(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属支持基板を用意する工程、
前記金属支持基板の上に、第１金属薄膜を形成する工程、
前記第１金属薄膜の上に、レジストをパターンで形成する工程、
前記レジストから露出する前記第１金属薄膜の上に、グラウンド層および位置決めマーク層を形成する工程、
前記グラウンド層および前記位置決めマーク層の上に、第２金属薄膜を形成した後、前記レジストを除去する工程、
前記第２金属薄膜の上に、絶縁層を形成する工程、
前記絶縁層の上に、導体パターンを形成する工程
を含んでいることを特徴とする、配線回路基板の製造方法。
【請求項２】
前記グラウンド層および前記位置決めマーク層が、銅からなり、前記第２金属薄膜が、ニッケルからなることを特徴とする、請求項１に記載の配線回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線回路基板の製造方法、詳しくは、回路付サスペンション基板などの配線回路基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、ステンレスからなる金属支持基板の上に、樹脂からなる絶縁層、銅からなる導体パターンが順次形成された回路付サスペンション基板が知られている。
このような回路付サスペンション基板では、金属支持基板がステンレスで形成されていることから、導体パターンにおいて伝送損失が大きくなる。
そのため、伝送損失を低減させるために、ステンレスからなるサスペンションの上に、銅または銅を主成分とする銅合金からなる下部導体を形成し、その下部導体の上に、絶縁層、記録側導体および再生側導体を順次形成することが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２００５−１１３８７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかし、上記の提案では、下部導体の上に絶縁層が直接形成されているため、電流・電圧の存在下において、絶縁層の吸湿、または水の吸着に伴って、下部導体の銅または銅を主成分とする銅合金が、絶縁層の表面または内部に移行する、イオンマイグレーション現象を生じる。そのため、下部導体と絶縁層との密着性の不良や、記録側導体および再生側導体の導電性の不良を生じる場合がある。
【０００４】
また、下部導体の上に形成する絶縁層を、感光性樹脂の露光および現像により、パターンとして形成する場合には、下部導体の上方に、露光マスクを正確に設置する必要があり、そのための位置決めマークをサスペンションに設ける必要がある。
しかるに、位置決めマークは光学的に検知されることから、位置決めマークを正確に検知するためには、位置決めマークの表面と位置決めマークの周囲の表面との間には、光学的に識別可能なコントラストが必要とされる。
【０００５】
本発明の目的は、簡易な層構成により、絶縁層を精度よく形成させつつ、伝送損失を低減させることができるとともに、グラウンド層および位置決めマーク層のそれぞれと絶縁層との間に生じるイオンマイグレーション現象の発生を防止して、グラウンド層および位置決めマーク層のそれぞれと絶縁層との密着性および導体の導電性を向上させて、長期信頼性に優れる配線回路基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の目的を達成するために、本発明の配線回路基板の製造方法は、金属支持基板を用意する工程、前記金属支持基板の上に、第１金属薄膜を形成する工程、前記第１金属薄膜の上に、レジストをパターンで形成する工程、前記レジストから露出する前記第1金属薄膜の上に、グラウンド層および位置決めマーク層を形成する工程、前記グラウンド層および前記位置決めマーク層の上に、第２金属薄膜を形成した後、前記レジストを除去する工程、前記第２金属薄膜の上に、絶縁層を形成する工程、前記絶縁層の上に、導体パターンを形成する工程を含んでいることを特徴としている。
【０００８】
また、本発明の配線回路基板の製造方法において、前記グラウンド層および前記位置決めマーク層が、銅からなり、前記第２金属薄膜が、ニッケルからなることが好適である。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の配線回路基板の製造方法により得られる配線回路基板によれば、簡易な層構成により、絶縁層を精度よく形成させつつ、伝送損失を低減させることができるとともに、グラウンド層と位置決めマーク層のそれぞれと絶縁層との間に、第２金属薄膜が形成されているので、簡易な層構成により、グラウンド層と位置決めマーク層のそれぞれと絶縁層との間に生じるイオンマイグレーション現象の発生を防止して、グラウンド層と位置決めマーク層のそれぞれと絶縁層との密着性および導体の導電性を十分に図ることができ、優れた長期信頼性を確保することができる。
【００１０】
また、本発明の配線回路基板の製造方法によれば、第１金属薄膜の上に、位置決めマーク層を、グラウンド層と同時に形成することができる。また、グラウンド層および位置決めマーク層の上に、第２金属薄膜を形成した後、レジストを除去するため、絶縁層を形成する工程では、グラウンド層および位置決めマーク層の上に、第２金属薄膜が形成される一方、それ以外の部分には、第１金属薄膜が露出している。そのため、位置決めマーク層の上に形成される第２金属薄膜と、その周囲に露出する第１金属薄膜との間に、光学的に識別可能なコントラストを確実に生じさせることができる。その結果、絶縁層を形成する工程において、位置決めマークを正確に検知することができ、絶縁層を精度よく形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
図１は、本発明の配線回路基板の製造方法により得られる配線回路基板の一実施形態を示す要部断面図である。
図１において、この配線回路基板１は、ハードディスクドライブに搭載される回路付サスペンション基板であって、長手方向に延びる金属支持基板２の上に、第１金属薄膜３が形成され、その第１金属薄膜３の上に、グラウンド層４および位置決めマーク層５が形成され、そのグラウンド層４および位置決めマーク層５の上に、第２金属薄膜６が形成され、その第２金属薄膜６の上に、ベース絶縁層７が形成されており、そのベース絶縁層７の上に、導体パターン８が形成され、さらに必要に応じて、導体パターン８の上にカバー絶縁層９が形成されている。
【００１２】
金属支持基板２は、平板状の金属箔や金属薄板からなる。金属支持基板２を形成する金属としては、例えば、ステンレス、４２アロイなどが用いられ、好ましくは、ステンレスが用いられる。また、その厚みは、例えば、１５〜３０μｍ、好ましくは、２０〜２５μｍである。
また、第１金属薄膜３は、金属支持基板２の表面（上面）において、少なくともグラウンド層４および位置決めマーク層５が形成されている部分に対向するように、パターンとして形成されている。第１金属薄膜３を形成する金属としては、例えば、クロム、金、銀、白金、ニッケル、チタン、ケイ素、マンガン、ジルコニウム、およびそれらの合金、またはそれらの酸化物などが用いられる。また、その厚みは、例えば、０．０１〜１μｍ、好ましくは、０．１〜１μｍである。
【００１３】
また、第１金属薄膜３は、金属支持基板２とグラウンド層４および位置決めマーク層５のそれぞれとの密着性を考慮して、例えば、金属支持基板２の表面に、金属支持基板２との密着力の高い金属からなる第１の第１金属薄膜３を形成した後、その第１の第１金属薄膜３の表面に、グラウンド層４および位置決めマーク層５のそれぞれとの密着力の高い金属からなる第２の第１金属薄膜３を積層するなど、多層で形成することもできる。
【００１４】
なお、最表面の第１金属薄膜３は、次に詳述する第２金属薄膜６とは異なる金属から形成され、その金属として、銅が好ましく用いられる。
また、グラウンド層４は、第１金属薄膜３の表面（上面）において、少なくとも導体パターン８が形成されている部分に対向するように、パターンとして形成されている。グラウンド層４を形成する金属としては、銅が好ましく用いられる。また、その厚みは、例えば、０．５〜５μｍであり、好ましくは、２〜５μｍである。
【００１５】
また、位置決めマーク層５は、第１金属薄膜３の表面（上面）において、グラウンド層４が形成される部分以外の任意の部分、例えば、グラウンド層４に対して、配線回路基板１の幅方向（長手方向に直交する方向）一側端部にパターンとして形成されている。位置決めマーク層５を形成する金属としては、銅が好ましく用いられる。また、その厚みは、例えば、０．５〜７μｍであり、好ましくは、２〜５μｍである。また、その形状は、特に制限されないが、例えば、平面視楕円形状であり、その大きさが、例えば、１００〜１０００μｍであり、好ましくは、２００〜７００μｍである。
【００１６】
また、第２金属薄膜６は、グラウンド層４および位置決めマーク層５のそれぞれの表面（上面）に、グラウンド層４および位置決めマーク層５のそれぞれの上面を被覆するように形成されている。第２金属薄膜６を形成する金属としては、上記した第１金属薄膜３を形成する金属にて例示した金属と同様の金属が例示されるが、第１金属薄膜３とは異なる金属が用いられ、ニッケルが好ましく用いられる。また、その厚みは、例えば、３μｍ以下であり、好ましくは、０．５μｍ以下、通常、０．１μｍ以上である。
【００１７】
また、ベース絶縁層７は、第２金属薄膜６の上であって、より具体的には、第１金属薄膜３の表面に、第２金属薄膜６の表面（上面および側面）、グラウンド層４および位置決めマーク層５のそれぞれの側面を被覆するように形成されている。ベース絶縁層７を形成する絶縁体としては、配線回路基板の絶縁体として通常用いられる、例えば、ポリイミド、ポリエーテルニトリル、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリ塩化ビニルなどの合成樹脂のうち、感光性の合成樹脂が用いられ、感光性ポリイミドが好ましく用いられる。また、その厚みは、例えば、５〜１５μｍ、好ましくは、８〜１０μｍである。
【００１８】
また、導体パターン８は、ベース絶縁層７の表面に、互いに間隔を隔てて長手方向に沿って平行状に配置される複数（例えば、４本）の配線からなる配線回路パターンとして形成されている。導体パターン８を形成する導体としては、配線回路基板の導体として通常用いられる、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはそれらの合金などの金属が用いられる。これらのうち、銅が好ましく用いられる。また、その厚みは、例えば、５〜２０μｍ、好ましくは、７〜１５μｍであり、各配線の幅は、例えば、１０〜１００μｍ、好ましくは、２０〜５０μｍであり、各配線間の間隔は、例えば、１０〜１００μｍ、好ましくは、２０〜５０μｍである。
【００１９】
また、カバー絶縁層９は、ベース絶縁層７の表面に、導体パターン８を被覆するように形成されている。カバー絶縁層９を形成する絶縁体としては、上記したベース絶縁層７と同様の絶縁体が用いられる。また、その厚みは、例えば、３〜１５μｍ、好ましくは、４〜５μｍである。
図１に示す配線回路基板１は、例えば、図３および図４に示す方法によって製造することができる。
【００２０】
すなわち、まず、図３（ａ）に示すように、金属支持基板２を用意し、その金属支持基板２の表面全体に、スパッタリングまたは電解めっきにより、第１金属薄膜３を形成する。
そして、図３（ｂ）に示すように、レジスト１０を、上記したグラウンド層４および位置決めマーク層５のそれぞれのパターンと反転するパターンで形成する。レジスト１０の形成は、例えば、ドライフィルムレジストを用いて露光および現像する、公知の方法が用いられる。
【００２１】
次に、図３（ｃ）に示すように、レジスト１０を、めっきレジストとして、電解めっき、好ましくは、電解銅めっきにより、レジスト１０から露出する第１金属薄膜３の表面全体にグラウンド層４および位置決めマーク層５を同時に形成する。
そして、図３（ｄ）に示すように、レジスト１０から露出するグラウンド層４および位置決めマーク層５のそれぞれの表面（上面）に、無電解めっき、好ましくは、無電解ニッケルめっきにより、第２金属薄膜６を形成する。
【００２２】
次に、図３（ｅ）に示すように、レジスト１０を、例えば、化学エッチング（ウェットエッチング）などの公知のエッチング法または剥離によって除去する。これによって、グラウンド層４および位置決めマーク層５の上面に第２金属薄膜６が形成される一方、それ以外の金属支持基板２の上面には、第１金属薄膜３が露出する。
そして、図３（ｆ）に示すように、第１金属薄膜３の表面全体に、第２金属薄膜６の表面、グラウンド層４および位置決めマーク層５のそれぞれの側面を被覆するように、ベース絶縁層７を形成する。
【００２３】
より具体的には、例えば、感光性ポリイミド樹脂を用いて、ベース絶縁層７をパターンで形成する場合には、まず、図４（ａ）に示すように、感光性ポリイミド樹脂の前駆体（感光性ポリアミック酸樹脂）の溶液を、第１金属薄膜３の表面全体に、第２金属薄膜６の表面、グラウンド層４および位置決めマーク層５のそれぞれの側面を被覆するように、塗工した後、例えば、６０〜１５０℃、好ましくは、８０〜１２０℃で加熱して、感光性ポリイミド樹脂の前駆体の皮膜１２を形成する。
【００２４】
次に、図４（ｂ）に示すように、位置決めマーク層５を光学センサによって検知し、その位置決めマークを基準として、皮膜１２の上方に露光マスク１３を設置し、皮膜１２を、露光マスク１３を介して露光する。露光マスク１３は、遮光部分１３ａおよび光全透過部分１３ｂをパターンで備えている。
なお、ネガ型でパターンを形成する場合には、第１金属薄膜３におけるベース絶縁層７を形成しない部分には、遮光部分１３ａが対向し、第１金属薄膜３におけるベース絶縁層７を形成する部分には、光全透過部分１３ｂが対向するように、露光マスク１３を皮膜１２に対して対向配置する。
【００２５】
また、露光マスク１３を介して照射する光（照射線）は、その露光波長が、例えば、３００〜４５０ｎｍ、好ましくは、３５０〜４２０ｎｍであり、その露光積算光量が、例えば、１００〜２０００ｍＪ／ｃｍ2である。
次いで、図４（ｃ）に示すように、露光された皮膜１２を、必要により所定温度に加熱した後、現像する。照射された皮膜１２の露光部分は、例えば、１５０℃以上２００℃以下で加熱することにより、次の現像において不溶化（ネガ型）する。
【００２６】
また、現像には、例えば、アルカリ現像液などの公知の現像液を用いて、浸漬法やスプレー法などの公知の方法が用いられる。なお、この方法においては、ネガ型でパターンを形成することが好ましく、図４においては、ネガ型でパターンを形成している。
この現像により、皮膜１２は、露光マスク１３の遮光部分１３ａが対向していた周縁部が溶解して、第１金属薄膜３の周縁部が露出されるような、パターンに形成される。
【００２７】
そして、図４（ｄ）に示すように、パターンに形成された皮膜１２を、例えば、最終的に２５０℃以上に加熱することによって、硬化（イミド化）させる。これによって、ポリイミド樹脂からなるベース絶縁層７が、第１金属薄膜３の周縁部が露出されるような、パターンとして形成される。
次に、図３（ｇ）に示すように、導体パターン８を、アディティブ法やサブトラクティブ法などの公知のパターンニング法により、上記した配線回路パターンに形成する。
【００２８】
例えば、アディティブ法により、パターンニングする場合には、まず、ベース絶縁層７の表面全体に、例えば、真空成膜法やスパッタリング法などにより、下地となる導体薄膜を形成し、その導体薄膜の表面に、ドライフィルムレジストなどを用いて露光および現像し、配線回路パターンと反転するパターンのめっきレジストを形成する。次いで、めっきにより、めっきレジストから露出する導体薄膜の表面に、導体パターン８を配線回路パターンとして形成し、めっきレジストおよびめっきレジストが形成されていた部分の導体薄膜をエッチングなどにより除去する。なお、めっきは、電解めっき、無電解めっきのいずれでもよいが、電解めっきが好ましく用いられ、なかでも、電解銅めっきが好ましく用いられる。
【００２９】
また、例えば、サブトラクティブ法により、パターンニングする場合には、まず、ベース絶縁層７の表面全体に、導体層を形成する。導体層を形成するには、特に制限されず、例えば、ベース絶縁層７の表面全体に、公知の接着剤層を介して、導体層を貼着する。次いで、その導体層の表面に、ドライフィルムレジストなどを用いて露光および現像し、配線回路パターンと同一のパターンのエッチングレジストを形成する。その後、エッチングレジストから露出する導体層をエッチング（ウェットエッチング）した後、エッチングレジストを除去する。
【００３０】
次いで、図３（ｈ）に示すように、導体パターン８を被覆するように、ベース絶縁層７の表面に、例えば、上記した合成樹脂の溶液を均一に塗布した後、乾燥し、次いで、必要に応じて、加熱することによって硬化させ、合成樹脂からなるカバー絶縁層９を形成し、これによって、配線回路基板１を得る。
なお、カバー絶縁層９は、感光性の合成樹脂を露光および現像することにより、パターンとして形成することもできる。さらに、カバー絶縁層９の形成は、上記の方法に特に制限されず、例えば、予め合成樹脂をフィルムに形成して、そのフィルムを、導体パターン８を被覆するように、ベース絶縁層７の表面に、公知の接着剤層を介して貼着することもできる。
【００３１】
なお、カバー絶縁層９は、図示しないが、導体パターン８の端子部となる部分が露出するように形成する。導体パターン８の端子部となる部分を露出させるには、上記した感光性の合成樹脂を用いてパターンに形成するか、あるいは、レーザやパンチにより穿孔加工する。
また、図１に示す配線回路基板１は、図示しないが、例えば、以下に示す方法によって製造することもできる。
【００３２】
上記した図３（ｃ）の工程の後に、レジスト１０を、例えば、化学エッチング（ウェットエッチング）などの公知のエッチング法または剥離によって除去する。
次いで、第１金属薄膜３の表面に、グラウンド層４および位置決めマーク層５の表面全体（上面および側面）を被覆するように、第２金属薄膜６を形成する。
そして、グラウンド層４および位置決めマーク層５のそれぞれの上面に形成されている第２金属薄膜６の表面（上面）に、エッチングレジストを形成した後、第１金属薄膜３の表面、グラウンド層４および位置決めマーク層５のそれぞれの側面に形成されている第２金属薄膜６をエッチングにより除去する。
【００３３】
そして、エッチングレジストを、例えば、化学エッチング（ウェットエッチング）などの公知のエッチング法または剥離によって除去する。
その後、図３（ｆ）〜図３（ｈ）の工程と同様の方法で、配線回路基板１を得る。
図１に示す配線回路基板１は、上記した図示しない方法によっても製造することができるが、図３に示す方法によれば、エッチングレジストを形成・除去する工程を不要とし、製造工程数を低減することができる。
【００３４】
図２は、本発明の配線回路基板の製造方法により得られる配線回路基板の他の実施形態を示す要部断面図である。
図２に示す配線回路基板１では、図１に示す配線回路基板１において、金属支持基板２の表面において、グラウンド層４および位置決めマーク層５から露出する第１金属薄膜３が除去されている。
図２に示す配線回路基板１において、金属支持基板２の表面において、グラウンド層４および位置決めマーク層５から露出する第１金属薄膜３を除去するには、図３（ｅ）の工程において、レジスト１０とともに、レジスト１０が形成されていた部分の第１金属薄膜３を、例えば、化学エッチング（ウェットエッチング）などの公知のエッチング法または剥離によって除去する。
【００３５】
なお、図２に示す配線回路基板１では、第１金属薄膜３と第２金属薄膜６とは、互いに異なる金属から形成されている。
このようにして得られる配線回路基板１では、図１および図２に示すように、金属支持基板２の上に、第１金属薄膜３を介してグラウンド層４が積層されている。そのため、金属支持基板２のみでは、金属支持基板２に対向する導体パターン８の伝送損失が大きくなるのに対し、このように、グラウンド層４を金属支持基板２と導体パターン８との間に介在させることにより、導体パターン８の伝送損失を低減することができる。
【００３６】
しかも、このようにして得られる配線回路基板１では、図１または図２に示すように、グラウンド層４および位置決めマーク層５の上に、第２金属薄膜６を介してベース絶縁層７が積層されている。そのため、グラウンド層４および位置決めマーク層５の上に、ベース絶縁層７が直接積層されている場合には、グラウンド層４および位置決めマーク層５のそれぞれとベース絶縁層７との間にイオンマイグレーション現象を生じるが、このように、第２金属薄膜６をグラウンド層４および位置決めマーク層５のそれぞれとベース絶縁層７との間に介在させることにより、第２金属薄膜６がバリア層となって、イオンマイグレーション現象の発生を防止することができる。
【００３７】
また、グラウンド層４および位置決めマーク層５のそれぞれとベース絶縁層７との間に第２金属薄膜６を介在させることで、簡易な層構成により、グラウンド層４および位置決めマーク層５のそれぞれとベース絶縁層７との密着性および導体パターン８の導電性を十分に図ることができ、優れた長期信頼性を確保することができる。とりわけ、グラウンド層４および位置決めマーク層５を銅から形成し、第２金属薄膜６をニッケルから形成すれば、グラウンド層４および位置決めマーク層５のそれぞれとベース絶縁層７との密着性および導体パターン８の導電性を、より向上させることができる。
【００３８】
また、第１金属薄膜３の上に形成するベース絶縁層７を、感光性樹脂を用いてパターンで形成するときには、グラウンド層４および位置決めマーク層５の表面全体を被覆するように、第１金属薄膜３の全面に、第２金属薄膜６が形成されていると、位置決めマーク層５の表面とその周囲の表面が同じ第２金属薄膜６から形成されているために、それらの間に光学的に識別可能なコントラストを得ることが困難となる。
【００３９】
しかし、上記した配線回路基板１の製造方法によれば、第１金属薄膜３の上に、レジスト１０を残存させたまま、グラウンド層４および位置決めマーク層５の上面のみに第２金属薄膜６を形成した後、レジスト１０を除去するので、位置決めマーク層５の上面に形成される第２金属薄膜６と、その周囲に露出する第１金属薄膜３との間に、光学的に識別可能なコントラストを得ることができる。その結果、位置決めマーク層５を光学センサによって正確に検知することができ、ベース絶縁層７を精度よく形成することができる。
【００４０】
また、図２に示す配線回路基板１のように、レジスト１０を除去するとともに、レジスト１０が形成されていた部分の第１金属薄膜３を除去した場合であっても、位置決めマーク層５の上面に形成される第２金属薄膜６と、その周囲に露出する金属支持基板２との間に、光学的に識別可能なコントラストを得ることができる。その結果、位置決めマーク層５を光学センサによって正確に検知することができ、ベース絶縁層７を精度よく形成することができる。
【００４１】
なお、配線回路基板１は、特性インピーダンスを調整するために、図１および図２に示すように、必要に応じて、金属支持基板２をエッチングにより、所望の形状に切り抜いて、開口部１１を形成することもできる。
このように、エッチングにより金属支持基板２に開口部１１を形成する場合には、従来の配線回路基板では、金属支持基板２の上に、グラウンド層４および位置決めマーク層５が直接積層されているため、グラウンド層４および位置決めマーク層５もエッチングされる。
【００４２】
しかし、この配線回路基板１では、金属支持基板２の上に、第１金属薄膜３が積層され、その第１金属薄膜３の上に、グラウンド層４および位置決めマーク層５が積層されているため、エッチングにより、金属支持基板２に開口部１１を形成する場合に、第１金属薄膜３がバリア層になり、グラウンド層４および位置決めマーク層５がエッチングされることを防止することができる。
【実施例】
【００４３】
以下に実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、何ら実施例および比較例に限定されることはない。
実施例１
厚み２５μｍのステンレスからなる金属支持基板の上に、第１金属薄膜として、厚み０．０３μｍのクロム薄膜と厚み０．０７μｍの銅薄膜とをスパッタリングによって順次形成した（図３（ａ）参照）。そして、グラウンド層および位置決めマーク層のそれぞれのパターンと反転するパターンのめっきレジストを、ドライフィルムレジストを用いて形成した（図３（ｂ）参照）。次いで、めっきレジストから露出する第１金属薄膜の表面全体に、グラウンド層および位置決めマーク層として、厚み４．０μｍの銅箔を電解銅めっきにより形成した（図３（ｃ）参照）。そして、めっきレジストから露出するグラウンド層および位置決めマーク層のそれぞれの表面に、第２金属薄膜として、厚み０．１μｍのニッケル薄膜を無電解めっきによって形成した（図３（ｄ）参照）。
【００４４】
次いで、めっきレジストを、化学エッチングにより除去した後（図３（ｅ）参照）、第１金属薄膜の表面に、感光性ポリアミック酸樹脂のワニスを塗布後（図４（ａ）参照）、位置決めマーク層５を光学センサによって検知し、位置決めマークを基準として、塗布したワニスの上方に露光マスクを設置し、露光マスクを介して露光し（図４（ｂ）参照）、その後現像し（図４（ｃ）参照）、さらに加熱硬化することにより、厚み１０μｍのポリイミド樹脂からなるベース絶縁層を、第２金属薄膜の表面、グラウンド層および位置決めマーク層のそれぞれの側面を被覆するようなパターンとして形成した（図４（ｄ）および図３（ｆ）参照）。
【００４５】
次いで、そのベース絶縁層の表面に、アディティブ法によって、配線回路パターンで、厚み１０μｍの銅からなる導体パターンを形成した（図３（ｇ）参照）。さらに、導体パターンを被覆するように、感光性ポリアミック酸樹脂のワニスを塗布後、露光および現像し、さらに加熱硬化することにより、厚み５μｍのポリイミド樹脂からなるカバー絶縁層を、ベース絶縁層の上に、導体パターンの表面全体（端子部を除く。）を被覆するようなパターンとして形成した（図３（ｈ）参照）。その後、端子部に金めっきを施し、金属支持基板をエッチングにより、所望の形状に切り抜き、回路付サスペンション基板を得た。
【００４６】
評価
（イオンマイグレーション現象の評価）
実施例１において得られた回路付サスペンション基板を、温度８５℃、湿度８５％、電圧６Ｖの条件下で、１０００時間使用した後、グラウンド層および位置決めマーク層としての銅が、ベース絶縁層としてのポリイミド樹脂の表面または内部に移行する、イオンマイグレーション現象の有無を抵抗値により確認した。その結果、実施例１においては、第２金属薄膜がバリア層となり、イオンマイグレーション現象が認められなかった。
（伝送効率評価）
実施例１において得られた回路付サスペンション基板において、出力信号強度（ＰOUT）と入力信号強度（ＰIN）とを測定し、下記式（１）のように、出力信号強度の入力信号強度に対する比率として、伝送効率を評価した。その結果、実施例１においては、伝送効率が７９％であった。
伝送効率（％）＝ＰOUT／ＰIN               （１）
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明の配線回路基板の製造方法により得られる配線回路基板の一実施形態を示す要部断面図である。
【図２】本発明の配線回路基板の製造方法により得られる配線回路基板の他の実施形態を示す要部断面図である。
【図３】図１に示す配線回路基板の製造方法を示す製造工程図であって、（ａ）は、金属支持基板の上に、スパッタリングまたは電解めっきにより、第１金属薄膜を形成する工程、（ｂ）は、グラウンド層および位置決めマーク層のそれぞれのパターンと反転するパターンで、レジストを形成する工程、（ｃ）は、レジストから露出する第１金属薄膜の上に、電解めっきにより、グラウンド層および位置決めマーク層を形成する工程、（ｄ）は、レジストから露出するグラウンド層および位置決めマーク層の上に、無電解めっきにより、第２金属薄膜を形成する工程、（ｅ）は、レジストを除去する工程、（ｆ）は、第２金属薄膜の上に、ベース絶縁層を形成する工程、（ｇ）は、ベース絶縁層の上に、導体パターンを形成する工程、（ｈ）は、導体パターンを被覆するように、ベース絶縁層の上に、カバー絶縁層を形成する工程を示す。
【図４】図３に示す第２金属薄膜の上にベース絶縁層を形成する工程の詳細の工程図であって、（ａ）は、第２金属薄膜の全面に、感光性ポリイミド樹脂の前駆体の皮膜を形成する工程、（ｂ）は、位置決めマーク層を光学的に検知し、皮膜の上方に露光マスクを設置し、皮膜を、露光マスクを介して露光する工程、（ｃ）は、皮膜を、現像する工程、（ｄ）は、皮膜を硬化させて、ポリイミド樹脂からなるベース絶縁層を形成する工程を示す。
【符号の説明】
【００４８】
１      配線回路基板
２      金属支持基板
３      第１金属薄膜
４      グラウンド層
５      位置決めマーク層
６      第２金属薄膜
７      ベース絶縁層
８      導体パターン
１０    レジスト
【図１】
0004588622.tif 000002
【図２】
0004588622.tif 000003
【図３】
0004588622.tif 000004
【図４】
0004588622.tif 000005