(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
印加電極とアース電極とを対向させて配置した放電空間と、前記印加電極およびアース電極に電圧を印加する電圧印加手段と、前記放電空間に反応性ガスおよび不活性ガスを流入させるガス導入手段とを有し、大気圧または大気圧近傍の圧力下、前記電圧印加手段にて電圧を印加することにより、前記放電空間に流入した前記反応性ガスを励起して放電プラズマを発生させ、基材を前記印加電極またはアース電極のいずれか一方の放電面を覆うように載置し、該基材を前記放電プラズマに晒すことにより前記基材の表面処理を行う大気圧プラズマ処理装置であって、
前記ガス導入手段は、反応性ガス導入手段と不活性ガス導入手段とを有し、前記反応性ガス導入手段は、前記不活性ガス導入手段に囲まれるように配置され、前記印加電極または前記アース電極のいずれか他方が前記不活性ガス導入手段の外側に配置され、前記反応性ガスと前記不活性ガスとを別々に、かつ前記不活性ガスの層が前記印加電極またはアース電極のいずれか他方を覆い、前記反応性ガスが前記基材に向かうように前記放電空間に流入させるよう構成されており、
前記印加電極または前記アース電極のいずれか他方の放電面が、前記不活性ガスの層により覆われることで、前記反応性ガスに直接接触しないことを特徴とする大気圧プラズマ処理装置。
【請求項２】
前記ガス導入手段は、その出口が前記印加電極の底部とほぼ同じ位置で、前記アース電極に向けて開口するように配置されることを特徴とする請求項１に記載の大気圧プラズマ処理装置。
【請求項３】
前記アース電極の放電面を前記基材にて覆うように載置し、前記印加電極は、複数の印加電極群から構成され、前記ガス導入手段は、前記印加電極群の少なくとも一つの間隙から前記アース電極上に載置された前記基材に向けて反応性ガスおよび不活性ガスを流入させるように構成されていることを特徴とする請求項２に記載の大気圧プラズマ処理装置。
【請求項４】
前記反応性ガス導入手段は、温度制御手段を有していることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の大気圧プラズマ処理装置。
【請求項５】
前記温度制御手段は、反応性ガスの加温手段であることを特徴とする請求項４に記載の大気圧プラズマ処理装置。
【請求項６】
前記温度制御手段は、前記反応性ガスの濃度を飽和蒸気圧とする温度よりも高い温度に制御することを特徴とする請求項５に記載の大気圧プラズマ処理装置。
【請求項７】
前記電圧印加手段は、１００ｋＨｚを越える周波数を有する高周波電圧を印加することを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の大気圧プラズマ処理装置。
【請求項８】
前記電圧印加手段は、電圧の放電出力が、１Ｗ／ｃｍ２以上であることを特徴とする請求項７に記載の大気圧プラズマ処理装置。
【請求項９】
前記印加電極または前記アース電極は、無機材料の誘電体を被覆していることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の大気圧プラズマ処理装置。
【請求項１０】
前記誘電体が、アルミナセラミックス溶射後、更にゾルゲル反応により硬化する珪素化合物にて封孔処理を行ったものであることを特徴とする請求項９に記載の大気圧プラズマ処理装置。
【請求項１１】
前記印加電極または前記アース電極を冷却する冷却手段を有することを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載の大気圧プラズマ処理装置。
【請求項１２】
前記反応性ガスが、有機金属化合物及び有機物から選択される成分を含有していることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項に記載の大気圧プラズマ処理装置。
【請求項１３】
前記有機金属化合物が、金属アルコキシド、アルキル化金属、金属錯体から選ばれることを特徴とする請求項１２に記載の大気圧プラズマ処理装置。
【請求項１４】
請求項１〜１３のいずれか１項に記載の大気圧プラズマ処理装置を用いて、基材の表面処理を行うことを特徴とする大気圧プラズマ処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、大気圧プラズマ処理装置及び大気圧プラズマ処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイスや表示、記録、光電変換のための各種のデバイスには、基材上に高機能性の薄膜を設けた、例えば、電極膜、誘電体保護膜、半導体膜、透明導電膜、反射防止膜、光学干渉膜、ハードコート膜、下引き膜、バリア膜等の各種の材料が用いられている。
【０００３】
このような高機能性の薄膜生成においては、従来、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等の真空を用いた乾式製膜法が用いられてきた。
【０００４】
このような製膜方法は、真空設備を必要とする為、設備費用が高額となる。更に、連続生産が出来ず、製膜速度が低いことから、生産性が低いという課題を有していた。
【０００５】
これらの真空装置を用いることによる低生産性のデメリットを克服する方法として、特開昭６１−２３８９６１号等において、大気圧下で放電プラズマを発生させ、該放電プラズマにより高い処理効果を得る大気圧プラズマ処理方法が提案されている。大気圧プラズマ処理方法は、基材の表面に、均一な組成、物性、分布で製膜することができる。また、大気圧又は大気圧近傍下で処理を行うことができることから、真空設備を必要とせず、設備費用を抑えることができ、連続生産にも対応でき、製膜速度を速くすることができる。また、大気圧または大気圧近傍の圧力下で放電し、反応性ガスをプラズマ励起し、基材上に薄膜を形成する応用例が、特開平１１−１３３２０５号、特開２０００−１８５３６２、特開平１１−６１４０６号、特開２０００−１４７２０９、同２０００−１２１８０４等に記載されている（以下、大気圧プラズマ法とも称する）。これら公報に開示される大気圧プラズマ法は、対向する電極間に、パルス化され、周波数が０．５〜１００ｋＨｚであり、且つ、電界の強さが１〜１００Ｖ／ｃｍの電界を印加し、放電プラズマを発生させるというものである。更に、特開平６−３３０３２６号には、大気圧プラズマ放電中に、金属アルコキシド等を微量添加することにより、金属酸化膜を形成する方法が提案されている。
【０００６】
しかしながら、上記の金属アルコキシド、例えば、有機珪素化合物、有機チタン化合物、有機錫化合物、有機亜鉛化合物、有機インジウム化合物、有機アルミ化合物、有機銅化合物、有機銀化合物等は、常温下では液体であり、蒸気圧も高くないことから、加熱気化させたのち、ヘリウム又はアルゴン等の希ガスと混合し、対向する放電電極間に導入する必要があるが、電極表面温度が混合ガスよりも低い場合、上記金属アルコキシド等の成分が電極表面でコンデンスし、常に一定の混合ガスでなくなり、均一な製膜を達成するのが困難となる他、コンデンスした部分が反応して固化し、ガス通路を詰まらせるという課題を抱えている。これに対し、電極における露結防止策として、例えば、電極を加熱しすぎると、部分的な絶縁破壊等による不均一放電を誘発し、均一な製膜ができない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記の課題を鑑みなされたもので、その目的は、放電電極の長期耐久性を保持すると共に、安定放電を実現し、かつ電極部へのコンデンスを抑制し、長時間安定して製膜ができる大気圧プラズマ処理装置及び大気圧プラズマ処理方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の上記目的は、以下の構成により達成された。
【０００９】
１．  印加電極とアース電極とを対向させて配置した放電空間と、前記印加電極およびアース電極に電圧を印加する電圧印加手段と、前記放電空間に反応性ガスおよび不活性ガスを流入させるガス導入手段とを有し、大気圧または大気圧近傍の圧力下、前記電圧印加手段にて電圧を印加することにより、前記放電空間に流入した前記反応性ガスを励起して放電プラズマを発生させ、基材を前記印加電極またはアース電極のいずれか一方の放電面を覆うように載置し、該基材を前記放電プラズマに晒すことにより前記基材の表面処理を行う大気圧プラズマ処理装置であって、
前記ガス導入手段は、反応性ガス導入手段と不活性ガス導入手段とを有し、前記反応性ガス導入手段は、前記不活性ガス導入手段に囲まれるように配置され、前記印加電極または前記アース電極のいずれか他方が前記不活性ガス導入手段の外側に配置され、前記反応性ガスと前記不活性ガスとを別々に、かつ前記不活性ガスの層が前記印加電極またはアース電極のいずれか他方を覆い、前記反応性ガスが前記基材に向かうように前記放電空間に流入させるよう構成されており、
前記印加電極または前記アース電極のいずれか他方の放電面が、前記不活性ガスの層により覆われることで、前記反応性ガスに直接接触しないことを特徴とする大気圧プラズマ処理装置。
【００１０】
２．  前記ガス導入手段は、その出口が前記印加電極の底部とほぼ同じ位置で、前記アース電極に向けて開口するように配置されることを特徴とする前記１項に記載の大気圧プラズマ処理装置。
【００１１】
３．  前記アース電極の放電面を前記基材にて覆うように載置し、前記印加電極は、複数の印加電極群から構成され、前記ガス導入手段は、前記印加電極群の少なくとも一つの間隙から前記アース電極上に載置された前記基材に向けて反応性ガスおよび不活性ガスを流入させるように構成されていることを特徴とする前記２項に記載の大気圧プラズマ処理装置。
【００１２】
４．  前記反応性ガス導入手段は、温度制御手段を有していることを特徴とする前記１〜３項のいずれか１項に記載の大気圧プラズマ処理装置。
【００１３】
５．  前記温度制御手段は、反応性ガスの加温手段であることを特徴とする前記４項に記載の大気圧プラズマ処理装置。
【００１４】
６．  前記温度制御手段は、前記反応性ガスの濃度を飽和蒸気圧とする温度よりも高い温度に制御することを特徴とする前記５項に記載の大気圧プラズマ処理装置。
【００１５】
７．  前記電圧印加手段は、１００ｋＨｚを越える周波数を有する高周波電圧を印加することを特徴とする前記１〜６項のいずれか１項に記載の大気圧プラズマ処理装置。
【００１６】
８．  前記電圧印加手段は、電圧の放電出力が、１Ｗ／ｃｍ２以上であることを特徴とする前記７項に記載の大気圧プラズマ処理装置。
【００１７】
９．  前記印加電極または前記アース電極は、無機材料の誘電体を被覆していることを特徴とする前記１〜８項のいずれか１項に記載の大気圧プラズマ処理装置。
【００１８】
１０．  前記誘電体が、アルミナセラミックス溶射後、更にゾルゲル反応により硬化する珪素化合物にて封孔処理を行ったものであることを特徴とする前記９項に記載の大気圧プラズマ処理装置。
【００１９】
１１．  前記印加電極または前記アース電極を冷却する冷却手段を有することを特徴とする前記１〜１０項のいずれか１項に記載の大気圧プラズマ処理装置。
【００２０】
１２．  前記反応性ガスが、有機金属化合物及び有機物から選択される成分を含有していることを特徴とする前記１〜１１項のいずれか１項に記載の大気圧プラズマ処理装置。
【００２１】
１３．  前記有機金属化合物が、金属アルコキシド、アルキル化金属、金属錯体から選ばれることを特徴とする前記１２項に記載の大気圧プラズマ処理装置。
【００２２】
１４．  前記１〜１３項のいずれか１項に記載の大気圧プラズマ処理装置を用いて、基材の表面処理を行うことを特徴とする大気圧プラズマ処理方法。
【００２４】
以下、本発明の詳細について説明する。
本発明者らは、上記課題を鑑み鋭意検討を行った結果、電極を長期間に亘って、その耐久性を維持し、安定放電を実現するには、該電極部に反応性ガスが直接触れないように放電空間へ供給すること、更に、該反応性ガス成分の通路である反応性ガス導入手段において、コンデンスしないよう加温すること、さらに、電極を冷却することが重要であることを見出し、本発明に至った次第である。
【００２５】
即ち、本発明の大気圧プラズマ処理装置は、印加電極とアース電極とを対向させて配置した放電空間と、前記印加電極およびアース電極に電圧を印加する電圧印加手段と、前記放電空間に反応性ガスおよび不活性ガスを流入させるガス導入手段とを有し、大気圧または大気圧近傍の圧力下、前記電圧印加手段にて電圧を印加することにより、前記放電空間に流入した前記反応性ガスを励起して放電プラズマを発生させ、基材を前記印加電極またはアース電極のいずれか一方の放電面を覆うように載置し、該基材を前記放電プラズマに晒すことにより前記基材の表面処理を行う大気圧プラズマ処理装置であって、前記ガス導入手段は、反応性ガス導入手段と不活性ガス導入手段とを有し、前記反応性ガス導入手段は、前記不活性ガス導入手段に囲まれるように配置され、前記印加電極または前記アース電極のいずれか他方が前記不活性ガス導入手段の外側に配置され、前記反応性ガスと前記不活性ガスとを別々に、かつ前記不活性ガスの層が前記印加電極またはアース電極のいずれか他方を覆い、前記反応性ガスが前記基材に向かうように前記放電空間に流入させるよう構成されており、前記印加電極または前記アース電極のいずれか他方の放電面が、前記不活性ガスの層により覆われることで、前記反応性ガスに直接接触しないことを特徴とする大気圧プラズマ処理装置である。
【００２６】
更に、前記ガス導入手段は、反応性ガス導入手段と、不活性ガス導入手段とを有し、前記反応性ガスと前記不活性ガスとを別々に前記放電空間に流入させるよう構成され、詳細には、反応性ガスを供給する配管部が、不活性ガスを供給する配管部により挟み込む、又は包み込む様にして分離供給することにより、反応性ガスが直接、電極部と接触することを防止し、反応性ガス中に含まれる、例えば、常温で液体の有機金属化合物等の電極表面でのコンデンスを防止することができる。更に、各ガスを分離供給することにより、各々のガスの気体温度を個別に設定することが可能となり、反応性ガスを供給する配管内部に、温度制御システムを設けることにより、電極表面でコンデンスを起こさない温度、例えば、反応性ガス濃度における飽和蒸気圧に対応する温度より高い温度に反応性ガス温度を設定することにより、電極表面へのコンデンスや付着物の発生を防止し、その結果、均一な製膜を達成できる。
【００２７】
【発明の実施の形態】
本発明の大気圧プラズマ処理装置及び大気圧プラズマ処理方法について、以下にその実施の形態を図を用いて説明するが、本発明はこれに限定されない。また、以下の説明には用語等に対する断定的な表現が含まれている場合があるが、本発明の好ましい例を示すものであって、本発明の用語の意義や技術的な範囲を限定するものではない。
【００２８】
本発明の大気圧プラズマ処理装置は、基材上に高機能の各種薄膜を形成することができ、例えば、電極膜、誘電体保護膜、半導体膜、透明導電膜、エレクトロクロミック膜、蛍光膜、超伝導膜、誘電体膜、太陽電池膜、反射防止膜、耐摩耗性膜、光学干渉膜、反射膜、帯電防止膜、導電膜、防汚膜、ハードコート膜、下引き膜、バリア膜、電磁波遮蔽膜、赤外線遮蔽膜、紫外線吸収膜、潤滑膜、形状記憶膜、磁気記録膜、発光素子膜、生体適合膜、耐食性膜、触媒膜、ガスセンサ膜、装飾膜等の形成に用いることができる。
【００２９】
図１は、本発明の大気圧プラズマ処理装置のガス導入部及び電極部の一例を示す断面図である。
【００３０】
図１において、１は薄膜を形成する基材である。
本発明で用いることができる基材としては、フィルム状のもの、レンズ状等の立体形状のもの等、薄膜をその表面に形成できるものであれば特に限定はない。
【００３１】
基材を構成する材料も特に限定はないが、大気圧または大気圧近傍の圧力下であることと、低温のプラズマ放電であることから、樹脂を好ましく用いることができる。
【００３２】
例えば、本発明に係る薄膜が反射防止膜である場合、基材として好ましくはフィルム状のセルローストリアセテート等のセルロースエステル、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリスチレン、更にこれらの上にゼラチン、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、セルロース系樹脂等を塗設したもの等を使用することが出来る。また、これら基材は、支持体上にエチレン性不飽和モノマーを含む成分を重合させて形成した樹脂層等を塗装した防眩層やクリアハードコート層を有するもの、バックコート層、帯電防止層を塗設したものを用いることが出来る。
【００３３】
上記の支持体（基材としても用いられる）としては、具体的には、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステルフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、セロファン、セルロースジアセテートフィルム、セルロースアセテートブチレートフィルム、セルロースアセテートプロピオネートフィルム、セルロースアセテートフタレートフィルム、セルローストリアセテート、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類またはそれらの誘導体からなるフィルム、ポリ塩化ビニリデンフィルム、ポリビニルアルコールフィルム、エチレンビニルアルコールフィルム、シンジオタクティックポリスチレン系フィルム、ポリカーボネートフィルム、ノルボルネン樹脂系フィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリエーテルケトンフィルム、ポリイミドフィルム、ポリエーテルスルホンフィルム、ポリスルホン系フィルム、ポリエーテルケトンイミドフィルム、ポリアミドフィルム、フッ素樹脂フィルム、ナイロンフィルム、ポリメチルメタクリレートフィルム、アクリルフィルムあるいはポリアリレート系フィルム等を挙げることができる。
【００３４】
これらの素材は単独であるいは適宜混合されて使用することもできる。中でもゼオネックス（日本ゼオン（株）製）、ＡＲＴＯＮ（日本合成ゴム（株）製）などの市販品を好ましく使用することができる。更に、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリスルフォン及びポリエーテルスルフォンなどの固有複屈折率の大きい素材であっても、溶液流延、溶融押し出し等の条件、更には縦、横方向に延伸条件等を適宜設定することにより、得ることが出来る。また、本発明に係る支持体は、上記の記載に限定されない。膜厚としては１０〜１０００ｎｍのフィルムが好ましく用いられる。
【００３５】
本発明において、基材上に設ける薄膜が、反射防止膜である場合には、本発明に係る支持体としては、中でもセルロースエステルフィルムを用いることが低い反射率の積層体が得られる為、好ましい。本発明に記載の効果を好ましく得る観点から、セルロースエステルとしてはセルロースアセテート、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネートが好ましく、中でもセルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネートが好ましく用いられる。
【００３６】
図１において、２ａ、２ｂは、各々高圧の印加電極であり、印加電極２ａと印加電極２ｂは、金属母体３ａ、３ｂの表面を誘電体４ａ、４ｂで被覆し、放電中はその内部が冷却水等による印加電極２ａ、２ｂの冷却手段を有していることが好ましい。
【００３７】
一方、上記印加電極２ａ、２ｂに対向する位置には、基材が接触して搬送される電極として、基材保持用のアース電極５が配置されている。アース電極５は、金属母体７上に、誘電体６を被覆したものであることが好ましい。
【００３８】
上記各電極において、金属母体（３ａ、３ｂ、７）としては、例えば、銀、白金、ステンレス、アルミニウム、鉄等の金属等が挙げられるが、加工の観点からステンレスであることが好ましい。
【００３９】
また、誘電体（４ａ、４ｂ、６）は、請求項９に係る発明では、無機材料であることが特徴であり、更に、請求項１０に係る発明では、誘電体が、アルミナセラミックス溶射後、更にゾルゲル反応により硬化する珪素化合物にて封孔処理を行ったものであることが特徴である。
【００４０】
誘電体としては、無機材料であるケイ酸塩系ガラス・ホウ酸塩系ガラス・リン酸塩系ガラス・ゲルマン酸塩系ガラス・亜テルル酸塩ガラス・アルミン酸塩ガラス・バナジン酸塩ガラス等を用いることができる。この中でもホウ酸塩系ガラスが加工し易い。また、溶射法により気密性の高い高耐熱性のセラミックを用いることも好ましい。セラミックスの材質としては例えばアルミナ系、ジルコニア系、窒化珪素系、炭化珪素系のセラミックスが挙げられるが、中でもアルミナ系のセラミックスが好ましく、アルミナ系のセラミックスの中でも特にＡｌ2Ｏ3を用いるのが好ましい。アルミナ系のセラミックスの厚みは１ｍｍ程度が好ましく、体積固有抵抗は１０8Ω・ｃｍ以上が好ましい。
【００４１】
セラミックスは、無機質材料で封孔処理されているのが好ましく、これにより電極の耐久性を向上させることができる。上記アルミナ系のセラミックスを被覆した上に、封孔剤である、ゾルゲル反応により硬化する珪素化合物（アルコキシシランが好ましい）を主原料とするゾルを塗布した後に、ゲル化させて硬化させることで、強固な３次元結合を形成させ均一な構造を有する珪素酸化物を形成することによって、セラミックスの封孔処理をすることができる。
【００４２】
また、ゾルゲル反応を促進するためにエネルギー処理を行うことが好ましい。ゾルにエネルギー処理をすることによって、金属−酸素−金属の３次元結合を促進することができる。該エネルギー処理には、プラズマ処理や、２００℃以下の加熱処理、ＵＶ処理が好ましい。
【００４３】
高温下での金属母材に誘電体を被覆して電極を製作する方法において、少なくとも基材と接する側の誘電体を研磨仕上げすること、更に電極の金属母材と誘電体間の熱膨張の差をなるべく小さくすることが必要であり、そのため製作方法において、母材表面に、応力を吸収出来る層として泡混入量をコントロールして無機質の材料をライニングする、特に材質としては琺瑯等で知られる溶融法により得られるガラスであることが良く、更に導電性金属母材に接する最下層の泡混入量を２０〜３０体積％とし、次層以降を５体積％以下とすることで、緻密でかつひび割れ等が発生しない良好な電極が出来る。
【００４４】
また、電極の金属母材に誘電体を被覆する本発明に係る方法として、セラミックスの溶射を空隙率１０体積％以下まで緻密に行い、更にゾルゲル反応により硬化する無機質の材料にて封孔処理を行うことであり、ここでゾルゲル反応の促進には、熱硬化やＵＶ硬化が良く、更に封孔液を希釈し、コーティングと硬化を逐次で数回繰り返すと、よりいっそう無機質化が向上し、劣化の無い緻密な電極ができる。
【００４５】
図２に、本発明で用いることのできる高圧印加用電極の一例を示す。
図２は、角柱型で固定されている電極の一例を示す斜視図であり、高圧印加用対向電極を例とすると、固定の印加電極２ａ、２ｂであり、金属母体３ａ、３ｂである中空のステンレスパイプに対して、セラミックスを溶射後、無機材料を用いて封孔処理したセラミック被覆処理の誘電体４ａ、４ｂを被覆した組み合わせで構成されているものである。
【００４６】
図１において、８は印加電極２ａ、２ｂとアース電極５の間に高周波電圧を印加するための高周波電源であり、請求項７に係る発明では、印加する電圧が１００ｋＨｚを越えていることが特徴であり、好ましくは上限値が１５０ＭＨｚ以下である。本発明で用いることのできる高周波電源としては、特に限定はないが、例えば、パール工業製高周波電源（２００ｋＨｚ）、同（８００ｋＨｚ）、同（２ＭＨｚ）、日本電子製高周波電源（１３．５６ＭＨｚ）、パール工業製高周波電源（１５０ＭＨｚ）等を用いることができる。
【００４７】
９はアースであり、アース電極５はアース９に接地している。また、請求項８に係る発明では、上記電極間に供給する電圧の放電出力が、１Ｗ／ｃｍ２以上であることが特徴であり、好ましくは１〜５０Ｗ／ｃｍ２である。放電出力を上記で規定した範囲とすることにより、放電プラズマのプラズマ密度を上げることができる。
【００４８】
図１において、１０はガス導入部である。ガス導入部１０は、その中心部に反応性ガス通路１１を有し、その周囲に不活性ガス通路１２ａ、１２ｂを有している。反応性ガス通路は、反応性ガスが直接、印加電極２ａ、２ｂに接触しないように、その出口は、印加電極２ａ、２ｂの底部とほぼ同位置に設けられている。反応性ガス通路１１と不活性ガス通路１２ａ、１２ｂは、反応性ガス通路壁１４ａ、１４ｂで隔離され、また不活性ガス通路１２ａ、１２ｂは外部と不活性ガス通路壁１５ａ、１５ｂにより隔離されている。
【００４９】
反応性ガス導入手段である反応性ガス通路１１及び不活性ガス導入手段である不活性ガス通路１２ａ、１２ｂの構造としては、反応性ガスが電極の放電面と直接接しないように構成されていれば特に限定はない。例えば、直線的な通路壁１４ａ、１４ｂ、１５ａ、１５ｂで分離されたスリット状の形態でも、あるいは、それぞれ内径の異なる円筒を組み合わせた構造でも良いが、簡便性及び温度制御の容易性からは、前者が好ましい。本発明においては、反応性ガスを加温し、コンデンスの問題が起きないように反応性ガス通路壁１４ａ、１４ｂの温度を制御する温度制御手段を有することが好ましい。請求項５に係る発明では、反応性ガスを供給する内部配管部（反応性ガス通路壁１４ａ、１４ｂ）の温度を、加温することが特徴である。さらに請求項６に係る発明では、反応性ガスの放電空間への供給時の温度を、該反応性ガス供給時の濃度における飽和蒸気圧を示す温度より高い温度とすることが特徴であり、本発明に係る反応性ガス通路１１、あるいは不活性ガス通路１２ａ、１２ｂを構成する通路壁１４ａ、１４ｂ、１５ａ、１５ｂの材料は、各ガスに対する耐腐食性と強度を有し、かつ熱伝導率の高い材料であれば、その材質に特に制限はないが、セラミックが好ましい。
【００５０】
反応性ガス通路１１には、温度を制御するための温度制御手段としての保温制御システム１３ａ、１３ｂが設けられており、該保温制御システムは、温度センサ部、加熱部及び制御部からなり、温度センサで検知した温度を基にして、所望の温度となるように反応性ガス通路壁に組み込まれた加熱媒体により昇温を行うものである。
【００５１】
図３に、本発明の大気圧プラズマ処理処理の全体構成の一例を示す概略図である。
【００５２】
図３は、プラズマ放電処理装置３０、ガス充填手段５０、電圧印加手段４０、及び電極温度調節手段６０から構成されている。図３では、図１に記載の、対向して固定されている印加電極２ａ、２ｂとアース電極５を、ロール回転電極２５と複数の角柱型固定電極３６として、フィルム状の基材１にプラズマ放電処理を施すものである。基材１は、図示されていない元巻きから巻きほぐされて搬送してくるか、または前工程から搬送されてきて、ガイドロール６４を経てニップロール６５で基材１に同伴してくる空気等をカットし、ロール回転電極２５に接触したまま巻き回されながら、複数の角柱型固定電極３６との間を移送され、ニップロール６６、ガイドロール６７を経て、図示してない巻き取り機で巻き取られるか、次工程に移送する。ガスは、ガス充填手段５０により、ガス発生装置５１で発生させたガスＧを、流量制御して、図１で示す構成からなる給気口５２（反応性ガス導入手段、不活性ガス導入手段）よりプラズマ放電処理容器３１内に入れ、該プラズマ放電処理容器３１内をガスＧで充填し、放電処理部３２へと均一に送られる。処理排ガスＧ'は排気口５３より排出するようにする。図では、ガス導入部１０、排気口５３は一つしか示してないが、各角柱型固定電極３６の間に設けることがより均一にガスの供給、排気をすることができ好ましい。次に、電圧印加手段４０で、高周波電源４１により角柱型固定電極３６に電圧を印加し、ロール回転電極２５にはアースを接地し、放電プラズマを発生させる。図では、省略してあるが、各々の角柱型固定電極３６には、それぞれ電圧印加手段４０により高周波電源４１から同じ高周波電圧が供給されるようになっている。ロール回転電極２５または角柱型固定電極３６には、それぞれ電極温度調節手段６０を用いて、媒体を加熱または冷却して電極に送液することができる。電極温度調節手段６０で温度を調節した媒体を、送液ポンプＰで配管６１を経て、ロール回転電極２５または角柱型固定電極３６の内部から温度を調節する。図３では、各電極からの復路の配管については省略してある。プラズマ放電処理の際、基材の温度によって得られる薄膜の物性や組成は変化することがあり、これに対して温度を適宜制御することが好ましい。熱媒体としては、空気等の気体を用いてもよいが、蒸留水、シリコンオイルの様な油等の絶縁性材料が好ましく用いられる。基材フィルムの温度は処理条件によって異なるが、通常室温〜３５０℃の温度が用いられる。プラズマ放電処理の際、幅手方向あるいは長手方向での基材フィルムの温度ムラが出来るだけ生じないようにロール回転電極の内部の温度を制御することが望まれる。なお、６８及び６９はプラズマ放電処理容器３１と外界を仕切る仕切板である。
【００５３】
本発明において用いられるガスは、基材上に設けたい薄膜の種類によって異なるが、基本的に、不活性ガスと、薄膜を形成するための反応性ガスの混合ガスである。反応性ガスは、混合ガスに対し、０．０１〜１０体積％含有させることが好ましい。薄膜の膜厚としては、１〜１０００ｎｍの範囲の薄膜が得られる。
【００５４】
上記不活性ガスとは、周期表の第１８属元素、具体的には、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、ラドン等が挙げられるが、本発明に記載の効果を得るためには、ヘリウム、アルゴンが好ましく用いられる。
【００５５】
例えば、反応性ガスとしてジンクアセチルアセトナート、トリエチルインジウム、トリメチルインジウム、ジエチル亜鉛、ジメチル亜鉛、エトラエチル錫、エトラメチル錫、二酢酸ジ−ｎ−ブチル錫、テトラブチル錫、テトラオクチル錫などから選択された少なくとも１つの有機金属化合物を含む反応性ガスを用いて、導電性膜あるいは帯電防止膜、あるいは反射防止膜の中屈折率層として有用な金属酸化物層を形成することができる。
【００５６】
また、フッ素含有化合物ガスを用いることによって、基材表面にフッ素含有基を形成させて表面エネルギーを低くし、撥水性表面を得る撥水膜を得ることが出来る。フッ素元素含有化合物としては、６フッ化プロピレン（ＣＦ3ＣＦＣＦ2）、８フッ化シクロブタン（Ｃ4Ｆ8）等のフッ素・炭素化合物が挙げられる。安全上の観点から、有害ガスであるフッ化水素を生成しない６フッ化プロピレン、８フッ化シクロブタンを用いるのが好ましい。
【００５７】
また、分子内に親水性基と重合性不飽和結合を有するモノマーの雰囲気下で処理を行うことにより、親水性の重合膜を堆積させることもできる。上記親水性基としては、水酸基、スルホン酸基、スルホン酸塩基、１級若しくは２級又は３級アミノ基、アミド基、４級アンモニウム塩基、カルボン酸基、カルボン酸塩基等の親水性基等が挙げられる。又、ポリエチレングリコール鎖を有するモノマーを用いても同様に親水性重合膜を堆積が可能である。
【００５８】
上記モノマーとしては、アクリル酸、メタクリル酸、アクリルアミド、メタクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド、アクリル酸ナトリウム、メタクリル酸ナトリウム、アクリル酸カリウム、メタクリル酸カリウム、スチレンスルホン酸ナトリウム、アリルアルコール、アリルアミン、ポリエチレングリコールジメタクリル酸エステル、ポリエチレングリコールジアクリル酸エステルなどが挙げられ、これらの少なくとも１種が使用できる。
【００５９】
また、有機フッ素化合物、珪素化合物またはチタン化合物を含有する反応性ガスを用いることにより、反射防止膜の低屈折率層または高屈折率層を設けることが出来る。
【００６０】
有機フッ素化合物としては、フッ化炭素ガス、フッ化炭化水素ガス等が好ましく用いられる。フッ化炭素ガスとしては、４フッ化炭素、６フッ化炭素、具体的には、４フッ化メタン、４フッ化エチレン、６フッ化プロピレン、８フッ化シクロブタン等が挙げられる。前記のフッ化炭化水素ガスとしては、２フッ化メタン、４フッ化エタン、４フッ化プロピレン、３フッ化プロピレン等が挙げられる。
【００６１】
更に、１塩化３フッ化メタン、１塩化２フッ化メタン、２塩化４フッ化シクロブタン等のフッ化炭化水素化合物のハロゲン化物やアルコール、酸、ケトン等の有機化合物のフッ素置換体を用いることが出来るがこれらに限定されない。また、これらの化合物が分子内にエチレン性不飽和基を有していても良い。前記の化合物は単独でも混合して用いても良い。
【００６２】
混合ガス中に上記記載の有機フッ素化合物を用いる場合、放電プラズマ処理により基材上に均一な薄膜を形成する観点から、混合ガス中の有機フッ素化合物の含有率は、０．１〜１０体積％であることが好ましいが、更に好ましくは、０．１〜５体積％である。
【００６３】
また、本発明に係る有機フッ素化合物が常温、常圧で気体である場合は、混合ガスの構成成分として、そのまま使用できるので最も容易に本発明の方法を遂行することができる。しかし、有機フッ素化合物が常温・常圧で液体又は固体である場合には、加熱、減圧等の方法により気化して使用すればよく、また、適切な溶剤に溶解して用いてもよい。
【００６４】
混合ガス中に上記記載のチタン化合物を用いる場合、放電プラズマ処理により基材上に均一な薄膜を形成する観点から、混合ガス中のチタン化合物の含有率は、０．０１〜１０体積％であることが好ましいが、更に好ましくは、０．０１〜１体積％である。
【００６５】
また、上記記載の混合ガス中に水素ガスを０．１〜１０体積％含有させることにより薄膜の硬度を著しく向上させることが出来る。
【００６６】
また、混合ガス中に酸素、オゾン、過酸化水素、二酸化炭素、一酸化炭素、水素、窒素から選択される成分を０．０１〜５体積％含有させることにより、反応促進され、且つ、緻密で良質な薄膜を形成することができる。
【００６７】
上記記載の珪素化合物、チタン化合物としては、取り扱い上の観点から金属水素化合物、金属アルコキシドが好ましく、腐食性、有害ガスの発生がなく、工程上の汚れなども少ないことから、金属アルコキシドが好ましく用いられる。
【００６８】
また、上記記載の珪素化合物、チタン化合物を放電空間である電極間に導入するには、両者は常温常圧で、気体、液体、固体いずれの状態であっても構わない。気体の場合は、そのまま放電空間に導入できるが、液体、固体の場合は、加熱、減圧、超音波照射等の手段により気化させて使用される。珪素化合物、チタン化合物を加熱により気化して用いる場合、テトラエトキシシラン、テトライソプロポキシチタンなど、常温で液体で、沸点が２００℃以下である金属アルコキシドが反射防止膜の形成に好適に用いられる。上記金属アルコキシドは、溶媒によって希釈して使用されても良く、溶媒は、メタノール、エタノール、ｎ−ヘキサンなどの有機溶媒及びこれらの混合溶媒が使用できる。尚、これらの希釈溶媒は、プラズマ放電処理中において、分子状、原子状に分解される為、基材上への薄膜の形成、薄膜の組成などに対する影響は殆ど無視することが出来る。
【００６９】
上記記載の珪素化合物としては、例えば、ジメチルシラン、テトラメチルシランなどの有機金属化合物、モノシラン、ジシランなどの金属水素化合物、二塩化シラン、三塩化シランなどの金属ハロゲン化合物、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、ジメチルジエトキシシランなどのアルコキシシラン、オルガノシランなどを用いることが好ましいがこれらに限定されない。また、これらは適宜組み合わせて用いることが出来る。
【００７０】
混合ガス中に上記記載の珪素化合物を用いる場合、放電プラズマ処理により基材上に均一な薄膜を形成する観点から、混合ガス中の珪素化合物の含有率は、０．０１〜１０体積％であることが好ましいが、更に好ましくは、０．０１〜１体積％である。
【００７１】
上記記載のチタン化合物としては、テトラジメチルアミノチタンなどの有機金属化合物、モノチタン、ジチタンなどの金属水素化合物、二塩化チタン、三塩化チタン、四塩化チタンなどの金属ハロゲン化合物、テトラエトキシチタン、テトライソプロポキシチタン、テトラブトキシチタンなどの金属アルコキシドなどを用いることが好ましいがこれらに限定されない。
【００７２】
反応性ガスに有機金属化合物を添加する場合、例えば、有機金属化合物としてＬｉ，Ｂｅ，Ｂ，Ｎａ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｋ，Ｃａ，Ｓｃ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｒｂ，Ｓｒ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｃｄ，Ｉｎ，Ｉｒ，Ｓｎ，Ｓｂ，Ｃｓ，Ｂａ，Ｌａ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｔｌ，Ｐｂ，Ｂｉ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕから選択される金属を含むことができる。より好ましくは、これらの有機金属化合物が金属アルコキシド、アルキル化金属、金属錯体から選ばれるものが好ましい。
【００７３】
次に、図１で示した大気圧プラズマ処理装置を用いた大気圧プラズマ処理方法について説明する。
【００７４】
基材１は、ベルトコンベア（不図示）等の搬送手段により、印加電極２ａ、２ｂと基材保持用アース電極５間に搬送される。
【００７５】
一方、反応性ガス通路１１に反応性ガスを、不活性ガス通路１２ａ、１２ｂに不活性ガスを導入する。この際、必要に応じて、保温制御システム１３ａ、１３ｂにより、反応性ガス通路壁１４ａ、１４ｂを加温する。導入された各ガスは、新たに導入される各ガスに押し出されて、印加電極２ａ、２ｂとアース電極５間に導入され、大気圧近傍の圧力下で存在する印加電極２ａ、２ｂとアース電極５間に高周波電源８にて高周波電圧を印加し、放電プラズマを発生させる。発生した放電プラズマにて、ベルトコンベアにて運搬されてきた基材１の表面処理を行う。表面処理を終えた基材１はベルトコンベアにて、印加電極２ａ、２ｂとアース電極５間の外へと運搬される。または、基材１は、移動させながら処理を行っても良い。
【００７６】
【実施例】
以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されない。
【００７７】
実施例１
《基材の作製》
以下に示す方法に従って、基材であるセルロースエステルフィルムを作製した。
【００７８】
〔ドープ液の調製〕
〈酸化ケイ素分散液の調製〉
アエロジル２００Ｖ（日本アエロジル（株）製）                １ｋｇ
エタノール                                                  ９ｋｇ
上記素材をディゾルバで３０分間撹拌混合した後、マントンゴーリン型高圧分散装置を用いて分散を行った。
【００７９】
〈添加液の調製〉
セルローストリアセテート（アセチル置換度：２．６５）        ６ｋｇ
メチレンクロライド                                      １４０ｋｇ
上記素材を密閉容器に投入し、加熱し、撹拌しながら、完全に溶解、濾過した。これに１０ｋｇの上記酸化ケイ素分散液を撹拌しながら加えて、さらに３０分間撹拌した後、濾過し、添加液を調製した。
【００８０】
0004396088.tif 000002
溶剤を密閉容器に投入し、攪拌しながら素材を投入し、加熱、撹拌しながら、完全に溶解、混合した。ドープを流延する温度まで下げて一晩静置し、脱泡操作を施した後、溶液を安積濾紙（株）製の安積濾紙Ｎｏ．２４４を使用して濾過して、ドープ原液を調製した。
【００８１】
ついで、上記ドープ原液１００ｋｇあたり、上記添加液を２ｋｇの割合で添加し、インラインミキサー（東レ静止型管内混合機Ｈ−Ｍｉｘｅｒ、ＳＷＪ）で十分混合した後、濾過してドープ液を調製した。
【００８２】
〔セルロースエステルフィルムの作製〕
上記で調製したドープ液を用いて下記のようにしてセルロースエステルフィルムを作製した。
【００８３】
（セルロースエステルフィルムの作製）
濾過したドープ液を、ベルト流延装置を用い、ドープ温度３５℃で３０℃のステンレスバンド支持体上に均一に流延した。その後、剥離可能な範囲まで乾燥させた後、ステンレスバンド支持体上からウェブを剥離した。このときのウェブの残留溶媒量は３５％であった。
【００８４】
ステンレスバンド支持体から剥離した後、幅方向に保持しながら１１５℃で乾燥させた後、幅保持を解放して、ロール搬送しながら１２０℃の乾燥ゾーンで乾燥を終了させ、フィルム両端に幅１０ｍｍ、高さ５μｍのナーリング加工を施して、膜厚８０μｍのセルロースエステルフィルムを作製した。
【００８５】
〔基材フィルムの作製〕
上記で得られたセルロースエステルフィルムを用いて、下記のように基材フィルムを作製した。
【００８６】
前述の方法で作製したセルロースエステルフィルムのａ面（流延製膜時にベルト支持体にドープが接していた面（ｂ面）の反対側の面）に下記の塗布組成物（１）をウェット膜厚で１３μｍとなるように押し出しコートし、次いで８０℃に設定された乾燥部で乾燥させて、バックコート層を設けた。
【００８７】
次いで、セルロースエステルフィルムのｂ面に、下記の塗布組成物（２）をウェット膜厚で１３μｍとなるように押し出しコートし、次いで８０℃に設定された乾燥部で乾燥した後、１２０ｍＪ／ｃｍ2で紫外線照射し、乾燥膜厚で４μｍ、中心線平均表面粗さ（Ｒａ）１５ｎｍのクリアハードコート層を設けた。
【００８８】
0004396088.tif 000003
《高屈折率層の形成》
（試料１の作製）
上記作製した基材フィルムに対し、図３で示す大気圧プラズマ処理装置を用いて、プラズマ放電処理を連続１０時間行って、試料１を作製した。
【００８９】
〈ガス条件〉
ガス種Ａ（不活性ガス）：アルゴンガス９９．０％、水素ガス１．０％
ガス種Ｂ（反応性ガス）：アルゴンガス９９．９％中に、テトライソプロポキシチタン０．１％をリンテックス製気化器により気化させ、混合した。
【００９０】
なお、ガス種Ａとガス種Ｂは、２：１の割合で供給した。
〈ガスの供給方法〉
図３における電極部を拡大して示した図１にある様に、スリット状に配置した不活性ガス通路１２ａ、１２ｂにガス種Ａを導入し、一方反応性ガス通路１１にガス種Ｂを導入しながら、アース電極５（ロール回転電極２５）と印加電極２ａ、２ｂ（角柱型固定電極３６）に、高周波電源４１として、パール工業製高周波電源より、周波数２ＭＨｚ、放電出力が２０Ｗ／ｃｍ2で印加した。ここで、ロール回転電極２５と角柱型固定電極３６との間隙は、１ｍｍに設定して行った。
【００９１】
〈電極の構成〉
電極の構成を、ガス導入部及び電極部を拡大した図１にて説明する。
【００９２】
印加電極２ａ、２ｂの金属母材として、ステンレスＳＵＳ３１６を用い、誘電体は長手の側面を残し、全面に渡りアルミナセラミック溶射被覆を片肉１ｍｍで行った後、アルコキシシランモノマーを有機溶媒に溶解させた塗布液を、該セラミックス被膜に対し塗布、乾燥した後、１００℃にて加熱処理することで設けた。また、被覆を施していない側面は、ガスに曝されないように、チャンバー外に配置し、その部分より高周波電圧の給電を行った。
【００９３】
一方、基材を保持する側のアース電極５は、基材と接する面全域及び側面に、上記と同様にして加工を行いロール電極を作製した。
【００９４】
これら各電極の具体的構成図が図２である。また、各電極を構成する金属母材は、ジャケット仕様とし、その内部に冷却水が循環できるようにし、冷却水の温度を２５℃に設定して、連続処理を行った。
【００９５】
（試料２〜５の作製）
上記試料１の作製において、不活性ガス（ガス種Ａ）と反応性ガス（ガス種Ｂ）との分離供給を行わずに、予め、ガス種Ａとガス種Ｂを、２：１の割合で混合したガスを、不活性ガス通路１２ａ、１２ｂ及び反応性ガス通路１１より均等に供給し、更に各電極の冷却水温度を表１に記載のように変更した以外は同様にして、試料２〜５を作製した。
【００９６】
（各特性の評価）
〈電極表面のコンデンスの観察〉
連続１０時間のプラズマ処理を行った後、各電極の表面を目視観察し、コンデンス（露結）及びその他の付着物の有無を目視観察し、下記に記載の基準に則り評価を行った。
【００９７】
○：全く発生が認められなかった
△：僅かにコンデンスが認められるが、実技上問題は低い
×：コンデンスあるいは付着物が認められ、実技上やや問題がある
××：極めてひどいコンデンスあるいは付着物が認められ、実技上不可のレベルである
〈薄膜の膜厚分布の測定〉
プラズマ処理の開始直後及び連続１０時間処理した後の各試料の形成された薄層の膜厚を、任意の１００点についてそれぞれ測定し、その平均膜厚値を算出した後、平均膜厚と測定膜厚との差の絶対値（Δｈｄ）の平均値を求め、下式により膜厚分布を求めた。
【００９８】
膜厚分布＝Δｈｄの平均値／平均膜厚値×１００（％）
以上により得られた結果を、表１に示す。
【００９９】
【表１】
0004396088.tif 000004
【０１００】
表１より明らかなように、本発明の不活性ガスと反応性ガスを分離供給してプラズマ処理を施して作製した試料は、長時間の連続プラズマ処理を行っても、形成した薄膜の膜厚分布に優れ、かつ電極の放電面でのコンデンスが発生しないことが判る。なお、表１中で、電極冷却水温度を１３０℃にして作製した試料５は、コンデンスは、発生しなかったものの、部分的に誘電体の絶縁破壊を起こし、異常放電が発生して膜厚分布は悪化した。
【０１０１】
実施例２
上記実施例１で作製した試料１の表面に、ガス種Ｂを下記の様に変更した以外は試料１の作製と同様にして、低屈折率層の設けた試料６を作製した。
【０１０２】
ついで、上記実施例１で作製した試料２の表面に、ガス種Ｂを下記の様に変更した以外は試料２の作製と同様にして、低屈折率層の設けた試料７を作製した。
【０１０３】
ガス種Ｂ：アルゴンガス９９．８％中に、テトラエトキシシラン０．３％をエステック社製気化器により気化させ、混合した。
【０１０４】
なお、薄膜形成に当たり、所望の膜厚を得るため、各ガスの供給量は適宜調製して行った。
【０１０５】
以上のようにして作製した低屈折率層を有する本発明の試料６は、光学フィルムとしての反射率が、平均で０．８％となり、かつ反射率の１００点における分布も０．１％と、非常に均一性が高い薄膜を形成することができ、比較の試料７（反射率：平均で２．３％、反射率分布：１．２％）に比較し、優れた結果を確認することができた。
【０１０６】
なお、反射率は、分光光度計１Ｕ−４０００型（日立製作所製）を用いて、５度正反射の条件にて反射率の測定を行った。
【０１０７】
実施例３
実施例１に記載の試料１の作製において、印加電圧を５０ｋＨｚで行った以外は同様にして、試料８を作製して、下記に記載の方法で屈折率の測定を行った結果、試料１（屈折率ｎ＝２．２５）に対して、屈折率が１．８４に低下した。
【０１０８】
実施例４
実施例１に記載の試料１の作製において、電圧の放電電圧を７５Ｗ／ｃｍ2で行った以外は同様にして、試料９を作製して、実施例１に記載の方法で、プラズマ放電処理を連続１０時間行った後の薄膜の膜厚分布を測定した結果、試料１（０．８％）に対して、７．８％と劣化した。
【０１０９】
実施例５
実施例１に記載の試料１の作製において、反応性ガス通路壁の温度を、反応性ガスより、１０℃高い温度に設定した以外は同様にして、試料１０を作製して、実施例１に記載の方法で、プラズマ放電処理を連続１０時間行った後の薄膜の膜厚分布を測定した結果、試料１が０．３％→０．８％に変化したのに対し、試料１０では、０．３％→０．３％と膜厚分布の変動が殆ど認められなかった。
【０１１０】
【発明の効果】
本発明により、放電電極の長期耐久性を保持すると共に、安定放電を実現し、かつ電極部へのコンデンスを抑制し、長時間安定して製膜ができる大気圧プラズマ処理装置及び大気圧プラズマ処理方法を提供することができた。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の大気圧プラズマ処理装置のガス導入部及び電極部の一例を示す断面図である。
【図２】本発明で用いることのできる角柱型で固定されている電極の一例を示す斜視図である。
【図３】本発明の大気圧プラズマ処理処理の全体構成の一例を示す概略図である。
【符号の説明】
１  基材
２ａ、２ｂ  印加電極
３ａ、３ｂ、７  金属母体
４ａ、４ｂ、６  誘電体
５  アース電極
８  高周波電源
１０  ガス導入部
１１  反応性ガス通路
１２ａ、１２ｂ  不活性ガス通路
１３ａ、１３ｂ  保温制御システム
１４ａ、１４ｂ  反応性ガス通路壁
１５ａ、１５ｂ  不活性ガス通路壁
２５  ロール回転電極
３０  プラズマ放電処理装置
３１  プラズマ放電処理容器
３２  放電処理部
３６  角柱型固定電極
４０  電圧印加手段
５０  ガス充填手段
５１  ガス発生装置
５３  排気口
６０  電極温度調節手段
６４、６７  ガイドロール
６５、６６  ニップロール
６８、６９  仕切板
Ｇ  反応ガス
Ｇ'  処理排ガス
Ｐ  送液ポンプ
【図１】
0004396088.tif 000005
【図２】
0004396088.tif 000006
【図３】
0004396088.tif 000007