(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
導体で平板状に形成され、その側部に少なくとも１つの切欠部が設けられたボディと、
誘電体で形成され、上記切欠部にはめ込まれた誘電体ブロックと、
上記誘電体ブロックの表側表面から側面を経て裏側表面に至るようにして該誘電体ブロック上に配置されたコプレーナライン状の信号線路とを有していて、
上記ボディの表側表面、裏側表面及び側面は、それぞれ、上記誘電体ブロックの表側表面、裏側表面及び側面と同一の平面上にあることを特徴とする表面実装型パッケージ。
【請求項２】
導体で形成され、その少なくとも１つの側面がテーパ状に形成され、かつその表側表面及び裏側表面が平面状に形成されたボディと、
上記のテーパ状に形成された側面上に配置された誘電体層と、
上記誘電体層上に配置された、マイクロストリップライン又はグランデッドコプレーナラインを用いた少なくとも１つの信号線路とを有していて、
上記ボディの表側表面及び裏側表面は全面的に外部に露出されていることを特徴とする表面実装型パッケージ。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の表面実装型パッケージの集積回路実装部位に集積回路が実装されてなる半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面実装型パッケージに関するものであり、とくに数十ＭＨz以上の高周波帯で動作する高周波帯ＩＣ用の表面実装型パッケージに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、ＭＭＩＣ等のＩＣ（集積回路）は、外部基板等への固定を容易にするためにパッケージ化されることが多い。そして、かかるパッケージとしては、例えばフィードスルー型メタルパッケージ、スルーホール型（バイアホール型）あるいは側面線路型（側面メタライズ型）の表面実装型パッケージ等が従来より知られている（例えば、特許文献１、特許文献２、特許文献３）。
【０００３】
図２５は、従来のフィードスルー型メタルパッケージの一例を示す斜視図である。図２５において、１は金属製の導電性ボディであり、２は金属製のメタルウォールであり、３はフィードスルー付きの入出力信号線路である。かかる構造のフィードスルー型メタルパッケージは、高周波帯において最も多用されてきたものであり、高周波性能に優れるといった利点がある。
なお、以下で参照する各図面においては、実質的に同一の構造及び作用を備えた部材にはそれぞれ同一の番号が付されている。
【０００４】
これに対して、表面実装型パッケージは、一般に低周波帯で広く用いられるものであり、基板等への固定が極めて容易なパッケージ構造である。
図２６は、従来のスルーホール型の表面実装型パッケージの一例を示す縦断面図である。また、図２７は、図２６に示す従来の表面実装型パッケージの斜視図である。図２６及び図２７において、４は誘電体ボディであり、５aはパッケージ裏側表面の接地端子であり、５bはパッケージ裏側表面の高周波端子であり、６はスルーホール(バイアホール)すなわち貫通導体であり、７はＩＣ実装部であり、８はパッケージ表側表面の高周波端子である。
【０００５】
図２８は、従来の側面線路型の表面実装型パッケージの一例を示す縦断面図である。また、第２９図は、図２８に示す従来の表面実装型パッケージの斜視図である。なお、ＩＣ実装部７と接地端子５ａとは、誘電体ボディ４を貫通するスルーホール６を介して電気的に接続されている。
【０００６】
次に、これらの従来のパッケージの使用方法、すなわちＩＣを実装した上で該パッケージを外部基板等に固定する方法について説明する。
図３０は、図２５に示す従来のフィードスルー型メタルパッケージを、ＭＭＩＣを実装した上で外部基板に固定する手順を示す斜視図である。また、図３１は、図３０に示す手順に従って該パッケージを外部基板に固定した後における状態を示す斜視図である。図３０及び図３１において、９はパッケージのふた部材であり、１０は外部基板であり、１１はＭＭＩＣであり、１２はボンディングワイヤであり、１６は外部基板１０の信号線路である。
【０００７】
図３０及び図３１に示すように、かかる従来のフィードスルー型メタルパッケージを用いる場合は、まずＭＭＩＣ１１をパッケージ内部の所定の部位に実装した上でふた部材９を取り付け、次にパッケージ全体を外部基板１０の凹状のパッケージ実装部分に固定し、この後パッケージ側の入出力信号線路３と外部基板側の信号線路１６とをボンディングワイヤ１２（あるいは、リボン、ＴＡＢテープ又はこれらに類する手段）で接続している。
【０００８】
図３２は、図２６及び図２７に示す従来のスルーホール型の表面実装型パッケージを、ＭＭＩＣ１１を実装した上で外部基板１０に固定した状態を示す縦断面図である。また、図３３は、図２８及び図２９に示す従来の側面線路型の表面実装型パッケージを、ＭＭＩＣ１１を実装した上で外部基板１０に固定した状態を示す縦断面図である。
図３２及び図３３から明らかなとおり、スルーホール型であっても、また側面線路型であっても、表面実装型パッケージは、まずＭＭＩＣ１１を実装した上でふた部材９を取り付け、この後該パッケージをフラットな外部基板１０の上に固定するだけで、該パッケージを極めて容易に外部基板１０に固定することができる。
【特許文献１】特開平４−２５０３６号公報
【特許文献２】特開平２−１５６７０２号公報
【特許文献３】特開平４−３８８５５号公報参照
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
このように、かかるパッケージとしては、従来よりフィードスルー型メタルパッケージ及び表面実装型パッケージが広く用いられている。
しかしながら、従来のフィードスルー型メタルパッケージでは、高周波性能が非常に良く、５０〜６０ＧＨzまで使用可能であり、また通過損失は１dＢ未満であり、ＶＳＷＲは１.５未満であるといった利点があるものの、外部基板をパッケージの形状に合わせて凹状に作製しなければならず、またボンディングワイヤ等を用いて端子間の接続を行うことが不可欠であるので、低コスト化が非常に困難であるといった問題がある。すなわち、モジュールが高価であるといった問題がある。
【００１０】
他方、従来の表面実装型パッケージでは、外部基板が平板状の構造でよく、かつ該パッケージを圧着あるいはハンダ付け等で外部基板に固定するだけの簡単な工程で、信号接続を行うことができるため、大幅な低コスト化が可能であるといった利点がある。しかしながら、表面実装型パッケージを用いた場合は、一般に高周波性能はあまり良くはなく、通常は１８ＧＨz程度（Ｋu帯）までしか使用することができない。なお、通過損失は１.５dＢ未満であり、ＶＳＷＲは２未満である。このため、従来の表面実装型パッケージは、近年、衛星通信等で注目されつつあるＫ帯(１８〜２６.５ＧＨz)、あるいはＫa帯(２６.５ＧＨz〜４０ＧＨz)での使用は困難であるといった問題がある。
【００１１】
本発明は、上記従来の問題を解消するためになされたものであって、Ｋ帯以上の周波数帯においても使用可能な表面実装型パッケージを提供することを解決すべき課題ないしは目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明の第１の態様にかかる表面実装型パッケージは、（ａ）実質的に（ないしは、主として）導体（例えば、金属等）で平板状に形成され、その側部に少なくとも１つの切欠部（ないしは、へこみ部）が設けられたボディと、（ｂ）誘電体で形成され、切欠部にはめ込まれた誘電体ブロックと、（ｃ）誘電体ブロックの表側表面から側面を経て裏側表面に至るようにして該誘電体ブロック上に配置されたコプレーナライン状の信号線路（導体線路）とを有していて、ボディの表側表面、裏側表面及び側面は、それぞれ、誘電体ブロックの表側表面、裏側表面及び側面と同一の平面上にあることを特徴とするものである。
【００１９】
本発明の第２の態様にかかる表面実装型パッケージは、（ａ）実質的に（ないしは、主として）導体（例えば、金属等）で形成され、その少なくとも１つの側面がテーパ状（ないしは、傾斜面状）に形成され、かつその表側表面及び裏側表面が平面状に形成されたボディと、（ｂ）テーパ状に形成された側面上に配置された誘電体層と、（ｃ）誘電体層上に配置された、マイクロストリップライン又はグランデッドコプレーナラインを用いた少なくとも１つの信号線路とを有していて、ボディの表側表面及び裏側表面は全面的に外部に露出されていることを特徴とするものである。
【００２１】
また、本発明の第３の態様によれば、前記の各表面実装型パッケージのいずれか１つの集積回路実装部位（ＩＣ実装部位）に集積回路（ＩＣ）が実装されてなる半導体装置が提供される。
【００２３】
ところで、従来の一般的な表面実装型パッケージの高周波特性が悪いのは、入出力信号線路の特性インピーダンスが不安定であることが原因であると考えられる。
なお、フィードスルー型メタルパッケージの高周波特性が良好であるのはおよそ次のような理由による。すなわち、フィードスルー型メタルパッケージの場合、入出力信号線路は、外部から内部へ向かって順次接続された、外側マイクロストリップラインと、フィードスルー部と、内側マイクロストリップラインとで構成されている。これらのうちで、高周波特性との関連が問題となりうるのはフィードスルー部であるが、図２５からもわかるように、２層構造の誘電体からなるフィードスルー部のすぐ外周は接地導体（金属）で囲まれている。したがって、フィードスルー部の入出力信号線路のどの部分をとっても、外周の接地導体までの距離が一定であり、かつ該距離は非常に短い。それゆえ、入出力信号線路の幅等のパラメータを最適化することによって、広帯域で安定な特性インピーダンス(通常は、５０Ω)を実現することができる。なお、入出力信号線路と接地導体との間の距離（間隔）が大きい場合は、高周波帯で不要モードが生じやすくなる。このため、４０ＧＨzまでの使用を想定する場合、両者間の距離は、空気を介する場合は２ｍｍ以下とし、アルミナ誘電体を介する場合は０.８ｍｍ以下とするのが望ましい。なお、接地導体が、体積的に小さかったり、形状が複雑だったりした場合は、寄生インダクタンスが発生し、接地が不安定となる。
【００２４】
他方、表面実装型パッケージの場合は、例えば図２６の入出力信号線路を例にとると、裏側表面の入出力信号線路、スルーホール及び表側表面の入出力信号線路のいずれにおいても、接地導体面までの距離が遠く、かつ該距離が一定ではなく、さらに接地導体の体積が極めて小さい。なお、図２８に示す構造もまた、これと同様に、入出力信号線路の部位によっては、接地導体までの距離が遠く、また該距離が一定でなく、かつ接地導体の体積が極めて小さい。したがって、たとえ入出力信号線路の幅等のパラメータを調整しても、入出力信号線路の特性インピーダンスは不安定とならざるをえない。
【００２５】
これに対して、上記の本発明の各態様にかかる表面実装型パッケージでは、いずれも、パッケージ内の接地導体（接地性）が強化され、かつ該接地導体が入出力信号線路と等間隔を保ってこれのごく近傍に存在する。かくして、本発明にかかる表面実装型パッケージでは、入出力信号線路から接地導体までの距離が短くなり、かつ該距離が一定化され、さらには接地が可及的に安定化されているので、安定な特性インピーダンスの入出力部を得ることができる。
【発明の効果】
【００２６】
本発明にかかる各表面実装型パッケージのいずれにおいても、信号線路（入出力信号線路）から接地導体までの距離が短縮され、かつ該距離が一定化され、さらに接地が可及的に安定化される。このため、安定な特性インピーダンスの入出力部が得られ、Ｋ帯以上の周波数帯においても使用可能な低コストの表面実装型パッケージが実現される。また、本発明にかかる半導体装置は、これらの表面実装型パッケージのいずれか１つに集積回路が実装されてなる構造を有するので、安定な特性インピーダンスの入出力部が得られ、Ｋ帯以上の周波数帯においても使用可能な低コストの半導体装置が実現される。
【００２９】
本発明の第１の態様にかかる表面実装型パッケージにおいては、金属等からなる導電性ボディを用いることにより、パッケージ内の接地導体（接地性）が強化される。また、コプレーナライン状の信号線路（導体線路）の採用により、信号線路のどの部分でも周囲の接地導体との距離が一定化される。さらに、パターンの微細化により、信号線路のごく近傍に接地導体が配置される。このため、表面実装型パッケージであるのにもかかわらず、良好な高周波特性を実現することができる。
【００３２】
本発明の第２の態様にかかる表面実装型パッケージにおいては、金属等からなる導電性ボディを用いることにより、パッケージ内の接地導体（接地性）が強化される。また、連続したマイクロストリップラインあるいはグランデッドコプレーナラインの採用により、信号線路のどの部分でも周囲の接地導体との距離が一定化される。さらに、パターンの微細化により、信号線路のごく近傍に接地導体が配置される。このため、表面実装型パッケージであるのにもかかわらず、良好な高周波特性を実現することができる。
【００３５】
本発明の第３の態様にかかる半導体装置においては、本発明の第１又は第２の態様にかかる表面実装型パッケージの集積回路実装部位に集積回路が実装されてなる構造とされているので、安定な特性インピーダンスの入出力部が得られ、Ｋ帯以上の周波数帯においても使用可能な低コストの半導体装置が実現される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３６】
以下、図１〜図２４を参照しつつ、本発明の実施の形態を具体的に説明する。なお、図１〜図２４中に記載された各部材中、前記の図２５〜図３３中に記載された部材と実質的に同一の構成及び作用を備えた部材には、図２５〜図３３の場合と同一の番号が付されている。
【００３７】
実施の形態１．
まず、図１〜図２を参照しつつ本発明の実施の形態１を説明する。図１は、本発明の実施の形態１にかかる表面実装型パッケージの斜視図である。図１に示すように、この表面実装型パッケージでは、ボディ（パッケージ本体部）が実質的にないしは主として誘電体で形成されている（以下、これを「誘電体ボディ４」という）。そして、誘電体ボディ４の主面（ＭＭＩＣが実装される側の広がり面）及び側面の大部分が、連続した面状ないしは薄板状の接地導体部１７で覆われている。かつ、誘電体ボディ４の主面及び側面の接地導体部１７で覆われていない部分には、複数のコプレーナライン状の高周波信号線路８（信号線路）、すなわち等間隔の接地面に挟まれた平面信号線路が配置されている。この表面実装型パッケージにおいては、少なくともパッケージ表面の約半分以上が接地導体部１７で覆われているのが望ましい。なお、前記の理由（段落番号［００２３］参照）により、高周波信号線路８（導体パターン）と接地導体部１７（接地パターン）との間隔は、０.８ｍｍ以下であることが必要である。この場合、通常、高周波信号線路８（導体パターン）の幅は１ｍｍ以下となる。詳しくは図示していないが、誘電体ボディ４の裏側表面（主面とは反対側の広がり面）にも、主面（表側表面）と同様に、一部分を除いて接地導体部１７が配置されているのが望ましい。なお、この場合、誘電体ボディ４の裏側表面の接地導体部１７のパターンが、主面のそれと異なっていても構わないのはもちろんである。
【００３８】
図２は、図１に示す表面実装型パッケージにＭＭＩＣ１１を実装する手順を示す斜視図である。図２に示すように、かかる実装に際しては、まずＭＭＩＣ１１を接地導体部１７上のＩＣ実装部位に取り付けた上でふた部材９でふたをして該ＭＭＩＣ１１を封入し、この後該表面実装型パッケージをハンダ、導電性樹脂等を用いて外部基板１０に固定する。かくして、表面実装型パッケージにＭＭＩＣ１１が実装されてなる半導体装置が完成する。なお、この実施の形態１では、パッケージ裏面の信号線路端子５ｂ及び接地端子５ａを用いて、対応する外部基板１０の端子と接続しているが、パッケージの側面を用いて接続するようにしてもよい。
【００３９】
この実施の形態１にかかる表面実装型パッケージでは、(ａ)誘電体ボディ４の大部分を接地導体部１７（金属面）で覆うことにより、パッケージ内の接地導体を強化し、(ｂ)コプレーナライン状の高周波信号線路８の採用により、高周波信号線路のどの部分でも周囲の接地導体部１７との距離が一定となるようにし、(ｃ)パターンの微細化により、高周波信号線路８のごく近傍に接地導体部１７が位置するようにしている。したがって、表面実装型パッケージであるのにもかかわらず、良好な高周波特性を実現することができる。
【００４０】
実施の形態２．
以下、図３〜図４を参照しつつ本発明の実施の形態２を説明する。図３は、本発明の実施の形態２にかかる表面実装型パッケージの斜視図である。図３に示すように、この実施の形態２にかかる表面実装型パッケージでは、前記の実施の形態１にかかる表面実装型パッケージの特徴に加えて、接地導体部１７の誘電体ボディ４の主面（表側表面）に配置された部分から、誘電体ボディ４の裏側表面に配置された接地導体まで誘電体ボディ４を貫通する、導体からなるスルーホール６が設けられている。その他の部分は、実施の形態１にかかる表面実装型パッケージと同様である。
【００４１】
図４は、図３に示す表面実装型パッケージにＭＭＩＣ１１を実装する手順を示す斜視図である。図４に示すように、かかる実装に際しては、まずＭＭＩＣ１１を接地導体部１７上のＩＣ実装部位に取り付けた上でふた部材９でふたをして該ＭＭＩＣ１１を封入し、この後該表面実装型パッケージをハンダ、導電性樹脂等を用いて外部基板１０に固定する。かくして、表面実装型パッケージにＭＭＩＣ１１が実装されてなる半導体装置が完成する。なお、この実施の形態２では、パッケージ裏面の信号線路端子５ｂ及び接地端子５ａを用いて、対応する外部基板１０の端子と接続しているが、パッケージの側面を用いて接続するようにしてもよい。
【００４２】
実施の形態１にかかる表面実装型パッケージの構造では、接地導体部１７の面積を可及的に広げてはいるものの、接地は基本的に誘電体ボディ４の表面の金属薄膜で確保しているだけであり、接地金属ブロックを用いて立体的に接地をとることができるメタルパッケージに比べて不利であることは否めない。しかしながら、この実施の形態２では、スルーホール６により信号線路周辺の接地導体（接地性）を強化することができるので、接地導体部１７の面積を充分に確保することができない場合は、この実施の形態２にかかる表面実装型パッケージは極めて有利である。反面、スルーホール６の間隔が広い場合は、高周波信号線路８の部位により接地導体部１７までの距離の差が大きくなる。したがって、スルーホール６の間隔は狭くするのが望ましい。具体的には、例えば、スルーホール直径とスルーホール間隔の比（スルーホール直径／スルーホール間隔）を１／２以上に設定するのが望ましい。
【００４３】
実施の形態３．
以下、図５〜図７を参照しつつ本発明の実施の形態３を説明する。図５は、本発明の実施の形態３にかかる表面実装型パッケージの組立て前における斜視図であり、図６は組み立て後における斜視図である。図５及び図６に示すように、この実施の形態３にかかる表面実装型パッケージでは、ボディが実質的にないしは主として金属等の導体で形成されている（以下、これを「導電性ボディ１」という）。そして、導電性ボディ１の４つの側部には、それぞれ直方体状の切欠部１８が設けられ、これらの切欠部１８にはそれぞれ誘電体ブロック１９がはめ込まれている。なお、導電性ボディ１の主面（表側表面）、裏側表面及び側面は、それぞれ、誘電体ブロック１９の表側表面、裏側表面及び側面と実質的に同一の平面上にある。そして、各誘電体ブロック１９の表面には、その表側表面から側面を経て裏側表面に至るコプレーナライン状の導体線路８（信号線路）が配置されている。なお、コプレーナライン状の導体線路８の構造や寸法は、実施の形態１にかかる表面実装型パッケージの高周波信号通路８と同様である。
【００４４】
図７は、図５及び図６に示す表面実装型パッケージにＭＭＩＣ１１を実装する手順を示す斜視図である。図７に示すように、かかる実装に際しては、まずＭＭＩＣ１１を導電性ボディ１上のＩＣ実装部位に取り付けた上でふた部材９でふたをして該ＭＭＩＣ１１を封入し、この後該表面実装型パッケージをハンダ、導電性樹脂等を用いて外部基板１０に固定する。かくして、表面実装型パッケージにＭＭＩＣ１１が実装されてなる半導体装置が完成する。この実施の形態３では、パッケージ裏面の信号線路端子５ｂ及び接地端子５ａを用いて、対応する外部基板１０の端子と接続しているが、パッケージの側面を用いて接続するようにしてもよい。
【００４５】
この実施の形態３にかかる表面実装型パッケージでは、(ａ)金属等からなる導電性ボディ１を用いることにより、パッケージ内の接地導体を強化し、(ｂ)コプレーナライン状の導体線路８の採用により、導体線路８のどの部分でも周囲の接地導体（導電性ボディ１）との距離が一定となるようにし、(ｃ)パターンの微細化により、導体線路８のごく近傍に接地導体（導電性ボディ１）が位置するようにしている。したがって、表面実装型パッケージであるのにもかかわらず、良好な高周波特性を実現することができる。
【００４６】
実施の形態４．
以下、図８〜図１０を参照しつつ本発明の実施の形態４を説明する。図８は、本発明の実施の形態４にかかる表面実装型パッケージの組立て前における斜視図であり、図９は組み立て後における斜視図である。図８及び図９において、１３は２つの誘電体部材が張り合わされてなる誘電体ブロック（縦型フィードスルー式）であり、２０は誘電体ブロック１３の両誘電体部材間に鉛筆芯状に挟まれた信号導体（信号線路）である。
【００４７】
この実施の形態４にかかる表面実装型パッケージでは、ボディが実質的にないしは主として金属等の導体で形成されている（以下、これを「導電性ボディ１」という）。そして、導電性ボディ１には、その主面（表側表面）から裏側表面まで該導電性ボディ１を貫通する直方体状の２つの貫通穴部２１が設けられ、これらの貫通穴部２１にそれぞれ誘電体ブロック１３がはめ込まれている。なお、導電性ボディ１の主面（表側表面）及び裏側表面は、それぞれ、誘電体ブロック１３の表側表面及び裏側表面と実質的に同一の平面上にある。この表面実装型パッケージは、メタルパッケージのフィードスルー部を直立させてその表側表面と裏側表面とをつないだものと同様ないしは類似の構造を有している。なお、前記の理由により（段落番号［００２３］参照）、誘電体ブロック１３(縦型フィードスルー式)においては、その表側表面（裏側表面）の矩形の長辺が２ｍｍ以下であり、短辺が１.６ｍｍ以下であり、かつ誘電体ブロック１３内の信号導体２０の幅が０.４ｍｍ以下であるのが望ましい。
【００４８】
図１０は、図８及び図９に示す表面実装型パッケージにＭＭＩＣ１１を実装した上で、該表面実装型パッケージを外部基板１０に固定した状態を示す縦断面図である。図１０に示すように、かかる実装ないしは固定に際しては、まずＭＭＩＣ１１を導電性ボディ１上のＩＣ実装部位に取り付け、ＭＭＩＣ１１の所定の端子と信号導体２０とをボンディングワイヤ１２で接続する。そして、ふた部材９でふたをしてＭＭＩＣ１１を封入し、この後該表面実装型パッケージをハンダ、導電性樹脂等を用いて外部基板１０に固定する。かくして、表面実装型パッケージにＭＭＩＣ１１が実装されてなる半導体装置が完成する。なお、この実施の形態４にかかる表面実装型パッケージでは、該表面実装型パッケージをその側面を用いて外部基板１０に接続することは不可能である。
【００４９】
この実施の形態４にかかる表面実装型パッケージでは、(ａ)金属等からなる導電性ボディ１を用いることにより、パッケージ内の接地導体を強化し、(ｂ)縦型フィードスルー式の誘電体ブロック１３（信号導体２０）の採用により、信号導体２０のどの部分でも周囲の接地導体（導電性ボディ１）との距離が一定となるようにし、(ｃ)パターンの微細化により、信号導体２０のごく近傍に接地導体（導電性ボディ１）が位置するようにしている。したがって、表面実装型パッケージであるのにもかかわらず、良好な高周波特性を実現することができる。
【００５０】
実施の形態５．
以下、図１１〜図１３を参照しつつ本発明の実施の形態５を説明する。図１１は、本発明の実施の形態５にかかる表面実装型パッケージの縦断面図である。図１１に示すように、この表面実装型パッケージでは、ボディが実質的にないしは主として金属等の導体で形成されている（以下、これを「導電性ボディ１」という）。そして、導電性ボディ１の表面に、その主面（表側表面）から側面を経て裏側表面に至る連続した誘電体層２２が配置されている。さらに、この誘電体層２２上に、マイクロストリップラインを用いた信号線路８が少なくとも１つ配置されている。なお、マイクロストリップラインの代わりにグランデッドコプレーナラインを用いてもよい。この実施の形態５にかかる表面実装型パッケージでは、誘電体層２２の材料として、アルミナ、エポキシ樹脂、ポリイミド等を使用することができる。また、該誘電体層２２を形成する方法としては、誘電体基板の張り付け、液状誘電体材料の塗布等を用いることができる。前記の理由により（段落番号［００２３］参照）、誘電体層２２の厚さは０.８ｍｍ以下であるのが望ましい。
【００５１】
図１２は、図１１に示す表面実装型パッケージにＭＭＩＣ１１を実装した上で該表面実装型パッケージを外部基板１０に固定する手順を示す縦断面図である。また、図１３は、図１２に示す手順で表面実装型パッケージが外部基板１０に固定された状態を示す縦断面図である。図１２及び図１３に示すように、かかる実装ないしは固定に際しては、まずＭＭＩＣ１１を導電性ボディ１上のＩＣ実装部位に取り付け、ＭＭＩＣ１１の所定の端子と信号線路８とをボンディングワイヤ１２で接続する。そして、ふた部材９でふたをして該ＭＭＩＣ１１を封入し、この後該表面実装型パッケージをハンダ、導電性樹脂等を用いて外部基板１０に固定する。かくして、表面実装型パッケージにＭＭＩＣ１１が実装されてなる半導体装置が完成する。この実施の形態５では、パッケージ裏面の信号線路端子５ｂ及び接地端子５ａを用いて、対応する外部基板１０の端子と接続しているが、パッケージの側面を用いて接続するようにしてもよい。
【００５２】
この実施の形態５にかかる表面実装型パッケージでは、(ａ)金属等からなる導電性ボディ１を用いることにより、パッケージ内の接地導体を強化し、(ｂ)連続したマイクロストリップライン(グランデッドコプレーナラインでもよい)の信号線路８の採用により、信号線路８のどの部分でも周囲の接地導体（導電性ボディ１）との距離が一定となるようにし、(ｃ)パターンの微細化により、信号線路８のごく近傍に接地導体（導電性ボディ１）が位置するようにしている。したがって、表面実装型パッケージであるのにもかかわらず、良好な高周波特性を実現することができる。
【００５３】
実施の形態６．
以下、図１４〜図１７を参照しつつ本発明の実施の形態６を説明する。図１４は、本発明の実施の形態６にかかる表面実装型パッケージの縦断面図である。図１４に示すように、この表面実装型パッケージでは、ボディが実質的にないしは主として金属等の導体で形成されている（以下、これを「導電性ボディ１」という）。そして、導電性ボディ１の複数（例えば、４つ）の側面がテーパ状ないしは傾斜面状に形成され、このテーパ状の側面に誘電体層２２が配置されている。さらに、各誘電体層２２上に、マイクロストリップラインを用いた信号線路８が少なくとも１つ配置されている。なお、マイクロストリップラインの代わりにグランデッドコプレーナラインを用いてもよい。この実施の形態６にかかる表面実装型パッケージでは、誘電体層２２の材料として、アルミナ、エポキシ樹脂、ポリイミド等を使用することができる。また、該誘電体層２２を形成する方法としては、誘電体基板の張り付け、液状誘電体材料の塗布等を用いることができる。前記の理由により（段落番号［００２３］参照）、誘電体層２２の厚さは０.８ｍｍ以下であるのが望ましい。
【００５４】
図１５は、図１４に示す表面実装型パッケージにＭＭＩＣ１１を実装した上で該表面実装型パッケージを外部基板１０に固定する手順を示す縦断面図である。また、図１６は、図１５に示す手順で表面実装型パッケージが外部基板１０に固定された状態を示す縦断面図である。なお、図１７は、図１４〜図１６に示す表面実装型パッケージの、高周波信号線路８と外部基板１０との接続部を拡大して示した斜視図である。なお、図１７において、１４はハンダ溜り部である。
【００５５】
図１５〜図１７に示すように、かかる実装ないしは固定に際しては、まずＭＭＩＣ１１を導電性ボディ１上のＩＣ実装部位に取り付け、ＭＭＩＣ１１の所定の端子と信号線路８とをボンディングワイヤ１２で接続する。そして、ふた部材９でふたをして該ＭＭＩＣ１１を封入し、この後該表面実装型パッケージをハンダ、導電性樹脂等を用いて外部基板１０に固定する。かくして、表面実装型パッケージにＭＭＩＣ１１が実装されてなる半導体装置が完成する。実施の形態６では、パッケージ裏面を用いた接続が不可能であるので、図１６及び図１７に示すようなハンダ溜り部１４(信号端子の凹部)を用いて外部基板１０と接続するのが望ましい。
【００５６】
実施の形態６にかかる表面実装型パッケージでは、(ａ)金属等からなる導電性ボディ１を用いることにより、パッケージ内の接地導体を強化し、(ｂ)連続したマイクロストリップライン(グランデッドコプレーナラインでもよい)の信号線路８の採用により、信号線路８のどの部分でも周囲の接地導体（導電性ボディ１）との距離が一定となるようにし、(ｃ)パターンの微細化により、信号線路８のごく近傍に接地導体（導電性ボディ１）が位置するようにしている。したがって、表面実装型パッケージであるのにもかかわらず、良好な高周波特性を実現することができる。
【００５７】
実施の形態７．
以下、図１８〜図２２を参照しつつ本発明の実施の形態７を説明する。図１８は、本発明の実施の形態７にかかる表面実装型パッケージの斜視図である。また、図１９は、図１８に示す表面実装型パッケージの縦断面図である。図１８及び図１９に示すように、この表面実装型パッケージでは、ボディが実質的にないしは主として誘電体で形成され（以下、これを「誘電体ボディ４」という）、その主面（表側表面）は、テーパを有する凹状に形成されている。そして、誘電体ボディ４の主面及び側面の大部分が、連続した面状ないしは薄板状の接地導体部１７で覆われている。かつ、誘電体ボディ４の主面の接地導体部１７で覆われていない部分には、コプレーナライン状の高周波信号線路８（信号線路）が配置されている。この表面実装型パッケージにおいては、少なくともパッケージ表面の約半分以上が接地導体部１７で覆われているのが望ましい。なお、前記の理由により（段落番号［００２３］参照）、高周波信号線路８（導体パターン）と接地導体部１７（接地パターン）との間隔は、０.８ｍｍ以下であることが必要である。この場合、通常、高周波信号線路８（導体パターン）の幅は１ｍｍ以下となる。ここで、接地導体部１７の、誘電体ボディ４の主面（表側表面）上に配置された部分と裏側表面上に配置された部分とをスルーホール６で接続してもよい。
なお、誘電体ボディ４の裏側表面にも、主面と同様に、一部分を除いて接地導体部１７が配置（形成）されている。
【００５８】
図２０は、図１８及び図１９に示す表面実装型パッケージにＭＭＩＣ１１を実装した上で該表面実装型パッケージを外部基板１０に固定する手順を示す斜視図である。また、図２１は、図２０に示す手順で表面実装型パッケージが外部基板１０に固定された状態を示す縦断面図である。図２０及び図２１に示すように、かかる実装ないしは固定に際しては、まずＭＭＩＣ１１を誘電体ボディ４の主面のＩＣ実装部位に取り付け、ＭＭＩＣ１１の所定の端子と高周波信号線路８とをボンディングワイヤ１２で接続する。そして、ふた部材９でふたをして該ＭＭＩＣ１１を封入し、この後該表面実装型パッケージをハンダ、導電性樹脂等を用いて外部基板１０に固定する。かくして、表面実装型パッケージにＭＭＩＣ１１が実装されてなる半導体装置が完成する。
【００５９】
ここで、図２２に示すように、表面実装型パッケージをポッティング樹脂１５を用いて外部基板１０に固定ないしはモールドするようにしてもよい。
なお、この実施の形態７では、パッケージ表面の信号線路端子５ｂ及び接地端子５ａを用いて、対応する外部基板１０の端子と接続しているが、パッケージの側面を用いて接続するようにしてもよい。また、実施の形態７では、ふた部材９は無くても構わない。
【００６０】
この実施の形態７にかかる表面実装型パッケージでは、(ａ)誘電体ボディ４の大部分を接地導体部１７（金属面）で覆うことにより、パッケージ内の接地導体を強化し、(ｂ)コプレーナラインの高周波信号線路８の採用により、高周波信号線路８のどの部分でも囲の接地導体部１７との距離が一定になるようにし、(ｃ)パターンの微細化により、高周波信号線路８のごく近傍に接地導体部１７が位置するようにしている。したがって、表面実装型パッケージであるのにもかかわらず、良好な高周波特性を実現することができる。
【００６１】
実施の形態８．
以下、図２３〜図２４を参照しつつ本発明の実施の形態８を説明する。図２３は、本発明の実施の形態８にかかる表面実装型パッケージの縦断面図である。図２３に示すように、この表面実装型パッケージでは、ボディが実質的にないしは主として金属等の導体で形成され（以下、これを「導電性ボディ１」という）、その主面（表側表面）は、テーパを有する凹状に形成されている。そして、この導電性ボディ１の主面の、ＭＭＩＣ１１を実装すべき部位の外側の部分に誘電体層２２が配置されている。さらに、誘電体層２２上に、マイクロストリップラインを用いた信号線路８が少なくとも１つ配置されている。なお、マイクロストリップラインの代わりにグランデッドコプレーナラインを用いてもよい。この実施の形態８にかかる表面実装型パッケージでは、誘電体層２２の材料として、アルミナ、エポキシ樹脂、ポリイミド等を使用することができる。また、該誘電体層２２を形成する方法としては、誘電体基板の張り付け、液状誘電体材料の塗布等を用いることができる。前記の理由により（段落番号［００２３］参照）、誘電体層２２の厚さは０.８ｍｍ以下であるのが望ましい。
【００６２】
図２４（ａ）は、図２３に示す表面実装型パッケージにＭＭＩＣ１１を実装した上で、該表面実装型パッケージを外部基板１０に固定した状態を示す縦断面図である。図２４（ａ）に示すように、この場合、まずＭＭＩＣ１１を導電性ボディ１上のＩＣ実装部位に取り付け、ＭＭＩＣ１１の所定の端子と信号線路８とをボンディングワイヤ１２で接続する。そして、ふた部材９でふたをして該ＭＭＩＣ１１を封入し、この後該表面実装型パッケージをハンダ、導電性樹脂等を用いて外部基板１０に固定する。かくして、表面実装型パッケージにＭＭＩＣ１１が実装されてなる半導体装置が完成する。この実施の形態８では、パッケージ表面の信号線路端子５ｂ及び接地端子５ａを用いて、対応する外部基板１０の端子と接続しているが、パッケージの側面を用いて接続するようにしてもよい。また、実施の形態８では、ふた部材９は無くても構わない。
【００６３】
図２４（ｂ）は、図２４（ａ）とは垂直な方向からみた、実施の形態８にかかる表面実装型パッケージの縦断面図である。図２４（ｂ）に示すように、この表面実装型パッケージでは、導電性ボディ１の両端部近傍部は、接地端子５ａと当接している（電気的に接続されている）。
なお、図２４（ｃ）に示すように、導電性ボディ１を接続導線２３を介して接地端子５ａに電気的に接続するようにしてもよい。
【００６４】
この実施の形態８にかかる表面実装型パッケージでは、(ａ)金属等からなる導電性ボディ１を用いることにより、パッケージ内の接地導体を強化し、(ｂ)連続したマイクロストリップライン(グランデッドコプレーナラインでもよい)の信号線路８の採用により、信号線路８のどの部分でも周囲の接地導体（導電性ボディ１）との距離が一定になるようにし、(ｃ)パターンの微細化により、信号線路８のごく近傍に接地導体（導電性ボディ１）が位置ようにしている。したがって、表面実装型パッケージであるのにもかかわらず、良好な高周波特性を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】本発明の実施の形態１にかかる表面実装型パッケージの斜視図である。
【図２】図１に示す表面実装型パッケージのＭＭＩＣの実装手順を示す斜視図である。
【図３】本発明の実施の形態２にかかる表面実装型パッケージの斜視図である。
【図４】図３に示す表面実装型パッケージのＭＭＩＣの実装手順を示す斜視図である。
【図５】本発明の実施の形態３にかかる表面実装型パッケージの組立て前における斜視図である。
【図６】図５に示す表面実装型パッケージの組み立て後における斜視図である。
【図７】図６に示す表面実装型パッケージのＭＭＩＣの実装手順を示す斜視図である。
【図８】本発明の実施の形態４にかかる表面実装型パッケージの組立て前における斜視図である。
【図９】図８に示す表面実装型パッケージの組み立て後における斜視図である。
【図１０】図９に示す表面実装型パッケージのＭＭＩＣの実装後における状態を示す縦断面図である。
【図１１】本発明の実施の形態５にかかる表面実装型パッケージの縦断面図である。
【図１２】図１１に示す表面実装型パッケージのＭＭＩＣの実装手順を示す縦断面図である。
【図１３】図１１に示す表面実装型パッケージのＭＭＩＣの実装後における状態を示す縦断面図である。
【図１４】本発明の実施の形態６にかかる表面実装型パッケージの縦断面図である。
【図１５】図１４に示す表面実装型パッケージのＭＭＩＣの実装手順を示す縦断面図である。
【図１６】図１４に示す表面実装型パッケージのＭＭＩＣの実装後における状態を示す縦断面図である。
【図１７】図１４に示す表面実装型パッケージの外部基板との接続部を拡大して示した斜視図である。
【図１８】本発明の実施の形態７にかかる表面実装型パッケージの斜視図である。
【図１９】図１８に示す表面実装型パッケージの縦断面図である。
【図２０】図１８に示す表面実装型パッケージのＭＭＩＣの実装手順を示す斜視図である。
【図２１】図１８に示す表面実装型パッケージのＭＭＩＣの実装後における状態を示す縦断面図である。
【図２２】ポッティング樹脂でモールドされた、図１８に示す表面実装型パッケージのＭＭＩＣの実装後における状態を示す縦断面図である。
【図２３】本発明の実施の形態８にかかる表面実装型パッケージの縦断面図である。
【図２４】（ａ）は図２３に示す表面実装型パッケージのＭＭＩＣの実装後における状態を示す縦断面図であり、（ｂ）及び（ｃ）は、それぞれ、（ａ）に示す表面実装型パッケージの接地端子との接続部を拡大して示した縦断面図である。
【図２５】従来のフィードスルー型メタルパッケージの斜視図である。
【図２６】従来のスルーホール型の表面実装型パッケージの縦断面図である。
【図２７】図２６に示すスルーホール型の表面実装型パッケージの斜視図である。
【図２８】従来の側面線路型の表面実装型パッケージの縦断面図である。
【図２９】図２８に示す側面線路型の表面実装型パッケージの斜視図である。
【図３０】図２５に示す従来のフィードスルー型メタルパッケージのＭＭＩＣの実装手順を示す斜視図である。
【図３１】図２５に示す従来のフィードスルー型メタルパッケージのＭＭＩＣの実装後における状態を示す斜視図である。
【図３２】図２６に示す従来のスルーホール型の表面実装型パッケージのＭＭＩＣの実装後における状態を示す縦断面図である。
【図３３】図２８に示す従来の側面線路型の表面実装型パッケージのＭＭＩＣの実装後における状態を示す縦断面図である。
【符号の説明】
【００６６】
１  導電性ボディ、２  メタルウォール、３  入出力信号線路、４  誘電体ボディ、５ａ  接地端子、５ｂ  信号線路端子（高周波端子）、６  スルーホール（バイアホール）、７  ＩＣ実装部、８  信号線路（高周波信号線路、導体線路、高周波端子）、９  ふた部材、１０  外部基板、１１  ＭＭＩＣ、１２  ボンディングワイヤ、１３  誘電体ブロック、１４  ハンダ溜り部、１５  ポッティング樹脂、１６  入出力信号線路、１７  接地導体部、１８  切欠部、１９  誘電体ブロック、２０  信号導体、２１  貫通穴部、２２  誘電体層、２３  接続導線。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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