(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板電極の上に下部有機絶縁層さらにフロート電極、その上に上部有機絶縁層が積層され、該下部有機絶縁層と該上部有機絶縁層の厚みの和に対する上部絶縁層の厚みが３％以上７０％以下であり、前記基板電極と前記フロート電極とをスイッチにより接続し、表面電位を減衰させ電位潜像を形成することを特徴とするデジタル画像形成素子
【請求項２】
基盤の上に基板電極を形成しこの上に下部無機絶縁層さらにフロート電極、その上に上部有機絶縁層を形成したことを特徴とするデジタル画像形成素子。
【請求項３】
フロート電極が微小に分割され各々がスイッチング機能を有する部材で基板電極と接続されていることを特徴とする請求項１または２に記載のデジタル画像形成素子。
【請求項４】
スイッチング機能を有する部材がトランジスタであることを特徴とする請求項３に記載のデジタル画像形成素子。
【請求項５】
スイッチング機能を有する部材が光スイッチング素子であることを特徴とする請求項３に記載のデジタル画像形成素子。
【請求項６】
トランジスタを構成する材料が有機材料であることを特徴とする請求項４に記載のデジタル画像形成素子。
【請求項７】
トランジスタを構成する材料が有機材料と無機材料の組み合わせであることを特徴とする請求項４に記載のデジタル画像形成素子。
【請求項８】
フロート電極の仕事関数と、その上の上部有機絶縁層のイオン化ポテンシャルとの相対的な差が０．５ｅＶ以内に存在し電極からの電荷注入が可能であること特徴とする請求項１または２に記載のデジタル画像形成素子。
【請求項９】
下部有機絶縁層及び／又は上部有機絶縁層が有機半導体層であることを特徴とする請求項８に記載のデジタル画像形成素子。
【請求項１０】
フロート電極が有機導電性材料であることを特徴とする請求項３または４に記載のデジタル画像形成素子。
【請求項１１】
フロート電極および基板電極が有機導電性材料であることを特徴とする請求項３または４に記載のデジタル画像形成素子。
【請求項１２】
請求項３または４に記載のデジタル画像形成素子を用い、
（１）フロート電極と基板電極とのスイッチを全てオフで、均一帯電を行ない、
（２）ついで画像形成に応じスイッチをオンすることによりデジタルな電位潜像を得、トナーなどにより可視化することを特徴とする画像形成方法。
【請求項１３】
トナーが湿式トナーであることを特徴とする請求項１２に記載の画像形成方法。
【請求項１４】
トナーなどにより可視化した画像を紙などに転写し、その後デジタル画像形成素子を必要により電気的、機械的、物理的に初期化し次の画像形成プロセスに使用することを特徴とする請求項１２に記載の画像形成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、デジタル画像形成素子および画像形成プロセスに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年では、情報をデジタル信号に変換して光によって情報記録を行うデジタル記録方式を用いたプリンタは、そのプリント品質、信頼性において向上が著しい。またこのデジタル記録方式はプリンタのみならず通常の複写機にも応用され、所謂デジタル複写機が開発されている。さらに、このデジタル複写機は、種々様々な情報処理機能が付加されるため今後その需要性が益々高まっていくと予想される。更に近年ではカラー画像の需要が高まり高画質化、光精彩化への要望として、感光体及び関連の技術の更なる進展が望まれている。
【０００３】
現在、これらの方式に用いられる電子写真感光体は、一般的には導電性支持体上に電荷発生層を形成し、その上に電荷輸送層を設けたいわゆる機能分離型積層感光体が主流である。この機能分離型積層感光体において、表面が帯電された感光体が露光されたとき、光は電荷輸送層を透過し、電荷発生層中の電荷発生材料に吸収される。電荷発生材料はこの光を吸収して電荷担体を発生する。発生した電荷担体は電荷輸送層に注入され、帯電によって生じている電界に沿って電荷輸送層を移動して感光体の表面電荷を中和する。その結果、感光体の表面に静電潜像が形成される。このように電子写真感光体を用いたプロセスでは、静電潜像の形成のため電荷を移動する機能が必要であり、材料が著しく限定され、機械的強度の低下、耐溶剤性のなさが問題とされている。また、電荷担体が電荷輸送層を移動する間に電荷担体の散逸が起こり、表面の静電潜像が時間的、空間的に不均一となり今後の高画質への要求に対応できない可能性がある。
【０００４】
このようなデジタル記録方式に対応させる光源としては、例えば、半導体レーザー（ＬＤ）や発光ダイオード（ＬＥＤ）が多く使われているが、照射強度が不均一で、電荷担体が不均一に発生し、その結果、表面の静電潜像が空間的に不均一になる問題も危惧されている。
【０００５】
この分野における今後の要求として、高画質化があり、可視化するトナーの粒径を微小にしていくことが必要とされているが、粉体の状態ではハンドリングに問題があり、液体トナーが高画質、カラー化では必要とされているが、電子写真感光体ではこれに十分答えられていない。
【０００６】
ところで、従来、光導電体の分極現象として、光導電体材料の禁制帯内に捕獲された電荷キャリアの誘電性に基く光導電性感光層の永続的内部分極（ＰＩＰ）を用いた画像形成法が知られているが、この画像形成技術は、分極又は誘電現象に依存するものであるので、光導電性感光層に隣接して誘電性材料を積層した感光体を用い、その光導電性感光層の分極に誘発されて分極する誘電性材料の表面を用いて画像を形成することができる。このＰＩＰによる画像形成技術には、標準的なものとして次のステップがある。（ｉ）電圧を印加し、露光する。(ii)露光してからすぐに電圧を印加する。(iii)電圧を印加し固有吸収光を均一に露光する。その後、画像を露光して分極電荷を消去する。(iv)感光層に電圧を加え、全面に固有吸収光で励起する。光しゃ断後、印加電圧の極性を変え画像を露光する。画像部はまえの分極電荷と逆極性なので、画像のＳ／Ｎがよくなる。以上は直流の印加電圧を電源から加えたものであるが、同時にサンドイッチ型にするため透明電極が必要になる。そこで、コロナ放電を行って電極なしの方法が考えられ、その場合は、透明絶縁性フィルムを感光層にのせ、その下部に絶縁層を入れ、最下層に電導層をもつものとし、（ｉ）均一帯電のあと均一露光、(ii)画像露光、(iii)均一帯電、(iv)逆性のコロナ放電を行う。この結果、露光部は分極電荷と帯電電荷があり、未露光部は均一な帯電による電荷のみとなる。これに全面の励起光を照射すると、未露光部分と画像部分は絶縁層に残留する電極の極性が逆になり、Ｓ／Ｎ比のよい画像が得られるとされているが、デジタル画像形成のための微小に分割され各々がスイッチング機能を有する部材を用いるものではなく、アナログ量の光照射に基本的に依存するＳ／Ｎ比を得るものである。ＰＩＰ感光層としてはＣｄＳ，Ｓｅ−Ｔｅなどが代表的なものとして使われているが、利得つまり光−電間の変換率には限りがある。
【０００７】
また、特開昭５３−５７０３８号公報には、「導電性支持基板の上に絶縁性層、光導電性層及び表面絶縁性層を順次積層してなる感光体に、一次帯電−全面露光−逆極性二次帯電−像露光を繰り返す電子写真プロセスを施して、複写物を得ること」が記載されており、特開昭５３−２２４２１号公報には、「導電性基板上に絶縁層、光導電層、絶縁層を有する感光体の絶縁層表面を明所または暗所において、基板に対して正または負のいずれか一方の極性に帯電した後、光像を照射することにより絶縁層表面に基板に対して正および負の電位分布よりなる静電潜像を形成することを特徴とする電子写真法」、及び「導電性基板上に絶縁層、光導電層、絶縁層を有する感光体の絶縁層表面を明所または暗所において、基板に対して正または負のいずれか一方の極性に帯電し、光像を与えながら前と逆極性の電位に帯電し、全面露光を行うことにより絶縁表面に基板に対して正および負の電位分布よりなる静電潜像を形成することを特徴とする電子写真法」の例として、光導電性物質の両側をそれぞれ高絶縁性の樹脂シートでサンドイッチ状に挟んだ構成の感光体、例えば、ガラスに導電層を形成した透明電極板の上に１２μ厚のポリエチレンテレフタレートフィルム、５０μ厚のＣｄＳ−エポキシ樹脂光導電層、１２μ厚のポリエステルフィルムからなる感光体を、コロナ放電器６、高圧直流電流７により（＋）、（−）自由に選択された極性、例えば−６．５ｋｖの帯電を与えて、約−２ｋｖの表面電位を得、捕獲電荷を生じさせ、次に光模様Ｂ，Ｄを照射し、同時にまたは直後に、前の一次帯電と逆極性の二次帯電（÷７ｋｖ）をコロナ放電器、電源で与えて、光の当っている非画像部Ｂでは、光導電性物質のキャリアを開放して捕獲電荷が中和し、容易に逆極性に帯電され約＋５００Ｖの表面電位となるが、光の当らない画像部Ｄはキャリアは捕獲されたままであるから、捕獲電荷は中和されないことを利用して画像を形成することが記載されているが、これらの技術も、基本的にＣｄＳ等のＰＩＰ現象によるものであり、デジタル画像形成のための微小に分割され各々がスイッチング機能を有する部材を用いるものではなく、アナログ量の光照射による光電変換利得に基本的に依存するものである。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、デジタル画像記録方式で今後要求される、高画質、さらには高品質(プリント間での品質の均一性)に対応できる高耐久性、液体現像への対応性を可能とするデジタル画像形成素子及び画像形成プロセスを提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記課題を解決するためにデジタル画像形成素子について鋭意検討した結果、本発明を開発するに到った。したがって上記課題は、本発明の（１）「基板電極の上に下部有機絶縁層さらにフロート電極、その上に上部有機絶縁層が積層され、該下部有機絶縁層と該上部有機絶縁層の厚みの和に対する上部絶縁層の厚みが３％以上７０％以下であり、前記基板電極と前記フロート電極とをスイッチにより接続し、表面電位を減衰させ電位潜像を形成することを特徴とするデジタル画像形成素子」、（２）「基盤の上に基板電極を形成しこの上に下部無機絶縁層さらにフロート電極、その上に上部有機絶縁層を形成したことを特徴とするデジタル画像形成素子」、（３）「フロート電極が微小に分割され各々がスイッチング機能を有する部材で基板電極と接続されていることを特徴とする前記第（１）項または第（２）項に記載のデジタル画像形成素子」、（４）「スイッチング機能を有する部材がトランジスタであることを特徴とする前記第（３）項に記載のデジタル画像形成素子」、（５）「スイッチング機能を有する部材が光スイッチング素子であることを特徴とする前記第（３）項に記載のデジタル画像形成素子」、（６）「トランジスタを構成する材料が有機材料であることを特徴とする前記第（４）項に記載のデジタル画像形成素子」、（７）「トランジスタを構成する材料が有機材料と無機材料の組み合わせであることを特徴とする前記第（４）項に記載のデジタル画像形成素子」、（８）「フロート電極の仕事関数と、その上の上部有機絶縁層のイオン化ポテンシャルとの相対的な差が０．５ｅＶ以内に存在し電極からの電荷注入が可能であること特徴とする前記第（１）項または第（２）項に記載のデジタル画像形成素子」、（９）「下部有機絶縁層及び／又は上部有機絶縁層が有機半導体層であることを特徴とする前記第（８）項に記載のデジタル画像形成素子」、（１０）「フロート電極が有機導電性材料であることを特徴とする前記第（３）項または第（４）項に記載のデジタル画像形成素子」、（１１）「フロート電極および基板電極が有機導電性材料であることを特徴とする前記第（３）項または第（４）項に記載のデジタル画像形成素子」により達成される。
【００１０】
また、上記課題は、本発明の（１２）「前記第（３）項または第（４）項に記載のデジタル画像形成素子を用い、（１）フロート電極と基板電極とのスイッチを全てオフで、均一帯電を行ない、（２）ついで画像形成に応じスイッチをオンすることによりデジタルな電位潜像を得、トナーなどにより可視化することを特徴とする画像形成方法」、（１３）「トナーが湿式トナーであることを特徴とする前記第（１２）項に記載の画像形成方法」、（１４）「トナーなどにより可視化した画像を紙などに転写し、その後デジタル画像形成素子を必要により電気的、機械的、物理的に初期化し次の画像形成プロセスに使用することを特徴とする前記第（１２）項に記載の画像形成方法」により達成される。
【００１１】
以下、本発明について詳細に説明する。
本発明のデジタル画像形成素子は、基板電極の上に下部絶縁層さらにフロート電極、その上に上部絶縁層を形成したものであるが、上下の両絶縁層は画素単位に領域分割され、それぞれ電気的に直列に接続されている。そしてこのような各画素単位は、露光によらず、それぞれの画素単位に付された電気スイッチにより瞬時に電位変化させられる。上部絶縁層のキャパシタンスを加減することより、例えば非画像部（又は画像部）の画素電位を自由に選択することができ、下部絶縁層のキャパシタンスを加減することより画像部（又は非画像部）の画素電位を自由に選択することができる。
本発明のデジタル画像形成素子における基盤電極材料、またはフロート電極材料には、一般的な導電性材料を用いることができ、例えばアルミニウム、ニッケル、銅、チタン、金、白金、ステンレス、鉄、銀、亜鉛、鉛、錫、アンチモン、インジウムなどの金属や合金、あるいは前記金属の亜酸化物、酸化物、カーボン、ポリアニリン、ポリチオフェンなどの導電性ポリマー、それらの混合物などが挙げられ、これらは基盤電極に用いる場合には基盤材料上に塗布、電鋳、蒸着、スパッタリング、イオンインジェクション等の各種方法により設けることができ、又は基盤材料を省略した形の自己支持性の基盤電極とすることもできる。下部有機絶縁層上に設けられるフロート電極の場合も同様である。
【００１２】
本発明のデジタル画像形成素子における下部有機絶縁層及び上部有機絶縁層のための材料には、例えばポリスチレン、スチレン−アクリロニトリル共重合体、スチレン−ブタジエン共重合体、スチレン−無水マレイン酸共重合体、ポリエステル、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリアリレート、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート、酢酸セルロース樹脂、エチルセルロース樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリビニルトルエン、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂、アルキッド樹脂等の熱可塑性または熱硬化性樹脂が挙げられる。
また、ポリシラン化合物やポリーＮービニルカルバゾール等の高分子有機半導体が挙げられる。
【００１３】
本発明のデジタル画像形成素子において、下部の絶縁層が無機絶縁層である場合には、蒸着、スパッタリング、電鋳により、基板電極上に強固に積層することができ、また、フロート電極を蒸着、スパッタリング、電鋳により、フロート電極に強固に積層することができる。
【００１４】
本発明のデジタル画像形成素子におけるフロート電極とその上の上部有機絶縁層との関係に関し、フロート電極の仕事関数と、その上の上部有機絶縁層のイオン化ポテンシャルが近傍に存在することが好ましい。フロート電極の仕事関数と、上部有機絶縁層のイオン化ポテンシャルが近傍に存在することにより、フロート電極に電界がかかったときに、フロート電極からの電荷注入が容易になり、表面電位が低下しさらに効果的な電位差が得られることが判明した。フロート電極の仕事関数と、その上の上部有機絶縁層のイオン化ポテンシャルの相対的な差が０．５ｅＶ以内の場合に特に有効である。本発明を限定するためでなく理解を容易にするため説明すれば、具体的にはたとえば、フロート電極が白金（５．４３ｅＶ）、その上の上部有機絶縁層が有機高分子有機半導体であるポリメチルポリフェニルシラン（５．６２ｅＶ）の場合、非常に有効な電荷注入が可能である。
【００１５】
また、本発明のデジタル画像形成素子においては、上下の絶縁層の厚みの和に対する上部絶縁層の厚み（換言すれば上部絶縁層と下部絶縁層との厚みの割合）は、画像形成素子の電位減衰特性に密接に関係し、上部絶縁層の厚みは、絶縁層全体の厚みに対して、１〜９０％であることが好ましく、より好ましくは１〜６０％である。１％未満であると上部絶縁層の機械的強度が充分ではなく、繰り返し安定した画像が得られない。９０％を越えるとスイッチ導通時でも電位差が少ないため、高コントラスト像を得ることができない。
【００１６】
本発明のデジタル画像形成素子におけるスイッチング素子はトランジスタであることができ、また、電気的な光スイッチング素子であることができる。
用いられるトランジスタとしては、ＴＦＴ（Thin Film Transistor），ＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor），ＭＩＳＦＥＴ（Metal Insulator Semiconductor Field Effect Transistor），ＭＥＳＦＥＴ（Metal Semiconductor Field Effect Transistor），ＳＩＴ（Static Induction Transistor）などが挙げられる。
光スイッチング素子としては、光半導体を用いたもの或いはフォトクロミック化合物を用いた光電気化学的スイッチング素子などが挙げられる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明の素子の原理構成を示す断面図である。
このデジタル画像形成素子は、基板電極（１）の上に下部絶縁層（３）を有しその上にフロート電極（５）を設けさらにその上にもう一層、上部絶縁層（７）を重ねて、基板電極（１）とフロート電極（５）とをスイッチング機能を有するスイッチング素子（９）で接続することにより構成される。
上記のように、スイッチング素子（９）としては、トランジスタが挙げられ、或いは光半導体を用いた光電気化学的スイッチング素子などの電気的スイッチであるが、本発明において、デジタル画像形成素子に構成するには、各デジタル画素レセプタと、これらをそれぞれ制御するためのスイッチング素子（９）からそれぞれの画素ユニットとし、これを図１の構造を図２のようにアレイとして集積化することにより得ることができる。
【００１８】
このデジタル画像形成素子を用い、デジタル画像を形成するには例えば、コロナ放電を用いて帯電又は充電し、例えば次に若しくは同時に、画像情報に応じたスイッチング素子（９）部分については導通若しくは放電して、又は逆極性化して、その部分の基板電極（１）とフロート電極（５）間の電位スイッチングを行ないデジタルな電位潜像を得ることができる。
【００１９】
本発明においては、各画素ユニット自体の駆動源自体（例えば基板電極（１）とフロート電極（５）間の印加電源）と、そのためのスイッチング素子（９）の駆動源（例えばＴＦＴの導通電圧）とは異なり、したがって、画素ユニットの駆動源を制御することによって、例えば、情報を増幅し、つぎに増幅された情報を、再度、スイッチング素子（９）の制御によって再度増幅することができ、或いは逆に、画素ユニットの駆動源自体の制御による増幅済みの画像情報のノイズ除去や歪み部分除去のため、スイッチング素子（９）の制御モードを変更することが可能となる。
【００２０】
図３に、このようなスイッチング素子（９）の１例としてのＴＦＴの場合の構成例及びアクティブマトリックスＯ−ＴＥＤ(Transfered Election Device)の回路構成例を示す。一般に、アクティブマトリックス形のスイッチング素子により制御される画素を有するイメージ技術では、画素ユニット毎にスイッチング素子を配置して、スイッチング素子をマトリックス駆動するダイナミックなものであるので、動画分野(映像分野)に適しているものではあるが、本発明においてはプリントアウトされた静止画映像分野でこれを使用する。
図３（ａ）の構造図に示されるように、このＴＦＴでは、ＴＦＴ基板の縦方向に走る各ゲートバスと横方向に走る各ソースバスとは、各ゲートバス上の交差点で積層されており、図３（ｂ）に示されるように、各交差点でのこの積層構造は絶縁されたものである。また、ソースバスから、それぞれのＴＦＴのためのソースが出てドレインに達するソース−ドレインラインが設けられ、このソース−ドレインの間に、ゲートバスから延びるゲートが挿入接触されているので、ゲート信号によってソース−ドレイン間の導通が制御される。そして各ドレインにはＴＥＤとしての外部に連なるコンデンサが駆動源として接続しており、その結果、該コンデンサのキャパシタンスは、各ＴＦＴのゲート信号に依存するソース−ドレイン間の導通如何により、選択的に変化させられる。そして、このような多数のＴＦＴを含むデジタル画像形成アレイ素子からなる本発明のデジタル画像形成素子は、高画質、さらには高品質(プリント間での品質の均一性)に対応できる高耐久性、液体現像への対応性を可能とする。
【００２１】
【実施例】
以下、本発明を実施例によりさらに具体的に説明する。
［実施例１］
〈デジタル画像形成素子の製造〉
厚さ２０ｎｍのＰｔ層を基板電極とし、この基板電極上に下部有機絶縁層として厚さ１００μｍのポリエステルフイルムを接着積層し、さらにこの下部有機絶縁層上に厚さ２０ｎｍのＰｔ層をスパッタリングにより形成してフロート電極とし、このフロート電極にリード線を付すと共に、その上に上部有機絶縁層として厚さ６６μｍのポリエステルフイルムを接着積層し、基板電極にもリード線を付して、図４に示されるような本発明のデジタル画像形成素子を製造した。
〈デジタル画像形成素子の潜像形成特性〉
このデジタル画像形成素子をコロナ帯電処理により初期電位１１５０Ｖに帯電した。このデジタル画像形成素子の非導通時電位及び導通時電位を測定した。図５に示されるような結果が得られた。
【００２２】
［比較例１］
〈デジタル画像形成素子の製造〉
比較のため、厚さ２０ｎｍのＰｔ層を基板電極とし、この基板電極上に有機絶縁層として厚さ１００μｍのポリエステルフイルムを接着積層して、図６に示されるような比較用のデジタル画像形成素子を製造した。
〈デジタル画像形成素子の潜像形成特性〉
このデジタル画像形成素子をコロナ帯電処理により初期電位１２４０Ｖに帯電した。このデジタル画像形成素子の非導通時電位及び導通時電位を測定した。図７に示されるような結果が得られた。
【００２３】
［実施例２］
上部有機絶縁層として厚さ９．６μｍのポリエステルフイルムを接着積層した以外は実施例１と同様にして本発明のデジタル画像形成素子を製造し、実施例１と同様にして潜像形成特性を測定した。図８に示されるような結果が得られた。
【００２４】
［実施例３］
上部有機絶縁層として厚さ８．４μｍのポリエステルフイルムを接着積層した以外は実施例１と同様にして本発明のデジタル画像形成素子を製造し、実施例１と同様にして潜像形成特性を測定した。図９に示されるような結果が得られた。
【００２５】
［実施例４］
上部有機絶縁層として厚さ６．９μｍのポリエステルフイルムを接着積層した以外は実施例１と同様にして本発明のデジタル画像形成素子を製造し、実施例１と同様にして潜像形成特性を測定した。図１０に示されるような結果が得られた。
【００２６】
［実施例５］
上部有機絶縁層として厚さ４．１μｍのポリエステルフイルムを接着積層した以外は実施例１と同様にして本発明のデジタル画像形成素子を製造し、実施例１と同様にして潜像形成特性を測定した。図１１に示されるような結果が得られた。
【００２７】
本発明のデジタル画像形成素子の等価回路は図１２で与えられ、ここで、スイッチ（ＳＷ）によりフロート電極が導通すると下部絶縁層のキャパシタンス（Ｃ１）中の電荷が瞬時に接地されて基板電極−フロート電極間の電位（Ｖ１）が瞬時になくなり、したがってこの部分の画素の総電位（Ｖ）は上部絶縁層による電位（Ｖ２）のみ依存するようになる。一方、上記実施例の結果を整理し、図表化すると、図１３のとおりである。図１３から、本発明のデジタル画像形成素子においては非導通時電位は、上下両絶縁層の厚みに極く依存し、導通による電位減衰率は下部絶縁層の厚みに極く依存していることが分かり、これは、図１２に示される等価回路の結果とよく一致している。
したがって、本発明のデジタル画像形成素子においては、上下の絶縁層の厚みの和に対する上部絶縁層の厚み（換言すれば上部絶縁層と下部絶縁層との厚みの割合）は、画像形成素子の電位減衰特性に密接に関係していることが判る。上部絶縁層の厚みは、絶縁層全体の厚みに対して、１．５〜９０％であることが好ましく、より好ましくは３〜７０％である。
【００２８】
【発明の効果】
以上、詳細かつ具体的な説明から明らかなように、本発明により、デジタル画像記録方式で今後要求される、高画質、さらには高品質(プリント間での品質の均一性)に対応できる高耐久性、液体現像への対応性を可能とするデジタル画像形成素子及び画像形成プロセスが提供されることになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のデジタル画像形成素子におけるスイッチング素子の原理を示す断面図である。
【図２】図１の原理の素子を集積化したものを示した図である。
【図３】本発明のデジタル画像形成素子の構成及びアクティブマトリックスの回路構成例を示した図である。
【図４】本発明のデジタル画像形成素子の具体的構成例を示す図である。
【図５】本発明のデジタル画像形成素子の具体的潜像形成特性例を示す図である。
【図６】比較例の素子の具体的構成例を示す図である。
【図７】比較例の素子の具体的潜像形成特性例を示す図である。
【図８】本発明の他のデジタル画像形成素子の具体的潜像形成特性例を示す図である。
【図９】本発明のまた他のデジタル画像形成素子の具体的潜像形成特性例を示す図である。
【図１０】本発明の更に他のデジタル画像形成素子の具体的潜像形成特性例を示す図である。
【図１１】本発明の更に他のデジタル画像形成素子の具体的潜像形成特性例を示す図である。
【図１２】本発明のデジタル画像形成素子の等価回路を示す図である。
【図１３】本発明のデジタル画像形成素子における電位減衰率の上部絶縁層厚み依存性を示すグラフである。
【符号の説明】
１    基板電極
３    下部絶縁層
５    フロート電極
７    上部絶縁層
９    スイッチング素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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