(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に堆積された多結晶Ｓｉ1-xＧｅx（０＜ｘ≦１）混合物の層、もしくは、基板上に堆積された多結晶Ｓｉ1-xＧｅx（０＜ｘ≦１）混合物の第１層、および、この第１層上に堆積された第２のシリコン層を有する積層物のエッチング方法であって、
前記Ｓｉ1-xＧｅx混合物の層もしくは前記積層物は、その表面に無機材料のマスクを有しており、前記Ｓｉ1-xＧｅx混合物の層もしくは前記積層物は、前記マスクを用いて、塩素（Ｃｌ2）と、窒素（Ｎ2）、アンモニア（ＮＨ3）、もしくは、窒素およびアンモニアの組み合わせのいずれかとからなり、酸素および臭化水素（ＨＢｒ）のいずれも含有しない第１のガス混合物の高密度ガスプラズマにより異方性エッチングされるメインのエッチング工程と、
前記メインのエッチング工程の後で、Ｃｌ2と、Ｎ2もしくはＮＨ3とからなる第２のガス混合物の高密度ガスプラズマを用いるオーバーエッチング工程とを有し、
前記オーバーエッチング工程における高密度ガスプラズマ中のイオンエネルギが、メインのエッチング工程におけるものよりも小さいことを特徴とするエッチング方法。
【請求項２】
前記メインのエッチング工程は、前記基板に到達する前に停止されることを特徴とする請求項１に記載のエッチング方法。
【請求項３】
前記メインのエッチング工程は、前記基板に到達する３０〜４０ｎｍ前に停止されることを特徴とする請求項２に記載のエッチング方法。
【請求項４】
前記Ｓｉ1-xＧｅx混合物の層もしくは前記積層物は、前記メインのエッチング工程において、Ｃｌ2と、Ｎ2もしくはＮＨ3とからなる前記第１のガス混合物の高密度プラズマによりエッチングされることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のエッチング方法。
【請求項５】
前記積層物の第２のシリコン層は、多結晶シリコン層であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のエッチング方法。
【請求項６】
前記多結晶Ｓｉ1-xＧｅx混合物の層は、５０％以上（ｘ≧０．５）のゲルマニウム含有物を有することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のエッチング方法。
【請求項７】
前記基板は、シリコン酸化膜層が堆積されたシリコンウェハであることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載のエッチング方法。
【請求項８】
エッチングされた前記積層物または前記Ｓｉ1-xＧｅx混合物の層は、ＣＭＯＳ半導体デバイスのゲート構造を構成することを特徴とする請求項７に記載のエッチング方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、通例、マイクロエレクトロニクスで使用されるサブミクロン構造の製品のための高密度プラズマエッチングの技術分野に関するものである。
より詳しくは、本発明は、Ｓｉ1-x Ｇｅx （０＜ｘ≦１）層、特に、Ｓｉ1-x Ｇｅx の第１層、および、この第１層上のシリコンの第２層からなる積層物（スタック）を、高密度プラズマによって異方性エッチングする方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
一般的に、ＣＭＯＳ半導体デバイスのゲートを形成するために使用される材料は、特に、０．１８μｍ以下のショートチャネルのデバイスの場合にはアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）である。通常、これらのデバイスのゲートは、シリコン基板の表面に形成された薄いシリコン酸化膜層（ゲート酸化膜）の上に堆積されたａ−Ｓｉ層を高密度プラズマエッチングすることによって得られる。このエッチング工程は、フォトリソグラフィー工程であらかじめ決められたマスクによって強制されるサイズに一致するように、最終的に得られるａ−Ｓｉの側壁の形状が完全にまっすぐであるためには異方性でなければならない。さらに、これはＣＭＯＳデバイスのゲートのエッチング工程での主な問題点の１つであるが、デバイスの先々のアクティブ領域に損傷を与えないように、直下のシリコン酸化膜を傷つけてはならない。これは、シリコン酸化膜の消耗をできる限り小さくしなければならないということを意味する。
【０００３】
現実のエッチング工程は、エッチングされる材料層、例えばその上にフォトリソグラフィー工程によってマスクパターンがあらかじめ形成されるａ−Ｓｉを、自然にもしくはイオン衝撃の影響を受けて脱離する揮発性の反応生成物を形成するために、エッチングされる材料とともに化学的に反応するガスもしくはガス混合物を用いた反応性プラズマにさらすことにある。プラズマ中で観測されるエッチングの反応速度論は、一方では、反応性の原子種を発生するガスもしくはガス混合物の分離現象に依存し、他方では、プラズマの電位に対して負電位である基板表面に垂直なイオン衝撃を与える陽イオンを生じるガスもしくはガス混合物のイオン化に依存する。
【０００４】
現実のエッチングの作用はプラズマによって誘発され、そのエッチング動作は、基板表面に垂直な方向の垂直のエッチング速度Ｖｖ、および、イオン衝撃にさらされていないエッチングの側壁に向けられた自然発生的な側面のエッチング速度Ｖｌに分けることができる。
【０００５】
実際問題として、異方性のエッチングの輪郭を得るためには、イオン衝撃によって垂直のエッチング速度Ｖｖが強化されるのを助け、かつ、自然発生的な側面のエッチング速度Ｖｌ、すなわち、エッチングの側壁とプラズマ中の反応種との間の自然発生的なエッチング反応を最小化するために、イオン衝撃が強烈で高エネルギーなものでなければならないことが知られている。エッチングの異方性は、ある場合には、エッチングされた形状の側壁上に薄いパッシベーション層を形成し、これにより、放電で生じる反応種によって自然発生的にエッチングされることからエッチングされた形状の側壁を保護することによって得られる。
【０００６】
ａ−Ｓｉのエッチングの特定の場合、一方では、異方性のエッチングを得る必要があるし、他方では、ゲート酸化膜の消耗を最小化する必要がある。ａ−Ｓｉのエッチング処理は通常３つの工程からなる。
【０００７】
第１の工程は、その間は基板へ加えられるバイアスエネルギーが高く（代表的に、工業用の高密度プラズマ源において、そのイオン密度は５×１０11〜１０12イオン／ｃｍ3 の間であり、直径２００ｍｍの基板へ加えられるバイアスパワーは４００Ｗである）、空気にさらされるａ−Ｓｉの表面に自然に形成される薄い本来のシリコン酸化膜層のエッチングを可能にする。
【０００８】
第２の工程は、メインのエッチング工程と呼ばれるもので、異方性のエッチングの輪郭を得ることを可能にする。この時、直径２００ｍｍの基板に対するバイアスパワーは、使用される高密度プラズマ源に依存して、１００〜１５０Ｗの間である。
【０００９】
第３の工程は、メインのエッチング工程の完了時に、エッチング終了の検出信号が得られた時にだけ開始され、それゆえ、この時だけ、全てのａ−Ｓｉは、基板の空きの領域（すなわち、形状のない領域）がエッチングされる。この工程はオーバーエッチング工程と呼ばれるもので、基板の高密度領域、すなわち、ゲートが０．５ミクロン未満の間隔で区切られた領域のエッチングを完了するために必要である。その理由は、これらの高密度領域では、ａ−Ｓｉのエッチング速度が、空きの領域よりもおそらく２０〜３０％まで小さいからである。したがって、オーバーエッチング工程は、基板上のあらゆる場所で、メインのエッチング工程の後に残るａ−Ｓｉがエッチングされるのに十分な長さでなければならない。実際問題として、その所要時間は、メインのエッチング工程に対して５０％の時間に相当し、構造的に厳しい基板の場合には、おそらく１００％まで延長される。この工程の間、ゲート酸化膜は、空き領域がプラズマにさらされる。それゆえ、プラズマの状態は、ゲート酸化膜を損傷しないように調整されていなければならない。実際問題として、直径２００ｍｍの基板へ加えられるバイアスパワーは、実質的にイオンエネルギーを減少し、その結果、ａ−Ｓｉとシリコン酸化膜との間の選択性を増加するように、６０Ｗ未満の値に減じられる（選択性はエッチング速度の比率として定義される）。
【００１０】
一般的に、アモルファスシリコンのエッチングのために用いられる化学作用は、Ｃｌ2 ，ＨＢｒ，ＨＣｌ，Ｂｒ2 のようなガスを使用する。ゲート酸化膜を保護するために、Ｏ2 がａ−Ｓｉ／ゲート酸化膜の選択性を増加するように気相に加えられる（オーバーエッチングの間、もしくは、できる限り全ての処理の間）。ａ−Ｓｉのエッチングで最も一般的に使用される化学作用は、ＨＢｒ／Ｃｌ2 ／Ｏ2 とＨＢｒ／Ｏ2 との混合である。混合物中のそれぞれのガスは非常に明確な役割を持っている。塩素は、高いエッチング速度を得るために用いられ、異方性のエッチングの輪郭を作るのに役立つ（塩素原子は放電によって発生するが、エッチングの側壁のａ−Ｓｉとは自発的に反応しない）。塩素を使用する問題点の１つは、ゲート端部でのａ−Ｓｉのエッチング速度を増加することである（「トレンチング」として、プラズマエッチングでは広く知られている現象）。その結果、ゲート端部のシリコン酸化膜は、メインのエッチング工程についてのエッチング終了の検出信号の前にプラズマにさらされるかもしれない。非常に薄い（厚さ５ｎｍ未満）ゲートシリコン酸化膜層の場合、このゲート端部でのエッチング速度の増加は、ゲート端部の酸化膜を傷つけるかもしれない。気相へのＨＢｒの添加は、この現象を減少させる。その理由は、ＨＢｒ（これは塩素よりも少ない範囲でこの現象を発生する）の添加は、気相中の塩素の分圧を減らし、その結果、この現象の大きさを低減させるからである。また、ＨＢｒは、ａ−Ｓｉ／ゲート酸化膜の選択性を実質的に増加させる。酸素は、ａ−Ｓｉ／ゲート酸化膜の選択性を著しく改善し、同じくエッチングの間、ａ−Ｓｉの側壁を保護するパッシベーション層の形成を促す。このパッシベーション層は、高度に塩素化された副化学量論的な酸化膜であり、その組成は大体ＳｉＯＣｌである。この酸化膜の正確な組成および厚さは、使用する高密度プラズマ源およびガス混合物に依存することがある。しかし、このパッシベーション層がエッチングの側壁に形成される時、ａ−Ｓｉのエッチングは常に異方性である。
【００１１】
ＣＭＯＳ半導体デバイスのゲート用、特にショートチャネル（０．１８μｍ以下）でのデバイスの製作用の材料であるアモルファスシリコンを、ゲート酸化膜上に直接堆積された多結晶のシリコン−ゲルマニウム（Ｓｉ1-x Ｇｅx ，０＜ｘ≦１）の積層物の第１層に置換することが提案されている。シリコン、例えば多結晶シリコンの第２層は、通常、この多結晶シリコン−ゲルマニウムの第１層上に堆積される。ａ−Ｓｉ層を、この多結晶のシリコン−ゲルマニウム／シリコン（Ｓｉ1-x Ｇｅx ／Ｓｉ）の積層物に置換する本質的な利点は、単一のＰ+ のドーピングを使用して、ＰＭＯＳおよびＮＭＯＳデバイスを得るために使用されるｎ+ およびＰ+ のツインゲートの代わりとなるゲートが得られることである。
【００１２】
ａ−Ｓｉ層のエッチングの場合のように、多結晶Ｓｉ1-x Ｇｅx ／Ｓｉの積層物のエッチング処理は異方性でなければならないし、エッチングの輪郭は、多結晶Ｓｉ1-x Ｇｅx 層およびＳｉ層の両方においてまっすぐでなければならない。
【００１３】
不幸にも、以下に示すように、ａ−Ｓｉのエッチングで従来使われている高密度プラズマエッチング処理は、特に、多結晶Ｓｉ1-x Ｇｅx 層のゲルマニウムの含有物が５０％（ｘ≧０．５）よりも多い時には、多結晶Ｓｉ1-x Ｇｅx 層または多結晶Ｓｉ1-x Ｇｅx ／Ｓｉの積層物のエッチングに適していない。その理由は、従来のプラズマエッチング処理は、エッチングされた形状の輪郭、特に後者の側壁の変形の原因となるからである。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
したがって、本発明の目的は、上記問題点を解決し、特に、形成された形状の側壁のエッチングを防止する多結晶Ｓｉ1-x Ｇｅx 層のエッチング方法を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、上記問題点を解決し、特に、形成された形状の側壁のエッチングを防止する多結晶Ｓｉ1-x Ｇｅx ／多結晶Ｓｉの積層物（スタック）のエッチング方法を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は、基板上に堆積され、その表面に無機材料で作られたマスクを有するＳｉ1-x Ｇｅx （０＜ｘ≦１）層のエッチング方法を提供するものであり、このマスクを用いて、Ｃｌ2 、および、Ｎ2 またはＮＨ3 のいずれか、もしくは、Ｎ2 ／ＮＨ3 の混合物からなるガス混合物の高密度ガスプラズマにより、Ｓｉ1-x Ｇｅx 層が異方性にエッチングされるメインのエッチング工程を有する。
【００１６】
本発明の他の態様は、基板上に堆積された多結晶Ｓｉ1-x Ｇｅx の第１層、および、この第１層上のシリコンの第２層を有し、その表面に無機材料で作られたマスクを有する、基板上の積層物のエッチング方法を提供するものであり、前記マスクを用いて、Ｃｌ2 、および、Ｎ2 またはＮＨ3 のいずれか、もしくは、Ｎ2 ／ＮＨ3 の混合物からなるガス混合物の高密度ガスプラズマにより、前記積層物が異方性にエッチングされるメインのエッチング工程を有する。
【００１７】
本発明のエッチング方法は、特に、多結晶Ｓｉ1-x Ｇｅx 層、もしくは、純粋な多結晶ゲルマニウム（ｘ＝１）を含む、５０％以上（ｘ≧０．５）のゲルマニウム含有物を持つ、好ましくは７０％〜１００％（０．７０≦ｘ≦１）の間、さらに好ましくは７５％〜１００％（０．７５≦ｘ≦１）の間のゲルマニウム含有物を持つ多結晶Ｓｉ1-x Ｇｅx の第１層を有する積層物のエッチングに適している。
【００１８】
もし、積層物がＣＭＯＳ半導体デバイスのゲート構造を形成するものであれば、通常、多結晶Ｓｉ1-x Ｇｅx 層は、２５〜２００ｎｍの間、好ましくは３０〜１９０ｎｍまでの厚さを持ち、これに対してシリコン層は、おそらく２００ｎｍまで、好ましくは５０〜１００ｎｍの間の範囲の厚さを持つ。
【００１９】
好ましくは、積層物の全体の厚さは１５０〜２００ｎｍであり、２００ｎｍの厚さは、特に、ショートチャネル（０．１８μｍ以下）のデバイスの場合に推奨される。
【００２０】
多結晶シリコン−ゲルマニウム層、もしくは、積層物の層はドープされる層、例えばＣＭＯＳ半導体デバイスを製作する手法としてよく知られているように、ボロンまたはリンでドープされる層である。
【００２１】
本発明では、メインのエッチング工程に先立って、一般的に無機材料、例えばＳｉＯ2 層またはＳｉＯ2 ／ＳｉＯＮの２重の層を、低圧化学気相成長法のような通常の方法を用いて堆積することにより、無機材料のマスクが形成される。
例えばフォトリソグラフィーによって、この無機材料の層の上に通常の樹脂マスクが形成された後、無機材料のマスクが、好ましくは高密度プラズマエッチングによってエッチングされる。
【００２２】
本発明法の本質的な特徴の１つは、塩素誘導の自然発生的な側面のエッチング速度Ｖｌを低減するように、塩素原子の共吸着によりエッチングの側壁上にパッシベーション層を形成するために、酸素もＨＢｒも含まず、Ｎ2 、ＮＨ3 またはそれらの混合物を含む、塩素を基本とする高密度ガスプラズマを使用するメインの異方性のエッチング工程を有することである。Ｎ2 またはＮＨ3 、もしくは、これらの化合物の混合物の添加は、エッチング残渣を減少もしくは無くすという結果となり、側面の侵食、もしくは、多結晶Ｓｉ1-x Ｇｅx 層または直下のゲート酸化膜の損傷の原因とはならない。さらに、このようなガス混合物の使用は、エッチング処理を遂行する工業的な手法との共存ができる。
【００２３】
プラズマのガス混合物の中に導入されるＮ2 および／またはＮＨ3 の比率は、通常の手法で経験に基づいて決定されればよいが、垂直のエッチングの原因となるイオン衝撃によって誘発される反応の速度論を付随して抑止することなく、イオン衝撃にはさらされない、エッチングされた形状の側壁の側面エッチングの原因となる自然発生的な化学反応の速度論を抑止するのに十分でなければならない。
【００２４】
好ましくは、本発明法においては、アモルファスシリコン層のエッチングの場合のように、プラズマ中のイオンエネルギーがメインのエッチング工程よりも小さいオーバーエッチング工程が、メインのエッチング工程に続いて行われる。このオーバーエッチング工程の間、メインのエッチング工程の場合と同じガス混合物を使うことができる。しかし、酸素もＨＢｒも含まないガス混合物を用いるメインのエッチング工程の間、エッチングされた形状の側壁に形成されるパッシベーション層が、このオーバーエッチング工程の間、エッチングされた形状の側壁を、酸素原子により自然発生的にエッチングされることから保護するため、酸素を含むガス混合物を使用することも可能である。このオーバーエッチング工程は、通常、パワーが６０Ｗを越えない基板バイアス条件で行われる。
【００２５】
エッチングされた形状の自然発生的な側面のエッチングを引き起こすことなく、多結晶Ｓｉ1-x Ｇｅx ／ゲート酸化膜の選択性を上げるために、酸素の総量を経験に基づいて決定してもよい。
【００２６】
また、好ましくは、メインのエッチング工程は、基板、例えば直下のシリコン酸化膜層に到達する前に、好ましくは直下の基板から３０〜４０ｎｍの間の距離で停止される。したがって、メインのエッチング工程の間、直下の基板、特にゲート酸化膜を傷つけるあらゆる危険が回避される。
【００２７】
【発明の実施の形態】
以下に、添付の図面に示す好適実施例に基づいて、本発明のエッチング方法を詳細に説明する。
【００２８】
（比較例Ａ）
多結晶Ｓｉ0.45Ｇｅ0.55の第１層（厚さ１２０ｎｍ）、および、多結晶シリコンの第２層（厚さ８０ｎｍ）からなる積層物を、通常の手法で基板のシリコン酸化膜層上に形成する。無機材料のマスク層を、例えばシリコン酸化膜層を、多結晶シリコンの第２層上に堆積する。
【００２９】
無機材料のマスク層上に通常の樹脂マスクを形成し、フルオロカーボンを基本とするプラズマを用いて無機材料のマスクをエッチングし、樹脂マスクを除去した後、積層物を、下記表１に示す条件でエッチングする。
【００３０】
【表１】
0004436466.tif 000002
【００３１】
この例では、＊の他の場所で示されているものを除いて、全てのガス流量は、標準的な条件の下でｃｍ3 ／分で表現されている。
【００３２】
図１に示すように、この図はエッチング後の積層物の顕微鏡写真であるが、多結晶Ｓｉ0.45Ｇｅ0.55層の側壁の形状のエッチングの輪郭の著しい変形が観測される。エッチングされた形状の側壁を保護する酸化膜の厚さのＸ線光電子スペクトルスコープによる解析は、この層が、多結晶シリコン層の側壁上では３ｎｍであるのと比較して、多結晶Ｓｉ0.45Ｇｅ0.55層の側壁上では１ｎｍの厚さを持つことを示している。
【００３３】
多結晶シリコンの場合のように、Ｓｉ0.45Ｇｅ0.55側壁上のパッシベーション層は、高度に塩素化された副化学量論比的なシリコン酸化膜である。したがって、パッシベーション層は、シリコンエッチングの反応生成物からのみ形成される。このことは、エッチングされた形状の側壁上のパッシベーション層の厚さが、Ｓｉ0.45Ｇｅ0.55層の場合には減少する理由を説明している。
【００３４】
（比較例ＢおよびＣ）
下記表２の条件を用いて、比較例Ａと類似の方法で処理を行うことにより、多結晶Ｓｉ0.45Ｇｅ0.55の第１層が、それぞれ多結晶Ｓｉ0.25Ｇｅ0.75層および多結晶Ｇｅ層に置換されている、比較例Ａの場合と類似の２つの積層物がエッチングされる。
【００３５】
【表２】
0004436466.tif 000003
【００３６】
図２（比較例Ｂ）および図３（比較例Ｃ）に示すように、これらの図は図１と類似の顕微鏡写真であるが、多結晶Ｓｉ0.25Ｇｅ0.75および多結晶Ｇｅ層のエッチングの輪郭は変形されている。
したがって、ＨＢｒを省くことは、特に、多結晶Ｓｉ1-x Ｇｅx 層のゲルマニウム含有物が多い場合には、輪郭の変形を回避するのに十分ではない。
【００３７】
（比較例Ｄ）
比較例Ｄは、プラズマのガス混合物から酸素を除いて、同じことを繰り返したものである。
図４は、エッチングの輪郭が、多結晶シリコン層では完全にまっすぐであることを示している。これに対して、多結晶ゲルマニウム層は変形されているように見え、中性の塩素原子が、多結晶ゲルマニウムを自然発生的に攻撃することを示している。
【００３８】
（実施例１および２）
下記表３の条件を用いて、比較例ＢおよびＣと類似の方法で処理を行うことにより、それぞれ多結晶Ｓｉ0.25Ｇｅ0.75／多結晶Ｇｅの第１層、および、多結晶シリコン層からなる２つの積層物をエッチングした。
【００３９】
【表３】
0004436466.tif 000004
【００４０】
図５（実施例１）および図６（実施例２）は、類似の条件の下で、ＨＢｒもＯ2 も含まないＣｌ2 ／Ｎ2 の混合物を用いることにより、エッチングされた形状の側壁、特に、ゲルマニウムの含有物（７５％以上）の多いものについて変形がないように見えるということを示している。
【００４１】
したがって、本発明は、ゲルマニウムの含有物が多くても、エッチングされた形状の側壁の変形を防ぐ、シリコンおよびゲルマニウムの多結晶混合物の層からなる２つの層を有する積層物をエッチングする手順を提供する。
本発明の方法は、シリコン酸化膜層上に堆積された多結晶Ｓｉ1-x Ｇｅx 層からなるＣＭＯＳ半導体デバイスのためのゲート構造を形成するのに特に適している。
【００４２】
以上、本発明のエッチング方法について詳細に説明したが、本発明は上記実施例に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良や変更をしてもよいのはもちろんである。
【００４３】
【発明の効果】
以上詳細に説明した様に、本発明のエッチング方法は、基板上に堆積された多結晶Ｓｉ1-x Ｇｅx 層、もしくは、多結晶Ｓｉ1-x Ｇｅx 層および多結晶シリコン層からなる積層物のエッチング方法であって、その表面に無機材料のマスクを有しており、前記多結晶Ｓｉ1-x Ｇｅx 層または前記積層物が、前記マスクを用いて、塩素（Ｃｌ2 ）、および、窒素（Ｎ2 ）またはアンモニア（ＮＨ3 ）のいずれか、もしくは、窒素／アンモニアの混合物からなるガス混合物の高密度ガスプラズマにより、異方性にエッチングされるメインのエッチング工程を有するものである。
したがって、本発明のエッチング方法によれば、たとえゲルマニウムの含有物が多い場合であっても、エッチングされた形状の側壁を変形させることなく、多結晶Ｓｉ1-x Ｇｅx 層、もしくは、多結晶Ｓｉ1-x Ｇｅx ／Ｓｉの積層物をエッチングすることができる。また、本発明の方法は、シリコン酸化膜層上の多結晶Ｓｉ1-x Ｇｅx 層からなるＣＭＯＳ半導体デバイスのためのゲート構造を形成するのに特に適している。
【図面の簡単な説明】
【図１】  図面代用写真であって、従来法を用いてエッチングした後の積層物の一例の顕微鏡写真である。
【図２】  図面代用写真であって、従来法を用いてエッチングした後の積層物の他の例の顕微鏡写真である。
【図３】  図面代用写真であって、従来法を用いてエッチングした後の積層物の他の例の顕微鏡写真である。
【図４】  図面代用写真であって、従来法を用いてエッチングした後の積層物の他の例の顕微鏡写真である。
【図５】  図面代用写真であって、本発明を適用してエッチングした後の積層物の一例の顕微鏡写真である。
【図６】  図面代用写真であって、本発明を適用してエッチングした後の積層物の一例の顕微鏡写真である。
【図１】
0004436466.tif 000005
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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