(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（Ｉ）または（ＩＩ）
【化１】
0004412624.tif 000007
（Ｒは水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルキル基を有してもよいフェニル基、炭素数２〜６のアルケニル基、炭素数２〜６のアルキニル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数１〜６のアルキルチオ基、シアノ基、ホルミル基、炭素数２〜７のアシル基、炭素数１〜６のアルキル基を有してもよいベンゾイル基、炭素数２〜７のアルコキシカルボニル基、炭素数１〜６のアルキル基を有してもよいフェノキシカルボニル基、炭素数１〜６のアルキル基を有してもよいアミノ基、炭素数１〜６のアルキル基を有してもよいアミド基、ニトロ基、炭素数１〜６のアルキル基または炭素数１〜６のアルキル基を有してもよいフェニル基を有するスルホニル基、炭素数１〜６のアルキル基または炭素数１〜６のアルキル基を有してもよいフェニル基を有するスルホン酸エステル基、フッ素、或いは炭素数１〜６のフルオロアルキル基を示し、Ｙは水酸基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数１〜６のアルキル基を有してもよいフェノキシ基、シクロヘキシルオキシ基、あるいは下記一般式ａ、ｂ、またはｃ
【化２】
0004412624.tif 000008
（各式中、ｑは１、２、３または４であり、そしてｒ及びｓはそれぞれ、２、３、４または５である。）で示される基を表す。）で表されるアリールホウ素酸、その誘導体またはアリールホウ素酸無水物と下記一般式（ＩＩＩ）
【化３】
0004412624.tif 000009
（Ａは水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルキル基を有してもよいフェニル基、炭素数２〜６のアルケニル基、炭素数２〜６のアルキニル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数１〜６のアルキルチオ基、シアノ基、ホルミル基、炭素数２〜７のアシル基、炭素数１〜６のアルキル基を有してもよいベンゾイル基、炭素数２〜７のアルコキシカルボニル基、炭素数１〜６のアルキル基を有してもよいフェノキシカルボニル基、炭素数１〜６のアルキル基を有してもよいアミノ基、炭素数１〜６のアルキル基を有してもよいアミド基、ニトロ基、炭素数１〜６のアルキル基または炭素数１〜６のアルキル基を有してもよいフェニル基を有するスルホニル基、炭素数１〜６のアルキル基または炭素数１〜６のアルキル基を有してもよいフェニル基を有するスルホン酸エステル基、フッ素或いは炭素数１〜６のフルオロアルキル基を示し、Ｄはフェニレン、ナフチレン、ピリジンジイル、キノリンジイル、ピリミジンジイル、トリアジンジイル、フランジイル、ベンゾフランジイル、チオフェンジイルまたはベンゾチオフェンジイルを示し、Ｘは塩素、臭素、沃素、メシラート基及びアレーンスルホネート基を示す。）で表される芳香族化合物を、塩基、及び芳香族炭化水素溶媒存在下で反応させるに際して、トリフェニルホスフィンと、塩化ニッケルと、エタノール若しくはメタノールとを添加することを特徴とする下記一般式（ＩＶ）
【化４】
0004412624.tif 000010
（Ｒ、Ａ、及びＤは前記と同じ。）で表されるビフェニル誘導体の製造法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は液晶原料及び医農薬中間体等として有用なビフェニル誘導体の製造法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、ホウ素化合物を利用したビアリール誘導体の合成法として、パラジウムまたはニッケル錯体を触媒に用いる方法が知られているが、より安価なニッケル錯体触媒を用いることが経済的及び工業的立場からは好ましい。ニッケル錯体触媒を用いる製造法としては例えば、（Ａ）アリールホウ素酸とアリールクロリドを、２価ニッケル錯体及び無水リン酸三カリウムの存在下で作用させる方法（A.F.Indolese、Tetrahedron Letters,38,3513-3516(1997)）、（Ｂ）アリールホウ素酸とアリールメシラートまたはアリールアレーンスルホネートを、２価ニッケル錯体、亜鉛及び無水リン酸三カリウムの存在下で作用させる方法（ V.Percec  et al、J. Org. Chem., 60,1060-1065(1995)）、（Ｃ）アリールホウ素酸と芳香族クロリドを、０価ニッケル錯体、塩基及び非プロトン性極性溶媒の存在下で作用させる方法（S.Saito et al、Tetrahedron Letters,37,2993-2996(1996)、S.Saito et al、J. Org. Chem., 62,8024-8030(1997) ）、（Ｄ）アリールホウ素酸またはアリールホウ素酸エステルとアリールハライドまたはアリールフルオロアルキルスルホネートを、０価または２価ニッケル錯体、塩基及び非プロトン性極性溶媒の存在下で作用させる方法（特開平２−１３１４３６号公報、特開平３−２７１２４３号公報）が知られている。
【０００３】
しかし、前記（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）及び（Ｄ）の方法には、何れも触媒としてニッケルホスフィン錯体が用いられており、反応に先立って予め錯体触媒を調製し単離する必要があるなど工業製法としては工程が煩雑になる欠点を有していた。また、工程短縮をはかる目的で触媒として単にニッケル塩と三級ホスフィンの混合物を用いても、反応系内で充分な触媒活性のあるニッケルホスフィン錯体が効率よく生成せず低収率でしか目的物を得ることが出来ない。しかも、前記（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）及び（Ｄ）の方法は、収率面でのバラツキや再現性の悪さ、更には低反応速度（長時間反応）に起因する生産効率の低さなどが工業製法としての大きな問題点となっていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、充分に活性の高いニッケルホスフィン錯体触媒を単離せずに反応系内で直接調製し、アリールホウ素酸、その誘導体またはアリールホウ素酸無水物からビフェニル誘導体を短時間に高収率で再現性良く得る、経済的で簡便かつ工業的に有用な方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記課題について鋭意検討を重ねた結果、アリールホウ素酸、その誘導体またはアリールホウ素酸無水物と芳香族化合物を、塩基及び芳香族炭化水素溶媒存在下で反応させるに際して、アルコール共存下でニッケル塩と三級ホスフィンまたはホスファイトを添加すると、反応系内で効率よく触媒活性の高いニッケルホスフィン錯体が生成し目的反応が円滑に進むことに加え、意外にもアルコール添加の効果により短時間に高収率でビフェニル誘導体が得られることを見いだし本発明に到達した。
【０００６】
すなわち、本発明は、下記一般式（Ｉ）または（ＩＩ）
【化５】
0004412624.tif 000002
（Ｒは水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルキル基を有してもよいフェニル基、炭素数２〜６のアルケニル基、炭素数２〜６のアルキニル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数１〜６のアルキルチオ基、シアノ基、ホルミル基、炭素数２〜７のアシル基、炭素数１〜６のアルキル基を有してもよいベンゾイル基、炭素数２〜７のアルコキシカルボニル基、炭素数１〜６のアルキル基を有してもよいフェノキシカルボニル基、炭素数１〜６のアルキル基を有してもよいアミノ基、炭素数１〜６のアルキル基を有してもよいアミド基、ニトロ基、炭素数１〜６のアルキル基または炭素数１〜６のアルキル基を有してもよいフェニル基を有するスルホニル基、炭素数１〜６のアルキル基または炭素数１〜６のアルキル基を有してもよいフェニル基を有するスルホン酸エステル基、フッ素、或いは炭素数１〜６のフルオロアルキル基を示し、Ｙは水酸基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数１〜６のアルキル基を有してもよいフェノキシ基、シクロヘキシルオキシ基、あるいは下記一般式ａ、ｂ、またはｃ
【化６】
0004412624.tif 000003
（各式中、ｑは１、２、３または４であり、そしてｒ及びｓはそれぞれ、２、３、４または５である。）で示される基を表す。）で表されるアリールホウ素酸、その誘導体またはアリールホウ素酸無水物と下記一般式（ＩＩＩ）
【化７】
0004412624.tif 000004
（Ａは水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルキル基を有してもよいフェニル基、炭素数２〜６のアルケニル基、炭素数２〜６のアルキニル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数１〜６のアルキルチオ基、シアノ基、ホルミル基、炭素数２〜７のアシル基、炭素数１〜６のアルキル基を有してもよいベンゾイル基、炭素数２〜７のアルコキシカルボニル基、炭素数１〜６のアルキル基を有してもよいフェノキシカルボニル基、炭素数１〜６のアルキル基を有してもよいアミノ基、炭素数１〜６のアルキル基を有してもよいアミド基、ニトロ基、炭素数１〜６のアルキル基または炭素数１〜６のアルキル基を有してもよいフェニル基を有するスルホニル基、炭素数１〜６のアルキル基または炭素数１〜６のアルキル基を有してもよいフェニル基を有するスルホン酸エステル基、フッ素或いは炭素数１〜６のフルオロアルキル基を示し、Ｄはフェニレン、ナフチレン、ピリジンジイル、キノリンジイル、ピリミジンジイル、トリアジンジイル、フランジイル、ベンゾフランジイル、チオフェンジイルまたはベンゾチオフェンジイルを示し、Ｘは塩素、臭素、沃素、メシラート基及びアレーンスルホネート基を示す。）で表される芳香族化合物を、塩基、及び芳香族炭化水素溶媒存在下で反応させるに際して、三級ホスフィンまたは三級ホスファイト、ニッケル塩及びアルコールを添加することを特徴とする下記一般式（ＩＶ）
【化８】
0004412624.tif 000005
（Ｒ、Ａ、及びＤは前記と同じ。）で表されるビフェニル誘導体の製造法を要旨とする。
【０００７】
【発明の実施形態】
以下、本発明の実施の形態を更に詳細に説明する。
【０００８】
本発明の方法において用いられる前記一般式（Ｉ）または（ＩＩ）で表されるアリールホウ素酸、その誘導体またはアリールホウ素酸無水物としては、フェニルホウ素酸；ｐ−メチルフェニルホウ素酸、ｍ−イソプロピルフェニルホウ素酸等のアルキル置換フェニルホウ素酸類；ｐ−イソプロペニルフェニルホウ素酸等のアルケニル置換フェニルホウ素酸類；ｐ−エチニルフェニルホウ素酸等のアルキニル置換フェニルホウ素酸類、ｐ−ビフェニルホウ素酸等のアリール置換ホウ素酸類；ｍ−メトキシフェニルホウ素酸、ｐ−ブトキシフェニルホウ素酸等のアルコキシ置換フェニルホウ素酸類、ｐ−メチルチオフェニルホウ素酸等のアルキルチオ置換フェニルホウ素酸類；シアノ置換フェニルホウ酸類；ホルミル置換フェニルホウ酸類；ｐ−アセチルフェニルホウ酸等のアシル置換フェニルホウ酸類；ｐ−ベンゾイルフェニルホウ酸等のアロイル置換フェニルホウ酸類；ｐ−メトキシカルボニルフェニルホウ酸等のアルコキシカルボニル置換フェニルホウ酸類；ｐ−メチルフェノキシカルボニルフェニルホウ酸等のフェノキシカルボニル置換フェニルホウ酸類；ｐ−アミノフェニルホウ酸、ｐ−ジメチルアミノフェニルホウ酸等のアミノ置換フェニルホウ酸類；ｐ−カルバモイルフェニルホウ酸、ｐ−モノメチルカルバモイルフェニルホウ酸等のアミド置換フェニルホウ酸類；ｐ−メチルスルホニルフェニルホウ酸、ｐ−トリルスルホニルフェニルホウ酸等のスルホニル置換フェニルホウ酸類；フロロフェニルホウ酸類；トリフロロメチルフェニルホウ酸等のフロロアルキル置換フェニルホウ酸類など、及びそれらのアルキルエステル、フェニルエステル等のエステル類、酸無水物などを挙げることが出来る。これらのアリールホウ素酸またはその誘導体類は２種以上を混合して用いても何ら差し支えない。
【０００９】
本発明の方法で用いられるもう一方の原料である前記一般式（ＩＩＩ）で表される芳香族化合物としては、例えばＤがフェニレン基の場合は、クロロベンゼン、ｐ−ブロモトルエン等のハロゲン化ベンゼン類；ｐ−クロロベンズアルデヒド等のハロゲン化ベンゼン類；ｍ−クロロアニソール、ｐ−クロロ（２−メトキシメチル）ベンゼン等のハロゲン化アニソール類；ｏ−クロロベンゾニトリル、ｐ−クロロベンゾニトリル等のハロゲン化ベンゾニトリル類；ｏ−クロロ安息香酸メチル、ｐ−ブロモ安息香酸メチル等のハロゲン化安息香酸エステル；ｐ−クロロアニリン、ｐ−クロロ−Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン等のハロゲン化アニリン類；ｐ−ヨード安息香酸アミド、ｐ−クロロ−Ｎ，Ｎ−ジメチル安息香酸アミド等のハロゲン化安息香酸アミド類；ｐ−クロロアセトフェノン、ｐ−ブロモベンゾフェノン等のハロゲン化アシルベンゼン類、あるいは２，４−ジメトキシ−５−アミノクロロベンゼン等の複数置換基を保有したハロゲン化ベンゼン類などを挙げることが出来る。
【００１０】
一般式（ＩＩＩ）においてＤはフェニレン、ナフチレン、ピリジンジイル、ピリミジンジイル、トリアジンジイル、キノリンジイル、フランジイル、ベンゾフランジイル、チオフェンジイルまたはベンゾチオフェンジイル基を示すが、それぞれに対応する芳香族化合物の構造式は以下に掲げる一般式（ＩＩＩ−１）〜（ＩＩＩ−１３）で示される。好ましいＸは塩素、臭素、沃素など、好ましいＡは水素、アルキル基、アシル基、アロイル基、アルコキシ基、シアノ基、アルデヒド基、カルボン酸エステル基、アミド基、アミノ基など前記のＤがフェニレン基の例示で示した通りである。
【００１１】
【化９】
0004412624.tif 000006
【００１２】
一般式（Ｉ）で表されるアリールホウ素酸またはその誘導体と前記一般式（ＩＩＩ）で表される芳香族化合物の割合は、経済性および反応性の観点から、通常前記一般式（ＩＩＩ）で表される芳香族化合物１モルに対しアリールホウ素酸またはその誘導体０．８〜１．５モル、好ましくは１〜１．３モルである。また、前記一般式（ＩＩ）で表されるアリールホウ素酸無水物と前記一般式（ＩＩＩ）で表される芳香族化合物の割合は、同様に、通常前記一般式（ＩＩＩ）で表される芳香族化合物１モルに対しアリールホウ素酸無水物０．３〜０．５モル、好ましくは０．３３〜０．４３モルである。
【００１３】
本発明に用いられる芳香族炭化水素溶媒としては、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、ｎ−プロピルベンゼン及びｉｓｏ−プロピルベンゼンなどが挙げられる。その使用量は特に限定されないが、通常は前記一般式（ＩＩＩ）で表される芳香族化合物１００重量部に対して、７００〜３０００重量部程度であることが操作性や経済性の観点から工業的には好ましい。
【００１４】
本発明の触媒として用いられるニッケル塩は、例えば、塩化ニッケル６水和物、無水塩化ニッケル、臭化ニッケル３水和物、無水臭化ニッケル、沃化ニッケル６水和物、無水沃化ニッケル等のハロゲン化ニッケル類、硝酸ニッケル６水和物、無水硝酸ニッケル等の硝酸ニッケル類、硫酸ニッケル７水和物、無水硫酸ニッケル、硫酸ニッケル等の硫酸ニッケル類、酢酸ニッケル４水和物、無水酢酸ニッケル、蓚酸ニッケル２水和物、無水蓚酸ニッケル等の有機カルボン酸ニッケル類、ニッケルアセチルアセトナト２水和物、無水ニッケルアセチルアセトナト等のニッケルアセチルアセトナト錯塩類、水酸化ニッケルなどである。その使用量は、経済性および反応性の観点から、前記一般式（ＩＩＩ）で表される芳香族化合物１モルに対して０．００５〜０．１モル、好ましくは０．０１〜０．０３モルである。
【００１５】
本発明で用いられる三級ホスフィンまたは三級ホスファイトは、例えば、トリフェニルホスフィン、トリトリルホスフィン、メチルジフェニルホスフィン、ジメチルフェニルホスフィン、トリメチルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、１，２−ビスジフェニルホスフィノエタン、１，３−ビスジフェニルホスフィノプロパン、１，４−ビスジフェニルホスフィノブタン、１，１’−ビスジフェニルホスフィノフェロセン、トリフェニルホスファイト、トリトリルホスファイト、トリメチルホスファイト、トリエチルホスファイト、トリブチルホスファイト、トリシクロヘキシルホスファイト等があげられる。その使用量は、経済性および反応性の観点から、前記ニッケル塩１モルに対して１〜６モル、好ましくは２〜４モルである。
【００１６】
本発明で用いられるアルコール類は、例えば、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉｓｏ−プロパノール、 ｎ−ブタノール、 ｉｓｏ−ブタノール、 ｓｅｃ−ブタノール、 ｔｅｒｔ−ブタノールなどが挙げられる。その使用量は、前記一般式（ＩＩＩ）で表される芳香族化合物１モルに対して０．５〜１０モルであることが好ましい。アルコールを添加しなかったり、前記の所定量より少ない場合は低収率且つ反応速度が遅く、逆に多すぎる場合は触媒の失活を来たし、共に満足のいく反応成績と反応速度は得られない。
【００１７】
本発明で用いる塩基としては、アルカリ金属の水酸化物またはその弱酸との塩、アルカリ土類金属の水酸化物またはその弱酸との塩及び四級アンモニウムの水酸化物またはその弱酸との塩などが用いられる。好ましくは、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸セシウム、リン酸三カリウム及びリン酸三カリウム２水和物などである。その使用量は、前記一般式（ＩＩ）で表される芳香族化合物１モルに対して１〜５モルであり、好ましくは１〜３モルである。
【００１８】
本発明の方法で最も重要なことは、前記一般式（Ｉ）または（ＩＩ）で表されるアリールホウ酸またはその誘導体と前記一般式（ＩＩＩ）で表される芳香族化合物を、塩基及び芳香族炭化水素溶媒存在下で反応させるに際して、三級ホスフィンまたは三級ホスファイト、ニッケル塩及びアルコールを添加することにある。適量のアルコールの存在により、反応系内で三級ホスフィンまたは三級ホスファイトとニッケル塩は円滑に高活性のニッケル錯体触媒を形成し目的反応を促進するほか、適量のアルコールは反応速度と反応収率の向上にも極めて効果的であり、これらの相乗効果により工業的に極めて簡便且つ効率的に目的のビフェニル誘導体を製造可能にするものである。
【００１９】
本発明の方法では、反応系に三級ホスフィンまたは三級ホスファイト、ニッケル塩及びアルコールを添加した後に反応することが重要であって、添加方法、添加順序等は特に限定されない。例えば、芳香族炭化水素溶媒中に三級ホスフィンまたは三級ホスファイトとニッケル塩のアルコール溶液を添加した後にアリールホウ素酸またはその誘導体、芳香族化合物及び塩基を仕込み反応する方法、芳香族炭化水素溶媒中にアリールホウ素酸またはその誘導体、芳香族化合物、塩基、三級ホスフィンまたは三級ホスファイト、ニッケル塩及びアルコールを順不同で添加した後に反応する方法など種々の仕込み方法が可能であるが、芳香族炭化水素中で先ず三級ホスフィンまたは三級ホスファイト、ニッケル塩及びアルコールからニッケル錯体を形成させ、次いでアリールホウ素酸類と芳香族化合物を塩基存在下でカップリング反応する二段反応法なども好ましく用いられる。
【００２０】
本発明の方法では、反応温度は５０〜１２０℃であり、好ましくは６０〜１００℃である。反応時間は反応温度、触媒量等により異なるが通常１〜１５時間であり、好ましくは２〜１０時間である。ニッケル錯体調製工程とカップリング反応工程に分けて反応を進める場合は、前者は反応温度５０〜８０℃、反応時間５〜６０分程度、後者は反応温度６０〜１２０℃、反応時間２〜１０時間程度であればよい。反応中に酸素による触媒の失活を防ぐ為に、反応は不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましい。例えば、窒素ガス、アルゴンガスなどである。また、反応圧力は特に制限されないが、通常は大気圧で行われる。
【００２１】
かくして、本発明の目的化合物である一般式（ＩＩＩ）で表されるビフェニル誘導体が得られるが、かかるビフェニル誘導体の純度を向上させるために精製操作を行っても良い。例えば、反応液に塩酸を添加して二層分離した後に分液し、水酸化ナトリウム水溶液、次亜塩素酸ナトリウム水溶液、飽和食塩水などで洗浄し、次いで濃縮、晶析、結晶化などの通常の精製操作を行ない高純度品を得る。また、シリカゲル、アルミナなどで処理を施してもよい。
【００２２】
【実施例】
以下、実施例に基づいて本発明の効果をさらに具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に何ら限定されるものではない。
【００２３】
実施例１
３００ｍｌの反応器にトリフェニルホスフィン０．４７ｇ（１．８ミリモル）、トルエン１１０ｍｌを仕込み、７０℃に昇温した。そこへ１．８ｍｌ（３０．６ミリモル）のエタノールに溶解させた塩化ニッケル６水和物０．２１ｇ（０．９０ミリモル）を加え、黄色のスラリーを得た。次に、室温まで冷却した後にｐ−メチルフェニルホウ素酸５．３１ｇ（３９．０ミリモル）、ｐ−クロロベンズアルデヒド４．２０ｇ（３０．０ミリモル）、リン酸三カリウムｎ水和物１５ｇ（６５．２ミリモル）を加え、室温にて３０分攪拌した。これを８０℃まで昇温して７時間反応を継続した。反応終了後、混合物を室温まで冷却し、水１００ｍｌを加え反応を停止させた。この中へ２％塩酸２０ｍｌを加えて分液した。得られた有機層をガスクロマトグラフィーにて分析したところ、４−ホルミル−４’−メチル−１，１’−ビフェニルの収率はｐ−クロロベンズアルデヒド基準で９０％であった。
【００２４】
実施例２
アルコールとしてエタノールをメタノールに代えたこと以外は実施例１と同様の操作を繰り返した。４−ホルミル−４’−メチル−１，１’−ビフェニルの収率はｐ−クロロベンズアルデヒド基準で８３％であった。
【００２５】
実施例３
実施例１と同様にフェニルホウ素酸とｐ−クロロベンゾニトリルの反応を行った。４−シアノ−１，１’−ビフェニルの収率はｐ−クロロベンゾニトリル基準で９２％であった。
【００２６】
実施例４
実施例１と同様にｐ−メチルフェニルホウ素酸と４−クロロアニソールの反応を行った。３−メトキシ−４’−メチル−１，１’−ビフェニルの収率は４−クロロアニソール基準で８７％であった。
【００２７】
比較例１
ニッケル塩をアルコール類に溶かさず、そのまま添加したこと以外は実施例１と同じ操作を繰り返した。４−ホルミル−４’−メチル−１，１’−ビフェニルの収率はｐ−クロロベンズアルデヒド基準で６２％であった。
【００２８】
比較例２
ニッケル塩をアルコール類に溶かさず、水に溶かしたものを添加したこと以外は実施例１と同じ操作を繰り返した。４−ホルミル−４’−メチル−１，１’−ビフェニルの収率はｐ−クロロベンズアルデヒド基準で２７％であった。
【００２９】
実施例５
実施例１と同様にｐ−メチルフェニルホウ素酸と３−クロロピリジンの反応を行った。ｐ−トリル−３−ピリジンの収率は３−クロロピリジン基準で７１％であった。
【００３０】
【発明の効果】
本発明の製造法によれば、安価な触媒原料であるニッケル塩と三級ホスフィンまたは三級ホスファイト及びアルコールを用いて錯体触媒の単離精製無しに直接、所謂ワンポット反応により高収率でビフェニル誘導体を経済的、簡便かつ工業的に有利に製造することができる。アルコール類の共存は高活性のニッケル錯体触媒形成工程のみならず後のカップリング反応工程にも極めて効果的に作用し、これらの相乗効果により単に製造工程の短縮のみならず、収率の向上、反応速度の向上による反応時間の短縮、反応再現性の向上による反応収率のバラツキ防止など反応成績を劇的に向上させる。