(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ処理チャンバのチャックを実質的に取り囲むように構成されたフォーカスリングアセンブリであって、
環状の誘電体と、
前記プラズマ処理チャンバ内で電気的にアースされるように構成され、前記環状の誘電体を取り囲む導電性のシールドと、を備え、
前記導電性のシールドは、
前記環状の誘電体の外側に配置されて、前記環状の誘電体の少なくとも一部を取り囲む筒状部と、
前記筒状部と電気的に接触し、前記環状の誘電体内に埋め込まれている、内向きに突出したフランジ部と、を備えるフォーカスリングアセンブリ。
【請求項２】
請求項１記載のフォーカスリングアセンブリであって、
前記フランジ部は前記筒状部と交差する平面を形成し、前記筒状部の上端で前記筒状部と交差し、前記筒状部の前記上端は、前記環状の誘電体の上面と前記環状の誘電体の下面との間に配置されている、フォーカスリングアセンブリ。
【請求項３】
請求項１記載のフォーカスリングアセンブリであって、
前記フランジ部は前記筒状部と交差する平面を形成し、前記筒状部の縦軸と９０度の角度をなす、フォーカスリングアセンブリ。
【請求項４】
請求項１記載のフォーカスリングアセンブリであって、
前記環状の誘電体は、第１の環状部と、前記第１の環状部に隣接する第２の環状部とで形成され、前記第２の環状部の少なくとも一部分は、前記導電性シールドの前記筒状部に取り囲まれ、前記第１の環状部は第１の誘電材料で形成され、前記第２の環状部は前記第１の誘電材料と異なる第２の誘電材料で形成されている、フォーカスリングアセンブリ。
【請求項５】
請求項４記載のフォーカスリングアセンブリであって、
前記第１の誘電材料は第１の誘電率を有し、前記第２の誘電材料は前記第１の誘電率よりも真空の誘電率に近い第２の誘電率を有する、フォーカスリングアセンブリ。
【請求項６】
請求項５記載のフォーカスリングアセンブリであって、
前記第１の誘電材料はセラミックである、フォーカスリングアセンブリ。
【請求項７】
請求項５記載のフォーカスリングアセンブリであって、
前記第２の誘電材料はテフロンである、フォーカスリングアセンブリ。
【請求項８】
基板を処理するように構成されたプラズマ処理チャンバであって、
プラズマ処理中に前記基板を支持するように構成されたチャックと、
前記チャックを実質的に取り囲むフォーカスリングアセンブリと、を備え、
前記フォーカスリングアセンブリは、
環状の誘電体と、
前記環状の誘電体を取り囲み、前記プラズマ処理チャンバ内で電気的にアースされるように構成される導電性のシールドと、を備え、
前記導電性のシールドは、
前記環状の誘電体の外側に配置されて、前記環状の誘電体の少なくとも一部を取り囲む、筒状部と、
前記筒状部と電気的に接触し、前記環状の誘電体内に埋め込まれている、内向きに突出したフランジ部と、を備えるプラズマ処理チャンバ。
【請求項９】
請求項８記載のプラズマ処理チャンバであって、
前記フランジ部は前記筒状部と交差する平面を形成し、前記筒状部の上端で前記筒状部と交差し、前記筒状部の前記上端は、前記環状の誘電体の上面と前記環状の誘電体の下面との間に配置されている、プラズマ処理チャンバ。
【請求項１０】
請求項８記載のプラズマ処理チャンバであって、
前記フランジ部は前記筒状部と交差する平面を形成し、前記筒状部の縦軸と９０度の角度をなす、プラズマ処理チャンバ。
【請求項１１】
請求項８記載のプラズマ処理チャンバであって、
前記環状の誘電体は、第１の環状部と、前記第１の環状部に隣接する第２の環状部とで形成され、前記第２の環状部の少なくとも一部分は、前記導電性シールドの前記筒状部に取り囲まれ、前記第１の環状部は第１の誘電材料で形成され、前記第２の環状部は前記第１の誘電材料と異なる第２の誘電材料で形成されている、プラズマ処理チャンバ。
【請求項１２】
請求項１１記載のプラズマ処理チャンバであって、
前記第１の誘電材料は第１の誘電率を有し、前記第２の誘電材料は前記第１の誘電率よりも真空の誘電率に近い第２の誘電率を有する、プラズマ処理チャンバ。
【請求項１３】
請求項１２記載のプラズマ処理チャンバであって、
前記第１の誘電材料はセラミックである、プラズマ処理チャンバ。
【請求項１４】
請求項１２記載のプラズマ処理チャンバであって、
前記第２の誘電材料はテフロンである、プラズマ処理チャンバ。
【請求項１５】
請求項８記載のプラズマ処理チャンバであって、さらに、
前記フォーカスリングアセンブリの上方に配置された閉じ込めリングを備える、プラズマ処理チャンバ。
【請求項１６】
プラズマ処理チャンバのチャックを実質的に取り囲むように構成された、前記プラズマ処理チャンバのフォーカスリングアセンブリを形成するための方法であって、
環状の誘電体を提供する工程と、
前記環状の誘電体を導電性シールドで取り囲む工程と、を備え、
前記取り囲む工程は、
前記環状の誘電体の外側に配置されている、前記導電性シールドの筒状部で、前記環状の誘電体の少なくとも一部を取り囲むことと、
前記筒状部と電気的に接触し、前記導電性シールドの内向きに突出しているフランジ部を、前記環状の誘導体に埋め込むことと、を備える方法。
【請求項１７】
請求項１６記載の方法であって、
前記フランジ部は前記筒状部と交差する平面を形成し、前記筒状部の上端で前記筒状部と交差し、前記筒状部の前記上端は、前記
環状の誘電体の上面と前記環状の誘電体の下面との間に配置されている、方法。
【請求項１８】
請求項１６記載の方法であって、
前記フランジ部は前記筒状部と交差する平面を形成し、前記筒状部の縦軸と９０度の角度をなす、方法。
【請求項１９】
請求項１６記載の方法であって、
前記環状の誘電体は、第１の環状部と、前記第１の環状部に隣接する第２の環状部とで形成され、前記第２の環状部の少なくとも一部分は、前記導電性シールドの前記筒状部に取り囲まれ、前記第１の環状部は第１の誘電材料で形成され、前記第２の環状部は前記第１の誘電材料と異なる第２の誘電材料で形成されている、方法。
【請求項２０】
請求項１９記載の方法であって、
前記第１の誘電材料は第１の誘電率を有し、前記第２の誘電材料は前記第１の誘電率よりも真空の誘電率に近い第２の誘電率を有する、方法。
【請求項２１】
請求項２０記載の方法であって、
前記第１の誘電材料はセラミックである、方法。
【請求項２２】
請求項２０記載の方法であって、
前記第２の誘電材料はテフロンである、方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の背景】
本発明は、半導体製品の製造に関し、特に、プラズマ処理チャンバ内でプラズマ組成を制御するための改良技術に関する。
【０００２】
半導体製品（集積回路やフラットパネルディスプレイなど）の製造において、プラズマ処理の使用はよく知られている。プラズマ処理は一般に、プラズマ処理チャンバ内で基板（例えばガラスパネルや半導体ウエハ）を処理することを含む。プラズマ処理チャンバでは、基板表面の材料層をエッチングするまたは堆積させるために、それぞれ適切な腐食ソースガスまたは堆積ソースガスからプラズマを発生させる。
【０００３】
議論を容易にするため、図１に、基板のエッチングで通常利用される代表的なプラズマ処理チャンバである、容量結合プラズマ処理チャンバ１００を示した。図１を参照すると、エッチング中の基板１０６が配置される加工品ホルダであるチャック１０４が示されている。チャック１０４は、例えば静電式、メカニカル式、クランプ式、真空式等などのあらゆる適切なチャック技術を使用して実現することができる。エッチング中は、通常、ＲＦ電源１１０によって、例えば周波数が約２〜２７ＭＨｚのＲＦ電圧をチャック１０４に供給する。システムのなかには、エッチング中に二つの周波数、例えば２ＭＨｚおよび２７ＭＨｚを同時にチャック１０４に供給するものもある。
【０００４】
基板１０６上には、アルミニウム等の導電材料で形成されたリアクタトップ１１２が配置されている。閉じ込めリング１０２は、リアクタトップ１０２に固定されて接続されてもよいし、リアクタトップ１１２を移動させることなく閉じ込めリング１０２を上昇または下降させるカムベースのプランジャ（図１では図示せず）に接続されてもよい。カムベースの装置に関する更なる詳細に関しては、発明者エリック・Ｈ・レンズによって同日に出願された米国同時係属出願「プラズマ処理チャンバ内で閉じ込めリングの位置決めを行うためのカムベースの構成」（代理人による整理番号：Ｐ３９８／ＬＡＭ１Ｐ０８８）に記述されており、同出願を引用として本明細書中に含むことにする。
【０００５】
閉じ込めリング１０２は一般に、エッチングプラズマを基板１０６の上方の領域に閉じ込め易くして、プロセス制御の向上および繰り返し性の確保を図るものである。図１の例では２つの閉じ込めリングのみが示されているが、閉じ込めリングを任意の数だけ提供できる。閉じ込めリングおよびそれらの機能に関しては、同様に本出願人に譲渡された米国特許出願第５，５３４，７５１号を参照するとより良く理解できるため、同出願を引用として本明細書中に含むことにする。
【０００６】
リアクタトップ１１２には、上部電極１１４およびバッフル１１６も接続されている。上部電極１１４は、アースされていても良く（図１の場合のように）、エッチング中に別のＲＦ電源によって通電されてもよい。通電された上部電極１１４は、グランドから電極を隔離させるために、リアクタの他の部分から絶縁される。エッチング中は、プラズマが、ガスライン１２２およびバッフル１１６を介して供給される腐食ソースガスから形成される。
【０００７】
チャック１０４に（高周波ジェネレータ１１０から）ＲＦ電力が供給されると、基板１０６の上方に等電位線が形成される。プラズマ処理中は、陽イオンが等電位線に垂直な方向に加速され、基板１０６の表面に衝突することにより、望ましいエッチング効果（例えばエッチングの方向性を改善する等）が提供される。しかし、電位線は、幾何学的要因のため基板の表面全体で均一ではなく、基板１０６のエッジ部分で大きく変化する。したがって、フォーカスリングが、一般に、基板の表面全体におけるプロセスの均一性を改善するために提供される。図１では、セラミック、石英、プラスチック等の適切な誘電材料で通常的に形成されるフォーカスリング１０８内に、チャック１０４が配置された状態が示されている。
【０００８】
図２は、プラズマエッチング中に形成された等電位線を、より明確に示したものである。図２では、フォーカスリング１０８の存在によって、基板の表面全体に渡ってほぼ均一に等電位線が形成され、このため基板全体に渡って均一にエッチングを進行させることが可能となる。しかし、図２に示されるように、なかにはフォーカスリング１０８の外側の領域１６０に到達する等電位線もある。領域１６０に等電位線が存在すると、閉じ込めリングから漏れ出すあらゆる荷電粒子が、チャンバの側壁に向けて等電位線に垂直な方向に加速される。このような荷電粒子の加速、そして続く荷電粒子とチャンバの側壁との衝突によって、二次的な電子が生成され、その二次的な電子が、領域１６０において開放プラズマ（すなわち、基板の上方に直接閉じ込められることがなかった意図外のプラズマ）を発生させ、および／または維持する。
【０００９】
領域１６０におけるプラズマの不慮の生成は、エッチング処理の制御を困難にし、この領域におけるコンポーネントを損傷させる。例えば、この無計画かつ／または間欠的な開放プラズマが、プラズマ処理チャンバ内でプラズマに吸収される電力量を変化させるので、それによって、チャックへの電力供給を制御して、一貫したかつ繰り返し可能なエッチング結果を達成することが困難になる。さらに例えば、領域１６０における不要なプラズマの存在が、チャンバのドア、特にドア上に提供されたシールを損傷させる恐れがある。チャンバのドアは、基板をチャンバに送入し、チャンバから送出するために必要であり、シールが損傷されると、チャンバ圧力を正確に制御することが困難になる。領域１６０におけるシールおよび／またはその他のコンポーネントが、プラズマによる不慮の攻撃を受けると、粒子および／または高分子汚染物質がチャンバの側壁に沿って形成されて、エッチング環境の汚染を引き起こす恐れがある。
【００１０】
以上からわかるように、プラズマ処理チャンバのフォーカスリングの外側に領域において、不要なプラズマの形成を最低限に抑えかつ／または排除するための技術が望まれている。
【００１１】
【発明の概要】
本発明の１つの実施形態は、プラズマ処理チャンバのチャックを実質的に取り囲むように構成されたフォーカスリングアセンブリに関する。フォーカスリングアセンブリは、環状の誘電体と、この環状の誘電体を取り囲む導電性のシールドとを備える。導電性のシールドは、プラズマ処理チャンバ内で電気的にアースされるように構成されており、環状の誘電体の外側に配置され、かつ環状の誘電体の少なくとも一部を取り囲む、筒状部を備える。導電性のシールドはさらに、筒状部と電気的に接触している内向きに突起したフランジ部をも備える。フランジ部は、筒状部と交差する平面を形成している。フランジ部は、環状の誘電体内に埋め込まれている。
【００１２】
本発明のもう１つの実施形態は、基板を処理するように構成されたプラズマ処理チャンバに関する。プラズマ処理システムは、プラズマ処理中に基板を支持するように構成されたチャックを備える。プラズマ処理システムはさらに、チャックを実質的に取り囲むフォーカスリングアセンブリをも備える。フォーカスリングアセンブリは、環状の誘電体と、この環状の誘電体を取り囲む導電性のシールドとを備える。導電性のシールドは、プラズマ処理チャンバ内で電気的にアースされるように構成されている。導電性のシールドは、環状の誘電体の外側に配置されて、かつ環状の誘電体の少なくとも一部を取り囲む、筒状部を備える。導電性のシールドはさらに、筒状部と電気的に接触している内向きに突起したフランジ部をも備える。フランジ部は、筒状部と交差する平面を形成している。フランジ部は、環状の誘電体内に埋め込まれている。
【００１３】
本発明のさらにもう１つの実施形態は、プラズマ処理チャンバのフォーカスリングアセンブリを形成するための方法に関する。フォーカスリングアセンブリは、プラズマ処理チャンバのチャックを実質的に取り囲むように構成されている。この方法は、環状の誘電体を提供する工程と、環状の誘電体を導電性のシールドで取り囲む工程とを備え、この取り囲みの工程は、導電性のシールドの筒状部で環状の誘電体の少なくとも一部を取り囲む工程を備える。筒状部は、環状の誘電体の外側に配置される。環状の誘電体を導電性のシールドで取り囲む工程は、導電性シールドの内向きに突出したフランジ部を環状の誘導体内に埋め込むことを備える。内向きに突出したフランジ部は、筒状部と電気的に接触している。フランジ部は、筒状部と交差する平面を形成している。
【００１４】
添付した図面との関連で行う以下の詳細な説明において、本発明の上述したおよびその他の特徴をより詳細に説明する。
【００１５】
【発明の実施の形態】
次に、添付した図面に示した幾つかの好ましい実施形態と関連させて、本発明を詳しく説明する。以下の説明では、本発明の完全な理解を促すために多くの詳細について特定している。しかし本発明は、これらの項目の一部または全てを特定しなくても、当業者が実施することが可能である。そのほか、本発明を不必要に不明瞭化するのを避けるため、周知の処理工程および／または構造の説明は省略した。
【００１６】
本発明の１つの態様においては、開放プラズマ（すなわち、フォーカスリングの外側で不慮に発生した、および／または維持された不要なプラズマ）を低減または排除することによって、プロセス制御が実質的に改善される。ここで、フォーカスリングの外側の領域とは、プラズマ処理チャンバの環状の領域で、フォーカスリングの円周で外周を囲まれる柱状空間の外側の領域を指す。プラズマは、この柱状の空間内に閉じ込められていることが好ましい。フォーカスリングの外側では、プラズマをそれ以上維持できないレベルまで電場が低減されることが好ましい。開放プラズマを排除することによって、基板の上方に配置されたエッチングプラズマに吸収される電力の量を、各基板に対してより安定させ、エッチングを繰り返すことが可能となる。開放プラズマを排除することは、フォーカスリングの外側の領域に配置されたコンポーネント（例えばドアシール）の腐食または故障を低減するのにも有用である。
【００１７】
本発明の１つの実施形態においては、等電位線をフォーカスリング本体内に集結させるように構成されて、アースされた導電性シールドを備えるフォーカスリングアセンブリを提供する。アースされた導電性シールドは、２つの部位、すなわち誘電性のフォーカスリング本体を少なくとも部分的に取り囲む筒状部と、誘電性のフォーカスリング本体自体に組み込まれた内向きに突出したフランジ部とを備える。この構成によって、フォーカスリングの外側の領域における等電位線の密度を実質的に低減できると考えられる。フォーカスリング外側の近真空領域における等電位線の密度を実質的に低減させることにより、この領域に漏れ込むあらゆる荷電粒子によって獲得されるエネルギの量を実質的に低減し、プラズマが発生し、および／または維持される可能性を本質的に排除することができる。
【００１８】
本発明の特徴および効果が、以下の図面との関連でいっそう明らかになる。図３は、図１のプラズマ処理チャンバの関連部位を示したものであり、フォーカスリングアセンブリ３００が示されている。図３に示されるように、フォーカスリングアセンブリ３００は、上から見たときチャック１０４を取り囲んでいる環状の誘電体３０２（部位３０２（ａ）および３０２（ｂ）を共に含む）を備える。環状の誘電体３０２は、石英、アルミナ、シリコン窒化物等の適切な誘電材料か、またはテフロン（商標）、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリアミド、ポリイミドアミド、ＶＥＳＰＥＬ（商標）等のプラスチック材料で形成できる。
【００１９】
後ほど議論するが、環状の誘電体３０２は、それぞれ異なる誘電材料で形成された２つまたはそれ以上の異なる部位からなる複合構造であってもよい。
【００２０】
フォーカスリングアセンブリ３００は、筒状部３０４（ａ）と、筒状部３０４（ａ）と電気的に接触している内向き突出部３０４（ｂ）と、を備える導電性のシールド３０４をも備える。図３に示されるように、筒状部３０４（ａ）が、環状の誘電体３０２の下部を実質的に取り囲んでシールドしている一方で、内向き突出部３０４（ｂ）は、環状の誘電体３０２自体に埋め込まれている。ここで、動作中にアースされる内向き突出部３０４（ｂ）の存在は、環状領域３０６すなわちフォーカスリングの外側の領域の上部における、等電位線の密度を実質的に低減させると考えられる。
【００２１】
理論に縛られることは望まないものの、内向き突出部３０４（ｂ）は、等電位線を領域３０６から大きく逸らし、高電圧チャック１０４と、動作中の導電性シールド３０４のグランド電位との間に、等電位線を留めると考えられる。導電性シールドに内向き突出部３０４（ｂ）が存在しない場合は、幾らかの等電位線が領域３０６、特にその上部に到達し、同領域３０６内のイオンを活性化させ、新しいプラズマを発生させるか、または既存のプラズマを維持すると考えられる。
【００２２】
例えば図４を参照すると、筒状部のみを有した（すなわち内向き突出部を有さない）導電シールドが示されている。図４では、電位線が領域３０６の上部に到達している。このためこの領域には、不要なプラズマを発生させ、および／または維持するのに充分な密度の電場が存在する。
【００２３】
ここで注意する必要があるのは、筒状部がフォーカスリングの環状誘電体３０２の上面を越えて延長することは望ましくないことである。これは、領域３０６の上部に、延長した柱状導電シールド等の物理的構造が存在すると、基板の輸送、および／または副産物の排出が、妨げられる可能性があるからである。このような延長した導電性シールドを、基板の輸送のために移動させる構成を提供することも可能であるが、それに伴って複雑度やコストが増大することは望ましくない。また、このような延長した導電性シールドは、プラズマ副産物との過度の接触によって腐食される恐れがある。
【００２４】
また、プラズマが形成され得る近真空領域を最小化または排除するという目的のためだけに、領域３０６の一部分または全部を誘電材料で満たすことは、不利であり、かつ／または非実用的であるという点を理解しておく必要がある。どんな場合であっても、領域３０６の少なくとも一部分だけは、エッチングの副産物を排出する排気路の一部として機能するように、遮断することなく維持する必要がある。したがって、内向きに突出したフランジ部を使用して、（図３の実施形態でなされたように）等電位線を領域３０６から大きく逸らすことにより、筒状部を領域３０６の上部まで延長させることに関連した欠点（基板の輸送路や排気路が遮られる）や、領域３０６を満たすことに関連した欠点（排気動作に支障をきたす）を生じることなく、開放プラズマの形成を有利に低減し、かつ／または排除することができる。
【００２５】
図３において、内向きに突出したフランジ部３０４（ｂ）は、導電性シールドの筒状部３０４（ａ）の縦軸と９０度の角度をなした状態で示されているが、これら２つの部位が交わる角度は厳密には重要でない。同様に、内向きに突出したフランジ部３０４（ｂ）は、筒状部３０４（ａ）の上部に接続した状態で示されているが、筒状部３０４（ａ）の上端より下または上で接続されてもよいと考えられる。また、内向きに突出したフランジ部３０４（ｂ）がフォーカスリングの本体を貫く厳密な高さも、やはりシステムごとに異なってよい。内向きに突出したフランジ部３０４（ｂ）は、フォーカスリングの本体内に充分に突出して充分な数の等電位線を領域３０６から大きく逸らし、この領域における等電位線の密度を、開放プラズマが発生し、かつ／または維持できなくするのに充分なレベルまで低減させることが好ましい。
【００２６】
また、図３において、内向きに突出したフランジ部３０４（ｂ）は筒状部３０４（ａ）と一体成形されて示されているが、これは必ずしも必要なことではない。例えば、内向きに突出したフランジ部３０４（ｂ）は、筒状部３０４（ａ）およびアース端子と電気的に接触し、個々に形成された、導電性の部品でもよいと考えられる。このように、内向きに突出したフランジ部３０４（ｂ）は、等電位線を曲げて領域３０６から大きく逸らし、開放プラズマがこの領域で形成かつ／または維持されないようにする目的をも達成するものである。
【００２７】
図３において、筒状部３０４（ａ）は、フォーカスリングの環状誘電体の外側に配置された状態で示されている。筒状部３０４（ａ）（動作中にアースされる）を可能な限り高電圧チャック１０４から隔離することにより、高電圧チャックとフォーカスリング内壁の間のギャップで生じるアーク放電を実質最小限に抑え、フォーカスリングおよび／または高電圧チャックの寿命を有利に引き延ばすことができる。
【００２８】
必須でない１つの実施形態において、環状の誘電体３０２は、２つまたはそれ以上の異なる部位を備えた複合構造を呈していてよい。例えば図３では、具体的構造は、第１の環状誘電部３０２（ａ）と第２の環状誘電部３０２（ｂ）とによって示されている。例えば第１の環状誘電部３０２（ａ）は、プラズマのエッチング効果に対する抵抗力を最大化し、温度変化に対する構造の剛性および安定性を提供する目的で、セラミック材料で形成することができる。しかし、第１の環状誘電部３０２（ａ）は、石英、アルミナ、シリコン窒化物等の任意の適切な誘電材料か、またはポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリアミド、ポリイミドアミド、ＶＥＳＰＥＬ（商標）等のプラスチック材料で形成されてよい。
【００２９】
第２の環状誘電部３０２（ｂ）は、例えばテフロン（商標）等のプラスチック材料で形成されて良く、第１の環状誘電部３０２（ａ）よりも真空に近い誘電率を有する。しかし、第１の環状誘電部３０２（ａ）は、石英、アルミナ、シリコン窒化物等の任意の適切な誘電材料か、またはポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリアミド、ポリイミドアミド、ＶＥＳＰＥＬ（商標）等のプラスチック材料で形成されてもよい。いずれの場合にも、第２の環状誘電部３０２（ｂ）として、真空に近い誘電率を有した誘電材料を使用することにより、フォーカスリング構成内における電気的ひずみを有利に低減させることができる。
【００３０】
さらに詳述すると、第２の環状誘電部３０２（ｂ）を高誘電率の材料で形成した場合で、筒状部３０４（ａ）と第２の環状誘電部３０２（ｂ）の間にほとんどの電位線が集中する狭い真空ギャップが形成された（例えば製造公差が原因で）場合には、電気的ひずみが発生する。第２の環状誘電部３０２（ｂ）として真空に近い誘電率を有した材料を使用した場合は、筒状部３０４（ａ）と第２の環状誘電部３０２（ｂ）の内壁との間で電位線をより均等に広がらせて、電気的ひずみの低減およびフォーカスリング構成の耐用年数の延長を促すことができる。
【００３１】
環状の誘電体を、２つまたはそれ以上の別個の部位に分けて形成することにより、内向きに突出したフランジ部３０４（ｂ）を、より容易に環状の誘電体に組み込むことができる。例えば、内向きに突出したフランジ部を、図３の第１の環状誘電部３０２（ａ）と第２の環状誘電部３０２（ｂ）の間の空間に単純に挿入することによって、このような組み込みを達成してもよい。したがって、内向きに突出したフランジ部を環状の誘電体に組み込むために、導電性シールドを取り囲むように環状誘電体を成形する必要はない。さらに、チャックに対する環状誘電体の位置を（例えばシステムを較正するために）調整する必要がある場合であっても、複数部位からなる誘電体を使用することにより、このような調整を単純化することができる。例えば、第１の環状誘電部３０２（ａ）を単に上げるまたは下げるだけで、フォーカスリング構成の他の部位に影響を及ぼすことなく調整を達成することができる。
【００３２】
以上では、本発明を幾つかの好ましい実施形態の形で説明したが、本発明の特許請求の範囲の範囲内において、変更、並べ替え、および均等物が存在する。例えば、本発明の説明に利用されたプラズマ処理システムは、閉じ込めリングを使用しているが、これらの閉じ込めリングは必須のものではない。閉じ込めリングの存在は、基板の真上の領域から漏れ出す荷電イオンの量を低減するのに有用であるが、内向きに突出したツバを有したアースされた導電性シールドを備えた、本発明によるフォーカスリング構成を使用すれば、たとえ閉じ込めリングが提供されていない場合であっても、開放プラズマの形成および／または維持を有利に低減することができる。さらに、本明細書では、好ましい実施形態の議論を容易にするために容量結合プラズマ処理チャンバを利用したが、本発明によるフォーカスリングアセンブリは、他タイプのプラズマ処理システム（例えば、誘電結合プラズマ処理システム、ＥＣＲベースのシステム、ＭＯＲＩソースベースのシステム等々）で実施されるエッチング処理に対しても有用であると考えられる。ここで、本発明による方法および装置が、多くの代替の方法によって実現され得る点に注意する必要がある。したがって、添付した請求の範囲は、本発明の真の精神および範囲内で実施されるあらゆる変更、並べ替え、および均等物を全て含むものとして解釈される。
【図面の簡単な説明】
【図１】  代表的な容量結合プラズマ処理チャンバを示した図である。
【図２】  プラズマ処理中に図１のプラズマ処理チャンバ内で形成される等電位線を示した図である。
【図３】  筒状部と内向きに突出したフランジ部とを共に備えた、アースされた導電性のシールドが備わっている本発明のフォーカスリングアセンブリを、本発明の１つの実施形態に従って示した図である。
【図４】  アースされた導電性シールドの、内向きに突出したフランジ部を取り除くと形成される電位線を示した図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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