(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線層と絶縁層とを積層形成すると共に、一層または複数の補強用配線層を配置してなり、
前記補強用配線層の厚さを３５〜７０μｍとし、
前記配線層の厚さを１０〜２０μｍとし、
絶縁層の厚さを、下層の配線層と上層の配線層との間における前記絶縁層の厚さ寸法と定義したとき、前記絶縁層の厚さを３０〜４０μｍとし、
前記補強用配線層の厚さをＴ１とし前記絶縁層の厚さをＴ２とした場合、前記補強用配線層と前記絶縁層との比である（Ｔ１／Ｔ２）が、１≦（Ｔ１／Ｔ２）≦５となるよう設定し、
前記補強用配線層が、複数積層形成された前記配線層及び前記絶縁層の最上層または最下層の内の少なくとも一方の最外層に設けられていることを特徴とする多層配線基板。
【請求項２】
前記絶縁層は、樹脂により形成されていることを特徴とする請求項１記載の多層配線基板。
【請求項３】
前記補強用配線層は、銅により形成されていることを特徴とする請求項１または２記載の多層配線基板。
【請求項４】
前記補強用配線層が、更に複数積層形成された前記配線層及び前記絶縁層の中央位置に配置されてなることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の多層配線基板。
【請求項５】
前記補強用配線層を外部接続端子が接続される面として用いることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の多層配線基板。
【請求項６】
樹脂を用いて絶縁層を形成する工程と、配線を形成する工程とを支持基板上で所定回実施し、その後に前記支持基板を除去する工程を実施する多層配線基板の製造方法において、
前記配線を形成する工程で、一層または複数層を３５〜７０μｍの厚さとして補強用配線層を形成すると共に、該補強用配線層以外の前記配線層の厚さを１０〜２０μｍの厚さで形成し、
絶縁層の厚さを、下層の配線層と上層の配線層との間における前記樹脂の厚さ寸法と定義したとき、前記絶縁層を形成する工程において前記絶縁層を３０〜４０μｍの厚さで形成し、
かつ、前記補強用配線層の厚さをＴ１とし前記絶縁層の厚さをＴ２とした場合、前記補強用配線層と前記絶縁層との比である（Ｔ１／Ｔ２）が、１≦（Ｔ１／Ｔ２）≦５となるよう前記補強用配線層及び前記絶縁層を形成し、
複数積層形成された前記配線層及び前記絶縁層の最上層または最下層の内の少なくとも一方の最外層に前記補強用配線層を形成したことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記補強用配線層に外部接続端子を接続する工程を含むことを特徴とする請求項６記載の多層配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は多層配線基板及びその製造方法に係り、特に反り防止用の補強手段が設けられた多層配線基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、半導体チップなどの半導体装置を用いた電子機器の高性能化及び小型化が進められており、これに伴い半導体装置も高密度化され、多ピン化及び小型化が図られている。このように多ピン化及び小型化された半導体装置を実装可能とする基板として、ビルドアップ法を利用した多層配線基板が提供されている。
【０００３】
この種の多層配線基板は、ガラス布銅張積層板等の補強部材をコア層とし、この両面に絶縁層と配線層を交互に形成した構成とされている。この構成の多層配線基板は、配線層を微細形成することができるため、高密度化された半導体装置の実装が可能となる。
【０００４】
しかしながら、この多層配線基板は、内部にコア層を有しているため、このコア層に形成される貫通スルーホールの微細化が困難で、多層配線基板全体としての高密度が図れないという問題点がある。また、コア層を設けることにより、必然的に多層配線基板が厚くなり、上記した電子機器の小型化の妨げになるという問題点もがあった。このため、近年では、上記したビルドアップ法を利用した多層配線基板において、コア層を有しない多層配線基板の開発が行われている（特許文献１及び特許文献２参照）。
【０００５】
図１は、従来のコア層を有しない多層配線基板１０を半導体パッケージとして用いた一例を示している。同図に示す例では、多層配線基板１０の上部に半導体素子１３が搭載されており、下部にはんだボール１４が配設された構成とされている。また、絶縁層１５の厚さｔ１は全て等しく設定されており、同様に配線層１６の厚さｔ２の厚さも各層において全て等しく設定されていた。同図に示すように、コア層を形成しないことにより、多層配線基板１０の薄型化を図ることができる。
【特許文献１】国際公開第ＷＯ２００３／０３９２１９号のパンフレット
【特許文献２】特開平１０−１２５８１８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、補強部材として機能するコア層を単に除去するだけでは、樹脂よりなる絶縁層と、金属よりなる配線層の熱膨張差等に起因して、多層配線基板に反りが発生するという問題点があった。このような反りが発生すると、実装工程で半導体素子等を多層配線基板に適正に実装することができなくなり、更に半導体パッケージの実装基板への実装も困難となる。よって、実装信頼性が低下してしまう。また、多層配線基板内において、配線層の層間接続を確実に行うことができなくなり、多層配線基板の信頼性も低下してしまうおそれがある。
【０００７】
このため、図１に示すように、多層配線基板１０に半導体搭載エリアに開口部１２が形成された補強板１１を配設し、この補強板１１により多層配線基板１０を補強する構成も提案されている。しかしながら、この構成の多層配線基板１０では、部品点数が増大すると共に、補強板１１の厚さ分だけ多層配線基板１０が厚くなってしまう。
【０００８】
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、薄型化を図りつつ反りの発生を抑制しうる多層配線基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の課題を解決するために本発明に係る多層配線基板では、配線層と絶縁層とを積層形成すると共に、一層または複数の補強用配線層を配置してなり、
前記補強用配線層の厚さを３５〜７０μｍとし、
前記配線層の厚さを１０〜２０μｍとし、
絶縁層の厚さを、下層の配線層と上層の配線層との間における前記絶縁層の厚さ寸法と定義したとき、前記絶縁層の厚さを３０〜４０μｍとし、
前記補強用配線層の厚さをＴ１とし前記絶縁層の厚さをＴ２とした場合、前記補強用配線層と前記絶縁層との比である（Ｔ１／Ｔ２）が、１≦（Ｔ１／Ｔ２）≦５となるよう設定し、
前記補強用配線層が、複数積層形成された前記配線層及び前記絶縁層の最上層または最下層の内の少なくとも一方の最外層に設けられていることを特徴とするものである。
また上記発明において、前記絶縁層は樹脂により形成されていることが望ましい。
また上記発明において、前記補強用配線層は銅により形成されていることが望ましい。
また上記発明において、前記補強用配線層が、更に複数積層形成された前記配線層及び前記絶縁層の中央位置に配置される構成としてもよい。
また上記発明において、前記補強用配線層を外部接続端子が接続される面として用いる構成としてもよい。
また上記の課題を解決するために本発明では、樹脂を用いて絶縁層を形成する工程と、配線を形成する工程とを支持基板上で所定回実施し、その後に前記支持基板を除去する工程を実施する多層配線基板の製造方法において、
前記配線を形成する工程で、一層または複数層を３５〜７０μｍの厚さとして補強用配線層を形成すると共に、該補強用配線層以外の前記配線層の厚さを１０〜２０μｍの厚さで形成し、
絶縁層の厚さを、下層の配線層と上層の配線層との間における前記樹脂の厚さ寸法と定義したとき、前記絶縁層を形成する工程において前記絶縁層を３０〜４０μｍの厚さで形成し、
かつ、前記補強用配線層の厚さをＴ１とし前記絶縁層の厚さをＴ２とした場合、前記補強用配線層と前記絶縁層との比である（Ｔ１／Ｔ２）が、１≦（Ｔ１／Ｔ２）≦５となるよう前記補強用配線層及び前記絶縁層を形成し、
複数積層形成された前記配線層及び前記絶縁層の最上層または最下層の内の少なくとも一方の最外層に前記補強用配線層を形成したことを特徴とするものである。
また上記発明において、前記補強用配線層に外部接続端子を接続する工程を含むこととしてもよい。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、多層配線基板の薄型化を図りつつ反りの発生を抑制することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
次に、本発明を実施するための最良の形態について図面と共に説明する。
【００１９】
図２は、本発明の一実施例である多層配線基板１００を示している。尚、同図に示すように本実施例では、多層配線基板１００として５層積層構造のものを例に挙げて説明するものとする。しかしながら、本願発明の適用は５層積層構造に限定されるものではなく、各種層数を有する多層配線基板に広く適用が可能なものである。
【００２０】
多層配線基板１００は、大略すると補強用配線層１０３、第１の絶縁層１０４、配線１０５、第２の絶縁層１０６、配線１０８、第３の絶縁層１０７、配線１１０、第４の絶縁層１０９、配線１１２が下層から上層に向け順次積層された構成とされている。また、第１の絶縁層１０４の下面にはソルダーレジスト１０２が形成され、第４の絶縁層１０９の上面にはソルダーレジスト１２０が形成されている。
【００２１】
各絶縁層１０４，１０６，１０７，１０９は、例えば熱硬化性を有するエポキシ系のビルドアップ樹脂よりなる。この各絶縁層１０４，１０６，１０９の厚さＴ２は全ての層で等しく設定されており、３０〜４０μｍの間で設定することができるが、本実施例ではその一例として３０μｍとしている。ここで、絶縁層の厚さＴ２とは、下層の配線層と上層の配線層との間に存在する樹脂（絶縁層）の厚さをいう。
【００２２】
尚、ビルドアップアップ樹脂は、熱硬化性を有するものに限定されるものではなく、感光性を有したビルドアップアップ樹脂や他の絶縁性樹脂を用いることも可能である。
【００２３】
一方、各配線１０３，１０５，１０８，１１０，１１２は、例えば銅（Ｃｕ）により形成されている。補強用配線層１０３は、後に詳述するように、その厚さが他の配線１０５，１０８，１１０，１１２の厚さよりも厚く設定されている。本実施例では、厚さが大なる配線層を最下層に設けて補強用配線層１０３としているが、厚さが大なる補強用配線層の配設位置は最下層に限定さるものではなく、後に図８乃至図１０を用いて説明するように他の層に配設することも可能である。
【００２４】
配線１０５は、ビアプラグ部１０５ａとパターン配線部１０５ｂとにより構成されている。ビアプラグ部１０５ａは、第１の絶縁層１０４に形成された開口部１０４Ａ（図１１（Ｄ）参照）に形成され、第１の絶縁層１０４の図中上面にはパターン配線部１０５ｂが形成されている。
【００２５】
ビアプラグ部１０５ａの図中上端はパターン配線部１０５ｂに接続され、下端部は補強用配線層１０３に接続されている。補強用配線層１０３は、第１の絶縁層１０４の下面に形成されたソルダーレジスト１０２の開口部１０２Ａに一部対向するよう形成されている。この補強用配線層１０３は後述するように多層配線基板１００の反りを防止する補強材として機能すると共に、外部接続端子としても機能するものである。そして、必要に応じては、はんだボール等が配設される（本実施例では設けていない）。
【００２６】
配線１０８は、ビアプラグ部１０８ａとパターン配線部１０８ｂとにより構成されている。ビアプラグ部１０８ａは、第２の絶縁層１０６に形成された開口部１０６Ａ（図１２（Ｂ）参照）に形成され、第２の絶縁層１０６の図中上面にはパターン配線部１０８ｂが形成されている。ビアプラグ部１０８ａの図中上端はパターン配線部１０８ｂに接続され、下端部は前記した配線１０５のパターン配線部１０５ｂに接続されている。
【００２７】
配線１１０は、ビアプラグ部１１０ａとパターン配線部１１０ｂとにより構成されている。ビアプラグ部１１０ａは、第３の絶縁層１０７に形成された開口部１０７Ａ（図１２（Ｄ）参照）に形成され、第３の絶縁層１０７の図中上面にはパターン配線部１１０ｂが形成されている。ビアプラグ部１１０ａの図中上端はパターン配線部１１０ｂに接続され、下端部は前記した配線１０８のパターン配線部１０８ｂに接続されている。
【００２８】
配線１１２は、ビアプラグ部１１２ａとパターン配線部１１２ｂとにより構成されている。ビアプラグ部１１２ａは、第４の絶縁層１０９に形成された開口部１０９Ａ（図１３（Ｂ）参照）に形成され、第４の絶縁層１０９の図中上面にはパターン配線部１１２ｂが形成されている。
【００２９】
パターン配線部１１２ｂの一部は、第４の絶縁層１０９の上面に形成されたソルダーレジスト１２０の開口部１２０Ａと対向するよう形成位置が設定されている。よってパターン配線部１１２ｂは、その一部が開口部１２０Ａを介してソルダーレジスト１２０から露出した構成となっている。このパターン配線部１１２ｂの開口部１２０Ａに露出した部分は、外部接続端子として機能する。尚、このパターン配線部１１２ｂには、例えば半導体素子等が接続される（本実施例では設けていない）。
【００３０】
ここで、補強用配線層１０３について詳述する。補強用配線層１０３は、他の配線１０５，１０８，１１０，１１２と同様に銅により形成されている。通常、多層配線基板１００に層内配線として用いられるパターン配線部１０５ｂ，１０８ｂ，１１０ｂ，１１２ｂの厚さＴ３は１０〜２０μｍ程度であり、本実施例ではその一例として約１２ミクロンとしている。この厚さは，主に電気的な特性の面から設定されている。
【００３１】
これに対して補強用配線層１０３は、その厚さを３５〜１５０μｍに設定している。本実施例では、補強用配線層１０３を１層のみ設けた構成を示しているが、後述するように補強用配線層１０３の配置数は１層に限定されるものではなく、複数層配置することも可能である。
【００３２】
補強用配線層１０３は、前記したように金属である銅（Ｃｕ）により形成されており、補強用配線層１０３の剛性は、各絶縁層１０４，１０６，１０７，１０９を構成するビルドアップ樹脂よりも高い。この補強用配線層１０３を通常の配線１０５，１０８，１１０，１１２の厚さ（約１２ミクロン）より厚くすることにより、補強用配線層１０３を多層配線基板１００に反りが発生するのを抑制する補強材として用いることが可能となる。
【００３３】
即ち、本実施例に係る多層配線基板１００では、補強用配線層１０３が配線層としての機能（電気的機能）と、反りの発生を抑制する機能（機械的機能）との両方の機能を有した構成となる。このため、本実施例に係る多層配線基板１００では、他の補強材等を用いることなく反りの発生が抑制できるため、薄型化を図りつつ反りの発生を抑制することが可能となる。
【００３４】
尚、補強用配線層１０３の面積（補強用配線層がビアプラグ部とパターン配線部とより構成される場合には、パターン配線部の面積）は、大きいほうが補強効果が高くなり好適である。このため、補強用配線層をグランドプレーン、パワープレーン等のベタ状の配線パターン部とすることが望ましい。
【００３５】
また、補強用配線層として、多層配線基板の周縁部にあたる領域に枠状のパターン配線部を設けたり、補強用配線層中に電気信号を導通するパターン配線部の他に、補強用配線層の面積を増加するためのダミーパターン配線部を設けたりする構成としてもよい。更に、この枠状のパターン配線部やダミーパターン配線部は、電源ラインやグランドラインに接続する構成としてもよい。
【００３６】
ここで、図３乃至図１０を参照し、補強用配線層の厚さを変化させた場合、及び補強用配線層の配置位置及び配置数を変化させた場合における多層配線基板に発生する反りについて説明する。
【００３７】
図３乃至図５は、縦軸に多層配線基板に発生する反り量を示し、横軸に補強用配線層の厚さを示している。図３は図７に示す多層配線基板の特性であり、具体的には最下層に配線層１１６より厚い補強用配線層１１７が設けられた多層配線基板の特性である。
【００３８】
また、図４は図８に示す多層配線基板の特性であり、具体的には下から二番目の層に配線層１１６より厚い補強用配線層１１７が設けられた多層配線基板の特性である。また、図５は図９に示す多層配線基板の特性であり、具体的には最下層と下から二番目の層に配線層１１６より厚い補強用配線層１１７が設けられた多層配線基板の特性である。
【００３９】
尚、図７乃至図９に示すように、いずれの多層配線基板も４層の多層配線基板であり、４層の絶縁層１１５と４層の配線層１１６，１１７を積層した構成とされている。また、絶縁層１１５の厚さＴ２はいずれも等しく３０μｍであり、また通常の配線層１１６の厚さＴ３は１２μｍとされている。
【００４０】
また、各図において矢印Ａで示すのは、図６に示すように全ての配線層１１６の厚さを等しくしたとき（通常の厚さである１２ミクロンとしたとき）の特性であり、これは従来の多層配線基板と等価の構成の多層配線基板である。また、各図において、矢印Ｂで示すのは補強用配線層１１７の厚さを１８μｍとしたものであり、矢印Ｃで示すのは補強用配線層１１７の厚さを３５μｍとしたものであり、更に矢印Ｄで示すのは補強用配線層１１７の厚さを１５０μｍとしたものである。
【００４１】
図３乃至図５の特性を見ると、いずれの図においても従来と等価である多層配線基板の特性（矢印Ａで示す特性）は不良であり、多層配線基板に６００μｍ以上の大きな反りが発生している。また、補強用配線層１１７の厚さを１８μｍとした矢印Ｂで示す特性は、図４及び図５に示す多層配線基板において若干特性の向上は見られるものの、まだ十分に反りの発生が抑制されてない。
【００４２】
これに対し、補強用配線層１１７の厚さを３５μｍとした矢印Ｃで示す特性は、図３乃至図５のいずれにおいても反りの発生量が大きく低減していることが分かる。また、矢印Ｄで示すように、補強用配線層１１７の厚さを１５０μｍとしても、矢印Ｃで示す３５μｍの厚さにおける反りに対して大きく反りの発生が抑制されるようなことはない。
【００４３】
上記のように、補強用配線層１１７の厚さは、厚いほど反りに対する低減効果がある。しかしながら、実際の反り低減効果や多層配線基板の生産性（厚い配線層ほど、その形成に時間やコストが掛かる）を考慮すると、また図３乃至図５の特性を考慮すると、多層配線基板の反りの発生を抑制するための補強用配線層１１７の厚さＴ１は、３５〜１５０μｍの厚さに設定することが望ましい。更に、補強用配線層１１７の厚さが３５μｍ以上の厚さにおいては、反り特性は横這いになることを考慮すると、補強用配線層１１７の厚さＴ１は、３５〜７０μｍの厚さに設定することがより好適である。
【００４４】
また、図３に示す特性と図４に示す特性を比較すると、図４に示す特性のほうが良好な特性を示している。これは、図４の特性に対応した図８に示す多層配線基板では、補強用配線層１１７が下から２層目に配置され、よって補強用配線層１１７が多層配線基板の中心位置に近い位置に配置されたことによると考えられる。このように、補強材として機能する補強用配線層１１７が多層配線基板の中心位置或いは中心に近い位置に配置されることにより、補強用配線層１１７を中心とした上下のバランスが良好となり、これにより反りの発生を抑制することができる。
【００４５】
また、図３に示す特性と図５に示す特性を比較すると、図５に示す特性のほうが良好な特性を示している。これは、図５の特性に対応した図９に示す多層配線基板では、補強用配線層１１７が複数配置されていることによると考えられる。このように、補強材として機能する補強用配線層１１７の配置数を増やすことにより、剛性等の機械的強度が増大し、これにより反りの発生を抑制することができる。
【００４６】
従って、図１０に示すように、最上層と最下層に補強用配線層１１７を配置することにより、補強用配線層１１７を複数設けると共に上下のバランスが良好となり、反りの低減を有効に低減することができる。
【００４７】
一方、上記したように、多層配線基板の反りの発生を抑制するための補強用配線層１１７の厚さＴ１は、３５〜１５０μｍの厚さに設定することが望ましい。しかし、単にこの厚さの補強用配線層１１７を設けても、補強用配線層１１７の厚さＴ１よりも絶縁層１１５の厚さＴ２が厚いと、反り低減効果が薄れてしまう。
【００４８】
このため、多層配線基板に発生する反りを有効に抑制するには、補強用配線層１１７の厚さＴ１と絶縁層１１５の厚さＴ２の比（Ｔ１／Ｔ２）が、１≦（Ｔ１／Ｔ２）≦５とし、補強用配線層１１７のほうが絶縁層１１５よりも厚くなるよう設定することが望ましい。これにより、多層配線基板に発生する反りを有効に防止することができる。
【００４９】
尚、上記の特性は４層とされた多層配線基板を例に挙げて説明したが、他の層数を有した多層配線基板に対しても同様に当てはまるものである。
【００５０】
続いて、本発明に係る多層配線基板の製造方法について説明する。以下の説明においては、図２に示した多層配線基板１００の製造方法を例に挙げて説明するものとする。
【００５１】
図１１乃至図１４は、多層配線基板１００の製造方法を製造手順に沿って示している。尚、図１１乃至図１４において、図２に示した構成と対応する構成については、同一符号を付すものとする。
【００５２】
多層配線基板１００を製造するには、先ず図１１（Ａ）に示す支持基板１０１を用意する。この支持基板１０１は、例えばＣｕなどの導電材料よりなる。この支持基板１０１の上面（多層配線基板１００が形成される面）には、予めＮｉ等のバリア膜（図示せず）が形成されている。
【００５３】
この支持基板１０１上には、感光性樹脂材料よりなるフィルム状のレジスト１１３を配設する。このレジスト１１３の厚さは、少なくとも補強用配線層１０３の厚さである３５〜１５０μｍよりも厚いものを選定する。
【００５４】
次に、レジスト１１３に対して、マスクパターン（図示せず）を介して光線を照射し、露光させることでパターニングを行い、補強用配線層１０３の形成位置に開口部を形成する。この開口部からは、支持基板１０１が露出した状態となる。
【００５５】
次に、支持基板１０１を導電経路にした電解メッキを実施し、レジスト１１３に形成された開口部内に銅（Ｃｕ）を析出させて補強用配線層１０３を形成する。図１１（Ｂ）は、補強用配線層１０３が形成された状態を示している。
【００５６】
この際、補強用配線層１０３の厚さは、めっき時間等の管理を行うことにより、３５〜１５０μｍの厚さとなるよう制御される。めっき法において、めっきされる金属の厚さを制御することは一般に行われるものであり、よって補強用配線層１０３のめっきにおいて、その厚さを一般的な配線層の厚さ（１２μｍ）よりも厚い３５〜１５０μｍの厚さとすることは容易に行うことができる。上記のようにして補強用配線層１０３が形成されると、レジスト１１３は除去される。
【００５７】
次に、第１の絶縁層１０４及び配線１０５の形成が行われる。先ず、図１１（Ｃ）に示すように、支持基板１０１上及び補強用配線層１０３上に、熱硬化性のエポキシ樹脂等の樹脂の塗布や、樹脂フィルムの積層により第１の絶縁層１０４（ビルドアップ層）を形成する。次に、図１１（Ｄ）に示すように、この第１の絶縁層１０４に、例えばレーザを用いて開口部１０４Ａ（ビアホール）を形成する。
【００５８】
次に、めっき法を用いて第１の絶縁層１０４に配線１０５を形成する。即ち、第１の絶縁層１０４の開口部１０４Ａにビアプラグ部１０５ａを形成すると共に、第１の絶縁層１０４上にビアプラグ部１０５ａに接続されるパターン配線部１０５ｂを形成する。図１２（Ａ）は、配線１０５が形成された状態を示している。この際、パターン配線部１０５ｂの厚さＴ３は、通常の配線層の厚さである１２μｍ程度の厚さとされている。
【００５９】
具体的には、第１の絶縁層１０４上にＣｕの無電解メッキでシード層を形成し、その後にフォトリソグラフィ法にて第１の絶縁層１０４上にレジストパターン（図示せず）を形成する。次に、このレジストパターンをマスクにして電解めっきによりＣｕを析出させ、その後にレジストパターン及び不要なシード層を除去する。これにより、ビアプラグ部１０５ａ及びパターン配線部１０５ｂよりなる配線１０５が形成される。
【００６０】
次に、第１の絶縁層１０４上に第２の絶縁層１０６及び配線１０８を形成する処理が行われる。この第２の絶縁層１０６及び配線１０８の形成は、第１の絶縁層１０４及び配線１０５の形成処理と同一の手法を用いて行われる。即ち、第１の絶縁層１０４上及びパターン配線部１０５ｂ上に、熱硬化性のエポキシ樹脂等の樹脂の塗布や、樹脂フィルムの積層により第２の絶縁層１０６（ビルドアップ層）を形成する。次に、図１２（Ｂ）に示すように、この第２の絶縁層１０６に、例えばレーザを用いて開口部１０６Ａ（ビアホール）を形成する。
【００６１】
次に、めっき法を用いて第２の絶縁層１０６に配線１０８を形成する。即ち、第２の絶縁層１０６上にＣｕの無電解メッキでシード層を形成し、その後にフォトリソグラフィ法にて第２の絶縁層１０６上にレジストパターン（図示せず）を形成する。
【００６２】
次に、このレジストパターンをマスクにして電解めっきによりＣｕを析出させ、その後にレジストパターン及び不要なシード層を除去する。これにより、第２の絶縁層１０６にビアプラグ部１０８ａとパターン配線部１０８ｂ（厚さは約１２μｍ）とよりなる配線１０８が形成される。図１２（Ｃ）は、配線１０８が形成された状態を示している。
【００６３】
続いて、第３の絶縁層１０７及び配線１１０を形成する処理が行われる。この第３の絶縁層１０７及び配線１１０の形成も、第１の絶縁層１０４及び配線１０５の形成処理と同一の手法を用いて行われる。即ち、第２の絶縁層１０６上及びパターン配線部１０８ｂ上に、熱硬化性のエポキシ樹脂等の樹脂の塗布や、樹脂フィルムの積層により第３の絶縁層１０７（ビルドアップ層）を形成する。次に、図１２（Ｄ）に示すように、この第３の絶縁層１０７に、例えばレーザを用いて開口部１０７Ａ（ビアホール）を形成する。
【００６４】
次に、めっき法を用いて第３の絶縁層１０７に配線１１０を形成する。即ち、第３の絶縁層１０７上にＣｕの無電解メッキでシード層を形成し、その後にフォトリソグラフィ法にて第３の絶縁層１０７上にレジストパターン（図示せず）を形成する。
【００６５】
次に、このレジストパターンをマスクにして電解めっきによりＣｕを析出させ、その後にレジストパターン及び不要なシード層を除去する。これにより、第３の絶縁層１０７にビアプラグ部１１０ａとパターン配線部１１０ｂ（厚さは約１２μｍ）よりなる配線１１０が形成される。図１３（Ａ）は、配線１１０が形成された状態を示している。
【００６６】
続いて、第４の絶縁層１０９及び配線１１２を形成する処理が行われる。この第４の絶縁層１０９及び配線１１２の形成も、第１の絶縁層１０４及び配線１０５の形成処理と同一の手法を用いて行われる。即ち、第３の絶縁層１０７上及びパターン配線部１１０ｂ上に、熱硬化性のエポキシ樹脂等の樹脂の塗布や、樹脂フィルムの積層により第４の絶縁層１０９（ビルドアップ層）を形成する。次に、図１３（Ｂ）に示すように、第４の絶縁層１０９に、例えばレーザを用いて開口部１０９Ａ（ビアホール）を形成する。
【００６７】
次に、めっき法を用いて第４の絶縁層１０９に配線１１２を形成する。即ち、第４の絶縁層１０９上にＣｕの無電解メッキでシード層を形成し、その後にフォトリソグラフィ法にて第４の絶縁層１０９上にレジストパターン（図示せず）を形成する。
【００６８】
次に、このレジストパターンをマスクにして電解めっきによりＣｕを析出させ、その後にレジストパターン及び不要なシード層を除去する。これにより、第４の絶縁層１０９にビアプラグ部１１２ａとパターン配線部１１２ｂ（厚さは約１２μｍ）よりなる配線１１２が形成される。図１３（Ｃ）は、配線１１２が形成された状態を示している。
【００６９】
次に、図１３（Ｃ）に示す状態より、支持基板１０１をエッチング（例えば、ウェットエッチング）により除去する。このエッチング処理は、支持基板１０１のみを溶解し、前記したバリア膜（Ｎｉ膜）は溶解しないエッチング液を用いて行われる。
【００７０】
この際、第４の絶縁層１０９の上面全体をレジスト等により塞いだ状態でエッチングを行うため、このエッチングによりパターン配線部１１２ｂが損傷するようなことはない。この支持基板１０１のエッチング処理はバリア膜が露出した状態で終了し、その後にバリア膜のみを除去するエッチング処理が行われる。図１４は、支持基板１０１及びバリア膜が除去された状態を示している。
【００７１】
尚、多層配線基板１００に半導体素子を搭載する場合には、支持基板１０１を除去する前に予めパターン配線部１２０ｂに半導体素子や電子部品を搭載しておき、その後に支持基板１０１を除去する構成としてもよい。
【００７２】
次に、第１の絶縁層１０４の下面、及び第４の絶縁層１０９の上面にソルダーレジスト１０２，１２０をスクリーン印刷法等により形成する。次に、このソルダーレジスト１０２，１２０に対してマスクパターン（図示せず）を介して光線を照射し、露光させることでパターニングを行い開口部１０２Ａ，１２０Ａを形成する。
【００７３】
この開口部１０２Ａの形成位置は補強用配線層１０３と対向する位置に選定されており、開口部１２０Ａの形成位置はパターン配線部１１２ｂの形成位置に選定されている。よって、補強用配線層１０３は開口部１０２Ａから露出し、パターン配線部１１２ｂは開口部１２０Ａから露出した状態となる。
【００７４】
上記した一連の工程を実施することにより、図２に示す多層配線基板１００が製造される。本実施例による製造方法によれば、多層配線基板１００の製造工程において必ず実施される配線を形成する工程において、補強用配線層１０３の厚さを通常より厚い３５〜１５０μｍに形成することにより、多層配線基板１００の反りを抑制できる。よって、製造工程及び製造設備を変更する必要ないため、反りの発生のない多層配線基板１００を低コストで製造することが可能となる。更に、本実施例による多層配線基板１００の製造方法では、支持基板１０１を除去していわゆるコアレス構造を実現している。このため、多層配線基板１００の薄型化を実現することができる。
【００７５】
尚、上記した実施例の説明では、多層配線基板１００の第４の絶縁層１０９側を半導体素子の搭載面とし、第１の絶縁層１０４側を外部接続端子が配設される面として説明したが、第１の絶縁層１０４側を半導体素子の搭載面とし、第４の絶縁層１０９側を外部接続端子が配設される面とする構成としてもよい。
【００７６】
また、本実施例に係る多層配線基板１００は、半導体素子を搭載する基板としての使用に限定されるものではなく、広く各種電子素子及び電子部品の搭載に適用ができるものである。
【００７７】
また、上記した多層配線基板１００の製造方法では、図示の便宜上、一つの支持基板１０１から１個の多層配線基板１００が製造される手順を図示して説明したが、実際はいわゆる多数個取りが行われる。即ち、一つの支持基板１０１上に多数の多層配線基板１００を形成し、これを個片化することにより個々の多層配線基板１００が形成される。これにより、製造効率の向上を図ることができる。
【００７８】
また、本実施例では、１枚の支持基板１０１を用いて多層配線基板１００を製造する方法を示したが、例えば特許文献１に開示されているように、支持基板を２枚用い、この２枚の支持基板を積層した複合基板を支持基板として多層配線基板を形成することとしてもよい。この構成の場合、支持体側が半導体素子の搭載面となる。また、特許文献２に開示されたものでは、支持体側が外部接続端子の配設面となる。
【００７９】
更に、配線層（配線パターン）は、配線層の厚さが薄いほど高密度化及び微細化が可能となる。よって、特許文献１，２に開示された製造方法に、上記した実施例において図７及び図９に示した多層配線基板の構造を適用する場合、補強用配線層１１７は外部接続端子形成側とすると好適である。
【００８０】
即ち、半導体素子の搭載面と外部接続端子面では、はんだボール等に比べて微細化されている半導体素子を搭載する半導体素子の搭載面を微細化する必要があり、上記構成とした場合、これに対応できるためである。具体的には、図７に示す多層配線基板の構造を特許文献１に適用した場合、支持体上に配線層と絶縁層を積層し、最後に形成する配線層を補強用配線層とすると好適である。また、図７に示す多層配線基板の構造を特許文献２に適用した場合、支持体上に最初に形成する配線層を補強用配線層とすると好適である。
【図面の簡単な説明】
【００８１】
【図１】図１は、従来の一例である多層配線基板を示す断面図である。
【図２】図２は、本発明の一実施例である多層配線基板を示す断面図である。
【図３】図３は、図７に示す多層配線基板の反り量と補強用配線層の厚さとの関係を示す図である。
【図４】図４は、図８に示す多層配線基板の反り量と補強用配線層の厚さとの関係を示す図である。
【図５】図５は、図９に示す多層配線基板の反り量と補強用配線層の厚さとの関係を示す図である。
【図６】図６は、補強用配線層が設けられていない多層配線基板を示す概略構成図である。
【図７】図７は、最下層の配線層が補強用配線層とされた多層配線基板を示す概略構成図である。
【図８】図８は、下から２番目の配線層が補強用配線層とされた多層配線基板を示す概略構成図である。
【図９】図９は、最下層及び下から２番目の配線層が補強用配線層とされた多層配線基板を示す概略構成図である。
【図１０】図１０は、最下層及び最上層の配線層が補強用配線層とされた多層配線基板を示す概略構成図である。
【図１１】図１１は、本発明の一実施例である多層配線基板の製造方法を製造手順に沿って説明するための図である（その１）。
【図１２】図１２は、本発明の一実施例である多層配線基板の製造方法を製造手順に沿って説明するための図である（その２）。
【図１３】図１３は、本発明の一実施例である多層配線基板の製造方法を製造手順に沿って説明するための図である（その３）。
【図１４】図１４は、本発明の一実施例である多層配線基板の製造方法を製造手順に沿って説明するための図である（その４）。
【符号の説明】
【００８２】
１００  多層配線基板
１０１  支持基板
１０２，１２０  ソルダーレジスト
１０２Ａ，１０６Ａ，１０７Ａ，１２０Ａ  開口部
１０３，１１７  補強用配線層
１０４  第１の絶縁層
１０５，１０８，１１０，１１２，１１６  配線
１０５ａ，１０８ａ，１１０ａ，１１２ａ  ビアプラグ部
１０５ｂ，１０８ｂ，１１０ｂ，１１２ｂ  パターン配線部
１０６  第２の絶縁層
１０７  第３の絶縁層
１０９  第４の絶縁層
１１５  絶縁層
【図１】
0004452222.tif 000002
【図２】
0004452222.tif 000003
【図３】
0004452222.tif 000004
【図４】
0004452222.tif 000005
【図５】
0004452222.tif 000006
【図６】
0004452222.tif 000007
【図７】
0004452222.tif 000008
【図８】
0004452222.tif 000009
【図９】
0004452222.tif 000010
【図１０】
0004452222.tif 000011
【図１１】
0004452222.tif 000012
【図１２】
0004452222.tif 000013
【図１３】
0004452222.tif 000014
【図１４】
0004452222.tif 000015