(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコンを含む有機系の低誘電率膜の上層側にレジストパターンが形成された基板をプラズマ処理装置内に搬入して、前記低誘電率膜をプラズマによりエッチングする工程と、
次いで前記プラズマ処理装置内においてＣＯ2ガスのプラズマにより前記レジストパターンをアッシングする工程と、
その後、ジメチルカーボネートガスを前記低誘電率膜に供給して、プラズマにより受けた前記低誘電率膜のダメージの回復処理を行う工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
シリコンを含む有機系の低誘電率膜は、炭素、酸素及び水素を含むものであることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記回復処理は、前記エッチング及び前記アッシングが行われる処理容器とは別の処理容器内で行われることを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記アッシングする工程は、前記低誘電率膜に形成されるダメージが緻密化しない条件に設定されていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記アッシングする工程は、処理圧力が１．３３Ｐａ〜６．６７Ｐａに設定されることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記アッシングする工程は、プラズマ処理装置を用い、プラズマ発生用の電力が、下部電極上の基板の単位面積あたりに印加されるプラズマ発生用の電力が１．９１Ｗ／ｃｍ2〜３．１８Ｗ／ｃｍ2となるように設定されていることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
シリコンを含む有機系の低誘電率膜の上層側にレジストパターンが形成された基板が搬入される処理容器を含み、前記低誘電率膜をプラズマによりエッチングするためのプラズマ処理装置と、
前記エッチング後の基板が搬入される処理容器を含み、ＣＯ2ガスのプラズマにより前記レジストパターンをアッシングするプラズマ処理装置と、
前記アッシング後の基板が搬入される処理容器を含み、ジメチルカーボネートガスを前記低誘電率膜に供給して、プラズマにより受けた前記低誘電率膜のダメージの回復処理を行うための処理装置と、を備えたことを特徴とする半導体製造装置。
【請求項８】
前記エッチングするためのプラズマ処理装置の処理容器は、前記アッシングするためのプラズマ処理装置の処理容器を兼用していることを特徴とする請求項７記載の半導体製造装置。
【請求項９】
半導体製造装置に用いられ、コンピュータ上で動作するコンピュータプログラムを格納した記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、請求項１ないし６のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法を実施するようにステップが組まれていることを特徴とする記憶媒体。
【請求項１０】
前記アッシングする工程と前記回復処理を行う工程との間に、基板が水分を含む雰囲気に置かれることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造工程において層間絶縁膜である有機系の低誘電率膜をエッチングした後、レジストをアッシングし、その後低誘電率膜に発生したダメージを回復させる技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスに多層配線構造を形成する手法であるデュアルダマシン工程においては、層間絶縁膜に上層及び下層の配線を接続するためのビアホールと上層の配線を埋め込むためのトレンチ（溝部）とを形成し、この凹部に配線金属である銅を埋め込むようにしている。  
そのような層間絶縁膜にビアホール及びトレンチなどの凹部を形成するためには、処理ガスから得たプラズマによるエッチング工程が行われ、次いで酸素ガスや二酸化炭素ガスから得たプラズマによるレジストのアッシングが行われる。
【０００３】
層間絶縁膜としては、信号伝送の高速化を図るために、比誘電率の低い材料が検討されており、その代表的な低誘電率膜としてＳｉＣＯＨ膜が知られている。  
しかしながら、上記のエッチング工程やアッシング工程においてＳｉＣＯＨ膜はプラズマによりダメージを受ける。特にアッシング工程時には酸素ガスが用いられ、そしてＳｉＣＯＨ膜は有機膜であることから、アッシング時におけるダメージの程度が大きく、電気的特性が著しく低下する。具体的には、このダメージは、図１０（ａ）に示すように、酸素ガスのプラズマにより、ＳｉＣＯＨ膜を構成するＳｉとメチル基（ＣＨ3）との間の結合が切れて、Ｓｉとの結合が切れたメチル基がＳｉＣＯＨ膜から脱離することによって生じる。また、メチル基との結合が切れたＳｉは、吸湿しやすいので、大気中や処理ガス中の水分あるいは処理ガスの酸素とメチル基の水素との反応による水分を取り込んでしまい、更にこのＳｉＣＯＨ膜の電気的特性が低下する。このようにダメージを受けると、具体的には、ウエハの洗浄後にパターンの線幅が広がる現象、比誘電率の上昇、リーク電流の上昇、水分の吸収による信頼性の低下といったことが起こる。
【０００６】
特許文献１には、有機系低誘電率膜の上層側のレジストパターンをアッシングするにあたって、ウェハの単位面積あたりの上部電極の印加電力が０．８１Ｗ／ｃｍ2（８インチサイズウェハに対して上部電極の印加電極が２５５Ｗ）以下であることが記載されているが、この条件では酸素イオンがリッチな状態であり、上記の課題を解決するものではない。
【０００７】
【特許文献１】特開２００５−２５１８３７（（請求項１）、（００３７））
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明はこのような事情の下になされたものであり、その目的は、プラズマによってエッチング及びアッシングされることによりダメージを受けた有機系の低誘電率膜を良好に回復することのできる方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の半導体装置の製造方法は、シリコンを含む有機系の低誘電率膜の上層側にレジストパターンが形成された基板をプラズマ処理装置内に搬入して、前記低誘電率膜をプラズマによりエッチングする工程と、
次いで前記プラズマ処理装置内においてＣＯ2ガスのプラズマにより前記レジストパターンをアッシングする工程と、
その後、ジメチルカーボネートガスを前記低誘電率膜に供給して、プラズマにより受けた前記低誘電率膜のダメージの回復処理を行う工程と、を含むことを特徴とする。
また本発明の半導体製造装置は、シリコンを含む有機系の低誘電率膜の上層側にレジストパターンが形成された基板が搬入される処理容器を含み、前記低誘電率膜をプラズマによりエッチングするためのプラズマ処理装置と、
前記エッチング後の基板が搬入される処理容器を含み、ＣＯ2ガスのプラズマにより前記レジストパターンをアッシングするプラズマ処理装置と、
前記アッシング後の基板が搬入される処理容器を含み、ジメチルカーボネートガスを前記低誘電率膜に供給して、プラズマにより受けた前記低誘電率膜のダメージの回復処理を行うための処理装置と、を備えたことを特徴とする。
【００１０】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、
シリコン、炭素、酸素及び水素を含む有機系の低誘電率膜の上層側にレジストパターンが形成された基板をプラズマ処理装置内に搬入して、前記低誘電率膜をプラズマによりエッチングする工程と、
次いで平行平板型プラズマ処理装置を用い、処理圧力を１．３３Ｐａ〜６．６７Ｐａに設定すると共に、下部電極上の基板の単位面積あたりに印加されるプラズマ発生用の電力が１．９１Ｗ／ｃｍ2〜３．１８Ｗ／ｃｍ2となるように、上部電極にプラズマ発生用の電力を印加して酸素ガスをプラズマ化し、そのプラズマにより前記レジストパターンをアッシングする工程と、
その後、有機系のガスを前記低誘電率膜に供給して、プラズマにより受けた前記低誘電率膜のダメージの回復処理を行う工程と、を含むことを特徴とする。
【００１１】
本発明の記憶媒体は、
半導体製造装置に用いられ、コンピュータ上で動作するコンピュータプログラムを格納した記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、上記半導体装置の製造方法を実施するようにステップが組まれていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明は、アッシング後に、低誘電率膜に対して有機系のガスを供給しているため、低誘電率膜に発生したダメージを回復させることができる。
また本発明は、有機系の低誘電率膜であるＳｉＣＯＨ膜に対してプラズマによりエッチングを行った後及びアッシングを行うにあたり、ラジカルリッチな条件でアッシングを行うようにすることで、プラズマにより受けたダメージの程度を敢えて悪くしている。これは言い換えれば緻密層の形成が抑えられている状態である。具体的にはＳｉＣＯＨ膜の場合、比誘電率が５．２以上となるようにアッシング処理を行っている。あるいは有機系の低誘電率膜を平行平板型プラズマ処理装置を用いてアッシングする場合には、処理圧力を１．３３Ｐａ〜６．６７Ｐａに設定すると共に、下部電極上の基板の単位面積あたりに印加されるプラズマ発生用の電力を１．９１Ｗ／ｃｍ2〜３．１８Ｗ／ｃｍ2に設定している。例えば８インチサイズウエハの場合、例えば上部電極への供給電力が６００Ｗである。このようにすれば、ラジカルリッチな条件でアッシングが行われ、やはり低誘電率膜のダメージの程度を悪くしている。  
そしてこのようにアッシング条件を、低誘電率膜のダメージの程度を悪くするように設定することで、緻密層の形成が抑えられるため、回復処理用のガスが低誘電率膜の膜内部まで浸透しやすくなり、結果として低誘電率膜のダメージの回復率が向上する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
［プラズマ処理装置］
本発明の実施の形態について、以下に説明する。本発明は、基板である半導体ウェハ（以下「ウェハＷ」という）に対してプラズマ処理及び回復処理を行う方法に特徴を有するものであるが、初めに本方法を実施するための装置の一例について説明する。先ず、ウェハＷに対してエッチング処理及びアッシング処理を行うための平行平板型プラズマ処理装置の一例について、図１を参照して説明する。  
プラズマ処理装置１０は、真空チャンバからなる処理容器２１と、この処理容器２１内の底面中央に配設された載置台３０と、処理容器２１の上面部に設けられた上部電極４０と、を備えている。  
処理容器２１の底面の排気口２２には、排気管２４を介して真空ポンプ等を含む真空排気装置２３が接続されている。処理容器２１の壁面には、ウェハＷの搬送口２５が設けられており、この搬送口２５はゲートバルブＧによって開閉可能となっている。尚、処理容器２１は接地されている。
【００１４】
載置台３０は、下部電極３１とこの下部電極３１を下方から支持する支持体３２とからなり、処理容器２１の底面に絶縁部材３３を介して配設されている。載置台３０の上部には、静電チャック３４が設けられており、高圧直流電源３５から電圧が印加されることによって、載置台３０上にウェハＷが静電吸着される。  
載置台３０内には、所定の温調媒体が通る温調流路３７が形成されており、温調媒体によってウェハＷの温度が所望の温度に調整されるように構成されている。  
また、載置台３０の内部には、Ｈｅ（ヘリウム）ガス等の熱伝導性ガスをバックサイドガスとして供給するガス流路３８が形成されており、このガス流路３８は、載置台３０の上面の複数箇所で開口している。これらの開口部は、静電チャック３４に設けられた前記貫通孔３４ａと連通している。
【００１５】
前記下部電極３１は、ハイパスフィルタ（ＨＰＦ）３０ａを介して接地されており、例えば周波数が２ＭＨｚの高周波電源３１ａが整合器３１ｂを介して接続されている。  
また、下部電極３１の外周縁には、静電チャック３４を囲むように、フォーカスリング３９が配置され、プラズマ発生時にこのフォーカスリング３９を介してプラズマが載置台３０上のウェハＷに集束するように構成されている。
【００１６】
上部電極４０は、中空状に形成されており、その下面には、処理容器２１内へ処理ガスを分散供給するための多数の孔４１が例えば均等に配置されてガスシャワーヘッドを構成している。また、上部電極４０の上面中央には、ガス供給路であるガス導入管４２が設けられ、このガス導入管４２は、絶縁部材２７を介して処理容器２１の上面中央を貫通している。そして、このガス導入管４２は、上流側において５本に分岐して分岐管４２Ａ〜４２Ｅを形成し、バルブ４３Ａ〜４３Ｅと流量制御部４４Ａ〜４４Ｅとを介してガス供給源４５Ａ〜４５Ｅに接続されている。ガス供給源４５Ａ〜４５Ｅは、それぞれ例えばＣＦ4ガス源、ＣＯガス源、ＣＯ2ガス源、Ｏ2ガス源及びＡｒガス源である。バルブ４３Ａ〜４３Ｅ及び流量制御部４４Ａ〜４４Ｅは、ガス供給系４６を構成している。  
上部電極４０は、ローパスフィルタ（ＬＰＦ）４７を介して接地されており、高周波電源３１ａの高周波よりも周波数の高い高周波例えば６０ＭＨｚの高周波電源４０ａが整合器４０ｂを介して接続されている。  
上部電極４０に接続された高周波電源４０ａからの高周波は、処理ガスをプラズマ化するためのものである。下部電極３１に接続された高周波電源３１ａからの高周波は、ウェハＷにバイアス電力を印加することでプラズマ中のイオンをウェハＷ表面に引き込むためのものである。
【００１７】
［回復処理装置］
次に、図２を参照して回復処理装置５０について説明する。この回復処理装置５０は、処理容器５１と、載置台５２と、を備えている。載置台５２には、加熱手段であるヒーター５２ａが設けられており、このヒーター５２ａは、電源５２ｂに接続され、ウェハＷを例えば５０℃〜２００℃に加熱できるように構成されている。この載置台５２には、図示しないピンなどの昇降手段が設けられており、この昇降手段により、処理容器５１の側壁の搬送口５３を介して載置台５２と図示しない搬送手段との間でウェハＷの受け渡しを行うように構成されている。載置台５２の表面には、ウェハＷを支持するための図示しない複数のピンが設置されており、載置台５２の表面からウェハＷを僅かに浮かせることで、ウェハＷの裏面へのパーティクルの付着を抑えるように構成されている。尚、Ｇはゲートバルブである。
【００１８】
また、処理容器５１の下面には、載置台５２を囲むように、周方向に等間隔に例えば４カ所にガス供給路５４の一端側が開口しており、またガス供給路５４の他端側には、気化器５５が接続されている。この気化器５５の上流側には、それぞれ流量調整部５６ａ、５７ａを介してＴＭＳＤＭＡ（Ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ）源５６、窒素ガス源５７が接続されており、液体状のＴＭＳＤＭＡを気化器５５において気化させて、窒素ガスをキャリアガスとして有機ガスであるＴＭＳＤＭＡガスを処理容器５１内に供給するように構成されている。尚、処理容器５１内を減圧すると共に、気化器５５内のＴＭＳＤＭＡの圧力を処理容器５１内よりも高くなるように設定して、処理容器５１内の圧力と気化器５５内の圧力との間の圧力差により、ＴＭＳＤＭＡガスがキャリアガス無しで処理容器５１内に供給されるようにしても良い。処理容器５１の天壁には、載置台５２上のウェハＷに対向するように、排気路５６を介して図示しない圧力調整部を備えた真空ポンプ５７が接続されている。
【００１９】
［装置全体の構成］
上記のプラズマ処理装置１０及び回復処理装置５０は、図３に示すように、マルチチャンバーシステムである基板処理装置６０の一部として構成されている。
この基板処理装置６０について以下に簡単に説明すると、この基板処理装置６０は、キャリア室６１、大気雰囲気の第１の搬送室６２、ロードロック室６３及び真空雰囲気の第２の搬送室６４を備えている。第２の搬送室６４には、プラズマ処理装置１０及び回復処理装置５０が気密に接続されている。
【００２０】
第１の搬送室６２には、キャリア室６１とロードロック室６３との間でウェハＷの受け渡しを行うための第１の搬送手段である搬送アーム６５が設けられ、第２の搬送室６４には、ロードロック室６３とプラズマ処理装置１０及び回復処理装置５０との間でウェハＷの受け渡しを行うための第２の搬送手段である搬送アーム６６が設けられている。
【００２１】
この基板処理装置６０には、例えばコンピュータからなる制御部２Ａが設けられている。この制御部２Ａはプログラム、メモリ、ＣＰＵからなるデータ処理部などを備えており、前記プログラムには制御部２Ａから基板処理装置６０の各部に制御信号を送り、後述の各ステップを進行させるように命令（各ステップ）が組み込まれている。また、例えばメモリには処理圧力、処理温度、処理時間、ガス流量または電力値などの処理パラメータの値が書き込まれる領域を備えており、ＣＰＵがプログラムの各命令を実行する際これらの処理パラメータが読み出され、そのパラメータ値に応じた制御信号がこの基板処理装置６０の各部位に送られることになる。このプログラム（処理パラメータの入力操作や表示に関するプログラムも含む）は、コンピュータ記憶媒体例えばフレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、ＭＯ（光磁気ディスク）などの記憶部２Ｂに格納されて制御部２Ａにインストールされる。
【００２２】
［積層構造及び全体の処理の流れ］
次に、上記のプラズマ処理装置１０、回復処理装置５０及び基板処理装置６０において行われる各処理について説明する。ここで、まず本発明における半導体装置の製造方法が実施される例えば半導体基板（以下「ウェハ」Ｗという）の一例について、図４を参照して説明する。  
図４（ａ）は、基板である例えば８インチサイズのウェハＷ上に形成されたｎ番目の回路層の上層に（ｎ＋１）番目の回路層を形成する様子を示している。このｎ番目の回路層は、層間絶縁膜であるＳｉＣＯＨ膜７０内に、例えばＣｕなどの金属である配線７１が埋め込まれた構成となっている。また、このｎ番目の回路層の上層には、キャップ膜７２とバリア膜７３とが下側からこの順番で積層されている。キャップ膜７２は、例えばＣＭＰ加工における機械的衝撃からこの回路層を保護するためのものである。また、バリア膜７３は、上下の回路層の間におけるＣｕの拡散を抑えるためのものである。尚、ＳｉＣＯＨ膜７０と配線７１との間にも金属の拡散を抑えるためのバリア膜が形成されているが、ここでは省略する。
【００２３】
バリア膜７３の上層には、ＳｉＣＯＨ膜７４、キャップ膜７５、ボトムレジスト膜７６、酸化膜７７、反射防止膜７８及びレジストパターンであるフォトレジストマスク７９が下側からこの順番で積層されている。フォトレジストマスク７９は、ＳｉＣＯＨ膜７４にビアホールを形成するためにパターニングされている。
【００２４】
次に、上記のウェハＷに対して行う処理について説明する。先ず、上記の基板処理装置６０におけるウェハＷの流れについて説明する。ウェハＷの搬送容器であるキャリアがゲートドアＧＴを介して大気側からキャリア室６１に搬入されると、ウェハＷは、搬送アーム６５によって第１の搬送室６２を介してロードロック室６３に搬入される。次いで、このウェハＷは、搬送アーム６６により、第２の搬送室６４を介してプラズマ処理装置１０に搬送される。プラズマ処理装置１０において以下に説明するエッチング処理及びアッシング処理が行われた後、ウェハＷは搬送アーム６６によりプラズマ処理装置１０から取り出されて、回復処理装置５０に搬送され、後述の回復処理が行われる。その後、ウェハＷは、搬入された経路と逆の経路でキャリアに戻される。
【００２５】
（エッチング処理）
ウェハＷを搬送アーム６６によって処理容器２１内の載置台３０上に水平に載置した後、ゲートバルブＧを閉じる。引き続きガス流路３８からバックサイドガスを供給して、ウェハＷを所定の温度に調整する。  
そして、排気装置２３により排気管２４を介して処理容器２１内の真空排気を行い、処理容器２１内を所定の真空度に保持した後、ガス供給系４６より処理ガスとして例えばＣＦ4ガスを所定の流量で供給する。続いて周波数が６０ＭＨｚの高周波を所定の電力となるように上部電極４０に供給して、処理ガスをプラズマ化すると共に、バイアス用の高周波として周波数が２ＭＨｚの高周波を所定の電力で下部電極３１に供給する。このプラズマによって、反射防止膜７８及び酸化膜７７がエッチングされる。
【００２６】
次いで、高周波及び処理ガスの供給を停止して、処理容器２１内を真空排気する。そして、処理ガスとしてＣＯ2ガス及びＣＯガスを所定の流量で処理容器２１内に供給し、上部電極４０及び下部電極３１から所定の電力の高周波を供給し、同様に処理ガスをプラズマ化して、ボトムレジスト膜７６をエッチングする。
【００２７】
その後、高周波及び処理ガスの供給を停止し、処理容器２１内を真空排気して、処理ガスとしてＣＦ4ガスを例えば１００ｓｃｍｍの流量で処理容器２１内に供給すると共に、処理容器２１内の圧力を例えば６．６７Ｐａ（５０ｍＴｏｒｒ）に設定する。そして、上部電極４０及び下部電極３１からの電力をそれぞれ例えば１０００Ｗ、１００Ｗとして、この処理ガスをプラズマ化し、このプラズマをウェハＷに供給することにより、キャップ膜７５、ＳｉＣＯＨ膜７４をエッチングする。このエッチング処理により、図４（ｂ）に示すように、ＳｉＣＯＨ膜７４にホール８０が形成されて、バリア膜７３の表面が露出する。
【００２８】
この時、処理ガスには酸素ガスが含まれていないので、ＳｉＣＯＨ膜７４には酸素のプラズマによるダメージが生成されないが、ＣＦ4ガスのプラズマのエネルギーにより、ごく僅かにダメージを受けて、ホール８０の側壁には、僅かにダメージ層８１が形成される。このダメージ層８１は、既述のように、ＳｉＣＯＨ膜７４を構成するＳｉと結合していた有機物が脱離した層である。
【００２９】
（アッシング処理）
次に、高周波及び処理ガスの供給を停止し、処理容器２１内を真空排気する。また、処理ガスとして酸素ガスを例えば３００ｓｃｃｍで処理容器２１内に供給すると共に、例えば１．３３Ｐａ（１０ｍＴｏｒｒ）〜６．６７Ｐａ（５０ｍＴｏｒｒ）となるように真空度を調整する。そして、上部電極４０から例えば６００Ｗ（１．９１Ｗ／ｃｍ2）〜１０００Ｗ（３．１８Ｗ／ｃｍ2）の電力を供給して、酸素ガスをプラズマ化すると共に、下部電極３１から例えば１００Ｗ（０．３２Ｗ／ｃｍ2）〜３００Ｗ（０．９５Ｗ／ｃｍ2）の電力を供給する。この高周波により、酸素ガスが活性化されてプラズマ化して、酸素イオンと酸素ラジカルとを生成する。この時、上記のように処理条件を調整（処理圧力を高く、上部電極４０から供給する電力を高く）してプラズマ密度を増やしているので、その結果プラズマ中の酸素イオン濃度が極めて少なくなり、一方ラジカル濃度が増加する。また、下部電極３１から供給する電力を上記のように低くしているので、酸素イオンがウェハＷに強く引き寄せられずに、大量に生成したラジカルが主にウェハＷに向かって流れていく。
【００３０】
このプラズマがウェハＷに供給されると、図４（ｃ）に示すように、有機膜であるボトムレジスト膜７６がアッシングされて除去されていく。また、ＳｉＣＯＨ膜７４の側壁（ホール８０の側面）がこのプラズマに曝されることにより、膜中から有機物例えばメチル基が脱離していく。ＳｉＣＯＨ膜７４中のＳｉには、メチル基の脱離により、ダングリングボンドと呼ばれる活性の非常に高い（反応力の高い）未結合手が生成される。この未結合手には、処理ガス中に僅かに含まれている水分や、酸素ガスとＳｉＣＯＨ膜７４中の水素とが反応して生成した水分が結合して、Ｓｉ−ＯＨ結合が形成される。
【００３１】
そして、メチル基が脱離して空隙となった部位から酸素プラズマがＳｉＣＯＨ膜７４の内部まで進入して、ＳｉＣＯＨ膜７４の内部からもメチル基を順次脱離させ、既述のダメージ層８１が形成される。ところで酸素イオンは、そのエネルギーによりダメージ層８１を緻密化してしまうが、上記の条件で形成されたプラズマは酸素イオンの濃度が極めて低く、酸素ラジカルがリッチな状態であり、このラジカルはダメージ層８１を緻密化するおそれが少ないので、図５（ａ）に示すように、ダメージ層８１は有機物の脱離によって形成された空隙がそのまま残ったような多孔質となる。このように酸素ラジカルがリッチなプラズマを用いると、ダメージ層８１が緻密でなくなることから、酸素ラジカルが奥まで浸透してダメージ層８１が厚く（深く）なり、このため比誘電率が大きくなってしまう。
【００３２】
（回復処理）
次いで、高周波及び処理ガスの供給を停止して、処理容器２１内を排気する。そして、搬送アーム６６によりウェハＷを処理容器２１内から取り出して、既述の回復処理装置５０の処理容器５１内に搬入する。また、載置台５２上において、ウェハＷを所定の設定温度例えば１５０℃に加熱する。その後、処理容器５１内の圧力が例えば６．６７ｋＰａ（５０Ｔｏｒｒ）となるまでＴＭＳＤＭＡガスを例えば５００ｓｃｃｍの流量で供給する。そして、ＴＭＳＤＭＡガスの供給を停止して処理容器５１内を閉空間とし、この状態を例えば１５０秒保持する。
【００３３】
このＴＭＳＤＭＡガスは、処理容器５１内に拡散していき、ウェハＷの表面に充満して、ホール８０内更にはダメージ層８１の表面にまで到達する。既述のように、ダメージ層８１が疎の状態（多孔質状）になっているので、ＴＭＳＤＭＡガスは、図５（ｂ）に示すように、ダメージ層８１の表面から内部深くまで入り込んでいく。このダメージ層８１は、既述のようにＳｉＣＯＨ膜７４から有機物が脱離した部位であり、この部位のＳｉには活性の非常に高い未結合手を有している。一方、ＴＭＳＤＭＡガスは、結合力が弱くＴＭＳＤＭＡガスから脱離しやすい反応基例えばメチル基を持っているので、未結合手を持つＳｉに接触すると、このＳｉにメチル基が速やかに奪われていく。また、水分が結合したＳｉに対してもこのＴＭＳＤＭＡガスが作用して、ＳｉＣＯＨ膜７４から水分を脱離させると共に、この水分の脱離したＳｉにメチル基が結合する。
【００３４】
そして、ＴＭＳＤＭＡガスから順次メチル基がＳｉに奪われて、ダメージ層８１内におけるＴＭＳＤＭＡガスの濃度が減少するので、ＴＭＳＤＭＡガスが次々とダメージ層８１内部に拡散し、更にＳｉとＴＭＳＤＭＡガスとの反応が進行して、図５（ｃ）及び図６（ａ）に示すように、ダメージ層８１の回復処理が行われる。尚、ＴＭＳＤＭＡガスからメチル基が奪われることによって生成した副生成物のガスは、分子が小さくなるので、ＳｉＣＯＨ膜７４を構成する分子の隙間からホール８０の外部へと抜け出ていく。
【００３５】
その後、処理容器５１内を排気して、ウェハＷを処理容器５１内から取り出す。そして、新たなレジストパターンを形成後、このレジストパターンを利用して、ＳｉＣＯＨ膜７４に配線を埋め込むための溝（トレンチ）を形成し、この溝とホール８０とからなる凹部にＣｕを埋め込んだ後、ＣＭＰ加工を行うことにより、図６（ｂ）に示すように（ｎ＋１）番目の配線８２が形成される。
【００３６】
上述の実施の形態によれば、アッシング後に、ＳｉＣＯＨ膜に対してメチル基を有する例えばシラザン系のガスを供給して、メチル基との結合の切れたシリコンにメチル基を付加することにより、回復処理が行われる。図１０（ｂ）及び同図（ｃ）はこの様子を示している。そしてアッシング処理条件として、処理圧力を１．３３Ｐａ〜６．６７Ｐａ、上部電極４０から供給する電力を６００Ｗ（１．９１Ｗ／ｃｍ2）〜１０００Ｗ（３．１８Ｗ／ｃｍ2）とすることで、酸素イオンが少なく、酸素ラジカルの多いプラズマを得て、このプラズマによりＳｉＣＯＨ膜７４が露出した状態でアッシング処理を行うようにしている。このため、ＳｉＣＯＨ膜７４の表層における密度の高い緻密層の生成が抑えられるので、回復処理を行う時のＴＭＳＤＭＡガスがダメージ層８１内部まで行き渡り、ダメージの回復率（電気的特性の回復率）を高めることができる。この結果、良好な電気的特性の半導体装置が得られる。
【００３７】
この実施の形態に係る手法は、次のような見方ができる。即ち、従来はアッシング処理を行った後の電気的特性が最も良くなるようにアッシング処理条件を調整して、その後回復処理を行っていたが、本発明では、従来までの発想とは逆の発想により、アッシング処理を行った後の特性については、従来のアッシング処理後の特性よりも悪くようにアッシング条件を調整し、こうすることで次工程の回復処理による特性の回復率を高めるようにしている。
ここでアッシング工程時に上部電極に印加する電力が低い場合には、処理ガスがプラズマ化すると主に酸素イオンとなり、この酸素イオンによりアッシング工程が行われる。この場合、図１１に示すように、メチル基が脱離して分子が小さくなったＳｉＣＯＨ膜１００の表面部分は、酸素ガスのプラズマ中に含まれる酸素イオンのエネルギーにより、密度の高い緻密層１０１となってしまう。この緻密層１０１が立体障害となって、分子の大きな既述のシラザン系のガスがＳｉＣＯＨ膜１００内に浸透しにくくなり、同図に示すように、回復処理によって回復するのは、この緻密層１０１の極く表層部分だけになってしまう。
【００３８】
更にＳｉＣＯＨ膜７４について言えば、８インチサイズウェハＷのアッシング処理において、プラズマ発生用の電力である例えば上部電極４０への供給電力を６００Ｗ以上として、アッシング処理後の膜の特性を悪くすれば良く、このような条件でアッシング処理を行うということは、後述の実施例からも分かるように、膜の比誘電率を５．２以上とすることでもある。尚、アッシング処理後のＳｉＣＯＨ膜７４の比誘電率が５．２以上であっても、極端に大きい場合には、続く回復処理によって膜のダメージの回復率は悪くなるであろうから、回復処理によって膜の比誘電率が３．２を越えてしまうような場合には、本発明の範囲には含まれない。
【００３９】
また、後述の実施例の結果からも明らかなように、上記のようにアッシング条件を調整することで、アッシングレートが高くなるので、スループットが向上するといったメリットもある。  
尚、ホール８０内へのプラズマの進入を抑えるために、アッシング処理時における下部電極３１から供給する電力は、１００Ｗ（０．３２Ｗ／ｃｍ2）〜３００Ｗ（０．９５Ｗ／ｃｍ2）とすることが好ましい。
【００４０】
回復処理に用いるガスとしては、上記のＴＭＳＤＭＡガス以外にも、後述の実施例に示すＤＭＣ（Ｄｉｍｅｔｈｙｌｃａｒｂｏｎａｔｅ）ガスを用いても良く、また回復処理に用いられる他の有機系のガスであっても良い。また、本発明のアッシング処理及び回復処理を適用する膜としては、上記のＳｉＣＯＨ膜７４だけでなく、Ｓｉ、Ｃ及びＯを含む膜であっても良い。また、上記の例では、回復処理を行う際に、処理容器５１内に６．６７ｋＰａ（５０Ｔｏｒｒ）となるまでＴＭＳＤＭＡガスを供給して、その後ＴＭＳＤＭＡガスの供給を停止したが、ＴＭＳＤＭＡガスを供給しながら処理容器５１内を真空排気して、上記の圧力となるようにＴＭＳＤＭＡガスの流量と排気量とを調整するようにしても良い。  
尚、エッチング処理やアッシング処理を行うための装置としては、下部２周波の平行平板型のプラズマ処理装置を用いても良い。また、エッチング処理とアッシング処理とを別チャンバーにて行うようにしても良い。
【実施例】
【００４１】
（実験例１）
次に、本発明の効果を確認するために行った実験について説明する。実験には、図７に示すように、ＳｉＣ膜９０の上にＳｉＣＯＨ膜９１、酸化膜９２、反射防止膜９３及びフォトレジストマスク９４が下からこの順番で積層された８インチ（２００ｍｍ）サイズのウェハＷを用いた。このフォトレジストマスク９４には、所定の凹部がパターニングされている。先ず初めに、このウェハＷを用いて、ダメージ層８１が小さくなる処理条件を見つけるための実験を行った。
【００４２】
既述のプラズマ処理装置１０において、エッチング処理及びアッシング処理を行った後、回復処理装置５０において回復処理を行った。各処理条件については、エッチング処理条件及び回復処理条件を一定として、アッシング処理条件を以下の表１に示す条件とした。尚、比較例１−３として、アッシング処理後の電気的特性などの状態が最も良くなるように、アッシング処理条件を調整した条件（これまで用いられてきた従来のアッシング条件）とした実験を行った。また、比較例１−４として、アッシング処理時の上部電極４０の電力を１５００Ｗとして、回復処理の処理ガスをＤＭＣ（Ｄｉｍｅｔｈｙｌｃａｒｂｏｎａｔｅ）ガスとした以外は実施例１−２と同じ条件とした実験を行った。
【００４３】
その後、回復処理を行った後の各ウェハＷを５重量％の沸酸水溶液中に浸析した。そして、既述のダメージ層８１が沸酸に溶解する一方、ＳｉＣＯＨ膜９１は沸酸に溶解しにくいことから、沸酸に浸漬することにより広がった凹部の幅を測定して、ダメージ層８１の量を評価した。凹部の幅は、ＳＥＭにより１５０ｋ倍でウェハＷの断面を観察することによって測定した。  
各処理条件については、以下の通りである。
（エッチング処理条件）
反射防止膜９３のエッチング
処理圧力            ：６．６７Ｐａ（５０ｍＴｏｒｒ）
上部電極４０の電力  ：１０００Ｗ
下部電極３１の電力  ：１００Ｗ
処理ガス            ：ＣＦ4ガス＝１００ｓｃｃｍ
処理時間            ：７０秒
メインエッチング
処理圧力            ：６．６７Ｐａ（５０ｍＴｏｒｒ）
上部電極４０の電力  ：１２００Ｗ
下部電極３１の電力  ：１７００Ｗ
処理ガス            ：ＣＦ4ガス／Ａｒガス／Ｎ2ガス＝５／１０００／１５０ｓｃｃｍ
処理時間            ：２５秒
（アッシング処理条件）
処理ガス            ：Ｏ2ガス／３００ｓｃｃｍ
（表１）  
0004578507.tif 000002
（回復処理条件）
処理圧力            ：６．６７ｋＰａ（５０Ｔｏｒｒ）
処理ガス            ：ＴＭＳＤＭＡガス＝５００ｓｃｃｍ
処理時間            ：１５０秒
ウェハＷの加熱温度  ：１５０℃
【００４４】
（実験結果）
この実験結果を表２に示す。  
（表２）
0004578507.tif 000003
【００４５】
その結果、比較例１−１、１−２、１−４では、ダメージ層８１が悪化していた。尚、実施例１−１、１−２では、従来の条件（比較例１−３）よりもアッシングレートが向上していた。
【００４６】
このことから、上部電極４０の供給電力の範囲を６００Ｗ〜１０００Ｗまで増やしても、見かけ上のダメージ層８１の量は上部電極４０の供給電力を３００Ｗとしていた従来の方法に近いレベルであり、一方アッシングレートは向上することが分かった。  
上部電極４０の電力を増やしていくと、既述のように、プラズマ中の酸素イオンの濃度が減少すると考えられるが、上記の結果から、１５００Ｗまで増やすと、その後の回復処理によっても回復できない程度まで酸素ラジカルによるダメージが大きくなってしまうと考えられる。  
尚、上記のＤＭＣガスを用いた場合でも、ＴＭＳＤＭＡガスと同様にダメージ層８１の量を減らす効果があることが分かった。
【００４７】
また、実施例１−１、１−２及び比較例１−３について、上記と同様のエッチング処理及びアッシング処理を行い、その後回復処理を行わずに沸酸浸漬試験を行ったところ、それぞれダメージ層８１の量が２６、３０、２２ｎｍとなっていた。このことから、実施例１−１、１−２では、アッシング処理後には一旦見かけ上のダメージ層８１が増加するが、回復処理によりダメージ層８１の量が比較例１−３（上部電極４０の供給電力３００Ｗ）に近いレベルまで回復することが分かった。  
尚、ＳｉＣ膜９０の膜減りについても確認したが、ウェハＷ間で差異は見られなかった。
【００４８】
（実験例２）
次に、電気的特性についての評価試験を行った。図８に示すように、実験用の８インチサイズのウェハＷ上に比誘電率が２．４となるＳｉＣＯＨ膜９５をベタ膜として成膜して、このウェハＷに対してエッチング処理、アッシング処理及び回復処理を行った。各処理条件としては、以下の条件以外については上記の実験例１と同様の条件とした。尚、比較のために、上記のエッチング処理及びアッシング処理を行い、回復処理を行わない試料も作製した。
【００４９】
その後、比誘電率、リーク電流、含水量及び炭素量の測定を行った。また、比較のために、リーク電流以外については、回復処理を行う前の試料に対しても同様に測定を行った。尚、参考例として、実験を行う前（ＳｉＣＯＨ膜９５の成膜後）のウェハＷについても同様に測定した。  
比誘電率及びリーク電流の測定には、公知の手法を用いた。含水量の測定には、昇温脱離ガス分析法（ＴＤＳ：Ｔｈｅｒｍａｌ  Ｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）により、１００℃〜５００℃まで昇温した時にウェハＷから脱離した水の量を積分して求めた。また、炭素量の測定には、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ：Ｘ−ｒａｙ  ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）により行い、膜中のシリコンの量に対する炭素の量の比率を計算することで比較した。尚、この時、ウェハＷに対してスパッタを行い、スパッタ時間を変えることにより、ウェハＷの深さ方向でどのように炭素量が変化するかを確認した。
【００５０】
（エッチング処理条件）
処理圧力            ：１０．０Ｐａ（７５ｍＴｏｒｒ）
上部電極４０の電力  ：１５００Ｗ
下部電極３１の電力  ：１００Ｗ
処理ガス            ：ＣＦ4ガス／Ａｒガス＝８０／１６０ｓｃｃｍ
処理時間            ：１０秒
（アッシング処理条件）
実施例２−１：処理時間を２５秒とした以外は実施例１−１と同じ条件とした。  
実施例２−２：処理時間を２３秒とした以外は実施例１−２と同じ条件とした。  
比較例２    ：処理時間を２９秒とした以外は比較例１−３と同じ条件とした。  
【００５１】
（実験結果）
比誘電率、リーク電流及び含水量の結果について、表３に示す。
（表３）  
0004578507.tif 000004
回復処理前において、実施例２−１、２−２では、比誘電率が比較例２よりも上昇（悪化）しているが、回復処理を行うことにより、比誘電率が低下して、比較例２（従来の処理条件）とほぼ同程度となるまで改善している。一方、リーク電流及び含水量については、回復処理を行うことにより比較例２よりも改善されており、特にリーク電流は大幅に（一桁）小さくなっている。  
このことから、本発明の手法により、上記の実験例１の見かけ上のダメージ層８１の量の評価からは確認できない電気的特性の回復が行われていることが分かった。
【００５２】
尚、昇温脱離ガス分析法により得られた水のピーク位置（ピークが最も大きくなる加熱温度）については、実施例２−１、２−２と比較例２とにおいて違っていたことから、水の吸着因子（吸着形態）あるいはダメージ層８１の深さ（水分の付着している深さ）が違っていると考えられる。
【００５３】
次に、炭素量の測定結果について、図９に示す。実施例２−２では、アッシング処理を行うことによって、ウェハＷの内部深くまでダメージ層８１が進行し、炭素量が少なくなっている。しかし、回復処理を行うことにより、ウェハＷの内部にまでＴＭＳＤＭＡガスが進入して、極めて高い回復量となっている。この原因としては、既述のように、アッシング処理を行うときのプラズマ中の酸素イオンを少なくして、酸素のラジカルを多くしているので、ダメージ層８１に緻密層が形成されずに、空隙が残った状態で回復処理を行っているためだと考えられる。  
一方、比較例２では、アッシング処理後のダメージ層８１についてはウェハＷの内部の深くまで進行していないものの、回復処理によってもあまり炭素量が増えていないことが分かる。この原因としては、酸素イオンのエネルギーによりウェハＷの表面のダメージ層８１に緻密層が形成されて、立体障害によりＴＭＳＤＭＡガスがウェハＷ内に拡散しにくくなっているためだと考えられる。  
尚、図９では、実施例２−１の結果については省略している。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明のエッチング処理及びアッシング処理に用いられるプラズマ処理装置の一例を示した縦断面図である。
【図２】本発明の回復処理に用いられる回復処理装置の一例を示す縦断面図である。
【図３】上記のプラズマ処理装置及び回復処理装置が接続される基板処理装置の一例を示す平面図である。
【図４】本発明の半導体製造装置の製造方法における工程の一例を示す基板の断面図である。
【図５】上記の回復処理における基板表面の様子を示す模式図である。
【図６】上記の製造方法における工程の一例を示す基板の断面図である。
【図７】本発明の実施例において用いた基板の構成を示す断面図である。
【図８】本発明の実施例において用いた基板の構成を示す断面図である。
【図９】上記の実施例において得られた特性図である。
【図１０】従来の有機系の低誘電率膜がプラズマによって受けるダメージを示す模式図である。
【図１１】上記のダメージが回復する様子を示す模式図である。
【符号の説明】
【００５５】
７３  バリア膜
７４  ＳｉＣＯＨ膜
７５  キャップ膜
７６  ボトムレジスト膜
７７  酸化膜
７８  反射防止膜
７９  フォトレジストマスク
８０  ホール
８１  ダメージ層
８２  配線
２１  処理容器
３１  下部電極
４０  上部電極
５０  回復処理装置
【図１】
0004578507.tif 000005
【図２】
0004578507.tif 000006
【図３】
0004578507.tif 000007
【図４】
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【図５】
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【図６】
0004578507.tif 000010
【図７】
0004578507.tif 000011
【図８】
0004578507.tif 000012
【図９】
0004578507.tif 000013
【図１０】
0004578507.tif 000014
【図１１】
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