(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
走査電極および維持電極と複数のデータ電極との交差部に複数の放電セルを有するプラズマディスプレイパネルを、１フィールド期間が複数のサブフィールドを含むサブフィールド法で駆動する駆動装置であって、
各サブフィールドの書込み期間で前記複数の放電セルに選択的に書込みパルスを印加して書込み放電を発生させ、維持期間で前記書込み放電が発生した放電セルを所定の表示輝度で発光させる駆動回路と、
表示輝度の最も低いサブフィールドにおける書込みパルスの幅がそれ以外のサブフィールドにおける書込みパルスの幅以下である第１のサブフィールド構成と、表示輝度の最も低いサブフィールドにおける書込みパルスの幅がそれ以外のサブフィールドにおける書込みパルスの幅よりも大きい第２のサブフィールド構成とのいずれかを選択する選択部と、
前記選択部により前記第１のサブフィールド構成が選択された場合に、表示輝度の最も低いサブフィールドの書込み期間において前記維持電極に印加する電圧をそれ以外のサブフィールドの書込み期間において前記維持電極に印加する電圧よりも高く設定し、前記選択部により第２のサブフィールド構成が選択された場合に、表示輝度の最も低いサブフィールドの書込み期間において前記維持電極に印加する電圧をそれ以外のいずれかのサブフィールドの書込み期間において前記維持電極に印加する電圧と同じに設定する電圧設定回路とを含む、駆動装置。
【請求項２】
前記第１のサブフィールド構成における表示輝度の最も低いサブフィールドは、前記複数の放電セルの全てで初期化放電を行う初期化期間を有するサブフィールドである、請求項１記載の駆動装置。
【請求項３】
前記第２のサブフィールド構成における表示輝度の最も低いサブフィールドに続くサブフィールドは、前記複数の放電セルの全てで初期化放電を行う初期化期間を有するサブフィールドである、請求項１記載の駆動装置。
【請求項４】
前記第２のサブフィールド構成における表示輝度の最も低いサブフィールドは、前記複数の放電セルの一部または全てで初期化放電を行う初期化期間を有しないサブフィールドである、請求項１記載の駆動装置。
【請求項５】
前記第２のサブフィールド構成における表示輝度の最も低いサブフィールドは、それ以外のサブフィールドよりも大きい幅のパルスを用いて前記書込み放電が発生した放電セルを発光させるサブフィールドである、請求項１記載の駆動装置。
【請求項６】
前記電圧設定回路は、
第１の電圧を受ける第１のノードと、
第２の電圧を受ける第２のノードと、
前記第２の電圧よりも高い第３の電圧を受ける第３のノードと、
前記第１のノードの第１の電圧に前記第２のノードの第２の電圧または前記第３のノードの第３の電圧を加算する加算回路と、
各サブフィールドの書込み期間において前記加算回路により得られた電圧を前記維持電極に与える第１のスイッチング回路とを含み、
前記加算回路は、前記選択部により前記第１のサブフィールド構成が選択された場合に、表示輝度の最も低いサブフィールドの書込み期間において前記第１のノードの第１の電圧に前記第３のノードの第３の電圧を加算し、それ以外のサブフィールドの書込み期間において前記第１のノードの第１の電圧に前記第３のノードの第３の電圧を加算し、前記選択部により第２のサブフィールド構成が選択された場合に、表示輝度の最も低いサブフィールドおよびそれ以外のいずれかのサブフィールドの書込み期間において前記第１のノードの第１の電圧に前記第２のノードの第２の電圧を加算する、請求項１記載の駆動装置。
【請求項７】
前記第１のスイッチング回路は、前記第１のノードと前記維持電極との間に接続され、
前記加算回路は、
前記第１のノードと第４のノードとの間に接続される容量と、
前記第２のノードと前記第４のノードとの間に接続された第２のスイッチング回路と、
前記第３のノードと前記第４のノードとの間に接続された第３のスイッチング回路とを含む、請求項６記載の駆動装置。
【請求項８】
前記第１のスイッチング回路は、前記第１のノードと前記維持電極との間に直列に接続されたｎチャネルスイッチング素子およびｐチャネルスイッチング素子を含む、請求項７記載の駆動装置。
【請求項９】
前記第２のスイッチング回路は、前記第２のノードと前記第４のノードとの間に直列に接続されたスイッチング素子を含む、請求項７記載の駆動装置。
【請求項１０】
前記第３のスイッチング回路は、前記第３のノードと前記第４のノードとの間に直列に接続されたｎチャネルスイッチング素子およびｐチャネルスイッチング素子を含む、請求項７記載の駆動装置。
【請求項１１】
前記加算回路は、前記第４のノードと接地端子との間に直列に接続されたスイッチング素子をさらに含む、請求項７記載の駆動装置。
【請求項１２】
走査電極および維持電極と複数のデータ電極との交差部に複数の放電セルを有するプラズマディスプレイパネルの駆動方法であって、
１フィールド期間は、前記複数の放電セルに選択的に書込みパルスを印加して書込み放電を発生させる書込み期間と、前記書込み放電が発生した放電セルを所定の表示輝度で発光させる維持期間とをそれぞれ有する複数のサブフィールドを含み、
前記複数のサブフィールドは、表示輝度の最も低いサブフィールドにおける書込みパルスの幅がそれ以外のサブフィールドにおける書込みパルスの幅以下である第１のサブフィールド構成と、表示輝度の最も低いサブフィールドにおける書込みパルスの幅がそれ以外のサブフィールドにおける書込みパルスの幅よりも大きい第２のサブフィールド構成とのいずれかを有し、
前記第１のサブフィールド構成および前記第２のサブフィールド構成のいずれかを選択するステップと、
前記第１のサブフィールド構成の選択時に、表示輝度の最も低いサブフィールドの書込み期間において前記維持電極に印加する電圧をそれ以外のサブフィールドの書込み期間において前記維持電極に印加する電圧よりも高く設定するステップと、
前記第２のサブフィールド構成の選択時に、表示輝度の最も低いサブフィールドの書込み期間において前記維持電極に印加する電圧をそれ以外のいずれかのサブフィールドの書込み期間において前記維持電極に印加する電圧と同じに設定するステップとを含む、プラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項１３】
前記第１のサブフィールド構成における表示輝度の最も低いサブフィールドは、前記複数の放電セルの全てで初期化放電を行う初期化期間を有するサブフィールドである、請求項１２記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項１４】
前記第２のサブフィールド構成における表示輝度の最も低いサブフィールドに続くサブフィールドは、前記複数の放電セルの全てで初期化放電を行う初期化期間を有するサブフィールドである、請求項１２記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項１５】
前記第２のサブフィールド構成における表示輝度の最も低いサブフィールドは、前記複数の放電セルの一部または全てで初期化放電を行う初期化期間を有しないサブフィールドである、請求項１２記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項１６】
前記第２のサブフィールド構成における表示輝度の最も低いサブフィールドは、それ以外のサブフィールドよりも大きい幅のパルスを用いて前記書込み放電が発生した放電セルを発光させるサブフィールドである、請求項１２記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項１７】
走査電極および維持電極と複数のデータ電極との交差部に複数の放電セルを有するプラズマディスプレイパネルと、
１フィールド期間が複数のサブフィールドを含むサブフィールド法で前記プラズマディスプレイパネルを駆動し、各サブフィールドの書込み期間で前記複数の放電セルに選択的に書込みパルスを印加して書込み放電を発生させ、維持期間で前記書込み放電が発生した放電セルを所定の表示輝度で発光させる駆動回路と、
表示輝度の最も低いサブフィールドにおける書込みパルスの幅がそれ以外のサブフィールドにおける書込みパルスの幅以下である第１のサブフィールド構成と、表示輝度の最も低いサブフィールドにおける書込みパルスの幅がそれ以外のサブフィールドにおける書込みパルスの幅よりも大きい第２のサブフィールド構成とのいずれかを選択する選択部と、
前記選択部により前記第１のサブフィールド構成が選択された場合に、表示輝度の最も低いサブフィールドの書込み期間において前記維持電極に印加する電圧をそれ以外のサブフィールドの書込み期間において前記維持電極に印加する電圧よりも高く設定し、前記選択部により第２のサブフィールド構成が選択された場合に、表示輝度の最も低いサブフィールドの書込み期間において前記維持電極に印加する電圧をそれ以外のいずれかのサブフィールドの書込み期間において前記維持電極に印加する電圧と同じに設定する電圧設定回路とを含む、プラズマディスプレイ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイパネルの駆動装置および駆動方法ならびにそれを用いたプラズマディスプレイ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイパネル（以下、「パネル」と略記する）として代表的な交流面放電型パネルは、対向配置された前面板と背面板との間に多数の放電セルを備える。
【０００３】
前面板は、前面ガラス基板、複数の表示電極、誘電体層および保護層により構成される。各表示電極は、一対の走査電極および維持電極からなる。複数の表示電極は、前面ガラス基板上に互いに平行に形成され、それらの表示電極を覆うように誘電体層および保護層が形成されている。
【０００４】
背面板は、背面ガラス基板、複数のデータ電極、誘電体層、複数の隔壁および蛍光体層により構成される。背面ガラス基板上に複数のデータ電極が平行に形成され、それらを覆うように誘電体層が形成されている。その誘電体層上にデータ電極と平行に複数の隔壁がそれぞれ形成され、誘電体層の表面と隔壁の側面とにＲ（赤）、Ｇ（緑）およびＢ（青）の蛍光体層が形成されている。
【０００５】
そして、表示電極とデータ電極とが立体交差するように前面板と背面板とが対向配置されて密封され、内部の放電空間には放電ガスが封入されている。表示電極とデータ電極とが対向する部分に放電セルが形成される。
【０００６】
このような構成を有するパネルにおいて、各放電セル内でガス放電により紫外線が発生し、その紫外線でＲ、ＧおよびＢの蛍光体が励起されて発光する。それにより、カラー表示が行われる。
【０００７】
パネルを駆動する方法としてはサブフィールド法が用いられている。サブフィールド法では、１フィールド期間が複数のサブフィールドに分割され、それぞれのサブフィールドで各放電セルを発光または非発光させることにより階調表示が行われる。各サブフィールドは、初期化期間、書込み期間および維持期間を有する。
【０００８】
初期化期間においては、各放電セルで初期化放電が行われ、続く書込み動作のために必要な壁電荷が形成される。加えて、初期化期間は、放電遅れを小さくし書込み放電を安定して発生させるためのプライミングを発生させるという働きを有する。ここで、プライミングとは、放電のための起爆剤となる励起粒子をいう。
【０００９】
書込み期間では、走査電極に順次走査パルスを印加するとともに、データ電極には表示すべき画像信号に対応した書込みパルスを印加する。それにより、走査電極とデータ電極との間で選択的に書込み放電が発生し、選択的な壁電荷形成が行われる。
【００１０】
続く維持期間では、表示させるべき輝度に応じた所定の回数の維持パルスを走査電極と維持電極との間に印加する。それにより、書込み放電による壁電荷形成が行われた放電セルで選択的に放電が起こり、その放電セルが発光する。以下、基準となる表示輝度に対する各サブフィールドの表示輝度の比率を「輝度重み」と呼ぶ。
【００１１】
このようなサブフィールド法において、階調表示に関係しない発光を極力減らしてコントラスト比を向上させるために、緩やかに変化する電圧波形を用いて初期化放電を行う方法、および維持放電を行った放電セルに対して選択的に初期化放電を行う方法等の新規な駆動方法が特許文献１に開示されている。
【００１２】
また、特許文献２には、フィールド期間の最後のサブフィールドとその次のフィールド期間の最初のサブフィールドとの間に擬似サブフィールド期間を設け、この擬似サブフィールド期間において微弱放電を発生させて誤放電を抑制するパネルの駆動方法が開示されている。
【００１３】
さらに、特許文献３には、太幅部を有するパルスを用いて階調表示するサブフィールドを設けて、より黒に近い中間階調を表示することができるパネルの駆動方法が開示されている。
【特許文献１】特開２０００−２４２２２４号公報
【特許文献２】特開２００１−２２８８２１号公報
【特許文献３】特開２００２−１４６５２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
上記の駆動方法を組み合わせることにより、コントラストが高く、かつ、より黒に近い中間階調を表示可能なパネルの駆動方法を実現することができると考えられる。
【００１５】
しかしながら、階調表示に関係しない初期化放電の発光強度を減らすとプライミングの効果も弱くなる傾向がある。そのため、低い階調を表示する際に、書込みパルスを印加しても発光しない放電セル（以下、「不灯セル」と略記する）が生じやすい。特に、誤差拡散処理を施したサブフィールドのように、発光すべき放電セルの周囲の放電セルが発光せず、発光すべき放電セルが孤立している場合に、発光すべき放電セルが不灯セルになりやすい。
【００１６】
本発明の目的は、低い階調を表示する揚合であっても点灯すべき放電セルが点灯しない現象が生じにくく、かつ、より黒に近い中間階調を表示することができる画像表示品質の高いプラズマディスプレイパネルの駆動装置および駆動方法ならびにそれを用いたプラズマディスプレイ装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
（１）
本発明の一局面に従う駆動装置は、走査電極および維持電極と複数のデータ電極との交差部に複数の放電セルを有するプラズマディスプレイパネルを、１フィールド期間が複数のサブフィールドを含むサブフィールド法で駆動する駆動装置であって、各サブフィールドの書込み期間で複数の放電セルに選択的に書込みパルスを印加して書込み放電を発生させ、維持期間で書込み放電が発生した放電セルを所定の表示輝度で発光させる駆動回路と、表示輝度の最も低いサブフィールドにおける書込みパルスの幅がそれ以外のサブフィールドにおける書込みパルスの幅以下である第１のサブフィールド構成と、表示輝度の最も低いサブフィールドにおける書込みパルスの幅がそれ以外のサブフィールドにおける書込みパルスの幅よりも大きい第２のサブフィールド構成とのいずれかを選択する選択部と、選択部により第１のサブフィールド構成が選択された場合に、表示輝度の最も低いサブフィールドの書込み期間において維持電極に印加する電圧をそれ以外のサブフィールドの書込み期間において維持電極に印加する電圧よりも高く設定し、選択部により第２のサブフィールド構成が選択された場合に、表示輝度の最も低いサブフィールドの書込み期間において維持電極に印加する電圧をそれ以外のいずれかのサブフィールドの書込み期間において維持電極に印加する電圧と同じに設定する電圧設定回路とを含むものである。
【００１８】
その駆動装置においては、駆動回路により各サブフィールドの書込み期間で複数の放電セルに選択的に書込みパルスが印加されることにより、書込み放電が発生する。書込み放電が発生した放電セルが維持期間で所定の表示輝度で発光する。
【００１９】
選択部により第１のサブフィールド構成および第２のサブフィールド構成のいずれかが選択される。
【００２０】
第１のサブフィールド構成では、表示輝度の最も低いサブフィールドにおける書込みパルスの幅がそれ以外のサブフィールドにおける書込みパルスの幅以下である。この場合、標準的な画像の表示が可能になるとともに、輝度およびコントラストが強調された画像の表示が可能となる。
【００２１】
第２のサブフィールド構成では、表示輝度の最も低いサブフィールドにおける書込みパルスの幅がそれ以外のサブフィールドにおける書込みパルスの幅よりも大きい。この場合、より黒に近い中間階調を表示することができる。
【００２２】
第１のサブフィールド構成が選択された場合には、電圧設定回路により表示輝度の最も低いサブフィールドの書込み期間において維持電極に印加する電圧がそれ以外のサブフィールドの書込み期間において維持電極に印加する電圧よりも高く設定される。それにより、隣接する放電セルが点灯しない場合であっても、点灯すべき放電セルにおいて確実に書込み放電が発生する。したがって、点灯すべき放電セルが点灯しない不灯の発生が抑制され、画像表示品質が向上する。このとき、高階調の画像を表示している領域では、点灯すべきでない放電セルが誤って点灯する誤点灯が発生する可能性があるが、このような領域は輝度が高い。そのため、輝度重みの最も小さいサブフィールドにおける誤点灯は視覚的に認識されにくく、実質上、誤点灯に伴う画質劣化は発生しない。
【００２３】
第２のサブフィールド構成が選択された場合には、電圧設定回路により表示輝度の最も低いサブフィールドの書込み期間において維持電極に印加する電圧がそれ以外のいずれかのサブフィールドの書込み期間において維持電極に印加する電圧と同じに設定される。それにより、誤点灯を生じることなく、より黒に近い中間階調を表示することができる。
【００２４】
このように、低い階調を表示する揚合であっても点灯すべき放電セルが点灯しない現象が生じにくく、かつ、より黒に近い中間階調を表示することができる。その結果、高い画像表示品質が得られる。
【００２５】
（２）
第１のサブフィールド構成における表示輝度の最も低いサブフィールドは、複数の放電セルの全てで初期化放電を行う初期化期間を有するサブフィールドであってもよい。
【００２６】
この場合、表示輝度の最も低いサブフィールドの初期化期間で十分なプライミングの効果が得られる。したがって、低い階調を表示する揚合に点灯すべき放電セルが点灯しない現象の発生が十分に抑制される。
【００２７】
（３）
第２のサブフィールド構成における表示輝度の最も低いサブフィールドに続くサブフィールドは、複数の放電セルの全てで初期化放電を行う初期化期間を有するサブフィールドであってもよい。
【００２８】
この場合、表示輝度の最も低いサブフィールドにおける書込みパルスの幅がそれ以外のサブフィールドにおける書込みパルスの幅よりも大きいので、表示輝度の最も低いサブフィールドにおいてプライミングの不足による放電遅れが抑制される。また、表示輝度の最も低いサブフィールドの書込み期間において維持電極に印加する電圧がそれ以外のいずれかのサブフィールドの書込み期間において維持電極に印加する電圧と同じに設定される。それにより、書込みパルスの幅が大きくても、点灯すべきでない放電セルが誤って点灯することが防止される。
【００２９】
（４）
第２のサブフィールド構成における表示輝度の最も低いサブフィールドは、複数の放電セルの一部または全てで初期化放電を行う初期化期間を有しないサブフィールドであってもよい。
【００３０】
この場合、表示輝度の最も低いサブフィールドが初期化放電を行う初期化期間を有しないので、駆動時間が短縮される。
【００３１】
（５）
第２のサブフィールド構成における表示輝度の最も低いサブフィールドは、それ以外のサブフィールドよりも大きい幅のパルスを用いて書込み放電が発生した放電セルを発光させるサブフィールドであってもよい。
【００３２】
この場合、表示輝度の最も低いサブフィールドで書込み放電が発生した放電セルを確実に発光させることができる。
【００３３】
（６）
電圧設定回路は、第１の電圧を受ける第１のノードと、第２の電圧を受ける第２のノードと、第２の電圧よりも高い第３の電圧を受ける第３のノードと、第１のノードの第１の電圧に第２のノードの第２の電圧または第３のノードの第３の電圧を加算する加算回路と、各サブフィールドの書込み期間において加算回路により得られた電圧を維持電極に与える第１のスイッチング回路とを含み、加算回路は、選択部により第１のサブフィールド構成が選択された場合に、表示輝度の最も低いサブフィールドの書込み期間において第１のノードの第１の電圧に第３のノードの第３の電圧を加算し、それ以外のサブフィールドの書込み期間において第１のノードの第１の電圧に第３のノードの第３の電圧を加算し、選択部により第２のサブフィールド構成が選択された場合に、表示輝度の最も低いサブフィールドおよびそれ以外のいずれかのサブフィールドの書込み期間において第１のノードの第１の電圧に第２のノードの第２の電圧を加算してもよい。
【００３４】
この場合、第１のサブフィールド構成が選択された場合に、表示輝度の最も低いサブフィールドの書込み期間において第１のノードの第１の電圧に第３のノードの第３の電圧が加算し、それ以外のサブフィールドの書込み期間において第１のノードの第１の電圧に第３のノードの第３の電圧が加算される。それにより、表示輝度の最も低いサブフィールドの書込み期間において維持電極に印加する電圧がそれ以外のサブフィールドの書込み期間において維持電極に印加する電圧よりも高く設定される。
【００３５】
また、第２のサブフィールド構成が選択された場合に、表示輝度の最も低いサブフィールドおよびそれ以外のいずれかのサブフィールドの書込み期間において第１のノードの第１の電圧に第２のノードの第２の電圧が加算される。それにより、表示輝度の最も低いサブフィールドの書込み期間において維持電極に印加する電圧がそれ以外のいずれかのサブフィールドの書込み期間において維持電極に印加する電圧と同じに設定される。
【００３６】
このようにして、簡単な構成により第１のサブフィールド構成および第２のサブフィールド構成において維持電極に印加する電圧を切り替えることができる。
【００３７】
（７）
第１のスイッチング回路は、第１のノードと維持電極との間に接続され、加算回路は、第１のノードと第４のノードとの間に接続される容量と、第２のノードと第４のノードとの間に接続された第２のスイッチング回路と、第３のノードと第４のノードとの間に接続された第３のスイッチング回路とを含んでもよい。
【００３８】
この場合、第２のスイッチング回路および第３のスイッチング回路により容量に第２の電圧および第３の電圧を選択的に印加することができる。それにより、簡単な構成により第１の電圧に第２の電圧および第３の電圧を選択的に加算することができる。
【００３９】
（８）
第１のスイッチング回路は、第１のノードと維持電極との間に直列に接続されたｎチャネルスイッチング素子およびｐチャネルスイッチング素子を含んでもよい。
【００４０】
この場合、簡単な構成により維持電極に印加する電圧を所定のタイミングで切り替えることができる。また、ｎチャネルスイッチング素子およびｐチャネルスイッチング素子が寄生ダイオードを有する場合でも、維持電極から第１のノードに電流が流れることが防止される。
【００４１】
（９）
第２のスイッチング回路は、第２のノードと第４のノードとの間に直列に接続されたスイッチング素子を含んでもよい。
【００４２】
この場合、簡単な構成により第２のノードの第２の電圧を第４のノードに所定のタイミングで印加することができる。
【００４３】
（１０）
第３のスイッチング回路は、第３のノードと第４のノードとの間に直列に接続されたｎチャネルスイッチング素子およびｐチャネルスイッチング素子を含んでもよい。
【００４４】
この場合、簡単な構成により第３のノードの第３の電圧を第４のノードに所定のタイミングで印加することができる。また、ｎチャネルスイッチング素子およびｐチャネルスイッチング素子が寄生ダイオードを有する場合でも、第４のノードから第３のノードに電流が流れることが防止される。
【００４５】
（１１）
加算回路は、第４のノードと接地端子との間に直列に接続されたスイッチング素子をさらに含んでもよい。
【００４６】
この場合、簡単な構成により第４のノードを接地電位にすることができる。
【００４７】
（１２）
本発明の他の局面に従う駆動方法は、走査電極および維持電極と複数のデータ電極との交差部に複数の放電セルを有するプラズマディスプレイパネルの駆動方法であって、１フィールド期間は、複数の放電セルに選択的に書込みパルスを印加して書込み放電を発生させる書込み期間と、書込み放電が発生した放電セルを所定の表示輝度で発光させる維持期間とをそれぞれ有する複数のサブフィールドを含み、複数のサブフィールドは、表示輝度の最も低いサブフィールドにおける書込みパルスの幅がそれ以外のサブフィールドにおける書込みパルスの幅以下である第１のサブフィールド構成と、表示輝度の最も低いサブフィールドにおける書込みパルスの幅がそれ以外のサブフィールドにおける書込みパルスの幅よりも大きい第２のサブフィールド構成とのいずれかを有し、第１のサブフィールド構成および第２のサブフィールド構成のいずれかを選択するステップと、第１のサブフィールド構成の選択時に、表示輝度の最も低いサブフィールドの書込み期間において維持電極に印加する電圧をそれ以外のサブフィールドの書込み期間において維持電極に印加する電圧よりも高く設定するステップと、第２のサブフィールド構成の選択時に、表示輝度の最も低いサブフィールドの書込み期間において維持電極に印加する電圧をそれ以外のいずれかのサブフィールドの書込み期間において維持電極に印加する電圧と同じに設定するステップとを含むものである。
【００４８】
その駆動方法においては、各サブフィールドの書込み期間で複数の放電セルに選択的に書込みパルスが印加されることにより、書込み放電が発生する。書込み放電が発生した放電セルが維持期間で所定の表示輝度で発光する。
【００４９】
第１のサブフィールド構成および第２のサブフィールド構成のいずれかが選択される。
【００５０】
第１のサブフィールド構成では、表示輝度の最も低いサブフィールドにおける書込みパルスの幅がそれ以外のサブフィールドにおける書込みパルスの幅以下である。この場合、標準的な画像の表示が可能になるとともに、輝度およびコントラストが強調された画像の表示が可能となる。
【００５１】
第２のサブフィールド構成では、表示輝度の最も低いサブフィールドにおける書込みパルスの幅がそれ以外のサブフィールドにおける書込みパルスの幅よりも大きい。この場合、より黒に近い中間階調を表示することができる。
【００５２】
第１のサブフィールド構成が選択された場合には、表示輝度の最も低いサブフィールドの書込み期間において維持電極に印加する電圧がそれ以外のサブフィールドの書込み期間において維持電極に印加する電圧よりも高く設定される。それにより、隣接する放電セルが点灯しない場合であっても、点灯すべき放電セルにおいて確実に書込み放電が発生する。したがって、点灯すべき放電セルが点灯しない不灯の発生が抑制され、画像表示品質が向上する。このとき、高階調の画像を表示している領域では、点灯すべきでない放電セルが誤って点灯する誤点灯が発生する可能性があるが、このような領域は輝度が高い。そのため、輝度重みの最も小さいサブフィールドにおける誤点灯は視覚的に認識されにくく、実質上、誤点灯に伴う画質劣化は発生しない。
【００５３】
第２のサブフィールド構成が選択された場合には、表示輝度の最も低いサブフィールドの書込み期間において維持電極に印加する電圧がそれ以外のいずれかのサブフィールドの書込み期間において維持電極に印加する電圧と同じに設定される。それにより、誤点灯を生じることなく、より黒に近い中間階調を表示することができる。
【００５４】
このように、低い階調を表示する揚合であっても点灯すべき放電セルが点灯しない現象が生じにくく、かつ、より黒に近い中間階調を表示することができる。その結果、高い画像表示品質が得られる。
【００５５】
（１３）
第１のサブフィールド構成における表示輝度の最も低いサブフィールドは、複数の放電セルの全てで初期化放電を行う初期化期間を有するサブフィールドであってもよい。
【００５６】
この場合、表示輝度の最も低いサブフィールドの初期化期間で十分なプライミングの効果が得られる。したがって、低い階調を表示する揚合に点灯すべき放電セルが点灯しない現象の発生が十分に抑制される。
【００５７】
（１４）
第２のサブフィールド構成における表示輝度の最も低いサブフィールドに続くサブフィールドは、複数の放電セルの全てで初期化放電を行う初期化期間を有するサブフィールドであってもよい。
【００５８】
この場合、表示輝度の最も低いサブフィールドにおける書込みパルスの幅がそれ以外のサブフィールドにおける書込みパルスの幅よりも大きいので、表示輝度の最も低いサブフィールドにおいてプライミングの不足による放電遅れが抑制される。また、表示輝度の最も低いサブフィールドの書込み期間において維持電極に印加する電圧がそれ以外のいずれかのサブフィールドの書込み期間において維持電極に印加する電圧と同じに設定される。それにより、書込みパルスの幅が大きくても、点灯すべきでない放電セルが誤って点灯することが防止される。
【００５９】
（１５）
第２のサブフィールド構成における表示輝度の最も低いサブフィールドは、複数の放電セルの一部または全てで初期化放電を行う初期化期間を有しないサブフィールドであってもよい。
【００６０】
この場合、表示輝度の最も低いサブフィールドが初期化放電を行う初期化期間を有しないので、駆動時間が短縮される。
【００６１】
（１６）
第２のサブフィールド構成における表示輝度の最も低いサブフィールドは、それ以外のサブフィールドよりも大きい幅のパルスを用いて書込み放電が発生した放電セルを発光させるサブフィールドであってもよい。
【００６２】
この場合、表示輝度の最も低いサブフィールドで書込み放電が発生した放電セルを確実に発光させることができる。
【００６３】
（１７）
本発明のさらに他の局面に従うプラズマディスプレイ装置は、走査電極および維持電極と複数のデータ電極との交差部に複数の放電セルを有するプラズマディスプレイパネルと、１フィールド期間が複数のサブフィールドを含むサブフィールド法でプラズマディスプレイパネルを駆動し、各サブフィールドの書込み期間で複数の放電セルに選択的に書込みパルスを印加して書込み放電を発生させ、維持期間で書込み放電が発生した放電セルを所定の表示輝度で発光させる駆動回路と、表示輝度の最も低いサブフィールドにおける書込みパルスの幅がそれ以外のサブフィールドにおける書込みパルスの幅以下である第１のサブフィールド構成と、表示輝度の最も低いサブフィールドにおける書込みパルスの幅がそれ以外のサブフィールドにおける書込みパルスの幅よりも大きい第２のサブフィールド構成とのいずれかを選択する選択部と、選択部により第１のサブフィールド構成が選択された場合に、表示輝度の最も低いサブフィールドの書込み期間において維持電極に印加する電圧をそれ以外のサブフィールドの書込み期間において維持電極に印加する電圧よりも高く設定し、選択部により第２のサブフィールド構成が選択された場合に、表示輝度の最も低いサブフィールドの書込み期間において維持電極に印加する電圧をそれ以外のいずれかのサブフィールドの書込み期間において維持電極に印加する電圧と同じに設定する電圧設定回路とを含むものである。
【００６４】
そのプラズマディスプレイ装置においては、駆動回路によりサブフィールド法でプラズマディスプレイパネルが駆動され、各サブフィールドの書込み期間で複数の放電セルに選択的に書込みパルスが印加されることにより、書込み放電が発生する。書込み放電が発生した放電セルが維持期間で所定の表示輝度で発光する。
【００６５】
選択部により第１のサブフィールド構成および第２のサブフィールド構成のいずれかが選択される。
【００６６】
第１のサブフィールド構成では、表示輝度の最も低いサブフィールドにおける書込みパルスの幅がそれ以外のサブフィールドにおける書込みパルスの幅以下である。この場合、標準的な画像の表示が可能になるとともに、輝度およびコントラストが強調された画像の表示が可能となる。
【００６７】
第２のサブフィールド構成では、表示輝度の最も低いサブフィールドにおける書込みパルスの幅がそれ以外のサブフィールドにおける書込みパルスの幅よりも大きい。この場合、より黒に近い中間階調を表示することができる。
【００６８】
第１のサブフィールド構成が選択された場合には、電圧設定回路により表示輝度の最も低いサブフィールドの書込み期間において維持電極に印加する電圧がそれ以外のサブフィールドの書込み期間において維持電極に印加する電圧よりも高く設定される。それにより、隣接する放電セルが点灯しない場合であっても、点灯すべき放電セルにおいて確実に書込み放電が発生する。したがって、点灯すべき放電セルが点灯しない不灯の発生が抑制され、画像表示品質が向上する。このとき、高階調の画像を表示している領域では、点灯すべきでない放電セルが誤って点灯する誤点灯が発生する可能性があるが、このような領域は輝度が高い。そのため、輝度重みの最も小さいサブフィールドにおける誤点灯は視覚的に認識されにくく、実質上、誤点灯に伴う画質劣化は発生しない。
【００６９】
第２のサブフィールド構成が選択された場合には、電圧設定回路により表示輝度の最も低いサブフィールドの書込み期間において維持電極に印加する電圧がそれ以外のいずれかのサブフィールドの書込み期間において維持電極に印加する電圧と同じに設定される。それにより、誤点灯を生じることなく、より黒に近い中間階調を表示することができる。
【００７０】
このように、低い階調を表示する揚合であっても点灯すべき放電セルが点灯しない現象が生じにくく、かつ、より黒に近い中間階調を表示することができる。その結果、高い画像表示品質が得られる。
【発明の効果】
【００７１】
本発明によれば、低い階調を表示する揚合であっても点灯すべき放電セルが点灯しない現象が生じにくく、かつ、より黒に近い中間階調を表示することができる。その結果、高い画像表示品質が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００７２】
以下、本発明の実施の形態に係るプラズマディスプレイ装置について、図面を用いて詳細に説明する。
【００７３】
（１）パネルの構成
図１は本発明の実施の形態に係るプラズマディスプレイ装置におけるプラズマディスプレイパネルの一部を示す分解斜視図である。
【００７４】
プラズマディスプレイパネル（以下、パネルと略記する）１０は、互いに対向配置されたガラス製の前面基板２１および背面基板３１を備える。前面基板２１および背面基板３１の間に放電空間が形成される。前面基板２１上には複数対の走査電極２２および維持電極２３が互いに平行に形成されている。各対の走査電極２２および維持電極２３が表示電極を構成する。走査電極２２および維持電極２３を覆うように誘電体層２４が形成され、誘電体層２４上には保護層２５が形成されている。
【００７５】
背面基板３１上には絶縁体層３３で覆われた複数のデータ電極３２が設けられ、絶縁体層３３上に井桁状の隔壁３４が設けられている。また、絶縁体層３３の表面および隔壁３４の側面に蛍光体層３５が設けられている。そして、複数対の走査電極２２および維持電極２３と複数のデータ電極３２とが垂直に交差するように前面基板２１と背面基板３１とが対向配置され、前面基板２１と背面基板３１との間に放電空間が形成されている。放電空間には、放電ガスとして、例えばネオンとキセノンとの混合ガスが封入されている。なお、パネルの構造は上述したものに限られず、例えばストライプ状の隔壁を備えた構造を用いてもよい。
【００７６】
図２は本発明の実施の形態におけるパネルの電極配列図である。行方向に沿ってｎ本の走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎ（図１の走査電極２２）およびｎ本の維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎ（図１の維持電極２３）が配列され、列方向に沿ってｍ本のデータ電極Ｄ１〜Ｄｍ（図１のデータ電極３２）が配列されている。ｎおよびｍはそれぞれ２以上の自然数である。そして、１対の走査電極ＳＣｉ（ｉ＝１〜ｎ）および維持電極ＳＵｉ（ｉ＝１〜ｎ）と１つのデータ電極Ｄｊ（ｊ＝１〜ｍ）とが交差した部分に放電セルＤＣが形成されている。それにより、放電空間内にｍ×ｎ個の放電セルが形成されている。
【００７７】
（２）プラズマディスプレイ装置の構成
図３は本発明の実施の形態に係るプラズマディスプレイ装置の回路ブロック図である。
【００７８】
このプラズマディスプレイ装置は、パネル１０、画像信号処理回路５１、データ電極駆動回路５２、走査電極駆動回路５３、維持電極駆動回路５４、タイミング発生回路５５、操作部５６および電源回路（図示せず）を備える。
【００７９】
画像信号処理回路５１は、画像信号ｓｉｇをパネル１０の画素数に応じた画像データに変換し、各画素の画像データを複数のサブフィールドに対応する複数のビットに分割し、それらをデータ電極駆動回路５２に出力する。
【００８０】
データ電極駆動回路５２は、サブフィールド毎の画像データを各データ電極Ｄ１〜Ｄｍに対応する信号に変換し、その信号に基づいて各データ電極Ｄ１〜Ｄｍを駆動する。
【００８１】
タイミング発生回路５５は、水平同期信号Ｈおよび垂直同期信号Ｖに基づいてタイミング信号を発生し、それらのタイミング信号をそれぞれの駆動回路ブロック（画像信号処理回路５１、データ電極駆動回路５２、走査電極駆動回路５３および維持電極駆動回路５４）へ供給する。
【００８２】
走査電極駆動回路５３は、タイミング信号に基づいて走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに駆動波形を供給し、維持電極駆動回路５４はタイミング信号に基づいて維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに駆動波形を供給する。操作部５６は、例えばリモートコントローラからなり、ユーザの操作により後述する画像の表示モードの切り替え等をタイミング発生回路５５に指令する。
【００８３】
（３）サブフィールド構成
次に、本発明の実施の形態に係るパネルの駆動方法のサブフィールド構成について説明する。
【００８４】
本実施の形態においては、画像の表示モードに基づいて第１のサブフィールド構成と第２のサブフィールド構成とが切り替えられる。画像の表示モードとしては、ダイナミックモード、スタンダードモード、およびシネマモード等が用意されている。
【００８５】
ダイナミックモードでは、輝度およびコントラストを強調した迫力のある画像表示を行う。スタンダードモードでは、標準的な画像表示を行う。シネマモードでは、表示できる階調数を増加させてシックな画像表示を行う。それらの表示モードは、ユーザの好みに応じて操作部５６を用いて切り替えることができる。
【００８６】
第１のサブフィールド構成は、ダイナミックモードおよびスタンダードモードで通常用いられるサブフィールド構成である。一方、第２のサブフィールド構成は、シネマモードで用いられるサブフィールド構成であり、太幅部を有するパルスを用いて階調表示するサブフィールドを含む。第２のサブフィールド構成によれば、より黒に近い中間階調を表示することができる。
【００８７】
タイミング発生回路５５は、操作部５６を用いて設定された表示モードに基づいて第１のサブフィールド構成および第２のサブフィールド構成のいずれかを選択する。
【００８８】
なお、タイミング発生回路５５は、ダイナミックモードまたはスタンダードモードにおいて、画像信号のＡＰＬ（平均画像レベル；Ａｖｅｒａｇｅ  Ｐｉｃｔｕｒｅ  Ｌｅｖｅ１）に応じて第１のサブフィールド構成と第２のサブフィールド構成とを切り替えてもよい。
【００８９】
（４）第１のサブフィールド構成
まず、第１のサブフィールド構成について説明する。第１のサブフィールド構成では、１フィールドが時間軸上で複数のサブフィールドに分割され、各サブフィールドの輝度重みがそのサブフィールドよりも時間的に後に配置されたサブフィールドの輝度重みより大きくならないように複数のサブフィールドの輝度重みが設定されている。
【００９０】
本実施の形態では、１フィールドが時間軸上で１０個のサブフィールド（以下、第１ＳＦ、第２ＳＦ、・・・、および第１０ＳＦと略記する）に分割され、それらのサブフィールドがそれぞれ１、２、３、６、１１、１８、３０、４４、６０および８０の輝度重みを有する。このように、時間的に後に配置されたサブフィールドの輝度重みほど大きくなるように複数のサブフィールドの輝度重みが設定されている。表示輝度の最も低いサブフィールドは第１ＳＦである。
【００９１】
また、各フィールドの第１０ＳＦの後で次のフィールドまでの期間に擬似サブフィールド（以下、擬似ＳＦと略記する）が設けられている。
【００９２】
図４は図３のプラズマディスプレイ装置の第１のサブフィールド構成における駆動電圧波形図である。図４には、前のフィールドの第１０ＳＦの維持期間からその次のフィールドの第３ＳＦの初期化期間までが示されている。
【００９３】
第１ＳＦの初期化期間の前半部では、データ電極Ｄ１〜Ｄｍおよび維持電極ＳＵｌ〜ＳＵｎを０Ｖ（接地電位）に保持し、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎにランプ電圧を印加する。このランプ電圧は、放電開始電圧以下の正の電圧Ｖｉ１から放電開始電圧を超える正の電圧Ｖｉ２に向かって緩やかに上昇する。すると、全ての放電セルにおいて１回目の微弱な初期化放電が起こり、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎ上に負の壁電荷が蓄えられるとともに維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎ上およびデータ電極Ｄ１〜Ｄｍ上に正の壁電荷が蓄えられる。ここで、電極を覆う誘電体層または蛍光体層上等に蓄積した壁電荷により生じる電圧を電極上の壁電圧という。
【００９４】
続く初期化期間の後半部では、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎを正の電圧Ｖｅ１に保ち、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに正の電圧Ｖｉ３から負の電圧Ｖｉ４に向かって緩やかに下降するランプ電圧を印加する。すると、全ての放電セルにおいて２回目の微弱な初期化放電が起こり、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎ上の壁電圧および維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎ上の壁電圧が弱められ、データ電極Ｄ１〜Ｄｍ上の壁電圧も書込み動作に適した値に調整される。
【００９５】
以上のように、第１ＳＦの初期化期間では、全ての放電セルで初期化放電を発生させる全セル初期化動作が行われる。
【００９６】
表示輝度の最も低い第１ＳＦの書込み期間では、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに電圧Ｖｅ３を印加し、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎを一旦電圧Ｖｃに保持する。次に、１行目の走査電極ＳＣ１に負の走査パルス電圧Ｖａを印加するとともに、データ電極Ｄ１〜Ｄｍのうち１行目において発光すべき放電セルのデータ電極Ｄｋ（ｋは１〜ｍのいずれか）に正の書込みパルス電圧Ｖｄを印加する。すると、データ電極Ｄｋと走査電極ＳＣ１との交差部の電圧は、外部印加電圧（Ｖｄ−Ｖａ）にデータ電極Ｄｋ上の壁電圧および走査電極ＳＣ１上の壁電圧が加算された値となり、放電開始電圧を超える。それにより、データ電極Ｄｋと走査電極ＳＣ１との間および維持電極ＳＵ１と走査電極ＳＣ１との間で書込み放電が発生する。その結果、その放電セルの走査電極ＳＣ１上に正の壁電荷が蓄積され、維持電極ＳＵ１上に負の壁電荷が蓄積され、データ電極Ｄｋ上にも負の壁電荷が蓄積される。このようにして、１行目において発光すべき放電セルで書込み放電が発生して各電極上に壁電荷を蓄積させる書込み動作が行われる。一方、書込みパルス電圧Ｖｄが印加されなかったデータ電極Ｄｈ（ｈ≠ｋ）と走査電極ＳＣ１との交差部の電圧は放電開始電圧を超えないので、書込み放電は発生しない。以上の書込み動作を１行目の放電セルからｎ行目の放電セルに至るまで順次行い、書込み期間が終了する。
【００９７】
ここで注目すべきは、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに印加する電圧Ｖｅ３の値が電圧Ｖｅ１の値よりも高く設定されている点であり、特に、後述する電圧Ｖｅ２の値よりも高く設定されている点である。ここで、電圧Ｖｅ２は、表示輝度の最も低いサブフィールド以外のサブフィールドの書込み期間で維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに印加する電圧である。本実施の形態においては、電圧Ｖｅ３の値は電圧Ｖｅ２の値よりも約５Ｖ高く、かつ電圧Ｖｅ１の値よりも約１０Ｖ高く設定されている。
【００９８】
また、表示輝度の最も低いサブフィールドにおける書込みパルスのパルス幅はそれ以外のサブフィールドにおける書込みパルスのパルス幅と同じかまたは小さい。本実施の形態においては、第１ＳＦにおける書込みパルスのパルス幅は１．７μｓに設定されており、続く第２ＳＦ〜第１０ＳＦにおける書込みパルスのパルス幅と同じである。
【００９９】
同様に、表示輝度の最も低いサブフィールドにおける走査パルスのパルス幅はそれ以外のサブフィールドにおける走査パルスのパルス幅と同じかまたは小さい。本実施の形態においては、走査パルスのパルス幅についても同様に、第１ＳＦにおける走査パルスのパルス幅は続く第２ＳＦ〜第１０ＳＦにおける走査パルスのパルス幅と同じに設定されている。
【０１００】
続く維持期間では、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎを０Ｖに戻し、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに維持期間の最初の維持パルス電圧Ｖｓを印加する。このとき、書込み期間で書込み放電が発生した放電セルにおいては、走査電極ＳＣｉと維持電極ＳＵｉとの間の電圧は、維持パルス電圧Ｖｓに走査電極ＳＣｉ上の壁電圧および維持電極ＳＵｉ上の壁電圧が加算された値となり、放電開始電圧を超える。それにより、走査電極ＳＣｉと維持電極ＳＵｉとの間で維持放電が起こり、放電セルが発光する。その結果、走査電極ＳＣｉ上に負の壁電荷が蓄積され、維持電極ＳＵｉ上に正の壁電荷が蓄積され、データ電極Ｄｋ上に正の壁電荷が蓄積される。書込み期間で書込み放電が発生しなかった放電セルでは維持放電は起こらず、初期化期間の終了時における壁電荷の状態が保持される。続いて、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎを０Ｖに戻し、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに維持パルス電圧Ｖｓを印加する。すると、維持放電が起こった放電セルでは、維持電極ＳＵｉと走査電極ＳＣｉとの間の電圧が放電開始電圧を超えるので、再び維持電極ＳＵｉと走査電極ＳＣｉとの間で維持放電が起こり、維持電極ＳＵｉ上に負の壁電荷が蓄積され、走査電極ＳＣｉ上に正の壁電荷が蓄積される。以降同様に、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎと維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎとに予め定められた数の維持パルスを交互に印加することにより、書込み期間において書込み放電が発生した放電セルでは維持放電が継続して行われる。このようにして維持期間における維持動作が終了する。
【０１０１】
第２ＳＦの初期化期間では、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎを電圧Ｖｅ１に保持し、データ電極Ｄ１〜Ｄｍを０Ｖに保持し、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに正の電圧ｖｉ３’から負の電圧Ｖｉ４に向かって緩やかに下降するランプ電圧を印加する。すると、前のサブフィールドの維持期間で維持放電が起こった放電セルでは微弱な初期化放電が発生する。それにより、走査電極ＳＣｉ上の壁電圧および維持電極ＳＵｉ上の壁電圧が弱められ、データ電極Ｄｋ上の壁電圧も書込み動作に適した値に調整される。
【０１０２】
一方、前のサブフィールドで書込み放電および維持放電が起こらなかった放電セルにおいては、放電が発生することはなく、前のサブフィールドの初期化期間の終了時における壁電荷の状態がそのまま保たれる。
【０１０３】
このように、第２ＳＦの初期化期間では、直前のサブフィールドで維持放電が起こった放電セルで選択的に初期化放電を発生させる選択初期化動作を行う。
【０１０４】
第２ＳＦの書込み期間では、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに電圧Ｖｅ２を印加し、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎを電圧Ｖｃに保持する。次に、１行目の走査電極ＳＣ１に走査パルス電圧Ｖａを印加するとともにデータ電極Ｄ１〜Ｄｍのうち１行目において発光すべき放電セルのデータ電極Ｄｋに書込みパルス電圧Ｖｄを印加して書込み動作を行う。以上の書込み動作を１行目の放電セルからｎ行目の放電セルに至るまで順次行い、書込み期間が終了する。
【０１０５】
ここで印加される電圧Ｖｅ２の値は電圧Ｖｅ３の値よりも低く設定されている。本実施の形態においては、上述したように、電圧Ｖｅ２の値は電圧Ｖｅ３の値よりも約５Ｖ低く設定されている。
【０１０６】
続く維持期間の動作は、維持パルス数を除いて第１ＳＦの維持期間の動作と同様であるため説明を省略する。
【０１０７】
続く第３ＳＦ〜第１０ＳＦの初期化期間では、第２ＳＦの初期化期間と同様に選択初期化動作を行う。第３ＳＦ〜第１０ＳＦの書込み期間では、第２ＳＦと同様に維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに電圧Ｖｅ２を印加して書込み動作を行う。第３ＳＦ〜第１０ＳＦの維持期間では、維持パルス数を除いて第１ＳＦの維持期間と同様の維持動作を行う。
【０１０８】
１フィールドの最後の擬似ＳＦでは、第２ＳＦの初期化期間と同様に、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに電圧Ｖｅ１を印加し、データ電極Ｄ１〜Ｄｍを０Ｖに保ち、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに正の電圧Ｖｉ３’から負の電圧Ｖｉ４に向かって緩やかに下降するランプ電圧を印加する。すると、第２ＳＦの初期化期間と同様に、前のサブフィールドの維持期間で維持放電が起こった放電セルでは微弱な初期化放電が発生する。その後、各電極に一定の電圧を印加する。本実施の形態においては、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに電圧Ｖｃを印加し、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに電圧Ｖｅ１を印加し、データ電極Ｄ１〜Ｄｍを０Ｖに保つ。
【０１０９】
次に、第１のサブフィールド構成において、表示輝度の最も低い第１ＳＦの書込み期間で維持電極に印加する電圧Ｖｅ３を、それ以外のサブフィールドの書込み期間で維持電極に印加する電圧Ｖｅ２よりも高く設定する理由について説明する。
【０１１０】
上述したように、各サブフィールドの輝度重みがそのサブフィールドよりも時間的に後に配置されたサブフィールドの輝度重みより大きくならないように設定されている。本実施の形態においては、時間的に後に配置されたサブフィールドの輝度重みほど大きくなるように複数のサブフィールドの輝度重みが設定されている。
【０１１１】
ここで、第１ＳＦの輝度重みは「１」である。そのため、第１ＳＦは、表示輝度が最も低く、階調差の一番小さい画像を表示する。したがって、第１ＳＦでは、点灯すべき放電セル（以下、「点灯セル」と略記する）と点灯すべきでない放電セル（以下、「非点灯セル」と略記する）とがランダムに交じり合う傾向がある。このような場合、点灯セルと非点灯セルとが隣接する確率が高い。以下、非点灯セルに隣接する点灯セルを「孤立点灯セル」と称する。また、誤差拡散またはディザ拡散処理を行ったときには、第１ＳＦの点灯セルと非点灯セルとがランダムまたは規則的に交じり合うので、点灯セルが孤立点灯セルとなる確率はさらに高くなる。
【０１１２】
このような孤立点灯セルが書込み動作を行う際には、その直前に書込み動作を行った点灯セルが周囲に存在しないために、書込み放電に伴うプライミングを隣接する放電セルから得ることができない。したがって、従来の駆動方法においては、孤立点灯セルの放電遅れが大きくなる。その結果、孤立点灯セルでは、書込み放電で蓄積される壁電荷が不十分となって続く維持期間において維持放電が発生せず、あるいは書込み放電そのものが発生せず、孤立点灯セルが不灯セルとなることがある。
【０１１３】
これに対して、本実施の形態においては、第１ＳＦの書込み期間において維持電極に印加する電圧Ｖｅ３を高く設定しているので、書込み放電が発生しやすくなる。それにより、孤立点灯セルであっても確実に書込み放電を発生させることができ、孤立点灯セルが不灯セルになることを防止することができる。
【０１１４】
一方、維持電極に印加する電圧Ｖｅ３を高く設定すると、書込み放電が発生しやすくなる。それにより、発光すべきでない放電セルで書込み放電が起こり、維持期間において誤って発光する放電セル（以下、「誤点灯セル」と略記する）が増加するといった懸念があった。しかし、本発明者らが詳細に検討した結果、このような誤点灯はプライミングが過剰な点灯セルでしか発生しないことが明らかになった。
【０１１５】
具体的には、第１０ＳＦで点灯した放電セルは第１ＳＦにおいて誤点灯セルとなりやすい。第９ＳＦで点灯し第１０ＳＦでは点灯しなかった放電セルが第１ＳＦにおいて誤点灯セルとなる確率は下がる。第８ＳＦで点灯し第９ＳＦおよび第１０ＳＦで点灯しなかった放電セルが第１ＳＦにおいて誤点灯セルとなる確率は大幅に下がる。第５ＳＦで点灯し第６ＳＦ〜第１０ＳＦで点灯しなかった放電セルは、第１ＳＦにおいて誤点灯セルとはならない。
【０１１６】
この理由は次のように考えられる。第１０ＳＦでは、輝度重みが「８０」と最も大きく、維持放電が起こった放電セルの内部に大量のプライミングが発生し、そのプライミングが減衰する間もなく第１ＳＦの書込み動作が始まる。そのため、維持電極に印加する電圧Ｖｅ３を高く設定することにより書込み放電が発生しやすくなり、書込みパルスを印加していない放電セルでも書込み放電が起こり、誤点灯セルが発生する。一方、第５ＳＦで点灯し第６ＳＦ〜第１０ＳＦで点灯しなかった放電セルは、第５ＳＦの輝度重みが「１１」と比較的小さいことに加えて、第５ＳＦの維持期間から第１ＳＦの書込み期間まで十分時間がありプライミングがほとんど減衰するので、誤放電セルにはならない。
【０１１７】
このように、第１ＳＦの書込み期間において維持電極に印加する電圧Ｖｅ３を高く設定することにより誤放電セルの発生する可能性があるが、このような誤放電セルは高い階調を表示する放電セルでのみ発生することがわかった。一方、人間が感じる明るさは、よく知られているように、輝度に対して対数的な関係を有する。したがって、高い輝度を表示している領域において、誤点灯セルの発生によりわずかに輝度が増加したとしても、人間が明るさの変化を感じることはほとんどない。
【０１１８】
以上のように、第１のサブフィールド構成においては、第１ＳＦの書込み期間で維持電極に印加する電圧Ｖｅ３を高く設定することにより、孤立点灯セルであっても確実に書込み放電が発生する。それにより、不灯セルの発生が抑制され、画像表示品質が向上する。このとき、高階調の画像を表示している領域では誤放電セルが発生する可能性があるが、このような領域は輝度が高い。そのため、輝度重みの最も小さい第１ＳＦにおける誤点灯セルは視覚的に認識されにくく、実質上、誤点灯セルに伴う画質劣化は発生しない。
【０１１９】
（５）第２のサブフィールド構成
次に、第２のサブフィールド構成について説明する。第２のサブフィールド構成では、１フィールドが時間時上で複数のサブフィールドに分割され、各サブフィールドの輝度重みがそのサブフィールドよりも時間的に後に配置されたサブフィールドの輝度重みより大きくならないように複数のサブフィールドの輝度重みが設定されている。
【０１２０】
本実施の形態では、１フィールドが時間時上で１０個のサブフィールド（第１ＳＦ、第２ＳＦ、・・・、および第１０ＳＦ）に分割され、それらのサブフィールドがそれぞれ０．５、１、２、３、６、９、１５、２２、３０および４０の輝度重みを有する。このように、時間的に後に配置されたサブフィールドの輝度重みほど大きくなるように複数のサブフィールドの輝度重みが設定されている。すなわち、時間的により後に配置されたサブフィールドほど維持パルス数が多くなるように各サブフィールドの維持期間における維持パルス数が設定されている。表示輝度の最も低いサブフィールドは第１ＳＦである。
【０１２１】
また、第１０ＳＦの後で次のフィールドまでの期間に擬似ＳＦが設けられている。
【０１２２】
表示輝度の最も低い第１ＳＦは初期化期間を有さず、それ以外のサブフィールドは初期化期間を有する。また、表示輝度の最も低い第１ＳＦに続く第２ＳＦの初期化期間では、全セル初期化動作を行い、それ以外のサブフィールドの初期化期間では、選択初期化動作を行う。さらに、第１ＳＦでは、太幅部を有する１つのパルスを用いて階調表示を行う。
【０１２３】
図５は図３のプラズマディスプレイ装置の第２のサブフィールド構成における駆動電圧波形図である。図５には前のフィールドの第１０ＳＦの維持期間からその次のフィールドの第３ＳＦの初期化期間までを示している。
【０１２４】
第１ＳＦには初期化期間が設けられていない。これは次の理由による。前のフィールドの擬似ＳＦにおいて、誤放電を抑制するために各電極に印加される駆動波形が選択初期化動作のための駆動波形と同等に設定される。それにより、前のフィールドの擬似ＳＦにおいて、初期化動作も同時に行われる。詳細については後述する。なお、後述する第２ＳＦに全セル初期化動作を行う初期化期間が設けられている。
【０１２５】
第１ＳＦの書込み期間では、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに電圧Ｖｅ２を印加し、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎを一旦電圧Ｖｃに保持する。そして、１行目の走査電極ＳＣ１に走査パルス電圧Ｖａを印加するとともに、データ電極Ｄ１〜Ｄｍのうち１行目において発光すべき放電セルのデータ電極Ｄｋ（ｋは１〜ｍのいずれか）に書込みパルス電圧Ｖｄを印加する。すると、１行目において発光すべき放電セルで書込み放電が発生して書込み動作が行われる。以上の書込み動作を１行目の放電セルからｎ行目の放電セルに至るまで順次行い、書込み期間が終了する。
【０１２６】
第２のサブフィールド構成では、第１ＳＦの書込み期間の走査パルスおよび書込みパルスのパルス幅が、第２ＳＦ〜第１０ＳＦの書込み期間の走査パルスまたは書込みパルスのパルス幅よりも大きく設定されている。また、第２のサブフィールド構成における第１ＳＦの書込み期間の走査パルスおよび書込みパルスのパルス幅は、第１のサブフィールド構成における各サブフィールドの書込み期間の走査パルスまたは書込みパルスのパルス幅よりも大きく設定されている。これは以下の理由による。
【０１２７】
前のフィールドの第２ＳＦにおける全セル初期化動作からその次のフィールドにおける第１ＳＦの書込み期間までの経過時間が長いため、プライミングの不足により放電遅れが大きくなる傾向がある。そこで、放電遅れの大きい放電セルであっても確実に書込み放電が発生するように、走査パルスおよび書込みパルスのパルス幅が十分大きく設定されている。本実施の形態においては、第２のサブフィールド構成の第１ＳＦの書込み期間における走査パルスおよび書込みパルスのパルス幅がその他のサブフィールドの書込み期間における走査パルスおよび書込みパルスのパルス幅の約２倍である３μｓに設定されている。
【０１２８】
また、第２のサブフィールド構成において、第１ＳＦの書込み期間で維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに正の電圧Ｖｅ２を印加し、それ以外のサブフィールドの書込み期間でも維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに同様に正の電圧Ｖｅ２を印加する。これは以下の理由による。
【０１２９】
第１ＳＦでは、走査パルスおよび書込みパルスのパルス幅が大きく、書込み放電を発生させるための時間間隔が長い。そのため、仮に維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに印加する電圧を高く設定すると、書込み放電が発生しやすくなって誤点灯セルが生じるおそれがある。したがって、このような誤点灯セルが生じないように、走査パルスまたは書込みパルスのパルス幅が大きく設定されているサブフィールド（本実施の形態では第１ＳＦ）の書込み期間では、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに電圧Ｖｅ３よりも低い電圧Ｖｅ２を印加する。
【０１３０】
続く第１ＳＦの維持期間では、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎを０Ｖに戻し、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに太幅部を有する維持パルス電圧Ｖｓ’を印加する。このとき、書込み放電が発生した放電セルにおいては、走査電極ＳＣｉと維持電極ＳＵｉとの間の電圧は、太幅部を有する維持パルス電圧Ｖｓ’に走査電極ＳＣｉ上の壁電圧および維持電極ＳＵｉ上の壁電圧が加算された値となり、放電開始電圧を超える。それにより、走査電極ＳＣｉと維持電極ＳＵｉとの間で維持放電が起こり、放電セルが発光する。書込み期間において書込み放電が発生しなかった放電セルでは、維持放電は起こらず、擬似ＳＦの終了時における壁電荷の状態が保持される。
【０１３１】
なお、本実施の形態においては、第１ＳＦの維持期間の後に、消去期間が設けられる。この消去期間では、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎを正の電圧Ｖｅ１に保ち、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに正の電圧Ｖｉ３’から負の電圧Ｖｉ４に向かって緩やかに下降するランプ電圧を印加する。それにより、直前の維持期間において維持放電が起こった放電セルの壁電荷が調整される。この消去期間の維持電極および走査電極に印加される電圧は、第１のサブフィールド構成の第２ＳＦ〜第１０ＳＦにおける初期化期間、または第２のサブフィールド構成の第３ＳＦ〜第１０ＳＦにおける初期化期間と同じである。
【０１３２】
次に、第２ＳＦの初期化期間では、全セル初期化動作を行う。すなわち、初期化期間の前半部では、データ電極Ｄ１〜Ｄｍおよび維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎを０Ｖに保持し、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎにランプ電圧を印加する。このランプ電圧は、放電開始電圧以下である正の電圧Ｖｉ１から放電開始電圧を超える正の電圧Ｖｉ２に向かって緩やかに上昇する。そして、初期化期間の後半部では、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎを正の電圧Ｖｅ１に保ち、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに正の電圧Ｖｉ３から負の電圧Ｖｉ４に向かって緩やかに下降するランプ電圧を印加する。このようにして、全ての放電セルにおいて各電極上の壁電圧を書込み動作に適した値に調整する。
【０１３３】
本実施の形態では、第２のサブフィールド構成の第２ＳＦのみで全セル初期化動作が行われる。したがって、上述したとおり、全セル初期化動作から次の第１ＳＦの書込み期間までの経過時間が長く、第１ＳＦの書込み期間におけるプライミングの効果は小さい。
【０１３４】
第２ＳＦの書込み期間では、第１のサブフィールド構成における第２ＳＦ〜第１０ＳＦの書込み期間と同様の書込み動作が行われる。すなわち、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに電圧Ｖｅ２を印加し、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎを一旦電圧Ｖｃに保持する。次に、１行目の走査電極ＳＣ１に負の走査パルス電圧Ｖａを印加するとともに、データ電極Ｄ１〜Ｄｍのうち１行目において発光すべき放電セルのデータ電極Ｄｋに正の書込みパルス電圧Ｖｄを印加する。すると、データ電極Ｄｋと走査電極ＳＣ１との間および維持電極ＳＵ１と走査電極ＳＣ１との間で書込み放電が発生する。以上の書込み動作が１行目の放電セルからｎ行目の放電セルに至るまで順次行われ、書込み期間が終了する。
【０１３５】
続く維持期間では、第１のサブフィールド構成における第１ＳＦ〜第１０ＳＦの維持期間と同様の維持動作が行われる。すなわち、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎと維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎとに交互に維持パルスを印加する。それにより、書込み期間において書込み放電が発生した放電セルで維持放電が起こる。このようにして、維持期間における維持動作が終了する。
【０１３６】
第２のサブフィールド構成における第３ＳＦ〜第１０ＳＦの初期化期間、書込み期間および維持期間は、維持パルス数を除いて、第１のサブフィールド構成の第２ＳＦ〜第１０ＳＦにおける初期化期間、書込み期間および維持期間と同様であるので、説明を省略する。
【０１３７】
第１０ＳＦに続く擬似ＳＦでは、第１のサブフィールド構成の擬似ＳＦと同様に、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに電圧Ｖｅ１を印加し、データ電極Ｄ１〜Ｄｍを０Ｖに保ち、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに正の電圧Ｖｉ３’から負の電圧Ｖｉ４に向かって緩やかに下降するランプ電圧を印加する。すると、直前のサブフィールド（本実施の形態では第１０ＳＦ）の維持期間で維持放電が起こった放電セルにおいて微弱な初期化放電が発生する。その後、各電極に一定の電圧を印加する。本実施の形態においては、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに電圧Ｖｃを印加し、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに電圧Ｖｅ１を印加し、データ電極Ｄ１〜Ｄｍを０Ｖに保つ。
【０１３８】
このようにして、次のフィールドの第１ＳＦでは、初期化期間を省賂することが可能となり、駆動時間を短縮することができる。
【０１３９】
（６）維持電極駆動回路５４の回路構成
図６は図１の維持電極駆動回路５４の構成を示す回路図である。
【０１４０】
図６の維持電極駆動回路５４は、サステインドライバ５４０および電圧上昇回路５４１を含む。
【０１４１】
図６のサステインドライバ５４０は、ｎチャネルＦＥＴ（電界効果型トランジスタ；以下トランジスタと略記する）Ｑ１〜Ｑ４、回収コンデンサＣ１、回収コイルＬ１およびダイオードＤ１〜Ｄ４を含む。
【０１４２】
電圧上昇回路５４１は、ｎチャネルＦＥＴ（電界効果型トランジスタ；以下トランジスタと略記する）Ｑ５ａ，Ｑ６ａ，Ｑ７，Ｑ８、ｐチャネルＦＥＴ（電界効果型トランジスタ；以下トランジスタと略記する）Ｑ５ｂ，Ｑ６ｂ、ダイオードＤ５およびコンデンサＣ２を含む。
【０１４３】
サステインドライバ５４０のトランジスタＱ１は、電源端子Ｖ１とノードＮ１との間に接続され、ゲートには制御信号Ｓ１が入力される。電源端子Ｖ１には、電圧Ｖｓが印加される。トランジスタＱ２は、ノードＮ１と接地端子との間に接続され、ゲートには制御信号Ｓ２が入力される。ノードＮ１は、図２のサステイン電極ＳＵ１〜ＳＵｎに接続される。
【０１４４】
回収コンデンサＣ１は、ノードＮ３と接地端子との間に接続される。トランジスタＱ３およびダイオードＤ１は、ノードＮ３とノードＮ２との間に直列に接続される。ダイオードＤ２およびトランジスタＱ４は、ノードＮ２とノードＮ３との間に直列に接続される。トランジスタＱ３のゲートには制御信号Ｓ３が入力され、トランジスタＱ４のゲートには制御信号Ｓ４が入力される。回収コイルＬ１は、ノードＮ１とノードＮ２との間に接続される。ダイオードＤ３はノードＮ２と電源端子Ｖ１との間に接続され、ダイオードＤ４は接地端子とノードＮ２との間に接続される。
【０１４５】
電圧上昇回路５４１のダイオードＤ５は、電源端子Ｖ１１とノードＮ４との間に接続され、電源端子Ｖ１１には、電圧Ｖｅ１が印加される。
【０１４６】
トランジスタＱ５ａおよびトランジスタＱ５ｂは、ノードＮ４とノードＮ１との間に直列に接続される。トランジスタＱ５ａおよびトランジスタＱ５ｂのゲートにはそれぞれ制御信号Ｓ５ａおよび制御信号Ｓ５ｂが入力される。コンデンサＣ２は、ノードＮ４とノードＮ５との間に接続される。
【０１４７】
トランジスタＱ６ａおよびトランジスタＱ６ｂは、電源端子Ｖ１２とノードＮ５との間に直列に接続される。トランジスタＱ６ａおよびトランジスタＱ６ｂのゲートにはそれぞれ制御信号Ｓ６ａおよび制御信号Ｓ６ｂが入力される。電源端子Ｖ１２には、電圧ＶＥ２が印加される。なお、電圧ＶＥ２は、ＶＥ２＝Ｖｅ２−Ｖｅ１の関係を満たし、例えばＶＥ２＝５［Ｖ］である。トランジスタＱ７は、ノードＮ５と接地端子との間に接続され、ゲートには制御信号Ｓ７が入力される。
【０１４８】
トランジスタＱ８は、電源端子Ｖ１３とノードＮ５との間に接続され、ゲートには制御信号Ｓ８が入力される。電源端子Ｖ１３には、電圧ＶＥ３が印加される。電圧ＶＥ３は、ＶＥ３＝Ｖｅ３−Ｖｅ１の関係を満たし、例えばＶＥ３＝１０［Ｖ］である。
【０１４９】
上記の制御信号Ｓ１〜Ｓ４，Ｓ５ａ，Ｓ５ｂ，Ｓ６ａ，Ｓ６ｂ，Ｓ７，Ｓ８は、図２のタイミング発生回路５５から維持電極駆動回路５４にタイミング信号として与えられる。
【０１５０】
（７）維持電極駆動回路５４の動作
図７は図６の維持電極駆動回路５４の動作を示すタイミングチャートである。図７には、走査電極ＳＣ１に印加される駆動波形、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに印加される駆動波形、制御信号Ｓ１〜Ｓ４，Ｓ５ａ，Ｓ６ａ，Ｓ７，Ｓ８が示される。制御信号Ｓ５ｂは制御信号Ｓ５ａの波形に対して反転した波形を有し、制御信号Ｓ６ｂは制御信号Ｓ５ａの波形に対して反転した波形を有する。図７では、制御信号Ｓ５ｂ，Ｓ６ｂの図示を省略する。また、図７には、第１のサブフィールド構成における第１ＳＦの初期化期間、書込み期間および維持期間ならびに第２ＳＦの初期化期間および書込み期間が示される。
【０１５１】
第１ＳＦの初期化期間の開始時点ｔ０において、制御信号Ｓ１，Ｓ３，Ｓ４，Ｓ５ａ，Ｓ６ａ，Ｓ８がそれぞれローレベルとなっており、制御信号Ｓ２，Ｓ５ｂ，Ｓ６ｂ，Ｓ７がハイレベルとなっている。それにより、トランジスタＱ１，Ｑ３，Ｑ４，Ｑ５ａ，Ｑ５ｂ，Ｑ６ａ，Ｑ６ｂ，Ｑ８はそれぞれオフしている。また、トランジスタＱ２，Ｑ７はそれぞれオンしている。したがって、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎ（ノードＮ１）およびノードＮ５の電圧は０Ｖ（接地電位）となっている。
【０１５２】
初期化期間の時点ｔ１において、制御信号Ｓ２がローレベルになってトランジスタＱ２がオフする。また、制御信号Ｓ５ａがハイレベルになってトランジスタＱ５ａがオンし、かつ制御信号Ｓ５ｂがローレベルになってトランジスタＱ５ｂがオンする。それにより、電源端子Ｖ１１からダイオードＤ５およびトランジスタＱ５ａ，Ｑ５ｂを通してノードＮ１に電流が流れる。その結果、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎ（ノードＮ１）の電圧がＶｅ１まで上昇する。
【０１５３】
次に、書込み期間の時点ｔ２において、制御信号Ｓ７がローレベルになってトランジスタＱ７がオフする。また、制御信号Ｓ８がハイレベルになってトランジスタＱ８がオンする。それにより、電源端子Ｖ１３からトランジスタＱ８を通してノードＮ５に電流が流れる。その結果、ノードＮ５の電圧がＶＥ３まで上昇する。この場合、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎ（ノードＮ１）の電圧Ｖｅ１に電圧ＶＥ３が加算される。それにより、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎ（ノードＮ１）の電圧がＶｅ３まで上昇する。
【０１５４】
次に、書込み期間の時点ｔ３において、制御信号Ｓ５ａがローレベルになってトランジスタＱ５ａがオフし、かつ制御信号Ｓ５ｂがハイレベルになってトランジスタＱ５ｂがオフする。また、制御信号Ｓ８がローレベルになってトランジスタＱ８がオフする。さらに、制御信号Ｓ４がハイレベルになってトランジスタＱ４がオンし、制御信号Ｓ７がハイレベルになってトランジスタＱ７がオンする。それにより、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎ（ノードＮ１）から回収コイルＬ１、ダイオードＤ２およびトランジスタＱ４を通して回収コンデンサＣ１に電流が流れる。このとき、パネル容量の電荷が回収コンデンサＣ１に回収される。その結果、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎ（ノードＮ１）の電圧が下降する。また、ノードＮ５の電圧が０Ｖとなる。
【０１５５】
次に、維持期間の開始時点ｔ４において、制御信号Ｓ４がローレベルになってトランジスタＱ４がオフし、制御信号Ｓ２がハイレベルになってトランジスタＱ２がオンする。それにより、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎ（ノードＮ１）の電圧が０Ｖに維持される。
【０１５６】
次に、維持期間の時点ｔ５において、制御信号Ｓ２がローレベルになってトランジスタＱ２がオフし、かつ制御信号Ｓ３がハイレベルになってトランジスタＱ３がオンする。それにより、回収コンデンサＣ１からトランジスタＱ３、ダイオードＤ１および回収コイルＬ１を通して維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎ（ノードＮ１）に電流が流れる。その結果、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎ（ノードＮ１）の電圧が上昇する。
【０１５７】
続いて、維持期間の時点ｔ６において、制御信号Ｓ１がハイレベルになってトランジスタＱ１がオンし、制御信号Ｓ３がローレベルになってトランジスタＱ３がオフする。それにより、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎ（ノードＮ１）の電圧がＶｓに固定され、電源端子Ｖ１から供給される放電電流により維持放電が１回発生する。
【０１５８】
次に、維持期間の時点ｔ７において、制御信号Ｓ１がローレベルになってトランジスタＱ１がオフし、制御信号Ｓ４がハイレベルになってトランジスタＱ４がオンする。それにより、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎ（ノードＮ１）から回収コイルＬ１、ダイオードＤ２およびトランジスタＱ４を介して回収コンデンサＣ１に電流が流れ、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎ（ノードＮ１）の電圧が下降する。
【０１５９】
続いて、維持期間の時点ｔ８において、制御信号Ｓ２がハイレベルになってトランジスタＱ２がオンし、制御信号Ｓ４がローレベルになってトランジスタＱ４がオフする。それにより、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎ（ノードＮ１）の電圧が０Ｖに固定される。
【０１６０】
上記の動作を維持期間において繰り返し行うことにより、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに維持パルスが印加され、維持パルスの立ち上がり時に放電セルの維持放電が行われる。なお、図７には、維持期間において維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに印加される１つの維持パルスが示されている。
【０１６１】
維持期間の時点ｔ９において、制御信号Ｓ２がローレベルになってトランジスタＱ２がオフする。また、制御信号Ｓ５ａがハイレベルになってトランジスタＱ５ａがオンし、かつ制御信号Ｓ５ｂがローレベルになってトランジスタＱ５ｂがオンする。それにより、電源端子Ｖ１１からダイオードＤ５およびトランジスタＱ５ａ，Ｑ５ｂを通してノードＮ１に電流が流れる。その結果、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎ（ノードＮ１）の電圧がＶｅ１まで上昇する。
【０１６２】
次に、第２ＳＦの初期化期間においては、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎ（ノードＮ１）の電圧がＶｅ１に維持される。
【０１６３】
第２ＳＦの書込み期間の開始時点ｔ１０において、制御信号Ｓ７がローレベルになってトランジスタＱ７がオフする。また、制御信号Ｓ６ａがハイレベルになってトランジスタＱ６ａがオンし、かつ制御信号Ｓ６ｂがローレベルになってトランジスタＱ６ｂがオンする。それにより、電源端子Ｖ１２からトランジスタＱ６ａおよびトランジスタＱ６ｂを通してノードＮ５に電流が流れる。その結果、ノードＮ５の電圧がＶＥ２まで上昇する。この場合、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎ（ノードＮ１）の電圧Ｖｅ１に電圧ＶＥ２が加算される。それにより、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎ（ノードＮ１）の電圧がＶｅ２まで上昇する。
【０１６４】
（８）トランジスタＱ５ａ，Ｑ５ｂ，Ｑ６ａ，Ｑ６ｂの機能
ここで、上述の図６に示すように、ノードＮ４とノードＮ１との間に２つのトランジスタＱ５ａ，Ｑ５ｂを直列に接続している理由および電源端子Ｖ１２とノードＮ５との間に２つのトランジスタＱ６ａ，Ｑ６ｂを直列に接続している理由を以下に説明する。
【０１６５】
トランジスタＱ５ａは寄生ダイオードＤ５ａを有し、トランジスタＱ５ｂは寄生ダイオードＤ５ｂを有する。
【０１６６】
ここで、ノードＮ４とノードＮ１との間に、例えばトランジスタＱ５ａのみを接続した場合を考える。電圧Ｖｓは電圧Ｖｅ１よりも高い。トランジスタＱ１がオンしたとき、電源端子Ｖ１からトランジスタＱ１およびトランジスタＱ５ａの寄生ダイオードＤ５ａを通してノードＮ４に電流が流れ、コンデンサＣ２が電圧Ｖｓに充電される。
【０１６７】
この状態で、トランジスタＱ５ａがオンすると、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎ（ノードＮ１）には電圧Ｖｅ１ではなく、コンデンサＣ２の電圧Ｖｓが印加されてしまう。
【０１６８】
そこで、本実施の形態では、トランジスタＱ５ａに直列にトランジスタＱ５ｂを接続する。この場合、トランジスタＱ５ｂの寄生ダイオードＤ５ｂがトランジスタＱ５ａの寄生ダイオードＤ５ａとは逆向きに接続される。それにより、トランジスタＱ１がオンしたときに、トランジスタＱ５ｂの寄生ダイオードＤ５ｂにより電源端子Ｖ１からの電流がコンデンサＣ２の方向へ流れることが阻止される。その結果、トランジスタＱ５ａ，Ｑ５ｂがオンした場合に、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎ（ノードＮ１）に電圧Ｖｅ１が印加される。
【０１６９】
また、トランジスタＱ６ａは寄生ダイオードＤ６ａを有し、トランジスタＱ６ｂは寄生ダイオードＤ６ｂを有する。
【０１７０】
ここで、電源端子Ｖ１２とノードＮ５との間に、例えばトランジスタＱ６ａのみを接続した場合を考える。電圧ＶＥ３は電圧ＶＥ２よりも高い。トランジスタＱ８がオンしたとき、電源端子Ｖ１３からトランジスタＱ８およびトランジスタＱ６ａの寄生ダイオードＤ６ａを通して電源端子Ｖ１２に電流が流れる。それにより、無駄な電流が消費されるとともに、コンデンサＣ２が電圧ＶＥ３まで充電されない。そのため、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎ（ノードＮ１）には電圧Ｖｅ３ではなく、電圧Ｖｅ２が印加されてしまう。
【０１７１】
そこで、本実施の形態では、トランジスタＱ６ａに直列にトランジスタＱ６ｂを接続する。この場合、トランジスタＱ６ｂの寄生ダイオードＤ６ｂがトランジスタＱ６ａの寄生ダイオードＤ６ａとは逆向きに接続される。それにより、トランジスタＱ８がオンしたときに、トランジスタＱ６ｂの寄生ダイオードＤ６ｂにより電源端子Ｖ１３からの電流が電源端子Ｖ１２の方向へ流れることが阻止される。その結果、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎ（ノードＮ１）に電圧Ｖｅ３が印加される。
【０１７２】
（９）他の実施の形態
なお、上記実施の形態においては、各サブフィールドの輝度重みがそのサブフィールドよりも後に配置されたサブフィールドの輝度重みより大きくならないように設定されているが、サブフィールド数または各サブフィールドの輝度重みは上記実施の形態に限定されるものではない。例えば、１フィールドが１２個のサブフィールド（第１ＳＦ、第２ＳＦ、・・・、および第１２ＳＦ）に分割され、それらのサブフィールドの輝度重みがそれぞれ１、２、４、８、１６、３２、５６、４、１２、２４、４０および５６に設定されてもよい。すなわち、１フィールドが輝度重みの増加する２つまたはそれ以上のサブフィールド群で構成されている場合にも本発明を適用することができる。
【０１７３】
（１０）請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
【０１７４】
上記実施の形態では、維持電極駆動回路５４のサステインドライバ５４０が駆動回路の例であり、タイミング発生回路５５が選択部の例であり、維持電極駆動回路５４の電圧上昇回路５４１が電圧設定回路の例である。維持電極駆動回路５４およびタイミング発生回路５５が駆動装置の例である。
【０１７５】
また、電源端子Ｖ１１が第１のノードの例であり、電源端子Ｖ１２が第２のノードの例であり、電源端子Ｖ１３が第３のノードの例であり、ノードＮ５が第４のノードの例である。電圧Ｖｅ１が第１の電圧の例であり、電圧ＶＥ２が第２の電圧の例であり、電圧ＶＥ３が第３の電圧の例である。
【０１７６】
容量Ｃ２およびトランジスタＱ６ａ，Ｑ６ｂ，Ｑ８が加算回路の例であり、トランジスタＱ５ａ，Ｑ５ｂが第１のスイッチング回路の例であり、トランジスタＱ６ａ，Ｑ６ｂが第２のスイッチング回路の例であり、トランジスタＱ８が第３のスイッチング回路の例である。トランジスタＱ５ａまたはトランジスタＱ６ａがｎチャネルスイッチング素子の例であり、トランジスタＱ５ｂまたはトランジスタＱ６ｂがｐチャネルスイッチング素子の例であり、トランジスタＱ７またはトランジスタＱ８がスイッチング素子の例である。
【産業上の利用可能性】
【０１７７】
本発明は、種々の画像を表示する表示装置に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１７８】
【図１】図１は本発明の実施の形態に係るプラズマディスプレイ装置におけるプラズマディスプレイパネルの一部を示す分解斜視図
【図２】図２は図１のプラズマディスプレイパネルの電極配列図
【図３】図３は本発明の実施の形態に係るプラズマディスプレイ装置の回路ブロック図
【図４】図４は図３のプラズマディスプレイ装置の第１のサブフィールド構成における駆動電圧波形図
【図５】図５は図３のプラズマディスプレイ装置の第２のサブフィールド構成における駆動電圧波形図
【図６】図６は図１の維持電極駆動回路の構成を示す回路図
【図７】図７は図６の維持電極駆動回路の動作を示すタイミングチャート
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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