(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
リソグラフィ装置コレクタのための浄化構造であって、
水素ガスを提供するように構成された水素ガス源と、
水素ガスの一部を水素ラジカル含有ガスに変換するように構成され、かつ、水素ラジカル含有ガスをコレクタの一部に提供するように構成された水素ラジカル源と、
水素ラジカル含有ガスの一部をコレクタからポンプ排気するように構成されたポンプと、
コレクタからポンプ排気されたガスの一部をコレクタに戻すように構成されたガスリターンシステムとを備え、
コレクタミラーが、入れ子にされ且つ光軸の周りに回転対称である、上流放射コレクタ側および下流放射コレクタ側を備えたリフレクタを備え、ガス出口が上流放射コレクタ側に構成され、ガス排気が下流放射コレクタ側に構成された、浄化構造。
【請求項２】
上流放射コレクタ側が、ガス出口を備えた扉を使用して閉じることができ、下流放射コレクタ側が、ガス排気を備えた扉を使用して閉じることができる、請求項１に記載の浄化構造。
【請求項３】
コレクタが、コレクタミラーを囲んでいる周囲ハルによって囲まれ、周囲ハルがガス入口およびガス排気を備えた、請求項１に記載の浄化構造。
【請求項４】
ガスリターンシステムが、コレクタからポンプ排気されたガスの一部を水素ラジカル源に戻すように構成された、請求項１に記載の浄化構造。
【請求項５】
ポンプが、コレクタの一部を通して提供される水素ラジカル含有ガスの流速が少なくとも１ｍ／ｓになるよう、コレクタから水素ラジカル含有ガスの一部をポンプ排気するように構成された、請求項１に記載の浄化構造
【請求項６】
コレクタの下流に構成された少なくとも１ｍ３のバッファ体積をさらに備えた、請求項１に記載の浄化構造。
【請求項７】
バッファ体積が少なくとも１０ｍ３の体積を有する、請求項６に記載の浄化構造。
【請求項８】
ポンプが水素ラジカル源の上流に構成された、請求項１に記載の浄化構造。
【請求項９】
ポンプがコレクタの下流に構成された、請求項１に記載の浄化構造。
【請求項１０】
ポンプがバッファ体積の下流に構成された、請求項６に記載の浄化構造。
【請求項１１】
コレクタの一部への水素ラジカル含有ガスの流れを調整するように構成されたガスシャッタをさらに備えた、請求項１に記載の浄化構造。
【請求項１２】
コレクタの一部内のガス圧力が０．０１ｍｂａｒと１０ｍｂａｒの間に所定時間の間維持される、請求項１に記載の浄化構造。
【請求項１３】
コレクタの一部内の圧力が階段状に増加する、請求項１に記載の浄化構造。
【請求項１４】
コレクタの一部内の圧力が、０．０１ｍｂａｒと１０ｍｂａｒの間の圧力範囲から選択される、より低い圧力とより高い圧力の間で周期的に変化する、請求項１に記載の浄化構造。
【請求項１５】
コレクタの一部内の圧力が、５ｍｂａｒと５００ｍｂａｒの間の圧力範囲内の圧力である、請求項１に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リソグラフィ装置モジュールを浄化するための方法に関する。本発明は、さらに、リソグラフィ装置モジュールのための浄化構造および浄化構造を備えたリソグラフィ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
本出願は、参照により２００５年１２月２２日出願の米国出願第１１／３１４，０９９号のすべての内容をここに組み込んでいる。
【０００３】
リソグラフィ装置は、基板、一般的には基板のターゲット部分に所望のパターンを与えるマシンである。リソグラフィ装置は、例えば集積回路（ＩＣ）の製造に使用することができる。その場合、マスクまたはレチクルとも呼ばれているパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層に形成すべき回路パターンが生成される。このパターンが、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば部分的に１つまたは複数のダイが含まれている）に転送される。パターンの転送は、通常、基板の上に提供されている放射感応性材料（レジスト）の層への結像を介して実施される。通常、１枚の基板には、順次パターン化される隣接ターゲット部分のネットワークが含まれている。既知のリソグラフィ装置には、パターン全体を１回でターゲット部分に露光することによってターゲット部分の各々が照射されるステッパと、パターンを放射ビームで所与の方向（「スキャン」方向）にスキャンし、かつ、基板をこの方向に平行または非平行に同期スキャンすることによってターゲット部分の各々が照射されるスキャナがある。パターンを基板に転写することによってパターニングデバイスから基板へパターンを転送することも可能である。
【０００４】
リソグラフィ装置では、基板上に結像することができる特徴のサイズは、投影放射の波長によって制限されている。デバイスの密度がより高く、したがって動作速度がより速い集積回路を製造するためには、より小さい特徴を結像することができることが望ましい。現在使用されているほとんどのリソグラフィ投影装置には、水銀灯またはエキシマレーザによって生成される紫外光が使用されているが、もっと短い波長の放射、例えば波長が約１３ｎｍの放射の使用が提案されている。このような放射は、極端紫外線（ＥＵＶ）または軟ｘ線と呼ばれており、可能な放射源には、例えばレーザ生成プラズマ源、放電プラズマ源または電子ストレイジリングからのシンクロトロン放射がある。
【０００５】
ＥＵＶ放射源は、通常、プラズマ源であり、例えばレーザ生成プラズマ源または放電源である。すべてのプラズマ源に共通の特徴は、プラズマからあらゆる方向に吐き出される高速のイオンおよび原子が生成されることである。これらの粒子によって、コレクタミラーおよびコンデンサミラーが損傷する可能性がある。これらのミラーは、通常、表面が脆い多層膜反射鏡または斜入射ミラーである。この表面は、プラズマから吐き出される粒子の衝撃、つまりスパッタリングによって徐々に劣化し、したがってミラーの寿命が短くなる。放射コレクタの場合、スパッタリングによる影響はとりわけ問題である。このミラーの目的は、プラズマ源によってあらゆる方向に放出される放射を集光し、かつ、照明システム内の他のミラーに向けて導くことである。放射コレクタは、プラズマ源の直ぐ近くに、プラズマ源の視線内に配置されるため、高速粒子の大きな束をプラズマから受け取っている。システム内の他のミラーは、ある程度遮蔽することができるため、通常、プラズマから吐き出される粒子のスパッタリングによる損傷は、それほど重大なものではない。
【０００６】
近い将来、ＥＵＶ放射を生成するために、恐らく、スズまたは他の金属の蒸気が極端紫外（ＥＵＶ）源に使用されることになると思われる。このスズは、リソグラフィ装置内にリークし、リソグラフィ装置内のミラー、例えば放射コレクタ（コレクタとも呼ばれている）のミラーに付着する可能性がある。このような放射コレクタのミラーは、例えばルテニウム（Ｒｕ）のＥＵＶ反射頂部層を有することができる。約１０ｎｍを超えるスズ（Ｓｎ）が反射Ｒｕ層に付着すると、バルクＳｎと同様にＥＵＶ放射を反射することになる。数ｎｍのＳｎの層がＳｎベースのＥＵＶ源の近傍にごく短期間の間に付着すると見なされている。スズの反射係数はルテニウムの反射係数よりはるかに小さいため、コレクタの総合透過率が著しく減少することになる。汚染障壁を使用して、放射源からのデブリまたはこのデブリによって生成される二次粒子による放射コレクタへの付着を防止することができる。このような汚染障壁は、デブリの一部を除去することができるが、依然として若干のデブリが放射コレクタまたは他の光学エレメントに付着する。また、ミラーと同様、光学エレメントに炭素が付着することがあり、場合によっては同じく反射率などの光学特性を損なう原因になっている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
コレクタ（放射コレクタまたはコレクタミラーとも呼ばれている）を浄化するための浄化方法、およびこのような方法を実行するように設計された浄化構造が提供されることが望ましい。また、このような浄化構造を備えたリソグラフィ装置が提供されることが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一実施形態によれば、リソグラフィ装置モジュールのための浄化構造であって、ａ）水素ラジカル含有ガスをモジュールの少なくとも一部に提供するように構成された水素ラジカル源と、ｂ）モジュールの少なくとも一部を通して提供される水素ラジカル含有ガスの流速が少なくとも１ｍ／ｓになるよう、モジュールからガスをポンプ排気するように構成されたポンプとを備えた、浄化構造が提供される。本発明の他の実施形態によれば、リソグラフィ装置モジュールのためのもう１つの浄化構造であって、ａ）水素ラジカル含有ガスをモジュールの少なくとも一部に提供するように構成された水素ラジカル源と、ｂ）モジュールの少なくとも一部への水素ラジカル含有ガスの流れを調整するように構成されたガスシャッタと、ｃ）モジュールと連通している少なくとも１ｍ３のバッファ体積と、ｄ）バッファ体積に０．００１ｍｂａｒ（０．１Ｐａ）と１ｍｂａｒ（１００Ｐａ）の間のガス圧力を提供するように構成されたポンプとを備えた、浄化構造が提供される。
【０００９】
本発明の他の実施形態によれば、本発明による浄化構造を備えたリソグラフィ装置が提供される。
【００１０】
本発明の一実施形態によれば、リソグラフィ装置モジュールを浄化するための方法であって、ａ）水素ラジカル含有ガスの流れをモジュールの少なくとも一部を通して少なくとも１ｍ／ｓの流速で導入するステップと、ｂ）モジュール内にて１ｍｂａｒ（１００Ｐａ）と１０００ｍｂａｒ（１００，０００Ｐａ）の間のガス圧力を有するガス雰囲気を、所定時間の間、維持するステップとを含む、方法が提供される。本発明のさらに他の実施形態によれば、リソグラフィ装置モジュールを浄化するためのもう１つの方法であって、ａ）モジュールと連絡している少なくとも１ｍ３のバッファ体積を、０．００１ｍｂａｒ（０．１Ｐａ）と１ｍｂａｒ（１００Ｐａ）の間のガス圧力で加圧するステップと、ｂ）水素ラジカル含有ガスをモジュールの少なくとも一部に提供するステップと、ｃ）モジュール内にて０．００１ｍｂａｒ（０．１Ｐａ）と１０００ｍｂａｒ（１００，０００Ｐａ）の間のガス圧力を所定時間の間維持するステップとを含む、方法が提供される。
【００１１】
本発明のさらに他の実施形態によれば、リソグラフィ装置モジュールのための浄化構造であって、水素ガスを提供するように構成された水素ガス源と、水素ガスの少なくとも一部を水素ラジカル含有ガスに変換するように構成され、かつ、水素ラジカル含有ガスの少なくとも一部をモジュールの少なくとも一部に提供するように構成された水素ラジカル源と、水素ラジカル含有ガスの少なくとも一部をモジュールからポンプ排気するように構成されたポンプと、モジュールからポンプ排気されたガスの少なくとも一部をモジュールに戻す、例えば水素ラジカル源に戻すように構成されたガスリターンシステムとを備えた、浄化構造が提供される。
【００１２】
本発明の他の実施形態によれば、本発明による浄化構造を備えたリソグラフィ装置が提供される。特定の実施形態では、モジュールは、コレクタ（すなわちコレクタミラー）を備えている。
【００１３】
本発明による方法の他の実施形態は、上で明示したリソグラフィ装置モジュールを浄化するための方法を対象としており、水素ラジカル源は、水素ガスの少なくとも一部を水素ラジカル含有ガスに変換するように構成されており、また、水素ラジカル源は、水素ラジカル含有ガスの少なくとも一部をモジュールの少なくとも一部に提供するように構成されており、モジュールを通して導入されたガスの少なくとも一部がモジュールに戻される。
【００１４】
以下、本発明の実施形態について、単なる実施例にすぎないが、添付の略図を参照して説明する。図において、対応する参照記号は対応する部品を表している。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置１を略図で示したものである。装置１は、放射ビームＢ（例えばＵＶ放射またはＥＵＶ放射）を条件付けるように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬを備えている。支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴは、パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構成されており、特定のパラメータに従って該パターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに接続されている。基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴは、基板（例えばレジストコートウェーハウェーハ）Ｗを保持するように構成されており、特定のパラメータに従って該基板を正確に位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに接続されている。投影システム（例えば屈折型投影レンズシステム）ＰＳは、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付与されたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つまたは複数のダイが含まれている）に投影するように構成されている。
【００１６】
照明システムは、放射を導き、整形し、あるいは制御するための、屈折光学コンポーネント、反射光学コンポーネント、磁気光学コンポーネント、電磁光学コンポーネント、静電光学コンポーネントまたは他のタイプの光学コンポーネント、あるいはそれらの任意の組合せなどの様々なタイプの光学コンポーネントを備えることができる。
【００１７】
支持構造は、パターニングデバイスを支持しており、例えばパターニングデバイスの重量を支えている。支持構造は、パターニングデバイスの配向、リソグラフィ装置の設計および他の条件、例えばパターニングデバイスが真空環境中で保持されているか否か等に応じた方法でパターニングデバイスを保持している。支持構造には、パターニングデバイスを保持するための機械式クランプ技法、真空クランプ技法、静電クランプ技法または他のクランプ技法を使用することができる。支持構造は、例えば必要に応じて固定または移動させることができるフレームまたはテーブルであってもよい。支持構造は、パターニングデバイスを例えば投影システムに対して所望の位置に確実に配置することができる。本明細書における「レチクル」または「マスク」という用語の使用はすべて、より一般的な「パターニングデバイス」という用語の同義語と見なすことができる。
【００１８】
本明細書に使用されている「パターニングデバイス」という用語は、放射ビームの断面にパターンを付与し、それにより基板のターゲット部分にパターンを生成するべく使用することができる任意のデバイスを意味するものとして広義に解釈されたい。放射ビームに付与されるパターンは、例えばそのパターンに位相シフト特徴またはいわゆるアシスト特徴が含まれている場合、基板のターゲット部分における所望のパターンに必ずしも厳密に対応している必要はないことに留意されたい。放射ビームに付与されるパターンは、通常、ターゲット部分に生成されるデバイス、例えば集積回路などのデバイス中の特定の機能層に対応している。
【００１９】
パターニングデバイスは、透過型であってもあるいは反射型であってもよい。パターニングデバイスの実施例には、マスク、プログラマブルミラーアレイおよびプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクについてはリソグラフィにおいては良く知られており、バイナリ、Alternating位相シフトおよび減衰型位相シフトなどのマスクタイプ、ならびに様々なハイブリッドマスクタイプが知られている。プログラマブルミラーアレイの実施例には、マトリックスに配列された、入射する放射ビームが異なる方向に反射するよう個々に傾斜させることができる微小ミラーが使用されている。この傾斜したミラーによって、ミラーマトリックスで反射する放射ビームにパターンが付与される。
【００２０】
本明細書に使用されている「投影システム」という用語は、例えば使用する露光放射に適した、もしくは液浸液の使用または真空の使用などの他の要因に適した、屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁光学システムおよび静電光学システム、またはそれらの任意の組合せを始めとする任意のタイプの投影システムが包含されているものとして広義に解釈されたい。本明細書における「投影レンズ」という用語の使用はすべて、より一般的な「投影システム」という用語の同義語と見なすことができる。
【００２１】
図に示すように、この装置は、反射型（例えば反射型マスクを使用した）タイプの装置である。別法としては、この装置は、透過型（例えば透過型マスクを使用した）タイプの装置であってもよい。
【００２２】
リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および／または複数のマスクテーブル）を有するタイプの装置であってもよい。このような「マルチステージ」マシンの場合、追加テーブルを並列に使用することができ、あるいは１つまたは複数の他のテーブルを露光のために使用している間、１つまたは複数のテーブルに対して予備ステップを実行することができる。
【００２３】
また、リソグラフィ装置は、基板の少なくとも一部が比較的屈折率の大きい液体、例えば水で覆われ、それにより投影システムと基板の間の空間が充填されるタイプの装置であってもよい。また、リソグラフィ装置内の他の空間、例えばマスクと投影システムの間の空間に液浸液を適用することも可能である。液浸技法は、当分野では、投影システムの開口数を大きくすることで良く知られている。本明細書に使用されている「液浸」という用語は、基板などの構造を液体中に浸すことを意味しているのではなく、単に、露光の間、投影システムと基板の間に液体が置かれることを意味しているにすぎない。
【００２４】
図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射を受け取っている。放射源が例えばエキシマレーザである場合、放射源およびリソグラフィ装置は、個別の構成要素にすることができる。このような場合、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとは見なされず、放射は、例えば適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを備えたビームデリバリシステムを使用して放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ引き渡される。それ以外の例えば放射源が水銀灯などの場合、放射源はリソグラフィ装置の一部にすることができる。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤと共に放射システムと呼ぶことができる。
【００２５】
イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調整するように構成されたアジャスタを備えることができる。通常、イルミネータの瞳面内における強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（一般に、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれている）は調整が可能である。また、イルミネータＩＬは、インテグレータおよびコンデンサなどの他の様々なコンポーネントを備えることができる。イルミネータを使用して放射ビームを条件付け、所望する均一性および強度分布をその断面に持たせることができる。
【００２６】
支持構造（例えばマスクテーブルＭＴ）の上に保持されているパターニングデバイス（例えばマスクＭＡ）に放射ビームＢが入射し、パターニングデバイスによってパターン化される。マスクＭＡを透過した放射ビームＢは、放射ビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃに集束させる投影システムＰＳを通過する。基板テーブルＷＴは、第２のポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ２（例えば干渉計デバイス、リニアエンコーダまたは容量センサ）を使用して正確に移動させることができ、それにより例えば異なるターゲット部分Ｃを放射ビームＢの光路内に配置することができる。同様に、第１のポジショナＰＭおよびもう１つの位置センサＩＦ１（例えば干渉計デバイス、リニアエンコーダまたは容量センサ）を使用して、例えばマスクライブラリから機械的に検索した後、またはスキャン中に、マスクＭＡを放射ビームＢの光路に対して正確に配置することができる。通常、マスクテーブルＭＴの移動は、第１のポジショナＰＭの一部を形成しているロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を使用して実現することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２のポジショナＰＷの一部を形成しているロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使用して実現することができる。スキャナではなく、ステッパの場合、マスクテーブルＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに接続することができ、あるいは固定することも可能である。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２および基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して整列させることができる。図には専用ターゲット部分を占有している基板アライメントマークが示されているが、基板アライメントマークは、ターゲット部分とターゲット部分の間の空間に配置することも可能である（このような基板アライメントマークは、スクライブレーンアライメントマークとして知られている）。同様に、複数のダイがマスクＭＡ上に提供される場合、ダイとダイの間にマスクアライメントマークを配置することができる。
【００２７】
図に示す装置は、以下に示すモードのうちの少なくとも１つのモードで使用することができる。
１．ステップモード：マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴが基本的に静止状態に維持され、放射ビームに付与されたパターン全体がターゲット部分Ｃに１回で投影される（すなわち単一静止露光）。次に、基板テーブルＷＴがＸ方向および／またはＹ方向にシフトされ、異なるターゲット部分Ｃが露光される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静止露光で結像されるターゲット部分Ｃのサイズが制限される。
２．スキャンモード：放射ビームに付与されたパターンがターゲット部分Ｃに投影されている間、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴが同期スキャンされる（すなわち単一動的露光）。マスクテーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの倍率（縮小率）および画像反転特性によって決まる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分の幅（非スキャン方向の幅）が制限され、また、スキャン運動の長さによってターゲット部分の高さ（スキャン方向の高さ）が決まる。
３．その他のモード：プログラマブルパターニングデバイスを保持するべくマスクテーブルＭＴが基本的に静止状態に維持され、放射ビームに付与されたパターンがターゲット部分Ｃに投影されている間、基板テーブルＷＴが移動またはスキャンされる。このモードでは、通常、パルス放射源が使用され、スキャン中、基板テーブルＷＴが移動する毎に、あるいは連続する放射パルスと放射パルスの間に、必要に応じてプログラマブルパターニングデバイスが更新される。この動作モードは、上で参照したタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを利用しているマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【００２８】
上で説明した使用モードの組合せおよび／またはその変形形態、あるいはまったく異なる使用モードを使用することも可能である。
【００２９】
本発明による一実施形態では、放射ビームを条件付けるように構成された照明システム、パターン化された放射ビームを形成するべく放射ビームの断面にパターンを付与するように構成されたパターニングデバイスを支持するように構成された支持構造、基板を保持するように構成された基板テーブル、パターン化された放射ビームを基板のターゲット部分に投射するように構成された投影システム、および本発明による浄化構造を備えたリソグラフィ装置が提供される。
【００３０】
「ハロゲン含有ガス」または「水素含有ガス」という用語は、それぞれ少なくともハロゲンガスまたは水素ガスを含有したガスまたはガス混合物を意味している。「ハロゲン含有ガス」という用語の中の「ハロゲン」という用語は、原子（ラジカル）または化合物のいずれかとしてのＦ、Ｃｌ、ＢｒおよびＩ、例えばＦ２、Ｃｌ２、Ｂｒ２、Ｉ２、ＨＦ、ＨＣｌ、ＨＢｒ、ＨＩ、ハロゲン間化合物、例えばＣｌＦ３、から選択される１つまたは複数、あるいは約５０°と５００°の間の温度で気相にすることができるＦ、Ｃｌ、ＢｒおよびＩから選択される１つまたは複数を含有した他の化合物を意味している。一実施形態では、Ｆ２、Ｃｌ２、Ｂｒ２、Ｉ２のうちの１つまたは複数を使用することができ、とりわけＩ２を使用することができる。「水素」および「水素ラジカル」という用語には、それらの同位元素、詳細には重水素も含まれている。したがって「水素含有ガス」という用語は、Ｈ２または重水素あるいは重水素に類似した三重水素を含有したガスを意味している。一実施形態では、水素含有ガスには、Ｈ２、ＨＤ、Ｄ２、ＨＴ、ＤＴ、Ｔ２のグループから選択される１つまたは複数が含まれている。ハロゲン含有ガスまたは水素含有ガスは、さらに、Ａｒなどのバッファガスに類似した追加成分を含有することができる。「水素ラジカルの流れ」は、ガスの流れを意味しており、ガスには同じく水素ラジカルが存在している。すべての水素をラジカルに変換することは不可能であり、また、ラジカル再結合のため、通常、このようなガスにも水素分子（Ｈ２、ＨＤ、Ｄ２、ＨＴ、ＤＴ、Ｔ２のうちの１つまたは複数など）が含まれている。「水素ラジカル含有ガス」という用語は、水素ラジカルまたは重水素あるいは重水素に類似した三重水素を含有したガスを意味している。このようなガスは、さらに、水素ラジカルから解離していない、あるいは水素ラジカルから再結合したＨ２などの他の成分を含有することができる。
【００３１】
コンテキストが許容する場合、「レンズ」という用語は、屈折光学コンポーネント、反射光学コンポーネント、磁気光学コンポーネント、電磁光学コンポーネントおよび静電光学コンポーネントを始めとする様々なタイプの光学コンポーネントのうちの任意の１つまたは組合せを意味している。
【００３２】
本明細書に使用されている「放射」および「ビーム」という用語には、紫外（ＵＶ）放射（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍまたは１２６ｎｍの波長λを持つ）および極端紫外（ＥＵＶまたは軟Ｘ線）放射（例えば５〜２０ｎｍの範囲の波長、例えば１３．５ｎｍを持つ）、ならびにイオンビームまたは電子ビームなどの粒子線を含むあらゆるタイプの電磁放射が包含されている。通常、波長が約７８０ｎｍ〜３０００ｎｍ（またはそれ以上）の間の放射はＩＲ放射と見なされている。ＵＶは、波長が約１００〜４００ｎｍの放射を意味している。また、リソグラフィにおいては、ＵＶは、通常、水銀放電灯によって生成されるＧライン４３６ｎｍ、Ｈライン４０５ｎｍおよび／またはＩライン３６５ｎｍの波長にも適用されている。ＶＵＶは、真空ＵＶ（つまり空気によって吸収されるＵＶ）であり、約１００〜２００ｎｍの波長を意味している。ＤＵＶは深ＵＶであり、通常、エキシマレーザによって生成される、例えば１２６ｎｍ〜２４８ｎｍの波長のリソグラフィに使用されている。波長の範囲が例えば５〜２０ｎｍの放射は、少なくともその一部が５〜２０ｎｍの範囲内に存在している特定の波長帯域の放射に関連していることを理解されたい。
【００３３】
「浄化構造」および「浄化のための方法」という用語は、浄化プロセスに使用することができる構造および方法を意味している。以下で言及するように、水素ラジカルを提供することによってＳｎ酸化物などの酸化物を還元し、次のプロセスで、ハロゲン（例えばＩ２など）を使用してハロゲン化物を形成することによってＳｎなどの金属を除去することができる。したがって、このコンテキストにおける「浄化」は、望ましくない付着物の完全な除去または部分的な除去を暗に意味している場合もあるが、同時に、還元（付着物を実質的に除去しない）などの浄化プロセスの一部であることを暗に意味している場合もある。したがって、浄化という用語には、浄化プロセスの浄化過程におけるガスを使用した処理が含まれている。また、一実施形態では、それにもかかわらず水素ラジカルを使用して付着物を除去することができる。また、浄化プロセスを使用して、少なくとも部分的にＣ（炭素）付着物を除去することも可能である。
【００３４】
「連通している」という用語は、とりわけガスが連通していること、つまり、体積が連通しているため、ガスをある体積から別の体積へ移動させることができることを意味している。この用語は、体積と体積の間に存在している、体積と体積の間のガス連通を遮断するために使用することができるガスシャッタの存在を排他するものではない。
【００３５】
図２は、投影装置１をより詳細に示したもので、放射システム４２、照明光学系ユニット４４および投影システムＰＳを備えている。放射システム４２は、放電プラズマによって形成することができる放射源ＳＯを備えている。ＥＵＶ放射は、ガスまたは蒸気、例えばＸｅガス、Ｌｉ蒸気またはＳｎ蒸気によって生成することができる。これらのガスまたは蒸気中に極めて熱いプラズマが生成され、それにより電磁スペクトルのＥＵＶレンジの放射が放出される。この極めて熱いプラズマは、例えば電気放電によってプラズマを少なくとも部分的にイオン化させることによって生成される。効率良く放射を生成するためには、例えば１０ＰａのＸｅ、Ｌｉ、Ｓｎ蒸気または他の任意の適切なガスあるいは蒸気の分圧が必要である。放射源ＳＯによって放出される放射は、ソースチャンバ４７内の開口または開口の後段に配置されているガス障壁すなわち汚染トラップ４９を介してソースチャンバ４７からコレクタチャンバ４８へ引き渡される。ガス障壁４９は、チャネル構造を備えることができる。
【００３６】
コレクタチャンバ４８は、斜入射コレクタによって形成することができる放射コレクタ５０（コレクタミラーまたはコレクタとも呼ばれている）を備えている。放射コレクタ５０は、上流放射コレクタ５０ａおよび下流放射コレクタ５０ｂを有している。コレクタ５０によって引き渡された放射は、グレーティングスペクトルフィルタ５１で反射し、コレクタチャンバ４８のアパーチュアでの仮想ソースポイント５２に集束する。コレクタチャンバ４８から入射した放射５６のビームは、照明光学系ユニット４４内で法線入射レフレクタ５３、５４を介して、レチクルまたはマスクテーブルＭＴ上に配置されたレチクルまたはマスク上へ反射する。パターン化されたビーム５７が形成され、投影システムＰＳ内で反射エレメント５８、５９を介してウェーハステージすなわち基板テーブルＷＴ上に結像される。通常、照明光学系ユニット４４および投影システムＰＳには、図に示す数よりもっと多くのエレメントが存在している。グレーティングスペクトルフィルタ５１は、リソグラフィ装置のタイプに応じて任意選択で存在させることができる。また、図に示す数よりもっと多いミラーを存在させることも可能であり、例えば５８、５９以外に１つから４つの反射エレメントを存在させることができる。放射コレクタ５０は、従来技術で知られている。参照番号１８０は、２つのレフレクタの間、例えばレフレクタ１４２と１４３の間の空間を表している。
【００３７】
図２に示すすべての光学エレメント（およびこの実施形態の略図には示されていない光学エレメント）は、放射源ＳＯによって生成される汚染物質、例えばＳｎの付着による害を受け易い。放射コレクタ５０、および存在している場合、グレーティングスペクトルフィルタ５１がそうである。したがって、本発明による浄化デバイスを使用して、これらの光学エレメントのうちの１つまたは複数を浄化することができ、また、これらの光学エレメントだけでなく、法線入射レフレクタ５３、５４および反射エレメント５８、５９または他の光学エレメント、例えば追加ミラー、グレーティング等にも本発明による浄化方法を適用することができる。
【００３８】
放射コレクタ５０は、斜入射コレクタであってもよい。コレクタ５０は、光軸Ｏに沿って整列している。放射源ＳＯまたはその画像は、光軸Ｏの上に位置している。放射コレクタ５０は、レフレクタ１４２、１４３、１４６（複数のウォルタ型レフレクタを備えたウォルタ型レフレクタとしても知られている）を備えることができる。これらは、シェル(shell)と呼ばれることもある。これらのレフレクタ１４２、１４３、１４６は、入れ子にすることができ、また、光軸Ｏの周りに回転対称にすることができる。図２では（他の図でも同様であるが）、内部レフレクタは参照番号１４２で示されており、中間レフレクタは参照番号１４３で示されている。また、外部レフレクタは参照番号１４６で示されている。放射コレクタ５０は、特定の体積、つまり１つまたは複数の外部レフレクタ１４６内の体積を取り囲んでいる。通常、１つまたは複数の外部レフレクタ１４６内のこの体積は、小さい開口を設けることは可能であるが、その周囲は閉じられている。レフレクタ１４２、１４３および１４６はすべて、少なくともその一部が１つの反射層または多数の反射層を備えた表面を備えている。したがって、レフレクタ１４２、１４３および１４６（もっと多くのレフレクタを存在させることができ、また、本明細書にはもっと多くのレフレクタが包含されている）の少なくとも一部は、放射源ＳＯからのＥＵＶ放射を反射し、かつ、集光するように設計されており、また、レフレクタの少なくとも一部は、ＥＵＶ放射を反射し、かつ、集光しないように設計することができる。例えば、レフレクタの背面の少なくとも一部は、ＥＵＶ放射を反射し、かつ、集光しないように設計することができる。後者の部分は、背面と呼ぶことも可能である。これらの反射層の表面には、保護のために、あるいは反射層の表面の少なくとも一部に提供された光学フィルタとしてキャップ層を追加することができる。
【００３９】
放射コレクタ５０は、放射源ＳＯまたは放射源ＳＯの画像の近くに配置することができる。レフレクタ１４２、１４３、１４６は、それぞれ、放射源から離れた位置に、光軸Ｏに対する角度が放射源ＳＯにより近い反射表面より小さい角度で配置された、隣接する少なくとも２つの反射表面を備えることができる。この方法によれば、光軸Ｏに沿って伝搬する（Ｅ）ＵＶ放射のビームを生成するように、斜入射コレクタ５０を構成することができる。少なくとも２つのレフレクタを実質的に同軸上に配置し、光軸Ｏの周りに実質的に回転対称で展開させることができる。放射コレクタ５０は、外部レフレクタ１４６の外部表面または外部レフレクタ１４６の周りに、他の機能、例えば保護ホルダ、ヒータなどを有することができることを理解されたい。
【００４０】
使用中、１つまたは複数の外部レフレクタ１４６および１つまたは複数の内部レフレクタ１４２／１４３のうちの１つまたは複数に付着物が見出されることがあり、Ｓｎ放射源ＳＯを使用する場合、とりわけＳｎが付着することがある。例えばＳｎ放射源によるＳｎの付着は、その厚さが数単分子膜の厚さになると、放射コレクタ５０または他の光学エレメントの反射に悪影響を及ぼすことになり、このような光学エレメントの浄化が余儀なくされることになる。本明細書における有害な影響とは、放射を反射（および／または集光）するように設計されたレフレクタまたはミラーのこれらの反射表面の反射率の減少および損失を意味している。また、炭素の付着が見出されることもある。
【００４１】
付着物、とりわけＳｎを含有した付着物は、一実施形態では、ハロゲン（ガスとしてのハロゲン）、例えばＦ２、Ｃｌ２、Ｂｒ２およびＩ２によって除去することができ、また、他の実施形態では、水素ラジカルによって除去することができ、さらに他の実施形態では、同時に適用される場合であれ、あるいは逐次適用される場合であれ、水素ラジカルと１つまたは複数のハロゲンの組合せによって除去することができる。例えば微小量の酸素の存在によるＳｎを含有した付着物が存在している場合、通常、ある程度のＳｎ酸化物も存在している可能性がある。Ｓｎ酸化物を除去するためには、一実施形態では、ハロゲンガスを使用したハロゲン化物の形成による単体Ｓｎの除去に先立って、場合によっては還元ステップおよびそれに続く水素ラジカルを使用した水素化物の形成による還元酸化物の除去が必要である。したがって、還元のためであれ、あるいは除去のためであれ、コレクタ５０の表面の少なくとも一部、または他の光学エレメントの浄化すべき表面の少なくとも一部に水素ラジカルを提供しなければならない。このような表面は、例えばＳｎなどの付着物で汚染されたレフレクタ１４２、１４３および１４６のＥＵＶ反射表面である。また、水素ラジカルを使用して、揮発性炭化水素を形成することによって炭素付着物を除去することも可能である。
【００４２】
図１および２を参照すると、異なるモジュールは、場合によっては、例えばＳｎおよび／またはＣ付着物を少なくとも部分的に浄化しなければならない。一実施形態では、参照番号２０１で示すモジュールは、コレクタ５０、放射システム４２（ソースコレクタモジュールとしても知られている）、照明システムＩＬおよび投影システムＰＳ（投影光学ボックスＰＯＢとしても知られている）のグループから選択される。一実施形態では、グレーティングスペクトルフィルタ５１も、場合によっては浄化すべきモジュールである。さらに他の実施形態では、マスク、詳細には反射型多層マスクも、場合によっては浄化すべきモジュールである。
【００４３】
リソグラフィ装置モジュール２０１の浄化および構造２５０の浄化について、コレクタ５０のみを参照して説明する。コレクタ５０は、上で説明したように少なくとも複数のレフレクタを備えている。しかしながら、図３ａ〜３ｄに示す浄化構造２５０を使用して他のモジュール２０１を浄化することも可能であり、例えば放射システム４２全体の少なくとも一部、照明システムＩＬの少なくとも一部および投影システムＰＳの少なくとも一部を浄化することができる。一実施形態では、グレーティングスペクトルフィルタ５１またはマスク、詳細には反射型多層マスクも、場合によっては浄化すべきモジュールである。したがって「モジュールを通して」という用語は、浄化すべきモジュールまたは浄化すべきデバイスを備えたモジュールのいずれかを意味している。例えば、光学エレメント５０（コレクタ）、５１（グレーティングスペクトルフィルタ）、５３および５４は、水素ラジカル含有ガスの流れを、このような光学エレメントを備えたモジュール（それぞれ放射システム４２および照明システムＩＬ）の少なくとも一部を通してこのような光学エレメントに導入することによって、浄化することができる。
【００４４】
例えばコレクタ５０を浄化する場合、例えば端部５０ａおよび５０ｂに扉（図示せず）を提供し、かつ、扉およびコレクタ５０によって画定される体積に浄化ガスを提供し、該体積からガスを除去することによってコレクタを個別のモジュール（図示せず）内に収納することができ、あるいはコレクタ５０をリアクタ容器内に収納することによってコレクタを個別のモジュール（図示せず）内に収納することができる。このような浄化は、リソグラフィ装置のインサイチュ(in situ)またはエクスサイチュ(ex situ)で実行することができる。
【００４５】
また、コレクタ５０は、コレクタ５０の両面５０ａおよび５０ｂのうちのいずれか一方の少なくとも一部、つまり放射システム４２（つまりソースコレクタモジュール４２）に浄化ガスを提供することによって浄化することができる。図３ａ〜３ｄの実施形態は、放射システム４２内に包含されているコレクタ５０を浄化構造２５０を使用して浄化することができることを示したものである。
【００４６】
リソグラフィ装置モジュールコレクタ５０のための浄化構造２５０は、モジュールの少なくとも一部、ここではコレクタ５０の少なくとも一部に水素ラジカル含有ガスを提供するように構成された浄化デバイス９５、および水素ラジカル含有ガスがモジュールの少なくとも一部を通して少なくとも１ｍ／ｓの流速で提供されるよう、コレクタ５０を介してガスを送込みまたは排気するように構成された少なくともポンプ３００または４００を備えている。ポンプ３００または４００は、それぞれ多数のポンプ（つまり一連のポンプ）を備えることができる。浄化構造２５０は、ポンプ３００および４００のうちの少なくともいずれか一方を備えているが、複数のポンプを備えることも可能であり、例えば浄化構造２５０は、ポンプ３００および４００を備えることができる。参照記号９６は、コレクタ５０を介したガスの流れを示したものである。理解されるように、ガスが流れる方向は、別様に選択することも可能である。例えば、浄化デバイス９５の出口１０６は、水素ラジカル含有ガスがコレクタ５０の面５０ｂに提供されるように構成することができる。その場合、ポンプ３００および／または４００は、コレクタ５０を介したガスの流れが、図３ａ〜３ｄに示す方向とは逆の方向になるように構成することができる。排気２０６（または複数の出口）は、１つまたは複数の開口１０６の位置に応じて適切な位置に構成することができる。
【００４７】
一実施形態では、浄化構造２５０は、さらに、モジュールの少なくとも一部への水素ラジカル含有ガスの流れ１９６を調整する（完全な遮断を含むことができる）ように構成されたガスシャッタ３３０を備えている。シャッタ３３０を開閉することによって水素ラジカル含有ガスの流れ１９６を制御することができ、例えば、以下で示すように、階段状または循環圧力レジームを提供することができる。ガスシャッタ３３０は、フロー管１０４の開口１０６に提供することも、フロー管１０４内に構成することも可能である。また、ガスシャッタ３３０は、水素ラジカル源１０３の上流に構成することも可能である（図３ａ〜３ｄに示すように）。ここでは、水素ラジカル含有ガスの流れ１９６は、水素ラジカル含有ガスとして出口１０６で排気される、流れ１００に基づき、かつ、水素ラジカルジェネレータ１０３内で処理されるガスの流れを意味している。これは、ガスシャッタ３３０が水素ラジカル含有ガスの生成を調整することができ、したがって、ポンプ３００および／または４００と相俟って、モジュール、つまりこの実施形態ではコレクタ５０を介したガスの流れ９６を調整することができることを意味している。
【００４８】
浄化構造２５０は、水素ラジカル源１０３を備えた浄化デバイス９５を備えている。水素ラジカル源１０３は、Ｈ２含有ガス１００、例えばＨ２の流れのための入口１０１を備えている。Ｈ２含有ガス１００のための適切なガス源（図３ｄに参照番号７００で示されている）を提供することができる。水素ラジカル源１０３は、さらに、Ｈ２ガスの少なくとも一部を水素ラジカルに変換するように設計された１つまたは複数のユニット１１０を備えている。一実施形態では、水素ラジカル源１０３は、１つまたは複数の振動電界電極、マグネトロンＲＦジェネレータ、および１つまたは複数の熱フィラメントのグループから選択される１つまたは複数の水素ラジカル生成源１１０を備えている。一実施形態では、熱フィラメント１１０は、材料の種類および所望の温度に応じて、また、Ｈ２含有ガス１００中のすべてのＨ２分子の少なくとも一部のＨ２の化学結合を解離させるために必要な温度に応じて、例えば１５００〜３０００Ｋ、さらにはそれ以上の温度に加熱することができる、例えばＷ（タングステン）またはＴａ（タンタル）の線またはコイルであってもよい（他の適切な金属を使用することも可能である）。例えば、１つまたは複数の電極１１０を使用して、水素ラジカルが生成されるようにプラズマを生成することができる。２つの電極間に高い電圧、例えば約５〜１０ｋＶの電圧を印加することによってプラズマを生成することができる。場合によっては、水素ラジカル源１０３にＨ２含有ガス（の流れ）を提供するように構成されたポンプ、Ｈ２含有ガスリザーバなども存在していることを理解されたい（図には示されていないが）。１つまたは複数の水素ラジカル形成ユニット１１０が存在することにより、流れ１００の中に存在しているＨ２の少なくとも一部がＨ−ラジカルに変換され、それにより水素ラジカル含有ガスが提供される。この水素ラジカル含有ガスの少なくとも一部が水素ラジカル源１０３を離れてフロー管１０４に流入する。入口１０１に流入することにより、水素ラジカル含有ガスに開口１０６へ向かう駆動力が生成される。この開口は、装置、例えばリソグラフィ装置１内の所定の位置に配置することができる。したがって水素ラジカルは、この所定の位置で、光学エレメントの表面の少なくとも一部の浄化プロセスに寄与することができる。
【００４９】
代替実施形態では、水素ラジカル源１０３は、少なくとも部分的に浄化すべきモジュール内に構成することができる。例えばコレクタ５０は、浄化デバイス９５内の水素ラジカル源１０３の代わりに、あるいは水素ラジカル源１０３以外に、１つまたは複数の水素ラジカル源１０３を備えることができる。次に、モジュールを介したフロー管１０４からの水素ガスの流れが、コレクタ（または他のモジュールに適用される場合は他のモジュール）内で水素含有ガスの流れ９６に変換される。
【００５０】
コレクタ５０を介したガスの流れ９６は、図３ａ〜３ｄに略図で示すように、例えば流れ９６が２つのレフレクタの間、例えばレフレクタ１４３と１４２の間などにのみ提供されるようにすることができ、あるいは中央のレフレクタ１４２を通してのみ提供されるようにすることができる。しかしながら、浄化デバイス９５は、外部レフレクタ１４６によって密閉されている（実質的に）すべての体積を水素ラジカル含有ガスで満たすことができるよう、複数の出口１０６もしくは１つまたは複数の大型出口１０６を備えることができる。
【００５１】
ガスの流れ９６は、一実施形態では、少なくとも１ｍ／ｓの水素ラジカル含有ガスの流れ９６を提供するように構成された、図３ａに略図で示すように水素ラジカル源１０３の上流に構成された（送風構造の）ポンプ３００を備えた浄化構造２５０を提供することによって達成することができる。代替実施形態では、浄化構造２５０は、少なくとも１ｍ／ｓの水素ラジカル含有ガスの流れ９６を提供するように構成された、図３ｂに示すようにモジュール（ここではコレクタ５０）の下流に構成された（排気構造の）ポンプ４００を備えている。この実施形態では、ポンプ３００は無くてもよく、あるいは排気ポンプ４００によってコレクタ５０を通して流れる流れ９６になる水素含有ガスの流れ１００を提供する小型のポンプにすることができる。さらに他の代替実施形態では、浄化構造２５０は、送風機ポンプ３００および排気ポンプ４００の２つのポンプ（つまり２つの直列ポンプ）を備えることができる。この方法によれば、本発明に従って流れ９６を提供することができる。
【００５２】
さらに他の実施形態では、コレクタ５０の両面から浄化が実行される。例えば、開口１０６は、水素ラジカルの流れ９６が開口５０ａから５０ｂへ提供されるように構成され、続いて、開口１０６は、水素ラジカルの流れ９６が開口５０ｂから５０ａへ提供されるように構成される。そのために、所望の流れ９６を得るべく多数の出口１０６および／または排気４２０を適切な位置に存在させることができる。少なくとも１ｍ／ｓの流速を使用することにより、浄化すべきレフレクタ表面（つまりモジュール表面）の実質的な部分を水素ラジカルによって浄化することができる。それに対して、流速が遅い場合、浄化すべきレフレクタ表面全体に到達するために水素ラジカルが移動しなければならない時間が長くなりすぎ、再結合が生じることがある。これは、場合によっては、三体再結合（Ｈ＋Ｈ＋Ｈ２→２Ｈ２）または表面（レフレクタあるいはレフレクタの背面のような表面）における再結合（Ｈ＋Ｓｗ（表面壁）→Ｈ−Ｓｗ；Ｈ＋Ｈ−Ｓｗ→Ｈ２＋Ｓｗ）である。
【００５３】
他の実施形態では、モジュール（ここではコレクタ５０）を介した流れ９６の流速が少なくとも５ｍ／ｓである方法が提供され、さらに他の実施形態では、少なくとも１０ｍ／ｓである方法が提供される。ガスの流速は、約１ｍ／ｓと１００ｍ／ｓの間にすることができ、他の実施形態では、約５ｍ／ｓと１００ｍ／ｓの間にすることができる。さらに他の実施形態では、約１０ｍ／ｓと１００ｍ／ｓの間にすることができる。
【００５４】
この方法によれば、水素ラジカル含有ガスの流れ９６をモジュールの少なくとも一部を通して少なくとも１ｍ／ｓの流速で導入し、かつ、モジュール内に１ｍｂａｒ（１００Ｐａ）と１０００ｍｂａｒ（１００，０００Ｐａ）の間のガス圧力を有するガス雰囲気を維持することによって、リソグラフィ装置モジュール、例えばコレクタ５０を浄化するための方法が提供され、さらに、特定の実施形態では、水素ラジカル分圧が、所定の時間の間、全圧の０．００１％と１０％の間である。他の特定の実施形態では、ガス圧力は、５ｍｂａｒと５００ｍｂａｒの間である。本明細書における「ガス圧力」または「モジュール内のガス圧力」は、モジュール内のガスの全ガス圧力を意味しており、一方、水素ラジカル分圧は、ガス中の水素ラジカルの分圧を意味しているにすぎない。浄化構造２５０は、リソグラフィ装置モジュールを浄化するためのこのような方法を提供するように構成することができる。
【００５５】
さらに他の実施形態では、水素ラジカル分圧は、１．１０−５ｍｂａｒ（０．００１Ｐａ）と１０ｍｂａｒ（１０００Ｐａ）の間であり、変形形態では、１．１０−４ｍｂａｒ（０．０１Ｐａ）と１ｍｂａｒ（１００Ｐａ）の間である。他の変形形態では、水素ラジカル分圧は、１．１０−３ｍｂａｒ（０．１Ｐａ）と０．１ｍｂａｒ（１０Ｐａ）の間である。
【００５６】
他の実施形態では、モジュール内に含まれているガスが少なくとも１ｍ３のバッファ体積４１０へポンプ排気される。モジュール内に含まれているガスは、排気２０６および入口４１１を通してバッファ体積４１０へ流れることができる（図３ｃおよび３ｄ）。リソグラフィの間、次の浄化のためにバッファ体積４１０を排気することができる。一実施形態ではシャッタ４２０を閉じることができ、ポンプ４００を使用してバッファ体積４１０を排気することができる。バッファ体積４１０は、浄化プロセスが開始されると、浄化デバイス９５によって水素ラジカルガスを提供する際に水素ラジカルの流れ９６を生成することができるよう（また、上で説明したように流れ９６を調整することができるよう）、低圧に維持することができ、水素ラジカルの流れは、浄化デバイス９５から出口１０６を経て、モジュール（ここではコレクタ５０）を通してバッファ体積４１０へ流れる。水素ラジカルガスの流入およびバッファ体積の圧力は、所望の流れが得られるように選択することができる。特定の実施形態では、バッファ体積４１０は、少なくとも１０ｍ３の体積を有している。他の実施形態では、バッファ体積４１０の初期圧力（つまり本発明による浄化方法を実行する前の圧力）は、約０．００１ｍｂａｒと１ｍｂａｒの間にすることができる。一変形形態では、バッファ体積４１０の初期圧力は、約０．００１ｍｂａｒと０．１ｍｂａｒの間である。
【００５７】
上で説明した実施形態を参照すると、図４および５に概略的に示すように、異なる浄化スキームを使用することができる。図４は、モジュール（例えばコレクタ５０、放射システム４２、照明システムＩＬまたは投影システムＰＳ）内の圧力（つまり全圧）を時間（任意の単位）の関数として示したものである。サイクルｋで反復する不連続レジームを選択することができる。参照ｇで示すように、モジュール内の圧力上昇が一定の連続レジームを選択することができる。また、例えば増加ステップがｈで、時間期間がｊの階段状に圧力が上昇し、モジュール内の圧力が一定である組合せを選択することも可能である。
【００５８】
他の実施形態では、モジュール内、とりわけコレクタ５０内の圧力が、１ｍｂａｒと１０００ｍｂａｒの間の圧力範囲から選択される、より低い圧力とより高い圧力の間で周期的に変化する方法が提供される。他の変形形態では、モジュール内の圧力が、５ｍｂａｒと５００ｍｂａｒの間の圧力範囲から選択される、より低い圧力とより高い圧力の間で周期的に変化する。
【００５９】
図５は、一例を示したものである。水素ラジカル含有ガスの流れ９６は、複数のサイクルでモジュールの少なくとも一部に提供される。個々のサイクルには、モジュール内の第１の圧力（ｃ）が１０００ｍｂａｒ以下になるまでの圧力蓄積（ｂ）、およびモジュール内の圧力（ｅ）が１ｍｂａｒ以上になるまで水素ラジカル含有ガスの流れ９６が停止する、モジュール内の圧力減少（ｄ）が含まれている。この方法によれば、モジュール内の有効浄化圧力を約１ｍｂａｒと１０００ｍｂａｒの間で維持しつつ、上昇すなわち圧力蓄積（ｂ）の少なくとも一部、および圧力減少（ｄ）の少なくとも一部の間、少なくとも１ｍ／ｓの有効流速（ガスの流れ９６）を少なくとも提供することができる。サイクルを反復することにより、反復毎に一定の時間フレームが提供され、その間に少なくとも１ｍ／ｓの速度に到達することができる。
【００６０】
総浄化時間、つまり所定の時間は、１０秒と１２０分の間にすることができる。
【００６１】
図５に示す挙動は、一実施形態では、浄化デバイス９５、バッファ体積４１０およびポンプ４００を備えた浄化構造２５０を提供することによって達成することができる。浄化プロセスを開始する前に、バッファ体積が約１ｍｂａｒ未満の圧力、より詳細には約０．１ｍｂａｒ未満の圧力まで排気される。シャッタ３３０が開くと、浄化デバイス９５によって水素ラジカル含有ガスが提供される。モジュール内の圧力が急上昇（ｂ）している間、大きなサクションによって所望の流れが得られる。約１０００ｍｂａｒの特定の圧力（ｃ）では、三体再結合が強くなりすぎて水素ラジカルの損失を招くことがあるため、圧力を低くしなければならない。シャッタ３３０を使用して浄化デバイス９５から流入するガスを実質的に少なくするか、あるいは遮断することができ（上で説明したように、開口１０６を閉じるか、あるいは浄化デバイス９５への水素ガス１００の供給を停止する等も可能である）、また、ポンプ４００によってモジュールからガスがポンプ除去され、それによりモジュール内のガス圧力が減少する（ｄ）。モジュールを排気するためにはポンプ４００を使用することができ、別法としては、入口５０１と出口２０６が連通し、かつ、出口５０６とバッファ体積４１０の入口４１１が連通した状態でポンプ５００を使用することができる。しかしながら、別法またはポンプ４００および／または５００の追加として、個別のポンプを使用することも可能である。
【００６２】
上で説明した浄化レジーム、詳細には図５に示す浄化レジームは、複数のレフレクタを備えた浄化コレクタ５０に適用することができる（例えば図２に示すような、「ウォルタ型コレクタ」としても知られているコレクタ５０）。一実施形態では、浄化レジームは、１ｍｂａｒと１０００ｍｂａｒの間で有効である。したがって、モジュール内のより低い圧力（ｅ）、例えば約１バールと１００バールの間に到達すると、シャッタ３３０を開くことによって再び水素含有ガスの流入を開始することができ、その間に少なくとも部分的に排気されたバッファ体積４１０に新しい流れ９６をコレクタ５０を通して導入することができる。この手順は、Ｓｎおよび／またはＣが十分に除去され、モジュール内の圧力を再び減少させて（ｆ）、リソグラフィ処理を継続することができるようになるまで複数回のサイクルにわたって反復することができる（例えば図５に示すように９サイクルにわたって反復することができ、個々のサイクルは、圧力上昇（ｂ）および圧力減少（ｄ）を有している）。
【００６３】
一実施形態では、ポンプ４００（および任意選択のポンプ５００）は、１つまたは複数のサイクルにおける圧力上昇（ｂ）時に水素ラジカル含有ガスが提供されている間、過負荷でポンピングしている。（ｃ）で水素含有ガスの供給が停止するか、あるいは水素含有ガスの供給が実質的に減少すると（少なくとも部分的にシャッタ３３０を閉じることによって）、排気２０６におけるポンピングによって圧力が減少し（ｄ）、ポンプ４００を回復することができる。
【００６４】
他の実施形態では、モジュールの下流に構成された少なくとも１ｍ３、より詳細には少なくとも１０ｍ３のバッファ体積４１０をさらに備えた浄化構造２５０が提供される。浄化構造２５０は、少なくとも１ｍ／ｓの水素ラジカル含有ガスの流れを提供する（モジュールを通して）ように構成された、バッファ体積４００の下流に構成されたポンプ４００を備えている（図３ｃに示すように）。
【００６５】
浄化プロセスの間に、あるいは浄化プロセスの一部として、一実施形態では、本発明による方法に、さらに、ハロゲンガスをモジュールに提供するステップが含まれている。この方法によれば、揮発性ハロゲン化物、例えばＳｎハロゲン化物として還元酸化物を除去することができる。
【００６６】
本発明のさらに他の実施形態によれば、多数の実施形態に関連して上で説明した浄化構造を備えたリソグラフィ装置が提供される。
【００６７】
図３ｃおよび３ｄを参照すると、一変形形態では、リソグラフィ装置モジュール（モジュールは、コレクタ５０、放射システム４２、照明システムＩＬおよび投影システムＰＳのグループから選択される）のための浄化構造２５０が提供される。浄化構造２５０は、モジュールの少なくとも一部に水素ラジカル含有ガスを提供するように構成された水素ラジカル源１０３、モジュールと連通している少なくとも１ｍ３のバッファ体積４１０、およびバッファ体積に０．００１ｍｂａｒ（０．１Ｐａ）と１ｍｂａｒ（１００Ｐａ）の間のガス圧力を提供するように構成されたポンプ４００を備えている。一実施形態では、ポンプ４００は、０．１ｍｂａｒ（１０Ｐａ）未満のガス圧力をバッファ体積４１０に提供するように構成されており、さらに他の実施形態では、バッファ体積４１０は、少なくとも１０ｍ３の体積を有している。特定の実施形態では、本発明による浄化構造２５０を備えたリソグラフィ装置１が提供される。
【００６８】
一実施形態では、モジュールとバッファ体積４１０の間にガスシャッタ４２０が提供されている。ここでも、この実施形態について、コレクタ５０をリソグラフィ装置モジュールとして参照して説明する。モジュールとしてのコレクタ５０は、より大きい放射システム４２の中に包含されているため、例えばバッファ体積４１０は、放射システム４２内に開口４２０が存在していることによってコレクタ５０と連通している。
【００６９】
リソグラフィ装置モジュールの浄化および浄化構造２５０について、コレクタ５０のみを参照して説明する。しかしながら、図３ｃ〜３ｄに示す浄化構造２５０を使用して、放射システム４２全体の少なくとも一部、照明システムＩＬの少なくとも一部および投影システムＰＳの少なくとも一部を浄化することも可能である。
【００７０】
比較的低い圧力、例えば約１０ｍｂａｒ（１０００Ｐａ）未満では、ポンプの負荷が著しく大きくなることがある。一実施形態では、圧力レジームの全範囲の使用を可能にするために、浄化のために利用することができるバッファ体積４１０が常に排気される。浄化は、恒久的なプロセスではなく、反射率の損失に到達する毎に適用される。浄化を実行しなければならない場合、ポンプの容量には無関係に、ガスの流れ９６でバッファ体積４１０を満たすことができる（例えばポンプ４００を使用して）。同様に、圧力上昇も連続的に適用することができる（同じく以下を参照されたい）。浄化が終了すると、リソグラフィ装置１が正規に動作している間、例えば反射率の損失が再び大きくなった場合の次の浄化プロセスに備えてバッファ体積４１０を排気することができる。例えば露光の間、シャッタ４２０を閉じてバッファ体積４１０を排気し、所望の圧力を得ることができる。
【００７１】
一実施形態によれば、リソグラフィ装置モジュール（ここではコレクタ５０）を浄化するための方法が提供される。この方法には、コレクタ５０と連通している少なくとも１ｍ３のバッファ体積４１０を０．００１ｍｂａｒ（０．１Ｐａ）と１ｍｂａｒ（１００Ｐａ）の間のガス圧力で加圧すること（これは、図３ａ〜３ｄに略図で示す、放射システム４２と連通している実施形態におけるステップを暗に意味していることに留意されたい）、コレクタ５０の少なくとも一部に水素ラジカル含有ガスを提供すること（例えばシャッタ３３０を開くことによって）、およびコレクタ５０内（コレクタ５０は放射システム４２の中に包含されているため、ここでは放射システム４２の少なくとも一部）にて０．００１ｍｂａｒ（０．１Ｐａ）と１０００ｍｂａｒ（１００，０００Ｐａ）の間のガス圧力を所定の時間の間維持すること、が含まれている。任意選択で、ガスシャッタ４２０を存在させることも可能である。浄化構造２５０は、リソグラフィ装置モジュールを浄化するためのこのような方法を提供するように構成することができる。
【００７２】
他の実施形態によれば、リソグラフィ装置モジュール（ここではコレクタ５０）を浄化するための方法が提供される。この方法には、コレクタ５０と連通している、コレクタ５０とバッファ体積４１０の間のガスシャッタ４２０によって分離されている少なくとも１ｍ３のバッファ体積４１０を０．００１ｍｂａｒ（０．１Ｐａ）と１ｍｂａｒ（１００Ｐａ）の間のガス圧力で加圧すること、コレクタ５０の少なくとも一部に水素ラジカル含有ガスを提供すること、コレクタ５０とバッファ体積４１０の間のシャッタ４２０を開くこと、およびコレクタ５０内にて０．００１ｍｂａｒ（０．１Ｐａ）と１０００ｍｂａｒ（１００，０００Ｐａ）の間のガス圧力を所定時間の間維持すること、が含まれている。浄化構造２５０は、リソグラフィ装置モジュールを浄化するためのこのような方法を提供するように構成することができる。
【００７３】
一実施形態では、モジュール２０１内（つまり、これらの実施形態ではコレクタ５０内）の水素ラジカル分圧は、所定の時間の間、全圧の０．００１％と１０％の間に維持される。
【００７４】
他の実施形態では、コレクタ５０内（つまり放射システム４２の少なくとも一部）のガス圧力（つまり全圧）は、所定の時間の間、０．００１ｍｂａｒ（０．１Ｐａ）と１００ｍｂａｒ（１００００Ｐａ）の間に維持される。さらに他の特定の変形形態では、コレクタ５０内のガス圧力は、所定の時間の間、０．０１ｍｂａｒ（１Ｐａ）と１０ｍｂａｒ（１０００Ｐａ）の間に維持される。このような変形形態は、とりわけ、放射システム４２、照明システムＩＬおよび投影システムＰＳのようないわゆる開放型システムを浄化する場合にも適用することができる。
【００７５】
図４〜６は、可能な浄化レジームの例を示したもので、圧力は、時間（任意の単位）の関数として、参照（ｈ）および（ｊ）で示すように階段状または連続的（ｇ）に示されている。図４および６は、略図を示したものにすぎず、概略的に示されている曲線は、後続する（と思われる）１つまたは複数の圧力レジームを示していることに留意されたい。曲線およびステップは、実際にはもっと滑らかであり、突発的な圧力変化（ｈ／ｊ）はもっと小さい。
【００７６】
したがって、本発明の一実施形態によれば、コレクタ５０内の圧力が、０．００１ｍｂａｒ（０．１Ｐａ）と１００ｍｂａｒ（１００００Ｐａ）の間の圧力範囲から選択される、より低い圧力とより高い圧力の間、より詳細には、例えば図６に示すように０．０１ｍｂａｒ（１Ｐａ）と１０ｍｂａｒ（１０００Ｐａ）の間の圧力範囲から選択される、より低い圧力とより高い圧力の間で階段状（ｈ、ｊ）に増加する方法が提供される。特定の実施形態では、コレクタ５０内の圧力が、例えば図４に示すように、０．００１ｍｂａｒ（０．１Ｐａ）と１００ｍｂａｒ（１００００Ｐａ）の間の圧力範囲から選択される、より低い圧力とより高い圧力の間、より詳細には０．０１ｍｂａｒ（１Ｐａ）と１０ｍｂａｒ（１０００Ｐａ）の間の圧力範囲から選択される、より低い圧力とより高い圧力の間で、複数のサイクル（ｋ）で周期的に変化する方法が提供される。さらに他の実施形態では、コレクタ５０内の圧力が、例えば図４および６に示すように、０．００１ｍｂａｒ（０．１Ｐａ）と１００ｍｂａｒ（１００００Ｐａ）の間の圧力範囲から選択される、より低い圧力とより高い圧力の間、より詳細には０．０１ｍｂａｒ（１Ｐａ）と１０ｍｂａｒ（１０００Ｐａ）の間の圧力範囲から選択される、より低い圧力とより高い圧力の間で連続的（ｇ）に上昇する方法が提供される。本発明による浄化方法の間、複数のサイクルにわたって連続的な上昇（ｇ）を実行することができる。
【００７７】
圧力が約０．１ｍｂａｒ（１Ｐａ）より高くなると、詳細には１ｍｂａｒ（１０Ｐａ）に到達すると、一実施形態では、浄化構造２５０は、コレクタ５０を介した水素ラジカル含有ガスのガス流速が、コレクタ５０の少なくとも一部が少なくとも１ｍ／ｓになるように構成される。
【００７８】
一実施形態では、水素ラジカル含有ガスの流れが複数のサイクルでコレクタ５０の少なくとも一部に提供される方法が提供される。個々のサイクルには、図４および５に示すように、コレクタ５０内の第１の圧力（ｃ）が１００ｍｂａｒ（１００００Ｐａ）以下になるまでの圧力蓄積（ｂ）、およびコレクタ５０内の圧力（ｅ）が０．００１ｍｂａｒ（０．１Ｐａ）以上になるまで、より詳細には０．０１ｍｂａｒ（１Ｐａ）および１０ｍｂａｒ（１０００Ｐａ）に到達するまで水素ラジカル含有ガスの流れが停止する圧力減少（ｄ）が含まれている（ｙ軸は、０．００１〜１００ｍｂａｒ、より詳細には０．０１〜１０ｍｂａｒに修正されていると仮定する）。図に示すように、浄化方法の間、Ｓｎ（還元Ｓｎ酸化物）および／またはＣを除去するために複数のサイクルを適用することができる。
【００７９】
しかしながら、本発明の他の実施形態によれば、より高い圧力レジーム、つまり約０．００１ｍｂａｒ（０．１Ｐａ）と１０００ｍｂａｒ（１００，０００Ｐａ）の間、より詳細には約０．０１ｍｂａｒと１０００ｍｂａｒの間、さらに詳細には約０．１ｍｂａｒと１０００ｍｂａｒの間、さらに詳細には約１ｍｂａｒと１０００ｍｂａｒの間の圧力範囲が使用されている（同じく上で説明した実施形態を参照されたい）。コレクタ５０内の圧力は、１ｍｂａｒと１０００ｍｂａｒの間の圧力範囲から選択される、より低い圧力とより高い圧力の間で周期的に変化する。他の変形形態では、コレクタ５０内の圧力は、５ｍｂａｒと５００ｍｂａｒの間の圧力範囲から選択される、より低い圧力とより高い圧力の間で周期的に変化する。特に、水素ラジカル含有ガスの流れを複数のサイクルでコレクタ５０の少なくとも一部に提供することができ、個々のサイクルには、コレクタ５０内の第１の圧力（ｃ）が１０００ｍｂａｒ以下になるまでの圧力蓄積（ｂ）、およびコレクタ５０内の圧力（ｅ）が１ｍｂａｒ以上になるまで水素ラジカル含有ガスの流れが停止する圧力減少（ｄ）が含まれている。
【００８０】
このような比較的高い圧力変化は、放射システム４２、照明システムＩＬおよび投影システムＰＳのようないわゆる開放型システムを浄化する場合に適用することができるが、一実施形態では、このような比較的高い圧力変化は、複数のレフレクタを備えたコレクタ５０（例えば図２に示すような、「ウォルタ型コレクタ」としても知られているコレクタ５０）の浄化にとりわけ適している。
【００８１】
連続浄化レジームは、水素ラジカル含有ガスの連続した流れを提供することによって達成することができる。コレクタ５０からのガスは、任意選択で、例えばポンプ４００を使用してポンプ排気することができる。浄化デバイス９５を使用して水素ラジカル含有ガスの間欠的な流れを提供することにより、階段状の増加（ｈ、ｊ）を達成することができる。浄化デバイス９５を使用して水素ラジカル含有ガスの間欠的な流れを提供し、かつ、サイクル毎にコレクタ５０からのガスをポンプ排気することにより、図４に示すような不連続レジーム（ｋサイクルの）を達成することができる。上で説明したように、図５に略図で示すレジームを適用することも可能である。このようなレジームを組み合わせることも可能である。
【００８２】
浄化プロセスの間に、あるいは浄化プロセスの一部として、一実施形態では、本発明による方法に、さらに、ハロゲンガスをコレクタ５０に提供するステップが含まれている。この方法によれば、揮発性ハロゲン化物、例えばＳｎハロゲン化物として還元酸化物を除去することができる。
【００８３】
図３ｄには、さらに、コンピュータまたはプロセッサなどのコントローラ６００が略図で示されている。一実施形態では、コントローラ６００は、コンピュータプログラム製品によって制御され、本発明による浄化方法を制御するように構成され、かつ、設計されている。コントローラ６００は、ポンプ３００、４００、５００、シャッタ３３０、４２０、水素源７００および水素ラジカルジェネレータ１０３のうちの１つまたは複数を制御するように構成し、かつ、設計することができる。このコントローラ６００は、例えば図３ａ〜３ｃに略図で示すような他の実施形態に使用することも可能であり、また、このコントローラ６００を使用して、図４〜６に示すような浄化レジームを提供することができる。しかしながら、分かり易くするために、図３ｄにはコントローラの実施形態のみが示されている。また、存在しているデバイスの数が図３ｄに示す数より少ない実施形態（図３ａ〜３ｃ）では、コントローラ６００を使用して、その実施形態に存在しているすべてのデバイスを制御することができる。例えば、図３ｃに略図で示す実施形態を参照すると、コントローラ６００は、ポンプ３００、４００、シャッタ３３０、４２０、水素源７００（図示せず）および水素ラジカルジェネレータ１０３のうちの１つまたは複数のデバイスを制御することができる。駆動信号とデバイス信号を交換することができる。このコントローラとの通信および／またはコントローラからの通信は、水素源７００への接続６７０、ポンプ３００への接続６３０、水素ラジカルジェネレータ１０３への接続６０３、ガスシャッタ３３０への接続６２０、ポンプ４００への接続６４０、ポンプ５００への接続６５０、およびシャッタ４２０への接続６６０で示されている。また、他のシャッタ、ガス流コントローラ、圧力ディテクタ、他のディテクタ等を存在させることも可能であり、これらを制御または使用して、ポンプ３００、４００、５００、シャッタ３３０、４２０、水素源７００および水素ラジカルジェネレータ１０３のうちの１つまたは複数を制御することによって本発明による所望の浄化方法を提供することができる。
【００８４】
上で言及したように、ＳｎをベースとするＥＵＶ光源ＳＯを使用する場合、ＥＵＶコレクタ５０を汚染するＳｎ粒子が同時に生成されることになる。また、場合によってはＳｎ源の使用に無関係に炭素の付着が生じる（例えばレジストからのガス放出によって、あるいはポンプからの油の存在によって）。Ｓｎ付着物およびＣ付着物による汚染は、いずれもコレクタ５０の反射に有害な影響を及ぼすことになる。ＥＵＶリソグラフィツールの十分な寿命を達成するためには、これらのＳｎ付着物および／またはＣ付着物をＥＵＶコレクタ５０から除去しなければならない（これを「浄化」と呼ぶことができる）。
【００８５】
上で言及したように、水素ラジカルを使用して浄化することができるが、水素ラジカルの使用に関わる問題は、水素ラジカルが容易に水素分子中に再結合する可能性があることである。再結合は、例えば２つの水素ラジカルが第３の体と衝突する際に生じるか（三体再結合）、あるいは水素ラジカルが壁に再結合する際に生じる。水素ラジカルの寿命は限られているため、上で説明した実施形態には、浄化の際にコレクタ５０の広い面積をカバーするために、コレクタ５０を介した高速の流れ９６が使用されている（例えばガスが一方の面からコレクタ５０に流入する場合、コレクタ５０のもう一方の端部に近いコレクタ部分を浄化するためのラジカルがガス中に依然として存在している）。また、高速の流れには大量のガスが必要であり、したがって極めて大量のガスが消費されることになる。したがってポンプを使用してガスがコレクタ５０の入口５０ａへ戻され、それにより高速のガス流が達成されている。ガスをきれいに保つために、コレクタ５０からポンプ排気されるガスの少なくとも一部が再使用され、場合によってはコレクタ５０に流入する新鮮なガスのより微小な流れに結合される。また、場合によってはガスの一部がコレクタ５０から排気されることになる。
【００８６】
以下で説明するように、ガスリターンシステムの実施形態は、上で説明した、図３ａ〜３ｄに略図で示されている実施形態の中で実施することができる。
【００８７】
図７ａは、リソグラフィ装置モジュール、ここでは放射システム４２、とりわけモジュール４２内のコレクタ５０のための浄化構造２５０の本発明による一実施形態を略図で示したものである。浄化構造２５０は、水素ガス（流れ１００で示されている）を提供するようになされた水素ガス源７００、および水素ガスの少なくとも一部を水素ラジカル含有ガス９６に変換するように構成され、かつ、水素ラジカル含有ガス９６の少なくとも一部をモジュール４２の少なくとも一部（とりわけコレクタ５０）に提供するように構成された水素ラジカル源１０３を備えている。そのために、浄化構造２５０は、浄化デバイス９５を備えている。浄化デバイス９５は、水素ガス源７００、水素ラジカル源１０３、および水素ラジカル含有ガス９６の少なくとも一部をモジュール４２の少なくとも一部に提供するように構成された出口１０６を備えており、それにより水素ラジカルを出口１０６を通して所定の位置に提供している。浄化構造２５０は、任意選択で、水素ラジカルを含有したガスの流れ９６を提供するように構成されたポンプ３００を備えることができる。浄化構造２５０は、さらに、水素ラジカル含有ガス９６の少なくとも一部をモジュールからポンプ排気するように構成されたポンプ４００を備えている。そのために、浄化デバイス９５の開口１０６および略図では排気２０６と同一空間を占めている開口すなわち排気３０８（これを通してモジュール４２内のガスが排気される）は、モジュール４２を通した流れを提供するようになされている。図７ａでは、これは、当業者には明らかなように、出口１０６がコレクタ５０の一方の端部（面５０ａ）のより近くに配置され、排気すなわち開口３０８がコレクタ５０のもう一方の端部（面５０ｂ）のより近くに配置されている点で概略的に示されている。ガスの一部を再循環させるために、浄化構造２５０は、さらに、ガスの少なくとも一部をモジュール（ここではモジュール４２、とりわけコレクタ５０）を通してポンプで水素ラジカル源１０３へ戻すように構成されたガスリターンシステム４７０を備えている。
【００８８】
モジュール４２は、ガス入口（一実施形態では、出口１０６と同じ空間を占めている）およびガス排気３０８（一実施形態では、モジュール４２の出口すなわち排気２０６と同じ空間を占めている）を備えている。一実施形態では、ガスリターンシステム４７０は、ポンプ４００および配管４７１を備えている。配管４７１は、ポンプ４００に接続されており、配管開口１０７（図では、排気３０８（つまり開口２０６）と同じ空間を占めている）を備えている。配管４７２は、ポンプ４００と水素ラジカル源１０３を接続している。ガスリターンシステム４７０は、モジュールからポンプ排気されたガスの少なくとも一部がモジュールの入口（つまりモジュールの上流）へ戻って再循環するよう、モジュールからポンプ排気されたガスの少なくとも一部をモジュールへ戻すように構成されている。図７ａに略図で示す実施形態では、ガスの少なくとも一部が配管４７２を通して水素ラジカル源１０３へ戻される。したがって、配管４７２は、ポンプ４００（モジュール４２からガスをポンプ排気するように構成されている）と水素源７００または水素ラジカル源１０３を接続するように構成することができる（配管４７２は、ポンプ４００と水素ラジカル源１０３の入口１０１を接続することができる）。いずれの場合も、モジュール４２を通してポンプ排気されたガスが「こぼれる」(”spilled”)ことはなく、例えばガスを水素ラジカル源１０３へ戻すことによって、少なくとも部分的に浄化すべきモジュールへ戻される。したがって、水素ラジカル１０３によって変換されていない水素ガス、または水素ラジカルの再結合によって生成されたものではない水素ガスはポンプで戻され、水素ラジカルを形成するために（つまり、水素ラジカルの流れ９６を生成するために）再使用することができる。モジュールからポンプ排気されたガスの一部を除去することが望ましい場合もある。そのために、リターンシステム４７０は、例えば同じくポンプ４００に接続されている任意選択の配管４７３に配置された出口５５０をさらに備えることができる。特定の実施形態では、ガスの少なくとも一部をリターンシステム４７０からポンプ排気するためのポンプ８００が提供されている。配管４７２を通して水素ラジカル１０３へ戻された水素ガスに、水素源７００からの「新鮮」な水素ガスを混ぜ合わせることができる。入口すなわち開口１０７は、排気ガスをポンプ４００によってモジュール（ここでは放射システム４２）からポンプ排気するように構成された開口である。この開口は、任意選択で配管４７１に配置することができるが、開口１０７は、ポンプ４００の開口であってもよい。
【００８９】
したがってモジュール４２は、ガス入口（ここでは参照番号１０６と同じ空間を占めている）、ガス排気３０８（ここでは同じく参照番号２０６で示されている）、およびポンプ４００と１つまたは複数の配管４７１、４７２を備えたガスリターンシステム４７０を備えている。ポンプ４００および配管４７１、４７２は、モジュール４２からポンプ排気されたガスの少なくとも一部をポンプで水素ラジカル源１０３に戻すように構成されている。
【００９０】
特定の実施形態では、浄化すべきモジュールまたは少なくとも部分的に浄化すべきモジュールは、コレクタ５０、放射システム４２、照明システムＩＬおよび投影システムＰＳからなるグループから選択される。特定の実施形態では、モジュールは、とりわけウォルタ型（上で説明した、当分野で知られている）のコレクタ５０（同じくコレクタミラーとして示されている）を備えている。
【００９１】
図７ｂは、とりわけコレクタミラー５０の少なくとも一部を浄化するために使用される浄化構造２５０の一実施形態を略図で示したものである。そのために、浄化構造２５０は、水素ガス源７００、浄化デバイス９６およびリターンシステム４７０を備えている。浄化デバイス９５は、水素ガス源７００からのガスの流れ１００からの水素ガス分子の少なくとも一部から水素ラジカルを生成するようになされた水素ラジカル源１０３、および所定の位置、特定の実施形態ではコレクタミラー５０の一方の面、ここでは面５０ａから数センチメートル以内の位置に配置された開口１０６を備えた配管１０４を備えている。コレクタミラーすなわちコレクタ５０は、概略的に、両方の面、つまり面５０ａおよび面５０ｂに、図にはそれぞれ開口３０７および３０８で示されている開口を備えた管と見なすことができる（ここでは、浄化すべきモジュールはコレクタ５０である）。水素ラジカル含有ガス９６を提供している開口すなわち出口１０６は、この実施形態では面５０ａの近く、つまりレフレクタとレフレクタの間の１つまたは複数の開口３０７の近くに配置されている。配管１０４、とりわけ開口１０６は、異なる内部レフレクタ領域を浄化することができるよう、移動させることができる。リターンシステム４７０からの入口すなわち開口１０７は、もう一方の面、ここでは面５０ｂに配置されており、ガスをコレクタミラー５０からポンプ排気している。ポンプ排気されたガスは、コレクタ５０によって密閉された体積を１つまたは複数の開口３０８を通して流出する。このガスには、水素ガス（水素ラジカルジェネレータ１０３によって再結合した水素ガスあるいは水素ラジカルジェネレータ１０３によって解離していない水素ガス）が含まれており、場合によっては、さらに、炭化水素および／またはＳｎ水素化物（または、同じくハロゲン化物浄化が使用されている場合、Ｓｎハロゲン化物）が含まれている。このような不純物がガス中に蓄積しないよう、排気５５０によって、例えば配管４７３内の追加ポンプ８００を使用してシステムからガスの一部を除去することができる。コレクタからポンプ排気されたガスの一部は、配管４７２を通して水素ラジカルジェネレータ１０３の上流の位置へ戻される。したがって、特定の実施形態では、水素ガス１００を提供するようになされた水素ガス源７００、水素ガスの少なくとも一部を水素ラジカル含有ガス９６に変換するように構成され、かつ、水素ラジカル含有ガス９６の少なくとも一部をコレクタ５０の少なくとも一部に提供するように構成された水素ラジカル源１０３、コレクタ５０から水素ラジカル含有ガス９６の少なくとも一部をポンプ排気するように構成されたポンプ４００、およびコレクタ５０からポンプ排気されたガスの少なくとも一部を水素ラジカル源１０３へ戻すか（図に示すように）、あるいは例えば水素ラジカル源１０３の下流の位置のモジュール（ここではコレクタ５０）へ戻す（同じく以下を参照されたい）ように構成されたガスリターンシステム４７０を備えた、リソグラフィ装置コレクタ５０のための浄化構造２５０が提供される。
【００９２】
上で言及したように、コレクタ５０は、一実施形態では、入れ子にされ且つ光軸Ｏの周りに回転対称である、上流放射コレクタ面５０ａおよび下流放射コレクタ面５０ｂを備えた１つまたは複数のレフレクタ１４２、１４３、１４６（またはそれ以上）を備えている。コレクタミラー５０を浄化する場合、水素ラジカル含有ガス９６を提供するためのガス出口１０６は、放射コレクタ面５０ａの上流に配置され（１つまたは複数の開口３０７に配置される）、ガス排気１０７は、放射コレクタ面５０ｂの下流に配置される（１つまたは複数の開口３０８に配置される）。
【００９３】
図７ｃに示す特定の実施形態は、浄化構造２５０がリターンシステム４７０、つまり出口３０８、ここでは、特定の実施形態では入口１０７と同じ空間を占めているモジュール４２の出口２０６をさらに備えている点を除き、図３ｃに示す実施形態と類似しているが、この特定の実施形態は、モジュールからガスをポンプ排気するためにポンプ４００に接続されており、ポンプ４００は、さらに、配管４７２を通して浄化デバイス９５の上流の位置、つまり水素ラジカルジェネレータ１０３の上流に接続されている。図７ｃに略図で示す実施形態では、配管４７２は、水素ラジカルジェネレータ１０３に接続されており、また、配管４７２は、モジュールからポンプ排気されたガスの少なくとも一部を水素ラジカルジェネレータ１０３に提供するようになされている。より詳細には、任意選択のポンプ３００が存在している場合、配管４７２は、このポンプの入口３０１に接続することができる。しかしながら、上で説明したように、配管４７２は、水素ラジカルジェネレータ１０３の入口に接続することも可能である。この入口は、図７ｃには入口１０１で示されている。
【００９４】
一実施形態では、図７ｄに略図で示すように、放射コレクタの上流の面５０ａは、ガス出口１０６を備えた扉１２０を使用して閉じることができ、また、放射コレクタの下流の面５０ｂも、ガス排気３０８（略図では、この場合も浄化構造２５０（より詳細にはガスリターンシステム４７０）の入口１０７と実質的に同じ空間を占めている）を備えた扉１３０を使用して閉じることができる。出口１０６は、扉１２０に統合することができる。また、出口１０６は、多数の出口を備えることも可能である。同様に、排気３０８も扉１３０に統合することができる。また、排気３０８は、多数の排気を備えることも可能である。当業者には明らかなように、浄化構造２５０の浄化デバイス９５の出口１０６は、コレクタミラー５０および扉１２０、１３０によって密閉された体積へのガスの入口として解釈することも可能である。図７ｄは、図７ｂに略図で示されている実施形態と同じ実施形態を略図で示したものであるが、面５０ａおよび５０ｂが閉じている（開閉可能な扉１２０および１３０を使用して）点が異なっている。この方法によれば、コレクタミラー５０によって密閉される体積によって提供される一種のリアクタ体積が生成され、水素ラジカルを望ましくない炭素および／またはスズ不純物と反応させることができる。これらの不純物は、次に、排気１０７を通してポンプ４００によって除去される。コレクタミラー５０からポンプ排気されたガスの一部は、任意選択のポンプ８００を使用して、排気５５０を通してリターンシステム４７０から除去することができる。当業者には明らかなように、ポンプ排気され／浄化デバイス９５（つまり水素ラジカルジェネレータ１０３の上流）へ戻され／再循環されるガスは、当分野で知られている浄化方法を使用して浄化することができる。
【００９５】
図７ｅは、特定の実施形態を示したもので、任意選択のポンプ８００は存在していない。配管４７２の寸法に対する配管４７３（排気５５０に接続されている）の出口径または出口面積および／または寸法を制御することにより、５５０から流出する流れと水素ラジカル源へ戻される流れの比率を調整することができる。これは、ガスを除去する（出口５５０を通して）ために配置される配管の寸法およびガスを戻す（配管４７２を通して）ために配置される配管の寸法を適合させることにより、流束の比率（ガスの単位面積当たりの単位時間当たりの体積ガス流量）を調整することができることを意味している。出口５５０を通してガスの一部を除去し、かつ、水素ガス源７００から水素ガスを導入することにより、システムに導入される水素ガスの総量を調整し、かつ、所望のレベルに維持することができ、また、水素ガス源７００からの「新鮮」な水素ガスで希釈することにより、ガス１００／９６中の不純物のレベルを十分小さいレベルに押さえることができる。
【００９６】
図７ｆおよび７ｇは、排気５５０および任意選択のポンプ８００を備えた構成の代替実施形態を略図で示したものである。排気５５０は、図７ａ〜７ｆ（および図８ａ〜９ｂ）に示すように、ポンプ４００の下流に構成することができるが、排気５５０および任意選択のポンプ８００は、ポンプ４００の上流に配置することも可能である（図７ｇ）。どのような構成であっても、少なくとも部分的に浄化すべきモジュール（ここではコレクタ５０）から水素ラジカル含有ガス９６がポンプ排気され、水素ラジカルジェネレータ１０３の上流の位置へ配管４７２を通してガスをポンプ供給するか、あるいは水素ラジカルジェネレータ１０３の下流の位置へ配管４７２を通してガスをポンプ供給するかのいずれかによって、モジュールからポンプ排気されたガスの少なくとも一部がポンプ４００によってモジュールへ戻される（以下参照）。モジュールからポンプ排気されたガスは排気３０８から排気され、ポンプ４００によって（任意選択で配管４７１を通して）ポンプ排気され、配管４７２を通して戻される。モジュールから排気されたガスの少なくとも一部は、リターンシステム４７０を通して戻されない場合もある。ガスのこの部分は、任意選択でポンプ８００を使用して５５０から排気される。排気５５０は、配管４７３に配置された、モジュール４２からの排気として構成された排気２０６ａ部分（または複数の排気２０６ａ部分）の排気であってもよい。
【００９７】
図８ａおよび８ｂに示す特定の実施形態では、コレクタ全体が、ハル(hull)２００および扉１２０、１３０を備えた周囲ハル(circumferential hull)５００によって取り囲まれている。ハル２００は、コレクタミラー５０を取り囲んでおり、ハル２００の長さ方向の軸は、コレクタミラー５０の長さ方向の軸と平行つまり一致している（インサイチュ浄化のために周囲ハル５００を使用する場合、コレクタミラー５０の長さ方向の軸、ハル２００の長さ方向の軸および光軸Ｏを一致させることができる）。特定の実施形態では、扉１２０および１３０は、ハル２００の長さ方向の軸に平行にスライドするスライド扉であってもよい（図８ｂ参照）。この実施形態は、とりわけエクスサイチュ浄化のために使用することができる。コレクタミラー５０は、リソグラフィ装置１から分離することができ、また、周囲ハル５００の中に導入することができる。そのために、コレクタミラー５０は、同じくカバープレート２１４にも接続されているサポート部材２１２に接続することができる。コレクタミラー５０、サポート部材２１２およびカバープレート２１４が相俟って、取外し可能コレクタアセンブリを形成している。当業者には明らかなように、ハル５００および扉１２０、１３０には、コレクタ５０を包含するように構成された任意の形状を持たせることができる。任意選択で、例えばハル５００がコレクタ５０を導入するための開口を１つしか有していない場合、１つの扉のみを存在させることも可能である。
【００９８】
扉１２０および１３０が閉じると、浄化プロセスを実行することができる。したがって、本発明による浄化構造２５０は、ガス入口３０７およびガス排気３０８を備えた、コレクタミラーを取り囲む周囲ハル５００によってコレクタ５０を取り囲むことができる場合に使用される。入口３０７は、浄化構造２５０の浄化デバイス９５の出口１０６に接続されており、出口３０８は、浄化構造２５０の入口１０７（つまり浄化構造２５０のガスリターンシステム４７０）に接続されている。ガス入口３０７およびガス出口３０８は、別の位置に配置することも可能であるが、これらは、コレクタ５０の端部５０ａから端部５０ｂ（または端部５０ｂから端部５０ａ）を通って流れる水素ラジカル含有ガス９６の流れを可能にするように構成されている。
【００９９】
略図９ａおよび９ｂを参照すると、さらに他の特定の実施形態では、コレクタミラー５０は、ハル２００および扉１３０を備えた周囲ハル５００によってその周囲が取り囲まれている。扉１３０は、ハル２００の端部５０ｂに配置されている。もう一方の端部５０ａには、水素ラジカル源１０３を配置することができる。水素ラジカル源１０３は、例えば周囲ハル２００の閉じた端部に統合することができる。つまり、水素ラジカル源１０３を周囲ハル５００から移動させることはできないが、他の実施形態では、水素ラジカル源１０３は、扉１２０に統合されている。水素ラジカル源１０３は、図９ａおよび９ｂに略図で示す実施形態では、熱フィラメントラジカル源１１０を備えている。コレクタ５０は、周囲ハル５００（このハルは、コンテナまたはコクーンとして表すことも可能である）の中に配置されており、コレクタ５０を通して、最初に水素ラジカル源１０３を通過した高速のガスの流れ９６が存在している（水素ガスの流れ１００に基づいて）。（通風）ポンプ４００は、コレクタ５０の出口５０ｂから、それぞれ配管４７１、ポンプ４００および配管４７２を通して、コレクタ５０の入口５０ａへガスをポンプ供給している。入口で、ポンプ４００からのガスと、新鮮なガス７００のガス源（図示せず）からのガス１００が結合される。この新鮮なガスは、例えば純粋な水素もしくは水素／アルゴン混合物または他の任意の水素含有混合物であってもよい。コレクタの出口で、ポンプ８００を使用して浄化構造からのガスの一部を除去し、排気５５０へ送ることができる。
【０１００】
上で説明した、図７ｅに略図で示されている実施形態の場合と同様、コレクタ５０の出口５０ａに置かれるポンプ４００のみを使用することができる。配管４７２（水素ラジカル源１０３への戻り）および排気５５０（または配管４７３と排気５５０）の寸法を調整することにより、排気５５０から排気されるガス、および配管４７２を通して戻る、コレクタの出口５０ｂから入口５０（つまり水素ラジカル源１０３）へ導かれるガスのガス流束を調整することができる。これらの流動抵抗を適切に調整することにより、コレクタに戻るガスの量を調整することができる。この方法によれば、必要なポンプの数を少なくすることができる。
【０１０１】
図７ａ〜７ｅ、８ａおよび９ａ〜９ｂに略図で示されている実施形態は、とりわけ、放射システム４２あるいはコレクタ５０などのモジュールのインサイチュ浄化のために使用することができる。図８ｂ〜９ｂ、より詳細には図８ｂに略図で示されている実施形態は、とりわけコレクタ５０のエクスサイチュ浄化のために使用することができる。
【０１０２】
周囲ハル５００、ハル２００、扉１２０、１３０および配管４７１、４７２、４７３等には、ガスの含有および／または輸送に適した任意の形態を持たせることができることを理解されたい。また、モジュールの開口３０７および出口すなわち排気３０８は、いくつかの図では扉１２０および／または１３０に存在しているものとして示されている。しかしながら、他の位置に配置することも可能である。これらは、浄化すべきモジュールを通した水素ラジカル含有ガス９６の流れが得られるように構成され、かつ、配置されている。
【０１０３】
一実施形態では、リソグラフィ装置モジュールを浄化するための本発明による方法によれば、水素ラジカル源１０３は、水素ガス１００の少なくとも一部を水素ラジカル含有ガスに変換するように構成されている。また、水素ラジカル源１０３は、水素ラジカル含有ガスの少なくとも一部をモジュールの少なくとも一部に提供するように構成されている。モジュールを通して導入されるガスの少なくとも一部は、モジュール、とりわけ水素ラジカル源に戻される。この方法によれば、モジュールから排気されるガスの少なくとも一部がモジュールに戻される。浄化構造２５０は、リソグラフィ装置モジュールを浄化するためのこのような方法を提供するように構成することができる。
【０１０４】
上で説明した実施形態では、ポンプ４００および任意選択のポンプ３００ならびに他の任意選択のポンプは、特定の実施形態では、モジュールの少なくとも一部を通して提供される水素ラジカル含有ガスの流速が少なくとも１ｍ／ｓになるよう、モジュールから水素ラジカル含有ガス９６の少なくとも一部をポンプ排気するように構成されている。
【０１０５】
「モジュールからポンプ排気されるガス」という表現は、モジュールがモジュール４２であれ、コレクタ５０であれ、あるいはリソグラフィ装置１の他のモジュールであれ、モジュールの開口３０８から流出するガスを意味している。開口３０８（または複数の開口３０８）は、例えばモジュール４２の排気２０６であるが、他の実施形態では、参照番号１４２、１４３および１４６で概略的に示されているレフレクタとレフレクタの間またはレフレクタシェルとレフレクタシェルの間の面５０ｂの開口を意味している場合もあり、あるいは周囲ハル５００またはこのような周囲ハル５００の開閉可能な扉（扉１３０など）の開口を意味している場合もある。したがって、モジュールに水素ラジカル含有ガスが提供され、その流れは、参照番号９６で示されている。水素ラジカル含有ガスは、１つまたは複数の開口３０７を通してモジュールに流入する。開口３０７（または複数の開口３０７）は、例えばモジュール４２内の開口、参照番号１４２、１４３および１４６で概略的に示されているレフレクタとレフレクタの間またはレフレクタシェルとレフレクタシェルの間の面５０ｂの１つまたは複数の開口、あるいは周囲ハル５００の（開閉可能な）扉（扉１２０など）の開口である。モジュールに流入するガスは、モジュールを通って流れるガスになり、延いては開口３０８でモジュールから流出するガスになる。流出するガス、すなわちモジュールから排気されるガスは、「モジュールからポンプ排気されるガス」として表されている。ガスは、図に示す方向とは逆の方向（つまり矢印９６の方向とは逆の方向）にモジュールからポンプ排気することも可能であることを理解されたい。
【０１０６】
ガスリターンシステム４７０（上で説明した多くの実施形態では、浄化構造２５０の一部である）は、浄化デバイス９５（浄化構造２５０の一部である）の出口１０６とポンプ４００がガス接触しているシステム、つまり出口１０６から流れるガス（矢印９６で）の少なくとも一部がポンプ４００によってポンプ排気されるシステムを提供している。また、ポンプ４００は、開口１０７を備えた配管４７１によってモジュールとガス接触させることができる。開口１０７は、モジュールの出口すなわち開口３０８とガス接触しており、モジュールから排気されるガスの少なくとも一部が開口１０７に流入してポンプ４００まで流れることを暗に意味している。ポンプ４００は、さらに、浄化デバイス９５または浄化デバイス９５の１つまたは複数の出口１０６への１つまたは複数の配管１０４とガス接触している。例えば、モジュールからポンプ排気される、水素（または水素に類似したガス（上記参照））を含有したガスを再使用して、水素ラジカルジェネレータ１０３によって生成されるラジカル含有ガスに変換することができるよう、ポンプ４００によってモジュールからポンプ排気されたガスの少なくとも一部が、配管４７２を通して、浄化デバイス９５の水素ラジカルジェネレータ１０３の上流の位置へ戻される。しかしながら、ガスリターンシステム４７０を使用して浄化デバイス９５の水素ラジカルジェネレータ１０３の下流の位置にガスを戻すことも可能である。図１０は、このような実施形態を略図で示したものである。この略図では、排気５５０は、ポンプ４００の上流に配置されている。
【０１０７】
上で説明した、図７ａ〜１０に略図で示されているガスリターンシステム４７０の実施形態は、上で説明した浄化構造の実施形態（このようなガスリターンシステム４７０の無い実施形態）および図３ａ〜３ｄに略図で示されている実施形態と組み合わせることができる。例えば、上で説明したコントローラ６００は、上で言及した、モジュールからポンプ排気されたガスの少なくとも一部を水素ラジカル源（つまり浄化デバイス９５の上流）に戻すステップを含む方法を制御するように構成し、かつ、設計することができる。
【０１０８】
本明細書における配管は、ガス管またはガスパイプ、つまり水素などのガスを輸送するための管を意味している。
【０１０９】
ガスの流れは、図に示す以外の方向であってもよいことを理解されたい。例えば、浄化構造２５０の浄化デバイス４７０の開口１０６は、開口３０８（このような実施形態の場合、排気ではない）とガス接触させることができ、また、排気１０７は、開口３０７（このような実施形態では、排気である）とガス接触させることができる。
【０１１０】
本発明は、ＥＵＶ放射のみに限定されず、上で説明したような他の放射を使用しているリソグラフィ装置にも使用することができる。
【０１１１】
本明細書においては、ＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているかもしれないが、本明細書において説明したリソグラフィ装置は、集積光学システム、磁気ドメインメモリのための誘導および検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造などの他のアプリケーションを有していることを理解されたい。このような代替アプリケーションのコンテキストにおいては、本明細書における「ウェーハ」または「ダイ」という用語の使用はすべて、それぞれより一般的な「基板」または「ターゲット部分」という用語の同義語と見なすことができることを理解されたい。本明細書において言及されている基板は、例えばトラック（通常、基板にレジストの層を付け、かつ、露光済みのレジストを現像するツール）、メトロロジーツールおよび／またはインスペクションツール中で、露光前または露光後に処理することができる。適用可能である場合、本明細書における開示は、このような基板処理ツールおよび他の基板処理ツールに適用することができる。また、基板は、例えば多層ＩＣを生成するために複数回にわたって処理することができるため、本明細書において使用されている基板という用語は、処理済みの複数の層が既に含まれている基板を指している場合もある。
【０１１２】
また、上では、光リソグラフィのコンテキストの中での本発明による実施形態の使用について特に言及されているかもしれないが、本発明は、他のアプリケーション、例えば転写リソグラフィに使用することができ、コンテキストが許容する場合、光リソグラフィに限定されないことは理解されよう。転写リソグラフィの場合、基板に生成されるパターンは、パターニングデバイスのトポグラフィによって画定される。パターニングデバイスのトポグラフィが、基板に供給されているレジストの層にプレスされ、次に、レジストを硬化させるべく、電磁放射、熱、圧力またはそれらの組合せが与えられる。レジストが硬化すると、パターニングデバイスがレジストから除去され、後にパターンが残される。
【０１１３】
以上、本発明の実施形態について説明したが、説明した以外の方法で本発明を実践することができることは理解されよう。例えば本発明は、上で開示した方法を記述した１つまたは複数の機械読取可能命令シーケンスを含んだコンピュータプログラムの形態を取ることができ、あるいはこのようなコンピュータプログラムを記憶したデータ記憶媒体（例えば半導体記憶装置、磁気ディスクまたは光ディスク）の形態を取ることができる。以上の説明は例示を意図したものであり、本発明を制限するものではない。したがって、特許請求の範囲に示す各請求項の範囲を逸脱することなく、上で説明した本発明に改変を加えることができることは当業者には明らかであろう。
【図面の簡単な説明】
【０１１４】
【図１】本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を示す図である。
【図２】図１に示すリソグラフィ装置のＥＵＶ照明システムおよび投影光学系の側面図である。
【図３ａ】本発明による放射システムのコレクタおよび浄化構造の実施形態およびその変形形態を示す図である。
【図３ｂ】本発明による放射システムのコレクタおよび浄化構造の実施形態およびその変形形態を示す図である。
【図３ｃ】本発明による放射システムのコレクタおよび浄化構造の実施形態およびその変形形態を示す図である。
【図３ｄ】本発明による放射システムのコレクタおよび浄化構造の実施形態およびその変形形態を示す図である。
【図４】可能な浄化スキームを示す図である。
【図５】可能な浄化スキームを示す図である。
【図６】可能な浄化スキームを示す図である。
【図７ａ】本発明による放射システムのコレクタおよび浄化構造の実施形態およびその変形形態を示す図である。
【図７ｂ】本発明による放射システムのコレクタおよび浄化構造の実施形態およびその変形形態を示す図である。
【図７ｃ】本発明による放射システムのコレクタおよび浄化構造の実施形態およびその変形形態を示す図である。
【図７ｄ】本発明による放射システムのコレクタおよび浄化構造の実施形態およびその変形形態を示す図である。
【図７ｅ】本発明による放射システムのコレクタおよび浄化構造の実施形態およびその変形形態を示す図である。
【図７ｆ】本発明による放射システムのコレクタおよび浄化構造の実施形態およびその変形形態を示す図である。
【図７ｇ】本発明による放射システムのコレクタおよび浄化構造の実施形態およびその変形形態を示す図である。
【図８ａ】本発明によるコレクタおよび浄化構造の実施形態およびその変形形態を示す図である。
【図８ｂ】本発明によるコレクタおよび浄化構造の実施形態およびその変形形態を示す図である。
【図９ａ】本発明によるコレクタおよび浄化構造の実施形態およびその変形形態を示す図である。
【図９ｂ】本発明によるコレクタおよび浄化構造の実施形態およびその変形形態を示す図である。
【図１０】本発明によるコレクタおよび浄化構造の実施形態およびその変形形態を示す図である。
【図１】
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【図２】
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【図３ａ】
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【図３ｂ】
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【図３ｃ】
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【図３ｄ】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７ａ】
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【図７ｂ】
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【図７ｃ】
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【図７ｄ】
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【図７ｅ】
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【図７ｆ】
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【図７ｇ】
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【図８ａ】
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【図８ｂ】
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【図９ａ】
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【図９ｂ】
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【図１０】
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