(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の誘電体層を積み重ねて構成してなる積層体の内部に、第１インダクタパターン及び第１キャパシタパターンからなる第１ＬＣ共振器と、第２インダクタパターン及び第２キャパシタパターンからなる第２ＬＣ共振器と、前記第１ＬＣ共振器と前記第２ＬＣ共振器とが接続されかつ接地された第３インダクタパターンと、前記第１ＬＣ共振器と前記第２ＬＣ共振器とを結合する結合キャパシタを構成する複数の結合キャパシタパターンと、一つのグランド電極と、前記積層体の側面に形成されたグランド端子とを含む、ＬＣ複合部品であって、
前記第１及び第２インダクタパターンは、少なくともその一部が同一の誘電体層上に形成されるとともに、その一方端は前記第３インダクタパターンの共通接続部に接続され、他方端は対向する前記積層体の側面に引き出され、
前記第１、第２、第３インダクタパターンは前記共通接続部に関して実質的に対称に配置されており、
前記結合キャパシタパターンは、前記第１、第２、第３インダクタパターンが形成された誘電体層に隣接する誘電体層に形成され、積層方向から見て、前記第１、第２インダクタパターンのいずれかとのみ重なり、
前記グランド電極は所定のインダクタンスを有する引出しパターンによって前記グランド端子と接続され、前記引出しパターンと前記第１、第２キャパシタパターンとで直列ＬＣ共振器が構成され、
前記第１及び第２キャパシタパターンは前記第１、第２及び第３インダクタパターンとは異なる誘電体層上に形成され、かつ、前記積層体の上から順に前記第１、第２及び第３インダクタパターン、前記第１及び第２キャパシタパターン、前記グランド電極が形成されていること、
を特徴とするＬＣ複合部品。
【請求項２】
複数の誘電体層を積み重ねて構成してなる積層体の内部に、第１インダクタパターン及び第１キャパシタパターンからなる第１ＬＣ共振器と、第２インダクタパターン及び第２キャパシタパターンからなる第２ＬＣ共振器と、前記第１ＬＣ共振器と前記第２ＬＣ共振器とが接続されかつ接地された第３インダクタパターンと、前記第１ＬＣ共振器と前記第２ＬＣ共振器とを結合する結合キャパシタを構成する複数の結合キャパシタパターンと、一つのグランド電極と、前記積層体の側面に形成されたグランド端子とを含む、ＬＣ複合部品であって、
前記第３インダクタパターンは、前記誘電体層の積層方向から透視したとき、前記積層体を二つの領域に仕切るように設けられ、
前記二つの領域のうち一方の領域に前記第１インダクタパターン、他方の領域に前記第２インダクタパターンがそれぞれ設けられ、
前記第１及び第２インダクタパターンは、少なくともその一部が同一の誘電体層上に形成されるとともに、その一方端は前記第３インダクタパターンの共通接続部に接続され、他方端は対向する前記積層体の側面に引き出され、
前記第１、第２、第３インダクタパターンは前記共通接続部に関して実質的に対称に配置されており、
前記結合キャパシタパターンは、前記第１、第２、第３インダクタパターンが形成された誘電体層に隣接する誘電体層に形成され、積層方向から見て、前記第１、第２インダクタパターンのいずれかとのみ重なり、
前記グランド電極は所定のインダクタンスを有する引出しパターンによって前記グランド端子と接続され、前記引出しパターンと前記第１、第２キャパシタパターンとで直列ＬＣ共振器が構成され、
前記第１及び第２キャパシタパターンは前記第１、第２及び第３インダクタパターンとは異なる誘電体層上に形成され、かつ、前記積層体の上から順に前記第１、第２及び第３インダクタパターン、前記第１及び第２キャパシタパターン、前記グランド電極が形成されていること、
を特徴とするＬＣ複合部品。
【請求項３】
前記第１インダクタパターン及び前記第２インダクタパターンは前記第３インダクタパターンの共通接続部から互いに離れる方向に延在していることを特徴とする請求項２に記載のＬＣ複合部品。
【請求項４】
前記第１インダクタパターン及び前記第２インダクタパターンは、前記共通接続部に関して実質的に点対称に配置されていることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載のＬＣ複合部品。
【請求項５】
前記第１インダクタパターン及び前記第２インダクタパターンは、前記共通接続部に関して実質的に線対称に配置されていることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載のＬＣ複合部品。
【請求項６】
前記第１インダクタパターン及び前記第２インダクタパターンは、ミアンダ状のパターン形状を有していることを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれかに記載のＬＣ複合部品。
【請求項７】
前記第１インダクタパターン及び前記第２インダクタパターンのそれぞれが偶数個の湾曲部分を有していることを特徴とする請求項６に記載のＬＣ複合部品。
【請求項８】
前記第１インダクタパターン及び前記第２インダクタパターンは、巻線状パターンであることを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれかに記載のＬＣ複合部品。
【請求項９】
前記第１インダクタパターン及び前記第２インダクタパターンは、複数の誘電体層にわたって形成されていることを特徴とする請求項１ないし請求項８のいずれかに記載のＬＣ複合部品。
【請求項１０】
前記第３インダクタパターンは、前記第１インダクタパターン及び前記第２インダクタパターンと同一の誘電体層上に形成されていることを特徴とする請求項１ないし請求項９のいずれかに記載のＬＣ複合部品。
【請求項１１】
前記第３インダクタパターンは、前記第１インダクタパターン及び前記第２インダクタパターンが形成された誘電体層とは異なる誘電体層上に形成されていることを特徴とする請求項１ないし請求項９のいずれかに記載のＬＣ複合部品。
【請求項１２】
前記積層体は矩形状の誘電体層を積層してなり、前記第３インダクタパターンは、対向する二つの辺の中央部どうしを結ぶ直線部を有しており、該直線部のほぼ中央に前記共通接続部が位置していることを特徴とする請求項１ないし請求項１１のいずれかに記載のＬＣ複合部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＬＣ複合部品、より詳しくは、高周波帯で使用されるバンドパスフィルタ、ローパスフィルタ及び／又はハイパスフィルタを含むＬＣ複合部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、高周波帯において特定の周波数帯の信号を通過させるバンドパスフィルタは、複数のＬＣ共振器を備えている。従来のこの種のバンドパスフィルタとしては、例えば、特許文献１に開示されている積層型ＬＣバンドパスフィルタが知られている。その具体的な構成を図１３に、また、その等価回路を図１４に示す。このバンドパスフィルタ７０は、セラミック誘電体材料からなる複数枚のセラミックシート７２を積層してなる積層体７１内に、第１段のＬＣ共振器Ｑ１１と第２段のＬＣ共振器Ｑ１２とを結合キャパシタＣｓによって静電容量結合してなる２段のＬＣバンドパスフィルタとしたものである。【０００３】
前記バンドパスフィルタ７０にあっては、第１段のＬＣ共振器Ｑ１１のインダクタＬ１１は、２枚のシート７２を介して積層された同一のパターン形状を有するインダクタパターン７４ａ，７４ｂからなる二重構造を有している。これらインダクタパターン７４ａ，７４ｂは、シールド端子電極（グランド）８０ａ，８０ｂに接続されるとともに、その途中からそれぞれ引き出された引出パターン８４ａ，８４ｂを通じて積層体７１に形成された入力端子Ｐ１１（図１４参照）に接続されている。【０００４】
同様に、第２段のＬＣ共振器Ｑ１２のインダクタＬ１２は、２枚のシート７２を介して積層された同一のパターン形状を有するインダクタパターン７５ａ，７５ｂからなる二重構造を有している。これらインダクタパターン７５ａ，７５ｂも、前記シールド端子電極８０ａ，８０ｂに接続されるとともに、その途中からそれぞれ引き出された引出パターン８５ａ，８５ｂを通じて積層体７１に形成された出力端子Ｐ１２（図１４参照）に接続されている。インダクタパターン７４ａ，７５ａは１枚のシート７２上に互いに並行に配置されるとともに、インダクタパターン７４ｂ，７５ｂも１枚のシート７２上に互いに並行に配置されている。【０００５】
インダクタパターン７４ａ，７４ｂの幅広部７６ａ，７６ｂにはシールド端子電極８０ａ，８０ｂに接続されるキャパシタパターン７８ａ，７８ｂが対向しており、その間にそれぞれ形成される静電容量により第１段のＬＣ共振器Ｑ１１のキャパシタＣ１１を形成している。また、インダクタパターン７５ａ，７５ｂの幅広部７７ａ，７７ｂにはシールド端子電極８０ａ，８０ｂに接続されるキャパシタパターン７９ａ，７９ｂが対向しており、その間にそれぞれ形成される静電容量により第２段のＬＣ共振器Ｑ１２のキャパシタＣ１２を形成している。さらに、インダクタパターン７４ａ，７４ｂの幅広部７６ａ，７６ｂ間、インダクタパターン７５ａ，７５ｂの幅広部７７ａ，７７ｂ間に、結合キャパシタＣｓを形成するための結合キャパシタパターン８２が形成されている。【０００６】
前記のような構成を有する従来の積層型ＬＣバンドパスフィルタ７０にあっては、インダクタパターン７４ｂ，７５ｂは互いに並行に配置されるとともに、インダクタパターン７４ａ，７５ａも互いに並行に配置されている。ところで、電子機器の小型化に伴い、ＬＣバンドパスフィルタも小型のものが求められているが、従来の積層型ＬＣバンドパスフィルタ７０において、小型の製品を得るためには、インダクタパターン７４ａ，７５ａ間の間隔、インダクタパターン７４ｂ，７５ｂ間の間隔を狭くせざるを得ず、インダクタＬ１１，Ｌ１２間の結合を低く抑えることが困難であった。また、インダクタＬ１１，Ｌ１２間の結合は、インダクタパターン７４ａ，７５ａ間及びインダクタパターン７４ｂ，７５ｂ間の間隔で制御しているため、製品が小型になるほどインダクタＬ１１とＬ１２との結合の調整範囲が狭くなるといった問題点があった。
【特許文献１】特開２０００−３２３９０１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
そこで、本発明の目的は、ＬＣ共振器のインダクタ間の結合が広い範囲で制御可能で設計の自由度が高く、高周波帯において狭帯域を有する小型のＬＣ複合部品を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記目的を達成するため、第１の発明は、複数の誘電体層を積み重ねて構成してなる積層体の内部に、第１インダクタパターン及び第１キャパシタパターンからなる第１ＬＣ共振器と、第２インダクタパターン及び第２キャパシタパターンからなる第２ＬＣ共振器と、前記第１ＬＣ共振器と前記第２ＬＣ共振器とが接続されかつ接地された第３インダクタパターンと、前記第１ＬＣ共振器と前記第２ＬＣ共振器とを結合する結合キャパシタを構成する複数の結合キャパシタパターンと、一つのグランド電極と、前記積層体の側面に形成されたグランド端子とを含む、ＬＣ複合部品であって、前記第１及び第２インダクタパターンは、少なくともその一部が同一の誘電体層上に形成されるとともに、その一方端は前記第３インダクタパターンの共通接続部に接続され、他方端は対向する前記積層体の側面に引き出され、前記第１、第２、第３インダクタパターンは前記共通接続部に関して実質的に対称に配置されており、前記結合キャパシタパターンは、前記第１、第２、第３インダクタパターンが形成された誘電体層に隣接する誘電体層に形成され、積層方向から見て、前記第１、第２インダクタパターンのいずれかとのみ重なり、前記グランド電極は所定のインダクタンスを有する引出しパターンによって前記グランド端子と接続され、前記引出しパターンと前記第１、第２キャパシタパターンとで直列ＬＣ共振器が構成され、前記第１及び第２キャパシタパターンは前記第１、第２及び第３インダクタパターンとは異なる誘電体層上に形成され、かつ、前記積層体の上から順に前記第１、第２及び第３インダクタパターン、前記第１及び第２キャパシタパターン、前記グランド電極が形成されていること、を特徴とする。
【０００９】
第１の発明に係るＬＣ複合部品においては、第３インダクタパターンを挟んで第１インダクタパターンと第２インダクタパターンとが実質的に対称に配置されるので、両者の間に第３インダクタパターンが介在し、第１インダクタパターンと第２インダクタパターンとの間の距離が確保され、この距離により両者の誘導結合が抑制され、第１ＬＣ共振器及び第２ＬＣ共振器のＱ値を改善することができ、狭帯域のＬＣフィルタを得ることができる。また、第１ＬＣ共振器の第１インダクタパターン及び第２ＬＣ共振器の第２インダクタパターンは第３インダクタパターンを通じて接地されるので、第１インダクタパターンと第２インダクタパターンとの誘導結合を、第３インダクタパターンのインダクタの大きさにより制御することが可能となり、第１インダクタパターンと第２インダクタパターンとの誘導結合を所望の値に設計することができる。【００１０】
第２の発明は、複数の誘電体層を積み重ねて構成してなる積層体の内部に、第１インダクタパターン及び第１キャパシタパターンからなる第１ＬＣ共振器と、第２インダクタパターン及び第２キャパシタパターンからなる第２ＬＣ共振器と、前記第１ＬＣ共振器と前記第２ＬＣ共振器とが接続されかつ接地された第３インダクタパターンと、前記第１ＬＣ共振器と前記第２ＬＣ共振器とを結合する結合キャパシタを構成する複数の結合キャパシタパターンと、一つのグランド電極と、前記積層体の側面に形成されたグランド端子とを含む、ＬＣ複合部品であって、前記第３インダクタパターンは、前記誘電体層の積層方向から透視したとき、前記積層体を二つの領域に仕切るように設けられ、前記二つの領域のうち一方の領域に前記第１インダクタパターン、他方の領域に前記第２インダクタパターンがそれぞれ設けられ、前記第１及び第２インダクタパターンは、少なくともその一部が同一の誘電体層上に形成されるとともに、その一方端は前記第３インダクタパターンの共通接続部に接続され、他方端は対向する前記積層体の側面に引き出され、前記第１、第２、第３インダクタパターンは前記共通接続部に関して実質的に対称に配置されており、前記結合キャパシタパターンは、前記第１、第２、第３インダクタパターンが形成された誘電体層に隣接する誘電体層に形成され、積層方向から見て、前記第１、第２インダクタパターンのいずれかとのみ重なり、前記グランド電極は所定のインダクタンスを有する引出しパターンによって前記グランド端子と接続され、前記引出しパターンと前記第１、第２キャパシタパターンとで直列ＬＣ共振器が構成され、前記第１及び第２キャパシタパターンは前記第１、第２及び第３インダクタパターンとは異なる誘電体層上に形成され、かつ、前記積層体の上から順に前記第１、第２及び第３インダクタパターン、前記第１及び第２キャパシタパターン、前記グランド電極が形成されていること、を特徴とする。
【００１１】
第２の発明に係るＬＣ複合部品においては、積層体を二つの領域に仕切るように設けられた第３インダクタパターンの共通接続部に第１インダクタパターン及び第２インダクタパターンが接続され、かつ、一方の領域に第１インダクタパターン、他方の領域に第２インダクタパターンがそれぞれ設けられているため、第１インダクタパターンと第２インダクタパターンとの間の距離が確保され、この距離により両者の誘導結合が抑制され、第１ＬＣ共振器及び第２ＬＣ共振器のＱ値を改善することができ、狭帯域のＬＣフィルタを得ることができる。また、第１ＬＣ共振器の第１インダクタパターン及び第２ＬＣ共振器の第２インダクタパターンは第３インダクタパターンを通じて接地されるので、第１インダクタパターンと第２インダクタパターンとの誘導結合を、第３インダクタパターンのインダクタの大きさにより制御することが可能となり、第１インダクタパターンと第２インダクタパターンとの誘導結合を所望の値に設計することができる。【００１２】
第２の発明に係るＬＣ複合部品において、第１インダクタパターン及び第２インダクタパターンは第３インダクタパターンの共通接続部から互いに離れる方向に延在していることが好ましい。 
【００１３】
第１及び第２の発明に係るＬＣ複合部品において、第１インダクタパターン及び第２インダクタパターンは第３インダクタパターンの共通接続部に関して実質的に点対称に配置されていてもよい。第３インダクタパターンの共通接続部に関して第１インダクタパターンと第２インダクタパターンとが実質的に点対称となることにより、誘電体層の同じ側の辺に近接する第１インダクタパターンの湾曲部分の個数と第２インダクタパターンの湾曲部分の個数との間に差が生じ、誘電体層のカットずれや積層ずれなどの加工上のばらつきによる第１ＬＣ共振器及び第２ＬＣ共振器の特性変化が相殺され、総合的なフィルタ特性のばらつきを少なくすることができる。【００１４】
また、第１インダクタパターン及び第２インダクタパターンは共通接続部に関して実質的に線対称に配置されていてもよい。第３インダクタパターンが第１インダクタパターンと第２インダクタパターンとの間に介在するので、第１インダクタパターンと第２インダクタパターンとの間の距離を確保することができ、この距離により両者の誘導結合を抑制して第１ＬＣ共振器及び第２ＬＣ共振器のＱ値を改善することができ、狭帯域のＬＣフィルタを得ることができる。【００１５】
また、第１インダクタパターン及び第２インダクタパターンはミアンダ状のパターン形状を有していてもよい。第１インダクタパターン及び第２インダクタパターンがミアンダ状のパターン形状を有していれば、その長さが大きくなって第１インダクタパターン及び第２インダクタパターンのインダクタンスが大きくなる。これにより、誘電体層のサイズを小さくすることが可能になり、ＬＣ複合部品を小型化することができる。【００１６】
さらに、第１インダクタパターン及び第２インダクタパターンのそれぞれが偶数個の湾曲部分を有していてもよい。第１インダクタパターン及び第２インダクタパターンのそれぞれが偶数個の湾曲部分を有していれば、誘電体層の主面の同一の辺に沿って位置する第１インダクタパターンの湾曲部分の個数と第２インダクタパターンの湾曲部分の個数がいずれも等しくなる。これにより、誘電体層のカットずれや積層ずれなどの加工上のばらつきによる第１ＬＣ共振器及び第２共振器ＬＣの特性変化が相殺され、総合的なフィルタ特性のばらつきを少なくすることができる。【００１７】
あるいは、第１インダクタパターン及び第２インダクタパターンは巻線状パターンであってもよい。第１インダクタパターン及び第２インダクタパターンが巻線状パターンを有していれば、その長さが長くなり、インダクタンスを大きくすることができる。これにより、誘電体層のサイズを小さくして、ＬＣ複合部品を小型化することができる。【００１８】
さらに、第１インダクタパターン及び第２インダクタパターンは複数の誘電体層にわたって形成されていてもよい。このような構成により、各誘電体層に形成された第１インダクタパターン及び第２インダクタパターンを流れる電流の電流密度が小さくなり、挿入損失を低減することができる。【００１９】
また、第３インダクタパターンは第１インダクタパターン及び第２インダクタパターンと同一の誘電体層上に形成されていてもよい。即ち、第１インダクタパターンと第２インダクタパターンとの間に第３インダクタパターンが介在するので、第１インダクタパターンと第２インダクタパターンとの距離が確保され、この距離により両者の誘導結合を抑制し、第１ＬＣ共振器及び第２ＬＣ共振器のＱ値を改善することができ、狭帯域のＬＣフィルタを得ることができる。【００２０】
さらに、第３インダクタパターンは第１インダクタパターン及び第２インダクタパターンが形成された誘電体層とは異なる誘電体層上に形成されていてもよい。これにて、第１インダクタパターン及び第２インダクタパターンが形成される誘電体層の面積が広くなり、第１インダクタパターン及び第２インダクタパターンのパターン設計の自由度が大きくなる。【００２１】
さらに、積層体は矩形状の誘電体層を積層してなり、第３インダクタパターンは、対向する二つの辺の中央部どうしを結ぶ直線部を有しており、該直線部のほぼ中央に共通接続部が位置している構成とすることができる。共通接続部が第３インダクタパターンのほぼ中央に位置しているので、共通接続部を間にして第１インダクタパターンと第２インダクタパターンとの間の距離を確保することができ、この距離により両者の誘導結合を抑制して第１ＬＣ共振器及び第２ＬＣ共振器のＱ値を改善することができ、狭帯域のＬＣフィルタを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の第１実施例であるＬＣ複合部品の外観を示す斜視図である。
【図２】図１に示したＬＣ複合部品の分解斜視図である。
【図３】図１に示したＬＣ複合部品の等価回路図である。
【図４】図１に示したＬＣ複合部品の第１インダクタパターン、第２インダクタパターン及び第３インダクタパターンの平面図である。
【図５】図４に示した第１インダクタパターン、第２インダクタパターンの変形例を示す平面図である。
【図６】図１に示したＬＣ複合部品及び従来のバンドパスフィルタのフィルタ特性を示すグラフである。
【図７】本発明の第２実施例であるＬＣ複合部品の分解斜視図である。
【図８】図７に示したＬＣ複合部品の第１インダクタパターン、第２インダクタパターンの変形例を示す斜視図である。
【図９】本発明の第３実施例であるＬＣ複合部品の分解斜視図である。
【図１０】本発明の第４実施例であるＬＣ複合部品の分解斜視図である。
【図１１】本発明の第５実施例であるＬＣ複合部品の分解斜視図である。
【図１２】本発明の第６実施例であるＬＣ複合部品の分解斜視図である。
【図１３】従来のバンドパスフィルタの構成を示す分解斜視図である。
【図１４】図１３に示したバンドパスフィルタの等価回路図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明に係るＬＣ複合部品の実施例について添付図面を参照して説明する。【００２４】
（第１実施例、図１〜図６参照）
本発明の第１実施例であるＬＣ複合部品の外観を図１に、その具体的な構成を図２に、またその等価回路を図３にそれぞれ示す。このＬＣ複合部品１０は、セラミックの誘電体層１１〜１８が積層されてなるチップ状のセラミック積層体１０ａ内に、図３に示した第１ＬＣ共振器Ｑ１、第２ＬＣ共振器Ｑ２及び第３インダクタＬ３が形成されており、これ
ら第１ＬＣ共振器Ｑ１と第２ＬＣ共振器Ｑ２とは接地された第３インダクタＬ３によって結合されている。なお、図２に示す誘電体層１１〜１８はいずれも、誘電体セラミック材料をドクターブレード法や引き上げ法などの手法で成形したセラミックグリーンシートが積層及び圧着されて焼成され、積層体１０ａが形成される際にセラミックグリーンシートが焼結されて形成されるものである。【００２５】
図１に示すように、積層体１０ａの対向する両端面部には入力端子Ｐ１及び出力端子Ｐ２がそれぞれ形成されている。積層体１０ａの両側面部にはグランド端子Ｇ１，Ｇ２がそれぞれ形成されている。これらの入力端子Ｐ１、出力端子Ｐ２、グランド端子Ｇ１，Ｇ２は、セラミックグリーンシートの焼結前に予め印刷により形成されていてもよく、また積層体１０ａの焼成の後に形成してもよい。なお、積層体１０ａには、入力端子Ｐ１と出力端子Ｐ２とを識別するための極性マーク１９が形成されている。【００２６】
誘電体層１２の主面には、図４に詳細に示すように、第１ＬＣ共振器Ｑ１の第１インダクタパターン２１（第１インダクタＬ１）及び第２ＬＣ共振器Ｑ２の第２インダクタパターン２２（第２インダクタＬ２）が形成されるとともに、第３インダクタパターン２３（第３インダクタＬ３）が形成されている。第１インダクタパターン２１及び第２インダクタパターン２２はいずれもミアンダ状のパターン形状を有している。また、第３インダクタパターン２３は、誘電体層１２の四角形状を有する主面の互いに対向する一対の長辺のそれぞれの中心部に形成された引出パターン２４，２５を相互に結合するように形成された直線部を有しており、これら引出パターン２４，２５を通じてグランド端子Ｇ１，Ｇ２に引き出されている。【００２７】
第１インダクタパターン２１と第２インダクタパターン２２とは第３インダクタパターン２３に関して線対称に形成されている。これら第１インダクタパターン２１及び第２インダクタパターン２２は、その各一端側が第３インダクタパターン２３の中央部に形成された共通接続部２６に接続される一方、その各他端側が誘電体層１２の主面の残る一対の辺のそれぞれの中心部に形成された引出パターン２７，２８を通じて入力端子Ｐ１及び出力端子Ｐ２にそれぞれ引き出されている。【００２８】
換言すれば、第３インダクタパターン２３は、誘電体層１２を二つの領域に仕切るように設けられ、この二つの領域のうち一方の領域に第１インダクタパターン２１、他方の領域に第２インダクタパターン２２がそれぞれ設けられ、第１インダクタパターン２１及び第２インダクタパターン２２は、第３インダクタパターン２３の共通接続部２６に接続されている。さらに、第１インダクタパターン２１及び第２インダクタパターン２２は共通接続部２６から互いに離れる方向に延在している。【００２９】
図２に示すように、誘電体層１３〜１５のそれぞれの主面には、図３に示す等価回路の結合キャパシタＣ３，Ｃ４を形成するキャパシタ電極３１ａ，３２ａ，３３，３１ｂ，３２ｂが形成されている。キャパシタ電極３１ａ，３１ｂは、引出パターン３４ａ，３４ｂを通じて入力端子Ｐ１に引き出されている。また、キャパシタ電極３２ａ，３２ｂは、引出パターン３５ａ，３５ｂを通じて出力端子Ｐ２に引き出されている。結合キャパシタＣ３の静電容量は、キャパシタ電極３１ａ，３３間に誘電体層１３を誘電体として形成される静電容量と、キャパシタ電極３１ｂ，３３間に誘電体層１４を誘電体として形成される静電容量との並列合成容量となっている。また、結合キャパシタＣ４の静電容量は、キャパシタ電極３２ａ，３３間に誘電体層１３を誘電体として形成される静電容量と、キャパシタ電極３２ｂ，３３間に誘電体層１４を誘電体として形成される静電容量との並列合成容量となっている。【００３０】
誘電体層１６，１７のそれぞれの主面には、図３に示す等価回路の第１ＬＣ共振器Ｑ１及び第２ＬＣ共振器Ｑ２のキャパシタＣ１，Ｃ２を形成するキャパシタ電極３６，３７，３８が形成されている。キャパシタＣ１の静電容量は、キャパシタ電極３６，３８間に誘電体層１６を誘電体として形成される静電容量である。また、キャパシタＣ２の静電容量は、キャパシタ電極３７，３８間に誘電体層１６を誘電体として形成される静電容量である。キャパシタ電極３６，３７は、引出パターン３６ａ，３７ａを通じて入力端子Ｐ１，出力端子Ｐ２にそれぞれ引き出されている。また、キャパシタ電極３８は、引出パターン３８ａ，３８ｂを通じてグランド端子Ｇ１，Ｇ２に引き出されている。なお、図３に示す等価回路において、Ｌｇは前記引出パターン３８ａ，３８ｂが有している浮遊インダクタを表している。【００３１】
以上に説明したＬＣ複合部品１０にあっては、第１ＬＣ共振器Ｑ１の第１インダクタパターン２１と第２ＬＣ共振器Ｑ２の第２インダクタパターン２２とは、第３インダクタパターン２３に関して線対称に形成されている。このため、ＬＣ複合部品１０が小型化されても、第１インダクタパターン２１と第２インダクタパターン２２との間に第３インダクタパターン２３が介在するので、両者の距離を確保することができる。これにより、第１インダクタパターン２１と第２インダクタパターン２２との誘導結合を抑制し、第１ＬＣ共振器Ｑ１及び第２ＬＣ共振器Ｑ２のＱ値を改善することができ、狭帯域のＬＣ複合部品を得ることができる。【００３２】
また、第１ＬＣ共振器Ｑ１の第１インダクタパターン２１及び第２ＬＣ共振器Ｑ２の第２インダクタパターン２２は、第３インダクタパターン２３を通じて接地されるので、第１インダクタパターン２１と第２インダクタパターン２２との誘導結合は、第３インダクタパターン２３のインダクタの大きさにより制御が可能となる。これにより、ＬＣ複合部品１０の帯域幅の設計の自由度も大きくなる。【００３３】
ちなみに、図１〜４で説明した構成を有するＬＣ複合部品１０のサンプルについてフィルタ特性を測定した結果、図６において曲線Ｓ１１で示すフィルタ特性を得た。また、図１３の構成を有する従来のＬＣフィルタについてフィルタ特性を測定した結果、図６において曲線Ｓ２１で示すフィルタ特性を得た。図６からも明らかなように、本第１実施例であるＬＣ複合部品１０は、４〜６ＧＨｚのような高周波帯において狭帯域のフィルタ特性を有していることが分かる。【００３４】
なお、第１及び第２インダクタパターン２１，２２の一端が接続される共通接続部２６は、必ずしも１点である必要はなく、図５に変形例として示すように、若干の長さを有し、第１及び第２インダクタパターン２１，２２の一端がオフセット状態で接続されていてもよい。【００３５】
（第２実施例、図７及び図８参照）
本発明の第２実施例であるＬＣ複合部品を図７に示す。このＬＣ複合部品２０は、図１〜図４を参照して説明した第１実施例であるＬＣ複合部品１０において、積層体２０ａの誘電体層１２に形成される第１インダクタパターン２１と第２インダクタパターン２２とを、第３インダクタパターン２３の共通接続部２６に関して点対称となるように形成したものである。それ以外の構成は第１実施例と同じである。よって、図７において図２に対応する部分には同じ符号を付し、重複した説明は省略する。【００３６】
第２実施例であるＬＣ複合部品（積層型バルントランス）２０にあっては、前記のように、第１インダクタパターン２１と第２インダクタパターン２２とを、第３インダクタパターン２３の共通接続部２６に関して点対称となるように形成しているので、誘電体層１２の主面のグランド端子Ｇ１側の辺及びグランド端子Ｇ２側の辺のそれぞれに近接する、第１インダクタパターン２１の湾曲部分２９の個数と、第２インダクタパターン２２の湾曲部分２９の個数との間に差を持たせることができる。これにより、点対称の中心である共通接続部２６を軸とする誘電体層１２のカットずれや積層ずれなどの加工上のばらつきによる第１ＬＣ共振器Ｑ１及び第２ＬＣ共振器Ｑ２の特性変化が相殺され、総合的なフィルタ特性のばらつきを少なくすることができる。【００３７】
なお、前記第１実施例と同様に、第１及び第２インダクタパターン２１，２２の一端が接続される共通接続部２６は、必ずしも１点である必要はなく、図８に変形例として示すように、若干の長さを有し、第１及び第２インダクタパターン２１，２２の一端がオフセット状態で接続されていてもよい。【００３８】
（第３実施例、図９参照）
本発明の第３実施例であるＬＣ複合部品を図９に示す。このＬＣ複合部品３０は、図１〜図４を参照して説明した第１実施例であるＬＣ複合部品１０において、積層体３０ａの誘電体層１２に形成されるいずれもミアンダ状の形状を有する第１インダクタパターン２１及び第２インダクタパターン２２のそれぞれが偶数個（図９では４個）の湾曲部分２９を有するようにしたものである。それ以外の構成は第１実施例と同じである。よって、図９において図２に対応する部分には同じ符号を付し、重複した説明は省略する。【００３９】
第３実施例であるＬＣ複合部品（積層型バルントランス）３０にあっては、前記のように、積層体３０ａの誘電体層１２に形成される第１インダクタパターン２１及び第２インダクタパターン２２を、それぞれが偶数個の湾曲部分２９を有するように形成しているので、誘電体層１２の主面のグランド端子Ｇ１側の辺及びグランド端子Ｇ２側の辺のそれぞれに近接する、第１インダクタパターン２１の湾曲部分２９の個数と第２インダクタパターン２２の湾曲部分２９の個数がいずれも等しくなる。これにより、誘電体層１２のカットずれや積層ずれなどの加工上のばらつきによる第１ＬＣ共振器Ｑ１及び第２ＬＣ共振器Ｑ２の特性変化が相殺され、総合的なフィルタ特性のばらつきを少なくすることができる。【００４０】
（第４実施例、図１０参照）
本発明の第４実施例であるＬＣ複合部品を図１０に示す。このＬＣ複合部品４０は、図１〜図４を参照して説明した第１実施例であるＬＣ複合部品１０において、図２で説明した誘電体層１２の第１インダクタパターン２１、第２インダクタパターン２２及び第３インダクタパターン２３を２層構造としたものである。即ち、１枚の誘電体層１２に代えて２枚の誘電体層１２ａ，１２ｂを用い、これらの誘電体層１２ａ，１２ｂに、第１インダクタパターン２１、第２インダクタパターン２２及び第３インダクタパターン２３と同じパターン形状を有する、第１インダクタパターン２１ａ，２１ｂ、第２インダクタパターン２２ａ，２２ｂ及び第３インダクタパターン２３ａ，２３ｂをそれぞれ形成することにより、第１インダクタパターン２１、第２インダクタパターン２２及び第３インダクタパターン２３を２層構造とし、インダクタＬ１ａ，Ｌ１ｂ，Ｌ２ａ，Ｌ２ｂ，Ｌ３ａ，Ｌ３ｂを形成したものである。それ以外の構成は第１実施例と同じである。よって、図１０において図２に対応する部分には同じ符号を付し、重複した説明は省略する。なお、積層体には符号４０ａを付した。【００４１】
第４実施例であるＬＣ複合部品（積層型バルントランス）４０にあっては、第１実施例であるＬＣ複合部品１０が奏する効果に加えて、第１インダクタパターン２１及び第２インダクタパターン２２を２層構造としているので、第１インダクタパターン２１ａ，２１ｂ、第２インダクタパターン２２ａ，２２ｂのそれぞれを流れる電流密度が低減され、ＬＣ複合部品４０の挿入損失を低減することができる。【００４２】
（第５実施例、図１１参照）
本発明の第５実施例であるＬＣ複合部品を図１１に示す。このＬＣ複合部品５０は、図１〜図４を参照して説明した第１実施例であるＬＣ複合部品１０において、図２で説明した誘電体層１２の第１インダクタパターン２１及び第２インダクタパターン２２を一つの誘電体層１２ａに形成し、第３インダクタパターン２３を別の誘電体層１２ｂに形成するようにしたものである。第１インダクタパターン２１と第２インダクタパターン２２とは、ビアホール導体ｖｈを通じて第３インダクタパターン２３の共通接続部２６に接続している。図１１においても、図２に対応する部分には同じ符号を付し、重複した説明は省略する。なお、積層体には符号５０ａを付した。【００４３】
第５実施例であるＬＣ複合部品（積層型バルントランス）５０にあっては、第１実施例であるＬＣ複合部品１０が奏する効果に加えて、第３インダクタパターン２３を、第１インダクタパターン２１及び第２インダクタパターン２２とは別の誘電体層１２ｂに形成するようにしているので、誘電体層１２ａにおける第１インダクタパターン２１及び第２インダクタパターン２２のレイアウトのための面積が大きくなり、その設計の自由度も大きくなる。【００４４】
（第６実施例、図１２参照）
本発明の第６実施例であるＬＣ複合部品を図１２に示す。このＬＣ複合部品６０は、図１〜図４を参照して説明した第１実施例であるＬＣ複合部品１０において、第１インダクタパターン２１及び第２インダクタパターン２２をそれぞれ巻線型のものとするとともに、これら第１インダクタパターン２１及び第２インダクタパターン２２をいずれも２枚の誘電体層１２ａ，１２ｂに分割して形成するようにしたものである。【００４５】
即ち、第１インダクタパターン２１は誘電体層１２ａ，１２ｂに分割して巻線型の分割パターン２１ａ，２１ｂとして形成されており、これら分割パターン２１ａ，２１ｂはビアホール導体ｖｈ１により電気的に接続されている。同様に、第２インダクタパターン２２は誘電体層１２ａ，１２ｂに分割して巻線型の分割パターン２２ａ，２２ｂとして形成されており、これら分割パターン２２ａ，２２ｂはビアホール導体ｖｈ２により電気的に接続されている。図１２においても、図２に対応する部分には同じ符号を付し、重複した説明は省略する。なお、積層体には符号６０ａを付した。【００４６】
第６実施例であるＬＣ複合部品６０にあっては、第１インダクタパターン２１及び第２インダクタパターン２２をそれぞれ巻線型のものとし、これら第１インダクタパターン２１及び第２インダクタパターン２２をいずれも２枚の誘電体層１２ａ，１２ｂに分割して形成しているので、これら誘電体層１２ａ，１２ｂのサイズを小さくしても、第１インダクタＬ１及び第２インダクタＬ２のインダクタンス値を大きくすることができる。これにより、ＬＣ複合部品６０のさらなる小型化を図ることができる。【００４７】
（他の実施例）
本発明に係るＬＣ複合部品は前記実施例に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々の構成とすることができる。【００４８】
例えば、図１０を参照して説明した第４実施例において、３枚以上の誘電体層に第１インダクタパターン及び第２インダクタパターンが形成されていてもよい。また、図１２を参照して説明した第６実施例において、３枚以上の誘電体層にわたって１インダクタパターン及び第２インダクタパターンが分割して形成されていてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００４９】
以上のように、本発明は、高周波帯で使用されるバンドパスフィルタ、ローパスフィルタ及び／又はハイパスフィルタを含むＬＣ複合部品に有用であり、特に、設計の自由度が高い点で優れている。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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