(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄円盤を回転させるよう適合されたローラであって、
薄円盤の端部に接触するよう適合された少なくとも２つの対向面を有する溝と、
前記２つの対向面に沿って配置された複数の穴と、
を備え、前記穴の各々が、前記溝の前記少なくとも２つの対向面の中に延びている、ローラ。
【請求項２】
前記穴の各々が、前記少なくとも２つの対向面が相接する箇所を介して延伸し、それにより、ウェーハの外端部に接するよう適合された波形表面を形成する、請求項１に記載のローラ。
【請求項３】
前記穴の各々が、前記２つの対向面の各々の中に延びるようなサイズにされている、請求項１に記載のローラ。
【請求項４】
薄円盤を回転させるよう適合されたローラであって、
薄円盤の端部に接触するよう適合された少なくとも２つの表面を有する溝と、
前記２つの表面に沿って配置された複数の穴と、
を備え、前記穴の各々が、前記少なくとも２つの表面が相接する箇所に対し直角に延伸する、ローラ。
【請求項５】
前記穴の各々が、前記少なくとも２つの表面が相接する箇所を通って延伸し、それにより、ウェーハの外端部に接するよう適合された波形表面を形成する、請求項４に記載のローラ。
【請求項６】
薄円盤を回転させるよう適合されたローラであって、
薄円盤の端部に接触するよう適合された少なくとも２つの相対向する表面を有する溝と、
前記表面に沿って配置された複数の穴と、
前記表面に結合された少なくとも第１のＯリングと、
を備え、前記穴の各々が、前記溝の前記少なくとも２つの相対向する表面の中に延びている、ローラ。
【請求項７】
前記ローラが、前記薄円盤の端部が第１のＯリングと第２のＯリングの間に挿入されるように前記表面に結合された第２のＯリングを更に備える、請求項２に記載の装置。
【請求項８】
薄円盤の端部に接触するように適合された表面を有するローラを設けるステップであって、前記ローラの前記表面には複数の穴が開けられており、前記穴の各々が回転軸に対して平行に延伸しているステップと、
薄円盤の端部を前記穴に接触するように置くステップと、
前記薄円盤が前記ローラにより回転するように前記ローラを回転させるステップとを含む、薄円盤を洗浄する方法。
【請求項９】
薄円盤の端部に接触するように適合された表面を有するローラを設けるステップであって、前記ローラの前記表面には複数の穴が開けられており、前記穴の各々が回転軸に対して平行に延伸しており、前記穴の各々は２つの表面の各々の中に延びるようなサイズにされているステップと、
薄円盤の端部を前記穴に接触するように置くステップと、
前記薄円盤が前記ローラにより回転するように前記ローラを回転させるステップとを含む、薄円盤を洗浄する方法。
【請求項１０】
薄円盤の端部に接触するように適合された表面を有するローラを設けるステップであって、前記ローラの前記表面には複数の穴が開けられており、前記穴の各々は少なくとも２つの表面が相接する箇所に対し直角に延伸しているステップと、
薄円盤の端部を前記穴に接触するように置くステップと、
前記薄円盤が前記ローラにより回転するように前記ローラを回転させるステップとを含む、薄円盤を洗浄する方法。
【請求項１１】
薄円盤の端部に接触するように適合された少なくとも２つの表面を含む溝を有するローラに薄円盤を接触させるステップであって、前記ローラは、前記２つの表面の少なくとも１つに沿って配置された複数の穴を含み、前記穴の各々が前記ローラの回転軸に対して平行に延伸しているステップと、
前記薄円盤が前記ローラにより回転するように前記ローラを回転させるステップとを含む、薄円盤を洗浄する方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
（発明の分野）
本発明は薄円盤の回転に関する。より詳しくは、本発明は流体タンク内の半導体基板を回転させる改善されたローラに関する。
【０００２】
（発明の背景）
流体タンク内に沈められた半導体からパーティクルを洗浄除去するための従来の方法は、メガソニック洗浄として知られている。メガソニック洗浄の間、トランスデューサは圧縮状態と伸張状態の間を１ＭＨｚに近い速度で振動する。トランスデューサにより出力されるメガソニック振動は、タンク内に含まれる流体に伝えられ、流体に圧力振動を生じさせる。流体圧力が正負間を振動するにつれ、負圧の間は流体に空洞または泡が形成され、正圧の間は崩壊または萎縮が形成される。この泡振動がウェーハの表面を穏やかに洗浄する。
【０００３】
実際には、メガソニック洗浄機には多くの制限があることが知られている。例えば、ウェーハの表面をわたり付与される洗浄エネルギーの強度は、トランスデューサからの距離が増すにつれて頻繁に減少する。このエネルギー勾配のために、ウェーハの全面にわたり均一な洗浄を成し遂げるためにウェーハを回転させることが必要になる。
【０００４】
従来、回転をさせるために、ウェーハは一対のローラ上に配置されていた。ここで各ローラは、メガソニック・タンクの壁を介して延伸する軸に搭載される。メガソニック・タンクの外側で各シャフトがモータに結合される。モータは付勢されると、シャフトとシャフトに取り付けられたローラを回転させる。ローラが回転するにつれ、ローラ上に配置されるウェーハも回転する。
【０００５】
このローラ・アッセンブリは、ウェーハの全面にわたり均一なウェーハ洗浄を促進するが、いくつかの欠点があることが知られている。例えば、特別の課題により、ウェーハの滑らかで連続した回転が維持されてきた。実際には、ウェーハは定期的に溝に沿って滑るので、ウェーハの回転は一時的に減速または停止する。この回転の変化は、（例えば、所定の処理時間後に所望の方向配置にウェーハを置くために、安定したウェーハの回転に依存するシステムにおいて、）ウェーハの表面にわたる洗浄または処理のムラを生じさせ、ウェーハを汚染しまたは処理を阻む可能性があり、または結果として回転終了時にウェーハの方向配置を誤らせるおそれがある。
【０００６】
従って、基板との十分な接触を維持し、基板とローラ間の相対運動または滑りを回避するローラに対する要求が存在する。このようなローラは、コストや複雑性をシステムに付加しないように、製造が容易であることが好ましい。
【０００７】
（発明の概要）
本発明は、ウェーハに接触する溝内に摩擦面を備えるローラを提供する。摩擦面は、ウェーハの滑りを防止でき、このことは好適実施例においてウェーハとローラの接触面積を増やすことなく行われる。ある態様においては、ウェーハは滑らかな表面によって、ではなく溝内の摩擦箇所によって接触されるので、本発明はウェーハの接触を最小にする。更に、取り込まれた流体は潤滑剤として作用し、またはウェーハとローラの間のハイドロプレーニング現象を生じさせるおそれがあるが、摩擦箇所は流体がウェーハとローラの間に取り込まれる確率を減らす。
【０００８】
本発明の第１態様において、ウェーハに接触するローラの表面（即ち、溝の底および／または溝の低部側壁）は、開けられた又は中に形成された複数の穴を備える。ウェーハはローラに、２つの対向面（例えば「Ｖ」字または「Ｕ」字形の溝）を介して接触することが好ましい。この場合、穴は、これらの対向面沿いに一定の間隔で開けられるか、またはローラの内径沿いに開けられ、かつウェーハ端部に接触する２つの対向面の中に延びるようなサイズにできる。この実施例は製造を安価に行うことができ、かつ流体を、接触する摩擦箇所（例えば、穴の端部）から穴の中央に移すことができる。このようにして、摩擦接触を最大にしながら面接触を最小にすることができる。
【０００９】
本発明の別の態様は、ウェーハ接触面をビード・ブラストまたは粒状加工することを備える。本発明の更に別の態様は、ローラのウェーハ接触面沿いに１以上のＯリングを置くことを備える。Ｏリングは、原料に関する当業者には明らかなように、ウェーハを把持するように十分な摩擦力または十分な弾性を有し、しかもパーティクルの生成を生じさせることなく、かつ処理条件（熱、化学薬品など）に曝す間に直ちに劣化することなく良好な耐久性を有し得るような、原料（例えばＰＥＥＫ樹脂）から構成できる。本発明の１態様は、ローラの内径（ウェーハの外端部に接する面）に沿って２つのＯリングを置く。これらのＯリングは、ウェーハの端部が間に挿入されるように配置される。
【００１０】
本発明の他の特徴および利点は、以下の好適実施例の詳細な説明、添付の請求項および添付図面から、より十分に明らかになる。
【００１１】
（好適実施例の詳細な説明）
発明のローラ・アッセンブリが提供される。発明のローラ・アッセンブリは、例えば、（図示の）Ｖ字形、（図示しない）Ｕ字形、または他の類似の形状を有する溝を備える。溝は、従来技術において知られるように、その端部によりウェーハを支持するよう適合された２つの対向面を含む。発明のローラ・アッセンブリは更に、溝の対向面沿いにおよび／または溝の底部沿いに配置された摩擦面、または溝の底部沿いに配置されたＯリングを備える。摩擦面は、溝の対向面沿いに一定の間隔で設けられた複数の穴を備えてよく、この場合、穴の各々は２つの対向面の両方の中に延びるようなサイズにできる。または、摩擦面は、溝のウェーハ接触面沿いに配置されたビード・ブラストまたは粒状加工された面であってよい。
【００１２】
図１Ａは、発明のローラ・アッセンブリの、第１実施例１１ａの側面図である。発明のローラ・アッセンブリ１１ａは、２つの対向面１５ａ、１５ｂを有する溝１３を備える。発明のローラ・アッセンブリ１１ａは、溝１３の対向面１５ａ、１５ｂ沿いに一定の間隔で配置された複数の穴１７ａ、１７ｂも備える。
【００１３】
図１Ｂは、図１Ａの溝１３の詳細図である。半導体ウェーハＷが示され、以下の特定の部分について、即ち、半導体ウェーハＷの側端部Ａ、側部Ｂおよび外端部Ｃについて説明される。図１Ｂに示すように側端部Ａ全体に沿って、または側端部Ａと側部Ｂに沿って、または側端部Ａと底端部Ｃに沿って半導体ウェーハＷが溝１３に接触するように、溝１３は構成されている。
【００１４】
溝１３の対向面１５ａ、１５ｂ沿いの摩擦面は、ウェーハの滑りを減らし、かつ流体（例えば、洗浄システムにより用いられる流体）がウェーハＷと発明のローラ・アッセンブリ１１ａの間に取り込まれる確率を減らす。もしそうでなければ、図１によると、取り込まれた流体は潤滑剤として作用し、さらに／またはウェーハＷと従来のローラ・アッセンブリの間のハイドロプレーニング現象を生じさせる。更に、ウェーハＷは、対向面１５ａ、１５ｂの連続した（例えば滑らかな）部分によってではなく摩擦面に接触させられるので、発明のローラ・アッセンブリの摩擦面は、ウェーハＷと対向面１５ａ、１５ｂの接触を減らす。従って、減少した接触により、結果としてこのような接触に関連して生成されるパーティクルを減らすことができる。
【００１５】
図１Ｃは、発明のローラ・アッセンブリの、第２実施例１１ｂの側面図である。発明のローラ・アッセンブリ１１ｂは、摩擦面を有する溝１３を備えており、摩擦面は複数の穴１９を備える。穴の各々は、一定の間隔で、２つの対向面の中に延びるようなサイズにされている。複数の穴１９は、溝１３の全周に沿って一定の間隔で配置される。側端部Ａ全体に沿って、または側端部Ａと側部Ｂに沿って、または側端部Ａと底端部Ｃに沿って半導体ウェーハＷが溝１３に接触するように、溝１３は構成されている。
【００１６】
発明のローラ・アッセンブリ１１ａの複数の穴１７ａ、１７ｂ、および発明のローラ・アッセンブリ１１ｂの複数の穴１９により各ローラ・アッセンブリの表面積が増加し、これにより、後に図６を参照して説明するように、発明のローラ・アッセンブリ１１ａ、１１ｂの冷却速度を高めることができる。なお、穴の各々１７ａ、１７ｂおよび１９は、それぞれローラの回転軸に対し、ほぼ直角に延伸する。
【００１７】
図２Ａ〜図２Ｄに、本発明の第３実施例１１ｃを示す。ここで、複数の穴Ｈは、２つの対向面１５ａ、１５ｂが相接する箇所Ｐを通って直角に延伸する（即ち、穴の各々は、ローラの回転軸に平行に延伸する）。図２Ａは側面図、図２Ｂは図２ＡのＢ−Ｂ線に沿った正面断面図、図２Ｃは図２ＢのＣ−Ｃ線に沿った側面断面図、図２Ｄは正面図である。図２Ｃを参照すると最も良く理解されるように、穴Ｈは最小の２つの面１５ａ、１５ｂが相接する箇所Ｐを通って延伸するので、ウェーハの外端に接触する面Ｓは波形になる。穴Ｈの直径寸法は一例として０．２２インチであり、面１５ａ、１５ｂ間の角度は、一例として６０度である。
【００１８】
図３Ａは、図２Ａ〜図２Ｄに示されるものよりも小さい穴Ｈを有する、発明のローラ・アッセンブリの第３実施例の側面図である。図３Ｂは図３ＡのＢ−Ｂ線に沿った正面断面図、図３Ｃは図３Ａのローラ・アッセンブリの側面斜視図、図３Ｄは図３Ａのローラ・アッセンブリの正面図である。穴Ｈの直径寸法は、一例として０．０８インチであり、面１５ａ、１５ｂ間の角度は、一例として６０度である。
【００１９】
図４は、発明のローラ・アッセンブリの、第４実施例１１ｄの側面図である。発明のローラ・アッセンブリ１１ｄは、溝１３の対向面１５ａ、１５ｂに沿って配置される、ビード・ブラストまたは粒状加工された（以下、粗面１５1と呼ぶ）摩擦面を有する溝１３を備える。粗面１５1は、従来当業者には知られるようなビード・ブラストまたは粒状加工方法により形成される。側端部Ａ全体に沿って、または側端部Ａと側部Ｂに沿って、または側端部Ａと底端部Ｃに沿って半導体ウェーハＷが溝１３に接触するように、溝１３は構成されている。
【００２０】
発明のローラ・アッセンブリ１１ａ〜１１ｄの作動にあたり、（図１Ｂに示す）端部、側部Ｂ、および底端部Ｃを有し得るウェーハＷが溝１３に置かれる。ウェーハＷの端部（例えば、側端部Ａおよび外端部Ｂ）は溝１３に接触する。発明のローラ・アッセンブリ１１ａ〜１１ｄが回転軸に沿って回転するにつれ、溝１３の対向面１５ａ、１５ｂに沿って配置される摩擦面がウェーハＷに接触し、ウェーハＷを回転させる。摩擦面を介して、発明のローラ・アッセンブリ１１ａ〜１１ｄは、ウェーハＷとの十分な接触を保持し、これにより、ウェーハＷが溝１３に沿って滑るのを防止できる。従って、発明のローラ・アッセンブリ１１ａ〜１１ｄは、ウェーハＷの滑らかで連続した回転を提供できる。
【００２１】
図５Ａは、発明のローラ・アッセンブリの、第５実施例１１ｅの側面断面図である。発明のローラ・アッセンブリ１１ｄは、溝１３の中に配置された第１のＯリング２３を有し、かつローラ・アッセンブリ１１ｄの周囲にわたる溝を備える。
【００２２】
第１のＯリング２３は溝１３の周囲にわたり、溝１３は半導体ウェーハＷの端部Ｃが第１のＯリングに接触するようなサイズにされている。溝１３の対向面１５ａ、１５ｂは、ウェーハＷのぐらつきを制限するように配置できる。
【００２３】
第１のＯリング２３は、ウェーハＷを把持するように十分な摩擦力または十分な弾性を有する、柔軟かつ粘性のある原料（例えば、ウェーハＷに加えられる任意の化学薬品に適合する低硬度ゴムなど）にから構成できる。原料に関する当業者には明らかなように、パーティクルの生成を生じさせないように、かつ処理条件（熱、化学薬品など）に曝す間に容易に劣化しないように、この原料は耐久性を有する。このような原料には、DuPont Dow Elastomers 製のKalrezと、International Fuel 製の Aiges が含まれる。
【００２４】
一態様において、第１のＯリング２３は、ウェーハＷの端部Ｃの幅よりも広い幅を有する。溝１３へのＯリング２３の配置を容易にするために、ローラ・アッセンブリ１１ｅは、図５Ａに示すように、２つの部品から構成してもよい。
【００２５】
発明のローラ・アッセンブリ１１ｄの作動にあたり、側端部Ａ、側部Ｂ、および底端部Ｃを有するウェーハＷは、第１のＯリング２３が結合された溝１３に配置される。発明のローラ・アッセンブリ１１ｄがその回転軸の周囲を回転するにつれ、ウェーハＷの端部Ｃは、柔軟で粘性のある原料より構成できる第１のＯリング２３に接触する。ウェーハＷの端部Ｃを把持するように、柔軟で粘性のある原料は十分な摩擦力を有するので、それにより、第１のＯリング２３の柔軟で粘性のある原料は、ウェーハＷの端部Ｃの滑りを防ぐことができる。従って、発明のローラ・アッセンブリ１１ｄは、ウェーハＷの滑らかで連続した回転を提供できる。
【００２６】
図５Ｂは、発明のローラ・アッセンブリの、第６実施例１１ｆの側面断面図である。発明のローラ・アッセンブリ１１ｆは、図５Ａの構成物に、溝１３に結合された第２のＯリング３１を加えて構成される。第２のＯリング３１は、第１のＯリング２３と同一の原料から構成してよい。第１のＯリング２３と第２のＯリング３１は溝１３の周囲に延伸でき、かつ半導体ウェーハＷの端部が第１のＯリング２３と第２のＯリング３１の両方に接触するように配置され、実際には、両方のリングの間に挿入できる。
【００２７】
発明のローラ・アッセンブリ１１ｆの作動にあたり、ウェーハＷは、第１のＯリング２３と第２のＯリング３１を結合された溝１３に配置される。発明のローラ・アッセンブリ１１ｆがその回転軸沿いに回転するにつれ、ウェーハＷの端部Ｃは、第１のＯリング２３と第２のＯリング３１と接触する。第１のＯリング２３と第２のＯリング３１は、柔軟で粘性のある原料より構成してよい。Ｏリングの材料はウェーハＷの端部Ｃを「把持する」ので、発明のローラ・アッセンブリ１１ｅは、ウェーハＷの端部Ｃとの十分な接触を保持できる。これによりＯリング原料は、ウェーハＷの端部Ｃが第１のＯリング２３と第２のＯリング３１に沿って滑るのを防止する。従って、発明のローラ・アッセンブリ１１ｅは、ウェーハＷの滑らかで連続した回転を可能にする。
【００２８】
図５Ｃに示すように、トランスデューサ（図６参照）により出力されるエネルギーとの接触により生じ得る損傷からＯリング２３、３１を防護するために、シールドＳは、発明のローラ・アッセンブリをトランスデューサのエネルギーから遮蔽するように（または少なくともＯリングを遮蔽するように）配置される。シールドＳは、図示のようにローラ・アッセンブリの固定ハウジング部に搭載される。
【００２９】
図６は、発明のローラ・アッセンブリ１１のいずれかの実施例を用いるメガソニック・タンク３５の正面図である。メガソニック・タンク３５は、イオン除去水などの洗浄液を含むよう適合されたタンク３７（例えばプラスチック・タンク）を備える。メガソニック・タンク３５は、また、その底部に沿って配置されたトランスデューサ３９を備える。トランスデューサはメガソニック速度で振動し、泡を洗浄液内に形成するようにされている。トランスデューサ３９の長さは、トランスデューサ３９により洗浄されるウェーハＷの直径と同一でよい。トランスデューサ３９の上部には、発明の第１ローラ・アッセンブリ１１および発明の第２ローラ・アッセンブリ１１が配置され、トランスデューサ３９に沿ってウェーハＷを垂直に支持する。１９９８年１１月１１日に出願された米国特許出願連番第０９／１９１，０５７号に記載されるようにメガソニック・タンク３５を構成するのが好ましい。この出願の開示は全て、ここに参照として内包されている。
【００３０】
作動にあたり、メガソニック・タンク３５には洗浄液が充填される。ウェーハＷはメガソニック・タンク３５の中に置かれ、発明のローラ・アッセンブリ１１により支持される。トランスデューサ３９がメガソニック速度で振動して、洗浄液内に泡を形成する。泡が、従来技術で知られるように、ウェーハＷの表面を洗浄する（即ち、トランスデューサ３９が洗浄エネルギーを出力する）。トランスデューサ３９により出力される洗浄エネルギーはウェーハＷの表面全体に伝わり、ウェーハＷの表面を洗浄する。洗浄の間、発明のローラ１１が付勢され回転し、ローラ１１により支持されるウェーハＷを回転させる。このようにして、ウェーハＷの表面全体が洗浄される。
【００３１】
トランスデューサ３９は振動の間に熱を生成し、次に洗浄液と発明のローラ・アッセンブリ１１を加熱するので、メガソニック・タンク３５は通常高温で動作する。前述のように、発明のローラ・アッセンブリ１１ａの複数の穴１７ａ、１７ｂ、および発明のローラ・アッセンブリ１１ｂの複数の穴１９により、ローラ・アッセンブリの表面積が増加する。従って、増加した表面積が、結果として発明のローラ・アッセンブリ１１ａ、１１ｂの冷却速度を上昇させることができる。従って、上昇された冷却速度によって発明のローラ・アッセンブリ１１ａ、１１ｂの過熱を防ぎ、加熱によって損傷を受けたり、または基板を傷めることがないようにできる。
【００３２】
発明のローラ１１に対し与えられた寸法は、好適実施例を説明するよう意図されており、本発明の範囲を制限するものではない。これらの寸法はいずれもウェーハの寸法および厚さ次第で変化してよく、これらの寸法は本発明の目的に適うよう調整できることは理解されるべきである。
【００３３】
上記の説明は本発明の好適実施例のみを開示しており、本発明の範囲内にある、上に開示された装置および方法の変更は、当業者には即座に明らかになろう。例えば、本発明は垂直配置で説明されたが、本発明は任意の方向配置（例えば、水平など）で用いることができ、かつここに説明された例示のタンク以外の、流体を充填されたタンク内において用いることができる。実際に、発明のローラ１１は、基板の回転を必要とするシステムか、またはスクラバ洗浄機などのローラと基板の間の増加した摩擦から利益を得るいずれのシステム内でも好都合に用いることができる。例示のスクラバ洗浄機は、１９９９年６月１日に出願された米国特許仮出願連番第６０／１３６，９１２号（ＡＭＡＴ：アプライド  マテリアルズ社内番号３６７７号）に開示されており、開示の全体はここに参照として内包されている。更に、本発明は、用いられる特定の処理に関わらず、任意の円盤状基板（パターニングされた、またはパターニングされていないウェーハ、ガラス基板、液晶表示（ＬＣＤ）基板など）の回転に一般に関わる。
【００３４】
Ｏリング２３、３１を備える発明のローラ・アッセンブリは、各対向面沿いに配置された複数の穴１７ａ、１７ｂか、または２つの対向面の間にわたり対向面の表面積を増加させる複数の穴１９も備えることができる。従って、増加した面積により、発明のローラ・アッセンブリ１１ｄの冷却速度を上昇させることができる。２つのＯリングの実施例においては、Ｏリング自身がウェーハの接触を最小にするように、Ｏリングの端部沿いに斜角をつけることができる。同様に、単一のＯリングの実施例においては、溝がＯリングの中央領域に沿って機械加工または形成されて、ウェーハの接触を最小にする。
【００３５】
従って、本発明を好適実施例と関連づけて開示してきたが、本発明の精神および範囲内にある他の実施例も、添付の請求項により明らかにされるように可能であることは理解されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【図１Ａ】図１Ａは、発明のローラ・アッセンブリの第１実施例の側面図である。
【図１Ｂ】図１Ｂは、図１Ａの溝の詳細図である。
【図１Ｃ】図１Ｃは、発明のローラ・アッセンブリの第２実施例の側面図である。
【図２Ａ】図２Ａは、発明のローラ・アッセンブリの第３実施例の側面図である。
【図２Ｂ】図２Ｂは、Ｂ−Ｂ線に沿った図２Ａのローラ・アッセンブリの正面断面図である。
【図２Ｃ】図２Ｃは、Ｃ−Ｃ線に沿った図２Ｂのローラ・アッセンブリの側面断面図である。
【図２Ｄ】図２Ｄは、図２Ａのローラ・アッセンブリの正面図である。
【図３Ａ】図３Ａは、図２Ａ〜Ｄに示される穴よりも小さい穴を有する、発明のローラ・アッセンブリの第３実施例の側面図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは、図３Ａのローラ・アッセンブリのＢ−Ｂ線に沿った正面断面図である。
【図３Ｃ】図３Ｂは、図３Ａのローラ・アッセンブリの側面斜視図である。
【図３Ｄ】図３Ｄは、図３Ａのローラ・アッセンブリの正面図である。
【図４】図４は、発明のローラ・アッセンブリの第４実施例の側面図である。
【図５Ａ】図５Ａは、発明のローラ・アッセンブリの第５実施例の側面断面図である。
【図５Ｂ】図５Ｂは、発明のローラ・アッセンブリの第６実施例の側面断面図である。
【図５Ｃ】図５Ｃは、防護シールドを含む、図５Ａの発明のローラ・アッセンブリの側面断面図である。
【図６】図６は、発明のローラ・アッセンブリのいずれかの実施例を用いるメガソニック・タンク３５の正面図である。
【符号の説明】
１１ａ…ローラアッセンブリ（第１実施例）、１１ｂ…ローラアッセンブリ（第２実施例）１１ｃ…ローラアッセンブリ（第３実施例）１１ｄ…ローラアッセンブリ（第４実施例）、１１ｆ…ローラアッセンブリ、１３…溝、１５ａ、１５ｂ…対向面、１７ａ、１７ｂ…穴、１９…穴、２３…第１のＯリング、３１…第２のＯリング、３５…メガソニック・タンク、３９…トランスデューサ、Ａ…側端部、Ｂ…側部、Ｃ…端部、Ｓ…シールド、Ｗ…ウエーハ
【図１Ａ】
0004421740.tif 000002
【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図２Ｄ】
0004421740.tif 000008
【図３Ａ】
0004421740.tif 000009
【図３Ｂ】
0004421740.tif 000010
【図３Ｃ】
0004421740.tif 000011
【図３Ｄ】
0004421740.tif 000012
【図４】
0004421740.tif 000013
【図５Ａ】
0004421740.tif 000014
【図５Ｂ】
0004421740.tif 000015
【図５Ｃ】
0004421740.tif 000016
【図６】
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