(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
芳香族ボロン酸、その誘導体または芳香族ボロン酸無水物（以下、芳香族ボロン酸類と称する）（Ａ）とハロゲン化アリール（Ｂ）を、活性炭坦持の金属パラジウム触媒、ホスフィンであるリガンド、アルカリ金属炭酸塩である塩基（Ｃ）、および４級アンモニウム塩である相関移動触媒（Ｄ）の存在下、溶媒中でカップリング反応させることを特徴とし、金属パラジウム触媒の存在量が、芳香族ボロン酸類（Ａ）１モルを基準として０．０００１〜０．０００５モルであるビアリール誘導体の製造方法。
ここで、前記芳香族ボロン酸類（Ａ）が、一般式IIまたはIII
【化１】
0004507294.tif 000017
【化２】
0004507294.tif 000018
（式中、Ｒ1は炭素原子数１〜１２個のアルキルまたは−ＯＣＦ３を示し；Ｒ3およびＲ4は水素原子を示し；Ｘ1，Ｘ2，Ｘ3およびＸ4はＨを示し；ｌは０である。）で表される化合物であり、前記ハロゲン化アリール類（Ｂ）が、一般式IV
【化３】
0004507294.tif 000019
（式中、Ｒ2は炭素原子数１〜１２個のアルキル基またはＣＮを示し；ＹはＢｒを示し；環Ａ2は、環上の１個の水素原子がＦで置換されていてもよい１，４−フェニレン基を示し、環Ａ3は１，４−シクロヘキシレン基を示し；Ｚ2は単結合を示し；ｍは１であり、ｎは０または１である。）で表される化合物であり、カップリング反応生成物が、一般式 Ｉ
【化４】
0004507294.tif 000020
（式中、Ｒ1、Ｒ2、環Ａ2、環Ａ3、Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3、Ｘ4、Ｚ2、ｌ、ｍおよびｎは、一般式IIまたはIIIで示されるものと同一である。）で表される化合物である。
【請求項２】
リガンドの存在量が、ハロゲン化アリール類（Ｂ）１モルを基準として０．０１〜２．０モルである請求項１に記載のビアリール誘導体の製造方法。
【請求項３】
塩基（Ｃ）の存在量が、ハロゲン化アリール類（Ｂ）を基準として１００〜５００モル％である請求項１〜２の何れか１項に記載のビアリール誘導体の製造方法。
【請求項４】
相関移動触媒（Ｄ）の存在量が、芳香族ボロン酸類（Ａ）を基準として１０〜１００モル％である請求項３に記載のビアリール誘導体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は医薬、農薬、それらの中間体や液晶材料として有用なビアリール誘導体の新規な製造方法に関する。
【０００２】
【背景技術】
現在最も多く使用されている液晶表示方式のモードとして、ＴＮ（捩じれネマチック ）、ＳＴＮ（超捩じれネマチック）およびＴＦＴ（薄膜トランジスター）がある。これらのモードには各種の液晶化合物が使用されているが、それらの中でも特にビアリール骨格を有する化合物が多く存在する（〈季刊化学総説Ｎｏ．２２〉“液晶の化学”、日本化学会編、学会出版センタ  ー（１９９４））。
合成医薬品や農薬の原料としてもビアリール骨格を有する化合物が種々製造されており、また天然にもビアリール骨格を持った生理活性物質が多く存在することが知られている（“医薬品の開発”、第１〜４巻、廣川書店（１９８９）、“最新農薬データブック”、ソフトサイエンス社（１９８２））。
【０００３】
従来のビアリール誘導体の製造方法は、次の２つに大別することができる。
１）入手容易なビアリール骨格を有する化合物を原料とし、このものの環上あるいは側鎖上に目的とする置換基を導入する方法。
２）アリール基同士をクロス（交差）カップリング反応させる方法で、中でも有機部にアリール基を有する有機金属化合物と同じく有機部にアリール基を有する有機ハロゲン化合物のクロスカップリング反応が特に重要である。
【０００４】
後者の例として、有機部が芳香族基、金属部がマグネシウム、アルミニウム、ジルコニウム、亜鉛または錫から選ばれる金属である有機金属化合物と有機ハロゲン化合物を遷移金属化合物触媒の存在下で処理するクロスカップリング反応が報告されている（Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．，１４４（１９７２）、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，９４，４３７４（１９７２）  、Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，４２，１８２１（１９７７）、Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．，６６３（１９７７）、Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，４３，３５８（１９７８）、Ａｃｃ．Ｃｈｅｍ．Ｒｅｓ．，１５，３４０（１９８２）、Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．，５９６（１９７２）、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，９８，６７２９（１９７６）、Ａｍ．    Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，９９，３１６８（１９７７）、Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ．Ｌｅｔｔ．，１０２７（１９７８）、Ｃｈｅｍ．ｌｅｔｔ．，  ３０１（１９７７）、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１０８，３０３３（１９８６）、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１０９，５４７８（１９７８）、Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，４２，１８２１（１９７７））。
【０００５】
最近、特に有機金属化合物の１つとして芳香族ボロン酸を用い、これを有機ハロゲン化物とクロスカップリング反応させて液晶分野に適した化合物を得る努力が多くなされている（Ｊ．Ｃｈｅｍ．  Ｓｏｃ．，Ｐｅｒｋｉｎ，ＩＩ，２０４１（１９８９）、Ｍｏｌ．Ｃｒｙｓｔ．Ｌｉｑ．Ｃｒｙｓｔ．，２０６，２０５（１９９１）、Ｍｏｌ．Ｃｒｙｓｔ．Ｌｉｑ．Ｃｒｙｓｔ．，１９５，２２１（１９９１）、Ｌｉｑ．Ｃｒｙｓｔ．，１１，５３１（１９９２）、特開平３−１２３７３６号、特表平７−５０２７５１号、特開平７−１６５７１７号、特開平７−２０６７１５号）。
【０００６】
これらの方法は全て、パラジウム系遷移金属触媒の存在下でクロスカップリング反応を行うことを基本としている。
これらの方法によれば、比較的高い収率で選択的に交差カップリング反応生成物を得ることができるが、工業的に実施するにはさらに効率的かつ経済的な方法が求められている。
その理由は、これらの従来方法で使用されるパラジウム系遷移金属触媒は合成化学的に有用な単離された０価のパラジウム錯体ではなく、殆どが第三級ホスフィンを配位子とするパラジウム錯体であるため、触媒使用量の増大とこれに伴う費用の増加が避けられず、このことがこれらのプロセスを工業的生産スケールのレベルへ変換させる際の障害となっていたからである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、上記従来技術の欠点を克服し、触媒使用量の増大を伴うことなく、効率的かつ工業的生産スケールで実施可能なビアリール誘導体、特に芳香環上にシアノ基、カルボニル基もしくは水酸基を有する誘導体、または３環以上の多環化合物の製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明は以下を構成とする。
（１）  芳香族ボロン酸、その誘導体または芳香族ボロン酸無水物（以下、芳香族ボロン酸類と称する）（Ａ）とハロゲン化アリール、ハロゲン化ヘテロアリール、フルオロアルキルスルホン酸アリールまたはフルオロアルキルスルホン酸ヘテロアリール（以下、ハロゲン化アリール類と称する）（Ｂ）を、必要により支持体物質に坦持されることのある金属パラジウム触媒、ホスフィン、ジケトンおよび第三アミンからなる群から選ばれるリガンド、塩基（Ｃ）、および相関移動触媒（Ｄ）の存在下、溶媒中でカップリング反応させることを特徴とするビアリール誘導体の製造方法。
【０００９】
（２）  前記芳香族ボロン酸類（Ａ）が、一般式IIまたはIII
【００１０】
【化５】
0004507294.tif 000002
【００１１】
【化６】
0004507294.tif 000003
【００１２】
（式中、Ｒ1はＦ、Ｃｌ、水素原子、非置換もしくは少なくともＦもしくはＣlで置換されることのある炭素原子数１〜１２個のそれぞれアルキル、アルコキシまたはアルケニル基を示し、これらの基中の１個あるいはそれ以上のＣＨ2基は互いに独立してＯ、Ｓ、ＣＯ、ＣＯＯ、ＯＣＯまたはＯＣＯＯで置換されていてもよいが、その際酸素原子が直接互いに結合することはなく；Ｒ3およびＲ4は互いに独立して水素原子、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基またはｉ−プロピル基を示し；環Ａ1はその中の１個またはそれ以上の非隣接のＣＨ2基がＯまたはＳで置換されていてもよいトランス−１，４−シクロヘキシレン基、環上の１乃至３個の水素原子がＦまたはＣｌで置換されていてもよく、また環中の１個あるいは２個のＣＨ基がＮまたはＯで置換されていてもよい１，４−フェニレン基、１，４−シクロヘキセニレン基、１，４−ビシクロ［２．２．２］−オクチレン基、ピペリジン−１，４−ジイル基、ナフタレン−２，６−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基または１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基を示し；Ｘ1，Ｘ2，Ｘ3およびＸ4は互いに独立してＲ1と同一の基、ＣＮ、ＮＣＳ、ＦまたはＣｌを示し；Ｚ1は、ＣＯＯ、ＯＣＯ、ＣＨ2Ｏ、ＯＣＨ2、ＣＨ2ＣＨ2、ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2、ＣＨ＝ＣＨＣＨ2ＣＨ2、ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ＝ＣＨ、ＣＨ＝ＣＨ、Ｃ≡Ｃまたは単結合を示し；ｌ は０、１または２である。）で表される化合物であり、前記ハロゲン化アリール類（Ｂ）が、一般式IV
【００１３】
【化７】
0004507294.tif 000004
【００１４】
（式中、Ｒ2は水素原子、非置換もしくは少なくともハロゲン原子で置換されることのある炭素原子数１〜１２個のそれぞれアルキル、アルコキシまたはアルケニル基、ＣＮ、ＮＣＳ、ＦまたはＣｌを示し；ＹはＣｌ、Ｂｒ、I、トルエンスルホニルオキシ基、メタンスルホニルオキシ基またはトリフルオロメタンスルホニルオキシ基を示し；環Ａ2およびＡ3は、互いに独立してその中の１個またはそれ以上の非隣接のＣＨ2基がＯまたはＳで置換されていてもよいトランス−１，４−シクロヘキシレン基、環上の１乃至３個の水素原子がＦまたはＣｌで置換されていてもよく、また環中の１個あるいは２個のＣＨ基がＮまたはＯで置換されていてもよい１，４−フェニレン基、１，４−シクロヘキセニレン基、１，４−ビシクロ［２．２．２］−オクチレン基、ピペリジン−１，４−ジイル基、ナフタレン−２，６−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基または１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基を示し；Ｚ2はＣＯＯ、ＯＣＯ、ＣＨ2Ｏ、ＯＣＨ2、ＣＨ2ＣＨ2、ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2、ＣＨ＝ＣＨＣＨ2ＣＨ2、ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ＝ＣＨ、ＣＨ＝ＣＨ、Ｃ≡Ｃまたは単結合を示し；ｍおよびｎは互いに独立して０、１または２である。）で表される化合物であり、カップリング反応生成物が、一般式 Ｉ
【００１５】
【化８】
0004507294.tif 000005
【００１６】
（式中、Ｒ1、Ｒ2、環Ａ1、環Ａ2、環Ａ3、Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3、Ｘ4、Ｚ1、Ｚ2、ｌ、ｍおよびｎは、一般式IIまたはIIIで示されるものと同一である。）で表される化合物である（１）に記載のビアリール誘導体の製造方法。
（３） リガンドの存在量が、ハロゲン化アリール類（Ｂ）１モルを基準として０．０１〜２．０モルである（１）または（２）に記載のビアリール誘導体の製造方法。
（４） 塩基（Ｃ）が、アルカリ金属水酸化物、アルカリ土類金属水酸化物、アルカリ金属炭酸塩、アリカリ土類金属炭酸塩、アルカリ金属炭酸水素塩、アルカリ金属酢酸塩、アルカリ土類金属酢酸塩、アルカリ金属アルコキシド、アルカリ土類金属アルコキシド、第一アミン、第二アミン、および第三アミンからなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物である（１）〜（３）の何れか１項に記載のビアリール誘導体の製造方法。
（５） 塩基（Ｃ）の存在量が、ハロゲン化アリール類（Ｂ）を基準として１００〜５００モル％である（１）〜（４）の何れか１項に記載のビアリール誘導体の製造方法。
（６） 相関移動触媒（Ｄ）が、４級アンモニュウム塩、ホスホニュウム塩、アミン、クラウンエーテルおよびクリプタンドからなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物である（１）〜（５）の何れか１項に記載のビアリール誘導体の製造方法。
（７） 相関移動触媒（Ｄ）の存在量が、芳香族ボロン酸類（Ａ）を基準として１０〜１００モル％である（６）に記載のビアリール誘導体の製造方法。
（８）金属パラジウム触媒が、粉末状パラジウムまたは０．５〜２０重量％のパラジウム含量を有するそれぞれ活性炭坦持パラジウム、酸化アルミニウム坦持パラジウム、炭酸バリウム坦持パラジウム、硫酸バリウム坦持パラジウムもしくは炭酸カルシウム坦持パラジウムである（１）〜（７）の何れか１項に記載のビアリール誘導体の製造方法。
（９）金属パラジウム触媒の存在量が、芳香族ボロン酸類（Ａ）１モルを基準として０．０００１〜０．０００５モルである（１）〜（８）の何れか１項に記載のビアリール誘導体の製造方法。
【００１７】
【発明の実施の形態】
本発明の製造方法は前記（１）項が参照される通りであるが、用いられる出発原料のうち芳香族ボロン酸類（Ａ）については一般式IIで表される芳香族ボロン酸もしくはその誘導体または一般式IIIで表される芳香族ボロン酸無水物を、またハロゲン化アリール類（Ｂ）については一般式IVで表される化合物をそれぞれ好適例として挙げることができる。
本発明に係る反応式を上記好適出発原料を例にとって示すと次のようになる。
【００１８】
【化９】
0004507294.tif 000006
【００１９】
（式中、Ｒ1、Ｒ2、環Ａ1、環Ａ2、環Ａ3、Ｘ1，Ｘ2，Ｘ3、Ｘ4、Ｚ1、Ｚ2、l、mおよびnは前記と同一の意味を有する。）
【００２０】
前記好適出発原料のうち、一般式IIで表される芳香族ボロン酸の例として好ましくは次の化合物群を挙げることができる。
【００２１】
【化１０】
0004507294.tif 000007
【００２２】
【化１１】
0004507294.tif 000008
【００２３】
【化１２】
0004507294.tif 000009
【００２４】
【化１３】
0004507294.tif 000010
【００２５】
【化１４】
0004507294.tif 000011
【００２６】
（各式中、Ｒ1は前記と同一の意味を有する。）
【００２７】
これらの化合物は公知の方法、例えばＯｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃｓ，１９８４，３，１２６１やＳｙｎｔ．Ｃｏｍｍｕｎ．，１９８１，１１，５１３に従って容易に合成することができる。
一般式IIで表される芳香族ボロン酸誘導体の例としては、好ましくは上記芳香族ボロン酸に対応するボロン酸エステル、例えばボロン酸のジメチルエステル、ジエチルエステル、ジ−ｎ−プロピルエステルもしくはジ−ｉ−プロピルエステル等を、また一般式IIIで表される芳香族ボロン酸無水物の例としては、好ましくは一般式IIIに示すような三量化した芳香族ボロン酸無水物をそれぞれ挙げることができる。
【００２８】
次に、他の出発原料であるハロゲン化アリール類（Ｂ）については前記した通り一般式IVで表される化合物を好適例として示すことができるが、より具体的な例として次の化合物群を挙げることができる。
【００２９】
【化１５】
0004507294.tif 000012
【００３０】
【化１６】
0004507294.tif 000013
【００３１】
【化１７】
0004507294.tif 000014
【００３２】
【化１８】
0004507294.tif 000015
【００３３】
【化１９】
0004507294.tif 000016
【００３４】
（各式中、Ｒ2およびＹは前記と同一の意味を有る。）
【００３５】
本発明は、芳香族ボロン酸類（Ａ）とハロゲン化アリール類（Ｂ）のカップリング反応を４つの添加成分と溶媒の存在下で行うことを特徴とするものである。
上記添加４成分のうち１つは相関移動触媒（Ｄ）であり、その例として一般に４級アンモニュウム塩、４級ホスホニューム塩、アミン、アミンオキシド、ピリジニュウム塩、クラウンエーテル、クリプタンド、鎖状ポリエーテルまたはホスホロアミド等を挙げることができるが、経済的な面から考えて４級アンモニューム塩およびピリジニュウム塩が特に好ましい。
上記４級アンモニュウム塩としては、好ましくはテトラメチルアンモニュウムクロリド、ベンジルトリメチルアンモニュウムクロリド、ベンジルトリエチルアンモニュウムクロリド、ベンジルトリブチルアンモニュウムクロリド、テトラブチルアンモニュウムブロミド、テトラブチルアンモニュウムハイドロゼンサルフェートまたはトリオクチルメチルアンモニュウムクロリド等を、またピリジニュウム塩としては、好ましくはN-ラウリル ピリジニュウムクロリド、N-ラウリル ４−ピコリニュウムクロリド、Ｎ−ラウリル ピコリニュウムクロリドまたはＮ−ベンジル ピコリニュウムクロリドをそれぞれ挙げることができる。
相関移動触媒（Ｄ）の反応系における存在量は、芳香族ボロン酸類（Ａ）を基準として１０〜１００モル％、好ましくは１０−５０モル％が適する。
【００３６】
次に、第２の添加成分は金属パラジウム触媒であり、その例として好ましくは粉末状パラジウムまたは支持体物質に坦持された形の金属パラジウム触媒、例えば活性炭坦持パラジウム、酸化アルミニウム坦持パラジウム、炭酸バリウム坦持パラジウム、硫酸バリウム坦持パラジウム、炭酸カルシウム坦持パラジウム、珪酸アルミニウム坦持パラジウムまたはSiO2坦持パラジウムを挙げることができるが、これらの中でも粉末状パラジウム、活性炭坦持パラジウム、炭酸バリウム坦持パラジウムおよび硫酸バリウム坦持パラジウムが特に好ましい。なお、支持体物質に坦持された形の金属パラジウム触媒の場合には、該触媒はパラジウムを０．５〜２０重量％含有するものであることが好ましい。金属パラジウム触媒の反応系における存在量は従来の１／１００以下でよく、一般に芳香族ボロン酸類（Ａ）１モルを基準として０．０００１〜０．０００５モルであればよい。
【００３７】
第３の添加成分はリガンドであり、その例としてトリアルキルホスフィン、トリシクロアルキルホスフィンまたはトリアリールホスフィン等のホスフィン類、アセチルアセトンやオクタフルオロアセチルアセトン等のジケトン類並びにトリメチルアミン、トリエチルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミンおよびトリイソプロピルアミン等の第三アミン類を挙げることができる。
なお、上記のホスフィン類はリン原子上の３つの置換基が同一でも異なっていてもよく、キラルでもアキラルでもよく、１種以上のリガンドが複数のホスフィンのリン群を結合していてもよく、さらにこの結合の一部が１種以上の金属原子のものであってもよい。
ホスフィン類の例として、トリメチルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリトルイルホスフィン、トリス（４−ジメチルアミノフェニル）ホスフィン、ビス（ジフェニルホスフィノ）メタン、１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン、１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパンまたは１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン等を挙げることができる。
【００３８】
上記リガンドのうち、ホスフィン類とジケトン類が好ましいが、中でもホスフィン類のトリフェニルホスフィン、１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン、１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパンおよび１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセンが好ましく、この中でもトリフェニルホスフィンが特に好ましい。リガンドの反応系における存在量は、ハロゲン化アリール類（Ｂ）１モルを基準として０．０１〜２．０モル、好ましくは０．０２〜１５モル、さらに好ましくは０．０２〜１０モルの割合で使用される。必要に応じて、２種以上のリガンドの混合物を使用することもできる。
【００３９】
第４の添加成分は塩基（C）であり、その例としてアルカリ金属またはアルカリ土類金属のそれぞれ水酸化物、炭酸塩、炭酸水素塩、酢酸塩もしくはアルコキシド、第一アミン、第二アミンまたは第三アミンを挙げることができるが、これらの中でもアルカリ金属またはアルカリ土類金属のそれぞれ水酸化物、炭酸塩または炭酸水素塩が好ましく、さらに好ましくアルカリ金属水酸化物、炭酸リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等のアルカリ金属炭酸塩またはアルカリ金属炭酸水素塩である。
塩基（Ｃ）の反応系における存在量は、ハロゲン化アリール類（Ｂ）を基準として１００〜５００モル％が好ましい。
【００４０】
本発明で用いられる溶媒は反応に対し不活性である限り公知のものが広く適する。その例としてメタノール、エタノールまたはプロパノールのような低級アルコール類、ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン、ジグライムまたはトリグライム等のようなエーテル類、Ｎ−メチル−２−ピロリドン等のようなアミド類、ベンゼン、トルエンまたはキシレンのような芳香族炭化水素類、アルコール／水（９５／５）のようなに少量の水を含む低級アルコール類、芳香族炭化水素／水、アミド／水もしくはアミド／アルコールなどのような混合溶媒または３種以上の混合溶媒等を挙げることができるが、ジメトキシエタン、エタノール、ジメチルホルムアミド、トルエン／エタノール、ジメトキシエタン／水、またはトルエン／水が好ましく、特にトルエン／エタノール（５／９５）、トルエンまたはジメトキシエタン／水が好ましい。
【００４１】
本発明の反応は、常圧、５０℃〜２００℃の温度範囲下で実施でき、反応圧力および温度についての臨界的制限は格別存在しない。好ましくは還流温度下で反応を実施し、反応終了後固体として得られるパラジウム触媒を濾過によって分離し、その後抽出、蒸留、再結晶およびカラムクロマトグラフィー等の通常の手段を適用することにより、一般式 Ｉ で表される目的化合物例のビアリール誘導体を得ることができる。
【００４２】
なお、上記一般式 Ｉ で表されるビアリール誘導体はパラメ−タとしてＲ1（出発原料に係る一般式IIまたはIIIにおけるものも同じ）とＲ２（出発原料に係る一般式IＶにおけるものも同じ）を有するが、これらのうちＲ1はアルキル残基、アルコキシ残基、アルキルオキシアルキル残基、ハロゲンで置換されたアルキル残基、アルカノイルオキシ基またはアルケニル残基であって、それらの好ましい例としてそれぞれ以下を挙げることができる。
【００４３】
アルキル残基：メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシル、２−ブチル、２−ペンチル、２−ヘキシル、２−ヘプチル、２−オクチル、２−ノニル、２−デシル、２−ウンデシル、２−ドデシル、イソプロピル、イソブチル、tert−ブチル、２−メチルペンチル、２−メチルヘキシル、２−メチルヘプチル、２−メチルオクチル、２−メチルノニル、２−メチルデシル、２−メチルウンデシル、３−メチルペンチル、３−メチルヘキシル、３−メチルヘプチル、３−メチルオクチル、３−メチルノニル、３−メチルデシルまたは３−メチルウンデシル等の基、
【００４４】
アルコキシ残基：メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ、オクチルオキシ、ノニルオキシ、デシルオキシ、ウンデシルオキシ、２−ブトキシ、２−ペンチルオキシ、２−ヘキシルオキシ、２−ヘプチルオキシ、２−オクチルオキシ、２−ノニルオキシ、２−デシルオキシ、２−ウンデシルオキシ、２−ドデシルオキシ、２−メチルブトキシ、４−メチルヘキシルオキシ、５−メチルヘプチルオキシまたは６−メチルヘプチルオキシ等の基、
【００４５】
アルキルオキシアルキル残基：メトキシメチル、メトキシエチル、メトキシプロピル、メトキシブチル、エトキシメチル、エトキシエチル、エトキシプロピル、エトキシブチル、プロポキシメチル、プロポキシエチル、プロポキシプロピルまたはプロポキシブチル等の基、
【００４６】
ハロゲンで置換されたアルキル残基：ジフルオロメチル、トリフルオロメチル、ペルフルオロエチル、ペルフルオロプロピル、ペルフルオロブチル、ペルフルオロペンチル、ペルフルオロヘキシル、２−フルオロヘキシル、３−フルオロプロピル、５−フルオロペンチル、ジフルオロメトキシ、トリフルオロメトキシ、ペルフルオロエトキシ、ペルフルオロプロポキシ、２−フルオロヘキシルオキシ、２−フルオロヘプチルオキシ、２−フルオロオクチルオキシ、２−フルオロヘキサノイルオキシまたは２−フルオロヘプタノイルオキシ等の基、
【００４７】
アルカノイルオキシ基：アセチルオキシ、プロパノイルオキシ、ブタノイルオキシ、ペンタノイルオキシ、ヘキサノイルオキシ、ヘプタノイルオキシ、オクタノイルオキシ、ノナノイルオキシ、デカノイルオキシ、ウンデカノイルオキシまたはドデカノイルオキシ等の基、
【００４８】
アルケニル残基：ビニル、１Ｅ−プロペニル、１Ｅ−ブテニル、１Ｅ−ペンテニル、１Ｅ−ヘキセニル、１Ｅ−ヘプテニル、１Ｅ−オクテニル、アリル、２−ブテニル、２−ペンテニル、２−ヘキセニル、２−ヘプテニル、２−オクテニル、３−ブテニル、３Ｅ−ペンテニル、３Ｅ−ヘキセニル、３Ｅ−ヘプテニル、３Ｅ−オクテニル、４−ペンテニル、４Ｚ−ヘキセニル、４Ｚ−ヘプテニル、５−ヘキセニル、６−ヘプテニルまたは７−オクテニル等の基（Ｅ，Ｚは二重結合の立体配置を示す。）。
【００４９】
また、Ｒ2はアルキル残基、アルコキシ残基、アルキルオキシアルキル残基、ハロゲンで置換されたアルキル残基、アルカノイルオキシ基またはアルケニル残基であって、それらの好ましい例としてそれぞれ以下を挙げることができる。
【００５０】
アルキル残基：メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシル、２−ブチル、２−ペンチル、２−ヘキシル、２−ヘプチル、２−オクチル、２−ノニル、２−デシル、２−ウンデシル、２−ドデシル、イソプロピル、イソブチル、tert−ブチル、２−メチルペンチル、２−メチルヘキシル、２−メチルヘプチル、２−メチルオクチル、２−メチルノニル、２−メチルデシル、２−メチルウンデシル、３−メチルペンチル、３−メチルヘキシル、３−メチルヘプチル、３−メチルオクチル、３−メチルノニル、３−メチルデシルまたは３−メチルウンデシル等の基、
【００５１】
アルコキシ残基：メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ、オクチルオキシ、ノニルオキシ、デシルオキシ、ウンデシルオキシ、２−ブトキシ、２−ペンチルオキシ、２−ヘキシルオキシ、２−ヘプチルオキシ、２−オクチルオキシ、２−ノニルオキシ、２−デシルオキシ、２−ウンデシルオキシ、２−ドデシルオキシ、２−メチルブトキシ、４−メチルヘキシルオキシ、５−メチルヘプチルオキシまたは６−メチルヘプチルオキシ等の基、
【００５２】
ハロゲンで置換されたアルキル残基：フルオロメチル、ジフルオロメチル、トリフルオロメチル、クロロジフルオロメチル、クロロフルオロメチル、ペルフルオロエチル、ペルフルオロプロピル、ペルフルオロブチル、ペルフルオロペンチル、ペルフルオロヘキシル、２−フルオロヘキシル、３−フルオロプロピル、５−フルオロペンチル、フルオロメトキシ、ジフルオロメトキシ、クロロフルオロメトキシ、クロロジフルオロメトキシ、トリフルオロメトキシ、ペルフルオロエトキシ、ペルフルオロプロポキシ、２−フルオロヘキシルオキシ、２−フルオロヘプチルオキシ、２−フルオロオクチルオキシ、２−フルオロヘキサノイルオキシまたは２−フルオロヘプタノイルオキシ等の基、
【００５３】
アルケニル残基：ビニル、１Ｅ−プロペニル、１Ｅ−ブテニル、１Ｅ−ペンテニル、１Ｅ−ヘキセニル、１Ｅ−ヘプテニル、１Ｅ−オクテニル、アリル、２−ブテニル、２−ペンテニル、２−ヘキセニル、２−ヘプテニル、２−オクテニル、３−ブテニル、３Ｅ−ペンテニル、３Ｅ−ヘキセニル、３Ｅ−ヘプテニル、３Ｅ−オクテニル、４−ペンテニル、４Ｚ−ヘキセニル、４Ｚ−ヘプテニル、５−ヘキセニル、６−ヘプテニルまたは７−オクテニル等の基（Ｅ，Ｚは二重結合の立体配置を示す。）。
以上の他、ＣＮ，ＮＣＳ，ＣｌまたはＦもＲ2の好ましい置換基例として挙げることができる。
【００５４】
【実施例】
以下、実施例により本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれらの実施例により限定されるものではない。
なお、各実施例において、相転移温度に係るＣｒi，ＣＳ，ＣＮ，ＳＮ，ＳＩ，ＮＩは各々以下を示す。
Ｃｒi：結晶−等方相転移温度
ＣＳ：結晶−スメクチック相転移温度
ＣＮ：結晶−ネマチック相転移温度
ＳＮ：スメクチック相−ネマチック相転移温度
ＳＩ：スメクチック相−等方相転移温度
ＮＩ：ネマチック−等方相転移温度
【００５５】
実施例１
４−ペンチル−４’−シアノビフェニルの製造
４−ブロモベンゾニトリルから公知の方法により合成される４−シアノフェニルボロン酸13.4g（0.1mol）と ４−ペンチルブロモベンゼン22.7g（0.1mol）をトルエン20mlおよび95%エチルアルコール20mlに溶解し、この溶液に炭酸カリウム27.6g（0.2mol）、5% Pd/C 21.28mg（0.01mmol）およびテトラブチルアンモニュウムブロミド9.67g（0.03mol）を加え、得られた混合物を８時間、還流下に反応させた。冷却後触媒と炭酸カリウムを濾別し、濾液を水にて中性になるまで洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。トルエンを減圧下に留去し、得られた残分をシリカゲルを用いるカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘプタン）にて精製した。精製液を薄層クロマトグラフィーに付して目的のスポットを示す留出液を集め、減圧下にヘプタンを留去した後、得られた残分を50mlのエチルアルコールから２回再結晶を行い、21.2g(85.0%)の標題化合物を得た。
ＣＮ：２２．１℃，ＮＩ：３５．２℃
【００５６】
実施例２
４−ペンチル−３’−フルオロ−４’−シアノビフェニルの製造
４−ペンチルフェニルボロン酸14.9g(0.1mol)と ２−フルオロ−４−ブロモベンゾニトリル18.8g（0.1mol）をジメトキシエタン50mlに溶解し、この混合液に炭酸カリウム27.6g（0.2mol）、5%Pd/C 21.28mg（0.01mmol）、トリフェニルホスフィン10.27mg（0.04mmol）およびテトラブチルアンモニュウムクロリド8.34g（0.03mol）を加え、得られた混合物を８時間、還流下に反応させた。冷却後触媒と炭酸カリウムを濾別し、濾液にトルエン100mlを加えた後水にて中性になるまで洗浄し、その後無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。トルエンを減圧下に留去し、得られた残分をシリカゲルを用いるカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘプタン）にて精製した。精製液を薄層クロマトグラフィーに付して目的のスポットを示す留出液を集め、減圧下にヘプタンを留去しした後、得られた残分を50mlのヘキサンから２回再結晶を行い、24.3g(73.0%)の標題化合物を得た。
Ｃri：−５℃
【００５７】
実施例３
４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）−４’−シアノビフェニルの製造
４−シアノフェニルボロン酸13.4g（0.1mol）と ４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）ブロモベンゼン30.9g（0.1mol）をトルエン30mlおよび95%エチルアルコール20mlに溶解し、この混合液に炭酸カリウム27.6g（0.2mol）、10%Pd/C 10.64mg（0.01mmol）およびベンジルトリメチルアンモニュウムクロリド5.57g（0.03mol）を加え、得られた混合物を８時間、還流下に反応させた。冷却後触媒と炭酸カリウムを濾別し、濾液を水にて中性になるまで洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。トルエンを減圧下に留去し、得られた残分をシリカゲルを用いるカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘプタン）にて精製した。精製液を薄層クロマトグラフィーに付して目的のスポットを示す留出液を集め、減圧下にヘプタンを留去した後、得られた残分を50mlの酢酸エチルから２回再結晶を行い、25.8g(78.0%)の標題化合物を得た。
ＣＮ：９４℃，ＮＩ：２１９℃
【００５８】
実施例４
４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）−３’−シアノビフェニルの製造
３−シアノフェニルボロン酸13.4g（0.1mol）と ４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）ブロモベンゼン30.9g（0.1mol）をトルエン30mlおよび95%エチルアルコール20mlに溶解し、この混合液に炭酸カリウム27.6g（0.2mol）、10%Pd/C10.64mg（0.01mmol）およびベンジルトリエチルアンモニュウムクロリド6.83g（0.03mol）を加え、得られた混合物を８時間、還流下に反応させた。冷却後触媒と炭酸カリウムを濾別し、濾液を水にて中性になるまで洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。トルエンを減圧下に留去し、得られた残分をシリカゲルを用いるカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘプタン）にて精製した。精製液を薄層クロマトグラフィーに付して目的のスポットを示す留出液を集め、減圧下にヘプタンを留去した後、得られた残分を50mlの酢酸エチルから２回再結晶を行い、25.8g（78.0%）の標題化合物を得た。
Ｃri：６９．０℃
【００５９】
実施例５
４−ペンチル−４”−シアノテルフェニルの製造
４−シアノフェニルボロン酸13.4g（0.1mol）と４−ペンチル−４’−ブロモビフェニル30.3g（0.1mol）をジグライム50mlに溶解し、この混合液に炭酸カリウム27.6g（0.2mol）、10%Pd/C10.64mg （0.01mmol）およびベンジルトリブチルアンモニュウムクロリド9.36g（0.03mol）を加え、得られた混合物を１０時間、還流下に反応させた。冷却後触媒と炭酸カリウムを濾別し、濾液にトルエン100mlを加え後水にて中性になるまで洗浄し、その後無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。トルエンを減圧下に留去し、得られた残分をシリカゲルを用いるカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘプタン）にて精製した。精製液を薄層クロマトグラフィーに付して目的のスポットを示す留出液を集め、減圧下にヘプタンを留去した後、得られた残分を50mlのベンゼンから２回再結晶を行い、23.4g（72.0%）の標題化合物を得た。
ＣＮ：１２９℃，ＮＩ：２３９℃
【００６０】
実施例６
４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）−４’−エチルビフェニルの製造
４−エチルフェニルボロン酸14.9g（0.1mol）と４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）ブロモベンゼン30.9g（0.1mol）をジメトキシエタン50mlに溶解 し、この混合液に炭酸カリウム27.6g（0.2mol）、5%Pd/C 21.28mg（0.01mmol）およびテトラブチルアンモニュウムハイドロゼンサルフェート10.19g（0.03mol）を加え、得られた混合物を４時間、還流下に反応させた。冷却後触媒と炭酸カリウムを濾別し、濾液にトルエン100mlを加えた後水にて中性になるまで洗浄し、その後無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。トルエンを減圧下に留去し、得られた残分をシリカゲルを用いるカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘプタン）にて精製した。精製液を薄層クロマトグラフィーに付して目的のスポットを示す留出液を集め、減圧下にヘプタンを留去した後、得られた残分を50mlのヘキサンから２回再結晶を行い、24.3g（73.0%）の標題化合物を得た。
ＣＳ：３４℃，ＳＮ：１４６℃，ＮＩ：１６４℃
【００６１】
実施例７
３，４−ジフルオロ−４’−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）ビフェニルの製造
３，４−ジフルオロフェニルボロン酸15.7g（0.1mol）と４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）ブロモベンゼン30.9g（0.1mol）をトルエン50mlに溶解し、この混合液に炭酸カリウム27.6g（0.2mol）、5%Pd/C 21.28mg（0.01mmol）およびトリオクチルメチルアンモニュウムクロリド 12.13g（0.03mol）を加え、得られた混合物を８時間、還流下に反応させた。冷却後触媒と炭酸カリウムを濾別し、濾液を水にて中性になるまで洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。トルエンを減圧下に留去し、得られた残分をシリカゲルを用いるカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘプタン）にて精製した。薄層クロマトグラフィーにおいて目的物のスポットを示す留出液を集めて減圧にてヘプタンを留去し、得られた残分を50mlの酢酸エチルから２回再結晶を行い、26.6g（78.0%）の標題化合物を得た。
ＣＮ：５５℃，ＮＩ：１０８℃
【００６２】
実施例８
４−トリフルオロメトキシ−４’−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）ビフェニルの製造
４−トリフルオロメトキシフェニルボロン酸20.1g(0.1mol)と４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）ブロモベンゼン30.9g（0.1mol）をトルエン50ml に溶解し、この混合物に炭酸カリウム27.6g（0.2mol）、5% Pd/C 21.28mg（0.01mmol）、トリシクロヘキシルホスフィン11.2mg（0.04mmol）、Ｎ-ラウリルピリジニュウムクロリド 8.52g（0.03mol）を加え、得られた混合物を４時間、還流下に反応させた。冷却後に触媒及び炭酸カリウムを濾過し、濾液を水にて中性になるまで洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。トルエンを減圧下に留去し、得られた残分をシリカゲルを用いるカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘプタン）にて精製した。精製液を薄層クロマトグラフィーに付して目的物のスポットを示す留出液を集め、減圧下にヘプタンを留去し、得られた残分を50mlの酢酸エチルから２回再結晶を行い、30.4g（78.0%）の標題化合物を得た。
ＣＳ：４３℃，ＳＮ：１２８℃，ＮＩ：１４７℃
【００６３】
実施例９
３，４，５−トリフルオロ−４’−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）ビフェニルの製造
３，４，５−トリフルオロフェニルボロン酸17.6g（0.1mol）と４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）ブロモベンゼン30.9g（0.1mol）をトルエン50ml および95%エチルアルコール20mlに溶解し、この混合液に炭酸カリウム27.6g（0.2mol)、10%Pd/C 10.64mg（0.01mmol）およびＮ-ラウリル 4-ピコリニュウムクロリド 8.97g（0.03mol）を加え、得られた混合物を８時間、還流下に反応させた。冷却後触媒および炭酸カリウムを濾別し、濾液を水にて中性になるまで洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。トルエンを減圧下に留去し、得られた残分をシリカゲルを用いるカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘプタン）にて精製した。精製液を薄層クロマトグラフィーに付して目的のスポットを示す留出液を集め、減圧にてヘプタンを留去し、得られた残分を50mlの酢酸エチルから２回再結晶を行い、28.6g（70.0%）の標題化合物を得た。
ＣＮ：３０．４℃、ＮＩ：５８℃
【００６４】
実施例１０
３，４，５−トリフルオロ−４’−［トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル］ビフェニルの製造
３，４，５−トリフルオロフェニルボロン酸17.6g(0.1mol)と ４−［トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル］ヨードベンゼン40.9g（0.1mol）をトルエン50mlおよび95%エチルアルコール20mlに溶解し、この混合液に炭酸カリウム27.6g（0.2mol）、5%Pd/C 21.28mg（0.01mmol）およびＮ-ベンジルピコリニュウムクロリド6.92g（0.03mol）を加え、得られた混合物を８時間、還流下に反応させた。冷却後触媒および炭酸カリウムを濾別し、濾液を水にて中性になるまで洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。トルエンを減圧下に留去し、得られた残分をシリカゲルを用いるカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘプタン）にて精製した。精製液を薄層クロマトグラフィーに付して目的のスポットを示す留出液を集め、減圧下にヘプタンを留去し、得られた残分を50mlのベンゼンから２回再結晶を行い、28.9g（70.0%）の標題化合物を得た。
ＣＮ：１０５．８℃、ＮＩ：＞２５０℃
【００６５】
実施例１１
５−エチル−２−［４−（４−トランス−４−プロピルシクロヘキシル）フェニル］ピリミジンの製造
４−［４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）フェニル］ボロン酸25.0g（0.1mol）と２−クロロ−５−エチルピリミジン15.0g（0.105mol）をトルエン50ml及び95%エチルアルコール20mlに溶解し、この混合液に炭酸カリウム27.6g（0.2mol）、5%Pd/C 21.28mg（0.01mmol）およびテトラブチルアンモニュウムブロミド9.67g（0.03mol）を加え、得られた混合物を６時間、還流下に反応させた。冷却後触媒および炭酸カリウムを濾別し、水にて中性になるまで洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。トルエンを減圧下に留去し、得られた残分をシリカゲルを用いるカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘプタン）にて精製した。精製液を薄層クロマトグラフィーに付して目的のスポットを示す留出液を集め、減圧下にヘプタンを留去し、得られた残分を50mlの酢酸エチルから２回再結晶を行い、24.6g（80.0%）の標題化合物を得た。
ＣＮ：１０９．０℃、ＮＩ：１８６．５℃
【００６６】
実施例１２
２−（４−エチルフェニル）−５−プロピルピリミジンの製造
４−エチルフェニルボロン酸14.9g（0.1mol）と２−クロロ−５−エチルピリジ ン14.9g（0.105mol）をトルエン50mlに溶解し、この混合液に炭酸カリウム27.6g（0.2mol）、5%Pd/C 21.28mg（0.01mmol）およびテトラブチルアンモニュウムクロリド 8.34g（0.03mol）を加え、得られた混合物を６時間、還流下に反応させた。冷却後触媒および炭酸カリウムを濾別し、水にて中性になるまで洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。トルエンを減圧下に留去し、得られた残分をシリカゲルを用いるカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘプタン）にて精製した。精製液を薄層クロマトグラフィーにに付して目的のスポットを示す留出液を集め、減圧にてヘプタンを留去し、得られた残分を50mlのメタノールから２回再結晶を行い、14.5g（69.0%）の標題化合物を得た。
Ｃri：３９．５℃
【００６７】
実施例１３
５−（４−ブトキシフェニル）−２−ブチルピリジンの製造
４−ブトキシフェニルボロン酸19.3g（0.1mol）と５−クロロ−２−ブチルピリジン16.9g（0.1mol）をジメチルホルムアミド50mlに溶解し、この混合物に炭酸カリウム27.6g（0.2mol）、10% Pd/C 10.64mg（0.01mmol）、ベンジルトリメチルアンモニュウムクロリド5.57g（0.03mol）を加え、得られた混合物を６時間、還流下に反応させた。冷却後に触媒及び炭酸カリウムを濾過し、水にて中性まで洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。トルエンを減圧下に留去し、得られた残分を、ヘプタンを展開溶媒とし、シリカゲルを用いるカラムクロマトグラフィーにて精製した。薄層クロマトグラフィーにおいて目的のスポットを示す留出液を集めて減圧にてヘプタンを留去し、得られた残分を50mlのメタノールから２回再結晶を行い、19.5g（69.0%）の標題化合物を得た。
ＣＳ：４８℃，ＳＩ：８８℃
【００６８】
実施例１４
４−ペンチル−４’−ビフェニルカルボン酸の製造
４−ペンチルフェニルボロン酸14.9g(0.1mol)と４−ヨード安息香酸24.7g（0.1mol）をトルエン20mlおよび95%エチルアルコール20mlに溶解し、この混合液に炭酸カリウム27.6g（0.2mol）、5%Pd/C （0.01mmol）およびテトラブチルアンモニュウムブロミド9.67g（0.03mol）を加え、得られた混合物を１０時間、還流下に反応させた。冷却後２Ｎ塩酸水溶液20mlを加え、撹袢した後にトルエン層を分離した。トルエン層を水にて中性になるまで洗浄し、その後無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。
トルエンを減圧下に留去し、得られた残分を100mlの酢酸から２回再結晶を行い、22.78g（85.0%）の標題化合物を得た。
ＣＳ：１７６℃、ＳＮ：２４３℃、ＮＩ：２６８℃
【００６９】
【発明の効果】
以上説明した通り、本発明によれば、高価な触媒の使用量の増大を伴うことなく、効率的かつ工業的生産スケールで医薬、農薬、それらの中間体や液晶材料として有用なビアリール誘導体、特に芳香環上にシアノ基、カルボニル基もしくは水酸基を有する誘導体、または３環以上の多環化合物を製造することが可能となり、産業上利するところは極めて大きいと言える。