(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウエハ上に回路層パターンを生成する半導体プロセスにおいて用いられ、対応する回路層パターンの形を定めるレチクルの検査方法であって、
前記レチクルのうちの第１のレチクルのテスト像であって、複数のテスト特性値を有するテスト像を用意し、
前記テスト像の予想パターンを含むベースライン像であって、前記テスト特性値の第１のサブグループに対応する複数のベースライン特性値を有するベースライン像を用意し、
前記テスト特性値の第１のサブグループと前記ベースライン特性値とを、テスト特性値とベースライン特性値の各ペアに対して複数の差分値が計算されるように比較し、
前記第１のレチクルの前記テスト特性値の第２のサブグループに基づいて統計情報を収集し、
前記統計情報によって、前記テスト特性値の第２のサブグループと前記ベースライン特性値との差が第１の所定の値を上回ることが示された場合は、前記レチクルプロセスのプロセスパラメータの調整の必要性を検出し、
前記レチクルのうちの第２のレチクルのテスト像であって、複数のテスト特性値を有するテスト像を用意し、
前記第２のレチクルのテスト像の予想パターンを含むベースライン像であって、前記テスト特性値の第１のサブグループに対応する複数のベースライン特性値を有するベースライン像を用意し、
前記第２のレチクルのテスト特性値の第１のサブグループと前記ベースライン特性値とを、テスト特性値とベースライン特性値の各ペアに対して複数の差分値が計算されるように比較し、
前記第２のレチクルの前記テスト特性値の第２のサブグループに基づいて統計情報を収集し、
前記第２のレチクルに関する前記統計情報を前記第１のレチクルに関する前記統計情報と比較し、
前記第２のレチクルに関する前記統計情報と前記第１のレチクルに関する前記統計情報の差が第２の所定の値を上回る場合は、前記レチクルプロセスのプロセスパラメータの調整の必要性を検出する
方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法であって、
前記統計資料は、前記ベースライン特性値と比較される前記第１の複数のテスト特性値とはタイプが異なる第２の複数のテスト特性値を含む方法。
【請求項３】
請求項２記載の方法であって、
前記第１のテスト特性値はエッジ位置の値の形態をとり、前記第２のテスト特性値は、線幅、コーナ曲がり値、透過率、ゲート線幅値、接触域値、およびずれの値からなる群より選択される方法。
【請求項４】
請求項２または３に記載の方法であって、
前記統計情報は、前記第２のテスト特性値を所定のパラメータの関数として含む方法。
【請求項５】
請求項４記載の方法であって、
前記所定のパラメータは前記レチクル上の位置である方法。
【請求項６】
請求項４記載の方法であって、
前記所定のパラメータは前記レチクル上の一領域の特徴密度値である方法。
【請求項７】
請求項４記載の方法であって、
前記所定のパラメータは前記レチクルに対応するプロセスであり、その標準偏差は前記プロセスで利用される複数のレチクルについて決定する方法。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれかに記載の方法であって、
前記統計情報は、前記第２のテスト特性値についての標準偏差、最大値、最小値、範囲値、中間値、および平均値からなる群より選択されるパラメータを含む方法。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれかに記載の方法であって、さらに、
前記テスト特性値のうち選択された一つのテスト特性値と前記対応するベースライン特性値との関連の差分値が所定の閾値を上回る場合は、前記選択されたテスト特性値に関してエラーを報告する方法。
【請求項１０】
請求項８記載の方法であって、
前記平均値、最大値、最小値、範囲値、中間値、および標準偏差は、前記レチクル上の特定の領域に相関付けられた方法。
【請求項１１】
請求項１０記載の方法であって、
前記平均値、最大値、最小値、範囲値、中間値、および標準偏差は、前記レチクル上の前記特定の領域の特徴密度値に相関付けられた方法。
【請求項１２】
請求項１１記載の方法であって、
前記平均値、最大値、最小値、範囲値、中間値、および標準偏差は、前記レチクルに関連の特定のプロセスに相関付けられた方法。
【請求項１３】
請求項４ないし９のいずれかに記載の方法であって、
前記統計情報は、前記テスト特性値のカウントと、前記テスト特性値の標準偏差と、前記テスト特性値の中間値または平均値とを、所定のパラメータの関数として含む方法。
【請求項１４】
請求項１ないし１３のいずれかに記載の方法であって、
前記統計情報は、前記特性値を所定のパラメータの関数として含む方法。
【請求項１５】
請求項１４記載の方法であって、
前記所定のパラメータは前記レチクル上の位置である方法。
【請求項１６】
請求項１４記載の方法であって、
前記所定のパラメータは前記レチクル上の一領域の特徴密度値である方法。
【請求項１７】
請求項１４記載の方法であって、
前記所定のパラメータは前記レチクルに対応するプロセスであり、
前記統計情報を、前記プロセスで利用される複数のレチクルについて収集する方法。
【請求項１８】
請求項９記載の方法であって、さらに、
前記収集された統計情報に基づいて、前記テスト像の部分部分に対して前記所定の閾値の調整を行なう処理を備える方法。
【請求項１９】
レチクルの作成に使用されるレチクルプロセスをモニタリングまたは調整する方法であって、
（ａ）レチクルプロセスを使用して第１のレチクルを作成し、
（ｂ）複数のテスト特性値を有する前記第１のレチクルのテスト像を提供し、
（ｃ）該テスト像の予想パターンを含むベースライン像であって、前記テスト特性値の第１のサブグループに対応する複数のベースライン特性値を有するベースライン像を提供し、
（ｄ）前記テスト特性値の第１のサブグループと前記対応するベースライン特性値とを、テスト特性値とベースライン特性値の各ペアに対して複数の差分値が計算されるように比較し、
（ｅ）前記第１のレチクルの前記テスト特性値の第２のサブグループに基づいて統計情報を収集し、
（ｆ）前記統計情報によって、前記テスト特性値の第２のサブグループと前記ベースライン特性値との差が第１の所定の値を上回ることが示された場合は、前記レチクルプロセスのプロセスパラメータを調整すると共に、、
処理（ａ）〜（ｅ）を第２のレチクルに対して繰り返し、
前記第２のレチクルに関する前記統計情報を前記第１のレチクルに関する前記統計情報と比較し、
前記第２のレチクルに関する前記統計情報と前記第１のレチクルに関する前記統計情報の差が第２の所定の値を上回る場合は、前記レチクルプロセスのプロセスパラメータを調整する
方法。
【請求項２０】
請求項１９記載の方法であって、
前記第１のサブグループを、前記テスト特性の第２のサブグループと等しくした方法。
【請求項２１】
請求項１９または２０に記載の方法であって、
前記統計情報は、前記テスト特性値の第２のサブグループの標準偏差、最大値、最小値、範囲値、および中間値または平均値からなる群より選択されるパラメータを含む方法。
【請求項２２】
請求項１９ないし２１のいずれか記載の方法であって、
前記テスト特性値の第２のサブグループは、線幅値、コーナ曲がり値、透過率、ゲート線幅値、接触域値、および位置合わせの値からなる群より選択される方法。
【請求項２３】
請求項１９ないし２１のいずれか記載の方法であって、
前記統計情報は、前記レチクル上の特徴の測定値、または前記レチクル上の特徴とベースライン像上の対応する特徴との差分値を含む方法。
【請求項２４】
請求項２３記載の方法であって、
前記統計情報は、前記測定値または前記差分値を前記第１のレチクル上の位置の関数として含む方法。
【請求項２５】
請求項２３記載の方法であって、
前記統計情報は、前記測定値または前記差分値を前記第１のレチクル上の１領域の特徴密度の関数として含む方法。
【請求項２６】
請求項２３記載の方法であって、
前記統計情報は、前記測定値または前記差分値を前記レチクルプロセスの関数として含む方法。
【請求項２７】
請求項１９ないし２１または２３ないし２６のいずれか記載の方法であって、
前記テスト特性値の第２のサブグループは、線幅値、コーナ曲がり値、透過率、ゲート線幅値、接触域値、およびずれの値からなる群より選択する方法。
【請求項２８】
請求項１９記載の方法であって、
前記レチクルプロセスのプロセスパラメータを、レチクル位置の関数としての前記テスト特性値の第２のサブグループ内における偏差を低減させるように調整する方法。
【請求項２９】
請求項１９ないし２７のいずれか記載の方法であって、さらに、
前記統計情報によって、前記テスト特性値の第２のサブグループにおける相互間の偏差が所定の値を上回ることが示された場合は、前記レチクルプロセスのプロセスパラメータを調整する方法。
【請求項３０】
請求項２９に記載の方法であって、
前記レチクルプロセスの前記プロセスパラメータを、特徴密度値の関数としての前記テスト特性値の第２のサブグループ内における偏差を低減させるように調整する方法。
【請求項３１】
半導体プロセスのプロセスパラメータを調整する方法であって、
回路層パターンの形を定めるレチクルを提供し、
フォトリソグラフィプロセスにおいてレチクルを使用し、半導体ウエハ上に回路層を作成し、
請求項１記載のレチクルの検査方法による検査の結果に基づき、
前記統計情報によって、前記テスト特性値の第２のサブグループと前記ベースライン特性値との差が第１の所定の値を上回ることが示された場合は、前記レチクルプロセスのプロセスパラメータを調整し、
前記第２のレチクルに関する前記統計情報と前記第１のレチクルに関する前記統計情報の差が第２の所定の値を上回る場合は、前記レチクルプロセスのプロセスパラメータを調整することで、
前記半導体プロセスのプロセスパラメータを調整する
方法。
【請求項３２】
請求項３１記載の方法であって、さらに、
少なくとも前記統計情報に部分的に基づいて、前記結果として得られた回路層を検査する方法。
【請求項３３】
請求項３１または３２に記載の方法であって、
前記統計情報は、前記選択された特性値の標準偏差、最大値、最小値、範囲値、および中間値または平均値からなる群より選択されるパラメータを含む方法。
【請求項３４】
請求項３１ないし３３のいずれか記載の方法であって、
前記選択された特性値を、線幅値、コーナ曲がり値、伝送率、ゲート線幅値、接触域値、および位置合わせの値からなる群より選択する方法。
【請求項３５】
請求項３１ないし３４のいずれか記載の方法であって、
前記統計情報は、前記レチクル上の特徴の測定値、または前記レチクル上の特徴とベースライン像上の対応する特徴との差分値を含む方法。
【請求項３６】
請求項３５に記載の方法であって、
前記測定値および前記差分値は前記レチクル上の位置の関数である方法。
【請求項３７】
請求項３５に記載の方法であって、
前記測定値および前記差分値は前記レチクル上の一領域の特徴密度値の関数である方法。
【請求項３８】
請求項３５に記載の方法であって、
前記測定値および前記差分値は、前記レチクルに対応するプロセスの関数である方法。
【請求項３９】
半導体ウエハ上に回路層パターンを生成する半導体プロセスにおいて用いられ、対応する回路層パターンの形を定めるレチクルを検査するためのプログラム命令を含むコンピュータで読み取り可能な媒体であって、
テスト特性値を有する前記レチクルのうちの第１のレチクルのテスト像を提供するためのコンピュータで読み取り可能なコードと、
前記テスト像の予想パターンを含み、前記テスト特性値の第１のサブグループに対応する複数のベースライン特性値を有するベースライン像を提供するためのコンピュータで読み取り可能なコードと、
前記テスト特性値の第１のサブグループと前記ベースライン特性値とを、テスト特性値とベースライン特性値の各ペアに対して複数の差分値が計算されるように比較するためのコンピュータで読み取り可能なコードと、
前記第１のレチクルの前記テスト特性値の第２のサブグループに基づいて統計情報を収集するためのコンピュータで読み取り可能なコードと、
前記統計情報によって、前記テスト特性値の第２のサブグループと前記ベースライン特性値との差が第１の所定の値を上回ることが示された場合は、前記レチクルプロセスのプロセスパラメータの調整の必要性を検出するためのコンピュータで読み取り可能なコードと、
前記レチクルのうちの第２のレチクルのテスト像であって、複数のテスト特性値を有するテスト像を用意するためのコンピュータで読み取り可能なコードと、
前記第２のレチクルのテスト像の予想パターンを含むベースライン像であって、前記テスト特性値の第１のサブグループに対応する複数のベースライン特性値を有するベースライン像を用意するためのコンピュータで読み取り可能なコードと、
前記第２のレチクルのテスト特性値の第１のサブグループと前記ベースライン特性値とを、テスト特性値とベースライン特性値の各ペアに対して複数の差分値が計算されるように比較するためのコンピュータで読み取り可能なコードと、
前記第２のレチクルの前記テスト特性値の第２のサブグループに基づいて統計情報を収集するためのコンピュータで読み取り可能なコードと、
前記第２のレチクルに関する前記統計情報を前記第１のレチクルに関する前記統計情報と比較するためのコンピュータで読み取り可能なコードと、
前記第２のレチクルに関する前記統計情報と前記第１のレチクルに関する前記統計情報の差が第２の所定の値を上回る場合は、前記レチクルプロセスのプロセスパラメータの調整の必要性を検出するためのコンピュータで読み取り可能なコードと、
を、前記コンピュータで読み取り可能なコードとして格納したコンピュータで読み取り可能な媒体。
【請求項４０】
半導体プロセスのプロセスパラメータを調整するためのプログラム命令を含むコンピュータで読み取り可能な媒体であって、
回路層パターンの形を定めるレチクルを提供するためのコンピュータで読み取り可能なコードと、
フォトリソグラフィプロセスにおいて前記レチクルを使用し、半導体ウエハ上に回路層を作成するためのコンピュータで読み取り可能なコードと、
請求項３９記載の媒体に記憶されたコンピュータコードによる検査の結果に基づき、
前記統計情報によって、前記テスト特性値の第２のサブグループと前記ベースライン特性値との差が第１の所定の値を上回ることが示された場合は、前記レチクルプロセスのプロセスパラメータを調整し、
前記第２のレチクルに関する前記統計情報と前記第１のレチクルに関する前記統計情報の差が第２の所定の値を上回る場合は、前記レチクルプロセスのプロセスパラメータを調整することで、
前記半導体プロセスのプロセスパラメータを調整するためのコンピュータで読み取り可能なコードと
を、前記コンピュータで読み取り可能なコードとして格納する媒体。
【請求項４１】
レチクルプロセスをモニタリングまたは調整するためのプログラム命令を含むコンピュータで読み取り可能な媒体であって、
（ａ）レチクルプロセスを使用して第１のレチクルを作成するためのコンピュータコードと、
（ｂ）前記第１のレチクルのテスト像を提供するためのコンピュータコードであって、前記テスト像は複数のテスト特性値を有するコードと、
（ｃ）前記テスト像の予想パターンを含み、テスト特性値に対応する複数のベースライン特性値を有するベースライン像を提供するためのコンピュータコードと、
（ｄ）前記テスト特性値と前記ベースライン特性値とを、テスト特性値とベースライン特性値の各ペアに対して複数の差分値が計算されるように比較するためのコンピュータコードと、
（ｅ）前記第１のレチクルの前記複数のテスト特性値に基づいて統計情報を収集するためのコンピュータコードと、
（ｆ）前記統計情報によって、前記テスト特性値と前記ベースライン特性値との差が所定の値を上回ることが示された場合は、前記レチクルプロセスのプロセスパラメータを調整するためのコードと
を備え、
さらに、
コンピュータコード（ａ）〜（ｅ）のプログラム命令を第２のレチクルに対して繰り返すためのコンピュータコードと、
前記第２のレチクルに関する前記統計情報を前記第１のレチクルに関する前記統計情報と比較するためのコンピュータコードと、
前記第２のレチクルに関する前記統計情報と前記第１のレチクルに関する前記統計情報の差が第２の所定の値を上回る場合は、前記レチクルプロセスのプロセスパラメータを調整するためのコンピュータコードと
を備えるコンピュータで読み取り可能な媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の背景】
本発明は、一般に、集積回路の設計およびその作成システムに関する。本発明は、特に、レチクルを検査するためのメカニズムに関する。
【０００２】
半導体の製造では、回路パターンの形を定める光学的な原板に相当するレチクルを作成し、続いてそれらを光学的に検査することが、標準的な処理になっている。先ず、特定の集積回路（ＩＣ）設計を示した回路パターンデータが、回路の設計者によって、レチクル作成システムまたはレチクルライタに供給される。回路パターンデータは、製造されたＩＣデバイスの物理層を表すレイアウトの形で表わされるのが通常である。このレイアウトは、通常、ＩＣデバイスの各物理層（例えばゲート酸化物、ポリシリコーン、金属被覆等）を表した各層を含み、これらの各層は、そのＩＣデバイスの各層のパターニングを規定した複数の多角形の集合として構成されている。
【０００３】
レチクルライタは、回路パターンデータを使用することによって、特定のＩＣ設計の作成において後で使用される複数のレチクルを描画する（例えば、通常は、電子ビームライタまたはレーザスキャナを使用してレチクルのパターンを露光させる）。そして、レチクル検査システムによって、レチクルの作成中に欠陥が生じたかどうかが検査される。
【０００４】
レチクルまたはフォトマスクは、少なくとも透明領域と不透明領域とを含み且つ場合によっては半透明領域と移相領域をも含んだ光学要素であり、これらの領域によって、集積回路等の電子デバイスにおける共平面性の特徴のパターンが規定される。レチクルは、エッチングプロセス、イオン注入プロセス、または他の製造プロセスに備えて半導体ウエハの指定領域を規定する目的で、フォトリソグラフィのプロセスにおいて使用される。現代の集積回路設計では、光学レチクルの特徴が、ウエハ上の対応する特徴の約１〜５倍に拡大されている場合が多い。他の露光システム（例えば、Ｘ線、電子ビーム、超紫外線等）にも同様な範囲の縮小率が適用される。
【０００５】
光学レチクルは、ホウ珪酸ガラスや水晶板等の透明体から形成されるのが通常であり、この透明体の上には、クロムまたは他の適切な材料からなる不透明および／または半透明な層が堆積される。しかしながら、電子ビームによる直接露光（例えばステンシル型マスク）やＸ線による露光（例えば吸収型マスク）等が行なわれる場合は、他のマスク技術が利用される。レチクルパターンの形成は、例えばレーザまたは電子ビームによる直接描画を使用して行なうことができ、これらの技術は、いずれも当該分野において広く使用されている。
【０００６】
各レチクルまたは各グループのレチクルが作成されたら、調整済みの照明器から発せられる光を照射して、各レチクルの検査を行なう。レチクルの各部分のテスト像は、照射された光のうち、反射された成分と、透過された成分と、光センサに向かって方向付けられた成分とに基づいて構成される。このような検査の技術および装置は、当該分野において周知であり、種々の市販製品に取り入れられている。これらの市販製品の多くは、米国カリフォルニア州サンノゼ市所在のケーエルエー・テンコール社（KLA-Tencor Corporation）から入手可能である。
【０００７】
従来の検査プロセスでは、レチクルのテスト像をベースライン像と比較するのが通常であった。ベースライン像は、通常は、回路パターンデータから生成されるか、またはレチクル自体の上に配置された隣接するダイから生成される。いずれの場合においても、テスト像の特徴が分析され、対応するベースライン像の特徴と比較される。すなわち、テスト像内のエッジ位置をベースライン像内の対応するエッジ位置から引いて、その差分値を計算する。そして、各差分値が所定の閾値と比較される。テスト像の特徴とベースラインの特徴との差が所定の閾値を上回る場合は、欠陥が規定され、エラーが報告される。
【０００８】
特定のテスト像に関するエラーの報告は、その特定のテスト像および対応するレチクル内で検出されたエラーのリスト（例えば各エラーの場所およびその欠陥の縮小像）のみを含むのが通常である。換言すると、このリストによって、テスト像内の特徴のうち、ベースライン像との差が所定の閾値を上回るような特徴が表される。具体的には、このリストによって、テスト像のエッジ位置のうち、対応するベースライン像のエッジ位置との差が所定の閾値を上回るエッジ位置が、余分な特徴や足りない特徴とともに表される。
【０００９】
従来の検査技術は、用途によっては適切なエラーデータを提供することができるが、このようなデータでは、特定の条件下では限界が存在した。例えば、あるレチクルのユーザは、あるテスト像内の特徴に関する特定の特性（例えばエッジ位置）の実測値を、レチクル上の位置の関数として知りたい場合があり得る。また、他の特性（例えば線幅およびコーナ曲がり）の測定値を知りたいかもしれない。さらに、例えば、テスト像の特徴とベースライン像の特徴との差分値を、レチクル上における位置の関数として知りたい場合も考えられる。
【００１０】
これらの差分値は、エラーとして規定するには十分な大きさではないが、プロセス制御および／またはモニタリングにおいては有用である。また、他の用途のなかでも特に検査プロセスの感度を向上させるために、例えば、レチクル上の位置の関数として表される可観測な特性の統計情報を使用しても良い。すなわち、同じレチクル上の他の領域よりエラーが多い領域に関して閾値を調整しても良い。しかしながら、従来の検査装置および検査技術では、レチクル上に存在するエラーのリストが提供されるのみであり、レチクルの特性の測定値に関する統計情報は何ら提供されない。
【００１１】
したがって、検査の手続きで出力される情報を改善および強化するための検査装置および検査技術が必要である。さらに具体的には、レチクルの特性の測定値に関する統計情報を提供するための検査メカニズムが必要である。
【００１２】
【発明の概要】
以上からわかるように、本発明は、検査プロセス中に統計情報を提供するための装置および方法を提供することによって、上記問題点の解決を図る。あるレチクル部分のテスト像の各特徴または各領域を評価するにあたって、そのテスト像全体に対して統計情報の収集が行なわれる。すなわち、テスト像の特徴をベースライン像の特徴と比較するにあたって、テスト像の特性の測定値（またはテスト像とベースライン像との差分値）が収集される。収集された測定値または差分値を、例えばレチクルの位置、レチクル上の特定の領域、レチクル上の特定の領域における特徴密度値、またはテスト中のレチクルに関連のプロセス等の幾つかのレチクルパラメータに相関付けても良い。また、測定された特性値または差分値のカウントを収集しても良い。そして、こうして収集されたデータ（例えばカウントおよび測定値または差分値）を使用して、標準偏差、最小値、最大値、範囲値（最大値引く最小値）、および中間値または平均値等の他の統計パラメータを計算しても良い。
【００１３】
１実施形態では、回路層パターンを規定するレチクルを検査する方法が開示される。この回路層パターンは、半導体ウエハ上に対応するパターンを生成するために、対応する半導体プロセスにおいて使用される。レチクルのテスト像が提供される。ここで、テスト像は複数のテスト特性値を有する。また、テスト像の予想パターンを含むベースライン像も提供される。ベースライン像は、テスト特性値に対応する複数のベースライン特性値を有する。テスト特性値とベースライン特性値は、テスト特性値とベースライン特性値の各ペアに対して複数の差分値が計算されるように比較される。また、統計情報の収集も行なわれる。
【００１４】
特定の１実施形態において、統計情報は、ベースライン特性値と比較される第１の複数のテスト特性値とタイプが異なる第２の複数のテスト特性値を含む。統計情報は、また、第２のテスト特性値の標準偏差、第２の特性値の中間値、および／または第２のテスト特性値の平均値を含んでも良い。第１のテスト特性値は、エッジ位置の形をとって良く、第２のテスト特性値は、線幅、コーナ曲がり、透過率、ゲート線幅、接触域、および／またはずれの値を含む。
【００１５】
別の１実施形態では、レチクルの作成に使用されるレチクルプロセスをモニタリングまたは調整する方法が開示される。この方法は、（ａ）レチクルプロセスを使用して第１のレチクルを作成する処理と、（ｂ）第１のレチクルのテスト像を提供する処理であって、テスト像は複数のテスト特性値を有する処理と、（ｃ）テスト像の予想パターンを含むベースライン像を提供する処理であって、ベースライン像はテスト特性値の第１のサブグループに対応する複数のベースライン特性値を有する処理と、（ｄ）テスト特性値の第１のサブグループを対応するベースライン特性値と比較することによって、テスト特性値とベースライン特性値の各ペアに対して複数の差分値を計算する処理と、（ｅ）第１のレチクルのテスト特性値の第２のサブグループに基づいて統計情報を収集する処理と、（ｆ）統計情報によって、テスト特性値の第２のサブグループとベースライン値との差が所定の値を上回ることが示された場合に、レチクルプロセスのプロセスパラメータを調整する処理とを備える。
【００１６】
１態様において、テスト特性値の第１のサブグループは第２のサブグループに等しい。別の実施形態では、上記処理（ａ）〜（ｅ）を第２のレチクルに対して繰り返す。第２のレチクルに関する統計情報を第１のレチクルに関する統計情報と比較し、第２のレチクルに関する統計情報と第１のレチクルに関する統計情報との差が第２の所定値を上回る場合に、そのレチクルプロセスのプロセスパラメータが調整される。さらに別の１実施形態では、レチクルプロセスのプロセスパラメータは、レチクル位置の関数としてのテスト特性値の第２のサブグループ内において偏差が低減されるように調整される。
【００１７】
別の方法態様では、半導体プロセスのモニタリングまたは調整が行なわれる。回路層パターンを規定するレチクルと、その回路層パターンのうち選択された特性値に関する統計情報とが提供される。半導体ウエハ上の回路層は、フォトリソグラフィプロセスでレチクルを使用することによって作成される。こうして得られた回路層は、統計情報に少なくとも部分的に基づいて検査される。
【００１８】
さらに別の１態様では、回路層パターンを規定するレチクルを検査するためのプログラム命令を含むコンピュータで読み取り可能な媒体が開示される。ここで、回路層パターンは、半導体ウエハ上に対応するパターンを生成するために、対応する半導体プロセスにおいて使用されるものである。このコンピュータで読み取り可能な媒体は、（ｉ）レチクルのテスト像を提供するためのコンピュータで読み取り可能なコードであって、テスト像は複数のテスト特性値を有するコードと、（ｉｉ）テスト像の予想パターンを含むベースライン像を提供するためのコンピュータで読み取り可能なコードであって、ベースライン像はテスト特性値に対応する複数のベースライン特性値を有するコードと、（ｉｉｉ）テスト特性値を対応するベースライン特性値と比較することによって、テスト特性値とベースライン特性値の各ペアに対して複数の差分値を計算するためのコンピュータで読み取り可能なコードと、（ｉｖ）統計情報を収集するためのコンピュータで読み取り可能なコードと、これらのコンピュータで読み取り可能なコードを格納するためのコンピュータで読み取り可能な媒体とを備える。
【００１９】
さらに別の１実施形態では、半導体プロセスをモニタリングするまたは調整するためのプログラム命令を含むコンピュータで読み取り可能な媒体が開示される。コンピュータで読み取り可能な媒体は、回路層パターンを規定するレチクルを提供するためのコンピュータで読み取り可能なコードと、回路層パターンのうち選択された特性値に関する統計情報を提供するためのコンピュータで読み取り可能なコードと、フォトリソグラフィプロセスでレチクルを使用し、半導体ウエハ上に回路層を作成するためのコンピュータで読み取り可能なコードと、得られた回路層を、統計情報に少なくとも部分的に基づいて検査するためのコンピュータで読み取り可能なコードと、これらのコンピュータで読み取り可能なコードを格納するためのコンピュータで読み取り可能な媒体とを備える。
【００２０】
別の１実施形態では、レチクルプロセスをモニタリングするまたは調整するためのプログラム命令を含むコンピュータで読み取り可能な媒体が開示される。このコンピュータで読み取り可能な媒体は、（ａ）レチクルプロセスを使用して第１のレチクルを作成するためのコンピュータで読み取り可能なコードと、（ｂ）第１のレチクルのテスト像を提供するコンピュータで読み取り可能なコードであって、テスト像は複数のテスト特性値を有するコードと、（ｃ）テスト像の予想パターンを含むベースライン像を提供するコンピュータで読み取り可能なコードであって、ベースライン像はテスト特性値に対応する複数のベースライン特性値を有するコードと、（ｄ）テスト特性値を対応するベースライン特性値と比較することによって、テスト特性値とベースライン特性値の各ペアに対して複数の差分値を計算するためのコンピュータで読み取り可能なコードと、（ｅ）第１のレチクルの複数のテスト特性値に基づいて統計情報を収集するためのコンピュータで読み取り可能なコードと、（ｆ）統計情報によって、テスト特性値とベースライン特性値との差が所定の値を上回ることが示された場合に、レチクルプロセスのプロセスパラメータを調整するためのコンピュータで読み取り可能なコードとを備える。
【００２１】
本発明の原理を例示した添付図面との関連で行なう以下の詳細な説明から、本発明の上述したおよびその他の特徴および利点が更に詳しく示される。
【００２２】
本発明は、添付図面を用いた以下の詳細な説明によって、容易に理解される。なお、この添付図面においては、同様の構成要素には同様の番号体系が与えられている。
【００２３】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の具体的な実施形態について詳しく言及する。これらの具体的な実施形態の例が、添付の図面に示されている。以下では、本発明をこれらの具体的な実施形態と関連付けて説明するが、これは、本発明をこれらの実施形態に限定することを意図するものではない。逆に、添付の特許請求の範囲によって定義される本発明の趣旨および範囲内に含まれる代替物、変更態様、および均等物をもカバーするものである。以下の説明では、本発明の徹底的な理解を促すために、多くの項目を特定している。 しかしながら、本発明は、これらの項目の一部または全てを特定しなくても実施できる。そのほか、本発明が不必要に不明瞭となるのを避けるため、周知のプロセス処理の説明は省略した。
【００２４】
図１は、本発明の１つの実施形態にしたがって、集積回路の設計プロセス１００を示したフローチャートである。先ず、ステップ１０２において、任意の適切な設計技術によって集積回路（ＩＣ）デバイスが設計される。例えば、ＩＣ設計者は、コンピュータによる設計の自動化（ＥＤＡ）ツール等の既存の回路図ライブラリブロックを使用して、ＩＣデバイスを形成しても良い。また、従来のＣＡＤツール等の任意の適切な設計システムの支援によって、スクラッチをもとに、ＩＣデバイスまたはその一部分を作成して良い場合もある。例として、ＩＣ設計者は、「schematic ＣＡＤツール」を使用し、特定のＩＣデバイス用のロジック図を設計しても良い。さらには、ＶＨＤＬ等のハードウェア設計言語の支援によって、ＩＣデバイスまたはその一部分の仕様を記述しても良い。
【００２５】
次に、ステップ１０４において、ＩＣ設計をもとに回路パターンデータベース（一般に「レイアウト」と称される）が作成される。回路パターンデータベースは、ＩＣ層のレイアウトパターンを表した複数の電子的な情報からなり、これらの電子的な情報は、ＩＣデバイスの複数の物理層の製造に使用される複数のレチクルに、後ほど変換される。製造後のＩＣデバイスの各物理層は、レチクルの１つと、回路パターンデータベースの電子的な情報のうち関連した一つの表示とに対応する。例えば、ある電子的な情報がシリコン基板上の拡散パターンに対応し、別の電子的な情報がゲート酸化物のパターンに、さらに別の電子的な情報がゲートポリシリコンのパターンに、さらに別の情報が層間絶縁膜上のコンタクトのパターンに、さらに別の情報が配線層上の配線パターンに…（以下続く）、それぞれ対応して良い。各電子的な情報は、複数の多角形または他の形状（以下では「図形」と称する）からなり、これらによってレチクルのパターンが規定される。
【００２６】
回路パターンデータベースの生成には任意の適切な技術を使用して良く、例えばＥＤＡツールまたはＣＡＤツールを使用しても良い。例えば、ＩＣデバイスの回路パターンを手動でレイアウト設計する際には、既存のライブラリセルを使用しても使用しなくても良い。あるいは、合成ツールを使用することによって、スクラッチをもとにＩＣデバイスの回路パターンを自動的に作成しても良いし、同じく合成ツールを使用することによって、既存のライブラリセルを繋ぎ合わせてＩＣデバイスの回路パターンを自動的に作成しても良い。
【００２７】
回路パターンデータベースが作成されると、この回路パターンデータベースは、ステップ１０６において複数のレチクルを作成するために使用される。レチクルの作成は、カリフォルニア州ヘイワード市所在のＥＴＥＣから市販されている「ＭＥＢＥＳ¨ ４５００」等の任意の適切なパターンジェネレータまたはレチクルライタによって行なわれて良い。
【００２８】
各レチクルは、回路パターンデータベースからの１つまたはそれ以上の電子表示に対応する。次に、ステップ１０８においてレチクルが検査され、ステップ１１０においてレチクルが検査をパスしたか否かが決定される。レチクルが検査をパスした場合は、ステップ１１２において、ＩＣデバイスの物理層の製造にレチクルが使用される。しかしながら、レチクルが検査をパスしなかった場合は、ステップ１１４においてレチクルの修復または再構築が行なわれ、ステップ１０８において新しいレチクルの検査が行なわれる。ステップ１０６〜１１２は、回路パターンデータベースの電子表示の一部または全部に対して実行される。
【００２９】
本発明は、任意の適切な検査ツール上で実行することができる。例えば、カリフォルニア州サンノゼ市所在のケーエルエー・テンコール社から市販されているＫＬＡ３０１、３５１、または３５３ＵＶのレチクル検査ツールを利用して良い。 以下では、図８を参照にして検査システムの１実施形態を説明する。
【００３０】
図２は、作成されたレチクルを評価する図１のステップ１０８を、本発明の１実施形態にしたがって示したフローチャートである。先ず、ステップ６０１において、レチクルのベースライン像が、与えられた回路パターンデータベースから作成または描画される。ベースライン像は、単に回路パターンデータベースの内容を像に直接変換する等の任意の適切な方法で作成することができる。あるいは、回路パターンデータベースに完全に一致するレチクルを作成した結果をシミュレートすることによって、回路パターンデータベースを描画しても良い。例えば、レチクルの作成時によく生じるコーナの曲がりを表すために、ベースライン像の回路パターンのコーナに曲がりをつけても良い。ベースライン像は、シミュレートされたレチクルの視像を引き出すことによって生じるシミュレートされた光学効果を含んでも良い。このような光学効果は、光学検査の技術を使用してレチクルを評価するにあたって必然的に生じるものである。
【００３１】
あるいは、ダイトゥーダイ（die-to-die）の検査方法において、レチクルに隣接したダイをもとにベースライン像を作成しても良い。この方法では、１レチクル上において同一パターンだと見なされる像が、１つはベースライン像用に、もう１つは以下で述べるテスト像用に、２つ作成される。ここで、多くのレチクルには複数の同一（そして隣接する）ダイのレイアウトパターンが含まれることが重要である。
【００３２】
ステップ６０１においてベースライン像が提供されると、ステップ６０４の分析においてレチクルの検査が行なわれ、レチクルまたはレチクルの一部分のテスト像が獲得される。テスト像の獲得は、任意の適切なメカニズムによって行なうことができる。例えば、可視的な像として、または電子ビームによる像として、これを獲得することができる。
【００３３】
ステップ６０６では、テスト像とベースライン像の比較が行なわれる。この比較には、レチクル分析用の任意の適切な技術を用いればよい。上述したように、テスト像の測定特性値を対応するベースライン像の特性値と比較して良い。例えば、テスト像の線幅をベースライン像の線幅と比較すれば良い。比較技術の各実施形態が、１９９８年１２月１７日付けのグラッサー等による米国特許出願０９／２１３，７４４「Mechanisms for Making and Inspecting Reticles （レチクルを作成および検査するためのメカニズム）」に記載されており、本文献全体を引例として本明細書で参照するものとする。
【００３４】
図３は、ベースライン像とテスト像を比較する図２のステップ６０６を、本発明の１実施形態にしたがって示したフローチャートである。一般には、テスト像を、検査プロセス中に個々に分析される複数の領域（ここでは「パッチ」と称する）に分割して処理を行なえば良い。各パッチのサイズは、テスト像を効率的に分析できる任意の大きさとする。例えば、プロセスリソースが制限される場合は、比較的小さいサイズのパッチにすることが望ましい。１実施形態において、パッチはおよそ１００×２５μｍである。
【００３５】
先ず、ステップ３０２において、第１のテストパッチがテスト像から獲得される。ステップ３０４において、対応するベースラインパッチもベースライン像から獲得される。換言すると、ベースライン像も、各ベースラインパッチと各テストパッチを比較できるように、複数のパッチに同様に分割される。ステップ３０６において、テストパッチおよびベースラインパッチから１対の特徴が獲得される。すなわち、テストパッチから一つの特徴が獲得され、ベースラインパッチから対応する一つの特徴が獲得される。
【００３６】
次いでステップ３０８において、テストパッチおよびベースラインパッチから獲得された特徴の一つまたはそれ以上の特性が比較される。これらの特性は、試料の分析に適した任意の可測な特性であって良い。可測な特性の例として、線幅、コーナ曲がり、透過率、ゲート線幅、接触域、位置合わせの特性が挙げられる。様々な特性を比較する技術の実施形態を、図４〜７を参照にして更に説明する。
【００３７】
続くステップ３１０において、比較結果に基づいて統計情報が収集および／またが生成される。例えば、特徴の分析および比較を行なうとともに、テスト像の特定の特性の測定値（例えば線幅やコーナ曲がりの測定値）を収集しても良い。統計情報は、テスト像の特性値とベースライン像の特性値との差分値を含んでも良い。ステップ３１０では、特定の特性の測定値または差分値の標準偏差、中間値、平均値、最大値、最小値、および／または範囲値（最大値引く最小値）を計算しても良い。
【００３８】
統計情報は、レチクル上の位置の関数として収集されても良いし、他の任意の適切なパラメータの関数として収集されても良い。例えば、所定の特性（例えば線幅）の測定値または差分値を収集し、レチクル上の特定の領域の特徴密度に相関させても良い。すなわち、測定値または差分値を、パッチまたはレチクルのうち密度が異なる様々な領域に対して相関付けて良い。別の一例では、テスト中のレチクルに対応するプロセスタイプの関数として統計情報の収集が行なわれる。換言すると、特定の特性に関する統計情報が、いくつかのレチクルに関してレチクルタイプの関数として記録される。
【００３９】
このようにして、他の統計情報を、任意の適切なレチクルパラメータの関数として計算して良い。例えば、平均値、中間値、最大値、最小値、範囲値、および／または標準偏差を、レチクルの領域、特徴密度、および／またはレチクルに関連のプロセスの関数として計算しても良い。特殊な一例として、あるレチクルに関して全体平均の特性値または差分値を計算しても良い。このようにして、レチクル間および／または関連のプロセス間において平均特性値の比較を行なっても良い。
【００４０】
あるいは、あるレチクル上の複数の領域に関して平均の特性値または差分値を計算しても良い。そして、これらの平均値を、例えば特徴の密度や領域の向き等の、そのレチクルの複数の領域の特定の領域（例えば、レチクルの外側に位置付けられた領域対同レチクルの内側に位置付けられた領域）に関連する他のレチクルパラメータに相関付けても良い。
【００４１】
この情報の計算は、特性値の比較と同時に行なっても良いし、全比較が完了した後に行なっても良い。後の実施形態では、カウントを特性値または差分値の数に維持することによって、平均値、中間値、最大値、最小値、範囲値、および／または偏差等の特定の統計情報の計算が行なわれる。
【００４２】
統計情報が収集されたら、ステップ３１２において、エラーが存在するか否かが判定される。換言すると、テスト特徴の測定特性値と、対応するベースライン特徴の特性との差が、所定の閾値を上回るか否かが決定される。エラーが存在する場合は、ステップ３１６においてエラーが報告される。エラーが存在しない場合は、ステップ３１４において、分析するべき特徴が現行のパッチ内に存在するか否かが決定される。
【００４３】
まだ分析するべき特徴が存在する場合は、ステップ３０６において次の特徴ペアが獲得され、ステップ３０８において比較が行なわれる。ステップ３０６，３０８は、現行のパッチ内に存在する残りの特徴に対しても繰り返される。現行のパッチ内にこれ以上分析するべき特徴が存在しないと決定された場合は、ステップ３１８において、他に分析するべきパッチがテスト像内に存在するか否かが判定される。分析するべきパッチがまだ他に存在する場合は、プロセス６０６全体が繰り返される。処理するべきパッチがこれ以上存在しない場合は、プロセスを終了する。
【００４４】
上述したように、レチクルの分析には複数の異なる測定特性が含まれる。テスト像の各測定特性は、対応するベースライン像の特性と比較される。これらの比較の結果、エラーの報告が行なわれる。特性の比較が行なわれる際には、測定特性に関する統計情報がコンパイルされる。統計情報には、比較された特性はもちろん比較されなかった特性を含ませても良い。すなわち、あらゆる数およびタイプの観測可能な特性に関して統計情報が生成される。
【００４５】
図４は、テスト像およびそれに対応するベースライン像の線幅特性を、本発明の１実施形態にしたがって示した線図である。図に示すように、テスト像内のある特徴の線幅４０２が、対応するベースライン像の線幅４０４と比較される。線幅間の差（４０６ａおよび４０６ｂで表される）が所定の閾値を上回る場合は、エラーが規定されて報告される。
【００４６】
線幅に関する統計情報の収集および／または生成は、これらの線幅が比較されたか否か、および／またはエラーが報告されたか否かにかかわらず行なって良い。例えば、テスト像の実際の線幅４０２を格納しても良い。また、テスト像の線幅とベースライン像の線幅との差４０６ａ，４０６ｂを格納しても良い。加えてまたは代わりに、複数の線幅を分析すると同時にまたは全ての線幅を分析した後に、これらの線幅の平均値、中間値、最大値、最小値、範囲値（最大値引く最小値）、および／または標準偏差を計算しても良い。
【００４７】
図５は、テスト像およびそれに対応するベースライン像のコーナ曲がり特性を、本発明の１実施形態にしたがって示した線図である。図に示すように、テスト像のコーナ５０４は、関連する複数の半径５１０を有する。同様に、対応するベースライン像のコーナ５０２は、関連する複数の半径５０８を有する。
【００４８】
テスト像の各半径５１０が、ベースライン像の関連の半径５０８と比較される。例えば、ベースライン像の半径４０８Ａが、テスト像の半径５１０ａと比較される。テスト像の半径と、対応するベースライン像の半径との差が所定の閾値を上回る場合は、エラーがフラグされる。線幅の分析と同様に、テスト像の実際の半径、および／または計算されたテスト像とベースライン像との半径の差が格納される。加えてまたはあるいは、他の統計情報を生成して格納しても良い。例えば、各半径、またはレチクル上の位置の関数としての各差分値に関し、標準偏差、平均値、最大値、最小値、範囲値、および／または中間値を計算して格納して良い。
【００４９】
別の一例として、テスト像の所定部分および対応するレチクルに関して透過率を分析しても良い。透過率は、レチクル中のある部分を貫通できる光の量を表す。例えば、透過率が０％ということは、そのレチクル部分を通過する光がないことを意味し、１００％ということは、そのレチクル部分を全ての光が通過することを意味する。０％と１００％との間の透過率は、光が部分的にそのレチクル部分によって妨げられることを意味する。
【００５０】
透過率は、通常の透過率が１００％のレチクル部分に汚れや滲みが存在するか否かを決定する際に有用である。また、レチクル上の特定の領域（例えば１００％の透過率が予想される領域）の透過率を、統計情報と組み合わせても良い。例えば、標準偏差と同時に平均透過率を決定しても良い。
【００５１】
テスト像に関して分析が可能なもう１つの特性は、接触域の大きさである。所定の接触におけるエネルギの流量は、その接触域の大きさに少なくとも部分的に依存する。このため、テスト像内に表された接触が少なくとも最小限の面積を有するか否かを決定することが望まれる。
【００５２】
図６Ａおよび図６Ｂは、テスト像およびそれに対応するベースライン像の接触域特性を、本発明の１実施形態にしたがって示した線図である。図６Ａに示されるように、テスト接触８５６の面積はベースライン接触８５２の面積より小さい。反対に、図６Ｂに示されるように、テスト接触８６０の面積は対応するベースライン接触８５８の面積と同じ大きさである。
【００５３】
テスト接触とベースライン接触との接触域の面積差が所定の閾値を上回る場合は、エラーが報告される（例えば、図６Ａの接触に関してはエラーを報告するが、図６Ｂの接触に関してはエラーを報告しない）。また、エラーが報告されなかった場合であっても、接触域の実際の寸法および／または差分値を収集して良い。そして、格納された接触域の寸法および／または差分値を他の接触域の寸法および／または差分値と組み合わせ、テスト中のレチクルに関する有意義な統計データを生成しても良い。例えば、あるレチクル上における接触域のサイズ、またはテスト像とベースライン像との接触域のサイズの差に関して、平均値および／または標準偏差を計算しても良い。
【００５４】
検査プロセス中に分析および収集され得るもう１つの特性は、第１の特徴グループと第２の特徴グループとの位値合わせの値またはずれの値である。レチクルの作成中に、ある特徴のグループが同じレチクル上の他のグループとずれる可能性がある。
【００５５】
図７は、テスト像およびそれに対応するベースライン像とのずれの特性を、本発明の１実施形態にしたがって示した線図である。テスト中のレチクル８０２は、半導体デバイスの特定の１層を作成するために使用される複数の精密なパターン（例えば列８０６および行８０４の形）を含む。レチクル上のこれら精密なパターンは、レチクルの作成（そしておそらくはベースライン像の作成にも）使用された回路設計データに対応する必要がある。しかしながら、レチクルパターンがレチクル上に書き込まれるのに従って、１つまたはそれ以上のパターングループの間でずれが生じ得る。
【００５６】
図示されるように、パターンの各列は隣接する列からずれている。例えば、列８０６ｆは列８０６ｅから垂直方向にずれている。列８０６ｆおよび列８０６ｅに関しては、拡大図も示されている。図示されるように、列８０６ｆの行８０４ｄは、列８０６ｅの行８０４ｄから符号８１０の分だけずれている。
【００５７】
レチクル８０２から作成されたテスト像の特徴をベースライン像の特徴と比較する際には（例えばエッジ対エッジの分析において）、レチクル内のあらゆるずれに関する統計情報を、後の分析に備えて収集および格納して良い。この統計情報は、エラーが検出されなかった場合であっても有用である。例えば、このずれ情報によって、レチクルライタのずれが増していることが示される場合もある。このように、同じレチクルライタで作成されたレチクルグループに関してずれの情報を収集および分析し、作成された各レチクルのずれが増加しているか否かを決定しても良い。
【００５８】
本発明による技術は、幾つかの利点を有する。例えば、レチクルの１つまたはそれ以上の特性に関して統計情報の収集および格納が行なわれるので、レチクルを、多くの有用な用途において大局的に分析することができる。プロセスをモニタリングする用途では、統計情報によって半導体プロセスをより正確にモニタリングすることが可能になる。特殊な一例としては、線幅等のウエハ自体の特性測定値間における偏差が、レチクルプロセスまたは特定のプロセスの処理の結果として生じるものであるか否かを決定しても良い。また、レチクル上の部分部分に関してプロセスの調整を行ない、レチクルの偏差を補償しても良い。総じて、本発明によって、半導体プロセスのモニタリングおよび微調整を促進することができる。
【００５９】
レチクルを作成する用途では、統計情報を利用してレチクル描画のプロセスを微調整しても良い。すなわち、情報を分析し、レチクル描画のプロセスにおいて問題となる領域を決定しても良い。そして、レチクル描画のプロセスを、これら特定の問題領域に対して調整しても良い。また、統計情報を利用して、レチクル上における特定の問題領域の検査に使用される閾値の感度を向上させても良い。また、同じレチクルプロセスにおいて、幾つかのレチクルに関する統計情報を収集および分析することによって、統計情報に顕著な傾向がないかどうかを決定しても良い。これらの傾向によって、例えばレチクル描画のプロセスが許容不可能な結果に向かいつつあることが示される場合もある。換言すると、複数のレチクルに関する統計情報によって、レチクル作成のプロセスにおけるエラーを予測することが可能になる。
【００６０】
本発明は、任意の適切な検査システムまたは製造システムとともに使用して良い。図８は、レチクル検査システム９００を示した図であり、このシステムでは、レチクルを評価する図１のステップ１０８が、本発明の１実施形態である検査システムにおいて実行される。レチクルを自動的に搬送するための自動ローダ２０８は、レチクル検査ステーション２５０の検査ポート２０２に向かって延びるアーム２１０を有したロボット２１２を備える。アーム２１０は、回転して外部ポート２０４に向かうことができ、この状態は符号２１０’で示されている。同様に、符号２１０”で示されている状態では、ロボットアームは、レチクルストッカステーション２１６のストレージポート２０６に向かうことができる。このレチクルストッカステーション２１６は、一般に、レチクルを保管するための多数のスロットまたはトラックを含む。ロボットアームは、さらに延びて、レチクルストッカステーション２１６からレチクル２１４を取り出すように設計されている。
【００６１】
本発明の１実施形態にしたがうと、代表的な検査プロセスは、レチクル２１４が外部ポート２０４に置かれた後にスタートする。これは、レチクルを、例えば続く検査の用途において使用されるまで、レチクルストッカステーション２１６内に保管することを意図している。位置２１０’にあるロボットアームは、図８に示すように延びることによって、レチクルを外部ポート２０４から搬送し、レチクルストッカステーション２１６のローディングポートに保管する。製造にレチクルが必要とされると、ロボットアーム２１０”は、例えばレチクル２１４をローディングポートから引き出して、レチクル検査ステーションの検査ポート２０２に置く。
【００６２】
レチクル検査ステーション２５０は、コンピュータシステム２５２に結合されている。コンピュータシステム２５２では、図１で詳述した評価プロセス１０８が実行され、レチクルが検査をパスしたか否かが決定される。コンピュータシステム２５２は、検査ステーション２５０と一体化していても良いし、検査ステーション２５０から分離されていても良い。レチクル検査ステーション２５０は、例えば図形のリストの形で設計データ２５４を受信する。また、コンピュータシステム２５２は、検査ステーション２５０から像データ（例えばテスト像）を受信する。像データの分析は、設計データ２５４またはレチクル２１４をもとにして生成されるベースライン像との比較によって行なわれる。レチクルの検査が完了したら、レチクル２１４は、使用に備えて製造設備に搬送できるように、外部ポート２０４上に置かれる。これは、もちろん検査にパスしたことを想定した場合である。あるいは、レチクル２１４を修復またはリメイドしても良い。
【００６３】
本発明による方法を実現および制御する（例えば、種々の走査装置コンポーネントの設定を制御し、レチクルのベースライン像を格納および取り出し、レチクルのテスト像を格納し、テスト像とベースライン像の比較を行ない、このような比較の際に欠陥および統計情報を格納する、等々）ために使用される適切なコンピュータシステムは、様々なメーカ（例えば、米国カリフォルニア州マウンテンビュー市所在のシリコン・グラフィックス社や同じくカリフォルニア州サニーヴェイル市所在のサン・マイクロシステムズ社等）により供給されるものを用いても良いし、あるいはケーエルエー・テンコール社等のレチクル検査システムのメーカによってカスタムメイドにより構成しても良い。
【００６４】
ここで使用される「電子表示」という用語は、機械による読み取りが可能なあらゆる表示をカバーする。このような表示は、一般に、磁気式、電子式、または光学式に読み取りが可能な媒体に格納される。このような表示の内容は、電気信号、磁気信号、電磁信号、光信号等として伝送することが可能である。
【００６５】
本発明による方法を構成する各処理を実行するコンピュータシステムには、光ビーム、電子ビーム、または他の検査システムが一体化されていることが好ましい。このような複合システムは、（ａ）メモリに格納された（好ましくは圧縮された）ベースライン像と、（ｂ）レチクルの光ビーム像または電子ビーム像を生成するように構成された結像システムと、（ｃ）ベースライン像と現テスト像とを比較して欠陥を識別するように構成された処理ユニットと、を少なくとも含むことが好ましい。結像システムは、最低限でも、（ｉ）レチクル上の指定場所に直接放射されるように方向付けられた照射源と、（ｉｉ）レチクルによって散乱された照射源をもとにレチクルの像を検出するように方向付けられた１つまたはそれ以上の検出器と、を備えるのが一般的である。結像システムは、さらに、走査手段を含んでも良い。
【００６６】
以上では、理解を明確にすることを目的として、本発明の実施形態を詳しく説明したが、添付した特許請求の範囲を逸脱しない範囲内ならば、種々なる変更および修正を加えられることは明らかである。ここで注意が必要なのは、本発明によるプロセスおよび装置を実現する代替の方法が、数多く存在することである。例えば、収集された統計情報は、半導体ウエハ上にパターンを形成するためにレチクルを使用した後で利用しても良い。すなわち、統計情報は、ウエハの統計情報に関連付けるのに用いてもよく、そのために、ウエハの処理中に導入された新しいエラーをレチクル上のエラーと区別するために、この統計情報を使用しても良い。したがって、以上で取り上げた実施形態は、例示を目的としたものであって、本発明の内容を限定するものではない。このため本発明は、本明細書で特定した詳細に限定されることなく、添付した特許請求の範囲の範囲および同等物の範囲内で、種々の変更を加えることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】  集積回路の設計プロセスを、本発明の１実施形態にしたがって示したフローチャートである。
【図２】  作成されたレチクルを検査および評価する図１の処理を、本発明の１実施形態にしたがって示したフローチャートである。
【図３】  テスト像とベースライン像を比較する図２の処理を、本発明の１実施形態にしたがって示したフローチャートである。
【図４】  テスト像およびそれに対応するベースライン像の線幅特性を、本発明の１実施形態にしたがって示した線図である。
【図５】  テスト像およびそれに対応するベースライン像のコーナ曲がり特性を、本発明の１実施形態にしたがって示した線図である。
【図６Ａ】  テスト像およびそれに対応するベースライン像の接触域特性を、本発明の１実施形態にしたがって示した線図である。
【図６Ｂ】  テスト像およびそれに対応するベースライン像の接触域特性を、本発明の１実施形態にしたがって示した線図である。
【図７】  テスト像およびそれに対応するベースライン像の位置合わせ特性を、本発明の１実施形態にしたがって示した線図である。
【図８】  本発明の１実施形態として説明したレチクルを評価する図１のプロセスが実行されるレチクル検査システムを示した構成図である。
【符号の説明】
２０２…検査ポート
２０４…外部ポート
２０６…ストレージポート
２０８…自動ローダ
２１０…アーム
２１２…ロボット
２１４…レチクル
２１６…レチクルストッカステーション
２５０…レチクル検査ステーション
２５２…コンピュータシステム
２５４…設計データ
４０２…テスト像の線幅
４０４…ベースライン像の線幅
４０６ａ，４０６ｂ…線幅間の差
５０２…ベースライン像のコーナ
５０４…テスト像のコーナ
５０８…ベースライン像の半径
５１０…テスト像の半径
８０２…テスト中のレチクル
８０４…行
８０６…列
８１０…ずれの値
８５２，８５８…ベースライン接触
８５６，８６０…テスト接触
９００…レチクル検査システム
【図１】
0004588222.tif 000002
【図２】
0004588222.tif 000003
【図３】
0004588222.tif 000004
【図４】
0004588222.tif 000005
【図５】
0004588222.tif 000006
【図６Ａ】
0004588222.tif 000007
【図６Ｂ】
0004588222.tif 000008
【図７】
0004588222.tif 000009
【図８】
0004588222.tif 000010