(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体ベース基板と、
前記誘電体ベース基板上に超伝導材料で形成された２次元図形型の共振器パターンと、
前記共振器パターンの上方で保持されるデュアルモード発生用導体と、
前記デュアルモード発生用導体の位置を移動させる機構と
を有することを特徴とする超伝導フィルタデバイス。
【請求項２】
前記共振器パターン上に位置する積層誘電体をさらに含み、
前記デュアルモード発生用導体は、前記積層誘電体の上方に、空気層を介して位置することを特徴とする請求項１に記載の超伝導フィルタデバイス。
【請求項３】
誘電体ベース基板と、
前記誘電体ベース基板上に超伝導材料で形成された２次元図形型の共振器パターンと、
前記共振器パターンの上方に保持されるデュアルモード発生用導体と、
前記デュアルモード発生用導体を交換可能に支持する支持棒と
を有することを特徴とする超伝導フィルタデバイス。
【請求項４】
誘電体ベース基板上に超伝導材料で形成された２次元図形型の共振器パターンのフィルタ特性を調整する方法であって、
前記共振器パターンの上方に、デュアルモード発生用導体を移動可能に保持し、
前記共振器パターンに対する前記デュアルモード発生用導体の位置を変えることによって前記共振器パターンのフィルタ特性を調整する
ことを特徴とするフィルタ特性調整方法。
【請求項５】
誘電体ベース基板上に超伝導材料で形成された２次元図形型の共振器パターンのフィルタ特性を調整する方法であって、
異なるサイズの複数のデュアルモード発生用導体を用意し、
前記共振器パターンの上方に、デュアルモード発生用導体を交換可能に保持し、
前記前記デュアルモード発生用導体を異なるサイズのものに交換することによって、前記共振器パターンのフィルタ特性を調整する
ことを特徴とするフィルタ特性調整方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、移動通信基地局の極低温ＲＦフロントエンドの送信系に適用される超伝導送信フィルタデバイスと、フィルタ特性の調整方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話の普及、発展に伴い、高速・大容量の伝送技術が不可欠になってきている。超伝導体は、高周波領域においても、通常の電気的良導体に比べて表面抵抗が非常に小さいので、低損失、高Ｑ値の共振器が期待でき、移動通信の基地局用のフィルタとして有望視されている。
【０００３】
たとえば、図１（ａ）に示すように、アンテナ１５１を介して受信されたＲＦ信号は、受信系フロントエンドを構成する帯域フィルタ（ＢＰＦ）１５２Ｒ、低ノイズアンプ（ＬＮＡ）１５３、ダウンコンバータ（Ｄ／Ｃ）１５４、復調器（ＤＥＭＯＤ）１５５を経て、ベースバンド部１５６でベースバンド処理される。
【０００４】
送信系では、ベースバンド部１５６で処理された信号は、変調器（ＭＯＤ）１５７、アップコンバータ（Ｕ／Ｃ）１５８、ハイパワーアンプ（ＨＰＡ）１５９、帯域フィルタ（ＢＰＦ）１５２Ｔを経て、ＲＦ信号としてアンテナ１５１から放射される。
【０００５】
超伝導フィルタを、受信側の帯域フィルタ１５２Ｒに適用する場合、伝送ロスが少なく、急峻な周波数遮断特性が期待される。一方、送信側の帯域フィルタ１５２Ｔに適用する場合は、ハイパワーアンプ１５９によって発生する歪を取り除く効果が期待できる。
【０００６】
超伝導フィルタとしては、マイクロストリップ型の超伝導パターンが一般的に用いられている。そのような超伝導フィルタの周波数特性を調整する方法として、超伝導のマイクロストリップパターンの上方に仕切り板を配置し、仕切り板の大きさ、位置等を調整することによって、帯域調整する方法が知られている（たとえば特許文献１参照）。
【０００７】
この従来方法では、図１（ｂ）に示すように、誘電体基板１０３の片面全体に超伝導膜１０２が形成され、もう一方の面に、マイクロストリップラインから成る超伝導フィルタパターン１０４ａ〜１０４ｆが形成されている。フィルタパターン１０４ａ〜１０４ｆと対向するケース１０１の内面に、フィルタパターン１０４ａ〜１０４ｆが延びる方向と平行かつ、フィルタパターン１０４ａ〜１０４ｆに対して垂直に、金属の仕切り板１０５ａ〜１０５ｅが固定されている。仕切り板１０５ａ〜１０５ｅは、マイクロストリップ型のパターンとパターンの間で、上方に位置する。固定仕切り板の大きさや位置を異ならせることで、帯域幅を変えることができる。
【０００８】
また、同じくマイクロストリップ型の超伝導フィルタをチューニングするために、各パターンとパターンの間の上方の空間にサファイアロッドトリマを挿入し、トリマのネジを回転することにより、ロッドの上下位置を調整する方法も提案されている（たとえば、非特許文献１参照）。
【０００９】
同様に、ヘアピン型共振器パターンとパターンの間に、上方から垂直に金属や樹脂製のねじを挿入して、信号の結合度を調整する方法も知られている（特許文献２参照）
【特許文献１】特開２００１−１０２８０９号公報
【特許文献２】特開２００２−５７５０６号公報
【非特許文献１】「誘電体ロッドトリミングによる超伝導フィルタの特性改善」、三上宏他、信学技報ＳＣＥ２００３−６、ＭＷ２００３−６（２００３−４）、ｐ２９〜３５
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ところで、超伝導フィルタを送信側に適用する場合は、高周波信号を送信するために大電力を要し、フィルタの小型化と良好な電力特性との両立が、目下の課題とされている。
【００１１】
このような課題を解決するひとつの方法として、本件発明者等は、未公開の先出願である特願２００４−３０３３０１において、円形、楕円形、多角形などの２次元回路型の超伝導共振器パターンの上方に誘電体を介して導体パターンを配置し、所望の帯域幅に対応するカップリングを生じさせる方法を提案している。導体パターンは、好ましくは円形もしくは楕円形である。
【００１２】
図２は、本発明に到る過程で提案されるカップリング用の導体パターン１７を有する超伝導フィルタの構成例である。図２（ａ）は、超伝導フィルタの上面図、図２（ｂ）は、金属パッケージ３０へ収納後の断面図である。
【００１３】
ベースの誘電体基板１１の両面を覆う超伝導膜のうち、一方の膜をグランド層１４として用い、もう一方の膜を加工して、ディスク形状の共振器パターン１２と、その近傍に延びるフィーダライン１３とを含む信号層として用いる。この信号層側の上部に誘電体１６を積層すると、回路の実効誘電率が高くなるため、共振周波数が低くなり小型化に寄与する。さらに、積層誘電体１６の表面に円形の導体パターン１７を形成することで、１つの共振器パターンで２つの共振モード（いわゆる「デュアルモード」）が発生させることができる。共振器パターン１２とデュアルモード発生用の導体パターン１７は、マイクロストリップと異なり、いずれも曲線のみで定義される形状を有する。直線部やコーナー部など、電流の集中を引き起こしやすい構造を排除しているので、小型化に寄与すると同時に、良好な電力特性や周波数特性が得られるという特長を持つ。
【００１４】
しかし、積層誘電体１６の材料特性や実装状態、さらにはデュアルモード発生用導体パターン１７の材料特性や位置によって、設計シミュレーション結果とのずれが発生するおそれがある。デュアルモード発生用の導体パターンが積層誘電体１６上に一体的に形成される場合、ずれを調整しようとすると、同時にいくつかのパラメータが動いてしまうため、特性の改善、調整が容易な構成が望まれる。
【００１５】
そこで、本発明は、ディスク形状等の２次元図形型の共振器パターンを有する超伝導フィルタデバイスにおいて、フィルタの伝送特性の微調整を簡便に行うことのできる構成を提供することを課題とする。
【００１６】
なお、本明細書および特許請求の範囲において「２次元図形形状のパターン」あるいは「２次元図形型のパターン」という場合は、ライン状またはストリップ状（１次元）のパターンとは区別され、円形、楕円形、多角形などの平面図形の形を有する共振器パターンを意味するものとする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
このような新たな課題を解決するために、本発明は、デュアルモード発生用の導体パターンを積層誘電体から分離し、パッケージの外部から、デュアルモード発生用の導体の位置を上下あるいは水平方向に移動調節することのできる構造にする。
【００１８】
また、異なる複数のサイズのデュアルモード発生用の導体パターンを用意しておき、導体パターンの交換が簡便な構成にする。
【００１９】
具体的には、本発明の第１の側面では、超伝導フィルタデバイスは、
（ａ）誘電体ベース基板と、
（ｂ）前記誘電体ベース基板上に超伝導材料で形成された２次元図形型の共振器パターンと、
（ｃ）前記共振器パターンの上方で保持されるデュアルモード発生用導体と、
（ｄ）前記デュアルモード発生用導体の位置を移動させる機構と
を有する。
【００２０】
良好な構成例では、移動機構は、共振器パターンの上方で、デュアルモード発生用導体を上下方向に移動させる。この場合、超伝導フィルタ装置は、パッケージの天板に取り付けられて、デュアルモード発生用導体を上下移動可能に支持するネジ式またはトリマ式の支持棒を有する。
【００２１】
あるいは、移動機構は、共振器パターンの上方で、共振器パターンの半径方向に沿ってデュアルモード発生用導体を水平方向に移動する。この場合、パッケージの天板を、パッケージ本体に対して水平方向にスライド可能に設け、パッケージ天板にデュアルモード発生用導体を支持する支持棒を取り付ける。パッケージ天板と、指示棒とで、移動機構を構成する。
【００２２】
本発明の第２の側面では、超伝導フィルタデバイスは、
（ａ）誘電体ベース基板と、
（ｂ）前記誘電体ベース基板上に超伝導材料で形成された２次元図形型の共振器パターンと、
（ｃ）前記共振器パターンの上方に保持されるデュアルモード発生用導体と、
（ｄ）前記デュアルモード発生用導体を交換可能に支持する支持棒と
を有する。
【発明の効果】
【００２３】
デュアルモード発生用導体と積層誘電体を独立に制御でき、超伝導フィルタデバイスの共振周波数や帯域幅などを、簡単な方法で微調整できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、図面を参照して、本発明の良好な実施形態を説明する。
【００２５】
図３は本発明の一実施形態に係る超伝導フィルタデバイス１０の構成例を示す。図３（ａ）は超伝導フィルタデバイスの水平断面図、図３（ｂ）は垂直断面図である。超伝導デバイス１０は、誘電体ベース基板１１と、誘電体ベース基板１１の表面に超伝導材料で所定の形状に形成された超伝導共振器パターン１２と、超伝導フィルタパターン１２の近傍に延びる信号入出力線（フィーダ）１３と、誘電体ベース基板１１の裏面に形成されたグランド用電極（グランド膜）１４と、超伝導共振器パターン１２の上方に所定の空間を介して位置する導体２７と、この導体２７を上下方向に移動可能に支持する支持棒１８を有する。
【００２６】
図３の例では、超伝導材料としてＹＢＣＯ（Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系）材料を用い、誘電体ベース基板１１として、ＭｇＯ単結晶基板を用いている。誘電体ベース基板１１は、ＭｇＯ単結晶以外に、３〜５ＧＨｚの周波数で８〜１０の誘電率を有する任意の誘電体材料を用いることができる。
【００２７】
超伝導共振器パターン１２は、直線やコーナーを排除したディスク形状の２次元図形型のパターンである。これにより、電流の集中を防止し、電力特性や周波数特性を良好に維持する。信号入出力用の電極１５から超伝導共振器パターン１２へ向かって延びるフィーダ１３の一方は、信号入力として用いられ、他方は、信号出力として用いられる。
【００２８】
誘電体ベース基板１１の上に、ＬａＡｌＯ３などの誘電体基板１６が積層されている。この積層誘電体基板１６は、超伝導共振器パターン１２上での電流の集中を緩和する効果がある。積層方法としては、ＬａＡｌＯ３単結晶基板１６を誘電体ベース基板１１に搭載し、基板の四隅をバネ（不図示）で押さえ金属パッケージ３０に固定する。積層誘電体基板１６はＬａＡｌＯ３単結晶以外に、誘電率が２０を超える任意の基板を用いてよいが、基板の両面ともに平滑で、低温においても、ＭｇＯ誘電体ベース基板１１と熱膨張係数が類似のものが望ましい。
【００２９】
支持棒１８の一方の端部に保持される導体２７は、たとえば円形（ディスク形状）の導体パターンであり、超伝導共振器パターン１２の上方に位置することで、２つの共振モード（デュアルモード）を発生させる（以下、必要に応じて「デュアルモード発生用の導体２７」と称する）。そして、支持棒１８を外部から調節して、デュアルモード発生用の導体２７の上下位置を調整することにより、２つの縮退モード間のカップリング状態を変えることができ、帯域幅などを調整することができる。
【００３０】
支持棒１８の他端側は、金属パッケージ３０の天板３０Ｃを貫通して取り付けられている。支持棒１８は、ネジ方式やトリマ方式で、その上下方向の位置調整が簡便にできる。支持棒１８の材質はアルミナなど、ネジ方式やトリマ方式に適用でき、かつ誘電損失などフィルタ特性に影響を与えない材質を選択するのが望ましい。
【００３１】
デュアルモード発生用の導体２７を超伝導体で構成してもよい。この場合は、図３（ｃ）に示すように、別の誘電体基板２９の一方の面に、ＹＢＣＯ薄膜を形成し、所望のパターンに加工してデュアルモード発生用の超伝導ディスクパターン２７ｓを形成する。超伝導ディスクパターン２７ｓが形成されたパターン面を、共振器パターン１２と対向させ、超伝導ディスクパターン２７ｓが形成されていない面を、接着層２８により支持棒１８に固定する。
【００３２】
ベース基板１１のサイズは、たとえば、２０×２０×０．５ｍｍであり、ベース基板１１上に形成されるＹＢＣＯ共振器パターン１２は、たとえば、直径１２．８ｍｍ、膜厚が０．５μｍである。ベース基板１１上に配置される積層誘電体基板１６のサイズは、例えば１８×１８×０．５ｍｍである。支持棒１８に保持されるデュアルモード発生用の導体２７（または導体パターン２７ｓ）の厚さは、表面抵抗を小さくするために、金属材料を用いる場合は表皮長以上の膜厚、超伝導材料を用いる場合は、磁気侵入長以上の膜厚とする。
【００３３】
以下で、デュアルモード発生用の導体２７の位置調整の度合いについて説明する。
【００３４】
図４は、図３の超伝導フィルタデバイスにおいて、デュアルモード発生用の導体２７の大きさを同一にして、積層誘電体１６との間の距離を変えた時のシミュレーション結果を示す図である。図４（ａ）は、図２に示す未公開先出願の提案方式のように、積層誘電体１６上に導体パターン１７を直接形成したもの、図４（ｂ）は、図３の実施形態のように、積層誘電体１６の上方で、導体２７を上下移動可能に支持した構成である。
【００３５】
図５は、図４（ａ）および図４（ｂ）の構成を用いたときの超伝導フィルタデバイスの伝送特性（Ｓ２１）の変化を示すグラフである。図５の太線Ａは、図４（ａ）のように、積層誘電体１６上に、直径３．８ｍｍの導体パターン１７を直接形成したときの基本特性を示す。その他の曲線Ｂ、Ｃ、Ｄは、直径８ｍｍのデュアルモード発生用の導体２７の上下位置を変化させたときの伝送特性である。一点差線Ｂは、導体２７と積層誘電体１６との間隔（ａｉｒ）を０．０５ｍｍに設定し、実線Ｃは、１．０ｍｍ、点線Ｄは０．１５ｍｍに設定している。
【００３６】
図５から、導体２７と積層誘電体１６との間の距離（Ａｉｒ）を離すにつれて、帯域幅が小さくなっているのがわかる。これは、導体パターン２７を離すにつれ、２つの縮退モード間をカップリングさせる影響力が小さくなることを意味する。
【００３７】
これを利用すると、積層誘電体１６の材料特性や実装状態のばらつき、デュアルモード発生用導体２７材料特性のばらつきにより、所望の伝送特性からずれた場合でも、導体２７の上下位置を外部から調整することによって、共振周波数や帯域幅を微調整することができる。
【００３８】
図６は、本発明の実施形態に係る超伝導フィルタデバイスにおいて、デュアルモード発生用の導体ディスクパターン２７と積層誘電体１６との距離を０．１ｍｍと固定し、所望のフィルタ特性を得るために必要な導体２７のサイズ調節のためのシミュレーション結果を示す図である。
【００３９】
図６（ａ）は、図２に示す未公開先出願の提案方式のように、積層誘電体１６上に、直径３．８ｍｍの導体パターン１７を直接形成したもの、図６（ｂ）は、図３の実施形態のように、積層誘電体１６の上方で異なるサイズの導体２７を支持する構成である。
【００４０】
図７は、図６（ａ）および図６（ｂ）の構成を用いたときの超伝導フィルタデバイスの伝送特性（Ｓ２１）の変化を示すグラフである。図７の太線Ａは、図６（ａ）の場合の基本特性を示す。その他の曲線Ｂ、Ｃ、Ｄは、積層誘電体１６の上方０．１ｍｍの位置で、デュアルモード発生用の導体２７のサイズを変化させたときの伝送特性である。一点差線Ｂは、導体パターン２７の直径を７．０ｍｍに設定し、実線Ｃは、８．０ｍｍ、点線Ｄは９．０ｍｍに設定している。
【００４１】
積層誘電体１６とデュアルモード発生用の導体２７との間の距離を一定にしたときは、導体２７のサイズが小さくなると、２つの縮退モード間をカップリングさせる影響力が小さくなる。これを利用すると、支持棒１８の先に付ける導体２７を交換するだけで、共振周波数や帯域幅を微調整することができる。
【００４２】
導体２７の交換を容易にする構成としては、支持棒１８がフィットする径の穴を、導体２７にあらかじめ設けておく。導体２７を超伝導材料で構成する場合は、接着層２８に代えて、誘電体基板２７に受け穴を形成しておく。
【００４３】
図８〜図１０、本発明の実施形態に係る超伝導フィルタデバイスにおいて、デュアルモード発生用の導体２７の水平方向の位置を変えたときの伝送特性のシミュレーションを説明するための図である。）
図８に示すように、直径１２．８ｍｍの超伝導共振器ディスクパターン１２を覆う積層誘電体１６上で、直径３．８ｍｍ導体２７を水平移動させる。ｘ軸から４５度の位置、すなわち、共振器パターン１２の中心を原点として、２本のフィーダ１３の原点に対する対称位置の中間点を、オリジナル位置とする。
【００４４】
図９は、導体２７をオリジナル位置から水平に、Δｘ＝−０．１ｍｍ、Δｙ＝０．１ｍｍ移動、およびΔｘ＝０．１ｍｍ、Δｙ＝−０．１ｍｍ移動（以上、接線方向への移動）し、また、導体２７の水平位置を、Δｘ＝０．１ｍｍ、Δｙ＝０．１ｍｍ移動、およびΔｘ＝−０．１ｍｍ、Δｙ＝−０．１ｍｍ移動（以上、半径方向への移動）したときの超伝導フィルタデバイスの伝送特性、図１０は、導体２７をオリジナル位置から、ΔｘとΔｙ方向に±０．５ｍｍ動かしたときの伝送特性のシミュレーション結果である。
【００４５】
図９（ｂ）および図９（ｄ）に示すように、導体２７を共振器パターン１２の接線方向、すなわちΔｘ＝−０．１ｍｍ、Δｙ＝０．１ｍｍ、およびΔｘ＝０．１ｍｍ、Δｙ＝−０．１ｍｍ移動しても、オリジナル位置での入力反射特性（Ｓ１１）と、伝送特性（Ｓ２１）にほとんど変化はない。同様に、図１０（ｂ）および図１０（ｄ）に示すように、接線方向に±０．５ｍｍずれた場合であっても、曲線Ｂ、Ｄで示すように、伝送特性（Ｓ２１）はほとんど同じである。
【００４６】
一方、図９（ａ）、図１０（ａ）に示すように、導体２７を共振器パターン１２の半径に沿って外側にずらした場合、帯域幅とリップルが大きくなり、低周波数側にずれる。つまり、結合係数が大きくなる効果がある。
【００４７】
逆に、図９（ｃ）、図１０（ｃ）に示すように、導体２７を共振器パターン１２の半径に沿って内側にずらした場合、帯域幅とリップルが小さくなり、高周波数側にずれる。
【００４８】
このことから、デュアルモード発生用導体２７の材料特性のばらつき、積層誘電体１６の材料特性や実装状態のばらつきにより、超伝導フィルタデバイスの特性がずれた場合でも、導体２７の水平位置を、共振器パターン１２の半径方向に沿って変化させることによって、所望の特性に制御できることがわかる。
【００４９】
導体２７の水平位置を簡便に変える構成としては、支持棒１８を有する金属パッケージ３０の天板３０Ｃを、共振器パターン１２の半径方向に移動可能に構成する。たとえば、筐体を構成する金属パッケージ本体の上面の対角に溝を設け、天板３０Ｃの対応する対角にエッジ状の突起を形成して、天板３０Ｃを溝内でスライドさせる構成とすることができる。
【００５０】
以上述べたように、デュアルモード発生用の導体２７を、積層誘電体１６と独立した構成とできるので、共振器パターン１２に対する導体２７の位置関係を容易に制御することができる。
【００５１】
この結果、超伝導フィルタデバイスのフィルタ特性の調整を、外部から容易に行うことができる。
【００５２】
なお、実施形態では超伝導材料としてＹＢＣＯ薄膜を用いたが、任意の酸化物超伝導材料を用いることができる。たとえば、ＲＢＣＯ（Ｒ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ）系薄膜、すなわち、Ｒ元素としてＹ（イットリウム）に代えて、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈｏを用いた超伝導材料を用いてもよい。また、ＢＳＣＣＯ（Ｂｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ）系、ＰＢＳＣＣＯ（Ｐｂ−Ｂｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ）系、ＣＢＣＣＯ（Ｃｕ−Ｂａp−Ｃａq−Ｃｕr−Ｏx、1.5<ｐ<2.5、2.5<ｑ<3.5、3.5<ｒ<4.5）を超伝導材料に用いてもよい。
【００５３】
最後に、以上の説明に関して、以下の付記を開示する。
（付記１）  誘電体ベース基板と、
前記誘電体ベース基板上に超伝導材料で形成された２次元図形型の共振器パターンと、
前記共振器パターンの上方で保持されるデュアルモード発生用導体と、
前記デュアルモード発生用導体の位置を移動させる機構と
を有することを特徴とする超伝導フィルタデバイス。
（付記２）  前記移動機構は、前記共振器パターンの上方で、前記導体を上下方向に移動させることを特徴とする付記１に記載の超伝導フィルタデバイス。
（付記３）  前記移動機構は、前記共振器パターンの上方で、前記導体を水平方向に移動させることを特徴とする付記１に記載の超伝導フィルタデバイス。
（付記４）  前記共振器パターン上に位置する積層誘電体をさらに含み、前記デュアルモード発生用導体は、前記積層誘電体の上方に、空気層を介して位置することを特徴とする付記１に記載の超伝導フィルタデバイス。
（付記５）  前記共振器パターンが形成された誘電体ベース基板およびデュアルモード発生用導体を収容するパッケージをさらに有し、
前記移動機構は、前記パッケージの天板に取り付けられて、前記デュアルモード発生用導体をパッケージ内で支持するネジ式またはトリマ式の支持棒である
ことを特徴とする付記２に記載の超伝導フィルタデバイス。
（付記６）  前記共振器パターンが形成された誘電体ベース基板およびデュアルモード発生用導体を収容するパッケージをさらに有し、
当該パッケージは、パッケージ本体に対して水平方向にスライド可能に設けられるパッケージ天板を含み、
前記移動機構は、前記スライド可能なパッケージ天板と、当該パッケージ天板に取り付けられて前記デュアルモード発生用導体をパッケージ内で支持する支持棒とで構成されることを特徴とする付記３に記載の超伝導フィルタデバイス。
（付記７）  前記デュアルモード発生用導体は金属であり、表皮長以上の膜厚を有することを特徴とする付記１に記載の超伝導フィルタデバイス。
（付記８）  前記デュアルモード発生用導体は超伝導体であり、磁気侵入長以上の膜厚を有することを特徴とする付記１に記載の超伝導フィルタデバイス。
（付記９）  誘電体ベース基板と、
前記誘電体ベース基板上に超伝導材料で形成された２次元図形型の共振器パターンと、
前記共振器パターンの上方に保持されるデュアルモード発生用導体と、
前記デュアルモード発生用導体を交換可能に支持する支持棒と
を有することを特徴とする超伝導フィルタデバイス。
（付記１０）  誘電体ベース基板上に超伝導材料で形成された２次元図形型の共振器パターンのフィルタ特性を調整する方法であって、
前記共振器パターンの上方に、デュアルモード発生用導体を移動可能に保持し、
前記共振器パターンに対する前記デュアルモード発生用導体の位置を変えることによって前記共振器パターンのフィルタ特性を調整する
ことを特徴とするフィルタ特性調整方法。
（付記１１）  前記共振器パターンに対するデュアルモード発生用導体の上下位置を変えることによって、前記共振器パターンのフィルタ特性を調整する
ことを特徴とする付記１０に記載のフィルタ特性調整方法。
（付記１２）  前記共振器パターンに対するデュアルモード発生用導体の水平位置を、前記共振器パターンの半径方向に沿って変えることにより、前記共振器パターンのフィルタ特性を調整する
ことを特徴とする付記１０に記載のフィルタ特性調整方法。
（付記１３）  誘電体ベース基板上に超伝導材料で形成された２次元図形型の共振器パターンのフィルタ特性を調整する方法であって、
異なるサイズの複数のデュアルモード発生用導体を用意し、
前記共振器パターンの上方に、デュアルモード発生用導体を交換可能に保持し、
前記前記デュアルモード発生用導体を異なるサイズのものに交換することによって、前記共振器パターンのフィルタ特性を調整する
ことを特徴とするフィルタ特性調整方法。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】図１（ａ）は、移動通信基地局の一般的なＲＦフロントエンド図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）の基地局等で用いられる従来の超伝導フィルタの調整方法を示す概略図である。
【図２】本発明の超伝導フィルタデバイスに到る過程の構成例を示す図である。
【図３】本発明の実施形態に係る超伝導フィルタデバイスの構成例を示す図である。
【図４】デュアルモード発生用導体の上下方向の位置を変えたときのフィルタ特性の変化測定の説明図である。
【図５】デュアルモード発生用導体の上下方向の位置を変えたときのフィルタ特性の変化を示すグラフである。
【図６】デュアルモード発生用導体のサイズを変えたときのフィルタ特性の変化測定の説明図である。
【図７】デュアルモード発生用導体のサイズを変えたときのフィルタ特性の変化を示すグラフである。
【図８】デュアルモード発生用導体の水平方向の位置依存性を説明するための図である。
【図９】デュアルモード発生用導体の水平方向の位置をΔｘ、Δｙ方向に±０．１ｍｍずらしたときのフィルタ特性の変化を示すシミュレーション結果の図である。
【図１０】デュアルモード発生用導体の水平方向の位置をΔｘ、Δｙ方向に±０．５ｍｍずらしたときのフィルタ特性の変化を示すシミュレーション結果の図である。
【符号の説明】
【００５５】
１０  超伝導フィルタデバイス
１１  誘電体ベース基板
１２  超伝導共振器パターン
１３  フィーダ（信号入出力線）
１４  グランド膜
１６  積層誘電体
１８  支持棒
２７、２７ｓ  デュアルモード発生用導体
３０  金属パッケージ
３０Ｃ  金属パッケージ天板
【図１】
0004454589.tif 000002
【図２】
0004454589.tif 000003
【図３】
0004454589.tif 000004
【図４】
0004454589.tif 000005
【図５】
0004454589.tif 000006
【図６】
0004454589.tif 000007
【図７】
0004454589.tif 000008
【図８】
0004454589.tif 000009
【図９】
0004454589.tif 000010
【図１０】
0004454589.tif 000011