ素子２１が接合されている。なお、このような導体層３４は必須ではないため、ＬＥＤ素子２１をキャビティ３１の底面３３の中央部に直接接合してもよい。キャビティ３１内にはエポキシ等の熱硬化性樹脂からなる透明樹脂２５が充填され、その透明樹脂によりＬＥＤ素子２１が全体的に覆われている。
【００４７】
図１，図２に示されるように、底面３３において導体層３４の周囲には、ボンディングパッド３５が一対形成されている。本実施形態においてボンディングパッド３５は、タングステンを主体とするメタライズ層３８上にニッケル−金めっき層３９を形成した構造を有している。ニッケル−金めっき層３９上にさらに銀めっき層を形成してもよい。それらボンディングパッド３５上には、ＬＥＤ素子２１側の導体とセラミック基板１１側の導体とを電気的に接続するボンディングワイヤ２２が接合されている。下側セラミック焼結層１５においてボンディングパッド３５に対応した箇所にはそれぞれビア穴１６が形成され、これらのビア穴１６内にはタングステンを主体とするビア導体３６が設けられている。セラミック基板１１の下面１３にはタングステンを主体とするメタライズ配線層３７がパターン形成されていて、それらメタライズ配線層３７はビア導体３６の下端に対してそれぞれ電気的に接続されている。
【００４８】
図１に示されるように、キャビティ３１の側面３２は、底面３３を基準として約４５°の傾斜角θを有する面となっている。このため、キャビティ３１は底面３３から上面１２に向かうに従って径が徐々に広がったテーパ形状となっている。キャビティ３１の側面３２上には、タングステンを主体とする厚さ１０μｍ〜３０μｍ程度のメタライズ層４２が形成されている。図３にて詳細に示されるように、このメタライズ層４２上には第１ニッケル層４３が形成され、さらにその上には第２ニッケル層４４が形成され、さらにその上には銀めっき層４５が形成されている。即ち本実施形態では、タングステンを主体とするメタライズ層４２、第１ニッケル層４３、第２ニッケル層４４及び銀めっき層４５によって光反射部４１が構成され、最表層に位置する銀めっき層４５の表面が光反射面として機能するようになっている。
【００４９】
本実施形態の場合、第１ニッケル層４３は、光沢剤を実質的に含有しないニッケルめっき層であって、その厚さは約１．０μｍに設定されている。一方、第２ニッケル層４４は、光沢剤またはその分解物を含有するニッケルめっき層であって、その厚さは第１ニッケル層４３よりも厚く約３μｍに設定されている。ここで、第１ニッケル層４３及び第２ニッケル層４４におけるコバルト含有量は極めて低く、検出限界以下（ここでは０．００１重量％以下）となっている。
【００５０】
そして、このようなセラミックパッケージ１０では、銀めっき層４５の表面において、ＬＥＤ素子２１の発光光束がセラミック基板１１の厚さ方向（図１の上方）に反射されるようになっている。
【００５１】
次に、上記構造のセラミックパッケージ１０を製造する方法について説明する。
【００５２】
まず、アルミナ粉末、有機バインダ、溶剤、可塑剤等を混合してスラリーを作製する。そしてこのスラリーを従来周知の手法（例えばドクターブレード法やカレンダーロール法）によりシート状に成形して、セラミックグリーンシートを２枚作製する。次に、これらセラミックグリーンシートに対する穴明けを下記のように行う。図４に示されるように、２枚のうちの一方のもの（上側セラミックグリーンシート６４）に対しては、図示しない従来周知の打ち抜き金型を用いて打ち抜き加工を行い、貫通穴６６を形成する。この貫通穴６６は後にキャビティ３１の一部となるため、テーパ状をなすように形成される。一方、２枚のうちの他方のもの（下側セラミックグリーンシート６５）に対しては、従来周知のパンチング（打ち抜き）加工によって、シート表裏面を貫通するビア穴１６を形成する。なお、レーザ加工やドリル加工などの手法によって、ビア穴１６を形成することも可能である。
【００５３】
次に、従来周知のペースト印刷装置を用いて、上側セラミックグリーンシート６４の有する貫通穴６６の内周面に、メタライズ層形成用材料であるタングステンペースト７１を塗布する。また、同じ装置を用いて、タングステンペースト７１を下側セラミックグリーンシート６５の表裏面の所定箇所に塗布するとともに、ビア穴１６内に充填する（図５参照）。
【００５４】
次に、下側セラミックグリーンシート６５の上に上側セラミックグリーンシート６４を積層し、従来周知のラミネート装置を用いて厚さ方向に所定の荷重を加えることにより、これらを圧着、一体化して積層体を形成する（図６参照）。その後、この積層体をアルミナが焼結しうる所定の温度（例えば１５００℃〜１７００℃程度の温度）に加熱する焼成工程を行う。この焼成を経ると、図７に示されるように、下側セラミックグリーンシート６５及び上側セラミックグリーンシート６４が焼結して、キャビティ３１を有するセラミック基板１１が得られる。また、タングステンペースト７１の焼結によって、光反射部４１の一部をなすメタライズ層４２がキャビティ３１の側面３２に形成される。セラミック基板１１の所定箇所には、ビア導体３６と、メタライズ配線層３７と、ボンディングパッド３５の一部をなすメタライズ層３８とがそれぞれ形成される。
【００５５】
次に、第１めっき工程において無光沢ニッケルめっきを行い、メタライズ層３８上に第１ニッケル層４３を形成する（図８参照）。本実施形態では、ニッケルめっき浴として従来周知のスルファミン酸浴を選択し、これを用いて従来周知の条件により電解ニッケルめっきを行っている。なお、このスルファミン酸浴中には、光沢剤が含有されていない。第１めっき工程を経て形成された第１ニッケル層４３は、触針法により測定した表面粗さＲａが０．５μｍ弱であって、ニッケル結晶粒の平均粒径が約３．０μｍとなっている。つまり、第１ニッケル層４３の表面粗さ（Ｒａ＝０．４７５μｍ：触針法による測定値）は、メタライズ層４２の表面粗さ（Ｒａ＝１．１２０μｍ：触針法による測定値）ほど粗くない（図１２の表１参照）。しかし、第１ニッケル層４３の光沢度（ＢＬＫ値）は０．２６６であることから、それほど高い光沢を有するものではないといえる（図１３の表２参照）。
【００５６】
光沢度（ＢＬＫ値）の測定は、図１１に示す測定装置を用いて行った。この測定装置は、測定対象物９３の被測定面に対して４５°の角度をなす２箇所（図１１では測定対象物９３の斜め上の２箇所）に、光源９１を備えている。各々の光源９１の先端は測定対象物９３の被測定面を狙っている。一方、この測定装置は、測定対象物９３の被測定面に対して９０°の位置（図１１では測定対象物９３の真上の位置）に、受光手段９２を備えている。受光手段９２の受光部は測定対象物９３の被測定面に対向して配置されている。この測定装置を用いた測定では、まず、２つの光源９１を所定強度で発光させて測定対象物９３の被測定面に対して光を入射させた。そして、その入射光の反射光を受光手段９２で受光するとともに、その反射光の強度を求めた。次に、入射光強度に対する反射光強度の対数を２から減じた値を算出し、この算出値を光沢度（ＢＬＫ値）とした。
【００５７】
続く熱処理工程では、メタライズ層４２上に第１ニッケル層４３が形成された状態のセラミック基板１１を、従来周知の加熱装置を用いて還元性雰囲気下で約８５０℃の温度に加熱する。そしてこの加熱により、第１ニッケル層４３をメタライズ層４２に対して確実に密着させた。
【００５８】
続く第２めっき工程では、光沢ニッケルめっきを行って第１ニッケル層４３上に第２ニッケル層４４を形成する（図９参照）。この場合における光沢ニッケルめっきでは、硫酸ニッケル、塩化ニッケル及びホウ酸を主成分とするワット浴をベースとし、これに所定の光沢剤を添加した光沢ニッケルめっき浴を用いて、電解ニッケルめっきを行った。なお、表１，表２に示した「光沢ニッケルめっき浴  Ａ」及び「光沢ニッケルめっき浴  Ｂ」とは、両者が異なる製品であることを意味している。これらのめっき浴中には、少なくとも０．１重量％以上の光沢剤が含有されている反面、コバルトが実質的に含有されていない。
【００５９】
第２めっき工程を経て形成された第２ニッケル層４４を触針法により測定したところ、「光沢ニッケルめっき  Ａ」により形成されたものでは表面粗さＲａが０．１９３μｍ、「光沢ニッケルめっき  Ｂ」により形成されたものでは表面粗さＲａが０．３２２μｍであった（図１２の表１参照）。また、第２ニッケル層４４を構成するニッケル結晶粒の平均粒径は、第１ニッケル層４３を構成するニッケル結晶粒の平均粒径よりも小さく、約０．３μｍであった。ちなみに、無光沢ニッケルめっきにより形成された第２ニッケル層では、表面粗さＲａが０．４７２μｍとなっていた。
【００６０】
また、第２ニッケル層４４を図１１の測定装置で測定したところ、「光沢ニッケルめっき  Ａ」により形成されたものでは光沢度（ＢＬＫ値）が２．３３６、「光沢ニッケルめっき  Ｂ」により形成されたものでは光沢度（ＢＬＫ値）が１．９２１であった（図１３の表２参照）。ちなみに、無光沢ニッケルめっきにより形成された第２ニッケル層では、光沢度（ＢＬＫ値）が０．３０３であり、上記のものと比較して光沢度が劣っていた。
【００６１】
続く反射金属層形成工程では、電解銀めっきを行って反射金属層である銀めっき層４５を形成し、光反射部４１を完成させる（図１０参照）。
【００６２】
なお、ボンディングパッド３５の一部をなすメタライズ層３８上のニッケル−金めっき層３９については、第１めっき工程及び第２めっき工程の実施後に電解ニッケルめっき及び電解金めっきを行うことで形成することが可能である。あるいは、第１めっき工程及び第２めっき工程によりメタライズ層３８上にニッケル層を形成し、そのニッケル層上に電解金めっきを行って金めっき層を形成することも可能である。
【００６３】
以上のようにして得られた発光素子用セラミックパッケージ１０については、この後さらに素子搭載工程を行って、ＬＥＤ素子２１の実装及びワイヤボンディングを実施する。次に充填工程を行って、キャビティ３１内に透明樹脂２５を充填して熱硬化させることにより、発光素子付きのセラミックパッケージを完成させる。
【００６４】
従って、本実施形態によれば以下の効果を得ることができる。
（１）この発光素子用セラミックパッケージ１０の場合、メタライズ層４２上に第１ニッケル層４３が形成され、第１ニッケル層４３上に第２ニッケル層４４が形成されている。そして、第１ニッケル層４３は、光沢剤を実質的に含有しないニッケルめっき層となっている。第２ニッケル層４４は、光沢剤を含有するニッケルめっき層である一方で、コバルトを含有しないものとなっている。
【００６５】
第１ニッケル層４３は、光沢剤を実質的に含有しないニッケルめっき層であるため、光沢剤を含有する同様のニッケルめっき層に比べて、メタライズ層４２に対する密着性がそもそも高い。また、光沢剤を含有するニッケルめっき層（第２ニッケル層４４）は、細かい結晶粒を有しており、表面の平滑性も高い。よって、このような第２ニッケル層４４を下地層としてその上に形成された銀めっき層４５についても、表面の平滑性が高くなる。ゆえに、ＬＥＤ素子２１からの発光光束を効率よく反射できる光反射面を得ることができる。
【００６６】
以上のことから、ＬＥＤ素子２１からの発光光束を効率よく反射しうる良質な光反射面を備えた発光素子用セラミックパッケージ１０を実現することができる。
【００６７】
（２）本実施形態の発光素子用セラミックパッケージ１０の場合、メタライズ層４２と第１ニッケル層４３との密着性のみならず、第１ニッケル層４３と第２ニッケル層４４との密着性、第２ニッケル層４４と銀めっき層４５との密着性も同様に優れている。従って、透明樹脂２５でキャビティ３１を封止する構造を採用したとしても、充填工程時に光反射部４１内にて「ハガレ」が生じるようなことも防止できる。よって、信頼性に優れた発光素子用セラミックパッケージ１０を実現することができる。
【００６８】
（３）本実施形態の製造方法では、無光沢ニッケルめっきを行って第１ニッケル層４３を形成する第１めっき工程、熱処理工程、光沢ニッケルめっきを行って第２ニッケル層４４を形成する第２めっき工程、銀めっき層４５を形成する反射金属層形成工程をこの順序で行っている。そして、第１めっき工程後に熱処理工程を行うことにより、メタライズ層４２に対して第１ニッケル層４３を密着させることができる。また、第２ニッケル層４４の形成を熱処理工程後に行うことにより、光沢剤の熱分解等が回避される結果、表面が平滑で光沢度の高い第２ニッケル層４４を確実に得ることができる。それゆえ、第２めっき工程後に反射金属層形成工程を行えば、表面が平滑で光沢度の高い銀めっき層４５（反射金属層）を比較的簡単にかつ確実に形成することができる。しかも、第１ニッケル層４３及び第２ニッケル層４４の形成を廉価な手法であるめっき法により行っているため、製造コスト高を防止することができる。
［第２の実施形態］
【００６９】
以下、本発明を具体化した別の実施形態の発光素子用セラミックパッケージ１１０を図１４に基づき説明する。ここでは第１実施形態との相違点について述べ、共通点については説明を省略する。
【００７０】
図１４に示されるように、本実施形態では光反射部４１の構造が第１実施形態のものと若干相違していて、第２ニッケル層４４と銀めっき層４５との間に金めっき層４６が介在されている。この金めっき層４６は、いわゆる電解ストライク金めっきにより形成された薄いめっき層である。なお、金めっき層４６の厚さは任意であるが、例えば０．２μｍを超えるようになると金めっきの析出粒が発生しやすくなり、その表面が粗くなるおそれがある。従って、金めっき層４６の厚さは０．２μｍ以下であることが好ましく、さらには０．０３μｍ以上０．２μｍ以下であることが好ましい。なお、ストライク金めっきの他に、ストライク銀めっき、ストライクパラジウムめっきを用いてもよい。
【００７１】
そして、このような構造の本実施形態によれば、第１実施形態と同様に、メタライズ層４２と第１ニッケル層４３との密着性に優れるとともに、ＬＥＤ素子２１からの発光光束を効率よく反射しうる良質な光反射面を備えた発光素子用セラミックパッケージ１１０を実現することができる。また、第２ニッケル層４４と銀めっき層４５との間に、電解ストライク金めっきによる金めっき層４６を介在させたことにより、両層の密着性をいっそう向上することができる。
［第３の実施形態］
【００７２】
以下、本発明を具体化した実施形態の発光素子用セラミックパッケージ２１０を図１５に基づき説明する。ここでは第１実施形態との相違点について述べ、共通点については説明を省略する。
【００７３】
図１５に示されるように、本実施形態ではキャビティ３１の断面形状が第１実施形態のものと異なっている。即ち、ここではキャビティ３１の側面３２が、キャビティ３１の底面３３に対して９０°の角度をなす垂直面となっている。そして、この側面３２及び底面３３の外周部にはメタライズ層４２が形成され、その上に第１ニッケル層４３が形成されている。第１ニッケル層４３の上には、ロウ材層としての銀ロウ層４７が形成されている。この銀ロウ層４７はいわゆるフィレット状を呈していて、その表面は底面３３に対して４０°〜５０°の角度を有する傾斜面となっている。そして、この銀ロウ層４７の傾斜面上には第２ニッケル層４４が形成され、その上には薄い金めっき層４６が形成され、さらにその上には銀めっき層４５が形成されている。
【００７４】
そして、このような構造の本実施形態によれば、第１実施形態と同様に、メタライズ層４２と第１ニッケル層４３との密着性に優れるとともに、ＬＥＤ素子２１からの発光光束を効率よく反射しうる良質な光反射面を備えた発光素子用セラミックパッケージ２１０を実現することができる。また、第２ニッケル層４４と銀めっき層４５との間に、電解ストライクめっきによる金めっき層４６を介在させたことにより、両層の密着性をいっそう向上することができる。さらに、フィレット状の銀ロウ層４７を形成して傾斜面を得ているため、上側セラミックグリーンシート６４の打ち抜き加工が容易になるため、製造しやすい発光素子用セラミックパッケージ２１０とすることができる。加えて、コバルトを実質的に含まない第１ニッケル層４３は、銀ロウに対する濡れ性がよいため、銀ロウ層４７との間に高い密着性を確保することができる。
【００７５】
なお、本発明の実施形態は以下のように変更してもよい。例えば、上記実施形態ではキャビティ３１内にＬＥＤ素子２１を１つ実装した構造を例示したが、その数は２つ以上であっても構わない。具体例を挙げると、平面視で長円形状のキャビティ３１を形成し、そのキャビティ３１の底面３３の略中央部に導体層３４を３つ形成する。そしてこれら３つの導体層３４上に、赤色、緑色及び青色のＬＥＤ素子２１をそれぞれ実装する。このように構成すると、高輝度の白色光が得られる装置を実現することができる。
【００７６】
次に、前述した実施形態によって把握される技術的思想を以下に列挙する。
【００７７】
（１）基板主面及び前記基板主面にて開口するキャビティを有し、前記キャビティの内面に発光素子を搭載可能な搭載部が設けられたセラミック基板と、前記キャビティの内面上に形成されたメタライズ層と、前記メタライズ層上に形成された第１ニッケル層と、前記第１ニッケル層よりも表層側に位置する第２ニッケル層と、前記第２ニッケル層よりも表層側に位置し、その表面が前記発光素子からの発光光束を反射する光反射面として機能しうる反射金属層とを備え、前記第２ニッケル層が光沢ニッケルめっき層であり、前記第１ニッケル層が無光沢ニッケルめっき層であることを特徴とする発光素子用セラミックパッケージ。
【００７８】
（２）基板主面及び前記基板主面にて開口するキャビティを有し、前記キャビティの内面に発光素子を搭載可能な搭載部が設けられたセラミック基板と、前記キャビティの内面上に形成されたメタライズ層と、前記メタライズ層上に形成された第１ニッケル層と、前記第１ニッケル層上に形成された第２ニッケル層と、前記第２ニッケル層上に形成され、その表面が前記発光素子からの発光光束を反射する光反射面として機能しうる反射金属層とを備え、前記第２ニッケル層が光沢剤を含有するニッケルめっき層であり、前記第１ニッケル層が光沢剤を実質的に含有しないニッケルめっき層であることを特徴とする発光素子用セラミックパッケージ。
【００７９】
（３）基板主面及び前記基板主面にて開口するキャビティを有し、前記キャビティの内面に発光素子を搭載可能な搭載部が設けられたセラミック基板と、前記キャビティの内面上に形成されたメタライズ層と、前記メタライズ層上に形成された第１ニッケル層と、前記第１ニッケル層上に形成された第２ニッケル層と、前記第２ニッケル層上に形成された金層と、前記金層上に形成され、その表面が前記発光素子からの発光光束を反射する光反射面として機能しうる反射金属層としての銀層とを備え、前記第２ニッケル層が光沢剤を含有するニッケルめっき層であり、前記第１ニッケル層が光沢剤を実質的に含有しないニッケルめっき層であることを特徴とする発光素子用セラミックパッケージ。
【００８０】
（４）基板主面及び前記基板主面にて開口するキャビティを有し、前記キャビティの内面に発光素子を搭載可能な搭載部が設けられたセラミック基板と、前記キャビティの側面及び底面外周部の上に形成されたメタライズ層と、前記メタライズ層上に形成された第１ニッケル層と、前記第１ニッケル層上に形成されたフィレット状のロウ材層と、前記ロウ材層上に形成された第２ニッケル層と、前記第２ニッケル層上に形成され、その表面が前記発光素子からの発光光束を反射する光反射面として機能しうる反射金属層とを備え、前記第２ニッケル層が光沢剤を含有するニッケルめっき層であり、前記第１ニッケル層が光沢剤を実質的に含有しないニッケルめっき層であることを特徴とする発光素子用セラミックパッケージ。
【００８１】
（５）基板主面及び前記基板主面にて開口するキャビティを有し、前記キャビティの内面に発光素子を搭載可能な搭載部が設けられたセラミック基板と、前記キャビティの内面上に形成されたメタライズ層と、前記メタライズ層上に形成された第１ニッケル層と、前記第１ニッケル層よりも表層側に位置する第２ニッケル層と、前記第２ニッケル層よりも表層側に位置し、その表面が前記発光素子からの発光光束を反射する光反射面として機能しうる反射金属層とを備え、前記第２ニッケル層が光沢剤を含有する一方でコバルトを実質的に含有しないニッケルめっき層であり、光沢剤を実質的に含有しないニッケルめっき層であることを特徴とする発光素子用セラミックパッケージ。
【００８２】
（６）基板主面及び前記基板主面にて開口するキャビティを有し、前記キャビティの内面に発光素子を搭載可能な搭載部が設けられたセラミック基板と、前記キャビティの内面上に形成されたメタライズ層と、前記メタライズ層上に形成された第１ニッケル層と、前記第１ニッケル層よりも表層側に位置する第２ニッケル層と、前記第２ニッケル層よりも表層側に位置し、その表面が前記発光素子からの発光光束を反射する光反射面として機能しうる反射金属層とを備え、前記第２ニッケル層の光沢度が前記第１ニッケル層の光沢度よりも大きいことを特徴とする発光素子用セラミックパッケージ。
【００８３】
（７）基板主面及び前記基板主面にて開口するキャビティを有し、前記キャビティの内面に発光素子を搭載可能な搭載部が設けられたセラミック基板と、前記キャビティの内面上に形成されたメタライズ層と、前記メタライズ層上に形成された第１ニッケル層と、前記第１ニッケル層よりも表層側に位置する第２ニッケル層と、前記第２ニッケル層よりも表層側に位置し、その表面が前記発光素子からの発光光束を反射する光反射面として機能しうる反射金属層とを備え、前記第２ニッケル層を構成するニッケル結晶粒が、前記第１ニッケル層を構成するニッケル結晶粒よりも細かいことを特徴とする発光素子用セラミックパッケージ。
【００８４】
（８）基板主面及び前記基板主面にて開口するキャビティを有し、前記キャビティの内面に発光素子を搭載可能な搭載部が設けられたセラミック基板と、前記キャビティの内面上に形成されたメタライズ層と、前記メタライズ層上に形成された第１ニッケル層と、前記第１ニッケル層よりも表層側に位置する第２ニッケル層と、前記第２ニッケル層よりも表層側に位置し、その表面が前記発光素子からの発光光束を反射する光反射面として機能しうる反射金属層とを備え、前記第１ニッケル層の表面粗さＲａが前記メタライズ層の表面粗さＲａよりも小さく、前記第２ニッケル層の表面粗さＲａが前記第１ニッケル層の表面粗さＲａよりも小さいことを特徴とする発光素子用セラミックパッケージ。
【００８５】
（９）上記（１）乃至（８）のいずれか１項において、前記第２ニッケル層を構成するニッケル結晶粒の平均粒径は１．０μｍ以下であり、前記第１ニッケル層を構成するニッケル結晶粒の平均粒径は１．０μｍよりも大きく３．０μｍ以下であることを特徴とする発光素子用セラミックパッケージ。
【００８６】
（１０）上記（１）乃至（８）のいずれか１項において、前記メタライズ層の表面粗さＲａが１．０μｍ以上であり、前記第１ニッケル層の表面粗さＲａが０．４μｍ以上０．６μｍ未満であり、前記第２ニッケル層の表面粗さＲａが０．１μｍ以上０．４μｍ未満であることを特徴とする発光素子用セラミックパッケージ。
【００８７】
（１１）上記（１）乃至（８）のいずれか１項において、前記反射金属層は、銀めっき層であることを特徴とする発光素子用セラミックパッケージ。
【００８８】
（１２）上記（１）乃至（８）のいずれか１項において、前記搭載部上に搭載された発光素子と、前記発光素子を覆うべく前記キャビティ内に充填された透明樹脂とを備えたことを特徴とする発光素子用セラミックパッケージ。
【図面の簡単な説明】
【００８９】
【図１】本発明を具体化した第１実施形態の発光素子用セラミックパッケージを示す概略断面図。
【図２】同セラミックパッケージを示す概略平面図。
【図３】同セラミックパッケージの要部を示す概略断面図。
【図４】同セラミックパッケージの製造方法を説明するための工程図。
【図５】同セラミックパッケージの製造方法を説明するための工程図。
【図６】同セラミックパッケージの製造方法を説明するための工程図。
【図７】同セラミックパッケージの製造方法を説明するための工程図。
【図８】同セラミックパッケージの製造方法を説明するための工程図。
【図９】同セラミックパッケージの製造方法を説明するための工程図。
【図１０】同セラミックパッケージの製造方法を説明するための工程図。
【図１１】光沢度の測定方法を説明するための概略図。
【図１２】表面粗さＲａの比較結果を示す表。
【図１３】光沢度の比較結果を示す表。
【図１４】第２実施形態のセラミックパッケージの要部を示す概略断面図。
【図１５】第３実施形態のセラミックパッケージの要部を示す概略断面図。
【符号の説明】
【００９０】
１０，１１０，２１０…発光素子用セラミックパッケージ
１１…セラミック基板
１２…基板主面としての上面
２１…発光素子としてのＬＥＤ素子
３１…キャビティ
３４…搭載部としての導体層
４１…光反射部
４２…メタライズ層
４３…第１ニッケル層
４４…第２ニッケル層
４５…反射金属層としての銀めっき層
４６…金めっき層
４７…ロウ材層としての銀ロウ層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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