(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一次巻線および二次巻線を有するトランスと、
導通状態および非導通状態の間で切り換わり、導通状態において前記トランスの一次巻線に電源電池からの電流を流すトランジスタと、
前記トランスの二次巻線からの出力にて充電されるコンデンサと、
前記トランスの二次巻線および前記コンデンサに接続され、前記コンデンサの充電時における電流路上に設けられたダイオードと、
一端が前記ダイオードの出力側に接続され、他端に所定の電圧が供給される回路部材とを有し、
前記回路部材の出力は、前記コンデンサの充電電流が流れることによって、前記充電電流が流れないときに比較して前記ダイオードによる電圧降下に応じた値だけ低下し、
前記トランジスタは、前記充電電流が流れているときの前記回路部材の出力によって導通状態となり、前記トランスの磁束の飽和にて前記充電電流が低下したときの前記回路部材の出力によって非導通状態となることを特徴とするストロボ装置。
【請求項２】
前記ダイオードは、アノードが前記コンデンサに接続され、カソードが前記二次巻線に接続されていることを特徴とする請求項１に記載のストロボ装置。
【請求項３】
前記回路部材は分圧抵抗であることを特徴とする請求項１又は２に記載のストロボ装置。
【請求項４】
前記回路部材は、前記所定の電圧が供給される抵抗と、アノードが前記抵抗に接続され、カソードが前記ダイオードの出力側に接続されたダイオードとの直列回路であることを特徴とする請求項１又は２に記載のストロボ装置。
【請求項５】
前記回路部材の出力が入力されるロジック回路を有し、
前記ロジック回路は、前記充電電流が流れているときの前記回路部材の出力を受けて第１の信号を出力するとともに、前記トランスの磁束の飽和にて前記充電電流が低下したときの前記回路部材の出力を受けて第２の信号を出力し、
前記トランジスタは、前記第１の信号によって導通状態となり、前記第２の信号によって非導通状態となることを特徴とする請求項１から４のいずれか１つに記載のストロボ装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は写真用等のストロボ装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来のストロボ装置では、バイポーラトランジスタを発振用トランジスタとして使用して電池電圧を昇圧し、主コンデンサに昇圧された電荷を蓄積させ放電管を介し放電することで、例えば被写体を照明するために発光するものが一般的であった。
【０００３】
バイポーラトランジスタは作動電圧が低く、また現在のＤＣ／ＤＣコンバータが電流帰環タイプであるため、主コンデンサへの充電電流を発振トランジスタのベース・エミッタ間を介するループで作動させる事が出来、部品点数もかなり少なくて済む利点が有った。
【０００４】
しかしながら、カメラの小型化が進み電池の使用本数も、小型化のために少なくなり、従来６Ｖが主流であった電源電圧も３Ｖにて使用されるものが多くなっている。
【０００５】
さらに、最近のコンパクトカメラでは、ズーム機能を持ち撮影領域を拡大させるためガイドナンバーの大きなものが要求されているのが現状である。
【０００６】
従って発振用のバイポーラトランジスタの性能はｈFEがより高く、エミッタ・コレクタ間の飽和電圧ＶCE（ｓａｔ）がより低く、さらに電流容量が大きなものが要求されるため、使用可能なバイポーラトランジスタが限定されているのが現状である。
【０００７】
このバイポーラトランジスタに対して、絶縁ゲート型のトランジスタであるＦＥＴが最近目覚しく性能が上がり、ＦＥＴを導通させるゲート駆動電圧も２．５〜４Ｖと低くなり、また導通時の動作抵抗も２０〜３０ｍΩ程度の素子が出て来ている。さらに電流容量も５Ａ〜１０Ａの素子が多く、ストロボ用発振素子として充分なものである。
【０００８】
バイポーラトランジスタに要求されている高ｈFEもＦＥＴであればゲート駆動電圧を保証することで作動出来るため、今後さらに電池などの電源電圧が低くなる傾向にあっても十分に対応が可能である。
【０００９】
このＦＥＴを使用した従来例を図６に示す。１は電源であるところの電池、６０は電池１の両端に接続される電源安定用のコンデンサ、１２は電池１の電圧を昇圧するためのトランスで、一次巻線の一方の端子ｅには電源電池１の陽極が接続され、該一次巻線の他方の端子ｆには後述のスイッチ素子であるＮチャンネル電界効果ＦＥＴ１３（以下ＦＥＴと略す）のドレインが接続され、二次巻線の一方の端子ｇには後述の整流ダイオード１５のアノードが接続され、該二次巻線の他方の端子ｈには後述のＰＮＰトランジスタ８１のベースが接続される。
【００１０】
１３はスイッチ素子であるＮチャンネル電界効果トランジスタで、ドレインに前記トランス１２における一次巻線の他方の端子ｆ、ソースには電池１の陰極が接続され、ゲートには後述の制御手段である能動素子の一つである論理回路３７の出力が接続される。
【００１１】
３７は制御手段の能動素子の一つである論理回路で、例えばＡＮＤ論理で構成している。なお、この能動素子は後述の定電圧回路（電源）１２０からの出力Ｖccを電源とする一般的なＩＣで、出力は電源電圧に依存している。これは、前述のＦＥＴ１３のゲート駆動のためのドライバー回路になっており、ゲート電圧の安定化とさらにオンオフ時間制御の立ち上がり・立ち下がり特性を良くするといった機能もある。
【００１２】
能動素子３７の入力の一つは、後述の電流−電圧変換手段４８の出力で、もう一つは後述の制御回路１２５からの信号端子ＣＧＣＯＭから入力される。制御手段の能動素子３７の出力は、ＦＥＴ１３のゲートに接続される。
【００１３】
この制御手段の能動素子３７は、電流−電圧変換手段４８の出力とＣＧＣＯＭ信号がともにハイレベル（以下ＨＬと略す。）のときだけＨＬが出力される。
【００１４】
ＣＧＣＯＭ信号がローレベル（以下ＬＬと略す。）のときはＬＬが出力される。４８は電流−電圧変換手段で、トランジスタ８１，抵抗８２，コンデンサ８３，抵抗８４で構成されている。
【００１５】
電流−電圧変換手段４８は、トランス１２の前記二次巻線から主コンデンサ２０に流れる電流をスイッチ素子（ＦＥＴ１３）の駆動電圧に変換するもので、ＰＮＰトランジスタ８１のエミッタは後述の定電圧電源１２０の出力Ｖccに接続され、ベースはトランス１２の前記二次巻線の端子ｈに接続される。保護抵抗８２はＰＮＰトランジスタ８１のエミッタ・ベース間に接続され、コンデンサ８３はＰＮＰトランジスタ８１のエミッタ・ベース間に接続される。また抵抗８４は一端がＰＮＰトランジスタ８１のコレクタに接続され、他端が電池１の陰極に接続され、発振中にＰＮＰトランジスタ８１のベース電流が引かれた時、比例した電流がＰＮＰトランジスタ８１のエミッタ・コレクタ間に流れ、抵抗８４に起電力を発生させることで電流から電圧に変換している。抵抗６１は、PNP トランジスタ８１のベースと制御回路１２５のCGST端子間に接続される限流用抵抗である。
【００１６】
抵抗４７は一端が制御回路１２５のＣＧＣＯＭ端子に接続され、他端が制御手段の能動素子３７の入力に接続される。
【００１７】
４１は後述の定電圧回路１２０の出力Ｖccと電池１の陰極間に接続される動作安定のためのコンデンサ、９３は充電時の電池電圧低下にともなう定電圧回路１２０の出力電圧（Ｖcc電圧）を維持する公知の出力電圧維持回路である。入力電圧（電池）に充電時のように急激な低下が起こると出力電圧を維持できなくなる。そこで、入力電圧が定電圧回路１２０より設定される電源電圧遮断レベル（以下Ｖref 電圧と略す）以下になると、制御信号ＣＧＣＯＭを遮断するように設定される。
【００１８】
２は抵抗で、一端は電池１の陽極に、他端は後述のコンパレータ４の正極入力端子に接続される。３はコンデンサで、一端が後述のコンパレータ４の正極入力端子に、他端が電池１の陰極に接続される。このコンデンサ３は、入力に対してヒステリシスを付ける。４はコンパレータで、ここでは出力がオープンコレクタタイプのコンパレータとなっている。コンパレータ４の正極入力端子には、抵抗２の他端とコンデンサ３の一端が接続され、負極入力端子には、定電圧回路１２０の出力である電源電圧遮断レベル（Ｖref 電圧）が入力される。出力は抵抗４７の一端と能動素子３７の入力に接続される。
【００１９】
具体的な動作は、先ず定電圧回路１２０より設定される電源電圧遮断レベル（Ｖref 電圧）が決められ、コンパレータ４の負極入力端子に入力される。
【００２０】
コンパレータ４の正極入力端子は抵抗２を介して電池１の電圧を検知している。この状態で昇圧動作を開始する場合、制御回路１２５より発振開始信号ＣＧＣＯＭ信号を“ＬＬ”から“ＨＬ”にする。能動素子３７の入力は、ＨＬになる。
【００２１】
その後、制御回路１２５のCGST端子より、“ＯＰＥＮ”（オープン）状態から“ＬＬ”に一瞬変化するワンショット信号が抵抗６１を介して出力され発振が開始される。これによりＰＮＰトランジスタ８１のベース電流を引く。
【００２２】
電流−電圧変換手段４８のＰＮＰトランジスタ８１のベース電流が引かれると、トランジスタ８１はオンしＶcc電圧端子がつながっているエミッタからコレクタに電流が流れ抵抗８４の両端に電圧が発生する。
【００２３】
すると、能動素子３７の入力がともにＨＬになるため、能動素子３７の出力がＨＬに決まる。その結果ＦＥＴ１３がオンし、電池電源１の電流が発振トランス１２の一次巻線の端子ｅ，ｆを介してＦＥＴ１３のドレイン−ソースに流れることで一次側に電流が流れ二次側に巻線比に相当する電圧が発生するとともに、トランス１２の二次巻線の端子ｈに接続されるＰＮＰトランジスタ８１のベース電流を引く。
【００２４】
Ｖcc定電圧源からＰＮＰトランジスタ８１のエミッタ−ベースを介してトランス１２、そして高圧整流用ダイオード１５を介して主コンデンサ２０に電流が供給される。電流が増大していくうちにトランス１２の磁気飽和が発生し、電流が急激に減衰していく。これによりＰＮＰトランジスタ８１のベース電流を引かなくなり、これに比例した電流がＰＮＰトランジスタ８１のエミッタ・コレクタ間に流れ、抵抗８４により電圧を下げる（電圧−電流変換）ことで能動素子３７の出力がＬＬになり、ＦＥＴ１３のゲートがＬＬとなることからオフし、発振トランス１２の一次巻線の端子ｅに対する電池電源１の電源の供給が遮断される。
【００２５】
しかし、トランス１２の二次電流は減衰振動をしているため、再び電流−電圧変換手段４８における抵抗８４の両端の電圧が上がり、制御手段の能動素子３７の入力がともにＨＬになると、制御手段の能動素子３７の出力がＨＬに決まる。そのためＦＥＴ１３がオンし、電池電源１の電流が発振トランス１２の一次巻線の端子ｅ，ｆを介してＦＥＴ１３のドレイン−ソースに流れることで、一次側に再び電流が流れ前述に同様な発振を繰り返すこととなる。これにより、主コンデンサ２０に電荷が蓄積されていき電圧が上がる。
【００２６】
この時、ＦＥＴ１３のオンにより電源１の電圧が急激に低下するが、コンパレータ４の入力のＶref 電圧以下まで電源１の電圧が下がると、コンパレータ４がオープン状態からＬＬに反転し、制御回路１２５の充電制御信号ＣＧＣＯＭの出力を下げ、能動素子３７の入力の一つがＬＬになることで出力がＬＬになり、ＦＥＴ１３はオフとなって発振が止まり出す。
【００２７】
発振が止まることで電源１の電圧の低下は止まり、電圧が復帰してくる。電源１の電圧が復帰してコンパレータ４の入力のＶref 電圧を越えると、コンパレータ４の出力がＬＬからオープンに反転し、能動素子３７の入力はＨＬになり再度出力がＨＬになりＦＥＴ１３がオンすることで発振する。これを繰り返すことで電源電圧が一定電圧（Ｖref 電圧）以下にならないようにしている。
【００２８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記した従来のストロボ装置では、主コンデンサ２０に流れる充電電流が、発振トランス１２の二次巻線の端子ｇ、主コンデンサ２０、定電圧回路１２０、トランジスタ８１のエミッタからベース、発振トランス１２の二次巻線の端子ｈのループで流れる。
【００２９】
この電流は定電圧回路１２０を介して流れるために、定電圧回路１２０は大きな電流能力が必要である。一般的なストロボでは電源電圧が６Ｖの場合、約６Ａ程度の平均電流が電池より供給される。ロスの無い場合トランスの２次側にはトランスの１／（トランスにて、２次巻線比）の電流が流れる。
【００３０】
I ｂ＝Ｉｃ／ｎ、  I ｂは二次電流、I ｃは一次電流、ｎは巻線比を示す。
【００３１】
トランスの巻線比が１００（ｎ）であれば、約６０ｍＡの供給能力がおおざっぱな計算であるが説明出来る。さらに他の制御回路の消費電流を加味すると、より大きな電流供給能力が必要となる欠点が有った。
【００３２】
本出願に係る発明の目的は、補助電源の電流供給能力を抑えることができるストロボ装置を提供しようとするものである。
【００３３】
本発明であるストロボ装置は、一次巻線および二次巻線を有するトランスと、導通状態および非導通状態の間で切り換わり、導通状態においてトランスの一次巻線に電源電池からの電流を流すトランジスタと、トランスの二次巻線からの出力にて充電されるコンデンサと、トランスの二次巻線およびコンデンサに接続され、コンデンサの充電時における電流路上に設けられたダイオードと、一端がダイオードの出力側に接続され、他端に所定の電圧が供給される回路部材とを有し、回路部材の出力は、コンデンサの充電電流が流れることによって、充電電流が流れないときに比較してダイオードによる電圧降下に応じた値だけ低下し、トランジスタは、充電電流が流れているときの回路部材の出力によって導通状態となり、トランスの磁束の飽和にて充電電流が低下したときの回路部材の出力によって非導通状態となることを特徴とする。
【００４０】
【発明の実施の形態】
（第１の実施の形態）
図１から図４は本発明の第１の実施の形態を示す。
【００４１】
図１はストロボ装置の回路図を示しており、本実施の形態において、定電圧回路および制御回路については図６に示すものと同様のものを使用し、端子名称のみを付して図示を省略している。
【００４２】
図１において、１は電源であるところの電池、３０は電源コンデンサで、電池１に並列に接続されている。２は抵抗、３はコンデンサ、４は比較回路で、抵抗２とコンデンサ３の直列回路が電池１に対して並列に接続されており、この直列回路の中点の電位が比較回路４の図示の（＋）入力に入力される。比較回路４はオープンコレクタのコンパレータである。
【００４３】
５は抵抗、６は抵抗、８はトランジスタで、抵抗６はトランジスタ８のベース・エミッタ間に接続され、抵抗５はトランジスタ８のベース電流制限用として接続されている。７及び９は抵抗、１０はノアゲート回路で、抵抗７及び９はノアゲート入力のプルアップ抵抗として接続されている。
【００４４】
１１は抵抗で、ノアゲート回路１０の入力保護抵抗として接続されている。１２は発振トランス、１３はＦＥＴ、１４はＦＥＴ１３のゲートプルダウン抵抗である。
【００４５】
発振トランス１２の１次巻線Ｐの一端は電源であるところの電池１の正極へ、他端はＦＥＴ１３のドレインに接続され、ＦＥＴ１３のソースは電源であるところの電池１の負極へ接続されている。
【００４６】
１５は高圧整流用ダイオード、１６は整流素子、１７は電圧検出回路、１８はトリガー回路、１９は放電管、２０は主コンデンサで、発振トランス１２の２次巻線Ｓに、高圧整流ダイオード１５、主コンデンサ２０、整流素子１６の直列回路が接続されている。
【００４７】
電圧検出回路１７は、主コンデンサ２０の電圧を検出するように主コンデンサ２０に並列に接続されている。トリガー回路１８は、主コンデンサ２０に並列に接続され、後述する図２に示すカメラ制御回路からの発光信号により主コンデンサ２０に並列に接続された放電管１９に高圧のトリガーパルスを与えるように構成されている。２１及び２２は前記カメラ制御回路からの電源でそれぞれ基準電圧Ｖref 、補助電源Ｖccを示している。
【００４８】
図２はストロボ回路１００を作動させるためのマイクロコンピュータを含むカメラの制御回路を示す。
【００４９】
図２において、１２０はブロックとして示す定電圧回路であり、制御回路１２５よりＶccＥＮ端子を介して制御されて、基準電圧Ｖref や各回路ブロックの電源Ｖccを供給する。
【００５０】
１２１はブロックとして示す測光回路、１２２はブロックとして示すスイッチ回路であり、電源Ｖccにより作動して各スイッチの変化を制御回路１２５へ伝達する。１２３はブロックとして示すシャッター回路、１２４はブロックとして示す表示回路であり、例えばＬＣＤ等の表示部に必要な情報を表示するものである。
【００５１】
１２６はブロックとして示す測距回路、１２７はブロックとして示す温度検出回路、１２８はブロックとして示すフィルム感度検知回路であり、制御回路１２５に各端子を介して撮影に必要な情報を伝える。１２９はブロックとして示すレンズ駆動回路である。また、１３０はブロックとして示すフィルム駆動回路であり、制御回路１２５の制御によりフィルム給送を行う。
【００５２】
次に、上記制御回路の動作とともに、図１のストロボ装置の動作について図３のフローチャートに基づいて説明する。ここでは、カメラ制御回路側の電源はすでに投入された状態であり、この状態ではカメラ制御回路１２５は低消費モードとなっていて、作動が停止しているものとして説明する。
【００５３】
カメラのレンズバリア等の部材と連動するスイッチ回路１２２内の電源スイッチが入ると、マイコンの制御回路１２５が作動を開始する。制御回路１２５は定電圧回路１２０にＶccＥＮ端子を介して信号を与え、定電圧回路１２０は基準電圧Ｖref および前記各回路に電源Ｖccを供給する。
【００５４】
以降の動作については図３のフローチャートを参照して説明する。
【００５５】
まず、マイコンに必要な初期設定を行う（Ｓ１）。次に、スイッチ回路１２２に電源Ｖccを供給する（Ｓ２）。
【００５６】
この状態で、レリーズボタンの第１ストローク操作（半押し操作）により第１スイッチＳＷ１（不図示）のオンを検出すると（Ｓ３）、所定のカウンタを初期状態にセットし（Ｓ４）、さらにバッテリーチェックを行って（Ｓ５）、カメラの撮影に必要な電源状態にあるか否かを判断する（Ｓ６）。
【００５７】
ここで、電源不足（ＮＧ）のときはＳ２に戻る。電源十分（ＯＫ）のときは端子ＡＦＣに信号を与え、測距回路１２６を作動させて被写体までの距離を測定する（Ｓ７）。なお、測距情報はＡＦＤ端子より制御回路１２５に与えられる。
【００５８】
続いて、被写体の輝度を測定し、この情報を端子ＳＰを介して制御回路１２５に与える（Ｓ８）。そして、この輝度データから被写体輝度が所定輝度より明るいか暗いかを判定し（Ｓ９）、輝度が低い場合にはフラッシュモードに進む（Ｓ１０）。
【００５９】
ここで、ストロボ装置の作動に関して図４に示すフローチャートを用いて説明する。このモードでは充電を打切るためのタイマーである充電禁止タイマーを作動させる（Ｓ２１）。このタイマーは一般的に１０〜１５秒程度の時間である。
【００６０】
次に、発振を開始するために端子ａ（A/D COM ）を介してカメラの制御回路よりハイレベル信号を与え、さらに所定時間端子ｂ（CGST）にローレベル信号を与える。このローレベル信号は、数＋μｓｅｃ程度のパルス信号である。端子ａに与えられたハイレベル信号は、抵抗５を介してトランジスタ８のベース電流となることからトランジスタ８は導通する。
【００６１】
このため、補助電源Ｖccより抵抗７を介してプルアップされていたノア回路１０の一方の入力端子はローレベルとなる。又、端子ｂが所定期間ローレベルとなるワンショット信号により、他方の入力もローレベルとなるため、ノア回路１０の出力はハイレベルとなり抵抗１４に電位を与える。
【００６２】
この電位はＦＥＴ１３のゲート端子に接続されているため、発振トランジスタであるＦＥＴ１３はゲート駆動電圧を受け導通する。この発振トランジスタであるＦＥＴ１３の導通により、発振トランス１２の１次巻線Ｐには電池１より電流が流れ、このため２次巻線Ｓに誘導電力が発生し、高圧整流用ダイオード１５、主コンデンサ２０、整流素子１６のループで電流が流れる。
【００６３】
このため、整流素子１６のカソード電位は約−０．７Ｖとなるため、補助電源より抵抗９及び抵抗１１を介して電流が流れる、換言すれば、整流素子１６をアノードからカソードに向けて流れる主コンデンサ２０の充電電流の一部がＶcc電源、抵抗９及び抵抗１１を介して分流する。ここで抵抗９及び抵抗１１の抵抗値をＲ9 及びＲ11とすると、およそ
（Ｖcc＋０．７）×（Ｒ11／Ｒ9 ＋Ｒ11）〜０．７
の関係（整流素子１６のカソード電位と概ね一致する関係）で抵抗値を選定することが望ましい。つまり、抵抗１１に分流する電流により発生する電位が、整流素子１６の動作時の動作電位分と同等とすれば、ノア回路１０の抵抗１１に接続されたゲート電圧が打ち消されることとなる。すなわち、抵抗１１が無い場合には整流素子１６の動作電圧により入力ゲートがマイナスとなるため、抵抗１１は上記不具合を防止する保護素子として働いている。
【００６４】
なお、抵抗１１をダイオードに置き換えることも可能で、この場合、アノードが抵抗９へ、カソードがダイオード１６のカソード側に接続される。これにより、抵抗１１を用いた場合と同様に、ダイオード１６の動作電圧を打ち消すことも可能である。
【００６５】
したがって、充電電流が流れることで抵抗９と抵抗１１の中点に接続された電位はローレベルとなるため、端子ｂに対する所定期間のローレベルのパルスが終了した場合でもローレベルを継続することが出来る。
【００６６】
ここで、端子ｂに接続されるカメラの制御回路出力は、オープンコレクタやオープンドレインの形式である事は前述のとおりである。発振トランジスタであるＦＥＴ１３の導通が続き、発振トランス１２のコアの磁束が飽和すると、逆起電力が発生して主コンデンサ２０への充電電流が無くなり、抵抗９及び１１に合流していた電流が無くなることから、ノア回路１０の入力は一方がハイレベルとなりノア回路１０の出力がローレベルとなる。
【００６７】
ノア回路１０の出力がローレベルとなると、発振トランジスタであるＦＥＴ１３のゲート電荷がローレベルとなり、ＦＥＴ１３が一瞬にして非導通となる。この時、整流素子１６は逆起電力により、高圧整流用ダイオード１５の容量により逆バイアスを受け、逆起電力が発生している期間、補助電源電圧Ｖccより高い電位が発生する。
【００６８】
このため、整流素子１６と並列にコンデンサを接続しても良く、又整流素子として補助電源より電位の若干高いツェナーダイオードを使用する事でノア回路１０の入力端子を保護することも可能である。
【００６９】
発振トランス１２のコアの磁束が減少し、逆起電力が順方向の振動電圧に反転すると、再び整流素子１６がバイアス電流を受けカソード電位が低下することで、前述の如く抵抗９及び１１に電流が流れノア回路１０の入力がローレベルとなり、ＦＥＴ１３を再び導通させ、これを繰り返すことで発振が行なわれ主コンデンサ２０には昇圧された電荷が蓄積される。
【００７０】
こうして充電が行われる間、図４のシーケンスでは、主コンデンサ２０の充電電圧が上昇して電圧検出回路１７から端子ｃ（CGUP）を介して充電完了信号が入力されたか否かを判別する（Ｓ２３）。
【００７１】
ここで、充電完了信号が未入力のときは、充電禁止タイマー期間内であるかを確認し（Ｓ２４）、充電完了信号が未入力であって充電禁止タイマーが終了カウント値（充禁タイマカウントアップ）に達した場合は、端子ａを介して与えていた信号を停止して、ストロボの昇圧動作を停止し（Ｓ２７）、充電未完了の充電ＮＧフラグを立てて（Ｓ２８）、その後図３のフローチャートのＳ１１に戻る。なお、充電完了信号が未入力であって充電禁止タイマーも終了カウント値に達していない場合は、Ｓ２３に戻る。
【００７２】
一方、Ｓ２３で充電完了信号が入力されたときは、端子ａに与えていた信号を停止して（Ｓ２５）、充電完了のフラグを立てて図３のフローチャートのＳ１１に戻る（Ｓ２６）。
【００７３】
図３のフローチャートのＳ９で被写体輝度が所定値より明るいと判断された場合は、シャッターボタンの第２ストローク操作（全押し操作）によりオンになる第２スイッチＳＷ２（不図示）がオンか否かを判断する（Ｓ１２）。第２スイッチＳＷ２がオンのときは、Ｓ７での測距データに基づきレンズ駆動回路１２９を制御して焦点調整を行う（Ｓ１３）。
【００７４】
さらに、Ｓ８で得られた被写体の輝度と、ＩＳＯ感度データからの条件により、シャッター開口をシャッター回路１２３を介して制御するとともに、輝度が低くストロボ発光が必要な場合には測距データとＩＳＯ感度によりシャッター制御を行いつつ、所定の絞り値でストロボを発光させる（Ｓ１４）。
【００７５】
ストロボの発光は図１の端子ｄ（TRIG）にハイレベル信号を与えて行う。端子ｄにハイレベル信号が与えられると、トリガー回路１８の出力に高圧のパルス電圧が発生されて放電管１９のトリガー電極に与えられ、放電管１９が励起される。この励起により放電管１９は一気にインピーダンスが低下し、主コンデンサ２０の充電エネルギーを放電して光エネルギーに変換し、被写体を照明する。なお、ストロボを使用したときはフラッシュフラグ（ＦＡＬ）に１をセットする。
【００７６】
シャッターが閉じると、焦点位置にあったレンズを初期位置に戻す（Ｓ１５）。そして、撮影の終了後、フィルム駆動回路１３０を制御してフィルムを１コマ分巻上げる（Ｓ１６）。
【００７７】
次に、ストロボを使用したことを示すフラッシュフラグに“１”が立っているかを確認する（Ｓ１７）。フラグ“１”が立っているときはフラッシュモードにして、Ｓ１０（図４に示すサブルーチン）と同様にして主コンデンサ２０の充電を行って（Ｓ１８）、一連の撮影シーケンスを終了する。なお、ストロボの未使用の場合はＳ１８を通らずにＳ２に戻り、一連の撮影シーケンスを終了する。
【００７８】
なお、ここでオープンコレクタ型のコンパレータである比較回路４は、抵抗２を介して電池１の電圧を検出しており、カメラの定電圧回路１２０より与えられる基準電圧Ｖref と比較して、基準電圧Ｖref 以下の場合、出力をローレベルとするため、トランジスタ８のベース電流はバイパスされ非導通となり、ノア回路１０の入力は抵抗７によりプルアップされ、この結果出力はローレベルに反転し、ＦＥＴ１３のゲート電位の供給を停止する。この供給の停止によりＦＥＴ１３は非導通となる。このため電池１の電位は再度上昇し、比較回路４の（＋）入力は上昇して出力は再度オープンとなり、電池電圧が基準電圧Ｖref 以下の電圧となることを防止している。ここでコンデンサ３は多少の時間的なヒステリシスを抵抗２の時定数で与えており、１〜２μｓｅｃ程度の時定数を構成している。なお、比較回路４が電圧的なヒステリシスを有する素子であっても良い。
【００７９】
ここで基準電圧Ｖref は、補助電源能力を保証出来るレベルに設定される。またこの補助電源がスイッチングレギュレータを含む構成であれば、スイッチングレギュレータの動作を保証出来る電位レベルに設定する。
【００８０】
第２の実施の形態
図５は本発明の第２の実施の形態を示す。
【００８１】
なお、図５において図１に示す構成素子と同等な機能であるものには同一の符号を付した。
【００８２】
この構成はプッシュプルタイプのＤＣ／ＤＣコンバータであり、第１の実施の形態に対して追加の構成部を以下に説明する。本実施の形態では、第１の実施の形態に示すノア回路（第１のノア回路）１０に加えて第２のノア回路２５を設けると共に、ＦＥＴ１３（第１のＦＥＴ１３）に加えて第２のＦＥＴ２７等を設けたものである。
【００８３】
２３は抵抗、２４は抵抗、２５はノア回路で、ノア回路２５の入力の一方が抵抗２３により補助電源Ｖccからプルアップされている。抵抗２４は前述の抵抗１１と同様にノア回路２５の入力保護抵抗である。
【００８４】
２６は抵抗、２７は発振トランジスタである第２のＦＥＴで、抵抗２６は第２のＦＥＴ２７のゲート・ソース間のプルダウン抵抗として接続されている。
【００８５】
発振トランス１２は、図１の発振トランスに対して１次巻線ＰをＰ1 ，Ｐ2 として引き出したプッシュプルタイプのトランスである。
【００８６】
２８及び３１は逆流防止用ダイオード、２９，３２（図１の整流素子１６に相当）は整流素子で、ダイオード２８と整流素子２９の直列回路が発振トランス１２の２次巻線Ｓの一端に、ダイオード３１と整流素子３２の直列回路が２次巻線Ｓの他端に接続されており、ダイオード２８，３１及び整流素子２９，３２のそれぞれの中点から抵抗２４を介して第２のノア回路２５の入力の一方に、また抵抗１１を介して第１のノア回路１０の入力の一方に接続されている。
【００８７】
３０は第２の高圧整流用ダイオードであり、発振トランス１２の２次巻線の他端と主コンデンサ２０の間に挿入されている。
【００８８】
カメラのシーケンスは図３と図４に示すフローチャートと同様なため、ここではカメラの撮影シーケンスの説明を省略してストロボ装置の動作に関する説明のみを行う。
【００８９】
カメラの制御回路によりストロボの充電が必要と判断されると、端子ａ（A/DCOM）にはハイレベルの信号が与えられる。このことにより、抵抗５を介してトランジスタ８にはベース電流が流れてトランジスタ８が導通し、第１のノア回路１０及び第２のノア回路２５の入力端子の一方がローレベルとなる。
【００９０】
また、略同時に端子ｂ（CGST）には所定時間のローレベル信号が入力される。従って第１のノア回路１０は両入力がローレベルとなることから出力がハイレベルとなり、第１のＦＥＴ１３にゲート電位を与える。このことにより、第１のＦＥＴ１３は導通する。この導通により発振トランス１２の１次巻線Ｐ2 には電池１より電流が流れる。この電流により２次巻線Ｓには第１の高圧整流用ダイオード１５、主コンデンサ２０、整流素子３２及びダイオード３１を介すループで電流が流れる。
【００９１】
この電流により、整流素子３２のカソード電位は動作電圧分低下し、発振トランス１２の出力電流である主コンデンサ２０の充電電流の一部が補助電源Ｖccより抵抗９及び抵抗１１を介し流される。この抵抗値は仮に補助電源Ｖccが５Ｖ、抵抗９が２２ＫΩとすれば、抵抗１１は3 ．3KΩ程度であり、補助電源Ｖccを介して分流される電流は２３０μＡ程度の電流である。
【００９２】
この電流により、第１のノア回路１０の抵抗９及び１１の中点に接続された入力はローレベルを維持する。ここで発振の起動に当る端子ｂのローレベルの所定時間は発振トランス１２の２次出力が安定して発生する時間で、数十μｓｅｃの時間であれば十分で、２次出力によりローレベルが維持されることとなる。
【００９３】
第１のＦＥＴ１３の導通が継続し、発振トランス１２のコアの磁束が飽和すると、充電電流が無くなり逆起電力が発生する。充電電流が無くなると整流素子３２の順バイアス電流が無くなり、第１のノア回路１０は入力がハイレベルとなることから出力がローレベルとなり、第１のＦＥＴ１３を一瞬にして停止させる。
【００９４】
ここで逆起電力は高圧整流用ダイオード３０、主コンデンサ２０、整流素子２９、ダイオード２８のループで流れ、整流素子２９のアノードは動作電圧分電位が低下し、充電電流の一部が補助電源Ｖccから抵抗２３及び２４を介して流れることで、第２のノア回路２５の入力の一方がローレベルとなる。ここで、入力の他方はトランジスタ８のコレクタに接続されており、すでにローレベルであることから、第２のノア回路２５の入力は共にローレベルとなって出力がハイレベルとなり、第２のＦＥＴ２７のゲート電位を与えＦＥＴ２７は導通する。第１のＦＥＴ１３は整流素子３２に流れる電流が停止しているため、第１のノア回路１０は出力がローレベルとなっている。
【００９５】
第２のＦＥＴ２７の導通が行なわれ、トランス１２の一次巻線P １に電流が流れ、この電流により二次巻線S にはダイオード３０、主コンデンサ２０、整流素子２９およびダイオード２８を介すループで電流が流れる。その後発振トランス１２のコアの磁束が飽和することにより、第２のノア回路２５は第１のノア回路１０の場合と同様にしてローレベルとなり、第２のＦＥＴ２７を一瞬にして停止させる。ここで起動電力はダイオード１５、主コンデンサ２０、整流素子３２、ダイオード３１に流れ、第１のノア回路１０の出力をハイレベルに移行させる。この動作にて第２のＦＥＴ２７と第１のＦＥＴ１３は、交互に導通／非導通を繰返し発振動作が行なわれ、主コンデンサ２０には昇圧された電荷が蓄積される。以後の動作に関しては、第１の実施の形態と同様なため説明を省略する。
【００９６】
第３の実施の形態
図７は第３の実施の形態を示す。
【００９７】
１０１は抵抗、１０２はダイオードでありその他は従来例（図６）と同等である。
【００９８】
この実施の形態の動作は、主コンデンサ２０への充電ループがトランジスタ８１のベース・エミッタ間及び抵抗１０１を介すループとダイオード１０２にバイパスするループに分離され、定電圧回路１２０を介す電流を大幅に減少させている。
【００９９】
例えば定電圧回路１２０の電圧をＶreg とすれば、定電圧回路１２０を流れる電流ｉは、
ｉ＝（Ｖreg ＋ＶF −ＶBE）／Ｒ101
ＶF ；ダイオード１０２の動作電圧
Ｒ101 ；抵抗１０１の抵抗値
ＶBE；トランジスタ８１のゲートドライブ電圧
となり、Ｒ101 を１０ＫΩ、Ｖreg を５Ｖ程度とすれば，５００μＡ程度に定電圧回路１２０の出力を抑えることが可能となる。
【０１００】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、簡単な構成で補助電源供給を低く抑える事が可能となった。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態を示すストロボ装置の回路図。
【図２】図１のストロボ装置と接続されるカメラとの電気回路図。
【図３】図２の動作を示すフローチャート。
【図４】図１のストロボ装置の動作を示すフローチャート。
【図５】本発明の第２の実施の形態を示すストロボ装置の回路図。
【図６】従来のストロボ装置の回路図。
【図７】本発明の第３の実施の形態を示すストロボ装置の回路図。
【符号の説明】
１  電池
４  比較回路
１０，２３，２６  ノア回路
１３，２８，１３  ＦＥＴ
１６，２９，３２，１０２  整流素子
１５，３０  高圧整流用ダイオード
１９  放電管
２０  主コンデンサ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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