(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体層と内部電極層とが交互に積層された素子本体と、
前記素子本体の外面に形成される外部端子電極とを有する電子部品であって、
前記外部端子電極が、
前記内部電極の少なくとも一部と電気的に接続するように前記素子本体の外面に直接に形成され、難酸化性の材質からなる第１導電層と、
前記第１導電層の外面に形成され、導電性物質と絶縁性物質の混合物を主として含む第２導電層と、
前記第２導電層の外面に形成され、難酸化性の材質で構成される第３導電層とを有し、
前記難酸化性の材質はＰｄ，Ａｇ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｒｕから選択される１種以上の金属、またはこれらの２種以上の合金からなり、
前記導電性物質が黒鉛を含むことを特徴とする電子部品。
【請求項２】
前記絶縁性物質が、ガラスおよび金属酸化物を含むことを特徴とする請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
前記第２導電層が、前記第１導電層および第３導電層の抵抗よりも高い抵抗する抵抗体として機能することを特徴とする請求項１または２のいずれかに記載の電子部品。
【請求項４】
前記第１導電層および第３導電層を形成する粒子の平均粒子径が０．１〜３０μｍであることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の電子部品。
【請求項５】
前記第２導電層を形成する導電性物質の粒子の平均粒子径が０．０１〜１０μｍであり、前記絶縁性物質の粒子の平均粒子径が０．０１〜１０μｍであることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の電子部品。
【請求項６】
前記第１導電層および第３導電層がガラスを含有していることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の電子部品。
【請求項７】
前記第１導電層および第３導電層のガラスが、酸化マンガンを含有していることを特徴とする請求項６に記載の電子部品。
【請求項８】
前記酸化マンガンを含むガラスにおける酸化マンガンの含有量が、ガラス全体を１００重量％として、０〜４０重量％（０％を含まない）であることを特徴とする請求項７に記載の電子部品。
【請求項９】
前記ガラスの粒子の平均粒子径が０．０１〜３０μｍであることを特徴とする請求項６〜８のいずれかに記載の電子部品。
【請求項１０】
前記第３導電層の外面にメッキ層が形成されていることを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の電子部品。
【請求項１１】
前記内部電極層がＮｉを含有することを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載の電子部品。
【請求項１２】
誘電体層と内部電極層とが交互に積層された素子本体を形成する工程と、
前記素子本体の外面に、難酸化性の材質を含む第１導電層用ペーストを塗布して焼き付け、難酸化性の材質からなる第１導電層を形成する工程と、
前記第１導電層の外面に、導電性物質と絶縁性物質の混合物を主として含む第２導電層用ペーストを塗布して焼き付け、第２導電層を形成する工程と、
前記第２導電層の外面に、難酸化性の材質を含む第３導電層用ペーストを塗布して焼き付け、第３導電層を形成する工程とを有し、
前記難酸化性の材質はＰｄ，Ａｇ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｒｕから選択される１種以上の金属、またはこれらの２種以上の合金からなり、
前記導電性物質が黒鉛を含むことを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項１３】
誘電体層と内部電極層とが交互に積層された素子本体を形成する工程と、
前記素子本体の外面に、難酸化性の材質を含む第１導電層用ペーストを塗布して焼き付け、難酸化性の材質からなる第１導電層を形成する工程と、
前記第１導電層の外面に、導電性物質と絶縁性物質の混合物を主として含む第２導電層用ペーストを塗布する工程と、
前記第２導電層用ペーストの外面に、難酸化性の材質を含む第３導電層用ペーストを塗布し、その後焼き付け処理を行い、第２導電層および第３導電層を形成する工程とを有し、
前記難酸化性の材質はＰｄ，Ａｇ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｒｕから選択される１種以上の金属、またはこれらの２種以上の合金からなり、
前記導電性物質が黒鉛を含むことを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項１４】
前記第１導電層用ペーストの焼き付けを、酸化性雰囲気ではない雰囲気で行い、前記第２導電層用ペーストおよび前記第３導電層用ペーストの焼き付けを酸化性雰囲気で行うことを特徴とする請求項１２または１３に記載の電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、端子電極へのメッキ処理によっても抵抗の変動が少なく、等価直列抵抗（ＥＳＲ）を正確に制御することができ、抵抗の経時変化が少なく信頼性が高い積層セラミックコンデンサなどの電子部品およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
情報通信の発達にともない、電子機器の小型化が非常に進んでおり、特に携帯電話の市場は驚異的な伸びを示している。これら携帯電話には、レギュレータＩＣが組み込まれているが、これには積層セラミックコンデンサが出力平滑化回路を構成するように接続してある。
【０００３】
しかしながら、積層セラミックコンデンサは、等価直列抵抗（ＥＳＲ）が非常に低く、回路内の信号がループし発振現象が生じ、その結果、会話時の雑音となり易い。つまり、レギュレータＩＣの二次側回路では、平滑回路のＥＳＲが帰還ループの位相特性に大きな影響を与え、特にＥＳＲが極端に低くなると問題を生じる。すなわち、平滑用コンデンサとしてＥＳＲの低い積層セラミックコンデンサを使用した場合、二次側平滑回路が等価的にＬとＣ成分のみで構成されてしまい、回路内に存在する位相成分が±９０°および０°のみとなり、位相の余裕がなくなって容易に発振してしまう。
【０００４】
この発振を抑制するためには、ＥＳＲの大きなコンデンサが必要となる。ＥＳＲの大きなコンデンサとしては、タンタルあるいはアルミニウムを用いた電解コンデンサがあるが、液漏れ等の信頼性上の決定的な問題があるために、携帯電話には使用できない。そのため、平滑化回路用コンデンサに起因する携帯電話使用時の雑音は放置されたままであるのが現状である。
【０００５】
このような問題点を解消するために、積層セラミックコンデンサのＥＳＲを高めた電子部品が提案されている。たとえば、特許第２５７８２６４号には、積層セラミックコンデンサの外部端子電極の表面に金属酸化膜を形成し、これを抵抗として機能させることによりＥＳＲを高めており、その酸化膜厚で抵抗値を制御しようとしている。
【０００６】
しかしながら、その特許に開示されたコンデンサを実際に製造する際に、端子電極の酸化の制御が難しく、酸化の程度が少しでも大きいと内部電極も酸化されてしまい、コンデンサとしての機能を果たすことができなくなってしまうという課題を有する。また、仮に端子電極のみを酸化することができても、端子電極が酸化されているために不都合が生じる。
【０００７】
すなわち、端子電極が酸化されているために、端子電極の表面にメッキを行う際に、無電解メッキでメッキ皮膜を形成する必要があり、そのメッキの際にセラミック素体までもがメッキされないように樹脂等で被覆する必要がある。このため、工程が複雑になるばかりでなく、酸化物膜とメッキ膜（Ｎｉ膜）との間の接着性が著しく低下し、その間で剥離が生じてしまい、電子部品としての必要十分な機械的強度が得られないという欠点がある。すなわち、端子電極のニッケルメッキ膜にリード線を設けた場合、このリード線が容易に剥離してしまう。
【０００８】
また、たとえば、特開昭５９−２２５５０９号公報に記載されているように、積層セラミックコンデンサに、酸化ルテニウム等の抵抗体ペーストを積層し、これを同時焼成して抵抗体としたものも知られている。しかしながら、これにそのまま端子電極を設けた場合、等価回路がＣ／Ｒまたは（ＬＣ／Ｒ）の並列回路となり、直列回路を得ることができない。また、直列回路を得るためには端子電極の形状が複雑となり、製造工程も複雑なものとなってしまう。
また、上記の従来のコンデンサの構造では、ＥＳＲの制御が非常に難しく、所望の抵抗値を容易に得ることができない。
【０００９】
最近では、コンデンサは、電源を含む種々の装置、または電気機器、電子機器が様々な環境下で使用されることから、過酷な使用条件下でも特性の変化のないことが求められている。特にＥＳＲは経時に対して安定していることが重要である。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
この発明の目的は、端子電極部へのメッキ処理によっても抵抗の変動が少なく、等価直列抵抗（ＥＳＲ）を正確に制御することができ、抵抗の経時変化が少なく信頼性が高い積層セラミックコンデンサなどの電子部品およびその製造方法を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明に係る電子部品は、
誘電体層と内部電極層とが交互に積層された素子本体と、
前記素子本体の外面に形成される外部端子電極とを有する電子部品であって、
前記外部端子電極が、
前記内部電極の少なくとも一部と電気的に接続するように前記素子本体の外面に直接に形成され、難酸化性の材質で構成される第１導電層と、
前記第１導電層の外面に形成され、導電性物質と絶縁性物質の混合物を主として含む第２導電層と、
前記第２導電層の外面に形成され、難酸化性の材質で構成される第３導電層とを有する。
【００１２】
前記第１導電層および第３導電層が、Ｐｄ，Ａｇ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｒｕから選択される１種以上の金属を含むことが好ましい。さらに好ましくは、前記第１導電層および第３導電層が、これらの２種以上の合金を含むことが好ましい。特に好ましくは、前記第１導電層が、ＡｇおよびＰｄの合金を含むことが好ましい。
【００１３】
前記導電性物質としては、特に限定されないが、たとえば金属酸化物などの導電性酸化物あるいは金属などが用いられる。導電性酸化物としては、酸化ルテニウム、酸化ルテニウム化合物および黒鉛から選択される少なくとも１種以上の酸化物を含むことが好ましい。前記絶縁性物質としては、特に限定されないが、たとえば絶縁性酸化物が例示され、特に、ガラスおよび金属酸化物を含むことが好ましい。
【００１４】
前記第２導電層が、前記第１導電層および第３導電層の抵抗よりも高い抵抗する抵抗体として機能することが好ましい。
【００１５】
前記第１導電層および第３導電層を形成する粒子の平均粒子径が０．１〜３０μｍであることが好ましい。
【００１６】
前記第２導電層を形成する導電性物質の粒子の平均粒子径が０．０１〜１０μｍであり、前記絶縁性物質の粒子の平均粒子径が０．０１〜１０μｍであることが好ましい。
【００１７】
前記第１導電層および第３導電層がガラスを含有していることが好ましい。この場合、前記第１導電層および第３導電層のガラスが、酸化マンガンを含有していることが好ましい。また、前記酸化マンガンを含むガラスにおける酸化マンガンの含有量が、ガラス全体を１００重量％として、０〜４０重量％（０％を含まない）であることがさらに好ましい。さらに、前記ガラスの粒子の平均粒子径が０．０１〜３０μｍであることが好ましい。
【００１８】
前記第３導電層の外面には、メッキ層が形成されているが好ましい。
前記内部電極層としては、特に限定されないが、Ｎｉなどの卑金属を含有することが好ましい。
【００１９】
上記目的を達成するために、本発明の第１の観点に係る電子部品の製造方法は、
誘電体層と内部電極層とが交互に積層された素子本体を形成する工程と、
前記素子本体の外面に、難酸化性の材質を含む第１導電層用ペーストを塗布して焼き付け、第１導電層を形成する工程と、
前記第１導電層の外面に、導電性物質と絶縁性物質の混合物を主として含む第２導電層用ペーストを塗布して焼き付け、第２導電層を形成する工程と、
前記第２導電層の外面に、難酸化性の材質を含む第３導電層用ペーストを塗布して焼き付け、第３導電層を形成する工程とを有する。
本発明の第２の観点に係る電子部品の製造方法は、
誘電体層と内部電極層とが交互に積層された素子本体を形成する工程と、
前記素子本体の外面に、難酸化性の材質を含む第１導電層用ペーストを塗布して焼き付け、第１導電層を形成する工程と、
前記第１導電層の外面に、導電性物質と絶縁性物質の混合物を主として含む第２導電層用ペーストを塗布する工程と、
前記第２導電層用ペーストの外面に、難酸化性の材質を含む第３導電層用ペーストを塗布し、その後焼き付け処理を行い、第２導電層および第３導電層を形成する工程とを有する。
【００２０】
前記第１導電層用ペーストの焼き付けを、酸化性雰囲気ではない雰囲気（中性、もしくは還元性雰囲気）で行い、前記第２導電層用ペーストおよび前記第３導電層用ペーストの焼き付けを酸化性雰囲気で行うことが好ましい。
【００２１】
本発明に係る電子部品としては、積層セラミックコンデンサに限らず、コンデンサ素子部分とインダクタ素子部分とを有するＣＲ複合電子部品などの複合電子部品なども含む。ＣＲ複合電子部品では、素子本体が、コンデンサ素子部分とインダクタ素子部分とから成り、これらの素子部分の共通外部電極端子が、本発明における外部端子構造となる。
【００２２】
【作用】
本発明は、積層セラミックコンデンサなどの電子部品における端子電極に抵抗機能を設けたものであり、これによりＥＳＲの調節を可能にしている。しかも、本発明では、難酸化性（実質的に酸化されない）第１導電層および第３導電層の間に、酸化ルテニウムなどを導電材として含有する第２導電層から成る抵抗体を形成することにより、端子電極部へのメッキ処理によっても抵抗の変動が少なく、等価直列抵抗（ＥＳＲ）を正確に制御することができ、抵抗の経時変化が少なく信頼性が高い電子部品を実現することができる。
【００２３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を、図面に示す実施形態に基づき説明する。
図１は本発明の一実施形態に係る電子部品としての積層セラミックコンデンサの要部断面図である。
【００２４】
図１に示すように、本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサ２は、誘電体層４と内部電極層６，８とが交互に積層された構成のコンデンサ素子本体１０を有する。このコンデンサ素子本体１０のＸ方向両端部には、素子本体１０の内部で交互に配置された内部電極層６，８と各々導通する一対の外部端子電極１２，１４が形成してある。コンデンサ素子本体１０の形状に特に制限はないが、通常、直方体状とされる。また、その寸法にも特に制限はなく、用途に応じて適当な寸法とすればよいが、通常、（０．６〜５．６ｍｍ）×（０．３〜５．０ｍｍ）×（０．３〜１．９ｍｍ）程度である。
【００２５】
外部端子電極１２および１４は、各々、内部電極層６または８の端部と電気的接続される側から順に第１導電層２０、第２導電層２２および第３導電層２４が積層される３層構造で構成してあり、第３導電層２４の外面には、メッキ層２６が形成してある。
【００２６】
第１導電層２０は、難酸化性の金属（合金も含む）で構成される。好ましい難酸化性の金属としては、たとえばＰｄ，Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｉｒの少なくとも１種以上の金属、または、ＡｇとＰｄとの合金、あるいは、その他の合金とすることが好ましい。特に好ましくは、前記第１導電層２０は、ＡｇおよびＰｄの合金を含むことが好ましい。合金とすることで、金属成分（ＡｇまたはＰｄなど）が第２導電層２２中の絶縁性酸化物（抵抗体ガラス成分）へ拡散することが少なくなり、ＥＳＲのばらつきをさらに低減することができる。
【００２７】
第２導電層２２は、導電性酸化物と絶縁性酸化物とを含む材質で構成される。導電性酸化物としては、導電性を示す酸化物であれば特に限定する必要はないが、酸化ルテニウム、酸化ルテニウム化合物、および黒鉛から選択される少なくとも１種以上を含むことが好ましい。酸化ルテニウム化合物としては、たとえばＢｉ２  Ｒｕ２  Ｏ７  ，ＳｒＲｕＯ３  ，ＣａＲｕＯ３  ，Ｐｂ２  Ｒｕ２  Ｏ６  ，ＢａＲｕＯ３  等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。ただし、これらの中でも、Ｂｉ２  Ｒｕ２  Ｏ７  が特に好ましい。Ｂｉ２  Ｒｕ２  Ｏ７  を選択することにより、特に耐湿負荷試験後でも安定したＥＳＲを得ることができる。
また、黒鉛としては、好ましくはグラファイト・カーボンとすることがより好ましい。
【００２８】
また、絶縁性酸化物は、特に限定する必要はないが、抵抗値の制御および導電材の焼結性と第１導電層２０との接着性を確保する観点から、ガラスを選択することが好ましい。ガラスの組成は、特に制限する必要はないが、抵抗値の制御を行うためなどに、必要とする特性に応じて、適宜、任意のガラス組成を選択することができる。また抵抗値の調整、あるいはその他、抵抗体に必要な電気特性を制御するために、それら要求特性に応じて金属酸化物を添加することができる。また、これら電気特性を調整するためには、酸化物に限定する必要はなく、用途に応じて金属を添加しても良く、０．１Ω程度以下の抵抗を必要とする場合には、金属と絶縁性酸化物で構成しても良い。
【００２９】
抵抗値の制御は、導電性酸化物と絶縁性酸化物の混合比で制御することができ、また膜厚によっても制御することができる。さらには、ガラス組成によっても抵抗値を制御することができる。
【００３０】
第３導電層２４は、Ｐｄ，Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｉｒの少なくとも１種以上の金属（合金含む）からなり、Ａｇ系合金とすることが好ましく、Ａｇがより好ましい。
【００３１】
また、第１導電層２０および第３導電層２４には、導電材の焼結性を向上させるためと、素体１０あるいは各導電層２０〜２４間の接着性を確保するために、ガラスが含有される。このガラスの組成は、特に限定する必要はないが、酸化マンガンを含有することが好ましい。酸化マンガンの含有量は、ガラス全体の０〜４０重量％とすることが好ましく、０．０１〜２０重量％とすることがより好ましい。
【００３２】
酸化マンガンをガラス中に含有させることにより、第１導電層２０および第３導電層２４の焼結性が著しく向上し、メッキ層２６等を形成する際、メッキ液が端子内部への侵入を抑制することを確実にすることができる。その結果、メッキ前後での抵抗の変動を抑制することが可能となる。
【００３３】
また、本実施形態では、必要に応じて、第３導電層２４上にメッキ層２６が形成される。メッキ層２６は、スパッタ等に代表されるような乾式法、あるいはメッキ液中で行う湿式法のいずれを用いてもかまわないが、従来より公知の湿式法、具体的には電解メッキ法、あるいは無電解メッキ法を用いることができ、電解メッキ法が好ましい。
【００３４】
電解メッキ法により端子電極上にメッキ層を形成する場合、通常、端子電極上からＮｉおよびＳｎの順、あるいはＮｉおよびＳｎ−Ｐｂはんだメッキの順に形成されるが、特に環境への配慮から、ＮｉおよびＳｎの順でメッキ層を形成することが好ましい。メッキ層の厚みは特に限定されないが、通常、総計０．１〜２０μｍ程度である。
【００３５】
本実施形態の積層セラミックコンデンサ２は、端子電極における第３導電層２４が金属の焼結体層であるために、電解メッキ工程において容易にメッキをすることができ、端子電極内へのメッキ液の浸透を抑制することもできる。そのため、メッキ前後において、第２導電層の抵抗値の変動を抑制することができる。同様な理由から、耐湿負荷試験においても水分の浸透が抑制することができるため、経時に対しても極めて安定である。
【００３６】
本実施形態の積層セラミックコンデンサ２は、以下のようにして製造される。まず、積層セラミックコンデンサの素体本体１０である焼結体チップを作製する。焼結体チップの製造方法は、常法に従い、誘電体層４および内部電極層６，８の積層体を、印刷法あるいはグリーンシート法により得た後、脱バインダ後に焼結することにより得られる。
【００３７】
その後、素子本体１０における内部電極層６，８の端部が露出している両端面に、外部端子電極１２および１４を形成する。外部端子電極１２および１４の形成に際しては、まず、素子本体１０の両端面に第１導電層用ペーストを塗布、乾燥し、バインダーの除去（脱バインダ）を行う。脱バインダ条件は、特に限定されるものではないが、通常、３００〜６００℃程度、１〜６０分程度、空気中で行うことが好ましい。この脱バイ中に、内部電極層６および８であるＮｉが酸化するため、この酸化したＮｉを還元するために、還元処理を行う。還元は、特に限定されるものではないが、２５０〜６００℃程度、１〜６０分程度、Ｎ２  とＨ２  の混合雰囲気中で行うことが好ましい。
【００３８】
その後、中性、あるいはＮ２  とＨ２  の混合気体である還元性雰囲気中で素体本体１０への焼き付けを行う。焼き付け温度は、特に限定されるものではなく、６００〜１２００℃程度、１〜６０分程度とすることが好ましい。
【００３９】
次に、この第１導電層２０上に第２導電層用ペーストを塗布、乾燥し、焼き付けを行う。焼き付け条件は、特に限定されるものではなく、６００〜１０００℃程度、１〜６０分程度とすることが好ましく、雰囲気は、酸化性雰囲気、特に空気中が好ましい。
【００４０】
次に、該第２導電層２２上に第３導電層用ペーストを塗布、乾燥し、焼き付けを行う。焼き付け条件は、第２導電層２２と同様な条件で良い。なお、第２導電層用ペーストの塗布および乾燥後に直ちに焼き付けを行うことなく、第３導電層用ペーストの塗布および乾燥後に、同時に焼き付け処理を行っても良い。この場合の焼き付け処理は、酸化性雰囲気、特に空気中で行われる。
【００４１】
また、第１導電層２０と第２導電層２２とを同時に焼き付ける、または第１〜第３導電層を同時に焼き付けても同様な効果を得ることができる。この場合の焼き付け処理は、還元性雰囲気中で行われる。
以下、製造方法の詳細について説明する。
【００４２】
［誘電体層用ペースト］
誘電体層用ペーストは、誘電体原料と有機ビヒクルとを混練して製造される。誘電体原料には、誘電体層の組成に応じた粉末を用いる。誘電体材料としては特に限定されるものではなく、種々の誘電体材料を用いて良いが、たとえば、酸化チタン系酸化物、チタン系複合酸化物、あるいはこれらの混合物等が好ましい。酸化チタン系酸化物としては、必要に応じてＮｉＯ，ＣｕＯ，Ｍｎ３  Ｏ４  ，Ａｌ２  Ｏ３  ，ＭｇＯ，ＳｉＯ２  等を総計０．００１〜３０重量％程度添加したＴｉＯ２  系酸化物が例示され、チタン系複合酸化物としては、チタン酸バリウムＢａＴｉＯ３  等が挙げられる。Ｂａ／Ｔｉの原子比は、０．９５〜１．２０程度が良く、ＢａＴｉＯ３  には、ＭｇＯ，ＣａＯ，Ｍｎ３  Ｏ４  ，Ｙ２  Ｏ３  ，Ｖ２  Ｏ５  ，ＺｎＯ，ＺｒＯ２  ，Ｎｂ２  Ｏ５  ，Ｃｒ２  Ｏ３  ，Ｆｅ２  Ｏ３  ，Ｐ２  Ｏ５  ，Ｎａ２  Ｏ，Ｋ２  Ｏ等が総計０．００１〜３０重量％程度添加されていても良い。また、焼成温度、線膨張率の調整のため、（ＢａＣａ）ＳｉＯ２  ガラス等のガラスが、誘電体層用ペースト中に添加されていても良い。
【００４３】
誘電体原料の製造方法は、特に限定されず、たとえばチタン酸バリウムを用いる場合、水熱合成したＢａＴｉＯ３  に、副成分原料を混合する方法を用いることができる。また、ＢａＣＯ３  とＴｉＯ２  と副成分原料との混合物を仮焼して固相反応させる乾式合成法を用いても良い。また共沈法、ゾル・ゲル法、アルカリ加水分解法、沈殿混合法等により得た沈殿物と副成分原料との混合物を仮焼して合成しても良い。なお、副成分としては、酸化物や、焼成により酸化物となる各種化合物、たとえば、炭酸塩、シュウ酸塩、水酸化物、有機金属化合物等の少なくとも一種以上を用いることができる。
誘電体材料の平均粒径は、目的とする誘電体層の平均結晶粒径に応じて決定すれば良いが、通常、平均粒子径０．３〜１．０μｍ程度の粉末を用いる。
誘電体層用ペーストは、誘電体原料とを有機ビヒクルとを混練して製造される。
【００４４】
有機ビヒクルは、バインダーを有機溶剤中に溶解したものである。有機ビヒクルに用いるバインダーは特に限定されず、エチルセルロース等の通常の各種バインダーから適宜選択すれば良い。また、用いる有機溶剤も特に限定されず、印刷法やシート法、利用する方法に応じて、ターピネオール、ブチルカルビトール、アセトン、トルエン等の各種有機溶剤から適宜選択すれば良い。
【００４５】
誘電体層の一層あたりの厚さは特に限定されないが、通常１．５〜２０μｍ程度である。また誘電体層の積層数は、通常、１００〜３００程度である。
【００４６】
［内部電極層用ペースト］
内部電極層用ペーストの導電材は、特に限定されないが、Ｎｉ，Ｃｕより選ばれる少なくとも一種以上からなることが好ましい。また、誘電体層構成材料に耐還元性を有するものを使用することで、安価な卑金属を用いることができる。このため、導電材としては、特にＮｉあるいはＮｉ合金が好ましい。Ｎｉ合金としては、Ｍｎ，Ｃｒ，Ｃｏ，Ａｌ等から選択される一種以上の元素とＮｉの合金が好ましく、合金中のＮｉ含有量は９５重量％以上であることが好ましい。なお、ＮｉまたはＮｉ合金中には、Ｐ等の各種微量成分が０．１重量％程度以下含まれていても良い。
【００４７】
内部電極層用ペーストは、上記各種導電性金属や合金、あるいは焼成後に上記した導電材となる各種酸化物、有機金属化合物、レジネート等と上記した有機ビヒクルとを混練して調整する。
内部電極の厚さは用途に応じて、適宜決定すれば良いが、０．５〜５μｍ程度であることが好ましい。
【００４８】
［第１導電層用ペースト］
第１導電層用ペーストは、導電材とガラスフリットと有機ビヒクルとを含む。前記導電材は、Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｉｒ，Ｒｈから少なくとも一種以上から選ばれるが、Ａｇ，Ｐｄあるいはそれら合金が好ましく、特にＡｇとＰｄを選択することが好ましい。これら導電材に、焼結助剤、あるいはチップ素体との接着を確保するためにガラスフリットが添加される。
【００４９】
導電材の平均粒径は、０．０１〜３０μｍとする。これよりも粒径が小さい場合、導電材粒子の凝集が激しくなり、第１導電層層用ペーストの塗布、乾燥時に、あるいは焼き付け時に、第１導電層にクラックが生じやすくなり、これよりも粒径が大きい場合、ペースト化が困難になる。
【００５０】
また、ガラスフリットの平均粒径は０．０１〜３０μｍとする。これよりも粒径が小さいと導電材の焼結が不均一となり、端子電極にクラックを発生させる原因となり、これよりも大きいと、ガラスの分散が悪くなり、第１導電層２０と素体１０との接着性が低下する。
【００５１】
これら導電材およびガラスフリットをビヒクル中に分散して第１導電層用ペーストを得る。
ガラスフリット組成は、特に限定されるものではない。ただし中性、あるいは還元性雰囲気で焼き付ける必要上、それら雰囲気下でもガラスとしての機能を果たすものであることが必要である。このようなものとしては、たとえば、ケイ酸ガラス｛（ＳｉＯ２  ：２０〜８０重量％，Ｎａ２  Ｏ：８０〜２０重量％）や（ＳｉＯ２  ：７〜６３重量％，ＺｎＯ：３７〜９３重量％）｝、ホウケイ酸ガラス（Ｂ２  Ｏ３  ：５〜５０重量％，ＳｉＯ２  ：５〜７０重量％，ＰｂＯ：１〜１０重量％，Ｋ２  Ｏ：１〜１５重量％）、アルミナケイ酸ガラス（Ａｌ２  Ｏ３  ：１〜３０重量％，ＳｉＯ２  ：１０〜６０重量％，Ｎａ２  Ｏ：５〜１５重量％，ＣａＯ：１〜２０重量％，Ｂ２  Ｏ３  ：５〜３０重量％）から選択されるガラスフリットの一種または二種以上を用いれば良い。
【００５２】
このようなガラスには、必要に応じて、ＣａＯ：０．０１〜５０重量％，ＢａＯ：０．０１〜５０重量％，ＭｇＯ：０．０１〜５重量％，ＺｎＯ：０．０１〜７０重量％，ＰｂＯ：０．０１〜５重量％，Ｎａ２  Ｏ：０．０１〜１０重量％，Ｋ２  Ｏ：０．０１〜１０重量％，ＭｎＯ２  ：０．０１〜４０重量％等の添加物を所定の組成になるように混合しても良い。
導電材である金属成分に対するガラスの含有量は、特に限定されるものではないが、通常、金属成分を１００重量％として、０．５〜１５重量％程度である。
有機ビヒクルとしては上述のものを用いれば良い。
【００５３】
［第２導電層用ペースト］
第２導電層用ペーストは、導電材とガラスフリットと有機ビヒクルとを含む。この導電材は、酸化ルテニウムおよび、酸化ルテニウム化合物および黒鉛から少なくとも一種以上から選ばれるが、酸化ルテニウム（ＲｕＯ２  ）とすることが好ましい。抵抗値の制御、導電材の焼結助剤、あるいは素体本体１０と第１導電層２０との接着を確保するために、この第２導電層用ペーストには、ガラスフリットが添加される。
【００５４】
導電材の平均粒径は、０．０１〜３０μｍとすることが好ましい。これよりも粒径が小さい場合、導電材粒子の凝集が激しくなり、第１導電層用ペーストの塗布、乾燥時に、あるいは焼き付け時に、第２導電層にクラックが生じやすくなり、これよりも粒径が大きい場合、ペースト化が困難になる。また、ガラスフリットの平均粒径は０．０１〜３０μｍとする。これよりも粒径が小さいと導電材の焼結が不均一となり、第２導電層にクラックを発生させる原因となるばかりでなく、抵抗値のばらつきが大きくなり、これよりも大きくても、ガラスの分散が悪くなり、同様に抵抗値のばらつきが大きくなる。
これら導電材およびガラスフリットをビヒクル中に分散して第２導電層用ペーストを得る。
【００５５】
ガラスフリット組成は、特に限定されるものではなく、第１導電層と同一のものを用いても良く、所望の抵抗値によっては、上記ガラス組成を適宜選択することができる。
有機ビヒクルとしては上述のものを用いれば良い。
【００５６】
［第３導電層用ペースト］
第３導電層用ペーストは、導電材とガラスフリットと有機ビヒクルとを含む。前記導電材は、Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｉｒ，Ｒｈから少なくとも一種以上から選ばれるが、ＡｇもしくはＡｇ系合金が好ましく、特にＡｇとすることが好ましい。これら導電材に、焼結助剤、あるいはチップ素体および第２導電層との接着を確保するためにガラスフリットが添加される。
【００５７】
導電材の平均粒径は０．０１〜３０μｍとする。これよりも粒径が小さい場合、導電材粒子の凝集が激しくなり、第３導電層用ペーストの塗布、乾燥時に、あるいは焼き付け時に、第３導電層にクラックが生じやすくなり、これよりも粒径が大きい場合、ペースト化が困難になる。また、ガラスフリットの平均粒径は０．０１〜３０μｍとする。これよりも粒径が小さいと導電材の焼結が不均一となり、端子電極にクラックを発生させる原因となり、これよりも大きいと、ガラスの分散が悪くなり、第２導電層２２および／または素体本体１０との接着性が低下する。
【００５８】
これら導電材およびガラスフリットをビヒクル中に分散して第３導電層用ペーストを得る。
ガラスフリット組成は、特に限定されるものではないが、酸化マンガンを含有することがより好ましい。
【００５９】
［有機ビヒクルの含有量］
上記した各ペースト中の有機ビヒクルの含有量に特に制限はなく、通常の含有量、たとえばバインダーは１〜５重量％程度、溶剤は１０〜５０重量％とすれば良い。また、各ペースト中には、必要に応じて各種分散剤、可塑剤、誘電体、絶縁体等から選択される添加剤が含有されていても良い。これらの総含有量は、１０重量％とすることが好ましい。
【００６０】
［グリーンチップの作製］
印刷法を用いる場合、誘電体用ペーストおよび内部電極用ペーストをＰＥＴ等の基板上に印刷する。このとき内部電極用ペーストの端部の一方が誘電体ペーストの端部より交互に外部に露出するように積層する。その後、熱圧着し、所定形状に切断してチップ化した後、基板から剥離してグリーンチップとする。
【００６１】
また、シート法を用いる場合、誘電体層用ペーストを用いてグリーンシートを形成し、このグリーンシート上に内部電極層用ペーストを印刷し、これらを交互に繰り返して積層し、所定形状に切断してグリーンチップとする。
【００６２】
［脱バインダー工程］
焼成前に行う脱バインダー処理の条件は、通常のものであっても良いが、内部電極層の導電材にＮｉやＮｉ合金等の卑金属を用いる場合、特に下記の条件で行うことが好ましい。
【００６３】
昇温速度：５〜３００℃／時間、特に１０〜１００℃／時間、
保持温度：２００〜４００℃／時間、特に２５０〜３００℃／時間、
温度保持時間：０．５〜２４時間、特に５〜２０時間、
雰囲気：空気中。
【００６４】
［焼成工程］
グリーンチップの焼成時の雰囲気は、内部電極用ペーストの導電材の種類に応じて適宜選択すれば良いが、導電材としてＮｉやＮｉ合金等の卑金属を用いる場合、焼成雰囲気はＮ２  を主成分とし、Ｈ２  を１〜１０容積％と、１０〜３５℃における水蒸気圧によって得られるＨ２  Ｏガスとを混合したものが好ましい。酸素分圧は１０−３〜１０−８  Ｐａとすることが好ましい。酸素分圧が前記範囲未満であると、内部電極層中の導電材が異常焼結を起こし、途切れてしまうことがある。また、酸素分圧が前記範囲を越えると、内部電極層が酸化してしまう傾向にある。
【００６５】
焼成時の保持温度は、１１００〜１４００℃、特に１２００〜１３００℃とすることが好ましい。保持温度が前記範囲未満であると緻密化が不十分であり、前記範囲を越えると、内部電極層が途切れやすくなる。また、焼成時の温度保持時間は、０．５〜８時間、特に１〜３時間が好ましい。
【００６６】
［アニール工程］
還元雰囲気で焼成した場合、積層コンデンサの素体本体１０にはアニールを施すことが好ましい。アニールは、誘電体層４を再酸化するための処理であり、これにより絶縁抵抗の加速寿命を著しく長くすることができる。
【００６７】
アニール雰囲気の酸素分圧は、１０−３Ｐａ以上、特に１０−３〜１０−１Ｐａとすることが好ましい。酸素分圧が前記範囲未満であると、誘電体層の再酸化が困難であり、前記範囲を越えると内部電極層が酸化する。
【００６８】
アニールの保持温度は、１１００℃以下、特に５００〜１０００℃とすることが好ましい。保持温度が前記範囲未満であると、誘電体層の酸化が不十分となり、絶縁抵抗の加速寿命が短くなる傾向を示し、前記範囲を越えると内部電極が酸化し、容量が低下するだけでなく、誘電体素地と反応し、加速寿命も短くなる。なお、アニール工程は昇温および降温だけから構成しても良い。この場合、温度保持時間をとる必要なく、保持温度は最高温度と同義である。また、温度保持時間は、０〜２０時間、特に２〜１０時間が好ましい。雰囲気ガスには、Ｎ２  と加湿したＨ２  ガスを用いることが好ましい。
【００６９】
なお、上記した脱バインダー処理、焼成およびアニールの各工程において、Ｎ２  ，Ｈ２  や混合ガス等を加湿するには、たとえば、ウエッター等を使用すれば良い。この場合の水温は、５〜７５℃程度が好ましい。
【００７０】
脱バインダー工程、焼成工程およびアニール工程は、連続して行っても、独立して行っても良い。
これらを連続して行う場合、脱バインダー処理後、冷却せず雰囲気を変更、独立して行っても良い。これらを連続して行う場合、脱バインダー処理後、冷却せず雰囲気を変更し、続いて焼成の保持温度まで昇温して焼成を行い、ついで冷却し、アニール工程での保持温度に達したときに雰囲気を変更してアニールを行うことが好ましい。
【００７１】
また、これらを独立して行う場合は、脱バインダー処理工程では、所定の保持温度まで昇温し、所定時間保持した後、室温まで降温する。その際の脱バインダー雰囲気は、連続して行う場合と同様なものとする。また、脱バインダー工程と焼成工程とを連続して行い、アニール工程だけを独立して行うようにしても良く、または、脱バインダー工程だけを独立して行い、焼成工程とアニール工程を連続して行うようにしても良い。
【００７２】
［第１導電層の形成］
第１導電層用ペーストを焼結体チップに塗布する。塗布工程としては、特に限定されるものではないが、ディップ法等によれば良い。第１導電層用ペーストの塗布量は、特に限定されるものではなく、塗布する焼結体チップの大きさなどにより適宜調整すれば良いが、通常、５〜１００μｍ程度である。端子電極用ペーストを塗布後、乾燥する。乾燥は６０〜１５０℃程度で、１０分〜１時間程度行うことが好ましい。
【００７３】
上記のようにして第１導電層用ペーストを塗布、乾燥した後、チップ素体への焼き付けを行う。焼き付け条件は、たとえば、Ｎ２  の中性雰囲気、あるいはＮ２  とＨ２  との混合ガス等の還元雰囲気中にて６００℃〜１２００℃で、０〜１時間程度保持することにより行うことが好ましい。
【００７４】
［第２導電層の形成］
前記のようにして形成された第１導電層上に、第２導電層用ペーストを、第１導電層を完全に被覆するように塗布する。塗布工程としては、特に限定されるものではないが、ディップ法等によれば良い。第２導電層用ペーストの塗布量は、特に限定されるものではなく、所望の抵抗値が得られる範囲で適宜調整すれば良いが、通常、５〜１００μｍ程度である。第２導電層用ペーストを塗布後、乾燥する。乾燥は、６０〜１５０℃程度で、１０分〜１時間程度行うことが好ましい。
【００７５】
上記のようにして第２導電層用ペーストを塗布、乾燥した後、焼き付けを行う。焼き付け条件は、たとえば、空気中にて６００℃〜１０００℃で、０〜１時間程度保持することにより行うことが好ましい。
【００７６】
［第３導電層の形成］
このようにして形成された第２導電層上に、第３導電層用ペーストを塗布する。塗布工程としては、特に限定されるものではないが、ディップ法等によれば良い。第３導電層用ペーストの塗布量は、特に限定されるものではなく、素体本体１０の大きさにより適宜調整すれば良いが、通常、５〜１００μｍ程度である。第３導電層用ペーストを塗布後、乾燥する。乾燥は、６０〜１５０℃程度で、１０分〜１時間程度行うことが好ましい。
【００７７】
上記のようにして第３導電層用ペーストを塗布、乾燥した後、焼き付けを行う。焼き付け条件は、たとえば、空気中にて６００℃〜１０００℃で、０〜１時間程度保持することにより行うことが好ましい。なお、第２導電層用ペーストの塗布および乾燥後に直ちに焼き付けを行うことなく、第３導電層用ペーストの塗布および乾燥後に、同時に焼き付け処理を行っても良い。
【００７８】
［メッキ層］
必要に応じて、各端子電極１２，１４上には、ＮｉとＳｎ層、またはＳｎ−Ｐｂ合金層を電解メッキ法にて形成する。メッキ層２６の厚みは特に限定されないが、通常、０．１〜２０μｍ程度である。
【００７９】
このような構成により、抵抗値、すなわちＥＳＲを制御することができる。ＥＳＲは、特に限定されるものではないが、０．５Ω〜１０Ω程度であり、好ましくは０．５〜５Ωである。この範囲のＥＳＲを有することで、レギュレータＩＣ用のコンデンサとして十分な性能を発揮することができる。
なお、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々に改変することができる。
【００８０】
たとえば、上述した実施形態では、端子電極中の第２導電層２２である抵抗体を、酸化性雰囲気で形成することに主眼を置いているが、第１導電層２０から第３導電層２４のすべてを、中性、あるいは還元性雰囲気で焼き付けて形成することもできる。この場合、第２導電層２２中の抵抗体材料としては、各種の抵抗体材料を用いることができる。この場合の抵抗体としては、たとえば、ＴａＮ，Ｔａ２  Ｎ，ＬａＢ６  ，ＷＣ，ＭｏＳｉ２  ，ＴａＳｉ２  ，ＳｎＯ２  ，Ｔａ２  Ｏ５  等を例として挙げることができる。
【００８１】
【実施例】
以下、本発明を、さらに詳細な実施例に基づき説明するが、本発明は、これら実施例に限定されない。
実施例１
誘電体層の主原料としてＢａＣＯ３  （平均粒径：２．０μｍ）およびＴｉＯ２  （平均粒径：２．０μｍ）を用意した。Ｂａ／Ｔｉの原子比は１．００である。また、これに加えて、１００重量％のＢａＴｉＯ３  に対し、添加物としてＭｎＣＯ３  を０．２重量％、ＭｇＣＯ３  を０．２重量％、Ｙ２  Ｏ３  を２．１重量％、（ＢａＣａ）ＳｉＯ３  を２．２重量％、それぞれ準備した。
【００８２】
これら原料粉末を水中ボールミルで混合し、乾燥した。得られた混合粉を１２５０℃で２時間仮焼した。この仮焼粉を水中ボールミルで粉砕し、乾燥した。得られた仮焼粉に、有機バインダーとしてアクリル樹脂と、有機溶剤として塩化メチレンとアセトンを加えてさらに混合し、誘電体スラリーとした。得られた誘電体スラリーをドクターブレード法にて誘電体グリーンシートとした。
【００８３】
内部電極材料としてＮｉ粉末（平均粒径：０．８μｍ）を用意し、これに有機バインダーとしてエチルセルロースと、有機溶剤としてターピネオールを加え、三本ロールを用いて混練し、内部電極ペーストとした。
【００８４】
第１導電層の導電材料として、３０重量％のＡｇ粉末（平均粒径：５．０μｍ）と７０重量％のＰｄ粉末（平均粒径：１．０μｍ）を選択し、それら導電粉末１００重量％に対して、平均粒径２．０μｍの亜鉛系ガラスフリットあるいは亜鉛系マンガン含有ガラスを５重量％添加し、これに有機バインダーとしてアクリル樹脂と有機溶剤としてターピネオールを加え、三本ロールを用いて混練し、第１導電層用ペーストとした。
【００８５】
第２導電層の導電材として、ＲｕＯ２  （平均粒径：１．０μｍ）を用い、主として抵抗値の調整のために、１００重量％の導電材に対して、絶縁性酸化物として、平均粒径２．０μｍの亜鉛系ガラス（ＺｎＯ：６５重量％，Ｂ２  Ｏ３  ：２２重量％，ＳｉＯ２  ：１３重量％）を５０〜５００重量％添加し、これに有機バインダーとアクリル樹脂と有機溶剤としてターピネオールを加え、三本ロールを用いて混練し、第２導電層用ペーストとした。
【００８６】
第３導電層の導電材として、Ａｇ粉末（平均粒径：０．５μｍ）を選択し、その導電粉末１００重量％に対して、平均粒径２．０μｍの亜鉛系ガラスフリットあるいは亜鉛系マンガン含有ガラスを５重量％添加し、これに有機バインダーとしてアクリル樹脂と有機溶剤としてターピネオールを加え、三本ロールを用いて混練し、第３導電層用ペーストとした。
【００８７】
所定の厚みを得るために誘電体グリーンシートを数枚積層し、その上にスクリーン印刷法により内部電極用ペーストの端部が誘電体層用グリーンシートの端部から交互に外部に露出するように印刷されたグリーンシートを２００枚積層し、熱圧着した。次いで焼成後のチップ形状が、縦２．０ｍｍ×横１．２ｍｍ×厚み１．２ｍｍになるように切断し、グリーンチップを得た。
【００８８】
得られたグリーンチップを、加湿したＮ２  ＋Ｈ２  （Ｈ２  ：３容積％）雰囲気中、１３００℃にて３時間保持して焼成し、さらに加湿したＨ２  ガスを含む酸素分圧１０−２Ｐａの雰囲気にて１０００℃で２時間保持し、チップ焼結体を得た。得られた焼結体の両端部に、上記第１導電層用ペーストを塗布、乾燥を行い、空気中で脱バインダを行い、Ｎｉを還元するために還元処理をした後に、Ｎ２  −Ｈ２  雰囲気中、９５０℃で１０分間保持して第１導電層を得た。形成された第１導電層上に上記第２導電層用ペーストを塗布、乾燥を行い、空気中、８５０℃で１０分間保持して、第２導電層を得た。
形成された第２導電層上に上記第３導電層用ペーストを塗布、乾燥を行い、空気中、６５０℃で１０分間保持して、第３導電層を得た。
【００８９】
その後、該第３導電層上に、Ｎｉ，Ｓｎの順に電解メッキ法にてメッキ膜を形成した。得られた試料の静電容量は設計通り、２．０μＦであった。
【００９０】
上記のようにして作製した電子部品のＥＳＲの値を、表１に示す。それぞれ測定した個数は５０個であり、その平均値を示す。第１導電層および第３導電層中のガラスとしては、亜鉛系ガラス（ＺｎＯ：６５重量％，Ｂ２  Ｏ３  ：２２重量％，ＳｉＯ２  ：１３重量％）を用い、第２導電層の導電材としては、ＲｕＯ２  を用い、第２導電層中のガラスとしては、上記の亜鉛系ガラスを用いた。メッキ前後のＥＳＲの変化は、メッキ前に素体本体に予め番号付けしており、メッキ前後にＥＳＲを測定し、±１．０ｍΩ以上の変動があった場合に変動ありと判断し、その個数を測定した。
【００９１】
【表１】
0004496639.tif 000002
【００９２】
表１に示す結果から、第２導電層中のガラスとＲｕＯ２  との重量比を調整することで、ＥＳＲの制御が可能であることが確認できた。また、メッキ前後のＥＳＲの変動も少ないことが確認できた。
【００９３】
また、本実施例の試料を、レギュレータＩＣの平滑用コンデンサとして用い、１００ｋＨｚで動作させたところ、発振等の電圧変動を生じることなく正常に動作した。
【００９４】
また、本実施例の試料について、コンデンサの加速試験である高温負荷試験（８５℃、定格の２倍の電圧印加）および耐湿負荷試験（８５℃、８５％、定格電圧印加）を行ったところ、ＥＳＲの変動およびその他の電気特性に変化は認められなかった。
【００９５】
実施例２
第２導電層用ペーストの塗布および乾燥後に直ちに焼き付けを行うことなく、第３導電層用ペーストの塗布および乾燥後に、空気中で同時に焼き付け処理を行った以外は、実施例１と同様にしてコンデンサ試料を作製し、同様な試験を行った。結果を表２に示す。
【００９６】
【表２】
0004496639.tif 000003
【００９７】
表２に示すように、実施例１に比較して、メッキ前後のＥＳＲ変動個数がさらに少なくなり、ＥＳＲの制御特性がおよび安定性がさらに増大することが確認できた。
【００９８】
比較例１
図１に示す第３導電層２４を形成しない以外は、前記実施例１と同様にしてコンデンサ試料を作製しようとしたが、第２導電層２２が酸化物で構成されるために、その外面にメッキ層２６を形成することができなかった。なお、無電解メッキを用いることにより、メッキ層を形成することは可能ではあるが、抵抗のばらつきが大きくなってしまい、実用的でない。
比較例２
図１に示す第１導電層２０を形成しない以外は、前記実施例１と同様にしてコンデンサ試料を作製し、同様な試験を行った。
【００９９】
コンデンサ素体１０に対して、第１導電層２０を形成しないで、直接に第２導電層２２を形成しようとしたので、内部電極であるＮｉと電気的な接続が確保できなくなり設計通りの静電容量およびその他の電気特性を得ることができなかった。
【０１００】
実施例３
第２導電層中のガラス組成として、ストロンチウム系ガラスを用いた以外は、実施例１と同様にしてコンデンサ試料を作製し、同様な試験を行った場合も、同様な傾向が認められた。
【０１０１】
実施例４
第２導電層中の導電材として、Ｂｉ２  Ｒｕ２  Ｏ７  を用いた以外は、実施例１と同様にしてコンデンサ試料を作製し、同様な試験を行った場合も、同様な傾向が認められた。
しかも、本実施例のコンデンサ試料について、耐湿負荷試験（８５℃／８５％ＲＨ：  定格電圧印加）を１０００時間行い、その前後におけるＥＳＲの変動率を測定したところ、±０．５％以内であり、安定したＥＳＲが得られることが確認できた。なお、第２導電層中の導電材としてＲｕＯ２  を用いた実施例１のコンデンサ試料についても、同様な耐湿負荷試験を行ったところ、ＥＳＲの変動率は±３％であった。
【０１０２】
実施例５
第１導電層および第３導電層のガラスとして、亜鉛系マンガン含有ガラス（ＺｎＯ：６０重量％，Ｂ２  Ｏ３  ：２０重量％，ＳｉＯ２  ：１０重量％，ＭｎＯ：１０重量％）を用いた以外は、実施例１と同様にしてコンデンサ試料を作製し、同様な試験を行った結果を、表３に示す。
【０１０３】
【表３】
0004496639.tif 000004
【０１０４】
表３に示すように、亜鉛系マンガン含有ガラスを用いることで、実施例１に比較して、メッキ前後のＥＳＲ変動個数がさらに少なくなり、ＥＳＲの制御特性がおよび安定性がさらに増大することが確認できた。
【０１０５】
実施例６
第２導電層中の導電性物質として、グラファイト・カーボン（平均粒径：１．１μｍ）を用いた以外は、実施例１と同様にしてコンデンサ試料を作製し、同様な試験を行った結果を、表４に示す。
【０１０６】
【表４】
0004496639.tif 000005
【０１０７】
実施例７
第１導電層の導電材料として、ＡｇとＰｄとの組成比が３０：７０であるＡｇ−Ｐｄ（平均粒径：０.８μｍ）の合金粉末を用いた以外は、実施例１と同様にしてコンデンサ試料を作製し、同様な試験を行った場合も、同様な傾向が認められた。
しかも、本実施例７のコンデンサ試料では、ＥＳＲのばらつき（ＣＶ値）が５．５％であり、ＣＶ値が１３％であった実施例１（ＡｇとＰｄとの混合粉末）に比較して、さらに小さくできることが確認できた。なお、実施例１および実施例７において、ＥＳＲのＣＶ値は、第２導電層中のガラスとＲｕＯ２  との重量比を、３.０とした場合において、メッキ前の試料を５０個準備し、それらのＥＳＲを測定し、そのばらつきを求めることにより測定した。
【０１０８】
【発明の効果】
以上説明してきたように、本発明によれば、積層セラミックコンデンサなどの電子部品の外部端子電極部に抵抗機能を付与し、メッキ処理による抵抗の変動がなく、抵抗の経時変化のない極めて高い信頼性を持つ電子部品、より具体的にはＣＲ複合電子部品を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  図１は本発明の一実施形態に係る電子部品としての積層セラミックコンデンサの要部断面図である。
【符号の説明】
２…  積層セラミックコンデンサ
４…  誘電体層
６，８…  内部電極層
１０…  素子本体
１２，１４…  外部電極端子
２０…  第１導電層
２２…  第２導電層
２４…  第３導電層
２６…  メッキ層
【図１】
0004496639.tif 000006