(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
搬送室と、前記搬送室に接続された複数の真空槽とを有する真空処理装置であって、
前記真空槽は、前記搬送室に接続される第１室と、
前記第１室に接続され、基板が配置される第２室と、
前記第１室と前記第２室の間に設けられ、前記第１室内と前記第２室内とを接続させる第１の開口と、
前記第１室内に配置され、前記第１室の壁面に当接されると前記第１の開口を閉塞させる弁体とを有し、
前記各真空槽内の前記第１室と前記搬送室との間には、前記第１室と前記搬送室とを接続させる第２の開口がそれぞれ設けられ、
前記真空槽は、前記第２室を加熱する加熱装置と、前記搬送室を冷却する冷却装置とをそれぞれ有する真空処理装置において、
前記第１室の上部に設けられた孔と、
前記孔の上部に設けられ、孔を蓋することができるように構成されたシール材とを有し、
前記第１室の底壁には昇降機構が配置され、
前記昇降機構には昇降軸が取り付けられ、前記弁体は取付部によって前記昇降軸に取り付けられ、
前記弁体は、前記昇降機構によって上下移動し、上方に移動すると前記第１の開口を閉塞させるように構成され、
前記シール材を取り外すと、前記昇降機構と前記昇降軸と前記取付部と前記弁体とを前記孔から前記第１室の上に引き抜くことができるように構成されたことを特徴とする真空処理装置。
【請求項２】
前記真空処理装置には、
前記搬送室に接続される前記第１室と、
前記第１室に接続され、前記基板の搬入と搬出がされる第２室と、
前記第１室と前記第２室の間に設けられ、前記第１室内と前記第２室内とを接続させる前記第１の開口と、
前記第１室内に配置され、前記第１室の壁面に当接されると前記第１の開口を閉塞させる前記弁体とを有する前記基板の仕込・取出室が設けられた請求項１記載の真空処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は真空槽及び真空処理装置に関し、特に、プラズマＣＶＤ法等を実施する真空処理装置と、その真空処理装置に用いられる真空槽に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、大面積のガラス基板に、薄膜を成膜する方法として、プラズマＣＶＤ法が多く用いられている。
図１０の符号１０１に、プラズマＣＶＤ法を実施する真空槽を備えた真空処理装置の一例を示す。
【０００３】
この真空処理装置１０１は、平面形状が七角形の搬送室１０２と、仕込・取出室１１０と、第１〜第６の真空槽１０３1〜１０３6とを有している。搬送室１０２の各壁面には、それぞれ長方形形状の開口が設けられており、開口を介して、搬送室１０２と、仕込・取出室１１０又は第１〜第６の真空槽１０３1〜１０３6との間で基板が搬送できる状態になるように構成されている。
【０００４】
搬送室１０２内部底壁には、各開口の近傍に弁体１０７1〜１０７7が配置されている。これらの弁体１０７1〜１０７7は、上下動でき、上昇したときに各開口を蓋することができるように構成されており、開口を蓋した状態では、搬送室１０２の内部と各真空槽１０３1〜１０３6又は仕込・取出室１１０の内部とを遮断することができる。
【０００５】
第１〜第６の真空槽１０３1〜１０３6は、プラズマＣＶＤ装置、スパッタリング装置のいずれか一つを構成する真空槽である。このうち第１の真空槽１０３1は、プラズマＣＶＤ装置を構成する真空槽である。
【０００６】
上記構成の真空処理装置１０１で、ガラス基板の表面に薄膜を成膜するには、予め全ての弁体１０７1〜１０７7で各開口を蓋しておき、搬送室１０２、第１〜第６の真空槽１０３1〜１０３6の内部を真空排気して、所定の真空度にしておく。
【０００７】
次に、仕込・取出室１１０の内部に基板を配置した状態で、仕込・取出室１１０内部を真空排気する。仕込・取出室１１０内部が所定真空度になったら、仕込・取出室１１０と搬送室１０２とを遮断する弁体１０７7を下降させると、仕込・取出室１１０と搬送室１０２とが接続する。
【０００８】
次いで搬送ロボット１０６によって、仕込・取出室１１０内から基板を１枚取り出し、仕込・取出室１１０と搬送室１０２とを遮断する弁体１０７7を上昇させ、仕込・取出室１１０と搬送室１０２との開口を蓋した後、最初の真空処理を行う第１の真空槽１０３1と搬送室１０２とを遮断する弁体１０７7を下降させ、底壁側に退避させておく。
【０００９】
この基板は、搬送ロボット１０６のアーム上に水平に配置されており、第１の真空槽１０３1と搬送室１０２との間の開口を水平に通過し、第１の真空槽１０３1内の図示しない載置台上に配置される。
【００１０】
次いで、第１の真空槽１０３1内から搬送ロボット１０６のアームを抜き出した後、第１の真空槽１０３1と搬送室１０２との間の弁体１０７1を上昇させ、第１の真空槽１０３1と搬送室１０２との間の開口を蓋する。
【００１１】
各真空槽１０３1〜１０３6は図示しないヒータにより加熱され、所定温度まで昇温され、載置台は、基板を昇温できるように構成されており、第１の真空槽１０３1の内部には原料ガスや反応性ガスが導入できるとともに、プラズマが生成できるように構成されている。基板が載置台上で昇温されて所定温度に達したら、第１の真空槽１０３1内に原料ガスや反応性ガスが導入され、プラズマが生成される。そのプラズマによって原料ガスが分解され、基板の表面に薄膜が形成される。
【００１２】
その後、同様にして、第２〜第６の真空槽１０３2〜１０３6に基板を順次搬送し、各真空槽１０３2〜１０３6内で基板上に薄膜を成膜することにより、１個の真空処理装置１０１で基板表面に多層膜を成膜することができる。
【００１３】
しかしながら、上記構成の真空処理装置１０１では、各真空槽１０３1〜１０３6は図示しないヒータにより加熱されており、それにより搬送ロボット１０６の温度が過度に上昇するのを防ぐため、搬送室１０２内を冷却している。搬送室１０２は、各真空槽１０３1〜１０３6と開口を介して直結しているので、各真空槽１０３1〜１０３6内の、搬送室１０２に通じる開口付近の温度は、各真空槽１０３1〜１０３6内部の他の箇所に比して温度が低くなり、開口付近で着膜が生じてしまうという問題が生じていた。
【００１４】
さらに、搬送室１０２内には弁体１０７1〜１０７7が設けられており、弁体１０７1〜１０７7が各開口を蓋している状態で、搬送ロボット１０６は、基板を載置した状態で旋回動作をする場合がある。このとき搬送ロボット１０６は、その旋回半径の円領域内で旋回動作をするが、この円領域内に弁体１０７1〜１０７7が入っていると、旋回動作中に搬送ロボット１０６と弁体１０７1〜１０７7とが衝突し、基板が落下する等、動作に支障をきたすことがあるので、この弁体１０７1〜１０７7は、円領域外部に配置されるようにする必要がある。従って、弁体１０７1〜１０７7の厚み分だけ、搬送室１０２の壁面を外側に張り出さねばならず、搬送室１０２がその分大きくなってしまうという問題が生じていた。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記従来技術の不都合を解決するために創作されたものであり、その目的は、処理室の開口付近に着膜が生じることを防止する技術を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、請求項１記載の発明は、搬送室と、前記搬送室に接続された複数の真空槽とを有する真空処理装置であって、前記真空槽は、前記搬送室に接続される第１室と、前記第１室に接続され、基板が配置される第２室と、前記第１室と前記第２室の間に設けられ、前記第１室内と前記第２室内とを接続させる第１の開口と、前記第１室内に配置され、前記第１室の壁面に当接されると前記第１の開口を閉塞させる弁体とを有し、前記各真空槽内の前記第１室と前記搬送室との間には、前記第１室と前記搬送室とを接続させる第２の開口がそれぞれ設けられ、前記真空槽は、前記第２室を加熱する加熱装置と、前記搬送室を冷却する冷却装置とをそれぞれ有する真空処理装置において、前記第１室の上部に設けられた孔と、前記孔の上部に設けられ、孔を蓋することができるように構成されたシール材とを有し、前記第１室の底壁には昇降機構が配置され、前記昇降機構には昇降軸が取り付けられ、前記弁体は取付部によって前記昇降軸に取り付けられ、前記弁体は、前記昇降機構によって上下移動し、上方に移動すると前記第１の開口を閉塞させるように構成され、前記シール材を取り外すと、前記昇降機構と前記昇降軸と前記取付部と前記弁体とを前記孔から前記第１室の上に引き抜くことができるように構成されたことを特徴とする。
請求項２記載の発明は、請求項１記載の真空処理装置であって、前記真空処理装置には、前記搬送室に接続される前記第１室と、前記第１室に接続され、前記基板の搬入と搬出がされる第２室と、前記第１室と前記第２室の間に設けられ、前記第１室内と前記第２室内とを接続させる前記第１の開口と、前記第１室内に配置され、前記第１室の壁面に当接されると前記第１の開口を閉塞させる前記弁体とを有する前記基板の仕込・取出室が設けられたことを特徴とする。
【００１７】
本発明の真空槽は、第２室と、第２室と第１の開口によって接続された第１室とを有しており、第１室内には、第１の開口を塞ぐことができるように構成された弁体が設けられている。
【００１８】
このため、第１室が搬送室に接続され、第２室内でプラズマＣＶＤ法などにより基板表面に薄膜を成膜させる際に、搬送ロボットが過熱しないように搬送室を冷却したとしても、搬送室付近の第１室では温度が低下するものの、第２室は、冷却された搬送室と直接接続されていないので、第２室と第１室との間の開口付近における第２室内の温度は従来のように低くならない。従って、第２室内の開口付近には着膜が生じない。
【００１９】
なお、本発明の真空槽では、第１室内に設けられた弁体が、第２室と第１室との間に設けられた第１の開口を蓋することができるように構成されており、この場合には、第２室内に処理用のガスを導入して基板を処理している間に、第２室の内部と第１室の内部とは遮断され、第１室内には処理用のガスは入らないので、弁体やその駆動機構が処理用のガスに曝されることはない。
【００２０】
このため、例えばプラズマＣＶＤ法などのように、第２室内で弁体や駆動機構を腐食させる性質のガスを用いて基板を処理するような場合においても、弁体や駆動機構はそれらのガスによって腐食しない。
【００２１】
また、本発明の真空槽において、第１室の上部に孔を設け、その孔上に、孔を開閉することができるシール材を設けてもよい。
このように構成した場合には、例えばメンテナンスの際などに、シール材を取り外して、第１室内に配置された弁体を上昇させ、孔を介して第１室から取り出すことができ、孔を介して弁体を第１室内に落とし入れて、第１室内に収納することができる。
【００２２】
本発明の真空処理装置では、搬送室と、複数の真空槽とを有しており、各真空槽が、本発明の真空槽で構成されている。
このため、各真空槽内には弁体が設けられ、搬送室内には弁体が設けられていないので、搬送室を小さく作ることができ、真空処理装置の設置スペースを小さくすることができる。さらに、搬送室の天板が小さくなり、軽くなるので、メンテナンス時に天板を着脱する作業の負担を軽減することができる。
【００２３】
【発明の実施の形態】
以下で図面を参照し、本発明の実施形態の真空処理装置について説明する。
図１の符号１に、本発明の実施形態の真空処理装置を示す。この真空処理装置１は、搬送室２と、第１〜第６の真空槽５1〜５6と、仕込・取出室５7とを有している。
【００２４】
搬送室２は、平面形状が七角形に形成されている。搬送室２内には、搬送ロボット６が設けられている。この搬送ロボット６の構成を、図２(ａ)、(ｂ)に示す。搬送ロボット６は、回転機構１７と、左腕１１及び右腕１２と、載置部１３とを有している。
【００２５】
回転機構１７内には図示しないモータが配置されており、該モータには回転軸１５が取り付けられている。回転軸１５は、二重構造になっており、筒状の外周部分と、その外周部分の内部に挿通された棒状の内部部分とで構成されている。外周部分と内部部分は、モータの回転力が同方向にも逆方向にも伝達されるように構成されており、逆方向に伝達された場合、外周部分と内部部分とは、反対方向に回転するように構成されている。
【００２６】
この回転軸１５の上端部分は、回転機構１７の上部に突き出されており、左腕１１の一端と右腕１２の一端とが、水平に配置された状態で、それぞれ外周部分と内部部分に接続されている。
【００２７】
左腕１１及び右腕１２は、それぞれ２個の部材１１1、１１2、１２1、１２2が連結されて構成されており、折れ曲げ可能になっている。
左腕１１の他端と右腕１２の他端とは、１個の載置部１３に取り付けられており、左腕１１と右腕１２の根本の部材１１1、１２1が互いに反対方向に回転する場合、左腕１１及び右腕１２は折り畳まれるか、又は折り畳まれた状態が元に戻され、その結果、載置部１３が水平方向に直線的に移動するようになっている。
【００２８】
左腕１１及び右腕１２が折り畳まれた状態を図２(ｂ)に示し、左腕１１及び右腕１２が伸びた状態を図２(ａ)に示す。他方、左腕１１及び右腕１２が同方向に回転する場合、載置部１３は、水平面内で回転移動するようになっている。
【００２９】
載置部１３を説明すると、該載置部１３は、取付板１４と、フォーク部２０とを有している。載置部１３は、取付板１４が左腕１１及び右腕１２に取り付けられており、フォーク部２０は、水平に配置され、板２１を介して取付板１４に取り付けられている。
【００３０】
搬送室２の各壁面には、第１〜第６の真空槽５1〜５6と、仕込・取出室５7とがそれぞれ配置されている。
各真空槽５1〜５6はそれぞれ後述する第２室３1〜３6と、第１室４1〜４6とを有し、仕込・取出室５7は第２室３7と、第１室４7とを有している。このうち、第１の真空槽５1と搬送室２の接続部分を図３に示す。
【００３１】
第１室４1と搬送室２との間には、第２の開口６２が設けられており、第１室４1内部は、搬送室２内部と第２の開口６２を介して接続されている。
第１室４1と第２室３1との間には第１の開口６１が設けられており、第１室４1内部と第２室３1内部とは第１の開口６１を介して接続されている。
【００３２】
第１室４1内には弁体１０が設けられている。この弁体１０は、取付部材２０によって昇降軸５１の上端に固定されている。昇降軸５１の下端は、第１室４1の底壁に配置された昇降機構５２に設けられている。第１室４1の内部壁面には、開口を有する弁座８が取り付けられ、弁座８の開口は第１の開口６１と連通しており、昇降機構５２を動作させ、昇降軸５１を上下動させると、弁体１０を弁座８の近傍で昇降させることができるように構成されている。
【００３３】
図７(ａ)に示すように第１の開口６１と弁体１０とが全く重ならない位置まで昇降軸５１が下降すると、第１室４1の内部が、第１の開口６１を介して第２室３1の内部と接続される。この状態で、搬送ロボット６のフォーク部２０の先端を第２の開口に向け、左腕１１及び右腕１２を伸縮させると、第２の開口６２及び第１の開口６１を介して、載置部１３を第１の室３1へ出し入れすることができる。
【００３４】
弁体１０の昇降機構５２は、弁体１０を弁座８側に押しつけることができるように構成されており、弁体１０の表面のうち、弁座８と対向する側には図７(ｂ)に示すようにＯリング４０が設けられている。
【００３５】
このＯリング４０は、所定高さで弁体１０の周囲にリング状に配置されており、弁体１０が第１の開口６１に対向する位置まで上昇した状態で、弁体１０を弁座８側に押しつけると、弁座８と弁体１０とが当接しない状態で、Ｏリング４０が弁座８と密着し、第１室４1の内部と第２室３1の内部とが遮断された状態になる。
【００３６】
同様にして、第２〜第６の真空槽５2〜５6及び仕込・取出室５7の第１室４2〜４7にはそれぞれ同じ構成の弁体１０が設けられており、各真空槽５2〜５6又は仕込・取出室５7の内部と、搬送室２の内部とを遮断したり、接続することができるように構成されている。
【００３７】
これらの各真空槽５1〜５6及び仕込・取出室５7の第２室３1〜３7は、それぞれ図示しない真空排気系に接続されており、それぞれの内部を真空排気することができるように構成されている。また、仕込・取出室５7の第２室３7は図示しない扉を有しており、この扉を開いて基板の出し入れをすることができるように構成されている。
【００３８】
上記構成の真空処理装置１で、ガラスからなる基板の表面に薄膜を成膜するには、第１〜第６の真空槽５1〜５6と仕込・取出室５7の第１室４1〜４7内にそれぞれ設けられた弁体１０で、各第１の開口６１を蓋することにより、搬送室２の内部と、第１〜第６の真空槽５1〜５5及び仕込・取出室５7の内部とを予め遮断しておき、搬送室２、第１〜第６の真空槽５1〜５5内の第２室３1〜３6内部を真空排気して、所定の真空度にしておく。
【００３９】
この状態から、仕込・取出室５7の第２室３7に設けられた扉を開き、仕込・取出室５7の第２室３7内に複数の基板を入れ、所定位置に配置しておく。この状態で、仕込・取出室５7の第２室３7の内部を真空排気する。仕込・取出室５7の第２室３7内部が所定真空度になったら、弁体１０を下降させ、仕込・取出室５7の第２室３7内部と搬送室２内部とを接続する。次いで、搬送ロボット６で、仕込・取出室５7の第２室３7からガラス基板を１枚取り出し、搬送室２内に搬入したら、再び仕込・取出室５7内部と搬送室２内部とを遮断する。搬送室２から取り出された基板は、搬送ロボット６の載置部１３上に水平に配置され、搬送ロボット６は、図２(ｂ)で示した、左腕１１及び右腕１２が折り畳まれた状態になっている。その状態の基板を、図３の符号９１に示す。
【００４０】
図３に示した状態から、弁体１０を下降させ、第１の真空槽５1の第２室３1内部と搬送室２内部とを接続する。この状態で、搬送ロボット６のフォーク部２０の先端を第２の開口６２に向け、折り畳まれた左腕１１及び右腕１２を伸ばす。すると載置部１３は第２の開口６２と第１の開口６１を通って第２室３1内に入り、載置部１３の表面に載置された基板９１が図４に示すように第２室３1内に搬入される。
【００４１】
第２室３1の底壁側には、載置台８７が配置されており、載置台８７内には、昇降可能な昇降ピン８８が挿通されている。
載置部１３が第２室３1内に搬入されたら、その載置部１３を載置台８７上の所定位置で静止させる。次いで載置台８７内に収納された昇降ピン８８を上昇させると、その先端は基板９１の底面に当接する。
【００４２】
昇降ピン８８を更に上昇させると、図５に示すように基板９１は昇降ピン８８の先端の上に載り、載置部１３から浮いた状態になり、基板９１は載置部１３から昇降ピン８８上に移し替えられる。次いで、搬送ロボット６の左腕１１及び右腕１２を折り畳むと、載置部１３は第１の開口６１、第２の開口６２を順次通り、搬送室２内に収納される。
【００４３】
この状態から、昇降ピン８８を下降させると、昇降ピン８８は載置台８７内に収納されるとともに、図６に示すように、基板９１は載置台８７上に載置される。
この状態における第２室３1内の詳細な構成を図８(ａ)の断面図に示す。
【００４４】
第２室３1は、プラズマＣＶＤ装置を構成する真空槽である。この第２室３1は、不図示のヒータによって加熱できるようにされており、その天井側に、第２室３1と電気的に絶縁された状態で電極部８２が設けられている。この電極部８２は、電極８３と、ガス貯留室８４と、シャワーノズル８６とを有している。
【００４５】
他方、第２室３1外には電圧源９２が配置されており、第２室３1を接地電位に置いた状態で電極８３に高周波電圧を印加し、第２室３1内に放電を生じさせることができるように構成されている。
【００４６】
第２室３1の底壁上には上述した載置台８７が配置されている。載置台８７の表面は平坦にされており、その部分に基板９１を水平に載置し、載置した状態で基板９１の表面を、電極８３の表面と並行に対向させることができるようにされている。載置台８７の内部には、図示しないヒータが設けられており、載置された基板９１を均一に加熱して、所定温度まで昇温することができるように構成されている。
【００４７】
上述した電極部８２のうち、電極８３には、パイプから成るガス導入手段８９が接続されている。電極８３内にはガス貯留室８４が設けられており、ガス導入手段８９の先端部分はガス貯留室８４に接続されている。
【００４８】
ガス導入手段８９の他端部には、図示しないガスボンベが接続されており、ガスボンベ内に充填された反応性ガスや原料ガス等をガス貯留室８４内に導入できるように構成されている。
【００４９】
電極８３の基板９１に対向する表面には、複数の孔８５が形成されており、各孔８５によってガス貯留室８４内部と第２室３1内部とが連通するように構成されている。この孔８５とガス貯留室８４とによって、シャワーノズル８６が構成されており、ガス導入手段８９を介してガス貯留室８４に導入された反応性ガスや原料ガス等は、孔８５から、第２室３1内部に吹き出される。この状態で、電圧源９２を起動すると、高周波電圧が電極８３に印加され、第２室３1内に放電が生じ、この放電により反応性ガスをプラズマ化し、このプラズマにより原料ガスを分解することができる。
【００５０】
第２室３1が所定温度まで昇温されるとともに、載置台８７で昇温された基板９１が所定温度に達したら、第２室３1内に原料ガスや反応性ガスを導入し、電極８３に高周波電圧を印加すると、第２室３1内にプラズマが生成される。そのプラズマによって原料ガスが分解され、気相成長することにより、基板９１の表面に薄膜が形成される。
【００５１】
次いで、次の真空処理を行う第２の真空槽５2の第１室４2内の弁体１０を下降させ、第２の真空槽５2の第２室３2内部と搬送室２内部とを接続し、搬送ロボット６で基板９１を第２の真空槽５2内の第２室３2内に搬入する。その後第２の真空槽５2内の弁体１０を上昇させ、第２の真空槽５2内の第２室３2と搬送室２とを遮断して、成膜処理を行う。その後、以上と同様にして順次第３〜第６の真空槽５3〜５6内に基板９１を搬送し、各真空槽５3〜５6内で所定の成膜処理を行うことにより、基板９１表面に、複数層の薄膜が成膜される。
【００５２】
第６の真空槽５6の第２室３6で成膜された薄膜が所定膜厚に成長したら、第６の真空槽５6の第１室４6内の弁体１０を下降させて、第６の真空槽５6の第２室３6内部と搬送室２内部とを接続し、搬送ロボット６で基板９１を搬送室２内に搬送した後、第６の真空槽５6の第２室３6内部と搬送室２内部とを遮断する。その後仕込・取出室５7の第１室４7内の弁体１０を下降させて仕込・取出室５7内の第２室３7と搬送室２とを接続した後、基板９１を仕込・取出室５7内に搬入し、弁体１０を上昇させて仕込・取出室５7の第２室３7の内部と搬送室２の内部とを遮断する。次いで、仕込・取出室５7の第２室３7を大気圧雰囲気にした後、仕込・取出室５7の第２室３7の扉を開いて、基板９１を真空処理装置１の外へと取り出す。
以上の工程を経て、ガラスからなる基板９１の表面に、多層膜を成膜することができる。
【００５３】
以上説明したように、本実施形態の真空処理装置１では、プラズマＣＶＤ装置などの処理室である第２室３1と、搬送室２との間に第１室４1が設けられており、第１室４1内に設けられた弁体１０で、第２室３1の内部と搬送室２の内部とを接続したり遮断したりしている。
【００５４】
このため、各真空槽５1〜５6の第２室３1〜３6を加熱したときに、その熱により搬送ロボット６が過熱することを防ぐため、搬送室２を冷却した場合であっても、搬送室２付近の第１室４1内では温度が低下するものの、各真空槽５1〜５6の第２室３1〜３6は、冷却された搬送室２と直接接続されていないので、第１の開口６１付近における各真空槽５1〜５6の第２室３1〜３6は直接冷却されず、その温度は従来のように低くならない。従って、各真空槽５1〜５6の第２室３1〜３6の第１の開口６１付近に、温度低下による着膜が生じないようにすることができる。
【００５５】
なお、本実施形態の真空槽５1〜５7では、第１室４1内に設けられた弁体１０が、第２室３1〜３7と第１室４1〜４7との間に設けられた第１の開口６１を蓋することができるように構成されているので、第２室３1内にプラズマＣＶＤ法に用いられるガスを導入して基板９１表面に薄膜を成膜している間に、第２室３1の内部と第１室４1の内部とは遮断され、成膜中に弁体１０や、昇降軸５１等が処理用のガスに曝されることはない。従って、弁体１０やその昇降機構はガスにより腐食しない。
【００５６】
さらに、本実施形態の真空処理装置１では、第１〜第６の真空槽５1〜５6及び仕込・取出室５7の各第１室４1〜４7の内部に、それぞれ弁体１０が設けられ、搬送室２内には弁体１０が設けられていないので、弁体１０の設置面積分だけ搬送室２を小さくすることができ、真空処理装置１の設置スペースを小さくすることができる。さらに、搬送室２は、その天板が着脱可能に構成されており、搬送室２が小さくなることにより、その天板も小さくなり、軽量になるので、メンテナンス時に搬送室２の天板を着脱する際に、着脱に要する作業負担を軽減することができる。
【００５７】
なお、本実施形態の真空処理装置１では、上述した第１室４1の天井側には、図８(ａ)に示すように孔９が設けられ、孔９上には、シール材９０が配置されている。このシール材９０は着脱可能に構成されており、シール材９０を着脱することで、第１室４1の内部を外部雰囲気と接続したり、遮断することができるように構成されている。シール材９０を取り外した状態の平面図を図８(ｂ)に示す。
【００５８】
この孔９は、予め、昇降機構５２、昇降軸５１、取付部材５０及び弁体１０を水平面上に投影した面積よりも大きい面積に形成されている。他方、昇降機構５２の底部は、第１室４1の底壁に設けられた孔６３に気密な状態を維持しながらはめ込まれており、シール材９０を取り外して、孔９を露出させた状態では、孔９を介して昇降機構５２、昇降軸５１、取付部材５０及び弁体１０を上方に引き抜いて、第１室４1から取り出すことができる。従って、設置スペースなどの関係で、昇降機構５２、昇降軸５１、取付部材５０及び弁体１０を下方から取り出すことが困難な場合には有効である。
なお、本実施形態の搬送室２は、その平面形状が七角形に形成されているが、搬送室２の形状はこれに限られるものではなく、例えば八角形などでもよい。
【００５９】
【発明の効果】
処理室内の着膜を防止することができる。搬送室の設置スペースを小さくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態の真空処理装置を説明する平面図
【図２】(ａ)：本発明の一実施形態の搬送ロボットの左腕及び右腕が伸びた状態を説明する平面図
(ｂ)：本発明の一実施形態の搬送ロボットの左腕及び右腕が折り畳まれた状態を説明する平面図
【図３】本発明の一実施形態の真空処理装置による基板の搬送動作を説明する第１の図
【図４】本発明の一実施形態の真空処理装置による基板の搬送動作を説明する第２の図
【図５】本発明の一実施形態の真空処理装置による基板の搬送動作を説明する第３の図
【図６】本発明の一実施形態の真空処理装置による基板の搬送動作を説明する第４の図
【図７】(ａ)：本発明の一実施形態の真空バルブが開いた状態を説明する図
(ｂ)：本発明の一実施形態の真空バルブが閉じた状態を説明する図
【図８】(ａ)：本発明の一実施形態の真空槽を説明する断面図
(ｂ)：本発明の一実施形態の真空槽を説明する平面図
【図９】本発明の一実施形態の真空処理装置の真空バルブを着脱する動作を説明する断面図
【図１０】従来の真空処理装置を説明する平面図
【符号の説明】
１……真空処理装置    ２……搬送室    ３1〜３7……第２室    ４1〜４7……第１室    ５1〜５6……真空槽    ５7……仕込・取出室    ９……孔    １０……弁体    ６１……第１の開口    ６２……第２の開口    ９０……シール材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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