(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
高耐食性が要求される電気めっきを樹脂成形品に施す銅フリー樹脂めっきの成膜方法であって、
前記樹脂成形品にダイレクトめっきの前処理（Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４）を施し、
次に、前記樹脂成形品に半光沢ニッケルめっき（Ｓ５）、超光沢ニッケルめっき（Ｓ６）、光沢ニッケルめっき（Ｓ７）、ＭＰニッケルめっき（マイクロポーラスニッケルめっき）（Ｓ８）の順で各めっき処理を施し、
最後にクロムめっき（Ｓ９）を施す、ことを特徴とする銅フリー樹脂めっきの成膜方法。
【請求項２】
前記光沢ニッケルめっき（Ｓ７）と超光沢ニッケルめっき（Ｓ６）とのトータルニッケルめっき膜厚が５〜２０μｍになるようにめっき処理を施す、ことを特徴とする請求項１の銅フリー樹脂めっきの成膜方法。
【請求項３】
高耐食性が要求されない電気めっきを樹脂成形品に施す銅フリー樹脂めっきの成膜方法であって、
前記樹脂成形品にダイレクトめっきの前処理（Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４）を施し、
次に、前記樹脂成形品に半光沢ニッケルめっき（Ｓ５）、超光沢ニッケルめっき（Ｓ６）の順で各めっき処理を施し、
最後にクロムめっき（Ｓ９）を施す、ことを特徴とする銅フリー樹脂めっきの成膜方法。
【請求項４】
前記半光沢ニッケルめっき（Ｓ７）と超光沢ニッケルめっき（Ｓ６）とのトータルニッケルめっき膜厚が１０〜４０μｍになるようにめっき処理を施す、ことを特徴とする請求項３の銅フリー樹脂めっきの成膜方法。
【請求項５】
高耐食性は要求されるが耐ヒートサイクル性は要求されない電気めっきを樹脂成形品に施す銅フリー樹脂めっきの成膜方法であって、
前記樹脂成形品にダイレクトめっきの前処理（Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４）を施し、
次に、前記樹脂成形品に超光沢ニッケルめっき（Ｓ６）、光沢ニッケルめっき（Ｓ７）、ＭＰニッケルめっき（マイクロポーラスニッケルめっき）（Ｓ８）の順で各めっき処理を施し、
最後にクロムめっき（Ｓ９）を施す、ことを特徴とする銅フリー樹脂めっきの成膜方法。
【請求項６】
前記超光沢ニッケルめっき（Ｓ６）、光沢ニッケルめっき（Ｓ７）とＭＰニッケルめっき（マイクロポーラスニッケルめっき）（Ｓ８）とのトータルニッケルめっき膜厚が５〜３０μｍになるようにめっき処理を施す、ことを特徴とする請求項５の銅フリー樹脂めっきの成膜方法。
【請求項７】
高耐食性と耐ヒートサイクル性共に要求されない電気めっきを樹脂成形品に施す銅フリー樹脂めっきの成膜方法であって、
前記樹脂成形品にダイレクトめっきの前処理（Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４）を施し、
次に、前記樹脂成形品に超光沢ニッケルめっき（Ｓ６）を施し、
最後にクロムめっき（Ｓ９）を施す、ことを特徴とする銅フリー樹脂めっきの成膜方法。
【請求項８】
前記超光沢ニッケルめっき（Ｓ６）の膜厚が５〜２０μｍになるようにめっき処理を施す、ことを特徴とする請求項７の銅フリー樹脂めっきの成膜方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂成形品に金属めっきを施す樹脂めっき技術に係り、特に銅めっきを省略した樹脂めっき方法においてそのめっき膜厚をより薄くしても良好な外観を得る銅フリー樹脂めっきの成膜方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の一般的な樹脂めっき成膜方法は、図６（ａ）に示すように、めっきしようとする樹脂成形品に、エッチング工程、エッチング中和工程、触媒付与工程、導電化工程等のダイレクトめっき処理工程を施し、前処理した樹脂成形品に、光沢銅めっき、半光沢ニッケルめっき、光沢ニッケルめっき、ＭＰニッケルめっき（マイクロポーラスニッケルめっき）の順で各めっき処理を施し、最後にクロムめっきを施して終了するめっき方法である。例えば、この一般的な樹脂めっき成膜方法でＡＢＳ樹脂成形部品をめっきしたとき、めっきの被膜の膜厚は図６（ｂ）に示すように銅２０μｍ、ニッケル１６μｍの計３６μｍになった。
【０００３】
このように、一般的な樹脂めっき成膜方法による樹脂めっき製品は、ニッケルと銅成分が混合しているために、そのめっき製品を再利用するときに再生が困難であった。即ち、金属リサイクル性が低かった。そこで、銅めっき工程を省略したいわゆる「銅フリー樹脂めっき」が多く利用されるようになった。
【０００４】
銅フリー樹脂めっきの成膜方法は、図７（ａ）に示すように、従来の樹脂めっきの電気めっき成膜工程から光沢銅めっき工程を省いて、半光沢ニッケルめっきと光沢ニッケルめっきおよびＭＰニッケルめっき（マイクロポーラスニッケルめっき）などのめっき耐食性を向上させるためのニッケルめっきを下地めっきとし、めっき仕上げ膜としてクロムめっきなどの装飾外観めっきを施す方法である。
【０００５】
銅フリーめっき成膜方法でめっきした場合、銅めっきに比べてニッケルめっきのレべリング性、即ちめっき用素材のキズや凹凸をなめらかにする効果が低いため、めっきの被膜の膜厚は図７（ｂ）に示すようにトータルニッケルめっき膜厚が３６μｍ以下では良好な外観を維持できなかった。外観の良好な製品を得るためには光沢ニッケルを厚づけしなければならず、銅を省略しても実際のめっき製品の被膜厚は銅有りのものと変わらないか、前処理条件や素材の状態次第ではそれ以上の膜厚をつける必要があった。
【０００６】
そこで、本発明の発明者は、例えば室内仕様のめっき製品など、めっきに高耐食性が要求されない場合は、光沢ニッケルめっきだけで下地めっき膜とすることもできることに着目した。また、銅めっきを省略することでめっき膜金属はニッケルとクロムだけになるので、めっき膜の金属リサイクル性が高まると共に、銅を含まないことで金属地金としての価値も高くなることに着目した。
【０００７】
樹脂成形品にニッケルめっきを施す樹脂めっき技術が提案されている。例えば特許文献１の特開公報「ニッケル−クロムめっき製品」のように、耐食性に優れたニッケル−クロムめっき製品およびその製造方法が提案されている。この発明に係るニッケル−クロムめっき製品は、被めっき製品素地を、実質的に硫黄を含まない半光沢ニッケルめっき層、半光沢ニッケルめっき被膜に対し１００〜１７０ｍＶ卑な電気化学的電位を有する光沢ニッケルめっき層、半光沢ニッケルめっき 被膜に対し６０〜１２０ｍＶ卑であり、かつ上記光沢ニッケルめっき被膜に対し１０〜６０ｍＶ貴な電気化学的電位を有する非電導性微粒子共析ニッケルめっき層、クロムめっき被膜で順次被覆されためっき製品になる。
【特許文献１】特開平５−１７１４６８
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、特許文献１のニッケル−クロムめっきでは、光沢銅めっきを省略すると、めっきのレべリング性が低下するという問題を有していた。
【０００９】
また、良好なめっき外観得るためにはトータルニッケルめっき膜厚を通常の樹脂めっきの２〜３倍に厚くめっきする必要があり、樹脂めっき総膜厚は銅有りめっき品とあまり変わらず、地金代の分だけ銅フリーめっきの方がコストが高くなってしまうという問題を有していた。
【００１０】
そのうえ、レベリング効果が高く、膜厚の削減が可能な超光沢ニッケルを使用したとしても、超光沢ニッケル−ＭＰニッケル間に理想の電位差を確保できず、表１に示すように、低電部では逆転することもあった。超光沢ニッケル−ＭＰニッケル間の電位が逆転すると、図８の電位逆転による腐食現象を示すように、ＭＰニッケル層が先に溶解するため、仕上げ膜のクロムめっきが脱落し腐食ピットが発生するという問題を有していた。
【００１１】
【表１】
0004494310.tif 000002
【００１２】
本発明は、かかる問題点を解決するために創案されたものである。すなわち、本発明の目的は、光沢ニッケルめっき膜部分を、レべリング性の高い超光沢ニッケルめっきを代用することで、銅フリーめっきでニッケルめっき膜厚を削減しても良好な外観、さらに耐食性が得られる銅フリー樹脂めっきの成膜方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明によれば、高耐食性が要求される電気めっきを樹脂成形品に施す銅フリー樹脂めっきの成膜方法であって、前記樹脂成形品にダイレクトめっきの前処理（Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４）を施し、次に、前記樹脂成形品に半光沢ニッケルめっき（Ｓ５）、超光沢ニッケルめっき（Ｓ６）、光沢ニッケルめっき（Ｓ７）、ＭＰニッケルめっき（マイクロポーラスニッケルめっき）（Ｓ８）の順で各めっき処理を施し、最後にクロムめっき（Ｓ９）を施す、ことを特徴とする銅フリー樹脂めっきの成膜方法が提供される。
前記光沢ニッケルめっき（Ｓ７）と超光沢ニッケルめっき（Ｓ６）とのトータルニッケルめっき膜厚が５〜２０μｍ、好ましくは５〜１０μｍになるようにめっき処理を施す。
【００１４】
高耐食性が要求されない電気めっきを樹脂成形品に施す銅フリー樹脂めっきの成膜方法のときは、前記樹脂成形品にダイレクトめっきの前処理（Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４）を施し、次に、前記樹脂成形品に半光沢ニッケルめっき（Ｓ５）、超光沢ニッケルめっき（Ｓ６）の順で各めっき処理を施し、最後にクロムめっき（Ｓ９）を施す。
前記半光沢ニッケルめっき（Ｓ７）と超光沢ニッケルめっき（Ｓ６）とのトータルニッケルめっき膜厚が１０〜４０μｍ、好ましくは１０〜２０μｍになるようにめっき処理を施す。
【００１５】
高耐食性は要求されるが耐ヒートサイクル性は要求されない電気めっきを樹脂成形品に施す銅フリー樹脂めっきの成膜方法のときは、前記樹脂成形品にダイレクトめっきの前処理（Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４）を施し、次に、前記樹脂成形品に超光沢ニッケルめっき（Ｓ６）、光沢ニッケルめっき（Ｓ７）、ＭＰニッケルめっき（マイクロポーラスニッケルめっき）（Ｓ８）の順で各めっき処理を施し、最後にクロムめっき（Ｓ９）を施す。
前記超光沢ニッケルめっき（Ｓ６）、光沢ニッケルめっき（Ｓ７）とＭＰニッケルめっき（マイクロポーラスニッケルめっき）（Ｓ８）とのトータルニッケルめっき膜厚が５〜３０μｍ、好ましくは５〜１５μｍになるようにめっき処理を施す。
【００１６】
高耐食性と耐ヒートサイクル性共に要求されない電気めっきを樹脂成形品に施す銅フリー樹脂めっきの成膜方法のときは、前記樹脂成形品にダイレクトめっきの前処理（Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４）を施し、次に、前記樹脂成形品に超光沢ニッケルめっき（Ｓ６）を施し、最後にクロムめっき（Ｓ９）を施す。
前記超光沢ニッケルめっき（Ｓ６）の膜厚が５〜２０μｍ、好ましくは５〜１０μｍになるようにめっき処理を施す。
【発明の効果】
【００１７】
上述したように、本発明では、光沢ニッケルめっき（Ｓ７）の替わりに光沢ニッケルめっき（Ｓ７）よりレべリング性の高い超光沢ニッケルめっき（Ｓ６）を採用することで、銅フリー樹脂めっきのトータルニッケルめっき膜厚を２〜４割程度削減することができる。このように、トータルニッケルめっき膜厚を従来のめっき膜厚より薄くしても良好な外観を得ることができる。
【００１８】
また、高耐食性を要求される自動車外装部品のような樹脂めっき部品では、めっき膜間の電位差を適正に維持するために、超光沢ニッケルめっき（Ｓ６）の被膜を半光沢ニッケルめっき（Ｓ５）の被膜と光沢ニッケルめっき（Ｓ７）の被膜の間に使用することで、トータルニッケルめっき膜厚を従来のめっき膜厚より薄くしても良好な  めっき外観と高耐食性を両立できる。
【００１９】
また、雑貨物などの耐ヒートサイクル性が要求されない樹脂めっき部品では、半光沢ニッケル（Ｓ５）を省略することで、トータルニッケルめっき膜厚をさらに薄くしても良好な外観の製品を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
本発明は、光沢ニッケルめっきの替わりに光沢ニッケルめっきよりレべリング性の高い超光沢ニッケルめっきにより、銅フリー樹脂めっきのトータルニッケルめっき膜厚を２〜４割程度削減することができる銅フリー樹脂めっきの成膜方法である。
【実施例１】
【００２１】
以下、本発明の好ましい実施の形態を図面を参照して説明する。
図１は本発明の実施例１の銅フリー樹脂めっきの成膜方法を示すものであり、（ａ）は工程図、（ｂ）はそのめっき被膜の断面図である。図２は光沢ニッケルめっき被膜の犠牲防食作用を示すめっき被膜の断面図である。
本発明の実施例１の銅フリー樹脂めっきの成膜方法は、高耐食性が要求される部品の樹脂成形品に電気めっきを施す銅フリー樹脂めっきの成膜方法である。実施例１の銅フリー樹脂めっきの成膜方法は、例えば、自動車外装部品のような高耐食性を要求される樹脂めっき部品に適している。この樹脂めっきでは、めっき膜間の電位差を適正に維持するようになっている。
【００２２】
実施例１の銅フリー樹脂めっきの成膜方法は、樹脂成形品にダイレクトめっきの前処理を施す。このダイレクトめっきの前処理では、エッチング工程Ｓ１、エッチング中和工程Ｓ２、触媒付与工程Ｓ３、導電化工程Ｓ４等の処理工程を施す。
【００２３】
次に、前処理を施した樹脂成形品に半光沢ニッケルめっきＳ５、超光沢ニッケルめっきＳ６、光沢ニッケルめっきＳ７、ＭＰニッケルめっき（マイクロポーラスニッケルめっき）Ｓ８の順で各めっき処理を施す。
最後にクロムめっきＳ９処理を施してめっき処理を終了する。
【００２４】
実施例１の銅フリー樹脂めっきの成膜方法による、光沢ニッケルめっきＳ７と超光沢ニッケルめっきＳ６とのトータルニッケルめっき膜厚は、図１（ｂ）に示すように、１０μｍで良好な外観が得られた。
図２に示すように、めっき膜間の電位差を適正に維持するために、超光沢ニッケルめっき膜を半光沢ニッケルめっき膜と光沢ニッケルめっき膜の間に使用することで、トータルニッケルめっき膜厚を従来のめっき膜厚より薄くしても良好なめっき外観と高耐食性を向上させることができる。
【実施例２】
【００２５】
図３は本発明の実施例２の銅フリー樹脂めっきの成膜方法を示すものであり、（ａ）は工程図、（ｂ）はそのめっき被膜の断面図である。
本発明の実施例２の銅フリー樹脂めっきの成膜方法は、耐食性が必要でない部品などの樹脂成形品に電気めっきを施す銅フリー樹脂めっきの成膜方法である。実施例２の銅フリー樹脂めっきの成膜方法は、例えば、自動車内装部品などの高耐食性を要求されない樹脂めっき部品に適している。この実施例２の樹脂めっきでは、高耐食性が要求される実施例１のような樹脂めっき工程から、ニッケル被膜電位を分散させるために必要だったＭＰニッケルめっきＳ８、適正な電位差を保持するのに必要だった光沢ニッケルめっきＳ７を省略した樹脂めっきの成膜方法である。
【００２６】
実施例２の銅フリー樹脂めっきの成膜方法は、予め、実施例１と同様な前処理を施した樹脂成形品に、半光沢ニッケルめっきＳ５、超光沢ニッケルめっきＳ６の順で各めっき処理を施し、最後にクロムめっきＳ９を施して、めっき処理を終了する。
【００２７】
実施例２の銅フリー樹脂めっきの成膜方法では、図３（ｂ）に示すように、半光沢ニッケルめっきＳ５と超光沢ニッケルめっきＳ６とのトータルニッケルめっき膜厚は２０ミクロンまで減らすことができる。
【実施例３】
【００２８】
図４は本発明の実施例３の銅フリー樹脂めっきの成膜方法を示すものであり、（ａ）は工程図、（ｂ）はそのめっき被膜の断面図である。
実施例３の銅フリー樹脂めっきの成膜方法は、高耐食性が要求されるが、耐ヒートサイクル性は要求されない樹脂成形品に電気めっきを施す銅フリー樹脂めっきの成膜方法である。実施例３の銅フリー樹脂めっきの成膜方法は、例えば、雑貨物など外観のみで耐ヒートサイクル性が要求されない樹脂めっき部品に適している。半光沢ニッケルＳ５の被膜は光沢ニッケルの被膜に比べて柔らかく、樹脂素材と金属めっきの熱膨張率の違いを緩衝する効果を持つ。そこで、雑貨物など外観のみで耐ヒートサイクル性が要求されないものであれば、半光沢ニッケルめっきＳ５を省略することで、図４（ｂ）に示すように、トータルニッケルめっき膜厚をさらに１６ミクロンまで減らしても高耐食性をもち、かつ良好な外観のめっき品が得られる。
【００２９】
実施例３の銅フリー樹脂めっきの成膜方法は、実施例１と同様な前処理を施した樹脂成形品に、超光沢ニッケルめっきＳ６、光沢ニッケルめっきＳ７、ＭＰニッケルめっき（マイクロポーラスニッケルめっき）Ｓ８の順で各めっき処理を施す。
最後にクロムめっきＳ９処理を施して、めっき処理を終了する。
【００３０】
実施例３の銅フリー樹脂めっきの成膜方法では、超光沢ニッケルめっきＳ６、光沢ニッケルめっきＳ７とＭＰニッケルめっき（マイクロポーラスニッケルめっき）Ｓ８とのトータルニッケルめっき膜厚は１６μｍまで減らすことができた。
【実施例４】
【００３１】
図５は本発明の実施例４の銅フリー樹脂めっきの成膜方法を示すものであり、（ａ）は工程図、（ｂ）はそのめっき被膜の断面図である。
実施例４の銅フリー樹脂めっきの成膜方法は、高耐食性と耐ヒートサイクル性共に要求されない電気めっきを施す銅フリー樹脂めっきの成膜方法である。実施例４の銅フリー樹脂めっきの成膜方法は、例えば、パチンコ部品など室内使用のもので耐食性も耐ヒートサイクル性も要求されない樹脂めっき部品に適している。
【００３２】
実施例４の銅フリー樹脂めっきの成膜方法は、実施例１と同様な前処理を施した樹脂成形品に、超光沢ニッケルめっきＳ６を施し、最後にクロムめっきＳ９を施して、めっき処理を終了する。
前記超光沢ニッケルめっきＳ６の膜厚は、図５（ｂ）に示すように、１０μｍまで減らしても良好な外観の製品が得られた。
【００３３】
なお、本発明は上述した発明の実施の形態に限定されず、光沢ニッケルめっきＳ７の膜部分を、レべリング性の高い超光沢ニッケルめっきＳ６で代用することで、銅フリーめっきでニッケルめっき膜厚を削減しても良好な外観、さらに耐食性が得られる樹脂めっき成膜方法であれば、図示したような構成に限定されない。
【００３４】
また、樹脂めっきのトータルニッケルめっき膜厚を従来の銅フリー樹脂めっきの成膜方法の膜厚より２〜４割程度削減することができる方法であれば、光沢ニッケルめっきＳ７、超光沢ニッケルめっきＳ６それぞれの膜厚は、上述した５μｍ、１０μｍといった数値に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変更できることは勿論である。
【産業上の利用可能性】
【００３５】
本発明の銅フリー樹脂めっきの成膜方法は、高耐食性と耐ヒートサイクル性を要求される自動車外装部品、高耐食性は要求されない自動車内装部品、耐食性も耐ヒートサイクル性も要求されないパチンコ部品など室内使用の樹脂めっき製品等の様々な用途に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明の実施例１の銅フリー樹脂めっきの成膜方法を示すものであり、（ａ）は工程図、（ｂ）はそのめっき被膜の断面図である。
【図２】光沢ニッケルめっき被膜の犠牲防食作用を示すめっき被膜の断面図である。
【図３】実施例２の銅フリー樹脂めっきの成膜方法を示すものであり、（ａ）は工程図、（ｂ）はそのめっき被膜の断面図である。
【図４】実施例３の銅フリー樹脂めっきの成膜方法を示すものであり、（ａ）は工程図、（ｂ）はそのめっき被膜の断面図である。
【図５】実施例４の銅フリー樹脂めっきの成膜方法を示すものであり、（ａ）は工程図、（ｂ）はそのめっき被膜の断面図である。
【図６】従来の一般的な樹脂めっきの成膜方法を示すものであり、（ａ）は工程図、（ｂ）はそのめっき被膜の断面図である。
【図７】従来の銅フリー樹脂めっき成膜方法を示すものであり、（ａ）は工程図、（ｂ）はそのめっき被膜の断面図である。
【図８】電位逆転による腐食現象を示すめっき被膜の断面図である。
【符号の説明】
【００３７】
Ｓ１  エッチング工程（ダイレクトめっき）
Ｓ２  エッチング中和工程（ダイレクトめっき）
Ｓ３  触媒付与工程（ダイレクトめっき）
Ｓ４  導電化工程（ダイレクトめっき）
Ｓ５  半光沢ニッケルめっき
Ｓ６  超光沢ニッケルめっき
Ｓ７  光沢ニッケルめっき
Ｓ８  ＭＰニッケルめっき（マイクロポーラスニッケルめっき）
Ｓ９  クロムめっき
【図１】
0004494310.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
0004494310.tif 000006
【図５】
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【図６】
0004494310.tif 000008
【図７】
0004494310.tif 000009
【図８】
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