(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
入射光（１８）の関数として網膜（１６）を刺激するための網膜インプラントであって、
眼（１２）の網膜（１６）の領域に埋め込まれるように設計されている刺激チップ（３０）であって、網膜細胞（５８）と接触する複数の接触点（５６）と、進入する可視光（１８）の関数として前記接触点（５６）を駆動する複数の光感受性素子（６２、６４；８２；９４）とを含む刺激チップ（３０）を有し、かつ
進入するＩＲ放射線である不可視放射線（２４）の関数として前記刺激チップ（３０）にエネルギーを提供する放射線受信部（３２）であって、当該不可視放射線が進入したとき、電圧を生じる光起電素子を備えた放射線受信部を有し、
前記放射線受信部（３２）が、前記刺激チップ（３０）から空間的に分離されて眼（１２）の領域に埋め込まれるように設計されており、
前記刺激チップ（３０）が、不可視散乱放射線（３６、３８）を進入する可視光（１８）から分離するためにデカップリング手段（５０；５２；８６、８８；９２）を有する網膜インプラント。
【請求項２】
前記刺激チップ（３０）が、不可視放射線を抑制する選択的帯域ストップフィルター（５２）をデカップリング手段として含む、請求項１に記載の網膜インプラント。
【請求項３】
前記刺激チップ（３０）が、不可視放射線（２４）に対する低下した感受性を有する光感受性素子（６２、６４；８２）をデカップリング手段として含む、請求項１または２に記載の網膜インプラント。
【請求項４】
前記光感受性素子（６２、６４）が、１．５ｅＶを越える価電子帯と伝導帯との間のバンドギャップを有する材料からなる光感受性層（５０）を含む、請求項３に記載の網膜インプラント。
【請求項５】
前記刺激チップ（３０）が、表面の近くにある第１の層と、表面から離れている第２の層（８４）とを有し、前記表面の近くにある第１の層が前記光感受性素子（８２）を含み、かつ、不可視放射線（２４）の侵入深さ（８８）との比較により入射光の方向に薄い層状構造を有する、請求項３または４に記載の網膜インプラント。
【請求項６】
前記刺激チップ（３０）が、それぞれの光感受性素子（９４）を、ある期間についてだけ活性化するクロックステージ（９２）をデカップリング手段として有する、請求項１ないし５のいずれかに記載の網膜インプラント。
【請求項７】
前記放射線受信部（３２）が不可視放射線（２４）に対する反射防止層（７２）を有する、請求項１ないし６のいずれかに記載の網膜インプラント。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、
・眼の網膜の領域に埋め込まれるように設計されている刺激チップであって、網膜細胞と接触する多数の接触点と、進入する可視光の関数として接触点を駆動する多数の光感受性素子とを含む刺激チップを有し、かつ
・進入するＩＲ（赤外）放射線である不可視放射線の関数として刺激チップにエネルギーを提供する放射線受信部であって、当該不可視放射線が進入したとき、電圧を生じる光起電素子を備えた放射線受信部を有する、
網膜を入射光の関数として電気刺激するための網膜インプラントに関する。
【背景技術】
【０００２】
そのような網膜インプラントが、例えば、下記特許文献１に開示されている。
様々な試みが、上記タイプの網膜インプラントの助けをかりて網膜変性の場合による失明を是正するためにしばらく前から進行中である。その基本的な考え方は、変性した網膜の領域におけるマイクロエレクトロニクス刺激チップのインプラントを患者に与えることである。この刺激チップは、入射光の関数として網膜の領域において電気的パルスを発生する多数の光感受性素子を有する。この網膜インプラントは網膜上に設置することができ（いわゆる、網膜上部法）、または、網膜内もしくは網膜下に埋め込むことができる（いわゆる、網膜下法）。本発明は、主として、網膜下インプラントの場合における実用的な埋込みを目指している。しかし、本発明はまた、網膜上部インプラントまたは他の眼内インプラントの場合においても同様に適用することができる。
【０００３】
下記特許文献２には、進入する周囲の光が、網膜細胞のための必要とされる刺激を生じさせるために既に十分であることが意図されるように設計されている網膜下インプラントが開示されている。したがって、このインプラントのさらなるエネルギー供給に関する詳細は記載されていない。
冒頭で言及された下記特許文献１には、刺激が、光起電層によって生じた電圧を利用することにより局所的に切り換えられる、不可視電磁放射線に対して活性である光起電層を備える網膜下インプラントが開示されている。この形態は、不可視スペクトル領域からの電磁放射線（具体的には赤外放射線）の助けをかりてさらなるエネルギーを刺激チップに提供するという考えに基づいている。その結果として、弱い照明条件の場合でさえ、十分に強い刺激を可視スペクトル領域において生じさせることができる。
【０００４】
実用的な埋込みにおける困難さは、インプラントが赤外放射線の照射によって暴走しないようにインプラントを適合させることにある。すなわち、言い換えれば、インプラントを不可視赤外放射線に対して「見えなくする」ことである。前記下記特許文献１には、赤外放射線に対して感受性を有する光起電層が、赤外放射線に対して透明であり、ほんの少しドープされているか、または全くドープされていないアモルファス層の下に配置される方法が記載される。他方で、このアモルファス層は可視光に対して感受性である。暗時において、このアモルファス層の電気伝導率は非常に低く、すなわち、アモルファス層は、原理上、絶縁体として作用する。可視光がアモルファス層に進入した場合、その電気伝導率が数桁大きくなる。その場合、赤外放射線の助けをかりてその下にある光起電層において生じた電荷キャリアは、網膜細胞を刺激するためにアモルファス層を通り抜けることができる。したがって、アモルファス層は、可視光によって制御される電子的スイッチとして作用する。
【０００５】
エネルギーのさらなる内部結合（ｉｎｃｏｕｐｌｉｎｇ）を用いたさらなる網膜インプラントが下記特許文献３に開示されている。しかしながら、上記で説明されたインプラントとの対比によって、エネルギーの内部結合はこの発明では誘導的である。したがって、内部結合する赤外放射線に伴う上記で概略された様々な困難が除かれている。他方で、さらなるエネルギーの誘導的内部結合は、網膜インプラントの少なくとも部分的に異なる構造を必要とする。例えば、下記特許文献３において提案された概念によれば、刺激チップの側面において誘導されたＡＣ電圧を好ましいＤＣ電圧に変換するために、変換器デバイスが必要である。対応する変換器デバイスは網膜インプラントの領域において空間を必要とし、また、しかしながら、回路に対する対応する費用にも関連づけられる。
【特許文献１】独国特許出願公開第１９７０５９８８号明細書
【特許文献２】欧州特許出願公開第０４６０３２０号明細書
【特許文献３】独国特許出願公開第１９９３１０８３号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、上記を考慮して、付加的なエネルギーが電磁放射線の助けをかりて結合し得る場合における網膜インプラントのための代替物を明確にすることである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この目的は、放射線受信部が、刺激チップから空間的に分離されて眼の領域に埋め込まれるように設計されているという事実によって、また、刺激チップが、不可視散乱放射線を進入する可視光から分離するためにデカップリング手段を有するという事実によって本発明において達成される。
したがって、上記特許文献１に開示された網膜インプラントの場合とは異なり、放射線受信部および実際の刺激チップを、これら２つの空間的デカップリングをこのように既に達成するために互い分離することが本発明によって提案される。例えば、現時点で好ましい実施形態では、放射線受信部を、網膜の領域において、しかし、刺激チップから片寄った様式で埋め込むことが同様に提案される。しかしながら、放射線受信部を、眼の外側に、例えば、眼の角に配置することもまた、これに対する代替として可能である。
【０００８】
さらにまた、付加的なエネルギーとして提供される不可視電磁放射線（好ましくは赤外放射線）をとりわけ放射線受信部に向かわせること、または、さらなるエネルギーとして提供される不可視電磁放射線（好ましくは赤外放射線）を刺激チップの光感受性素子から遠ざけることが、この方策に基づいて可能である。材料の選択を考えると、また、光感受性素子および放射線受信部の構造的形態を考えると、この方策は形態のより大きな柔軟性および幅をもたらす。したがって、述べられた２つの構成成分はそれぞれの場合において、それらのそれぞれの意図された使用に対してより良好に最適化することができ、このことはより大きな効率を可能にする。所望される付加的なエネルギーが、ＩＲレーザーダイオードの助けをかりて、例えば、空間的に片寄った放射線受信部に対して特異的に放射される場合、刺激チップにおける光感受性素子の望ましくない障害を実質的に減少させることができる。
【０００９】
しかしながら、刺激チップおよび放射線受信部の本発明において提案される空間的に離れた配置を用いた実用的実験は、すべての条件のもとでの赤外放射線による光感受性素子の暴走を排除するためには、空間的分離だけでは十分でないことを示している。特に、鋭く収束するＩＲレーザーダイオードが使用されたときでさえ、散乱する事実のために、散乱した放射線成分が空間的に片寄った刺激チップに到達し得ることが明らかになった。様々な問題が、刺激チップに「直接的に」到達する散乱した放射線成分によって、また、眼の内部でのＩＲ放射線の（多重）反射によってその両方でここでは提示される。この結果として、本発明は、刺激チップおよび放射線受信部の空間的分離を、刺激チップの側面における（さらなる）デカップリング手段によって補うという考えに基づいている。空間的分離および（さらなる）デカップリング手段の組合せにより、光感受性素子の暴走を確実に排除することが可能になる。
【００１０】
本発明において提案される網膜インプラントは、外部から眼の中に放射される不可視電磁放射線の助けをかりて付加的なエネルギーが提供される上記特許文献１に開示された網膜インプラントとの共通点を有する。しかしながら、この知られている網膜インプラントとの対比により、本発明では、光感受性素子を暴走させるという危険性に関して、実際に生じている様々な困難を除くために、異なる経路が提案される。前記の目的はそれにより完全に達成される。
【００１１】
好ましい実施形態において、刺激チップは、不可視電磁放射線を抑制する選択的帯域（バンド）ストップフィルターをデカップリング手段として含む。選択的帯域ストップフィルターは、好ましくは、この場合、特に二酸化チタンおよび二酸化ケイ素からなる誘電性の多数の交互になった層に基づく干渉フィルターとして実施される。
この実施形態を用いて、刺激チップの側面における不都合な赤外放射線が特異的に抑制される。この方策は、適切なフィルター処理技術が非常に効果的に刺激チップの製造プロセスに一体化され得るという利点を有する。前記材料の使用はさらに、所望のフィルター処理特性を、生体適合性を達成するための方策と組み合わせることを可能にし、また、このことは製造費用およびしたがって製造コストを削減する。
【００１２】
さらなる実施形態において、刺激チップは、不可視放射線に対する低下した感受性を有する光感受性素子をデカップリング手段として有する。
帯域ストップフィルターを用いる目的は、不可視散乱放射線を刺激チップから遠ざけることであるのに対して、この実施形態は、不可視放射線の望ましくない散乱成分の存在を「受け入れる」という考えに基づいており、そして、光感受性素子をそれに対して非感受性にすることである。様々な好ましい可能性がこの目的のために存在する。これらは下記においてさらに詳しく説明される。この方策は、様々な基本的原理により、特に効果的なデカップリングが可能であるので、選択的帯域ストップフィルターに対する補完として特に好都合である。上記で記載されたタイプの選択的帯域ストップフィルターの場合、例えば、小数第２位から小数第３位の範囲でのデカップリング（１／１００または１／１０００の係数による抑制）を達成することが可能であるのに対して、さらには下記に記載される方策の助けをかりてまた１０〜４０を達成することがさらに可能である。
【００１３】
上記方策の１つの実施形態において、光感受性素子は、１．５ｅＶを越える価電子帯と伝導帯との間のバンドギャップを有する材料からなる光感受性層を含む。好適な材料は、例えば、高炭素ドープ処理のアモルファスシリコンであり、そうでなければヒ化ガリウムである。アモルファスシリコンが、現在、その低い毒性に基づいて好まれる。
前記方策は、そのような材料選択を仮定すると、進入する赤外放射線は十分に多くの電子を価電子帯から伝導帯に運ぶことができないという発見に基づいている。その理由は、このような材料選択を考えると、光感受性素子が赤外放射線に対して比較的非感受性であるからである。すなわち、このような材料選択を考えると、赤外放射線は、ほとんどが効果を伴うことなく光感受性素子を通過する。およそ小数第３位から小数第４位の範囲（１／１０００ないし１／１００００の係数）でのデカップリングをこの方策で達成することができる。
【００１４】
さらなる実施形態において、刺激チップは、表面の近くにある第１の層と、表面から離れている第２の層とを有し、表面の近くにある第１の層が光感受性素子を含み、かつ、不可視放射線の侵入深さとの比較して入射光の方向に薄い層状構造を有する。
この実施形態は、そのより長い波長のために、赤外放射線が、例えば、可視スペクトル領域に由来する青色光または緑色光が侵入するよりも深く半導体材料の中に侵入するという発見に基づいている。したがって、ここでの基本的な考えは、進入する赤外散乱放射線が効果を依然として現さない（まだ吸収されない）刺激チップの表面に近い領域に光感受性素子を配置することである。小数第１位ほどのデカップリングをこの方策によって達成することができる。表面に近い第１の層が、この場合には不可視放射線の侵入深さとの比較によって、平坦であるほど、この方策は効果的である。
【００１５】
さらなる実施形態において、刺激チップは、それぞれの光感受性素子をある期間についてだけ活性化するクロックステージをデカップリング手段として有する。
この方策は、刺激チップおよび放射線受信部を、空間的ではなく、時間依存的な様式でもまた互いにデカップリングするという考えに基づいている。光感受性素子が、ある期間についてだけそれぞれの場合において活性化されることを仮定すると、エネルギーを刺激チップに供給する目的のために赤外放射線を照射して、不活性な期間にする可能性が存在する。およそ小数第２位から小数第４位の範囲でのデカップリングを、この方策の助けをかりて達成することができる。
【００１６】
本発明のさらなる実施形態において、放射線受信部は、不可視放射線に対して選択的であり、かつ、その上部側に好ましくは直接的に配置される反射防止層を有する。
この方策は、不可視スペクトル領域における所望されない干渉する放射線の生成が既に減少しているので、上記で既に記載された方策に対するさらなる効果的な補完である。しかしながら、散乱した成分は放射線受信部の表面によって反射されるだけでなく、例えば、レンズにおける屈折によってもまた生じるので、この方策は、以前の方策に対する補完として主に選ばれる。他方で、小数第１位の範囲でのさらなるデカップリングをこの発見によって達成することができる。
【００１７】
言うまでもないことであるが、上記に示された特徴および下記においてなおも説明される特徴は、それぞれ示された組合せで使用され得るだけでなく、本発明の範囲から逸脱することなく、他の組合せまたはそれらを単独でもまた使用され得る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
本発明の様々な実施形態が図面に例示されており、また、それらは下記の記述においてさらに詳しく説明される。
新規な網膜インプラントの１つの実施形態が参照符号１０によってその全体が図１に示されている。
網膜インプラント１０は患者の眼１２の中に置かれる。単純化のために、眼のレンズ１４および網膜１６のみが概略的に示されているだけである。可視光（ここでは矢印１８を用いて概略的に示されている）が、十分に知られている光学の法則に従ってレンズ１４を通って眼の中に入る。可視光１８のビーム経路が、ここでは、参照符号２０を用いて概略的に示されている。
【００１９】
参照符号２２は、例として、３つのＩＲレーザーダイオードを示しており、その助けをかりて、エネルギーがＩＲ放射線の形態で眼１２の中に特異的にカップリングされ得る。赤外放射線が参照符号２４によって示されている。３つのＩＲレーザーダイオード２２の助けをかりたこの例示は、様々なビーム経路を示すために例としてここでは選択されている。しかしながら、実用的な実施では、１つだけのＩＲレーザーダイオード２２を提供することが好ましい。しかしながら、本発明はこれに限定されず、本発明はまた、任意の他の数のＩＲレーザーダイオードを用いて、また、他の好適な放射線源を用いて実施することができる。
【００２０】
ここで示された実施形態において、網膜インプラント１０は、それぞれの場合、網膜細胞がその助けをかりて可視光１８の関数として刺激される実際の刺激チップ３０と、それから片寄っている放射線受信部３２とを含む。刺激チップ３０および放射線受信部３２は互いに電気的につながっており、これはここでは線３４によって示されている。放射線受信部３２はエネルギー変換装置（光起電素子）として作動し、ＩＲレーザーダイオード２２の助けをかりて放射されるＩＲ放射線２４を受け取るという目的と、その関数として刺激チップ３０にエネルギーを提供するという目的とを果たす。
【００２１】
刺激チップ３０と放射線受信部３２との間での実質的なデカップリングが、刺激チップ３０および放射線受信部３２の空間的分離のために、また、放射線受信部に対するＩＲ放射線の特異的照射のために既に達成されている。そのようなデカップリングは、ＩＲ放射線による刺激チップ３０（これは下記においてさらに詳しく記載される）に存在する光感受性素子の暴走を防止するために望ましい。しかしながら、実用的な実験から明らかにされたように、空間的分離だけでは、すべての考えられ得る操作条件のもとでの適切なデカップリングを確実にするためには十分ではない。特に、ＩＲ放射線２４が眼１２の中に照射されたとき、空間的分離にもかかわらず、刺激チップ３０に到達し得る散乱した成分が存在することが明らかにされた。２つの重要な散乱源の例が、ＩＲ放射線がレンズ１４から出るときの屈折によって生じる散乱した光線３６である。さらなる散乱した光線３８により、放射線受信部３２の表面における反射が示される。さらに、多重反射が眼１２の硝子体の内側で生じ得る。したがって、刺激チップ３０は、様々な原因のために様々な方向からのＩＲ散乱放射線にさらされる。したがって、本発明によれば、刺激チップ３０は、不可視散乱放射線（ＩＲ放射線）２４を、進入する可視光１８から分離することを可能にするデカップリング手段を備える。
【００２２】
好ましい実施形態の下記の記載において、それぞれの場合における同一の参照符号は、図１におけるのと同じ要素を示す。
図２は網膜インプラント１０の第１の実施形態を示す。刺激チップ３０の概略的な設計および網膜１６の内部におけるその位置が図２の左側部分に詳しく示されている。図２の右側部分には、刺激チップ３０から空間的に片寄った様式で網膜１６に同様に埋め込まれた放射線受信部３２の概略的な設計が示されている。
【００２３】
刺激チップ３０は、この場合、少なくとも１．５ｅＶの価電子帯と伝導帯（ここでは示されていない）との間のバンドギャップを有する半導体材料から作製された光感受性層５０を含む。好ましい実施形態において、これは高炭素ドープ処理のアモルファスシリコンである。この好ましい実施形態において、バンドギャップは約２ｅＶである。あるいは、ヒ化ガリウム（しかしながら、これはその毒性作用のためにあまり好ましくない）、または、言及されたバンドギャプを有する任意の他の材料を使用することもまた可能である。
【００２４】
光感受性層５０の上には、多数の部分層５４から構築される層５２が配置されている。これらの部分層５４の材料および厚さは、層５２が不可視ＩＲ放射線２４の進入し散乱した成分をとりわけ抑制する干渉フィルターとして作用するように選択される。これらの部分層５４は、好ましくは、二酸化チタンおよび二酸化ケイ素から交互様式で製造される。これは、これらの材料は良好な生体適合性を有するからである。しかしながら、他の好適な材料を使用すること、そしてさらに、他のフィルタータイプをも使用することもまた可能である。その上、層５２を伴うことなく成し遂げられる実施形態もまた実行することができる。
【００２５】
参照符号５６は、光感受性層５０の一部分を刺激される網膜細胞５８につなぐ電極を示す。網膜細胞５８は、ここでは、網膜１６の構成要素である組織６０の層の一部として概略的に図示されている。
多数の電極５６が、空間分解された様式で多数の網膜細胞５８と接触させるために、示された実施形態において提供される。各電極５６は、光感受性層５０の一部６２、６４につながれている。したがって、個々の部分６２、６４は、網膜細胞５８が入射可視光１８の関数として刺激される光感受性素子である。
【００２６】
光感受性素子（部分）６２、６４は、可視光１８が進入したときにその電気伝導率を変化させるフォトレジスターとしてこの実施形態では埋め込まれている。しかしながら、その代替として、層５０の内側で光制御スイッチとして作用するフォトダイオード、フォトトランジスターおよび他の素子を提供することもまた可能である。
それ自体は知られている方法で、放射線受信部３２は、ｐｎ接合、すなわち、ここでは例として、ｐドープ層６６およびその下に位置するｎドープ層６８を用いたものとして例示される構造を含む。これら２つの層６６、６８のｐｎ接合は、光起電素子としてのその使用に関して最適化されている（大きさ、層のドープ処理など）。ｐｎ接合は、それ自体は知られている方法で基板７０の上に形成されている。ＩＲ放射線２４に対して透明である反射防止層７２がｐ層６６の上に配置されている。散乱した放射線（図１における散乱した光線３８）の割合はこの反射防止層７２のために減少し、これが刺激チップ３０のさらなる改善されたデカップリングに寄与する。
【００２７】
既に言及されたように、層６６、層６８のｐｎ接合は、この場合、赤外放射線２４に合わせられた光起電素子として作動する。その結果として、赤外放射線２４が進入したとき、網膜細胞５８を刺激するために使用される電圧Ｕがｐｎ接合の空間電荷域（ここでは示されず）の領域において生じる。生じた電圧Ｕが、その結果として、配線３４を介して刺激チップ３０に供給される。
【００２８】
刺激チップ３０の場合、光感受性層５０の材料は重要なデカップリング素子として作用する。具体的には、バンドギャップが大きいために、比較的長い波長の赤外放射線は、電子を検知できるほどの量で価電子帯から伝導帯に輸送することができない。その結果として、進入するＩＲ散乱放射線３６、３８は光感受性素子６２、６４の電気伝導率をほとんど変化させない。しかしながら、光感受性素子６２、６４は、その電気伝導率が、進入する可視光１８によって制御され、その結果として、可視光の関数としての加えられた電圧Ｕの助けをかりて網膜細胞５８を刺激することができる。
【００２９】
本発明の網膜インプラントのさらなる実施形態が、参照符号８０によってその全体が図３に示されている。放射線受信部３２は、この場合には、まさしく図２による実施形態の場合におけるように設計されている。さらに、この網膜インプラント８０は、この場合、好都合には、選択的帯域ストップフィルターをここでは干渉フィルター５２の形態で有する。
【００３０】
しかしながら、図２による実施形態と対照的に、この場合、刺激チップ３０は、そのｐｎ接合８２がそれぞれの場合に象徴的に示される多数のフォトダイオードを光感受性素子として有する。フォトダイオード８２は、それ自体は知られている方法で基板８４の上に形成されている。この場合には、光感受性ｐｎ接合８２の厚さ８６が、ＩＲ散乱放射線２４の侵入深さ８８と比較すると小さいことが、ＩＲ散乱放射線からの実質的なデカップリング手段として規定される。その比較的長い波長のために、ＩＲ散乱放射線は、例えば、青色または緑色のスペクトル領域の可視光が侵入するよりも深く刺激チップ３０の半導体材料の中に侵入するので、ＩＲ散乱放射線からの刺激チップ３０の良好なデカップリングを、光感受性素子の記載された大きさ決定および配置によって達成することができる。
【００３１】
本発明の網膜インプラントのさらなる実施形態が参照符号９０によって図４にその全体が示されている。同一の参照符号は前と同じ素子を示す。
この場合、刺激チップ３０は、光感受性素子（ここではフォトダイオード９４）が様々な期間についてだけそれぞれ活性化される多数のクロックステージ９２をデカップリング手段として有する。そのような構成は、ＩＲ放射線２４を、光感受性素子９４が不活性である期間において、それぞれの場合に眼１２にカップリングさせることを可能にする。すなわち、ＩＲエネルギーの内部結合が、この場合、パルスで、具体的には、光感受性素子９４が不活性である期間において実行される。網膜細胞５８を刺激することができる状態で照射エネルギーを保持するために、この場合、貯蔵素子が、例えば、ここでは蓄電器９６の形態でさらに提供される。そのうえ、網膜インプラント９０は、次に、さらなるデカップリング手段として干渉フィルター５２を有する。
【００３２】
言うまでもないことであるが、ここで例示されたデカップリング手段を、個々の実施形態を採用して組み合わせることもまた、適切な場合には、さらにより大きなデカップリングを達成するために、ここでは明示的に示されていない形態において可能である。
モデル装置、死亡したブタの眼、ならびに、生きているウサギおよび死亡したウサギの眼に対する実験的調査により、下記の結果が得られた。
【００３３】
刺激チップ３０に対する十分な電力供給を確実にするために、１５ｍＷの光出力を放射線受信部３２に照射しなければならない。図１に示されるような構成の場合、様々な反射のために、ほぼ０．０９ｍＷ／ｃｍ2の程度の大きさのＩＲ散乱放射線３６、３８が刺激チップ３０に当たる。このことは、照射されたＩＲ放射線の約１／２０００が刺激チップ３０に当たることを意味する。
【００３４】
０．０９ｍＷ／ｃｍ2は、日光によって照らされる表面（例えば、本の１頁）の像が刺激チップ３０に映るときの状況におよそ対応する。
したがって、刺激チップ３０および放射線受信部３２の空間的分離は散乱光の強い抑制をもたらし、しかしながら、その抑制は、例えば、日光よりも低い明るさを考えた場合、満足すべき視覚結果を多くの場合において生じさせない。
【００３５】
散乱光の２桁〜３桁のさらなる抑制を、選択的帯域ストップフィルター５２（例えば、エッジフィルター）を反射防止層３２とともに使用することによって達成することができる。
バンドギャップの好適な選択により、散乱光の１桁〜２桁のさらなる抑制が得られる。したがって、時間的分離によって、散乱光の抑制を少なくともさらに１桁改善することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】眼における新規な網膜インプラントの概略図を示す。
【図２】新規な網膜インプラントの第１の好ましい実施形態を示す。
【図３】新規な網膜インプラントの第２の好ましい実施形態を示す。
【図４】新規な網膜インプラントの第３の好ましい実施形態を示す。
【図１】
0004598754.tif 000002
【図２】
0004598754.tif 000003
【図３】
0004598754.tif 000004
【図４】
0004598754.tif 000005