(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性支持体上に感光層を有する電子写真感光体において、導電性支持体上に短波長光吸収層を介して感光層、表面保護層を順に積層してなり、
前記短波長光吸収層が少なくとも４００〜４５０ｎｍの書き込み光源波長域に吸収を有し、
前記短波長光吸収層が、ジブロモアンスアントロン、下記構造式（ｃ）で示される化合物、及び下記構造式（ｅ）で示される化合物から選択される少なくとも１種を含有し、
前記導電性支持体の表面粗さがＲｚ値で０．０２μｍ以上１．５μｍ以下であり、前記短波長光吸収層の表面粗さがＲｚ値で０．０２μｍ以上１．５μｍ以下であり、かつ感光層最外表面の表面粗さがＲｚ値で０．０２μｍ以上１．５μｍ以下であることを特徴とする電子写真感光体。
【化１】
0004422357.tif 000044
【化２】
0004422357.tif 000045
【請求項２】
電子写真感光体が導電性支持体上に短波長光吸収層を介して電荷発生層、電荷輸送層および表面保護層を順次設けた積層型電子写真感光体で構成されることを特徴とする請求項１記載の電子写真感光体。
【請求項３】
表面保護層が少なくともフィラーおよびバインダー樹脂からなる層で構成されることを特徴とする請求項２記載の電子写真感光体。
【請求項４】
表面保護層が少なくともフィラーおよび電荷輸送材料からなる層で構成されることを特徴とする請求項２記載の電子写真感光体。
【請求項５】
フィラーが酸化チタン、酸化スズ、酸化亜鉛、酸化ジルコニウム、酸化インジウム、窒化ケイ素、酸化カルシウム、硫酸バリウム、シリカ、コロイダルシリカ、アルミナ、カーボンブラック、フッ素系樹脂微粉末、ポリシロキサン系樹脂微粉末、ポリエチレン系樹脂微粉末、コア−シェル構造を有するグラフト共重合体から選ばれた少なくとも１種であることを特徴とする請求項３又は４記載の電子写真感光体。
【請求項６】
表面保護層が少なくとも高分子型電荷輸送材料からなる層で構成されることを特徴とする請求項２記載の電子写真感光体。
【請求項７】
表面保護層が少なくとも硬化型樹脂からなる層で構成されることを特徴とする請求項２記載の電子写真感光体。
【請求項８】
表面保護層の表面の純水に対する接触角が、９０度以上であることを特徴とする請求項２記載の電子写真感光体。
【請求項９】
感光層から表面保護層までの膜厚が４μｍ以上１５μｍ以下であることを特徴とする請求項２〜８のいずれかに記載の電子写真感光体。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれかに記載の電子写真感光体と、帯電手段、像露光手段、現像手段及び転写手段及びクリーニング手段から選ばれた少なくとも一つの手段とを一体的に形成し、電子写真装置本体に着脱自在としたことを特徴とするプロセスカートリッジ。
【請求項１１】
少なくとも請求項１〜９のいずれかに記載の電子写真感光体と、帯電手段、４００〜４５０ｎｍの範囲に発振波長を有する半導体レーザーもしくは発光ダイオードを使用した像露光手段、現像手段、転写手段及びクリーニング手段を備えたことを特徴とする電子写真装置。
【請求項１２】
書き込み光源の主走査方向および副走査方向のビーム径のうち短い方のビーム径が１０〜４０μｍであることを特徴とする請求項１１記載の電子写真装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、複写機、プリンター、ファクシミリ等に使用される電子写真感光体とそれを用いたプロセスカートリッジ、電子写真装置に関し、詳しくは、高画質化の要求にこたえられる記録密度１２００ｄｏｔ／ｉｎｃｈ以上を可能にする超高解像度の電子写真感光体とそれを用いたプロセスカートリッジ、電子写真装置に関し、さらには高い耐久性のもとに高画質が安定して得られる電子写真感光体とそれを用いたプロセスカートリッジ、電子写真装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、電子写真方式において使用される電子写真感光体（以下、単に感光体と言うことがある）の光導電体としては大きく分けて種々の無機及び有機光導電体が知られている。ここにいう「電子写真方式」とは一般に、光導電性の感光体をまず暗所で、例えばコロナ放電によって帯電させ、次いで像露光し、露光部のみの電荷を選択的に逸散させて静電潜像を得て、この潜像部を染料、顔料などの着色剤と高分子材料などで構成されるトナーで現像し、可視化して画像を形成するようにした、いわゆるカールソンプロセスとよばれる画像形成プロセスである。
【０００３】
有機の光導電体を用いた感光体は無機光導電体のものに比べ、感光波長域の自由度、成膜性、可撓性、膜の透明性、量産性、毒性やコスト面等において利点を持つため、現在ではほとんどの感光体には有機光導電体が用いられている。またこの電子写真方式および類似プロセスにおいてくり返し使用される感光体には、感度、受容電位、電位保持性、電位安定性、残留電位、分光感度特性に代表される静電特性が優れていることが要求される。
【０００４】
近年では、電子写真方式を用いた情報処理システム機の発展は目覚ましいものがある。特に情報をデジタル信号に変換して光によって情報記録を行うデジタル記録方式を用いたプリンターは、そのプリント品質、信頼性において向上が著しい。またこのデジタル記録方式はプリンターのみならず通常の複写機にも応用され、所謂デジタル複写機が開発されている。さらに、このデジタル複写機は、種々様々な情報処理機能が付加されるため今後その需要性が益々高まっていくと予想される。
【０００５】
現在これらの方式に用いられる電子写真感光体は、一般的には、導電性支持体上に直接または中間層を介して電荷発生層を形成し、その上に電荷輸送層を設けたいわゆる機能分離型積層感光体が主流である。さらには、機械的もしくは化学的耐久性向上のため感光体最表面に表面保護層を形成する。この機能分離型積層感光体において、表面が帯電された感光体が露光されたとき、光は電荷輸送層を透過し、電荷発生層中の電荷発生材料に吸収される。電荷発生材料はこの光を吸収して電荷担体を発生する。発生した電荷担体は電荷輸送層に注入され帯電によって生じている電界に沿って電荷輸送層を移動して感光体の表面電荷を中和する。その結果感光体の表面に静電潜像が形成される。よって、機能分離型積層感光体には主として近赤外部から可視部に吸収を持つ電荷発生材料と、電荷発生材料の吸収光の透過を妨げない、すなわち可視部（黄色光域）から紫外部に吸収を持つ電荷輸送材料との組みあわせが多く用いられている。
【０００６】
このようなデジタル記録方式に対応させる光源としては、例えば、小型で安価な信頼性の高い半導体レーザー（ＬＤ）や発光ダイオード（ＬＥＤ）が多く使われている。現在最もよく使用されているＬＤの発振波長域は７８０〜８００ｎｍ付近の近赤外光領域にある。また、代表的なＬＥＤの発光波長は７４０ｎｍにある。
【０００７】
一方、最近ではこのデジタル記録方式に対応させる書込光源として４００〜４５０ｎｍに発振波長を有する紫色から青色の短波長ＬＤ、ＬＥＤが開発、上場されるにおよんでいる。たとえば発振波長が従来からの近赤外域ＬＤに比べ約半分近くとなる短波長ＬＤを書込光源として用いた場合、下式（３）で示されるように、感光体上におけるレーザービームのスポット径を理論上かなり小さくすることが可能である。したがってこれらは潜像の書込密度すなわち解像度を上げることに非常に有利なものである。
ｄ∝（π／４）（λｆ／Ｄ）          （３）
（式中ｄは感光体上のスポット径、λはレーザー光の波長、ｆはｆθレンズの焦点距離、Ｄはレンズ径）
【０００８】
また、この短波長ＬＤ、ＬＥＤにより光学系を含む電子写真装置のコンパクト化、電子写真方式の高速化がはかれるなどの利点があるため、これら約４００〜４５０ｎｍのＬＤもしくはＬＥＤ発振光源に対応した高感度、高安定な電子写真感光体が要求されている。
【０００９】
ところが、現行の電子写真装置は３００〜６００ｄｐｉ程度の解像度であり、写真調の画像としては十分ではなかった。このため、より高解像な電子写真装置が望まれており、それに向けた開発が行われている。解像度を上げるためには最小ドット径を小さくすることが有効でり、その為にはよりビーム径を小さくした像露光手段と小さな電位潜像を可能にする電子写真感光体とそれを再現性良く現像する現像手段が必要になる。
【００１０】
しかしながら、これらを全て満足する電子写真装置は未だ開発されていない。像露光手段においては、従来小型で安価な信頼性の高い半導体レーザー（ＬＤ）や発光ダイオード（ＬＥＤ）が多く使われている。現在最もよく使われているＬＤの発振波長域は７８０〜８００ｎｍ付近の近赤外光領域にある。そしてそのビームスポット径は約１５０〜６０μｍ程度である。これを１２００ｄｐｉ相当のドット径約３０μｍ又は２４００ｄｐｉ相当のドット径約１５μｍに絞り込むためには超高精度な光学部品や大きな光学部材が必要になりコスト的にも、スペース的にも実用化できるものではなかった。この解決のためには光源波長を短くすることが有効と考えられており、短波長レーザを使用した電子写真装置が提案されている（特開平５−１９５９８号公報）。しかしながら、この様にビーム径を小さくしただけでは超高解像度の画像は得られなかった。
【００１１】
従来の電子写真装置に使用されている電子写真感光体は一般的には導電性支持体上に電荷発生層を形成し、その上に電荷輸送層を設けたいわゆる機能分離型積層感光体が主流である。さらには、機械的、もしくは化学的耐久性向上のため感光体最表面に表面保護層を形成する場合もある。
【００１２】
この機能分離型積層感光体において、表面が帯電された感光体が露光されたとき、光は電荷輸送層を透過し、電荷発生層中の電荷発生材料に吸収される。電荷発生材料はこの光を吸収して電荷担体を発生する。発生した電荷担体は電荷輸送層に注入され帯電によって生じている電界に沿って電荷輸送層を移動して感光体の表面電荷を中和する。その結果感光体の表面に静電潜像が形成される。よって、機能分離型積層感光体には主として近赤外部から可視部に吸収を持つ電荷発生材料と、電荷発生材料の吸収光の透過を妨げない、すなわち可視部（黄色光域）から紫外部に吸収を持つ電荷輸送材料との組みあわせが多く用いられている。この様な電子写真感光体を使用した場合４００〜４５０ｎｍのような非常に短波長の光では電荷輸送層に吸収されてしまい感度が低下してしまうという欠点を有する。それに対しては吸収の比較的少ない電荷輸送材料を使用した電子写真装置が提案されている。
【００１３】
この様に電子写真感光体の電荷発生層にビーム径の小さい光を照射できるようにしてもなお超解像度の画像形成は困難であった。画像形成の高速化、デジタル化に伴って光照射部位のエネルギー密度は高くなり、電子写真感光体の電荷発生層で発生する電荷密度は高くなる。高密度で発生した電荷は電荷輸送層中を感光体表面まで移動するあいだに面方向に拡散してしまい、折角ビーム径を絞っても感光体上に形成される静電潜像は大きくなってしまった。
【００１４】
これを解決するためには電子写真感光体の電荷輸送層の膜厚を小さくすることが有効であるが、現状の１／２〜１／３にする必要があり、帯電安定性や寿命や導電性支持体の凹凸による電位ムラによるドット再現性の低下が起こり、その実現は非常に困難であった。この様な状況により未だ超高解像度を有する電子写真装置は市場提供されていない。
【００１５】
一方、電子写真装置に使用される電子写真感光体として、導電性支持体上に電荷発生材料と電荷輸送性材料とバインダーを主成分とする感光層を設けた単層型のものが知られている。この感光体は光照射による電荷発生が感光体表面部位で生じるため静電潜像の広がりは少なくなり、超高解像度電子写真用として有利である。しかしながら、機能分離型積層感光体に比べ感度や残留電位特性が劣り、高速化が要求される電子写真装置への課題を残している。
【００１６】
また、導電性支持体上に電荷輸送層、電荷発生層の順に積層された逆層型の電子写真感光体も知られている。この場合も電荷発生が感光体表面部位で生じるため上記静電潜像の広がりは少なくなり、超高解像度電子写真用として有利である。例えば、特開平９−２４００５１号公報に発振波長４００〜５００ｎｍのＬＤを光源として用いた電子写真装置が開示されている。しかしながらこの感光体層構成は脆弱な薄膜の電荷発生層が最表面に形成されるため、これが帯電、現像、転写、クリーニング手段により機械的、化学的なハザードを受けやすくなり、繰り返し使用による感光体の劣化が著しいので実用的ではない。
【００１７】
寿命を上げるために表面保護層を形成した逆層感光体の提案も行われている（特開平１−１７０９５１号公報）。この場合、オゾン発生量を低下させた環境負荷の小さい電子写真装置の提供が狙いとなっており、超高解像電子写真装置用の感光体としての設計は行われていなかった。高画質を繰り返して行われる画像形成プロセス特に色の再現性、持続性の要求されるカラー画像形成において、高耐久と両立する電子写真装置の提供はなされていない。
【００１８】
以上のように、電子写真感光体として静電潜像の広がりを防ぐ構成の提案もされているが、トナー現像と転写を含めた画像形成プロセスの中で像露光手段のビーム径と電子写真感光体の静電潜像の広がりを考慮しただけでは超高解像度な画像を形成し、高速で、耐久性に優れた電子写真装置は提供できていない。
【００１９】
また、４００ｄｐｉ以上の高解像度を求める場合、半導体レーザーや発光ダイオードなど可干渉性の光を露光光として使用する本発明のような装置においては、電子写真感光体の感光層の膜厚偏差などに起因する干渉縞模様が画像に現れるという問題が非常に顕著になり、この課題解決が求められる。また、高画質化を考慮した感光体設計を行おうとする際、既存の電荷発生材料を用いた機能分離型における電荷発生層について、本発明の像露光光源波長に対して電荷発生層の吸光度は小さく、特に吸光度が２．０以下になるような場合、干渉縞が発生しやすくなるという欠点を有する。これに対し、単に電荷発生層の膜厚を厚くしたり、電荷発生材料の濃度を上げる方法も考えられるが、繰り返し使用に対する帯電電位の低下などを生じやすく問題がある。
【００２０】
さらに、特開平３−６２０３９号公報などには、導電性基体表面の粗面化により干渉縞対策がなされているが、表面を粗面化しすぎると、今度はクリーニング不良の問題を生じてしまう。さらに、特開平７−１６００２８号公報など下引き層、あるいは感光層中に色素などを添加して、干渉縞抑制を試みているが、従来から既知であるシアニン色素等は光劣化が大きく、目的を達成するには十分な効果を期待できない。
【００２１】
【発明が解決しようとする課題】
したがって、本発明が解決しようとする課題は、特に４００〜４５０ｎｍの範囲に発振波長を有する半導体レーザーもしくは発光ダイオードを用いて像露光手段となすとき、その露光光源波長に対する電荷発生層の吸光度が小さい場合であっても、電荷発生層を通過する光による干渉縞発生を防止し、１２００ｄｐｉ以上さらには２４００ｄｐｉの超高解像度な画像形成が可能で、高い耐久性のもとに高画質が安定して得られる電子写真装置を提供することである。
【００２２】
【課題を解決しようとする手段】
本発明はこのような従来の欠点や問題点を解消するものであって、少なくとも電子写真感光体、帯電手段、像露光手段、現像手段を装着した電子写真装置において、像露光手段の書き込み光源の波長が４００〜４５０ｎｍの範囲に発振波長を有する半導体レーザーもしくは発光ダイオードであり、電子写真感光体が導電性基体上に短波長吸収層、感光層および表面保護層の順に積層されており、かつ、該導電性支持体の表面粗さがＲｚ値で０．０２μｍ以上１．５μｍ以下であり、かつ該短波長光吸収層の表面粗さがＲｚ値で０．０２μｍ以上１．５μｍ以下であり、かつ該感光層最外表面の表面粗さがＲｚ値で０．０２μｍ以上１．５μｍ以下であることを特徴とする電子写真装置が提供される。
【００２３】
本装置における感光体は、高画質を達成するための超高解像度な画像形成の要求を満たすとともに、高い耐久性のもとにトナー現像と転写が安定していることを実現したものである。
すなわち、高画質を達成するため像露光手段および電子写真感光体の感光層を工夫するとともに、露光光源波長に対して電荷発生層の吸光度が小さいとき、電荷発生層を通過する光を短波長光吸収層で吸収することにより干渉縞発生を抑制し、高画質化を達成するものである。また、該導電性支持体の表面粗さがＲｚ値で０．０２μｍ以上１．５μｍ以下であり、かつ該短波長光吸収層の表面粗さがＲｚ値で０．０２μｍ以上１．５μｍ以下であり、かつ該感光層最外表面の表面粗さがＲｚ値で０．０２μｍ以上１．５μｍ以下とすることで、短波長光吸収層による電荷発生層透過光低減と相乗効果により干渉縞を極力低減できるものである。
【００２４】
【発明の実施の形態】
本発明の電子写真感光体の感光層としては、代表的な層構成を以下に示すがこれに限定されるものではない。図１に示すように、導電性支持体１上に短波長光吸収層２を形成し、電荷発生層３を形成し、この電荷発生層上に電荷輸送層４を形成し、この電荷輸送層上に保護層５が設けられる。この構成を採る場合は、保護層および電荷輸送層は、書き込み光に対して十分な透過率を持つことが要求される。さらに具体的には、３９０〜４６０ｎｍ波長領域の単色光に対して５０％以上の透過率を示すことが望ましい。また電荷発生層で発生したキャリアーが電荷輸送層および保護層を移動していく過程で拡散し、超高解像度の画像形成を阻害するのを防ぐため、電荷輸送層および保護層の膜厚はなるべく薄くしたほうが良い。ただし、保護層は高耐久化を達成するためには、１〜３μｍを必要とするものであり、電荷輸送層は現像などの条件にもよるが、５〜１５μｍが適切である。
【００２５】
また電荷輸送機能は、正孔輸送機能と電子輸送機能がある。電荷輸送層に用いる場合、これら材料は単独でも両機能材料を混合して使用しても良いが、保護層にも電荷輸送機能を持たせる場合には、電荷輸送層と同じ機能を持たせるほうが良い。
【００２６】
各層の構成要素について以下に説明する。
導電性支持体としては、アルミニウム、ニッケル、銅、チタン、金、ステンレス等の金属板、金属ドラムまたは金属箔、アルミニウム、ニッケル、銅、チタン、金、酸化錫、酸化インジウムなどを蒸着したプラスチックフィルム或いは導電性物質を塗布した紙、プラスチックなどのフィルムまたはドラム等が挙げられる。上記以外の材料として鉄、銀、亜鉛、鉛、錫、アンチモン、インジウムなどの金属や合金、あるいは前記金属の酸化物、カーボン、導電性ポリマーなども挙げられ、上述のように導電性材料をそのまま成形加工することや、適宜の基体上に上記導電性材料を塗布、蒸着、エッチング、プラズマ処理等の手段で成膜することによって得られた導電性支持体を使用することができる。
【００２７】
導電性支持体の表面粗さはＲｚ値で０．０２μｍから１．５μｍとされる。導電性支持体の表面粗さが０．０２μｍより小さい場合には、レーザー光の散乱が小さくなり干渉縞等の画像欠陥を生じやすくなったり、感光層との接着性が弱くなり剥離をおこして白抜け等の画像欠陥を起こしたりする。また、表面粗さが１．５μｍを越える場合には、感光層表面の電位ムラを起こしてドット再現性が低下したり、異常放電によるピンホールが感光層に生成し、黒ポチ等の画像欠陥が発生したりする。
【００２８】
本発明の導電性基体上に形成させる短波長光吸収層としては、一般には樹脂を主成分とするが、これらの樹脂はその上に感光層を溶剤で塗布することを考えると、一般の有機溶剤に対して耐溶剤性の高い樹脂であることが望ましい。このような樹脂としては、ポリビニルアルコール、カゼイン、ポリアクリル酸ナトリウム等の水溶性樹脂、共重合ナイロン、メトキシメチル化ナイロン等のアルコール可溶性樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、フェノール樹脂、アルキッド−メラミン樹脂、エポキシ樹脂等、三次元網目構造を形成する硬化型樹脂等が挙げられる。また、干渉縞防止、抵抗値の最適化等のために酸化チタン、シリカ、アルミナ、酸化ジルコニウム、酸化スズ、酸化インジウム等で例示できる金属酸化物の微粉末顔料を加えてもよい。これらの短波長光吸収層は適当な溶媒、塗工法を用いて形成することができる。更にシランカップリング剤、チタンカップリング剤、クロムカップリング剤等を使用することもできる。このほかにも公知のものを用いることができる。
【００２９】
短波長光吸収層の表面粗さはＲｚ値で０．０２μｍから１．５μｍとされる。短波長光吸収層の表面粗さが０．０２μｍより小さい場合には、レーザー光の散乱が小さくなり干渉縞等の画像欠陥を生じやすくなったり、電荷発生層との接着性が弱くなり剥離をおこして白抜け等の画像欠陥を起こしたりする。また、表面粗さが１．５μｍを越える場合には、感光層表面の電位ムラを起こしてドット再現性が低下したり、異常放電によるピンホールが感光層に生成し、黒ポチ等の画像欠陥が発生したりする。
【００３０】
また、短波長光吸収層には以下に示す短波長光吸収材料をバインダー中に含有させる。短波長光吸収材料としては、電子輸送性を示すいわゆるｎ型顔料、電子輸送材料、キレート色素、紫外線吸収剤などがあげられる。
【００３１】
電子輸送性を示すいわゆるｎ型顔料としては、例えば、ペリレン顔料、チオインジゴ顔料、キナクリドン顔料、ジオキサジン顔料、ジスアゾ顔料、トリスアゾ顔料などｎ型の半導体特性を示す有機顔料があげられる。この中でも特に３９０〜４６０ｎｍ波長領域の単色光に対して吸光度の高いものが好適に使用される。
【００３２】
電子輸送材料としては、例えば、クロルアニル、ブロムアニル、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタン、２，４，７−トリニトロ−９−フルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロ−９−フルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロキサントン、２，４，８−トリニトロチオキサントン、２，６，８−トリニトロ−インデノ４Ｈ−インデノ［１，２−ｂ］チオフェン−４−オン、１，３，７−トリニトロジベンゾチオフェン−５，５−ジオキサイド、オキサジアゾール誘導体、（２，３−ジフェニル−１−インデニリデン）マロノニトリル、ジニトロベンゼン、ジニトロアントラセン、マロノニトリル、チオピラン系化合物、ベンゾキノン、ジフェノキノン、スチルベンキノンなどのキノン類とその誘導体、ジニトロアントラセン、ジニトロアクリジン、ニトロアントラキノン、ジニトロアントラキノン、無水コハク酸、無水マレイン酸、ジブロモ無水マレイン酸などを挙げることができ、さらに、ジフェノキノン誘導体や下記式に挙げる電子輸送物質を好適に使用することができる。これらの電荷輸送物質は単独または２種類以上混合して用いても良い。
【化１】
0004422357.tif 000002
（式中Ｒ1、Ｒ2およびＲ3は水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換のアルキル基、アルコキシ基、置換もしくは無置換のフェニル基を表し、それぞれ同じでも異なっていても良い。）
【００３３】
キレート色素としては、例えば、インドアニリン色素、アゾメチン色素、フタロシアニン色素、アゾ色素などが挙げられ、これらの色素は分子内にキレート形成を可能にする基を有している。
【００３４】
紫外線吸収剤としては、例えば、公知のベンゾフェノン系、ベンゾトリアゾール系、シアノアクリレート系、トリアジン系紫外線吸収剤などが挙げられる。またこれらとＨＡＬＳ、いわゆる光安定剤、例えば、ヒンダートアミン系光安定剤を併用することで光劣化も防止され、本発明の目的にも好適に使用できる。
【００３５】
また、短波長光吸収層の膜厚は１〜１０μｍが適当である。短波長光吸収層の膜厚が１μｍより薄い場合は、導電性支持体表面に起因する異常画像などの問題が生じやすく、また、膜厚が１０μｍを越える場合は、残留電位の発生やその蓄積性が大きくなり、感光体電位変動が大きくなる。
【００３６】
電荷発生層は、電荷発生材料を適当な溶媒に、必要に応じてバインダー樹脂を加え溶解もしくは分散し、塗布して乾燥させることにより設けることができる。電荷発生層用分散液の分散方法としては、例えば、ボールミル、超音波、ホモミキサー等が挙げられ、また塗布手段としては、ディッピング塗工法、ブレード塗工法、スプレー塗工法等が挙げられる。
【００３７】
電荷発生材料を分散し、感光層を形成する場合、層中への分散性を良くするために、その電荷発生材料は１μｍ以下、好ましくは０．５μｍ以下の平均粒径のものが好ましい。また、高画質、小径ドット再現性のためにもなるべく小さな方がよい。ただし、上記の粒径があまりに小さいとかえって凝集しやすく、再凝集により分散液の保存性が悪くなったり、層の抵抗が上昇したり、結晶欠陥が増えて感度及び繰り返し特性が低下したり、或いは微細化する上で限界があるので、平均粒径の下限を０．０１μｍとするのが好ましい。
【００３８】
電荷発生層の膜厚は、０．１〜２μｍが好ましい。
【００３９】
電荷発生材料は、従来公知の材料が使用でき、例えば以下に示す様な顔料が挙げられる。有機顔料としては、例えば、シーアイピグメントブルー２５（カラーインデックスＣＩ  ２１１８０）、シーアイピグメントレッド４１（ＣＩ  ２１２００）、シーアイアシッドレッド５２（ＣＩ  ４５１００）、シーアイベーシックレッド３（ＣＩ  ４５２１０）、カルバゾール骨格を有するアゾ顔料（特開昭５３−９５０３３号公報に記載）、ジスチリルベンゼン骨格を有するアゾ顔料（特開昭５３−１３３４４５号公報）、トリフェニルアミン骨格を有するアゾ顔料（特開昭５３−１３２３４７号公報に記載）、ジベンゾチオフェン骨格を有するアゾ顔料（特開昭５４−２１７２８号公報に記載）、オキサジアゾール骨格を有するアゾ顔料（特開昭５４−１２７４２号公報に記載）、フルオレノン骨格を有するアゾ顔料（特開昭５４−２２８３４号公報に記載）、ビススチルベン骨格を有するアゾ顔料（特開昭５４−１７７３３号公報に記載）、ジスチリルオキサジアゾール骨格を有するアゾ顔料（特開昭５４−２１２９号公報に記載）、ジスチリルカルバゾール骨格を有するアゾ顔料（特開昭５４−１４９６７号公報に記載）、ベンズアントロン骨格を有するアゾ顔料などのアゾ顔料の他、例えば、シーアイピグメントブルー１６（ＣＩ  ７４１００）、Ｙ型オキソチタニウムフタロシアニン（特開昭６４−１７０６６号公報）、Ａ（β）型オキソチタニウムフタロシアニン、Ｂ（α）型オキソチタニウムフタロシアニン、Ｉ型オキソチタニウムフタロシアニン（特開平１１−２１４６６号公報に記載）、II型クロロガリウムフタロシアニン（飯島他，日本化学会第６７春季年回，１Ｂ４，０４（１９９４））、Ｖ型ヒドロキシガリウムフタロシアニン（大門他，日本化学会第６７春季年回，１Ｂ４，０５（１９９４））、Ｘ型無金属フタロシアニン（米国特許第３，８１６，１１８号）などのフタロシアニン系顔料、シーアイバットブラウン５（ＣＩ  ７３４１０）、シーアイバットダイ（ＣＩ  ７３０３０）などのインジコ系顔料、アルゴスカーレットＢ（バイエル社製）、インタンスレンスカーレットＲ（バイエル社製）などのペリレン顔料などが挙げられる。なお、これらの電荷発生材料は単独あるいは２種類以上が併用されても良い。
【００４０】
電荷発生層の分散液或いは溶液を調製する際に使用する溶媒としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、トルエン、キシレン、モノクロルベンゼン、１，２−ジクロルエタン、１，１，１−トリクロルエタン、ジクロルメタン、１，１，２−トリクロルエタン、トリクロルエチレン、テトラヒドロフラン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸エチル、酢酸ブチル、ジオキサン等を挙げることができる。
【００４１】
バインダー樹脂としては、絶縁性がよい従来から知られているバインダー樹脂であれば何でも使用でき、特に限定はない。例えば、ポリエチレン、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリスチレン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリプロピレン、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノール樹脂、ポリエステル樹脂、アルキッド樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアミド樹脂、シリコン樹脂、メラミン樹脂等の付加重合型樹脂、重付加型樹脂、重縮合型樹脂、ならびにこれらの樹脂の繰り返し単位のうち２つ以上を含む共重合体樹脂、例えば塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、スチレン−アクリル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体樹脂等の絶縁性樹脂のほか、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール等の高分子有機半導体が挙げられる。これらのバインダーは単独または２種類以上の混合物として用いることができる。バインダー樹脂の量は、電荷発生材料１重量部に対し０〜５重量部、好ましくは０．１〜３重量部が適当である。
【００４２】
電荷輸送層としては、従来公知のものが使用できる。電荷輸送層が電荷発生層より表層側に積層される場合には、４００〜４５０ｎｍ波長域範囲の単色光を透過する必要がある。その場合の好ましい例としては以下のようである。
【００４３】
電荷輸送層に用いられるバインダー樹脂としては、例えば具体的にポリスチレン、スチレン−アクリロニトリル共重合体、スチレン−ブタジエン共重合体、スチレン−無水マレイン酸共重合体、ポリエステル、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリアリレート、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート、酢酸セルロース樹脂、エチルセルロース樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリビニルトルエン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂、アルキッド樹脂等の熱可塑性または熱硬化性樹脂が挙げられる。
【００４４】
中でも、バインダー樹脂が下記一般式（化２）及び／または（化３）で示されるものやポリアリレート樹脂またはポリアリレート樹脂とポリカーボネート樹脂のポリマーアロイ樹脂やポリアリレート樹脂とポリエチレンテレフタレート樹脂とのポリマーアロイ樹脂が好適である。
【化２】
0004422357.tif 000003
【化３】
0004422357.tif 000004
（Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7はそれぞれ独立して水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基又はハロゲン原子を表し、又は置換もしくは無置換のアリール基を表す。
Ｘは脂肪族の２価基、環状脂肪族の２価基を表し、
Ｙは単結合、炭素原子数１〜１２の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレン基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ2−、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−Ｚ−Ｏ−ＣＯ−（式中Ｚは脂肪族の２価基を表す。）または、
【化４】
0004422357.tif 000005
（式中、ａは１〜２０の整数、ｂは１〜２０００の整数、Ｒ8、Ｒ9は置換または無置換のアルキル基又はアリール基を表す。ここで、Ｒ8とＲ9は、それぞれ同一でも異なってもよい。ｐ、ｑは組成を表し０．１≦ｐ≦１、０≦ｑ≦０．９、ｎは繰り返し単位数を表し５〜５０００の整数である）を表わす。
具体的には以下の構造のものがあげられるがこれらに限定されるものではない。
【００４５】
【表１】
0004422357.tif 000006
【００４６】
【表２】
0004422357.tif 000007
【００４７】
また、本発明の電荷輸送層に用いられる電荷輸送材料には正孔輸送材料と電子輸送材料があり、これらには以下のものが挙げられる。
【００４８】
正孔輸送材料としては、例えば、ポリ−Ｎ−カルバゾール及びその誘導体、ポリ−γ−カルバゾリルエチルグルタメート及びその誘導体、ピレン−ホルムアルデヒド縮合物及びその誘導体、ポリビニルピレン、ポリビニルフェナントレン、オキサゾール誘導体、イミダゾール誘導体、トリフェニルアミン誘導体、及び以下の一般式で示される化合物がある。
【００４９】
【化５】
0004422357.tif 000008
（式中、Ｒ1はメチル基、エチル基、２−ヒドロキシエチル基または２−クロルエチル基を表し、Ｒ2はメチル基、エチル基、ベンジル基またはフェニル基を表し、Ｒ3は水素原子、塩素原子、臭素原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、ジアルキルアミノ基またはニトロ基を表す。）
【００５０】
【化６】
0004422357.tif 000009
（式中、Ａｒはナフタレン環、アントラセン環、ピレン環及びそれらの置換体あるいはピリジン環、フラン環、チオフェン環を表し、Ｒはアルキル基、フェニル基またはベンジル基を表す。）
【００５１】
【化７】
0004422357.tif 000010
（式中、Ｒ1はアルキル基、ベンジル基、フェニル基またはナフチル基を表し、Ｒ2は水素原子、炭素数１〜３のアルキル基、炭素数１〜３のアルコキシ基、ジアルキルアミノ基、ジアラルキルアミノ基またはジアリールアミノ基を表し、ｎは１〜４の整数を表し、ｎが２以上のときはＲ2は同じでも異なっていても良い。Ｒ3は水素原子またはメトキシ基を表す。）
【００５２】
【化８】
0004422357.tif 000011
（式中、Ｒ1は炭素数１〜１１のアルキル基、置換もしくは無置換のフェニル基または複素環基を表し、Ｒ2、Ｒ3はそれぞれ同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、ヒドロキシアルキル基、クロルアルキル基または置換もしくは無置換のアラルキル基を表し、また、Ｒ2とＲ3は互いに結合し窒素を含む複素環を形成していても良い。Ｒ4は同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、アルコキシ基またはハロゲン原子を表す。）
【００５３】
【化９】
0004422357.tif 000012
（式中、Ｒは水素原子またはハロゲン原子を表し、Ａｒは置換もしくは無置換のフェニル基、ナフチル基、アントリル基またはカルバゾリル基を表す。）
【００５４】
【化１０】
0004422357.tif 000013
（式中、Ｒ1は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜４のアルコキシ基または炭素数１〜４のアルキル基を表し、Ａｒは
【化１１】
0004422357.tif 000014
（Ｒ2は炭素数１〜４のアルキル基を表し、Ｒ3は水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基またはジアルキルアミノ基を表し、ｎは１または２であって、ｎが２のときはＲ3は同一でも異なっていてもよく、Ｒ4、Ｒ5は水素原子、炭素数１〜４の置換もしくは無置換のアルキル基または置換もしくは無置換のベンジル基を表す）を表わす。
【００５５】
【化１２】
0004422357.tif 000015
（式中、Ｒはカルバゾリル基、ピリジル基、チエニル基、インドリル基、フリル基あるいはそれぞれ置換もしくは非置換のフェニル基、スチリル基、ナフチル基、またはアントリル基であって、これらの置換基がジアルキルアミノ基、アルキル基、アルコキシ基、カルボキシ基またはそのエステル、ハロゲン原子、シアノ基、アラルキルアミノ基、Ｎ−アルキル−Ｎ−アラルキルアミノ基、アミノ基、ニトロ基及びアセチルアミノ基からなる群から選ばれた基を表す。）
【００５６】
【化１３】
0004422357.tif 000016
（式中、Ｒ1は低級アルキル基、置換もしくは無置換のフェニル基、またはベンジル基を表し、Ｒ2は水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、アミノ基あるいは低級アルキル基またはベンジル基で置換されたアミノ基を表し、ｎは１または２の整数を表す。）
【００５７】
【化１４】
0004422357.tif 000017
（式中、Ｒ1は水素原子、アルキル基、アルコキシ基またはハロゲン原子を表し、Ｒ2およびＲ3はアルキル基、置換もしくは無置換のアラルキル基あるいは置換もしくは無置換のアリール基を表し、Ｒ4は水素原子、低級アルキル基または置換もしくは無置換のフェニル基を表し、また、Ａｒは置換もしくは無置換のフェニル基またはナフチル基を表す。）
【００５８】
【化１５】
0004422357.tif 000018
（式中、ｎは０または１の整数、Ｒ1は水素原子、アルキル基または置換もしくは無置換のフェニル基を表し、Ａｒ1は置換もしくは未置換のアリール基を表し、Ｒ5は置換アルキル基を含むアルキル基、あるいは置換もしくは無置換のアリール基を表し、Ａは
【化１６】
0004422357.tif 000019
９−アントリル基または置換もしくは無置換のカルバゾリル基を表し、ここでＲ2は水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子または
【化１７】
0004422357.tif 000020
（ただし、Ｒ3およびＲ4はアルキル基、置換もしくは無置換のアラルキル基または置換もしくは無置換のアリール基を示し、Ｒ3およびＲ4は同じでも異なっていてもよく、Ｒ4は環を形成してもよく、ｍが２以上の時はＲ2は同一でも異なっても良い。）また、ｎが０の時、ＡとＲ1は共同で環を形成しても良い。）
【００５９】
【化１８】
0004422357.tif 000021
（式中、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3は水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロゲン原子またはジアルキルアミノ基を表し、ｎは０または１を表す。）
【００６０】
【化１９】
0004422357.tif 000022
（式中、Ｒ1およびＲ2は置換アルキル基を含むアルキル基、または置換もしくは未置換のアリール基を表し、Ａは置換アミノ基、置換もしくは未置換のアリール基またはアリル基を表す。）
【００６１】
【化２０】
0004422357.tif 000023
（式中、Ｘは水素原子、低級アルキル基またはハロゲン原子を表し、Ｒは置換アルキル基を含むアルキル基、または置換もしくは無置換のアリール基を表し、Ａは置換アミノ基または置換もしくは無置換のアリール基を表す。）
【００６２】
【化２１】
0004422357.tif 000024
（式中、Ｒ1は低級アルキル基、低級アルコキシ基またはハロゲン原子を表し、Ｒ2、Ｒ3は同じでも異なっていてもよく、水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基またはハロゲン原子を表し、ｌ、ｍ、ｎは０〜４の整数を表す。）
【００６３】
【化２２】
0004422357.tif 000025
（式中、Ｒ1、Ｒ3およびＲ4は水素原子、アミノ基、アルコキシ基、チオアルコキシ基、アリールオキシ基、メチレンジオキシ基、置換もしくは無置換のアルキル基、ハロゲン原子または置換もしくは無置換のアリール基を、Ｒ2は水素原子、アルコキシ基、置換もしくは無置換のアルキル基またはハロゲン原子を表す。ただし、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4はすべて水素原子である場合は除く。また、ｋ，ｌ，ｍおよびｎは１、２、３または４の整数であり、それぞれが２、３または４の整数の時は、前記Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4は同じでも異なっていても良い。）
【００６４】
【化２３】
0004422357.tif 000026
（式中、Ａｒは置換基を有してもよい炭素数１８個以下の縮合多環式炭化水素基を表し、また、Ｒ1およびＲ2は水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換のアルキル基、アルコキシ基、置換もしくは無置換のフェニル基を表し、それぞれ同じでも異なっていても良い。ｎは１もしくは２の整数を表す。）
【００６５】
【化２４】
0004422357.tif 000027
（式中、Ａｒは置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基を表し、Ａは
【化２５】
0004422357.tif 000028
（ただし、Ａｒは置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基を表し、Ｒ1およびＲ2は置換もしくは無置換のアルキル基、または置換もしくは無置換のアリール基である）を表す。）
【００６６】
【化２６】
0004422357.tif 000029
（式中、Ａｒは置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基を、Ｒは水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基、または置換もしくは無置換のアリール基を表す。ｎは０または１、ｍは１または２であって、ｎ＝０、ｍ＝１の場合、ＡｒとＲは共同で環を形成しても良い。）
【００６７】
一般式化５で表される化合物には、例えば、９−エチルカルバゾール−３−アルデヒド−１−メチル−１−フェニルヒドラゾン、９−エチルカルバゾール−３−アルデヒド−１−ベンジル−１−フェニルヒドラゾン、９−エチルカルバゾール−３−アルデヒド−１，１−ジフェニルヒドラゾンなどがある。
【００６８】
一般式化６で表される化合物には、例えば、４−ジエチルアミノスチリル−β−アルデヒド−１−メチル−１−フェニルヒドラゾン、４−メトキシナフタレン−１−アルデヒド−１−ベンジル−１−フェニルヒドラゾンなどがある。
【００６９】
一般式化７で表される化合物には、例えば、４−メトキシベンズアルデヒド−１−メチル−１−フェニルヒドラゾン、２，４−ジメトキシベンズアルデヒド−１−ベンジル−１−フェニルヒドラゾン、４−ジエチルアミノベンズアルデヒド−１，１−ジフェニルヒドラゾン、４−メトキシベンズアルデヒド−１−（４−メトキシ）フェニルヒドラゾン、４−ジフェニルアミノベンズアルデヒド−１−ベンジル−１−フェニルヒドラゾン、４−ジベンジルアミノベンズアルデヒド−１，１−ジフェニルヒドラゾンなどがある。
【００７０】
一般式化８で表される化合物には、例えば、１，１−ビス（４−ジベンジルアミノフェニル）プロパン、トリス（４−ジエチルアミノフェニル）メタン、１，１−ビス（４−ジベンジルアミノフェニル）プロパン、２，２−ジメチル−４，４−ビス（ジエチルアミノ）−トリフェニルメタンなどがある。
【００７１】
一般式化９で表される化合物には、例えば、９−（４−ジエチルアミノスチリル）アントラセン、９−ブロム−１０−（４−ジエチルアミノスチリル）アントラセンなどがある。
【００７２】
一般式化１０で表される化合物には、例えば、９−（４−ジメチルアミノベンジリデン）フルオレン、３−（９−フルオレニリデン）−９−エチルカルバゾールなどがある。
【００７３】
一般式化１２で表される化合物には、例えば、１，２−ビス（４−ジエチルアミノスチリル）ベンゼン、１，２−ビス（２，４−ジメトキシスチリル）ベンゼンなどがある。
【００７４】
一般式化１３で表される化合物には、例えば、３−スチリル−９−エチルカルバゾール、３−（４−メトキシスチリル）−９−エチルカルバゾールなどがある。
【００７５】
一般式化１４で表される化合物には、例えば、４−ジフェニルアミノスチルベン、４−ジベンジルアミノスチルベン、４−ジトリルアミノスチルベン、１−（４−ジフェニルアミノスチリル）ナフタレン、１−（４−ジエチルアミノスチリル）ナフタレンなどがある。
【００７６】
一般式化１５で表される化合物には、例えば、４’−ジフェニルアミノ−α−フェニルスチルベン、４’−ビス（４−メチルフェニル）アミノ−α−フェニルスチルベンなどがある。
【００７７】
一般式化１８で表される化合物には、例えば、１−フェニル−３−（４−ジエチルアミノスチリル）−５−（４−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリンなどがある。
【００７８】
一般式化１９で表される化合物には、例えば、２，５−ビス（４−ジエチルアミノフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ−５−（４−ジエチルアミノフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２−（４−ジメチルアミノフェニル）−５−（４−ジエチルアミノフェニル）−１，３，４−オキサジアゾールなどがある。
【００７９】
一般式化２０で表される化合物には、例えば、２−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ−５−（Ｎ−エチルカルバゾール−３−イル）−１，３，４−オキサジアゾール、２−（４−ジエチルアミノフェニル）−５−（Ｎ−エチルカルバゾール−３−イル）−１，３，４−オキサジアゾールなどがある。
【００８０】
一般式化２１で表されるベンジジン化合物には、例えば、Ｎ，Ｎ−ジフェニル−Ｎ，Ｎ−ビス（３−メチルフェニル）−［１，１−ビフェニル］−４，４−ジアミン、３，３−ジメチル−Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ−テトラキス（４−メチルフェニル）−［１，１−ビフェニル］−４，４−ジアミンなどがある。
【００８１】
一般式化２２で表されるビフェニリルアミン化合物には、例えば、４−メトキシ−Ｎ，Ｎ−ジフェニル−［１，１−ビフェニル］−４−アミン、４−メチル−Ｎ，Ｎ−ビス（４−メチルフェニル）−［１，１−ビフェニル］−４−アミン、４−メトキシ−Ｎ，Ｎ−ビス（４−メチルフェニル）−［１，１−ビフェニル］−４−アミン、Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−ジメチルフェニル）−［１，１−ビフェニル］−４−アミンなどがある。
【００８２】
一般式化２３で表されるトリアリールアミン化合物には、例えば、１−ジフェニルアミノピレン、１−ジ（ｐ−トリルアミノ）ピレン、Ｎ，Ｎ−ジ（ｐ−トリル）−１−ナフチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジ（ｐ−トリル）−１−フェナントリルアミン、９，９−ジメチル−２−（ジ−ｐ−トリルアミノ）フルオレン、Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ−テトラキス（４−メチルフェニル）−フェナントレン−９，１０−ジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ−テトラキス（３−メチルフェニル）−ｍ−フェニレンジアミンなどがある。
【００８３】
また、一般式化２４で表されるジオレフィン芳香族化合物には、例えば、１，４−ビス（４−ジフェニルアミノスチリル）ベンゼン、１，４−ビス［４−ジ（ｐ−トリル）アミノスチリル］ベンゼンなどがある。また、一般式化２３で表されるスチリルピレン化合物には、例えば、１−（４−ジフェニルアミノスチリル）ピレン、１−［４−ジ（ｐ−トリル）アミノスチリル］ピレンなどがある。
【００８４】
高分子型電荷輸送材料としては例えば、ポリ−Ｎ−カルバゾール誘導体、ポリ−γ−カルバゾリルエチルグルタメート誘導体、ピレン−ホルムアルデヒド縮合物誘導体、ポリビニルピレン、ポリビニルフェナントレン、オキサゾール誘導体、イミダゾール誘導体、アセトフェノン誘導体（特開平７−３２５４０９号公報に記載）、ジスチリルベンゼン誘導体、ジフェネチルベンゼン誘導体（特開平９−１２７７１３号公報に記載）、α−フェニルスチルベン誘導体（特開平９−２９７４１９号公報に記載）、ブタジエン誘導体（特開平９−８０７８３号公報に記載）、水素化ブタジエン（特開平９−８０７８４号公報に記載）、ジフェニルシクロヘキサン誘導体（特開平９−８０７７２号公報に記載）、ジスチリルトリフェニルアミン誘導体（特開平９−２２２７４０号公報に記載）、ジフェニルジスチリルベンゼン誘導体（特開平９−２６５１９７号、同９−２６５２０１号公報に記載）、スチルベン誘導体（特開平９−２１１８７７号公報に記載）、ｍ−フェニレンジアミン誘導体（特開平９−３０４９５６号、同９−３０４９５７号公報に記載）、レゾルシン誘導体（特開平９−３２９９０７号公報に記載）、トリアリールアミン誘導体（特開昭６４−９９６４号、特開平７−１９９５０３号、特開平８−１７６２９３号、特開平８−２０８８２０号、特開平８−２５３５６８号、特開平８−２６９４４６号、特開平３−２２１５２２号、特開平４−１１６２７号、特開平４−１８３７１９号、特開平４−１２４１６３号、特開平４−３２０４２０号、特開平４−３１６５４３号、特開平５−３１０９０４号、特開平７−５６３７４号、特開平８−６２８６４号各公報、米国特許５，４２８，０９０号、同５，４８６，４３９号各明細書）などが挙げられる。
【００８５】
これら高分子型電荷輸送材料の一例（Ｐ１〜Ｐ２７）を挙げるが、形式は単重合体、ランダム共重合体、交互共重合体、ブロック共重合体の形式であっても、これに限定されるものではない。
【００８６】
【表３】
0004422357.tif 000030
【００８７】
【表４】
0004422357.tif 000031
【００８８】
【表５】
0004422357.tif 000032
【００８９】
【表６】
0004422357.tif 000033
【００９０】
【表７】
0004422357.tif 000034
【００９１】
【表８】
0004422357.tif 000035
【００９２】
これらの電荷輸送材料は単独または２種類以上混合して用いてもよい。
電荷輸送材料の量はバインダー樹脂１００重量部に対し、２０〜３００重量部、好ましくは４０〜１５０重量部が適当である。電荷輸送層形成で用いられる溶剤としては、テトラヒドロフラン、ジオキサン、トルエン、ジクロロメタン、モノクロロベンゼン、ジクロロエタン、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、アセトンなどが用いられる。
【００９３】
表面保護層としては、電荷輸送層よりも上層に形成されるため、当然４００〜４５０ｎｍ波長域範囲の単色照射光をできるだけ吸収しないことが必要である。使用される材料としてはＡＢＳ樹脂、ＡＣＳ樹脂、オレフィン−ビニルモノマー共重合体、塩素化ポリエーテル、アリル樹脂、フェノール樹脂、ポリアセタール、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリアクリレート、ポリアリルスルホン、ポリブチレン、ポリブチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、アクリル樹脂、ポリメチルベンテン、ポリプロピレン、ポリフェニレンオキシド、ポリスルホン、ポリスチレン、ＡＳ樹脂、ブタジエン−スチレン共重合体、ポリウレタン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、エポキシ樹脂等の樹脂が挙げられる。
【００９４】
保護層にはその他、耐摩耗性を向上する目的でポリテトラフルオロエチレンのような弗素樹脂、シリコーン樹脂、及びこれらの樹脂に硬度の高い無機フィラーや有機フィラーを添加することができる。これらフィラーの平均粒径は０．０２μｍ〜３μｍ好ましくは０．０５〜１μｍが使用される。粒径がこれより小さい場合は表面保護層の耐摩耗性が弱くなり、高寿命な画像形成装置が得られない。粒径が大きい場合は、光の散乱により解像度低下を引き起こす。
【００９５】
フィラーの具体例としては、酸化チタン、酸化スズ、酸化亜鉛、酸化ジルコニウム、酸化インジウム、窒化ケイ素、酸化カルシウム、硫酸バリウム、ＩＴＯ、シリカ、コロイダルシリカ、アルミナ、カーボンブラック、フッ素系樹脂微粉末、ポリシロキサン系樹脂微粉末、高分子電荷輸送材料微粉末の中のいずれか一種もしくは混合物を挙げることができる。
【００９６】
これらフィラーは分散性向上、表面性改質などの理由から無機物、有機物で表面処理されてもよい。一般に撥水性処理としてシランカップリング剤で処理したもの、あるいはフッ素系シランカップリング剤処理したもの、高級脂肪酸処理もしくは高分子材料などと共重合処理させたものがあげられ、無機物処理としてはフィラー表面をアルミナ、ジルコニア、酸化スズ、シリカ処理したものなどがあげられる。
【００９７】
フィラーはバインダー樹脂および、または電荷輸送材料、分散溶媒とともに粉砕、もしくはそのまま分散し、感光層として塗工される。形成した表面保護層中のフィラー含有量は５〜５０重量％で、好ましくは１０〜４０重量％であり、１０重量％以下であると耐摩耗性の点で十分ではなく、４０重量％以上であると表面保護層の透明性が損なわれ、感度低下をまねくこととなる。平均粒径が０．０２〜３．０μｍ、好ましくは０．０５〜１．０μｍに粉砕、分散するのが好ましい。粒径が大きいと表面に頭出しクリーニングブレードを傷つけクリーニング不良が発生し、画質が低下することとなる。
【００９８】
分散溶媒としてはメチルエチルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノンのケトン類、ジオキサン、テトラヒドロフラン、エチルセロソルブなどのエーテル類、トルエン、キシレンなどの芳香族類、クロロベンゼン、ジクロルメタンなどのハロゲン類、酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエステル類が使用される。粉砕工程を加える場合はボールミル、サンドミル、振動ミルなどを用いる。
【００９９】
さらに上記感光層および／または保護層中には、帯電性の向上等を目的に、フェノール化合物、ハイドロキノン化合物、ヒンダードフェノール化合物、ヒンダードアミン化合物、ヒンダードアミンとヒンダードフェノールが、同一分子中に存在する化合物などを添加することができる。
【０１００】
またさらに、可塑剤やレベリング剤を添加してもよい。可塑剤としては、ジブチルフタレート、ジオクチルフタレートなど一般の樹脂の可塑剤として使用されているものがそのまま使用でき、その使用量は、結着樹脂に対して０〜３０重量％程度が適当である。レベリング剤としては、ジメチルシリコーンオイル、メチルフェニルシリコーンオイルなどのシリコーンオイル類や、側鎖にパーフルオロアルキル基を有するポリマーあるいは、オリゴマーが使用され、その使用量は結着樹脂に対して、０〜１重量％が適当である。
【０１０１】
本発明の電子写真感光体の表面における純水に対する接触角は９０゜以上が好ましい。より好ましくは９５゜以上である。純水に対する接触角が９０゜以上の場合、感光体の表面エネルギーの低下が達成される。感光体表面の純水に対する接触角が９０゜未満の場合、電子写真プロセスによる繰り返し使用によって表面に帯電生成物やトナーや紙からもたらされる脱落物が付着し易く、クリーニング不良や表面抵抗の低下による潜像の劣化（画像流れ）を生じやすい。一方純水に対する接触角があまり大き過ぎても、今度は感光体とトナーの現像安定性などが不十分となるので１４０゜以下が好ましい。
【０１０２】
電子写真感光体の表面における純水に対する接触角を９０゜以上にするには、たとえば、ジメチルシリコーン部、メチルフェニルシリコーン部などのシリコーン構造、パーフルオロアルキル構造、長鎖アルキル構造などを有するポリマーを使用する。あるいは、フッ素系樹脂微粉末、ポリシロキサン系樹脂微粉末、シリコーンオイル、エステル基を有するワックス、高級脂肪酸などを感光体に添加する。またはこれらを塗布あるいは供給することにより達成される。さらにこれらの方法は効果を高めるために併用して使用してもよい。
【０１０３】
ここで、Ｆ／Ｃ、Ｓｉ／Ｃの意味としては、上記にもある様に、シリコーン構造、パーフルオロアルキル構造を有する材料は接触角を高くし、感光体の表面エネルギーを低下するのに非常に有効な材料である。したがってこの値を規定することにより、クリーニング不良などの悪影響を防ぐことができる。ここで、Ｆ／Ｃ、Ｓｉ／Ｃが０．０１より小さいと、表面エネルギーが高く効果が十分ではなく、また１．００より大きいと、トナーの現像安定性などが不十分となるので好ましくない。ここで、原子の比の測定法であるＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）は、ＰＨＩ社製１６００Ｓ型で、Ｘ線源としてＭｇＫα（２００Ｗ）を用い、０．８×２ｍｍの領域について測定し、１０箇所の平均値として求めた。
【０１０４】
表面保護層を少なくとも硬化型樹脂からなる層で構成するには、材料の分野で知られている種々の架橋反応が使用できる。反応としては、ラジカル重合、イオン重合、熱重合、光重合、放射線重合、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、などがよく知られている。たとえば、特開平２−１３２４５６号公報、特開平１１−２８８１２１号公報、特開平１１−２６５０８５号公報、特開平１１−２１２２９１号公報、特開２０００−６６４３３号公報などがある。
【０１０５】
電荷輸送機能を併せて持たせるために電荷輸送機能を有する材料、または高分子型電荷輸送材料を架橋反応させてもよい。これらについては、たとえば、特開２０００−１４７８１４号公報、特開２０００−１４７８０４号公報、特開２０００−１２２３２２号公報などに記述の材料、方法が使用できる。
【０１０６】
表面エネルギーの低い硬化した保護層を実現させるために、たとえば、特開平１１−９５４７４号公報、特開２０００−１３１８６０号公報などに開示される方法でシリコーン構造、パーフルオロアルキル構造、長鎖アルキル構造などを有する材料を架橋反応させてもよい。
【０１０７】
感光体の磨耗性を制御する機構としては、特開平８−２０２２６号公報、特開平１１−２１２３９８号公報、特開平１１−２１９０８７号公報、特開平１１−３１１９２８号公報、特開２０００−０４７５２３号公報、特開２０００−０９８８３８号公報、特開２０００−１４７９４６号公報などに記載の方法がある。これらの中には潤滑剤としてステアリン酸亜鉛、シリコーンオイル、フッ素系のオイル、フッ素を含有する高分子などが例示され、これら潤滑剤を感光体表面に塗布および、または供給し極薄膜を形成することにより低表面エネルギーとし、低磨耗および高画質な電子写真装置が提供される。
【０１０８】
帯電手段としてはコロトロン、スコロトロン、固体帯電器（ソリッド・ステート・チャージャー）、帯電ローラを始めとする公知の手段が用いられる。被帯電体表面に導電性ローラーの表面（表面に保護層を有する物を含む）を直接接触させ、ローラーに電圧を印加することで被帯電体の表面を帯電する方法や被帯電体表面に接触帯電部材を接触させ、この接触帯電部材に電圧を印加することで被帯電体の表面を帯電する方式が使用される。
【０１０９】
像露光手段としては、書き込み光源の波長が４００〜４５０ｎｍの範囲に発振波長を有する半導体レーザーもしくは発光ダイオードが使用された物である。半導体レーザーを使用した場合、像露光手段の主要構成は半導体レーザー（ＬＤ）、アパーチャー、コリメートレンズ、主ＣＹＬ、副ＣＹＬ、ポリゴンミラー、走査レンズ１、走査レンズ２、ミラーから構成される。ＬＤの制御は画周波数６５ＭＨｚ以上であり、好ましくは１００ＭＨｚ以上であり、さらに好ましくは１３０ＭＨｚ以上である。また、温度補償制御がされ、ポリゴンミラーの回転数は５０Ｋｒｐｍ以上好ましくは６０Ｋｒｐｍ以上である。光源はマルチビームで使用されるのが好ましく、少なくとも２チャンネル、好ましくは４チャンネル以上が使用される。
【０１１０】
現像手段としては、従来公知の現像装置が使用できる。例えば接触現像方式や非接触現像方式が上げられる。非接触現像方式とは静電像担持体と現像剤担持体の間に現像剤層厚以上の間隙を空け、電界を印加し顕画化する方法を言う。現像電圧はＤＣあるいはＡＣあるいはＤＣ＋ＡＣでもよい。ＡＣ現像とは静電潜像保持体と現像剤担持体を対向させ交互電界を印加して顕画化する方法を言う。その際、使用されるトナーの平均粒径は４〜８μｍであり、粉砕型トナーであっても重合型トナーであってもよい。重合トナーの場合、モノマー及び着色剤を含有する組成物、もしくはプレポリマー及び着色剤を含有する組成物を液体媒体中で重合する方法により生成されたトナー、又は必要に応じそのトナーを物理的又は化学的に処理したトナー及びこれらのトナーを含有する現像剤を表す。
【０１１１】
次に図面を用いて本発明の電子写真方法ならびに電子写真装置を詳しく説明する。
【０１１２】
図２は、本発明の電子写真装置を説明するための概略図であり、下記するような変形例も本発明の範疇に属するものである。
図２において、感光体１は導電性支持体上に、短波長光吸収層、電荷発生層、電荷輸送層、表面保護層が順次積層された感光層が設けられている。感光体１はドラム状の形状を示しているが、シート状、エンドレスベルト状のものであっても良い。帯電チャージャ３、転写前チャージャ７、転写チャージャ１０、分離チャージャ１１、クリーニング前チャージャ１３には、コロトロン、スコロトロン、固体帯電器（ソリッド・ステート・チャージャー）、帯電ローラを始めとする公知の手段が用いられる。
【０１１３】
転写手段には、一般に上記の帯電器が使用できるが、図に示されるように転写チャージャーと分離チャージャーを併用したものが効果的である。
【０１１４】
画像露光部５には４００〜４５０ｎｍの範囲に発振波長を有する半導体レーザーが用いられる。また、除電ランプ２等の光源には、蛍光灯、タングステンランプ、ハロゲンランプ、水銀灯、ナトリウム灯、発光ダイオード（ＬＥＤ）、半導体レーザー（ＬＤ）、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）などの発光物全般を用いることができる。そして、所望の波長域の光のみを照射するために、シャープカットフィルター、バンドパスフィルター、近赤外カットフィルター、ダイクロイックフィルター、干渉フィルター、色温度変換フィルターなどの各種フィルターを用いることもできる。
【０１１５】
かかる光源等は、図２に示される工程の他に光照射を併用した転写工程、除電工程、クリーニング工程、あるいは前露光などの工程を設けることにより、感光体に光が照射される。
【０１１６】
現像ユニット６により感光体１上に現像されたトナーは、転写紙９に転写されるが、全部が転写されるわけではなく、感光体１上に残存するトナーも生ずる。このようなトナーは、ファーブラシ１４およびブレード１５により、感光体より除去される。クリーニングは、クリーニングブラシだけで行なわれることもあり、クリーニングブラシにはファーブラシ、マグファーブラシを始めとする公知のものが用いられる。
【０１１７】
かかる現像手段には、公知の方法が適用されるし、また、除電手段にも公知の方法が用いられる。
【０１１８】
図３には、本発明による電子写真プロセスの別の例を示す。感光体２１は本発明の感光層を有しており、駆動ローラ２２ａ、２２ｂにより駆動され帯電器２３による帯電、光源２４による像露光、現像（図示せず）、帯電器２５を用いる転写、光源２６によるクリーニング前露光、ブラシ２７によるクリーニング、光源２８による除電が繰返し行なわれる。図３においては、感光体２１（勿論この場合は支持体が透光性である）に支持体側よりクリーニング前露光の光照射が行なわれる。
【０１１９】
以上の図示した電子写真プロセスは、本発明における実施形態を例示するものであって、もちろん他の実施形態も可能である。例えば、図３において支持体側よりクリーニング前露光を行っているが、これは感光層側から行ってもよいし、また、像露光、除電光の照射を支持体側から行ってもよい。
【０１２０】
一方、光照射工程は、像露光、クリーニング前露光、除電露光が図示されているが、他に転写前露光、像露光のプレ露光、およびその他公知の光照射工程を設けて、感光体に光照射を行なうこともできる。
【０１２１】
以上に示すような画像形成手段は、複写装置、ファクシミリ、プリンター内に固定して組み込まれていてもよいが、プロセスカートリッジの形でそれら装置内に組み込まれてもよい。プロセスカートリッジとは、感光体と帯電手段・現像手段・クリーニング手段の少なくとも１つを一体に構成し、装置本体から着脱自在としたものである。プロセスカートリッジの形状等は多く挙げられるが、一般的な例として、図４に示すものが挙げられる。
【０１２２】
【実施例】
以下、本発明を実施例を挙げて説明するが、本発明が実施例により制約を受けるものではない。なお、部はすべて重量部である。
【０１２３】
（実施例１）
オイルフリーアルキッド樹脂（大日本インキ化学社製：ベッコライトＭ６４０１）１．５部、メラミン樹脂（大日本インキ化学社製：スーパーベッカミンＧ−８２１）１部、ジブロモアンスアントロン３部、２−ブタノン２２．５部の混合物をボールミルポットに取り、φ１０ｍｍのアルミナボールを使用し、４８時間ボールミリングして短波長光吸収層塗布液を調製した。この塗布液を、送り０．２ｍｍ／ｒｅｖで切削加工した表面粗さＲｚ値０．５μｍのアルミニウム・シリンダー上に塗布し、１３０℃で２０分間乾燥して膜厚約２．５μｍの短波長光吸収層を得た。この短波長光吸収層の表面粗さは、東京精密社製の表面粗さ形状測定器サーフコム５７０Ａを使用し、測定距離２．５ｍｍ、走査速度０．３ｍｍ／ｓｅｃで測定したところ、Ｒｚ値０．３であった。
【０１２４】
次に下記構造式（ａ）で示されるビスアゾ化合物７．５部およびポリエステル樹脂（東洋紡績社製、バイロン２００）２．５部の０．５％テトラヒドロフラン溶液５００部をボールミル中で粉砕混合し、得られた分散液を前記短波長光吸収層上に塗布し、自然乾燥して電荷発生層を形成した。
【化２７】
0004422357.tif 000036
【０１２５】
次に、電荷輸送材料として下記構造式（ｂ）で示される電荷輸送材料７部とポリカーボネート樹脂（帝人社製、パンライトＣ−１４００）１０部をテトラヒドロフランに溶解し、この電荷輸送層塗工液を前記電荷発生層上に塗布し、８０℃で２分間、ついで１３０℃で２０分間乾燥して厚さ約１４μｍの電荷輸送層を形成した。
【化２８】
0004422357.tif 000037
【０１２６】
次に、例示化合物（Ｐ９）で示される高分子型電荷輸送材料８部、ポリテトラフルオロエチレン粒子（平均１次粒径  ０．３μｍ）３部をＴＨＦ４０部及びシクロヘキサノン１４０部に溶解し、この保護層塗工液を電荷輸送層上に塗布し、８０℃で２分間、ついで１３０℃で２０分間乾燥して厚さ２μｍの保護層を形成し感光体を作成した。この保護層の最表面における表面粗さはＲｚ値０．６であった。
【０１２７】
この感光体について、純水に対する接触角の測定を、接触角計ＣＡ−Ｗ型（協和界面科学社製）を用い、液滴法にて測定した。接触角は１１０度であった。
また、別途作成した感光体について、ＸＰＳによる表面元素の比を測定した結果、Ｆ／Ｃ＝０．１１であった。
【０１２８】
こうして得られた電子写真感光体、帯電手段として帯電ローラ、像露光手段として光源に発振波長４０５ｎｍの半導体レーザを搭載しビーム系をアパーチャーで調節できる光学系、現像手段として２成分の現像ユニット及びパターンジェネレーターを取り付けた作像実験機により３０μｍのビーム系で得られる孤立ドットを感光体上に形成させ、それを接着テープに転写させ、ＣＣＤカメラにより読み取り、画像解析した。感光体の初期帯電電位は−６００Ｖで行い、トナーは平均粒径６μｍ磁性トナーを使用した。孤立ドットの形状、再現性を目視により評価した。
【０１２９】
また、上記、電子写真感光体ドラムを図２に示した電子写真プロセスに装着し（ただし、画像露光光源を４０５ｎｍに発光を持つＬＤとした（ポリゴン・ミラーによる画像書き込み））、テストチャートの画像評価を始めと１万枚印刷後に行い、異常画像等の発生状況を観察した。それらの結果を表９に示す。
【０１３０】
（実施例２）
実施例１で用いたジブロモアンスアントロンの代わりに、下記構造式（ｃ）で示される電子輸送材料を使用した以外は実施例１と同様にアルミニウム・シリンダー上に短波長光吸収層、電荷発生層、電荷輸送層を形成した。
【０１３１】
【化２９】
0004422357.tif 000038
【０１３２】
次に下記構造式（ｄ）で示される電荷輸送材料３部、酸化防止剤としてのジステアリル−３，３’−チオジプロピオネ−ト０．０３部、ポリスチレン樹脂（三洋化成工業社製：ＳＢＭ−７００）５部、フィラーとして酸化チタン微粒子（石原産業社製ＣＲ９７）２部、ＴＨＦ４０部及びシクロヘキサノン１４０部からなる保護層塗工液を電荷輸送層上に塗布し、厚さ約２．５μｍの保護層を形成し感光体ドラムを作成した。この保護層の最表面における表面粗さはＲｚ値０．８であった。こうして得られた電子写真感光体を実施例１と同様に評価した。
【化３０】
0004422357.tif 000039
【０１３３】
（実施例３）
実施例２で用いた電子輸送材料の代わりに、下記構造式（ｅ）で示される電子輸送材料を使用した以外は実施例２と同様にアルミニウム・シリンダー上に短波長光吸収層、電荷発生層、電荷輸送層を形成した。
【化３１】
0004422357.tif 000040
【０１３４】
次に上記構造式（ｆ）で示される電荷輸送材料３部、弗化カーボン粒子（平均１次粒径０．２μｍ）２部、ポリカーボネート樹脂（（株）帝人製パンライトＴＳ−２０５０）５部、フィラーとして酸化チタン微粒子（石原産業社製ＣＲ９７）２部、ＴＨＦ４０部及びシクロヘキサノン１４０部のこの保護層塗工液を電荷輸送層上に塗布し、厚さ約１．５μｍの保護層を形成し感光体ドラムを作成した。
【化３２】
0004422357.tif 000041
【０１３５】
この感光体について、純水に対する接触角の測定を、接触角計ＣＡ−Ｗ型（協和界面科学社製）を用い、液滴法にて測定した。接触角は１１３度であった。この保護層の最表面における表面粗さはＲｚ値０．７であった。また、別途作成した感光体について、ＸＰＳによる表面元素の比を測定した結果、Ｆ／Ｃ＝０．１であった。こうして得られた電子写真感光体を実施例１と同様に評価した。
【０１３６】
（実施例４〜６、比較例１〜４）
実施例１において切削条件を変えたり、鏡面仕上げを行ったりしてアルミ板支持体の表面粗さを表９の様に変えた以外は同様にして感光体を作成し、評価した。その結果を表９に示す。
【０１３７】
（比較例５、６）
実施例１及び２の感光体を図２に示した電子写真プロセスに装着し、像露光光源に発振波長７８０ｎｍの半導体レーザを使用するほかは同様に評価した。その結果を表９に示す。
【表９】
0004422357.tif 000042
【０１３８】
（比較例７、８）
実施例２において使用するトナーの平均粒径を変える以外は同様にして評価した。その結果を表１０に示す。
【表１０】
0004422357.tif 000043
【０１３９】
これらの結果から本発明の電子写真感光体、電子写真装置は、ドットの再現性に優れ、さらには繰り返し使用によっても安定した画像が得られ、短波長光吸収層によりモアレの発生を抑制できることがわかる。またさらにフィラーを含む保護層を施した感光体、表面を低表面エネルギーにすることにより耐摩耗性に優れ、安定した超高解像度な画像を得ることが理解される。
【０１４０】
【発明の効果】
以上のように本発明では、微小ドットを再現性良く画像形成することができ、且つ優れた耐刷性を有することから１２００ｄｐｉ又は２４００ｄｐｉといった超高解像度な画像を形成でき、且つ高耐久な部品交換頻度の少ない両極性帯電可能な電子写真感光体、電子写真装置、およびプロセスカートリッジを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の電子写真感光体の一例の層構成を表わした図である。
【図２】本発明の電子写真装置を説明するための図である。
【図３】本発明の別の電子写真装置を説明するための図である。
【図４】本発明のプロセスカートリッジを説明するための図である。
【符号の説明】
（図１において）
１  導電性支持体
２  短波長光吸収層
３  電荷発生層
４  電荷輸送層
５  保護層
【図１】
0004422357.tif 000046
【図２】
0004422357.tif 000047
【図３】
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【図４】
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