(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板をｉＰＶＤ装置のチャンバ内に密閉する段階と、
チャンバを開けることなく、
ｉ）  チャンバに高密度のプラズマを形成し、基板上に材料を堆積するため及び基板をエッチングするために用いるイオンを生成する段階；
ｉｉ）  ターゲットから高密度プラズマへ材料をスパッタリングして材料をイオン化し、基板に直交する高い指向性を有するイオン化材料を基板上に堆積するように、少なくとも５０ｍＴｏｒｒの圧力で、堆積モードで装置を作動する段階；及び
ｉｉｉ）  １０ｍＴｏｒｒ未満の圧力で、かつ、１００ボルトより大きな基板上へのバイアスで、基板から実質的に材料をスパッタリングすることなく、エッチングモードで装置を作動する段階；
を行うことにより、堆積モード、その後エッチングモードで装置を運転することによって、０．１５μｍ以下の直径を有し、３以上のアスペクト比を有する基板上のサブミクロン特徴部の表面に導電材料の層を堆積する段階と、
を備えたｉＰＶＤ方法であって、
エッチングモードの後に他の堆積モードが続き、両堆積モードによって導電材料の堆積を行い、
前記ｉＰＶＤ装置は、
−  ターゲットに付与するＤＣ電力を、両堆積モードではオンとし、エッチングモードでは実質的にオフとし；
−  誘導結合プラズマのパワー、並びにターゲット−基板間距離を、両堆積モードにおいて、エッチングモードよりも高くし；
−  基板上へのバイアスパワーを、両堆積モードにおいて、エッチングモードよりも低くする；
ように制御されることを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、
エッチングモードは、以下の段階から成るグループから選択された少なくとも一の実効を生ずるパラメータの下で、プラズマからのイオンでスパッタリングすることによって実施する方法：
−  基板上の特徴部の端部を張り出す堆積材料を少なくとも一部除去する段階、
−  特徴部の底部から堆積材料を少なくとも一部除去する段階。
【請求項３】
エッチングモードを、前記実効の双方を生じるパラメータの下で、プラズマからのイオンを用いてスパッタリングすることによって実施する請求項２に記載の方法。
【請求項４】
堆積及びエッチング中に基板を冷却する段階を備えた請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
エッチング中に、基板を０℃未満に冷却する段階を備えた請求項４に記載の方法。
【請求項６】
チャンバの外のＲＦ発生器からＲＦエネルギーによってチャンバに高密度のプラズマを形成する段階を備えた請求項１から５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか一項に記載の方法で作動するためにプログラムされたコントローラを有するｉＰＶＤ処理装置。
【請求項８】
堆積モードが少なくとも５０ｍＴｏｒｒの圧力で実施され、エッチングモードが１０ｍＴｏｒｒ未満の圧力で実施され、基板上にイオン化物理的気相堆積を実施するように作動できる真空チャンバと；
チャンバの一端に設けられた環状ターゲット及びチャンバの他の端に設けられた基板支持体と；
前記チャンバ内に高密度プラズマを形成する手段と；
装置を作動するようにプログラムされたコントローラと、
を備えた請求項７に記載のｉＰＶＤ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、本明細書に参考文献として組み込まれている２００１年５月４日に出願された米国特許仮出願シリアル番号６０／２８８，９５２号の優先権を主張するものである。
本発明は、半導体ウェハー上のビア及びトレンチ構造の金属化（メタライゼーション）に関するものである。さらに詳細には、本発明は、バリア及びシード層を形成するためにイオン化スパタリングされた材料を用いてシリコンウェハーの高アスペクト比のビア及びトレンチ構造の金属化（メタライゼーション）に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウェハー上の高アスペクト比のビアホール及びトレンチの金属化においては、バリア層とシード層とは良好な側壁及び底部の被覆を有する。バリア層は、そのバリア特性を犠牲にすることなくできるだけ薄くする必要がある。バリア層は、ビア構造の電気抵抗を付加することになるその電気抵抗を最小にしなければならないために非常に薄くしなければならない。信頼性の問題を回避するために、シード層の誘電体層及び他の層への拡散を防止することは適合すること及び連続であることが必要である。これによって、バリア層の厚さをよく制御し、かつ特にビアの底部で最小にすることが要求される。ビアの底部での厚いバリア層は、内部金属化部の抵抗に実質的にかなりの望ましくない電気抵抗を付与する場合がある。高接触抵抗によってＩＣのパフォーマンスが低下する。バリア層の堆積中に、ビアの入口の頂部端に、そこでの厚めの材料の堆積のために、張出部が形成される。この張出部は、ビアの底部及び側壁上のシード層の堆積に衝突する。シード層の堆積中に、シード層材料自体によるさらなる張出部の形成を防止しなければならない。
【０００３】
シード層は、ビアの底部及び側壁で連続でかつ良好な被覆を有しなければならない。これは、バリア層及びシード層の堆積の後の電気メッキにとって必須である。張出部によるビア入口の閉鎖によって、側壁の被覆が不十分となり、電気メッキが不十分となり、装置の歩留まりが低くなる。
【０００４】
先端的なＩＣウェハーにおけるバリア及びシード層メタライゼーションに対して、イオン化ＰＶＤ堆積を用いる。イオン化ＰＶＤは、ビア及びトレンチ構造において良好な側壁及び底部の被覆を提供する。しかしながら、ジオメトリが縮小し、ビアの寸法が０．１５μｍ未満になると、イオン化堆積の条件はより重大となる。従って、底部及び側部の被覆がよく調整されかつ張出が最小にされたイオン化ＰＶＤ法を有することがとても望まれている。
【０００５】
シーケンシャルな堆積及びエッチング工程が以前に提案された。ヴァン・バスカークら（Van Buskirk）による米国特許第６，１００，２００号明細書において、ビア若しくはトレンチ構造のコンフォーマルな堆積を提供するために、シーケンシャルに実施される加熱堆積及びエッチング工程が教示されている。しかしながら、これらは、典型的には、３００℃−６００℃及び５００℃−４５０℃の間の高い基板温度での堆積及びエッチング工程を教示している。不都合なことには、現在の半導体工程で用いられる最新の低ｋ誘電体（new state-of-the-art low-k dielectrics）は、２００℃未満の温度を必要とする。銅シード層堆積は、銅のアグリゲーションを防止するために０℃未満、典型的には−２０℃から−５０℃の間であることを必要とする。ヴァン・バスカークらに教示された温度によって、銅シード層が塊になり、張出部を形成し、大きな銅のアイランド及び不連続な銅の層によってビア及びトレンチが閉塞される。ヴァン・バスカークらはまた、典型的には１ｋＷ未満及び部分的には０．５ｋＷ未満の低パワーのスパッタリングを教示する。これによって、工程において堆積速度が低くなり、スループット（処理能力）が制限される。
【０００６】
さらに、ヴァン・バスカークらは、専用の堆積及びエッチングモジュール間でウェハーを移動することによる単一真空システム、又は、マルチファセット堆積及び反応性イオンエッチングモジュールを用いた単一真空システムにおいて実施するシーケンシャルな堆積及びエッチング段階を教示している。また、ヴァン・バスカークらは、段階を独立な堆積及びエッチングシステムで実施することを提案している。一のエッチングチャンバから他の堆積チャンバへ、又は、エッチングステーションから他の堆積ステーションへのウェハーの移動は、工程のコスト及び工程の質の両方の観点で欠点を有する。チャンバからチャンバへ又は同じチャンバにおいて一のステーションから他のステーションへのウェハーの移動によって、スループットの損失及びそのためにコストがかかる工程となる。工程によっては、移動中に気体分子又は他の汚染物の吸着に敏感であり、設置中の装置の質及び信頼性に害を及ぼし得る。ヴァン・バスカークらによる他の提案は、工程間で雰囲気に曝すことを伴う独立のシステムにおいて、堆積及びエッチング段階を実施することであり、現在のバリア／シード層メタライゼーション工程のほとんどにおいて全く受け入れることができない。ヴァン・バスカークらは、堆積段階中に他の基板のバイアスを教示しない。
【０００７】
ニケイ（Nikei）らによる米国特許第４，９９９，０９６号明細書において、同じチャンバ内でシーケンシャルな堆積及びエッチング段階を実施することができるスパッタリング方法及び装置を教示する。ニケイらは、膜堆積及び逆スパッタリングを交互に実施するためにターゲット及び基板に代替として負の電圧を印加する。彼らは、エッチング段階についてプラズマ発生を起こすために、ターゲットと基板との間に配置された工程モジュールの内部のＲＦコイルを教示する。工程のスペースに存在するエネルギーを有するイオン及び中性物（neutrals）がコイルから材料を除去、すなわちコイルをエッチングし、基板上に堆積し又はエッチングされるべき膜を汚染することは従来公知であるので、内部コイルが汚染源であることはこの配置の大きな欠点である。他の従来技術では、コイルは堆積されるのと同じ材料から製造できるが、これは方法について過度の経済的及びハードウェア的な困難を生じる。堆積される全ての材料がコイルを作製に適している訳ではなく、ほとんどの時間、コストは法外に高い。さらに、ニケイらの提案は、非一様プラズマ生成及び基板の非一様なエッチングとなる。シーケンシャルな堆積及びエッチング工程において、両方の段階は、工程（方法）の最後に一様に処理されたウェハーとなるように、ウェハー全体にわたって一様であることが必須である。
【０００８】
ニケイらは、堆積された膜に不純物が含まれるのを防止するために、低圧堆積及びエッチング工程を教示し、強調する。これは、堆積及びエッチング工程中に、１０−３のオーダートール（torr）以下のような低圧でプラズマを形成することによって実施する。エッチング工程中は、基板からある汚染物を保持する必要性と反対に、基板への汚染物に係る放出を達成するために、内部のコイルはＲＦでパワーを供給される必要がある。ニケイらは、本発明を低圧（１０−３トール（torr）以下）に制限することを強調している。
【０００９】
米国特許第６，２７４，００８号明細書は、同時の清浄・堆積段階を実施する集積銅充填工程を教示している。本発明は、銅シード層を堆積する前にビア構造の底部を清浄及び／又はエッチングするために銅イオンを用いる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明の原理によれば、上述の問題を解決するために、シーケンシャルな堆積及びエッチング段階を用いる方法及び装置を提供する。本発明の方法はまず、例えば、タンタル（Ｔａ）、窒化タンタル（ＴａＮ）、又は銅（Ｃｕ）のようなメタライゼーションの薄層を堆積する段階、好適には、堆積を停止した後に、好適にはイオン化気体例えば、アルゴン（Ａｒ）によってイオンエッチング段階を実施する。
【００１１】
エッチング段階は、堆積段階中に堆積されるより、ウェハーの頂部面上の領域及びビア底部の両方上の材料を少なく除去し、そのため、工程サイクルの終了時には堆積が残っている。堆積／エッチングサイクルは、所望の結果を得られるのに必要とされる回数だけ繰り返すことができる。堆積及びエッチング回数と速度と堆積及びエッチングをバランスさせることによって、張出成長を排除し又は最小にする。張出部及び底部堆積はエッチバックされ、少なくとも部分的に側壁に再分布される。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の一実施形態の方法では、材料を、小さな高アスペクト比の特徴部（features）例えば、３又は５から１５又はそれ以上のアスペクト比の直径０．１５μｍ以下のホール若しくはビアを有するウェハー上に堆積する。堆積には、本明細書に参考文献として全て組み込まれ、少なくとも部分的に基礎としている米国特許第６，２８７，４３５号明細書、米国特許第６，０８０，２８７号明細書、米国特許第６，１９７，１６５号明細書、米国特許第６，１３２，５６４号明細書、米国特許第５，９４８，２１５号明細書、米国特許第５，８００，６８８号明細書及び国際出願ＰＣＴ／ＵＳ００／３１７５６号明細書に記載された特徴を有するイオン化物理的気相堆積法（ｉＰＶＤ）法及び装置を用いる。
【００１３】
本発明の一の実施形態では、上述の米国特許第６，２８７，４３５号明細書の図１及び国際出願ＰＣＴ／ＵＳ００／３１７５６号明細書に詳細に記載されたようなイオン化ＰＶＤ装置のユニークな利点を利用する。この装置は、シーケンシャルな堆積及びエッチング工程に特に適している。シーケンシャルな堆積及びエッチング工程は、真空を破ることなく又はチャンバからチャンバへのウェハーの移動をすることなく、同じ工程チャンバにおいて基板に適用できる。装置の構成は、イオン化ＰＶＤ堆積モードからエッチングモード、又はエッチングモードからイオン化ＰＶＤ堆積モードへの迅速な変化が可能である。また、装置の構成は、堆積モード中のイオン化ＰＶＤ堆積工程制御パラメータ及びエッチングモード中のエッチング工程制御パラメータの瞬時の最適化を可能とする。これらの利点の結果として、優れたビアメタライゼーション及びその後の電気メッキ充填操作を有するウェハーの高スループットとなる。
【００１４】
本発明は、低基板温度に加えて、例えば、８ｋＷから１９ｋＷ典型的には１１ｋＷの高ＤＣターゲットパワーを提案する。高パワーレベルは、高スループット工程につながるだけでなく、Ｃｕ又はＴａのような金属種のイオン化及びイオン堆積を最適にする。
【００１５】
本発明は、高スループットを有し、かつヴァン・バスカークらが教示する方法で成長する界面層なしで、同じチャンバにおいてインサイチューで、シーケンシャルな堆積及びエッチング段階を実施することによって、従来技術の問題を解決する。
【００１６】
本発明で提供された方法の構成は広範囲の圧力を可能とし、それによって、高ウェハースループットレベルでコンフォーマルなビア及びトレンチ被覆（カバレージ）が実現する。本発明は、ニケイらの低圧の制限を有さず、装置の能力を利用して方法のスパッタリング及びエッチング段階のために最適化された工程圧力レベルを提供する。さらに、従来技術は、生成される膜の均一性を向上するために各段階について最適化された源−基板距離を有する堆積−エッチングサイクルを教示しない。
【００１７】
米国特許第６，０８０，２８７号明細書は、シーケンシャルなエッチング及び堆積スキームを教示しないし、クリーニング（清浄化）種として金属イオンに限定している。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
本発明のこれらの及び他の目的や利点は、本発明の実施形態の以下の詳細な説明からより明瞭になるだろう。
【００１９】
図１は、ｉＰＶＤによる半導体ウェハー１２の誘電体内部層１３に形成されたビア構造１１に金属膜１０を堆積した図を示すものである。金属イオン１８をウェハー１２上に堆積すると、金属堆積はビア入口で厚くなって張出構造１４を生じる傾向を有する。同様に、ビア１１の底部１５で金属堆積は側壁１６より厚くなる。ビアの寸法は誘電体内部層１３の厚さに対応する減少がなく０．１５μｍまで小さくなると、ビア１１のアスペクト比はかなり増大し、ビア１１の側壁１６上への金属イオン１４のフラックスを制限する。１００Å未満の薄い堆積に対しては、ビア１１の側壁上に堆積された薄膜は、特に銅のような金属のシード層に対しては、塊状のアイランド構造を有する傾向がある。銅シード層におけるギャップ及び不連続性によって、金属被覆が最小である特に側壁の底部では、側壁１６上にメッキボイドを形成する場合がある。
【００２０】
図２は、ビア１１の底部１６から及びビア１１の上部の張出構造１４から金属堆積１０を再スパッタリングするためのエッチングサイクルを模式的に示すものである。エッチングサイクルでは、アルゴンイオン（Ａｒ＋）が、矢印１９で示すように堆積層１０に当たってそこから材料をスパッタする。このスパッタリングは、ビア底部１６及び張出部１４から過剰な材料を除去する。金属層が銅のときは、エッチング工程は、ビア入口でビア底部１５及び張出部１４からスパッタされる銅を再堆積することによって、から底部１５及び側壁１６の頂部の上のＣｕの連続性を増大する。エッチングされる金属がバリア層の場合、ビア底部１５での膜厚の減少によって、ビアの全接触抵抗を低減し、装置の性能を改善する。
【００２１】
堆積及びエッチングサイクルを、図３で示したｉＰＶＤ装置を参照して説明する。イオン化ｉＰＶＤについては、ウェハー２１を温度制御静電チャック２２の頂部に載置する。スパタリングガスをソース２３から真空処理チャンバ３０に供給する。このチャンバの圧力はポンプ２９によって真空に維持され、ｉＰＶＤ用の適当なイオン化堆積範囲に調整する。ＤＣパワーをパワー源２４からターゲット２５に供給し、ＲＦパワーをＲＦ発生器２７からアンテナ２６に供給する。これらの電力源２４及び２７を、ｉＰＶＤによる堆積にとって適当なパワーレベルにする。ウェハーＲＦバイアスを、ＲＦバイアス発生器２８によってチャック２２に供給する。ＲＦバイアス発生器２８も、方法（工程）を改善し実施するために、ウェハー２１上に正味で負のバイアスを付与するように堆積中に適当なレベルにすることができる。アンテナ２６を、チャンバ壁３２における誘電体ウィンドウ３１の背後のチャンバ３０の外に配置する。好適には細長い穴の開いた金属材料で成る堆積バッフル３３をウィンドウ３１に近接したチャンバ内部に配置し、ウィンドウ３１を堆積から遮蔽する。永久磁石パック３４を、マグネトロンスパタリング用のターゲット２５全体に磁気トンネルを形成するためにターゲット２５の背後に配置する。
【００２２】
ウェハー２１の温度を制御して、最良のビアメタライゼーションを得るようにする。ウェハーテーブル２２はＺ方向駆動ドライブ３５を備え、基板−ソース間距離を調整して最良の堆積均一性、最良の被覆率（カバレージ）及びビア１１の側部１６と底部１５との対称性を提供する。典型的なイオン化ｉＰＶＤ堆積パラメータのいくつかを［表１］に示す。
【表１】
0004429605.tif 000002
【００２３】
［表１］で示した方法に対して、基板−ソース間距離を典型的には１５０ｍｍから２７５ｍｍにすることができる。アルゴンガスが典型的なスパタリングガスである。ＴａＮｘのような窒化金属のバリア層を堆積するために、スパッタ堆積中にアルゴンガスに加えて窒素ガスを用いる。
【００２４】
所望量の堆積の後に、ターゲット２５へのＤＣパワーを、堆積を実質的に低減若しくは停止するために、低下若しくは停止する。当業者は、堆積工程が、完全に停止することなくＤＣパワーレベル２４を非常に低いレベルまで低減することによって、実質的に低減若しくは停止することができることを理解している。ＩＣＰアンテナへのＲＦの励起を維持して、アルゴンプラズマを生成続ける。この点で、チャンバＡｒ圧力、ＩＣＰパワー、ＲＦ基板バイアスパワー及び基板−ソース間距離を調整して、最適エッチング条件を提供する。前の堆積段階が窒化金属のためのものだった場合は、チャンバへの窒素フローを停止し又は低減してもよい。ウェハーテーブル２２の温度をエッチング段階用に変更することができるが、これは通常必要ない。典型的なエッチング段階を［表２］に示す。
【表２】
0004429605.tif 000003
【００２５】
従来技術の方法では、シード材料層の凝集は通常であり、これによって、シード層上全体に堆積される電気メッキ充填物にボイドが生し、信頼性に問題がある受け入れがたい製品ができることとなる。
【００２６】
本発明に対応して、ウェハー温度をシーケンシャルな堆積及びエッチング段階中に制御する。これらの方法は、米国特許第６，２８７，４３５号明細書に示した装置において、静電チャック２２が流体経路の冷却及び適当な温度制御を備えることによって実施してもよい。チャック２２とウェハー２１との間の良好な熱接触は、ウェハー２１とチャック２２との間に背面気体導通を提供することによって達成できる。薄い金属堆積が特にビア構造の側壁で塊にならないことを保証するために、背面気体導通を堆積及びエッチングの両方の段階で制御することができる。
【００２７】
エッチング段階中、特に銅堆積−エッチング工程に対しては、銅膜を保持しなければならず、比較的高い基板バイアスの影響の下で、基板をエネルギーを有するイオンでボンバードするエッチング段階中に加熱することはできない。エッチング段階の目的は、成功したビアもしくはトレンチ充填物に有害な張出物の量を低減し、底部被覆の厚さを低減することである。ビア及びトレンチの側壁へのさらなる材料を再堆積して、そこの膜をより連続的にすることもエッチング段階の目的である。基板２１の温度を制御せず、エッチング段階中に増大することを許容するならば、銅原子の移動度は増大し、基板２１の表面上で拡散し、連続銅膜の形成の代わりにビア及びトレンチ１１の側壁１６で大きな銅の瘤のかたまりとなる。従って、基板温度をエッチング中に制御し冷たく保持する。
【００２８】
例えば、エッチング中に、バイアス発生器２８から基板テーブル２２への電力を約５００ワットに維持し、それによって、ウェハーテーブル２２上で約−３００ボルトバイアスとなる。このようなエッチング段階中での基板２１で生成された熱を、ウェハー２１の温度を実質的に室温未満、好適には０℃未満、好適には約−３０℃に維持するために、ウェハーチャック２２によって効率的に抽出する。
【００２９】
エッチング段階の後、他の堆積段階を行ってもよい。エッチングが続く堆積のサイクルを一回若しくは所望の回数だけ繰り返してもよい。他の実施形態では、全工程中に少なくとも一のエッチング段階を行ってもよい。本発明の方法の一の実施形態において、典型的なバリア工程は、窒化タンタルを堆積してエッチングする段階、タンタル金属堆積して他のエッチング段階が続く。堆積段階中に堆積される金属の厚さは、エッチング中に除去される厚さに比べて大きく、結果として正味の堆積となる。
【００３０】
一の操作シーケンスでは、各サイクルは各堆積及びエッチングモードについて、固定時間、圧力、ＤＣ及びＲＦパワーレベル、及びソース−基板間距離のような固定堆積及び固定エッチングパラメータを有する。この操作シーケンスの例を図４に示し、ここでは、電力源２４からターゲット２５へのＤＣ電力をスイッチングして、堆積中にオンとし、エッチング中にオフとしている。発生器２８からテーブル２２へのＲＦバイアスパワーをスイッチングして、堆積中に低めのバイアスとし、エッチング中に高めのバイアスとする。Ｚ方向ドライブ３５は、テーブル２２を移動して、堆積に対してより、エッチングに対して、ウェハーをソース（ターゲット２５及びアンテナ２６を含む）に近づける。
【００３１】
本発明の方法を実施するシステムの他の操作シーケンスでは、堆積及びエッチングモードの相対的部分及びそれらの各工程パラメータを、サイクルからサイクルへのサイクル中に変更して、最良の全体最終結果を得てもよい。このシーケンスの例を図５に示す。ここでは、種々の曲線を重ね合わせてそれらの時間的な関係をよりよく示している。工程のこの実施形態を実施するシステムの利点は、これが堆積モードからエッチングモードへ迅速に変化できることである。その固有の利点を有する高圧力で均一な堆積、及び、低圧での均一なエッチングの両方を提供する装置の能力は、高スループットで所望の結果を得ることを容易にする。米国特許第６，２８７，４３５号明細書及び国際出願ＰＣＴ／ＵＳ００／３１７５６号パンフレットに示した装置のｉＰＶＤソースは、ウェハーに対して均一な若しくは高い指向性を有する金属フラックスを提供するものである。このようなソースは、ターゲットの中心で誘電体ウィンドウの背後のＲＦコイルを有する円錐状ターゲット又は環状リング形状ターゲットを含む。このようなソースを用いると、ある条件下では、ウェハー上への正のアルゴンイオンのフラックスは均一でなく、中央に集まったものであって、基板に直交する軸の周りに広く角度分布を示すものであってもよい。これは、高圧力堆積にとっては適している。しかし、サイクルのうちの堆積部分の間に堆積された材料の（サイクルのうちの）エッチング部分の間の再スパッタリングは、ウェハーの端部より中央部でより強調され、実施されるエッチングに対しては望ましくない。スパッタエッチング段階中での圧力の低下によって、ウェハー上での正のアルゴンイオンのフラックスはより均一となり、ウェハーバイアスを用いるとさらに基板に対して指向性が高くなり、基板に対してより直交性が高くなる。プラズマソース−ウェハー間隔を制御するためのＺ方向距離の調整は、最良のエッチング及び堆積均一性を提供するように実施することができる。
【００３２】
エッチング中に圧力を低くすることによって他の利点もある。高めの圧力では、上述のｉＰＶＤを用いたサイクルのうちの堆積部分の間に典型的には用いられるが、ウェハーからプラズマへ放出される材料は多重の衝突を行い、ウェハー上に反射して戻されたりする。熱せられた材料のこのフラックスは張出部を増大し得る。この張出部は堆積−エッチングｉＰＶＤ工程によって低減される。というのは、低圧では、ウェハーからスパッタされる材料の平均自由工程が長くなり、それがイオン化され又はチャンバ３０の壁３１に衝突する前に、ウェハー上に反射して戻されることがはるかに少なくなるからである。理想的には、堆積−エッチングサイクルは、典型的な６０秒の工程時間で多数のサイクルを可能とするために、迅速であるべきである。可変デューティサイクルでのパルス状ＤＣパワーが、この目的のためには理想的に適している。基板−ソース間隔は図４の間隔と同様である。
【００３３】
図５では、“ＩＣＰパワー”は高密度プラズマを形成するための発電機２７からのＲＦ誘導的に結合されたパワーを意味し、他方、“ＲＦ基板バイアスパワー”は、基板２１上への負のバイアスを形成するために、発電機２８からテーブル２２に付与されるＲＦパワーを意味する。“ＤＦパワー”は、材料がスパッタされるように、パワーサプライ若しくは電源２４からターゲット２５材料に付与されるＤＣ電力（パワー）を意味する。パラメータを、高めの圧力堆積段階中に発火されるプラズマをエッチング段階中連続的に維持するように制御する。図５は、この場合ではないが、プラズマを発火するためにアルゴンフローをエッチング段階の前に増大するシステムの運転の実際のデータを示すものである。プラズマの再励起は、図５におけるＲＦ基板バイアスパワーで明らかなスパイクに対応している。図５Ａ及び図５Ｂは、明瞭さのために図５のパラメータプロットを分離して提供するものである。
【００３４】
図４及び図５で示し図６のブロック図で示したパラメータコントロールを実施するために、システムコントローラ４０をプログラムする。
【００３５】
本発明の方法は、上述の装置２０を用いるときに特に好都合である。この装置では、１−１５０ｍＴｏｒｒ若しくはそれより高い圧力までの範囲の堆積圧力、又は、スパッタされた材料がターゲットと基板との間で多数の衝突する又は“熱せられる（熱運動化される）”他の圧力を含む広い圧力範囲にわたって特に金属であるところの材料を堆積するものである。
【００３６】
装置２０はまた、非常に高いテーブルパワーで堆積を可能とする、広いＲＦテーブルパワー範囲にわたって堆積が可能であるという利点も有する。エッチングを組み合わせた低い低テーブルパワー処理によって、側部及び底部（少なくともバリア層）の材料全てを同様に除去する前に、張出部の一部だけを除去することができる。高いテーブルパワー堆積工程によって、底部被覆が高くなり、底部側壁上の堆積が厚くなると共に、ビアの残部上での側部被覆が良好となり、これによって、張出部をより完全に除去するまでエッチング段階を進行することができるようになる。これらの利点は、ウェハー２１に直交する方向により近い方向にイオンの軌道を形成すると共に堆積中に同時に再スパッタするウェハー２１上に十分に高いＤＣバイアスを付与する結果として生じる。これによって、特徴的底部１５での被覆を強化し、特徴的底部での材料を除去する前に張出部のさらなるエッチングを可能となる。テーブルパワー及び堆積圧力を最適化する能力によって、再スパッタされた材料の再堆積からの高いテーブルパワー堆積中の張出部の増大は最小化することができ、エッチング工程による張出部を縮小することが可能となる。
【００３７】
堆積／エッチングサイクルは、高堆積圧力と１０ｍＴｏｒｒ未満、特に数ｍＴｏｒｒから０．１ｍＴｏｒｒ未満の低エッチング圧力との間で迅速な繰り返しスイッチングによって実施されるのが好ましい。圧力のスイッチングは、ターゲット上でのスパッタリングパワーのスイッチング及びレベル間の基板上でのバイアスパワーのスイッチングの間に実施する。基板バイアスは、基板上でのＲＦパワーのパルス化によってシフトし又はスイッチすることができる。任意に、基板バイアスをＲＦパワーの２つのレベル間でスイッチすることができる。基板バイアススイッチングによって、堆積中に数１０ボルト、及び、エッチング中に数１００ボルトのプラズマに対して基板上に負のポテンシャルを生成し、他方、ターゲットＤＣバイアスを堆積中の負のターゲットスパッタリング電圧とエッチング中にゼロボルトもしくはゼロボルト近傍との間でスイッチする。エッチング中のバイアスパワーは、堆積中のものより、１０倍若しくはそれ以上であることが好ましい。
【００３８】
スイッチングは、ウェハー当たりの全処理時間を好適には１分以下の範囲で、サイクル当たり約１秒、若しくはサイクル当たり０．１秒から２０秒の範囲であるのが好ましいが、ある工程ではより長い処理時間を要する場合もある。
【００３９】
本発明の他の実施形態では、サイクルのエッチング部中に、ウェハー上に正のアルゴンイオンフラックスを、サイクルの堆積部中にｉＰＶＤからの金属フラックスのように均一若しくは指向性にする。これを、図３Ａで示したチャンバ３０の内部に又はプラズマの外部に配置することができる他のソレノイドコイル４１で上述のチャンバを囲繞することによって実現する。このようなコイル４１を用いて、正のアルゴンイオンフラックスは基板２１に直交してより均一（一様）にすることができる。堆積中に基板の表面上に単層が複数程度にできるだけ少なく堆積され、次いで、比較的大きな量の材料が堆積される特徴部１１の頂部コーナー１４及び特徴部１１の底部１５から材料をスパッタリングされて、あまり材料が堆積されないが被覆が非常に重要である側壁１６上に堆積する（図１参照）という効果を有するために堆積を妨害するように、コイル４１とアンテナ２６とを含むこのデュアルコイルシステムはパルス化することができる。
【００４０】
他の代替の配置４０は、その中心に従来のプラナーマグネトロンを有する円錐状のＩＣＰ源４４を含み、このＩＣＰ源４４は、図３Ｂで示したように、背部が磁石アセンブリ４６であるターゲット４５を含む。ＩＣＰ源４４は、チャンバ壁４２において誘電体ウィンドウ４８の背後にチャンバ４３の外側に円錐状のコイル４７を含み、ウィンドウ４８を堆積から保護する円錐状堆積バッフル４９を有する。
【００４１】
上述の構成は、エッチングするときより、金属を堆積するときに高めの圧力で運転されてもよい。この場合にとって、迅速な波でチャンバを真空にしてもよい。これは、図７で示したポンピングスキームを利用してもよい。
【００４２】
図３，図３Ａ及び図３Ｂで示したようなチャンバは、図７で示したような絞りゲートバルブ５０とターボポンプとを備えてもよい。このような絞りゲートバルブ５０が、所望のコンダクタンス範囲を制御する能力を有しない場合、図７Ａのポンピング構成を、コンダクタンス範囲を増大するために用いる平行ブランチ５２を用いて使用してもよい。
【００４３】
スパッタ堆積とエッチングとの間の圧力差は、スパッタリングチャンバへのガスフロー速度を変えることによっても実現することができる。ガスフローの変化とポンピング速度の変化との組合せを用いてもよい。
【００４４】
気体は、しばしば好適なアルゴンでもよいが、工程に互換的な他の不活性ガス若しくは非不活性ガスでもよい。
【００４５】
スパッタされる材料は銅、Ｔａ等の金属、電気的に非導電性の材料のためにさらにＲＦパワーサプライが必要な誘電体材料、又は半導体材料であり得る。
【００４６】
特徴部の底部からの、タンタル、ＴａＮ、ＴｉＮ、チタンのようなバリア層材料の厚い堆積の再スパッタリングは、特徴部の底部でのこのような厚い堆積を生じることになる高い接触抵抗を回避するために役に立つ。
【００４７】
バリア層材料全体に堆積した銅のような導電性材料を用いると、端部からの材料の再スパッタリングによって特徴部の内部を遮蔽することを回避する。このような張出部材料は、連続する電気メッキ工程における特徴部の有効な底部充填を抑制するものである。
【００４８】
エッチング中にアルゴンイオンの方向性を、特徴部の上半部もしくは一部での側壁上への特徴部の端部からの再スパッタリング、及び、特徴部の下半部もしくは一部での側壁上への特徴部の底部からの再スパッタリングを促進するように制御することができる。
【００４９】
本発明は堆積工程が反応性工程、例えば、ＴｉＮ，ＴａＮ，ＳｉＮ等の化合物膜を堆積するための工程で用いてもよい。このような場合、堆積中に、Ｎ２若しくは他のいくつかの反応性ガスをアルゴンガスに加えてチャンバに導入する。
【００５０】
最良のシステム及び工程の結果のために、ＲＦパワーサプライ周波数を選択することができる。典型的な周波数は１３．５６ＭＨｚ若しくは２ＭＨｚであるが、これらの周波数に限定しない。
【００５１】
当業者は、本発明の原理の範囲から逸脱することなく、上述の実施形態に対して、除去、付加及び変更を行うことができることを理解できる。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】ｉＰＶＤによる金属堆積に含まれるメカニズムを示す半導体ウェハーの一部の断面図である。
【図２】堆積された金属のエッチングによって再スパッタリングに含まれるメカニズムを示す図１の半導体ウェハーの一部の断面図である。
【図３】本発明で使用するｉＰＶＤ装置の一の実施形態の断面図である。
【図３Ａ】本発明で使用するｉＰＶＤ装置の他の実施形態の断面図であって図３と同様な図である。
【図３Ｂ】本発明で使用するｉＰＶＤ装置のさらに他の実施形態の断面図であって図３及び図３Ａと同様な図である。
【図４】本発明の実施形態によるシーケンシャルな堆積及びエッチング工程中のパラメータのスイッチングを示す図である。
【図５】本発明の他の実施形態によるシーケンシャルな堆積及びエッチング工程中のパラメータのバリエーションを示すグラフである。
【図５Ａ】図５の選択された部分を示すグラフである。
【図５Ｂ】図５の選択された部分を示すグラフである。
【図６】図３、図３Ａ及び図３Ｂの装置用の制御システムの一部を示す図である。
【図７】図３、図３Ａ及び図３Ｂの装置用の代替のガスフロー制御システムの一部を示す図である。
【図７Ａ】図３、図３Ａ及び図３Ｂの装置用の代替のガスフロー制御システムの一部を示す図である。
【符号の説明】
【００５３】
１０  材料
１１  高アスペクト比サブミクロン特徴部
１５  底部
１６  側壁
２０  ｉＰＶＤ装置
２１  半導体基板
３０  真空チャンバ
【図１】
0004429605.tif 000004
【図２】
0004429605.tif 000005
【図３】
0004429605.tif 000006
【図３Ａ】
0004429605.tif 000007
【図３Ｂ】
0004429605.tif 000008
【図４】
0004429605.tif 000009
【図５】
0004429605.tif 000010
【図５Ａ】
0004429605.tif 000011
【図５Ｂ】
0004429605.tif 000012
【図６】
0004429605.tif 000013
【図７】
0004429605.tif 000014
【図７Ａ】
0004429605.tif 000015