(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
データトラックパターンおよびサーボパターンが凹凸パターンで形成された情報記録媒体を製造可能にスタンパー側凹凸パターンが形成され、
前記スタンパー側凹凸パターンは、前記サーボパターンにおけるバーストパターンの領域に対応するバーストパターン形成領域内の凸部に対する凹部の面積比よりも、前記データトラックパターンの領域に対応するデータトラックパターン形成領域内の凸部に対する凹部の面積比が大きくなるように形成され、かつ、前記バーストパターン形成領域内の前記凹部の深さよりも前記データトラックパターン形成領域内の前記凹部の深さが浅くなるように形成されると共に、前記データトラックパターン形成領域内の前記凸部の面積を前記凹部の面積で除した値をＲ１とし、前記バーストパターン形成領域内の前記凸部の面積を前記凹部の面積で除した値をＲ２とし、前記データトラックパターン形成領域内の凹部の深さをＤ１とし、前記バーストパターン形成領域内の凹部の深さをＤ２としたときに、
Ｄ１≧（１＋Ｒ１）／（１＋Ｒ２）×Ｄ２
の条件を満たし、かつ、前記各凸部の突端部がほぼ面一になるように形成されているスタンパー。
【請求項２】
データトラックパターンおよびサーボパターンが凹凸パターンで形成された情報記録媒体を製造可能にスタンパー側凹凸パターンが形成され、
前記スタンパー側凹凸パターンは、前記データトラックパターンの領域に対応するデータトラックパターン形成領域内の凸部に対する凹部の面積比よりも、前記サーボパターンにおけるバーストパターンの領域に対応するバーストパターン形成領域内の凸部に対する凹部の面積比が大きくなるように形成され、かつ、前記データトラックパターン形成領域内の前記凹部の深さよりも前記バーストパターン形成領域内の前記凹部の深さが浅くなるように形成されると共に、前記データトラックパターン形成領域内の前記凸部の面積を前記凹部の面積で除した値をＲ１とし、前記バーストパターン形成領域内の前記凸部の面積を前記凹部の面積で除した値をＲ２とし、前記データトラックパターン形成領域内の凹部の深さをＤ１とし、前記バーストパターン形成領域内の凹部の深さをＤ２としたときに、
Ｄ２≦（１＋Ｒ２）／（１＋Ｒ１）×Ｄ１
の条件を満たし、かつ、前記各凸部の突端部がほぼ面一になるように形成されているスタンパー。
【請求項３】
基材の表面に樹脂材料を塗布して形成した樹脂層に請求項１または２記載のスタンパーにおける前記スタンパー側凹凸パターンを押し付けるスタンパー押付け処理と、前記樹脂層から前記スタンパーを剥離するスタンパー剥離処理とをこの順で実行して、前記スタンパー側凹凸パターンの凹凸形状を前記樹脂層に転写する凹凸パターン形成方法。
【請求項４】
請求項３記載の凹凸パターン形成方法によって前記樹脂層に転写した凹凸パターンを用いて情報記録媒体を製造する情報記録媒体製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、情報記録媒体等の製造時に用いるスタンパー、基材の表面に形成した樹脂層にスタンパーを押し付けてその凹凸形状を転写する凹凸パターン形成方法、および樹脂層に転写した凹凸パターンを用いて情報記録媒体を製造する情報記録媒体製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
情報記録媒体等を製造する工程において基材の表面に形成したレジスト層（樹脂層）に微細な凹凸パターン（レジストパターン）を形成する凹凸パターン形成方法として、光リソグラフィ法が従来から知られている。この光リソグラフィ法では、基材上に形成したレジスト層に光を照射して露光パターンを形成した後にレジスト層を現像処理することによって基材の上に凹凸パターンを形成する。また、近年では、情報記録媒体の大容量化に対応するための技術として、光に代えて電子ビームを照射することでナノメートルサイズのパターンを描画して凹凸パターンを形成する電子ビームリソグラフィ法が開発されている。しかし、この電子ビームリソグラフィ法では、レジスト層に対するパターンの描画に長時間を要するため、大量生産が困難であるという問題点が存在する。
【０００３】
この問題点を解決する凹凸パターン形成方法として、ナノメートルサイズの凹凸パターンを形成したスタンパーを基材上の樹脂層に押し付けてスタンパーの凹凸形状を樹脂層に転写することによって基材の上にナノメートルサイズの凹凸パターンを形成するナノインプリントリソグラフィ法（ナノメートルサイズの凹凸パターンを形成するインプリント方法：以下、「インプリント方法」ともいう）が米国特許５７７２９０５号明細書に開示されている。このインプリント方法では、まず、同明細書のＦｉｇ．１Ａに示すように、その転写面にナノメートルサイズ（一例として、最小幅が２５ｎｍ程度）の凹凸パターンが形成されたスタンパー（mold）１０ｘ（以下、米国特許５７７２９０５号明細書に開示されている構成要素については、符号の末尾に「ｘ」を付加して表記する）を製造する。具体的には、シリコン基板（silicon substrate ）１２ｘの表面に形成された酸化シリコン等の薄膜（molding layer ）１４ｘを覆うようにして形成された樹脂層に電子ビームリソグラフィ装置を用いて所望のパターンを描画した後に、反応性イオンエッチング装置によって樹脂層をマスクとして薄膜１４ｘをエッチング処理することにより、複数の凸部（features）１６ａｘを有する凹凸パターン１６ｘ（図２４参照）を薄膜１４ｘの厚み内に形成する。これにより、スタンパー１０ｘが製造される。
【０００４】
次いで、例えば、シリコン製の基材（substrate ）１８ｘの表面にポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ：樹脂材料）をスピンコートして厚み５５ｎｍ程度の樹脂層（薄膜：thin film layer ）２０ｘを形成する。続いて、基材１８ｘおよび樹脂層２０ｘの積層体、並びにスタンパー１０ｘの双方を２００℃程度となるように加熱した後に、同明細書のＦｉｇ．１Ｂに示すように、１３．１ＭＰａ（１３３．６ｋｇｆ／ｃｍ２）の圧力で基材１８ｘ上の樹脂層２０ｘにスタンパー１０ｘの各凸部１６ａｘを押し付ける。この際には、図２４に示すように、各凸部１６ａｘを押し込んだ部位の樹脂材料が凸部１６ａｘの周囲に形成されている凹部１６ｂｘ内に向けて移動する。次いで、スタンパー１０ｘを押し付けた状態の積層体を室温となるまで放置した後に（冷却処理した後に）、樹脂層２０ｘからスタンパー１０ｘを剥離する。これにより、同明細書のＦｉｇ．１Ｃおよび図２７に示すように、スタンパー１０ｘの凹凸パターン１６ｘが樹脂層２０ｘに転写されて各凸部１６ａｘを押し込んだ部位に各凹部（regions ）２４ｂｘが形成されると共に各凹部１６ｂｘの部位に各凸部２４ａｘが形成され、基材１８ｘの上（樹脂層２０ｘ）にナノメートルサイズの凹凸パターン２４ｘが形成される。
【特許文献１】米国特許５７７２９０５号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが、従来のインプリント方法には、以下の問題点がある。すなわち、このインプリント方法では、同明細書のＦｉｇ．１Ａ，１Ｂおよび図２４に示すように、凹凸パターン１６ｘにおける各凹部１６ｂｘの深さが全域において均一となるように形成したスタンパー１０ｘを樹脂層２０ｘに押し付けることで凹凸パターン２４ｘを形成している。この場合、例えば、図２８に示す情報記録媒体１００ｘを製造するためのスタンパー１０ｘには、データトラックパターンを形成するための凹凸パターン１６ｘが形成されたデータトラックパターン形成領域Ａｔｓｘ（図２４参照）や、サーボパターンを形成するための凹凸パターン１６ｘが形成されたサーボパターン形成領域Ａｓｓｘ（図２４参照）などの各領域毎に、凸部１６ａｘに対する凹部１６ｂｘの面積比が相違するように凹凸パターン１６ｘが形成されている。
【０００６】
具体的には、例えば、サーボパターンにおけるバーストパターンの単位バースト領域（バーストパターンを構成する複数の略平行四辺形の領域、または、複数の略楕円形（円形を含む）の領域）に対応する領域が凸部１６ａｘで構成された凹凸パターン１６ｘを有するスタンパー１０ｘでは、バーストパターンを形成するためのバーストパターン形成領域Ａｂｓｘ（図２４参照）内における凸部１６ａｘに対する凹部１６ｂｘの面積比が、データトラックパターン形成領域Ａｔｓｘ内における凸部１６ａｘに対する凹部１６ｂｘの面積比よりも大きくなっている。したがって、図２４に示すように、インプリント処理に際して、例えば、データトラックパターン形成領域Ａｔｓｘ内の各凸部１６ａｘとバーストパターン形成領域Ａｂｓｘ内の各凸部１６ａｘとを互いに等しい長さだけ樹脂層２０ｘに対して押し込んだときに、データトラックパターン形成領域Ａｔｓｘ内においては、凸部１６ａｘの押し込みによって移動した樹脂材料によって凹部１６ｂｘ内が満たされた状態となる。これに対して、バーストパターン形成領域Ａｂｓｘ内においては、凸部１６ａｘの押し込みによって移動する樹脂材料の量が少ないため（押し込みによって移動する樹脂材料の量に対して凹部１６ｂｘの容積が大きいため）、凹部１６ｂｘ内が樹脂材料によって満たされずに、樹脂層２０ｘの上面と凹部１６ｂｘの底面との間に隙間が生じた状態となる。
【０００７】
この場合、データトラックパターン形成用の凹凸パターン１６ｘやサーボパターン形成用の凹凸パターン１６ｘなどが形成されている凹凸パターン形成領域Ａ１ｘ（図２６参照）内では、押し付け時にスタンパー１０ｘや基材１８ｘに生じた撓みに起因して、例えば、外周部Ａｏｘの凸部１６ａｘが矢印Ｃｏで示すように内周側に向けて移動すると共に、内周部Ａｉｘの凸部１６ａｘが矢印Ｃｉで示すように外周側に向けて移動することがある。一方、前述したように、例えばバーストパターン形成領域Ａｂｓｘ内においては、凸部１６ａｘを樹脂層２０ｘに押し込んだ状態において、図２４に示すように凹部１６ｂｘ内が樹脂材料によって満たされずに、樹脂層２０ｘの上面と凹部１６ｂｘの底面との間に隙間が生じた状態となる。この状態において、スタンパー１０ｘの例えば外周部Ａｏｘが上記の撓みに起因して基材１８ｘに対して矢印Ｃｏの向きで内周に向けて移動したときには、図２５に示すように、バーストパターン形成領域Ａｂｓｘにおける外周部Ａｏｘに形成された凹部１６ｂｘ内の樹脂材料が凹部１６ｂｘ内を移動して凸部１６ａｘの内周側の壁面に貼り付いた状態となる。
【０００８】
したがって、図２７に示すように、樹脂層２０ｘに転写された凹凸パターン２４ｘでは、バーストパターン形成領域Ａｂｓｘにおける外周部Ａｏｘに対応する部位（同図における左側の断面図）において、バーストパターン形成用の凸部１６ａｘにおける径方向の長さＬ１１ｘ（情報記録媒体における径方向に対応する長さ：図２５参照）よりも、上記の矢印Ｃｏの向きでスタンパー１０ｘの外周部Ａｏｘが移動した距離だけ凹部２４ｂｘの径方向の長さＬ１３ｘが長くなる。この結果、この凹凸パターン２４ｘをマスクとして用いて基材１８ｘをエッチング処理して情報記録媒体１００ｘを製造したときには、図２８に示すように、基材１８ｘに形成された凹凸パターン１０５ｘにおけるバーストパターンの外周側（同図における左側）において、その凹部１０５ｂｘの径方向の長さＬ１５ｘが本来の長さＬ１４ｘ（スタンパー１０ｘにおける凸部１６ａｘの径方向の長さＬ１１ｘに対応する長さ）よりも長くなる事態が生じる。
【０００９】
これに対して、図２５に示すように、データトラックパターン形成領域Ａｔｓｘ内においては、インプリント処理時に凸部１６ａｘを樹脂層２０ｘに押し込んだ際に樹脂材料によって凹部１６ｂｘ内が満たされた状態となる。このため、スタンパー１０ｘの例えば外周部Ａｏｘが上記の撓みに起因して基材１８ｘに対して矢印Ｃｏの向きで内周に向けて移動したとしても、凹部１６ｂｘ内の樹脂材料が凹部１６ｂｘと相補的な形状を保った状態が維持される。したがって、図２７に示すように、樹脂層２０ｘに転写された凹凸パターン２４ｘでは、データトラックパターン形成領域Ａｔｓｘにおける外周部Ａｏｘに対応する部位（同図における右側の断面図）において、凹部２４ｂｘの径方向の長さＬ１２ｘがスタンパー１０ｘにおけるデータトラックパターン形成用の凸部１６ａｘにおける径方向の長さＬ１１ｘ（図２５参照）と同じ長さとなる。この結果、この凹凸パターン２４ｘをマスクとして用いて基材１８ｘをエッチング処理した情報記録媒体１００ｘでは、図２８に示すように、基材１８ｘに形成された凹凸パターン１０５ｘにおけるデータトラックパターンの外周側（同図における右側）において、その凹部１０５ｂｘの径方向の長さＬ１４ｘが本来の長さ（スタンパー１０ｘにおける凸部１６ａｘの径方向の長さＬ１１ｘに対応する長さ）となる。
【００１０】
この場合、情報記録媒体１００ｘに対するトラッキングサーボ制御に際しては、バーストパターンの単位バースト領域における径方向の端部の位置、すなわち、スタンパー１０ｘにおけるバーストパターン形成領域Ａｂｓｘ内の凹凸パターン１６ｘの押し付け部位に形成された凹部１０５ｂｘにおける径方向の端部の位置と、データトラックパターンのデータ記録トラックにおける径方向の中心の位置、すなわち、スタンパー１０ｘにおけるデータトラックパターン形成領域Ａｔｓｘ内の凹凸パターン１６ｘの押し付け部位に形成された凸部１０５ａｘ（図２８参照）における径方向の中心の位置との位置関係が非常に重要となる。しかし、従来のインプリント方法によって形成した凹凸パターン２４ｘをマスクとして用いて製造した情報記録媒体１００ｘでは、そのバーストパターンに対応する領域の内周部および外周部において各凹部１０５ｂの径方向の長さＬ１５ｘが本来の長さＬ１４ｘよりも長くなるのに対し、そのデータトラックパターンに対応する領域においては、その内周部から外周部までの全域において各凹部１０５ｂの径方向の長さＬ１４ｘが本来の長さとなるように凹凸パターン１０５ｘが形成される。このため、単位バースト領域における径方向の端部の位置とデータ記録トラックにおける径方向の中心の位置との関係が情報記録媒体１００ｘの内周部および外周部において本来の位置関係とは相違する状態となる。この結果、内周部および外周部において正確なトラッキング制御が困難となるおそれがある。
【００１１】
なお、樹脂層２０ｘに対する押し付け時にスタンパー１０ｘや基材１８ｘに生じた撓みに起因して、径方向においてパターンのずれ（凹部の拡がり）が生じる例について説明したが、スタンパー１０ｘや基材１８ｘに生じる撓みの向きによっては、周方向においてパターンのずれ（凹部の拡がり）が生じることもある。このように、従来のインプリント方法には、基材１８ｘ上に凹凸パターン２４ｘを形成する際に、各凹部２４ｂｘの径方向の長さ、または、周方向の長さ（開口長）を所望の長さに形成するのが困難であるという問題点が存在する。
【００１２】
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、所望の開口長の凹部を有する凹凸パターンを高精度で形成し得るスタンパー、凹凸パターン形成方法および情報記録媒体製造方法を提供することを主目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的を達成すべく本発明に係るスタンパーは、データトラックパターンおよびサーボパターンが凹凸パターンで形成された情報記録媒体を製造可能にスタンパー側凹凸パターンが形成され、前記サーボパターンにおけるバーストパターンの領域に対応するバーストパターン形成領域内の凸部に対する凹部の面積比よりも、前記データトラックパターンの領域に対応するデータトラックパターン形成領域内の凸部に対する凹部の面積比が大きくなるように形成され、かつ、前記バーストパターン形成領域内の前記凹部の深さよりも前記データトラックパターン形成領域内の前記凹部の深さが浅くなるように形成されると共に、前記データトラックパターン形成領域内の前記凸部の面積を前記凹部の面積で除した値をＲ１とし、前記バーストパターン形成領域内の前記凸部の面積を前記凹部の面積で除した値をＲ２とし、前記データトラックパターン形成領域内の凹部の深さをＤ１とし、前記バーストパターン形成領域内の凹部の深さをＤ２としたときに、Ｄ１≧（１＋Ｒ１）／（１＋Ｒ２）×Ｄ２の条件を満たし、かつ、前記各凸部の突端部がほぼ面一になるように前記スタンパー側凹凸パターンが形成されている。なお、本明細書における「凸部に対する凹部の面積比」とは、凹部の面積を凸部の面積で除した値を意味する。また、本明細書における「凹部の深さ」とは、凹部の周囲に形成された凸部の突端と凹部の底面との間の距離を意味する。
【００１６】
また、本発明に係るスタンパーは、データトラックパターンおよびサーボパターンが凹凸パターンで形成された情報記録媒体を製造可能にスタンパー側凹凸パターンが形成され、前記データトラックパターンの領域に対応するデータトラックパターン形成領域内の凸部に対する凹部の面積比よりも、前記サーボパターンにおけるバーストパターンの領域に対応するバーストパターン形成領域内の凸部に対する凹部の面積比が大きくなるように、かつ、前記データトラックパターン形成領域内の前記凹部の深さよりも前記バーストパターン形成領域内の前記凹部の深さが浅くなるように形成されると共に、前記データトラックパターン形成領域内の前記凸部の面積を前記凹部の面積で除した値をＲ１とし、前記バーストパターン形成領域内の前記凸部の面積を前記凹部の面積で除した値をＲ２とし、前記データトラックパターン形成領域内の凹部の深さをＤ１とし、前記バーストパターン形成領域内の凹部の深さをＤ２としたときに、Ｄ２≦（１＋Ｒ２）／（１＋Ｒ１）×Ｄ１の条件を満たし、かつ、前記各凸部の突端部がほぼ面一になるように前記スタンパー側凹凸パターンが形成されている。
【００２０】
また、本発明に係る凹凸パターン形成方法は、基材の表面に樹脂材料を塗布して形成した樹脂層に上記のいずれかのスタンパーにおける前記スタンパー側凹凸パターンを押し付けるスタンパー押付け処理と、前記樹脂層から前記スタンパーを剥離するスタンパー剥離処理とをこの順で実行して、前記スタンパー側凹凸パターンの凹凸形状を前記樹脂層に転写する。
【００２１】
また、本発明に係る情報記録媒体製造方法は、上記の凹凸パターン形成方法によって前記樹脂層に転写した凹凸パターンを用いて情報記録媒体を製造する。
【発明の効果】
【００２５】
本発明に係るスタンパーによれば、バーストパターン形成領域内の凸部に対する凹部の面積比よりも、データトラックパターン形成領域内の凸部に対する凹部の面積比が大きくなるように、かつ、バーストパターン形成領域内の凹部の深さよりもデータトラックパターン形成領域内の凹部の深さが浅くなるようにスタンパー側凹凸パターンを形成したことにより、凸部の押し込みによって移動する樹脂材料の量がバーストパターン形成領域内よりも少ないデータトラックパターン形成領域について、バーストパターン形成領域と同様にして、樹脂層の上面と凹部の底面との間に生じる隙間を十分に小さくする、または、凹部内を樹脂材料で満たす（隙間が生じる事態を回避する）ことができる。したがって、ガードバンド部（またはデータ記録トラック）に対応する凹部における径方向の長さや周方向の長さが過剰に拡がる事態を回避することができる。
【００２６】
また、データトラックパターン形成領域内の凸部の面積を凹部の面積で除した値をＲ１とし、バーストパターン形成領域内の凸部の面積を凹部の面積で除した値をＲ２とし、データトラックパターン形成領域内の凹部の深さをＤ１とし、バーストパターン形成領域内の凹部の深さをＤ２としたときに、Ｄ１≧（１＋Ｒ１）／（１＋Ｒ２）×Ｄ２の条件を満たすようにスタンパー側凹凸パターンを形成したことにより、データトラックパターン形成領域およびバーストパターン形成領域の双方について、スタンパー押付け処理に際して各凹部内を樹脂材料で満たすことができる。
【００２７】
また、本発明に係るスタンパーによれば、データトラックパターン形成領域内の凸部に対する凹部の面積比よりも、バーストパターン形成領域内の凸部に対する凹部の面積比が大きくなるように、かつ、データトラックパターン形成領域内の凹部の深さよりもバーストパターン形成領域内の凹部の深さが浅くなるようにスタンパー側凹凸パターンを形成したことにより、単位バースト領域に対応する部位を凸部で構成したことで凸部の押し込みによって移動する樹脂材料の量がデータトラックパターン形成領域よりも少ないバーストパターン形成領域について、データトラックパターン形成領域と同様にして、樹脂層の上面と凹部の底面との間に生じる隙間を十分に小さくする、または、凹部内を樹脂材料で満たす（隙間が生じる事態を回避する）ことができる。したがって、単位バースト領域に対応する凹部における径方向の長さや周方向の長さが過剰に拡がる事態を回避することができる。
【００２８】
また、データトラックパターン形成領域内の凸部の面積を凹部の面積で除した値をＲ１とし、バーストパターン形成領域内の凸部の面積を凹部の面積で除した値をＲ２とし、データトラックパターン形成領域内の凹部の深さをＤ１とし、バーストパターン形成領域内の凹部の深さをＤ２としたときに、Ｄ２≦（１＋Ｒ２）／（１＋Ｒ１）×Ｄ１の条件を満たすようにスタンパー側凹凸パターンを形成したことにより、データトラックパターン形成領域およびバーストパターン形成領域の双方について、スタンパー押付け処理に際して各凹部内を樹脂材料で満たすことができる。
【００２９】
また、本発明に係る凹凸パターン形成方法によれば、上記のいずれかのスタンパーを用いたスタンパー押付け処理と、スタンパー剥離処理とをこの順で実行して、スタンパー側凹凸パターンの凹凸形状を樹脂層に転写することにより、スタンパー押付け処理に際して、スタンパーの全域において樹脂層の上面と凹部の底面との間に生じる隙間を十分に小さくする、または、各凹部内を樹脂材料で満たす（隙間が生じる事態を回避する）ことができる。したがって、樹脂層の全域において凹部の径方向の長さや周方向の長さが過剰に拡がる事態を回避して、高精度で凹凸パターンを形成することができる。
【００３０】
また、本発明に係る情報記録媒体製造方法によれば、上記の凹凸パターン形成方法によって樹脂層に転写した凹凸パターンを用いて情報記録媒体を製造することにより、例えば、バーストパターンにおける単位バースト領域の径方向の端部とデータ記録トラックの中心との位置関係を情報記録媒体の全域において所望の位置関係とすることができる。したがって、この情報記録媒体では、正確なトラッキングサーボ制御が可能となる結果、記録再生エラーの発生を回避することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下、添付図面を参照して、本発明に係るスタンパー、凹凸パターン形成方法および情報記録媒体製造方法の最良の形態について説明する。
【００３２】
最初に、本発明に係るスタンパーについて、図面を参照して説明する。
【００３３】
図１に示すスタンパー１は、本発明に係る情報記録媒体製造方法に従って図２１に示す情報記録媒体４０を製造可能に構成されたインプリント用の原盤であって、全体として円板状に形成されている。この場合、情報記録媒体４０は、データトラックパターンおよびサーボパターンの双方が凹凸パターン４１で形成されたディスクリートトラック型の磁気記録媒体であって、データトラックパターン領域およびサーボパターン領域が回転方向（周方向）において交互に並ぶように規定されている。
【００３４】
一方、図１，２に示すように、スタンパー１は、データトラックパターンを形成するための凸部５ａおよび複数の凹部５ｂ（図２参照）を有する凹凸パターン５ｔ（本発明における「スタンパー側凹凸パターン」の一例）が形成されたデータトラックパターン形成領域Ａｔｓと、サーボパターンを形成するための複数の凸部５ａおよび複数の凹部５ｂ（図２参照）を有する凹凸パターン５ｓ（本発明における「スタンパー側凹凸パターン」の他の一例）が形成されたサーボパターン形成領域Ａｓｓとが情報記録媒体４０における回転方向（周方向）に対応する向き（図１に示す矢印Ｒの向き）おいて交互に並ぶように規定されている。この場合、このスタンパー１の凹凸パターン５ｔ，５ｓ（以下、「凹凸パターン５」ともいう）は、情報記録媒体４０における凹凸パターン４１の各凹部４１ｂに対応して各凸部５ａが形成されると共に、凹凸パターン４１の各凸部４１ａに対応して各凹部５ｂが形成されている。なお、図２では、本発明についての理解を容易とするために、各凸部５ａおよび各凹部５ｂの長さや形状を実際とは異なる長さや形状で図示している。また、本明細書では、情報記録媒体の回転方向に対応する向きにおいて並ぶ２つのデータトラックパターン形成領域Ａｔｓによって挟まれた領域（１つのデータトラックパターン形成領域Ａｔｓにおける回転方向に対して下流側の端部から、他の１つのデータトラックパターン形成領域Ａｔｓにおける回転方向に対して上流側の端部までの間の領域）をサーボパターン形成領域Ａｓｓとする。
【００３５】
この場合、図３に示すように、データトラックパターン形成領域Ａｔｓに形成された凸部５ａは、所定の配列ピッチで互いに分割された同心円状の数多くのガードバンド部を形成するための凸部であって、情報記録媒体４０の周方向（回転方向：矢印Ｒの向き）に対応する向きに沿って連続的に形成されて周方向に長い帯状に形成されている。この凸部５ａは、スタンパー１の内周部Ａｉから外周部Ａｏまで情報記録媒体４０の径方向に沿った各凸部５ａの長さ（以下、「径方向の長さ」ともいう）Ｌ１ａが互いに等しくなるように形成されている。また、データトラックパターン形成領域Ａｔｓに形成された凹部５ｂは、所定の配列ピッチで互いに分割された同心円状の数多くのデータ記録用トラックを形成するための凹部であって、一例として、スタンパー１の内周部Ａｉから外周部Ａｏまで径方向の各凹部５ｂの長さＬ１ｂが互いに等しく、かつ凸部５ａの長さＬ１ａと等しくなるように形成されている。したがって、このスタンパー１におけるデータトラックパターン形成領域Ａｔｓ内の凹凸パターン５ｔでは、内周部Ａｉにおける領域Ａ１ｉ、中周部Ａｃにおける領域Ａ１ｃ、および外周部Ａｏにおける領域Ａ１ｏの各領域（一例として、その周方向の長さがプリアンブルパターンにおける一組の凸部および凹部の周方向の長さで、その径方向の長さが１トラックピッチに対応する長さの平面視平行四辺形の領域）内において、凸部５ａに対する凹部５ｂの面積比が互いに等しくなっている。
【００３６】
また、図２に示すように、サーボパターン形成領域Ａｓｓには、プリアンブルパターンを形成するための凹凸パターン５ｓが形成されたプリアンブルパターン形成領域Ａｐｓと、アドレスパターンを形成するための凹凸パターン５ｓが形成されたアドレスパターン形成領域と（図示せず）、バーストパターンを形成するための凹凸パターン５ｓが形成されたバーストパターン形成領域Ａｂｓとが規定されている。さらに、バーストパターン形成領域Ａｂｓ内には、情報記録媒体４０のバーストパターンにおける各信号領域に対応する領域Ａｂ１ｓ〜Ａｂ４ｓの４つの領域が規定されている。
【００３７】
この場合、図４に示すように、プリアンブルパターン形成領域Ａｐｓに形成された凸部５ａは、プリアンブルパターン（凹凸パターン４１）における凹部４１ｂを形成するための凸部であって、情報記録媒体４０の径方向に対応する向きに沿って連続的に形成されて径方向に長い帯状に形成されている。この凸部５ａは、情報記録媒体４０における周方向に沿った長さ（以下、「周方向の長さ」ともいう）Ｌ２ａｉ，Ｌ２ａｃ，Ｌ２ａｏ（以下、区別しないときには「長さＬ２ａ」ともいう）がスタンパー１の内周部Ａｉから外周部Ａｏに向けて徐々に長くなるように形成されている。また、プリアンブルパターン形成領域Ａｐｓに形成された凹部５ｂは、プリアンブルパターン（凹凸パターン４１）における凸部４１ａを形成するための凹部であって、情報記録媒体４０における周方向に沿った長さ（以下、「周方向の長さ」ともいう）Ｌ２ｂｉ，Ｌ２ｂｃ，Ｌ２ｂｏ（以下、区別しないときには「長さＬ２ｂ」ともいう）がスタンパー１の内周部Ａｉから外周部Ａｏに向けて徐々に長くなるように形成されている。この場合、凸部５ａの長さＬ２ａと、凹部５ｂの長さＬ２ｂとは、一例として、同一半径位置において互いに等しくなるように規定されている。したがって、このスタンパー１におけるプリアンブルパターン形成領域Ａｐｓ内の凹凸パターン５ｓでは、内周部Ａｉにおける領域Ａ２ｉ、中周部Ａｃにおける領域Ａ２ｃ、および外周部Ａｏにおける領域Ａ２ｏの各領域（一例として、その周方向の長さがプリアンブルパターンにおける一組の凸部および凹部の周方向の長さで、その径方向の長さが２トラックピッチに対応する長さの平面視平行四辺形の領域）内において、凸部５ａに対する凹部５ｂの面積比が互いに等しくなっている。
【００３８】
また、図５に示すように、バーストパターン形成領域Ａｂｓに形成された凸部５ａは、バーストパターン（凹凸パターン４１）における凹部４１ｂ（単位バースト領域）を形成するための凸部であって、情報記録媒体４０における周方向に沿った長さ（以下、「周方向の長さ」ともいう）Ｌ３ａｉ，Ｌ３ａｃ，Ｌ３ａｏ（以下、区別しないときには「長さＬ３ａ」ともいう）がスタンパー１の内周部Ａｉから外周部Ａｏに向けて徐々に長くなるように形成されている。また、バーストパターン形成領域Ａｂｓに形成された凹部５ｂは、バーストパターン（凹凸パターン４１）における凸部４１ａを形成するための凹部であって、周方向において隣り合う２つの凸部５ａの間の周方向の長さＬ３ｂｉ，Ｌ３ｂｃ，Ｌ３ｂｏ（以下、区別しないときには「長さＬ３ｂ」ともいう）がスタンパー１の内周部Ａｉから外周部Ａｏに向けて徐々に長くなるように形成されている。この場合、凸部５ａの長さＬ３ａと、凹部５ｂの長さＬ３ｂとは、一例として、同一半径位置において互いに等しくなるように規定されている。したがって、このスタンパー１におけるバーストパターン形成領域Ａｂｓ内の凹凸パターン５ｓでは、内周部Ａｉにおける領域Ａ３ｉ、中周部Ａｃにおける領域Ａ３ｃおよび外周部Ａｏにおける領域Ａ３ｏの各領域（一例として、その周方向の長さが単位バースト領域に対応する凸部の周方向の長さと、その凸部の周方向における間の凹部の周方向の長さとの合計長で、その径方向の長さが２トラックピッチに対応する長さの平面視平行四辺形の領域）内において、凸部５ａに対する凹部５ｂの面積比が互いに等しくなっている。
【００３９】
この場合、図６に示すように、このスタンパー１では、凹凸パターン５を構成する各凸部５ａの突端部がほぼ面一になるように形成されている。なお、同図および後に参照する図７〜１６，１８〜２１では、本発明についての理解を容易とするために、各凸部や各凹部について、その長さ、高さ（深さ）および形状を実際とは相違する長さ、高さ（深さ）および形状で図示している。また、このスタンパー１では、凸部５ａに対する凹部５ｂの面積比（以下、単に「面積比」ともいう）が大きい領域ほど凹部５ｂの深さが浅くなり、面積比が等しい領域同士では凹部５ｂの深さが互いに等しい深さとなるように形成されている。具体的には、データトラックパターン形成領域Ａｔｓ内では、領域Ａ１ｉ，Ａ１ｃ，Ａ１ｏのすべてにおいて面積比が１となっている。また、プリアンブルパターン形成領域Ａｐｓ内では、領域Ａ２ｉ，Ａ２ｃ，Ａ２ｏのすべてにおいて面積比が１となっている。したがって、データトラックパターン形成領域Ａｔｓ内の凹部５ｂの深さＤ１と、プリアンブルパターン形成領域Ａｐｓ内の凹部５ｂの深さ（図示せず）とは互いに等しい深さに規定されている。一方、バーストパターン形成領域Ａｂｓ内では、領域Ａ３ｉ，Ａ３ｃ，Ａ３ｏのすべてにおいて面積比が３となっている。したがって、バーストパターン形成領域Ａｂｓ内の凹部５ｂの深さＤ２は、データトラックパターン形成領域Ａｔｓ内の凹部５ｂの深さＤ１やプリアンブルパターン形成領域Ａｐｓ内の凹部５ｂの深さよりも浅くなるように規定されている。
【００４０】
次に、スタンパー１の製造方法について、図面を参照して説明する。なお、本発明についての理解を容易とするために、サーボパターン形成領域Ａｓｓのうちのプリアンブルパターン形成領域Ａｐｓおよびバーストパターン形成領域Ａｂｓ、並びにデータトラックパターン形成領域Ａｔｓについてのみ説明し、その他のパターン形成領域についての説明を省略する。
【００４１】
まず、図７に示すように、表面が平坦となるように研磨したシリコン製の基材１１にレジスト（一例として、日本ゼオン株式会社製：ＺＥＰ５２０Ａ）をスピンコートすることにより、基材１１の表面のレジスト層１２を形成する。なお、スタンパー１の製造に際して用いる基材はシリコン製の基材に限定されず、ガラス基材やセラミック基材等の各種基材を用いることができる。また、レジスト層１２を形成するためのレジストについても上記のレジストに限定されず、任意のレジスト材を用いることができる。次いで、電子ビームリソグラフィ装置を用いてレジスト層１２に電子線を照射して所望の露光パターン（この例では、バーストパターン形成領域Ａｂｓ内の各凹部５ｂに対応するパターン）を描画する。続いて、この状態のレジスト層１２を現像処理することによって潜像１２ａの部位を消失させる。これにより、図８に示すように、潜像１２ａの部位に凹部１３ｂが形成され、基材１１の上に凹凸パターン１３が形成される。次いで、凹凸パターン１３が形成されたレジスト層１２をマスクとして用いて凹部１３ｂの底面においてレジスト層１２から露出している基材１１をエッチング処理することにより、図９に示すように、基材１１に複数の凹部１４ｂを有する凹凸パターン１４を形成する。この際には、凹部１４ｂの深さＤ１２（基材１１の表面と凹部１４ｂの底面との間の距離）が製造目標のスタンパー１におけるバーストパターン形成領域Ａｂｓ内の凹部５ｂの深さＤ２と等しくなるようにエッチング処理を行う。
【００４２】
次いで、基材１１上に残存しているレジスト層１２を除去した後に、凹凸パターン１４の形成が完了した基材１１にレジストをスピンコートすることにより、図１０に示すように、基材１１の表面にレジスト層１５を形成する。続いて、電子ビームリソグラフィ装置を用いてレジスト層１５に電子線を照射して所望の露光パターン（この例では、データトラックパターン形成領域Ａｔｓ内の各凹部５ｂ、およびプリアンブルパターン形成領域Ａｐｓ内の各凹部５ｂに対応するパターン）を描画する。次いで、この状態のレジスト層１５を現像処理することによって潜像１５ａの部位を消失させる。これにより、図１１に示すように、潜像１５ａの部位に凹部１６ｂが形成され、基材１１の上に凹凸パターン１６が形成される。続いて、凹凸パターン１６が形成されたレジスト層１５をマスクとして用いて凹部１６ｂの底面においてレジスト層１５から露出している基材１１をエッチング処理することにより、図１２に示すように、基材１１に複数の凹部１７ｂを有する凹凸パターン１７を形成する。この際には、凹部１７ｂの深さＤ１１（基材１１の表面と凹部１７ｂの底面との間の距離）が製造目標のスタンパー１におけるデータトラックパターン形成領域Ａｔｓ内の凹部５ｂの深さＤ１およびプリアンブルパターン形成領域Ａｐｓ内の凹部５ｂの深さと等しくなるようにエッチング処理を行う。この後、基材１１上に残存しているレジスト層１５を除去することにより、図１３に示すように、スタンパー１を製造するための原盤１８が完成する。
【００４３】
続いて、原盤１８における凹凸パターン１４，１７の形成面にニッケルを蒸着処理することによって導電膜を形成した後に（図示せず）、この導電膜を電極として使用して電鋳処理を実行することにより、図１４に示すように、基材１１の凹凸パターン形成面（同図における上面）にニッケル層１９を形成する。次いで、電極膜およびニッケル層１９の積層体を基材１１（原盤１８）から剥離する。これにより、図１５に示すように、原盤１８の凹凸パターン１４，１７が電極膜およびニッケル層１９に転写されて凹凸パターン２１，２２を有する原盤２０が形成される。この場合、この原盤２０における凹凸パターン２１，２２では、原盤１８における各凸部１４ａ，１７ａ（図１３参照）に対応して各凹部２１ｂ，２２ｂが形成され、原盤１８における各凹部１４ｂ，１７ｂ（図１３参照）に対応して各凸部２１ａ，２２ａが形成されている。したがって、凸部２１ａの高さＨ２は、原盤１８における凹部１４ｂの深さＤ１２と等しく、凸部２２ａの高さＨ１は、原盤１８における凹部１７ｂの深さＤ１１と等しくなっている。
【００４４】
次いで、原盤２０における凹凸パターン２１，２２の形成面に対して電鋳処理を実行することにより、図１６に示すように、原盤２０の凹凸パターン形成面（同図における下面）にニッケル層２５を形成する。続いて、ニッケル層２５を原盤２０から剥離する。この後、ニッケル層２５における凹凸パターン形成面の裏面側を研磨処理することにより、図６に示すように、スタンパー１が完成する。この場合、スタンパー１における凹凸パターン５では、原盤２０における各凸部２１ａに対応してバーストパターン形成領域Ａｂｓ内に各凹部５ｂが形成されると共に、原盤２０における各凸部２２ａに対応してデータトラックパターン形成領域Ａｔｓおよびプリアンブルパターン形成領域Ａｐｓ内に各凹部５ｂが形成されている。また、この凹凸パターン５では、原盤２０における各凹部２１ｂに対応してバーストパターン形成領域Ａｂｓ内に各凸部５ａが形成されると共に、原盤２０における各凹部２１ｂに対応してデータトラックパターン形成領域Ａｔｓおよびプリアンブルパターン形成領域Ａｐｓ内に各凸部５ａが形成されている。したがって、バーストパターン形成領域Ａｂｓ内の凹部５ｂの深さＤ２は、原盤２０における凸部２１ａの高さＨ２と等しく、データトラックパターン形成領域Ａｔｓおよびプリアンブルパターン形成領域Ａｐｓ内の凹部５ｂの深さＤ１は、原盤２０における凸部２２ａの高さＨ１と等しくなっている。
【００４５】
続いて、本発明に係る凹凸パターン形成方法に従い、上記したスタンパー１を用いて情報記録媒体４０を製造するための中間体３０の上に凹凸パターンを形成する工程について、図面を参照して説明する。
【００４６】
まず、図１７に示すように、一例として、アルミナ、シリコン、ガラスまたはセラミック等で円板状に形成された基材３１の上に磁性層３２を形成した中間体３０の上に樹脂材料を塗布することにより、中間体３０の上に樹脂層３３を形成する。この際には、後述するスタンパー押付け処理時に樹脂層３３にスタンパー１の凹凸パターン５を押し付けた際に、凹凸パターン５の全域において各凹部５ｂ内が樹脂材料で満たされ（スタンパー１の全域において樹脂材料で各凹部５ｂ内が満たされる厚み）、かつ、データトラックパターン形成領域Ａｔｓやプリアンブルパターン形成領域Ａｐｓのように凸部５ａに対する凹部５ｂの面積比が小さい領域において厚手の残渣が生じない程度の厚みとなるように樹脂材料の塗布量を調整する。この場合、樹脂層３３を形成する樹脂材料については、後述するようにスタンパー１を剥離した際に形成される凹凸パターン３４，３５（図１９参照）の凹凸形状が良好となることから、一例として、ポリスチレン系樹脂、メタクリル樹脂（ＰＭＭＡ）等のアクリル系樹脂、ポリスチレン、フェノール系樹脂、エポキシ系樹脂およびノボラック系樹脂などを用いるのが好ましい。なお、樹脂層３３を形成する中間体３０には、実際には、基材３１と磁性層３２との間に軟磁性層や配向層等の各種機能層が存在するが、本発明についての理解を容易とするために、これらについての説明および図示を省略する。また、この例では、基材３１および磁性層３２によって本発明における基材が構成されている。
【００４７】
次いで、樹脂層３３が形成された中間体３０およびスタンパー１をプレス機（図示せず）にセットする。具体的には、樹脂層３３の形成面を上向きにして中間体３０をプレス機に取り付けると共に、凹凸パターン５の形成面を下向きにしてスタンパー１をプレス機に取り付ける。この際に、後述するように、樹脂層３３からの剥離に際してスタンパー１に対する樹脂材料の付着を防止するために、スタンパー１における凹凸パターン５の表面に例えばフッ素系材料のコーティング処理を施して密着力軽減膜を形成するのが好ましい。なお、密着力軽減膜を形成する材料については、フッ素系材料のコーティング材に限定されず、樹脂層３３との密着力を軽減し得る各種材料を採用することができる。続いて、中間体３０（樹脂層３３）およびスタンパー１の双方を加熱する。この際には、樹脂層３３およびスタンパー１の双方が、樹脂層３３を形成しているノボラック系樹脂のガラス転移点（この例では、約７０℃）よりも１００℃程度高温の１７０℃程度となるように加熱処理する。これにより、樹脂層３３が軟化して容易に変形可能な状態となる。この場合、樹脂材料のガラス転移点に対して７０℃以上１２０℃以下の範囲内で高温となるように加熱するのが好ましく、１００℃以上高温となるように加熱するのが一層好ましい。これにより、後述するように、樹脂層３３に対するスタンパー１の押し付けを容易に行うことができる。
【００４８】
次いで、図１８に示すように、プレス機を作動させて中間体３０における樹脂層３３にスタンパー１の凹凸パターン５を押し付ける（本発明におけるスタンパー押付け処理）。この際には、一例として、スタンパー１の全域に亘って３４ｋＮの荷重をかけた状態を５分間に亘って維持する。また、プレス機によってスタンパー１を中間体３０（樹脂層３３）に押し付けている間に、樹脂層３３およびスタンパー１の温度が低下しないように加熱処理を継続して実行するのが好ましい。具体的には、スタンパー押付け処理の実行中において、１７０℃±１℃の範囲内の温度に（一例として、温度変化が±０．２℃の範囲内の温度に）維持するのが好ましい。続いて、加熱処理を継続しつつ（１７０℃±１℃の範囲内の温度を維持しつつ）、中間体３０（樹脂層３３）からスタンパー１を剥離する（本発明におけるスタンパー剥離処理）。これにより、図１９に示すように、スタンパー１における凹凸パターン５の凹凸形状が中間体３０上の樹脂層３３に転写されることで樹脂層３３に凹凸パターン３４，３５が形成される。この場合、凹凸パターン３４，３５における凸部３４ａ，３５ａは、スタンパー１における凹凸パターン５の凹部５ｂに対応して形成され、凹部３４ｂ，３５ｂは、凸部５ａに対応して形成されている。以上により、インプリント処理が完了する。
【００４９】
この場合、このインプリント処理時に用いるスタンパー１は、前述したように、凸部５ａに対する凹部５ｂの面積比が大きい領域ほど凹部５ｂの深さが浅くなるように凹凸パターン５が形成されている。具体的には、凹凸パターン５は、プリアンブルパターン形成領域Ａｐｓ内の凸部５ａに対する凹部５ｂの面積比よりも、バーストパターン形成領域Ａｂｓ内の凸部５ａに対する凹部５ｂの面積比が大きくなるように形成され、かつ、プリアンブルパターン形成領域Ａｐｓ内の凹部５ｂの深さよりもバーストパターン形成領域Ａｂｓ域内の凹部５ｂの深さが浅くなるように形成されている。また、凹凸パターン５は、データトラックパターン形成領域Ａｔｓ内の凸部５ａに対する凹部５ｂの面積比よりも、バーストパターン形成領域Ａｂｓ内の凸部５ａに対する凹部５ｂの面積比が大きくなるように形成され、かつ、データトラックパターン形成領域Ａｔｓ内の凹部５ｂの深さよりもバーストパターン形成領域Ａｂｓ内の凹部５ｂの深さが浅くなるように形成されている。
【００５０】
したがって、図１８に示すように、樹脂層３３に対する各凸部５ａの押し込みによって移動する樹脂材料の量が少ない領域（例えば、バーストパターン形成領域Ａｂｓ）内においても、各凸部５ａの押し込みによって移動させられた樹脂材料によって各凹部５ｂ内が満たされた状態となる。このため、スタンパー押付け処理時におけるスタンパー１や基材３１の撓みに起因してスタンパー１の外周部Ａｏや内周部Ａｉが図１に示す矢印Ｃｏ，Ｃｉの向きに移動したとしても、凹部５ｂ内の樹脂材料が凸部５ａの側面に貼り付くようにして凹部５ｂ内を移動する事態が回避される。この結果、図１９に示すように、凹凸パターン３４（バーストパターン形成領域Ａｂｓ内の凹凸パターン５を転写した凹凸パターン）における各凹部３４ｂが径方向に拡がる事態が回避され、各凹部３４ｂの径方向の長さＬ１２ｓがスタンパー１におけるバーストパターン形成領域Ａｂｓ内の各凸部５ａにおける径方向の長さＬ１１ｓ（図６参照）とほぼ等しい長さ（所望の長さ）となる。なお、凹凸パターン３５（データトラックパターン形成領域Ａｔｓ内の凹凸パターン５を転写した凹凸パターン）における各凹部３５ｂについては、その径方向の長さＬ１２ｔがスタンパー１におけるデータトラックパターン形成領域Ａｔｓ内の各凸部５ａにおける径方向の長さＬ１１ｔ（図６参照）とほぼ等しい長さ（所望の長さ）となる。
【００５１】
この場合、スタンパー押付け処理時においてスタンパー１の凹部５ｂ内に入り込む樹脂材料の量（凹部５ｂ内に形成される凸部３４ａや凸部３５ａの高さ）は、樹脂層３３に対して凸部５ａを押し込んだ深さと、凸部５ａの押し込みによって凸部５ａの押し込み部位から凹部５ｂ内に移動した樹脂材料によって形成される凸部高さとの和となる。この場合、凸部５ａの押し込みによって押し込み部位から凹部５ｂ内に移動した樹脂材料によって形成される凸部の高さは、「凸部５ａの押し込み深さ」×「凸部５ａの面積」／「凹部５ｂの面積」となる。したがって、「凸部５ａの押し込み深さ」＋「凸部５ａの押し込み深さ」×「凸部５ａの面積」／「凹部５ｂの面積」と凹部５ｂの深さとを等しくすることにより、各凹部５ｂ内を樹脂材料で満たすことが可能となる。
【００５２】
具体的には、例えば、データトラックパターン形成領域Ａｔｓ内の凸部５ａの面積を凹部５ｂの面積で除した値をＲ１とし、バーストパターン形成領域Ａｂｓ内の凸部５ａの面積を凹部５ｂの面積で除した値をＲ２とし、データトラックパターン形成領域Ａｔｓ内の凹部５ｂの深さをＤ１とし、バーストパターン形成領域Ａｂｓ内の凹部５ｂの深さをＤ２とし、各凸部５ａの押し込み深さをＡとしたときに、スタンパー押付け処理時にデータトラックパターン形成領域Ａｔｓ内の凹部５ｂ、およびバーストパターン形成領域Ａｂｓ内の凹部５ｂを樹脂材料で満たすためには、
Ｄ１＝Ａ＋Ａ×Ｒ１、Ｄ２＝Ａ＋Ａ×Ｒ２
の条件を満たせばよい。したがって、
Ｄ２＝（１＋Ｒ２）／（１＋Ｒ１）×Ｄ１
の条件を満たすようにバーストパターン形成領域Ａｂｓ内の凹部５ｂの深さＤ２を規定することにより、スタンパー押付け処理時においてデータトラックパターン形成領域Ａｔｓ内の凹部５ｂが樹脂材料で満たされれば、バーストパターン形成領域Ａｂｓ内の凹部５ｂについてもデータトラックパターン形成領域Ａｔｓ内の凹部５ｂと同様にして樹脂材料で満たすことが可能となる。
【００５３】
この場合、スタンパー１では、情報記録媒体４０におけるデータトラックパターン領域およびサーボパターン領域に対応してデータトラックパターン形成領域Ａｔｓおよびサーボパターン形成領域Ａｓｓが規定されているため、データトラックパターン形成領域Ａｔｓの面積がサーボパターン形成領域Ａｓｓの面積に対して極めて広くなっている。したがって、データトラックパターン形成領域Ａｔｓについては、プレス機等によって加えられた力によって例えばスタンパー１に凹部５ｂの深さ方向の撓みが生じ、各凸部５ａが樹脂層３３に対して十分に奥深くまで押し込まれる。このため、各凹部５ｂの深さＤ１を上記の「Ａ＋Ａ×Ｒ１」よりも深く規定したとしても、その凹部５ｂ内を樹脂材料で満たすことが可能となっている。これに対して、サーボパターン形成領域Ａｓｓの面積は、データトラックパターン形成領域Ａｔｓの面積に対して極めて狭くなっているため、プレス機等によって加えられた力による凹部５ｂの深さ方向の撓みが生じ難くなっている。このため、サーボパターン形成領域Ａｓｓ（バーストパターン形成領域Ａｂｓ）内の各凹部５ｂの深さＤ２を上記の「Ａ＋Ａ×Ｒ２」よりも深く規定したときには、その凹部５ｂ内を樹脂材料で満たすことが困難となっている。
【００５４】
また、サーボパターン形成領域Ａｓｓの面積がデータトラックパターン形成領域Ａｔｓの面積に対して極めて狭いため、データトラックパターン形成領域Ａｔｓ内の各凸部５ａを樹脂層３３に対して十分に押し込むことができない状態では、サーボパターン形成領域Ａｓｓ内の凸部５ａについても樹脂層３３に対して十分に押し込むことが困難となる。このため、サーボパターン形成領域Ａｓｓ内の各凸部５ａの十分な押し込みが完了するのに先立ってデータトラックパターン形成領域Ａｔｓ内の各凹部５ｂが樹脂材料で満たされた時点でスタンパー押し付け処理が完了する事態、つまりサーボパターン形成領域Ａｓｓ（バーストパターン形成領域Ａｂｓ）内の各凹部５ｂ内が樹脂材料で満たされることなくスタンパー押し付け処理が完了する事態を回避すべく、バーストパターン形成領域Ａｂｓ内の各凹部５ｂの深さＤ２を上記の「Ａ＋Ａ×Ｒ２」よりもある程度浅く規定するのが好ましい。したがって、
Ｄ２≦（１＋Ｒ２）／（１＋Ｒ１）×Ｄ１
の条件を満たすようにバーストパターン形成領域Ａｂｓ内の凹部５ｂの深さＤ２を規定することにより、データトラックパターン形成領域Ａｔｓ内の各凹部５ｂ、およびバーストパターン形成領域Ａｂｓ内の各凹部５ｂ内を樹脂材料で確実に満たすことが可能となる。
【００５５】
また、プリアンブルパターン形成領域Ａｐｓ内の凸部５ａの面積を凹部５ｂの面積で除した値をＲ３としプリアンブルパターン形成領域Ａｐｓ内の凹部５ｂの深さをＤ３とし、プリアンブルパターン形成領域Ａｐｓおよびバーストパターン形成領域Ａｂｓ内の各凸部５ａの押し込み深さをＡとしたときには、
Ｄ３＝Ａ＋Ａ×Ｒ３、Ｄ２＝Ａ＋Ａ×Ｒ２
となる。したがって、
Ｄ２＝（１＋Ｒ２）／（１＋Ｒ３）×Ｄ３
の条件を満たすようにバーストパターン形成領域Ａｂｓ内の凹部５ｂの深さＤ２を規定することにより、スタンパー押付け処理時においてプリアンブルパターン形成領域Ａｐｓ内の凹部５ｂが樹脂材料で満たされれば、バーストパターン形成領域Ａｂｓ内の凹部５ｂについても樹脂材料で満たすことが可能となる。
【００５６】
次に、本発明に係る情報記録媒体製造方法に従って情報記録媒体４０を製造する工程について、図面を参照して説明する。
【００５７】
まず、樹脂層３３における凹凸パターン３４，３５の凹部３４ｂ，３５ｂの底面に残存する樹脂材料（残渣）を酸素プラズマ処理によって除去する。次いで、凹凸パターン３４，３５（凸部３４ａ，３５ａ）をマスクとして用いてエッチング処理を行う。この際には、図２０に示すように、凹凸パターン３４，３５の各凹部３４ｂ，３５ｂにおける底面部分の磁性層３２が除去されて基材３１の上に凹凸パターン４１が形成される。続いて、凹凸パターン４１における各凸部４１ａの上に残存している樹脂層３３を除去する。これにより、図２１に示すように、スタンパー１の凹凸形状を転写した凹凸パターン３４，３５における各凹部３４ｂ，３５ｂに対応する溝（凹部４１ｂ）が磁性層３２に形成されたデータトラックパターンおよびサーボパターンが形成される。
【００５８】
この場合、凹凸パターン４１は、スタンパー１を押し付けて凹凸パターン３４，３５を形成した樹脂層３３をマスクとして用いて形成されている。したがって、凹凸パターン４１における各凹部４１ｂの径方向の長さＬ１３ｓ，Ｌ１３ｔは、凹凸パターン３４，３５における各凹部３４ｂ，３５ｂの径方向の長さＬ１２ｓ，Ｌ１２ｔ（図１９参照）とほぼ等しい長さ（所望の長さ）となる。次いで、表面仕上げ処理を行う。この表面仕上げ処理では、まず、例えば二酸化ケイ素を上記の溝に充填した後に（図示せず）、イオンビームエッチングによって表面を平坦化する。次に、平坦化した表面に例えばＤＬＣ（Diamond Like Carbon ）で保護膜を形成し、最後に潤滑剤を塗布する。これにより、情報記録媒体４０が完成する。この場合、この情報記録媒体４０は、その開口幅（径方向の長さ）が所望の幅となるように形成された凹部３４ｂ，３５ｂ（図１９参照）を有する凹凸パターン３４，３５を用いて製造されているため、この凹凸パターン３４，３５を用いて形成した凹凸パターン４１（データ記録用トラックやサーボパターン等）の各凹部４１ｂもその内周部から外周部までの全域において所望の幅となる。
【００５９】
このように、このスタンパー１、およびスタンパー１を用いた凹凸パターン形成方法によれば、凸部５ａに対する凹部５ｂの面積比が大きい領域ほど凹部５ｂの深さが浅くなるように凹凸パターン５を形成したことにより、凹凸パターンの形成処理時におけるスタンパー押付け処理に際して各凸部５ａを樹脂層３３に押し込んだときに、凸部５ａの押し込みによって凹部５ｂ内に移動する樹脂材料の量が凹部５ｂの面積に対して少ない領域であっても、樹脂層３３の上面と凹部５ｂの底面との間に生じる隙間を十分に小さくする、または、その凹部５ｂ内を樹脂材料で満たす（隙間が生じる事態を回避する）ことができる。したがって、スタンパー１や基材３１の撓みに起因して例えばスタンパー１の内周部Ａｉや外周部Ａｏが中周部Ａｃ側に移動したとしても、凹部５ｂ内における樹脂材料の移動量を十分に小さくする、または、凹部５ｂ内における樹脂材料の移動を回避することができる。これにより、凹凸パターン５を転写して形成した凹凸パターン３４，３５において凹部３４ｂ，３５ｂの径方向の長さや周方向の長さが過剰に拡がる事態を回避して所望の開口長の凹部３４ｂ，３５ｂを有する凹凸パターン３４，３５を高精度で形成することができる。
【００６０】
また、このスタンパー１、およびスタンパー１を用いた凹凸パターン形成方法によれば、プリアンブルパターン形成領域Ａｐｓ内の凸部５ａに対する凹部５ｂの面積比よりも、バーストパターン形成領域Ａｂｓ内の凸部５ａに対する凹部５ｂの面積比が大きくなるように、かつ、プリアンブルパターン形成領域Ａｐｓ内の凹部５ｂの深さよりもバーストパターン形成領域Ａｂｓ内の凹部５ｂの深さが浅くなるように凹凸パターン５を形成したことにより、単位バースト領域に対応する部位を凸部５ａで構成したことで凸部５ａの押し込みによって移動する樹脂材料の量が少ないバーストパターン形成領域Ａｂｓについて、プリアンブルパターン形成領域Ａｐｓと同様にして、樹脂層３３の上面と凹部５ｂの底面との間に生じる隙間を十分に小さくする、または、凹部５ｂ内を樹脂材料で満たす（隙間が生じる事態を回避する）ことができる。したがって、単位バースト領域に対応する凹部３４ｂにおける径方向の長さや周方向の長さが過剰に拡がる事態を回避することができる。
【００６１】
さらに、このスタンパー１、およびスタンパー１を用いた凹凸パターン形成方法によれば、データトラックパターン形成領域Ａｔｓ内の凸部５ａに対する凹部５ｂの面積比よりも、バーストパターン形成領域Ａｂｓ内の凸部５ａに対する凹部５ｂの面積比が大きくなるように、かつ、データトラックパターン形成領域Ａｔｓ内の凹部５ｂの深さよりもバーストパターン形成領域Ａｂｓ内の凹部５ｂの深さが浅くなるように凹凸パターン５を形成したことにより、単位バースト領域に対応する部位を凸部５ａで構成したことで凸部５ａの押し込みによって移動する樹脂材料の量が少ないバーストパターン形成領域Ａｂｓについて、データトラックパターン形成領域Ａｔｓと同様にして、樹脂層３３の上面と凹部５ｂの底面との間に生じる隙間を十分に小さくする、または、凹部５ｂ内を樹脂材料で満たす（隙間が生じる事態を回避する）ことができる。したがって、単位バースト領域に対応する凹部３４ｂにおける径方向の長さや周方向の長さが過剰に拡がる事態を回避することができる。
【００６２】
この場合、データトラックパターン形成領域Ａｔｓ内の凸部５ａの面積を凹部５ｂの面積で除した値をＲ１とし、バーストパターン形成領域Ａｂｓ内の凸部５ａの面積を凹部５ｂの面積で除した値をＲ２とし、データトラックパターン形成領域Ａｔｓ内の凹部５ｂの深さをＤ１とし、バーストパターン形成領域Ａｂｓ内の凹部５ｂの深さをＤ２としたときに、Ｄ２≦（１＋Ｒ２）／（１＋Ｒ１）×Ｄ１の条件を満たすように凹凸パターン５を形成したことにより、データトラックパターン形成領域Ａｔｓおよびバーストパターン形成領域Ａｂｓの双方について、スタンパー押付け処理に際して各凹部５ｂ内を樹脂材料で満たすことができる。
【００６３】
また、スタンパー１を用いた凹凸パターン形成方法によれば、中間体３０上に形成した樹脂層３３に上記のスタンパー１を押し付けるスタンパー押付け処理と、樹脂層３３からスタンパー１を剥離するスタンパー剥離処理とをこの順で実行して、凹凸パターン５の凹凸形状を樹脂層３３に転写することにより、スタンパー押付け処理に際して、スタンパー１の全域において樹脂層３３の上面と凹部５ｂの底面との間に生じる隙間を十分に小さくする、または、各凹部５ｂ内を樹脂材料で満たす（隙間が生じる事態を回避する）ことができる。したがって、樹脂層３３の全域において凹部３４ｂ，３５ｂの径方向の長さや周方向の長さが過剰に拡がる事態を回避して、高精度で凹凸パターン３４，３５を形成することができる。
【００６４】
また、本発明に係る情報記録媒体の製造方法によれば、本発明に係る凹凸パターン形成方法によって樹脂層３３に転写した凹凸パターン３４，３５を用いて情報記録媒体４０を製造することにより、例えば、バーストパターンにおける単位バースト領域の径方向の端部とデータ記録トラックの中心との位置関係を情報記録媒体４０の全域において所望の位置関係とすることができる。したがって、この情報記録媒体４０では、正確なトラッキングサーボ制御が可能となる結果、記録再生エラーの発生を回避することができる。
【００６５】
なお、本発明は、上記の構成および方法に限定されない。例えば、バーストパターンにおける単位バースト領域に対応する部位を凸部５ａで構成したスタンパー１について説明したが、図２２，２３に示すスタンパー１Ａのように、バーストパターンにおける単位バースト領域に対応する部位を凹部５ｂで構成して凹凸パターン５ｓを形成することもできる。なお、両図において上記のスタンパー１と共通の構成要素については、同一の符号を付して重複する説明を省略する。このスタンパー１Ａでは、凸部５ａに対する凹部５ｂの面積比が大きい領域ほど凹部５ｂの深さが浅くなり、面積比が等しい領域同士では凹部５ｂの深さが互いに等しい深さとなるように形成されている。具体的には、データトラックパターン形成領域Ａｔｓ内では、前述したスタンパー１と同様にして、領域Ａ１ｉ，Ａ１ｃ，Ａ１ｏのすべてにおいて面積比が１となっている。また、プリアンブルパターン形成領域Ａｐｓ内では、前述したスタンパー１と同様にして、領域Ａ２ｉ，Ａ２ｃ，Ａ２ｏのすべてにおいて面積比が１となっている。したがって、データトラックパターン形成領域Ａｔｓ内の凹部５ｂの深さＤ１と、プリアンブルパターン形成領域Ａｐｓ内の凹部５ｂの深さ（図示せず）とは互いに等しい深さに規定されている。
【００６６】
一方、このスタンパー１Ａにおけるバーストパターン形成領域Ａｂｓ内では、図２３に示すように、領域Ａ３ｉ，Ａ３ｃ，Ａ３ｏのすべてにおいて面積比が１／３となっている。したがって、バーストパターン形成領域Ａｂｓ内の凹部５ｂの深さは、データトラックパターン形成領域Ａｔｓ内の凹部５ｂの深さやプリアンブルパターン形成領域Ａｐｓ内の凹部５ｂの深さよりも深くなるように規定されている。言い換えれば、このスタンパー１Ａでは、データトラックパターン形成領域Ａｔｓ内の凹部５ｂの深さやプリアンブルパターン形成領域Ａｐｓ内の凹部５ｂの深さがバーストパターン形成領域Ａｂｓ内の凹部５ｂの深さよりも浅くなっている。
【００６７】
この場合、データトラックパターン形成領域Ａｔｓ内の凸部５ａの面積を凹部５ｂの面積で除した値をＲ１とし、バーストパターン形成領域Ａｂｓ内の凸部５ａの面積を凹部５ｂの面積で除した値をＲ２とし、データトラックパターン形成領域Ａｔｓ内の凹部５ｂの深さをＤ１とし、バーストパターン形成領域Ａｂｓ内の凹部５ｂの深さをＤ２とし、各凸部５ａの押し込み深さをＡとしたときには、
Ｄ１＝Ａ＋Ａ×Ｒ１、Ｄ２＝Ａ＋Ａ×Ｒ２
となる。したがって、
Ｄ１＝（１＋Ｒ１）／（１＋Ｒ２）×Ｄ２
の条件を満たすようにデータトラックパターン形成領域Ａｔｓ内の凹部５ｂの深さＤ１を規定することにより、スタンパー押付け処理時においてバーストパターン形成領域Ａｂｓ内の凹部５ｂが樹脂材料で満たされれば、データトラックパターン形成領域Ａｔｓ内の凹部５ｂについても樹脂材料で満たすことが可能となる。
【００６８】
この場合、このスタンパー１Ａでは、前述したスタンパー１と同様にして、サーボパターン形成領域Ａｓｓの面積がデータトラックパターン形成領域Ａｔｓの面積に対して極めて狭いため、データトラックパターン形成領域Ａｔｓ内の各凸部５ａを樹脂層３３に対して十分に押し込むことができない状態では、サーボパターン形成領域Ａｓｓ内の凸部５ａについても樹脂層３３に対して十分に押し込むことが困難となる。このため、サーボパターン形成領域Ａｓｓ内の各凸部５ａの十分な押し込みが完了するのに先立ってデータトラックパターン形成領域Ａｔｓ内の各凹部５ｂが樹脂材料で満たされた時点でスタンパー押し付け処理が完了する事態、つまりサーボパターン形成領域Ａｓｓ（バーストパターン形成領域Ａｂｓ）内の各凹部５ｂ内が樹脂材料で満たされることなくスタンパー押し付け処理が完了する事態を回避すべく、データトラックパターン形成領域Ａｔｓ内の各凹部５ｂの深さＤ１を上記の「Ａ＋Ａ×Ｒ１」よりもある程度深く規定するのが好ましい。したがって、
Ｄ１≧（１＋Ｒ１）／（１＋Ｒ２）×Ｄ２
の条件を満たすようにデータトラックパターン形成領域Ａｔｓ内の各凹部５ｂの深さＤ１を規定することにより、データトラックパターン形成領域Ａｔｓ内の各凹部５ｂ、およびバーストパターン形成領域Ａｂｓ内の各凹部５ｂ内を樹脂材料で確実に満たすことが可能となる。
【００６９】
また、プリアンブルパターン形成領域Ａｐｓ内の凸部５ａの面積を凹部５ｂの面積で除した値をＲ３とし、プリアンブルパターン形成領域Ａｐｓ内の凹部５ｂの深さをＤ３とし、プリアンブルパターン形成領域Ａｐｓおよびバーストパターン形成領域Ａｂｓ内の各凸部５ａの押し込み深さをＡとしたときには、
Ｄ３＝Ａ＋Ａ×Ｒ３、Ｄ２＝Ａ＋Ａ×Ｒ２
となる。したがって、
Ｄ３＝（１＋Ｒ３）／（１＋Ｒ２）×Ｄ２
の条件を満たすようにプリアンブルパターン形成領域Ａｐｓ内の凹部５ｂの深さＤ３を規定することにより、スタンパー押付け処理時においてバーストパターン形成領域Ａｂｓ内の凹部５ｂが樹脂材料で満たされれば、プリアンブルパターン形成領域Ａｐｓ内の凹部５ｂについても樹脂材料で満たすことが可能となる。
【００７０】
このように、このスタンパー１Ａによれば、バーストパターン形成領域Ａｂｓ内の凸部５ａに対する凹部５ｂの面積比よりも、プリアンブルパターン形成領域Ａｐｓ内の凸部５ａに対する凹部５ｂの面積比が大きくなるように、かつ、バーストパターン形成領域Ａｂｓ内の凹部５ｂの深さよりもプリアンブルパターン形成領域Ａｐｓ内の凹部５ｂの深さが浅くなるように凹凸パターン５を形成したことにより、凸部５ａの押し込みによって移動する樹脂材料の量がバーストパターン形成領域Ａｂｓ内よりも少ないプリアンブルパターン形成領域Ａｐｓについて、バーストパターン形成領域Ａｂｓと同様にして、樹脂層３３の上面と凹部５ｂの底面との間に生じる隙間を十分に小さくする、または、凹部５ｂ内を樹脂材料で満たす（隙間が生じる事態を回避する）ことができる。したがって、プリアンブルパターンに対応する凹部３４ｂにおける径方向の長さや周方向の長さが過剰に拡がる事態を回避することができる。
【００７１】
また、このスタンパー１Ａによれば、バーストパターン形成領域Ａｂｓ内の凸部５ａに対する凹部５ｂの面積比よりも、データトラックパターン形成領域Ａｔｓ内の凸部５ａに対する凹部５ｂの面積比が大きくなるように、かつ、バーストパターン形成領域Ａｂｓ内の凹部５ｂの深さよりもデータトラックパターン形成領域Ａｔｓ内の凹部５ｂの深さが浅くなるように凹凸パターン５を形成したことにより、凸部５ａの押し込みによって移動する樹脂材料の量がバーストパターン形成領域Ａｂｓ内よりも少ないデータトラックパターン形成領域Ａｔｓについて、バーストパターン形成領域Ａｂｓと同様にして、樹脂層３３の上面と凹部５ｂの底面との間に生じる隙間を十分に小さくする、または、凹部５ｂ内を樹脂材料で満たす（隙間が生じる事態を回避する）ことができる。したがって、ガードバンド部（またはデータ記録トラック）に対応する凹部３４ｂにおける径方向の長さや周方向の長さが過剰に拡がる事態を回避することができる。
【００７２】
この場合、データトラックパターン形成領域Ａｔｓ内の凸部５ａの面積を凹部５ｂの面積で除した値をＲ１とし、バーストパターン形成領域Ａｂｓ内の凸部５ａの面積を凹部５ｂの面積で除した値をＲ２とし、データトラックパターン形成領域Ａｔｓ内の凹部５ｂの深さをＤ１とし、バーストパターン形成領域Ａｂｓ内の凹部５ｂの深さをＤ２としたときに、Ｄ１≧（１＋Ｒ１）／（１＋Ｒ２）×Ｄ２の条件を満たすように凹凸パターン５を形成したことにより、データトラックパターン形成領域Ａｔｓおよびバーストパターン形成領域Ａｂｓの双方について、スタンパー押付け処理に際して各凹部５ｂ内を樹脂材料で満たすことができる。
【００７３】
さらに、本発明に係るスタンパー１には、上記のスタンパー１の凹凸形状をスタンパー形成材料に転写して製造したスタンパーをマスタースタンパーとして用いて、このマスタースタンパーの凹凸形状を他のスタンパー形成材料に転写することによって、すなわち、上記のスタンパー１の凹凸形状を偶数回だけ転写することによって形成したスタンパーがこれに含まれる。また、上記のスタンパー１の製造工程において製作した原盤１８も本発明におけるスタンパーに含まれる。したがって、上記のスタンパー１に代えて、スタンパー１の凹凸形状を偶数回だけ転写して形成したスタンパーや原盤１８をスタンパーとして用いて情報記録媒体４０を製造することができる。また、平行四辺形状の単位バースト領域が周方向に並ぶバーストパターンを有するスタンパー１について説明したが、略楕円形（円形を含む）の単位バースト領域が周方向に並ぶバーストパターンを形成可能なスタンパーに本発明を適用することができる。
【００７４】
さらに、上記のインプリント装置による凹凸パターン形成方法（情報記録媒体４０の製造の製造方法）では、中間体３０（樹脂層３３）に対するスタンパー１の押し付け処理開始前からスタンパー１の剥離処理が完了するまでの間において、樹脂層３３およびスタンパー１の双方に対する加熱処理を継続して実行しているが、本発明はこれに限定されず、例えば、樹脂層３３に対してある程度十分にスタンパー１を押し付けた後に、樹脂層３３およびスタンパー１に対する加熱処理を終了し、その後にスタンパー１を剥離する工程を採用することもできる。この場合、スタンパー１の剥離に先立ってスタンパー１および中間体３０の双方を樹脂層３３のガラス転移点以下の温度まで冷却することもできる。また、そのガラス転移点が常温（一例として、２５℃程度）よりも低い樹脂材料を用いて本発明における樹脂層を形成し、スタンパー押付け処理からスタンパー剥離処理までの間において加熱処理や冷却処理を実行することなく凹凸パターンを樹脂層に形成する方法を採用することもできる。さらに、本発明における樹脂材料として紫外線硬化型樹脂や電子線硬化型樹脂などを使用して樹脂層を形成し、スタンパー押付け処理後に紫外線または電子線を照射して樹脂層硬化（または、半硬化）させてからスタンパー剥離処理を実行することで凹凸パターンを樹脂層に形成する方法を採用することもできる。
【００７５】
また、本発明における基材に相当する中間体３０（磁性層３２）の上に形成した樹脂層３３にスタンパー１を押し付けて情報記録媒体４０を製造する方法について説明したが、本発明に係る情報記録媒体製造方法は、これに限定されない。例えば、上記の中間体３０と樹脂層３３との間に１層以上のマスク層を形成すると共に、スタンパー１の押し付けによって樹脂層３３に転写した凹凸パターン３４，３５をエッチング処理等によって下層側のマスク層（中間体３０側のマスク層）に順次転写し、中間体３０上のマスク層に転写した凹凸パターンをマスクとして用いて磁性層３２をエッチング処理して凹凸パターン４１を形成する製造方法を採用することができる。
【００７６】
さらに、例えば、データトラックパターン形成領域Ａｔｓについては、領域Ａ１ｉ，Ａ１ｃ，Ａ１ｏ内（図３参照）における凸部５ａに対する凹部５ｂの面積比が大きい領域ほど、その領域内の凹部５ｂの深さが浅くなるように凹凸パターン５を形成し、プリアンブルパターン形成領域Ａｐｓについては、領域Ａ２ｉ，Ａ２ｃ，Ａ２ｏ内（図４参照）における凸部５ａに対する凹部５ｂの面積比が大きい領域ほど、その領域内の凹部５ｂの深さが浅くなるように凹凸パターン５を形成し、バーストパターン形成領域Ａｂｓについては、領域Ａ３ｉ，Ａ３ｃ，Ａ３ｏ内（図５参照）における凸部５ａに対する凹部５ｂの面積比が大きい領域ほど、その領域内の凹部５ｂの深さが浅くなるように凹凸パターン５を形成した例について説明したが、上記の面積比を比較する対象の「領域」については、上記の例示のような狭い範囲に限定されない。例えば、同種のパターン（機能的に同種のパターン、または、形状的に同種のパターン）が形成されている領域を１つの領域とし、相違するパターンが形成されている領域毎の凸部５ａに対する凹部５ｂの面積比を比較し、面積比が大きい領域内の凹部５ｂの深さを深くするように凹凸パターンを形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】スタンパー１の平面図である。
【図２】スタンパー１におけるデータトラックパターン形成領域Ａｔｓおよびサーボパターン形成領域Ａｓｓ（プリアンブルパターン形成領域Ａｐｓおよびバーストパターン形成領域Ａｂｓ）の一例を示す平面図である。
【図３】スタンパー１におけるデータトラックパターン形成領域Ａｔｓの平面図である。
【図４】スタンパー１におけるプリアンブルパターン形成領域Ａｐｓの平面図である。
【図５】スタンパー１におけるバーストパターン形成領域Ａｂｓの平面図である。
【図６】スタンパー１の断面図である。
【図７】スタンパー１の製造工程において基材１１上にレジスト層１２を形成して潜像１２ａを形成した状態の断面図である。
【図８】図７に示す状態のレジスト層１２を現像処理して凹凸パターン１３を形成した状態の断面図である。
【図９】凹凸パターン１３が形成されたレジスト層１２をマスクとして用いて基材１１をエッチング処理して凹凸パターン１４を形成した状態の断面図である。
【図１０】凹凸パターン１４の形成が完了した基材１１上にレジスト層１５を形成して潜像１５ａを形成した状態の断面図である。
【図１１】図１０に示す状態のレジスト層１５を現像処理して凹凸パターン１６を形成した状態の断面図である。
【図１２】凹凸パターン１６が形成されたレジスト層１５をマスクとして用いて基材１１をエッチング処理して凹凸パターン１７を形成した状態の断面図である。
【図１３】レジスト層１５を除去した状態の基材１１の断面図である。
【図１４】基材１１における凹凸パターン１４，１７の形成面にニッケル層１９を形成した状態の断面図である。
【図１５】図１４に示す状態のニッケル層１９（原盤２０）から基材１１を剥離した状態の断面図である。
【図１６】原盤２０における凹凸パターン２１，２２の形成面にニッケル層２５を形成した状態の断面図である。
【図１７】磁性層３２上に樹脂層３３を形成した状態の中間体３０の断面図である。
【図１８】樹脂層３３にスタンパー１を押し付けた状態の断面図である。
【図１９】図１８に示す状態の中間体３０（樹脂層３３）からスタンパー１を剥離して凹凸パターン３４，３５を形成した状態の断面図である。
【図２０】図１９に示す凹凸パターン３４，３５を用いて磁性層３２をエッチングすることによって凹凸パターン４１を形成した状態の断面図である。
【図２１】図２０に示す状態の樹脂層３３を除去した情報記録媒体４０の断面図である。
【図２２】スタンパー１Ａにおけるデータトラックパターン形成領域Ａｔｓおよびサーボパターン形成領域Ａｓｓ（プリアンブルパターン形成領域Ａｐｓおよびバーストパターン形成領域Ａｂｓ）の一例を示す平面図である。
【図２３】スタンパー１Ａにおけるバーストパターン形成領域Ａｂｓの平面図である。
【図２４】従来のインプリント方法によってスタンパー１０ｘを樹脂層２０ｘに押し込んだ状態の断面図である。
【図２５】図２４に示す状態のスタンパー１０ｘに撓みが生じた状態の断面図である。
【図２６】従来のインプリント方法によってスタンパー１０ｘを樹脂層２０ｘに押し込んだ状態の他の断面図である。
【図２７】従来のインプリント方法においてスタンパー１０ｘを樹脂層２０ｘから剥離した状態の断面図である。
【図２８】従来のインプリント方法によって形成した凹凸パターン２４ｘをマスクとして用いて製造した情報記録媒体１００ｘの断面図である。
【符号の説明】
【００７８】
１，１Ａ  スタンパー
５，５ｓ，５ｔ，３４，３５，４１  凹凸パターン
５ａ，３４ａ，３５ａ，４１ａ  凸部
５ｂ，３４ｂ，３５ｂ，４１ｂ  凹部
３０  中間体
３１  基材
３２  磁性層
３３  樹脂層
４０  情報記録媒体
Ａ１ｉ，Ａ１ｃ，Ａ１ｏ，Ａ２ｉ，Ａ２ｃ，Ａ２ｏ，Ａ３ｉ，Ａ３ｃ，Ａ３ｏ  領域
Ａｂｓ  バーストパターン形成領域
Ａｐｓ  プリアンブルパターン形成領域
Ａｓｓ  サーボパターン形成領域
Ａｔｓ  データトラックパターン形成領域
Ｄ１，Ｄ２  深さ
Ｌ１ａ，Ｌ１ｂ，Ｌ２ａｉ，Ｌ２ａｃ，Ｌ２ａｏ，Ｌ２ｂｉ，Ｌ２ｂｃ，Ｌ２ｂｏ，Ｌ３ａｉ，Ｌ３ａｃ，Ｌ３ａｏ，Ｌ３ｂｉ，Ｌ３ｂｃ，Ｌ３ｂｏ，Ｌ１１ｓ〜Ｌ１３ｓ，Ｌ１１ｔ〜Ｌ１３ｔ  長さ
【図１】
0004581963.tif 000002
【図２】
0004581963.tif 000003
【図３】
0004581963.tif 000004
【図４】
0004581963.tif 000005
【図５】
0004581963.tif 000006
【図６】
0004581963.tif 000007
【図７】
0004581963.tif 000008
【図８】
0004581963.tif 000009
【図９】
0004581963.tif 000010
【図１０】
0004581963.tif 000011
【図１１】
0004581963.tif 000012
【図１２】
0004581963.tif 000013
【図１３】
0004581963.tif 000014
【図１４】
0004581963.tif 000015
【図１５】
0004581963.tif 000016
【図１６】
0004581963.tif 000017
【図１７】
0004581963.tif 000018
【図１８】
0004581963.tif 000019
【図１９】
0004581963.tif 000020
【図２０】
0004581963.tif 000021
【図２１】
0004581963.tif 000022
【図２２】
0004581963.tif 000023
【図２３】
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【図２４】
0004581963.tif 000025
【図２５】
0004581963.tif 000026
【図２６】
0004581963.tif 000027
【図２７】
0004581963.tif 000028
【図２８】
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