(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
外周エッジと処理のための上面と下面とを有する基板を処理するための基板処理装置であって、
（ａ）操作中に処理ガスを受容するチャンバを画成するハウジングと、
（ｂ）該チャンバ内にあり該基板の該下面を受容する基板受容面、ガスポート、及び該ガスポートに通じているキャビティーに形成されて該チャンバの下側部分に通じている通路を有する基板支持体と、
（ｃ）該基板支持体を制限して、該基板支持体との間に該ガスポート及び該通路に通じている該キャビティーを画成し、該基板支持体を通る該通路で該キャビティーを該チャンバの該下側部分に滑らかに通じさせ、該基板の該外周エッジに隣接する基板支持体制限リングと、
（ｄ）該ガスポートを通じてパージガスを該キャビティー内に導入するとともに、該基板の該外周エッジで該通路を通じてパージガスを該チャンバの該下側部分内に導入するためのパージガス供給手段と、
（ｅ）該パージガスの流れを該基板の該外周エッジから離れさせることを促進することにより、該パージガスの導入と流れとが、該基板の該外周エッジ及び該下面への該チャンバ内処理ガスの接触を減少させるために、該基板支持体を通って形成されるとともに該キャビティーに滑らかに接続される少なくとも１つの流体通路と
を備える基板処理装置。
【請求項２】
該制限リングが、該基板支持体とそれぞれ隣接面で隣接し、該通路が該リング及び該支持体の該隣接面で画成される請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
該基板支持体が、該基板受容面に少なくとも１つの真空ポート開口を有し、該装置が更に、該チャンバ内で画成される第１の圧力よりも低い第３の圧力まで該真空ポートでの圧力を減少させるための吸引手段を有し、該第１の圧力と該第３の圧力との圧力差により該基板受容面に受容された基板が該基板受容面に抑えつけられる請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
該基板支持体が該支持体を加熱するためのヒーターを有し、該支持体に支持された基板が熱伝導により加熱される請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項５】
該制限リングが基板突出し部を有し、該基板突出し部はウエハが該基板支持体に支持された際にウエハの該上面の外周エッジ部を覆うような寸法である請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項６】
該支持体と該制限リングの該隣接面の少なくとも１つが平坦でない請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項７】
処理反応器であって、
基板を処理するためその上側の部分で処理ガスを受容する処理チャンバと、
前記上側部分内で前記基板を支持するペデスタルと、
前記基板の上側外周に係合し、前記外周の近傍で前記ペデスタルとの間にキャビティーを形成するシャドーリングと、
前記キャビティーにパージガスを供給するガスラインと、
前記キャビティーから前記チャンバの下側部分まで伸びる複数の流体通路と
を備え、前記流体通路が、前記ペデスタルに形成された閉導管である処理反応器。
【請求項８】
前記シャドーリングが前記外周の外側の前記ペデスタルの部分から所定のギャップだけ距離をもち、前記複数の流体通路が前記所定のギャップと同じではない請求項７に記載の処理反応器。
【請求項９】
前記ペデスタルが、前記基板を加熱するための抵抗ヒーターを有する請求項８に記載の処理反応器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板上へ物質を堆積させる装置に関する。特に、本発明は、基板裏面への物質の堆積を減少させることに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウエハ等の基板上へ物質の層を堆積させるには、化学気相堆積法（ＣＶＤ）又は物理気相堆積法（ＰＶＤ）を用いることができる。このプロセスの例としては、ＣＶＤを用いたシリコン基板上へのタングステンの堆積が挙げられる。
【０００３】
タングステンＣＶＤを開始するに当たり、堆積チャンバ内にウエハが移送され、ウエハはこの堆積チャンバ内でサセプタ等の支持体上に水平に、堆積面を上にして置かれる。ウエハの上向きの堆積面は、チャンバ内に移送される前に、窒化チタンでコーティングされる。その理由は、タングステンは通常のウエハの二酸化珪素（ＳｉＯ２）表面にはすぐに付着しないからである。しかし、これは窒化チタンには付着する。
【０００４】
コーティングがなされたウエハがチャンバ内に移送された後は、堆積ガス、通常は弗化タングステン（ＷＦ６）が、ガス流入口又はウエハ上部に配置された「シャワーヘッド」を介してチャンバ内に導入される。代表的には、堆積プロセスの主要な部分は、２５０℃〜６００℃の高温及び１０．７〜１２ｋＰａ（８０〜９０トール）の亜大気圧の条件で行われる。
【０００５】
タングステンＣＶＤ及びその他の基板処理操作においては、各基板からいかに多くのダイ（チップ）を得るかが最も重要な目標となる。これらの処理操作で処理された各基板からのダイの最終的な収率には、多くの因子が影響している。これらの因子には、基板に付着して基板表面を汚染する汚染物の量も含まれる。また、その他の因子として処理変数が挙げられ、これらは基板表面上に堆積される物質の層の均一性及び厚さに影響するものである。ＣＶＤ及びその他のプロセスで各基板からのダイの収率を最大にするためには、これらの因子をはじめとする因子が細心に制御される必要がある。
【０００６】
しかし、ＣＶＤ処理チャンバには、様々な汚染粒子の多様な発生源が含まれ、この汚染粒子が基板表面に付着すれば、ダイの収率が減少する。ＣＶＤ処理における粒子汚染発生源の１つに、ウエハのエッジ及び裏面ないし下面への物質の堆積がある。様々な理由で、この堆積物質の層は基板のエッジ又は裏面ないし下面にはしっかりと付着せず、そのため、これらの場所に堆積した物質の層は剥離（フレーキング）してＣＶＤ処理操作とその後の処理操作において汚染物粒子となることが知られている。このことは、窒化チタンがウエハのエッジと裏面とに堆積されない状態で行われたタングステンＣＶＤプロセスにおいて特に顕著である。上述のように、このことは、タングステンがこれらの場所にしっかりとくっつかずに比較的簡単に剥離するだろうことを意味する。
【０００７】
このような、エッジ及び裏面への不要な堆積物を抑制する方法の１つに、シャドーリング（ｓｈａｄｏｗ  ｒｉｎｇ）を用いてこれらの場所への堆積が生じることを減少させる方法がある。シャドーリングはマスキング材であり、通常は基板の上に静置されて、基板の上側、外側及び周囲を包囲する。これは、堆積ガスが基板の接触領域に到達する通路を制限する。シャドーリングは、プロセスガスが接触周囲領域に致る通路を制限するので、このガスが基板のエッジ及び裏面へ致る通路も制限する。しかし、ウエハの反りやゆがみのため、このシャドーリングはあらゆる場合に良好な結果をもたらすわけではなく、揮発性の堆積ガスはシャドーリングのリップの下を通り抜けて基板のエッジや裏面に不要な物質を堆積させる。
【０００８】
不要な堆積物による汚染物の存在から他へ目を向ければ、処理変数もまたダイ収率に影響する。この処理変数の１つ（堆積物質層の均一性に影響を与える変数）に、ウエハ加熱の均一性が挙げられる。
【０００９】
従来から用いられる処理チャンバの多くでは、ウエハはヒーターランプによって下側から加熱される。このヒーターランプは、赤外線の放射によって、チャンバ内で基板を支持するサセプタを加熱する。次いで、サセプタは、熱伝導により基板を加熱する。このような装置による問題の１つは、サセプタ（代表的には８ミリ厚のアルミニウム製でセラミックのサポートプレートがついている）の寿命が比較的短いことである。このことは、サセプタを３，０００サイクル毎に交換する必要があることを意味し、その結果、作業コストと修理時間を増加させることになる。
【００１０】
この１つの解決策として、ヒーターランプと薄いサセプタとを、ウエハを支持し且つ加熱する１つのヒーターペデスタルに換えることが挙げられる。このタイプも配置の１つの例が、米国特許出願通し番号０８／２００，０７９号及び０８／２００，８６２号に記載されている。ここに記載されている装置では、チャンバ内で垂直脚（ストーク）に載置されるヒーターペデスタルの平坦な支持表面上にウエハは支持される。このペデスタルは加熱コイルによって加熱され、次いで、ウエハは高温の支持ペデスタルにより加熱される。ウエハの加熱の均一性を高めるため、この装置はウエハの下面側とペデスタルの平坦な支持表面との間の界面を真空に引く機構を備えている。そして、ウエハの上と下の差圧はウエハをペデスタルに引っ張り、その結果、ウエハの加熱の均一性が改善される。
【特許文献１】米国特許出願第０８／２０００７９号明細書
【特許文献２】米国特許出願第０８／２００８６２号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかし、このようにウエハの裏面で真空が引かれる結果、処理ガスがウエハのエッジ近辺でウエハとペデスタルとの界面の中に引き込まれることがある。このことは、シャドーリングが存在していても起こり得ることであり、その結果、シャドーリングがウエハの上に配置されていても、ウエハのエッジと裏面とに不要な堆積を生じさせることになる。前に述べたように、この不要な堆積は汚染粒子を発生させ得る。従って、加熱の均一性を改良することに付随して、ウエハのエッジと裏面とに不要な堆積が増加する可能性が生じてしまう。
【００１２】
従って、基板をより均一に加熱し、しかも、基板のエッジ及び裏面に堆積する物質を減らす、改良された装置に対する要求がある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
即ち、本発明は、端面のエッジと処理のための上側表面と支持体上にある下側表面とを有する基板を処理するための基板処理装置である。この装置は処理チャンバを有し、チャンバ内には、基板支持体を収容する。この基板支持体は、ヒーターペデスタルの形態であり、基板の下面を受けるための基板受容面を有する。この周囲を制限するシャドーリングは、ペデスタルの周囲に配置され、基板の端面エッジ部分を覆う。このシャドーリングはまた、基板の端面エッジでペデスタルとシャドーリング自身の間のキャビティーを画成する。
【００１４】
操作に際しては、チャンバは第１の圧力で処理ガスを受容し、第１の圧力よりも高い第２の圧力で、シャドーリングとペデスタルとの間のキャビティー内にパージガスが導入される。パージガスの流れを基板の端面エッジからより遠ざけるために、流体導管が具備される。好適な実施例では、この流体導管は、ペデスタルとシャドーリングとの間の界面において、ペデスタル本体に形成されるチャンネルである。
【発明の効果】
【００１５】
パージガスを導入して流すことにより、基板の端面エッジ及び下面への不要な堆積物が減少したことが見出された。
【００１６】
この装置には、ペデスタルの受容面においてガスポート開口部を有していてもよい。処理中にガスポートの圧力は、上記第１の圧力よりも低い第３の圧力まで減じられる。この第３の圧力は、代表的なチャンバ圧力である。このことにより、受容面に受容された基板は、第１の圧力と第３の圧力との差圧により、ペデスタルにしっかりと保持される。
【００１７】
シャドーリングは、代表的には、リップ構造を有する基板受容着座を画成する。このリップ構造は、使用時には、基板の上面の端面エッジを覆う。処理中においては、基板は、基板に支持されるシャドーリングと共に、この着座の内部に受容される。その結果、リップは基板の表面と接触して、基板の表面に、処理中の物質の堆積が生じない排除領域を提供する。
【００１８】
チャンバ内に基板が存在しないときは、シャドーリングは少なくとも１部においてペデスタルにより支持される。ペデスタルとシャドーリングの間の界面では、ペデスタルの表面は幾つもの同心円状の溝のため平坦ではなくなっている。この溝は、シャドーリングにも形成されて、ペデスタルとシャドーリングの間の接触領域を小さくする作用を有していてもよい。そしてこれは、シャドーリングとペデスタルの付着を減じ、シャドーリングとペデスタルの間の半径方向の動きを容易にする。
【００１９】
好ましくは、ペデスタルは支持体を加熱するヒーターを有し、この支持体に支持される基板は、熱伝導により加熱される。
【００２０】
本発明は、タングステンＣＶＤプロセスを用いてウエハを処理する半導体ウエハ処理チャンバの用途に特に有効であるが、これに限定されるわけではない。
【００２１】
本発明の最も重要な利点は、基板のエッジと裏面への堆積の発生を抑制することが出来ることである。
【００２２】
本発明の別の利点は、ペデスタル上に支持された基板を均一に加熱することが提供されることである。
【００２３】
本発明のまた別の利点は、ペデスタルが加熱を受けても、従来の薄型サセプタよりも長い寿命を有することである。
【００２４】
以下、添付した図面を参照して、本発明を更に詳細に説明する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
図１は典型的な金属ＣＶＤ処理装置１０を表し、この図１を参照しつつ、本発明の一般的な適用例を例示していく。装置１０は、処理チャンバ１４を画成する外部本体１２を有する。処理チャンバ１４は、アルミニウムのヒーターペデスタル１６を収容し、このヒーターペデスタル１６は略垂直向きのストーク１８上に支持される。ヒーターペデスタル１６は、半導体ウエハ２０をその支持面２２で支持する役割をもつ。
【００２６】
ウエハ２０は、エッジを制限するシャドーリング２４に囲まれる。シャドーリング２４の外側周囲には、外側支持リング２５が配置される。この外側支持リング２５は、従来型のポンピングプレート２７上で支持され、このポンピングプレート２７は、さきの２つのリング２５及び２７と共にチャンバ１４を上側部分１４ａと下側部分１４ｂとに分割する。
【００２７】
処理中では、ペデスタル１６は上方向に移動し、ウエハ２０をシャドーリング２４に対して押して上方向に持ち上げ、シャドーリング２４はウエハ２０から吊り下げられ同時にウエハ２０に支持される。処理が行われない時（即ち、アイドリング状態）、ペデスタルは下側の位置にあり、シャドーリング２４は外側シャドーリング２５とステップ構造体２６とにより支持される。このステップ構造体２６は、制限コーナーリング６０内に形成されて、ペデスタル１６の外側エッジに溶接で付加されている。
【００２８】
このように支持されれば、ペデスタル１６は、加熱されたままであるので、熱伝導によりシャドーリング２４を加熱する。処理を開始する前にシャドーリングを加熱するための遅れが生じないため、このことが反応器のスループットを向上させる。
【００２９】
しかし、外側リング２５はペデスタルによっては加熱されず、シャドーリング２４よりも概ね低い温度のままである。シャドーリング２４から低い温度の外側支持リング２５への熱損失を防ぐため、シャドーリング２４は、外側リング２５上の６つのパッド（図示されず）の上に置かれる。その結果、シャドーリング２４から外側リング２５への熱損失はほとんどなく、シャドーリング２４を横断する大きな温度勾配はなくなる。仮に温度勾配が大きくなれば、熱応力によりシャドーリングにクラックが発生する。同様に、外側リング２５はポンピングプレート２７の上の６つのパッド（図示されず）上に置かれる。
【００３０】
このような構成の結果、ポンピングプレート２７と外側リング２５との間と、外側リング２５とシャドーリング２４との間とに、それぞれ小さなギャップが生じる。これらのギャップは、処理中及びチャンバのアイドリング状態において見られる。堆積ガスがこれらのギャップを介して移動することを防止するため、パージガス、通常は窒素ガス又はアルゴンガスがチャンバの下半分１４ｂ内に導入される。このガスは、毎分５００ミリリットル〜毎分２リットルの流量で導入され、これらのギャップの中を流れ、チャンバの下半分１４ｂへの堆積ガスが移動を効果的に防止する。
【００３１】
また、図１はペデスタル１６本体を貫通するアパーチャー３０内に受容されるウエハリフトフィンガー２８が例示される。通常、装置１０はこのリフトフィンガーを４本有している。これらのリフトフィンガー２８が作動して、ペデスタル１６の上面２２からウエハ２０を持ち上げて離すので、ウエハを処理後にチャンバから除去することができる。ウエハの除去は、従来型の処理装置ロボットアーム（図示されず）によって行われ、このロボットアームは、スリットバルブを介して選択的に開閉するポート３２を介してチャンバ内に導入される。これと同じロボットアームがチャンバ１４内にウエハを挿入するために用いられる。このリフトフィンガー２８は、リフティング機構３４の動きにより垂直方向に可動であり、リフティング機構３４は上部のみが図示される。
【００３２】
処理中においては、ヒーターペデスタル１６は電気ヒーター要素により内側から（約３００℃〜約５００℃まで、代表的には４５０℃まで）加熱される。この電気ヒーター要素の詳細は後述する。次いで、ヒーターペデスタル１６がウエハ２０を熱伝導により加熱する。ウエハが適当な温度（好ましくは約４５０℃）に達したならば、ウエハ２０の上方に配置されたシャワーヘッド３６を介して処理ガスがチャンバ１４内に導入される。このシャワーヘッド３６の詳細と処理ガス（タングステンＣＶＤプロセスの場合は弗化タングステンがよく用いられる）がチャンバ内に導入される様式に関しては、従来から知られている。
【００３３】
次に、図２及び図３を参照して、ヒーターペデスタル１６を詳細に説明する。図１に示されるようにペデスタル１６は平坦な上側のウエハ支持面２２と、コーナーリング６０に形成されたステップ構造体２６と、４つのフィンガーアパーチャー３０とを有する。前述のように、これらのアパーチャー３０はリフトフィンガー２８を収容し、そのうちの１つは図１に例示されている。
【００３４】
図２に示されるように、ペデスタル１６は、上側の支持表面２２に同心円状の溝（グルーヴ）４０を複数有する。これらの同心円状の溝４０は、代表的には、幅０．２１ｍｍ（０．００８インチ）、深さ０．３８ｍｍ（０．０１５インチ）、間隔２．９７ｍｍ（０．１１７インチ）のサイズである。これらの溝は、半径方向（放射方向）に形成されているチャンネル４２で相互につながっている。各半径方向チャンネル４２の末端では、複数の真空ポート４４がペデスタル本体内に形成されている。図３に示されるように、これらの真空ポート４４は、主ペデスタル本体６１の下側に形成された円形マニホールドグルーヴ４６と通じている。このグルーヴ４６は、プラグ４８によってペデスタルの下側でシールされている。また、グルーヴ４６は、ストーク１８内部に配置される真空導管５０と通じている。真空導管５０は、ペデスタル１６主本体６１内部の略水平導管（図示されず）少なくとも１本により、グルーヴ４６と通じている。
【００３５】
処理中においては、半導体ウエハ２０は、図３に示されるように、上面２２上に置かれている。上述のように、ペデスタル１６の動きにより、ウエハ２０がシャドーリングを僅かに持ち上げる。この時、ウエハの外側部分は、シャドーリング２４の突出したリップ５２を上にして支え且つ覆われる。その結果、シャドーリングは持上がってステップ構造体２６から離れ、シャドーリングの下部とステップ構造体２６の頂面との間に約０．１３ｍｍ（０．００５インチ）〜約０．３８ｍｍ（０．０１５インチ）のギャップが生じる。ペデスタルがシャドーリング２４を続けて加熱できるよう、このギャップはできるだけ小さくする必要がある。
【００３６】
典型的な堆積プロセスは、２つの別々のステップを含む。３０秒間続く第１のステップにおいては、チャンバの圧力は約０．６ｋＰａ（４．５トール）まで減じられ、チャンバ内に弗化タングステンが導入される。このステップは核生成ステップとして知られているが、このステップによりウエハ上に堆積されるタングステン層の厚さが非常に薄くなる。この薄い層は、タングステン層が更に堆積されるためのベース層として機能する。
【００３７】
第２のステップ（６０秒未満であり、タングステンのほとんどがこのステップで堆積される）では、ウエハ２０とペデスタル１６の上面２２との間に「真空」が引かれる。導管５０及びグルーヴ４６を通じ真空ポート４４を介して、約２．７ｋＰａ（２０トール）まで真空を引くことにより、この真空引きが行われる。この真空引きによって、同心円状溝４０の全てが約２．７ｋＰａの圧力になる。処理中のチャンバの内圧が約１０．７ｋＰａ〜約１２ｋＰａ（８０トール〜９０トール）であるので、ウエハを横断する差圧が生じる。この差圧により、ウエハ２０はペデスタル１６の上面２２に対して引っ張られる。このように堅い接触による利点は、ペデスタルからの熱がウエハへより均一に移動することである。その結果、ウエハの加熱が均一となり、従って、ウエハ表面へのタングステンの堆積が向上する。
【００３８】
次いで、ペデスタル１６は、ペデスタル１６本体内に搭載された電気加熱コイル５４による抵抗により加熱される。ストーク１８の本体内部に配置される、堅いステンレス製の接続ステム５６によって、コイル５４に電力が供給される。図にはコイルが１つしか示されないが、２つ以上のコイルを用いてもよく、又は、共に入れ子となるが電力は別々に供給される複数加熱要素を用いてもよい。
【００３９】
前述のように、シャドーリング２４によって、ウエハのエッジにある堆積が生じない排除領域が提供される。典型的なＣＶＤ処理操作では、ステップ構造体は高さ約３．８１ｍｍ（０．１５インチ）、シャドーリングの厚さは約５．０８ｍｍ（０．２インチ）、突出し部の厚さは約０．８９ｍｍ（０．０３５インチ）である。この突出し部が、通常、ウエハ２０のエッジの周囲約３〜５ｍｍ（０．１２〜０．２０インチ）の排除領域を画成する。
【００４０】
コーナーリング６０の詳細は、図４及び図６に例示される。これらの図は、図２及び図３と関連させて見ること。これらの図の全てに示されるように、コーナーリング６０は内部に複数の同心円状の溝６２を有する。これらの溝は、典型的には、等間隔に配置され、深さは２．５４ｍｍ（０．１０インチ）、幅２．５４ｍｍ（０．１０インチ）である。シャドーリング２４がコーナーリング６０の上面とくっつかないように溝６２が具備される。シャドーリングがペデスタルにくっつかない事は大変重要であり、その理由は、この２つの部品の熱膨張係数は異なり、従って、両方とも相手に対して可動たる必要があるからである。
【００４１】
コーナーリング６０はまた、放射状に伸びるチャンネル６４を１２本有する。これらのチャンネルは、典型的には、幅約３ｍｍ（０．１１７インチ）であり、図６に図示されるように、約５゜のテーパー角で、約１．５２ｍｍ（０．０６インチ）の深さから、ペデスタルの外側エッジに向かって下がり伸びる。チャンネル６４は、ペデスタル１６の外側エッジで、図１に示されるチャンバ１４の下部分１４ｂの中に通じ、ペデスタルの内部の方に通じ、コーナーリング６０の内部エッジ６７に沿って形成された鍵型構造体６６内部に通じる。この鍵型構造体は、溝６２の深さとほぼ同じ深さを有し、幅は約０．２５ｍｍ（０．０１インチ）である。
【００４２】
鍵型構造体６６の床面には、小さな、代表的には直径０．７６ｍｍ（０．０３インチ）の、ガスポート６８が複数形成されている。特に図３から明らかなように、ガスポート６８は上方に向かって、上円周キャビティー７０に通じる。この上円周キャビティー７０は、ウエハ２０の外周エッジから少しだけ伸び、シャドーリング２４と主ペデスタル本体６１とコーナーリング６０とにより画成されている。ポート６８は、コーナーリング６０と主ペデスタル本体６１とにより画成される下円周キャビティー７２に通じている。ペデスタル１６のストーク１８の中心に伸びる導管５０を介して、下キャビティー７２にパージガスが供給され、従って上キャビティー７０にもパージガスが供給される。この導管５０から、８本の別の導管（図示されず）が放射状に、導管５０の頂点から略水平の方向にキャビティー７２にわたって伸びる。また中央導管７４がこの図に示されるが、処理中のペデスタル温度を測定する熱電対（図示されず）がこの中央導管７４に収容されている。
【００４３】
第２の堆積のステップでは、不活性なパージガス、代表的にはアルゴンガスが毎分約２リットルの流量でソース（図示されず）から圧力約２０７ｋＰａ（３０ｐ．ｓ．ｉ．）で供給され、流れ制御装置（マスフローコントローラー等）を流れる。この制御装置により、パージガスの圧力が約２５％〜３３％降下する。ガスがキャビティー７２及び７０にまで移動すれば、更に圧力が降下する。しかしなお、パージガスの圧力は上キャビティー７０内では充分高いので、このキャビティー内へ移動するプロセスガスを実質的に減少させるに足る。このキャビティー７０からパージガスは流出し、放射状に伸びるチャンネル６４を通ってチャンバ１４の下部分１４ｂへと致る。パージガスが流出した後は、チャンバ１４の下部分１４ｂ内に入り、チャンバ内の標準的な排気口から排気される。パージガスを供給しようとする場合は、第１のステップにおいて毎分約２５０ミリリットルの流量で供給する。
【００４４】
このパージガスを供給することにより、ウエハ２０のエッジ及び下面の外側部分へのタングステンの堆積が減少ないし除去されるという利点がある。この結果は、２つの因子によると考えられる。第１に、パージガスは上キャビティー７０ではチャンバの雰囲気圧力よりも高い圧力にあることである。その結果、ガス化した弗化タングステンはシャドーリング２４のリップ５４の下面にしみ入ることが防止される。第２に、このしみ入りが生じなかった場合でも、パージガスを流すことにより、チャンバ７０内から弗化タングステンガスが除去される。なぜなら、制限リング６０内に形成された放射状のチャンネル６４を、パージガスは連続して高いマスフローレートで流出するからである。
【００４５】
前述で指摘したように、ペデスタルからシャドーリングへ出来るだけ多くの熱量が移動するように、シャドーリングとステップ構造体との間のギャップは出来るだけ小さく保つ必要がある。しかし、この小さなギャップはチャンバ７０内に充分なパージガスを流すことが出来る程度の充分な大きさをもっていない。また、チャンネル６４が存在しなければ、パージガスがウエハ表面からシャドーリング２４を持ち上げてしまうことも確認されている。このことは、シャドーリングのマスキング効果に対して有害であり、ウエハのエッジの周囲の排除部分を不均一ないし不定なものにしてしまう。しかし、チャンネル６４が存在して、パージガスがチャンネルに沿って流れれば、このような堆積が起こらない。従って、これらのチャンネルは、チャンバ内の圧力をシャドーリングが浮上しないような低いレベルに維持する機能と、チャンバからパージガスを自由に流出させてシャドーリングの下にしみ入る堆積ガスを除去する機能との、２つの機能を有する。
【００４６】
以上のように、特定の具体例（タングステンＣＶＤプロセスに用いる装置）に関して本発明を説明してきたが、この分野で通常の知識を有する者であれば、これを変形することが可能であろう。例えば、放射状に伸びるチャンネル６４は、適当なタイプの導管であってもよい。この場合、パージガスの流れを充分にし、且つ、シャドーリング２４とペデスタル１６との間に緊密な熱的接触を実現するように、この導管のサイズと位置が決められるべきである。例えば、チャンネル６４は、主ペデスタル、コーナーリング、又はシャドーリングへ通じる導管に置き換えてもよく、あるいは、シャドーリング２４の底面の放射状のグルーヴで置き換えてもよい。また、ステップ構造体２６、同心円状溝６２及びチャンネル６４は、一体のペデスタル本体であってもよく、コーナーリング６０は別々でなくてもよい。更に、ここでの特定の記載は、直径１５０ｍｍ及び２００ｍｍ（６インチ及び８インチ）ウエハの処理のためのものである。違うサイズのウエハの処理のためには、適当な変形を行えばよい。更に、ペデスタルの厳密な形状は重要ではなく、ドーム状でもよく投影像が円形でなくてもよい。同様に、ウエハは半導体ウエハでなくてもよいし、円形でなくてもよい。別の物質の基板でもよいし、並びに／又は、円形でなくてもよい。
【００４７】
以上詳細に説明したように、本発明の装置及び方法によれば、基板がより均一に加熱され、しかも、基板のエッジ及び裏面に堆積する物質が減少する。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】半導体処理装置の部分的な断面図である。
【図２】ヒーターペデスタルの平面図である。
【図３】図２に示される線３−３の断面図である。
【図４】ペデスタル制限リングの詳細な断面図である。
【図５】図４の線４−４の断面図である。
【図６】制限リングのエッジの部分的な断面図である。
【符号の説明】
【００４９】
１０…ＣＶＤ処理装置、１２…外部本体、１４…処理チャンバ、１４ａ…チャンバの上側部分、１４ｂ…チャンバの下側部分、１６…ヒーターペデスタル、１８…ストーク、２０…半導体ウエハ、２２…支持面、２４…シャドーリング、２５…外側支持リング、２６…ステップ構造体、２７…ポンピングプレート、２８…ウエハリフトフィンガー、３０…アパーチャー、３２…ポート、３４…リフティング機構、３６…シャワーヘッド、４０…同心円状溝、４２…チャンネル、４４…真空ポート、４６…円形マニホールドグルーヴ、４８…プラグ、５０…真空導管、５２…リップ、５４…加熱コイル、５６…ステム、６０…制限コーナーリング、６１…主ペデスタル本体、６２…同心円状溝、６４…チャンネル、６６…鍵型構造体、６８…ガスポート、７０…上円周キャビティー、７２…下円周キャビティー、７４…中央導管。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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