(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
トリアルキルインジウム化合物を製造する方法であって、
ａ）トリハロインジウム化合物とトリアルキルアルミニウム化合物を有機反応溶媒中、フッ化物塩の存在下で反応させ、トリアルキルインジウム化合物と有機アルミニウム−フッ化物塩を含む反応混合物を形成させ、ここでトリハロインジウム化合物のフッ化物塩に対するモル比は１：４．５〜１：５．９の範囲であり、有機反応溶媒は１００℃またはより高い沸点を有し、
ｂ）反応混合物から有機反応溶媒を分離し、さらに
ｃ）トリアルキルインジウム化合物を溶解し及び有機アルミニウム−フッ化物塩を溶解しない抽出溶媒を用いてトリアルキルインジウム化合物を抽出する
工程を含む、前記方法。
【請求項２】
トリハロインジウム化合物が、トリクロロインジウム、トリブロモインジウム、およびトリヨードインジウムからなる群から選択される請求項１記載の方法。
【請求項３】
トリアルキルアルミニウム化合物が、トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、トリ−ｎ−プロピルアルミニウム、トリ−イソ−プロピルアルミニウム、トリ−イソ−ブチルアルミニウム、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルアルミニウム、トリ−ｎ−ブチルアルミニウム、およびトリ−ｎ−ヘキシルアルミニウムからなる群から選択される請求項１記載の方法。
【請求項４】
トリアルキルアルミニウム化合物が、トリメチルアルミニウムである請求項３記載の方法。
【請求項５】
有機反応溶媒が、直鎖状（Ｃ１０〜Ｃ１２）アルキルベンゼンの混合物、スクアラン、１，２−ジメチルナフタレン、ノナデカン、オクタデカン、ヘプタデカン、ヘキサデカン、ペンタデカンおよびエイコサンからなる群から選択される請求項１記載の方法。
【請求項６】
有機反応溶媒が蒸留またはろ過によって反応混合物から分離される請求項１記載の方法。
【請求項７】
トリハロインジウム化合物のフッ化物塩に対するモル比が１：４．５〜１：５．５の範囲である請求項１記載の方法。
【請求項８】
トリアルキルインジウム化合物が有機反応溶媒から抽出される請求項１記載の方法。
【請求項９】
トリアルキルインジウム化合物が、トリメチルインジウム、トリエチルインジウム、トリ−ｎ−プロピルインジウム、トリ−イソ−プロピルインジウム、トリ−イソ−ブチルインジウム、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルインジウム、トリ−ｎ−ブチルインジウム および トリ−ｎ−ヘキシルインジウムからなる群から選択される請求項１記載の方法。
【請求項１０】
トリアルキルインジウム化合物がトリメチルインジウムである請求項９記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
発明の背景
本発明は概して有機金属化合物分野に関する。特に本発明はインジウム蒸着プロセスでの使用に適した特定のトリアルキルインジウム化合物に関する。
【０００２】
金属フィルムを、非導電性の表面をはじめとする表面上に様々な手段、例えば、化学蒸着（ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ「ＣＶＤ」）、物理蒸着（ｐｈｙｓｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ「ＰＶＤ」）、並びに液相エピタキシ（ｌｉｑｕｉｄ  ｐｈａｓｅ  ｅｐｉｔａｘｙ「ＬＰＥ」）、分子線エピタキシ（ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  ｂｅａｍ  ｅｐｉｔａｘｙ「ＭＢＥ」）、およびケミカルビームエピタキシ（ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｂｅａｍｅｐｉｔａｘｙ「ＣＢＥ」）をはじめとする他のエピタキシ技術によって、蒸着させることができる。有機金属化学蒸着（ｍｅｔａｌｏｒｇａｎｉｃ  ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ「ＭＯＣＶＤ」）をはじめとする化学蒸着プロセスは、高温、すなわち、室温より高い温度で、並びに大気圧下または減圧下のいずれかで、有機金属前駆体化合物を分解することによって金属層を堆積する。
【０００３】
多種多様の金属を、例えばＣＶＤまたはＭＯＣＶＤプロセスを用いて堆積させることができる。例えば、Ｓｔｒｉｎｇｆｅｌｌｏｗ著、「Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃ  Ｖａｐｏｒ  Ｐｈａｓｅ  Ｅｐｉｔａｘｙ：  Ｔｈｅｏｒｙ  ａｎｄ  Ｐｒａｃｔｉｃｅ」、Ａｃａｄｅｍｉｃ  Ｐｒｅｓｓ、第２版、１９９９年を、前記プロセスの概要として参照せよ。例えば、インジウムはエピタキシ成長によって作成された様々な金属フィルムに用いられ、特に、集積回路および発光ダイオード類（「ＬＥＤｓ」）をはじめとする電子デバイスの製造に用いられる。例えば、インジウム含有金属フィルムとして、インジウム−リン（「ＩｎＰ」）、インジウム−ガリウム−ヒ素（「ＩｎＧａＡｓ」）、インジウム−ガリウム−アルミニウム−リン（「ＩｎＧａＡｌＰ」）、インジウム−ガリウム−ヒ素−リン（「ＩｎＧａＡｓＰ」）、インジウム−ガリウム−ヒ素／ガリウム−ヒ素／アルミニウム−ガリウム−ヒ素（「ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ」）、インジウム−ヒ素（「ＩｎＡｓ」）、インジウム−アンチモン（「ＩｎＳｂ」）およびインジウム−ヒ素−ビスマス（「ＩｎＡｓＢｉ」）が挙げられる。
【０００４】
金属層および合金層は、典型的にＣＶＤまたはＭＯＣＶＤプロセスで、１以上の前駆体化合物の分解によって形成される。多種多様の前駆体化合物を用いることができる。従来のＣＶＤプロセスにおいて、適した前駆体化合物は、前駆体化合物を蒸着チャンバーに移送させることが可能である程度に充分な蒸気圧を有していなければならない。
【０００５】
トリアルキルインジウム化合物は、インジウムおよびインジウム含有フィルムの気相堆積におけるインジウム源として商業的に成功を収めた。特に、トリメチルインジウムは、半導体および関連の電子産業において有用なインジウム−リンフィルムの形成に好ましいインジウム源である。前記の電子的な用途に有用であるためには、トリアルキルインジウム化合物は高度に精製されていなければならず、すなわち、検出可能なレベルのスズ、シリコン、ゲルマニウムおよび亜鉛をはじめとする金属不純物を実質的に有さない。高度に精製されたインジウム源化合物を作成する１つの方法は、米国特許第４，８４７，３９９（Ｉｌａｌｌｏｃｋ等）に開示されているものである。前記特許は、非常に低い金属不純度のトリメチルインジウムを調製する方法を開示しているが、しかしながら、前記の方法はメチルリチウムおよび反応溶媒としてエーテルの使用を要求する。微量のエーテルが常に、前記方法により作成されたトリメチルインジウムに付随して残留する。
【０００６】
トリアルキルインジウム化合物の重要な用途の１つ、および高度に精製されたトリアルキルインジウム化合物の主要な用途は、ＬＥＤ類の製造におけるインジウム含有フィルム蒸着のためのインジウム源としての用途である。酸素は、金属源化合物中にいくらか存在した場合、成長しているフィルムの結晶格子中に組み込まれ、これはＬＥＤ類によって作られる光の強度を減少させることのある電子過多の原因となる。従って、高純度、金属不純物について純度９９．９９９％（５−ｎｉｎｅｓ）、および非常に低い酸素含量を有するトリアルキルインジウム化合物が望まれている。
【０００７】
米国特許第５，７５６，７８６（Ｐｏｗｅｒ等）は、エーテル系溶媒の使用を伴わない、高純度のトリメチルインジウムを調製するプロセスを開示している。前記のプロセスは、金属フッ化物の存在下で、トリハロインジウム化合物とトリアルキルアルミニウム化合物間のアルキル置換反応を利用し、ここでトリハロインジウム化合物の金属フッ化物に対するモル比は１：６である。前記のような多量の金属フッ化物塩は、操作および反応副生成物の処分コストを増加させる。加えて、前記特許の精製手法はトリメチルインジウムを溶融させる必要があり、従って安全性を高めること並びに操作の懸念がある。
【０００８】
そのような方法に付随する操作および安全性を改善し、さらに処分する材料の量を減少させつつ、高収率および高純度でトリアルキルインジウム化合物を調製する方法への継続的な必要性がある。
【０００９】
驚くべきことに、従来の方法と比較して減少した量の金属フッ化物塩を使用し、様々な溶媒中で、トリアルキルインジウム化合物が調製できることを見いだした。本発明のトリアルキルインジウム化合物の調製は、トリアルキルインジウム化合物を溶融させない簡単な精製手法を使用する。加えて、本発明は高収率および高純度でトリアルキルインジウム化合物を提供する。
【００１０】
本発明はトリアルキルインジウム化合物を製造する方法を提供し、前記方法はａ）トリハロインジウム化合物とトリアルキルアルミニウム化合物を有機反応溶媒中、フッ化物塩の存在下で反応させ、反応混合物を形成する工程（ここでトリハロインジウム化合物とフッ化物塩とのモル比は少なくとも１：４．５であり、有機反応溶媒は１００℃またはより高い沸点を有する）、ｂ）反応混合物から有機反応溶媒を分離する工程、およびｃ）抽出溶媒を用いてトリアルキルインジウム化合物を抽出する工程を含む。
【００１１】
本明細書を通して使用されている以下の略語は、文脈で他に明確に示さない限り、以下の意味を有する：℃＝摂氏温度、ＮＭＲ＝核磁気共鳴、ｇ＝グラム、Ｌ＝リットル、ｍｍ＝ミリメートル、ｍｏｌ＝モル、およびｍＬ＝ミリリットル。
【００１２】
「ハロ」はフルオロ、クロロ、ブロモおよびヨードを表している。同様に、「ハロゲン化」はフッ素化、塩素化、臭素化およびヨウ素化を表している。「アルキル」は直鎖状、分岐鎖状および環状アルキルを含む。「低級アルキル」という語は６つまたはそれより少ない炭素を有するアルキル基を表す。他に記載しない限り、全ての量は重量パーセントであり、全ての割合は重量基準である。全ての数的範囲はその境界値を含み、さらにその数的範囲が合計１００％にされているのが明らかな場合を除いて、任意の順序で組み合わせ可能である。
【００１３】
本発明は、例えばＣＶＤおよび／またはＭＯＣＶＤのための、蒸着前駆体化合物として使用するのに適したインジウム化合物を提供する。トリアルキルインジウム化合物は、本発明のプロセスによって調製され、本発明のプロセスは、トリハロインジウム化合物とトリアルキルアルミニウム化合物を有機反応溶媒中、フッ化物塩の存在下で反応させ、反応混合物を形成する第１の工程（ここでトリハロインジウム化合物とフッ化物塩とのモル比は少なくとも１：４．５であり、有機反応溶媒は１００℃またはより高い沸点を有する）を含む。
【００１４】
ＩｎＸ３（式中Ｘはハロゲン）の式を有する、多種多様なトリハロインジウム化合物を本発明で使用することができる。各々の「Ｘ」は独立にいかなるハロゲンでもよいが、各々の「Ｘ」が同じハロゲンであることが好ましい。特に適したトリハロインジウム化合物として、トリクロロインジウム、トリブロモインジウム、トリヨードインジウムおよびトリフルオロインジウム、好ましくはトリクロロインジウム、トリブロモインジウムおよびトリヨードインジウム、より好ましくはトリクロロインジウムが挙げられるが、これらに限定されるものではない。トリハロインジウム化合物は概して様々な供給元から商業的に入手可能であるか、または当該技術分野において知られる方法によって調製することができる。
【００１５】
本発明において有用なトリアルキルアルミニウム化合物は典型的にＲ３Ａｌの式を有し、式中各々のＲは独立に（Ｃ１〜Ｃ１０）アルキル、好ましくは（Ｃ１〜Ｃ６）アルキル、より好ましくは（Ｃ１〜Ｃ３）アルキルから選択される。適したトリアルキルアルミニウム化合物として、トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、トリ−ｎ−プロピルアルミニウム、トリ−イソ−プロピルアルミニウム、トリ−イソ−ブチルアルミニウム、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルアルミニウム、トリ−ｎ−ブチルアルミニウム、トリ−ｎ−ヘキシルアルミニウム等が挙げられるがこれらに限定されるものではない。前記のトリアルキルアルミニウム化合物は、概して様々な供給元から商業的に入手可能であるか、または文献で知られている様々な方法によって調製することができる。
【００１６】
１００℃またはより高い沸点を有し、反応物質またはトリアルキルインジウム生成物と反応せず、さらにエーテル−置換を有しない、あらゆる有機溶媒を本発明で使用することができる。特に有用な有機反応溶媒は、脂肪族炭化水素および芳香族炭化水素である。適した有機反応溶媒として、直鎖状（Ｃ１０〜Ｃ１２）アルキルベンゼン類（「ＬＡＢ」）の混合物、スクアラン、１，２−ジメチルナフタレン、ノナデカン、オクタデカン、ヘプタデカン、ヘキサデカン、ペンタデカン、エイコサン等が挙げられるがこれらに限定されるものではない。しかしながら、飽和炭化水素、不飽和炭化水素、直鎖状炭化水素、分岐鎖状炭化水素、環状炭化水素、および芳香族炭化水素をはじめとする他の高沸点溶媒もまた適している。
【００１７】
フッ化物塩が反応混合物に添加され、アルミニウム錯体形成を補助する。多種多様なフッ化物塩を使用することができる。典型的に、フッ化物塩は式ＭＦｎ’を有し、式中Ｍはテトラ（Ｃ１〜Ｃ４）アルキルアンモニウム、テトラ（Ｃ６〜Ｃ１０）アリールアンモニウム、アルカリ金属イオンまたはアルカリ土類金属であり、またｎ’はアルカリまたはアルカリ土類金属の価数、すなわちｎ’＝ １または２である。好ましくは、フッ化物塩として、フッ化テトラメチルアンモニウム、フッ化テトラエチルアンモニウム、フッ化テトラフェニルアンモニウム、フッ化カリウム、フッ化ナトリウム、フッ化セシウム、フッ化ルビジウム、フッ化リチウム、フッ化カルシウム、フッ化バリウム、フッ化ストロンチウム等が挙げられるがこれらに限定されるものではない。フッ化カリウムが最も好ましい。
【００１８】
トリハロインジウム化合物のフッ化物塩に対するモル比は、少なくとも１：４．５である。トリハロインジウム化合物のフッ化物塩に対するモル比が１：６またはそれ以上である場合、米国特許第５，７５６，７８６号に開示されている昇華法をはじめとする、生成したトリアルキルインジウム化合物を精製／単離するためのいくつかの異なる方法を使用できることが、当該技術分野における技術を有する人々に認識されている。１：６未満のモル比が使用される場合、トリアルキルインジウム化合物はアルミニウム−フッ化物錯体から昇華を利用して単離することができない、というのは前記方法によって生成したフッ化有機アルミニウム化合物が所望のトリアルキルインジウム生成物と共昇華するためである。本発明の抽出方法は、昇華が使用できない場合に特に有利である。典型的にトリハロインジウム化合物のフッ化物塩に対するモル比は、１：４．５〜１：６、好ましくは１：４．５〜１：５．９、より好ましくは１：４．５〜１：５．５の範囲である。
【００１９】
フッ化物塩がフッ化アンモニウムまたはフッ化アルカリ金属である１つの態様において、本発明のプロセスは以下の反応スキームに従って、トリアルキルインジウム化合物を提供する：
【化１】
0004436614.tif 000002
式中、Ｘ＝ハロゲン、Ｒ＝（Ｃ１〜Ｃ１０）アルキル、Ｍ＝アンモニウムまたはアルカリ金属イオン、ｙ＝０〜１．５の範囲、およびｎ＝１〜２である。
【００２０】
概して、トリハロインジウム化合物、フッ化物塩および有機反応溶媒が反応容器に添加され、混合物は典型的に撹拌および脱気される。前記混合物にトリアルキルアルミニウム化合物が、通常滴下方式（ｄｒｏｐｗｉｓｅ ｍａｎｎｅｒ）で添加される。トリアルキルアルミニウム化合物の添加に続いて、反応混合物は典型的に、例えば６０℃〜１５０℃に加熱される。
【００２１】
本発明方法の第２工程において、有機反応溶媒は反応混合物から分離される。前記の溶媒分離工程は大気圧蒸留、減圧蒸留、ろ過および類似の手段をはじめとする様々な手段によって行うことができる。
【００２２】
本発明方法の第３工程において、トリアルキルインジウム化合物、所望の反応生成物は、抽出溶媒の使用を経て有機反応溶媒または反応混合物から抽出される。当該技術分野において知られている任意の抽出技術を適当に使用することができる。例えば、有機反応溶媒は蒸留などによって完全に除去されることができ、濃縮された反応混合物を得る。前記の反応混合物を次にトリアルキルインジウム化合物のための溶媒、または別法では、シクロペンタンまたはシクロヘキサンをはじめとする望まれない物質のための溶媒と接触させることができ、それによりトリアルキルインジウム化合物を取り出す。他の態様において、トリアルキルインジウム化合物を、抽出溶媒を用いて有機反応溶媒から抽出することができる。生成したトリアルキルインジウム化合物を溶解し、並びに有機アルミニウム−フッ化物塩を溶解しないあらゆる抽出溶媒が適当である。代表的な抽出溶媒としてベンゼン、例えばトルエン、キシレン（オルト−キシレン、メタ−キシレンおよびパラ−キシレンをはじめとする全ての異性体を含む）、およびトリメチルベンゼン（全ての異性体を含む）をはじめとする低級アルキルベンゼン等が挙げられるがこれらに限定されるものではない。
【００２３】
トリアルキルインジウム化合物が抽出溶媒中に抽出される場合、所望のトリアルキルインジウム化合物が、蒸留などによって抽出溶媒を除去することによって得られる。代替的には、トリアルキルインジウム化合物は様々な既知の方法によって抽出溶媒から結晶化可能である。例えば、トリメチルインジウムが本発明のプロセスに従って調製され、直鎖アルキルベンゼンの混合物を用いて抽出された場合、トリメチルインジウムは、シクロペンタンまたはシクロヘキサンをはじめとする少量の非溶媒をゆっくり添加することによって、直鎖アルキルベンゼン溶液から結晶化可能である。トリアルキルインジウム化合物は抽出溶媒から回収／単離後に精製されることができる。概して、トリアルキルインジウム化合物は、フッ化物塩、特にフッ化カリウムの存在下、スクアランをはじめとする少量の溶媒中での昇華によって精製される。
【００２４】
多種多様のトリアルキルインジウム化合物を、本発明のプロセスに従って調製することができる。代表的なトリアルキルインジウム化合物は、式Ｒ３Ｉｎを有し、式中各々のＲは独立に（Ｃ１〜Ｃ１０）アルキル、好ましくは（Ｃ１〜Ｃ６）アルキル、より好ましくは（Ｃ１〜Ｃ３）アルキルから選択される。適したトリアルキルインジウム化合物として、トリメチルインジウム、トリエチルインジウム、トリ−ｎ−プロピルインジウム、トリ−イソ−プロピルインジウム、トリ−イソ−ブチルインジウム、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルインジウム、トリ−ｎ−ブチルインジウム、トリ−ｎ−ヘキシルインジウム等が挙げられるがこれらに限定されるものではない。
【００２５】
本発明のプロセスは従来のトリアルキルインジウム調製方法に優って多くの利点を提供する。前記の利点として、約２５％のフッ化物塩使用の減少、反応後の副生成物のより容易な処理、トリアルキルインジウム化合物のバッチあたりの低減された原料コスト、トリアルキルインジウムの製造能力の増強、トリアルキルインジウム化合物の収率の向上、増加された反応速度、反応生成物のよりよい取り扱い（懸濁物に代わって溶液）、有機反応および抽出溶媒中にトリアルキルインジウム化合物を溶解させ、溶融したニートのトリアルキルインジウム化合物を回避することによる改良された安全性、および最終生成物におけるより低い不純物混入が挙げられる。従来のトリアルキルインジウム調製方法の１つの不利益は、米国特許第５，７５６，７８６号に挙げられるものをはじめとするが、高レベルのフッ化物塩が反応容器内で懸濁物を提供することである。前記の懸濁物は、出発物質を完全に反応させることを困難にする。一方、本発明のプロセスは、反応成分の容易な操作および混合を提供する反応混合物溶液を提供する。
【００２６】
本発明のトリアルキルインジウム化合物は、化学蒸着および／または有機金属化学蒸着前駆体化合物としての使用に適している。本発明の化合物は、実質的に有機溶媒を含まず、すなわち５０ｐｐｍ以下の有機溶媒、好ましくは２５ｐｐｍ以下の有機溶媒しか含まない。本発明のトリアルキルインジウム化合物は、好ましくは検出可能なレベルのシリコン、スズ、ゲルマニウムおよび亜鉛を実質的に含まず、すなわち１ｐｐｍ未満しか前記不純物を含まない。好ましくは、本発明の化合物は、検出可能なレベルの前記不純物を含まない。
【００２７】
インジウムフィルムは典型的に、はじめに、蒸着チャンバーへ接続されている出口を有する、ガス相中で存在する化合物を移送するのに適当なバブラー（ｂｕｂｂｌｅｒ）中、または他のデリバリーデバイス中に、所望のインジウム前駆体化合物、または供給源化合物を配置することによって堆積する。多種多様なバブラーが使用可能であり、当該技術分野において技術を有する人々によく知られている。特定のバブラーは、ある程度、使用される特定の蒸着装置によって決定される。供給源化合物はバブラー中に、液体または固体として保持される。固体供給源化合物は典型的に蒸着チャンバーに移送される前に液化または昇華される。供給源化合物は、典型的にキャリアガスをバブラーに通過させることによって蒸着チャンバーに移送される。適したキャリアガスとして窒素、水素、およびそれらの混合物が挙げられる。概して、キャリアガスは供給源化合物の表面の下に導入され、さらに供給源化合物を通って上部のヘッドスペースにバブルアップされ、キャリアガス中に供給源化合物の蒸気を同伴（ｅｎｔｒａｉｎｉｎｇ）または運ぶ（ｃａｒｒｙｉｎｇ）。同伴され、または運ばれた蒸気は次に蒸着チャンバーに到達する。
【００２８】
蒸着チャンバーは典型的に、少なくとも１つの、および可能であれば多数の基体を配置した、加熱容器である。蒸着チャンバーは典型的に、副生成物をチャンバー外に排出するための、および適切な減圧を提供するための真空ポンプへ接続した出口を有する。ＭＯＣＶＤは大気圧または減圧下で行うことができる。蒸着チャンバーは供給源化合物の分解が誘起されるのに充分に高い温度で保持される。典型的な蒸着チャンバーの温度は、約３００℃〜約１０００℃であり、選択される正確な温度は、有効な蒸着を提供するように最適化されたものである。前記の最適化は当業者の能力のよく及ぶところである。任意に、蒸着チャンバー内の温度は、基体が高温で保持される場合、または電波（ｒａｄｉｏ  ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ「ＲＦ」）エネルギーをはじめとする他のエネルギーがＲＦ源によって発生する場合、全体として減少させることができる。
【００２９】
堆積に適した基体は、その上にインジウムを含有したフィルムが所望される任意のものでよく、例えば、集積回路の製造に使用されるシリコンウェハーをはじめとするシリコン、ガリウム−ヒ素、インジウムホスフェート等が挙げられるがこれらに限定されるものではない。前記の基体は特に集積回路の製造において有用である。
【００３０】
堆積は所望の特性を有するフィルムを作成するのに望ましい間続行される。典型的に、フィルム厚は、蒸着を停止した時に、数百〜数千オングストロームまたはそれ以上である。
【００３１】
本発明のトリアルキルインジウム化合物は、インジウムまたはその合金を含有する任意のフィルムを堆積するのに有用である。適したフィルムとして、インジウム、インジウム−リン（「ＩｎＰ」）、インジウム−ガリウム−ヒ素（「ＩｎＧａＡｓ」）、インジウム−ガリウム−アルミニウム−リン（「ＩｎＧａＡｌＰ）」）、インジウム−ガリウム−ヒ素−リン（「ＩｎＧａＡｓＰ」）、インジウム−ガリウム−ヒ素／ガリウム−ヒ素／アルミニウム−ガリウム−ヒ素（「ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ」）、インジウム−ヒ素（「ＩｎＡｓ」）、インジウム−アンチモン（「ＩｎＳｂ」）およびインジウム−ヒ素−ビスマス（「ＩｎＡｓＢｉ」）が挙げられるがこれらに限定されるものではない。
【００３２】
従って、本発明は基体上にインジウムを含有するフィルムを堆積する方法であって、ａ）トリアルキルインジウム化合物をガス相において、基体を含む蒸着チャンバーへと移送する工程、ｂ）トリアルキルインジウム化合物を蒸着チャンバー中で分解する工程、およびｃ）インジウムを含有するフィルムを基体上に蒸着する工程を含む方法を提供する。
【００３３】
本発明によって、また、インジウムを含有するフィルムを電子デバイス基体上に堆積する工程を含む電子デバイスを製造する方法であって、ａ）トリアルキルインジウム化合物をガス相において、基体を含む蒸着チャンバーへと移送する工程、ｂ）トリアルキルインジウム化合物を蒸着チャンバー中で分解する工程、およびｃ）インジウムを含有するフィルムを基体上に堆積する工程を含む方法が提供される。
【００３４】
適した電子デバイスとして、集積回路、および発光ダイオード類（「ＬＥＤｓ」）が挙げられるがこれらに限定されるものではない。
【００３５】
以下の実施例が、さらに多様な本発明の態様を例示するために示されるが、本発明のいかなる態様の範囲をも限定する意図ではない。
【００３６】
実施例１（比較例）
塩化インジウム（１０ｇ）およびフッ化カリウム（ＫＦ）（１３ｇ）および 有機反応溶媒としてＬＡＢ（９６ｇ）を、マグネチック撹拌子、並びに５００ｍＬの三つ口フラスコおよび還流コンデンサーに取り付けられたＵ−チューブを備えた５００ｍＬのステンレス鋼フラスコに入れた。内容物は次に、６０℃に保たれつつ、真空下で脱ガスされた。トリメチルアルミニウム（１３ｍＬ、９．７ｇ）がカニューレステンレス鋼ニードルを用いて、滴下方式で反応物質に１５分間にわたって移送された。反応物質は次に、１１８℃に加熱された。反応物質は灰色の懸濁液から透明な液体に変化し、最終的に白色の沈殿物を析出した。内容物は次に反応の完了を確実にするために１４０℃に加熱された。反応完了時には、反応混合物は容易に撹拌された。
【００３７】
粗生成物が、真空を用いた室温での昇華によって得られた（７．５ｇ、収率１００％）。ＮＭＲスペクトルは、生成物が２０％のフッ化ジメチルアルミニウムで不純化されていることを示した。
【００３８】
実施例２（比較例）
塩化インジウム（１０ｇ）およびＫＦ（１３ｇ）および 有機反応溶媒としてスクアラン（６０ｇ）を、マグネチック撹拌子、並びに５００ｍＬの三つ口フラスコおよび還流コンデンサーに取り付けられたＵ−チューブを備えた５００ｍＬのステンレス鋼フラスコに入れた。内容物は次に、フラスコを６０℃に保ちつつ、真空下で脱ガスされた。トリメチルアルミニウム（１３ｍＬ、９．７ｇ）が、カニューレステンレス鋼ニードルを用いて、滴下方式で反応物質に１５分間にわたって移送された。反応物質は次に反応の完了を確実にするために１４０℃に加熱された。反応混合物の完了時には、撹拌は実施例１よりも困難であった。
【００３９】
粗生成物が、真空および室温での昇華によって得られた（７．５ｇ、収率１００％）。ＮＭＲスペクトルは、実施例１の場合と同様、生成物が２０％のフッ化ジメチルアルミニウムで不純化されていることを示した。
【００４０】
実施例３
塩化インジウム（１０６ｇ）およびＫＦ（１３０ｇ）および有機反応溶媒としてＬＡＢ（１．５Ｌ）を、メカニカルスターラー並びに５００ｍＬの三つ口フラスコおよび還流コンデンサーに取り付けられたＵ−チューブを備えた５Ｌのステンレス鋼フラスコに入れた。内容物は次に５５℃に保たれつつ、真空下で脱ガスされた。トリメチルアルミニウム（１４４ｍＬ、１０８ｇ）が、添加漏斗を用いて、滴下方式で反応物質に４０分間にわたって添加された。内容物の温度は、２２．１℃から３８．３℃に上昇していることがわかった。内容物は次に、反応の完了を確実にするために１４０℃に加熱された。
【００４１】
粗生成物が、真空を用いた３９℃での昇華によって得られた（１００ｇ、収率１００％未満）。生成物は、前記の実施例と同様、フッ化ジメチルアルミニウムで不純化されていた。粗生成物は次にシクロペンタン（３００ｍＬ）で洗浄され、さらにフッ化カリウム（１０ｇ）が懸濁されているスクアラン（１００ｍＬ）から昇華された。精製されたトリメチルインジウム（４５ｇ、５６％）が得られ、さらに標準品のスペクトルと比較することによって確認された。
【００４２】
実施例４
塩化インジウム（１０６ｇ）およびＫＦ（１３０ｇ）が、メカニカルスターラー、添加漏斗、および還流コンデンサー備えた５Ｌのステンレス鋼フラスコに入れられた。有機反応溶媒としてＬＡＢ（２Ｌ）が次にフラスコに入れられる。次に、内容物は温度を６０℃に保たれつつ、真空下で脱ガスされる。トリメチルアルミニウム（１４５ｍＬ、１０８ｇ）が、次に添加漏斗に中に移送され、さらに次に滴下方式で反応物質に１時間にわたって添加される。発熱反応が起こったことがわかる。反応物質は反応の完了を確実にするために加熱される。
【００４３】
トリメチルインジウムのＬＡＢ溶液の上澄み液が次にろ過によって、反応物質中の固体と分離される。反応残留物からのトリメチルインジウムは、トルエンを用いた２回の一連の抽出によって回収される。抽出物は、トリメチルインジウムのＬＡＢ溶液と混合される。過剰のトルエンが大気圧蒸留によって除去される。蒸留フラスコの濃縮溶液にシクロペンタン（５００ｍＬ）が結晶化を起こすために添加される。結晶生成物は次に、ろ過によって母液から分離される。さらなる結晶の収集物が、濃縮した母液への非溶媒シクロペンタンのさらなる添加によって得られる。ろ過によって得られた粗生成物は次に、僅かな溶媒不純物を除去するために、事前に冷却されたシクロペンタンで洗浄される。粗生成物は、減圧蒸留され、純粋なトリメチルインジウムを得、シクロペンタンで洗浄、およびフッ化カリウムから昇華することによってさらに精製されることができる。高収率のトリメチルインジウムが期待される。