(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に堆積させた第一層に、該第一層の厚さで規定される深さを有する少なくとも２つの凹部を形成し、前記凹部の深さより大きい厚さを有し、前記第一層とは異なる材料で構成される第二層を、前記第一層の全領域に堆積することにより、平坦化された表面領域を製造する方法であって、
（ａ）少なくとも１個の凹部上の第二層の領域から前記凹部の幅を超える第二層のオーバーラップ領域までの第二層を除き、他の第二層を除去するステップと、
（ｂ）前記第二層が前記第一層と平坦化されるまで前記第二層の残留部分を除去するステップと、
（ｃ）前記第一層に形成された凹部がすべて該第一層と平坦化されるまで、前記基板上に、少なくとも２つの凹部を有する第一層を設けるステップを除き、前記第一層とは異なる材料で構成される第二層の堆積、前記（ａ）及び（ｂ）のステップを繰り返すステップと、
を含むことを特徴とする平坦化された表面領域を製造する方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、さらに、前記第二層を除去するステップが、
エッチングマスクを設けて、前記凹部の領域内部の前記第二層の材料を保護するステップと、
前記エッチングマスクにより保護されない第二層の領域をエッチングして、前記第一層を完全に露出するステップと、
前記エッチングマスクを除去するステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、さらに、第二層の残留部分を除去するステップは、化学機械的研磨法により行われることを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法であって、さらに、前記第一層が二酸化珪素であることを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法であって、さらに、前記第二層がポリシリコンであることを特徴とする方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、平坦化された表面構造を製造する方法に関する。特に、本発明は、広範囲に平坦構造を有する構造要素を多層に形成する基盤として用いられる平坦化された表面構造を製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
微細加工技術が進歩するにつれて、低コストのディスプレイに適用するのに用いられる光変調器を含む多岐にわたるマイクロ・エレクトロメカニカル・システム（ＭＥＭＳ）が生まれてきた。このような変調器は、高解像度、高作動速度（ｋＨｚフレーム速度）、多重グレースケールレベル、カラー適応性、高コントラスト比、およびＶＬＳＩ技術との互換性などを特徴とする。このような変調器は、例えば、ブルーム（Bloom）らの１９９４年５月１０日公告米国特許第５，３１１，３６０号、名称「光ビームを変調する方法および装置（Method and Apparatus for Modulating a Light Beam）」に開示されている。この変調器は、微細加工された回折相格子である。このデバイスは、複数の等間隔に配置された変形可能エレメントを備え、これらエレメントを基板の上に両端を懸垂された状態の竿（ビーム）の形状にして、格子を成形するものである。変形可能エレメントは、電極としても、入射光の反射面としても、双方の機能を有する金属層を備える。基板も反射能を有し、個別の電極を備える。米国特許第５，３１１，３６０号の開示では、上記デバイスの竿の部分（以下、竿部とする）が全部が完全に平らな表面でなく、断面も同一でない場合に起こるデバイスの効率低下については触れられていない。
【０００３】
米国特許出願第０９／２１６，２０２号、名称「エレクトロメカニカル格子デバイスを製造する方法（Process for Manufacturing Electro−Mechanical Grating Device）」に開示されているように、化学機械的平坦化技術（ケミカルメカニカルプラナリゼーション；chemical mechanical planarization）を用いて、このようなデバイスの要求を有利に達成することができる。要求項目としては、例えば、竿部全てが光学的にフラットな表面、同一断面を有すること、基板への距離に対して竿部が良好に規定されていること、表面の段差をなくして高フォト・ドライエッチング歩留まりを得ること、ステップカバレッジ（step coverage）問題をなくすることなどが挙げられる。
【０００４】
化学機械的研磨（ＣＭＰ）は、半導体の金属および誘電体平坦化技術に現在用いられているキー技術となっており、多くの米国特許、例えば、チョウ（Chow）らの米国特許第４，７８９，６４８号、カー（Carr）らの米国特許第４，９５４，１４２号、ベイヤー（Beyer）らの米国特許第４，９４４，８３６号に教示の通りである。ＣＭＰを用いると、マスキングやコーティング工程を追加せずともウェーハ平坦化を行える。
【０００５】
ＣＭＰの使用は、ナスビー（Nasby）らの１９９８年９月８日に発行された米国特許第５，８０４，０８４号、名称「微細加工における化学機械的研磨の使用（Use of Chemical Mechanical Polishing in Micromachininig）」にも開示されている。ここに示されている処理は、微細機械を製作する際に段差をなくすためである。機能素子（例えば、駆動ギア、液体ポンプなど）と、これら素子間にエッチングされた谷溝部とを含むレベル全体に犠牲酸化物層を堆積する。犠牲酸化物層の厚さは十分に大きくして、谷溝を埋め、更に犠牲酸化物層の上面の最も低い部分が、被覆レベルでは機能素子の頂面と少なくとも同じ高さになるようにする。次いで、この犠牲酸化物層がＣＭＰで研磨、除去され、平坦化される。機能素子の別のレベルが新しく平坦化された表面上に形成される。この特許文書は、平坦化される表面をＣＭＰ法でどのようにして得るかについての技法または方法を示していない。前記米国特許第５，８０４，０８４号は、一つの層に存在する複数の島部を単一のレベルに平坦化できる方法を示すにすぎない。ここでは、二つの平坦化された表面を生成する際に生じる皿状化（デッシング；dishing）効果を考慮する必要がない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、微細加工された構造の多くは、普通、凹部が広く（幅＞１０μｍ）、かつ数少なく分布している構造の領域に入る。ＣＭＰ平坦化で遭遇する困難の一つは、「皿状化」効果である。これは、広い凹部（すなわち、普通は幅＞１０μｍ）の平坦化の場合に起こる。平坦化の際に「皿状化」効果が起こると、広い凹部に溢れさせた層の厚さが薄くなり、平坦でない表面が生成される。研磨速度は、周辺領域の段差に影響されるので、皿状化効果は、数が少なく分布している構造の領域では一層悪化する。従って、皿状化問題は、微細加工において苛酷な製造制約要因となる。
【０００７】
皿状化現象は、図１（ａ）と図１（ｂ）の断面模式図を参照して説明される。図１（ａ）に示されるのは、基板１０の上に第一層１５を堆積したものである。狭い凹部１１と広い凹部１２とが第一層１５に形成されている。第一層１５の表面には、凹部間の小領域１３と凹部間の大領域１４とがある。第一層１５の上と、狭い凹部１１と広い凹部１２の中に堆積されたのは、ブランケットコンフォーマル（blanket conformal）埋め込み層２０である。図１（ｂ）に示されるのは、図１（ａ）に示されるブランケットコンフォーマル埋め込み層２０を従来のＣＭＰ平坦化法で平坦化した結果である。図１（ｂ）に示されるように、埋め込まれた凹部２２を平坦化した箇所の表面は、同じく埋め込まれた凹部２１を平坦化した箇所の表面に較べて顕著に皿状化が進行している。また、図１（ｂ）に示されるのは、埋め込み物が残留した層２４が存在していることである。この残留層２４は、ＣＭＰ平坦化法でブランケットコンフォーマル埋め込み層２０を平坦化し、埋め込まれた凹部２１と２２とを平坦化した時に第一層１５の表面の小領域１３と大領域１４との上に同時に形成される。技術に熟達した者には理解されることであるが、ブランケットコンフォーマル埋め込み層２０の大領域、一般に約１０００ミクロンを超える寸法の領域を平坦化する時、ブランケットコンフォーマル埋め込み層２０では、広い凹部１２の上が、より速く平坦化され、埋め込まれた後に平坦化される広い凹部２２内に皿状部が形成されるに加えて、同時に第一層１５の表面の上の大領域１４の上が、より遅く研磨され、残留埋め込み層２４が第一層１５の上の大領域１４の上に形成される。残留埋め込み層２４を更に平坦化して取り除こうとすると、平坦化された埋め込まれた凹部２１と２２との皿状化が益々進行する。残留埋め込み層２４のような残留層は、平坦化された表面を処理するのに後に用いるデバイスの邪魔になるので、望ましくない。
【０００８】
皿状化を制限する方法の一つは、ジャング（Jang）らの１９９８年２月２４日に発行された米国特許第５，７２１，１７２号、名称「平坦化されたアパーチャ埋め込み層を形成するための自己整合研磨停止層ハードマスキング法（Self-Aligned Polish Stop Layer Hard Masking Method For Forming Planarized Aperture Fill Layers）」に用いられている。この方法では、先ずコンフォーマル研磨停止層をコンフォーマル埋め込み層の頂部に形成する。次に、第一ＣＭＰ平坦化法で、コンフォーマル研磨停止層とコンフォーマル埋め込み層とをコンフォーマル研磨停止層の下部面領域に至るまで平坦化し、一方では、パターニング（patterning）された研磨停止層と部分的にＣＭＰで平坦化されたアパーチャ埋め込み層とを形成する。次いで、パターニングされた研磨停止層をエッチングマスクとして用いて、エッチングし、部分的にＣＭＰで平坦化して、隆起部がアパーチャの上に出ているアパーチャ埋め込み層を形成する。この場合、隆起部の高さが、エッチングされ、部分的にＣＭＰで平坦化されたアパーチャ埋め込み層を、第二ＣＭＰ法で平坦化して、アパーチャ内で平坦化されたアパーチャ埋め込み層を形成する時に形成される皿状部を補正する。この特許文書の教示では、余分の層の堆積とともに別々の二度のＣＭＰ平坦化工程が必要である。また、この教示のＣＭＰ法では、埋め込み層と研磨エッチング停止層との間の選択性が比較的低いことが必要である。従って、研磨エッチング停止層の最終厚さの制御が上手く行われない。
【０００９】
ロー（B.H.Roh）らの「ギガビットダイナミックランダムアクセスメモリ用の容易に製造可能な浅いトレンチ分離（Easily Manufacturable Shallow Trench Isolation for Gigabit Dynamic Random Access Memory）」という名称の論文（Jpn. J.Appl.Phys. Pt.1,Vol.35(1996),pp.1618-4623)には、浅いトレンチ分離法で皿状化現象を制約する方法が記載されている。この方法では、酸化物分離層が、平坦化工程を行う前に半導体の能動領域で部分的にエッチングされる。この方法の結果は、平坦化された酸化物表面である。第一層と第二層との間に平坦化された表面を生成する必要はない。
【００１０】
本発明の目的は、皿状化効果を最小限にし、一方で、充填領域の外の埋め込み物を確実に完全に除去することによって、少なくとも二つの異なる材質でできた表面の間の平坦化を提供することである。更に、異層表面の平坦度は、成長または積層される表面に平らさが必要な多層構造の形成を可能にするために必要である。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明は、平坦化された表面領域を製造する方法であって、（ａ）第一層の厚さで規定される深さを有する凹部を少なくとも１個有する前記第一層を対象として用意するステップと、（ｂ）前記凹部の深さより大きい厚さを有し前記第一層とは異なる材質からできている第二層を前記第一層の全領域に堆積するステップと、（ｃ）少なくとも１個の凹部の領域を超えて前記第二層を除去する工程と、（ｄ）前記第二層が前記第一層と平坦になるまで前記第二層の残余部分を除去する工程と、を特徴とする。
【００１２】
また、本発明の目的は、（ａ）第一層の厚さで規定される深さを有する凹部少なくとも１個を有する第一層を対象として用意し、（ｂ）凹部の深さより大きい厚さを有し第一層とは異なる材質の第二層を前記第一層全体に堆積し、底面レベルを規定するコンフォーマル凹部を前記第二層に設け、（ｃ）少なくとも１個の凹部の領域を超えて第二層を部分的に除去し、部分的に除去された第二層の規定する表面レベルが上記底面レベルと合致するようにし、（ｄ）第二層が第一層と平坦になるまで第二層の残余部分を除去する、諸ステップを特徴とする方法で達成される。
本発明の利点は、充填領域の外にある埋め込み物質が完全に除かれ、その表面には残余埋め込み物質が確実に全くなくなることである。パターン領域とその隣接域との間の段差は残るけれども、高台の部分は、研磨される表面全体から見れば僅少の割合である。研磨の機械的効果によって、これら非充填域から物質を除く速度が大きい。ＣＭＰで除かれる全域は、より均一で、パターン領域が、より平坦化された表面となる。パターン領域の外への重なりの程度は異なるけれども、埋め込み層をパターニングするのに用いられる露光装置のアライメント許容度をそれほど超える必要はない。
【００１３】
【発明の実施の形態】
図２〜７に本発明の実施の形態（以下、実施形態とする）を参照する。これらの図は、少なくとも１枚の平坦化された表面を生成する本発明の方法を示す斜視図である。以下の説明は、凹部の数が有限なデバイスに限定される。本発明の方法が本明細書に開示の態様に限定されないことは当業者には明白である。図２を参照すると、第一層２６が基板２８上に設けられ、第一と第二の凹部３０と３２が層中に設けられている。凹部３０と３２は幅Ｗ、高さＨを有し、高さＨは第一層の厚さで決定される。凹部３０と３２の長さは、基板２８の長軸に沿って延びる。基板の長軸方向は、矢印Ｌ−Ｌで記されている。第一層２６上に第二層３４が第一層２６に整合するように設けられる。第二層３４の厚さは、少なくとも第一の凹部３０または第二の凹部３２の高さＨである。積層された第二層３４が、第一層２６中の第一の凹部３０と第二の凹部３２との同じ位置に整合された凹部３５を規定する。第二層３４中の各整合された凹部３５が底面レベル３５ａを規定する。第二層３４に用いられる材質は、第一層２６の材質とは異ならなければならない。図３（ａ）は、本発明の第一態様を示す。第二層３４は、少なくとも１個の凹部３０または３２（ここでは凹部３０）を微小寸法超える領域を除いて、完全に除去されている。第二層３４の選択的除去は、適切なパターニング工程の後、例えば、エッチング工程を経て行われる。第二層３４を除去すると、第一層２６の上部表面３６が露出される。第二残留層３４ａの材質がどの位の寸法で凹部を超えて延びるかについては、ＣＭＰ装置（図示せず）のセットアップ・パラメータ（圧力、使用スラリー、速度など）に調整がなされねばならない。第二残留層３４ａの幅は、少なくとも凹部３０の幅Ｗでなければならない。上に論じたように、（図３（ａ）に示される）デバイスは、次いで第二残留層３４ａの除去工程に掛けられる。ここで用いられる除去工程はＣＭＰである。除去工程は、第一凹部３０だけが第二残留層３４ａの材質で埋め込まれるまで続けられる（図４を参照のこと）。第二残留層３４ａは、第一凹部３０を埋め込み、表面３６ａを規定する。表面３６ａは、第一層２６の表面３６に対して平坦化されている。図３（ｂ）に示される第二の実施態様では、第二層３４は、少なくとも１個の凹部３０または３２の範囲を超える領域からも完全には除去されていない。第二層３４は、凹部３０の範囲を超える領域からも除去されるが、第二層３４の材質が第一層２６を依然として被覆する程度までしか除去されない。第二層３４の選択的除去は、適切なパターニング工程の後、例えば、エッチング工程を経て行われ、表面レベル３７ａを規定する。第二層３４の除去の停止は、第二層３４の部分的除去の後の残留第二層３４ａの凹部３５の底面レベル３５ａと表面レベル３７ａとが平坦になった時である。第一の態様で既に言及したように（図３（ａ））、第二層３４に用いられる材質は、第一層２６の材質とは異ならなければならない。図３（ｂ）に示されるパターンは、次いでＣＭＰに掛けられる。除去工程は、第一と第二の凹部３０と３２だけが第二残留層３４ａの材質で埋め込まれるまで続く。工程の以下の説明は第一態様に限定される（図３（ａ）を参照のこと）。
【００１４】
さて、図５を参照すると、更に別の第二層３８が第一層２６の上部に積層され、第一層２６の表面３６と第一凹部３０中の残留第二層３４ａの表面３６ａとを被覆する。上に言及したように、更に別の第二層３８の厚さは、少なくとも第二凹部３２の高さＨである。更に別の第二層３８に用いられる材質は、第一層２６の材質とは異ならなければならない。次に行われる処理工程は図３（ａ）に開示される処理工程と同様である。さて、図６では、更に別の第二層３８が除去されている。本実施態様では、更に別の第二層３８は、第二凹部３２の範囲を微小寸法だけ超える領域からは除去されていない。更に別の第二層３８の選択的除去は、適切なパターニング工程の後、例えば、エッチング工程を経て行われる。第二層３８を除去すると、第一層２６の上部表面３６と、第一凹部３０中の残留第二層３４ａの上部表面３６ａとが再び露出される。更に別の残留第二層３８ａの材質がどの位の寸法で凹部３２を超える範囲に延びるかについては、化学機械的平坦化装置（図示せず）のセットアップ・パラメータ（圧力、使用スラリー、速度など）に調整がなされねばならない。更に別の第二残留層３８ａの除去工程はＣＭＰで行われる。除去工程は、更に別の残留第二層３８ａの材質だけが表面３６ｂを規定するまで続ける（図７を参照のこと）。表面３６ｂは、第一層２６の表面３６および第一凹部３０中の残留第二層３４ａの表面３６ａについて平坦化されている。
【００１５】
当業者ならば、記載の方法を複数の凹部を有する場合に行うことができることが明白である。従って、本明細書に記載の態様が本発明の範囲を限定するものとしてはならない。
【００１６】
図８〜１０は、本発明の方法で達成される表面品質の改良を示す。図８〜１０の段差は、任意単位で示されている。この段差性能の結果に対して用いられた層構造は、図２と図３（ａ）に示される構造と同等である。熱成長させた二酸化シリコンの第一層２６を基板２８に成膜し、エッチング処理して５０μｍ幅の凹部３０を規定する。次に、ポリシリコンからなる第二層３４を堆積する。フォトレジストをポリシリコンの上にパターニングして、エッチング用マスクとして機能させる。ポリシリコンをエッチングで取り去ると、凹部３０を除いて全て二酸化シリコン表面３６となる。残ったところは、凹部３０の他に、その周りのポリシリコンと二酸化シリコンとの間にオーバーラップする２μｍ幅の残留第二層３４ａである。図８は、フォトレジストエッチングマスクを取り去った後のそのような表面特徴の表面プロファイルメータ・トレースを示す。
【００１７】
上記基板は、次いでＣＭＰに掛けられる。ＣＭＰはポリシリコンの高さを減じ、二酸化シリコン第一層２６の高さと同じに合わせる。ポリシリコンの除去速度は、シリコン除去速度より遥かに大きいので、酸化物は殆ど研磨されず、せいぜい５ｎｍ（５０オングストローム）未満しか研磨されない。オーバーラップ領域のポリシリコンの除去速度は、凹部領域のところより大きいので、二酸化シリコン表面に対して平坦化されたポリシリコン表面が得られる。ポリシリコンは、二酸化シリコンの他の領域では全てエッチングによって前もって取り去られているので、ＣＭＰ処理の目的は凹部領域を平坦化するだけに限定されるのであって、二酸化シリコン表面からポリシリコンをきれいに取り去ることではない。図９は、ＣＭＰ処理後の５０μｍ幅凹部周りの表面段差を示す。最初にポリシリコンをパターニングして除去しないと、図１０に示されるような皿状化現象が起こる。上の実施例双方の処理に用いられたものは、ロデール（Rodel）SDE３０００スラリー、ロデールIC１０００パッド、Suba  IV  サブパッド、ストラスバー（Strasbaugh）６DS−SP  ＣＭＰ装置である。ＣＭＰの条件としては、テーブル回転速度５５rpm、スピンドル速度５０rpm、ダウン圧３  PSI、テーブル温度２５℃である。当業者ならば、ＣＭＰ条件を変えたり修正したりすることができることは明白である。
【００１８】
本明細書の次の部分は、本発明の方法を用いて、素子を多層構造にするのに重要な平坦化された表面を製造する例を示す。本方法は、メカニカル格子デバイス１００に関して詳細に説明する。
図１１は、本発明のメカニカル格子デバイス１００の斜視図であって、部分的な切り取り図を示す。デバイス１００の機械的に変形可能の構造が、ベース５０の上部に形成される。図１１に示される本実施形態は、静電気の力を適用することによって動作できるデバイス１００を開示する。メカニカル格子デバイス１００の動作力は静電気なので、ベース５０は異なる材質の層を数枚備える。ベース５０は基板５２を備える。基板５２の材質は、ガラス、プラスチック、金属、および半導体物質から選択される。基板５２は、底部導電層５６で覆われる。この実施形態で、薄い底部導電層５６が必要なのは、メカニカル格子デバイス１００を動作させる電圧を掛ける電極として動作させるからである。薄い底部導電層５６は保護層５８で覆われる。底部導電層５６は、アルミニウム、チタニウム、金、銀、タングステン、シリコン合金およびインジュウム錫酸化物からなる群から選択される。保護層５８の上には、隔て層６０が形成され、その上に更にスペーサ層６５がある。スペーサ層６５の上部には、リボン層７０が形成され、リボン層７０は反射層７８で覆われる。本実施形態では、メカニカル格子デバイス１００の動作に必要な電極とするために反射層７８も導電性の必要がある。この電極は、反射層兼導電層７８からパターニングされる。
【００１９】
スペーサ層６５の内部には、長手チャンネル６７が設けられる。長手チャンネル６７は、第一側壁６７ａと第二側壁６７ｂと底面６７ｃとを備える。チャンネル６７は、上部が開放で、変形可能リボン素子７２ａと７２ｂの第一セットと第二セットで覆われている。変形可能リボン素子７２ａと７２ｂ各々は、チャンネル６７の上を橋架けされており、チャンネル６７の両側でスペーサ層６５の表面に固定されている。チャンネル６７の底面６７ｃは保護層５８で覆われている。上述のように、リボン層７０は反射層７８で覆われている。反射層７８（導電性）はパターニングされ、第一と第二の導電性領域７８ａと７８ｂとなっている。第一と第二の導電性領域７８ａと７８ｂとは、双方とも、パターニングに従って、櫛状の構造を形成し、メカニカル格子デバイス１００の表面上に互いに差し込まれた形で配置されている。第一と第二の導電性領域７８ａと７８ｂとは、機械的にも電気的にも互いに分離されている。反射層７８のパターンに従って、リボン層７０も、同じようにパターニングされている。その結果、変形可能リボン素子７２ａと７２ｂとの第一セットと第二セットとは、チャンネル６７の上を橋架けし、チャンネル６７の方向に、一つ置きの変形可能リボン素子が一つのセットに属するように配置されている。更に、変形可能リボン素子７２ａと７２ｂとは、頂面７０ａと底面７０ｂとを規定する。変形可能リボン素子全ての頂面７０ａと底面７０ｂとが平坦化されていることが、メカニカル格子デバイスの効率にとって重要である。
【００２０】
図１１に示される実施形態では、チャンネル６７の底面６７ｃの上に複数の隔て台（スタンドオフ；standoff）６１が配置される。隔て台６１は、隔て台６１のグループが、第一または第二セットの変形可能リボン素子７２ａと７２ｂとだけに対応するように隔て層６０からパターニングされている。この図に示される実施形態では、隔て台６１のグループは、各リボン素子グループの第二リボン素子に対応している。隔て台６１のパターニングは、単一バーの形で行うこともできる。
【００２１】
図１２を参照する。メカニカル格子デバイス１００は、標準マイクロエレクトロニクスである薄膜処理を用いて製造される。基板５２は単結晶シリコンウェーハである。シリコンは導電性材料であるけれども、イオン注入を用いて、ベース５０内のベース５０局限部と規定される表面５３近くの導電性を増大させることができる。イオン注入は、ベース５０の表面５３に電気回路（図示せず）の底面として記される高導電性薄膜領域５６を形成する。熱酸化物の保護層５８は、ベース５０の表面５３に成長される。次に、窒化シリコンの隔て層６０が堆積される。隔て層６０は上面５４ａを規定し、上面５４ａはメカニカル格子デバイス１００の動作から生じる動作高さを規定するのに用いられる。次に、化学気相成長で堆積されたシリコン酸化物のスペーサ層６５が加えられる。動作の全高さは、上面レベル６４ａを有するスペーサ層６５の厚さに規定される。
【００２２】
次の工程は、図１３に示される。図１３は、標準フォトリソグラフィー処理とエッチング法とを用いてスペーサ層６５のパターニングを行い、チャンネル６７を規定することが示されている。チャンネル６７には、メカニカル格子デバイス１００の能動領域が位置される。次に、フォトリソグラフィー処理とエッチング法とを用いて隔て層６０をパターニングし、図１３に示されるように、窒化シリコンの隔て台６１を製造する。図示していないけれども、これらのパターンに柱脚またはラインを備えることができる。隔て台６１は、デバイスの動作に対して機械的ストッパとして働き、隔て台６１の上表面は表面５４ａとなる。
【００２３】
既存の構造の上に更に別の層の積層を可能にするためには、多結晶シリコンの整合された犠牲層６６を堆積する。その厚さは、図１４に示されるように表面５４ａと６４ａの分離高さよりも大きい厚さとする。堆積された犠牲層６６は、チャンネル６７の領域に整合された凹部６８ａを生成する。チャンネル６７は、堆積された犠牲層６６の下に配置される。
【００２４】
次の工程は、図１５に示されるように、チャンネル６７の範囲を微小寸法だけ超える領域を除いて、デバイス１００から完全に犠牲層６６を除くことである。犠牲層６６の選択的除去は、適切なパターニング工程の後、例えば、エッチング工程を経て行われる。犠牲層６６を除去すると、スペーサ層６５の頂部が露出される。残留犠牲層６６ａの材質がどの位の寸法でチャンネル６７の領域を超えて延びるかについては、化学機械的研磨装置（図示せず）のセットアップ・パラメータ（圧力、使用スラリー、速度など）に調整がなされねばならない。残留犠牲層６６ａの幅は、少なくともチャンネル６７の幅でなければならない。
【００２５】
図１６は、化学機械的研磨法を用いて、残留犠牲層６６ａを表面６４ａに実質的に近いレベルに平坦化するのを示す。除去工程は、チャンネル６７だけが残留犠牲層６６ａの材質で埋め込まれるまで続く（図４を参照のこと）。残留犠牲層６６ａは、チャンネル６７を埋め込み、表面６８ａを規定する。表面６８ａは、スペーサ層６５の表面６４ａに平坦化される。そうすると、平坦化された表面の上に更に別の構造を積むことが可能となり、これら構造もきれいに規定された表面を有することになる。
【００２６】
本発明の記載は、好ましい実施形態を参照して詳細に行われたものである。しかし、本発明の精神および範囲内で変形や部分的改変を行うことができるものと理解される。
【図面の簡単な説明】
【図１】  多層構造の断面模式図を参照して皿状化現象を示す図である。
【図２】  平坦化された表面を生成する方法の部分斜視図で、第一埋め込み材が第一層へ積層されている図である。
【図３】  平坦化された表面を生成する方法の部分斜視図である。
【図４】  平坦化された表面の仕上がりを示す部分斜視図である。
【図５】  平坦化された表面を生成する方法の部分斜視図で、第二埋め込み材が第一層へ成膜されている図である。
【図６】  平坦化された表面を生成する方法の部分斜視図で、第二埋め込み材が部分的にエッチングされている図である。
【図７】  平坦化された表面の仕上がりを示す部分斜視図である。
【図８】  図３（ａ）に開示の第二層のエッチング後のプロファイルメータ・トレースを示す図である。
【図９】  図３（ａ）に開示の第二層のＣＭＰ処理後のプロファイルメータ・トレースを示す図である。
【図１０】  図３（ａ）に開示のパターニングを行わないでＣＭＰ処理した後のプロファイルメータ・トレースを示す図である。
【図１１】  平坦化された表面を生成する本発明を用いるメカニカル格子デバイスの斜視、部分切り取り図である。
【図１２】  図１１に示されるラインＡ−ＡおよびＢ−Ｂで決められる面に沿って視た断面図で、平坦化された表面を用いる本発明の実施形態の層の積層を示す図である。
【図１３】  図１１に示されるラインＡ−ＡおよびＢ−Ｂで決められる面に沿って視た断面図で、図３に示される面Ｌ−Ｌを示し、チャンネルのエッチングを示す図である。
【図１４】  図１１に示されるラインＡ−ＡおよびＢ−Ｂで決められる面に沿って視た断面図で、犠牲層の堆積を示す図である。
【図１５】  図１１に示されるラインＡ−ＡおよびＢ−Ｂで決められる面に沿って視た断面図で、チャンネルの領域を超える犠牲層のパターニングを示す図である。
【図１６】  図１１に示されるラインＡ−ＡおよびＢ−Ｂで決められる面に沿って視た断面図で、本発明の方法に従って得られる平坦化された表面を示す図である。
【符号の説明】
１５  第一層、２０  ブランケットコンフォーマル埋め込み層、２６  第一層、３０  第一凹部、３２  第二凹部、３４  第二層、３４ａ  残留第二層、３８更に別の第二層、３８ａ  更に別の残留第二層、５０  ベース、６０  隔て層、６１  隔て台、６５  スペーサ層、６６  犠牲層、６６ａ  残留犠牲層。
【図１】
0004588147.tif 000002
【図２】
0004588147.tif 000003
【図３】
0004588147.tif 000004
【図４】
0004588147.tif 000005
【図５】
0004588147.tif 000006
【図６】
0004588147.tif 000007
【図７】
0004588147.tif 000008
【図８】
0004588147.tif 000009
【図９】
0004588147.tif 000010
【図１０】
0004588147.tif 000011
【図１１】
0004588147.tif 000012
【図１２】
0004588147.tif 000013
【図１３】
0004588147.tif 000014
【図１４】
0004588147.tif 000015
【図１５】
0004588147.tif 000016
【図１６】
0004588147.tif 000017