(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも以下の（Ａ）〜（Ｃ）の工程を備えることを特徴とする多層プリント配線板の製造方法：
（Ａ）基板上に設けられた位置決めマークと開口を備えるマスク上に設けられた位置決めマークとから、当該基板と当該マスクとを位置あわせする工程と、
（Ｂ）前記基板に形成された通孔を介して、前記マスクを当該基板側へ吸着させる工程と、
（Ｃ）前記マスクにレーザを照射し、前記基板に複数個の通孔を形成する工程。
【請求項２】
少なくとも以下の（Ａ）〜（Ｃ）の工程を備えることを特徴とする多層プリント配線板の製造方法：
（Ａ）多数個取り用の基板上に設けられた位置決めマークと開口を備えるマスク上に設けられた位置決めマークとから、当該基板と当該マスクとを位置あわせする工程であって、
前記基板に形成された通孔を介して、前記マスクを当該基板側へ吸着させる工程と、
（Ｂ）前記マスクにレーザを照射し、前記基板に複数個の通孔を形成する工程、
（Ｃ）前記マスクを移動させ、前記多数個取り用の基板上を移動させ、上記（Ａ）、（Ｂ）の工程を行う工程。
【請求項３】
前記マスクを、前記多数個取り用の基板の一個の基板単位に移動させて、レーザ照射を行うことを特徴とする請求項２に記載の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項４】
前記レーザを照射する工程において、レーザを走査させることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項５】
前記レーザを照射する工程の後に、圧縮気体または溶剤によりマスクを洗浄する工程を備えることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１の多層プリント配線板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、層間樹脂絶縁層と導体層とを交互に積層してなり、各導体層間がバイアホールにて接続されたビルドアップ層が、コア基板の両面に形成されてなる多層プリント配線板の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、ビルドアップ多層プリント配線板は、例えば、特開平９−１３００５０号に開示される方法にて製造されている。
多層プリント配線板のコア基板には、両面に銅箔がラミネートされている銅張積層板が使われている。まず、この銅張積層板をドリル削孔し、無電解めっきを施し、パターン状にエッチングすることにより、基板の両面に内層銅パターンとスルーホールを形成していた。
【０００３】
その後、ロールーコーターや印刷により層間絶縁樹脂を塗布する。そして、層間絶縁樹脂上にマスクを密着し、露光、現像して、層間導通のためのバイアホール開口部を形成させる。その後、ＵＶ硬化、本硬化を経て層間樹脂絶縁層を形成する。さらに、その層間樹脂絶縁層に酸や酸化剤などで粗化処理を施し、その粗化面にパラジウムなどの触媒を付ける。そして、薄い無電解めっき膜を形成し、そのめっき膜上にドライフィルムにてパターンを形成する。さらにその上に、電解めっきで厚付けしたのち、アルカリでドライフィルムを剥離除去し、エッチングして導体回路を作り出させる。次に、上層の層間樹脂絶縁層を形成し、上記工程を繰り返す。これにより、ビルドアップ多層プリント配線板が得られる。
【０００４】
また、プリント配線板の最外層には、導体回路を保護するために、ソルダーレジスト層を施す。半田バンプを形成する際には、導体回路との接続のためにソルダーレジスト層の一部を開口させ、当該導体回路を露出させた上に半田ペーストを印刷して、リフローを行うことで半田バンプを形成している。
ここで、ソルダーレジスト層の開口方法としては、まず、ソルダーレジストとして感光性樹脂を用いる。次に、該ソルダーレジスト上に、開口に相当する位置に黒円の描かれたマスクを載置する。そして、該ソルダーレジストを感光して、該マスクの黒円位置に相当する未感光部分を溶解させる。これにより、ソルダーレジスト層に開口を形成させていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記のドリルによるスルーホールの形成、露光現象によるバイアホール及びソルダーレジスト層の開口部を形成する方法では、微細な開口及び貫通孔を狭ピッチで形成することができず、多層プリント配線板の高集積化のために要求される性能を満たし得ないことがある。
【０００６】
このため、本発明者は、プリント配線板にレーザ（炭酸ガス、エキシマ、ＵＶ、ＹＡＧ）を用いて開口及び貫通孔を形成することを案出した。しかしながら、レーザを用いても小径の開口及び貫通孔を、正確な位置に形成することは困難であり、更に、レーザを照射して微細な開口及び貫通孔を１孔ずつ穿設すると、加工時間が長くなることが予想された。
【０００７】
本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的は、配線密度を高め、かつ、正確な位置に開口及び貫通孔が形成された多層プリント配線板の製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項１の発明では、少なくとも以下の（Ａ）〜（Ｃ）の工程を備えることを技術的特徴とする多層プリント配線板の製造方法にある：
（Ａ）基板上に設けられた位置決めマークと開口を備えるマスク上に設けられた位置決めマークとから、当該基板と当該マスクとを位置あわせする工程と、
（Ｂ）前記基板に形成された通孔を介して、前記マスクを当該基板側へ吸着させる工程と、
（Ｃ）前記マスクにレーザを照射し、前記基板に複数個の通孔を形成する工程。
【０００９】
請求項１では、該基板と該マスクとを、該基板と該マスクとの双方に設けられた位置決めマークによって位置あわせをする。その後、該基板に形成された通孔を介して空気を吸い出すことにより、該マスクと該基板との間を減圧もしくは真空状態にして、該マスクを該基板側へ密着させる。それにより、該マスクが該基板からずれたりすることがなくなる。そのため、該マスクを介してレーザで該基板に開口を形成させる際に、該基板の開口形成位置に正確に開口を形成することができる。
【００１０】
また、該マスクには、複数個の微細な通孔が狭ピッチで形成されているため、該マスクを介して該基板にレーザを照射することにより、該基板に一括して複数個の微細な開口を狭ピッチで形成することができる。更に、レーザにより該基板に通孔を形成するため、露光現像処理により通孔を形成する場合と異なり、層間樹脂絶縁層およびソルダーレジスト層の材料として感光性樹脂に限定されることなく、種々の材料を用いることができる。
【００１１】
請求項２の発明では、少なくとも以下の（Ａ）〜（Ｃ）の工程を備えることを技術的特徴とする多層プリント配線板の製造方法にある：
（Ａ）多数個取り用の基板上に設けられた位置決めマークと開口を備えるマスク上に設けられた位置決めマークとから、当該基板と当該マスクとを位置あわせする工程であって、
前記基板に形成された通孔を介して、前記マスクを当該基板側へ吸着させる工程と、
（Ｂ）前記マスクにレーザを照射し、前記基板に複数個の通孔を形成する工程、
（Ｃ）前記マスクを移動させ、前記多数個取り用の基板上を移動させ、上記（Ａ）、（Ｂ）の工程を行う工程。
【００１２】
請求項２では、該多数個取り用の基板と該マスクとを、該多数個取り用の基板と該マスクとの双方に設けられた位置決めマークによって位置あわせしている。このため、該マスクを介してレーザで、該多数個取り用の基板に正確に開口を形成することができる。また、該マスクには、複数個の通孔が形成されているため、一括して複数個の基板に微細な複数個の開口を形成することができる。
【００１３】
該マスクは、該多数個取り用の基板の複数個の基板単位の大きさなので、該多数個取りの基板に対応したマスクよりも面積が小さく、レーザの熱によるマスクの伸縮の影響も小さい。そのため、該基板に開口を形成する精度を向上させることができる。また、該マスクを移動させ、該多数個取り用の基板上を移動させて上記工程を繰り返し行うため、マスクを使い回すことができる。なお、マスクを多数個取り用の基板と同じ大きさに形成することで、一括して加工を行うようにすることも可能である。
【００１５】
請求項２では、該多数個取り用の基板に形成された通孔を介して空気を吸い出すことにより、該マスクと該多数個取り用の基板との間を、減圧もしくは真空状態にして、該マスクを該多数個取り用の基板側へ密着させる。このため、該マスクが該多数個取り用の基板からずれたりすることがなくなる。よって、該マスクを介してレーザで該多数個取り用の基板に開口を形成させる際に、該多数個取り用の基板の開口形成位置に、正確に開口を形成することができる。また、通孔は基板の４隅に形成させるのがよい。特に、基板の端部（基板を手で持つために形成されたエリアを意味する）に形成させることが望ましい。
【００１６】
請求項３の発明は、前記マスクを、前記多数個取り用の基板の一個の基板単位に移動させて、レーザ照射を行うことを技術的特徴とする。
【００１７】
請求項３では、該マスクを、該多数個取り用の基板の一個の基板単位に移動させて、レーザ照射を行う。該マスクは、該多数個取り用の基板の一個の基板単位の大きさなので、該多数個取りの基板に対応したマスクよりも面積が小さく、レーザの熱によるマスクの伸縮の影響を最小にできる。そのため、該基板に開口を形成する精度を向上させることができる。
【００１８】
請求項４の発明では、前記レーザを照射する工程において、レーザを走査させることを技術的特徴とする。
【００１９】
請求項４では、レーザを走査することにより、線状のレーザを用いても、該マスクを介して該基板に、短時間で複数個の微細な開口を狭ピッチで形成することができる。
【００２０】
請求項５の発明では、前記レーザを照射する工程の後に、圧縮気体または溶剤によりマスクを洗浄する工程を備えることを技術的特徴とする。
【００２１】
請求項５では、レーザを照射する工程の後に、圧縮気体または溶剤によって該マスクを洗浄することにより、該マスクに付着した樹脂片などの残さを落とすことができる。よって、該マスクを繰り返し使用しても、該マスクに付着した樹脂片による開口不良などが発生することはない。
【００２４】
前記レーザ照射装置は、炭酸ガスレーザであり、前記マスクが、金属板の表面に金属膜を形成してなることが望ましい。高出力の得やすい炭酸ガスレーザを用いることにより、他のレーザ（エキシマ、ＵＶ、ＹＡＧ）よりも容易にコア基板に貫通孔を形成することができる。また、該マスクに金属膜を形成することにより、該マスクを長期の使用に耐えるようにすることができる。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態に係る多層プリント配線板の製造方法及びレーザ加工装置について図を参照して説明する。
先ず、本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板１０及びレーザ加工装置の構成について、図９及び図１１〜図１５を参照して説明する。
図９は、本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板１０の断面図を示している。図１１は、本発明の第１実施形態に係るレーザ加工の拡大説明図である。図１２は、マスクの上面図を示している。図１３（Ｃ）は、図１２に示す、マスクのＡ−Ａ断面図である。図１４は、本発明の第１実施形態に係るレーザ加工装置の説明図である。図１５は、光学装置のカメラによる位置決めマークの撮像について示している。
【００２６】
図９に示すように、多層プリント配線板１０では、コア基板３０内にスルーホール３６が形成され、該コア基板３０の両面には導体回路３４が形成されている。また、該コア基板３０の上には、バイアホール６０及び導体回路５８の形成された下層側層間樹脂絶縁層５０が配設されている。該下層層間樹脂絶縁層５０の上には、バイアホール１６０及び導体回路１５８が形成された上層層間樹脂絶縁層１５０が配置されている。上層層間樹脂絶縁層１５０の上には、ソルダーレジスト層７０が配設されている。該ソルダーレジスト層７０には、開口７１が形成され、該開口７１には、半田バンプ７６が配設されている。
【００２７】
多層プリント配線板１０のスルーホール３６は、炭酸ガスレーザにより穿設されている。また、バイアホール６０、１６０の開口部４８、１４８及びソルダーレジスト層７０の開口部７１も炭酸ガスレーザにより穿設されている。
なお、レーザにより該基板に微細な通孔を形成するため、該基板の配線密度を上げることができる。また、露光現像処理により通孔を形成する場合と異なり、層間樹脂絶縁層およびソルダーレジスト層の材料として感光性樹脂に限定されることなく、種々の材料を用いることができる。
【００２８】
次に、本発明の第１実施形態に係るレーザ加工装置の概略構成について、図１４を参照して説明する。
図１４に示すように、Ｘ−Ｙ方向に移動するテーブル９０上に、該多層プリント配線板１０が載置されている。Ｘ−Ｙテーブル９０には、該多層プリント配線板１０に対応した大きさの、空気を吸い出すためのメッシュ状の吸引口（図示しない）が備えられている。また、該多層プリント配線板１０には、貫通孔３３が形成されている。次に、該多層プリント配線板１０の上に、該多層プリント配線板１０の開口形成位置に対応する通孔７８ａが穿設されたマスク７８が、後述する光学装置による位置あわせ工程を経て、密着している。
【００２９】
また、該マスク７８が密着している該多層プリント配線板１０の上には、炭酸ガスレーザ発振器８１が設けられている。該炭酸ガスレーザ発振器８１には、レーザ光の照射域を広げるためのレンズ８２が取り付けてある。そして、該炭酸ガスレーザ発振器８１から出たレーザ光は、該レンズ８２を経由して、該マスク７８に照射され、通孔７８ａを通過して該多層プリント配線板１０に開口を形成する。なお、レーザによる開口の形成の様子を、拡大断面説明図として図１１に示す。
【００３０】
炭酸ガスレーザの出力は１Ｊ／ｃｍ2以上が好ましい。
また、本実施態様では、高出力の得やすい炭酸ガスレーザを用いているが、炭酸ガスレーザと他のレーザ（エキシマ、ＵＶ、ＹＡＧ）とを共に使用してもよい。
【００３１】
次に、光学装置による位置あわせについて図１５を参照して説明する。
マスク搭載装置９４の照明器９５から、光が多層プリント配線板１０の位置決めマーク（図示しない）及びマスクの位置決めマーク（図示しない）に向けて照射される。そして、両位置決めマークの反射光をカメラ９２により撮像する。それを基に、多層プリント配線板１０が載置されているＸ−Ｙテーブル９０の位置を調整する。
【００３２】
次に、本発明の実施形態に係るマスクの構成について、図１２および図１３を参照して説明する。
図１２に示す、マスク７８には、複数個の微細な通孔７８ａが狭ピッチで形成されている。これにより、該マスク７８にレーザを照射することにより、該基板に一括して複数個の微細な開口を狭ピッチで形成することができる。また、該マスク７８の表面の四隅には、位置決めマーク７９が設けられている。なお、該マスク７８の厚みは１ｍｍ以下がよい。
【００３３】
次に、マスクの製造方法について図１３を参照して説明する。
（１）まず、マスク７８を構成する金属材８４として銅板を用いる。金属材８４については、加工性が良い、銅、アルミニウム等の金属が好ましい。また、金属以外にも、セラミックを用いてもよい（図１（Ａ））。
【００３４】
（２）この金属材８４を多層プリント配線板の開口形成位置に対応するようにパターン状にエッチングし、通孔７８ａを形成する（図１（Ｂ））。なお、レーザにより金属材８４に通孔７８ａを形成してもよい。
【００３５】
（３）次に、金属材８４に無電解めっきを施して、金属材８４の表面に金属膜８６を形成する（図１（Ｃ））。金属膜８６に用いる金属は、ニッケル、クロム、タングステン等の強度があり、なおかつ、融点が高く、炭酸ガスレーザに耐えうるものがよい。この金属膜８６により、マスク７８が長期の使用に耐えるようになる。また、金属膜８６の形成には、無電解めっきの他にも電解めっき、スパッタを用いてもよく、または、それらの複合体でもよい。
【００３６】
引き続き、本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程について図１〜図９を参照して説明する。この第１実施形態では、多層プリント配線板をセミアディティブ方により形成する。
【００３７】
（１）厚さ０．８mmのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる基板３０の両面に１８μｍの銅箔３２がラミネートされている銅張積層板３０Ａを出発材料とする（図１（Ａ））。まず、この銅張積層板３０Ａの、後述する工程で切り取り線Ｃで分割切断して切り落とされる基板端部Ｄにドリル削孔をして、貫通孔３３を形成する（図１（Ｂ））。なお、図１０に示すように、コア基板３０の基板端部Ｄの四隅には、位置決めマーク３１を設けておく。
【００３８】
（２）その後、コア基板３０を、図１４を参照して上述したレーザ加工装置のＸ−Ｙテーブル９０に載置する。次に、図１２を参照して上述した複数個の微細な通孔７８ａが狭ピッチで形成されているマスク７８を、コア基板３０上に移動させる。そして、コア基板３０に設けられた位置決めマーク３１とマスク７８に設けられた位置決めマーク７９とをカメラで光学的に読出し、コア基板３０とマスク７８とを位置あわせする。その後、Ｘ−Ｙテーブル９０に備えられた吸引口から貫通孔３３を介して、マスク７８とコア基板３０との間の空気を吸い出す。それにより、マスク７８とコア基板３０との間を減圧し、マスク７８をコア基板３０側に密着させる（図１（Ｃ））。
【００３９】
（３）そして、上面にマスク７８が密着しているコア基板３０の上から、炭酸ガスレーザを照射する。なお、炭酸ガスレーザの出力は１Ｊ／ｃｍ2以上が好ましい。この工程により、コア基板３０に貫通孔３５を形成する（図１（Ｄ））。図１４を参照して上述したように、炭酸ガスレーザを照射するレーザ発振器８１には、レーザ光の照射域を広げるためのレンズ８２が取り付けられている。このため、レーザを広範囲に照射でき、コア基板３０に一括して複数個の微細な貫通孔３５を形成することができる。
【００４０】
（４）その後、減圧を解除し、マスク７８をコア基板３０から外す。そして、マスク７８に圧縮空気を吹き付け、マスク７８に付着した樹脂片などの残さをマスク７８から落とす。この代わりに、マスク７８を、静電除去もしくは溶剤で洗浄してもよい。よって、次に使用する際に、マスク７８に付着した樹脂片による開口不良などが発生することはない。
【００４１】
（５）次に、コア基板３０にめっきレジストを形成した後、無電解銅めっき処理を施し、スルーホール３６を形成する。更に、銅箔３２を常法に従い、パターン状にエッチングすることにより基板の両面に導体回路３４を形成する（図２（Ａ））。
【００４２】
（６）導体回路３４を形成した基板を水洗いし、乾燥した後、エッチング液を基板３０の両面にスプレイで吹きつけて導体回路３４の表面とスルーホール３６のランド３６ａ表面と内壁とをエッチングする。これにより、導体回路３４とスルーホール３６の表面に粗化面３４αを形成する（図２（Ｂ））。エッチング液として、イミダゾール銅（ＩＩ）錯体１０重量部、グリコール酸７重量部、塩化カリウム５重量部およびイオン交換水７８重量部を混合したものを使用した。
【００４３】
（７）エポキシ系樹脂を主成分とする樹脂充填剤４０を基板３０の両面に印刷機を用いて塗布することにより、導体回路３４間またはスルーホール３６内に充填し、加熱乾燥を行った。即ち、この工程により、樹脂充填剤４０が導体回路３４間またはスルーホール３６内に充填される（図２（Ｃ））。また、このとき貫通孔３３にも、樹脂充填剤４０が充填される。
【００４４】
（８）上記（７）の処理を終えた基板３０の片面を、ベルト研磨紙（三共理化学製）を用いたベルトサンダー研磨により、導体回路３４の表面やスルーホール３６のランド３６ａ表面に樹脂充填剤４０が残らないように研磨し、次いで、上記ベルトサンダー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行った。このような一連の研磨を、基板の他方の面についても同様に行った。そして、充填した樹脂充填剤４０を加熱硬化させた（図２（Ｄ））。
【００４５】
このようにして、導体回路３４間またはスルーホール３６内に充填された樹脂充填剤４０の表層部および導体回路３４の上面の粗化面３４αを除去して基板両面を平滑化する。それにより、樹脂充填剤４０と導体回路３４およびスルーホール３６とが粗化面３４αを介して強固に密着した配線基板を得る。
【００４６】
（９）次に、基板３０の両面に、上記（６）で用いたエッチング液と同じエッチング液をスプレイで吹きつける。一旦平坦化された導体回路３４の表面とスルーホール３６のランド３６ａ表面とをエッチングすることにより、導体回路３４の全表面に粗化面３４βを形成した（図３（Ａ））。
【００４７】
（１０）上記（９）の工程を経た基板３０の両面に、厚さ５０μｍの熱硬化型シクロオレフィン系樹脂シートを温度５０〜１５０℃まで上昇しながら圧力５ｋｇ／ｃｍ2で真空圧着ラミネートし、シクロオレフィン系樹脂からなる層間樹脂絶縁層５０を設けた（図３（Ｂ））。このとき、真空圧着時の真空度は１０ｍｍＨｇであった。
【００４８】
（１１）その後、層間樹脂絶縁層５０の貫通孔３３の上に位置する部分を、ドリル削孔する。それにより、貫通孔３３を塞いでいた層間樹脂絶縁層５０および貫通孔３３内の樹脂充填剤４０に、貫通孔３３へ直結する通孔を形成する（図３（Ｃ））。
【００４９】
（１２）次に、上記（２）の工程と同様に、後述するバイアホール用開口のパターン１７８ａが形成されたマスク１７８を基板３０上で、双方に設けられた位置決めマークによって位置あわせをし、載置する。その後、貫通孔３３内を減圧して、マスク１７８を基板３０の片面に密着させる（図３（Ｄ））。引き続き、上記（３）の工程と同様に、マスク１７８を介して基板３０にレーザを照射して、バイアホール用開口４８を形成する。そして、このような一連の工程を基板の他方の面についても同様に行った（図４（Ａ））。また、この工程に用いるレーザは、炭酸ガス、エキシマ、ＵＶ、ＹＡＧのいずれを用いてもよい。この後、酸素プラズマを用いてデスミア処理を行う。
また、マスク１７８は、上記（４）の工程と同様に洗浄を行う。
【００５０】
（１３）次に、日本真空技術株式会社製のＳＶ−４５４０を用いてプラズマ処理を行い、層間樹脂絶縁層５０の表面を粗化して、粗化面５０βを形成する（図４（Ｂ））。この際、不活性ガスとしてはアルゴンガスを使用し、電力２００Ｗ、ガス圧０．６Ｐａ、温度７０℃の条件で、１分間プラズマ処理を実施する。
【００５１】
（１４）次に、同じ装置を用い、内部のアルゴンガスを交換した後、Ｎｉ−Ｃｕ合金をターゲットにしたスパッタリングを、気圧０．６Ｐａ、温度８０℃、電力２００Ｗ、時間５分間の条件で行い、Ｎｉ−Ｃｕ合金層５２を層間樹脂絶縁層５０の表面に形成する（図４（Ｃ））。このとき、形成されるＮｉ−Ｃｕ合金層５２の厚さは０．２μｍであった。
【００５２】
（１５）上記処理を終えた基板３０の両面に、市販の感光性ドライフィルムを貼り付け、フォトマスクフィルムを載置して、１００ｍＪ／ｃｍ2で露光した後、０．８％炭酸ナトリウムで現像処理し、厚さ１５μｍのめっきレジスト５４を設ける（図４（Ｄ））。
【００５３】
（１６）次に、以下の条件で電解めっきを施して、厚さ１５μｍの電解めっき膜５６を形成する（図５（Ａ））。なお、この電解めっき膜５６により、後述する工程で導体回路５８となる部分の厚付けおよびバイアホール６０となる部分のめっき充填等が行われたことになる。
【００５４】
〔電解めっき水溶液〕
硫酸                ２．２４  ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅              ０．２６  ｍｏｌ／ｌ
添加剤（アトテックジャパン製、カパラシドＨＬ）１９．５  ｍl／ｌ
〔電解めっき条件〕
電流密度              １Ａ／dm２  
時間                  ６５分
温度              ２２±２℃
【００５５】
（１７）めっきレジスト５４を５％ＮａＯＨで剥離除去した後、そのめっきレジスト下のＮｉ−Ｃｕ合金層５２を硝酸および硫酸と過酸化水素の混合液を用いるエッチングにて溶解除去し、Ｎｉ−Ｃｕ合金層５２と電解めっき膜５６からなる厚さ１６μｍの導体回路５８及びバイアホール６０を形成する（図５（Ｂ））。
【００５６】
（１８）続いて、上記（１０）〜（１７）の工程を繰り返すことにより、さらに上層の導体回路１５８（バイアホール１６０を含む）を形成する（図５（Ｃ））。
【００５７】
（１９）次に、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ＤＭＤＧ）に６０重量％の濃度になるように溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社製）のエポキシ基５０％をアクリル化した感光性付与のオリゴマー（分子量４０００）４６．６７重量部、メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル社製、商品名：エピコート１００１）１５重量部、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、商品名：２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）１．６重量部、感光性モノマーである多官能アクリルモノマー（共栄化学社製、商品名：Ｒ６０４）３重量部、同じく多価アクリルモノマー（共栄化学社製、商品名：ＤＰＥ６Ａ）１．５重量部、分散系消泡剤（サンノプコ社製、商品名：Ｓ−６５）０．７１重量部を容器にとり、攪拌、混合して混合組成物を調整し、この混合組成物に対して光重量開始剤としてベンゾフェノン（関東化学社製）２．０重量部、光増感剤としてのミヒラーケトン（関東化学社製）０．２重量部を加えて、粘度を２５℃で２．０Ｐａ・ｓに調整したソルダーレジスト組成物７０（有機樹脂絶縁材料）を得る。
なお、粘度測定は、Ｂ型粘度計（東京計器社製、ＤＶＬ−Ｂ型）で６０ｒｐｍの場合はローターNo.3によった。
【００５８】
（２０）前述（１８）で得られた多層プリント配線基板の両面に、上記ソルダーレジスト組成物７０αを20μｍの厚さで塗布した（図６（Ａ））。次いで、８０℃で１時間、１００℃で１時間、１２０℃で１時間、１５０℃で３時間の条件でそれぞれ加熱処理を行ってソルダーレジスト組成物７０αを硬化させる。
その後、ソルダーレジスト組成物７０αの貫通孔３３の上に位置する部分をドリル削孔して、貫通孔３３を塞いでいたソルダーレジスト組成物７０αに、貫通孔３３へ直結する通孔を形成する（図６（Ｂ））。
また、ソルダーレジスト層を半硬化のＢステージ状にしたフィルムとして形成したものを加圧、加熱加圧によって積層させてもよい。
上記以外にソルダーレジスト組成物としては、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、硬化剤（アミン系硬化剤、イミダゾール系硬化剤）からなる樹脂組成物を用いてもよい。
【００５９】
（２１）次に、上記（２）の工程と同様に、ソルダーレジスト開口部のパターン３７８ａが形成されたマスク３７８を多層プリント配線板上で、双方に設けられた位置決めマークによって位置あわせをし、載置する。その後に、貫通孔３３内を減圧してマスク３７８と多層プリント配線板とを密着させる（図７（Ａ））。そして、マスク３７８を介して多層プリント配線板にレーザを照射して、ソルダーレジストの開口部７１を形成する。また、この工程に用いるレーザは、炭酸ガス、エキシマ、ＵＶ、ＹＡＧのいずれを用いてもよい。また、マスク３７８は、上記（４）の工程と同様に洗浄を行う。
これにより、はんだパッド部分（バイアホールとそのランド部分を含む）に開口７１を有する、厚さ２０μｍのソルダーレジスト層（有機樹脂絶縁層）７０を形成する（図７（Ｂ））。
【００６０】
（２２）次に、ソルダーレジスト層（有機樹脂絶縁層）７０を形成した基板を、塩化ニッケル（２．３×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亞リン酸ナトリウム（２．８×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．６×１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液に２０分間浸漬して、開口部７１に厚さ５μｍのニッケルめっき層７２を形成する（図８（Ａ））。
【００６１】
（２３）さらに、その基板を、シアン化金カリウム（７．６×１０-3ｍｏｌ／ｌ）、塩化アンモニウム（１．９×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．２×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（１．７×１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含む無電解めっき液に80℃の条件で７．５分間浸漬して、ニッケルめっき層７２上に厚さ0.03μｍの金めっき層７４を形成することで、バイアホール１６０及び導体回路１５８に半田パッド７５を形成する（図８（Ｂ））。
【００６２】
（２４）この後、ソルダーレジスト層７０の開口部７１に、はんだペーストを印刷して、２００℃でリフローすることにより、はんだバンプ（半田体）７６を形成する。最後に、図１０に示す、基板端部Ｄを切り取り線Ｃで分割切断して切り落とす。これにより、はんだバンプ７６を有する多層プリント配線板１０を得ることができる（図９参照）。
【００６３】
引き続き、本発明の第２実施形態に係る多層プリント配線板２０について、図２４を参照して説明する。上述した第１実施形態では、ＢＧＡを配設した場合で説明した。第２実施形態では、第１実施形態とほぼ同様であるが、図２４に示すように導電性接続ピン９６を介して接続を取るＰＧＡ方式に構成されている。
【００６４】
多層プリント配線板の製造方法について説明する。ここでは、第２実施形態の多層プリント配線板の製造方法に用いるＡ．層間樹脂絶縁層用樹脂フィルム、Ｂ．樹脂充填剤について説明する。
【００６５】
Ａ．層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムの作製
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量４６９，油化シェルエポキシ社製エピコート１００１）３０重量部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量２１５，大日本インキ化学工業社製  エピクロンＮ−６７３）４０重量部、トリアジン構造含有フェノールノボラック樹脂（フェノール性水酸基当量１２０，大日本インキ化学工業社製  フェノライトＫＡ−７０５２）３０重量部をエチルジグリコールアセテート２０重量部、ソルベントナフサ２０重量部に攪拌しながら加熱溶解させ、そこへ末端エポキシ化ポリブタジエンゴム（ナガセ化成工業社製  デナレックスＲ−４５ＥＰＴ）１５重量部と２−フェニル−４、５−ビス（ヒドロキシメチル）イミダゾール粉砕品１．５重量部、微粉砕シリカ２重量部、シリコン系消泡剤０．５重量部を添加しエポキシ樹脂組成物を調製した。
得られたエポキシ樹脂組成物を厚さ３８μｍのＰＥＴフィルム上に乾燥後の厚さが５０μｍとなるようにロールコーターを用いて塗布した後、８０〜１２０℃で１０分間乾燥させることにより、層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを作製した。
【００６６】
Ｂ．樹脂充填剤の調製
ビスフェノールＦ型エポキシモノマー（油化シェル社製、分子量：３１０、ＹＬ９８３Ｕ）１００重量部、表面にシランカップリング剤がコーティングされた平均粒径が１．６μｍで、最大粒子の直径が１５μｍ以下のＳｉＯ2球状粒子（アドテック社製、ＣＲＳ  １１０１−ＣＥ）１７０重量部およびレベリング剤（サンノプコ社製  ペレノールＳ４）１．５重量部を容器にとり、攪拌混合することにより、その粘度が２３±１℃で４５〜４９Ｐａ・ｓの樹脂充填剤を調製した。なお、硬化剤として、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）６．５重量部を用いた。
【００６７】
引き続き、本発明の第２実施形態に係る多層プリント配線板の製造方法について、図１６〜図２４を参照して説明する。
【００６８】
（１）厚さ０．８mmのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる基板３０の両面に１８μｍの銅箔３２がラミネートされている銅張積層板３０Ａを出発材料とする（図１６（Ａ））。まず、この銅張積層板３０Ａの後述する工程で、切り取り線Ｃで分割切断して切り落とされる基板端部Ｄにドリル削孔をして、貫通孔３３を形成する（図１６（Ｂ））。なお、図１０に示すように、コア基板３０の基板端部Ｄの四隅には、位置決めマーク３１を設けておく。
【００６９】
（２）その後、コア基板３０を、図１４を参照して上述したレーザ加工装置のＸ−Ｙテーブル９０に載置する。次に、第１実施形態と同様に複数個の微細な通孔７８ａが狭ピッチで形成されているマスク７８をコア基板３０上に移動させる。そして、コア基板３０に設けられた位置決めマーク３１とマスク７８に設けられた位置決めマーク７９とを、カメラで光学的に読出し、コア基板３０とマスク７８とを位置あわせする。その後、Ｘ−Ｙテーブル９０に備えられた吸引口から貫通孔３３を介して、マスク７８とコア基板３０との間の空気を吸い出す。それにより、マスク７８とコア基板３０との間を減圧し、マスク７８をコア基板３０側に密着させる（図１６（Ｃ））。
【００７０】
（３）そして、上面にマスク７８が密着しているコア基板３０の上から、炭酸ガスレーザを照射する。なお、炭酸ガスレーザの出力は１Ｊ／ｃｍ2以上が好ましい。この工程により、コア基板３０に貫通孔３５を形成する（図１６（Ｄ））。図１４を参照して上述したように、炭酸ガスレーザを照射するレーザ発振器８１には、レーザ光の照射域を広げるためのレンズ８２が取り付けられている。このため、レーザを広範囲に照射でき、コア基板３０に一括して複数個の微細な貫通孔３５を形成することができる。
【００７１】
（４）その後、減圧を解除しマスク７８をコア基板３０から外す。そして、マスク７８に圧縮空気を吹き付け、マスク７８に付着した樹脂片などの残さをマスク７８から落とすができる。この代わりに、静電除去もしくは溶剤で洗浄してもよい。よって、次に使用する際に、マスク７８に付着した樹脂片による開口不良などが発生することはない。
【００７２】
（５）次に、コア基板３０にめっきレジストを形成した後、無電解銅めっき処理を施し、スルーホール３６を形成する。更に、銅箔３２を常法に従い、パターン状にエッチングすることにより基板の両面に導体回路３４を形成する（図１７（Ａ））。
【００７３】
（６）導体回路３４を形成した基板を水洗いし、乾燥した後、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＣｌＯ2（４０ｇ／ｌ）、Ｎａ3ＰＯ4（６ｇ／ｌ）を含む水溶液を黒化浴（酸化浴）とする黒化処理、および、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＢＨ4（６ｇ／ｌ）を含む水溶液を還元浴とする還元処理を行い、導体回路３４とスルーホール３６の表面に粗化面３７αを形成する（図１７（Ｂ））。
【００７４】
（７）上記Ｂに記載した樹脂充填剤を調製した後、下記の方法により調整後２４時間以内に、スルーホール３６内および、基板３０の片面の導体回路３４非形成部と導体回路３４の外縁部とに樹脂充填剤４０の層を形成した。
すなわち、まず、スキージを用いてスルーホール３６内に樹脂充填剤を押し込んだ後、１００℃、２０分の条件で乾燥させた。次に、導体回路３４非形成部に相当する部分が開口したマスクを基板３０上に載置し、スキージを用いて凹部となっている導体回路３４非形成部に樹脂充填剤４０の層を形成し、１００℃、２０分の条件で乾燥させた（図１７（Ｃ））。また、貫通孔３３にも樹脂充填剤４０が充填される。
【００７５】
（８）上記（７）の処理を終えた基板３０の片面を、＃６００のベルト研磨紙（三共理化学製）を用いたベルトサンダー研磨により、導体回路３４の表面やスルーホール３６のランド３６ａ表面に樹脂充填剤４０が残らないように研磨する。次いで、上記ベルトサンダー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行った。このような一連の研磨を基板の他方の面についても同様に行った。次いで、１００℃で１時間、１５０℃で１時間の加熱処理を行って樹脂充填剤４０を加熱硬化した（図１７（Ｄ））。
【００７６】
このようにして、スルーホール３６や導体回路３４非形成部に形成された樹脂充填剤４０の表層部および導体回路３４の表面を平坦化する。それにより、樹脂充填剤４０と導体回路３４およびスルーホール３６とが粗化面３７αを介して強固に密着した配線基板を得る。すなわち、この工程により、樹脂充填剤４０の表面と導体回路３４の表面とが同一平面となる。
【００７７】
（９）次に、上記（８）の処理を終えた基板３０を水洗いし、ソフトエッチングする。次いで、エッチング液を基板３０の両面にスプレイで吹きつけて、導体回路３４の表面とスルーホール３６のランド表面と内壁とをエッチングすることにより、導体回路３４の全表面に粗化面３７βを形成した（図１８（Ａ））。
エッチング液としては、イミダゾール銅（ＩＩ）錯体１０重量部、グリコール酸７重量部、塩化カリウム５重量部からなるエッチング液（メック社製、メックエッチボンド）を使用した。
【００７８】
（１０）上記（９）の工程を経た基板３０の両面に、Ａで作製した基板３０より少し大きめの層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを基板３０上に載置する。そして、層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムと基板３０とを、圧力４ｋｇｆ／ｃｍ2、温度８０℃、圧着時間１０秒の条件で仮圧着して、層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを基板３０の大きさに裁断する。さらに、以下の方法により、真空ラミネーター装置を用いて貼りつけることにより層間樹脂絶縁層５０を形成する（図１８（Ｂ））。すなわち、層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを基板３０上に、真空度０．５Ｔｏｒｒ、圧力４ｋｇｆ／ｃｍ2、温度８０℃、圧着時間６０秒の条件で本圧着し、その後、１７０℃で３０分間熱硬化させた。
【００７９】
（１１）その後、層間樹脂絶縁層５０の、貫通孔３３の上に位置する部分をドリル削孔して、貫通孔３３を塞いでいた層間樹脂絶縁層５０および貫通孔３３内の樹脂充填剤４０に、貫通孔３３へ直結する通孔を形成する（図１８（Ｃ））。
【００８０】
（１２）次に、上記（２）の工程と同様に、後述するバイアホール用開口のパターン１７８ａが形成されたマスク１７８を基板３０上で、双方にもけられた位置決めマークによって位置あわせをし、載置する。その後、貫通孔３３内を減圧して、マスク１７８を基板３０の片面に密着させる（図１８（Ｄ））。引き続き、上記（３）の工程と同様に、マスク１７８を介して基板３０にレーザを照射して、バイアホール用開口４８を形成する。そして、このような一連の工程を基板の他方の面についても同様に行った（図１９（Ａ））。また、この工程に用いるレーザは、炭酸ガス、エキシマ、ＵＶ、ＹＡＧのいずれを用いてもよい。この後、酸素プラズマを用いてデスミア処理を行う。
また、マスク１７８は、上記（４）の工程と同様に洗浄を行う。
【００８１】
（１３）そして、バイアホール用開口４８を形成した基板３０を、６０ｇ／ｌの過マンガン酸を含む８０℃の溶液に１０分間浸漬する。それにより、層間樹脂絶縁層５０の表面に存在するエポキシ樹脂粒子が溶解除去するため、層間樹脂絶縁層５０の表面が粗化し、層間樹脂絶縁層５０の表面に粗化面５０βが形成される（図１９（Ｂ））。
【００８２】
（１４）次に、上記処理を終えた基板を、中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いする。更に、粗面化処理（粗化深さ３μｍ）した該基板の表面に、パラジウム触媒を付与することにより、層間樹脂絶縁層５０の表面およびバイアホール用開口４８の内壁面に触媒核を付着させた。
【００８３】
（１５）次に、以下の組成の無電解銅めっき水溶液中に基板３０を浸漬して、粗面全体に厚さ０．６〜３．０μｍの無電解銅めっき膜５３を形成する（図１９（Ｃ））。
【００８４】
〔無電解めっき水溶液〕
ＮｉＳＯ4                      ０．００３  ｍｏｌ／ｌ
酒石酸                          ０．２００  ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅                          ０．０３０  ｍｏｌ／ｌ
ＨＣＨＯ                        ０．０５０  ｍｏｌ／ｌ
ＮａＯＨ                        ０．１００  ｍｏｌ／ｌ
α、α′−ビピリジル                    ４０  ｍｇ／ｌ
ポリエチレングリコール（ＰＥＧ）      ０．１０  ｇ／ｌ
〔無電解めっき水溶液〕
３５℃の液温度で４０分
【００８５】
（１６）上記処理を終えた基板３０の両面に、市販の感光性ドライフィルムを無電解銅めっき膜５３に貼りつける。そして、フォトマスクフィルムを載置して、１００ｍＪ／ｃｍ2で露光した後、０．８％炭酸ナトリウムで現像処理し、厚さ３０μｍのめっきレジスト５４を設ける（図１９（Ｄ））。
【００８６】
（１７）ついで、基板３０を５０℃の水で洗浄して脱脂し、２５℃の水で水洗い後、さらに硫酸で洗浄する。その後、以下の条件で電解銅めっきを施し、厚さ２０μｍの電解銅めっき膜５６を形成する（図２０（Ａ））。
【００８７】
〔電解めっき水溶液〕
硫酸                ２．２４  ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅              ０．２６  ｍｏｌ／ｌ
添加剤（アトテックジャパン製、カパラシドＨＬ）１９．５  ｍl／ｌ
〔電解めっき条件〕
電流密度              １Ａ／dm２  
時間                  ６５分
温度              ２２±２℃
【００８８】
（１８）めっきレジスト５４を５％ＮａＯＨで剥離除去した後、そのめっきレジスト下の無電解銅めっき膜５３を硫酸と過酸化水素の混合液を用いるエッチングにて溶解除去し、無電解銅めっき膜５３と電解めっき膜５６からなる厚さ１８μｍの導体回路５８及びバイアホール６０を形成する（図２０（Ｂ））。
【００８９】
（１９）（９）と同様の処理を行い、第二銅錯体と有機酸とを含有するエッチング液によって粗化面５８αを形成する（図２０（Ｃ））。
【００９０】
（２０）続いて、上記（１０）〜（１９）の工程を繰り返すことにより、さらに上層の導体回路１５８（バイアホール１６０を含む）を形成する（図２０（Ｄ））。
【００９１】
（２１）多層プリント配線基板の両面に、第１実施例と同様のソルダーレジスト組成物７０αを20μｍの厚さで塗布する（図２１（Ａ））。次いで、８０℃で１時間、１００℃で１時間、１２０℃で１時間、１５０℃で３時間の条件でそれぞれ加熱処理を行ってソルダーレジスト組成物７０αを硬化させる。その後、ソルダーレジスト組成物７０αの、貫通孔３３の上に位置する部分をドリル削孔して、貫通孔３３を塞いでいたソルダーレジスト組成物７０αに、貫通孔３３へ直結する通孔を形成する（図２１（Ｂ））。
【００９２】
（２２）次に、上記（２）の工程と同様に、ソルダーレジスト開口部のパターン３７８ａが形成されたマスク３７８を多層プリント配線板上で、双方に設けられた位置決めマークによって位置あわせをし、載置する。その後、貫通孔３３内を減圧して、マスク３７８を多層プリント配線板に密着させる（図２２（Ａ））。そして、マスク３７８を介して多層プリント配線板にレーザを照射して、ソルダーレジストの開口部７１Ｕ、７１Ｄを形成する。また、この工程に用いるレーザは、炭酸ガス、エキシマ、ＵＶ、ＹＡＧのいずれを用いてもよい。また、マスク３７８は、上記（４）の工程と同様に洗浄を行う。
これにより、はんだパッド部分（バイアホールとそのランド部分を含む）に開口７１Ｕ、７１Ｄを有する、厚さ２０μｍのソルダーレジスト層（有機樹脂絶縁層）７０を形成する（図２２（Ｂ））。
【００９３】
（２３）次に、ソルダーレジスト層（有機樹脂絶縁層）７０を形成した基板を、塩化ニッケル（２．３×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亞リン酸ナトリウム（２．８×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．６×１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液に２０分間浸漬して、開口部７１に厚さ５μｍのニッケルめっき層７２を形成する（図２３（Ａ））。
【００９４】
（２４）さらに、その基板を、シアン化金カリウム（７．６×１０-3ｍｏｌ／ｌ）、塩化アンモニウム（１．９×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．２×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（１．７×１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含む無電解めっき液に80℃の条件で７．５分間浸漬して、ニッケルめっき層７２上に厚さ0.03μｍの金めっき層７４を形成することで、バイアホール１６０及び導体回路１５８に半田パッド７５を形成する（図２３（Ｂ））。
【００９５】
（２５）この後、基板のＩＣチップを載置する面のソルダーレジスト層７０の開口７１Ｕにスズ−鉛を含有するはんだペーストを印刷する。さらに、他方の面の開口部７１Ｄ内に導電性接着剤９７として半田ペーストを印刷する。次に、導電性接続ピン９６を適当なピン保持装置に取り付けて支持し、導電性接続ピン９６の固定部９８を開口部７１Ｄ内の導電性接着剤９７に当接させる。そしてリフローを行い、導電性接続ピン９６を導電性接着剤９７に固定する。また、導電性接続ピン９６の取り付け方法としては、導電性接着剤９７をボール状等に形成したものを開口部７１Ｄ内に入れる、あるいは、固定部９８に導電性接着剤９７を接合させて導電性接続ピン９６を取り付け、その後にリフローさせてもよい。
最後に、図１０に示す、基板端部Ｄを切り取り線Ｃで分割切断して切り落とす。これにより、はんだバンプ７６および導電性接続ピン９６を有する多層プリント配線板２０を得ることができる（図２４参照）。
【００９６】
引き続き、本発明の第３実施形態について図２５〜図２７を参照して説明する。
図２５は、本発明の第３実施形態に係る多層プリント配線板のレーザ加工装置およびレーザ加工方法の説明図である。図２６は、図２５に示す多数個取りの基板の上面図である。図２７は、図２５に示すマスクの上面図である。
【００９７】
まず、本発明の第３実施形態に係る基板とマスクの概略構成について図２６および図２７を参照して説明する。
図２６に示すように、多数個取りのコア基板１３０の基板端部Ｅ及び各基板間の切断部位Ｇには、マスク吸着用の貫通孔１３３が設けられている。また、該多数個取りの基板１３０の四隅には、位置決めマーク１３１が設けられている。
そして、図２７に示すように、多数個取りの基板１３０に対応したマスク４７８には、微細な複数個の通孔４７８ａが形成されている。また、該マスク４７８の四隅には、位置決めマーク４７９が設けられている。
【００９８】
続いて、本発明の第３実施形態に係る多層プリント配線板のレーザ加工装置およびレーザ加工方法について図２５を参照して説明する。
レーザ発振器１８１から出た光は、基板上の焦点を鮮明にするための転写用マスク１８２を経由してガルバノヘッド１７０へ入射する。ガルバノヘッド１７０は、レーザ光をＸ方向にスキャンするガルバノミラー１７４ＸとＹ方向にスキャンするガルバノミラー１７４Ｙとの２枚で１組のガルバノミラーから構成されており、このミラー１７４Ｘ、１７４Ｙは制御用のモータ１７２Ｘ、１７２Ｙにより駆動される。モータ１７２Ｘ、１７２Ｙは図示しない制御装置からの制御指令に応じて、ミラー１７４Ｘ、１７４Ｙの角度を調整すると共に、内蔵しているエンコーダからの検出信号を該コンピュータ側へ送出するよう構成されている。
【００９９】
レーザ光は、ガルバノミラー１７４Ｘ、１７４Ｙを経由してそれぞれＸ−Ｙ方向にスキャンされてｆ−θレンズ１７６を通り、本発明の第１実施形態と同様に、マスク４７８を介して多数個取りのコア基板１３０に貫通孔を形成する。多数個取りの基板１３０は、Ｘ−Ｙ方向に移動するＸ−Ｙテーブル９０に載置されている。
【０１００】
第１、第２実施形態において、図１４を参照して上述したように、レーザ発振器８１に照射域を広げるレンズ８２を用いた。この照射域は、円又は楕円になっている。これに対して、第３実施形態のレーザ加工装置では、図２５に示すように線状のレーザを走査しながらマスクに照射して、多数個取り用のコア基板１３０に貫通孔を、層間樹脂絶縁層及びソルダーレジスト層に開口を短時間で形成する。
【０１０１】
また、第１、第２実施形態では、基板１個に対してマスクを介して開口および貫通孔を形成していた。これに対して、第３実施形態では図２５に示すように、多数個取りの基板１３０に、該多数個取りの基板１３０の開口形成位置に対応する通孔４７８ａが形成されたマスク４７８を介して開口および貫通孔を形成している。これにより、一括して複数個の基板に開口及び貫通孔を形成する。
【０１０２】
引き続き、本発明の第４実施形態について図２８および図２９を参照して説明する。
図２８は、本発明の第４実施形態に係る多層プリント配線板のレーザ加工方法の説明図である。図２９は、図２８に示す多数個取りの基板にマスクを載置した状態を示す平面図である。
【０１０３】
まず、本発明の第４実施形態に係る基板とマスクの概略構成について図２９を参照して説明する。
図２９に示すように、多数個取りの基板１３０の、一個の基板単位の切断端部Ｆには、マスク吸着用の貫通孔１３３が設けられている。また、一個の基板単位の切断端部Ｆの四隅には、位置決めマーク１３１が設けられている。一方、マスク５７８は、多数個取りの基板１３０の内の３個の基板に対応する大きさに形成されている。該マスク５７８には、微細な複数個の通孔５７８ａが形成され、四隅には、位置決めマーク５７９が設けられている。
【０１０４】
続いて、本発明の第４実施形態に係る多層プリント配線板のレーザ加工方法について図２８を参照して説明する。
本発明の第１実施形態とほぼ同様に図２８に示すように、第４実施形態では、該多数個取りの基板１３０に、該多数個取りの基板１３０の内の３個の基板に対応させて位置決めしてマスク５７８を載置する。貫通孔１３３を介して該マスク５７８を基板側に密着させてから、該マスク５７８を介してレーザを照射すると共に、Ｘ−Ｙテーブル９０を移動させて、３個の各基板に通孔を穿設する。そして、３個の基板に通孔を穿設すると、マスク５７８を次の３個の基板へ移動して位置決めを行い、レーザを照射する。なお、レーザの照射については、第３実施形態のように線状のレーザを走査しながら開口および貫通孔を形成してもよい。
【０１０５】
第４実施形態に係るマスク５７８は、多数個取り用の基板の３個の基板単位の大きさなので、第３実施形態の多数個取りの基板に対応したマスクよりも面積が小さく、レーザの熱によるマスクの伸縮の影響を小さくできる。そのため、該基板に開口を形成する精度を向上させることができる。
【０１０６】
引き続き、本発明の第５実施形態について図３０および図３１を参照して説明する。
図３０は、本発明の第５実施形態に係る多層プリント配線板のレーザ加工方法の説明図である。図３１は、図３０に示す該基板に該マスクを載置した状態を示す平面図である。
【０１０７】
第５実施形態は、上述した第４実施形態と同様であるが、図３０に示すように多数個取り用の基板１３０の一個の基板単位に対応したマスク６７８を用い、当該マスク６７８を多数個取り用の基板１３０の一個の基板単位に移動させてレーザを照射する。
該マスク６７８は、該多数個取り用の基板１３０の一個の基板単位の大きさなので、該多数個取りの基板１３０に対応したマスクよりも面積が小さく、レーザの熱によるマスクの伸縮の影響も最小にできる。そのため、基板に開口、貫通孔を形成する精度を向上することができる。ただし、本願の実施形態で用いられている樹脂は、融点が３００℃以下であるため、３５０℃以上の温度を加えると、溶解、炭化してしまう。
【０１０８】
【発明の効果】
本発明では上述したように、マスクと基板とを位置あわせし、その後、マスクを基板側に密着させてから、マスクを介して基板に、レーザで開口を形成している。マスクを基板側へ密着させることにより、マスクがずれたりすることなく、レーザで正確に基板に複数個の微細な開口を狭ピッチで形成することができる。このため、多層プリント配線板の配線密度を上げることができるようになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図２】図２（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図３】図３（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図４】図４（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図５】図５（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図６】図６（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図７】図７（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図８】図８（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図９】本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の断面図である。
【図１０】本発明の第１実施形態に係るコア基板の上面図である。
【図１１】図１１は、本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板のレーザ加工の様子の拡大説明図である。
【図１２】図１２は、本発明の第１実施形態に係るマスクの平面図を示している。
【図１３】図１３（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、図１２に示すマスクの製造工程図である。
【図１４】、図１４は、本発明の第１実施形態に係るレーザ加工装置の説明図である。
【図１５】図１５は、光学装置のカメラによる位置決めマークの撮像について示している。
【図１６】図１６（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の第２実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図１７】図１７（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の第２実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図１８】図１８（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の第２実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図１９】図１９（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の第２実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図２０】図２０（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の第２実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図２１】図２１（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の第２実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図２２】図２２（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の第２実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図２３】図２３（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の第２実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図２４】本発明の第２実施形態に係る多層プリント配線板の断面図である。
【図２５】図２５は、本発明の第３実施形態に係る多層プリント配線板のレーザ加工装置の説明図である。
【図２６】図２６は、本発明の第３実施形態に係る、多数個取りの基板の平面図である。
【図２７】図２７は、本発明の第３実施形態に係る、マスクの平面図である。
【図２８】図２８は、本発明の第４実施形態に係る多層プリント配線板のレーザ加工の説明図である。
【図２９】図２９は、図２８に示す、多数個取りの基板にマスクを載置した状態を示す平面図である。
【図３０】図３０は、本発明の第５実施形態に係る多層プリント配線板のレーザ加工の説明図である。
【図３１】図３１は、図３０に示す、多数個取りの基板にマスクを載置した状態を示す平面図である。
【符号の説明】
３０  コア基板
３１  位置決めマーク（基板側）
３３  貫通孔
３４  導体回路
３６  バイアホール
５０  層間樹脂絶縁層
５８  導体回路
６０  バイアホール
７０  ソルダーレジスト層
７１Ｕ、７１Ｄ  開口
７２  ニッケルめっき層
７４  金めっき層
７６  半田バンプ
７８  マスク
７８ａ  通孔
７９  位置決めマーク（マスク側）
８１  レーザ発振器
８２  光学系（レンズ）
９６  導電性接続ピン
１３０  多数個取りの基板
１５０  層間樹脂絶縁層
１５８  導体回路
１６０  バイアホール
１７８  マスク
１７８ａ  通孔
３７８  マスク
３７８ａ  通孔
４７８  マスク
４７８ａ  通孔
４７９  位置決めマーク（マスク側）
５７８  マスク
６７８  マスク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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