(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウエハ面内のペレットにマーキングする半導体選別装置であって、電気特性検査によって選別された特定の不良項目を有する第１の不良ペレットの周辺に位置するペレットを、前記第１の不良ペレットの不良項目情報に基づいて、前記電気特性検査による測定結果が良品であってもデータファイル上では第２の不良ペレットと見なすように自動的に変換して、その結果をマーキング用データとする手段を備えることを特徴とする半導体選別装置。
【請求項２】
前記第１の不良ペレットの周辺に位置するペレットを、前記第１の不良ペレットの不良項目情報に基づいて、前記電気特性検査による測定結果が良品であってもデータファイル上では前記第２の不良ペレットと見なすように変換する領域の大きさは、ペレット単位で可変であることを特徴とする請求項１記載の半導体選別装置。
【請求項３】
前記第２の不良ペレットとされたペレットに不良マーキングすることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体選別装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はウエハプローバ、特に、潜在的な不良を事前に把握し選別する技術に関し、例えば、半導体装置の製造工程において、ウエハにおけるペレット群についての良品、不良品を選別するのに利用して有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置の製造工程において、ウエハにおけるペレット群についての良品、不良品を選別検査する半導体選別装置として、ウエハプローバ、プローブ針のペレットに対するプロービング、ペレットに作り込まれた集積回路とテスタとのテスト交信、テスト結果である良品、不良品のウエハ１枚当たりの総数の計算並びにその印刷、およびプローブ中に不良品が連続して発生した場合の検査の中断並びにその警報を自動的に実施するように構成され、又テスト結果である良品、不良品のマーカーによるマーキングを実施するものがある。
【０００３】
なお、ウエハプローバを述べてある例としては、株式会社工業調査会発行「電子材料別冊1984年版 超ＬＳＩ製造・試験装置ガイドブック」昭和58年11月15日発行  P195〜P198、がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
このような半導体選別装置においては、ウェハ面内で不良品が継続的に頻発した場合や、局所的な不良分布が発生した場合に、不良品の周辺ペレットに潜在的な不良を内在していたり、あるいは選別規格ギリギリであって選別結果が良品とされる可能性があるという問題点があった。
【０００５】
本発明の目的は、潜在的な不良（選別規格ギリギリであって後に不良となるペレットを含む）を選別することができる半導体選別装置を提供すること目的とする。
【０００６】
【課題を解決する為の手段】
上述した課題を解決し、目的を達成するため、ウエハ内のペレットの位置座標データと前記位置座標データに対応する前記ペレットの選別結果データから、第１の選別結果のペレットと前記第１の選別結果のペレットの周辺部の第２の選別結果のペレットにマーキングする。
【０００７】
これによれば、第１の選別結果のペレットと前記第１の選別結果のペレットの周辺部の第２の選別結果のペレットにマーキングすることにより、潜在的な不良である第２の選別結果のペレットにマーキングすることができる。
【０００８】
また、ウエハ内のペレットの位置座標データと前記位置座標データに対応する前記ペレットの選別結果データから、第１の選別結果のペレットが島状に存在する該ペレットと、第１の選別結果のペレットが島状に存在する該ペレットに隣接する第２の選別結果のペレットにマーキングする。
【０００９】
これによれば、第１の選別結果のペレットが島状に存在する該ペレットに隣接する第２の選別結果のペレットにマーキングすることにより、潜在的な不良である第２の選別結果のペレットにマーキングすることができる。
【００１０】
また、ウエハ内のペレットの位置座標データと前記位置座標データに対応する前記ペレットの選別結果データから、第１の選別結果のペレットと前記第１の選別結果のペレットに囲まれた第２の選別結果のペレットにマーキングする。
【００１１】
これによれば第１の選別結果のペレットと前記第１の選別結果のペレットに囲まれた第２の選別結果のペレットにマーキングすることにより、潜在的な第１の選別結果のペレットにマーキングすることができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下に添付図面を参照して、この発明にかかる半導体選別装置の好適な実施の形態を詳細に説明する。
【００１３】
【実施例】
本発明は半導体素子の電気的特性検査時にウェハー面内の各ペレットの情報としてペレットの座標情報と良品または不良品の情報を例えばフロッピーディスク、あるいはネットワークを通じて他のコンピュータのハードディスクといった補助記憶装置に格納しておき、更に１枚のウェハーの測定終了時、あるいはロットの測定終了時にマーキングを実施する。
【００１４】
図４においてプローバ装置のステージ部７にウエハ６をセットし、接触子４、５を備えたプローブカードを用いて、ウエハ６内の各ペレットを、ＩＣ検査装置２で選別検査を行い、各ペレットに対応する座標と選別検査結果を取得したデータファイル９を作り、そのデータを一定の規則に従い不良ペレット周辺が不良になるように座標変換したファイルを作成し、このデータから、ステージ部１５、Ｘ−Ｙ座標制御部１６とマーク部１３を備えたマーキング装置１２でウエハ１４上の不良周辺ペレットに、一定の規則に基づきマークを打つように構成されている。そして、ステージ部７にウエハ６をのせ、接続されたＩＣ検査装置２でペレットを順番に測定し、ウエハペレット座標（Ｘ，Ｙ）に対応した測定結果を取得したデータを作成する。
【００１５】
図１は、本発明の実施の形態にかかる半導体選別装置によるウエハマップを示す図である。例として、ウエハ上の座標（Ｂ、ｅ）のペレット２０なら測定結果Ｐ、座標（Ｃ、ｃ）のペレット２１なら測定結果Ｐ、座標（Ｃ、ｄ）のペレット２２なら測定結果２、のようにデータを測定順に取得し、図３のような内容のデータファイル９を作成する。
【００１６】
データファイル９はペレットのＸ，Ｙ座標に対し、良品、不良等の選別結果の種類が記述されている。次に、不良ペレットの周辺のペレットを不良とする方法について説明する。ウエハの電気特性試験で特定の不良項目が発生した時、座標（Ｄ、ｊ）の不良ペレット２３に着目し、不良項目のペレットの周辺座標＋１のペレット（図１の２４）又は、不良ペレットの周辺座標＋２のペレット（図１の２５）が不良になるようにデータファイル９の座標データを変換する。この変換を、特定の不良項目ペレット全てに対して自動的に座標変換するプログラムを使いマーキング用データを作成する。不良座標に対しプラス幾つ不良にするかは、不良分布の程度によって変更できるようにしておく。
【００１７】
また、図２に示すように、このデータファイルをマーキング装置１２でマーキングを行なうことで連続不良ペレット周辺をマーキングしたペレット２６のように不良分布２７がどのような形でも、均一に不良周辺をマークする事ができる。
【００１８】
【発明の効果】
本発明は、ウエハ電気特性試験後、ウエハ面内で不良分布が発生した時に特定の測定不良項目の不良周辺ペレットの良品に対し、ウエハ上で不良マーク付けることにより、パッケージ実装後の不良率の低減を可能にするものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態にかかる半導体選別装置によるウエハマップの図である。
【図２】本発明の実施の形態にかかる半導体選別装置による不良ペレット周辺に不良マークをしたウエハマップの図である。
【図３】本発明の実施の形態にかかる半導体選別装置によるマーキングデータのデータ構造を示した表である。
【図４】本発明の実施の形態にかかる半導体選別装置の第１の概略図である。
【図５】本発明の実施の形態にかかる半導体選別装置の第２の概略図である。
【図６】従来の半導体選別装置の概略図である。
【符号の説明】
１、２８    プローバ装置
２、２９    ＩＣ検査装置
３、３０    プローブカード
４、５、３１、３２    接触子
６、１４、３３    ウエハ
７、１５、３５    ステージ部
８    ＸーＹ座標制御部
９、１７    データファイル
10、１８    Ｘ−Ｙ座標データ
11    測定結果データ
12    マーキング装置
13    マーキング部
16    Ｘ−Ｙ座標制御部、
19    ペレットの測定結果データ
20    測定結果Ｐである（Ｂ、ｅ）座標の良品ペレット
21    測定結果Ｐである（Ｃ、ｃ）座標の良品ペレット
22    測定結果２である（Ｃ、ｄ）座標の不良品ペレット
23    （Ｄ、ｊ）座標の不良ペレット
24    不良ペレット周辺（＋１）の座標を不良にしたペレット
25    不良ペレット周辺（＋２）の座標を不良にしたペレット
26    連続不良ペレット周辺をマーキングしたペレット
27    不良ペレットの連続不良が発生した分布
34    インクマーク部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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