(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＰＦＣ，ＨＦＣ，ＳＦ6，ＮＦ3の少なくともいずれかを含むフッ素化合物を触媒を用いて分解する方法であって、
水蒸気及び不活性ガスの存在下で、同一のヒータで、フッ素化合物分解触媒と、ＳＯ2Ｆ2を分解する前記フッ素化合物分解触媒と異なる触媒とを加熱し、これら触媒の反応温度を同じ温度範囲にして、前記フッ素化合物を前記フッ素化合物分解触媒と接触させて分解し、分解によって生成したガスに酸素或いは酸素含有ガスを添加して、前記ＳＯ2Ｆ2を分解する触媒と接触させて分解し、
前記ＳＯ2Ｆ2を分解する触媒と接触させることで生成したガスを水あるいはアルカリ水溶液に接触させて少なくともフッ化水素を除去することを特徴とするフッ素化合物の分解処理方法。
【請求項２】
請求の範囲第１項に記載のフッ素化合物の分解処理方法において、前記ＳＯ2Ｆ2を分解する触媒が、Ｐｄ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｒｈ，Ｉｒ及びＡｕから選ばれた少なくとも１種を金属或いは酸化物の形態で含むものからなることを特徴とするフッ素化合物の分解処理方法。
【請求項３】
請求の範囲第２項に記載のフッ素化合物の分解処理方法において、前記ＳＯ2Ｆ2を分解する触媒が、更にＬａとＢａから選ばれた少なくとも１種よりなる酸化物を含むことを特徴とするフッ素化合物の分解処理方法。
【請求項４】
請求の範囲第１項に記載のフッ素化合物の分解処理方法において、前記ＳＯ2Ｆ2を分解する触媒が、アルミナにＰｄとＬａを担持した触媒，アルミナにＰｔとＬａを担持した触媒，アルミナにＲｈとＬａを担持した触媒，アルミナにＡｕとＬａを担持した触媒，アルミナにＩｒとＬａを担持した触媒，アルミナにＰｄを担持した触媒，アルミナにＰｔを担持した触媒，アルミナにＣｕを担持した触媒，アルミナにＭｎを担持した触媒，チタニアにＰｄとＷを担持した触媒或いはアルミナにＣｏを担持した触媒から選ばれることを特徴とするフッ素化合物の分解処理方法。
【請求項５】
請求の範囲第１項に記載のフッ素化合物の分解処理方法において、前記フッ素化合物分解触媒がアルミニウムとニッケルを酸化物の形で含み、両者の割合が、原子比でアルミナが５０〜９９mol％，酸化ニッケルが５０〜１mol％よりなることを特徴とするフッ素化合物の分解処理方法。
【請求項６】
請求の範囲第１項に記載のフッ素化合物の分解処理方法において、前記フッ素化合物分解触媒及び前記ＳＯ2Ｆ2を分解する触媒における反応温度をいずれも６５０〜８５０℃とすることを特徴とするフッ素化合物の分解処理方法。
【請求項７】
ＰＦＣ，ＨＦＣ，ＳＦ6，ＮＦ3の少なくともいずれかを含むフッ素化合物を触媒を用いて分解処理するための装置であって、
フッ素化合物を分解するフッ素化合物分解触媒を上流に配置し、フッ素化合物の分解によって発生したＳＯ2Ｆ2を分解する前記フッ素化合物分解触媒と異なる触媒を下流に配置した反応器と、
該反応器内に配置された前記フッ素化合物分解触媒と、前記ＳＯ2Ｆ2を分解する触媒とを加熱し、これら触媒の反応温度を同じ温度範囲にするヒータと、
該反応器に供給されるフッ素化合物に対して水分を添加する水分供給装置と、
該反応器に供給されるフッ素化合物に対して希釈ガスとして不活性ガスを添加する不活性ガス供給装置と、
該フッ素化合物の分解によって生成したＳＯ2Ｆ2を含むガスに対して酸素又は酸素含有ガスを添加する酸素供給装置と、
前記反応器から排出されるガスを水或いはアルカリ水溶液と接触させてガス中に含まれる少なくともフッ化水素を吸収除去するガス洗浄槽と
を備えたことを特徴とするフッ素化合物の分解処理装置。
【請求項８】
請求の範囲第７項に記載のフッ素化合物の分解処理装置において、前記ＳＯ2Ｆ2を分解する触媒が、Ｐｄ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｒｈ，Ｉｒ及びＡｕから選ばれた少なくとも１つを金属或いは酸化物の形態で含むものからなることを特徴とするフッ素化合物の分解処理装置。
【請求項９】
請求の範囲第７項に記載のフッ素化合物の分解処理装置において、前記ＳＯ2Ｆ2を分解する触媒が、アルミナにＰｄとＬａを担持した触媒，アルミナにＰｔとＬａを担持した触媒，アルミナにＲｈとＬａを担持した触媒，アルミナにＡｕとＬａを担持した触媒，アルミナにＩｒとＬａを担持した触媒，アルミナにＰｄを担持した触媒，アルミナにＰｔを担持した触媒，アルミナにＣｕを担持した触媒，アルミナにＭｎを担持した触媒，チタニアにＰｄとＷを担持した触媒或いはアルミナにＣｏを担持した触媒から選ばれることを特徴とするフッ素化合物の分解処理装置。
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、ＰＦＣ（ｐｅｒｆｌｕｏｒｏｃａｒｂｏｎ）、ＨＦＣ（ｈｙｄｒｏｆｌｕｏｒｏｃａｒｂｏｎ）、ＳＦ６或いはＮＦ３などのフッ素化合物を分解処理するための方法及び装置に関する。本発明は、触媒を用いてフッ素化合物を分解、特に加水分解したときに、一酸化炭素（ＣＯ），Ｎ２Ｏ或いはＳＯ２Ｆ２（フッ化スルフリル）などのガス状物質の発生を伴う該フッ素化合物を、分解処理するための方法及び装置に関する。
フッ素化合物を触媒を用いて分解したときに、一酸化炭素（ＣＯ），Ｎ２Ｏ或いはＳＯ２Ｆ２などのガス状物質の発生を伴う該フッ素化合物としては、たとえばＰＦＣ，ＨＦＣ，ＳＦ６或いはＮＦ３がある。これらのフッ素化合物は、半導体エッチングガス或いは半導体クリーニングガスなどとして使用されている。また、ＳＦ６ガスは回路遮断機の絶縁媒体としても使用されている。本発明によるフッ素化合物の分解処理方法及び分解処理装置は、これらの分野において使用済みになったフッ素化合物を分解処理するための方法及び装置として好適である。背景技術
ＰＦＣ或いはＨＦＣなどのフッ素化合物を分解する方法の１つに、フッ素化合物を加水分解する方法がある。この方法は、ガス状フッ素化合物に水を添加して両者を反応させ、フッ素化合物中のフッ素を弗化水素（ＨＦ）に転化して、水或いはアルカリ水溶液に吸収され易くするものである。
特開平１０−１９２６５３号公報には、フッ素化合物の一種であるＣ２Ｆ６ガス或いはＮＦ３ガスに水蒸気を添加し、アルミナ，チタニア，シリカ，ジルコニアから選ばれた少なくとも１種を含む触媒と、４００〜８００℃の温度で接触させてフッ素化合物を加水分解することが記載されている。該公報には、加水分解を行う際に酸素などの酸化ガスを含有させることによって、加水分解に伴って発生する一酸化炭素（ＣＯ）の酸化反応を同時に起こさせることができると記載されている。また、加水分解によって生成したガス中から弗化水素を除去した後、残りのガスをＣＯ酸化触媒と接触させてＣＯをＣＯ２に酸化してもよいと記載されている。
塩素，フッ素，臭素などのハロゲンを含む有機ハロゲン化物については、加水分解と酸化分解とを同時に行うことも知られており、特開平４−１２２４１９号公報及び特開平５−２２０３４６号公報に記載されている。これらの公報には、塩素化合物であるフロンやＰＣＢの分解方法について具体的に記載されている。
ＰＦＣやＨＦＣなどの有機フッ素化合物を加水分解した場合には、弗化水素とともにＣＯガスが発生する。したがって、有機フッ素化合物の加水分解においては、ＣＯガスの処理が必要になる。前記特開平１０−１９２６５３号公報には、フッ素化合物の加水分解時に酸化ガスを含有してＣＯをＣＯ２に酸化すること、或いは加水分解によって生成したガスから弗化水素を除去した後に触媒を用いてＣＯを酸化することが記載されている。しかし、本発明者の検討によれば、フッ素化合物の加水分解時に酸素或いは空気を含有しただけでは、ＣＯの除去効果に限度がある。また、加水分解によって生成したガス中から弗化水素を除いた後にＣＯ酸化触媒と接触させる方法は、加水分解によって生成した高温のガスを、弗化水素を除くために常温まで冷却し、再び加熱することになるので、効率が悪い。
本発明者は、ＳＦ６或いはＮＦ３などのフッ素化合物を、触媒を用いて分解した場合にも、ＰＦＣやＨＦＣを分解したときと同じような問題が発生することを知った。具体的には、ＳＦ６或いはＮＦ３を加水分解した際に、弗化水素とともにＳＯ２Ｆ２或いはＮ２Ｏが副生することを知った。これらの副生物質も分解することが望ましい。
また、特開平１０−２８６４３９号公報には、ＣＦ４，Ｃ２Ｆ６，Ｃ３Ｆ８等のガス状の含フッ素化合物を触媒の存在下で、分子状酸素と水とに接触させて分解する方法が記載されている。分子状酸素の供給量は、含フッ素化合物中の炭素分（炭素原子）を二酸化炭素及び一酸化炭素に変換するのに十分な量としており、ＣＯが生成する可能性がある。
前記特開平１０−１９２６５３号公報，特開平１０−２８６４３９号公報，特開平４−１２２４１９号公報及び特開平５−２２０３４６号公報には、ＳＦ６やＮＦ３を加水分解した場合に、ＳＯ２Ｆ２或いはＮ２Ｏが副生することは記載されていないし、それらの物質を除去する方法も記載されていない。
本発明の目的は、フッ素化合物を分解した際に生ずるＣＯ，ＳＯ２Ｆ２或いはＮ２Ｏなどのガス状物質を、弗化水素を含んだままの状態で効率よく分解除去できるようにしたフッ素化合物の分解処理方法及び分解処理装置を提供することにある。
本発明の他の目的は、ＳＯ２Ｆ２を分解除去するための方法と装置を提供することにある。
発明の開示
本発明の第一の実施態様は、フッ素化合物を触媒を用いて分解する方法であって、該フッ素化合物を水蒸気と酸素及び希釈ガスとしての不活性ガスの存在下で、フッ素化合物分解触媒および、ＣＯ．ＳＯ２Ｆ２及びＮ２Ｏの少なくとも１つを分解する触媒と接触させることにある。フッ素化合物分解触媒と、ＣＯ，ＳＯ２Ｆ２或いはＮ２Ｏの分解触媒とは、混合物であってもよいし、或いはフッ素化合物分解触媒を上流側に配置し、ＣＯ，ＳＯ２Ｆ２或いはＮ２Ｏの分解触媒を下流側に配置する二段式にしてもよい。
本発明の第二の実施態様は、フッ素化合物を水蒸気及び希釈ガスとしての不活性ガスの存在下で、酸素或いは酸素含有ガスを添加することなく分解し、該分解によって生成したガスに酸素或いは酸素含有ガスを添加し、ＣＯ，ＳＯ２Ｆ２或いはＮ２Ｏを分解する触媒と接触させることにある。
本発明の第三の実施態様は、ＳＯ２Ｆ２の分解方法であって、前記ＳＯ２Ｆ２を含有するガスを水蒸気と酸素の存在下で、触媒と接触させることにある。
ＣＯ，ＳＯ２Ｆ２およびＮ２Ｏから選ばれた少なくとも１種を分解する触媒のことを、以下では有害成分除去触媒と呼ぶことにする。有害成分除去触媒は、Ｐｄ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｒｈ，Ｉｒ及びＡｕから選ばれた少なくとも１つを金属或いは酸化物の形態で有するものが望ましい。これらに加えて更にＬａとＢａから選ばれた少なくとも１種の酸化物を含むことは望ましく、これにより耐熱性が増大する。
有害成分除去触媒は、担体の表面に担持させて用いるのがよい。該担体としては、アルミナ，チタニア，ジルコニアから選ばれた少なくとも１つが好適である。
有害成分除去触媒の中で、Ｃｕ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏから選ばれた少なくとも１つを担体に担持させるときの量は、酸化物としての量で、担体重量の０．１〜２０ｗｔ％であることが望ましい。Ｐｄ，Ｐｔ，Ｒｈ，Ｉｒ及びＡｕから選ばれた少なくとも１つを担体に担持させるときの量は、金属としての量で、担体重量の０．０５〜２ｗｔ％であることが望ましい。また、ＬａとＢａから選ばれた少なくとも１種の酸化物を担体に担持させるときの量は、担体重量の０．１〜２０ｗｔ％であることが望ましい。
望ましい有害成分除去触媒は、アルミナにＰｄとＬａを担持した触媒，アルミナにＰｔとＬａを担持した触媒，アルミナにＲｈとＬａを担持した触媒，アルミナにＡｕとＬａを担持した触媒，アルミナにＩｒとＬａを担持した触媒，アルミナにＰｄを担持した触媒，アルミナにＰｔを担持した触媒，アルミナにＣｕを担持した触媒，アルミナにＭｎを担持した触媒，チタニアにＰｄとＷを担持した触媒、或いはアルミナにＣｏを担持した触媒である。
有害成分除去触媒と接触することによって分解されたガスは、水或いはアルカリ水溶液中に通すことによって、ガス中に含まれる弗化水素、その他の水溶成分を除去することが好ましい。アルカリ水溶液には、水酸化ナトリウム，水酸化カルシウムなどを使用することができる。
本発明の第一及び第二の実施態様によれば、ＰＦＣ，ＨＦＣ，ＳＦ６，ＮＦ３などのフッ素化合物中のフッ素をＨＦに転化し、又、フッ素化合物の分解に伴って生成するＣＯ，ＳＯ２Ｆ２及びＮ２Ｏなども分解することができる。ＣＯはＣＯ２に酸化され、ＳＯ２Ｆ２は、ＳＯ３とＨＦに分解され、Ｎ２Ｏは、ＮＯ２やＮＯ等に分解されるものと思われる。
本発明の第三の実施態様によれば、ＳＯ２Ｆ２を分解してＳＯ３とＨＦなどに転化することができる。
加水分解されることによってＣＯが発生するフッ素化合物としては、たとえばＣＦ４，Ｃ２Ｆ６，Ｃ３Ｆ８，Ｃ４Ｆ８，Ｃ５Ｆ８，ＣＨＦ３等のＰＦＣ，Ｃ２Ｈ２Ｆ４のようなＨＦＣがある。加水分解によってＳＯ２Ｆ２が発生するフッ素化合物としては、たとえばＳＦ６がある。加水分解を行うことによってＮ２Ｏが発生するフッ素化合物としては、たとえばＮＦ３がある。本発明は、これらのフッ素化合物の分解処理方法として実施することができる。但し、これらのフッ素化合物に限定されるものではない。
本発明の第一の実施態様においては、フッ素化合物を分解した際にＣＯの酸化も進む。このため、第二の実施態様に比べて有害成分除去触媒が活性劣化しにくいという効果がある。また、第二の実施態様によれば、第一の実施態様に比べて、フッ素化合物の分解時に酸素或いは酸素含有ガスを添加しない分だけガス量を減らせるので、ガスの加熱に要する費用を低減できるという効果がある。
フッ素化合物の分解に影響を与える因子としては、被処理ガス中のフッ素化合物の濃度，水分の量，反応温度，触媒の材質，触媒の調製方法，空間速度などがある。空間速度は、被処理ガスが触媒を通過するときのガス流量（ｍｌ／ｈ）を触媒量（ｍｌ）で割った値として求められる。
被処理ガス中のフッ素化合物の濃度は、０．１ないし５ｖｏｌ％の範囲であることが望ましい。被処理ガス中のフッ素化合物の濃度が高すぎると、高い分解率は得られない。フッ素化合物の濃度を調整するために、窒素，アルゴン，ヘリウムなどの不活性ガスを添加することが望ましい。
水分は、フッ素化合物中のフッ素原子数と同じあるいはそれ以上の水素原子が存在するように添加する必要があり、特にフッ素化合物濃度の５〜７５倍が望ましい。水の量が少ないとフッ素化合物の分解が進まない。
反応温度は、６５０℃〜８５０℃の範囲が望ましい。反応温度が低いと低い分解率しか得られない。反応温度を８５０℃以上に高めても、分解率はほとんど向上しない。
フッ素化合物分解触媒には、アルミニウムとニッケル，アルミニウムと亜鉛或いはアルミニウムとチタンとをいずれも酸化物の形態で含む触媒を用いることが望ましい。酸化物は、主にアルミナと、酸化ニッケル，酸化亜鉛又は酸化チタンからなるが、このほかにＮｉＡｌ２Ｏ４等の複合酸化物が混在していてもよい。もちろん、これらの触媒に限定されるものではなく、特開平１０−１９２６５３号公報に記載されている他の触媒を使用してもよい。前記した３つの触媒の中では、アルミニウムとニッケルを酸化物の形態で含む触媒が最も望ましい。このアルミニウム−ニッケル触媒の組成は、モル比でＮｉ：Ａｌが５０：５０から１：９９の範囲が望ましい。
フッ素化合物分解触媒の調製方法としては、周知の沈殿法，含浸法，混練法等がいずれも適用できる。触媒を調製する際の原料には、硝酸塩，アンミン錯体，アンモニウム塩，塩化物，硫酸塩等を用いることができる。該触媒は、粒状或いはハニカム状等に成形して用いてもよいし、或いはセラミックスや金属で作ったハニカム或いは板の表面にコーティングして使用してもよい。粒状或いはハニカム状に成形するにあたっては、押し出し成形法，打錠成形法，転動造粒法などが適用できる。
被処理ガスをフッ素化合物分解触媒に接触させるときの空間速度（ＳＶ）は、１００〜１０，０００／ｈ、特に１００〜１，５００／ｈの範囲が、高い分解率を得るために望ましい。
被処理ガス中の酸素の量は、酸素を添加する目的がＣＯなどを酸化することにあるので、分解するフッ素化合物の量にもよるが、フッ素化合物の濃度が０．１〜５ｖｏｌ％程度の場合には、０．２〜１５ｖｏｌ％もあれば十分である。
有害成分除去触媒も、フッ素化合物分解触媒を調製するときと同様の方法で調製することができる。周知の沈殿法，含浸法，混練法等がいずれも適用可能である。また、触媒を調製するときの原料には、硝酸塩，アンミン錯体，アンモニウム塩，塩化物，硫酸塩等を用いることができる。該触媒は、そのまま粒状或いはハニカム状等に成形して使用してもよいし、セラミックスや金属で作ったハニカム或いは板の表面にコーティングして使用してもよい。粒状の担体に、Ｐｄ或いはＰｔ等を含む溶液を含浸したのち、乾燥，焼成する方法は、有害成分除去触媒の調製方法として非常に好ましい。有害成分除去触媒は、使用中に粒子が凝集して触媒活性が低下するのを抑制するために、最終的に６００〜８５０℃の温度で焼成してから使用することが望ましい。またチタニアを担体に使用する場合には、チタニアがフッ素により被毒されやすいことから、チタニアの表面を酸化タングステンで覆うようにすることが望ましい。
本発明のフッ素化合物分解処理方法は、半導体のエッチングライン排ガスに含まれるフッ素化合物を分解処理する方法として好適である。半導体エッチングライン排ガスにおけるフッ素化合物の濃度は、通常、０．５〜５ｖｏｌ％であり、残りは主にＮ２である。半導体エッチングラインの排ガスに空気及び水を添加して、フッ素化合物分解触媒と有害成分除去触媒に接触させることで、半導体エッチングラインの排ガスに含まれるフッ素化合物をＨＦに転化し、ＣＯ，ＳＯ２Ｆ２、或いはＮ２Ｏなども除去することができる。
次に、本発明に係るフッ素化合物分解処理装置について述べる。
本発明のフッ素化合物分解処理装置の実施態様の１つは、フッ素化合物を分解するための触媒と有害成分除去触媒とを充填した反応器と、該反応器内の触媒を加熱するためのヒータと、該反応器に供給されるフッ素化合物に対して水分を添加する水分供給装置と、酸素又は酸素含有ガスを添加する酸素供給装置及び希釈ガスとして不活性ガスを添加する不活性ガス供給装置とを備えたことにある。
フッ素化合物分解処理装置の実施態様の他の１つは、フッ素化合物を分解するための触媒を上流側に充填し有害成分除去触媒を下流側に充填した反応器と、該反応器内の触媒を加熱するためのヒータと、該反応器に供給されるフッ素化合物に対して水分を添加する水分供給装置及び希釈ガスとして不活性ガスを添加する不活性ガス供給装置と、前記フッ素化合物分解触媒を通り抜け該有害成分除去触媒に流入するガス流に対して酸素又は酸素含有ガスを添加する酸素供給装置とを備えたことにある。
本発明のフッ素化合物分解処理装置の実施態様の更に他の１つは、ＳＯ２Ｆ２を含むガスから、ＳＯ２Ｆ２を分解除去するための装置であって、ＳＯ２Ｆ２分解触媒を充填した反応器と、該反応器に供給される前記ガスに水及び酸素を添加する手段とを備えたことにある。
本発明のフッ素化合物分解処理装置は、更に水或いはアルカリ水溶液によるガス洗浄槽を備えることができる。このガス洗浄槽は、前記反応器の後段に設けられる。また、該ガス洗浄槽には、ガスが水或いはアルカリ水溶液とよく接触するようにするために、ポリプロピレン等のプラスチックからなる粒子を充填することができる。
反応器の前段には、フッ素化合物を含む被処理ガスを予熱するための予熱器を備えることができる。該予熱器は、容器の外側にヒータを設けた程度の簡単なものでよい。また、半導体等のエッチング処理に使用されたフッ素化合物含有ガスの処理に本発明の装置を使用する場合には、前記予熱器よりも上流に、エッチング排ガスに含まれる水溶成分を除去するための前処理槽を設けることが望ましい。この前処理槽はエッチング排ガスに水を噴霧する設備を備えた程度のものでよい。
また、反応器とガス洗浄槽との間に、反応器を出た排ガスを冷却するための冷却室を備えてもよい。この冷却室には、水或いはアルカリ水溶液を噴霧するスプレーノズルを設けることが望ましい。ガス洗浄槽における弗化水素の吸収率は、ガス温度が低いほど高いので、反応器を出たガスをガス洗浄槽に供給する前に冷却することは有効である。
発明を実施するための最良の形態
第１図に示す構造のフッ素化合物分解処理装置を製作し、フッ素化合物の分解処理実験を行った。第１図に示す装置は、反応器１，予熱器５，フッ素化合物に窒素ガスを添加する窒素ガス供給装置８，フッ素化合物に酸素又は酸素含有ガスを添加する酸素供給装置９，フッ素化合物に純水を添加する純水供給装置１０，反応器１から出たガス流を水で洗浄するガス洗浄槽７を備える。予熱器５にはヒータ６が備えられ、反応器１にはヒータ４が備えられている。反応器１には、フッ素化合物分解触媒２と有害成分除去触媒３とが備えられている。ガス洗浄槽７には、水を噴霧するスプレーノズル１３が備えられている。ガス洗浄槽７において、弗化水素及び他の水溶成分を吸収した水１４は、ガス洗浄槽７の底部に溜められたのち、排水管１２によって、ガス洗浄槽７の外部へ排出される。又、ガス洗浄槽７において、弗化水素が除去されたガスは、ガス排出管１１によって、ガス洗浄槽７の外部へ排出される。
［実施例１］
第１図に示す装置を用いて、ＳＦ６の分解処理を行った。フッ素化合物分解触媒２には、アルミニウム−ニッケル触媒を用いた。この触媒の組成は、モル比でＡｌ：Ｎｉ＝８０：２０よりなる。この触媒は、以下の方法で調製した。まず、市販のベーマイト粉末を１２０℃の温度で１時間加熱して乾燥させた。次に、該粉末２００ｇに、硝酸ニッケル６水和物２１０．８２ｇを溶かした水溶液を添加して混練した。その後、２５０〜３００℃の温度で約２時間加熱し、７００℃の温度で２時間加熱して焼成した。焼成後、粉砕，篩い分けを行って０．５〜１ｍｍの粒径にした。このようにしてアルミニウムとニッケルを酸化物の形態で含む触媒を得た。
有害成分除去触媒３には、アルミナにＰｄとＬａを担持した触媒を用いた。該触媒の調製方法は次の通りである。市販の２−４ｍｍ粒径の粒状アルミナ（住友化学製のＮＫＨＤ−２４）に、Ｌａ２Ｏ３がアルミナ重量の１０ｗｔ％分含まれるように含浸した。具体的にはアルミナ１００ｇに、硝酸ランタン６水和物２６．８４ｇを純水に溶かした水溶液を添加して、Ｌａを含浸した。その後、１２０℃で２時間加熱し、更に７００℃の温度に加熱して焼成した。得られたＬａ担持アルミナに、ＰｄがＬａ担持アルミナ重量の０．５ｗｔ％分含まれるように含浸した。即ち、Ｌａ担持アルミナ１００ｇに対し、Ｐｄを４．４３９ｗｔ％含む硝酸パラジウム溶液１１．２６ｇを純水に溶かして含浸した。その後、１２０℃の温度で２時間加熱し、更に７００℃の温度に加熱して焼成した。このようにして、Ｐｄ，Ｌａ担持アルミナ触媒を得た。
ＳＦ６の分解処理実験は、当初、有害成分除去触媒３を充填しないで行い、その後、有害成分除去触媒を充填して行った。ＳＦ６ガスには窒素と酸素を添加し、さらに純水をマイクロチューブポンプを用いて添加した。被処理ガス中のＳＦ６濃度は０．５ｖｏｌ％、Ｏ２濃度は４ｖｏｌ％、水蒸気濃度は３７．５ｖｏｌ％（ＳＦ６のｍｏｌ数の７５倍）である。この被処理ガスを、７５０℃の温度に加熱保持された反応器１に供給した。被処理ガスの空間速度（ＳＶ）は、フッ素化合物分解触媒２において１０００ｈ−１となり、有害成分除去触媒３において５０００ｈ−１となるようにした。反応器１を出たガスは、ガス洗浄槽７に送ってＨＦ及び他の水溶成分たとえばＳＯ３を水に吸収させるようにした。ガス洗浄槽７を出た排ガスについて、ＳＯ２Ｆ２濃度をＴＣＤ（Ｔｈｅｒｍａｌ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ  Ｄｅｔｅｃｔｏｒ）ガスクロマトグラフを用いて測定した。また、ＳＦ６ガスの濃度をＴＣＤガスクロマトグラフを用いて測定した。なお、用いたＴＣＤガスクロマトグラフは、ＳＯ２Ｆ２濃度の検出限界が５ｐｐｍのものである。
アルミニウムとニッケルを酸化物の形で含むフッ素化合物分解触媒により、ＳＦ６を処理することによって、８０％以上の分解率が得られ、この値は、実験を開始してから、２０００時間が経過するまでほとんど変わらなかった。
第２図は、ＳＯ２Ｆ２濃度と経過時間との関係を示している。ＳＯ２Ｆ２濃度は、実験を開始してから１０００時間が経過するまでは、検出限界の５ｐｐｍ以下であったが、１０００時間を超えたあたりから急に増え始め、１６００時間が経過したときには５７ｐｐｍになった。そこで、有害成分除去触媒３を充填して実験を続けた。その結果、ＳＯ２Ｆ２濃度は下がり、５ｐｐｍ以下になった。以上のことから、Ｐｄ，Ｌａ担持アルミナ触媒は、弗化水素の存在下でＳＯ２Ｆ２を分解するのに有効であることが確認された。
［実施例２］
第１図に示すフッ素化合物分解処理装置を用いて、ＣＦ４とＣＨＦ３の混合ガスを分解処理した。ＣＦ４とＣＨＦ３の混合ガスは、半導体のエッチングガスとして良く用いられる。フッ素化合物分解触媒２は、実施例１で用いたものと同じである。有害成分除去触媒３は、市販の２−４ｍｍ粒径の粒状アルミナ（住友化学製のＮＫＨＤ−２４）を、０．５〜１ｍｍに破砕し、大気中にて１２０℃で２時間乾燥したアルミナを用いた以外は、実施例１のときと同じである。被処理ガス中の各成分の濃度は、ＣＦ４が０．２５ｖｏｌ％，ＣＨＦ３が０．２５ｖｏｌ％，Ｏ２が４ｖｏｌ％，水蒸気が２５ｖｏｌ％である。反応温度は７００℃である。実験は、反応器１にフッ素化合物分解触媒２のみを充填し、有害成分除去触媒３を充填しなかった場合と、反応器１にフッ素化合物分解触媒２と有害成分除去触媒３を充填した場合との二通りについて行った。被処理ガスの空間速度は、フッ素化合物分解触媒２において１０００ｈ−１とし、有害成分除去触媒３において１００００ｈ−１とした。ガス洗浄槽７から出た排ガス中のＣＯ濃度を、ＴＣＤガスクロマトグラフを用いて測定した。このＴＣＤガスクロマトグラフは、ＣＯ濃度の検出限界が１ｐｐｍである。
第３図は、実験を開始してからの経過時間とＣＯ濃度との関係を示している。アルミニウム−ニッケル触媒のみで処理した場合には、ＣＯ濃度は約５００ｐｐｍにもなったが、Ｐｄ，Ｌａ担持アルミナ触媒を備えることによって、ＴＣＤガスクロマトグラフでは検出できない程度にＣＯ濃度を低下させることができた。［実施例３］
第１図の装置を用いて、Ｃ２Ｆ６の分解処理を行った。フッ素化合物分解触媒２及び有害成分除去触媒３には、実施例１で用いたのと同じものを用いた。被処理ガス中のＣ２Ｆ６の濃度は０．５ｖｏｌ％とし、酸素の濃度は４ｖｏｌ％、水蒸気の濃度は２５ｖｏｌ％とした。反応温度は７５０℃とした。空間速度は実施例１のときと同じにした。その結果、第４図に示すように、ガス洗浄槽出口の排ガス中のＣＯ濃度は、処理を開始してから６００時間を経過するまで、いずれも１ｐｐｍ程度であった。
［実施例４］
第１図の装置を用いて、Ｃ４Ｆ８の分解処理を行った。フッ素化合物分解触媒２及び有害成分除去触媒３は、実施例１で用いたものと同じである。被処理ガス中のＣ４Ｆ８の濃度は０．２ｖｏｌ％とし、酸素の濃度は４ｖｏｌ％、水蒸気の濃度は１０ｖｏｌ％とした。反応温度は８００℃とした。空間速度は実施例１のときと同じにした。その結果、第５図に示すように、ガス洗浄槽出口の排ガス中のＣＯ濃度は、処理を開始してから２００時間を経過するまでの間、いずれも１ｐｐｍ程度であった。
［実施例５］
第１図の装置を用いて、Ｃ３Ｆ８の分解処理を行った。フッ素化合物分解触媒２及び有害成分除去触媒３には、実施例１で用いたものと同じものを用いた。被処理ガス中のＣ３Ｆ８の濃度は０．２ｖｏｌ％とし、酸素の濃度は４ｖｏｌ％、水蒸気の濃度は１０ｖｏｌ％とした。反応温度は８００℃にした。空間速度は実施例１のときと同じにした。その結果、第６図に示すように、ガス洗浄槽出口の排ガス中のＣＯ濃度は、処理を開始してから４８時間を経過するまで、いずれも１ｐｐｍ程度であった。
［実施例６］
第１図の装置を用いて、Ｃ５Ｆ８の分解処理を行った。フッ素化合物分解触媒２及び有害成分除去触媒３には、実施例１で用いたのと同じものを用いた。被処理ガス中のＣ５Ｆ８の濃度は０．２ｖｏｌ％、酸素の濃度は４ｖｏｌ％、水蒸気の濃度は１０ｖｏｌ％にした。反応温度は８００℃にした。空間速度は実施例１のときと同じにした。その結果、第７図に示すように、ガス洗浄槽出口の排ガス中のＣＯ濃度は、処理を開始してから５０時間を経過するまでの間、いずれも１ｐｐｍ程度であった。
［実施例７］
第１図の装置を用い、有害成分除去触媒３の材質を変えて、Ｃ４Ｆ８からなるフッ素化合物の分解処理を行った。フッ素化合物分解触媒２は、実施例１で使用したものと同じである。被処理ガスの濃度は、Ｃ４Ｆ８が０．５ｖｏｌ％，酸素が４ｖｏｌ％，水蒸気が２５ｖｏｌ％にした。反応温度は７００℃にした。空間速度は、フッ素化合物分解触媒２のときに１０００ｈ−１とし、有害成分除去触媒３のときに３０００ｈ−１とした。
有害成分除去触媒３の成分組成及び調製方法を以下に示す。
（１）Ｐｄ，Ｌａ担持アルミナ触媒
実施例２のときと同じ方法で、Ｐｄ，Ｌａ担持アルミナ触媒を調製した。
（２）Ｐｔ，Ｌａ担持アルミナ触媒
実施例２において、Ｐｄ，Ｌａ担持アルミナ触媒を調製したときと同様の方法により、アルミナにＬａを担持した。得られたＬａ担持アルミナにＰｔを、Ｌａ担持アルミナ重量の０．５ｗｔ％含まれるように含浸した。具体的には、Ｌａ担持アルミナ１００ｇに対し、Ｐｔを金属として４．５１４ｗｔ％含むジニトロジアンミン白金硝酸溶液１１．０８ｇを純水に溶かして含浸した。その後、大気中で１２０℃の温度で２時間加熱し、更に大気中で７００℃の温度に加熱して焼成を行った。このようにして、Ｐｔ，Ｌａ担持アルミナ触媒を得た。
（３）Ｐｈ，Ｌａ担持アルミナ触媒
アルミナにＬａを担持するまでの工程は、実施例２のときと同様である。得られたＬａ担持アルミナに、ＲｈをＬａ担持アルミナ重量の０．５ｗｔ％分含まれるように含浸した。即ち、Ｌａ担持アルミナ１００ｇに対し、Ｒｈを金属として４．４２２ｗｔ％含む硝酸ロジウム溶液１１．３１ｇを純水に溶かして含浸した。その後、大気中で１２０℃の温度で２時間加熱し、更に７００℃の温度で焼成した。このようにして、Ｒｈ，Ｌａ担持アルミナ触媒を得た。
（４）Ａｕ，Ｌａ担持アルミナ触媒
アルミナにＬａを担持するまでの工程は、実施例２のときと同様である。得られたＬａ担持アルミナに、ＡｕをＬａ担持アルミナ重量の０．５ｗｔ％分含まれるように含浸した。即ち、Ｌａ担持アルミナ１００ｇに対し、金を金属として５０ｇ／ｌ含む塩化金酸１０ｇを純水に溶かして含浸した。その後、大気中にて１２０℃の温度で２時間加熱し、更に７００℃の温度に加熱して焼成した。このようにして、Ａｕ，Ｌａ担持アルミナ触媒を得た。
（５）Ｉｒ，Ｌａ担持アルミナ触媒
アルミナにＬａを担持するまでの工程は、実施例２のときと同様である。得られたＬａ担持アルミナに、ＩｒをＬａ担持アルミナの０．５ｗｔ％分含まれるように含浸した。即ち、Ｌａ担持アルミナ１００ｇに対し、Ｉｒを金属として４．６５６ｗｔ％含む塩化イリジウム酸溶液１０．７４ｇを純水に溶かして含浸した。その後、大気中で１２０℃の温度に２時間加熱し、更に７００℃で焼成した。このようにして、Ｉｒ，Ｌａ担持アルミナ触媒を得た。
（６）Ｐｄ担持アルミナ触媒
市販の２〜４ｍｍ粒径の粒状アルミナ（住友化学製のＮＫＨＤ−２４）を、０．５〜１ｍｍに破砕し、大気中にて１２０℃で２時間乾燥した。乾燥後のアルミナに、Ｐｄを、アルミナ重量の０．５ｗｔ％分含まれるように含浸した。即ち、アルミナ１００ｇに対し、Ｐｄを金属として４．４３９ｗｔ％含む硝酸パラジウム溶液１１．２６ｇを純水に溶かして含浸した。その後、大気中にて１２０℃の温度で２時間加熱し、更に７００℃に加熱して焼成を行った。これにより、Ｐｄ担持アルミナ触媒を得た。
（７）Ｐｔ担持アルミナ触媒
市販の２〜４ｍｍ粒径の粒状アルミナ（住友化学製のＮＫＨＤ−２４）を、０．５〜１ｍｍに破砕し、大気中にて１２０℃で２時間乾燥した。乾燥後のアルミナに、Ｐｔをアルミナ重量の０．５ｗｔ％分含まれるように含浸した。具体的には、アルミナ１００ｇに、Ｐｔを金属として４．５１４ｗｔ％を含むジニトロジアンミン白金硝酸溶液１１．０８ｇを純水に溶かして含浸した。その後、大気中にて１２０℃の温度で２時間加熱し、更に７００℃の温度に加熱して焼成した。これによりＰｔ担持触媒を得た。
（８）Ｃｕ担持アルミナ触媒
市販の２〜４ｍｍ粒径の粒状アルミナ（住友化学製のＮＫＨＤ−２４）を、０．５〜１ｍｍに破砕し、大気中にて１２０℃で２時間乾燥した。乾燥後のアルミナに、ＣｕＯとしてアルミナ重量の１０ｗｔ％分含まれるようにＣｕを含浸した。即ち、アルミナ１００ｇに、硝酸銅３水和物３０．４ｇを純水に溶かした水溶液を含浸した。その後、大気中で１２０℃の温度で２時間加熱し、更に７００℃に加熱して焼成した。これにより、Ｃｕ担持アルミナ触媒を得た。
（９）Ｍｎ担持アルミナ触媒
市販の２〜４ｍｍ粒径の粒状アルミナ（住友化学製のＮＫＨＤ−２４）を、０．５〜１ｍｍに破砕し、大気中にて１２０℃で２時間乾燥した。乾燥後のアルミナに、Ｍｎ２Ｏ３としてアルミナ重量の１０ｗｔ％分含まれるようにＭｎを含浸した。即ち、アルミナ１００ｇに、硝酸マンガン６水和物３６．３４ｇを純水に溶かした水溶液を含浸した。その後、大気中で１２０℃で２時間加熱し、更に７００℃の温度に加熱して焼成した。これにより、Ｍｎ担持アルミナ触媒を得た。
（１０）Ｆｅ担持アルミナ触媒
市販の２〜４ｍｍ粒径の粒状アルミナ（住友化学製のＮＫＨＤ−２４）を、０．５〜１ｍｍに破砕し、大気中にて１２０℃で２時間乾燥した。乾燥後のアルミナに、Ｆｅ２Ｏ３としてアルミナ重量の１０ｗｔ％分含まれるようにＦｅを含浸した。即ち、アルミナ１００ｇに、硝酸鉄９水和物５０．５９ｇを純水に溶かした水溶液を含浸した。その後、大気中で１２０℃で２時間加熱し、更に７００℃の温度に加熱して焼成した。これにより、Ｆｅ担持アルミナ触媒を得た。
（１１）Ｐｄ，Ｗ担持チタニア触媒
堺化学製の粒状チタニア（ＣＳ−２２４）を粉砕し、篩い分けして０．５〜１ｍｍの粒にしたのち、１２０℃で２時間加熱した。このようにして得たチタニア１００ｇに対して、パラタングステン酸アンモニウム８２．２ｇを溶かした過酸化水素水を含浸し、再び１２０℃で２時間加熱し、更に５００℃で２時間加熱した。得られたタングステン担持チタニア１００ｇに対し、Ｐｄを金属として４．４３９ｗｔ％含む硝酸パラジウム溶液１１．２６ｇを純水に溶かして含浸した。その後、大気中にて１２０℃で２時間加熱し、更に７００℃に加熱して焼成した。なお、タングステンの量は、ＷＯ３としてチタニアの７１．９ｗｔ％である。
（１２）Ｃｏ担持アルミナ触媒
市販の２〜４ｍｍ粒径の粒状アルミナ（住友化学製のＮＫＨＤ−２４）を、０．５〜１ｍｍに破砕し、大気中にて１２０℃で２時間乾燥した。乾燥後のアルミナに、ＣＯ３Ｏ４としてアルミナ重量の１０ｗｔ％分含まれるようにＣｏを含浸した。即ち、アルミナ１００ｇに、硝酸コバルト６水和物３６．２３ｇを純水に溶かして含浸した。その後、大気中にて１２０℃で２時間加熱し、更に７００℃の温度に加熱して焼成した。これにより、Ｃｏ担持ルミナ触媒を得た。
第８図は、アルミニウムとニッケルを酸化物として含むフッ素化合物分解触媒のみを用いて処理した場合（左端のグラフ）と、フッ素化合物分解触媒と有害成分除去触媒とを用いて処理した場合とについて、実験を始めてから１時間経過したときの排ガス中のＣＯ濃度を示している。ＣＯ濃度の測定は、ＴＣＤガスクロマトグラフにより行った。
第８図により、アルミニウムとニッケルを酸化物の形で含むＡｌ−Ｎｉ触媒のみのときには、ＣＯ濃度が非常に高いことがわかる。フッ素化合物分解触媒と有害成分除去触媒の両方を用いたときには、ＣＯ濃度は著しく低い。但し、Ｆｅ担持アルミナ触媒によるＣＯ分解効果は、他の触媒に比べると劣る。
［実施例８］
第１図の装置において、フッ素化合物分解触媒２にアルミニウムと亜鉛を酸化物で含むＡｌ−Ｚｎ触媒を用い、有害成分除去触媒３にはアルミナにＰｄとＬａを担持した触媒を用いて、Ｃ２Ｆ６からなるフッ素化合物の分解処理を行った。実験は、有害成分除去触媒３を設けない場合についても行った。有害成分除去触媒３の材質と組成及び調製方法は、実施例２のときと同じである。反応器１の入り口における被処理ガスの濃度は、Ｃ２Ｆ６が０．５ｖｏｌ％，酸素が４ｖｏｌ％，水蒸気が２５ｖｏｌ％である。反応温度は７５０℃である。他の条件は、実施例１のときと同じである。Ａｌ−Ｚｎ触媒は、次のようにして調製した。まず、市販のベーマイト粉末を１２０℃の温度で１時間加熱して乾燥させた。次に、該粉末１２６．６５ｇに、硝酸亜鉛６水和物９６．３９ｇを溶かした水溶液を添加して混練した。その後、２５０〜３００℃の温度で約２時間加熱し、更に７００℃の温度で２時間加熱して焼成した。焼成後、粉砕，篩い分けを行って０．５〜１ｍｍの粒径にした。このようにして、Ａｌが８５ｍｏｌ％％，Ｚｎが１５ｍｏｌ％からなる触媒を得た。
実験の結果、処理開始から１時間が経過したときのガス洗浄槽出口におけるＣＯ濃度は、Ａｌ−Ｚｎ触媒のみで処理した場合には３５０ｐｐｍであったが、アルミナにＰｄとＬａを担持した触媒を設けることにより、１ｐｐｍに改善された。
［実施例９］
第１図の装置において、フッ素化合物分解触媒２にアルミニウムとチタンを酸化物の形で含むＡｌ−Ｔｉ触媒を用い、有害成分除去触媒３にはアルミナにＰｄとＬａを担持した触媒を用いて、Ｃ２Ｆ６からなるフッ素化合物の分解処理を行った。実験は、有害成分除去触媒３を設けた場合と設けない場合とについて行った。有害成分除去触媒３の材質と組成及び調製方法は、実施例８のときと同じである。反応器１の入り口における被処理ガスの濃度，反応温度等の条件は、いずれも実施例８のときと同じである。Ａｌ−Ｔｉ触媒は、次のようにして調製した。まず、市販のベーマイト粉末を１２０℃の温度で１時間加熱して乾燥させた。次に、該粉末２００ｇに、チタンを３０重量％含む硫酸チタン溶液２４８．４ｇを純水に添加しながら混練した。混練後、２５０〜３００℃の温度で約５時間加熱し、７００℃の温度で２時間加熱して焼成した。このようにして得られた粉末を金型に入れ、５００ｋｇｆ／ｃｍ２の圧力で圧縮成型した。成型品を粉砕，篩い分けして０．５〜１ｍｍの粒径にした。このようにして、Ａｌが９０ｍｏｌ％，Ｔｉが１０ｍｏｌ％からなる触媒を得た。
実験の結果、処理開始から１時間が経過したときのガス洗浄槽出口におけるＣＯ濃度は、Ａｌ−Ｔｉ触媒のみで処理した場合には３２０ｐｐｍであったが、アルミナにＰｄとＬａを担持した触媒を設けることにより、１ｐｐｍに改善された。
［実施例１０］
第９図は、半導体エッチングラインに本発明のフッ素化合物分解処理装置を設けた例を示している。
半導体エッチング工程１００では、減圧したエッチングチャンバ内にＳＦ６、或いはＣＦ４とＣＨＦ３の混合ガス等のガス状フッ素化合物を入れてプラズマ励起し、半導体ウエハと反応させる。その後、エッチングチャンバ内のガスを真空ポンプで吸引するが、その際に、ポンプ保護のために窒素ガスを流すので、フッ素化合物の濃度は０．５〜５ｖｏｌ％程度になる。本実施例のフッ素化合物分解処理装置は、エッチングチャンバから排出されたガスを水で洗浄する前処理槽９９を備える。この前処理槽９９において、ガス中に含まれる水溶成分が除去される。
前処理槽９９を通過したガスは、予熱器５へ送られて加熱される。予熱器５には空気１５と水２０も送る。水２０は、イオン交換樹脂１６を通して水中に含まれるカルシウム等の不純物を除去してから予熱器へ供給するのがよい。予熱器５において、フッ素化合物の濃度を０．１〜５ｖｏｌ％程度にする。水の量は、フッ素化合物のモル数に対し、５〜７５倍程度になるようにする。空気の量は、酸素濃度が０．２〜１５ｖｏｌ％程度になるようにする。このようにして濃度を調整した被処理ガスを、電気炉等のヒータ６を用いて、６５０〜８５０℃に加熱した上で、反応器１へ送る。反応器１には、フッ素化合物分解触媒２と有害成分除去触媒３が充填されている。反応器１も、電気炉等のヒータ４を用いて６５０〜８５０℃程度に加熱しておくとよい。反応器１に送られた被処理ガスは、まずフッ素化合物分解触媒２に接触し、ここでフッ素化合物と水とが反応して、フッ素化合物が弗化水素と一酸化炭素或いはＳＯ２Ｆ２などに分解される。次いで、有害成分除去触媒３に接触し、ここで一酸化炭素，二酸化炭素，ＳＯ３或いはＳＯ２Ｆ２が分解される。反応器１を出たガスは、冷却室１７に送られ、ここで水を噴霧する等して冷却される。冷却室１７を出たガスは、ガス洗浄槽７に送られ、スプレーノズル１３から噴霧された水で洗浄される。これによって、弗化水素及びその他の水溶成分は除去される。ガス洗浄槽７には、プラスチックの粒子よりなる充填材１９を充填しておき、ガスと水との接触を良くするとよい。ガス洗浄槽７で弗化水素及び他の水溶成分を吸収した水は、ポンプ２１で吸引してガス洗浄槽７から排出し、排水処理設備等で処理する。ガス洗浄槽７において弗化水素及び他の水溶成分が除去されたガスは、ブロワー２２で吸引してガス洗浄槽７から排出する。
第１０図は、本発明の別の実施例を示している。第１０図の装置が第９図の装置と相違する点は、第１０図では、反応器１内の有害成分除去触媒３に流入するガスに対して、空気１５を添加するようにしていることである。このようにしても、第９図のときと同様に、フッ素化合物を分解し、またフッ素化合物の分解によって生成したＣＯ或いはＳＯ２Ｆ２などを除去することができる。
産業上の利用可能性
半導体分野では、半導体をエッチング或いはクリーニングするために、Ｃ２Ｆ６，ＣＦ４，ＣＨＦ３，ＳＦ６などのフッ素化合物が使用されている。また、回路遮断機の絶縁媒体には、ＳＦ６が使用されている。これらのフッ素化合物の処理方法として、フッ素化合物を分解する方法を提案することは、極めて有効である。
本発明は、フッ素化合物を、水或いはアルカリ水溶液により吸収できる物質に転化し、その際に発生するＣＯ，Ｎ２Ｏ，ＳＯ２Ｆ２などの有害物質も分解するようにしたものであり、産業上の利用可能性は極めて大である。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明のフッ素化合物分解処理装置の一実施例を示す概略図である。
第２図は、ＳＦ６の分解処理における排ガス洗浄槽出口のＳＯ２Ｆ２濃度と経過時間との関係を示す線グラフである。
第３図は、ＣＦ４とＣＨＦ３の混合ガスを分解処理したときの排ガス洗浄槽出口のＣＯ濃度と経過時間との関係を示す線グラフである。
第４図は、Ｃ２Ｆ６を分解処理したときの排ガス洗浄槽出口のＣＯ濃度と経過時間との関係を示す線グラフである。
第５図は、Ｃ４Ｆ８を分解処理したときの排ガス洗浄槽出口のＣＯ濃度と経過時間との関係を示す線グラフである。
第６図は、Ｃ３Ｆ８を分解処理したときの排ガス洗浄槽出口のＣＯ濃度と経過時間との関係を示す線グラフである。
第７図は、Ｃ５Ｆ８を分解処理したときの排ガス洗浄槽出口のＣＯ濃度と経過時間との関係を示す線グラフである。
第８図は、有害成分除去触媒の材質を変えてＣ４Ｆ８を分解処理したときの排ガス洗浄槽出口のＣＯ濃度を示すグラフである。
第９図は、半導体エッチングラインに、本発明の一実施例によるフッ素化合物分解処理装置を備えた例を示す概略図である。
第１０図は、半導体エッチングラインに、本発明の他の実施例によるフッ素化合物分解処理装置を備えた例を示す概略図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
0004483154.tif 000008
【図８】
0004483154.tif 000009
【図９】
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【図１０】
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