(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
データラインとゲートラインの間の交差点それぞれに設置されて前記データラインからのデータ信号に応答して光透過率を調節する多数の液晶セルと、
ゲートライン上の信号に応答して前記データラインから前記液晶セル側に印加されるデータ信号を切り換えるための多数の切り換えスイッチ素子が配列された液晶パネルを有する液晶パネルの充電特性の補償回路において、
前記ゲートラインの駆動に必要な高電位ゲート電圧及び低電位ゲート電圧を発生する電圧の供給手段と、
前記電圧の供給手段からの高電位ゲート電圧及び低電位ゲート電圧を前記ゲートラインに供給して前記ゲートラインを駆動するゲートライン駆動手段と、
周囲の温度変化に応答して、前記電圧の供給手段から前記ゲートラインの駆動手段側に供給される前記高電位ゲート電圧の電流を変化させる電流調節手段とを具備して、
前記電流調節手段は前記周囲の温度が高くなることによって前記データラインから前記液晶セルに至る電流通路が狭くなって、周囲の温度が低くなることによって前記データラインから前記液晶セルに至る前記電流通路が広くなるように前記ゲート電圧の電流を調節して、
前記電流調節手段は前記電圧供給手段と前記ゲートライン駆動手段の間に直列接続されて前記電圧供給手段の出力側のインピーダンスを温度によって変化させる抵抗及びサーミスターを具備することを特徴とする液晶パネルの充電特性の補償回路。
【請求項２】
前記サーミスターが、正の抵抗特性を有することを特徴とする請求項１記載の液晶パネルの充電特性の補償回路。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は液晶パネルのセルに供給されるデータ信号を切り換える薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor ：以下″ＴＦＴ″という）を有する液晶パネルの駆動装置に関し、特に液晶セルの充電特性を周囲の温度と無関係に一定に維持させるためのＴＦＴ充電特性の補償回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】
通常の液晶パネルはデータ信号の電圧レベルに応答して光透過率を調節する液晶セルと、これら液晶セルそれぞれに供給されるデータ信号を切り換えるためのＴＦＴを含む。液晶パネル上のＴＦＴの電気抵抗は周囲の温度が高くなるにしたがって小さくなる。これと共に、液晶セルの誘電率も周囲の温度が高くなると次第に高くなる。このようにＴＦＴの抵抗値と液晶セルの誘電率が温度によって変化するので、ＴＦＴを経由して液晶セルに供給され、液晶セルに充電される電荷の量は温度によって変化する。これによって、液晶セルに充電される電圧レベルに応答する光透過率も温度によって変化する。従って、液晶パネルの画像表示は環境温度の影響を受けていた。
【０００３】
このように、ＴＦＴの抵抗値と液晶セルの誘電率が温度によって変化するにもかかわらず図１に図示されたような液晶パネルの駆動装置は液晶パネルを温度の変化とは無関係に一定の形態で駆動している。図１の液晶パネルの駆動装置は液晶パネル（１０）上のゲートライン（ＧＬ）を駆動するためのゲートラインの駆動部（１４）と、このゲートラインの駆動部（１４）に必要な直流電圧を供給する直流電圧変換器（１２）とを具備する。液晶パネル（１０）はゲートライン（ＧＬ）とデータライン（ＤＬ）の交差部に位置する液晶セル（ＣＬＣ）と、この液晶セル（ＣＬＣ）とゲート及びデータライン（ＧＬ、ＤＬ）の間に接続されたＴＦＴ（ＭＮ）を有する。これら液晶セル（ＣＬＣ）とＴＦＴ（ＭＮ）はマトリックス形態で配列される。
【０００４】
直流電圧の変換器（１２）は電源入力ライン（１１）を通して図示されない電源装置から直流電圧（Ｖｄ）を入力する。また、直流電圧の変換器（１２）は直流電圧（Ｖｄ）の電圧レベルを調節して高電位ゲート電圧（Ｖｇｈ）と低電位ゲート電圧（Ｖｇｌ）を発生する。高電位ゲート電圧（Ｖｇｈ）は第１抵抗（Ｒ１）を経由してゲートライン駆動部（１４）に供給されて、低電位ゲート電圧（Ｖｇｌ）は第２抵抗（Ｒ２）を経由してゲートライン駆動部（１４）に供給される。
【０００５】
ゲートライン駆動部（１４）は高電位ゲート電圧（Ｖｇｈ）と低電位ゲート電圧（Ｖｇｌ）を交互にゲートライン（ＧＬ）側に伝送することでゲートライン（ＧＬ）を駆動する。ゲートライン（ＧＬ）から高電位ゲート電圧（Ｖｇｈ）が供給されるとき、ＴＦＴ（ＭＮ）はターン・オンされてデータライン（ＤＬ）上のデータ信号が液晶セル（ＣＬＣ）に供給されるようにする。液晶セル（ＣＬＣ）はＴＦＴ（ＭＮ）がターン・オンされた期間にデータライン（ＤＬ）からデータ信号を充電する。
【０００６】
このように、液晶パネル（１０）上のＴＦＴ（ＭＮ）が周囲の温度変化と無関係に一定の電圧レベルの高電位ゲート電圧（Ｖｇｈ）によって駆動されるので、液晶セル（ＣＬＣ）に充電される電圧が温度によって変化することになる。これによって、液晶セル（ＣＬＣ）に充電された電圧レベルに応答する光透過率も温度によって変化する。この結果、周囲の温度が高くなったり低くなることによって液晶パネルの画像表示が影響を受けていた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
従って、本発明の目的は液晶パネルの充電特性を温度の変化と無関係に一定に維持させて画像の劣化を防止することができる液晶パネルの充電特性の補償回路を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するために、本発明の実施例による液晶パネルの充電特性の補償回路は：データラインとゲートラインの間の交差点それぞれに設置されてデータラインからのデータ信号に応答して光透過率を調節する多数の液晶セルと、ゲートライン上の信号に応答してデータラインから液晶セル側に印加されるデータ信号を切り換えるための多数の切り換えスイッチ素子が配列された液晶パネルを有する液晶パネルの充電特性の補償回路において、ゲートラインの駆動に必要な高電位ゲート電圧及び低電位ゲート電圧を発生する電圧の供給手段と、電圧の供給手段からの高電位ゲート電圧及び低電位ゲート電圧をゲートラインに供給してゲートラインを駆動するゲートライン駆動手段と、周囲の温度変化に応答して、電圧の供給手段からゲートラインの駆動手段側に供給される高電位ゲート電圧の電流を変化させる電流調節手段とを具備して、前記電流調節手段は前記周囲の温度が高くなることによって前記データラインから前記液晶セルに至る電流通路が狭くなって,周囲の温度が低くなることによって前記データラインから前記液晶セルに至る前記電流通路が広くなるように前記ゲート電圧の電流を調節して、前記電流調節手段は前記電圧供給手段と前記ゲートライン駆動手段の間に並列または直列接続されて前記電圧供給手段の出力側のインピーダンスを温度によって変化させる抵抗及びサーミスターを具備することを特徴とする。
【０００９】
本発明の異なる実施例による液晶パネルの充電特性の補償回路は：データラインとゲートラインの交差点それぞれに設置されてデータラインからのデータ信号に応答して光透過率を調節する多数の液晶セルと、ゲートライン上の信号に応答してデータラインから液晶セル側に印加されるデータ信号を切り換えるための多数の切り換えスイッチ素子が配列された液晶パネルを有する液晶パネルの充電特性の補償回路において、ゲートラインの駆動に必要な高電位ゲート電圧及び低電位ゲート電圧を発生する電圧の供給手段と、電圧の供給手段からの高電位ゲート電圧及び低電位ゲート電圧をゲートラインに供給してゲートラインを駆動するゲートライン駆動手段と、周囲の温度変化に応答して、電圧の供給手段からゲートラインの駆動手段側に供給される高電位ゲート電圧を変化させる電圧調節手段とを具備して、前記電圧調節手段は前記周囲の温度が高くなることによって前記データラインから前記液晶セルに至る電流通路が狭くなって,周囲の温度が低くなることによって前記データラインから前記液晶セルに至る前記電流通路が広くなるように前記ゲート電圧の電流を調節して、前記電圧調節手段は前記電圧供給手段と前記ゲートライン駆動手段の間に接続され、温度によって変化する分圧の比率で前記電圧供給手段からの前記高電位ゲート電圧を分圧し、分圧された高電位ゲート電圧を前記ゲートライン駆動部に供給する抵抗及びサーミスターからなる抵抗分圧器を具備することを特徴とする。
【００１０】
前記目的の以外に本発明の異なる目的及び特徴は添付した図面を参照した実施例に対する説明を通して明らかになるはずである。
【００１１】
【発明の実施態様】
以下、図２乃至図５を参照して本発明の実施例を詳細に説明することにする。
図２は本発明の実施例による液晶パネルの充電特性の補償回路が適用された液晶パネルの駆動装置を図示する。図２の液晶パネルの駆動装置は液晶パネル（２０）上のゲートライン（ＧＬ）を駆動するためのゲートライン駆動部（２４）と、このゲートライン駆動部（２４）に必要な直流電圧を供給する直流電圧の変換器（２２）とを具備する。液晶パネル（２０）はゲートライン（ＧＬ）とデータライン（ＤＬ）の交差部に位置する液晶セル（ＣＬＣ）と、この液晶セル（ＣＬＣ）とゲート及びデータライン（ＧＬ、ＤＬ）の間に接続されたＴＦＴ（ＭＮ）を有する。これら液晶セル（ＣＬＣ）とＴＦＴ（ＭＮ）はマトリックス形態で配列される。
【００１２】
直流電圧の変換器（２２）は電源入力ライン（２１）を通して図示されない電源装置から直流電圧（Ｖｄ）を入力する。また、直流電圧の変換器（２２）は直流電圧（Ｖｄ）の電圧レベルを調節して高電位ゲート電圧（Ｖｇｈ）と低電位ゲート電圧（Ｖｇｌ）を発生する。高電位ゲート電圧（Ｖｇｈ）は電流調節部（２６）を経由してゲートライン駆動部（２４）に供給されて、低電位ゲート電圧（Ｖｇｌ）は第１抵抗（Ｒ１）を経由してゲートライン駆動部（２４）に供給される。
【００１３】
電流調節部（２６）は直流電圧の変換器（２２）及びゲートライン駆動部（２４）の間に並列接続された第２抵抗（Ｒ２）とサーミスター（Thermistor：ＴＨＲ）とを具備する。この第２抵抗（Ｒ２）及びサーミスター（ＴＨＲ）の並列回路は直流電圧の変換器（２２）の出力インピーダンスを温度によって変化させることでゲートライン駆動部（２４）に供給する高電位ゲート電圧信号（Ｖｇｈ）の電流量を変化させる。これを詳細に説明すると、サーミスター（ＴＨＲ）は周囲の温度が高くなるときに第２抵抗（Ｒ２）のそれより高い抵抗値を有することでゲートライン駆動部（２４）に供給される高電位ゲート電圧（Ｖｇｈ）の電流量が少なくなるようにする。反対に、周囲の温度が低くなると、サーミスター（ＴＨＲ）は第２抵抗（Ｒ２）のそれより低い抵抗値を有することでゲートライン駆動部（２４）に供給される高電位ゲート電圧信号（Ｖｇｈ）の電流量が大きくする。このように高電位ゲート電圧信号（Ｖｇｈ）の電流を温度によって変化させるためのサーミスター（ＴＨＲ）としては温度によって抵抗値が大きくなる正特性のサーミスターが使用される。
【００１４】
ゲートライン駆動部（２４）は高電位ゲート電圧（Ｖｇｈ）と低電位ゲート電圧（Ｖｇｌ）を交互にゲートライン（ＧＬ）側に伝送することでゲートライン（ＧＬ）を駆動する。ゲートライン（ＧＬ）から高電位ゲート電圧（Ｖｇｈ）が供給されるとき、ＴＦＴ（ＭＮ）はターン・オンされてデータライン（ＤＬ）上のデータ信号が液晶セル（ＣＬＣ）に供給されるようにする。液晶セル（ＣＬＣ）はＴＦＴ（ＭＮ）がターン・オンされた期間にデータライン（ＤＬ）からデータ信号を充電する。
【００１５】
ゲートライン（ＧＬ）に供給された高電位ゲート電圧（Ｖｇｈ）の電流量による液晶セル（ＣＬＣ）の充電特性は次のように説明することができる。ＴＦＴ（ＭＮ）は周囲の温度が高くなると、図３の第２の温度領域（ＴＡ２）に示した特性ライン（３０）のように高電位ゲート電圧（Ｖｇｈ）の電流量が減少することによってデータライン（ＤＬ）から液晶セル（ＣＬＣ）に至る電流通路が次第に狭くなり、液晶セル（ＣＬＣ）に供給されるデータ信号が減衰する。即ち、ＴＦＴ（ＭＮ）は周囲の温度が高くなることによって液晶セル（ＣＬＣ）の充電特性が低下する、つまり、特性ライン（３２）に示したように高い温度での液晶セル（ＣＬＣ）の充電特性が特性ライン（３４）のような常温での液晶セル（ＣＬＣ）の充電特性と同じになるようにする。反面、周囲の温度が低くなると、ＴＦＴ（ＭＮ）は図３の第１の温度領域（ＴＡ１）での特性ライン（３０）のように高電位ゲート電圧（Ｖｇｈ）の電流量が増大することによってデータライン（ＤＬ）から液晶セル（ＣＬＣ）に至る電流通路が広くなり、データ信号が減衰無く液晶セル（ＣＬＣ）に供給されるようにする。換言すれば、ＴＦＴ（ＭＮ）は周囲の温度が低くなることによって液晶セル（ＣＬＣ）の充電特性が次第に良くなるようにすることで、特性ライン（３２）に示したように低い温度での液晶セル（ＣＬＣ）の充電特性が特性ライン（３４）に示したような常温での液晶セル（ＣＬＣ）の充電特性と同じにする。このように周囲の温度が低くなることによって高電位ゲート電圧（Ｖｇｈ）の電流量が次第に大きくなることで、液晶セル（ＣＬＣ）の充電特性が温度の変化と無関係に一定に維持されることができる。この結果、液晶セル（ＣＬＣ）の光透過率が温度の変化と無関係に一定に維持され、更に液晶パネル（２０）は温度が変化しても劣化の無い画像を表示することができる。
【００１６】
図４は図２に図示された電流調節部（２６）の異なる実施例を図示する。図４の電流調節部（２６）は直流電圧の変換器（２２）とゲートライン駆動部（２４）の間に直列接続された第２抵抗（Ｒ２）及びサーミスター（ＴＨＲ）とを具備する。このサーミスター（ＴＨＲ）は周囲の温度が高くなると、図３の第２温度領域（ＴＡ２）での特性ライン（３０）のように少なくなる電位ゲート電圧信号（Ｖｇｈ）の電流量がＴＦＴ（ＭＮ）に供給されるようにしてデータライン（ＤＬ）から液晶セル（ＣＬＣ）に至る電流通路を次第に狭くする。これによって、温度上昇と共に液晶セル（ＣＬＣ）に充電されるデータ信号が減少するようになる。即ち、サーミスター（ＴＨＲ）は周囲の温度が高くなることによって液晶セル（ＣＬＣ）の充電特性が悪くなるようにして特性ライン（３２）のように高い温度での液晶セル（ＣＬＣ）の充電特性が特性ライン（３４）のような常温での液晶セル（ＣＬＣ）の充電特性と同じになるようにする。反面、周囲の温度が低くなると、サーミスター（ＴＨＲ）は図３の第１温度領域（ＴＡ１）に示した特性ライン（３０）のように、ＴＦＴ（ＭＮ）に供給される高電位ゲート電圧（Ｖｇｈ）の電流が増加するようにしてデータライン（ＤＬ）から液晶セル（ＣＬＣ）に至る電流通路が広くなるようにする。これによって、データライン（ＤＬ）上のデータ信号が減衰無く液晶セル（ＣＬＣ）に供給されるようにする。換言すれば、サーミスター（ＴＨＲ）は周囲の温度が低くなることによって液晶セル（ＣＬＣ）の充電特性が次第に良くなるようにして特性ライン（３２）のように低い温度での液晶セル（ＣＬＣ）の充電特性が特性ライン（３４）のような常温での液晶セル（ＣＬＣ）の充電特性と同じくする。このように周囲の温度が低くなることによって高電位ゲート電圧（Ｖｇｈ）の電流量を次第に大きくすることで、液晶セル（ＣＬＣ）の充電特性を温度変化と無関係に一定に維持することができる。この結果、液晶セル（ＣＬＣ）の光透過率を温度の変化と無関係に一定に維持することができて、更に液晶パネル（２０）は温度が変化しても劣化の無い画像を表示することができるようになった。このような図４の電流調節部（２６）は高電位ゲート電圧（Ｖｇｈ）の電流量が温度の変化に対して図２の変化が大きい場合に使用されることができる。
【００１７】
図５は本発明の異なる実施例による液晶パネルの充電特性の補償回路が適用された液晶パネルの駆動装置を図示する。図５の液晶パネルの駆動装置は液晶パネル（２０）上のゲートライン（ＧＬ）を駆動するためのゲートライン駆動部（２４）と、このゲートライン駆動部（２４）に必要な直流電圧を供給する直流電圧の変換器（２２）とを具備する。液晶パネル（２０）はゲートライン（ＧＬ）とデータライン（ＤＬ）の交差部に位置する液晶セル（ＣＬＣ）と、この液晶セル（ＣＬＣ）とゲート及びデータライン（ＧＬ、ＤＬ）の間に接続されたＴＦＴ（ＭＮ）を有する。これら液晶セル（ＣＬＣ）とＴＦＴ（ＭＮ）はマトリックス形態で配列される。
【００１８】
直流電圧の変換器（２２）は電源入力ライン（２１）を通して図示されない電源装置から直流電圧（Ｖｄ）を入力する。また、直流電圧の変換器（２２）は直流電圧（Ｖｄ）の電圧レベルを調節して高電位ゲート電圧（Ｖｇｈ）と低電位ゲート電圧（Ｖｇｌ）を発生する。高電位ゲート電圧（Ｖｇｈ）は電圧レベル調節部（２８）を経由してゲートライン駆動部（２４）に供給されて、低電位ゲート電圧（Ｖｇｌ）は第１抵抗（Ｒ１）を経由してゲートライン駆動部（２４）に供給される。
【００１９】
電圧レベル調節部（２８）は直流電圧の変換器（２２）及びゲートライン駆動部（２４）の間に接続された第２抵抗（Ｒ２）と、この第２抵抗（Ｒ２）及びゲートライン駆動部（２４）の入力ラインとの接続点と基底電圧ライン（ＧＮＤＬ）の間に接続されたサーミスター（ＴＨＲ）とを具備する。この第２抵抗（Ｒ２）及びサーミスター（ＴＨＲ）は温度によって変化する分圧比率で直流電圧変換器（２２）からの高電位ゲート電圧（Ｖｇｈ）を分圧してその分圧された電圧を高電位ゲート電圧（Ｖｇｈ）としてゲートライン駆動部（２４）に供給する。換言すれば、第２抵抗（Ｒ２）及びサーミスター（ＴＨＲ）は周囲の温度の変化に応答してゲートライン駆動部（２４）に供給される高電位ゲート電圧信号（Ｖｇｈ）の電圧レベルを変化させる。これを詳細に説明すると、サーミスター（ＴＨＲ）は周囲の温度が高くなるときに低い抵抗値を有することでゲートライン駆動部（２４）に供給される高電位ゲート電圧信号（Ｖｇｈ）の電圧レベルが低くなるようにする。反対に、周囲の温度が低くなると、サーミスター（ＴＨＲ）は高い抵抗値を有することでゲートライン駆動部（２４）に供給される高電位ゲート電圧信号（Ｖｇｈ）の電圧レベルを高くする。このように高電位ゲート電圧信号（Ｖｇｈ）の電圧レベルを温度によって次第に減少させるためのサーミスター（ＴＨＲ）としては温度によって抵抗値が小さくなる負抵抗特性のサーミスターが使用される。
【００２０】
ゲートライン駆動部（２４）は高電位ゲート電圧（Ｖｇｈ）と低電位ゲート電圧（Ｖｇｌ）を交番されるようにゲートライン（ＧＬ）側に伝送することでゲートライン（ＧＬ）を駆動する。ゲートライン（ＧＬ）から高電位ゲート電圧（Ｖｇｈ）が供給されるとき、ＴＦＴ（ＭＮ）はターン・オンされてデータライン（ＤＬ）上のデータ信号が液晶セル（ＣＬＣ）に供給されるようにする。液晶セル（ＣＬＣ）はＴＦＴ（ＭＮ）がターン・オンされた期間にデータライン（ＤＬ）からデータ信号を充電する。
【００２１】
次にゲートライン（ＧＬ）に供給された高電位ゲート電圧信号（Ｖｇｈ）の電圧レベルによる液晶セル（ＣＬＣ）の充電特性を見ることにする。ＴＦＴ（ＭＮ）は周囲の温度が高くなると、図３の第２温度領域（ＴＡ２）での特性ライン（３０）のように、低くなる高電位ゲート電圧信号（Ｖｇｈ）の電圧レベルによってデータライン（ＤＬ）から液晶セル（ＣＬＣ）に至る電流通路が次第に狭くなってデータ信号が減衰する形態で液晶セル（ＣＬＣ）に供給されるようにする。即ち、ＴＦＴ（ＭＮ）は周囲の温度が高くなることによって液晶セル（ＣＬＣ）の充電特性が悪くなるようにして、特性ライン（３２）のように、高い温度での液晶セル（ＣＬＣ）の充電特性を特性ライン（３４）のような常温での液晶セル（ＣＬＣ）の充電特性と同じになるようにする。反面、周囲の温度が低くなると、ＴＦＴ（ＭＮ）は図３の第１温度領域（ＴＡ１）での特性ライン（３０）のように、大きくなる高電位ゲート電圧（Ｖｇｈ）の電流によって、データライン（ＤＬ）から液晶セル（ＣＬＣ）に至る電流通路を広げてデータ信号が減衰無く液晶セル（ＣＬＣ）に供給されるようにする。換言すれば、ＴＦＴ（ＭＮ）は周囲の温度が低くなることによって液晶セル（ＣＬＣ）の充電特性が次第に良くなるようにして特性ライン（３２）のように低い温度での低くなる液晶セル（ＣＬＣ）の充電特性が特性ライン（３４）のような常温での液晶セル（ＣＬＣ）の充電特性と同じくする。このように周囲の温度が低くなることによって高電位ゲート電圧（Ｖｇｈ）の電流量が次第に大きくなることで、液晶セル（ＣＬＣ）の充電特性が温度の変化と無関係に一定に維持される。この結果、液晶セル（ＣＬＣ）の光透過率が温度の変化と無関係に一定に維持され、更に液晶パネル（２０）は温度が変化しても劣化しない画像を表示することができるようになった。
【００２２】
【発明の効果】
上述したように、本発明による液晶パネルの充電特性の補償回路は周囲の温度によって液晶パネルのゲートラインに印加される高電位ゲート電圧信号の電流または電圧レベルを変化させることで液晶セルの充電特性が周囲の温度とは無関係に一定に維持されるようにする。これによって、液晶セルの光透過率も周囲の温度とは無関係に一定に維持される。この結果、液晶パネルは周囲温度と無関係に一定品質の画像を表示することができる。
【００２３】
以上説明した内容を通して当業者であれば本発明の技術思想を逸脱しない範囲で多様な変更及び修正が可能であることが分かる。従って、本発明の技術的な範囲は明細書の詳細な説明に記載された内容に限らず特許請求の範囲によって定めなければならない。
【図面の簡単な説明】
【図１】  図１は従来の液晶パネルのゲートライン駆動装置の概要を図示した図面である。
【図２】  図２は本発明の実施例による液晶パネルの充電特性の補償回路が適用された液晶パネルのゲートライン駆動装置の回路図である。
【図３】  図３は図２に図示された液晶パネルの充電特性を説明する特性図である。
【図４】  図４は図２に図示された電流の調節部の異なる実施例を図示した図面である。
【図５】  図５は本発明の異なる実施例による液晶パネルの充電特性の補償回路が適用された液晶パネルのゲートライン駆動装置の回路図である。
【符号の説明】
１０、２０：液晶パネル           １２、２２：直流電圧の変換器
１４、２４：ゲートライン駆動部   ２１：入力ライン
２６：電流調節部                 ２８：電圧レベル調節部
３０：特性ライン                 ３２：特性ライン
３４：特性ライン
【図１】
0004435972.tif 000002
【図２】
0004435972.tif 000003
【図３】
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【図４】
0004435972.tif 000005
【図５】
0004435972.tif 000006