(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のレーザ発光源、前記複数のレーザ発光源から発生されるビームの副走査ビーム位置を可変するガルバノミラー、前記ガルバノミラーを反射したビームを主走査方向に走査する単一のポリゴンミラー及び前記ビームの主走査及び副走査位置を検知するためのレーザビーム用光センサを有する画像形成装置における副走査ビーム位置を制御する方法であって、
ガルバノミラーに所定の指示値を与えた後、ビームが移動した距離を前記光センサの出力変化を利用して、一定の時間間隔で計測するステップと、
前記移動した距離の計測結果から、ガルバノミラーの指示値あたりの移動量及び指示値に対する応答時間を判断するステップと、
前記指示値あたりの移動量及び指示値に対する応答時間を用いて、副走査方向のビーム位置を制御するステップとを具備し、
前記制御ステップは、前記指示値あたりの移動量及び指示値に対する応答時間に基づいて、位置制御用指示値及びサンプリング時間を決定するステップと、前記ガルバノミラーに前記位置制御用指示値を与え、前記サンプリング時間後にビーム位置が目標範囲内にあるか判断するステップと、ビーム位置が目標範囲内となるまで前記判断ステップを繰り返すステップを具備することを特徴とする副走査ビーム位置制御方法。
【請求項２】
前記判断ステップでは、ガルバノミラーに所定の指示値を与えてから１秒後の前記ビーム移動距離を前記ガルバノミラーの指示値あたりの移動量と決定することを特徴とする請求項１記載の制御方法。
【請求項３】
前記判断ステップでは、前記ビーム移動距離が前記ガルバノミラーの指示値あたりの移動量の７０％になる時間を前記指示値に対する微調整時応答時間と決定し、
前記制御ステップでは、ビーム位置を２つの光センサ間の目標範囲内とする微調整を、前記微調整時応答時間を前記サンプリング時間として行うことを特徴とする請求項１記載の制御方法。
【請求項４】
前記判断ステップでは、前記ビーム移動距離が前記ガルバノミラーの指示値あたりの移動量の９０％になる時間を前記指示値に対する粗調整時応答時間と判断し、
前記制御ステップでは、ビームを前記光センサにより検知される位置まで移動し水平同期信号を得る粗調整を、前記粗調整時応答時間を前記サンプリング時間として行うことを特徴とする請求項１記載の制御方法。
【請求項５】
複数のレーザ発光源、前記複数のレーザ発光源から発生されるビームの副走査ビーム位置を可変するガルバノミラー、前記ガルバノミラーを反射したビームを主走査方向に走査する単一のポリゴンミラー及び前記ビームの主走査及び副走査位置を検知するためのレーザビーム用光センサを有する画像形成装置であって、
ガルバノミラーに所定の指示値を与えた後、ビームが移動した距離を前記光センサの出力変化を利用して、一定の時間間隔で計測する手段と、
前記移動した距離の計測結果から、ガルバノミラーの指示値あたりの移動量及び指示値に対する応答時間を判断する手段と、
前記指示値あたりの移動量及び指示値に対する応答時間を用いて、副走査方向のビーム位置を制御する手段とを具備し、
前記制御手段は、前記指示値あたりの移動量及び指示値に対する応答時間に基づいて、位置制御用指示値及びサンプリング時間を決定する手段と、前記ガルバノミラーに前記位置制御用指示値を与え、前記サンプリング時間後にビーム位置が目標範囲内にあるか判断する手段と、ビーム位置が目標範囲内となるまで前記判断手段を繰り返す手段を具備することを特徴とする画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は複数のレーザビームを用いて画像を形成する画像形成装置に関し、特に感光ドラム上のレーザビーム副走査方向位置をガルバノミラーにより制御するマルチビーム制御方法及び該制御方法を適用した画像形成装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
マルチビーム光学系は複数のレーザ発光源と単一のポリゴンミラーを有しており、像面における各ビームの相互位置ずれによる画像ずれを防止するために、ビーム位置制御を行うことが必要となる。
【０００３】
副走査方向ビーム位置制御を行う方法としては、例えば特開平第１０−７６７０４号公報、特願平第１０−３２３８７２号公報などに示されるように、反射面（ミラー）が任意の方向に回動可能に形成されたガルバノミラーにより複数のビームの間隔を設定する方法がある。
【０００４】
マルチビーム光学系において副走査制御を行う際、まず粗調整が行われる。粗調整とは、目標位置から大きく外れセンサ上にビームがない場合そのままではビーム制御が出来ないため、ビームをセンサ上に移動させる制御である。
【０００５】
図１７は従来の粗調整方式を示すフローチャートである。ガルバノミラーに指示値０ＥＢ８Ｈ（下限指示値）をあたえ、ビームがセンサ面上に位置するまで大きなステップ数（１００ｂｉｔ≒像面位置変化１７６μｍ）で指示値３１４６Ｈ（上限値）に向けてビームの移動を行う。図１８に示すように、ガルバノミラーに反射されたビームは感光体ドラム面上にあたり、そこに潜在画像を作り出す。
この潜像画像を現像し用紙上に像を作る。センサ面と用紙面はガルバノミラーから等距離にあり、センサ面でのビームのズレは用紙上にそのまま現れる。よって、センサ面におけるビーム位置を像面位置と呼ぶこととする。
【０００６】
先ず、４ビーム中の調整対象ビームのみが発光するように、該当するビームを発光させる（ステップＳ１００）。次にＨＳＹＮＣが取れているかどうかを確認し（ステップＳ１０１）、ＨＳＹＮＣが取れているなら、そこで粗調整を終了し副走査位置のセンサの入力を行う。
【０００７】
ステップＳ１０１でＨＳＹＮＣ検知できていない場合は、まずガルバノミラーが像面下方向に最大振り角で向くように指示値を与え、そこから１００ｂｉｔ（約１７６μｍ）づつ指示値を上げて行く（ステップＳ１０６）。そのまま一番上まで移動してもＨＳＹＮＣ検出できない場合はサービスコールとし、本体に表示する。
【０００８】
全ビームにおいてＨＳＹＮＣが取れるまで、上記動作を繰り返し実行する。繰り返し方についてはビーム１→２→３→４→１→…の順で行ない、調整が終了したビームは飛ばし１→３→４→１→３→…の様に行う。
【０００９】
粗調整が終了した後、微調整を行う。図１９は従来の微調整方式を示すフローチャートである。微調整とは粗調整においてセンサ内に入ってきたビームを、制御目標範囲（目標値±１０（μｍ））に追込み、正確な出力画像を得るために行われる。
【００１０】
粗調整と同様に制御対象ビームを発光させ（ステップＳ１１０）、センサからの応答値を元にガルバノミラーへ指示値を与えて像面位置を変化させ（ステップＳ１１３）、制御目標範囲へ追込んでいく。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
図２１はガルバノミラーの入出力関係を示したものである。ガルバノミラーに対する入力は電圧で与える。−１０．６（Ｖ）〜１０．６（Ｖ）を０ＣＣＣＨ〜３３３３Ｈ（９８３１ＤＥＣ）で分割し、これをガルバノミラーに対する入力として与える。つまり、１ｂｉｔあたり２．１６（ｍＶ）の入力電圧となる。出力は−３９．４６（ｍｒａｄ）〜３９．４６（ｍｒａｄ）のガルバノミラー振り角として出力され、ガルバノミラー振り角に対応する像面位置変化量は−８．６８（ｍｍ）〜８．６８（ｍｍ）である。つまり入力１ｂｉｔに対して、出力１．７６（μｍ）の像面位置変化量を持つことになる。
【００１２】
またガルバノミラーの耐熱対策のため、駆動範囲の両端５％をソフト的に使用禁止とする。よって、実際に与える入力は−１０．１（Ｖ）〜１０．１（Ｖ）（入力１０Ａ５Ｈ〜３１４６Ｈ）であり、出力は−３７．４９（ｍｒａｄ）〜３７．４９（ｍｒａｄ）（出力像面位置変化量−８．２５（ｍｍ）〜８．２５（ｍｍ））である。
【００１３】
図２２はガルバノミラーの動作方向、像面位置変化量と、ガルバノミラーに対する入力データ、ガルバノミラー入力電圧（−１０．１（Ｖ）〜１０．１（Ｖ））の関係図である。−１０．１（Ｖ）→＋１０．１（Ｖ）＝０ＥＢ８Ｈ→３１４６Ｈ＝ガルバノミラー上方向へ７４．９８（ｍｒａｄ）移動となる。
【００１４】
上記ガルバノミラーの諸特性は、ガルバノミラー個々に大きく異なっている。
図２０に示すように、入力１ｂｉｔに対する像面位置変化量は最小値１．２３（μｍ）〜最大値２．２２（μｍ）、最大像面移動距離は１２．１１（ｍｍ）〜２１．８６（ｍｍ）、１ｂｉｔあたり振り角は６．２２（μｒａｄ／ｂｉｔ）〜１１．２３（μｒａｄ／ｂｉｔ）、ガルバノミラー最大振り角は５５．０４（ｍｒａｄ）〜９９．３８（ｍｒａｄ）というように、約±３０％もの個体差を含んでいる。
【００１５】
また、ガルバノミラーの指示値に対する応答時間はダンピング材の混合比が若干異なるだけでも大きく異なる。図２３〜図２５はそれぞれダンピング材の素材混合比が１：１．１、１：１．２、１：１．３の場合の応答特性図である。横軸が時間（ｍＳ）、縦軸がガルバノミラーの像面位置変化量（μｍ）である。ガルバノミラーに指示値を与えてから、従来制御のデータサンプリング間隔である約１０（ｍＳ）後の変化量は、約１３０（μｍ）、約１００（μｍ）、約８０（μｍ）となっており、若干混合比が変わっただけでもガルバノミラーの応答特性が違うことが見て取れる。
【００１６】
特願平第１０−３２３８７２号等に示されるように、副走査制御において使用するガルバノミラーは、磁石固定ベース、磁石、ボビン、ヨーク、コイル、トーションバー、ミラーから構成されており、ミラーとトーションバーの間は接着剤で４点止めにされている。このためガルバノミラーを大きく変動させる事は、接着剤はがれ等の不具合の要因となり、ガルバノミラーの寿命を縮める要因となる。
【００１７】
上記の従来制御においてはガルバノミラーに最大電圧（−１０．１（Ｖ））を与えているため、ガルバノミラーに対する負荷が大きい（課題１）。
【００１８】
また粗調整は、前回制御値の近辺（入力値０（Ｖ）付近）にある筈のセンサを探すために行うが、ガルバノミラーに下限指示値０ＥＢ８Ｈ（−１０．１（Ｖ））をあたえ、ビームがセンサ面上に位置するまで１００ｂｉｔ単位でビームの移動を行う従来の制御手法では、近くにあるものを遠くから探すことになり制御に無駄が生じている（課題２）。
【００１９】
また、従来制御ではガルバノミラー指示値１ｂｉｔあたりの像面位置変化量の個体差に対応した制御を行ってはいない。つまり、入力１ｂｉｔあたりの像面位置変化量の個体差に対応した制御を行ってはいない。すなわち、入力１ｂｉｔに対する像面位置変化量が最小値１．２３（μｍ）のものに対しても、最大値２．２２（μｍ）のものに対しても同じ制御を行う。例えば像面位置で１７６（μｍ）（平均値品では１００ｂｉｔ）動かそうとした時、平均値品と同じ指示値１００ｂｉｔを与えると最小値品では１２３（μｍ）しか動かず、最大値品では２２２（μｍ）も動いてしまい、どちらもさらに移動が必要となる、つまり制御に無駄が生じる。また最大値品では目標位置を飛び越えてしまい制御不能になる可能性もある（課題３）。
【００２０】
また、従来制御ではガルバノミラーに指示値を与えてからの応答時間の個体差に対応した制御を行ってはいない。つまり、指示値を与えてからデータサンプリングを行うタイミング（約１０（ｍＳ）後）までのガルバノミラー到達度が８０％のものに対しても、７０％のものに対しても、６０％のものに対しても同じ制御を行っている。例えば、到達度が７０％だと想定して制御を行い、実際の到達度が８０％や６０％だった場合、行き過ぎや移動量不足が生じてどちらもさらに移動が必要となる。つまり制御に無駄が生じる（課題４）。
【００２１】
以上のように従来制御では、指示値１ｂｉｔあたりの像面位置変化量や応答時間等のガルバノミラー個々の特性が不明のため、制御時間が推測できずマージンを多くとらざるを得なくなる。一般にドラムはウォームアップ後、光学系等の制御中に回転し続けるため、ドラムの空転時間が長くなるなどの弊害がある（課題５）。
【００２４】
従って本発明は、ガルバノミラーの像面位置変化量の個体差に対応した制御を行い、所要制御時間を短縮することを目的とする。
【００２５】
又本発明は、ガルバノミラーの応答時間の個体差に対応した制御を行い、所要制御時間を短縮することを目的とする。
【００２６】
更に本発明は、各ガルバノミラーの固体差を把握し、ガルバノミラー制御におけるマージンを減少し、制御の所要時間を短縮することを目的とする。
【００２７】
【課題を解決するための手段】
本発明は複数のレーザ発光源、前記複数のレーザ発光源から発生されるビームの副走査ビーム位置を可変するガルバノミラー、前記ガルバノミラーを反射したビームを主走査方向に走査する単一のポリゴンミラー及び前記ビームの主走査及び副走査位置を検知するためのレーザビーム用光センサを有する画像形成装置における副走査ビーム位置を制御する方法であって、ガルバノミラーに所定の指示値を与えた後、ビームが移動した距離を前記光センサの出力変化を利用して、一定の時間間隔で計測するステップと、前記移動した距離の計測結果から、ガルバノミラーの指示値あたりの移動量及び指示値に対する応答時間を判断するステップと、前記指示値あたりの移動量及び指示値に対する応答時間を用いて、副走査方向のビーム位置を制御するステップとを具備し、前記制御ステップは、前記指示値あたりの移動量及び指示値に対する応答時間に基づいて、位置制御用指示値及びサンプリング時間を決定するステップと、前記ガルバノミラーに前記位置制御用指示値を与え、前記サンプリング時間後にビーム位置が目標範囲内にあるか判断するステップと、ビーム位置が目標範囲内となるまで前記判断ステップを繰り返すステップを具備する。
【００３１】
このように各ガルバノミラーについて、指示値あたりの移動量及び指示値に対する応答時間が判断され、判断された移動量及び応答時間を用いてビーム位置の例えば微調整が行われるので、ガルバノミラー制御におけるマージンを減少し、所要制御時間を短縮することができる。
【００３２】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しながら、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００３３】
図１は、本実施の形態に係る画像形成装置としてのデジタル複写機の構成を示すものである。すなわち、このデジタル複写機は、たとえば、画像読取手段としてのスキャナ部１、および、画像形成手段としてのプリンタ部２から構成されている。スキャナ部１は、図示矢印方向に移動可能な第１キャリジ３と第２キャリジ４、結像レンズ５、および、光電変換素子６などから構成されている。
【００３４】
図１において、原稿Ｏは透明ガラスからなる原稿台７上に下向きに置かれ、その原稿Ｏの載置基準は原稿台７の短手方向の正面右側がセンタ基準になっている。原稿Ｏは、開閉自在に設けられた原稿固定カバー８によって原稿台７上に押え付けられる。
【００３５】
原稿Ｏは光源９によって照明され、その反射光はミラー１０，１１，１２、および、結像レンズ５を介して光電変換素子６の受光面に集光されるように構成されている。ここで、上記光源９およびミラー１０を搭載した第１キャリジ３と、ミラー１１，１２を搭載した第２キャリジ４は、光路長を一定にするように２：１の相対速度で移動するようになっている。第１キャリジ３および第２キャリジ４は、キャリジ駆動用モータ（図示せず）によって読取タイミング信号に同期して右から左方向に移動する。
【００３６】
以上のようにして、原稿台７上に載置された原稿Ｏの画像は、スキャナ部１によって１ラインごとに順次読取られ、その読取り出力は、図示しない画像処理部において画像の濃淡を示す８ビットのデジタル画像信号に変換される。
【００３７】
プリンタ部２は、光学系ユニット１３、および、被画像形成媒体である用紙Ｐ上に画像形成が可能な電子写真方式を組合わせた画像形成部１４から構成されている。すなわち、原稿Ｏからスキャナ部１で読取られた画像信号は、図示しない画像処理部で処理が行なわれた後、半導体レーザ発振器からのレーザ光ビームに変換される。ここに、本実施の形態では、半導体レーザ発振器を複数個使用するマルチ光ビーム学系を採用している。
【００３８】
光学系ユニット１３の構成については後で詳細を説明するが、ユニット内に設けられた複数の半導体レーザ発振器は、図示しない画像処理部から出力されるレーザ変調信号にしたがって発光動作し、これらから出力される複数の光ビームは、ポリゴンミラーで反射されて走査光となり、ユニット外部へ出力されるようになっている。
【００３９】
光学系ユニット１３から出力される複数の光ビームは、像担持体としての感光体ドラム１５上の露光位置Ｘの地点に必要な解像度を持つスポットの走査光として結像され、走査露光される。これによって、感光体ドラム１５上には、画像信号に応じた静電潜像が形成される。
【００４０】
感光体ドラム１５の周辺には、その表面を帯電する帯電チャージャ１６、現像器１７、転写チャージャ１８、剥離チャージャ１９、および、クリーナ２０などが配設されている。感光体ドラム１７は、駆動モータ（図示せず）により所定の外周速度で回転駆動され、その表面に対向して設けられている帯電チャージャ１６によって帯電される。帯電された感光体ドラム１５上の露光位置Ｘの地点に複数の光ビーム（走査光）がスポット結像される。
【００４１】
感光体ドラム１５上に形成された静電潜像は、現像器１７からのトナー（現像剤）により現像される。現像によりトナー像を形成された感光体ドラム１５は、転写位置の地点で給紙系によりタイミングをとって供給される用紙Ｐ上に転写チャージャ１８によって転写される。
【００４２】
上記給紙系は、底部に設けられた給紙カセット２１内の用紙Ｐを、給紙ローラ２２と分離ローラ２３とにより１枚ずつ分離して供給する。そして、レジストローラ２４まで送られ、所定のタイミングで転写位置まで供給される。転写チャージャ１８の下流側には、用紙搬送機構２５、定着器２６、画像形成済みの用紙Ｐを排出する排紙ローラ２７が配設されている。これにより、トナー像が転写された用紙Ｐは、定着器２６でトナー像が定着され、その後、排紙ローラ２７を経て外部の排紙トレイ２８に排紙される。
【００４３】
また、用紙Ｐへの転写が終了した感光体ドラム１５は、その表面の残留トナーがクリーナ２０によって取り除かれて、初期状態に復帰し、次の画像形成の待機状態となる。以上のプロセス動作を繰り返すことにより、画像形成動作が連続的に行なわれる。
【００４４】
以上説明したように、原稿台７上に置かれた原稿Ｏは、スキャナ部１で読取られ、その読取り情報は、プリンタ部２で一連の処理を施された後、用紙Ｐ上にトナー画像として記録されるものである。
【００４５】
次に、光学系ユニット１３について説明する。
【００４６】
図２は、光学系ユニット１３の構成と感光体ドラム１５の位置関係を示している。光学系ユニット１３は、たとえば、４つの光ビーム発生手段としての半導体レーザ発振器３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄを内蔵していて、それぞれのレーザ発振器３１ａ〜３１ｄが、同時に１走査ラインずつの画像形成を行なうことで、ポリゴンミラーの回転数を極端に上げることなく、高速の画像形成を可能としている。
【００４７】
すなわち、レーザ発振器３１ａはレーザドライバ３２ａで駆動され、出力される光ビームは、図示しないコリメータレンズを通過した後、光路制御手段としてのガルバノミラー３３ａに入射する。ガルバノミラー３３ａで反射された光ビームは、ハーフミラー３４ａとハーフミラー３４ｂを通過し、多面回転ミラーとしてのポリゴンミラー３５に入射する。
【００４８】
ポリゴンミラー３５は、ポリゴンモータドライバ３７で駆動されるポリゴンモータ３６によって一定速度で回転されている。これにより、ポリゴンミラー３５からの反射光は、ポリゴンモータ３６の回転数で定まる角速度で、一定方向に走査することになる。ポリゴンミラー３５によって走査された光ビームは、図示しないｆ−θレンズのｆ−θ特性により、これを通過することによって、一定速度で、光ビーム検知手段および光ビームパワー検知手段としての光ビーム検知装置３８の受光面、および、感光体ドラム１５上を走査することになる。
【００４９】
レーザ発振器３１ｂは、レーザドライバ３２ｂで駆動され、出力される光ビームは、図示しないコリメータレンズを通過した後、ガルバノミラー３３ｂで反射し、さらにハーフミラー３４ａで反射する。ハーフミラー３４ａからの反射光は、ハーフミラー３４ｂを通過し、ポリゴンミラー３５に入射する。ポリゴンミラー３５以降の経路は、上述したレーザ発振器３１ａの場合と同じで、図示しないｆ−θレンズを通過し、一定速度で光ビーム検知装置３８の受光面および感光体ドラム１５上を走査する。
【００５０】
レーザ発振器３１ｃは、レーザドライバ３２ｃで駆動され、出力される光ビームは、図示しないコリメータレンズを通過した後、ガルバノミラー３３ｃで反射し、さらにハーフミラー３４ｃを通過し、ハーフミラー３４ｂで反射し、ポリゴンミラー３５に入射する。ポリゴンミラー３５以降の経路は、上述したレーザ発振器３１ａ，３１ｂの場合と同じで、図示しないｆ−θレンズを通過し、一定速度で光ビーム検知装置３８の受光面および感光体ドラム１５上を走査する。
【００５１】
レーザ発振器３１ｄは、レーザドライバ３２ｄで駆動され、出力される光ビームは、図示しないコリメータレンズを通過した後、ガルバノミラー３３ｄで反射し、さらにハーフミラー３４ｃで反射し、ハーフミラー３４ｂで反射し、ポリゴンミラー３５に入射する。ポリゴンミラー３５以降の経路は、上述したレーザ発振器３１ａ，３１ｂ，３１ｃの場合と同じで、図示しないｆ−θレンズを通過し、一定速度で光ビーム検知装置３８の受光面および感光体ドラム１５上を走査する。
【００５２】
なお、レーザドライバ３２ａ〜３２ｄは、それぞれオートパワーコントロール（ＡＰＣ）回路を内蔵しており、後で説明する主制御部（ＣＰＵ）５１から設定される発光パワーレベルで常にレーザ発振器３１ａ〜３１ｄを発光動作させるようになっている。
【００５３】
このようにして、別々のレーザ発振器３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄから出力された各光ビームは、ハーフミラー３４ａ，３４ｂ，３４ｃで合成され、４つの光ビームがポリゴンミラー３５の方向に進むことになる。
【００５４】
したがって、４つの光ビームは、同時に感光体ドラム１５上を走査することができ、従来のシングルビームの場合に比べ、ポリゴンミラー３５の回転数が同じである場合、４倍の速度で画像を記録することが可能となる。
【００５５】
ガルバノミラー３３ａ，３３ｂ，３３ｃ，３３ｄは、光ビームの副走査方向位置を調整（制御）するためのものであり、それぞれを駆動するガルバノミラー駆動回路３９ａ，３９ｂ，３９ｃ，３９ｄが接続されている。
【００５６】
光ビーム検知装置３８は、上記４つの光ビームの通過位置、通過タイミングおよびパワーをそれぞれ検知するためのものであり、その受光面が感光体ドラム１５の表面と同等になるよう、感光体ドラム１５の端部近傍に配設されている。この光ビーム検知装置３８からの検知信号を基に、それぞれの光ビームに対応するガルバノミラー３３ａ，３３ｂ，３３ｃ，３３ｄの制御（副走査方向の画像形成位置すなわちビーム照射位置制御）、レーザ発振器３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄの発光パワーの制御、および、発光タイミングの制御（主走査方向の画像形成位置制御）が行なわれる。これらの制御を行なうための信号を生成するために、光ビーム検知装置３８には、光ビーム検知装置出力処理回路４０が接続されている。
【００５７】
次に、制御系について説明する。
【００５８】
図３は、主にマルチ光ビーム学系の制御を主体にした制御系を示している。すなわち、５１は全体的な制御を司る主制御部で、たとえば、ＣＰＵからなり、これには、メモリ５２、コントロールパネル５３、外部通信インタフェイス（Ｉ／Ｆ）５４、レーザドライバ３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３２ｄ、ポリゴンミラーモータドライバ３７、ガルバノミラー駆動回路３９ａ，３９ｂ，３９ｃ，３９ｄ、信号処理手段としての光ビーム検知装置出力処理回路４０、同期回路５５、および、画像データインタフェイス（Ｉ／Ｆ）５６が接続されている。
【００５９】
同期回路５５には、画像データＩ／Ｆ５６が接続されており、画像データＩ／Ｆ５６には、画像処理部５７およびページメモリ５８が接続されている。画像処理部５７にはスキャナ部１が接続され、ページメモリ５８には外部インタフェイス（Ｉ／Ｆ）５９が接続されている。
【００６０】
ここで、画像を形成する際の画像データの流れを簡単に説明すると、以下のような流れとなる。
【００６１】
まず、複写動作の場合は、先に説明したように、原稿台７上にセットされた原稿Ｏの画像は、スキャナ部１で読取られ、画像処理部５７へ送られる。画像処理部５７は、スキャナ部１からの画像信号に対し、たとえば、周知のシェーディング補正、各種フィルタリング処理、階調処理、ガンマ補正などを施こす。
【００６２】
画像処理部５７からの画像データは、画像データＩ／Ｆ５６へと送られる。画像データＩ／Ｆ５６は、４つのレーザドライバ３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３２ｄへ画像データを振り分ける役割を果たしている。
【００６３】
同期回路５５は、各光ビームの光ビーム検知装置３８上を通過するタイミングに同期したクロックを発生し、このクロックに同期して、画像データＩ／Ｆ５６から各レーザドライバ３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３２ｄへ、画像データをレーザ変調信号として送出する。
【００６４】
このようにして、各光ビームの走査と同期を取りながら画像データを転送することで、主走査方向に同期がとれた（正しい位置への）画像形成が行なわれるものである。
【００６５】
また、同期回路５５には、非画像領域で各レーザ発振器３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄを強制的に発光動作させ、各光ビームのパワーを制御するためのサンプルタイマや、各光ビームの画像形成タイミングを取るために、光ビームの順にしたがって光ビーム検知装置３８上でそれぞれのレーザ発振器３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄを発光動作させる論理回路などが含まれている。
【００６６】
コントロールパネル５３は、複写動作の起動や、枚数設
定などを行なうマンマシンインタフェースである。
【００６７】
本デジタル複写機は、複写動作のみでなく、ページメモリ５８に接続された外部Ｉ／Ｆ５９を介して外部から入力される画像データをも形成出力できる構成となっている。なお、外部Ｉ／Ｆ５９から入力される画像データは、一旦ページメモリ５８に格納された後、画像データＩ／Ｆ５６を介して同期回路５５へ送られる。
【００６８】
また、本デジタル複写機が、たとえば、ネットワークなどを介して外部から制御される場合には、外部通信Ｉ／Ｆ５４がコントロールパネル５３の役割を果たす。
【００６９】
ガルバノミラー駆動回路３９ａ，３９ｂ，３９ｃ，３９ｄは、主制御部５１からの指示値にしたがってガルバノミラー３３ａ，３３ｂ，３３ｃ，３３ｄを駆動する回路である。したがって、主制御部５１は、ガルバノミラー駆動回路３９ａ，３９ｂ，３９ｃ，３９ｄを介して、ガルバノミラー３３ａ，３３ｂ，３３ｃ，３３ｄの各角度を自由に制御することができる。
【００７０】
ポリゴンモータドライバ３７は、先に述べた４つの光ビームを走査するポリゴンミラー３５を回転させるためのポリゴンモータ３６を駆動するドライバである。主制御部５１は、このポリゴンモータドライバ３７に対し、回転開始、停止と回転数の切換えを行なうことができる。回転数の切換えは、光ビーム検知装置３８で光ビームの通過位置を確認する際に、必要に応じて、所定の回転速度よりも回転数を落すときに用いる。
【００７１】
レーザドライバ３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３２ｄは、先に説明した同期回路５５からの光ビームの走査に同期したレーザ変調信号にしたがってレーザ光を発光させる以外に、主制御部５１からの強制発光信号により、画像データとは無関係に強制的にレーザ発振器３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄを発光動作させる機能を持っている。
【００７２】
また、主制御部５１は、それぞれのレーザ発振器３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄが発光動作するパワーを、各レーザドライバ３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３２ｄに対して設定する。発光パワーの設定は、プロセス条件の変化や、光ビームの通過位置検知などに応じて変更される。
【００７３】
メモリ５２は、制御に必要な情報を記憶するためのものである。たとえば、各ガルバノミラー３３ａ，３３ｂ，３３ｃ，３３ｄの制御量、光ビームの通過位置を検知するための回路特性（増幅器のオフセット値）、および、光ビームの到来順序などを記憶しておくことで、電源立ち上げ後、即座に光学系ユニット１３を画像形成が可能な状態にすることができる。
【００７４】
次に、本発明のガルバノミラー３３のドリフト方向予測について説明する。図４はガルバノミラーのドリフト現象を示す図である。
【００７５】
ガルバノミラーは特願平第１０−３２３８７２号等に示されるように、周囲温度等によるドリフト現象を持ち、このドリフト現象は各ガルバノミラー毎にドリフト量が異なる。従って副走査制御を用いてこのドリフト現象による位置変化を補正する。
【００７６】
ガルバノミラーに十分通電すると、指示値が一定でもガルバノミラーの像面位置は通電開始時と異なっている。位置補正をした後、通電を止めてガルバノミラーを十分放熱してから再度同じ指示値を与えると、位置補正を行った分異なる像面位置に位置される。ガルバノミラーのドリフト方向は、コイルに電流を流す方向により決定される。
【００７７】
図４において、指示値２０００Ｈ以上（プラス電圧側）が与えられていれば、ガルバノミラーはよりプラス側にドリフトして行き、指示値１ＦＦＥ以下（マイナス電圧側）が与えられていれば、ガルバノミラーはよりマイナス側にドリフトして行く。この特性から、前回制御値からガルバノミラーのドリフト方向は推測することが可能である。
【００７８】
図５はガルバノミラーのドリフトの影響を示す図である。図５に示すように、例えば粗調制御を行いセンサ上にビームを位置させるために、ガルバノミラーに指示値２５００Ｈを与え、その後１０分間通電した時、ドリフトの補正をマイナス方向に１００μｍ行ったとすると、１０分通電後の指示値は２４Ｃ８Ｈとなる（ここで、ガルバノミラーに対する指示値１ｂｉｔあたり像面位置変化量変化量１．７６μｍとする）。つまり、通電開始時において（指示値２５００Ｈ時）、像面位置は通電前の初期位置（ガルバノミラー指示値１ＦＦＦＨ：０ｍｍ）より上側に２．２６ｍｍの付近にある。
【００７９】
ガルバノミラーのドリフトの影響を無くすため、１０分後（指示値２４Ｃ８Ｈ、像面位置は２．２６ｍｍ付近）に通電を止めて、冷却後再度通電時に再度２４Ｃ８Ｈの指示値を与えると、像面位置は初期位置（０ｍｍ）より上側に２．１６ｍｍの付近になる。つまり十分通電後に電源ＯＦＦした時のガルバノミラーの位置は、冷却後再電源ＯＮ時の位置よりプラス側にある。よって、指示値を２４Ｃ８Ｈから３１４６Ｈ（上限値）に向けて変化させていけば、数制御ステップの内にセンサを発見でき、効率的に調整を行う事が可能となる。また、通電時の指示値がガルバノミラー初期値（１ＦＦＦＨ）以下の場合、下限値方向に指示値を変化させれば良い。このようにセンサ位置を予測し、予測方向にガルバノを変化させる。
【００８０】
図６は本発明の副走査方向粗調整制御を説明するための図である。ガルバノミラーに目標位置に対応する前回制御時の最終値を与える（図６では説明を簡単にするため０ｂｉｔとしているが、実際には上記例のように２４Ｃ８Ｈ等の値である）。前回のドリフト方向から推測した方向に１００ｂｉｔずつ移動させ、移動量が一定量（図６では−１０００ｂｉｔ、＋１０００ｂｉｔ、−２０００ｂｉｔ、…）を超えた場合、動く前の前回値（図６では０ｂｉｔ）に戻り逆方向にセンサを探す。これは、温度や振動によるユニットの歪み等の外部要因によって、予測方向が外れる可能性があるためである。予測方向が外れていた場合、最大指示値まで１方向に進み、その後逆方向に進む制御を行うと、ガルバノミラーにかかる負荷が増大してしまう。これを避けるために、上記一定量ごとにスキャン方向を変える。
【００８１】
逆方向に一定量移動しても反応がない場合、再び動く前の前回値に戻り移動量を増やし再度予測方向に移動する。以上の動作をセンサが反応するか、指示値が上限値の３１４６Ｈか又は下限値の０ＥＢ８Ｈになるまで繰り返す。
【００８２】
図７は上記制御動作を示すフローチャートである。
【００８３】
先ず、ステップＳ１０のように、４ビーム中の調整対象ビームのみが発光するように、該当するビームを発光させる。次にガルバノミラーに初期値（前回制御値）をあたえ（ステップＳ１１）、センサがレーザビームを受光することにより発生されるＨＳＹＮＣが取れているかどうかを確認し（ステップＳ１２）、ＨＳＹＮＣが取れているなら粗調整はそこで終了し、副走査位置のセンサの入力を行う。
【００８４】
ＨＳＹＮＣ検知できていない場合は、ガルバノミラーに対して予測したドリフトを補正する方向に、指示値を初期値１００ｂｉｔづつ与え、ＨＳＹＮＣが取れているかどうかを確認する。これをＨＳＹＮＣが取れるか指示値が一定量（図６の場合では−１０００ｂｉｔ）をこすまで繰返す（ステップＳ１４）。
【００８５】
一定量与えてもＨＳＹＮＣが取れていない場合は（ステップＳ１５）、ガルバノミラーに対して、予測したドリフトを補正する方向と逆方向に初期値＋１００ｂｉｔをあたえ、ＨＳＹＮＣが取れているかどうかを確認する。これをＨＳＹＮＣが取れるか指示値が一定量（図６の場合では＋１０００ｂｉｔ）をこすまで繰返す。
【００８６】
指示値が上限値もしくは下限値になった場合は（ステップＳ１６）、サービスコールとし、本体に表示する（ステップＳ１９）。
【００８７】
以上の制御は全ビームについてＨＳＹＮＣが取れるまで繰り返し実行する。繰り返し方についてはビーム１→２→３→４→１→…の順で行ない、調整が終了したビームは飛ばし、例えば１→３→４→１→３→…の様に行う。
【００８８】
以上の制御によりガルバノミラーにかける負荷を軽減し、かつ粗調整制御にかかる時間を短縮することが可能となる。
【００８９】
次にガルバノミラーの個別特性の測定について説明する。本発明においては、ガルバノミラーが搭載されたＭ／Ｃ（マルチビーム複写機）に、初めて電源が投入される際、ビーム位置制御時に、各ガルバノミラーの指示値あたりの像面位置変化量と指示値に対する応答時間の測定を行い、その値を記憶する。この値を利用し、ガルバノミラー個々の特性に応じて指示値、データサンプル時間を最適化し、制御時間の短縮、及びトータルの制御時間の推測を可能とし、ビーム制御全体の効率を上げる。
【００９０】
図８はビーム制御に使用するセンサ２８の略図及びその略図である。また、図９は第１の測定手法によるガルバノミラー微調整用個別特性計測のイメージ図であり、図１０は第１の測定手法によるガルバノミラー粗調整用個別特性計測のイメージ図である。
【００９１】
図８において副走査制御に使用されるのは、特願平第１０−３２３８７２号等に示されるように、センサＣ、センサＤの傾きセンサとセンサＦ〜センサＪの帯状に複数個設けられた位置センサである。
【００９２】
これらのセンサはビームが検知エリアにある場合、ビームの位置に応じて異なる大きさの電流を出力する。この電流値の変化を利用して、ガルバノミラーの指示値１ｂｉｔあたりの像面位置変化量及び指示値に対する応答時間を測定する。
【００９３】
先ず第１の測定手法について説明する。図１１は本発明による第１のガルバノミラー特性測定手法を示すフローチャートである。
【００９４】
図９、図１０にあるように、まずガルバノミラーが搭載されたＭ／Ｃに電源が投入された時、従来のビーム位置制御を行う（ステップＳ３１）。即ち、第１ビームがセンサＪ、Ｉ間の中心を走査するように制御し、同様に第２ビームをセンサＩ、Ｈ間の中心に、第３ビームをセンサＨ、Ｇ間の中心に、第４ビームをセンサＧ、Ｆ間の中心に制御する。
【００９５】
各ビームの副走査制御を行った後、得た制御指示値を段階的に変化させ、指示値の変化に対するビームの像面位置変化量、ビームの応答時間を、副走査微調整に使用する像面位置変化量として計測する。例えば、ガルバノミラーに前回制御値＋１ｂｉｔ（約２μｍ），１０ｂｉｔ（約１８μｍ），１５ｂｉｔ（約２７μｍ）の指示値を与え（ステップＳ３６）、各指示値を与えた時からの時間とセンサ値をセットで記憶する（ステップＳ３７）。この様子を図９に示す。図９は例として第３ビームのガルバノミラーに対して＋１５ビットの指示値を与えた場合を示す。
【００９６】
この時間とセンサ値の測定は、ポリゴンミラー８面（１面４０３μＳ）についてデータを取り、これを平均して１個のデータとする、つまり約３．２ｍＳ（４０３μＳ×８）毎にサンプリングを行う。また１秒後のセンサ値を指示値に対するガルバノミラー像面位置変化の最終値であるものとし、データサンプリングは１秒後まで行う（ステップＳ３９）。ガルバノミラーのドリフトが飽和するまでには１日単位の時間がかかるため、完全に飽和した値をガルバノミラーの最終値とすることは時間がかかり制御上極めて不利である。ここでは、飽和した時の像面位置に対して９５％の到達率に達する１秒（Ｓ）後のセンサ値を、擬似的に最終値として取り扱う。
【００９７】
初期値＋１、１０、１５ｂｉｔに対する応答時間の測定を終了すると（ステップＳ３３でＹｅｓの場合）、次に副走査粗調整に使用する像面位置変化量として、初期値＋１００ｂｉｔの指示値を与え（ステップＳ４４）、各指示値に対する応答時間を同様に計測する（ステップＳ４５）。
【００９８】
このように１ｂｉｔ、１０ｂｉｔ、１５ｂｉｔ、１００ｂｉｔと多数のデータを取るのは、それぞれの移動距離により誤差の大きさが異なる（移動距離が大きいほど誤差もまた大きい）ためである。制御中の移動距離に近いデータを取得データから選択、使用することにより誤差の少ない制御が可能となる。
【００９９】
各移動距離は１ｂｉｔ，１０ｂｉｔ，１５ｂｉｔが副走査微調整に使用する像面位置変化量であり、１００ｂｉｔ副走査粗調整に使用する値である。
【０１００】
１ｂｉｔ，１０ｂｉｔ，１５ｂｉｔ時の各データを取得する時にはセンサＦ〜センサＪの位置センサを使用し（図９参照）、１００ｂｉｔ時のデータを収録する時には、センサＣ、センサＤの傾きセンサを使用する（図１０参照）。以上の測定を複数のビーム各々について行う。
【０１０１】
以下にサンプリングしたデータから制御に必要な情報を抽出する方法を説明する。図１２は微調整時サンプリングタイム説明図、図１３は粗調整時サンプリングタイム説明図である。
【０１０２】
ビームの副走査位置制御において、副走査微調整、副走査粗調整のサンプリングタイムは、図１２及び図１３のようにそれぞれ約１３ｍＳ、約１００ｍＳであり、このサンプリングタイムで読込まれるセンサ値は最終値の７０％、９０％に相当する。ガルバノミラーのドリフトが飽和するまで待っていることは制御効率上非常に不利になるため、７０％、９０％の段階でセンサ値を読み取り制御を行うものである。ガルバノミラーを小さく動かす微調整制御では誤差が小さいため７０％の値を使用し、大きく動かす粗調整制御では誤差が大きくなるため９０％の値を使用する。
【０１０３】
従って本発明では、図１１のステップＳ４０及びＳ４８に示すように、１秒後のセンサ値に対して７０％、９０％のセンサ値を複数のビーム各々について計算する。例えば指示値１００ｂｉｔを与えた場合、１秒後に２００μｍ移動したとすると、その９０％の値は１８０μｍである。また指示値１５ｂｉｔを与えた場合、１秒後に３０μｍ移動したとすると、その７０％の値は２１μｍである。指示値１０ｂｉｔ、指示値１ｂｉｔの場合も同様に計算する。
【０１０４】
次に、ステップＳ４０及びＳ４８で計算した７０％の移動量（センサ値）が得られた時間、及び９０％の移動量（センサ値）が得られた時間をサンプリングデータより抽出する（ステップＳ４１、Ｓ４８）。例えば、複数のビーム各々について、７０％のセンサ値（上記例では２７μｍ）が得られた時間（平均１３ｍＳ）を副走査微調整時に使用するサンプリングタイムとし、１秒後のセンサ値に対して９０％のセンサ値（上記例では１８０μｍ）が得られた時間（平均１００ｍＳ）を副走査粗調整時に使用するサンプリングタイムとする。
【０１０５】
次に第２の測定手法について説明する。図１４は第２の測定手法に係るガルバノミラー個別特性測定法を示すフローチャート、図１５はこの第２の測定手法を説明するための図である。
【０１０６】
図１４のステップＳ７０及びＳ７１のように、まずガルバノミラーが搭載されたＭ／Ｃに初めて電流が加えられた時、前述した第１の測定手法のように従来のビーム位置制御を行う。
【０１０７】
ビームの副走査制御を行った後、得た制御指示値を変化させセンサＦ〜センサＪの帯状に複数個設けられた位置センサを使用して、指示値の変化に対するビームの像面位置変化量、ビームの応答時間を計測する。
【０１０８】
図１５にあるように、センサＦ〜Ｊは、Ｆ−Ｇ、Ｇ−Ｈ、Ｈ−Ｉ、Ｉ−Ｊすべて４２．３（μｍ）の間隔で設置されている。例えば、微調整後の第２ビームをマイナス方向に４０ｂｉｔ動かした時、第１の測定手法と同様に３．２（ｍＳ）毎にセンサ値のサンプリングを行う。１秒後に８０（μｍ）移動しているとすれば、指示値４０ｂｉｔに対する像面位置変化量が８０（μｍ）になる（ステップＳ７８）。従って、指示値１００ｂｉｔあたりの像面位置変化量は２００（μｍ）となり、これを粗調整に使用する。また指示値１５ｂｉｔあたりの像面変化量は３０（μｍ）となり、指示値１０ｂｉｔあたりの像面位置変化量は２０（μｍ）であり、指示値１ｂｉｔあたりの像面位置変化量は２（μｍ）でありこれらを微調整に使用する。
【０１０９】
またセンサＨ−Ｉのピーク出力を検知し、その間にかかった時間を検知し記憶する。例えばセンサＨ−Ｉの移動に２５．６（ｍＳ）かかったとする。センサＨ−ｉの４２．３（μｍ）移動するのに、２５．６（ｍＳ）かかったということであるから、指示値１００ｂｉｔあたりの像面位置変化量２００（μｍ）動くのに１２１（ｍＳ）かかり、指示値１００ｂｉｔあたりの像面位置変化量の９０％（＝１８０（μｍ））動くのに１０９（ｍＳ）かかる。これをガルバノミラーの応答時間として記憶し、９０％時の応答時間（１０９（ｍＳ））を粗調制御に使用する。また指示値１５ｂｉｔあたりの像面位置変化量３０（μｍ）動くのに１８．２（ｍＳ）かかり、指示値１５ｂｉｔあたりの像面位置変化量の７０％（＝２１（μｍ））動くのに１２．７（ｍＳ）かかる。これをガルバノミラーの応答時間として記憶し、７０％時の応答時間（１２．７（ｍＳ））を微調制御に使用する。また同様に、指示値１０ｂｉｔ、指示値１ｂｉｔについても計算し、各ｂｉｔあたりの像面位置変化量の７０％動くのにかかる時間を記憶し、これを微調整制御に使用する。
【０１１０】
次に、ガルバノミラーが搭載されたＭ／Ｃに、２回目以降電流が投入された時、上記測定にて記憶した指示値に対する移動量と７０％、９０％移動時のセンサ値が得られるサンプリングタイムを使用して、ガルバノミラー個々の特性に合わせた制御を行う。図１６はこのような測定データを利用した制御方法を示すフローチャートである。
【０１１１】
例えば、測定時１００ｂｉｔ指示値に対して１秒後に１５０（μｍ）しかガルバノミラーが動かず、９０％移動するのに９０ｍＳかかった場合は、粗調整制御において例えば２００（μｍ）づつガルバノミラーを動かすための指示値を与える。即ち、ガルバノミラーに与える指示値を１４８ｂｉｔ（１００×２００／１５０）とし、９０ｍＳのサンプリングタイムで図１７と同様の粗調整を行う。
【０１１２】
また、測定時１５ｂｉｔ指示値に対して１秒後に４０（μｍ）もガルバノミラーが動いて、９０％移動するのに１０ｍＳかかった場合は、微調制御において３０（μｍ）づつガルバノミラーを動かすための指示値を与える。即ち、ガルバノミラーに与える指示値を１１ｂｉｔ（１５×３０／４０）とし、１０ｍＳのサンプリングタイムで図１９と同様の粗調整を行う。指示値１０ｂｉｔ時、指示値１ｂｉｔについても同様に行う。
【０１１３】
指示値１５ｂｉｔ、指示値１０ｂｉｔ時、指示値１ｂｉｔはそれぞれ、制御中に必要となる移動幅に応じて使い分ける。例えば、微調整の始めに大きく動かす場合は、指示値１５ｂｉｔ時のデータを使用し、最後の追込みを行う時には、指示値１ｂｉｔ時のデータを使用する。
【０１１４】
以上の制御により個々のガルバノミラーの格差を無くし、狙った制御ポイントに最小ステップで追込むことが出来る。このためガルバノミラーの行き過ぎや移動不足といった問題を防ぐことが出来、制御効率を大きく上昇させることが出来る。
【０１１５】
またガルバノミラー個々の、指示値あたりの像面位置変化量と応答時間が判明した事により、制御全体の時間が推測する事が出来る。このためドラムの空転時間などを減少させ、Ｍ／Ｃ全体の制御時における無駄をなくす事が可能となる。
【０１１６】
【発明の効果】
本発明を使用したビーム位置制御を行うことで、上述した１〜５の課題をきわめて有効に改善することが可能である。
【０１１７】
粗調整制御を変更する事でガルバノミラーに対する負荷を削減し、またドリフトの方向を推測し制御に活用する事で制御効率を上昇させている。
【０１１８】
また、各ガルバノミラーの指示値あたりの像面位置変化量と指示値に対する応答時間を測定しこのデータを活用する事で、ガルバノミラー個々の特性に応じて像面位置変化量、データサンプリング時間を最適化し、制御時間の短縮、トータルの制御時間の推測を可能とし、ビーム制御全体の効率を上昇させている。
【０１１９】
また、ガルバノミラー個々の指示値あたりの像面位置変化量と、応答時間が判明した事により制御全体の時間を推測する事が出来、Ｍ／Ｃ全体の制御時における無駄をなくす事が可能となる。以上により制御効率が上がりファーストコピータイムの短縮等の効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明が適用されるデジタル複写機の構成を示す。
【図２】光学系ユニットの構成と感光体ドラムの位置関係を示す。
【図３】主にマルチ光ビーム学系の制御を主体にした制御系の構成を示している。
【図４】ガルバノミラーのドリフトの方向を示す図である。
【図５】ガルバノミラーのドリフトを説明するための図。
【図６】本発明のマルチビーム副走査粗調整制御を説明するための図。
【図７】本発明のマルチビーム副走査粗調整制御を示すフローチャートである。
【図８】本件に使用したセンサ略図及びその拡大である。
【図９】微調整時に使用するガルバノミラーの第１の個別特性測定手法を説明するための図。
【図１０】粗調整時に使用するガルバノミラー第２の個別特性測定手法を説明するための図。
【図１１】ガルバノミラーの第１の個別特性測定手法を示すフローチャートである。
【図１２】微調整時のサンプリングタイムを説明するための図。
【図１３】粗調整時のサンプリングタイムを説明するための図。
【図１４】ガルバノミラーの第２の個別特性測定手法を示すフローチャート。
【図１５】ガルバノミラーの第２の個別特性測定手法を説明するための図。
【図１６】本発明の測定データを使用したマルチビーム制御を示すフローチャート図。
【図１７】従来のマルチビーム副走査粗調整制御を示すフローチャート図。
【図１８】像面位置を説明するための図。
【図１９】従来の副走査微調整を示すフローチャート。
【図２０】ガルバノミラーの動作仕様を示す図。
【図２１】ガルバノミラーの入出力関係を示す図。
【図２２】ガルバノミラー入出力イメージ図である。
【図２３】ガルバノミラーの応答特性を示す図。
【図２４】ガルバノミラーの応答特性を示す図。
【図２５】ガルバノミラーの応答特性を示す図。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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