(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャリアフィルムによって裏打ちされた金属箔を用意する工程と、
前記キャリアフィルムによって裏打ちされた前記金属箔の外側に向く表面を酸化する工程と、
前記金属箔の酸化された前記表面を生のセラミック成形体に対向させた状態で、前記キャリアフィルムから前記生のセラミック成形体上に、前記金属箔を転写する工程と、
前記金属箔が転写された前記生のセラミック成形体を還元性雰囲気中で焼成する工程とを備え、
前記生のセラミック成形体はガラス成分を含む、
セラミック電子部品の製造方法。
【請求項２】
前記金属箔は、銀、パラジウム、銅、ニッケル、モリブデン、タングステンおよび錫から選ばれた少なくとも１種を含む、請求項１に記載のセラミック電子部品の製造方法。
【請求項３】
前記キャリアフィルムによって裏打ちされた金属箔を用意する工程は、前記キャリアフィルム上に前記金属箔をめっきによって形成する工程を備える、請求項１または２に記載のセラミック電子部品の製造方法。
【請求項４】
前記金属箔の表面を酸化する工程は、調整された雰囲気中で前記金属箔を熱処理する工程を備える、請求項１ないし３のいずれかに記載のセラミック電子部品の製造方法。
【請求項５】
前記金属箔の表面を酸化する工程において、前記金属箔の表面を酸化して得られる酸化膜の厚みは、０．０１〜３０μｍの範囲に選ばれる、請求項１ないし４のいずれかに記載のセラミック電子部品の製造方法。
【請求項６】
前記金属箔を転写する工程より前に、前記キャリアフィルムによって裏打ちされた前記金属箔をエッチングによってパターニングする工程をさらに備える、請求項１ないし５のいずれかに記載のセラミック電子部品の製造方法。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれかに記載の製造方法によって得られた、セラミック電子部品。
【請求項８】
キャリアフィルムによって裏打ちされた金属箔を用意する工程と、
前記キャリアフィルムによって裏打ちされた前記金属箔の外側に向く第１の表面を酸化する工程と、
前記第１の表面をセラミックグリーンシートに対向させた状態で、前記キャリアフィルムから前記セラミックグリーンシート上に、前記金属箔を転写する工程と、
前記セラミックグリーンシート上に転写された前記金属箔の外側に向く第２の表面を酸化する工程と、
複数の前記セラミックグリーンシートを積層して生の積層体を作製する工程と、
前記生の積層体を還元性雰囲気中で焼成する工程と
を備え、
前記セラミックグリーンシートはガラス成分を含む、
積層型セラミック電子部品の製造方法。
【請求項９】
前記金属箔は、銀、パラジウム、銅、ニッケル、モリブデン、タングステンおよび錫から選ばれた少なくとも１種を含む、請求項８に記載の積層型セラミック電子部品の製造方法。
【請求項１０】
前記キャリアフィルムによって裏打ちされた金属箔を用意する工程は、前記キャリアフィルム上に前記金属箔をめっきによって形成する工程を備える、請求項８または９に記載の積層型セラミック電子部品の製造方法。
【請求項１１】
前記金属箔の第１および第２の表面を酸化する各工程は、調整された雰囲気中で前記金属箔を熱処理する工程を備える、請求項８ないし１０のいずれかに記載の積層型セラミック電子部品の製造方法。
【請求項１２】
前記金属箔の第１および第２の表面を酸化する各工程において、前記金属箔の第１および第２の表面を酸化してそれぞれ得られる第１および第２の酸化膜の各厚みは、０．０１〜３０μｍの範囲に選ばれる、請求項８ないし１１のいずれかに記載の積層型セラミック電子部品の製造方法。
【請求項１３】
前記金属箔を転写する工程より前に、前記キャリアフィルムによって裏打ちされた前記金属箔をエッチングによってパターニングする工程をさらに備える、請求項８ないし１２のいずれかに記載の積層型セラミック電子部品の製造方法。
【請求項１４】
請求項８ないし１３のいずれかに記載の製造方法によって得られた、積層型セラミック電子部品。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、セラミック電子部品の製造方法およびこの製造方法によって得られたセラミック電子部品、ならびに積層型セラミック電子部品の製造方法およびこの製造方法によって得られた積層型セラミック電子部品に関するもので、特に、セラミック電子部品または積層型セラミック電子部品におけるセラミック部分と導体膜との接合力を高めるための改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
たとえば、多層セラミック基板のような積層型セラミック電子部品を製造する場合、セラミックグリーンシート上に導体膜を形成する工程が実施される。このような導体膜の形成にあたっては、典型的には、導電性ペーストを用いる方法、または金属箔を用いる方法が採用されている。
【０００３】
しかしながら、これら２つの方法は、それぞれ、利点を有するものの、いずれも、解決されるべき課題を有している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
導電性ペーストを用いる方法によれば、導電性ペーストおよびセラミックグリーンシートの各々に含まれるガラス成分が、焼成工程において、セラミックグリーンシート中のセラミック粒子の間および導電性ペースト中の金属粒子の間にそれぞれ濡れ広がり、アンカー構造を形成して、導電性ペーストによって与えられた導体膜をセラミックグリーンシートによって与えられたセラミック層に対して強固に接合させることができる。
【０００５】
しかしながら、導電性ペーストによって形成した導体膜は、焼成後において、完全に緻密な組織を与えるものではない。なぜなら、導電性ペーストに含まれていた有機成分が焼失した分の体積が空洞となり、この空洞は、金属粒子の焼結によっても完全には埋められないからである。そのため、近年、導体膜の薄層化や焼成温度の低温化が求められる中で、導体膜の信頼性を確保することが困難となりつつある。
【０００６】
他方、金属箔を用いる方法によれば、焼成前から緻密な構造を有しているため、これによって形成された導体膜の薄層化が容易である。また、導体膜の表面は、導電性ペーストによる導体膜よりも平滑にすることができる。ミリ波以上の高周波では、表面粗さや内部欠陥による信号の散乱が支配的になるため、この点においても、金属箔は有利である。
【０００７】
さらに、金属箔を用いる場合、そのパターニングのために、代表的にはエッチングが適用されるが、このようなエッチングによるパターニングによれば、前述した導電性ペーストのスクリーン印刷を適用した場合に比べて、微小なパターンを容易に作製することができる。
【０００８】
なお、金属箔の形成方法としては、キャリアフィルム上にめっきによって金属箔を形成する方法やスパッタリングなどの薄膜プロセスによって金属箔を形成する方法があるが、製造コストの面から、主として、めっきによる方法が工業的に利用されている。
【０００９】
しかしながら、金属箔によって導体膜を形成する方法には、導体膜とセラミックとの間での接合強度が低いという問題がある。
【００１０】
この接合強度に関して、一般に、導体膜とセラミックとの接合には、ガラス成分が大きな役割を果たしている。前述した導電性ペーストを用いる方法では、ガラス成分がセラミック粒子間および金属粒子間に濡れ広がり、アンカー構造を形成して、両者を強固に接合するのである。また、酸化物は、ガラスとの濡れ性を向上させるとともに、ガラスとの化学結合によって接合強度を高めるように作用する。そのため、導電性ペーストには、ガラスフリットに加えて、酸化物が添加されることがある。
【００１１】
しかしながら、前述したようにめっきによって金属箔を形成しようとするときには、このようなめっきによって酸化物を析出させることは極めて困難であり、また、めっきによって得られた導体膜は緻密であるため、ガラス成分が浸透し得る空間を有していない。
【００１２】
このようなことから、金属箔による導体膜とセラミックとの接合強度を高めることは、それほど容易ではない。
【００１３】
なお、上述の説明は、多層セラミック基板のような積層型セラミック電子部品について行なったが、同様の問題は、セラミック素体上に導体膜が形成された構造を有する、積層型セラミック電子部品以外のセラミック電子部品においても遭遇する。
【００１４】
そこで、この発明の目的は、上述したような問題を解決し得る、セラミック電子部品および積層型セラミック電子部品の各製造方法ならびにこれら製造方法によって得られたセラミック電子部品および積層型セラミック電子部品を提供しようとすることである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
この発明は、まず、セラミック電子部品の製造方法に向けられる。このセラミック電子部品の製造方法は、上述した技術的課題を解決するため、キャリアフィルムによって裏打ちされた金属箔を用意する工程と、キャリアフィルムによって裏打ちされた金属箔の外側に向く表面を酸化する工程と、金属箔の酸化された表面を生のセラミック成形体に対向させた状態で、キャリアフィルムから生のセラミック成形体上に、金属箔を転写する工程と、金属箔が転写された生のセラミック成形体を還元性雰囲気中で焼成する工程とを備えることを特徴とするとともに、上記生のセラミック成形体がガラス成分を含むことを特徴としている。
【００１６】
この発明は、また、積層型セラミック電子部品の製造方法にも向けられる。この積層型セラミック電子部品の製造方法は、上述した技術的課題を解決するため、キャリアフィルムによって裏打ちされた金属箔を用意する工程と、キャリアフィルムによって裏打ちされた金属箔の外側に向く第１の表面を酸化する工程と、第１の表面をセラミックグリーンシートに対向させた状態で、キャリアフィルムからセラミックグリーンシート上に、金属箔を転写する工程と、セラミックグリーンシート上に転写された金属箔の外側に向く第２の表面を酸化する工程と、複数のセラミックグリーンシートを積層して生の積層体を作製する工程と、生の積層体を還元性雰囲気中で焼成する工程とを備えることを特徴とするとともに、上記セラミックグリーンシートがガラス成分を含むことを特徴としている。
【００１７】
このようなセラミック電子部品または積層型セラミック電子部品の製造方法において、金属箔は、銀、パラジウム、銅、ニッケル、モリブデン、タングステンおよび錫から選ばれた少なくとも１種を含むことが好ましい。
【００１８】
また、キャリアフィルムによって裏打ちされた金属箔を用意するにあたっては、キャリアフィルム上に金属箔をめっきによって形成することが好ましい。
【００１９】
金属箔の表面を酸化するにあたっては、調整された雰囲気中で金属箔を熱処理するようにすることが好ましい。
【００２０】
金属箔の表面を酸化したとき、金属箔の表面に酸化膜が形成されるが、この酸化膜の厚みは、０．０１〜３０μｍの範囲に選ばれることが好ましい。
【００２２】
また、金属箔を転写する工程より前に、キャリアフィルムによって裏打ちされた金属箔をエッチングによってパターニングする工程をさらに備えていることが好ましい。
【００２３】
この発明は、また、上述したような製造方法によって得られたセラミック電子部品または積層型セラミック電子部品にも向けられる。
【００２４】
【発明の実施の形態】
図１および図２は、この発明の一実施形態による積層型セラミック電子部品の製造方法に含まれる典型的な工程を順次示す断面図である。
【００２５】
まず、図１（１）に示すように、キャリアフィルム１によって裏打ちされた金属箔２が用意される。
【００２６】
上述したキャリアフィルム１の材質としては、可撓性を有し、たとえば１００℃程度の温度では変形しない耐熱性を有し、めっきや蒸着に対しても十分に耐え得るものが用いられる。一例として、ポリエチレンテレフタレートからなるキャリアフィルム１が有利に用いられる。
【００２７】
金属箔２は、たとえば銅箔によって与えられる。このような金属箔２は、めっきによって形成されることが好ましい。
【００２８】
また、金属箔２は、得ようとする積層型セラミック電子部品において必要とされる導体膜のパターンを得るため、たとえば、金属箔２にレジストをコートし、フォトリソグラフィに基づいて露光および現像を行なった後、エッチング処理することによってパターニングされる。図１（１）に示した金属箔２は、このようなパターニング後の状態である。
【００２９】
次に、図１（２）に示すように、キャリアフィルム１によって裏打ちされた金属箔２の外側に向く第１の表面３が酸化され、それによって第１の酸化膜４が形成される。この第１の酸化膜４の厚みは、好ましくは、０. ０１〜３０μｍの範囲となるようにされる。
【００３０】
上述した酸化処理を行なうにあたっては、たとえば、調整された雰囲気中で金属箔２を熱処理する工程が実施される。この酸化のための熱処理において、雰囲気を与える酸素分圧を変更したり、雰囲気中に水蒸気やオゾンなどを導入したり、熱処理において適用される温度や処理時間を変更したりすることにより、上述した第１の酸化膜４の厚みを調整することができる。なお、熱処理の温度に関しては、ポリエチレンテレフタレートからなるキャリアフィルム１の変形が生じにくい、１５０℃以下であることが好ましい。
【００３１】
金属箔２を構成する金属に関して、たとえばアルミニウムのように、酸化によって不動態となる金属では、表面に極めて薄い酸化膜が形成されることによって、内部への酸素の拡散が不可能となり、酸化が進行しないため、所定の厚みを有する酸化膜を形成することが困難である。
【００３２】
これに対して、金属箔２がたとえば銅から構成される場合には、酸化銅は不動態ではなく、むしろポーラスな構造を有しているので、酸素を内部に拡散させることができ、酸化処理条件を管理することによって、任意の厚みの酸化膜４を容易に形成することができる。この観点から、金属箔２を構成する金属として、銅のほか、銀、パラジウム、ニッケル、モリブデン、タングステンもしくは錫またはこれら金属を主成分として含むものを有利に用いることができる。
【００３３】
次に、図１（３）に示すように、セラミックグリーンシート５が用意され、金属箔２の第１の表面３をこのセラミックグリーンシート５に対向させた状態で、キャリアフィルム１からセラミックグリーンシート５上に、金属箔２が転写される。
【００３４】
上述した転写にあたっては、たとえば、適当な圧力および温度が付与されるホットスタンピングが適用される。
【００３５】
また、セラミックグリーンシート５は、たとえば１０００℃以下の温度で焼成可能な低温焼結セラミック材料を含むことが好ましい。この低温焼結セラミック材料は、焼成温度において、適正な粘度となるガラス成分を含んでおり、このようなガラス成分としては、金属酸化物との濡れ性が良好であり、かつ金属酸化物を溶解させる溶解度が適正な範囲にあることが好ましい。
【００３６】
次に、図２（１）に示すように、セラミックグリーンシート５上に転写された金属箔２の外側に向く第２の表面６が酸化され、それによって、第２の酸化膜７が形成される。この第２の酸化膜７を形成するための方法および条件については、前述した第１の酸化膜４の場合と実質的に同様とすることができる。また、第２の酸化膜７についても、その厚みは０. ０１〜３０μｍの範囲にあることが好ましい。
【００３７】
次に、図２（２）に示すように、複数のセラミックグリーンシート５が積層され、それによって、生の積層体８が作製される。なお、図２（２）においては、生の積層体８は、その積層方向での一部のみが図示されているに過ぎないが、金属箔２がセラミックグリーンシート５に接する面のいずれもが、酸化膜４または７によって与えられている。
【００３８】
次に、生の積層体８は、加熱されながら積層方向にプレスされた後、脱バインダ工程を経て、還元雰囲気中で焼成される。
【００３９】
この焼成工程において、セラミックグリーンシート５に含まれるガラス成分は、加熱されて低粘度状態になり、毛細管現象に基づき、酸化膜４および７の各々に浸透し、酸化膜４および７中で濡れ広がる。
【００４０】
このように、酸化膜４および７中に濡れ広がったガラス成分は、酸化膜４および７を構成する酸化銅のような酸化物を一部溶解しながら、酸化物とセラミック粒子との間にアンカー構造を形成する。また、ガラス成分は、金属箔２における酸化膜４および７と他の金属部分との各界面に到達すると、これら界面では、ケミカルボンドを生成し、それによって、セラミックグリーンシート５側のセラミックと金属箔２とを強固に接合する。
【００４１】
金属箔２を構成する金属として銅が用いられる場合、酸化膜４および７は主としてＣｕ2 Ｏによって構成され、上述した界面では、Ｃｕ−Ｃｕ−Ｃｕ−Ｏ−Ｃｕ−Ｏ−Ｓｉ−Ｏ−というようなケミカルボンドが生成される。
【００４２】
このように、セラミックグリーンシート５を焼成して得られるセラミック層と金属箔２との接合力を高めるため、酸化膜４および７が重要な役割を果たしている。このような酸化膜が形成されない場合には、金属箔２を構成する銅のような金属とガラス成分との濡れ性が良好でない上に、金属箔２が緻密であるため、ガラス成分は金属箔２に浸透することはない。
【００４３】
また、酸化膜４および７の各厚みは、前述したように、０．０１〜３０μｍの範囲にあることが好ましい。酸化膜４および７の各厚みが０. ０１μｍ未満と薄くなると、ガラス成分中に酸化銅のような金属酸化物が実質的にすべて溶解してしまい、酸化膜４および７とセラミック層との界面でのアンカー構造が形成されなかったり、金属箔２における酸化膜４および７と他の金属部分との界面でケミカルボンドが生成されなかったりすることがある。他方、酸化膜４および７が３０μｍを超えて厚くなると、ガラス成分が酸化膜４および７の各々の全体に浸透せず、酸化膜４および７の各々において、酸化膜４および７本来の脆弱な部分がそのまま残ってしまうことがある。
【００４４】
以上説明した実施形態は、積層型セラミック電子部品の製造方法に関するものであり、金属箔２によって内部導体膜を形成しようとするものである。そのため、金属箔２の第１および第２の表面３および６の双方にセラミックグリーンシート５が接触し、これら第１および第２の表面３および６に関してセラミック部分との接合力を高める必要があり、それゆえ、これら第１および第２の表面３および６に沿って第１および第２の酸化膜４および７をそれぞれ形成するようにしている。
【００４５】
しかしながら、金属箔がその片面でしかセラミック部分と接触しない場合には、金属箔の一方の表面のみに沿って酸化膜を形成すれば足りる。すなわち、積層型セラミック電子部品の外表面上に形成される導体膜、あるいは、より一般的に、セラミック電子部品に備えるセラミック素体の外表面上に形成される導体膜については、これら導体膜を与える金属箔の、セラミック部分に接触する側においてのみ酸化膜を形成すれば足りる。
【００４６】
上述のことを、図１を再び参照して説明すると、図１（１）に示すように、キャリアフィルム１によって裏打ちされた金属箔２を用意した後、図１（２）に示すように、キャリアフィルム１によって裏打ちされた金属箔２の外側に向く表面３を酸化し、酸化膜４を形成する。
【００４７】
次いで、図１（３）に示すように、金属箔２の酸化された表面３をセラミックグリーンシートあるいは生のセラミック成形体５に対向させた状態で、キャリアフィルム１から生のセラミック成形体５上に、金属箔２を転写することが行なわれる。
【００４８】
そして、上述のように金属箔２が転写された生のセラミック成形体５を還元性雰囲気中で焼成する工程を経て、所望のセラミック電子部品が得られる。
【００４９】
なお、上述した実施形態では、金属箔２に対して所望のパターンを与えるため、キャリアフィルム１によって裏打ちされた金属箔２をエッチングによってパターニングする工程を、金属箔２の第１の表面３に第１の酸化膜４を形成する工程の前に実施したが、このようなパターニング工程は、金属箔２をセラミックグリーンシートまたは生のセラミック成形体５に転写する工程より前であれば、いずれの段階で実施してもよい。たとえば、第１の酸化膜４を形成した後、あるいは第２の酸化膜７を形成した後に、このようなパターニング工程を実施してもよい。
【００５０】
また、キャリアフィルム１上に金属箔２を形成した後、金属箔２のパターニングを行なうのではなく、キャリアフィルム１上に金属箔２を形成する段階で、たとえばマスクを用いるなどして、予めパターニングされた金属箔２を形成するようにしてもよい。また、セラミックグリーンシートまたは生のセラミック成形体５へ金属箔２を転写する工程において、金属箔２の所定の部分のみを選択的に転写するようにして、金属箔２のパターニングを行なうようにしてもよい。
【００５１】
以下に、この発明による効果を確認するために実施した実験例について説明する。
【００５２】
【実験例】
ポリエチレンテレフタレートからなるキャリアフィルムを用意し、これに対して、触媒付与および活性化処理を行なった後、化学めっきを液温８０℃で４分間実施し、厚み５μｍの銅からなる金属箔を形成した。
【００５３】
次いで、この金属箔にレジストをコートし、フォトリソグラフィによる露光および現像を行ない、希硝酸で２秒間エッチングを行ない、金属箔をパターニングした。
【００５４】
次いで、このようにパターニングされた銅からなる金属箔を、キャリアフィルムによって裏打ちされた状態で、空気雰囲気中において、８０℃の温度で２０分間、熱処理した。これによって、金属箔の外側に向く表面に、平均厚み約０. ８μｍの酸化膜を形成した。この酸化膜の主成分は、Ｃｕ2 Ｏであったが、金属銅やＣｕＯも検出された。
【００５５】
次に、金属箔の酸化膜が形成された表面をセラミックグリーンシートに対向させた状態で、キャリアフィルムからセラミックグリーンシート上に、金属箔を転写した。ここで、セラミックグリーンシートとして、アルミナ５０重量％およびＡｌ−Ｓｉ−Ｂａ−Ｓｒ−Ｂ−Ｏ系ガラス５０重量％を含む低温焼結セラミック材料を含むものを用いた。また、転写に際して、ホットスタンピングを適用し、このホットスタンピングにおいて、１００ｋｇ／ｃｍ2 の圧力および１００℃の温度を１０秒間付与した。
【００５６】
次に、セラミックグリーンシート上に転写された金属箔の外側に向く表面を、前述した条件と同様の条件によって酸化し、この表面に沿っても酸化膜を形成した。
【００５７】
次いで、上述のように相対向する表面の各々に酸化膜を形成している金属箔を有するセラミックグリーンシートを複数枚積層し、得られた生の積層体を、８０℃の温度および１０００ｔ／ｃｍ2 の圧力で４５秒間プレスした。
【００５８】
次いで、このプレス後の生の積層体を、脱バインダ処理した後、還元性雰囲気中において９５０℃の温度で焼成し、多層セラミック基板を作製した。
【００５９】
このようにして得られた試料に係る多層セラミック基板について、剥離試験によって測定した金属箔とセラミック部分との接合強度は、１．９ｋｇｆ／ｃｍ2 となった。
【００６０】
これに対して、比較例として、酸化膜を形成しないことを除いて、上述した操作と同様の操作を経て得られた多層セラミック基板においては、金属箔とセラミック部分との接合強度は、０．４ｋｇｆ／ｃｍ2 に過ぎなかった。
【００６１】
【発明の効果】
以上のように、この発明によれば、セラミック電子部品または積層型セラミック電子部品を製造するにあたって、導体膜として金属箔を用いながら、この金属箔のセラミック部分に接する表面を酸化することによって、酸化膜を形成しているので、セラミック部分と金属箔との接合強度を高めることができる。
【００６２】
また、この発明によれば、セラミック電子部品または積層型セラミック電子部品において、導体膜を金属箔によって形成しているので、導電性ペーストを用いる場合に比べて、導体膜の薄層化、高周波特性の改善、およびパターンの微小化を図ることができる。
【００６３】
この発明において、金属箔を構成する金属として、銀、パラジウム、銅、ニッケル、モリブデン、タングステンおよび錫から選ばれた少なくとも１種を用いると、酸化によって不動態となることがないため、所望の厚みの酸化膜を容易に形成することができる。
【００６４】
また、この発明において、金属箔をめっきによって形成するようにすれば、スパッタリングなどの他の薄膜プロセスに比べて、低コストで金属箔を形成することが可能となる。
【００６５】
また、この発明において、金属箔の表面を酸化するに際して、調整された雰囲気中で金属箔を熱処理するようにすれば、金属箔の表面に形成される酸化膜の厚みを容易に制御することができる。
【００６６】
上述した酸化膜の厚みに関して、これを０. ０１〜３０μｍの範囲に選ぶと、金属箔とセラミック部分との間で強固な接合状態をより確実に得ることができる。
【００６７】
特に、この発明によれば、生のセラミック成形体またはセラミックグリーンシートがガラス成分を含むので、このガラス成分が酸化膜に浸透し、ガラス成分によるアンカー構造やケミカルボンドが形成され、セラミック部分と金属箔との接合強度をより高めることができる。
【００６８】
また、この発明において、金属箔を生のセラミック成形体またはセラミックグリーンシートに転写する工程より前に、キャリアフィルムによって裏打ちされた金属箔をエッチングによってパターニングするようにすれば、パターニングを能率的に行なうことができるとともに、金属箔に対して微小なパターンを容易に与えることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施形態による積層型セラミック電子部品の製造方法に含まれる各工程を図解的に順次示す断面図である。
【図２】図１に示した工程に続いて実施される各工程を順次図解的に示す断面図である。
【符号の説明】
１  キャリアフィルム
２  金属箔
３  第１の表面
４  第１の酸化膜
５  セラミックグリーンシートまたは生のセラミック成形体
６  第２の表面
７  第２の酸化膜
８  生の積層体
【図１】
0004595183.tif 000002
【図２】
0004595183.tif 000003