(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を位置合わせする位置合わせ方法において、
前記基板の外周検出により前記基板の位置合わせを行うメカプリアライメント工程と、
前記基板上の位置検出用ターゲットを、低倍光学系を用いて、検出することにより前記基板の位置合わせを行うプリアライメント工程を行うか否かを判断する判断工程と、
前記基板上の位置検出用ターゲットを、高倍光学系を用いて、検出することにより前記基板の位置合わせを行う精密アライメント工程とを有し、
前記判断工程では、前記基板が予めプリアライメントを行うように指定されている場合、前記プリアライメント工程、前記精密アライメント工程を順次行い、前記基板が予めプリアライメントを行うように指定されていない場合、前記メカプリアライメント工程後の前記基板のずれ量が所定の範囲内であれば前記プリアライメント工程を省略して前記精密アライメント工程を行い、前記基板のずれ量が所定の範囲を超えるのであれば前記プリアライメント工程、前記精密アライメント工程を順次行うように判断することを特徴とする位置合わせ方法。
【請求項２】
前記予めプリアライメントを行うように指定された基板は、前工程を処理した装置が替わった後の１枚目の基板であることを特徴とする請求項１に記載の位置合わせ方法。
【請求項３】
前記基板のずれ量は、前記基板の位置決めを行う以前に、基板を位置決めする際に前記精密アライメント工程で算出された補正量であることを特徴とする請求項１または２に記載の位置合わせ方法。
【請求項４】
前記プリアライメント工程を省略した場合、前記精密アライメントにおける位置検出用ターゲットが検出できなかったとき、前記プリアライメント工程に戻ることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の位置合わせ方法。
【請求項５】
基板を位置合わせする位置合わせ装置において、
前記基板の外周検出により前記基板の位置合わせを行うメカプリアライメント手段と、
前記基板上の位置検出用ターゲットを、低倍光学系を用いて、検出することにより前記基板の位置合わせを行うプリアライメント手段と、
該プリアライメント手段による前記基板の位置合わせを行うか否かを判断する判断手段と、
前記基板上の位置検出用ターゲットを、高倍光学系を用いて、検出することにより前記基板の位置合わせを行う精密アライメント手段とを有し、
前記判断手段は、前記基板が予めプリアライメントを行うように指定されている場合、前記プリアライメント手段による前記基板の位置合わせ、前記精密アライメント手段による前記基板の位置合わせを順次行い、前記基板が予めプリアライメントを行うように指定されていない場合、前記メカプリアライメント手段による前記基板の位置合わせ後の前記基板のずれ量が所定の範囲内であれば前記プリアライメント手段による前記基板の位置合わせを省略して前記精密アライメント手段による前記基板の位置合わせを行い、前記基板のずれ量が所定の範囲を超えるのであれば前記プリアライメント手段による前記基板の位置合わせ、前記精密アライメント手段による前記基板の位置合わせを順次行うように判断することを特徴とする位置合わせ装置。
【請求項６】
請求項５に記載の位置合わせ装置を有することを特徴とする露光装置。
【請求項７】
請求項６に記載の露光装置を用いて基板を露光するステップと、該露光された基板を現像するステップと、を有することを特徴とするデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば、半導体素子製造用の露光装置において、マスクやレチクルなどの電子回路パターンに対してウエハなどの基板を位置合わせする位置合わせ方法及び位置合わせ装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より半導体素子製造用のステッパ等の露光装置は、シリコン製の集積回路用の基板であるウエハにマスクやレチクルの電子回路パターンを露光して焼き付ける、即ち転写するようになっている。ウエハから高集積度の回路を有する半導体素子を製造するためには、ウエハをマスクやレチクルの電子回路パターンに対して高精度・高効率で位置合わせすることが重要な要素となっている。
【０００３】
図１に半導体素子製造用の露光装置の要部概略図、図２に従来のウエハの露光処理工程を表すフローチャート、図３にウエハとアライメントマークの模式図を示す。図３（ａ）はウエハ上に焼き付けられたチップの配列を示す模式図、図３（ｂ）はチップの拡大図である。以下図１を参照しながら、図２のフローチャートに沿って従来の位置合わせ工程を説明する。
【０００４】
まず、最初にステップＳ２１において、キャリア４からウエハＷを搬送ハンド３によりプリアライメントステージ５上に搬送しメカプリアライメント工程を行う。該メカプリアライメント工程ではウエハＷの一部に予め設けられている一部を直線状に切り欠いたオリエンテーションフラットや一部を切り欠いたノッチ等の切り欠き部及びウエハＷの外周を検出する事によりウエハＷの位置合わせを行う。
【０００５】
次にステップＳ２２において、図３に示すプリアライメントマークＰＭを用いたプリアライメント工程を行う。該プリアライメント工程ではウエハＷ上に焼き付けられた複数のショットの中から予め選ばれた複数のサンプルショットについて、回路パターン中に設けられ焼き付けられたプリアライメントマークＰＭが顕微鏡７の検出領域に位置するようにＸＹθステージ６を駆動し、検出装置８によりプリアライメントマークＰＭのずれ量を計測する。該顕微鏡７は高倍／低倍の２段階の切り替えが可能な構成をとっており、該プリアライメント工程においては前記メカプリアライメントのバラツキを考慮して検出範囲を大きくとる必要があるため低倍でプリアライメントマークＰＭの計測を行う。該求められた複数のサンプルショットのずれ量からウエハＷのずれ量を算出し、補正を行う。
【０００６】
次に、ステップＳ２３において、図３に示す精密アライメントマークＭＸ、ＭＹを用いた精密アライメント工程を行う。該精密アライメント工程では前記プリアライメント工程と同様に、予め選ばれた複数のサンプルショットについて、回路パターン中に設けられ焼き付けられた精密アライメントマークＭＸ、ＭＹが顕微鏡７の検出領域に位置するようにＸＹθステージ６を駆動し、検出装置８により精密アライメントマークＭＸ、ＭＹのずれ量を計測する。この精密アライメント工程では精度を得るために、顕微鏡７の倍率を高倍にするとともに、サンプルショット数を多くする方法が採用されている。全てのサンプルショットの計測が終了すると、ウエハＷのずれ量を算出・補正して精密アライメント工程が終了する。
【０００７】
以上説明してきたステップＳ２１からステップＳ２３のアライメント工程を終えると、ステップＳ２４において露光処理を行った後ステップＳ２５に進み、全ウエハの処理が終了したかどうか判断し、終了していない場合にはステップＳ２１からステップＳ２４までの工程を繰り返し、全ウエハの処理が終了した場合には露光処理工程を終了する。
【０００８】
【発明が解決しようとしている課題】
近年メカプリアライメントの技術が進み、メカプリアライメントの位置合わせ精度が向上して、プリアライメントヘの送り込み再現性が向上しており、プリアライメント工程が必要無いレベルになっている。
【０００９】
しかし、同一の装置で全てのウエハ処理工程を行う場合にはプリアライメント工程を無くしてメカプリアライメント工程と精密アライメント工程のみの構成で位置合わせが実現できるのだが、半導体ウエハの処理工程では他の装置で露光されたウエハを処理することが多く、装置間のメカプリアライメントのバラツキや、工程が進み熱処理を受けたウエハの変形により工程間のメカプリアライメントのバラツキが発生する為、メカプリアライメント工程と精密アライメント工程だけの構成では精密アライメント時にマークが顕微鏡の検出範囲から外れて計測エラーが多発し、却って処理効率を落してしまうため、プリアライメント工程は必要であり、このことは処理効率の向上を妨げる要因となっている。
【００１０】
本発明は、プリアライメントを省略してスループットに優れた位置合わせが実現できる位置合わせ方法及び位置合わせ装置を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するための本発明の位置合わせ方法は、基板を位置合わせする位置合わせ方法において、前記基板の外周検出により前記基板の位置合わせを行うメカプリアライメント工程と、前記基板上の位置検出用ターゲットを、低倍光学系を用いて、検出することにより前記基板の位置合わせを行うプリアライメント工程を行うか否かを判断する判断工程と、前記基板上の位置検出用ターゲットを、高倍光学系を用いて、検出することにより前記基板の位置合わせを行う精密アライメント工程とを有し、前記判断工程では、前記基板が予めプリアライメントを行うように指定されている場合、前記プリアライメント工程、前記精密アライメント工程を順次行い、前記基板が予めプリアライメントを行うように指定されていない場合、前記メカプリアライメント工程後の前記基板のずれ量が所定の範囲内であれば前記プリアライメント工程を省略して前記精密アライメント工程を行い、前記基板のずれ量が所定の範囲を超えるのであれば前記プリアライメント工程、前記精密アライメント工程を順次行うように判断することを特徴とする。
【００１２】
また、本発明の位置合わせ装置は、基板を位置合わせする位置合わせ装置において、前記基板の外周検出により前記基板の位置合わせを行うメカプリアライメント手段と、前記基板上の位置検出用ターゲットを、低倍光学系を用いて、検出することにより前記基板の位置合わせを行うプリアライメント手段と、該プリアライメント手段による前記基板の位置合わせを行うか否かを判断する判断手段と、前記基板上の位置検出用ターゲットを、高倍光学系を用いて、検出することにより前記基板の位置合わせを行う精密アライメント手段とを有し、前記判断手段は、前記基板が予めプリアライメントを行うように指定されている場合、前記プリアライメント手段による前記基板の位置合わせ、前記精密アライメント手段による前記基板の位置合わせを順次行い、前記基板が予めプリアライメントを行うように指定されていない場合、前記メカプリアライメント手段による前記基板の位置合わせ後の前記基板のずれ量が所定の範囲内であれば前記プリアライメント手段による前記基板の位置合わせを省略して前記精密アライメント手段による前記基板の位置合わせを行い、前記基板のずれ量が所定の範囲を超えるのであれば前記プリアライメント手段による前記基板の位置合わせ、前記精密アライメント手段による前記基板の位置合わせを順次行うように判断することを特徴とする。
【００１３】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態として、（１）前記メカプリアライメント工程、前記プリアライメント工程、前記精密アライメント工程を順次行う位置合わせ方法と、（２）前記メカプリアライメント工程後に前記プリアライメント工程を行わずに前記（１）の方法で算出された基板ずれ量で補正した後に前記精密アライメント工程を行う位置合わせ方法、の２つの位置合わせ方法を有することを特徴とする位置合わせ方法がある。
【００１４】
また、複数の基板を処理する際の位置合わせ工程において、１枚目の基板で前記（１）の位置合わせ方法で位置合わせを行い、２枚目以降の基板では前記（２）の位置合わせ方法で位置合わせを行う位置合わせ方法が可能であり、複数の基板を処理する際の位置合わせ工程において、基板毎に前記（１）と（２）のどちらの位置合わせ方法で位置合わせを行うか選択する手段を有する位置合わせ方法、または複数の基板を処理する際の位置合わせ工程において、前記（１）の位置合わせ方法で計測された基板ずれ量を記憶する手段と、該記憶した基板ずれ量が安定している場合には前記（２）の位置合わせ方法に切り替える手段とを有する位置合わせ方法が望ましい。また、これらいずれかの位置合わせ方法を選択する手段を有することが好ましく、前記（２）の位置合わせ方法で精密アライメントで位置検出用ターゲットが検出できなかった時に前記（１）の位置合わせ方法で位置合わせすることが好ましい。
【００１５】
【実施例】
（第１の実施例）
図４は本発明による位置合わせ方法を図１に示す半導体露光装置に適用したフローチャートである。以下に本発明の第１の実施例に係る位置合わせ装置及び位置合わせ方法について図１及び図４を参照して説明する。
【００１６】
本発明の実施例に係る半導体露光装置は、操作端末１、制御演算装置２、搬送ハンド３、ウエハキャリア４、メカプリアライメントステージ５、ＸＹステージ６、光学顕微鏡７、位置検出装置８、及び縮小投影レンズ９等を備えて構成され、レチクル１０に形成されている回路パターンを、位置検出用ターゲットを有する基板としてのウエハＷに転写するための露光処理を行うものである。
【００１７】
上記メカプリアライメントステージ５は、本実施例に係る半導体露光装置に設けた位置合わせ装置における、ウエハＷの外周検出により位置合わせを行うメカプリアライメント手段を構成している。また、ＸＹステージ６は、ウエハＷ上の位置検出用ターゲットＰＭを光学顕微鏡７の低倍光学系を用いて検出することにより位置合わせを行うプリアライメント手段と、ウエハＷ上の位置検出用ターゲットＭＸ，ＭＹを光学顕微鏡７の高倍光学系を用いて検出することにより最終的な位置合わせを行う精密アライメント手段とを構成している。制御演算装置２は、プリアライメント手段による位置合わせを行うか否かを判断する判断手段を備えている。
【００１８】
ウエハＷを順次特定範囲に位置させるための位置合わせ方法は、以下の如く行われる。
まず、最初にステップＳ４１において、ウエハＷのずれ量ｗ（ｘ，ｙ，θ）をクリアする。ここで、ずれ量ｗ（ｘ，ｙ，θ）はアライメント工程をすべて終了して最終的に算出されたウエハＷのシフト成分ｘ、ｙと回転成分θのずれ量である。
【００１９】
次にステップＳ４２において、キャリア４からウエハＷを搬送ハンド３によりメカプリアライメントステージ５上に搬送し、メカプリアライメント工程を行う。該メカプリアライメント工程では、図３に示すようにウエハＷの一部に予め設けられている一部を直線状に切り欠いたオリエンテーションフラットや一部を切り欠いたノッチ等の切り欠き部及びウエハＷの外周を検出する事によりウエハＷの位置合わせを行う。
【００２０】
次にステップＳ４３において、ずれ量ｗ（ｘ，ｙ，θ）があるかどうか判断する。ステップＳ４３において、ずれ量ｗ（ｘ，ｙ，θ）が無い場合にはステップＳ４６に進みプリアライメント工程を行う。ステップＳ４３において、ずれ量ｗ（ｘ，ｙ，θ）がある場合にはステップＳ４４に進み、ずれ量ｗ（ｘ，ｙ，θ）を用いて補正を行いステップＳ４５へ進む。
【００２１】
ステップＳ４５では顕微鏡７を用いて精密アライメントのサンプルショットの中の１箇所を観察し、精密アライメントマークＭＸ、ＭＹが顕微鏡７の視野内に存在するかどうか判断する。精密アライメントマークＭＸ、ＭＹが存在しなかった場合にはステップＳ４６のプリアライメント工程へ進み、精密アライメントマークＭＸ、ＭＹが存在した場合にはステップＳ４６のプリアライメント工程を行わずにステップＳ４７の精密アライメント工程ヘ進む。
【００２２】
ステップＳ４６のプリアライメント工程は、従来の方法と同様の工程であり、ウエハＷ上に焼き付けられた複数のショットの中から予め選ばれた複数のサンプルショットについて、回路パターン中に設けられ焼き付けられたプリアライメントマークＰＭが顕微鏡７の検出領域に位置するようにＸＹθステージ６を駆動し、検出装置８によりプリアライメントマークＰＭのずれ量を計測する。この際顕微鏡７は低倍で計測を行う。該求められた複数のサンプルショットのずれ量からウエハＷのずれ量を算出し補正を行う。
【００２３】
ステップＳ４７の精密アライメント工程についても、従来の方法と同様の工程であり、前記プリアライメント工程と同様予め選ばれた複数のサンプルショットについて、回路パターン中に設けられ焼き付けられた精密アライメントマークＭＸ、ＭＹが顕微鏡７の検出領域に位置するようにＸＹθステージ６を駆動し、検出装置８により精密アライメントマークＭＸ、ＭＹのずれ量を計測する。この精密アライメント工程では精度を得るために、顕微鏡７の倍率を高倍にするとともに、サンプルショット数を多くする方法を採用している。全てのサンプルショットの計測が終了すると、ウエハＷのずれ量の算出・補正を行う。
【００２４】
ステップＳ４７の精密アライメント工程が終了するとステップＳ４８に進む。ステップＳ４８ではステップＳ４７の精密アライメント工程で算出された最終的なウエハＷの補正量を、ウエハＷのシフト成分、回転成分のずれ量ｗ（ｘ，ｙ，θ）として記憶する。
【００２５】
以上説明してきたステップＳ４２からステップＳ４８のアライメント工程を終えるとステップＳ４９において露光処理を行った後ステップＳ４Ａに進み、全ウエハの処理が終了したかどうか判断し、終了していない場合にはステップＳ４２からステップＳ４９までの工程を繰り返し、全ウエハの処理が終了した場合には露光処理工程を終了する。
【００２６】
（第２の実施例）
前記第１の実施例で述べた方法ではロット内でウエハＷのずれ量が安定している場合には有効である。しかし、複数の露光装置で生産ラインを構成してウエハの処理を行う場合などには、工程毎に使用する露光装置が異なる場合もあり、ロット内でのウエハＷのずれ量がばらついたりロット途中でウエハＷのずれ量が変わることがある。このような場合には、第１の実施例で述べた方法を適用してもプリアライメント計測が必要となることが多くなり、効果的に処理効率を上げる事ができない。
【００２７】
以下において、上記問題に鑑みた本発明に係る第２の実施例を説明する。
図５は本発明の第２の実施例に係る位置合わせ方法を図１に示す半導体露光装置に適用したフローチャートである。以下に本発明に係る位置合わせ方法の第２の実施例を図５を参照して説明する。
【００２８】
まず、最初にステップＳ５１において、ウエハＷのずれ量ｗ（ｘ，ｙ，θ）をクリアする。ここで、ずれ量ｗ（ｘ，ｙ，θ）はアライメント工程をすべて終了して最終的に算出されたウエハＷのシフト成分ｘ、ｙと回転成分θのずれ量である。
【００２９】
次にステップＳ５２においてキャリア４からウエハＷを搬送ハンド３によりプリアライメントステージ５上に搬送し、メカプリアライメント工程を行う。該メカプリアライメント工程ではウエハＷの一部に予め設けられている一部を直線状に切り欠いたオリエンテーションフラットや一部を切り欠いたノッチ等の切り欠き部及びウエハＷの外周を検出する事によりウエハＷの位置合わせを行う。
【００３０】
次にステップＳ５３において、該ウエハＷでプリアライメント計測が必要かどうか判定する。ステップＳ５３において、プリアライメントが必要な場合にはステップＳ５６に進み、プリアライメント工程を行う。ステップＳ５３において、プリアライメントが必要でない場合にはステップＳ５４に進み、ずれ量ｗ（ｘ，ｙ，θ）を用いて補正を行いステップＳ５５へ進む。
【００３１】
ステップＳ５５では、顕微鏡７を用いて精密アライメントのサンプルショットの中の１箇所を観察し、精密アライメントマークＭＸ、ＭＹが顕微鏡７の視野内に存在するかどうか判断する。精密アライメントマークＭＸ、ＭＹが存在しなかった場合にはステップＳ５６のプリアライメント工程へ進み、精密アライメントマークＭＸ、ＭＹが存在した場合にはステップＳ５６のプリアライメント工程を行わずにステップＳ５７の精密アライメント工程ヘ進む。
【００３２】
ステップＳ５６のプリアライメント工程は、従来の方法と同様の工程であり、ウエハＷ上に焼き付けられた複数のショットの中から予め選ばれた複数のサンプルショットについて、回路パターン中に設けられ焼き付けられたプリアライメントマークＰＭが顕微鏡７の検出領域に位置するようにＸＹθステージ６を駆動し、検出装置８によりプリアライメントマークＰＭのずれ量を計測する。この際顕微鏡７は低倍で計測を行う。該求められた複数のサンプルショットのずれ量からウエハＷのずれ量を算出し補正を行う。
【００３３】
ステップＳ５７の精密アライメント工程についても、従来の方法と同様の工程であり、前記プリアライメント工程と同様予め選ばれた複数のサンプルショットについて、回路パターン中に設けられ焼き付けられた精密アライメントマークＭＸ、ＭＹが顕微鏡７の検出領域に位置するようにＸＹθステージ６を駆動し、検出装置８により精密アライメントマークＭＸ、ＭＹのずれ量を計測する。この精密アライメント工程では精度を得るために、顕微鏡７の倍率を高倍にするとともに、サンプルショット数を多くする方法を採用している。全てのサンプルショットの計測が終了するとウエハＷのずれ量の算出・補正を行う。
【００３４】
ステップＳ５７の精密アライメント工程が終了するとステップＳ５８に進む。ステップＳ５８ではステップＳ５７の精密アライメント工程で算出された最終的なウエハの補正量を、ウエハＷのシフト成分、回転成分のずれ量ｗ（ｘ，ｙ，θ）に記憶する。
【００３５】
以上説明してきたステップＳ５２からステップＳ５８のアライメント工程を終えると、ステップＳ５９において露光処理を行った後ステップＳ５Ａに進み、全ウエハの処理が終了したかどうか判断し、終了していない場合にはステップＳ５２からステップＳ５９までの工程を繰り返し、全ウエハの処理が終了した場合には露光処理工程を終了する。
【００３６】
次に、ステップＳ５３で行うプリアライメント計測が必要かどうかの判断方法の詳細について表１を参照して説明する。表１はプリアライメント計測が必要かどうかの判断方法を示す表である。
【００３７】
【表１】
0004454773.tif 000002
【００３８】
表中、左側は工程毎に指定するモード、右側は各モードにおける判断方法を示す。該モードは工程毎に選択できるようになっており、工程に応じて使い分けるようにしておく。以下各モードのプリアライメント計測判断方法について説明する。
【００３９】
モードの設定に「１．指定モード」が選択されている時にはプリアライメントを行うウエハを予め指定する方法をとる。前工程を処理した装置が替わるウエハでプリアライメント工程を行うように設定しておくことによりロット途中でウエハずれ量が変わった時に効果的にプリアライメント計測を行うことができる。
【００４０】
モードの設定に「２．オートモード」が設定されている時にはウエハずれ量ｗ（ｘ，ｙ，θ）の変動量でプリアライメント計測を行うかどうかの判定を行う方法をとる。この場合、例えば最近処理した２枚分のウエハずれ量を記憶しておき差分を算出する。該差分が精密アライメント計測時の検出範囲内に入っている場合にはプリアライメント計測を行わない、該差分が精密アライメント計測時の検出範囲を超える場合にはプリアライメント計測を行う、という判定を行う。この方法によればロット内のウエハずれ量の安定性が懸念される場合にも、ずれ量のばらつきが大きい場合には的確にプリアライメントを行い、またウエハずれ量のばらつきが少ない場合には効果的にプリアライメント計測を省略することができる。
【００４１】
【デバイス生産方法の実施例】
次に上記説明した位置合わせ装置または位置合わせ方法による露光装置または露光方法を利用したデバイスの生産方法の実施例を説明する。
図６は微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造のフローを示す。ステップ１（回路設計）ではデバイスのパターン設計を行う。ステップ２（マスク製作）では設計したパターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコンやガラス等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によりウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４により作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷（ステップ７）される。
【００４２】
図７は上記ウエハプロセスの詳細なフローを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステップ１６（露光）では上記説明した位置合わせ方法または位置合わせ装置を有する露光装置によって、マスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステップ１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
【００４３】
本実施例ではこの繰り返しの各プロセスにおいて、上記述べたように位置合わせ方法または位置合わせ装置を適用することで、プロセスに影響を受けず正確な位置合わせを可能としている。
本実施例の生産方法を用いれば、従来は製造が難しかった高集積度のデバイスを低コストに製造することができる。
【００４４】
【発明の効果】
本発明によれば、プリアライメントを省略してスループットに優れた位置合わせが実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  半導体露光装置の要部を示す概略図である。
【図２】  従来の位置合わせ方法によるウエハ処理工程を示すフローチャートである。
【図３】  ウエハとアライメントマークを示す図である。
【図４】  本発明の第１の実施例に係るウエハ処理工程を示すフローチャートである。
【図５】  本発明の第２の実施例に係るウエハ処理工程を示すフローチャートである。
【図６】  微小デバイスの製造の流れを示す図である。
【図７】  図６におけるウエハプロセスの詳細な流れを示す図である。
【符号の説明】
１：操作端末、２：制御演算装置、３：搬送ハンド、４：ウエハキャリア、５：メカプリアライメントステージ、６：ＸＹステージ、７：光学顕微鏡、８：位置検出装置、９：縮小投影レンズ、１０：レチクル、Ｗ：ウエハ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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