(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェーハのナノトポグラフィーを、静電容量方式の形状測定装置を用いて測定し、得られるＷａｒｐデータについて、少なくとも短波長側周期１ｍｍ以下、及び長波長側周期５０ｍｍ以上の波長帯域をカットオフしてバンドパスフィルタリングすることを特徴とする半導体ウェーハの測定方法。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体ウェーハの測定方法を用いて、半導体ウェーハの製造工程を経た半導体ウェーハを測定し、該測定の結果に基づいて、前記製造工程を管理することを特徴とする半導体ウェーハの製造工程の管理方法。
【請求項３】
前記管理の対象となる半導体ウェーハの製造工程を、スライス工程、ラッピング工程、研削工程およびエッチング工程のいずれか１以上の工程とすることを特徴とする請求項２に記載の半導体ウェーハの製造工程の管理方法。
【請求項４】
請求項２または請求項３に記載の半導体ウェーハの製造工程の管理方法を用いた半導体ウェーハの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、特に半導体ウェーハのナノトポグラフィーを測定する方法、及びその測定の結果に基づいて半導体ウェーハの製造工程を管理する方法、及びその管理方法を用いた半導体ウェーハの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般的にシリコンウェーハ等の半導体ウェーハの製造方法は、単結晶インゴットをスライスして薄円板状のウェーハに加工するスライス工程と、ウェーハの割れ、欠けを防止するために外周部を面取りする面取り工程と、ウェーハを平坦化するラッピング工程と、ウェーハ表層に残留したそれらの加工歪みを除去するエッチング工程と、ウェーハ表面を鏡面化する研磨工程と、研磨加工で付着した研磨剤や異物等の汚染物を除去する洗浄工程を有している。必要に応じてこれらの工程の他に熱処理や研削等の工程が加わったり、工程順が入れ換えられたり、同じ工程を複数回行う場合もある。【０００３】
近年、半導体デバイスの高集積化に伴い、微細なデバイス技術としてＳＴＩ（シャロートレンチアイソレーション）等のプロセスが採用されている。そのため、回路配線パターンをシリコンウェーハ表面に形成するには、より平坦で均一な厚さの絶縁膜が必要となり、例えば、ＣＭＰ（ケミカルメカニカルポリッシング）等により絶縁膜を平坦にする方法が半導体デバイス製造工程で用いられている。【０００４】
従来は、半導体ウェーハ表面の微小な凹凸形状（以下、うねりと記す）は、特にデバイス製造工程に影響しなかった。しかし、ＳＴＩではＣＭＰにより凸部が選択的に研磨されるため、前記うねりが原因となって絶縁膜の厚さが不均一になってしまう問題が生じた。
前記うねりは、ナノトポグラフィーというパラメータを用いて表現される。ナノトポグラフィーとは、ウェーハ表面の平坦度を表す指標で、０．１ｍｍから数十ｍｍの空間波長領域における非吸着状態のウェーハ表面のうねりを表す。【０００５】
ナノトポグラフィーは、一般的にＡＤＥ社製Ｎａｎｏｍａｐｐｅｒ、ＫＬＡテンコール社製ＮａｎｏＰｒｏ、レイテックス社製Ｄｙｎａｓｅａｒｃｈ等の装置で測定されているが、それらの装置は光学式で、被測定物の表面反射を利用して測定するため、対象となるウェーハは表面の反射率がある程度高い鏡面状態であることが必要である。【０００６】
従って、スライスウェーハや研削ウェーハ等、ウェーハ製造方法の中間工程を経ただけの反射率の低い表面を持つウェーハを対象として、それらの測定装置でナノトポグラフィーを測定した値は、精度が低く信頼できなかった。【０００７】
また、最近ではナノトポグラフィーを劣化させるウェーハ製造方法の中間工程における要因として、ワイヤソーで単結晶インゴットをスライスする際にワイヤーの走行方向に発現するうねりや、両頭研削工程で発現するリング状のうねり等が挙げられている。【０００８】
このようなうねりを低減する製造方法として、スライス後に両頭研削工程、両面ラッピング工程、両面研磨工程を行うことが提案されている（例えば、特開２００２―１２４４９０号公報参照）。
この発明は、ウェーハ切断時の表面に形成された歪層とマクロなうねりの成分が、両頭研削工程で除去され、かつウェーハの平坦度が向上すること、その後に両面ラッピングすることで、両頭研削工程で生じた微小な表面のうねりが除去できると開示している。【０００９】
しかし、スライス時に生じるうねりの大きさは、使用する切断装置の性能やワイヤーの仕様、及び切断条件や切断時のワイヤー断線などの異常により、大きく変化することがある。
また、同様に、両頭研削工程で発現するうねりの大きさは、砥石とウェーハの相対位置関係や砥石の切れ味によって変化することがある。【００１０】
それらの要因でウェーハ表面に生じたうねりの残留は、最終工程である鏡面研磨工程で除去することは困難であるため、スライス工程や両頭研削工程といったウェーハ製造方法の中間工程の時点で、発現したうねりの大きさをモニタリングして管理する必要があったが、光学式の表面反射を利用する従来の測定方法では、前述のようにうねりを検出することができないという問題があった。
【発明の開示】
【００１１】
本発明は、このような問題点に鑑みてなされたもので、半導体ウェーハ製造方法の中間工程、例えばスライス工程、または研削工程等を経た表面の反射率が低いウェーハについても、ナノトポグラフィーを測定できる測定方法を提供することを目的とする。さらにこの測定方法を用いてスライス工程、ラッピング工程、研削工程、エッチング工程などの中間工程を管理する半導体ウェーハの製造工程の管理方法、およびこの管理方法を用いた半導体ウェーハの製造方法を提供することを目的としたものである。
【００１２】
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、半導体ウェーハのナノトポグラフィーを、静電容量方式の形状測定装置を用いて測定することを特徴とする半導体ウェーハの測定方法を提供する。
【００１３】
半導体ウェーハの製造方法の中間工程であるスライス工程、ラッピング工程、研削工程およびエッチング工程などを経て製造されたウェーハの表面は、反射率が低く、光学式の形状測定装置では精度良く測定することは難しい。しかし、静電容量方式の形状測定装置は、光学式の表面反射を利用しないため、このような表面の反射率が低いウェーハについて、精度良くナノトポグラフィーを測定することができる。
【００１４】
このように静電容量方式の形状測定装置を用いて、半導体ウェーハを測定することにより得られるＷａｒｐデータを、バンドパスフィルタリングすることが好ましい。
【００１５】
さらに前記Ｗａｒｐデータについて、少なくとも短波長側周期１ｍｍ以下、及び長波長側周期５０ｍｍ以上の波長帯域をカットオフしてバンドパスフィルタリングすることが好ましい。
【００１６】
このような方法で例えば半導体ウェーハの製造工程における中間工程後のウェーハ表面を測定すれば、最終工程後の鏡面研磨ウェーハの表面状態とより相関性の高いナノトポグラフィーの評価が可能となる。
【００１７】
上記の半導体ウェーハの測定方法を用いて、半導体ウェーハの製造工程を経た半導体ウェーハを測定し、該測定の結果に基づいて、前記製造工程を管理することを特徴とする半導体ウェーハの製造工程の管理方法を提供する。
【００１８】
また、前記管理の対象となる半導体ウェーハの製造工程を、スライス工程、ラッピング工程、研削工程およびエッチング工程のいずれか１以上の工程とすることを特徴とする半導体ウェーハの製造工程の管理方法を提供する。
【００１９】
本発明の測定方法を用いれば、表面の反射率が低いウェーハについても、ウェーハのナノトポグラフィーをモニタリングすることができ、その測定結果に基づいて、製造工程の異常等を早期に把握しナノトポグラフィーの改善につなげることができる。
【００２０】
前記半導体ウェーハの製造工程の管理方法を用いた半導体ウェーハの製造方法を提供する。
【００２１】
前記半導体ウェーハの製造工程の管理方法を用いた半導体ウェーハの製造方法に従えば、製造工程の異常等を早期に把握しナノトポグラフィーを改善した半導体ウェーハを製造でき、歩留まりの向上を図ることができる。
【００２２】
以上説明したように、本発明によれば、表面の反射率が低い半導体ウェーハであっても、残留するうねりを測定して、ナノトポグラフィーをモニタリングすることが可能になるため、鏡面研磨工程以前の時点で半導体ウェーハの製造工程を管理して、ナノトポグラフィーの改善、及び製造工程の異常による製造ロスの低減や歩留まりの向上を図ることができ、従って効率的な半導体ウェーハの製造が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の測定方法により測定されたウェーハ形状。（a）断面形状データ、(b)３次元形状データ。
【図２】静電容量方式の形状測定装置を用いた測定方法の原理を示す概略図である。
【図３】静電容量方式の形状測定装置を用いた測定方法の概略を示す断面図である。
【図４】測定データ処理における外挿補間方法として３方法を示した図である。
【図５】静電容量方式の形状測定装置を用いてウェーハ形状を測定したＷａｒｐデータ。（a）断面形状データ、(b)３次元形状データ。
【図６】両面研磨加工後のウェーハ形状をＮａｎｏｍａｐｐｅｒで測定したデータである。
【図７】マイケルソン干渉計の構成原理を示す概略図である。
【図８】Ｎａｎｏｍａｐｐｅｒの測定方法を示す概略図である。
【図９】カットオフ波長帯域の短波長側周期と長波長側周期とを変化させた本発明による測定のデータと、Ｎａｎｏｍａｐｐｅｒで測定したデータとの相関寄与率を調べたグラフである。
【図１０】カットオフ波長帯域の短波長側周期は固定して、長波長側周期を変化させた本発明による測定のデータと、Ｎａｎｏｍａｐｐｅｒで測定したデータとの相関寄与率を調べたグラフである。
【図１１】カットオフ波長帯域の長波長側周期は固定して、短波長側周期を変化させた本発明による測定のデータと、Ｎａｎｏｍａｐｐｅｒで測定したデータとの相関寄与率を調べたグラフである。
【図１２】（a）本発明の測定方法により測定したウェーハ形状。（b）Ｎａｎｏｍａｐｐｅｒにより測定したウェーハ形状。
【図１３】（a）同一ウェーハを、本発明の測定方法と、Ｎａｎｏｍａｐｐｅｒとで測定したウェーハ形状。（b）（a）のデータについて両者の相関を示すグラフ。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明についてより詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
本発明者は、半導体ウェーハの製造方法の最終工程である鏡面研磨工程後の半導体ウェーハで検出されるうねりを、中間工程後の時点で検出したいと考え、該中間工程後のウェーハ、例えば両頭研削工程後のウェーハ等の表面を、静電容量方式の形状測定装置を用いて測定したＷａｒｐデータから、長周期の成分と短周期の成分をバンドパスフィルターで除去すれば、前記うねり（ナノトポグラフィー）に関するデータが得られることに想到し、本発明を完成させた。
また、以上のようにして得られた中間工程後のウェーハ表面の形状データから得られるナノトポグラフィーの値が、その後鏡面研磨加工を行った該ウェーハのナノトポグラフィーとほぼ一致することを見出した。【００２５】
図２に、静電容量方式の形状測定装置を用いた測定方法の原理を示す。
一般的に、静電容量方式の形状測定は、被測定物の厚さを基準として行われている。プローブ１と被測定物（シリコンウェーハ）２が静電容量を形成し、距離Ｄの変化により静電容量が変化する。静電容量−電圧変換回路で、Ｄに比例した電圧を出力させて変位を計測する。更に、図３のように変位計のプローブ１を被測定物２の両側に、既知の距離ｃで固定し、表面変位ａおよびｂを測定すれば、ウェーハ厚さｔは、式ｔ＝ｃ−（ａ＋ｂ）で求められる。【００２６】
本発明では、上記ウェーハ厚さｔを用いるのではなく、表面変位ａ或いはｂを用いて解析を行う。これは、ナノトポグラフィーと呼ばれるパラメータが、シリコンウェーハの表面を基準として測定されるためである。表面変位ａ或いはｂを測定して得られるデータをＷａｒｐデータと呼ぶ。【００２７】
前記Ｗａｒｐデータについて、短波長側周期、長波長側周期、及び形状の外挿方法の三つのパラメータを指定して空間的なバンドパスフィルタリングを実行するのが好ましい。【００２８】
短波長側周期１ｍｍ以下の波長帯域については研削条痕の影響が大きく、研削条痕は最終工程の鏡面研磨工程により除去されるので、鏡面研磨工程後も残留するうねりの評価には必要ない。よって、短波長側周期１ｍｍ以下の波長帯域をカットオフするのが好ましい。
長波長側周期５０ｍｍ以上の波長帯域については、ナノトポグラフィーの測定対象ではない。よって、長波長側周期５０ｍｍ以上の波長帯域をカットオフするのが好ましい。
外挿方法とは、データの存在しないウェーハ外側の形状を外挿補間することで、図４に示すように、１次補間（Ｌｉｎｅａｒ）、線対称（Ｍｉｒｒｏｒ）、点対称（Ｐｏｉｎｔ）の３種類の補間方法がある。一般的には、線対称が採用されている。【００２９】
ここで、両頭研削工程後のウェーハ表面を、コベルコ科研社製の静電容量方式による形状測定装置を用いて測定した例を図１、図５に示す。使用した試料ウェーハは、ＣＺ法で製造された直径３００ｍｍの単結晶シリコンウェーハである。図５は前記表面変位ａに相当するＷａｒｐデータである。図１は該Ｗａｒｐデータを元に、短波長側周期３ｍｍ以下、及び長波長側周期５０ｍｍ以上の波長帯域をカットオフしてバンドパスフィルタリングし、且つ線対称外挿補間を行った場合の測定例である。【００３０】
以上のように、Ｗａｒｐデータと、該Ｗａｒｐデータをバンドパスフィルタリングしたデータとを比較すると、後者では変局点が強調され、ウェーハ表面のうねりを良好にシミュレートしているのがわかる。
また、このウェーハを両面研磨加工した後に光学式の測定装置Ｎａｎｏｍａｐｐｅｒで測定したナノトポグラフィーのマップを、図６に示す。
図５の測定結果と図６の測定結果について、相関係数の２乗である寄与率を調査したところ、寄与率０．６という良い相関関係があることがわかった。さらに、図１の測定結果と図６の測定結果について同様に寄与率を調査したところ、寄与率０．７というきわめて良い相関があることがわかった。【００３１】
また、ＣＺ法で製造された直径３００ｍｍの単結晶シリコンウェーハを試料ウェーハとして、両頭研削工程後のウェーハを静電容量方式による形状測定装置を用いて測定したＷａｒｐデータをバンドパスフィルタリングしたデータを図１２(a)に、該ウェーハを後工程である平面研削工程、エッチング工程、両面研磨工程で順に処理して得られた鏡面ウェーハについて、Ｎａｎｏｍａｐｐｅｒで測定したデータを図１２(b)に示す。図１２(a)と図１２(b)とを比較すると、本発明の測定方法により両頭研削工程後のウェーハを測定して得られたウェーハ形状データと、最終工程後のウェーハをＮａｎｏｍａｐｐｅｒで測定したウェーハ形状データとは良好に相関していることがわかる。【００３２】
以上のように、本発明の測定方法を用いた検査により半導体ウェーハ製造方法の中間工程後のウェーハを測定して得られるデータは、鏡面研磨加工後の該ウェーハを光学式の測定装置を用いて測定したナノトポグラフィーデータと一致するので、本発明の測定を中間工程後に実施することにより、最終工程の鏡面研磨工程後のウェーハ表面のナノトポグラフィーを予測できる。【００３３】
上記測定方法を用いて、半導体ウェーハの製造工程を管理する方法について説明する。この管理方法においては、設定した基準でウェーハを抜き取り、上記測定方法を用いてこのウェーハを測定し、その測定結果が設定した合否基準値を超えた場合に製造工程にフィードフォワードとフィードバックを行う。【００３４】
（抜き取り測定）
一般的に抜き取り測定は、シリコンウェーハの約１００〜２５０枚からなる１ロット（＝インゴット単位）について行う。スライス工程後のウェーハの場合は、切断位置Ｋ・Ｃ・Ｐの３箇所から抜き取る。両頭研削工程後のウェーハの場合は、２５〜５０枚につき１〜３枚を抜き取る。上記測定方法を用いてこのウェーハを測定する。【００３５】
（不良判定）
得られた測定結果をもとに、ウェーハの合否基準値を１．５μｍ以下に設定して、ウェーハの不良判定を行う。上記抜き取り測定の結果、全数が合否基準値を超えた場合、当該ロットは全数不良判定（ロットアウト）とし、当該製造工程へフィードバックする。不良品が発生した場合でも、少なくとも１枚が合格判定された場合は、当該製造工程へのフィードバックと最終検査工程へのフィードフォワードを行う。【００３６】
（製造工程へのフィードバック）
例としてスライス工程と両頭研削工程に測定結果をフィードバックする場合について説明する。
スライス工程については基本的に条件を調整することができず、改善のために解析を行うこととなる。不良が発生したスライス号機やワイヤー、メインローラー等の材料を層別解析する。
両頭研削工程については、シフト（ウェーハに対する砥石軸上の砥石位置の調整）とチルト（ウェーハ面に対する砥石面との傾き調整）により基準値に入るまで調整を行う。またウェーハを保持する静圧パッドの左右流量を調整する場合もある。それでも範囲内に調整できないときは、キャリア交換、砥石交換を行う。【００３７】
（最終検査工程へのフィードフォワード）
製品の要求項目にナノトポグラフィーが設定されている場合、最終工程の鏡面研磨工程後に、Ｎａｎｏｍａｐｐｅｒ等を用いた最終検査工程においてウェーハの全数測定・選別を実施する。製品の要求項目にナノトポグラフィーが設定されていない場合は、１ロットにつき２５枚のみを測定し、当該工程へフィードバックを行う。【００３８】
このような管理方法に従えば、半導体ウェーハ製造方法の中間工程である、スライス工程、ラッピング工程、研削工程およびエッチング工程などを管理することができ、製造条件の見直し、改善など早期の対応が可能になる。
さらに、ウェーハ品質の良否も鏡面研磨工程以前の中間工程において管理できるので、製品ロスの低減や歩留まりの向上が見込める。【００３９】
上記半導体ウェーハの製造工程の管理方法を用いて半導体ウェーハを製造すれば、製造工程の異常等を早期に把握しナノトポグラフィーを改善した半導体ウェーハを製造できるため、歩留りが高く効率的な半導体ウェーハ製造が可能となる。【００４０】
ここで、一般的に鏡面ウェーハのナノトポグラフィーの測定に用いられているＡＤＥ社製Ｎａｎｏｍａｐｐｅｒについて簡単に説明する。Ｎａｎｏｍａｐｐｅｒは、マイケルソン干渉計を用いており、そのマイケルソン干渉計の構成を図７に示す。まず、光源３から出た光はコリメーターレンズ４により平行光となり，ハーフミラー８で２つの光路に分割（振幅分割）される。２つに分かれた光束はそれぞれ参照ミラー１０と被測定物２（ここでは、シリコンウェーハを指す）で反射し，元の光路を逆戻りしてハーフミラー８により重ね合わせられ，CCDカメラ６により干渉縞画像（図６）が捉えられる。一方の参照ミラー１０を高精度に研磨された平面（参照面）とし，他方（被測定物２）の被検面の形状を測定する。上記干渉計によって取り込まれたシリコンウェーハの面内データは、ノイズ除去等の処理が行われた後、設定によって決まるウィンドウサイズをウェーハ面内で移動させ、ウィンドウ内のPV値（最大値-最小値）をそのウィンドウの中心値に置き換えることで、ナノトポグラフィーのデータとなる。【００４１】
ウィンドウサイズは、一般的に０．５ｍｍ〜１０ｍｍが使われており、その測定例を図８に示す。ウィンドウサイズ１１の選択は、顧客（デバイス製造メーカー）のウェーハ規格によるが、本発明の目的である中間工程におけるナノトポグラフィーの管理においては、研磨工程での鏡面加工による修正分を考慮すると、経験的にウィンドウサイズ１１は１０ｍｍを採用することが多い。【００４２】
次に、本発明における最適なバンドパスフィルタリングのカットオフ波長帯域を調べた。試料としてＣＺ法で製造された直径３００ｍｍの単結晶シリコンウェーハを用いた。両頭研削工程後のウェーハ25枚を、本発明の測定方法により短波長側周期と長波長側周期のカットオフ波長帯域をそれぞれ異なる組み合わせにしてバンドパスフィルタリングして測定した後、該ウェーハを後工程である平面研削工程、エッチング工程、両面研磨工程で順に処理して得た鏡面ウェーハを、前記Ｎａｎｏｍａｐｐｅｒ（ウィンドウサイズ１０ｍｍ）で測定し、両者のＰＶ値を一対一に対応させ相関関係を調査した。なお相関は、寄与率（相関係数の２乗）で比較した。【００４３】
その結果、短波長側周期（ハイパスフィルター）１ｍｍ以下の波長帯域をカットオフし、及び長波長側周期（ローパスフィルター）５０ｍｍ以上の波長帯域をカットオフする組み合わせが、寄与率０．７３と最も高い相関があることが判った（図９）。また、短波長側周期（ハイパスフィルター）３ｍｍ以下の波長帯域をカットオフし、及び長波長側周期（ローパスフィルター）５０ｍｍ以上の波長帯域をカットオフする組み合わせが、寄与率が０．６５と次に高い相関があることが判り、好ましいバンドパスフィルタリングのための大まかな波長帯域の絞込みができた。この結果から、両頭研削後の両面研磨工程により、1mm以下の短周期側の形状成分が除去されやすく、また長周期側の形状成分がそのまま残存している事がわかる。【００４４】
この結果に基づいて、短波長側周期と長波長側周期とに関して、それぞれの好ましいカットオフ波長帯域の範囲を調査した。まず、短波長側周期（ハイパスフィルター）の波長を最適な１ｍｍに固定して、長波長側周期（ローパスフィルター）の波長を３０ｍｍ〜８０ｍｍの範囲で８条件、バンドパスフィルタリングを施し、上記と同様に相関関係を調査した（図１０）。その結果、寄与率が０．５以上であった長波長側周期（ローパスフィルター）４０ｍｍ〜６０ｍｍの波長帯域が好ましい範囲であり、さらに、寄与率０．６以上の４５ｍｍ〜５５ｍｍの範囲が更に好ましいことが判った。次に、長波長側周期（ローパスフィルター）の波長を最適な５０ｍｍに固定して、短波長側周期（ハイパスフィルター）の波長を０．１ｍｍ〜４ｍｍの範囲で７条件、バンドパスフィルタリングを施し、上記と同様に相関関係を調査した（図１１）。その結果、寄与率が０．５以上であった短波長側周期（ハイパスフィルター）０．１ｍｍ〜３ｍｍの波長帯域が好ましい範囲であり、寄与率０．６以上の１ｍｍ〜３ｍｍの範囲が更に好ましいことが判った。【００４５】
以上の結果から、静電容量方式の形状測定装置を用いて、半導体ウェーハを測定することにより得られるＷａｒｐデータについて、短波長側周期１ｍｍ以下、長波長側周期５０ｍｍ以上の波長帯域をカットオフしてバンドパスフィルタリングする測定方法が最適であることがわかった。
【００４６】
以下に、本発明の実施例を説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。【００４７】
以下、本発明を実施例を挙げて具体的に説明する。
（実施例１）
静電容量方式の形状測定装置を用いてウェーハを測定して得られたＷａｒｐデータの処理に際して、最適な短波長側周期１ｍｍ以下、長波長側周期５０ｍｍ以上のカットオフ波長帯域の組み合わせを用いて、本発明の測定方法の有効性を確認する実験を行った。
試料ウェーハとしてＣＺ法で製造された直径３００ｍｍの単結晶シリコンウェーハを用いた。両頭研削工程後のウェーハを静電容量方式の形状測定装置で測定し、得られたＷａｒｐデータに前記最適値のバンドパスフィルタリングを施し、ウェーハ断面の測定を行った結果を、図１２（a）に示す。その後、該ウェーハを後工程である平面研削工程、エッチング工程、両面研磨工程で順に処理して得られた鏡面ウェーハについて、Ｎａｎｏｍａｐｐｅｒで同様にウェーハ断面の測定を行った結果を図１２(b)に示す。図１２（a）および（b）を比較すると、ほぼ同じウェーハ形状を示しており、良好な相関が得られていることが確認できた。【００４８】
以上の結果から、両頭研削工程後のウェーハから静電容量方式の形状測定装置を用いて得られたＷａｒｐデータに前記最適値のバンドパスフィルタリングを施して測定されたウェーハ形状と、該ウェーハを両面研磨加工した後にＮａｎｏｍａｐｐｅｒで測定したウェーハ形状は、非常に良く一致することがわかった。従って、本発明の測定方法を用いれば、半導体ウェーハの製造方法の中間工程において、最終工程の鏡面研磨工程後のウェーハ表面のナノトポグラフィーを予測する事が可能であり、本発明が半導体ウェーハの製造方法の中間工程の管理に貢献することが確認できた。
【００４９】
（実施例２）
試料ウェーハとしてＣＺ法で製造された直径３００ｍｍの単結晶シリコンウェーハを用いた。２５枚の鏡面ウェーハについて、静電容量方式の形状測定装置で測定して得られたＷａｒｐデータに前記最適値のバンドパスフィルタリングを施して得られたウェーハ形状と、Ｎａｎｏｍａｐｐｅｒによる測定で得られたウェーハ形状との比較を行った。図１３（ａ）に示すように、各測定方法により測定したウェーハの中心部形状のPV値を一対一で対応させ、その相関関係を調査して比較した。その結果、図１３（ｂ）のように、寄与率0.90と非常に良好な相関が得られた。【００５０】
以上の結果から、鏡面ウェーハの形状データ測定において、本発明の測定方法により得られた形状データは、光学式の測定装置により得られた形状データとほぼ一致した。よって、本発明の測定方法が、鏡面ウェーハについても有効であることが確認できた。
【００５１】
尚、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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