(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
頂面を有する突起が形成されたユニットと、
前記ユニットの前記頂面を除く領域に設けられたデバイスと、
前記ユニットの少なくとも前記頂面を含む領域に設けられ、前記デバイスに電気接続された第１配線と、
前記突起の少なくとも頂面を含む一部が組み込まれる溝が形成された基体と、
前記溝の底部に設けられ、前記頂面に設けられた前記第１配線と電気接続された第２配線と、を備え、
前記第１配線が、金属粒子を含む樹脂層と、前記樹脂層に設けられた金属膜を含み、
前記ユニット及び前記基体の形成材料が、シリコンであることを特徴とするデバイス実装構造。
【請求項２】
前記金属膜が、前記金属粒子に接触していることを特徴とする請求項１に記載のデバイス実装構造。
【請求項３】
前記突起が、異方性エッチングを用いて形成されたことを特徴とする請求項２に記載のデバイス実装構造。
【請求項４】
前記樹脂層及び前記金属膜のそれぞれが複数の線状パターンを含むことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載のデバイス実装構造。
【請求項５】
前記樹脂層が面状であり、前記金属膜が前記樹脂層上に形成された複数の線状パターンを含むことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載のデバイス実装構造。
【請求項６】
前記樹脂層に含まれる金属粒子が、Ｐｄ、Ｐｔ、及びＡｕからなる群から選ばれる１種または２種以上の材料であることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか一項に記載のデバイス実装構造。
【請求項７】
前記金属膜が、メッキ法により形成されていることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか一項に記載のデバイス実装構造。
【請求項８】
前記金属膜の形成材料が、Ａｌ、ＮｉＣｒ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｕ、及びＡｇからなる群から選ばれる１種または２種以上の材料を含むことを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか一項に記載のデバイス実装構造。
【請求項９】
デバイスが搭載されたユニットをシリコンで形成された基体に設けられた溝の底部に電気接続するデバイス実装方法であって、
シリコンをエッチングし、頂面を有する突起を含むユニットを形成する工程と、
前記ユニットの少なくとも前記頂面を含む領域に金属粒子を含む樹脂層を設ける工程と、
前記樹脂層に金属膜を設ける工程と、
前記ユニットの前記頂面を除く領域にデバイスを搭載し、前記金属膜と前記デバイスとを電気接続する工程と、
前記溝に前記突起を挿入し、前記頂面と前記底部とを電気接続する工程と、を備えることを特徴とするデバイス実装方法。
【請求項１０】
前記樹脂層を設ける工程はさらに、前記樹脂層の表面において前記金属粒子を露出させる工程を含むことを特徴とする請求項９に記載のデバイス実装方法。
【請求項１１】
異方性エッチングを用いて、前記突起を形成することを特徴とする請求項１０に記載のデバイス実装方法。
【請求項１２】
前記樹脂層を設ける工程は、前記ユニットに複数の線状パターンを形成する工程を含み、
前記金属膜を設ける工程は、前記複数の線状パターンのそれぞれに前記金属膜を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１１に記載のデバイス実装方法。
【請求項１３】
前記樹脂層を設ける工程は、前記ユニットに面状の前記樹脂層を形成する工程を含み、
前記金属膜を設ける工程は、前記樹脂層に前記金属膜からなる複数の線状パターンを形成する工程と、を含むことを特徴とする請求項１１に記載のデバイス実装方法。
【請求項１４】
メッキ法を用いて、前記金属膜を形成することを特徴とする請求項９から請求項１３のいずれか一項に記載のデバイス実装方法。
【請求項１５】
前記樹脂層に含まれる金属粒子が、Ｐｄ、Ｐｔ、及びＡｕからなる群から選ばれる１種または２種以上の材料であることを特徴とする請求項９から請求項１４のいずれか一項に記載のデバイス実装方法。
【請求項１６】
前記金属膜の形成材料が、Ａｌ、ＮｉＣｒ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｕ、及びＡｇからなる群から選ばれる１種または２種以上の材料を含むことを特徴とする請求項９から請求項１５のいずれか一項に記載のデバイス実装方法。
【請求項１７】
異方性導電材を用いて、前記頂面と前記底部とを電気接続させることを特徴とする請求項９から請求項１６のいずれか一項に記載のデバイス実装方法。
【請求項１８】
超音波接合により、前記頂面と前記底部とを電気接続させることを特徴とする請求項９から請求項１７のいずれか一項に記載のデバイス実装方法。
【請求項１９】
請求項１から請求項８のいずれか一項に記載のデバイス実装構造を用いて基体上に実装された電子デバイスを備えたことを特徴とする電子装置。
【請求項２０】
請求項９から請求項１８のいずれか一項に記載のデバイス実装方法を用いて基体上に実装された電子デバイスを備えたことを特徴とする電子装置。
【請求項２１】
請求項１から請求項８のいずれか一項に記載のデバイス実装構造を有することを特徴とする液滴吐出ヘッド。
【請求項２２】
請求項９から請求項１８のいずれか一項に記載のデバイス実装方法を用いて製造されたことを特徴とする液滴吐出ヘッド。
【請求項２３】
請求項２１または請求項２２に記載の液滴吐出ヘッドを備えることを特徴とする液滴吐出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、デバイス実装構造、デバイス実装方法、電子装置、液滴吐出ヘッド、及び液滴吐出装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣチップ等の駆動デバイスを回路基板上に配置し電気的に接続する方法として、従来からワイヤボンディング法が知られている。例えば、画像の形成やマイクロデバイスの製造に際して液滴吐出法（インクジェット法）を適用する場合に用いられる液滴吐出ヘッド（インクジェット式記録ヘッド）においても、インク吐出動作を行うための圧電素子と、圧電素子に電気信号を供給する駆動回路部（ＩＣチップ等）との接続に、ワイヤボンディング法が用いられている（例えば特許文献１及び特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２００３−１５９８００号公報
【特許文献２】特開２００４−２８４１７６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
近年ＩＣチップ等の高集積化に伴いＩＣチップ等の外部接続端子が狭小化、狭ピッチ化される傾向にある。それに伴いベース基板上に形成される配線パターンも狭ピッチ化される傾向にある。そのため、上記ワイヤボンディングを用いた接続方法の適用が困難になりつつある。
【０００４】
また、液滴吐出法に基づいて画像形成やマイクロデバイス製造を行う方法にあっては、画像の高精細化やマイクロデバイスの微細化を実現するために、液滴吐出ヘッドに設けられたノズル開口部同士の間の距離（ノズルピッチ）をできるだけ小さく（狭く）することが好ましい。上記圧電素子はノズル開口部に対応して複数形成されるため、ノズルピッチを小さくすると、そのノズルピッチに応じて圧電素子同士の間の距離も小さくする必要がある。このように圧電素子同士の間の距離が小さくなると、それら複数の圧電素子のそれぞれとドライバＩＣとをワイヤボンディングの手法によって接続することが困難となる。
【０００５】
さらに、電子装置のコンパクト化に伴って、ＩＣチップ等のデバイスによる段差や、ベース基板の形状に起因する段差を介してデバイスとベース基板の配線とを電気的に接続する必要性が高まっている。
【０００６】
本発明は、配線の狭ピッチ化や段差を介した配線接続に好ましく適用可能なデバイス実装構造を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明のデバイス実装構造は、デバイスが搭載されたユニットを基体に電気接続してなるデバイス実装構造であって、前記ユニットの一面に形成された突起と、前記ユニットにおける前記突起の頂部と前記デバイスの搭載位置とを結ぶ第１配線と、前記基体に設けられ、前記突起の少なくとも１部が組み込まれる溝と、前記基体における前記溝の底部に設けられ、前記第１配線と電気接続される第２配線と、を備えており、前記第１配線が、金属粒子を含む樹脂層と、前記樹脂層上の金属膜と、を含むことを特徴とする。
【０００８】
このようなデバイス実装構造によれば、デバイスが搭載されたユニットの突起が基体の溝に組み込まれることにより、ユニットと基体とが電気的に接続される。すなわち、基体における溝の底部が電気接続部である場合にも、確実に電気接続がなされる。また、ユニットに設けられる第１配線の高精細化が容易であり、配線の狭ピッチ化に好ましく対応される。
また、ユニットに設けられる第１配線が、金属粒子を含む樹脂層と金属膜とを含むことにより、製造工程の簡素化が図られる。さらに、第１配線の樹脂層は、ユニットと基体とを電気接続する際に、位置誤差（高さバラツキなど）を吸収するバッファ層として機能し、接続信頼性の向上に寄与する。
これらの結果、本発明のデバイス実装構造では、狭ピッチ化に対応しかつ高信頼性かつ高効率かつ低コストなデバイス実装が実現される。
【０００９】
本発明のデバイス実装構造において、前記樹脂層及び前記金属膜のそれぞれが複数の線状パターンを含むようにできる。
これにより、複数の電気接続箇所の位置誤差が樹脂層によって確実に吸収される。
【００１０】
本発明のデバイス実装構造において、前記樹脂層が面状であり、前記金属膜が前記樹脂層上に形成された複数の線状パターンを含むようにできる。
これにより、複数の電気接続箇所の位置誤差が樹脂層によって確実に吸収されるとともに、製造工程の簡素化が図られる。
【００１１】
本発明のデバイス実装構造において、例えば、前記樹脂層に含まれる金属粒子が、Ｐｄ、Ｐｔ、及びＡｕからなる群から選ばれる１種または２種以上の材料であるようにできる。
これにより、樹脂層に対して密着性の高い金属膜が形成される。
【００１２】
本発明のデバイス実装構造において、前記金属膜が、メッキ法により形成されているようにできる。
これにより、メッキ法を用いて、高効率かつ少ない処理工程で金属膜が形成される。
【００１３】
本発明のデバイス実装構造において、例えば、前記金属膜の形成材料が、Ａｌ、ＮｉＣｒ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｕ、及びＡｇからなる群から選ばれる１種または２種以上の材料を含むようにできる。
【００１４】
本発明のデバイス実装構造において、前記基体の線膨張係数と前記ユニットの線膨張係数とが略同一であるようにできる。
これにより、温度変化に伴う電気接続部の剥離が防止される。
【００１５】
本発明のデバイス実装構造において、例えば、前記ユニットの形成材料が、セラミックス、エンジニアリングプラスチック、ガラスエポキシ、ガラス、及びシリコンのいずれかであるようにできる。
【００１６】
本発明のデバイス実装構造において、前記ユニットの突起が、異方性エッチングを用いて形成されたようにできる。
これにより、ユニットの突起が、高効率かつ少ない処理工程で形成される。
【００１７】
本発明のデバイス実装方法は、デバイスが搭載されたユニットを、基体に設けられた溝の底部に電気接続するデバイス実装方法であって、前記ユニットの一面に突起を形成する工程と、前記ユニットにおける前記突起の頂部と前記デバイスの搭載位置とを結ぶ配線を形成する工程と、前記基体の前記溝の内部に、前記配線が形成された前記ユニットの前記突起を挿入する工程と、を有しており、前記配線が、金属粒子を含む樹脂層と、前記樹脂層上の金属膜と、を含むことを特徴とする。
【００１８】
このようなデバイス実装方法によれば、ユニットの突起を基体の溝に組み込むことにより、ユニットと基体とが電気的に接続される。すなわち、基体における溝の底部が電気接続部である場合にも、確実に電気接続がなされる。また、ユニットに設けられる配線の高精細化が容易であり、配線の狭ピッチ化に好ましく対応される。
また、ユニットに設けられる配線が、金属粒子を含む樹脂層と金属膜とを含むことにより、製造工程の簡素化が図られる。さらに、その配線の樹脂層は、ユニットと基体とを電気接続する際に、位置誤差（高さバラツキなど）を吸収するバッファ層として機能する。
これらの結果、本発明のデバイス実装方法では、狭ピッチ化に対応しかつ高信頼性かつ高効率かつ低コストなデバイス実装が実現される。
【００１９】
本発明のデバイス実装方法において、前記配線の形成工程は、前記ユニット上に前記樹脂層からなる複数の線状パターンを形成する工程と、前記複数の線状パターンのそれぞれの上に前記金属膜を形成する工程と、を含むようにできる。
これによれば、複数の電気接続箇所の位置誤差が樹脂層によって確実に吸収される。
【００２０】
本発明のデバイス実装方法において、前記配線の形成工程はさらに、前記樹脂層からなる複数の線状パターンの表面において前記金属粒子を露出させる工程を含むようにできる。
これによれば、樹脂層の表面に確実に金属膜が密着する。
【００２１】
本発明のデバイス実装方法において、前記配線の形成工程は、前記ユニット上に面状の前記樹脂層を形成する工程と、前記樹脂層上に前記金属膜からなる複数の線状パターンを形成する工程と、を含むようにできる。
これによれば、複数の電気接続箇所の位置誤差が樹脂層によって確実に吸収されるとともに、製造工程の簡素化が図られる。
【００２２】
本発明のデバイス実装方法において、前記配線の形成工程はさらに、前記樹脂層の表面において前記金属粒子を、複数の線状パターン状に、露出させる工程を含むようにできる。
これによれば、樹脂層の表面に、確実にかつ複数の線状パターン状に金属膜が密着する。
【００２３】
本発明のデバイス実装方法において、メッキ法を用いて、前記金属膜を形成するようにできる。
これによれば、メッキ法を用いて、高効率かつ少ない処理工程で金属膜が形成される。
【００２４】
本発明のデバイス実装方法において、例えば、前記樹脂層に含まれる金属粒子が、Ｐｄ、Ｐｔ、及びＡｕからなる群から選ばれる１種または２種以上の材料であるようにできる。
これにより、樹脂層に対して密着性の高い金属膜が形成される。
【００２５】
本発明のデバイス実装方法において、例えば、前記金属膜の形成材料が、Ａｌ、ＮｉＣｒ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｕ、及びＡｇからなる群から選ばれる１種または２種以上の材料を含むようにできる。
【００２６】
本発明のデバイス実装方法において、異方性エッチングを用いて、前記ユニットの一面に突起を形成するようにできる。
これにより、ユニットの突起が、高効率かつ少ない処理工程で形成される。
【００２７】
本発明のデバイス実装方法において、異方性導電材を用いて、前記ユニットの前記突起の頂部と前記基板の前記溝の底部とを電気接続させるようにできる。
これにより、狭ピッチ化に対応可能であり、また、処理工程の簡素化が図られる。
【００２８】
本発明のデバイス実装方法において、超音波接合により、前記ユニットの前記突起の頂部と前記基板の前記溝の底部とを電気接続させるようにできる。
これによっても、狭ピッチ化に対応可能であり、また、処理工程の簡素化が図られる。
【００２９】
本発明の電子装置は、上記の本発明のデバイス実装構造を用いて基体上に実装された電子デバイスを備えたことを特徴とする。
また、本発明の電子装置は、上記の本発明のデバイス実装方法を用いて基体上に実装された電子デバイスを備えたことを特徴とする。
これによれば、実装効率の向上、コンパクト化、あるいは低コスト化が図られる。
【００３０】
本発明の液滴吐出ヘッドは、上記の本発明のデバイス実装構造を有することを特徴とする。
また、本発明の液滴吐出ヘッドは、上記の本発明のデバイス実装方法を用いて製造されたことを特徴とする。
また、本発明の液滴吐出装置は、上記の本発明の液滴吐出ヘッドを備えることを特徴とする。
これによれば、吐出ピッチの高精細化、コンパクト化、あるいは低コスト化が図られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
以下の説明で参照する各図面においては、図面を見易くするために、必要に応じて、各構成部材の寸法を変更したり、一部を省略して表示している。
【００３２】
（液滴吐出ヘッド）
まず、本発明に係るデバイス実装構造を具備した液滴吐出ヘッドについて図１から図４を参照して説明する。
図１は液滴吐出ヘッドの一実施形態を示す外観斜視図、図２は液滴吐出ヘッドをノズル開口側から見た斜視図の一部破断図、図３は図１のＡ−Ａ線断面矢視図、図４は駆動ユニットを示す斜視図である。
なお、以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。水平面内における所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれに直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。
【００３３】
図１から図４に示すように、液滴吐出ヘッド１は、機能液の液滴を吐出するものであって、液滴吐出用のノズル開口１５を有したノズル基板１６と、ノズル基板１６上に配置された流路形成基板１０と、流路形成基板１０上に配置され、圧電素子３００の駆動によって変位する振動板４００と、振動板４００上に配置されたリザーバ形成基板２０と、圧電素子３００を駆動するための駆動回路部（ＩＣドライバ）２００Ａ，２００Ｂ（図３参照）と、駆動回路部２００Ａ，２００Ｂが搭載された駆動ユニット３６０と、を備えて構成されている。液滴吐出ヘッド１の動作は、不図示の外部コントローラによって制御される。
【００３４】
流路形成基板１０と、ノズル基板１６と、振動板４００とで囲まれた空間によって、ノズル開口１５より吐出される前の機能液が配置される圧力発生室１２が形成される。また、リザーバ形成基板２０と流路形成基板１０とで囲まれた空間によって、圧力発生室１２に供給される前の機能液を予備的に保持するリザーバ１００が形成される。
なお、上記流路形成基板１０とリザーバ形成基板２０とにより、本発明に係る基体が構成される。
【００３５】
図２に示すように、ノズル基板１６は、流路形成基板１０の一面に設けられた開口を覆って配設されている。流路形成基板１０とノズル基板１６とは、例えば接着剤や熱溶着フィルム等を介して固定されている。そのノズル基板１６には、液滴を吐出するノズル開口１５が設けられている。ノズル開口１５はノズル基板１６に複数設けられている。具体的には、ノズル基板１６には、Ｙ軸方向に複数並んで設けられたノズル開口１５によって構成された、第１ノズル開口群１５Ａ、及び第２ノズル開口群１５Ｂが設けられている。第１ノズル開口群１５Ａと第２ノズル開口群１５ＢとはＸ軸方向に関して互いに対向するように配置されている。
【００３６】
なお、図２では各ノズル開口群１５Ａ，１５Ｂのそれぞれは６個のノズル開口１５によって構成されて示されているが、実際には、各ノズル開口群は例えば７２０個程度の多数のノズル開口１５によって構成される。
【００３７】
流路形成基板１０の内側には複数の隔壁１１が形成されている。流路形成基板１０はシリコンによって形成されており、複数の隔壁１１は、流路形成基板１０の母材であるシリコン単結晶基板を異方性エッチングすることにより形成される。単結晶シリコンとしては、断面がテーパ状となる結晶方位面が１００面のものや、断面が矩形方となる結晶方位面が１１０面のものを用いることができる。そして、複数の隔壁１１を有する流路形成基板１０と、ノズル基板１６と、振動板４００とで囲まれた空間として、複数の圧力発生室１２が形成される。圧力発生室１２は、複数のノズル開口１５に対応するように複数形成されている。すなわち、圧力発生室１２は、第１及び第２ノズル開口群１５Ａ，１５Ｂのそれぞれを構成する複数のノズル開口１５に対応するように、Ｙ軸方向に複数並んで設けられている。そして、第１ノズル開口群１５Ａに対応して複数形成された圧力発生室１２によって第１圧力発生室群１２Ａが構成されている。第２ノズル開口群１５Ｂに対応して複数形成された圧力発生室１２によって第２圧力発生室群１２Ｂが構成されている。第１圧力発生室群１２Ａと第２圧力発生室群１２ＢとはＸ軸方向に関して互いに対向するように配置されており、それらの間には隔壁１０Ｋが形成されている。
【００３８】
また、図２に示すように、第１圧力発生室群１２Ａを形成する複数の圧力発生室１２のうち、−Ｘ側の端部は上述した隔壁１０Ｋによって閉塞され、＋Ｘ側の端部は互いに接続しかつ、リザーバ１００（図３参照）と接続している。
【００３９】
図３に示すように、リザーバ１００は、機能液導入口２５より導入され、圧力発生室１２に供給される前の機能液を一時的に保持する。リザーバ１００は、リザーバ形成基板２０にＹ軸方向に延びるように形成されたリザーバ部２１と、流路形成基板１０にＹ軸方向に延びるように形成され、リザーバ部２１と各圧力発生室１２のそれぞれとを接続する連通部１３とを備えている。すなわち、リザーバ１００は、第１圧力発生室群１２Ａを構成する複数の圧力発生室１２の共通の機能液保持室（インク室）である。機能液導入口２５より導入された機能液は、導入路２６を経てリザーバ１００に流れ込み、その後、供給路１４を経て、第１圧力発生室群１２Ａを構成する複数の圧力発生室１２のそれぞれに供給される。
また、第２圧力発生室群１２Ｂを構成する圧力発生室１２も、上述と同様のリザーバ１００が接続されている。
【００４０】
流路形成基板１０とリザーバ形成基板２０との間に配置された振動板４００は、流路形成基板１０の一面を覆う弾性膜５０と、弾性膜５０上に設けられた下電極膜６０とを備えている。弾性膜５０は、例えば厚み１〜２μｍ程度の二酸化シリコンによって形成されている。下電極膜６０は、例えば厚み０．２μｍ程度の金属によって構成されている。本実施形態において、下電極膜６０は、複数の圧電素子３００の共通電極となっている。
【００４１】
振動板４００を変位させるための圧電素子３００は、下電極膜６０上に設けられた圧電体膜７０と、その圧電体膜７０上に設けられた上電極膜８０とを備えている。圧電体膜７０は例えば厚み１μｍ程度であり、上電極膜８０は例えば厚み０．１μｍ程度である。なお、圧電素子３００の概念としては、圧電体膜７０及び上電極膜８０に加えて、下電極膜６０を含むものであってもよい。すなわち、本実施形態における下電極膜６０は、圧電素子３００としての機能と、振動板４００としての機能とを兼ね備えている。また、本実施形態では、弾性膜５０及び下電極膜６０が振動板４００として機能するが、弾性膜５０を省略した構造とし、下電極膜６０が弾性膜（５０）を兼ねるようにしてもよい。
【００４２】
圧電体膜７０及び上電極膜８０（すなわち圧電素子３００）は、複数のノズル開口１５及び圧力発生室１２のそれぞれに対応するように複数設けられている。すなわち、圧電素子３００は、各ノズル開口１５ごとに（圧力発生室１２ごとに）設けられている。上述したように、下電極膜６０は複数の圧電素子３００の共通電極として機能し、上電極膜８０は複数の圧電素子３００の個別電極として機能する。
【００４３】
第１ノズル開口群１５Ａの各ノズル開口１５に対応してＹ軸方向に並ぶ複数の圧電素子３００によって、第１圧電素子群が構成されている。第２ノズル開口群１５Ｂの各ノズル開口１５に対応してＹ軸方向に並ぶ複数の圧電素子３００によって、第２圧電素子群が構成されている。第１圧電素子群と第２圧電素子群とはＸ軸方向に関して互いに対向するように配置されている。
【００４４】
リザーバ形成基板２０上には、封止膜３１と固定板３２とを有するコンプライアンス基板３０が接合されている。封止膜３１は、剛性が低く可撓性を有する材料（例えば、厚み６μｍ程度のポリフェニレンスルフィドフィルム）からなる。この封止膜３１によってリザーバ部２１が封止されている。また、固定板３２は、金属等の硬質の材料（例えば、厚み３０μｍ程度のステンレス鋼）で形成される。この固定板３２のうち、リザーバ１００に対応する領域は、厚さ方向に完全に除去された開口部３３となっている。そのため、リザーバ１００の上部は、可撓性を有する封止膜３１のみで封止され、内部圧力の変化によって変形可能な可撓部２２となっている。
【００４５】
機能液導入口２５からリザーバ１００に機能液が供給されると、例えば、圧電素子３００の駆動時の機能液の流れ、あるいは、周囲の熱などによってリザーバ１００内に圧力変化が生じる。上述のように、リザーバ１００の上部が可撓性を有する封止膜３１（可撓部２２）によって封止されていることにより、可撓部２２が撓み変形してその圧力変化を吸収する。したがって、リザーバ１００内は常に一定の圧力に保持される。その他の部分は固定板３２によって十分な強度に保持されている。
【００４６】
リザーバ１００の外側のコンプライアンス基板３０上には、リザーバ１００に機能液を供給するための機能液導入口２５が形成されている。リザーバ形成基板２０には、その機能液導入口２５とリザーバ１００の側壁とを連通する導入路２６が設けられている。
【００４７】
リザーバ形成基板２０のうち、Ｘ軸方向に関して中央部には、Ｙ軸方向に延びる溝（凹部）７００が形成されている。溝７００は、断面が下方に向かうに従って縮径するテーパ形状を有する。
【００４８】
リザーバ形成基板２０は、溝７００を間にして分けられた、第１封止部２０Ａと、第２封止部２０Ｂとを含む。第１封止部２０Ａは、駆動回路部２００Ａと接続される複数の圧電素子３００を封止する。第２封止部２０Ｂは、駆動回路部２００Ｂと接続される複数の圧電素子３００を封止する。第１封止部２０Ａ及び第２封止部２０Ｂは、それぞれ圧電素子３００に対向する領域に、圧電素子３００の運動（駆動）を阻害しない程度の空間を確保するとともに、その空間を密封する圧電素子保持部（素子保持部）２４を有している。圧電素子３００のうち、少なくとも圧電体膜７０は、この圧電素子保持部２４内に密封されている。圧電素子保持部２４は、各圧電素子群に含まれる圧電素子３００の全体を封止する構成でもよく、各圧電素子３００を個別に封止する構成でもよい。
【００４９】
このように、リザーバ形成基板２０は、圧電素子３００を外部環境と遮断して、圧電素子３００を封止する機能を有している。リザーバ形成基板２０によって圧電素子３００を封止することで、水分等の外部環境による圧電素子３００の劣化が防止される。また、本実施形態では、圧電素子保持部２４の内部を密封状態にした構成である、例えば、圧電素子保持部２４内の空間を真空にしたり、あるいは窒素又はアルゴン雰囲気等とすることにより、圧電素子保持部２４内を低湿度に保持し、圧電素子３００の劣化をさらに確実に防止することができる。
【００５０】
また、リザーバ形成基板２０は剛体である。リザーバ形成基板２０の形成材料としては、例えば、ガラス、セラミック材料等の流路形成基板１０の熱膨張率と略同一の材料を用いることが好ましい。本実施形態では、流路形成基板１０と同一材料のシリコン単結晶基板が用いられる。シリコン単結晶基板を用いた場合、異方性エッチングにより容易に高精度の加工を施すことが可能であり、圧電素子保持部２４や溝（凹部）７００の形成が容易である。
【００５１】
図３に示すように、第１封止部２０Ａの圧電素子保持部２４に封止された圧電素子３００のうち、上電極膜８０の−Ｘ側の端部は、第１封止部２０Ａの外側まで延びており、リザーバ形成基板２０の溝７００の内部に配置されている。同様に、第２封止部２０Ｂの圧電素子保持部２４に封止された圧電素子３００のうち、上電極膜８０の＋Ｘ側の端部は、第２封止部２０Ｂの外側まで延びており、リザーバ形成基板２０の溝７００の内部に配置されている。なお、上電極膜８０の延接部分と下電極膜６０との間にはそれぞれ絶縁膜６００が配設されている。
【００５２】
図４に示すように、駆動ユニット３６０は、ユニット基材３６１と、配線３６２，３６３と、駆動回路部２００Ａ，２００Ｂとを有する。ユニット基材３６１は、矩形板状の平板部（基板部）４１と、平板部４１における駆動回路部２００Ａ，２００Ｂの搭載面に設けられた突起４２とを含む。突起４２は、平板部４１の中央部に幅方向（Ｙ軸方向）に沿って設けられている。また、突起４２は、平板部４１から離れるに従って縮径する形状（縦断面が台形状）からなり、平らな頂面４２ａと、２つの平らな傾斜面４２ｂ，４２ｃとを有する。
【００５３】
配線３６２は、ユニット基材３６１における、平板部４１の所定位置（駆動回路部２００Ａ，２００Ｂの搭載位置）と突起４２の頂面４２ａとの間にわたって連続的に伸びる複数の線状パターン３８０を含む。すなわち、配線３６２は、ユニット基材３６１の突起４２の頂面４２ａ及び平板部４１に加え、突起４２の傾斜面４２ｂ，４２ｃ上にも配されている。複数の線状パターン３８０のそれぞれは互いに平行であり、Ｙ方向に所定ピッチで並んでいる。配線３６２の端部は、端子３６５（図３参照）または端子３６６である。端子３６５は、駆動回路部２００Ａ，２００Ｂに電気的に接続され、端子３６６は、圧電素子３００を構成する上電極膜８０に電気的に接続される。
【００５４】
また、配線３６２は、金属粒子を含む樹脂層３７０と、樹脂層３７０上の金属膜３７１とを含む。樹脂層３７０に含まれる金属粒子は、金属膜３７１の成長核（あるいは成長触媒）である。樹脂層３７０に含まれる金属粒子としては、例えば、Ｐｄ（パラジウム）、Ｐｔ（白金）、Ａｕ（金）などである。これらは、単独で使用してもよく、複数を組み合わせて使用してもよい。こうした樹脂層３７０は、プリント法、フォトリソグラフィ法、あるいは液滴吐出法等を用いて高精細に形成することができる。金属膜３７１の形成材料は、例えば、Ａｌ（アルミニウム）、ＮｉＣｒ（ニッケルクロム）、Ｃｕ（銅）、Ｎｉ（ニッケル）、Ａｕ（金）、及びＡｇ（銀）である。これらは、単独で使用してもよく、複数を組み合わせて使用してもよい。こうした金属膜３７１は、プリント法、フォトリソグラフィ法、液滴吐出法、あるいはメッキ法等を用いて高精細に形成することができる。メッキ法を用いることにより、樹脂層３７０に含まれる金属粒子を成長核として金属膜３７１を良好に形成することが可能である。なお、ユニット基材３６１の表面と樹脂層３７０との間に、金属材料の拡散を防止するためのバリア膜や、樹脂層３７０の密着性を向上させるための膜などの別の膜が形成されていてもよい。
【００５５】
配線３６３は、ユニット基材３６１における、平板部４１に形成されている。配線３６３の端部は、端子３６７（図３参照）または端子３６８（図１参照）である。端子３６７は、駆動回路部２００Ａ，２００Ｂに電気的に接続され、端子３６８は、平板部４１の裏面において外部基板（ＦＰＣ基板等）を介して不図示の外部コントローラと電気的に接続される。配線３６３は、金属材料、導電性ポリマー、超電導体等を使用して形成することができる。
【００５６】
駆動回路部２００Ａ，２００Ｂは、例えば回路基板あるいは駆動回路を含む半導体集積回路（ＩＣ）を有して構成されている。また、駆動回路部２００Ａ，２００Ｂは、複数の接続端子２００ａ（図３参照）を有している。駆動回路部２００Ａ，２００Ｂがユニット基材３６１における各配線３６２，３６３上に搭載されている。駆動回路部２００Ａ，２００Ｂの接続端子２００ａがユニット基材３６１における配線３６２，３６３の各端子３６５，３６７に接続されている。駆動回路部２００Ａが平板部４１上（駆動ユニット３６０上）でＹ軸方向に沿って長手に配置され、駆動回路部２００Ｂが駆動回路部２００Ａと略平行にＹ軸方向に長手に配置されている。
【００５７】
本実施形態では、複数の線状パターン３８０のそれぞれが、線状の樹脂層３７０と線状の金属膜３７１とを含む積層構造からなる。図４に示す線状パターン群３８０Ａは、その一端（端子３６５）が駆動回路部２００Ａに接続され、他の一端（端子３６６）が第１ノズル開口群１５Ａに対応する第１圧電素子群の圧電素子３００に接続される。線状パターン群３８０Ｂは、その一端（端子３６５）が駆動回路部２００Ｂに接続され、他の一端（端子３６６）が第２ノズル開口群１５Ｂに対応する第２圧電素子群の圧電素子３００に接続される。ユニット基材３６１の突起４２の頂面４２ａにおいて、複数の線状パターン３８０の配列ピッチは、図３に示す溝７００内に延出された上電極膜８０のピッチと一致している。
【００５８】
ユニット基材３６１の突起４２は、図３に示すように、リザーバ形成基板２０の溝７００に詰まらない形状に形成されている。また、突起４２の高さ（Ｚ方向の長さ）は、溝７００の深さよりも大きい。より詳細には、ユニット基材３６１の突起４２が、リザーバ形成基板２０の溝７００に挿入された際にも、平板部４１に実装された駆動回路部２００Ａ，２００Ｂがリザーバ形成基板２０に接触しない大きさに設定されている。
【００５９】
また、ユニット基材３６１の平板部４１には、必要に応じて、不図示のアライメントマークが形成される。このアライメントマークは、基体（流路形成基板１０及びリザーバ形成基板２０）に対する駆動ユニット３６０の位置合わせの基準となるものである。アライメントマークは、例えば、配線３６２の形成工程を利用して形成することができる。
【００６０】
ユニット基材３６１は、少なくともその表面が絶縁性を有する材料からなるものである。ユニット基材３６１としては、例えば、セラミックス（アルミナセラミックスやジルコニアセラミックス）、エンジニアリングプラスチック（ポリカーボネートやポリイミドあるいは液晶ポリマー等）、ガラスエポキシ、ガラス等の絶縁性材料の成形体などがあげられる。この他、ユニット基材３６１として、シリコン（Ｓｉ）からなる基体の表面に熱酸化により酸化シリコン膜を形成したものや、前記シリコン基体の表面に絶縁性の樹脂膜を形成したもの、を用いることもできる。ユニット基材３６１の線膨張係数と、流路形成基板１０及びリザーバ形成基板２０の線膨張係数とが略同一であることにより、温度変化に伴う体積変化で導電接合部に剥離等が生じるのが防止される。
【００６１】
本実施形態では、ユニット基材３６１として、流路形成基板１０及びリザーバ形成基板２０と同一材料のシリコン単結晶基板が用いられる。例えば、ユニット基材３６１として、シリコン単結晶基板（結晶方位面が１００面）を異方性エッチングにより部分的に除去して突起４２を形成したものが用いられる。なお、ユニット基材３６１として、ガラスエポキシ、セラミックス、またはエンジニアリングプラスチック等の成形体を用いると、シリコン基体を用いた場合に比して優れた耐衝撃性等を得ることが可能である。
【００６２】
上記構成を具備した駆動ユニット３６０は、図３に示すように、ユニット基材３６１の突起４２をリザーバ形成基板２０の溝７００の内部に挿入した状態で、圧電素子３００の上電極膜８０にフリップチップ実装されている。すなわち、ユニット基材３６１の突起４２の頂面４２ａの端子３６６が、流路形成基板１０上における圧電素子３００の上電極膜８０に電気的に接続されている。駆動回路部２００Ａ，２００Ｂと基体（流路形成基板１０及びリザーバ形成基板２０）との間は、エポキシ樹脂等の非導電性樹脂４６で封止されている。この封止により、駆動ユニット３６０と上記基体とが液滴吐出ヘッド１として一体化している。
【００６３】
フリップチップ実装（導電接続構造）の形態としては、超音波あるいは圧着による金属間直接接合の他、中間導電材を介した接合などが用いられる。中間導電材としては、ろう材、異方性導電フィルム（ACF:anisotropic conductive film）、異方性導電ペースト（ACP:anisotropic conductive paste）を含む異方性導電材などがあげられる。
【００６４】
このように、本実施形態では、駆動ユニット３６０に電気接続用の突起４２が設けられているから、基体（流路形成基板１０及びリザーバ形成基板２０）における溝７００の底部が電気接続部である場合にも、確実に電気接続がなされる。そのため、ワイヤボンディングにおけるワイヤを引き回すような空間が不要であり、液滴吐出ヘッド１の薄型化が実現される。
【００６５】
また、本実施形態では、基体１０，２０の溝７００には、駆動ユニット３６０の突起４２が組み込まれ、さらに基体１０，２０のと駆動ユニット３６０とが樹脂４６によって一体化されている。そのため、液滴吐出ヘッド１自体の剛性が比較的高く、反り等による吐出精度の低下が効果的に防止される。また、樹脂４６による防湿効果により電気接続部あるいは圧電素子３００の特性劣化が防止される。
【００６６】
また、本実施形態では、ユニット基材３６１に設けられる配線３６２の高精細化が容易であり、配線の狭ピッチ化に好ましく対応される。そのため、この液滴吐出ヘッド１は、高精細の画像形成や膜パターン形成に好ましく用いられる。
【００６７】
また、本実施形態では、駆動ユニット３６０の突起４２の傾斜面４２ｂ，４２ｃによる案内により、基体１０，２０のに対する駆動ユニット３６０の位置決め、あるいは基体１０，２０のの溝７００の内部への駆動ユニット３６０の突起４２の挿入が容易である。
【００６８】
また、本実施形態では、ユニット基材３６１に設けられる配線３６２が、金属粒子を含む樹脂層３７０と金属膜３７１とを含むから、その樹脂層３７０が、駆動ユニット３６０と上記基体１０、２０とを電気接続する際に、位置誤差（高さバラツキなど）を吸収するバッファ層として機能する。すなわち、駆動ユニット３６０の突起４２を基体１０，２０に押し当てた際に、樹脂層３７０が容易に変形することにより、隙間バラツキが緩和される。その結果、駆動ユニット３６０と基体１０，２０のとの端子間接続の信頼性の向上が図られる。
【００６９】
また、本実施形態では、駆動回路部２００Ａ，２００Ｂ及び駆動ユニット３６０がフリップ実装される構成なので、同一の装置（実装装置）を用いるなどにより、実装の処理効率の向上が図られる。
【００７０】
次に、上述した構成を有する液滴吐出ヘッド１の動作について説明する。
液滴吐出ヘッド１より機能液の液滴を吐出するために、外部コントローラは、機能液導入口２５に接続された不図示の外部機能液供給装置を駆動する。外部機能液供給装置から送出された機能液は、機能液導入口２５を介してリザーバ１００に供給された後、ノズル開口１５に至るまでの液滴吐出ヘッド１の内部流路に充填される。また、外部コントローラは、駆動回路部２００Ａ，２００Ｂに駆動電力や指令信号を送る。駆動回路部２００Ａ，２００Ｂは、外部コントローラからの指令に基づいて、配線３６２等を介して圧電素子３００における下電極膜６０と上電極膜８０との間に電圧を印加する。弾性膜５０、下電極膜６０及び圧電体膜７０が変位することにより、所定の圧力発生室１２内の圧力が高まり、ノズル開口１５から液滴が吐出される。
【００７１】
（液滴吐出ヘッドの製造方法）
次に、液滴吐出ヘッド１の製造方法の一例について図５のフローチャート図を参照しながら説明する。
【００７２】
まず、シリコン単結晶基板に、フォトリソグラフィ法などにより、弾性膜５０と下電極膜６０とを積層形成し、さらに、下電極膜６０上に圧電体膜７０及び上電極膜８０をパターン形成することで圧電素子３００を形成する（ステップＳＡ１）。
【００７３】
次に、ステップＳＡ２とは別工程で、異方性エッチングやドライエッチングにより、シリコン単結晶基板に、図３に示す圧電素子保持部２４、溝７００、及び導入路２６を形成し、さらに、ドライエッチング法を用いてその基板にリザーバ部２１を形成することで、リザーバ形成基板２０を作製する（ステップＳＡ２）。
【００７４】
次に、ステップＳＡ１を経た基板１０上に、ステップＳＡ２を経たリザーバ形成基板２０を位置合わせして配置し、その後、基板１０とリザーバ形成基板２０を接合する（ステップＳＡ３）。次に、基板１０の裏面から異方性エッチングやドライエッチングにより、シリコン単結晶基板に、図３に示す圧力発生室１２、供給路１４、及び連通部１３等を形成し、これにより、流路形成基板１０を作製する（ステップＳＡ４）。
【００７５】
また、ステップＳＡ１〜ＳＡ４とは別工程で、図４に示すユニット基材３６１上に配線３６２，３６３等を形成する（ステップＳＡ５）。その後、ユニット基材３６１上の所定領域（実装領域）に、駆動回路部２００Ａ，２００Ｂをフリップチップ実装により搭載し、駆動ユニット３６０を形成する（ステップＳＡ６）。なお、ユニット基材３６１上への配線３６２の形成工程については後で詳しく説明する。
【００７６】
次に、ステップＳＡ６を経た駆動ユニット３６０を、リザーバ形成基板２０上に位置合わせして配置する（ステップＳＡ７）。位置合わせは、駆動ユニット３６０（ユニット基材３６１）及び／又はリザーバ形成基板２０に形成されたアライメントマークを観察した結果に基づいて精度よく行われる。
【００７７】
次に、ユニット基材３６１の突起４２をリザーバ形成基板２０の溝７００の内部に挿入する（ステップＳＡ８）。頂面４２ａに端子３６６が形成された駆動ユニット３６０の突起４２が上記溝７００に組み込まれることにより、その溝７００の底部においてユニット基材３６１の配線３６２と圧電素子の上電極膜８０とが電気的に接続される。この電気接続（フリップチップ実装）には、金属圧着式、ろう材や異方性導電材を用いた加圧加熱式、超音波振動式（超音波加熱方式）などを用いることができる。異方性導電材を用いることにより、狭ピッチに対応した電気接続が可能であり、また、処理工程の簡素化が図られる。あるいは、超音波接合（Ａｕ−Ａｕ接合など）を用いることによっても、狭ピッチに対応した電気接続が可能であり、また、処理工程の簡素化が図られる。
【００７８】
次に、非導電性樹脂４６によって、駆動ユニット３６０とリザーバ形成基板２０との間を樹脂モールドにより封止する（ステップＳＡ９）。
以上の工程により、液滴吐出ヘッド１を製造することができる。
【００７９】
（駆動ユニットの製造方法）
次に、駆動ユニット３６０の製造方法について図６Ａ〜６Ｃを参照して説明する。
図６Ａに示すように、ユニット基材３６１には、平板部４１の一面に突起４２が設けられ、この突起４２は、平板部４１から離れるに従って縮径する形状（縦断面が台形状）からなる。また、ユニット基材３６１の平板部４１には、外部接続用の配線３６３が形成されている。
【００８０】
上記突起４２の形成に際して、例えば、まず、結晶方位面が１００面の単結晶シリコンの表面を熱酸化した後に、その基板表面にレジストを部分配置する。レジストの部分配置には、フォトリソグラフィ法や液滴吐出法を用いることができる。レジストの配置領域は、突起４２の頂面４２ａとなる領域である。次に、フッ酸により熱酸化膜を除去し、その後、ＫＯＨ溶液や、エチレンジアミン水溶液等のエッチング液を用いて異方性エッチングを行う。これにより、そのシリコン基板に、レジストによって保護された平らな頂面４２ａと、結晶方位に基づく２つの平らな傾斜面４２ｂ，４２ｃ（傾斜角約５４°）とを有するテーパ形状の突起４２が形成される。
【００８１】
次に、図６Ｂ及び６Ｃに示すように、ユニット基材３６１上に配線３６２を形成する。配線３６２は、平板部４１から突起４２の傾斜面４２ｂ（４２ｃ）を通って頂面４２ａに至るように形成される。本例では、線状の樹脂層３７０の形成後、メッキ処理により金属膜３７１が形成される。
【００８２】
まず、図６Ｂに示すように、ユニット基材３６１上に樹脂層３７０を配置する。樹脂層３７０の配置には、スプレー法、印刷法、液滴吐出法などの各種塗布法が用いられる。ユニット基材３６１の表面全体に配置された樹脂層３７０は、フォトリソグラフィ工程により、複数の線状パターン３８０にパターニングされる。あるいは、液滴吐出法により、複数の線状パターン３８０（樹脂層３７０）が直接描画形成される。樹脂層３７０の配置前に、ユニット基材３６１の表面を撥液性あるいは親液性に加工してもよい。また、任意のタイミングで、樹脂層３７０の乾燥処理（硬化処理）が適宜行われる。樹脂層３７０に含まれる金属粒子としては、例えば、Ｐｄ（パラジウム）、Ｐｔ（白金）、Ａｕ（金）などが用いられる。本例では、Ｐｄを用いる。
【００８３】
複数の線状パターン３８０（樹脂層３７０）が形成された後、その複数の線状パターン３８０の表面において金属粒子（Ｐｄ）を露出させる。この露出処理には、ＲＩＥによるライトエッチング、加熱処理などが用いられる。エッチングによって樹脂層３７０の表面の樹脂が除去される、あるいは加熱処理によって樹脂層３７０の表面の樹脂が溶融することにより、樹脂層３７０の表面に金属粒子（Ｐｄ）が露出する。
【００８４】
次に、図６Ｃに示すように、複数の線状パターン３８０（樹脂層３７０）の上に、金属膜３７１を形成する。本例では、金属膜３７１の形成にメッキ法を用いる。メッキ処理には、無電解メッキ法、電解メッキ法など、各種メッキ法が適用可能である。樹脂層３７０の表面に露出した金属粒子（Ｐｄ）が金属膜３７１の成長核となる。金属膜３７１の形成材料としては、例えば、Ａｌ（アルミニウム）、ＮｉＣｒ（ニッケルクロム）、Ｃｕ（銅）、Ｎｉ（ニッケル）、Ａｕ（金）、及びＡｇ（銀）などが用いられる。
【００８５】
メッキ法を用いることにより、金属膜３７１の厚膜化が比較的容易であり、特に、折り曲げ部分における金属膜３７１の断線が防止される。すなわち、メッキ法による金属膜３７１の形成過程では、金属膜３７１は面方向にも成長する。その結果、突起４２の角部（頂面４２ａと傾斜面４２ｂ，４２ｃとの境界位置、傾斜面４２ｂ，４２ｃと平板部４１との境界位置）において、隣接する２つの面上で成長する金属膜３７１同士が結びつきかつ一体化される。上記角部などで樹脂層３７０が断線している場合であっても、断線のない金属膜３７１を形成することが可能である。
【００８６】
以上により、ユニット基材３６１上に、樹脂層３７０と金属膜３７１とを含む複数の線状パターン３８０からなる配線３６２が形成される。その後、図１に示すように、駆動回路部２００Ａ，２００Ｂを配線３６２，３６３上にフリップ実装することにより、駆動ユニット３６０が完成する。
【００８７】
このように、本例では、メッキ処理を用いて金属膜３７１を形成することから、配線３６２が折り曲げ構造であっても断線の可能性が低く、また、導電膜の厚みの確保が容易である。金属膜３７１の厚膜化は、配線３６２の電気的性質の向上に有利である。
【００８８】
なお、メッキ処理は、一括で複数の金属膜を形成することが可能であり、またフォトリソグラフィ技術との組み合わせにより、配線ピッチの微細化（例えば、１００μｍ以下）にも対応が容易である。
【００８９】
さらに、本例では、金属膜３７１の下地膜として樹脂層３７０を用いるから、上記した駆動ユニット３６０を基体（流路形成基板１０及びリザーバ形成基板２０）上に実装する際に、その樹脂層３７０が、位置誤差（高さバラツキなど）を吸収するバッファ層として機能し、接続信頼性の向上に寄与する。
【００９０】
（変形例）
図７は、上記駆動ユニット３６０の変形例を示す斜視図である。
なお、図７において、図４の駆動ユニット３６０の構成要素と同一の機能を有するものについては同一の符号を付し、その説明を省略または簡略化する。
【００９１】
図７の駆動ユニット３６０Ａでは、電気接続用の配線３６２のうち、樹脂層３７０が面状であり、金属膜３７１が樹脂層３７０上に形成された複数の線状パターン３８０からなる。
【００９２】
具体的には、配線３６２は、金属粒子を含む面状の樹脂層３７０と、樹脂層３７０上に形成された複数の線状パターン３８０からなる金属膜３７１とを含む。すなわち、本実施形態では、複数の線状パターン３８０は、金属膜３７１からなる単層構造である。面状の樹脂層３７０は、ユニット基材３６１における、平板部４１の所定位置（駆動回路部２００Ａ，２００Ｂの搭載位置）と突起４２の頂面４２ａとの間にわたって連続的に伸びて形成されている。すなわち、樹脂層３７０は、ユニット基材３６１の突起４２の頂面４２ａ及び平板部４１に加え、突起４２の傾斜面４２ｂ，４２ｃ上にも配されている。複数の線状パターン３８０（金属膜３７１）は、その面状の樹脂層３７０上であり、ユニット基材３６１における、平板部４１の所定位置（駆動回路部２００Ａ，２００Ｂの搭載位置）と突起４２の頂面４２ａとの間にわたって連続的に伸びて形成されている。複数の線状パターン３８０（金属膜３７１）のそれぞれは互いに平行であり、Ｙ方向に所定ピッチで並んでいる。
【００９３】
図７に示す線状パターン群３８０Ａは、その一端（端子３６５）が駆動回路部２００Ａに接続され、他の一端（端子３６６）が第１ノズル開口群１５Ａに対応する第１圧電素子群の圧電素子３００に接続される。線状パターン群３８０Ｂは、その一端（端子３６５）が駆動回路部２００Ｂに接続され、他の一端（端子３６６）が第２ノズル開口群１５Ｂに対応する第２圧電素子群の圧電素子３００に接続される。ユニット基材３６１の突起４２の頂面４２ａにおいて、複数の線状パターン３８０（金属膜３７１）の配列ピッチは、図３に示す溝７００内に延出された上電極膜８０のピッチと一致している。なお、ユニット基材３６１の表面と樹脂層３７０との間に、金属材料の拡散を防止するためのバリア膜や、樹脂層３７０の密着性を向上させるための膜などの別の膜が形成されていてもよい。樹脂層３７０に含まれる金属粒子、及び金属膜３７１の形成材料については先に説明した図４の形態と同様である。
【００９４】
図７の形態では、図４の形態と同様に、ユニット基材３６１に設けられる配線３６２が、金属粒子を含む樹脂層３７０と金属膜３７１とを含むから、その樹脂層３７０が、駆動ユニット３６０Ａと上記基体１０，２０とを電気接続する際に、位置誤差（高さバラツキなど）を吸収するバッファ層として機能する。すなわち、駆動ユニット３６０Ａの突起４２を基体に押し当てた際に、樹脂層３７０が容易に変形することにより、隙間バラツキが緩和される。その結果、駆動ユニット３６０Ａと基体との端子間接続の信頼性の向上が図られる。
また、図７の形態では、図４の形態と異なり、樹脂層３７０が面状であるから、製造工程の簡素化が図られる。また、突起４２を含むユニット基材３６１の表面が面状の樹脂層３７０で覆われていることにより、クラックなどのユニット基材３６１の破損が防止される。
【００９５】
（駆動ユニットの製造方法）
次に、図７の駆動ユニット３６０Ａの製造方法について図８Ａ〜８Ｃを参照して説明する。
【００９６】
まず、図８Ａに示すように、ユニット基材３６１上に樹脂層３７０を配置する。樹脂層３７０の配置には、スプレー法、印刷法、液滴吐出法などの各種塗布法が用いられる。樹脂層３７０の配置前に、ユニット基材３６１の表面を撥液性あるいは親液性に加工してもよい。また、任意のタイミングで、樹脂層３７０の乾燥処理（硬化処理）が適宜行われる。樹脂層３７０に含まれる金属粒子としては、例えば、Ｐｄ（パラジウム）、Ｐｔ（白金）、Ａｕ（金）などが用いられる。本例では、Ｐｄを用いる。
【００９７】
本例では、形成すべき樹脂層３７０が面状であるから、パターニング工程の省略が可能である。配線３６３の形成領域は必要に応じてマスキングされる。その結果、先の図６Ｂの工程に比べて、製造工程の簡素化が図られる。
【００９８】
次に、図８Ｂに示すように、面状の樹脂層３７０が形成された後、その樹脂層３７０の表面において金属粒子（Ｐｄ）を部分的に露出させる（露出領域３７０ａ）。この露出処理には、例えば、レーザ照射による加熱処理が用いられる。レーザ照射による加熱処理は、処理の簡素化や処理時間の短縮間に有利である。樹脂層３７０の表面の樹脂が部分的に溶融することにより、樹脂層３７０の表面に金属粒子（Ｐｄ）が露出する。樹脂層３７０における金属粒子の露出領域は、金属膜の形成領域であり、複数の線状パターンを含む。
【００９９】
次に、図８Ｃに示すように、樹脂層３７０上に、メッキ法を用いて、金属膜３７１を形成する。メッキ処理には、無電解メッキ法、電解メッキ法など、各種メッキ法が適用可能である。本例では、樹脂層３７０のうち、金属粒子の露出領域（３７０ａ）に金属膜３７１が選択的に形成される。その結果、線状パターン３８０からなる金属膜３７１が形成される。樹脂層３７０の表面に露出した金属粒子（Ｐｄ）が金属膜３７１の成長核となる。金属膜３７１の形成材料としては、例えば、Ａｌ（アルミニウム）、ＮｉＣｒ（ニッケルクロム）、Ｃｕ（銅）、Ｎｉ（ニッケル）、Ａｕ（金）、及びＡｇ（銀）などが用いられる。
【０１００】
メッキ法を用いることにより、金属膜３７１の厚膜化が比較的容易であり、特に、折り曲げ部分における金属膜３７１の断線が防止される。すなわち、メッキ法による金属膜３７１の形成過程では、金属膜３７１は面方向にも成長する。そして、突起４２の角部（頂面４２ａと傾斜面４２ｂ，４２ｃとの境界位置、傾斜面４２ｂ，４２ｃと平板部４１との境界位置）において、隣接する２つの面上で成長する金属膜３７１同士が結びつき、かつ一体化される。上記角部などで樹脂層３７０が断線している場合であっても、断線のない金属膜３７１を形成することが可能である。
【０１０１】
以上により、ユニット基材３６１上に、面状の樹脂層３７０と線状の金属膜３７１とを含む配線３６２が形成される。その後、図７に示すように、駆動回路部２００Ａ，２００Ｂを配線３６２，３６３上にフリップ実装することにより、駆動ユニット３６０が完成する。
【０１０２】
このように、本例においても、メッキ処理を用いて金属膜３７１を形成することから、配線３６２が折り曲げ構造であっても断線の可能性が低く、また、導電膜の厚みの確保が容易である。金属膜３７１の厚膜化は、配線３６２の電気的性質の向上に有利である。
【０１０３】
さらに、本例では、樹脂層３７０が面状であるから、製造工程の簡素化が図られる。この樹脂層３７０は、上記した駆動ユニット３６０を基体（流路形成基板１０及びリザーバ形成基板２０）上に実装する際に、位置誤差（高さバラツキなど）を吸収するバッファ層として機能し、接続信頼性の向上に寄与する。樹脂層３７０が面状であることにより、金属膜３７１が細い場合にも、樹脂層３７０の上記バッファ効果が確実に発揮される。
【０１０４】
（液滴吐出装置）
次に、上述した液滴吐出ヘッド１を備えた液滴吐出装置の一例について図９を参照しながら説明する。本例では、その一例として、前述の液滴吐出ヘッドを備えたインクジェット式記録装置について説明する。
【０１０５】
液滴吐出ヘッドは、インクカートリッジ等と連通するインク流路を具備する記録ヘッドユニットの一部を構成して、インクジェット式記録装置に搭載されている。図９に示すように、液滴吐出ヘッドを有する記録ヘッドユニット１Ａ及び１Ｂには、インク供給手段を構成するカートリッジ２Ａ及び２Ｂが着脱可能に設けられている。この記録ヘッドユニット１Ａ及び１Ｂを搭載したキャリッジ３が、装置本体４に取り付けられたキャリッジ軸５に軸方向移動自在に取り付けられている。
【０１０６】
記録ヘッドユニット１Ａ及び１Ｂは、例えば、それぞれブラックインク組成物及びカラーインク組成物を吐出する。駆動モータ６の駆動力が図示しない複数の歯車およびタイミングベルト７を介してキャリッジ３に伝達される。この伝達により、記録ヘッドユニット１Ａ及び１Ｂを搭載したキャリッジ３がキャリッジ軸５に沿って移動する。一方、装置本体４にはキャリッジ軸５に沿ってプラテン８が設けられている。図示しない給紙ローラなどにより給紙された紙等の記録媒体である記録シートＳがプラテン８上に搬送される。上記構成を具備したインクジェット式記録装置は、前述の液滴吐出ヘッドを備えているので、小型で信頼性が高く、更に低コストである。
【０１０７】
なお、図９では、本発明の液滴吐出装置の一例としてプリンタ単体としてのインクジェット式記録装置を示したが、本発明はこれに限らず、係る液滴吐出ヘッドを組み込むことによって実現されるプリンタユニットに適用することも可能である。このようなプリンタユニットは、例えば、テレビ等の表示デバイスやホワイトボード等の入力デバイスに装着され、該表示デバイス又は入力デバイスによって表示若しくは入力された画像を印刷するために使用される。
【０１０８】
また上記液滴吐出ヘッドは、液相法により各種デバイスを形成するための液滴吐出装置にも適用することができる。この形態においては、液滴吐出ヘッドより吐出される機能液として、液晶表示デバイスを形成するための液晶表示デバイス形成用材料、有機ＥＬ表示デバイスを形成するための有機ＥＬ形成用材料、電子回路の配線パターンを形成するための配線パターン形成用材料などを含むものが用いられる。これらの機能液を液滴吐出装置により基体上に選択配置する製造プロセスによれば、フォトリソグラフィ工程を経ることなく機能材料のパターン配置が可能であるため、液晶表示装置や有機ＥＬ装置、回路基板等を安価に製造することができる。
【０１０９】
以上、本発明の好ましい実施例を説明したが、本発明はこれら実施例に限定されることはない。本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、構成の付加、省略、置換、およびその他の変更が可能である。本発明は前述した説明によって限定されることはなく、添付のクレームの範囲によってのみ限定される。
【図面の簡単な説明】
【０１１０】
【図１】本発明の一実施形態に係る液滴吐出ヘッドの外観斜視図である。
【図２】液滴吐出ヘッドをノズル開口側から見た斜視図である。
【図３】図１のＡ−Ａ線断面矢視図である。
【図４】駆動ユニットの外観斜視図である。
【図５】液滴吐出ヘッドの製造方法を示すフローチャート図である。
【図６Ａ】駆動ユニットの製造方法を示す説明図である。
【図６Ｂ】駆動ユニットの製造方法を示す説明図である。
【図６Ｃ】駆動ユニットの製造方法を示す説明図である。
【図７】駆動ユニットの変形例を示す外観斜視図である。
【図８Ａ】図７の駆動ユニットの製造方法を示す説明図である。
【図８Ｂ】図７の駆動ユニットの製造方法を示す説明図である。
【図８Ｃ】図７の駆動ユニットの製造方法を示す説明図である。
【図９】液滴吐出装置の一例を示す斜視構成図である。
【符号の説明】
【０１１１】
１…液滴吐出ヘッド、１０…流路形成基板（基体）、１２…圧力発生室、２０…リザーバ形成基板（基体）、２１…リザーバ部、４１…平板部、４２…突起、４２ａ…頂面、４２ｂ，４２ｃ…傾斜面、４６…非導電性樹脂、５０…弾性膜、６０…下電極膜、７０…圧電体膜、８０…上電極膜（第２配線）、２００Ａ，２００Ｂ…駆動回路部（ドライバＩＣ、デバイス）、２００ａ…接続端子、３００…圧電素子（駆動素子）、３６０，３６０Ａ…駆動ユニット（ユニット）、３６１…ユニット基材、３６２…配線（第１配線）、３７０…樹脂層、３７１…金属膜、３６３…配線、３６５〜３６８…端子、３８０…線状パターン、７００…溝。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図７】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図８Ｃ】
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【図９】
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