(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターニングデバイスから基板上にパターンを転写するように構成されたリソグラフィ装置であって、
前記リソグラフィ装置は、前記基板中の２つの基準回折格子および前記基準回折格子上の２つの測定回折格子を設けるように構成され、前記２つの測定回折格子は、一方の前記測定回折格子が前記基準回折格子に対して単一方向で一の向きの偏りを有し、他方の前記測定回折格子が前記基準回折格子に対して前記単一方向で前記一の向きとは反対向きの他の向きの偏りを有しており、
前記リソグラフィ装置は、オーバーレイ測定デバイスを備え、当該オーバーレイ測定デバイスが、前記２つの測定回折格子の各々の測定スポットのピクセルデータを得るためのイメージセンサを備え、さらに、Ａ＋が＋ｄの前記偏りを有する測定回折格子の非対称測定であり、Ａ−が−ｄの前記偏りを有する測定回折格子の非対称測定であり、Ｋがプロセスに依存した値であり、ＯＶが前記オーバーレイ値であり、ｄが前記偏りの距離であり、Ａ＋＝Ｋ（ＯＶ＋ｄ）およびＡ−＝Ｋ（ＯＶ−ｄ）で定義される、前記２つの測定回折格子の非対称をそれぞれ測定し、該測定された前記２つの測定回折格子の非対称からオーバーレイ値を決定するように構成されている、リソグラフィ装置。
【請求項２】
前記偏りが距離ｄにわたるシフトを備え、ｄが前記回折格子の周期よりも小さい、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項３】
前記品質インディケータが、前記ピクセル非対称測定の統計的なパラメータ値を備える、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項４】
前記測定スポットが、前記基準回折格子の全面積と一致するように整えられている、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項５】
前記品質インディケータが、基板上の複数の測定スポットのために決定される、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項６】
前記オーバーレイ測定デバイスが、前記回折格子の反射スペクトルから非対称を測定するためのスキャトロメータを備える、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項７】
パターニングデバイスから基板上にパターンを転写するステップを備えるデバイス製造方法であって、
前記基板中の２つの基準回折格子および前記基準回折格子上の２つの測定回折格子を設けるステップであって、前記２つの測定回折格子は、一方の前記測定回折格子が前記基準回折格子に対して単一方向で一の向きの偏りを有し、他方の前記測定回折格子が前記基準回折格子に対して前記単一方向で前記一の向きとは反対向きの他の向きの偏りを有する、ステップと
前記２つの測定回折格子構造の各々の測定スポットのピクセルデータを得るステップと、
Ａ＋が＋ｄの前記偏りを有する測定回折格子の非対称測定であり、Ａ−が−ｄの前記偏りを有する測定回折格子の非対称測定であり、Ｋがプロセスに依存した値であり、ＯＶが前記オーバーレイ値であり、ｄが前記偏りの距離であり、Ａ＋＝Ｋ（ＯＶ＋ｄ）およびＡ−＝Ｋ（ＯＶ−ｄ）で定義される、前記２つの測定回折格子の非対称をそれぞれ測定するステップと、
該測定された前記２つの測定回折格子の非対称から、オーバーレイ値を決定するステップと、を備えるデバイス製造方法。
【請求項８】
前記逆の偏りが距離ｄにわたるシフトを備え、ｄが前記回折格子の周期よりも小さい、請求項７に記載のデバイス製造方法。
【請求項９】
前記品質インディケータが、前記ピクセル非対称測定の統計的なパラメータ値を備える、請求項７に記載のデバイス製造方法。
【請求項１０】
前記測定スポットが、前記基準回折格子の全面積と一致している、請求項７に記載のデバイス製造方法。
【請求項１１】
前記品質インディケータが、前記基板上の複数の測定スポットのために決定される、請求項７に記載のデバイス製造方法。
【請求項１２】
前記非対称が、スキャトロメータを使用して前記回折格子の反射スペクトルから測定される、請求項７に記載のデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、オーバーレイが測定されるデバイスを製造するためのリソグラフィ装置および方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
リソグラフィ装置は、基板に、通常は基板のターゲット部分に、所望のパターンを付ける機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造で使用することができる。そのような例では、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層に形成されるべき回路パターンを生成することができる。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）のターゲット部分（例えば、１つまたはいくつかのダイの部分を含む）に転写することができる。パターンの転写は、一般に、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）の層へのイメージングによっている。一般に、単一基板は、連続してパターニングされる隣り合うターゲット部分のネットワークを含む。知られているリソグラフィ装置には、各ターゲット部分に光が当てられてターゲット部分に全パターンが一度に露光されるステッパと、各ターゲット部分に光が当てられて放射ビームによってパターンが所定の方向（「スキャン」方向）にスキャンされ、同時に同期してこの方向に対して平行または反平行に基板がスキャンされるスキャナとがある。パターンを基板にインプリントすることによって、パターニングデバイスから基板にパターンを転写することもできる。
【０００３】
リソグラフィ投影装置を使用する製造プロセスでは、（例えば、マスクの）パターンの像は、放射感応性材料（レジスト）の層で少なくとも部分的に覆われた基板の上に、このレジストの光学的特性または表面の物理的特性のどちらかの変化によって形成される。代わりに、イメージングで、格子エッチング技術またはナノインプリント技術のようなレジストのないプロセスを使用することができる。このイメージングより前に、基板は、下塗、レジストコーティング、およびソフトベークなどの様々な手順にかけられることがある。露光後、基板は、露光後ベーク（ＰＥＢ）、現像、ハードベーク、および像に形成された特徴の測定／インスペクションなどの他の手順にかけられることがある。この手順の配列は、デバイス例えばＩＣの個々の層をパターニングするための基礎として使用される。そのようなパターニングされた層は、次に、エッチング、イオン打込み（ドーピング）、金属化、酸化、化学機械研磨、その他のような、全て個々の層を仕上げるように意図された様々なプロセスにかけられることがある。いくつかの層が必要とされる場合には、全手順またはその変形が、新しい層ごとに繰り返されなければならない。最終的には、基板（ウェーハ）上に、デバイスのアレイが存在する。これらのデバイスは、次に、ダイシングまたは鋸引きのような技術によって互いに分離され、個々のデバイスは、キャリアに取り付け、ピンに接続し、その他を行うことができる。
【０００４】
製造基板の通常の処理の中で行われるのでインライン(in-line)と呼ばれるレジストの現像後（または、エッチングの場合の基板表面）測定およびインスペクションは、デバイス間のスクライブレーン(scribe lane)にある測定ターゲットを使用してリソグラフィ装置の２つの連続したプロセス間のオーバーレイを測定するために、使用することができる。いくつかの方法を使用することができ、その方法には、基板表面の２つの（垂直）方向での引き続くオーバーレイの測定、または複雑な２次元測定ターゲットを使用する直接測定が含まれ得る。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
測定方法が、測定されたオーバーレイの定量的な値のほかに、測定の品質または信頼性の表示も与えるリソグラフィ装置のオーバーレイ測定方法を提供することが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の実施形態に従って、パターニングデバイスから基板にパターンを転写するように構成されたリソグラフィ装置が提供され、本リソグラフィ装置は、基板の中の２つの基準回折格子およびこれらの基準回折格子の上の２つの測定回折格子を設けるように構成されており、測定回折格子は、基準回折格子に似ており、かつ単一方向でそれぞれの基準回折格子に対して逆に偏っており、さらに、リソグラフィ装置はオーバーレイ測定デバイスを含み、このオーバーレイ測定デバイスは、２つの測定回折格子の各々の測定スポットのピクセルデータを得るためのイメージセンサを含み、さらに、測定スポットの各ピクセルの非対称を測定し、かつ２つの測定回折格子の各々の関連したピクセルのピクセル非対称測定からオーバーレイ値およびプロセスに依存した値、ならびにオーバーレイ値およびプロセスに依存した値の品質インディケータを決定するように構成されている。
【０００７】
本発明の実施形態に従って、パターニングデバイスから基板にパターンを転写するステップを含むデバイス製造方法が提供され、本方法は、基板中の２つの基準回折格子およびこれらの基準回折格子の上の２つの測定回折格子を設けるステップであって、測定回折格子は、基準回折格子に似ており、かつ単一方向でそれぞれの基準回折格子に対して逆に偏っている、ステップと、２つの測定回折格子の各々の測定スポットのピクセルデータを得るステップと、測定スポットの各ピクセルの非対称を測定するステップと、２つの測定回折格子の各々の関連したピクセルのピクセル非対称測定から、オーバーレイ値およびプロセスに依存した値、ならびにオーバーレイ値およびプロセスに依存した値の品質インディケータを決定するステップと、を含む。
【０００８】
本発明の実施形態に従って、本発明の方法の実施形態に従って製造されたデバイスが提供される。
【０００９】
本発明の実施形態は、これから、単なる例として、添付の模式的な図面を参照して説明される。図面において、対応する参照符号は、対応する部分を指し示す。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
図１は、本発明の一実施形態に従ったリソグラフィ装置を模式的に示す。本装置は、放射ビームＢ（例えば、ＵＶ放射またはＤＵＶ放射）を条件付けするように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬを含む。支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴは、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構成され、かつ特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置付けするように構成された第１のポジショナＰＭに接続されている。基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴは、基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、かつ特定のパラメータに従って基板を正確に位置付けするように構成された第２のポジショナＰＷに接続されている。投影システム（例えば、屈折投影レンズシステム）ＰＳは、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つまたは複数のダイを含む）に投影するように構成されている。
【００１１】
照明システムは、放射の方向付け、整形、および／または制御を行うために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型または他のタイプの光学コンポーネント、またはそれらの任意の組合せなどの様々なタイプの光学コンポーネントを含むことができる。
【００１２】
支持構造は、パターニングデバイスを、たとえばその重さを支え、支持する。支持構造は、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、および、例えばパターニングデバイスが真空環境中に保持されるか否かなどの他の条件に依存する方法で、パターニングデバイスを保持する。支持構造は、機械技術、真空技術、静電技術または他のクランプ技術を使用して、パターニングデバイスを保持することができる。支持構造は、例えばフレームまたはテーブルであってもよく、これは、必要に応じて固定または可動にすることができる。支持構造は、パターニングデバイスが、例えば投影システムに対して、所望の位置にあることを保証することができる。本明細書での「レチクル」または「マスク」という用語の使用はどれも、より一般的な用語「パターニングデバイス」と同義であると考えることができる。
【００１３】
本明細書で使用される「パターニングデバイス」という用語は、例えば基板のターゲット部分にパターンを作るために、パターンを放射ビームの断面に与えるために使用することができる任意のデバイスを意味するものとして、広く解釈すべきである。例えばパターンが位相シフト用の特徴またはいわゆるアシスト特徴を含む場合、放射ビームに与えられたパターンはが基板のターゲット部分の所望のパターンに必ずしも対応していないことは、留意すべきである。一般に、放射ビームに与えられたパターンは、集積回路などのターゲット部分に作られているデバイスの特定の機能層に対応している。
【００１４】
パターニングデバイスは透過型または反射型とすることができる。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィではよく知られており、マスクには、２値、Alternating位相シフト、および減衰位相シフトのようなマスクのタイプ、ならびに様々なハイブリッドマスクタイプがある。プログラマブルミラーアレイの例は、小さなミラーのマトリックス配列を使用し、この小さなミラーの各々は、入射放射ビームを様々な方向に反射するように個々に傾けることができる。傾いたミラーが、ミラーマトリックスで反射された放射ビームにパターンを与える。
【００１５】
本明細書で使用される「投影システム」という用語は、使用される露光放射のために、または、液浸液の使用または真空の使用のような他の要素のために適切であるような、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型および静電型の光学システム、またはそれらの任意の組合せを含んだ任意のタイプの投影システムを含むものとして広く解釈すべきである。本明細書での「投影レンズ」という用語の使用はどれも、より一般的な用語「投影システム」と同義であると考えることができる。
【００１６】
ここで示すように、本装置は透過型である（例えば、透過マスクを使用する）。代わりに、本装置は反射型であってもよい（例えば、先に言及したような型のプログラマブルミラーアレイを使用するか、または反射マスクを使用する）。
【００１７】
リソグラフィ装置は、２個（デュアルステージ）またはより多くの基板テーブル（および／または２個以上のマスクテーブル）を有する型であってもよい。そのような「マルチステージ」機械では、追加のテーブルは並列に使用することができ、または、１つまたは複数のテーブルが露光に使用されている間に、準備プロセスを１つまた複数の他のテーブルで行うことができる。
【００１８】
また、リソグラフィ装置は、投影システムと基板の間のスペースを満たすために、基板の少なくとも部分を比較的高い屈折率を有する液体、例えば水で覆うことができるタイプのものであってもよい。液浸液はまた、リソグラフィ装置の他のスペース、例えばマスクと投影システムの間に使用することができる。液浸技術は、投影システムの開口数を増すために当技術分野でよく知られている。本明細書で使用されるような用語「液浸」は、基板などの構造物が液体中に浸されなければならないことを意味するのではなく、むしろ露光中に、投影システムと基板との間に液体があることを意味するだけである。
【００１９】
図１を参照して、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射を受け取る。例えば、放射源がエキシマレーザであるとき、放射源およびリソグラフィ装置は別個の構成とすることができる。そのような場合、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成していると考えられず、放射は、例えば適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含んだビームデリバリシステムＢＤを使用して、放射源ＳＯからイルミネータＩＬに送られる。他の場合、例えば放射源が水銀ランプであるとき、放射源はリソグラフィ装置の一体化部分とすることができる。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要な場合にはビームデリバリシステムＢＤと一緒にして、放射システムと呼ばれることがある。
【００２０】
イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調整するアジャスタＡＤを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（通常、σ-outer、σ-innerとそれぞれ呼ばれる）を調整することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯのなどの様々な他の部品を含むことができる。イルミネータを使用して、断面内に所望の一様性および強度分布を持つように放射ビームを条件付けすることができる。
【００２１】
放射ビームＢは、支持構造（例えば、マスクテーブルＭＴ）に保持されているパターニングデバイス（例えば、マスクＭＡ）に入射し、そしてパターニングデバイスによってパターニングされる。マスクＭＡを通り抜けた放射ビームＢは、投影システムＰＳを通過する。この投影システムＰＳは、ビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃに集束させる。第２のポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ（例えば、干渉デバイス、リニアエンコーダ、または容量センサ）を使って、例えば放射ビームＢの経路内に異なったターゲット部分Ｃを位置付けするように、基板テーブルＷＴを正確に移動させることができる。同様に、第１のポジショナＰＭおよび他の位置センサ（図１にはっきり示されていない）を使用して、例えばマスクライブラリから機械的に取り出した後で、またはスキャン中に、放射ビームＢの経路に対してマスクＭＡを正確に位置付けすることができる。一般に、マスクテーブルＭＴの移動は、第１のポジショナＰＭの部分を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を使って実現することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２のポジショナＰＷの部分を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使用して実現することができる。ステッパ（スキャナに対して）の場合は、マスクテーブルＭＴは、ショートストローク用アクチュエータだけに接続することができ、または、固定することができる。マスクＭＡと基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２および基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合せすることができる。図示のように基板アライメントマークは専用のターゲット部分を占めるが、この専用ターゲット部分は、ターゲット部分とターゲット部分の間のスペースに位置付けすることができる（この専用ターゲット部分はスクライブレーンアライメントマーク(scribe lane alignment mark)として知られている）。同様に、２以上のダイがマスクＭＡに設けられた状況では、マスクアライメントマークはダイとダイの間に位置付けすることができる。
【００２２】
図示の装置は、下記のモードのうちの少なくとも１つで使用されるかもしれない。
１．ステップモードでは、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴは基本的に静止状態に保たれるが、一方で、放射ビームに与えられた全パターンは一度にターゲット部分Ｃに投影される（すなわち、単一静的露光）。次に、異なるターゲット部分Ｃが露光されるように、基板テーブルＷＴはＸ方向および／またはＹ方向にシフトされる。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で像が形成されるターゲット部分Ｃのサイズが制限される。
２．スキャンモードでは、放射ビームに与えられたパターンがターゲット部分Ｃに投影されている間に、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴは同期してスキャンされる（すなわち、単一動的露光）。マスクテーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）および像反転特性によって決定することができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光でのターゲット部分の（非スキャン方向の）幅が制限されるが、スキャン移動の長さによってターゲット部分の（スキャン方向の）高さが決定される。
３．他のモードでは、マスクテーブルＭＴは、プログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に保たれ、そして基板テーブルＷＴは、放射ビームに与えられたパターンがターゲット部分Ｃに投影されている間に、動かされる、すなわちスキャンされる。このモードでは、一般に、パルス放射源が使用され、そしてプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの各移動の後で、またはスキャン中に連続した放射パルスの間で、必要に応じて更新される。この動作モードは、先に言及したような型のプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に応用することができる。
【００２３】
上述の使用モードの組合せおよび／または変形、あるいは全く異なる使用モードを使用することもできる。
【００２４】
基板６の表面の１つまたは複数の特性は、図２に示すようなスキャトロメータ配列を使用して決定することができる。スキャトロメータ(scatterometer)は、広帯域（白色光）放射源２を含むことができ、この放射源２は、放射を基板６に向ける。拡張広帯域放射源(extended braodband radiation source)は、少なくとも５０ｎｍの波長を有する放射ビームを基板表面に供給するように構成することができる。反射した放射は、スペクトロメータのディテクタ４に送られ、このディテクタが、鏡面反射放射(specular reflected radiation)のスペクトル１０（波長の関数としての強度）を測定する。
【００２５】
スキャトロメータは、垂直入射スキャトロメータまたは斜め入射スキャトロメータであってもよい。単一角度で波長範囲の反射を測定するのではなく、単一波長の反射を角度範囲で測定するスキャトロメータの変形物を使用することもできる。
【００２６】
以下で説明する１つまたは複数の実施形態では、図３に示すように、基板表面６で反射された角度分解スペルトルの特性を複数の角度および波長で高ＮＡレンズの瞳面４０内で測定することによって、基板６の特性を測定するように構成されたスキャトロメータが使用される。スキャトロメータは、放射を基板に投影するように構成された放射源２と、反射スペクトルを検出するように構成されたディテクタ３２とを含む。瞳面は、放射の半径方向の位置が入射角を定義し、かつ角度位置が放射の方位角および任意の実質的な共役面を定義する面である。ディテクタ３２は、高ＮＡレンズの瞳面に配置される。ＮＡは高く、ある実施形態では、少なくとも０．９または少なくとも０．９５である。液浸スキャトロメータは、１を超えるＮＡのレンズを有することさえある。
【００２７】
以前の角度分解スキャトロメータは、散乱光の強度を測定するだけであった。本発明の実施形態は、いくつかの波長をある角度範囲で同時に測定することができる。異なる波長および角度についてスキャトロメータで測定された特性には、ＴＭおよびＴＥ偏光の強度およびＴＭ偏光とＴＥ偏光の位相差がある可能性がある。
【００２８】
光源２は、レンズシステムＬ２を使用して干渉フィルタ３０を通して集束され、顕微鏡対物レンズＬ１によって基板６に焦点が合わされる。そして、散乱スペクトルを検出するために、放射は、部分反射表面３４によって、逆に投影された瞳面４０のＣＣＤディテクタ３２に反射される。瞳面４０は、レンズシステムＬ１の焦点距離Ｆにある。ディテクタおよび高ＮＡレンズは、瞳面に配置される。高ＮＡレンズの瞳面は通常レンズの中にあるので、補助光学コンポーネントを用いて瞳面の像を形成し直すことができる。
【００２９】
例えば１フレーム当たり４０ミリ秒の積分時間で、反射光の瞳面の像がＣＣＤディテクタ３２に形成される。このようにして、基板ターゲット６の２次元角度散乱スペクトルの像がディテクタ３２に形成される。ディテクタ３２は、例えば、ＣＣＤディテクタまたはＣＭＯＳディテクタのアレイであってもよい。スペクトルを処理することで、対称な検出構造が得られるので、センサを回転対称にすることができる。これによって、基板６上のターゲットは、センサに対するどんな回転方向からでも測定することができるので、小型の基板テーブルの使用が可能になる。基板６の並進と回転の組合せで、基板６上の全てのターゲットを測定することができる。
【００３０】
おおよそ４０５〜７９０ｎｍまたは２００〜３００ｎｍなどのもっと短い波長の範囲で関心のある波長を選ぶために、一組の干渉フィルタ３０を使用することもできる。干渉フィルタは、一組の異なるフィルタを含むのではなく調節可能であってもよい。１つまたは複数の干渉フィルタの代わりに、回折格子を使用することもできる。
【００３１】
基板６（または、反射表面３４さえも）が回折格子であってもよい。回折格子は、現像後に一連のバーが固体レジスト状に形成されるように印刷することができる。バーは、代わりに、基板にエッチングすることもできる。このパターンは、リソグラフィ投影装置、特に投影システムＰＳのコマ収差および照明対称に対して敏感であり、そのような収差の存在は、印刷された回折格子のばらつきとなって現れる。したがって、印刷された回折格子のスキャトロメータデータは、回折格子を再構成するために使用される。印刷プロセスおよび／または他のスキャトロメータプロセスについての知識から、ラインの幅および形などの回折格子の１つまたは複数のパラメータが、再構成プロセスに入力される。
【００３２】
スキャトロメータを使用して、スペクトルを検出し、対称瞳面像を生成することができ、この対称瞳面像から、不連続点を測定し、したがって、１つまたは複数の回折格子特性を計算することができる。
【００３３】
反射スペクトルの非対称を測定しこの非対称がオーバーレイの程度に関係付けられることによって、２つのミスアライン周期構造のオーバーレイを測定するように、スキャトロメータを構成することができる。反射スペクトルおよび／または検出構造の非対称を測定し、この非対称がオーバーレイの程度に関係付けられることによって、２つのミスアライン回折格子または周期構造のオーバーレイを測定するように、スキャトロメータを構成することができる。対称検出構造によって、どんな非対称もはっきりと見分けることができる。これは、回折格子のミスアラインを測定する簡単な方法を提供する。
【００３４】
使用される基板パターンの１つのタイプが図４に示されている。基準回折格子１４は、その上に（または、回折格子１４の上に作られた誘電体層１６の上に）印刷された測定回折格子１２を有している。測定回折格子１２が基準回折格子１４に対して片寄っている量は、図４に示されるようにオーバーレイ２２として知られている。
【００３５】
留意されたいことであるが、放射源２は、物体をその表面法線に対して対称に照明することができ、スキャトロメータのディテクタは、いくつかの角度から散乱放射を測定する。ただし、斜角から物体を照明する光源２もまた可能である。
【００３６】
オーバーレイメトロロジー(overlay metrology)は、角度散乱スペクトルの非対称の測定に基づいている。対称構造は対称角度スペクトルを生じ、ターゲットの非対称は、角度散乱スペクトルの非対称として現れる。この特性が、角度分解スキャトロメータを使用するオーバーレイメトロロジーの基礎である。
【００３７】
幅２０のバー（またはラインエレメント(line element)）１８で作られた２つの部分的に重なるミスアラインの回折格子（測定回折格子１２と基準回折格子１４）（図４を参照されたい）は、１つの合成非対称ターゲットを形成する。結果として得られた角度散乱スペクトルの非対称は、図３に示す角度分解スキャトロメータ４で検出され、以下のようにオーバーレイ２２を得るために使用される。
【００３８】
（各々が、互いに重なった測定回折格子１２および基準回折格子１４を有する）２つの回折格子対が、第１および第２の対でそれぞれ＋ｄおよび−ｄの故意の偏りのある状態で使用され、したがって、各々が合成非対称ターゲットを形成する。言い換えると、一方の対では測定回折格子１２が一方の方向にシフトし、他方の対では逆の方向にシフトしている。
【００３９】
合成非対称ターゲットのそのような実施形態が、図５に示され、Ｘ１およびＸ２とラベル表示された測定回折格子は、距離＋ｄおよび−ｄにわたってそれぞれシフトしている。
【００４０】
したがって、各対の回折格子間の実際の横方向シフトは、Ｘ１＝ＯＶ＋ｄおよびＸ２＝ＯＶ−ｄであり、ＯＶはオーバーレイ２２である。回折格子対が位置合せされたとき、オーバーレイは０であり、また、回折格子に入射する照明の強度がＩｉｌｌであり、回折格子で反射された放射の強度が、第１の方向でＩ＋１、同じ面内の逆の方向でＩ−１である場合、オーバーレイＯＶ＝０のとき、Ｉ＋１＝Ｉ−１である。しかし、ＯＶ≠０の場合、Ｉ＋１≠Ｉ−１である。
【００４１】
オーバーレイが小さい場合、強度差はオーバーレイに比例する。すなわち、
Ｉ＋１−Ｉ−１＝Ｋ×ＯＶ （１）。
ここでＫは定数であり、プロセスに依存するので知られていない。
【００４２】
たとえ強度差対オーバーレイが直線関係でなく、例えば、正弦曲線型の関係であっても、非対称が小さい場合、そのような非直線関係は、式（１）で表されるような直線関係で近似することができる。
【００４３】
スキャトロメータでオーバーレイメトロロジーを較正するために、２つの回折格子ターゲットは、上で述べたように使用される。したがって、ＯＶ＋ｄの場合、測定された非対称は、Ａ＋＝Ｋ（ＯＶ＋ｄ）  （２ａ）、であり、また、ＯＶ−ｄの場合、測定された非対称は、Ａ−＝Ｋ（ＯＶ−ｄ）  （２ｂ）、である。
【００４４】
本発明の実施形態に従って、これらの非対称測定からオーバーレイを得ることができるだけでなく、その測定に関係した品質インディケータを得ることができる。上で説明したように、非対称測定は、ＣＣＤセンサなどのディテクタ３２を使用して行われ、このディテクタ３２は、測定回折格子１２上の測定スポットからの反射エネルギーを感知する。測定スポットは、基準回折格子１２よりも小さな寸法であってもよく（したがって、ディテクタ３２の全視野が反射エネルギーで満たされる）、または、例えば測定回折格子１２の全面積と一致するように測定スポットがもっと大きくてもよい（したがって、全測定回折格子１２がディテクタ３２の視野の中に見える）。
【００４５】
測定スポットが２つの回折格子Ｘ１およびＸ２の同じ部分に使用されるとき、式２ａおよび２ｂで上に定義したような非対称は、スポットの中の個々のピクセル各々に適用される。同じであるが逆の知られた偏りｄを有する２つの測定回折格子１２から、ピクセルごとに、一次のスポットでＫおよびＯＶを計算することができる。その結果として、ピクセルごとのＯＶおよびＫ値の分布を、ディテクタ３２の全視野にわたって決定することができる。
【００４６】
オーバーレイ測定は、上で説明したように反射スペクトルを検出するためのスキャトロメータを有するオーバーレイ測定デバイスを使用して、実施することができる。オーバーレイ測定デバイスは、さらに、ＯＶおよびＫ値の分布について統計演算を行うように構成することができる。例えば、オーバーレイ値の広がり（シグマ、またはσ）を計算することができる。ＯＶ値の広がりσが小さいとき、全てのＯＶ値の平均値は、良い品質を有し信頼性が高いと見なすことができる。
【００４７】
さらに他の実施形態では、基板６上の異なるターゲット位置について複数の測定が実施される。各ターゲットについて、または全基板６の測定値の集合について、再び統計的計算を実施することができる。
【００４８】
統計的計算は、Ｋ値についても行うことができる。その結果は、リソグラフィプロセスの適切な品質表示を与える。
【００４９】
非対称の直接かつ明白な測定を可能にするために、距離ｄ（測定回折格子１２、図５のＸ１およびＸ２の片寄り）は、回折格子線１８のピッチ距離（すなわち、回折格子線１８の周期）よりも小さい。例えば、５００ｎｍのピッチ距離では、偏り距離は一般に１０ｎｍである可能性がある。
【００５０】
図５の実施形態において、測定回折格子Ｘ１およびＸ２は、互いの方に偏っているが、偏りが逆向きである限り、外向き方向の偏りを回折格子に加えることも可能である。
【００５１】
本発明に従った２つの回折格子（基準回折格子１４と測定回折格子１２の両方）の配列が、基板６のスクライブレーンスペースに与えられる。完成ウェーハで、また完成ダイのエッジ領域でさえも、これらの配列はやはり存在し、目に見える。したがって、本方法の使用は、本発明の実施形態に従って製造されたデバイスでも目に見える。
【００５２】
この明細書では、ＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及することがあるが、本明細書で説明したリソグラフィ装置には、集積光学システム、磁気ドメインメモリの誘導および検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド、その他の製造などの他の用途がある可能性があることは理解すべきである。当業者は理解することであろうが、そのような他の用途の背景では、本明細書での用語「ウェーハ」または「ダイ」の使用はどれも、より一般的な用語「基板」または「ターゲット部分」とそれぞれ同義であると考えることができる。本明細書で参照する基板は、例えばトラック（一般にレジスト層を基板に塗布し、さらに露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、および／またはインスペクションツールで、露光前または後に処理することができる。応用可能な場合、本明細書の開示は、そのようなおよび他の基板処理ツールに応用することができる。さらに、基板は、例えば多層ＩＣを作るために一度より多く処理されることがあるので、本明細書で使用される基板という用語は、複数の処理された層をすでに含む基板も意味することができる。
【００５３】
光リソグラフィの背景での本発明の実施形態の使用について上で特に言及したが、本発明は他の用途、例えばインプリントリソグラフィでも使用することができ、背景が許す場合には、光リソグラフィに限定されない、ことを理解されたい。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイスのトポグラフィが基板に作られるパターンを画定する。基板に塗布されたレジスト層にパターニングデバイスのトポグラフィを押し込むことができ、それから、電磁放射、熱、圧力またはこれらの組合せを利用してレジストを硬化させる。レジストが硬化された後で、パターニングデバイスをレジストから出して、レジストにパターンを残す。
【００５４】
本明細書で使用された用語「放射」および「ビーム」は、紫外（ＵＶ）放射（例えば、約３６５、３５５、２４８、１９３、１５７または１２６ｎｍの波長を有する）および極端紫外（ＥＵＶ）放射（例えば、５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）、ならびにイオンビームまたは電子ビームなどの粒子ビームを含んだ、全ての種類の電磁放射を包含する。
【００５５】
用語「レンズ」は、背景が許す場合、屈折、反射、磁気、電磁および静電を含む様々なタイプの光学コンポーネントのどれか１つまたは組合せを意味することができる。
【００５６】
本発明の特定の実施形態を上で説明したが、本発明は説明されたのと違った方法で実施できることを理解されたい。例えば、本発明は、先に開示されたような方法を記述する機械読取可能命令の１つまたは複数のシーケンスを含んだコンピュータプログラム、またはそのようなコンピュータプログラムを記憶したデータ記憶媒体（例えば、半導体メモリ、磁気ディスクまたは光ディスク）の形を取ることができる。
【００５７】
上述の説明は、例示であり制限しない意図である。したがって、添付の特許請求の範囲から逸脱することなしに、説明した本発明に対する変更を行えることを理解されたい。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本発明の実施形態に従ったリソグラフィ装置を示す図である。
【図２】本発明の実施形態に従って非対称を測定するために使用することができるスキャトロメータ配列を示す図である。
【図３】本発明の実施形態に従ったリソグラフィ装置で使用することができるスキャトロメータ配列を示す図である。
【図４】本発明の方法で利用された基板の基準回折格子および測定回折格子を示す断面図である。
【図５】本発明の方法で使用されるときの一組の測定回折格子を示す上面図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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