(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板、該基板上に形成された反射層、及び該反射層上に形成された光透過性ポリカーボネートフィルムからなるカバー層を有してなり、カバー層側からレーザー光を入射して記録及び／または再生を行う方式の光ディスクにおける支持基板であって、該支持基板が、繰り返し単位として下記式［１］で表される繰り返し単位を少なくとも１種類有するポリカーボネート樹脂１００重量部に対してポリカプロラクトンを１〜５重量部配合してなり、かつ２３℃、水中浸漬によって測定された飽和吸水率が０．３％以下の熱可塑性樹脂を用いて形成された支持基板であり、かつ該光ディスクを温度３０℃、湿度９５％の湿熱環境で飽和吸水率に達するまで暴露した後、温度２３℃、湿度５０％の常湿状態に戻した場合の光ディスクの反り角変化が０．７５度以内であることを特徴とする支持基板用の光ディスク基板。
【化１】
0004435752.tif 000012
［式中、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基、炭素数６〜２０のシクロアルキル基、炭素数６〜２０のシクロアルコキシ基、炭素数６〜１０のアリール基、炭素数７〜２０のアラルキル基、炭素数６〜１０のアリールオキシ基、および炭素数７〜２０のアラルキルオキシ基からなる群より選ばれる基を表し、Ｒ１及びＲ２が複数ある場合はそれぞれ同一若しくは異なっていてもよく、ｍ及びｎは夫々１〜４の整数であり、Ｗは下記式［２］で表される構造単位である。
【化２】
0004435752.tif 000013
（Ｒ３、Ｒ４はそれぞれ独立して、水素原子または炭素数１〜１０の炭化水素基を表し、Ｒ５及びＲ６はそれぞれ独立して水素原子又は炭素数１〜３のアルキル基を表し、Ｒ５及びＲ６が複数ある場合はそれぞれ同一もしくは異なっていてもよく、ｐは４〜１２の整数、Ｒ７及びＲ８はそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子又は炭素数１〜３のアルキル基を表す。）］
【請求項２】
該ポリカーボネート樹脂が繰り返し単位として下記式［３］で表される繰り返し単位を少なくとも１種類有するポリカーボネート樹脂である請求項１記載の光ディスク基板。
【化３】
0004435752.tif 000014
［式中、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立して水素原子、および炭素数１〜５のアルキル基からなる群より選ばれる基を表し、Ｒ１及びＲ２が複数ある場合はそれぞれ同一若しくは異なっていてもよく、ｍ及びｎは夫々１〜２の整数であり、Ｗは下記式［４］で表される構造単位である。
【化４】
0004435752.tif 000015
（Ｒ３、Ｒ４はそれぞれ独立して、水素原子または炭素数１〜５の炭化水素基を表し、Ｒ５及びＲ６はそれぞれ独立して水素原子又は炭素数１〜２のアルキル基を表し、Ｒ５及びＲ６が複数ある場合はそれぞれ同一もしくは異なっていてもよく、ｐは４〜８の整数、Ｒ７及びＲ８はそれぞれ独立して水素原子、炭素数１〜３のアルキル基を表す。）］
【請求項３】
前記一般式［１］が２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、４，４’−（ｍ−フェニレンジイソプロピリデン）ジフェノール及び９，９−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）フルオレンから選ばれる少なくとも一種から誘導された繰り返し単位である請求項１〜２のいずれかに記載の光ディスク基板。
【請求項４】
前記一般式［１］が２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパンから誘導された繰り返し単位である請求項１〜３のいずれかに記載の光ディスク基板。
【請求項５】
前記一般式［１］が４，４’−（ｍ−フェニレンジイソプロピリデン）ジフェノール及び／又は９，９−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）フルオレンから誘導された繰り返し単位である請求項１〜３のいずれかに記載の光ディスク基板。
【請求項６】
熱可塑性樹脂のガラス転移温度が１１０〜１８０℃である請求項１〜５のいずれかに記載の光ディスク基板。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載の光ディスク基板を支持基板として有する、支持基板、該基板上に形成された反射層、及び該反射層上に形成された光透過性ポリカーボネートフィルムからなるカバー層を有してなり、カバー層側からレーザー光を入射して記録及び／または再生を行う方式の光ディスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ディスク基板用成形材料及び該材料から成形された光ディスク基板、及びそれより形成された光ディスクに関する。更に、支持基板、該基板上に形成された反射層、及び該反射層上に形成されたポリカーボネートフィルムの光透過性のカバー層からなり、カバー層側からレーザー光を入射して記録及び／又は再生を行う方式の光ディスクにおいて、該支持基板がポリカーボネート樹脂及びポリカプロラクトンからなる熱可塑性樹脂組成物よりなり、かつ該樹脂が低吸水率を示すことを特徴とし、該支持基板よりなる上記構成の光ディスクにおいて、環境変化による反り変化が少ないことを特徴とする支持基板用の光ディスク基板に関する。特に本発明は、記録容量の極めて大きな高密度光ディスクにおける支持基板用の光ディスク基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
光ディスクの記録密度は、ＣＤの０．６ＧＢからＤＶＤの４．７ＧＢ、そしてＢＤ及びＨＤ−ＤＶＤの１５〜２５ＧＢと向上の一途を辿っている。例えば、再生専用のＤＶＤ−ＲＯＭをはじめ、記録再生可能なＤＶＤ−Ｒ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＡＭにおいても４．７ＧＢの容量が実現されている。また、デジタルハイビジョン放送に対応した記録媒体であるＢｌｕ−ｒａｙ  Ｄｉｓｃ（以下ＢＤ）、ＨＤ−ＤＶＤにおいても１５〜２５ＧＢを実現している。
【０００３】
従来、２,２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン（以下、ビスフェノールＡという）にカーボネート前駆物質を反応させて得られるポリカーボネート樹脂（以下、ＰＣ−Ａという）は透明性、耐熱性、機械的特性、寸法安定性が優れているが故にエンジニアリングプラスチックとして多くの分野に広く使用されてきた。さらに近年その透明性を生かして光ディスク、光ファイバー、レンズ等の分野への光学用材料としての利用が展開されており、特に光ディスクの分野で情報記録媒体用基板の素材として広く使用されている。
【０００４】
しかしながら、光ディスク基板において、環境変化（例えば吸湿や脱湿過程）による変形が小さい事が重要な課題とされてきた。特に、ＢＤにおいては、ＣＤやＤＶＤとほぼ同じ大きさの光ディスクで大容量を実現するために、光透過性のカバー層の厚さを０．１ｍｍ程度まで薄くし、ＮＡを０．８５程度、レーザー波長を４００ｎｍ程度に設定している。光透過性のカバー層を薄くするのは、記録・再生側基板の厚みが薄い方が、ディスクの反り角（以下チルト）の許容値を大きくできるからであり、ＮＡを０．８５程度、レーザーの波長を４００ｎｍ程度とした場合、光透過性のカバー層を約０．１ｍｍとすることで、チルトの許容値をＤＶＤと同じ程度にできるとされている。しかしながら、ＤＶＤとの互換を維持するために光ディスクの厚みを１．２ｍｍにすることで、０．１ｍｍの光透過性のカバー層と１．１ｍｍの支持基板に信号記録層が挟まれるという、非対称な光ディスク構成となる。ディスク構成が非対称であることから、環境変化、特に吸湿、脱湿過程における吸湿量の差及び脱湿速度差（もしくは材料が異なることによる吸水膨張率の差）が大きくなってしまい、大きなチルト変化が生じ、記録・再生の特性に大きな影響を与えてしまう。例えば、レーザーの短波長化及びピックアップレンズが高ＮＡ化される為、微小な基板の反りでもコマ収差が大きくなり、フォーカスエラーやトラッキングエラーを引き起こすからである。また、高ＮＡ化によってピックアップレンズと基板との距離が接近する為、レンズと基板の接触を回避する為にも、基板の反り及び環境変化による反り変化は小さい事が重要となる。特に、自動車運転中は室内温度が高く、湿度も低いため、急激な変化が起こりやすく、ディスク変形により信号が読み出せない等のフォーカスエラーが起こりやすい。
【０００５】
このような環境変化に対する反りについては、吸水変形を抑える為に、“基板と、この基板に配置されて情報信号を記録する為の記録層とその記録層に積層される透明保護層を有し、透明保護層側から光を入射する事で情報信号の記録／再生を行うディスク状の情報記録媒体であり、この基板は、樹脂製のコア層と、コア層に一体となっており、一方の面に記録層側の情報信号の凹凸が存在し、コア層に比べて流動性を有する樹脂製の表層とから構成されている事を特徴とする情報記録媒体”であって基板表層の吸水率を０．３％以下の樹脂を用いる基板が提案されており、ニ色成形、サンドイッチ成形による複雑な基板構成で問題を解決する方向が示されている。（例えば特許文献１参照）また、支持基板、該基板上に形成された反射層、及び該反射層上に形成された光透過性のカバー層からなり、カバー層側からレーザー光を入射して記録及び／又は再生を行う方式の光ディスクにおいて、支持基板の主面に吸湿防止膜を形成することで吸湿量を抑える方法が提案されている。（例えば特許文献２参照）その際に、吸湿防止膜を島状に形成する、もしくは、ドーナツ状に形成し、その内径の大きさを最適化することにより、記録・再生側基板と基材の吸湿による膨張をバランスさせられる。これにより、吸湿によるチルト変化を抑制することができることが言われているが、吸湿防止膜の製膜の為に製造工程を増やすことになる。また、支持基板に用いられる熱可塑性樹脂に飽和吸水率の低い材料を用いることで環境変化による反り変化を抑えることが提案されている。特に、ポリカーボネート樹脂とポリカプロラクトンとのアロイを光ディスクの基板材料に用いることが提案されている。（例えば特許文献３，４，５，６，７）特許文献３においては、ポリカーボネート樹脂１００重量部に対して１）ビフェニル・ターフェニル化合物を０．１〜４０重量部、２）数平均分子量２，０００〜１００，０００のポリカプロラクトンを０〜２０重量部添加することにより基板材料の剛性を向上させ且つ飽和吸水率を低下させることにより基板の成形時の反りを抑制する手法が提案されている。該材料においては低分子化号物を添加することにより耐熱性が大きく低下することで環境変化、特に自動車室内のような高温状態において反り変化が大きくなる。また、特許文献４においては、ポリカーボネート樹脂８０〜９８重量部及びポリカプロラクトン２０〜２重量部からなる熱可塑性樹脂に対してスチレン系重合物５０〜５重量部を混合してなる光ディスク基板用樹脂が提案されている。但し、本提案はスチレン系重合物を添加することにより光ディスクの複屈折低減することが目的である。更に、スチレン系樹脂を添加することにより耐熱性が低下することで環境変化、特に自動車室内のような高温状態において反り変化が大きくなる。また、特許文献５においては、ポリカーボネート樹脂１００重量部に対して数平均分子量１０，０００〜５０，０００のポリカプロラクトンを２００〜１０，０００ｐｐｍ配合されている光ディスク基板用樹脂を２枚貼り合せることが提案されている。ディスク構成が対称であることから、環境変化、特に吸湿、脱湿過程における吸湿量の差及び脱湿速度差（もしくは材料が異なることによる吸水膨張率の差）が等価となりチルト変化が抑えられるが、非対称構成の光ディスクについては言及されていない。更に、実施例で用いられている配合量では吸水率の低下が起きないことから、非対称構成の光ディスクにおいて環境変化による反り変化の改善は期待できない。また、特許文献６においては、ポリカーボネート樹脂１００重量部に対して数平均分子量５，０００〜１０，０００のポリカプロラクトンを０．１〜５０重量部配合してなる樹脂組成物が提案されている。該材料においては金属との密着性を改善することにより離型性の改善を目的として検討されており、環境変化の反り変化については検討されていない。更に、特許文献７においては、ポリカーボネート樹脂１００重量部に対してＡ）スルホン酸ホスホニウム塩０．１〜２０重量部、Ｂ）亜燐酸エステル０．１〜１重量部、硫黄含有エステル０．０１〜３重量部、Ｃ）カプロラクトン系重合体０．１〜１０重量部からなる樹脂組成物が提案されている。該材料においては熱安定剤を添加することで滞留安定性の改善及びポリカプロラクトン添加による着色防止を目的に検討されているが、光ディスクに適応した場合、成形時に帯電防止剤であるスルホン酸ホスホニウム塩が金型に付着し、成形品に外観不良をもたらし収率が低下する。
【０００６】
以上のように、いずれも具体的に示されている手法は、環境による反り変化が小さい光ディスクとして良好な特性を示すが、必ずしも十分とはいえない。また、ポリカーボネート樹脂とポリカプロラクトンとのアロイ材料を光ディスク基板材料に用いることにより種々の検討は行われているが、環境変化による反り変化を抑制する検討は行われておらず、新しい概念であるといえる。
【０００７】
【特許文献１】特開２０００−１１４４９号公報
【特許文献２】特開２００３−１７３５７１号公報
【特許文献３】特開２０００−１９５０９９号公報
【特許文献４】特開昭６３−９０５５５号公報
【特許文献５】特開平９−３３２７８１号公報
【特許文献６】特開平７−１０２１６６号公報
【特許文献７】特開平９−１９４７１１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は上記課題を解決し、低吸水性を有する熱可塑性樹脂からなる光ディスク成形用材料及び該材料より形成された光ディスクを提供することにある。
本発明者は、上記目的を達成せんとして、光ディスク基板材料について鋭意研究を重ねた結果、特定のポリカーボネート樹脂とポリカプロラクトンからなる光ディスク基板用成形材料が、低吸水性、成形性に優れており、該樹脂より形成された光ディスク基板及び光ディスクは吸湿及び脱湿過程による反り変化が小さいことを見出し、本発明に到達した。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
以下、本発明を詳細に説明する。
支持基板、該基板上に形成された反射層、及び該反射層上に形成された光透過性ポリカーボネートフィルムからなるカバー層を有してなり、カバー層側からレーザー光を入射して記録及び／または再生を行う方式の光ディスクにおける支持基板であって、該支持基板が、繰り返し単位として下記式［１］で表される繰り返し単位を少なくとも１種類有するポリカーボネート樹脂１００重量部に対してポリカプロラクトンを１〜５重量部配合してなり、かつ２３℃、水中浸漬によって測定された飽和吸水率が０．３％以下の熱可塑性樹脂を用いて形成された支持基板であり、かつ該光ディスクを温度３０℃、湿度９５％の湿熱環境で飽和吸水率に達するまで暴露した後、温度２３℃、湿度５０％の常湿状態に戻した場合の光ディスクの反り角変化が０．７５度以内であることを特徴とする支持基板用の光ディスク基板である。
【００１０】
【化１】
0004435752.tif 000002
［式中、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基、炭素数６〜２０のシクロアルキル基、炭素数６〜２０のシクロアルコキシ基、炭素数６〜１０のアリール基、炭素数７〜２０のアラルキル基、炭素数６〜１０のアリールオキシ基、および炭素数７〜２０のアラルキルオキシ基からなる群より選ばれる基を表し、Ｒ１及びＲ２が複数ある場合はそれぞれ同一若しくは異なっていてもよく、ｍ及びｎは夫々１〜４の整数であり、Ｗは下記式［２］で表される構造単位である。
【化２】
0004435752.tif 000003
（Ｒ３、Ｒ４はそれぞれ独立して、水素原子または炭素数１〜１０の炭化水素基を表し、Ｒ５及びＲ６はそれぞれ独立して水素原子又は炭素数１〜３のアルキル基を表し、Ｒ５及びＲ６が複数ある場合はそれぞれ同一もしくは異なっていてもよく、ｐは４〜１２の整数、Ｒ７及びＲ８はそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子又は炭素数１〜３のアルキル基を表す。）］
【００１１】
本発明によれば、ポリカプロラクトンの含有量は、前記ポリカーボネート樹脂１００重量部に対して、１〜５重量部である。その場合、飽和吸水率及び溶融流動性が良好な熱可塑性樹脂及びそれより形成される光ディスク基板及び光ディスクが提供される。ポリカプロラクトンの割合が１重量部より小さい場合、飽和吸水率の低下がほとんど起こらず、５重量部より大きい場合はガラス転移温度が低下し、耐熱性が低下する。
【００１２】
本発明の熱可塑性樹脂組成物に含まれるポリカーボネート樹脂は、下記式［３］
【化３】
0004435752.tif 000004
［式中、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立して水素原子、および炭素数１〜５のアルキル基からなる群より選ばれる基を表し、Ｒ１及びＲ２が複数ある場合はそれぞれ同一若しくは異なっていてもよく、ｍ及びｎは夫々１〜２の整数であり、Ｗは下記式［４］で表される構造単位である。
【化４】
0004435752.tif 000005
（Ｒ３、Ｒ４はそれぞれ独立して、水素原子または炭素数１〜５の炭化水素基を表し、Ｒ５及びＲ６はそれぞれ独立して水素原子又は炭素数１〜２のアルキル基を表し、Ｒ５及びＲ６が複数ある場合はそれぞれ同一もしくは異なっていてもよく、ｐは４〜８の整数、Ｒ７及びＲ８はそれぞれ独立して水素原子、炭素数１〜３のアルキル基を表す。）］
で表される繰り返し単位を少なくとも１種類有するポリカーボネート樹脂からなることが好ましく、前記一般式［１］が２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、４，４’−（ｍ−フェニレンジイソプロピリデン）ジフェノール及び９，９−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）フルオレンから選ばれる少なくとも一種から誘導された繰り返し単位であるポリカーボネート樹脂であることがさらにより好ましい。特に２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパンより誘導される繰り返し単位であるポリカーボネート樹脂、若しくは４，４’−（ｍ−フェニレンジイソプロピリデン）ジフェノール及び９，９−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）フルオレンより誘導される繰り返し単位であり、その構成比が１０：９０〜９０：１０の範囲（モル比）であるポリカーボネート樹脂であることが好ましい。更にその構成比が３０：７０〜７０：３０の範囲（モル比）であるポリカーボネート樹脂であることがより好ましい。
【００１３】
また、本発明の熱可塑性樹脂組成物に含まれるポリカプロラクトンは、数平均分子量が５，０００〜１００，０００であることが好ましく、７，０００〜５０，０００であることが更に好ましく、９，０００〜３０，０００であることが最も好ましい。
【００１４】
本発明の熱可塑性樹脂組成物は、そのガラス転移温度が好ましくは１１０℃〜１８０℃、より好ましくは１２０℃〜１７０℃、更に好ましくは１３０℃〜１６０℃である。ガラス転移温度が１１０℃よりも低くなると、自動車内環境において耐熱性が不足し、熱変形が生じるため好ましくない。また、ガラス転移温度が１８０℃より高くなると、溶融流動性が悪く成形不良を生じ、金型に対する精密転写性が劣るようになるので好ましくない。
【００１５】
ガラス転移温度の測定は、ＪＩＳ  Ｋ７１２１に規定されている示差走査熱量測定（ＤＳＣ）に従い、ＤＳＣ−２９１０（ＴＡインストルメント製、商品名：ＤＳＣ２９１０）を用いて実施した。測定条件は、加熱速度  ２０℃／ｍｉｎ、窒素流量  ４０ｍｌ／ｍｉｎ、測定温度  ２０℃〜２５０℃である。
【００１６】
本発明の熱可塑性樹脂組成物は、ＭＶＲの値が５ｃｍ３／１０分以上が好ましく、２０ｃｍ３／１０分以上がより好ましく、３０ｃｍ３／１０分以上がさらに好ましい。そして、７０ｃｍ３／１０分以上が最も好ましい。かかるＭＶＲの値の上限は、好ましくは１００ｃｍ３／１０分、より好ましくは９０ｃｍ３／１０分である。
【００１７】
尚、この範囲を超えると、光ディスク基板の成形においての転写率に影響が生じる。すなわち、転写率が低下し、光ディスク基板の成形性を損ねることになる。そして、フォーカスエラーやトラッキングエラーなどを起こし易くなるので好ましくない。
【００１８】
このメルトボリュームレート（ＭＶＲ）は、ＩＳＯ１１３３に規定された長さと直径のオリフィス（ダイ）を有するセミオートメルトインデクサー（東洋精機製、商品名：Ｌ２５１）を用いて測定した。測定条件は、試験温度３００℃、試験荷重１１．７７Ｎ（１．２ｋｇｆ）で、一定の区間を通過するサンプルの時間を測定した。単位時間当たりの流れ量（容量）を算出し、単位はｃｍ３／１０分で示した。
【００１９】
本発明で提供される熱可塑性樹脂は、２３℃、水中浸漬して測定された飽和吸水率が０．３％以下であり、０．２５％以下であることがより好ましい。飽和吸水率が０．３％を超えると、吸湿および脱湿過程において光ディスクの反り変化が生じやすくなり、フォーカスエラーやトラッキングエラーなどを起こし易くなるので好ましくない。
【００２０】
この飽和吸水率は、吸水率をＡＳＴＭ  Ｄ５７０に規定された２３℃、水中浸漬による重量変化率にて測定した。測定試料は、直径４５ｍｍ、厚み３０ｍｍの円形金型で成形（真空プレス成形機（神藤金属工業所製、製品名：ＳＦＶ−１０）、金型温度３００℃、圧力０．５ＭＰａ、保持時間１．５分で溶融後、圧力１．５ＭＰａ、保持時間５分で圧縮）した。得られた成形品を１２０℃、４時間以上乾燥させて重量を秤量し初期重量（Ｗ０）とした。そして２３℃、水中浸漬し、２４時間毎に水中から取り出し、成形品表面の水分を除去後に重量を秤量し、次式で吸水率を算出した。吸水率＝｛（２４時間毎の測定重量）−Ｗ０｝／Ｗ０×１００  （％）
【００２１】
光ディスクの吸湿及び脱湿過程における反り変化は、ディスクを温度３０℃、湿度９０％ＲＨの環境下で飽和吸水率に達するまで暴露した後、温度２３℃、湿度５０％ＲＨの環境下に移した時に生じる中心から５８ｍｍ部のチルト変化の最大値と定常に達したときの値の差（△チルト）を比較したものである。このときの△チルトは０．７５度以内、更に好ましくは０．５度以下である。
【００２２】
この測定法は次の通りである。直径１２０ｍｍ、厚さ１．１ｍｍの光ディスク基板の信号面側に反射膜をスパッタ蒸着させ、その上に表面保護膜を貼りあわせ光ディスクを互いに接触しないようスペーサーを挟み、温度２３℃、湿度５０％ＲＨ環境に２日間以上放置後、１２ｈｒ置きに定時的に測定し、ラジアルチルトの前後の変化率が５％以下となる時点でジャパン・イー・エム（株）製３次元形状測定器ＤＬＤ−３０００Ｕによりラジアルチルトの評価を行い、初期ラジアルチルトとした。次に、この初期ラジアルチルトを評価した光ディスクを３０℃、湿度９０％ＲＨの恒温恒湿機に７２ｈｒ放置した。その後、光ディスクを２３℃、湿度５０％ＲＨの環境下に移し、経時的（３０分毎）に光ディスクのラジアルチルトを前記装置により測定した。得られた測定値の最大値を示した値をラジアルチルトの最大値とした。測定したラジアルチルトの最大値と初期ラジアルチルトとの差を△ラジアルチルトとした。
【００２３】
本発明の熱可塑性樹脂を調製する時には、任意の方法が採用される。例えばポリカーボネート樹脂とポリカプロラクトンとを混合溶液とした後、溶媒を留去する方法、溶媒留去に次いでベント式押出機等で溶融ペレット化する方法、または、ポリカーボネート樹脂とポリカプロラクトンをスーパーミキサー、タンブラー、ナウターミキサー等で混合し、二軸ルーダー等でペレット化する方法等が用いられる。また、必要に応じて安定剤、酸化防止剤、光安定剤、着色材、滑り材、離型剤等の添加剤を加える事もできる。さらに射出成形、圧縮成形、射出圧縮成形に供するためのペレット状ポリカーボネート樹脂を得る押出工程（ペレット化工程）では溶融状態の時に濾過精度１０μｍの焼結金属フィルターを通すなどして異物を除去することが好ましい。いずれにしても射出成形前の原料樹脂は異物、不純物、溶媒などの含有量を極力低くしておくことが必要である。
【００２４】
支持基板を形成する熱可塑性樹脂組成物には必要に応じて、リン酸、亜リン酸、ホスホン酸、亜ホスホン酸およびこれらのエステルよりなる群から選択された少なくとも１種のリン化合物を配合することができる。かかるリン化合物の配合量は、前記熱可塑性樹脂組成物中０.０００１〜０.０５重量％が好ましく、０.０００５〜０.０２重量％がより好ましく、０.００１〜０.０１重量％が特に好ましい。このリン化合物を配合することにより、かかる前記熱可塑性樹脂組成物の熱安定性が向上し、成形時における分子量の低下や色相の悪化が防止される。
【００２５】
かかるリン化合物としては、リン酸、亜リン酸、ホスホン酸、亜ホスホン酸およびこれらのエステルよりなる群から選択される少なくとも１種のリン化合物であり、好ましくは下記一般式
【化５】
0004435752.tif 000006
【化６】
0004435752.tif 000007
【化７】
0004435752.tif 000008
【化８】
0004435752.tif 000009
【化９】
0004435752.tif 000010
［式中、Ｒ９〜Ｒ２２は、それぞれ独立して、水素原子、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ドデシル、ヘキサデシル、オクタデシルなどの炭素原子数１〜２０のアルキル基、フェニル、トリル、ナフチルなどの炭素原子数６〜１５のアリール基またはベンジル、フェネチルなどの炭素原子数７〜１８のアラルキル基を表し、また１つの化合物中に２つのアルキル基が存在する場合は、その２つのアルキル基は互いに結合して環を形成していてもよい。］
よりなる群から選択された少なくとも１種のリン化合物である。
【００２６】
上記式［５］で示されるリン化合物としては、例えばトリフェニルホスファイト、トリスノニルフェニルホスファイト、トリス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスファイト、トリデシルホスファイト、トリオクチルホスファイト、トリオクタデシルホスファイト、ジデシルモノフェニルホスファイト、ジオクチルモノフェニルホスファイト、ジイソプロピルモノフェニルホスファイト、モノブチルジフェニルホスファイト、モノデシルジフェニルホスファイト、モノオクチルジフェニルホスファイト、などが挙げられる。
【００２７】
上記式［６］で示されるリン化合物としては、例えばトリブチルホスフェート、トリメチルホスフェート、トリフェニルホスフェート、トリエチルホスフェート、ジフェニルモノオルソキセニルホスフェート、ジブチルホスフェート、ジオクチルホスフェート、ジイソプロピルホスフェートなどが挙げられる。上記式［７］で示されるリン化合物としては、テトラキス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４，４−ジフェニレンホスホナイトなどが挙げられる。また上記式［８］で示される化合物としては、ベンゼンホスホン酸ジメチル、ベンゼンホスホン酸ジエチル、ベンゼンホスホン酸ジプロピルなどが挙げられる。上記式［９］で示される化合物としては、ビス（２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファイト、２，２−メチレンビス（４，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）オクチルホスファイト、ビス（ノニルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファイト、ビス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファイト、ジステアリルペンタエリスリトールジホスファイトなどが挙げられる。
【００２８】
これらのリン化合物のなかで、トリスノニルフェニルホスファイト、トリス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスファイト、テトラキス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４，４−ジフェニレンホスホナイトが好ましく使用される。
【００２９】
さらに本発明の熱可塑性樹脂組成物には、必要に応じてナトリウム金属１ｐｐｍ以下の一価または多価アルコールの高級脂肪酸エステルを加えることもできる。
かかるナトリウム金属１ｐｐｍ以下の高級脂肪酸エステルとしては、炭素原子数１〜２０の一価または多価アルコールと炭素原子数１０〜３０の飽和脂肪酸との部分エステルまたは全エステルであるのが好ましい。また、かかる一価または多価アルコールと飽和脂肪酸との部分エステルまたは全エステルとしては、ステアリン酸モノグリセリド、ステアリン酸モノソルビテート、ベヘニン酸モノグリセリド、ペンタエリスリトールモノステアレート、ペンタエリスリトールテトラステアレート、プロピレングリコールモノステアレート、ステアリルステアレート、パルミチルパルミテート、ブチルステアレート、メチルラウレート、イソプロピルパルミテート、２−エチルヘキシルステアレートなどが挙げられる。なかでもステアリン酸モノグリセリド、ペンタエリスリトールテトラステアレートが好ましく用いられる。かかるアルコールと高級脂肪酸とのエステルの配合量は、熱可塑性樹脂組成物中０.０１〜２重量％が好ましく、０.０１５〜０.５重量％がより好ましく、０.０２〜０.２重量％がさらに好ましい。配合量がこの範囲内であれば離型性に優れ、また離型剤がマイグレートし金属表面に付着することもなく好ましい。また、ナトリウム金属含有量が１ｐｐｍを超えると製造されたディスク基板は色相が悪化し、またＰＣの加水分解による白色欠点が増加することにより品質が低下する。
【００３０】
本発明の熱可塑性樹脂組成物には、酸化防止の目的で通常知られた酸化防止剤を添加することができる。その例としてはフェノール系酸化防止剤を示すことができ、具体的には例えばトリエチレングリコール−ビス（３−（３−ｔｅｒｔ−ブチル−５−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート）、１,６−ヘキサンジオール−ビス（３−（３,５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート）、ペンタエリスリトール−テトラキス（３−（３,５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート）、オクタデシル−３−（３,５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート、１,３,５−トリメチル−２,４,６−トリス（３,５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）ベンゼン、Ｎ,Ｎ−ヘキサメチレンビス（３,５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−ヒドロシンナマイド）、３,５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−ベンジルホスホネート−ジエチルエステル、トリス（３,５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）イソシアヌレート、３,９−ビス｛１,１−ジメチル−２−［β−（３−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）プロピオニルオキシ］エチル｝−２,４,８,１０−テトラオキサスピロ（５,５）ウンデカン等が挙げられる。これら酸化防止剤の好ましい添加量の範囲は熱可塑性樹脂組成物中、０.０００１〜０.０５重量％である。
【００３１】
上記熱可塑性樹脂組成物より光ディスク基板を製造する場合には射出成形機（射出圧縮成形機を含む）を用いる。この射出成形機としては一般的に使用されているものでよいが、炭化物の発生を抑制しディスク基板の信頼性を高める観点からシリンダーやスクリューとして樹脂との付着性が低く、かつ耐蝕性、耐摩耗性を示す材料を使用してなるものを用いるのが好ましい。
【００３２】
射出成形の条件としてはシリンダー温度が好ましくは２６０〜４５０℃、より好ましくは２８０〜３８０℃、並びに金型温度が好ましくは５０〜１８０℃、より好ましくは７０〜１３５℃であり、これらにより光学的に優れた光ディスク基板を得ることができる。
【００３３】
成形工程での環境は、本発明の目的から考えて、可能な限りクリーンであることが好ましい。また、成形に供する材料を十分乾燥して水分を除去することや、溶融樹脂の分解を招くような滞留を起こさないように配慮することも重要となる。
【００３４】
本発明の光ディスク基板は、片面に反射層及び／または記録層を形成する必要がある。上記の記録層、反射層の無機薄膜の製造法としては、公知の真空蒸着法、スパッタリング法等のＰＶＤ法、あるいはＣＶＤ法等、種々の薄膜形成法が適用できる。しかし、光ディスク媒体としては、高温高湿の耐環境試験で生じる剥離を生じさせないために、特に高分子基板との密着性が大きい条件で作製することが好ましい。このためにはスパッタリング法が好ましい。
【００３５】
また、上記反射層及び／または記録層上に光透過性のカバー層を形成する。上記光透過性のカバー層はレーザー光を通過する材料よりなり、かかる材料としては好適にポリカーボネート樹脂が用いられ、例えば、溶融押出法により形成されたポリカーボネートシートや溶液流延法により形成されたポリカーボネートキャスティングフィルムが挙げられる。光透過性のカバー層を形成する手段は、例えば、記録層上にポリカーボネートからなるシートやフィルム等の透明板を粘着剤などで貼り合わせる方法が挙げられる。さらにこの光透過性のカバー層はコマ収差をかなり小さく抑えるために、３〜２００μｍの厚さに制限される。
【００３６】
本発明の光ディスク基板は、支持基板、該基板上に形成された反射層、及び該反射層上に形成された光透過性ポリカーボネートフィルムのカバー層を有してなり、カバー層側からレーザー光を入射して記録及び／又は再生を行う方式の光ディスク、例えばＢｌｕ−ｒａｙ  Ｄｉｓｃ（ＢＤ）やホログラムディスクに代表される高密度光ディスク用基板としても好適に使用される。特に、Ｂｌｕ―ｒａｙ  Ｄｉｓｃ（記録型）の場合、１．１ｍｍ厚の基板上に光反射層、記録膜及び記録膜保護膜よりなる記録層、並びに光透過性のカバー層を形成する事により作成される。なお、これらの層は複数形成されてもよい。
【００３７】
上記カバーフイルムを形成する際に使用される接着剤には、紫外線硬化性の高分子材料を主成分として用いてもよい。この場合、前記紫外線硬化性の高分子材料は、側鎖に紫外線硬化性基を有するアクリル酸エステル共重合体であるのが好ましく、紫外線硬化性基は不飽和基であり、かつ、前記アクリル酸エステル共重合体の重量平均分子量は１００，０００以上であるのが好ましい。例えば、紫外線硬化性の高分子材料として、側鎖に紫外線硬化性基を有するアクリル酸エステル共重合体と、紫外線硬化性の多官能モノマーおよび／またはオリゴマーとの混合物等が用いられる。または、紫外線硬化性基を有しないアクリル酸エステル共重合体と、紫外線硬化性の多官能モノマーおよび／またはオリゴマーとの混合物であってもよい。その他に、接着剤としては、紫外線硬化性を有しないポリマー成分と紫外線硬化性の多官能モノマーおよび／またはオリゴマーとの混合物を主成分とするものであってもよい。いずれの場合であっても、硬化させる前は粘着性を示し、硬化後は強固な接着性および適度な硬さを有するものであるのが好ましい。
【００３８】
記録膜は追記型光ディスクの場合、基板上に、レーザー光の照射によって不可逆的な光学特性が変化したり凹凸形状が形成される記録膜であり、例えばレーザー光の照射による加熱で分解して、その光学定数が変化すると共に、体積変化によって基板の変形を生じさせるシアニン系、フタロシアニン系、アゾ系の有機色素等が用いられる。
【００３９】
書き換え可能型光ディスクの場合、記録膜はレーザ光の照射によって生じた物質の非晶質状態と結晶状態の間の可逆的な相構造変化が起こる材料（相変化記録型）、もしくは膜面に垂直な方向に磁化容易方向を有し、任意の反転磁区を作ることにより情報の記録、再生、消去が可能な磁気光学効果を有する磁性薄膜（光磁気記録型）である。相変化記録型の記録膜としては、例えば、カルコゲナイド系材料であるＧｅＳｂＴｅ系、ＩｎＳｂＴｅ系、ＩｎＳｅ系、ＩｎＴｅ系、ＡｓＴｅＧｅ系、ＴｅＯｘ−ＧｅＳｎ系、ＴｅＳｅＳｎ系、ＦｅＴｅ系、ＳｂＳｅＢｉ系、ＢｉＳｅＧｅ系等が用いられているが、ＧｅＳｂＴｅ系よりなる膜は繰り返し記録・消去時における安定動作が良好で好ましい。光磁気記録型の記録膜としては、例えば、ＴｂＦｅ、ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅ、ＮｄＤｙＦｅＣｏ、ＮｄＤｙＴｂＦｅＣｏ、ＮｄＦｅ、ＰｒＦｅ、ＣｅＦｅ等の希土類元素と遷移金属元素との非晶質合金薄膜、交換結合を利用したそれらの二層膜、Ｃｏ／Ｐｔ、Ｃｏ／Ｐｄ等の人工格子多層膜、ＣｏＰｔ系合金等を用いることができる。
【００４０】
また記録膜を狭持する記録膜保護膜としては誘電体材料を用いることが好ましい。これにより、媒体としての結晶相と非晶質相の反射率差、および磁気光学効果を高めることができる。さらにこの場合には、誘電体材料は屈折率ｎが高い材料、すなわちｎ≧１．６である材料、さらに好ましくはｎ≧１．８である材料であることが好ましい。例えば、ＳｉＯ系、ＳｉＯＮ系、Ｔａ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、ＣｅＯ、Ｌａ２Ｏ３、Ｉｎ２Ｏ３、ＧｅＯ、ＧｅＯ２、ＰｂＯ、ＳｎＯ、ＳｎＯ２、Ｂｉ２Ｏ３、ＴｅＯ２ＷＯ２、ＷＯ３、Ｓｃ２Ｏ３、ＺｒＯ２等の酸化物、ＴａＮ、ＡｌＮ、ＳｉＮ系、ＡｌＳｉＮ系等の窒化物、ＺｎＳ、Ｓｂ２Ｓ３、ＣｄＳ、Ｉｎ２Ｓ３、Ｇａ２Ｓ３、ＧｅＳ、ＳｎＳ２、ＰｂＳ、Ｂｉ２Ｓ３等の硫化物、またはこれらの混合材料やこれらの積層体などを保護膜として用いることが好ましい。
【００４１】
光反射層としては、評価に用いるドライブヘッドのレーザ光に対し、記録層よりも反射率の高い材料であることが特性向上のために好ましい。具体的には、使用レーザ光波長における光学定数である屈折率ｎと消衰係数ｋが、ｎ≦３．５、かつｋ≧３．５であるような材料を選択することが好ましい。さらに好ましくはｎ≦２．５かつ４．５≦ｋ≦８．５であり、この条件で作製した媒体では、再生信号特性のより一層の向上が実現できる。
【００４２】
一方レーザ光による加熱で信号を記録する際、光反射層の熱伝導率が高すぎると、熱拡散が大きく、強いレーザパワーを必要とする。このため現在多用されているパワーが１５ｍＷ以下の半導体レーザで信号の記録を可能とするためには、光反射層に用いる材料の熱伝導率は１００[Ｗ／（ｍ・Ｋ）]以下であることが好ましく、さらには８０[Ｗ／（ｍ・Ｋ）]以下であることがより好ましい。
【００４３】
このような条件を満足する材料として、ＡｌもしくはＡｇにＡｕ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｃ、Ｒｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｉｒ等の１種類以上の元素を添加した合金が挙げられる。なお、これら合金において添加元素の添加量が、０．５原子％より少ないと前述の熱伝導低下の効果は小さく、逆に２０原子％より多いと前述の光反射率の低下が大きく再生信号特性の面で不利である。従って添加元素の含有量は０．５〜２０原子％の範囲におさめることが好ましい。また、特に金属反射膜自身の耐久性を高めるという点で、上記特定元素群の中ではＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｒｅが好ましい。これらの反射層の膜厚範囲は１０〜５００ｎｍであるが、反射率の低下による再生信号特性の低下を抑え、かつレーザパワーが１５ｍＷで記録可能とするためには、好ましくは３０〜２００ｎｍ、特に好ましくは４０〜１００ｎｍである。
なお、再生専用光ディスク媒体の場合は、上述した光反射層のみを基板上に形成する事になるが、材料としては同じものを使用することが出来る。
【発明の効果】
【００４４】
本発明の特定のポリカーボネート樹脂及びポリカプロラクトンからなる熱可塑性樹脂組成物は、低吸水性及び成形性に優れていることから、環境変化における反り変化が小さい光ディスク基板、殊に高密度光ディスク用の光ディスク基板として好適に用いられ、その奏する工業的効果は格別である。特に、この光ディスク基板を用いた光ディスクは、環境変化後の信号特性（ジッタ値）の結果が大変良好であり、光ディスクとしての有効性が明らかである。
【実施例】
【００４５】
以下、実施例を挙げて詳細に説明するが、本発明はその趣旨を超えない限り、何らこれに限定されるものではない。実施例及び比較例において「部」は重量部である。なお評価は下記の方法に従った。
【００４６】
（１）ガラス転移温度
ガラス転移温度の測定は、ＪＩＳ  Ｋ７１２１に規定されている示差走査熱量測定（ＤＳＣ）に従い、ＤＳＣ−２９１０（ＴＡインストルメント製、商品名：ＤＳＣ２９１０）を用いて実施した。測定条件は、加熱速度  ２０℃／ｍｉｎ、窒素流量  ４０ｍｌ／ｍｉｎ、測定温度  ２０℃〜２５０℃である。また、測定サンプルは、測定試料を４〜８ｍｇ秤量し、アルミニウム製サンプルパンに入れ、サンプルカバーをし、プレスフォーミングツールで押さえ密封した。ガラス転移温度は得られたＤＳＣ曲線（縦軸：熱量（Ｗ／ｇ）、横軸：温度（℃））から、各ベースラインの延長した直線から縦軸方向に等距離にある直線と、ガラス転移の階段状変化部分の曲線とが交わる点の温度とした。測定値は小数点以下第一位を四捨五入した値を採用した。
【００４７】
（２）流動性（ＭＶＲ）
メルトボリュームレート（ＭＶＲ）を、ＩＳＯ１１３３に規定された長さと直径のオリフィス（ダイ）を有するセミオートメルトインデクサー（東洋精機製、商品名：Ｌ２５１）を用いて実施した。測定条件は試験温度  ３００℃、試験荷重  １１．７７Ｎ（１．２ｋｇｆ）である。測定サンプルはポリカーボネート樹脂を押出機にて溶融混練し、ペレット化した試料を用いた。上記装置にて、一定の区間を通過するサンプルの時間を測定し、単位時間当たりの流れ量（容量）を算出した。単位はｃｍ３／１０分で示した。測定値は小数点以下第一位を四捨五入した値を採用した。
【００４８】
（３）飽和吸水率
吸水率をＡＳＴＭ  Ｄ５７０に規定された２３℃、水中浸漬による重量変化率にて測定した。測定試料は、真空プレス成形機（神藤金属工業所製、製品名：ＳＦＶ−１０）を使用し、直径４５ｍｍ、厚み３０ｍｍの円形金型に、ポリカーボネート樹脂を押出機にて溶融混練したペレット５〜７ｇを入れ、金型温度３００℃、一次圧力０．５ＭＰａ、保持時間１．５分で溶融後、二次圧力１．５ＭＰａ、保持時間５分で圧縮し、その後、室温まで冷却して型から取り出した成形品を使用した。１２０℃、４時間以上乾燥させた成形品の重量を秤量し、初期重量（Ｗ０）とし、該成形品を２３℃、水中浸漬し、２４時間毎に成形品を水中から取り出し、圧空を使用して表面に付着した水分を除去した後に重量を秤量し、下式で吸水率を算出した。また、２４時間毎に下式で算出された吸水率の経時変化が５％未満となった値を飽和吸水率とした。測定値は小数点以下第一位を四捨五入した値を採用した。
吸水率＝｛（２４時間毎の測定重量）−Ｗ０｝／Ｗ０×１００  （％）
【００４９】
（４）初期ラジアルチルト
光ディスクが互いに接触しないようスペーサーを挟み、温度２３℃、湿度５０％ＲＨ環境に２日間以上放置後、１２ｈｒ置きに定時的に測定し、ラジアルチルトの前後の変化率が５％以下となる時点でジャパン・イー・エム（株）製３次元形状測定器ＤＬＤ−３０００Ｕによりラジアルチルトの評価を行い、初期ラジアルチルトとした。
【００５０】
（５）ラジアルチルト変化量の最大値（△ラジアルチルト）
初期ラジアルチルトを評価した光ディスクを３０℃、湿度９０％ＲＨの恒温恒湿機に７２ｈｒ放置した。その後、光ディスクを２３℃、湿度５０％ＲＨの環境下に移し、経時的（３０分毎）に光ディスクのラジアルチルトをジャパン・イー・エム（株）製３次元形状測定器ＤＬＤ−３０００Ｕにより測定した。得られた測定値の最大値を示した値をラジアルチルトの最大値とした。測定したラジアルチルトの最大値と初期ラジアルチルトとの差（△ラジアルチルト）を評価した。
【００５１】
（６）初期信号特性（初期ジッタ）
初期ラジアルチルトを評価した光ディスクをパルステック工業製ODU-1000にてジッタ測定を行った。測定したジッタ値が６．５％以下を○、８．０％以下を△、８．０を超えた値を示した場合を×とした。
【００５２】
（７）環境試験後の信号特性（環境変化後のジッタ）
初期ラジアルチルトを評価した光ディスクを３０℃、湿度９０％ＲＨの恒温恒湿機に７２ｈｒ放置した。その後、光ディスクを２３℃、湿度５０％ＲＨの環境下に移し、経時的（３０分毎）に光ディスクのラジアルチルトをジャパン・イー・エム（株）製３次元形状測定器ＤＬＤ−３０００Ｕにより測定した。得られた測定値の最大値を示したディスクを用いてパルステック工業製ODU-1000にてジッタ測定を行った。測定したジッタ値が６．５％以下を○、８．０％以下を△、８．０を超えた値を示した場合を×とした。
【００５３】
（８）転写性
基板にスタンパーから転写した溝の深さを、原子間力顕微鏡（セイコー電子工業製ＳＰＩ３８００Ｎ）を用いて、半径４０ｍｍの位置にて転写溝の深さを測定した。転写性は、次式で示される転写率を指標とし、転写率８０％以上〜１００％を○、５０％以上８０％未満を△、５０％未満を×とした。
転写率（％）＝１００×ディスクの溝深さ／スタンパーの溝深さ
【００５４】
［実施例１］
２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパンより得られたポリカーボネート樹脂（帝人化成製、パンライトＡＤ−５５０３）１０ｋｇに、ポリカプロラクトン（ダイセル化学工業（株）製  ポリカプロラクトンＨ１Ｐ））を１００ｇ添加し、ドライブレンドして均一に混合した。続いてかかる組成物をベント式二軸押出機［神戸製鋼（株）製ＫＴＸ−４６］によりシリンダー温度２６０℃で脱気しながら溶融混錬を行い、熱可塑性樹脂組成物ペレットを得た。該ペレットのガラス転移温度、ＭＶＲ、飽和吸水率を測定した。該ペレットを所定の乾燥温度（＝ガラス転移温度-２０℃）で５時間乾燥後、射出成形機［住友重機械工業（株）製ＳＤ−４０Ｅ］にスタンパーを装着して、表１記載のシリンダ温度および金型温度で直径１２０ｍｍφ、厚さ１．１ｍｍの光ディスク基板を射出成形した。
【００５５】
得られた光ディスク基板の信号面側に高周波マグネトロンスパッタ装置（アネルバ製ＩＬＣ３１０２型）により、Ｎｄを５．０原子％、Ｂｉを１．０原子％含んだＡｇ合金スパッタリングターゲットを用いて放電電力５００ＷでＤＣスパッタリングによって１００ｎｍの薄膜を堆積させた。（成膜条件は、基板温度：22℃，Arガス圧：２mTorr ，成膜速度：５nm/sec，背圧：＜ 5×10-6Torrである。）そして、この反射膜上に、厚み１００μｍポリカーボネートフィルム（帝人化成製ピュアエースＣ１１０）を貼り合せた光ディスクを作成した。
【００５６】
該光ディスクの初期ラジアルチルトと△ラジアルチルト、初期ジッタと環境変化後のジッタを測定した。
更に、名機製作所製の射出成形機Ｍ３５Ｂ−Ｄ−ＤＭ、深さ２００ｎｍ、間隔０．５μｍ、幅０．２μｍの溝が刻まれたスタンパーを用いて、直径１２０ｎｍ、厚さ１．２ｍｍの光ディスク基板を成形した。なお、シリンダー温度は３６０℃一定として、金型温度を表１の通り各樹脂に設定した。該光ディスク基板の転写率を測定した。
測定したガラス転移温度、ＭＶＲ、飽和吸水率、初期ラジアルチルト、△ラジアルチルト、初期ジッタ、環境試験後のジッタ、転写率を表１に記載した。
【００５７】
［実施例２］
ポリカーボネート樹脂（パンライトＡＤ−５５０３）１０ｋｇに、ポリカプロラクトン（ポリカプロラクトンＨ１Ｐ）を５００ｇ添加した以外は実施例１と同様にして、熱可塑性樹脂組成物ペレットを得、該ペレットのガラス転移温度、ＭＶＲ、飽和吸水率を測定した。さらに、実施例１と同様の方法で光ディスクと基板を作成し、初期ラジアルチルト、△ラジアルチルト及び初期ジッタ、環境試験後のジッタ、転写率を測定した。測定したガラス転移温度、ＭＶＲ、飽和吸水率、初期ラジアルチルト、△ラジアルチルト、初期ジッタ、環境試験後のジッタ、転写率を表１に記載した。
【００５８】
［実施例３］
温度計、攪拌機、還流冷却器付き反応器にイオン交換水９２９．２部、４８％水酸化ナトリウム水溶液６１．３部を入れ、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン３９部、４，４´−（ｍ−フェニレンジイソプロピリデン）ジフェノール４３．６部およびハイドロサルファイト０．１７部を溶解した後、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール１．５１部と塩化メチレン６３７．９部を加えトリエチルアミン０．０９部を添加した後攪拌下１５〜２５℃でホスゲン３２．４部を４０分を要して吹き込んだ。ホスゲン吹き込み終了後、４８％水酸化ナトリウム水溶液１５．６部を加え、２８〜３３℃で約１時間攪拌して反応を終了した。反応終了後、生成物を塩化メチレンで希釈して水洗したのち塩酸酸性にして水洗し、水相の導電率がイオン交換水と殆ど同じになったところで塩化メチレンを蒸発して１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサンと４，４´−（ｍ−フェニレンジイソプロピリデン）ジフェノールとの構成単位の比がモル比で５０：５０の無色のポリマーを得た。（収率９７％）
【００５９】
上記芳香族ポリカーボネート共重合体１０ｋｇに、ポリカプロラクトン（ポリカプロラクトンＨ１Ｐ）を５００ｇ添加した以外は実施例１と同様にして、熱可塑性樹脂組成物ペレットを得、該ペレットのガラス転移温度、ＭＶＲ、飽和吸水率を測定した。さらに、実施例１と同様の方法で光ディスクと基板を作成し、初期ラジアルチルト、△ラジアルチルト及び初期ジッタ、環境試験後のジッタ、転写率を測定した。測定したガラス転移温度、ＭＶＲ、飽和吸水率、初期ラジアルチルト、△ラジアルチルト、初期ジッタ、環境試験後のジッタ、転写率を表１に記載した。
【００６０】
［実施例４］
温度計、攪拌機、還流冷却器付き反応器にイオン交換水３１，５００部、４８％水酸化ナトリウム水溶液１，７３０部を入れ、９，９−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）フルオレン２，０４０部、４，４´−（ｍ−フェニレンジイソプロピリデン）ジフェノール２，８０２部およびハイドロサルファイト１０部を溶解した後、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール８１部と塩化メチレン１３，７７０部を加えトリエチルアミン４部を添加した後攪拌下１５〜２５℃でホスゲン１，６７０部を６０分要して吹き込んだ。ホスゲン吹き込み終了後、４８％水酸化ナトリウム水溶液２７０部を加え、２８〜３３℃で約１時間攪拌して反応を終了した。反応終了後、生成物を塩化メチレンで希釈して水洗したのち塩酸酸性にして水洗し、水相の導電率がイオン交換水と殆ど同じになったところで塩化メチレンを蒸発して９，９−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）フルオレンと４，４´−（ｍ−フェニレンジイソプロピリデン）ジフェノールとの構成単位の比がモル比で５０：５０の無色のポリマーを得た。（収率９６％）
【００６１】
上記芳香族ポリカーボネート共重合体１０ｋｇに、ポリカプロラクトン（ポリカプロラクトンＨ１Ｐ）を５００ｇ添加した以外は実施例１と同様にして、熱可塑性樹脂組成物ペレットを得、該ペレットのガラス転移温度、ＭＶＲ、飽和吸水率を測定した。
さらに、実施例１と同様の方法で光ディスクと基板を作成し、初期ラジアルチルト、△ラジアルチルト及び初期ジッタ、環境試験後のジッタ、転写率を測定した。測定したガラス転移温度、ＭＶＲ、飽和吸水率、初期ラジアルチルト、△ラジアルチルト、初期ジッタ、環境試験後のジッタ、転写率を表１に記載した。
【００６２】
［比較例１］
ポリカーボネート樹脂（パンライトＡＤ−５５０３）１０ｋｇに、ポリカプロラクトン樹（ポリカプロラクトンＨ１Ｐ）を１，５００ｇ添加した以外は実施例１と同様にして、熱可塑性樹脂組成物ペレットを得、該ペレットのガラス転移温度、ＭＶＲ、飽和吸水率を測定した。さらに、実施例１と同様の方法で光ディスクと基板を作成し、初期ラジアルチルト、△ラジアルチルト及び初期ジッタ、環境試験後のジッタ、転写率を測定した。測定したガラス転移温度、ＭＶＲ、飽和吸水率、初期ラジアルチルト、△ラジアルチルト、初期ジッタ、環境試験後のジッタ、転写率を表１に記載した。
【００６３】
［比較例２］
ポリカーボネート樹脂（パンライトＡＤ−５５０３）１０ｋｇに、ポリカプロラクトン（ポリカプロラクトンＨ１Ｐ）を２０ｇ添加した以外は実施例１と同様にして、熱可塑性樹脂組成物ペレットを得、該ペレットのガラス転移温度、ＭＶＲ、飽和吸水率を測定した。さらに、実施例１と同様の方法で光ディスクと基板を作成し、初期ラジアルチルト、△ラジアルチルト及び初期ジッタ、環境試験後のジッタ、転写率を測定した。測定したガラス転移温度、ＭＶＲ、飽和吸水率、初期ラジアルチルト、△ラジアルチルト、初期ジッタ、環境試験後のジッタ、転写率を表１に記載した。
【００６４】
［比較例３］
ポリカーボネート樹脂（パンライトＡＤ−５５０３）のみを使用した以外は実施例１と同様にして、熱可塑性樹脂組成物ペレットを得、該ペレットのガラス転移温度、ＭＶＲ、飽和吸水率を測定した。さらに、実施例１と同様の方法で光ディスクと基板を作成し、初期ラジアルチルト、△ラジアルチルト及び初期ジッタ、環境試験後のジッタ、転写率を測定した。測定したガラス転移温度、ＭＶＲ、飽和吸水率、初期ラジアルチルト、△ラジアルチルト、初期ジッタ、環境試験後のジッタ、転写率を表１に記載した。
【００６５】
［比較例４］
実施例３で重合したポリカーボネート共重合体のみを使用した以外は実施例３と同様にして、熱可塑性樹脂組成物ペレットを得、該ペレットのガラス転移温度、ＭＶＲ、飽和吸水率を測定した。さらに、実施例１と同様の方法で光ディスクと基板を作成し、初期ラジアルチルト、△ラジアルチルト及び初期ジッタ、環境試験後のジッタ、転写率を測定した。測定したガラス転移温度、ＭＶＲ、飽和吸水率、初期ラジアルチルト、△ラジアルチルト、初期ジッタ、環境試験後のジッタ、転写率を表１に記載した。
【００６６】
［比較例５］
実施例３で重合したポリカーボネート共重合体１０ｋｇに、ポリカプロラクトン（ポリカプロラクトンＨ１Ｐ）を１，５００ｇ添加した以外は実施例３と同様にして、熱可塑性樹脂組成物ペレットを得、該ペレットのガラス転移温度、ＭＶＲ、飽和吸水率を測定した。さらに、実施例１と同様の方法で光ディスクと基板を作成し、初期ラジアルチルト、△ラジアルチルト及び初期ジッタ、環境試験後のジッタ、転写率を測定した。測定したガラス転移温度、ＭＶＲ、飽和吸水率、初期ラジアルチルト、△ラジアルチルト、初期ジッタ、環境試験後のジッタ、転写率を表１に記載した。
【００６７】
［比較例６］
実施例３で重合したポリカーボネート共重合体１０ｋｇに、ポリカプロラクトン（ポリカプロラクトンＨ１Ｐ）を２０ｇ添加した以外は実施例３と同様にして、熱可塑性樹脂組成物ペレットを得、該ペレットのガラス転移温度、ＭＶＲ、飽和吸水率を測定した。さらに、実施例１と同様の方法で光ディスクと基板を作成し、初期ラジアルチルト、△ラジアルチルト及び初期ジッタ、環境試験後のジッタ、転写率を測定した。測定したガラス転移温度、ＭＶＲ、飽和吸水率、初期ラジアルチルト、△ラジアルチルト、初期ジッタ、環境試験後のジッタ、転写率を表１に記載した。
【００６８】
［比較例７］
実施例４で重合したポリカーボネート共重合体のみを使用した以外は実施例４と同様にして、熱可塑性樹脂組成物ペレットを得、該ペレットのガラス転移温度、ＭＶＲ、飽和吸水率を測定した。さらに、実施例１と同様の方法で光ディスクと基板を作成し、初期ラジアルチルト、△ラジアルチルト及び初期ジッタ、環境試験後のジッタ、転写率を測定した。測定したガラス転移温度、ＭＶＲ、飽和吸水率、初期ラジアルチルト、△ラジアルチルト、初期ジッタ、環境試験後のジッタ、転写率を表１に記載した。
【００６９】
［比較例８］
実施例４で重合したポリカーボネート共重合体１０ｋｇに、ポリカプロラクトン（ポリカプロラクトンＨ１Ｐ）を１，５００ｇ添加した以外は使用した以外は実施例４と同様にして、熱可塑性樹脂組成物ペレットを得、該ペレットのガラス転移温度、ＭＶＲ、飽和吸水率を測定した。さらに、実施例１と同様の方法で光ディスクと基板を作成し、初期ラジアルチルト、△ラジアルチルト及び初期ジッタ、環境試験後のジッタ、転写率を測定した。測定したガラス転移温度、ＭＶＲ、飽和吸水率、初期ラジアルチルト、△ラジアルチルト、初期ジッタ、環境試験後のジッタ、転写率を表１に記載した。
【００７０】
［比較例９］
実施例４で重合したポリカーボネート共重合体１０ｋｇに、ポリカプロラクトン（ポリカプロラクトンＨ１Ｐ）を２０ｇ添加した以外は実施例４と同様にして、熱可塑性樹脂組成物ペレットを得、該ペレットのガラス転移温度、ＭＶＲ、飽和吸水率を測定した。さらに、実施例１と同様の方法で光ディスクと基板を作成し、初期ラジアルチルト、△ラジアルチルト及び初期ジッタ、環境試験後のジッタ、転写率を測定した。測定したガラス転移温度、ＭＶＲ、飽和吸水率、初期ラジアルチルト、△ラジアルチルト、初期ジッタ、環境試験後のジッタ、転写率を表１に記載した。
【００７１】
［比較例１０］
ポリカーボネート樹脂（パンライトＡＤ−５５０３）のみを使用した以外は実施例１と同様にして、熱可塑性樹脂組成物ペレットを得、該ペレットのガラス転移温度、ＭＶＲ、飽和吸水率を測定した。さらに、実施例１と同様の方法で光ディスクと基板を作成し、得られたディスクの支持基板表面上に吸湿防止膜としてＺｎＳ−ＳｉＯ2（モル分率８０：２０）誘電体材料を利用し、記録・再生光の透過率減少が数％程度で抑えられるように、光透過層上への成膜を１０ｎｍとし、光情報記録媒体と略同心になるように直径６０ｍｍから１１９ｍｍの領域までに成膜した。初期ラジアルチルト、△ラジアルチルト及び初期ジッタ、環境試験後のジッタ、転写率を測定した。測定したガラス転移温度、ＭＶＲ、飽和吸水率、初期ラジアルチルト、△ラジアルチルト、初期ジッタ、環境試験後のジッタ、転写率を表１に記載した。
【００７２】
［比較例１１］  
ポリカーボネート樹脂（パンライトＡＤ−５５０３）１０ｋｇに対し、メタターフェニル（東京化成社製）１００ｇ、ポリカプロラクトン（ポリカプロラクトンＨ１Ｐ）１００ｇを使用した以外は実施例１と同様にして、熱可塑性樹脂組成物ペレットを得、該ペレットのガラス転移温度、ＭＶＲ、飽和吸水率を測定した。さらに、実施例１と同様の方法で光ディスクと基板を作成し、初期ラジアルチルト、△ラジアルチルト及び初期ジッタ、環境試験後のジッタ、転写率を測定した。測定したガラス転移温度、ＭＶＲ、飽和吸水率、初期ラジアルチルト、△ラジアルチルト、初期ジッタ、環境試験後のジッタ、転写率を表１に記載した。
【００７３】
［比較例１２］
ポリカーボネート樹脂（パンライトＡＤ−５５０３）９ｋｇに対し、ポリカプロラクトン（ポリカプロラクトンＨ１Ｐ）１ｋｇをドライブレンドして均一に混合した。続いてかかる組成物をベント式二軸押出機［神戸製鋼（株）製ＫＴＸ−４６］によりシリンダー温度２２０℃で脱気しながら溶融混錬を行い、ペレットを得た。該熱可塑性樹脂８ｋｇを使用し、スチレン−アクリロニトリル共重合体ポリマー（ダイセル化学（株）製アクリロニトリル２７重量％）２ｋｇを再度ドライブレンドして使用した以外は実施例１と同様にして、熱可塑性樹脂組成物ペレットを得、該ペレットのガラス転移温度、ＭＶＲ、飽和吸水率を測定した。さらに、実施例１と同様の方法で光ディスクと基板を作成し、初期ラジアルチルト、△ラジアルチルト及び初期ジッタ、環境試験後のジッタ、転写率を測定した。測定したガラス転移温度、ＭＶＲ、飽和吸水率、初期ラジアルチルト、△ラジアルチルト、初期ジッタ、環境試験後のジッタ、転写率を表１に記載した。
【００７４】
[比較例１３]
容器に入った１，４−シクロヘキサンジメタノール（以下、ＣＨＤＭと称することがある）をすべて溶融槽に入れ、窒素雰囲気下、７０℃で均一溶融した。この溶融したＣＨＤＭから計量器により７２．０重量部計量し、攪拌装置、蒸留器及び減圧装置を備えた反応槽に仕込んだ。その後、ビスフェノールＡ（以下、ＢＰＡと称することがある）１１４重量部、ジフェニルカーボネートを２２０重量部及びテトラメチルアンモニウムヒドロキシドを０．１８重量部、水酸化ナトリウム８×１０-4重量部を反応槽に仕込み、窒素置換した後、１４０℃で溶融した。３０分攪拌後、内温を１８０℃に昇温しつつ徐々に減圧し１３．３ｋＰａで３０分間反応させ、生成するフェノールを溜去した。次に同圧に維持しながら昇温し続け、１９０℃で３０分間、２００℃で４０分間反応を行い留出ＰｈＯＨ量が１２４重量部（６５％留出、理論量：１９１重量部）になったところで温度を更に昇温し、２１０℃で３０分間、２２０℃で３０分間、さらに２４０℃で３０分間フェノールを溜去せしめ反応させた。その後、ゆっくりと減圧し２４０℃で１３３Ｐａ以下とした。フル真空到達後４時間攪拌下で反応せしめた。失活剤として、ドデシルベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩を８×１０-4重量部添加後、２４０℃、１３．３ｋＰａで２０分間攪拌した後、反応槽の底より窒素加圧下吐出し、水槽で冷却しながらペレタイザーでカットしてペレットとした。上記重合したポリカーボネート共重合体１０ｋｇに、ポリカプロラクトン（ポリカプロラクトンＨ１Ｐ）を５００ｇ添加した以外は実施例４と同様にして、熱可塑性樹脂組成物ペレットを得、該ペレットのガラス転移温度、ＭＶＲ、飽和吸水率を測定した。さらに、実施例１と同様の方法で光ディスクと基板を作成し、初期ラジアルチルト、△ラジアルチルト及び初期ジッタ、環境試験後のジッタ、転写率を測定した。測定したガラス転移温度、ＭＶＲ、飽和吸水率、初期ラジアルチルト、△ラジアルチルト、初期ジッタ、環境試験後のジッタ、転写率を表１に記載した。
【００７５】
【表１】
0004435752.tif 000011