(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
重力方向に延びる光軸に沿って並んだ複数の光学素子を内部に有した、所定のガスの置換が可能なチャンバーを備え、
隣り合った２つの前記光学素子と前記チャンバー壁面によって囲まれた空間それぞれには、前記チャンバー外部から前記空間にガスを供給するガス供給口と、前記空間から前記チャンバー外部にガスを排出するガス排出口が設けられ、
前記ガス排出口は、前記空間を仕切る２つの光学素子のうち、重力方向下方にある光学素子を支持する支持台の上面に開口部を有し、前記支持台内部に設けられたＬ字型配管を介して前記空間と前記チャンバー外部を連通させることを特徴とする露光装置。
【請求項２】
重力方向に延びる光軸に沿って並んだ複数のレンズを内部に有した、所定のガスの置換が可能なチャンバーを備え、
隣り合った２つの前記レンズと前記チャンバー壁面によって囲まれた空間それぞれには、前記チャンバー外部から前記空間にガスを供給するガス供給口と、前記空間から前記チャンバー外部にガスを排出するガス排出口が設けられ、
前記ガス排出口は、前記空間を仕切る２つのレンズのうち、重力方向下方にあるレンズのレンズ曲面最上位置よりも重力方向下方に位置する開口部であって、前記重力方向下方のレンズを支持する支持台の上面に設けられた開口部を有し、前記支持台内部に設けられたＬ字型配管を介して前記空間と前記チャンバー外部を連通させることを特徴とする露光装置。
【請求項３】
前記所定のガスは、大気よりも軽いガスであることを特徴とする請求項１または２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記所定のガスは、ヘリウムガスであることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の露光装置。
【請求項５】
前記光学素子は、投影光学系の一部であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の露光装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、特に光源として真空紫外光を用いる半導体露光装置において、真空紫外光の光路の雰囲気ガスを大気から不活性ガスに置換する露光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体素子の高集積化、微細化の傾向に伴い、ステッパー等の露光装置においては、高い解像力が要求されている。解像力は露光光の波長に比例するため、露光波長は次第に短波長化され、可視域のｇ線（波長４３６ｎｍ）から紫外域のｉ線（波長３６５ｎｍ）へと代わり、最近ではＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）が使用され、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）、Ｆ２レーザ光（波長１５７ｎｍ）、更にはＡｒ２レーザ光（波長１２６ｎｍ）の使用が検討されている。
【０００３】
しかし、ＡｒＦエキシマレーザ光程度以下の波長域では、空気中の酸素による吸収が起き、透過率が低下してしまう。そこで、ＡｒＦエキシマレーザ光を使用する露光装置では、露光光の光路の大部分の気体を窒素で置換している。更に、１９０ｎｍ以下の波長域（真空紫外）では窒素でも若干の吸収があるため、その光を透過する別の気体（窒素以外の不活性ガス）で置き換えるか、又は真空にする必要がある。しかし、真空にするには、装置を大気圧に耐えられる頑丈な構造にする必要があり、装置製造コストが高くなる。そこで、露光光の光路を不活性で透過率の高い気体に置換する方式が用いられる。そのような気体の中で、安全性、熱伝導率の良さ、温度による屈折率変化の少なさなどを考慮すると、露光光の光路周辺や光学素子周辺の雰囲気をヘリウムに置換することが最も望ましいと考えられている。
【０００４】
一般に、露光光の光路の大気を他の気体に置換するときは、光路を密閉容器中に内蔵し、その密閉容器の一端を気体の供給口、他端を排出口として、光路全体に気体が充満するように流路を形成する。そして、対流と分子拡散の作用により密閉容器内の気体を置換する。
【０００５】
一例として、密閉容器内の大気を窒素に置換する際のシミュレーション結果を示す。
【０００６】
図１２にシミュレーションのモデルとなる密閉容器を示す。時間０の時点では、密閉容器内には大気が充満している。密閉容器には、図中の左上に供給口が設けられている。置換するガスは、この供給口から密閉容器に供給される。また、密閉容器には、図中の右下に排出口が設けられている。供給口から置換ガスが供給されると、排出口からは密閉容器内の気体が密閉容器外に排出されることになる。なお、シミュレーションにおいては、時間０から供給口に流速１ｍ／ｓで置換ガスが供給される。
【０００７】
図１３は、重力の影響を受けないものとした場合における、容器中の大気濃度の時間変化を表す図である。図中のパターンが濃い場所ほど、大気濃度が高いことを意味している。図１３（ａ）は、置換ガスとしてヘリウムを用いた場合であって、図１３（ｂ）は、置換ガスとして窒素を用いた場合を表している。
【０００８】
図１３では、重力の影響を受けないものとして計算しているため、ヘリウムであっても窒素であっても、時間のズレはあるものの、容器内でのガスの対流はほぼ同様である。
【０００９】
さらに、図１４に、容器内の左下角、中央左、中央右、右上、流出口における大気濃度の時間変化のグラフを示す。図１４において、縦軸は濃度（対数目盛）、横軸は時間（実数目盛）を示している。図１４（ａ）は、置換ガスとしてヘリウムを用いた場合であって、図１４（ｂ）は、置換ガスとして窒素を用いた場合を表している。
【００１０】
図１４では、重力の影響を受けないものとして計算しているため、ヘリウムであっても窒素であっても、濃度の時間変化は、ほぼ同様の傾向を示している。
【００１１】
なお、このグラフによれば、次のようなことがうかがえる。まず、容器内に最初から存在していた大気が押し出される。この段階での排出口付近の濃度変化は少ない。次に、対流により希釈された大気が排出される。この段階では、もとの大気の濃度は指数関数的に急速に減少する。その後、濃度の減少速度は次第に鈍くなる。これは、気体が流れにくい淀みでのガス置換が、主に分子拡散によって進められているためであると考えられる。
【００１２】
このように、従来は、ヘリウムの容器内の挙動は、窒素とほぼ同様であると考えられていた。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
上述したシミュレーション結果は、特に重力の影響を考慮しないものであった。しかし、ヘリウムは、分子量が小さく、空気（大気）よりも比重が軽い。そのため、ヘリウムの容器内の挙動を正確に把握するためには、重力の影響を考慮する必要があった。
【００１４】
また、気体が流れにくい淀みでのガス置換を分子拡散によって進めるのみでは、容器内に最初に存在していた気体の濃度を下げるのに非常に時間がかかってしまう。
【００１５】
特に、真空紫外光の波長域では、酸素に対する連続した吸収帯が存在するため、光路の酸素濃度が高いと光の吸収が極めて大きくなり、露光装置として使用するには酸素濃度を１ｐｐｍ程度以下にする必要がある。しかし、従来のような方法で空気をヘリウムに置換しようとすると、上述で説明したような通り、所望の酸素濃度にガスを置換するまで時間がかかる。さらに、大量のヘリウムを消費しなければならないことになり、ヘリウムは地殻や大気中での存在度が極めて低く高価であるため、経済的に不都合である。
【００１６】
本発明は、上記従来例の問題点に鑑み、半導体露光装置の露光光の光路周辺を密閉するような容器内の大気を速やかに低下させることを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するため本発明の露光装置は、重力方向に延びる光軸に沿って並んだ複数の光学素子を内部に有した、所定のガスの置換が可能なチャンバーを備え、隣り合った２つの前記光学素子と前記チャンバー壁面によって囲まれた空間それぞれには、前記チャンバー外部から前記空間にガスを供給するガス供給口と、前記空間から前記チャンバー外部にガスを排出するガス排出口が設けられ、前記ガス排出口は、前記空間を仕切る２つの光学素子のうち、重力方向下方にある光学素子を支持する支持台の上面に開口部を有し、前記支持台内部に設けられたＬ字型配管を介して前記空間と前記チャンバー外部を連通させることを特徴とする。
【００１８】
さらに、本発明の別の露光装置は、重力方向に延びる光軸に沿って並んだ複数のレンズを内部に有した、所定のガスの置換が可能なチャンバーを備え、隣り合った２つの前記レンズと前記チャンバー壁面によって囲まれた空間それぞれには、前記チャンバー外部から前記空間にガスを供給するガス供給口と、前記空間から前記チャンバー外部にガスを排出するガス排出口が設けられ、前記ガス排出口は、前記空間を仕切る２つのレンズのうち、重力方向下方にあるレンズのレンズ曲面最上位置よりも重力方向下方に位置する開口部であって、前記重力方向下方のレンズを支持する支持台の上面に設けられた開口部を有し、前記支持台内部に設けられたＬ字型配管を介して前記空間と前記チャンバー外部を連通させることを特徴とする。
【００２６】
【発明の実施の形態】
まず、重力の影響を考慮にいれたシミュレーションを行った。
【００２７】
図１５は、重力の影響を考慮した場合における、容器中の大気濃度の時間変化を表す図である。図１５（ａ）は、置換ガスとしてヘリウムを用いた場合であって、図１５（ｂ）は、置換ガスとして窒素を用いた場合を表している。
【００２８】
窒素による置換の状態を表す図１５（ｂ）は、前述の重力の影響を受けない場合とほぼ同様に、容器内に窒素ガスが広がって排気口に向かう傾向を示した。これは、窒素は、大気のほとんどの成分であるため、空気とほぼ比重が同じだからであると考えられる。
【００２９】
一方、ヘリウムによる置換の状態を表す図１５（ａ）は、前述の重力の影響を受けない場合と比較して、全く異なる傾向を示している。前述の重力の影響を受けない場合のヘリウムの挙動は、容器内にヘリウムガスが広がって、容器の左側から大気を押し出すように容器内を流れていた。しかし、重力を考慮した場合のヘリウムの挙動は、容器の上方を流れるのみであって、容器の下方には流れにくい状態であることが分かる。
【００３０】
図１６に、重力の影響を考慮した場合における、容器中の大気濃度の時間変化のグラフを示す。図１６において、縦軸は濃度（対数目盛）、横軸は時間（実数目盛）を示している。図１６（ａ）は、置換ガスとしてヘリウムを用いた場合であって、図１６（ｂ）は、置換ガスとして窒素を用いた場合を表している。
【００３１】
図１６（ｂ）によれば、置換ガスが窒素の場合は、前述の場合とほぼ同様の傾向を示している。しかし、図１６（ａ）によれば、置換ガスがヘリウムの場合、大気濃度が減少しにくいことが分かる。すなわち、容器内がヘリウム雰囲気に置換されにくい状態であることが分かる。
【００３２】
さらに、図１７に、供給口を下方に設け、排出口を上方に設けたときに、供給口からヘリウムを供給した場合の容器内のヘリウムの対流の状況を示す。
【００３３】
同図から、容器下方に設けられた供給口から供給されたヘリウムが、容器上方に向かって流れ、上方の壁に沿って流れた後、そのまま排出口に向かうことが分かる。
【００３４】
図１８に、この場合の容器内の各所の濃度変化のグラフ示す。このような供給口や排出口の配置では、特に図中容器右下周辺の置換が、進行しにくいことが分かる。
【００３５】
そこで、本発明の実施形態では、上記のヘリウムガスの挙動を考慮し、排出口をできる限り下方に設けている。以上のことを踏まえて、以下に本発明の実施形態を詳述する。
【００３６】
＜露光装置の実施例＞
図１は、本発明の露光装置の実施形態を示す全体構成図である。
【００３７】
図中、露光装置の光源であるレーザー装置１は、露光装置とは別に床または階下に設置されている。レーザー装置１は、波長１６０ｎｍ以下の波長域の真空紫外光を生成するエキシマレーザー装置である。本実施例では、１５７ｎｍ付近の発振波長を有するＦ２エキシマレーザーを用いるが、他に１２６ｎｍ付近の発振波長を有するAr2レーザー等の紫外線領域の波長を発する光源を用いても良い。
【００３８】
レーザー装置１から射出したレーザービームは、ミラー２、３を介して装置本体に導入される。チャンバー４は、ミラー２、３を含む光路周辺を外気との通気から遮断するため、密閉構造となっている。チャンバー４からの光射出部には、ガラス５が配置されている。このガラス５は、チャンバー４の内側から照射されるレーザー装置１からのレーザービームを透過させ、レーザービームを後述する筐体６に導入する。また、ガラス５は、チャンバー４を、密閉状態を確保して保持されている。
【００３９】
ガラス５は、フッ素化合物からなるガラス材で、具体的には螢石（CaF２）、フッ化マグネシウム（MgF2）、フッ化バリウム（BaF2）、ＳｒＦ２、フッ素ドープ石英のいずれを使用してもよい。これらのガラス材は、１５７nm以下の波長の光に対して高い透過率を示すものである。
【００４０】
なお、チャンバー４内の詳細については後述する。
【００４１】
ガラス５を透過した光は、筐体６に入射し、筐体６内のミラー７を介してレチクル８を照明する。
【００４２】
この筐体６内の詳細についても後述する。
【００４３】
レチクル８は、レチクルステージ９に載置したレチクル保持器１０に載置される。レチクルステージ９は、不図示のレチクルステージ駆動系により、光軸と直交面内方向であって走査方向であるY方向に駆動される。バーミラー１１は、レチクルステージ９に固定され、干渉計１２によりバーミラー位置を計測し、レチクルステージの位置を計測する。本図においては、干渉計１２が、１つのみ記載され、走査方向である図中座標Y方向に駆動される状態を示しているが、図中座標X方向にも干渉計とバーミラーを配置し、レチクルステージのXY二軸の位置の計測を行っても良い。
【００４４】
レチクル８に描かれたパターン（不図示）は、投影光学系１３により所定の倍率で縮小されて、感光材を塗布したウエハ１４に露光転写される。この投影光学系１３内の詳細についても後述する。
【００４５】
ウエハ１４は、ウエハステージ１５に載置したウエハーチャック１６に載置されている。ウエハステージ１５は、不図示のウエハステージ駆動系により、光軸と直交面内方向であるＸＹ方向に駆動される。バーミラー１７は、ウエハステージに固定され、干渉計１８によりバーミラー位置を計測し、ウエハステージの位置を計測する。本図においては、干渉計１８が、１つのみ記載され、走査方向である図中座標Y方向に駆動される状態を示している。しかし、ウエハステージは、走査露光後、ウエハをＸ方向にステップ移動させる必要があるので、図中座標X方向にも干渉計とバーミラーを配置し、ウエハステージのXY二軸の位置の計測を行う。
【００４６】
次に、装置構造体について述べる。
【００４７】
主定盤２０は、複数配置された脚１９に載置される。主定盤２０上には、ステージ定盤２１及び鏡筒定盤２２が載置される。
【００４８】
ステージ定盤２１には、ＸＹ平面に平行な基準面が設けられている。前述のウエハステージ１５は、この基準面沿ってＸＹ方向に移動する。本実施例では、ウエハステージ１５は、ステージ定盤２１に対して、気体軸受を用いたガイドによって非接触に支持されている。なお、ウエハステージを支持するガイドは、気体軸受に限られず、ボールやローラを用いた転動型ガイド、あるいは摺動型ガイドを用いてもよい。
【００４９】
鏡筒定盤２２は、前述の投影光学系１３、干渉計１８のほかに、空調ダクト２３および外筒２４を載置している。干渉計１８は、投影光学系１３を支持する鏡筒定盤２２に支持されるため、投影光学系１３を基準としてウエハステージ１５の位置を計測することができる。空調ダクト２３は、後述の循環系からの気体を内部のULPAフィルター２３'（Uitra Low Penetration Air-filter）を介して、投影光学系１３の光軸と直交方向に吹きつけるものである。空調ダクト２３は、干渉計１８の干渉計光路１８'およびウエハ１４、さらに鏡筒定盤２２に略囲われた空間を所定温度で安定させる。これにより、干渉計光路１８'のゆらぎの低減と空間内の温度変化による物体変形の低減を達成する。また、空調ダクト２３は、投影光学系１３の終端からウエハ１４までの露光光路における光吸収物質（例えば酸素）の濃度の低減をはかっている。
【００５０】
また、前述のレチクルステージ９は、外筒２４に設けられた基準面に沿って走査方向であるＹ方向（および場合によってはＸ方向にも）移動する。本実施例では、レチクルステージ１５は、外筒２４に対して、気体軸受を用いたガイドによって非接触に支持されている。なお、レチクルステージを支持するガイドは、気体軸受に限られず、ボールやローラを用いた転動型ガイド、あるいは摺動型ガイドを用いてもよい。
【００５１】
外筒２４は、投影光学系１３の鏡筒定盤２２上面より上部を囲い、露光光束が通過するよう上部に開口部２４'を備えている。さらに、外筒２４は、前述のレチクルステージ９のほか、干渉計１２および空調ダクト２５および筐体６（図中筐体６と外筒接合部は破断線にて省略）を載置している。干渉計１２は、投影光学系１３と一体的に設けられた外筒２４に支持されるため、投影光学系１３を基準としてレチクルステージ９の位置を計測することができる。空調ダクト２５は、後述の循環系からの気体を内部のULPAフィルター２５'を介して投影光学系１３の光軸と直交方向に吹きつけるものである。空調ダクト２５は、干渉計１２の干渉計光路１２'およびレチクル８、さらにレチクル周辺空間を所定温度で安定させる。これにより、干渉計光路１２'のゆらぎの低減とレチクル周辺空間内の温度変化による物体変形の低減を達成する。また、空調ダクト２５は、レチクル８前後の光路における光吸収物質（例えば酸素）の濃度の低減をはかっている。
【００５２】
チャンバー２６は、本実施例においては、装置本体を内部に収納し、外気との通気を遮断する密閉構造となっている。、可動部材２７は、ステンレス製ベローズなどからなり、脚１９付近とチャンバー２６を連結し、チャンバー２６の密閉性を確保し、脚１９や主定盤２０との相対変位を吸収できる構造となっている。
【００５３】
また、可動部材２８は、ステンレス製ベローズなどからなり、チャンバー４とチャンバー２６を連結し、チャンバー４とチャンバー２６の密閉性を確保し、支持台３０に載置したチャンバー４とチャンバー２６の相対変位を吸収できる構造となっている。
【００５４】
さらに、可動部材２９は、ステンレス製ベローズなどからなり、チャンバー４と筐体６を連結し、チャンバー４と筐体６の密閉性を確保し、チャンバー４と筐体６の相対変位を吸収できる構造となっている。
【００５５】
なお、可動部材２７、２８、２９は、本実施例においてはステンレス製ベローズを用いるが、密閉性を確保し、相対変位を吸収できる構造であればこれに限るものではなく、ニッケル合金やチタン製の金属ベローズでもよいし、樹脂製ベローズであってもよい。さらにはベローズ以外に、磁性流体シールを用いてもよい。
【００５６】
ロードロック室３１は、レチクル８を搬入または搬出する際に用いるロードロック室であって、不図示の駆動系による開閉自在のゲートバルブ３２、３３を備えている。支持台３４は、レチクル８の支持台である。レチクル搬送ロボット３５は、レチクル保持器１０へのレチクルの供給および回収を行う。
【００５７】
ロードロック室３６は、ウエハ１４を搬入または搬出する際に用いるロードロック室であり、不図示の駆動系による開閉自在のゲートバルブ３７、３８を備えている。支持台３９は、ウエハ１４の支持台である。ウエハ搬送ロボット４０は、ウエハチャック１６へのウエハの供給および回収を行う。
【００５８】
次に、チャンバー４、２６及びロードロック室３１、３６内の環境制御、温度制御方法について説明する。
【００５９】
ガス供給源５１は、不活性ガスとしてヘリウムガスを供給する。ヘリウムガスは、F2レーザーの光に対して良好な透過率を示すものであって、大気よりも軽い性質を有する。供給するヘリウムガスは、実質的に酸素を含まないガスである。なお、ここで、「実質的に酸素を含まない」とは、装置の性能に大きく影響を与える程度の酸素を含まないという意味であり、少なくともチャンバー４等に求められる酸素濃度より低い酸素濃度を意味する。
【００６０】
ガス供給源５１からのガスは、配管５２を介して、チャンバー４に設けられたガス供給口５３に導かれ、チャンバー４内を経由した後、チャンバー４に設けられたガス排出口５４から排出され、配管５５を介して、排気機構５６に排気される。
【００６１】
チャンバー４内のガス流路を図２を用いて説明する。図１と同じ要素については同じ番号を付け、説明は省略する。
【００６２】
レーザー装置１から射出されたレーザービームは、ミラー２によって反射され、ビーム成形光学系２０１により所定のビーム形状に整形たれる。その後、レーザービームは、集光レンズ２０４及び２０７によって、所定の倍率でオプティカルインテグレータ２１０を照射する。オプティカルインテグレータ２１０は、微小レンズを二次元的に配列したものであって、集光レンズ２１３を介して、レチクル８（図１）との共役面２１９を重畳照明する。
【００６３】
なお、ビーム整形光学系２０１は、通気孔２０３を備えた支持台２０２に支持されている。集光レンズ２０４は、通気孔２０６を備えた支持台２０５に支持されている。集光レンズ２０７は、支持台２０９に支持されている。オプティカルインテグレータ２１０は、支持台２１１に支持されている。集光レンズ２１３は、支持台２１４に支持されている。
【００６４】
ガス供給口５３Ａからの気体は、チャンバー４内を重力方向に流れ、通気孔２０６、２０３を順次経由してガス排出口５４Ａから排出される。ここで、ガス供給口５３Ａは、光軸に対して重力方向上方に設けられている。また、ガス排出口５４Ａのうちの少なくとも一方は、光軸に対して重力方向下方に設けられている。このようにガス排出口５４Ａを設けることにより、ガス供給口５３Ａからのガスによりガス置換される空間内の光軸付近に存在する酸素を効率よく置換することができる。
【００６５】
ガス供給口５３Ｂ〜５３Ｄからの気体は、光学素子に挟まれた空間内を重力方向に流れ、ガス排出口５４Ｂ〜５４Ｄから排出される。ここで、ガス供給口５３Ｂ〜５３Ｄは、光軸に対して重力方向上方に設けられている。また、ガス排出口５４Ｂ〜５４Ｄは、水平な光軸に対して重力方向下方に設けられている。このようにガス排出口５４Ｂ〜５４Ｄを水平な光軸に対して重力方向下方に設けることにより、光学素子に挟まれた各空間内の光軸付近に存在する酸素を効率よく置換することができる。
【００６６】
なお、本実施形態では、ガス供給口５３は、光軸に対して重力方向上方に設けられているが、これに限られるものではない。ガス排出口５４が、少なくとも光軸に対して重力方向下方に設けられていれば、各空間内の光軸付近に存在する酸素を効率よく置換するという本発明の効果を得ることができる。
【００６７】
チャンバー４内のガス流路の概念を図２中に矢印で示す。
【００６８】
チャンバー４内の光学素子間の空間のガスを排出する排出口５４Ａ〜５４Ｄは、光学素子間における光軸よりも重力方向下方に設けられている。そのため、大気よりも軽いヘリウムガスを光学素子間の空間内に供給すると、該空間の重力方向上方からヘリウムガスへの置換が進む。そして、該空間に最初に存在していた大気は、ヘリウムガスよりも重いため、下方に設けられたガス排出口から排出される。特に、本実施例では、排出口が光軸よりも重力方向下方に設けられているので、光軸近傍でのガス置換が効率よく行われる。
【００６９】
なお、本実施例においては、ガラス５は、平行平面板を用いているが、これに限られるものではなく、レンズやプリズムなど他の透過素子であってもよい。さらに本実施例においては、オプティカルインテグレータとしてハエノ目を用いた場合について説明しているが、他にロッドインテグレータを用いたり、ハエノ目を直列に複数個使用したり、あるいはハエノ目とロッドインテグレータを組合わせて使用した光学系であってもよい。
【００７０】
なお、チャンバー４内の光学系は、後述の筐体６内の光学系と合わせて、レチクルを照明する照明光学系を形成している。
【００７１】
本実施例においては、チャンバー４内で光軸が鉛直方向の空間ではヘリウムガスを光軸に沿って流し、チャンバー４内で光軸が水平方向の空間では各光学素子間の空間に並列的にヘリウムガスを流すことにより、上記のヘリウムガスの特性を活かして、チャンバー４内の雰囲気をヘリウムガスに置換を行うことができる。
【００７２】
なお、光学素子に囲まれた空間にガス排出口を複数個設ける場合は、少なくとも１つのガス排出口が、光軸に対して重力方向下方に設けられていればよい。
【００７３】
さらに図１に戻り、本実施形態の露光装置の説明を続ける。
【００７４】
図１において、ガス供給源５７は、ヘリウムガスを供給する。ヘリウムガスは、Ｆ２レーザーの光に対して良好な透過率を示すものである。
【００７５】
ガス供給源５７からのガスは、配管５８を介して、筐体６またはベローズ２９に設けられたガス供給口５９Ａ〜５９Ｃに導かれる。
【００７６】
ガス供給口５９Ａ〜５９Ｃからの気体は、光学素子に挟まれた空間内を重力方向に流れ、ガス排出口６０Ａ〜６０Ｃから排出される。ここで、ガス供給口５９Ａ〜５９Ｃは、光軸に対して重力方向上方に設けられている。また、ガス排出口６０Ａ〜６０Ｃは、水平な光軸に対して重力方向下方に設けられている。このようにガス排出口６０Ａ〜６０Ｃを光軸に対して重力方向下方に設けることにより、光学素子に挟まれた各空間内の光軸付近に存在する酸素を効率よく置換することができる。
【００７７】
なお、本実施形態では、ガス供給口５９は、光軸に対して重力方向上方に設けられているが、これに限られるものではない。ガス排出口６０が、少なくとも水平な光軸に対して重力方向下方に設けられていれば、核空間内の光軸付近に存在する酸素を効率よく置換するという本発明の効果を得ることができる。
【００７８】
筐体６内のガス流路を図２を用いて説明する。図１と同じ要素については同じ番号を付け、説明は省略する。
【００７９】
筐体４内の光学素子間の空間のガスを排出する排出口５９Ａ〜５９Ｃは、光学素子管における水平な光軸よりも重力方向下方に設けられている。そのため、大気よりも軽いヘリウムガスを光学素子間の空間内に供給すると、該空間の重力方向上方からヘリウムガスへの置換が進む。そして、該空間に最初に存在していた大気は、ヘリウムガスよりも重いため、下方に設けられたガス排出口から排出される。特に、本実施例では、排出口が水平な光軸よりも重力方向下方に設けられているので、光軸近傍でのガス置換が効率よく行われる。
【００８０】
マスキングブレード３０１は、レチクル８の照明範囲を規定する矩形状の開口を有する。また、矩形状の開口寸法は、レチクルパターン及びレチクル８の位置に応じて不図示の駆動手段により駆動されることで、変更可能である。マスキングブレード３０１の上記矩形開口を形成する遮光板３０１'は、レチクル８との共役面２１９近傍に配置されている。集光レンズ３０２、３０５は、マスキンブブレード３０１で形成される矩形開口部の像を所定の倍率でレチクル８に投影する。従って、上述のごとく、筐体６内の光学系は、チャンバー４内の光学系と共に、レチクル８を照明する照明光学系の一部を形成している。
【００８１】
なお、遮光板３０１'は、不図示のガイドに沿って移動する構造であり、本実施例では非接触軸受である気体軸受を用いた場合について述べるが、これに限られるものではなく、ボールやローラを用いた転動型ガイド、あるいは摺動型ガイドを用いてもよい。
【００８２】
集光レンズ３０２は、支持台３０４に支持され、集光レンズ３０５は支持台３０６に支持されている。
【００８３】
筐体６内のガス流路の概念を図２中に矢印で示す。筐体６内の光学素子間を重力方向に沿った流路を備えることで、光学素子間の雰囲気を効率よくガス置換することができる。
【００８４】
また、本実施例においては、ガス排出口６０から排出されるガスをチャンバー２６内に直接流しているが、これに限られるものではない。筐体６からウエハ１４までの光路に配置される光学系、例えば投影光学系１３などにガス排出口６０からのガスを導き、投影光学系内を経由後、チャンバー２６内に排出してもよい。または、ガス排出口６０から排出されるガスを直接回収しても良い。
【００８５】
なお、図２に示した光学系は集光レンズ系を用いた結像光学系であるが、他に反射屈折型光学系あるいは反射型光学系を用いてもよい。
【００８６】
さらに、マスキングブレード３０１の開口形状は、本実施例においては矩形を使用した場合について説明したが、他に所定の曲率を持った円弧状の開口であってもよい。
【００８７】
なお、図２の実施例においては、光学素子に挟まれた空間内の光軸に対して重力方向下方に排出口を形成していた。しかし、光学素子に挟まれた空間内のガスの排出はこれに限られるものではない。例えば、光学素子を保持する支持台に通気孔を設け、この通気孔を光軸に対して重力方向下方に設けるようにしても良い。該通気孔が、光学素子に挟まれた空間におけるガス排出口の役割を果たすからである。
【００８８】
図３に本実施形態の照明光学系の変形例を示す。
【００８９】
チャンバー４内の光学素子のうち、光軸が水平なレンズ２１３、２１０、２０７を支持する支持台２１４、２１１、２０９に通気孔２１５、２１２、２０８が設けられている。ここで、各通気孔２１５、２１２、２０８は、水平な光軸に対して重力方向下方に設けられている。これは、通気孔２１５、２１２、２０８が、各光学素子に挟まれた空間内のガスを排出するガス排出口の役割を果たし、光軸に対して重力方向下方に通気孔を設けることにより光軸近傍の酸素を効率よくヘリウムに置換するためである。
【００９０】
また、同様な理由から、筐体６内の光学素子のうち、光軸が水平なレンズ３０２を支持する支持台３０４に通気孔３０３が設けられている。
【００９１】
なお、図３の筐体６内において、大気をヘリウムガスに置換するとき、遮光板３０１’は、退避した状態（開口を広げた状態）にあることが望ましい。これは、特に重力方向下側にある遮光板が、光軸に近い状態にあると、この遮光板近傍の大気が十分置換されず、結果として、光軸近傍の酸素を十分置換することができなくなるからである。
【００９２】
図３の実施例によっても、図２の実施例とほぼ同様の効果を得ることができる。
【００９３】
図１において、ガス供給源５７からのガスは、配管６１を介して、投影光学系１３に設けられたガス供給口６２に導かれ、投影光学系１３内を重力方向に沿って流れた後、投影光学系１３に設けられたガス排出口６３からチャンバー２６内に排出される。
【００９４】
投影光学系１３内のガス流路を図４を用いて説明する。図１と同じ要素については同じ番号を付け、説明は省略する。
【００９５】
レチクル８に描かれたパターンは、レンズ４０２、４０５、４０８、４１１、４１４、４１７、４２０により、ウエハ１４に縮小投影される。４０１は、上記レンズ群の鏡筒である。
【００９６】
レンズ４０２は、支持台４０４に支持されている。レンズ４０５は、支持台４０７に支持されている。レンズ４０８は、支持台４１０に支持されている。レンズ４１１は、支持台４１３に支持されている。レンズ４１４は、支持台４１６に支持されている。レンズ４１７は、支持台４１９に支持されている。レンズ４２０及び上記支持台４０７、４０７、４１０、４１３、４１６、４１９は、鏡筒４０１に支持されている。
【００９７】
各レンズに挟まれた空間には、それぞれガス供給口６２Ａ〜６２Ｆとガス排出口６３Ａ〜６３Ｆが並列的に設けられている。ガス供給口６２Ａ〜６２Ｆは、各空間にヘリウムガスを供給する。ガス排出口６３Ａ〜６３Ｆは、各空間内のガスを排出する。
【００９８】
ここで、ガス排出口６３Ａ〜６３Ｆは、ガスを排出する空間に対してできる限り下方に設けられることが望ましい。これは、大気をヘリウムに置換する際に、比重の違いから大気が下方に溜まるためである。よって、ガス排出口は、少なくとも、各レンズ間の中心に対して重力方向下方に設けることが望ましい。つまり、ガス排出口は、置換すべき空間を挟むレンズのうち、重力方向上方のレンズよりも重力方向下方のレンズに近い位置に設けられることが望ましい。
【００９９】
図５に、各レンズに仕切られた空間のガス排出口の一形態を示す。
【０１００】
図５におけるガス排出口は、レンズを支持する支持台に設けられている。そして、ガス排出口６３は、この支持台が支持するレンズ曲面のうち、もっとも重力方向に高い位置よりも低い位置（重力方向下方）に設けられている。そして、ガス排出口６３は、支持台上面に開口部を持ち、Ｌ字型の配管によって鏡筒外部にガスを排出する。このような位置にガス排出口６３を設けることにより、レンズの近傍にある大気を効率よくヘリウムに置換することができる。
【０１０３】
また、本実施例においては、投影光学系１３は、屈折型光学系を用いているが、他に反射屈折型光学系あるいは反射型光学系を用いてもよい。この場合、投影光学系に水平な光軸をもつ光学素子があれば、前述したチャンバー４のガス供給方法と同様にしても良いことは言うまでもない。
【０１０４】
ガス排出口６０、６３からチャンバー２６内に排出されたガスは、チャンバー２６の循環出口７０から排出され、配管７１を介して、気体循環系７２の導入口７３に導かれる。気体循環系７２内で所定の流量に配分されたガスは、気体循環系７２の分配口７４a、７４b、７４c、７４dからそれぞれ排出される。
【０１０５】
分配口７４aから排出されたガスは、配管７５aを介して、チャンバー２６内のほぼ全体のガスをダウンフローにさせるダウンフローダクト７６に導かれ、ダウンフローダクト７６内のULPAフィルター７６'を介してチャンバー２６内に吹き出される。
【０１０６】
分配口７４ｂから排出されたガスは、配管７５ｂを介して、部分ダクト２５に導かれ、前述のごとくレチクル８及び干渉計光路１２'近傍の空間に吹きつけられる。
【０１０７】
分配口７４cから排出されたガスは、配管７５cを介して、外筒２４の気体導入口４１に導かれ、投影光学系１３と外筒２４との間の空間を経由した後、外筒２４の開口部２４'からチャンバー２６内に排出される。
【０１０８】
分配口７４dから排出されたガスは、配管７５dを介して、部分ダクト２３に導かれ、前述のごとくウエハ１４及び干渉計光路１８'近傍の空間に吹きつけられる。
【０１０９】
なお、不図示であるが、気体循環系７２内部では、導入口からのガス中の不純物を取り除くためのケミカルフィルタが備えられている。
【０１１０】
また、気体循環系７２内部には、不図示の温調装置が設けられている。温調装置は、露光装置内部に設けられた温度計７７ａ〜７７ｄの検出結果に基づき、制御装置７８の指令により所定温度に制御する。
【０１１１】
なお、前述のガス供給源５７からのガスは、予めガス供給源５７内で所定温度に制御されてもよいし、配管５８、６１が上述のごとく温度制御された空間を経由してガス供給口５９、６２に到達する間に所定温度になるよう配管経路を決定してもよい。
【０１１２】
図１において、高圧ガス供給装置７９は、チャンバー２６内のガスの一部を配管８０にて回収し、所定のガス圧力に上昇させた後、配管８１aを介してウエハーステージ１５の気体軸受（不図示）へ、配管８１bを介してレチクルステージ９の気体軸受（不図示）へ、そして配管８１cを介してマスキングブレード３０１（図４）の気体軸受（不図示）へそれぞれ供給する。チャンバー２６内のパージガスである不活性ガスを気体軸受の作動流体として用いることで、チャンバー２６内の環境は、所定の状態に維持することができる。
【０１１３】
次に、図６を用いて高圧ガス供給装置７９の内部概略構成を以下に述べる。
【０１１４】
配管８０からのガスの圧力を圧力ゲージ７０１で検出し、制御装置７８（図１）でコントロールバルブ７０２を制御することで、所定流量に制御する。コントロールバルブで所定の流量に制御されたガスは、回収ポンプ７０３を通って、バッファータンク７０４によりガスが貯められ、そして圧縮機７０５にて所定圧力に加圧され、配管８１a〜８１cに流される。また、圧力ゲージ７０１とコントロールバルブ７０２の間でガス流路は分岐され、排気ポンプ７０６にて排気される。この排気量は、バッファータンク７０４に設けた圧力ゲージ７０７の検出結果に応じて、排気の必要が生じた時に、マスフローコントローラ７０８によって制御される。なお、マスフローコントローラ７０８は、圧力ゲージ７０７の検出結果により、制御装置７８（図１）によって、制御される。
【０１１５】
上記構成によれば、チャンバー２６内の気圧は、常に一定の圧力に制御することが可能である。これにより、気圧変動の影響を受けやすい光学特性、例えば投影光学系１３（図１）の性能の維持を可能にする。
【０１１６】
また、チャンバー２６内の気圧と外気圧との相対圧力差を所定の値に維持することも可能である。この場合は、圧力ゲージ７０１を差圧計にして、配管８０内（つまりチャンバー２６内）の圧力と外気との圧力差を検出することで達成できる。
【０１１７】
さらに、チャンバー２６内とチャンバー４内の相対気圧差を所定の値に維持することも可能である。この場合は、上述の差圧計で配管８０内（つまりチャンバー２６内）とチャンバー４内の相対気圧差を検出することで達成できる。
【０１１８】
図１において、ガス供給源５７からのガスは、配管８２を介して、ウエハ用のロードロック室３６に供給され、内部を置換しながら配管８３を介して排気機構８６に排気される。同様に、ガス供給源５７のガスは配管８４を介してレチクル用のロードロック室３１に供給され、内部を置換しながら配管８５を介して排気機構８６に排気される。
【０１１９】
なお、ガス供給のタイミングについては、ゲートバルブ３２もしくは３７が開けられ、レチクルやウエハが支持台３４、３９に載置された後、ゲートバルブ３２，３７が閉じられ、その後、ガス供給源に備えられたバルブ（不図示）と排気機構８６内に備えられたバルブ（不図示）とを制御装置７８の指令によって開放しておこなわれる。
【０１２０】
ロードロック室３１、３６内が所定の状態になったら制御装置７８の指令によりバルブを閉じてガス供給を停止する。更に、ゲートバルブ３３及び３８を開け、搬送手段３５及び４０によりレチクル８及びウエハ１４が装置内に搬入される。
【０１２１】
レチクル８もしくはウエハ１４を装置外に搬出する場合は、ゲートバルブ３２，３３，３７，３８が閉じられた状態でガス供給が開始され、各々のロードロック室内が所定の状態に達した所でガス供給を停止する。次にゲートバルブ３３、３８を開け、搬送手段３５、４０にてレチクル８及びウエハ１４を装置から搬出し、ロードロック室３１、３９内の支持台３４、３９に載置する。載置後、ゲートバルブ３３，３８は閉じられ、今度はゲートバルブ３２、３７を開けてレチクル８、ウエハ１４を不図示の手段で取出す。
【０１２２】
上記説明においては、レチクル８とウエハ１４の装置への搬入及び搬出を同時に述べたが、レチクル８とウエハ１４の搬入、搬出を個別に行ってもよいのは言うまでもない。
【０１２３】
またロードロック室３１、３６をガス置換するのは、ゲートバルブ３３，３８を開けた時に、チャンバー２６内の環境に影響を与えないようにするためのものであって、これは周知の通りである。
【０１２４】
さらに、レチクル８のパターン面へのゴミの付着防止の目的でペリクル（不図示）を使用する場合、レチクル８とペリクルとペリクルを支持するためのペリクルフレーム（不図示）とで囲まれた空間もパージガス置換するのが望ましく、均圧孔付ペリクルフレーム（ペリクルフレーム内外を連通させる通気孔付）を使用するのが望ましい。
【０１２５】
排気口８７は、チャンバー２６内のガスを排気するための排気口である。
【０１２６】
装置の運転を開始する際、チャンバー２６内部及び気体循環系７２内は大気状態である。
【０１２７】
従って、装置立上げ時は、ガス供給源５７から投影光学系１３及び筐体６へのガス供給を開始するとともに、排気口８７から配管８８を介して、排気機構８６への排気も行う。この排気動作のＯＮ／ＯＦＦは、排気手段８６内に備えたバルブ（不図示）を、制御装置７８で制御することで行う。
【０１２８】
チャンバー２６内及びこの循環系が所定の置換状態に達したら、排気口８７からの排気を停止し、露光動作可能状態になる。
【０１２９】
排気口８７からの排気を停止するタイミングの判断は、排気開始から所定時間に達したかどうかで制御装置７８が自動で判断して排気停止指令を送ってもよいし、チャンバー２６内もしくはその循環系内の所定箇所にガス検出計（不図示）を配置し、その検出結果に基づき制御装置７８が自動で判断して排気停止指令を送ってもよい。
【０１３０】
また、装置の運転を開始する際に、チャンバー４及び２６の置換状態をより短時間で所定状態にしたい場合、あるいはロードロック室３１及び３６内はレチクルやウエハ交換毎に大気開放と置換状態を繰り返すものであるため、より短時間で置換を終了しスループットを向上させる場合は、真空ポンプを用いて排気手段５６、８６から大気を強制排気して、チャンバー４，２６内およびロードロック室３１，３６内を真空にした後に上述した方法でガスパージを行っても良い。この場合は、チャンバー４，２６およびロードロック室３１，３６は、真空状態時における変形が装置性能に影響しないよう十分な剛性が必要となる。
【０１３１】
図１の実施例においては、可動部材２７、２８、２９を用いているため、真空時にチャンバー４、２６の変形が生じたとしても、隣接する構成要素の変形が直接伝わるのを防止している。
【０１３２】
なお、チャンバー内およびロードロック室内を真空状態にした後にガス供給するこの一連の動作は、必要であれば複数回繰り返してもよい。真空引きを１回のみ行ってパージする場合に比べて複数回繰り返せば、チャンバー内およびロードロック室内の到達真空度が相対的に低真空（絶対圧が高い）で済み、真空ポンプや真空対応部品のコストが大幅に軽減できる。本発明の置換方法では、最後の真空引きが終わってからヘリウムを導入することとし、その前のパージには窒素を用いることが望ましい。
【０１３３】
さらに、図１の実施形態によれば、チャンバー４内部をメンテナンス等で大気に開放する場合でも、チャンバー２６側は、パージ状態を維持することが可能で、その反対にチャンバー２６内部を大気開放する場合でもチャンバー４側は、パージ状態を維持することが可能である。
【０１３４】
＜半導体生産システムの実施例＞
次に、半導体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の生産システムの例を説明する。これは半導体製造工場に設置された製造装置のトラブル対応や定期メンテナンス、あるいはソフトウェア提供などの保守サービスを、製造工場外のコンピュータネットワークを利用して行うものである。
【０１３５】
図７は全体システムをある角度から切り出して表現したものである。図中、１１０１は半導体デバイスの製造装置を提供するベンダー（装置供給メーカー）の事業所である。製造装置の実例として、半導体製造工場で使用する各種プロセス用の半導体製造装置、例えば、前工程用機器（露光装置、レジスト処理装置、エッチング装置等のリソグラフィ装置、熱処理装置、成膜装置、平坦化装置等）や後工程用機器（組立て装置、検査装置等）を想定している。事業所１１０１内には、製造装置の保守データベースを提供するホスト管理システム１１０８、複数の操作端末コンピュータ１１１０、これらを結ぶんでイントラネットを構築するローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）１１０９を備える。ホスト管理システム１１０８は、ＬＡＮ１１０９を事業所の外部ネットワークであるインターネット１１０５に接続するためのゲートウェイと、外部からのアクセスを制限するセキュリティ機能を備える。
【０１３６】
一方、１１０２〜１１０４は、製造装置のユーザーとしての半導体製造メーカーの製造工場である。製造工場１１０２〜１１０４は、互いに異なるメーカーに属する工場であっても良いし、同一のメーカーに属する工場（例えば、前工程用の工場、後工程用の工場等）であっても良い。各工場１１０２〜１１０４内には、夫々、複数の製造装置１１０６と、それらを結んでイントラネットを構築するローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）１１１１と、各製造装置１１０６の稼動状況を監視する監視装置としてホスト管理システム１１０７とが設けられている。各工場１１０２〜１１０４に設けられたホスト管理システム１１０７は、各工場内のＬＡＮ１１１１を工場の外部ネットワークであるインターネット１１０５に接続するためのゲートウェイを備える。これにより各工場のＬＡＮ１１１１からインターネット１１０５を介してベンダー１１０１側のホスト管理システム１１０８にアクセスが可能となり、ホスト管理システム１１０８のセキュリティ機能によって限られたユーザーだけがアクセスが許可となっている。具体的には、インターネット１１０５を介して、各製造装置１１０６の稼動状況を示すステータス情報（例えば、トラブルが発生した製造装置の症状）を工場側からベンダー側に通知する他、その通知に対応する応答情報（例えば、トラブルに対する対処方法を指示する情報、対処用のソフトウェアやデータ）や、最新のソフトウェア、ヘルプ情報などの保守情報をベンダー側から受け取ることができる。各工場１１０２〜１１０４とベンダー１１０１との間のデータ通信および各工場内のＬＡＮ１１１１でのデータ通信には、インターネットで一般的に使用されている通信プロトコル（ＴＣＰ／ＩＰ）が使用される。なお、工場外の外部ネットワークとしてインターネットを利用する変わりに、第三者からのアクセスができずにセキュリティの高い専用線ネットワーク（ＩＳＤＮなど）を利用することもできる。また、ホスト管理システムはベンダーが提供するものに限らずユーザーがデータベースを構築して外部ネットワーク上に置き、ユーザーの複数の工場から該データベースへのアクセスを許可するようにしてもよい。
【０１３７】
さて、図８は本実施形態の全体システムを図７とは別の角度から切り出して表現した概念図である。先の例ではそれぞれが製造装置を備えた複数のユーザー工場と、該製造装置のベンダーの管理システムとを外部ネットワークで接続して、該外部ネットワークを介して各工場の生産管理や少なくとも１台の製造装置の情報をデータ通信するものであった。これに対し本例は、複数のベンダーの製造装置を備えた工場と、該複数の製造装置のそれぞれのベンダーの管理システムとを工場外の外部ネットワークで接続して、各製造装置の保守情報をデータ通信するものである。図中、１２０１は製造装置ユーザー（半導体デバイス製造メーカー）の製造工場であり、工場の製造ラインには各種プロセスを行う製造装置、ここでは例として露光装置１２０２、レジスト処理装置１２０３、成膜処理装置１２０４が導入されている。なお図８では製造工場２０１は１つだけ描いているが、実際は複数の工場が同様にネットワーク化されている。工場内の各装置はＬＡＮ１２０６で接続されてイントラネットを構成し、ホスト管理システム１２０５で製造ラインの稼動管理がされている。一方、露光装置メーカー１２１０、レジスト処理装置メーカー１２２０、成膜装置メーカー１２３０などベンダー（装置供給メーカー）の各事業所には、それぞれ供給した機器の遠隔保守を行なうためのホスト管理システム１２１１,１２２１,１２３１を備え、これらは上述したように保守データベースと外部ネットワークのゲートウェイを備える。ユーザーの製造工場内の各装置を管理するホスト管理システム１２０５と、各装置のベンダーの管理システム１２１１,１２２１,１２３１とは、外部ネットワーク１２００であるインターネットもしくは専用線ネットワークによって接続されている。このシステムにおいて、製造ラインの一連の製造機器の中のどれかにトラブルが起きると、製造ラインの稼動が休止してしまうが、トラブルが起きた機器のベンダーからインターネット１２００を介した遠隔保守を受けることで迅速な対応が可能で、製造ラインの休止を最小限に抑えることができる。
【０１３８】
半導体製造工場に設置された各製造装置はそれぞれ、ディスプレイと、ネットワークインターフェースと、記憶装置にストアされたネットワークアクセス用ソフトウェアならびに装置動作用のソフトウェアを実行するコンピュータを備える。記憶装置としては内蔵メモリやハードディスク、あるいはネットワークファイルサーバーなどである。上記ネットワークアクセス用ソフトウェアは、専用又は汎用のウェブブラウザを含み、例えば図９に一例を示す様な画面のユーザーインターフェースをディスプレイ上に提供する。各工場で製造装置を管理するオペレータは、画面を参照しながら、製造装置の機種（１４０１）、シリアルナンバー（１４０２）、トラブルの件名（１４０３）、発生日（１４０４）、緊急度（１４０５）、症状（４０６）、対処法（４０７）、経過（４０８）等の情報を画面上の入力項目に入力する。入力された情報はインターネットを介して保守データベースに送信され、その結果の適切な保守情報が保守データベースから返信されディスプレイ上に提示される。またウェブブラウザが提供するユーザーインターフェースはさらに図示のごとくハイパーリンク機能（１４１０〜１４１２）を実現し、オペレータは各項目の更に詳細な情報にアクセスしたり、ベンダーが提供するソフトウェアライブラリから製造装置に使用する最新バージョンのソフトウェアを引出したり、工場のオペレータの参考に供する操作ガイド（ヘルプ情報）を引出したりすることができる。ここで、保守管理システムが提供する保守情報には、上記説明したチャンバー内の酸素濃度に関する情報も含まれ、また前記ソフトウェアライブラリはガス供給装置の切り替えやチャンバー内の酸素濃度の制御等を実現するための最新のソフトウェアも提供する。
【０１３９】
次に上記説明した生産システムを利用した半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図１０は半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す。ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行なう。ステップ２（マスク製作）では設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組立て工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これを出荷（ステップ７）する。前工程と後工程はそれぞれ専用の別の工場で行い、これらの工場毎に上記説明した遠隔保守システムによって保守がなされる。また前工程工場と後工程工場との間でも、インターネットまたは専用線ネットワークを介して生産管理や装置保守のための情報がデータ通信される。
【０１４０】
図１１は上記ウエハプロセスの詳細なフローを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁膜を成膜する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステップ１６（露光）では上記説明した露光装置によってマスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステップ１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に多重に回路パターンを形成する。各工程で使用する製造機器は上記説明した遠隔保守システムによって保守がなされているので、トラブルを未然に防ぐと共に、もしトラブルが発生しても迅速な復旧が可能で、従来に比べて半導体デバイスの生産性を向上させることができる。
【０１４１】
【発明の効果】
本発明の請求項１、１１、１８または２５に記載の露光装置によれば、チャンバーに最初に存在するガスと置換するガスに比重の差があっても、効率よくチャンバー内のガスを置換することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１実施形態の露光装置の全体構成図である。
【図２】本発明の照明光学系の構成図である。
【図３】本発明の別の照明光学系の構成図である。
【図４】本発明の投影光学系の構成図である。
【図５】本発明の投影光学系の排出口近傍の説明図である。
【図６】図１の部分的な構成説明図である。
【図７】コンピュータネットワークの全体システムの概略図である。
【図８】コンピュータネットワークの全体システムの概略図である。
【図９】表示装置の表示画面を示す図である。
【図１０】半導体デバイス製造プロセスのフロー図である。
【図１１】ウエハプロセスフロー図である。
【図１２】密閉容器内のシミュレーションモデルを示す図である。
【図１３】重力を考慮しない場合の密閉容器内の大気濃度のシミュレーション結果を示す図である。
【図１４】重力を考慮しない場合の密閉容器内各所の大気濃度の時間変化を示す図である。
【図１５】重力を考慮した場合の密閉容器内の大気濃度のシミュレーション結果を示す図である。
【図１６】重力を考慮した場合の密閉容器内各所の大気濃度の時間変化を示す図である。
【図１７】重力を考慮した場合の別の密閉容器内の大気濃度のシミュレーション結果を示す図である。
【図１８】重力を考慮した場合の別の密閉容器内各所の大気濃度の時間変化を示す図である。
【符号の説明】
１  光源
４  チャンバー
６  筐体
５３、５９  供給口
５４、６０  排出口
６２  供給口
６３  排出口
３０１  マスキングブレード
【図１】
0004532660.tif 000002
【図２】
0004532660.tif 000003
【図３】
0004532660.tif 000004
【図４】
0004532660.tif 000005
【図５】
0004532660.tif 000006
【図６】
0004532660.tif 000007
【図７】
0004532660.tif 000008
【図８】
0004532660.tif 000009
【図９】
0004532660.tif 000010
【図１０】
0004532660.tif 000011
【図１１】
0004532660.tif 000012
【図１２】
0004532660.tif 000013
【図１３】
0004532660.tif 000014
【図１４】
0004532660.tif 000015
【図１５】
0004532660.tif 000016
【図１６】
0004532660.tif 000017
【図１７】
0004532660.tif 000018
【図１８】
0004532660.tif 000019