(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極を備えた静電チャックプレート上に絶縁性基板を載置し、導電性薄膜を前記絶縁性基板上に成膜する成膜方法であって、
前記絶縁性基板を前記静電チャックプレート上に載置した後、第１の成長速度で前記絶縁性基板上に前記導電性薄膜を成長させる第１の成膜工程と、
前記導電性薄膜の膜厚が予め定められた設定値に達した後、第２の成長速度で前記絶縁性薄膜上に前記導電性薄膜を成長させる第２の成膜工程とを有し、
少なくとも前記第２の成膜工程では、前記電極に電圧を印加して前記静電チャックプレートと前記絶縁性基板との間に静電吸着力を生じさせ、該静電吸着力で前記絶縁性基板を前記静電チャックプレート上に吸着させながら、前記絶縁性基板上に前記導電性薄膜を成長させ、
前記第２の成長速度を、前記第１の成長速度より高くすることを特徴とする成膜方法。
【請求項２】
少なくとも前記第２の成膜工程では、前記静電チャックプレートを冷却することを特徴とする請求項１記載の成膜方法。
【請求項３】
前記第２の成膜工程における前記静電チャックプレートと前記絶縁性基板との間の熱抵抗を、前記第１の成膜工程に比して小さくすることを特徴とする請求項１記載の成膜方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項記載の成膜方法であって、前記絶縁性基板表面に対向してターゲットを配置し、前記ターゲットに電力を供給し、前記ターゲットの構成材料を前記絶縁性基板上にスパッタリングさせて、前記絶縁性基板表面に前記構成材料からなる導電性薄膜を成長させる成膜方法。
【請求項５】
前記第１の成膜工程では、前記ターゲットに第１の電力を供給し、
前記第２の成膜工程では、前記ターゲットに、前記第１の電力より大きい第２の電力を供給することを特徴とする請求項４記載の成膜方法。
【請求項６】
電極を備えた静電チャックプレートの表面に絶縁性基板を載置し、前記電極に電圧を印加して前記静電チャックプレートと前記絶縁性基板との間に吸着力を生じさせ、該吸着力で前記絶縁性基板を前記静電チャックプレートに吸着させながら、前記絶縁性基板上に導電性薄膜を成膜する成膜方法であって、
前記絶縁性基板を前記静電チャックプレートの表面に載置した後、第１の成長速度で前記絶縁性基板の表面に前記導電性薄膜を成長させる第１の成膜工程と、
前記吸着力の大きさが、予め定められた設定値以上になった後に、前記第１の成長速度より高い第２の成長速度で前記絶縁性基板表面に前記導電性薄膜を成長させる第２の成膜工程とを有することを特徴とする成膜方法。
【請求項７】
前記第２の成膜工程における前記静電チャックプレートと前記絶縁性基板との間の熱抵抗を、前記第１の成膜工程に比して小さくすることを特徴とする請求項６記載の成膜方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、成膜方法に関し、特に、絶縁性基板を静電吸着しながらその絶縁性基板表面に成膜する際の技術の改善に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図４の符号１０１に、従来のスパッタリング装置を示す。このスパッタリング装置１０１は、図示しない真空排気系に接続され、真空排気可能に構成された真空槽１０２を有し、この真空槽１０２の内部天井側には例えば金属からなるターゲット１０３が配設されている。
【０００３】
このターゲット１０３は、接地された真空槽１０２とは絶縁され、かつ真空槽１０２の外部に設けられた電源１０４に接続されており、電源１０４を起動すると、電源１０４から電力が供給されるように構成されている。
【０００４】
一方、真空槽１０２の内部底面側には、静電吸着装置１２０が配置されている。
この静電吸着装置１２０は、静電チャックプレート１２１と台座１２３とを有している。
【０００５】
静電チャックプレート１２１の構成を図５(ａ)、(ｂ)に示す。この静電チャックプレート１２１は、金属板１２４と、該金属板１２４上に配置された誘電体層１２５を有している。この誘電体層１２５はＡｌ2Ｏ3を主成分とするセラミックス製であり、その表面に、導電性のカーボンからなる第１、第２の電極１２７1、１２７2が形成されている。
【０００６】
第１、第２の電極１２７1、１２７2の平面図を同図(ｂ)に示す。第１、第２の電極１２７1、１２７2は櫛状に成形されており、その歯の部分が互いに噛み合うように配置されている。同図(ａ)は同図(ｂ)のＸ−Ｘ線断面図に相当する。
【０００７】
第１、第２の電極１２７1、１２７2はそれぞれ真空槽１０２外に設けられた静電チャック電源１２２に接続されており、その静電チャック電源１２２を駆動すると、第１、第２の電極１２７1、１２７2の間に直流電圧を印加することができるように構成されている。
第１、第２の電極１２７1、１２７2上には、第１、第２の電極１２７1、１２７2と誘電体層１２５表面とを被覆するように保護膜１３０が形成されている。
【０００８】
かかる構成の静電チャックプレート１２１は、台座１２３上に配置されている。台座１２３は、真空槽１０２の内部底面に固定されている。台座１２３の内部には通水管１３１が配置されている。この通水管１３１は、真空槽１０２外部に配置された冷却水循環装置１３２に接続されており、冷却水循環装置１３２を起動して冷却水を通水管１３１に通すと、台座１２３を冷却し、静電チャックプレート１２１を冷却させることができるように構成されている。
【０００９】
上述のスパッタリング装置１０１を用いて、絶縁性基板の表面に薄膜を成膜するには、まず、真空槽１０２を真空排気して予め真空状態にした状態で、真空槽１０２内に基板を搬入し、静電チャックプレート１２１上の所定の位置に載置する。静電チャックプレート１２１の表面に載置された状態の基板を図４の符号１０５に示す。
【００１０】
次に、静電チャック電源１２２を起動し、第１、第２の電極１２７1、１２７2に対してそれぞれ正負の電圧を印加する。
一般に、不均一な電場Ｅ中に分極率αの誘電体を置いたとき、その誘電体には、単位面積当たり次式で表されるグラディエント力が働く。
【００１１】
ｆ ＝ １／２・α・ｇｒａｄ(Ｅ2)
静電チャックプレート１２１は、上述したように、第１、第２の電極１２７1、１２７2がともに櫛状に成形され、その歯の部分が互いに噛み合うように配置されており、互いに隣接する第１、第２の電極１２７1、１２７2の間の距離が非常に小さくなっている。その結果、誘電体からなる基板がその表面に載置されたときに、上式のｇｒａｄ(Ｅ2)が大きくなっている。
【００１２】
絶縁性基板１０５が、静電チャックプレート１２１の表面方向に上述したグラディエント力を受け、絶縁性基板１０５の裏面全面が静電チャックプレート１２１表面に吸着される。図６は、その状態を模式的に示した図である。図６において符号Ｅは電場を示している。また、符号ｆは絶縁性基板１０５に働くグラディエント力の方向を示している。
【００１３】
かかるグラディエント力により、絶縁性基板１０５が静電チャックプレート１２１の表面に吸着されたら、冷却水循環装置１３２を起動して、冷却水を通水管１３１に通して、台座１２３を冷却し、静電チャックプレート１２１を冷却させる。静電チャックプレート１２１表面には絶縁性基板１０５が静電吸着されているので、静電チャックプレート１２１が冷却されると絶縁性基板１０５が冷却される。
【００１４】
次いで、真空槽１０２内に例えばアルゴンガス等のスパッタリングガスを一定量導入しながら、電源１０４を起動してターゲット１０３に低電力を供給すると、放電が生じる。放電が生じると、ターゲット１０３がスパッタリングされる。スパッタリングされたターゲット材料は、絶縁性基板１０５の表面に付着し、絶縁性基板１０５表面には、ターゲット材料からなる薄膜が成膜されはじめる。
【００１５】
絶縁性基板１０５の表面に所定の厚さの薄膜が形成されたら電源１０４を停止させ、プラズマを消滅させ、成膜を終了させる。以上のようにして、スパッタリング装置１０１で絶縁性基板１０５の表面に薄膜を成膜することができる。
【００１６】
上述した成膜方法では、絶縁性基板１０５の表面にターゲットの構成材料がスパッタリングされ、その構成材料が基板表面に入射して基板に熱が加えられるが、ターゲット１０３に低電力を供給しているので、絶縁性基板１０５の温度が上昇しても、その温度上昇は小さく、絶縁性基板１０５の温度が過度に上昇することはない。
【００１７】
このように、低電力をターゲット１０３に供給した場合には、成長速度が低くなるので、成膜時間が長時間になってしまう。成膜時間を短縮するためには、ターゲット１０３に高い電力を供給すればよいが、その場合には、絶縁性基板１０５には加えられる熱が大きくなる。絶縁性基板１０５は、弱いグラディエント力で静電チャックプレート１２１の表面に吸着されているので、静電チャックプレート１２１が冷却されていても、絶縁性基板１０５は十分には冷却されない。
【００１８】
従って、高い電力をターゲット１０３に供給して短時間で成膜処理をしようとすると絶縁性基板１０５の温度が過度に上昇してしまい、特に、樹脂等からなる基板に成膜処理をする際には、基板が高温によりゆがんでしまうなどという問題があった。この場合、グラディエント力を大きくすれば、絶縁性基板１０５の温度が過度に上昇しないようにすることができるが、そのためには電源を大きくして電極に印加する電圧を大きくしなければならないので、装置が大きくなってしまうという問題が生じていた。
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記従来技術の要求に応じるために創作されたものであり、その目的は、静電チャックプレート表面に絶縁性基板を静電吸着させた状態で、基板表面に薄膜を成膜する場合に、基板の冷却効率を高める技術を提供することにある。
【００２０】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、請求項１記載の発明は、電極を備えた静電チャックプレート上に絶縁性基板を載置し、導電性薄膜を前記絶縁性基板上に成膜する成膜方法であって、前記絶縁性基板を前記静電チャックプレート上に載置した後、第１の成長速度で前記絶縁性基板上に前記導電性薄膜を成長させる第１の成膜工程と、前記導電性薄膜の膜厚が予め定められた設定値に達した後、第２の成長速度で前記絶縁性薄膜上に前記導電性薄膜を成長させる第２の成膜工程とを有し、少なくとも前記第２の成膜工程では、前記電極に電圧を印加して前記静電チャックプレートと前記絶縁性基板との間に静電吸着力を生じさせ、該静電吸着力で前記絶縁性基板を前記静電チャックプレート上に吸着させながら、前記絶縁性基板上に前記導電性薄膜を成長させ、前記第２の成長速度を、前記第１の成長速度より高くすることを特徴とする。
請求項２記載の発明は、請求項１記載の成膜方法であって、少なくとも前記第２の成膜工程では、前記静電チャックプレートを冷却することを特徴とする。
請求項３記載の発明は、請求項１記載の成膜方法であって、前記第２の成膜工程における前記静電チャックプレートと前記絶縁性基板との間の熱抵抗を、前記第１の成膜工程に比して小さくすることを特徴とする。
請求項４記載の発明は、請求項１乃至３のいずれか１項記載の成膜方法であって、前記絶縁性基板表面に対向してターゲットを配置し、前記ターゲットに電力を供給し、前記ターゲットの構成材料を前記絶縁性基板上にスパッタリングさせて、前記絶縁性基板表面に前記構成材料からなる導電性薄膜を成長させる。
請求項５記載の発明は、請求項４記載の成膜方法であって、前記第１の成膜工程では、前記ターゲットに第１の電力を供給し、前記第２の成膜工程では、前記ターゲットに、前記第１の電力より大きい第２の電力を供給することを特徴とする。
請求項６記載の発明は、電極を備えた静電チャックプレートの表面に絶縁性基板を載置し、前記電極に電圧を印加して前記静電チャックプレートと前記絶縁性基板との間に吸着力を生じさせ、該吸着力で前記絶縁性基板を前記静電チャックプレートに吸着させながら、前記絶縁性基板上に導電性薄膜を成膜する成膜方法であって、前記絶縁性基板を前記静電チャックプレートの表面に載置した後、第１の成長速度で前記絶縁性基板の表面に前記導電性薄膜を成長させる第１の成膜工程と、前記吸着力の大きさが、予め定められた設定値以上になった後に、前記第１の成長速度より高い第２の成長速度で前記絶縁性基板表面に前記導電性薄膜を成長させる第２の成膜工程とを有することを特徴とする。
請求項７記載の発明は、請求項６記載の成膜方法であって、前記第２の成膜工程における前記静電チャックプレートと前記絶縁性基板との間の熱抵抗を、前記第１の成膜工程に比して小さくすることを特徴とする。
【００２１】
本発明の成膜方法によれば、第１の成長速度で絶縁性基板の表面に導電性薄膜を成膜する第１の成膜工程と、導電性薄膜の膜厚が予め定められた設定値に達した後、静電吸着力で絶縁性基板を静電チャックプレートの表面に吸着させながら、第１の成長速度より高い第２の成長速度で成膜する第２の成膜工程とを有している。
【００２２】
導電性薄膜が絶縁性基板表面に成膜されると、導電性薄膜と電極との間には、グラディエント力より強い静電吸着力が生じ、この静電吸着力により絶縁性基板は静電チャックプレート表面に強く吸着される。このような強い静電吸着力が生じはじめる膜厚は予めわかっており、導電性薄膜の膜厚がその値以上になった状態で、第２の成長速度で成膜する第２の成膜工程に切り換える。この第２の成膜工程では絶縁性基板と静電チャックプレートとの間の吸着力は、グラディエント力だけが作用する第１の成膜工程に比して大幅に大きくなり、絶縁性基板と静電チャックプレートとの間の熱抵抗は第１の成膜工程よりも大幅に小さくなる。
【００２３】
このため、第２の成膜工程で静電チャックプレートを冷却すると、絶縁性基板は静電チャックプレートで十分に冷却されるので、例えば、高い成長速度で成膜すると、絶縁性基板が過度に加熱される成膜処理を行っても、絶縁性基板を十分に冷却しながら成膜することができ。従って絶縁性基板の温度は過度に上昇せず、例えば熱により絶縁性基板が変形してしまう等の不都合が生じることはない。
【００２４】
なお、本発明の成膜方法においてターゲットに電力を供給し、ターゲットの構成材料を絶縁性基板表面にスパッタリングさせて、絶縁性基板表面にターゲットの構成材料からなる導電性薄膜を成膜するように構成してもよい。
【００２５】
このように構成し、成長速度を高くするためにターゲットに供給される電力を高くすると、絶縁性基板表面へのターゲット材料の入射エネルギーが大きくなり、絶縁性基板に加えられる熱は大きくなるが、上述したように、本発明では、成長速度が高い第２の成膜工程では絶縁性基板を静電チャックプレート表面に強く吸着させて熱抵抗を小さくしており、静電チャックプレートを冷却すれば基板を十分に冷却しながら成膜することができるので、絶縁性基板の温度が過度に上昇することはない。
【００２６】
また、上述した成膜方法では、第１の成長速度で成膜し、導電性薄膜の膜厚が所定値以上になった後に、第１の成長速度より高い第２の成長速度で成膜しているが、絶縁性基板と静電チャックプレートとの間に生じる吸着力を検出しておき、その吸着力が所定値以上になった後に、第２の成長速度で成膜するように構成してもよい。
【００２７】
このように構成しても、第２の成長速度で成膜する第２の成膜工程では、絶縁性基板と静電チャックプレートとの間の熱抵抗は減少するので、成長速度が高く、絶縁性基板に過大な熱が加えられても、静電チャックプレートを冷却すれば絶縁性基板を充分に冷却することができるので、絶縁性基板の温度が過度に上昇しないようにすることができる。
【００２８】
【発明の実施の形態】
以下で図面を参照し、本発明の実施形態について説明する。
図１の符号１に、本発明の一実施形態のスパッタリング装置を示す。このスパッタリング装置１は、図示しない真空排気系に接続され、内部が真空排気可能に構成された真空槽２を有している。真空槽２の内部天井側には、金属からなるターゲット３が配設されている。ここでは、ターゲット３はチタンで構成されているものとする。このターゲット３は、接地された真空槽２と絶縁され、真空槽２の外部に設けられた電源４に接続されており、電源４を起動すると直流電圧が印加されて電力が供給されるように構成されている。
【００２９】
他方、真空槽２の内部底面側には、静電吸着装置２０が配置されている。
この静電吸着装置２０は、静電チャックプレート２１と台座２３とを有している。
【００３０】
静電チャックプレート２１の構成を図２(ａ)、(ｂ)に示す。この静電チャックプレート２１は、金属板２４と、該金属板２４上に配置された誘電体層２５を有している。この誘電体層２５はＡｌ2Ｏ3を主成分とするセラミックス製であり、その表面に、導電性のカーボンからなる第１、第２の電極２７1、２７2が、スクリーン印刷等により形成されている。
【００３１】
第１、第２の電極２７1、２７2の平面図を同図(ｂ)に示す。第１、第２の電極２７1、２７2は櫛状に成形されており、その歯の部分が互いに噛み合うように配置されている。同図(ａ)は同図(ｂ)のＡ−Ａ線断面図に相当する。
【００３２】
第１、第２の電極２７1、２７2は、ともに接地された真空槽２とは絶縁され、かつ真空槽２の外部に設けられた静電チャック電源２２に接続されており、静電チャック電源２２を駆動すると、第１、第２の電極２７1、２７2の間に直流電圧を印加することができるように構成されている。
第１、第２の電極２７1、２７2上には、第１、第２の電極２７1、２７2と誘電体層２５表面とを被覆するように保護膜３０が形成されている。
【００３３】
かかる構成の静電チャックプレート２１は、台座２３上に配置されている。台座２３は、真空槽２の内部底面に固定されている。台座２３の内部上方には通水管３１が配置されている。この通水管３１は、真空槽２外部に配置された冷却水循環装置３２に接続されており、冷却水循環装置３２を起動して冷却水を通水管３１に通すと、台座２３の上部が冷却され、台座２３上に配置された静電チャックプレート２１を冷却させることができるように構成されている。
【００３４】
上述した構成のスパッタリング装置１を用いて、樹脂から成る絶縁性基板の表面に薄膜を成膜する方法について以下で説明する。ここではポリプロビレンからなる絶縁性基板を用いている。
【００３５】
予め真空槽２内部を真空排気しておき、真空槽２内部の真空状態を維持しながら真空槽２内に絶縁性基板を搬入し、静電チャックプレート２１上の所定の位置に載置する。静電チャックプレート２１の表面に載置された状態の絶縁性基板を図１の符号５に示す。
【００３６】
次に、静電チャック電源２２を起動して第１、第２の電極２７1、２７2の間に直流電圧を印加する。上述したように第１、第２の電極２７1、２７2は、接地された真空槽２とは絶縁されており、直流電圧が印加されると、第１、第２の電極２７1、２７2のいずれか一方に正電圧が印加され、他方に負電圧が印加される。すると、絶縁性基板５は、静電チャックプレート２１の表面方向に上述したグラディエント力を受け、そのグラディエント力により絶縁性基板５の裏面全面が静電チャックプレート２１表面に吸着される。
【００３７】
次いで、冷却水循環装置３２を起動して、冷却水を通水管３１に通して台座２３を冷却し、静電チャックプレート２１を冷却させる。
次に、真空槽２内に例えばアルゴンガス等のスパッタリングガスを一定量導入しながら、電源４を起動してターゲット３に、低電力である第１の電力を供給する。
【００３８】
こうして第１の電力をターゲット３に供給すると、放電が生じる。放電が生じると、ターゲット３がスパッタリングされる。スパッタリングされたターゲット３の構成材料であるチタンは、絶縁性基板５の表面に付着し、絶縁性基板５表面にチタンからなる導電性薄膜が成長しはじめる。その状態を図３(ａ)に示す。図中で符号５５は導電性薄膜を示している。
【００３９】
このとき絶縁性基板５はグラディエント力により静電チャックプレート２１表面に吸着されているが、グラディエント力による吸着力は小さいため、絶縁性基板５は静電チャックプレート２１の表面には十分に密着せず、絶縁性基板５と静電チャックプレート２１との間の熱抵抗は高い。このため静電チャックプレート２１が冷却されていても、絶縁性基板５は十分には冷却されない。そこで、電源４は低電力である第１の電力をターゲット３に供給することで、絶縁性基板５の温度が過度に上昇しないようにしている。
【００４０】
導電性薄膜５５が絶縁性基板５の表面に成長すると、成長した導電性薄膜５５と第１、第２の電極２７1、２７2との間に静電吸着力が生じる。この静電吸着力は、グラディエント力に比して非常に大きく、第１、第２の電極２７1、２７2間に同じ大きさの電圧を印加した状態でグラディエント力と比較すると、数百倍程度の大きさになっている。
【００４１】
真空槽２内部の、絶縁性基板５の表面近傍には、水晶発振子等からなる膜厚センサ６１が配置されており、絶縁性基板５の表面に成膜された導電性薄膜５５の膜厚を検出できるようになっている。膜厚センサ６１は、真空槽２の外部に配置された電力制御装置６２に接続されている。この電力制御装置６２は、膜厚センサ６１で検出された膜厚が、予め定められた設定値以上になったら、電源４からターゲット３に供給される電力を、上述した第１の電力より高い第２の電力に切り換えさせている。ここで設定値とは、上述した静電吸着力が生じはじめる導電性薄膜の膜厚である。ここでは導電性薄膜としてチタン薄膜を成膜しており、チタン薄膜の場合には３０Å程度で静電吸着力が生じはじめるので、設定値を３０Åとしている。
【００４２】
こうして導電性薄膜５５の膜厚が、予め定められた設定値(ここでは３０Å)に達し、導電性薄膜５５と第１、第２の電極２７1、２７2との間に、グラディエント力よりも強い静電吸着力が生じると、絶縁性基板５は静電チャックプレート２１に強く吸着される。すると、絶縁性基板５と静電チャックプレート２１との間の熱抵抗が大幅に減少し、冷却された静電チャックプレート２１により、絶縁性基板５は十分に冷却される。
【００４３】
従って、導電性薄膜の膜厚が上述した設定値以上になった後に、第１の電力よりも高い第２の電力をターゲット３に供給し、過大な熱が絶縁性基板５に加えられても、絶縁性基板５は十分に冷却されるので、絶縁性基板５の温度が過度に上昇することはなく、過度に温度上昇することで樹脂製の絶縁性基板５が変形することもない。
【００４４】
こうして導電性薄膜の成長を続け、絶縁性基板５の表面に目標とする厚さの導電性薄膜が形成されたら電源４を停止させてプラズマを消滅させ、成長を終了させる。その状態を図３(ｂ)に示す。以上のようにして、スパッタリング装置１で絶縁性基板５の表面に、チタンからなる導電性薄膜５５が成膜される。
【００４５】
以上説明したように、本実施形態では、低電力である第１の電力をターゲット３に供給して低い成長速度(本発明の第１の成長速度)で導電性薄膜を成膜させた後、導電性薄膜の膜厚が予め定められた設定値以上になり、静電吸着力が生じて絶縁性基板５が十分に冷却されるようになったら、高電力である第２の電力をターゲット３に供給し、高い成長速度(本発明の第２の成長速度)で導電性薄膜を成膜させており、高電力をターゲットに供給しても絶縁性基板５の温度が過度に上昇してゆがむことはない。
【００４６】
従来、樹脂製の基板表面に導電性薄膜を成膜する際には、温度が過度に上昇しないように低電力をターゲットに供給して、低い成長速度で成膜しなければならなかったため、目標とする膜厚を得るまでに長時間を要していたが、本発明では、強い静電吸着力で絶縁性基板５を十分に冷却した後に、高電力である第２の電力をターゲット３に供給し、高い成長速度(本発明の第２の成長速度)で導電性薄膜を成膜させているので、一貫して低電力を供給し続けて成膜していた従来に比して、短時間で成膜することができる。
【００４７】
なお、上述した実施形態では、絶縁性基板５を静電チャックプレート２１表面に載置してから、成膜された導電性薄膜が所定の膜厚に達するまで、グラディエント力で絶縁性基板５を静電チャックプレート２１表面に静電吸着しているが、本発明はこれに限られるものではなく、導電性薄膜が所定の膜厚に達するまで絶縁性基板５を静電チャックプレート２１表面に静電吸着させず、導電性薄膜が所定の膜厚に達した後に静電吸着力を生じさせ、絶縁性基板５を静電チャックプレート２１表面に静電吸着させるように構成してもよい。この場合には、グラディエント力による吸着をしなくてよいので、静電チャックプレートが有する電極は１個でもよく、この１個の電極に、正又は負のいずれか一方の電圧を印加するようにすればよい。
【００４８】
また、絶縁性基板５の材料はポリプロビレンであるが、本発明の絶縁性基板５の材料はこれに限られるものではなく、例えばポリカーボネイトなどの樹脂を用いてもよいし、さらに樹脂に限られるものでもなく、例えばガラス等を絶縁性基板として用いてもよい。
【００４９】
また、予め定められた導電性薄膜の膜厚の設定値を(３０Å)としているが、この設定値は、絶縁性基板５と静電チャックプレート２１との間の静電吸着力が大きくなった結果、絶縁性基板５と静電チャックプレート２１との間の熱抵抗が十分に小さくなる程度の膜厚であればよく、例えば５Å以上の膜厚に設定されていればよい。
【００５０】
また、導電性薄膜の材料としてチタンを用いているが、導電性薄膜の材料はこれに限らず、導電性を有する材料であればよく、他の金属、例えばアルミニウム等でもよいし、また金属に限られるものではなく、例えばポリシリコン等を用いてもよい。
【００５１】
また、成膜する際にスパッタリング法で成膜しているが、本発明の成膜方法はこれに限られるものではなく、例えば蒸着法やＣＶＤ法等に適用してもよい。
一例として蒸着法で成膜する場合には、成膜された薄膜の膜厚が予め定められた設定値に達するまでは、蒸着材料に加える熱を少なくして成長速度が低い状態で成膜し、膜厚が設定値に達した後に、蒸着材料に加える熱を大きくして成長速度を高くして成膜すればよい。このように構成すると、膜厚が設定値に達した後は静電吸着力が生じ、絶縁性基板が充分冷却できる状態になるので、蒸着材料に加える熱を大きくしても、上述した実施形態と同様、絶縁性基板の温度は過度に上昇しない。
【００５２】
また、導電性薄膜の膜厚が予め定められた設定値に達した後に第２の電力の供給を開始しているが、本発明はこれに限られるものではなく、絶縁性基板５と静電チャックプレート２１との間の吸着力を検出して、その吸着力が、予め定められた設定値以上になったら、第２の電力の供給を開始するように構成してもよい。この場合、吸着力の設定値を、静電チャックプレート２１表面に絶縁性基板５が強く吸着され、冷却された静電チャックプレート２１により絶縁性基板５が十分に冷却できる程度に設定しておけばよい。
【００５３】
また、絶縁性基板の温度を検出し、その温度が予め設定された上限値以上にならないように、ターゲット３に供給する電力を制御するように構成してもよい。このように構成しても、絶縁性基板５の温度が過度に上昇することを防止することができるので、絶縁性基板５が過度に温度上昇して変形することを防止できる。
【００５４】
【発明の効果】
絶縁性基板の表面に薄膜を成膜する際に、基板の過度な温度上昇等を防止し、短時間で成膜することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態の真空処理装置の構成を説明する図
【図２】(ａ)：本発明の一実施形態の静電チャックプレートの一例を説明する断面図
(ｂ)：本発明の一実施形態の静電チャックプレートの一例を説明する平面図
【図３】(ａ)：本発明の一実施形態の成膜工程を説明する断面図
(ｂ)：その続きの工程を説明する断面図
【図４】従来の真空処理装置を説明する断面図
【図５】(ａ)：従来の静電チャックプレートの一例を説明する断面図
(ｂ)：従来の静電チャックプレートの一例を説明する平面図
【図６】絶縁性基板が静電吸着された状態を示す図
【符号の説明】
１……スパッタリング装置    ５……絶縁性基板    ２７1……第１の電極(電極)    ２７2……第２の電極(電極)
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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