(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
レジスト膜に紫外線を照射する工程と、
レジスト剥離液を用いて、前記レジスト膜を剥離除去する工程と
を含み、
前記レジスト剥離液は、Ｎ−メチル−ピロリドン（Ｎ−メチル−２−ピロリドン）、Ｎ．Ｎ−ジメチル−アセトアミド、ジメチル−ホルムアミド 、及びＮ．Ｎ−メチル−ホルムアミドのうちから選ばれた少なくとも１種を含む高極性溶媒と、
水に対して可溶なアミン化合物と
を含む組成からなり、
前記高極性溶媒の濃度が９０重量％〜９９重量％であり、且つ前記アミン化合物の濃度が２重量％〜５重量％であることを特徴とすることを特徴とするレジスト剥離方法。
【請求項２】
前記高極性溶媒は、２５℃における粘度が２．０ｍＰａ・ｓ以下であることを特徴とする請求項１に記載のレジスト剥離方法。
【請求項３】
前記レジスト剥離液を用いる際の処理温度を３０℃〜６０℃とすることを特徴とする請求項１又は２に記載のレジスト剥離方法。
【請求項４】
基板上に絶縁膜、導電膜、及び半導体膜から選ばれた１種の薄膜を形成する工程と、
前記薄膜上にレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとして、前記薄膜を加工する工程と、
前記レジストパターンに紫外線を照射した後、前記レジストパターンをレジスト剥離液を用いて剥離除去する工程と
を含み、
前記レジスト剥離液は、Ｎ−メチル−ピロリドン（Ｎ−メチル−２−ピロリドン）、Ｎ．Ｎ−ジメチル−アセトアミド、ジメチル−ホルムアミド 、及びＮ．Ｎ−メチル−ホルムアミドのうちから選ばれた少なくとも１種を含む高極性溶媒と、
水に対して可溶なアミン化合物と
を含む組成からなり、
前記高極性溶媒の濃度が９０重量％〜９９重量％であり、且つ前記アミン化合物の濃度が２重量％〜５重量％であることを特徴とする薄膜回路素子の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば半導体回路素子パターン製造時に用いられるフォトレジストの除去に必要なレジスト剥離液及びレジスト剥離方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
通常、半導体素子や液晶表示素子等を製造する際には、導電膜、絶縁膜及び半導体膜をスパッタリング法等で成膜し、これを所定形状にパターニングしたり、所定部位に不純物を注入するために、フォトレジストを使用する。このフォトレジストは、選択的にエッチングされない部分、あるいは不純物が注入されない部分を形成するためのマスクとして機能する保護膜であり、主に樹脂と感光剤と溶剤からなるものである。
【０００３】
フォトレジストは、露光された部分の溶解特性が変化する性質を有するため、現像によりパターン形成が可能である。そして、このレジストパターンを利用し、表層に露出している導電膜や絶縁膜、半導体膜をウェットエッチングやドライエッチングなどにより積層膜を除去し、レジストパターンに倣った形状に加工し、不要となったレジストパターンを剥離液により除去する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
このようなレジストパターンは、使用後には完全に剥離除去することが望まれる。金属合金等のエッチングに強酸や高エネルギーのプラズマ等を用いるプロセス下では、有機系のレジスト剥離液が一般的に使用されているが、これは剥離性が低く、特に不純物注入工程及びドライエッチング工程において生じたフォトレジストの変質硬化膜に対しては、ほとんど剥離効果を示さないという問題が発生している。具体的には、以下の諸課題が見出されている。
【０００５】
課題１：
剥離が不完全な場合にパターン上に残ったフォトレジストが、何回かのフォトリソグラフィーを繰り返すことによりパターン間における残渣となって断線、短絡、パターン欠陥を惹起し、著しく品質低下、歩留り低下を招いていた。
【０００６】
課題２：
フォトレジストの変質硬化膜への対策としては、剥離前処理としてドライアッシング工程を追加することにより変質硬化膜の生成低減を図ったり、剥離処理時間の延長や高温度化等のように不純物注入工程及びドライエッチング工程における条件を個別具体的に変えることにより対応せざるを得ない状況であった。
【０００７】
課題３：
有機系のレジスト剥離液による剥離能力を向上させるため、アミン化合物の組成比を高くしたレジスト剥離液が注目されているが、高アミンであるがために、Ａｌ等の金属への腐食性が上がり、液粘性が高く剥離処理室におけるシャワー、スプレー等による流量低下や圧力低下が生ずるため、装置コントロールが難かしいという問題を抱えていた。
【０００８】
そこで本発明は、前記諸課題を解決すべくなされたものであり、不純物注入工程やドライエッチング工程等によって生じたレジスト膜の変質硬化部位に対しても浸透性が高く、高濃度アミン化合物と有する条件と同等以上の剥離効果を得ることを可能とするレジスト用剥離液及びレジスト剥離方法、並びに薄膜回路素子の形成方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記の問題点を解決するため、高いレジスト剥離性を有し、金属に対する腐食性がなく、さらに液安定性及び安全性が高く、充分に実用性のあるレジスト剥離液について鋭意検討した結果、本発明に想到するに至った。
【００１０】
本発明のレジスト剥離方法は、レジスト膜に紫外線を照射する工程と、レジスト剥離液を用いて、前記レジスト膜を剥離除去する工程とを含み、前記レジスト剥離液は、Ｎ−メチル−ピロリドン（Ｎ−メチル−２−ピロリドン）、Ｎ．Ｎ−ジメチル−アセトアミド、ジメチル−ホルムアミド 、及びＮ．Ｎ−メチル−ホルムアミドのうちから選ばれた少なくとも１種を含む高極性溶媒と、水に対して可溶なアミン化合物とを含む組成からなり、前記高極性溶媒の濃度が９０重量％〜９９重量％であり、且つ前記アミン化合物の濃度が２重量％〜５重量％である。
【００１１】
本発明の薄膜回路素子の形成方法は、基板上に絶縁膜、導電膜、及び半導体膜から選ばれた１種の薄膜を形成する工程と、前記薄膜上にレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとして、前記薄膜を加工する工程と、前記レジストパターンに紫外線を照射した後、前記レジストパターンをレジスト剥離液を用いて剥離除去する工程とを含み、前記レジスト剥離液は、Ｎ−メチル−ピロリドン（Ｎ−メチル−２−ピロリドン）、Ｎ．Ｎ−ジメチル−アセトアミド、ジメチル−ホルムアミド 、及びＮ．Ｎ−メチル−ホルムアミドのうちから選ばれた少なくとも１種を含む高極性溶媒と、水に対して可溶なアミン化合物とを含む組成からなり、前記高極性溶媒の濃度が９０重量％〜９９重量％であり、且つ前記アミン化合物の濃度が２重量％〜５重量％である。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を適用した具体的な実施形態について図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１７】
−レジスト剥離液の具体的構成−
本発明のレジスト剥離液は、Ｎ−メチル−ピロリドン（Ｎ−メチル−２−ピロリドン）、Ｎ．Ｎ−ジメチル−アセトアミド、ジメチル−ホルムアミド 、Ｎ．Ｎ−メチル−ホルムアミド等から選ばれた少なくとも１種と、水に容易に溶解なアミン化合物、例えば、Ｎ−ｎ−ブチルエタノールアミン、ジエチルアミノエタノール、２−アミノエタノール、２−（２−アミノエチルアミノ）エタノール、２−エチルアミノエタノール、Ｎ．Ｎ−ジメチル−エタノールアミン、Ｎ−メチル−ジエタノールアミン、Ｎ−エチルジエタノールアミン、ジエタノールアミン、ジ−ｎ−ブチルエタノールアミン、トリイソプロパノールアミン、２−メチル−アミノエタノール、イソパノールアミン、Ｎ−エチルジエタノールアミン、２−ヒドロキシエチルアミン等から選ばれた少なくとも１種を含むものレジスト剥離液である。また、そのレジスト剥離液に水を混合させても構わない。
【００１８】
本発明レジスト剥離液中の各成分は、高極性溶媒の粘度は２５℃で２．０ｍＰａ・ｓ以下もので９０〜９９重量％内、 アミン化合物類については１０重量％以下であり、高極性溶媒の混合状態での液粘度が２５℃で４．０Ｐａ・ｓ以下、好ましくは３．０ｍＰａ・ｓ以下にあることが望ましい。
【００１９】
なお、このレジスト剥離液は特別な製法で作られるものでなく、単に、各成分を混合することにより得られるものである。
【００２０】
また、剥離性能を向上させるため、このレジスト剥離液に水を混合させても良いし、また、界面活性剤を混合させても好適である。界面活性剤を入れることにより、微小な塵を表面から除去させ、剥離液中に安定的に分散させることができる。この場合、当該界面活性剤としては基板上の諸界面の汚染防止のため、金属イオンを含まない非イオン系のものが望ましい。
【００２１】
−レジスト剥離方法を含む薄膜回路素子の形成方法の具体的開示−
以下、前記組成のレジスト用剥離液を用いて、薄膜回路素子を形成する具体例を開示する。
【００２２】
（第１の形成方法）
先ず、薄膜回路素子として液晶表示素子の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を例示する。
図１は、第１の形成方法によるＴＦＴの形成方法の主要工程を順に示す概略断面図である。
【００２３】
先ず、図１（ａ）に示すように、ガラス基板１上に、Ａｌ膜１１とＴｉ膜１２をスパッタ法により順次成膜してＡｌ合金膜を形成した後に、このＡｌ合金膜上にポジ型のフォトレジスト膜２を塗布し、これをフォトリソグラフィーにより電極形状に加工してレジストパターンを形成する。なお、Ａｌ合金膜の替わりに、Ｃｒ合金膜を形成する場合もある。
【００２４】
続いて、図１（ｂ）に示すように、レジストパターンをマスクとしてＡｌ合金膜をパターニングし、ゲート電極３を形成した後、Ｏ2ドライアッシングによりレジストパターンを灰化処理し、除去する。
【００２５】
Ａｌ合金膜をパターニングには、ドライエッチングを行うようにしてもよいが、硝酸、リン酸、酢酸等を成分として含むエッチング液を用いたウェットエッチングを行っても好適である。また、Ａｌ合金膜の替わりに、Ｃｒ合金膜を形成した場合には、ウェットエッチングのエッチング液として硝酸セリウムアンモニウムを主成分として含む液を用いるのが好ましい。
【００２６】
続いて、図１（ｃ）に示すように、ゲート電極３を覆うように、ゲート絶縁膜となるシリコン窒化膜４及び動作半導体層となるアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）膜５を連続的にプラズマによる気相成長で形成する。
【００２７】
続いて、図１（ｄ）に示すように、ａ−Ｓｉ膜５上にポジ型のフォトレジスト膜を塗布し、これをフォトリソグラフィーにより動作膜形状に加工してレジストパターン６を形成する。
【００２８】
続いて、図１（ｅ）に示すように、レジストパターン６をマスクとしてａ−Ｓｉ膜５をドライエッチングによりパターニングし、動作半導体膜７を形成する。このドライエッチングは、例えば、圧力３７．５（Ｐａ），高周波出力６００（Ｗ），ＳＦ6／Ｏ2混合ガス，エッチング時間１００秒の条件で行う。このとき、レジストパターン６には、動作半導体膜７のドライエッチング等により表層に変質硬化部位６ａが生成される。
【００２９】
一般に、ＴＦＴの動作半導体膜を形成した後には、レジストパターンの剥離除去が困難は困難であるとされている。そこで、図１（ｆ）に示すように、上述した本発明のレジスト剥離液を用い、所定のレジスト剥離装置内でウェットエッチングしてレジストパターン６を剥離除去する。ウェットエッチング処理する条件としては、処理温度 ３０℃〜６０℃、ここでは５０℃、シャワー方式処理＋空気圧力付加処理を３分間行った後、純水洗浄処理を実行する。このとき、シャワー方式処理＋エア圧力付加処理の替わりに、またはこれらに加えて、浸漬処理、スプレー処理、圧力付加処理、超音波処理等を行うようにしても良い。
【００３０】
しかる後、層間絶縁膜やコンタクト孔、金属配線層等の形成を経て、ＴＦＴを完成させる。
【００３１】
本発明のレジスト剥離液を用いることにより、変質硬化部位６ａにおいても浸透性が高く、レジストパターン６の変質硬化していない部位は勿論のこと、変質硬化部位６ａについても、高濃度アミン化合物を含む剥離液を用いた場合と同等以上の剥離効果を得ることができる。
【００３２】
なお、本発明のレジスト剥離液を用いて、変質硬化部位６ａのみを除去し（例えば最初の溶解反応のみを惹起させる）、残存する部位を他の手法（Ｏ2アッシング処理等）により除去するようにしても良い。
【００３３】
（第２の形成方法）
次に、薄膜回路素子として半導体素子のＭＯＳトランジスタを例示する。
図２は、第２の形成方法によるＭＯＳトランジスタの形成方法の主要工程を順に示す概略断面図である。
【００３４】
先ず、図２（ａ）に示すように、ｐ型シリコン半導体基板２１上にＬＯＣＯＳ法等により素子分離構造２２を形成して素子領域を画定した後、熱酸化により基板２１の表面にゲート絶縁膜２３を形成する。
【００３５】
続いて、図２（ｂ）に示すように、ＣＶＤ法等により全面に多結晶シリコン膜２４を堆積し、この多結晶シリコン膜２４上にポジ型のフォトレジストを塗布し、これをフォトリソグラフィーにより電極形状に加工してレジストパターン２５を形成する。
【００３６】
続いて、図２（ｃ）に示すように、レジストパターン２５をマスクとして多結晶シリコン膜２４をパターニングし、レジストパターン２５に倣った形状のゲート電極２６を形成する。
【００３７】
続いて、図２（ｄ）に示すように、再びレジストパターン２５をマスクとして、ゲート電極２６の両側の基板表層にｎ型不純物、ここではリン（Ｐ）をイオン注入する。このとき、レジストパターン２５には、多結晶シリコン膜２４のドライエッチング及びイオン注入により、表層に変質硬化部位２５ａが生成される。
【００３８】
続いて、図２（ｅ）に示すように、上述した本発明のレジスト剥離液を用い、所定のレジスト剥離装置内でウェットエッチングしてレジストパターン２５を剥離除去する。ウェットエッチング処理する条件としては、処理温度 ３０℃〜６０℃、ここでは５０℃、シャワー方式処理＋空気圧力付加処理を３分間行った後、純水洗浄処理を実行する。このとき、シャワー方式処理＋エア圧力付加処理の替わりに、またはこれらに加えて、浸漬処理、スプレー処理、圧力付加処理、超音波処理等を行うようにしても良い。
【００３９】
続いて、半導体基板２１をアニール処理し、ゲート電極２６の両側の基板表層にソース／ドレイン２７を形成する。
しかる後、層間絶縁膜やコンタクト孔、金属配線層等の形成を経て、ＭＯＳトランジスタを完成させる。
【００４０】
本発明のレジスト剥離液を用いることにより、変質硬化部位２５ａにおいても浸透性が高く、レジストパターン２５の変質硬化していない部位は勿論のこと、変質硬化部位２５ａについても、高濃度アミン化合物を含む剥離液を用いた場合と同等以上の剥離効果を得ることができる。
【００４１】
【実施例】
以下、本発明を更に具体的に説明するための諸実施例について説明する。
【００４２】
（実施例１）
ここでは、溶媒液にＮ−メチル−２−ピロリドンとジメチル−アセトアミドの二種類の液を用いて、アミン化合物（アミン化合物としては一級アミンであるモノエタノールアミンを用いた）との濃度比率をそれぞれ０〜１００重量％内で液混合を行ない、これらをレジスト剥離液として用いた際のレジスト剥離効果を調べた。
【００４３】
本例では、上述した第１の形成方法によりＴＦＴを作製するに際して、図１（ｅ）の工程を施した後の各基板を、それぞれの濃度比率のレジスト剥離液を備えたレジスト剥離装置に入れ、処理後にパターン検査装置にて測定を行ない、欠陥数に対するレジスト残渣の発生率を求めた。
【００４４】
レジスト剥離装置で処理する条件としては、処理温度 ５０℃、シャワー方式剥離＋空気圧力付加剥離を３分処理後、純水洗浄処理を行った。剥離残渣発生率は、
剥離残渣発生率（％）＝ （剥離残渣数／パターン検査装置欠陥数）×１００
により求めた。
【００４５】
実験結果を図３に示す。ここで本発明者等は、注目すべきことにレジスト残渣発生率において、剥離残渣のピークが２箇所存在することを発見した。
即ち、アミン化合物濃度が２０重量％〜４０重量％の範囲と、溶媒液濃度が１００重量％においてレジスト残渣の発生率が高くなっている。アミン化合物比率が２０重量％から２重量％にかけて急激なレジスト剥離性能の改善がみられ、アミン化合物比率が５重量％から２重量％にかけて、剥離残渣率が０％という優れた剥離効果を示していることが判った。
【００４６】
また、Ｎ−メチル−２−ピロリドンとジメチル−アセトアミドが１００重量％では、剥離残渣率が増加する傾向もあることが判った。
【００４７】
（実施例２）
本例では、従来の剥離液（エタノールアミン２０重量％）と、市販されている高アミン含有の剥離液（アミン化合物６０重量％）と、本発明のレジスト剥離液（エタノールアミン ３重量％、Ｎ−メチル−２−ピロリドン ９７重量％の混合液）にて、図１で作製した薄膜回路素子の基板を用いて、剥離処理温度に対する粘度と剥離残渣率について調査を行った。レジスト剥離装置で処理する条件としては、処理温度 ５０℃、シャワー方式剥離＋エア圧力付加剥離を３分処理後、純水洗浄処理を行なっている。剥離残渣発生率は、
剥離残渣発生率（％）＝（剥離残渣数／パターン検査装置欠陥数）×１００
により求めた。
【００４８】
温度に対する粘度を図４に、剥離残渣発生率状況を図５に示す。
剥離性を上げるには、高アミンのレジスト剥離液も有効ではあるが、本発明剥離液である低粘度のレジスト剥離液においても、高アミンのレジスト剥離液と同等以上の剥離性が得られることが判った。
【００４９】
（実施例３）
レジスト剥離液のアミン化合物比率が高くなると、一般的に言われているアミンの活量により、剥離性能が向上していると推定される。但し、高アミン化合物でのデメリットとして、メタル合金での腐食性が上がるため、防食剤を入れメタル合金へのアタックを防止する必要がある。
【００５０】
本例では、Ａｌ合金膜のＡｌ腐食性について調べた。図６に実験結果を示す。
ガラス基板に純Ａｌをスパッタ形成し、当該基板を規定ごとに切断した。他方、ビーカーに濃度比率を振ったレジスト剥離液をそれぞれ用意した。各レジスト剥離液を５０℃に温調して５分間、各基板をレジスト剥離液に浸漬し、レジスト剥離液へのＡｌ溶質量についてイオンクロマトグラフィーの手法によりＡｌ元素分析を行った。なお、Ａｌの溶質量を多くするために、レジスト剥離液中に防食剤は混入していない。
【００５１】
Ａｌ溶質量からＮ−メチル−２−ピロリドンとジメチル−アセトアミドが９０重量％以上となると、Ａｌ溶質量が検出限界以下＜１ｐｐｍとなることが判った。
【００５２】
なお、レジスト剥離装置が浸漬処理以外での物理的剥離性を高めるシャワーやスプレー等では粘度の影響を受け、十分な物理的剥離性を得ることが難しく、高アミンの活量を得ることが困難である。
【００５３】
また、溶媒液の比率が１００重量％の場合では、２種類の溶媒液で同一な結果が出ていることから、エタノールアミンは数重量％を入れることにより、剥離性能を確保することが可能であり、本発明のレジスト剥離液は低粘度であるがため、レジスト剥離装置の物理的剥離性を高めるシャワー、スプレー等での粘度の影響を受けることもなく、メタル合金、特にＡｌに対する腐食性がない優れたレジスト剥離液を提供できる。
【００５４】
更に、極性の高い溶媒液を使用しているため、沸点、引火点が高いこと、熱的、化学的に安定であるため、取り扱い上の危険性も少ないので工業的使用に好ましい。
【００５５】
（実施例４）
本例では、Ｎ−メチル−２−ピロリドンとモノエタノールアミンにて、本発明レジスト剥離液である組成 Ｎ−メチル−２−ピロリドンが９８重量％、モノエタノールアミンが２重量％の組成液と、溶解性の低い従来レジスト剥離液の２種類のレジスト剥離液を用意した。
【００５６】
ａ）レジスト剥離装置の剥離室１に前記組成の本発明のレジスト剥離液、剥離室２に溶解性が低い従来のレジスト剥離液を入れた場合と、ｂ）剥離室１に溶解性が低い従来のレジスト剥離液、剥離室２に前記組成の本発明のレジスト剥離液を入れた場合における、それぞれのレジスト変質硬化膜に対する剥離性能の効果を調べた。
【００５７】
ここでは、図１で作製した薄膜回路素子の基板を用いて、剥離残渣率について実験した。
レジスト剥離装置で処理する条件としては、処理温度 ５０℃、スプレー方式剥離、処理時間は剥離処理室 １室、２室で各３０秒（剥離室１、２のトータル剥離時間６０秒）、６０秒（トータル剥離時間１２０秒）、１２０秒（トータル剥離時間２４０秒）とし、処理後、純水洗浄処理を行った。剥離残渣発生率は、
剥離残渣発生率（％）＝ （剥離残渣数／パターン検査装置欠陥数）×１００
により求めた。
【００５８】
図７に実験結果を示す。
注目すべきことに、初期のレジスト変質硬化膜と溶解させる剥離液により、レジスト残渣発生数に大きな違いがあることを発見した。
前記組成の本発明レジスト剥離液を剥離室１において最初にレジスト変質硬化膜と溶解反応させた場合は、処理時間に関係なく、残渣が残ることなく剥離がされているが、剥離溶解が低い従来のレジスト剥離液を最初のレジスト変質硬化膜との溶解反応させた場合に、処理時間とともに剥離残渣性が改善してゆく傾向がみられた。
【００５９】
これは、レジスト変質硬化膜の表層の凹凸部に、溶解性が弱いレジスト剥離液が浸透していることにより、剥離室２に本発明のレジスト剥離液組成のものを入れたとしても、凹凸部に浸透しているレジスト剥離液と徐々に置換しながら溶解が進行するためであると予想される。
本発明のレジスト剥離液の溶解性を十分に高めるためには、最初にレジスト変質硬化膜及びレジスト膜との溶解を促進するレジスト剥離装置構成が望ましい。
【００６０】
（実施例５）
本例では、レジスト剥離処理前にエキシマ紫外線（ＵＶ）処理を追加する実験を行った。その結果、以下に示すように、本発明の発明レジスト剥離液を用いた場合と同等の剥離性を示すことが判った。
【００６１】
具体的には、図８に示すように、ガラス基板上にポジ型レジスト膜を塗布した基板にて、エタノールアミンを１８重量％、６重量％、２重量％とし、その他の組成をＮ−メチル−２−ピロリドンとした各レジスト剥離液を用い、常温状態でレジスト塗布基板に当該レジスト剥離液を落とし、接触角測定機にて接触角の測定を行った。
その結果、エタノールアミンが少なくなるほど接触角は低下し、１０度程度となることが判った。
【００６２】
次に、レジスト塗布した基板に対してエキシマＵＶ照射を２０秒間行った後、当該基板に対してエタノールアミン１８重量％のレジスト剥離液を用い、接触角での測定を行ったところ、接触を約２０度低くすることができ、本発明のレジスト剥離液であるエタノールアミンが２重量％でＮ−メチル−２−ピロリドンが９７重量％の混合液と、ほぼ同一の接触角まで下げられた。
【００６３】
次に、従来のレジスト剥離液（エタノールアミン ２０重量％）と、本発明のレジスト剥離液（エタノールアミンが３重量％、Ｎ−メチル−２−ピロリドンが９７重量％の混合液）を用い、エキシマＵＶの照射時間とレジスト残渣発生率のマージンを調べるため、図１で作製した薄膜回路素子の基板を用いて、剥離処理温度に対する粘度と剥離残渣率について実験を行った。
【００６４】
レジスト剥離装置で処理する条件としては、処理温度５０℃、シャワー方式剥離＋エア圧力付加剥離を３分処理後、純水洗浄処理を行った。剥離残渣発生率は、
剥離残渣発生率（％）＝ （剥離残渣数／パターン検査装置欠陥数）×１００により求めた。
【００６５】
図９に示すように、エキシマＵＶ照射時間を３秒以上とすれば、レジスト残渣もなくレジストパターンを除去できることが判った。
また、本発明のレジスト剥離液を用いた剥離工程の前処理として、エキシマＵＶ照射を行うことも好適である。その際、レジスト剥離装置において低温処理または短時間によるレジスト剥離ができるため、更に剥離性マージンを高めることが可能である。
【００６６】
以下、本発明の諸態様を付記としてまとめて記載する。
【００６７】
（付記１）Ｎ−メチル−ピロリドン（Ｎ−メチル−２−ピロリドン）、Ｎ．Ｎ−ジメチル−アセトアミド、ジメチル−ホルムアミド 、及びＮ．Ｎ−メチル−ホルムアミドのうちから選ばれた少なくとも１種を含む高極性溶媒と、
水に対して可溶なアミン化合物と
を含む組成からなることを特徴とするレジスト剥離液。
【００６８】
（付記２）前記高極性溶媒は、２５℃における粘度が２．０ｍＰａ・ｓ以下であることを特徴とする付記１に記載のレジスト剥離液。
【００６９】
（付記３）前記高極性溶媒の濃度が９０重量％〜９９重量％であり、且つ前記アミン化合物の濃度が１０重量％以下であることを特徴とする付記１又は２に記載のレジスト剥離液。
【００７０】
（付記４）前記高極性溶媒の濃度が９０重量％〜９９重量％であり、前記アミン化合物の濃度が１０重量％以下であり、且つ水分が５重量％以下であることを特徴とする付記１又は２に記載のレジスト剥離液。
【００７１】
（付記５）２５℃における粘度が４．０ｍＰａ・ｓ以下であることを特徴とする付記１〜３のいずれか１項に記載のレジスト剥離液。
【００７２】
（付記６）レジスト膜を剥離除去するに際して、
付記１〜５のいずれか１項に記載のレジスト剥離液を用いて、少なくとも前記レジスト膜表層の変質硬化部位を剥離除去する工程を含むことを特徴とするレジスト剥離方法。
【００７３】
（付記７）付記１〜５のいずれか１項に記載のレジスト剥離液を用いて、レジスト膜を剥離除去する工程を含むことを特徴とするレジスト剥離方法。
【００７４】
（付記８）レジスト膜を剥離除去するに際して、
付記１〜５のいずれか１項に記載のレジスト剥離液を用いて、前記レジスト膜の少なくとも最初の溶解反応を惹起させる工程を含むことを特徴とするレジスト剥離方法。
【００７５】
（付記９）レジスト膜に紫外線を照射する工程と、
付記１〜５のいずれか１項に記載のレジスト剥離液を用いて、前記レジスト膜を剥離除去する工程と
を含むことを特徴とするレジスト剥離方法。
【００７６】
（付記１０）前記レジスト剥離液を用い、浸漬処理、スプレー処理、圧力付加処理、空気圧力付加処理、及び超音波処理のうちから選ばれた１種又は複数種を組み合せることを特徴とする付記６〜９のいずれか１項に記載のレジスト剥離方法。
【００７７】
（付記１１）前記レジスト剥離液を用いる際の処理温度を３０℃〜６０℃とすることを特徴とする付記６〜１０のいずれか１項に記載のレジスト剥離方法。
【００７８】
（付記１２）基板上に絶縁膜、導電膜、及び半導体膜から選ばれた１種の薄膜を形成する工程と、
前記薄膜上にレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとして、前記薄膜を加工する工程と、
前記レジストパターンを付記１〜５のいずれか１項に記載のレジスト剥離液を用いて剥離除去する工程と
を含むことを特徴とする薄膜回路素子の形成方法。
【００７９】
（付記１３）前記レジストパターンを剥離除去するに際して、前記レジスト剥離液を用いる前に、前記レジストパターンに紫外線を照射することを特徴とする付記１２に記載の薄膜回路素子の形成方法。
【００８０】
（付記１４）基板若しくは基板上に形成された導電膜又は半導体膜を不純物導入対象物として、当該不純物導入対象物上にレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとして、前記不純物導入対象物に不純物を導入する工程と、
前記レジストパターンを付記１〜５のいずれか１項に記載のレジスト剥離液を用いて剥離除去する工程と
を含むことを特徴とする薄膜回路素子の形成方法。
【００８１】
（付記１５）前記レジストパターンを剥離除去するに際して、前記レジスト剥離液を用いる前に、前記レジストパターンに紫外線を照射することを特徴とする付記１４に記載の薄膜回路素子の形成方法。
【００８２】
【発明の効果】
本発明によれば、レジスト剥離液が低粘性を示す高極性溶剤を主成分とするため、分子量が小さく、不純物注入工程やドライエッチング工程等によって生じたレジスト膜の変質硬化部位に対しても浸透性が高く、高濃度アミン化合物と有する条件と同等以上の剥離効果を得ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の形成方法によるＴＦＴの形成方法の主要工程を順に示す概略断面図である。
【図２】本発明の第２の形成方法によるＭＯＳトランジスタの形成方法の主要工程を順に示す概略断面図である。
【図３】第１の形成方法によりＴＦＴを作製するに際して、使用後のレジストパターンを有する各基板を、それぞれの濃度比率のレジスト剥離液に入れ、欠陥数に対するレジスト残渣の発生率を求めた結果を示す特性図である。
【図４】レジスト剥離液の温度に対する粘度を示す特性図である。
【図５】レジスト剥離液によるレジスト剥離の残渣発生率状況を示す特性図である。
【図６】Ａｌ合金膜のＡｌ腐食性について調べた実験結果を示す特性図である。
【図７】図１で作製した薄膜回路素子の基板を用いて剥離残渣率について調べた実験結果を示す特性図である。
【図８】レジスト剥離処理前にエキシマ紫外線（ＵＶ）処理を追加した実験結果を示す特性図である。
【図９】紫外線処理時間に対する粘度と剥離残渣率について調べた実験実験結果を示す特性図である。
【符号の説明】
１  ガラス基板
２  フォトレジスト膜
３，２６  ゲート電極
４  シリコン窒化膜
５  ａ−Ｓｉ膜
６，２５  レジストパターン
６ａ，２５ａ  変質硬化部位
７  動作半導体膜
１１  Ａｌ膜
１２  Ｔｉ膜
２１  ｐ型シリコン半導体基板
２２  素子分離構造
２３  ゲート絶縁膜
２４  多結晶シリコン膜
２７  ソース／ドレイン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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