(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数枚のセラミックス製基材を積層してなる積層構造物の上部に、ウェハ研磨装置を構成しているウェハ保持プレートの保持面に保持されている半導体ウェハが摺接される研磨面を有し、かつ前記基材の界面に流体流路を備えるテーブルにおいて、前記積層構造物の最上部に位置する基材を炭化珪素焼結体の緻密体から形成するとともにその最上部に位置する基材の裏面側に前記流体流路の一部をなす溝を形成し、前記積層構造物の最上部に位置する基材より下側に位置する基材を炭化珪素焼結体の多孔質体から形成したことを特徴とするウェハ研磨装置用テーブル。
【請求項２】
前記溝の深さは前記セラミックス製基材の厚さの１／３〜１／２であることを特徴とする請求項１に記載のウェハ研磨装置用テーブル。
【請求項３】
前記溝は、断面のコーナーのＲが０．３〜５である矩形状を呈していることを特徴とする請求項１または２に記載のウェハ研磨装置用テーブル。
【請求項４】
前記溝は前記セラミックス製基材の焼成前に研削加工により形成されたものであることを特徴とする請求項３に記載のウェハ研磨装置用テーブル。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ウェハ研磨装置用テーブルに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
一般的に、鏡面を有するミラーウェハは、単結晶シリコンのインゴットを薄くスライスした後、それをラッピング工程及びポリッシング工程を経て研磨することにより得ることができる。特にラッピング工程後かつポリッシング工程前にエピタキシャル成長層形成工程を行った場合には、エピタキシャルウェハと呼ばれるものを得ることができる。そして、これらのベアウェハに対しては、続くウェハ処理工程において酸化、エッチング、不純物拡散等の各種工程が繰り返して行われ、最終的に半導体デバイスが製造されるようになっている。
【０００３】
上記の一連の工程においては、半導体ウェハのデバイス形成面を何らかの手段を用いて研磨する必要がある。そこで、従来から各種のウェハ研磨装置（ラッピングマシンやポリッシングマシン等）が提案されるに至っている。
【０００４】
通常のウェハ研磨装置は、テーブル、プッシャプレート、冷却ジャケット等を備えている。アルミナ等からなるテーブルは、冷却ジャケットの上部に固定されている。冷却ジャケット内に設けられた流路には冷却水が循環される。プッシャプレートの保持面には、半導体ウェハが熱可塑性ワックスを用いて貼付けられる。回転するプッシャプレートに保持された半導体ウェハは、テーブルの研磨面に対して上方から押し付けられる。その結果、研磨面に半導体ウェハが摺接し、ウェハの片側面が均一に研磨される。そして、このときウェハに発生した熱は、テーブルを介して冷却ジャケットに伝導し、かつ流路を循環する冷却水により装置の外部に持ち去られる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、大口径・高品質のウェハを実現するためには、テーブル自体の耐熱性、耐熱衝撃性、耐摩耗性等の向上に加え、テーブル内の温度バラツキを極力小さくすること、即ちテーブルの均熱性の向上が必要である。そこで、本発明者らは、２枚のセラミックス製基材からなる積層構造物の界面に冷却用水路を形成したテーブルを想到するに至っている。下側基材の上面には水路の一部をなす溝が加工形成されていて、この基材に上側基材を積層することにより、両者の界面に水路ができるようになっている。
【０００６】
しかしながら、このテーブル構造の場合、水路を流れる冷却水に対する伝熱面である上側基材の裏面側がフラットになっているため、伝熱面積が十分に確保されているとはいい難かった。ゆえに、テーブルの均熱性を向上させるためには、より効率よく冷却水に熱を伝える何らかの改良が必要であると考えられていた。
【０００７】
本発明は上記の課題を解決するためなされたものであり、その目的は、テーブル均熱性に優れ、半導体ウェハの大口径化・高品質化に対応可能なウェハ研磨装置用テーブルを提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するために、請求項１に記載の発明では、複数枚のセラミックス製基材を積層してなる積層構造物の上部に、ウェハ研磨装置を構成しているウェハ保持プレートの保持面に保持されている半導体ウェハが摺接される研磨面を有し、かつ前記基材の界面に流体流路を備えるテーブルにおいて、前記積層構造物の最上部に位置する基材を炭化珪素焼結体の緻密体から形成するとともにその最上部に位置する基材の裏面側に前記流体流路の一部をなす溝を形成し、前記積層構造物の最上部に位置する基材より下側に位置する基材を炭化珪素焼結体の多孔質体から形成したことを特徴とするウェハ研磨装置用テーブルをその要旨とする。
【００１０】
請求項２に記載の発明は、請求項１において、前記溝の深さは前記セラミックス製基材の厚さの１／３〜１／２であるとした。
請求項３に記載の発明は、請求項１または２において、前記溝は、断面のコーナーのＲが０．３〜５である矩形状を呈しているとした。
【００１１】
請求項４に記載の発明は、請求項３において、前記溝は前記セラミックス製基材の焼成前に研削加工により形成されたものであるとした。
以下、本発明の「作用」について説明する。
【００１２】
請求項１〜４に記載の発明によると、炭化珪素焼結体の緻密体を用いて積層構造物の最上部に位置する上側基材を形成し、かつ炭化珪素焼結体の多孔質体を用いて下側基材を形成し、積層構造物の最上部に位置するセラミックス製基材の裏面側に流体流路の一部をなす溝を形成したことにより、当該面に凹凸ができ、十分な伝熱面積が確保される。ゆえに、より効率よく流体に熱が伝わるようになり、テーブルの均熱性が向上する。
【００１３】
請求項２に記載の発明によると、溝の深さを上記好適範囲内に設定することにより、テーブルの強度低下を回避しつつ十分な伝熱面積及び流路断面積を確保することができる。この溝が浅すぎると、セラミックス製基材の裏面側にできる凹凸が小さくなり、十分な伝熱面積及び流路断面積を確保することができなくなる。逆に、この溝を深く形成しようとすると、基材の剛性が損なわれやすくなり、材料によっては押圧力付加時に基材が変形し、場合によっては破壊するおそれがある。
【００１４】
請求項３に記載の発明によると、溝の断面のコーナーのＲが上記好適範囲内であることから、基材の破壊を回避しつつ十分な流路断面積を確保することができる。なお、Ｒが０．３未満であると、応力集中による割れや加工による割れが発生しやすくなる。逆に、Ｒが５を超えると、流路断面積が不足してしまう。
【００１５】
請求項４に記載の発明によると、研削加工により形成された溝は、コーナーのＲが上記好適範囲内となりやすい。また、セラミックス製基材の焼成前に形成された溝であれば、加工変質層の発生による強度低下の心配がない。しかも、硬質なセラミックスであっても焼成前の状態であれば、深い溝を簡単に形成できる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を具体化した一実施形態のウェハ研磨装置１を図１，図２に基づき詳細に説明する。
【００１７】
図１には、本実施形態のウェハ研磨装置１が概略的に示されている。同ウェハ研磨装置１を構成しているテーブル２は円盤状である。テーブル２の上面は、半導体ウェハ５を研磨するための研磨面２ａになっている。この研磨面２ａには図示しない研磨クロスが貼り付けられている。本実施形態のテーブル２は、冷却ジャケットを用いることなく、円柱状をした回転軸４の上端面に対して水平にかつ直接的に固定されている。従って、回転軸４を回転駆動させると、その回転軸４とともにテーブル２が一体的に回転する。
【００１８】
図１に示されるように、このウェハ研磨装置１は、複数（図１では図示の便宜上２つ）のウェハ保持プレート６を備えている。プレート６の形成材料としては、例えばガラスや、アルミナ等のセラミックス材料や、ステンレス等の金属材料などが採用される。各ウェハ保持プレート６の片側面（非保持面６ｂ）の中心部には、プッシャ棒７が固定されている。各プッシャ棒７はテーブル２の上方に位置するとともに、図示しない駆動手段に連結されている。各プッシャ棒７は各ウェハ保持プレート６を水平に支持している。このとき、保持面６ａはテーブル２の研磨面２ａに対向した状態となる。また、各プッシャ棒７はウェハ保持プレート６とともに回転することができるばかりでなく、所定範囲だけ上下動することができる。プレート６側を上下動させる方式に代え、テーブル２側を上下動させる構造を採用しても構わない。ウェハ保持プレート６の保持面６ａには、シリコンからなる半導体ウェハ５が例えば熱可塑性ワックス等を用いて貼着される。半導体ウェハ５は、保持面６ａに対して真空引きによりまたは静電的に吸着されてもよい。このとき、半導体ウェハ５における被研磨面５ａは、テーブル２の研磨面２ａ側を向いている必要がある。
【００１９】
この装置１がラッピングマシン、即ちベアウェハプロセスにおけるスライス工程を経たものに対する研磨を行う装置である場合、ウェハ保持プレート６は以下のようなものであることがよい。即ち、前記プレート６は、研磨面２ａに対して所定の押圧力を印加した状態で半導体ウェハ５を摺接させるものであることがよい。このようなウェハ保持プレート６（つまりプッシャプレート）により押圧力を印加しても、エピタキシャル成長層が形成されていないことから、同層の剥離を心配する必要がないからである。この装置１がミラーウェハ製造用のポリッシングマシン、即ち前記ラッピング工程を経たものに対してエピタキシャル成長工程を実施することなく研磨を行う装置である場合も、同様である。
【００２０】
一方、この装置１がエピタキシャルウェハ製造用のポリッシングマシン、即ち前記ラッピング工程を経たものに対してエピタキシャル成長工程を実施したうえで研磨を行う装置である場合には、プレート６は以下のようなものであることがよい。即ち、プレート６は、研磨面２ａに対して押圧力を殆ど印加しない状態で半導体ウェハ５を摺接させるものであることがよい。シリコンエピタキシャル成長層は、単結晶シリコンと比べて剥離しやすいからである。この装置１が各種膜形成工程後にケミカルメカニカルポリッシング（ＣＭＰ）を行うためのマシンである場合も、基本的には同様である。
【００２１】
次に、テーブル２の構成について詳細に説明する。
図１，図２に示されるように、本実施形態のテーブル２は、複数枚（ここでは２枚）のセラミックス製基材１１Ａ，１１Ｂを積層してなる積層セラミックス構造体である。２枚の基材１１Ａ，１１Ｂのうち上側のもの（上側基材１１Ａ）の裏面側には、流体流路である冷却用水路１２の一部を構成する溝１３が所定パターン状に形成されている。一方、下側基材１１Ｂのほうには、このような溝１３は特に形成されていない。２枚の基材１１Ａ，１１Ｂ同士は、金属系接着層としてのロウ材層１４を介して互いに接合されることにより、一体化されている。その結果、基材１１Ａ，１１Ｂの接合界面に前記水路１２が形成される。下側基材１１Ｂの略中心部は、貫通孔１５が形成されている。これらの貫通孔１５は、回転軸４内に設けられた流路４ａと、前記水路１２とを連通させている。
【００２２】
各々の基材１１Ａ，１１Ｂを構成しているセラミックス材料は、珪化物セラミックスまたは炭化物セラミックスであることがよい。特に本実施形態においては、上記セラミックス材料として、炭化珪素粉末を出発材料とする炭化珪素焼結体（ＳｉＣ焼結体）を選択している。従って、本実施形態では、２枚の基材１１Ａ，１１Ｂの両方について同種のセラミックス材料が用いられていることになる。なお、炭化珪素焼結体は、上記セラミックスのなかでも、とりわけ熱伝導性、耐熱性、耐熱衝撃性、耐摩耗性、剛性等に優れている点で好ましい。
【００２３】
上側基材１１Ａの熱伝導率は、下側基材１１Ｂの熱伝導率と同等の値またはそれよりも大きい値に設定されることがよい。よって、本実施形態では、結晶粒子間の結合が強くてしかも気孔が極めて少ない緻密体を、上側基材１１Ａとして選択している。これに対して、多くの気孔を有する多孔質体を、下側基材１１Ｂとして選択している。また、両基材１１Ａ，１１Ｂの熱膨張係数は、ほぼ等しく設定されていることがよい。
【００２４】
また、上側基材１１Ａの厚さは、下側基材１１Ｂの厚さよりも薄くなっている。これにより、上側基材１１Ａの熱抵抗は、下側基材１１Ｂの熱抵抗よりも確実に小さくなる。本実施形態において、上側基材１１Ａの厚さは３ｍｍ〜２０ｍｍに設定されている。下側基材１１Ｂの厚さは１０ｍｍ〜５０ｍｍに設定されている。
【００２５】
上記炭化珪素粉末としては、α型炭化珪素粉末、β型炭化珪素粉末、非晶質炭化珪素粉末等が用いられる。この場合、一種の粉末のみを単独で用いてもよいほか、２種以上の粉末を組み合わせて（α型＋β型、α型＋非晶質、β型＋非晶質、α型＋β型＋非晶質、のいずれかの組み合わせで）用いてもよい。なお、β型炭化珪素粉末を用いて作製された焼結体は、他のタイプの炭化珪素粉末を用いて作製された焼結体に比べて、多くの大型板状結晶を含んでいる。従って、緻密体を得たいような場合には、焼結体における結晶粒子の粒界が少なくなり、熱伝導性に特に優れたものとすることができる。
【００２６】
炭化珪素焼結体製の上側基材１１Ａの熱伝導率は４０Ｗ／ｍＫ以上であることがよく、さらには８０Ｗ／ｍＫ〜３００Ｗ／ｍＫであることが望ましい。熱伝導率が小さすぎると焼結体内に温度バラツキが生じやすくなり、半導体ウェハ５の大口径化・高品質化を妨げる原因となるからである。逆に、熱伝導率は大きいほど好適である反面、３００Ｗ／ｍＫを超えるものについては、安価かつ安定的な材料供給が難しくなるからである。なお、下側基材１１Ｂの熱伝導率は５Ｗ／ｍＫ以上であることがよく、さらには１０Ｗ／ｍＫ〜８０Ｗ／ｍＫであることが望ましい。その理由は、冷却用水路１２にて構成される冷却部よりも下の放熱を防止することにより、研磨面２ａの温度制御をしやすくするためである。
【００２７】
ロウ材層１４は、チタンを含むロウ材を用いて形成されたものであることがよい。炭化珪素焼結体を基材１１Ａ，１１Ｂとして選択したとき、チタンを含むロウ材を用いることにより、ロウ材層１４に高い熱伝導率を確保しながら高い接合強度を得ることが可能だからである。なお、チタンはロウ付け時に焼結体の気孔内に拡散しやすいため、現時点ではこの性質が接合強度向上をもたらす主な要因であると考えられている。
【００２８】
本実施形態では、基材１１Ａ，１１Ｂ同士の接合に際してＴｉ−Ａｇ−Ｃｕ（チタン−銀−銅）系のロウ材を用いている。このロウ材におけるチタンの含有量は０．１重量％〜１０重量％程度であり、その溶融温度は約８５０℃である。また、ロウ材層１４の厚さは１０μm〜５０μm程度に設定されることがよい。
【００２９】
水路１２の一部を構成する溝１３の深さは、上側基材１１Ａの厚さ（本実施形態では３ｍｍ〜２０ｍｍ）の１／３〜１／２であることが好ましい。
この溝１３が浅すぎると、上側基材１１Ａの裏面側にできる凹凸が小さくなって、十分な伝熱面積を確保できなくなる。また、十分な流路断面積も確保できなくなるため、水路１２に流すことができる冷却水Ｗの量も制限される。ゆえに、テーブル２の均熱性を十分に向上できなくなるおそれがある。逆に、この溝１３を深く形成しようとすると、部分的に肉薄な箇所ができることによって、基材１１Ａの剛性が損なわれやすくなる。その結果、材料の選択の如何によっては、プレート６の押圧力が付加した時に、基材１１Ａが破壊するおそれがある。
【００３０】
溝１３の断面形状は、図２において概略的に示されるように、矩形状であることがよく、具体的には断面のコーナーのＲが０．３〜５であることがよい。Ｒが０．３未満であると、応力集中による割れや加工による割れが発生し、テーブル２が破壊しやすくなるからである。逆に、Ｒが５を超えると、流路断面積が不足してしまい、テーブル２の均熱性の向上が図れなくなるからである。
【００３１】
また、前記溝１３は、上側基材１１Ａの裏面側を砥石を用いて研削加工することにより形成された研削溝であることが好ましい。研削加工により形成される溝１３は、コーナーのＲが上記好適範囲内になりやすく、好ましい断面形状になるからである。しかも、研削加工であれば、炭化珪素焼結体のような硬質なセラミックスに対しても、深い溝１３を困難なく形成することが可能だからである。
【００３２】
ここで、テーブル２を製造する手順を簡単に説明する。
まず、炭化珪素粉末に少量の焼結助剤を添加したものを均一に混合する。焼結助剤としては、ほう素及びその化合物、アルミニウム及びその化合物、炭素などが選択される。この種の焼結助剤が少量添加されていると、炭化珪素の結晶成長速度が増加し、焼結体の緻密化・高熱伝導化につながるからである。
【００３３】
次いで、上記混合物を材料として用いて金型成形を行うことにより、円盤状の成形体を作製する。さらに、この成形体を１８００℃〜２４００℃の温度範囲内で焼成することにより、炭化珪素焼結体製の基材１１Ａ，１１Ｂを２枚作製する。この場合において焼成温度が低すぎると、結晶粒径を大きくすることが困難となるばかりでなく、焼結体中に多くの気孔が残ってしまう。逆に焼成温度が高すぎると、炭化珪素の分解が始まる結果、焼結体の強度低下を来してしまう。
【００３４】
続いて、上側基材１１Ａの底面を砥石を用いて研削加工することにより、同面のほぼ全域に所定幅・所定深さの溝１３を形成する。さらに、２枚の基材１１Ａ，１１Ｂ間に適量のロウ材を配置した状態で、両者１１Ａ，１１Ｂを積層する。このような状態で２枚の基材１１Ａ，１１Ｂを加熱し、基材１１Ａ，１１Ｂ同士をロウ付けする。そして最後に、上側基材１１Ａの表面を研磨加工することにより、半導体ウェハ５の研磨に適した面粗度の研磨面２ａを形成する。このような表面研磨工程は、接着工程または溝加工工程の前に実施されてもよい。本実施形態のテーブル２は、以上の手順を経て完成する。
以下、本実施形態をより具体化した実施例を紹介する。
［実施例］
上側基材１１Ａの作製においては、９４．６重量％のβ型結晶を含む炭化珪素粉末として、イビデン株式会社製「ベータランダム（商品名）」を用いた。この炭化珪素粉末は、１．３μｍという結晶粒径の平均値を有し、かつ１．５重量％のほう素及び３．６重量％の遊離炭素を含有していた。
【００３５】
まず、この炭化珪素粉末１００重量部に対し、ポリビニルアルコール５重量部、水３００重量部を配合した後、ボールミル中にて５時間混合することにより、均一な混合物を得た。この混合物を所定時間乾燥して水分をある程度除去した後、その乾燥混合物を適量採取しかつ顆粒化した。次いで、前記混合物の顆粒を、金属製押し型を用いて５０ｋｇ／ｃｍ2のプレス圧力で成形した。得られた円盤状の生成形体の密度は１．２ｇ／ｃｍ3であった。
【００３６】
次いで、外気を遮断することができる黒鉛製ルツボに前記生成形体を装入し、タンマン型焼成炉を使用してその焼成を行なった。焼成は１気圧のアルゴンガス雰囲気中において実施した。また、焼成時においては１０℃／分の昇温速度で最高温度である２３００℃まで加熱し、その後はその温度で２時間保持することとした。得られた上側基材１１Ａを観察してみたところ、板状結晶が多方向に絡み合った極めて緻密な三次元網目構造を呈していた。また、上側基材１１Ａの密度は３．１ｇ／ｃｍ3 であり、熱伝導率は１５０W／ｍＫであった。上側基材１１Ａに含まれているほう素は０．４重量％、遊離炭素は１．８重量％であった。ここでは、上側基材１１Ａの寸法を、直径６００ｍｍかつ厚さ５ｍｍに設定した。
【００３７】
一方、下側基材１１Ｂとして、市販の多孔質炭化珪素焼結体（具体的には、イビデン株式会社製「ＳＣＰ−５（商品名）」）を用いた。なお、この焼結体の密度は約１．９ｇ／ｃｍ3、熱伝導率は３０Ｗ／ｍＫ、気孔率は４０％〜４５％である。下側基材１１Ｂの寸法は、直径６００ｍｍかつ厚さ２５ｍｍに設定した。
【００３８】
続いて、研削装置を用いて研削加工を行い、深さ５mmかつ幅１０mmであって、コーナーのＲ＝１ｍｍの溝１３を上側基材１１Ａの裏面側に形成した。従って、この溝１３の深さは基材１１Ａの厚さの１／２になっている。その後、ロウ付けによって２枚の基材１１Ａ，１１Ｂを一体化した。ここではチタンを含む箔状の銀ロウ材を用い、ロウ材層１４の厚さを２０μmに設定することとした。
【００３９】
ロウ付け工程の後、さらに上側基材１１Ａの表面に研磨加工を施すことにより、最終的に半導体ウェハ５の研磨に適した面粗度の研磨面２ａを有するテーブル２を完成した。
このようにして得られた実施例のテーブル２を上記各種の研磨装置１にセットし、冷却水Wを常時循環させつつ、各種サイズの半導体ウェハ（シリコンウェハ）５の研磨を行なった。その際、研磨面２の複数の点における温度を測定したところ、テーブル２内の温度バラツキは極めて小さく（具体的には４０℃で±２℃以内）、高い均熱性が付与されていた。また、各種の研磨装置１による研磨を経て得られたウェハ５を観察したところ、ウェハサイズの如何を問わず、反りや傷のない好適なウェハ５を得ることができた。つまり、本実施例のテーブル２を用いた場合、極めて高精度かつ高品質の半導体ウェハ５が得られることがわかった。
【００４０】
従って、本実施形態の実施例によれば、以下のような効果を得ることができる。
（１）このウェハ研磨装置１のテーブル２では、炭化珪素製基材１１Ａ，１１Ｂの接合界面に水路１２を形成したものである。従って、研磨面２ａ側の熱は、テーブル２の内部を伝導し、水路１２内を流れる冷却水Ｗに確実に受け渡される。よって、冷却ジャケットにテーブル２を載せて間接的に冷却を行う従来装置に比べ、熱をテーブル２から直接かつ効率よく逃がすことができる。ゆえに、テーブル２内の温度バラツキも小さくなり、テーブル２の均熱性向上が図られる。
【００４１】
（２）このテーブル２では、２枚の基材１１Ａ，１１Ｂからなる積層構造が採用されている。よって、水路１２の一部をなす溝１３をあらかじめいずれかの基材１１Ａ，１１Ｂに形成した後で、両者を接合することができる。従って、基材１１Ａ，１１Ｂの界面に水路１２を比較的簡単に形成することができる。よって、テーブル２の製造に特に困難を伴うことがないという利点がある。さらに、この構造であると、接合界面に配管構造を追加する必要もないので、構造の複雑化や高コスト化も回避される。
【００４２】
（３）テーブル２において水路１２の一部をなす溝１３は、積層セラミックス構造物における上側基材１１Ａの裏面側に形成されている。よって、上側基材１１Ａの裏面側に凹凸ができ、十分な伝熱面積が確保される結果、従来に比べてより効率よく水Ｗに熱が伝わるようになる。このため、テーブル２の均熱性が向上し、流体供給による温度制御を比較的容易に行うことができるようになる。従って、ウェハ５を高い精度で加工することができ、ウェハ５の大口径化・高品質化に対応可能となる。
【００４３】
（４）このテーブル２では、溝１３の深さを上記の好適範囲内に設定している。このため、テーブル２の強度低下を回避しつつ十分な伝熱面積及び流路断面積を確保することができる。従って、耐久性及び均熱性の向上を図ることができる。
【００４４】
（５）このテーブル２では、矩形状をなす溝１３の断面のコーナーのＲを上記好適範囲内に設定している。そのため、同じ深さの丸い断面形状の溝よりも大きな流路断面積が確保される。このことは均熱性のさらなる向上に貢献する。
【００４５】
（６）このテーブル２における基材１１Ａは、炭化珪素焼結体の緻密体からなる。従って、テーブル２に好適な熱伝導性、耐熱性、耐熱衝撃性、耐摩耗性を付与することができる。勿論、このことは半導体ウェハ５の大口径化・高品質化にも寄与する。なお、炭化珪素焼結体は極めて硬質であることに鑑みて、本実施形態では溝１３の形成を研削加工により行っている。ゆえに、矩形状の断面形状であって十分な深さの溝１３を、困難なく形成することができる。
【００４６】
（７）テーブル２を構成する２枚の基材１１Ａ，１１Ｂ同士は、ロウ材層１４を介したロウ付けにより強固に接合されている。そのため、ロウ材層１４を介在させずに積層した場合とは異なり、接合界面に高い接合強度を確保することができる。また、上記のごとくテーブル２に熱応力が発生しにくくなることで、接合界面におけるクラック破壊も確実に回避される。従って、破壊しにくい高強度のテーブル２とすることができる。また、クラックによる破壊が回避される結果、接合界面からの水漏れも未然に防止することができる。
【００４７】
（８）このテーブル２を用いたウェハ研磨装置１の場合、冷却ジャケット自体が不要になることから、装置全体の構造が簡単になる。
なお、本発明の実施形態は以下のように変更してもよい。
【００４８】
・  溝１３は上側基材１１Ａの焼成工程の前に形成されてもよい。このような溝１３であれば、溝内壁面における加工変質層の発生を回避することができ、テーブル２の強度低下の心配もなくなるからである。従って、破壊しにくくて強度に優れたテーブル２とすることができる。しかも、硬質なセラミックスであっても、焼成前の状態においてはそれほど硬質ではないため、深い溝１３を簡単に形成することができる。従って、製造の容易なテーブル２とすることができる。
【００４９】
・  基材１１Ａ，１１Ｂ同士は、必ずしも接着層を介して接着されていなくてもよく、例えば接着層を省略する代わりに、基材１１Ａ，１１Ｂ同士をボルトとナットとの締結によって一体化しても構わない。
【００５０】
・  ２層構造をなす実施形態のテーブル２に代えて、３層構造をなすテーブルに具体化してもよい。勿論、４層以上の積層構造にしても構わない。
．  溝１３は研削加工により形成されたものに限定されることはなく、例えばサンドブラスト等のような噴射加工により形成されたものでもよい。また、溝１３の断面形状も、実施形態のような略矩形状かつ角張ったもののみに限定されず、略Ｖ字状や半円状などであっても構わない。
【００５１】
・  実施形態においては、炭化珪素焼結体の緻密体を用いて上側基材１１Ａを形成し、かつ炭化珪素焼結体の多孔質体を用いて下側基材１１Ｂを形成していた。
【００５３】
・  本実施形態のテーブル２の使用にあたって、水路１２内に水以外の液体を循環させてもよく、さらには気体を循環させてもよい。
次に、特許請求の範囲に記載された技術的思想のほかに、前述した実施形態によって把握される技術的思想をその効果とともに以下に列挙する。
【００５４】
（１）  ２枚の炭化珪素焼結体製基材を接着層を介して接合してなる積層セラミックス構造物の上部に、ウェハ研磨装置を構成しているウェハ保持プレートの保持面に保持されている半導体ウェハが摺接される研磨面を有し、かつ前記基材の接合界面に流体流路を備えるテーブルにおいて、前記構造物を構成する上側基材の裏面側に、前記流体流路の一部をなす研削加工溝を形成したことを特徴とするウェハ研磨装置用テーブル。
【００５５】
（２） 請求項１乃至４，技術的思想１のいずれか１つに記載のテーブルを用いた研磨方法であって、前記流体流路に冷却用流体を流しながら、前記テーブルの研磨面に対して前記半導体ウェハを回転させつつ摺接させることにより、前記半導体ウェハの研磨を行うことを特徴とする半導体ウェハの研磨方法。従って、この技術的思想２に記載の発明によれば、研磨時にウェハが熱の悪影響を受けにくくなる結果、ウェハを正確に研磨することが可能となり、大口径・高品質のウェハを得ることができる。
【００５６】
（３） 請求項１乃至４，技術的思想１のいずれか１つに記載のテーブルを用いた製造方法であって、前記流体流路に冷却用流体を流しながら、前記テーブルの研磨面に対して前記半導体ウェハを回転させつつ摺接させることにより、前記半導体ウェハの研磨を行う工程を、少なくとも含むことを特徴とする半導体ウェハの製造方法。従って、この技術的思想３に記載の発明によれば、研磨時にウェハが熱の悪影響を受けにくくなり、大口径・高品質のウェハを得ることができる。
【００５７】
【発明の効果】
以上詳述したように、請求項１〜４に記載の発明によれば、テーブル均熱性に優れ、半導体ウェハの大口径化・高品質化に対応可能なウェハ研磨装置用テーブルを提供することができる。
【００５８】
請求項２に記載の発明によれば、耐久性及び均熱性の向上を図ることができる。
請求項３に記載の発明によれば、均熱性のさらなる向上を図ることができる。
【００５９】
請求項４に記載の発明によれば、強度に優れかつ困難なく製造可能なテーブルとすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を具体化した一実施形態におけるウェハ研磨装置を示す概略図。
【図２】実施形態のウェハ研磨装置に用いられるテーブルの要部拡大断面図。
【符号の説明】
１…ウェハ研磨装置、２…ウェハ研磨装置用テーブル、２ａ…研磨面、５…半導体ウェハ、６…ウェハ保持プレート、６ａ…保持面、１１Ａ，１１Ｂ…基材、１２…流体流路としての水路、１３…溝。
【図１】
0004429420.tif 000002
【図２】
0004429420.tif 000003