(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（１）
0004581153.tif 000012
（式中、Ｘは水素原子またはハロゲン原子を表し、Ｙはハロゲン原子を表し、Ｗは水素原子、またはＺＲ1を表し、Ｚは酸素原子または硫黄原子を表し、Ｒ1は水素原子、Ｃ1−Ｃ6アルキル基、Ｃ1−Ｃ6ハロアルキル基、Ｃ3−Ｃ8シクロアルキル基、ベンジル基、Ｃ3−Ｃ6アルケニル基、Ｃ3−Ｃ6ハロアルケニル基、Ｃ3−Ｃ6アルキニル基、Ｃ3−Ｃ6ハロアルキニル基、シアノＣ1−Ｃ6アルキル基、Ｃ2−Ｃ8（アルコキシアルキル）基、Ｃ2−Ｃ8（アルキルチオアルキル）基、カルボキシＣ1−Ｃ6アルキル基、（Ｃ1−Ｃ8アルコキシ）カルボニルＣ1−Ｃ6アルキル基、｛（Ｃ1−Ｃ4アルコキシ）Ｃ1−Ｃ4アルコキシ｝カルボニルＣ1−Ｃ6アルキル基、（Ｃ3−Ｃ8シクロアルコキシ）カルボニルＣ1−Ｃ6アルキル基、または、｛（Ｃ1−Ｃ6アルコキシ）カルボニルＣ1−Ｃ6アルキル｝オキシカルボニルＣ1−Ｃ6アルキル基を表す。）
で示されるヒドラゾン化合物と一般式（２）
Ｒ2ＣＨ（ＣＯＯＨ）2
（式中、Ｒ2は水素原子またはＣ１―Ｃ３アルキル基を表す。）
で示されるマロン酸誘導体とを、５−エチル−２−メチルピリジンの存在下に反応させ一般式（３）
0004581153.tif 000013
（式中、Ｘ、Ｙ、ＷおよびＲ2は、前記と同じ意味を表わす。）
で示されるカルボン酸誘導体またはその塩を生成させた後、酸を加え、反応させることを特徴とする一般式（４）
0004581153.tif 000014
（式中、Ｘ、Ｙ、ＷおよびＲ2は、前記と同じ意味を表わす。）
で示されるピリダジン−３−オン誘導体の製造方法。
【請求項２】
有機溶媒中で反応させる請求項１記載のピリダジン−３−オン誘導体の製造方法。
【請求項３】
有機溶媒がＣ７〜Ｃ１５の脂肪族炭化水素、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素、あるいはその混合物である請求項１記載のピリダジン−３−オン誘導体の製造方法。
【請求項４】
酸を加えて反応させる条件が、共沸脱水または／および脱水剤を添加することにより、反応により生成する水を系内から除去しながら反応させることを特徴とする請求項１、２または３記載のピリダジン−３−オン誘導体の製造方法。
【請求項５】
反応温度が約７０〜２００℃である請求項１〜４のいずれかに記載のピリダジン−3−オン誘導体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ピリダジン−３−オン誘導体の製造方法に関する。
【０００２】
【発明が解決しようとする課題】
例えば、式（５）
0004581153.tif 000002
で示されるようなピリダジン−３−オン誘導体は、優れた除草活性を有しており、これらのピリダジン−３−オン誘導体の工業的に有利な製造方法の開発が望まれていた。
従来、下記一般式（３）で示されるカルボン酸誘導体またはその塩を単離しており、そのために抽出、濃縮などの操作が必要となり、それに付随した粉塵対策用の設備が必要であった。
【０００３】
本発明者は、下記一般式（４）で示されるピリダジン−３−オン誘導体を製造する際、工業的に有利に製造することができる方法を開発するべく鋭意検討を重ねた結果、本発明に至った。
すなわち、本発明は、一般式（１）
0004581153.tif 000003
（式中、Ｘは水素原子またはハロゲン原子を表し、Ｙはハロゲン原子を表し、Ｗは水素原子、またはＺＲ1を表し、Ｚは酸素原子または硫黄原子を表し、Ｒ1は水素原子、Ｃ1−Ｃ6アルキル基、Ｃ1−Ｃ6ハロアルキル基、Ｃ3−Ｃ8シクロアルキル基、ベンジル基、Ｃ3−Ｃ6アルケニル基、Ｃ3−Ｃ6ハロアルケニル基、Ｃ3−Ｃ6アルキニル基、Ｃ3−Ｃ6ハロアルキニル基、シアノＣ1−Ｃ6アルキル基、Ｃ2−Ｃ8（アルコキシアルキル）基、Ｃ2−Ｃ8（アルキルチオアルキル）基、カルボキシＣ1−Ｃ6アルキル基、（Ｃ1−Ｃ8アルコキシ）カルボニルＣ1−Ｃ6アルキル基、｛（Ｃ1−Ｃ4アルコキシ）Ｃ1−Ｃ4アルコキシ｝カルボニルＣ1−Ｃ6アルキル基、（Ｃ3−Ｃ8シクロアルコキシ）カルボニルＣ1−Ｃ6アルキル基、または、｛（Ｃ1−Ｃ6アルコキシ）カルボニルＣ1−Ｃ6アルキル｝オキシカルボニルＣ1−Ｃ6アルキル基を表す。）
で示されるヒドラゾン化合物と一般式（２）
Ｒ2ＣＨ（ＣＯＯＨ）2
（式中、Ｒ2は水素原子またはＣ１―Ｃ３アルキル基を表す。）
で示されるマロン酸誘導体とを、５−エチル−２−メチルピリジンの存在下に反応させ一般式（３）
0004581153.tif 000004
（式中、Ｘ、Ｙ、ＷおよびＲ2は、前記と同じ意味を表わす。）
で示されるカルボン酸誘導体またはその塩を生成させた後、酸を加え、反応させることを特徴とする一般式（４）
0004581153.tif 000005
（式中、Ｘ、Ｙ、ＷおよびＲ2は、前記と同じ意味を表わす。）
で示されるピリダジン−３−オン誘導体の製造方法を提供するものである。
【０００４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明について詳細に説明する。
本発明の化合物において、ＸおよびＹで示されるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子が挙げられる。
Ｒ1で示されるＣ１−Ｃ６アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、イソブチル基、ブチル基、ｔ−ブチル基、アミル基、イソアミル基、ｔ−アミル基等があげられ、Ｃ１−Ｃ６ハロアルキル基としては、２−クロロエチル基、２−ブロモエチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基等があげられ、Ｃ３−Ｃ８シクロアルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等があげられ、Ｃ３−Ｃ６アルケニル基としては、アリル基、１−メチル−２−プロペニル基、３−ブテニル基、２−ブテニル基、３−メチル−２−ブテニル基、２−メチル−３−ブテニル基等があげられ、Ｃ３−Ｃ６ハロアルケニル基としては、２−クロロ−２−プロペニル基、３，３−ジクロロ−２−プロペニル基等があげられ、Ｃ３−Ｃ６アルキニル基としては、プロパルギル基、１−メチル−２−プロピニル基、２−ブチニル基、１，１−ジメチル−２−プロピニル基等があげられ、Ｃ３−Ｃ６ハロアルキニル基としては、３−ブロモプロパルギル基等があげられ、シアノＣ１−Ｃ６アルキル基としては、シアノメチル基等があげられ、（Ｃ２−Ｃ８アルコキシアルキル）基としては、メトキシメチル基、メトキシエチル基、エトキシメチル基、エトキシエチル基等があげられ、（Ｃ２−Ｃ８アルキルチオアルキル）基としては、メチルチオメチル基、メチルチオエチル基等があげられ、カルボキシＣ１−Ｃ６アルキル基としては、カルボキシメチル基、１−カルボキシエチル基、２−カルボキシエチル基等があげられ、（Ｃ１−Ｃ８アルコキシ）カルボニルＣ１−Ｃ６アルキル基としては、メトキシカルボニルメチル基、エトキシカルボニルメチル基、プロポキシカルボニルメチル基、イソプロポキシカルボニルメチル基、ブトキシカルボニルメチル基、イソブトキシカルボニルメチル基、ｔ−ブトキシカルボニルメチル基、アミルオキシカルボニルメチル基、イソアミルオキシカルボニルメチル基、ｔ−アミルオキシカルボニルメチル基、１−メトキシカルボニルエチル基、１−エトキシカルボニルエチル基、１−プロポキシカルボニルエチル基、１−イソプロポキシカルボニルエチル基、１−ブトキシカルボニルエチル基、１−イソブトキシカルボニルエチル基、１−ｔ−ブトキシカルボニルエチル基、１−アミルオキシカルボニルエチル基、１−イソアミルオキシカルボニルエチル基、１−ｔ−ブトキシカルボニルエチル基、１−アミルオキシカルボニルエチル基、１−イソアミルオキシカルボニルエチル基、１−ｔ−アミルオキシカルボニルエチル基等があげられ、｛（Ｃ１−Ｃ４アルコキシ）Ｃ１−Ｃ４アルコキシ｝カルボニルＣ１−Ｃ６アルキル基としては、メトキシメトキシカルボニルメチル基、メトキシエトキシカルボニルメチル基、１−メトキシエトキシカルボニルエチル基等があげられ、（Ｃ３−Ｃ８シクロアルコキシ）カルボニルＣ１−Ｃ６アルキル基としては、シクロブチルオキシカルボニルメチル基、シクロペンチルオキシカルボニルメチル基、シクロヘキシルオキシカルボニルメチル基、１−シクロブチルオキシカルボニルエチル基、１−シクロペンチルオキシカルボニルエチル基、１−シクロヘキシルオキシカルボニルエチル基等があげられ��｛（Ｃ１−Ｃ６アルコキシ）カルボニルＣ１−Ｃ６アルキル｝オキシカルボニルＣ１−Ｃ６アルキル基としては、（メトキシカルボニル）メトキシカルボニルメチル基、（エトキシカルボニル）メトキシカルボニルメチル基等があげられる。
【０００５】
Ｒ2で示されるＣ１−Ｃ３アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基等があげられる。
【０００６】
次に本発明化合物を製造する方法について説明する。
一般式（４）で示されるピリダジン−３−オン誘導体は、一般式（１）で示されるヒドラゾン化合物と一般式（２）で示されるマロン酸誘導体とを、５−エチル−２−メチルピリジン存在下に反応させ一般式（３）で示されるカルボン酸誘導体を得る工程（工程１と称す）と、工程１終了後引き続き、酸を加え、反応を行なう工程（工程２と称す）により製造することができる。
【０００７】
工程１の反応温度の範囲は、通常７０〜２００℃程度であり、好ましくは、７０〜１００℃程度である。反応時間の範囲は、通常、５〜４８時間程度である。
反応に供される試剤の量は、一般式（１）で示されるヒドラゾン化合物１モルに対して、一般式（２）で示されるマロン酸誘導体は１〜１０モル程度であり、５−エチル−２−メチルピリジンは通常１〜１０モル程度、好ましくは１〜３モル程度である。
反応には通常、溶媒が用いられ、かかる溶媒として、ヘプタン、オクタン等のＣ７〜Ｃ１５の脂肪族炭化水素類、ベンゼン、トルエン、クロロベンゼンの芳香族炭化水素類、あるいはその混合物が挙げられ、中でもヘプタン、オクタン等のＣ７〜Ｃ１５の脂肪族炭化水素類が好ましい。
【０００８】
工程２の反応温度の範囲は、通常７０〜２００℃程度であり、好ましくは、９０〜１４０℃程度である。また、該反応においては共沸脱水もしくはモレキュラ−シ−ブ等の乾燥剤を用いる等、反応系から水を除きながら反応を行うことが好ましい。反応時間の範囲は通常、５〜４８時間程度である。
【０００９】
反応に用いられる酸としては、酢酸、プロピオン酸、トリメチル酢酸、クロロ酢酸、トリフルオロ酢酸、フェニル酢酸、酪酸、イソ酪酸、吉草酸、イソ吉草酸等の脂肪酸類、安息香酸、４−ニトロ安息香酸、４−クロロ安息香酸、３，５−ジニトロ安息香酸、４−メトキシ安息香酸等の安息香酸類、ｐ−トルエンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、メタンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸等のスルホン酸類、等の有機酸類、硫酸、塩酸、リン酸等の無機酸類、アンバ−ライトＣＧ−５０、アンバ−ライトＩＲ−１２０等の酸性型陽イオン交換樹脂等があげられる。
【００１０】
反応に供される酸の量は、一般式（１）で示されるヒドラゾン化合物１モルに対して、通常１〜１０モル程度であり、好ましくは１〜３モル程度である。反応には通常、溶媒が用いられ、かかる溶媒としては、前記工程１と同様の溶媒が用いられる。
また、反応系内に炭酸カルシウムを添加することも可能である。
【００１１】
反応終了後の反応液は、モレキュラーシーブ、炭酸カルシウム等を添加した場合は濾過によりこれを除いた後、
（１）反応液をそのまま濃縮する。
（２）反応液を塩酸、希硫酸等の鉱酸の水溶液に注加するなどし、これを酸性条件下有機溶媒で抽出した後、有機層を乾燥、濃縮する。
等の後処理を行い、必要ならば、再結晶、カラムクロマトグラフィ−等の操作によって精製することにより、一般式（４）示されるピリダジン−３−オン誘導体が製造できる。
【００１２】
上記製造法に用いられる一般式（２）で示されるマロン酸誘導体は、市販のものを用いるか、公知の方法に準じて製造することができる。
また、一般式（１）で示されるヒドラゾン化合物は、一般式（５）
0004581153.tif 000006
（式中、Ｖは、ヨウ素原子、臭素原子、または塩素原子を表わす。）
で示されるジハロトリフルオロアセトン誘導体、または一般式（６）
0004581153.tif 000007
（式中、Ｖは、前記と同じ意味を表わす。）
で示されるジハロトリフルオロプロパンジオール誘導体またはその水和体と水とを塩基の存在下に反応させることにより、式（７）
0004581153.tif 000008
で示されるカルボニル化合物、またはその水和体、またはアセタ−ル誘導体に導き（以下、反応１と称す）、次いで、これと一般式（８）
0004581153.tif 000009
（式中、Ｘ、ＹおよびＷは前記と同じ意味を表す。）
で示されるヒドラジン誘導体またはその鉱酸との塩とを反応させる（以下、反応２と称す）ことにより製造することができる。
【００１３】
上記、反応１は、通常ｐＨ１２以下、好ましくは２から９程度の範囲で行う。
ｐＨが１２を越えるとトリフルオロメチル基のフッ素もかなりの割合で加水分解されるため収率が低下し精製も煩雑となる。ｐＨ調整に使用する酸、または塩基としては、公知のものを広く用いることができる。
酸の具体例としては、塩酸、硫酸、硝酸、リン酸等の無機酸、酢酸、プロピオン酸、ｐ−トルエンスルホン酸等の有機酸、リン酸二水素ナトリウム、リン酸二水素カリウム、亜硫酸水素ナトリウム、亜硫酸水素カリウム等の酸性金属塩、酸性イオン交換樹脂等が挙げられる。
【００１４】
塩基の具体例としては、ナトリウム、カリウム等のアルカリ金属類もしくはカルシウム、バリウム等のアルカリ土類金属類の水酸化物、炭酸塩、重炭酸塩または酢酸塩等の塩基性塩、塩基性イオン交換樹脂等が挙げられる。
また、上に示した酸と塩基の混合物を使用することもできる。
【００１５】
反応は通常水中で行われるが、反応に関与しない有機溶媒と水との混合溶媒系にて実施することもできる。水の使用量は一般式（５）で示されるジハロトリフルオロアセトン誘導体または一般式（６）で示されるジハロトリフルオロプロパンジオール誘導体もしくはその水和体に対し、通常０．５から１００重量倍程度、好ましくは１から２０重量倍程度である。
【００１６】
かかる反応で使用することのできる有機溶媒としては、ベンゼン、トルエン、ヘキサン等の炭化水素系溶媒、テトラヒドロフラン、メチル−ｔ−ブチルエーテル等のエーテル系溶媒、モノクロロベンゼン等のハロゲン系溶媒等が挙げられる。
有機溶媒の使用量は、特に限定はされない。
【００１７】
反応温度は通常０℃から１００℃程度の範囲であるが、ｐＨが５以下または９から１２の範囲であれば、１０℃から７０℃程度の範囲が好ましく、ｐＨが５から９の範囲であれば、７０℃から１００℃程度の範囲が好ましい。
【００１８】
反応終了後は通常の方法、例えば有機溶媒を用いて抽出処理し、得られた有機層を濃縮することで、式（７）で示されるカルボニル化合物、またはその水和体、またはアセタ−ル誘導体を得ることができる。また、必要に応じて再結晶、各種クロマトグラフィー等により精製することもできる。
また、かかる反応により得られた式（７）で示されるカルボニル化合物、またはその水和体、またはアセタ−ル誘導体の水溶液を、そのまま次の反応に使用することもできる。
【００１９】
上記、反応２は、通常溶媒中で行われ、反応温度の範囲は通常０〜１００℃程度、反応時間の範囲は、通常、瞬時〜７２時間程度である。反応に供される試剤の量は、前記反応１によって合成された式（７）で示されるカルボニル化合物、またはその水和体、またはアセタ−ル誘導体１モルに対して一般式（８）で示されるヒドラジン誘導体は１モルの割合が理論量であるが、必要に応じて、式（７）で示される化合物を過剰量用いることもできる。該ヒドラジン誘導体は、その塩酸塩や硫酸塩等の塩として用いることもできる。
【００２０】
上記反応には通常、溶媒が用いられ、かかる溶媒としては、ヘキサン、ヘプタン、リグロイン、石油エ−テル等の脂肪族炭化水素類、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類、ジエチルエ−テル、ジイソプロピルエ−テル、１，４−ジオキサン、テトラヒドロフラン、エチレングリコ−ルジメチルエ−テル、メチル−ｔ−ブチルエ−テル等のエ−テル類、メタノ−ル、エタノ−ル、エチレングリコ−ル、イソプロパノ−ルなどのアルコ−ル類、水あるいはそれらの混合物などが挙げられる。
【００２１】
反応終了後の反応液は、必要に応じて水を加えた後、生じた結晶を濾集するか、または、有機溶媒抽出および濃縮等の通常の後処理を行い、必要ならばクロマトグラフィ−、再結晶等の操作によってさらに精製することにより、目的物を単離することができる。
【００２２】
一般式（８）で示されるヒドラジン誘導体およびその鉱酸との塩は、特開平０９−３２３９７７号公報記載の製法によって得ることができる。
【００２３】
一般式（４）で示されるピリダジン−３−オン誘導体の具体例を（表１）に示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
0004581153.tif 000010
【表１】
0004581153.tif 000011
【００２４】
【発明の効果】
本発明により、優れた除草活性を有するピリダジン−３−オン誘導体を収率よく製造することができる。
【００２５】
以下、実施例をあげて、本発明をさらに詳しく説明するが、本発明は、これらに限定されるものではない。
（実施例１）
窒素気流下、ヘプタン２０．９７にｇ３，３，３−トリフルオロ−２−オキソ−１−（４−クロロ−２−フルオロ−５−ヒドロキシフェニルヒドラゾン）プロパナ−ル２０．９４ｇ（純度９７．８２％）、メチルマロン酸１３．１７ｇ（純度９７％）、５−エチル−２−メチルピリジン９．０１ｇ（純度９６．８％）を加え８０℃に加熱し、１２時間攪拌した。この溶液に、同温度で５−エチル−２−メチルピリジン１７．７１ｇ（純度９６．８％）と炭酸カルシウムを加え、２．７０ｇ（純度９９．５％）を加えた後、１０５℃に昇温させ９．５１ｇの液体を留去させた後、３５℃に冷却した。次いで、トルエン３８．６２ｇとプロピオン酸４．６９ｇを加え、１１０℃に昇温し、共沸脱水しながら加熱還流を３２時間行なった。反応マスを３５℃に冷却しグラスフィルターにて濾過を行ない、濾液を濃縮することによって２−（２−フルオロ−４−クロロ−６−ヒドロキシフェニル）−５−トリフルオロメチルピリダジン−３−オンの粗生成物を得た。  ＬＣ分析より収率は７０％であった。（ＬＣを用いた絶対検量法にて求めた。絶対検量法；あらかじめ単離した目的物の濃度を変えた溶液を調製し、液体クロマトグラフィー分析による検出強度を測定して濃度とピーク面積比から検量線を作成しておく。続いて、反応終了後の反応液を作成した検量線の範囲に設定した溶液を調製して、液体クロマトグラフィー分析を行い、得られた目的物のピークと面積から、検量線を用いて反応終了液中の目的物の濃度を算出し、収率を求める方法をいう。）