(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）凹版に導体ペーストを充填して、導体パターンを形成する工程と、（ｂ）耐熱性基板の表面に接着層を形成する工程と、（ｃ）前記凹版と前記耐熱性基板とを加熱圧縮する工程と、（ｄ）前記接着層の表面に前記導体パターンを仮転写し、前記凹版を剥離する工程と、（ｅ）前記導体パターンと前記接着層とを覆うように未焼結グリーンシートを積層して加熱圧縮する工程と、（ｆ）加熱圧縮後、耐熱性基板を剥離して、前記接着層の接着剤が表面に付着した成形体を得る工程と、（ｇ）剥離後、前記成形体を前記接着剤を介して積層後、脱バイ、焼成する工程とを有するセラミック基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載のセラミック基板の製造方法において、工程（ａ）〜（ｆ）で得られる成形体を多層に積層後、脱バイ、焼成するセラミック基板の製造方法。
【請求項３】
請求項１において、未焼結グリーンシートは、予め貫通孔を設けてビア導体が形成されたものであるセラミック基板の製造方法。
【請求項４】
（ａ）凹版に導体ペーストを充填して、導体パターンを形成する工程と、（ｂ）焼結セラミック基板の表面に接着層を形成する工程と、（ｃ）前記凹版と前記焼結セラミック基板とを加熱圧縮する工程と、（ｄ）前記接着層の表面に前記導体パターンを転写し、前記凹版を剥離する工程と、（ｅ）前記導体パターンと前記接着層とを覆うように未焼結グリーンシートを積層して加熱圧縮する工程と、（ｆ）加熱圧縮後、この成形体を焼成する工程とを有するセラミック基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、セラミック基板の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、セラミック多層回路基板は、低温焼成基板（ＬＴＣ）が主流であり、パソコンや携帯電話などの小型部品として使用されている。これらのセラミック多層回路基板において、未焼結セラミックグリーンシート（以下ＧＳと略す）によるＧＳ積層方法が一般的である。
【０００３】
導体配線部の形成方法において、内層導体はスクリーン印刷法が一般的であり、外装導体配線部にはスクリーン印刷法、薄膜フォトリソ法や厚膜フォトリソ法（デュポン社フォーデル）がある。
【０００４】
電子部品は携帯電話などに代表されるように非常に軽薄短小化が要求される電子部品において、印刷回路基板はインダクター素子、コンデンサー素子や抵抗体素子などを内蔵することで、フィルターなどを構成できるＬＣＲ複合回路基板が開発されてきた。ＬＣＲなどの素子や内部導体配線形成方法は主としてスクリーン印刷法が用いられるために、スクリーン印刷法のファイン化技術が必要であった。
【０００５】
しかし、現行スクリーン印刷法では配線ピッチ（線幅＋線間）は１００μｍが量産の限界であり、徐々に、高密度化が進められてきた。
【０００６】
本発明は、ＧＳを用いたセラミック回路基板において内部及び外部導体配線の一部もしくは全てを厚膜凹版転写法により配線ピッチ４０μｍ程度の高密度配線基板の製造方法に関するものである。
【０００７】
従来方法について、図を用いて説明する。まず、未焼結ＧＳを打ち抜き金型、パンチング装置やＹＡＧレーザ装置などでビア部の貫通孔を設ける。その貫通孔に導体ペーストをメタル版でスクリーン印刷してビア導体部を形成する。次にビア電極を形成したＧＳにスクリーン印刷法にて導体ペーストを印刷して、導体パターンを形成する。上記の導体パターンを形成したＧＳを少なくとも２枚以上を用いて、積層し、熱プレスで一体化した後で、脱バイ、焼成を行いセラミック多層回路基板を形成した。
【０００８】
従来方法では、内部導体パターンはスクリーン印刷工法のため、配線ピッチは１００μｍ程度が限界であり、導体膜の厚みは焼成後７〜８μｍ程度であった。従来技術のグリーンシート多層回路基板の製造方法について図９を用いて説明する。
【０００９】
図９の（ａ）は未焼結セラミックグリーンシート９１にパンチャー装置や打ち抜き金型で貫通孔９２を加工したものである。図９の（ｂ）は（ａ）の未焼結セラミックグリーンシート９１の貫通孔９２にスクリーン印刷などによりビア導体９３を形成したものである。図９の（ｃ）は（ｂ）の未焼結セラミックグリーンシート９１上にスクリーン印刷法により導体パターン９４を形成したものである。図９の（ｄ）は（ｃ）の未焼結セラミックグリーンシート９１を複数枚用いて熱プレス工程により積層一体化する。図９の（ｅ）は（ｄ）の積層体を脱バイ、焼成した状態である。未焼結セラミックグリーンシート９１は焼結セラミック基板９５に、ビア導体９３、導体パターン９４はそれぞれ焼結ビア導体９６，焼成後導体パターン９７になる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
セラミック回路基板の高密度化において、厚膜凹版転写法の特徴であるファイン性（配線ピッチ４０μｍ程度）とアスペクト比膜（焼成厚み１０μｍ程度）を備えた導体パターンをセラミック多層回路基板の導体パターンに用いる必要がある。厚膜凹版転写法をセラミック回路基板に用いる方法には、２通りの方法が考えられる。
【００１１】
ひとつは、未焼結セラミックＧＳ上に厚膜凹版転写法にて導体パターンが形成できたら、ＧＳ積層法でセラミック多層回路基板を製造することが可能である。もう一つは、厚膜凹版転写法にて導体パターンを転写した焼結セラミック基板を未焼結セラミックＧＳで積層することが可能となれば、焼結セラミック基板と未焼結ＧＳとを交互に用いて、セラミック多層回路基板を製造することができる。
【００１２】
しかし、上記の２通りの製造法において、まず、厚膜凹版転写法において直接に未焼結セラミックＧＳ上に導体パターンを転写する工程において、熱可塑性樹脂を主成分とする接着層を未焼結セラミックＧＳ上にコートする必要があるが、有機溶剤に溶解してしまい接着層のコーティングができないため、不可能である。また、焼結セラミック基板上に未焼結セラミックＧＳを積層した場合、両材料の接着性が不十分で熱プレス時、又は脱バイ・焼成時に層間剥離が見られた。
【００１３】
本発明は、上記２通りの製造方法を可能にすることで、厚膜凹版転写法による高性能導体パターンをセラミック回路基板の内装導体としたセラミック回路基板とその製造方法を提供する事を目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
この課題を解決するために本発明は、上記２通りの製造方法について次のような方法を行った。１つの方法は、厚膜凹版転写法を用いて、未焼結セラミックＧＳ上に導体パターンを形成する方法において、熱可塑性樹脂を主成分とした接着剤を耐熱性基板にコートして、まずこの耐熱性基板に導体パターンを仮転写し、未焼結セラミックＧＳをこの耐熱性基板の凹版転写した導体パターン側に配置し、熱プレスで未焼結セラミックＧＳにこの導体パターンが食い込むように再転写する。これによって、未焼結セラミックＧＳ上に厚膜凹版パターンが形成できる。
【００１５】
またもう一つの方法は、焼結セラミック基板に熱可塑性樹脂を主成分とした接着剤をコートし、厚膜凹版転写法で導体パターンを形成する。この接着剤を焼結セラミック基板と未焼結セラミック基板との接合剤として利用することで焼結セラミック基板と未焼結セラミック基板との接着性が向上し、熱プレス時、又は脱バイ・焼成時に層間剥離が見られない良好なセラミック多層回路基板が得られた。
【００１６】
以上の２通りの製造方法により、厚膜凹版転写法による高性能導体パターンを内装導体としたセラミック回路基板の製造が可能となる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
本発明の請求項１に記載の発明は、厚膜凹版転写法により、耐熱性基板に導体パターンを仮転写することにより、未焼結セラミックＧＳに再転写できるという作用を有する。
【００１８】
請求項２に記載の発明は、請求項１の厚膜凹版転写法で導体パターンを形成した未焼結セラミックＧＳについて、２シート以上を用いて積層及び熱プレスにて一体化することで高密度導体配線パターンを有したセラミック多層回路基板を製造できる作用を有する。
【００１９】
請求項３に記載の発明は、請求項１の未焼結セラミックＧＳに厚膜凹版転写法で再転写する前に、このＧＳに貫通孔を設けてビア導体を形成したことにより、ＧＳ層のビア電極を介した配線層の接続を可能にできるという作用を有する。
【００２０】
請求項４に記載の発明は、厚膜凹版転写法にて導体パターンを形成した焼結セラミック基板に未焼結セラミックＧＳを絶縁層として積層し、熱プレスで一体化して高密度導体配線パターンを有したセラミック多層回路基板を製造できる作用を有する。
【００２１】
以下、本発明の実施の形態について、図１〜図８を用いて説明する。
【００２２】
（実施の形態１）
図１は未焼結セラミックＧＳ上に厚膜凹版転写法で導体パターンを形成したセラミック回路基板の製造方法である。図１（ａ）について説明する。図１（ａ）の左図はエキシマレーザで溝加工されたポリイミド製凹版１１に導体ペースト１２をセラミックブレードなどで充填し、乾燥後導体ペーストが体積収縮するために、凹版１１の溝部に充填された導体ペーストの乾燥凹みが５μｍ以内になるように導体ペーストの充填・乾燥を繰り返す。
【００２３】
図１（ａ）の右図は１５０℃以上の耐熱性基板１３に熱可塑性樹脂を主成分とした接着層１４を厚み１〜１０μｍ程度にコートしたものである。図１（ｂ）は図１（ａ）の導体ペースト１２を充填した凹版１１を耐熱性基板１３に熱プレスした状態である。図１（ｃ）の左図は導体ペースト１２を凹版転写した後に、耐熱性基板１３から凹版１１を剥がした状態である。図１（ｃ）の右図は未焼結セラミックＧＳ１５である。
【００２４】
図１（ｄ）は耐熱性基板１３上に凹版転写された導体ペースト１２側に未焼結セラミックＧＳ１５を熱プレスで積層した状態である。図１（ｅ）は耐熱性基板１３を未焼結セラミックＧＳ１５から剥がした状態である。この時、導体ペースト１２は未焼結セラミックＧＳ１５に食い込んで再転写され、固定される。図１（ｆ）は凹版転写された導体ペースト１２を有した未焼結セラミックＧＳ１５を脱バイ、焼成を行ったセラミック印刷回路基板である。未焼結セラミックＧＳ１５は焼結セラミック基板１７に、導体ペースト１２は導体焼成膜１６になる。
【００２５】
以上の様に厚膜凹版転写法を用いて、未焼結セラミックＧＳに導体パターンを容易に形成できることを示す。
【００２６】
（実施の形態２）
図２は実施の形態１を用いた厚膜凹版転写法による導体パターンを形成した未焼結セラミックＧＳを用いたセラミック多層回路基板の製造工程を示す。図２（ａ）は実施の形態１で説明した図１（ｅ）の左図のもので図１（ａ）から（ｅ）の工程は同様に行う。
【００２７】
図２（ａ）は未焼結セラミックＧＳ２１に厚膜凹版転写法で形成した導体パターンであり、未焼結セラミックＧＳ２１の導体ペースト２２側には接着剤２３が付着する。図２（ｂ）は、回路上で必要な積層数を用いて、熱プレス工程で一体化した状態である。図２（ｃ）は（ｂ）の脱バイ、焼成後の収縮した状態である。未焼結セラミックＧＳ２１は焼結セラミック基板２５に、導体ペースト２２は導体焼成膜２４になる。また接着剤２３は焼成時に消失し、焼結セラミック基板２５同士は十分な接合を有する。
【００２８】
以上の様に厚膜凹版転写法により未導体パターンを形成した未焼結セラミックＧＳを用いてセラミック多層回路基板が容易に形成できることを示す。
【００２９】
（実施の形態３）
図３はビア導体を有する未焼結セラミックＧＳ上に厚膜凹版転写法で導体パターンを形成したセラミック回路基板の製造方法である。図３（ａ）は未焼結セラミックＧＳ３１にパンチング装置などで貫通孔３２を設けた状態である。図３（ｂ）の左図は凹版３４に形成された導体膜３５を接着層３７でコートした耐熱性基板３６に転写した状態である。図３（ｂ）の右図は未焼結セラミックＧＳ３１の貫通孔３２にビア導体部３３を形成した状態である。
【００３０】
図３（ｃ）は厚膜凹版転写法により形成した導体膜３５を有する耐熱性基板３６上にビア導体部３３を有する未焼結セラミックＧＳ３１を熱プレス工程で接合した状態を示す。図３（ｄ）は（ｃ）の状態の耐熱性基板３６を未焼結セラミックＧＳ３１から剥離した状態である。剥離した未焼結セラミックＧＳ３１には厚膜凹版転写法による導体膜３５がこのＧＳに食い込んだ状態で接着し、耐熱性基板３６側の接着層３７が付着する。図３（ｅ）は（ｄ）の未焼結セラミックＧＳ３１を脱バイ、焼成することによって、焼成収縮した状態を示す。未焼結セラミックＧＳ３１は焼結セラミック基板３９に、導体膜３５は焼成導体膜３８になる。
【００３１】
（実施の形態４）
図４は厚膜凹版転写法により、導体パターンを形成した焼結セラミック基板上に未焼結セラミックＧＳを積層する工程を説明する。図４（ａ）の左図はエキシマレーザで溝加工されたポリイミド製凹版４１に導体ペースト４２をセラミックブレードなどで充填し、乾燥後導体ペーストが体積収縮するために、凹版４１の溝部に充填された導体ペーストの乾燥凹みが５μｍ以内になるように導体ペーストの充填・乾燥を繰り返す。図４（ａ）の右図は焼結セラミック基板４３に熱可塑性樹脂を主成分とした接着層４４を厚み１〜１０μｍ程度にコートしたものである。図４（ｂ）は図４（ａ）の導体ペースト４２を充填した凹版４１を焼結セラミック基板４３に熱プレスした状態である。
【００３２】
図４（ｃ）の左図は導体ペースト４２を凹版転写した後に、焼結セラミック基板４３から凹版４１を剥がした状態である。図４（ｃ）の右図は未焼結セラミックＧＳ４５である。図４（ｄ）は焼結セラミック基板４３上に凹版転写された導体ペースト４２側に未焼結セラミックＧＳ４５を熱プレスで積層した状態である。この時、接着層４４により未焼結セラミックＧＳ４５と焼結セラミック基板４３との密着性が向上するために、熱プレス時での層間剥がれは見られない。
【００３３】
図４（ｅ）は（ｄ）の基板を脱バイ、焼成した状態である。焼結セラミック基板４３にコートした接着層４４は焼成工程で消失し、未焼結セラミックＧＳ４５は焼成収縮してグリーンシートの焼結基板４７に、導体ペースト４２は導体焼成膜４６になる。この工程でできた、セラミック回路基板において、未焼結セラミックＧＳ４５は平面方向の焼成収縮はほとんど見られず、その為、厚み方向の焼成収縮がＧＳ積層品に対して大きくなる。
【００３４】
（実施の形態５）
図５は厚膜凹版転写法により導体パターンを形成した焼結セラミック基板と未焼結セラミックＧＳとを交互に配置することでセラミック多層回路基板が製造できる事を示す。図５（ａ）の左図は凹版５１に形成された導体ペースト５２を接着層５４でコートした焼結セラミック基板５３に転写した状態である。図５（ａ）の右図は未焼結セラミックＧＳ５５を示す。図５（ｂ）は厚膜凹版転写法により導体ペースト５２を形成した焼結セラミック基板５３を２シート用意し、その間に未焼結セラミックＧＳ５５を配置した状態である。
【００３５】
図５（ｃ）は（ｂ）を熱プレス工程により、一体化した状態である。図５（ｃ）の焼結セラミック基板５３上に形成した導体ペースト５２の厚み分（凸部）を未焼結セラミックＧＳ５５が食い込むように吸収している。
【００３６】
図５（ｄ）は（ｃ）の脱バイ、焼成後の状態である。焼結セラミック基板５３をコートした接着層５４は焼成工程で消失する。未焼結セラミックＧＳ５５は焼成収縮でグリーンシート焼結基板５７になり、導体ペースト５２は導体焼成膜５６になる。
【００３７】
このように、焼結セラミック基板５３と未焼結セラミックＧＳ５５との間に接着層がある場合は、熱プレス工程で一体焼成が可能であり、また未焼結セラミックＧＳ５５同士は熱プレス工程で一体化することは当然である。このように、焼結セラミック基板５３と未焼結セラミックＧＳ５５を接着剤を使うことで接合が可能になり、焼結セラミック基板５３と未焼結セラミックＧＳ５５とを組み合わせたセラミック多層回路基板が製造できる。
【００３８】
（実施の形態６）
図６は厚膜凹版転写法で導体パターンを形成した焼結セラミック基板上にビア導体を有する未焼結セラミックＧＳを積層一体化したセラミック回路基板の製造方法である。図６（ａ）は未焼結セラミックＧＳ６１にパンチング装置などで貫通孔６２を設けた状態である。図６（ｂ）の左図は凹版６４に形成された導体膜６５を接着層６７をコートした焼結セラミック基板６６に転写した状態である。図６（ｂ）の右図は未焼結セラミックＧＳ６１の貫通孔６２にビア導体部６３を形成した状態である。
【００３９】
図６（ｃ）は厚膜凹版転写法により形成した導体膜６５を有する焼結セラミック基板６６上にビア導体部６３を有する未焼結セラミックＧＳ６１を熱プレス工程で接合した状態を示す。未焼結セラミックＧＳ６１には厚膜凹版転写法による導体膜６５がこのＧＳに食い込んだ状態で接着する。図６（ｄ）は（ｃ）を脱バイ、焼成することによって、焼成収縮した状態を示す。焼結セラミック基板６６をコートする接着層６７は焼成工程で消失する。未焼結セラミックＧＳ６１は焼結セラミック基板６９に、導体膜６５は焼成導体膜６８になる。このように焼結セラミック基板上にビア導体を有する未焼結セラミックＧＳを積層一体化したセラミック回路基板が容易に製造できる。
【００４０】
（実施の形態７）
図７は貫通孔にビア導体を形成した焼結セラミック基板上に厚膜凹版転写法により、導体パターンを形成したものに未焼結セラミックＧＳを積層一体化したセラミック回路基板の製造方法について説明する。図７（ａ）の左図はエキシマレーザで溝加工されたポリイミド製凹版７１に導体ペースト７２をセラミックブレードなどで充填し、乾燥後導体ペーストが体積収縮するために、凹版７１の溝部に充填された導体ペーストの乾燥凹みが５μｍ以内になるように導体ペーストの充填・乾燥を繰り返す。図７（ａ）の右図は焼結セラミック基板７３に貫通孔を設けてビア導体７５を形成したものに熱可塑性樹脂を主成分とした接着層７４を厚み１〜１０μｍ程度にコートしたものである。図７（ｂ）は図７（ａ）の導体ペースト７２を充填した凹版７１を焼結セラミック基板７３に熱プレスした状態である。
【００４１】
図７（ｃ）の左図は導体ペースト７２を凹版転写した後に、焼結セラミック基板７３から凹版７１を剥がした状態である。図７（ｃ）の右図は未焼結セラミックＧＳ７６である。図７（ｄ）は焼結セラミック基板７３上に凹版転写された導体ペースト７２側に未焼結セラミックＧＳ７６を熱プレスで積層した状態である。この時、接着層７４により未焼結セラミックＧＳ７６と焼結セラミック基板７３との密着性が向上するために、熱プレス時での層間剥がれは見られない。
【００４２】
図７（ｅ）は（ｄ）の基板を脱バイ、焼成した状態である。焼結セラミック基板７３にコートした接着層７４は焼成工程で消失し、未焼結セラミックＧＳ７６は焼成収縮してグリーンシートの焼結基板７８に導体ペースト７２は導体焼成膜７７になる。この工程でできた、セラミック回路基板の特徴は未焼結セラミックＧＳ７６の平面方向の焼成収縮はほとんど見られず、その為、厚み方向の焼成収縮がＧＳ積層品に対して大きくなる。このようにビア導体を有する焼結セラミック基板上にビア導体を有する未焼結セラミックＧＳを積層一体化したセラミック回路基板が容易に製造できる。
【００４３】
（実施の形態８）
図８は厚膜凹版転写法で導体パターンを形成した焼結セラミック基板や未焼結セラミックＧＳを積層一体化したセラミック回路基板の製造方法である。図８（ａ）の上図は実施の形態７について、図７の（ｄ）までの工程で製造できるもので、ビア導体８５と厚膜凹版導体を形成した導体ペースト８２を有した焼結セラミック基板８１上に未焼結セラミックＧＳ８３を積層一体化したものである。
【００４４】
また図８（ａ）の中央図は実施の形態２について、図２の（ｂ）までの工程で製造できるもので、未焼結セラミックＧＳ８３に厚膜凹版転写法の再転写により導体パターンを形成したものである。また図８（ａ）の下図は実施の形態６について、図６（ｃ）までの工程で製造できるもので、厚膜凹版転写法で形成した導体ペースト８２を有する焼結セラミック基板８１にビア導体８６を有する未焼結セラミックＧＳ８３を積層一体化したものである。
【００４５】
図８（ｂ）は（ａ）の３種類の積層一体化したものを更に熱プレス工程により一体化したものである。特に焼結セラミック基板８１と未焼結セラミックＧＳ８３とは接着層８４により、積層一体化を容易にする。図８（ｃ）は（ｂ）の脱バイ、焼成後である。
【００４６】
焼結セラミック基板８１にコートした接着層８４は焼成工程で消失する。また未焼結セラミックＧＳ８３は焼成収縮してグリーンシートの焼結基板８８になり、導体ペースト８２は導体焼成膜８７になる。未焼結セラミックＧＳ８３に形成したビア導体８６は未焼結セラミックＧＳ８３とともに焼成収縮してビア導体８９になる。
【００４７】
この実施の形態では、図８（ａ）のように、予め一体化した焼結セラミック基板８１と未焼結セラミックＧＳ８３を更に一体化したが、最初から焼結セラミック基板８１と未焼結セラミックＧＳ８３を一体化せずに、一度に一体化することも可能である。また実施の形態１〜実施の形態７の組み合わせにより、多彩なセラミック多層回路基板の製造が容易にできる。
【００４８】
【実施例】
次に、本発明の具体例を説明する。
【００４９】
（実施例１）
本発明の図１を用いて実施例１を説明する。厚膜凹版転写法において、凹版に用いるフィルムは、ポリイミドなどの耐熱性のあるものを用いる。このフィルムを用いて、エキシマレーザなどにより、導体パターンとなる溝加工を行なった凹版フィルムは、凹版転写時に剥離しやすいように剥離処理を行なう。この凹版に剛性を有するスキージを用いて、導体ペーストを導体パターンの溝部へ充填する。この導体ペーストとして、８５０〜９００℃焼成が可能な銀系ペーストを用いた。充填した凹版は、乾燥機を用いて１００℃〜１５０℃程度で５〜１０分間乾燥させる。凹版溝部に充填された導体ペーストは乾燥後ペースト中の溶剤が蒸発し体積が減少する為に、導体ペーストの充填〜乾燥を繰り返して、凹版溝部に充填された導体ペーストの乾燥表面が凹版の溝加工されていない面に対して、凹みが５μｍ以下になるまで、充填を繰り返す。
【００５０】
次に１５０℃程度の乾燥温度で変形しないベーク板や金属板やセラミック基板などの耐熱性基板表面に、熱可塑性樹脂を主成分とする接着層をディッピング法、スクリーン印刷法やスピンナー法などで厚み１〜１０μｍ以内にコートする。またこの接着層の軟化温度は未焼結セラミックグリーンシートの有機バインダーである樹脂材料の軟化温度以下のものを使用する。接着層をコートした耐熱性基板上に前記導体ペーストを充填した凹版を用いて、厚膜凹版転写法にて、耐熱性基板上に熱プレス工程で導体膜を仮転写して形成する。この熱プレス工程において、熱プレス温度は接着層の材料の軟化温度以上でまた最高でも１５０℃以下に設定する。またプレス圧は３０〜８０ｋｇ／ｃｍ2程度で、プレス時間は３〜１０分程度の目安であるが、導体パターンの転写の状態で調整する。
【００５１】
次に導体パターンを形成した耐熱性基板に未燒結セラミックＧＳを熱プレスすることで、ＧＳ側に導体膜を再転写できる。この方法を用いることで、厚膜凹版転写法で形成された非常にファインな導体パターンをＧＳ上に形成できる。この熱プレス工程において、熱プレス温度は接着層の材料の軟化温度以上でまた最高温度は未燒結セラミックＧＳが熱変形しない限界温度（目安は１００℃以下）にする必要がある。
【００５２】
またプレス圧は５０〜１５０ｋｇ／ｃｍ2程度で、プレス時間は３〜１０分程度の目安であるが、導体パターンの転写の状態で調整する。このＧＳを脱バイ、焼成することで、高密度な導体パターンを有するセラミック回路基板が製造できる。たとえば、未燒結セラミックＧＳとして日本電気硝子製のＭＬＳ−１０００を用いた場合では、脱バイ温度は４００〜５００℃で、焼成温度は約９００℃で、残留炭素が極力残らないような条件で行う。
【００５３】
（実施例２）
本発明の図３を用いて実施例２を説明する。（実施例１）において、厚膜凹版転写法の再転写によって得られた２枚以上の未燒結セラミックＧＳを熱プレス工程で積層一体化する。この熱プレス工程において、熱プレス温度は接着層の材料の軟化温度以上でまた最高温度は未燒結セラミックＧＳが熱変形しない限界温度（目安は１００℃以下）にする必要がある。またプレス圧は５０〜１００ｋｇ／ｃｍ2程度で、プレス時間は３〜１０分程度の目安であるが、積層部の剥離などが無いように積層状態で調整する。
【００５４】
次に脱バイ、焼成することで、高密度な導体パターンを有するセラミック多層回路基板が製造できる。
【００５５】
（実施例３）
本発明の図４を用いて実施例３を説明する。（実施例１）において、厚膜凹版転写法の再転写する前の未焼結セラミックＧＳにパンチャー装置などを用いて、貫通孔を設ける。未焼結セラミックＧＳの貫通孔にメタル版などを用いてスクリーン印刷法により導体ペーストを充填し、未焼結セラミックＧＳの変形のない温度（６０〜１００℃）で乾燥した。次に、実施例１の様に導体ペーストを仮転写した耐熱性基板とビア導体を形成した未焼結セラミックＧＳを熱プレス工程で、ビア導体を形成した未焼結セラミックＧＳ側に導体ペーストを再転写する。
【００５６】
次に、耐熱性基板を剥がすと、凹版による導体パターンとビア導体を有した未焼結セラミックＧＳが製造できる。この方法を用いることで、層間のビア接続を有した高密度な導体パターンを有するセラミック回路基板が製造できる。
【００５７】
（実施例４）
本発明の図５を用いて実施例４を説明する。厚膜凹版転写法において、凹版に用いるフィルムは、ポリイミドなどの耐熱性のあるものを用いる。このフィルムを用いて、エキシマレーザなどにより、導体パターンとなる溝加工を行なう。凹版フィルムは、凹版転写時に剥離しやすいように剥離処理を行なう。
【００５８】
この凹版に剛性のあるセラミックスキージを用いて、導体ペーストを導体パターン溝部へ充填する。この導体ペーストとして、８５０〜９００℃焼成が可能な銀系ペーストを用いた。充填した凹版は、乾燥機を用いて１００℃〜１５０℃程度で５〜１０分間乾燥させる。凹版溝部に充填された導体ペーストは乾燥後ペースト中の溶剤が蒸発するために体積が減少する為に、導体ペーストの充填〜乾燥を繰り返して、凹版溝部に充填された導体ペーストの乾燥表面が凹版の溝加工されていない面に対して、凹みが５μｍ以下になるまで、充填を繰り返す。焼結セラミック基板の表面に熱可塑性樹脂を主成分とする接着層をディッピング法、スクリーン印刷法やスピンナー法などで厚み１〜１０μｍ以内にコートする。
【００５９】
またこの接着層の軟化温度は未焼結セラミックグリーンシートの有機バインダーである樹脂材料の軟化温度以下のものを使用する。接着層をコートした焼結セラミック基板上に前記導体ペーストを充填した凹版を用いて、熱プレス工程で、焼結セラミック基板に導体膜を転写する。この熱プレス工程において、熱プレス温度は接着層の材料の軟化温度以上にする必要がある。またプレス圧は３０〜８０ｋｇ／ｃｍ2程度で、プレス時間は３〜１０分程度の目安であるが、導体パターンの転写の状態で調整する。
【００６０】
また、焼結セラミック基板の接着層を両面に形成した場合は、導体を充填した凹版を基板の両面より挟み込むように転写することによって、焼結セラミック基板の両面に導体パターンが形成できる。次に導体パターンを形成した焼結セラミック基板上に、未焼結セラミックＧＳを熱プレス工程で積層一体化する。この熱プレス工程において、熱プレス温度は接着層の材料の軟化温度以上でまた最高温度は未焼結セラミックＧＳが熱変形しない限界温度（目安は１００℃以下）にする必要がある。またプレス圧は５０〜１５０ｋｇ／ｃｍ2程度で、プレス時間は３〜１０分程度の目安であるが、導体パターンの転写の状態で調整する。
【００６１】
次に積層一体化した基板を脱バイ、焼成することで、高密度な導体パターンを有するセラミック回路基板が製造できる。たとえば、未焼結セラミックＧＳとして日本電気硝子製のＭＬＳ−１０００を用いた場合では、脱バイ温度は４００〜５００℃で、焼成温度は約９００℃で、残留炭素が極力残らないような条件を用いる。
【００６２】
このように導体パターンを形成した焼結セラミック基板をＧＳで積層し、熱プレスで一体化し、脱バイ、焼成することで、高密度な導体パターンを有するセラミック回路基板が製造できる。
【００６３】
（実施例５）
（実施例４）において、導体パターンを形成した焼結セラミック基板を２枚にＧＳを挟み込んだ状態で積層し、熱プレスで一体化し、脱バイ、焼成することで、高密度な導体パターンを有するセラミック回路基板が製造できる。
【００６４】
（実施例６）
（実施例５）のＧＳとして、未焼結ＧＳにパンチャー装置などを用いて、貫通孔を設けてスクリーン印刷などによりビア導体を充填したＧＳを用いることで、層間導体接続部を有した高密度な導体パターンを有するセラミック回路基板が製造できる。
【００６５】
（実施例７）
（実施例５）において、焼結体セラミック基板として、予め貫通孔及びその部分にビア導体を形成した基板を用いることで、焼結基板の両面の接続を有した高密度な導体パターンを有するセラミック回路基板が製造できる。
【００６６】
（実施例８）
（実施例１）〜（実施例３）の厚膜凹版印刷法の再転写法にて導体パターンを形成したＧＳを用いて（実施例４）〜（実施例７）に記載するＧＳの代わりとして少なくとも１シート以上用いた場合に高密度な導体パターンを有するセラミック回路基板が製造できる。
【００６７】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、厚膜凹版転写法による高密度な導体パターンを有するセラミック多層回路基板を容易に製造することができるという有利な効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の実施の形態１における概略工程断面図
【図２】  本発明の実施の形態２における概略工程断面図
【図３】  本発明の実施の形態３における概略工程断面図
【図４】  本発明の実施の形態４における概略工程断面図
【図５】  本発明の実施の形態５における概略工程断面図
【図６】  本発明の実施の形態６における概略工程断面図
【図７】  本発明の実施の形態７における概略工程断面図
【図８】  本発明の実施の形態８における概略工程断面図
【図９】  本発明の従来工程における概略工程断面図
【符号の説明】
１１  凹版
１２  導体ペースト
１３  耐熱性基板
１４  接着層
１５  未焼結セラミックグリーンシート
１６  導体焼成膜
１７  焼結セラミック基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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