(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
特定の粒子の存在を検出して検知粒子の量を示す信号を与える粒子センサーであって、以下の構成を有する：
検知される空気のような媒体に含まれる粒子量に比例する出力電圧を発生する検知器、
上記検知器からの出力電圧を調整して調整された出力電圧を与えるゲインコントローラ、このゲインコントローラは調整出力電圧を変化させる可変抵抗値を与えるためのゲイン抵抗ネットワークを備える、
バックグランド電圧を示す調節可能なオフセット電圧を与えるオフセット電圧調節器、このオフセット電圧は上記の調整された出力電圧と組み合わされて検知出力を与えるもので、この検知出力は煙濃度と検知出力との間に確立された所定の関係（規定）を満足する、このオフセット電圧調整器にはオフセット電圧を調整する可変抵抗値を与えるためのオフセット抵抗ネットワークが備えられる、
ゲイン抵抗ネットワークとオフセット抵抗ネットワークとの両方は、複数のディジタル制御可能なスイッチと複数の抵抗とで構成され、適宜組み合わせのスイッチを導通させることで変化する可変抵抗値を与える、
上記検知器は更に、入力端を備えたメモリインターフェースを備え、このメモリインターフェースは、入力端を介して第１の不揮発性メモリへマイクロコンピュータを介して接続するか、入力端を介して第２の不揮発性メモリへ直接接続するかが選択可能に構成されており、各メモリはどのスイッチが導通するかを指定する指令データを保持し、マイクロコンピュータは関連するメモリの指令データを書き込む機能を有する、
上記メモリインターフェースは、メモリコントローラとセレクター４２とを有し、
前記メモリコントローラは、第１クロック信号と読み出し信号とを出力するように構成されており、
前記セレクタは、メモリコントローラからの上記第１クロック信号と、上記マイクロコンピュータが出力する第２のクロック信号とを受けるように構成されており、第１クロック信号または第２クロック信号を選択するように構成されており、
入力端を介して第２の不揮発性メモリへ直接接続した場合、メモリコントローラは、第１クロック信号と読み出し信号を送り出して第１クロック信号に基づいて指令データを第２メモリから読み出すと共にこの指令データをゲイン抵抗ネットワークとオフセット抵抗ネットワークとの少なくとも一方へ転送するように構成されており、
入力端を介して第１の不揮発性メモリへマイクロコンピュータを介して接続した場合、メモリインターフェースは、マイクロコンピュータが出力する第２クロック信号によって第１メモリから読み出した指令データをゲイン抵抗ネットワークとオフセット抵抗ネットワークとの少なくとも一方へ転送するように構成されていることを特徴とする粒子センサー。
【請求項２】
請求項１に記載の粒子センサーにおいて、
上記セレクターはメモリコントローラに接続され、メモリインターフェースへ第２メモリーを接続するようにセレクターを切り替えた時のみメモリーコントローラを動作可能とすることを特徴とする粒子センサー。
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、煙粒子等を検出する粒子センサー、特に出力調整能を備えた粒子センサーに関するものである。
【０００１】
背景技術
ある環境下での煙粒子のような粒子の量を検出して粒子濃度の臨界レベルを決定するための粒子センサーがこの分野において広く用いられている。この粒子センサーは、通常、検出する空気にて運ばれる粒子の量に比例する出力電圧を発生する光検出器を使用するように設計されている。光エミッタがこの光検出器と共に用いられて検出室内に光を投射することで、検出室内に存在する粒子による散乱光を作り出す。この散乱光が光検出器によって集光され、検出内に存在する粒子量を示す出力電圧を与える。次いで、この出力電圧のゲインは、出力電圧と粒子濃度との間に決められた所定の関係や規定を満足させるように処理される。更に、バックグランドノイズ、すなわち、光センサーで受光する迷光に起因するバックグランド電圧をキャンセルするために、このバックグランド電圧を反映する適当なオフセット電圧が出力電圧に組み合わされて、本当の粒子量、すなわち粒子濃度を示すセンサー出力を与える。このゲイン制御とオフセット電圧調整は夫々機械式の可変抵抗器で実現されている。センサーを構成する多くの部品は、コンパクト構造である一つの集積回路に組み付けることができるものの、機械式の可変抵抗器はそもそも大型であり集積回路に外付けしなければならず、センサーの全体構成を小型化するのに障害となっている。また、機械式の可変抵抗器が集積回路に対して外付けであるため、集積回路に対するノイズ源となる可能性があり、検出器の信頼性を低下させている。更に、機械式の可変抵抗器は、遠隔制御による抵抗値の調整を行う場合、可変抵抗器の調節ダイアルについての視覚情報を処理して現在の抵抗値を推定して調節ダイアルを動作させるといった複雑な手段が必要となるため、遠隔制御に適していない。
【０００２】
発明の開示
本発明は上述の問題に鑑みてなされたものであり、小型で信頼性があり調整が容易な粒子センサーを提供するものである。本発明に係る粒子センサーは、空気のような媒体にて運ばれる粒子の量に比例する出力電圧を与える検出器と、検出器からの出力電圧を調整して調整された出力電圧を与えるゲインコントローラと、バックグランド電圧、すなわちノイズを示す調節可能なオフセット電圧を与えるオフセント電圧調節器とで構成される。オフセット電圧は調節された出力電圧と組み合わされてセンサー検知出力を与え、この検知出力が粒子濃度と検知出力との間に確立された所定の関係を満足する。ゲインコントローラには調整出力電圧を変化させる可変抵抗値を与えるためのゲイン抵抗ネットワークが設けられ、オフセット電圧調整器にはオフセット電圧を調整する可変抵抗値を与えるためのオフセット抵抗ネットワークが設けられる。ゲイン抵抗ネットワークとオフセット抵抗ネットワークとの両方は、複数のディジタル制御可能なスイッチと複数の抵抗とで構成され、適宜組み合わせのスイッチを導通させることで変化する可変抵抗値を与える。また、このセンサーには、一つ又はそれ以上のどのスイッチが導通するかを指定する指令データを保持するメモリーモジュールと、この指令データをゲイン抵抗ネットワークとオフセット抵抗ネットワークとの少なくとも一方へ、メモリ手段からの指令データを転送するメモリーインターフェースとを備える。このような構成のため、ゲイン抵抗ネットワークとオフセット抵抗ネットワークが、ゲインコントローラやオフセット電圧調整器と共に単一の小型集積構造に組み付けることができる。このため、センサー全体が小型化でき、少ない部品点数で組み立てることができて製造コストを低減することができる。また、集積回路に抵抗ネットワークを含めることにより、外部ノイズの影響を少なくしてセンサーを信頼性の高いものとすることができる。更に、抵抗ネットワークがディジタル的に調整可能なネットワークとして実現できることから、指令データを変化させることだけで抵抗値の調整を簡単に行うことができる。
【０００３】
本発明にて使用されるメモリーモジュールには、指令データを保持するＥＥＰＲＯＭのような不揮発性のメモリーからなる通常のタイプのものと、指令データを保持する同種の不揮発性メモリーに加えて指令データを書き込むことができるマイクロコンピュータとで構成されたインテリジェントタイプのものがある。粒子センサーをこれら２種のタイプのものに適合させるために、メモリーインターフェイスはメモリーコントローラとセレクターとを備えるように設計される。このメモリーコントローラは第１のクロック信号と読み出し信号を送り出して第１クロック信号に基づいて指令データを不揮発性メモリから読み出すと共にこの指令データを抵抗ネットワークへ転送する。セレクターはその入力でメモリコントローラからの第１クロック信号と、第２のクロック信号を受けて、第１クロック信号と第２クロック信号の一方を選択する。第２クロック信号はメモリーコントローラ以外、すなわち、マイクロコンピュータから送られて、マイクロコンピュータの制御の下で不揮発性メモリから指令データを読み出して、指令データを両抵抗ネットワークへ転送する。従って、セレクターでクロック信号を選択するだけで２つのメモリーモジュールのいずれかで動作させることができるものであり、これが本発明の他の目的である。
【０００４】
これに関連して、メモリーインターフェイスにはシフトレジスタを設けても良く、不揮発性メモリーからの指令データがマイクロコンピュータを介して又は不揮発性メモリーから直接このシフトレジスタに送られて、これが抵抗値ネットワークに転送される。シフトレジスタはセレクタに接続されて、第１と第２のクロック信号の内の選択された信号を受けると共に、データチャンネルを介して指令データを受けるように接続される。通常のメモリーモジュールを使用する場合、データチャンネルはメモリから直接指令データを受けるように接続される。インテリジェントタイプのメモリーモジュールの場合は、データチャンネルはマイクロコンピュータに接続されてこれを介して指令データを受け取る。指令データは、第１と第２のクロック信号の内の選択された信号に基づいてシフトレジスタに転送され、その後、両抵抗ネットワークへ送られる。このシフトレジスタを使用することにより、指令データの有効性がチェックできてセンサー出力の信頼性を高めることができる。
【０００５】
インテリジェントタイプのメモリーモジュールを使用する場合、指令データのデータ構造を以下に示す４つの個別データで構成することが望ましい。
（１）ゲイン値データ、このデータはゲイン抵抗ネットワークに含まれるスイッチの一つ一つの導通状態を夫々が指定する複数のビットを有する、
（２）反転ゲイン値データ、この反転デーはゲイン値データのビットの反転ビットを有する、
（３）オフセット値データ、このデータはオフセット抵抗ネットワークに含まれるスイッチの一つ一つの導通状態を夫々が指定する複数のビットを有する、
（４）反転オフセット値データ、この反転データはオフセット値データのビットの反転ビットを有する。
【０００６】
この場合、メモリーインターフェースにはデータ確証ユニットが設けられ、このユニットがシフトレジスタから指令データを取りだし、ゲイン値データのビットを対応する反転データと比較し、オフセット値データを対応する反転データと比較してゲイン値データとオフセット値データを確証し、いずれかのデータが確証できない時はエラー信号を発生する。エラー信号が出された場合は、マイクロコンピュータがメモリーからシフトレジスタへ再度指令データを転送する。このため、指令データに過渡的なノイズの影響によりエラーが生じた場合でも、有効な指令データがこのエラーデータに取って代わり、信頼できるセンサー出力を維持できるものであり、これが本発明の更に他の目的である。
【０００７】
通常のメモリーモジュールが使用される場合、メモリーコントローラは不揮発性メモリーから周期的に指令データを取り出して両抵抗ネットワークに転送することで、有効な指令データを転送し続けることができものであり、これによって、過渡的なノイズにより引き起こされる可能性がある一時的なエラーを避けてセンサー出力の信頼性を維持できる。
【０００８】
更に、メモリーインターフェースには、書き込みインターフェースを設けて、このインターフェースにおいて外部の書き込み装置からの書き込み信号を受けて外部書き込み装置によってメモリーモジュールにおける指令データを書き込み可能として抵抗値の調整を容易とすることができる。
【０００９】
本発明でのこれら及び更なる目的や利点は添付する図面を参照する以下の実施形態から明白になる。
【００１０】
発明を実施するための形態
本発明に基づく粒子センサーを詳細に説明する。この粒子センサーは煙粒子や塵埃などのその他の微小粒子の濃度を検出するために設計され、火災の存在や塵埃汚染の判定のために使用される。図１に示されるように、粒子センサーは、粒子の存在に起因する散乱光を受光するために用いられるフォトダイオードのようなフォトセンサー１を備える。すなわち、フォトセンサー１は、煙粒子を含む可能性がある外部空気を捕捉する通常の煙室（図示せず）と組み合わされて使用される。この煙室には内部に光ビームを照射するダイオードのような通常の発光素子（図示せず）が備えられる。この煙室内に粒子が存在すると、これに対応する量の散乱光がフォトセンサー１で受光され、煙室内の粒子量に比例した出力電流が発生する。この出力電流は電流―電圧変換器１１にて電圧に変換され、次いでアンプ１２で増幅されて、検出された粒子量を示す出力電圧が得られる。この意味において、フォトセンサー１、変換器１１、アンプ１２が共同して、粒子濃度としての出力電圧を出力する検知器を規定する。変換器１１とアンプ１２は通常の構成であり、ゲインコントローラ２０、オフセット電圧調整器３０及びメモリーインターフェイス４０と共に、単一の集積回路モジュール１０に組み込まれる。
【００１１】
ゲインコントローラ２０は、出力電圧のレベルを上げるために設けられており、図６に示すように、オペアンプ２１と抵抗ネットワーク２４とで構成される。アンプ２１の反転入力（−）は抵抗ネットワーク２４を介して出力電圧Ｖｉｎが入力されるように接続され、非反転入力（＋）にはオフセット電圧調整器３０からの調整可能なオフセット電圧Ｖｏｆｆが入力されて、抵抗ネットワーク２４の抵抗値によって決まる増大センサー出力Ｖｏｕｔを与える。抵抗ネットワーク２４は、複数の抵抗Ｒ、２Ｒ、Ｒ１及び複数のスイッチＳＷ０〜ＳＷ７からなるラダー抵抗である。各スイッチは、外部メモリー７１、８１から送られる指令データに含まれるディジタル信号“１”や“０”によって動作する。従って、ディジタル信号により任意のスイッチの組が導通又は非導通となってネットワーク全体の抵抗値を変化させて、アンプ２１の増幅率、すなわちゲインコントローラ２０のゲインを制御する。
【００１２】
オフセット電圧調整器３０は、粒子の存在に起因しない迷光等にて生じるバックグランドノイズを反映するバックグランド電圧を示す調整可能なオフセット電圧Ｖｏｆｆを与えるために設けられる。オフセット電圧Ｖｏｆｆはゲインコントローラ２０に送られて、ここで処理されることで、センサー出力と粒子濃度との間の所定や規定の関係を満足するセンサー出力を与え、これにより、煙濃度レベルに基づく火災判定に使用されるための標準の計測手法が与えられる。一つの例は、図２に示されるように、本発明の粒子センサーＳを火災判定器１０１、マイクロプロセッサ１０２，警報出力１０３，及び表示ランプ１０４と組み合わせて火災警報装置を形成するものである。火災判定器１０１には臨界レベルが設けられ、このレベルにセンサーＳからのセンサー出力Ｖｏｕｔが比較されて火災発生の判定がなされる。火災発生の判定がなされると、マイクロプロセッサ１０２が警報出力１０３を作動させて火災警報を監視ステーションへ送り出す。マイクロプロセッサ１０２はまた、粒子センサーＳの動作を制御して定期的に煙濃度をチェックしてこのデータを監視ステーションへ送り出す。図７に示すように、オフセット電圧調整器は、オペアンプ３１と抵抗ネットワーク３４とで構成される。アンプ３１の反転入力（−）は抵抗ネットワーク３４を介して基準電圧Ｖｒｅｆを受けるように接続され、非反転入力（＋）はグランドＧＮＤに接続されて、抵抗ネットワーク３４の抵抗値にて決定される調整可能なオフセット電圧Ｖｏｆｆを与える。抵抗ネットワーク３４は、複数の抵抗Ｒ、２Ｒ、Ｒ１及び複数のスイッチＳＷ０〜ＳＷ７からなるラダー抵抗である。各スイッチは、外部メモリー７１、８１から送られる指令データに含まれるディジタル信号“１”や“０”によって動作する。従って、ディジタル信号により任意のスイッチの組が導通又は非導通となってネットワーク全体の抵抗値を変化させることで、バックグランドノイズを反映させるようにオフセット電圧を調整して、実際に検知している粒子濃度を真に示す信頼性の高いセンサー出力を与える。
【００１３】
本発明においては、集積回路モジュール１０に対して選択的に接続される２種類のメモリーモジュールが提供される。一つのタイプは、インテリジェントメモリーモジュール７０であり、図１と図３に示すように、ネットワーク２４、３４の抵抗値の調整のための指令データを保持するＥＥＰＲＯＭのような不揮発性メモリ７１と、指令データの読み書きが可能なマイクロコンピュータ７２とで構成される。他のタイプは、通常のメモリーモジュールであり、図５に示すように、同種の不揮発性メモリー８１だけで構成される。これらのメモリーモジュールの選択的使用が可能となるように、メモリーインターフェイス４０は、図８に示すように、シフトレジスタ５０に加えて、２機能入力端４１，セレクタ４２，及びメモリーコントローラ４４とを備えるように設計されている。入力端４１はメモリー８１への接続用の３つの制御端子ＥＶ１、ＥＶ２、ＥＶ３と、メモリー８１とマイクロコンピュータ７２との一方への接続用の共通データ端子ＤＡＴＡと、マイクロコンピュータ７２への接続用のクロック信号入力端子ＳＣＬＫとで構成される。すなわち、４つの端子ＥＶ１、ＥＶ２、ＥＶ３、ＤＡＴＡは通常のメモリーモジュール８１への接続用に使用され、２つの端子ＤＡＴＡとＳＣＬＫはインテリジェントメモリーモジュール７０への接続用に使用される。セレクタ４２は２つの入力を有し、一つはメモリーコントローラ４４からの第１クロック信号ＳＣＬＫ１を受け取り、もう一つは端子ＳＣＬＫに接続されて第２クロック信号ＳＣＬＫ２を受け取るもので、第２クロック信号ＳＣＬＫ２はマイクロコンピュータ７２において対応するメモリー７１から指令データを転送するために使用される。セレクタ４２の出力はシフトレジスタ５０に接続されて選択したクロック信号ＣＬＫ、すなわち、第１及び第２クロック信号ＳＣＬＫ１とＳＣＬＫ２の内の一つを与える。この目的のために、セレクタ４２は制御端子４３が設けられ、制御端子４３はジャンパーピンによって電圧源ＶｄｄとグランドＧＮＤへ選択的に接続されてクロック信号を切り替える。端子ＤＡＴＡはシフトレジスタ５０へデータチャンネル４５を介して接続される。
【００１４】
図３に示すように、インテリジェントメモリーモジュール７０が集積回路モジュール１０に接続された場合、メモリーコントローラ４４が動作不能とされてマイクロコンピュータ７２がこれに取って代わってメモリー７１から指令データを読み取ってこれをシフトレジスタ５０へ転送する。メモリーコントローラ４４はセレクタ４２の制御ピンに接続されていてセレクタ４２が第２クロック信号ＳＣＬＤ２を受けるように設定された時に動作不能とされる。インテリジェントメモリーモジュール７０のメモリー７１に保持された指令データのデータ構造は、図４に示すように、４つの独立したデータからなる。
（１）例えば、“０１１０００００”のような８ビットのオフセット値データで、各ビットがオフセット抵抗ネットワークの各スイッチの導通状態を指定する；
（２）例えば、“０１１０１１１０”のような８ビットのゲイン値データで、各ビットがゲイン抵抗ネットワークの各スイッチの導通状態を指定する；
（３）例えば、“１００１１１１１”のようなオフセット値データの反転ビットとからなる８ビットの反転オフセット値データ；
（４）例えば、“１００１０００１”のようなゲイン値データの反転ビットとからなる８ビットの反転ゲイン値データ；
これらのデータは、第２のクロック信号ＳＣＬＫ２に基づいて、メモリー７１から読み出されビット毎に逆順序でマイクロコンピュータ７２からシフトレジスタ５０へ転送される。これにより、クロック信号ＳＣＬＫ２が停止した後は、オフセット値データがシフトレジスタ５０のＤ７−Ｄ０に保持され、ゲイン値データがＤ１５−Ｄ８に、反転オフセット値データが、Ｄ２３−Ｄ１６に、反転ゲイン値データがＤ３１−Ｄ２４に保持される。Ｄ０７−Ｄ０は、オフセット抵抗ネットワーク３４に接続されて、オフセット値データを移送して対応するスイッチのオン・オフを行い、Ｄ１５−Ｄ８はゲイン抵抗ネットワーク２４に接続されて、ゲイン値データを移送して対応するスイッチのオン・オフを行う。
【００１５】
図８を参照すると、メモリーインターフェイス４０には更にデータ確証ユニット６０が設けられ、ゲイン調整及びオフセット電圧調整のために各々の抵抗ネットワーク２４、３４に送られるべくシフトレジスタ５０に取り込まれる指令データの確証が行われる。この目的のため、確証ユニット６０には、オフセット値データの全てのビットを対応する反転ビットと比較するための第１同定ゲート６１と、ゲイン値データの全てのビットを対応する反転ビットと比較するための第２同定ゲート６２とが設けられる。ゲート６１、６２の出力はＯＲゲート６３に接続され、何らかの理由によってビット対の一つにでも不一致があって一つ又はそれ以上のデータが不用意にエラーデータに変わってしまったことを示すような場合は、ＯＲゲートから高レベル出力がエラー信号として出力される。このエラー信号は対応する出力端子ＥＲＲを介してマイクロコンピュータ７２へ送出され、マイクロコンピュータ７２はこれに応じてエラーデータに置き換えるべくメモリー７１から指令データをシフトレジスタ５０へ再度転送するものであって、これにより粒子濃度に関して信頼性の高い検出を行うための安定した調整値を維持することができる。ここにおいて、マイクロコンピュータ７２には、メモリー７１の指令データを書き込む機能が与えられている。この書き込み機能に加えて、マイクロコンピュータ７２にはフォトセンサーのタイプを認識して、メモリーに保持された指令データの一群から、認識されたフォトセンサーのタイプに対応するする指令値のセットを選択する機能が付与されている。
【００１６】
一方、図５に示すように、集積回路モジュール１０へメモリー８１が直に接続される場合は、セレクター４２がメモリーコントローラ４４からの第１クロック信号ＳＣＬＫ１を受けるように切り替えられる。これと同時に、メモリーコントローラ４４が動作可能となって、必要な制御信号と第１クロック信号ＳＣＬＫ１をメモリー８１へ読み込み・書き込みインターフェース４６を介して送り出し、第１クロック信号ＳＣＬＫ１に基づいて指令データを読み出してこれをシフトレジスタ５０へデータチャンネル４５を通して送り出す。より詳しくは、メモリーコントローラ４４がタイミング信号ＴＳを定期的に、例えば、１秒毎に、発生する。図９に示すように、各タイミング信号ＴＳはタイムフレームを与え、この中で読み出し信号ＲＳがメモリー８１へ第１クロック信号ＳＣＬＫ１と一緒に送り出されると共に、読み出しデータＤＡＴＡが第１クロック信号ＳＣＬＫ１と一緒にシフトレジスタ５０へ送り出される。読み出し信号ＲＳは、読み出し指令及びデータが読み出されるべきメモリー８１内のアドレスを指定するアドレス指定で構成される。メモリー８１はＥＥＰＲＯＭであり、指令データを保持する１６ビットのデータ領域と、６ビットのアドレス“００００００”とを有するように構成される。データ領域の上位８ビットはゲイン値データを保持するために割り当てられ、下位の８ビットはオフセット値を保持するために割り当てられる。従って、読み出し信号“０１１”に引き続くアドレス指定“００００００”に応答して、１６ビットの指令データが読み出され、シフトレジスタ５０のＤ０〜Ｄ１５に転送され、ここから指令データが各定稿ネットワーク２４と３４とに移送されて、ゲイン調整とオフセット電圧調整がなされる。このようにして、シフトレジスタ５０内の指令データが１秒毎に更新されるため、過渡的なノイズによってシフトレジスタ内の指令データがエラーデータに変更されてしまった場合でも、シフトレジスタ内にはメモリーから正しいデータが送り続けられ、安定した調整がなされて信頼性の高いセンサー出力を維持することができる。指令データの書き込みは、メモリー８１をメモリーインターフェイス４０へ接続した状態で行うことができる。このため、メモリーインターフェイス４０の入力端４１には、読み出し・書き込みインターフェース４６に内部接続される書き込み可能端子ＷＲが設けられ、これが外部の書き込み装置に接続されるために使用される。書き込み装置が接続された場合、ここから書き込み信号が端子ＷＲに送られて、インターフェース４６をメモリー８１の書き込み可能状態とし、指令データをこれに関連するクロック信号及び制御信号と共に端子ＥＶ１、ＥＶ２、ＥＶ３、ＤＡＴＡに送り出して、メモリー８１の指令データの書き込みを完了する。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の第１実施形態に係わる粒子センサーのブロック図。
【図２】  この粒子センサーを内蔵する火災警報装置のブロック図。
【図３】  同上の粒子センサーの主要部を構成する集積回路とインテリジェントタイプのメモリーモジュールとの接続を示すブロック図。
【図４】  第１クロック信号とインテリジェントタイプのメモリーモジュールから送られる指令データを示す図。
【図５】  集積回路と通常タイプのメモリーモジュールとの接続を示すブロック図。
【図６】  同上の粒子センサーに用いるゲインコントローラ及びオフセット電圧調整器を示す回路図。
【図７】  同上の粒子センサーに用いるゲインコントローラ及びオフセット電圧調整器を示す回路図。
【図８】  同上の粒子センサーに内蔵されるメモリーインターフェイスを示すブロック図。
【図９】  通常タイプのメモリモジュールに関連したメモリーインターフェイスの動作を説明する波形図。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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