(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶表示装置用アレイ基板の製造工程で利用されるフォトレジストパターンを形成するためのフォトマスクにおいて、第１透過率を有する透過領域と；
第２透過率を有する遮断領域と；
コーティング層を含み、第３透過率を有する第１半透過領域と；
相互に離隔する多数のバーを含み、第４透過率を有する第２半透過領域とを含み、前記第３及び第４透過率は、前記第１透過率より小さくて、前記第２透過率よりは大きく、前  記第３透過率は、前記第４透過率より大きく、
前記第１半透過領域の側部が前記第２半透過領域の側部に接触し、前記第３透過率は前記コーティング層の厚さ及び数のいずれかにより制御される
ことを特徴とするフォトマスク。
【請求項２】
前記第１透過率は、１００％であることを特徴とする請求項１に記載のフォトマスク。
【請求項３】
前記第２透過率は、０％であることを特徴とする請求項１に記載のフォトマスク。
【請求項４】
前記第３透過率は、５０％ないし６０％であることを特徴とする請求項１に記載のフォトマスク。
【請求項５】
前記第３透過率は、前記コーティング層の厚さまたはコーティング層の数によって決まることを特徴とする請求項１に記載のフォトマスク。
【請求項６】
前記第４透過率は、２０％ないし４０％であることを特徴とする請求項１に記載のフォトマスク。
【請求項７】
前記第４透過率は、前記多数のバーの幅または前記多数のバー間の距離によって決まることを特徴とする請求項１に記載のフォトマスク。
【請求項８】
第１パターンと第１パターンの上部の第２パターンが前記アレイ基板上に形成されて、前記第２パターン上に形成される物質層は、前記第１及び第２パターンによる第１段差と前記第２パターンによる第２段差とを有して、前記第１半透過領域は、前記第１段差に対応して、前記第２半透過領域は、前記第２段差に対応することを特徴とする請求項１に記載のフォトマスク。
【請求項９】
前記物質層の上部にフォトレジスト層が形成され、前記フォトマスクを利用して前記フォトレジスト層をパターニングして前記第１及び第２段差に各々対応して、実質的に同一な厚さを有する第１及び第２フォトレジストパターンが形成されることを特徴とする請求項８に記載のフォトマスク。
【請求項１０】
第１金属層を蒸着してパターニングし、基板上にゲート配線とゲート電極を形成する段階と；
前記ゲート配線及び前記ゲート電極の上部にゲート絶縁膜を形成する段階と；
純粋非晶質シリコン層、不純物非晶質シリコン層及び第２金属層を連続的に蒸着してパターニングし、前記ゲート電極に対応するアクティブ層、オーミックコンタクト層、ソース/ドレインパターン及びデータ配線を形成する段階と；
前記ソース/ドレインパターンの上部に、前記ソース/ドレインパターンを露出させるドレインコンタクトホールを含む保護層を形成する段階と；
前記保護層の上部に透明導電性金属層を形成する段階と；
前記透明導電性金属層の上部にフォトレジスト層を形成する段階と；
透過領域、遮断領域、第１及び第２半透過領域とを含むフォトマスクを前記フォトレジスト層の上部に位置させる段階と；
前記フォトレジスト層を現像して、前記ゲート電極に対応する前記透明導電性金属層を露出させる第１ないし第３フォトレジストパターンを形成する段階と；
前記第１ないし第３フォトレジストパターンによって露出された前記透明導電性金属層を除去する段階と；
前記第２及び第３フォトレジストパターンを除去する段階と；
前記第２及び第３フォトレジストパターンの除去によって露出された透明導電性金属層を除去する段階を含み、前記第１及び第２半透過領域は、前記透過領域より小さくて前記遮断領域よりは大きい透過率を有し、前記第１半透過領域の透過率は、前記第２半透過領域より大きくて、前記第２フォトレジストパターンは、前記第３フォトレジストパターンと実質的に同一な厚さを有して、前記第１フォトレジストパターンは、前記第２及び第３フォトレジストパターンに比べて厚く、前記基板から第２フォトレジストパターンの高さは、前記第１フォトレジストパターンより厚くて、前記第３フォトレジストパターンよりは大きく、
前記第１半透過領域はコーティング層を含み、前記第２半透過領域は複数のバーを含み、前記第１半透過領域の側部が前記第２半透過領域の側部に接触し、前記第３透過率は前記コーティング層の厚さ及び数のいずれかにより制御される
ことを特徴とする 液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
【請求項１１】
前記第１ないし第３フォトレジストパターンによって露出された前記透明導電性金属層の下部のソース/ドレインパターンを除去して、前記オーミックコンタクトパターンの上部に、相互に離隔するソース及びドレイン電極を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１０に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
【請求項１２】
前記第１フォトレジストパターンを除去する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１０に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フォトマスク及びこれを利用した液晶表示装置用アレイ基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近の液晶表示装置は、消費電力が低く、携帯に便利な技術集約的であって、付加価値の高い次世代先端ディスプレイ装置として脚光を浴びている。
このような液晶表示装置のうちでも、各画素別に電圧のオン、オフが調節できるスイッチング素子である薄膜トランジスタを備えたアクティブマトリックス型の液晶表示装置が解像度及び動画像の表示能力が優れているため、最も注目を浴びている。
【０００３】
一般に、液晶表示装置は、薄膜トランジスタ及び画素電極を形成するアレイ基板の製造工程とカラーフィルター及び共通電極を形成するカラーフィルター基板の製造工程によって各々アレイ基板及びカラーフィルター基板を形成して、前記両基板間に、液晶を介する液晶セル工程を行って完成される。
【０００４】
図１は、一般の液晶表示装置の分解斜視図である。
図１に示したように、液晶表示装置は、相互に向かい合って配置された第１基板１２及び第２基板２２と、両基板１２、２２間に配置された液晶層で構成される。
【０００５】
第１基板１２には、複数個のゲート配線１４とデータ配線１６が交差して多数の画素領域Ｐを定義しており、ゲート配線１４及びデータ配線１６の交差地点には、薄膜トランジスタＴｒを備えて各画素領域Ｐの画素電極１８に連結される。
【０００６】
第２基板２２は、ゲート配線１４とデータ配線１６、薄膜トランジスタＴｒ等の非表示領域を遮って各画素領域Ｐに対応する格子状のブラックマトリックス２５と、格子状内部で各画素領域Ｐに対応するように順に反復配列される赤色Ｒ、緑色Ｇ、青色Ｂのサブカラーフィルター２６ａ、２６ｂ、２６ｃを含むカラーフィルター層２６と、ブラックマトリックス２５と赤色、緑色、青色のカラーフィルター層２６の全面に形成される透明な共通電極２８とを含む。
【０００７】
また、図には示してないが、第１基板１２及び第２基板２２の端側に沿って液晶層３０の漏洩を防ぐためのシーラントが形成される。さらに、第１基板１２と液晶層３０間及び第２基板２２と液晶層３０間には、各々第１配向膜及び第２配向膜が形成されて、第１基板１２及び第２基板２２のうち、少なくとも一つの外部面には偏光板が形成される。
【０００８】
第１基板１２の背面には、バックライトアセンブリが形成され液晶層３０に光を供給する。液晶層３０は、画素電極１８と共通電極２８間に形成される電界によって光の透過率を異にし、これを利用して液晶表示装置は映像を表示する。
【０００９】
このような構成の液晶表示装置の製造において、特に、液晶表示装置用アレイ基板を製造する場合において、配線及び電極等をパターニングするためにマスク工程が行われる。
【００１０】
マスク工程は、フォトレジストの塗布、現像、エッチング及びストリップ等を含む多数の単位工程を行うべきであるために、製造時間が長引いて単位時間当の生産性が低下する問題がある。
【００１１】
このような問題を解決するために、通常に利用される５マスク工程の代わりに、使用されるマスクの数を減少した４マスク工程が提案され利用されている。
【００１２】
図２Ａ〜図２Ｃは、従来の４マスク工程によってアレイ基板を製造する場合において、最も特徴的な製造工程の段階を示しており、スイッチング素子である薄膜トランジスタを含む一つの画素領域の製造段階別の工程断面図である。
【００１３】
図２Ａに示したように、ゲート電極５５及びゲート配線(図示せず)が基板５０上のスイッチング領域ＴｒＡに形成されて、ゲート電極５５及びゲート配線(図示せず)上にゲート絶縁膜５７が形成される。ゲート絶縁膜５７上にアクティブ層６０ａと、その上に連結れた状態のオーミックコンタクト層６１及びソース/ドレインパターン６６を利用してスイッチング領域ＴｒＡに形成される。また、ゲート絶縁膜５７の上部にデータ配線６５が形成される。ゲート電極５５及びゲート配線(図示せず)は、第１マスク(図示せず)を利用して形成されて、アクティブ層６０ａ、オーミックコンタクト層６１、ソース/ドレインパターン６６及びデータ配線６５は、第２マスク(図示せず)を利用して形成される。
【００１４】
ソース/ドレインパターン６６及びデータ配線６５の上部にドレインコンタクトホール７６を含む保護層７５を第３マスク(図示せず)を利用して形成し、その上部に透明導電性物質層７８を形成する。ドレインコンタクトホール７６は、ソース/ドレインパターン６６の一部を露出させて、透明導電性物質層７８は、ドレインコンタクトホール７６を通じてソース/ドレインパターン６６と接触する。
【００１５】
以後、透明導電性物質層７８上にフォトレジストを塗布して、塗布の特性上、その表面が平坦化する、すなわち、基板５０から第１高さｈ１を有するフォトレジスト層を８５形成する。
【００１６】
フォトレジスト層８５上に、光の透過領域ＴＡと遮断領域ＢＡと半透過領域ＨＴＡを有する第４マスク９１を位置させて、これを通じて露光を行う。半透過領域ＨＴＡの透過率は、透過領域ＴＡの透過率より大きくて、遮断領域ＢＡの透過率より小さい。 ここで、透過領域ＴＡの透過率は１００％であって、遮断領域ＢＡの透過率は０％であると仮定する。
【００１７】
図２Ｂに示したように、半透過領域ＨＴＡを有する第４マスク９１を利用して露光したフォトレジスト層(図２Ａの８５)を現像することによって、透明導電性物質層７８上に第１フォトレジストパターン８５ａ及び第２フォトレジストパターン８５ｂを形成する。第１フォトレジストパターン８５ａは、遮断領域ＢＡに対応した領域に形成されて、全然除去されずに基板５０からフォトレジスト層８５のように第１高さｈ１を有する。また、第２フォトレジストパターン８５ｂは、半透過領域ＨＴＡに対応した領域に形成されて、基板５０から第２高さｈ２を有する。第２高さｈ２は、第１高さｈ１より小さい。透過領域ＴＡに対応するフォトレジスト層８５は完全に除去される。従って、透過領域ＴＡに対応する領域、すなわち、ゲート電極５５に対応する領域の透明導電性物質層７８は、第１フォトレジストパターン８５ａ及び第２フォトレジストパターン８５ｂ間に露出される。
【００１８】
この時、第２高さｈ２を有する第２フォトレジストパターン８５ｂを見ると、保護層７５からの高さ、すなわち、第２フォトレジストパターン８５ｂの厚さは、保護層７５が段差を有して形成されることによって、部分的に相互に異なる厚さｔ１、ｔ２、ｔ３、すなわち、ゲート電極５５の上部のソース/ドレインパターン６６上に形成された部分(Ａ１領域)に対しては各々第１厚さｔ１を、データ配線６５とアクティブ層６０ａ上のソース/ドレインパターン６６が形成された部分(Ａ２領域)に対しては第２厚さｔ２を有して、基板５０上に配線及び電極が形成されない部分(Ａ３領域)に対しては第３厚さｔ３を有して形成される。ここで、Ａ１、Ａ２領域及びＡ３領域でその厚さｔ１、ｔ２、ｔ３に差があるのは、ソース/ドレインパターン６６とデータ配線６５の段差のせいであって、さらに、Ａ１領域とＡ２領域でその厚さｔ１、ｔ２の差があるのは、ソース/ドレインパターン６６の下部には、ゲート電極５５が形成され、これによる段差を形成するからである。
【００１９】
従って、図２Ｃに示したように、スイッチング領域ＴｒＡにおいて、第１フォトレジストパターン８５ａ、第２フォトレジストパターン８５ｂの外部に露出された透明導電性物質層７８とソース/ドレインパターン(図２Ｂの６６)に連結されたオーミックコンタクト層(図２Ｂの６１)を順にエッチングして、相互に離隔するオーミックコンタクト層６０ｂと、ソース電極６７及びドレイン電極６９を形成した後、基板５０上の第２フォトレジストパターン(図２Ｂの８５ｂ)の除去のためにアッシングを行う場合、第２フォトレジストパターン(図２Ｂの８５ｂ)が各部分(Ａ１、Ａ２、Ａ３領域)別に、その厚さ(図２Ｂのｔ１、ｔ２、ｔ３)を異にするために、最も厚い部分(Ａ３領域)、すなわち、保護層７５の下部に配線及び電極が形成されない部分(Ａ３領域)の第３厚さ(図２Ｂのｔ３)を有する第２フォトレジストパターン(図２Ｂの８５ｂ)が完全に除去されるようにアッシングを行う。
【００２０】
この場合、データ配線６５またはソース電極６７及びドレイン電極６９が形成され基板５０の表面から高く形成された透明導電性物質層７８は、第１、２厚さ(図２Ｂのｔ１、ｔ２)の第２フォトレジストパターン(図２Ｂの８５ｂ)が除去された状態で、第３厚さ(図２Ｂのｔ３)の第２フォトレジストパターン(図２Ｂの８５ｂ)が完全に除去されるまでアッシング工程に露出され、従って、段差の厚さ、すなわち、第２厚さと第１厚さの差(図２Ｂのｔ２-ｔ１)または第３厚さと第２厚さの差(図２Ｂのｔ３-ｔ２)程の厚さに対応するフォトレジストパターンをアッシングする時間がさらに必要とされて、これは、液晶表示装置用アレイ基板の製造工程時間が増加する要因となり、延いては液晶表示装置の生産性が低下する問題が発生する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２１】
本発明は、前述したような問題を解決するために、半透過領域内に光の透過量を部分的に異にする第１及び第２半透過領域を含むことを特徴とするフォトマスクを利用して液晶表示装置用アレイ基板を製造することによって、配線及び電極による段差部と画素領域の中央部のフォトレジストパターンの厚さを一定にする。これによって、アッシングの進行時に第１及び第２半透過領域に対応するフォトレジストパターンが同時に除去されるようにして、アッシングの時間を減少させ工程時間を短縮することをその目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
本発明は、前述したような目的を達成するために、液晶表示装置用アレイ基板の製造工程で利用されるフォトレジストパターンを形成するためのフォトマスクにおいて、第１透過率を有する透過領域と；第２透過率を有する遮断領域と；コーティング層を含み、第３透過率を有する第１半透過領域と；相互に離隔する多数のバー(bar)を含み、第４透過率を有する第２半透過領域とを含み、前記第３及び第４透過率は、前記第１透過率より小さくて、前記第２透過率よりは大きく、前記第３透過率は、前記第４透過率より大きいことを特徴とするフォトマスクを提供する。
【００２３】
前記第１透過率は、１００％であって、前記第２透過率は、０％であり、前記第３透過率は、５０％ないし６０％である。
【００２４】
前記第３透過率は、前記コーティング層の厚さまたはコーティング層の数によって決まる。
【００２５】
前記第４透過率は、２０％ないし４０％であって、また、前記第４透過率は、前記多数のバーの幅または前記多数のバー間の距離によって決まる。
【００２６】
第１パターンと第１パターンの上部の第２パターンが前記アレイ基板上に形成されて、前記第２パターン上に形成される物質層は、前記第１及び第２パターンによる第１段差と前記第２パターンによる第２段差とを有して、前記第１半透過領域は、前記第１段差に対応して、前記第２半透過領域は、前記第２段差に対応する。
【００２７】
前記物質層の上部にフォトレジスト層が形成され、前記フォトマスクを利用して前記フォトレジスト層をパターニングして前記第１及び第２段差に各々対応して、実質的に同一な厚さを有する第１及び第２フォトレジストパターンが形成される。
【００２８】
また、本発明は、第１金属層を蒸着してパターニングし、基板上にゲート配線とゲート電極を形成する段階と；前記ゲート配線及び前記ゲート電極の上部にゲート絶縁膜を形成する段階と；純粋非晶質シリコン層、不純物非晶質シリコン層及び第２金属層を連続的に蒸着してパターニングし、前記ゲート電極に対応するアクティブ層、オーミックコンタクト層、ソース/ドレインパターン及びデータ配線を形成する段階と；前記ソース/ドレインパターンの上部に、前記ソース/ドレインパターンを露出させるドレインコンタクトホールを含む保護層を形成する段階と；前記保護層の上部に透明導電性金属層を形成する段階と；前記透明導電性金属層の上部にフォトレジスト層を形成する段階と；透過領域、遮断領域、第１及び第２半透過領域とを含むフォトマスクを前記フォトレジスト層の上部に位置させる段階と；前記フォトレジスト層を現像して、前記ゲート電極に対応する前記透明導電性金属層を露出させる第１ないし第３フォトレジストパターンを形成する段階と；前記第１ないし第３フォトレジストパターンによって露出された前記透明導電性金属層を除去する段階と；前記第２及び第３フォトレジストパターンを除去する段階と；前記第２及び第３フォトレジストパターンの除去によって露出された透明導電性金属層を除去する段階を含み、前記第１及び第２半透過領域は、前記透過領域より小さくて前記遮断領域よりは大きい透過率を有し、前記第１半透過領域の透過率は、前記第２半透過領域より大きくて、前記第２フォトレジストパターンは、前記第３フォトレジストパターンと実質的に同一な厚さを有して、前記第１フォトレジストパターンは、前記第２及び第３フォトレジストパターンに比べて厚く、前記基板から第２フォトレジストパターンの高さは、前記第１フォトレジストパターンより厚くて、前記第３フォトレジストパターンよりは大きいことを特徴とする液晶表示装置用アレイ基板の製造方法を提供する。
【００２９】
前記第１ないし第３フォトレジストパターンによって露出された前記透明導電性金属層の下部のソース/ドレインパターンを除去して、前記オーミックコンタクトパターンの上部に、相互に離隔するソース及びドレイン電極を形成する段階を含む。また、前記第１フォトレジストパターンを除去する段階をさらに含む。
【００３０】
以下、本発明による望ましい実施例を図を参照して説明する。
【発明の効果】
【００３１】
本発明は、遮断領域と透過領域以外に光の透過量を異にする第１、第２半透過領域を備えるフォトマスクを利用した４マスク工程による液晶表示装置用アレイ基板製造において、前記第１、第２半透過領域に対応して下部の段差によってその厚さを異にするフォトレジストパターンを形成して、前記フォトレジストパターンの外部に露出された物質層をパターニングした後、アッシングを行って前記フォトレジストパターンを除去する場合において、前記アッシングの時間を短縮して生産性を向上させる。
【実施例】
【００３２】
液晶表示装置用アレイ基板の製造に利用する本発明によるフォトマスクの構造を説明する。
【００３３】
図３は、本発明によるフォトマスクの断面図である。 
図３に示したように、本発明によるフォトマスク１９１は、４領域に区分されることを特徴とする。すなわち、フォトマスク１９１は、光を１００％透過する透過領域ＴＡと、光を１００％遮断する遮断領域ＢＡ、その光の透過度を異にする第１半透過領域ＨＴＡ１及び第２半透過領域ＨＴＡ２で構成される。
【００３４】
この時、第１半透過領域ＨＴＡ１は、光を５０％ないし６０％程度の範囲で透過させるハーフトーン領域で構成されており、第２半透過領域ＨＴＡ２は、光を２０％ないし４０％程度の範囲で透過させる多重スリット領域で構成されている。
【００３５】
ハーフトーン領域は、マスク１９１の上面または底面に多重コーティング処理をすることによってコーティングされたコーティング層１９３を光が通過して所定の光を吸収して、最終的に通過された光の量を除去し、いくつかのコーティング層１９３を形成するかによって光の透過量が調節されることを特徴とする。
【００３６】
また、多数のスリットで構成された多重スリット領域は、所定の幅を有して、光を１００％遮断する材質で構成された多数のバー１９５が一定間隔離隔して多数のバー間に光が通過する多数のスリット１９４を形成しており、バー１９５の幅とバー１９５間の離隔間隔、すなわち、スリット１９４の幅を調節することによって狭い間隔のスリット１９４を通過する光が回折され、バーに対応する領域にも光が照射されるようにして、最終的にはフォトレジスト層に到達する光の量を調節する。
【００３７】
ハーフトーン領域のみを有してコーティング層の厚さを異にすることによって第１、第２半透過領域を形成することもできるが、この場合、コーティング層の厚さの調節が難しくて、１回コーティングした部分と、２回コーティングした部分の透過量は、その透過量の間隔が比較的大きくなって、望む透過量を容易に得難い。
【００３８】
さらに、スリット領域だけでスリット幅とバーの幅を調節することによって光の透過量を異にする第１、第２半透過領域を形成することもできるが、スリット領域の場合、比較的小さな面積(すなわち、コンタクトホールや、またはチャンネル領域程度の大きさ)に対しては誤差がほとんどないまま、一定な厚さのフォトレジストパターンが形成されるが、画素領域(１００μｍＸ２００μｍ)程度の大きさに対応してスリット構造の半透過領域を形成する場合、各画素領域に対応する部分間のフォトレジストパターンの厚さの誤差が大きいので、実際の工程に適用し辛くて、また、隣接して各々スリット幅とバーの幅を異にする第１、第２半透過領域の形成時、その境界でのスリット間の干渉によって厚さの調節が難しい。
【００３９】
従って、本発明によるフォトマスク１９１においては、遮断領域ＢＡと透過領域ＴＡを除いた半透過領域ＨＴＡ１、ＨＴＡ２を相互に異なる透過量を有するハーフトーン領域の第１半透過領域ＨＴＡ１と多重スリット領域の第２半透過領域ＨＴＡ２とに構成する。
【００４０】
以後、本発明によるフォトマスクを利用して４マスク製造工程による液晶表示装置用アレイ基板の製造方法を説明する。
【００４１】
図４Ａないし図４Ｇは、本発明によるフォトマスクを利用して液晶表示装置用アレイ基板の各段階別の製造工程を示しており、スイッチング素子である薄膜トランジスタを含む一つの画素領域の製造工程別の断面図である。
【００４２】
図４Ａに示したように、絶縁基板１１０上に第１金属物質を蒸着して第１金属層を形成した後、第１金属層上にフォトレジストを塗布することによって第１フォトレジスト層を形成、透過領域と反射領域を有する第１マスクを利用した第１フォトレジスト層の露光、露光された第１フォトレジスト層の現像による第１フォトレジストパターン形成と第１フォトレジストパターンの外部に露出された第１金属層のエッチング及びフォトレジストパターンのストリップ等の工程とを含む第１マスク工程によってゲート配線(図示せず)とゲート配線から分岐した形態で画素領域Ｐ内のスイッチング領域ＴｒＡにゲート電極１１５を形成する。(第１マスク工程)
【００４３】
図４Ｂに示したように、ゲート配線(図示せず)とゲート電極１１５が形成された基板１１０全面に無機絶縁物質、例えば、酸化シリコンＳｉＯ２または窒化シリコンＳｉＮｘを蒸着することによってゲート絶縁膜１２４を形成し、ゲート絶縁膜１２４上に純粋非晶質シリコンと不純物非晶質シリコンを順に蒸着することによって純粋非晶質シリコン層(図示せず)と不純物非晶質シリコン層(図示せず)を形成し、不純物非晶質シリコン層(図示せず)上に第２金属物質を蒸着することによって第２金属物質層(図示せず)を形成する。
【００４４】
第２金属物質層上にフォトレジストを塗布して第２フォトレジスト層(図示せず)を形成し、これを透過領域と遮断領域を有する第２マスクを利用した露光及び露光された第２フォトレジスト層(図示せず)の現像によってデータ配線が形成されるべき領域及びスイッチング領域ＴｒＡに対応して第２フォトレジストパターン１８１を形成する。
【００４５】
以後、第２フォトレジストパターン１８１の外部に露出された第２金属物質層(図示せず)と、その下部の不純物非晶質シリコン層(図示せず)及び純粋非晶質シリコン層(図示せず)を順にエッチングして除去することによって、ゲート配線(図示せず)と交差して画素領域Ｐを定義するデータ配線１３４を形成すると同時に、スイッチング領域ＴｒＡには、最上部に連結された状態のソース/ドレインパターン１３９と、その下部に不純物非晶質シリコンに連結された状態のオーミックコンタクト層１３０と、その下部にアクティブ層１２７を形成する。
【００４６】
この時、工程の特性上、データ配線１３４の下部にもオーミックコンタクト層１３０とアクティブ層１２７と各々同一な物質で不純物非晶質パターン１３１と、その下部に純粋非晶質シリコンパターン１２８が形成される。
【００４７】
図４Ｃに示したように、データ配線１３４及びソース/ドレインパターン１３９の上部に残っている第２フォトレジストパターン(図４Ｂの１８１)をストリップ工程によって除去した後、データ配線１３４及びソース/ドレインパターン１３９上に、全面に無機絶縁物質を蒸着したりまたは有機絶縁物質をコーティングしたりして保護層１４５を形成する。
【００４８】
以後、保護層１４５上に第３フォトレジスト層(図示せず)を形成して、これを透過領域と遮断領域を有する第３マスク(図示せず)によって露光を行い、露光された第３フォトレジスト層(図示せず)を現像することによってソース/ドレインパターン１３９の一部、より正確には、追後にドレイン電極になる部分の一部だけに保護層１４５を露出させる形態の第３フォトレジストパターン１８３を形成して、第３フォトレジストパターン１８３をエッチングマスクとして第３フォトレジストパターン１８３の外部に露出された保護層１４５をエッチングして除去することによって保護層１４５内にソース/ドレインパターン１３９の一部を露出させるドレインコンタクトホール１４９を形成する。
【００４９】
図４Ｄに示したように、保護層１４５の上部に残っている第３フォトレジストパターン(図４Ｃの１８３)をストリップ工程によって除去した後、保護層１４５上に、全面に透明導電性物質、例えば、インジウム−スズ−オキサイドＩＴＯまたはインジウム−ジンク−オキサイドＩＺＯを蒸着して、ドレインコンタクトホール１４９を通じてソース/ドレインパターン１３９と接触する透明導電性物質層１５８を形成し、透明導電性物質層１５８上に新しいフォトレジストを塗布して第４フォトレジスト層１８５を形成する。
【００５０】
以後、第４フォトレジスト層１８５上に、本発明による遮断領域ＢＡと透過領域ＴＡ、その透過率を異にする第１半透過領域ＨＴＡ１、第２半透過領域ＨＴＡ２を有する第４マスク１９１を位置させて、第４マスク１９１によって露光を行う。
【００５１】
この時、光を受けた部分が現像時に残る特性のネガティブタイプのフォトレジストを使ったものを例として示している。しかし、これとは反対の特性、すなわち、光を受けた部分が現像時に除去されるポジティブタイプのフォトレジストの場合も第１半透過領域ＨＴＡ１と第２半透過領域ＨＴＡ２を、透過領域ＴＡと遮断領域ＢＡの位置を相互に逆にした状態のマスクを利用する場合、以後、形成する厚さを相互に異にする第４、第５及び第６フォトレジストパターンを形成することができる。 
【００５２】
このようにポジティブタイプ特性を有する第４フォトレジスト層１８５上に透過領域ＴＡと遮断領域ＢＡ、通過する光の量を５０％ないし６０％に調節されたハーフトーン構造の第１半透過領域ＨＴＡ１と多重のスリット構造であって、通過する光の量を２０％ないし４０％に調節された第２半透過領域ＨＴＡ２を有する第４マスク１９１を位置させた後、第４マスク１９１によって露光を行う。
【００５３】
この時、第４フォトレジスト層１８５上にゲート電極１１５に対応しては遮断領域ＢＡが、ドレインコンタクトホール１４９を含みながら画素電極が形成される領域には、透過領域ＴＡが対応ずるようにマスクを位置させる。
【００５４】
データ配線１３４に対応して、その上部に基板１１０の表面から同一な高さで形成される部分(Ｅ領域)及びゲート電極１５５によってその上部に形成されたソース/ドレインパターン１３９において、ゲート電極１１５に対応する領域の両側の所定幅に対応しては、ハーフトーン構造の第１半透過領域ＨＴＡ１が対応するように位置させる。
【００５５】
また、データ配線１３４に対応して位置した第１半透過領域ＨＴＡ１の両側に所定幅を有する領域、すなわち、データ配線１３４の厚さによってその上部に形成された透明導電性物質層１５８の段差が始まる部分から各画素領域Ｐのデータ配線１３４と離隔する画素電極の端部までの領域(Ｆ領域)と、ソース/ドレインパターン１３９の上部に位置した第１半透過領域ＨＴＡ１のうち、追後にソース電極を構成する部分に対応する第１半透過領域ＨＴＡ１の外側に、ソース/ドレインパターン１３９によって発生した段差が始まる部分から画素電極の端部が形成された部分までの領域(Ｃ領域)に対応しては、各々第２半透過領域ＨＴＡ２が対応するように第４マスク１９１を位置させた後、露光を行う。  
【００５６】
図４Ｅに示したように、露光された第４フォトレジスト層１８５を現像すると、第４マスク１９１の遮断領域ＢＡに対応する領域、すなわち、ゲート電極１１５に対応しては、第４フォトレジスト層(図４Ｄの１８５)が除去され透明導電性物質層１５８を露出させて、画素電極が形成される領域には、第４マスク１９１の透過領域ＴＡに対応する部分は、基板１１０の表面から第１高さｈ１１を有する第４フォトレジストパターン１８５ａ、第１半透過領域ＨＴＡ１に対応する部分は、基板１１０の表面から第２高さｈ１２を有する第５フォトレジストパターン１８５ｂb)、第４マスク１９１の第２半透過領域ＨＴＡ２に対応する部分は、基板１１０の表面から第３高さｈ１３を有する第６フォトレジストパターン１８５ｃが形成される。
【００５７】
この場合、第５フォトレジストパターン１８５ｂ及び第６フォトレジストパターン１８５ｃは、仮に基板１１０の表面からの高さｈ１２、ｈ１３は異なるとしても、透明導電性物質層１５８の表面からの高さ、すなわち、各々の厚さｔ１１、ｔ１２、ｔ１３は、ほとんど類似に形成される。
【００５８】
従って、第５フォトレジストパターン１８５ｂ及び第６フォトレジストパターン１８５ｃは、アッシングを行うとほとんど同じ時間に下部の透明導電性物質層１５８を露出させながら除去する。
【００５９】
従来のように透過領域と遮断領域、半透過領域のみを有するマスクを利用して露光して現像した場合、第５フォトレジストパターン、第６フォトレジストパターンは、基板面から同一な高さで、すなわち、第５フォトレジストパターンの基板の表面からの高さに合わせて形成されて、この時、アッシングを行うと、第５フォトレジストパターン、第６フォトレジストパターンのうち、最も厚い厚さを有するＣ領域またはＦ領域に形成された厚さｔ２、ｔ３が完全に除去される時間の間にアッシングを行う。
【００６０】
一方、本発明は、実質的には同じ第１半透過領域ＨＴＡ１に対応して形成されたとしても、下部のゲート電極１１５による段差によってソース/ドレインパターン１３９と対応する領域のうち、その中央部、すなわち、Ｄ領域に形成された第５フォトレジストパターン１８５ｂの第１厚さｔ１１がデータ配線１３４の上部に対応するＥ領域に形成された第５フォトレジストパターン１８５ｂの第２厚さｔ１３よりゲート電極１１５の厚さ程さらに厚く形成されるが、Ｃ領域及びＦ領域の第６フォトレジストパターン１８５ｃの第２厚さｔ１２と、Ｅ領域の第５フォトレジストパターン１８５ｂの第３厚さｔ１３はほとんど類似している。
【００６１】
従って、最も厚い厚さを有するＣ領域及びＦ領域の第６フォトレジストパターン１８５ｃが除去される時間の間にアッシングを行えば良いので、実在は、従来のアッシングする時間に比べて、Ｄ領域に形成された第５フォトレジストパターン１８５ｂの基板１１０の表面からの高さｈ１２からＣ領域に形成された第６フォトレジストパターン１８５ｃの基板１１０の表面からの高さｈ１３を引いた値程度の厚さを有するフォトレジストパターンをアッシングする時間ほどが減少するようになる。
【００６２】
前述したような第４フォトレジストパターン１８５ａ、第５フォトレジストパターン１８５ｂ、第６フォトレジストパターン１８５ｃの外部に露出された透明導電性物質層１５８と、その下部の保護層１４５とソース/ドレインパターン(図４Ｄの１３９)及び連結されたオーミックコンタクト層(図４Ｄの１３０)を順にエッチングして除去ことによってスイッチング領域ＴｒＡに相互に離隔するオーミックコンタクト層１３１と、その上部に相互に離隔するソース電極１３６及びドレイン電極１３８を形成する。
【００６３】
従って、各画素領域Ｐ内のスイッチング領域ＴｒＡには、ゲート電極１１５、ゲート絶縁膜１２４、アクティブ層１２７、オーミックコンタクト層１３１、ソース電極１３６及びドレイン電極１３８とで構成する薄膜トランジスタＴｒが完成される。
【００６４】
図４Ｆに示したように、ソース電極１３６及びドレイン電極１３８が形成された基板１１０に、アッシングを行うことによって第５及び第６フォトレジストパターン(図４Ｅの１８５ｂ、１８５ｃ)を除去する。この時、第４フォトレジストパターン１８５ａもアッシング工程によってその厚さが減少するが、その厚さが第５及び第６フォトレジストパターン(図４Ｅの１８５ｂ、１８５ｃ)の厚さよりさらに厚く形成されたために、透明導電性物質層１５８の上部に残ったままになる。
【００６５】
また、第５、第６フォトレジストパターン(図４Ｅの１８５ｂ、１８５ｃ)をアッシングする時間が従来に比べて減少することは、前述してため、省略する。  
【００６６】
図４Ｇに示したように、第５、第６フォトレジストパターン(図４Ｅの１８５ｂ、１８５ｃがアッシング工程によって除去され、露出された透明導電性物質層(図４Ｆの１５８)を除去することによって、保護層１４５の上部に各画素領域Ｐ別にドレインコンタクトホール１４９を通じてスイッチング領域ＴｒＡに形成された薄膜トランジスタＴｒのドレイン電極と接触する画素電極１６１を形成する。
【００６７】
以後、図４Ｈに示したように、画素電極１６１の上部に残る第４フォトレジストパターン(図４Ｇの１８５ａ)をストリップ工程によって除去し、本発明の製造方法による液晶表示装置用アレイ基板１１０を完成する。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】一般の液晶表示装置の分解斜視図である。
【図２Ａ】従来の４マスク工程によってアレイ基板を製造するにおいて、最も特徴的な製造工程の段階を示した工程断面図である。
【図２Ｂ】図２Ａに続く製造工程を示す断面図である。
【図２Ｃ】図２Ｂに続く製造工程を示す断面図である。
【図３】本発明によるフォトマスクの断面図である。
【図４Ａ】本発明によるフォトマスクを利用して液晶表示装置用アレイ基板の各段階別の製造工程を示しており、スイッチング素子である薄膜トランジスタを含む一つの画素領域の製造工程別の断面図である。
【図４Ｂ】図４Ａに続く製造工程を示す断面図である。
【図４Ｃ】図４Ｂに続く製造工程を示す断面図である。
【図４Ｄ】図４Ｃに続く製造工程を示す断面図である。
【図４Ｅ】図４Ｄに続く製造工程を示す断面図である。
【図４Ｆ】図４Ｅに続く製造工程を示す断面図である。
【図４Ｇ】図４Ｆに続く製造工程を示す断面図である。
【図４Ｈ】図４Ｇに続く製造工程を示す断面図である。
【符号の説明】
【００６９】
１１０：基板                  
１１５：ゲート電極
１２４：ゲート絶縁膜           
１２７：アクティブ層
１２８：純粋非晶質シリコンパターン
１３０ａ：オーミックコンタクト層               
１３１：不純物非晶質シリコンパターン
１３２：半導体層                  
１３４：データ配線
１３６：ソース電極
１３８：ドレイン電極 
１４５：保護層
１４９：ドレインコンタクトホール
１５８：透明導電性物質層                   
１８５ａ：第４フォトレジストパターン
１８５ｂ：第５フォトレジストパターン
１８５ｃ：第６フォトレジストパターン
ｈ１１：第１フォトレジストパターンの高さ
ｈ１２：第２フォトレジストパターンの高さ
ｈ１３：第３フォトレジストパターンの高さ
Ｐ：画素領域                    
ｔ１１：第１フォトレジストパターンの厚さ
ｔ１２：第２フォトレジストパターンの厚さ
ｔ１３：第３フォトレジストパターンの厚さ
ｔ１４：第４フォトレジストパターンの厚さ
Ｔｒ：薄膜トランジスタ
ＴｒＡ：スイッチング領域
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
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【図４Ｅ】
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【図４Ｆ】
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【図４Ｇ】
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【図４Ｈ】
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