(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面及び前記上面上に設けられた部品接続パッドを有する少なくとも１個の電子部品と、前記少なくとも１個の電子部品の前記上面の上方に配置されてそれに結合され、そして前記部品接続パッドの特定のもの同士を相互接続する第１の相互接続構造物とをそれぞれに含み、かつ前記第１の相互接続構造物が上面上に設けられたサブモジュール接続パッドを有するような個別のサブモジュールを製造する工程、及び
前記サブモジュールの前記上面の上方に配置されてそれに結合され、そして前記サブモジュール接続パッドの特定のもの同士を相互接続する第２の相互接続構造物を用いて前記サブモジュール同士を相互接続する工程を含み、
前記第１及び第２の相互接続構造物が前記予め作製されたフレキシブルな相互接続構造物であり、
個別のサブモジュールを製造する前記工程が、結線側表面及び基板側表面を有する誘電体フィルム層を含んでいて、前記第１の相互接続構造物の前記誘電体フィルム層の各々の表面上にはパターニングによって形成された開口を有するパターン化導電性材料面がそれぞれ設けられていると共に、前記誘電体フィルム層の結線側表面及びその上の前記パターン化導電性材料面を覆うように設けられた誘電体キャップ層を含む予め作製されたフレキシブルな相互接続構造物を前記第１の相互接続構造物の一部として用意する工程、前記部品接続パッドが前記基板側表面上の前記導電性材料面の前記開口内に位置するようにして前記第１の相互接続構造物の前記予め作製されたフレキシブルな相互接続構造物と前記少なくとも１個の部品とを互いに接着する工程、前記部品接続パッドのそれぞれと整列した位置及び前記誘電体フィルム層上の前記パターン化導電性材料面の少なくとも一方の所定部分と整列した位置において、前記誘電体キャップ層を貫通すると共に前記第１の相互接続構造物の前記誘電体フィルム層の少なくとも特定部分を貫通して延びる複数のスルーホールを形成する工程、並びに前記スルーホールを通って延びることによって前記部品接続パッドの特定のものと前記第１の相互接続構造物の前記誘電体フィルム層上の前記パターン化導電性材料面の少なくとも一方の特定部分とを相互接続すると共に、前記誘電体キャップ層上に前記サブモジュール接続パッドを規定するパターン化導電性材料を前記誘電体キャップ層上に設ける工程を含む、
複合マルチコンポーネントモジュールの製造方法。
【請求項２】
上面及び前記上面上に設けられた部品接続パッドを有する少なくとも１個の電子部品と、前記少なくとも１個の電子部品の前記上面の上方に配置されてそれに結合され、そして前記部品接続パッドの特定のもの同士を相互接続する第１の相互接続構造物とをそれぞれに含み、かつ前記第１の相互接続構造物が上面上に設けられたサブモジュール接続パッドを有するような個別のサブモジュールを製造する工程、及び
前記サブモジュールの前記上面の上方に配置されてそれに結合され、そして前記サブモジュール接続パッドの特定のもの同士を相互接続する第２の相互接続構造物を用いて前記サブモジュール同士を相互接続する工程を含み、
前記第１及び第２の相互接続構造物が前記予め作製されたフレキシブルな相互接続構造物であり、
個別のサブモジュールを製造する前記工程が、結線側表面及び基板側表面を有する誘電体フィルム層を含むと共に、前記第１の相互接続構造物の前記誘電体フィルム層の各々の表面上にはパターニングによって形成された開口を有するパターン化導電性材料面がそれぞれ設けられているような予め作製されたフレキシブルな相互接続構造物を前記第１の相互接続構造物の一部として用意する工程、前記部品接続パッドが前記基板側表面上の前記導電性材料面の前記開口内に位置するようにして前記第１の相互接続構造物の前記予め作製されたフレキシブルな相互接続構造物と前記少なくとも１個の部品とを互いに接着する工程、前記第１の相互接続構造物の前記誘電体フィルム層の結線側表面及びその上の前記パターン化導電性材料面を覆うようにして誘電体キャップ層を設ける工程、前記部品接続パッドのそれぞれと整列した位置及び前記誘電体フィルム層上の前記パターン化導電性材料面の少なくとも一方の所定部分と整列した位置において、前記誘電体キャップ層を貫通すると共に前記第１の相互接続構造物の前記誘電体フィルム層の少なくとも特定部分を貫通して延びる複数のスルーホールを形成する工程、並びに前記スルーホールを通って延びることによって前記部品接続パッドの特定のものと前記第１の相互接続構造物の前記誘電体フィルム層上の前記パターン化導電性材料面の少なくとも一方の特定部分とを相互接続すると共に、前記誘電体キャップ層上に前記サブモジュール接続パッドを規定するパターン化導電性材料を前記誘電体キャップ層上に設ける工程を含む複合マルチコンポーネントモジュールの製造方法。
【請求項３】
上面及び前記上面上に設けられた部品接続パッドを有する少なくとも１個の電子部品と、前記少なくとも１個の電子部品の前記上面の上方に配置されてそれに結合され、そして前記部品接続パッドの特定のもの同士を相互接続する第１の相互接続構造物とをそれぞれに含み、かつ前記第１の相互接続構造物が上面上に設けられたサブモジュール接続パッドを有するような個別のサブモジュールを製造する工程、及び
前記サブモジュールの前記上面の上方に配置されてそれに結合され、そして前記サブモジュール接続パッドの特定のもの同士を相互接続する第２の相互接続構造物を用いて前記サブモジュール同士を相互接続する工程を含み、
前記第１及び第２の相互接続構造物が前記予め作製されたフレキシブルな相互接続構造物であり、
前記サブモジュール同士を相互接続する前記工程が、結線側表面及びサブモジュール側表面を有すると共に、前記サブモジュール側表面上にはパターニングによって形成された開口を有するパターン化導電性材料面が設けられているような誘電体フィルム層を前記第２の相互接続構造物の一部として用意する工程、前記サブモジュール接続パッドが前記サブモジュール側表面上の前記導電性材料面の前記開口内に位置するようにして前記第２の相互接続構造物の前記誘電体フィルム層を前記サブモジュールの前記上面及び前記サブモジュール接続パッドに接着する工程、前記サブモジュール接続パッドのそれぞれと整列した位置及び前記第２の相互接続構造物の前記誘電体フィルム層上の前記パターン化導電性材料面の所定部分と整列した位置において、前記第２の相互接続構造物の前記誘電体フィルム層の少なくとも特定部分を貫通して延びる複数のスルーホールを形成する工程、並びに前記スルーホールを通って延びることによって前記サブモジュール接続パッドの特定のものと前記第２の相互接続構造物の前記誘電体フィルム層上の前記パターン化導電性材料面の特定部分とを相互接続するパターン化導電性材料を前記第２の相互接続構造物の前記誘電体フィルム層上に設ける工程を含む複合マルチコンポーネントモジュールの製造方法。
【請求項４】
上面及び前記上面上に設けられた部品接続パッドを有する少なくとも１個の電子部品と、前記少なくとも１個の電子部品の前記上面の上方に配置されてそれに結合され、そして前記部品接続パッドの特定のもの同士を相互接続する第１の相互接続構造物とをそれぞれに含み、かつ前記第１の相互接続構造物が上面上に設けられたサブモジュール接続パッドを有するような個別のサブモジュールを製造する工程、及び
前記サブモジュールの前記上面の上方に配置されてそれに結合され、そして前記サブモジュール接続パッドの特定のもの同士を相互接続する第２の相互接続構造物を用いて前記サブモジュール同士を相互接続する工程を含み、
前記第１及び第２の相互接続構造物が前記予め作製されたフレキシブルな相互接続構造物であり、
前記サブモジュール同士を相互接続する前記工程が、結線側表面及びサブモジュール側表面を有する誘電体フィルム層を含んでいて、前記第２の相互接続構造物の前記誘電体フィルム層の各々の表面上にはパターニングによって形成された開口を有するパターン化導電性材料面がそれぞれ設けられていると共に、前記第２の相互接続構造物の前記誘電体フィルム層の結線側表面及びその上の前記パターン化導電性材料面を覆うように設けられた誘電体キャップ層を含む予め作製されたフレキシブルな相互接続構造物を前記第２の相互接続構造物の一部として用意する工程、前記サブモジュール接続パッドが前記サブモジュール側表面上の前記導電性材料面の前記開口内に位置するようにして前記第２の相互接続構造物の前記予め作製されたフレキシブルな相互接続構造物を前記サブモジュールの前記上面及び前記サブモジュール接続パッドに接着する工程、前記サブモジュール接続パッドのそれぞれと整列した位置及び前記第２の相互接続構造物の前記誘電体フィルム層上の前記パターン化導電性材料面の少なくとも一方の所定部分と整列した位置において、前記誘電体キャップ層を貫通すると共に前記第２の相互接続構造物の前記誘電体フィルム層の少なくとも特定部分を貫通して延びる複数のスルーホールを形成する工程、並びに前記スルーホールを通って延びることによって前記サブモジュール接続パッドの特定のものと前記第２の相互接続構造物の前記誘電体フィルム層上の前記パターン化導電性材料面の少なくとも一方の特定部分とを相互接続するパターン化導電性材料を前記第２の相互接続構造物の前記誘電体キャップ層上に設ける工程を含む複合マルチコンポーネントモジュールの製造方法。
【請求項５】
上面及び前記上面上に設けられた部品接続パッドを有する少なくとも１個の電子部品と、前記少なくとも１個の電子部品の前記上面の上方に配置されてそれに結合され、そして前記部品接続パッドの特定のもの同士を相互接続する第１の相互接続構造物とをそれぞれに含み、かつ前記第１の相互接続構造物が上面上に設けられたサブモジュール接続パッドを有するような個別のサブモジュールを製造する工程、及び
前記サブモジュールの前記上面の上方に配置されてそれに結合され、そして前記サブモジュール接続パッドの特定のもの同士を相互接続する第２の相互接続構造物を用いて前記サブモジュール同士を相互接続する工程を含み、
前記第１及び第２の相互接続構造物が前記予め作製されたフレキシブルな相互接続構造物であり、
前記サブモジュール同士を相互接続する前記工程が、結線側表面及びサブモジュール側表面を有する誘電体フィルム層を含むと共に、前記第２の相互接続構造物の前記誘電体フィルム層の各々の表面上にはパターニングによって形成された開口を有するパターン化導電性材料面がそれぞれ設けられているような予め作製されたフレキシブルな相互接続構造物を前記第２の相互接続構造物の一部として用意する工程、前記サブモジュール接続パッドが前記サブモジュール側表面上の前記導電性材料面の前記開口内に位置するようにして前記第２の相互接続構造物の前記予め作製されたフレキシブルな相互接続構造物を前記サブモジュールの前記上面及び前記サブモジュール接続パッドに接着する工程、前記第２の相互接続構造物の前記誘電体フィルム層の結線側表面及びその上の前記パターン化導電性材料面を覆うようにして誘電体キャップ層を設ける工程、前記サブモジュール接続パッドのそれぞれと整列した位置及び前記第２の相互接続構造物の前記誘電体フィルム層上の前記パターン化導電性材料面の少なくとも一方の所定部分と整列した位置において、前記誘電体キャップ層を貫通すると共に前記第２の相互接続構造物の前記誘電体フィルム層の少なくとも特定部分を貫通して延びる複数のスルーホールを形成する工程、並びに前記スルーホールを通って延びることによって前記サブモジュール接続パッドの特定のものと前記第２の相互接続構造物の前記誘電体フィルム層上の前記パターン化導電性材料面の少なくとも一方の特定部分とを相互接続するパターン化導電性材料を前記第２の相互接続構造物の前記誘電体キャップ層上に設ける工程を含む複合マルチコンポーネントモジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の背景】
本発明は複合マルチチップモジュール（ＭＣＭ）に関するものであって、更に詳しく言えば、高い歩留りで原価効率良く組立てることのできる複合ＭＣＭ及び対応する製造方法に関する。
アイヘルベルガー(Eichelberger)等の米国特許第４７８３６９５号及び以後の関連特許（それらの一部は下記に引用される）の明細書中に開示されているごとく、多数の複合半導体素子を相互接続するために使用された高密度相互接続（ＨＤＩ）技術は、様々なその他の単一チップ及びマルチチップパッケージング方法に比べて改善された電気的、熱的及び機械的性能特性を持ったマルチチップモジュールを製造し得るという点で極めて満足すべき成功を収めた。非常に簡単に述べれば、ＨＤＩ−ＭＣＭは基板上に取付けられた複数の半導体集積回路チップ及びその他の電子部品を含んでいる。それらのチップ及びその他の電子部品は、薄膜重合体誘電体材料〔たとえば、キャプトン(KAPTON)ポリイミド（キャプトンはデュポン社の登録商標である）〕から成る介在層及びパターン化された金属被膜を含みかつ重合体層中に設けられたスルーホールを有する多層相互接続構造物によって相互接続されている。
【０００２】
このようなＨＤＩ技術を用いて広範囲のモジュールが製造されてきた。それらのモジュールとしては、（４０〜５０個のチップを含む）高チップ数モジュール、（４００本の入出力線路を有する）高ピン数モジュール、（Ｓｉ上で２００ＭＨｚかつＧａＡｓ上で２ＧＨｚという）高速ディジタルモジュール、アナログ−ディジタル混載モジュール（たとえば、４４チャネルのＡ／Ｄ変換モジュール）、電力変換モジュール（たとえば、５０Ｖ−５ＶのＤＣ−ＤＣ変換モジュール）、（Ｓ、Ｃ、Ｋｕ及びＸバンドの）マイクロ波モジュール、及び（４４ＧＨｚの）ミリメートル波モジュールが挙げられる。
【０００３】
更に詳しく述べれば、前記に開示されたＨＤＩ構造物においては、たとえば２５〜１００ミルの厚さを有するアルミナ製のセラミック基板が使用されている。かかる基板は、それを使用する電子システム全体にとって適当な寸法及び強度を有している。通例、その寸法は２インチ平方程度である。
各種のチップを配置すべき位置には、適当な深さを有する個別のキャビティ又は１個の大きなキャビティが形成される。そのためには、先ず最初に、一様な厚さ及び所望の寸法を有する基板素材が用意される。通常のレーザ切削又は超音波切削を用いて、後に各種のチップ及びその他の部品を配置するためのキャビティが形成される。一様な寸法のチップを並置状態で配置することが所望されるシステムの場合には、１個の大きなキャビティを設けるのが有利なこともある。
【０００４】
各種の部品が所望位置のキャビティ内に配置され、そして好ましくはアルテム(ULTEM) ポリエーテルイミド樹脂（アルテムはゼネラル・エレクトリック・カンパニイの登録商標である）から成る熱可塑性接着剤層によって接着される。更に詳しく述べれば、構造物全体をアルテムポリエーテルイミドの軟化点（使用する組成に応じて２１７〜２３５℃付近の温度）まで加熱してから冷却することにより、個別の部品が基板に対して熱可塑的に結合される。この段階において、全ての部品の上面及び基板の上面は実質的に同じ平面内に位置している。
【０００５】
次に、オーバーレイ多層相互接続構造物を構成することにより、部品同士が電気的に相互接続されて実際に機能するシステムとなる。先ず最初にオーバーレイＨＤＩ構造物について説明すれば、約０．０００５〜０．００３インチ（１２．５〜７５ミクロン）の厚さを有するポリイミド誘電体フィルム（たとえばキャプトンポリイミドフィルム）に密着性向上のための前処理を施してから、片面をアルテムポリエーテルイミド樹脂又はその他の熱可塑性樹脂で被覆した後、そのフィルムがチップ、その他の部品及び基板の上部に積層される。この場合、アルテム樹脂はキャプトンフィルムを所定の位置に保持するための熱可塑性接着剤として役立つ。
【０００６】
各種の部品及びその上の接点パッドの実際の配置位置を確認した後、電子部品上の接点パッドと整列した位置においてキャプトンフィルム層及びアルテム接着剤層を貫通するスルーホールが適応レーザ穴あけによって形成される。レーザ穴あけ技術の実例は、アイヘルベルガー(Eichelberger)等の米国特許第４７１４５１６及び４８９４１１５号並びにロウラン(Loughran)等の米国特許第４７６４４８５号の明細書中に開示されている。
【０００７】
キャプトンフィルム層上に金属層が蒸着されるが、その金属層はスルーホール中にまで延びて下方の接点パッドに対する電気的接触をもたらす。かかる金属層には蒸着工程中にパターニングを施して個々の導体を形成することもできるし、あるいは連続層として蒸着した後にホトレジスト及びエッチングを用いてパターニングを施すこともできる。ホトレジストの露光に際しては、基板に対して走査を行うことによって工程の終了時に正確に整列した導体パターンを生み出すレーザを使用することが好ましい。金属層のパターニング技術の実例は、ウォジュナロウスキー(Wojnarowski) 等の米国特許第４７８０１７７及び４８４２６７７号、並びに「高密度相互接続をもたらす適応リソグラフィー装置」と称するアイヘルベルガー(Eichelberger)等の米国特許第４８３５７０４号の明細書中に開示されている。個々の電子部品及びそれらの接点パッドの位置に狂いがあっても、それは米国特許第４８３５７０４号明細書中に開示されているような適応リソグラフィー装置によって補正することができる。
【０００８】
更に、チップ間において所望される全ての電気的接続を行うため、必要に応じて追加の誘電体層及び金属層が設けられる。
かかるＨＤＩモジュールの製造に際しては、歩留り及び原価の問題が重要な因子であった。すなわち、１つには個々の半導体ダイの歩留りの変動のため、ファーストパスと見なすことのできる初期組立て後における初期のモジュール歩留りは２５〜９０％の範囲内にある。モジュールの手直し及び修理を行うことにより、最終のモジュール歩留りは８０〜１００％に向上する。
【０００９】
ＨＤＩモジュールについては、システム内に組込まれた良品の部品に顕著な危険を及ぼすことなく、欠陥のある部品の修理又は交換のためにそれを分解し、次いで再び組立てることが可能である。各々の原価が２，０００ドルにも達する５０個以上のチップを１枚の基板上の単一システム内に組込むことがあるような場合、修理可能性は特に重要である。ＨＤＩ−ＭＣＭを試験して修理するための技術は、アイヘルベルガー(Eichelberger)等の米国特許第４８７８９９１、４８８４１１２及び４９３７２０３号並びにウォジュナロウスキー(Wojnarowski) 等の米国特許第５１５４７９３号の明細書中に開示されている。
【００１０】
上記の特許明細書中に開示されているような故障したＨＤＩ−ＭＣＭの修理に際しての基本要件の１つは、オーバーレイ構造物の第１の層を部品に結合している接着剤及び部品を基板に結合している接着剤の両方が、高温に暴露された場合に軟化して剥離する熱可塑性重合体から成ることである。開示された再加工方法にとってのもう１つの基本要件は、オーバーレイ構造物を結合している接着剤がダイ又はその他の部品を結合している接着剤よりも低い温度で軟化することである。その結果、欠陥のあるモジュールをオーバーレイ構造物結合用接着剤の軟化温度よりも高いがダイ結合用接着剤の軟化温度よりも低い温度に加熱することにより、下方のチップを攪乱することなしにオーバーレイ構造物を基板から取外すことができる。引続いてチップを取外すためには、特定のチップを局部的に加熱することにより、該チップの温度をダイ結合用接着剤の軟化温度よりも高くすればよい。そうすれば、各種の手動操作によってチップを取外すことが可能となる。
【００１１】
次いで、接着剤の完全除去、ダイ結合用接着剤の再塗布、代替えダイの配置、及びダイ結合用接着剤の硬化によってモジュールが修理される。その後、オーバーレイ薄膜加工工程の全てを繰返せばよい。
それに続いて、ＨＤＩ方法の複雑度及びコストを２つの点から低減させるため、ＣＯＦ〔チップ・オン・フレックス(Chip On Flex)〕技術として知られる技術が開発された。
【００１２】
簡単に述べれば、ＣＯＦ技術の第１の特徴は、フィリオン(Fillion) 等の米国特許第５３５３４９８及び５４９７０３３号明細書中に開示されているごとく、成形工程の使用によってＨＤＩセラミック基板切削工程が排除されることである。すなわち、熱可塑性又は熱硬化性接着剤の使用によって（部品接続パッドを支持する）ダイ上面が重合体延伸フィルムに結合され、次いで重合体成形材料（たとえば、エポキシ樹脂を基材とする成形コンパウンド）の使用によってチップ及びその他の電子部品の残りの全表面が封入される。このようにして、チップ及びその他の電子部品はエポキシ樹脂を基材とする成形コンパウンドの硬化物から成る基板中に封入されることになる。
【００１３】
簡単に述べれば、ＣＯＦ技術の第２の特徴は、電力及び接地結線に関してフィリオン(Fillion) 等の米国特許第５３５３１９５号明細書中に記載され、かつ信号結線に関してコール(Cole)等の米国特許第５５２７７４１号明細書中に記載されているごとく、片面又は両面において予めパターン化された重合体延伸フィルムを使用することによって２つの相互接続層が得られることである。その結果、上記に略述されたような比較的多くのコストを必要とするＨＤＩ薄膜加工工程が不要となる。
【００１４】
次いで、前記に開示されたＨＤＩ薄膜加工技術を用いてオーバーレイ構造物が完成される。すなわち、レーザを用いてスルーホールを形成した後、スルーホールを通って部品接続パッドにまで達する結線を含む第３のパターン化金属層が儲けられる。
更に詳しく述べれば、ＣＯＦ技術が一般的に実施される場合のごとく、重合体フィルム構造物は（１０〜１００ミクロンの範囲内にある）一様な厚さのポリイミドフィルムとそれの上面、下面又はそれらの両方に設けられた金属被膜パターンとから成る。典型的な金属被膜の厚さは１〜２００ミクロンの範囲内にあり、またかかる金属被膜はＣｕ又はＡｌから成ると共に、Ｔｉ又はＣｒのごとき障壁金属を伴う。かかる重合体フィルム構造物の下面の特定領域又は全域に重合体接着剤が塗布される。この重合体接着剤は熱硬化性材料であってもよいし、あるいは熱可塑性材料であってもよい。
【００１５】
少なくとも１個の部品の上部（活性）表面が重合体接着剤に接触するようにして重合体フィルム構造物の下面に部品が取付けられ、そして接着剤により重合体フィルム構造物に対して機械的に結合される。次いで、部品の下面及び側面がプラスチック成形材料で封入されるが、この成形材料は重合体フィルム構造物の接着剤で被覆された下面の少なくとも一部分をも覆うことになる。この成形材料は、ＣＴＥ（熱膨張率）の小さい粒子を混入したエポキシ樹脂のごとき熱硬化性重合体から成る。
【００１６】
次いで、部品の上面上の部品接続パッドのそれぞれと整列した位置において重合体フィルムを貫通して延びるスルーホールが形成される。更にまた、重合体フィルムを貫通して延び、そして重合体フィルム構造物の下面上に設けられた金属被膜にまで達する少なくとも１つのスルーホールが設けられる。これらのスルーホールは、レーザアブレーション、プラズマエッチング、化学エッチング、機械的切削、又はそれらの方法の組合せによって形成することができる。最後に、上部金属層が形成され、そしてパターン化される。この上部金属層は、スルーホールを通って延びることによって部品接続パッドと重合体フィルム構造物の下面上の金属被膜とを電気的に接触させると共に、それの上面には接点パッドを規定する。
【００１７】
こうして得られた構造物は３つの相互接続層を有し得るが、組立て時にＨＤＩ薄膜加工技術を必要とするのはただ１つの層であるという点で有利である。とは言え、封入成形工程を使用するため、欠陥のあるダイをたまたま含んだＣＯＦモジュールの手直し又は修理が困難で多くのコストを必要としたり、あるいは全く不可能であったりすることが欠点である。
【００１８】
従って、ＣＯＦ技術は特に歩留りの高い簡単な少数チップモジュールに対して適用し得るものである。ＣＯＦ技術は、コスト上の利点があるにもかかわらず、歩留りの問題を考慮すればより高度の複合ＭＣＭに関してあまり有用ではないのである。
【００１９】
【発明の概要】
それ故、複合ＭＣＭを高い歩留りで原価効率良く製造でき、かつまた複合ＭＣＭの製造に際してＣＯＦ技術を使用できれば望ましいことがわかる。
本発明の実施の一態様に従えば、構成単位サブモジュールを個別に試験した後、複数のＭＣＭ構成単位サブモジュール（あるいは１個以上のＭＣＭ構成単位サブモジュール及び１個以上の単一チップ部品）がより高度の複合モジュールとして組立てられる。複合マルチコンポーネントモジュールの製造方法は、回路構造を論理的に複数のブロックに分割する工程から開始される。各々のブロックは少なくとも１個の電子部品を含んでいる。
【００２０】
第１の階層組立レベルにおいては、かかるブロックが個別のサブモジュールとして製造される。各々のサブモジュールはその上に設けられた部品接続パッドを有する少なくとも１個の電子部品を含むが、かかる電子部品はサブモジュール基板上に支持されていてもよい。また、電子部品の上方に配置されてそれらに結合され、それによって部品接続パッドの特定のもの同士を相互接続する第１の相互接続構造物が設けられる。かかる第１の相互接続構造物は、誘電体材料の介在層及び導電性材料を有する多層相互接続構造物であってもよい。第１の相互接続構造物の上面にはサブモジュール接続パッドが設けられる。
【００２１】
第２の階層組立レベルにおいては、第１の組立レベルにおける個別の部品の場合とほぼ同様にしてサブモジュール同士が相互接続される。すなわち、サブモジュールの上面の上方に配置されてそれらに結合され、それによってサブモジュール接続パッドの特定のもの同士を相互接続する第２の相互接続構造物が設けられる。かかる第２の相互接続構造物もまた、誘電体材料の介在層及び金属被膜のごとき導電性材料を有する多層相互接続構造物であってもよい。
【００２２】
【発明の詳細】
本発明は、上記に簡単に記載されたような従来のＨＤＩ製造方法の変法を用いて複合マルチチップモジュールを製造する場合に対して特に適用し得るものである。本発明はまた、多くの個別半導体チップを含みかつ高い歩留りで製造されるＭＣＭにおいても実施することができる。
予備設計工程として、多数の複合半導体部品及び受動支持部品を含む複合回路は複数の論理ブロックに分割される。各々の論理ブロックは１個以上の部品を含むが、通例は論理ブロック当り２〜１０個あるいはそれ以上の部品を含んでいる。回路を論理ブロックに分割する作業は、幾つかの因子に基づいて行われる。かかる因子としては、論理ブロック内における相互結線の数、各々の論理ブロックの外部結線の数、論理ブロック中に含まれる各々の部品の複雑度及び入出力数、各々の部品の推定歩留り低下、各々の部品の電力損失、並びに各々の部品の機能及びその他の特性（たとえば、論理かＲＡＭか、信号か論理か、高出力か低出力か、及びディジタルかＲＦかの違い）が挙げられるが、それらのみに限定されるわけではない。
【００２３】
図１は、１つの論理ブロックに相当する代表的なサブモジュール２０を示している。サブモジュール２０は半導体ダイ又は「チップ」あるいは受動部品のごとき代表的な電子部品２２及び２４を含んでいて、かかる部品はそれらの上面又は活性主面３４及び３６上に代表的な部品接続パッド２６、２８、３０及び３２を有している。
【００２４】
部品２２及び２４はサブモジュール基板３８上に支持されている。かかる基板３８は、前記に開示されたＨＤＩ技術に従って切削により形成されたキャビティの中に部品２２及び２４を接着剤により取付けたセラミック基板であってもよいが、フィリオン(Fillion) 等の米国特許第５３５３１９５、５３５３４９８及び５４９７０３３号明細書中に開示されているような成形基板３８であることが好ましい。
【００２５】
部品接続パッド２６、２８、３０及び３２は、第１の相互接続構造物５０によって相互接続されている。図１においては、これは部品２２及び２４及び基板３８の上方に位置しかつ接着剤層５２によってそれらに結合された多層相互接続構造物５０である。
この例における多層相互接続構造物５０は３つのパターン化金属層を含んでいるが、これはたとえば上記に略述された従来のＨＤＩ製造技術を用いて製造することができる。
【００２６】
とは言え、多層相互接続構造物５０は予め作製されたフレキシブルな相互接続構造物５３から成ることが好ましい。かかる相互接続構造物５３は、コール(Cole)等の米国特許第５５２７７４１号明細書中に開示されかつＣＯＦ法に関連して上記に略述されているごとく、結線側表面６０及び基板側表面６２上に金属層５６及び５８をそれぞれ有するように予めパターン化された第１の誘電体フィルム層５４を含んでいる。金属層５６及び５８には、部品接続パッド２６、２８、３０及び３２に対応して開口６３が存在している。従って、組立時において部品接続パッド２６、２８、３０及び３２が基板側表面６２上のパターン化金属面５８と直接に電気的接触を示すことはないのであって、その後に部品接続パッド２６、２８、３０及び３２へのアクセスのためのスルーホールが形成される。なお、金属面５６及び５８の特定部分同士が代表的なスルーホール６４によって相互接続されている。
【００２７】
２つの金属面を有するように予めパターン化された誘電体フィルム層５４を使用することは、従来のＨＤＩ製造方法におけるごとくに２つの薄膜相互接続層を作製することよりも安価である。
結線側表面６０及びその上のパターン化金属層５６は、第１の誘電体キャップ層７０によって被覆されている。これは、上部の金属層５６と以後に追加されるパターン化金属層７４及び接続パッド７６との間の電気絶縁層として作用する。誘電体キャップ層７０は予め作製されたフレキシブルな相互接続構造物５３の一部として含まれていてもよいし、あるいは後に追加されるものであってもよい。部品接続パッド２６、２８、３０及び３２のそれぞれ並びにパターン化金属面５６及び５８の少なくとも一方の所定部分と整列した位置には、誘電体キャップ層７０を貫通すると共に第１の誘電体フィルム層５４の少なくとも特定部分を貫通して延びる第１群のスルーホール７２が適応レーザアブレーションによって形成される。最後に、誘電体キャップ層７０上及びスルーホール７２の内部にパターン化金属層７４を形成することによって相互接続構造物が完成する。更にまた、金属層７４は第１の誘電体キャップ層７０上に位置するサブモジュール接続パッド７６を含むと共に、サブモジュール２０の機能試験及び性能試験を容易にするためにパッド７６と同等な試験パッドをも含むことが好ましい。サブモジュール接続パッド７６を含むパターン化金属層７４及び第１の誘電体キャップ層７０は、サブモジュール２０の上面７８を規定する。
【００２８】
このように、多層相互接続構造物５０はサブモジュール２０内の全ての内部結線を提供すると共に、全ての外部ブロック接続用の接続パッド７６及び試験パッドを提供する。以後の相互接続処理を容易にするため、外部接続パッド７６は５〜１０ミル（０．１２７〜０．２５４ミリ）平方の寸法を有するのが通例であって、これらは２〜４０ミル（０．０５０８〜０．１０１６ミリ）平方の寸法を通例有する部品接続パッド２６、２８、３０及び３２よりも大きい。
【００２９】
図１中には相互接続構造物５０が多層相互接続構造物５３から成るものとして示されているが、より簡単な相互接続構造物を使用することもできる。たとえば、基板側表面６２上にパターン化金属層５８は形成するが結線側表面６０上のパターン化金属層５６及び誘電体キャップ層７０は省くことによって作製された単層の（すなわち、単一の導電層を有する）相互接続構造物を使用することもできる。この例では、スルーホール７２は誘電体フィルム層５４中にのみ形成され、そしてサブモジュール接続パッド７６を含むパターン化金属層７４は誘電体フィルム層５４上に直接に形成される。
【００３０】
図２は同様なサブモジュール２１を示すものであって、対応する構成要素は同じ参照番号によって表わされている。
図２のサブモジュール２１は、熱伝導性結合剤８２によって熱的に連結された部品２４用の一体ヒートシンク８０を含んでいる。
多くの場合、基板３８は上記に略述されかつフィリオン(Fillion) 等の米国特許第５３５３１９５、５３５３４９８及び５４９７０３３号明細書中に開示されているごとくにして形成された硬化基板成形材料から成ることが好ましい。この場合、部品２２及び２４の上面３４及び３６は予め作製されたフレキシブルな相互接続構造物５３に結合され、従って部品接続パッド２６、２８、３０及び３２は相互接続構造物５３に対面している。また、部品２２及び２４のその他の表面は低ＣＴＥ粒子を混入したエポキシ樹脂のごとき熱硬化性重合体成形材料中に封入される。
【００３１】
とは言え、予備成形された基板を使用することが有利な場合もある。これが特に有利であるのは、部品２２及び２４がアクセスを必要とする電気接点を背面に有する場合である。その実例としては、一部のＣＭＯＳ素子、ＧａＡｓ高周波素子、並びにＩＧＢＴ、ＭＯＳＦＥＴ及びＭＣＴのごとき電力素子が挙げられる。
そのような場合を図３のサブモジュール８８について説明すれば、予備成形された基板（又は本体）９０は基板表面９２及びキャビティ９４を有していて、キャビティ９４の深さは代表的な部品９６及び９８の厚さに対応している。部品９６及び９８は、上面３４及び３６上の部品接続パッド２６、２８、３０及び３２に加え、背面の電気接点１００及び１０２をそれぞれ有している。予備成形された基板９０はＨＤＩ構造物において従来使用されていた種類のものであって、たとえば切削されたセラミック、切削された金属、予備成形された金属、あるいは予備成形されたプラスチック又は複合構造物から成り得る。
【００３２】
予備成形された基板９０は、キャビティ９４の底部から基板表面９２にまで延びる導電層１０４を含むことが好ましい。導電層１０４は銅のごとき金属から成り得る。製造プロセス中において、部品９６及び９８はキャビティ９４の内部に配置され、そしてはんだ又は導電性粒子を添加した重合体接着剤のごとき導電性材料１０６を用いて接着される。その結果、背面の電気接点１００及び１０２は導電層１０４に対して電気的に接続される。
【００３３】
次いで、部品の上面３４及び３６及び基板表面９２を覆うようにして多層相互接続構造物のごとき相互接続構造物１１０が形成される。相互接続構造物１１０としては、予め作製された（予めパターン化された）フレキシブルな相互接続構造物を使用してもよいし、あるいは前記に開示されたＨＤＩ技術を用いて各層毎に作製されかつパターン化されたものであってもよい。部品接続パッド２６、２８、３０及び３２への電気的接続をもたらすスルーホール７２に加えて、基板表面９２上の導電層１０４と整列した位置にスルーホール１１２が形成され、そしてその終端にはサブモジュール接続パッド１１４が設けられる。このようにして、部品背面の電気接点１００及び１０２は図３のサブモジュール８８の上面上の接続パッド１１４にまで電気的に導かれる。
【００３４】
別の例として、図４には部品接続パッド１２４を有するが基板は伴わない単一の部品１２２から成るサブモジュール１２０の側断面図が示されており、また図５にはそれの平面図が示されている。簡単な相互接続構造物１２６は、部品１２２の上面に接着されたフレキシブルな誘電体フィルム層１２８を含んでいる。部品接続パッド１２４と整列した位置には、誘電体フィルム層１２８を貫通してスルーホール１３２が形成されている。サブモジュール接続パッド１３６を含むパターン化金属層１３４がスルーホール１３２を通って延び、そして部品接続パッド１２４と電気的に接触している。
【００３５】
以後、実現すべき回路の論理ブロックに相当する代表的なサブモジュール２０（図１）、２１（図２）、８８（図３）及び１２０（図４）は、接続パッド７６又は１３６を有する大形チップ部品として処理されかつ取扱われる。サブモジュール２０、２１、８８及び１２０には試験及び随意のバーンインを施すことも可能であって、機能しなかったり設計上の要求条件を満たさなかったりした場合には廃棄することもできる。
【００３６】
第２レベルの設計は、上記のごときサブモジュール（構成ブロック）を相互接続して完全な複合回路を生み出すことにある。この場合には、各々のサブモジュールを部品として使用する点を除けば、本質的に同じ方法又はそれの変法が使用される。
すなわち、図６について説明すれば、第２の相互接続構造物１８６は予め作製された相互接続構造物１８８から成っている。この相互接続構造物１８８は、通例１０〜１００ミクロンの厚さを有するキャプトン（登録商標）ポリイミドから成る（第１の誘電体フィルム層５４と同等な）誘電体フィルム層１９０を含んでいる。誘電体フィルム層１９０は結線側表面１９２及びサブモジュール側表面１９４を有していて、それらの上にパターン化金属面１９６及び１９８をそれぞれ有している。金属面１９６及び１９８中の開口１９９は、最終アセンブリ中におけるサブモジュール接続パッド７６の位置に対応している。従って、図６〜８の実施の態様に関しては、サブモジュール接続パッド７６は組立時においてはサブモジュール側表面１９４上のパターン化金属面１９８と直接に電気的接触を示すことはないのであって、その後にサブモジュール接続パッドへのアクセスのためのスルーホールが形成される。図６の予め作製された相互接続構造物はまた、金属面１９６及び１９８の特定部分同士を相互接続する代表的なスルーホール２００を含んでいる。
【００３７】
結線側表面１９２及びその上のパターン化金属面１９６を覆うようにして誘電体キャップ層２０２が設けられている。誘電体キャップ層２０２は予め作製されたフレキシブルな相互接続構造物の一部であってもよいし、あるいは後に追加されるものであってもよい。
同様に、サブモジュール側表面１９４上には、パターン化金属面１９８を保護するために別の誘電体層２０４を設けることができる。最後に、誘電体層２０４及びサブモジュール側表面１９４を覆うようにして接着剤層２０６が設けられる。なお、所望に応じ、接着剤層２０６を図１及び２のサブモジュール２０及び２１の上面上に設けてもよいことは言うまでもない。
【００３８】
図７は最終組立工程を示し、また図８は複合マルチコンポーネントモジュールを示している。この場合、図６の相互接続構造物１８６が図１及び２のサブモジュール２０及び２１に接着されている。サブモジュール接続パッド１７６のそれぞれ並びにパターン化金属面１９６及び１９８の少なくとも一方の所定部分と整列した位置には、第２の誘電体キャップ層２０２を貫通すると共に第２の誘電体フィルム層１９０の少なくとも特定部分を貫通して延びるスルーホール２１０が形成される。最後に、一部がスルーホール２１０内にまで延びるパターン化金属層２１２を形成することによって相互接続構造物１８６が完成する。この相互接続構造物１８６は個別のサブモジュール２０間における全ての相互結線を提供すると共に、完成した構造物２０８に対する外部結線をも提供する。
【００３９】
別の第２階層レベル組立方法に従えば、予め作製された相互接続構造物はサブモジュール接続パッドの特定のものと整列した接点パッドをサブモジュール側表面上に有している。かかる接点パッドは、はんだ、導電性接着剤又は異方導電性接着剤を用いて電気的に接続される。詳しく述べれば、はんだを用いてサブモジュール２２０及び２２１を相互接続構造物２８６に組立てる別の最終組立方法が図９〜１２に示されている。
【００４０】
図９は、結線側表面２９２を有すると共に底面のパッシベーション膜２９５を伴うサブモジュール側表面２９４を有するフレキシブルな重合体フィルム２９０上に形成された多層相互接続構造物２８６を示している。結線側表面２９２上には上部接点パッド２９６及び上部相互結線２９７が形成され、またサブモジュール側表面２９４上には下部接点パッド２９８が形成されている。重合体フィルム２９０を通ってスルーホール３００が延びている。接点パッド２９８は、Ｃｕ／Ｔｉ上のＮｉ／Ａｕのごときはんだ付け可能な金属組成を有している。
【００４１】
図１０は、接点パッド２９８上に塗布されたはんだペースト３１０又は導電性接着剤３１１を有する図９の相互接続構造物２８６を示している。あるいはまた、接点パッド２９８上にはんだ３１０を直接にめっきすることもできる。実際には、各々の接続のために通常のコネクタ材料（はんだ又は接着剤）が使用される。
【００４２】
はんだに関して述べれば、相互接続構造物２８６上の下部接点パッド２９８及びその上に塗布されたはんだペースト３１０のそれぞれと整列したサブモジュール接続パッド２４０を有する２個のサブモジュール２２０及び２２１が図１１に示されている。サブモジュール２２０及び２２１はまた、接続パッド２４０を露出させる開口２３２を含んだパターン化はんだマスク２３０をも有している。
【００４３】
図１２は、相互接続構造物２８６上にサブモジュール２２０及び２２１を取付けてから、はんだペースト３１０を再流動させて相互接続構造物２８６に対しサブモジュール２２０及び２２１を電気的に接続した後の完成したマルチモジュールアセンブリ３２０を示している。
導電性接着剤に関して述べれば、同じ図９〜１２に示された代替組立方法に従ってはんだ３１０の代りに導電性接着剤３１１が使用される。相互接続構造物２８６上の接点パッド２９８並びにサブモジュール２２０及び２２１上の接続パッド２４０は、導電性接着剤３１１に適合した金属組成を有している。相互接続構造物２８６の接点パッド２９８上には、（はんだ３１０の代りに）導電性接着剤が塗布される。熱硬化サイクルの使用により、相互接続構造物２８６に対してサブモジュール２２０及び２２１が機械的かつ電気的に結合される。
【００４４】
図１３〜１７には、異方導電性接着剤３１２を用いて相互接続構造物２８６に対しサブモジュール２２０及び２２１を電気的かつ機械的に結合する更に別の代替組立方法が示されている。
図１３は、結線側表面２９２を有すると共に底面のパッシベーション膜２９５を伴うサブモジュール側表面２９４を有するフレキシブルな重合体フィルム２９０上に形成された多層相互接続構造物２８６を示している。結線側表面２９２上には上部接点パッド２９６及び上部相互結線２９７が形成されいる。サブモジュール側表面２９４上には下部接点パッド２９８及び下部相互結線２９９が形成されている。接点パッド２９８は、導電性接着剤に適合した金属組成（たとえば、Ｃｕ／Ｔｉ上のＮｉ／Ａｕ）を有している。
【００４５】
図１４は、サブモジュール側表面２９４上に塗布された異方導電性接着剤３１２の一様な層を有する図１３の相互接続構造物２８６を示している。異方導電性接着剤を使用することにより、Ｘ及びＹ平面内において電気的接続をもたらすことなく、Ｚ平面内において電気的接続を行うことができる。それの厚さは約６〜約２５０ミクロンの範囲内にあることが好ましい。この材料は任意適宜の異方性接着材料から成り得る。かかる材料の一例としては、ニッケル被覆重合体を充填した熱硬化性−熱可塑性樹脂ブレンドが３Ｍ社から５３０５Ｒの注文番号で入手可能である。
【００４６】
図１５は、相互接続構造物２８６上の下部接点パッド２９８のそれぞれと整列した接続パッド２４０を有する２個のサブモジュール２２０及び２２１を示している。サブモジュール２２０及び２２１はまた、接続パッド２４０を露出させる開口２３２を含んだパターン化はんだマスク２３０をも有している。かかるはんだマスクは、接続が所望されない位置において相互接続構造物上の金属被膜がサブモジュール上の金属被膜と重なり合った場合に不要の短絡を防止するために有用である。
【００４７】
図１６は、異方導電性接着剤３１２の硬化前における、相互接続構造物２８６上に取付けられた２個のサブモジュール２２０及び２２１を示している。
図１７は、サブモジュール２２０及び２２１を相互接続構造物２８６上に取付けてから、異方導電性接着剤３１２を硬化させて相互接続構造物２８６に対しサブモジュール２２０及び２２１を電気的かつ機械的に接続した後の完成したマルチモジュールアセンブリ３４０を示している。硬化は、材料製造業者の指示に従って行えばよい。実施の一態様に従えば、硬化は約１６０〜約１８０℃の温度下で約２〜５分間にわたって行われる。
【００４８】
図１８は、相互接続構造物２８６にサブモジュール２２０を取付けたが異方導電性接着剤３１２の硬化はまだ行っていない状態における、相互接続構造物２８６上の接点パッド２９８及びサブモジュール２２０上のサブモジュール接続パッド２４０の拡大断面図である。図１８においては、異方導電性接着剤３１２中の代表的な導電性粒子３１４及び３１６は接点パッド２９８とサブモジュール接続パッド２４０とを電気的に接続していない。
【００４９】
図１９は、異方導電性接着剤３１２の硬化後における、図１８と同じ構造物を示している。代表的な導電性粒子３１６は相互接続構造物２８６の接点パッド２９８及びサブモジュール２２０のサブモジュール接続パッド２４０の両方と物理的に接触し、それによってパッド２９８及び２４０の間に電気的接続をもたらす。なお、代表的な導電性粒子３１４は電気的接続を全く行わない。
【００５０】
図１及び２に関連して上記に記載されたごとく個々の部品２２及び２４を基板成形材料３８中に封入したり、あるいは図３に関連して上記に記載されたごとくそれらを予備成形基板９０のキャビティ９４の中に配置したりするのと全く同様に、図８のサブモジュール２０及び２１（あるいは図１２及び１７のサブモジュール２２０及び２２１）を封入することができる。
【００５１】
詳しく述べれば、図２０に示されるごとく、図８の複合マルチコンポーネントモジュール２０８におけるサブモジュール２０及び２１並びに相互接続構造物１８６の背面の露出部分を封入するプラスチック成形基板構造物３５０を形成することができる。
あるいはまた、図２１〜２３に示されるごとく、図８の複合マルチコンポーネントモジュール２０８を電子部品パッケージ（又は包囲体）３７０のキャビティ３６０の中に取付けることもできる。図２１はマルチコンポーネントモジュール２０８及び電子部品パッケージ３７０を示していて、パッケージ底部３７６の上面３７４の特定部分には重合体接着剤３７２が塗布されている。なお、部品パッケージはキャビティ３６０を有するものとして示されているが、このキャビティは随意のものである。たとえば、部品パッケージはキャビティを持たない取付板から成っていてもよい。
【００５２】
図２２は、接着剤３７２を硬化させ後の、電子部品パッケージ３７０のパッケージ底部３７６の上面に塗布された重合体接着剤３７２上に取付けられたマルチコンポーネントモジュール２０８を示している。
図２３は、基板成形材料から成る封入剤３８０を用いてパッケージ３７０内のマルチコンポーネントモジュール２０８を部分的に封入する随意の工程を示している。
【００５３】
上記の方法は、第３階層レベル及びそれ以上のレベルの組立てに拡張して適用することもできる。
本発明の階層的なアプローチが幾つかの利点をもたらすことは容易に理解されよう。
第１の利点は、欠陥のあるダイが存在した場合でも、複合マルチコンポーネントモジュール全体ではなく１個のサブモジュール構成単位を廃棄すれば済むことである。たとえば、構成単位当り５％の歩留り低下を示す４個のサブモジュール構成単位から成るモジュールの場合、従来のモノリシックＭＣＭアプローチでは１９％のモジュール歩留り低下が生じるのに対し、本発明の階層構造では（ダイの歩留り低下に原因する）最終の歩留り低下が生じることはなく、５％のモジュール歩留り低下が生じるだけである。
【００５４】
予めパターン化された誘電体から成る相互接続構造物は優れた相互接続及び組立歩留り（ダイの歩留りに関連しないモジュールの歩留り）を有するが、高度の複合モジュールはかなりの相互接続及び（又は）組立歩留り低下を示す。本発明の階層サブモジュール構造においては、ダイの歩留り低下に原因するモジュールの歩留り低下が減少するのと同様にしてそれらの歩留り低下が減少する。
【００５５】
第３の利点として、前記に開示されたＣＯＦ構造では、予め作製された誘電体フィルムにおいて２つの相互接続層しか得ることができない。その理由は、予め作製された２つ以上の誘電体フィルムを別のものと整列させるには許容限界が存在すること、及び３つ以上の相互接続層を有する予め作製された誘電体フィルムは現行のＣＯＦ加工技術にとっては厚過ぎることにある。しかるに、スーパーモジュールの組立時に予め作製された両面型の誘電体相互接続層を用いて組立てられる構成単位サブモジュールを使用すれば、予め作製されたフレキシブルな誘電体フィルム層及び２つの薄膜相互接続層に関して６つの相互接続層が得られることになる。
【００５６】
以上、若干の好適な実施の態様に関連して本発明を説明したが、当業者には数多くの変更態様が想起されよう。それ故、本発明の真の精神に反しない限り、前記特許請求の範囲はかかる変更態様の全てを包括するものと解すべきである。
【図面の簡単な説明】
【図１】基板上に支持されかつ第１の組立レベルに対応する第１の多層相互接続構造物によって相互接続された２個の代表的な電子部品を含む代表的なサブモジュールの側断面図である。
【図２】基板上に支持されかつ第１の組立レベルに対応する第１の多層相互接続構造物によって相互接続された２個の代表的な電子部品を含む別の代表的なサブモジュールの側断面図である。
【図３】予備成形された基板を使用するサブモジュールの側断面図である。
【図４】単一チップＣＯＦパッケージの形態を有するサブモジュールの側断面図である。
【図５】単一チップＣＯＦパッケージの形態を有するサブモジュールの平面図である。
【図６】第２の多層相互接続構造物を作製するために使用される第２の誘電体フィルム層及び関連構造の側断面図である。
【図７】図６の誘電体フィルム層と図１及び２のサブモジュールとの組立状態を示す側断面図である。
【図８】スルーホール及びパターン化金属層を形成した後の最終構造を示す側断面図である。
【図９】はんだ又は導電性接着剤を用いた第２階層レベルの組立方法の流れを示す側断面図である。
【図１０】はんだ又は導電性接着剤を用いた第２階層レベルの組立方法の流れを示す側断面図である。
【図１１】はんだ又は導電性接着剤を用いた第２階層レベルの組立方法の流れを示す側断面図である。
【図１２】はんだ又は導電性接着剤を用いた第２階層レベルの組立方法の流れを示す側断面図である。
【図１３】異方導電性接着剤を用いた第２階層レベルの組立方法の流れを示す側断面図である。
【図１４】異方導電性接着剤を用いた第２階層レベルの組立方法の流れを示す側断面図である。
【図１５】異方導電性接着剤を用いた第２階層レベルの組立方法の流れを示す側断面図である。
【図１６】異方導電性接着剤を用いた第２階層レベルの組立方法の流れを示す側断面図である。
【図１７】異方導電性接着剤を用いた第２階層レベルの組立方法の流れを示す側断面図である。
【図１８】異方導電性接着剤を用いた電気的接続部の接着剤硬化前の状態を示す拡大側断面図である。
【図１９】異方導電性接着剤を用いた電気的接続部の接着剤硬化後の状態を示す拡大側断面図である。
【図２０】図８のマルチモジュールアセンブリ上にプラスチック成形基板を形成したところを示す側断面図である。
【図２１】電子部品パッケージ又は包囲体中に形成されたキャビティの内部に図８のマルチモジュールアセンブリを取付ける方法を示す側断面図である。
【図２２】電子部品パッケージ又は包囲体中に形成されたキャビティの内部に図８のマルチモジュールアセンブリを取付ける方法を示す側断面図である。
【図２３】電子部品パッケージ又は包囲体中に形成されたキャビティの内部に図８のマルチモジュールアセンブリを取付ける方法を示す側断面図である。
【符号の説明】
２０  サブモジュール
２１  サブモジュール
２２  電子部品
２４  電子部品
２６  部品接続パッド
２８  部品接続パッド
３０  部品接続パッド
３２  部品接続パッド
３８  サブモジュール基板
５０  第１の相互接続構造物
５３  予め作製されたフレキシブルな相互接続構造物
５４  第１の誘電体フィルム層
５６  金属層又は金属面
５８  金属層又は金属面
６０  結線側表面
６２  基板側表面
６３  開口
７０  第１の誘電体キャップ層
７２  スルーホール
７４  パターン化金属層
７６  サブモジュール接続パッド
７８  上面
８８  サブモジュール
９０  予備成形基板
９２  基板表面
９４  キャビティ
１００  背面の電気接点
１０２  背面の電気接点
１０４  導電層
１８６  第２の相互接続構造物
１９０  誘電体フィルム層
１９２  結線側表面
１９４  サブモジュール側表面
１９６  パターン化金属面
１９８  パターン化金属面
１９９  開口
２００  スルーホール
２０２  誘電体キャップ層
２０４  誘電体層
２０６  接着剤層
２０８  複合マルチコンポーネントモジュール
２１０  スルーホール
２１２  パターン化金属層
３１０  はんだペースト
３１１  導電性接着剤
３１２  異方導電性接着剤
３５０  プラスチック成形基板構造物
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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