(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｃｕと２０〜５０ａｔ％のＣｕと分離状態が安定な他の金属との合金層又は該合金層とＣｕ層との積層体を少なくとも含む金属層を基板上に形成し、前記金属層を熱処理することにより、前記金属層の表面に、表面以外の部分より前記Ｃｕと分離状態が安定な他の金属を多く含む被膜を有する電極を基板上に形成することを特徴とする電極の形成方法。
【請求項２】
前記合金層が、前記Ｃｕと分離状態が安定な他の金属を２５〜５０ａｔ％含む請求項１に記載の電極の形成方法。
【請求項３】
前記Ｃｕと分離状態が安定な他の金属が、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｔａ、Ｎｂ及びＺｒから選択される請求項１又は２に記載の電極の形成方法。
【請求項４】
前記金属層が、Ｃｕと前記Ｃｕと分離状態が安定な他の金属２０〜５０ａｔ％との第１合金層、Ｃｕ層及びＣｕと前記Ｃｕと分離状態が安定な他の金属２０〜５０ａｔ％との第２合金層の積層体を少なくとも含む請求項１〜３のいずれかに記載の電極の形成方法。
【請求項５】
前記金属層が、その最上層、最下層又は両層にＣｕと前記Ｃｕと分離状態が安定な他の金属との合金層を有する請求項１〜４のいずれかに記載の電極の形成方法。
【請求項６】
前記金属層が、Ｃｕ層を２層以上含む請求項１〜５のいずれかに記載の電極の形成方法。
【請求項７】
前記金属層の所望パターン部位に光を照射して加熱することにより、前記金属層中に含まれる他の金属を析出させてマスクを形成する請求項１〜６のいずれかに記載の電極の形成方法。
【請求項８】
電極を形成したガラス基板を有する表示装置の製造方法であって、
Ｃｕと２０〜５０ａｔ％のＣｕと分離状態が安定な他の金属との合金層又は該合金層とＣｕ層との積層体を少なくとも含む金属層をガラス基板上に形成し、前記金属層を熱処理することにより、前記金属層の表面に、表面以外の部分より前記Ｃｕと分離状態が安定な他の金属を多く含む被膜を有する電極をガラス基板上に形成することを特徴とする表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電極の形成方法に関する。更に詳しくは、本発明は、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）のような表示装置に好適に使用することができる電極の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
表示装置として、ＣＲＴ、液晶表示装置（ＬＣＤ）、プラズマアドレス液晶表示装置（ＰＡＬＣ）、ＰＤＰ等が知られているが、この内、ＰＤＰは、大型化及び薄型化が容易であるため、壁掛けテレビ、ハイビジョンテレビ、公共表示装置、コンピュータ用モニタとして使用することが期待されている。
【０００３】
ＰＤＰの一例を図４に示す。図４は、面放電交流駆動方式のＰＤＰの概略斜視図である。図４のＰＤＰは背面基板Ｂと前面基板Ａとからなる。背面基板Ｂは、ガラスからなる基板１０５上に所定の間隔で形成されたアドレス電極１０２、アドレス電極１０２間に形成された隔壁１０３、隔壁１０３の側面とアドレス電極１０２を覆うように形成された蛍光体層１０４を備えている。一方、前面基板Ａは、ガラスからなる基板１０１上に形成された２本で一対の放電電極、放電電極を覆うように基板１０１上に形成された誘電体層１０６を備えている。放電電極は、基板１０１側から透明導電膜１０７とバス電極１０８との積層体からなる。
【０００４】
ここで、透明導電膜１０７はＩＴＯ、ＮＥＳＡ（ＳｎＯ2）等からなり、バス電極１０８は、透明導電膜１０７より幅が狭くかつ低抵抗な、例えばＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒのような金属の積層体、Ａｌ、Ａｇのような金属からなる。また、蛍光体層１０４はＲＧＢの三原色のストライプ状の蛍光体材料から構成され、三原色一組で一画素を構成している。
【０００５】
上記ＰＤＰにおいてアドレス電極やバス電極のような金属層には、導電性が良好なＣｕが通常使用されている。金属層にＣｕを使用する場合、金属層には、基板との密着性を向上させるための層及び金属層を覆う誘電体層を構成する低融点ガラスとＣｕとの反応を抑制するための層を含む必要があった。具体的には、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒからなる３層膜構造が採用されている。
【０００６】
しかしながら、この３層膜構造では、Ｃｒ、Ｃｕ及びＣｒの順に３回エッチングが必要であり、工程が煩雑であるという問題がある。また、Ｃｕ層の側壁は、Ｃｒで覆われていないため、誘電体層を構成する低融点ガラスとＣｕとの反応を防ぐことができない。
【０００７】
このような問題を解決する試みとして、特開平１１−６７１０４号公報に記載の方法が知られている。
【０００８】
この公報には、図５に示すように、ＣｕにＣｒのような分離状態が安定な金属を強制的に合金化した金属層２２を基体２１上に形成した後、誘電体材料層２３で覆い、熱処理に付すことにより誘電体層２４を形成すると共にＣｕ層２６が前記金属からなる被膜２５で覆われた電極を自己整合的に形成する方法が記載されている。分離状態が安定な金属として、上記公報には、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｂ及びＶが挙げられている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、この公報には以下のような問題があった。
（１）この公報の金属層は、基板に対する密着性が不十分であるため、密着層を形成する必要がある。電極を形成するには、金属層及び密着層をエッチングして電極の形状に成型する必要があるが、両層のエッチングを別々に行う必要があり、工程が増えるという問題があった。例えば、密着層にＰＤＰで一般的に使用されているＣｒを、金属層にＣｕ−Ｃｒ合金を使用した場合、金属層は安価な塩化第二鉄溶液のようなエッチング液を使用してエッチングできるが、このエッチング液では密着層をエッチングすることは困難であった。
（２）上記公報の実施例では、Ｃｕに添加する他の金属の濃度が１０ａｔ％以下の金属層が記載されているが、１０ａｔ％では、不十分な場合がある。図６（ａ）及び（ｂ）に、Ｃｒを１０ａｔ％含むＣｕ（以下、Ｃｕ−１０ａｔ％Ｃｒと称する）からなる電極が低融点ガラスと反応したときの光学顕微鏡写真を示す。図６（ａ）では、Ｃｕと低融点ガラスとが反応することにより、電極表面に気泡が発生している様子が示されており、図６（ｂ）では、電極に発生する応力により、電極自体が基板からはがれて、誘電体層（ＩＦ）から露出している様子が示されている。
（３）Ｃｕ−２０ａｔ％Ｃｒからなる電極を形成する場合、その電極の抵抗率は４．５μΩ・ｃｍ程度であり、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒからなる３層膜構造の約２倍である。従って、同じ抵抗率を得るためには、Ｃｕ−２０ａｔ％Ｃｒからなる電極では、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒからなる３層膜構造の約２倍の厚さが必要となる。しかし、Ｃｕ−Ｃｒ合金からなる電極は膜応力が大きいため、厚くすると剥がれてしまうという問題がある。例えば、図７は、厚さ４μｍのＣｕ−２０ａｔ％Ｃｒからなる電極を２００℃で加熱した場合に、剥がれた電極の光学顕微鏡写真である。この図によれば、電極は、ガラス基板を破壊して剥がれていることが示されている。そのため、この公報による電極は、比較的薄いアドレス電極としてはなんとか使用することができるものの、比較的厚いバス電極に使用することは困難であった。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
かくして本発明によれば、Ｃｕと２０〜５０ａｔ％のＣｕと分離状態が安定な他の金属との合金層又は該合金層とＣｕ層との積層体を少なくとも含む金属層を基板上に形成し、前記金属層を熱処理することにより、前記金属層の表面に、表面以外の部分より前記Ｃｕと分離状態が安定な他の金属を多く含む被膜を有する電極を基板上に形成することを特徴とする電極の形成方法が提供される。
【００１１】
【発明の実施の形態】
まず、本発明の合金層は、Ｃｕと２０ａｔ％以上の他の金属とから構成される。この合金層に使用できる他の金属には、Ｃｕと分離状態が安定な金属が使用される。ここで、分離状態が安定な金属は、例えば、例えば、Ｍａｘ  Ｈａｎｓｅｎによる“Ｃｏｎｓｔｉｔｕｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｂｉｎａｒｙ  Ａｌｌｏｙｓ”（ＭｃＧｒａｗ−Ｈｉｌｌ  Ｂｏｏｋ  Ｃｏｍｐａｎｙ刊）に記載された２元系金属の相図（状態図）によって選定することができる。特に、ＰＤＰ用の電極を形成する場合、ＰＤＰの製造時の最高工程温度は６００℃程度になるが、この温度でのＣｕへの固溶度が１ａｔ％以下の金属を使用することが好ましい。この固溶度までならＣｕの抵抗率の上昇をある程度抑制することができるからである。具体的には、他の金属としては、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｚｒ等が挙げられる。
【００１２】
以下の表１に各種合金の熱処理温度と電極の比抵抗（μΩ・ｃｍ）との関係を示す。
【００１３】
【表１】
0004408312.tif 000002
【００１４】
上記表１から、Ｃｕ−Ｃｒ合金からなる電極が最も抵抗率が低下しやすいことが分かる。このことは、この合金が、その中のＣｒが電極の表面に移動して被膜を形成しやすいことを意味している。このＣｕ−Ｃｒ合金について、本発明の発明者等は検討した結果、以下の知見を得た。
（１）例えば、電極をＰＤＰに使用する場合、基体上に形成された電極上に低融点ガラスペーストを焼成することで誘電体層を形成する前に、予め熱処理に付さないとき（即ち、電極の表面に被覆形成しないとき）、Ｃｒの添加量が１０ａｔ％では、低融点ガラスとＣｕとの反応（気泡の発生）を抑制することができず、電極が破壊されることもあった。ところが、Ｃｒの添加量が２０ａｔ％の場合、低融点ガラスとＣｕとの反応を抑制することができた。ここで、焼成温度は、６００℃とした。なお、ＰＤＰの電極として一般に使用されているＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒの積層体の場合、その側壁のＣｕが露出する部分で、低融点ガラスとＣｕとが反応（気泡の発生）していることを確認している。
（２）ＰＤＰのバス電極の誘電体層形成後の深さ方向の元素分布をＥＤＸで分析した。なお、誘電体層形成時の焼成温度は、６００℃とした。その結果を図８（ａ）〜（ｃ）に示す。図８（ａ）はＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒの積層体からなるバス電極の、図８（ｂ）はＣｕ−１０ａｔ％Ｃｒからなるバス電極の、図８（ｃ）はＣｕ−２０ａｔ％Ｃｒからなるバス電極の深さ方向の元素分布をそれぞれ示している。これら図から、Ｃｒを２０ａｔ％含むバス電極では、一部のＣｒが電極の表面に析出せず、電極内部にとどまっていることが分かった。このバス電極の形成時の約５０μΩ・ｃｍの抵抗率が、焼成後約４．５μΩ・ｃｍになっていることを考慮すると、この理由は、電極形成時のＣｕ−２０ａｔ％Ｃｒを構成する直径１００ｎｍ程度のグレインの表面にＣｒが析出して止まり、電極の表面に移動しきれなかったものと考えられる。この結果、低融点ガラスとＣｕとの反応が抑制されるものと考えられる。
【００１５】
これに対して、Ｃｕ−１０ａｔ％Ｃｒからなるバス電極は、大部分のＣｒが電極表面に移動していた。また、このように大部分のＣｒが移動することで、低融点ガラスとＣｕとの反応が抑制されるものの、工程の安定性は劣っていた。
（３）Ｃｕ−２０ａｔ％Ｃｒからなるバス電極は、Ｃｕ−１０ａｔ％Ｃｒからなるバス電極と比較して、隣接するＰＤＰの構成部材との密着性が良好であった。従って、Ｃｕ−２０ａｔ％Ｃｒからなるバス電極は、隣接する構成部材との間に密着層を設ける必要がない。そのため、従来電極の形成時に、密着層と電極を構成する金属のそれぞれについてエッチングすることが必要であったが、Ｃｕ−２０ａｔ％Ｃｒからなるバス電極は、その必要がなく１回エッチングするだけで電極を形成できる。
【００１６】
なお、上記では他の金属としてＣｒの場合について記載したが、Ｃｒ以外の金属についても、それら金属を２０ａｔ％以上含む合金が使用される。他の金属の含有量は、２０〜５０ａｔ％であることが好ましい。例えば、Ｃｒを５０ａｔ％より多く含むＣｕ−Ｃｒからなる金属層を基体上に形成すると、基体との界面や層の表面に、直径１００Å程度のオーダーのＣｒが室温でも析出する。このＣｒは通常Ｃｕのエッチングに使用される塩化第二鉄水溶液でエッチングすることが困難であるので、Ｃｒのエッチング工程を別に設ける必要がある。特に好ましい他の金属の含有量は、２５〜５０ａｔ％である。
【００１７】
本発明の金属層は、上記合金層又は上記合金層とＣｕ層との積層体を少なくとも含みさえすれば、どのような構成を有していてもよい。具体的には、以下のような構成が挙げられる。
（１）合金層のみからなる金属層２を基体１上に形成する（図１（１）参照）。この金属層を熱処理すれば、表面が他の金属を多く含む被膜で被覆された電極３が形成できる。この場合、合金層の厚さは、１〜４μｍであることが好ましい。
（２）表面側から、他の金属を高濃度に含む合金層（以下、高濃度合金層）４及び他の金属を低濃度に含む合金層（以下、低濃度合金層）５からなる金属層を基体１上に形成する（図１（２）参照）。この金属層を熱処理すれば、高濃度合金層由来の密着層６を備え、表面が他の金属を多く含む被膜で被覆された電極が形成できる。低濃度合金層は、熱処理により被膜７で覆われたＣｕ層８となる。なお、高濃度合金層中の他の金属の濃度は２０〜５０ａｔ％であることが好ましく、低濃度合金層中の他の金属の濃度は１〜２０ａｔ％であることが好ましい。更に、高濃度合金層４と低濃度合金層５の厚さは、それぞれ０．１〜２μｍと１〜４μｍであることが好ましい。また、ここでいう密着層は、Ｃｕ用のエッチング液でエッチングすることが可能な組成からなる。
（３）基体１上に、高濃度合金層４と低濃度合金層５をこの順で形成する（図１（３）参照）。この金属層を熱処理すれば、高濃度合金層由来の密着層６を備えた表面が他の金属を多く含む被膜で被覆された電極が形成できる。低濃度合金層は、熱処理により被膜７で覆われたＣｕ層８となる。なお、高濃度合金層中の他の金属の濃度は２０〜５０ａｔ％であることが好ましく、低濃度合金層中の他の金属の濃度は１〜２０ａｔ％であることが好ましい。更に、高濃度合金層４と低濃度合金層５の厚さは、それぞれ０．０１〜１μｍと１〜４μｍであることが好ましい。
（４）２層の低濃度合金層５と、それら合金層の間に挟まれたＣｕ層９からなる金属層を基体１上に形成する（図１（４）参照）。この金属層を熱処理すれば、被膜７で覆われたＣｕ層８からなる電極が形成できる。ここで、低濃度合金層の内、どちらか一方を高濃度合金層とすることにより、熱処理後に基体側又は表面上に高濃度合金層由来の密着層を形成することができる。低濃度合金層５とＣｕ層９の厚さは、それぞれ０．０１〜２μｍと１〜４μｍであることが好ましい。
（５）（４）の変形例として、低濃度合金層５、Ｃｕ層９、低濃度合金層５、Ｃｕ層９、低濃度合金層５の積層体からなる金属層を基体１上に形成する（図１（５）参照）。このようにＣｕ層を分割して薄くすることにより、Ｃｕ層の側壁への被膜の析出がより容易になる。低濃度合金層５とＣｕ層９の厚さは、それぞれ０．０１〜２μｍと０．５〜２μｍであることが好ましい。
（６）２層の高濃度合金層６と、それら合金層の間に挟まれたＣｕ層９からなる金属層を基体１上に形成し、その後金属層の側壁をクロメート処理、Ｃｏのような金属による無電解メッキで被膜１０を形成する（図１（６）参照）。被膜１０を設けることで、Ｃｕ層の側面と接する部材との反応をより確実に抑制することができる。
【００１８】
なお、上記（１）〜（６）の構成を組み合わせてもよい。
【００１９】
本発明に使用することができる基体は、特に限定されず、ガラス基板、半導体基板等の基板そのもの以外にも、絶縁膜、誘電体層等の他の構成部材を備えた基板も含まれる。
【００２０】
上記金属層は、以下で説明する熱処理の前に、所望の形状にパターニングすることが好ましい。パターニングは、通常エッチングにより行うことができる。エッチングに使用するエッチング液には、Ｃｕをエッチングすることができる塩化第二銅水溶液等を使用することができる。また、エッチングに使用するマスクは、フォトレジストを露光及び現像することにより形成することができる。更に、このマスク以外にも、金属層の所望の領域にレーザー光線のようなエネルギー線を照射して加熱を行い、その領域にのみ他の金属を析出させて、この析出した他の金属をマスクとして使用することも可能である。
【００２１】
次に、本発明では、金属層を熱処理することにより金属層の表面に他の金属を多く含む被膜を有する電極を形成する。ここで、熱処理の温度は、金属層の表面に他の金属を多く含む被膜を形成することができる温度に設定される。具体的には、他の金属の種類によっても異なるが、２００〜８００℃であることが好ましい。更に、この熱処理は金属層の形成直後に行ってもよく、電極を備えた装置を形成するために必要な他の熱処理と同時に行ってもよい。例えば、ＰＤＰの場合、他の熱処理には、誘電体層の形成時の熱処理が該当する。
【００２２】
本発明の方法により形成した電極は、少なくとも電極を有する種々の装置に使用することができる。更に、ＰＤＰ、ＬＣＤ、ＰＡＬＣ等の表示装置の電極として使用することが好ましい。この内、ＰＤＰの電極として使用することが特に好ましい。より具体的には、図４の面放電交流駆動方式のＰＤＰの場合、アドレス電極やバス電極に好適に使用することができる。以下では、図４について簡単に説明する。
【００２３】
図４のＰＤＰは、前面基板Ａと背面基板Ｂとから構成される。
【００２４】
まず、前面基板は、一般的に基板１０１上に形成された複数本のストライプ状の表示電極、表示電極を覆うように形成された誘電体層１０６とからなる。
【００２５】
表示電極は、ＩＴＯのような透明導電膜１０７からなる。また、表示電極の抵抗を下げるために、透明導電膜１０７上にバス電極１０８を形成してもよい。
【００２６】
誘電体層１０６は、ＰＤＰに通常使用されている材料から形成される。具体的には、低融点ガラスとバインダとからなるペーストを基板上に塗布し、例えば空気のように酸素を含む雰囲気中で、焼成することにより形成することができる。
【００２７】
誘電体層１０６上には保護層を設けてもよい。保護層は、表示の際の放電により生じるイオンの衝突による損傷から誘電体層１０６を保護するために設けることができる。保護層は、例えば、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ等からなる。
【００２８】
次に、背面基板は、一般的に、基板１０５上に形成された複数本のストライプ状のアドレス電極１０２、隣接するアドレス電極間に形成された複数本のストライプ状の隔壁１０３、隔壁１０３間に壁面を含めて形成された蛍光体層１０４とからなる。
【００２９】
隔壁１０３は、低融点ガラスとバインダとからなるペーストを基板１０５上に塗布し、焼成した後、サンドブラスト法で切削することにより形成することができる。また、バインダに感光性の樹脂を使用した場合、所定形状のマスクを使用して露光及び現像した後、焼成することにより形成することも可能である。
【００３０】
蛍光体層１０４は、バインダが溶解された溶液に粒子状の蛍光体を分散させたペーストを、隔壁１０３間に塗布し、焼成することにより形成することができる。
【００３１】
なお、アドレス電極１０２は誘電体層に覆われていてもよい。誘電体層には、上記誘電体層１０６と同種類のものを使用することができる。
【００３２】
上記前面基板と背面基板とを、表示電極とアドレス電極が直交するように、両電極を内側にして対向させ、隔壁１０３により囲まれた空間に放電ガスを充填することによりＰＤＰを形成することができる。なお、図４中、Ｒ、Ｇ及びＢは、赤色表示部、緑色表示部及び青色表示部をそれぞれ示している。
【００３３】
なお、本発明の電極の形成方法は、図４のＰＤＰの構成に限らず、ＤＣ型でもよく、反射型及び透過型のいずれのＰＤＰにも使用することができる。
【００３４】
【実施例】
以下、実施例及び比較例により本発明を更に具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００３５】
実施例１
本発明の方法をＰＤＰのバス電極の形成に適用した場合について、図２（ａ）〜（ｄ）を用いて説明する。
工程（１）
基板１１上に、公知の方法により透明導電膜１２を形成した。この透明導電膜１２上に、下からＣｕ−２０ａｔ％Ｃｒ層（厚さ０．１μｍ）、Ｃｕ−１０ａｔ％Ｃｒ層（厚さ１μｍ）、Ｃｕ層（厚さ０．５μｍ）、Ｃｕ−１０ａｔ％Ｃｒ層（厚さ１μｍ）、Ｃｕ−２０ａｔ％Ｃｒ層（厚さ０．５μｍ）の順で金属層１３を積層した（図２（ａ）参照）。金属層１３の積層方法は、ＣｕとＣｒとからなる合金ターゲット（日立金属社製）を用いてＤＣスパッタ法により成膜した。
工程（２）
金属層１３を所定のバス電極の形状にパターニングするためのマスク１４を金属層１３上に形成した（図２（ｂ）参照）。マスク１４の形成方法は、フォトレジスト（日本ゼオン製ＺＰＰ−１７００）を金属層１３上に塗布した後、所望パターンに露光することで形成した。ここで、マスク１４と接する金属層１３の表面の酸化がある程度進むと、後のエッチング工程でエッチング液が金属層１３とマスク１４の界面に染み込むという現象が起こる。これを防ぐために、フォトレジスト塗布前に、塩酸水溶液に浸漬して金属層１３の表面に形成される酸化物を除去した。
工程（３）
マスク１４を介して金属層１３をエッチングした（図２（ｃ）参照）。エッチング液として塩化第二鉄水溶液を使用した。
工程（４）
マスク１４を除去した後、誘電体層１５を形成すると共に、金属層１３をバス電極に変換した（図２（ｄ）参照）。誘電体層１５は、低融点ガラスペーストを印刷法で、透明導電膜１２及び金属層１３を覆うように基板１１上に塗布した後、空気中、６００℃、２時間の条件で焼成することにより形成した。この焼成により金属層１３中の一部のＣｒは金属層の表面に移動し、被膜を形成した。なお、誘電体層１５と金属層１３には反応が見られなかった。
【００３６】
上記工程により図４に示す前面基板を形成することができた。
【００３７】
次に、公知の方法により、基板上に、アドレス電極、隔壁及び蛍光体層を有する背面基板を形成し、背面基板と前面基板を対向させて封止し、隔壁により囲まれた放電空間内に放電ガスを注入することにより、図４に示すごときＰＤＰを形成した。
【００３８】
実施例２
実施例１の工程（２）を以下の工程（２）’に置き換えること以外は、実施例１と同様にしてＰＤＰを製造した。
工程（２）’
金属層１３を所定のバス電極の形状にパターニングするためのマスク１４ａを金属層１３の表面層に形成した。マスク１４ａには、マスクの形成を所望する領域にレーザー光線１６を照射することにより、その領域を局所的に加熱して図３に示すように析出したＣｒを使用した。
【００３９】
【発明の効果】
本発明によれば、Ｃｕと２０ａｔ％以上の他の金属との合金層又は該合金層とＣｕ層との積層体を少なくとも含む金属層を基体上に形成し、金属層を熱処理することにより、金属層の表面に、表面以外の部分より他の金属を多く含む被膜を有する電極を形成することができるので、被膜により電極と接触する部材（特に、誘電体層）との反応を抑制することができる。
【００４０】
また、被膜は電極と接触する部材との密着性が優れているので、従来必要であったＣｕのエッチング液でエッチングできない密着層を省略することができる。その結果、エッチング回数を減らすことができる。
【００４１】
更に、金属層にＣｕ層を挿入することで、金属膜に生じる膜応力に起因する問題を抑制することができると共に、低抵抗化及び低コスト化を実現することができる。なお、Ｃｕ層を挿入しても、最終的に得られる電極の表面には被膜が形成されているので、電極と接触する部材との反応を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の電極の形成方法の概略工程断面図である。
【図２】本発明の電極の形成方法の概略工程断面図である。
【図３】本発明の電極の形成方法の一工程の概略工程断面図である。
【図４】ＰＤＰの概略斜視図である。
【図５】従来の電極の形成方法の概略工程断面図である。
【図６】従来の電極と低融点ガラスとが反応する様子を示す写真である。
【図７】従来の電極が剥がれた様子を示す写真である。
【図８】Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ、Ｃｕ−１０ａｔ％Ｃｒ及びＣｕ−２０ａｔ％Ｃｒからなるバス電極の深さ方向の元素分布を示すグラフである。
【符号の説明】
１、２１  基体
２、１３、２２  金属層
３  電極
４  高濃度合金層
５  低濃度合金層
６  密着層
７、１０、２５  被膜
８、９、２６  Ｃｕ層
１１、１０１、１０５  基板
１２、１５  透明導電膜
１４、１４ａ  マスク
１６  レーザー光線
２３  誘電体材料層
２４、１０６  誘電体層
１０２  アドレス電極
１０３  隔壁
１０４  蛍光体層
１０７  透明導電膜
１０８  バス電極
Ａ  前面基板
Ｂ  背面基板
Ｒ  赤色表示部
Ｇ  緑色表示部
Ｂ  青色表示部
【図１】
0004408312.tif 000003
【図２】
0004408312.tif 000004
【図３】
0004408312.tif 000005
【図４】
0004408312.tif 000006
【図５】
0004408312.tif 000007
【図６】
0004408312.tif 000008
【図７】
0004408312.tif 000009
【図８】
0004408312.tif 000010