(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学系と液体とを介して基板に露光光を照射する露光領域と、露光に先立って前記基板の位置に関する情報を取得する計測領域と、を有し、前記露光領域と前記計測領域との間で前記基板を移動させて、前記基板の露光を行う露光装置であって、
前記露光領域の周辺の気体が前記計測領域に侵入することを防止する侵入遮断機構を備えることを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記侵入遮断機構は、前記露光装置に設けられた空調系であることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記空調系は、露光領域と前記計測領域とを含むチャンバと、
前記チャンバ内の気体を前記計測領域から前記露光領域に向けて流す送風部を備えることを特徴とする請求項２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記送風部は、前記計測領域側に形成された給気口と、前記露光領域側に形成された排気口とを備えることを特徴とする請求項３に記載の露光装置。
【請求項５】
前記空調系は、前記露光領域と前記計測領域との間に、気体の通過を防止する遮断部を備えることを特徴とする請求項２から請求項４のうちいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項６】
前記遮断部は、エアーカーテンであることを特徴とする請求項５に記載の露光装置。
【請求項７】
前記露光領域と前記計測領域のそれぞれに、給気口と排気口が形成されることを特徴とする請求項２から請求項６のうちいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項８】
前記侵入遮断機構は、前記露光領域の気体を吸引する吸引機構を備えることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項９】
光学系と液体とを介して基板に露光光を照射する露光領域と、露光に先立って前記基板の位置に関する情報を取得する計測領域と、を有し、前記露光領域と前記計測領域との間で前記基板を移動させて、前記基板の露光を行う露光装置であって、
前記露光領域と前記計測領域のそれぞれに対して個別に気体を供給する給気部を備えることを特徴とする露光装置。
【請求項１０】
前記露光領域に供給される気体と前記計測領域に供給される気体の特性が互いに異なることを特徴とする請求項９に記載の露光装置。
【請求項１１】
光学系と液体とを介して基板に露光光を照射する露光領域と、露光に先立って前記基板の位置に関する情報を取得する計測領域と、を有し、前記露光領域と前記計測領域との間で前記基板を移動させて、前記基板の露光を行う露光装置であって、
前記露光領域と前記計測領域の少なくとも一方に対して気体を供給する給気部と、
前記露光領域周辺の気体と前記計測領域周辺の気体とをそれぞれ独立して排出する排気部とを備えることを特徴とする露光装置。
【請求項１２】
前記露光領域と前記計測領域との間に、前記露光領域の周辺の気体が前記計測領域に侵入することを防止する侵入遮断機構をさらに備えることを特徴とする請求項９から請求項１１のうちいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１３】
リソグラフィ工程を含むデバイスの製造方法であって、前記リソグラフィ工程において請求項１から請求項１２のうちいずれか一項に記載の露光装置を用いることを特徴とするデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高集積半導体回路素子の製造のためのリソグラフィ工程のうち、転写工程で用いられる露光装置に関する技術である。
本願は、２００４年２月１９日に出願された特願２００４−４３１１４号に対し優先権を主張し、その内容をここに援用する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスや液晶表示デバイスは、マスク上に形成されたパターンを感光性の基板上に転写する、いわゆるフォトリソグラフィの手法により製造される。このフォトリソグラフィ工程で使用される露光装置は、マスクを支持するマスクステージと基板を支持する基板ステージとを有し、マスクステージ及び基板ステージを逐次移動しながらマスクのパターンを投影光学系を介して基板に転写するものである。
近年、デバイスパターンのより一層の高集積化に対応するために投影光学系の更なる高解像度化が望まれている。投影光学系の解像度は、使用する露光波長が短くなるほど、また投影光学系の開口数が大きいほど高くなる。そのため、露光装置で使用される露光波長は年々短波長化しており、投影光学系の開口数も増大している。そして、現在主流の露光波長は、ＫｒＦエキシマレーザの２４８ｎｍであるが、更に短波長のＡｒＦエキシマレーザの１９３ｎｍも実用化されつつある。また、露光を行う際には、解像度と同様に焦点深度（ＤＯＦ）も重要となる。解像度Ｒｅ、及び焦点深度δはそれぞれ以下の式で表される。
Ｒ＝ｋ１・λ／ＮＡ    …  （１）
δ＝±ｋ２・λ／ＮＡ２    …  （２）
ここで、λは露光波長、ＮＡは投影光学系の開口数、ｋ１、ｋ２はプロセス係数である。式（１），（２）より、解像度Ｒｅを高めるために、露光波長λを短くして、開口数ＮＡを大きくすると、焦点深度δが狭くなることが分かる。【０００３】
焦点深度δが狭くなり過ぎると、投影光学系の像面に対して基板表面を合致させることが困難となり、露光動作時のマージンが不足する恐れがある。そこで、実質的に露光波長を短くして、且つ焦点深度を広くする方法として、例えば下記特許文献１に開示されている液浸法が提案されている。この液浸法は、投影光学系の下面と基板表面との間を水や有機溶媒等の液体で満たし、液体中での露光光の波長が、空気中の１／ｎ（ｎは液体の屈折率で通常１．２〜１．６程度）になることを利用して解像度を向上するとともに、焦点深度を約ｎ倍に拡大するというものである。本国際出願で指定した指定国（又は選択した選択国）の国内法令で許される限りにおいて、下記パンフレットの開示を援用して本明細書の一部とする。
【特許文献１】国際公開第９９／４９５０４号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上述した液浸露光装置では、投影光学系の下面と基板表面との間に液体を配置するため、基板周辺の湿度が変動しやすくなり、これにより基板位置を計測するレーザ干渉計からの測長光の波長が揺いで、計測誤差が発生してしまうという問題がある。
特に、基板を保持する２つのテーブルを備え、露光を行う領域とアライメント処理を行う領域とを移動する所謂ツインステージタイプの露光装置においては、アライメント処理領域でのレーザ干渉計の計測誤差の発生を防止することが求められる。【０００５】
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたもので、液浸露光装置において、基板位置計測用の測長光の揺ぎを防止して、計測誤差の発生を抑制することができる露光装置及びデバイスの製造方法を提案することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る露光装置及びデバイスの製造方法では、上記課題を解決するために以下の手段を採用した。
第１の発明は、光学系（３０）と液体（ＬＱ）とを介して基板（Ｗ）に露光光（ＥＬ）を照射する露光領域（Ｅ）と、露光に先立って基板（Ｗ）の位置に関する情報を取得する計測領域（Ａ）と、を有し、露光領域（Ｅ）と計測領域（Ａ）との間で基板（Ｗ）を移動させて、基板（Ｗ）の露光を行う露光装置（ＥＸ）において、露光領域（Ｅ）の周辺の気体（Ｇ）が計測領域（Ａ）に侵入することを防止する侵入遮断機構（６０）を備えるようにした。この発明によれば、湿度が変動しやすい露光領域周辺の気体が計測領域に侵入しないので、計測領域におけるレーザ干渉計による基板位置計測を正確に行うことができる。【０００７】
また、侵入遮断機構（６０）が、露光装置（ＥＸ）に設けられた空調系（６０）であるものでは、特別な装置を新たに設ける必要がないので、装置コストの上昇を抑えることができる。
また、空調系（６０）が、露光領域（Ｅ）と計測領域（Ａ）とを含むチャンバ（６１）と、チャンバ内の気体（Ｇ）を計測領域（Ａ）から露光領域（Ｅ）に向けて流す送風部（６５）を備えるものでは、露光領域の周辺の気体が計測領域に移動することが殆どなくなるので、計測領域におけるレーザ干渉計による基板位置の精度を確実に向上させることができる。
また、送風部（６５）が、計測領域（Ａ）側に形成された給気口（６３）と、露光領域（Ｅ）側に形成された排気口（６４）とを備えるものでは、給気口からチャンバ内に供給する気体を、計測領域から露光領域、そして排気口に向けて流すことができるので、湿度等が調整された気体を常に計測領域に供給することができ、更に湿度が上がった気体を計測領域に流すことなくチャンバ外に排気するので、計測領域におけるレーザ干渉計による基板位置の精度を確実に向上させることができる。
また、空調系（６０）が、露光領域（Ｅ）と計測領域（Ａ）との間に、気体（Ｇ）の通過を防止する遮断部（６７）を備えるものでは、露光領域の周辺の気体が計測領域に移動することを確実に防止することができる。
また、遮断部（６７）が、エアーカーテン（６８）であるものでは、チャンバ内の構成要素（例えば基板ステージ等）の形状変更等を必要とせず、また、容易に遮断部を形成することができるので、装置コストの上昇を抑えることができる。
また、露光領域（Ｅ）と計測領域（Ａ）のそれぞれに、給気口（６３）と排気口（６４）が形成されるものでは、露光領域の周辺の気体と計測領域の周辺の気体とが殆ど交わることがないので、互いに影響されることなく各領域の気体を所望の条件に維持することができる。
また、本発明の異なる態様の露光装置（ＥＸ）は、光学系（３０）と液体（Ｌ）とを介して基板（Ｗ）に露光光（ＥＬ）を照射する露光領域（Ｅ）と、露光に先立って基板（Ｗ）の位置に関する情報を取得する計測領域（Ａ）と、を有し、露光領域（Ｅ）と計測領域（Ａ）との間で基板（Ｗ）を移動させて、基板（Ｗ）の露光を行う露光装置において、露光領域（Ｅ）と計測領域（Ａ）のそれぞれに対して個別に気体（Ｇ）を供給する給気部(６３)を備えるようにした。
また、さらに異なる態様の露光装置では、光学系（３０）と液体（Ｌ）とを介して基板（Ｗ）に露光光（ＥＬ）を照射する露光領域（Ｅ）と、露光に先立って基板（Ｗ）の位置に関する情報を取得する計測領域（Ａ）と、を有し、露光領域（Ｅ）と計測領域（Ａ）との間で基板（Ｗ）を移動させて、基板（Ｗ）の露光を行う露光装置において、露光領域（Ｅ）と計測領域（Ａ）の少なくとも一方に対して気体（Ｇ）を供給する給気部（６３）と、露光領域（Ｅ）周辺の気体（Ｇ）と計測領域（Ａ）周辺の気体（Ｇ）とをそれぞれ独立して排出する排気部（６４）とを備えるようにした。【０００８】
第２の発明は、リソグラフィ工程を含むデバイスの製造方法において、リソグラフィ工程において第１の発明の露光装置（ＥＸ）を用いるようにした。この発明によれば、基板のアライメント精度が向上して、露光領域におけるパターン露光が良好に行われるので、高品質のデバイスを製造することができる。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば以下の効果を得ることができる。
第１の発明では、計測領域におけるレーザ干渉計による基板位置計測を正確に行うことができるので、基板のアライメント精度が向上し、露光領域におけるパターン露光を良好に行うことが可能となる。【００１０】
第２の発明では、高品質のデバイスを安定かつ低コストに製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】露光装置ＥＸの構成を示す模式図
【図２】ウエハステージシステム１００の詳細を示す図
【図３】ウエハステージシステム１００の詳細を示す図
【図４】空調系６０を示す平面図
【図５】空調系６０の変形例を示す図
【図６Ａ】空調系６０の変形例を示す図
【図６Ｂ】空調系６０の変形例を示す図
【図７】空調系６０の変形例を示す図
【図８】半導体デバイスの製造工程の一例を示すフローチャート図
【符号の説明】
【００１２】
３０  投影光学系  ６０  空調系（侵入遮断機構）  ６１  チャンバ  ６３  供給口  ６４  排気口  ６５  送風機（送風部）  ６７  遮断板（遮断部）  ６８  エアーカーテン  Ａ  アライメント領域（計測領域）  Ｅ  露光領域  Ｌ  液体  Ｇ  気体  Ｗ  ウエハ（基板）  ＥＬ  露光光  ＥＸ  露光装置
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の露光装置及びデバイスの製造方法の実施形態について図を参照して説明する。図１は、本発明の露光装置の構成を示す模式図である。
露光装置ＥＸは、レチクルＲとウエハＷとを一次元方向に同期移動しつつ、レチクルＲに形成されたパターンを投影光学系３０を介してウエハＷ上の各ショット領域に転写するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置、すなわちいわゆるスキャニング・ステッパである。
そして、露光装置ＥＸは、露光光ＥＬによりレチクルＲを照明する照明光学系１０、レチクルＲを保持するレチクルステージ２０、レチクルＲから射出される露光光ＥＬをウエハＷ上に投射する投影光学系３０、ウエハＷを保持するウエハステージシステム１００、露光装置ＥＸを統括的に制御する制御装置５０、ウエハステージシステム１００等の周辺の気体Ｇを管理する空調系６０等を備える。
なお、以下の説明において、投影光学系３０の光軸ＡＸと一致する方向をＺ軸方向、Ｚ軸方向に垂直な平面内でレチクルＲとウエハＷとの同期移動方向（走査方向）をＹ軸方向、Ｚ軸方向及びＹ軸方向に垂直な方向（非走査方向）をＸ軸方向とする。更に、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわり方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。【００１４】
また、露光装置ＥＸは、露光波長を実質的に短くして解像度を向上するとともに焦点深度を実質的に広くするために液浸法を適用した液浸露光装置であって、ウエハＷ上に液体Ｌを供給する液体供給装置８１とウエハＷ上の液体を回収する液体回収装置８２とを備える。
なお、本実施形態において、液体Ｌには純水が用いられる。純水は、例えば、水銀ランプから射出される紫外域の輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）、ＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ光）を透過可能である。【００１５】
照明光学系１０は、レチクルステージ２０に支持されているレチクルＲを露光光ＥＬで照明するものであり、露光用光源５、露光用光源５から射出された光束の照度を均一化するオプティカルインテグレータ、オプティカルインテグレータからの露光光ＥＬを集光するコンデンサレンズ、リレーレンズ系、露光光ＥＬによるレチクルＲ上の照明領域をスリット状に設定する可変視野絞り等（いずれ不図示）を有している。
そして、光源５から射出されたレーザビームは、照明光学系１０に入射され、レーザビームの断面形状がスリット状又は矩形状（多角形）に整形されるとともに照度分布がほぼ均一な照明光（露光光）ＥＬとなってレチクルＲ上に照射される。
なお、照明光学系１０から射出される露光光ＥＬとしては、例えば水銀ランプから射出される紫外域の輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）や、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）及びＦ２レーザ光（波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ光）などが用いられる。本実施形態においてはＡｒＦエキシマレーザ光が用いられる。【００１６】
レチクルステージ２０は、レチクルＲを支持しつつ、投影光学系３０の光軸ＡＸに垂直な平面内、すなわちＸＹ平面内の２次元移動及びθＺ方向の微小回転を行うものであって、レチクルＲを保持するレチクル微動ステージと、レチクル微動ステージと一体に走査方向であるＹ軸方向に所定ストロークで移動可能なレチクル粗動ステージと、これらを移動させるリニアモータ等（いずれも不図示）を備える。そして、レチクル微動ステージには、矩形開口が形成されており、開口周辺部に設けられたレチクル吸着機構によりレチクルが真空吸着等により保持される。
レチクルステージ２０（レチクル微動ステージ）上には移動鏡２１が設けられる。また、移動鏡２１に対向する位置にはレーザ干渉計２２が設けられる。そして、レチクルステージ２０上のレチクルＲの２次元方向の位置及び回転角は、レーザ干渉計２２によりリアルタイムで計測され、その計測結果は制御装置５０に出力される。そして、制御装置５０がレーザ干渉計２２の計測結果に基づいてリニアモータ等を駆動することで、レチクルステージ２０に支持されているレチクルＲの位置決め等が行われる。【００１７】
投影光学系３０は、レチクルＲのパターンを所定の投影倍率βでウエハＷに投影露光するものであって、ウエハＷ側の先端（下端）部に設けられた光学素子３２を含む複数の光学素子で構成されており、これら光学素子は鏡筒３１で支持される。本実施形態において、投影光学系３０は、投影倍率βが例えば１／４あるいは１／５の縮小系である。なお、投影光学系３０は等倍系及び拡大系のいずれでもよい。なお、投影光学系３０の先端部の光学素子３２は、鏡筒３１に対して着脱可能に指示される。
投影光学系３０の下端に配置される光学素子３２は、螢石で形成される。螢石は水との親和性が高いので、光学素子３２の液体接触面のほぼ全面に液体Ｌを密着させることができる。すなわち、光学素子３２の液体接触面との親和性が高い液体Ｌ（水）を供給するようにしているので、光学素子３２の液体接触面と液体Ｌとの密着性が高く、光学素子３２とウエハＷとの間を液体Ｌで確実に満たすことができる。なお、光学素子３２は水との親和性が高い石英であってもよい。また光学素子３２の液体接触面に親水化（親液化）処理を施して、液体Ｌとの親和性をより高めるようにしてもよい。【００１８】
ウエハステージシステム１００は、ウエハＷを保持する２つのテーブル（ステージ）を備え、ウエハＷをアライメント処理する領域（以下、アライメント領域Ａという）と露光処理する領域（以下、露光領域Ｅという）との間で交互に移動させるように構成されている。
図２，図３は、ウエハステージシステム１００の詳細を示す図である。
ウエハステージシステム１００は、ＸＹ平面の基準面となる定盤１０１の上面をＸ方向及びＹ方向に所定ストロークで駆動される２つのステージ１０３，１０４を備える。定盤１０１の上面とステージ１０３，１０４との間には、不図示の非接触ベアリング（エアベアリング）が配置され、浮上支持される。そして、ステージ１０３，１０４は、２つのＸリニアモータ１１１，１１２によってＸ方向に駆動されるとともに、２つのＹリニアモータ１２１，１２２によってＹ方向に駆動される。なお、ステージ１０３，１０４は、それぞれ、その上部にウエハＷを戴置するテーブル１０５，１０６を備える。【００１９】
Ｘリニアモータ１１１，１１２は、Ｘ方向に略平行に延設された２つの固定子１１３を共有するとともに、それぞれ固定子１１３に対応して設けられた一対の可動子１１４，１１５を備える。そして、一対の可動子１１４は、Ｙ方向に平行に延設されたＹガイドバー１６１により連結される。同様に、一対の可動子１１５は、Ｙ方向に平行に延設されたＹガイドバー１６２により連結される。したがって、Ｘリニアモータ１１１，１１２は、それぞれ、Ｙガイドバー１６１，１６２をＸ方向に移動可能に構成されるが、固定子１１３を共有するためにお互いにＸ方向の移動を規制し合う。なお、固定子１１３は、４つのモータポスト１０９を介して定盤１０１に支持される。
Ｙリニアモータ１２１，１２２は、Ｙ方向に略平行に延設された２つの固定子１２３を共有するとともに、それぞれ固定子１２３に対応して設けられた一対の可動子１２４，１２５を備える。そして、一対の可動子１２４は、Ｘ方向に平行に延設されたＸガイドバー１５１により連結される。同様に、一対の可動子１２５は、Ｘ方向に平行に延設されたＸガイドバー１５２により連結される。したがって、Ｙリニアモータ１２１，１２２は、それぞれ、Ｘガイドバー１５１，１５２をＹ方向に移動可能に構成されるが、固定子１２３を共有するためにお互いにＹ方向の移動を規制し合う。なお、固定子１２３は、固定子１１３と同様に、４つのモータポスト１０９を介して定盤１０１に支持される。【００２０】
Ｘガイドバー１５１，１５２には、それぞれＸガイドバー１５１，１５２に沿ってＸ方向に平行移動可能に構成されたＸガイド１５３，１５４が設けられる。同様に、Ｙガイドバー１６１，１６２には、それぞれＹガイドバー１６１，１６２に沿ってＹ方向に平行移動可能に構成されたＹガイド１６３，１６４が設けられる。なお、Ｘガイドバー１５１，１５２とＸガイド１５３，１５４、及びＹガイドバー１６１，１６２とＹガイド１６３，１６４は、電磁力により連結される。
そして、Ｘガイド１５３，１５４のいずれか一方（図２においては、Ｘガイド１５３）とＹガイド１６３とがステージ１０３に連結される。また、他方のＸガイド１５３，１５４（図２においては、Ｘガイド１５４）とＹガイド１６４とがステージ１０４に連結される。
以上の構成により、リニアモータ１１１，１１２，１２１，１２２を駆動することにより、テーブル１０５，１０６（ステージ１０３，１０４）は、直交するＸ，Ｙ軸に沿って移動可能に構成される。【００２１】
また、図３に示すように、直方体状に形成されたステージ１０３，１０４は、Ｘガイド１５３，１５４及びＹガイド１６３，１６４に連結される。そして、ステージ１０３，１０４の上部には、略四角形のテーブル１０５，１０６が配置される。また、テーブル１０５，１０６は、それぞれウエハＷを吸着保持するウエハホルダ１０７，１０８を備える。
ステージ１０３，１０４とテーブル１０５，１０６とは、不図示のアクチュエータを介して連結され、アクチュエータを駆動することにより、テーブル１０５，１０６をＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向、及びこれらの軸（方向）周り方向の６方向（自由度）に微動可能に構成される。なお、アクチュエータは、一つないしは複数の回転モータ、ボイスコイルモータ、リニアモータ、電磁アクチュエータ、あるいは他の類のアクチュエータにより構成することができる。また、Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向の３自由度に微動可能に構成される場合であってもよい。
そして、ステージ１０３，１０４の側面のうち、Ｙ方向に直交する二面（すなわち、Ｘガイド１５３，１５４と連結する二面）には、それぞれ不図示の電磁チャックが設けられる。そして、２つの電磁チャックのいずれか一方（或いは両方）を駆動することにより、Ｘガイド１５３，１５４とステージ１０３，１０４とが脱着可能に連結される。一方、Ｙガイド１６３とステージ１０３、及びＹガイド１６４とステージ１０４とは、着脱できないように連結される。
そして、各リニアモータ１１１，１１２，１２１，１２２によるステージ１０３，１０４の所定位置への移動と、２つの電磁チャックによるガイド１５３，１５４，１６３，１６４とステージ１０３，１０４との着脱と、を組み合わせることで、ステージ１０３とステージ１０４との間での位置の入れ替えを可能にしている。複数のステージの位置をこのような方法で入れ替えるステージシステムは、例えば、特願２００３−１９０６２７号に記載されている。
なお、Ｘガイド１５３，１５４とステージ１０３，１０４とを脱着するための手段は、電磁チャックに限られるものではなく、例えばエアを用いたチャック機構としてもよい。【００２２】
図２に戻り、ウエハステージシステム１００には、テーブル１０５，１０６のそれぞれの２次元位置（Ｘ，Ｙ方向）を測定する計測システム１８０が設けられる。具体的には、テーブル１０５，１０６の上面には、それぞれ、直交する三辺に沿って移動鏡１８１〜１８６が固定される。
そして、これら移動鏡１８１〜１８６に対して測長用レーザを投射する４つのレーザ干渉計１９１〜１８４が設けられる。レーザ干渉計１９１〜１９４は、Ｘ方向或いはＹ方向に沿って配置される。そして、レーザ干渉計１９１，１９３は、アライメント領域Ａに位置するテーブル１０５，１０６の位置測定を行い、レーザ干渉計１９２，１９４は、露光領域Ｅに位置するテーブル１０５，１０６の位置測定を行う。なお、レーザ干渉計１９１〜１９４は、複数の光軸を有する多軸干渉計であり、ＸＹ平面の位置測定以外に、Ｘ，Ｙ，θＺ軸方向の測定も可能となっている。また、各光軸の出力値は独立に測定できるようになっている。
そして、レーザ干渉計１９１〜１９４により、テーブル１０５，１０６のＸＹ平面における距離（位置情報）が測定され、その測定情報は、制御装置５０に送られる。そして、制御装置５０において、テーブル１０５，１０６のＸＹ平面における位置等が求められる。これにより、テーブル１０５，１０６上に戴置されたウエハＷのＸ，Ｙ方向及びθＺ方向の位置等が高精度に求められる。
なお、テーブル１０５，１０６のＺ方向の位置測定のために、テーブル１０５，１０６の下方には、不図示のＺ方向測定系が配置される。Ｚ方向の位置測定は、後述する露光領域Ｅ及びアライメント領域Ａにおいてのみ計測される。【００２３】
図１に戻り、制御装置５０は、露光装置ＥＸを統括的に制御するものであり、各種演算及び制御を行う演算部の他、各種情報を記録する記憶部や入出力部等を備える。
そして、例えば、レチクルステージ２０及びウエハステージシステム１００に設けられたレーザ干渉計２２，１９１〜１９４等の検出結果に基づいてレチクルＲ及びウエハＷの位置を制御して、レチクルＲに形成されたパターンの像をウエハＷ上のショット領域に転写する露光動作を繰り返し行う。【００２４】
液体供給装置８１及び液体回収装置８２は、少なくともレチクルＲのパターンの像をウエハＷ上に転写している間、所定の液体Ｌ（水）により投影光学系３０の投影領域を含むウエハＷ上の一部に液浸領域ＡＲを形成するものである。
具体的には、液体供給装置８１により、投影光学系３０の先端部の光学素子３２とウエハＷの表面との間に液体Ｌを満たし、この投影光学系３０とウエハＷとの間の液体Ｌ及び投影光学系３０を介してレチクルＲのパターンの像をウエハＷ上に投影し、ウエハＷを露光する。同時に、液体回収装置８２により、液浸領域ＡＲの液体Ｌを回収することにより、液浸領域ＡＲの液体Ｌは常に循環されて、液体Ｌの汚染防止や温度管理等が厳密に行われる。
そして、液体供給装置８１及び液体回収装置８２によるウエハＷ上に対する単位時間あたりの液体供給量及び液体回収量は、制御装置５０により制御される。
なお、液体供給装置８１及び液体回収装置８２を構成する各部材のうち少なくとも液体Ｌが流通する部材には、例えばポリ四フッ化エチレン等の合成樹脂により形成される。これにより、液体Ｌに不純物が含まれることを抑制できる。【００２５】
空調系（侵入遮断機構）６０は、ウエハステージシステム１００の周辺の環境条件（洗浄度、温度、圧力、湿度等）を略一定に維持するための装置であって、その内部空間に投影光学系３０の下端とウエハステージシステム１００が収容される。
そして、空調系６０は、クリーンルーム内の床面に上に設置されたチャンバ６１と、チャンバ６１に形成された供給口６３と排気口６４に連結されたダクト６２と、チャンバ６１内に気体Ｇ（空気）を供給する送風機（送風部）６５等を備える。なお、ダクト６２には、気体Ｇ中のパーティクルを除去するエアフィルタＡＦ、化学物質を除去するメミカルフィルタＣＦ、温度及び湿度を調整する温調部６６等が設けられる。また、チャンバ６１やダクト６２等は、ステンレス（ＳＵＳ）或いはテフロン（登録商標）等の脱ガスの少ない素材から形成される。
そして、制御装置５０により、送風機６５や温調部６６等が制御されることにより、チャンバ６１内の気体Ｇがダクト６２を介して循環する際に浄化、温調等されるので、チャンバ６１内の環境条件が略一定に維持される。
なお、図１の構成では、ウエハステージシステム１００と投影光学系３０の下端とがチャンバ６１内に収容される構成としたが、これに限定されるものではない。例えば、照明光学系１０、レチクルステージ２０、投影光学系３０、液体供給装置８１、液体回収装置８２の全てをチャンバ６１内に収容してもよいし、それぞれの一部を収容するようにしてもよい。【００２６】
ここで、図４は、空調系６０を示す平面図である。
供給口６３は、チャンバ６１におけるアライメント領域Ａ側の側壁（−Ｙ側）に設けられる。一方、排気口６４は露光領域Ｅ側の側壁（＋Ｙ側）に設けられる。すなわち、供給口６３と排気口６４とは、その間にアライメント領域Ａと露光領域Ｅとが位置するように、対向配置される。したがって、空調系６０を作動させた際には、チャンバ６１内の気体Ｇが、常にアライメント領域Ａ側から露光領域Ｅ側に向かって流れるように構成される。
なお、図１では省略されているが、照明光学系１０及び投影光学系３０は、それぞれ内部空間が不活性ガス（例えば窒素、ヘリウム等）でパージされ、また、レチクルステージ２０も不図示のチャンバ内に収容されて、洗浄度等が極めて良好に維持される。【００２７】
続いて、上述した露光装置ＥＸを用いてレチクルＲのパターンの像をウエハＷに露光する方法について説明する。なお、テーブル１０５，１０６が図１に示すように配置され、テーブル１０５上のウエハホルダ１０７にアライメント処理が完了したウエハＷが戴置されており、一方、テーブル１０６上のウエハホルダ１０８にはウエハＷが戴置されていないものとする。【００２８】
まず、制御装置５０の指令により、Ｘリニアモータ１１１及びＹリニアモータ１２１を駆動して、ウエハＷを戴置するステージ１０３（テーブル１０５）を露光領域Ｅに移動させる。そして、露光領域Ｅにおいては、レーザ干渉計１９１，１９３からテーブル１０５上に配置された移動鏡１８１，１８２に向けて測長用レーザが投射され、ウエハＷをファーストショット（第１番目のショット領域）の露光のための加速開始位置（走査開始位置）に移動させる。
次に、制御装置５０は、液体供給装置８１を動作させて、ウエハＷ上に対する液体供給動作を開始する。液体供給装置８１を動作させると、液体ＬがウエハＷ上に供給され、投影光学系３０とウエハＷとの間の領域を液体Ｌで満たし、液浸領域ＡＲを形成する。そして、液浸領域ＡＲを形成した後は、液体回収装置８２も動作させて、液体Ｌの供給量と回収量とが略同一或いは供給量が回収量をやや上回る程度に設定して、その状態を維持する。このようにして、露光開始時には、液浸領域ＡＲが液体Ｌで満たされる。
そして、各種の露光条件が設定された後に、レチクルステージ２０及びステージ１０３とのＹ軸方向の走査を開始させ、レチクルステージ２０、ステージ１０３がそれぞれの目標走査速度に達すると、露光光ＥＬによってレチクルＲのパターン領域が照射され、走査露光が開始される。そして、レチクルＲのパターン領域の異なる領域が露光光ＥＬで逐次照明され、パターン領域全面に対する照明が完了することにより、ウエハＷ上のファーストショット領域に対する走査露光が終了する。これにより、レチクルＲのパターンが投影光学系３０及び液体Ｌを介してウエハＷ上のファーストショット領域のレジスト層に縮小転写される。
このファーストショット領域に対する走査露光が終了すると、制御装置５０は、ウエハＷをＸ，Ｙ軸方向にステップ移動させて、セカンドショット領域の露光のための加速開始位置に移動させる。すなわち、ショット間ステッピング動作が行われる。そして、セカンドショット領域に対して上述したような走査露光を行う。
このようにして、ウエハＷのショット領域の走査露光と次ショット領域の露光のためのステッピング動作とが繰り返し行われ、ウエハＷ上の全ての露光対象ショット領域にレチクルＲのパターンが順次転写される。
そして、ウエハＷの露光処理が完了すると、液体供給装置８１の動作を停止し、かつ液体回収装置８２による液体Ｌの回収量を増やして、液浸領域ＡＲの全ての液体Ｌを回収する。【００２９】
一方、ウエハＷが戴置されていないステージ１０４（テーブル１０６）には、不図示のウエハ搬送装置により、ウエハＷが戴置され、ウエハホルダ１０８によって吸着保持する。そして、ウエハＷを保持したステージ１０４がアライメント領域Ａに移動する。
続いて、アライメント領域Ａにおいて、制御装置５０の管理の下で、アライメントセンサ７０等を用いたウエハＷのアライメント（エンハンスト・グローバル・アライメント（ＥＧＡ）等）が行われ、ウエハＷ上の複数のショット領域の配列座標が求められる。
なお、アライメント領域Ａにおいては、レーザ干渉計１９２，１９４からテーブル１０６上に配置された移動鏡１８５，１８６に向けて測長用レーザが投射され、テーブル１０６の位置が高精度に測定される。【００３０】
このように、テーブル１０５上に戴置されたウエハＷを露光処理する工程と、テーブル１０６上にウエハＷを戴置してアライメント処理する工程とが、独立かつ同時に実行される。ただし、例えば、露光処理に伴うステージ１０３（テーブル１０５）のＸＹ方向への移動により、ステージ１０４（テーブル１０６）の移動（或いはアライメント処理）が制限（中断）される場合もある。
そして、テーブル１０５上のウエハＷの露光処理、及びテーブル１０６上のウエハＷのアライメント処理が完了すると、テーブル１０５（ステージ１０３）が露光領域Ｅからアライメント領域Ａに移動し、一方、テーブル１０６（ステージ１０４）がアライメント領域Ａから露光領域Ｅに移動する。
そして、テーブル１０６（ステージ１０４）上に戴置されたウエハＷの露光処理が開始される。一方、テーブル１０５上に戴置されたウエハＷはウエハ搬送装置によりアンロードされ、更にテーブル１０５上には新たなウエハＷがロードされ、新たなウエハＷのアライメント処理が開始される。
このように、ステージ１０３（テーブル１０５）とステージ１０４（テーブル１０６）とを露光領域Ｅとアライメント領域Ａとの間で交互に行き来させることにより、複数枚のウエハＷの露光処理が高スループットに行われる。【００３１】
ところで、露光処理及びアライメント処理が行われている際には、空調系６０によって、チャンバ６１内の気体Ｇが常にアライメント領域Ａから露光領域Ｅに向けて流れている。このため、液浸領域ＡＲを形成することに伴って湿度が上昇した露光領域Ｅの周辺の気体Ｇが、アライメント領域Ａの周辺に流れることなくチャンバ６１外に排出される。また、テーブル１０３，１０４（ステージ１０５，１０６）が露光領域Ｅからアライメント領域Ａに移動する際には、それぞれのテーブル１０３，１０４上に形成された液浸領域ＡＲの液体Ｌは回収され、更に乾燥処理が施されるので、テーブル１０３，１０４の移動に伴うアライメント領域Ａへの液体Ｌの侵入が防止される。したがって、アライメント領域Ａの周辺の環境条件が常に一定に維持される。
このように、本発明の露光装置ＥＸによれば、湿度が変動しやすい露光領域Ｅの周辺の気体Ｇがアライメント領域Ａに侵入しないので、アライメント領域Ａにおけるレーザ干渉計１９２，１９４によるウエハＷの位置計測を正確に行うことができる。これにより、ウエハＷのアライメント精度が向上し、露光領域におけるパターンの露光を良好に行うことが可能となる。【００３２】
次に、空調系６０の変形例について説明する。
上述した実施形態では、チャンバ６１に形成した供給口６３と排気口６４を対向する側壁に設けたが、これに限らない。例えば、図５に示すように、同一側壁に供給口６３と排気口６４を形成することも可能である。更に、アライメント領域Ａと露光領域Ｅとの間に遮蔽板（遮蔽部）６７を設けることにより、チャンバ６１内の気体Ｇがアライメント領域Ａから露光領域Ｅに向けて流れる流路を形成してもよい。
なお、遮蔽板６７は、有形物に限らず、エアーカーテン６８であってもよい。エアーカーテン６８の場合には、複雑な形状のウエハステージシステム１００であっても、アライメント領域Ａと露光領域Ｅとを確実に分断することができるので、気体Ｇの漏れが殆どなくなる。また、遮蔽板６７を設けた場合のように、ウエハステージシステム１００の形状等を制約してしまうことがないという利点がある。【００３３】
また、供給口６３と排気口６４とを複数設けてもよい。例えば、図６Ａのように排気口６４を２つ設けたり、図６Ｂのように供給口６３と排気口６４とをそれぞれ２つ設けたりして、チャンバ６１内の気体Ｇがアライメント領域Ａから露光領域Ｅに向けて流れる流路を形成する。この場合においても、アライメント領域Ａと露光領域Ｅとの間に遮蔽板６７やエアーカーテン６８を設けることが好ましい。図６Ｂの構成においては、露光領域Ｅに気体を供給する供給口と、計測領域Ａに気体を供給する供給口とがそれぞれの領域に対して個別に設けられているので、各供給口から供給される気体の特性（流量、湿度、温度、成分及びその濃度等）が互いに異なるように設定してもよい。【００３４】
また、上述した実施形態では、アライメント領域ＡのウエハＷの位置を計測するレーザ干渉計１９２，１９４への湿度の影響を排除することについて説明したが、露光領域ＥのウエハＷの位置を計測するレーザ干渉計１９１，１９３への湿度の影響を排除することも勿論重要である。
例えば、図７に示すように、露光領域Ｅの周辺にノズル状の排気口６９を配置することにより、湿度が上昇した気体ＧＬがチャンバ６１内に拡散することを防止してもよい。排気口６９は、図示していない真空源等に接続されており、露光領域Ｅ（液浸領域ＡＲ）の周辺に存在する湿度が高くなった気体は、この排気口６９から吸引されてチャンバ６１の外部に排出される。これにより、レーザ干渉計１９１〜１９４への影響を排除することができるとともに、チャンバ６１内の電気配線や光学素子への悪影響（例えば、結露による漏電や光学特性の劣化）を防止することも可能となる。【００３５】
また、上述した実施形態では、２つのテーブル１０３，１０４（ステージ１０５，１０６）が露光領域Ｅとアライメント領域Ａとを交互に移動する場合について説明したが、例えば、テーブルが１つの場合や３つ以上の場合であってもよい。また、露光領域Ｅとアライメント領域Ａの他に、レーザ干渉計による位置計測が行われる他の領域があってもよい。この場合であっても、露光領域Ｅの周辺の気体Ｇが、他の領域に侵入しないようにすることが望ましい。【００３６】
なお、上述した実施の形態において示した動作手順、あるいは各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲においてプロセス条件や設計要求等に基づき種々変更可能である。本発明は、例えば以下のような変更をも含むものとする。【００３７】
上述したように、本実施形態においては、露光光ＥＬとしてＡｒＦエキシマレーザ光を用いているため、液浸露光用の液体として純水が供給される。純水は、半導体製造工場等で容易に大量に入手できるとともに、ウエハＷ上のフォトレジストや光学素子（レンズ）等に対する悪影響がない利点がある。また、純水は環境に対する悪影響がないとともに、不純物の含有量が極めて低いため、ウエハＷの表面、及び投影光学系３０の先端面に設けられている光学素子３２の表面を洗浄する作用も期待できる。
そして、波長が１９３ｎｍ程度の露光光ＥＬに対する純水（水）の屈折率ｎはほぼ１．４４といわれている。露光光ＥＬの光源としてＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）を用いた場合には、ウエハＷ上では１／ｎ、すなわち約１３４ｎｍに短波長化されて高い解像度が得られる。更に、焦点深度は空気中に比べて約ｎ倍、すなわち約１．４４倍に拡大される。
また、液体Ｌとしては、その他にも露光光ＥＬに対する透過性があって、できるだけ屈折率が高く、投影光学系３０やウエハＷの表面に塗布されているフォトレジストに対して安定なものを用いることも可能である。
露光光ＥＬとしてＦ２レーザ光を用いる場合には、液体ＬとしてＦ２レーザ光を透過可能な例えばフッ素系オイルや過フッ化ポリエーテル（ＰＦＰＥ）等のフッ素系の液体を用いればよい。この場合、液体Ｌと接触する部分には、例えばフッ素を含む極性の小さい分子構造の物質で薄膜を形成することで親液化処理することが望ましい。【００３８】
また、ウエハＷとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板や、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ等が適用される。【００３９】
露光装置ＥＸとしては、レチクルとウエハとを同期移動してレチクルのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、レチクルとウエハとを静止した状態でレチクルのパターンを一括露光し、ウエハを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。
例えば、倍率１／８の屈折系の光学系を備えた液浸型ステッパとしてもよい。この場合、大面積のチップを一括露光できないので、大面積のチップではスティッチング（ステップ・アンド・スティッチ）方式を採用してもよい。【００４０】
なお、ツインステージ型露光装置の構成は本実施例のタイプに限定されるものではない。例えば、特開平１０−１６３０９９号公報、特開平１０−２１４７８３号公報及びこれらに対応する米国特許６，４００，４４１号と、特表２０００−５０５９５８号公報及びこれに対応する米国特許５，６９９，４４１号及び米国特許６，２６２，７９６号に記載されている。本国際出願で指定した指定国（又は選択した選択国）の国内法令で許される限りにおいて、上記公報または米国特許における開示を援用して本明細書の一部とする。【００４１】
露光装置ＥＸの種類としては、ウエハに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。【００４２】
また、ウエハステージやレチクルステージにリニアモータを用いる場合は、エアベアリングを用いたエア浮上型およびローレンツ力またはリアクタンス力を用いた磁気浮上型のどちらを用いてもいい。また、ステージは、ガイドに沿って移動するタイプでもいいし、ガイドを設けないガイドレスタイプでもよい。さらに、ステージの駆動装置として平面モ−タを用いる場合、磁石ユニット（永久磁石）と電機子ユニットのいずれか一方をステージに接続し、磁石ユニットと電機子ユニットの他方をステージの移動面側（ベース）に設ければよい。【００４３】
ウエハステージの移動により発生する反力は、投影光学系に伝わらないように、特開平８−１６６４７５号公報及びこれに対応する米国特許５，５２８，１１８号に記載されているように、フレーム部材を用いて機械的に床（大地）に逃かすようにしてもよい。本国際出願で指定した指定国（又は選択した選択国）の国内法令で許される限りにおいて、上記公報または米国特許における開示を援用して本明細書の記載の一部とする。【００４４】
レチクル（マスク）ステージの移動により発生する反力は、投影光学系に伝わらないように、特開平８−３３０２２４号公報及びこれに対応する米国特許５，８７４，８２０号に記載されているように、フレーム部材を用いて機械的に床（大地）に逃がすようにしてもよい。本国際出願で指定した指定国（又は選択した選択国）の国内法令で許される限りにおいて、上記公報または米国特許における開示を援用して本明細書の記載の一部とする。【００４５】
なお、上述したように液浸法を用いた場合には、投影光学系３０の開口数ＮＡが０．９〜１．３になることもある。このように投影光学系３０の開口数ＮＡが大きくなる場合には、従来から露光光として用いられているランダム偏光光では偏光効果によって結像性能が悪化することもあるので、偏光照明を用いるのが望ましい。その場合、レチクルのライン・アンド・スペースパターンのラインパターンの長手方向に合わせた直線偏光照明を行い、レチクルＲのパターンからは、Ｓ偏光成分（ラインパターンの長手方向に沿った偏光方向成分）の回折光が多く射出されるようにするとよい。投影光学系３０とウエハＷ表面に塗布されたレジストとの間が液体で満たされている場合、投影光学系３０とウエハ表面に塗布されたレジストとの間が気体Ｇ（空気）で満たされている場合に比べて、コントラストの向上に寄与するＳ偏光成分の回折光のレジスト表面での透過率が高くなるため、投影光学系３０の開口数ＮＡが１．０を超えるような場合でも高い結像性能を得ることができる。また、位相シフトマスクや特開平６−１８８１６９号に開示されているようなラインパターンの長手方向に合わせた斜入射照明法（特にダイポール照明法）などを適宜組み合わせるとより効果的である。本国際出願で指定した指定国（又は選択した選択国）の国内法令で許される限りにおいて、上記公報における開示を援用して本明細書の一部とする。
また、例えばＡｒＦエキシマレーザを露光光とし、１／４程度の縮小倍率の投影光学系３０を使って、微細なライン・アンド・スペースパターン（例えば２０〜２５ｎｍ程度のＬ／Ｓ）をウエハ上に露光するような場合、レチクルの構造（例えばパターンの微細度やクロムの厚み）によっては、Wave guide効果によりレチクルが偏光板として作用し、コントラストを低下させるＰ偏光成分（ＴＭ偏光成分）の回折光よりＳ偏光成分（ＴＭ偏光成分）の回折光が多くレチクルから射出されるようになる。この場合も、上述したような直線偏光照明を用いるのが望ましいが、ランダム偏光光でレチクルを照明しても、開口数ＮＡが０．９〜１．３のように大きい投影光学系を使って高い解像性能を得ることができる。
また、レチクル上の極微細なライン・アンド・スペースパターンをウエハ上に露光するような場合には、Wave guide効果によりＰ偏光成分（ＴＭ偏光成分）がＳ偏光成分（ＴＭ偏光成分）よりも大きくなる可能性があるが、例えばＡｒＦエキシマレーザを露光光とし、１／４程度の縮小倍率の投影光学系を使って、２５ｎｍより大きいライン・アンド・スペースパターンをウエハ上に露光するような条件であれば、Ｓ偏光成分（ＴＭ偏光成分）の回折光がＰ偏光成分（ＴＭ偏光成分）の回折光よりも多くレチクルから射出されるので、投影光学系の開口数ＮＡが０．９〜１．３のように大きい場合でも高い解像性能を得ることができる。
更に、レチクルのラインパターンの長手方向に合わせた直線偏光照明（Ｓ偏光照明）だけでなく、光軸を中心とした円の接線（周）方向に直線偏光する偏光照明法と斜入射照明法との組合せも効果的である。特に、レチクルのパターンが所定の一定方向に延びるラインパターンだけでなく、複数の異なる方法に延びるラインパターンが混在する場合には、光軸を中心とした円の接線方向に直線偏光する偏光照明法と輪帯照明法とを併用することによって、投影光学系の開口数ＮＡが大きい場合でも高い解像性能を得ることができる。
また、上述の実施形態では、投影光学系と基板との間に局所的に液体を満たす露光装置を採用しているが、露光対象の基板を保持したステージを液槽の中で移動させる液浸露光装置や、ステージ上に所定深さの液体槽を形成しその中に基板を保持する液浸露光装置にも本発明を適用可能である。露光対象の基板を保持したステージを液槽の中で移動させる液浸露光装置の構造及び露光動作については、例えば、特開平６−１２４８７３号公報に、ステージ上に所定深さの液体槽を形成してその中に基板を保持する液浸露光装置については、例えば特開平１０−３０３１１４号公報や米国特許第５，８２５，０４３号にそれぞれ開示されている。本国際出願で指定した指定国（又は選択した選択国）の国内法令で許される限りにおいて、上記公報または米国特許における開示を援用して本明細書の記載の一部とする。
また、上述の液浸法を適用した露光装置は、投影光学系の終端光学部材の射出側の光路空間を液体（純水）で満たしてウエハＷを露光する構成になっているが、国際公開第２００４／０１９１２８号パンフレットに開示されているように、投影光学系の終端光学部材の入射側の光路空間も液体（純水）で満たすようにしてもよい。本国際出願で指定した指定国（又は選択した選択国）の国内法令で許される限りにおいて、上記パンフレットにおける開示を援用して本明細書の記載の一部とする。
上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン（または位相パターン・減光パターン）を形成した光透過型マスク、あるいは光反射性の基板上に所定の反射パターン光反射型マスクを用いたが、それらに限定されるものではない。例えば、そのようなマスクに代えて、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターンまたは反射パターン、あるいは発光パターンを形成する電子マスク（光学系の一種とする）を用いるようにしても良い。このような電子マスクは、例えば米国特許第６，７７８，２５７号公報に開示されている。本国際出願で指定した指定国（又は選択した選択国）の国内法令で許される限りにおいて、上記米国特許における開示を援用して本明細書の記載の一部とする。なお、上述の電子マスクとは、非発光型画像表示素子と自発光型画像表示素子との双方を含む概念である。
また、例えば、２光束干渉露光と呼ばれているような、複数の光束の干渉によって生じる干渉縞を基板に露光するような露光装置にも適用することができる。そのような露光方法及び露光装置は、例えば、国際公開第０１／３５１６８号パンフレットに開示されている。本国際出願で指定した指定国（又は選択した選択国）の国内法令で許される限りにおいて、上記パンフレットにおける開示を援用して本明細書の記載の一部とする。【００４６】
また、本発明が適用される露光装置は、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。【００４７】
また、半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図８に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、前述した実施形態の露光装置ＥＸによりマスクのパターンを基板に露光する基板処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７】
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【図８】
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