(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
レジスト系（２）の複数の層Ｓ1〜Ｓnを備えた基板（１）を粒子線で露光する方法であって、電荷の導出のために、アース電位と基板（１）および／またはレジスト系（２）の層Ｓ1〜Ｓnの少なくとも１つとの間に導電接続を形成する形式のものにおいて、
露光開始前の操作工程において、
各層Ｓ1〜Ｓnが複数の接触尖端Ｋ1〜Ｋmの先端の少なくとも１つと接触するよう、被覆ずみ基板（１）および接触尖端Ｋ1〜Ｋmを相互に相対摺動させることによって、層Ｓ1〜Ｓnを接触尖端Ｋ1〜Ｋmを介してアース電位と導電接続させること
を特徴とする方法。
【請求項２】
接触尖端Ｋ1を層Ｓ1と接触するまで摺動させ、接触尖端Ｋ2を層Ｓ2と接触するまで層Ｓ1を通して摺動させ、接触尖端Ｋ3を層Ｓ3と接触するまでＳ1およびＳ2を通して摺動させ、以下、同様に操作すること、
但し、ｍがｎ＋１以上の場合、接触尖端Ｋn+1〜Ｋmを、夫々、予め定められた層Ｓ1と接触するまで摺動させ、又は、予め定められた層Ｓxと接触するまで層Ｓ1〜Ｓx-1を通して摺動させること、但し、ｘは２以上ｎ以下、
を特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
レジスト系（２）の複数の層Ｓ1〜Ｓnを備えた基板（１）を粒子線で露光する方法であって、電荷の導出のために、アース電位と基板（１）および／またはレジスト系（２）の層Ｓ1〜Ｓnの少なくとも１つとの間に導電接続を形成する形式のものにおいて、
露光開始前の操作工程において、
基板（１）および各層Ｓ1〜Ｓnが複数の接触尖端Ｋ1〜Ｋmの先端の少なくとも１つと接触するよう、被覆ずみ基板（１）および接触尖端Ｋ1〜Ｋmを相互に相対摺動させることによって、基板（１）および層Ｓ1〜Ｓnを接触尖端Ｋ1〜Ｋmを介してアース電位と導電接続させること
を特徴とする方法。
【請求項４】
接触尖端Ｋ1を層Ｓ1と接触するまで摺動させ、接触尖端Ｋ2を層Ｓ2と接触するまで層Ｓ1を通して摺動させ、接触尖端Ｋ3を層Ｓ3と接触するまで層Ｓ1およびＳ2を通して摺動させ、以下、同様に操作し、最終的に、接触尖端Ｋmを基板（１）と接触するまで層Ｓ1〜Ｓnを通して摺動させること、
但し、ｍがｎ＋２以上の場合、接触尖端Ｋn+2〜Ｋmを、夫々、予め定められた層Ｓ1と接触するまで摺動させ、又は、予め定められた層Ｓxと接触するまで層Ｓ1〜Ｓx-1を通して摺動させ、又は、基板（１）と接触するまで層Ｓ1〜Ｓnを通して摺動させること、但し、ｘは２以上ｎ以下、
を特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
接触尖端Ｋ1〜Ｋmの摺動運動を粒子線の方向（３）に少なくともほぼ平行に行い、各接触尖端Ｋ1〜Ｋmが、それぞれ、予め定められた層Ｓ1〜Ｓn又は基板（１）に達するまで、貫通される各層Ｓ1〜Ｓnの材料を押除けること
を特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の方法。
【請求項６】
各接触尖端Ｋ1〜Ｋmの前進摺動運動が、基板表面に対し平行なＸ座標方向および／またはＹ座標方向に運動成分を有し、かくして、各接触尖端Ｋ1〜Ｋmが、それぞれ、予め定められた層Ｓ1〜Ｓn又は基板（１）に達するまで、貫入される各層Ｓ1〜Ｓnの材料が押除けられること
を特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載の方法。
【請求項７】
レジスト系（２）の複数の層Ｓ1〜Ｓnを備えた基板（１）にパタンを構成する装置であって、露光のために粒子線をレジスト系（２）へ向け、露光中にレジスト系（２）に構成される電荷をアース電位に導出する手段を設けた形式のものにおいて、
−複数の接触尖端Ｋ1〜Ｋmの少なくとも１つを介して各層Ｓ1〜Ｓnとの電気接触が形成され、但し、各層Ｓ1〜Ｓnには接触尖端Ｋ1〜Ｋmの先端の少なくとも１つが配される、
−各接触尖端Ｋ1〜Ｋmが、導電線路（９）を介してアース電位に接続されており、
−被覆ずみ基板（１）および接触尖端Ｋ1〜Ｋmが、粒子線の方向（３）へ相互に相対摺動可能なよう配置されていること
を特徴とする装置。
【請求項８】
被覆ずみ基板（１）が、粒子線の方向（３）へ位置Ｚ1まで摺動できる載置面（４）上に設けてあり、他方、接触尖端Ｋ1〜Ｋmが、バネ要素Ｅ1〜Ｅmを介して、架台に固定のホルダ（７）に別個に機械的に結合されており、各接触尖端Ｋ1〜Ｋmが、該尖端に関連してバネ要素Ｅ1〜Ｅmによって設定される力Ｆ1〜Ｆmの作用によって、相互に且つホルダ（７）に対して相対的に可動であること
を特徴とする請求項７に記載の装置。
【請求項９】
接触尖端Ｋ1のジオメトリおよびバネ要素Ｅ1によって設定される力Ｆ1が、基板（１）を位置Ｚ1まで摺動した際に、接触尖端Ｋ1とアース電位との間に導電接続が形成されるよう、相互に且つ層Ｓ1の厚さおよび粘度に関して対応して規定されていること、
接触尖端ＫXのジオメトリおよびバネ要素Ｅxによって設定される力Ｆxが、基板（１）を所定位置Ｚ1まで摺動した際に、層Ｓ1〜Ｓx-1が、接触尖端Ｋxによって貫通され、かつ、接触尖端ＫXが、層Ｓx上に載り、かくして、接触尖端Ｋxを介して層Ｓxとアース電位との間に導電接続が形成されるよう、相互に且つ層Ｓ1〜Ｓx-1の厚さおよび粘度に関して対応して規定されていること、但し、ｘは２からｎ、
但し、ｍがｎ＋１以上の場合、接触尖端Ｋyのジオメトリおよびバネ要素Ｅyによって設定される力Ｆyが、基板（１）を所定位置Ｚ1まで摺動した際に、
（ａ）接触尖端Ｋyとアース電位との間に導電接続が形成されるよう、相互に且つ層Ｓ1の厚さおよび粘度に関して対応して規定されているか、又は、
（ｂ）層Ｓ1〜Ｓt-1が、接触尖端Ｋyによって貫通され、かつ、接触尖端Ｋyが、層Ｓt上に載り、かくして、接触尖端Ｋyを介して層Ｓtとアース電位との間に導電接続が形成されるよう、相互に且つ層Ｓ1〜Ｓt-1の厚さおよび粘度に関して対応して規定されていること、但し、ｙはｎ＋１からｍ、ｔは２以上ｎ以下、
を特徴とする請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
レジスト系（２）の複数の層Ｓ1〜Ｓnを備えた基板（１）にパタンを構成する装置であって、露光のために粒子線をレジスト系（２）へ向け、露光中にレジスト系（２）に構成される電荷をアース電位に導出する手段を設けた形式のものにおいて、
−複数の接触尖端Ｋ1〜Ｋmの少なくとも１つを介して基板（１）及び各層Ｓ1〜Ｓnとの電気接触が形成され、但し、基板（１）及び各層Ｓ1〜Ｓnには接触尖端Ｋ1〜Ｋmの先端の少なくとも１つが配される、
−各接触尖端Ｋ1〜Ｋmが、導電線路（９）を介してアース電位に接続されており、
−被覆ずみ基板（１）および接触尖端Ｋ1〜Ｋmが、粒子線の方向（３）へ相互に相対摺動可能なよう配置されていること
を特徴とする装置。
【請求項１１】
被覆ずみ基板（１）が、粒子線の方向（３）へ位置Ｚ1まで摺動できる載置面（４）上に設けてあり、他方、接触尖端Ｋ1〜Ｋmが、バネ要素Ｅ1〜Ｅmを介して、架台に固定のホルダ（７）に別個に機械的に結合されており、各接触尖端Ｋ1〜Ｋmが、該尖端に関連してバネ要素Ｅ1〜Ｅmによって設定される力Ｆ1〜Ｆmの作用によって、相互に且つホルダ（７）に対して相対的に可動であること
を特徴とする請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
接触尖端Ｋ1のジオメトリおよびバネ要素Ｅ1によって設定される力Ｆ1が、基板（１）を位置Ｚ1まで摺動した際に、接触尖端Ｋ1とアース電位との間に導電接続が形成されるよう、相互に且つ層Ｓ1の厚さおよび粘度に関して対応して規定されていること、
接触尖端ＫXのジオメトリおよびバネ要素Ｅxによって設定される力Ｆxが、基板（１）を所定位置Ｚ1まで摺動した際に、層Ｓ1〜Ｓx-1が、接触尖端Ｋxによって貫通され、かつ、接触尖端ＫXが、層Ｓx上に載り、かくして、接触尖端Ｋxを介して層Ｓxとアース電位との間に導電接続が形成されるよう、相互に且つ層Ｓ1〜Ｓx-1の厚さおよび粘度に関して対応して規定されていること、但し、ｘは２からｎ、
接触尖端Ｋmのジオメトリおよびバネ要素Ｅmによって設定される力Ｆmが、基板（１）を所定位置Ｚ1まで摺動した際に、層Ｓ1〜Ｓnが、接触尖端Ｋmによって貫通され、かつ、接触尖端Ｋmが、基板（１）上に載り、かくして、接触尖端Ｋmを介して基板（１）とアース電位との間に導電接続が形成されるよう、相互に且つ層Ｓ1〜Ｓnの厚さおよび粘度に関して対応して規定されていること、
但し、ｍがｎ＋２以上の場合、接触尖端Ｋyのジオメトリおよびバネ要素Ｅyによって設定される力Ｆyが、基板（１）を所定位置Ｚ1まで摺動した際に、
（ａ）接触尖端Ｋyとアース電位との間に導電接続が形成されるよう、相互に且つ層Ｓ1の厚さおよび粘度に関して対応して規定されているか、又は、
（ｂ）層Ｓ1〜Ｓt-1が、接触尖端Ｋyによって貫通され、かつ、接触尖端Ｋyが、層Ｓt上に載り、かくして、接触尖端Ｋyを介して層Ｓtとアース電位との間に導電接続が形成されるよう、相互に且つ層Ｓ1〜Ｓt-1の厚さおよび粘度に関して対応して規定されているか、又は、
（ｃ）層Ｓ1〜Ｓnが、接触尖端Ｋyによって貫通され、かつ、接触尖端Ｋyが、基板（１）上に載り、かくして、接触尖端Ｋyを介して基板（１）とアース電位との間に導電接続が形成されるよう、相互に且つ層Ｓ1〜Ｓnの厚さおよび粘度に関して対応して規定されていること、但し、ｙはｎ＋２からｍ、ｔは２以上ｎ以下、
を特徴とする請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
レジスト系（２）が、３つの層Ｓ1〜Ｓ3から形成されており、層Ｓ1が、ポリマーレジストからなり、Ｓ2が、窒化ケイ素からなり、Ｓ3が、同じくポリマーレジストからなること
を特徴とする請求項７〜１２の何れか１項に記載の装置。
【請求項１４】
板バネとして構成された４つのバネ要素Ｅ1〜Ｅ4が設けてあり、上記バネ要素の一端が、それぞれ、ホルダ（７）に結合されており、対向端が、関連の接触尖端Ｋ1〜Ｋ4に結合されていること
を特徴とする請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
バネ要素Ｅ1〜Ｅ4の力Ｆ1〜Ｆ4が，０．１〜２ニュートンの範囲にあり、接触尖端Ｋ1〜Ｋ4の接触面（８）が、２０μｍ〜１００μｍの範囲の半径Ｒを備え、層Ｓ1〜Ｓ3の厚さが、約０．５μｍ〜２μｍであること
を特徴とする請求項１４に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【技術分野】
本発明は、ｎ層のレジスト系を備えた基板を粒子線で露光する方法に関し、ここに電荷の導出のために、アース電位と基板および／またはレジスト系の層Ｓ1〜Ｓnの少なくとも１つとの間に導電接続を形成する形式のものに関する。本発明は、更に、上記方法を実施するための装置に関する。
【０００２】
【従来の技術及び問題点】
基板にレジストを被覆し、上記レジスト層に粒子線（例えば、電子線）を照射し、基板に所定の構造を刻印する形式の、基板（例えば、マスクまたはウェーハ）にパタンを構成する方法および装置は、公知である。露光の場合、Ｘ，Ｙ座標内を走行できるテーブルの載置面上に基板を設置、保持し、一方、テーブルを段階的にＸ方向および／またはＹ方向へ摺動させ、粒子線がＺ座標に対応してレジスト層に直角に向けられる所定の露光位置に時間的に順次に置く。
【０００３】
レジストは、照射中に静電帯電される非導電性材料からなる。同じく、基板も静電帯電させることができる。一般に“チャージング（ｃｈａｒｇｉｎｇ）”と呼ばれる副次効果は、特にレジスト層の材料厚が＞１μｍの場合には粒子線の放射方向に不測の影響を与え、かくして、照射エラーないし構造エラーを招き、これは、一層の微細化を達成しようとするマイクロ電子工業の努力に背反する。この問題点の排除のため、露光中にレジスト層および／または基板から電荷を導出する（逃がす）各種の方法および装置が開発されている。
【０００４】
即ち、例えば、日本特許公報（特開昭）６０−１１７７２０には、極めて硬く、何よりもまず非導電性の材料（ダイアモンド、サファイアなど）からなる針を、例えば、ボロンイオンのインプラントにより、導電性とし、次いで、試料と接触するまで層を突通すのに使用することによって、窒化物層または酸化物層を備えた試料から帯電電荷を導出する形式の電子線露光法が記載されている。かくして、試料の接地が、アースに置かれた針を介して達成され、露光中に試料内に蓄積された電荷の導出が実現される。窒化物層または酸化物層を突通すため比較的大きい力を針に作用させる必要があるが、材料の硬さにもとづき、針は長い寿命を達成する。
【０００５】
この場合、針の送り運動は、試料の材料によって制限される。即ち、試料は、針のストッパを形成し、試料材料内への所望の寸法を越える針の貫入を阻止する。上記方法および開示の装置は、不利なことには、この層を貫通することにおいて、一つの層下方に隠れた試料の接触に適するに過ぎない。しかしながら、複数の層からなるレジスト系を被覆した基板が試料として設けてあり、これらの各層を別個の針を介して接触してアース電位に接続すべき場合は、上記操作態様は不適である。なぜならば、針は、常に、基板と接触するまで全層構造を貫通して押込まれるからである。
【０００６】
他の日本特許公報（特開平）３−２６３８１４は、例えば、クロム層およびクロム層上にあるレジストを備えたマスク版（シート）の場合、接触ピンの尖端をレジスト層に突通し、下方のクロム層に対する導電接続を形成し、この際、望ましくない電子をピンを介してクロム層からアース電位に導出することが公知であるということから出発する。この方法は、上記特許公報によれば、レジスト層に突通す際且つ下方のクロム層との接触中に接触ピンをその縦軸線のまわりに回転して移動し、かくして、接触ピンの尖端の確実な接触と同時に寿命の向上が達成されるよう、改良される。なぜならば、この場合、尖端を丸く構成できるからである。この場合も、ピンの回転駆動に鑑みて装置技術的経費が増加することはさて措き、この方式では、レジスト系の複数の層の各々の個別的接触を行うことはできないと云う欠点がある。
【０００７】
日本特許公報（特開平）２−１２５４１６には、カセット（アース電位）とレジスト下方のマスク基板上にあるクロム層との間に電気接触を形成する装置が提示されている。この場合、パタン構成のためにマスク上に保留された領域外で、板バネによってピンを（非導電性の）レジスト層の表面に押圧する。次いで、高電圧源に接続された電極の尖端を、ピンの近傍において、レジストを貫通してクロム層まで押圧し、次いで、数百ボルト〜１万ボルトの範囲の電位を電極に印加し、かくして、レジストを絶縁破壊させ、その結果、レジスト上にあるピンが、クロム層と導電接続され、ピンおよび板バネを介するカセットへの電荷の導出（逃散）が行われる。
【０００８】
この技術的解決法も、レジスト系の複数の層の各々の個別的接触には、不適であり、考慮されてもいない。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、上記先行技術から出発して、多層レジスト系を備えた基板において、露光開始前に、レジスト系の各層Ｓ1〜Ｓnが、更に、必要あれば、基板自体も、アース電位と導電接続されるよう、上述の種類の方法を改良することにある。
【００１０】
【課題の解決手段】
この課題は、本発明にもとづき、露光前の操作工程において、それぞれ接触尖端Ｋ1〜Ｋmの少なくとも１つを介してアース電位と基板および／または各層Ｓ1〜Ｓnとの間に導電接続が形成されるまで、被覆ずみ基板および接触尖端Ｋ1〜Ｋmを相互に相対摺動させることによって、層Ｓ1〜Ｓnをｍ個の接触尖端Ｋ1〜Ｋmを介してアース電位と導電接続させることによって、解決される。
【００１１】
経費のかからないこの操作工程によって、有利には、各層Ｓ1〜Ｓnまたは基板とアース電位との間にオーム接触が形成され、このオーム接触を介して、露光中に生ずる電荷が効果的に導出される。かくして、電荷による照射方向の不測の影響が阻止され、この限りで、露光の精度または構造の更なる精緻さに関する本質的な前提条件が創成される。かくして、先行技術の上述の欠点は排除される。
【００１２】
本発明にもとづき、唯一つの操作工程において、接触尖端Ｋ1を層Ｓ1と接触するまで摺動させ、接触尖端Ｋ2を層Ｓ2と接触するまで層Ｓ1を介して摺動させ、接触尖端Ｋ3を層Ｓ3と接触するまで層Ｓ1およびＳ2を介して摺動させ、以下、同様に操作し、最終的に、接触尖端Ｋmを基板と接触するまで層Ｓ1〜Ｓnを貫通して摺動させる。層Ｓ1の電荷は、接触尖端Ｋ1を介してアース電位に導出され、同じく、層Ｓ2の電荷は、接触尖端Ｋ2を介して導出され、層Ｓ3の電荷は、接触尖端Ｋ3を介してアース電位に導出され、基板の電荷は、接触尖端Ｋmを介してアース電位に導出される。
【００１３】
上記操作態様は、同時に、接触尖端Ｋ2〜Ｋmが、上記尖端がそこまで摺動到達する層Ｓ1〜Ｓmから電荷を導出するのみならず、更に、上記尖端が貫通した層Ｓ1〜Ｓm-1からも電荷を導出する。即ち、例えば、接触尖端Ｋ2によって、層Ｓ2の電荷が導出されるのみならず、突通し時に形成されたオーム接触にもとづき、層Ｓ1からも電荷が導出される。これは、同じく、層Ｓ1およびＳ2に関して接触尖端Ｋ3についても当てはまる（さらに他の接触尖端についても同様である）。
【００１４】
本発明の変更例にもとづき、単に、レジスト系の層Ｓ1〜Ｓnを上述の態様で当該の接触尖端Ｋ1〜Ｋnを介してアース電位と接触させることができる。この場合、接触尖端の数は、層の数に等しい。
【００１５】
しかしながら、代替例として、接触尖端の数を層の数よりも多くすることも考えられる。この場合、各層Ｓ1〜Ｓnおよび／または基板に、単に１つの接触尖端ではなく複数の接触尖端を配することができ、かくして、所定の層または基板からの電荷の導出の確実性を向上できる。この場合、ウェーハまたはマスクの周縁の異なる位置に設けた複数の接触尖端によって、選択した層または基板の接触を行うことができる。これは、層Ｓ1〜Ｓnが、セグメントに分割されており、各セグメントが、相互に導電接続されてない場合に特に、目的に適う。この場合、例えば、この種の層の各セグメントに、それぞれ、接触尖端を配することができる。
【００１６】
更に、各層Ｓ1〜Ｓnまたは基板には、層の比導電度に依存して、上記層のすべての範囲から生じた電荷の迅速な導出を確実に保証する多数の接触尖端を配することができる。
【００１７】
本発明にもとづき、接触尖端によって貫通される各層の材料が、押除けられるようまたは削除（削取）されるよう、被覆ずみ基板に対する接触尖端の送り運動の態様を定める。
【００１８】
層の貫通時の材料の押除けは、所定の送り力の作用によって接触尖端を真っすぐな運動路に沿って（好ましくは、Ｚ方向へ）上記層を貫通させることによって、達成される。各層への接触尖端の貫入およびその進行時のくさび効果にもとづき、層材料は、Ｘ，Ｙ方向へ側方へ押除けられる。
【００１９】
しかしながら、代替法として、本発明の特に好ましい変更例にもとづき、接触尖端の送り（前進）を本質的にＺ方向へ行うが、送り運動にＸ座標および／またはＹ座標の方向の成分が重畳されるよう構成する。この側方へ向く運動成分によって、接触尖端の貫入時に、いわゆる“掻落し（スクラッチ）効果”が得られ、かくして、層材料は、接触尖端によって局部的に制限されて削り取られ、かくして、露出された層に対する緊密な接触が達成される。
【００２０】
本発明は、更に、レジスト系の複数の層Ｓ1〜Ｓnを備えた基板にパタンないし層構造を構成（Strukturieren）する装置であって、露光のために粒子線をレジスト系へ向け、露光中にレジスト系に構成される電荷をアース電位に導出する手段を設けた形式のものに関する。
【００２１】
本発明にもとづき、この種の装置において、層Ｓ1〜Ｓnの数ｎに対応する数の接触尖端を設け、このうち各接触尖端を層Ｓ1〜Ｓnの１つに配し、各接触尖端を電気導体を介してアース電位に接続させる。更に、被覆ずみ基板および接触尖端は、粒子線の方向へ相互に相対運動可能なよう配置されている。
【００２２】
好ましい実施例にもとづき、被覆ずみ基板は、粒子線の方向へ位置Ｚ1まで摺動できる載置面上に設けてあり、他方、各接触尖端Ｋ1〜Ｋmは、別個のバネ要素を介して、架台に固定のホルダに機械的に結合されている。この場合、各接触尖端は、該尖端に関連してバネ要素によって設定される力の作用によって、他の接触尖端に対しても且つホルダに対しても相対的に可動である。
【００２３】
本発明にもとづきこのように個別のバネ要素に接触尖端を個々に懸架したことにもとづき、当該のバネ要素を対応して設計することによって、基板を位置Ｚ1に送る際に各接触尖端をレジスト系に作用させるための固有の力を上記接触尖端に付与することができる。
【００２４】
更に、本発明にもとづき、尖端角度αおよび尖端半径Ｒに関して種々異なるジオメトリを有する各接触尖端を構成する。力と面積との間の公知の関係にもとづき且つ層材料の厚さおよび粘度を考慮して、基板を位置Ｚ1に送った際にレジスト系への所定の貫入深さが達成されるようバネ要素および接触尖端の尖端ジオメトリを相互にまたは層材料に対応して規定する（調和させる）ことが可能である。
【００２５】
例えば、基板の載置面を位置Ｚ1まで摺動した際に、接触尖端Ｋ1が層Ｓ1を貫通することはなく、単に層Ｓ1上に載り、層Ｓ1と接触尖端Ｋ1によって結合されたアース電位との間に導電接続が形成されるよう、接触尖端のＫ1の尖端角度α、尖端半径Ｒおよびバネ要素Ｅ1によって尖端に割当てられる力Ｆ1を相互に且つ層Ｓ1の厚さおよび粘度に関して対応して規定する。
【００２６】
更に、例えば、基板を位置Ｚ1まで送った際に、層Ｓ1が、接触尖端Ｋ2によって貫通され、接触尖端Ｋ2が層Ｓ2上に載り、かくして、接触尖端Ｋ2を介して層Ｓ2とアース電位との間に導電接続が形成されるよう、接触尖端Ｋ2のジオメトリおよび力Ｆ2を相互に関し且つ層Ｓ1の厚さおよび粘度に関して対応して規定する。同様に、基板を位置Ｚ1まで摺動した際に、層Ｓ1、Ｓ2が、接触尖端Ｋ3によって貫通され、接触尖端Ｋ3を介して層Ｓ3とアース電位との間に導電接続が形成されるよう、接触尖端Ｋ3のジオメトリおよび力Ｆ3を相互に且つ層Ｓ1，Ｓ2の厚さおよび粘度に関して調和させる。
【００２７】
これは、他の接触尖端にも同様に当てはまる。この場合、更に、基板を位置Ｚ1まで摺動した際に、層Ｓ1〜Ｓn-1が、接触尖端Ｋnによって貫通され、接触尖端Ｋnを介して層Ｓnとアース電位との間に導電接続が形成されるよう、少なくとも接触尖端Ｋnのジオメトリおよび力Ｆnを相互に且つ層Ｓ1〜Ｓn-1の厚さおよび粘度に関して対応して規定する。
【００２８】
本発明に係る方法および本発明に係る装置は、３つの層Ｓ1〜Ｓ3、即ち、ポリマーレジスト（例えば、名称ＰＭＭＡ）からなる層Ｓ1、窒化ケイ素からなる層Ｓ2および再びＰＭＭＡからなる層Ｓ3からなるレジスト系を備えた基板と関連して有利に使用される。
【００２９】
これに関連して、本発明に係る装置の極めての有利な変更例の場合、板バネとして構成された４つのバネ要素Ｅ1〜Ｅ4が設けてあり、上記バネ要素の一端は、それぞれ、ホルダに固定されており、他端には、関連の接触尖端Ｋ1〜Ｋ4が固定されている。上記板バネには、層材料に依存してバネ材料、バネ横断面積およびバネ長さを夫々異なる態様で構成することによって、基板を位置Ｚ1まで送った際に、接触尖端Ｋ1を関連の層Ｓ1に到達させ、接触尖端Ｋ2を関連の層Ｓ2に到達させ、接触尖端Ｋ3を関連の層Ｓ3に到達させ、接触尖端Ｋ4を基板に到達させるのに役立つバネ力Ｆ1，Ｆ2．．．Ｆ4を形成する性質を付与できる。
【００３０】
この場合、力は、０．１〜２ニュートンの範囲に設定され、接触尖端の接触半径は、２０μｍ〜１００μｍの範囲に構成され、層の厚さは、約０．５μｍ〜２μｍである。
【００３１】
【実施例】
以下に、実施例を参照して本発明を詳細に説明する。
【００３２】
図１に、レジスト系２を備えた基板１にパタン（層構造）を構成する（Strukturieren）装置の部分を示した。Ｚ座標に平行にレジスト系２の方向３へ向けられた粒子線によって層構造を構成するため、被覆ずみ基板１は、テーブル５の載置面４上に置いてある。
【００３３】
レジスト系２は、層Ｓ1〜Ｓ3からなり、この場合、層Ｓ1の材料としてＰＭＭＡを使用し、層Ｓ2の材料として窒化ケイ素を使用し、層Ｓ3の材料として、再び、ＰＭＭＡを使用する。
【００３４】
露光開始前に、基板１を露光光学系（図示してない）に対して位置決めする。即ち、レジスト系２の表面６から露光光学系までの距離が所定値になるまで、基板１と共にテーブル５をＺ座標に沿って位置Ｚ0から摺動させる。この距離は、例えば、位置Ｚ1によって達成される（図２）。上記摺動後、基板１を備えたテーブル５をＸ座標および／またはＹ座標の方向へ各露光位置に段階的に摺動させることができる。
【００３５】
さて、露光光束の方向に望ましくない影響を与えることになる帯電を阻止するため、本発明にもとづき、露光前に、各層Ｓ1〜Ｓ3および基板１を、電荷担体の自由な流出が可能なアース電位に接続する。この接続は、位置Ｚ1へのテーブル５の送り運動を利用して各層Ｓ1〜Ｓ3および基板１をアース電位に置くことによって達成される。
【００３６】
このため、架台に固定のホルダ７には、レジスト系２の上方にＺ座標の方向へ、板バネとして構成されたバネ要素Ｅ1〜Ｅ4の１つにそれぞれ設置した４つの接触尖端Ｋ1〜Ｋ4が設けてある。４つの接触尖端Ｋ1〜Ｋ4のうち、バネ要素Ｅ1に設置された接触尖端Ｋ1は、層Ｓ1に関連し、バネ要素Ｅ2に設置された接触尖端Ｋ2は、層Ｓ2に関連し、バネ要素Ｅ3に設置された接触尖端Ｋ3は、層Ｓ3に関連し、最後に、バネ要素Ｅ4に設置された接触尖端Ｋ4は、基板１に関連する（図３，４）。
【００３７】
判り易いよう、図１および図２には、この装置は、バネ要素Ｅ3および接触尖端Ｋ3にのみ関連させて示してある。同図から明らかな如く、バネ要素Ｅ3は、一端で、ホルダ７に固定されており、他端には、接触尖端Ｋ3が自由にスウィング可能（弾性的に可動）なよう設けてある。ホルダ７は、装置架台１１に固定されている。
【００３８】
さて、テーブル５をＺ方向へ送れば、接触尖端Ｋ3は、表面６に達し、この際、まず、表面６に載り、送りが更に進むと、表面６の前方へ（Ｚ方向へ）押される。この場合、バネ要素Ｅ3の予圧（ひずみエネルギ、バネ応力）が増大され、かくして、接触面８の接触される面部分と表面６との間の面圧も増大される。さて、送りが更に進行して面圧が十分に大きくなると、表面６の破壊が誘起され、接触尖端Ｋ3が、層Ｓ1内に貫入する。この場合、貫入深さは、接触尖端Ｋ3のジオメトリ、特に、その尖端角度αおよび尖端半径Ｒ（図６参照）ならびにバネ要素Ｅ3の特性および層Ｓ1の粘度に依存する。
【００３９】
尖端角度α、尖端半径Ｒおよびバネ要素Ｅ3を層Ｓ1の粘度および厚さに関して対応して規定すれば、接触尖端Ｋ3は、層Ｓ1を貫通して層Ｓ2に貫入する。この場合も、層Ｓ2への貫入深さは、テーブル送りの進行時のバネ予圧または面圧の増大に起因する力の増大に依存する。増大する面圧は、同じく、層Ｓ1、Ｓ2のコンシステンシーにも且つ、もちろん、厚さにも依存し、層Ｓ2を貫通して接触面８を層Ｓ3に接触させるのに役立つ。
【００４０】
尖端角度α、尖端の（曲率）半径Ｒ，バネ要素Ｅ3、層Ｓ1、Ｓ2の粘度および厚さを相互に十分正確に対応規定すれば、かくして、位置Ｚ1に達した際に、接触尖端Ｋ3，バネ要素Ｅ3および導電線路９を介してアース電位に対する層Ｓ3の電気接続が正確に形成される。
【００４１】
この状態を図２に示した。同図から明らかな如く、接触尖端Ｋ3の接触面８は、レジスト系２内に層Ｓ3まで貫入している。この場合、層Ｓ3とアース電位との間に導電接続が形成されるのみならず、層Ｓ1、Ｓ2の材料と接触面８との接触にもとづき、上記双方の層もアース電位に接続される。さて、露光プロセスが始まると、望まれざる帯電電荷がアース電位に導出される。
【００４２】
図３に、バネ要素Ｅ1〜Ｅ4を介してホルダ７に機械的に結合された接触尖端Ｋ1〜Ｋ4を方向３から見た平面図を示した。この場合、接触尖端Ｋ1〜Ｋ4は、相互に相対運動可能であり、運動方向は、紙面の垂線にほぼ対応する。
【００４３】
図４に、バネ要素Ｅ1〜Ｅ4および接触尖端Ｋ1〜Ｋ4を図３の矢視方向Ａから見た図面を示した。同図から明らかな如く、接触尖端Ｋ1は、層Ｓ1に関連し、接触尖端Ｋ2は、層Ｓ2に関連し、接触尖端Ｋ3は、層Ｓ3に関連し、接触尖端Ｋ4は、基板１に関連して夫々対応配設されている。
【００４４】
上記対応関係から知られる如く、接触尖端Ｋ1〜Ｋ3の各々は、層Ｓ1〜Ｓ3の１つの層の電気接触を保証し、接触尖端Ｋ4は、基板１との電気接触を保証する。これに関連して、バネ要素Ｅ1〜Ｅ4および接触尖端Ｋ1〜Ｋ4のジオメトリは、夫々層Ｓ1〜Ｓ3の厚さおよび粘度に対応して規定されており、かくして、テーブル５の送り運動中に形成された面圧は、各接触尖端Ｋ1〜Ｋ3を関連の各層Ｓ1〜Ｓ3に接触させ、接触尖端Ｋ4を基板１と接触させるのに十分なよう調整されている。
【００４５】
かくして、有利なことには、（ピンの回転装置の形の）機械的補助手段および電気的補助手段（例えば、レジスト系に印加される高電圧）を付加することなく、単に送り運動によって、アース電位に対する各層Ｓ1〜Ｓ3および基板１の電気的接続が保証される。
【００４６】
図５に、接触中の接触尖端Ｋ3の運動路を示した。各バネ要素Ｅ1〜Ｅ4は、片側で（片持ち）固定されているので、テーブル５の送り中、接触尖端Ｋ1〜Ｋ4は、当該のバネ長さによって決定される半径の円弧１０に沿って移動されるが、テーブル５は真っすぐに案内されるので、接触尖端Ｋ1〜Ｋ4と被覆ずみ基板１との間の各接触点の位置は、その間Ｘ座標およびＹ座標の方向へ変化される。
【００４７】
これに関して、図５ａ）に、例えば、載置（当接）直前の接触尖端Ｋ3と表面６との間の接触点の位置Ｘ1を示した。しかしながら、貫入中に送りが更に進行すると、接触点は、漸次的に位置Ｘ2へ向かってシフトされる（図５ｂ）参照）。
【００４８】
接触尖端Ｋ3とレジスト系２との間の上記相対運動の結果として、接触尖端Ｋ3は、送り運動に対応して層Ｓ1、Ｓ2に真っすぐに貫入するのではなく、貫入時に、確実な接触のために本質的に重要な、いわゆる、“引掻き（スクラッチ）効果”が生ずる。かくして、貫入される層Ｓ1、Ｓ2の材料は、単に（突入により）押除けられるのではなく、削除され（削取られ）、従って、オーム接触が確実に達成される。この場合、貫入された層Ｓ1、Ｓ2の材料は、接触面８に対し摺動される。これは、他の３つの接触尖端Ｋ1，Ｋ2およびＫ4についても同様に当てはまる。
【００４９】
図６に、例として、尖端半径Ｒ＝２０μｍおよび尖端角度α＝３０°を有する接触尖端Ｋ3のジオメトリを示した。かくして、層Ｓ1、Ｓ2の上記材料および１μｍの層厚を考慮して、バネ要素Ｅ3を対応して構成すれば、０．１〜２ニュートンの範囲の層材料に対する接触面８の負荷力が生じ、この負荷力は、送り中に接触尖端Ｋ3を層Ｓ1、Ｓ2を介して層Ｓ3まで貫入させるのに十分である。
【００５０】
本発明のさらなる変更例にもとづき、もちろん、前置の層Ｓ1、Ｓ2への貫入時に、接触尖端Ｋ3の例と同様に、主として材料押除けによって貫入が行われるよう円弧１０の半径を大きく構成することができる。バネ要素Ｅ3のバネ長さが十分に大きい場合、レジスト系２への接触尖端Ｋ3の貫入時の運動成分Ｘは、極めて小さいので、スクラッチ効果は現れず、従って、材料削取は行われず、材料押除けのみが行われる。更に、方向３に平行に真っすぐに接触尖端Ｋ1〜Ｋ4を案内することも考えられる。この場合、バネ要素の１つまたは複数は、コイルバネとして構成できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  被覆ずみ基板の接触前の図面である。
【図２】  被覆ずみ基板の接触状態を示す図面である。
【図３】  基板および接触尖端の平面図である。
【図４】  基板および接触尖端の図３の方向Ａの側面図である。
【図５】  接触中の接触尖端の運動路を示す図面である。
【図６】  接触尖端のジオメトリの例の詳細図である。
【符号の説明】
１  基板
２  レジスト系
３  粒子線の方向
４  載置面
５  テーブル
６  レジスト系の表面
７  ホルダ
８  接触面
９  導体
１０  円弧
１１  機器の架台
Ｓ1−Ｓ3  層
Ｋ1−Ｋ4  接触尖端
Ｅ1−Ｅ4  バネ要素
【図１】
0004435987.tif 000002
【図２】
0004435987.tif 000003
【図３】
0004435987.tif 000004
【図４】
0004435987.tif 000005
【図５】
0004435987.tif 000006
【図６】
0004435987.tif 000007