(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射ビームを条件付けるよう構成された照明システムと、
放射ビームの断面を調節するよう構成されたパターニングデバイスと、を備え、
照明システムの瞳定義素子がフォトンシーブを備える、リソグラフィ装置。
【請求項２】
放射ビームを条件付けるよう構成された照明システムと、
放射ビームの断面を調節するよう構成されたパターニングデバイスと、
を備え、
照明システムのフィールド定義素子がフォトンシーブを備える、リソグラフィ装置。
【請求項３】
放射ビームを条件付けるよう構成された照明システムと、
放射ビームの断面を調節するよう構成されたパターニングデバイスと、
瞳レンズ素子を有し、調節された放射ビームを基板のターゲット部分に投影するよう構成された投影システムと、
を備え、
投影システムの瞳レンズ素子がフォトンシーブを備える、リソグラフィ装置。
【請求項４】
瞳レンズ素子がプラスの分散を有し、かつマイナスの分散を有するレンズと結合して放射ビームの色補正を行う、請求項３に記載のリソグラフィ装置。
【請求項５】
フォトンシーブは、放射ビームの透過率が３０％から７０％の間となるように複数の穴を備える、請求項１から３のいずれか１の請求項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項６】
フォトンシーブが同心円ゾーンに穴を備える、請求項１から３のいずれか１の請求項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項７】
フォトンシーブは、照明システムソースからフォトンシーブの焦点までの光学パスの長さが自然数の放射ビームの波長となるように配置された穴を備える、請求項１から３のいずれか１の請求項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項８】
フォトンシーブが金属箔からなり、フォトンシーブの穴がエッチングまたはレーザビームでドリルすることにより形成されている、請求項１から３のいずれか１の請求項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項９】
調節された放射ビームを基板に投影することを含み、放射がフォトンシーブを使用して照明システムにおいて回折される、デバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明は、リソグラフィ装置の光学システムおよびデバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上または基板の一部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、フラットパネルディスプレイ、集積回路（ＩＣ）および微細構造を伴うその他のデバイスの製造において用いることができる。従来の装置では、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いてフラットパネルディスプレイ（またはその他のデバイス）の個々の層に対応する回路パターンを形成することができる。このパターンは、基板（たとえばガラス板）（の一部分）上に、たとえば、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上での結像を介して転写することができる。
【０００３】
[0003]  パターニングデバイスを使用して、回路パターンの代わりに、たとえば、カラーフィルタパターンなどの他のパターン、または、ドットのマトリクスを形成することができる。パターニングデバイスは、マスクの代わりに、個々の制御可能な素子のアレイを含むパターニングアレイを備えてよい。このシステムは、マスクベースのシステムと比較すると、より迅速かつ低コストでパターンを変更できるという利点がある。
【０００４】
[0004]  フラットパネルディスプレイ基板の形状は長方形であることがある。このタイプの基板を露光するよう設計されたリソグラフィ装置は、長方形の基板の幅全体、または幅の一部（たとえば幅の半分）に及ぶ露光領域を提供することができる。基板は、この露光領域の下でスキャンされ、これと同時に、マスクまたはレチクルはビームを介してスキャンされる。このようにして、パターンが基板に転写される。露光領域が基板の全幅に及ぶ場合、露光は一回のスキャンで完了することができる。露光領域が、たとえば、基板の幅の半分に及ぶ場合は、基板は、一回目のスキャンの後に横移動にさせることができ、通常、さらなるスキャンを行って基板の残りの部分を露光する。
【０００５】
[0005]  リソグラフィの目的は、ＩＣ等のより小さいデバイスを製造するために基板上により多くかつより小さいパターンを施すことにある。問題は、パターニングデバイスに放射を集束させ、その後、さらに小さく高密度な基板のターゲット領域にパターンの付いた放射を集束させることにある。この工程は、X線、ＥＵＶまたは（典型的な波長が２４８または１９３ｎｍである）ＤＵＶなどの短波長放射では特に難しい。短波長放射は、可視光等に使用される従来のレンズでは十分に集束させることができないからである。さらに、リソグラフィでは、従来の方法では達成できないより効率的かつ精巧な放射の集束を要する領域がいくつかある。従来、集束素子はガラスのレンズを含むものである。しかしながら、ガラスのレンズは、比較的大きな断面および表面領域を有しているため、ガラスのレンズのレイアウトは限定されている。さらに、ガラスは特定の寿命があり、また、砕けたり、混濁しやすくなりうる。さらに、（X線のような）低波長放射はガラスを透過したり、ガラスによって屈折されたりしない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
[0006]  本発明の態様は、リソグラフィ装置において基板のターゲット領域に放射を効率的かつ効果的に集束させることを含む。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
[0007]  一実施形態において、放射ビームを条件付けるよう構成された照明システムと、放射ビームの断面を調節するよう構成されたパターニングデバイスと、を備え、照明システムの瞳定義素子がフォトンシーブを備えるリソグラフィ装置が提供される。
【０００８】
[0008]  一実施形態において、放射ビームを条件付けるよう構成された照明システムと、放射ビームの断面を調節するよう構成されたパターニングデバイスと、照明システムのフィールド定義素子がフォトンシーブを備えるリソグラフィ装置が提供される。
【０００９】
[0009]  一実施形態において、放射ビームを条件付けるよう構成された照明システムと、放射ビームの断面を調節するよう構成されたパターニングデバイスと、調節された放射ビームを基板のターゲット部分に投影するよう構成された投影システムと、を備え、投影システムの瞳レンズ素子がフォトンシーブを備えるリソグラフィ装置が提供される。
【００１０】
[00010]  一実施形態において、調節された放射ビームを基板に投影することを含み、放射がフォトンシーブを使用して照明システムにおいて回折されるデバイス製造方法が提供される。フォトンシーブを使用して、放射線を発散および集束させることができる。
【００１１】
[00011]  一実施形態において、調節された放射ビームを基板に投影することを含み、放射がパターニングデバイスを使用してパターン付けされ、フォトンシーブを使用して投影システムにおいて集束されるデバイス製造方法が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
[00022]  一実施形態において、本発明は、図１および図２に示す装置の照明システムＩＬの瞳定義素子(pupil defining element)またはフィールド定義素子(field defining element)として提供されるフォトンシーブ(photon sieve)を提供する。別の実施形態においては、瞳レンズ素子として機能する、投影システムのフォトンシーブが提供される。別の実施形態においては、フォトンシーブの形状の瞳レンズ素子は、投影されている放射ビームの色補正に使用される。さらなる実施形態として、フォトンシーブは、ＥＵＶ放射の透過回折素子として使用することができる。
【００１３】
[00023]  図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置１を概略的に示している。リソグラフィ装置は、放射ビームＢ（たとえばＵＶ放射）を条件付けることができるように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、該ビームを調節するパターニングデバイスＰＤ（たとえば、個別に制御可能な素子のアレイ）を含む。一般に、個別制御可能素子のアレイの位置は、投影システム（以下「レンズ」という。）ＰＳに対して固定される。しかし、該アレイは、一定のパラメータに従って、個別制御可能素子のアレイを正確に位置付けることができるように構成されたポジショナに連結してもよい。基板テーブルＷＴは、基板（たとえばレジストコート基板）Ｗを指示することができるように構成され、また特定のパラメータに従って基板を正確に位置付けることができるように構成されたポジショナＰＷに連結されている。投影システム（たとえば屈折投影レンズシステム）ＰＳは、個別制御可能素子のアレイによって調節された放射ビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（たとえば１つ以上のダイを含む）上に投影することができるように構成されている。
【００１４】
[00024]  照明システムとしては、放射を誘導し、成形し、あるいは制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光学コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光学コンポーネントを含むことができる。
【００１５】
[00025]  本明細書において使われる用語「パターニングデバイス」は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように放射ビームの断面を調節するために使うことができるあらゆるデバイスを指していると広く解釈されるべきである。なお、放射ビームに付けたパターンは、たとえば、そのパターンが位相シフト特徴(phase-shifting features)またはいわゆるアシスト特徴(assist features)を含む場合、基板のターゲット部分内の任意のパターンに正確に一致しない場合もある。同様に、基板に結果として形成されたパターンが、ある時点に個々制御可能素子のアレイ上に形成されたパターンと一致しない場合がある。これは、基板の各部分に形成される結果として生じるパターンがある時間またはある露光回数を経て形成され、その時間または露光の間、個々制御可能素子のアレイ上のパターンおよび／または基板の相対的位置が変わる構成の事例にありうる。一般的に、基板のターゲット部分に形成されたパターンは、ターゲット部分に形成されている、集積回路やフラットパネルディプレイ（たとえば、フラットパネルディスプレイのカラーフィルタ層またはフラットパネルディスプレイの薄膜トランジスタ層）などのデバイスの特定機能層に相当する。これらのパターニングデバイスの例としては、レチクル、プログラマブルミラーアレイ、レーザダイオードアレイ、発光ダイオードアレイ、グレーティングライトバルブおよびＬＣＤアレイを含む。本明細書において、複数のプログラマブル素子を備えるパターニングデバイスなど、電子技術（たとえばコンピュータ）を活用してパターンをプログラムすることができるパターニングデバイスであって、それぞれが放射ビームの一部の強度を調節することができるデバイス（たとえば上記で挙げたレチクル以外のすべてのデバイス）を「コントラストデバイス」と総称する。当然のことながら、放射ビームの一部の位相を放射ビームの隣接部分に対して調節することによって放射ビームにパターンを付与する複数のプログラマブルエレメントを有する電子的にプログラム可能なパターニングデバイスを使用してもよい。一実施形態において、パターニングデバイスは、少なくとも１０のプログラマブル素子、たとえば、少なくとも１００、少なくとも１０００、少なくとも１００００、少なくとも１０００００、少なくとも１００００００または少なくとも１０００００００プログラマブル素子を含む。これらのデバイスのいくつかの実施形態を以下にもう少し詳細に記載する。
【００１６】
[00026]  プログラマブルミラーアレイ。これは、粘弾性制御層を有するマトリクスアドレサブルな面、および反射面を含むことができる。このような装置の背景にある基本原理は、たとえば、反射面のアドレス指定された領域が入射光を回折光として反射する一方で、アドレス指定されない領域が入射光を非回折光として反射することにある。適正な空間フィルタを使用して、非回折光を反射ビームから除去することができ、回折光のみが残って基板に届くようにすることができる。この態様では、ビームにはマトリクスアドレサブルな表面のアドレス指定パターンに従ってパターンが施されるようになる。当然のことながら、別の態様として、フィルタが回折光を除去して、非回折光のみが残って基板に届くようにすることもできる。回折光学ＭＥＭＳデバイスのアレイもまた、相応の態様で使用することができる。入射光を回折光として反射する格子を構成するために互いに対して変形することができる複数の反射リボンを備える。プログラマブルミラーアレイのさらなる別の実施形態では、小型ミラーのマトリクス状構成を採用しており、各小型ミラーは、適当な局在電界を付加することにより、または、圧電アクチュエータを採用することにより、軸に対して個々に傾斜させることができる。繰り返すと、ミラーはマトリクスアドレサブルであり、これによりアドレス指定されたミラーがアドレス指定されないミラーとは異なる方向に入射放射ビームを反射する。この態様で、反射されたビームは、マトリクスアドレサブルミラーのアドレス指定パターンに従ってパターン付けすることができる。必要なマトリクスアドレス指定は適切な電子技術を使用して行ってよい。本明細書におけて言及されているミラーアレイのさらなる情報は、たとえば、米国特許第５，２９６，８９１号および第５，５２３，１９３号、ＰＣＴ特許出願公開ＷＯ９８／３８５９７およびＷＯ９８／３３０９６から収集することができ、これらはここに言及することによりその全体が本明細書に組み込まれる。
【００１７】
[00027]  プログラマブルＬＣＤアレイは、パターンニングデバイスの別の例である。このような構成の例は、米国特許第５，２２９，８７２号に記載されており、これはここに言及することによりその全体が本明細書に組み込まれる。
【００１８】
[00028]  リソグラフィ装置は、１つまたは複数のパターニングデバイスを備えることができる。たとえば、互いに独立して制御される個別に制御可能な素子の複数のアレイを有してもよい。このような構成において、個々制御可能素子のアレイの一部または全部が共通の照明システム（または照明システムの一部）、個々制御可能素子のアレイの共通の支持体および／または共通の投影システム（または投影システムの一部）のうち少なくとも１つを有することができる。
【００１９】
[00029]  図１に示すような一実施形態において、基板Ｗは略円形の形状を有し、場合によってはその周囲の一部に沿って切欠および／または平らなエッジ部を有する。一実施形態において、基板は多角形の形状、たとえば、長方形の形状を有する。基板が略円形の形状を有する実施形態として、基板が少なくとも２５ｍｍの直径、たとえば、少なくとも５０ｍｍ、少なくとも７５ｍｍ、少なくとも１００ｍｍ、少なくとも１２５ｍｍ、少なくとも１５０ｍｍ、少なくとも１７５ｍｍ、少なくとも２００ｍｍ、少なくとも２５０ｍｍまたは少なくとも３００ｍｍの直径を有する実施形態が含まれる。一実施形態において、基板は最大で５００ｍｍ、最大で４００ｍｍ、最大で３５０ｍｍ、最大で３００ｍｍ、最大で２５０ｍｍ、最大で２００ｍｍ、最大で１５０ｍｍ、最大で１００ｍｍまたは最大で７５ｍｍの直径を有する。基板が多角形、たとえば、長方形である実施形態として、基板の少なくとも１つの面、たとえば、少なくとも２つの面、少なくとも３つの面が少なくとも５ｃｍの長さ、たとえば、少なくとも２５ｃｍ、少なくとも５０ｃｍ、少なくとも１００ｃｍ、少なくとも１５０ｃｍ、少なくとも２００ｃｍまたは少なくとも２５０ｃｍの長さを有する実施形態が含まれる。一実施形態において、基板の少なくとも１つの面が最大で１０００ｃｍの長さ、たとえば、最大で７５０ｃｍ、最大で５００ｃｍ、最大で３５０ｃｍ、最大で２５０ｃｍ、最大で１５０ｃｍまたは最大で７５ｃｍの長さを有する。一実施形態において、基板は約２５０ないし３５０ｃｍの長さと２５０ないし３００ｃｍの幅を有する長方形の基板である。基板の厚さは変更することができ、ある程度は、たとえば、基板の素材および／または基板の寸法によって決定されうる。一実施形態において、厚さは少なくとも５０μｍ、たとえば、少なくとも１００μｍ、少なくとも２００μｍ、少なくとも３００μｍ、少なくとも４００μｍ、少なくとも５００μｍまたは少なくとも６００μｍである。一実施形態において、基板の厚さが最大で５０００μｍ、たとえば、最大で３５００μｍ、最大で２５００μｍ、最大で１７５０μｍ、最大で１２５０μｍ、最大で１０００μｍ、最大で８００μｍ、最大で６００μｍ、最大で５００μｍ、最大で４００μｍまたは最大で３００μｍである。本明細書において言及される基板は、露光の前または後に、たとえば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツールおよび／またはインスペクションツールで処理されてもよい。
【００２０】
[00030]  一実施形態において、レジスト層は基板上に設けられている。一実施形態において、基板Ｗは、ウェーハ、たとえば半導体ウェーハである。一実施形態において、ウェーハ素材は、Ｓｉ、ＳｉＧｅ、ＳｉＧｅＣ、ＳｉＣ、Ｇｅ、ＧａＡｓ、ＩｎＰおよび／またはＩｎＡｓからなる一群より選択される。一実施形態において、ウェーハはIII-V族化合物半導体ウェーハである。一実施形態において、ウェーハはシリコンウェーハである。一実施形態において、基板はセラミック基板である。一実施形態において、基板は、ガラス基板である。ガラス基板はフラットパネルディスプレイや液晶ディスプレイパネルの製造に有用となりうる。一実施形態において、基板はプラスチック基板である。一実施形態において、基板は（人間の肉眼では）透明である。一実施形態において、基板は有色である。一実施形態において、基板は無色である。
【００２１】
[00031]  本明細書において使われる用語「投影システム」は、使われている露光放射に対して、あるいは浸液の使用または真空の使用といった他の要因に対して適切な屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、および静電型の光学システム、またはこれらのあらゆる組合せを含む、あらゆるタイプの投影システムを包含していると広く解釈されるべきである。本明細書において使用される用語「投影レンズ」はすべて、より一般的な用語「投影システム」と同義であると考えてよい。
【００２２】
[00032]  投影システムは、個々制御可能素子のアレイ上にパターンを結像させ、該パターンがコヒーレントに基板上に形成されるようにすることができる。あるいは、投影システムは、個々制御可能素子のアレイの素子がシャッターとして機能する二次的ソースを結像させることができる。この点に関して、投影システムは、たとえば、二次的ソースを形成するために、また、基板上に斑点を結像させるために、マイクロレンズアレイ(micro lens array : MLA)またはフレネルレンズアレイといった集束素子のアレイを備えることができる。一実施形態において、集束素子（たとえばＭＬＡ）のアレイは、少なくとも１０の集束素子、たとえば、少なくとも１００の集束素子、少なくとも１０００の集束素子、少なくとも１００００の集束素子、少なくとも１０００００の集束素子または少なくとも１００００００の集束素子を備える。一実施形態において、パターニングデバイスの個々制御可能素子の数は、集束素子のアレイの集束素子の数と同じであるかまたはこれより多い。一実施形態において、集束素子のアレイは、個々制御可能素子のアレイの１つまたは複数の個々制御可能素子、たとえば、３つ以上、５つ以上、１０以上、２０以上、２５以上、３５以上または５５以上といった、個々制御可能素子のアレイの２つ以上の個々制御可能素子と光学的に関連付けられた集束素子を含む。一実施形態において、集束素子のアレイは、個々制御可能素子のアレイの１つ以上の個々制御可能素子と光学的に関連付けられた２つ以上（たとえば、１０００を超える数、大部分またはほとんど全部）の集束素子を含む。一実施形態において、ＭＬＡは、少なくとも基板に向かう方向または基板から離れる方向に（たとえばアクチュエータを使用して）移動可能であり、たとえば、１つ以上のアクチュエータを使用することにより移動可能である。ＭＬＡを基板に向かう方向および基板から離れる方向に移動できることにより、たとえば、基板を移動させる必要なく焦点の調整を行うことが可能となる。
【００２３】
[00033]  本明細書に記載するとおり、リソグラフィ装置は、（たとえば、個別の制御可能な素子の反射型アレイを採用している）反射型である。あるいは、リソグラフィ装置は、（たとえば、個々制御可能素子の透過型アレイを採用している）透過型であってよい。
【００２４】
[00034]  リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブルを有するタイプのものであってもよい。そのような「マルチステージ」機構においては、追加のテーブルを並行して使うことができ、あるいは、予備工程を１つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の１つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。
【００２５】
[00035]  リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を満たすように、比較的高屈折率を有する「液浸液」、たとえば水によって基板の少なくとも一部を覆うことができるタイプのものであってもよい。さらに、リソグラフィ装置内の他の空間、たとえば、パターニングデバイスと投影システムとの間の空間に液浸液を加えてもよい。液浸技術は投影システムの開口度を増加させるものとして当該技術分野において周知である。本明細書において使われている用語「液浸」は、基板のような構造物を液体内に沈めなければならないという意味ではなく、単に、露光中、投影システムと基板との間に液体があるということを意味するものである。
【００２６】
[00036]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射を受ける。一実施形態において、放射ソースは、少なくとも５ｎｍの波長、たとえば、少なくとも１０ｎｍ、少なくとも５０ｎｍ、少なくとも１００ｎｍ、少なくとも１５０ｎｍ、少なくとも１７５ｎｍ、少なくとも２００ｎｍ、少なくとも２５０ｎｍ、少なくとも２７５ｎｍ、少なくとも３００ｎｍ、少なくとも３２５ｎｍ、少なくとも３５０ｎｍまたは少なくとも３６０ｎｍの波長を有する放射をもたらす。一実施形態において、放射ソースＳＯがもたらす放射は、最大で４５０ｎｍの波長、たとえば、最大で４２５ｎｍ、最大で３６０ｎｍ、最大で３２５ｎｍ、最大で２７５ｎｍ、最大で２５０ｎｍ、最大で２２５ｎｍ、最大で２００ｎｍ、最大で１７５ｎｍの波長を有する。一実施形態において、放射は、４３６ｎｍ、４０５ｎｍ、３６５ｎｍ、３５５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍおよび／または１２６ｎｍの波長を有する。一実施形態において、放射は、約３６５ｎｍまたは約３５５ｎｍの波長を含む。一実施形態において、放射は広帯域の波長、たとえば、３６５ｎｍ、４０５ｎｍおよび４３６ｎｍの波長を含む。３５５ｎｍのレーザソースを使用することができる。放射ソースとリソグラフィ装置とは、たとえば、放射ソースがエキシマレーザである場合、別個の構成要素であってもよい。そのような場合には、放射ソースは、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また、放射ビームは、放射ソースＳＯからイルミネータＩＬへ、たとえば、適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムＢＤを使って送られる。別の場合においては、放射ソースは、たとえば、放射ソースが水銀ランプである場合、リソグラフィ装置の一体部分とすることもできる。放射ソースＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要ならビームデリバリシステムＢＤとともに、放射システムと呼んでもよい。パターニングデバイスが、たとえば、レーザダイオードアレイまたは発光ダイオードアレイなどの光源自体である場合、リソグラフィ装置は、照明システムを使用せずに、あるいは、少なくとも簡易式照明システムを使用せずに設計することができる（たとえば、放射ソースＳＯの必要性を回避することができる）。
【００２７】
[00037]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調節するためのアジャスタＡＤを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（通常、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯといったさまざまな他の構成要素を含むことができる。イルミネータを使って放射ビームを条件付ければすれば、放射ビームの断面に任意の均一性および強度分布をもたせることができる。イルミネータＩＬまたはこれと関連付けられた追加の構成要素は、放射ビームを、たとえば、個別制御可能素子のアレイの１つまたは複数の個々制御可能素子とそれぞれが関連付けられている複数のサブビームに分割するようにも構成することもできる。二次元の回折格子は、たとえば、放射ビームをサブビームに分割するために使用することができる。本明細書において、「放射のビーム」(”beam of radiation”)および「放射ビーム」(”radiation beam”)という用語は、ビームがこのような複数のサブビームを備える状態を含むがこれに限定されない。
【００２８】
[00038]  放射ビームＢは、パターニングデバイスＰＤ（たとえば、個々制御可能素子のアレイ）上に入射して、該パターニングデバイスによって調節される。パターニングデバイスＰＤによって反射された後、放射ビームＢは、投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点をあわせる。ポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ２（たとえば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）を使って、たとえば、さまざまなターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置付けるように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。使用時には、個々制御可能素子のアレイに位置決め手段を使用して、たとえば、スキャン中に、パターニングデバイスＰＤを放射ビームＢの経路に対して正確に位置付けることができる。一実施形態において、基板テーブルＷＴの移動は、ロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を使って達成することができる。これらのモジュールは図１に明示されていない。一実施形態において、リソグラフィ装置は、少なくとも、基板テーブルＷＴを移動させるためのショートストロークモジュールがない。個々制御可能素子のアレイを位置づけるために同様のシステムを使用することもできる。当然のことながら、ビームＢは、選択的に／追加的に移動可能であってよい一方、オブジェクトテーブルおよび／または個別の制御可能な素子のアレイは必要な相対的移動をもたらすために固定位置を持つことができる。このような構成は、装置のサイズを制限する上で有効なものとなりうる。たとえば、フラットパネルディスプレイの製造に適用可能となりうるさらなる選択肢として、基板テーブルＷＴおよび投影システムＰＳの位置を固定させることができ、また、基板Ｗを基板テーブルＷＴに対して移動させるように配置することができる。たとえば、基板テーブルＷＴには、基板Ｗをその全域にわたり実質的に一定速度でスキャンするシステムを設けることができる。
【００２９】
[00039]  図１に示すとおり、放射ビームＢは、ビームスプリッタＢＳによってパターニングデバイスＰＤに向けることができる。ビームスプリッタＢＳは、放射がこのビームスプリッタによってまず反射されから、パターニングデバイスＰＤに向けられるように構成されている。当然のことながら、放射ビームＢはビームスプリッタを使用しなくてもパターニングデバイスに向けることもできる。一実施形態において、放射ビームは、０ないし９０度の角度、たとえば、５ないし８５度、１５ないし７５度、２５ないし６５度、または、３５ないし５５度の角度でパターニングデバイスに向けられる（図１に示される実施形態では９０度である）。パターニングデバイスＰＤは、放射ビームＢを調節し、該放射ビームＢをビームスプリッタＢＳに対して反射し返し、ビームスプリッタＢＳは調節されたビームを投影システムＰＳに透過させる。しかしながら、当然のことながら、別の構成を使用して反射ビームＢをパターニングデバイスＰＤに向けて、その後、投影システムＰＳに向けることもできる。特に、図１に示される構成では、透過型パターニングデバイスが使用される場合には必要ない場合がある。
【００３０】
[00040]  例示の装置は４つの好適なモードで使用することができる。
【００３１】
１．  ステップモードにおいては、個々制御可能素子のアレイおよび基板を基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一静止露光）。基板テーブルＷＴは、次にＸおよび／またはＹ方向に移動され、それによって別のターゲット部分Ｃが露光されることが可能になる。ステップモードにおいては、露光フィールドの最大サイズよって、単一静止露光時に結像されるターゲット部分Ｃのサイズが限定される。
【００３２】
２．  スキャンモードにおいては、個々制御可能素子のアレイと基板とを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。個々制御可能素子のアレイに対する基板の速度および方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率および画像反転特性によって決めることができる。スキャンモードにおいては、露光フィールドの最大サイズよって、単一動的露光時のターゲット部分の幅（非スキャン方向）が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分の高さ（スキャン方向）が決まる。
【００３３】
３．  パルスモードにおいては、個々制御可能素子のアレイを基本的に静止状態に保ち、またパルス放射ソースを使用して、該パターン全体を基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に投影する。基板テーブルＷＴは、基本的に一定の速度で移動され、それによりビームＢは基板Ｗにわたるラインをスキャンする。個々制御可能素子のアレイ上のパターンは放射システムのパルス間で必要となった場合に更新され、これらのパルスは時間計測され、これにより連続するターゲット部分Ｃが基板Ｗ上の要求される位置において露光される。その結果、ビームＢは、基板Ｗの全域をスキャンして、基板の１つのストリップ部分について完全なパターンを露光することができる。この工程はラインごとに基板全体の露光が完了するまで繰り返される。
【００３４】
４．継続スキャンモードは、基板Ｗが実質的に一定の速度で放射ビームＢに対してスキャンされることおよびビームＢが基板Ｗの全域をスキャンし露光すると個々制御可能素子のアレイ上のパターンが更新されることを除いて、パルスモードと基本的に同じである。個々制御可能素子のアレイ上のパターンの更新に同期した実質的に一定の放射ソースまたはパルス放射ソースを使用してもよい。
【００３５】
[00041]  上述の使用モードの組合せおよび／またはバリエーション、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。
【００３６】
[00042]  リソグラフィにおいて、パターンは基板上のレジスト層上で露光される。レジストはその後現像される。その後、追加の処理工程が基板上で行われる。基板の各部分に対するこれらの後続の処理の効果はレジストの露光によって決まる。特に、これらの処理は一定の線量閾値を超える放射線量を受ける基板の各部分が該線量閾値を下回る放射線量を受ける基板の各部分と異なる反応を示すように調整される。たとえば、エッチング工程において、該閾値を超える放射線量を受ける基板の領域は現像されたレジストの層によってエッチングから保護される。しかしながら、露光後の現像において、該閾値を下回る放射線量を受けるレジストの各部分は除去される。そのため、これらの領域はエッチングから保護されない。したがって、所望のパターンをエッチングすることができる。特に、パターニングデバイスの個々制御可能素子は、パターンフィーチャ内の基板の領域に透過される放射が、当該領域が露光中に線量閾値を超える放射線量を受けるに十分な強度となるように設定することができる。基板の残りの領域は、対応する個々制御可能素子をゼロまたは大幅に低い放射強度をもたらすように設定することにより線量閾値を下回る放射線量を受ける。
【００３７】
[00043]  実際に、たとえ、個々制御可能素子をフィーチャの境界線の一方の面に対して最大の放射強度をもたらし、かつ他方の面に対して最小の放射強度をもたらすよう設定するとしたとしても、パターンフィーチャのエッジ部分の線量は、一定の最大線量からゼロ線量に急に変化することはなく、むしろ、回折効果により、放射線量のレベルは移行ゾーン全体にわたり低下する。現像されたレジストによって最終的に形成されたパターンフィーチャの境界線の位置は、受けた線量が放射線量閾値を下回った位置によって定決まる。移行ゾーン全体にわたる放射線量の低下のプロファイル、したがって、パターンフィーチャの境界線の正確な位置は、基板上のパターンフィーチャの境界線上またはその付近の地点に放射をもたらす個々制御可能素子を最大の強度レベルまたは最小の強度レベルにのみならず、最大の強度レベルと最小の強度レベルとの間の強度レベルにも設定することによって、より正確に制御することができる。これは一般に「グレースケーリング」といわれる。
【００３８】
[00044]  グレースケーリングは、ある個々制御可能素子によって基板にもたらされる放射強度を２つの値（すなわち最大値と最小値）のみに設定可能なリソグラフィシステムにおいて可能なものよりも、パターンフィーチャの境界線の位置をより高度に制御することができる。一実施形態において、少なくとも３つの異なる放射強度値、たとえば少なくとも４つの放射強度値、少なくとも８つの放射強度値、少なくとも１６つの放射強度値、少なくとも３２の放射強度値、少なくとも６４の放射強度値、少なくとも１２８の放射強度値または少なくとも２５６の放射強度値を基板に投影することができる。
【００３９】
[00045]  当然のことながら、グレースケーリングは、上述の目的に対して追加的な目的またはこれとは別の目的で使用することができる。たとえば、露光後の基板の処理は、受けた放射線量のレベルに応じて基板の領域の３つ以上の反応の可能性があるように調整することができる。たとえば、第１の閾値を下回る放射線量を受ける基板の部分は第１の態様で反応し、第１の閾値を上回るが第２の閾値を下回る放射線量を受ける基板の部分が第２の態様で反応し。第２の閾値を上回る基板の部分は第３の態様で反応する。したがって。グレースケーリングを使用して３つ以上の所望の線量レベルを有する基板全域にわたる放射線量のプロファイルを得ることができる。一実施形態において、この放射線量のプロファイルは、少なくとも２つの所望の線量レベル、たとえば、少なくとも３つの所望の放射線量レベル、少なくとも４つの所望の放射線量レベル、少なくとも６つの所望の放射線量レベルまたは少なくとも８つの所望の放射線量レベルを有する。
【００４０】
[00046]  さらに当然のことであるが、この放射線量のプロファイルは、上述のような単に基板上の各地点において受ける放射の強度を制御する方法以外の方法で制御することができる。たとえば、基板上の各地点において受ける放射線量を当該地点の露光時間を制御することにより選択的にまたは追加的に制御することができる。さらなる例として、基板上の各地点は複数の連続的な露光において放射を受ける可能性がある。したがって、この各地点で受ける放射線量は選択された複数の連続的な露光のサブセットを使用して当該地点を露光することにより選択的または追加的に制御することができる。
【００４１】
[00047]  基板上に要求されるパターンを形成するために、パターニングデバイスの個々制御可能素子のそれぞれを露光過程の各段階において必要な状態に設定することが必要である。したがって、必要な状態を示す制御信号を個々制御可能素子のそれぞれに送信しなければならない。リソグラフィ装置１は、これらの制御信号を発生させるコントローラ１０を備えることができる。基板上に形成されるパターンをＧＤＳＩＩといったベクトル定義されたフォーマット(vector-defined format)でリソグラフィ装置に付与することができる。設計情報を各個々制御可能素子の制御信号に変換するために、コントローラは、１つ以上のデータ操作デバイスを含んでおり、このデータ操作デバイスはそれぞれ、パターンを示すデータストリームに対する処理を行うよう構成されている。これらのデータ操作デバイスは「データパス」と総称してよい。
【００４２】
[00048]  データパスのデータ操作デバイスは、次の機能のうちの１つ以上を行うよう構成することができる。ベクトルベースの設計情報をビットマップパターンデータに変換すること、ビットマップパターンデータを必要な放射線量マップ（すなわち、必要な基板全域にわたる放射線量プロファイル）に変換すること、必要な放射線量マップを各個々制御可能素子についての要求される放射強度値に変換すること、および、各個々制御可能素子について要求される放射強度値を対応する制御信号に変換すること。
【００４３】
[00049]  図２は本発明によるリソグラフィ装置であって、たとえば、フラットパネルディスプレイの製造に使用することができるリソグラフィ装置の構成を示す。図１に示される構成要素と同じ構成要素は同一の参照番号で示されている。また、上述の様々な実施形態の記載、たとえば、基板、コントラストデバイス、ＭＬＡ、放射ビーム等の様々な構成の記載も適用可能である。
【００４４】
[00050]  図２に示すとおり、投影システムＰＳはビームエキスパンダを含み、このビームエキスパンダは２つのレンズＬ１、Ｌ２を含む。第１のレンズＬ１は、調節された放射ビームＢを受けて、アパーチャストップＡＳ中のアパーチャを介してこのビームＢを集束させる。さらなるレンズＡＬをこのアパーチャに配置することができる。次に、放射ビームＢは発散し、第２のレンズＬ２（たとえばフィールドレンズ）によって集束される。
【００４５】
[00051]  投影システムＰＳはさらに、拡大され調節された放射Ｂを受けるよう構成されたレンズのアレイ（ＭＬＡ）を備える。調節された放射ビームＢの各部分は、パターニングデバイスＰＤの１つ以上の個々制御可能素子に対応しており、レンズのアレイＭＬＡのそれぞれのレンズを通り抜ける。各レンズＭＬは調節された放射ビームＢのそれぞれの部分を基板上の地点に集束させる。このように、放射点Ｓのアレイが基板Ｗ上で露光される。例示のレンズのアレイＭＬＡでは８つのレンズのみが示されているが、当然のことながら、このレンズのアレイは、何千ものレンズを含んでよい（これはパターニングデバイスＰＤとして使用される個々制御可能素子のアレイにも同様に当てはまることである）。
【００４６】
[00052]  図３は、基板Ｗ上のパターンの生成方法を概略的に示す。黒丸は投影システムＰＳのレンズのアレイＭＬＡにより基板上に投影された地点Ｓのアレイを表す。一連の露光が基板上で行われると基板は投影システムに対してＹ方向に移動される。白丸は、既に露光が行われた露光地点ＳＥを表す。図示のとおり、投影システムＰＳ内のレンズのアレイにより基板に投影された各地点は基板Ｗ上の露光地点ＳＥの列Ｒを成している。基板の完成パターンは各地点Ｓによって構成された露光地点ＳＥのすべての列Ｒの集合により形成される。このような構成を一般に「ピクセルグリッドイメージング」という。
【００４７】
[00053]  放射地点Ｓのアレイは基板Ｗに対して角度θで配置されている（基板のエッジ部はＸおよびＹ方向に平行に位置する）ことが分かる。これは、基板がスキャン方向（Ｙ方向）に移動するときに、各放射地点が基板の異なる領域を通り越すために行われ、これにより、放射地点Ｓのアレイを基板全体に及ばせることができる。一実施形態において、角度θは、最大で２０度、１０度、たとえば、最大で５度、最大で３度、最大で１度、最大で０．５度、最大で０．２５度、最大で０．１０度、最大で０．０５度、最大で０．０１度である。一実施形態において、角度θは少なくとも０．０００１度である。
【００４８】
[00054]  図４は、複数の光学エンジンを使用することによりフラットパネルディスプレイ基板Ｗ全体が一回のスキャンで露光できる方法を概略的に示す。放射地点Ｓの８つのアレイＳＡは、８つの光学エンジン（図示せず）により形成され、放射地点Ｓの１つのアレイの縁部が隣接する放射地点Ｓのアレイの縁部と（スキャン方向Ｙに）わずかに重なるよう「チェス盤」状の構成で２つの列Ｒ１、Ｒ２に配置されている。一実施形態において、光学エンジンは、少なくとも３列、たとえば、４列または５列に配置されている。このように、放射の帯域は基板Ｗの幅全体に広がり、基板全体の露光が１回のスキャンで行うことが可能となる。当然のことであるが、あらゆる適切な数の光学エンジンを使用することができる。一実施形態において、光学エンジンの数は、少なくとも１つ、たとえば、少なくとも２つ、少なくとも４つ、少なくとも８つ、少なくとも１０つ、少なくとも１２、少なくとも１４または少なくとも１７である。一実施形態において、光学エンジンの数は４０未満、たとえば、３０未満または２０未満である。
【００４９】
[00055]  各光学エンジンは、前述のとおり、別個の照明システムＩＬ、パターニングデバイスＰＤおよび投影システムを含むことができる。しかしながら。当然のことであるが、２つ以上の光学エンジンがこれらの照明システム、パターンニングデバイスおよび投影システムのうちの１つ以上について少なくとも一部を共有することできる。
【００５０】
[00056]  リソグラフィ装置では、複数の位置に放射ビームを集束させる必要がある。それだけではなく、この集束が鮮明なものでなければならず、「縁部付近がぼやけた状態」をできるだけ少なくする必要がある。これらの位置は、照明システムＩＬの瞳定義素子、照明システムＩＬのフィールド定義素子、ＥＵＶ用のレンズ素子、投影システムＰＳの瞳レンズ素子であってよく、あるいは、投影システムＰＳの色補正のためのものであってよい。
【００５１】
[00057] 図５ａはフォトンシーブの一実施形態を示す。フォトンシーブは、透過型かつ不透明の同心円状の輪を有するゾーンプレートとよく比較されるが、ゾーンプレートよりも性能がよく、基本的にこれとは異なるものである。フォトンシーブは、回折格子として、輪ではなく、適切でありがならランダムに分散しているかのように見える多数のピンホールで構成されている。明確な一次焦点を得るためには、ソースからピンホールのセンターを経由して焦点までのピンホールは光学パスの長さが整数の波長となるように配置されなければならない（たとえば図５ｂを参照）。ピンホールの直径は対応するフレネルゾーンの幅によって限定されない。これにより、ピンホールが製造の限界（２０〜４０ｍｍ）よりも狭いフレネルゾーンに配置することが可能となり、また、光学素子の空間分解能は１０ｎｍよりも高くすることもができる。これは、ピンホールのすべての部分からの光が建設的に焦点で干渉するからである。下に位置するゾーンの幅よりも大きな直径を有するピンホールを使用することもできる。これらのピンホールは部分的に補うコントリビューションを透過させる。「白い」領域（建設的に重複する領域）が優勢である限り、焦点に対する正味のコントリビューションがある。したがって、ピンホールのサイズは、異なる回折最大値をもたらすように選択することができ、異なる最大値のピンホールを組み合わせることにより混合した次数のフォトンシーブを（実質的に組み合わせた回折次数を有する複合ゾーンプレートと同じ効果で）形成することが可能になる。
【００５２】
[00058] 図５ｂは、フォトンシーブ１０の側面図と該フォトンシーブのピンホールの、ピンホールＰＨからフォトンシーブ１０の中心Ｃまでの距離ＲＮを計算する方法を示す。ソースＳとフォトンシーブ１０の焦点ＦＰとの間の距離は、フォトンシーブの中心Ｃを経由するとｐ＋ｑである。ピンホールＰＨの中心を経由する光学パスの長さは整数の波長でなければならない。すなわち、ｎλ＝ｒ＋ｓ＝放射の光学パスとなる。ｒ２＝ｐ２＋ＲＮ２およびｓ２＝ｑ２＋ＲＮ２であることが知られている。したがって、ｎλ＝√（ｐ２＋ＲＮ２）＋√（ｑ２＋ＲＮ２）となる。
【００５３】
[00059]  したがって、フォトンシーブの中心ＣからピンホールＰＨまでの距離ＲＮを決定することができ、また、ピンホールを適切に開けることができる。
【００５４】
[00060]  図６は、フォトンシーブ（点線）における放射の状態をゾーンプレートにおける場合（実線および破線）と比較して示している。フレネルゾーンプレートによって形成された焦点は、画像のぼやけを起こす傾向のある二次的最大値として、図６の点線で示す強度の輪に囲まれている。フレネルゾーンプレートについて、各リングは、焦点の振幅に同様な働きを有しており、このぼやけを引き起こしている。一方、フォトンシーブを使用すると、リングごとのピンホールの数を簡単に調整して円滑な透過を行うことができる。これは、図６の実線で示す二次的最大値を最小限度するものである。これは下部のグラフが示すとおりより鮮明な画像をもたらすものである。Ｙ軸上の強度はＸ軸上の画像サイズと比較されている。図６はＸ線放射の使用した結果を示すものである。
【００５５】
[00061]ゾーンプレートまたはガラスレンズの上にフォトンシーブを使用することの利点の一つとして、Ｘ線はガラスレンズでは集束されないこと以外に、フォトンシーブが、ピンホールがエッチングされレーザビームでその中に穴が開けられた金属箔といった非ガラスのモノリシック光学素子であることである。これは、ガラスと同様に、ＥＵＶを含むすべての波長に有用であり、また、フォトンにより引き起こされる損傷を受けない。
【００５６】
[00062]  ゾーンプレートと比較してフォトンシーブは分散の程度が低く、このことにより、光学システムのコントラストを維持している。
【００５７】
[00063]  フォトンシーブは薄くて軽く、また、高い回折（または光学）力を有する。回折力が高いということは、フォトンシーブに当たる放射線の角度の範囲が広くなりうることを意味する。湾曲したガラスレンズと同様に、角度は最大で数度にまでなりうる。フォトンシーブは、画像のぼやけが起こりうる高い回折次数をフィルタ除去するのに有効である。フォトンシーブは比較的簡単に製造することができ、また、重量が軽いので、簡単に加速および減速させることができる。これにより、必要なときに短時間で交換することができる。フォトンシーブは、屈折式と反射式の両方のシステム（すなわち、パターニングデバイスが他に記載したとおり屈折または反射する場合）に使用することができる。多数のピンホールにより、透過率を５０％超にまで上昇させることができる。たとえば、同心円へのピンホールのグループ分けを行うことにより、フォトンシーブの光学性能を向上させることができる。
【００５８】
[00064]  図７に示すとおり、フォトンシーブには複数の可能性のある位置がある。図７にはイルミネータおよびレンズ、ならびに、これらの間にあるオブジェクトＯＢＪ、およびレンズのイルミネータから遠い側にオブジェクトの画像ＩＭが示されている。イルミネータは、瞳定義素子(pupil-defining element)ＰＤＥ、平行光学系(collimating optics)ＣＯ、フィールド定義素子(field-defining element)ＦＤＥ、リレー光学系(relay optics)ＲＯを含む。フォトンシーブが置かれる可能性のある位置はアスタリスク＊で示されている。すなわち、瞳定義素子またはフィールド定義素子としてフォトンシーブが存在しうる。レンズは、瞳グループ(pupil group)ＰＧを囲む第１および第２のフィールドグループＦＧ１、ＦＧ２を含む。瞳グループは、フォトンシーブを含むことができる。
【００５９】
[00065]  図７に示す実施形態の１つとして、フォトンシーブを瞳定義素子１０として使用することが含まれる。この特定の実施形態を図８に示す。フォトンシーブ１０を瞳定義素子として（すなわち、照明瞳を形成する回折光学素子として）使用する。フォトンシーブのピンホールの寸法および分散は要求される瞳と一致してよい。フォトンシーブにより形成された回折パターンは要求される照明瞳パターンと一致する遠視野パターンを創出する。この瞳パターンはその後レンズ１２上に作用し、要求される照明パターンを創出する。図８に示される実施形態において、ピンホールの構成は、「Ｃ−Ｑｕａｄ」照明パターン１１４を創出する。フォトンシーブ１０における異なる寸法および異なる分散状態のピンホールを使用して、クエーサ、双極子、環状等のその他のパターンを創出することもできる。
【００６０】
[00066]  別の実施形態として、フォトンシーブをフィールド定義素子として使用することができる。この実施形態は、図９により詳細に示されている。フォトンシーブ１０は、特定のパターンではなく、照明フィールドを形成する回折光学素子として使用されている。この場合、ピンホールの寸法および分布によって照明フィールドの形状が決まる。図９に示される実施形態は長方形のフィールドであり、フォトンシーブからの回折放射はその前にフィールドレンズ１２を通り抜けている。
【００６１】
[00067]  図７に示されるレンズシステムにおいて、フォトンシーブ１０は色補正の瞳素子１２として使用することができる。これは図１０においてより詳細に説明される。色補正は、マイナスの分散（ｄｎ／ｄλ＜０）を有する光学（ガラス）素子１２ａ、１２ｂとプラスの分散（ｄｎ／ｄλ＞０）を有する回折光学素子１０との組み合わせにより実施することができる。フォトンシーブはプラスの分散を有し、それゆえ、１２ａおよび１２ｂといったレンズと組み合わせて照明ビームの色補正を行うことができる。フィールドの一定な色補正を確実に行うために、フォトンシーブの好ましい位置は投影レンズの瞳、すなわち、図１０に示すオブジェクトと画像との間である。
【００６２】
[00068]  レンズとともに使用するだけでなく、フォトンシーブは、ミラー光学システムにおいても使用することができる。この用途の実施形態は、ＥＵＶ用の透過回折レンズ素子としてフォトンシーブを使用することである。現在の方法では、ガラスレンズはＥＵＶを通さない（あるいはＥＵＶはガラスレンズによって回折される）ので、ＥＵＶは、ミラー光学系でのみ有効である。このミラー光学系では、レイアウトと光線妨害の問題により、開口数が非常に高いレンズを設計することが難しくなっている。しかしながら、フォトンシーブを使用することにより、透過レンズ素子をＥＵＶレンズおよび照射されるデザインに含めることが可能になる。これは投影システムのレイアウトを改善させるものである。
【００６３】
[00069]  本明細書では、特定のデバイスの製造（たとえば、集積回路またはフラットパネルディスプレイ）におけるリソグラフィ装置の使用について具体的に説明しうるものであるが、当然のことながら、本明細書に記載されるリソグラフィ装置は他の用途がありうる。用途には、集積回路の製造、集積光学システム、磁区メモリのガイダンスおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＤＣ）、薄膜磁気ヘッド、微小電磁気デバイス（ＭＥＭＳ）等を含むがこれらに限定されない。また、たとえば、フラットパネルディスプレイでは、本発明のリソグラフィ装置は、たとえば、薄膜トランジスタ層および／またはカラーフィルタ層といった多様な層の形成の支援に使用することができる。
【００６４】
[00070]  本発明の具体的な実施形態に既に説明してきたが、言うまでもなく、本発明は、記載される以外の態様で実施されうる。たとえば、本発明は、上記に開示されている方法を記載する機械読取可能な指示の１つ以上のシーケンスを含むコンピュータプログラム、またはそのようなコンピュータプログラムが記憶されているデータ記憶媒体（たとえば、半導体メモリ、磁気ディスクまたは光ディスク）の形態を取りうる。
【００６５】
[00071]  本発明の具体的な実施例に説明してきたが、当然のことながら、多くの変更が容易に行なわれ、当業者に提案されうる。したがって、本発明は、添付の特許請求の範囲の精神と範囲によってのみ限定されることを意図している。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】[00012]  本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を示す。
【図２】[00013]  本発明の別の実施形態によるリソグラフィ装置を示す。
【図３】[00014]  図２に示す本発明の一実施形態を使用してパターンを基板に転写する態様を示す。
【図４】[00015]  光学エンジンの構成を示す。
【図５ａ】[00016]  本発明の一態様によるフォトンシーブを示す
【図５ｂ】[00016]  本発明の一態様によるフォトンシーブを示す。
【図６】[00017]  フレネルゾーンプレートとフォトンシーブの回折特性を比較したグラフを示す。
【図７】[00018]  本発明の一実施形態によるフォトンシーブの使用を示す。
【図８】[00019]  本発明の一実施形態によるフォトンシーブの使用を示す。
【図９】[00020]  本発明の一実施形態によるフォトンシーブの使用を示す。
【図１０】[00021]  本発明の一実施形態によるフォトンシーブの使用を示す。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５ｂ】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図５ａ】
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【図６】
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