(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体中に分散している粒子の形状を推定する粒子形状推定方法であって、
液体中の粒子に光を照射する光照射ステップと、
粒子から散乱された散乱光を検出する散乱光検出ステップと、
該散乱光検出ステップにより検出された各散乱光の検出強度（Ｙ１）と散乱角（Θ）を散乱光ごとに記憶する記憶ステップと、
前記記憶ステップにより記憶された散乱角（Θ）、前記光 照射ステップにより粒子に照射された光の波長（λ）から散乱光ごとに散乱ベクトルｋ（ｋ＝４πｓｉｎΘ／λ、πは円周率）を算出して、前記散乱ベクトル（ｋ）と該散乱 ベクトル（ｋ）の算出に用いられた散乱角（Θ）ごとの散乱光の検出強度（Ｙ１）を用いて、散乱ベクトル（ｋ）を横軸に、散乱光の検出強度（Ｙ）を縦軸にした実験化グラフを求める実験グラフ化ステップと、
散乱光の強度（Ｙ）を散乱ベクトル（ｋ）を変数として表わした粒子モデル式で、粒子の形状によってそれぞれ異なる粒子モデル式があらかじめ記憶手段に記憶されており、該記憶手段に記憶された粒子モデル式を選択する粒子モデル式選択ステップと、
該粒子モデル式選択ステップで選択され、粒子の 形状と粒子の密度に関する数を未知数とする粒子モデル式の未知数にあらかじめ定められた初期値を代入し、粒子モデル式を設定する粒子モデル式初期値設定ステップと、
該粒子モデル式初期値設定ステップにより初期値が代入された粒子モデル式に、前記実験グラフ化ステップにより算出された前記散乱ベクトル（ｋ）を代入して、散乱光の算出強度（Ｙ２）を算出して、前記散乱ベクトル（ｋ）と散乱光の算出強度（Ｙ２）を用いて、散乱ベクトル（ｋ）を横軸に、散乱光の強度（Ｙ）を縦軸にした粒子モデル式設定グラフを求める粒子モデル式設定グラフ化ステップと、
前記実験グラフ化ステップで求められた実験化グラフと前記粒子モデル式設定グラフ化ステップによって求められた粒子モデル式設定グラフの差の２乗が最小になるように粒子モデル式の粒子の形状と粒子の密度に関する数を設定し、該設定された粒子の形状と粒子の密度に関する数と該実験化グラフと該粒子モデル式設定グラフの差の２乗の最小値を記憶するグラフ差２乗最小値記憶ステップと、
該粒子モデル式選択ステップにより選択されたすべて粒子モデル式について、前記グラフ差２乗最小値記憶ステップにより記憶された実験化グラフと粒子モデル式設定グラフの差の２乗の最小値のうち一番小さい値の粒子モデル式を選定し、該粒子モデル式から粒子の形状を推定する粒子形状推定ステップと、
を有する粒子形状推定方法。
【請求項２】
液体中に分散している粒子の形状と該形状の大きさを推定する粒子形状推定方法であって、
液体中の粒子に光を照射する光照射ステップと、
粒子から散乱された散乱光を検出する散乱光検出ステップと、
該散乱光検出ステップにより検出された各散乱光の検出強度（Ｙ１）と散乱角（Θ）を散乱光ごとに記憶する記憶ステップと、
前記記憶ステップにより記憶された散乱角（Θ）、前記光 照射ステップにより粒子に照射された光の波長（λ）から散乱光ごとに散乱ベクトルｋ（ｋ＝４πｓｉｎΘ／λ、πは円周率）を算出して、前記散乱ベクトル（ｋ）と該散乱 ベクトル（ｋ）の算出に用いられた散乱角（Θ）ごとの散乱光の検出強度（Ｙ１）を用いて、散乱ベクトル（ｋ）を横軸に、散乱光の検出強度（Ｙ）を縦軸にした実験化グラフを求める実験グラフ化ステップと、
散乱光の強度（Ｙ）を散乱ベクトル（ｋ）を変数として表わした粒子モデル式で、粒子の形状によってそれぞれ異なる粒子モデル式があらかじめ記憶手段に記憶されており、該記憶手段に記憶された粒子モデル式を選択する粒子モデル式選択ステップと、
該粒子モデル式選択ステップで選択され、粒子の 形状と粒子の密度に関する数を未知数とする粒子モデル式の未知数にあらかじめ定められた初期値を代入し、粒子モデル式を設定する粒子モデル式初期値設定ステップと、
該粒子モデル式初期値設定ステップにより初期値が代入された粒子モデル式に、前記実験グラフ化ステップにより算出された前記散乱ベクトル（ｋ）を代入して、散乱光の算出強度（Ｙ２）を算出して、前記散乱ベクトル（ｋ）と散乱光の算出強度（Ｙ２）を用いて、散乱ベクトル（ｋ）を横軸に、散乱光の強度（Ｙ）を縦軸にした粒子モデル式設定グラフを求める粒子モデル式設定グラフ化ステップと、
前記実験グラフ化ステップで求められた実験化グラフと前記粒子モデル式設定グラフ化ステップによって求められた粒子モデル式設定グラフの差の２乗が最小になるように粒子モデル式の粒子の形状と粒子の密度に関する数を設定し、該設定された粒子の形状と粒子の密度に関する数と該実験化グラフと該粒子モデル式設定グラフの差の２乗の最小値を記憶するグラフ差２乗最小値記憶ステップと、
該粒子モデル式選択ステップにより選択されたすべて粒子モデル式について、前記グラフ差２乗最小値記憶ステップにより記憶された実験化グラフと粒子モデル式設定グラフの差の２乗の最小値のうち一番小さい値の粒子モデル式を選定し、該粒子モデル式から粒子の形状を推定し、前記グラフ差２乗最小値記憶ステップにより設定された該粒子モデル式の粒子の大きさに関する数から粒子の大きさを推定する粒子形状推定ステップと、
を有する粒子形状推定方法。
【請求項３】
前記粒子モデル式初期値設定ステップは、粒子の形状により格別に定まる粒子モデル式として  Ｙ＝ｎ×Δβ２×Ｖ２×Ｐ×Ｓ（式中、ｎは粒子の数密度、Ｖは粒子の体積、Δβは粒子と溶媒の散乱長密度の差、Ｐは粒子形状因子（散乱ベクトルｋの関数）、Ｓは構造因子（散乱ベクトルｋの関数））を用いることを特徴とする請求項１または２記載の粒子形状推定方法。
【請求項４】
前記実験グラフ化ステップは、あらかじめ記憶された粒子に照射された光の波長（λ）と散乱角（Θ）をもとに散乱ベクトル（ｋ＝４πｓｉｎΘ／λ、πは円周率）を計算することを特徴とする請求項１または２記載の粒子形状推定方法。
【請求項５】
前記光照射ステップにより液体中に照射される光は、Ｘ線または中性子であることを特徴とする請求項１または２記載の粒子形状推定方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液体中に分散している粒子の形状とその形状の大きさを推定する方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、液体中に分散しているたんぱく質、高分子化合物、界面活性剤ミセル、その他分子集合体などの被測定物の粒子はナノメートルぐらいの大きさであり、これらの粒子は電子顕微鏡もしくは原子間力顕微鏡を用いて観測するのが一般的であった。これらの粒子を電子顕微鏡で観測するためには、まず液体中の被測定物である試料を凍結し脱水するなどの化学的処理を行ない、そして真空下において観測しなければならなかった。そのためこの化学的処理の過程において粒子の形態が変化してしまう可能性があり、電子顕微鏡で観察された粒子の像が液体中における粒子の形態と異なる場合があった。また原子間力顕微鏡においては、真空下に限らず液体中において観測することができる利点があるが、観測できる大きさには限界があった。
【０００３】
そのために、液体に直接的に電磁波（中性子、Ｘ線、光）を照射して測定する散乱法が用いられていた。この散乱法の一般的に行われている方法としてギニエ法がある。この方法は、横軸に散乱ベクトルの２乗をとり、縦軸に散乱強度の対数で表わすと、散乱ベクトルの２乗の小さい領域で、散乱ベクトルの２乗と散乱強度の対数の間に右下がりの比例関係が成立する。この比例関係の 直線を外挿すると原点散乱強度が求められ、その原点散乱強度から粒子の分子量などが計算することができ、この比例関係の直線の傾きから、粒子の大まかな大きさを示す慣性 半径が計算することができるというものである。
【０００４】
また、小角Ｘ線散乱法に基づいて得られる散乱Ｘ線スペクトラムより、横軸を散乱ベクトルｋの２乗（ｋ２＝（４πｓｉｎΘ／λ）２）、縦軸を強度Ｙの常用対数（Ｌｏｇ１０Ｙ）とする標準スペクトラムｆ（ｋ２）を求め、更に、粒子径Ｄｉ（ここでｉ＝１〜ｎの 自然数）に対応する傾き（−αＤｉ）を有する直線群Ｌｉ（Ｌｏｇ１０Ｙｉ＝−αＤｉｋ２ｉ＋
Ｌｏｇ１０βｉで表わす。）の一次結合（ΣＬｉ）で表される合成スペクトラムｇ（ｋ２）により、標準スペクトラムｆ（ｋ２）を近似したときの直線群Ｌｉのｙ切片（Ｌｏｇ１０βｉ）と傾き（−αＤｉ）より、所定の粒子径Ｄｉに対する粒子含有率を求める粒度分布測定方法が知られている（たとえば、特許文献１）。
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−１３９６８０
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に記載された方法では、粒子の形状が球形であることを仮定して所定の粒子径が求められているために、実際の液体中に分散している粒子は球形以外の粒子も存在することから、実際の液体中に分散している粒子の形状と形状にもとづいた大きさが求めることができなかった。
【０００７】
本発明は、液体中における粒子の形状のみならず、その形状の大きさを明らかにする粒子形状推定方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の第１の態様は、液体中に分散している粒子の形状を推定する粒子形状推定方法であって、液体中の粒子に光を照射する光照射ステップと、粒子から散乱された散乱光を検出する散乱光検出ステップと、該散乱光検出ステップにより検出された各散乱光の検出強度（Ｙ１）と散乱角（Θ）を散乱光ごとに記憶する記憶ステップと、記憶ステップにより記憶された散乱角（Θ）、光照射ステップにより粒子に照射された光の波長（λ）から散乱光ごとに散乱ベクトルｋ（ｋ＝４πｓｉｎΘ／λ、πは円周率）を算出して、散乱ベクトル（ｋ）と該散乱ベクトル（ｋ）の算出に用いられた散乱角（Θ）ごとの散乱光の検出強度（Ｙ１）を用いて、散乱ベクトル（ｋ）を横軸に、散乱光の検出強度（Ｙ）を縦軸にした実験化グラフを求める実験グラフ化ステップと、散乱光の強度（Ｙ）を散乱ベクトル（ｋ）を変数として表わした粒子モデル式で、粒子の形状によってそれぞれ異なる粒子モデル式があらかじめ記憶手段に記憶されており、該記憶手段に記憶された粒子モデル式を選択する粒子モデル式選択ステップと、該粒子モデル式選択ステップで選択され、粒子の形状と粒子の密度に関する数を未知数とする粒子モデル式の未知数にあらかじめ定められた初期値を代入し、粒子モデル式を設定する粒子モデル式初期値設定ステップと、該粒子モデル式 初期値設定ステップにより初期値が代入された粒子モデル式に、実験グラフ化ステップにより算出された散乱ベクトル（ｋ）を代入して、散乱光の算出強度（Ｙ２）を算出して、散乱ベクトル（ｋ）と散乱光の算出強度（Ｙ２）を用いて、散乱ベクトル（ｋ）を横軸に、散乱光の強度（Ｙ）を縦軸にした粒子モデル式設定グラフを求める粒子モデル式 設定グラフ化ステップと、実験グラフ化ステップで求められた実験化グラフと粒子モデル式設定グラフ化ステップによって求められた粒子モデル式設定グラフの差の２乗が最小になるように粒子モデル式の粒子の形状と粒子の密度に関する数を設定し、該設定された粒子の形状と粒子の密度に関する数と該実験化グラフと該粒子モデル式設定グラフの差の２乗の最小値を記憶するグラフ差２乗最小値記憶ステップと、該粒子モデル式選択ステップにより選択されたすべて粒子モデル式について、グラフ差２乗最小値記憶ステップにより記憶された実験化グラフと粒子モデル式設定グラフの差の２乗の最小値のうち一番小さい値の粒子モデル式を選定し、該粒子モデル式から粒子の形状を推定する粒子形状推定ステップと、を有する。
【０００９】
本発明によれば、粒子モデル式選択ステップにより 選択されたすべて粒子モデル式について、実験化グラフと粒子モデル式設定グラフの差の２乗の最小値を求め、その最小値のうちの一番小さい値の粒子モデル式を選定することによって、該粒子モデル式から粒子の形状を推定することができる。
【００１０】
本発明の第２の態様は、液体中に分散している粒子の形状と該形状の大きさを推定する粒子形状推定方法であって、液体中の粒子に光を照射する光照射ステップと、粒子から散乱する散乱光を検出する散乱光検出ステップと、該散乱光検出ステップにより検出された各散乱光の検出強度（Ｙ１）と散乱角（Θ）を散乱光ごとに記憶する記憶ステップと、
記憶ステップにより記憶された散乱角（Θ）、光照射 ステップにより粒子に照射された光の波長（λ）から散乱光ごとに散乱ベクトルｋ（ｋ＝４πｓｉｎΘ／λ、πは円周率）を算出して、散乱ベクトル（ｋ）と該散乱ベクトル（ｋ）の算出に用いられた散乱角（Θ）ごとの散乱光の検出強度（Ｙ１）を用いて、散乱ベクトル（ｋ）を横軸に、散乱光の強度（Ｙ）を縦軸にした実験化グラフを求める 実験グラフ化ステップと、散乱光の強度（Ｙ）を散乱ベクトル（ｋ）を変数として表わした粒子モデル式で、粒子の形状によってそれぞれ異なる粒子モデル式があらかじめ記憶手段に記憶されており、該記憶手段に記憶された粒子モデル式を選択する粒子モデル式選択ステップと、該粒子モデル式選択ステップで選択され、粒子の形状と粒子の密度に関する数を未知数とする粒子モデル式の未知数にあらかじめ定められた初期値を代入し、粒子モデル式を設定する粒子モデル式初期値設定ステップと、該粒子モデル式 初期値設定ステップにより初期値が代入された粒子モデル式に、実験グラフ化ステップにより算出された散乱ベクトル（ｋ）を代入して、散乱光の算出強度（Ｙ２）を算出して、散乱ベクトル（ｋ）と散乱光の算出強度（Ｙ２）を用いて、散乱ベクトル（ｋ）を横軸に、散乱光の強度（Ｙ）を縦軸にした粒子モデル式設定グラフを求める粒子モデル式 設定グラフ化ステップと、実験グラフ化ステップで求められた実験化グラフと粒子モデル式設定グラフ化ステップによって求められた粒子モデル式設定グラフの差の２乗が最小になるように粒子モデル式の粒子の形状と粒子の密度に関する数を設定し、該設定された粒子の形状と粒子の密度に関する数と該実験化グラフと該粒子モデル式設定グラフの差の２乗の最小値を記憶するグラフ差２乗最小値記憶ステップと、該粒子モデル式選択ステップにより選択されたすべて粒子モデル式について、グラフ差２乗最小値記憶ステップにより記憶された実験化グラフと粒子モデル式設定グラフの差の２乗の最小値のうち一番小さい値の粒子モデル式を選定し、該粒子モデル式から粒子の形状を推定し、グラフ差２乗最小値記憶ステップにより設定された該粒子モデル式の粒子の大きさに関する数から粒子の大きさを推定する粒子形状推定ステップと、を有する。
【００１１】
本発明によれば、粒子モデル式選択ステップにより 選択されたすべて粒子モデル式について、実験化グラフと粒子モデル式設定グラフの差の２乗の最小値を求め、その最小値のうちの一番小さい値の粒子モデル式を選定することによって、該粒子モデル式から粒子の形状を推定することができ、該粒子モデル式の粒子の大きさに関する数から粒子の大きさを推定することができる。これにより、液体中の粒子の形状のみならず、その粒子の形状にともなった様々な大きさをも明らかにすることができる。
【００１２】
本発明の第３の態様は、第１または第２の態様に加え、粒子モデル式初期値設定ステップは、粒子の形状により格別に定まる粒子モデル式として  Ｙ＝ｎ×Δβ２×Ｖ２×Ｐ×Ｓ&#61472;&#61472;（式中、ｎは粒子の数密度、Ｖは粒子の体積、Δβは粒子と溶媒の散乱長密度の差、Ｐは粒子形状因子（散乱ベクトルｋの 関数）、Ｓは構造因子（散乱ベクトルｋの関数））を用いることを特徴とする。
【００１３】
本発明の第４の態様は、第１または第２の態様に加え、実験グラフ化ステップは、あらかじめ記憶された粒子に照射された光の波長（λ）と散乱角（Θ）をもとに散乱ベクトルｋ（ｋ＝４πｓｉｎΘ／λ、πは円周率）を算出することを特徴とする。
【００１４】
本発明によれば、散乱光の散乱角（Θ）は検出位置によりあらかじめ求めることができることから、散乱ベクトルｋを算出する際に、あらかじめ記憶された粒子に照射された光の波長（λ）と散乱角（Θ）を使用することにより、容易に散乱ベクトルｋを算出することができる。
【００１５】
本発明の第５の態様は、第１または第２の態様に加え、光照射ステップにより液体中に照射される光は、Ｘ線または中性子であることを特徴とする。      
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、Ｘ線または中性子を照射した場合でも粒子の形状を推定することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の粒子形状推定方法の一実施形態について図面を参照にしながら説明する。図１は、本発明の一実施形態における粒子形状推定方法に用いられる粒子形状推定装置のブロック図である。
【００１８】
図１に示すように、粒子形状推定装置１は、Ｘ線発生源２、スリット３、容器４、真空パス５、検出器６、コンピュータ部７を有する。
【００１９】
Ｘ線発生源２は、Ｘ線を発生し液体中の粒子（被測定物）に波長λのＸ線を照射するものである。なお、本実施形態では、光発生源としてＸ線発生源２を用いて説明したが、これに限らず、散乱法を用いることができるものであればよく、中性子を発生する中性子発生源などでもよい。
【００２０】
スリット３は、Ｘ線発生源２によって発生させたＸ線を特定の領域に絞るもので、このスリット３により絞られたＸ線は、石英セルまたは雲母セルなどの容器４に収納された液体中の粒子に照射される。この粒子にあたったＸ線は粒子により散乱される。
【００２１】
粒子にあたって散乱されたＸ線（散乱光）は、真空パス５を通り、散乱光が発せられる散乱角（Θ）ごとに検出器６により散乱光の強度（Ｙ１）が検出される。具体的には、検出器６には、散乱光を検出するための散乱光検出部（図示略）が複数（本実施形態では２５６個）有しており、それぞれの散乱光検出部により散乱光の強度（Ｙ１）と散乱角（Θ）が検出される。そして、この検出器６により散乱光が発せられる散乱角（Θ）ごとに検出された散乱光の強度（Ｙ１）は、それぞれ関連づけて後述するコンピュータ部７の記憶手段８に記憶される。なお、この散乱光検出部（図示略）は、特定位置に配置されているため、散乱光検出部により検出される散乱角（Θ）は散乱光検出部ごとに特定値となることから、散乱光検出部ごとの散乱角（Θ）を後述するコンピュータ部７の記憶手段８にあらかじめ記憶し、その記憶手段８に記憶されている散乱角（Θ）を用いてもよい。
【００２２】
次に、コンピュータ部７内の処理について説明する。コンピュータ部７は、記憶手段８と、実験グラフ化手段（実験スペクトル算出手段）９と、粒子モデル式選択手段１０と、粒子モデル式初期値設定手段１１と、粒子モデル式設定グラフ化手段（幾何学スペクトル算出手段）１２と、グラフ差２乗最小値記憶手段１３、粒子形状推定手段１４とを有している。
【００２３】
記憶手段８は、上述したように、検出器６により 検出された散乱光の光強度（Ｙ１）と散乱角（Θ）を散乱光ごとに記憶するとともに、後述する散乱ベクトルｋ（ｋ＝４πｓｉｎΘ／λ、πは円周率）も記憶するものである。また、記憶手段８には、Ｘ線発生源２から発生したＸ線の波長（λ）も記憶され、後述する粒子の形状により格別に定まる粒子モデル式（幾何学モデル式（数式１に数式２〜数式１９を代入した式））も記憶されている。なお、本実施形態では、記憶手段８によりＸ線発生源２から発生したＸ線の波長（λ）や、粒子の形状により格別に定まる粒子モデル式（幾何学モデル式（散乱法による式））を記憶させたが、これに限らず、それぞれ別々の記憶手段にＸ線発生源２から発生したＸ線の波長λや、粒子の形状により格別に定まる粒子モデル式（幾何学モデル式（散乱法による式））を記憶させてもよい。
【００２４】
粒子モデル式（散乱法の基本式）は、次式であらわされる。
【数１】
0004598899.tif 000002
Ｙ２  ：散乱波（電磁波）の強度（散乱ベクトルｋ（４πｓｉｎΘ／λ）の関数）
ｎ  ：粒子の数密度
Ｖ  ：粒子の体積
Δβ：散乱長密度の差
Ｐ  ：粒子形状因子（散乱ベクトルｋ（４πｓｉｎΘ／λ）の関数）
Ｓ  ：構造因子（散乱ベクトルｋ（４πｓｉｎΘ／λ）の関数）
ここで、粒子の体積Ｖ、形状因子Ｐ、構造因子Ｓは、粒子の形状に関する数を構成するものである。&#61472;
【００２５】
上述した粒子モデル式（数式１）の各変数は粒子の形状により異なるので、下記の式（数式２〜数式１９）を上述した粒子モデル式（数式１）に代入することにより、粒子の形状により格別に定まる粒子モデル式がそれぞれ求めることができる。  
【００２６】
粒子の形状が球の場合は、粒子の形状モデル式（数式１）に代入される式は次式で表される。
【数２】
0004598899.tif 000003
希薄系の場合は、S=1であり、濃厚系の場合は、S≠1である。希薄系の場合と濃厚系の場合をそれぞれわけて計算する必要がある。 
【００２７】
粒子の形状が中空球の場合は、粒子モデル式（ 数式１）に代入される式は次式で表される。
【数３】
0004598899.tif 000004
Ｒ：中空部分の球の半径
ｄ：厚さ
希薄系の場合は、S=1であり、濃厚系の場合は、 S≠1である。希薄系の場合と濃厚系の場合をそれぞれわけて計算する必要がある。 
【００２８】
粒子の形状が二重層球の場合は、粒子モデル式（数式１）に代入される式は次式で表される。
【数４】
0004598899.tif 000005
粒子濃度が、希薄系の場合は、S=1であり、濃厚系の場合は、 S≠1である。それぞれわけて計算する必要がある。
【００２９】
粒子の形状の断面が円の楕円体の場合は、粒子モデル式（数式１）に代入される式は次式で表される。  
【数５】
0004598899.tif 000006
a ：断面の円の半径
v ：短軸と長軸の軸比
粒子濃度が、希薄系の場合は、S=1であり、濃厚系の場合は、 S≠1である。それぞれわけて計算する必要がある。
【００３０】
粒子の形状が中空であり断面が円の楕円体の場合は、粒子モデル式（数式１）に代入される式は次式で表される。
【数６】
0004598899.tif 000007
a：楕円体の中空部分の断面の円の半径
d：厚さ
v：短軸と長軸の軸比
粒子濃度が、希薄系の場合は、S=1であり、濃厚系の場合は、 S≠1である。それぞれわけて計算する必要がある。
【００３１】
粒子の形状の断面が二重層の円の楕円体の場合は、粒子モデル式（数式１）に代入される式は次式で表される。
【数７】
0004598899.tif 000008
【００３２】
粒子の形状の断面が楕円の楕円体の場合は、粒子モデル式（数式１）に代入される式は次式で表される。
【数８】
0004598899.tif 000009
a ：x 軸における長さ
b ：y 軸における長さ
c ：z 軸における長さ
粒子濃度が、希薄系の場合は、S=1であり、濃厚系の場合は、 S≠1である。それぞれわけて計算する必要がある。
【００３３】
粒子の形状が中空であり断面が楕円の楕円体の場合は、粒子モデル式（数式１）に代入される式は次式で表される。
【数９】
0004598899.tif 000010
a ：楕円体の中空部分の断面の楕円のx  軸における長さ
b ：楕円体の中空部分の断面の楕円のy 軸における長さ
c ：楕円体の中空部分の断面の楕円のz 軸における長さ
d ：厚さ
粒子濃度が、希薄系の場合は、S=1であり、濃厚系の場合は、 S≠1である。それぞれわけて計算する必要がある。
【００３４】
粒子の形状の断面が二重層の楕円の楕円体の場合は、粒子モデル式（数式１）に代入される式は次式で表される。
【数１０】
0004598899.tif 000011
【００３５】
粒子の形状が円柱の場合は、粒子モデル式（数式１）に代入される式は次式で表される。
（ｉ）希薄系の場合
【数１１】
0004598899.tif 000012
（ｉｉ）濃厚系の場合
粒子濃度が濃い場合は、Random phase approxima   tion (RPA) 近似とPolymer  reference interaction site model (PRISM) 近似の二つが知られている。
（ｉｉ−１）RPA近似の場合 
【数１２】
0004598899.tif 000013
（ｉｉ−２）PRISM近似の場合
【数１３】
0004598899.tif 000014
【数１４】
0004598899.tif 000015
R ：底面の円の半径
H：円柱の高さ
J1(x) ：第一次ベッセル関数 
x ：任意のパラメータ 
【００３６】
粒子の形状が中空円柱の場合は、粒子モデル式（数式１）に代入される式は次式で表される。
（ｉ）希薄系の場合
【数１５】
0004598899.tif 000016
（ｉｉ）濃厚系の場合
粒子濃度が濃い場合は、Random phase approxima   tion (RPA) 近似とPolymer reference interaction site model (PRISM) 近似の二つが知られている。
（ｉｉ−１）RPA近似の場合 
【数１６】
0004598899.tif 000017
（ｉｉ−２）PRISM近似の場合
【数１７】
0004598899.tif 000018
【数１８】
0004598899.tif 000019
R ：底面の円の半径
d ：厚さ
H：円柱の高さ
J1(x) ：第一次ベッセル関数 
x ：任意のパラメータ 
【００３７】
粒子の形状が二重層円柱の場合は、粒子モデル式（数式１）に代入される式は次式で表される。
（ｉ）希薄系の場合
【数１９】
0004598899.tif 000020
（ｉｉ）濃厚系の場合
粒子濃度が濃い場合は、Random phase approxima   tion (RPA) 近似とPolymer reference interaction site model (PRISM) 近似の二つが知られている。
（ｉｉ−１）RPA近似の場合 
【数２０】
0004598899.tif 000021
（ｉｉ−２）PRISM近似の場合
【数２１】
0004598899.tif 000022
【数２２】
0004598899.tif 000023
【００３８】
粒子の形状が楕円柱の場合は、粒子モデル式（ 数式１）に代入される式は次式で表される。
（ｉ）希薄系の場合
【数２３】
0004598899.tif 000024
（ｉｉ）濃厚系の場合
粒子濃度が濃い場合は、Random phase approxima   tion (RPA) 近似とPolymer reference interaction site model (PRISM) 近似の二つが知られている。
（ｉｉ−１）RPA近似の場合
【数２４】
0004598899.tif 000025
（ｉｉ−２）PRISM近似の場合
【数２５】
0004598899.tif 000026
【数２６】
0004598899.tif 000027
a ：底面のx 軸における長さ
b ：底面のy軸における長さ
H：円柱の高さ
【００３９】
粒子の形状が中空楕円柱の場合は、粒子モデル式（数式１）に代入される式は次式で表される。
（ｉ）希薄系の場合
【数２７】
0004598899.tif 000028
（ｉｉ）濃厚系の場合
粒子濃度が濃い場合は、Random phase approxima   tion (RPA) 近似とPolymer reference interaction site model (PRISM) 近似の二つが知られている。
（ｉｉ−１）RPA近似の場合 
【数２８】
0004598899.tif 000029
（ｉｉ−２）PRISM近似の場合
【数２９】
0004598899.tif 000030
【数３０】
0004598899.tif 000031
a ：底面のx 軸における長さ
b ：底面の y 軸における長さ 
H：円柱の高さ
d：厚さである。
【００４０】
粒子の形状が二重層楕円柱の場合は、粒子モデル式（数式１）に代入される式は次式で表される。
（ｉ）希薄系の場合
【数３１】
0004598899.tif 000032
（ｉｉ）濃厚系の場合
粒子濃度が濃い場合は、Random phase approxima   tion (RPA) 近似とPolymer reference interaction site model (PRISM) 近似の二つが知られている。
（ｉｉ−１）RPA近似の場合 
【数３２】
0004598899.tif 000033
（ｉｉ−２）PRISM近似の場合
【数３３】
0004598899.tif 000034
【数３４】
0004598899.tif 000035
a ：底面のx 軸における長さ
b ：底面の y 軸における長さ 
H：円柱の高さ
d：厚さである。
【００４１】
多成分系の球の場合は、粒子モデル式（数式１）に代入される式は次式で表される。
【数３５】
0004598899.tif 000036
（ｉ）粒径分布が正規分布の場合は、次式であらわされるD(R)を上式に代入する。 
【数３６】
0004598899.tif 000037
R ：球の半径
Rav：平均粒径
σ２：分散である。 
（ｉｉ）粒径分布がシュルツ・ジム分布(Schultz-Zimm 分布)の場合は、次式であらわされるD(R)を上式に代入する。 
【数３７】
0004598899.tif 000038
R：球の半径
Rav ：平均粒径
σ２：分散
Г(x) ：ガンマ関数
x ：任意の値
RmaxとRminは、Rmax＝Rav+０．１とRmin＝Rav−０．１と設定し、式（３５の５）を算出して、式（３５の３）の条件にならなければ、Rmax＝Rmax +０．１ とRmin＝Rmin−０．１を設定しなおして、式（３５の５）を算出する。この操作を式（３５の３）の条件になるまで繰り返して、式（３５の３）の条件を満たせば、RmaxとRminが決定される。
【００４２】
実験グラフ化手段（実験スペクトル算出手段）９は、記憶手段８により記憶された散乱角（Θ）と粒子に照射された光の波長（λ）から散乱光ごとに散乱ベクトルｋ（ｋ＝４πｓｉｎΘ／λ、πは円周率）を算出し、その算出された散乱ベクトル（ｋ）と該散乱ベクトル（ｋ）の算出に用いられた散乱角（Θ）の散乱光の検出強度（Ｙ１）を用いて、散乱ベクトル（ｋ）を横軸に、散乱光の強度（Ｙ）を縦軸にした実験化グラフを求めるものである。なお、粒子から発せられる散乱光は、それぞれの粒子に照射される角度などにより異なるものであり、それぞれの粒子に対応する散乱光の強度（Ｙ１）と散乱光から発せられる散乱角（Θ）が検出される。そして、その検出されたそれぞれの粒子に対応する散乱光の強度（Ｙ１）と散乱光から発せられる散乱角（Θ）と波長（λ）が散乱ベクトルの関係式ｋ＝（４πｓｉｎΘ／λ）に代入されて、縦軸に散乱光の強度（Ｙ）、横軸に散乱ベクトル（ｋ）としてグラフ化が行なわれる。
【００４３】
粒子モデル式選択手段１０は、記憶手段８により記憶されている上述した粒子モデル式（粒子の形状により格別に定まる粒子モデル式（数式１に数式２〜数式１９を代入した粒子モデル式）の中からあらかじめ定められた順序で粒子モデル式を一つずつ選択するものである。これにより、粒子の形状によりそれぞれ異なる粒子モデル式（数式１に数式２〜数式１９を代入した各粒子モデル式）が一つずつ選択される。上述したように、この段階では選択された粒子モデル式のうち、粒子の形状に関する数と粒子の数密度（ｎ）と散乱長密度（Δβ）は未知数の状態である。なお、本実施形態では、記憶手段８に記憶されているすべての粒子モデル式を１つずつ選択したが、これに限らず、記憶手段８に記憶されているすべての粒子モデル式をすべて一度に選択してもよく、また複数の粒子モデル式ごと分割して選択してもよい。さらに、また記憶手段８に記憶されている粒子モデル式のうち一部の粒子モデル式のみ選択する方法でもよい。
【００４４】
粒子モデル式初期値設定手段１１は、粒子の形状と粒子の密度に関する数を未知数（粒子の形状に関する数と粒子の数密度（ｎ）と散乱長密度（Δβ））とする粒子モデル式の未知数にあらかじめ定められた（予想される）初期値を代入するものである。これにより、粒子モデル式選択手段１０により選択された粒子モデル式について、その粒子モデル式の未知数に所定数（初期値）が代入され、粒子モデル式を定めることができる。
【００４５】
粒子モデル式設定グラフ化手段１２は、粒子モデル式初期値設定手段１１により初期値が代入された粒子モデル式に、実験グラフ化手段９により算出された散乱ベクトル（ｋ）を代入して、散乱光の算出強度（Ｙ２）を算出して、その算出された散乱光の散乱ベクトル（ｋ）と散乱光の算出強度（Ｙ２）を用いて、散乱ベクトル（ｋ）を横軸に、散乱光の強度（Ｙ）を縦軸にした粒子モデル式設定グラフを求めるものである。これにより、初期値が代入された粒子モデル式の粒子モデル式設定グラフを求めることができる。
【００４６】
グラフ差２乗最小値記憶手段１３は、実験グラフ化手段９で求められた実験化グラフと粒子モデル式設定グラフ化手段１２によって求められた粒子モデル式設定グラフの差の２乗が最小になるように粒子モデル式の 粒子の形状と粒子の密度に関する数が設定され、設定された粒子の形状と粒子の密度に関する数と該実験化グラフと該粒子モデル式設定グラフの差の２乗の最小値を 記憶する。具体的には、まず実験グラフ化手段９で求められた実験化グラフと粒子モデル式設定グラフ化手段１２によって求められた粒子モデル式設定グラフを比較する。そして、上記粒子モデル式初期値設定手段１１で初期値が代入された粒子の形状と粒子の密度に関する数を変化させ、実験グラフ化手段９で求められた実験化グラフと粒子モデル式設定グラフ化手段１２によって求められた粒子モデル式設定グラフの差の２乗が最小になるように粒子モデル式の粒子の形状と粒子の密度に関する数を求める。これにより、粒子モデル式選択手段１０により選択された粒子モデル式について、実験化グラフと近似するグラフを求めることができる。
【００４７】
粒子形状推定手段１４は、粒子モデル式選択手段１０により選択されたすべて粒子モデル式（数式１に数式２〜数式１９を代入した粒子モデル式）の粒子モデル式設定グラフについて、グラフ差２乗最小値記憶手段１３により記憶された実験化グラフと粒子モデル式設定グラフの差の２乗の最小値を比較し、そのうちの差が最も小さい値の粒子モデル式を選定する。これにより、粒子モデル式選択手段１０により 選択されたすべて粒子モデル式の粒子モデル式設定グラフのうちで、実験化グラフと最も近似するグラフを求めることができる。そして、該粒子モデル式から粒子の形状が推定され、グラフ差２乗最小値記憶手段１３により設定された該粒子モデル式の粒子の大きさに関する数から粒子の大きさが推定することができる。なお、本実施形態では、粒子の形状と大きさを求めるようにしたが、粒子の形状のみ求めるものでもよい。
【００４８】
次に、本発明の粒子形状推定方法について、図２を参照にしながら説明する。図２は、本発明の一実施形態における粒子形状推定方法のフローチャートである。
【００４９】
Ｓ１１において、Ｘ線発生源２の電源スイッチ（図示略）がＯＮかが判断される。そして、Ｓ１１でＹＥＳと判断された場合には、Ｓ１２により、粒子に照射されるＸ線の波長が入力されているかが判断される。この粒子に照射されるＸ線の波長はＸ線波長入力部（図示略）により入力される。なお、本実施形態では、Ｘ腺波長入力部によりＸ線の波長を入力する方法をとったが、これに限らず、Ｘ線波長入力部を設けず、あらかじめ 記憶手段８に記憶された一定の波長のＸ線を粒子に照射させるようにしてもよい。また、本実施形態では、Ｘ線を粒子に照射させるようにしたが、これに限らず、中性子などでもよく光であればＸ線に限定されない。そして、Ｓ１２でＹＥＳと判断された場合は、Ｓ１３に進む。
【００５０】
Ｓ１３において、Ｘ線発射スイッチ（図示略）がＯＮにされたかが判断される。そして、Ｓ１３でＹＥＳの場合は、Ｓ１４に進む。なお、本実施形態が、電源スイッチとＸ線発射スイッチをそれぞれ別々の設けた態様について説明したが、これに限らず、電源 スイッチとＸ線発射スイッチを１つのスイッチで兼ねてもよい。
【００５１】
Ｓ１４において、容器４内の液体中の粒子に向けてＸ線が発射される。具体的には、Ｘ線発生源２から発射されたＸ線は、スリット３を介し液体中の粒子に照射される。そして、粒子に向けて照射されたＸ線は、粒子に当たることにより散乱し散乱光となる。なお、液体中に複数の粒子が存在するので、それぞれの粒子について散乱光が発生する。
【００５２】
Ｓ１５において、粒子に当たって散乱した光（散乱光）の強度（強度（Ｙ１））と、その散乱光の散乱角（Θ）を検出器６により検出する。具体的には、検出器６には、散乱光を検出するための散乱光検出部（図示略）が複数（本実施形態では２５６個）有しており、それぞれの散乱光検出部により散乱光の強度（Ｙ１）と散乱角（Θ）が検出される。なお、Ｘ線が照射される粒子は複数存在するので、それぞれの粒子についての散乱光の光強度（Ｙ１）と散乱角（Θ）が対応付けられて検出される。なお、上述したように、散乱光検出部により検出される散乱角（Θ）は散乱光検出部ごとに特定値となることから、散乱光検出部により検出された散乱角（Θ）を用いずに、記憶手段８に記憶されている各散乱光検出部の散乱角（Θ）を用いてもよい。
【００５３】
Ｓ１６において、検出された散乱光の強度（Ｙ１）と散乱角（Θ）が記憶手段８に記憶される。なお、Ｘ線が照射される粒子は複数存在するので、それぞれの粒子についての散乱光の光強度（Ｙ１）と散乱角（Θ）が対応付けられて記憶される。
【００５４】
Ｓ１７において、Ｘ線発生源２から粒子に照射された光の波長（λ）と、記憶手段８に記憶されている散乱光のそれぞれの散乱角（Θ）を用いて、散乱光ごとに散乱ベクトルｋ（ｋ＝４πｓｉｎΘ／λ、πは円周率）が算出される。そして、その算出された散乱ベクトル（ｋ）と該散乱ベクトル（ｋ）の算出に用いられた散乱角（Θ）の散乱光の検出強度（Ｙ１）を用いて、散乱ベクトル（ｋ）を横軸に、散乱光の強度（Ｙ）を縦軸にした実験化グラフ（図３参照）が求められる。すなわち、粒子から散乱される散乱光は、それぞれの粒子に照射されるＸ線の角度などにより異なるもので、それぞれの粒子に対応する散乱光の強度（Ｙ１）と散乱光から発せられる散乱角（Θ）が検出される。そして、その検出されたそれぞれの粒子に対応する散乱光の強度（Ｙ１）と散乱角（Θ）から求められた散乱ベクトル（ｋ）を用いて、横軸に散乱ベクトル（ｋ）、縦軸に散乱光の強度（Ｙ）をとって実験化グラフ（図３参照）が求められる。なお、上述したように、散乱光の散乱角（Θ）と散乱光の強度（Ｙ１）は検出器６により検出されるが、検出器６には散乱光を検出するための散乱光検出部（図示略）が複数（本実施 形態では２５６個）有しており、それぞれの散乱光検出部により散乱光の強度（Ｙ１）と散乱角（Θ）が検出される。したがって、各散乱光検出部により検出される散乱角（Θ）は散乱光検出部ごとに定まった散乱角（Θ）となる。ここで、図３からわかるように、それぞれの散乱角（Θ）から求められた散乱ベクトル（ｋ）に対応した強度（Ｙ１）が求められている。なお、図３は、本発明の一実施形態における実験化グラフを示す図である。
【００５５】
Ｓ１８において、記憶手段８により記憶されている 粒子の形状（球形状の粒子、中空球形状の粒子など）により格別に定まる粒子モデル式、すなわち、数式１に数式２〜数式１９を代入したそれぞれの粒子モデル式の中からあらかじめ定められた順序で一つずつ選択される。これにより、粒子の形状によりそれぞれ異なる粒子モデル式（数式１に数式２〜数式１９を代入した各粒子モデル式）が選択される。なお、この段階では、選択された粒子モデル式は、粒子の形状に関する数と粒子の数密度（ｎ）と散乱長密度（Δβ）が未知数の状態である。なお、本実施形態では、粒子の形状が二重層円柱の希薄系の粒子モデル式（数式１に数式１９を代入した式）が選択された場合について説明する。
【００５６】
Ｓ１９において、Ｓ１８により選択された二重層円柱の希薄系の 粒子モデル式は、粒子の形状に関する数と粒子の密度に関する数（R（底面の円の半径）、d（厚さ）、H（円柱の高さ）、βcore（粒子の中心部分の散乱長密度）、βshell（粒子の外側部分の散乱長密度）、および、ｎ（粒子の数密度））が未知数であるので、その粒子モデル式の未知数にあらかじめ定められた（予想される）初期値が代入される。具体的には、ｎ（粒子の数密度）の初期値として５×１０−１６が代入され、βｃｏｒｅ（粒子の中心部分の散乱長密度）の初期値として８．０２６μÅ−２が代入され、βｓｈｅｌｌ（粒子の外側部分の散乱長密度）の初期値として９．６９７μÅ−２が代入され、βｓｏｌｖｅｎｔ（溶媒の散乱長密度）の初期値として９．２１６μÅ−２が代入され、R（底面の円の半径）の初期値として３３Åが代入され、H（円柱の高さ）の初期値として２０Åが代入される。また、Ｓ（構造因子）は「１」が代入される（数式１９の２参照）。これにより、粒子モデル式選択手段１０により選択された粒子モデル式について、その粒子モデル式の未知数に所定数（初期値）が代入され、未知数が存在しない粒子モデル式を定めることができる。
【００５７】
Ｓ２０において、Ｓ１９により初期値が代入された粒子モデル式に、Ｓ１７により算出された散乱ベクトル（ｋ）を代入して、散乱光の算出強度（Ｙ２）が算出される。そして、その算出された散乱光の散乱ベクトル（ｋ）と散乱光の算出強度（Ｙ２）を用いて、散乱ベクトル（ｋ）を横軸に、散乱光の強度（Ｙ）を縦軸にした粒子モデル式設定グラフが求められる。これにより、初期値が代入された粒子モデル式の粒子モデル式設定グラフが求められる（図省略）。なお、この粒子モデル式設定グラフは、粒子の形状が二重層円柱の希薄系の粒子モデル式の粒子モデル式設定グラフである。
【００５８】
Ｓ２１において、Ｓ１７により求められた実験化グラフとＳ２０により求められた粒子モデル式設定グラフの差の２乗が最小になるように粒子モデル式の粒子の形状と粒子の密度に関する数（R（底面の円の半径）、d（厚さ）、H（円柱の高さ）、βcore（粒子の中心部分の散乱長密度）、βshell（粒子の外側部分の散乱長密度）、およびｎ（粒子の数密度））が設定される。すなわち、初期値が 代入された粒子の形状と粒子の密度に関する数（R（底面の円の半径）、d（厚さ）、H（円柱の高さ）、β core（粒子の中心部分の散乱長密度）、βshell（粒子の外側部分の散乱長密度）、およびｎ（粒子の数密度））を変化させて、Ｓ１７により求められた実験化グラフとＳ２０により求められた粒子モデル式設定グラフの差の２乗が最小になるようにされる。これは、シンプレックス法（別名：ポリトトープ法）、ガウスジョルダン法などを用いて、コンピュータ処理に行われる。そして、その設定（変更）された粒子の形状と粒子の 密度に関する数（R（底面の円の半径）、d（厚さ）、H（円柱の高さ）、βcore（粒子の中心部分の散乱長密度）、βshell（粒子の外側部分の散乱長密度）、およびｎ（粒子の数密度））と該実験化グラフと該粒子モデル式設定グラフの差の２乗の最小値が記憶される。具体的には、Ｓ１７により求められた実験化グラフとＳ２０によって求められた粒子モデル式設定グラフを比較し、Ｓ２０により初期値が代入された粒子の形状と粒子の密度に関する数（（R（底面の円の半径）、d（厚さ）、H（円柱の高さ）、βcore（粒子の中心部分の散乱長密度）、βshell（粒子の外側部分の散乱長密度）、およびｎ（粒子の数密度））を変化させ、Ｓ１７により求められた実験化グラフの個々の値とＳ２０によって求められた粒子モデル式設定グラフの差の２乗の合計値が最小になるように粒子モデル式の粒子の形状と粒子の密度に関する数（（R（底面の円の半径）、d（厚さ）、H（円柱の高さ）、βcore（粒子の中心部分の散乱長密度）、βshell（粒子の外側部分の散乱長密度）、およびｎ（粒子の数密度））が求められる。これにより、Ｓ１８により選択された粒子モデル式について、実験化グラフと近似するグラフが求められる（図４参照）。ここで、図４は、本発明の一実施形態における２乗値が最小のときの二重層円柱の希薄系の粒子化モデル式設定グラフを示す図である。
【００５９】
Ｓ２２において、粒子モデル式がすべて選択されたかが判断される。すなわち、記憶手段８に記憶されているすべての粒子モデル式（数式１に数式２〜数式１９を代入した粒子モデル式）が、Ｓ１８の粒子モデル式選択ステップにより 選択されたがが判断される。なお、本実施形態では、記憶手段８に記憶されているすべての粒子モデル式が選択されたかを判断したが、これに限らず、記憶手段８に記憶されている一部の粒子モデル式を選択する場合は、その一部の粒子モデルをすべて選択したかにより判断される。そして、すべての粒子モデル式が選択されていない場合は、Ｓ１８に戻り、すべての 粒子モデル式が選択されるまでＳ１８→Ｓ１９→Ｓ２０→Ｓ２１→Ｓ２２→Ｓ１８の処理が行なわれる。そして、Ｓ２２ですべての粒子モデル式が選択されたと判断された場合には、Ｓ２３に進む。
【００６０】
Ｓ２３において、Ｓ１８により選択されたすべて粒子モデル式（ 数式１に数式２〜数式１９を代入した粒子モデル式）の粒子モデル式設定グラフについて、グラフ差２乗最小値記憶手段１３により記憶された実験化グラフと粒子モデル式設定グラフの差の２乗の最小値（合計値）を比較し、そのうちの最も小さい値の粒子モデル式が選定される。これにより、Ｓ１８により選択されたすべて粒子モデル式の 粒子モデル式設定グラフのうちで、実験化グラフと最も近似するグラフを求めることができる。本実施形態では、差の２乗の最小値が一番小さい粒子モデル式は二重層 円柱であった（図５参照）。なお、説明の便宜上、図５は、記憶手段８に記憶されているすべての粒子モデル式についてグラフ化していない。そして、差の２乗の最小値が一番小さい粒子モデル式から粒子の形状（本実施形態では二重層円柱の希薄系）と推定され、グラフ差２乗最小値記憶手段１３に記憶された該粒子モデル式の粒子の大きさに関する数から粒子の大きさ（（R（底面の円の半径）、d（厚さ）、H（円柱の高さ））が推定される。ここで、図５は、本 発明の一実施形態における実験化グラフとそれぞれの粒子モデル式設定グラフとを比較した図である。
【００６１】
以上説明したように、本発明によれば、粒子モデル式選択 ステップ１８により選択されたすべて粒子モデル式について、実験化グラフと粒子モデル式設定グラフの差の２乗の合計値の最小値を求め、その最小値のうちの一番小さい値の粒子モデル式を選定し、該粒子モデル式から粒子の形状を推定することができ、該粒子モデル式の粒子の大きさに関する数から粒子の大きさを推定することができる。これにより、液体中の粒子の形状のみならず、その粒子の形状にともなった様々な大きさをも明らかにすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】本発明の一実施形態における粒子形状推定方法に用いられる粒子形状推定装置のブロック図である。
【図２】同粒子形状推定方法のフローチャートである。
【図３】本発明の一実施形態における実験化グラフを示す図である。
【図４】本発明の一実施形態における２乗値が最小のときの二重層円柱の希薄系の粒子化モデル式設定グラフを示す図である。
【図５】本発明の一実施形態における実験化グラフとそれぞれの粒子モデル式設定グラフとを比較した図である。
【符号の説明】
【００６３】
１    粒子形状推定装置
２    Ｘ線発生源
３    スリット
４    容器
５    真空パス
６    検出器
７    コンピュータ部
８    記憶手段
９    実験グラフ化手段
１０  粒子モデル式選択手段
１１  粒子モデル式初期値設定手段
１２  粒子モデル式設定グラフ化手段
１３  グラフ差２乗最小値記憶手段
１４  粒子形状推定手段
【図１】
0004598899.tif 000039
【図２】
0004598899.tif 000040
【図３】
0004598899.tif 000041
【図４】
0004598899.tif 000042
【図５】
0004598899.tif 000043