(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の第１の貫通孔が形成された基板と、
前記基板の第１の面において前記第１の貫通孔上に形成された金属製のパターン部材であって、配線パターンに接続されないパターン部材と、
前記基板の前記第１の面及び前記パターン部材上に接着剤を介して固定された半導体素子と、
前記第１の貫通孔上の前記パターン部材に形成された第２の貫通孔と
を有し、
前記第２の貫通孔の直径は前記第１の貫通孔の直径より小さく、前記第２の貫通孔内で前記接着剤が露出していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置であって、前記パターン部材は前記基板の前記第１の面上に形成される電極パッドと同じ材料で形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１記載の半導体装置であって、前記パターン部材は前記基板の前記第１の面上に形成される回路パターンであることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のうちいずれか一項記載の半導体装置であって、前記基板は有機材料により形成された有機系基板であることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は一般的に半導体装置に係り、特に、樹脂材料等の有機系材料により形成された有機系基板を用いた半導体装置に関する。
【０００２】
有機系基板は、安価であり、取り扱いが簡単で加工が容易であるという理由から、半導体装置の基板として多く用いられている。代表的な有機系基板として、ガラスエポキシ基板あるいはポリイミド基板等がある。有機系基板を用いた半導体装置において、半導体チップを接着剤により有機系基板に接着し固定することが一般的である。
【０００３】
ところが、有機系基板は吸湿性が高く、雰囲気中の水分を吸湿しやすいという性質がある。半導体装置の保管時に雰囲気の湿度を低くしておけば、有機系基板が吸湿する水分は少なくできる。しかし、湿度を低くすると静電気の問題が発生するおそれがあるため、湿度はある程度高く維持しておく必要がある。
【０００４】
したがって、有機系基板はある程度の水分を吸湿するという前提で使用されており、一般的に有機系基板を用いた半導体には、有機系基板が吸湿した水分に起因する問題を防止する手段が設けられている。
【０００５】
【従来の技術】
半導体装置として形成された有機系基板が吸湿した水分は、有機系基板上に半導体チップを固定するための接着剤又はアンダーフィル材と有機基板との界面に溜まった状態となる。このような水分が半導体装置を実装する際の加熱により急激に蒸発すると、溜まった水分が急激に蒸発してこの部分の内圧が高くなり、接着剤と有機系基板との界面で剥離が生じるという問題がある。このような剥離をポップコーン現象と呼んでいる。
【０００６】
ポップコーン現象を防止する対策として、一般的にベントホールと呼ばれる小さな貫通孔を有機系基板に複数個形成して、接着剤と有機系基板との界面で発生した水蒸気を貫通孔を通じて半導体装置の雰囲気に逃がすという方法がとられている。
【０００７】
図１はワイヤボンディング法により製造した従来の半導体装置の断面図である。半導体チップ２は接着剤４を介して有機系基板６に固定されている。半導体チップの電極は、ボンディングワイヤ８により有機系基板６上に形成された電極パッド１０に接続され、半導体チップ２及びボンディングワイヤ８は封止樹脂１２により封止されている。また、有機系基板６の電極パッド１０は、有機系基板６に形成された回路パターン（図示せず）を介して外部接続電極であるハンダボール１４に電気的に接続されている。
【０００８】
図１に示す半導体装置では、上述のポップコーン現象を防止するために、有機系基板６に予め複数の貫通孔であるベントホール１６が形成される。ベントホール１６はパンチはドリル等により形成されるため、各ベントホール１６の直径は０．１μｍから０．３μｍ程度である。このようなベントホール１６が形成された有機系基板６に接着剤４を介して半導体チップ２を固定して半導体装置を形成する。
【０００９】
また、ベントホール１６を予め有機系基板６に形成しておくのではなく、図２に示すように、半導体チップ２を有機系基板６に固定して樹脂封止した後に、レーザ装置１８を使用して有機系基板６に貫通孔を形成してベントホール１６とする方法もある。
【００１０】
図３はフリップチップ法により製造した従来の半導体装置の断面図である。
半導体チップ２のスタッド電極２０を、有機系基板６上に形成された電極パッド１０に接合することにより、半導体チップ２を有機系基板６に搭載している。半導体チップ２と有機系基板６との間にはアンダーフィル材２２が充填されており、半導体チップ２は確実に有機系基板６に固定されている。また、有機系基板６の電極パッド１０は、有機系基板６に形成された回路パターン（図示せず）を介して外部接続電極であるハンダボール１４に電気的に接続されている。ここで、アンダーフィル材２２は図１における接着剤４に相当する。
【００１１】
したがって、図１に示す半導体装置と同様に、上述のポップコーン現象を防止するために、有機系基板６に予め複数の貫通孔であるベントホール１６が形成される。ベントホール１６はパンチ又はドリル等により形成されるため、各ベントホール１６の直径は０．１μｍから０．３μｍ程度である。このようなベントホール１６が形成された有機系基板６に半導体チップ２を接合し、アンダーフィル材２２を有機系基板６と半導体チップ２との間に充填して半導体装置を形成する。
【００１２】
また、ベントホール１６を予め有機系基板６に形成しておくのではなく、図４に示すように、半導体チップ２を有機系基板６に接合した後に、レーザ装置１８を使用して有機系基板６に貫通孔を形成してベントホール１６とする方法もある。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
図１に示した半導体装置では、有機系基板６に対して予めベントホール１６が形成されているため、硬化前の液状またはペースト状の接着剤４を半導体チップ２と有機系基板６との間に供給する際に、接着剤４がベントホール１６から漏出してしまうという問題があった。
【００１４】
ここで、接着材４には通常フィラーが混合されているが、フィラーの粒径は５０μｍから６０μｍ程度であり、ベントホール１６を容易に通過してしまうため、フィラーによりベントホ−ルが塞がれることはないが、フィラーにより接着剤４の漏出を防止することもできない。
【００１５】
接着剤４がベントホール１６から漏出すると、漏出した接着剤が半導体装置の実装時に問題を起こすことがある。すなわち、漏出して硬化した接着剤が半導体装置の実装時に実装基板の電極等に付着し、実装時のハンダ付け不良の原因となることがある。
【００１６】
上述のような接着剤の漏出による問題を回避するため、図２に示すように、接着剤４が硬化した後にベントホール１６をレーザ加工により設ける。これにより、接着剤４の漏出は防止できるが、こんどは、レーザ加工により接着剤４を貫通して半導体チップ２の表面に損傷を与えるという問題が生じてしまう。近年は、半導体チップ２の厚さが薄くなっており、小さな損傷を受けただけで半導体チップ２に割れが生じてしまう。このように、半導体チップ２が損傷を受けると、半導体装置の動作不良が起こるおそれがある。
【００１７】
また、図３に示す半導体装置でも、上述の図１に示す半導体装置と同様な問題が発生するおそれがある。すなわち、図３に示すように有機系基板６に予めベントホール１６を形成しておいた場合は、アンダーフィル材２２が漏出するという問題がある。また、図４に示すように、アンダーフィル材２２が硬化した後からレーザ加工によりベントホール１６を有機基板６に形成する場合は、半導体チップ２の表面に損傷を与えるおそれがある。
【００１８】
特に、図３及び４に示すフリップチップ実装による半導体装置では、半導体チップ２の回路形成面が有機系基板６に面しており、レーザ加工による損傷を受ける面は回路形成面となる。したがって、ごく小さな損傷であっても、半導体チップの回路が直接影響を受け、半導体装置の動作不良を招く結果となる。
【００１９】
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、接着剤又はアンダーフィル材の漏出の起こらないベントホールを有する半導体装置、及びそのような半導体装置を製造する方法を提供することを目的とする。
【００２０】
【課題を解決するための手段】
上記の課題は、次に述べる各手段を講じることにより解決することができる。  請求項１記載の発明は、半導体装置において、
複数の第１の貫通孔が形成された基板と、
前記基板の第１の面において前記第１の貫通孔上に形成された金属製のパターン部材であって、配線パターンに接続されないパターン部材と、
前記基板の前記第１の面及び前記パターン部材上に接着剤を介して固定された半導体素子と、
前記第１の貫通孔上の前記パターン部材に形成された第２の貫通孔と
を有し、
前記第２の貫通孔の直径は前記第１の貫通孔の直径より小さく、前記第２の貫通孔内で前記接着剤が露出していることを特徴とするものである。
【００２１】
請求項２記載の発明は、請求項１記載の半導体装置であって、前記パターン部材は前記基板の前記第１の面上に形成される電極パッドと同じ材料で形成されていることを特徴とするものである。
【００２２】
請求項３記載の発明は、請求項１記載の半導体装置であって、前記パター部材は前記基板の前記第１の面上に形成される回路パターンであることを特徴とするものである。
【００２３】
請求項４記載の発明は、請求項１乃至３のうちいずれか一項記載の半導体装置であって、前記基板は有機材料により形成された有機系基板であることを特徴とするものである。
【００２５】
上述の各手段は次のように作用する。
【００２６】
請求項１記載の発明によれば、基板の第１の面に形成されたパターン部材が基板の第１の貫通孔を部分的に覆うため、第１の貫通孔の直径が第２の貫通孔の直径まで実質的に減少する。これにより、接着剤が漏出するような大きさの第１の貫通孔であっても、パターン部材の第２の貫通孔の存在により、接着剤の漏出を防止することができる。パターン部材は第１の貫通孔を部分的に覆うものであり、したがって、第１の貫通孔の一部は接着剤に対して（基板の第１の面に対して）第２の貫通孔を介して開口したままである。したがって、基板の第１の面と接着剤との界面に生じた水蒸気を第１及び第２の貫通孔を通じて逃がすことができる。
【００２７】
また、請求項２記載の発明によれば、パターン部材を電極パッドと同じ材料で形成することにより、パターン部材を電極パッドと同じ工程で形成することができる。したがって、パターン部材を形成するための工程を別個に設ける必要がなく、製造コストを上昇させずに、上記請求項１記載の発明を達成実ｓすることができる。
【００２８】
また、請求項３記載の発明によれば、パターン部材を基板の前記第１の面上に形成される回路パターンとすることにより、貫通孔を部分的に塞ぐためだけにパターン部材を設ける必要がない。すなわち、回路パターンによって、貫通孔を部分的に覆うことにより、貫通孔の実質的な大きさを減少することができ、接着剤の漏出を防止することができる。また、従来のように回路パターンを避けた位置を選んで貫通孔を設ける必要がなく、基板の設計の自由度が向上する。
【００２９】
また、請求項４記載の発明によれば、有機材料により形成された有機系基板を使用して基板に貫通孔が設けられた半導体装置を構成する。有機系基板は安価であり取り扱いが簡単で加工が容易である反面、吸湿性が高いという欠点を有する。基板に吸収された水分は、接着剤と基板との間に溜まり、実装時の加熱により急激に水蒸気となって接着剤の剥離現象を引き起こす。したがって、水蒸気を逃がすための貫通孔を部分的に覆うパターン部材を有機系基板に形成することにより、有機系基板の欠点を補いながら、製造コストを上昇することなく安価に半導体装置を製造することができる。
【００３１】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態について図面と共に説明する。
【００３２】
図５は本発明の第１の実施の形態による半導体装置の断面図である。図５において、図１に示す構成部品と同じ部品には同じ符号を付し、その説明は省略する。
【００３３】
図５に示す半導体装置は、図１に示す半導体装置と同様に、有機系基板（以下単に基板と称する）６に複数のベントホール（貫通孔）１６が予め形成されている。各ベントホールはパンチ又はドリル等により形成され、その直径は０．１μｍから０．３μｍ程度である。このベントホール１６は水蒸気を逃がすための貫通孔として機能する。
【００３４】
基板６の内面、すなわち半導体チップ２に対向する面６ａにはパターン部材３０が設けられており、各ベントホール１６はパターン部材３０の下に形成されている。すなわち、各ベントホール１６は対応するパターン部材３０により覆われており、パターン部材３０の中央にはベントホール１６より小さい直径の細孔が形成されている。したがって、接着材４はパターン部材３０に設けられた細孔により各ベントホール１６に接続されている。
【００３５】
図６は、図５においてパターン部材３０が設けられた部分を拡大して示す断面図であり、パターン部材３０の平面形状が合わせて示されている。図６に示すように、パターン部材３０は、ベントホール１６の直径より大きな直径の円形に形成されており、ベントホール１６を覆うように基板６の面６ａに形成されている。
【００３６】
パターン部材３０の中央には、上述の細孔３２が設けられており、この細孔３２を介して接着剤４が露出している。細孔３２の直径はベントホール１６の直径より十分小さく形成することができる。例えば、細孔３２の直径を５０μｍ程度とすることにより、硬化する前の液状又はペースト状の接着剤４であっても、細孔３２の直径が十分小さいため、ベントホール１６側に漏出することはない。
【００３７】
ここで、細孔３２は、水蒸気にとっては、十分大きな孔として作用し、上述のポップコーン現象が生じて水蒸気による接着材４の剥離が基板６の面６ａと接着剤４との間の界面沿って広がっても、剥離がパターン部材３０の細孔３２に到達したところで、水蒸気は細孔３２からベントホール１６に逃がされることとなる。これにより、水蒸気の発生による内圧は減少し、水蒸気による剥離は細孔３２を超えて広がることはない。
【００３８】
したがって、多数の細孔３２（ベントホール１６を含む）を基板６上に設けておくことにより、ポップコーン現象が生じたとしても、小さい範囲の剥離に抑えることができ、接着剤４の剥離が半導体装置に与える影響を実質的に防止することができる。すなわち、細孔３２を有するパターン部材３０をベントホール１６上に形成することにより、接着剤４の漏出を防止しながら接着剤４の剥離を実質的に防止することができる。
【００３９】
本実施の形態では、パターン部材３０は、基板６上に設けられる電極パッド１０と同時に形成される。すなわち、パターン部材３０は電極パッド１０と同じ材料、例えば基板６の面６ａに張り付けられた銅板又は銅箔をエッチングによりパターン化することにより形成される。したがって、パターン部材３０は電極パッド１０の形成工程において同時に形成することができ、パターン部材３０を形成する工程を新たに設ける必要はない。
【００４０】
パターン部材３０を形成するには、まず基板６にベントホール１６を形成し、ベントホール１６を覆うように銅板又は銅箔を基板６の面６に貼り付ける。ベントホール１６は従来と同様にパンチ又はドリルを使用して形成されるが、その直径は任意に設定可能である。すなわち、従来のように０．１μｍから０．３μｍの範囲としてもよく、それ以上の直径としてもよい。基板に銅板又は銅箔を貼り付けた後、銅板又は銅箔をエッチングによりパターン化し、電極パッド１０とパターン部材３０とを形成する。
【００４１】
なお、パターン部材３０の中央の細孔３２は、エッチングにより形成してもよく、また、パターン部材３０の形成後にレーザ加工により形成してもよい。図６に示す例では、細孔３２の位置はパターン部材の中央、すなわち、ベントホール１６の中央であるが、中央に限られることはなく、ベントホール１６に接続されるのであれば、パターン部材３０上のどの位置に形成されてもかまわない。
【００４２】
また本実施の形態ではパターン部材３０を電極パッド１０と同じ材料により形成したが、これに限定される必要はなく、電極パッド１０とは異なる材料で異なる工程において形成されてもよい。また、細孔３２の直径は任意に設定することができ、使用される接着材４の粘度や混合されるフィラーの粒子径等に基づいて適当な直径を設定することが好ましい。
【００４３】
また、上述の実施の形態では、ベントホール１６は予め基板６に形成しておくこととしたが、細孔３２を有するパターン部材３０だけを予め形成しておき、ベントホール１６を後からレーザ加工により形成することもできる。
【００４４】
すなわち、まず、細孔３２を有するパターン部材を基板６の面６ａに形成し、半導体チップ２を接着剤４を介して基板６の面６ａに固定してしまう。接着剤４が硬化した後で、パターン部材３０が設けられた位置にレーザを照射してベントホール１６を形成する。
【００４５】
このような方法によれば、従来のようにレーザが接着剤４を通過してかつ半導体チップ２に損傷与えることが防止できる。レーザによりベントホール１６が形成される位置には、予めパターン部材３０が設けられており、基板６を除去した後に照射される余分なレーザは、パターン部材３０によりほとんどが反射されてしまう。すなわち、パターン部材３０は金属（銅）により形成されており、レーザを反射する性質を有している。したがって、ベントホール１６が形成されてから余分に照射されるレーザは、パターン部材３０により反射されて接着剤４に届くことはなく、したがって、半導体チップ２を損傷するおそれもない。
【００４６】
ここで、パターン部材３０には細孔３２が形成されており、細孔３２に照射されたレーザは僅かながら接着剤４を損傷することになる。しかし、細孔３２の直径は非常に小さいため、細孔３２を通過するレーザのパワーは小さく、接着剤４を貫通して半導体チップ２まで到達することはない。
【００４７】
このように、パターン部材３０を予め基板６に形成しておくことにより、半導体チップ２を接着在により基板６に固定した後に、レーザ加工により基板にベントホール１６を形成する場合でも、照射するレーザのパワー及び、照射時間の制御を制度良く行わなくても、余分に照射されたレーザによって半導体装置２に損傷を与えることを防止できる。
【００４８】
図７はパターン部材３０の第１の変形例を示す断面図である。図７は図６に相当する断面図であり、パターン部材３０の第１の変形例であるパターン部材３０Ａが設けられた部分の断面と、パターン部材３０Ａの平面形状が示されている。
パターン部材３０Ａは、正方形の形状であり、その一部がベントホール１６を覆うように形成されている。ひとつのベントホール１６に対して４つのパターン部材３０Ａが形成されており、４つのパターン部材は、所定の狭い間隙３４を介して互いに隣接している。ベントホール１６はこの隣接した４つのパターン部材３０Ａの中央に位置し、所定の狭い間隙３４の部分のみパターン部材３０Ａに覆われないように構成されている。
【００４９】
上述の構成において、図７に示す間隙３４は図６に示す細孔と同様な機能を果たす。すなわち、パターン部材３２Ａにより部分的にベントホール１６を塞いで接着剤４が漏出しないようにしつつ、ポップコーン現象が生じたときに水蒸気を間隙３４を通じてベントホール１６に逃がす。
【００５０】
パターン部材３０Ａは、上述のパターン部材３０と同様な工程により形成することができ、パターン部材３０Ａを形成するために特別に工程を設ける必要はない。したがって、コストの上昇を招くことなく、接着剤の漏出を防止しつつ接着剤の剥離を抑制した半導体装置を製造することができる。
【００５１】
図８はパターン部材３０の第２の変形例を示す断面図である。図８は図６に相当する断面図であり、パターン部材３０の第２の変形例であるパターン部材３０Ｂが設けられた部分の断面と、パターン部材３０Ｂの平面形状が示されている。
パターン部材３０Ｂは、いわゆる井桁状の形状であり、その一部がベントホール１６を覆うように形成されている。ひとつのベントホール１６に対してひとつのパターン部材３０Ｂが形成されており、パターン部材３０Ｂの形状により部分的にベントホール１６を塞いでいる。すなわち、パターン部材３２Ｂにより部分的にベントホール１６を塞いで接着剤４が漏出しないようにしつつ、ポップコーン現象が生じたときに水蒸気を間隙パターン部材３０Ｂにより覆われていない部分を通じてベントホール１６に逃がす。
【００５２】
パターン部材３０Ｂは、上述のパターン部材３０と同様な工程により形成することができ、パターン部材３０Ｂを形成するために特別に工程を設ける必要はない。したがって、コストの上昇を招くことなく、接着剤の漏出を防止しつつ接着剤の剥離を抑制した半導体装置を製造することができる。
【００５３】
なお、パターン部材３０Ｂの形状は、図８に示された井桁形状に限ることなく、ベントホール１６を適当な範囲で覆うことができるものであれば、任意の形状とすることができる。
【００５４】
次に、本発明の参考例としての半導体装置について図９を参照しながら説明する。図９は本発明の参考例である半導体装置の一部を示す断面図であり、パターン部材の平面形状が合わせて示されている。図９において、図５に示す構成部品と同等な部品には同じ符号を付し、その説明は省略する。
【００５５】
本参考例では、配線パターン４０の一部によりベントホール１６を覆うように構成している。配線パターン４０は実際に電極パッド１０に電気的に接続された配線パターンであり、この点で上述の第１の実施の形態とは異なる。すなわち、上述の第１の実施の形態では、配線パターン及び電極パッド１０が形成されていない部分を選んでパターン部材を形成している。しかし、本参考例では、実際の配線パターン４０を積極的に利用して、配線パターン４０をパターン部材として使用することにより、ベントホール１６を配線パターン４０により部分的に覆う構成としている。
【００５６】
したがって、設計の段階において、配線パターン４０を基板６の面６ａ全面にわたって一様に配置するように設計し、ベントホール１６を配線パターン４０で部分的に覆われるような位置に配置する。これにより、配線パターン４０を避けながらパターン部材及びベントホール１６を配置する必要がなくなり、設計の自由度を向上することができる。
【００５７】
図９に示す例では、互いに隣り合う配線パターン４０の間の間隙を利用してベントホール１６を部分的に覆う構成としている。すなわち、配線パターン４０を所定の間隔で配置して、ベントホール１６が配線パターン４０の間に配置されるように構成している。
【００５８】
上述のように、本参考例では、配線パターン４０によりベントホール１６を部分的に覆うことにより、ベントホール１６を部分的に覆うパターン部材を別個に形成する必要がない。したがって、コストの上昇を招くことなく、接着剤の漏出を防止しつつ接着剤の剥離を抑制した半導体装置を製造することができる。
上述の本発明の第１の実施の形態及び参考例では、図１に示すような半導体チップ２をワイヤボンディグした半導体装置に関して説明したが、本発明は図３に示したような半導体チップ２をフリップチップボンディングした半導体装置にも適用できることは明らかであり、その説明は省略する。
【００５９】
図１０は、フリップチップボンディング法により製造した半導体装置に本発明を適用した場合の一例を示す図である。図１０に示す半導体装置では、いわゆるスタック型の半導体装置であり、フリップチップボンディングされた半導体チップ２の上にもう一つの半導体チップ５０が重ねて設けられている。上側の半導体チップ５０は接着剤４により下側の半導体チップ２に固定されている。また、上側の半導体チップ５０の電極は、基板６の電極パッド１０にボンディングワイヤ５２により接続されている。
【００６０】
図１１は、ワイヤボンディング法により製造した半導体装置に本発明を適用した場合の他の例を示す図である。図１１に示す半導体装置では、ワイヤボンディングされた半導体チップ２の上にもう一つの半導体チップ５０が重ねて設けられており、上側の半導体チップ５０は接着剤４により下側の半導体チップ２に固定されている。また、上側の半導体チップ５０の電極は、基板６の電極パッド１０にボンディングワイヤ５２によって接続されている。
【００６１】
【発明の効果】
上述のように、請求項１記載の発明によれば、基板の第１の面に形成されたパターン部材が基板の第１の貫通孔を部分的に覆うため、第１の貫通孔の直径が第２の貫通孔の直径まで実質的に減少する。これにより、接着剤が漏出するような大きさの第１の貫通孔であっても、パターン部材の第２の貫通孔の存在により、接着剤の漏出を防止することができる。パターン部材は第１の貫通孔を部分的に覆うものであり、したがって、第１の貫通孔の一部は接着剤に対して（基板の第１の面に対して）第２の貫通孔を介して開口したままである。したがって、基板の第１の面と接着剤との界面に生じた水蒸気を第１及び第２の貫通孔を通じて逃がすことができる。
【００６２】
また、請求項２記載の発明によれば、パターン部材を電極パッドと同じ材料で形成することにより、パターン部材を電極パッドと同じ工程で形成することができる。したがって、パターン部材を形成するための工程を別個に設ける必要がなく、製造コストを上昇させずに、上記請求項１記載の発明を達成実ｓすることができる。
【００６３】
また、請求項３記載の発明によれば、パターン部材を基板の前記第１の面上に形成される回路パターンとすることにより、貫通孔を部分的に塞ぐためだけにパターン部材を設ける必要がない。すなわち、回路パターンによって、貫通孔を部分的に覆うことにより、貫通孔の実質的な大きさを減少することができ、接着剤の漏出を防止することができる。また、従来のように回路パターンを避けた位置を選んで貫通孔を設ける必要がなく、基板の設計の自由度が向上する。
【００６４】
また、請求項４記載の発明によれば、有機材料により形成された有機系基板を使用して基板に貫通孔が設けられた半導体装置を構成する。有機系基板は安価であり取り扱いが簡単で加工が容易である反面、吸湿性が高いという欠点を有する。基板に吸収された水分は、接着剤と基板との間に溜まり、実装時の加熱により急激に水蒸気となって接着剤の剥離現象を引き起こす。したがって、水蒸気を逃がすための貫通孔を部分的に覆うパターン部材を有機系基板に形成することにより、有機系基板の欠点を補いながら、製造コストを上昇することなく安価に半導体装置を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  ワイヤボンディング法により製造した従来の半導体装置の断面図である。
【図２】  図１に示した半導体装置において、ベントホールをレーザ加工により形成する工程を示す断面図である。
【図３】  フリップチップボンディング法により製造した従来の半導体装置の断面図である。
【図４】  図３に示した半導体装置において、ベントホールをレーザ加工により形成する工程を示す断面図である。
【図５】  本発明の第１の実施の形態による半導体装置の断面図である。
【図６】  図５に示すパターン部材を示す断面図である。
【図７】  図６に示すパターン部材の第１の変形例を示す断面図である
【図８】  図６に示すパターン部材の第２の変形例を示す断面図である
【図９】  本発明の参考例としての半導体装置の一部の断面図である。
【図１０】  本発明の実施の形態による半導体装置をスタック型とした場合の半導体装置の一例を示す断面図である。
【図１１】  本発明の実施の形態による半導体装置をスタック型とした場合の半導体装置の他の例を示す断面図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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