(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップの一面に形成された第１電極と接続される第１部分、第１端子部が形成された第２部分、および上記第１部分と上記第２部分との間を繋ぐ第３部分を有する第１導体片が形成された第１領域と、上記半導体チップの他面に形成された第２電極と接続され、かつ第２端子部が形成された第２導体片を有する第２領域と、を有するリードフレームを用いて、樹脂パッケージの底面から第１端子部および第２端子部が露出した形態を有する半導体装置を製造する方法であって、第１部分と第３部分との間の第１境界部分および第２部分と第３部分との間の第２境界部分において上記第１導体片を折り曲げる工程と、上記第１導体片の第１部分または上記第２導体片に半導体チップを載置する工程と、上記第１領域と上記第２領域とを重ね合わせる工程と、上記第１導体片の第１部分および上記第２導体片と上記半導体チップとの間を接続する工程と、上記半導体チップを封止する樹脂パッケージング工程と、を備えた半導体装置の製造方法において、
上記リードフレームとして、上記第３部分の幅方向の寸法が上記第１部分および上記第２部分のうちの少なくとも上記第２部分における上記幅方向と同一方向の寸法よりも小さくされたものを用い、
上記第２部分は、厚み方向に突出する凸部が形成されて、この凸部の表面が上記第１端子部とされており、
上記第３部分の厚みは、上記第２部分における上記凸部が形成された部分の厚みより小さく、上記第２部分における上記凸部が設けられていない部分の厚みと同一とされており、かつ、
上記第３部分は、上記第２部分における上記凸部が設けられていない部分に繋げられていることを特徴とする、半導体装置の製造方法。
【請求項２】
上記第１導体片を折り曲げる工程後においては、上記第２部分は、平面視において上記第１部分に対して重ならないように配置されている、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
上記第２境界部分には、上記第２部分に対する上記第３部分の延出方向とは反対方向に向けて延びるとともに上記第３部分の上記幅方向の寸法に対応した間隔を隔てて一対の切り込みが形成されており、
上記第１導体片を折り曲げる工程においては、上記一対の切り込みを利用して上記第３部分が上記第２部分に対して相対的に折り曲げられる、請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
第１電極および第２電極を有する半導体チップと、この半導体チップの第１電極と接合される第１導体と、この第１導体に設けられた第１端子部と、上記半導体チップの第２電極と導通する第２導体と、この第２導体に設けられた第２端子部と、上記半導体チップを封止する樹脂パッケージと、を備え、上記第１端子部および上記第２端子部が上記樹脂パッケージの底面から露出するとともに、上記第１電極が上記第２電極よりも上記樹脂パッケージの底面から離間した部位に位置している半導体装置であって、
上記第１導体は、上記第１電極に接合される第１部分と、上記第１端子部を有する第２部分と、上記第１部分と上記第２部分との間を繋ぐ起立した第３部分と、を有するとともに、これらの部分が一体的に折り曲げ形成されており、
上記第３部分の幅方向の寸法は、上記第１部分および上記第２部分のうちの少なくとも一方における上記幅方向と同一方向の寸法よりも小さくされており、
上記第２部分は、厚み方向に突出する凸部が形成されて、この凸部の表面が上記第１端子部とされており、
上記第３部分の厚みは、上記第２部分における上記凸部が形成された部分の厚みより小さく、上記第２部分における上記凸部が設けられていない部分の厚みと同一とされており、かつ、
上記第３部分は、上記第２部分における上記凸部が設けられていない部分に繋げられていることを特徴とする、半導体装置。
【請求項５】
上記第１導体は、Ｊ字状、Ｕ字状、あるいはＣ字状の形態に折り曲げられ、上記半導体チップの少なくとも一部が上記第１導体により抱持されている、請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
上記第１導体の第１部分および上記第２導体のうちの少なくとも一方は、上記半導体チップにおける上記第１電極が形成された面の全域を覆うように上記半導体チップに接合されている、請求項４または５に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本願発明は、半導体チップが樹脂パッケージにより封止され、この樹脂パッケージの底面から端子部が露出して面実装可能とされた半導体装置およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置としては種々の形態のものがあるが、たとえば面実装型のワイヤレスタイプとして構成された半導体装置としては図２１および図２２に示したようなものがある。これらの図に示した半導体装置Ｙは、上面電極および下面電極（図示略）が形成された半導体チップ７０、上面電極と導通接続された第１導体７１、および下面電極と導通接続された第２導体７２を有しており、これらが樹脂パッケージ７３に封止された格好とされている。
【０００３】
第１導体７１は、上面電極に接合された第１部分７４、樹脂パッケージ７３の底面７３ａから露出する第１端子部７５Ａを有する第２部分７５、および第１部分７４と第２部分７５との間を繋ぐ第３部分７６を有している。一方、第２導体７２は、一面が第２電極と導通接続されており、他面側に一対の凸部７２Ａが設けられている。これらの凸部７２Ａの表面７２ａは、樹脂パッケージ７３の底面７３ａから露出して第２端子部とされている。
【０００４】
以上のような形態を有する半導体装置Ｙは、たとえば図２３に示したように、第１導体７１となるべき第１導体片８１Ａが複数形成された第１領域８１と、第２導体７２となるべき第２導体片８２Ａが複数形成された第２領域８２とが設けられたリードフレーム８を用いて製造される。このリードフレーム８を使用する場合には、第１導体片８１Ａは、長矩形状の形態として形成され、当該導体片８１Ａをプレス加工を施すなどして、第３部分７６となるべき部位７６ａと第１および第２部分７４，７５となるべき部位７４ａ，７５ａとの境界部分が折り曲げられる。そして、第２導体片８２Ａ上に半導体チップ７０を搭載した後に第１領域８１を反転させて第２領域８２と重ね合わせることにより、図２４に示したような形態とされる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
第１領域８１を第２領域８２に重ね合わせた場合には、第１導体片８１Ａと半導体チップ７０との間を確実に接合すべく、図２４に矢印Ａで示した方向、すなわち第１導体片８１Ａが半導体チップ７０を押し付けるような力が作用するように第１導体片８１Ａを折り曲げる必要がある。その一方、第１導体片８１Ａの基端側は、図２３からも分かるように固定されている。そのため、図２４に矢印Ａで示した方向に大きな力を作用させた場合には、先に折り曲げた方向とは反対に第１および第２部分７４，７５となるべき部位７４ａ，７５ａが拡がろうとし、第２部分７５と第３部分７６となるべき部位７５ａ，７６ａの境界部分が、図２４に矢印Ｂで示したように上方側に浮き上がるような力が作用する。このような現象は、たとえば第１部分７４となるべき部位７４ａと第２部分７５となるべき部位７５ａの双方に半導体チップ７０をハンダ接合などにより固定した場合にも生じ得る。これは、第３部分７６となるべき部位７６ａ、ひいては第２部分７５となるべき部位７５ａと第３部分７６となるべき部位７６ａとの境界部分の剛性が高いため、これらの部位の相対的な位置関係を変化させる力に対しては、大きな反発力が生じることに起因しているものと考えられる。
【０００６】
かかる状態のままで半導体チップを封止するようにして樹脂パッケージ７３を形成した場合には、第２部分７５となるべき部位７５ａの裏面側に樹脂が回り込んでしまい、得られる半導体装置Ｙの底面７３ａからは第１端子部７５Ａが完全には露出しない。このような半導体装置Ｙは、適切に面実装を行うことができないために破棄せざるを得ないことから、製品製造における歩留りが悪化してしまう。
【０００７】
本願発明は、このような事情のもとに考え出されたものであって、樹脂パッケージの底面から端子部が露出した面実装型の半導体装置において、端子部を適切に露出させて製造時の歩留りを向上させることそのを課題としている。
【０００８】
【発明の開示】
本願発明では、上記した課題を解決すべく、次の技術的手段を講じている。
【０００９】
すなわち、本願発明の第１の側面により提供される半導体装置の製造方法は、半導体チップの一面に形成された第１電極と接続される第１部分、第１端子部が形成された第２部分、および上記第１部分と上記第２部分との間を繋ぐ第３部分を有する第１導体片が形成された第１領域と、上記半導体チップの他面に形成された第２電極と接続され、かつ第２端子部が形成された第２導体片を有する第２領域と、を有するリードフレームを用いて、樹脂パッケージの底面から第１端子部および第２端子部が露出した形態を有する半導体装置を製造する方法であって、第１部分と第３部分との間の第１境界部分および第２部分と第３部分との間の第２境界部分において上記第１導体片を折り曲げる工程と、上記第１導体片の第１部分または上記第２導体片に半導体チップを載置する工程と、上記第１領域と上記第２領域とを重ね合わせる工程と、上記第１導体片の第１部分および上記第２導体片と上記半導体チップとの間を接続する工程と、上記半導体チップを封止する樹脂パッケージング工程と、を備えた半導体装置の製造方法において、上記リードフレームとして、上記第３部分の幅方向の寸法が上記第１部分および上記第２部分のうちの少なくとも上記第２部分における上記幅方向と同一方向の寸法よりも小さくされたものを用い、上記第２部分は、厚み方向に突出する凸部が形成されて、この凸部の表面が上記第１端子部とされており、上記第３部分の厚みは、上記第２部分における上記凸部が形成された部分の厚みより小さく、上記第２部分における上記凸部が設けられていない部分の厚みと同一とされており、かつ、上記第３部分は、上記第２部分における上記凸部が設けられていない部分に繋げられていることを特徴としている。
【００１０】
この製造方法で使用されるリードフレームは、第１導体片における第１部分と第２部分との間を繋ぐ第３部分の幅方向の寸法が、第１および第２部分のうちの少なくとも一方、好ましくは双方における上記幅方向と同一方向の寸法よりも小さくされている。つまり、第１導体片は、第３部分の剛性が第１部分や第２部分に比べて低くされ、ひいては第３部分と第１部分や第２部分との間の第１および第２境界部分（折り曲げ部分）の剛性が相対的に低くされている。その結果、第３部分に対して、第１部分または第２部分の位置関係を変化させるような力に対する反発力が小さくなる。
【００１１】
従来の半導体装置の製造方法において説明したように（図２４参照）、半導体装置の第１導体となるべき第１導体片が形成されたリードフレームを用い、この第１導体片を折り曲げ加工するとともに、第１導体片が形成された領域を反転させて半導体チップと接合する製造方法などでは、その製造過程において、第１導体片における第１部分と第２部分とが折り曲げ方向とは反対方向に拡がろうとして、第２境界部分が浮き上がることがある。これに対して、第１部分と第２部分との間（第３部分）の剛性が低くされて折り曲げ容易とされていれば、第１部分と第２部分とが拡がろうとしても、その力は第３部分ないしは第１および第２境界部分により吸収される。その結果、製造過程中において、第１部分と第２部分との間の位置関係を初期に設定された通りに維持することができる。これにより、半導体チップを第１導体片の第１部分や第２導体片と接合した後に樹脂パッケージを形成したとしても、樹脂パッケージの底面からは第３部分の表面を適切に露出させることができるようになり、破棄すべき半導体装置の数が低減して歩留りが向上する。
【００１４】
このようなリードフレームを用いれば、第２部分に凸部が形成され、凸部が形成されていない部分の厚みが凸部が形成されている部分の厚みより小さくされているとともに、このような厚みが小さい部分から第３部分が延出した格好とされている。このことは、第２部分と第３部分との間の第２境界部分（折り曲げ部分）の厚みが相対的に小さく設定されていることを意味している。そのため、第２境界部分の剛性がさらに低くされて折り曲げ容易とされ、第３部分、ひいては第２境界部分において、第１部分および第２部分が折り曲げ方向とは反対方向に拡がろうとする力をより確実に吸収することができるようになる。
【００１５】
好ましい実施の形態においては、各第２境界部分には、第２部分に対する第３部分の延出方向とは反対方向に向けて延びるとともに第３部分の上記幅方向の寸法に対応した間隔を隔てて一対の切り込みが形成されており、第１導体片を折り曲げる工程においては、一対の切り込みを利用して第３部分が第２部分に対して相対的に折り曲げられる。
【００１６】
この方法によれば、切り込みを利用して第３部分が第２部分に対して折り曲げられているので、第３部分に対する第２部分の相対的な位置偏位が容易となり、第２部分が折り曲げ方向とは反対方向に拡がろうとする力をより確実に吸収することができるようになる。また、第２境界部分に切り込みを形成して折り曲げる結果、切り込みを形成しない場合に比べて、第２境界部分、ひいては第３部分を当該第３部分の延出方向とは反対方向に位置させることができるようになる。このリードフレームを用いれば、得られる半導体装置の樹脂パッケージおよび各端子部のサイズが同一であるとすれば、第２導体を第１導体に対してより近づけることができる。このことは、第２導体の平面視面積を大きくできることを意味しており、より大きなサイズのチップを採用することができ、チップサイズの制約を小さくできる。
【００１９】
また、本願発明の第２の側面では、第１電極および第２電極を有する半導体チップと、この半導体チップの第１電極と接合される第１導体と、この第１導体に設けられた第１端子部と、上記半導体チップの第２電極と導通する第２導体と、この第２導体に設けられた第２端子部と、上記半導体チップを封止する樹脂パッケージと、を備え、上記第１端子部および上記第２端子部が上記樹脂パッケージの底面から露出するとともに、上記第１電極が上記第２電極よりも上記樹脂パッケージの底面から離間した部位に位置している半導体装置であって、上記第１導体は、上記第１電極に接合される第１部分と、上記第１端子部を有する第２部分と、上記第１部分と上記第２部分との間を繋ぐ起立した第３部分と、を有するとともに、これらの部分が一体的に折り曲げ形成されており、上記第３部分の幅方向の寸法は、上記第１部分および上記第２部分のうちの少なくとも一方における上記幅方向と同一方向の寸法よりも小さくされており、上記第２部分は、厚み方向に突出する凸部が形成されて、この凸部の表面が上記第１端子部とされており、上記第３部分の厚みは、上記第２部分における上記凸部が形成された部分の厚みより小さく、上記第２部分における上記凸部が設けられていない部分の厚みと同一とされており、かつ、上記第３部分は、上記第２部分における上記凸部が設けられていない部分に繋げられていることを特徴とする、半導体装置が提供される。
【００２０】
このような半導体装置は、たとえば本願発明の第１の側面に係る半導体装置の製造方法により製造することができるため、そのような製造方法を採用すれば、樹脂パッケージの底面から適切に第１および第２端子部が露出したものとして得られ、回路基板などに対して適切に面実装することができる。
【００２１】
好ましい実施の形態においては、上記第１導体は、Ｊ字状、Ｕ字状、あるいはＣ字状の形態に折り曲げられ、上記半導体チップの少なくとも一部が上記第１導体により抱持されている。
【００２２】
この構成によれば、第１導体における第１部分と第２部分の間の領域に半導体チップの少なくとも一部が挟み込まれた格好とされ、半導体チップの直下に第１端子部が配置されることとなる。そのため、第１端子部が半導体チップの側方に配置される構成と比較すれば、その半導体装置（樹脂パッケージ）の平面視寸法を小さくでき、あるいは当該平面視寸法を同一とすれば、採用できる半導体チップの平面視寸法を大きくできる。
【００２３】
好ましい実施の形態においては、上記第１導体の第１部分および上記第２導体のうちの少なくとも一方は、上記半導体チップにおける上記第１電極が形成された面の全域を覆うようにして上記半導体チップに接合されている。
【００２４】
第１導体の第１部分は、半導体チップの第１電極と導通接続されることから、半導体チップの駆動時において生じた熱の一部は、第１電極を介して第１部分から放出されることとなる。つまり、第１部分は放熱部としても機能するため、第１部分により半導体チップにおける第１電極が形成された面の全域を覆う構成とすれば、放熱部の面積を大きく確保できる結果、半導体装置全体としての放熱性が向上し、熱容量が増大する。また、第１部分により半導体チップが覆われていれば、半導体チップが外部光などのノイズ成分の影響を受けにくくなるといった利点も得られる。
【００２５】
本願発明のその他の利点および特徴については、以下に行う発明の実施の形態の説明から、より明らかとなるであろう。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下、本願発明の好ましい実施の形態について、図面を参照して具体的に説明する。
【００２７】
まず、本願発明の第１の実施の形態に係る半導体装置について、図１ないし図３を参照して説明する。
【００２８】
これらの図に示した半導体装置Ｘ１は、４端子の面実装型として構成されたワイヤレスタイプのものであり、半導体チップ１、第１導体３、第２導体２、および樹脂パッケージ４を有している。
【００２９】
半導体チップ１は、ダイオード素子などのベアチップであり、上面１０および下面１１のそれぞれに第１および第２電極（図示略）が形成されている。
【００３０】
第２導体２は、半導体チップ１が接合されるために表面２０が平坦面とされているのに対して、裏面２１には横並びした２つの凸部２２が設けられている。これらの凸部２２の表面２３は、樹脂パッケージ４の底面４０から露出しており、これら表面２３が第２端子部を構成している。このような凸部２２は、第２導体２における凸部２２を形成すべき領域以外を、裏面２１側からハーフエッチングすることにより形成される。この第２導体２には、半導体チップ１の下面１１側の電極（第２電極）が第２導体２と導通するように、第２導体２に対してハンダＨ１などを用いて半導体チップ１が接合されている。
【００３１】
第１導体３は、第１部分３１、第２部分３２および第３部分３３を有しており、これらが一体的に折り曲げ形成されている。
【００３２】
第１部分３１は、全体として矩形板状の形態を有しており、その厚みが第２部分３２よりも小さくされ、平面視面積が半導体チップ１の平面視面積よりも大きくされている。この第１部分３１は、半導体チップ１の上面１０側において半導体チップ１の上面１０の全体を覆うようにして配置されている。第１部分３１の下面３４と半導体チップ１の上面１０側の電極（第１電極）との間は、これらの間が導通するようにハンダＨ２などを用いて接合されている。その結果、半導体チップ１は、第２導体２および第１部分３１により挟み込まれた格好とされている。
【００３３】
第２部分３２は、半導体チップ１、第２導体２および第１部分３１の側方における第１部分３１よりも低位置において、第２導体２と略同一面上に配置されている。第２部分３２の下面側には、両端部のそれぞれに凸部３５が形成されている。これらの凸部３５は、その表面３６が樹脂パッケージ４の底面４０から露出しており、当該凸部３５が第１端子部を構成している。凸部３５は、第１部分３１の凸部２２と同様にしてハーフエッチング処理により形成することができる。
【００３４】
第３部分３３は、帯状の形態を有しており、第１部分３１と第２部分３２との間を繋いでいる。第２部分３２は、第１部分３１よりも低位置に配置されているため、第３部分３３は、略上下方向（樹脂パッケージ４の厚み方向）に延びている。第２部分３２と第３部分３３との境界部分における凸部３５のサイドには、切り込み３７が設けられており、第３部分３３は、切り込み３７を利用して、第２部分３２から起立させられている。この構成では、図３から良く分かるように第２部分３２と第３部分３３との境界部分（折り曲げ部位）、ひいては第３部分３３の全体を樹脂パッケージ４の端側（図３の左側）に位置させることができるため、半導体チップ１のための空間を大きく確保できる。そのため、採用できる半導体チップ１のサイズの制約を小さくでき、あるいは半導体装置Ｘ１のサイズを小さくできる。この第３部分３３の厚みは、第２部分３２における凸部３５の部分の厚みよりも小さく、第２部分３２における凸部３５間の領域（中間部）および第１部分３１の厚みと同一とされている。そして、第３部分３３の幅方向の寸法Ｗ１は、図１に良く表れているように第１部分３１および第２部分３２における上記幅方向と同一方向の寸法Ｗ２，Ｗ３よりも小さくされているとともに、凸部３５における対向面３８の間の距離Ｗ４よりも切り込み３７の分だけ小さくされている。
【００３５】
樹脂パッケージ４は、たとえばエポキシ樹脂などにより構成されており、半導体チップ１、第１導体３、および第２導体２を封止している。このような樹脂パッケージ４は、たとえばトランスファーモールド法により形成することができる。
【００３６】
次に、図１ないし図３に示した半導体装置Ｘ１の製造方法について、図４ないし図１１を参照して説明する。なお、図４および図５には、リードフレーム５の要部の平面図および底面図を示したが、これらの図においてハッチィングを施した部分はハーフエッチング処理を施して厚みが小さくされた部分を表している。
【００３７】
リードフレーム５には、一対のサイドメンバ５０および一対のクロスメンバ５１により規定される矩形状の枠内に、第１領域５２および第２領域５３がそれぞれ設けられており、第１領域５２および第２領域５３のそれぞれが、図面上には明確に表れていないが図４および図５の左右方向に並んで複数設けられている。
【００３８】
各第１領域５２は、隣り合うクロスメンバ５１のそれぞれに対して、支持バー５４を介して支持されており、支持バー５４を回動軸として第２領域５３と重なる部位まで回動可能とされている。第１領域５２には、後において半導体装置Ｘ１の第１導体３（図１ないし図３参照）となる複数（本実施形態では２×４＝８個）の第１導体片５５が形成されている。これらの第１導体片５５の配置は、後述する第２領域５３の第２導体片５６の配置と対応している。
【００３９】
各第１導体片５５は、第１部分５５Ａ、第２部分５５Ｂ、これらの間を繋ぐ第３部分５５Ｃ、および第２部分５５Ｂに繋がる橋絡部５５Ｄを有しているとともに、第１領域５２内に支持されている。第１部分５５Ａ、第２部分５５Ｂの中央部、第３部分５５Ｃおよび橋絡部５５Ｄの厚み寸法は、いわゆるハーフエッチング処理により第２部分５５Ｃの両端部の厚みよりも小さくされており、第２部分５５Ｂの両端部に凸部５５ｂが設けられている。第２部分５５Ｂと第３部分５５Ｃとの境界部分における凸部５５ｂのサイドには、第３部分５５Ｃの延出方向とは反対方向に延びる一対の切り込み５５Ｅが設けられている（図６参照）。第３部分５５Ｃの幅方向の寸法は、第１および第２部分５５Ａ，５５Ｂにおける上記幅方向と同一方向の寸法よりも小さく、図面上には明確に表れていないが切り込み５５Ｅを設けることにより、凸部５５ｂにおける対向面間の距離よりも小さくされている。もりろん、各切り込み５５Ｅを、図５に表れているよりも第２部分５５Ｂの中心寄りの部位に形成し、第３部分５５Ｃの幅方向の寸法をさらに小さく設定してもよい。
【００４０】
各第２領域５３は、隣り合うクロスメンバ５１およびこれらの間を繋ぐ一対の第２サイドメンバ５７により規定されている。第２領域５３は、一対の第２サイドメンバ５７の間を繋ぐクロスバー５８により複数の領域５３ａに分割されており、各分割領域５３ａのそれぞれには、橋絡部５９Ａにより繋げられた２個の第２導体片５６が橋絡部５９Ｂ，５９Ｃを介して支持されている。各第２導体片５６は、後において半導体装置Ｘ１の第２導体３となるものである。
【００４１】
各第２導体片５６は、図４に良く表れているように一面５６Ａが平坦面とされているのに対して、図５に良く表れているように他面５６Ｂには一対の凸部５６Ｃが設けられて凹凸状とされている。各凸部５６Ｃは、たとえば凸部５６Ｃを形成すべき部分以外をハーフエッチング処理することにより形成される。
【００４２】
このようなリードフレーム５に対しては、後において半導体チップ１の電極（図示略）と接続される部位に導電性材料を予め塗布しておく。より具体的には、第１導体片５５の第１部分５５Ａおよび第２導体片５６に、たとえばマスクとスキージを用いて、ハンダペーストを印刷することにより行われる。
【００４３】
次いで、各第１導体片５５のフォーミングを行う。フォーミングは、たとえば金型などを用いたプレス加工により行われる。本実施形態においては、第１部分５５Ａと第３部分５５Ｃとの境界部分、および第２部分５５Ｂと第３部分５５Ｃとの境界部分のそれぞれにおいて、第１部分５５Ａおよび第２部分５５Ｂがそれぞれ互いに反対方向に約９０度折り曲げられ、図６に示したように第１部分５５Ａが第２部分５５Ｂに対してダウンセットされる。
【００４４】
第１導体片５５には、切り込み５５Ｅが設けられ、第３部分５５Ｃの厚みが第２部分５５Ｂの両端部の厚みよりも小さくされているから、第２部分５５Ｂに対する第３部分５５Ｃの折り曲げ、ないしは第１部分５５Ａのダウンセットは容易かつ確実に行える。
【００４５】
次いで、図７に示したように第２導体片５６に対して半導体チップ１を載置する。半導体チップ１の載置は、たとえば公知のチップマウンタを用いて行うことができる。
【００４６】
続いて、図８および図９に示したように、支持バー５４を回動軸として第１領域５２を回動させ、第１領域５２を第２領域５３に重ね合わせる。具体的には、各第１導体片５５の第１部分５５Ａが、各第２導体片５６に載置された半導体チップ１に当接するように第１領域５２を第２領域５３に重ね合わせる。
【００４７】
このとき、第１導体片５５の第１部分５５Ａを半導体チップ１に対して適切に当接させるためには、図９に矢印Ａで示した方向に比較的に大きな力が作用するように、先の述べたフォーミング工程において第３部分５５Ｃに対して、第１および第２部分５５Ａ，５５Ｂを適切な角度をもって折り曲げておく必要がある。
【００４８】
そして、第１部分５５Ａにより半導体チップ１を矢印Ａ方向に比較的に大きな力をもって押し付けた場合には、従来であれば、第１および第２部分５５Ａ，５５Ｂが折り曲げ方向とは反対方向に拡がろうとして、第２部分５５Ｂと第３部分５５Ｃとの境界部分が図９に破線の矢印Ｂで示した方向に浮き上がろうとする。これに対して、リードフレーム５は、第１導体片５５の第３部分５５Ｃの幅方向の寸法が小さくされ、第３部分５５Ｃの厚み寸法が第２部分５５Ｂのそれよりも小さくされ、第２部分５５Ｂと第３部分５５Ｃとの境界部分に切り込み５５Ｅが設けられている。これにより、第３部分５５Ｃ、ひいては第２部分５５Ｂと第３部分５５Ｃとの境界部分の剛性が比較的に小さくされており、第１および第２部分５５Ａ，５５Ｂが拡がろうとすることに起因して境界部分に作用する反発力が従来よりも低減され、当該境界部分の浮き上がりが抑制される。その結果、第１部分５５Ａと第２部分５５Ｂとの位置関係が適切に維持される。
【００４９】
次いで、第１導体片５５の第１部分５５Ａおよび第２導体片５６上に塗布された導電性材料を、たとえば再溶融させた後にこれを固化させることにより、半導体チップ１が第１導体片５５の第１部分５５Ａおよび第２導体片５６に対して接合される。この状態においても、第１および第２部分５５Ａ，５５Ｂが拡がろうとすることに起因して境界部分に作用する反発力が従来よりも低減され、当該境界部分の浮き上がりが抑制される。
【００５０】
続いて、各半導体チップ１を封止するように、たとえばエポキシ樹脂を用いたトランスファーモールド法により樹脂パッケージングを行い図１０に示したような状態とする。具体的には、型締め状態においてキャビティを形成する上下の金型を用いるとともに、キャビティ内に半導体チップ１を収容するようにして上下の金型の型締めを行った後に、キャビティ内にエポキシ樹脂を充填してこれを硬化させることにより樹脂パッケージ４′が形成される。
【００５１】
本実施形態の半導体装置Ｘ１は、第１および第２端子部２３，３６が樹脂パッケージ４の底面４０から露出した形態とされているから、下金型に対しては、第１導体片５５における第２部分５５Ｂの凸部５５ｂおよび第２導体片５６の凸部５６Ｃの表面が接触した状態とされる。そして、上記したように、第１導体片５５の第１部分５５Ａと第２部分５５Ｂの位置関係が適切に維持されていれば、下金型に対して凸部５５ｂ，５６Ｃの表面が適切に接触した状態とされ、これらの表面の下側に樹脂が周り込んでしまうことを回避することができる。その結果、上記表面ひいては第１および第２端子部２３，３５を確実に露出させることができ、歩留りが向上する。
【００５２】
最後に、図１１に示したように、各第１導体片５５および各第２導体片５６を支持する橋絡部５５Ｄ，５９Ａ，５９Ｂ，５９Ｃに沿って、ダイヤモンドカータＤＣなどを用いてダイシングすることにより、図１ないし図３に示したような個々の半導体チップＸ１が得られる。
【００５３】
次に、本願発明の第２の実施の形態に係る半導体装置について、図１２ないし図１４を参照して説明する。なお、これらの図においては、先に説明した半導体装置Ｘ１と同等な部材および要素には同一の符号を付してあり、ここではその説明を省略する。
【００５４】
図１２ないし図１４に示した半導体装置Ｘ２の基本的な構成は、図１ないし図３を参照して説明した半導体装置Ｘ１と同様であるが、第１導体３Ａの構成が相違している。第１導体３Ａは、第１ないし第３部分３１Ａ〜３３Ａを有している点においては、半導体装置Ｘ１の第１導体片３と同様であるが、第２部分３２Ａの底面が平坦面とされている点である。かかる相違点により、図１３に良く表れているように、半導体装置Ｘ２では、樹脂パッケージ４の底面４０から端子部２３，３６Ａが３個露出した３端子型として構成されている。
【００５５】
この半導体装置Ｘ２においても、第３部分３３Ａの幅方向における寸法Ｗ１は、第１および第２部分３１Ａ，３２Ａにおける上記幅方向の寸法Ｗ２，Ｗ３よりも小さくされている。そして、第３部分３３Ａの厚み寸法が第２部分３２Ａの厚み寸法よりも小さくされている。そのため、第２部分３２Ａと第３部分３３Ａとの境界部分の厚みが小さくされている。その結果、上記境界部分の剛性が低くされており、第１の実施の形態において説明したのと同様なプロセスを経て半導体装置Ｘ２を製造すれば、第１および第２端子部２３，３６Ａを適切に露出させることができるようになる。
【００５６】
次に、本願発明の第３の実施の形態に係る半導体装置について、図１５および図１６を参照して説明する。
【００５７】
これらの図に示した半導体装置Ｘ３は、第１および第２端子部２３Ｂ，３６Ｂが２個ずつ、計４個の端子部２３Ｂ，３６Ｂが樹脂パッケージ４の底面４０から露出した４端子型として構成されたものである。
【００５８】
この半導体装置Ｘ３では、第１導体３Ｂが１つの第１部分３１Ｂの同一側部から第３部分３３Ｂと第２部分３２Ｂの組みが二股に分かれて２つ延出した形態を有している。第１部分３１Ｂは、平面視面積が半導体チップ１のそれよりも大きくされているとともに、半導体チップ１の全体を覆うようにして半導体チップ１に接合されている。そして、第２部分３２Ｂおよび第３部分３３Ｂの幅方向の寸法Ｗ１，Ｗ３は同一とされているが、これらの寸法Ｗ１，Ｗ３は、第１部分３１Ｂにおける上記幅方向と同一方向の寸法Ｗ２よりも小さくされている。そのため、先に説明した半導体装置Ｘ１，Ｘ２と同様に、製造時における歩留りが向上するといった効果を享受することができる。
【００５９】
また、第２部分３２Ｂは、先に説明した半導体装置Ｘ１，Ｘ２における第１導体３，３Ａの第２部分３２，３２Ａとは反対方向、つまり第２部分３２Ｂが半導体チップ１の下方に位置するようにに折り曲げられている。その結果、第１導体３Ｂは、側面視形態（図１５および図１６において矢印Ｃの方向から見える形態）がＪ字状とされており、半導体チップ１が第１導体３Ｂにより抱持されたような格好とされている。
【００６０】
一方、第２導体２Ｂは、第２の実施形態に係る半導体装置Ｘ２における第１導体３Ａの第２部分３２Ａと同様な形態とされている。
【００６１】
この構成では、第１部分３１Ｂの平面視面積が半導体チップ１のそれよりも大きくされ、しかも第１導体３Ｂにより半導体チップ１が抱持されているから、半導体装置Ｘ３の駆動時に半導体チップ１において生じた熱は、第１導体３Ｂの第１および第２部分３１Ｂ，３２Ｂ、とくに第１部分３１Ｂから効率良く放出される。そのため、半導体装置Ｘ３は、熱容量に優れたものとなっている。
【００６２】
また、第１導体３Ｂにより半導体チップ１が抱持されているから、半導体装置Ｘ３のサイズを半導体チップ１により近づけ、半導体装置Ｘ３の小型化を図ることができる。言い換えれば、半導体装置Ｘ３のサイズが同一であれば、採用できる半導体チップ１のサイズは大きくなり、採用できる半導体チップ１のサイズの制約が小さくなる。
【００６３】
以上に説明した効果、つまり製造時の歩留りの向上、半導体装置の放熱性の向上、半導体装置の小型化あるいは採用できる半導体チップサイズの大型化といった効果は、図１７および図１８示した本願発明の第４の実施の形態に係る半導体装置Ｘ４、および図１９および図２０に示した本願発明の第５の実施の形態に係る半導体装置Ｘ５においても同様に享受することができる。なお、図１７ないし図２０においても、図１ないし図３を参照して説明した半導体装置Ｘ１と同等な部材および要素については、同一の符号を付してある。
【００６４】
半導体装置Ｘ４は、図１７および図１８における矢印Ｄ方向から第１導体３Ｃの形態が図面上には明確に表れていないが、Ｃ字状とされている。つまり、この半導体装置Ｘ４の第１導体３１Ｃは、第１部分３１Ｃにおける相対する側部のそれぞれから第３および第２部分３２Ｃ，３３Ｃが延出しており、各第２部分３２Ｃが半導体チップ１の下方側に折り曲げられて、第１導体３Ｃにより半導体チップ１抱持している。そして、第３部分３３Ｃの幅方向の寸法Ｗ１は、第２部分３２ＣのそれＷ３と同一とされているが、第１部分３１Ｃにおける上記幅方向の寸法Ｗ２よりも小さくされている。
【００６５】
一方、半導体装置Ｘ５は、図１９および図２０における矢印Ｅ方向からの第１導体３Ｄの形態が図面上には明確に表れていないが、Ｕ字状とされている。つまり、この半導体装置Ｘ５の第１導体３１Ｄは、第１部分３１Ｄにおける１つの側部から第２部分３２Ｄが第３部分３３Ｄを介して延出するとともに、第２部分３２Ｄが半導体チップ１の下面側を横断するように半導体チップ１の下方側に折り曲げられて、第１導体３Ｄにより半導体チップ１が抱持されている。そして、第３部分３３Ｄの幅方向の寸法Ｗ１は、第２部分３２ＤのそれＷ３と同一とされているが、第１部分３１Ｄにおける上記幅方向の寸法Ｗ２よりも小さくされている。
【図面の簡単な説明】
【図１】本願発明の第１の実施の形態に係る半導体装置を示す全体斜視図である。
【図２】図１に示した半導体装置を底面側から見た斜視図である。
【図３】図１のIII−III線に沿う断面図である。
【図４】図１の半導体装置の製造に使用するリードフレームの一例を示す要部平面図である。
【図５】図４に示したリードフレームの要部底面図である。
【図６】図４に示したリードフレームにフォーミング加工を施した後の断面図である。
【図７】半導体チップを載置した後のリードフレームの要部平面図である。
【図８】図４に示したリードフレームにおける第１領域を第２領域に重ね合わせた状態を示す要部平面図である。
【図９】図８のIX−IX線に沿う断面図である。
【図１０】樹脂パッケージ工程を行った後の状態を示す要部断面図である。
【図１１】ダイシング工程を説明するための要部断面図である。
【図１２】本願発明の第２の実施の形態に係る半導体装置を示す全体斜視図である。
【図１３】図１２に示した半導体装置を底面側から見た斜視図である。
【図１４】図１２のＸIV−ＸIV線に沿う断面図である。
【図１５】本願発明の第３の実施の形態に係る半導体装置を示す全体斜視図である。
【図１６】図１５に示した半導体装置を底面側から見た斜視図である。
【図１７】本願発明の第４の実施の形態に係る半導体装置を示す全体斜視図である。
【図１８】図１７に示した半導体装置を底面側から見た斜視図である。
【図１９】本願発明の第５の実施の形態に係る半導体装置を示す全体斜視図である。
【図２０】図１９に示した半導体装置を底面側から見た斜視図である。
【図２１】従来の半導体装置の一例を示す全体斜視図である。
【図２２】図２１に示した半導体装置を底面側から見た斜視図である。
【図２３】図２１に示した半導体装置の製造に用いるリードフレームの一例を示す要部平面図である。
【図２４】リードフレームの第１領域を第２領域に重ね合わせた後の要部断面図である。
【符号の説明】
Ｘ１〜Ｘ５ 半導体装置
１  半導体チップ
２，２Ｂ  第２導体
３，３Ａ〜３Ｄ  第１導体
３１，３１Ａ〜３１Ｄ  第１部分（第１導体の）
３２，３２Ａ〜３２Ｄ  第２部分（第１導体の）
３３，３３Ａ〜３３Ｄ  第３部分（第１導体の）
４  樹脂パッケージ
５  リードフレーム
５５  第１導体片（リードフレームの）
５５Ａ  第１部分（第１導体片の）
５５Ｂ  第２部分（第１導体片の）
５５Ｃ  第３部分（第１導体片の）
５６  第２導体片（リードフレームの）
５５ｂ  凸部（第２部分の）
５６Ｅ  切り込み（リードフレームの）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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