(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子ビーム描画用マスクに生じる欠陥領域を検出する電子ビーム描画用パターン検査方法であって、
前記電子ビーム描画用マスクは、パターン領域の周辺部を支持して該パターン領域を電子ビームの光路中に配置する構造のものであり、
転写用の設計パターンデータと、前記設計パターンデータに基いて実際に転写したマスクのパターン形状とを比較することにより、前記設計パターンデータと前記マスクの転写パターンデータの差異に基いて、応力あるいは自重による前記パターン領域の変形領域をパターン欠陥領域として抽出することを特徴とする電子ビーム描画用パターン検査方法。
【請求項２】
電子ビーム描画用マスクに生じる欠陥領域を検出する電子ビーム描画用パターン検査方法であって、
前記電子ビーム描画用マスクは、パターン領域の周辺部を支持して該パターン領域を電子ビームの光路中に配置する構造のものであり、
転写用の設計パターンデータと、前記設計パターンデータに基いて実際に転写したマスクのパターン形状とを比較することにより、前記設計パターンデータと前記マスクの転写パターンデータの差異に基いて、応力あるいは自重による前記パターン領域の変形領域をパターン欠陥領域として抽出し、
前記抽出データに基いて前記パターン欠陥領域の位置を確定させた後、前記転写用設計パターンデータを参照して前記パターン欠陥領域に相当するパターンデータを記録しておき、
デバイスパターンを用いて前記電子ビーム描画用マスクを作製する際に、前記記録されたパターンデータを用いて前記パターン欠陥領域を転写用の設計パターンデータ上で抽出することを特徴とする電子ビーム描画用パターン検査方法。
【請求項３】
前記抽出されるパターン形状の欠陥領域は、少なくとも、ドーナッツ問題が生じるパターン領域，リーフ問題が生じるパターン領域或いはアスペクト問題が生じるパターン領域のいずれかであることを特徴とする請求項１又は２に記載の電子ビーム描画用パターン検査方法。
【請求項４】
前記電子ビーム描画用マスクは、部分一括或いは全一括転写による電子ビーム描画用のものであることを特徴とする請求項１又は２に記載の電子ビーム描画用パターン検査方法。
【請求項５】
前記抽出されたパターン欠陥領域に対してコンプリメンタリマスクのパターンデータを作成することを特徴とする請求項１又は２に記載の電子ビーム描画用パターン検査方法。
【請求項６】
前記コンプリメンタリマスクのパターンデータは、複数回の露光により前記パターン欠陥領域を形成するものであることを特徴とする請求項５に記載の電子ビーム描画用パターン検査方法。
【請求項７】
前記抽出されたパターン欠陥領域のパターンを複数のパターンに分割して、前記コンプリメンタリマスクのパターンデータを作成することを特徴とする請求項５に記載の電子ビーム描画用パターン検査方法。
【請求項８】
マスクを一定の領域のメッシュに区切り、メッシュ単位で前記パターン形状の欠陥領域を抽出することを特徴とする請求項１又は２に記載の電子ビーム描画用パターン検査方法。
【請求項９】
電子ビーム描画用マスクで電子ビームを制御して、電子ビームによる描画を行う電子ビーム描画方法であって、
前記電子ビーム描画用マスクは、パターン領域の周辺部を支持して該パターン領域を電子ビームの光路中に配置する構造のものであり、
設計パターンデータに基いて少なくとも一度実際に転写したマスクのパターン形状と前記設計パターンデータの差異を数値化したデータに基いて、応力あるいは自重による前記パターン領域の変形領域をパターン欠陥領域として抽出することを特徴とする電子ビーム描画方法。
【請求項１０】
電子ビーム描画用マスクで電子ビームを制御して、電子ビームによる描画を行う電子ビーム描画方法であって、
前記電子ビーム描画用マスクは、パターン領域の周辺部を支持して該パターン領域を電子ビームの光路中に配置する構造のものであり、
設計パターンデータに基いて少なくとも一度実際に転写したマスクのパターン形状と前記設計パターンデータの差異を数値化したデータに基いて、応力あるいは自重による前記パターン領域の変形領域をパターン欠陥領域として転写用の設計パターンデータ上で抽出し、前記抽出されたパターン欠陥領域に対してコンプリメンタリマスクのパターンデータを作成しておき、
前記抽出データに基いて、
前記パターン欠陥領域以外の領域をステンシルクマスクを用いた単一露光を行い、
前記パターン欠陥領域を、前記ステンシルクマスクに代えて前記コンプリメンタリマスクを用いて多重露光を行うことを特徴とする電子ビーム描画方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子ビーム描画用パターン検査方法及び電子ビーム描画方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
電子ビームによる描画を行う露光方法以外の露光方法では、ガラス基板上に遮光膜を形成して、この遮光膜を適宜エッチングして露光パターンを形成し、これをマスクとして露光が行われているが、電子ビーム描画方法では上述したマスクをそのまま用いることができないものであり、電子ビーム描画方法には専用のマスクが用いられている。
【０００３】
電子ビーム描画に用いるマスクを図４に基いて説明する。図４に示すように電子ビーム描画用マスクは、板厚の厚いＳｉ基板１上にＳｉＯ2膜２を介して板厚の比較的薄いＳｉ板３が堆積形成され、Ｓｉ板３を貫通して開口部４が穴あけ形成され、Ｓｉ板３の背面側に位置するＳｉ基板１及びＳｉＯ2膜２が支えとなる支柱（Ｓｉ基板３）１ａを残して切削削除されて開口部４が上下に貫通して形成されている。
【０００４】
そして、電子ビームをマスクの開口部４のみに通過させて電子ビームをマスクで制御して電子ビームによる描画を行うウエハ上に行っている。
【０００５】
ウエハ上に転写する転写用の設計パターンの例を図５〜図７に示す。図５に示す転写用設計パターンはゲートとパッドのパターン領域Ｐ１，Ｐ２から構成されており、ゲートパターン領域Ｐ１はパッドパターン領域Ｐ２を含んでループ状に形成され（斜線を付した部分）、ゲートパターン領域Ｐ１で全周が囲まれた抜きパターン領域Ｐ３が形成されることとなる。
【０００６】
この抜きパターン領域Ｐ３を図４に示すマスクのＳｉ板３に形成すると、この抜きパターン領域Ｐ３は支柱１ａと直接接触する箇所が全くなってしまうために自重で落下することとなり（ドーナッツ問題）、この抜きパターン領域Ｐ３がマスクとして欠陥部分を発生させることとなる。
【０００７】
また図６に示すようにパターン長Ｌ１／Ｌ２の比が大きいパターン領域Ｐ４では、このパターン領域Ｐ４を支える部分が一箇所であり、この部分に掛る内部応力と自重の合力が、マスクを構成する材質の弾性限界を上回るためパターン領域Ｐ４の自重を支えきれず、パターン領域Ｐ４が落下あるいは湾曲することとなり（リーフ問題）、このパターン領域Ｐ４がマスクとして欠陥部分を発生させることとなる。
【０００８】
また図７に示すようにパターン領域Ｐ５のアスペクト比（Ｌ３／Ｌ４）が大きい場合に、このパターン領域Ｐ５の部分を支える部分は２箇所あるが、この部分がパターン領域Ｐ５の縦方向の長さに比べ大幅に細く、内部応力や自重に起因する位置歪みが大きくなるために、パターン領域Ｐ５の自重を支えきれず、パターン領域Ｐ５が落下あるいは湾曲することとなり（アスペクト問題）、このパターン領域Ｐ５がマスクとして欠陥部分を発生させることとなる。
【０００９】
そのため、従来の電子ビーム描画に用いられる図４に示すステンシルマスクでは、ドーナッツ問題，リーフ問題，アスペクト問題が発生するパターン領域Ｐ３，Ｐ４，Ｐ５は作成することが不可能である。
【００１０】
敢えて図４に示すステンシルマスクに前記問題のあるパターン領域Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３を作成するためには、図８に示すように、例えば抜きパターンＰ３の周囲に形成される開口部（斜線を付した部分）４の一部に切れ目（ハリ）５を刻設して、抜きパターンＰ３の落下を阻止する方法を採用する必要がある。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来では、ドーナッツ問題，リーフ問題，アスペクト問題の発生する箇所を検出する方法がなく、手動で前記問題となる箇所を取出して、これらの問題が発生する開口部４の一部に切れ目(ハリ)５を刻設する必要があるため、作業性が極めて非効率であるという問題がある。
【００１２】
また手動でハリ５を刻設する場合、人為的ミスによりドーナッツ問題やリーフ問題やアスペクト問題の起こるパターンをハリ５により分割する作業を忘れてしまう可能性がある。さらにハリ５を設けたステンシルマスクでは、そのハリ５の部分は電子ビームが全く遮蔽されて透過しないため、転写されるパターン形状が変化してしまうという問題がある。
【００１３】
一方、上述した問題を回避するため、特開平６−９７０５８号公報及び特開平９−２４６１５８号公報等に開示された技術では、多重露光を全面に行ってパターン形状を転写している。しかしながら、上述した多重露光を全面に行う場合には個別のパターン同士の繋ぎ目部分に問題が生じ、この問題を解決する必要があり、ドーナッツ問題，リーフ問題，アスペクト問題を根本的に解決するに至っていないものである。
【００１４】
本発明の目的は、ドーナッツ問題，リーフ問題，アスペクト問題等の発生する箇所を自動的に検出し、かつハリを設けることなく正確にパターン転写を行うことができる電子ビーム描画用パターン検査方法及び電子ビーム描画方法を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決しようとする課題】
前記目的を達成するため、本発明に係る電子ビーム描画用パターン検査方法は、電子ビーム描画用マスクに生じる欠陥領域を検出する電子ビーム描画用パターン検査方法であって、
前記電子ビーム描画用マスクは、パターン領域の周辺部を支持して該パターン領域を電子ビームの光路中に配置する構造のものであり、
転写用の設計パターンデータと、前記設計パターンデータに基いて実際に転写したマスクのパターン形状とを比較することにより、前記設計パターンデータと前記マスクの転写パターンデータの差異に基いて、応力あるいは自重による前記パターン領域の変形領域をパターン欠陥領域として抽出するものである。
【００１６】
また本発明に係る電子ビーム描画用パターン検査方法は、電子ビーム描画用マスクに生じる欠陥領域を検出する電子ビーム描画用パターン検査方法であって、前記電子ビーム描画用マスクは、パターン領域の周辺部を支持して該パターン領域を電子ビームの光路中に配置する構造のものであり、
転写用の設計パターンデータと、前記設計パターンデータに基いて実際に転写したマスクのパターン形状とを比較することにより、前記設計パターンデータと前記マスクの転写パターンデータの差異に基いて、応力あるいは自重による前記パターン領域の変形領域をパターン欠陥領域として抽出し、
前記抽出データに基いて前記パターン欠陥領域の位置を確定させた後、前記転写用設計パターンデータを参照して前記パターン欠陥領域に相当するパターンデータを記録しておき、
デバイスパターンを用いて前記電子ビーム描画用マスクを作製する際に、前記記録されたパターンデータを用いて前記パターン欠陥領域を転写用の設計パターンデータ上で抽出するものである。
【００１７】
また前記抽出されるパターン形状の欠陥領域は、少なくとも、ドーナッツ問題が生じるパターン領域，リーフ問題が生じるパターン領域或いはアスペクト問題が生じるパターン領域のいずれかである。
【００１８】
また前記電子ビーム描画用マスクは、部分一括或いは全一括転写による電子ビーム描画用のものである。
【００１９】
また前記抽出されたパターン欠陥領域に対してコンプリメンタリマスクのパターンデータを作成するものである。
【００２０】
また前記コンプリメンタリマスクのパターンデータは、複数回の露光により前記パターン欠陥領域を形成するものである。
【００２１】
また前記抽出されたパターン欠陥領域のパターンを複数のパターンに分割して、前記コンプリメンタリマスクのパターンデータを作成するものである。
【００２２】
またマスクを一定の領域のメッシュに区切り、メッシュ単位で前記パターン形状の欠陥領域を抽出するものである。
【００２３】
また本発明に係る電子ビーム描画方法は、電子ビーム描画用マスクで電子ビームを制御して、電子ビームによる描画を行う電子ビーム描画方法であって、
前記電子ビーム描画用マスクは、パターン領域の周辺部を支持して該パターン領域を電子ビームの光路中に配置する構造のものであり、
設計パターンデータに基いて少なくとも一度実際に転写したマスクのパターン形状と前記設計パターンデータの差異を数値化したデータ表に基いて、応力あるいは自重による前記パターン領域の変形領域をパターン欠陥領域として抽出するものである。
【００２４】
また本発明に係る電子ビーム描画方法は、電子ビーム描画用マスクで電子ビームを制御して、電子ビームによる描画を行う電子ビーム描画方法であって、
前記電子ビーム描画用マスクは、パターン領域の周辺部を支持して該パターン領域を電子ビームの光路中に配置する構造のものであり、
設計パターンデータに基いて少なくとも一度実際に転写したマスクのパターン形状と前記設計パターンデータの差異を数値化したデータ表に基いて、応力あるいは自重による前記パターン領域の変形領域をパターン欠陥領域として転写用の設計パターンデータ上で抽出し、前記抽出されたパターン欠陥領域に対してコンプリメンタリマスクのパターンデータを作成しておき、
前記抽出データに基いて、
前記パターン欠陥領域以外の領域をステンシルクマスクを用いた単一露光を行い、
前記パターン欠陥領域を、前記ステンシルクマスクに代えて前記コンプリメンタリマスクを用いて多重露光を行うものである。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図により説明する。
【００２６】
（実施形態１）図１は、本発明の実施形態１に係る電子ビーム描画用パターン検査方法に用いるマスクブランクスを示す断面図、図２は、本発明の実施形態１に係る電子ビーム描画用パターン検査方法を工程順に示す断面図、図３は、本発明の実施形態１に係る電子ビーム描画用パターン検査方法においてコンプリメンタリマスクを作成する工程を示す断面図である。
【００２７】
図２に示すように本発明に係る電子ビーム描画用パターン検査方法は、電子ビーム描画用マスクに生じる欠陥領域を検出する電子ビーム描画用パターン検査方法を対象とするものであり、基本的構成として、転写用の設計パターンデータＤ１と、前記設計パターンデータＤ１に基いて実際に転写したマスクＭのパターン形状のデータＤ２とを比較することにより、前記設計パターンデータＤ１と前記マスクの転写パターンデータＤ２の差異に基いて、応力あるいは自重によるパターン領域Ｐｔの変形領域をパターン欠陥領域として抽出することを特徴とするものである。なお図２（ｂ）において、Ｐｂは転写用の設計パターンデータＤ１に基いてハードマスク７上に転写したパターン領域であるため、符号Ｐｂの後に転写用設計パターンデータを示すＤ１を括弧書きで記入している。また図２（ｃ）において、Ｐｔは転写用の設計パターンデータＤ１に基いてマスクＭに実際に転写したパターン領域であるため、符号Ｐｔの後に実際のマスクパターンデータを示すＤ２を括弧書きで記入している。
【００２８】
図２（ｃ）に示すように前記電子ビーム描画用マスクＭは、パターン領域Ｐｔの周辺部Ｓを支持して該パターン領域Ｐｔを電子ビームの光路Ｅ中に配置する構造のものである。
【００２９】
前記抽出されるパターン形状の欠陥領域は、図５に示すようなドーナツ問題が生じるゲートパターン領域Ｐ１で全周が囲まれた抜きパターン領域Ｐ３，図６に示すようなリーフ問題が生じるパターン長Ｌ１／Ｌ２の比が大きいパターン領域Ｐ４，図７に示すようなアスペクト問題が生じるアスペクト比（Ｌ３／Ｌ４）が大きいパターン領域Ｐ５であるが、前記抽出されるパターン形状の欠陥領域は、これらの領域Ｐ３，Ｐ４，Ｐ５に限定されるものではなく、これ以外のものでもよく、要は応力あるいは自重によりパターン領域Ｐｔが変形する領域をパターン欠陥領域として抽出すればよいものである。
【００３０】
また前記電子ビーム描画用マスクは、部分一括或いは全一括転写による電子ビーム描画用のものである。
【００３１】
さらに図３に示すように本発明に係る電子ビーム描画用パターン検査方法は、前記抽出された欠陥領域に対してコンプリメンタリマスク（Ｍ１，Ｍ２）のパターンデータを作成するものである。
【００３２】
そして前記コンプリメンタリマスク（Ｍ１，Ｍ２）のパターンデータは、複数回の露光により抜きパターンを形成するものであり、具体的には図３に示すように前記抽出された欠陥領域のパターンを複数のマスクパターンに分割して、前記コンプリメンタリマスク（Ｍ１，Ｍ２）のパターンデータを作成する。
【００３３】
図３に示す例では、図５の抜きパターン領域Ｐ３が抜け落ちるのを阻止するため、コンプリメンタリマスクを２枚の分割マスクＭ１，Ｍ２に分離して、一方の分割マスクＭ１には、横向きのゲートパターン領域Ｐ１とパッドパターン領域Ｐ２に分割したパターンのみを抽出して、前記抽出された欠陥領域の一部のパターンを形成する。他方の分割マスクＭ２には、縦向きのゲートパターン領域Ｐ１に分割したパターンのみを抽出して、前記抽出された欠陥領域の残りのパターンを形成する。これにより、各分割マスクＭ１，Ｍ２を単独で使用した場合に図５に示す抜きパターン領域Ｐ３に相当するパターンが形成されることがなく、コンプリメンタリマスクをなす分割マスクＭ１，Ｍ２を用いた多重露光により図５に示す抜きパターン領域Ｐ３の部分を転写するようになっている。
【００３４】
次に本発明の具体例を詳細に説明する。
【００３５】
図５に示す転写用の設計パターンデータはゲートとパッドのパターン領域Ｐ１，Ｐ２から構成されており、ゲートパターン領域Ｐ１はパッドパターン領域Ｐ２を含んでループ状に形成され（斜線を付した部分）、ゲートパターン領域Ｐ１で全周が囲まれた抜きパターン領域Ｐ３が形成されることとなる。
【００３６】
この抜きパターン領域Ｐ３を図４に示すマスクのＳｉ板３に形成すると、この抜きパターン領域Ｐ３は支柱１ａと直接接触する箇所が全くなくなってしまうために自重で落下することとなり（ドーナッツ問題）、この抜きパターン領域Ｐ３がマスクとして欠陥部分を発生させることとなる。
【００３７】
現在のところ、ドーナッツ問題は転写用の設計パターンデータから判定可能であるが、リーフ問題やアスペクト問題が発生する箇所を転写用の設計パターンデータのみの情報から正確に見積もる方法はない。
【００３８】
本発明では図１に示すように、電子描画用ステンシルマスクパターンの形成時に大きい影響を与えるこれら諸問題を解決するため、バックエッチングを先に行ったマスクブランクス６を用意する。
【００３９】
図１及び図２（ａ）に示すようにマスクブランクス６は、板厚の厚いＳｉ基板１上にＳｉＯ2膜２を介して板厚の比較的薄いＳｉ板３が堆積形成され、Ｓｉ板３を全面に残して、Ｓｉ板３の背面側に位置するＳｉ基板１及びＳｉＯ2膜２が支えとなる支柱（Ｓｉ基板）１ａを残して切削削除された構造になっている。
【００４０】
次に図２（ｂ）に示すように、前工程で用意したマスクブランクス６のＳｉ板３上にＳｉＯ2等のハードマスク７を堆積し、前記ハードマスク７上にレジスト８を塗布する。
【００４１】
その後、転写用の設計パターンデータＤ１に基いてレジスト８及びハードマスク７をエッチングして、レジスト８及びハードマスク７に渡って転写パターン（パターン領域Ｐｂ）を形成する。
【００４２】
このレジスト８及びハードマスク７に転写された転写用の設計パターンデータＤ１に基くパターン領域Ｐｂの形状を画像処理により取込み、これを記憶処理する。
【００４３】
この場合、ハードマスク７に転写しているため、ハードマスク７上に転写されるパターン形状は、転写用の設計パターンデータに基く形状が崩れることなく、そのまま転写されることとなる。
【００４４】
次に図２（ｃ）に示すように転写用設計パターンが転写されたレジスト８及びハードマスク７をマスクとして用いて、マスクブランクス６のＳｉ板１に転写用設計パターン（パターン領域Ｐｔ）を転写する。パターン領域Ｐｔを転写後にハードマスク７とレジスト８を除去する。
【００４５】
そしてＳｉ板１に転写されたパターン領域Ｐｔを画像処理によって取込み、これを記憶処理する。
【００４６】
ここで、図５に示すパターン形状ばかりでなく、図６に示すようにパターン長Ｌ１／Ｌ２の比が大きいパターン領域Ｐ４では、このパターン領域Ｐ４を支える根元の部分が一箇所であり、この部分に掛る内部応力と自重の合力が、マスクを構成する材質の弾性限界を上回るためにパターン領域Ｐ４の自重を支えきれず、パターン領域Ｐ４が落下あるいは湾曲することとなり（リーフ問題）、この抜きパターン領域Ｐ４がマスクとして欠陥部分を発生させることとなる。
【００４７】
また図７に示すようにパターン領域Ｐ５のアスペクト比（Ｌ３／Ｌ４）が大きい場合に、このパターン領域Ｐ５を支える部分は２箇所であるが、この部分がパターン領域Ｐ５の縦方向の長さに比べ大幅に細く、内部応力や自重に起因する位置歪みがパターン領域Ｐ５の自重を支えきれず、パターン領域Ｐ５が落下あるいは湾曲することとなり（アスペクト問題）、この抜きパターン領域Ｐ５がマスクとして欠陥部分を発生させることとなる。
【００４８】
以上のようにドーナッツ問題，リーフ問題，アスペクト問題の発生する箇所はマスクの支柱１ａと直接接続しない、あるいは接続する部分の支持力が弱いため、応力あるいは自重により変形あるいは落下が起こり、パターン領域Ｐｔ、特にマスク開口部４の形状と転写用設計パターンデータの形状との間に差異が生じる。
【００４９】
したがって図２（ｂ）に示す転写用設計パターンデータに基くパターン領域Ｐｂのパターン形状と、図２（ｃ）に示すパターニング後のマスク開口形状を画像にそれぞれ取り込み、これらを比較する、すなわち転写用の設計パターンデータ（Ｐｂ，Ｄ１）とマスクに実際に転写されたパターン領域Ｐｔのパターン形状を比較することにより、前記設計パターンデータと前記マスクの転写パターンデータの差異に基いて、応力あるいは自重による前記パターン領域の変形領域をパターン欠陥領域として抽出する。この抽出データに基いて、ドーナッツ問題，リーフ問題，アスペクト問題の発生する箇所を確定する。
【００５０】
マスク全体を同時に検査するとデータ量が膨大となり、データ転送に時間が掛かり検査が遅くなるため、マスクを一定の領域のメッシュに区切り、メッシュ単位で検査することにより検査時のスループットを確保するようにしても良いものである。
【００５１】
上記演算処理において、パターン欠陥領域が含まれていないマスクについては、これをパターン欠陥領域以外のパターン領域を転写形成するステンシルクマスクとして用いる。
【００５２】
次に図３に示すように、この処理により確定した諸問題発生箇所は、別に用意したコンプリメンタリマスク分割用ソフトウェアを用いて、複数のマスクパターンに分割する。ウェハ上に抽出したパターン欠陥領域のパターン形状を描画するときは、コンプリメンタリマスク（Ｍ１，Ｍ２）を用意して、複数回露光を行って正確なパターンを形成する。
【００５３】
本発明において、電子ビームをマスクにより制御して電子ビームによる電子ビーム描画を行うにあたっては、パターン欠陥領域を転写形成するコンプリメンタリマスク（Ｍ１，Ｍ２）と、パターン欠陥領域以外のパターン領域を転写形成するステンシルクマスクとを併用してして電子ビーム描画を行う。
【００５４】
すなわち、転写用の設計パターンデータに基いて実際に転写したマスクのパターン形状と前記設計パターンデータの差異に基いて、応力あるいは自重によるパターン領域の変形領域をパターン欠陥領域として抽出し、前記抽出されたパターン欠陥領域に対してコンプリメンタリマスク（Ｍ１，Ｍ２）のパターンデータを作成する。
【００５５】
次に前記抽出データに基いて、前記パターン欠陥領域以外の領域をステンシルクマスクを用いて単一露光を行い、前記パターン欠陥領域を、前記ステンシルクマスクに代えて前記コンプリメンタリマスク（Ｍ１，Ｍ２）を用いて多重露光を行う。
【００５６】
以上のように本発明によれば、マスクブランクスを用いてパターニングを行った結果を画像に記録し、パターンデータとの比較を行うため、ドーナッツ問題に限らず、パターン情報のみでは特定できないリーフ問題，アスペクト問題が発生する箇所を正確に定めることができる。
【００５７】
さらに諸問題の発生箇所であるパターン欠陥領域を抽出して位置確定を行った後に、そのパターン欠陥領域は、そのパターン欠陥領域のパターンデータをコンプリメンタリマスクに分割し、複数回の露光を行うことにより通常の方法では作成することができないドーナッツ状パターン，リーフ状パターンを形成することができる。
【００５８】
また抽出されたパターン欠陥領域のアスペクト比を記録すれば、リーフ，アスペクト問題が生じるアスペクト比のしきい値を求めることができる。そのため、この結果をパターンデータから諸問題の発生箇所を検出するためのプログラムに情報を与え、フィードバックすることができる。
【００５９】
さらには予め抽出したパターン欠陥領域の位置データに基いて、パターン欠陥領域を転写形成するコンプリメンタリマスク（Ｍ１，Ｍ２）と、パターン欠陥領域以外のパターン領域を転写形成するステンシルクマスクとを併用してして電子ビーム描画を行うため、電子ビーム描画処理を迅速に行うことができるばかりでなく、多重露光はパターン欠陥領域に限定されるため、パターン領域全体を多重露光で電子ビーム描画する場合と比較して、転写パターン同士の繋ぎ具合による問題の発生率を低下させることができる。
【００６０】
（実施形態２）
上述した実施形態１では、パターン欠陥領域の抽出を行う場合には、デバイスパターンを用いて電子ビーム描画用マスクを作製する毎に、転写用の設計パターンデータに基いて実際にマスクにパターン形状を毎回転写する必要があるが、本発明の実施形態２では、デバイスパターンを用いて電子ビーム描画用マスクを作製する際に、転写用の設計パターンデータに基いて実際にマスクにパターン形状を１回転写するだけでデータ上からパターン欠陥領域の抽出を行うことを可能にしたことを特徴とするものである。
【００６１】
すなわち本発明の実施形態２に係る電子ビーム描画用パターン検査方法は、電子ビーム描画用マスクに生じる欠陥領域を検出する電子ビーム描画用パターン検査方法であって、前記電子ビーム描画用マスクは実施形態１と同様にパターン領域の周辺部を支持して該パターン領域を電子ビームの光路中に配置する構造のものであり、設計パターンデータＤ１に基いて少なくとも一度実際に転写したマスクのパターン形状のデータＤ２と前記設計パターンデータＤ１の差異を数値化したデータに基いて、応力あるいは自重による前記パターン領域の変形領域をパターン欠陥領域として抽出する。なお前記数値化したデータは、設計パターンデータＤ１に基いて数値化データ採取用として実際に転写したマスクのパターン形状のデータＤ２と設計パターンデータＤ１の差異に基いて、応力あるいは自重による前記パターン領域の変形領域をパターン欠陥領域として抽出し、前記抽出データに基いて前記パターン欠陥領域の位置を確定させた後、前記転写用設計パターンデータを参照して前記パターン欠陥領域に相当するパターンデータとして記録したデータである。
【００６２】
デバイスパターンを用いて前記電子ビーム描画用マスクを作製する際に、前記記録されたパターンデータを用いて前記パターン欠陥領域を転写用の設計パターンデータ上で抽出するものである。
【００６３】
本発明の実施形態２をアスペクト問題が生じるパターン欠陥領域を抽出する目的に適用した場合を例にとって説明する。
【００６４】
まず実施形態１と同様に転写用の設計パターンデータＤ１に基いて少なくとも一度実際に転写したマスクのパターン形状のデータＤ２と設計パターンデータＤ１の差異を数値化したデータに基いて、応力あるいは自重による前記パターン領域の変形領域をパターン欠陥領域（アスペクト問題発生箇所）として抽出し、この数値データを記録しておく。
【００６５】
次に同一又は別のデバイスパターンを用いてマスクを作製する際に、前記記録された数値データを用い、パターンデータのアスペクト比が数値データに記録されたアスペクト比を上回った場合、その箇所を問題発生箇所と定義しコンプリメンタリマスクに分割する。なお、リーフ問題の場合にもパターン長Ｌ１／Ｌ２の比を用いてデータを記録することにより同様の処理が可能である。またドーナッツ問題の発生箇所はどのような場合でもパターンの落下が起こるため数値データを記録しなくても同様の処理が可能である。
【００６６】
コンプリメンタリマスクによるパターン欠陥領域のパターンデータの作成は、実施形態１と同様である。
【００６７】
さらに実施形態２で得たデータに基いて、電子ビーム描画用マスクで電子ビームを制御して、電子ビームによる描画を行う電子ビーム描画方法を行うにあたっては、設計パターンデータに基いて少なくとも一度実際に転写したマスクのパターン形状と前記設計パターンデータの差異を前記数値化したデータに基いて、応力あるいは自重による前記パターン領域の変形領域をパターン欠陥領域として転写用の設計パターンデータ上で抽出し、前記抽出されたパターン欠陥領域に対してコンプリメンタリマスクのパターンデータを作成しておき、前記抽出データに基いて、前記パターン欠陥領域以外の領域をステンシルクマスクを用いた単一露光を行い、前記パターン欠陥領域を、前記ステンシルクマスクに代えて前記コンプリメンタリマスクを用いて多重露光を行う。
【００６８】
本発明の実施形態２によれば、マスク作製前に全パターンのドーナッツ問題，リーフ問題，アスペクト問題等の発生箇所をデータ上で検出し、数値データを比較して問題発生箇所を確定させ、画像処理を行わずコンプリメンタリマスクを作製することができるという利点がある。したがって電子ビーム描画に費やす時間を短縮することができる。
【００６９】
なお、図１及び図２に示すマスクに用いる素材は、図１及び図２に示すものに限定されるものではない。
【００７０】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、ドーナッツ問題，リーフ問題，アスペクト問題等の発生する箇所を自動的に検出し、かつハリを設けることなく正確にパターン転写を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態１に係る電子ビーム描画用パターン検査方法に用いるマスクブランクスを示す断面図である。
【図２】本発明の実施形態１に係る電子ビーム描画用パターン検査方法を工程順に示す断面図である。
【図３】本発明の実施形態１に係る電子ビーム描画用パターン検査方法においてコンプリメンタリマスクを作成する工程を示す断面図である。
【図４】電子ビーム描画用マスクの一例を示す断面図である。
【図５】電子ビーム描画用マスクに生じる問題を説明する図である。
【図６】電子ビーム描画用マスクに生じる問題を説明する図である。
【図７】電子ビーム描画用マスクに生じる問題を説明する図である。
【図８】従来例において電子ビーム描画用マスクに生じる問題を解決する図である。
【符号の説明】
Ｍ  マスク
Ｍ１，Ｍ２  コンプリメンタリマスク
Ｐ３  抜きパターン領域
Ｐ４  リーフ問題のパターン領域
Ｐ５  アスペクト問題のパターン領域
Ｄ１  転写用の設計パターンデータ
Ｄ２  マスクに転写したパターンデータ
Ｐｂ，Ｐｔ  パターン領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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