(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
リソグラフィ装置であって、
放射ビームのビーム経路内で、前記放射ビームの断面にパターンを付与してパターニングされた放射ビームを形成することが可能な第１の物品、または前記パターニングされた放射ビームのビーム経路内に配置される第２の物品を支持するように構成された物品支持体を含み、前記物品支持体が、
使用時に、前記第１の物品または前記第２の物品がその上に配設される複数の支持用突出部であって、前記複数の支持用突出部が、前記第１の物品または前記第２の物品を支持する平面を提供するための支持域を画定するように構成され、それにより前記第１の物品または前記第２の物品に熱負荷がかかると、前記支持域が前記第１の物品または前記第２の物品の少なくとも一部の膨張または収縮を可能にして前記第１の物品または前記第２の物品内での機械的応力の蓄積をそれぞれ低減させると共に、前記第１の物品または前記第２の物品の、前記物品支持体への実質的な固定を保つ複数の支持用突出部と、
一定期間にわたって前記支持域の前記平面内における前記第１の物品または前記第２の物品の或る方向への位置ずれを求めるように構成された位置センサと、
第２の物品のターゲット部分上にパターニングされた放射ビームを投影するように構成された投影システムとを含み、
前記第１の物品または前記第２の物品が使用時に配設される平面において第１の自由度を有し、弾性を持つように構成された前記支持用突出部のうち１つまたは複数を前記支持域が含み、前記１つまたは複数の支持用突出部が、前記位置ずれが延びる第１の方向に相当する方向に前記第１の自由度が延びるように方向が決められて、前記第１の物品または前記第２の物品の、前記第１の方向への膨張または収縮を可能にし、
前記１つまたは複数の支持用突出部が、第２の自由度を有し、
前記１つまたは複数の支持用突出部が、前記支持用突出部を前記第１の方向に回転させる第１の支点と、前記支持用突出部を前記第２の方向に回転させる第２の支点とを含み、
前記第１の支点および前記第２の支点のそれぞれが、前記支持用突出部の対向側面上において、前記第１の自由度および前記第２の自由度をそれぞれ与えるために前記第１の方向および前記第２の方向に形成された凹部を含む、リソグラフィ装置。
【請求項２】
リソグラフィ装置であって、
放射ビームのビーム経路内で、前記放射ビームの断面にパターンを付与してパターニングされた放射ビームを形成することが可能な第１の物品、または前記パターニングされた放射ビームのビーム経路内に配置される第２の物品を支持するように構成された物品支持体を含み、前記物品支持体が、
使用時に、前記第１の物品または前記第２の物品がその上に配設される複数の支持用突出部であって、前記複数の支持用突出部が、前記第１の物品または前記第２の物品を支持する平面を提供するための支持域を画定するように構成され、それにより前記第１の物品または前記第２の物品に熱負荷がかかると、前記支持域が前記第１の物品または前記第２の物品の少なくとも一部の膨張または収縮を可能にして前記第１の物品または前記第２の物品内での機械的応力の蓄積をそれぞれ低減させると共に、前記第１の物品または前記第２の物品の、前記物品支持体への実質的な固定を保つ複数の支持用突出部と、
一定期間にわたって前記支持域の前記平面内における前記第１の物品または前記第２の物品の或る方向への位置ずれを求めるように構成された位置センサと、
第２の物品のターゲット部分上にパターニングされた放射ビームを投影するように構成された投影システムとを含み、
前記位置センサが、前記１つまたは複数の支持用突出部の変位を求めることによって、フィールド内パラメータのずれを求めるように構成される、リソグラフィ装置。
【請求項３】
前記１つまたは複数の支持用突出部が、前記変位を求めるように構成された歪みゲージを備える、請求項２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項４】
前記１つまたは複数の支持用突出部のそれぞれが、前記第１の方向に垂直な平面内に延びる第１の対向面および第２の対向面を含み、前記第１の対向面および前記第２の対向面上に第１の歪みゲージおよび第２の歪みゲージがそれぞれ配設され、それにより前記第１の歪みゲージおよび前記第２の歪みゲージがそれぞれ配設された前記第１の対向面および前記第２の対向面の圧縮および／または拡張によって、前記支持用突出部の前記変位が求められる、請求項２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項５】
前記第１の歪みゲージおよび前記第２の歪みゲージが、ホイートストンブリッジ構成内に配置される、請求項４に記載のリソグラフィ装置。
【請求項６】
前記１つまたは複数の支持用突出部が、前記変位を求めるように構成されたキャパシティブプレートを備える、請求項２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項７】
前記１つまたは複数の支持用突出部が、前記第１の方向に垂直な平面内に延びる第１の対向面および第２の対向面を含み、前記第１の対向面および前記第２の対向面上に第１のキャパシティブプレートおよび第２のキャパシティブプレートがそれぞれ配設され、それにより前記１つまたは複数の支持用突出部の変位を、前記第１のキャパシティブプレートおよび前記第２のキャパシティブプレート間でそれぞれ測定された静電容量によって求める、請求項６に記載のリソグラフィ装置。
【請求項８】
前記第１のキャパシティブプレートおよび前記第２のキャパシティブプレートが、ホイートストンブリッジ構成内に配置される、請求項７に記載のリソグラフィ装置。
【請求項９】
リソグラフィ装置であって、
放射ビームのビーム経路内で、前記放射ビームの断面にパターンを付与してパターニングされた放射ビームを形成することが可能な第１の物品、または前記パターニングされた放射ビームのビーム経路内に配置される第２の物品を支持するように構成された物品支持体を含み、前記物品支持体が、
使用時に、前記第１の物品または前記第２の物品がその上に配設される複数の支持用突出部であって、前記複数の支持用突出部が、前記第１の物品または前記第２の物品を支持する平面を提供するための支持域を画定するように構成され、それにより前記第１の物品または前記第２の物品に熱負荷がかかると、前記支持域が前記第１の物品または前記第２の物品の少なくとも一部の膨張または収縮を可能にして前記第１の物品または前記第２の物品内での機械的応力の蓄積をそれぞれ低減させると共に、前記第１の物品または前記第２の物品の、前記物品支持体への実質的な固定を保つ複数の支持用突出部と、
一定期間にわたって前記支持域の前記平面内における前記第１の物品または前記第２の物品の或る方向への位置ずれを求めるように構成された位置センサと、
第２の物品のターゲット部分上にパターニングされた放射ビームを投影するように構成された投影システムとを含み、
前記１つまたは複数の支持用突出部が、低周波数に対し弾性的であるが前記物品支持体の高周波動作に対して、前記１つまたは複数の支持用突出部を減衰するように構成されたダンパを含む、リソグラフィ装置。
【請求項１０】
前記第１の物品または前記第２の物品が、前記第１の物品または前記第２の物品と前記物品支持体との間の摩擦力により前記物品支持体への固定が保たれる、請求項９に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１１】
パターニングデバイスから基板上にパターンを転送するように構成されるリソグラフィ投影装置であって、前記リソグラフィ投影装置が、前記基板を支持するように構成された物品支持体を含み、前記物品支持体が、使用時に前記基板をその上に配設する複数の支持用突出部を含み、前記複数の支持用突出部が、前記基板を支持する平面を提供するための支持域を画定するように構成され、それにより基板に熱負荷がかかると、前記支持域が前記基板の少なくとも一部の膨張または収縮を可能にして機械的応力の蓄積を低減させると共に、前記基板の前記物品支持体への実質的な固定を保ち、前記物品支持体が、一定期間にわたって前記支持域における前記基板の或る方向への位置ずれを求めるように構成された位置センサをさらに含む、リソグラフィ投影装置。
【請求項１２】
物品を支持するように構成され、使用時に前記物品をその上に配設する複数の支持用突出部を含む物品支持体を含む装置であって、前記複数の支持用突出部が、前記物品を支持する平面を提供するための支持域を画定するように構成され、それにより前記物品に熱負荷がかかると、前記支持域が前記物品の少なくとも一部の膨張または収縮を可能にして機械的応力の蓄積を低減させると共に、前記物品の前記物品支持体への実質的な固定を保ち、前記物品支持体が、一定期間にわたる前記物品の位置ずれを求めるように構成された位置センサをさらに含む装置。
【請求項１３】
デバイス製造方法であって、
基板上にパターニングされた放射ビームを投影する段階と、
前記パターニングされたビームのビーム経路内に配置される前記基板を支持するように構成された物品支持体上で前記基板を弾性的に支持する段階であって、前記物品支持体が、使用時に前記基板をその上に配設する複数の弾性を有する支持用突出部を含み、それにより前記基板に熱負荷がかかると、前記複数の弾性を有する支持用突出部が、前記基板の少なくとも一部の膨張または収縮を可能にして前記基板における機械的応力の蓄積を低減させる段階と、
位置センサを使用して、一定期間にわたる前記基板の膨張、収縮、ドリフトまたはそれらのあらゆる組合せから生ずる前記基板の位置ずれを求める段階と、
前記位置ずれを測定するために、前記位置センサを、前記弾性を有する支持用突出部の１つまたは複数に組み込む段階とを含む、デバイス製造方法。
【請求項１４】
前記パターニングされた放射ビームが前記基板上に投影される直前に、露光されようとする領域近辺において前記位置センサを読み取る段階を含む、請求項１３に記載のデバイス製造方法。
【請求項１５】
前記基板が測定されるプロセスの間と、前記パターニングされた放射ビームが前記基板上に投影される直前とに得られる読取りの差を求める段階を含む、請求項１４に記載のデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はリソグラフィおよびデバイスを製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
リソグラフィ装置は、基板、通常は基板のターゲット部分に所望のパターンを施す機械である。例えば、リソグラフィ装置は、集積回路（ＩＣ）の製造に使用することができる。この場合、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層に形成されるべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、１つまたは複数のダイの一部を含む）上に転送することができる。一般に、パターンの転送は、基板上に設けられた放射感知物質（レジスト）の層上に結像することによって行われる。一般に、１つの基板は、次々とパターニングされる隣接したターゲット部分からなるネットワークを含む。周知のリソグラフィ装置は、１回の動作でパターン全体を各ターゲット部分上に露光させることによってそのターゲット部分を照射する、いわゆるステッパと、所与の方向（「スキャン」方向）の放射ビームを介してパターンをスキャンすることによって各ターゲット部分を照射すると共に、これと同期して、この方向と平行または逆平行に基板をスキャンする、いわゆるスキャナとを含む。パターンを基板上にインプリントすることによって、パターンをパターニングデバイスから基板へ転送することも可能である。
【０００３】
従来のリソグラフィ装置では、基板やレチクルなどの物品は、締付力によって物品支持体上に締め付けられる。物品支持体は、物品の支持域を画定する複数の支持用突出部を含むことができる。一般に、支持域は平坦な、例えばＸ−Ｙ平面である。このような支持用突出部を、技術分野では「こぶ(burls)」と呼ぶことがある。従来の支持用突出部は、支持平面内の物品の変形を低減または防止するように設計されている。従来このような設計は、支持域の平面内での（ＸＹ）移動に対し、各支持用突出部の上部をできるだけ強く作ることによって得られている。従来の支持用突出部はさらに、（ＸＹ）支持平面の範囲外、つまりＺ方向における物品の変形を低減または防止するために設計されている。従来このような設計は、支持用突出部をＺ軸に沿って下向きの力に対しできるだけ強く作ることによって得られている。物品支持体に物品を締め付けるには、真空方式を適用して支持用突出部の上部上への物品の固定を保つことができる。熱負荷の場合、特に支持域の平面を画定する（ＸＹ）方向での支持用突出部の剛性が十分でないことがある。その結果、支持域の平面において物品の相当な（ＸＹ）変形が生じる場合がある。物品が基板の場合、このためにオーバーレイの問題が生ずることがあり、副作用として（ＸＹ）支持平面の範囲外の変形も生ずることがあり、これが基板の場合は集束の問題につながることがある。具体的には、物品が基板の場合、先に概略を述べた１つまたは複数の問題において、照明が誘引となり基板が加熱される場合がある。特に、高照射量のリソグラフィ装置においては、露光プロセスの結果、基板が大量のエネルギーを吸収することがある。残念ながら、支持用突出部の熱抵抗は通常かなり高いため、基板によって吸収された熱は、下部の基板テーブル（物品支持体）へ十分に速く流れない。その結果、基板がさらに局部的に加熱され、そのため基板テーブルと比べて膨張することがある。基板テーブルの従来の支持用突出部は、（ＸＹ）支持平面における基板のあらゆる変形を低減または防止しようとするが、支持用突出部（および基板テーブル自体）が限られた剛性しか持ち合わせないため、基板はそれでもなお相当に変形することがある。例えば、約１５０ｎｍのオーバーレイの影響がある場合がある。基板テーブルが、うまくはいかなくても（ＸＹ）支持平面における変形を低減または防止しようとすることによって、基板が（ＸＹ）支持平面の範囲外、つまりＺ方向において変形し、その結果として集束の問題も起こり得るという副作用がある。液浸リソグラフィにおいても、冷却によって生じる基板収縮の結果、同様の問題が起こり得る。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
例えば、補償されるべきリソグラフィプロセスの間にわたり、具体的にはリソグラフィプロセスの、物品に熱負荷のかかる場面の間にわたり、物品支持体によって支持される物品が被るあらゆる変形を可能とする物品支持体が提供されることが有利であろう。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一態様によれば、リソグラフィ装置であって、
【０００６】
放射ビームのビーム経路内で、放射ビームの断面にパターンを付与してパターニングされた放射ビームを形成することが可能な第１の物品、またはパターニングされた放射ビームのビーム経路内に配置される第２の物品を支持するように構成された物品支持体を含み、物品支持体が、
【０００７】
使用時に、第１の物品または第２の物品がその上に配設される複数の支持用突出部であって、複数の支持用突出部が、第１の物品または第２の物品を支持する平面を提供するための支持域を画定するように構成され、それにより第１の物品または第２の物品に熱負荷がかかると、支持域が第１の物品または第２の物品の少なくとも一部の膨張または収縮を可能にして第１の物品または第２の物品内での機械的応力の蓄積をそれぞれ低減させると共に、第１の物品または第２の物品の、物品支持体への実質的な固定を保つ複数の支持用突出部と、
【０００８】
一定期間にわたって、支持域の平面における第１の物品または第２の物品の或る方向への位置ずれを求めるように構成された位置センサと、
【０００９】
第２の物品のターゲット部分上にパターニングされた放射ビームを投影するように構成された投影システムとを含むリソグラフィ装置が提供される。
【００１０】
本発明の一態様によれば、パターニングデバイスから基板上にパターンを転送するように構成されるリソグラフィ投影装置であって、リソグラフィ投影装置が、基板を支持するように構成された物品支持体を含み、物品支持体が、使用時に基板をその上に配設する複数の支持用突出部を含み、複数の支持用突出部が、基板を支持する平面を提供するための支持域を画定するように構成され、それにより基板に熱負荷がかかると、支持域が基板の少なくとも一部の膨張または収縮を可能にして機械的応力の蓄積を低減させると共に、基板の物品支持体への実質的な固定を保ち、物品支持体が、一定期間にわたって支持域における基板の或る方向への位置ずれを求めるように構成された位置センサをさらに含む、リソグラフィ投影装置が提供される。
【００１１】
本発明の別の態様によれば、物品を支持するように構成され、使用時に物品をその上に配設する複数の支持用突出部を含む物品支持体を含む装置であって、複数の支持用突出部が、物品を支持する平面を提供するための支持域を画定するように構成され、それにより物品に熱負荷がかかると、支持域が物品の少なくとも一部の膨張または収縮を可能にして機械的応力の蓄積を低減させると共に、物品の物品支持体への実質的な固定を保ち、物品支持体が、一定期間にわたる物品の位置ずれを求めるように構成された位置センサをさらに含む装置が提供される。
【００１２】
本発明の一態様によれば、デバイス製造層方法であって、基板上にパターニングされた放射ビームを投影する段階と、パターニングされたビームのビーム経路内に配置される基板を支持するように構成された物品支持体上で基板を弾性的に支持する段階であって、物品支持体が、使用時に基板をその上に配設する複数の弾性を有する支持用突出部を含み、それにより基板に熱負荷がかかると、複数の弾性を有する支持用突出部が、基板の少なくとも一部の膨張または収縮を可能にして基板における機械的応力の蓄積を低減させる段階と、位置センサを使用して、一定期間にわたる基板の膨張、収縮、ドリフトまたはそれらのあらゆる組合せから生ずる基板の位置ずれを求める段階とを含む方法が提供される。
【００１３】
本発明の一態様によれば、物品支持体上に物品を弾性的に支持する段階であって、物品支持体が使用時に物品をその上に配設する複数の支持用突出部を含み、複数の支持用突出部が、物品を支持する平面を設けるための支持域を画定するように構成され、それにより物品に熱負荷がかかるときに、支持域が物品の少なくとも一部を膨張または収縮させて、物品内での機械的応力の蓄積を低減させる段階を含み、物品の膨張、収縮、ドリフトまたはそれらのあらゆる組合せから生ずる一定の期間にわたる物品上の点の位置ずれを求める段階をさらに含む方法が提供される。
【００１４】
添付の概略的な図面を参照して、ほんの一例として、本発明の実施形態をいくつか説明する。図面において、対応する参照符号は対応する部分を示す。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示す図である。この装置は、
【００１６】
−  放射ビームＢ（例えば、ＵＶ放射またはＥＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
【００１７】
−  パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構成され、あるパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１の位置決め装置ＰＭに接続された支持構造体（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、
【００１８】
−  基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、あるパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第２の位置決め装置ＰＷに接続された基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴと、
【００１９】
−  パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付与されたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つまたは複数のダイを含む）上に投影するように構成された投影システム（例えば、屈折投影レンズ系）ＰＳとを含む。
【００２０】
照明システムは、放射を誘導し、成形し、または制御する屈折光学的、反射光学的、磁気光学的、電磁光学的、静電光学コンポーネント、または他のタイプの光学コンポーネント、あるいは、これらのあらゆる組合せなど、様々なタイプの光学コンポーネントを含むことができる。
【００２１】
支持構造体は、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、および、例えばパターニングデバイスが真空状態内で保持されているか否かなど他の状態に応じた形で、パターニングデバイスを保持している。支持構造体は、機械的クランプ、真空式クランプ、静電的クランプ、または他のクランプ技術を使用してパターニングデバイスを保持することができる。支持構造体は、例えば、必要に応じて固定または移動可能なフレームまたはテーブルでよい。支持構造体によって、パターニングデバイスを、例えば投影システムに対して所望の位置にくるようにすることができる。本明細書で「レチクル」または「マスク」という用語を使用する場合はいつも、より一般的な用語の「パターニングデバイス」と同義語と見なすことができる。
【００２２】
本明細書で使用する「パターニングデバイス」という用語は、放射ビームの断面にパターンを付与して、基板のターゲット部分へのパターン形成などを行うために使用することのできる、あらゆる装置を意味するものとして広く解釈すべきである。放射ビームに付与されたパターンは、例えば、パターンが位相シフト特徴、またはいわゆるアシスト特徴を含む場合、基板のターゲット部分内の所望パターンに厳密に対応しないことがあることを留意されたい。一般に放射ビームに付与されるパターンは、集積回路などターゲット部分内に形成されている、デバイス内の特定の機能層に対応する。
【００２３】
パターニングデバイスは透過性または反射性であってよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルなどがある。リソグラフィでは、種々のマスクがよく知られており、マスクのタイプとしては、バイナリマスク、Alternating位相シフトマスク、および減衰型位相シフトマスク、ならびに様々なハイブリッドマスクなどがある。プログラマブルミラーアレイの一例は、様々な方向から入射する放射ビームを反射するようにそれぞれを個別に傾斜させることのできる、小ミラー群からなるマトリックス構成を使用している。傾斜ミラー群は、ミラーマトリックスによって反射される放射ビーム内にパターンを付与する。
【００２４】
本明細書で使用する「投影システム」という用語は、使用される露光放射、あるいは液浸液の使用または真空の使用など他のファクタに適した屈折光学系、反射光学系、反射屈折光学系、磁気光学系、電磁光学系および静電光学系を含むあらゆるタイプの投影システム、またはそれらのあらゆる組合せを包含するものとして広く解釈すべきである。本明細書で「投影レンズ」という用語を使用する場合はいつも、より一般的な用語の「投影システム」と同義語と見なすことができる。
【００２５】
支持構造体および基板テーブルも、以降は物品支持体と呼ぶ。それだけに限らないが、物品にはレチクルなどのパターニングデバイスおよびウェーハなどの基板が含まれる。
【００２６】
ここに述べるように、装置は（例えば、透過性マスクを使用した）透過タイプのものである。あるいは、装置は（例えば、先に述べたようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用した、または反射性マスクを使用した）反射タイプのものでもよい。
【００２７】
リソグラフィ装置は、２つ（デュアル）以上の基板テーブル（および／または２つ以上の支持構造体）を有するタイプのものでよい。このような「マルチステージ」機械では、追加のテーブルを並行して使用してもよいし、１つまたは複数のテーブル上で予備段階を実行し、その間１つまたは複数の他のテーブルを露光に使用することもできる。
【００２８】
リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間が満たされるように、少なくとも基板の一部分を、例えば水などの比較的高屈折率を有する液体で覆うことのできるタイプのものでもよい。液浸液は、例えばマスクと投影システムとの間の、リソグラフィ装置の他の空間にも適用することができる。液浸技術は、投影システムの開口率を増加させる技術分野ではよく知られている。本明細書で使用する「浸漬」とは、基板などの構造が、液体中に浸水されなければならないことを意味するのではなく、むしろ単に、露光中に液体が投影システムと基板との間に位置することを意味する。
【００２９】
図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射ソースＳＯから放射ビームを受け取る。ソースおよびリソグラフィ装置は、例えば、ソースがエキシマレーザである場合は、互いに独立したものであってよい。このような場合、ソースは、リソグラフィ装置の一部を形成するとは見なされず、放射ビームは、例えば、適切な誘導ミラー群および／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムＢＤを用いて、ソースＳＯからイルミネータＩＬへ送られる。他の場合では、例えば、ソースが水銀ランプの場合、ソースは、リソグラフィ装置の一体部分とすることができる。ソースＳＯおよびイルミネータＩＬは、ビームデリバリシステムＢＤが必要であるならばそれと共に、放射システムと呼ぶことができる。
【００３０】
イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調整するためのアジャスタＡＤを含むことができる。一般に、イルミネータのひとみ平面における強度分布の少なくとも外径および／または内径の長さ（通常、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）は調整することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮやコンデンサＣＯなど様々な他の構成要素も含むことができる。イルミネータを使用して放射ビームを調整し、その断面に所望の均一性および強度分布を持たせることができる。
【００３１】
放射ビームＢは、支持構造体（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されているパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスによってパターニングされる。放射ビームＢは、パターニングデバイスＭＡを横切った後、投影システムＰＳを通り抜け、それによってビームは基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に集束される。第２の位置決め装置ＰＷ、および位置センサＩＦ（例えば、干渉デバイス、リニアエンコーダまたは容量センサ）を用いて、例えば、放射ビームＢの経路内に別のターゲット部分Ｃが位置するように、基板テーブルＷＴを正確に移動させることができる。同様に、例えばマスクライブラリからの機械的検索の後、または走査中に、第１の位置決め装置ＰＭ、および別の位置センサ（これは図１には明確には描かれていない）を使用して、放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めすることができる。一般に、支持構造体ＭＴの移動は、第１の位置決め装置ＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を用いて行うことができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２の位置決め装置ＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使用して行うことができる。ステッパの場合、（スキャナとは反対に）支持構造体ＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに接続してもよいし、固定してもよい。パターニングデバイスＭＡおよび基板Ｗは、パターニングデバイス位置合わせマークＭ１およびＭ２、ならびに基板位置合わせマークＰ１およびＰ２を使用して位置合わせすることができる。図示した基板位置合わせマークは、専用のターゲット部分を占めているが、ターゲット部分間の空間に配置することもできる（これらは、けがき線位置合わせマーク(scribe-lane alignment mark)として知られている）。同様に、パターニングデバイスＭＡ上に２つ以上のダイが設けられている場合、パターニングデバイス位置合わせマークを、ダイ間に配置することができる。
【００３２】
図示した装置を、次のモードのうち少なくとも１つにおいて使用することができる。
【００３３】
１．ステップモードでは、支持構造体ＭＴおよび基板テーブルＷＴは、基本的に静止が保たれ、放射ビームに付与されたパターン全体がターゲット部分Ｃ上に１回の動作で（つまり１回の静止露光で）投影される。次いで、別のターゲット部分Ｃが露光されるように、基板テーブルＷＴはＸ方向および／またはＹ方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって１回の静止露光で結像されるターゲット部分Ｃのサイズが制約される。
【００３４】
２．スキャンモードでは、放射ビームに付与されたパターンがターゲット部分Ｃ上に投影（つまり１回の動的露光）される間、支持構造体ＭＴと基板テーブルＷＴとが同期してスキャンされる。支持構造体ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）特性および像反転特性によって決めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって１回の動的露光におけるターゲット部分の（非スキャン方向の）幅が制約されるが、ターゲット部分の（スキャン方向の）高さは、スキャン動作の距離によって決まる。
【００３５】
３．別のモードでは、支持構造体ＭＴは、プログラマブルパターニングデバイスを保持しながら基本的に静止が保たれ、基板テーブルＷＴは、放射ビームに付与されたパターンがターゲット部分Ｃ上に投影される間移動または走査される。このモードでは、一般に、パルス状の放射ソースが使用され、プログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの移動が終わるたびに、または走査中の連続的な放射パルスの合間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、先に述べたようなタイプのプログラマブルミラーアレイなど、プログラマブルパターニングデバイスを利用しマスクを利用しないリソグラフィに容易に適用することができる。
【００３６】
上述の使用モードを組み合わせておよび／または変更して使用してもよいし、全く異なる使用モードを使用してもよい。
【００３７】
本発明の一実施形態によれば、放射ビームを調整するように構成された照明システムＩＬと、放射ビーム経路内で、パターニングされた放射ビームＢを形成するために放射ビームの断面にパターンを付与することが可能な第１の物品ＭＡ、またはパターニングされた放射ビームのビーム経路内の第２の物品Ｗをそれぞれ支持するように構成された物品支持体ＭＴおよびＷＴと、パターニングされた放射ビームを第２の物品Ｗのターゲット部分上に投影するように構成された投影システムＰＳとを含むリソグラフィ装置が提供される。
【００３８】
一実施形態では、物品支持体ＭＴおよびＷＴは、第１の物品ＭＡまたは第２の物品Ｗの支持平面を提供するために支持域ＳＺを画定し、それにより第１の物品ＭＡまたは第２の物品Ｗに熱負荷がかかるときに支持域ＳＺが第１の物品ＭＡまたは第２の物品Ｗの少なくとも一部の膨張または収縮を可能にして第１の物品ＭＡまたは第２の物品Ｗ内それぞれに機械的応力が蓄積されるのを低減または防止するように構成された複数の支持用突出部を含む。熱負荷という表現は、加熱または冷却のうち少なくとも１つの影響を含む。物品支持体ＷＴおよびＭＴは、第１の物品ＭＡまたは第２の物品Ｗのそれぞれが、一定期間にわたって膨張または収縮することによる、第１の物品ＭＡまたは第２の物品Ｗそれぞれの１つまたは複数の位置ずれを求めるように構成された１つまたは複数の位置センサＰＳをさらに含む。本発明の一実施形態では、１つまたは複数の位置センサＰＳは、以下により詳細に述べる１つまたは複数の支持用突出部の変位を求めることによって位置ずれを求めるように構成される。一実施形態では、１つまたは複数の位置センサＰＯＳは、第１の物品ＭＡまたは第２の物品Ｗ上の点の変位をそれぞれ求めることによって１つまたは複数の位置ずれを求めるように構成される。第２の物品が基板Ｗである一実施形態では、１つまたは複数の位置センサＰＯＳは、基板Ｗの裏側に向きが合わせられて基板の位置を直接求める光センサを含む。さらに、基板に１つまたは複数の基準マークを設けて、その基準マークの位置ずれを光センサによって求めてもよい。さらに図１に、照明システムＩＬ、投影システムＰＳ、物品支持体ＭＴおよびＷＴ、またはこれらのあらゆる組合せのものに対し信号を供給するように構成されたフィードバック回路ＦＣを示す。この場合、この信号によって、照明システムＩＬおよび／または投影システムＰＳが、位置ずれを考慮した放射ビームおよび／またはパターニングされた放射ビームをそれぞれ構成し、かつ／あるいは物品支持体が位置ずれを補正する。
【００３９】
図２は本発明の一実施形態による支持用突出部２を示す。物品支持体ＭＴおよびＷＴは、弾性を持つように、また物品の支持域ＳＺを提供するように寸法が決められた複数の支持用突出部２を含む。一実施形態によれば、物品支持体ＭＴおよびＷＴ上の少なくともいくつかの従来の硬い支持用突出部が、少なくとも１つの自由度を有する支持用突出部２で置き換えられる。図４、６および７に示すように、少なくとも１つの自由度を有するいくつかの支持用突出部２は、支持域ＳＺを形成する。具体的には、支持域ＳＺは、使用時に第１の物品ＭＡまたは第２の物品Ｗが配設される平面ＸＹ（例えば、図５参照）において第１の自由度４を有するように構成された支持用突出部２のうち１つまたは複数を含む。具体的には、１つまたは複数の支持用突出部２は、第１の自由度が、位置ずれの延びる第１の方向に相当する方向４に延びて、第１または第２の物品の第１の方向への膨張または収縮が可能となるように方向が決められる。このように、物品ＭＡおよびＷに熱負荷がかかっても、例えば、基板の加熱および冷却が生じても、どんな基板全体の膨張も、もはや基板テーブル上の支持用突出部によって制限されることはない。具体的には、支持域ＳＺの範囲外の方向への物品のずれが抑制されると共に、物品を物品支持体に固定しておく。つまり、このようにして基板は全体的に膨張および収縮することが可能である。この全体的膨張／収縮は、基板が冷却／加熱することによる主な影響であるため、基板と基板テーブルとの間に蓄積される応力量は、従来の基板および基板テーブルに比べて低減される。このように、この類の蓄積応力が原因で起こる集束誤差を低減または防止することができる。基板Ｗは、基板の剛性と、自由度の方向以外に支持用突出部２が保持する一定の剛性量とが相まって、ＸＹ平面内の基板テーブル上への固定が保たれることが分かる。基板の測定および露光の間は、ある程度の剛性が要求される。
【００４０】
基板は、加熱および／または冷却の結果、膨張および／または収縮するので、位置ずれは従来の状況でよりも大きい。位置ずれを補償するために、支持用突出部２のうち１つまたは複数に１つまたは複数の位置センサＰＳを組み込む。この方法で、生じた位置ずれを測定することができる。第１の段階は、基板測定のプロセスの間を通じて１つまたは複数の位置センサを読み取ることを含む。さらなる段階は、パターニングされた放射ビームが基板上に投影される直前に１つまたは複数の位置センサを読み取ることを含む。基板測定のプロセスの間を通して得られた読取りと、パターニングされた放射ビームが基板上に投影される直前に得られた読取りとの差を求め、その差を使用して最適なフィールド内パラメータのずれを計算する。最適なフィールド内パラメータのずれは、パターニングされたビームを基板上に投影する間を通じて適用することができる。露光直前に１つまたは複数の位置センサを読み取る段階を、ダイごとに繰り返すことができる。この読取りの段階を、露光ごとに行うことができる。また、全体の露光前に１回の読取りを行うこともできる。このように、全体的な膨張／収縮によってオーバーレイが悪化することはないであろう。図８〜１０を参照して先に述べたように、１つまたは複数の歪みゲージおよび／または１つまたは複数の静電容量センサを使用して支持用突出部の位置ずれを測定することができる。
【００４１】
図２に示す実施形態では、支持用突出部２は板ばねとして構成されている。このように、第１の方向４に、ある自由度が与えられる一方、他のいくつかの方向には適度な剛性も与えられる。各支持用突出部２の寸法は、Ｚ方向６に約１００μｍ、Ｙ方向８に約５０μｍでよい。各支持用突出部２を、それだけに限らないが、ゼロデュアー(Zerodur)（登録商標）、コーデライト(Corderite)およびＳｉＳｉＣを含む材料から作り上げることができる。
【００４２】
一実施形態では、露光プロセスの間を通じて大量の照射量を使用すると、基板は余剰熱を十分に速く放散することができないため、基板は膨張しようとすることがある。一実施形態によれば、基板の膨張が可能となる、つまり複数の支持用突出部２は、ＸＹ方向への変形をもはや防止しようとしない。また、膨張はたいてい径方向つまり、基板中心から外へ延びる方向に起こる。従って、一実施形態では、第１の自由度が、膨張／収縮の主な方向、例えば径方向と整合するように複数の支持用突出部の方向が決められる。このように、支持用突出部は、ＸＹ平面における径方向の変形を防止しようとはしない。このため、ＸＹ平面の範囲外のずれは低減される。つまり、基板の加熱／冷却によって集束誤差は低減され、同様の理由で、滑りの確率も低減される。従来の硬い支持用突出部２の場合、基板が基板段に対して同じ位置に保たれないことから、滑りが起こると、それは重要なオーバーレイ誤差につながり得ることが分かる。これに対し、一実施形態によれば、支持域が物品の膨張または収縮を可能にする場合、１つまたは複数の位置センサが当該物品の点の実際位置をもはや検知しないことがあるので、滑りが生じるとオーバーレイ誤差が生じることがある。しかし有利なことに、本発明の１つまたは複数の実施形態では、生じる滑りの確率がかなり低減される。というのは、各突出部には、有効な方向に自由度が与えられており、かつ物品と突出部との間の摩擦がほとんど無くなることがないからであり、従って滑りの確率が相当低減される。基板測定プロセスを通じて、結果として生じる複数の支持用突出部２のそれぞれの位置に対する径方向（Ｘ、Ｙ）位置ずれを求め、特定のダイに対する各隣接支持用突出部の径方向（Ｘ、Ｙ）位置ずれから最適パラメータのずれをそれぞれ計算し、最適なオーバーレイを得るのに適用する。一実施形態では、物品がレチクルの場合は照明システムに、物品が基板の場合は投影システムに、フィードバックを与えることによってこうした最適パラメータの位置ずれを適用する。さらなる実施形態では、物品支持体にフィードバックを与えることによって、こうした最適パラメータの位置ずれを追加で、または代替で適用する。このように、照明に起因する基板加熱による径方向ＸＹへの影響は、例えば先送り基板(send  ahead  substrates)を使用することなく、または正方向送りモデル(feed  forward  model)に依存する必要なく測定され補償される。
【００４３】
図３は、本発明のさらなる実施形態による支持用突出部を示す。図３は、第２の自由度１０を有する支持用突出部２０を示す。このように基板は、ＸＹ平面、つまり複数の支持用突出部２による支持平面においてどの方向にも固定が保たれない。そのかわり、各支持用突出部は、それらが各支持用突出部２０の上部１２の径方向ＸＹへの移動を制限しないように構成される。支持用突出部２０は、下方（Ｚ）にのみ剛性を提供し、方向４および１０を示す矢印で示されるように、ＸおよびＹ方向のどちらにもそれぞれ自由である。この場合、方向４は、Ｙ軸中心の自由回転に相当し、方向１０は、Ｘ軸中心の自由回転に相当する。具体的には、第２の自由度１０は、使用時に第１の物品ＭＡまたは第２の物品Ｗが複数の支持用突出部２または２０上に配設される平面（ＸＹ）において第１の自由度が延びる方向４に対しほぼ垂直な方向に延びる。具体的には、第２の自由度は、位置ずれが延びる第２の方向１０に延びて、第１の物品ＭＡまたは第２の物品Ｗの第２の方向への膨張または収縮を可能にする。支持用突出部２０は、第１の方向４を軸として支持用突出部２０を回転させる第１の支点１４と、第２の方向１０を軸として支持用突出部２０を回転させる第２の支点１６とを含む。第１の支点１４および第２の支点１６を、第１および第２の方向において支持用突出部の対向面上に配設された凹部によって形成して、第１の自由度４および第２の自由度１０をそれぞれ提供することができる。
【００４４】
図４は、本発明の一実施形態による、複数の支持用突出部を含む物品支持体を示す。先に述べたように、物品支持体は、支持域ＳＺが得られるように寸法が決められた複数の支持用突出部を含む。図４では、分かりやすくするために、比較的少ない支持用突出部だけを黒点で示す。各支持用突出部の自由度を、各黒点を貫いて延びる矢印で示す。一実施形態では、支持用突出部の分布密度は、通常約１５０，０００個／ｍ２である。例えば、直径が３００ｍｍ、つまり面積がπ×ｒ２＝π×（０．３／２）２＝０．０７０６５ｍ２のウェーハの真下に１２０００個の突出部がある場合、密度は１２０００／０．０７０６５［ｍ２］≒１５０，０００ｍ−２となる。支持用突出部の分布および密度は、被支持物品、ならびに支持用突出部の構成および材料などの要因に応じて決まることが分かるであろう。図４に示す支持域ＳＺは、１つの自由度を有する複数の支持用突出部２で構成される。図示する実施形態では、支持用突出部２は、図２、８、１０または１１のうち１つまたは複数の図に関して例示し説明した構成を有する。先に述べたように、熱負荷のかかる物品は主に物品の中心に対し径方向に膨張／収縮する。このように、物品の中心から外へ延びる径方向に主に膨張／収縮を生じさせるために、その１つの自由度４が径方向と整合するように支持用突出部２の向きを決めるので、物品は、支持域ＳＺ上に配設されるとその中心を実質的に支持域ＳＺの中心２２と整合させる。言い換えれば、支持用突出部２の自由度の方向４は、第１の物品ＭＡまたは第２の物品Ｗが支持域ＳＺ上に配設された際に、第１または第２の物品の中心にそれぞれ対応する支持域ＳＺ上の位置２２に対して、径方向である。
【００４５】
具体的には、径方向は、使用時に第１および第２の物品を内部で支持域上に配設する平面（ＸＹ）において位置２２から外方向に延びる。例えば、弾性を有する支持用突出部２の向きを、その単一の自由度と基板Ｗの剛性とを組み合わせて径方向へ決めることにより、測定および露光プロセスを通じて、基板Ｗの基板テーブルＷＴ上での固定が保たれる。先に述べたように、支持用突出部２の移動が制限されないことから、従来の装置よりも径方向のずれが大きくなり得る。図８〜１０を参照してより詳細に議論したように、径方向のずれを補償するために、少なくともいくつかの支持用突出部２内に１つまたは複数の位置センサを組み込む。一実施形態では、１つまたは複数の位置センサを支持用突出部内に組み込まずに、例えば、１つまたは複数の位置ずれを物品の裏側、具体的には基板の裏側を検知するセンサを使用することによって求めることができる。
【００４６】
図５は、図４のＸ−Ｘ線に沿った断面を示す。具体的には、図５は複数の支持用突出部２を含む支持域ＳＺを示す。支持域ＳＺは、ＸＹ平面内にある。一実施形態では、支持域ＳＺは、ほぼ平坦である。基板Ｗは、複数の支持用突出部２によって支持域ＳＺ上に支持される。各支持用突出部２は、径方向に整合され、かつＹ方向に延びる自由度４を有する。支持用突出部２の上部２４は、それぞれ丸みが付けられ、球または球状の形を有する。このように、物品は、支持用突出部２の上部２４の上面２５のところで自由に移動する。
【００４７】
図６は、本発明のさらなる実施形態による複数の支持用突出部を含む物品支持体を示す。全ての支持用突出部に自由度を与える必要はないであろう。応用例に応じて、ゼロ、１つまたは２つの自由度を有する支持用突出部の分布を、それ相応に選択することができる。図６に示す実施形態において、物品支持体は、使用時に基板Ｗが支持される支持域ＳＺを含む。この場合、支持域ＳＺは、第１の自由度を有する１つまたは複数の支持用突出部２を含む第１の領域２６を含み、第１の領域２６は、予想されるずれが平均より大きい基板領域を支持する。例えば、基板の外端部では、膨張／収縮が平均より大きくなり得る。従って、一実施形態では、第１の領域２６は、基板の外端部を支持する。このように、物品支持体は、基板の最も要求される領域内で膨張を可能にするようになっている。図６に示す実施形態では、支持域ＳＺは、自由度がそれぞれゼロの複数の支持用突出部３０を含む第２の領域２８を含む。具体的には、第２の領域２８は、予想されるずれが平均より小さい基板領域を支持する。このように、より小さい膨張／収縮が予想される領域では、ある程度の剛性を有する従来の支持用突出部を設けることができる。例えば、基板の中心領域では、膨張／収縮量がより小さい場合がある。従って、一実施形態では、第２の領域２８は、第１または第２の物品の中心領域を支持する。第２の領域２８は、第１の領域２６に隣接して設けることができる。
【００４８】
図７は、本発明のさらにもう１つの実施形態による、複数の支持用突出部を含む物品支持体を示す。図７は、支持域ＳＺが、１つの自由度を有する複数の支持用突出部２と、２つの自由度を有する複数の支持用突出部２０と、自由度がゼロである複数の支持用突出部３０とを有するさらにもう１つの構成も示す。支持域ＳＺは、第１の自由度を有する複数の支持用突出部２を含む第１の領域２６を複数個、自由度がゼロである複数の支持用突出部３０を含む第２の領域２８を１つ、および第２の自由度を有する複数の支持用突出部２０を含む第３の領域３２を１つ含む。このように、弾性を持たせて物品の膨張および収縮を可能とすることと、下の基板テーブルへの物品の固定を保つためにある程度の剛性を有する支持を提供するという要求との調整がとられる。
【００４９】
図８は、本発明の一実施形態による支持用突出部を示す。本発明の一実施形態によれば、弾性を有する支持用突出部２および２０のせいで、従来の装置よりも位置ずれ（例えば、径方向のずれ）が全体的に大きいので、例えば露光プロセス中に位置ずれを補正できるように、位置ずれを測定する。これを行うために、１つまたは複数のセンサ４０および４２を、支持用突出部のうちいくつか（通常は支持用突出部の一部）に組み込んで、ダイの露光中にダイの回りの支持用突出部の位置ずれを全て補償することができるように、基板Ｗの測定プロセスを開始してからの支持用突出部のＸＹ平面におけるずれを測定する。具体的には、１つまたは複数の位置センサが、支持用突出部のうち１つまたは複数の変位を求めることによって物品上のある点の位置ずれを求める。支持用突出部全てに対して測定した位置ずれを使用して、基板の測定プロセス中に測定された基板グリッドの上部に適用される、次のダイ用の最適なフィールド内パラメータのずれを求めることができる。こうしたパラメータには、平行移動、回転、拡大、非対称回転、および／または非対称拡大などがある。最後の２つのパラメータは、走査システム上で補正することができることが分かる。次いで、当該ダイの実際の露光中にこうしたパラメータを補正し、それにより基板が特定のダイの回りに有していた位置ずれを、このダイのオーバーレイが含まないようにすることができる。これを行うために、センサを設けて支持用突出部ごとに位置ずれを測定することができる。支持用突出部を全て測定する必要はない。例えば１２０００個の支持用突出部がある場合、これらの支持用突出部のうち２００個にセンサを設けることができる。直径が約３００ｍｍの物品（例えば、基板）に対し、約４０００〜３００００個の支持用突出部を設けることができる。位置センサを設けた突出部の比率は、１／２０〜１／１００でよい。このように、割合は比較的低い。各センサは、露光が起こる直前の支持用突出部の位置と、基板プロセスの測定中に測定された位置との差を求めるので、センサは基板の測定／露光の間じゅう安定してさえいればよい。図８、１０、１１および１２に示す実施形態では、センサは、支持用突出部２と一体化されている。リソグラフィ装置のオーバーレイは、直接センサの精度に応じて決まるので、センサの精度は、誤差が１ナノメータ未満の範囲である。基板測定中、１つまたは複数の位置センサが測定（つまり、「０」に）される。従って物品測定中はそれらのセンサを参照するというのが状況であることに留意されたい。図８では、支持用突出部２には、ずれを求めるために１つまたは複数の歪みゲージが設けられている。歪みゲージは、ＭＥＭＳ法を使用して測定することができる。他のタイプの位置センサに対して支持用突出部に必要とされる自由度を作るためにも、ＭＥＭＳ法を使用することができる。例えばシリコン上に抵抗層をスパッタリングすることができる。一実施形態では、支持用突出部は、第１の方向４に垂直な平面内に延びた第１の面４１および第２の面４３を含み、その上に第１の歪みゲージ４０および第２の歪みゲージ４２がそれぞれ配設される。それにより支持用突出部２の変位を、第１の歪みゲージ４０および／または第２の歪みゲージ４２の膨張および／または収縮によって求める。支持用突出部が自由方向に移動すると、一方の歪みゲージが圧縮され、他方の歪みゲージが拡張し、その結果、抵抗変化はほぼ等しくなるが異なるサインを有する。
【００５０】
図９は、本発明の一実施形態による、歪みを求める回路を示す。抵抗変化がほぼ等しいがサインが異なるので、図９に示すように、支持用突出部の２つの歪みゲージをホイートストンブリッジ構成４５内に一緒に置くことができる。このように、精度を増すことができ、例えば「コモンモード阻止」が可能となる。つまり、周囲温度の上昇など両センサへのどんな共通の影響も打ち消される。ホイートストンブリッジ４５は、片側に第１の歪みゲージ４０および第２の歪みゲージ４２と、ホイートストンブリッジの反対側に２つの基準抵抗器４６および４７と、電圧入力部４８と、電圧出力部４９とを含む従来の構成を有する。
【００５１】
図１０は、本発明のさらなる実施形態による支持用突出部を示す。この実施形態では、支持用突出部２に１つまたは複数のキャパシティブプレート(capacitive plate)５０および５２を設けて、突出部２の変位を求める。支持用突出部２は、第１の方向４に垂直に延びる第１の面４１および第２の面４３を含み、その上に第１のキャパシティブプレート５０および第２のキャパシティブプレート５２がそれぞれ配設される。それにより支持用突出部の変位を、第１のキャパシティブプレート５０および第２のキャパシティブプレート５２間で測定された静電容量によって求める。この実施形態では、キャパシティブプレートが静電容量センサとして働いて、支持用突出部の位置ずれを求める。一実施形態では、静電容量センサ５０および５２は、誤差が１ナノメータ未満の分解能を有する。一実施形態では、第１のキャパシティブプレート５０および第２のキャパシティブプレート５２を、ホイートストンブリッジ構成内に配置する。
【００５２】
浸漬装置内で使用される支持用突出部の構成の場合、支持用突出部の上部における１ナノメータの位置変化によって生じるキャパシティブプレート５０および５２の電荷の変化を、実際には正確に測定することができる。支持用突出部の位置ずれを求めるための第１のキャパシティブプレート５０および第２のキャパシティブプレート５２の電気信号も、図９に示す歪みゲージ４０および４２用のホイートストンブリッジ同様、ホイートストンブリッジ内で合成することができる。ただし、第１および第２のキャパシティブプレート用ホイートストンブリッジの場合、ブリッジをＡＣモードで励起させることができる。基板を寄生コンデンサとして働かせることができる。ただし、基板の露光中の位置と測定中の位置との差を求めるだけなので、寄生コンデンサの影響は打ち消されるはずである。
【００５３】
図１１は、本発明のさらなる実施形態による支持用突出部を示す。浸漬リソグラフィだけに限らないが、実施形態のうち１つまたは複数は浸漬リソグラフィ内で適用され得る。浸漬リソグラフィを例にとると、露光後に基板が液浸液閉じ込め構造を通過した後、液体（例えば、水）の薄い膜が残ることがある。次いで、この液体はたちまち蒸発し、従って基板はたちまち熱を失う。支持用突出部の熱抵抗は相当のものなので、このような状況では、基板テーブルＷＴからの熱によって熱損失を十分速やかに補償することはできない。その結果、基板は局部的に冷却され、従ってそこで収縮しようとする。従来の支持用突出部および基板テーブル自体の剛性は限られているので、基板はＸＹ平面において変形する場合がある。先に挙げたのと同じ理由から、ＸＹ平面の範囲外の変形も起こることがあり、ことによると集束誤差につながる。図１１は、第１の方向４において第１の自由度を有する浸漬リソグラフィ内での使用に適した支持用突出部２を示す。支持用突出部２は、本体６０と、その上に基板が配設される上部６２とを含む。本体６０は第１の溝６４および第２の溝６６を備え、これらが方向４において支持用突出部２に自由度を与える。溝６４および６６は、上部６２の両側に設けられる。本体６０には各溝の表面領域も含めて、導電性被膜６７を設けることができる。一実施形態では、本体は筒状の形をしている。中央部６３から分離された本体の各外部６１は、キャパシティブプレート６１および６３を形成し、これらのキャパシティブプレートを、図１０を参照して述べたように、ホイートストンブリッジ構成内で接続して、方向４における支持用突出部２の位置ずれを求めることができる。
【００５４】
このような支持用突出部２の典型的な寸法は、本体の直径６８が約２ｍｍ、本体の高さ６９が約０．４ｍｍ、溝６４および６６の幅が通常約１５μｍ、ならびに溝６４と溝６６との距離７５は約１５０μｍなどである。こうした寸法は応用例に応じて変わることが分かるであろう。各支持用突出部間のピッチは、約１〜５ｍｍである。
【００５５】
図１２は、本発明のさらにもう１つの実施形態による支持用突出部を示す。具体的には、図１２は、第１および第２の方向において２つの自由度を有する浸漬リソグラフィ内で使用する支持用突出部２０を示す。弾性を有する支持用突出部に、導電性被膜６７を設ける。さらに、支持用突出部２０の位置ずれを求めるための２つの位置センサを設ける。位置センサはそれぞれ、１組の導電プレート７２および１組の導電プレート７４を含む。導電プレートは対向している。図１０を参照して説明したように、第１組の導電プレート７２および第２組の導電プレート７４は、２つのコンデンサとして機能する。さらに、コンデンサ７２および７４は、どちらもホイートストンブリッジ構成内に設けることができる。つまり、２つのホイートストンブリッジ（各方向につき１つのホイートストンブリッジ）を設けて、弾性を有する支持用突出部２０の第１および第２の方向における正確な位置ずれを得る。具体的には、第１組の導電プレート７２は、Ｘ方向の位置ずれを検知することができ、第２組の導電プレート７４は、Ｙ方向の位置ずれを検知することができる。導電プレート７２および７４は固定されている。さらに、これらの導電プレートに、導電性被膜６７を設けることができる。このように、位置ずれを求めるためのキャパシティブプレートを有する支持用突出部２０は、浸漬リソグラフィ内で使用する支持用突出部内に組み込まれる。この構成は、支持用突出部および導電性被膜６７内の適切な溝６４および６６によって達成することができる。
【００５６】
図１１および１２に示す実施形態の場合、実際問題として、溝の幅が１５μｍあれば測定可能な静電容量の変化を得るのに十分である。
【００５７】
例えば、図１１に示す実施形態を取り上げると、キャパシティブプレートは幅が２ｍｍ、高さが０．４ｍｍでよい。中央部６３と外部６１との距離７５は１５μｍでよい。支持用突出部２の「脚部」を固定したまま支持用突出部２の上部を一定の距離その自由方向へ移動させると、その結果生じる容量の変化は、キャパシティブプレート全体が支持用突出部の方へその距離を移動した場合に生じる容量変化の０．３倍に等しいと推定される。このように、キャパシティブプレートの弾性を考慮に入れると、０．３という因数が想定される。
【００５８】
図１１におけるコンデンサの静電容量、または図１２における２つのうち１つのコンデンサの静電容量を次の式により計算することができる。
【００５９】
【数１】
0004455568.tif 000002
【００６０】
支持用突出部上部の位置変化が１ナノメータとなる静電容量変化（または印加電圧ごとの電荷ΔＱの変化）は、次の式により計算することができる。
【００６１】
【数２】
0004455568.tif 000003
ただし、ｋは因数０．３である。
【００６２】
従って、次の式が成立する。
【００６３】
【数３】
0004455568.tif 000004
【００６４】
１個の電子は１．６ｅ−１９クーロンの電荷を有するので、支持用突出部上部の１ナノメータの振れに関し、次の式が得られる。
【００６５】
【数４】
0004455568.tif 000005
【００６６】
実際問題として、１ボルトの印加につき７個の電子というのは、１ボルトの印加につき検出可能な最小電荷の大雑把な推測と考えられるが、これはそれより大きい。
【００６７】
この設計によるさらなる利点は頑健性である。さらに、支持用突出部２０の弾性部分は、周囲の導電プレート７２および７４によって保護されることである。例えば、支持用突出部の弾性部分は、破損するほどには振れないはずである。このことは特に、基板テーブルＷＴを洗浄する際の利点である。
【００６８】
先に説明したいくつかの図において示した突出部は、さらに、基板テーブルなどの物品支持体の、例えば走査動作の間を通じて高周波数では支持用突出部が剛性を持つが、基板などの物品の、例えば膨張の間を通じて低周波数では剛性を持たないように構成された、つまり弾性度を持つように構成されたダンパ（図示せず）を備えることができる。このようなダンパは、空気または液体などの流体を基礎とすることができる。あるいは、このようなダンパは、開口をいくつか設けた弾性を有する複数の壁部を含むことができる。このような弾性を有する複数の壁部を、例えば流体を満たした容器内に設け、それにより支持用突出部に強化減衰効果を与えることができ。このような減衰された支持用突出部、特に２つの自由度を有する支持用突出部の場合、物品を物品支持体上に保つために追加の支持用突出部をいくつか設ける必要はないであろう。というのは、たいていの場合そうであるが、１方向への走査動作の数が反対方向への走査動作の数によって相殺されるとすると、摩擦力によって物品の物品支持体への固定が保たれるからである。２つの自由度を有する支持用突出部の場合、物品の膨張または収縮に加え、位置ずれは、物品のドリフトつまり並進ドリフトも含む。
【００６９】
基板Ｗを基板テーブルＷＴに付着させるようにするために、真空式締付力を増加させてもよい。さらに、支持用突出部上部を平滑化することによって、これを行うこともできる。
【００７０】
投影ビームによって露光される基板を支持するために使用されるほぼ円形の物品を支持するために構成された、ほぼ円形の物品支持体に関して本発明の１つまたは複数の実施形態を説明してきた。しかし、同様にまたは代替で、本発明を他の物品、特にマスク（レチクル）という形を取る物品、あるいは、例えば四角形または円形の一部など、他の形状を有する物品支持体および物品に応用することができることは、当業者には明らかであろう。
【００７１】
本明細書では、ＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用について特に記載しているが、本明細書に記載するリソグラフィ装置は、集積光学システムの製造、磁気ドメインメモリ用ガイダンスおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなど、他への応用もできることを理解されたい。このような代替応用例との関連で、当業者であれば、本明細書で「ウェーハ」または「ダイ」という用語を使用する場合はいつも、より一般的な用語である「基板」または「ターゲット部分」とそれぞれ同義語と見なせることが分かるであろう。本明細書で言う基板は、例えばトラック（通常、基板にレジスト層を施し露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツールおよび／またはインスペクションツール内で露光の前または後に処理することができる。該当する場合には、本明細書の開示は、このような基板処理ツールおよび他の基板処理ツールに適用することができる。さらに、基板は、例えば多層ＩＣを生成するために２回以上処理される場合があり、従って本明細書で使用する基板という用語は、複数回処理された層を既に含む基板も意味することがある。
【００７２】
先の記載では、フォトリソグラフィとの関連で本発明の実施形態の使用について特に記載してきたが、本発明は、例えばインプリントリソグラフィなど他への応用にも使用することができ、場合によって、フォトリソグラフィに限定されないことが分かるであろう。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイス内のトポグラフィによって基板上に作られるパターンが画定される。パターニングデバイスのトポグラフィを、基板に供給されたレジスト層内に押し付け、それから電磁放射、熱、圧力またはこれらの組合せを加えることによってレジストを硬化させる。パターニングデバイスをレジストから移動させ、レジストが硬化するとそこにパターンが残る。
【００７３】
本明細書で使用する「放射」および「ビーム」という用語は、紫外（ＵＶ）放射、（例えば、波長が３６５，３５５、２４８、１９３、１５７または１２６ｎｍ、あるいはその近傍）および極紫外（ＥＵＶ）放射（例えば、波長が５〜２０ｎｍの範囲）を含むあらゆるタイプの電磁放射ならびに、イオンビームあるいは電子ビームなどの粒子ビームを包含する。
【００７４】
場合によって、「レンズ」という用語は、屈折光学コンポーネント、反射光学コンポーネント、磁気光学コンポーネント、電磁光学コンポーネントおよび静電光学コンポーネントを含む様々なタイプの光学コンポーネントのうちいずれか１つまたはそれらの組合せを意味する。
【００７５】
本発明の特定の実施形態をいくつか説明してきたが、本発明は先に説明した以外の方法でも実施することができることが分かるであろう。例えば、本発明は、上述の方法を記載する機械読取り可能な１つまたは複数の指令順序を含むコンピュータプログラム、または、このようなコンピュータプログラムを中に記憶したデータ記憶媒体（例えば、半導体メモリ、磁気ディスクまたは光学ディスクなど）の形を取ってもよい。
【００７６】
先の記載は、限定的なものではなく、例示的なものとする。従って、添付の特許請求の範囲から逸脱することなく、記載した本発明を変更することができることは、当業者には明らかであろう。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を示す図である。
【図２】本発明の一実施形態による支持用突出部を示す図である。
【図３】本発明のさらなる実施形態による支持用突出部を示す図である。
【図４】本発明の一実施形態による複数の支持用突出部を含む物品支持体を示す図である。
【図５】図４のＸ−Ｘ線に沿った断面を示す図である。
【図６】本発明のさらなる実施形態による複数の支持用突出部を含む物品支持体を示す図である。
【図７】本発明のさらにもう１つの実施形態による複数の支持用突出部を含む物品支持体を示す図である。
【図８】本発明の一実施形態による支持用突出部を示す図である。
【図９】本発明の一実施形態による、歪みを正確に求めるように構成された回路を示す図である。
【図１０】本発明のさらなる実施形態による支持用突出部を示す図である。
【図１１】本発明のさらなる実施形態による支持用突出部を示す図である。
【図１２】本発明のさらにもう１つの実施形態による支持用突出部を示す図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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