(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子（3）、特にサイリスタと接合シートバー（1）を具備する半導体部材であって、この半導体素子（3）はほぼ円柱状のハウジング（30）を備え、このハウジング（30）は半導体素子（3）と電気接合するために、一方の正面には陽極（33）を、他方の正面には陰極（34）を、かつ陽極（33）と陰極（34）との間の面にはハウジング（30）から横へ突き出た、ハウジング（30）を同心で囲む環状ゲート端子（35）を有し、この半導体素子（3）は接合シートバー（1）上に入れた制御回路と低インダクタンス接合させるために、ゲート端子（35）が接合シートバー（1）の一面で接合シートバー（1）に平行であり、組み込み開口部（10）の縁から上方へ突き出し、そこで接合シートバー（1）のこの一面に接合するように、また陰極（34）が接合シートバー（1）の他方の面にあり、端子上で接合シートバーの他方の面に接合するように、接合シートバー（1）の組み込み開口部（10）内に取り付けられている半導体部材において、この半導体素子（3）が接合シートバーとの陰極接合を形成する補助陰極端子（36）を備え、その際補助陰極端子（36）は横へかつゲート端子（35）に平行にハウジング（30）から突き出た同心環として形成され、組み込み開口部（10）の縁上方へ突き出ていることを特徴とする半導体部材。
【請求項２】
組み込み開口部（10）が凹状半円形切込み部によって接合シートバー（1）内に形成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体部材。
【請求項３】
半導体素子（3）の組み込み開口部（10）へのはめ込みを、半導体素子ないし接合シートバー（1）に変化を及ぼさずに可能にする媒体（37,38,38;38,38）が、組み込み開口部（10）と補助陰極端子（36）および/またはゲート端子（35）に存在することを特徴とする、請求項１記載の半導体部材。
【請求項４】
ハウジング軸（39）を備える半導体素子（3）が、接合シートバー（1）に対して垂直に方向付けられて組み込み開口部（10）へはめ込み可能で、ハウジング軸（39）を回転することによって接続位置へ到達できるように、媒体（37,38,38）が形成されていることを特徴とする、請求項３記載の半導体部材。
【請求項５】
補助陰極端子（36）および/またはゲート端子（35）が、周囲に分散して配されて第一空隙（38）により互いに分けられた多数のセグメント（37）へ分割されており、組み込み開口部（10）が内側の周囲に分散して配されてかつこのセグメント（37）の数と寸法に応じたセグメント形の第二空隙（38）を有することを特徴とする請求項４記載の半導体部材。
【請求項６】
セグメント（37）と第一空隙（38）とが、実質的にほぼ同じ寸法であることを特徴とする請求項５記載の半導体部材。
【請求項７】
接合シートバー（1）に対して斜に方向付けられたハウジング軸（39）を備える半導体素子（3）を組み込み開口部（10）へねじり込むことができるように、媒体（38,38）が形成されていることを特徴とする、請求項３記載の半導体部材。
【請求項８】
補助陰極端子（36）および/またはゲート端子（35）がその周囲に少なくとも一つのセグメント形の第一空隙（38）を備え、組み込み開口部（10）がその内周に少なくとも一つのセグメント形の第二空隙（38）を備えることを特徴とする請求項７記載の半導体部材。
【請求項９】
補助陰極端子（36）および/またはゲート端子（35）がその周囲にスリット形の第一空隙（38）を備え、組み込み開口部（10）がシートバーの縁まで延びるスリット形の第二空隙（38）を備えることを特徴とする請求項７記載の半導体部材。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
（技術分野）
この発明は出力半導体技術分野に関わる。本発明は、特許請求項1の主概念に応じた半導体素子、特にサイリスタ、並びに特許請求項4の主概念に応じた半導体部材に該当するものである。
【０００２】
（背景技術）
例えばGTOのようなゲート制御型サイリスタ又はGCTは要求の高い多くの使用において、特に低インダクタンスで操作される（例えばP.シュタイナー（Steiner）、H.グリューニング（Gruning）等の文献「高出力の周波数変換装置用GTOサイリスタの直列回路」、ABBテヒニーク（Technik）社 5/1996、14-20頁、特に第5図を参照）。部材と接合シートバー上にある制御回路間を低インダクタンスで接続するために、過去の非公開特許出願では、同軸ゲート端子を備えるハウジングが提案された。これはGCTと接合シートバーとの間を1nHより小さい接合インダクタンスを可能にする。この提案ではGCTの陰極が、GCTから分離した板を介して、例えばゲートユニットの通過する底板の形式に接合される。GCTの組み立ては、以下のことにより容易になる。
・リングを備えた底板上に、ゲートユニットの接合シートバーが設置されること。
・GCTがそのハウジングと共に生じた槽内に置かれることによって、この底板上にGCTのゲート端子を置くこと。
・底板/リング、接合シートバー、GCTゲート端子から成る多層構造を幾つかの箇所でネジを用いて締めること。それによりGCTのゲートおよび陰極へのシートバーの接合ができる。
【０００３】
底板とリングが深底槽で代用されることによって、別の改良実施形態では、大面積で許容が小さいニッケルメッキの底板とリングから成り、費用のかさむ配置を回避する。それにより製造の著しい簡潔化が達成される。
【０００４】
しかしながら、両バリエーションには熱に短所がある。即ち、陰極槽の金属板が陰極フランジと冷却器の間に設置され、そのことからGCTから出て運ばれる熱が次に新たに伝達されることにある。特に、効率的冷却を重要とするシステムでは、全システム出力が明らかに（5％以上）低下する。
【０００５】
さらにWO97/21248により、ハウジング内に配置された半導体基板、陽極、陰極、ゲート端子、補助陰極端子を備えたGTOが公知である。その際補助陰極端子は、その内部空胴がゲート端子用リード線を形成する管として形成されている。
【０００６】
DE-A-42'27'063は、ハウジングから突き出たゲート電極フランジを備えたGTOを示す。GTOのゲートユニットとの接合は、一面でゲート電極フランジとつながり、他方の面で陰極型を通して接触している条導体上で行われる。
【０００７】
（発明の開示）
ゆえに本発明の課題は、前述の短所をもたず、特に単純な構造と容易な組み立てで陰極側に著しく改良された熱伝達により傑出し、冒頭で述べた方式の半導体素子並びに半導体部材を作り上げることにある。
【０００８】
この課題は、特許請求項1の特徴を備える半導体素子、特にサイリスタ、並びに特許請求項4の特徴を備える半導体部材により解決される。
【０００９】
発明に適する半導体素子ないし、ゲートユニットと半導体素子とから成る半導体部材は、ゲートユニットと半導体素子の絶縁ハウジング間の低インダクタンス接合を可能にする。直接、ハウジングに補助陰極が取り付けられるので、陰極接合を作り出すための槽はもはや必要ないくなる。このことは、半導体素子ではゲート端子も補助陰極端子も各々絶縁ハウジングから突き出たフランジから成ることにより達せられる。これらは半導体素子を組み込んだ状態でゲートユニットの導板や接合シートバーを取り囲んでいる。ゲート端子と補助陰極端子とはそのようにして一対の、好ましくは平行に上下重なりあうリングを形成する。このリングの間ではサイリスタを組み込んだ状態で、接合シートバーがサイリスタのハウジングに達している。これによって、突き出たフランジ形の低インダクタンスの環状接合がゲートないし陰極と接合シートバーの間で実現できる。陰極自身はそれには影響されず、熱を損なうことなく直接冷却体と接触できる。
【００１０】
組み込みは導板ないし半導体素子を特殊に造形することにより容易になる。第一実施形態で導板は、二つのフランジにより形成された間隙中に挿入される凹状切り込み部をもつ。別の実施形態では、特殊組み込み媒体が導板の組み込み開口部とサイリスタの端子にあることから、サイリスタは組み込み時に問題なくかつ接合配置へ介入することなく補助陰極端子とゲート端子との間の接合シートバーを受け入れることができる。
【００１１】
本発明の好ましい第一実施形態は、ハウジング軸を備えたサイリスタが、接合シートバーに対して垂直に方向づけられて組み込み開口部中へ差し込まれ、かつハウジング軸を回転することで接合位置にくるように、媒体が形成されていることにより表される。この実施形態では組み込みは特に容易であるのに対し、一方組み込み媒体は比較的形成に費用がかかる。好ましくは補助陰極端子および/またはゲート端子は、周囲に分散して配置されて第一空隙により互いに分けられた多数のセグメントに分割され、組み込み開口部は内側の周囲に分散して配置されてかつこのセグメントの数と寸法に応じたセグメント形の第二空隙を有する。組み込みの際、セグメントをもつサイリスタはこの第二空隙を通って端子間に接合シートバーが来るまで差し込まれ、続いてセグメントが第二空隙の間の領域の上または下に来てそこで接合シートバーと接合するまでねじられる。
【００１２】
本発明の好ましい第二実施形態は、接合シートバーに対して斜に方向づけられたハウジング軸を備えたサイリスタが組み込み開口部中にねじり込まれるように、媒体が形成されていることにより表される。この実施形態では組み込み媒体は特に容易に形成されているのに対し、一方組み込み自身はいくらか技術を要する。特に補助陰極端子および/またはゲート端子はその周囲に少なくとも一つのセグメント形またはスリット形の第一空隙を備え、組み込み開口部はその内側の周囲に少なくとも一つのセグメント形またはスリット形の第二空隙を備えることが好ましい。
【００１３】
セグメント形またはスリット形の空隙を使用する際、接合シートバーがほんのわずかしか遮断されないことが望ましい。それによりゲート電流の相互コンダクタンスが最適化される。
【００１４】
組み込み媒体（セグメントないし空隙）は補助陰極端子にのみ、ゲート端子にのみ、または両端子に存在し得る。最初の場合には、サイリスタは（上から）陰極側でまず組み込み開口部に引込まれなければならない。二番目の場合には、サイリスタは（下から）陽極側でまず組み込み開口部に引込まれなければならない。三番目と最後の場合には、組み込みが選択的に両側の一方から行われ得る。
【００１５】
一般的に、各々一つのゲートユニットから成るこの種の半導体部材は、その中に組み込んだ半導体素子と上下に重なり合って積まれるようにはめ込まれる。発明に適する半導体部材では、一つの半導体素子に欠陥がある場合にその欠陥素子を交換するために全ての積層を分解しなくてもよいことが有利である。さらなる実施形態は従属する請求項から与えられる。
【００１６】
（発明を実施するための最良の形態）
図１は、この発明にかかる半導体部材HTを表す。この半導体部材HTは、接合シートバー1とも呼ばれる導板を備えたゲートユニットGEと、その上に配置された電気部材2と、並びに接合シートバー1内に保持された高出力半導体素子3とから成る。
【００１７】
接合シートバー1は一般に多層に作られる。電気部材2の少なくとも一部がゲートの制御に使用され、これは例えばコンデンサから成る。
【００１８】
図２ａは、この発明の実施例にかかるサイリスタの形の半導体素子を斜視図で再現する。ゲート制御サイリスタ33はSi基板上の（図３ａに見られる）半導体基板31を含む。この基板上には既知の方法で多数の個々の素子が並行して配置している。好ましくはこの半導体基板31が二枚のモリブデン板の間に埋込まれる。この半導体基板31を完全に遮断された絶縁ハウジング30内に入れる。ハウジング30は例えばハウジング軸39を中心とする回転対称である。これは、通常セラミックから作られ、沿面距離を延ばすために（図２ｃに示す）波状の輪郭を備える円柱状側面部から成る。ハウジング30の正面には、図２ｂの側面図からも判るように、円形の大面積の陽極33（正面上側）と相当する陰極34（正面下側）が配置され、これらに重なってサイリスタ33は、軸方向圧力下にある組み込み積層中で、電気的および熱的に隣り合う冷却容器と連結する。
【００１９】
陽極33と陰極34との間の面内で、ハウジング30を同心に取り囲む環状のゲート端子35がハウジング30から横へ突き出している。これはハウジング30から放射状に突き出たゲート電極フランジを形成する。このゲート電極フランジは好ましくはほぼ完全な円を形成する。その際このフランジは周囲に分散した第一ネジ穴35'を備える。
【００２０】
ゲート端子35に平行でゲート端子35の下側の面に補助陰極端子36があり、これはハウジング30から横に突き出た、陰極34を囲んだ同心の環として形成され、補助陰極フランジを形成する。補助陰極フランジには幾つかの第二ネジ穴36'があり、これはゲート電極フランジの第一ネジ穴35'と同じ位置に並ぶ。
【００２１】
ゲート端子35と補助陰極端子36は各々、好ましくは硬質はんだ付けした金属リングから成る。ハウジング30の外側でこれらの端子は少なくとも互いにほぼ平行に延びており、その際一つのおよび/または別の端子35,36のハウジング30から突き出る部分が少なくとも平面状に形成される。両端子35,36は、好ましくは等しい外側半径をもつ。
【００２２】
図３ｂは第三実施形態を表す。この場合には端子はハウジング30の外側ですぐに互いに平面状にはならず、屈曲部および/または窪みを示す。
【００２３】
図２ｃと図３ｂで示した実施形態では、両端子35,36は少なくともほぼ等しい厚みを有する。その際この厚みは、ハウジング30の周りの条導体の電気抵抗が、ゲート領域の全抵抗より明らかに小さくなるように選択される。フランジの厚みの典型的な値は0.3-0.5mmである。
【００２４】
ゲート端子35と補助陰極端子36の間隔は比較的小さい。これはハウジング30の周りの条導体のインダクタンスがゲート領域の全インダクタンスより明らかに小さくなるように選択される。典型的な値は1-2.5mmで好ましくは少なくともほぼ1.8mmである。しかしながらこの間隔は望まれた電気特性に依存するのみならず、以下に示すように付属のゲートユニットGEの接合シートバー1の厚みにも依存する。
【００２５】
図１と図２ｂから判るように、サイリスタ33は低インダクタンスで制御するために特別な方法で接合シートバー1上に入れた制御回路と接合する。これはサイリスタ33が、接合シートバー1内にある円形の組み込み開口部10中にはめ込まれることにより起こる。組み込み開口部10の内径はゲート端子35と補助陰極端子36の外径より明らかに小さい。それにより両端子35,36は組み込み開口部の縁で接合シートバー1に重なり、その全周囲で直接および低インダクタンスで接合シートバー1ないし接合シートバー1の両側にある条導体と接続する。
【００２６】
ゲート端子35と補助陰極端子36の間隔は図２ｂで示したように、接合シートバー1が両位置の間にそのシートバーの厚みをもつように選択される。補助陰極端子36は陰極34を環状に囲んでいるので、積層内に組み込まれたサイリスタ3では冷却容器は直接陰極にあり、ゆえに陰極槽を投入する場合に背景技術で生じた問題はなくなる。しかしながら他方接合シートバー1は任意の方法で両端子35と36の間に取付なければならないので、シートバーの上側がゲート端子35と、シートバーの下側が補助陰極端子36と直接接触し得る。
【００２７】
図４は、半導体素子をゲートユニットGEの接合シートバー1内に固定するための第一のバリエーションを示す。この発明にかかるサイリスタ3を受け入れるために接合シートバー1には開口部があり、この開口部は接合シートバー1内に凹状の、好ましくは半円形の切込み部10'を形成している。この切込み部10'に沿って第一表面上に、ゲート電極フランジ35と電気接触するための第一半円形金属被覆接触面11がある。向側の第二表面上には、第二半円形金属被覆接触面12があり、これは補助陰極フランジ36の接触に使用される。これらの接触面11,12の領域中では接合シートバー1は接触面11,12を含めて少なくとも、ゲート端子35と補助陰極端子36の間隔に少なくともほぼ対応する厚みをもつ。二つの接触面11,12は、二つの端子35,36のネジ穴35',36'のように等しい間隔で配置される固定穿孔13により装着される。
【００２８】
サイリスタ3を組み込む場合に、例えば接合シートバー1の切込み部10がゲート端子35のフランジと補助陰極端子36のフランジ間をずれることにより、ゲートユニットGEでサイリスタ3は接合シートバー1上にはめ込まれる。ネジ穴35',36'と固定穿孔13を貫通する電気絶縁固定ネジ4を用いて、図５で示すようにはめ込まれた半導体素子3は続いて接合シートバー1に固定される。
【００２９】
図４に示すように、上述の接合シートバー1の対をなし、サイリスタ3を組み込んだ後で接合シートバー1の切込んだ側の正面に付け加えられる接合板1'があることはより好ましい。その際接合板1'も二つのフランジ35,36の間に押し込まれ、固定ネジを用いて固定される。接合板1'と接合シートバー1はそれにより、中に半導体素子3を保持する丸い開口部を形成する。好ましくは接合板1'には同じく、全インダクタンスを減少させ遮断性能を高めるためのゲート端子35と補助陰極端子36の接触用の接触面がある。接合板1'としては好ましくは接合シートバー1の切込み部10の製造の際に切り取られた部分を使用する。
【００３０】
しかしながら原則的にはその種の接合板1'は必要ない。この接合板1'を使用しない場合には、図６に示すように、フランジ35,36がその開いている領域に深く引込まれることが有利である。それにより端子間の間隔が狭まり、故に全インダクタンスは減少する。
【００３１】
低インダクタンス路がシートバーの多層によりサイリスタ3の周りで妨害されないように、この発明の有利な実施形態では追加の組み込み媒体を提案する。この組み込み媒体の好ましい第一実施例を図7ａ-ｄに示し、その際図７ａと図７ｂは組み込み媒体そのものを、図７ｃと図７ｄはその使用と効果を示す。第一実施例では図７ａにより補助陰極端子36および/またはゲート端子35は、多数の周囲に分散して配置した、第一空隙38により互いに分けられたセグメント37に分割される。さらに組み込み開口部10は図７ｂにより内側の周囲に分散して配置した、端子35,36のセグメント37に数と大きさで対応するセグメント形の第二空隙14を含む。
【００３２】
図７ｃに従って接合シートバー1に対して垂直に方向付けられたハウジング軸39を備えるサイリスタ3は組み込み開口部10中にはめ込まれ、その際セグメント37は各々接合シートバー1の対応する間隙14を通って差し込まれる。続いてハウジング軸39の回りを回転することにより（図７ｃの矢印）サイリスタ3はその最終的な接合位置に到達でき、その際セグメント37は接合シートバー1の間隙14の間の領域の下ないし上にくる。個々のセグメント37内と接合シートバー1の間隙14間にある領域で、各々少なくとも一つのネジ穴35',36'ないし固定穿孔13が、互いに接合位置にあるゲート端子35ないし補助陰極端子36と接合シートバー1とをネジで固定するために存在する。
【００３３】
端子35と36の分割は異なる方法で実施できる。則ち補助陰極接続36のみを分割するときにはサイリスタ3を上から組み込み開口部10内に差し込まなければ成らない。ゲート端子35のみを分割するときにはサイリスタ3を下から組み込み開口部10内に差し込まなければ成らない。それに対して両端子35と36を分割するときには、サイリスタ3の差し込みは上からか下からか選択的に行える。特にセグメント37と第一空隙38はほぼ同じ寸法であることが望ましい。このため接合シートバー1とセグメント37の間の接合面を最大にし、インダクタンスを最小にする。セグメント37の数は様々に選択できる。示した実施例ではこの数は16である。サイリスタ3はこの場合（図７ｃ、図７ｄ）はめ込み位置（図７ｃ）から接合位置（図７ｄ）へ到達するためにハウジング軸39の回りを360°/32かまたは11,25°回転しなければならない。周囲でのセグメント37の分散はインダクタンスの理由から均一であるべきであるが、（位置等の理由から）特殊な場合には不均質で選択することもできる。
【００３４】
端子35,36で等しい大きさのセグメント37と空隙38が交代する図７ａ−７ｄの実施例では、シートバー1での本来の接合用に本来のリング面の半分しか使用されない。図８ａ−ｄで示した第二実施例による組み込み媒体が形成されると、はるかに大きい接合面が達せられる。この場合補助陰極端子36および/またはゲート端子35はその周囲でセグメント形のただ一つの第一空隙38によって遮断される。（図８ａ）組み込み開口部10にはその内側の周囲に同じくセグメント形のただ一つの第二空隙14がある。（図８ｂ）サイリスタ3の組み込み開口部10へのはめ込みは、図８ｃに従って行われる（下からの平面図、則ちサイリスタ3は上から組み込み開口部10へはめ込まれる）ので、補助陰極端子36の発端は空隙14内の空隙38の縁にくる。するとサイリスタ3はハウジング軸39と共に傾くので補助陰極端子36の発端は空隙14内を通って接合シートバー1の下へ押される。この「通す」ないし交差した後斜になったハウジング軸39を備えるサイリスタ3は、ネジ止めの方法で組み込み開口部10へねじり込むことができる。（図８ｄ）その際補助陰極端子36はより大きくなる長さの上で回転を増やしシートバーの下側に到達し、回転がほぼ360°完全に終わると完全にその下に存在する。
【００３５】
この場合にも補助陰極端子36上およびゲート端子35上並びに組み込み開口部10の周囲には、ゲート端子35ないし補助陰極端子36を接合シートバー1とねじりとめるために、周囲に分散した多数の互いに適合するネジ穴35',13を備える。この場合でも空隙38は選択的に補助陰極端子36にもゲート端子35にも、あるいは両端子に存在することもできる。
【００３６】
図９ａと図９ｂは大きな接合面を可能にする別の実施形態を表す。セグメント形の空隙の代わりにここでは細いスリット38',14'がある。その際サイリスタ3の場合には、ただ一つのフランジ内、ここでは補助陰極端子内に一つのスリット38'のみ存在することで十分である。接合シートバー1には同じく一つのスリット14'があり、これはシートバーの縁まで延びている。組み込みは図８ａ−８ｄを基に述べたバリエーションの場合のように行う。しかしながらこの実施形態では、組み込み開口部10が端子35,36のようにほぼ完全な円を形成するので、ゲート電流相互コンダクタンスが最大となることが有利である。
【００３７】
ここに示した全ての三つの実施例では、サイリスタ3のゲート端子35は直接接合シートバー1上に、補助陰極端子36は直接シートバーの下に置かれる。しかしながらもちろん反対の位置でも可能であり（補助陰極端子36は上、ゲート端子35は下）、特殊な組み込みの場合にはこれが有利にもなる。さらに16のネジ穴35',13の代わりに各々別の数を選択することもできる。しかしながら高電流GCTの場合（例えば直径1120mmのハウジング内で5-6kAの遮断能力）に必要とされるように、12から16のネジが特に良い接触を生み出す。
【００３８】
総じてこの発明で、単純な構造と容易な組み込みにより傑出した、特に高い電力と出力に見合った、変化しない低接合インダクタンスで、素子の非妨害熱的結合を可能にする低インダクタンス制御型GCTが生まれた。
【図面の簡単な説明】
本発明をより詳細に記述するために、添付の図面に従ってこれを説明する。
これより本発明を、図面と関連する実施例をもとにより詳細に記述する。
【図１】  組み込まれた半導体素子を備えた、発明に適する半導体部材の斜視図である。
【図２ａ】  本発明の実施例にかかる斜視図における半導体素子。（組み込み媒体は表していない。）
【図２ｂ】  接合シートバーに組み込まれた図２ａのサイリスタを側面図で表す。
【図２ｃ】  発明にかかる半導体素子の第二実施形態の側面図である。
【図３ａ】  図２ｃにかかる半導体素子の断面図である。
【図３ａ】  第三実施形態の部分断面図である。
【図４】  本発明にかかるゲートユニットである。
【図５】  第二実施形態にかかる組み込まれた半導体素子の拡大部分図である。
【図６】  半導体素子の第四実施形態の拡大部分図である。
【図７ａ】  分割された端子の形の組み込み媒体を備えた、本発明にかかるサイリスタの有利な第五実施例を上からの平面図で表す。
【図７ｂ】  図７ａによるサイリスタに適合する組み込み媒体を接合シートバーにあるセグメント形の空隙の形で表す。
【図７ｃ】  軸方向で接合シートバーにはめ込んだ後の図７ａによるサイリスタを上からの平面図で表す。
【図７ｄ】  組み込み開口部内でサイリスタを回転させた後の図７ｃにかかる配置を表す。
【図８ａ】  端子内のセグメント形の空隙の形の組み込み媒体を備える、本発明によるサイリスタの有利な第六実施例を上からの平面図で表す。
【図８ｂ】  図８ａによるサイリスタに適合する組み込み媒体を接合シートバーにあるセグメント形の空隙の形で表す。
【図８ｃ】  陰極端子リングを接合シートバーにある空隙に通す前の図８ａによるサイリスタを下からの平面図で表す。
【図８ｄ】  陰極端子リングを接合シートバーにある空隙に通した後の図８ａによるサイリスタを下からの平面図で表す。
【図９ａ】  補助陰極端子内のスリットの形の組み込み媒体を備えた、本発明にかかるサイリスタの有利な第七実施例を上からの平面図で表す。
【図９ｂ】  図９ａにかかるサイリスタに適合する組み込み媒体を接合シートバーにあるスリットの形で表す。
【符号の説明】
HT          半導体部材
GE          ゲートユニット
1           接合シートバー
10          組み込み開口部
10'         凹状切込み部
11          第一半円形接触面
12          第二半円形接触面
13          固定穿孔
14          第二セグメント形空隙
14'         スリット
1'          接合板
2           電気部材
3           ゲート制御サイリスタ（GCT）
30          ハウジング
31          半導体基板
32          モリブデン板
33          陽極
34          陰極
35          ゲート端子
35'         ネジ穴
36          補助陰極端子
36'         ネジ穴
37          セグメント
38          第一セグメント形空隙
38'         スリット
39          ハウジング軸
4           固定ネジ
【図１】
0004480266.tif 000002
【図２ｃ】
0004480266.tif 000003
【図２ａ】
0004480266.tif 000004
【図２ｂ】
0004480266.tif 000005
【図３ａ】
0004480266.tif 000006
【図３ｂ】
0004480266.tif 000007
【図４】
0004480266.tif 000008
【図５】
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【図６】
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【図７ａ】
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【図７ｂ】
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【図７ｃ】
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【図７ｄ】
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【図８ａ】
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【図８ｂ】
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【図８ｃ】
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【図８ｄ】
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【図９ａ】
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【図９ｂ】
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