(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｎｉ粉末，Ｃｕ粉末，Ｎｉまたは／およびＣｕを主成分とする合金粉末からなる群より選ばれる少なくとも１種の卑金属粉末の表面に、
前記卑金属粉末の平均粒径よりも小さく、前記卑金属粉末１００重量部に対して５０重量部以下のＮｉ−Ｂ合金粉末を、機械的な処理によって付着させる付着工程を備えることを特徴とする、耐酸化性を備える導電粉末の製造方法。
【請求項２】
前記付着工程の前段階に、Ｎｉ塩を水素化硼化物または／およびアミンボランを含む還元液で液相還元して前記Ｎｉ−Ｂ合金粉末を得る工程をさらに備えることを特徴とする、請求項１に記載の耐酸化性を備える導電性粉末の製造方法。
【請求項３】
前記卑金属粉末の平均粒径は、１．０μｍ以下であることを特徴とする、請求項１または２に記載の耐酸化性を備える導電粉末の製造方法。
【請求項４】
前記Ｎｉ−Ｂ合金粉末の平均粒径は、０．１μｍ以下であり、かつ前記卑金属粉末の平均粒径の１／２以下であることを特徴とする、請求項１〜３の何れかに記載の耐酸化性を備える導電粉末の製造方法。
【請求項５】
請求項１〜４の何れかに記載の製造方法によって得られたことを特徴とする、耐酸化性を備える導電粉末。
【請求項６】
請求項５に記載の耐酸化性を備える導電粉末と、有機ビヒクルと、を含有してなることを特徴とする、導電性ペースト。
【請求項７】
複数のセラミック層が積層されてなるセラミック積層体と、前記セラミック層間に形成された複数の内部電極と、を備える積層セラミック電子部品であって、
前記内部電極は、請求項６に記載の導電性ペーストを用いて形成されていることを特徴とする、積層セラミック電子部品。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、耐酸化性を有する導電粉末の製造方法、上述の製造方法によって得られる導電粉末、上述の導電粉末を含有してなる導電性ペースト、および上述の導電性ペーストを用いて内部電極が形成された積層セラミック電子部品に関するものであり、特に、積層セラミックコンデンサの内部電極形成に好適な導電性ペーストに用いられる耐酸化性を有する導電粉末の製造方法、導電粉末、導電性ペーストおよび積層セラミックコンデンサに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、積層セラミック電子部品、例えば積層セラミックコンデンサのように、生のセラミック積層体とペースト塗布膜を同時焼成して焼結させる場合に用いられる、内部電極形成用の導電性ペーストとしては、高温下でも酸化に対して安定で、かつ素体セラミック焼成温度より融点の高いＰｄ，Ａｇ−Ｐｄ，Ｐｔ等の貴金属粉末と、有機バインダーと溶剤とからなる有機ビヒクルと、を含有してなる導電性ペーストが用いられてきた。しかし、これら貴金属粉末は高価であり、かつ価格が安定しないことから、近年ではＮｉ粉末，Ｃｕ粉末，またはこれらを主成分として含有する粉末等の卑金属粉末を含有してなる導電性ペーストを用いて内部電極を形成した、低コストな積層セラミックコンデンサや多層セラミック基板等の積層セラミック電子部品が生産されている。
【０００３】
上述のような積層セラミック電子部品の製造工程においては、Ｎｉ粉末やＣｕ粉末の酸化を防止するため、脱バインダー工程および本焼成工程における雰囲気制御が非常に重要となる。このうち、脱バインダー工程においては、これら卑金属粉末の酸化を防止するため、窒素気流中等の中性雰囲気か、もしくはこれら卑金属粉末が酸化しない程度のごく低温の酸化雰囲気により、有機物の分解を目的とした熱処理が行われている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
従来の卑金属粉末を含有してなる導電性ペーストを用いる場合には、上述したように、窒素気流中等の中性雰囲気か、もしくはこれら卑金属粉末が酸化しない程度のごく低温の酸化雰囲気中で脱バインダーを行なわなければならず、工程雰囲気のバラツキによる有機物の分解や除去が不十分となると、残留したカーボン成分が本焼成時にセラミックの焼結を阻害し、セラミックが焼結不足となり、十分な静電容量や絶縁抵抗が得られないという問題が発生する。
【０００５】
また、逆に、有機物の熱分解を確実に行なうために、十分な酸素を与え高温で熱処理を行なうと、脱バインダー時に卑金属粉末が酸化し、卑金属粉末の酸化膨張による脱バインダー時の層剥がれといった構造不良や、酸化による卑金属粉末の焼結不足による取得容量の低下や、等価直列抵抗ならびにｔａｎδの増加等の不具合が発生する。したがって、脱バインダー時において微妙な雰囲気管理が必要となり、工程管理が煩雑となり工程不良原因となる問題がある。
【０００６】
このような問題を解決する方法として、特開平１−２５８３０６号公報において、卑金属粉末の酸化防止のため、Ｎｉ粉末にＢ粉末またはＢ化合物粉末の１種もしくは１種以上を含ませるとともに、無機質フィラーおよび有機ビヒクルを含有させた導電性ペーストが開示されている。しかしながら、この方法では、ペースト混練が不十分である場合、Ｂ粉末またはＢ化合物の分散状態が不均一になり、卑金属粉末の耐酸化性がばらつくという問題がある。
【０００７】
本発明の目的は、上述の問題点を解消すべくなされたもので、耐酸化性を有する導電粉末、およびこのような導電粉末を用いた導電性ペーストを提供することで、有機物の分解ならびに除去に十分な温度の酸化雰囲気中での脱バインダー処理を可能とし、このような導電性ペーストを用いて内部電極を形成する積層セラミック電子部品の歩留まりならびに生産性を向上させることにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の耐酸化性を備える導電粉末の製造方法は、Ｎｉ粉末，Ｃｕ粉末，Ｎｉまたは／およびＣｕを主成分とする合金粉末からなる群より選ばれる少なくとも１種の卑金属粉末の表面に、卑金属粉末の平均粒径よりも小さく、卑金属粉末１００重量部に対して５０重量部以下のＮｉ−Ｂ合金粉末を、機械的な処理によって付着させる付着工程を備えることを特徴とする。
【０００９】
また、本発明の耐酸化性を備える導電粉末の製造方法は、上述の付着工程の前段階に、Ｎｉ塩を水素化硼化物または／およびアミンボランを含む還元液で液相還元してＮｉ−Ｂ合金粉末を得る工程をさらに備えることが好ましい。
【００１０】
また、本発明の耐酸化性を備える導電粉末の製造方法における、卑金属粉末の平均粒径は、１．０μｍ以下であることが好ましい。
【００１１】
また、本発明の耐酸化性を備える導電粉末の製造方法における、Ｎｉ−Ｂ合金粉末の平均粒径は、０．１μｍ以下であり、かつ卑金属粉末の平均粒径の１／２以下であることが好ましい。
【００１２】
本発明の耐酸化性を備える導電粉末は、上述の本発明の耐酸化性を備える導電粉末の製造方法によって得られたことを特徴とする。
【００１３】
本発明の導電性ペーストは、上述の本発明の耐酸化性を備える導電粉末と、有機ビヒクルと、を含有してなることを特徴とする。
【００１４】
本発明の積層セラミック電子部品は、複数のセラミック層が積層されてなるセラミック積層体と、セラミック層間に形成された複数の内部電極と、を備える積層セラミック電子部品であって、内部電極は、本発明の導電性ペーストを用いて形成されていることを特徴とする。
【００１５】
【発明の実施の形態】
本発明による一つの実施形態における導電粉末について、図１およびに基づいて詳細に説明する。導電粉末１は、図１に示すように、卑金属粉末２と、Ｎｉ−Ｂ合金粉末３と、からなる。
【００１６】
卑金属粉末２は、例えば、Ｎｉ粉末，Ｃｕ粉末，Ｎｉ−Ｐ合金粉末，Ｎｉ−Ｃｒ合金粉末，Ｃｕ−Ｚｎ合金粉末，Ｐｄ粉末が付着したＮｉ粉末，Ａｇが付着したＮｉ粉末，Ｐｄ−Ａｇ合金粉末が付着したＮｉ粉末、Ｐｔ粉末が付着したＮｉ粉末、Ｐｄ粉末が付着したＣｕ粉末，Ａｇが付着したＣｕ粉末，Ｐｄ−Ａｇ合金粉末が付着したＣｕ粉末、Ｐｔ粉末が付着したＣｕ粉末等が挙げられ、積層セラミック電子部品のセラミック特性に合わせ適宜選択される。
【００１７】
Ｎｉ−Ｂ合金粉末３は、卑金属粉末２の表面に付着している。Ｎｉ−Ｂ合金粉末を卑金属粉末に付着させる方法としては、例えばボールミル，サンドミル，高速ホモジナイザー，ジェットミル，メカノフュージョン等を用いて機械的な処理を施すことが挙げられる。なお、分散条件を調整することにより、平均粒径や付着量を調整することができる。
【００１８】
また、Ｎｉ−Ｂ合金粉末の平均粒径は、卑金属粉末の平均粒径よりも小さいことを要する。卑金属粉末の平均粒径よりも小さい場合に、上述したように酸化硼素が卑金属粉末を被覆し、卑金属粉末の耐酸化性が高まるという本発明の効果が得られる。他方、卑金属粉末の平均粒径以上であると、このような導電粉末を含有してなる導電性ペーストを用いて内部電極を形成した積層セラミック電子部品は、卑金属粉末の酸化膨張による脱バインダー時の層剥がれといった構造不良や、酸化による卑金属粉末の焼結不足による取得容量の低下や、等価直列抵抗ならびにｔａｎδの増加等の不具合が発生する。
【００１９】
また、Ｎｉ−Ｂ合金粉末の卑金属粉末表面への付着量は、卑金属粉末１００重量部に対して、５０重量部以下であることを要する。Ｎｉ−Ｂ合金粉末の付着量が５０重量％を超えると、多量のＮｉ−Ｂ合金粉末が熔融し、内部電極が電極としての機能を損なう。なお、Ｎｉ−Ｂ合金粉末の付着量の下限値は特に限定はしないが、Ｎｉ−Ｂ合金粉末の付着量が０．１重量％程度あれば、導電粉末の酸化開始温度が上昇し、すなわち卑金属粉末の耐酸化性を向上させる効果が得られ、このような導電粉末を粉末を含有してなる導電性ペーストを用いて内部電極を形成した積層セラミック電子部品において、導電粉末の酸化膨張による脱バインダー時の層剥がれといった構造不良の発生、酸化による導電粉末の焼結不足による取得容量の低下、等価直列抵抗ならびにｔａｎδの増加等の不具合の発生を抑制することができる。
【００２０】
また、卑金属粉末の平均粒径は、１．０μｍ以下であることが好ましい。一般的に、卑金属粉末は平均粒径が小さくなるほど比表面積が増えて活性になり、酸化が起こりやすくなる。特に、卑金属粉末の平均粒径が１．０μｍ以下の場合に酸化が起こりやすくなる傾向がある。そのため、本発明において、卑金属粉末の平均粒径が１．０μｍ以下である場合に本発明の耐酸化効果が十分に発揮される。卑金属粉末の平均粒径が１．０μｍを超える粉末を用いた場合も本発明の耐酸化効果は得られるが、もともと比表面積が小さく酸化に対して敏感でないため、その耐酸化効果は１．０μｍ以下の粉末の場合ほど顕著ではない。
【００２１】
また、Ｎｉ−Ｂ合金粉末の平均粒径は０．１０μｍ以下で、かつ卑金属粉末の平均粒径の１／２以下であることが好ましい。上述の範囲内である場合、Ｎｉ−Ｂ合金粉末が卑金属粉末の表面をより均一に被覆することができ、卑金属粉末の耐酸化性が十分に得られる。
【００２２】
また、本発明のＮｉ−Ｂ合金粉末の製造方法は、特に限定はしないが、ニッケル塩の溶液を水素化硼化物あるいはアミンボランの還元液にて液相還元して作製したＮｉ−Ｂ合金粉末は、粒子径の分布が狭いので好ましい。この場合、Ｎｉ−Ｂ合金粉末の粒径制御は、液相還元反応の反応温度や濃度などを制御することによって行ない、０．１０μｍ以下のＮｉ−Ｂ合金粉末を作製することができる。得られたＮｉ−Ｂ合金粉末を分析した結果、この粉末は非晶質であり、また粉末中に含まれているＢ成分の構成割合は約２５モル％であった。なお、Ｎｉ−Ｂ合金粉末に含まれるＢ成分の構成割合については、特に限定はしない。
【００２３】
本発明の導電性ペーストは、上述の導電粉末と、有機ビヒクルと、を含有してなる。有機ビヒクルの材料は、特に限定はしないが、従来より積層セラミック電子部品の内部電極形成に好適な導電性ペーストに一般的に用いられている有機ビヒクル、具体的には、例えばエチルセルロース樹脂等の有機バインダーをテルピネオール等の溶剤に溶解させたもの等を適宜用いることができる。
【００２４】
本発明の積層セラミック電子部品の一つの実施形態について、図２に基づいて詳細に説明する。すなわち、積層セラミック電子部品１１は、セラミック積層体１２と、内部電極１３，１３と、端子電極１４，１４と、めっき膜１５，１５とから構成される。
【００２５】
セラミック積層体１２は、ＢａＴｉＯ3を主成分とする誘電体材料からなるセラミック層１２ａが複数積層された生のセラミック積層体が焼成されてなる。
【００２６】
内部電極１３，１３は、セラミック積層体１２内のセラミック層１２ａ間にあって、複数の生のセラミック層１２ａ上に本発明の導電性ペーストが印刷され、生のセラミック層とともに積層されてなる生のセラミック積層体と同時焼成されてなり、内部電極１３，１３のそれぞれの端縁は、セラミック積層体１２の何れかの端面に露出するように形成されている。
【００２７】
端子電極１４，１４は、セラミック積層体１２の端面に露出した内部電極１３，１３の一端と電気的かつ機械的に接合されるように、端子電極形成用の導電性ペーストがセラミック積層体１２の端面に塗布され焼付けられてなる。
【００２８】
めっき膜１５，１５は、例えば、ＳｎやＮｉ等の無電解めっきや、はんだめっき等からなり、端子電極１４，１４上に少なくとも１層形成されてなる。
【００２９】
なお、本発明の積層セラミック電子部品のセラミック積層体１２の材料は、上述の実施形態に限定されることなく、例えばＰｂＺｒＯ3等その他の誘電体材料や、絶縁体、磁性体、半導体材料からなっても構わない。また、本発明の積層セラミック電子部品の内部電極１３の枚数は、上述の実施形態に限定されることなく、何層形成されていても構わない。また、端子電極の形成位置ならびに個数は、上述の実施形態に限定されない。また、めっき膜５，５は、必ずしも備えている必要はなく、また何層形成されていても構わない。
【００３０】
【実施例】
（実施例１）
まず、ボールミルを用いて、Ｎｉ粉末の表面にＮｉ−Ｂ合金粉末を機械的に付着させる方法により、Ｎｉ−Ｂ合金粉末が付着した試料１〜８の耐酸化性を備える導電粉末を作製した。すなわち、表１に示した平均粒径のＮｉ粉末と、ＮｉＳＯ4・６Ｈ2Ｏを水素化硼素ナトリウムを用いて液相還元させて作製した表１に示した平均粒径のＮｉ−Ｂ合金粉末と準備し、表１に示したＮｉ−Ｂ合金粉末付着量となるように添加比を調整した後、これらをアルミナボールとともにに容器に入れ、１２時間ボールミル混合をおこなった後、アルミナボールを分離して、Ｎｉ−Ｂ合金粉末が付着した試料１〜８の導電粉末を得た。
【００３１】
次いで、ジェットミルを用いて、Ｎｉ粉末の表面にＮｉ−Ｂ合金粉末を機械的に付着させる方法により、Ｎｉ−Ｂ合金粉末が付着した試料９〜１６の耐酸化性を備える導電粉末を作製した。すなわち、表１に示した平均粒径のＮｉ粉末と、ＮｉＳＯ4・６Ｈ2Ｏを水素化硼素ナトリウムを用いて液相還元させて作製した表１に示した平均粒径のＮｉ−Ｂ合金粉末と準備し、表１に示したＮｉ−Ｂ合金粉末付着量となるように添加比を調整して混合した後、これをジェットミルに投入して処理を行ない、Ｎｉ−Ｂ合金粉末が付着した試料９〜１６の導電粉末を得た。
【００３２】
次いで、従来の導電粉末として、表１に示した平均粒径のＮｉ粉末を準備し、これを試料１７〜２０の導電粉末とした。
【００３３】
そこで、Ｎｉ−Ｂ合金粉末が付着したＮｉ粉末の耐酸化性の確認のため、試料１〜１６，１９，２０の導電粉末の酸化開始温度を、示差熱天秤を用いて空気気流中での室温より１０００℃までの質量変化を測定し、導電粉末の酸化による重量増加が始まる温度を酸化開始温度と規定し、これを表１にまとめた。なお、試料１７，１８の導電粉末については、導電性ペーストを作成後にこれを乾燥させて再び粉末化させ、同じく示差熱天秤を用いて上述の試料１〜１６，１９，２０と同様に測定を行ない、これを表１にまとめた。
【００３４】
【表１】
0004595235.tif 000002
【００３５】
表１から明らかであるように、Ｎｉ粉末の平均粒径が０．５μｍであり、Ｎｉ−Ｂ合金粉末が表面に付着している試料１〜１６の導電粉末は、Ｎｉ粉末の平均粒径が同じく０．５μｍであり、Ｎｉ−Ｂ合金粉末が付着していない試料１９の導電粉末と比較して、酸化開始温度が高温方向へ推移しており、その程度はＮｉ−Ｂ合金粉末の付着量に比例していることが分かる。
【００３６】
また、Ｎｉ粉末の平均粒径が１．０μｍであり、Ｎｉ−Ｂ合金粉末が表面に付着している試料８，１６の導電粉末についても、Ｎｉ粉末の平均粒径が同じく１．０μｍであり、Ｎｉ−Ｂ合金粉末が付着していない試料２０の導電粉末と比較して、酸化開始温度が高温方向へ推移していることが分かる。
（実施例２）
次いで、試料１〜２０の導電粉末を用いて、導電性ペーストを作製した。すなわち、表２に示すように、導電粉末５０重量％と、有機バインダーであるエチルセルロース樹脂２０重量部と溶剤であるテルピネオール８０重量部とを混合してなる有機ビヒクル５０重量％と、を混合した後に三本ロールにて分散処理を行ない、試料１〜２０の導電性ペーストを作製した。なお、試料１７，１８の導電性ペーストについては、上述の混合の際に、表１に示した割合のＮｉ−Ｂ合金粉末をさらに添加し同時に混合した後に三本ロールにて分散処理を行ない、試料１７，１８の導電性ペーストとした。
【００３７】
【表２】
0004595235.tif 000003
【００３８】
次いで、試料１〜２０の導電性ペーストをガラス板上にドクターブレードを用いて５μｍの厚さに塗布して、これを１００℃で乾燥させた後、触針式膜厚計で十点表面粗さ（Ｒｚ）を測定し、これを表４にまとめた。
【００３９】
次いで、試料１〜２０の導電性ペーストを用いて内部電極を形成した、設計段階の静電容量が２．２μＦである積層セラミックコンデンサを作製する。すなわち、ＢａＴｉＯ3を主成分とするセラミック層を準備し、所定枚数のセラミック層の表面上に一方の端縁がセラミック層の何れかの端面側に露出するように、試料１〜２０の導電性ペーストを用いて内部電極となるべき電極膜を印刷し、これら複数のセラミック層を所定枚数積層し圧着して、試料１〜２０の生のセラミック積層体を複数準備した。
【００４０】
次いで、試料１〜２０の生のセラミック積層体を脱バインダーさせるにあたり、条件を表３のように設定した。すなわち、耐酸化性の無い導電粉末を用いた導電性ペーストの場合に導電粉末の酸化が生じ易い条件として、トップ温度４５０℃，キープ１時間，Ａｉｒ雰囲気と設定し、これを脱バインダー条件Ａとした。他方、導電粉末の酸化は生じにくいが、有機バインダーの熱分解が不十分となり易い条件として、トップ温度３００℃，キープ１時間，Ｎ2雰囲気と設定し、これを脱バインダー条件Ｂとした。
【００４１】
【表３】
0004595235.tif 000004
【００４２】
次いで、上述の脱バインダー処理後に焼成し、さらにセラミック積層体の両端面にＡｇを導電成分とする端子電極形成用の導電性ペーストを浸漬塗布し、乾燥させた後これを焼付けて、内部電極に電気的かつ機械的に接合された一対の端子電極を備える、試料１〜２０の積層セラミックコンデンサを１００００個ずつ得た。
【００４３】
そこで、試料１〜２０の積層セラミックコンデンサを１００個ずつ抜き取り、静電容量（１００個平均），ショート不良発生率，層剥がれ不良発生率を測定し、先に表４にまとめた十点表面粗さ（Ｒｚ）を含む４項目を総合して評価を付し、これらを表４にまとめた。
【００４４】
なお、評価は、静電容量が２．２±０．２μＦ、ショート不良発生率が０％、層剥がれ不良発生率が０％であり、Ｎｉ−Ｂ合金粉末を付着させていない試料１９，２０の導電粉末を用いた積層セラミックコンデンサと比較して表面粗さが略同等である、本発明の範囲内である試料について○を、本発明の範囲外の試料について×を付した。
【００４５】
【表４】
0004595235.tif 000005
【００４６】
表４から明らかであるように、Ｎｉ粉末の平均粒径よりも小さく、Ｎｉ粉末１００重量部に対して５０重量部以下のＮｉ−Ｂ合金粉末を付着させた試料１〜４，６，８〜１２，１４，１６の導電粉末を用いた積層セラミックコンデンサは、静電容量が２．０〜２．２μＦであり、ショート不良発生率，層剥がれ不良発生率が何れも０％であり、Ｎｉ−Ｂ合金粉末を付着させていない試料１９，２０の導電粉末を用いた積層セラミックコンデンサと比較して表面粗さも略同等であることから、本発明の範囲内となった。
【００４７】
これに対して、Ｎｉ粉末の平均粒径よりも小さいが、Ｎｉ粉末１００重量部に対して７０重量部のＮｉ−Ｂ合金粉末を付着させた試料５，１３の導電粉末を用いた積層セラミックコンデンサは、静電容量が１．０〜１．１μＦで低く許容範囲外であったため、本発明の範囲外となった。
【００４８】
また、Ｎｉ粉末１００重量部に対して５０重量部以下のＮｉ−Ｂ合金粉末を付着させているが、Ｎｉ−Ｂ合金粉末の平均粒径がＮｉ粉末の平均粒径と同等である試料７，１５の導電粉末を用いた積層セラミックコンデンサは、静電容量が０．５〜０．６で低く許容範囲外であり、層剥がれ不良発生率が２８〜３０％で高く劣ったため、本発明の範囲外となった。
【００４９】
また、ペースト中にＮｉ−Ｂ合金粉末を添加した試料１７，１８の積層セラミックコンデンサは、静電容量が１．６μＦで低く許容範囲外であり、層剥がれ不良発生率が２０％で高く劣った。
【００５０】
また、従来のＮｉ粉末である試料１９，２０の導電粉末を用いた試料１９Ａ，１９Ｂ，２０Ａ，２０Ｂの積層セラミックコンデンサは、脱バインダー条件がＡｉｒ雰囲気中でトップ温度が高い場合には、静電容量が極端に低くなって層剥がれ不良発生率が高くなり、Ｎ2雰囲気中でトップ温度が低い場合には、ショート不良発生率が高くなることが分かる。
【００５１】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、Ｎｉ粉末，Ｃｕ粉末，Ｎｉまたは／およびＣｕを主成分とする合金粉末からなる群より選ばれる少なくとも１種の卑金属粉末の表面に、卑金属粉末の平均粒径よりも小さく、卑金属粉末１００重量部に対して５０重量部以下のＮｉ−Ｂ合金粉末を、機械的な処理によって付着させる付着工程を備えることを特徴とすることで、耐酸化性を有する導電粉末およびこのような導電粉末を用いた導電性ペーストを提供することができ、有機物の分解ならびに除去に十分な温度の酸化雰囲気中での脱バインダー処理を可能とし、このような導電性ペーストを用いて内部電極を形成する積層セラミック電子部品の歩留まりならびに生産性を向上させることができる。
【００５２】
また、上述の卑金属粉末の平均粒径は、１．０μｍ以下であることを特徴とすることで、一般に卑金属粉末は粒径が小さくなるほど比表面積が増えて活性になり、酸化が起こりやすくなるが、卑金属粉末の耐酸化性を向上させるという本発明の効果が顕著となり、また積層セラミック電子部品のさらなる薄層化や多層化に貢献できる効果がある。
【００５３】
また、上述のＮｉ−Ｂ合金粉末の平均粒径は、０．１μｍ以下であり、かつ卑金属粉末の平均粒径の１／２以下であることを特徴とすることで、Ｎｉ−Ｂ合金粉末が卑金属粉末の表面をより均一に被覆することができ、卑金属粉末の耐酸化性が十分に得られるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る一つの実施形態の導電粉末の断面図であり、卑金属粉末の表面にＮｉ−Ｂ合金粉末が付着した状態の説明図である。
【図２】本発明に係る一つの実施形態の積層セラミック電子部品の断面図である。
【符号の説明】
１      導電粉末
２      卑金属粉末
３    Ｎｉ−Ｂ合金粉末
１１    積層セラミック電子部品
１２ａ  セラミック層
１２    セラミック積層体
１３    内部電極
【図１】
0004595235.tif 000006
【図２】
0004595235.tif 000007