(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体よりなる支持フレームの内側に重り部を配置し支持フレームの一部と重り部とを、支持フレームの厚み方向に可撓であって撓み量に応じた出力を発生する歪みセンサを配置した可撓部を介して一体に連結したセンサチップと、センサチップの厚み方向の表面において、内部に空間を有して重り部を覆い、可撓部周辺における支持フレーム表面との間に隙間を形成して支持フレームに固着された重り部の表面側への変位を抑制する表面キャップと、センサチップの厚み方向の裏面において、内部に空間を有して重り部を覆い支持フレームに固着された重り部の裏面側への変位を抑制する裏面キャップとを備えた半導体加速度センサに対して、少なくともセンサチップ表面における前記隙間の外側周辺部を封止する半導体加速度センサの封止方法であって、センサチップ表面における隙間の外側であって且つ隙間の外側に開口する開口面周辺に、前記表面から突出する突起を設け、前記突起を覆うように前記隙間を塞ぐだけの分量の第１の封止樹脂を塗布して前記隙間を塞いだ後、少なくともセンサチップ表面における前記隙間の外側周辺部に第２の封止樹脂を塗布して封止することを特徴とする半導体加速度センサの封止方法。
【請求項２】
第１及び第２の封止樹脂は、共に同一の材料から成ることを特徴とする請求項１記載の半導体加速度センサの封止方法。
【請求項３】
第１の封止樹脂で、隙間の外側に開口する開口面側のみを塞いだことを特徴とする請求項１又は２記載の半導体加速度センサの封止方法。
【請求項４】
隙間の外側に開口する開口面側を鉛直下向きに傾けた状態で、第１の封止樹脂を塗布して隙間を塞いだことを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の半導体加速度センサの封止方法。
【請求項５】
複数の突起を隙間の開口面に沿って配列するように設けたことを特徴とする請求項１記載の半導体加速度センサの封止方法。
【請求項６】
突起を隙間の開口面に沿って細長に形成したことを特徴とする請求項１記載の半導体加速度センサの封止方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体加速度センサの封止方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、図９及び図１０に示すように、センサチップ１０と、表面キャップ１６と、裏面キャップ１５とを備えたカンチレバー型と称する半導体加速度センサが提案されている（特開平７−１５９４３２号公報、特開２００１−６６３２０号公報参照）。この半導体加速度センサのセンサチップ１０は、半導体からなる支持フレーム１１の内側に加速度を受ける重り部１２を配置し、支持フレーム１１の内周縁と重り部１２とを、支持フレーム１１の厚み方向に可撓な可撓部１３を介して連結した形状を有する。つまり、可撓部１３は重り部１２を片持ちで支持するカンチレバーを形成している。可撓部１３は図１０に示す平面においては幅方向に２分割されており、２本の薄肉のビーム１３ａ，１３ｂによって可撓部１３が形成されている。可撓部１３を形成する各ビーム１３ａ，１３ｂの表面側（図９における上面側）にはそれぞれ歪センサとしての２個ずつのゲージ抵抗（ピエゾ抵抗効果を有する半導体ゲージ）１４が形成されている。これらの4個のゲージ抵抗１４は、それぞれ拡散抵抗により形成されて、ブリッジ回路を構成する。
【０００３】
いま、重り部１２の質量がｍであって、上述した半導体加速度センサに対してセンサチップ１０の厚み方向（図９の上下方向）の加速度αが作用したとすれば、重り部１２に作用する力Ｆは、Ｆ＝ｍαになる。この力Ｆにより可撓部１３が撓んで、ゲージ抵抗１４の抵抗値に変化が生じるのである。ゲージ抵抗１４は上述のようにブリッジ回路を構成するから、ブリッジ回路の対角位置の一方の端子間に適宜の検出用電源を接続するとともに対角位置の他方の端子間の電圧を検出し、適宜の補正を加えれば、重り部１２に作用する加速度に比例する電圧を得ることができる。このようにピエゾ抵抗効果を用いて加速度を検出するものを一般的にピエゾ抵抗型の半導体加速度センサと呼ばれている。
【０００４】
また、支持フレーム１１表面のビーム１３ａ，１３ｂ周辺部にはゲージ抵抗１４を外部の電子部品と電気的に接続するためのボンディングパッド１８が形成され、このボンディングパッド１８とゲージ抵抗１４とは、ｐ+ 拡散層により形成された配線１９で接続されている。そしてボンディングパッド１８にはＡｕやＡｌなどから成るワイヤＷの一端が接続され、このワイヤＷの他端側が外部の電子部品に接続される。
【０００５】
裏面キャップ１５は、ガラスからなって、支持フレーム１１裏面に接合され、表面キャップ１６は、裏面キャップ１５と同様にガラスからなって、支持フレーム１１表面に接合される。上述した重り部１２は裏面キャップ１５と表面キャップ１６と支持フレーム１１とにより囲まれた空間内に配置されている。裏面キャップ１５および表面キャップ１６にはセンサチップ１０を形成する半導体（シリコン）と熱膨張率がほぼ等しい耐熱ガラスを用いる。裏面キャップ１５および表面キャップ１６において重り部１２との対向面には、重り部１２を移動可能とする空間を確保するための凹所１５ａ，１６ａが形成されている。凹所１５ａ，１６ａはエッチングやサンドブラスト加工のような技術を用いて形成される。すなわち、重り部１２は裏面キャップ１５と表面キャップ１６とにより囲まれた空間内に配置され、かつ支持フレーム１１と重り部１２との間の隙間は比較的狭いから、裏面キャップ１５および表面キャップ１６とに囲まれた空間内を大気圧としておくことによって、重り部１２に比較的大きい加速度が作用してもエアダンピングの効果が得られて、可撓部１３に作用する荷重を抑制することができる。つまり、重り部１２が裏面キャップ１５や表面キャップ１６に衝突したり、可撓部１３の撓み量が過大になるなどによるセンサチップ１０の破損の可能性を低減している。
【０００６】
ここで、半導体加速度センサとして所望の周波数特性（つまり、応答特性）が得られるようにエアダンピングの効果による減衰特性を設定すると、裏面キャップ１５や表面キャップ１６に形成される凹所１５ａ，１６ａの深さ、形状などが減衰特性によって決定されることになる。したがって、凹所１５ａ，１６ａが深くなってセンサチップ１０に許容された最大加速度が重り部１２に作用したときに、重り部１２の移動範囲を凹所１５ａ，１６ａの底面で規制することができなくなる場合がある。そこで、凹所１５ａ，１６ａの底面に位置規制用のストッパ１５ｂ，１６ｂを突設し、センサチップ１０に許容された最大加速度が重り部１２に作用したときに重り部１２がストッパ１５ｂ，１６ｂに当接することによって、重り部１２の移動範囲を規制することが考えられている。
【０００７】
例えば、表面キャップ１６のストッパ１６ｂは、図１１に示すように、ビーム１３ａ，１３ｂの延長方向と略垂直な方向に沿うように細長く、距離をあけて２つ形成される。また、凹所１６ａの深さは数十［μｍ］であって、ストッパ１６ｂの凹所１６ａ底面からの高さは、前記凹所１６ａの深さに対して数〜１０［μｍ］だけ低くしている。
【０００８】
ところで、支持フレーム１１と表面キャップ１６とを接合するために、支持フレーム１１の表面におけるビーム１３ａ，１３ｂの延長方向に沿った両周縁部には、膜厚１〜２［μｍ］のアルミニウム薄膜１７がそれぞれ各周縁に沿って形成されている。支持フレーム１１と表面キャップ１６とはアルミニウム薄膜１７を介して陽極接合により接合される。このように、表面キャップ１６を支持フレーム１１の両周縁部のみにアルミニウム薄膜１７を介して接合し、ビーム１３ａ，１３ｂの延長方向の両端側を開放させていることにより、表面キャップ１６を支持フレーム１１の重り部１２周囲を囲んだ部位に接合する場合と比べて、接合時の歪みを大幅に緩和している。
【０００９】
特に、ビーム１３ａ，１３ｂ周辺における支持フレーム１１表面と表面キャップ１６周縁との間には、アルミニウム薄膜１７の膜厚分だけ開いた隙間１が形成されているため、前記接合時の歪みによる応力がビーム１３ａ，１３ｂに伝達し難く、オフセット電圧特性等が改善されている。なお、裏面キャップ１５も陽極接合により接合される。
【００１０】
ところで、上述のような半導体加速度センサは、少なくとも隙間１の外側周辺におけるセンサチップ１０表面の配線１９及びボンディングパッド１８と、ワイヤＷとが覆われるように、例えばシリコーン樹脂からなるＪＣＲ（ジャンクションコートレジン）（以下「封止樹脂」という）３０により封止される。
【００１１】
ここで従来の封止方法では、隙間１の外側周辺に、ボンディングパッド１８やワイヤＷなどが覆われるように一度に封止樹脂３０を塗布し、熱処理等のキュアを行って封止樹脂３０を硬化させていた。そして、封止樹脂３０が硬化すると、封止樹脂３０は弾性を有するので、振動や衝撃によるストレスを低減し、ワイヤＷの垂れや断線を防止するのである。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の封止方法では、隙間１の外側周辺に一度に封止樹脂３０を塗布すると、浸透圧により隙間１に侵入した封止樹脂３０が、外側にある封止樹脂３０に押されて隙間１からさらに表面キャップ１５内部に侵入して、センサチップ１０のビーム１３ａ，１３ｂ表面まで流れ込むことがあり、その結果、ビーム１３ａ，１３ｂの動きが悪くなり、半導体加速度センサの感度特性や周波数特性などに悪影響を与えてしまうといった問題があった。
【００１３】
なお、表面キャップ１６のボンディングパッド１８側では、支持フレーム１１側に向って垂下した垂下部１６ｃが、封止樹脂３０の表面キャップ１５内側への侵入を防いでいるが、十分に防ぐことができなかった。また、封止樹脂３０がビーム１３ａ，１３ｂの近くに流れ込んだだけでも、半導体加速度センサの感度温度特性やオフセット温度特性などが劣化してしまい、品質が低下してしまうのである。
【００１４】
本発明は上記問題点の解決を目的とするものであり、表面キャップ内部への封止樹脂の侵入を防いで半導体加速度センサの品質向上を図った半導体加速度センサの封止方法を提供する。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、請求項１の発明は、半導体よりなる支持フレームの内側に重り部を配置し支持フレームの一部と重り部とを、支持フレームの厚み方向に可撓であって撓み量に応じた出力を発生する歪みセンサを配置した可撓部を介して一体に連結したセンサチップと、センサチップの厚み方向の表面において、内部に空間を有して重り部を覆い、可撓部周辺における支持フレーム表面との間に隙間を形成して支持フレームに固着された重り部の表面側への変位を抑制する表面キャップと、センサチップの厚み方向の裏面において、内部に空間を有して重り部を覆い支持フレームに固着された重り部の裏面側への変位を抑制する裏面キャップとを備えた半導体加速度センサに対して、少なくともセンサチップ表面における前記隙間の外側周辺部を封止する半導体加速度センサの封止方法であって、センサチップ表面における隙間の外側であって且つ隙間の外側に開口する開口面周辺に、前記表面から突出する突起を設け、前記突起を覆うように前記隙間を塞ぐだけの分量の第１の封止樹脂を塗布して前記隙間を塞いだ後、少なくともセンサチップ表面における前記隙間の外側周辺部に第２の封止樹脂を塗布して封止することを特徴とし、先に第１の封止樹脂を塗布したときには、第１の封止樹脂が隙間を塞ぐだけの分量しかないため、第１の封止樹脂が隙間を介して表面キャップ内部に侵入し難く、また、第１の封止樹脂で隙間を塞いだ後に、第２の封止樹脂を塗布したときには、第１の封止樹脂が隙間を塞いでいることによって、第２の封止樹脂が隙間を介して表面キャップ内部に侵入することがなく、その結果、第１及び第２の封止樹脂の表面キャップ内部への侵入を防いで半導体加速度センサを封止することができ、従来例のように封止樹脂が表面キャップ内部に侵入して品質を低下させてしまうことがなく、半導体加速度センサの品質向上を図ることができる。また、前記突起を覆うように第１の封止樹脂を塗布することによって、第１の封止樹脂の粘性により第１の封止樹脂が前記突起から広がって流れるのを抑えることができ、第１の封止樹脂の表面キャップ内部への侵入をさらに防ぐことができる。
【００１６】
請求項２の発明は、請求項１の発明において、第１及び第２の封止樹脂は、共に同一の材料から成ることを特徴とし、例えば第１及び第２の封止樹脂のぞれぞれに互いに異なる材料の樹脂を用いたときには、樹脂の物性の違いによって歪みや剥がれが発生することがあるが、第１及び第２の封止樹脂が共に同一の材料から成ることによって、前記歪みや剥がれの発生を防ぐことができる。
【００１７】
請求項３の発明は、請求項１又は２の発明において、第１の封止樹脂で、隙間の外側に開口する開口面側のみを塞いだことを特徴とし、隙間の前記開口面側のみを塞いだことによって、第１の封止樹脂を隙間に満たして隙間を塞いだ場合と比べて、第１の封止樹脂の例えば熱膨張などによる応力を可撓部側に伝達し難くすることができ、半導体加速度センサの例えばオフセット電圧の温度特性等の変動を抑えることができる。
【００１８】
請求項４の発明は、請求項１〜３の何れかの発明において、隙間の外側に開口する開口面側を鉛直下向きに傾けた状態で、第１の封止樹脂を塗布して隙間を塞いだことを特徴とし、前記開口面側を鉛直下向きに傾けた状態で第１の封止樹脂を塗布することによって、第１の封止樹脂の表面キャップ１６内部への侵入をさらに防ぐことができる。
【００１９】
請求項５の発明は、請求項１の発明において、複数の突起を隙間の開口面に沿って配列するように設けたことを特徴とし、請求項１の発明と同様の作用を奏する。
【００２０】
請求項６の発明は、請求項１の発明において、突起を隙間の開口面に沿って細長に形成したことを特徴とし、請求項１の発明と同様の作用を奏する。
【００２１】
【発明の実施の形態】
（参考例１）
本参考例では、図１（ａ），（ｂ）に示すように、第１の封止樹脂２ａを塗布して前記隙間１を塞いだ後、隙間１の外側周辺を第２の封止樹脂２ｂで封止することに特徴がある。
【００２２】
まず、表面キャップ１６の垂下部１６ｃにおける隙間１近傍に、第１の封止樹脂２ａを、隙間１に満たしてこれを塞ぐ分量だけ塗布する。第１の封止樹脂２ａは、例えばシリコーンからなるゲル状の樹脂であって、比較的少量の樹脂を塗布することが可能なディスペンサや転写により塗布される。そして塗布された第１の封止樹脂２ａは、図１（ａ）に示すように、浸透圧により垂下部１６ｃにおける支持フレーム１１に略対向する面側、つまり隙間１に入り込んで、隙間１に満たされた状態で隙間１を塞ぐのである。このとき、第１の封止樹脂２ａは、隙間１を塞ぐだけの分量しかなく、少量であるため、従来例のように隙間１に入り込んだ封止樹脂３０が隙間１外側にある封止樹脂３０からの圧力により表面キャップ１６内部に押し込まれることがないのである。
【００２３】
そして、第１の封止樹脂２ａに加熱硬化型の樹脂を用いたときには、例えば約１２０〜１５０［℃］に加熱して第１の封止樹脂２ａを硬化させる。
【００２４】
第１の封止樹脂２ａが硬化した後、図１（ｂ）に示すように、センサチップ１０表面の配線１９及びボンディングパッド１８と、ワイヤＷとが覆われるように、第１の封止樹脂２ａと同一の材料からなる第２の封止樹脂２ｂを、隙間１の外側周辺に塗布する。このとき、第１の封止樹脂２ａは第２の封止樹脂２ｂに対するダム（防液堤）となって、第２の封止樹脂２ｂの表面キャップ１６内部への侵入が防止される。
【００２５】
そして、第１及び第２の封止樹脂２ａに、加熱硬化型の樹脂を用いたときは、第１の封止樹脂２ａを硬化させるときの加熱温度と略同じ温度で、第２の封止樹脂２ｂを加熱し硬化させて、隙間１の外側周辺を封止する。
【００２６】
これにより本参考例では、表面キャップ１６内部への第１及び第２の封止樹脂２ａ，２ｂの侵入を防止することができ、従来例のように封止樹脂３０が表面キャップ３０内部に侵入してビーム１３ａ，１３ｂの表面まで流れ込むことによって半導体加速度センサの品質を低下させてしまうことがなく、品質向上を図ることができる。
【００２７】
また、例えば第１及び第２の封止樹脂２ａ，２ｂのぞれぞれに互いに異なる材料の樹脂を用いたときには、樹脂２ａ，２ｂにおける熱膨張率、弾性率、延び率、剛性率、粘性等の物性の違いによって歪みや剥がれ、クラック等が発生することがあるが、本参考例では、上述のように第１及び第２の封止樹脂２ａ，２ｂに同一材料の樹脂を用いたことによって、上記歪みや剥がれ等の発生を防ぐことができる。
【００２８】
さらに、第１及び第２の封止樹脂２ａ，２ｂに加熱硬化型の樹脂を用いたときには、第１及び第２の封止樹脂２ａ，２ｂが共に同じ材料から成っていても、硬化させるときの加熱温度を互いに異ならせた場合には、硬化したときの硬さや粘度が互いに異なってしまうが、本参考例では、加熱温度を略同じ温度としたことによって、第１及び第２の封止樹脂２ａ，２ｂで互いに硬化したときの硬さや粘度を略等しくすることができ、上述のような歪みや剥がれの発生をさらに防ぐことができる。また、第１の封止樹脂２ａは、第２の封止樹脂２ｂと比べて塗布量が少ないため、第１の封止樹脂２ａの硬化時間を第２の封止樹脂２ｂの硬化時間よりも短くしても良い。
（参考例２）
本参考例における基本な封止方法は参考例１と共通するために共通する部分については説明を省略し、本参考例の特徴となる部分についてのみ詳細に説明する。
【００２９】
本参考例では、図２に示すように、第１の封止樹脂２ａを塗布するとき、第１の封止樹脂２ａの分量を少なくすることで、隙間１の外側に開口する開口面側のみを第１の封止樹脂２ａで塞ぐことに特徴がある。
【００３０】
これにより、参考例１と比べて第１の封止樹脂２ａとセンサチップ１０表面との接触面積が小さくなるため、表面キャップ１６からセンサチップ１０に伝わる応力を低減することができる。さらに、第１の封止樹脂２ａとビーム１３ａ，１３ｂとの距離が、参考例１と比べて長くなるため、第１の封止樹脂２ａの熱膨張などによる応力をビーム１３ａ，１３ｂへ伝達し難くすることができ、半導体加速度センサの例えばオフセット電圧の温度特性等の変動を抑えることができる。
【００３１】
また本参考例では、第１の封止樹脂２ａを塗布するとき、図３に示すように、例えば机などに設置したときに上面が水平方向に対して傾く傾斜台Ａを用いても良い。
【００３２】
この傾斜台Ａを用いるときには、表面キャップ１６及び裏面キャップ１５が接合されたセンサチップ１０を、傾斜台Ａ上面に裏面キャップ１５が略対向して、隙間１の外側に開口する開口面側が鉛直下向きに傾くように配置する。このような状態で、第１の封止樹脂２ａを塗布して隙間１を塞ぐのである。
【００３３】
これにより、第１の封止樹脂２ａを塗布したときには、第１の封止樹脂２ａは自重によって隙間１から表面キャップ１６内部に入り込み難くなり、さらに品質向上を図ることができる。
（実施形態１）
本実施形態における基本的な封止方法は参考例１又は２と共通するために共通する部分については説明を省略し、本実施形態の特徴となる部分についてのみ詳細に説明する。
【００３４】
本実施形態では、図４及び図５に示すように、センサチップ１０表面における隙間１の外側に開口する開口面周辺に、前記表面から突出する複数の突起３を設け、この複数の突起３を覆うように第１の封止樹脂２ａを塗布して隙間１を塞ぐ点に特徴がある。
【００３５】
複数の突起３は、それぞれ例えばアルミニウム層や、感光性耐熱材料であるポリイミド層（耐熱温度、約４００℃）、ガラス薄膜などから成り、隙間１の開口面に沿って略等間隔に距離をあけて配列するように設けられている。
【００３６】
そして、第１の封止樹脂２ａを塗布するときには、複数の突起３を覆って隙間１の開口面を塞ぐように帯状に塗布する。そして第１の封止樹脂をキュアして硬化させる。
【００３７】
本実施形態では、上述のように第１の封止樹脂２ａを塗布すると、第１の封止樹脂２ａは粘性によって複数の突起３から広がって流れ難く、隙間１から表面キャップ１６内部への第１の封止樹脂２ａの侵入をさらに防ぐことができるのである。
【００３８】
ところで本実施形態では、複数の突起３を設けたが、図６に示すように、隙間１の開口面に沿って細長の突起３ａを設けても良い。
【００３９】
また参考例１及び２ならびに本実施形態では、カンチレバー型の半導体加速度センサに対する封止方法について説明したが、半導体加速度センサはカンチレバー型以外の他の型の半導体加速度センサであっても良い。
【００４０】
例えば、図７に示すように、２つの可撓部１３で重り部１２を両側から支持するようにセンサチップ１０が構成された所謂２軸半導体加速度センサであっても良い。この２軸半導体加速度センサは、センサチップ１０の表裏方向と、２つの可撓部１３の配列方向との２方向の加速度を検出する。２つの可撓部１３周辺において支持フレーム１１表面と、図示しない表面キャップとの間には隙間が形成されているが、参考例１及び２ならびに本実施形態の封止方法を適用することにより、封止樹脂が前記隙間を介して表面キャップ内部に侵入するのを防ぐことができるのである。
【００４１】
また例えば、図８に示すように、４つの可撓部１３で重り部１２を四方から支持するようにセンサチップ１０が構成された所謂３軸半導体加速度センサであっても良い。この３軸半導体加速度センサは、センサチップ１０の表裏方向と、重り部１２を間に挟む一対二組の可撓部１３における各組毎の可撓部１３の配列方向との３方向の加速度を検出する。４つの可撓部１３周辺において支持フレーム１１表面と、図示しない表面キャップとの間には隙間が形成されているが、参考例１及び２ならびに本実施形態の封止方法を適用することにより、封止樹脂が前記隙間を介して表面キャップ内部に侵入するのを防ぐことができるのである。
【００４２】
【発明の効果】
請求項１の発明は、半導体よりなる支持フレームの内側に重り部を配置し支持フレームの一部と重り部とを、支持フレームの厚み方向に可撓であって撓み量に応じた出力を発生する歪みセンサを配置した可撓部を介して一体に連結したセンサチップと、センサチップの厚み方向の表面において、内部に空間を有して重り部を覆い、可撓部周辺における支持フレーム表面との間に隙間を形成して支持フレームに固着された重り部の表面側への変位を抑制する表面キャップと、センサチップの厚み方向の裏面において、内部に空間を有して重り部を覆い支持フレームに固着された重り部の裏面側への変位を抑制する裏面キャップとを備えた半導体加速度センサに対して、少なくともセンサチップ表面における前記隙間の外側周辺部を封止する半導体加速度センサの封止方法であって、センサチップ表面における隙間の外側であって且つ隙間の外側に開口する開口面周辺に、前記表面から突出する突起を設け、前記突起を覆うように前記隙間を塞ぐだけの分量の第１の封止樹脂を塗布して前記隙間を塞いだ後、少なくともセンサチップ表面における前記隙間の外側周辺部に第２の封止樹脂を塗布して封止するので、先に第１の封止樹脂を塗布したときには、第１の封止樹脂が隙間を塞ぐだけの分量しかないため、第１の封止樹脂が隙間を介して表面キャップ内部に侵入し難く、また、第１の封止樹脂で隙間を塞いだ後に、第２の封止樹脂を塗布したときには、第１の封止樹脂が隙間を塞いでいることによって、第２の封止樹脂が隙間を介して表面キャップ内部に侵入することがなく、その結果、第１及び第２の封止樹脂の表面キャップ内部への侵入を防いで半導体加速度センサを封止することができ、従来例のように封止樹脂が表面キャップ内部に侵入して品質を低下させてしまうことがなく、半導体加速度センサの品質向上を図ることができるという効果がある。また、前記突起を覆うように第１の封止樹脂を塗布して塞ぐので、第１の封止樹脂の粘性により第１の封止樹脂が前記突起から広がって流れるのを抑えることができ、第１の封止樹脂の表面キャップ内部への侵入をさらに防ぐことができるという効果がある。
【００４３】
請求項２の発明は、第１及び第２の封止樹脂は、共に同一の材料から成るので、例えば第１及び第２の封止樹脂のぞれぞれに互いに異なる材料の樹脂を用いたときには、樹脂の物性の違いによって歪みや剥がれが発生することがあるが、第１及び第２の封止樹脂が共に同一の材料から成ることによって、前記歪みや剥がれの発生を防ぐことができるという効果がある。
【００４４】
請求項３の発明は、第１の封止樹脂で、隙間の外側に開口する開口面側のみを塞いだので、第１の封止樹脂を隙間に満たして隙間を塞いだ場合と比べて、第１の封止樹脂の例えば熱膨張などによる応力を可撓部側に伝達し難くすることができ、半導体加速度センサの例えばオフセット電圧の温度特性等の変動を抑えることができるという効果がある。
【００４５】
請求項４の発明は、隙間の外側に開口する開口面側を鉛直下向きに傾けた状態で、第１の封止樹脂を塗布して隙間を塞いだので、第１の封止樹脂の表面キャップ１６内部への侵入をさらに防ぐことができるという効果がある。
【００４６】
請求項５の発明は、請求項１の発明において、複数の突起を隙間の開口面に沿って配列するように設けたので、請求項１の発明と同様の効果を奏する。
【００４７】
請求項６の発明は、突起を隙間の開口面に沿って細長に形成したので、請求項１の発明と同様の効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】  （ａ），（ｂ）は参考例１を説明するための半導体加速度センサの側面断面図である。
【図２】  参考例２を説明するための半導体加速度センサの側面断面図である。
【図３】  同上の他の例を説明するための半導体加速度センサの側面断面図である。
【図４】  実施形態１を説明するための半導体加速度センサの側面断面図である。
【図５】  同上の半導体加速度センサの上面図である。
【図６】  同上の他の例を示す半導体加速度センサの上面図である。
【図７】  ２軸半導体加速度センサのセンサチップの上面図である。
【図８】  ３軸半導体加速度センサのセンサチップの上面図である。
【図９】  従来例を説明するための半導体加速度センサの側面断面図である。
【図１０】  同上の半導体加速度センサのセンサチップの上面図である。
【図１１】  同上の半導体加速度センサの表面キャップの下面図である。
【符号の説明】
１  隙間
２ａ  第１の封止樹脂
２ｂ  第２の封止樹脂
１０  センサチップ
１１  支持フレーム
１２  重り部
１３ａ，１３ｂ  ビーム
１５  裏面キャップ
１６  表面キャップ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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