(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に、少なくとも活性層と、該活性層の上層および下層にそれぞれ配置された第１導電型のクラッド層および第２導電型のクラッド層を有する半導体積層体を形成する工程と、
上記半導体積層体の上層において、電流注入領域となる部分の一部に第１マスク層を形成する工程と、
上記半導体積層体の上層において、部分的に上記第１マスク層と重なるように、電流注入領域となる部分の残部に、下層となる上記半導体積層体に対する密着性を上記第１マスク層と異ならせて第２マスク層を形成する工程と、
上記第１および第２マスク層をマスクとして、上記第１マスク層側から上記第１マスク層の下層に入り込むサイドエッチングの程度と上記第２マスク層側から上記第２マスク層の下層に入り込むサイドエッチングの程度とを異ならせてエッチングを行い、上記半導体積層体の電流注入領域をリッジ形状に加工する工程と
を有する半導体レーザの製造方法。
【請求項２】
上記第１マスク層を形成する工程においては、第１レジスト膜をパターン形成し、第１の処理温度のベーキング処理を行って上記第１マスク層とし、
上記第２マスク層を形成する工程においては、第２レジスト膜をパターン形成し、上記第１の処理温度よりも低い第２の処理温度でベーキング処理を行って上記第２マスク層とする
請求項１に記載の半導体レーザの製造方法。
【請求項３】
上記第１レジスト膜をパターン形成し、ベーキング処理を行って第１マスク層とした後、上記第２マスク層を形成する工程の前に、上記第１マスク層の表層部を硬化処理する工程をさらに有する
請求項２に記載の半導体レーザの製造方法。
【請求項４】
上記基板として、（１００）面から〔１１０〕方向に傾斜したオフ基板を用いる
請求項１〜３のいずれかに記載の半導体レーザの製造方法。
【請求項５】
上記第１マスク層を形成する工程及び上記第２マスク層を形成する工程において、上記第１マスク層側から上記第１マスク層の下層に入り込むサイドエッチングの程度と上記第２マスク層側から上記第２マスク層の下層に入り込むサイドエッチングの程度との差を見積もって上記第１マスク層及び上記第２マスク層のパターン形成幅をそれぞれ決め、
上記半導体積層体の電流注入領域をリッジ形状に加工する工程において上記リッジの延伸方向に垂直な断面における該リッジの形状を左右対称となるように形成する
請求項４記載の半導体レーザの製造方法。
【請求項６】
上記半導体積層体を形成する工程においては、ＡｌＧａＩｎＰ系材料により形成する
請求項１〜５のいずれかに記載の半導体レーザの製造方法。
【請求項７】
上記半導体積層体の電流注入領域をリッジ形状に加工する工程に後に、上記リッジ形状部の側部に電流ブロック層を形成する工程をさらに有する
請求項１〜６のいずれかに記載の半導体レーザの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光ディスク装置、光磁気ディスクメモリ、レーザビームプリンタなどの光情報機器や光通信になど使用される半導体レーザの製造方法に係り、特に基板としてオフ基板を用いた半導体レーザの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、ＣＤ（コンパクトディスク）、ＤＶＤ（デジタル多用途ディスク）あるいはＭＤ（ミニディスク）などの光（磁気）ディスク装置における光学ピックアップ装置や、レーザビームプリンタ、光情報機器などには半導体レーザが内蔵されている。
【０００３】
上記の半導体レーザは、用途により異なる発振波長のレーザ光を用いられており、例えはＤＶＤの再生などには６５０ｎｍ帯の波長のレーザ光が用いられ、この６５０ｎｍ帯の半導体レーザとして、例えばＡｌＧａＩｎＰ系材料の半導体積層体からなる半導体レーザが広く用いられている。
【０００４】
図６は上記のＡｌＧａＩｎＰ系材料からなる半導体レーザの断面図である。
例えばＧａＡｓからなるｎ型基板１０上に、不図示のＧａＡｓからなるｎ型バッファ層やＩｎＧａＰからなるｎ型バッファ層が形成されており、その上層に、例えばＡｌＧａＩｎＰからなるｎ型クラッド層１１、活性層（発振波長６５０ｎｍの多重量子井戸構造）１２、例えばＡｌＧａＩｎＰからなるｐ型クラッド層１３、および、例えばＧａＡｓからなるｐ型キャップ層１４が形成されている。
電流注入ストライプにおいて、上記のｐ型キャップ層１４の表面からｐ型クラッド層１３の途中の深さまでリッジ状（凸状）ＲＤに加工されており、電流狭搾構造となるストライプが形成されている。
リッジＲＤの両側部には、例えばＧａＡｓからなるｎ型電流ブロック層１５が形成されている。
【０００５】
上記のｐ型キャップ層１４およびｎ型基板１０には、それぞれｐ電極２０およびｎ電極３０が接続して形成されている。
上記のｐ電極２０およびｎ電極３０に所定の電圧を印加することで、リッジストライプ領域における上記活性層の端面が共振器の端面となって、該共振器端面間に導波路が構成され、リッジストライプ領域における活性層１２から、例えば６５０ｎｍ帯の波長のレーザ光が出射される。
【０００６】
上記の構造の半導体レーザは、ＣＤやＤＶＤなど光ディスクシステムの光学ピックアップ装置などの光源として、あるいは、レーザビームプリンタなどの光情報機器や光通信になど使用される半導体レーザとして好ましく用いることができる。
【０００７】
上記のｎ型基板１０としては、（１００）面から〔１１０〕方向に２°以上１５°以下で傾斜したオフ基板が用いられることが多い。自然超格子による長波長化を防止するためである。
【０００８】
上記の半導体レーザの製造方法について説明する。
まず、図７（ａ）に示すように、例えばＧａＡｓからなり、（１００）面から〔１１０〕方向に２°以上１５°以下で傾斜したオフ基板であるｎ型基板１０上に、例えば有機金属気相エピタキシャル成長法（ＭＯＶＰＥ）などのエピタキシャル成長法により、必要に応じてＧａＡｓやＩｎＧａＰからなるｎ型バッファ層（不図示）を形成した後、例えばＡｌＧａＩｎＰからなるｎ型クラッド層１１、活性層（発振波長６５０ｎｍの多重量子井戸構造）１２、例えばＡｌＧａＩｎＰからなるｐ型クラッド層１３、例えばＧａＡｓからなるｐ型キャップ層１４を順に積層させる。
【０００９】
次に、図７（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィー工程により、電流注入ストライプ領域となる部分を保護するレジスト膜４０をｐ型キャップ層１４の上層にパターン形成し、ウェットエッチングを行い、ｐ型キャップ層１４の表面からｐ型クラッド層１３の途中の深さまでリッジ状（凸状）ＲＤに加工する。
【００１０】
次に、予めｐ型キャップ層１４上に形成した酸化シリコンのマスクパターン（不図示）を選択成長のマスクとする選択エピタキシャル成長などにより、例えばＧａＡｓからなるｎ型電流ブロック層１５を形成する。
次に、ｐ型キャップ層１４に接続するようにＴｉ／Ｐｔ／Ａｕなどのｐ型電極を形成し、一方、ｎ型基板１０に接続するようにＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕなどのｎ型電極を形成し、ペレタイズ工程を経て、図６に示すような半導体レーザとする。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記の従来の半導体レーザは、（１００）面から〔１１０〕方向に傾斜したオフ基板を用いた場合、図６に示すように、リッジの延伸方向に垂直な断面において、オフ基板の傾斜角によってリッジの形状が左右非対称となっており、このように左右非対称な形状によって、注入される電流の分布と屈折率導波による光の分布に差が生じ、キンクが出現する光出力、即ち、キンクレベルが低くなってしまう。
上記のオフ基板の傾斜角によってリッジの形状が左右非対称となってしまうのは、図７（ｂ）に示すように、オフ基板の被エッチング特性のために、レジスト膜によるマスク層の下層へ一方から入り込むサイドエッチングＳＥａと他方から入り込むサイドエッチングＳＥｂの程度が異なるためである。
従って、電流狭搾構造としてリッジストライプを有する半導体レーザの製造方法において、リッジの延伸方向に垂直な断面におけるリッジ形状を制御して製造できる方法が求められていた。
【００１２】
本発明は上記の事情に鑑みてなされたものであり、従って、本発明の目的は、オフ基板を用いた場合にもリッジの延伸方向に垂直な断面におけるリッジの形状を左右対称とできるなど、リッジ形状を制御して製造できる半導体レーザの製造方法を提供することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するため、本発明の半導体レーザの製造方法は、基板に、少なくとも活性層と、該活性層の上層および下層にそれぞれ配置された第１導電型のクラッド層および第２導電型のクラッド層を有する半導体積層体を形成する工程と、上記半導体積層体の上層において、電流注入領域の一部を保護するように第１マスク層を形成する工程と、上記半導体積層体の上層において、部分的に上記第１マスク層と重なるように、電流注入領域の残部を保護し、下層となる上記半導体積層体に対する保護特性を上記第１マスク層と異ならせて第２マスク層を形成する工程と、上記第１および第２マスク層をマスクとしてエッチングを行い、上記半導体積層の電流注入領域をリッジ形状に加工する工程とを有する。
【００１４】
上記の本発明の半導体レーザの製造方法は、好適には、上記第２マスク層を形成する工程においては、上記半導体積層体への密着性を変えることで、上記半導体積層体に対する保護特性を上記第１マスク層と異ならせて形成する。
【００１５】
上記の本発明の半導体レーザの製造方法は、好適には、上記第１マスク層を形成する工程においては、第１レジスト膜をパターン形成し、第１の処理温度のベーキング処理を行って上記第１マスク層とし、上記第２マスク層を形成する工程においては、第２レジスト膜をパターン形成し、上記第１の処理温度よりも低い第２の処理温度でベーキング処理を行って上記第２マスク層とする。
さらに好適には、上記第１レジスト膜をパターン形成し、ベーキング処理を行って第１マスク層とした後、上記第２マスク層を形成する工程の前に、上記第１マスク層の表層部を硬化処理する工程をさらに有する。
【００１６】
上記の本発明の半導体レーザの製造方法は、好適には、上記基板として、（１００）面から〔１１０〕方向に傾斜したオフ基板を用い、さらに好適には、上記半導体積層の電流注入領域をリッジ形状に加工する工程においては、上記リッジの延伸方向に垂直な断面における該リッジの形状を左右対称となるように形成する。
【００１７】
上記の本発明の半導体レーザの製造方法は、好適には、上記半導体積層体を形成する工程においては、ＡｌＧａＩｎＰ系材料により形成する。
【００１８】
上記の本発明の半導体レーザの製造方法は、好適には、上記半導体積層の電流注入領域をリッジ形状に加工する工程に後に、上記リッジ形状部の側部に電流ブロック層を形成する工程をさらに有する。
【００１９】
上記の本発明の半導体レーザの製造方法は、基板に、少なくとも活性層と、該活性層の上層および下層にそれぞれ配置された第１導電型のクラッド層および第２導電型のクラッド層を有し、ＡｌＧａＩｎＰ系材料などからなる半導体積層体を形成する。
次に、半導体積層体の上層において、電流注入領域の一部を保護するように第１マスク層を形成し、次に、第１マスク層の隣接部に、電流注入領域の残部を保護し、下層となる上記半導体積層体に対する保護特性を第１マスク層と異ならせて第２マスク層を形成する。
ここで、例えば、第１レジスト膜をパターン形成し、第１の処理温度でベーキング処理を行って第１マスク層とし、得らえた第１マスク層の表層部を硬化処理した後、次に、第２レジスト膜をパターン形成し、第１の処理温度よりも低い第２の処理温度でベーキング処理を行って上記第２マスク層とするなど、第２マスク層の半導体積層体への密着性を上記第１マスク層と変えることで、半導体積層体に対する保護特性を上記第１マスク層と異ならせて形成する。
次に、第１および第２マスク層をマスクとしてエッチングを行い、半導体積層の電流注入領域をリッジ形状に加工する。
この後の工程としては、例えば、リッジ形状部の側部に電流ブロック層などを形成する。
【００２０】
上記の本発明の半導体レーザの製造方法によれば、電流狭搾構造としてリッジストライプを有する半導体レーザの製造方法において、リッジストライプ形成マスクとなる第１マスク層と第２マスク層において、第２マスク層の半導体積層体への密着性を第１マスク層と変えることで保護特性を変えており、これによりリッジ形状を制御して製造できる。
例えば、基板として（１００）面から〔１１０〕方向に傾斜したオフ基板を用いた場合にも、リッジの延伸方向に垂直な断面における該リッジの形状を左右対称となるように形成できる。リッジの形状を左右対称とすることで、注入される電流の分布と屈折率導波による光の分布を均一にして導波を安定化させることができ、キンクが出現する光出力、即ち、キンクレベルの低下の防止や、長期信頼性の向上が可能となる。
また、基板として（１００）面から〔１１０〕方向に傾斜したオフ基板を用いた場合に、リッジの形状を従来の方法により形成される非対称性と逆の方向の非対称性を持つ形状などに加工することもでき、あるいは傾斜していない基板を用いた場合にも非対称なリッジを加工することができ、例えば自励発振レーザなどの設計時においてリッジ形状を制御することが必要な場合に有効である。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の半導体レーザおよびその製造方法の実施の形態について、図面を参照して説明する。
【００２２】
第１実施形態
図１は、本実施形態に係る半導体レーザの断面図である。
例えばＧａＡｓからなるｎ型基板１０上に、不図示のＧａＡｓからなるｎ型バッファ層やＩｎＧａＰからなるｎ型バッファ層が形成されており、その上層に、例えばＡｌＧａＩｎＰからなるｎ型クラッド層１１、活性層（発振波長６５０ｎｍの多重量子井戸構造）１２、例えばＡｌＧａＩｎＰからなるｐ型クラッド層１３、および、例えばＧａＡｓからなるｐ型キャップ層１４が形成されている。
電流注入ストライプにおいて、上記のｐ型キャップ層１４の表面からｐ型クラッド層１３の途中の深さまでリッジ状（凸状）ＲＤに加工されており、電流狭搾構造となるストライプが形成されている。
リッジＲＤの両側部には、例えばＧａＡｓからなるｎ型電流ブロック層１５が形成されている。
【００２３】
上記のｐ型キャップ層１４およびｎ型基板１０には、それぞれｐ電極２０およびｎ電極３０が接続して形成されている。
上記のｐ電極２０およびｎ電極３０に所定の電圧を印加することで、リッジストライプ領域における上記活性層の端面が共振器の端面となって、該共振器端面間に導波路が構成され、リッジストライプ領域における活性層１２から、例えば６５０ｎｍ帯の波長のレーザ光が出射される。
【００２４】
上記の構造の半導体レーザは、ＣＤやＤＶＤなど光ディスクシステムの光学ピックアップ装置などの光源として、あるいは、レーザビームプリンタなどの光情報機器や光通信になど使用される半導体レーザとして好ましく用いることができる。
【００２５】
上記のｎ型基板１０としては、自然超格子による長波長化を防止するため、例えば（１００）面から〔１１０〕方向に２°以上１５°以下で傾斜したオフ基板が用いられる。
【００２６】
本実施形態に係る半導体レーザは、上記のようにオフ基板を用いていても、リッジの延伸方向に垂直な断面における該リッジの形状が左右対称となっている。
従って、自然超格子による長波長化を防止しながら、注入される電流の分布と屈折率導波による光の分布が均一化されて導波が安定化され、キンクが出現する光出力、即ち、キンクレベルの低下が防止され、長期信頼性を向上した半導体レーザである。
【００２７】
上記の半導体レーザの製造方法について説明する。
まず、図２（ａ）に示すように、例えばＧａＡｓからなり、（１００）面から〔１１０〕方向に２°以上１５°以下で傾斜したオフ基板であるｎ型基板１０上に、例えば有機金属気相エピタキシャル成長法（ＭＯＶＰＥ）などのエピタキシャル成長法により、必要に応じてＧａＡｓやＩｎＧａＰからなるｎ型バッファ層（不図示）を形成した後、例えばＡｌＧａＩｎＰからなるｎ型クラッド層１１、活性層（発振波長６５０ｎｍの多重量子井戸構造）１２、例えばＡｌＧａＩｎＰからなるｐ型クラッド層１３、例えばＧａＡｓからなるｐ型キャップ層１４を順に積層させる。
【００２８】
次に、図２（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィー工程により、電流注入ストライプ領域となる部分の一部を保護する第１レジスト膜４０をｐ型キャップ層１４の上層にパターン形成する。
ここで、上記の第１レジスト膜４０としては、例えば最終的に形成する電流注入ストライプ領域の幅が３μｍである場合、２．５μｍ幅のレジスト膜をパターン形成し、必要なストライプ幅よりも細くなるように形成する。
次に、例えばベーキング炉にて１２０℃の温度で３０分間の熱処理を施し、第１レジスト膜４０の半導体積層体（ｐ型キャップ層１４）への密着性を高める。
【００２９】
次に、図２（ｂ）に示すように、例えばＣＦ4 などのガスを導入したプラズマアッシングなどにより、第１レジスト膜４０の表層部４１を硬化処理し、次工程での現像処理などで溶出しないようにする。
【００３０】
次に、図３（ｃ）に示すように、フォトリソグラフィー工程により、部分的に第１レジスト膜４０と重なるように、電流注入ストライプ領域の残部を保護する第２レジスト膜４２をパターン形成する。
ここで、上記の第２レジスト膜４２としては、例えば第１レジスト膜により電流注入ストライプ領域の幅３μｍの内の２．５μｍ分を保護する場合には、第２レジスト膜で残りの０．５μｍの幅の部分を保護するように、第１レジスト膜４０と重なるようにして形成する。
次に、例えばベーキング炉にて９０℃の温度で３０分間の熱処理を施し、第２レジスト膜４２の半導体積層体（ｐ型キャップ層１４）への密着性を高める。このときのベーキング処理温度を第１レジスト膜４０のベーキング処理温度（１２０ド）より低く設定することで、第２レジスト膜４２の半導体積層体（ｐ型キャップ層１４）への密着力を第１レジスト膜４０よりも低く調整し、第１レジスト膜４０と第２レジスト膜４２とで下層となる上記半導体積層体に対する保護特性を異ならせて形成する。
【００３１】
次に、図３（ｄ）に示すように、第１レジスト膜４０および第２レジスト膜４２をマスクとしてウェットエッチングを行い、ｐ型キャップ層１４の表面からｐ型クラッド層１３の途中の深さまでリッジ状（凸状）ＲＤに加工する。
ここで、第１レジスト膜４０と第２レジスト膜４２では、上記のように半導体積層体（ｐ型キャップ層１４）への密着性が異なっていることから、第１レジスト膜４０側から第１レジスト膜４０の下層へ入り込むサイドエッチングＳＥａと第２レジスト膜４２側から第２レジスト膜４２の下層へ入り込むサイドエッチングＳＥｂの程度が異なっており、このサイドエッチングの程度の差と、オフ基板の被エッチング特性とが相殺されて、リッジの延伸方向に垂直な断面における該リッジの形状が左右対称となるように加工される。
【００３２】
上記の第１レジスト膜４０と第２レジスト膜４２の形成工程においては、次工程のエッチング処理において、レジスト膜によるマスク層の下層へのサイドエッチングが生じるため、その分を見積もってパターン形成する幅を決定する必要がある。さらに、第１レジスト膜４０と第２レジスト膜４２では、上記のように半導体積層体（ｐ型キャップ層１４）への密着性が異なっており、第１レジスト膜４０側からと第２レジスト膜４２側からのサイドエッチングの量が異なるため、その差を見積もって第１レジスト膜４０と第２レジスト膜４２のパターン形成幅を決める必要がある。
【００３３】
この後の工程としては、例えば、リッジ形状部の側部に電流ブロック層１５などを形成し、次に、ｐ型キャップ層１４に接続するようにＴｉ／Ｐｔ／Ａｕなどのｐ型電極を形成し、一方、ｎ型基板１０に接続するようにＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕなどのｎ型電極を形成し、ペレタイズ工程を経て、図１に示すような半導体レーザとする。
【００３４】
上記の本実施形態の半導体レーザの製造方法によれば、基板として（１００）面から〔１１０〕方向に傾斜したオフ基板を用いた場合にも、リッジの延伸方向に垂直な断面における該リッジの形状を左右対称となるように形成できる。リッジの形状を左右対称とすることで、注入される電流の分布と屈折率導波による光の分布を均一にして導波を安定化させることができ、キンクが出現する光出力、即ち、キンクレベルの低下の防止や、長期信頼性の向上が可能となる。
上記のように、本実施形態の半導体レーザの製造方法により、電流狭搾構造としてリッジストライプを有する半導体レーザの製造方法において、リッジ形状を制御して製造できる。
【００３５】
第２実施形態
図４は、本実施形態に係る半導体レーザの断面図である。
実質的に第１実施形態の半導体レーザと同様であるが、第１実施形態と同様にｎ型基板１０として、例えば（１００）面から〔１１０〕方向に２°以上１５°以下で傾斜したオフ基板が用いられており、また、電流狭搾ストライプとなるリッジＲＤの形状が、リッジの延伸方向に垂直な断面において、従来の方法により形成される非対称性と逆の方向の非対称性を持つ形状となっている。
【００３６】
上記の本実施形態の半導体レーザは、リッジ形状が制御されて加工されており、例えばリッジ形状を細かく制御する必要がある自励発振レーザなどに好ましく適用することができる。
【００３７】
上記の半導体レーザの製造方法について説明する。
実質的に第１実施形態と同様に形成することができるが、図５に示すように、第１レジスト膜４０側からのサイドエッチングＳＥａと第２レジスト膜４２側からのサイドエッチングＳＥｂの量などを調整し、第１レジスト膜４０と第２レジスト膜４２をマスクとするウェットエッチング処理を制御して行って、電流狭搾ストライプとなるリッジＲＤの形状がリッジの延伸方向に垂直な断面において、従来の方法により形成される非対称性と逆の方向の非対称性を持つ形状となるように加工する。
その他の工程は、第１実施形態と同様にして行うことができる。
【００３８】
上記の本実施形態の半導体レーザの製造方法によれば、リッジ形状を制御して加工することができ、例えばリッジ形状を細かく制御する必要がある自励発振レーザの製造方法に好ましく適用することができる。
【００３９】
以上、本発明を２形態の実施形態により説明したが、本発明はこれらの実施形態に何ら限定されるものではない。
例えば、第２実施形態において、基板として傾斜していない基板を用いてもよい。傾斜していない基板の場合、通常のリッジ加工ではリッジの延伸方向に対して垂直な断面において非対称とはならないが、第２実施形態の製造方法を適用することでリッジの延伸方向に対して垂直な断面において非対称なリッジ形状を得ることができ、リッジ形状を制御して製造することができる。
また、上記半導体レーザを構成する半導体材料や金属材料などは、ＡｌＧａＩｎＰ系材料以外の半導体材料系などを適宜選択して用いることができる。
また、同一基板上にモノリシックに複数個の半導体レーザが搭載される多波長レーザに適用することも可能であり、例えば、７８０ｎｍ帯のレーザ光を出射する半導体レーザと６５０ｎｍ帯のレーザ光を出射する半導体レーザともモノリシックに搭載する２波長レーザにおいて、６５０ｎｍ帯の半導体レーザ部分の製造方法に上記の実施形態を適用することができる。
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更を行うことが可能である。
【００４０】
【発明の効果】
上記のように、本発明の半導体レーザの製造方法によれば、電流狭搾構造としてリッジストライプを有する半導体レーザの製造方法において、リッジストライプ形成マスクとなる第１マスク層と第２マスク層において、第２マスク層の半導体積層体への密着性を第１マスク層と変えることで保護特性を変えており、これによりリッジ形状を制御して製造できる。
例えば、基板として（１００）面から〔１１０〕方向に傾斜したオフ基板を用いた場合にも、リッジの延伸方向に垂直な断面における該リッジの形状を左右対称となるように形成できる。リッジの形状を左右対称とすることで、注入される電流の分布と屈折率導波による光の分布を均一にして導波を安定化させることができ、キンクが出現する光出力、即ち、キンクレベルの低下の防止や、長期信頼性の向上が可能となる。
また、基板として（１００）面から〔１１０〕方向に傾斜したオフ基板を用いた場合に、リッジの形状を従来の方法により形成される非対称性と逆の方向の非対称性を持つ形状などに加工することもでき、あるいは傾斜していない基板を用いた場合にも非対称なリッジを加工することができ、例えば自励発振レーザなどの設計時においてリッジ形状を制御することが必要な場合に有効である。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は第１実施形態に係る半導体レーザの断面図である。
【図２】図２は第１実施形態に係る半導体レーザの製造方法の製造工程を示す断面図であり、（ａ）は第１レジスト膜の形成工程まで、（ｂ）は第１レジスト膜の表層部の硬化処理工程までを示す。
【図３】図３は図２の続きの工程を示す断面図であり、（ｃ）は第２レジスト膜の形成工程まで、（ｄ）はリッジ形状形成のエッチング工程までを示す。
【図４】図４は第２実施形態に係る半導体レーザの断面図である。
【図５】図５は第２実施形態に係る半導体レーザの製造方法の製造工程を示す断面図であり、リッジ形状形成のエッチング工程までを示す。
【図６】図６は従来例に係る半導体レーザの断面図である。
【図７】図７は従来例に係る半導体レーザの製造方法の製造工程を示す断面図であり、（ａ）はレジスト膜の形成工程まで、（ｂ）はリッジ形状形成のエッチング工程までを示す。
【符号の説明】
１０…ｎ型基板、１１…ｎ型クラッド層、１２…活性層、１３…ｐ型クラッド層、１４…ｐ型キャップ層、１５…ｎ型電流ブロック層、２０…ｐ電極、３０…ｎ電極、４０…（第１）レジスト膜、４１…硬化された表層部、４２…第２レジスト膜、ＲＤ…リッジ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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