(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
マルチチップ半導体装置であって、
ダイパッドが形成されたリードフレームと、
前記ダイパッド上に設けられた絶縁部材と、
前記絶縁部材に直接装着された第１の素子チップと、
前記絶縁部材の前記第１の素子チップとは異なる位置に、導電部材を介して装着された第２の素子チップとを有し、
前記導電部材と前記ダイパッドとの間を金属細線で接続したことを特徴とするマルチチップ半導体装置。
【請求項２】
前記絶縁部材は、接着剤により前記ダイパッドに固定されていることを特徴とする請求項１記載のマルチチップ半導体装置。
【請求項３】
前記絶縁部材は、前記ダイパッドより平面視において小さいことを特徴とする請求項１又は２記載のマルチチップ半導体装置。
【請求項４】
前記絶縁部材上に中継導体部を設けたことを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載のマルチチップ半導体装置。
【請求項５】
前記中継導体部は、前記第１の素子チップ間、前記第２の素子チップ間、又は前記第１と第２の素子チップ間に設けたことを特徴とする請求項４記載のマルチチップ半導体装置。
【請求項６】
前記中継導体部の高さが前記第１及び第２の素子チップの高さを越えないことを特徴とする請求項４又は５記載のマルチチップ半導体装置。
【請求項７】
前記導電部材は、前記第２の素子チップより平面視において大きいことを特徴とする請求項１〜６の何れかに記載のマルチチップ半導体装置。
【請求項８】
樹脂によりモールド封止されていることを特徴とする請求項１〜７の何れかに記載のマルチチップ半導体装置。
【請求項９】
前記ダイパッドから延出する４本の吊りリードを有することを特徴とする請求項１〜８の何れかに記載のマルチチップ半導体装置。
【請求項１０】
前記ダイパッドから延出する複数の吊りリードを有し、隣り合う吊りリード間に前記リードフレームの一部が形成されていることを特徴とする請求項１〜８の何れかに記載のマルチチップ半導体装置。
【請求項１１】
前記ダイパッドから延出する複数の吊りリードを有し、前記リードフレームの一部が前記吊りリードに沿って形成されていることを特徴とする請求項１〜８の何れかに記載のマルチチップ半導体装置。
【請求項１２】
前記リードフレームの一部からなる複数のインナーリードの先端の厚み方向の面が、該面に対向する前記ダイパッドの端面に平行であることを特徴とする請求項１〜１１の何れかに記載のマルチチップ半導体装置。
【請求項１３】
前記ダイパッドの各辺において、前記リードフレームの一部からなるインナーリードがそれぞれ同数形成されていることを特徴とする請求項１〜１２の何れかに記載のマルチチップ半導体装置。
【請求項１４】
前記ダイパッドの各辺において、前記リードフレームの一部からなるインナーリードが、各辺の中心に向かって屈曲していることを特徴とする請求項１〜１３の何れかに記載のマルチチップ半導体装置。
【請求項１５】
前記ダイパッドの各辺の中心のインナーリードが屈曲していないことを特徴とする請求項１４記載のマルチチップ半導体装置。
【請求項１６】
前記リードフレームの一部からなるインナーリードの先端が徐々に細くなっていることを特徴とする請求項１〜１５の何れかに記載のマルチチップ半導体装置。
【請求項１７】
前記ダイパッドの各辺の中心のインナーリードの太さが均一であることを特徴とする請求項１〜１６の何れかに記載のマルチチップ半導体装置。
【請求項１８】
前記金属細線が接続されていない前記リードフレームの一部からなるインナーリードを有することを特徴とする請求項１〜１７の何れかに記載のマルチチップ半導体装置。
【請求項１９】
前記ダイパッド上に、前記第１及び第２の素子チップを２つずつ有することを特徴とする請求項１〜１８の何れかに記載のマルチチップ半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は２以上の素子チップを１つのパッケージ内に装着したマルチチップ半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体装置の高集積化及び高機能化に伴い、複数の素子チップを１つのパッケージ内に装着したマルチチップ半導体装置が提案されている。例えば、特開平９−２３２５００号公報に窓開きフィルム回路を搭載したマルチチップ半導体装置が提案されている。この技術は、リードフレームのダイパッド上に、複数個の素子チップと中間配線を設けた窓開きフィルム回路とを設置し、前記素子チップと前記中間配線との間、前記中間配線とリードフレームの外部導出リードとの間をそれぞれ金属細線で接続することで複数の素子チップ間の電気接続を可能とし、かつ各素子チップと外部導出リードとの間の金属細線による複雑な接続を不要にしようとするものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記窓開きフィルム回路では導電体であるリードフレームのダイパッド上に素子チップを搭載するため、前記ダイパッドがコレクタ、エミッタ、アノード、またはカソードとなるトランジスタ及びダイオードを装着することはできない。
【０００４】
本発明は、上記の問題点に鑑み、素子チップとしてトランジスタ及びダイオードをも設置でき、複雑な電気接続を容易にすることが可能なマルチチップ半導体装置を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明に係るマルチチップ半導体装置では、トランジスタ又はダイオードを成す第１の素子チップとトランジスタやダイオード以外の第２の素子チップとを１つのパッケージ内に装着しているマルチチップ半導体装置であって、リードフレームのダイパッド上に、中継導体部を設けた絶縁部材を設置し、該絶縁部材上に、第１の素子チップは直接装着し、第２の素子チップは導電部材を介して装着し、前記素子チップと前記中継導体部との間、前記素子チップとリードフレームの外部導出リードとの間、前記導電部材と前記ダイパッドとの間をそれぞれ金属細線で接続した構成とした。
【０００６】
【発明の実施の形態】
図１は本発明のマルチチップ半導体装置の一実施形態を示す平面図である。リードフレームのダイパッド１上に、絶縁部材２と、トランジスタ又はダイオードの素子チップ４と、トランジスタ及びダイオード以外の素子チップ４’と、中継導体部５と、導電部材８とが設置される。また、このダイパッド１の周囲には多数本のインナーリード６が配列される。これらのインナーリード６は図外のアウターリードと一体に形成されて外部導出リードを構成している。
【０００７】
図２は図１のＡ−Ａ線断面図であり、トランジスタ又はダイオードの素子チップ４が装着されている部分の断面図である。ここでは、ダイパッド１上には、絶縁部材２が接着剤３により固定されており、その上に素子チップ４及び中継導体部５が直接装着される。
【０００８】
絶縁部材２上の素子チップ４と中継導体部５とが金属細線７で相互に電気接続され、同様に素子チップ４とインナーリード６とが金属細線７で相互に電気接続され、結果として中継導体部５とインナーリード６とが金属細線７で相互に電気接続される。
【０００９】
図３は図１のＢ−Ｂ線断面図であり、トランジスタ及びダイオード以外の、導体上に装着しなければならない素子チップ４’が装着されている部分の断面図である。ここでは、ダイパッド１上には、絶縁部材２、導電部材８の順で接着剤３により固定されており、その上に素子チップ４’及び中継導体部５が設置される。
【００１０】
導電部材８上の素子チップ４’と中継導体部５とが金属細線７で相互に電気接続され、同様に素子チップ４’とインナーリード６とが金属細線７で相互に電気接続され、中継導体部５とインナーリード６とが金属細線７で相互に電気接続され、導電部材８とダイパッド１とが金属細線７で相互に電気接続される。したがってこのマルチチップ半導体装置では、素子チップ４、４’と中継導体部５の配置を任意に設計し、個々の素子チップ４、４’相互間の電気接続を中継導体部５によって行うことで、複雑な電気接続も容易に行うことができる。
【００１１】
絶縁部材２は、導電部材８とダイパッド１とを金属細線で接続可能にするため、ダイパッド１の大きさに対してやや小さくするのが良い。絶縁部材２の厚みは任意であり、絶縁フィルムや絶縁板が使用できる。
【００１２】
接着剤３は、絶縁部材２とダイパッド１とを、絶縁部材２と導電部材８とを接着するものであれば特に限定なく、例えば一般的な市販の接着剤や両面テープが使用できる。
【００１３】
中継導体部５は、素子チップ４、４’相互間、及び素子チップ４、４’とインナーリード間とを容易に接続するための中継点である。その形は直方体、円筒体など絶縁体２上のスペースに合わせて設計すればよく、高さは素子チップ４，４’の高さを超えないのが望ましい。
【００１４】
導電部材８は、トランジスタ及びダイオード以外の素子チップ４’を装着するときに設置し、絶縁部材２とは接着剤３により固着され、素子チップ４’とは樹脂接着法や共晶接着法により固着される。導電部材８とダイパッド１とを金属細線で接続可能にするため、導電部材８は素子チップ４’の大きさに対してやや大きくするのが良い。導電部材８の厚みは任意であり、導電フィルムや導電板が使用できる。
【００１５】
なお、ダイパッド１、絶縁部材２、素子チップ４、４’、中継導体部５、金属細線７、導電部材８、インナーリード６の一部が樹脂によりモールド封止され、パッケージが形成される。
【００１６】
【発明の効果】
以上説明したように本発明のマルチチップ半導体装置は、リードフレームのダイパッド上に、中継導体部を設けた絶縁部材を設置し、該絶縁部材上に、トランジスタ又はダイオードの素子チップは直接装着し、それ以外の素子チップは導電部材を介して装着し、前記素子チップと前記中継導体部との間、前記素子チップとリードフレームの外部導出リードとの間、前記導電部材と前記リードフレームのダイパッドとの間をそれぞれ金属細線で接続しているので、トランジスタ及びダイオードの素子チップであっても、ダイパッド上に装着することができる。また、前記素子チップと前記中継導体部の配置を任意に設計することで、複雑な電気接続を容易にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明のマルチチップ半導体装置の一実施形態を示す平面図である。
【図２】  図１のＡ−Ａ線断面図である。
【図３】  図１のＢ−Ｂ線断面図である。
【符号の説明】
１  ダイパッド
２  絶縁部材
３  接着剤
４  トランジスタ又はダイオードの素子チップ
４’トランジスタ及びダイオード以外の素子チップ
５  中継導体部
６  インナーリード
７  金属細線
８  導電部材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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