(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
インデックスベースの上側を間欠回転するロータリー・インデックステーブルの外周部でチップ状電子部品を保持し、該テーブルの間欠回転動作でチップ状電子部品を間欠搬送し、該テーブルの周囲に配置した複数の測定ステーションにて常温及び高温での電気的特性測定を行う電子部品の常温・高温電気的特性測定機であって、
前記常温での電気的特性測定を行う測定ステーションに対応して冷却手段が設けられ、前記冷却手段は、前記インデックスベースに冷却エアーの循環通路を設けて前記冷却エアーを循環させて冷却するものであり、
前記高温での電気的特性測定を行う測定ステーションに対応して加熱手段が設けられおり、前記加熱手段は、前記インデックスベースの底面側に設けられて当該インデックスベースを加熱するカートリッジヒーターと、前記インデックスベースの温度検出を行う温度センサと、温度調整器とを有し、前記温度センサの温度検出結果に基づき前記温度調整器にて前記カートリッジヒーターへの通電を制御して前記チップ状電子部品の搬送される前記インデックスベースを所定の雰囲気温度に制御するものであり、
前記常温での電気的特性測定を行う測定ステーションから前記高温での電気的特性測定を行う測定ステーションに至る間に、前記加熱手段により所定の常温から所定の高温になるまで段階的に上昇するように前記インデックスベースを温度制御することを特徴とする電子部品の常温・高温電気的特性測定機。
【請求項２】
前記ロータリー・インデックステーブルが超耐熱エポキシ樹脂である請求項１記載の電子部品の常温・高温電気的特性測定機。
【請求項３】
前記ロータリー・インデックステーブルの外周部に近接対向配置されるアウターガイドが金属板で、少なくとも前記測定ステーションに対応する表面にＤＬＣ薄膜を設けたものである請求項１又は２記載の電子部品の常温・高温電気的特性測定機。
【請求項４】
前記インデックスベースをヒートショックに対して耐久性のあるセラミックの断熱部材で断熱してなる請求項１，２又は３記載の電子部品の常温・高温電気的特性測定機。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、近年高速化しているチップ状電子部品の電気的特性測定機に係り、とくにチップ状電子部品の温度が常温の時のみならず、高温時においても測定する必要性が生じた時、搬送テーブルを２系統に分けずに測定を実行可能な電子部品の常温・高温電気的特性測定機に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来のこの種装置としては、チップ状電子部品の供給はパーツフィーダーで行い、測定部への搬送はコンベア形状のトランスファー送りで行うものがある。この装置において、パーツフィーダーから供給されたチップ状電子部品は常温部のコンベア形状のトランスファー上を移動し、電気的特性測定を行い、その後高温部のコンベア形状のトランスファー上に乗り移り、ヒーター部を通過してチップ状電子部品の温度が２００℃近くまで上昇してから電気的特性測定を実行し、チップ状電子部品を排出する。この場合、常温部と高温部の２系統のトランスファーが必要で構成が複雑化する。
【０００３】
一方、本出願人の提案になる特公平５−６６００９号公報では、ロータリー・インデックステーブルと開閉部材によるチップコンデンサの測定ユニットが提案されている。
【０００４】
また、本出願人により１つのロータリー・インデックステーブル上で電子部品の常温時（３０〜４０℃）及び高温時（１８０〜２００℃）の電気的特性を測定する装置の開発が検討されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
▲１▼  電子部品を間欠搬送するロータリー・インデックステーブル上で電子部品の常温時（３０〜４０℃）及び高温時（１８０〜２００℃）の電気的特性を測定する場合、従来技術では１サイクルのタクトとしては１.０（秒／個）程度が限界で、スペース的にも横方向に広がりが出る。
【０００６】
▲２▼  常温特性測定部の温度を常温（３０〜４０℃）に保つための対策が必要である。
【０００７】
▲３▼  ロータリー・インデックステーブルの下側のインデックスベースの温度が高温になると火傷の恐れが増える。
【０００８】
▲４▼  高温特性測定部を熱的に隔離するためのセラミックの断熱板が大きなヒートショックを受け、破壊の恐れがあった。
【０００９】
▲５▼  高温特性測定部の温度制御の誤差が生じ易い。
【００１０】
▲６▼  高温特性測定部を加熱するのに伴う発熱による各部材の変形によって電子部品の搬送に不具合が生じ易い。
【００１１】
本発明は、上記の点に鑑み、１つのロータリー・インデックステーブル上で電子部品の常温時及び高温時の電気的特性を高速、高精度で測定可能で、併せて省スペース、コストダウンが可能な電子部品の常温・高温電気的特性測定機を提供することを目的とする。
【００１２】
本発明のその他の目的や新規な特徴は後述の実施の形態において明らかにする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本願請求項１の発明は、インデックスベースの上側を間欠回転するロータリー・インデックステーブルの外周部でチップ状電子部品を保持し、該テーブルの間欠回転動作でチップ状電子部品を間欠搬送し、該テーブルの周囲に配置した複数の測定ステーションにて常温及び高温での電気的特性測定を行う電子部品の常温・高温電気的特性測定機であって、
前記常温での電気的特性測定を行う測定ステーションに対応して冷却手段が設けられ、前記冷却手段は、前記インデックスベースに冷却エアーの循環通路を設けて前記冷却エアーを循環させて冷却するものであり、
前記高温での電気的特性測定を行う測定ステーションに対応して加熱手段が設けられおり、前記加熱手段は、前記インデックスベースの底面側に設けられて当該インデックスベースを加熱するカートリッジヒーターと、前記インデックスベースの温度検出を行う温度センサと、温度調整器とを有し、前記温度センサの温度検出結果に基づき前記温度調整器にて前記カートリッジヒーターへの通電を制御して前記チップ状電子部品の搬送される前記インデックスベースを所定の雰囲気温度に制御するものであり、
前記常温での電気的特性測定を行う測定ステーションから前記高温での電気的特性測定を行う測定ステーションに至る間に、前記加熱手段により所定の常温から所定の高温になるまで段階的に上昇するように前記インデックスベースを温度制御することを特徴としている。
【００１４】
本願請求項２の発明に係る電子部品の常温・高温電気的特性測定機は、請求項１において、前記ロータリー・インデックステーブルが超耐熱エポキシ樹脂であることを特徴としている。
【００１５】
本願請求項３の発明に係る電子部品の常温・高温電気的特性測定機は、請求項１又は２において、前記ロータリー・インデックステーブルの外周部に近接対向配置されるアウターガイドが金属板で、少なくとも前記測定ステーションに対応する表面にＤＬＣ薄膜を設けたことを特徴としている。
【００１６】
本願請求項４の発明に係る電子部品の常温・高温電気的特性測定機は、請求項１，２又は３において、前記インデックスベースをヒートショックに対して耐久性のあるセラミックの断熱部材で断熱したことを特徴としている。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る電子部品の常温・高温電気的特性測定機の実施の形態を図面に従って説明する。
【００２０】
図１は本発明に係る電子部品の常温・高温電気的特性測定機の実施の形態のロータリー・インデックステーブル周辺の構造を示す正面図、図２は実施の形態の全体構成を示す平面図、図３はインデックスベースの平面図、図４はロータリー・インデックステーブルの平面図、図５はインデックステーブルのチップ保持部の拡大平面図、図６はインデックスベースの加熱部へのヒーターブロック配置を示す説明図、図７はロータリー・インデックステーブルの外周側に設けられるアウターガイドの１例を示す平面図、図８はチップ状電子部品の電気特性を測定する測定部の構成例を示す拡大断面図である。
【００２１】
図２の全体構成において、１は被測定物であるチップ状電子部品を供給するパーツフィーダーであり、そのパーツフィーダー１から直線状供給路２を介してチップ状電子部品がロータリー・インデックステーブル機構１０に供給されるようになっている。パーツフィーダー１は直線状供給路２からチップ状電子部品の表裏を揃えて供給する（本例では後工程で図５のようにロータリー・インデックステーブル機構１０で保持されたチップ状電子部品５の電極部５ａが全て上向きとなるように表裏を揃える）。ロータリー・インデックステーブル機構１０にはインピーダンス測定、静電容量測定、自己共振周波数測定を行う常温測定部Ｘ（３０〜４０℃）と、高温インピーダンス測定を行う高温測定部Ｙ（１８０〜２００℃）が設けられている。
【００２２】
前記ロータリー・インデックステーブル機構１０は、図１及び図８に周縁部を拡大して示すように、ロータリー・インデックステーブル１１（直径２００mm、分割数１００）と、その周縁部（外周部）の下側に接するインデックスベース２０と、ロータリー・インデックステーブル１１の周縁部上側を覆うインデックスカバー３０と、ロータリー・インデックステーブル１１の周縁部（外周部）に近接対向してこれを囲むアウターガイド３１とを有している。
【００２３】
前記ロータリー・インデックステーブル１１は、断熱性があり熱容量の小さい樹脂等の絶縁材質（例えば超耐熱エポキシ樹脂）であり、図４及び図５のようにチップ状電子部品５が嵌り込んで保持される凹部１２を円盤の周縁部に等角度間隔で多数個（図示の場合１００箇所）有している。そして、図１のようにロータリー・インデックステーブル１１の中心軸１３は取付ベース１４に固定された軸受部材１５によって回転自在に支持されている。
【００２４】
前記取付ベース１４と平行なモータ取付板１６にはサーボモータ１７が取り付けられ、その回転駆動軸はトルクリミッタ１８、ジョイント１９を介して前記中心軸１３に連結されている。この結果、ロータリー・インデックステーブル１１は凹部１２の配列間隔１個分毎に間欠回転されるようになっている。
【００２５】
前記インデックスベース２０は熱容量の大きな金属製（ここではステンレス製等）であり、取付ベース１４上に敷かれた断熱部材としての断熱板４０を介して取付ベース１４に固定されている。断熱板４０はヒートショックに強いセラミックであり、とくにカルシウムシリケート結晶とリチウムアルミノシリケート結晶からなるセラミックである。なお、取付ベース１４は放熱性の良好な金属、例えばアルミ製である。
【００２６】
図３に示すように、前記インデックスベース２０は十分な熱容量を有する金属製であり、高温測定部Ｙが位置する加熱部２１を、常温測定部Ｘが位置する冷却部２２から熱的に分離するために、加熱部２１と冷却部２２との境界に沿って細長い抜き穴２３を設けている。これにより熱の通り道を狭くして正確な温度制御を行えるようにしている。また、インデックスベース２０においては、焼入れ処理をして加熱時の歪みを最小限におさえるようにするが、焼入れ時にも歪みが生じるので、加工精度の必要な加工部分は、焼入れ処理をしてから加工する。
【００２７】
前記インデックスベース２０の加熱部２１には、図１及び図６のようにカートリッジヒーター５１（１００Ｖ、１００Ｗ、直径６.５mm）を内蔵する銅等の良熱伝導性金属のヒーターブロック５０を断熱板４０を貫通させて設けている。例えば、図６のように加熱部２１は４つの温度調整部２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄに区分され、各温度調整部毎に４個のカートリッジヒーター５１を有するヒーターブロック５０と１個の温度検出手段としての熱電対５２との組が設置され、各ヒーターブロック５０毎に設けられた電源５３より内蔵するカートリッジヒーター５１に通電されるようになっており、インデックスベース２０に部分的に埋設された熱電対５２で前記インデックスベース２０の温度を検出し、この温度検出出力を受ける温度調整器５４によりカートリッジヒーター５１の通電（電流、電圧さらに必要ならば通電時間）を制御することで温度制御される。ここでは、チップ状電子部品の搬送される順に段階的に温度が高くなるように、すなわち、
温度調整部２１ａの温度＜温度調整部２１ｂの温度＜温度調整部２１ｃの温度＜温度調整部２１ｄの温度
となるように設定している。つまり、冷却部２２から加熱部２１に入ったチップ状電子部品は所定の常温（３０〜４０℃）から段階的に上昇する雰囲気温度にて加熱されていく。
【００２８】
図３のように前記インデックスベース２０の冷却部２２にはその底面側に冷却溝２４が形成されている。つまり、インデックスベース２０が断熱板４０上に載置固定されることで、冷却溝２４による冷却エアー通路が形成され、エアークーラーを使用して冷却エアー入口から低温の冷却エアーを供給することでインデックスベース２０が冷却され、冷却溝２４を通過した冷却エアーは冷却エアー出口から排出される。
【００２９】
また、取付ベース１４は放熱性の良好なアルミ製等として放熱効果をねらい、さらに取付ベース１４に冷却エアーを当てて冷却する。例えば、図２のように、エアーマニホールド１４ａを取付ベース１４に形成してここに冷却エアーを通すようにする。
【００３０】
前記インデックスカバー３０はロータリー・インデックステーブル１１によるチップ状電子部品の搬送中の飛出し防止用に、チップ状電子部品上面をガイドするカバーであるが、このインデックスカバー３０による輻射熱の影響があることを利用し、インデックスカバー３０の材質を熱伝導性の良い金属とし、輻射熱の効果を更に上げる為ようにしている。これにより、輻射熱効果でもチップ状電子部品が加熱されるため、ロータリー・インデックステーブル１１による搬送速度を上げることができる。
【００３１】
図５のようにロータリー・インデックステーブル１１の凹部１２に嵌り込んだチップ状電子部品５の外周をガイドするアウターガイド３１は、電気的特性測定部が絶縁性を必要とするのでその部分のみジルコニア等の絶縁体ガイドを使用し、他はステンレス等の金属ガイドとすることが考えられるが、チップ状電子部品の端部が接触して移動していく際に、ガイド同士のつなぎ目でチップ状電子部品のかみ込みが生じる場合があった。これは絶縁体と金属のガイド部分の熱膨張係数が互いに相違して歪みが生じるためと考えられる。これを解消するため、本実施の形態ではアウターガイド３１をステンレス等の金属の一枚物にし、絶縁性のある表面処理をして対応することで、チップ状電子部品５の搬送等に与える影響を無くすことができる。図７及び図８のように、前記表面処理は常温測定部Ｘ及び高温測定部Ｙにおけるアウターガイド３１の内周、上下面に耐摩耗性硬質絶縁薄膜としてＤＬＣ（Diamond-like Carbon）薄膜３２を設けることが好ましい。ＤＬＣ薄膜の体積抵抗率は１０１２Ω・cmで十分な絶縁性を有し、さらに高硬度でかつ摩擦も少ない利点がある。前記ＤＬＣ薄膜３２は全周にわたって形成されていてもよいし、常温測定部Ｘ及び高温特性測定部Ｙの必要箇所に部分的に形成しても良い。
【００３２】
図８のように、常温測定部Ｘ及び高温測定部Ｙにおいては、チップ状電子部品５の電極部５ａに対して測定端子６０がインデックスカバー３０を貫通して昇降自在に設けられおり、各測定端子６０は下降時に前記電極部５ａに接触する。各測定端子６０は所要の電気特性測定器（静電容量、インピーダンス、自己共振周波数等）に接続される。測定端子６０は３個の電極部５ａの全てに対して設けられていても良いし、そのうちの２つに対して設けられていても良い。
【００３３】
図２において、ロータリー・インデックステーブル１１はパーツフィーダー１の直線状供給路２から供給ステーションＳ１にてチップ状電子部品５を受け取り、受け取ったチップ状電子部品５を図５のように凹部１２に受け入れて右回りに間欠回転してロータリー・インデックステーブル１１の周縁部に位置する各ステーションに移送する。常温測定部Ｘの手前側位置には、供給ステーションＳ１に近い順にチップ有無検出ステーションＳ２、チップ表裏検出ステーションＳ３、表裏不良排出ステーションＳ４、表裏不良排出ミス検出ステーションＳ５が配置されている。チップ有無検出ステーションＳ２にはチップ有無検出センサ機構６１が、チップ表裏検出ステーションＳ３にはチップ表裏検出センサ機構６２が、表裏不良排出ステーションＳ４には、表裏不良チップ状電子部品を排出する吸着ノズル等の排出具６３が、表裏不良排出ミス検出ステーションＳ５には表裏不良排出ミス検出センサ機構６４がそれぞれ配置（取付ベース１４側に装着）されている。
【００３４】
常温測定部Ｘは、順にインピーダンス測定ステーションＳ６、第１の静電容量（Ｃ１）測定ステーションＳ７、第２の静電容量（Ｃ２）測定ステーションＳ８、自己共振周波数（Ｆ０）測定ステーションＳ９が配置されている。インピーダンス測定ステーションＳ６には図８のようにチップ状電子部品５の電極部５ａ（３個のうち少なくとも２個）に接触可能な測定端子６０を持つ測定具６５が、第１の静電容量（Ｃ１）測定ステーションＳ７には同様の測定具６６が、第２の静電容量（Ｃ２）測定ステーションＳ８には同様の測定具６７が、自己共振周波数（Ｆ０）測定ステーションＳ９には同様の測定具６８がそれぞれ配置（取付ベース１４側に装着）されている。
【００３５】
前記常温測定部Ｘの後にはインピーダンス不良排出ステーションＳ１０、静電容量不良排出ステーションＳ１１、自己共振周波数（Ｆ０）不良排出ステーションＳ１２、インピーダンス・静電容量・自己共振周波数不良排出ミス検出ステーションＳ１３が配置されている。インピーダンス不良排出ステーションＳ１０にはインピーダンス不良のチップ状電子部品を排出する吸着ノズル等の排出具７０が、静電容量不良排出ステーションＳ１１には静電容量不良のチップ状電子部品を排出する吸着ノズル等の排出具７１が、自己共振周波数（Ｆ０）不良排出ステーションＳ１２には自己共振周波数不良のチップ状電子部品を排出する吸着ノズル等の排出具７２が、インピーダンス・静電容量・自己共振周波数不良排出ミス検出ステーションＳ１３にはインピーダンス・静電容量・自己共振周波数不良のチップ状電子部品の排出ミス検出センサ機構７３が配置（取付ベース１４側に装着）されている。
【００３６】
ここまでのステーションは図３のインデックスベース２０の常温に保たれた側である冷却部２２上に位置している。
【００３７】
インピーダンス・静電容量・自己共振周波数不良排出ミス検出ステーションＳ１３より後側のインデックスベース２０は加熱部２１となっており、前述したようにインデックスベース２０の底面側に温度調整部２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄの順に設置され、段階的に温度が高くなり、高温インピーダンス測定ステーションＳ１４におけるチップ状電子部品の温度が２００℃になるように各温度調整部の温度制御を実行している。前記高温インピーダンス測定ステーションＳ１４は加熱部２１の最後尾に位置し、ここには図８のようにチップ状電子部品５の電極部５ａ（３個のうち少なくとも２個）に接触可能な測定端子６０を持つ測定具８０が配置（取付ベース１４側に装着）されている。
【００３８】
その後、インデックスベース２０の冷却部２２上に戻り、順に高温インピーダンス不良排出ステーションＳ１５、高温インピーダンス不良排出ミス検出ステーションＳ１６、良品排出ステーションＳ１７、強制排出ステーションＳ１８及び全排出ミス検出ステーションＳ１９が配置されている。高温インピーダンス不良排出ステーションＳ１５には高温インピーダンス不良のチップ状電子部品を排出する吸着ノズル等の排出具８１が、高温インピーダンス不良排出ミス検出ステーションＳ１６には高温インピーダンス不良のチップ状電子部品の排出ミス検出センサ機構８２が、良品排出ステーションＳ１７には良品のチップ状電子部品を排出する吸着ノズル等の排出具８３が、強制排出ステーションＳ１８には図示しないチップ状電子部品の強制排出手段が、全排出ミス検出ステーションＳ１９には今までのステーションで排出されないで残ったチップ状電子部品の有無を検出する全排出ミス検出センサ機構８４がそれぞれ配置（取付ベース１４側に装着）されている。
【００３９】
次にこの実施の形態の全体的な動作説明を行う。
【００４０】
パーツフィーダー１により表裏整列して被測定物としてのチップ状電子部品をロータリー・インデックステーブル機構１０の供給ステーションＳ１に供給する。ロータリー・インデックステーブル１１の間欠回転でチップ有無検出ステーションＳ２に到着したチップ状電子部品はチップ有無検出センサ機構６１にてその有無が検出される。チップ状電子部品が無い箇所は以後各種測定動作を省略するように設定する。さらに、次のチップ表裏検出ステーションＳ３でチップ状電子部品の表裏が正しく配置されているかどうかをチップ表裏検出センサ機構６２にて検出する（図５のようにチップ状電子部品５の電極部５ａが上向きとなっている状態を正しいとする）。表裏不良排出ステーションＳ４では表裏不良と検出されたチップ状電子部品を排出具６３で排出する。次の表裏不良排出ミス検出ステーションＳ５では表裏不良のチップ状電子部品が残っているかどうかを表裏不良排出ミス検出センサ機構６４で検出する。表裏不良のチップ状電子部品が残っている場合、以後各種測定動作及び良品としての排出動作を省略するように設定する。
【００４１】
以後、ロータリー・インデックステーブル１１の間欠回転に伴いチップ状電子部品は常温測定部Ｘに到着し、インピーダンス測定ステーションＳ６ではチップ状電子部品の常温でのインピーダンスが、第１の静電容量（Ｃ１）測定ステーションＳ７では図５のチップ状電子部品５の電極部５ａのうちの２個間の常温での静電容量が、第２の静電容量（Ｃ２）測定ステーションＳ８では電極部５ａのうちの異なる２個間の常温での静電容量が、自己共振周波数（Ｆ０）測定ステーションＳ９ではチップ状電子部品の常温での自己共振周波数が、図８の測定端子６０を持つ測定具６５，６６，６７，６８を用いてそれぞれ測定される。
【００４２】
前記常温測定部Ｘでの常温測定の終わったチップ状電子部品は、ロータリー・インデックステーブル１１の間欠回転によりインピーダンス不良排出ステーションＳ１０に到着し、ここでインピーダンス不良のチップ状電子部品は吸着ノズル等の排出具７０にて排出される。そして、静電容量不良排出ステーションＳ１１では静電容量不良のチップ状電子部品が排出具７１にて排出され、自己共振周波数（Ｆ０）不良排出ステーションＳ１２では自己共振周波数不良のチップ状電子部品が排出具７２にて排出される。インピーダンス・静電容量・自己共振周波数不良排出ミス検出ステーションＳ１３ではインピーダンス・静電容量・自己共振周波数不良のチップ状電子部品の排出ミスが排出ミス検出センサ機構７３にて検出される。排出ミスのチップ状電子部品があるときは、以後の高温測定部Ｙでの測定動作を省略するとともに良品としての排出動作を省略するように設定する。
【００４３】
その後、チップ状電子部品はロータリー・インデックステーブル１１の間欠回転に伴ってインデックスベース２０の加熱部２１を通ることになり、この加熱部２１は図６に示すように４個の温度調整部２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄで段階的に加熱されているから、チップ状電子部品も常温から段階的に昇温して加熱部２１の終端部では２００℃に到達する。そして、加熱部２１の最後尾に位置する高温インピーダンス測定ステーションＳ１４に到着したチップ状電子部品は、図８のようにその電極部５ａ（３個のうち少なくとも２個）に接触可能な測定端子６０を持つ測定具８０を用いて高温でのインピーダンスが測定される。
【００４４】
以後、ロータリー・インデックステーブル１１の間欠回転によりチップ状電子部品はインデックスベース２０の冷却部２２上に戻り、高温インピーダンス不良排出ステーションＳ１５では高温インピーダンス不良のチップ状電子部品を吸着ノズル等の排出具８１にて排出する。それから、高温インピーダンス不良排出ミス検出ステーションＳ１６にて高温インピーダンス不良のチップ状電子部品の排出ミスを検出センサ機構８２で検出し、排出ミスのチップ状電子部品を後工程で良品として排出しないように設定する。その後、排出されないで残った良品のチップ状電子部品を良品排出ステーションＳ１７において排出具８３にて排出する。これにより、所要の常温・高温電気的特性測定が良好な良品のチップ状電子部品が選別できたことになる。
【００４５】
その後の強制排出ステーションＳ１８では排出されないで残っているチップ状電子部品を強制排出手段で排出する。全排出ミス検出ステーションＳ１９では今までのステーションで排出されないで残ったチップ状電子部品の有無を念のために全排出ミス検出センサ機構８４にて検出する。排出ミスがあったときは、その箇所には供給ステーションＳ１で新規のチップ状電子部品は供給しないように設定する。
【００４６】
この実施の形態によれば、次の通りの効果を得ることができる。
【００４７】
(1)  ロータリー・インデックステーブル１１の外周部でチップ状電子部品を保持して間欠搬送し、常温（３０〜４０℃）での電気的特性測定を行う測定ステーションに対応して冷却手段を設け、高温（１８０〜２００℃）での電気的特性測定を行う測定ステーションに対応して加熱手段を設け、前記常温での電気的特性測定を行う測定ステーションから前記高温での電気的特性測定を行う測定ステーションに至る間に、前記加熱手段により所定の常温から所定の高温となるまで段階的に上昇するように前記インデックスベースを温度制御し、チップ状電子部品を、前記所定の常温から所定の高温まで段階的に上昇する雰囲気温度にて、順次搬送して電気的特性の測定を行うようにしたので、チップ状電子部品の電気的特性測定を、チップ常温時及び高温時ともに、１つのロータリー・インデックステーブル機構１０上にて行うことができる。このため、設置スペースの削減、コスト低減ができる。
【００４８】
(2)  前記加熱手段は、インデックスベース２０の底面側に設けられたカートリッジヒーター５１内蔵のヒーターブロック５０と、インデックスベース２０の温度検出を行う温度センサとしての熱電対５２と、電源５３と、温度調整器５４とを有し、前記熱電対５２の温度センサの温度検出結果に基づき温度調整器５４にてカートリッジヒーター５１への通電を制御しており、チップ状電子部品の搬送されるインデックスベース２０を所定の雰囲気温度に制御できる。
【００４９】
(3)  ロータリー・インデックステーブル１１を熱容量の小さな樹脂、具体的には超耐熱エポキシ樹脂とし、またインデックスベース２０を熱容量の大きな金属で加熱部２１の体積を増やすことで、インデックステーブル１１で熱を奪われることによるインデックスベースの温度低下を抑えることができる。また、搬送中のチップ状電子部品の飛出し防止用のインデックスカバー３０による輻射熱の影響があることを利用し、インデックスカバー３０の材質を比較的熱伝導性の良い金属（例えばステンレス等）として輻射熱の効果を更に上げるようにしている。これらにより、１サイクルのタクトを短縮し、これらの対策が無い場合に比して約３倍の処理速度を見込む事が出来る。
【００５０】
(4)  インデックスベース２０の冷却部２２の冷却手段としてインデックスベース２０の底面に冷却溝２４による冷却エアーの循環通路を形成したので、エアークーラーを使用して低温の冷却エアーをインデックスベース下面側に流すことにより、常温測定部Ｘの温度は目標温度（３０〜４０℃、より好ましくは３３〜３７℃）内に抑えることが出来る。
【００５１】
(5)  取付ベース１４の材質をアルミにし放熱効果をねらい、更には取付ベースに冷却エアーを当て冷却することで取付ベース１４の温度を目標温度（最高温度４７℃）以内に収めることができる。
【００５２】
(6)  カートリッジヒーター５１を銅製等の良熱伝導性金属ブロックに完全に埋め込んでヒーターブロック５０を構成することで、輻射熱を最小限に押さえて断熱部材としての断熱板４０へのヒートショックを減少させることができる。また、断熱板４０の材質においてもヒートショックに強いセラミック（カルシウムシリケート結晶とリチウムアルミノシリケート結晶からなるセラミック）を選定することで、断熱板４０のヒートショックによる破壊を防止できる。
【００５３】
(7)  加熱部２１と冷却部２２の境界における温度差が大きい為、この部分における熱量流出が多いので、図３のようにインデックスベース２０の加熱部２１と冷却部２２の境目に細長い抜き穴２３を設けて熱の通り道を狭くし、同時に加熱部側体積を増やすことで、温度制御の誤差が生じないようにしている。
【００５４】
(8)  インデックスベース２０においては、ステンレス等の金属板材の焼入れ処理をして加熱時の歪みを最小限におさえるようにしたが、焼入れ時にも歪みが生じるので、加工精度の必要な加工部は、焼入れ処理をしてから加工する。これによりインデックスベース２０の高精度の加工が可能である。
【００５５】
(9)  アウターガイド（チップ外周ガイド）３１に関しては、測定部に対応する部分のみをジルコニア等の絶縁体を使用し、他の部分を熱伝導性を良くするために金属とする構造とすることが考えられるが、ガイド同士のつなぎ目でチップ状電子部品のかみ込みが生じるおそれがあるので、アウターガイド３１の材質をステンレス等の金属板の一枚物にし、測定部に対応した絶縁性の必要な部分は耐摩耗性の硬質絶縁薄膜の表面処理（ＤＬＣ薄膜）を施して対応することで、搬送等に与える影響を無くすことができる。
【００５６】
なお、チップ状電子部品は図５のような表裏面の片側に電極部５ａを有する構造のみに限定されないことは明らかであり、表裏面の両側にわたり電極部があるときは、インデックスベース上面の必要箇所にもＤＬＣ等の耐摩耗性の硬質絶縁薄膜を形成すればよい。
【００５７】
以上本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明はこれに限定されることなく請求項の記載の範囲内において各種の変形、変更が可能なことは当業者には自明であろう。
【００５８】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、１つのロータリー・インデックステーブル上でチップ状電子部品の常温時及び高温時の電気的特性を高速、高精度で測定可能で、併せて設置スペースの削減やコストダウンが可能な電子部品の常温・高温電気的特性測定機を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る電子部品の常温・高温電気的特性測定機の実施の形態であって、主としてロータリー・インデックステーブル機構部分を示す正断面図である。
【図２】実施の形態の全体構成を示す平面図である。
【図３】実施の形態におけるインデックスベースの平面図である。
【図４】実施の形態におけるロータリー・インデックステーブルの平面図である。
【図５】実施の形態におけるロータリー・インデックステーブルの外縁部（外周部）の要部拡大平面図である。
【図６】実施の形態におけるインデックスベースに対するヒーターブロックの配置を示す説明図である。
【図７】実施の形態におけるアウターガイドの１例を示す説明図である。
【図８】実施の形態における測定部の１例を示す拡大側面図である。
【符号の説明】
１  パーツフィーダー
２  直線状供給路
１０  ロータリー・インデックステーブル機構
１１  ロータリー・インデックステーブル
１２  凹部
１４  取付ベース
１７  サーボモータ
２０  インデックスベース
２１  加熱部
２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄ  温度調整部
２２  冷却部
２３  抜き穴
２４  冷却溝
３０  インデックスカバー
３１  アウターガイド
３２  ＤＬＣ薄膜
４０  断熱板
５０  ヒーターブロック
５１  カートリッジヒーター
５２  熱電対
５３  電源
５４  温度調整器
６０  測定端子
Ｘ  常温測定部
Ｙ  高温測定部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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