(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスクのパターンでウエハを露光する露光装置において、
前記マスクを保持するマスクステージと、
前記ウエハを保持するウエハステージと、
前記ウエハステージ上に設けられており、基板と基準マークパターンとを有する基準プレートと、
観察光を用いて前記基準マークパターンを観察する顕微鏡と、を備え、
前記観察光は、ＡｒＦエキシマレーザ光であり、
前記基準マークパターンは、前記基板の前記観察光が入射する側の面にクロムまたはアルミニウムをその材質として設けられており、
該入射する側の面の前記基準マークパターン上に、前記観察光を透過するＳｉＯ２からなる保護膜が密着させて設けられている
ことを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記保護膜の厚さは、ＳｉＯ２の前記観察光に対する屈折率をｎ、前記観察光の波長をλとすると、
ｎｄ＝λ／２×ｍ（ｍ＝１，２，３・・・）
を満足する厚さｄの近傍である
ことを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の露光装置を含む各種プロセス用の製造装置群を半導体製造工場に設置する工程と、該製造装置群を用いて複数のプロセスによって半導体デバイスを製造する工程とを有することを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、露光装置およびデバイス製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、ベースライン計測、ベストフォーカス位置計測など、露光装置の測定精度校正（キャリブレーション）には、ステージ上に設けられた基準プレートを使用している。基準プレート上には、ＸＹ方向あるいはＺ方向計測用にガラス上にクロム、アルミニウム膜等の基準マークパターンが形成されている。これらの基準マークパターンを露光光と同じ波長の光を用いて顕微鏡により観察している。
【０００３】
また、露光装置の露光光は、投影光学系の解像度を上げて、より微細なパターンを露光するため、波長を短くする傾向にある。
【０００４】
図４は、上記従来技術に係る基準プレートを説明するための図である。同図において、上段は基準プレートの模式的断面図を示し、１はガラス基板、２はクロム、アルミ膜等からなる基準マークパターン、４は基準マークパターンの表面についた付着物である。また、下段はその観察信号の波形を示している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
図４に示すような従来の基準マークを用いて顕微鏡によりパターン２を検出する際、特にＡｒＦエキシマレーザやＦ2 エキシマレーザのような短波長の観察光を用いた場合に、長時間照明光を照射すると、基準マークパターンのパターン膜が変質したり、基準マークパターン上に付着物が付着したりして、像のコントラストがしだいに低下し、最終的に観察不能の状態陥ってしまうという問題があった。
【０００６】
また、図４に示すように、パターン面に付着物４がついてしまい、この付着物がコントラストの低下を引き起こす要因となる場合には、基準マーク表面を定期的に洗浄する必要があったが、パターン面の段差部に付着物４がついてしまうとクリーニングが難しいという問題も生じていた。
【０００７】
本発明は、基準プレートのマークの高精度な検出を安定して行える露光装置およびデバイス製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するための本発明の露光装置は、マスクのパターンでウエハを露光する露光装置において、
前記マスクを保持するマスクステージと、
前記ウエハを保持するウエハステージと、
前記ウエハステージ上に設けられており、基板と基準マークパターンとを有する基準プレートと、
観察光を用いて前記基準マークパターンを観察する顕微鏡と、を備え、
前記観察光は、ＡｒＦエキシマレーザ光であり、
前記基準マークパターンは、前記基板の前記観察光が入射する側の面にクロムまたはアルミニウムをその材質として設けられており、
該入射する側の面の前記基準マークパターン上に、前記観察光を透過するＳｉＯ２からなる保護膜が密着させて設けられている
ことを特徴とする露光装置である。
【００１９】
【作用】
以上の構成により、ＡｒＦエキシマレーザ光、Ｆ2 エキシマレーザ光等の観察光が直接クロム、アルミニウム等の基準マークパターンに照射されないので、基準マークのパターン保護膜、パターン形成膜へのダメージを抑えることができる。また、付着物が堆積しても、平滑面に一様に付着するため、観察画像の信号波形におけるコントラスト低下を抑制することができ、しかも付着物の洗浄も容易に行うことができる。
【００２０】
【実施例】
＜基準プレートの実施例＞
図１（ａ）〜（ｃ）を用いて、本発明の基準プレートにおける、各実施例を説明する。
【００２１】
図１（ａ）において、１および５はガラス基板、２はクロムパターンからなる基準マーク、３はＳｉＯ2 膜である。本例において、ガラス基板１の厚さ（ｄ）は、ガラス基板の材質の観察光に対する屈折率をｎ、観察光の波長をλとして、ｎｄ＝λ／２×ｍ（ｍ＝１，２，３・・・）を満足する３０ｎｍ以上の厚さに調整される。このとき、ガラス基板１の厚さは、露光装置に必要とされる性能に応じて、ある程度の許容範囲を持つ。
【００２２】
図１（ａ）に示す例では観察光の照射面と反対側に基準マークを形成しているため、観察光が直接クロムパターン２に照射されず、クロムパターンの劣化が抑制される。また、ガラス基板１上に一様に付着物４が堆積するため、付着物４に起因する信号波形のコントラスト変化が少なく洗浄も容易となる。
【００２３】
図１（ｂ）において、５はガラス基板１と同様のガラス基板であり、図１（ａ）のガラス基板１と同様の厚さに調整されている。
図１（ｂ）に示す例では基準マーク上に基板５を積層しているため、観察光が直接クロムパターン２に照射されず、クロムパターンの劣化が抑制される。また、ガラス基板５上に一様に付着物４が堆積するため、付着物４に起因する信号波形のコントラスト変化が少なく洗浄も容易となる。
【００２４】
図１（ｃ）において、３はＳｉＯ2 からなる保護膜であり、その基板１から保護膜表面までの厚み（ｄ）は、図１（ａ），（ｂ）の場合と同様、保護膜３の材質の観察光に対する屈折率をｎ、観察光の波長をλとして、ｎｄ＝λ／２×ｍ（ｍ＝１，２，３・・・）を満足する３０ｎｍ以上の厚さに調整されている。このとき、ガラス基板１の厚さは、露光装置に必要とされる性能に応じて、ある程度の許容範囲を持つ。
【００２５】
＜露光装置の実施例＞
次に、上記本実施例の基準プレートをマスク基準プレートおよびウエハ基準プレートとして用いた露光装置を、図２および３を用いて説明する。
【００２６】
以下、本発明を図に示した実施例に基づいて詳細に説明する。図２は本発明が適用されたＦ2 エキシマレーザを露光光源とする投影露光装置の概略図である。
原画であるマスク１３は不図示のレーザ干渉計と駆動制御手段１０３によって、ＸＹ方向に駆動制御されるマスクステージ１６によって装置本体に支持されている。一方、感光基板であるウエハ１５は、やはり不図示のレーザ干渉計と駆動制御手段１０３によってＸＹ方向に駆動制御されるウエハステージ１７により装置本体に支持されている。このマスク１３とウエハ１５は投影光学系１４を介して光学的に共役な位置に置かれている。投影露光は、不図示の照明系からの露光光束が、マスク１３を照明し、投影光学系１４の光学倍率に比した大きさで、マスク１３の光学結像像をウエハ１５に投影することで行われる。
【００２７】
本実施例は、走査型露光装置であり、図中Ｙ方向に伸びるスリット状露光光がマスク１３を照明し、このスリット状露光光に対してマスクステージ１６とウエハステージ１７の双方を、投影光学系１４の光学倍率に応じた速度比でＸ方向に動かしてマスク１３とウエハ１５を走査する事によって行なわれ、マスク１３上のデバイスパターン２１全面を、ウエハ１５上の転写領域（パターン領域）２２に転写する。
【００２８】
本実施例では、屈折素子のみで構成した投影光学系１４を示したが、反射素子と屈折素子とを組み合わせた投影光学系であっても構わないし、本実施例のように縮小投影光学系であれ、等倍であれ、本発明の効果はなんら変わらないものである。
【００２９】
マスクステージ１６上には、マスク基準プレート１０、１１がマスク１３に対して走査方向であるＸ方向側に固設して配置してある。一方ウエハステージ１７上にはウエハ基準プレート１２が固設して配置してある。
【００３０】
マスク基準プレート１０、１１上には基準マーク５０、５１が形成してあり、この位置に対応した投影光学系１４による転写位置に、ウエハ基準プレート１２上には基準マーク６０、６１が形成してある。ここでマスク基準プレート１０、１１上の基準マーク５０、５１はマスク１３のパターン描画面と同じ高さに配置してあり、ウエハ基準プレート１２上の基準マーク６０、６１は、ウエハ１５の露光表面と略同じ高さに配置してある。
【００３１】
観察顕微鏡９Ｌ，９Ｒは、マスク基準プレート１０、１１上の基準マーク５０、５１や、マスク１３上のパターン描画面にある物体（マーク）の観察と、ウエハ基準プレート１２上の基準マーク６０、６１や、ウエハ１５上の物体（マーク）の観察が同時に可能である様になっている。光電的に観察された像信号は、マーク検出手段１０１で処理され、各々の相対的位置関係情報を演算処理回路１０２へ送る。
【００３２】
同時観察の為には、投影露光に使用されるＦ2 エキシマレーザ光を観察光として用いれば、投影光学系１４で発生する色収差を補正する新たな光学系が不要になるので望ましい。
【００３３】
今、ウエハ基準プレート１２上の基準マーク６０、６１が、投影光学系１４の下の観察顕微鏡９Ｌ、９Ｒによる観察位置（露光位置）へくるように、ウエハステージ１７を駆動して静止する。同様にマスクステージ１６を走査露光時と同じ様に走査しマスク基準プレート１１上の基準マーク５０、５１が、観察顕微鏡９Ｌ、９Ｒによる観察領域内に位置するようにし静止する。
【００３４】
この状態で、観察顕微鏡９Ｌ、９Ｒにより、基準マーク５０と６０、５１と６１のそれぞれの相対位置ずれが観察される。この相対的位置関係は、今現在投影露光されたマスク像が、ウエハステージ１７上の何処に投影されているかを示している。ここでは、露光装置の光源としてＦ2 エキシマレーザを用いる場合について説明したが、露光装置の光源としてＡｒＦエキシマレーザを用いてもよい。
【００３５】
次に、図２におけるマスク基準プレート１０，１１を用いたマスクステージ１６上のマスク１３の位置合わせについて図３を用いて説明する。
【００３６】
同図に示すように、本実施例では、マスク１３の位置合わせを、投影光学系１４を保持する保持部材に固定基準プレート（不図示）を固設し、その固定基準プレート上に形成したマーク７５ａ、７５ｂで行うようにしたものである。なお、この固定基準プレートとしても本発明の基準プレートを適用することができる。
【００３７】
予め、レーザ干渉計８０ａ，ｂと駆動制御手段１０３によってＸ方向に駆動制御されるマスクステージ１６を移動しマスク基準プレート１０（あるいは１１）上の基準マーク５０，５１（図３）を固定基準プレート上のマーク７５ａ，７５ｂ上に移動させ、レチクルアライメント顕微鏡８により両マーク（５０，５１，７５ａ，７５ｂ）の相対位置関係を計測する。そして、マスク基準プレート１０（あるいは１１）上の複数の位置合わせ基準マークと固定基準プレート上の複数の位置合わせマークとの相対的位置関係を検出し、マスク基準プレート１０（あるいは１１）上の複数の位置合わせ基準マークによって定まる座標系と固定基準プレート上の複数の位置合わせマークによって定まる座標系との関係を検出しておく。但し、固定基準プレート上のマーク７５ａ，７５ｂとマスク基準プレ一ト１０( あるいは１１）上の基準マーク５０，５１等の位置関係の測定は、固定基準プレート上のマーク７５ａ，７５ｂの位置が安定していればマスク交換の度に行う必要がない。
【００３８】
マスクステージ１６を移動しマスク１３上のマスクアライメント用マーク４２ａ，４２ｂをマーク７５ａ，７５ｂ上に位置させる。この位置近房でマスクは交換される。
【００３９】
そして、レチクルアライメント顕微鏡８により両マーク（４２ａ，４２ｂ，７５ａ，７５ｂ）の相対位置関係を計測する。そして、マスク１３上の複数の位置合わせマークと固定基準プレート上の複数の位置合わせマークとの相対的位置関係を検出して、マスク１３上の複数の位置合わせマークによって定まる座標系と固定基準プレート上の複数の位置合わせマークによって定まる座標系との関係を検出し、その検出結果と予め得たマスク基準プレート１０上の複数の位置合わせ基準マークによって定まる座標系と固定基準プレート上の複数の位置合わせマークによって定まる座標系との関係とを考慮して、マスクステージ１６に対しマスク１３を回転させる。または、マスクステージ１６の走査方向をマスク１３の走査すべき方向とマスクステージ１６の走査方向とを一致させるように駆動制御手段１０３によってマスクステージ１６の走査方向を制御する。
【００４０】
また、固定基準プレート上のマーク７５ａ，７５ｂを、マスクが露光位置に位置する時のマスクステージ１６上のマスクアライメント用マーク４２ａ，４２ｂの下に設けても上記の効果がある。
【００４１】
すなわち、マスクステージを移動し基準マーク４２ａ，４２ｂ（あるいはマーク７５ａ，７５ｂ）をレチクルアライメント顕微鏡８の観察位置に置きマスクアライメントを行うのである。この時のマーク７５ａ，７５ｂと基準マーク５０，５１等との位置関係はマスクを搭載している状態で顕微鏡９あるいはレチクルアライメント顕微鏡８で測定することができる。この位置関係の測定も、固定基準プレート上の基準マーク７５ａ，７５ｂの位置が安定していればマスク交換の度に行う必要がない。
【００４２】
（比較試験例）
比較例としてクロムパターン上にＳｉＯ2 膜を形成しない他は、図１（ｃ）に示した実施例と同様の基準プレートを作成し、以下の方法で比較試験を行った。
【００４３】
実施例（図１（ｃ））および比較例として作成した基準プレートについて、ＡｒＦエキシマレーザ光（４．０ｍｊ／ｃｍ2 、１．３×１０6 パルス）の耐久照射を行い、耐久照射前後の反射率の変化を測定した。その結果を表１に示す。
【００４４】
【表１】
0004579376.tif 000002
【００４５】
表１から明らかなように、比較例の基準マークでは、耐久照射により反射率の減少が見られたが、実施例の基準マークでは、照射前後で反射率の減少は認められなかった。
【００４６】
このように、本発明の基準プレートによれば、ガラスあるいはＳｉＯ2 膜とクロム（またはアルミ膜）が密着しているので、照射による膜の変化が発生せず、観察像が変化しない。また、ガラス（ＳｉＯ2 膜）上面に付着物がついてもコントラスト低下がなく、パターン観察が可能である。さらに、ガラスの上面に付着した物質を容易にクリーニング可能である。
【００４７】
＜半導体生産システムの実施例＞
次に、半導体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の生産システムの例を説明する。これは半導体製造工場に設置された製造装置のトラブル対応や定期メンテナンス、あるいはソフトウェア提供などの保守サービスを、製造工場外のコンピュータネットワークを利用して行うものである。
【００４８】
図５は全体システムをある角度から切り出して表現したものである。図中、１０１は半導体デバイスの製造装置を提供するベンダー（装置供給メーカ）の事業所である。製造装置の実例として、半導体製造工場で使用する各種プロセス用の半導体製造装置、例えば、前工程用機器（露光装置、レジスト処理装置、エッチング装置等のリソグラフィ装置、熱処理装置、成膜装置、平坦化装置等）や後工程用機器（組立て装置、検査装置等）を想定している。事業所１０１内には、製造装置の保守データベースを提供するホスト管理システム１０８、複数の操作端末コンピュータ１１０、これらを結んでイントラネットを構築するローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）１０９を備える。ホスト管理システム１０８は、ＬＡＮ１０９を事業所の外部ネットワークであるインタネット１０５に接続するためのゲートウェイと、外部からのアクセスを制限するセキュリティ機能を備える。
【００４９】
一方、１０２〜１０４は、製造装置のユーザとしての半導体製造メーカの製造工場である。製造工場１０２〜１０４は、互いに異なるメーカに属する工場であっても良いし、同一のメーカに属する工場（例えば、前工程用の工場、後工程用の工場等）であっても良い。各工場１０２〜１０４内には、夫々、複数の製造装置１０６と、それらを結んでイントラネットを構築するローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）１１１と、各製造装置１０６の稼動状況を監視する監視装置としてホスト管理システム１０７とが設けられている。各工場１０２〜１０４に設けられたホスト管理システム１０７は、各工場内のＬＡＮ１１１を工場の外部ネットワークであるインタネット１０５に接続するためのゲートウェイを備える。これにより各工場のＬＡＮ１１１からインタネット１０５を介してベンダー１０１側のホスト管理システム１０８にアクセスが可能となり、ホスト管理システム１０８のセキュリティ機能によって限られたユーザだけがアクセスが許可となっている。具体的には、インタネット１０５を介して、各製造装置１０６の稼動状況を示すステータス情報（例えば、トラブルが発生した製造装置の症状）を工場側からベンダー側に通知する他、その通知に対応する応答情報（例えば、トラブルに対する対処方法を指示する情報、対処用のソフトウェアやデータ）や、最新のソフトウェア、ヘルプ情報などの保守情報をベンダー側から受け取ることができる。各工場１０２〜１０４とベンダー１０１との間のデータ通信および各工場内のＬＡＮ１１１でのデータ通信には、インタネットで一般的に使用されている通信プロトコル（ＴＣＰ／ＩＰ）が使用される。なお、工場外の外部ネットワークとしてインタネットを利用する代わりに、第三者からのアクセスができずにセキュリティの高い専用線ネットワーク（ＩＳＤＮなど）を利用することもできる。
また、ホスト管理システムはベンダーが提供するものに限らずユーザがデータベースを構築して外部ネットワーク上に置き、ユーザの複数の工場から該データベースへのアクセスを許可するようにしてもよい。
【００５０】
さて、図６は本実施形態の全体システムを図５とは別の角度から切り出して表現した概念図である。先の例ではそれぞれが製造装置を備えた複数のユーザ工場と、該製造装置のベンダーの管理システムとを外部ネットワークで接続して、該外部ネットワークを介して各工場の生産管理や少なくとも１台の製造装置の情報をデータ通信するものであった。これに対し本例は、複数のベンダーの製造装置を備えた工場と、該複数の製造装置のそれぞれのベンダーの管理システムとを工場外の外部ネットワークで接続して、各製造装置の保守情報をデータ通信するものである。図中、２０１は製造装置ユーザ（半導体デバイス製造メーカ）の製造工場であり、工場の製造ラインには各種プロセスを行う製造装置、ここでは例として露光装置２０２、レジスト処理装置２０３、成膜処理装置２０４が導入されている。なお図６では製造工場２０１は１つだけ描いているが、実際は複数の工場が同様にネットワーク化されている。工場内の各装置はＬＡＮ２０６で接続されてイントラネットを構成し、ホスト管理システム２０５で製造ラインの稼動管理がされている。一方、露光装置メーカ２１０、レジスト処理装置メーカ２２０、成膜装置メーカ２３０などベンダー（装置供給メーカ）の各事業所には、それぞれ供給した機器の遠隔保守を行なうためのホスト管理システム２１１，２２１，２３１を備え、これらは上述したように保守データベースと外部ネットワークのゲートウェイを備える。ユーザの製造工場内の各装置を管理するホスト管理システム２０５と、各装置のベンダーの管理システム２１１，２２１，２３１とは、外部ネットワーク２００であるインタネットもしくは専用線ネットワークによって接続されている。このシステムにおいて、製造ラインの一連の製造機器の中のどれかにトラブルが起きると、製造ラインの稼動が休止してしまうが、トラブルが起きた機器のベンダーからインタネット２００を介した遠隔保守を受けることで迅速な対応が可能で、製造ラインの休止を最小限に抑えることができる。
【００５１】
半導体製造工場に設置された各製造装置はそれぞれ、ディスプレイと、ネットワークインタフェースと、記憶装置にストアされたネットワークアクセス用ソフトウェアならびに装置動作用のソフトウェアを実行するコンピュータを備える。
記憶装置としては内蔵メモリやハードディスク、あるいはネットワークファイルサーバーなどである。上記ネットワークアクセス用ソフトウェアは、専用又は汎用のウェブブラウザを含み、例えば図７に一例を示す様な画面のユーザインタフェースをディスプレイ上に提供する。各工場で製造装置を管理するオペレータは、画面を参照しながら、製造装置の機種（４０１）、シリアルナンバー（４０２）、トラブルの件名（４０３）、発生日（４０４）、緊急度（４０５）、症状（４０６）、対処法（４０７）、経過（４０８）等の情報を画面上の入力項目に入力する。入力された情報はインタネットを介して保守データベースに送信され、その結果の適切な保守情報が保守データベースから返信されディスプレイ上に提示される。またウェブブラウザが提供するユーザインタフェースはさらに図示のごとくハイパーリンク機能（４１０〜４１２）を実現し、オペレータは各項目の更に詳細な情報にアクセスしたり、ベンダーが提供するソフトウェアライブラリから製造装置に使用する最新バージョンのソフトウェアを引出したり、工場のオペレータの参考に供する操作ガイド（ヘルプ情報）を引出したりすることができる。
【００５２】
次に上記説明した生産システムを利用した半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図８は半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す。ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行なう。ステップ２（マスク製作）では設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組立て工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これを出荷（ステップ７）する。前工程と後工程はそれぞれ専用の別の工場で行い、これらの工場毎に上記説明した遠隔保守システムによって保守がなされる。また前工程工場と後工程工場との間でも、インタネットまたは専用線ネットワークを介して生産管理や装置保守のための情報がデータ通信される。
【００５３】
図９は上記ウエハプロセスの詳細なフローを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁膜を成膜する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステップ１６（露光）では上記説明した露光装置によってマスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。
ステップ１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステップ１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に多重に回路パターンを形成する。
各工程で使用する製造機器は上記説明した遠隔保守システムによって保守がなされているので、トラブルを未然に防ぐと共に、もしトラブルが発生しても迅速な復旧が可能で、従来に比べて半導体デバイスの生産性を向上させることができる。
【００５４】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、基準プレートのマークの高精度な検出を安定して行える露光装置およびデバイス製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の基準プレートの実施例を示す模式図。
【図２】本発明の図１の基準プレートをマスク基準プレートおよびウエハ基準プレートに用いた露光装置を説明する図。
【図３】図２の露光装置におけるマスクの位置合わせを説明する図。
【図４】従来の基準プレートを示す模式図。
【図５】半導体デバイスの生産システムをある角度から見た概念図。
【図６】半導体デバイスの生産システムを別の角度から見た概念図。
【図７】ユーザーインターフェースの具体例。
【図８】デバイスの製造プロセスのフローを説明する図。
【図９】ウエハプロセスを説明する図。
【符号の説明】
１および５：ガラス基板、２：クロムパターンからなる基準マーク、３：ＳｉＯ2 膜、４：付着物、８：レチクルアライメント顕微鏡、９Ｌ，９Ｒ：観察顕微鏡、１０，１１：マスク基準プレート、１２：ウエハ基準プレート、１３：マスク、１４：投影光学系、１５：ウエハ、１６：マスクステージ、１７：ウエハステージ、２１：デバイスパターン、２２：転写領域、４２（ａ，ｂ）：マスクアライメント用マーク、５０，５１，６０，６１：基準マーク、７５（ａ，ｂ）：固定基準プレート上マーク、８０（ａ，ｂ）：レーザ干渉計、１０１：マーク検出手段、１０２：演算処理回路、１０３：駆動制御手段。
【図１】
0004579376.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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