(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、
画素電極と、
島状に分断された導電膜からなるゲート電極を備え前記画素電極に電気的に接続された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタに電気的に接続されたデータ線と、
前記画素電極と前記薄膜トランジスタとを中継接続する中間導電層と、
前記薄膜トランジスタの上層側で前記データ線に交差して伸びると共に前記ゲート電極に対して層間絶縁膜を介して積層されており且つ前記画素の開口領域を少なくとも部分的に規定する導電性の上層遮光膜と、
前記ゲート電極と同一膜からなると共に前記薄膜トランジスタ及び前記画素電極に電気的に接続される第１容量電極と、前記第１容量電極に誘電体膜を介して対向配置されると共に前記中間導電層と同一膜からなる第２容量電極とを有する蓄積容量と、を備えており、
前記上層遮光膜は、前記ゲート電極よりも低抵抗な材料で形成され、前記ゲート電極に電気的に接続されて走査線を兼ねる
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記上層遮光膜は、前記データ線に交差してストライプ状に伸びることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記基板上で、前記薄膜トランジスタの下層側に配置され前記薄膜トランジスタの少なくともチャネル領域を前記基板側から見て覆う格子状又はストライプ状の導電性の下層遮光膜を備えており、
前記第１容量電極は、前記画素電極に電気的に接続されて画素電極電位とされ、前記第２容量電極は前記下層遮光膜に電気的に接続されて固定電位とされることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記下層遮光膜は、画像表示領域内から該画像表示領域外に延設されており、該画像表示領域外で定電位線又は定電位源に電気的に接続されていることを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記下層遮光膜は、前記基板上で平面的に見て前記上層遮光膜の形成領域からはみ出さないことを特徴とする請求項３又は４に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記蓄積容量は、平面的に見て前記データ線に重なる領域に形成されていることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記蓄積容量は、平面的に見て前記データ線が存在せず前記上層遮光膜に重なる領域にも形成されていることを特徴とする請求項６に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記蓄積容量は、平面的に見て前記ゲート電極を少なくとも二方から囲む領域に形成されていることを特徴とする請求項７に記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記上層遮光膜は、平面的に見て前記データ線に交差して伸びる本線部と、前記データ線に交差する個所から前記データ線に沿って突出した突出部とを含むことを特徴とする請求項１から８のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
前記突出部は、平面的に見て前記データ線よりも幅広に形成されており、前記データ線と前記薄膜トランジスタとを接続するためのコンタクトホールが開孔された個所を除いて前記データ線が形成された領域を覆うことを特徴とする請求項９に記載の電気光学装置。
【請求項１１】
請求項１から１０のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とするプロジェクタ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、アクティブマトリクス駆動方式の電気光学装置の技術分野に属し、特に画素スイッチング用の薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor:以下適宜、ＴＦＴと称す）と各画素の開口領域を規定する遮光膜とを、基板上の積層構造中に備えた形式の電気光学装置の技術分野に属する。
【０００２】
【背景技術】
従来、ＴＦＴ駆動によるアクティブマトリクス駆動方式の電気光学装置においては、相交差する複数の走査線及び複数のデータ線が、複数のＴＦＴがマトリクス状に配列された画像表示領域内に配線される。そして、走査線がゲート絶縁膜を介してＴＦＴの半導体層に対向する部分が夫々、各ＴＦＴのゲート電極として機能する。ここで一般にＴＦＴのゲート電極の材料としては、トランジスタ特性を得るために、導電性のポリシリコン膜を用いることが必要とされている。従って、走査線の材料についても、ゲート電極として機能する部分を含むという制約から、同じく導電性のポリシリコン膜を用いるのが一般的である。
【０００３】
このように構成された走査線を介して走査信号が供給されると、ＴＦＴはオン状態とされ、半導体層のソース領域にデータ線を介して供給される画像信号が当該ＴＦＴのソース−ドレイン間を介して画素電極に供給される。そして、データ線を介しての画像信号の供給は、各ＴＦＴを介して画素電極毎に極めて短時間しか行われないので、ＴＦＴを介して供給される画像信号の電圧を、このオン状態とされた時間よりも遥かに長時間に亘って保持するために、各画素電極には（液晶容量等と並列に）蓄積容量が付加されるのが一般的である。このような蓄積容量は、ＴＦＴのドレイン領域を構成する導電性のポリシリコン膜等から延設された容量電極に、誘電体膜を介して対向配置される容量線を備えて構成されている。そして特に、このような容量線は、走査線と同一導電膜（即ち、導電性のポリシリコン膜）から構成され、走査線に平行して横並びに配線されるのが一般的である。
【０００４】
他方、この種の電気光学装置では、相隣接する画素電極の間隙を表示光が素通りしてしまうと（所謂光抜けにより）コントラスト比が低下し、画質が低下する。このため、一般に透明なポリシリコン膜等からなる走査線及び容量線に沿った画素電極の間隙を覆うように対向基板にストライプ状の遮光膜を設けたり、データ線に沿った画素電極の間隙を覆うように、当該データ線をＡｌ（アルミニウム）膜等の反射膜から幅広に形成したりする。このように、対向基板上の遮光膜やデータ線を組み合わせることにより各画素の開口領域（即ち、各画素において表示に有効に寄与する光が通過する領域）を規定している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
この種の電気光学装置においては、表示画像の高品位化という一般的な要請が強く、このためには、画素ピッチを微細化しつつ、画素開口率化を高める（即ち、各画素において、表示光が透過しない各画素における非開口領域に対して、表示光が透過する開口領域を広げる）ことが重要となる。
【０００６】
しかしながら、画像表示領域内において走査線と容量線とが横並びに配線された前述の背景技術によれば、このように微細ピッチな画素の高開口率化に伴い走査線や容量線を配線可能な各画素の非開口領域は狭くなる。このため、画素ピッチの微細化が進む程、走査線や容量線の幅を狭めざるを得ず、走査線に十分な導電性を与えることや、十分な大きさの蓄積容量を作り込むことが根本的に困難になるという問題点がある。特に、ゲート電極を低抵抗の金属膜から形成することが技術的に極めて困難であることから、ゲート電極を含んでなる走査線は、例えばデータ線を構成する金属膜と比べると遥かに抵抗の高い導電性のポリシリコン膜から形成せねばならないため、走査線に十分な導電性を与えることは実際上非常に困難となる。そして、このように走査線に十分な導電性が得られなかったり十分な蓄積容量が得られなかったりすると、最終的には、表示画像中におけるクロストークやゴーストが増大して画質劣化するという問題点が生じる。
【０００７】
他方、前述のように対向基板上の遮光膜やデータ線を組み合わせることにより各画素の開口領域を規定する技術によれば、斜めの入射光に対する遮光や特にプロジェクタ用途の如く強力な入射光に対する遮光を十分に行うことは困難である。即ち、この技術によれば、斜めの入射光に対する遮光や、裏面反射光や当該電気光学装置をライトバルブとして複板式のプロジェクタに組み合わせて使用する場合に合成光学系を突き抜けてくる光などの戻り光に対する遮光は十分でなく、更にこのような斜めの入射光や戻り光により内面反射光や多重反射光が発生するのを阻止することも困難である。従って、このような斜めの入射光、戻り光、内面反射光や多重反射光により、コントラスト比が低下するという問題点がある。加えて、このような斜めの入射光、戻り光、内面反射光や多重反射光が、画素スイッチング用のＴＦＴのチャネル領域に侵入すると、光電効果によりＴＦＴのトランジスタ特性の劣化（光リーク）が生じて、最終的に画質劣化を引き起こすという問題点もある。
【０００８】
本発明は上述の問題点に鑑みなされたものであり、画素開口率を高めつつ走査線の低抵抗化と蓄積容量の増大とを同時に図ることができると共に表示に寄与しない斜めの入射光や戻り光に対する遮光性能を向上でき、クロストークやゴーストが低減されると共にコントラスト比が向上されており、高品位の画像表示が可能な電気光学装置を提供することを課題とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の電気光学装置は、基板上に、画素電極と、画素毎に、島状に分断された導電膜からなるゲート電極を備え且つ該画素電極に接続されており薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに接続されたデータ線と、前記薄膜トランジスタの上層側で前記データ線に交差して伸びると共に前記ゲート電極に対して層間絶縁膜を介して積層されており且つ各画素の開口領域を少なくとも部分的に規定する導電性の上層遮光膜とを備えており、前記上層遮光膜は、前記ゲート電極に接続されて走査線を兼ねることを特徴とする。
【００１０】
本発明の電気光学装置によれば、前述した背景技術のように薄膜トランジスタのゲート電極がデータ線に交差して伸びる走査線の一部からなるのではなく、薄膜トランジスタは、画素毎に島状に分断された導電膜からなるゲート電極を備える。そして、このゲート電極は、データ線に交差して伸びるように形成されており走査線を兼ねる導電性の上層遮光膜に接続される。ここで前述のようにゲート電極自体を低抵抗な金属膜から形成することは技術的に大変困難であり且つゲート電極を含む導電性のポリシリコン膜からなる走査線では材質からして低抵化を図ることが大変困難であるが、本発明のようにゲート電極と走査線とを層間絶縁膜を介して積層された二層（別層）で形成することにより、ゲート電極自体をポリシリコン膜から構成することと同時に走査線については低抵抗な金属膜から構成することが可能となる。従って、ゲート電極を導電性のポリシリコン膜から形成することでトランジスタ特性を実現しつつ、走査線自体の材質変更に基づく低抵抗化により、最終的にフリッカやクロストークの低減された高品位の画像表示が可能となる。
【００１１】
更に本発明の電気光学装置によれば、ゲート電極は、島状の導電膜からなるので、ゲート電極の形成されていない各画素の非開口領域を利用して、当該ゲート電極と同一膜を一方の容量電極として蓄積容量を構成することが可能となる。即ち、前述した背景技術の如く容量線を走査線に横並びに配線する必要は無くて済み、各画素の非開口領域を広げないでも蓄積容量を作りこむために十分な領域を確保できる。加えて、このようなゲート電極の形成されていない領域を利用して、薄膜トランジスタと画素電極とを接続するためのコンタクトホールを開孔することも可能となる。
【００１２】
これらに加えて、走査線を兼ねる上層遮光膜により、データ線に交差する方向についての各画素の開口領域を規定できる。特にプロジェクタ用途のように強力な入射光を扱う場合でも、例えば対向基板上に設けられた遮光膜で遮光を行う場合と比較して、薄膜トランジスタに近接配置可能な上層遮光膜により、斜めの入射光やこれに基づく内面反射光或いは多重反射光に対する遮光性能を効率的に高めることが可能となる。尚、データ線に交差する方向については、このように走査線を兼ねる上層遮光膜により各画素の非開口領域を規定できるが、データ線に沿った方向についての各画素の非開口領域についてはデータ線自身をＡｌ膜等の遮光性の導電膜から幅広に形成することにより規定可能である。このように、相交差する上層遮光膜とデータ線とにより、格子状の非開口領域を規定でき、画素電極から外れた領域における光抜けによるコントラスト比の低下を防止でき、更に薄膜トランジスタのチャネル領域への光入射によるトランジスタ特性の劣化に基づくフリッカやクロストーク或いはゴーストの発生を低減できる。
【００１３】
以上の結果、本発明の電気光学装置により、画素開口率を高めつつ走査線の低抵抗化と蓄積容量の増大とを同時に図ることができ、しかも遮光性能を向上でき、最終的に、クロストークやゴーストが低減され且つコントラスト比が向上された高品位の画像表示が可能となる。
【００１４】
尚、以上の如く走査線を兼ねる上層遮光膜は、ゲート電極とデータ線との間に積層されてもよいし、データ線と画素電極との間に積層されてもよい。
【００１５】
本発明の電気光学装置の一の態様では、前記上層遮光膜は、前記データ線に交差してストライプ状に伸びる。
【００１６】
この態様によれば、ストライプ状に伸びる上層遮光膜を夫々、従来におけるストライプ状に伸びる各走査線と同様に機能させることができる。
【００１７】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記ゲート電極を構成する導電膜と同一膜からなる第１容量電極を含む蓄積容量を更に備える。
【００１８】
この態様によれば、蓄積容量は、ゲート電極の形成されていない各画素の非開口領域に、ゲート電極と同一膜からなる第１容量電極を含んで構成される。従って、平面的に見てデータ線の形成領域や、特に伝統的には走査線を配線するための領域であった非開口領域を利用して、蓄積容量を増大できる。そして、ゲート電極形成時におけるパターンニングに変更を加えるだけで第１容量電極を形成できるので実用上便利である。
【００１９】
この蓄積容量を備えた態様では、前記画素電極と前記薄膜トランジスタとを中継接続する中間導電層を更に備えており、前記蓄積容量は、前記中間導電層と同一膜からなる第２容量電極を含んでもよい。
【００２０】
このように構成すれば、蓄積容量は、ゲート電極の形成されていない各画素の非開口領域に、ゲート電極と同一膜からなる第１容量電極と中間導電層と同一膜からなる第２容量電極とを含んで構成される。従って、平面的に見てデータ線の形成領域や、特に伝統的には走査線を配線するための領域であった非開口領域を利用して、蓄積容量を増大できる。更に、このような中間導電層は、画素電極と薄膜トランジスタとの層間距離が長いため一つのコンタクトホールで両者を接続する技術的困難性を回避し、比較的小径の二つの直列なコンタクトホールで両者を接続することを可能ならしめ、両者を接続するために必要な平面領域を低減でき且つ装置信頼性を高めることができる。そして、中間導電層形成時におけるパターンニングに変更を加えるだけで第２容量電極を形成できるので実用上便利である。
【００２１】
尚、この場合、上層遮光膜は、中間導電層とデータ線との間に積層されてもよいし、薄膜トランジスタと中間導電層との間に積層されてもよいし、データ線と画素電極との間に積層されてもよい．
この場合には更に、前記基板上で、前記薄膜トランジスタの下層側に配置され前記薄膜トランジスタの少なくともチャネル領域を前記基板側から見て覆う格子状又はストライプ状の導電性の下層遮光膜を更に備えており、前記第１容量電極は、前記画素電極に接続されて画素電極電位とされ、前記第２容量電極は前記下層遮光膜に接続されて固定電位とされてもよい。
【００２２】
このように構成すれば、下層遮光膜が薄膜トランジスタの少なくともチャネル領域を基板側から見て覆うので、薄膜トランジスタの下層側からの戻り光（即ち、裏面反射光や当該電気光学装置をライトバルブとして複板式のプロジェクタに組み合わせて使用する場合に合成光学系を突き抜けてくる光など）に対してチャネル領域を遮光でき、戻り光による薄膜トランジスタの特性劣化を低減できる。しかも、この下層遮光膜は導電性であり、第２容量電極がこの下層遮光膜に接続されて、固定電位とされる。他方で第１容量電極は、画素電極に接続されて画素電極電位とされる。従って、導電性の下層遮光膜を容量線として利用して、蓄積容量を構築できる。
【００２３】
このように下層遮光膜を備えて構成する場合には更に、前記下層遮光膜は、画像表示領域内から該画像表示領域外に延設されており、該画像表示領域外で定電位線又は定電位源に電気的に接続されていてもよい。
【００２４】
この態様によれば、画像表示領域内において第２容量電極と接続された下層遮光膜は、画像表示領域外に延設されて固定電位に落とされているので、容量線として良好に機能する。この際特に、画像表示領域外の周辺領域にある周辺回路や駆動回路用の定電位線或いは定電位源を利用して、下層遮光膜を比較的簡単且つ確実に固定電位にできる。
【００２５】
このように下層遮光膜を備えて構成する場合には、前記下層遮光膜は、前記基板上で平面的に見て前記上層遮光膜の形成領域からはみ出さないのが好ましい。
【００２６】
このように構成すれば、入射光が上層遮光膜の形成領域からはみ出した下層遮光膜の上面で反射することで、当該電気光学装置の内部における内面反射光や多重反射光が発生することを効果的に未然防止できる。
【００２７】
上述の蓄積容量を備えた態様では、前記蓄積容量は、平面的に見て前記データ線に重なる領域に形成されてもよい。
【００２８】
このように構成すれば、各画素の非開口領域のうちデータ線に重なる領域を利用して、蓄積容量を増大できる。
【００２９】
この場合には更に、前記蓄積容量は、平面的に見て前記データ線が存在しない前記上層遮光膜に重なる領域にも形成されてもよい。
【００３０】
このように構成すれば、各画素の非開口領域のうち、データ線に重なる領域に加えて、伝統的には走査線や容量線を配線するための領域であった領域をも利用して、蓄積容量を増大できる。
【００３１】
この場合には更に、前記蓄積容量は、平面的に見て前記ゲート電極を少なくとも二方から囲む領域に形成されてもよい。
【００３２】
このように構成すれば、平面的に見て島状の導電膜からなるゲート電極を二方から囲む領域に（略くの字状に）形成することで、或いは、三方から囲む領域に（略コの字状に）形成することで、ゲート電極の周囲に広がる非開口領域を効率的に利用して蓄積容量を増大できる。
【００３３】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記上層遮光膜は、平面的に見て前記データ線に交差して伸びる本線部と、前記データ線に交差する個所から前記データ線に沿って突出した突出部とを含む。
【００３４】
この態様によれば、上層遮光膜の本線部により、データ線に交差する方向についての各画素の開口領域を規定でき、更に走査線としての機能を保証できる。他方、上層遮光膜の突出部により、データ線に沿った方向についての各画素の開口領域を部分的に規定できる。そして、この突出部よりも先にあり、当該突出部では規定できないデータ線に沿った方向についての各画素の開口領域については、Ａｌ膜等からなるデータ線により部分的に規定すればよい。
【００３５】
尚、このような突出部を設けずに上層遮光膜を本線部のみから構成することで、データ線に交差する方向についての各画素の開口領域は当該上層遮光膜により規定し、データ線に沿った方向についての各画素の開口領域については専らデータ線により規定するように構成してもよい。
【００３６】
この態様では、前記突出部は、平面的に見て前記データ線よりも幅広に形成されており、前記データ線と前記薄膜トランジスタとを接続するためのコンタクトホールが開孔された個所を除く前記データ線の領域を覆うように構成してもよい。
【００３７】
このように構成すれば、データ線に沿った方向についての各画素の開口領域についても上層遮光膜により規定可能である。また、入射光が上層遮光膜の形成領域からはみ出したデータ線の上面で反射したり、戻り光が上層遮光膜の形成領域からはみ出したデータ線の下面で反射することで、当該電気光学装置の内部に発生する内面反射光や多重反射光を効果的に低減できる。尚、平面的に見て上層遮光膜の突出部より先にある領域（即ち、上層遮光膜が形成されていない領域）を利用して、データ線と薄膜トランジスタとの間に上層遮光膜が介在する場合でも、両者間を接続するコンタクトホールを問題なく開孔できる。
【００３８】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施の形態から明らかにされる。
【００３９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。以下の各実施形態は、本発明の電気光学装置を液晶装置に適用したものである。
【００４０】
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態における電気光学装置の構成について、図１から図６を参照して説明する。図１は、電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。図２は、データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図であり、図３は、遮光膜を抽出して示すＴＦＴアレイ基板の画素の平面図であり、図４は、図２のＡ−Ａ’断面図であり、図５は、図２のＢ−Ｂ’断面図であり、図６は、図２のＣ−Ｃ’断面図である。尚、図４から図６においては夫々、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【００４１】
図１において、本実施形態における電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素は、画素電極９ａと当該画素電極９ａを制御するためのＴＦＴ３０が形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしても良い。また、ＴＦＴ３０のゲート電極３ａは、後に詳述するように画素毎に島状の導電膜からなり、図１中、横一列に並ぶ複数のゲート電極３ａには、走査線を兼ねる導電性の内蔵遮光膜４１が接続されている。即ち、本実施形態では、内蔵遮光膜４１は、図１中横方向にストライプ状に形成されており、上層遮光膜の一例を構成している。そして、この走査線としての内蔵遮光膜４１に、所定のタイミングで、パルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。画素電極９ａを介して電気光学物質の一例として液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板（後述する）に形成された対向電極（後述する）との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能にする。ノーマリーホワイトモードであれば、印加された電圧に応じて入射光の通過光量が低減され、ノーマリーブラックモードであれば、印加された電圧に応じて入射光の通過光量が増大され、全体として電気光学装置からは画像信号に応じたコントラストを持つ光が出射する。ここで、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０を付加する。蓄積容量７０は、ＴＦＴ３０のドレインと、後に詳述するように定電位を供給する容量線としての第１遮光膜１１ａとの間に形成されている。本実施形態では、第１遮光膜１１ａは、図１及び図３に示すように縦横方向に格子状に形成されており、容量線を兼ねる下層遮光膜の一例を構成し、画像表示領域外で固定電位に落とされている。
【００４２】
図２において、電気光学装置のＴＦＴアレイ基板上には、マトリクス状に複数の透明な画素電極９ａが設けられており、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａ及び走査線としての内蔵遮光膜４１（図中太線で示されている）が設けられている。
【００４３】
また、半導体層１ａのうち図中右下がりの斜線領域で示したチャネル領域１ａ’に対向するように、画素毎に島状に形成された導電性のポリシリコン膜からなるゲート電極３ａが配置されている。各ゲート電極３ａは、ストライプ状の内蔵遮光膜４１にコンタクトホールＢＭＣＮＴを介して接続される。このように、内蔵遮光膜４１とデータ線６ａとの交差する個所には夫々、チャネル領域１ａ’にゲート電極３ａが対向配置された画素スイッチング用ＴＦＴ３０が設けられている。
【００４４】
図３に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０上でＴＦＴ３０の下側に設けられる第１遮光膜１１ａは、データ線６ａ及び内蔵遮光膜４１にほぼ重なるように格子状に形成されており、これらの遮光膜により、各画素の開口領域が規定されている。尚、各画素電極９ａの縁は、図２及び図３には図示されていないが、第１遮光膜１１ａ及び内蔵遮光膜４１からなる格子状の非開口領域の縁に僅かに重なるように平面配置されている。
【００４５】
図３から図６に示すように、第１遮光膜１１ａは、ＴＦＴ３０をＴＦＴアレイ基板１０側（図４から図６中、下側）から覆う部分を含む。第１遮光膜１１ａは、ＴＦＴアレイ基板１０の裏面や投射光学系からの戻り光を遮光し、この光に基づく光励起によりＴＦＴ３０のオフ時のリーク電流が原因でＴＦＴ３０の特性が変化するのを有効に防止する。このような第１遮光層１１ａは、例えば、ＣＶＤ又はスパッタリングにより形成したＴｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｐｂ（鉛）等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド等からなる。またその膜厚は、例えば５０〜３００ｎｍ程度である。特に、複板式のカラー表示用のプロジェクタ等で複数の電気光学装置をプリズム等を介して組み合わせて一つの光学系を構成する場合には、他の電気光学装置からプリズム等を突き抜けて来る投射光部分からなる戻り光は強力であるので、このようにＴＦＴ３０の下側に第１遮光膜１１ａを設けることは大変有効である。
【００４６】
他方、図２から図６に示すように、内蔵遮光膜４１は、ＴＦＴ３０とデータ線６ａとの間に積層されている。内蔵遮光膜４１は、第１遮光膜１１ａと同様に、膜厚５０〜３００ｎｍ程度の高融点金属を含む、金属単体、合金、金属シリサイド等からなる。或いは、データ線６ａと同様に、膜厚５０〜５００ｎｍ程度のＡｌ膜からなる。
【００４７】
図４に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０上で、データ線６ａは、コンタクトホールＡＣＮＴを介して例えばポリシリコン膜からなる半導体層１ａのうち高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続されている。
【００４８】
他方、図５に示すように、画素電極９ａは、中間導電層の一例たるバリア層３４を中継することにより、コンタクトホールＩＣＮＴ及びコンタクトホールＢＣＮＴを介して半導体層１ａのうち高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続されている。このようにバリア層３４を用いることにより、画素電極９ａとＴＦＴ３０を構成する半導体層１ａとの間の層間距離が例えば１０００ｎｍ程度に長くても、両者間を一つのコンタクトホールで接続する技術的困難性を回避しつつ比較的小径の二つの直列なコンタクトホールＩＣＮＴ及びＢＣＮＴで両者間を良好に接続でき、画素開口率を高めること可能となる。特にこのようなバリア層３４を用いれば、コンタクトホール開孔時におけるエッチングの突き抜け防止にも役立つ。このようなバリア層３４は、例えばＣＶＤにより形成した導電性のポリシリコン膜からなる。或いは、ＣＶＤ又はスパッタリングにより形成したＴｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｐｂ等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド等からなる。このような高融点金属から構成することにより、バリア層３４を各画素の開口領域の一部を規定する遮光膜として機能させることも可能となる。但し、このようなバリア層３４は、高融点金属以外のＡｌ（アルミニウム）等の金属膜から構成されてもよいし、更に、これらの膜（例えば、ポリシリコン膜と金属膜と）を複数含む多層膜から構成されてもよい。更に透明の導電層単体から構成されてもよい。いずれの場合にも、バリア層３４の膜厚は、例えば５０〜４５０ｎｍ程度とされる。
【００４９】
図６に示すように、島状のゲート電極３ａは、走査線を兼ねる内蔵遮光膜４１にコンタクトホールＢＭＣＮＴを介して接続されている。
【００５０】
図２から図６に示すように、ゲート電極３ａと同一膜（即ち、導電性のポリシリコン膜）からなる第１容量電極１３と、バリア層３４と同一膜からなる第２容量電極３３とが誘電体膜４２を介して対向配置されることにより、平面的に見てデータ線６ａに重なる領域及びゲート電極３ａの周囲における上層遮光膜４１に重なる領域に（図２参照）、蓄積容量７０が構築されている。
【００５１】
第１容量電極１３は、誘電体膜４２が除去されたコンタクトホールＢＣＮＴの隣接領域でバリア層３４と面接触しており（図５参照）、バリア層３４を中継して画素電極９ａと接続されて（同時にコンタクトホールＢＣＮＴで高濃度ドレイン領域１ｅと接続されて）、画素電極電位とされる。
【００５２】
第２容量電極３３は、コンタクトホールＳＣＮＴを介して導電性の第１遮光膜１１ａに接続されている（図４参照）。格子状の第１遮光膜１１ａは、画素電極９ａが配置された画像表示領域からその周囲に延設され、定電位源と電気的に接続されて、固定電位とされる。即ち、第２容量電極３３は、第１遮光膜１１ａに接続されて固定電位とされる。このように本実施形態では、第１遮光膜１１ａが、容量線として機能する。そして、画像表示領域から周辺領域に延設される第１遮光膜１１ａが接続される定電位源としては、ＴＦＴ３０を駆動するための走査信号をゲート電極３ａに供給するための走査線駆動回路（後述する）や画像信号をデータ線６ａに供給するサンプリング回路を制御するデータ線駆動回路（後述する）に供給される正電源や負電源の定電位源でも良いし、対向基板２０側に供給される定電位でも構わない。
【００５３】
蓄積容量７０の誘電体膜４２は、例えば膜厚５〜２００ｎｍ程度の比較的薄いＳｉＮｘ、ＳｉＯＮ、ＨＴＯ膜あるいはそれらの積層膜から構成される。蓄積容量７０を増大させる観点からは、膜厚の信頼性が十分に得られる限りにおいて、誘電体膜４２は薄い程良い。
【００５４】
図４から図６に示すように、電気光学装置は、透明なＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置される透明な対向基板２０とを備えている。ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば石英基板、ガラス基板、シリコン基板からなり、対向基板２０は、例えばガラス基板や石英基板からなる。ＴＦＴアレイ基板１０には、画素電極９ａが設けられており、その上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６が設けられている。画素電極９ａは例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜などの透明導電性薄膜からなる。また配向膜１６は例えば、ポリイミド薄膜などの有機薄膜からなる。
【００５５】
他方、対向基板２０には、その全面に渡って対向電極２１が設けられており、その下側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設けられている。対向電極２１は例えば、ＩＴＯ膜などの透明導電性薄膜からなる。また配向膜２２は、ポリイミド薄膜などの有機薄膜からなる。
【００５６】
ＴＦＴアレイ基板１０には、各画素電極９ａに隣接する位置に、各画素電極９ａをスイッチング制御する画素スイッチング用ＴＦＴ３０が設けられている。
【００５７】
対向基板２０には、更に図４から図６に示すように、格子状或いはストライプ状の第２遮光膜２３を設けるようにしてもよい。このような構成を採ることで、対向基板２０側からの入射光に対する遮光をより確実に行える。しかも、第２遮光膜２３は、入射光が照射される面を高反射な膜で形成することにより、電気光学装置の温度上昇を防ぐ働きをする。
【００５８】
このように構成され、画素電極９ａと対向電極２１とが対面するように配置されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、後述のシール材により囲まれた空間に電気光学物質の一例である液晶が封入され、液晶層５０が形成される。液晶層５０は、画素電極９ａからの電界が印加されていない状態で配向膜１６及び２２により所定の配向状態をとる。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなる。シール材は、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０をそれらの周辺で貼り合わせるための、例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のギャップ材が混入されている。
【００５９】
更に、画素スイッチング用ＴＦＴ３０の下には、下地絶縁膜１２が設けられている。下地絶縁膜１２は、第１遮光膜１１ａからＴＦＴ３０を絶縁すると共に、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面の研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用ＴＦＴ３０の特性の劣化を防止する機能を有する。
【００６０】
図４において、画素スイッチング用ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、ゲート電極３ａ、当該ゲート電極３ａからの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１ａ’、ゲート電極３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶縁膜を含む絶縁薄膜２、データ線６ａ、半導体層１ａの低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ、半導体層１ａの高濃度ソース領域１ｄ並びに高濃度ドレイン領域１ｅを備えている。高濃度ドレイン領域１ｅには、図５に示すように複数の画素電極９ａのうちの対応する一つが、コンタクトホールＩＣＮＴ及びＢＣＮＴを介してバリア層３４により中継接続されている。
【００６１】
図４から図６に示すように、ゲート電極３ａの上には、高濃度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホールＡＣＮＴ及び高濃度ドレイン領域１ｅへ通じるコンタクトホールＩＣＮＴが各々形成された第１層間絶縁膜４が形成されている。第１層間絶縁膜４上には、内臓遮光膜４１が形成されており、内蔵遮光膜４１上には更に、バリア層３４へ通じるコンタクトホールＩＣＮＴ及び高濃度ドレイン領域１ｄに通じるコンタクトホールＡＣＮＴが形成された第２層間絶縁膜７が形成されている。第２層間絶縁膜７上には、データ線６ａが形成されており、この上には更に、バリア層３４へのコンタクトホールＩＣＮＴが形成された第３層間絶縁膜８が形成されている。前述の画素電極９ａは、このように構成された第３層間絶縁膜８の上面に設けられている。
【００６２】
以上説明したように本実施形態によれば、ゲート電極３ａと走査線を兼ねる内蔵遮光膜４１とを層間絶縁膜を介して積層された二層（別層）で形成することにより、ゲート電極３ａ自体をポリシリコン膜から構成することと同時に走査線としての内蔵遮光膜４１については低抵抗な金属膜から構成することが可能となる。例えば、導電性のポリシリコン膜だと、１０〜２０Ω／□ｃｍ2程度のシート抵抗があるが、データ線６ａや内蔵遮光膜４１或いは第１遮光膜１１ａに用いられるような低抵抗な金属膜であれば、１０Ω／□ｃｍ2以下の低いシート抵抗を実現可能となる。或いは、伝統的な走査線と同程度の抵抗値を確保すれば足りるとすれば、より線幅の細いストライプ状の内蔵遮光膜４１を設ければよいので、結局、データ線６ａに交差する方向についての各画素の開口領域を広げることが可能となる。
【００６３】
更に本実施形態によれば、ゲート電極３ａは、島状の導電膜からなるので、図２に示したように、ゲート電極３ａの形成されていない各画素の非開口領域を利用して、ゲート電極３ａと同一膜を第１容量電極１３として蓄積容量７０を構成できる。このため、各画素の非開口領域を広げないでも蓄積容量７０を作りこむために十分な領域を確保できる。特に図２に示したように、蓄積容量７０は、平面的に見てゲート電極３ａを三方から略コの字状に囲む領域に形成されている部分を含むので、ゲート電極３ａの周囲に広がる非開口領域を効率的に利用できる。加えて、このようなゲート電極３ａの形成されていない領域を利用して、ＴＦＴ３０と画素電極９ａとを接続するためのコンタクトホールＩＣＮＴを開孔できる（即ち、従来のようにこのコンタクトホールＩＣＮＴを避けて走査線を配線したり、走査線を避けてこのコンタクトホールＩＣＮＴを開孔する必要がない）。
【００６４】
本実施形態では特に、第１容量電極１３は、ゲート電極３ａと同一膜からなり、第２容量電極３３は、バリア層３４と同一膜からなるので、装置構成及び製造工程を簡略化する上でも大変有利である。特に、ゲート電極３ａの形成時におけるパターンニングに変更を加えるだけで第１容量電極１３を形成でき、バリア層３４の形成時におけるパターンニングに変更を加えるだけで第２容量電極３３を形成できる。また、ＴＦＴ３０の下側に配置された第１遮光膜１１ａを、第２容量電極３３を固定電位に落とすための容量線３００としても用いるので、ゲート電極３ａと横並びに容量線を配線する必要もない。
【００６５】
これらに加えて、ゲート電極３ａ、ＴＦＴ３０等を上下から覆う内蔵遮光膜４１及びデータ線６ａ並びに第１遮光膜１１ａにより、プロジェクタ用途のように強力な入射光を扱う場合でも、斜めの入射光、戻り光、内面反射光、多重反射光等の表示に悪影響を及ぼす光に対して十分な遮光を行える。
【００６６】
尚、図３に示したように内蔵遮光膜４１に沿った領域については、第１遮光膜１１ａの配線幅を内蔵遮光膜４１の配線幅よりも若干小さくして、第１遮光膜１１ａが内蔵遮光膜４１の形成領域からはみ出さないのが好ましい。このように構成すれば、内蔵遮光膜４１に沿った領域については、入射光が内蔵遮光膜４１の形成領域からはみ出した第１遮光膜１１ａの上面で反射することで、当該電気光学装置の内部における内面反射光や多重反射光が発生することを効果的に未然防止できる。尚、このように内蔵遮光膜４１を第１遮光膜１１ａよりも一回り大きく形成すると、ＴＦＴアレイ基板１０側からの戻り光が第１遮光膜１１ａの形成領域からはみ出した内蔵遮光膜４１部分で反射することで、当該電気光学装置の内部における内面反射光や多重反射光は若干発生する。しかしながら、戻り光は入射光に比べて遥かに光強度が低いために、戻り光による内面反射や多重反射光の悪影響は入射光のそれに比べて軽微である。従って本実施形態の構成は有利である。
【００６７】
また図２及び図３に示したように、画素電極９ａとバリア層３４とを接続するコンタクトホールＩＣＮＴを形成するために、内蔵遮光膜４１は、このコンタクトホールＩＣＮＴに対応する個所が括れている。従って、この部分における対向基板２０側からの入射光に対する遮光性能が若干低下するが、これを補うべく本実施形態では、ゲート電極３ａと同一膜からなる島状の導電膜３ｂを、この内蔵遮光膜４１が括れて存在しない領域に設けている。このような導電膜３ｂは遮光膜ではないものの、光を吸収する性質を持つので、斜めの入射光がＴＦＴ３０のチャネル領域１ａに到達するのを阻止する上では十分な効果を発揮する。更に、このように内蔵遮光膜４１が括れていても、第１遮光膜１１ａは括れて形成されていない（括れさせる必要はない）ため、第１遮光膜１１ａがコンタクトホールＩＣＮＴ付近における画素の開口領域を規定し、光抜けを防止する。
【００６８】
以上説明した実施形態では、多数の導電層を積層することにより、データ線６ａやゲート電極３ａに沿った領域に段差が生じるが、ＴＦＴアレイ基板１０、下地絶縁膜１２、第１層間絶縁膜４、第２層間絶縁膜７に溝を掘って、データ線６ａ等の配線やＴＦＴ３０等を埋め込むことにより平坦化処理を行ってもよいし、第３層間絶縁膜８や第２層間絶縁膜７の上面の段差をＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）処理等で研磨することにより、或いは有機ＳＯＧを用いて平らに形成することにより、当該平坦化処理を行ってもよい。
【００６９】
更に以上説明した実施形態では、画素スイッチング用ＴＦＴ３０は、好ましくは図３に示したようにＬＤＤ構造を持つが、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃに不純物の打ち込みを行わないオフセット構造を持ってよいし、ゲート電極３ａの一部からなるゲート電極をマスクとして高濃度で不純物を打ち込み、自己整合的に高濃度ソース及びドレイン領域を形成するセルフアライン型のＴＦＴであってもよい。また本実施形態では、画素スイッチング用ＴＦＴ３０のゲート電極を高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅ間に１個のみ配置したシングルゲート構造としたが、これらの間に２個以上のゲート電極を配置してもよい。このようにデュアルゲート或いはトリプルゲート以上でＴＦＴを構成すれば、チャネルとソース及びドレイン領域との接合部のリーク電流を防止でき、オフ時の電流を低減することができる。
【００７０】
尚、第１実施形態及び以下に説明する各実施形態の電気光学装置において導電膜間を絶縁する各層間絶縁膜は、例えば、常圧、減圧ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等によりＴＥＯＳ（テトラ・エチル・オルソ・シリケート）ガス、ＴＥＢ（テトラ・エチル・ボートレート）ガス等を用いて、ＮＳＧ（ノンドープト・シリケート・ガラス）、ＰＳＧ（リン・シリケート・ガラス）などのシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等から構成すればよい。また、各層間絶縁膜の膜厚は、１００〜１０００ｎｍ程度である。
【００７１】
本実施形態では特に、画素電極電位とされる第１容量電極１３と走査線として機能する内蔵遮光膜４１との間に、固定電位とされる第２容量電極３３が配置されているので、内蔵遮光膜４１と第１容量電極１３との間の容量カップリングにより、両者の電位変動が相互に悪影響を及ぼすことを未然防止できる。逆に、このような容量カップリングによる悪影響を低減するために両者間の第１層間絶縁膜４を厚くしないで済む。
【００７２】
（第２実施形態）
次に、図７を参照して本発明の電気光学装置の第２実施形態について説明する。ここに、図７は、図３と同様に遮光膜を抽出して示すＴＦＴアレイ基板の画素の平面図である。また、図７において、図２から図６（第１実施形態）と同様の構成要素には、同様の参照符号を付し、その説明は省略する。
【００７３】
図７に示すように、第２実施形態では、第１実施形態と比べて、ストライプ状の走査線を兼ねる内蔵遮光膜４１’の平面形状が異なる。より具体的には、内蔵遮光膜４１’は、データ線６ａに交差して伸びる本線部と、データ線６ａに交差する個所からデータ線６ａに沿って突出した突出部とを含む。その他の構成については、第１実施形態の場合と同様である。
【００７４】
従って第２実施形態によれば、第１実施形態の場合と同様に内蔵遮光膜４１’の本線部によりデータ線６ａに交差する方向についての各画素の開口領域を規定でき、これに加えて内蔵遮光膜４１’の突出部により、データ線６ａに沿った方向についての各画素の開口領域の大半を規定できる。そして、この突出部よりも先にあるコンタクトホールＡＣＮＴ付近については、データ線６ａにより遮光すればよい。尚、内蔵遮光膜４１’の突出部は、データ線６ａよりも幅広に形成されているので、戻り光が内蔵遮光膜１１ａの突出部の形成領域からはみ出したデータ線６ａの下面で反射することで、当該電気光学装置の内部に発生する内面反射光や多重反射光を効果的に低減できる。
【００７５】
ここで、以上説明した第１及び第２実施形態における第１容量電極１３と高濃度ドレイン領域１ｅとの電気的接続について、図８を参照して説明を加える。ここに、図８（ａ）は、図５に示したＢ−Ｂ’断面のうち、この電気的接続に係る部分を拡大して示す断面図である。
【００７６】
図８（ａ）に示すように、第１容量電極１３は、バリア層３４を介して高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続されて、画素電極電位とされる。このような接続は、“バリア層３４の膜厚＞絶縁薄膜２（ゲート絶縁膜）の膜厚”とすることで、コンタクトホールＢＣＯＮＴを形成する際に、比較的簡単に得られる。
【００７７】
但し、図８（ｂ）に示すように、絶縁薄膜２（ゲート絶縁膜）にコンタクトホールＢＣＮＴ’を開孔することで、第１容量電極１３と高濃度ドレイン領域１ｅとを直接接続してもよい。このような接続のためには、コンタクトホールＢＣＮＴ’の底にポリシリコン膜等からなる高濃度ドレイン領域１ｅが露出した際における、当該高濃度ドレイン領域１ｅの表面酸化が障害となり得るが、このような酸化膜は、フッ酸でライトエッチングすれば比較的簡単に除去できる。但し、絶縁薄膜２（ゲート絶縁膜）に対して、フッ酸でライトエッチングすると、ピンホール等の欠陥が発生する可能性があるので、図８（ａ）に示したように第１容量電極１３を、バリア層３４を介して高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続した方が、装置信頼性を高める上で有利である。
【００７８】
或いは、図８(ｃ)に示すように、第１容量電極１３を例えば図２及び図５で右方に延長して導電膜３ｂと一体化させてもよい。この場合、第２容量電極３３も同様に右方に延長し、バリア層３４と一体化させる。すると、図８（ｃ）において誘電体膜４２を介して対向配置された第２容量電極３３及び第１容量電極１３も、蓄積容量７０の一部として機能する。この際、コンタクトホールＢＣＮＴ’は、第１容量電極１３と高濃度ドレイン領域１ｅとを接続するために設けられている。コンタクトホールＩＣＮＴは、第１容量電極１３と画素電極９ａとを接続する（即ち、バリア層３４を中継することなく第１容量電極１３を画素電極９ａに直接接続する）ために設けられている。
【００７９】
（電気光学装置の全体構成）
以上のように構成された各実施形態における電気光学装置の全体構成を図９及び図１０を参照して説明する。尚、図９は、ＴＦＴアレイ基板１０をその上に形成された各構成要素と共に対向基板２０の側から見た平面図であり、図１０は、図９のＨ−Ｈ’断面図である。
【００８０】
図９において、ＴＦＴアレイ基板１０の上には、シール材５２がその縁に沿って設けられており、その内側に並行して、例えば第２遮光膜２３と同じ或いは異なる材料から成る画像表示領域１０ａの周辺を規定する額縁としての第３遮光膜５３が設けられている。シール材５２の外側の領域には、データ線６ａに画像信号を所定タイミングで供給することによりデータ線６ａを駆動するデータ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられており、内蔵遮光膜４１を走査線としてゲート電極３ａに走査信号を所定タイミングで供給することによりゲート電極３ａを駆動する走査線駆動回路１０４が、この一辺に隣接する２辺に沿って設けられている。ゲート電極３ａに供給される走査信号遅延が問題にならないのならば、走査線駆動回路１０４は片側だけでも良いことは言うまでもない。また、データ線駆動回路１０１を画像表示領域１０ａの辺に沿って両側に配列してもよい。更にＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域１０ａの両側に設けられた走査線駆動回路１０４間をつなぐための複数の配線１０５が設けられている。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的に導通をとるための導通材１０６が設けられている。そして、図１０に示すように、図９に示したシール材５２とほぼ同じ輪郭を持つ対向基板２０が当該シール材５２によりＴＦＴアレイ基板１０に固着されている。
【００８１】
尚、ＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等に加えて、複数のデータ線６ａに画像信号を所定のタイミングで印加するサンプリング回路、複数のデータ線６ａに所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
【００８２】
以上図１から図１０を参照して説明した各実施形態では、データ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０４をＴＦＴアレイ基板１０の上に設ける代わりに、例えばＴＡＢ（Tape Automated bonding)基板上に実装された駆動用ＬＳＩに、ＴＦＴアレイ基板１０の周辺部に設けられた異方性導電フィルムを介して電気的及び機械的に接続するようにしてもよい。また、対向基板２０の投射光が入射する側及びＴＦＴアレイ基板１０の出射光が出射する側には各々、例えば、ＴＮモード、ＶＡ（Vertically Aligned）モード、ＰＤＬＣ(Polymer Dispersed Liquid Crystal)モード等の動作モードや、ノーマリーホワイトモード／ノーマリーブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板などが所定の方向で配置される。
【００８３】
以上説明した各実施形態における電気光学装置は、プロジェクタに適用されるため、３枚の電気光学装置がＲＧＢ用のライトバルブとして各々用いられ、各ライトバルブには各々ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになる。従って、各実施形態では、対向基板２０に、カラーフィルタは設けられていない。しかしながら、第２遮光膜２３の形成されていない画素電極９ａに対向する所定領域にＲＧＢのカラーフィルタをその保護膜と共に、対向基板２０上に形成してもよい。このようにすれば、プロジェクタ以外の直視型や反射型のカラー電気光学装置について、各実施形態における電気光学装置を適用できる。また、対向基板２０上に１画素1個対応するようにマイクロレンズを形成してもよい。あるいは、ＴＦＴアレイ基板１０上のＲＧＢに対向する画素電極９ａ下にカラーレジスト等でカラーフィルタ層を形成することも可能である。このようにすれば、入射光の集光効率を向上することで、明るい電気光学装置が実現できる。更にまた、対向基板２０上に、何層もの屈折率の相違する干渉層を堆積することで、光の干渉を利用して、ＲＧＢ色を作り出すダイクロイックフィルタを形成してもよい。このダイクロイックフィルタ付き対向基板によれば、より明るいカラー電気光学装置が実現できる。
【００８４】
本発明は、上述した各実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴なう電気光学装置もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態の電気光学装置における画像表示領域を構成するマトリクス状の複数の画素に設けられた各種素子、配線等の等価回路である。
【図２】第１実施形態の電気光学装置におけるデータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。
【図３】第１実施形態における遮光膜を抽出して示すＴＦＴアレイ基板の画素の平面図である。
【図４】図２のＡ−Ａ’断面図である。
【図５】図２のＢ−Ｂ’断面図である。
【図６】図２のＣ−Ｃ’断面図である。
【図７】第２実施形態における遮光膜を抽出して示すＴＦＴアレイ基板の画素の平面図である。
【図８】第１容量電極と高濃度ドレイン領域との電気的接続の一例を示す断面図（図８(a)）及び他の例を示す断面図（（図８(b)、図８（c））である。
【図９】各実施形態の電気光学装置におけるＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図である。
【図１０】図９のＨ−Ｈ’断面図である。
【符号の説明】
１ａ…半導体層
１ａ’…チャネル領域
１ｂ…低濃度ソース領域
１ｃ…低濃度ドレイン領域
１ｄ…高濃度ソース領域
１ｅ…高濃度ドレイン領域
２…絶縁薄膜（ゲート絶縁膜）
３ａ…ゲート電極
３ｂ…導電膜
４…第１層間絶縁膜
６ａ…データ線
７…第２層間絶縁膜
８…第３層間絶縁膜
９ａ…画素電極
１０…ＴＦＴアレイ基板
１１ａ…第１遮光膜
１２…下地絶縁膜
１３…第１容量電極
１６…配向膜
２０…対向基板
２１…対向電極
２２…配向膜
２３…第２遮光膜
３０…ＴＦＴ
３３…第２容量電極
３４…バリア層
４１、４１’…内蔵遮光膜
５０…液晶層
７０…蓄積容量
ＳＣＮＴ、ＢＣＮＴ、ＩＣＮＴ、ＡＣＮＴ、ＢＭＣＮＴ…コンタクトホール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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