(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一つ又はそれ以上のウェーハの表面に、及び前記一つ又はそれ以上のウェーハの表面上に存在するフォトレジスト・パターンにコーティングを垂直に付着するための装置において、
中心点を中心として一定の半径を持ち、前記中心点を通る第１軸線を中心として回転する一つ又はそれ以上のドームと、
前記中心点に位置決めされた源材料と、
前記一つ又はそれ以上のドームの各々に位置決めされ得る一つ又はそれ以上のウェーハであって、該各ドーム及び該一つ又はそれ以上のウェーハは、前記中心点及び各ドームの中心を通って延びる第２軸線を中心として回転し、これにより、該一つ又はそれ以上のドーム内のウェーハが同時に前記第１軸線及び前記第２軸線の両方を中心として回転し、且つ、前記コーティングが前記ウェーハ表面上及び前記一つ又はそれ以上のウェーハ上に存在するフォトレジスト・パターン上に付着する前記一つ又はそれ以上のウェーハと、を具備し、
前記ウェーハの各々のものの中心と前記中心点との間の距離は、ウェーハ上のコーティングの直交付着性を実質的に損なうことなしにウェーハの全面が前記源材料の蒸気雲に同時に露呈されるに十分な大きさを有することを特徴とするコーティング装置。
【請求項２】
請求項１に記載のコーティング装置において、
リフト・オフ付着プロセスで、前記源と前記一つ又はそれ以上のウェーハとの間に位置決めされる均等化マスクを使用することなく、前記付着させたコーティングは、略均等であり、且つ、付着は前記一つ又はそれ以上のウェーハの前記表面及び前記フォトレジスト・パターンに対して略垂直に行われることを特徴とするコーティング装置。
【請求項３】
請求項１に記載のコーティング装置において、
前記第１軸線は、前記一つ又はそれ以上のドーム間にあり、前記第２軸線は前記各ドームの前記一つ又はそれ以上のウェーハ間にあることを特徴とするコーティング装置。
【請求項４】
請求項１に記載のコーティング装置において、
前記ドームを前記第１軸線の周囲に位置決めし且つ前記ドームを前記第１軸線を中心として回転させる支持構造を更に具備することを特徴とするコーティング装置。
【請求項５】
請求項４に記載のコーティング装置において、
前記支持構造は、前記ドームの円弧が、その中心が前記中心点にある球の周囲と整合するように前記ドームを位置決めすることを特徴とするコーティング装置。
【請求項６】
請求項４に記載のコーティング装置において、
前記支持構造は、前記一つ又はそれ以上のドームを、これらのドームの夫々の第２軸線を中心として回転させる駆動システムを具備することを特徴とするコーティング装置。
【請求項７】
蒸着装置において、
蒸発されるべき材料の源と、
その第１面の各点が前記源から等距離にあるように位置決めされたドーム状ウェーハ・ホルダであって、該ウェーハ・ホルダ及び前記源の中心を通るドーム軸線を有し、該ホルダ内の一つ又はそれ以上のウェーハを前記ドーム軸線を中心として回転させる前記ドーム状ウェーハ・ホルダと、
前記ドーム状ウェーハ・ホルダを保持し、これらのホルダを前記源の中心線軸線を中心として回転させる回転構造と、を具備し、
前記ウェーハの各々のものの中心と前記源との間の距離は、一定でありかつ、ウェーハ上に付着させることができる前記蒸発されるべき材料のコーティングの直交付着性を実質的に損なうことなしにウェーハの全面が前記源の蒸気雲に同時に露呈されるに十分な大きさを有することを特徴とする蒸着装置。
【請求項８】
請求項７に記載の蒸着装置において、
前記蒸発された材料は前記ドーム状ウェーハ・ホルダの前記第１面の各点に対して垂直な軌跡に沿って移動し、前記ウェーハの前記表面に対して略垂直に該ウェーハ上にコーティングを付着することを特徴とする蒸着装置。
【請求項９】
請求項８に記載の蒸着装置において、
前記蒸発させた材料は、前記ウェーハの前記表面上に又は該ウェーハの該表面上のフォトレジスト・パターン上にコーティングを形成し、これにより、前記フォトレジスト・パターン上に付着した前記コーティングを該ウェーハの該表面上にリフト・オフすることを許容することを特徴とする蒸着装置。
【請求項１０】
請求項１に記載のコーティング装置において、
前記距離は、所定の距離を越えたときウェーハのエッジにおける直交付着性が該ウェーハの中心における直交付着性に対しずれる程度がリフト・オフ付着プロセスに対して無視できる程度である該所定の距離に等しいかあるいはそれよりも大きいことを特徴とするコーティング装置。
【請求項１１】
請求項１に記載のコーティング装置において、
前記中心点からウェーハの中心に向け引いた直線は該ウェーハの表面に対し垂直であることを特徴とするコーティング装置。
【請求項１２】
請求項７に記載の蒸着装置において、
前記距離は、所定の距離を越えたときウェーハのエッジにおける直交付着性が該ウェーハの中心における直交付着性に対しずれる程度がリフト・オフ付着プロセスに対して無視できる程度である該所定の距離に等しいかあるいはそれよりも大きいことを特徴とする蒸着装置。
【請求項１３】
請求項７に記載の蒸着装置において、
前記源からウェーハの中心に向け引いた直線は該ウェーハの表面に対し垂直であることを特徴とする蒸着装置。
【請求項１４】
請求項９に記載の蒸着装置において、
リフト・オフ付着プロセスで、前記源と前記一つ又はそれ以上のウェーハとの間に位置決めされる均等化マスクを使用することなく、前記付着させたコーティングは、略均等であり、且つ、付着は前記一つ又はそれ以上のウェーハの前記表面及び前記フォトレジスト・パターンに対して略垂直に行われることを特徴とする蒸着装置。
【請求項１５】
ウェーハ上にリフト・オフ・コーティングを形成するための請求項１乃至１４の何れか１項に記載の装置を使用する方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本願は、ラムゼーに付与された「多ポケット電子ビーム源」という表題の米国特許第６，３４２，１０３号に関する。同特許に触れたことにより、この特許に開示された内容は本明細書中に含まれたものとする。本願は、更に、クローネベルガーに付与された「鋭敏な基材用ばねクリップ」という表題の米国特許第６，２８７，３８５号に関する。同特許に触れたことにより、この特許に開示された内容は本明細書中に含まれたものとする。
【０００２】
本発明は、全体として、半導体加工及び光学コーティングに関し、更に詳細には、基材上への物理蒸着に関する。
【０００３】
【従来の技術】
金属被覆（ｍｅｔａｌｉｚａｔｉｏｎ）として周知のプロセスでウェーハを薄い金属層でコーティングするのに、一般的には、電子ビーム蒸発（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｂｅａｍ  Ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）が使用される。一般的には、代表的なシリコンウェーハ製造では、付着させた金属層を、次いでエッチングして、集積回路の回路配線（ｃｉｒｃｕｉｔ  ｔｒａｃｅｓ）を形成する。しかしながら、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）、リン化インジウム（ＩｎＰ）、及びこれらの二つの間の多くの合金及び同様の電子光学材料が、代表的には、セルラーデバイスの高周波集積回路用基材として使用される場合には、金をエッチングしてＧａＡｓ基材上に回路配線を形成するが、うまくいかない。
【０００４】
金は、多くの場合、集積回路の導体として使用される。これは、高度に導電性であることに加え、不動態化金属と同様に金が表層酸化物を形成しないためである。従って、金でできた回路配線に加えられた高周波電流は、回路配線の表皮が抵抗性酸化物層でないため、これを通って容易に流れることができる。これは、高周波電力の伝導における周知の表皮効果である。これは、セルラーデバイスに共通の高出力ＧａＡｓ集積回路の電力消費を減少する上で重要である。金の層をＧａＡｓ基材に直接付着することには二つの問題点がある。第１に、金が基材に浸入すること。第２に金が基材に対して直接的に適切に接着しないことである。従って、金が基材に浸入しないようにするため、パラジウム又はプラチナでできた拡散バリアが金をＧａＡｓから分離する。更に、金及び拡散バリアを基材に接着するため、チタニウム又はクロムでできた接着層を、ＧａＡｓ基材上に、基材と拡散バリアとの間に付着する。これらのバリア層及び接着層は、代表的には、非常に薄いけれども非常に均等でなければならない。
【０００５】
図１は、ＧａＡｓ基材１０２上の接着層１０４を示す、回路配線の断面を示す。接着層１０４には拡散バリア１０６が設けられ、回路配線を形成する金１０８が拡散バリア上に設けられている。金回路配線は、珪素（ｓｉｌｉｃｏｎ）基材上でエッチング除去ができるようには、代表的なエッチング・プロセスではＧａＡｓ基材からエッチング除去できない。これは、エッチング用腐食液（以下適宜「腐食液」という。）が接着層及び拡散バリアを除去し、かくして回路配線を基材から遊離（ｆｒｅｅ  ｆｒｏｍ）させてしまうという明らかに望ましからぬ結果が生じるためである。
【０００６】
従って、金回路配線は、代表的には、「リフト・オフ（ｌｉｆｔ−ｏｆｆ）」プロセスで形成される。リフト・オフ・プロセスでは、図２でわかるように、溝（ｔｒｅｎｃｈ）１１０を持つフォトレジスト・パターンをＧａＡｓ基材上に形成する。最初に接着層を、これに続いて拡散バリアを順次付着させ、最後に、金を、部分１０８ａがフォトレジスト層１１２の上の拡散バリア１０６上に付着され且つ部分１０８ｂが溝１１０内の拡散バリア１０６上に付着されるようにフォトレジスト・パターン上に付着させる。拡散バリアに直接付着させた金１０８ｂが回路配線を形成する。フォトレジストに付着させた金１０８ａ及び接着層１０４並びに拡散バリア１０６は、溝１１０内に付着させた金部分１０８ｂから形成された回路に如何なる方法によっても接続されていない限り、フォトレジスト層の溶解時に、基盤を「リフト・オフ」させる。従って、金部分１０８ａ及び１０８ｂが互いに接続されないようにトレンチの側壁がコーティングされないことが最も重要である。金が何処かで二つの部分を接続すると、たとえ良質な金属フィラメントであっても、リフト・オフが不適切になり、欠陥のある回路が形成される。
【０００７】
かくして、付着されるべき金属の源１２０は、溝１１０の側壁をコーティングしないようにするため、基材表面に関してできるだけ９０°に近い軌跡をとらなければならない。これを直交付着と呼び、得られた最適のコーティングを「リフト・オフ」コーティング又はゼロ・ステップ・カバーと呼ぶ。リフト・オフ・プロセスで一般的に使用される物理蒸着法は、電子ビーム蒸発（ＥｌｅｃｔｒｏｎＢｅａｍ  Ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）である。多数のウェーハを単一の源によって正確にコーティングしなければならない実際の用途では、特定の出力レベル及び材料についての特定のセットアップを持つ複雑な機械を必要とする。
【０００８】
他の従来のセットアップを図３に示す。源１２０は、半径がＲの球１３０の中心に配置されている。この球は、リフト・オフ・ドーム１２４の全ての点が源１２０から等距離であるようにリフト・オフ・ドームがドーム球半径Ｒを持つことを例示するために示してある。球の頂部には、ウェーハ又はコーティングされるべき他の基材を保持するための多数の穴が設けられたリフト・オフ・ドーム１２４が設けられている。リフト・オフ・ドーム１２４は、源中心線１３２を中心として回転する。一つのウェーハ１２２がリフト・オフ・ドーム１２４に示してある。リフト・オフ・ドームの全ての部分が源から等距離であるけれども、源から基材までの距離は、各ウェーハが円弧状でなく平らであるため、一定ではない。しかしながら、相違は、この用途の目的について実質的に無視でき、及びかくして源から基材までの距離はドーム球半径Ｒと等しいと言うことができる。
【０００９】
リフト・オフ・ドーム１２４上のウェーハ、例えばウェーハ１２２をコーティングするため、源を電子ビーム（図示せず）で加熱し、コーティング材料をリフト・オフ・ドーム１２４の開口部内に保持されたウェーハに向かって直線をなして蒸発させる。蒸気は均等でなく、蒸気分布は電子ビームに供給された出力に従って及び蒸発されるべき材料に従って変化する。蒸気ベクトル場は、多くの場合、蒸気雲と説明される。リフト・オフ・ドーム及びこのドーム上のウェーハが定置である場合には、雲の変化により、各ウェーハの表面上にコーティングが非常に不均等に分配されることとなる。源中心線１３２を中心としてドームを回転させると、中心線１３２を中心とした円形経路における変化が平均化されることにより不均等性が大幅に低下する。しかしながら、蒸気場の大きさは中心線のところで非常に大きく、中心線からドーム上の距離が大きくなるに従って、図４でわかるように徐々に減少する。付着させたコーティングの厚さはベクトル場の大きさと正比例し、厚さは、更に、中心線即ち回転軸線からドーム上の距離と比例する。図４は、中心線１３２からの距離ｒの変化に対する厚さ分布のグラフである。付着させたコーティングの厚さは、以下の関係に従って算術的にモデル化できる。
【００１０】
0004426196.tif 000002
ここで、Ｔr は点ｒでの厚さであり、Ｒはドーム球半径であり、Ｎは各出力及び蒸発されるべき材料についての特性数であり、θは源中心線１３２から点ｒまでの角度である。
【００１１】
源中心線１３２の最も近くに付着したコーティングの厚さを小さくするため、定置の均等化マスク１２６を源とドームとの間に固定する。この均等化マスクの幅は、半径が大きくなるに従って徐々に小さくなる。かくして、リフト・オフ・ドーム１２４が回転するとき、均等化マスク１２６が、中心線近く（θがゼロに近い）の蒸気の部分を、中心線から遠い（θが９０°に近付く）所よりも大きくブロックする。蒸気ベクトル場が、異なるコーティング材料の各々及び電子ビームの出力レベルについて変化するため、各コーティング材料についてばかりでなく、各材料についての各所与の出力レベルについて、独自の均等化マスクを注文制作しなければならない。均等化マスクを変更するには、コーティングプロセスを停止する必要があり、及びかくしてコーターが停止されることとなる。回路配線をＧａＡｓウェーハ上に形成するのに必要とされる多数の様々な金属層を付着するため、図１及び図２に示すように金層１０８、接着層１０４及び拡散バリア１０８を付着するのに少なくとも三つの異なる均等化マスクが必要とされる。更に、蒸発させた材料の大部分が無駄になる。これは、蒸発させた材料の幾分かがウェーハ上でなく均等化マスク上に集まってしまうためである。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
かくして、多数の異なるコーティングを多数のウェーハに同時に均等に付着するための、均等化マスクを必要としない、リフト・オフ・アプリケーションに必要な直交付着を行うことができる電子ビームコーターが必要とされている。更に、蒸発材料、出力レベル、ビーム位置、等のプロセス変化に対して比較的敏感でない装置が必要とされている。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明のプラネタリー・リフト・オフ付着システム及び方法は、均等な「リフト・オフ」コーティングを多数のウェーハに短時間で付着する。従来の蒸着装置及び方法と比較すると、本発明のシステム及び方法は、蒸発させた材料の大きな割合を使用し、異なる材料を蒸発させる場合に部品の交換を必要とせず、更に均等で正確なコーティングを確実に且つ一貫して付着する。
【００１４】
好ましい実施例では、蒸着装置は、第１面の各点が、蒸発されるべき源材料から等距離にあるように位置決めされたドーム状ウェーハ・ホルダを使用する。ドーム状ウェーハ・ホルダを保持する回転構造は、源を通る中央軸線を中心として回転する。ドーム状ウェーハ・ホルダはドーム及び源の中心を通る軸線を中心として回転し、かくして均等化マスクに対する必要をなくす。例示の好ましい実施例ではドーム状ウェーハ・ホルダを説明するが、他の実施例では、支持構造が、ウェーハを、各ウェーハの中心が源から等距離であるように、ドーム状キャリヤなしで配置できる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
本発明のプラネタリー・リフト・オフ付着システム及び方法は、均等な「リフト・オフ」コーティングを多数のウェーハに短時間で付着する。従来の蒸着装置及び方法と比較すると、本発明のシステム及び方法は、蒸発させた材料の更に高い割合を使用し、均等化マスクを全く必要とせず、異なる材料を蒸発させる場合に構成要素の交換を必要とせず、更に均等であり且つ正確なコーティングを確実に且つ一貫して付着する。最後に、従来の設計よりもプロセスの変更に対する敏感さが低い。
【００１６】
図５乃至図７は、プラネタリー・リフト・オフ付着システム２００を示す。図５はプラネタリー・リフト・オフ付着システム（以下適宜「ＰＬＤＳ」という。）２００の平面図であり、図６はＰＬＤＳの断面図であり、図７はＰＬＤＳの拡大断面図である。本発明を添付図面を参照して説明する。
【００１７】
電子ビーム蒸発（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｂｅａｍ  Ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）は、一般的には、真空中で行われ、及びかくして図５及び図６でわかるように、リフト・オフ・ドーム２１２は密封真空チャンバ２４０内にある。ＰＬＤＳ２００は様々な大きさを有し、約４４．４５ｃｍ乃至１３７．１６ｃｍ（約１７．５インチ乃至５４インチ）又はそれ以上の半径Ｒを有する。ドーム２１２の数及び形体もまた、用途及びウェーハの大きさに応じて変化し、１個乃至７個であるのがよい。好ましくは、３個乃至６個のリフト・オフ・ドームが、源２２２の中心線のところに位置決めされた中心線軸線２２０の周囲に配置されている。本発明を例示するために使用する好ましい実施例では、５個のドーム２１２の各々が６個の１５．２４ｃｍ（６インチ）ウェーハを支持し、中心線軸線２２０を中心として回転し、その結果、３０個のウェーハを同時にコーティングできる。各リフト・オフ・ドームは、更に、ドーム軸線２３０を中心として回転する（各ドームはそれ自体の軸線２３０ａ、２３０ｂ、２３０ｃ、２３０ｄ、２３０ｅを夫々有する）。比較的小型のウェーハをコーティングしようとする場合には、同時にコーティングできる数が増え、その逆もいえる。リフト・オフ・ドームは、ウェーハを所定位置に保持する好ましい方法であるが、これは一つの方法に過ぎない。この他の方法が本発明の範囲内に含まれる。例えば、ドーム形状を設けずに、一つ又はそれ以上のアームを持つ支持フレーム即ち支持構造がウェーハを同様の位置に保持してもよい。当業者は、ウェーハを本発明に従って個々に位置決めし、相互連結し、配向し、回転するため、多くの様々な形体の構造を形成できる。
【００１８】
二つのウェーハ２１４及び２１６がリフト・オフ・ドーム２１２の一つの中に示してある。ＰＬＤＳ２００は、各リフト・オフ・ドーム２１２が、それ自体の軸線２３０を中心として回転し並びに中心線軸線２２０（太陽）を中心として回転する惑星と同様であり、プラネタリーシステムと考えることができる。明瞭化を図るため、リフト・オフ・ドーム２１２を適正な位置に配置し且つ中心線軸線２２０及びドーム軸線２３０の両方を中心としたドームの回転を制御する支持フレーム２１０は図５及び図６には示してないが、図７でわかる。図５に示すリフト・オフ・ドーム２１２の一つが図６のチャンバ２４０内に示してある。リフト・オフ・ドーム２１２は、半径が一定のドームであり、ドームの表面上の任意の点が源２２２から等距離である。
【００１９】
リフト・オフ・ドーム２１２は、中心が源２２２に配置された球２０４の部分である。球２０４の一部が図６及び図７に示してある。球２０４は理論的球であり、リフト・オフ・ドームが球２０４の半径である一定の半径Ｒを持ち、源２２２がこの源２２２に面するドーム２１２の表面上の全ての点からほぼ等距離であるということを明らかにするために示してあるに過ぎない。源２２２は、電子ビームによって蒸発される材料を収容している。源２２２から蒸発した材料は、概括的に述べると、源から半径Ｒに沿った直線をなして外方にドーム２１２に向かって移動し、及びかくして材料がドーム２１２と直交してコーティングし、即ち材料の軌道は、ドーム２１２が一部を構成する球２０４の中心に源２２２が配置されているため、ドーム２１２の表面に対して垂直である。源には多数のポケットが設けられている。各ポケットは、蒸発されるべき様々な材料を保持でき、多数のコーティングを蒸着するため、各ポケットを電子ビームによって蒸発されるべき適正な位置まで回転させる。これ以上の情報については、ラムゼーに付与された「多ポケット電子ビーム源」という表題の米国特許第６，３４２，１０３号を参照されたい。同特許に触れたことにより、この特許に開示された内容は本明細書中に含まれたものとする。
【００２０】
図７を参照すると、一つのリフト・オフ・ドーム２１２が示してある。図面の簡略化及び明瞭化を図るため、一つのリフト・オフ・ドーム２１２だけを示すが、リフト・オフ付着システム２００は、多数のウェーハを各々保持する多数のドーム２１２を含む。リフト・オフ・ドーム２１２は、源２２２と整合したドーム軸線２３０を中心として回転する。ドーム軸線２３０は、ドーム２１２が一部を構成する理論的球２０４の半径であり、軸線２２０から軸線２３０までの角度θは、全ての軸線２３０ａ−ｅについて等しい（か或いは、しかしながら、多くのドーム軸線がある）。
【００２１】
ドーム２１２は、ドーム軸線２３０を中心として回転する。離間フレーム２１０がリフト・オフ・ドーム２１０を球２０４に沿って位置決めする。離間フレーム２１０の一部だけが図７に断面で示してある。離間フレーム２１０は軸線２２０を中心として回転し、リフト・オフ・ドーム２１２を軸線２３０を中心として回転させる。離間フレーム２１０は、当業者に周知の多くの材料で形成できるが、好ましくは、耐食性であり且つ蒸着コーティングを汚染するガスの発生量が最少のステンレス鋼等の材料で形成される。多数の軸線を中心とした回転を提供するため、モータ、ギヤ、シャフト、滑車（ｐｕｌｌｅｙｓ）、及び他の周知の駆動機構を含む任意の数の機構を使用できる。このような機構の一つは、スピンドル２０６と滑車２０８との間で滑車として使用されるステンレス鋼製のばねを使用する。別の態様では、個々のモータ、可撓性シャフト、又は相互連結されたギヤ及びモータからなるシステムがプラネタリー回転を提供できる。ドーム２１２内の一つ又は二つのウェーハ列の各々は、回転軸線２３０から等距離である。回転軸線２３０では、ドーム２１２は軸線２３０に対して垂直である。ウェーハ２１４及び２１６は、付着システム２００のこの断面に示してある。任意のウェーハ、例えばウェーハ２１４又は２１６に沿った中心線からの距離が大きくなるに従って直交付着からの無視できないずれが生じる。これはウェーハが円弧状でなく平らであるためである。しかしながらこのずれは極めて小さく、問題のウェーハ直径についてＲを正しく選択した場合、コーティングのリフト・オフ特性に大きな影響を及ぼさない。これ以上の情報については、真空コーティング装置学会の第３２回年次技術会議議事録の第２７８ページの「リフト・オフ・パターニングについての改良された蒸着」という表題のＲ．Ｊ．ヒルによる文献（１９８９年）を参照されたい。
【００２２】
従来の技術で図４に関して論じたように、コーティングの厚さは、源の真上で最大であり、回転軸線（中心線）２２０からの距離ｒが大きくなるにつれて減少する。距離ｒの増大に従ったコーティングの減少は、軸線２３０を中心としてウェーハ・ホルダを回転させることによって平均化される。ウェーハが軸線２３０を中心として回転するため、ウェーハ上の所与の点は、中心線軸線２２０（源中心線）に最も近いときに比較的高い付着速度に露呈されて厚いコーティングを形成し、中心線軸線２２０（源中心線）からの距離が大きくなるに従ってコーティングの厚さが徐々に薄くなる。かくして、一つの惑星回転即ちサイクルでは、任意のウェーハ上の任意の点が、任意のウェーハの任意の他の点と同じ厚さにコーティングされ、及び従って、ウェーハの各々が均等にコーティングされる。この均等に付着させたコーティングは、従来のリフト・オフ付着システムで代表的な均等化マスクを使用せずに得られる。
【００２３】
従来技術の付着システムでは、コーティングは、コーティングの厚い部分を均等化マスクでブロックすることによって均等に付着された。図４でわかるように、曲線の縁部近くで付着させた厚さは、中心近くで付着させた厚さの２０％になり得るが、代表的には６０％乃至９０％である。曲線上の最小厚さ点により、ウェーハに付着させるべき最終的な厚さが決まる。これは、曲線の比較的厚い部分が、均等化マスクによって、ウェーハ表面に到達しないように選択的にブロックされるためである。かくして、付着されるべき材料がウェーハでなくマスクをコーティングするため、付着されるべき材料の大きな部分が無駄になる。かくして、このシステムは、非効率で費用のかかるシステムである。本発明によれば、均等なコーティングを得るためにブロックしなければならない材料がないため、蒸発させた材料の遙に高い割合が実際にウェーハに付着する。
【００２４】
代表的には、上文中で論じたように、ＧａＡｓアプリケーションで回路配線を形成するのに金が使用される。本発明のプラネタリー・リフト・オフ付着システム（「ＰＬＤＳ」）を１年間使用した場合と均等化マスクを備えた従来の設計（「従来技術」）を１年間使用した場合にどれほどの金額が節約できるのかを示す例を以下に示す。
【００２５】
【表１】
0004426196.tif 000003
表１でわかるように、本発明を例示するＰＬＤＳは、従来技術のシステムよりも１回の作動毎に使用されるのが約３．５８ｇ少なく、効率が約９．９％高い。代表的なシフトが毎年１８８０時間であり（４０時間／週で４７週間）、毎週３シフトあると仮定すると、付着システム（ＰＬＤＳ又は従来技術のシステム）を毎年５６４０時間使用できる。各時間に二回作動させる。各機械についての停止時間が１０％であり、歩留りが９８％であるため、本発明は、表２でわかるように、毎年３５，５００ｇの金を節約する。１トロイオンス（３１．１０３４８１ｇ）当たりの金の価格が＄２８０であると仮定すると、ＰＬＤＳシステムは毎年＄３２０，０００以上節約する。
【００２６】
【表２】
0004426196.tif 000004
【００２７】
図８は、ＰＬＤＳを使用して付着させたコーティングの均等性を従来技術のシステムで付着させたコーティングの均等性に対して示す。９０００オングストローム（９０００×１０-10 ｍ）のコーティングをＰＬＤＳで付着させる上で、付着させたコーティングは、ウェーハの表面に亘るターゲットの約１．２％内にあるのに対し、従来技術で付着させたコーティングはウェーハの縁部のところで約６．８％薄くなっている。従って、本発明は、従来技術のシステムよりも効率が優れているばかりでなく、コーティングを従来技術のシステムよりも均等に且つ正確に付着する。
【００２８】
本発明の特定の実施例及びそれらの利点を示し且つ説明したが、特許請求の範囲によって定義される本発明の精神及び範囲から逸脱することなく、様々な変形、代替、及び変更を行うことができるということは理解されるべきである。例えば、ドームを適正な位置に位置決めし且つ回転する任意の装置又は方法は、特許請求の範囲に定義された本発明の範囲内にある。
【図面の簡単な説明】
【図１】ＧａＡｓ基材上の従来技術の回路配線の断面図である。
【図２】従来技術のリフト・オフ付着回路配線の断面図である。
【図３】従来技術のリフト・オフ付着システムの図である。
【図４】源中心線からの水平方向距離の関数としてのコーティング厚のグラフである。
【図５】プラネタリー・リフト・オフ・システム２００の平面図である。
【図６】プラネタリー・リフト・オフ・システム２００の断面図である。
【図７】プラネタリー・リフト・オフ・システム２００の拡大断面図である。
【図８】プラネタリー・リフト・オフ・システム２００で得られたコーティング分布を、従来技術のシステムで形成したコーティングと比較するグラフである。
【符号の説明】
２００  プラネタリー・リフト・オフ付着システム
２１０  支持フレーム
２１２  リフト・オフ・ドーム
２１４、２１６  ウェーハ
２２０  中心線軸線
２２２  源
２３０  ドーム軸線
２４０  密封真空チャンバ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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