(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
少なくとも第１導電型の第１クラッド層と、活性層と、第２導電型の第２クラッド層の積層体を含み、対向する一対の端面がレーザの共振器を構成する半導体積層体と、上記第１クラッド層に接続するように上記端面と異なる上記半導体積層体の表面に形成された第１電極と、上記第２クラッド層に接続するように上記端面と異なる上記半導体積層体の表面に形成された第２電極とを有し、上記第１電極の側から上記基板にダイボンディングされ、上記第１電極が電極非形成領域により複数の領域に分断されていて当該複数の領域に分断された上記第１電極の全体および上記電極非形成領域から上記半導体積層体に対する電流注入領域が構成された半導体発光素子と
を有し、
上記第１電極に所定の第１電圧が印加され、上記第２電極に所定の第２電圧が印加されると、上記端面における上記活性層からレーザ光を出射する
半導体発光装置。
【請求項２】
上記第１電極が上記共振器の共振方向に対して分断されている
請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項３】
上記第１電極が上記共振器の共振方向に対して直交する方向に分断されている
請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項４】
上記第１電極が上記共振器の共振方向および上記共振器の共振方向に対して直交する方向のそれぞれに分断されている
請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項５】
上記第１電極を分断している分断領域が、上記半導体積層体の＜１１０＞方向および＜１００＞方向と異なる方向に延伸している
請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項６】
上記電流注入領域内に、円形あるいは多角形形状のパターンの電極非形成領域が含まれており、当該電極非形成領域を除く上記電流注入領域に上記第１電極が形成されている
請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項７】
上記円形あるいは多角形形状のパターンの電極非形成領域の内側に、さらに電極形成領域が含まれている
請求項６に記載の半導体発光装置。
【請求項８】
上記第１電極の外周が、少なくとも上記半導体積層体の＜１１０＞方向と異なる方向に延伸する線から構成されている
請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項９】
上記第１電極の外周が、上記半導体積層体の＜１１０＞方向および＜１００＞方向と異なる方向に延伸する線から構成されている
請求項８に記載の半導体発光装置。
【請求項１０】
上記第１電極が形成されている領域を除く領域において、上記半導体積層体の上記第１電極側の表層部分が除去されたメサ形状となっている
請求項１に記載の半導体発光装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体発光素子に関し、特に、基板などにダイボンディングしたときの半導体への欠陥の発生を抑制して信頼性を高めた半導体発光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
今日、半導体発光素子であるレーザダイオードは、ＣＤ（コンパクトディスク）やＤＶＤ（デジタル多用途ディスク）などの光ディスク装置における再生あるいは記録用の光源として、あるいはその他の電子機器などにおいて、様々な分野に広く用いられている。
特に、Ｗ（ワット）クラスの高出力を可能にしたスーパーハイパワーレーザ（ＳＨＰ（Super High Power）レーザ）と呼ばれるレーザダイオードが開発されており、産業上重要な役割を担っている。
【０００３】
上記のＳＨＰレーザは、通常、電流注入領域となるストライプ幅を数１０μｍ以上としたブロードストライプ構造を採用している。この構造では、共振器端面における光密度を低減させることができ、これによりＷ（ワット）クラスの高出力が可能となる。
【０００４】
図１１（ａ）は、上記のブロードストライプ構造のレーザダイオードの斜視図であり、図１１（ｂ）は上面図である。
例えば、ｎ型基板上にｎ型バッファ層、ｎ型クラッド層、ｎ型ガイド層、多重量子井戸構造を有する活性層ＡＬ、ｐ型ガイド層、ｐ型クラッド層およびｐ型コンタクト層などが順に積層して、半導体積層体１０が形成されている。図面上は活性層ＡＬの上下面のみを示しており、その他の層間の境界は示していない。
例えば、ＡｌＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ系の半導体からなる場合、基板やコンタクト層にはＧａＡｓが、バッファ層にはＩｎＧａＰが、クラッド層にはＡｌＧａＩｎＰが、それぞれ用いられる。
その他、ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ系、ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ系、ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ系およびＡｌＧａＮ／ＩｎＧａＮ系材料などから構成することもでき、その場合には、クラッド層やガイド層などの各層が各材料系から選択されて用いられる。
【０００５】
上記の半導体積層体１０のｎ型クラッド層に接続する側（例えばｎ型基板）の表面にはｎ電極１１が形成され、一方、ｐ型クラッド層に接続する側（例えばｐ型コンタクト層）の表面１０ａにはｐ電極１２が形成されている。
上記の半導体積層体１０の対向する一対の端面Ｓがレーザの共振器を構成しており、ｎ電極１１およびｐ電極１２に所定の電圧を印加すると半導体積層体に電流が注入され、端面Ｓの活性層ＡＬ部分からレーザ光Ｌが出射される。
ここで、上記のｐ電極１２は半導体積層体に対する電流注入ストライプ領域を構成して、レーザの共振器方向に延伸して形成されており、ブロードストライプ構造の場合、その幅Ｗは数１０μｍとなっている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記の従来のブロードストライプ構造のレーザダイオードにおいて、信頼性試験を行って早期に劣化したものを観察すると、結晶転移であるＤＬＤ（Dark Line Defect）がストライプ境界に沿う＜１１０＞方向（図１１中Ｄ1 で示す）か、そこを起点として＜１００＞方向（図１１中Ｄ2 で示す）へ成長している様子が観察され、これにより、電極ストライプの境界においてボンディングストレスが半導体結晶に結晶欠陥を発生させ、レーザダイオードの信頼性を低下させる原因となっていることが示唆された。
【０００７】
上記の電極ストライプの境界においてボンディングストレスが生じる理由は次のように説明できる。
上記の構成のレーザダイオードは、通常、ジャンクション側（図１１の構成ではｐ電極側）を下にして、ヒートシンクなどの基板にダイボンディングされることが多く、このような構成ではレーザダイオードとヒートシンクなどの基板との線膨張係数の差によって、基板にダイボンディングしたときにレーザダイオードに強いストレスがかかってしまう。
図１２（ａ）は、上記のレーザダイオードＬＤをヒートシンクなどの基板Ｂにダイボンディングしたときの共振器を構成する端面Ｓと異なる側面から見たときの側面図である。基板として銅のヒートシンクを用いた場合、この線膨張係数は約１６．６×１０-6／Ｋであり、一方、ＧａＡｓ系半導体の線膨張係数は約６．８×１０-6／Ｋである。従って、上記ヒートシンクにレーザダイオードＬＤをダイボンディングした後、温度が常温まで下がったときにＧａＡｓ系半導体はヒートシンクから圧縮ストレスＳＴを受けることになる。
【０００８】
一方、図１２（ｂ）は、上記のレーザダイオードＬＤをシリコン系のサブマウント基板ＳＢにマウントしたときの共振器を構成する端面Ｓと異なる側面から見たときの側面図である。シリコン系のサブマウント基板の線膨張係数は約３×１０-6／Ｋであるので、上記サブマウント基板ＳＢにレーザダイオードＬＤをダイボンディングした後、温度が常温まで下がったときにＧａＡｓ系半導体はサブマウント基板から引っ張りストレスＳＴを受けることになる。
【０００９】
上記のようなストレスは結晶欠陥の発生や移動を促進しており、さらにストレスの方向により導電性不純物の移動をも容易にすることが知られている。
上記のようなＤＬＤの発生は、レーザに信頼性を著しく損ない、特に産業用に用いられることの多いＳＨＰレーザにおいては大きな問題となっている。
【００１０】
従って、本発明の目的は、基板などにダイボンディングしたときのストレスに起因して半導体中に結晶欠陥が発生したり移動するのを抑制し、信頼性を高めた半導体発光素子を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するため、本発明の半導体発光素子は、レーザ光を出射する半導体発光素子であって、少なくとも第１導電型の第１クラッド層と、活性層と、第２導電型の第２クラッド層の積層体を含む半導体積層体と、上記半導体積層体に対する電流注入ストライプ領域において、上記第１クラッド層に接続するように上記半導体積層体の表面に形成された第１電極と、上記第２クラッド層に接続するように上記半導体積層体の表面に形成された第２電極とを有し、上記電流注入ストライプ領域内に所定のパターンの電極非形成領域が含まれており、当該電極非形成領域を除く上記電流注入ストライプ領域に上記第１電極が形成されている。
【００１２】
上記の本発明の半導体発光素子は、好適には、上記第１電極の側からダイボンディングされて用いられる。
【００１３】
上記の本発明の半導体発光素子は、好適には、上記第１電極は、上記電極非形成領域により上記電流注入ストライプ領域において複数の領域に分断されており、当該複数の領域に分断された第１電極の全体によって上記電流注入ストライプ領域を構成する。
【００１４】
上記の本発明の半導体発光素子は、さらに好適には、上記第１電極が、上記半導体積層体中に形成される共振器方向に対して分断されている。
また、さらに好適には、上記第１電極が、上記半導体積層体中に形成される共振器方向に対して直交する方向に分断されている。
また、さらに好適には、上記第１電極が、上記半導体積層体中に形成される共振器方向および共振器方向に対して直交する方向のそれぞれに分断されている。
また、さらに好適には、上記第１電極を分断している分断領域が、上位半導体積層体の＜１１０＞方向あるいは＜１００＞方向と異なる方向に延伸している。
【００１５】
上記の本発明の半導体発光素子は、好適には、上記電流注入ストライプ領域内に、円形あるいは多角形形状のパターンの電極非形成領域が含まれており、当該電極非形成領域を除く上記電流注入ストライプ領域に上記第１電極が形成されている。
さらに好適には、上記円形あるいは多角形形状のパターンの電極非形成領域の内側に、さらに電極形成領域が含まれている。
【００１６】
上記の本発明の半導体発光素子は、好適には、上記第１電極の外周が、少なくとも上記半導体積層体の＜１１０＞方向と異なる方向に延伸する線から構成されている。
さらに好適には、上記第１電極の外周が、上記半導体積層体の＜１１０＞方向および＜１００＞方向と異なる方向に延伸する線から構成されている。
【００１７】
上記の本発明の半導体発光素子は、好適には、上記第１電極が形成されている領域を除く領域において、上記半導体積層体の上記第１電極側の表層部分が除去されたメサ形状となっている。
【００１８】
上記の本発明の半導体発光素子は、少なくとも第１導電型の第１クラッド層と、活性層と、第２導電型の第２クラッド層の積層体を含む半導体積層体に対する電流注入ストライプ領域において第１電極が形成されている。ここで、電流注入ストライプ領域内に所定のパターンの電極非形成領域が含まれており、第１電極は、上記電極非形成領域を除く電流注入ストライプ領域に形成されている。
所定のパターンの電極非形成領域としては、例えば、電流注入ストライプ領域を複数の領域に分断するパターンや、円形あるいは多角形形状のパターンとすることができる。
上記のように、電流注入ストライプ領域内に所定のパターンの電極非形成領域が含まれており、上記電極非形成領域を除く電流注入ストライプ領域に第１電極が形成されている構成では、半導体発光素子とヒートシンクなどの基板との線膨張係数の差によって半導体発光素子を基板に第１電極の側からダイボンディングしたときに半導体発光素子にかかってしまう圧縮や引っ張りなどの強いストレスを、電極非形成領域により緩和することができる。
このため、基板などにダイボンディングしたときのストレスに起因する半導体中での結晶欠陥の発生や移動を抑制し、信頼性を高めることができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係るの半導体発光素子の実施の形態について図面を参照して説明する。なお、実施形態の全図において、同一または対応する部分には同一の符号を付す。
【００２０】
第１実施形態
本実施形態に係る半導体発光素子を図面を参照して説明する。
図１（ａ）は、本実施形態に係るブロードストライプ構造のレーザダイオードの斜視図であり、図１（ｂ）は上面図である。
例えば、ｎ型基板上にｎ型バッファ層、ｎ型クラッド層、ｎ型ガイド層、多重量子井戸構造を有する活性層ＡＬ、ｐ型ガイド層、ｐ型クラッド層およびｐ型コンタクト層などが順に積層して、半導体積層体１０が形成されている。図面上は活性層ＡＬの上下面のみを示しており、その他の層間の境界は示していない。
例えば、ＡｌＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ系の半導体からなる場合、基板やコンタクト層にはＧａＡｓが、バッファ層にはＩｎＧａＰが、クラッド層にはＡｌＧａＩｎＰが、それぞれ用いられる。
その他、ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ系、ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ系、ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ系およびＡｌＧａＮ／ＩｎＧａＮ系材料などから構成することもでき、その場合には、クラッド層やガイド層などの各層が各材料系から選択されて用いられる。
【００２１】
上記の半導体積層体１０のｎ型クラッド層に接続する側（例えばｎ型基板）の表面にはｎ電極１１が形成され、一方、ｐ型クラッド層に接続する側（例えばｐ型コンタクト層）の表面１０ａにはｐ電極１２が形成されている。
上記の半導体積層体１０の対向する一対の端面Ｓがレーザの共振器を構成しており、ｎ電極１１およびｐ電極１２に所定の電圧を印加すると半導体積層体に電流が注入され、端面Ｓの活性層ＡＬ部分からレーザ光Ｌが出射される。
ここで、上記のｐ電極１２は、半導体積層体に対する電流注入ストライプ領域を構成して、レーザの共振器方向に延伸して形成されており、その幅Ｗは数１０μｍとなっている。ｐ電極１２には、レーザの共振器方向に直交する方向に延伸する１本のスリットＳＬが形成されている。即ち、ｐ電極１２はレーザの共振器方向に２領域に分断されており、この分断されたｐ電極部分（１２ａ，１２ｂ）全体によって電流注入ストライプ領域が構成される。
上記のようにｐ電極１２が複数の領域に分断されても、半導体積層体１０のｐ電極側最表層のコンタクト層などまで分断されているわけではないので、活性層への電流注入に支障を与えることはない。
【００２２】
上記のレーザダイオードは、ｐ電極１２側からヒートシンクなどの基板にダイボンディングして用いられる。
図２（ａ）は、上記のレーザダイオードＬＤをヒートシンクなどの基板Ｂにダイボンディングしたときの共振器を構成する端面Ｓと異なる側面から見たときの側面図である。
ヒートシンクにレーザダイオードＬＤをダイボンディングした後、温度が常温まで下がったときにＧａＡｓ系半導体はヒートシンクから圧縮ストレスＳＴを受けるが、ｐ電極１２にスリットＳＬが形成されているので、このスリットＳＬ部分によりレーザダイオードＬＤが受ける圧縮ストレスＳＴを緩和Ｒすることができる。
【００２３】
一方、図２（ｂ）は、上記のレーザダイオードＬＤをシリコン系のサブマウント基板ＳＢにマウントしたときの共振器を構成する端面Ｓと異なる側面から見たときの側面図である。
サブマウント基板ＳＢにレーザダイオードＬＤをダイボンディングした後、温度が常温まで下がったときにＧａＡｓ系半導体はサブマウント基板から引っ張りストレスＳＴを受けるが、ｐ電極１２にスリットＳＬが形成されているので、上記と同様に、このスリットＳＬ部分によりレーザダイオードＬＤが受ける引っ張りストレスＳＴを緩和Ｒすることができる。
【００２４】
上記のように、本実施形態に係るレーザダイオードをスリットにより分断されたｐ電極の側から基板にダイボンディングすることで、レーザダイオードにかかってしまう圧縮や引っ張りなどの強いストレスをスリット部分により緩和することができ、基板などにダイボンディングしたときのストレスに起因する半導体中での結晶欠陥の発生や移動を抑制し、信頼性を高めることができる。
【００２５】
第２実施形態
本実施形態に係るレーザダイオードのｐ電極側からの上面図を図３に示す。
本実施形態に係るレーザダイオードは、実質的に第１実施形態に係るレーザダイオードと同様であるが、ｐ電極１２に、レーザの共振器方向に直交する方向に延伸する２本のスリットＳＬが形成されていることが異なる。
即ち、ｐ電極１２はレーザの共振器方向に３領域に分断されており、この分断されたｐ電極部分（１２ａ，１２ｂ，１２ｃ）全体によって電流注入ストライプ領域が構成される。
【００２６】
レーザダイオードにかかってしまう圧縮や引っ張りなどの強いストレスを第１実施形態のレーザダイオードよりも緩和することができ、基板などにダイボンディングしたときのストレスに起因する半導体中での結晶欠陥の発生や移動を抑制し、さらに信頼性を高めることができる。
【００２７】
第３実施形態
本実施形態に係るレーザダイオードのｐ電極側からの上面図を図４に示す。
本実施形態に係るレーザダイオードは、実質的に第１実施形態に係るレーザダイオードと同様であるが、ｐ電極１２に３本のスリットＳＬが、半導体積層体１０の＜１１０＞方向（図４中Ｄ1 で示す）あるいは＜１００＞方向（図４中Ｄ2で示す）と異なる方向に延伸していることが異なる。
さらに、ｐ電極の外周が、半導体積層体１０の＜１１０＞方向および＜１００＞方向と異なる方向に延伸する線から構成されている。
ｐ電極１２はレーザの共振器方向に４領域に分断されており、この分断されたｐ電極部分（１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄ）全体によって電流注入ストライプ領域が構成される。
【００２８】
半導体積層体１０がストレスを受けると、ストライプ境界に沿う＜１１０＞方向（図１１中Ｄ1 で示す）か、そこを起点として＜１００＞方向（図１１中Ｄ2で示す）へ結晶転移であるＤＬＤが成長するが、ｐ電極１２に形成されるスリットＳＬを半導体積層体１０の＜１１０＞方向あるいは＜１００＞方向と異なる方向に延伸する構成とすること、および、ｐ電極の外周が、半導体積層体１０の＜１１０＞方向および＜１００＞方向と異なる方向に延伸する線から構成されていることにより、ＤＬＤの発生を第１実施形態に係るレーザダイオードよりもさらに抑制するのに効果があり、基板などにダイボンディングしたときのストレスに起因する半導体中での結晶欠陥の発生や移動を抑制し、信頼性を高めることができる。
【００２９】
第４実施形態
本実施形態に係るレーザダイオードのｐ電極側からの上面図を図５に示す。
本実施形態に係るレーザダイオードは、実質的に第１実施形態に係るレーザダイオードと同様であるが、ｐ電極１２に３本のスリットＳＬが、半導体積層体１０の＜１１０＞方向あるいは＜１００＞方向と異なる方向に延伸しており、ｐ電極１２が、上記半導体積層体中に形成される共振器方向および共振器方向に対して直交する方向のそれぞれに分断されている。
ｐ電極１２はレーザの共振器方向に４領域に分断されており、この分断されたｐ電極部分（１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄ）全体によって電流注入ストライプ領域が構成される。
【００３０】
第３実施形態に係るレーザダイオードと同様に、ｐ電極１２に形成されるスリットＳＬを半導体積層体１０の＜１１０＞方向あるいは＜１００＞方向と異なる方向に延伸する構成とすることによりＤＬＤの発生を第１実施形態に係るレーザダイオードよりもさらに抑制するのに効果があり、基板などにダイボンディングしたときのストレスに起因する半導体中での結晶欠陥の発生や移動を抑制し、信頼性を高めることができる。
上記のように、ｐ電極１２が半導体積層体中に形成される共振器方向に対して直交する方向に分断されている構成とすると、レーザ発振の横モードの生成に影響を及ぼすことがあるが、本実施形態のように共振器端面に直交しない方向に延伸するスリットにより分断する構成とすると、横モードを固定化することもなく、むしろ分散させることができるので、ＮＦＰ（ニア・フィールド・パターン）の均一化に都合がよい。
【００３１】
第５実施形態
本実施形態に係るレーザダイオードのｐ電極側からの上面図を図６に示す。
本実施形態に係るレーザダイオードは、実質的に第１実施形態に係るレーザダイオードと同様であるが、ｐ電極１２に形成された３本のスリットＳＬが半導体積層体１０の＜１１０＞方向あるいは＜１００＞方向と異なる方向に延伸しており、また、レーザの共振器端面Ｓ近傍部分におけるｐ電極が除去されている。
ｐ電極１２はレーザの共振器方向に４領域に分断されており、この分断されたｐ電極部分（１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄ）全体によって電流注入ストライプ領域が構成される。
【００３２】
半導体積層体１０の＜１１０＞方向あるいは＜１００＞方向と異なる方向にスリットを形成することでストレスを緩和することに加えて、ＤＬＤが発生しやすいレーザの共振器端面Ｓ近傍部分を電流非注入とすることでＤＬＤの発生をさらに抑制することができ、基板などにダイボンディングしたときのストレスに起因する半導体中での結晶欠陥の発生や移動を抑制し、信頼性を高めることができる。
【００３３】
第６実施形態
本実施形態に係るレーザダイオードのｐ電極側からの上面図を図７に示す。
本実施形態に係るレーザダイオードは、実質的に第１実施形態に係るレーザダイオードと同様であるが、電流注入ストライプ領域内に円形パターンの電極非形成領域が含まれ、さらにその電極非形成領域内に円形の電極形成領域が含まれている。即ち、ドーナツ形状の電流非注入パターンＰが電流注入ストライプ領域内にランダムに並べられ、電極非形成領域を除く電流注入ストライプ領域にｐ電極１２が形成されている。
【００３４】
円形形状は、周囲からのストレスに対して最も力学的に有利な構造であり、また、円形形状の電極非形成領域境界は＜１１０＞方向および＜１００＞方向に親和性がなく、ＤＬＤの発生を抑制しやすい構造となっている。このため、基板などにダイボンディングしたときのストレスに起因する半導体中での結晶欠陥の発生や移動を抑制し、さらに信頼性を高めることができる。
上記の構造においては、ドーナツ形状の電流非注入パターンＰを電流注入パターンとし、上記のｐ電極パターンを電流非注入パターンとすることも可能である。
【００３５】
第７実施形態
本実施形態に係るレーザダイオードのｐ電極側からの上面図を図８に示す。
本実施形態に係るレーザダイオードは、第６実施形態に係るレーザダイオードと同様であるが、電流注入ストライプ領域内に含まれる電流非注入パターンＰの形状が六角形形状であり、各電流非注入パターンＰが整然と並べられて、安定感のある構造であるハニカム（蜂の巣）構造となっている。また、各電流非注入パターンＰ内に略楕円の電極形成領域が含まれている。
【００３６】
上記のレーザダイオードは、電流非注入パターンを形成したことで、基板などにダイボンディングしたときのストレスに起因する半導体中での結晶欠陥の発生や移動を抑制し、さらに信頼性を高めることができる。
上記の電流非注入パターンを、上記の配置で円形形状とすることもできる。
ｐ電極の外周は、図８に示す構成では＜１１０＞方向に延伸する直線から構成されているが、これに限らず、電流非注入パターンである六角形形状あるいは円形形状の外周部をそのままｐ電極全体の外周とするなど、ｐ電極の外周を半導体積層体の＜１１０＞方向および＜１００＞方向と異なる方向に延伸する線から構成することもできる。
【００３７】
第８実施形態
本実施形態に係るレーザダイオードのｐ電極側からの上面図を図９に示す。
本実施形態に係るレーザダイオードは、実質的に第３実施形態に係るレーザダイオードと同様であるが、共振器方向に４領域に分断されたｐ電極部分が、さらに、半導体積層体１０の＜１１０＞方向あるいは＜１００＞方向と異なる方向に延伸し、略共振器方向に対して直交する方向に分断するスリットにより分断されている。即ち、ｐ電極１２はレーザの共振器方向およびそれに直交する方向に８領域に分断されており、この分断されたｐ電極部分（１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄ，１２ｅ，１２ｆ，１２ｇ，１２ｈ）全体によって電流注入ストライプ領域が構成される。
さらに、ｐ電極の外周が、半導体積層体１０の＜１１０＞方向および＜１００＞方向と異なる方向に延伸する線から構成されている。
【００３８】
第３実施形態ち同様に、基板などにダイボンディングしたときのストレスに起因する半導体中での結晶欠陥の発生や移動を抑制し、信頼性を高めることができる。
【００３９】
第９実施形態
図１０（ａ）は、本実施形態に係るレーザダイオードの斜視図であり、図１０（ｂ）は（ａ）中のＸ−Ｘ’における一部断面図である。
本実施形態に係るレーザダイオードは、第１実施形態に係るレーザダイオードと同様に、ｐ電極１２に、レーザの共振器方向に直交する方向に延伸する１本のスリットＳＬが形成されており、ｐ電極１２はレーザの共振器方向に２領域に分断されており、この分断されたｐ電極部分（１２ａ，１２ｂ）全体によって電流注入ストライプ領域が構成される。
さらに、ｐ電極１２が形成されている領域を除く領域において、半導体積層体１０のｐ電極１２側の表層部分が除去されたメサ形状Ｍとなっている。
具体的には、例えば半導体積層体１０のｐ電極１２側の最表層であるコンタクト層がｐ電極部分（１２ａ，１２ｂ）のパターン相当のコンタクト層部分（Ｃａ，Ｃｂ）を残して除去され、この除去部分においてはクラッド層ＣＬに達するような構造とすることができる。あるいは、クラッド層ＣＬに達しない程度にコンタクト層の一部を除去した構造や、クラッド層の一部まで除去した構造とすることもできる。
【００４０】
半導体積層体１０のｐ電極１２側の表層部分が除去されたメサ形状Ｍとすることで、レーザダイオードにかかってしまう圧縮や引っ張りなどの強いストレスをさらに緩和することができ、基板などにダイボンディングしたときのストレスに起因する半導体中での結晶欠陥の発生や移動を抑制し、さらに信頼性を高めることができる。
この構造においては、活性層へ注入される電流の分布に多少の影響を及ぼすが、レーザ特性に影響のない範囲内で半導体積層体１０のｐ電極１２側の表層部分を除去することが有利となる場合もある。
本実施形態に係るメサ形状は、第２〜第８実施形態の電極パターンの場合にも適用可能である。
【００４１】
上記の実施形態に係るレーザダイオードは、光ディスク装置用の光学ピックアップ装置に搭載されるレーザカプラなどを好ましく構成することができる。
【００４２】
以上、本発明を実施形態により説明したが、本発明はこれらの実施形態に何ら限定されるものではない。
例えば、本実施形態においては、ブロードストライプ構造のレーザダイオードについて説明しているが、本発明はナローストライプ構造にも適用することができる。
本発明のレーザダイオードあるいはその他の発光素子の発光波長は、特に限定されるものではなく、ＤＶＤあるいはその他の次世代光ディスクシステムに採用されている波長とすることができる。
本発明のレーザダイオードを構成する半導体積層体には特に限定はなく、ＡｌＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ系、ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ系、ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ系、ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ系およびＡｌＧａＮ／ＩｎＧａＮ系材料などから適宜選択して用いることができる。
また、本発明の製造方法を用いて、複数個の発光素子をモノリシックに構成した半導体発光装置を製造することもできる。この場合、例えば、発光波長が異なる発光素子、発光波長が同じで発光強度が異なるなどの素子特性の異なる発光素子、さらに素子特性が同一の発光素子などの複数個の発光素子を有する発光装置に適用することが可能である。
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更を行うことが可能である。
【００４３】
【発明の効果】
本発明の半導体発光素子によれば、基板などにダイボンディングしたときのストレスに起因して半導体中に結晶欠陥が発生したり移動するのを抑制し、信頼性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１（ａ）は、第１実施形態に係るブロードストライプ構造のレーザダイオードの斜視図であり、図１（ｂ）は上面図である。
【図２】図２（ａ）および（ｂ）は、図１のレーザダイオードをヒートシンクなどの基板あるいはサブマウント基板にマウントしたときの共振器を構成する端面と異なる側面から見たときの側面図である。
【図３】図３は、第２実施形態に係るレーザダイオードのｐ電極側からの上面図である。
【図４】図４は、第３実施形態に係るレーザダイオードのｐ電極側からの上面図である。
【図５】図５は、第４実施形態に係るレーザダイオードのｐ電極側からの上面図である。
【図６】図６は、第５実施形態に係るレーザダイオードのｐ電極側からの上面図である。
【図７】図７は、第６実施形態に係るレーザダイオードのｐ電極側からの上面図である。
【図８】図８は、第７実施形態に係るレーザダイオードのｐ電極側からの上面図である。
【図９】図９は、第８実施形態に係るレーザダイオードのｐ電極側からの上面図である。
【図１０】図１０（ａ）は、第９実施形態に係るレーザダイオードの斜視図であり、図１０（ｂ）は（ａ）中のＸ−Ｘ’における一部断面図である。
【図１１】図１１（ａ）は、従来例に係るブロードストライプ構造のレーザダイオードの斜視図であり、図１１（ｂ）は上面図である。
【図１２】図１２（ａ）および（ｂ）は、図１１のレーザダイオードをヒートシンクなどの基板あるいはサブマウント基板にマウントしたときの共振器を構成する端面と異なる側面から見たときの側面図である。
【符号の説明】
１０……半導体積層体、１０ａ…半導体積層体表面、１１…ｎ電極、１２…ｐ電極、１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄ，１２ｅ，１２ｆ，１２ｇ，１２ｈ…ｐ電極部分、ＡＬ…活性層、Ｂ…基板、Ｃａ，Ｃｂ…コンタクト層部分、ＣＬ…クラッド層、Ｌ…レーザ光、ＬＤ…レーザダイオード、Ｍ…メサ形状、Ｐ…電流非注入パターン、Ｒ…ストレスの緩和、Ｓ…共振器端面、ＳＢ…サブマウント基板、ＳＬ…スリット、ＳＴ…ストレス。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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