(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザービームを発生させるレーザーソース；
前記レーザーソースの下部に位置しており、前記レーザービームをパターニングするマスク；及び、
前記マスク下部に位置して、前記マスクを通過したレーザービームの倍率を決定する投影レンズ；を含み、
さらに前記マスクは光遮断部と光透過部を含み、前記光透過部は第１領域、前記第１領域の両端に位置して前記第１領域より大きな幅を有する第２領域及び前記第２領域と接して前記第２領域より大きな幅を有する第３領域を含み、
前記マスクを透過したレーザービームは少なくとも２領域以上で異なるドーズを有することを特徴とするレーザー照射装置。
【請求項２】
前記光遮断部は第１光遮断部及び第２光遮断部を含み、前記光透過部は前記第１及び第２光遮断部間に位置することを特徴とする請求項１に記載のレーザー照射装置。
【請求項３】
前記第２領域の幅は前記第１領域の幅の１．０５ないし１．１倍であり、
前記第３領域の幅は前記第１領域の幅の１．１ないし１．５倍であることを特徴とする請求項１に記載のレーザー照射装置。
【請求項４】
前記第２及び第３領域の幅は前記レーザー照射装置のスキャン方向と一致する方向に延長されたことを特徴とする請求項１に記載のレーザー照射装置。
【請求項５】
前記第２領域と第３領域は左右の幅が対称または非対称であることを特徴とする請求項１に記載のレーザー照射装置。
【請求項６】
前記光透過部は第１領域、前記第１領域の両端に位置する第２領域を含み、前記第２領域は台形状であることを特徴とする請求項１に記載のレーザー照射装置。
【請求項７】
前記第２領域は上辺の幅が第１領域の幅と同じであって、底辺の幅が第１領域の幅の１．１ないし１．５倍であることを特徴とする請求項６に記載のレーザー照射装置。
【請求項８】
前記第２領域は左右の幅が対称または非対称であることを特徴とする請求項６に記載のレーザー照射装置。
【請求項９】
画素電極及び前記画素電極を露出させる開口部を含む画素定義膜を具備する基板を提供し；
前記基板上に基材層、光熱変換層及び転写層を含むドナー基板をラミネーションし；
前記ドナー基板上に、レーザービームを発生させるレーザーソース、前記レーザーソース下部に位置するマスクであって、第１領域、前記第１領域の両端に位置して前記第１領域より大きな幅を有する第２領域及び前記第２領域と接して前記第２領域より大きな幅を有する第３領域を含む光透過部と光遮断部とを有するマスクと、前記マスク下部に位置する投影レンズを含み、前記マスクを通過したレーザービームは少なくとも２領域以上で異なるドーズを有することを特徴とするレーザー照射装置を位置させ；
前記レーザー照射装置を利用して前記ドナー基板上にレーザービームを照射して、前記転写層の少なくとも一部を基板上に転写して前記開口部内に有機膜層を形成する；ことを含むことを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。
【請求項１０】
前記レーザービームは前記開口部により画素電極が露出された領域に照射されるドーズより前記画素電極のエッジ部及び前記開口部の縁領域に照射されるドーズが大きいプロファイルを有することを特徴とする請求項９に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項１１】
前記レーザービームは前記画素電極のエッジ領域に照射されるドーズより前記開口部の縁領域に照射されるドーズが大きいプロファイルを有することを特徴とする請求項１０に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はレーザー照射装置及びこれを利用した有機電界発光素子の製造方法に係り、さらに詳細にはレーザー熱転写法による有機膜層形成時の転写効率を極大化し、転写層パターンの品質を向上させることができるレーザー照射装置及びこれを利用した有機電界発光素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
平板表示装置のうち有機電界発光素子は応答速度が１ｍｓ以下であって高速の応答速度を有しており、消費電力が低く、自発光型であるので視野角に問題がなくて、装置の大きさに関係なく動画像表示媒体として長所がある。また、低温製作が可能であって、既存の半導体工程技術を基礎にして製造工程が簡単であるので、今後の次世代平板表示装置で注目されている。
【０００３】
前記有機電界発光素子は有機発光層を含む有機膜層のパターニング技術が重要である。最近、前記有機膜層パターニング技術のうち、パターン均一度が優秀であり、大面積化に有利なレーザー熱転写法が台頭している。
【０００４】
一般的にレーザー熱転写法は少なくともレーザー及びドナー基板を必要とし、前記ドナー基板は基材層、光熱変換層及び転写層を具備する。
【０００５】
前記レーザー熱転写法においては前記転写層をアクセプタ基板に対向するようにして前記ドナー基板を前記アクセプタ基板の全体面上にラミネーションした後、前記基材層上にレーザービームを照射する。前記基材層上に照射されたビームは前記光熱変換層に吸収されて熱エネルギーに変換されて、前記熱エネルギーにより前記転写層は前記基板上に転写される。その結果、前記基板上に転写層パターンが形成される。
【０００６】
図１Ａは従来技術によるレーザー照射装置を使った有機電界発光素子の有機膜層形成工程を説明するための断面図であり、図１Ｂは従来技術によって形成された有機膜層の転写層パターンの品質を示す写真であって、図１Ｃは従来技術によって形成された有機膜層の発光グラフである。
【０００７】
図１Ａを参照すると、第一に基板１０を提供する。前記基板１０はガラスまたはプラスチックで構成された基板１１上に第１電極１２及び前記第１電極の一部を露出させる開口部を含む画素定義膜１３が形成されている。次に、前記基板１０上に転写層２１、光熱変換層２２及び基材層２３が形成されたドナー基板２０をラミネーションする。
【０００８】
続いて、レーザーソース、マスク及び投影レンズを含むレーザー照射装置３０を利用して前記ドナー基板２０の所定部分にレーザービームを照射する。
【０００９】
前記ドナー基板２０上にレーザービームが照射されれば、前記ドナー基板２０についていた転写層２１がレーザービームの作用でドナー基板２０から離れてきて基板１０に転写される。ここで、転写特性は基板１０と転写層２１との第１接着力Ｗ１２と転写層２１の粘着力Ｗ２２、そして転写層２１と基板１０との第２接着力Ｗ２３によって決まって、転写特性を向上させるためには転写層の粘着力Ｗ２２が各基板と転写層間の第１及び第２接着力Ｗ１２、Ｗ２３より小さくなければならない。
【００１０】
前記転写層２１のうち前記レーザービームが照射された部分の転写層２１は前記ドナー基板２０から離れて基板１０に転写されて、レーザービームが照射されない部分の転写層は前記ドナー基板２０に残るようになって基板１０上に転写層パターンを形成することができ、前記転写層パターンは有機電界発光素子の有機膜層を構成する。
【００１１】
前記のような従来のレーザー照射装置３０はレーザーソースで発生された光が前記マスクを通過すれば前記マスクの形状によって透過された光が前記投影レンズに到達されて前記投影レンズでは倍率が決定されて、前記ドナー基板全領域上には単位面積当たり均一な線量（ドーズ）のレーザービームが照射されるようになる。
【００１２】
しかし前記レーザービームが照射された部分の転写層と前記レーザービームが照射されない部分の転写層間の結合を切断するためには前記基板上にドナー基板を転写させるためのエネルギーより大きいエネルギーが必要である。
【００１３】
したがって前記ドナー基板２０の全領域上に前記ドナー基板２０が前記基板に転写されるのに必要なドーズのレーザービームで均一に照射する場合、図面符号Ａに示したように、前記レーザービームが照射された部分と照射されない部分の転写層２１間の結合が適切に切れない。したがって、図１Ｂに示したように、均一な転写層パターンを得ることができなくなる。
【００１４】
また、図面符号Ｂに示したように、前記基板の段差により前記開口部のエッジ部分にドナー基板が密着しなくてエッジオープン不良を発生させる。前記のような有機膜層のエッジオープン不良は、図１Ｃの図面符号Ｃに示したように、希望しない発光を発生させて色座標及び発光効率を低下させる問題がある。
【００１５】
しかし、前記のような問題点を解決するために、前記転写されるドナー基板２０全領域上に前記ドナー基板２０を転写させるために必要なドーズより高いドーズのレーザービームを照射するようになれば、これは転写層２１に過度な熱を加えるようになって製造される有機電界発光素子の輝度、発光効率及び寿命に影響を与える問題点がある。
【特許文献１】特開２００５−１５２９６６号公報
【特許文献２】特開１９９７−１７４２７１号公報
【特許文献３】特開２００２−１４４０６９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
したがって、本発明は前記のような問題点を解決するために案出したものであって、レーザー熱転写法による有機膜層形成時の転写効率を極大化し、転写層パターンの品質を向上させることができるレーザー照射装置及びこれを利用した有機電界発光素子の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
前記目的を達成するために、本発明は、レーザービームを発生させるレーザーソース；前記レーザーソースの下部に位置しており、前記レーザービームをパターニングするマスク；及び、前記マスク下部に位置して、前記マスクを通過したレーザービームの倍率を決定する投影レンズ；を含み、前記マスクを透過したレーザービームは少なくとも２領域以上で異なるドーズを有することを特徴とするレーザー照射装置を提供する。
【００１８】
また、本発明は、画素電極及び前記画素電極を露出させる開口部を含む画素定義膜を具備する基板を提供し；前記基板上に基材層、光熱変換層及び転写層を含むドナー基板をラミネーションし；前記ドナー基板上に、レーザービームを発生させるレーザーソース、前記レーザーソース下部に位置するマスク、前記マスク下部に位置する投影レンズを含み、前記マスクを通過したレーザービームは少なくとも２領域以上で異なるドーズを有することを特徴とするレーザー照射装置を位置させ；前記レーザー照射装置を利用して前記ドナー基板上にレーザービームを照射して、前記転写層の少なくとも一部を基板上に転写して前記開口部内に有機膜層を形成する；ことを含む有機電界発光素子の製造方法を提供することを他の目的にする。
【発明の効果】
【００１９】
このように、本発明はレーザー熱転写法による有機膜層形成時に有機膜層の熱的損傷を防止して発光効率を極大化することができ、転写効率及び転写層パターンの品質を向上させることができる効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本明細書に示した図面を参考にして本発明を詳細に説明する。次に紹介される実施形態は当業者に本発明の思想が十分に伝達されることができるようにするために例として提供されるものである。したがって本発明は以下に説明される実施形態に限定されなくて他の形態に具体化されることができる。そして図面において、装置の大きさ及び厚さ等は便宜のために誇張されて表現されるものもある。明細書全体にかけて同じ参照番号は同じ構成要素を示す。
【００２１】
図２は本発明によるレーザー照射装置の概略図で、これを説明すると次の通りである。
【００２２】
図２を参照すると、レーザー熱転写法に使われるレーザー照射装置３００はレーザービームを発生させるレーザーソース（ｌｉｇｈｔ  ｓｏｕｒｃｅ；３１０）、前記レーザーソースの下部に位置しており、前記レーザービームをパターニングするマスク３２０及び前記マスクの下部に位置しており、前記マスクを通過してパターニングされたレーザービームの倍率を決定する投影レンズ（ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ  ｌｅｎｓ；３３０）を含むことができる。
【００２３】
前記レーザーソース３１０はレーザービームを発生させる装置である。前記レーザーソース３１０から発生したビームは前記ビーム形状変形装置（図示せず）を通過する。前記ビーム形状変形装置は前記レーザーソース３１０で発生されたガウス分布（ガウシアンプロファイル）を有するビームを均質化されたフラットトッププロファイルを有するビームに変形させることができる。前記レーザーソース３１０からレーザービームが生成されれば、前記レーザービームは前記マスク３２０を通過する。前記マスク３２０に対しては以下で詳細に説明する。
【００２４】
図３Ａないし図３Ｆは本発明によるレーザー照射装置用マスクの形状を示した平面図で、これを説明すると次のようである。
【００２５】
図３Ａを参照すると、前記マスクはレーザービームを遮断するための光遮断部Ａとレーザービームを通過させる光透過部Ｂを含む。
【００２６】
前記光透過部Ａは第１領域４１及び前記第１領域の両端に位置した第２領域４２及び前記第２領域４２と接する第３領域４３を含むことができる。前記第２領域４２はレーザー熱転写法による有機膜層形成時に有機膜層と画素定義膜が成すエッジ部分に対応する領域になることができ、前記第３領域４３は有機膜層の縁部分に対応する領域であることができる。
【００２７】
前記第２領域４２の幅は前記第１領域４１の幅ａの１．０５ないし１．１倍であり、前記第３領域４３の幅は前記第１領域４１の幅ａの１．１ないし１．５倍であることが望ましい。前記第２領域４２の幅が前記第１領域の幅ａの１．０５倍より小さければ、前記マスクを利用した有機膜層形成時にエッジオープン不良が発生することがあり、前記第２領域４２の幅が第１領域の幅の１．１倍より大きければ前記有機膜層の熱的損傷をもたらすことがある。また、前記第３領域４３の幅が第１領域の幅ａの１．１倍より小さければ前記マスクを利用した有機膜層形成時転写層パターンがよく切れなくて、転写層パターンの品質が低下し、前記第３領域４３の幅が第１領域の幅の１．５倍より大きければ、あまり多くのエネルギーを照射するようになるので工程上の費用損失が発生することがある。
【００２８】
また、前記第２領域４２及び前記第３領域４３は左右の幅が対称であることがある。これとは違って、図３Ｂ及び図３Ｃを参照すると、前記光透過部の第２領域４２’、４２”及び第３領域４３’、４３”は左右の幅が非対称であることがある。
【００２９】
図３Ｄを参照すると、前記マスクは前記レーザービームを遮断するための第１光遮断部Ｃと第２光遮断部Ｄ及び前記レーザービームを通過させる光透過部Ｅを含むこともできる。
【００３０】
前記光透過部Ｅは前記第１光遮断部Ｃと前記第２光遮断部Ｄ間に位置し、第１領域５１及び前記第１領域５１の両端に位置した第２領域５２及び第２領域５２と接する第３領域５３を含むことができる。前記第２領域５２はレーザー熱転写法による有機膜層形成時に有機膜層のエッジ部分に対応する領域になることがあり、前記第３領域５３は有機膜層の縁部分に対応する領域であることがある。
【００３１】
ここで、前記第２領域５２の幅は前記第１領域５１の幅ｂの１．０５ないし１．１倍であり、前記第３領域５３の幅は前記第１領域５１の幅ｂの１．１ないし１．５倍であることが望ましい。
【００３２】
前記第２領域５２の幅が第１領域の幅の１．０５倍より小さければ、前記マスクを利用した有機膜層形成時にエッジオープン不良が発生することがあり、前記第２領域５２の幅が第１領域の幅の１．１倍より大きければ前記有機膜層の熱的損傷をもたらすことがある。また、前記第３領域５３の幅が前記第１領域の幅の１．１倍より小さければ前記マスクを利用した有機膜層形成時に転写層パターンがよく切れなくて、転写層パターンの品質が低下し、前記第３領域５３の幅が前記第１領域の幅の１．５倍より大きければ、あまりに多くのエネルギーを照射するようになるので工程上の費用損失が発生することがある。
【００３３】
前記第２領域５２及び第３領域５３の左右の幅が対称であることがあり、前記第２領域４２、４２’、４２”、５２及び第３領域４３、４３’、４３”、５３の幅はレーザー照射装置のスキャン方向と一致する方向に延長されたことを特徴とする。
【００３４】
前記光透過部Ｂ、Ｅの全体長さは工程マージンを考慮して形成しようとする有機膜層の長さと対応するように設定する。また、前記光透過部の第２領域４２、４２’、４２”、５２は前記有機膜層のエッジ領域と対応するように長さを設定して、前記光透過部の第３領域４３、４３’、４３”、５３は前記有機膜層の端部分と一致するように長さを設定する。
【００３５】
図３Ｅを参照すると、前記マスクはレーザービームを遮断するための光遮断部Ｆとレーザービームを通過させる光透過部Ｇを含むことができる。
【００３６】
前記光透過部Ｇは第１領域６１及び前記第１領域６１の両端に位置する第２領域６２を含み、前記第２領域６２は台形状であることを特徴とする。
【００３７】
ここで、前記第２領域６２は上辺の幅が第１領域の幅ｄと同じであって、底辺の幅ｅが前記第１領域の幅ｄの１．１ないし１．５倍であることを特徴とする。前記第２領域の底辺の幅が前記第１領域の幅ｄの１．１倍より小さければ、前記マスクを用いた有機膜層形成時エッジオープン不良が発生する恐れがあって、前記第２領域の底辺の幅が前記第１領域の幅ｄの１．５倍より大きければ、あまりに多くのエネルギーを照射するようになって工程上の費用損失が発生することがある。
【００３８】
前記第２領域６２は左右の幅が対称であることがあり、これとは違って、図３Ｆ及び図３Ｇに示したように、前記第２領域６２’、６２”は左右の幅が非対称でもある。
【００３９】
ここで、前記第２領域６２、６２’、６２”の幅はレーザー照射装置のスキャン方向と一致する方向に延長されたことを特徴とする。
【００４０】
前記光透過部Ｇの全体長さは投影レンズの倍率及び工程マージンを考慮して形成しようとする有機膜層の長さと対応するように設定する。また、前記光透過部Ｇの第２領域６２、６２’、６２”は前記有機膜層のエッジ領域から縁に対応するように長さを設定する。
【００４１】
前記マスクは所定の形状のパターンまたは一定の周期で繰り返される前記のような形状を有するパターンを有することができ、これによって前記レーザービームは前記マスクの形態通り透過される。
【００４２】
上述したようなマスクは少なくとも２領域以上の大きさが異なる光透過部を具備することによって、有機膜層のエッジ部及び縁と対応する部分に照射されるレーザービームのドーズを調節することができる。
【００４３】
図４Ａ及び図４Ｂは本発明によるレーザー照射装置用マスクを利用した有機電界発光素子の製造方法を説明するための断面図で、これを説明すると次の通りである。
【００４４】
図４Ａ及び図４Ｂを参照すると、基板１００を提供する。前記基板は少なくとも一つ以上のトランジスタ（図示せず）を含むことができ、最上部には第１電極１２０及び前記第１電極の一部を露出させる開口部が形成された画素定義膜１３０が位置する。前記基板１００はチャック４００により固定されて、前記チャックは移動手段を具備することができる。
【００４５】
前記基板１００上にドナー基板２００をラミネーションする。前記ドナー基板は基材層２１０、光熱変換層２２０及び転写層２３０を含み、前記転写層２３０は有機膜層を形成するための物質からなることができる。
【００４６】
前記基板１００にラミネーションされたドナー基板２００上にレーザー照射装置３００を位置させる。前記レーザー照射装置３００はレーザーソース３１０、マスク３２０及び投影レンズ３３０を含むことができ、前記レーザーソース３１０で発生されたレーザービームは前記マスク３２０を通過する。
【００４７】
前記マスク３２０はレーザービームを遮断するための光遮断部３２１とレーザービームを通過させる光透過部３２２を含む。ここで、前記マスク３２０は図３Ａないし図３Ｇに示したように、少なくとも２領域以上が他の大きさを有する光透過部３２２を具備することができる。
【００４８】
前記のようなマスク３２０を通過してパターニングされたイメージを有するレーザービームは前記投影レンズ３３０を通過する。前記投影レンズ３３０は前記レーザービームの倍率を決定する役割をしており、本実施形態では前記投影レンズ３３０が等倍率の場合に対して限定して説明する。
【００４９】
前記投影レンズ３３０を透過したレーザービームは前記ドナー基板２００に到達するようになる。前記レーザービームが照射された領域のドナー基板２００では前記光熱変換層２２０が前記レーザービームを吸収して熱を発生させて、前記転写層２３０は前記熱により前記光熱変換層２２０との接着力に変化が生じて前記基板１００上に転写される。結果的に前記基板１００上にはパターニングされた転写層２３０’が形成される。
【００５０】
図４Ｂを参照すると、前記レーザービームが前記図３Ａないし図３Ｄに示したように第１、第２及び第３領域を具備するマスクを透過すれば、前記レーザー照射装置は中心部から両端に行くほど階段式にドーズが大きくなるプロファイルＡを有するレーザービームを発生させる。
【００５１】
これとは違って、前記レーザービームが図３Ｅないし図３Ｇに示したように第１及び第２領域を具備するマスクを透過すれば、前記レーザー照射装置は中心部を除いた両端がますますドーズが大きくなるプロファイルＢを有するレーザービームを発生させる。
【００５２】
ここで、前記Ｉ、ＩＩ及びＩＩＩ領域は前記図３Ａないし図３Ｇに示したマスクを透過したレーザービームが照射される基板領域であって、前記Ｉ領域は開口部により画素電極が露出された領域であり、前記ＩＩ領域は画素電極のエッジ部及び画素定義膜開口部の側面に該当する部分になることができ、前記ＩＩＩ領域は開口部の縁と対応することができる。したがって、前記のようなプロファイルを有するレーザービームをＹ方向にスキャニングするようになれば、前記Ｉ領域より前記ＩＩ及びＩＩＩ領域に単位面積当たりさらに多くのドーズのレーザービームが照射される。
【００５３】
これによって、前記ＩＩ領域にラミネーションされたドナー基板に充分なドーズのレーザービームを加えることができるようになって、前記ドナー基板と前記画素電極のエッジ部分を密着させることによって浮き上がることがなく転写層パターンを形成することができるようになる。また、前記ＩＩＩ領域にラミネーションされたドナー基板に充分なドーズのレーザービームを加えることができるようになって、前記転写層を前記ドナー基板からよく離れるようにしてきれいな転写層パターンを形成することができる。
【００５４】
前記レーザー照射装置３００が前記基板１００の縁に至れば、前記チャック４００は移動手段により１ステップ移動して、上述したラミネーション及びレーザー照射を反復することによって、基板全体に転写層パターンを形成することができる。
【００５５】
上述したように、本発明は少なくとも２領域以上の大きさが異なる光透過部を有するマスクを有するレーザー照射装置を提供することによって、レーザー熱転写法による有機膜層形成時に領域別に異なるドーズのレーザービームを照射して、有機膜層の熱損傷を最小化することができて有機膜層の発光効率を極大化することができる。また、本発明によると、前記レーザー照射装置によって有機膜層のエッジ部分に対応するドナー基板に充分なドーズのレーザービームを照射することができるようになって、エッジ部分の浮き上がることがない転写層パターンを形成することによって、有機膜層のエッジオープン不良を防止することができる。共に、本発明によるレーザー照射装置によって有機膜層の縁部分に対応するドナー基板に充分なドーズのレーザービームを照射することができて、縁のパターンがきれいな有機膜層を形成することができるようになる。
【００５６】
本発明を特定の望ましい実施形態に関連して図示して説明したが、本発明がそれに限定されるのではなくて、特許請求の範囲により用意される本発明の精神や範囲を逸脱しない限度内で本発明が多様に変形及び変化されることができるということを当業界で通常の知識を有する者は容易に分かることができることである。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１Ａ】従来技術による有機電界発光素子の有機膜層形成工程を説明するための断面図である。
【図１Ｂ】従来技術によって形成された転写層パターンの品質を示す写真である。
【図１Ｃ】従来技術によって形成された有機膜層の発光グラフである。
【図２】本発明の実施形態によるレーザー照射装置を説明するための概略図である。
【図３Ａ】本発明の実施形態によるレーザー照射装置用マスクを説明するための平面図である。
【図３Ｂ】本発明の実施形態によるレーザー照射装置用マスクを説明するための平面図である。
【図３Ｃ】本発明の実施形態によるレーザー照射装置用マスクを説明するための平面図である。
【図３Ｄ】本発明の実施形態によるレーザー照射装置用マスクを説明するための平面図である。
【図３Ｅ】本発明の実施形態によるレーザー照射装置用マスクを説明するための平面図である。
【図３Ｆ】本発明の実施形態によるレーザー照射装置用マスクを説明するための平面図である。
【図３Ｇ】本発明の実施形態によるレーザー照射装置用マスクを説明するための平面図である。
【図４Ａ】本発明の実施形態によるレーザー照射装置を利用した有機電界発光素子の製造方法を説明するための工程別断面図である。
【図４Ｂ】本発明の実施形態によるレーザー照射装置を利用した有機電界発光素子の製造方法を説明するための工程別断面図である。
【符号の説明】
【００５８】
１０  基板
１１  基板
１２  第１電極
１３  画素定義膜
２０  ドナー基板
２１  転写層
２２  光熱変換層
２３  基材層
３０  レーザー照射装置
【図３Ａ】
0004494395.tif 000002
【図３Ｂ】
0004494395.tif 000003
【図３Ｃ】
0004494395.tif 000004
【図３Ｄ】
0004494395.tif 000005
【図３Ｅ】
0004494395.tif 000006
【図３Ｆ】
0004494395.tif 000007
【図３Ｇ】
0004494395.tif 000008
【図４Ａ】
0004494395.tif 000009
【図４Ｂ】
0004494395.tif 000010
【図１Ａ】
0004494395.tif 000011
【図１Ｂ】
0004494395.tif 000012
【図１Ｃ】
0004494395.tif 000013
【図２】
0004494395.tif 000014