(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極層および誘電体層の積層体からなるとともに少なくとも送信系を備えており、
該送信系は、第１および第２のフィルタを含む、電気的に縦続接続された複数の回路素子を有しているとともに、送信信号の基本波を通過させるものであり、
前記第１のフィルタは伝送特性において第１の減衰極を有するとともに、前記第２のフィルタは伝送特性において第２の減衰極を有しており、
前記第１の減衰極および前記第２の減衰極は、前記送信信号の同一の高調波を減衰させるために該高調波の周波数帯域内の互いに異なる周波数に位置するものであり、
前記第１および第２のフィルタは、互いに同一の回路構成を有しているとともに、回路構成上対応する分布定数素子同士が同一の前記誘電体層に形成されていることを特徴とする高周波モジュール。
【請求項２】
前記第１のフィルタを構成する分布定数素子と、前記第２のフィルタを構成する分布定数素子であって前記第１のフィルタを構成する分布定数素子と回路構成上対応する分布定数素子とが、形状および面積の少なくとも一方において略同一に形成されていることを特徴とする請求項１記載の高周波モジュール。
【請求項３】
前記第１および第２のフィルタは、低域通過フィルタであることを特徴とする請求項１または２記載の高周波モジュール。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は高周波モジュールに関し、特に移動体通信機中の高周波部分で用いられる高周波モジュールに関する。
【０００２】
【従来技術】
近年、１つの送受信系を採用している通常の携帯電話機に対し、デュアルバンド方式を採用した携帯電話機が提案されている。デュアルバンド方式の携帯電話機は１台の携帯電話機内に２つの送受信系を搭載するもので、地域性や使用目的等に合った送受信系を選択して送信することができるようにした利便性の高い機器として期待されているものである。近年の欧州においては、通過帯域の異なる複数の送受信系としてＧＳＭ方式／ＤＣＳ方式の双方を搭載したデュアルバンド方式の携帯電話機が検討されている。
【０００３】
図５に、ＧＳＭ／ＤＣＳデュアルバンド方式の携帯電話機の高周波部分の一部分の回路ブロック図を示す。図５に示したＧＳＭ／ＤＣＳデュアルバンド方式の場合、送信時においては、ＧＳＭ、ＤＣＳの各送信回路（Ｔｘ）側の送信電力増幅部（図略）において増幅された高周波信号は、それぞれ低域通過フィルタＬＰＦ１００、ＬＰＦ２００を通過し、高周波スイッチＳＷと分波回路ＤＩＰから成るデュアルバンド用高周波スイッチモジュールを経由してアンテナＡＮＴから放射される。一方、受信時においては、高周波信号はアンテナＡＮＴから受信され、デュアルバンド用高周波スイッチモジュール（ＤＩＰ＋ＳＷ）を介して、ＧＳＭ、ＤＣＳそれぞれの受信回路（Ｒｘ）側の受信電力増幅部へ送出される。
【０００４】
ここで、低域通過フィルタＬＰＦ１００、ＬＰＦ２００には、モニタ端子から自動利得制御回路を介して送信電力増幅部にモニタ出力を供給する機能を持つ方向性結合器の機能を併せ持つ場合もある。
【０００５】
以上のような携帯電話機の高周波部分の、特に送信系においては、送信回路Ｔｘ側の送信電力増幅器で増幅された高周波信号のうち特に基本波の整数倍の高調波信号を減衰させる必要が生じる。そこで、送信系の信号経路上のフィルタ機能を有する素子のそれぞれに対して、高周波モジュール全体としての減衰量が必要な高調波の周波数帯域にそれぞれ減衰極を形成するような設計を行い、それらの複合により高周波モジュール全体として所望の高調波減衰量を確保するようにしている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
このように高周波モジュール中に複数のフィルタ機能を有する素子を取り込んで積層体内で複合化する場合、個別のフィルタ機能を有する素子で通過減衰量が得られていても、特にそれぞれの素子の接続部における入力／出力インピーダンスが複素共役の関係に近い場合、それらを電気的に縦続接続しても高周波モジュール全体として十分な通過減衰量が得られないという問題が生じる。このような場合、上述のように高周波モジュールを構成するフィルタ機能を有する素子の減衰極を高周波モジュールとして通過減衰量が必要なある周波数帯域に複数配置することで通過減衰量を得ていた。
【０００７】
しかしながら、高周波モジュールを構成する積層体の積層精度、誘電体層の層厚、分布定数素子を構成する電極幅のうちのいずれかがばらついた場合、高周波モジュールとして通過減衰量が必要な周波数帯域に配置された複数の減衰極周波数は、それぞればらつきを生じる。しかも、一般にそのばらつきの方向および量は各減衰極により異なっている。したがって、前記減衰極周波数の間の周波数帯域において通過減衰量が低下するという現象が生じ、高周波モジュールの通過減衰量に関する工程能力が不足するという問題が生じる場合があった。
【０００８】
これは、高周波モジュールを構成する積層体の積層精度、誘電体層の層厚、分布定数素子を構成する電極幅のばらつきと、高周波モジュールに含まれる各フィルタ機能を有する素子の減衰極周波数のばらつきに与える影響度とが各フィルタ機能を有する素子によって異なっていることによる。
【０００９】
本発明は上記に鑑みてなされたもので、高周波モジュールを構成する積層体の積層精度、誘電体層の層厚、分布定数素子を構成する電極幅のばらつきに対して、高周波モジュールとして通過減衰量が必要な周波数帯域における通過減衰量の低下を最小限度に抑えるようなフィルタ機能を有する素子の配置あるいは形状を備えた高周波モジュールを提供することを目的とするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る高周波モジュールは、電極層および誘電体層の積層体からなるとともに少なくとも送信系を備えており、該送信系は、第１および第２のフィルタを含む、電気的に縦続接続された複数の回路素子を有しているとともに、送信信号の基本波を通過させるものであり、前記第１のフィルタは伝送特性において第１の減衰極を有するとともに、前記第２のフィルタは伝送特性において第２の減衰極を有しており、前記第１の減衰極および前記第２の減衰極は、前記送信信号の同一の高調波を減衰させるために該高調波の周波数帯域内の互いに異なる周波数に位置するものであり、前記第１および第２のフィルタは、互いに同一の回路構成を有しているとともに、回路構成上対応する分布定数素子同士が同一の前記誘電体層に形成されていることを特徴とする。
【００１１】
この構成によれば、第１のフィルタ機能を有する素子を構成する分布定数素子（すなわち、第１のフィルタを構成する分布定数素子）と、第２のフィルタ機能を有する素子を構成する分布定数素子（すなわち、第２のフィルタを構成する分布定数素子）のうち前記第１のフィルタ機能を有する素子を構成する分布定数素子と回路構成上対応する部分とを同一の層、すなわち同一の誘電体層に形成しているため、高周波モジュールを構成する積層体の積層精度、誘電体層の層厚、分布定数素子を構成する電極幅にばらつきが生じたとしても、そのばらつきが第１、第２のフィルタ機能を有する素子それぞれの減衰極周波数のばらつきに与える影響度が共通となる。たとえば、本発明の高周波モジュールにおいて、上述した積層体のばらつきによって、第１のフィルタ機能を有する素子の減衰極が高周波側に移動した場合、第２のフィルタ機能を有する素子の減衰極も高周波側に移動する。また、積層体のばらつきによって、第１のフィルタ機能を有する素子の減衰極が低周波側に移動した場合には、第２のフィルタ機能を有する素子の減衰極も低周波側に移動する。したがって、高周波モジュールにおいて通過減衰量が必要な周波数帯域で、前記２つの減衰極周波数間の周波数帯域において通過減衰量が低下する現象を抑制することができ、高周波モジュールの通過減衰量に関する工程能力を確保することができる。
【００１２】
請求項２記載の発明は、前記第１のフィルタを構成する分布定数素子と、前記第２のフィルタを構成する分布定数素子であって前記第１のフィルタを構成する分布定数素子と回路構成上対応する分布定数素子とが、形状および面積の少なくとも一方において略同一に形成されていることを特徴とする請求項１記載の高周波モジュールである。この構成によれば、第１のフィルタを構成する分布定数素子と、第２のフィルタを構成する分布定数素子であって前記第１のフィルタを構成する分布定数素子と回路構成上対応する分布定数素子との形状および面積の少なくとも一方が略同一に形成されるため、高周波モジュールを構成する積層体の積層精度、誘電体層の層厚、分布定数素子を構成する電極幅にばらつきが生じたとしても、そのばらつきが第１、第２のフィルタそれぞれの減衰極周波数に与える影響が共通となる。
【００１３】
請求項３記載の発明は、前記第１および第２のフィルタが低域通過フィルタであることを特徴とする請求項１または２記載の高周波モジュールである。この構成によれば、高周波モジュールを構成する積層体の積層精度、誘電体層の層厚、分布定数素子を構成する電極幅にばらつきが生じたとしても、そのばらつきが減衰極周波数のばらつきに与える影響が共通となり、減衰量の変化はほとんどない。
【００１５】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明に係る高周波モジュールの一実施形態を示す回路図であり、図２は、本高周波モジュールの一実施形態の概略構成を示す一部切欠斜視図である。
【００１６】
本発明の高周波モジュール１は、通過帯域の異なるＧＳＭ／ＤＣＳの各送受信系をそれぞれの送受信系に分ける分波回路ＤＩＰ１、送信信号増幅器（図略）からの高調波信号を取り除く機能を有する低域通過フィルタＬＰＦ１、ＬＰＦ２、ＬＰＦ３、送信系Ｔｘと受信系Ｒｘを切り替える高周波スイッチ回路ＳＷ１、ＳＷ２で構成されている。ここで、低域通過フィルタＬＰＦ２、ＬＰＦ３は方向性結合器の機能も兼ね備えていてもよい。また、各回路を構成する素子は、図２に示すように誘電体層に電極層として電極パターンで構成されるものや、上面に実装されるチップ部品で構成されている。
【００１７】
すなわち、図２に示すように、本高周波モジュール１はセラミック等からなる同一寸法形状の８層の誘電体層１、１２、…１８が積層されており、上面および側面は金属からなるシールドカバー１０で被覆され、さらに側面適所には必要に応じて形成された所要数の端面電極が上面から底面に亘るように形成されている。なお、最上層の誘電体層１１の上面の導電パターンは作図上、一部省略されている。また、端面電極は高周波モジュール１と、この高周波モジュール１が実装されるプリント基板上の回路との電気的接続を行うためのものである。
【００１８】
誘電体層１１〜１８は低温焼成用のセラミックで、セラミックグリーンシートの表面に導電ペースト等を塗布して上述した各回路の素子を構成する電極パターンをそれぞれ形成した後、電極パターンが形成されたグリーンシートを積層して所要の圧力と温度の下で熱圧着して焼成されたものである。また、各誘電体層には複数の層に亘って回路を構成乃至は接続するために必要なバイアホールが適宜形成されている。最上層の誘電体層１１には、種々のパターンの他、終端抵抗ＲＤ２１、ＲＧ２１に相当するトリマブル抵抗器（あるいは電極パターン）、ダイオード、その他のチップ部品が複数実装されている。また、低域通過フィルタＬＰＦ１、ＬＰＦ２を構成する分布定数素子（コンデンサやストリップ線路等）、その他の素子は積層体内の所定層に導電パターンとして形成されている。また、誘電体層の層数も８層に限定されない。
【００１９】
図１に戻って、先ず、ＤＣＳ側について説明する。ＤＣＳ側の送信系ＴｘはＤＣＳ−Ｔｘ端子よりＡＮＴ端子に至る部分で構成され、低域通過フィルタＬＰＦ２、高周波スイッチ回路ＳＷ１、低域通過フィルタＬＰＦ１、分波回路ＤＩＰ１の各回路素子により構成されている。それぞれの素子は、いずれも基本波を通過させ、高調波成分の一部を減衰させるようなフィルタ機能を有する素子であり、これらが電気的に縦続接続することによりＤＣＳ側送信系が構成されている。
【００２０】
ＤＣＳ側送信系Ｔｘを構成する回路素子のうち、低域通過フィルタＬＰＦ１、ＬＰＦ２は、本実施例においては互いに同一の回路構成を持っている。すなわち、低域通過フィルタＬＰＦ１はストリップ線路ＳＴＬＤ１と、ストリップ線路ＳＴＬＤ１と電気的に並列に接続されたコンデンサＣＤ６と、ストリップ線路ＳＴＬＤ１の両端とグランド電極との間に電気容量を形成するコンデンサＣＤ７、ＣＤ８とから構成されている。同様に、低域通過フィルタＬＰＦ２もストリップ線路ＳＴＬＤ３と、ストリップ線路ＳＴＬＤ３と電気的に並列に接続するコンデンサＣＤ９と、ストリップ線路ＳＴＬＤ３の両端とグランド電極との間に電気容量を形成するコンデンサＣＤ１０、ＣＤ１１とから構成されている。また、低域通過フィルタＬＰＦ１、ＬＰＦ２はいずれも１７５０ＭＨｚ帯のＤＣＳ送信信号の基本波を通過させ、かつその基本波に関する高調波、例えば、２倍波を減衰させるように前記２倍波の周波数帯に各々減衰極が形成されるように電極パターンが所定の誘電体に対して設計されている。
【００２１】
さらに、本実施形態においては、低域通過フィルタＬＰＦ１を構成する各分布定数素子は、ＬＰＦ２を構成する各分布定数素子のうち回路構成上ＬＰＦ１と対応する部分と同一の誘電体層に電極層として形成されている。すなわち、低域通過フィルタＬＰＦ１、ＬＰＦ２をそれぞれ構成するストリップ線路ＳＴＬＤ１とＳＴＬＤ３、並列コンデンサＣＤ６とＣＤ９、およびグランド電極に対するコンデンサＣＤ７、ＣＤ８とＣＤ１０、ＣＤ１１とは、それぞれ同一の層に形成されている。これらの分布定数素子の形状、面積、積層体に対する配向も同一であればなお望ましい。
【００２２】
図３は、低域通過フィルタＬＰＦ１、ＬＰＦ２を構成する分布定数素子を形成する電極パターンの一例を説明するための概略斜視図である。図３において、連続する層の誘電体層を用いて、左側に低域通過フィルタＬＰＦ１が、右側に低域通過フィルタＬＰＦ２がパターン形成されている。両低域通過フィルタＬＰＦ１とＬＰＦ２とは本実施形態では左右対称に配置形成されている。低域通過フィルタＬＰＦ１の構成について説明すると、上側の誘電体層にはストリップ線路ＳＴＬＤ１が形成され、その右側にコンデンサの一方面を形成する電極パターンＣＤ６′が、左側に電極パターンＣＤ７′、ＣＤ８′が形成されている。また、直ぐ下層の誘電体層には、その上面側に、上記電極パターンＣＤ６′に対向するように電極パターンＣＤ６“が形成され、一方、電極パターンＣＤ７′、ＣＤ８′に対向するグランド電極は、裏面側に形成されているグランドパターンが対応している。また、上側の誘電体層には、電極パターンＣＤ６“の一端とストリップ線路ＳＴＬＤ１の一端とを接続するバイアホールＶＨ１が形成されている。なお、電極パターンＣＤ６′とＣＤ６“とでコンデンサＣＤ６が形成され、電極パターンＣＤ７′、ＣＤ８′とグランド電極とでコンデンサＣＤ７、ＣＤ８が形成されている。
【００２３】
アンテナ端子ＡＮＴに接続される分波回路ＤＩＰ１は、低域通過フィルタＬＰＦ４と高域通過フィルタＨＰＦ１の並列接続により構成されている。低域通過フィルタＬＰＦ４は、表面実装部品であるインダクタＬＧ１、コンデンサＣＧ１、および積層体内部の電極パターンで形成されたストリップ線路ＳＴＬＧ１とコンデンサＣＧ７乃至ＣＧ９とから構成されている。一方、高域通過フィルタＨＰＦ１は、表面実装部品であるコンデンサＣＤ１、ＣＤ２、およびインダクタＬＤ１より構成されている。
【００２４】
次に、高周波スイッチ回路ＳＷ１、ＳＷ２について説明する。高周波スイッチ回路ＳＷ１、ＳＷ２は送信系Ｔｘと受信系Ｒｘとを後述する制御端子ＤＣＳ−Ｖｃ、ＧＳＭ−Ｖｃに印加される制御電圧によって時分割で切り替えられるようになっている。
【００２５】
ＤＣＳ側の高周波スイッチ回路ＳＷ１について説明すると、このスイッチ回路ＳＷ１は、低域通過フィルタＬＰＦ１とＬＰＦ２の間に介設されている。低域通過フィルタＬＰＦ１にダイオードＤＤ１のアノードが接続されると共に、カソードはコンデンサＣＤ３を介して低域通過フィルタＬＰＦ２に接続されている。また、ダイオードＤＤ１のカソードにはグランドとの間にチョーク素子としての機能を果たすインダクタＬＤ２が接続されている。
【００２６】
ダイオードＤＤ１のアノードには分布定数線路ＳＴＬＤ２の一端が接続され、他端はコンデンサＣＤ５を経て受信端子ＤＣＳ−Ｒｘに接続されている。この分布定数線路ＳＴＬＤ２とコンデンサＣＤ５の接続点にはカソードが接続されたダイオードＤＤ２とコンデンサＣＤ４とが直列に接続されており、このダイオードＤＤ２とコンデンサＣＤ４の接続点には制御抵抗ＲＤ１を介して制御端子ＤＣＳ−Ｖｃに接続されている。
【００２７】
ＧＳＭ側の高周波スイッチ回路ＳＷ２について説明すると、このスイッチ回路ＳＷ２は、低域通過フィルタＬＰＦ４とＬＰＦ３の間に介設されている。低域通過フィルタＬＰＦ４にコンデンサＣＧ２を介してダイオードＤＧ１のアノードが接続されると共に、カソードはコンデンサＣＧ３を介して低域通過フィルタＬＰＦ３に接続されている。また、ダイオードＤＧ１のカソードにはグランドとの間にチョーク素子としての機能を果たすインダクタＬＧ２が接続されている。
【００２８】
ダイオードＤＧ１のアノードには分布定数線路ＳＴＬＧ２の一端が接続され、他端はコンデンサＣＧ５を経て受信端子ＧＳＭ−Ｒｘに接続されている。この分布定数線路ＳＴＬＧ２とコンデンサＣＧ５の接続点にはカソードが接続されたダイオードＤＧ２とコンデンサＣＧ４とが直列に接続されており、このダイオードＤＧ２とコンデンサＣＧ４の接続点には制御抵抗ＲＧ１を介して制御端子ＧＳＭ−Ｖｃに接続されている。
【００２９】
以上に説明したスイッチ回路の信号経路中に直列に形成されたコンデンサＣＧ２、ＣＧ５、ＣＤ５は制御直流信号遮断用として挿入されたものである。また、低域通過フィルタＬＰＦ３は低域通過フィルタＬＰＦ１、ＬＰＦ２と同一の回路構成であり、積層体の内部の電極パターンにより形成されている。
【００３０】
図４は、図２に示す本実施例に関する高周波モジュールにおいて積層体のばらつきによるＤＣＳ送信系の通過減衰量の低下現象が抑制される様子を説明する特性図で、（ａ）は本実施例の構成による特性図であり、（ｂ）は本実施例の構成を用いなかった場合の比較特性図である。
【００３１】
図４（ａ）にＤＣＳ送信系の通過減衰量の周波数特性を示す。１７５０ＭＨｚ付近を中心とする基本波周波数帯域の２倍の周波数、すなわち３５００ＭＨｚ付近を中心とする周波数帯域で必要な減衰量を得るために、この周波数帯域に２つの減衰極９１、９３が形成されている。このうち、例えば、減衰極９１は低域通過フィルタＬＰＦ１の減衰極であり、減衰極９３は低域通過フィルタＬＰＦ２の減衰極である。
【００３２】
図４（ａ）における減衰極９１は、図４（ｂ）では減衰極９７のように低周波側に変位している。一方、図４（ａ）における減衰極９３は、図４（ｂ）では減衰極９９のように高周波側に変位している。したがって、図４（ｂ）の減衰極９７、９９の間の周波数帯域における通過減衰量の低下部分１０１の減衰量は、図４（ａ）の減衰極９１、９３の間の周波数帯域における通過減衰量の低下部分９５の減衰量に比べて減少しており、必要とする減衰量が得られていない可能性が生ずる。
【００３３】
次に、逆に本実施例の構成を用いた場合を考察する。もし、高周波モジュールの積層体の積層精度あるいは層厚にばらつきが生じた場合を考えると、低域通過フィルタＬＰＦ１に含まれるコンデンサを形成する図３に示す電極パターンと、低域通過フィルタＬＰＦ２中に含まれるコンデンサを形成する図３に示す電極パターンとが同一の層に形成されているために、前記積層体の積層精度あるいは層厚のばらつきが前記コンデンサの電気容量のばらつきに与える影響は等しくなる。また、高周波モジュールの積層体上に形成された電極パターンの幅にばらつきが生じた場合を考えても、低域通過フィルタＬＰＦ１に含まれるストリップ線路を形成する導電パターンＳＴＬＤ１と、低域通過フィルタＬＰＦ２中に含まれるストリップ線路を形成する導電パターンＳＴＬＤ３とが同一の層に形成されているために、前記積層体上に形成された電極パターンの幅にばらつきが前記ストリップ線路が形成するインダクタンスのばらつきに与える影響は等しくなる。
【００３４】
また、前記減衰極９１、９３の周波数は前記コンデンサの電気容量、および前記ストリップ線路の形成するインダクタンスの値によって主に決定される。以上のことから、高周波モジュールを構成する積層体にばらつきが生じた場合、図４（ａ）における減衰極９１、９３の周波数ばらつきの方向および量は等しくなる。したがって、前記減衰極９１、９３の間の周波数帯域における通過減衰量の低下部分９５の減衰量は減少することはなく、高周波モジュールの通過減衰量に関する工程能力を確保することができる。
【００３５】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、第１のフィルタ機能を有する素子を構成する分布定数素子（すなわち、第１のフィルタを構成する分布定数素子）と、第２のフィルタ機能を有する素子を構成する分布定数素子（すなわち、第２のフィルタを構成する分布定数素子）のうち前記第１のフィルタ機能を有する素子を構成する分布定数素子と回路構成上対応する部分とを同一の層、すなわち同一の誘電体層に形成しているため、高周波モジュールを構成する積層体の積層精度、誘電体層の層厚、分布定数素子を構成する電極幅にばらつきが生じたとしても、通過減衰量が必要な周波数帯域で、２つのフィルタを構成する各素子の各減衰極の間の周波数帯域における通過減衰量の低下現象を抑制することができ、高周波モジュールの通過減衰量に関する工程能力を確保することができる。
【００３６】
請求項２記載の発明によれば、対応する分布定数素子の形状および面積の少なくとも一方において略同一に形成したので、高周波モジュールを構成する積層体の積層精度、誘電体層の層厚、分布定数素子を構成する電極幅にばらつきが生じたとしても、そのばらつきが第１、第２のフィルタ機能を有する素子それぞれの減衰極周波数のばらつきに与える影響度を共通にすることができる。
【００３７】
請求項３記載の発明によれば、高周波モジュールを構成する積層体の積層精度、誘電体層の層厚、分布定数素子を構成する電極幅にばらつきが生じたとしても、そのばらつきが減衰極周波数のばらつきに与える影響度が共通となり、帯域の変化をほとんどなくすことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る高周波モジュールの一実施形態を示す回路図である。
【図２】本高周波モジュールの一実施形態の概略構成を示す一部切欠斜視図である。
【図３】低域通過フィルタＬＰＦ１、ＬＰＦ２を構成する分布定数素子を形成する電極パターンの一例を説明するための概略斜視図である。
【図４】図２に示す本実施例に関する高周波モジュールにおいて積層体のばらつきによるＤＣＳ送信系の通過減衰量の低下現象が抑制される様子を説明する特性図で、（ａ）は本実施例の構成による特性図であり、（ｂ）は本実施例の構成を用いなかった場合の比較特性図である。
【図５】従来におけるＧＳＭ／ＤＣＳデュアルバンド方式を搭載した携帯電話機の高周波部分の一部分の回路ブロック図を示す。
【符号の説明】
１  高周波モジュール
ＤＩＰ１  分波回路
ＬＰＦ１、ＬＰＦ２、ＬＰＦ３  低域通過フィルタ
ＳＷ１、ＳＷ２  高周波スイッチ
ＳＴＬＤ１，ＳＴＬＤ３，ＳＴＬＧ１，ＳＴＬＧ３  ストリップ線路
ＣＤ６乃至ＣＤ１１，ＣＦ６乃至ＣＧ１２  コンデンサ
ＬＰＦ３、ＬＰＦ４  低域通過フィルタ
ＨＰＦ１  高域通過フィルタ
９１、９３  高周波モジュールの減衰極
９５  減衰極の間の周波数帯域における通過減衰量の低下部分
９７、９９  高周波モジュールの減衰極
１０１  減衰極の間の周波数帯域における通過減衰量の低下部分
【図１】
0004570805.tif 000002
【図２】
0004570805.tif 000003
【図３】
0004570805.tif 000004
【図４】
0004570805.tif 000005
【図５】
0004570805.tif 000006