(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板またはスーパーストレート上に形成された薄膜シリコン太陽電池内に光閉じ込め構造を形成する方法であって、
ａ）結合マトリクス中に保持されたテクスチュアリング粒子を含むテクスチュアリング層を前記ガラス基板または前記スーパーストレートの表面に形成する工程と、
ｂ）テクスチュア化された表面上に厚さが１０μｍ未満のシリコン膜を形成し、前記シリコン膜内に光起電性デバイス構造を形成する工程と、を含み、
前記テクスチュアリング層は、テクスチュアリング粒子を含むゾル−ゲルガラスを調製し、形成後のゾル−ゲルガラス膜の厚さが前記テクスチュアリング粒子の平均直径より小さくなるように前記ゾル−ゲルガラス膜を前記基板または前記スーパーストレートの表面に形成し、前記ゾル−ゲルガラス膜を加熱し焼結させ誘電層とすることにより、前記基板または前記スーパーストレートの表面に形成されることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記薄膜シリコンデバイスは結晶シリコン薄膜中に形成される請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記薄膜シリコンデバイスはＴＣＯ層上に形成されたアモルファスシリコン薄膜中に形成される請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記テクスチュアリング層のテクスチュア化された表面は前記シリコン膜の厚さの０．０５〜０．２倍の範囲の寸法を有する表面構造を含む請求項１、２または３のいずれか１つに記載の方法。
【請求項５】
前記ゾル−ゲルガラス層から製造された前記誘電層はＳｉＯ2層である請求項１ないし４のいずれか１つに記載の方法。
【請求項６】
前記テクスチュアリング粒子はＳｉＯ2単球粒子である請求項５記載の方法。
【請求項７】
ＳｉＯ2粒子の直径は０．２〜１．５μｍの範囲にある請求項６記載の方法。
【請求項８】
ＳｉＯ2粒子の直径は０．５〜０．９μｍの範囲にある請求項６記載の方法。
【請求項９】
ＳｉＯ2粒子の直径は０．６５〜０．７５μｍの範囲にある請求項６記載の方法。
【請求項１０】
前記結合マトリクスの厚さは前記テクスチュアリング粒子の平均直径の０．２〜０．８倍の範囲にある請求項７ないし９のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１１】
前記結合マトリクスの厚さは前記テクスチュアリング粒子の平均直径の０．３５〜０．５倍の範囲にある請求項７ないし９のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１２】
前記結合マトリクスの厚さは０．２５〜０．３５μｍの範囲であり、前記テクスチュアリング粒子の平均直径は０．６５〜０．７５μｍの範囲である請求項６記載の方法。
【請求項１３】
前記テクスチュア化された表面上に形成されたシリコン薄膜の厚さは前記表面テクスチュアリングの構造の平均高さの１〜１０倍の範囲にある請求項４ないし１２のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１４】
前記テクスチュア化された表面上に形成されたシリコン薄膜の厚さは前記表面テクスチュアリングの構造の平均高さの２〜３倍の範囲にある請求項４ないし１２のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１５】
前記テクスチュア化された表面上に形成されたシリコン薄膜の厚さは１〜２μｍの範囲である請求項１２記載の方法。
【請求項１６】
光閉じ込め構造を組み入れた薄膜光起電性デバイスであって、
ガラス基板またはスーパーストレート上に設けられたテクスチュア化された表面上に形成され、
少なくとも１つのｐｎ光起電性接合が形成されたシリコン薄膜を含む光起電性デバイスであって、
前記シリコン薄膜の厚さは、１０μｍ未満であり、
前記テクスチュア化された表面は、前記基板または前記スーパーストレートの表面に配置されると共に硬化ゾルーゲルガラス結合マトリクス中に保持されたテクスチュアリング粒子を含むテクスチュアリング層により提供され、前記ゾルーゲルガラスの厚さは前記テクスチュアリング粒子の平均直径よりも小さいことを特徴とする
薄膜光起電性デバイス。
【請求項１７】
前記シリコン薄膜は結晶シリコン薄膜である請求項１６記載のデバイス。
【請求項１８】
前記シリコン薄膜はＴＣＯ膜上に形成されたアモルファスシリコン薄膜である請求項１６記載のデバイス。
【請求項１９】
前記テクスチュアリング層のテクスチュア化された表面は、シリコン膜の厚さの０．０５〜０．２倍の範囲の寸法を有する表面構造を含む請求項１６、１７または１８のいずれか１つに記載のデバイス。
【請求項２０】
前記誘電層はＳｉＯ2層である請求項１６ないし１９記載のデバイス。
【請求項２１】
前記テクスチュアリング粒子は単球ＳｉＯ2粒子である請求項２０記載のデバイス。
【請求項２２】
前記ＳｉＯ2粒子の直径は０．２〜１．５μｍの範囲である請求項２１記載のデバイス。
【請求項２３】
前記ＳｉＯ2粒子の直径は０．５〜０．９μｍの範囲である請求項２１記載のデバイス。
【請求項２４】
前記ＳｉＯ2粒子の直径は０．６５〜０．７５μｍの範囲である請求項２１記載のデバイス。
【請求項２５】
前記結合マトリクスの厚さは前記テクスチュアリング粒子の平均直径の０．２〜０．８倍の範囲にある請求項２２ないし２４のいずれか１つに記載のデバイス。
【請求項２６】
前記結合マトリクスの厚さは前記テクスチュアリング粒子の平均直径の０．３５〜０．５倍の範囲にある請求項２２ないし２４のいずれか１つに記載の方法。
【請求項２７】
前記結合マトリクスの厚さは０．２５〜０．３５μｍの範囲であり、前記テクスチュアリング粒子の平均直径は０．６５〜０．７５μｍの範囲である請求項２１記載のデバイス。
【請求項２８】
前記シリコン薄膜の厚さは前記表面テクスチュアリングの構造の平均高さの１〜１０倍の範囲にある請求項１８ないし２７のいずれか１つに記載のデバイス。
【請求項２９】
前記シリコン薄膜の厚さは前記表面テクスチュアリングの構造の平均高さの２〜３倍の範囲にある請求項１８ないし２７のいずれか１つに記載のデバイス。
【請求項３０】
前記シリコン薄膜の厚さは１〜２μｍの範囲である請求項２７記載のデバイス。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
（技術分野）
この発明は一般に、薄膜光起電デバイスに関し、特にこの発明は薄膜電池内での光閉じ込め（トラッピング：trapping）を達成する薄膜電池に対する構造及びその製造方法を提供する。
【０００２】
（背景技術）
光閉じ込めの使用は、単結晶シリコン電池においては周知であり、この電池において、電池の表面での光閉じ込め構造は、そのデバイスのシリコン基板の厚さよりもずっと小さく空気中の光の波長よりもかなり大きな寸法を有することである。
【０００３】
太陽電池では電池の活性領域内に光を閉じ込めるのに光の散乱が使用されている。電池内に閉じ込められる光が多くなればなるほど、発生可能な光電流が高くなり、効率が高くなる。そのため、光閉じ込めは太陽電池において効率を改善しようとする際に重要な問題であり、特に薄膜電池設計において重要である。
【０００４】
しかしながら、活性シリコン層がガラスなどの基板上に形成された薄膜である薄膜デバイスにおいては、光閉じ込めは不可能であるか、あるいは少なくとも効率が減少することが示されると広く考えられてきた。なぜなら、周知の単結晶デバイスにおいて、膜厚は、光閉じ込め構造の寸法と同じオーダーの大きさ、又は、それよりも薄い大きさであるためである。薄膜デバイスでは、膜厚を減少させているので、ガラス基板のエッチングされた表面上に大体平行な面を有する等角コーティングになる傾向があり、従来の考えはそのような配列では光閉じ込めから有意な利点は達成されないというものである。また、膜厚を（空気中における）波長以下のオーダーに減少させているので、従来のデバイスにおける光閉じ込めを提供するメカニズムは無効となるというのが従来の考えである。
【０００５】
これは、テクスチュアリング（texturing）における意図的な試みがなされない従来の薄膜アモルファスシリコン太陽電池において現れる。今日では、アモルファスシリコンデバイスは典型的にはガラススパーストレート（superstrate）と、その上に形成された透明導電酸化物（ＴＣＯ）コンタクト層とｐ‐ｎ接合を含む薄いアモルファスシリコン膜（１μｍ）活性層と、反射器及びバックコンタクトとして作用する裏面金属層とを備える。そのような構造が始めて案出されたとき、いくつかの状況においては（ＴＣＯの表面が濁っていると）、電池性能は予期されたものよりもずっとよいが、文献はそのような予期されない性能に対する理由に関する説明をしていないことが指摘された。
【０００６】
本発明者等には、光閉じ込めが薄膜デバイスにおいて可能であること、従来のアモルファスシリコンデバイスは本発明者等が現在認識し、結晶シリコン薄膜電池に適合させた特性を実際に有していることを示していることが今では明らかになっている。
【０００７】
本発明者等は現在のところ、薄膜内において光閉じ込めが達成可能な条件を認識し、特に発明者等は光閉じ込め特性を示す薄膜結晶シリコン太陽電池構造を製造するための方法を案出した。
【０００８】
本発明者等により案出された光閉じ込めを達成する方法は、一般に、薄膜が形成される基板の表面のテクスチュアリングを含む。従来、ガラスのテクスチュア（texture）は、化学的テクスチュアリング及びサンドブラストにより形成される。最近、基板表面上での金属結晶析出が使用され、非常に細かい結晶が形成され、テクスチュア効果が生じている。
【０００９】
しかしながら、化学的テクスチュアリング及びサンドブラストのどちらにおいてもガラス表面にクラック及び不均一な特徴サイズが生じ、例えばデバイス内における分路（シャンティング，shunting）を引き起こすことにより、太陽電池の製作及び／または性能に悪影響を及ぼすことがある。この理由のために、化学的テクスチュア加工されたあるいはサンドブラスト加工された基板上のどちらにおいても効率の高い太陽電池の作製が達成されたという報告がされていないと考えられる。さらに、化学テクスチュアリングを実行するために使用される方法はまた、環境的に危険で、そのためにひどい公害の危険を示す廃棄物を生成する。一方、テクスチャー化された表面を形成するのに細かい金属結晶を使用するのは非常に高価なアプローチであり、この技術を用いて製造された太陽電池のコストはかなり高くなる。
【００１０】
（発明の開示）
第１の観点によれば、本発明はガラス基板またはスーパーストレート上に形成された薄膜太陽電池中に光閉じ込め構造を形成する方法を提供する。この方法は、
ａ）ガラス基板またはスーパーストレート上でテクスチュア化された表面を提供する工程であって、テクスチュアリング層は結合マトリクス中に保持されたテクスチュアリング粒子を含む工程と、
ｂ）テクスチュア化された表面上にシリコン膜を形成すると共にそのシリコン膜内に光起電性デバイスを形成する工程であって、シリコン膜の厚さは１０μｍより小さい工程と、
を含む。
【００１１】
第２の観点によれば、本発明は光閉じ込め構造を組み入れた光起電薄膜デバイスを提供する。この光起電デバイスはガラス基板あるいはスーパーストレート上に設けられたテクスチュア化された表面上に形成されると共に、少なくとも１つのｐｎ光起電性接合がその中に形成されるシリコン薄膜を含み、前記シリコン膜の厚さは１０μｍ未満であり、テクスチュア化された表面は基板あるいはスーパーストレートの表面上のテクスチュアリング層により提供されると共に結合マトリクス中に保持されたテクスチュアリング粒子を含む。
【００１２】
この発明は結晶及びアモルファスシリコン太陽電池の両方に適用することができる。アモルファスシリコン電池の場合、シリコン薄膜はＴＣＯ層上に形成され、あるいはその代わりにテクスチュアリング粒子を含むテクスチュアリング膜自体がＴＣＯ材料であってもよい。
【００１３】
この発明の実施の形態では、テクスチュアリング層は好ましくは、シリコン膜の厚さの０．５〜０．２倍の範囲の寸法を有する表面特徴を含む。
【００１４】
シリコン膜の厚さは典型的には５μｍ未満であり、好ましくは２μ以下である。シリコン膜は典型的には少なくとも０．５μｍ以上であり、好ましくは１μｍを超える。典型的にはテクスチュア化された表面構造のスケールは０．０１〜１０μｍの範囲である。構造のサイズの有効な下限は結晶シリコン中の光の波長のオーダーであり、典型的には有効な下限は０．０５μｍである。テクスチュアリングはまたシリコン膜の厚さよりも大きい寸法を有する大規模な構造を含んでもよい。
【００１５】
１組の実施の形態では、テクスチュア化された層は、０．５〜３μｍのオーダー、好ましくは１〜２μｍのオーダーの粒子寸法を有する粉砕石英をガラスゾル中に混ぜ込み、その混合物をガラス表面に形成し、加熱してそのガラスゾルを焼結させ誘電層を形成することにより、ガラス表面に形成される。この場合、表面の最終構造の寸法はかなり小さな構図尾を含み、石英の粒子サイズと共に、主に粉砕石英の表面粗さ及び誘電層の厚さにより決定される。
【００１６】
この発明の好ましい実施の形態では、基板あるいはスーパーストレートのテクスチュアリングは直径０．１〜２μｍの範囲の単球ＳｉＯ2粒子を含むＳｉＯ2層により達成される。好ましくは単球粒子は０．５〜０．９μｍの範囲であり、特に好ましい実施の形態では、粒子は約０．７μｍ（例えば、０．６５〜０．７５μｍ）である。粒子は単球粒子の直径の０．２〜０．８倍の範囲の厚さを有する平滑なＳｉＯ2膜内に配置される。好ましくはＳｉＯ2層は粒子直径の０．３５〜０．５倍の範囲であり、特に好ましい実施の形態では約０．３μｍ（例えば、０．２５〜０．３５μｍ）である。粒子寸法と膜厚の間の差によりテクスチュア化された表面が得られるが、この場合、その構造が大きくなるにつれその間隔がより大きくなる。ＳｉＯ2粒子及び膜はどちらもゾル−ゲルプロセスにより作製される。
【００１７】
ＳｉＯ2層はまたガラス基板とシリコン膜との間のバリヤ層を提供する。別のバリヤ層が反射防止層として機能しても良く、４分の１波長±２０％と等しい厚さを有するように配列される。窒化珪素の場合、その厚さは７０ｎｍ±２０％である。
【００１８】
この発明の典型的な実施の形態では、シリコン膜構造の裏面（すなわちガラスから離れた側）は該裏面上に形成された反射材料を有する。典型的には、反射材料は電池の活性領域に接触するために使用されるメタライゼーション構造である。幾つかの実施の形態では、メタライゼーション構造は絶縁層によりシリコン裏面のほとんどから絶縁される。
【００１９】
この発明の実施の形態について、添付の図面を用いて実施例により説明する。
【００２０】
（発明を実施するための最良の形態）
形成されたテクスチュアリング層３２を有するガラス基板１１上に薄膜シリコン太陽電池を形成する。前記テクスチュアリング層は１〜２μｍのオーダーの直径を有するテクスチュアリング粒子３４が混合されたＳｉＯ2膜を含み、これによりテクスチュア化された表面３９が形成される。ＳｉＯ2膜はテクスチュアリング粒子の平均直径よりも薄く、そのため石英はスピンオン（spin-on）ガラスから突出している。
【００２１】
この場合誘電層はバリヤ層機能を提供するが、別の反射防止コーティングを必要に応じて使用してもよく、このコーティングはテクスチュア化された表面３９と等角な上面３５を有する。図２に示されるように、その後シリコン膜１５を反射防止コーティング３８のテクスチュア化された表面３５上に形成する。シリコン膜の厚さは好ましくは０．５〜２μｍの範囲（すなわち、ＳｉＯ2層の表面上に設けられたテクスチュア構造の寸法と同様の厚さ）である。この方法により製造されたシリコン膜は、該シリコン膜が形成されるテクスチュア化された表面にゆるく適合するが、膜の反対面は少なくとも小さなスケールでは実質的には平行ではない。そのため、光は、一般にシリコン表面に対してある角度を持ってシリコン膜を通過する。
【００２２】
より重要なことは、光がたいてい表面３６に対する垂線に対してかなりの角度でシリコン膜の裏面（図１及び図２中の上面）に当たることである。そのため、かなりの数の入射に対し、内面全反射が起こる。表面３６は、また反射材料３０でコートしても良く（例えば金属裏面コンタクト）、この表面に当たる光の内反射を補助してもよい。
【００２３】
図３，図４，図５について説明する。各図には、ＳｉＯ2３３の層３２が基板１１の表面に形成されている他の実施の形態が示されている。ＳｉＯ2層３２はＳｉＯ2単球（モノスフェア）３７を含み、これによりスピン−オン層のテクスチュア化された表面が得られる。
【００２４】
図３，図４，図５の実施の形態を形成するための工程は、ゾル−ゲルプロセスによりＳｉＯ2ゾルを形成する工程を含み、ＳｉＯ2の単球粒子は調製中にＳｉＯ2ゾル中で形成され、ＳｉＯ2ゾルは基板またはスーパーストレート１１に形成され、そのため得られたＳｉＯ2層３２は薄膜太陽電池製作においてテクスチュア化された表面３９を形成する。上面３５を有する反射防止コーティング３８もまた形成してもよい。好ましい実施の形態では、ＳｉＯ2層３２は直径約０．７μｍの単球ＳｉＯ2粒子と、ＳｉＯ2粒子３７を覆う約０．３μｍの厚さの平滑なＳｉＯ2層３２を含む。粒子寸法と膜厚との差によりテクスチュア化された表面が得られる。しかしながら、０．５〜２μｍの範囲の粒子を、単球直径の０．２〜０．８倍の範囲のＳｉＯ2膜厚と共に使用することができる。
【００２５】
図４について説明する。プラズマ増強化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）などの形成方法を使用して、シリコン膜１５がバリヤ層３８のテクスチュア化された表面３５上に蒸着される過程では、膜は表面上の全ての点から同時に、実質的に一定の速度で、各点において表面に垂直な方向に成長する。これにより図５に示されたものと同様の膜が得られる。図５では、基板の表面上の（すなわち、表面３５上の）小さなかなりまばらなテクスチュアリング構造がシリコン膜の反対面３６上で互いに合併しより大きな特徴となっている。これにより、シリコン膜の表面間でかなりの非平行性が得られ、基板を通って光が膜に照射されると良好な光閉じ込めが形成される。このアプローチはアモルファスシリコンデバイスに対し有効であり、かつ、結晶構造が直接形成される場合及び結晶構造がアモルファスシリコンを結晶化させることにより（例えば、固相結晶化により）形成される場合の両方における結晶シリコンデバイスに対しても有効であることに注意すべきである。
【００２６】
最後に、シリコンが形成され、シリコン層全体上で実行するのに必要な全ての処理が完了した後、例えば、誘電層１９が形成された後、金属層４０がシリコン表面３６上に形成され、裏面反射器が提供され、シリコン膜内に形成された半導体デバイスに接触するように処理されてコンタクトとされる。誘電層１９はシリコン１５と金属層４０との間に配置され、金属を半導体膜の上部領域から絶縁している。そのため、金属部分は接合の短絡を起こさずに半導体膜の低部領域に接続されることが可能である。
【００２７】
形成されるＳｉＯ2粒子３７及び膜３２はどちらもゾル−ゲルプロセスにより製作される。ゾル−ゲルプロセスは、加水分解剤として作用する水及び溶剤としてのアルコールと金属有機化合物を混合する工程を含む。金属有機化合物は、溶液中の水と反応して金属酸化物ポリマーを形成する。ポリマー粒子のサイズは溶液のｐＨ値に依存する。反応後の溶液はゾルと呼ばれる。溶剤を蒸発させるとゾルはゲルに転移する。更に焼結させるとゲルは固い金属酸化物（すなわち、ＳｉＯ2誘電層）となる。
【００２８】
ゾル−ゲルプロセスは、純度が高い、濃度がよく制御されている、形成が簡単などの所定の利点を有する。これらの利点によりこのプロセスの用途は広い。例えば、スピン−オンガラス（ＳＯＧ）として知られているゾル−ゲルプロセスは半導体業界において何年間も使用されてきている。しかしながら、通常、この場合のように、かなりのサイズの粒子を含むゲルを製作するには望ましくない。
【００２９】
ゾル−ゲルプロセスにより形成される金属酸化物のうち、ＳｉＯ2ゾルは様々な産業で適用されている。半導体業界では、このプロセスにより形成されるＳｉＯ2層が使用されて誘電層及び平坦化（プラナリゼーション：planarization）層が形成されている。ドーパントがＳｉＯ2ゾル中に添加された場合、ドーピング源を形成するためにも使用される。ＳｉＯ2膜はまた、反射防止層、バリヤ層、強化層、耐薬品性層などとしても使用されている。
【００３０】
上述したように、ポリマー粒子３７のサイズは溶液のｐＨ値により調整することができる。一般に、溶液のｐＨ値が７より低いと、粒子サイズは１００ｎｍより小さくなる。ほとんどのスピン−オンガラスはこのように挙動する。ｐＨが７を超えると、粒子サイズは増加し１．０μｍを超える。
【００３１】
この実施の形態は、以下の通り、この発明の他の望ましい実施の形態よりも重大な利点を有する。
【００３２】
ｉ）  ＳｉＯ2粒子は単一サイズ及び単球（球状）とすることができる。そのため、ＳｉＯ2膜と共に、テクスチュアは、テクスチュア構造の高さの観点から非常に平滑にかつ均一に製作することができる。この構造は、効率の高い薄膜太陽電池を製作するのに重要である。というのは、この構造により鋭い溝／クラックが減少し、このためテクスチュアリングをさらに処理しなくても分路（シャンティング）の問題が減少する。
ｉｉ）  化学的テクスチュアリングまたはサンドブラスト加工によりガラス表面に傷を形成するかわりに、ゾル−ゲルテクスチュア層は、実質的にその傷をふさぎ、そのためガラスはテクスチュアリング後に強化されることがある。
ｉｉｉ）  ゾル−ゲルテクスチュアにより不純物がガラスからＳｉ膜に移動するのを妨げる余分なバリヤ層が提供される。
ｉｖ）  テクスチュアは、そのテクスチュア構造に損害を与えずに、非常に高い温度（例えば、Ｓｉの融点まで）にさらすことができる。というのは、テクスチュアは、ＳｉＯ2により形成されており、ガラス基板よりも高い融点を有しているからである。一方、化学的なテクスチュア構造は、高温で溶融し、光閉じ込め効果が減少する。
ｖ）  環境的に優しいプロセスである。問題がある可能性のある工程は、処理中に大気中にエタノールを放出することがある工程のみである。しかし、エタノールを再利用するのは比較的簡単な問題である。化学的テクスチュアリングでは、比較すると膨大な量のＨＦ廃棄物が生成される。
ｖｉ）テクスチュア層を形成するプロセスは、スケールアップすることが容易である。
ｖｉｉ）廃棄物処理のコストが化学テクスチュアリングのコストに含まれるすると、本プロセスのコストは化学テクスチュアリングのコストよりも低い。
【００３３】
上記実施の形態は平面基板あるいはスーパーストレート上にテクスチュア化された層を形成するものであるが、基板あるいはスーパーストレート表面に直接テクスチュアリングを施すことも可能である。
【００３４】
図８には図３〜５の実施の形態と同様の実施の形態の断面図が示されている。この図では、基板から経路１８に沿ってシリコン膜１５に入るか、又は、その膜から出て行く光の光子と、シリコン膜１５における低誘電／シリコン界面２０（あるいは反射防止層／シリコン界面）と上部シリコン／誘電界面２１あるいは金属（裏面コンタクト）１９の表面との間で数回反射される光の光子とが示されている。この反射により、シリコン薄膜内で形成される光起電性電池の変換効率が増加する。
【００３５】
この発明はまたアモルファスシリコン電池に適用してもよい。この場合、アモルファス電池を製造する従来の処理工程は以下のように修正される。
【００３６】
１）ガラス基板またはスーパーストレートの表面に、ＴＣＯマトリクス内に拘束されたテクスチュアリング粒子を含むテクスチュアリング層を適用する。ＴＣＯ材料は、ゾル−ゲルプロセス、スパッタリングを用いる析出、あるいは他の適した技術により形成することができる。テクスチュアリング粒子は、ＳｉＯ2ビーズ、粉砕石英、あるいはＴＣＯ材料自体の粒子としてもよい。
２）ＴＣＯマトリクス上にアモルファスシリコン膜を形成する。
あるいは、その代わりに
１）図１から図５を用いて説明したように、ガラス基板またはスーパーストレートの表面に、ＳｉＯ2マトリクス内に拘束されたテクスチュアリング粒子を含むテクスチュアリング層を形成する。
２）ＳｉＯ2マトリクス上にＴＣＯ膜を形成する。
３）ＴＣＯ膜上にアモルファスシリコン膜を形成する。
【００３７】
当業者であれば、広く説明されたこの発明の精神及び範囲内であれば、特定の実施の形態において示したこの発明に様々な変更及び／または改良をすることが可能であることは理解されるであろう。そのため、これらの実施の形態は全ての観点から例示的なものであり限定するものではないと考えるべきである。
【図面の簡単な説明】
【図１】  テクスチュア化された層が基板に形成されている本発明の第１の実施の形態の製造における２つの段階の概略を示したものである。
【図２】  テクスチュア化された層が基板に形成されている本発明の第１の実施の形態の製造における２つの段階の概略を示したものである。
【図３】  異なるテクスチュア化された層が基板に形成されている本発明の第２の実施の形態の製造における３つの段階の概略を示したものである。
【図４】  異なるテクスチュア化された層が基板に形成されている本発明の第２の実施の形態の製造における３つの段階の概略を示したものである。
【図５】  異なるテクスチュア化された層が基板に形成されている本発明の第２の実施の形態の製造における３つの段階の概略を示したものである。
【図６】  図３、図４、図５について説明した方法にかかるテクスチュア化された表面の斜視図である。
【図７】  図３、図４、図５について説明した方法により製造したデバイスの断面写真である。
【図８】  テクスチュア化された誘電（ＳｉＯ2）層を有するガラス基板及びその表面上に形成されたシリコン薄膜の側断面図であり、ガラス基板、テクスチュアリング層及びシリコン層を通過する入射光子の代表的な経路を示したものである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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