(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を保持するように構成され、基板を基板測定位置と基板処理位置の間で移送するように動くことのできる基板テーブルと、
前記基板テーブルが前記基板を前記測定位置に保持しているときに基板の少なくとも１つのアスペクトおよび／または特性を測定するように構成され、少なくとも１つの測定ビームおよび／またはフィールドを基板の表面に向かって出射するように構成された測定システムと、
前記基板テーブルが基板を前記基板処理位置に保持しているときにパターン化された放射ビームを基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システムと、
調節流体を前記測定システムの測定ビームおよび／またはフィールドの経路の少なくとも一部に供給して、前記経路の前記一部を調節するように構成された調節システムと、を備え、
前記調節システムが、前記調節流体を実質的に前記経路の前記一部に向かって誘導するように構成され、前記調節流体を前記経路の前記一部に供給するための少なくとも１つの流体出口および前記調節流体を前記経路の前記一部から除去または抽出するための少なくとも１つの流体入口を有する、
リソグラフィ装置。
【請求項２】
前記調節システムが、前記調節流体を少なくとも実質的に、前記測定システムの少なくとも１つの測定ビームおよび／またはフィールドを受ける表面の部分と同じ前記測定位置に保持されている基板の表面の部分に向かっておよび／またはそれに沿って誘導するように構成される、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項３】
前記調節システムが、前記調節流体を温度調節するように構成される、請求項１又は２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項４】
前記調節システムが、前記基板測定位置と対向して延在する流体流れ制御表面を有し、前記流体流れ制御表面が、前記基板測定位置に保持された基板の少なくとも基板表面部分とともにスリットを提供するように構成され、前記基板表面部分が、前記測定システムの少なくとも１つの測定ビームおよび／またはフィールドを受ける、請求項１乃至３の何れか一項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項５】
前記調節システムが、前記測定システムの少なくとも１つの測定ビームおよび／またはフィールドの少なくとも１つの経路部分を調節するように構成され、前記経路部分が前記流体流れ制御表面と前記基板表面との間に延在する、請求項４に記載のリソグラフィ装置。
【請求項６】
前記流体流れ制御表面が、前記基板測定位置に保持された基板の前記基板表面とほぼ平行に延在する、請求項４又は５に記載のリソグラフィ装置。
【請求項７】
前記調節システムの前記流体制御表面が、それぞれの基板が前記測定位置にあるときに前記流体制御表面および基板表面によって提供された前記スリットに調節流体を供給する前記少なくとも１つの流体出口を有する、請求項４乃至６の何れか一項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項８】
前記少なくとも１つの流体出口および少なくとも１つの流体入口が、前記測定システムの前記少なくとも１つの測定ビームおよび／またはフィールドの前記経路の一部に対して実質的に反対側に配置されて、調節流体をその経路部分に供給し、調節流体を前記経路部分から除去または抽出する、請求項７に記載のリソグラフィ装置。
【請求項９】
さらに、前記流体流れ制御表面を有する空間充填および／または空間封じ込め体を有する、請求項７又は８に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１０】
基板が、実質的に単一の仮想平面またはレベル内で前記基板測定位置から前記基板処理位置へと動作可能である、請求項１乃至９の何れか一項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１１】
基板を保持するように構成され、基板を基板測定位置と基板処理位置の間で移送するように動くことのできる基板テーブルと、
前記基板テーブルが前記基板を前記測定位置に保持しているときに基板の少なくとも１つのアスペクトおよび／または特性を測定するように構成され、少なくとも１つの測定ビームおよび／またはフィールドを基板の表面に向かって出射するように構成された測定システムと、
前記基板テーブルが基板を前記基板処理位置に保持しているときにパターン化された放射ビームを基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システムと、
前記基板測定位置と対向して前記測定位置付近に延在する流体流れ制御表面を有する空間充填および／または封じ込め体と、を備え、
前記流体流れ制御表面が、前記基板測定位置に保持された基板の基板表面に実質的に平行に延在し、前記空間充填および／または空間封じ込め体が、調節流体を前記測定システムの前記測定ビームおよび／またはフィールドの前記経路の少なくとも一部へと誘導するように構成され、前記経路の前記一部が前記流体流れ制御表面と基板表面の間に延在し、
前記空間充填および／または封じ込め体が、前記調節流体を前記経路の前記一部に供給するための少なくとも１つの流体出口および前記調節流体を前記経路の前記一部から除去または抽出するための少なくとも１つの流体入口を有する、
リソグラフィ装置。
【請求項１２】
基板を測定位置に保持すること、
基板の表面に向けて放射された少なくとも１つの測定ビームおよび／またはフィールドで、前記測定位置に保持されている基板の少なくとも１つのアスペクト、特性、位置および／または向きを検出すること、
前記経路の前記一部を調節するために、調節流体を前記測定ビームおよび／またはフィールドの経路の少なくとも一部に誘導すること、
基板の少なくとも１つのアスペクト、特性、位置および／または向きを検出した後に、基板を前記測定位置から処理位置へと移動すること、を有し、
前記調節流体を前記測定ビームおよび／またはフィールドの経路の少なくとも一部に誘導することが、前記調節流体を前記経路の前記一部に供給し、前記調節流体を前記経路の前記一部から除去または抽出することによって行われる、
デバイス製造方法。
【請求項１３】
さらに、基板が前記処理位置に保持されているときにパターン化された放射のビームを基板に投影することを含む、請求項１２に記載のデバイス製造方法。
【請求項１４】
基板を保持するように構成され、基板を基板測定位置と基板処理位置の間で移送するように動くことのできる基板テーブルと、
前記基板テーブルが基板を前記測定位置に保持しているときに基板の少なくとも１つのアスペクトおよび／または特徴を測定するように構成され、少なくとも１つの測定ビームおよび／またはフィールドを基板の表面に向かって出射するように構成された測定システムと、
前記基板テーブルが基板を前記基板処理位置に保持しているときにパターン化された放射ビームを基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システムと、
前記基板測定位置と対向して前記測定位置付近に延在する流体流れ制御表面を有する空間充填および／または空間封じ込め体と、
前記空間充填および／または空間封じ込め体を温度調節するシステムと、を備え、
前記空間充填および／または空間封じ込め体が、調節流体を前記測定システムの前記測定ビームおよび／またはフィールドの経路の少なくとも一部へと誘導するように構成され、前記調節流体を前記経路の前記一部に供給するための少なくとも１つの流体出口および前記調節流体を前記経路の前記一部から除去または抽出するための少なくとも１つの流体入口を有する、
リソグラフィ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明はリソグラフィ装置およびデバイス製造方法およびそれによって製造されるデバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に与える機械である。リソグラフィ装置は例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つまたは幾つかのダイの一部を含む）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料（レジスト）の層への結像により行われる。一般的に、１枚の基板は、順次パターン化される近接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。従来のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に１回で露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、基板を所定の方向（「スキャン」方向）と平行あるいは逆平行にスキャンしながら、パターンを所定の方向（「スキャン」方向）に放射ビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを含んでいる。パターンを基板にインプリントすることによっても、パターニングデバイスから基板へとパターンを転写することが可能である。
【０００３】
[0003]  従来の装置では、基板の特定のアスペクトを測定するために、例えば基板の位置および／または向きを検出するなどのために、基板を基板テーブルによって測定位置に保持することができる。例えば、基板の測定または検出は、１つまたは複数の測定ビームを使用して、１つまたは複数のセンサによって遠隔操作で実行することができる。特定の基板のアスペクトを測定した後、基板テーブルを移動して、パターン化された放射ビームで基板を照射することができる位置へと、基板を移送することができる。１つまたは複数の基板のアスペクトの測定結果（例えば基板テーブルに対する基板の位置および／または向き）は、例えばパターン化された放射ビームを基板の所望の位置に焦点を結ばせかつ／または誘導するため、放射ビームに対して基板テーブルを位置決めするため、および／または異なる方法で使用することができる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
[0004]  小さい特徴を有するデバイスを高い精度で製造できるように、リソグラフィ装置を改善することが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
[0005]  本発明の一形態によれば、基板を保持するように構成された基板テーブルを含むリソグラフィ装置が提供される。基板テーブルは、基板を基板測定位置と基板処理位置との間で移送するために動くことができる。測定システムは、基板テーブルが基板を測定位置に保持しているときに基板の少なくとも１つのアスペクトおよび／または特性を測定するように構成される。測定システムは、少なくとも１つの測定ビームおよび／またはフィールドを基板の表面に向かって誘導するように構成される。投影システムは、基板テーブルが基板を処理位置に保持しているときにパターン化された放射ビームを基板のターゲット部分に投影するように構成される。調節システムは、測定システムの測定ビームおよび／またはフィールドの経路の少なくとも一部に調節流体を供給し、経路の一部を調節するように構成される。
【０００６】
[0006]  本発明の一形態によれば、基板を保持するように構成された基板テーブルを含むリソグラフィ投影装置が提供される。基板テーブルは、基板を基板測定位置と基板処理位置との間で移送するために動くことができる。測定システムは、基板テーブルが基板を測定位置に保持しているときに基板の少なくとも１つのアスペクトおよび／または特性を測定するように構成される。測定システムは、少なくとも１つの測定ビームおよび／またはフィールドを基板の表面に向かって誘導するように構成される。投影システムは、基板テーブルが基板を基板処理位置に保持しているときにパターン化された放射ビームを基板のターゲット部分に投影するように構成される。リソグラフィ投影装置は、基板測定位置と対向して測定位置付近に延在する流体流れ制御表面を含む空間充填および／または空間封じ込め体も含む。流体流れ制御表面は、基板測定位置で保持された基板の基板表面にほぼ平行に延在する。空間充填および／または空間封じ込め体は、調節流体を測定システムの測定ビームおよび／またはフィールドの経路の少なくとも一部へと誘導するよう構成される。経路の一部は流体流れ制御表面と基板表面との間に延在する。
【０００７】
[0007]  本発明の一形態によれば、基板を測定位置に保持し、測定位置に保持されている基板の少なくとも１つのアスペクト、特性、位置および／または向きを、基板の表面に向かって放射された少なくとも１つの測定ビームおよび／またはフィールドで検出することを含む方法が提供される。方法は、経路の一部を調節するために、調節流体を測定ビームおよび／またはフィールドの経路の少なくとも一部へと誘導し、基板の少なくとも１つのアスペクト、特性、位置および／または向きを検出した後に、基板を測定位置から処理位置へ移送するために基板テーブルを移動することも含む。
【０００８】
[0008]  また、本発明の一形態は、基板を保持するように構成された基板テーブルを含むリソグラフィ装置を提供する。基板テーブルは、基板を基板測定位置と基板処理位置との間で移送するために動くことができる。測定システムは、基板テーブルが基板を測定位置で保持しているときに基板の少なくとも１つのアスペクトおよび／または特性を測定するように構成される。測定システムは、少なくとも１つの測定ビームおよび／またはフィールドを基板の表面に向けて出射するように構成される。投影システムは、基板テーブルが基板を基板処理位置に保持しているときにパターン化された放射ビームを基板のターゲット部分に投影するように構成される。装置は、基板測定位置と対向して測定位置付近に延在する流体流れ制御表面を含む空間充填および／または空間封じ込め体も含む。装置はさらに、空間充填および／または封じ込め体を温度調節するシステムを含む。
【０００９】
[0009]  また、本発明の一形態は、本発明の上記形態による装置または方法を使用して製造されたデバイスを提供する。
【００１０】
[0010]  次に、本発明の実施形態を添付の略図を参照しながら、ほんの一例として説明する。図面では対応する参照記号は対応する部品を示している。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
[0017]  図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示したものである。このリソグラフィ装置は、放射ビームＰＢ（例えばＵＶ放射または他の放射）を調節(condition)するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構成され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第一位置決め装置ＰＭに接続された支持構造体（例えばマスクテーブル）ＭＴと、基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第二位置決め装置ＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴと、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＰＢに与えられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つまたは複数のダイを含む）に投影するように構成された投影システム（例えば屈折投影レンズシステム）ＰＬとを含む。
【００１２】
[0018]  照明システムILは、放射の誘導、成形、または制御を行うための、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気型等の光学コンポーネント、またはその任意の組合わせなどの様々なタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。
【００１３】
[0019]  支持構造体MTは、パターニングデバイスMAを支持、つまりその重量を支えている。支持構造体MTは、パターニングデバイスMAの向き、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスMAが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスMAを保持する。支持構造体MTは、パターニングデバイスMAを保持するために、機械的、真空、静電気等のクランプ技術を使用することができる。支持構造体MTは、例えばフレームまたはテーブルでよく、必要に応じて固定式または可動式でよい。支持構造体MTは、パターニングデバイスMAが例えば投影システムPLなどに対して確実に所望の位置にくるようにできる。本明細書において「レチクル」または「マスク」という用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義と見なすことができる。
【００１４】
[0020]  本明細書において使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが位相シフト特徴またはいわゆるアシスト特徴を含む場合のように、基板のターゲット部分における所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特別な機能層に相当する。
【００１５】
[0021]  パターニングデバイスMAは透過型でも反射型でもよい。パターニングデバイスMAの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、Alternating位相シフト、減衰型位相シフトのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小さなミラーのマトリクス配列を使用し、そのミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを与える。
【００１６】
[0022]  本明細書において使用する「投影システム」という用語は、例えば使用する露光放射、または液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システムおよび静電気光学システム、またはその任意の組合せを含む任意のタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において「投影レンズ」という用語を使用した場合、これはさらに一般的な「投影システム」という用語と同義と見なされる。
【００１７】
[0023]  ここで示している装置は透過タイプである（例えば透過マスクを使用する）。あるいは、装置は反射タイプでもよい（例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、または反射マスクを使用する）。
【００１８】
[0024]  リソグラフィ装置は２つ（デュアルステージ）またはそれ以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスクテーブル）を有するタイプでよい。このような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルを並行して使用するか、１つまたは複数の他のテーブルを露光に使用している間に１つまたは複数のテーブルで予備工程を実行することができる。
【００１９】
[0025]  リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を充填するように、基板の少なくとも一部を水などの比較的高い屈折率を有する液体で覆うことのできるタイプでもよい。液浸液は、例えばマスクと投影システムの間など、リソグラフィ装置の他の空間に使用してもよい。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させるために当技術分野で周知である。本明細書で使用する「液浸」という用語は、基板などの構造体を液体中に沈めなければならないという意味ではなく、露光中に投影システムと基板の間に液体が存在するというほどの意味である。
【００２０】
[0026]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受ける。放射源SOとリソグラフィ装置とは、例えば放射源がエキシマレーザである場合には、それぞれ別々の構成要素であってもよい。このような場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラーおよび／またはビームエクスパンダなどを含むビームデリバリシステムＢＤを用いて、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへと渡される。他の事例では、例えば放射源が水銀ランプの場合は、放射源がリソグラフィ装置の一体的な部分であってもよい。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤとともに放射システムと呼ぶことができる。
【００２１】
[0027]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調節するアジャスタＡＤを含んでいてもよい。通常、イルミネータの瞳面における強度分布の外側および／または内側半径範囲（一般にそれぞれ、σ−ｏｕｔｅｒおよびσ−ｉｎｎｅｒと呼ばれる）を調節することができる。また、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯなどの他の種々の構成部品を含んでいてもよい。イルミネータを用いて放射ビームを調節し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。
【００２２】
[0028]  放射ビームＰＢは、支持構造体（例えばマスクテーブルＭＴ）に保持されたパターニングデバイス（例えばマスクＭＡ）に入射し、パターニングデバイスによってパターン化される。放射ビームＰＢは、投影システムＰＬを通過し、マスクＭＡを通り抜けて、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上でビームの焦点を結ばせる。第二位置決め装置ＰＷおよび位置センサＩＦ（例えば干渉計デバイスＩＦ、リニアエンコーダまたは容量センサ）を使用して、基板テーブルＷＴを、例えば放射ビームＰＢの経路において様々なターゲット部分Ｃに位置決めするように正確に移動できる。同様に、第一位置決め装置ＰＭおよび別の位置センサ（図１には明示されていない）を使用して、例えばマスクライブラリから機械的に検索した後に、またはスキャン中に、放射ビームＰＢの経路に対してマスクＭＡを正確に位置決めすることができる。一般的に、マスクテーブルＭＴの移動は、第一位置決め装置ＰＭの部分を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を用いて実現できる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第二位置決め装置ＰＷの部分を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使用して実現できる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、固定してもよい。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスクアラインメントマークＭ１、Ｍ２および基板アラインメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アラインメントマークは、専用のターゲット部分を占有するが、ターゲット部分の間の空間に配置してもよい（スクライブレーンアラインメントマークと呼ばれる）。同様に、マスクＭＡ上に複数のダイを設ける状況では、マスクアラインメントマークをダイ間に配置してもよい。
【００２３】
[0029]  図示のリソグラフィ装置は以下のモードのうち少なくとも１つにて使用可能である。
【００２４】
[0030]  １．ステップモードにおいては、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴは基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに与えたパターン全体が１回でターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一静的露光）。次に、別のターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴがＸ方向および／またはＹ方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で像が形成されるターゲット部分Ｃのサイズが制限される。
【００２５】
[0031]  ２．スキャンモードにおいては、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴは同期的にスキャンされる一方、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する（つまり単一動的露光）。マスクテーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）および像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分の（非スキャン方向における）幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分の（スキャン方向における）高さが決まる。
【００２６】
[0032]  ３．別のモードでは、マスクテーブルＭＴはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルＷＴを移動またはスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルＷＴを移動させる毎に、またはスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、上記したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。
【００２７】
[0033]  上述した使用モードの組合せおよび／または変形、または全く異なる使用モードも利用できる。
【００２８】
[0034]  図１で示した実施形態では、基板テーブルＷＴが、基板テーブルＷＴによって保持された基板Ｗを少なくとも基板測定位置から基板処理位置へと移送するために動作可能である。図１では、処理位置で基板Ｗを保持するための基板テーブルの位置が、ＷＴ（Ｐ）で示されている。測定位置で基板Ｗを保持するための基板テーブルの位置が、ＷＴ（Ｍ）で示されている。一例として、測定位置は、投影システムの下流端Ｅから離れて配置することができ、処理位置は、投影システムの下流端Ｅの付近および／または反対側に配置することができる。
【００２９】
[0035]  基板テーブルＷＴがＷＴ（Ｐ）で示された処理位置で基板Ｗを保持すると、基板Ｗを投影システムによって照明することができる。特に、基板がＷＴ（Ｍ）で示された測定位置にある場合、投影システムで基板を露光することはできない。基板テーブルが個々の基板測定ゾーンから基板投影ゾーンに移動する間、基板Ｗは基板テーブルＷＴ上の同じ位置に留まることが好ましい。
【００３０】
[0036]  例えば、基板の測定位置および処理位置は、例えば装置の基板ゾーンＷＺなど、装置の同じ内側部分または室に配置することができる。一例として、装置の中間フレーム部品３（例えば計測フレーム部品）は、この装置内側ゾーンＷＺを投影システムゾーンＰＺのような１つまたは複数の他の装置ゾーンからほぼ分離することができる。あるいは、基板の測定位置および処理位置は、例えば測定位置が装置の外側に配置されている場合、異なるゾーンに配置することができる。
【００３１】
[0037]  所望の基板テーブル位置ＷＴ（Ｍ）とＷＴ（Ｐ）との間の基板テーブルＷＴの移動は、当業者に明白であるような様々な手段で実行することができる。例えば、このような移動の少なくとも一部は、第二位置決め装置ＰＷ、基板テーブルコンベヤの助けで、および／または１つまたは複数の他の運搬機構によって提供することができる。さらなる実施形態では、基板ＷＴは、実質的に仮想平面またはレベルで、基板測定位置から基板処理位置へと移動可能である。非限定的な例として、図１では、基板テーブルＷＴはほぼ水平の方向Ｈで、またはＸＹ面で移動可能であり、基板Ｗをほぼ水平方向で、またはＸＹ面に沿って測定位置から処理位置へ、またはその逆に移動することができる。
【００３２】
[0038]  ある実施形態では、リソグラフィ装置は、基板テーブルＷＴが基板Ｗを測定位置に保持している場合に、基板の少なくとも１つのアスペクトおよび／または特性を測定するように構成された、またはそれを測定することができる測定システム１０、１１、１２を備えることができる。図で概略的に図示されているこのような測定システムは、様々な方法で構築することができる。さらなる実施形態では、測定システム１０、１１、１２は、基板を測定または監視するために１つまたは複数の測定ビームおよび／またはフィールドを使用するように構成することができる。例えば、さらなる実施形態では、測定システム１０、１１、１２は、１つまたは複数の測定光ビーム８、９を基板Ｗの表面に向かって誘導または放出可能にすることができる。例えば、その事例では測定システムを、基板表面によって反射する光ビーム８、９の１つまたは複数の部分を検出するように構成することもできる。
【００３３】
[0039]  本出願では、「測定ビームおよび／またはフィールド」という用語を広義に解釈することに留意されたい。「測定ビーム」という用語は、電磁ビーム、電気ビーム、光ビーム、粒子ビーム、音響ビームおよび／または様々なタイプの測定ビームを含むことができる。測定フィールドは、例えば電磁場、または基板の１つまたは複数のアスペクトを測定するのに適切な異なるフィールドでよい。
【００３４】
[0040]  例えば、測定システムは、例えば電磁波、音響、電気および／または容量測定方法、または異なるタイプの測定方法を使用して、基板の少なくとも１つのアスペクトおよび／または特性を測定するように構成することができる。同様に、測定ビームおよび／またはフィールドを「誘導または放出する」という用語は、上記の「測定ビームおよび／またはフィールド」という用語を広義に解釈したことに準じて、広義に解釈されたい。例えば、測定システムは、容量レベリングシステムおよび／または音響的基板高さ検出システムを有することができる。
【００３５】
[0041]  さらなる実施形態では、測定ビーム８、９はそれぞれ光ビームでよい。ここでは「光ビーム」という用語は広義に解釈されたい。測定（光）ビームは、測定すべき基板Ｗの表面で少なくとも部分的に反射し得る適切な放射ビームでよい。例えば、測定ビームは可視範囲の１つまたは複数の波長の放射の光ビームおよび／または１つまたは複数の異なる波長の放射を有する光ビームを含むことができる。
【００３６】
[0042]  例えば、測定システムは、基板ホルダ（またはテーブル）に対して基板Ｗの位置および／または方向を測定するように構成することができる。基板Ｗのこのような位置および／または向きは、基板テーブルに対する基板の特定に位置合わせまたは位置合わせ不良、基板の表面に平行な方向で測定した１つまたは複数の基板位置、基板の特定の傾斜、基板の特定の回転位置、基板のレベル、厚さおよび／または高さ位置（基板表面に対して直角に測定）、および／または他の基板の位置および／または向きを含んでよい。例えば、測定システムは、６つの異なる自由度で基板テーブルに対する基板の位置を検出するために使用可能なデータを提供するように構成することができる。また、測定システムは、テーブルＷＴが基板Ｗを測定位置に保持している場合に、基板テーブルＷＴの位置を検出するように構成することができる。また、測定システムには、テーブルが基板を測定位置に保持している場合に、基板テーブルＷＴの正確な位置に関する（所定の）情報を提供することができる。装置は制御手段を有することができ、これは測定システムを制御し、測定結果を使用して基板の特定のアスペクトを計算または推定することができる。このような制御手段は図示されていないが、当業者にはこのような制御手段をどのように構成できるか明白である。
【００３７】
[0043]  一実施形態では、測定システムは、特定の面（図１のＸＹ面など）で基板の位置を検出するために、基板Ｗ上に設けることができる特定のアラインメントマーカを検出する１つまたは複数のアラインメントセンサ１２を備えることができる。図２では、アラインメントセンサ１２の実施形態が概略的に図示されている。アラインメントセンサ１２は、測定位置に保持された基板Ｗの表面に向かって１つまたは複数のアラインメント測定ビームを放出し、アラインメント測定ビーム９の反射部分を検出するように構成することができる。
【００３８】
[0044]  また、例えば、測定システムは、測定位置に保持された基板Ｗの特定のレベリングを検出するように構成された１つまたは複数のレベルセンサ１０、１１を備えることができる。図２の実施形態では、レベルセンサは、複数のほぼ平行なレベル測定ビーム８を放出するように構成された幾つかのレベル測定ビーム放出器、およびレベル測定ビーム８の反射部分を検出する１つまたは複数のレベル測定ビーム検出器１１を有する。図２で示すように、アラインメント測定ビーム９およびレベル測定ビーム８は、個々のセンサ１０、１１、１２によって基板表面のほぼ同じ部分に向けて誘導することができる。あるいは、様々な測定ビーム８、９を基板の異なる部分に向かって誘導することができる。また、図２で示すように、上述したレベル測定ビームの入射角度は、上述したアラインメント測定ビームの入射角度（基板表面の垂線に対して測定した入射角度）よりはるかに大きくてよい（９０°に近い）。
【００３９】
[0045]  測定システムは、例えば１つまたは複数の平面エンコーダ（図示せず）のような１つまたは複数の他のセンサも備えることができる。また、測定システムが１つまたは複数の測定フィールドを使用するように構成されている場合、測定システムは、例えば測定フィールドが電磁場である場合には１つまたは複数の電磁場発生器など、当業者には明白であるように１つまたは複数の適切なフィールド発生器を有することができる。
【００４０】
[0046]  測定システム１０、１１、１２は、投影システムで基板を照明する前に基板Ｗの位置および／または向きを検出する、遠隔感知手段を提供することができる。特に、基板テーブルWTに対する基板Wの位置および／または向きの測定結果は、パターン化された放射ビームを基板の所望の部分に集束させかつ／または誘導し、パターン化された放射ビームに対して基板テーブルを位置決めするために、または異なる方法で使用することができる。さらなる実施形態では、測定システム１０、１１、１２が基板の位置／または向きを測定または検出してから投影システムが放射ビームを基板Ｗに投影するまでの期間中に、基板Ｗは基板テーブルＷＴに対して再位置決めされない。その場合、本測定システムの測定結果は、このような基板テーブルＷＴに対する基板Ｗの（再）位置合わせに使用されない。
【００４１】
[0047]  あるいは、測定システムの測定結果は、パターン化された放射ビームを基板Ｗに投影する前に、基板テーブルに対して基板Ｗを（再）位置合わせするために使用される。
【００４２】
[0048]  一実施形態では、リソグラフィ装置は、さらに、測定システムの測定ビームおよび／またはフィールドの経路の少なくとも一部を調節するように構成された調節システム４、５０を有する。このような調節システム４の実施形態が、図１から図５に概略的に図示されている。
【００４３】
[0049]  図１から図５の実施形態では、調節システムは、流体流れ制御表面１４を有する空間充填および／または空間封じ込め体４を有する。流体流れ制御表面１４は、基板測定位置と対向して延在する（図２参照）。流体流れ制御表面１４は、基板測定位置に保持された基板Ｗの少なくとも基板表面部分とともに、比較的狭いスリットＳを提供または封じ込めるように構成され、この基板表面部分は基板テーブルＷＴに面せず、使用中に測定システムの測定ビーム８、９を受ける。本実施形態では、流体流れ制御表面１４は、基板測定位置に保持された基板Ｗの基板表面にほぼ平行に延在する。さらなる実施形態では、流体流れ制御表面１４は、測定位置に配置された基板の表面全体に対向し、そして、対向する基板テーブルＷＴの少なくとも表面部分に選択的に対向して延在することができる。このようにして、基板表面と空間充填および／または空間封じ込め体４の間に比較的長く、狭いスリットＳを設けることができる。
【００４４】
[0050]  このような流体流れ制御表面１４は、様々な方法で配置し、構成することができる。例えば、この表面は、他で特に示した場合（測定ビームを放出および受ける光開口の用途および／または調節流体を供給かつ／または除去または抽出する流体出口および／または入口の用途に関する場合など）を除き、ほぼ平坦、ほぼ連続的、または途切れない表面でよい。あるいは、流体流れ制御表面１４は、例えばその表面１４に沿って所望の方向へと流体を誘導するために、小さい流体案内溝を含む、かつ／または特定のレリーフを有するように、輪郭をつけた形状に形成してよい。
【００４５】
[0051]  このような空間充填および／または空間封じ込め体４は、周囲流体が測定ビーム８、９の経路に到達するのを防止するか、周囲流体がこれらの経路に到達する可能性を低下させる受動的手段またはバリアを提供することができる。特に、このような周囲流体は、上記基板ゾーンＷＺに一般的に存在し得るガスまたは空気などの流体である。例えば、このような周囲流体は、１つまたは複数のガスシャワ３０から発生するガスを含むことができ、このガスシャワ３０は、ガスを基板測定位置の区域ではなく、装置の特定の他の区域にガスを誘導するように構成することができる。一例として、このような１つまたは複数のガスシャワ３０は、上記干渉計デバイスＩＦ（図１および図２参照）の１つまたは複数の干渉計ビームＩＦＢを調節するために設けることができる。さらに、このような周囲流体は、基板テーブルＷＴの背後で伴流に引っ張られるか、吸引され得るガスまたは混合ガスを含むことができ、この伴流は、基板テーブルＷＴの特定の素早い動作（例えば毎秒１ｍ以上の速度）によって誘発されることがある。
【００４６】
[0052]  空間充填および／または空間封じ込め体４は、様々な方法および様々な材料で構築することができる。例えば、空間充填および／または空間封じ込め体４は実質的に中実の体、構造体、板および／または要素であるか、あるいは、空間充填および／または空間封じ込め体４は少なくとも部分的に中空の体、構造体、板および／または要素でよい。また、空間充填および／または空間封じ込め体４は、他で特に示している場合を除き、ほぼ流体が漏れない、または密封された外面を有することができる。ある実施形態では、空間充填および／または空間封じ込め体４は、装置の中間フレーム部分３に装着され、このフレーム部分は基板ゾーンＷＺなどの内部ゾーンを装置の他の内部ゾーンから分離する。例えば、空間充填および／または空間封じ込め体４は、装置のフレーム部分３に一体接続または固定するか、このような装置部分３と一体で作成することができる。空間充填および／または空間封じ込め体４は、１つまたは複数の金属、プラスチック、合金および／またはそれらの組合せ、または他の材料で作成することができる。
【００４７】
[0053]  一実施形態では、使用中に空間充填および／または空間封じ込め体４の流体流れ制御表面１４と基板表面間の最も近い距離Ｒ（図２参照）、または流体流れ制御表面１４と基板表面間のスリットＳの幅は、約５ｍｍ未満である。例えば、流体流れ制御表面１４と基板表面間の最も近い距離Ｒ、またはスリット幅Ｒは、約１〜２ｍｍの範囲でよい。あるいは、上記最も近い距離、またはスリット幅Ｒは、約１ｍｍ未満、または約１０ｍｍ未満、または約５ｍｍより大きくてよい。
【００４８】
[0054]  空間充填および／または空間封じ込め体４は、図２に示すように、１つまたは複数の上記センサ１０、１１、１２および／または測定システムのフィールド発生器を備えることができる。さらに、例えば本実施形態では、空間充填および／または空間封じ込め体４は、測定システムの少なくとも１つの測定ビームをその空間充填および／または空間封じ込め体４の少なくとも一部に通してセンサ１０、１１、１２と流れ制御表面１４との間を通すために、１つまたは複数の測定ビーム通路および／または測定ビーム導体、特に光通路および／または光導体５を有してよい。あるいは、例えば測定ビームが光ビームではなく、例えば音響ビームまたは容量測定ビームである場合、導体は少なくとも１つの測定ビームをその体および流れ制御表面１４の少なくとも一部に通して送るために、音響または容量測定ボリュームを含むことができる。当業者にとっては、個々の測定ビームに鑑みて測定ビーム通路および／または測定ビーム導体を構成する方法が明白になる。
【００４９】
[0055]  本実施形態では、好ましくは、少なくとも１つの光通路および／または光導体５が固定した光伝達媒体を提供する。例えば、各光通路および／または光導体５は中実の光導体でよく、例えばガラスまたは透明プラスチックを有する。あるいは、光通路および／または光導体５は、１つまたは複数の透明な流体、液体、気体またはその混合物で充填した中空流路でよく、この流路は、流れ制御表面１４で、またはその付近で透明カバーによって閉鎖することができる。
【００５０】
[0056]  本実施形態では、調節システム４、５０は、調節流体Ｆを測定システムの光ビームの経路の少なくとも一部に供給して、その経路の部分を調節し、特にその経路の部分を熱的、光学的に調節することにより、能動的調節を提供するようにも構成される。例えば、調節流体Ｆは、制御されたガスまたは混合ガス、例えば超清浄空気、１つまたは複数の不活性ガス、または異なる流体、例えば液体でよい。また、さらなる実施形態では、調節システムは、特にシステムがその流体を温度調節するように構成されている場合、温度調節された調節流体Ｆを提供するように構成することができる。一例として、調節システムは調節流体Ｆを加熱かつ／または冷却する加熱および／または冷却システム、調節流体Ｆの温度を測定する１つまたは複数の温度センサ、および調節流体Ｆを所望および／または所定の安定した調節温度まで加熱かつ／または冷却するように加熱および／または冷却システムを制御する制御システムを有することができる。また、調節システムは、調節流体Ｆを所望の位置へと給送する、かつ／または調節流体Ｆをこのような位置から除去または抽出するために、１つまたは複数の流体ライン２３、２４および流体ポンプを含むことができる。上記加熱および／または冷却システム、制御システム、温度センサおよびポンプを含む流体調節システムの部分は、図１でシステム部分５０にて概略的に示されている。当業者には、このような調節システムの部分を構成し、配置構成する方法が明白である。
【００５１】
[0057]  本実施形態では、調節システム４、５０は、調節流体Ｆを実質的に測定システムの光ビーム８、９の経路の少なくとも一部に向かって誘導し、その経路の一部を光学的に調節する。また、節システム４、５０は、調節流体Ｆを少なくとも実質的に、測定位置に保持されている基板Ｗの表面の一部に向かって、および／またはそれに沿って誘導するように構成することができ、この表面の一部は、使用中に測定システムの少なくとも１つの光ビーム８、９を受ける。したがって、測定ビームの経路の良好に制御された温度調節を達成することができ、その結果、測定システムの測定結果が正確になり、この結果を装置が使用して、小さい形体を有するデバイスを高い精度で製造することができる。
【００５２】
[0058]  一実施形態では、調節システム４、５０は、測定システムの少なくとも１つの光ビーム８、９の少なくとも１つの経路部分を調節するように構成することができ、この経路部分は、使用中は流体流れ制御表面１４と基板表面との間に延在する。例えば、本実施形態では使用中に測定ビーム８、９が基板表面へと誘導される場合、調節流体Ｆが空間充填および／または空間封じ込め体４の上記光通路および／または光導体５内へ供給する必要がない。これらの各光通路および／または光導体５は、このように固定した光伝達媒体を提供できるからである。
【００５３】
[0059]  本実施形態では、調節システムは、使用中に流体制御表面１４と基板表面間に延在するスリットＳに調節流体Ｆを供給するために、少なくとも１つの流体出口２１を有する。また、調節システムは、スリットＳから調節流体Ｆを除去または抽出するために、少なくとも１つの流体入口２２を有する。流体出口２１および流体入口２２は、様々な位置に配置構成することができる。本実施形態では、少なくとも１つの流体出口２１および少なくとも１つの流体入口２２が流体制御表面１４に、またはその一部に設けられている。流体出口２１および流体入口２２は、測定システム（図３および図４）の光ビーム８、９の経路の一部に対してほぼ反対側に配置し、調節流体Ｆをその経路部分に供給し、その経路部分から調節流体Ｆを除去／または抽出することができる。流体出口２１および流体入口２２は、相互に対して、および光ビーム８、９に対して異なる位置に配置構成することもできる。さらに、調節システムは、調節流体Ｆを流体出口２１に供給する１つまたは複数の流体供給ライン２３、および流体を流体入口２２から除去する１つまたは複数の流体吸引ライン２３を有することができる。このような供給および吸引ライン２３、２４の少なくとも一部は、図４に示すように空間充填および／または空間封じ込め体４を通って延在する。さらに、例えば調節流体出口２１は、ガスシャワおよび／またはパージフードの一部でもよい。
【００５４】
[0060]  各流体出口２１および流体入口２２は、様々な方法で構成することができる。例えば、流体出口２１および流体入口２２は多孔性材料、適切なガス分散材、単繊維の布または織物、ガス開口を有する１枚または複数のシート、または異なる流体分配材を含むことができる。図５は、流体出口２１の実施形態の一部を断面図で示す。流体出口２１は、上流の流体供給ラインまたは供給室２１からの流体を上記隣接スリットＳへと供給する複数の傾斜流体通路２９を有することができる。さらなる実施形態では、流体出口２１は、前記複数の傾斜通路２９を有する薄いシート２６によって提供することができる。各通路は、シート２６を通ってほぼ傾斜して延在することができる。図５を参照のこと。本発明のある実施形態では、前記シート２６の厚さｔ（本明細書の図のＺ方向で測定）は、約１ｍｍより小さくてよい。例えば、前記厚さｔは約０．５ｍｍ以下でよい。また、前記シートは金属シートまたは合金シート、例えばステンレスシートでよい。その場合、レーザ穿孔を使用して高い精度で比較的小さい流体通路２９を製造することができる。流体通路２９は、異なる技術を使用して製造することもできる。また、シート２６はプラスチック、１つまたは複数の異なる材料で作成することができる。レーザ穿孔以外に、異なる製造方法を適用して、前記通路２９を提供することができる。例えば通路をエッチングする、放電加工により通路を製造する、かつ／またはマスク上に金属を付着させるような異なるプロセスを使用することができる。シート２６は、「マイクロふるい」(“micro sieve”)と呼ぶこともできる。シート２６は１つまたは複数の材料の１つまたは複数の層を含むことができる。シート２６は、空間充填および／または空間封じ込め体４の壁または壁部分であるか、それを提供することができる。シート２６の流体通路２９は様々な方向に延在し得る。例えば、通路２９は前記流体制御表面１４とともに角度βを囲むことができ、角度は約０°から６０°の範囲である。一例として、前記角度は約２０°から５０°、または約２０°から４０°の範囲でよい。さらに、ある実施形態では複数の前記流体通路２９が、相互に対してほぼ平行に延在する。この方法で、流体を流体通路によってほぼ同じ方向に誘導することができる。流体通路２９は、調節流体Ｆを測定ビーム８、９の経路に向かって誘導するように配置構成することが好ましい。さらに、本実施形態では、各流体通路２９がシート２６を通ってほぼ直線方向に延在する。また、流体通路は湾曲するか、他の方向に延在することができる。流体通路２９は様々な直径または寸法を有することができる。前記通路それぞれの直径または幅Ｄは、例えば約０．２ｍｍ未満でよい。例えば、前記直径または幅は約０．１ｍｍ未満でよい。前記通路それぞれの前記直径または幅が約０．０８ｍｍであり、調節流体がガスまたは混合ガスである場合に、良好な結果が得られる。
【００５５】
[0061]  さらなる実施形態では、空間充填および／または空間封じ込め体４は、その体４を温度調節するシステムを有する。例えば図２および図４で図示したように、この目的のために、空間充填および／または封じ込め体４は、第二の温度調節した流体をその体４に通して供給するために、幾つかの流体通路４０を有することができる。このような第二温度調節済み流体はガスまたは混合ガス、または液体、例えば水、または異なる流体でよい。上記流体通路４０は、図２および図４のように、様々な方法で成形および構成することができ、空間充填および／または封じ込め体４に沿って、および／またはそれを通して様々な方向に延在することができる。また、第二温度調節済み流体は、測定ビームの経路の一部を光学的に調節するために使用した調節流体Ｆと同じでよいか、異なる流体でよい。
【００５６】
[0062]  リソグラフィ装置は、調節流体を測定システムの測定ビームの経路の少なくとも一部に供給して、その経路の部分を光学的に調節するように構成された上記調節システムと組合わせて、またはそれと組合わせることなしに、空間充填および／または封じ込め体４を温度調節するシステムを備えることができる。
【００５７】
[0063]  例えば、リソグラフィ装置が空間充填および／または封じ込め体４を温度調節するシステムのみを備え、測定システムの測定ビームの経路の少なくとも一部に調節用流体を供給する調節システムを備えない場合、空間充填および／または封じ込め体４はそれでも、その環境、例えば測定ビームの近傍の経路に比較的良好な温度調節を提供することができる。これは、使用中に基板テーブルが動作している場合に、特に有利であり得る。これによってガスまたは空気の流れが基板上の測定ビームの経路を通ることができる。その場合、このようなガスまたは空気の流れは、温度調節した空間充填および／または封じ込め体によって、例えば熱伝導、放射および／または対流を介して単純かつ効果的に温度調節することができ、測定ビームの経路の温度がさらに均一になる。
【００５８】
[0064]  さらなる実施形態では、リソグラフィ装置は基板Ｗの温度を検出するように構成される。例として、空間充填および／または封じ込め体４および／または基板テーブルＷＴは、基板温度検出器またはモニタ８０（このような検出器８０の１つが、図２で概略的に図示されている）を含むことができる。リソグラフィ装置は、調節流体Ｆに、検出された基板温度に関連する調節温度を提供するように構成することができる。例えば、調節流体Ｆは、基板が測定位置に保持されている場合に、基板Ｗを温度調節するか、基板を所定の基板温度に維持するために使用することができる。一例として、装置は、調節流体Ｆに検出された基板温度と同じである調節温度を提供するように構成することができる。
【００５９】
[0065]  また、さらなる実施形態では、リソグラフィ装置は、基板Ｗの温度を検出し、検出された基板温度に関連する温度に合わせて空間充填および／または封じ込め体４を温度調節するように構成することができる。例えば、空間充填および／または封じ込め体４を、検出された基板温度と同じである温度にする、かつ／またはその温度に維持することができる。
【００６０】
[0066]  図１から図５の実施形態の使用中に、リソグラフィ装置はデバイス製造方法を実行することができ、この方法は、基板Ｗを測定位置に保持し、基板テーブルＷＴを使用し、測定位置に保持されている基板Ｗの少なくとも１つのアスペクト、特性、位置および／または向きを検出することとを含み、そこでは、測定ビーム８、９が基板Ｗに表面に向かって出射され、基板Ｗの表面で反射した測定ビームの部分が検出され、さらに、調節流体Ｆを、スリットＳを通る測定ビーム８、９の経路の少なくとも一部に誘導して、その経路の一部を光学的に調節し、基板の少なくとも１つのアスペクト、特性、位置および／または向きを検出した後に、基板テーブルＷＴを移動して、基板Ｗを処理位置へ移送することとを含む。
【００６１】
[0067]  例えば、基板Ｗの測定中に、基板Ｗは、例えば基板の表面に測定ビーム８、９をスキャンするために、測定システムに対して移動することができる。
【００６２】
[0068]  少なくとも上述したように特定の基板のアスペクトおよび／または特性を測定中に、空間充填および／または封じ込め体４は、例えばその体の流体通路４０を通って温度調節した流体を供給することにより、および／または異なる方法で、このように温度調節することが好ましい。この方法で、起こり得る熱によって空間充填および／または封じ込め体４の体積および／または寸法に誘発される変化を打ち消すことができる。また、温度調節した空間充填および／または封じ込め体４は、付近の測定区域に特定の温度調節を、例えば対流および／または放射による熱交換を提供することができる。
【００６３】
[0069]  空間充填および／または封じ込め体４とウェーハ表面間に延在する細いスリットＳは、本発明の方法を使用して良好に温度調節することができる。第一に、このような空間充填および／または封じ込め体４は、それほど調節されていないか、混合されていない基板ゾーンＷＺ流体が測定ビーム８、９に到達し得ることを防止するか、その可能性を低下させることができる。さらに、温度調節した空間充填および／または封じ込め体４は、隣接するスリットＳを温度調節することができる。さらに、スリットＳの少なくとも一部をパージすることができる調節流体Ｆは、個々のスリット部分の直接的かつ能動的な温度調節を提供することができる。したがって、測定ビーム８、９の望ましくない光路の長さ変動を引き起こし得る温度変動を減少させるか、防止することができる。これはスリットＳを通るビーム経路と、空間充填および／または封じ込め体４を通して（個々の通路および／または導体５を介して）延在するビーム部分の両方に当てはまる。
【００６４】
[0070]  ウェーハ測定プロセスの後、基板を処理位置へと移送し、パターニングデバイスＭＡによってパターン形成されたパターン形成放射ビームを、基板に投影することができる。ここで、基板の少なくとも１つのアスペクト、特性、位置および／または向きの検出結果を使用して、パターン形成放射ビームを基板に正確に投影することができる。
【００６５】
[0071]  また、さらなる実施形態では、基板の少なくとも１つのアスペクト、特性、位置および／または向きの検出結果を使用して、投影システムに対して基板を位置合わせし、パターン形成放射ビームを基板上に投影することができる。さらに、さらなる実施形態では基板の位置および向きの検出または測定結果を使用して、パターニングデバイスＭＡを支持するように構築された前述の支持構造ＭＴに対して、またはパターニングデバイスＭＡに対して基板を位置合わせすることができる。
【００６６】
[0072]  この方法で、測定システムの測定エラーを減少させ、デバイスを高精度のものにすることができる。上述したように、さらなる実施形態では基板Ｗは、基板の位置／向きを測定または検出する測定システムから、放射ビームを基板Ｗ上に投影した投影システムまで移動する期間中に、基板テーブルＷＴに対して再位置決めしなくてよい。
【００６７】
[0073]  図６は、装置の代替実施形態を示し、これは流体出口１２１および流体出口１２２が流体制御表面１４の一部ではない点が図２から図５で示した実施形態とは異なる。例えば、図６の実施形態では流体出口１２１および流体出口１２２が、流体制御表面１４と基板表面（図６では見えない）の間に設けられたスリットＳの反対端付近に配置されて、調節流体をスリットＳ内へ、およびそれを通して誘導し、スリットＳを通って延在する測定ビーム経路の部分を調節する。図６の実施形態では、調節流体Ｆを、放射される測定ビーム８、９が沿う垂直面にほぼ平行に誘導することができる。図６の実施形態の動作は、図１から図５の実施形態に関して上述した機能とほぼ同じであるが、図６の実施形態では、流体制御表面１４と基板表面間に延在するスリットＳのさらに大きい部分を、調節流体Ｆで能動的に調節することができる。
【００６８】
[0074]  本発明のリソグラフィ装置および方法は、例えばレベルセンサ、アラインメントセンサおよび／または他のそのセンサなどの測定システムの再現性を改善することができる。このリソグラフィ装置および方法は、これらのセンサの様々な光ビームが通過する光学的に比較的一定の、特に温度および圧力が一定の１つ／複数の媒体を提供することができる。したがって、密度の、したがって屈折率の変動を回避することができる。さらに一例として、１つまたは複数のフィールドを使用する測定システムの場合、例えばシステムが容量測定システムを有する場合、個々の測定フィールドが通る１つまたは複数の媒体の誘電率の変動を回避するか、軽減することができる。また、音響測定システムを実現している場合、個々の音響測定ビームまたは信号が横断する１つまたは複数の媒体内における音速の変動を回避するか、軽減することができる。
【００６９】
[0075]  例えば、空間充填および／または封じ込め体４は、例えば基板測定位置の上など、装置内のギャップを少なくとも部分的に充填することができる。以上から理解されるように、例えば空間充填および／または封じ込め体４は、下から計測フレーム３に装着することができ、空間充填および／または封じ込め体４は測定ビーム８、が透過する窓を有することができる。さらなる実施形態では、空間充填および／または封じ込め体４は、干渉計システムの基準ビームのために１つまたは複数のミラーを有することができる。さらなる実施形態では、空間充填および／または封じ込め体４が使用中に基板Ｗと平行である平坦な板を含む場合、その体を「フロープレート」と呼ぶことができる。空間充填および／または封じ込め体４の利点は、体が、例えば基板測定位置付近の空気などの大きい部分を置換できることである。したがって、体４は例えば基板テーブルＷＴの動作中に、例えば測定システムのセンサ１０、１１、１２と基板Ｗ間の空気などの循環パターンの変動を防止するか、軽減する。これは、スリットＳ内の屈折率の変動を最小限に抑え、様々なセンサの再現性を改善することができる。他の利点は、空間充填および／または封じ込め体４が計測フレームからウェーハステージ区画の流体を保護することができ、これが基板測定位置付近の熱汚染を防止できることである。また、利点は、空間充填および／または封じ込め体４が、干渉計の基準ビームのためにミラーのインタフェースを提供できることである。
【００７０】
[0076]  さらに、空間充填および／または封じ込め体４、その光通路および／または光導体５、およびその周囲の温度分布の変動を、本発明の方法および装置によって軽減できることが好ましい。例えば、以上から理解されるように、空間充填および／または封じ込め体４の温度変動を減少させるために、体は液体または水で調節した空間充填および／または封じ込め体４でよい。水で調節した空間充填および／または封じ込め体４は、ウェーハテーブルの運動によって生じ得るセンサ測定ビーム８、９の温度変動に温度安定効果を提供することができる。したがって、温度調節した空間充填および／または封じ込め体４は、測定システム１０、１１、１２の性能を改善することができる。
【００７１】
[0077]  本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用誘導および検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどである。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」または「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ、「基板」または「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことは、当業者に明らかである。本明細書に述べている基板は、露光前または露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、計測ツールおよび／または検査ツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上およびその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに、基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。
【００７２】
[0078]  以上では光学リソグラフィとの関連で本発明の実施形態の使用に特に言及しているが、本発明は、インプリントリソグラフィなどの他の用途においても使用可能であり、状況が許せば、光学リソグラフィに限定されないことが理解される。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイスの微細構成によって、基板上に生成されるパターンが画定される。パターニングデバイスの微細構成を基板に供給されたレジストの層に押しつけ、その後に電磁放射、熱、圧力またはその組合せにより、レジストを硬化する。パターニングデバイスをレジストから離し、レジストを硬化した後にパターンを残す。
【００７３】
[0079]  本明細書で使用する「放射」および「ビーム」という用語は、イオンビームあるいは電子ビームといったような粒子ビームのみならず、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、３６５ｎｍ、３５５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍまたは１２６ｎｍの波長を有する）および極端紫外線（ＥＵＶ）放射（例えば、５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）を含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。
【００７４】
[0080]  「レンズ」という用語は、状況が許せば、屈折、反射、磁気、電磁気および静電気光学コンポーネントを含む様々なタイプの光学コンポーネントのいずれか、またはその組合せを指す。
【００７５】
[0081]  以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。例えば、本発明は、上記で開示したような方法を述べる機械読み取り式命令の１つまたは複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、またはその内部に記憶されたこのようなコンピュータプログラムを有するデータ記憶媒体（例えば半導体メモリ、磁気または光ディスク）の形態をとることができる。
【００７６】
[0082]  上記の説明は例示的であり、限定的ではない。したがって、請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。
【００７７】
[0083]  本出願では、「備える、有する」という用語は他の要素またはステップを排除しないことを理解されたい。また、「ある」という用語は複数を排除しない。また、単一のプロセッサまたは他のユニットは、請求の範囲で言及される幾つかの手段の機能を果たすことができる。請求の範囲にあるどの参照記号も、請求の範囲を制限するものと解釈されないものとする。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】[0011]  本発明の実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示した図である。
【図２】[0012]  図１で示した装置の一部を概略的に示した断面図である。
【図３】[0013]  図１および図２で示した装置の空間充填および／または封じ込め体を概略的に示した底面図である。
【図４】[0014]  概略的に示した図３の線ＩＶ−ＩＶに沿った断面図である。
【図５】[0015]  図４の詳細Ｑを示した図である。
【図６】[0016]  代替実施形態の図３と同様の図である。
【図１】
0004576373.tif 000002
【図２】
0004576373.tif 000003
【図３】
0004576373.tif 000004
【図４】
0004576373.tif 000005
【図５】
0004576373.tif 000006
【図６】
0004576373.tif 000007