(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｒ１ＳｉＯ３／２シロキサン単位及び（Ｒ２Ｏ）ｂＳｉＯ（４−ｂ）／２シロキサン単位を含むシロキサン樹脂であって、Ｒ１が１〜５の炭素原子を有するアルキルからなる群から独立して選択され、Ｒ２が３〜３０の炭素原子を有する分枝アルキル基及び３〜３０の炭素原子を有する分枝置換アルキル基からなる群から独立して選択され、ｂが１〜３であり、前記シロキサン樹脂が、４０：６０〜９８：２のＲ１ＳｉＯ３／２単位と（Ｒ２Ｏ）ｂＳｉＯ（４−ｂ）／２単位のモル比を有し、Ｒ１ＳｉＯ３／２単位及び（Ｒ２Ｏ）ｂＳｉＯ（４−ｂ）／２単位の合計が、前記樹脂における全シロキサン単位の少なくとも５０％である当該シロキサン樹脂。
【請求項２】
Ｒ２がｔ−ブチルである請求項１に記載のシロキサン樹脂。
【請求項３】
Ｒ１ＳｉＯ３／２シロキサン単位及び（Ｒ２Ｏ）ｂＳｉＯ（４−ｂ）／２シロキサン単位（ここで、ｂは１〜３である）を含むシロキサン樹脂を調製する方法であって、
シロキサン樹脂の形成をもたらすのに十分な時間及び温度で、
（ａ）式Ｒ１ＳｉＸ３のシラン又はシランの混合物（ここで、各Ｒ１は１〜５の炭素原子を有するアルキルからなる群から独立して選択され、Ｘは独立して加水分解性基又はヒドロキシ基である）と、
（ｂ）式（Ｒ２Ｏ）ｃＳｉＸ（４−ｃ）のシラン又はシランの混合物（ここで、Ｒ２は３〜３０の炭素原子を有する分枝アルキル基及び３〜３０の炭素原子を有する分枝置換アルキル基からなる群から独立して選択され、ｃは１〜３であり、Ｘは加水分解性基又はヒドロキシ基であり、シラン（ａ）及びシラン（ｂ）は４０：６０〜９８：２のシラン（ａ）とシラン（ｂ）のモル比で存在する）と、
（ｃ）水と、
を組み合わせることを含む当該方法。
【請求項４】
Ｒ１がメチルであり、Ｒ２がｔ−ブチルである請求項３に記載の方法。
【請求項５】
不溶性多孔質樹脂を形成する方法であって、
（Ａ）シロキサン樹脂の硬化をもたらすのに十分な時間及び温度で、請求項１又は請求項２のシロキサン樹脂を加熱すること、及び
（Ｂ）前記硬化シロキサン樹脂からＲ２Ｏ基の除去をもたらすのに十分な時間及び温度で、前記シロキサン樹脂をさらに加熱し、それによって不溶性多孔質樹脂を形成すること、
を含む当該方法。
【請求項６】
基板上に不溶性多孔質コーティングを形成する方法であって、
（Ａ）Ｒ１ＳｉＯ３／２シロキサン単位及び（Ｒ２Ｏ）ｂＳｉＯ（４−ｂ）／２シロキサン単位を含むシロキサン樹脂を含むコーティング組成物で基板を被覆する段階（ここで、Ｒ１は１〜５の炭素原子を有するアルキルからなる群から独立して選択され、Ｒ２は３〜３０の炭素原子を有する分枝アルキル基及び３〜３０の炭素原子を有する置換分枝アルキル基からなる群から独立して選択され、ｂは１〜３であり、前記シロキサン樹脂は、４０：６０〜９８：２のＲ１ＳｉＯ３／２単位と（Ｒ２Ｏ）ｂＳｉＯ（４−ｂ）／２単位のモル比を有し、Ｒ１ＳｉＯ３／２単位及び（Ｒ２Ｏ）ｂＳｉＯ（４−ｂ）／２単位の合計は、前記樹脂における全シロキサン単位の少なくとも５０％である）と、
（Ｂ）前記コーティング組成物の硬化をもたらすのに十分な時間及び温度で、前記被覆された基板を加熱する段階と、
（Ｃ）前記硬化コーティング組成物からＲ２Ｏ基の除去をもたらすのに十分な時間及び温度で、前記被覆された基板をさらに加熱し、それによって基板上に不溶性多孔質コーティングを形成する段階と、
を含む当該方法。
【請求項７】
前記シロキサン樹脂の硬化及び前記硬化シロキサン樹脂からのＲ２Ｏ基の除去が、単一段階で行われる請求項５又は６に記載の方法。
【請求項８】
請求項６の方法により調製された不溶性多孔質コーティングを有する電子基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
［発明の技術分野］
本発明は、Ｒ１ＳｉＯ３／２シロキサン単位及び（Ｒ２Ｏ）ｂＳｉＯ（４−ｂ）／２シロキサン単位を含むシロキサン樹脂（ここで、Ｒ１は１〜５の炭素原子を有するアルキルからなる群から独立して選択され；Ｒ２は３〜３０の炭素原子を有する分枝アルキル基及び３〜３０の炭素原子を有する分枝置換アルキル基からなる群から独立して選択され、ｂは１〜３である）に関する。本発明は、さらに前記シロキサン樹脂から製造された不溶性多孔質樹脂及び不溶性多孔質コーティングに関する。
【背景技術】
【０００２】
［発明の背景技術］
半導体デバイスは、集積回路（ＩＣ）を形成する個々の回路要素を電気的に結合するために供給するパターン相互接続レベルの１以上の配列をしばしば有する。相互接続レベルは、絶縁又は誘電体コーティングによって典型的に分けられる。以前に、化学的気相成長法（ＣＶＤ）又はプラズマ増強技術（ＰＥＣＶＤ）を使用することで形成された酸化ケイ素コーティングは、そのような誘電体コーティングのための最も一般に使用されている材料であった。しかしながら、回路要素のサイズ及びそのような要素間の間隔が減少するにつれ、そのような酸化ケイ素コーティングの比較的高い誘電率（すなわち、約４）は、十分な電気絶縁体を提供するのに不十分となっている。
【０００３】
酸化ケイ素の誘電率よりも低い誘電率を提供するために、シロキサンベースの樹脂から形成された誘電体コーティングが、使用を見出した。そのようなコーティングの例は、Collins等による米国特許第３６１５２７２号及びHaluska等による米国特許第４７５６９７７号中の実施例に関して記載されているように、水素シルセスキオキサン樹脂から形成されたものである。そのようなコーティングは、ＣＶＤ又はＰＥＣＶＤ酸化ケイ素コーティングよりも低い誘電率を提供し、また他の利益（すなわち、増加したギャップ充填及び表面平坦化）を提供するのに、典型的に、そのようなコーティングの誘電率は、おおよそ３以上に限定される。
【０００４】
低い電力消費、クロストーク及び信号遅延を持つＩＣが要求される場合、絶縁コーティングの誘電率が重要な要因であることは、よく知られている。ＩＣ寸法が縮小し続けるにつれ、この要因は重要性を増加する。その結果、３以下の誘電率を持つ電気絶縁コーティングを提供し得るシロキサンベースの樹脂材料及びそのような材料を作製する方法が望ましい。加えて、クラッキングに対する高抵抗を有するコーティングを提供するシロキサンベースの樹脂及びそのような樹脂を作製する方法を有することが望ましい。また、そのようなシロキサンベースの樹脂に関して、標準加工技術（すなわちスピンコーティング）によってコーティングを提供することが望ましい。固体コーティングの誘電率は、コーティング材料の密度の減少と共に減少することが知られている。多孔質コーティングは典型的に、対応する固体コーティングよりも低い密度を有する。
【０００５】
Haluska（米国特許第５４４６０８８号）は、コーティングの形成に有用な共加水分解物(co-hydrolysate)を形成するために、式ＨＳｉ（ＯＲ）３及びＳｉ（ＯＲ）４のシランを共加水分解(co-hydrolyzing)する方法を述べている。Ｒ基は、酸素原子を通してケイ素に結合する時に、加水分解性置換基を形成する１〜２０の炭素原子を含有する有機基である。特に好ましい加水分解性基は、メトキシ及びエトキシである。水での加水分解は、極性溶媒を含有する酸性化酸素の中で実行される。溶媒中の共加水分解物が基板に適用され、溶媒を蒸発し、コーティングを５０〜１０００℃まで加熱し、シリカにコーティングを転換する。Haluskaは、分枝アルコキシ基を有するシランを開示していない。
【０００６】
Chung等（米国特許第６２３１９８９号）は、多孔質コーティングを、水素シルセスキオキサン樹脂から形成する方法を述べている。多孔質ネットワークは、水素シルセスキオキサン樹脂及び溶媒を含む溶液を用いて、基板上にコーティングを沈着することによって形成され、幾分その中で、少なくとも５容量％の溶媒が、沈着後にコーティング中に残る。コーティングは、次に塩基性触媒及び水を含む環境にさらされる；溶媒はコーティングから蒸発させられ、約１．５〜２．４の範囲の誘電率を持つ多孔質ネットワークを形成する。
【０００７】
Smith等（国際公開第９８／４９７２１号）は、ナノ多孔質誘電体コーティングを基板上に形成するプロセスを述べている。そのプロセスは、アルコキシシランと溶媒組成物及び任意の水とを混合する段階と、溶媒の少なくとも一部を蒸発する間に、その混合物を基板上へ沈着する段階と、封止チャンバーにその基板を配置し、大気圧以下の圧力にチャンバーを排気する段階と、大気圧以下の圧力でその基板を水蒸気にさらし、次いでその基板を塩基蒸気にさらす段階と、を含む。
【０００８】
Mikoshiba等（米国特許第６０２２８１４号）は、２５０℃〜樹脂のガラス転移点までの範囲に及ぶ温度で除去される有機置換基を有する水素又はメチルシロキサンベースの樹脂から、酸化ケイ素フィルムを基板上に形成するプロセスを述べている。報告された酸化ケイ素フィルム特性は、０．８〜１．４ｇ／ｃｍ３の密度、１〜３ｎｍの平均孔径、６００〜１，５００ｍ２／ｇの表面積及び２．０〜３．０の範囲の誘電率を含む。開示された２５０℃以上の温度で酸化され得る有用な有機置換基は、３，３，３−トリフルオロプロピル、βーフェネチル基、ｔ−ブチル基、２−シアノエチル基、ベンジル基及びビニル基によって例示された置換及び無置換のアルキル又はアルコキシ基を含む。
【０００９】
Mikoskiba等（J. Mat. Chem., 1999, 9, 591-598）は、コーティングの密度及び誘電率を減少するために、メチルシルセスキオキサンコーティングにおいてオングストロームサイズの孔を作る方法を報告している。メチル（トリシロキシシリル)単位及びアルキル（トリシロキシシリル単位を持つコポリマーは、基板上にスピンコートされ、そして２５０℃で加熱され、堅いシロキサン基質を提供する。そのコーティングは、その後４５０℃〜５００℃で加熱されて熱的不安定な基を除去し、置換基のサイズに相当する孔が残り、約２．３の誘電率を有する。トリフルオロプロピル、シアノエチル、フェニルエチル及びプロピル基が、熱的不安定な置換基として検討された。
【００１０】
Ito等（特開平５−３３３５５３）は、プロトン受容体の存在下、ジアセトキシジ（ターシャリーブトキシ）シランの加水分解によって、アルコキシ及びシラノール官能性を含有するシロキサン樹脂の調製を述べている。その樹脂は、光酸（photo acid)の存在下、二次熱処理（subsequent thermal processing)で放射線硬化され、ＳｉＯ２のようなコーティングを形成し、ＩＣ製作のためのフォトレジスト材料として使用され得る。
【００１１】
シロキサン樹脂中への分枝アルコキシ基（ＳｉＯＲ２）（ここで、Ｒ２は３〜３０の炭素原子を有するアルキル基である）の取り込みは、いくつかの利益、すなわち硬化樹脂の改良した貯蔵安定性、増加した引張応力及び増加した空隙率を提供するのに、２．１〜３．０の範囲の誘電率を維持する。それゆえに、本発明の目的は、改良した貯蔵安定性を有するシロキサン樹脂を示すことにある。本発明の目的はまた、シロキサン樹脂を作製する方法及びこれらの樹脂を硬化する方法を示し、２．１〜３．０の範囲の誘電率、２〜４０容量％の範囲の空隙率及び１．９〜２０ＧＰａの範囲の弾性率(modulus)樹脂及び不溶性多孔質コーティングを製造する。これらの不溶性多孔質コーティングは、伝統的な薄いフィルム処理を使用することによって形成され得る利益を有する。
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【００１２】
［発明の概要］
本発明は、Ｒ１ＳｉＯ３／２シロキサン単位及び（Ｒ２Ｏ）ｂＳｉＯ（４−ｂ）／２シロキサン単位を含むシロキサン樹脂（ここで、Ｒ１は１〜５の炭素原子を有するアルキルからなる群から独立して選択され；Ｒ２は３〜３０の炭素原子を有する分枝アルキル基及び３〜３０の炭素原子を有する分枝置換アルキル基からなる群から独立して選択され、ｂは１〜３である）に関する。前記シロキサン樹脂は、４０：６０〜９８：２のＲ１ＳｉＯ３／２単位と（Ｒ２Ｏ）ｂＳｉＯ（４−ｂ）／２単位の平均モル比を有する。Ｒ１ＳｉＯ３／２単位及び（Ｒ２Ｏ）ｂＳｉＯ（４−ｂ）／２単位の合計は、前記樹脂における全シロキサン単位の少なくとも５０％である。
【００１３】
本発明はまた、式Ｒ１ＳｉＸ３のシラン又はシランの混合物（ここで、Ｒ１は１〜５の炭素原子を有するアルキル基からなる群から独立して選択される）及び式（Ｒ２Ｏ）ｃＳｉＸ（４−ｃ）のシラン又はシランの混合物（ここで、Ｒ２は３〜３０の炭素原子を有する分枝アルキル基及び３〜３０の炭素原子を有する置換分枝アルキル基からなる群から独立して選択され、ｃは１〜３であり、Ｘは加水分解性基又はヒドロキシ基である）を反応することによりシロキサン樹脂を作製する方法に関する。
【００１４】
本発明はさらに、不溶性多孔質樹脂を形成する方法及び不溶性多孔質コーティングを基板上に形成する方法に関する。その不溶性多孔質コーティングの誘電率は、２．１〜３の範囲である。不溶性多孔質樹脂及び不溶性多孔質コーティングの空隙率は、２〜４０容量％の範囲に及ぶ。不溶性多孔質コーティングは、１．９〜２０ＧＰの範囲の引張張力を有する。
【００１５】
［本発明の詳細な説明］
シロキサン樹脂は、Ｒ１ＳｉＯ３／２シロキサン単位及び（Ｒ２Ｏ）ｂＳｉＯ（４−ｂ）／２シロキサン単位を含む。ここで、Ｒ１は１〜５の炭素原子を有するアルキルからなる群から選択され、Ｒ２は３〜３０の炭素原子を有する分枝アルキル基及び３〜３０の炭素原子を有する分枝置換アルキル基からなる群から独立して選択され、ｂは１〜３である。
シロキサン樹脂は、４０：６０〜９８：２のＲ１ＳｉＯ３／２単位と（Ｒ２Ｏ）ｂＳｉＯ（４−ｂ）／２単位のモル比を有する。Ｒ１ＳｉＯ３／２単位及び（Ｒ２Ｏ）ｂＳｉＯ（４−ｂ）／２単位の合計は、樹脂における全シロキサン単位の少なくとも５０％である。
【００１６】
シロキサン樹脂の構造は、特に限定されることはない。シロキサン樹脂は、本質的に完全に縮合されていても、単に部分的に反応されていてもよい（すなわち、１０モル％未満のＳｉ−ＯＲ及び／又は３０モル％未満のＳｉ−ＯＨを含有する）。部分的に反応されたシロキサン樹脂は、Ｒ１Ｓｉ（Ｘ）ｄＯ（３−ｄ／２）及びＳｉ（Ｘ）ｄ（ＯＲ２）ｆＯ（４−ｄ−ｆ／２）（ここで、Ｒ１及びＲ２は上記で定義され、各Ｘは独立して加水分解性基又はヒドロキシル基であり、ｄ及びｆは１〜２である）の様なシロキサン単位によって例示されるが、これに限定されない。加水分解性基は、ケイ素に結合したアルコキシ基又はケイ素に結合したアシロキシ基を形成する酸素原子を通してケイ素原子に接続した有機基（Ｓｉ−ＯＲ）である。Ｒは、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル又はヘキシルのような１〜６の炭素原子を有する直鎖アルキル基、及びホルミル、アセチル、プロピオニル、ブチリル、バレリル又はヘキサノイルのような１〜６の炭素原子を有するアシル基によって例示されるが、これに限定されない。
【００１７】
シロキサン樹脂は、５，０００〜１５０，０００の範囲、好ましくは１０，０００〜５０，０００の範囲の重量平均分子量を有する。
【００１８】
Ｒ１は、１〜５の炭素原子を有する直鎖アルキル基であり得る。アルキル基は、メチル、エチル、プロピル、ブチル及びペンチルによって例示されるが、これに限定されない。Ｒ１がメチルであることが好ましい。
【００１９】
Ｒ２は、３〜３０の炭素原子を有する置換又は無置換分枝アルキル基である。置換分枝アルキル基は、炭素に結合した水素原子（Ｃ−Ｈ）の代わりに、置換基と置換され得る。置換されたＲ２基は、塩素及びフッ素のようなハロゲン、式−（ＣＨ２）ａＣ（Ｏ）Ｏ（ＣＨ２）ｂＣＨ３により記述されるようなアルコキシカルボニル、式−（ＣＨ２）ａＯ（ＣＨ２）ｂＣＨ３により記述されるようなアルコキシ置換、及び式−（ＣＨ２）ａＣ（Ｏ）（ＣＨ２）ｂＣＨ３により記述されるようなカルボニル置換（ここでａ≧０及びｂ≧０である）によって例示されるが、これに限定されない。無置換Ｒ２基は、イソプロピル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、イソペンチル、ネオペンチル、ｔｅｒｔ−ペンチル、２−メチルブチル、２−メチルペンチル、２−メチルヘキシル、２−エチルブチル、２−エチルペンチル、２−エチルヘキシル等によって例示されるが、これに限定されない。好ましいＲ２は、４〜１８の炭素原子を有するターシャリーアルキルであり、より好ましいＲ２は、ｔ−ブチルである。
【００２０】
シロキサン樹脂の調製方法は、シロキサン樹脂の形成をもたらすのに十分な時間及び温度で、
（ａ）式Ｒ１ＳｉＸ３のシラン又はシランの混合物（ここで、各Ｒ１は１〜５の炭素原子を有するアルキルからなる群から独立して選択され、Ｘは独立して加水分解性基又はヒドロキシ基である）と、
（ｂ）式（Ｒ２Ｏ）ｃＳｉＸ（４−ｃ）のシラン又はシランの混合物（ここで、Ｒ２は上記で述べられたように、３〜３０の炭素原子を有する分枝アルキル基及び３〜３０の炭素原子を有する分枝置換アルキル基からなる群から独立して選択され、ｃは１〜３であり、Ｘは加水分解性基又はヒドロキシ基である）と、
（ｃ）水と、
を組合せることを含む。
【００２１】
シラン（ａ）は、式Ｒ１ＳｉＸ３のシラン又はシランの混合物である。ここで、各Ｒ１は１〜５の炭素原子を有するアルキルからなる群から独立して選択される。Ｒ１はメチルであることが好ましい。Ｘは、加水分解性基又はヒドロキシ基である。「加水分解性基」とは、８０モル％より大きいＸが、シロキサン樹脂の形成をもたらすための反応の条件下で、水と反応する（加水分解する）ことを意味する。ヒドロキシ基は縮合基であり、少なくとも７０モル％は、異なるケイ素原子に結合した他のＸ基と反応し、縮合してシロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ）を形成する。加水分解性基は、ケイ素に結合したアルコキシ基又はケイ素に結合したアシロキシ基を形成する酸素原子を通してケイ素原子に付いたアミノ基又は有機基である。Ｘがアミノの場合、生じるシロキサン樹脂が３０モル％を超えるＳｉＯＨを含有することがあるので、３０モル％未満で典型的に使用される。Ｒは、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル又はヘキシルのような１〜６の炭素原子を有する直鎖アルキル基、ホルミル、アセチル、プロピオニル、ブチリル、バレリル又はヘキサノイルのような１〜６の炭素原子を有するアシル基によって例示されるが、これに限定されない。シランは、その容易な入手可能性の観点から、メチルトリメトキシシラン又はメチルトリエトキシシランであることが好ましい。
【００２２】
シラン（ｂ）は、式（Ｒ２Ｏ）ｃＳｉＸ（４−ｃ）のシラン又はシランの混合物である。ここで、Ｒ２は上記で述べられたように、３〜３０の炭素原子を有する分枝アルキル基及び３〜３０の炭素原子を有する置換分枝アルキル基からなる群から独立して選択され、ｃは１〜３であり、Ｘは上記で述べられたように独立して加水分解性基又はヒドロキシ基である。シラン（ｂ）は、その容易な入手可能性の観点から、ジ−ｔ−ブトキシジヒドロキシシラン、ジ−ｔ−ブトキシジメトキシシラン、ジ−ｔ−ブトキシジエトキシシラン、ジ−ｔ−ブトキシジアミノシラン及びジ−ｔ−ブトキシジアセトキシシランであることが好ましい。シラン（ａ）及びシラン（ｂ）は、４０：６０〜９８：２のシラン（ａ）とシラン（ｂ）のモル比で存在し、５０：５０〜８５：１５のシラン（ａ）とシラン（ｂ）のモル比で存在することが好ましい。
【００２３】
水は、加水分解性基Ｘの加水分解をもたらす量が存在する。典型的に、水は、シラン（ａ）及び（ｂ）における１モルのＸあたり、０．５〜２．０モルの水が存在し、好ましくは、水は、シラン（ａ）及び（ｂ）における１モルのＸあたり、０．８〜１．２モルである。
【００２４】
シロキサンの形成をもたらすための反応は、溶媒有無の液体状態で実行され得る。もし溶媒が使用されるなら、加水分解／縮合に関係するかもしれない官能基を含有しない及びシラン（ａ）及び（ｂ）のための溶媒であるどんな適当な有機溶媒も含むことができる。溶媒は、ｎ−ペンタン、ヘキサン、ｎ−ヘプタン、イソオクタン及びドデカンのような飽和脂肪族；シクロペンタン及びシクロヘキサンのような環状脂肪族；ベンゼン、トルエン、キシレン及びメシチレンのような芳香族；テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）及びジオキサンのような環状エステル；メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）のようなケトン；トリクロロエタンのようなハロゲン置換アルカン；ブロモベンゼン及びクロロベンゼンのようなハロゲン化芳香族；及びメタノール、エタノール、プロパノール及びブタノールのようなアルコールによって例示されるが、これに限定されない。或いは、上記溶媒は、共溶媒として組み合わせて使用されてもよい。好ましい溶媒は、芳香族化合物及び環状エーテルであり、トルエン、メシチレン及びテトラヒドロフランが最も好まれる。溶媒が使用されるとき、溶媒及びシラン（ａ）及び（ｂ）の全重量に対して、４０〜９５重量％の範囲内で一般的に使用される。より好ましいのは、全重量に対して、７０〜９０重量％である。
【００２５】
加水分解性基（Ｘ）と水との間の接触がある限り、成分（ａ）、（ｂ）、（ｃ）及び任意に溶媒（もし存在するなら）を組み合わせることは、どんな順序で行われてもよく、反応はシロキサン樹脂の形成をもたらすまで続行してよい。一般的に、シランは溶媒に溶解され、次いで水がその溶液に加えられる。上記成分が組み合わされるとき、いくつかの反応が通常起こる。反応の速度及び広がりを増加するために、しかしながら、温度制御及び／又は撹拌のような種々の促進手段(measure)が利用される。
【００２６】
シロキサン樹脂生成物の重大なゲル化又は硬化を起こさない限り、反応が実行される温度は重大ではない。一般的に、温度は２０℃〜１５０℃の範囲にあり得、２０℃〜１００℃の温度が好ましい。Ｘがアセトキシのようなアシロキシ基であるとき、８５℃以下で反応を行うことが好ましい。シロキサン樹脂を形成するための時間は、使用される特定のシラン、温度、及び反応のシロキサン樹脂生成物において望まれたＲ１とＲ２Ｏとのモル比のようないくつかの要因に依存するが、これに限定されない。典型的に、反応時間は、数分〜数時間である。調製されたシロキサン樹脂の分子量を増加するため、及びシロキサン樹脂の貯蔵安定性を改良するために、上記反応に続く又は上記反応の一部としての重量増加(bodying)段階を実行することが好ましい。
「重量増加(bodying)」とは、重量平均分子量における増加をもたらすために、反応が４０℃から溶媒の還流温度までの加熱で、数時間にわたって行わることを意味する。加熱後のシロキサン樹脂が５，０００〜１５０，０００の範囲の重量平均分子量を有するように、反応混合物が加熱されることが好ましい。
【００２７】
Ｘがアセトキシのようなアシロキシ基であるとき、酢酸のような対応する酸が反応の副生成物として生成される。酢酸の存在は、シロキサン樹脂生成物の安定性に不利に影響を及ぼすことがあるので、どんな酢酸も中和されることが望ましい。副生成物酢酸の中和は、反応物と中和剤の接触により、又は蒸留による除去によってもたらされ得る。蒸留は、トルエンのような溶媒の添加し（もし、すでに存在していないならば）、その溶媒との共沸混合物として、減圧及び加熱（すなわち５０℃まで）下で酢酸を除去することによって、一般的に成し遂げられる。もし中和剤が使用されるなら、シロキサン樹脂生成物の転位を起こさないように、どんな残留酢酸及びまだ不十分な塩基性も中和するために、十分に塩基性でなければならない。適切な塩基の例は、炭酸カルシウム、炭酸ナトリウム、重炭酸ナトリウム、炭酸アンモニウム、アンモニア、酸化カルシウム及び水酸化カルシウムを含む。中和は、粉末中和剤中において撹拌し、続いてろ過したり、又は該反応物や付加的溶媒を、流れを妨害しないサイズの微粒子中和剤の床（bed)上又はその床を通すような如何なる好適な手段によっても成し遂げられてよい。
【００２８】
シロキサン樹脂は、溶媒を除去することにより形成する固体において回収されてもよい。溶媒除去の方法は重大ではなく、多数のアプローチが当該技術分野において公知である。例えば、真空及び加熱（すなわち５０℃〜１２０℃）下、蒸留によって溶媒を除去することを含むプロセスが使用されてもよい。或いは、特定の溶媒においてシロキサン樹脂を有することが望まれるならば、第２溶媒を添加すること及び第１溶媒を蒸留することによって、溶媒交換が行われてもよい。シロキサン樹脂はまた、固体形状で貯蔵されてもよい。
【００２９】
不溶性多孔質樹脂は、シロキサン樹脂の硬化及びＲ２Ｏ基の除去をもたらすのに十分な時間及び温度で、シロキサン樹脂を加熱することによって得られてもよく、それによって不溶性多孔質樹脂を形成する。「硬化」とは、それからシロキサン樹脂が基板に沈着される溶媒又はシロキサン樹脂の適用に関して有用であるとして上記で叙述されたどんな溶媒にも本質的に不溶性であることを意味する。「除去」とは、ケイ素原子に結合した８０モル％を超えるＲ２Ｏ基が、コーティングにおいてボイドを生じる揮発性炭化水素及び炭化水素断片として除去され、その結果、不溶性多孔質樹脂の形成を生じることを意味する。加熱は、単一段階プロセス又は二段階プロセスで行われてよい。二段階加熱プロセスにおいて、シロキサン樹脂は、Ｒ２Ｏ基の重要な除去なしに硬化をもたらすのに十分な時間及び温度で、最初に加熱される。一般的に、この温度は、数分〜数時間の間、２０℃を超え、３５０℃以下の範囲にあり得る。それから、硬化シロキサン樹脂は、３５０℃を超え、シロキサン樹脂主鎖又はＲ１ＳｉＯ３／２単位のケイ素に結合したＲ１基の分解未満までの範囲内の時間及び温度の間（数分〜数時間）、さらに加熱され、ケイ素原子からＲ２Ｏ基の除去をもたらす。典型的に、除去段階は、３５０℃を超え、６００℃以下の範囲の温度で行われる。除去段階は、３５０℃を超え、６００℃以下の範囲の温度で行われることが好ましく、４００℃〜５００℃がより好ましい。最終的な不溶性多孔質樹脂における空隙率は、シロキサン樹脂におけるＯＲ２のモル％及びシロキサン樹脂がどのように加熱されるかによって制御され得る。
【００３０】
単一段階プロセスにおいて、シロキサン樹脂の硬化及びＲ２Ｏ基の除去が、２０℃を超え、シロキサン樹脂主鎖又は上記で述べられたケイ素原子に結合したＲ１基の分解未満までの範囲内の時間及び温度の間、加熱によって同時にもたらされ、硬化シロキサン樹脂からＲ２Ｏ基の除去をもたらす。一般的に、硬化／除去段階は、３５０℃を超え、６００℃以下の範囲の温度で行われることが好ましく、４００℃〜５５０℃の範囲の温度で行われることが最も好ましい。
【００３１】
加熱は、不活性雰囲気で行われることが好ましいが、他の雰囲気が使用されてもよい。本明細書で有用な不活性雰囲気は、５０ｐｐｍ未満、好ましくは１５ｐｐｍ未満の酸素レベルを持つ窒素、ヘリウム及びアルゴンを含むが、これに限定されない。加熱はまた、真空から上記大気までのどんな有効な大気圧、及び空気、Ｏ２、酸素プラズマ、オゾン、アンモニア、アミン、湿気(moisture)、Ｎ２Ｏ、水素等を含むようなどんな有効な酸化又は非酸化ガス状環境下でも行われてよい。
【００３２】
不溶性多孔質樹脂は、形状選択ガス又は液体浸透膜、触媒担体、バッテリーのようなエネルギー貯蔵装置、並びに分子分離及び単離のような制御可能な空隙率及び５５０℃までの高温安定性を持つ孔質材料として有用であり得る。用語「多孔質」とは、２〜４０容量％の範囲の空隙率を有する不溶性多孔質樹脂を意味する。不溶性多孔質樹脂の引張応力は１．９〜２０ＧＰａに及ぶ。
【００３３】
シロキサン樹脂は、
（Ａ）Ｒ１ＳｉＯ３／２シロキサン単位及び（Ｒ２Ｏ）ｂＳｉＯ（４−ｂ）／２シロキサン単位（ここで、Ｒ１は１〜５の炭素原子を有するアルキルからなる群から独立して選択され、Ｒ２は３〜３０の炭素原子を有する分枝アルキル基及び３〜３０の炭素原子を有する置換分枝アルキル基からなる群から独立して選択され、ｂは１〜３である）を含むシロキサン樹脂を含むコーティング組成物で基板を被覆すること。前記シロキサン樹脂は、４０：６０〜９８：２のＲ１ＳｉＯ３／２単位と（Ｒ２Ｏ）ｂＳｉＯ（４−ｂ）／２単位の平均モル比を有する。Ｒ１ＳｉＯ３／２単位及び（Ｒ２Ｏ）ｂＳｉＯ（４−ｂ）／２単位の合計は、前記樹脂における全シロキサン単位の少なくとも５０％である。；
（Ｂ）前記コーティング組成物の硬化をもたらすのに十分な時間及び温度で、前記被覆された基板を加熱すること、及び
（Ｃ）前記硬化コーティング組成物からＲ２Ｏ基の除去をもたらすのに十分な時間及び温度で、前記被覆された基板をさらに加熱し、それによって基板上に不溶性多孔質コーティングを形成すること、
によって、不溶性多孔質コーティングを基板上に調製するために使用されてもよい。
【００３４】
シロキサン樹脂は、溶媒分散として基板に典型的に適用される。使用されてもよい溶媒は、シロキサン樹脂を溶解又は分散し、その結果として生じるコーティング又は基板に影響を及ぼすことなく均一な液体混合物を形成するどんな試薬又は試薬の混合物を含む。溶媒は、一般的に、ヒドロキシルのような、シロキサン樹脂との反応に関係してもよい官能基を含有しないどんな有機溶媒でもあり得、シラン混合物と水との反応に関して上記で論じたものによって例示される。
【００３５】
溶媒は、シロキサン樹脂を特定の適用のために望まれた濃度に溶解するのに十分な量存在する。典型的には、溶媒は、シロキサン樹脂及び溶媒の重量に対して、４０〜９５重量％、好ましくは７０〜９０重量％の量で存在する。もしシロキサン樹脂が上記で述べられた溶媒中に保持されるなら、溶媒は基板をコーティングすることに使用されてもよく、又はもし望まれるなら、第二溶媒を加えること及び第一溶媒を蒸留することにより、単純な溶媒交換が行われてもよい。
【００３６】
基板へのシロキサン樹脂の適用に関する特定の方法は、スピンコーティング、ディップコーティング、スプレーコーティング、フローコーティング、スクリーン印刷法等を含むが、これに限定されない。適用に関して好ましい方法は、スピンコーティングである。溶媒が使用されたとき、その溶媒は被覆された基板から蒸発され得、結果として基板上のシロキサン樹脂コーティングの沈着となる。周囲の環境にさらすことによる単純な空気乾燥、真空の適用若しくは加熱（５０℃まで）によって、又は硬化プロセスの初期段階の間に、蒸発のための如何なる適切な手段が使用されてもよい。スピンコーティングが使用されたとき、スピニングが溶媒を追い払うので、付加的乾燥方法は最小限度にされる。
【００３７】
基板への次の適用は、シロキサン樹脂コーティングが、シロキサン樹脂の硬化及びケイ素原子に結合したＲ２Ｏ基の除去をもたらすのに十分な温度で加熱され、それにより不溶性多孔質コーティングを形成する。「硬化コーティング」とは、コーティングが溶媒において本質的に不溶性であってから、シロキサン樹脂が基板又はシロキサン樹脂の適用に関して有用であるとして上記で叙述されたどんな溶媒の上にも沈着されることを意味する。「除去」とは、ケイ素原子に結合した８０モル％を超えるＲ２Ｏ基が、コーティングにおいてボイドを生じる揮発性炭化水素及び炭化水素断片として除去され、その結果として、不溶性多孔質樹脂の形成を生じることを意味する。
加熱は、単一段階プロセス又は二段階プロセスで行われてよい。二段階加熱プロセスにおいて、シロキサン樹脂は、Ｒ２Ｏ基の重要な除去なしに硬化をもたらすのに十分な温度で最初に加熱される。一般的に、この温度は、２０℃を超え、３５０℃以下の範囲にあり得る。それから、硬化シロキサン樹脂コーティングは、３５０℃よりも大きく、シロキサン樹脂主鎖又は上記で述べられたケイ素原子に結合したＲ１基の分解未満までの範囲内の温度で、さらに加熱され、ケイ素原子からＲ２Ｏ基の除去をもたらす。典型的に、除去段階は、３５０℃を超え、８００℃以下の範囲の温度で行われる。除去段階は、３５０℃を超え、６００℃以下の範囲の温度で行われることが好ましく、４００℃〜５５０℃の範囲の温度がより好ましい。硬化及び加熱段階の間、９０モル％を超えるＲ１基は、一般的にシロキサン樹脂上に残る。
【００３８】
単一段階プロセスにおいて、シロキサン樹脂の硬化及びＲ２Ｏ基の除去は、２０℃を超え、シロキサン樹脂主鎖又は上記で述べられたケイ素原子に結合したＲ１基の分解未満までの範囲内の温度での加熱によって同時にもたらされ、硬化コーティング組成物からＲ２Ｏ基の除去をもたらす。一般的に、硬化／除去段階は、３５０℃を超え、６００℃以下の範囲の温度で行われることが好ましく、４００℃〜５５０℃の範囲の温度が最も好ましい。
【００３９】
加熱は、不活性雰囲気で行われることが好ましいが、他の雰囲気が使用されてもよい。本明細書で有用な不活性雰囲気は、５０ｐｐｍ未満、好ましくは１５ｐｐｍ未満の酸素レベルを持つ窒素、ヘリウム及びアルゴンを含むが、これに限定されない。加熱はまた、真空から上記大気までのどんな有効な大気圧、及び空気、Ｏ２、酸素プラズマ、オゾン、アンモニア、アミン、湿気(moisture)、Ｎ２Ｏ、水素等を含むようなどんな有効な酸化又は非酸化ガス状環境下で行われてもよい。
【００４０】
石英管状炉、対流式オーブン、又は放射(radiant)若しくはマイクロ波エネルギーの使用のようなどんな加熱方法でも、本明細書において一般的に機能する。同様に、加熱の速度は、一般的に重要要因ではないが、できるだけ迅速に被覆された基板を加熱することが最も実用的であり、好ましい。
【００４１】
本明細書において製造された不溶性多孔質コーティングは、どんな基板上に製造されてもよい。しかしながら、コーティングは、電子基板上が特に有用である。「電子基板」とは、焦点面アレイ、オプトエレクトロニクス素子（opto-electronic device)、光電池、光学デバイス、トランジスターのようなデバイス、３−Ｄデバイス、シリコンオンインシュレーターデバイス（silicon-on-insulator device)、超格子等を含む半導体部品の製品における使用を意図されるケイ素ベースデバイス及びガリウムヒ素ベースデバイスを含むことを意味する。
【００４２】
上記方法により、薄い（５μｍ未満）不溶性多孔質コーティングが基板上に製造される。好ましくは、そのコーティングは０．３〜２．５μｍの厚さを有し、０．５〜１．２μｍの厚さであることがより好ましい。コーティングは、種々の基板の不規則な表面を平滑にし、優秀な付着特性を有する。
【００４３】
付加的コーティングは、もし望まれるなら不溶性多孔質コーティング上に適用されてもよい。これらは、例えば、アモルファスＳｉＣ：Ｈ、ダイヤモンド、窒化ケイ素の沈着（すなわちＰＶＤ、ＰＥＣＶＤ等）から製造されるＳｉＯ２コーティング、ケイ素含有コーティング、ケイ素炭素含有コーティング、ケイ素窒素含有コーティング、ケイ素酸素窒素含有コーティング、ケイ素窒素炭素含有コーティング、及び／又はダイヤモンドのようなコーティングを含み得る。そのようなコーティングの適用方法は、当該技術分野において公知である。付加的コーティングを適用する方法は重大ではなく、そのようなコーティングは、熱化学的気相成長法（ＴＣＶＤ）、光化学気相成長法、プラズマ化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）及びジェット気相成長法のような化学的気相成長法技術によって典型的に適用される。付加的コーティングはまた、スパッタリング又は電子ビーム蒸発のような物理的気相成長法技術によって適用され得る。これらのプロセスは、所望の反応を引き起こすための蒸発種(vaporized species)への熱、プラズマ等の形態でのエネルギーの付加も、その沈着を引き起こすための固体サンプルの材料上へのエネルギーの集中も含む。
【００４４】
この方法によって形成された不溶性多孔質コーティングは、集積回路であるような電子デバイス上のコーティングとして特に有用である。不溶性多孔質コーティングの誘電率は２．１〜３．０の範囲に及び、層間誘電体コーティングに関しては２．１〜２．５がより好ましい。用語「多孔質」とは、２〜４０容量％の空隙率を有する不溶性コーティングを意味する。不溶性多孔質コーティングの引張応力は、１．９〜２０ＧＰａの範囲に及び、４〜１３ＧＰａの範囲がより好ましい。
【実施例】
【００４５】
［実施例］
当業者が本発明をより容易に理解することができるように、次の限定されない実施例が提供される。実施例において、重量はグラム（ｇ）として表される。分子量は、ゲル浸透クロマトグラフィーによって決定された重量平均分子量（Ｍｗ）及び数平均分子量（Ｍｎ）として報告される。シロキサン樹脂の分析は、２９Ｓｉ核磁気共鳴（ＮＭＲ）を使用することによって行われた。窒素吸着ポロシメトリー測定は、QuantaChrome Autosorb 1 MP装置を使用することによって行われた。硬化シロキサン樹脂は、サンプルセルの中に配置される前に細かい粉末に砕かれ、数時間脱気され、分析位置(station)の中に詰められた。表面積は、Brunauer-Emmett-Teller法によって決定された。全孔容量は、孔が吸着物質で満たされたという仮定条件を持つ単位に近い相対圧力（Ｐ／Ｐ０＝０．９９５）で、孔中に吸着された蒸気の量から決定された。骨格(skeletal)密度は、ヘリウムガス比重計を使用することによって測定された。骨格密度は、測定において、どんな内部のボイド、クラック又は孔を除外するシロキサン樹脂固体構造の真の密度を表す。パーセント空隙率は、骨格密度及び全孔容量から計算された。屈折率（ＲＩ）及びコーティング厚さは、Woollam M-88 分光円二色計(Ellipsometer)を使用することによって測定された。
【００４６】
次の実施例において、Ｍｅはメチルを示し、ｔＢｕはターシャリーブチルを示し、Ａｃはアセトキシを示し、Ｅｔはエチルを示す。以下の表において、ｎ．ｍ．は、明記された特性が測定されなかったことを示す。
【００４７】
［実施例１］
本実施例は、シロキサン樹脂の形成を説明する。ここで、Ｒ１はＭｅ、Ｒ２はｔ−ブチルである。１０．００ｇの（ＨＯ）２Ｓｉ（ＯｔＢｕ）２と６．４４ｇのＭｅＳｉ（ＯＭｅ）３とを、アルゴン雰囲気下、フラスコにおいて、２２．２０ｇのＴＨＦに添加した。１．７５ｇの脱イオン水を、室温で反応混合物にそれからゆっくりと添加した。室温で１時間撹拌した後、反応混合物は加熱され、６時間還流した。溶媒を、ロータリーエバポレーターを使用することによって除去し、シロキサン樹脂を粘性オイルとして得た。そのオイルを、真空下、１５０℃で１２時間加熱した；その温度は、２００℃に上げられ、真空下でさらに５時間保持された。１３，１００のＭｗ、４，９００のＭｎを有する９．３７ｇの収量の固体樹脂を得た。２９Ｓｉ ＮＭＲによって決定されたような組成は、（ＭｅＳｉＯ３／２）０．３６（（ＺＯ）ＳｉＯ３／２）０．１４（（ｔＢｕＯ）ｂＳｉＯ４−ｂ／２）０．５（ここで、ＺＯ＝ＯＨ又はＯＭｅである）であった。
【００４８】
［実施例２］
本実施例は、不溶性多孔質樹脂の形成を説明する。実施例１で調製したシロキサン樹脂のサンプル（１．９７４４ｇ）を、アルミナ坩堝中で量り、石英管状炉中に移した。炉を＜２０ｍｍＨｇ（＜２６６６Ｐａ）に脱気し、アルゴンで再充填した。サンプルを、アルゴンパージ下の間、室温に冷却する前に、１０℃／分の速度で４５０℃に加熱し、４５０℃で１時間保持した。硬化材料を、４７．２重量％の収率（９３１９ｇ）で得た。２９Ｓｉ ＮＭＲによって決定されたような組成は、（ＭｅＳｉＯ３／２）０．４７（ＳｉＯ４／２）０．５３であった。ＢＥＴ表面積は、５８４ｍ２／ｇであり、孔容積は０．４０ｃｃ／ｇであった。
【００４９】
［実施例３］
本実施例は、シロキサン樹脂の形成を説明する。ここで、Ｒ１はＭｅであり、Ｒ２はｔ−ブチルである。ＭｅＳｉ（ＯＭｅ）３（Ａ）、（Ｈ２Ｎ）２Ｓｉ（ＯｔＢｕ）２（Ｂ）及びＴＨＦを、表１に述べられた量で、アルゴン雰囲気下、フラスコに添加した。脱イオン水を、それからゆっくりとそのフラスコに添加して、その混合物を室温で１時間撹拌し、その混合物を６５℃に加熱した。温度を、６５℃で２時間維持し、それから室温に冷却した。揮発成分を、真空（１ｍｍＨｇ）下、室温でロータリーエバポレーターを使用することによって除去した。生成物をトルエンに溶解して共沸混合乾燥し、その溶液を３０分間還流で保持し、冷却して０．４５μｍシリンジフィルターを通して濾過した。溶媒を２５℃で真空（１ｍｍＨｇ）蒸発し、シロキサン樹脂を得た。シロキサン樹脂構造の分析及び分子量は、表２に示した。
【００５０】
【表１】
0004411067.tif 000002
【００５１】
【表２】
0004411067.tif 000003
【００５２】
［実施例４］
本実施例は、不溶性多孔質樹脂の形成を説明する。実施例３で調製された樹脂（２〜３ｇ）を、アルミナ坩堝中で量り、石英管状炉中に移した。炉を＜２０ｍｍＨｇ（＜２６６６Ｐａ）に脱気し、アルゴンで再充填した。サンプルを、アルゴンパージ下の間、室温に冷却する前に、１０℃／分の速度で表３に示される温度に加熱し、温度を１時間保持した。熱分解温度、チャー(char)収率及び空隙率データを表３に示した。チャー収率は、明示された温度で分析された後に保持された重量％として表され、加熱の際のバルクシロキサン樹脂の収縮の測定である。
【００５３】
【表３】
0004411067.tif 000004
【００５４】
［実施例５］
本実施例は、シロキサン樹脂の形成を説明する。ここで、Ｒ１はＭｅであり、Ｒ２はｔ−ブチルである。ＭｅＳｉ（ＯＭｅ）３（Ａ）、（ＡｃＯ）２Ｓｉ（ＯｔＢｕ）２（Ｂ）及びＴＨＦを、表４に述べられた量で、アルゴン雰囲気下、フラスコに添加した。脱イオン水を、それからゆっくりとそのフラスコに添加し、その混合物を室温で１時間撹拌した。７５ｇのトルエンを反応混合物に添加した。溶媒を、ロータリーエバポレーターを使用することによって除去し、生成物を粘性オイルとして得、それを１５０ｇのトルエンにすぐに溶解した。残留酢酸を、トルエンとの共沸混合物として減圧下で除去した（共沸混合物沸点は３８℃）。樹脂を１１０ｇのトルエンに再度溶解して共沸混合乾燥し、１時間還流した。その溶液をろ過し、溶媒が蒸発によって除去され、最終樹脂生成物を得た。樹脂合成の要約を表４に示した。樹脂に関する分子量情報を表５に示した。
【００５５】
【表４】
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【００５６】
【表５】
0004411067.tif 000006
【００５７】
［実施例６］
本実施例は、不溶性多孔質樹脂の形成を説明する。実施例５で調製された樹脂（２〜３ｇ）を、アルミナ坩堝中で量り、石英管状炉中に移した。炉を＜２０ｍｍＨｇ（＜２６６６Ｐａ）に脱気し、アルゴンで再充填した。サンプルを、アルゴンパージ下の間、室温に冷却する前に、１０℃／分の速度で４５０℃に加熱し、４５０℃で１時間保持した。硬化シロキサン樹脂を、透明又はわずかに不透明な厚いフィルムとして得た。熱分解温度、チャー(char)収率及び空隙率データを表６に示した。チャー収率は、明示された温度で分析された後に保持された重量％として表した。
【００５８】
【表６】
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【００５９】
［実施例７］
本実施例は、不溶性多孔質樹脂の形成を説明する。実施例５で調製された樹脂（２〜３ｇ）を、ＭＩＢＫに溶解し、樹脂として２５重量％を含有する透明な溶液を形成した。その溶液を、０．２μｍシリンジメンブレンフィルターが後続する１．０μｍシリンジメンブレンフィルターを通してろ過し、どんな大きな粒子も除去した。その溶液を２０００ｒｐｍで２０秒間、スピンコーティングによりシリコンウェハーに適用した。被覆されたシリコンウェハーを石英管状炉中に置き、炉を窒素でパージした。炉を４００℃、４２５℃又は４５０℃（５０〜６０℃／分）に加熱し、２時間その温度で保持し、それから窒素パージを維持する間に室温まで冷却した。被覆されたウェハーを、特性測定前に窒素雰囲気下で貯蔵した。薄いフィルムの弾性率及び誘電率（Ｄｋ）を表７に示した。
【００６０】
【表７】
0004411067.tif 000008
【００６１】
［比較例１］
本比較例は、米国特許第６０２２８１４号により調製された（ＭｅＳｉＯ３／２）ｈ（ＣＦ３ＣＨ２ＣＨ２）ＳｉＯ３／２）ｉ樹脂の調製及びその樹脂からの薄いフィルムの形成を説明する。０．５ｇのトリフルオロプロピルトリメトキシシラン、９．５ｇのメチルトリエトキシシラン(methyltrethoxy silane)、１０ｇのイソプロピルアルコール、３．４ｇのブタノール及び０．１０ｇのシュウ酸二水和物（dihidrate）をフラスコ中で混合した。３．４ｇの水を、シリンジを通して反応フラスコにそれから添加した。２４℃から３０℃への温度において、わずかな増加を観察した。反応混合物を７０℃に加熱し、７０℃で２時間維持し、続いて室温まで冷却した。溶媒を真空下、３５℃でそれから除去し、４．９８ｇの生成物を得た。
【００６２】
得られた生成物を、１０ｇのブタノール及び２．５６ｇのイソプロパノールに溶解し、溶液を形成した。溶液を、１５００、２０００及び３０００ｒｐｍでスピンコーティングにより単結晶シリコンウェハーに適用し、結果として、発生し得るキャラクタリゼーションデータがない低品質フィルムを有するシリコンウェハーを生じた。そのフィルムは、ウェハーの全体表面上に分散された異なる大きさの多数の環状欠陥を含有していた。光学顕微鏡を使用することにより、これらの欠陥はまた、フィルムの表面以下でも存在していることが明らかとなった。
【００６３】
調製された再被覆生成物の他のサンプルをＭＩＢＫに溶解し、２５重量％の溶液を形成した。その溶液を、０．２μｍシリンジメンブレンフィルターが後続する１．０μｍシリンジメンブレンフィルターを通してろ過し、どんな大きな粒子も除去した。その溶液を２０００ｒｐｍで２０秒間、スピンコーティングによりシリコンウェハーに適用した。被覆されたシリコンウェハーを石英管状炉中に置き、炉を窒素でパージした。炉を４５０℃（２５℃／分）に加熱し、２時間その温度で保持し、それから窒素パージを維持する間に室温まで冷却した。被覆されたウェハーを、特性測定前に窒素雰囲気下で貯蔵した。薄いフィルムの弾性率及び誘電率を、表８に示した。
【００６４】
【表８】
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【００６５】
（ＭｅＳｉＯ３／２）ｈ（ＣＦ３ＣＨ２ＣＨ２）ＳｉＯ３／２）ｉ樹脂から調製された薄いフィルムは、米国特許第６０２２８１４号において報告されたＤｋよりも大きなＤｋを有していた。弾性率は、本発明の不溶性多孔質コーティングの弾性率よりも、より低かった。
【００６６】
［比較例２］
本比較例は、（ＭｅＳｉＯ３／２）樹脂の形成及びその樹脂から作製される薄いフィルムの形成を説明する。２５６０ｇ（１４０ｍｏｌ）の脱イオン水及び１５３６ｇ（１５．４ｍｏｌ）の（ＭＩＢＫ）を、フラスコに添加した。その混合物を、攪拌の間に−４℃に冷却した。５１２ｇ（５．１２ｍｏｌ）のＭＩＢＫ及び８１７ｇのメチルトリクロロシラン（５．４６ｍｏｌ）を、攪拌の間、４時間にわたって（５．５ｇ／分）の速度でフラスコに添加した。添加の間に、温度が約８℃に増加した。添加が終了した後、２時間の期間の間に、温度は５６℃に上昇し、さらに２時間、５６℃で維持した。その反応溶液は５６℃で透明であった。その溶液を３０℃以下に冷却し、その時に相分離を観察した。ＨＣｌを含有する水層を、フラスコにおける下バルブを通して排出した。シロキサン樹脂生成物を含有する溶媒層を、攪拌する間に１Ｌの脱イオン水で水洗し、水の除去に続いた。水洗段階を、水洗した水のｐＨ値が約４になるまで４回繰り返した。ＭＩＢＫ溶媒、水及びどんな残留ＨＣｌも、４０℃でロータリーエバポレーターを使用することにより除去してシルセスキオキサン樹脂生成物を残し、トルエンにそれから溶解した。トルエンを、ロータリーエバポレーターを使用することにより除去した。シロキサン樹脂を、真空下、一晩室温でさらに乾燥した。樹脂を、さらにキャラクタリゼーション及び薄いフィルム評価のために、冷蔵庫で保管した。得られた樹脂のＧＰＣ分析は、１３，５００のＭｗ及び３，５００のＭｎを示した。
【００６７】
２〜３ｇのメチルシルセスキオキサン樹脂生成物をＭＩＢＫに溶解し、樹脂として２５重量％を含有する透明溶液を形成した。その溶液を、０．２μｍシリンジメンブレンフィルターが後続する１．０μｍシリンジメンブレンフィルターを通してろ過し、どんな大きな粒子も除去した。その溶液を２０００ｒｐｍで２０秒間、スピンコーティングによりシリコンウェハーに適用した。被覆されたシリコンウェハーを石英管状炉中に置き、炉を窒素でパージした。炉を４５０℃（２５℃／分）に加熱し、２時間その温度で保持し、それから窒素パージを維持する間に室温に冷却した。被覆されたウェハーを、特性測定前に窒素雰囲気下で貯蔵した。薄いフィルムの弾性率及び誘電率を、表９に示した。
【００６８】
【表９】
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【００６９】
本比較例は、（ＭｅＳｉＯ３／２）樹脂から作製されたナノ孔の薄いフィルムが、本発明の薄いフィルムと同様の誘電率であるが、より低い弾性率（＜２ＧＰａ）であることを説明する。