(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
パッケージ基板（２０３）と；
有機系接着剤を有するダイアタッチ材料（２０５）によって前記パッケージ基板（２０３）に接着される第１面を有するダイ（１２３）と；
前記第１面の外縁（１２６）の周り全てに配置されるデウェッティング剤と
を備える半導体デバイス（１２１）であって、
前記ディウェッティング剤は、脂肪酸を有し、前記ダイアタッチ材料（２０５）によるウェッティングに抵抗することを特徴とする、半導体デバイス（１２１）。
【請求項２】
前記半導体デバイス（１２１）は、さらにソースビア（１２８）を有し、前記ディウェッティング剤は、前記ソース・ビア（１２８）の周囲にも配置される、請求項１記載の半導体デバイス。
【請求項３】
前記脂肪酸は、脂肪酸化合物、アルカリ化剤、ならびに、水と、アルコール、グリコールエーテル、およびそれらの組合せからなる群から選択される体積で５％〜９０％の有機溶媒とを含む溶媒、を含有する処理溶液を前記第１面に適用して得られ、
前記有機系接着剤は、エポキシドまたはポリアクリレートを有する、請求項１または２記載の半導体デバイス。
【請求項４】
前記ダイ（１２３）は、ＧａＡｓを有する、請求項３記載の半導体デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般に半導体ダイ・アタッチ（die attach）に関し、より詳細にはダイ・アタッチに付随する応力を減少する方法および設計に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ダイ・アタッチ作業は、業界で広く知られており、典型的には半導体ウェーハを個々のダイにダイシングした後に、すなわちダイシング・ソーで切削するソーイング（sawing）した後に行われる。パッケージ・ダイを製造するための一般的なダイ・アタッチの一作業には、典型的には金属ダイ・パッドにおけるはんだ接合による、半導体ダイのパッケージ基板への取り付けが含まれる。
【０００３】
図１および２は、従来技術による典型的なパッケージ・ダイ１００の例である。それらの図に見られるように、ダイ１０１の第１の表面（図１を参照）は、その全体が、はんだなどのダイ・アタッチ材料１０３（図１を参照）で、ダイ・パッド１０２の第２の表面に取り付けられている。ボンド・パッド１０７（図１を参照）が、ダイの第１の表面の反対のダイの第２の表面の上に形成されている。一連のボンド・ワイヤ１０５は、ダイ上のボンド・パッドと、ダイに隣接して形成された一連のリード１０４のうち１つとに取り付けられている。ダイ、ダイ・パッド、ダイ・アタッチ材料、ボンド・ワイヤ、およびリードの内側部分は、封止材１０６によって封止されている。図２に示すように、封止材は、ダイ、ダイ・パッド、リード、およびパッケージ・ダイの他の要素を、一体としての取り扱いおよび加工が可能である一体化構造に結合するように機能する。
【０００４】
図１および２に示す種類のパッケージ・ダイは、典型的にはその製造の間の１つ以上の時点で加熱される。例えば、はんだによるダイ・アタッチの間には、ダイおよびダイ・パッドは、はんだリフローを起こすように典型的には充分に高い（例えば、約２２０℃より高い）温度に置かれる。このような加熱によって、熱的に誘起される有意な応力がダイに存在する結果となる。同様の高い温度は、接着剤のダイ・アタッチ作業でも多くの場合に経験される。
【０００５】
ダイに存在する熱的に誘起される応力の種類の１つは、「示差ＣＴＥ応力」と称される場合があるが、異なる熱膨張係数（ＣＴＥ）を有する材料をダイ・アタッチの間に結合させることから生じる。この影響を、ダイ２０１のパッケージ基板２０３への取り付けを伴うダイ・アタッチ作業の図である、図３および４に示す。
【０００６】
図３に示すように、典型的には、はんだまたは接着剤であるダイ・アタッチ材料２０５は、アセンブリ温度では液体として存在する。したがって、この温度ではダイ２０１および基板２０３は剛直には結合されず、応力を発生せずに、温度に相関して互いに独立に膨張または収縮し得る。しかしながら、ダイ・アタッチ材料の凝固温度より低い温度では、ダイおよび基板はさらに剛直に結合され、もはや互いに独立に膨張または収縮することは不可能である。したがって、ダイと基板との間にＣＴＥ差が存在することによって、凝固温度より低い温度にパッケージが冷却されるにつれてパッケージ・ダイに示差ＣＴＥ応力が存在することになり、その結果、ダイ・アタッチ後にパッケージ・ダイを室温まで冷却すると、パッケージ・ダイに有意な示差ＣＴＥ応力が存在することになる。パッケージ基板のＣＴＥがダイのＣＴＥよりも大きい場合、こうした冷却によって、図４に見られるようなパッケージ・ダイの曲げが生じ得る。
【０００７】
パッケージ・ダイに示差ＣＴＥ応力が存在することによって、剪断応力および曲げ変形
も誘起される。パッケージに存在する剪断応力の大きさは、ダイ・アタッチ材料によって接合された表面の、断面の表面積に相関して増大する。剪断応力が増大するにつれて、ダイのクラックまたはチッピングが生じ得る。ダイがウェーハからソーイングされたその外縁に沿った場所には、クラック伝播箇所が存在するため、ダイは、その場所で特にクラックまたはチッピングを生じ易い。そのようなクラックの例を、図５のダイの領域５に示す。この現象は、パッケージ・ダイ、特により薄いダイ（例えば、約４０μｍより薄い厚さのダイ）の歩留まり損の主要原因となり得る。
【０００８】
パッケージ製品の許容可能な歩留まりを達成するため、典型的には、付随する剪断応力（および付随する歩留まり損）が過度なものにならないように、ダイの表面積は多くの用途に最適な値より小さく保持される必要がある。したがって、そうした用途では、１つまたは少数のより大きなダイではなく幾つかのより小さなダイが利用される必要がある場合が多く、そのため、アセンブリのプロセスは複雑化する。またそうした用途では、より適合性の高いＣＴＥを有する材料を選択することによって剪断応力を軽減する必要がある場合も多いが、典型的にはそうした材料の熱伝導性は低いので、多くの場合、熱性能がより低下するという代価を生じる。さらに、そのようなアプローチでは、ダイ・パッドに銅などの金属を用いることは制限される。しかしながら、銅および他のそうした金属の熱伝導性はより高く、費用はより低いため、そうした金属をダイ・パッドに用いることには利点が存在する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
したがって、当該技術分野においては、特にダイ・アタッチの間の、ダイの示差ＣＴＥ応力を緩和する方法が必要である。さらに、当該技術分野においては、ダイにおけるクラックまたはチッピングの発生を増加せずに、より大きなダイの使用および高い熱伝導性を有する銅などのダイ・パッド材料の使用を可能にする、パッケージ・ダイを製造する方法も必要である。これらのおよび他の必要は、本明細書に記載されるデバイスおよび方法によって満たされる。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
一態様では、基板と、ダイ・アタッチ材料によって基板に取り付けられた第１の表面を有するダイとを有し、ダイの外縁の少なくとも一部分はダイ・アタッチ材料によるウェッティングに抵抗する半導体デバイスが、本明細書中で提供される。基板は例えば、パッケージ基板であってもよい。幾つかの実施態様では、ダイ・アタッチ材料ははんだであり、ダイの第１の表面は、その表面の上に、はんだ組成物によるウェッティングに抵抗するダイの外縁の部分には存在しない（またはその部分からは除去されている）メタライゼーション層を有する。他の実施態様では、ダイの外縁の少なくとも一部分は、その上に配置されたディウェッティング剤を有する。好適には、ディウェッティング剤はダイの任意のソーイング・エッジの外縁に沿って配置される。ダイ・アタッチ材料が金属はんだの場合、ディウェッティング剤は高融点金属であってもよく、またはＴｉＯ２などの金属酸化物であってもよい。ダイ・アタッチ材料が接着剤の場合、ディウェッティング剤は、例えば、脂肪酸を含有しても良い。
【００１１】
別の態様では、ダイ・パッケージと、はんだ組成物によってダイ・パッケージに取り付けられた第１の表面を有するダイとを有し、ダイの外縁の少なくとも一部分はその上に配置されたディウェッティング剤を有する半導体デバイスが、本明細書中で提供される。ダイは約４０μｍ未満の厚さであってもよい。特定の一実施態様では、はんだ組成物はＡｕＳｎを含有し、ダイはＧａＡｓを含有し、およびディウェッティング剤はＴｉＯ２などの金属酸化物または高融点金属を含有する。ダイがさらにソース・ビアを有し、ディウェッティング剤がソース・ビアの上方または周囲に配置されてもよく、その場合、ディウェッ
ティング剤は好適には、ダイの外縁の周囲に帯状に配置された第１の部分および、第１の部分から分離してソース・ビアの周りに配置された第２の部分としてパターン形成される。好適には、ディウェッティング剤はダイの第１の表面の外縁の周り全てに配置されている。
【００１２】
さらに別の態様では、ダイと、そのダイの外縁の周りに配置されたディウェッティング剤とを有するデバイスが提供される。
さらに別の態様では、半導体デバイスを製造する方法が提供される。この方法では、半導体ダイが設けられ、ディウェッティング剤が半導体ダイの外縁の周りに広がるように半導体ダイ上にディウェッティング剤を配置することによって、処理されたダイ（treated die ）が形成される。続いて、処理されたダイの上にはんだ組成物が配置される。半導体ダイはその上に配置されたソース接続を有してもよく、その場合、ディウェッティング剤は、ディウェッティング剤が半導体ダイの外縁およびソース接続を覆うように、半導体ダイ上に配置されてもよい。この方法は、半導体基板上にディウェッティング剤を配置するステップに先立ってその半導体基板上に金の層を堆積するステップをさらに含んでもよく、ディウェッティング剤は金の層の少なくとも一部分が露出するようにパターン形成されてもよい。
【００１３】
さらに別の態様では、半導体デバイスを製造する方法が提供される。この方法では、半導体基板が、その上に配置されたソース接続を有して設けられる。続いて、金属が半導体基板の外縁の周りに広がり、かつソース接続と電気的に接続するように、半導体基板上に金属の層が配置される。続いてこの金属が酸化され、はんだ組成物が半導体基板上に配置される。半導体基板はＧａＡｓを含有してもよい。
【００１４】
本発明の開示のこれらのおよび他の態様を、以下でさらに詳細に説明する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
ダイ・アタッチの間にダイ・アタッチ材料がダイの外縁に沿ってダイをウェッティングまたは接着しないように、ダイの外縁に沿って一材料を供給することによって、ダイのソーイング・エッジに沿ったクラックおよびチッピングの発生を増加せずに、ダイの表面積を増大することが可能であることを見出した。幾つかの実施態様では、特にダイ・アタッチ材料がはんだの時には、ダイから裏面のメタライゼーションを選択的に除去することによって、同様の結果が達成され得る。
【００１６】
理論に拘束されるものではないが、特にＧａＡｓのダイを伴う多くのダイ・アタッチ作業では、剪断応力が垂直なクラック破壊の本質的な推進力であると考えられる。さらに、ダイの外縁に沿ったダイのクラックまたはチッピングは、その場所で剪断応力が最大であるため、および、ウェーハレベルで実施されたダイシング作業の結果としてダイの外縁に典型的には幾つものクラック伝播箇所が含まれているために発生すると考えられる。さらに、ベベル加工されたダイの場合、ダイはその外縁沿いで最も薄い。ダイ自身が薄い場合（例えば、約４０μｍ未満）、ダイの外縁は特に薄い。したがって、それらの領域に沿ったダイ・アタッチを妨げることによって、より詳細には、ダイ・アタッチをダイの内部に限定することによって、剪断応力の極大を、ダイが１桁丈夫である（したがって、クラックまたはチッピングにより効果的に抵抗することが可能である）ダイの中央により近い領域の上方に生じさせることが可能である。
【００１７】
図６に、本明細書の教示によって製造されるデバイスの一例を示す。この図に描かれているデバイス１２１は、はんだがダイの裏の金属をウェッティングしている第１の領域１２５と、ディウェッティング剤で処理されているためにはんだによってウェッティングされない、ダイの外縁沿いおよびソース・ビア１２８の周囲の第２の領域１２７とを有する
、ダイ１２３から成る。ダイはダイ上に配置された複数のアクティブ・エリア（active area ）１２９を有する。図６に示すように、第１の領域１２５は、ダイの中央に位置する。その結果、はんだ結合はダイの内部に限定され、したがって上述のように、剪断応力の極大の位置がダイの内部の方へ移動する。さらに、第１の領域は、ダイの他の側に配置されたアクティブ・エリアの正反対のダイ表面部分の上方に広がっている。この配置には、熱放散の観点から利点が存在する。
【００１８】
図６に描かれる種類の実施態様で、ダイ・アタッチ材料としてはんだが用いられる場合、はんだによるダイ・アタッチの間にはんだがダイの外縁に沿ってダイをウェッティングしないように、ダイの外縁に沿って金属（高融点金属など）または金属酸化物をディウェッティング剤として供給することによって、ダイ・アタッチをダイの内部に限定することが可能である。そのような実施態様の顕微鏡写真を、図７に描く。この図では、ＴｉＯ２の層１３３は、その図に描かれているダイ１３１の外縁の周囲に存在し、かつダイ上に先に存在する裏の金のメタライゼーション１３５の上方に堆積されている。
【００１９】
ディウェッティング剤によって覆われるダイの領域は、好適には本質的に一様な幅である。好適には、この幅は少なくとも約２５．４μｍ（約１ミル）、より好適には少なくとも約７６μｍ（約３ミル）、最も好適には少なくとも約１５２μｍ（約６ミル）であるが、好適には熱的な不利を生じるほど大きくはない。はんだまたは他のダイ・アタッチ材料を適用する前に、ディウェッティング剤が適用されても（または、場合によっては裏面のメタライゼーションが選択的に除去されても）よい。
【００２０】
はんだによるウェッティングに抵抗する図７の実施態様におけるＴｉＯ２層の有効性を、図８に示す。図８は、図７に示した種類のダイ１４１を基板１４３に２つ取り付けた後の、超音波顕微鏡写真である。リフローされたはんだの存在を顕微鏡写真のより暗い内部の区域で示し、はんだの欠如はより明るい区域で示す。この図に見られるように、各ダイの外縁の周りに配置されたＴｉＯ２の層によって、ダイのその部分（各ダイの外縁の周囲の白い帯１４５によって示す）がはんだでウェッティングされることが効果的に妨げられており、その結果、はんだ結合１４７はダイの内部に限定される。示した特定の例では、ＴｉＯ２の層はダイのベベル加工されたエッジの周囲に完全には広げられなかった。結果として、裏面の金のメタライゼーションはベベル加工されたエッジに沿って露出され、各ダイの外側に暗くした区域１４９によって示すように、幾らかのはんだウェッティングが生じた。しかしながら、ダイのエッジの周囲にＴｉＯ２の層を完全に広げることによって、はんだウェッティングをダイの内部に限定し得ることを、当業者は認めるであろう。
【００２１】
本明細書で開示される、剪断応力の極大をダイの中央のより近くへ移動させるディウェッティング・スキームの有効性は、図９および１０に示す応力プロファイルに見られる。これらのプロファイルは、ダイ・アタッチ材料として１５．２μｍ（０．６ミル）のＡｕＳｎはんだ層を有し、裏面のメタライゼーションとして１７．８μｍ（０．７ミル）の金でコートされた、２５．４μｍ（１ミル）のＧａＡｓダイの熱応力シミュレーション・モデルから得られた。図９の応力プロファイルを生じているダイにはディウェッティング・スキームを用いなかったのに対して、図１０の応力プロファイルを生じているダイには、ディウェッティング剤として、ダイの外縁の周りにＴｉＯ２の層を配置した。
【００２２】
応力プロファイルを生成するのに用いたモデルでは、６３５μｍ（２５ミル）の厚さを有するＡｌＮダイ・パッドと、２８５℃から２５℃までの熱サイクル（はんだリフローからその後の冷却まで）とを仮定した。図９および１０の応力プロファイルによって、前述の熱サイクルを通じてモデル化されているように、ダイの前面または上面（ダイ・アタッチ表面の反対側のダイ表面）における応力が示される。
【００２３】
図９および１０に示される応力は、冷却の間のダイの収縮と付随する剪断応力とに由来する面外への変位によって明らかとなった。図９は従来技術のダイ（すなわち、ディウェッティング剤で処理されていないダイ）の応力プロファイルに相当し、剪断応力はダイの中央（収縮が最小）に沿って極小化され、ダイ外縁（収縮が最大）沿いまたは付近で極大化されることを示している。したがって、ディウェッティング・スキームを欠く場合、応力の極大がダイ外縁に沿ってまたはダイ外縁の付近に生じるのが見られる。先述のように、ダイの外縁には、ウェーハレベルで実施されたダイシング作業の結果として、典型的には幾つかのクラック伝播箇所が含まれており、ベベル加工されたダイの場合、ダイの外縁はダイが最も薄い場所でもある。したがって、本明細書で示す種類のディウェッティング・スキームを欠く場合、剪断応力の極大は、ダイが最もクラック伝播を生じ易い部分に発生する。
【００２４】
本明細書で教示される種類のディウェッティング・スキームを用いるダイの剪断応力プロファイルを、図１０に示す（この場合、ディウェッティング剤は、ダイの外縁に沿って配置された二酸化チタンの層である）。この図に示されるように、ディウェッティング・スキームを用いることによって、応力の極大は、ダイがクラックの形成または伝播にさらに効果的に抵抗することが可能であるダイの中央のより近くに移動する。
【００２５】
上述でモデル化されている特定の例では、ディウェッティング・スキームには、ダイ・アタッチが望まれていない金属の裏面の層の部分の上方に配置されるディウェッティング剤が用いられる。しかしながら、上述のように、ダイ・アタッチ材料としてはんだが用いられる他の実施態様では、裏面のメタライゼーションがダイの外縁に沿って存在しないように選択的に配置すること、すなわち裏面のメタライゼーションをダイから選択的に除去することによって、およびダイが裏面のメタライゼーションを有する部分のみをウェッティングするはんだ組成物を用いることによって、同様の結果（すなわち、剪断応力の極大のダイの内部への移動）が達成されてもよい。裏面にメタライゼーションを欠く場合、はんだ組成物は典型的には半導体材料を充分にウェッティングしないので、このアプローチを種々のはんだおよび半導体ダイに用いることが可能である。
【００２６】
上述の種々の実施態様および方法では、ディウェッティング剤の適用（また場合によっては、ダイのメタライゼーションの選択的除去）を、主としてダイの裏面に関して説明した。しかしながら、ダイの前面にダイ・アタッチを生じる用途では、同じ種類の方法がその前面に適用されてもよいことを、当業者は認めるであろう。そのような用途には、例えば、ダイのスタックを伴う用途が含まれる。
【００２７】
ダイ・アタッチ材料が接着剤である実施態様では、剪断応力の極大のダイの内部への移動は、接着剤によってウェッティングされない材料か、または接着剤によって強力には結合されない材料を、ダイの外縁の周囲に選択的に配置することにより達成され得る。そのような材料の例を以下でさらに詳細に説明するが、例えば、脂肪酸系の材料または脂肪酸を含有する材料が含まれる。
【００２８】
本明細書の教示によるデバイスおよび方法の種々の実施態様では、ディウェッティング剤として種々の材料が用いられてよい。ディウェッティング剤に本質的に必要とされるのは、ダイ・アタッチ材料によるウェッティングに抵抗することである。ダイ・アタッチ材料は、典型的にははんだであるが、導体エポキシなどの接着剤であってもよい。
【００２９】
はんだがダイ・アタッチ材料として用いられる場合、本明細書に記載されるデバイスおよび方法におけるディウェッティング剤として、高融点金属および金属酸化物が用いられてよく、金属または金属酸化物は、部分的には用いられる特定のはんだによって的確に選択される。高融点金属には、例えば、チタン、タングステン、レニウム、タンタル、モリ
ブデン、ニオブ、バナジウム、およびこれらの金属系の種々の合金が含まれることが可能であり、この合金は、これらの金属同士の合金、非高融点金属との合金、およびそれらの両方のいずれであることも可能である。そのような合金の１つは、例えば、ＮｉＶである。これらのうち、チタン（ダイ表面に適用された後にＴｉＯ２に酸化される）を用いることが特に好適であるが、ＧａＡｓ技術におけるチタンの使用は特性が充分に把握されている（well-characterized）ので、特にＧａＡｓと共に用いることが好適である。ＴｉＯ２に加え、金属酸化物には、例えば、酸化ニッケルおよび酸化銅が含まれる。
【００３０】
高融点金属または金属酸化物は、ほとんど任意の所望の厚さで適用されてよい。ディウェッティングは主として表面の現象なので、高融点金属または金属酸化物の層の厚さは、大抵の用途では通常それほど決定的ではない。しかしながら、高融点金属または金属酸化物は、典型的には約１０ｎｍ（約１００Å）〜約２００ｎｍ（約２０００Å）の範囲内、好適には約５０ｎｍ（約５００Å）〜約１５０ｎｍ（約１５００Å）の範囲内、さらに好適には約７５ｎｍ（約７５０Å）〜約１２５ｎｍ（約１２５０Å）の範囲内、最も好適には約９０ｎｍ（約９００Å）〜約１１０ｎｍ（約１１００Å）の範囲内、の厚さでコートされるであろう。
【００３１】
はんだがダイ・アタッチ材料として用いられる場合、一定の有機材料もまたディウェッティング剤として用いられてよい。この有機材料には、エポキシ系または無水物系の樹脂など、当該技術分野においてはんだマスクとして用いられる幾つかの種々の材料が含まれる。非限定的な特定の例には、例えば、ヒドロキシアルキル（メタ）アクリレートおよびアルコール（一価アルコールを含む）のうちの少なくとも１つでエステル化された、スチレン−無水マレイン酸共重合体エステル化物が含まれ、この共重合体はさらに、多官能（メタ）アクリレートモノマー、多官能エポキシド、および光開始剤のうちの少なくとも１つを含むか、またはそれらと反応され得る。また、非限定的な特定の例には、エポキシ樹脂エステル化物と多塩基酸無水物の反応生成物、およびポリヒドロキシエーテルとメラミン・ホルムアルデヒドの混合物または反応生成物が含まれる。
【００３２】
ダイ・アタッチ材料が接着剤の場合、種々のディウェッティング剤が用いられてよい。そのようなディウェッティング剤の例には、例えば、脂肪酸が含まれるが、この脂肪酸は、（ａ）脂肪酸化合物、アルカリ化剤、ならびに、水と、アルコール、グリコールエーテル、およびそれらの組合せからなる群から選択される体積で約５％〜約９０％の有機溶媒とを含む溶媒、を含有する処理溶液を表面に適用するステップと、続いて、（ｂ）その溶液から実質的に全ての溶媒を除去してその基板の表面の上に薄膜を設けるステップとによって適用されてよい。この膜は処理溶液中に存在した脂肪酸を含有する。ダイ・アタッチで多くの場合に用いられる接着剤に標準的に存在する、有機物の液体に関しては、脂肪酸化合物を含有するフィルムをその表面の上に有する基板（その上に裏面のメタライゼーションを有するダイを含む）は、ウェッティングされにくい。
【００３３】
当業者に公知である種々のダイ・アタッチ材料を、はんだおよび有機系接着剤のいずれをも含めて、本明細書に記載されるデバイスおよび方法において用いることが可能である。
【００３４】
本明細書の教示によるダイ・アタッチにて適切に用いられ得るはんだには、共晶はんだおよび非共晶はんだのいずれもが含まれる。そのようなはんだは、例えば、Ｓｎ−Ｐｂ、Ｓｎ−Ｐｂ−Ａｇ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ａｇ、Ｓｎ−Ｃｕ−Ｎｉ、Ｓｎ−Ｓｂ、Ｓｎ−Ｐｂ−Ａｇ−Ｓｂ、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｓｂ、Ｓｎ−Ｂｉ−Ａｇ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ｃｕ、ＡｕＳｎ、およびＡｕＳｉを含む、種々の材料または合金系のはんだであってよい。ＧａＡｓダイを伴う用途においては、これらのうち、ＡｕＳｎを用いることが特に好適である。本明細書に記載されるデバイスおよび方法でダイ・アタッチ材料として用いられてよい有機
系接着剤には、エポキシドおよびポリアクリレートなどのポリマー接着剤が含まれる。
【００３５】
上述の本発明の説明は例示的なものであり、限定する意図はない。したがって、本発明の範囲から逸脱することなく、上述の実施態様に種々の追加、置換、および修正がなされ得ることは認められるであろう。したがって、本発明の範囲は添付の特許請求の範囲を参照して解釈されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】従来技術のパッケージ・ダイの図。
【図２】図１の従来技術のパッケージ・ダイの２−２線に沿った断面図。
【図３】基板へのダイ・アタッチにおけるＣＴＥ差の熱サイクルの間の影響を示す図。
【図４】基板へのダイ・アタッチにおけるＣＴＥ差の熱サイクルの間の影響を示す図。
【図５】従来技術のダイにて熱的に誘起されたクラックの存在を示す図。
【図６】本明細書の教示によって製造されたダイのディウェッティング・スキームの図。
【図７】本明細書の教示によって製造されたダイの顕微鏡写真。
【図８】本明細書の教示によって製造された半導体デバイスの超音波顕微鏡写真。
【図９】従来技術のダイにおける剪断応力プロファイルを示す図。
【図１０】本明細書の教示によって製造されたダイにおける剪断応力プロファイルを示す図。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図７】
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