(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下面に下部接地導体層が形成され、上面に高周波回路部品が搭載される搭載部を有する絶縁基板と、該絶縁基板の前記搭載部近傍から外周近傍にかけて配設された高周波信号を伝送するための線路導体および該線路導体の両側に併設された同一面接地導体層と、前記絶縁基板上に前記搭載部を囲むとともに前記線路導体および前記同一面接地導体層の一部を挟んで接合され、上面に上部接地導体層が形成された絶縁枠体とを具備し、前記絶縁枠体の内外側面に前記同一面接地導体層と前記上部接地導体層とを接続するキャスタレーション導体を形成するとともに、該キャスタレーション導体直下の前記絶縁基板にそれぞれ前記同一面接地導体層と前記下部接地導体層とを接続する第１の貫通導体を有する高周波回路用パッケージにおいて、対向する前記キャスタレーション導体間に、前記同一面接地導体層と前記上部接地導体層ならびに前記下部接地導体層とを接続する第２の貫通導体を形成しており、対向する各前記キャスタレーション導体と前記第２の貫通導体との距離がそれぞれ等距離であり、対向する前記キャスタレーション導体と前記第２の貫通導体との距離が下記式で表される共振の発生するキャスタレーション導体と第２の貫通導体との距離ｇ１よりも小さいことを特徴とする高周波回路用パッケージ。
ｇ１＝Ｃ０／（２ｆ・εｒｅｆｆ１／２）
（ただし、Ｃ０は光速、ｆは高周波信号の周波数、εｒｅｆｆは絶縁基板の比誘電率εｒ１および絶縁枠体の比誘電率εｒ２を合成した実効比誘電率）
【請求項２】
前記線路導体は、前記絶縁枠体と前記絶縁基板との接合部における線路幅が、前記絶縁枠体と前記絶縁基板との接合部以外における線路幅よりも狭くなっており、前記絶縁枠体と前記絶縁基板との接合部における前記線路導体の両端には、前記線路導体の線路幅が漸次狭くなっているテーパー部を有しており、該テーパー部の長さが、前記高周波信号の波長の２分の１以下の距離であることを特徴とする請求項１記載の高周波回路用パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高周波帯で用いられる高周波用半導体素子や高周波回路等の高周波回路部品を収容するための高周波回路用パッケージに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
マイクロ波帯やミリ波帯の高周波において動作させる高周波用半導体素子や高周波回路モジュール等の高周波回路部品を気密封止して収容する高周波回路用パッケージの信号入出力部においては、従来より、高周波信号を伝送するための信号線路として絶縁基板上に形成された線路導体と、絶縁基板の同一面上で線路導体の両側に併設された同一面接地導体層と、絶縁基板下面の下部接地導体層と、絶縁基板上に線路導体と同一面接地導体層の一部を挟んで接合された絶縁枠体と、絶縁枠体上面の上部接地導体層で形成されており、線路導体および同一面接地導体層が絶縁枠体と絶縁基板とに挟まれて接合された部分すなわち気密封止部では上下グランド付きコプレーナ線路構造となり、気密封止部への入出力部分では下グランド付きコプレーナ線路構造となっているのが一般的である。なお、このような構造の信号入出力部により、高周波回路用パッケージの内部に気密封止して収容された高周波回路部品と外部電気回路との接続が行われる。
【０００３】
このような従来の高周波回路用パッケージにおいては、気密封止部では線路導体の上部に存在する絶縁枠体の誘電率に応じて、線路導体の特性インピーダンスが気密封止部への入出力部分よりも低下するため、それらの間で特性インピーダンスの不整合が生じ、高周波信号の反射損失が増大して高周波信号の伝送特性が劣化するという問題点があった。
【０００４】
そこで、気密封止部と気密封止部への入出力部分との特性インピーダンスの整合を図る技術として、例えば気密封止部の配線の幅を気密封止部への入出力部分の配線幅よりも狭くする構成が提案されている（特公平8−12887号公報参照）。
【０００５】
これによれば、気密封止部の配線の幅を内部配線の幅より狭くしたことにより、内部配線と気密封止部の配線との特性インピーダンスを整合させることができ、また、外部端子の特性インピーダンスとの整合をとることもできて、高周波信号の伝送特性を改善することができる利点があるというものである。
【０００６】
しかしながら、このような方法により気密封止部の配線と気密封止部の内外両方の部分に相当する内外部配線との特性インピーダンスを整合させた場合であっても、線路導体が気密封止部へ出入りする部分では上部接地導体層と同一面接地導体層と下部接地導体層とが直接接続されていないことにより接地状態が不安定になる傾向にあるため、この部分で局部的に特性インピーダンスが変化して反射損失を生じることとなり、また、この部分で高周波信号のシールド効果が不十分となって放射損失を生じることとなるため、これらの損失によって高周波信号の伝送特性が劣化するという問題点があった。
【０００７】
そこで、気密封止部（フィードスルー部）とフィードスルー部の内外の両側との特性インピーダンスの整合をとる技術として、例えば図５、図６に示すような下部接地導体層26と高周波回路部品28の搭載部21aを有する絶縁基板21と、搭載部21a近傍から外周近傍にかけて配設された線路導体24および同一面接地導体層25と、絶縁基板21上に接合され、上部接地導体層27が形成された絶縁枠体22とを具備し、絶縁枠体22の内外側面に同一面接地導体層25と上部接地導体層27とを接続するキャスタレーション導体32を形成するとともに、その直下の絶縁基板21にそれぞれ同一面接地導体層25と下部接地導体層26とを接続する貫通導体33を形成した高周波回路用パッケージが提案されている。なお、これら絶縁基板21と絶縁枠体22と蓋体23とにより高周波回路部品28を収容するための収容部29が形成される（特開平11−312751号公報参照）。
【０００８】
上記のような高周波信号の入出力部を用いた従来の高周波回路用パッケージでは、線路導体24および同一面接地導体層25が絶縁枠体22と絶縁基板21とに挟まれて接合された気密封止部と気密封止部への入出力部分の特性インピーダンスが整合され、また、気密封止部への入出力部分で、同一面接地導体層25と上部接地導体層27ならびに下部接地導体層26とが電気的に接続されているために接地状態が安定し、反射損失を低減することができるとともに、電磁波シールド効果を高めて放射損失を抑制することができ、その結果、高周波信号の入出力部における高周波信号の伝送特性を良好なものとすることができる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、例えば３０GHｚを超えるような周波数の高いミリ波帯の領域では、絶縁枠体22を挟んで対向するキャスタレーション導体32間での共振により、電磁波の漏洩が発生する。その結果、反射損失および放射損失を生じることとなるため、高周波信号の伝送特性が劣化するという問題点があった。この問題に対し、キャスタレーション導体32を形成する絶縁枠体22の幅を薄くし共振をなくす方法が考えられるが、蓋体23と絶縁枠体22との接合を強固なものとし、気密封止を維持するためには、ある程度の厚さ（２mm以上）が必要となるため限界があった。
【００１０】
そこで、本発明は、上記問題点に鑑みて案出されたものであり、その目的は、高周波信号の入出力部において、蓋体と絶縁枠体との接合を強固なものとし、気密封止を維持するとともに、対向するキャスタレーション導体間での共振をなくし、高周波信号の反射損失および放射損失の低減を実現することにより、電磁波の漏洩を抑制することである。その結果、マイクロ波帯からミリ波帯にわたって高周波信号の伝送特性を良好なものとする高周波回路用パッケージを提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明の高周波回路用パッケージは、下面に下部接地導体層が形成され、上面に高周波回路部品が搭載される搭載部を有する絶縁基板と、該絶縁基板の前記搭載部近傍から外周近傍にかけて配設された高周波信号を伝送するための線路導体および該線路導体の両側に併設された同一面接地導体層と、前記絶縁基板上に前記搭載部を囲むとともに前記線路導体および前記同一面接地導体層の一部を挟んで接合され、上面に上部接地導体層が形成された絶縁枠体とを具備し、前記絶縁枠体の内外側面に前記同一面接地導体層と前記上部接地導体層とを接続するキャスタレーション導体を形成するとともに、該キャスタレーション導体直下の前記絶縁基板にそれぞれ前記同一面接地導体層と前記下部接地導体層とを接続する第１の貫通導体を有する高周波回路用パッケージにおいて、対向する前記キャスタレーション導体間に、前記同一面接地導体層と前記上部接地導体層ならびに前記下部接地導体層とを接続する第２の貫通導体を形成しており、対向する各前記キャスタレーション導体と前記第２の貫通導体との距離がそれぞれ等距離であり、対向する前記キャスタレーション導体と前記第２の貫通導体との距離が式ｇ１＝Ｃ０／（２ｆ・εｒｅｆｆ１／２）（ただし、Ｃ０は光速、ｆは高周波信号の周波数、εｒｅｆｆは絶縁基板の比誘電率εｒ１および絶縁枠体の比誘電率εｒ２を合成した実効比誘電率。）で表される共振の発生するキャスタレーション導体と第２の貫通導体との距離ｇ１よりも小さいことを特徴とする。
【００１２】
本発明によれば、上記の構成により、高周波信号の入出力部において、蓋体と絶縁枠体との接合を強固なものとし、気密封止を維持するとともに、対向するキャスタレーション導体間での共振を抑え、高周波信号の反射損失および放射損失を低減することにより、電磁波の漏洩を抑制することができる。また、共振による高周波信号の減衰を避けることができるため、線路導体を伝送させる高周波信号の周波数において、その伝送特性を優れたものとすることができる。
【００１３】
また、本発明の高周波回路用パッケージは、好ましくは、前記線路導体は、前記絶縁枠体と前記絶縁基板との接合部における線路幅が、前記絶縁枠体と前記絶縁基板との接合部以外における線路幅よりも狭くなっており、前記絶縁枠体と前記絶縁基板との接合部における前記線路導体の両端には、前記線路導体の線路幅が漸次狭くなっているテーパー部を有しており、該テーパー部の長さが、前記高周波信号の波長の２分の１以下の距離であることを特徴とする。
【００１４】
このような構成により、高周波信号の伝搬モードの変化が小さくなり、伝送損失が小さくなるものとすることができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図面に基づき説明する。
【００１６】
図１は本発明の高周波回路用パッケージについて実施の形態の一例を示す斜視図であり、図２はその要部平面図である。また、図３は図２のＣ−Ｃ線断面図、図４は図２のＤ−Ｄ線断面図である。
【００１７】
これらの図において、1は上面にＩＣ，ＬＳＩ等の高周波回路部品8が搭載される搭載部1aを有する絶縁基板、2は絶縁基板1上に搭載部1aを囲むように接合されて内側に高周波回路部品8を収容する収容部9の側壁となる絶縁枠体である。これら絶縁基板1と絶縁枠体2とにより高周波回路部品8を収容する収容部9が形成され、高周波回路部品8を搭載部1aに搭載し、この収容部9を塞ぐようにして蓋体3を絶縁枠体2の上面に接合することにより、収容部9の内部に高周波回路部品8が気密封止されて収容される。
【００１８】
4は搭載部1a近傍から絶縁基板1の外周近傍にかけて収容部9の内外を導通するように形成された高周波信号を伝送するための線路導体、5は線路導体4の両側に併設された同一面接地導体層であり、これら線路導体4および同一面接地導体層5の一部は絶縁基板1と絶縁枠体2とに挟まれて収容部9を構成している。6は絶縁基板1の下面に形成された下部接地導体層、7は絶縁枠体2の上面に形成された上部接地導体層である。8は搭載部1aに搭載され収容部9内に収容された高周波用半導体素子や高周波回路等の高周波回路部品であり、その電極10と収容部9内で露出した線路導体4および同一面接地導体層5とがボンディングワイヤ11を介して電気的に接続される。
【００１９】
また、12は絶縁枠体2上面の上部接地導体層7と同一面接地導体層5とを絶縁枠体2の内外側面で電気的に接続するキャスタレーション導体であり、例えば絶縁枠体2の内外側面に設けられた凹部表面に導体層を被着させることにより形成される。そして、13は同一面接地導体層5と絶縁基板1下面の下部接地導体層6とをキャスタレーション導体12の直下でそれぞれ電気的に接続する第１の貫通導体である。さらに、14は絶縁枠体2の内外側面に形成されたキャスタレーション導体12の間に、上部接地導体層7と同一面接地導体層5と下部接地導体層6とを接続する第２の貫通導体である。
【００２０】
このような本発明の高周波回路用パッケージにおいては、高周波信号を伝送するための信号線路として絶縁基板1上に形成された線路導体4と、絶縁基板1の同一面上で線路導体4の両側に併設された同一面接地導体層5と絶縁基板1下面の下部接地導体層6と、絶縁基板1上に接合された絶縁枠体2と、絶縁枠体2上面の上部接地導体層7とからなり、線路導体4および同一面接地導体層5が絶縁枠体2と絶縁基板1とに挟持された部分すなわちフィードスルー部では上下グランド付きコプレーナ線路構造となる。また、図３のＣ―Ｃ線断面図に示すように、上部接地導体層7とキャスタレーション導体12と同一面接地導体層5と第１の貫通導体13と下部接地導体層6とにより、高周波信号を伝送する線路導体4を取り囲むようにして接地部の連続した導体が形成されていることから、この部分の線路構成が疑似導波管線路の構成となる。また、フィードスルー部の両側部分では下グランド付きコプレーナ線路構造となっている。
【００２１】
さらに、図４のＤ−Ｄ線断面図に示すように絶縁枠体2においても、絶縁枠体2の内外側面に形成されたキャスタレーション導体12の間に、上部接地導体層7と同一面接地導体層5と下部接地導体層6とを接続する第２の貫通導体14が存在するため、使用周波数の波長の１／２や波長と対向するキャスタレーション導体12間の距離とが略同じになることによる共振がなくなり、高周波信号の反射損失および放射損失の低減を実現し、電磁波の漏洩を抑えることができる。
【００２２】
本発明の高周波回路用パッケージにおいて、絶縁基板1および絶縁枠体2としては、例えばアルミナセラミックスやムライトセラミックス等のセラミックス材料やガラスセラミックス等の無機系材料、あるいは四ふっ化エチレン樹脂（ポリテトラフルオロエチレン；ＰＴＦＥ），四ふっ化エチレン−エチレン共重合樹脂（テトラフルオロエチレン−エチレン共重合樹脂；ＥＴＦＥ），四ふっ化エチレン−パーフルオロアルコキシエチレン共重合樹脂（テトラフルオロエチレン−パーフルテロアルキルビニルエーテル共重合樹脂；ＰＦＡ）等のフッ素樹脂，ガラスエポキシ樹脂，ポリイミド等の樹脂系材料などが用いられる。これら絶縁基板1および絶縁枠体2の形状、寸法（厚みや幅、長さ）は、使用される高周波信号の周波数や特性インピーダンスなどに応じて設定される。
【００２３】
なお、絶縁枠体2と絶縁基板1とには通常は同じ材料を用いればよいが、異なる材料を用いて絶縁枠体2の誘電率と絶縁基板1の誘電率とを異ならせてもよい。この場合は、例えば、絶縁基板1よりも絶縁枠体2の誘電率が低い方が好ましく、絶縁枠体2の誘電率をなるべく真空の誘電率に近づけるのがよい。それにより、絶縁基板1と絶縁枠体2との接合部分とそれ以外の部分とにおける高周波信号の伝搬モードの変化が小さくなり、伝送損失が小さくなるという点で好ましいものとなる。
【００２４】
線路導体4は高周波線路導体用の金属材料、例えばＣｕ層、Ｍｏ−Ｍｎメタライズ層上にＮｉメッキ層，Ａｕメッキ層を積層したもの、Ｗメタライズ層上にＮｉメッキ層，Ａｕメッキ層を積層したもの、Ｃｒ層上にＣｕ層を積層したもの、Ｃｒ層上にＣｕ層，Ｎｉメッキ層，Ａｕメッキ層を積層したもの、Ｔａ2 Ｎ層上にＮｉ−Ｃｒ層，Ａｕメッキ層を積層したもの、Ｔｉ層上にＰｄ層，Ａｕメッキ層を積層したもの、Ｎｉ−Ｃｒ層上にＰｄ層，Ａｕメッキ層を積層したものなどを用いて厚膜印刷法あるいは各種の薄膜形成方法やメッキ処理法などにより形成され、その厚みや幅も伝送される高周波信号の周波数や特性インピーダンスなどに応じて設定される。なお、絶縁枠体2と絶縁基板1との接合部における線路導体4の線路幅はそれ以外の部分での線路幅よりも狭くしてもよく、その場合、それらの幅は理想とする特性インピーダンスに対応する幅からそれ以外の部分での線路幅までの間で必要とする仕様に応じて設定される。
【００２５】
また、同一面接地導体層5は線路導体4と同様の材料で同様の方法により形成すればよく、線路導体4と同一面接地導体層5との間隔は一般的な同一面接地導体層を設ける場合の標準的な設定とすればよい。さらに、絶縁枠体2と絶縁基板1との接合部において同一面接地導体層5を線路導体4に向けて等間隔に突出させるなどして特性インピーダンスの整合をより精密に行なってもよく、そのような場合には電磁界的影響度を考慮して必要とする特性に応じて設定すればよい。
【００２６】
また、絶縁枠体2と絶縁基板1との接合部における線路導体4の線路幅が漸次狭くなっている部分（テーパー部）の長さについては、使用周波数の２分の１以下に設定することにより、高周波信号の伝搬モードの変化が小さくなり、伝送損失が小さくなるという点で好ましいものとなる。
【００２７】
下部接地導体層6および上部接地導体層7は、線路導体4や同一面接地導体層5と同様の材料を用いて同様の方法により被着形成すればよい。なお、これらは導体層として形成される場合の他に、他の導電部材、例えば金属板や金属ブロックを取着することにより形成してもよい。
【００２８】
キャスタレーション導体12は、同一面接地導体層5の直上の絶縁枠体2の内外側面のそれぞれに形成された凹部等に上部接地導体層7と同一面接地導体層5とを電気的に接続するように形成され、上記の各導体層と同様の材料を用いて同様の方法により被着形成すればよく、また、他の導電部材、例えば金属板や金属ブロックを取着することにより形成してもよい。また、凹部を絶縁枠体2の中央部に向かって深く形成するほど、より長い距離にわたって疑似導波管構造となるため接地状態がより安定するようになり、高周波信号の伝送特性をより優れたものとすることができる。従って、キャスタレーション導体12が形成される絶縁枠体2側面の凹部は、収容部9内の気密封止が維持できる範囲でできる限り深く形成することが望ましい。
【００２９】
また、第１の貫通導体13は、キャスタレーション導体12直下の絶縁基板1内にそれぞれ同一面接地導体層5と下部接地導体層6とを電気的に接続するように形成され、例えばスルーホール導体やビア導体を形成することにより、あるいは金属板や金属棒、金属パイプ等を埋設することにより形成すればよい。なお、接地の安定をとるために、第１の貫通導体13の径は、キャスタレーション導体12の幅とほぼ同じが好ましい。
【００３０】
また、第２の貫通導体14は、絶縁枠体2の内外側面に形成されたキャスタレーション導体12の間に、上部接地導体層7と同一面接地導体層5と下部接地導体層6とに接続され、例えばスルーホール導体やビア導体を形成することにより、あるいは金属板や金属棒、金属パイプ等を埋設することにより形成すればよい。なお、接地の安定をとるために、第２の貫通導体14の径は、キャスタレーション導体12の幅とほぼ同じが好ましい。
【００３１】
本発明の高周波回路用パッケージの作製にあたっては、例えば絶縁基板1および絶縁枠体2がガラスセラミックスから成る場合であれば、まず絶縁基板1となるガラスセラミックスのグリーンシートを準備し、これに所定の打ち抜き加工を施して第１の貫通導体13および第２の貫通導体14となる貫通孔を形成した後、スクリーン印刷法により銅や銀などの低電気抵抗の導体ペーストを貫通孔に充填するとともに所定の線路導体パターンおよび導体層パターンの形状に印刷塗布する。次いで、別途準備したガラスセラミックスのグリーンシートをその側面にキャスタレーション導体12を形成する凹部が形成されるようにして枠状に打ち抜くとともに、絶縁基板1となるグリーンシートの上面に高周波回路部品8の収容部9が形成されるようにして積層して密着し、最後にこれらを約1000℃で一体焼成することにより製作される。
【００３２】
また、絶縁枠体2を挟んで対向するキャスタレーション導体12と第２の貫通導体14との距離（キャスタレーション導体12の端から第２の貫通導体14の中心までの距離）L1は、ｇ１＝Ｃ０／（２ｆ・εｒｅｆｆ１／２）で表わされる距離ｇ１よりも小さな値とする。その結果、共振による高周波信号の減衰を避けることができるため、線路導体4を伝送させる高周波信号の周波数において、その伝送特性を優れたものとすることができる。更に、キャスタレーション導体12と第２の貫通導体14との距離L1を使用周波数の４分の１以下にすることにより、さらに電磁波の漏洩を抑えることができ、高周波信号の伝送特性が向上する。
【００３３】
また、キャスタレーション導体12間の距離（ギャップ）L2は、ｇ０＝Ｃ０／（２ｆ・εｒｅｆｆ１／２）（ただし、ｇ０は共振の発生するキャスタレーション導体12間の距離（ギャップ）、Ｃ０は光速、ｆは高周波信号の周波数、εｒｅｆｆは絶縁基板1の比誘電率εｒ１および絶縁枠体2の比誘電率εｒ２を合成した実効比誘電率）で表わされる距離ｇ０よりも小さな値としておくと、共振による高周波信号の減衰を避けることができるため、線路導体4を伝送させる高周波信号の周波数において、その伝送特性を優れたものとすることができる。また、第２の貫通導体14間の距離（ギャップ）についても、上記距離ｇ０よりも小さな値としておくと、共振による高周波信号の減衰を避けることができるため、線路導体4を伝送させる高周波信号の周波数において、その伝送特性を優れたものとすることができる。
【００３４】
このような高周波回路用パッケージを用いて、その搭載部1aに高周波回路部品8を搭載し、その電極10をボンディングワイヤ11やボンディングリボン等を介して収容部9内に位置する線路導体4および同一面接地導体層5と電気的に接続し、絶縁枠体2の上面にＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ，Ｆｅ−Ｎｉ42アロイ等のＦｅ−Ｎｉ合金，無酸素銅，アルミニウム，ステンレス，Ｃｕ−Ｗ合金，Ｃｕ−Ｍｏ合金などから成る蓋体3を、半田，Ａｕ−Ｓｎろう等の低融点金属ろう材やＡｕ−Ｇｅロウ等の高融点金属ろう材、あるいはシームウェルド（溶接）等により取着することによって、高周波回路部品8がパッケージ内部に気密封止して収容され、製品としての高周波回路装置となる。
【００３５】
そして、これを外部電気回路基板に搭載するとともに、絶縁枠体2の外側に位置する線路導体4および同一面接地導体層5を外部電気回路の配線導体にボンディングワイヤ，リボン，リード端子等を介して接続して、パッケージ内部の高周波回路部品8と外部電気回路とを電気的に接続することにより、高周波回路装置として使用される。
【００３６】
なお、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更、改良を施すことは何ら差し支えない。例えば、高周波信号の入出力部として、線路導体4、同一面接地導体層5、第１の貫通導体13、第２の貫通導体14およびキャスタレーション導体12は必要に応じて複数組設けてもよい。
【００３７】
【発明の効果】
本発明の高周波回路用パッケージによれば、下面に下部接地導体層が形成され、上面に高周波回路部品が搭載される搭載部を有する絶縁基板と、絶縁基板の搭載部近傍から外周近傍にかけて配設された高周波信号を伝送するための線路導体および線路導体の両側に併設された同一面接地導体層と、絶縁基板上に搭載部を囲むとともに線路導体および同一面接地導体層の一部を挟んで接合され、上面に上部接地導体層が形成された絶縁枠体とを具備し、絶縁枠体の内外側面に同一面接地導体層と上部接地導体層とを接続するキャスタレーション導体を形成するとともに、キャスタレーション導体直下の絶縁基板にそれぞれ同一面接地導体層と下部接地導体層とを接続する第１の貫通導体を有し、絶縁枠体を挟んで対向するキャスタレーション導体間に、同一面接地導体層と上部接地導体層ならびに下部接地導体層とを接続する第２の貫通導体を形成しており、対向する各キャスタレーション導体と第２の貫通導体との距離がそれぞれ等距離であり、対向するキャスタレーション導体と第２の貫通導体との距離が式ｇ１＝Ｃ０／（２ｆ・εｒｅｆｆ１／２）で表される共振の発生するキャスタレーション導体と第２の貫通導体との距離ｇ１よりも小さいことにより、高周波信号の入出力部において、蓋体と絶縁枠体との接合を強固なものとし、気密封止を維持するとともに、対向するキャスタレーション導体間での共振をおさえ、高周波信号の反射損失および放射損失の低減を実現することにより、電磁波の漏洩を抑制することができる。また、共振による高周波信号の減衰を避けることができるため、線路導体を伝送させる高周波信号の周波数において、その伝送特性を優れたものとすることができる。
【００３８】
また、本発明の高周波回路用パッケージによれば、線路導体は、絶縁枠体と絶縁基板との接合部における線路幅が、絶縁枠体と絶縁基板との接合部以外における線路幅よりも狭くなっており、絶縁枠体と絶縁基板との接合部における線路導体の両端には、線路導体の線路幅が漸次狭くなっているテーパー部を有しており、テーパー部の長さが、高周波信号の波長の２分の１以下の距離であることから、高周波信号の伝搬モードの変化が小さくなり、伝送損失が小さくなるものとすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の高周波回路用パッケージの実施形態の一例を示す斜視図である。
【図２】図１に示す高周波回路用パッケージの要部平面図である。
【図３】図２のＣ−Ｃ線断面図である。
【図４】図２のＤ−Ｄ線断面図である。
【図５】従来の高周波回路用パッケージの例を示す斜視図である。
【図６】図５に示す従来の高周波回路用パッケージの要部平面図である。
【符号の説明】
1・・・・・絶縁基板
1ａ・・・・搭載部
2・・・・・絶縁枠体
3・・・・・蓋体
4・・・・・線路導体
5・・・・・同一面接地導体層
6・・・・・下部接地導体層
7・・・・・上部接地導体層
8・・・・・高周波回路部品
9・・・・・収容部
10・・・・・電極
11・・・・・ボンディングワイヤ
12・・・・・キャスタレーション導体
13・・・・・第１の貫通導体
14・・・・・第２の貫通導体
【図１】
0004454144.tif 000002
【図２】
0004454144.tif 000003
【図３】
0004454144.tif 000004
【図４】
0004454144.tif 000005
【図５】
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【図６】
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