(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
移動可能に構成された腕部と、
前記腕部に設けられ、前記腕部の移動によって移動可能に構成された保持部とを有する基板搬送装置であって、
前記保持部は、四辺形の支持体と、上端が前記支持体の四隅に固定された四本の取付部材と、前記取付部材の下端にそれぞれ設けられ、該取付部材に対して自由に傾くことができるように構成された静電吸着部とから成り、
前記静電吸着部は、担体と、該担体に設けられた第１、第２の電極とを有し、
前記静電吸着部は、グラディエント力により、絶縁性基板を吸着する静電吸着装置であり、
前記静電吸着部は、その底面が、反りを有する前記絶縁性基板の上方を向く傾いた表面に対して平行になるように傾いて接触し、反った状態の前記絶縁性基板を前記グラディエント力によって吸着して吊り下げ保持して移動させられるように構成されたことを特徴とする基板搬送装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、静電吸着装置、基板搬送装置及び真空処理装置に関し、特に平面が平坦でない基板を静電吸着することが可能な静電吸着装置と、その静電吸着装置を備えた基板搬送装置及び真空処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、真空装置内への基板の搬出入には基板搬送ロボットが用いられている。
図１０(ａ)の符号１１０は、真空処理装置(スパッタリング装置)であり、真空槽１１２と基板搬送装置１２０とを有している。真空槽１１２内の天井側にはカソード電極１１３が配置されており、底壁側には基板吸着装置１１４が配置されている。
【０００３】
基板搬送装置１２０は、駆動装置１２１と、該駆動装置１２１に取り付けられた腕部１２２と、該腕部１２２の先端に取り付けられた保持部１２３とを有している。
【０００４】
保持部１２３の構成を図１１(ａ)、(ｂ)に示す。同図(ａ)は同図(ｂ)のＸ−Ｘ線断面図に相当する。この保持部１２３は、金属板１２４と、該金属板１２４上に配置された誘電体層１２５を有している。この誘電体層１２５はセラミックス製であり、その表面に、導電性のカーボンからなる第１、第２の電極１２７1、１２７2が形成されている。
【０００５】
第１、第２の電極１２７1、１２７2の平面図を同図(ｂ)に示す。第１、第２の電極１２７1、１２７2は櫛状に成形されており、その歯の部分が互いに噛み合うように配置されている。
第１、第２の電極１２７1、１２７2はそれぞれ真空槽１１２外に設けられた電源に接続されており、その電源を駆動すると、第１、第２の電極１２７1、１２７2の間に直流電圧を印加することができる。
第１、第２の電極１２７1、１２７2上には、第１、第２の電極１２７1、１２７2と誘電体層１２５表面とを被覆するように保護膜１３０が形成されている。
【０００６】
上述した真空槽１１２内で基板表面に成膜処理をするには、まず、保持部１２３表面に基板１１１を載置した状態で、第１、第２の電極１２７1、１２７2の間に直流電圧を印加する。
【０００７】
一般に、不均一な電場Ｅ中に分極率αの誘電体を置いたとき、その誘電体には、単位面積当たり次式で表されるグラディエント力が働く。
ｆ ＝ １／２・α・ｇｒａｄ(Ｅ2)
上述した保持部１２３では、互いに隣接する第１、第２の電極１２７1、１２７2の間の距離が非常に小さくなっている。その結果、誘電体からなる基板がその表面に載置されたときに、上式のｇｒａｄ(Ｅ2)が大きくなっている。
【０００８】
その結果、基板１１１が、保持部１２３の表面方向に上述したグラディエント力を受け、基板１１１の裏面全面が保持部１２３表面に静電吸着される。図１２は、その状態を模式的に示した図である。図１２において、符号１２２は第１、第２の電極１２７1、１２７2間に直流電圧を印加する直流電源を示しており、符号Ｅは電場を示している。また、符号ｆは基板１１１に働くグラディエント力の方向を示している。
【０００９】
こうして、保持部１２３表面に基板１１１が静電吸着された状態で、腕部１２２を水平移動させ、基板１１１を基板吸着装置１１４上に静止させる。
次いで、真空槽１１２底部に配置された昇降機構１０６を動作させ、基板１１１を保持部１２３上から昇降機構１０６上に移し替え、昇降機構１０６を降下させて基板１１１を基板吸着装置１１４上に載置し(図１０(ｂ))、腕部１２２及び保持部１２３を真空槽１１２から抜き出し、真空槽１１２を密閉し、スパッタリングガスを導入し、カソード電極１１３に配置されたターゲットをスパッタリングさせ、基板１１１表面に所定の薄膜を成膜する。
【００１０】
所定膜厚の薄膜が成膜されたら、真空槽１１２を開放し、昇降機構１０６を上昇させて基板１１１を所定位置まで上昇させ、腕部１２２及び保持部１２３を真空槽１１２内に搬入し、保持部１２３を基板１１１の下方に位置させた後に、昇降機構１０６を下降させて基板１１１を保持部１２３上に移し替え、保持部１２３上に静電吸着させる。その後、保持部１２３及び腕部１２２を真空槽１１２から取り出し、基板１１１を装置外へと取り出す。
【００１１】
上述した保持部１２３では、グラディエント力により基板を静電吸着しているため、例えばガラス基板等のような絶縁性基板でも静電吸着することができる。また、基板１１１を静電吸着力で保持しているので、保持部１２３を高速に移動させても、基板１１１が保持部１２３から滑落しにくく、基板１１１を高速に移動させることができる。
【００１２】
しかしながら、成膜処理後に、基板１１１が成膜の際に生じる応力によって反ってしまうことがある。保持部１２３は、その表面が平坦に形成されているので、基板１１１に反りが生じた場合には、図１３に示すように、保持部１２３の表面は、そのごく一部が基板１１１の表面に当接するので、保持部１２３の表面と基板１１１との接触面積は極めて小さくなってしまう。このため、基板１１１に反りがない場合に比して静電吸着力が小さくなり、確実に基板１１１を静電吸着して保持することができなくなり、搬送中に基板１１１が保持部１２３から滑落してしまうなどの問題が生じていた。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記従来技術の要求に応じるために創作されたものであり、その目的は、反りが生じた基板を、確実に静電吸着して保持することが可能な技術を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、請求項１記載の発明は、移動可能に構成された腕部と、前記腕部に設けられ、前記腕部の移動によって移動可能に構成された保持部とを有する基板搬送装置であって、前記保持部は、四辺形の支持体と、上端が前記支持体の四隅に固定された四本の取付部材と、前記取付部材の下端にそれぞれ設けられ、該取付部材に対して自由に傾くことができるように構成された静電吸着部とから成り、前記静電吸着部は、担体と、該担体に設けられた第１、第２の電極とを有し、前記静電吸着部は、グラディエント力により、絶縁性基板を吸着する静電吸着装置であり、前記静電吸着部は、その底面が、反りを有する前記絶縁性基板の上方を向く傾いた表面に対して平行になるように傾いて接触し、反った状態の前記絶縁性基板を前記グラディエント力によって吸着して吊り下げ保持して移動させられるように構成されたことを特徴とする。
【００１５】
本発明の静電吸着装置は、複数の取付部材と、各取付部に取り付けられた静電吸着部を有しており、各静電吸着部は各取付部材に対して、あらゆる方向に自由に傾くことができる。
【００１６】
このため、基板に反りが生じ、その表面が水平面に対して傾いた場合には、基板表面に静電吸着部を接触させると、静電吸着部は、傾いた基板の表面に対して平行になるように傾くので、静電吸着部の表面全面が、基板の傾いた表面に当接する。
【００１７】
この状態で第１、第２の電極に電圧を印加して、グラディエント力で基板を静電吸着部の表面に静電吸着すると、従来に比して、静電吸着部と基板表面との接触面積が大きくなり、静電吸着力が増大するので、基板が反った場合であっても、確実にその基板を静電吸着して保持することができる。
【００１８】
なお、本発明において、静電吸着部を、少なくとも四辺形の頂点に位置するように配置してもよい。矩形の基板を静電吸着する場合には、予め四辺形の大きさと形状を基板と同じにすることにより、静電吸着部は基板四隅の表面に当接し、基板四隅の表面を静電吸着して基板を保持することができる。
【００１９】
また、各静電吸着部の第１、第２の電極表面に保護膜を形成してもよい。このように構成することにより、第１、第２の電極が直接基板に接触しないので、第１、第２の電極を耐磨耗性の低い材料で構成した場合には、その寿命が長くなる。
【００２０】
さらに、本発明の基板搬送装置は、本発明の静電吸着装置を有しているので、基板に反りが生じた場合であっても、基板を確実に静電吸着して保持し、高速に搬送することができる。
【００２１】
また、本発明の真空処理装置は、本発明の静電吸着装置を有しているので、基板に反りが生じた場合であっても、基板を確実に静電吸着して保持した状態で、真空処理を行うことができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下で図面を参照し、本発明の実施形態について説明する。
図１の符号１０は、本発明の一例の真空処理装置(スパッタリング装置)を示している。真空処理装置１０は、真空槽１２と搬送室１５とを有している。真空槽１２内の天井側にはカソード電極１３が配置されており、底壁側には基板吸着装置１４が配置されている。
【００２３】
搬送室１５内には、基板搬送装置３６が配置されている。この基板搬送装置３６は、駆動装置３１と、該駆動装置３１に取り付けられた腕部３２と、該腕部３２の先端に取り付けられた静電吸着装置３３とを有している。駆動装置３１内には、図示しないモータが配置され、腕部３２の一端は、このモータに接続されており、水平面内での伸縮移動と垂直方向への移動ができるように構成されている。
【００２４】
静電吸着装置３３は、腕部３２の他端に設けられており、腕部３２の移動に伴って、水平方向と垂直方向に移動できるように構成されている。
静電吸着装置３３の構成の一例を図２(ａ)に示す。この静電吸着装置３３は、矩形枠状の支持体４０と、４本の支持軸２１1〜２１4と、ジョイント部２２1〜２２4と、板状の静電吸着部２３1〜２３4とを有している。
【００２５】
４本の支持軸２１1〜２１4は、それぞれの一端が支持体４０の四隅に固定され、他端が静電吸着部２３1〜２３4にそれぞれ固定されており、支持体４０の表面と垂直になるように配置されている。
【００２６】
各支持軸２１1〜２１4には、ジョイント部２２1〜２２4が設けられており、各支持軸２１1〜２１4はジョイント部２２1〜２２4を中心にして、いかなる方向にも自由に折れ曲がることができるように構成されているので、静電吸着部２３1〜２３4の表面２８1〜２８4はあらゆる方向に傾くことができる。
【００２７】
各静電吸着部２３1〜２３4の構成を図３(ａ)、(ｂ)に示す。同図(ｂ)は各静電吸着部２３1〜２３4の平面図を示しており、同図(ａ)は同図(ｂ)のＡ−Ａ線断面図に相当する。
【００２８】
これらの静電吸着部２３1〜２３4は、金属板２４と、該金属板２４上に配置された誘電体層２５とからなる板状の担体２６を有している。誘電体層２５はＡｌ2Ｏ3を主成分とするセラミックス製であり、その表面２８1〜２８4には、カーボン製の第１、第２の電極２７1、２７2が形成されている。
【００２９】
第１、第２の電極２７1、２７2の平面図を同図(ｂ)に示す。第１、第２の電極２７1、２７2は櫛状に成形されており、その歯の部分が互いに噛み合うように配置されている。
【００３０】
第１、第２の電極２７1、２７2はそれぞれ図示しない直流電源に接続されており、その直流電源を駆動すると、第１、第２の電極２７1、２７2の間に直流電圧を印加することができるように構成されている。
【００３１】
第１、第２の電極２７1、２７2上には、第１、第２の電極２７1、２７2と誘電体層２５の表面とを被覆するように、シリコン窒化物からなる保護膜３０が形成されている。
【００３２】
搬送室１５には、図示しない搬出入室が接続されている。かかる構成の真空処理装置１０を用いて、ガラスからなる基板の表面をスパッタリング法により成膜処理する場合には、搬出入室内の図示しない載置台に成膜対象の絶縁性基板を配置し、真空槽１２と、搬送室１５と、搬出入室とを真空雰囲気にしておく。
【００３３】
次に、基板搬送装置３６を動作させ、搬送室１５から、腕部３２及び静電吸着装置３３を搬出入室内に入れ、静電吸着装置３３を基板の上方に位置させる。静電吸着装置３３の支持体４０は基板１１とほぼ同じ大きさになっており、その四隅に配置された静電吸着部２３1〜２３4が基板１１のほぼ四隅に位置するように位置合わせした後、支持体４０を降下させる。
【００３４】
すると、各静電吸着部２３1〜２３4は基板１１の四隅と当接する。その状態を図２(ｂ)に示す。
このとき、基板１１には反りがなく、基板１１の表面は至るところ平坦であるものとすると、各静電吸着部２３1〜２３4は、それぞれの表面２８1〜２８4の全部が基板１１の四隅表面と接触する。この状態で、第１、第２の電極２７1、２７2間に電圧を印加すると、第１、第２の電極２７1、２７2の間に生じた電界により、基板１１の表面が、各表面に接する各静電吸着部２３1〜２３4の表面２８1〜２８4方向にグラディエント力を受け、基板１１表面の四隅が、各静電吸着部２３1〜２３4に静電吸着される。
【００３５】
その後、腕部３２を水平移動させて静電吸着装置３３を搬出入室から取り出し、搬送室１５を介して真空槽１２内に搬入した後、基板１１を基板吸着装置１４上に静止させる(図５(ａ))。
【００３６】
次いで、真空槽１２底部に配置された昇降ピン６を上昇させ、その先端に基板１１の裏面が当接したら、第１、第２の電極２７1、２７2への電圧印加を停止し、基板１１の静電吸着状態を解除する。すると、基板１１が昇降ピン６の先端に乗り、基板１１が静電吸着装置３３から昇降ピン６へと移し替えられる。
【００３７】
その後昇降ピン６を降下させると、基板吸着装置１４上に基板１１が載置される(図５(ｂ))。載置されたら、基板１１を基板吸着装置１４上に静電吸着させる。
次に、腕部３２及び静電吸着装置３３を真空槽１２から抜き出し、真空槽１２を密閉し、スパッタリングガスを導入し、カソード電極１３に配置されたターゲットのスパッタリングを行い、基板１１表面に成膜処理を行う。
【００３８】
所定膜厚の薄膜が成膜されたら、昇降ピン６を上昇させて基板１１を所定位置まで上昇させ、真空槽１２を搬送室１５と接続し、腕部２２及び静電吸着装置３３を真空槽１２内に搬入し、静電吸着装置３３を基板１１の上方に位置させる。
【００３９】
その状態を図４(ａ)に示す。ここでは、成膜の際の応力により、基板１１に反りが生じてしまったものとする。図４(ａ)に示す状態で、昇降ピン６を上昇させて、基板１１を上昇させる。すると各静電吸着部２３1〜２３4が基板１１の表面と接触する。
【００４０】
上述したように、各静電吸着部２３1〜２３4の表面２８1〜２８4はあらゆる方向に傾くことができるので、基板１１が反り、その表面が水平面に対して傾いていても、各静電吸着部２３1〜２３4は基板１１の傾いた面に対して平行になるように傾く。これにより、図４(ｂ)に示すように、各静電吸着部２３1〜２３4の表面２８1〜２８4は、基板１１の四隅の表面と平行な状態で接触し、その結果、表面２８1〜２８4のほぼ全部が基板１１の表面と接触する。
【００４１】
この状態で、第１、第２の電極２７1、２７2間に電圧を印加すると、第１、第２の電極２７1、２７2の間に生じた電界により、各静電吸着部２３1〜２３4に当接した基板１１の四隅の表面は、各静電吸着部２３1〜２３4方向にグラディエント力を受け、各静電吸着部２３1〜２３4に静電吸着される。
【００４２】
上述したように、各静電吸着部２３1〜２３4表面のほぼ全部が、基板１１の表面と接触することにより、保持部１２３のごく一部のみが基板１１１に接触していた従来に比して、基板１１との接触面積が大きくなる。このため、静電吸着力が従来に比して大きくなり、基板１１が反った場合であっても、基板１１を確実に静電吸着して保持することができる。
【００４３】
その後、昇降ピン６を下降させて基板１１を静電吸着装置３３上に移し替える(図６)。その後、静電吸着装置３３及び腕部２２を真空槽１２から取り出し、基板１１を装置外へと取り出す。
【００４４】
なお、上述した静電吸着部２３1〜２３4は、第１、第２の電極２７1、２７2が誘電体層２５の表面上に形成され、保護膜３０が形成されているが、本発明の静電吸着部の構成はこれに限られるものではなく、例えば、図７(ａ)〜(ｄ)の符号４１〜４４に示すように、誘電体層２５の表面に凹部を形成して、それぞれの凹部に第１、第２の電極２７1、２７2を配置し、保護膜を設けないように構成してもよい。
【００４５】
同図(ａ)の静電吸着部４１では、第１、第２の電極２７1、２７2の上端部は誘電体層２５上から突き出されており、この第１、第２の電極２７1、２７2の上端部に基板１１の表面が当接し、基板表面と誘電体層２５との間には隙間が形成される。
【００４６】
同図(ｂ)の静電吸着部４２では、第１、第２の電極２７1、２７2の上端部は、誘電体層２５の表面と同じ高さに形成されている。即ち、誘電体層２５表面と第１、第２の電極２７1、２７2の上端部は面一に形成されており、基板１１の表面は第１、第２の電極２７1、２７2の上端部と誘電体層２５の表面との両方に接触する。
【００４７】
同図(ｃ)の静電吸着部４３では、第１、第２の電極２７1、２７2の上端部は、誘電体層２５の表面よりも低く形成されている。即ち、第１、第２の電極２７1、２７2の上端部は凹部内の奥まった部分に位置しており、第１、第２の電極２７1、２７2間には、誘電体層２５の表面部分で構成された突部２９が形成されている。
【００４８】
この静電吸着装置３４では、その表面に基板１１を配置すると基板１１表面は突部２９の上端部と接触するが、第１、第２の電極２７1、２７2とは接触しないようになっている。従って、基板１１が比較的耐磨耗性の低い第１、第２の電極２７1、２７2と直接接触しないため、第１、第２の電極２７1、２７2の寿命が長くなる。
【００４９】
さらに、同図(ｄ)の静電吸着部４４では、凹部の内部に第１の電極２７1を配置し、突部２９の上端部に第２の電極２７2が配置されている。このように構成した場合には、第２の電極２７2の上端部に基板１１の表面が当接することになる。
【００５０】
また、上述の静電吸着装置３３では、静電吸着部２３1〜２３4がそれぞれ矩形の支持体４０の四隅に配置されるものとしたが、本発明はこれに限られるものではなく、図８(ａ)の符号５３に示すように、支持体４０の四隅のみならずほぼ全面に、あらゆる方向に傾くことが可能な静電吸着部２３が配置される構成としてもよい。このように構成することにより、反った基板１１のほぼ全面にわたって各静電吸着部２３の表面が平行に当接する。このため、静電吸着部２３と基板１１との接触面積が図４(ａ)の静電吸着装置３３に比して大きくなるので、静電吸着力が増し、基板１１をさらに確実に保持することができる。同様に、静電吸着部２３を、支持体４０の周囲にのみ配置するように構成してもよい。このように構成した場合であっても、四隅のみに静電吸着部２３1〜２３4を配置した場合に比して、静電吸着力が大きくなる。
【００５１】
さらに、本発明において静電吸着可能な基板はこれに限られるものではなく、例えばシリコン基板等の導電性基板にも適用可能である。
また、上述した静電吸着装置においては、第１、第２の電極２７1、２７2を導電性のカーボンで構成しているが、本発明の第１、第２の電極２７1、２７2の材料はこれに限られるものではなく、例えばアルミニウム、タングステン、銅、チタン等の金属で構成してもよい。
【００５２】
さらに、上述した保護膜３０の材料として、シリコン窒化物を用いたが、本発明の保護膜はこれに限られるものではなく、例えば、ＡｌＮ、ＴａＮ、ＷＮ、ＧａＮ、ＢＮ、ＩｎＮ、ＳｉＡｌＯＮ等の窒化物や、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｃｒ2Ｏ3、ＴｉＯ2、ＴｉＯ、ＺｎＯ等の酸化物を用いてもよい。さらに又、ダイヤモンド、ＴｉＣ、ＴａＣ、ＳｉＣなどの炭化物を用いてもよいし、ポリイミド、ポリ尿素、シリコーンゴムなどの有機重合体を用いてもよい。
【００５３】
また、本実施形態では、各静電吸着部２３1〜２３4は、それぞれが自由に折れ曲げ可能な支持軸２１1〜２１4に取り付けられているものとしているが、本発明はこれに限らず、各静電吸着部２３1〜２３4が、あらゆる方向に自由に傾くことができるように構成されていればよい。
【００５４】
また、各静電吸着部２３1〜２３4は、第１、第２の電極２７1、２７2が形成された表面が下方を向いており、基板の表面を上方から静電吸着するように構成されているが、本発明の静電吸着装置３３はこれに限られるものではなく、第１、第２の電極２７1、２７2が形成された表面が上方を向き、基板の裏面を下側から静電吸着するように構成してもよい。
【００５５】
なお、上述した実施形態では、静電吸着装置３３は基板搬送装置３６に用いられるものとして説明したが、本発明の静電吸着装置３３は基板搬送装置３６のみに用いられるものではなく、例えば、図９の符号７１に示す、スパッタリング装置に用いてもよい。
【００５６】
このスパッタリング装置７１は、真空槽７２を有している。真空槽７２内の天井側にはカソード電極７３が配置されており、底壁側には基板保持装置７４が配置されている。この基板保持装置７４は、上述した静電吸着装置３３を有しており、処理対象である基板１１が真空槽７２内に搬入されると、その基板１１の側面を静電吸着して保持することができるように構成されている。
【００５７】
このようなスパッタリング装置７１においても、上述した静電吸着装置３３で基板１１を静電吸着するように構成されているので、基板１１が反った場合であっても、確実に静電吸着して保持した状態で、スパッタリング処理をすることができる。
【００５８】
【発明の効果】
絶縁性基板に反りが生じても確実に吸着することができる。また、曲率を有する絶縁性基板であっても確実に吸着し、吊り下げて保持して移動することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態の基板搬送装置を説明する図
【図２】(ａ)：本発明の一実施形態の静電吸着装置の一例を説明する斜視図
(ｂ)：本発明の一実施形態の静電吸着装置が基板を静電吸着した状態を説明する斜視図
【図３】(ａ)：本発明の一実施形態の静電吸着部を説明する断面図
(ｂ)：本発明の一実施形態の静電吸着部を説明する平面図
【図４】(ａ)：本発明の一実施形態の静電吸着装置が反った基板を静電吸着する工程を説明する第１の図
(ｂ)：本発明の一実施形態の静電吸着装置が反った基板を静電吸着する工程を説明する第２の図
【図５】(ａ)：本発明の基板搬送装置の動作を説明する第１の図
(ｂ)：本発明の基板搬送装置の動作を説明する第２の図
【図６】本発明の基板搬送装置の動作を説明する第３の図
【図７】(ａ)：本発明の他の実施形態の静電吸着部を説明する第１の断面図
(ｂ)：本発明の他の実施形態の静電吸着部を説明する第２の断面図
(ｃ)：本発明の他の実施形態の静電吸着部を説明する第３の断面図
(ｄ)：本発明の他の実施形態の静電吸着部を説明する第４の断面図
【図８】(ａ)：本発明の他の実施形態の静電吸着装置が基板を静電吸着する工程を説明する第１の図
(ｂ)：本発明の他の実施形態の静電吸着装置が基板を静電吸着する工程を説明する第２の図
【図９】本発明の真空処理装置を説明する図
【図１０】(ａ)：従来の真空処理装置の動作を説明する第１の図
(ｂ)：従来の真空処理装置の動作を説明する第２の図
【図１１】(ａ)：従来の静電吸着装置の構成を説明する断面図
(ｂ)：従来の静電吸着装置の構成を説明する平面図
【図１２】グラディエント力を説明する図
【図１３】従来の静電吸着装置の問題点を説明する図
【符号の説明】
１１……基板    ２１1〜２１4……支持軸(取付部材)    ２３1〜２３4……静電吸着部    ２６……担体    ２７1……第１の電極    ２７2……第２の電極
３３……静電吸着装置    ３６……基板搬送装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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