(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターンが付与された放射ビームを提供する、個々に制御可能な素子アレイと、
前記パターンが付与されたビームによって基板上に形成される要求照射パターンの圧縮表現を蓄積する圧縮パターン・メモリと、
前記圧縮表現を少なくとも部分的に解凍する辞書解凍器と
を含むリソグラフィ装置であって、
前記辞書解凍器が、
第１の辞書メモリと、
前記圧縮表現内に含まれる、前記第１の辞書メモリへの照会データに対応するパターン・データの各部分を前記第１の辞書メモリから取り出すことによって、前記圧縮表現の少なくとも一部を少なくとも部分的に解凍する第１の辞書デコーダと、
前記第１の辞書メモリとは異なる第２の辞書メモリを有し、前記第１の辞書デコーダにおいて前記第１の辞書メモリから取り出されたパターン・データの部分に含まれる、前記第２の辞書メモリへの照会データに対応するパターン・データの各部分を前記第２の辞書メモリから取り出すことによって、前記第１の辞書デコーダによって解凍された圧縮表現の少なくとも一部を少なくとも部分的に解凍する第２の辞書デコーダと、
を含むリソグラフィ装置。
【請求項２】
前記第１の辞書メモリが、外部辞書メモリであり、
前記第２の辞書メモリが、内部辞書メモリである、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項３】
前記第２の辞書デコーダによって解凍されたデータのうち少なくとも一部を前記内部辞書メモリへ送る制御可能なリンクをさらに含み、前記制御可能なリンクが、復号化プロセスにおいて、前記圧縮データのうち後に前記第２の辞書デコーダによって取り出されるはずの形体に対応する部分のみを送る、請求項２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項４】
前記制御可能なリンクが、前記内部辞書メモリへ送るための前記解凍データのうち一部を、前記第２の辞書デコーダに解凍のために入力されるデータ内のマーカに基づいて選択し、前記マーカが、後の復号化プロセスにおいて、前記第２の辞書デコーダによってどのデータ列が取り出されるかを示す、請求項３に記載のリソグラフィ装置。
【請求項５】
前記第１及び第２の辞書デコーダが、少なくとも１つのフィールド・プログラマブル・ゲート・アレイを使用して実施され、
前記内部辞書メモリが、前記少なくとも１つのフィールド・プログラマブル・ゲート・アレイと一体であるメモリ内で実施され、
前記外部辞書メモリが、少なくとも１つのフィールド・プログラマブル・ゲート・アレイとは別に形成され、通信インターフェースを介して接続されるメモリ内で実施される、請求項２から４のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
【請求項６】
前記要求照射パターンが、２つのグループの反復パターン形体を含み、
前記辞書解凍器が、
前記外部辞書メモリが、前記グループのうち第１のグループに対応するパターン・データを蓄積し、
前記内部辞書メモリが、前記グループのうち第２のグループに対応するパターン・データを蓄積するように構成され、前記第１のグループ内の前記反復パターン形体が、前記第２のグループ内の前記反復パターン形体より大きい、請求項２から５のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
【請求項７】
前記外部辞書メモリが、シンクロナスＤＲＡＭを使用して実施される、請求項２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項８】
前記内部辞書メモリが、スタティックＲＡＭを使用して実施される、請求項２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項９】
前記辞書メモリのうち少なくとも１つの内容が、前記辞書解凍器によって処理されている前記要求パターンの領域に従って変化する、請求項２から８のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
【請求項１０】
前記辞書メモリのうち少なくとも１つが、前記辞書デコーダのうち少なくとも１つからの出力の後続部分を蓄積することによって、徐々に更新される、請求項９に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１１】
前記内部辞書メモリが、前記第２の辞書デコーダからの出力の後続部分を蓄積することによって、徐々に更新される、請求項９に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１２】
前記辞書メモリのうち少なくとも１つが、外部メモリ装置からデータをインポートすることによって、徐々に更新される、請求項９に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１３】
前記辞書メモリのうち少なくとも１つの内容が、前記要求パターンの一部分に関するデータを含み、前記一部分が、最後に処理された前記要求パターンの領域に対応する、請求項９に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１４】
前記要求パターンの前記一部分が、前記要求照射パターンよりも小さい、ほぼ所定サイズのウインドウによって区切られ、前記ウインドウが、最後に処理されたパターン領域のみを含むように、解凍中に移動される、請求項１３に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１５】
前記辞書解凍器が、部分的に圧縮されたデータを、ラン・レングス符号化データ、ハフマン符号化データ、デルタ符号化データ、及び辞書ベース符号化データの形のうち少なくとも１つの形で出力し、
前記リソグラフィ装置が、前記部分的に圧縮されたデータを少なくとも部分的に復号化するようにそれぞれが構成された、ラン・レングス・デコーダ、ハフマン・デコーダ、デルタ・デコーダ、及び辞書ベースデコーダのうち少なくとも１つをさらに含む、請求項１から１４のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
【請求項１６】
前記要求照射パターンが、２つのグループの反復パターン形体を含み、
前記第１の辞書デコーダが、前記グループのうち第１のグループに対応する前記圧縮表現の一部を少なくとも部分的に解凍し、
前記第２の辞書デコーダが、前記圧縮表現内に含まれる前記第２の辞書メモリへの照会データに対応するパターン・データの各部分を、前記第２の辞書メモリから取り出すことによって、前記グループのうち第２のグループに対応する前記圧縮表現の一部を少なくとも部分的に解凍し、前記第１のグループ内の前記反復パターン形体が、前記第２のグループ内の前記反復パターン形体よりも大きい、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１７】
リソグラフィ装置の要求照射パターンを表すデータ・ストリームの圧縮方法であって、
２回以上生じるデータ列を特定するために、前記データ・ストリームを分析する段階と、
第１の辞書デコーダによる後の解凍用に符号化するために、前記特定された反復データ列から第１のグループを選択する段階と、
前記第１のグループ内の前記反復データ列のうち少なくとも１つを、前記第１の辞書デコーダによる解凍中、前記反復データ列の未圧縮バージョンにそこからアクセス可能な第１の辞書メモリ内位置への照会データで置き換えることによって、前記データ・ストリームの圧縮表現のうち少なくとも一部を形成する段階と、
２回以上生じるデータ列を特定するために、前記置き換え後のデータ・ストリームを分析する段階と、
第２の辞書デコーダによる後の解凍用に符号化するために、前記置き換え後のデータ・ストリームに対して特定された反復データ列から第２のグループを選択する段階と、
前記第２のグループ内の前記反復データ列のうち少なくとも１つを、前記第２の辞書デコーダによる解凍中、前記反復データ列の未圧縮バージョンにそこからアクセス可能な第２の辞書メモリ内位置への照会データで置き換えることによって、前記データ・ストリームの圧縮表現のうち少なくとも一部を形成する段階と、を含み
前記第２の辞書メモリは前記第１の辞書メモリとは異なり、
前記第２のグループ内の反復データ列の未圧縮バージョンは、前記第１の辞書メモリ内位置への照会データを含む、方法。
【請求項１８】
前記第１の辞書メモリは、前記第１の辞書デコーダに対して内部であり、
前記第２の辞書メモリは、前記第２の辞書デコーダに対して外部である、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記第１及び第２の辞書デコーダが、少なくとも１つのフィールド・プログラマブル・ゲート・アレイを使用して実施され、
前記内部辞書メモリが、前記少なくとも１つのフィールド・プログラマブル・ゲート・アレイと一体のメモリ内で実施され、
前記外部辞書メモリが、前記少なくとも１つのフィールド・プログラマブル・ゲート・アレイとは別に形成され、且つ通信インターフェースを介して接続されるメモリ内で実施される、
請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記データ・ストリームが、ラン・レングス符号化法、ハフマン符号化法、及びデルタ符号化法のうち少なくとも１つの方法に従って符号化される前記要求照射パターンの表現を含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２１】
前記第２の反復列グループが、前記第２のグループ内の反復列が発生する度に、前記反復列の未圧縮バージョンを構成するビット数と、前記データ・ストリームにおける同じ反復列の今回の発生と前回の発生との間に生じるビット数との総計が、所定基準値よりも高くなるように選択され、
前記第１の反復列グループが、前記第１のグループ内の反復列が発生する度に、前記反復列の未圧縮バージョンを構成するビット数と、前記データ・ストリームにおける同じ反復列の今回の発生と前回の発生との間に生じるビット数との総計が、所定閾値以下となるように選択される、
請求項１８に記載の方法。
【請求項２２】
前記所定閾値が、前記内部辞書メモリの容量に従って決められる、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
復号化中、前記データ列が前記内部辞書メモリから、前記第２の辞書デコーダによってアクセスされるか否かを示すために、前記圧縮表現内の前記データ列にマーカを生成する段階をさらに含む、請求項１８から２２のいずれかに記載の方法。
【請求項２４】
最初の圧縮を行うために前記データ・ストリームを予備処理する段階と、
２回以上生じるデータ列を特定するために前記予備処理されたデータ・ストリームを分析する段階と、
このような反復データ列が発生する度に、今回の発生と前回の発生との間に、前記予備処理されたデータ・ストリームにおいて介在データがどれくらい発生するかを計算する段階と、
前記介在データのサイズと前記データ列のサイズとの総計が所定閾値以下の反復データ列毎に、前記データ列を、前記第１の辞書デコーダが前記データ・ストリームを復号化する間、前回の発生をそこで見つけることのできる、第１の辞書デコーダの第１の辞書メモリ内位置への照会データで置き換える段階を含む、ローカル辞書符号化プロセスを実行する段階と、
前記第２の辞書デコーダが前記データ・ストリームを復号化する間前記反復列の表現をそこで見つけることのできる前記第２の辞書デコーダによって使用される前記第２の辞書メモリ内位置への照会データで少なくとも残りの反復列の一部を置き換えるグローバル辞書符号化プロセスに、前記ローカル辞書符号化プロセスの出力を送る段階と
を含む請求項１７に記載の方法。
【請求項２５】
前記所定閾値が、前記第１の辞書メモリの容量に従って決められる、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
前記予備処理段階が、ラン・レングス符号化法、ハフマン符号化法、デルタ符号化法、及び辞書ベース符号化法のうち少なくとも１つの方法を使用して符号化する段階を含む、請求項２４または２５に記載の方法。
【請求項２７】
最初の圧縮を行うために前記データ・ストリームを予備処理する段階と、
ローカル辞書符号化プロセスを実行して、ローカル辞書デコーダによる復号化に適切な、ローカル辞書の符号化されたデータ・ストリームを提供する段階とを含み、
前記ローカル辞書デコーダが、内部ローカル辞書メモリにアクセスするように構成され、
前記ローカル辞書デコーダからの出力が、前記出力の最新の部分のみを蓄積する前記ローカル辞書メモリの入力を提供し、
前記ローカル辞書符号化プロセスが、
２回以上生じるデータ列を特定するために前記予備処理されたデータを分析する段階と、
このような反復列が発生する度に、復号化中、同じ列の前回の発生が、後の発生と遭遇した時点で遅れずに前記ローカル辞書メモリ内に全体が蓄積されるかどうかを計算し、蓄積される場合、復号化中、それぞれの発生を、前回の発生を利用可能な前記ローカル辞書メモリ内位置への照会データで置き換える段階と、
前記ローカル辞書の符号化されたデータ・ストリームを入力としてグローバル辞書の符号化プロセスに送る段階であって、前記グローバル辞書の符号化プロセスが、グローバル辞書デコーダによる復号化に適切な符号化されたグローバル辞書データ・ストリームを提供する段階とを含み、
前記グローバル辞書デコーダが、外部グローバル辞書メモリにアクセスするように構成され、
前記グローバル辞書の復号化プロセスが、
２回以上生ずるデータ列を特定するために、前記ローカル辞書符号化データを分析する段階と、
前記反復列の少なくともサブセットを、復号化中、前記列の表現をそこで利用可能な前記グローバル辞書メモリ内位置への照会データで置き換える段階と
を含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項２８】
前記予備処理段階が、ラン・レングス符号化法、ハフマン符号化法、デルタ符号化法、及び辞書ベース符号化法のうち少なくとも１つの方法を使用して符号化する段階を含む、請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】
前記ローカル辞書メモリが、前記ローカル辞書デコーダからの出力の一部を先入れ先出しベースで蓄積するように構成される、請求項２７または２８に記載の方法。
【請求項３０】
パターンが付与された放射ビームを提供する個別に制御可能な素子アレイを提供する段階と、
前記パターンが付与されたビームによって基板上に形成される要求照射パターンの圧縮表現を蓄積する段階と、
前記圧縮表現内に含まれる、第１の辞書メモリへの照会データに対応するパターン・データの各部分を前記第１の辞書メモリから取り出すことによって、前記圧縮表現の少なくとも一部を少なくとも部分的に解凍する段階と、
前記第１の辞書メモリから取り出されたパターン・データの部分に含まれる、前記第１の辞書メモリとは異なる第２の辞書メモリへの照会データに対応するパターン・データの各部分を前記第２の辞書メモリから取り出すことによって、前記解凍された圧縮表現の少なくとも一部を少なくとも部分的に解凍する段階と、
を含むデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
リソグラフィ装置は、基板、又は基板の一部に所望のパターンを施す機械である。例えば、リソグラフィ装置は、平板型表示装置、集積回路（ＩＣ）及び微細構造を含む他のデバイスの製造に使用することができる。従来の装置では、マスク又はレチクルとも呼ばれるパターニング装置を使用して、平板型表示装置（又は他のデバイス）の個々の層に対応する回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えば、ガラス板）上に設けられた放射感知物質（レジスト）の層上に結像することによって、基板の全体又は一部上に転送することができる。
【０００３】
回路パターンの代わりに、パターニング手段を使用して、例えば、カラー・フィルタ・パターン又はドット・マトリックスなどの他のパターンを生成することができる。パターニング装置は、マスクの代わりに、個々に制御可能な素子アレイを含むパターニング・アレイを含むことができる。マスクに基づくシステムに比べ、このようなシステムでは、パターンをより迅速に且つより低コストで変更することができる。
【０００４】
平板型表示装置の基板は、一般に形状が方形である。このタイプの基板を露光させるように設計されたリソグラフィ装置は、方形基板の幅全体又は幅の一部（例えば、幅の半分）をカバーする露光領域を提供することができる。露光領域の下側で基板を走査し、その間にビームによってマスク又はレチクルを同期走査することができる。パターンはこのようにして基板に転写される。露光領域が基板の幅全体をカバーする場合、１回の走査で露光を完了することができる。例えば、露光領域が基板の幅半分をカバーする場合は、最初の走査の後、基板を横に移動させることができ、一般にさらなる走査が、基板の残りの部分を露光させるために行われる。
【０００５】
個々に制御可能な素子アレイによって結像される画素から、所望の照射パターンを作り上げる場合、データ処理手順における最初の段階は、その所望の照射パターンをビットマップ形式にラスタライズすることであろう。しかし、高濃度のデバイス形体が必要な場合、ビットマップ形式は、処理を行い且つ／又は記憶することが、困難且つ／又は費用のかかる、非常に大量のデータを表すと想定される。
【０００６】
１つの手法は、ビットマップ・データを圧縮することであるがこれは、オンライン解凍が可能なハードウェアを提供するという難題、並びに、要求パターンの性質及びその圧縮／解凍特性の多様性に対処するという難題を含め、多くの難題を投げかける。所与のコストの装置の場合、形成することのできるパターンのタイプを制約すること、及び／又は、高度の複合パターンの生成は比較的ゆっくりであることを受け入れることが必要であろうが、こうした選択肢はどちらも、リソグラフィ装置の使用者にとって好ましくない制約になる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
したがって、リソグラフィ装置のための、改善されたデータ圧縮／解凍システムを利用したシステム及び方法が必要とされる。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の実施例によれば、個々に制御可能な素子アレイと、圧縮パターン・メモリと、辞書解凍器とを含むリソグラフィ装置が提供される。個々に制御可能な素子アレイは、放射ビームを変調する。圧縮パターン・メモリは、変調されたビームによって基板上に形成される要求照射パターンの圧縮表現を記憶する。辞書解凍器は、圧縮表現を少なくとも部分的に解凍する。辞書解凍器は、第１の辞書メモリと第１の辞書デコーダとを含む。第１の辞書デコーダは、圧縮表現内に含まれる第１の辞書メモリへの照会データに対応するパターン・データの一部分を、第１の辞書メモリから取り出すことによって、圧縮表現の少なくとも一部を少なくとも部分的に解凍する。
【０００９】
本発明の別の実施例によれば、次の段階を含む、リソグラフィ装置の要求照射パターンを表すデータ・ストリームの圧縮方法が提供される。つまり、２回以上生ずるデータ列を特定するためにデータ・ストリームを分析する段階と、特定された反復データ列から１つのグループを選択して符号化し、後に辞書デコーダによって解凍する段階と、そのグループ内の反復列のうち少なくとも１つを、辞書デコーダによって解凍する間、反復列の未圧縮バージョンにそこからアクセス可能な辞書メモリ内位置への照会データで置き換えることによって、データ・ストリームの圧縮表現のうち少なくとも一部を形成する段階とを含む。
【００１０】
本発明のさらなる実施例によれば、次の段階を含むデバイス製造方法が提供される。つまり、放射ビームを変調する、個々に制御可能な素子アレイを提供する段階と、変調されたビームによって基板上に形成される要求照射パターンの圧縮表現を蓄積する段階と、圧縮表現内に含まれる辞書メモリへの照会データに対応するパターン・データの一部分を、辞書メモリから取り出すことによって、圧縮表現の少なくとも一部を読み出し、少なくとも部分的に解凍する段階とを含むデバイス製造方法が提供される。
【００１１】
本発明のさらなる実施例、特徴、及び利点、並びに本発明のいくつかの実施例の構造及び動作を、添付の図面を参照して以下に詳細に述べる。
【００１２】
本明細書に組み込まれ明細書の一部を形成する添付の図面は、本発明の１つ又は複数の実施例を示し、明細書の記載と共に本発明の原理を説明し、当業者が本発明を実施し且つ使用することにさらに役立つ。
【００１３】
添付の図面を参照して、本発明を説明する。図面において、同様の参照番号は、同一又は機能的に同様な要素を示す場合がある。さらに、参照番号の最も左側の桁によって、その参照番号が最初に現れる図面を特定することができる。
【実施例】
【００１４】
特定の構成及び配置について論ずるが、これは説明の目的のためにのみ行うものであることを理解されたい。当業者であれば、本発明の趣旨及び範囲から逸脱することなく、他の構成及び配置を使用することができることを認識するであろう。本発明を他の様々な応用例においても使用することができることは、当業者には明らかであろう。
【００１５】
図１は、本発明の一実施例のリソグラフィ装置を概略的に示す。この装置は、照明系ＩＬと、パターニング装置ＰＤと、基板テーブルＷＴと、投影系ＰＳとを含む。照明系（照明装置）ＩＬは、放射ビームＢ（例えば、ＵＶ放射）を調整するように構成される。
【００１６】
パターニング装置ＰＤ（例えば、レチクル又はマスク、或いは個々に制御可能な素子アレイ）は、ビームを変調する。一般に、個々に制御可能な素子アレイの位置は、投影系ＰＳに対して固定される。ただしその代わり、個々に制御可能な素子アレイを、或るパラメータに従って個々に制御可能な素子アレイを正確に位置決めするように構成された位置決め装置に接続することができる。
【００１７】
基板テーブルＷＴは基板（例えば、レジスト被膜の基板）Ｗを支持するように構成され、或るパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された位置決め装置ＰＷに接続される。
【００１８】
投影系（例えば、屈折投影レンズ系）ＰＳは、個々に制御可能な素子アレイによって調整された放射ビームを、基板Ｗの目標部分Ｃ（例えば、１つ又は複数のダイを含む）上に投影するように構成される。
【００１９】
照明系は、放射を方向付け、形作り、又は制御する屈折光学的、反射光学的、磁気光学的、電磁光学的、静電光学的構成要素、又は他のタイプの光学的構成要素、或いは、これらのあらゆる組合せなど、様々なタイプの光学的構成要素を含むことができる。
【００２０】
本明細書で使用する「パターニング装置」又は「コントラスト装置」という用語は、放射ビームの断面を変調して、基板の目標部分内にパターンを作るなどのために使用することのできる、あらゆる装置を意味するものとして広く解釈すべきである。装置は、静的パターニング装置（例えば、マスク又はレチクル）でも動的パターニング装置（例えば、プログラム可能な素子アレイ）でもよい。つまり、説明の大部分を動的パターニング装置の観点から行うが、本発明の範囲から逸脱せずに、静的パターニング装置も使用することができることが分かるであろう。
【００２１】
放射ビームに付与されたパターンは、例えば、パターンが位相シフト形体、又はいわゆる補助形体を含む場合、基板の目標部分内の所望パターンに厳密に対応しないことがあることを留意されたい。同様に、基板上に最終的に生成されるパターンは、個々に制御可能な素子アレイ上にどんな一瞬にでも形成されるパターンに対応し得ない。基板の各部分上に最終的に形成されるパターンが、所与の時間にわたって、又は所与の露光回数にわたって作り上げられ、その間個々に制御可能な素子アレイ上のパターン、及び／又は基板の相対位置が変わる構成についてこれが言える。
【００２２】
一般に、基板の目標部分上に作られるパターンは、集積回路又は平板型表示装置（例えば、平板型表示装置内のカラー・フィルタ層、又は平板型表示装置内の薄膜トランジスタ層）など目標部分内に形成されている、デバイス内の特定の機能層に対応する。このようなパターニング装置の例として、例えば、レチクル、プログラム可能なミラー・アレイ、レーザ・ダイオード・アレイ、発光ダイオード・アレイ、格子光弁、及びＬＣＤアレイなどが挙げられる。
【００２３】
プログラム可能な複数の素子を含むパターニング装置（例えば、レチクルを除き、先の文章内で挙げたデバイス全て）など、パターンが電子的手段（例えば、コンピュータ）を用いてプログラム可能であるパターニング装置を、本明細書ではまとめて「コントラスト装置」と呼ぶ。一実施例では、パターニング装置は少なくとも１０個のプログラム可能な素子を含む。例えば少なくとも１００個、少なくとも１０００個、少なくとも１００００個、少なくとも１０００００個、少なくとも１００００００個、又は少なくとも１０００００００個のプログラム可能な素子を含む。
【００２４】
プログラム可能なミラー・アレイは、粘弾性制御層及び反射表面を有するマトリックス・アドレス可能な表面を含むことができる。このような装置の背後にある基本原理は、例えば、反射表面のアドレスされた領域は、入射光を回折光として反射するが、アドレスされない領域は、入射光を未回折光として反射することである。適切な空間フィルタを使用すれば、未回折光を反射ビームからフィルタリングし、回折光のみを基板に到達させることができる。このようにビームは、マトリックス・アドレス可能な表面のアドレス指定パターンに従ってパターニングされる。
【００２５】
代替例として、フィルタで回折光をフィルタリングし、未回折光を基板に到達させることもできることが分かるであろう。
【００２６】
回折光学的ＭＥＭＳデバイス（マイクロ電気機械系デバイス）を同様の方法で使用することもできる。一実施例では、回折光学的ＭＥＭＳデバイスは、互いに相対的に変形して、入射光を回折光として反射する格子を形成することのできる複数の反射リボンを含む。
【００２７】
プログラム可能なミラー・アレイのさらなる代替例は、適切な局部電界を施すことによって、又は圧電駆動手段を使用することによって、軸を中心にそれぞれを個々に傾斜させることのできる、小ミラー群のマトリックス構成を使用する。ミラー群はやはり、マトリックス・アドレス可能であり、したがってアドレスされた各ミラーは、アドレスされていない各ミラーとは異なる方向に入射ビームを反射する。このように、マトリックス・アドレス可能なミラー群のアドレス指定パターンに従って反射ビームをパターニングすることができる。必要なマトリックスのアドレス指定は、適切な電子手段を使用して行うことができる。
【００２８】
ＰＤの別の例は、プログラム可能なＬＣＤアレイである。
【００２９】
リソグラフィ装置は、１つ又は複数のコントラスト装置を含むことができる。例えば、リソグラフィ装置は、互いに個別に制御される複数の個々に制御可能な素子アレイを有することができる。このような構成において、個々に制御可能な素子アレイのうちいくつか又は全ては、共有の照明系（又は照明系の一部）、個々に制御可能な素子アレイの共有の支持構造、及び／又は共有の投影系（又は投影系の一部）のうち少なくとも１つを有することができる。
【００３０】
図１に示す実施例など一実施例では、基板Ｗはほぼ円形の形状を有し、任意選択でその外周の一部に沿って、切り欠き及び／又は平坦な縁端部を有する。一実施例では、基板は、例えば方形形状など多角形の形状を有する。
【００３１】
基板がほぼ円形形状の実施例では、基板の直径が少なくとも２５ｍｍである例を含む。例えば少なくとも５０ｍｍ、少なくとも７５ｍｍ、少なくとも１００ｍｍ、少なくとも１２５ｍｍ、少なくとも１５０ｍｍ、少なくとも１７５ｍｍ、少なくとも２００ｍｍ、少なくとも２５０ｍｍ、又は少なくとも３００ｍｍである例を含む。一実施例では、基板の直径は最大でも５００ｍｍ、最大でも４００ｍｍ、最大でも３５０ｍｍ、最大でも３００ｍｍ、最大でも２５０ｍｍ、最大でも２００ｍｍ、最大でも１５０ｍ、最大でも１００ｍｍ、又は最大でも７５ｍｍである。
【００３２】
基板が、例えば方形などの多角形である実施例では、例えば基板の少なくとも２辺又は少なくとも３辺など、少なくとも１辺の長さが、少なくとも５ｃｍである例を含む。例えば少なくとも２５ｃｍ、少なくとも５０ｃｍ、少なくとも１００ｃｍ、少なくとも１５０ｃｍ、少なくとも２００ｃｍ、又は少なくとも２５０ｃｍである例を含む。
【００３３】
一実施例では、基板の少なくとも１辺の長さは、最大でも１０００ｃｍである。例えば最大でも７５０ｃｍ、最大でも５００ｃｍ、最大でも３５０ｃｍ、最大でも２５０ｃｍ、最大でも１５０ｃｍ、又は最大でも７５ｃｍである。
【００３４】
一実施例では、基板Ｗは、例えば半導体ウェハなどのウェハである。一実施例では、ウェハ材料は、Ｓｉ、ＳｉＧｅ、ＳｉＧｅＣ、ＳｉＣ、Ｇｅ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、及びＩｎＡｓからなる群から選択される。一実施例では、ウェハはＩＩＩ／Ｖ族化合物の半導体ウェハである。一実施例では、ウェハはシリコン・ウェハである。一実施例では、基板はセラミック基板である。一実施例では、基板はガラス基板である。一実施例では、基板はプラスチック基板である。一実施例では、基板は（人間の裸眼にとって）透明である。一実施例では、基板は着色されている。一実施例では、基板に色がない。
【００３５】
基板の厚さは様々であってよいが、ある程度、例えば基板の材料及び／又は基板の寸法に応じて決まり得る。一実施例では、厚さは少なくとも５０μｍである。例えば少なくとも１００μｍ、少なくとも２００μｍ、少なくとも３００μｍ、少なくとも４００μｍ、少なくとも５００μｍ、又は少なくとも６００μｍである。一実施例では、基板の厚さは、最大でも５０００μｍである。例えば最大でも３５００μｍ、最大でも２５００μｍ、最大でも１７５０μｍ、最大でも１２５０μｍ、最大でも１０００μｍ、最大でも８００μｍ、最大でも６００μｍ、最大でも５００μｍ、最大でも４００μｍ、又は最大でも３００μｍである。
【００３６】
本明細書で言う基板は、例えばトラック・ツール（通常、基板にレジスト層を施し露光されたレジストを現像するツール）、計測ツール及び／又は検査ツール内で露光の前又は後に処理することができる。一実施例では、レジスト層は基板上に設けられる。
【００３７】
本明細書で使用する「投影系」という用語は、使用される露光放射、或いは浸漬液の使用又は真空の使用など他のファクタに適した屈折光学系、反射光学系、反射屈折光学系、磁気光学系、電磁光学系及び静電光学系を含むあらゆるタイプの投影系、又はそれらのあらゆる組合せを包含するものとして広く解釈すべきである。本明細書で「投影レンズ」という用語を使用する場合はいつも、より一般的な用語の「投影系」と同義語と見なすことができる。
【００３８】
投影系は、基板上にコヒーレントにパターンが形成されるように、個々に制御可能な素子アレイ上にパターンを結像することができる。或いは、投影系は、個々に制御可能な素子アレイの素子がそれに対しシャッターとして働く２次的ソースを結像することができる。これに関し、投影系は、例えば基板上に２次的ソースを形成し、スポットを結像させるために、マイクロ・レンズ・アレイ（ＭＬＡとして知られる）又はフレネル・レンズ・アレイなど集束素子アレイを含むことができる。一実施例では、集束素子アレイ（例えば、ＭＬＡ）は、少なくとも１０個の集束素子を含む。例えば少なくとも１００個の集束素子、少なくとも１０００個の集束素子、少なくとも１００００個の集束素子、少なくとも１０００００個の集束素子、又は少なくとも１００００００個の集束素子を含む。一実施例では、パターニング装置内の個々に制御可能な素子アレイの数は、集束素子アレイ内の集束素子の数以上である。一実施例では、集束素子アレイ内の集束素子のうち１つ又は複数（例えば、１０００個以上、大部分、又はそれぞれ）を、個々に制御可能な素子アレイ内の個々に制御可能な素子のうち１つ又は複数と光学的に関連させることができる。例えば、個々に制御可能な素子アレイ内の個々に制御可能な素子のうち２個以上と光学的に関連させることができる。例えば、３個以上、５個以上、１０個以上、２０個以上、２５個以上、３５個以上、又は５０個以上と光学的に関連させることができる。一実施例では、ＭＬＡは、例えば１つ又は複数のアクチュエータを使用して、少なくとも基板に近付く方向及び基板から離れる方向に移動可能である。ＭＬＡを基板に近付く方向及び基板から離れる方向に移動させて、例えば基板を移動させる必要なく焦点調整が可能である。
【００３９】
本明細書において図１及び図２に示すように、装置は（例えば、個々に制御可能な反射素子アレイを使用した）反射タイプのものである。或いは、装置は（例えば、個々に制御可能な透過性素子アレイを使用した）透過タイプのものでもよい。
【００４０】
リソグラフィ装置は、２つ（２段）以上の基板テーブルを有するタイプのものでよい。このような「多段」機械では、追加のテーブルを並行して使用してもよいし、１つ又は複数のテーブル上で予備段階を実行し、その間１つ又は複数の他のテーブルを露光に使用することもできる。
【００４１】
リソグラフィ装置は、投影系と基板との間の空間が満たされるように、少なくとも基板の一部分を、例えば水などの比較的高屈折率を有する「浸漬液」で覆うことのできるタイプのものでもよい。浸漬液は、例えばパターニング装置と投影系との間など、リソグラフィ装置内の他の空間にも適用することができる。浸漬法は、投影系の開口数を増加させる技術分野ではよく知られている。本明細書で使用する「浸漬」という用語は、基板などの構造が、液体中に浸水されなければならないことを意味するのではなく、むしろ単に、露光中に液体が投影系と基板との間に位置することを意味する。
【００４２】
再び図１を参照すると、照明装置ＩＬは放射ソースＳＯから放射ビームを受け取る。一実施例では、放射ソースは、波長が少なくとも５ｎｍの放射を提供する。例えば少なくとも１０ｎｍ、少なくとも５０ｎｍ、少なくとも１００ｎｍ、少なくとも１５０ｎｍ、少なくとも１７５ｎｍ、少なくとも２００ｎｍ、少なくとも２５０ｎｍ、少なくとも２７５ｎｍ、少なくとも３００ｎｍ、少なくとも３２５ｎｍ、少なくとも３５０ｎｍ、又は少なくとも３６０ｎｍの放射を提供する。一実施例では、放射ソースＳＯによって与えられる放射の波長は、最大でも４５０ｎｍである。例えば最大でも４２５ｎｍ、最大でも３７５ｎｍ、最大でも３６０ｎｍ、最大でも３２５ｎｍ、最大でも２７５ｎｍ、最大でも２５０ｎｍ、最大でも２２５ｎｍ、最大でも２００ｎｍ、又は最大でも１７５ｎｍである。一実施例では、放射の波長は、４３６ｎｍ、４０５ｎｍ、３６５ｎｍ、３５５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、及び／又は１２６ｎｍを含む。一実施例では、放射の波長は、約３６５ｎｍ又は約３５５ｎｍを含む。一実施例では、放射は、例えば３６５ｎｍ、４０５ｎｍ、及び４３６ｎｍを包含する広帯域波長を含む。３５５ｎｍのレーザ・ソースを使用することができる。ソース及びリソグラフィ装置は、例えば、ソースがエキシマ・レーザである場合は、互いに独立したものであってよい。このような場合、ソースは、リソグラフィ装置の一部を形成するとは見なされず、放射ビームは、例えば、適切な方向付けミラー群及び／又はビーム・エキスパンダを含むビーム送出系ＢＤを用いて、ソースＳＯから照射装置ＩＬへ送られる。他の場合では、例えば、ソースが水銀ランプの場合、ソースは、リソグラフィ装置の一体部分とすることができる。ソースＳＯ及び照射装置ＩＬは、ビーム送出系ＢＤが必要であるならばそれと共に、放射系と呼ぶことができる。
【００４３】
照射装置ＩＬは、放射ビームの角強度分布を調整するための調整装置ＡＤを含むことができる。一般に、照明装置のひとみ平面における強度分布の少なくとも外径及び／又は内径の長さ（通常、それぞれ外σ及び内σ登録しましたので、宜しくお願い致します。呼ばれる）は調整することができる。さらに、照明装置ＩＬは、積算器ＩＮや集光器ＣＯなど様々な他の構成要素も含むことができる。照明装置を使用して放射ビームを調整し、その断面に所望の均一性及び強度分布を持たせることができる。例えば、個々に制御可能な素子アレイの個々に制御可能な素子のうち１つ又は複数にそれぞれが関連し得る複数のサブビームに放射ビームが分割されるように、照明装置ＩＬ、又はそれに関連する追加の構成要素を構成することもできる。例えば２次元回折格子を使用して、放射ビームをサブビームに分割することができる。本明細書において、「放射のビーム」及び「放射ビーム」という用語は、それだけに限らないが、ビームが複数のこのような放射サブビームを含む状態を包含する。
【００４４】
放射ビームＢは、パターニング装置ＰＤ（例えば、個々に制御可能な素子アレイ）上に入射し、パターニング装置によって調整される。放射ビームＢは、パターニング装置ＰＤによって反射された後、投影系ＰＳを通り抜け、それによってビームは基板Ｗの目標部分Ｃ上に集束される。位置決め装置ＰＷ、及び位置センサＩＦ２（例えば、干渉デバイス、リニア・エンコーダ又は容量センサなど）を用いて、例えば、放射ビームＢの経路内に別の目標部分Ｃが位置するように、基板テーブルＷＴを正確に移動させることができる。個々に制御可能な素子アレイの位置決め手段を使用する場合、それを使用して、例えば走査中に、ビームＢの経路に対しパターニング装置ＰＤの位置を正確に補正することができる。
【００４５】
一実施例では、基板テーブルＷＴの移動は、図１にはっきりとは示されていないロング・ストローク・モジュール（粗い位置決め）及びショート・ストローク・モジュール（精密な位置決め）を用いて行うことができる。一実施例では、装置には、少なくとも基板テーブルＷＴを移動させるショート・ストローク・モジュールがない。やはり同様のシステムを使用して、個々に制御可能な素子アレイを位置決めすることができる。ビームＢを代替に／追加で移動可能にし、対象テーブル及び／又は個々に制御可能な素子アレイを固定位置にして、必要な相対的移動を行うこともできることが分かるであろう。このような構成によって、装置のサイズを制限することができる。例えば、平板型表示装置の製造に適用可能なさらなる代替例として、基板テーブルＷＴ及び投影系ＰＳの位置を固定し、基板Ｗを基板テーブルＷＴに相対的に移動させるように構成することができる。例えば、基板テーブルＷＴに、ほぼ一定の速度で基板Ｗを全体にわたって走査するためのシステムを設けることができる。
【００４６】
図１に示すように、放射が最初にビーム・スプリッタによって反射され、且つパターニング装置ＰＤに導かれるように構成されたビーム・スプリッタＢＳを使用することによって、放射ビームＢをパターニング装置ＰＤに導くことができる。ビーム・スプリッタを使用せずに放射ビームＢをパターニング装置に導くこともできることを理解されたい。一実施例では、放射ビームはパターニング装置に、０°と９０°との間の角度で導かれる。例えば５°と８５°との間、１５°と７５°との間、２５°と６５°との間、又は３５°と５５°との間で導かれる（図１に示す実施例では、９０°で導かれている）。パターニング装置ＰＤは、放射ビームＢを変調し、それをビーム・スプリッタＢＳに反射し、ビーム・スプリッタＢＳは、変調されたビームを投影系ＰＳに転送する。しかし、代替の構成を使用して、放射ビームＢをパターニング装置ＰＤに導き、その後投影系ＰＳに導くことができることが分かるであろう。特に、透過性のパターニング装置が使用される場合は、図１に示すような構成は必要とされない。
【００４７】
図示する装置を、いくつかのモードで使用することができる。
【００４８】
１．ステップ・モードでは、個々に制御可能な素子アレイ及び基板は、基本的に静止が保たれ、放射ビームに付与されたパターン全体が目標部分Ｃ上に１回の動作で（つまり１回の静止露光で）投影される。次いで、別の目標部分Ｃが露光されるように、基板テーブルＷＴはＸ方向及び／又はＹ方向に移動される。ステップ・モードでは、露光フィールドの最大サイズによって１回の静止露光で結像される目標部分Ｃのサイズが制約される。
【００４９】
２．走査モードでは、放射ビームに付与されたパターンが目標部分Ｃ上に投影（つまり１回の動的露光）される間、個々に制御可能な素子アレイと基板とが同期に走査される。個々に制御可能な素子アレイに対する基板の速度及び方向は、投影系ＰＳの拡大（縮小）特性及び像反転特性によって決めることができる。走査モードでは、露光フィールドの最大サイズによって１回の動的露光における目標部分の（非走査方向の）幅が制約されるが、目標部分の（走査方向の）高さは、走査動作の距離によって決まる。
【００５０】
３．パルス・モードでは、個々に制御可能な素子アレイは、基本的に静止が保たれ、パルス状放射ソースを使用して、基板Ｗの目標部分Ｃ上にパターン全体が投影される。基板テーブルＷＴは、基本的に一定の速度で移動され、それによりビームＢが基板Ｗ全体にわたる線を走査する。個々に制御可能な素子アレイ上のパターンは、放射系のパルスの合間に必要に応じて更新され、連続的な目標部分Ｃが、基板Ｗ上の必要箇所で露光されるようにパルスの時間が計られる。したがって、ビームＢは基板Ｗ全体を走査して、基板ストリップに対し完全なパターンを露光することができる。このプロセスは、基板Ｗの線が１本ずつ完全に露光されるまで繰り返される。
【００５１】
４．連続走査モードでは、変調された放射ビームＢに相対的にほぼ一定の速度で基板Ｗが走査され、ビームＢが基板Ｗ全体を走査し、それを露光させるに従って個々に制御可能な素子アレイ上のパターンが更新されることを除き、パルス・モードと基本的に同じである。個々に制御可能な素子アレイ上のパターン更新に同期して、ほぼ一定の放射ソース又はパルス状放射ソースを使用することができる。
【００５２】
５．図２に示すリソグラフィ装置を使用して行うことのできる画素格子結像モードでは、パターニング装置ＰＤに導かれる、スポット生成装置によって形成されたスポットを次々に露光させることによって、基板Ｗ上に形成されるパターンを実現する。露光された各スポットは、ほぼ同じ形状を有する。基板Ｗ上では、各スポットはほぼ格子状に印刷される。一実施例では、スポットのサイズは印刷される画素格子のピッチより大きいが、露光スポットの格子よりもかなり小さい。印刷される各スポットの強度を変化させることによって、パターンを実現する。露光フラッシュの合間に、スポット全体にわたる強度分布を変化させる。
【００５３】
上述の使用モードを組み合わせて及び／又は変更して使用してもよいし、全く異なる使用モードを使用してもよい。
【００５４】
リソグラフィでは、基板上のレジスト層上にパターンが露光される。次いで、そのレジストが現像される。続いて、基板上で追加の処理段階が行われる。こうした後続の処理段階が基板の各部分上に及ぼす影響は、レジストの露光に応じて決まる。具体的には、所与の照射閾値を上回る照射放射を受け取る基板部分が、照射閾値を下回る放射照射を受け取る基板部分とは違ったように反応するように、各プロセスが調整される。例えば、エッチングのプロセスでは、照射閾値を上回る照射放射を受け取る基板領域が、現像されたレジスト層によってエッチングから保護される。しかし、露光後の現像では、照射閾値を下回る放射照射を受け取るレジスト部分が取り除かれるので、そうした領域はエッチングから保護されない。したがって、所望パターンをエッチングすることができる。特に、パターン形体内の基板上の領域が照射閾値を上回る照射放射を露光中に受け取るに足るほどに、その領域に転送される放射の強度が充分に高くなるように、パターニング装置内の個々に制御可能な素子が設定される。基板上の残りの領域は、対応する個々に制御可能な素子を、ゼロ又は相当に低い放射強度を提供するように設定することによって閾値を下回る放射照射を受け取る。
【００５５】
実際は、形体境界の一方の辺上に最大の放射強度を提供し、他方の辺上に最小の放射強度を提供するように個々に制御可能な素子を設定しても、パターン形体の縁端部での放射照射量は、所与の最大照射量からゼロ照射量にいきなり変わるわけではない。その代わり、回折の影響により、遷移ゾーン全体にわたり放射照射のレベルが下がる。現像されたレジストによって最終的に形成されるパターン形体の境界位置は、受け取られた照射が放射照射の閾値を下回るところの位置によって決まる。遷移ゾーン全体にわたる放射照射の降下プロファイル、したがってパターン形体境界の正確な位置は、パターン形体境界上又は境界近辺の基板上の各ポイントに放射を与える個々に制御可能な素子を、最大強度レベル又は最小強度レベルに設定するだけではなく、最大強度レベルと最小強度レベルとの間の強度レベルに設定することによって、より正確に制御することができる。これは、通常「グレイスケーリング」と呼ばれる。
【００５６】
グレイスケーリングにより、所与の個々に制御可能な素子によって基板に与えられる放射強度を２つの値（つまり、単に最大値及び最小値）にのみ設定することのできるリソグラフィの系において可能であるよりも優れたパターン形体境界の位置制御が提供される。一実施例では、少なくとも３つの互いに異なる放射強度値を、基板上に投影することができる。例えば少なくとも４つの放射強度値、少なくとも８つの放射強度値、少なくとも１６の放射強度値、少なくとも３２の放射強度値、少なくとも６４の放射強度値、少なくとも１２８の放射強度値、又は少なくとも２５６の放射強度値を、基板上に投影することができる。
【００５７】
グレイスケーリングを、先に述べたものへの追加目的、又は先に述べたものの代替目的のために使用することができることを理解されたい。例えば、受け取られた放射照射レベルに応じて、基板領域から潜在的な３つ以上の反応があるように、露光後の基板処理を調整することができる。例えば、第１の閾値を下回る放射照射を受け取る基板部分は、第１の形で反応する。第１の閾値を超えるが第２の閾値を下回る放射照射を受け取る基板部分は、第２の形で反応する。また、第２の閾値を超える放射照射を受け取る基板部分は、第３の形で反応する。したがって、グレイスケーリングを使用して、３つ以上の所望照射レベルを有する基板全体にわたり、放射照射プロファイルを提供することができる。一実施例では、放射照射プロファイルは、少なくとも２つの所望放射照射レベルを有する。例えば少なくとも３つの所望放射照射レベル、少なくとも４つの所望放射照射レベル、少なくとも６つの所望放射照射レベル、又は少なくとも８つの所望放射照射レベルを有する。
【００５８】
基板上の各ポイントで受け取られる放射強度を単に制御することによる、先に説明した以外の方法で、放射照射プロファイルを制御することができることをさらに理解されたい。例えば、基板上の各ポイントが受け取る放射照射を、そのポイントの露光持続時間を制御することによって、代替に又は追加で制御することもできる。さらなる例として、基板上の各ポイントは、複数の連続露光において潜在的に放射を受け取ることもできる。したがって、複数の連続露光のうち選択されたサブセットを使用してそのポイントを露光することによって、各ポイントが受け取る放射照射を代替に又は追加で制御することができる。
【００５９】
基板上に要求パターンを形成するためには、パターニング装置内の個々に制御可能な素子のそれぞれを、露光プロセスを通じて各段階に必須の状態に設定することが必要である。したがって、必須の状態を表す制御信号を、個々に制御可能な素子のそれぞれに送信しなければならない。一実施例では、リソグラフィ装置は、制御信号を生成する制御器を含む。基板上に形成されるべきパターンを、ＧＤＳＩＩなどベクトル定義のフォーマットでリソグラフィ装置に提供することができる。設計情報を個々に制御可能な素子のそれぞれの制御信号に変換するために、制御器は、パターンを表すデータ・ストリーム上で処理段階を行うようにそれぞれが構成された１つ又は複数のデータ操作装置を含む。データ操作装置をひとまとめに「データ経路」と呼ぶことができる。
【００６０】
データ経路のデータ操作装置は、次の機能のうち１つ又は複数を行うように構成することができる。つまり、ベクトルに基づく設計情報を、ビットマップのパターン・データに変換する機能、ビットマップのパターン・データを、必要な放射照射マップ（つまり、基板全体にわたる必要な放射照射プロファイル）に変換する機能、必要な放射照射マップを、個々に制御可能な素子それぞれが必要な放射強度値に変換する機能、及び個々に制御可能な素子それぞれが必要な放射強度値を、対応する制御信号に変換する機能である。
【００６１】
図２は、例えば平板型表示装置の製造において使用することのできる、本発明による装置の構成を示す。図１に示す構成要素に対応する構成要素は、同じ参照番号により示してある。また、例えば基板、コントラスト装置、ＭＬＡ、放射ビームなどの様々な構成の様々な実施例についての先の説明が適用可能である。
【００６２】
図２は、本発明の一実施例によるリソグラフィ装置の構成を示す図である。この実施例は、例えば平板型表示装置の製造において使用することができる。図１に示す構成要素に対応する構成要素は、同じ参照番号により示してある。また、例えば基板、コントラスト装置、ＭＬＡ、放射ビームなどの様々な構成の様々な実施例についての先の説明が適用可能である。
【００６３】
図２に示すように、投影系ＰＳは、２つのレンズＬ１及びＬ２を含むビーム・エキスパンダを含む。第１のレンズＬ１は、変調された放射ビームＢを受け取り、それを開口絞りＡＳ内の開口を通して集束させるように構成される。さらなるレンズＡＬを開口内に配置することができる。放射ビームＢはその後拡散し、第２のレンズＬ２（例えば、フィールド・レンズ）によって集束される。
【００６４】
さらに投影系ＰＳは、変調され拡張された放射ビームＢを受け取るように構成されたレンズ・アレイＭＬＡを含む。パターニング装置ＰＤ内の個々に制御可能な素子のうち１つ又は複数に対応する調整された放射ビームＢの様々な部分が、レンズ・アレイＭＬＡ内の様々なレンズをそれぞれ通り抜ける。各レンズは、変調された放射ビームＢの部分をそれぞれ、基板上にあるポイントに集束させる。このようにして、放射スポット・アレイＳが基板Ｗ上で露光される。レンズ・アレイＭＬＡのレンズをたった８つしか図示していないが、レンズ・アレイは何千ものレンズを含むことができる（パターニング装置ＰＤとして使用される個々に制御可能な素子アレイについても同じことが言える）。
【００６５】
本発明の一実施例によれば、図３は、図２のシステムを使用して、基板Ｗ上のパターンがどのように生成されるかを概略的に示す。塗りつぶされた円は、投影系ＰＳ内のレンズ・アレイＭＬＡによって基板Ｗ上に投影されたスポット・アレイＳを表す。基板Ｗ上に連続的な露光がなされるにつれて、基板Ｗは投影系ＰＳに対しＹ方向に移動される。白抜きの円は、基板Ｗ上で先に露光されたスポット露光部ＳＥを表す。図示するように、投影系ＰＳ内のレンズ・アレイによって基板上に投影された各スポットは、基板Ｗ上のスポット露光部の列Ｒを露光させる。基板に対する完全なパターンは、スポットＳのそれぞれによって露光されたスポット露光部ＳＥの列Ｒ全ての総体によって生成される。このような構成は通常、先に論じた「画素格子結像」と呼ばれる。
【００６６】
放射スポット・アレイＳは、基板Ｗに対し角度θで配置されることが分かる（基板の各縁端部は、Ｘ方向及びＹ方向にそれぞれ平行になっている）。これは、基板を走査方向（Ｙ方向）に移動させたときに、各放射スポットが基板の異なる領域上を通過し、それによって基板全体が放射スポット・アレイＳでカバーされるようにするためである。一実施例では、角θは最大でも２０°である。例えば最大でも１０°、最大でも５°、最大でも３°、最大でも１°、最大でも０．５°、最大でも０．２５°、最大でも０．１０°、最大でも０．０５°、又は最大でも０．０１°である。一実施例では、角θは、少なくとも０．００１°である。
【００６７】
本発明の一実施例によれば、図４は、複数の光学エンジンを使用して、平板型表示装置の基板Ｗ全体がいかにして１回の走査で露光されるかを概略的に示す。図示する例では、放射スポット・アレイＳのうち１つの縁端部が隣り合う放射スポット・アレイの縁端部にわずかに（走査方向Ｙに）重なるように、放射スポット・アレイＳの８つのアレイＳＡが「チェス・ボード」構成内の２本の列Ｒ１及びＲ２内に配置される８つの光学エンジン（図示せず）によって生成される。一実施例では、光学エンジンは、例えば４列又は５列など、少なくとも３列に配列される。このように、放射帯が基板Ｗの幅全体にわたって延びるので、基板全体の露光を１回の走査で行うことができる。光学エンジンをどんな適切な数でも使用することができることが分かるであろう。一実施例では、光学エンジンの数は少なくとも１個である。例えば少なくとも２個、少なくとも４個、少なくとも８個、少なくとも１０個、少なくとも１２個、少なくとも１４個、又は少なくとも１７個である。一実施例では、光学レンズの数は、例えば３０個未満又は２０個未満などの４０個未満である。
【００６８】
先に述べたように、各光学エンジンは、照明系ＩＬと、パターニング装置ＰＤと、投影系ＰＳとを個別に含むことができる。ただし、２つ以上の光学エンジンは、照明系、パターニング装置、投影系のうち１つ又は複数の少なくとも一部を共有することができることを理解されたい。
【００６９】
例えば図５に示す本発明の一実施例によれば、様々なタイプのパターンに対して最適化されたハードウェア要素を含む解凍装置が提供される。ＬＣＤ表示装置に関連するパターンなどのパターンを、効率的且つ費用効果的に処理することができる。例えば、高価な内部ＳＲＡＭメモリの多大なキャッシュの必要性がなくなる。
【００７０】
図５は、本発明の本実施例による解凍装置５００を示す図である。解凍装置５００は、データ・リンク５１２を介してパターン・メモリ５１０内に記憶され、圧縮された要求パターン・データを受け取るように構成される。次いで、いくつかの段階において解凍が実行される。
【００７１】
最初の２段は、辞書解凍器５８０によって実行される。一実施例では、辞書解凍器５８０は、辞書ベースの２つのデコーダを含む。これらはグローバル辞書デコーダ５２０及びローカル辞書デコーダ５９０である。２つのデコーダを使用することによって、パターン（例えば、ＬＣＤ表示装置のパターン内の境界領域及び表示領域）をより効率的な方法で処理することができる。これは、それぞれのハードウェアをパターン全体の様々な態様に対し最適化することができるからである。このことは、以下により詳細に説明する。
【００７２】
一実施例では、辞書ベースの圧縮及び解凍は、メモリ（例えば、「辞書」）内に記憶されたパターンの照会データ（或いは、パターン又はパターンの各部分に対応するデータ列）に依存する。圧縮段では、辞書ベースのアルゴリズムが、メモリ内を通過したパターン履歴を保存し、反復パターンをチェックする。反復パターンが発生すると、このパターンが過去に発生したメモリ内位置への照会データを含む記号が作られる。記号は通常、反復パターンよりはるかに小さいので、一定の圧縮を提供する。この方法により、よく反復されるパターン形体の圧縮率が高まる。解凍はこのプロセスを逆にすることによって実行することができる。
【００７３】
一実施例では、グローバル辞書デコーダ５２０は、データ・リンク５２４を介して、外部メモリ・ブロック５５０内で実施されるグローバル辞書メモリ５２２（例えば、グローバル辞書）と相互作用するように構成さる。図示する実施例では、メモリ・ブロック５５０は、パターン・メモリ５１０も含むが、パターン・メモリ５１０は、別のメモリ・ブロックでも実施することができる。メモリ・ブロック５５０は、解凍装置５００の一体部分を形成しないという意味で外部である。例えば、解凍装置が１つ又は複数のＦＰＧＡチップ内で実施される場合、メモリ・ブロックはＦＰＧＡチップの一体部分を形成しない。メモリ・ブロック５５０を、高帯域の接続部を介して解凍装置５００に接続することができる。
【００７４】
グローバル辞書５２２は、要求パターン全体と比べて大きいパターン形体、及び／又は比較的長い距離にわたって反復するパターン形体を蓄積する（そうすれば、辞書から完全に「読み出す」という意味で、復号化のプロセスにおいて、こうした形体にそれほど頻繁に「アクセス」する必要はない）。形体のそれぞれは、辞書内の特定の位置に蓄積され、例えば、メモリ・アドレスを使用して割り出すことができる。
【００７５】
一実施例では、より小さな「局部」形体は、グローバル辞書５２２内では表現されない。というのは、このような局部形体に関連するメモリ・アクセス動作のタイプに対して最適化することのできるローカル辞書５４０を使用して、こうした形体をより効率的に処理することができるからである（以下を参照）。
【００７６】
一実施例では、（１）大き過ぎてローカル辞書に収まらない反復形体、又は（２）反復形体のサイズに加えたときに、ローカル辞書よりも大きくなる分離パターン（つまり、当該反復パターンの反復の発生の間合いに起こるパターン）と共に反復される反復形体の全てを蓄積するように、グローバル辞書を構成することができる。
【００７７】
一実施例では、グローバル辞書デコーダ５２０によって実行される解凍プロセスの一部は、次の通りである。データをパターン・メモリ５１０から読み出し、データがグローバル辞書５２２を照会する場合、グローバル辞書デコーダ５２０は、照会されたデータをグローバル辞書５２２から取り出し、これを出力リンク５２６に送る。グローバル辞書５２２を照会しないデータは、そのまま出力リンク５２６に送られる。
【００７８】
グローバル辞書復号化段階は、グローバル辞書５２２内の大きなエントリー（つまり比較的大きい反復パターン形体を含む領域、及び／又は長い距離にわたって反復するパターン形体）に照会するパターン領域には特に効果的である。例えば、ＬＣＤ表示装置のパターン内の表示画素、境界領域内の大きな反復パターン、並びに／又は、連続番号及び傾斜情報は、この段階によって効率的に処理される。
【００７９】
一実施例では、外部メモリ・ブロック５５０は、標準ＤＲＡＭの高速度バージョンであるＳＤＲＡＭ（シンクロナスＤＲＡＭ）を含む。このタイプのメモリは、比較的安価であり（これにより理にかなった価格で高容量を提供できる）、且つメモリ帯域を最も効果的に利用してより大きな画素ブロック群（例えば、少なくとも数百画素のビットマップの画素ブロック群）に照会することから、グローバル辞書エントリーを記憶するのに特に適している。小データ・ブロック群を転写することは比較的非効率的であるため、この種のメモリを用いて小画素ブロック群を照会することは、メモリ帯域をほとんど充分に利用しないことになる（同じ帯域を獲得するために、結局多数の並列メモリが必要となり得る）。例えば、典型的なＳＤＲＡＭデバイスは、１００バイト超を含むデータ・ブロック群を（隣り合うメモリ・アドレスから）アクセスする場合、比較的高データ帯域を提供することができる。しかし、データ・ブロック群のサイズが８バイト未満に低減されると、データ帯域は約１０分の１に落ちることが予想されるので、より大きなブロック群を転写するときに獲得されるのと同じ帯域を得るためには、さらに１０倍ものメモリ装置が必要となる。外部メモリの重要な特徴は、高帯域を有するが、ランダム・アクセスを必ずしも必要としないことである。
【００８０】
一実施例では、アクセス時間が外部メモリよりはるかに短く、したがってローカル辞書５４０を実施するのにより適したＦＰＧＡ内部ＳＲＡＭメモリを使用して、小画素ブロック群を効率的に照会することが可能である。高帯域及びランダム・アクセス機能のどちらによってもそれを実施することができる。利用可能なＳＲＡＭメモリ量は相当限定されるが、短い距離にわたって反復される小反復パターンを処理するためにのみ設計されている場合は、全然大きい必要はない。しかし、ローカル辞書は、パターンの規則性（反復）のかなりの割合を取り込むように充分大きくしなければならない。例えば、平板型表示装置においては、少なくとも表示領域パターン内のより小規模の規則性を取り込むように、ローカル辞書を充分大きくしなければならない。一実施例では、ローカル辞書の内容を動的方法で更新して、辞書の適合性を改善することができる。例えば、辞書デコーダ５９０から最後に出力されたデータのみを蓄積するように、辞書を構成することができる。この実施例に関し、以下により詳細に述べる。
【００８１】
ローカル辞書デコーダ５９０は、パターンの局部反復形体を処理するように特に設計された追加の解凍段として提供される。図示する実施例では、デコーダ５９０は復号化／計算部５３０と、ローカル辞書メモリ５４０（又は「ローカル辞書」）とを含む。図示する実施例では、ローカル辞書デコーダ５９０は、入力としてグローバル辞書デコーダ５２０の出力を受け取るように構成される。グローバル辞書デコーダ５２０及びローカル辞書デコーダ５９０を逆の順序で配置し、グローバル辞書デコーダ５２０によって入力としてローカル辞書デコーダ５９０の出力を受け取ることもできるが、これは圧縮率の低下につながり得ることを理解されたい。
【００８２】
この実施例では、ローカル辞書デコーダ５９０は、ローカル辞書５４０内に記憶された少量のデータに頻繁にアクセスすることによって動作する。先に述べたように、解凍中にローカル辞書５４０の内容を変更することによって、ローカル辞書５４０の容量をうまく使用することができる。これを達成することのできる１つの方法は、辞書が「スライディング・ウインドウ」方式で更新されるようにすることである。この構成によれば、要求パターン全体の反復パターンを蓄積する代わりに、ローカル辞書５４０は、解凍中のパターン領域に続いてパターン上を「スライド」するように構成された概念的な「ウインドウ」内に含まれる要求パターンの一部分に関するデータのみを蓄積する。この方式では、復号化／計算部５３０は、小パターン形体が、例えば走査線から走査線へ、短い距離にわたって反復する場合が多いということに依存する。したがって、物理的に互いに非常に近接し、且つ最後に処理されたデータを表す辞書アドレスへの照会データを使用して、この反復を復号化することができる。
【００８３】
「スライディング・ウインドウ」方式を実施することのできる１つの方法は、復号化／計算部５３０からの出力が、ローカル辞書メモリ５４０に対する入力として使用されるようにすることである。先に述べたように、ローカル辞書メモリ５４０のサイズは限られているが、復号化／計算部５３０からの累積出力の一部のみをどの時点においても蓄積することができる。これを、「先入れ先出し」の原理に基づいて制御することができる。例えば、この原理は、スペシャリスト・メモリ・ハードウェア（「先入れ先出し」メモリ）又はより従来的なメモリを使用して実施することができる。このように、最後に処理されたデコーダ出力の一部のみをメモリ５４０内に記憶させることができる。
【００８４】
ローカル辞書メモリ５４０内で保持されるデータの割合は、例えば制御可能なリンク５３４を使用して変えることができる。特に、解凍プロセス内の後段において再使用されることのないデータをローカル辞書メモリ５４０に記憶させる必要はないということを、制御可能なリンク５３４が生かすように構成することができる。例えば、余分なデータ・ビット（又は「マーカ」）を、解凍されるデータ・ストリーム内に挿入（又は、生成）して、どの（ローカル辞書に適切な）形体が後に解凍処理において反復され、どの形体が反復されないのか（或いは、どの形体が大き過ぎてローカル辞書５４０内に記憶させることができないのか、又はどの形体がローカル辞書５４０内に記憶させるのに不適切なのか）を示すように、圧縮プロセスを設計することができる。次いで、制御可能なリンク５３４を、ローカル辞書デコーダ５９０によって実際に使用されようとするデータの各部分のみをローカル辞書５４０に送るように構成する。このように、より大きな反復形体を蓄積することができるように、且つ／又はより古い反復形体がメモリ内により長く保存されることができるように、ローカル辞書５４０をよりうまく利用する。そしてこれは、出力ストリーム５３２の割合に関し、ローカル辞書５４０の「サイズ」はもはや一定ではなく、データ・ストリーム内での局部反復の程度に応じて変わることを意味する。
【００８５】
代替例として、ローカル辞書デコーダ５９０からのデータ全てをローカル辞書５４０に送ることもできる（これは、リンク５３４にデータ全てを送らせることに相当する）。この構成は、あまり高度な圧縮技術を必要とせず（反復データを同じようにマークする必要はない）、ハードウェアにおいてより簡単に実施することもできる。
【００８６】
一実施例によれば、反復局部形体が生じる場合、最初に発生する形体は、相対的に未圧縮の形（つまり、例えば、別の辞書への照会データを含まないが、それでもラン・レングス符号化することができる形）でデータ・ストリーム内に供給され、ローカル辞書５４０内に保持される間照会データとして働くように利用することができるであろう。この形体が引き続き発生すると、ローカル辞書５４０内の先に生じたものに照会することによってただ単に符号化され、生じるがままに、そして生じたときに、ローカル辞書５４０から出力されるデータ・ストリーム内にインポートされる。その形体の未圧縮の形が全てローカル辞書から送り出された後に（又は、少なくともその全体をもはや利用できなくなった後に）同じ反復局部形体が生じるときはいつも、その形体の相対的に未圧縮な別のバージョンを使用して符号化する必要があり、その形体がローカル辞書内に存在する限り、その第２の照会形体に照会することがでる、等々。内部メモリ内に同じ反復形体のバージョンが複数存在する場合、最新のもの、及び／又は最も容易にアクセス可能なものに照会することができる。
【００８７】
一実施例では、復号化／計算部５３０への入力データ・ストリーム５２６は、ローカル辞書５４０への照会データを含むが、出力データ・ストリーム５３２、したがってローカル辞書５４０の内容は、もはやローカル辞書への照会データを含んでおらず、ただ単にデコーダ５６０によって復号化されるはずのラン・レングス（又は他の方法による）符号化データである。
【００８８】
先に述べてきたように、ローカル辞書５４０内のデータによって表される要求パターンの一部分を、最終デコーダ５６０に入力されるはずの要求照射パターンの表現上を「スライディング」するにつれて視覚化することのできる「ウインドウ」によって区切ることができる（例えば、最終デコーダ５６０がラン・レングス符号化の能力がある場合、ウインドウは、要求照射パターンのラン・レングス符号化された表現上をスライディングする）。先に述べてきたように、制御可能なリンク５３４が設けられている場合、このウインドウのサイズ及び幾何形状を変化させて、例えばローカル辞書５４０が、実際に照会されようとするデータのみを常に含むようにすることができる。一実施例では、それぞれが（例えば、単一画素又は画素全体の線によって画定される）パターンの一部分に対応する固定数の「トークン」を蓄積するように、ウインドウを構成することができる。次いで、トークンの数及び個別のトークンそれぞれのサイズによって、ローカル辞書メモリ５４０内に蓄積可能でなければならないウインドウ・データの総サイズが決まる。
【００８９】
制御可能なリンク５３４が、復号化／計算部５３０から出力されるデータ全てをローカル辞書５４０に送るように構成される場合、要求照射パターンの圧縮表現を形成するための圧縮ソフトウェアは、データの反復列を、ローカル辞書５４０内に蓄積されたデータへの照会データで置き換えるように構成される。Ａ＋Ｂ≦Ｓで表される不等式が満足される場合はいつでもこれを行うことができる。ただしこの場合、Ａは当該データ列を（相対的に未圧縮の形で、例えばローカル辞書デコーダ又はグローバル辞書デコーダによるさらなる復号化の必要はないが、デコーダ５６０によるさらなる解凍の対象となる形で）記憶する必要のあるメモリ量であり、Ｂはデータ列の照会データ・バージョンと反復発生との間（例えば、前回の発生と、前回の発生への照会データで置き換えることによって圧縮されるはずの列との間）に、復号化／計算部５３０からの出力内に生じるデータによって占められるメモリ量であり、Ｓはローカル辞書５４０の容量である。ローカル辞書５４０内で反復形体のバージョンに（その全体を）アクセス可能な場合のみ、その形体に照会することは有用であるという条件が、この関係式に盛り込まれている。大きな反復形体、及び／又は、充分近接して反復されないために（つまり、要求パターン内、或いは要求パターンのラン・レングス符号化又は他の方法による圧縮表現内で近接しないために）上記の不等式が満足されないような形体は、グローバル辞書内に蓄積しグローバル辞書デコーダによって復号化することができる。
【００９０】
制御可能なリンク５３４が、復号化／計算部５３０によって照会されるデータ列のみをローカル辞書５４０へ送るように構成される場合、データの反復列を辞書メモリ５４０への照会データで置き換えることができるかどうかを決めるための関係式は、より緩和される。例えばＡ＋Ｂ’≦Ｓ（ただし、Ｂ’＜Ｂ）となり、したがってこの形の圧縮範囲は広がる。
【００９１】
先に論じたローカル辞書デコーダ及びグローバル辞書デコーダはどちらも、パターン・データが適切な方法で圧縮されることを必要とする。例えば、ローカル辞書デコーダ５９０の場合、ローカル辞書メモリ５４０内のメモリ・アドレスへの照会が、目当ての圧縮形体に必ず向くように、符号化プロセスは、スライディング・ウインドウのサイズと、恐らくはグローバル辞書デコーダの動作とを考慮に入れる必要があり得る。さらに、先に述べたように、データを各トークン内に挿入して、そのトークンをローカル辞書メモリ５４０内へ送るべきかどうかを示す（つまり、制御可能なリンク５３４の動作を制御する）必要があり得る。
【００９２】
一実施例では、復号化（解凍）プロセスの逆となるように、符号化（圧縮）プロセスを２段プロセスとして実施することができる。まず、ローカル辞書エンコーダ５９０しか存在しないかのように、５３２に対して必要な出力を符号化する。これは５２６によって送り出されるべきストリームである。第２の動作において、これをグローバル辞書デコーダ５２０用に符号化すると、５１０内に記憶され５１２によって送り出されねばならない符号化ストリームが得られる。最終デコーダ５６０が存在する場合、そのとき第１段は、パターン・データをデコーダ５６０の能力に一致する圧縮の形に符号化することになる。エンコーダが上記を最適な方法で実行するために、解凍ハードウェアの特徴についての情報（例えば、メモリのサイズ、メモリ帯域の特徴など）をエンコーダに提供する必要がある。
【００９３】
上記の符号化順序の代替例として、ユーザによって供給される要求照射パターンのＧＤＳＩＩ（又は同等のもの）ベクトルに基づく表現において階層構造を使用することができるように、まずグローバル辞書デコーダ用のデータを符号化することが有利であろう。これによって符号化の時間を相当短縮することができる。最終デコーダ５６０が存在する場合、符号化プロセスは次に、最終デコーダ５６０に対応する符号化処理を行い、ローカル辞書デコーダ５９０に関する符号化を終える。
【００９４】
パターン・データの予備処理を行って、辞書デコーダ５９０及び辞書デコーダ５２０がそれをプロセスする前に最初の圧縮を行うことによって、ローカル辞書デコーダ５９０及び／又はグローバル辞書デコーダ５２０の性能を、さらに改善することができる。先に述べたように、解凍装置５００において辞書デコーダの後に追加のデコーダ５６０を含めることによって、復号化を実施することができる。簡単なオンライン解凍を円滑化するように予備処理技術を選択することができる。例えばラン・レングス符号化法又は同様の方法を使用することができる。追加で又は代替に、ハフマン符号化法（静的辞書タイプの符号化法）、デルタ符号化法、辞書ベース符号化法、又はこれらの方法のあらゆる組合せを使用することができる。
【００９５】
図５に示すデコーダの例では、ローカル辞書デコーダ５９０及びグローバル辞書デコーダ５２０双方による復号化の後の信号出力を、データ・リンク５３２を介して受け取るように構成された、ラン・レングス・デコーダ５６０を設けている。データをラン・レングス符号化の形で出力しなければならないだけで、所与の数のエントリーに対し、ローカル辞書５４０及びグローバル辞書５２２のサイズをそれぞれ縮小することができる。したがって、メモリ・アクセス動作をより効率的に行うことができる。つまり、例えばローカル辞書の場合、スライディング・ウインドウのサイズを大きくして要求照射パターンのより大きな部分、したがってパターン規則性のより大きな割合を考慮に入れることができる。
【００９６】
例えば、平板型表示装置パターンの境界領域又は周辺部におけるパターンは、比較的大きいので（つまり、こうしたパターンは比較的大きな長さスケールで不規則である）、一般に、適度な大きさに作られたローカル辞書５４０にぴったり収まらない。しかし、これらの領域内で頻繁に遭遇するパターンのタイプにつき、先に論じたタイプの予備処理によって、たいていの場合これを可能にすることができる。例えば、ラン・レングス符号化法は、隣り合う画素のデータ・サイズを同じグレーの色調で縮小するのに特に効果的であり、（例えば、おおよそ何十もの）こうした画素を周辺部領域でよく見かける。先に述べたように、ローカル辞書５４０は、平板型表示装置パターンの表示領域に関するパターン・データを蓄積するためにも使用することができる。
【００９７】
最終解凍段階５６０の出力は、データ・リンク５６２を介して外部メモリ５７０に送られる。データ経路の後段に対して一定の速度でデータを出力するように、メモリ５７０を構成することができる。その際メモリのサイズを、解凍装置５００からの出力速度における小さな変化が補償されるように選択する。
【００９８】
先の記載では、光学リソグラフィとの関連で本発明のいくつかの実施例の使用について特に記載してきたが、本発明は、例えばインプリント・リソグラフィなど他への応用にも使用することができ、場合によって、光学リソグラフィに限定されないことが分かるであろう。インプリント・リソグラフィでは、パターニング装置内のトポグラフィによって基板上に作られるパターンが画定される。パターニング装置のトポグラフィを、基板に供給されたレジスト層内に押し付け、その後すぐ電磁放射、熱、圧力又はこれらの組合せを加えることによってレジストを硬化させる。パターニング装置をレジストから移動させ、レジストが硬化するとそこにパターンが残る。
【００９９】
本発明の特定の実施例を先にいくつか記載してきたが、本発明は、記載した以外の方法でも実施することができることが分かるであろう。例えば、本発明は、上述の方法を記載する機械読取り可能な１つ又は複数の指令順序を含むコンピュータ・プログラム、又は、このようなコンピュータ・プログラムを中に蓄積したデータ記憶媒（体例えば、半導体メモリ、磁気ディスク又は光学ディスク）の形を取ってもよい。
【０１００】
結論
本発明の様々な実施例を先に記載してきたが、これらの実施例はほんの一例として挙げたものであって、限定のためのものではないことを理解されたい。本発明の趣旨及び範囲から逸脱せずに、形式及び詳細において様々な変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。したがって、本発明の広さ及び範囲は、上述のどんな例示的実施例によっても限定されるべきではなく、添付の特許請求の範囲及びその同等物によってのみ定義されるべきである。
【０１０１】
「課題を解決するための手段」及び「要約」のセクションではなく、「実施例」のセクションは、特許請求の範囲を理解するために使用されるものとする。「課題を解決するための手段」及び「要約」のセクションは、全てではないが、本発明の発明者によって熟考された本発明の１つ又は複数の例示的実施例を示すことができるのであって、したがって、本発明及び添付の特許請求の範囲を多少なりとも限定するものではない。
【図面の簡単な説明】
【０１０２】
【図１】本発明のいくつかの実施例による、リソグラフィ装置を示す図である。
【図２】本発明のいくつかの実施例による、リソグラフィ装置を示す図である。
【図３】図２に示す本発明の実施例を使用して、基板にパターンを転写する方式を示す図である。
【図４】本発明の一実施例による、光学エンジンの構成を示す図である。
【図５】本発明の一実施例による、解凍装置を示す図である。
【符号の説明】
【０１０３】
ＰＤ  パターニング装置
ＳＯ  放射ソース
ＢＤ  ビーム送出系
ＩＬ  照明系
ＡＤ  調整装置
ＩＮ  積算器
ＣＯ  集光器
Ｂ  放射ビーム
ＢＳ  ビーム・スプリッタ
ＰＳ  投影系
Ｗ  基板
ＩＦ  位置センサ
ＷＴ  基板テーブル
ＰＷ  位置決め装置
Ｌ１、Ｌ２、ＡＬ  レンズ
ＡＳ  開口絞り
ＭＬＡ  マイクロ・レンズ・アレイ
ＭＬ  マイクロ・レンズ
Ｓ  放射スポット
Ｒ、Ｒ１、Ｒ２  列
ＳＥ  スポット露光部
ＳＡ  ８つのアレイ
５００  解凍装置
５１０  パターン・メモリ
５１２  データ・リンク
５２０  グローバル辞書デコーダ
５２２  グローバル辞書メモリ
５２４  データ・リンク
５２６  出力リンク（入力データ・ストリーム）
５２８  データ・リンク
５３０  復号化／計算部
５３２  出力ストリーム
５３４  制御可能なリンク
５４０  ローカル辞書メモリ
５５０  外部メモリ・ブロック
５６０  最終デコーダ（最終解凍段階）
５６２  データ・リンク
５７０  外部メモリ
５８０  解凍器
５９０  ローカル辞書デコーダ
【図１】
0004454605.tif 000002
【図２】
0004454605.tif 000003
【図３】
0004454605.tif 000004
【図４】
0004454605.tif 000005
【図５】
0004454605.tif 000006