(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にミラーを形成する方法であって、
前記基板の第１領域と、該第１領域の両側方にそれぞれ隣接する前記基板の２つの側方領域とを被覆するパターニングされたマスキング層を前記基板上に形成し、
前記パターニングされたマスキング層を用いて前記基板の被覆されていない部分を除去して、前記第１基板領域内に第１隆起構造を残すと共に、該第１隆起構造に隣接する各側方基板領域上に２つの犠牲隆起構造を残し、
前記第１隆起構造を無傷のまま残す一方で、前記犠牲隆起構造を選択的に除去し、
前記第１隆起構造の側壁上に反射面を形成することを含む方法。
【請求項２】
前記パターニングされたマスキング装置が、前記第１領域及び前記側方領域各々の間に約１０〜３０ミクロンの幅を有する開口を形成することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記基板の被覆されていない部分を除去して前記第１隆起構造を残すことが、前記第１領域及び前記犠牲隆起構造各々の間に約１０〜３０ミクロンの幅を有するギャップを形成することを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記基板の被覆されていない部分を除去することが、３０ｎｍ ｒｍｓ或はそれ以下の表面荒さを有する前記第１隆起構造を形成することを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記基板の被覆されていない部分を除去することが、少なくとも９０°±０．６°の垂直性を有する前記第１隆起構造の側壁を残すことを含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記基板の被覆されていない部分を除去することが、前記第１隆起構造及び前記犠牲隆起構造各々の間に７５ミクロン或はそれ以下の深さを有するトレンチを形成することを含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記パターニングされたマスキング層を形成することが、前記基板上に同一のフォトレジスト材から成る多数の層をデポジットすることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記パターニングされたマスキング層を形成することが、前記２つの側方領域の各々を取り囲む基板領域を露出する前記パターニングされたマスキング層内に開口を形成することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記基板が、当該基板の外側面に対して当該基板内に埋め込まれた絶縁層を含み、前記基板の被覆されていない部分を除去することが、前記２つの側方領域を取り囲む露出された基板領域を除去して、前記第１隆起構造から絶縁された前記絶縁層上に前記犠牲隆起構造を残し、そして、前記犠牲隆起構造を選択的に除去することが、前記犠牲隆起構造下方から前記絶縁層を除去し、それによって前記犠牲隆起構造を前記基板から解放することを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記犠牲隆起構造を選択的に除去することが、前記基板によって規定されたトレンチ内に前記第１隆起構造を残すことを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
埋め込み絶縁層を有する基板上に光スイッチを形成する方法であって、
前記基板上に、同一のフォトレジスト材から成る多数の層を含む複合フォトレジスト層を形成し、
アセトンを用いて前記フォトレジスト層の部分を除去して、ミラー壁、アクチュエータ櫛、アクチュエータ・ビーム、並びに、犠牲壁が形成されることになる前記基板の複数の領域を選択的にマスクするパターニングされたフォトレジスト層を形成し、
前記パターニングされたマスキング層を用いて前記基板の露出部分を前記絶縁層までエッチングして、前記ミラー壁、アクチュエータ櫛、アクチュエータ・ビーム、並びに、前記ミラー壁の第１及び第２側壁に少なくとも沿って配置された犠牲壁を残し、
前記ミラー壁、アクチュエータ・ビーム、可動櫛、並びに、犠牲壁の下方の前記絶縁層の部分を除去して、前記ミラー壁、アクチュエータ・ビーム、可動櫛、並びに、犠牲壁を前記基板から解放し、
前記犠牲壁を除去して、トレンチ内に配置された前記ミラー壁を残し、
前記ミラー壁の側面上に反射面を形成することを含む方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
（技術分野）
本発明は、一般的には、光スイッチに関し、より詳細には微小電気機械光スイッチとそうした光スイッチを製造する方法とに関する。
【０００２】
（背景技術）
比較的最近のテクノロジーは今や微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）を半導体基板、典型的にはシリコン基板上に製作させることを可能としている。これら微小電気機械システムは、ミクロン・オーダーのサイズを典型的には有して、共通基板上に他の電気回路と集積され得る。その結果として、微小電気機械システムは多数の研究分野にわたる多数の適用例にそれらの道を見出してきている。例示的なＭＥＭＳ適用例は、例えば、光スイッチング、慣性若しくは圧力センサ、並びに、生体臨床医学的装置を含む。
【０００３】
ＭＥＭＳに基づく又はＭＥＭＳベースの光スイッチは、ファイバ等の複数の光導波路の間で光波を切り替えるために、様々な適用例に用いられる。本ＭＥＭＳベース光スイッチは基板の平面内で或は該基板の法線方向で動作できる。例えば垂直ミラーを用いる平面内光スイッチは、C. Marxer等の「Vertical Mirrors Fabricated By Reactive Ion Etching for Fiber Optical Switching Applications」、Proceedings IEEE, The Tenth Annual International Workshop on Micro Electro Mechanical Systems, An Investigation of Micro Structures, Sensors, Acuators, Machines and Robots (Cat. No. 97CH46021), IEEE 1997, pp.49-54に開示されている。このMarxerの光スイッチは二重櫛形駆動アクチュエータと結合された金属被覆シリコン・ミラーを含む。これらの２つの櫛形アクチュエータは反対方向に作動して、光ファイバ間の光路内にそのミラーを押し入れ、そして、その光路からそのミラーを引き出すように為す。Marxerの光スイッチは、側壁不動態技術を伴う誘導結合プラズマエッチングのテクノロジーを用いて単一ステップで製作される。
【０００４】
Marxerのスイッチは多数の制約が関わっている。例えばその二重櫛形アクチュエータは拡張位置及び格納位置の双方で電力を必要とする。電力が無ければ、ミラーは不都合にもファイバ間の中途に横たわる。加えて、Marxerの製作技術は８９．３°の垂直性の壁と３６ナノメートル（ｎｍ） ｒｍｓ（二乗平均化）の表面荒さを提供し、これら特性の各々を改善する余地はある。酸化物マスク及び超音波マスク除去に依存する従来のＤＲＩＥ(深い反応イオンエッチング)及びフォトリソグラフィの技術も、ＭＥＭＳ構造に対して有害な影響を及ぼす。例えばこれらのフォトリソグラフィ技術は、しばしば、複数の構造間に屑を残す。よって光スイッチにおける改善が望まれている。
【０００５】
（発明の開示）
本発明は改善された特性を有するＭＥＭＳベースの光スイッチを提供すると共に、それを製造する方法を提供する。本発明の一実施例に従えば、光スイッチが提供され、基板上に取り付けられた静止状態の櫛、該静止状態櫛と交互配置された可動櫛、並びに、前記基板及び前記可動櫛の間に連結されたビーム構造、並びに、前記アクチュエータと結合されたミラーを備える。この光スイッチは、前記基板上に配置された、第１導波路チャネル対及び第２導波路チャネル対を更に含む。前記ミラーは、前記導波路チャネル間に介在される拡張位置と前記導波路チャネルから離間される格納位置との間に移動させられることができる。前記２つの櫛は、前記ビーム構造を偏向できると共に、前記ミラーを前記拡張位置或は前記格納位置の内の一方へ移動させることができる力を付与し、前記ビーム構造は、前記２つの櫛の間に力の付与がない場合に、前記拡張位置或は前記格納位置の内の他方へ前記ミラーを戻す。
【０００６】
本発明の別の実施例に従えば、基板上にミラーを形成する方法が提供される。この方法は、前記基板の第１領域と、該第１領域の両側方にそれぞれ隣接する前記基板の２つの側方領域とを被覆するパターニングされたマスキング層を前記基板上に形成することを含む。前記パターニングされたマスキング層を形成した後、前記基板の被覆されていない部分は前記パターニングされたマスキング層を用いて除去されて、前記第１基板領域内に第１隆起構造を形成すると共に、該第１隆起構造に隣接する各側方基板領域内に犠牲隆構造を形成する。前記犠牲隆起構造は次いで選択的に除去される一方で、前記第１隆起構造を無傷のまま残し、反射面が該第１隆起構造上に形成される。
【０００７】
本発明の別の実施例に従えば、基板上における櫛形ドライブ・アクチュエータ用の櫛を形成する方法が提供される。この方法は、前記基板上に同一のフォトレジスト材から成る多数の層を形成して複合フォトレジスト層を形成することを含む。このフォトレジスト材は、例えば、フォトレジストＳ１８１８であることが可能である。前記複合フォトレジスト層の形成後、該フォトレジスト層はパターニングされ、現像されて、交互配置されたマスキング・パターンを有するパターニングされたフォトレジスト層を形成する。この交互配置されたマスキング・パターンを用いて、前記基板の部分は除去されて交互配置された櫛を形成する。前記多数の層を形成するプロセスは、例えば、前記フォトレジスト材の各層をデポジットし、そのデポジット後にそれらの層を加熱することを含み得る。Ｓ１８１８等のフォトレジスト材から成る多数の層の使用は、例えば、結果としての構造の表面荒さ及び清浄度を他のタイプのマスキング層と比較して高めることができる。
【０００８】
本発明の以上の概要は、本発明の図示された各実施例或はそれぞれの具現化例を記載することが意図されていない。図面や以下に続く詳細な説明はこれら実施例をより詳細に実証する。
【０００９】
本発明は、添付図面と関連してその様々な実施例の以下の詳細な説明を考慮してより完全に理解され得る。
本発明は様々な変更及び代替形態に応じやすく、その細目は例えば図面中に図示され、詳細に説明される。しかしながら理解して頂きたいことは、この発明を記載された特定の実施例に限定されることが意図されていないことである。逆に、特許請求の範囲によって規定された本発明の精神及び範囲内に入る全ての変更、均等物、並びに、代替物の全てを包含することが意図されている。
【００１０】
（発明を実施するための最良の形態）
本発明は、全般的には、垂直ミラーを用いた微小電気機械光スイッチに関する。本発明は、ミラー及び櫛フィンガー等の垂直構成要素に依存するＭＥＭＳベースの光スイッチに特に適合する。本発明はそうしたことに限定されることがない一方で、本発明の様々な局面の理解は以下に提供される各種の例の理解を通じて獲得されるであろう。
【００１１】
図１は、本発明に従った模範的な光スイッチの上面図を示している。以降に更に議論するように、光スイッチ１００の特徴の全ては全般的には基板の上方層に存する。図示の明瞭化のため、光スイッチ１００は同尺では描かれていない。光スイッチは全般的にはミラー１０２を含み、光導波路１０５（図１での破線で示されている）の間に介在させられた拡張位置（例えば図１）とそれら光導波路から隔てられた格納位置（例えば図２）との間でそのミラー１０２を移動することができるアクチュエータ１０４と結合されている。この例示実施例において、ミラー１０２は拡張位置に横たわると、光波はミラー１０２で反射して導波路１０５ａ及び１０５ｂ間と導波路１０５ｃ及び１０５ｄ間とをそれぞれ結合し、対向する導波路１０５ａ及び１０５ｄ間と導波路１０５ｂ及び１０５ｃ間とを伝播又は伝導することがない。ミラー１０２が格納位置に横たわると、切り替え又はスイッチングが生じて、光波が導波路１０５ａ及び１０５ｄ間と導波路１０５ｂ及び１０５ｃ間とをそれぞれ結合し、ミラー１０２で反射されない。ここで使用されるように、用語「導波路」は光を伝播する例えば光ファイバ等のあらゆる媒体を包含することが意図されている。
【００１２】
ミラー１０２は典型的にはトレンチ又は溝１１２内に配置される。このトレンチ１１２は、典型的には、動作中、ミラー１０２が当該トレンチ１１２の側壁と接触することを防止するに充分な幅を有する。典型的には、トレンチ幅（側壁から側壁まで）は、多くの適用例において４０ミクロンから５０ミクロンまでの範囲である。ミラー１０２は、典型的には、アクチュエータ１０４と結合させる長寸のベース支持体１１６に搭載されて、各側に反射被膜を有する細い壁１１４を含む。ミラー壁１１４は多くの適用例において約２〜５ミクロン厚み或は幅を有し得る。これで、多くの場合、細い側壁とトレンチ側壁との間に約２０〜２５ミクロンの空隙を残存させる。長寸ベース支持体１１６は、典型的には、動作中にミラー１０２を安定化させるために、壁１１４よりも幅広である。この例示実施例において、支持構造１１８は、ベース面１２０とミラー１０２に対するベース支持体１１６とに対して角度をもって走る複数ラインを有する格子造り構造である。支持構造１１８は、有益にも、ミラー１０２がその拡張位置及び格納位置の間でスイッチングすると該ミラー１０２に付加的な安定性を提供する。
【００１３】
ミラー壁１１４は、典型的には、従来通りに形成された垂直ミラーと比べて比較的平滑であると共に垂直な両側壁を含む。例えば、ミラー壁１１４の側壁は、典型的には表面荒さ３０ｎｍ ｒｍｓ或はそれ以下であると共に、９０°±０．６°或はそれより良好の垂直性（例えば、９０°±０．５°、９０°±０．４°、９０°±０．３°、或は、それより良好な角度）を有する。そうした特性を具備する側壁を形成する技術は以下により詳細に議論される。理解して頂けるように、ミラー壁１１４の増大された垂直性及び低減された表面荒さは従来の光スイッチと比較して光スイッチ１００の伝播特性を向上するものである。
【００１４】
図示されたアクチュエータ１０４はミラー１０２を格納位置へ移動する力を付与できるドライブ機構１２２と、力の付与中に偏向すると共に、ドライブ機構１２２による力の付与がない場合にミラーを拡張位置へ戻すビーム構造１２４とを含む。ビーム構造１２４は典型的にはスプリングのように作用し、両方の櫛の間に力がある場合に偏向し、力がない場合に元の位置へ戻る。図示の実施例において、ビーム構造１２４はミラーが拡張位置に横たわっている際にゼロ・エネルギーを蓄える。この例示実施例におけるドライブ機構１２２は単一櫛形ドライブであり、それは可動櫛１１０と交互配置された静止状態の櫛１０８を含んで、アクチュエータ１０４を駆動する力を提供し、よってミラー１０２はその拡張位置及び格納位置の間に駆動する。ミラー１０２のその拡張位置及び格納位置間の長手方向変位は、典型的には、４０〜７０ミクロンまでの範囲にわたり、そして、図示の実施例では約５５ミクロンである。
【００１５】
櫛フィンガー各々は、典型的には、２〜４ミクロンまでの範囲にわたる幅ｗを有し、この例示実施例では約３ミクロンの幅ｗを有する。２つの櫛１０８及び１１０は稠密に隔たっている。例えば、隣接する櫛フィンガー間のギャップｇは、典型的には、２〜４ミクロンまでの範囲であり、この例示実施例では約３ミクロンである。図示の実施例において、個々別々のフィンガーは相対的に垂直性（例えば、少なくとも９０°±０．６°の垂直性）と平滑性（３０ｎｍ ｒｍｓ或はそれ以下の表面荒さ）の側壁とを有する。フィンガーの平滑性は交互配置された櫛の稠密な実装形態を許容する。これは構造のサイズを所与の付与力用に縮小又は小型化させることを可能としている。従ってこれは、スイッチング速度を維持或は低減する一方でより小さなスイッチの開発を可能としている。各フィンガーの長さｌ、２つの櫛１０８及び１１０の間で力がない場合の（図１に示されるような）部分的重ね合わせｏ、並びに、各櫛１０８，１１０のフィンガー数は、典型的には、これら２つの櫛１０８及び１１０の間にわたる所望力と、ミラー１０２の拡張位置及び格納位置間の所望移動距離とを考慮して選択される。この例示実施例において、フィンガーは９０〜１１０ミクロンまでの範囲にわたる長さｌを有し、両櫛は２０〜３０ミクロンの部分的重ね合わせｏを有する。各櫛１０８，１１０のフィンガー数は変更できると共に、多くの適用例に対して１２０〜１６０の範囲にわたることができる。
【００１６】
図示のビーム構造１２４はアクチュエータ１０４の両側の二重屈曲ビーム１２６を含む。この模範実施例での二重屈曲ビーム１２６は対称的であるので、一方のみが以下の議論で説明される。二重屈曲ビーム１２６は固定基板構造１３０に結着された第１内側ビーム１２８と第１及び第２の外側ビーム１３２，１３４とを含む。第１外側ビーム１３２はその一方端部でその他のビーム端と結合し、その他方端でアクチュエータ・ベース面１２０と結合している。第２外側ビーム１３４はその一方端でその他のビーム端と結合し、その他方端で可動櫛１０８と結合している。固定基板構造１３０の下方には、埋め込み絶縁層が残存し、この構造を基板に固定している。ビーム１３２及び１３４と末端ピース１３６はその絶縁層から解放されており、それら構成が移動可能な櫛と共に移動することを可能としている。動作中、屈曲ビーム１２６はスプリングとして作用し、ミラー１０２がその格納位置へ移動させられる際に偏向し、櫛１０８及び１１０間に力がない場合にミラー１０２を拡張位置へ戻す。同尺で描かれていないが、各ビーム１２６の長さ（ミラー１０２と整合された軸線からビームの外側端までを測定した場合）は、多くの適用例において７００〜１０００ミクロンの範囲にわたり得る。
【００１７】
好都合にも、ビーム構造１２４の１つ或はそれ以上の構成（例えば、内側ビーム１２８、外側ビーム１３２及び１３４、並びに／或は、末端ピース１３６）は相対的に垂直な側壁と平滑な面とを有する。例えば、その側壁の垂直性は９０°±０．６°或はそれより良好であると共に、３０ｎｍ ｒｍｓの表面荒さを伴う。ビームの相対的に垂直で且つ平滑な側壁を形成するための技術は以下に議論されることになる。側壁の垂直性を増大し且つ表面荒さを減少することによって、ビーム構造１２４の強度は従来のビーム構造と比較して増大され得る。これは、例えば、ビーム構造の寿命の増大、ビームの偏向距離の増大、並びに／或は、ビーム構造サイズの低減を可能とする。図示された実施例において、ビームのこうした改善構成は単一櫛形ドライブ・アクチュエータを具備する相対的に小型な光スイッチの形成、相対的に大きなミラー変位、並びに、短いスイッチング速度を可能とする。
【００１８】
図示の単一櫛側ドライブ・アクチュエータは種々の長所を提供する一方で、留意して頂きたいことは、図示のアクチュエータが例示的目的で提供されており、それに限定されないことである。他のアクチュエータ・タイプも本発明の実施例に使用され得る。例えば、二重櫛形ドライブを有するアクチュエータが使用され得る。対向構成状態で単一櫛側ドライブを有するアクチュエータも使用され得る。例えば、単一櫛形ドライブ・アクチュエータは櫛駆動が力を付与してミラーを拡張させるように構成されて、ビーム構造がそのミラーを格納位置へ戻す。ビーム構造も種々の実施例間で変更可能であり、図示の二重ビーム構造に限定されない。例えば、異なる二重ビーム構造、或は、単一ビーム構造等の他のタイプの構造が利用可能である。
【００１９】
図８は、本発明に係る１つの特定実施例に従った例示的な導波路及び導波路チャネル構成の上面図を示している。この例は光ファイバ導波路を参照したものであるが、本発明はこの例に限定されることはない。
【００２０】
この例示的実施例における光ファイバ８１０の各々は、ビーズ製レンズ８４０までテーパ状となった側壁８３０を伴う端部８２０を含む。このテーパ状側壁８３０はチャネル８６０の１つ或はそれ以上のフランジ８５０と都合よく整合又は整列して、ファイバ８１０のチャネル８６０内への整合を促進補助している。テーパ状側壁８３０は、各ファイバ８１０の端部８２０におけるレンズ８４０がミラー８７０とより密接となって横たわることを可能としている。テーパ状側壁８３０及びビーズ製レンズ８４０によって、各レンズ８４０からミラー８７０までの距離は１０〜３０ミクロンまでの範囲にわたり得て、この例示実施例では約２０ミクロンである。ビーズ製レンズ８４０も伝播された光波を集束することもできる。その集束された光とミラー８７０への密接した近さとの結果、光伝播損失は劇的に減少させられ得る。
【００２１】
ビーズ製レンズを具備するテーパ状ファイバを形成する１つの模範的な方法は、ファイバを融解温度まで加熱し、ファイバをテーパ状に引き抜いて、その引き抜かれたファイバに両テーパ状端部を形成するように添え継ぎすることを含む。添え継ぎの後、それら両テーパ状端部はビーズ化して集束レンズを形成する。ビーズ化端部は更に磨かれ得る。
【００２２】
図１及び図２に戻ると、動作において電圧差が２つの櫛１０８及び１１０の間に印加され、よってそれら２つの櫛１０８及び１１０が相互に引き合ってミラー１０２を、ファイバ間のその拡張位置からそれらファイバから離間したその格納位置まで引き込む。稠密に実装され且つ平滑な櫛フィンガーは、０．２〜１ミリ秒の間に、その拡張位置から格納位置の間にミラーを切り替える又はスイッチングする力を付与できる。有益にも、アクチュエータの構成はミラーが横切り方向へ殆ど偏向されることなく相対的に長い距離を変位させられることを可能とする。例えば格子支持構造及び屈曲ビーム構造は双方ともにミラーの横切り偏向及び共鳴を低減する役割を果たす。これはスイッチの光伝播特性を更に増大する役割を果たす。
【００２３】
図３Ａ乃至図３Ｆ、及び図４で参照されるように、以上に議論された光スイッチ等の光スイッチを製作する模範的なプロセスを説明する。図示の簡略化のために、図３Ａ乃至図３Ｆに描かれた断面図は、先に議論された細い壁１１４等の垂直ミラー壁を形成するために使用される基板の断面図と対応する。
【００２４】
この例示的プロセスにおいて、マスクキング層３０３は基板３０１上に形成される。基板３０１は、典型的には、シリコン等の半導体材料から形成されており、当該基板３０１を上方部３０４及び下方部３０６に分離する埋め込み絶縁層３０２を含む。この埋め込み絶縁層３０２は、例えば、二酸化珪素等の酸化物層であり得る。上方基板３０４の深さは例えば約７５ミクロンであり得る。光スイッチ構造は絶縁層３０２上方の基板３０１の上方部３０４に形成される。
【００２５】
マスキング層３０３は引き続く基板エッチング中に基板の種々の部分を保護するために設けられており、典型的にはそうするに充分な厚みを有する。この図示のプロセスにおいて、マスキング層３０３は同一のフォトレジスト材である二重層から形成されている。フォトレジスト材は例えばＳ１８１８であり得る。二重フォトレジスト層が好都合であり得る一方、マスキング層３０３は、既知の技術を用いて、酸化物及びフォトレジストを含む任意の適切なマスキング材から形成され得る。結果としての構造は図３Ａに示されている。
【００２６】
二重フォトレジスト層３０３は、典型的には、基板３０１上に形成された第１フォトレジスト装置３０５ａと、該第１フォトレジスト層３０５ａ上に形成されると共に、該第１フォトレジスト層３０５ａと同一材料から形成された第２フォトレジスト層３０５ｂとを含む。各層３０５ａ，３０５ｂはその最大定格厚みまで形成される。特定のフォトレジストの最大定格厚みは、典型的には、フォトレジスト製造業者によって提供され、表面平面性の指定された度合いを提供するフォトレジスト材の最大厚みと対応している。Ｓ１８１８の場合、この厚みは約２ミクロンである。
【００２７】
典型的には、フォトレジスト材の第１層３０５ａはデポジット又は堆積され、フォトレジスト材から成る第２層３０５ｂのデポジション又は堆積及び加熱に先行して加熱される。Ｓ１８１８から成る二重層の使用は、相対的には厚いフォトレジスト層の微細パターニングを可能とする。これは、次いで、基板内に微細構成を形成するために下側に横たわる基板の深いエッチングを可能としている。Ｓ１８１８フォトレジストは有益な方法で除去も可能である。二重フォトレジスト層形成の更なる詳細及び長所は、本願と同時に出願された「Method of Etching a Wafer Layer Using Multiple Layers of the Same Photoresistant Material and Structure Formed Thereby」と題された米国特許出願第０９／３７２，４２８号（代理人整理番号：Ｎｏ．２３１６．１０２０ＵＳ０１）に見出すことが可能であり、引用することでその内容をここに合体させる。
【００２８】
二重フォトレジスト層３０３の種々の部分は除去されて、図３Ｂに図示されるようにパターニングされたフォトレジスト層３０９を形成する。フォトレジスト層３０３の種々の部分の除去は、フォトリソグラフィ技術を用いて為され得る。特にＳ１８１８フォトレジストを使用する際、例えば種々のフォトレジスト層部分は超音波の補助なしにアセトンを用いて除去され得る。基板３０１の種々の露出部分は引き続く製作において除去されることになる。パターニングされたマスキング層３０９は、基板除去の後に残存することになる基板３０１の種々の部分を被覆する。これら基板３０１の残存部分は、典型的には、結果としての光スイッチの各種構成を形成する（例えば、ミラー壁、トレンチ側壁、導波路チャネル、アクチュエータ櫛、並びに、ビーム等々）。
【００２９】
先に記したように、図３Ａ乃至図３Ｅに図示された断面はミラー壁の形成を示している。この場合、パターニングされたマスキング層３０９は基板３０１の第１領域３１１ａを被覆する部分３１１と、該第１領域３１１の各側に隣接する基板の側方領域３１３ａを被覆する２つの側方領域３１３とを含む。フォトレジスト層３０９の側壁３１５は、内部にミラーが形成されることになるトレンチの両エッジを画成するために使用される。マスク部分３１１が設けられて、第１領域３１１ａ内にミラー壁を形成する。側方マスク構造３１３は、内部に犠牲壁が形成される領域３１３ａを被覆する。
【００３０】
マスク構造３１３はエッチング中に基板の露出部分を制限する役割を果たし、領域３１１ａのミラー構造における壁の垂直性を増大する。マスク部分３１１及び各側方マスク部分３１３の間の距離又はギャップは、領域３１１ａ内における結果としてのミラー構造の垂直性を最適化するように選択される。１０〜３０ミクロのギャップ距離が多くの適用例において適切である。２０ミクロンのギャップ距離は以下に議論する除去プロセスと共に特に良好に作動する。そうした犠牲壁の長所に関するより詳細に議論は、本願と同時に出願された「Method of Etching a Wafer Layer Using a Sacrificial Wall and Structure Formed Thereby」と題された米国特許出願第０９／３７２，７００号（代理人整理番号：Ｎｏ．２３１６．１０２１ＵＳ０１）に見出すことが可能であり、引用することでその内容をここに合体させる。
【００３１】
例えば図４は、マスキング層のパターニング後における光スイッチの上面図を示している。陰影領域はパターニングされたマスキング層４０２を表し、開放領域は下側に横たわる基板４０４の露出部分を示している。このパターニングされたマスキング層４０２は、例えばミラー壁及び外側ビーム等の光スイッチ構成の回りに犠牲壁を形成するために提供されるマスク部分４０６を含む。マスク部分４０６下方の種々の基板領域は、以下に議論されるように、基板４０４の開放領域をエッチングした後に除去されることになる。犠牲壁マスク４０６の使用は、以下に留意されるように、ミラー壁及びビーム等の隣接構造の垂直エッチングを促進補助する。
【００３２】
然るべき位置にあるパターニングされたマスキング層３０９によって、基板３０１の種々の露出部分は図３Ｃに図示されるように除去される。この除去プロセスは深い反応イオンエッチング（ＤＲＩＥ）を用いて実行される。一実施例において、標準ＢＯＳＣＨ ＤＲＩＥプロセスが使用される。このプロセスは典型的には以下の条件の下で３ステップ・プロセスが実行される。
圧力：        １５ｍトル
Ｈｅ流量：    ７．４５ｓｃｃｍ（標準立方センチメートル／秒）
【００３３】
ステップ１で、Ｃ4Ｆ8２００（７０ｓｃｃｍ）、ＳＦ6２００（０．５ｓｃｃｍ）、並びに、アルゴン（４０ｓｃｃｍ）が４秒間流される。ステップ２で、Ｃ4Ｆ8２００（０．５ｓｃｃｍ）、ＳＦ6２００（１００ｓｃｃｍ）、並びに、アルゴン（４０ｓｃｃｍ）が５秒間流される。代替実施例において、第１及び第２ステップに対するフロー時間は増大され（例えば、５秒まで及び４秒までのそれぞれ）、第３ステップに対するフロー時間は減少される（例えば３秒まで）。この代替実施例は、有益には、標準ＢＯＳＣＨ ＢＲＩＥプロセスよりもより垂直な側壁を提供する。
【００３４】
除去プロセスは、典型的には、埋め込み絶縁層３０２に選択的なエッチャント（腐食液）を用い、それによってこの層上でのエッチング・プロセスを停止する。側壁構造３２１及びマスク３１３の結果、マスク３１１下方の隆起構造３１９が相対的に垂直な側壁３２０を伴って形成される。図示の実施例における側壁３２０は、典型的には、垂直性（例えば、９０°±０．５°、９０°±０．４°、９０°±０．３°、或は、それより良好な角度）を有する。この手法も相対的に平滑な側壁を伴う隆起構成３１９を残す。例えばこのプロセスを用いて、側壁の表面荒さは３０ｎｍ ｒｍｓ或はそれ以下であり得る。
【００３５】
フォトレジストは図３Ｄに図示されるように除去される。これは先に記したようにアセトンを用いて為され得る。超音波の補助なしにアセトンを用いることによって、フォトレジストは、アクチュエータ櫛、ミラー、並びに、屈曲ビーム等の壊れやすい構造を損傷することなしに除去され得る。このようにしてアセトンを用いることでも、例えば、基板からより効果的に破片等を除去できる。フォトレジスト除去に追随して、埋め込み絶縁層３０２の種々の部分が除去される。この絶縁層３０２は、典型的には、緩衝絶縁エッチ（例えば、１０対１の塩酸対水の溶液）を用いて除去される。このプロセス中、このエッチャントは絶縁層３０２の露出部分を、該絶縁層３０２上に形成されたシリコン構造下方の絶縁層３０２の種々の部分と共に除去する。理解して頂きたいことは、相対的に細いシリコン構造（例えば、ミラー壁、アクチュエータ・ビーム、櫛フィンガー等々）下方の下側に横たわる絶縁層３０２は充分に除去されて、これら構造を基板３０１から分離する。より厚い構成（例えば、ビームに対する固定支持体１３０、静止櫛１１０のベース部１０９等）の下方における絶縁層３０２は無傷のまま残存し、それによってこれら構成を基板３０１に固定する。これは、ミラー、ビーム、並びに、可動櫛等の各種構造が移動することを可能とする。
【００３６】
除去プロセスは、典型的には、図３Ｅに示されるように、エッチャント３２２内に基板３０１を浸すことによって実行される。このプロセス中、犠牲層３２１下方の絶縁層３０２は除去され、犠牲壁３２１はエッチング溶液３２２内へ落下する。これはスイッチの他の部分（例えば固定ビーム構造１３０等）の下側に横たわる基板／絶縁層によって支持される第１隆起構成３１９（ミラー壁）を残す。ミラー３１９はトレンチ３２３の２つの側壁間に形成される。結果としての構造は図３Ｆに示されている。
【００３７】
犠牲側壁マスクの形成と組み合わされた同一材料から成る二重フォトレジスト層の使用は、平滑表面を伴う相対的に深く薄い垂直構造の形成を可能とする。これらの構造は、例えば、ミラー、アクチュエータの櫛フィンガー、並びに／或は、ビーム構造のビーム等に使用され得る。これら技術を用いることで、隆起構造の垂直性は、３０ｎｍ ｒｍｓ或はそれ以下の表面荒さを伴って、少なくとも９０°±０．６°であり得る。
【００３８】
理解して頂きたいことは、後処理中、ミラー壁は反射面を形成すべく反射性金属で被覆される。ミラー壁の改善された垂直性及び低減された表面荒さの結果として、反射面は増大された垂直性及び低減された荒さを有する。これは分散を低減すると共に、スイッチの光学的特性を改善する。後処理中、金属も典型的には２つの櫛上にデポジットされて、それら櫛に対する電極を提供する。これら金属デポジションは例えば既知技術を用いて実行され得る。ウェハーは、典型的には、基板に導電性を提供すると共に電圧差を両櫛間に印加させる処理に先行して硼素ドープが行われる。
【００３９】
図５は、先のプロセスに従って形成された模範的な垂直構造を図示している。この断面図は、ミラー或はビーム構造のビーム等の垂直構成の断面を表している。垂直構造５００は、９０°±０．６°或はそれより良好な（基板の水平面５０４と側壁５０２の平面５０６との間の角度λによって表される）垂直性と、３０ナノメートル ｒｍｓ或はそれ以下の表面荒さを伴う側壁５０２を有する。
【００４０】
図６及び図７は、２つの異なる技術を用いて形成されたアクチュエータの櫛を図示している。図６は、Ｓ１８１８から成る二重フォトレジスト層を用いて形成された櫛を図示しており、除去プロセスは先に議論したように超音波よりもむしろアセトンに依存している。図７は、対照的に、酸化物から形成されたパターニングされたマスキング層を用いた類似の構成の形成を図示している。理解して頂けるように、本プロセスを用いて形成された櫛フィンガーは低減された表面荒さとより多くの画成された構成とを有する。図６の櫛フィンガーもフィンガー間のより少ない屑に関連されている。各種の屑はアクチュエータの櫛を短絡すると共にデバイス性能を劣化するので、これは製品歩留まり及びデバイス性能を更に増大する。
【００４１】
図９は、本発明の更なる実施例に従った、ＭＥＭＳ光スイッチを含むスイッチ・パッケージを図示している。例示的なパッケージ９００は２ｘ２光スイッチ９２０を収容するハウジング９１０を含む。このスイッチ９２０は、例えば、先の図１及び図２に図示されたスイッチと同様であり得る。４つの光ファイバ９３０がスイッチ９２０から延出すると共に、ハウジング９１０から外側へ延出している。これらファイバ９３０は、例えば、スイッチ９３０を他のネットワーク構成要素と相互接続し得る。図示されていないが、ファイバ９３０は典型的には基板ボディに形成されたチャネル内を走っている。導電性リード線９４０はスイッチ９３０の櫛から、典型的には電源へ延在している。留意されることは、このパッケージが例示目的で提供され且つ限定的ではないことである。数多くのタイプのスイッチ・パッケージが本発明の範囲内に入る。例えば、スイッチ・パッケージは（例えば、ハウジングの外側）外部制御回路、或は、（例えば、ハウジング内、そして、幾つかの場合にはスイッチと同一基板上）内部制御回路を含んで提供され得る。更には、この模範的なパッケージは２ｘ２スイッチを描いているが、本発明はそれに限定されない。数多くの異なるタイプのスイッチ・パッケージ、例えば４ｘ４、８ｘ８、１６ｘ１６マトリックス・スイッチ等のスイッチ・パッケージが、例えばカスケード状スイッチによって形成され得る。また、１ｘＮスイッチが先に記した光スイッチで具現化され得る。
【００４２】
先に記したように、本発明は多数の異なる光スイッチの製作に適用可能である。従って、本発明は先に記載された特定例に限定されると考えられるべきではなく、むしろ特許請求の範囲に明確に述べられたような本発明の全ての局面を包含するものと理解されるべきである。様々な変更、均等プロセスは、本発明が適用され得る多数の構造と共に、本発明が向けられた業界における当業者であればこの明細書の吟味に及んで容易に明らかとなるであろう。請求項は、そうした変更及びデバイスを包含することが意図されている。
【図面の簡単な説明】
【図１】  図１は、本発明の一実施例に従った拡張位置で示された模範的な光スイッチの上面図を図示している。
【図２】  図２は、本発明の一実施例に従った格納位置で示された模範的な光スイッチの上面図を図示している。
【図３】  図３Ａ乃至図３Ｆは、本発明の一実施例に従った模範的なプロセスを図示している。
【図４】  図４は、本発明の別の実施例に従った、製作中における光スイッチの模範的な上面図を図示している。
【図５】  図５は、本発明の更に別の実施例に従った、模範的なミラーの断面図を図示している。
【図６】  図６は、本発明の一実施例に従って形成されたアクチュエータ櫛の斜視図である。
【図７】  図７は、酸化物マスクを用いて形成されたアクチュエータ櫛の斜視図である。
【図８】  図８は、本発明の一実施例に従った例示的な導波路の上面図である。
【図９】  図９は、本発明の一実施例に従った切断された部分を具備する模範的なスイッチ・パッケージの斜視図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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