(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
隙間を介して対向する２枚の導体膜がそれぞれ相対する周辺に沿って形成された電極を有する座標入力パネルと、一方の該導体膜の電極間に電圧を印加する駆動回路と、他方の該導体膜を介して入力点から得られる電圧値をデジタル信号化するＡ／Ｄ変換器と、制御部および記憶装置とを有し、該Ａ／Ｄ変換器から入力される信号に基づいて該入力点の座標信号と導体膜の接触を示す信号を送出する電圧検出型の座標検出装置であって、
該記憶装置は、該導体膜の接触状態を分類するしきい値として、不完全接触と完全接触とを区分するしきい値Ｖａ、非接触と不完全接触とを区分するしきい値Ｖｂ、および接触状態から非接触状態に移行する際の判別基準となるしきい値Ｖｃ（Ｖａ＜Ｖｂ＜Ｖｃ）とを記憶し、
該制御部は、該駆動回路を制御する機能と、第１のステップで該Ａ／Ｄ変換器から入力される信号の電圧レベルを前記しきい値Ｖａ及びＶｂと比較して該入力点における該導体膜の接触状態を、非接触と不完全接触と完全接触とに分類する機能と、
前記第１のステップの後になされる第２のステップで該Ａ／Ｄ変換器から入力される信号の電圧レベルを前記しきい値Ｖｃと比較して該入力点における該導体膜の接触状態が接触状態から非接触状態に移行したことを検知する機能と、
前記第１及び第２のステップの間に該Ａ／Ｄ変換器から入力される信号が、不完全接触に分類された場合は該導体膜の接触を示す信号からなる送出信号を作成し、完全接触に分類された場合は該導体膜の接触を示す信号と該入力点の座標信号とを含む送出信号を作成する機能と、
前記第２のステップで該Ａ／Ｄ変換器から入力される信号に基づき、該導体膜の接触状態が接触状態から非接触状態に移行したと検知された場合は前記送出信号を無効とし、該導体膜の接触状態から非接触状態への移行が検知されなかった場合は前記送出信号を送出する機能とを有することを特徴とする座標検出装置。
【請求項２】
前記記憶装置が、入力点の移動に伴ってＡ／Ｄ変換器から入力される複数の信号を順次記憶するバッファ領域を有し、
前記制御部が、該バッファ領域内の信号に含まれる複数の座標値全体から該入力点の移動方向を示すベクトルを算出すると共に、該ベクトル上の座標値から許容範囲を超えて離れた点に位置する該バッファ領域内の座標値を、それぞれ許容範囲内に入るよう補正する機能を具えてなることを特徴とする請求項１に記載の座標検出装置。
【請求項３】
隙間を介して対向する２枚の導体膜がそれぞれ相対する周辺に沿って形成された電極を有する座標入力パネルと、一方の該導体膜の電極間に電圧を印加する駆動回路と、他方の該導体膜を介して入力点から得られる電圧値をデジタル化するＡ／Ｄ変換器と、該駆動回路を制御すると共に、該Ａ／Ｄ変換器から入力される信号の電圧レベルに基づいて該入力点における該導体膜の接触状態を、非接触と不完全接触と完全接触とに分類する機能を有する制御部と、該導体膜の接触状態を分類するしきい値として、不完全接触と完全接触とを区分するしきい値Ｖａ、非接触と不完全接触とを区分するしきい値Ｖｂ、および接触状態から非接触状態に移行する際の判別基準となるしきい値Ｖｃとを記憶し、かつ、Ｖａ＜Ｖｂ＜Ｖｃなる関係が成り立つよう設定されてなる記憶装置とを有し、該Ａ／Ｄ変換器から入力される信号に基づいて該入力点の座標信号と導体膜の接触状態を示す信号を送出する座標検出装置の信号送出方法であって、
該Ａ／Ｄ変換器から入力される信号の電圧レベルを前記しきい値Ｖａ及びＶｂと比較して該入力点における該導体膜の接触状態を、非接触と不完全接触と完全接触とに分類する第１のステップと、
前記第１のステップの後に、該Ａ／Ｄ変換器から入力される信号の電圧レベルを前記しきい値Ｖｃと比較して該入力点における該導体膜の接触状態が接触状態から非接触状態に移行したことを検知する第２のステップと、
前記第１及び第２のステップの間に該Ａ／Ｄ変換器から入力される信号が、不完全接触に分類された場合は該導体膜の接触を示す信号からなる送出信号を作成し、完全接触に分類された場合は該導体膜の接触を示す信号と該入力点の座標信号とを含む送出信号を作成するステップと、
前記第２のステップで該Ａ／Ｄ変換器から入力される信号に基づき、該導体膜の接触状態が接触状態から非接触状態に移行したと検知された場合は前記送出信号を無効とし、該導体膜の接触状態から非接触状態への移行が検知されなかった場合は前記送出信号を送出するステップとを有することを特徴とする座標検出装置の信号送出方法。
【請求項４】
該記憶装置が、入力点の移動に伴い該Ａ／Ｄ変換器から入力される複数の信号を順次記憶するバッファ領域を有し、
該制御部が、該バッファ領域内の信号に含まれる複数の座標値全体から該入力点の移動方向を示すベクトルを算出すると共に、該ベクトル上の座標値から許容範囲を超えて離れた点に位置する該バッファ領域内の座標値を、それぞれ許容範囲内に入るよう補正し、補正された該バッファ領域内の座標値に基づいて各入力点の座標信号を、順次送出することを特徴とする請求項３記載の座標検出装置の信号送出方法。
【請求項５】
前記制御部が、バッファ領域内の信号から入力点間の移動速度を算出し、該移動速度が予め設定されている基準値より大きい場合は、該導体膜の接触を示す信号を無効にすることを特徴とする請求項４記載の座標検出装置の信号送出方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はパソコンやワープロ等の情報処理装置に対して手軽に座標情報を入力するための座標検出装置に係り、特に導体膜の非接触状態と接触状態との中間における信号を処理可能な電圧検出型の座標検出装置に関する。
【０００２】
近年、パソコン等の情報処理装置において誰もが容易に操作できるようにオペレーションシステム等が改善されており、かかる改善に伴い情報を入力する手段が従来主流であったキーボードから操作の容易なマウス等に変わってきている。
【０００３】
しかし、屋外や車中などテーブルの無い場所で使用されることの多い携帯型装置ではマウス操作領域の確保が困難で、マウスに代わる入力手段として操作領域を必要としない他のポインティングデバイスや座標検出装置が用いられている。
【０００４】
その中でも座標入力パネルを用いた座標検出装置はグラフィカルなユーザインタフェイスに容易に適合できると共に、操作性に優れ寿命が長いことから現在は携帯型のパソコン等に対して情報を入力する手段として主流になってきている。
【０００５】
かかる情報処理装置への座標情報入力手段として従来は電磁誘導方式や静電結合方式の座標検出装置が主流であったが、コードレスペンや指による入力が可能であり構成が簡単で安価なことから電圧検出型座標検出装置に変わりつつある
しかし、電圧検出型の座標検出装置では導体膜の非接触状態から接触状態の間で電圧が連続的に変化する場合があり、導体膜の非接触状態と接触状態との中間で出力される信号が適切に処理されなければ座標検出装置として使用できない。
【０００６】
そこで、導体膜の非接触状態と接触状態との中間における信号を処理可能な電圧検出型座標検出装置の開発が望まれている。
【０００７】
【従来の技術】
図８は従来の座標検出装置の構成を示す図、図９は従来の信号送出方法を示すフローチャート、図10は従来の座標検出装置における問題点を示す図である。
【０００８】
従来の座標検出装置は図８に示す如く隙間を介して対向させた２枚の導体膜11、12を具えた座標入力パネル１を有し、導体膜11、12はそれぞれ周縁部に沿って形成され中央部の入力範囲13を挟んで相対する１対の電極14、15を具えている。
【０００９】
隙間を介して対向する２枚の導体膜11、12はそれぞれに形成された電極14と電極15とが互いに直交するよう配置され、例えばＹ軸に平行な導体膜11上の電極14はＸ座標、またＸ軸に平行な導体膜12上の電極15はＹ座標の検出に利用される。
【００１０】
座標入力パネル１に電圧を印加するための駆動回路２は導体膜11上の電極14間に電圧を印加するトランジスタ21、22と、導体膜12上の電極15間に電圧を印加するトランジスタ23、24を有し電極への電圧の印加は制御部３により制御される。
【００１１】
かかる座標検出装置において座標入力パネル１の一点を押下すると押下された入力点で２枚の導体膜11、12が接触し、そのとき電極14に電圧が印加されているとその電圧は入力点で分圧されＸ座標を示す電圧が電極15を経由し出力される。
【００１２】
また、電極15に電圧が印加されているとその電圧は入力点で分圧されＹ座標を示す電圧が電極14を経由して出力され、Ｘ座標を示す電圧Ｖ1 、Ｙ座標を示す電圧Ｖ2 がＡ／Ｄ変換器31によりデジタル信号に変換され制御部３に入力される。
【００１３】
駆動回路２は更に抵抗Ｒとトランジスタ25とからなり導体膜11と導体膜12との接触／非接触を検知する回路を具備し、トランジスタ25、トランジスタ22、および電極14、15を介して導体膜11、12間に電圧を印加するように構成されている。
【００１４】
接触または非接触の検知に際して制御部３がトランジスタ25をアクティブにし導体膜11、12間に電圧を印加したとき、電極15からＡ／Ｄ変換器31に入力される電圧は駆動電圧Ｖccが抵抗Ｒと導体膜の接触抵抗により分圧された電圧である。
【００１５】
かかる電圧検出型の座標検出装置は信号を入力する意思が無くても入力パネルに触れると座標信号が入力されるため、座標信号を入力するため入力パネル面を押下した場合は信号を入力する意思が無くて触れた場合と区別する必要がある。
【００１６】
そこで従来の座標検出装置は図９のフローチャートに示す方法で押下位置の座標を検出して座標信号を送出している。即ち、入力面が押下されるとまず導体膜間の接触／非接触を検知し非接触の場合は前の押下は無効と判定して待機する。
【００１７】
記憶装置32にＡ／Ｄ変換器31を通して入力される信号と比較し接触／非接触を判別するしきい値Ｖt が記憶されており、導体膜間に電圧を印加したとき電極15での電圧がしきい値Ｖt より大であれば非接触、小であれば接触と判定される。
【００１８】
接触／非接触の検知回路により導体膜の接触が確認されると座標検出回路によって入力点における座標値が検出され、制御部において座標データおよびスイッチングデータが設定されると共に信号の送出に具えて送出データが作成される。
【００１９】
次に作成されたデータの送出に先立ち信号を入力する意思が無くて入力パネルを押下した場合と区別する手段として、再び導体膜間の接触／非接触を検知し非接触であれば入力パネルの押下を無効とし接触であれば先のデータを送出する。
【００２０】
導体膜の接触／非接触を検知する回路において入力パネルの押下から離脱に至る間に得られる電圧の変化は理論的には、図10(a) に示す如く押下すると完全な接触状態を示す電圧まで降下し離脱させるとその状態から非接触状態まで戻る。
【００２１】
したがって、完全な接触状態を示す電圧に近く、且つ、該電圧より大きい電圧をしきい値Ｖt として設定することで、導体膜間が完全に接触している状態でスイッチングデータが設定されると共に入力点における座標データが設定される。
【００２２】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、入力パネルの押下力が弱い場合は図10(b) に示す如く完全な接触状態の前後に接触が不完全な状態が発生したり、極端な場合は図10(c) に示す如く完全な接触状態に到達することなく不完全な接触状態で推移することもあり得る。
【００２３】
従来の座標検出装置では導体膜の接触／非接触を判定する基準として設定されているしきい値Ｖt が一つであるため、このように接触が不完全な状態が発生したり不完全な接触状態で推移する場合には次に示す如く各種の問題点があった。
【００２４】
図10(b) に示す如く完全な接触の前に接触不完全な状態があり接触不完全な状態で導体膜が接触したと判定されると、次の座標値を検出する工程において電極15からＡ／Ｄ変換器31に入力される電圧が導体膜の接触抵抗に対応し変動する。
【００２５】
電圧検出型の座標検出装置において電極15からＡ／Ｄ変換器31に入力される電圧の変化は入力点の移動を意味しており、導体膜の接触抵抗が変化することにより入力点を移動させていないにもかかわらず微小移動させた如き現象が生じる。
【００２６】
また、座標検出装置から座標データを送出する際に同一入力点で押下を繰り返し複数データを送出する場合があるが、図10(c) に示す如く接触が不完全な状態で推移する場合は例えば接触／非接触を繰り返すチャタリング現象が発生する。
【００２７】
チャタリング現象のタイミングと押下を繰り返すタイミングとが同期した場合は１度の押下で複数データが送出される。その間、座標値検出工程において電極15からＡ／Ｄ変換器31に入力される電圧が導体膜の接触抵抗に対応し変動する。
【００２８】
更に、入力ペン等を移動させてその移動過程に介在する各入力点において得られる座標値を順次出力する場合もあるが、導体膜の接触抵抗が変動すると出力される座標値が誤差を含むため実際の移動過程とは異なる過程を描くことになる。
【００２９】
本発明の目的は導体膜の非接触状態と接触状態との中間における信号を処理可能な電圧検出型座標検出装置を提供することにある。
【００３０】
【課題を解決するための手段】
図１は本発明になる座標検出装置を示す図である。なお全図を通し同じ対象物は同一記号で表している。
【００３１】
上記課題は、隙間を介して対向する２枚の導体膜11、12がそれぞれ相対する周辺に沿って形成された電極14、15を有する座標入力パネル１と、一方の導体膜11または12の電極14または15間に電圧を印加する駆動回路２と、他方の導体膜11または12を介して入力点から得られる電圧値をデジタル信号化するＡ／Ｄ変換器31と、制御部４および記憶装置41とを有し、Ａ／Ｄ変換器31から入力される信号に基づいて入力点の座標信号と導体膜の接触を示す信号を送出する電圧検出型の座標検出装置であって、
記憶装置４１は、導体膜の接触状態を分類するしきい値として、不完全接触と完全接触とを区分するしきい値Ｖａ、非接触と不完全接触とを区分するしきい値Ｖｂ、および接触状態から非接触状態に移行する際の判別基準となるしきい値Ｖｃ（Ｖａ＜Ｖｂ＜Ｖｃ）とを記憶し、
制御部４は、駆動回路２を制御する機能と、第１のステップでＡ／Ｄ変換器３１から入力される信号の電圧レベルを前記しきい値Ｖａ及びＶｂと比較して入力点における導体膜の接触状態を、非接触と不完全接触と完全接触とに分類する機能と、
第１のステップの後になされる第２のステップでＡ／Ｄ変換器３１から入力される信号の電圧レベルをしきい値Ｖｃと比較して入力点における導体膜の接触状態が接触状態から非接触状態に移行したことを検知する機能と、
第１及び第２のステップの間にＡ／Ｄ変換器３１から入力される信号が、不完全接触に分類された場合は導体膜の接触を示す信号からなる送出信号を作成し、完全接触に分類された場合は導体膜の接触を示す信号と入力点の座標信号とを含む送出信号を作成する機能と、
第２のステップでＡ／Ｄ変換器３１から入力される信号に基づき、導体膜の接触状態が接触状態から非接触状態に移行したと検知された場合は前記送出信号を無効とし、導体膜の接触状態から非接触状態への移行が検知されなかった場合は前記送出信号を送出する機能とを有するように構成された座標検出装置によって達成される。
【００３２】
または、記憶装置41が、入力点の移動に伴ってＡ／Ｄ変換器31から入力される複数の信号を順次記憶するバッファ領域を有し、制御部４が、バッファ領域内の信号に含まれる複数の座標値から入力点の移動方向を示すベクトルを算出すると共に、ベクトル上の座標値から許容範囲を超えて離れた点に位置するバッファ領域内の座標値を、それぞれ許容範囲内に入るよう補正する機能を具えた上記の座標検出装置によって達成される。
【００３３】
このように制御部が、駆動回路を制御する機能と、Ａ／Ｄ変換器から入力される信号の電圧レベルに基づいて入力点における導体膜の接触状態を、非接触と不完全接触と完全接触とに分類する機能とを有し、記憶装置が導体膜の接触状態を分類するしきい値を記憶してなる本発明の座標検出装置は、図10(b) に示す如く完全な接触状態の前後に接触が不完全な状態が発生したとき、例えば、接触が不完全な状態のときは検出された座標値を無効とし、完全な接触状態で検出された座標値のみを送出することが可能になり、入力点を移動させていないのに導体膜の接触抵抗が変化して生じる微小移動させた如き現象を無くすことができる。
【００３４】
また、図10(c) に示す如く接触が不完全な状態で推移して接触と非接触を繰り返すチャタリング現象が発生した場合も、その間に検出された座標値を無効とすることによって押下を繰り返した場合と異なり座標値が送出されることはない。
【００３５】
なお、記憶装置に、非接触と不完全接触とを区分するしきい値Ｖa 、不完全接触と完全接触とを区分するしきい値Ｖb 、および接触状態から非接触状態に移行する際の判別基準となるしきい値Ｖc とを記憶させ、Ｖa ＜Ｖc なる関係が成り立つようしきい値Ｖa 、Ｖc を設定することによって、接触が不完全な状態で推移した場合に発生するチャタリング現象を大幅に軽減することが可能になる。
【００３６】
更に、入力ペン等を移動させてその移動過程に介在する各入力点から得られる座標値を順次出力する場合においても、入力される座標値が誤差を含んでいてもバッファ領域を通すことで補正され実際の移動過程に近似させることができる。
【００３７】
即ち、導体膜の非接触状態と接触状態との中間における信号を処理可能な電圧検出型座標検出装置を実現することができる。
【００３８】
【発明の実施の形態】
以下添付図により本発明の実施例について説明する。なお図２は本発明になる信号送出方法を示すフローチャート、図３は信号送出の第１のサブルーチンを示すフローチャート、図４は信号送出の第２のサブルーチンを示すフローチャート、図５は本発明の別の信号送出方法を示すフローチャート、図６は信号送出の第３のサブルーチンを示すフローチャート、図７は信号送出の第４のサブルーチンを示すフローチャートである。
【００３９】
本発明になる座標検出装置は図１に示す如く隙間を介して対向させた導体膜11、12を具えた座標入力パネル１を有し、導体膜11、12はそれぞれ周縁部に沿って形成され中央部の入力範囲13を挟んで相対する１対の電極14、15を具えている。
【００４０】
隙間を介して対向する２枚の導体膜11、12はそれぞれに形成された電極14と電極15とが互いに直交するよう配置され、例えばＹ軸に平行な導体膜11上の電極14はＸ座標、またＸ軸に平行な導体膜12上の電極15はＹ座標の検出に利用される。
【００４１】
座標入力パネル１に電圧を印加するための駆動回路２は導体膜11上の電極14間に電圧を印加するトランジスタ21、22と、導体膜12上の電極15間に電圧を印加するトランジスタ23、24を有し電極への電圧の印加は制御部４により制御される。
【００４２】
かかる座標検出装置において座標入力パネル１の一点を押下すると押下された入力点で２枚の導体膜11、12が接触し、そのとき電極14に電圧が印加されているとその電圧は入力点で分圧されＸ座標を示す電圧が電極15を経由し出力される。
【００４３】
また、電極15に電圧が印加されているとその電圧は入力点で分圧されＹ座標を示す電圧が電極14を経由して出力され、Ｘ座標を示す電圧Ｖ1 、Ｙ座標を示す電圧Ｖ2 がＡ／Ｄ変換器31によりデジタル信号に変換され制御部４に入力される。
【００４４】
駆動回路２は更に抵抗Ｒとトランジスタ25とからなり導体膜11と導体膜12との接触／非接触を検知する回路を具備し、トランジスタ25、トランジスタ22、および電極14、15を介して導体膜11、12間に電圧を印加するように構成されている。
【００４５】
接触または非接触の検知に際して制御部４がトランジスタ25をアクティブにし導体膜11、12間に電圧を印加したとき、電極15からＡ／Ｄ変換器31に入力される電圧は駆動電圧Ｖccが抵抗Ｒと導体膜の接触抵抗により分圧された電圧である。
【００４６】
従来の装置との相違点は制御部４が前記駆動回路２を制御する機能と、Ａ／Ｄ変換器31から入力される信号の電圧レベルに基づいて、入力点における導体膜11、12の接触状態を非接触と不完全接触と完全接触とに分類する機能とを有する。
【００４７】
また、記憶装置41には導体膜11、12の接触を、不完全接触と完全接触とに区分するしきい値Ｖa 、非接触と不完全接触とに区分するしきい値Ｖb 、接触状態から非接触状態に移行する際の判別基準となるしきい値Ｖc とが記憶されている。
【００４８】
なお、接触が不完全な状態で推移する場合に発生しやすいチャタリング現象を抑制する手段として図10(d) に示す如く、Ｖb ＜Ｖc なる関係が成り立つように接触状態と非接触状態を区分する二つのしきい値Ｖb 、Ｖc が設定されている。
【００４９】
本発明になる座標検出装置の信号送出方法は図２に示す如く入力パネルが押下されるとまず導体膜間の接触を検知し、Ａ／Ｄ変換器31から入力された信号をしきい値と比較して接触状態を非接触、不完全接触および完全接触とに分類する。
【００５０】
即ち、入力パネルが押下されると図２の導体膜間接触の検知工程において図３に示す第１のサブルーチンが実行され、まず電極15からＡ／Ｄ変換器31を介し制御部４に入力された導体膜間の接触抵抗を示す電圧Ｖz のレベルが検出される。
【００５１】
記憶装置41に記憶されている二つのしきい値Ｖa ，Ｖb と検出された接触状態を示す電圧Ｖz とを順次比較した結果、Ｖz ＜Ｖa であれば完全接触、Ｖa ＜Ｖz ＜Ｖb であれば不完全接触、Ｖb ＜Ｖz であれば非接触のフラッグを立てる。
【００５２】
導体膜間接触の検知工程において非接触のフラッグが立つと前の入力パネルの押下は無効と判定されて待機状態に戻り、導体膜間接触の検知工程において完全接触または不完全接触のフラッグが立つと入力点における座標値が検出される。
【００５３】
完全接触のフラッグが立っている場合は座標値検出に引き続いて座標データおよびスイッチングデータが設定されるが、不完全接触のフラッグが立っている場合は検出された座標値は無効と判定されスイッチングデータのみが設定される。
【００５４】
スイッチングデータの設定が完了すると座標データおよびスイッチングデータの送出に具えて送出データが作成され、次の導体膜間接触の検知工程において押下の有効・無効を判定するための図４に示す第２のサブルーチンが実行される。
【００５５】
即ち、電極15からＡ／Ｄ変換器31を介し制御部４に入力された導体膜間の接触抵抗を示す電圧Ｖz のレベルが検出され、記憶されているしきい値Ｖc と比較してＶz ＜Ｖc であれば有効、Ｖz ＞Ｖc であれば無効を示すフラッグを立てる。
【００５６】
導体膜間接触の検知工程において無効のフラッグが立つた場合は設定されたデータは無効と判定されて待機状態に戻り、導体膜間接触の検知工程において有効のフラッグが立った場合は座標データおよびスイッチングデータが送出される。
【００５７】
このように制御部が、駆動回路を制御する機能と、Ａ／Ｄ変換器から入力される信号の電圧レベルに基づいて入力点における導体膜の接触状態を、非接触と不完全接触と完全接触とに分類する機能とを有し、記憶装置が導体膜の接触状態を分類するしきい値を記憶してなる本発明の座標検出装置は、図10(b) に示す如く完全な接触状態の前後に接触が不完全な状態が発生したとき、例えば、接触が不完全な状態のときは検出された座標値を無効とし、完全な接触状態で検出された座標値のみを送出することが可能になり、入力点を移動させていないのに導体膜の接触抵抗が変化して生じる微小移動させた如き現象を無くすことができる。
【００５８】
また、図10(c) に示す如く接触が不完全な状態で推移して接触と非接触を繰り返すチャタリング現象が発生した場合も、その間に検出された座標値を無効とすることによって押下を繰り返した場合と異なり座標値が送出されることはない。
【００５９】
なお、記憶装置に、非接触と不完全接触とを区分するしきい値Ｖa 、不完全接触と完全接触とを区分するしきい値Ｖb 、および接触状態から非接触状態に移行する際の判別基準となるしきい値Ｖc とを記憶させ、Ｖa ＜Ｖc なる関係が成り立つようしきい値Ｖa 、Ｖc を設定することによって、接触が不完全な状態で推移した場合に発生するチャタリング現象を大幅に軽減することが可能になる。
【００６０】
図１において本発明の別の実施例は記憶装置41が複数の入力点に対応する信号を記憶可能なバッファ領域を具えており、入力点の移動に伴いＡ／Ｄ変換器31から入力される複数の信号は記憶装置41が有するバッファ領域に順次格納される。
【００６１】
また、制御部４はバッファ領域内の信号に含まれる複数の座標値から入力点の移動方向を示すベクトルを算出すると共に、ベクトル上の座標値から許容範囲を超えて離れた座標値をそれぞれ許容範囲に入るよう補正する機能を具えている。
【００６２】
かかる座標検出装置における信号送出方法は図５に示す如く入力パネルが押下されるとまず導体膜間の接触を検知し、Ａ／Ｄ変換器31から入力された信号をしきい値と比較して接触状態を非接触、不完全接触および完全接触とに分類する。
【００６３】
即ち、入力パネルが押下されると図５の導体膜間接触の検知工程において図３に示す第１のサブルーチンが実行され、まず電極15からＡ／Ｄ変換器31を介し制御部４に入力された導体膜間の接触抵抗を示す電圧Ｖz のレベルが検出される。
【００６４】
記憶装置41に記憶されている二つのしきい値Ｖa ，Ｖb と検出された接触状態を示す電圧Ｖz とを順次比較した結果、Ｖz ＜Ｖa であれば完全接触、Ｖa ＜Ｖz ＜Ｖb であれば不完全接触、Ｖb ＜Ｖz であれば非接触のフラッグを立てる。
【００６５】
導体膜間接触の検知工程において非接触のフラッグが立つと前の入力パネルの押下は無効と判定されて待機状態に戻り、導体膜間接触の検知工程において完全接触または不完全接触のフラッグが立つと入力点における座標値が検出される。
【００６６】
図２に示す信号送出方法とは異なり図５に示す信号送出方法では入力点の座標値が検出されるとバッファ処理が行われ、検出された座標値は図６に示す信号送出の第３のサブルーチンに従って記憶装置41のバッファ領域に順次格納される。
【００６７】
即ち、図６に示す如く検出されたデータは記憶装置41のバッファ領域が満杯になるまでバッファ領域に順次格納され、バッファ領域が満杯になるとバッファ領域に格納された座標値に基づき入力点の移動方向を示すベクトルが算出される。
【００６８】
ベクトルの算出はバッファ領域内に格納された座標値からそれぞれの座標値との偏差値が最小になるよう行われるが、それぞれの座標値は誤差を含み、誤差以外の条件により他の座標値から大きく離れた特異座標値が介在する場合もある。
【００６９】
そこで、バッファ処理工程ではバッファ領域内に特異座標値が介在する場合と特異座標値が介在しない場合とに分け、特異座標値が介在しない場合はベクトル上の座標との偏差が許容範囲内に納まるようバッファ領域内の座標を補正する。
【００７０】
即ち、ベクトルを算出したあと特異座標値がバッファ領域に介在することを示すフラグがリセットされている場合は、偏差値算出工程においてバッファ領域内のそれぞれの座標値と算出されたベクトル上の座標値との偏差値が算出される。
【００７１】
偏差値の許容限界をＬ1 、ほぼベクトルに沿って点在する座標値と特異座標値との境界を示す規定値をＬ2 とすると、バッファ領域内のそれぞれの座標値に対応する偏差値が３分割されて偏差値＜Ｌ1 と判定された座標値は補正されない。
【００７２】
一方、偏差値＞Ｌ1 と判定され更に偏差値＜Ｌ2 と判定された座標値は偏差値がＬ1 以下になるよう座標値が補正され、偏差値がＬ2 より大きいと判定された場合には座標値を補正しないで特異座標値の存在を示すフラグがセットされる。
【００７３】
ベクトル上の座標値との偏差値がチェックされたあとバッファ領域の先頭に格納されている座標値を読みだすと共に、座標値をそれぞれ前進させることによってパッファ交換を行い空いたバッファ領域の最後尾に次の座標値が格納される。
【００７４】
バッファ領域の最後尾に格納された座標値の偏差がＬ2 より大きく特異座標値の存在を示すフラグがセットされると、その特異座標値がバッファ領域を通り抜けるまで偏差値の算出や座標値の補正を行うことなくバッファ交換が行われる。
【００７５】
即ち、ベクトルを算出したあと特異座標値の存在を示すフラグがセットされているとセット後の座標値数Ｎが計数され、Ｎ＋１がバッファの数Ｎb を超すまではそのままバッファ交換が行われＮb を超した時点でフラグがリセットされる。
【００７６】
バッファ領域には座標値と共にそれぞれの座標値検出時における導体膜間の接触抵抗を示す電圧Ｖz が格納されており、図５に示す如く導体膜間が完全に接触している場合はバッファ処理を行ったあとでスイッチングデータが設定される。
【００７７】
なお、導体膜間の完全接触と不完全接触との判別は、例えば図３に示すサブルーチンを実行することによって行われ、導体膜間が不完全接触と判定された場合はスイッチングデータが設定されないで座標データのみが出力の対象とされる。
【００７８】
電圧検出型の座標検出装置において電極15からＡ／Ｄ変換器31に入力される電圧の変化は入力点の移動を意味しており、導体膜の接触抵抗が変化することにより入力点を移動させていないにもかかわらず微小移動させた如き現象が生じる。
【００７９】
そこでスイッチングデータの設定に先立って入力された座標値が入力点を移動させることにより検出された座標値か、入力点が移動しないにもかかわらず検出された座標値かを区別し入力点の移動に伴うデータのみを抽出する必要がある。
【００８０】
入力点の移動に伴って得られる複数の座標値を時系列としてとらえたとき入力点の移動方向がベクトルとして表され、それぞれの座標値間を接続するベクトルの長さ、即ちベクトル量を知ることによって座標値間の移動速度が検知される。
【００８１】
例えば、入力ペンの移動に伴って入力点が移動する場合の移動速度は意識的に速く移動させた場合でも限界があるが、入力点が移動しないにもかかわらず接触抵抗等が変化し異なる座標値が出力される場合の移動速度は先の限界を超える。
【００８２】
スイッチングデータの設定工程では入力点の移動に伴い生じた座標値と他の理由で生じた座標値との弁別手段として、図７に示すサブルーチンが実行されスイッチングデータを設定したあとで隣接座標値間のベクトル量がチェックされる。
【００８３】
即ち、隣接座標値間のベクトル量から検知される移動速度が設定値より小さい場合はスイッチングデータが出力され、移動速度が設定値より大きい場合は入力点の移動以外の理由で生じた座標値としスイッチングデータがリセットされる。
【００８４】
スイッチングデータの設定が完了すると座標データおよびスイッチングデータの送出に具えて送出データが作成され、次の導体膜間接触の検知工程において押下の有効・無効を判定するための図４に示す第２のサブルーチンが実行される。
【００８５】
即ち、電極15からＡ／Ｄ変換器31を介し制御部４に入力された導体膜間の接触抵抗を示す電圧Ｖz のレベルが検出され、記憶されているしきい値Ｖc と比較してＶz ＜Ｖc であれば有効、Ｖz ＞Ｖc であれば無効を示すフラッグを立てる。
【００８６】
導体膜間接触の検知工程において無効のフラッグが立つた場合は設定されたデータは無効と判定されて待機状態に戻り、導体膜間接触の検知工程において有効のフラッグが立った場合は座標データおよびスイッチングデータが送出される。
【００８７】
このように記憶装置が入力点の移動に伴ってＡ／Ｄ変換器から入力される複数の信号を順次記憶するバッファ領域を有し、制御部がバッファ領域内の信号に含まれる複数の座標値から入力点の移動方向を示すベクトルを算出すると共に、ベクトル上の座標値から許容範囲を超えて離れた点に位置するバッファ領域内の座標値を、それぞれ許容範囲内に入るよう補正する機能を具えた本発明の座標検出装置は、入力ペン等を移動させてその移動過程に介在する各入力点から得られる座標値を順次出力する場合においても、入力される座標値が誤差を含んでいてもバッファ領域を通すことで補正され実際の移動過程に近似させることができる。
【００８８】
即ち、導体膜の非接触状態と接触状態との中間における信号を処理可能な電圧検出型座標検出装置を実現することができる。
【００８９】
【発明の効果】
上述の如く本発明によれば導体膜の非接触状態と接触状態との中間における信号を処理可能な電圧検出型座標検出装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明になる座標検出装置を示す図である。
【図２】  本発明になる信号送出方法を示すフローチャートである。
【図３】  信号送出の第１のサブルーチンを示すフローチャートである。
【図４】  信号送出の第２のサブルーチンを示すフローチャートである。
【図５】  本発明の別の信号送出方法を示すフローチャートである。
【図６】  信号送出の第３のサブルーチンを示すフローチャートである。
【図７】  信号送出の第４のサブルーチンを示すフローチャートである。
【図８】  従来の座標検出装置の構成を示す図である。
【図９】  従来の信号送出方法を示すフローチャートである。
【図１０】  従来の座標検出装置における問題点を示す図である。
【符号の説明】
１  座標入力パネル                  ２  駆動回路
４  制御部                          11、12  導体膜
13  入力範囲                        14、15  電極
21、22、23、24、25  トランジスタ    31  Ａ／Ｄ変換器
41  記憶装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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