(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向する第１基板及び第２基板と、
前記第１基板上の第１領域に形成され、内部に水平断面が閉ループである溝を備え、前記溝を境界にして外郭部の第１構造と前記溝内部の前記第１構造よりも低い高さの第２構造を包含してなる少なくとも一つの突起と、
前記突起に対応して前記第２基板上に形成された第１カラムスペーサーと、
前記第１基板と第２基板との間に充填された液晶層と
を備え、
前記第１構造は、前記第１カラムスペーサーと接触し、前記第２構造は、前記第１カラムスペーサーから離隔されている液晶表示装置において、
前記突起の第１構造は、下部は半導体層パターン、上部はソース／ドレイン金属層が積層された二重層で形成され、
前記突起の第２構造は、前記半導体層パターンの単一層でなる
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記少なくとも一つの突起の溝は、第１カラムスペーサーによって取り囲まれ、少なくとも一つの突起は、空洞を形成することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記第１構造は、前記溝の外郭を全体的に覆うように形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記第２基板上の前記突起が形成されてない前記第２領域に、前記第１基板と離隔して形成された第２カラムスペーサーをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記閉ループは、円形状または多角形状であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記第１基板上に互いに交差して画素領域を定義するゲートライン及びデータラインと、
前記ゲートラインとデータラインとの交差部に形成された薄膜トランジスタと
を含んで構成され、
前記薄膜トランジスタは、
前記ゲートラインから突出されたゲート電極と、
前記データラインから突出され、前記ソース／ドレイン金属層と同一層のソース電極と、
前記ソース電極と離隔して前記ソース電極と同一層に形成されたドレイン電極と、
前記ゲート電極の上部に前記ソース電極／ドレイン電極と部分的にオーバーラップして形成され、前記半導体層パターンと同一層の半導体層と
を含んで構成されることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記少なくとも一つの突起は、前記二重層構造の真上に形成された保護膜を含み、前記第１カラムスペーサーは、前記二重層構造の真上に形成された保護膜と接触することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記突起の溝は、前記ソース／ドレイン金属層及びその下部の半導体層が除去されて定義されることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記第１基板上の画素領域には、画素電極と共通電極とが交互に形成されることを特徴とする請求項６に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記第１基板上の画素領域には、画素電極が形成され、前記第２基板の全面には、共通電極が形成されることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
前記第１領域は、前記第１基板上のゲートラインまたは共通ライン上にあることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
第１基板上の第１領域に形成され、内部に水平断面が閉ループである溝を備え、前記溝を境界にして外郭部の第１構造と前記溝内部の前記第１構造よりも低い高さの第２構造を包含してなる少なくとも一つの突起を形成する段階と、
前記第１基板に対向する前記第２基板上の前記突起との対応部位に第１カラムスペーサーを形成する段階と、
前記第１基板及び第２基板のうちいずれか一つの基板上に液晶を提供する段階と、
前記第１基板と第２基板とを合着する段階と
を備える液晶表示装置の製造方法において、
前記合着する段階は、前記第１構造は、前記第１カラムスペーサーと接触し、前記第２構造は、前記第１カラムスペーサーから離隔されるようになされ、
前記突起を形成する段階は、下部は半導体層パターン、上部はソース／ドレイン金属層が積層された二重層で前記第１構造を形成し、
前記半導体層パターンの単一層で前記第２構造を形成してなる
ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記第１カラムスペーサーは、前記少なくとも一つの突起との対応面を有し、
前記接触する段階では、前記少なくとも一つの突起の第１構造が、前記第１カラムスペーサーの対応面と部分的に接触することを特徴とする請求項１２に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記接触する段階では、第１カラムスペーサーによって前記少なくとも一つの突起の溝を取り囲み、前記少なくとも一つの突起は、空洞を形成することを特徴とする請求項１２に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１５】
前記第１構造を形成する段階では、前記溝の外郭部全体にかけて前記第１構造が延長されるように形成することを特徴とする請求項１２に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１６】
前記第２基板上の前記突起が形成されてない前記第２領域に、前記第１基板と離隔して形成された第２カラムスペーサーを形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１２に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１７】
前記閉ループは、円形状または多角形状であることを特徴とする請求項１２に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１８】
前記第１基板上に第１方向にゲートラインを形成する段階と、
前記ゲートラインを含む前記第１基板の全面に前記半導体層パターンと同一層の半導体層及び前記ソース／ドレイン金属層と同一層の金属層を形成する段階と
をさらに含んで構成され、
前記少なくとも一つの突起を形成する段階は、前記金属層及び半導体層を選択的に除去する段階を含むことを特徴とする請求項１２に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１９】
前記少なくとも一つの突起を形成する段階は、前記二重層構造の真上に保護膜を形成する段階を含み、
前記合着する段階は、前記第１カラムスペーサーが前記二重構造の真上に形成された保護膜と接触する段階を含むことを特徴とする請求項１２に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項２０】
前記突起の溝は、前記金属層及びその下部の半導体層が除去されて定義されることを特徴とする請求項１２に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項２１】
前記少なくとも一つの突起を形成する段階は、
前記金属層の全面に所定厚さの感光膜をコーティングする段階と、
前記感光膜の上部にマスクを対応させた後、前記マスクを用いて前記感光膜の所定部位を選択的に露光及び現像し、その上部表面に段差を有する第１感光膜パターンを形成する段階と、
前記第１感光膜パターンを用いて、前記第１感光膜パターンが残ってない領域の金属層及び半導体層を順にエッチングして金属層パターン及び半導体層パターンを形成する段階と、
前記第１感光膜パターンをアッシングすることで、相対的に高い段差を有する部位のみを残して第２感光膜パターンを形成する段階と、
前記第２感光膜パターンを用いて、前記金属層パターンの露出部位をエッチングする段階と
を含んで構成されることを特徴とする請求項１８に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項２２】
前記第１領域は、前記第１基板上のゲートラインまたは共通ライン上にあることを特徴とする請求項１２に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置に関するもので、詳しくは、タッチ不良及び重力不良を防止するとともに、押圧テスト（ｐｕｓｈ  ｔｅｓｔ）に耐えられる安定的な構造を有する液晶表示装置及びその製造方法、並びに表示装置のスペーサー構造に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
最近、情報化社会が発展するにつれて、表示装置に対する要求も多様な形態で高まっている。さらに、このような要求に応じて、ＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｄｅｖｉｃｅ）、ＰＤＰ（Ｐｌａｓｍａ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｐａｎｅｌ）、ＥＬＤ（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ  Ｄｉｓｐｌａｙ）、ＶＦＤ（Ｖａｃｕｕｍ  Ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｔ  Ｄｉｓｐｌａｙ）など多様な平板表示装置の研究が盛んであり、その一部は、既に多様な装備に表示装置として活用されている。
【０００３】
上記の平板表示装置のうち、現在、優れた画質、軽量、薄型、低消費電力などの特徴及び長所により、移動型画像表示装置の用途に、ＣＲＴ（Ｃａｔｈｏｄｅ  Ｒａｙ  Ｔｕｂｅ）の代わりＬＣＤが最も多く用いられており、ＬＣＤは、ノートブックコンピュータのモニターなどの移動型の用途以外に、放送信号を受信して表示するテレビ及びコンピュータのモニターなどの用途にも開発されている。
【０００４】
上記の液晶表示装置は、一般的な画面表示装置として多様な装置に用いられるために、軽量、薄型、低消費電力などの特徴を維持しながら、高精細度、高輝度、大面積などの高品位画像を実現しなければならない。
【０００５】
一般的な液晶表示装置は、所定の空間を有して合着された第１基板及び第２基板と、これら第１基板と第２基板との間に注入された液晶層とから構成される。
【０００６】
より具体的に説明すると、前記第１基板には、画素領域を定義するために所定の間隔を有し一方向に配列される複数個のゲートラインと、該ゲートラインに垂直な方向に所定の間隔を有して配列される複数個のデータラインとが含まれる。また、前記各画素領域には画素電極が形成され、前記ゲートラインとデータラインとの交差部分には、前記ゲートラインに印加される信号によって前記データラインのデータ信号を前記各画素電極に印加する薄膜トランジスタが形成される。
【０００７】
また、前記第２基板には、前記画素領域を除いた部分の光を遮断するためのブラックマトリックス層が形成され、前記各画素領域に対応する部分には、色相を表現するためのＲ、Ｇ、Ｂカラーフィルタ層が形成され、該カラーフィルタ層上には、画像を表示するための共通電極が形成される。
【０００８】
上記のような液晶表示装置においては、前記画素電極と共通電極との間の電界によって前記第１及び第２基板の間に形成された液晶層の液晶が配向されるが、この液晶層の配向の程度に応じて液晶層を透過する光量を調節することで画像を表現できる。
【０００９】
かかる液晶表示装置をＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）モード液晶表示装置という。しかし、このＴＮモード液晶表示装置には、視野角が狭いという短所があり、それを克服するために横電界（Ｉｎ-Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ：ＩＰＳ）モード液晶表示装置が開発された。
【００１０】
前記横電界（ＩＰＳ）モード液晶表示装置においては、第１基板の画素領域に画素電極及び共通電極が所定距離だけ離隔して平行に形成されることで、前記画素電極と共通電極との間に横電界（水平電界）が発生し、該横電界によって液晶層が配向される。
【００１１】
一方、上記のような液晶表示装置の第１及び第２基板の間には、液晶層が形成される一定した間隔を維持するためにスペーサーが形成される。
【００１２】
このスペーサーは、その形状にしたがってボールスペーサーまたはカラムスペーサーに分けられる。
【００１３】
ボールスペーサーは、球状であり、第１及び第２基板上に分散される。また、ボールスペーサーは、前記第１及び第２基板の合着後にも動きが比較的自由であり、前記第１及び第２基板との接触面積が小さい。
【００１４】
その反面、カラムスペーサーは、第１基板または第２基板上のアレイ工程で形成されるもので、所定の基板上に所定高さを有し柱状に固定され形成される。したがって、第１及び２基板との接触面積は、ボールスペーサーに比べて相対的に大きい。
【００１５】
以下、従来のカラムスペーサーを備えた液晶表示装置に対し、図面に基づいて説明する。
【００１６】
図１は、カラムスペーサーを含む液晶表示装置を示した断面図である。
【００１７】
図１に示すように、カラムスペーサーを含む液晶表示装置は、互いに対向する第１基板３０及び第２基板４０と、前記第１及び第２基板３０，４０の間に形成されたカラムスペーサー２０と、前記第１及び第２基板３０，４０の間に充填された液晶層（図示せず）とを含んで構成される。
【００１８】
前記第１基板３０上には、画素領域を定義するためにゲートライン３１とデータライン（図示せず）とが互いに垂直に交差して配列され、前記ゲートライン３１とデータラインとの交差部分に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が形成され、各画素領域に画素電極（図示せず）が形成される。
【００１９】
前記第２基板４０上には、前記画素領域を除いた領域に対応するブラックマトリックス層４１が形成され、前記データラインに平行な縦線上の各画素領域に対応するストライプ状のカラーフィルタ層４２が形成され、その全面に共通電極またはオーバーコート層４３が形成される。
【００２０】
ここで、前記カラムスペーサー２０は、前記ゲートライン３１上部の所定位置に対応して形成される。
【００２１】
また、前記第１基板３０上には、前記ゲートライン３１を含む基板全面にゲート絶縁膜３６が形成され、該ゲート絶縁膜３６上に保護膜３７が形成される。
【００２２】
図２Ａ及び図２Ｂは、カラムスペーサーを含む液晶表示装置のタッチ不良を示した平面図及び断面図である。
【００２３】
図２Ａ及び図２Ｂに示すように、従来のカラムスペーサーを含む液晶表示装置においては、液晶パネル１０の表面を手やその他の物を用いて所定方向にタッチしていくと、このタッチ部位に斑紋が発生する。このようにタッチ時に発生した斑紋をタッチ斑紋（ｔｏｕｃｈ  ｓｐｏｔ）といい、画面で斑紋が観察されるためタッチ不良（ｔｏｕｃｈ  ｄｅｆｅｃｔ）ともいう。
【００２４】
このタッチ不良は、ボールスペーサーの構造に比べて前記カラムスペーサー２０と対向する第１基板１との間の接触面積が大きいことから、摩擦力が大きくなって発生するものと把握される。すなわち、ボールスペーサーに比べると、円柱状に形成されるカラムスペーサー２０は、図２Ｂに示すように、第１基板１との接触面積が大きいため、タッチによって第１または第２基板１，２がシフトされた後、元の状態に復元するのに長い時間がかかり、よって、元の状態に復元する前まで斑紋が残存するようになる。
【００２５】
図３は、重力不良が発生した液晶表示装置を示した断面図である。
【００２６】
図３に示すように、互いに対向した第１及び第２基板１，２の間に液晶３が充填され、前記第１及び第２基板の間の所定部位にカラムスペーサー２０が形成される液晶表示装置は、立てられた状態で高温環境に置かれると、液晶の熱膨張が発生する。ひいては、カラムスペーサー２０の高さによってセルギャップが拡大される場合、液晶３が下端部に流れることで、液晶表示装置の下端部が膨らんで見える重力不良が観察される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２７】
以上説明したように、従来のカラムスペーサーを含む液晶表示装置においては、カラムスペーサーと対向基板との間の接触面積が大きいことから摩擦力が大きくなり、タッチ時に基板がシフトされると、元の状態に復元するのに長い時間がかかり、復元時間の間にタッチ不良が観察されるという問題があった。
【００２８】
また、カラムスペーサーを含む液晶パネルが立てられた状態で高温環境に置かれると、液晶の熱膨張が発生する。ひいては、カラムスペーサーの高さより厚くセルギャップが拡大され、液晶パネルの下側に液晶が流れることで、液晶パネルの下端部が膨らみ視覚的に不透明に見えるという問題があった。
【００２９】
さらに、液晶表示装置を出荷する前に、所定領域に所定の圧力を加えて耐久程度を測定する押圧テスト（ｐｕｓｈ  ｔｅｓｔ）を行うが、この場合、カラムスペーサーにおける上・下部基板の間のセルギャップを維持する力が小さくなると、カラムスペーサーが崩れ、その部位が黒く観察されるスタンプ斑（ｓｔａｍｐ  ｓｐｏｔ）が発生するという問題があった。
【００３０】
本発明は上記の問題点を解決するためのもので、その目的は、タッチ不良及び重力不良を防止するとともに、押圧テストに耐えられる安定的な構造を有する液晶表示装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００３１】
上記目的を達成するための本発明に係る液晶表示装置は、互いに対向する第１基板及び第２基板と、前記第１基板上の第１領域に形成され、内部に水平断面が閉ループである溝を備え、前記溝を境界にして外郭部の第１構造と前記溝内部の前記第１構造よりも低い高さの第２構造を包含してなる少なくとも一つの突起と、前記突起に対応して前記第２基板上に形成された第１カラムスペーサーと、前記第１基板と第２基板との間に充填された液晶層とを備え、前記第１構造は、前記第１カラムスペーサーと接触し、前記第２構造は、前記第１カラムスペーサーから離隔されている液晶表示装置において、前記突起の第１構造は、下部は半導体層パターン、上部はソース／ドレイン金属層が積層された二重層で形成され、前記突起の第２構造は、前記半導体層パターンの単一層でなることを特徴とする。
【００３２】
また、本発明に係る液晶表示装置の製造方法は、第１基板上の第１領域に形成され、内部に水平断面が閉ループである溝を備え、前記溝を境界にして外郭部の第１構造と前記溝内部の前記第１構造よりも低い高さの第２構造を包含してなる少なくとも一つの突起を形成する段階と、前記第１基板に対向する前記第２基板上の前記突起との対応部位に第１カラムスペーサーを形成する段階と、前記第１基板及び第２基板のうちいずれか一つの基板上に液晶を提供する段階と、前記第１基板と第２基板とを合着する段階とを備える液晶表示装置の製造方法において、前記合着する段階は、前記第１構造は、前記第１カラムスペーサーと接触し、前記第２構造は、前記第１カラムスペーサーから離隔されるようになされ、前記突起を形成する段階は、下部は半導体層パターン、上部はソース／ドレイン金属層が積層された二重層で前記第１構造を形成し、前記半導体層パターンの単一層で前記第２構造を形成してなることを特徴とする。
【発明の効果】
【００３４】
本発明によれば、突起をカラムスペーサーの中央でなく、カラムスペーサーの全体に対応して形成し、前記突起の内部に溝を備えて部位別に前記溝の厚さを差別化して形成する。したがって、第１及び第２基板の合着時、前記突起の外郭部のみが前記カラムスペーサーと接することで、第１及び第２基板の間の接触面積（突起とカラムスペーサーとの接触面積）が減少し、タッチされたとき、一般的なカラムスペーサーの構造（カラムスペーサーの全ての表面が対向基板と接する構造）に比べて、接触面積の減少によって元状態への復元が容易になり、タッチ不良を防止できる。
【００３５】
また、第１及び第２基板の合着時の圧力よりも一層強い圧力が加えられる押圧テストを行うとき、各基板の合着時に突起の外郭に接触するカラムスペーサーは、押圧力が増加するにつれて、相対的に厚さの小さい溝から厚さの大きい溝にまで接触するようになり、溝の段差によって突起に対する接触面積が増加する。それゆえ、突起がカラムスペーサーの中央に対応する構造に比べて押圧力を分散できる。その結果、押圧テストを行うとき、圧力が集中されるカラムスペーサーでの塑性変形が緩和され、スタンプ斑を防止できる。
【００３６】
さらに、高温状態で液晶が膨脹したとき、各基板の合着時に突起の外郭部によって押された前記カラムスペーサーの部位が、液晶の膨脹を補償することで所定の重力マージンを確保し、ある程度の重力不良を防止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３７】
以下、本発明に係る液晶表示装置及びその製造方法に対し、図面に基づいて詳細に説明する。
【００３８】
図４は、本発明に係る液晶表示装置の突起構造を示した平面図である。
【００３９】
図４に示すように、突起構造を含む本発明に係る液晶表示装置は、互いに対向する第１基板６０及び第２基板７０と、前記第１基板６０上の所定部位に形成されたカラムスペーサー８０と、該カラムスペーサー８０に比べて相対的に小さい体積を有し、前記カラムスペーサー８０と部分的に接触するように前記第２基板７０上に形成された突起８５と、前記第１及び第２基板６０，７０の間に充填された液晶層（図示せず）とを含んで構成される。
【００４０】
上記のように液晶表示装置に突起８５が含まれる場合、前記第１基板６０または第２基板７０の表面をタッチ（一方向に擦る動作）するとき、前記第１基板６０または第２基板７０が対向基板に対してシフトされると、前記カラムスペーサー８０と前記突起８５との接触面積が、前記カラムスペーサー８０の上部面（カラムスペーサーが形成される第１基板６０を基準にしており、この場合、第１基板６０の表面に接するカラムスペーサーの一面を下部面という）に比べて相対的に小さい突起８５の上部面積となり、摩擦面積の減少によって、前記カラムスペーサー８０と対向基板である第２基板７０との摩擦力が減少することになる。したがって、前記タッチによって一方向に第１基板６０または第２基板７０がシフトされるとき、元の状態に容易に復元できる。
【００４１】
このような突起８５を含む構造において、第１及び第２基板６０，７０を互いに合着した後、所定の力で加圧すると、前記突起８５に対応するカラムスペーサー８０の部位のみに力が集中することで、前記突起８５に対応するカラムスペーサー８０の該当部位と共に、その下部層であるオーバーコート層（図示せず）、カラーフィルタ層（図示せず）及びブラックマトリックス層（図示せず）が共に押され、前記突起８５に対応する前記カラムスペーサー８０の部位が相対的に他の部位よりも押し下げられる。
【００４２】
このように、単一層または複数個の層が押された場合、その押された程度が激しくなければ、液晶パネルが高温の環境が置かれ、液晶の熱膨脹によってセルギャップが拡大すると、前記カラムスペーサー８０及びその下部層が、押された程度に応じて元の状態に再び復元して第１及び第２基板６０，７０の間を安定的に支持するため、突起のない構造に比べると、液晶が下側に流れて発生する重力不良を改善できる。
【００４３】
しかし、カラムスペーサー８０の中央に前記突起８５が形成され、前記突起８５と前記カラムスペーサー８０とが接触するとき、前記突起８５の表面積が前記カラムスペーサー８０に比べて相対的に小さく、前記カラムスペーサー８０が前記突起８５より相対的に軟らかい弾性を有するため、カラムスペーサー８０が前記突起８５によって接触部位で過度に押される恐れがある。かかる現象は、押圧テスト時に所定の圧力が液晶表示装置の局部に印加されると一層悪化する。すなわち、押圧テスト時に加えられる圧力が、前記カラムスペーサー８０が元の状態に復元しようとする力より大きい場合、前記カラムスペーサー８０は、押されて変形された後、元の状態に回復できなくなるが、このような不良を押圧不良（ｐｕｓｈ  ｄｅｆｅｃｔ）という。また、この押圧不良の発生部位は、所定信号の印加によって液晶表示装置が表示を行うとき、黒い斑紋として観察されるが、このように押圧不良によって発生する斑紋をスタンプ斑（ｓｔａｍｐ  ｓｐｏｔ）という。
【００４４】
以下、突起構造の効果として挙げられる重力不良改善及びタッチ不良改善を満足するとともに、上述した突起構造におけるカラムスペーサー及びその下部層の塑性変形問題を解決するための液晶表示装置を図面に基づいて説明する。
【００４５】
第１の実施の形態
【００４６】
図５は、本発明の第１の実施の形態に係る液晶表示装置を示した平面図であり、図６は、図５の第１カラムスペーサー及びその周辺部を拡大して示した平面図であり、図７は、図５の第１及び第２カラムスペーサーを示した断面図である。
【００４７】
図５乃至図７に示すように、本発明の第１の実施の形態に係る液晶表示装置は、互いに対向する第１基板１００及び第２基板２００と、前記第１及び第２基板１００，２００の間に充填された液晶層（図示せず）とを含んで構成される。
【００４８】
前記第１基板１００上には、互いに交差して画素領域を定義するゲートライン１０１及びデータライン１０２と、前記ゲートライン１０１とデータライン１０２との交差部に形成された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）と、該薄膜トランジスタのドレイン電極１０２ｂと電気的に連結された第１ストレージ電極１０３ａと、該第１ストレージ電極１０３ａから分岐された画素電極１０３と、該画素電極１０３と交互に形成され、後述する第２ストレージ電極から分岐された共通電極１０４と、前記ゲートライン１０１と平行に形成された共通ライン１０４ａと、前記共通ライン１０４ａ及び共通電極１０４に連結され、前記第１ストレージ電極１０３ａにオーバーラップされた第２ストレージ電極１０４ｂとを含んで構成される。
【００４９】
ここで、前記薄膜トランジスタは、チャネルがソース電極１０２ａとドレイン電極１０２ｂとの間の領域に定義されるもので、チャネルも、ソース電極１０２ａの内部形状に対応して'Ｕ'字状に定義される。このような薄膜トランジスタは、前記ゲートライン１０１から突出されたゲート電極１０１ａと、前記データライン１０２から突出された'Ｕ'字状のソース電極１０２ａと、前記'Ｕ'字状のソース電極１０２ａと所定間隔だけ離隔され、前記'Ｕ'字状のソース電極１０２ａの内部に挿入されるドレイン電極１０２ｂとを含んで構成される。
【００５０】
また、前記データライン１０２、ソース電極１０２ａ、ドレイン電極１０２ｂの下部、及び前記ソース電極１０２ａとドレイン電極１０２ｂとの間のチャネル領域の下部には、半導体層（図５及び図６には図示されてなく、図１０Ｅの１０７ａを参照）がさらに形成される。
【００５１】
ここで、前記半導体層は、下部から非晶質シリコン層（図示せず）及びｎ+層（不純物層）（図示せず）が積層されてなり、前記ソース電極１０２ａとドレイン電極１０２ｂとの間のチャネル領域では、前記ｎ+層（不純物層）が除去されている。前記半導体層は、前記ソース／ドレイン電極１０２ａ，１０２ｂ及びそれらの間のチャネル領域の下部のみに選択的に形成されるか、または、前記チャネル領域を除いた領域では、前記データライン１０２、ソース電極１０２ａ及びドレイン電極１０２ｂの下側にも形成される。一方、図面には、前記ソース電極１０２ａが'Ｕ'字状に示され、'Ｕ'字状のチャネルを有する液晶表示装置に対して説明したが、本発明に係る液晶表示装置においては、前記ソース電極１０２ａの形状が'−'字状またはその他の形状であってもよい。
【００５２】
ここで、前記ゲートライン１０１、前記共通ライン１０４ａ及び前記共通電極１０４は、同一層に同一の金属によって形成される。
【００５３】
そして、前記ゲートライン１０１と半導体層との間の層にはゲート絶縁膜１０５が介在され、前記データライン１０２と前記画素電極１０３との間の層には保護膜１０６が介在される。
【００５４】
一方、前記画素領域を通過する共通ライン１０４ａに連結された第２ストレージ電極１０４ｂと、その上部に形成される第１ストレージ電極１０３ａと、前記二つの電極の間に介在されるゲート絶縁膜１０５及び保護膜１０６とは、ストレージキャパシタ（ｓｔｏｒａｇｅ  ｃａｐａｃｉｔｏｒ）をなす。
【００５５】
ここで、相異なる層の間に形成される前記ドレイン電極１０２ｂ及び前記第１ストレージ電極１０３ａは、前記ドレイン電極１０２ｂ上の前記保護膜１０６の所定部位を除去して形成されたコンタクトホール１０６ａを通して接触する。
【００５６】
また、前記ゲートライン１０１上の所定部位には、半導体層パターン１２１ａ及びソース／ドレイン金属パターン１２２ａが積層された突起１２０が形成される。この突起１２０は、その水平断面が四角形状である第１パターン１２０ａ内に閉ループ状溝を有して形成される。この場合、前記閉ループは、円形状または多角形形状に形成され、前記閉ループ状溝の内部には、前記閉ループ状溝より小さい大きさの円形状または多角形状の第２パターン１２０ｂがさらに形成される。図５及び図６には、前記閉ループ状溝及び第２パターン１２０ｂが円形状に示されているが、それに限定されることなく、その他の多角形状にも変更可能である。
【００５７】
また、図７に示した前記突起１２０の垂直断面形状を見ると、半導体層パターン１２１ａ及びソース／ドレイン金属層パターン１２２ａによって形成された第１パターン１２０ａと、この第１パターン１２０ａと離隔されて半導体層（１２１ａと同一層）によって形成された第２パターン１２０ｂとが観察される。ここで、前記第１パターン１２０ａ及び第２パターン１２０ｂは、互いに所定間隔だけ離隔して形成される。この場合、図５及び図６に示した突起１２０の水平断面を見ると、前記第１パターン１２０ａは、突起１２０の四角形状の境界部に形成され、前記第２パターン１２０ｂは、前記四角形状の前記第１パターン１２０ａの中心部に形成される。また、前記第１及び第２パターン１２０ａ，１２０ｂからなる突起１２０は、前記第１及び第２パターン１２０ａ，１２０ｂの間が離隔して形成される。
【００５８】
前記半導体層パターン１２１ａの厚さは約０．２〜０．３μｍで、前記ソース／ドレイン金属層パターン１２２ａの厚さは約０．２〜０．４μｍで、前記突起１２０が形成されてない残りのゲートライン１０１上の部位及び前記突起１２０内の溝が形成された部位に比べると、前記第１パターン１２０ａの形成部位は、約０．４〜０．７μｍの高さを有し、前記第２パターン１２０ｂの形成部位は、約０．２〜０．４μｍの高さを有する。その結果、前記第１パターン１２０ａと第２パターン１２０ｂとの間には、ソース／ドレイン金属層パターン１２２ａの厚さだけの高さ差が発生する。この高さの差によって、図７に示すように、前記第１及び第２基板１００，２００の合着時、前記突起１２０と、これに対応する前記第１カラムスペーサー２１０との間には、'Ｗ'字状の垂直断面を有する空間が形成される。
【００５９】
ここで、前記突起１２０の上部には、コンタクトホール１０６ａを除いた残りの領域に形成される保護膜１０６がさらに介在され、実際に第２基板２００に形成される第１カラムスペーサー２１０との接触部位は、前記突起１２０上の保護膜１０６に該当する。
【００６０】
一方、前記第１基板１００に対向する第２基板２００上には、前記画素領域を除いた領域（ゲートライン及びデータライン部位）に対応して形成されるブラックマトリックス層２０１と、前記第２基板２００上に形成されたカラーフィルタ層２０２と、前記ブラックマトリックス層２０１及びカラーフィルタ層２０２を含む第２基板２００上に平坦化を行うためのオーバーコート層２０３とが含まれる。
【００６１】
また、前記突起１２０に対応する部位のオーバーコート層２０３上には、第１カラムスペーサー２１０が形成され、前記突起１２０が形成されてない所定部位のゲートライン１０１に対応するオーバーコート層２０３上には、第２カラムスペーサー２２０が形成される。
【００６２】
ここで、第１カラムスペーサー２１０及び第２カラムスペーサー２２０は、前記オーバーコート層２０３上に同じ高さで形成される。また、前記第１及び第２基板１００，２００の合着時、図７に示すように、前記第１カラムスペーサー２１０は、前記第１パターン１２０ａ上の保護膜１０６と一部の面積が接しており、前記第２パターン１２０ｂ上の保護膜１０６とは離隔された状態を維持する。このような前記第１及び第２基板１００，２００の合着工程において、前記第２カラムスペーサー２２０は、垂直断面を見ると、前記第１基板１００上の保護膜１０６と約０．４〜０．７μｍの間隔だけ離隔される。この場合、前記第１及び第２基板１００，２００の合着後、前記第１及び第２基板１００，２００の表面を一方向にタッチするとき、前記第１基板１００と第２基板２００との実際の接触面積は、前記第１パターン１２０ａの表面積の一部に限定されるので、タッチによる摩擦力が小さく元の状態への復元が容易になり、タッチによって斑紋などの不良が発生しなくなる。
【００６３】
前記第１及び第２基板１００，２００の合着後、所定の圧力を加える押圧テスト（ｐｕｓｈ  ｔｅｓｔ）工程においては、弾性を有する前記第１カラムスペーサー２１０が前記突起１２０によって押されるが、このとき、前記第１カラムスペーサー２１０の変形は、まず、接触する第１パターン１２０ａに対応する部位から開始され、加圧が高くなるほど、前記第２パターン１２０ｂに対応する前記第１カラムスペーサー２１０の中心部位で変形が行われることになる。
【００６４】
上記のような本発明に係る液晶表示装置の突起及びカラムスペーサーの構造では、従来の突起がカラムスペーサーの中央に対応する構造に比べると、押圧力が第１パターン１２０ａ及び第２パターン１２０ｂに分散される。すなわち、加圧の程度によって前記突起１２０と前記第１カラムスペーサー２１０との接触面積が増加し、押圧テスト時において、前記第１及び第２基板１００，２００のセルギャップを維持する前記第１カラムスペーサー２１０の接触部位で塑性変形が激しくなる現象を緩和できる。
【００６５】
ここで、本発明に係る液晶表示装置は、前記第１及び第２基板１００，２００の合着後にタッチするとき、前記突起１２０の第１パターン１２０ａの上部のみが前記第１カラムスペーサー２１０と接し、残りの領域は離隔されるので、前記第１及び第２基板１００，２００の接触面積が小さくなり、タッチ不良を防止できる。
【００６６】
また、本発明に係る液晶表示装置は、前記第１及び第２基板１００，２００の合着後、所定の圧力（合着時の圧力以上）を加える押圧テストにより、前記第１カラムスペーサー２１０に対し、前記突起１２０が徐々に接触面積を増加して接触するようになり、押圧力が大きくなるほど、前記第１カラムスペーサー２１０の特定部位のみに圧力が集中せずに、前記突起１２０に対応する第１カラムスペーサー２１０の表面積に圧力が分散され、特定部位の変形が激しくなることを防止できる。この場合、圧力が継続して大きくなると、前記第２カラムスペーサー２２０と、前記突起１２０の閉ループ状溝に対応する第１カラムスペーサー２１０の部位までも第１基板１００上の保護膜１０６と接触するようになり、接触面積が大きく上昇する。その結果、第１及び第２カラムスペーサー２１０，２２０の変形程度を急激に緩和できる。
【００６７】
前記第１カラムスペーサー２１０は、前記第１及び第２基板１００，２００の間のセルギャップを維持するギャップ維持用スペーサーで、前記第２カラムスペーサー２２０は、押されたときのカラムスペーサーの変形程度を緩和する押圧防止用スペーサーである。このとき、前記突起１２０内の閉ループ溝や前記第２パターン１２０ｂは、押圧防止用スペーサーの機能を一層補完したものである。
【００６８】
また、前記突起１２０の境界部である第１パターン１２０ａは、前記第１及び第２基板１００，２００が合着した状態で前記第１カラムスペーサー２１０と接触し、この場合、前記第１カラムスペーサー２１０は、前記第１及び第２基板１００，２００の合着時の加圧程度によって所定厚さだけ押される。このように、前記第１パターン１２０ａと第１カラムスペーサー２１０との接触部位に応力が集中することで、高温で液晶が膨脹するとき、応力の集中部位で弾性復元力が確保されるので、前記第１カラムスペーサー２１０は、所定水準までは第１及び第２基板１００，２００の間を安定的に支持できる。すなわち、高温で液晶が膨脹するとき、前記第１カラムスペーサー２１０は、前記突起１２０の前記第１パターン１２０ａによって加えられる押し力を弾性的に克服するので、セルギャップを維持する支持力を確保できる。したがって、高温で液晶が膨脹するとしても、前記第１カラムスペーサー２１０が一定の支持力を確保し、重力不良を防止できるという効果を奏する。
【００６９】
一方、前記第１カラムスペーサー２１０及び第２カラムスペーサー２２０の位置は、前記ゲートライン１０１に限定されることなく、同一の金属層である前記共通ライン１０４ａ上にも形成されうる。このとき、前記第１カラムスペーサー２１０の形成部位には、突起１２０が対応して形成される。すなわち、前記第１カラムスペーサー２１０が前記ゲートライン１０１に形成される場合は、図示したように、突起１２０が前記第１カラムスペーサー２１０に対応する前記ゲートライン１０１に形成され、前記第１カラムスペーサー２１０が前記共通ライン１０４ａに形成される場合は、前記突起１２０が前記共通ライン１０４ａに形成される。
【００７０】
前記第１及び第２カラムスペーサー２１０，２２０は、ゲートライン１０１または共通ライン１０４ａ上に形成されるもので、前記ゲートライン１０１、共通ライン１０４ａは、非表示領域に該当し、前記第１、第２カラムスペーサー２１０，２２０の下側から、オーバーコート層２０３、カラーフィルタ層２０２及びブラックマトリックス層２０１が第２基板２００上に順に形成される。
【００７１】
前記突起２１０は、前記薄膜トランジスタをなす半導体層１０７ａ（図１０Ｅを参照）と、データライン１０２層（データライン１０２、ソース／ドレイン電極１０２ａ，１０２ｂ）をパターニングする工程で一緒に形成され、ハーフトーンマスクあるいは回折露光マスクを用いて形成する。
【００７２】
第２の実施の形態
【００７３】
図８は、本発明の第２の実施の形態に係る液晶表示装置の第１カラムスペーサー及びその周辺部を拡大して示した平面図で、図９は、本発明の第２の実施の形態に係る液晶表示装置の第１及び第２カラムスペーサーを示した断面図である。
【００７４】
図８及び図９に示すように、本発明の第２の実施の形態に係る液晶表示装置は、図５乃至図７に基づいて説明した第１の実施の形態に係る液晶表示装置と比較すると、前記突起１４０の形状が相異するだけで、その他の部位は全て同一であるので、同一な部分に対する説明を省略する。
【００７５】
図８に示すように、前記突起１４０は、下部には四角形状の水平断面を有する半導体層１２３が、上部には、中心部が円形状に除去され、前記半導体層１２３より小さい水平断面を有して形成されたソース／ドレイン金属層パターン１２４ａが積層されてなる。また、前記突起１４０に対応する第１カラムスペーサー３１０が形成される。ここで、前記突起１４０及び前記第１カラムスペーサー３１０は、共通ライン１０４ａ上に形成され、第２カラムスペーサー３２０は、前記突起１４０が形成されてないゲートライン１０１または共通ライン１０４ａに対応するオーバーコート層２０３の上部に形成される。
【００７６】
この場合、図９に示すように、前記突起１４０の上部を含むゲート絶縁膜１０５上の全面には、保護膜１０６が形成され、前記第２基板２００上には、前記突起１４０に対応して第１カラムスペーサー３１０が形成される。この場合、第１及び第２基板１００，２００の合着時、前記ソース／ドレイン金属層パターン１２４ａの上部に形成された保護膜１０６部位は、前記第１カラムスペーサー３１０と接触する。このとき、前記ソース／ドレイン金属層パターン１２４ａが形成されてない突起１４０の中央に対応する保護膜１０６部位は、前記第１カラムスペーサー３１０と所定間隔だけ離隔される。
【００７７】
本発明の第２の実施の形態においても、前記第１及び第２基板１００，２００の合着時に一般的な圧力が加えられると、前記突起１４０の選択的な部分（前記ソース／ドレイン金属層パターン１２４ａが形成された部位）が前記第１カラムスペーサー３１０と接触し、残りの部位は、前記第１カラムスペーサー３１０と所定間隔だけ離隔される。したがって、突起のない一般的なカラムスペーサーの構造に比べると、タッチ時の接触面積が小さくなって摩擦力が減少し、タッチによって押された後、元の状態への復元が容易になり、タッチによる斑紋などの不良が防止される。
【００７８】
また、本発明の第２の実施の形態に係る液晶表示装置において、前記１及び第２基板１００，２００の合着時に加える圧力よりも所定の力をさらに加える押圧テストを行うとき、まず、ソース／ドレイン金属層パターン１２４ａ上の保護膜１０６部位が押され、ソース／ドレイン金属層パターン１２４ａが形成されてない前記突起１４０の半導体層１２３に対応する保護膜１０６部位まで第１カラムスペーサー３１０によって押される。押圧テスト時に加えられる圧力が増加するにつれて、前記突起１４０と第１カラムスペーサー３１０との接触面積が増加することで、圧力を受ける部位が分散される。その結果、押圧テスト時、過度な圧力が加えられて発生する前記第１カラムスペーサー３１０のスタンプ斑（押圧斑）が防止される。
【００７９】
また、前記１及び第２基板１００，２００を合着した状態で、前記ソース／ドレイン金属層パターン１２４ａ上の保護膜１０６と接触する第１カラムスペーサー３１０は、接触部位で所定厚さだけ押さえられる。さらに、前記第１カラムスペーサー３１０が押さえられた厚さだけ、高温状態で液晶が膨脹すると、前記第１カラムスペーサー３１０から前記第１基板１００が離隔されることを防止できる。その結果、前記第１カラムスペーサー３１０が前記突起１４０の対応部位に接触した状態で、重力によって液晶が下部に流れる現象を遮断することで、重力不良が防止される。
【００８０】
以下、本発明の液晶表示装置の製造方法に対して説明する。特に、第１の実施の形態に基づいて説明し、図面には、第１基板上に形成される突起及びこれと同一層に形成される半導体層、ソース／ドレイン層が示されている。
【００８１】
図１０Ａ乃至図１０Ｅは、本発明に係る液晶表示装置の第１及び第２カラムスペーサーの製造方法を示した工程断面図である（ここで、液晶表示装置の平面図は、図５及び図６に示されている）。
【００８２】
図１０Ａに示すように、前記第１基板１００上の全面に金属物質を蒸着した後、この金属物質を選択的に除去して一方向にゲートライン１０１を形成し、共通ライン１０４ａは、前記ゲートライン１０１と所定間隔だけ離隔して前記ゲートライン１０１と平行に形成し、共通電極１０４は、共通ライン１０４ａから分岐される。ここで、ゲート電極１０１ａは、前記ゲートライン１０１の所定部分から突出形成される。
【００８３】
次いで、前記ゲート電極１０１ａ、ゲートライン１０１、共通ライン１０４ａ及び共通電極１０４を含む第１基板１００の全面に、ゲート絶縁膜１０５を形成する。
【００８４】
次いで、前記ゲート絶縁膜１０５を含む第１基板１００の全面に、半導体層１０７、金属層１１２を順に蒸着する。図示してないが、前記半導体層１０７は、下部には非晶質シリコン層が、上部には不純物層が積層されてなる。
【００８５】
図１０Ｂに示すように、遮光部４０１、半透過部４０３及び透過部４０２が共に定義されたマスク４００を準備する。
【００８６】
次いで、前記金属層１１２上の全面にネガティブ感光膜１３０をコーティングした後、前記マスク４００を、前記感光膜１３０がコーティングされた第１基板１００の上部に整列する。
【００８７】
ここで、前記マスク４００の遮光部４０１は、パターニング後、前記金属層１１２及び前記半導体層１０７が全て除去される部位に対応し、前記透過部４０２は、前記金属層１１２及び前記半導体層１０７が全て残る部位に対応し、前記半透過部４０３は、前記半導体層１０７のみが残る部位に対応して形成される。
【００８８】
次いで、前記マスク４００を用いて前記感光膜１３０を一次的に露光及び現像し、第１感光膜パターン１３０ａを形成する。
【００８９】
上記の露光及び現像後、前記第１感光膜パターン１３０ａは、前記透過部４０２及び半透過部４０３に対応する部位に残り、前記透過部４０２に対応する部位に比べると、前記半透過部４０３に対応する部位は、所定厚さだけ除去されて低くなる。その結果、前記第１感光膜パターン１３０ａは、平らでなく段差を有して形成される。
【００９０】
次いで、前記第１感光膜パターン１３０ａ、そして、金属層を選択的にエッチングするエッチング液またはエッチングガスを用いて前記金属層１１２をパターニングし、金属層パターン１１２ａを形成する（図１０Ｃを参照）。
【００９１】
次いで、図１０Ｄに示すように、前記第１感光膜パターン１３０ａ、そして、前記半導体層１０７を選択的にエッチングするエッチング液またはエッチングガスを用いて前記半導体層１０７をエッチングし、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の半導体層１０７ａ及び突起１２０の第１パターン１２０ａをなす半導体層パターン１２１ａ，１２０ｂを形成する。ここで、前記半導体層パターン１２１ａは、突起１２０の外郭に対応する部分で、前記半導体層パターン１２０ｂは、突起１２０の中央部に対応する部分である。
【００９２】
次いで、前記第１感光膜パターン１３０ａの低い段差部位が完全に除去されるように、アッシング（ａｓｈｉｎｇ）などの工程を通して第２感光膜パターン１３０ｂを形成する。
【００９３】
次いで、前記第２感光膜パターン１３０ｂ、そして、金属層を選択的にエッチングするエッチング液またはエッチングガスを用いて、ソース／ドレイン電極１０２ａ，１０２ｂ及び突起１２０の第１パターン１２０ａをなすソース／ドレイン金属層パターン１２２ａを形成する。
【００９４】
その後、前記半導体層１０７（図１０Ａを参照）が非晶質シリコン層／ｎ＋層（不純物層）の積層構造をなすとき、前記ソース／ドレイン金属層パターン１２２ａを形成した後、前記ソース／ドレイン金属層パターン１２２ａをマスクとして使用し、前記不純物層を選択的に除去するエッチングガスまたはエッチング液を適用することで、チャネル領域の不純物層を除去する。
【００９５】
図１０Ｃ及び図１０Ｄに基づいて説明する半導体層１０７、半導体層パターン１２１ａ，１２０ｂ及びソース／ドレイン電極１０２ａ，１０２ｂなどのパターニング工程で、前記ゲートライン１０１に垂直な方向にデータライン１０２が共にパターニングされ、このとき、前記ソース電極１０２ａは、前記データライン１０２から突出形成される。
【００９６】
次いで、前記第２感光膜パターン１３０ｂを除去する。
【００９７】
図１０Ｅに示すように、前記半導体層１０７ａ、ソース／ドレイン電極１０２ａ，１２０ｂ及び突起１２０などを含む第１基板１００の全面に保護膜１０６を形成する。
【００９８】
ここで、前記マスク４００の透過部及び遮光部の形状は、前記感光膜の感光性がネガティブであるか、または、ポジティブであるかによって決定される。図面には、前記感光膜１３０がネガティブの感光性を有する場合を示しており、前記感光膜がポジティブ感光性を有する場合は、前記透過部及び遮光部の形状が互いに逆になって同一のパターニング効果を得られる。
【００９９】
次いで、図示してないが、前記ドレイン電極１０２ｂの上部に対応する保護膜１０６を選択的に除去し、コンタクトホール１０６ａを形成する。
【０１００】
次いで、前記コンタクトホール１０６ａを含む透明電極物質を前記保護膜１０６上の全面に蒸着し、これを選択的に除去して前記共通電極１０４と交互に画素電極１０３を形成する。
【０１０１】
次いで、前記第２基板２００上に、画素領域を除いた領域に対応してブラックマトリックス層２０１を形成し、画素領域を含む領域に対応してカラーフィルタ層２０２を形成し、前記ブラックマトリックス層２０１及びカラーフィルタ層２０２を含む全面にオーバーコート層２０３を形成する。
【０１０２】
次いで、前記第１基板１００または第２基板２００上に液晶（図示せず）を滴下し、液晶が滴下されてない基板１００または２００を反転させた後、前記第１及び第２基板１００，２００を合着する。
【０１０３】
以上説明した実施の形態は、横電界（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ：ＩＰＳ）モードに適用して説明したが、ＴＮモードにも適用可能である。ＴＮモードの場合は、第１基板の画素領域に画素電極が一つのパターンとして形成され、第２基板上の全面に共通電極が形成される点を除けば、上述した横電界モードと類似している。さらに、ＴＮモードの場合は、画素領域の内部に共通ラインが形成されないため、前記第１及び第２カラムスペーサー及び突起は、全てゲートライン上に形成される。
【図面の簡単な説明】
【０１０４】
【図１】カラムスペーサーを含む液晶表示装置を示した断面図である。
【図２Ａ】カラムスペーサーを含む液晶表示装置のタッチ不良を示した平面図である。
【図２Ｂ】カラムスペーサーを含む液晶表示装置のタッチ不良を示した断面図である。
【図３】重力不良が発生した液晶表示装置を示した断面図である。
【図４】本発明に係る液晶表示装置の突起構造を示した平面図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態に係る液晶表示装置を示した平面図である。
【図６】図５の第１カラムスペーサー及びその周辺部を拡大して示した平面図である。
【図７】図５の第１及び第２カラムスペーサーを示した断面図である。
【図８】本発明の第２の実施の形態に係る液晶表示装置の第１カラムスペーサー及びその周辺部を拡大して示した平面図である。
【図９】本発明の第２の実施の形態に係る液晶表示装置の第１及び第２カラムスペーサーを示した断面図である。
【図１０Ａ】本発明に係る液晶表示装置の第１及び第２カラムスペーサーの製造方法を示した工程断面図である。
【図１０Ｂ】図１０Ａに続く工程断面図である。
【図１０Ｃ】図１０Ｂに続く工程断面図である。
【図１０Ｄ】図１０Ｃに続く工程断面図である。
【図１０Ｅ】図１０Ｄに続く工程断面図である。
【符号の説明】
【０１０５】
１００  第１基板
１０１  ゲートライン
１０１ａ  ゲート電極
１０２  データライン
１０２ａ  ソース電極
１０２ｂ  ドレイン電極
１０３  画素電極
１０３ａ  ストレージ電極
１０４  共通電極
１０４ａ  共通ライン
１０６ａ  コンタクトホール
１２０，１４０  突起
２００  第２基板
２０１  ブラックマトリックス層
２０２  カラーフィルタ層
２０３  オーバーコート層
２１０  第１カラムスペーサー
２２０  第２カラムスペーサー
３１０  第１カラムスペーサー
３２０  第２カラムスペーサー
【図１】
0004578443.tif 000002
【図２Ａ】
0004578443.tif 000003
【図２Ｂ】
0004578443.tif 000004
【図３】
0004578443.tif 000005
【図４】
0004578443.tif 000006
【図５】
0004578443.tif 000007
【図６】
0004578443.tif 000008
【図７】
0004578443.tif 000009
【図８】
0004578443.tif 000010
【図９】
0004578443.tif 000011
【図１０Ａ】
0004578443.tif 000012
【図１０Ｂ】
0004578443.tif 000013
【図１０Ｃ】
0004578443.tif 000014
【図１０Ｄ】
0004578443.tif 000015
【図１０Ｅ】
0004578443.tif 000016