(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数種類の液体を混合した溶媒に機能材料を溶解させてなる液状組成物を基板上に配置し、前記液状組成物を乾燥して膜を形成する膜形成方法であって、
前記液状組成物の基板への配置をインクジェット法によって行い、
前記基板上に配置された液状組成物の周囲を第１の減圧速度で減圧する第１の減圧工程と、
前記第１の減圧工程の後、前記液状組成物の周囲の圧力を所定の圧力まで加圧する加圧工程と、
前記加圧工程の後、前記液状組成物の周囲を前記第２の減圧速度で減圧する第２の減圧工程と
を具備することを特徴とする膜形成方法。
【請求項２】
前記加圧工程では、前記液状組成物の周囲に不活性ガスを供給することを特徴とする請求項１に記載の膜形成方法。
【請求項３】
前記加圧工程では、前記液状組成物の周囲に前記溶媒の蒸気を供給することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の膜形成方法。
【請求項４】
電荷輸送層及び発光層を有する有機エレクトロルミネセンス装置の製造方法であって、
請求項１乃至請求項３のうちいずれか一項に記載の膜形成方法により、前記電荷輸送層及び前記発光層のうち少なくとも一方を形成することを特徴とする有機エレクトロルミネセンス装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載の有機エレクトロルミネセンス装置の製造方法により製造されたことを特徴とする有機エレクトロルミネセンス装置。
【請求項６】
請求項５に記載の有機エレクトロルミネセンス装置を搭載したことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、膜形成方法、有機エレクトロルミネセンス装置の製造方法、有機エレクトロルミネセンス装置及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば有機エレクトロルミネセンス装置（以下、有機ＥＬ装置という）の発光層等の膜を形成する際には、複数種類の液体を混合した溶媒に発光層を形成する機能材料を溶解させてなるインクを基板上に塗布し、このインクを乾燥して膜を形成する手法が用いられている。
【０００３】
インクには主に２つの機能が求められる。１つは、基板上への塗布が可能なことであり、もう１つは、平坦な膜形状が形成できることである。単一成分の溶媒では、この２つの機能を満たすことは非常に困難であるため、例えば複数種類の溶媒を混合したインクがしばしば用いられている（例えば、特許文献１参照）。また、当該インクを乾燥する際には、例えば常圧から３〜１０Ｐａまで一定速度でインクの周りを減圧して溶媒を蒸発させている（例えば、特許文献２参照）。
【０００４】
塗布したインクを乾燥させる際には、図１５に示すように、インク１５０の中央部よりも周縁部の方が溶媒の蒸発速度が大きくなる。なお、図１５及び図１６は、有機ＥＬ装置の正孔注入層を形成する際の工程図である。符号１３１は有機ＥＬ装置の陽極、符号１３５は画素開口膜、符号１３６は隔壁をそれぞれ示している。インク１５０の周縁部では、蒸発して減少した溶媒を補うように、中央部から周縁部に向けて溶媒の流れが生じる（インク内の黒矢印で示す）。このときの流速は中央部と周縁部との蒸発量の差に比例することが知られている。この溶媒の流れによって、インク内の溶質が中央部から周縁部に流れ、周縁部に偏ってしまう。このため、インクの中央部と周縁部とで濃度の勾配が形成されることになる。その一方で、インク内では、濃度の勾配を解消するため、溶質がインク内全体に拡散しようとする（インク内の白抜き矢印で示す）。このように、インク内では溶媒の流れにより移動する溶質と、拡散しようとする溶質とが平衡状態になる。  
【特許文献１】特開２００４−５３５６５３号公報
【特許文献２】特開２００４−１２７８９７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、減圧乾燥により蒸発が激しくなると、インクの中央部の蒸発量と周縁部の蒸発量との差が大きくなり、溶媒の流れが溶質の拡散を上回り、溶質が拡散されなくなってしまう。これにより、溶質がインクの周縁部に溜まってしまい、溶媒を蒸発させたときに形成される膜（例えば、正孔注入層など）１３２は、図１６に示すように、中央部が薄く、周縁部が厚い状態になってしまう。その一方で、乾燥速度を遅くすると、乾燥に時間がかかり、スループットが低下してしまう。
【０００６】
以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、平坦な膜を得ることができる膜形成方法、有機エレクトロルミネセンス装置の製造方法、有機エレクトロルミネセンス装置及び電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、本発明に係る膜形成方法は、複数種類の液体を混合した溶媒に機能材料を溶解させてなる液状組成物を基板上に配置し、前記液状組成物を乾燥して膜を形成する膜形成方法であって、前記基板上に配置された液状組成物の周囲を第１の減圧速度で減圧する第１の減圧工程と、前記第１の減圧工程の後、前記液状組成物の周囲の圧力を所定の圧力まで加圧する加圧工程と、前記加圧工程の後、前記液状組成物の周囲を前記第２の減圧速度で減圧する第２の減圧工程とを具備することを特徴とする。
【０００８】
本発明によれば、加圧工程で液状組成物の周囲の圧力が所定の圧力まで加圧されることにより、溶媒全体の蒸発速度が減少する。すなわち、液状組成物の中央部からの溶媒の蒸発量（ＪＥ）も、液状組成物の周縁部からの溶媒の蒸発量（ＪＣ）も減少する。これにより、ＪＥとＪＣとの差が小さくなるため、液状組成物の内部において中央部から周縁部へ流れる溶媒の流速も減少する。溶媒の流速が減少することにより、液状組成物の内部で溶質が拡散するようになり、当該液状組成物の中央部と周縁部とで溶質の濃度が均一になる。溶質の濃度が均一な状態で第２の減圧工程を行うため、平坦な膜を得ることができる。なお、「所定の圧力」は、溶媒全体の蒸発速度を減少させることが可能な圧力であり、例えば大気圧にすることが好ましい。
【０００９】
また、前記加圧工程では、前記液状組成物の周囲に不活性ガスを供給することが好ましい。  
本発明によれば、液状組成物の周囲に不活性ガスを供給するため、液状組成物が変質するのを防ぐことができる。なお、不活性ガスとしては、例えば窒素ガスやアルゴンガスなどを用いることが好ましい。
【００１０】
また、前記加圧工程では、前記液状組成物の周囲に前記溶媒の蒸気を供給することが好ましい。  
本発明によれば、液状組成物の周囲に溶媒の蒸気を供給するため、液状組成物が変質するのを防ぐことができる上、溶媒の蒸発を確実に減少させることができる。
【００１１】
また、前記液滴の塗布をインクジェット法によって行うことが好ましい。  
本発明によれば、インクジェット法によって液滴を塗布するので、液滴の塗布性を向上させることができる。これにより、乾燥工程において膜厚を均一にしやすい環境を形成することができる。
【００１２】
本発明に係る有機エレクトロルミネセンス装置は、上記の有機エレクトロルミネセンス装置の製造方法により製造されたことを特徴とする。  
本発明によれば、均一な膜厚の電荷輸送層及び発光層が形成されるので、表示ムラの無い有機エレクトロルミネセンス装置を得ることができる。
【００１３】
本発明に係る電子機器は、有機エレクトロルミネセンス装置を搭載したことを特徴とする。  
本発明によれば、表示ムラの無い有機エレクトロルミネセンス装置を搭載したので、快適な表示を実現可能な電子機器を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
［第１実施形態］  
以下、本発明の第１実施形態を図面に基づき説明する。  
（有機ＥＬ装置）  
図１は、有機ＥＬ装置１の全体構成を概略的に示す斜視図である。以下の図では、各部材を認識可能な大きさとするため、縮尺を適宜変更している。
【００１５】
有機ＥＬ装置１は、基板２に配線や絶縁層等が形成された基体１０と、この基体１０上に形成された有機ＥＬ素子部３と、基体１０の端部２ａに取り付けられた駆動部４と、有機ＥＬ素子部３及び基体１０を覆う封止部材５とを有しており、駆動部４から供給される電気信号に応じて有機ＥＬ素子部３が発光することで、画像や動画等を表示できるようになっている。本実施形態では、薄膜トランジスタ（Thin film Transistor：ＴＦＴ）が形成されたアクティブマトリクス型であり、有機ＥＬ素子部３により発生した光が基体１０を透過して取り出されるボトムエミッション型である有機ＥＬ装置１を例に挙げて説明する。
【００１６】
図２は、有機ＥＬ装置１の平面図である。この図では、有機ＥＬ素子部３及び封止部材５を省略している。  
同図に示すように、基体１０は、画素部７（一点鎖線内の領域）と周縁部８（当該一点鎖線の外の領域）とに区画されており、画素部７内では、実表示領域Ｐ（二点鎖線内の領域）とダミー領域Ｑ（一点鎖線と二点鎖線との間の領域）とに更に区画されている。画素部７の実表示領域Ｐには、当該発光領域１４からの光が通過する画素領域Ｋがマトリクス状に設けられている。画素領域Ｋの間の領域には、図中Ｘ方向に延在する走査線１５ａと、図中Ｙ方向に延在するデータ線１７ａとが形成されている。
【００１７】
図３は、有機ＥＬ装置１のＡ−Ａ断面を概略的に示す図である。図４は、有機ＥＬ装置１のＢ−Ｂ断面を概略的に示す図である。  
図３及び図４に示すように、基体１０の構成要素である基板２は、例えば、ガラス、石英、樹脂（プラスチック、プラスチックフィルム）等からなる透明基板である。本実施形態に係る有機ＥＬ装置１はボトムエミッション型のものであり、光を取り出すには基板２を透明にする必要がある。基板２の表面２ｂには、下地として例えばＳｉＯ２等の透明な下地保護層１１が形成されている。
【００１８】
画素部７の実表示領域Ｐでは、下地保護層１１上に、シリコン膜１２、第１絶縁層（ゲート絶縁層）１３、ゲート電極１５、第２絶縁層１６、ソース電極１７、ドレイン電極１８、第３絶縁層１９が形成されている。また、画素部７のダミー領域Ｑでは、下地保護層１１上に、走査駆動回路２０、データ駆動回路２１等が形成されており、駆動部４に接続されるように電源線（図示せず）が形成されている。
【００１９】
シリコン膜１２は、チャネル領域、ソース領域及びドレイン領域を有する駆動用トランジスタである。シリコン膜１２のうち、ゲート絶縁層１３を挟んでゲート電極１５と重なる領域がチャネル領域１２ａである。チャネル領域１２ａのソース側には、低濃度ソース領域１２ｂ及び高濃度ソース領域１２ｓが形成され、チャネル領域１２ａのドレイン側には、低濃度ドレイン領域１２ｃ及び高濃度ドレイン領域１２ｄが形成されている。このようにシリコン膜１２は、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造になっている。
【００２０】
高濃度ソース領域１２ｓ及び高濃度ドレイン領域１２ｄには、ゲート絶縁層１３と第２絶縁層１６とを連通して開孔されたコンタクトホール２３、２４が形成されている。一方、高濃度ドレイン領域１２ｄ側には、ドレイン電極１８に接続されるように、第３絶縁層１９を貫通してコンタクトホール２５が形成されている。  
ゲート絶縁層１３は、例えばＳｉＯ２やＳｉＮ等で形成された透明な層であり、シリコン膜１２とゲート電極１５とを絶縁している。
【００２１】
ゲート電極１５は、例えばアルミニウムや銅等により形成されており、走査線１５ａに接続されている。ソース電極１７は、ゲート電極１５と同様にアルミニウムや銅等により形成されており、データ線１７ａに接続されている。ソース電極１７は、コンタクトホール２３を介して高濃度ソース領域１２ｓに接続されている。また、ドレイン電極１８は、高濃度ドレイン領域１２ｄに接続されている。
【００２２】
第２絶縁層１６は、主にＳｉＯ２からなる透明な層であり、ゲート電極１５、ソース電極１７及びドレイン電極１８をそれぞれ絶縁している。  
第３絶縁層１９は、例えばアクリル系の樹脂成分を主体とし、ソース電極１７とドレイン電極１８及びコンタクトホール２５とを絶縁している。なお、アクリル系の絶縁膜以外の材料、例えば、ＳｉＮ、ＳｉＯ２などを用いることもできる。  
また、ダミー領域Ｑに設けられる走査駆動回路２０は、シフトレジスタ等のメモリや信号レベルを変換するレベルシフタ等の回路を有しており、走査線１５ａに接続されている。
【００２３】
データ駆動回路２１は、このシフトレジスタ、レベルシフタの他、ビデオラインやアナログシフタ等の回路を有しており、データ線１７ａに接続されている。走査駆動回路２０及びデータ駆動回路２１は、駆動制御信号線２８ａ、２８ｂを介して駆動部４に接続されており、当該駆動部４の制御により走査線１５ａ及びデータ線１７ａに電気信号を出力するようになっている。走査駆動回路２０及びデータ駆動回路２１は、駆動電源線２９ａ、２９ｂを介して電源に接続されている。  
周縁部８には、有機ＥＬ素子３に接続する接続用配線２７が形成されている。この接続用配線２７は駆動部４に接続されており、当該接続用配線２７を介して駆動部４からの電気信号を有機ＥＬ素子３に供給することができるようになっている。
【００２４】
一方、有機ＥＬ素子３は、陽極３１と、正孔注入層３２と、発光層３３と、共通電極（陰極）３４と、画素開口膜３５と、隔壁３６とを有している。これらは上述した基体１０上に積層されている。
【００２５】
陽極３１は、正孔注入層３２に正孔を注入する透明な電極であり、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等から形成されている。当該陽極３１は、コンタクトホール２５を介してドレイン電極１８に接続されており、正孔注入層３２を圧迫するように、凸状に形成されている。正孔注入層３２は、例えば、ポリオレフィン誘導体である３、４−ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルフォン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等の材料により形成されている。
【００２６】
発光層３３は、正孔注入層３２からの正孔と陰極３４からの電子とが結合して光を発する層であり、例えば分子量が１０００以上の高分子材料が用いることが好ましい。具体的には、ポリフルオレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体、またはこれらの高分子材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、例えばルブレン、ペリレン、９、１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等をドープしたものが用いられる。
【００２７】
発光層３３には、赤色光を発する層（３３Ｒ）、緑色光を発する層（３３Ｇ）、青色光を発する層（３３Ｂ）の３種類がある。このような発光層３３からの光が正孔注入層３２、陽極３１及び基体１０を透過することで、基板２の実表示領域Ｐに画像や動画等が表示されるようになっている。
【００２８】
陰極３４は、駆動部４からの電気信号に応じて発光層３３に電子を注入する層であり、例えばカルシウム等の金属により形成されている。陰極３４は、実表示領域Ｐおよびダミー領域Ｑの総面積より広い面積を備え、それぞれの領域を覆うように形成されたもので、有機ＥＬ素子３の外側を覆った状態で基体１０上に形成されている。この陰極３４は、接続用配線２７に接続されており、当該接続用配線２７を介して駆動部４に接続されている。製造時の陰極３４の腐食防止のため、陰極３４の上層部に例えばアルミニウム等の保護層を形成してもよい。
【００２９】
画素開口膜３５は、例えばＳｉＯ２等からなる絶縁膜である。この画素開口膜３５は、壁面３５ｂで囲まれた開口部３５ａにおいて陽極３１からの正孔の移動を可能にすると共に、開口部３５ａが設けられない部位での正孔の移動が起こらないようにしている。  
隔壁３６は、正孔注入層３２や発光層３３をインクジェット法等の液滴吐出法で形成する際に各画素を隔てる部材である。また、隣接する正孔注入層３２及び発光層３３の間で電子の移動が起こらないようにする絶縁部材である。隔壁３６は、例えばアクリルやポリイミド等の耐熱性・耐溶性のある材料で形成されており、各正孔注入層３２及び発光層３３を遮断している。隔壁３６には、親液性を示す領域と、撥液性を示す領域とが形成されている。
【００３０】
（乾燥装置）  
次に、液滴吐出法で形成される正孔注入層３２及び発光層３３の液滴を乾燥する乾燥装置について説明する。  
図５は、乾燥装置４０の構成を模式的に示す図である。
【００３１】
同図に示すように、乾燥装置４０は、気密性を有する処理室４１と、当該処理室４１を減圧するための排気装置（例えば、ポンプなど）４２と、処理室４１の排気のコンダクションを調節するトラップ４３と、処理室４１内に例えば窒素ガス等の不活性ガスを供給するガス供給源４４と、処理室４１内に供給するガスの流量を調節するバルブ４５とを有している。ガス供給源４４としては、例えば工場内の窒素ガスライン等を用いることができる。また、図示を省略するが、処理室４１内には、基体１０を保持する保持部が設けられている。
【００３２】
（有機ＥＬ装置の製造方法）  
次に、このように構成された有機ＥＬ装置１を製造する工程を説明する。以下、基体１０及び有機ＥＬ素子３の画素部７の領域を形成する工程を中心に説明し、周縁部８を形成する工程の説明は省略する。本実施形態において正孔注入層３２及び発光層３３を形成する際には、正孔注入層３２の材料及び発光層３３の材料を溶媒に溶解させ、所定の場所に滴下するインクジェット法を行う。
【００３３】
まず、基板２にＴＦＴ素子や絶縁膜等を形成することにより、基体１０を形成する工程について説明する。  
公知の方法により基板２に下地保護層１１を形成する。当該下地保護層１１の上に、シリコン膜１２を形成し、レーザーアニールしてポリシリコン化する。ポリシリコン化されたシリコン膜１２をゲート絶縁層１３で覆った後、ゲート電極１５を形成し、その上に再びゲート絶縁層１３を形成する。また、ソース側のコンタクトホール２３をパターニングして形成する。
【００３４】
次に、第２絶縁層１６を形成し、コンタクトホール２４及びこのコンタクトホール２４に接続するソース電極１７をパターニングして形成する。第２絶縁層１６上には、ソース電極１７及びドレイン電極１８をパターニングして形成する。当該ソース電極１７及びドレイン電極１８上には第３絶縁層１９を形成し、ドレイン側のコンタクトホール２５をパターニングして形成する。  
このように、基体１０が形成される。
【００３５】
次に、有機ＥＬ素子３を形成する工程を説明する。  
基体１０のほぼ全面を覆うように透明な導電膜を形成し、陽極３１が所定の領域に形成されるようにこの導電膜をパターニングする。同時にダミー領域Ｑのダミーパターン（図示せず）も形成する。画素領域Ｋでコンタクトホール２５と陽極３１とを接続し、陽極とドレイン電極１８とを導通させる。
【００３６】
次に、第３絶縁層１９上に画素開口膜３５を形成する。画素開口膜３５は、壁面３５ｂで囲まれた開口部３５ａが形成されるように、例えば陽極３１に重ねて形成する。また、画素開口膜３５上には、隔壁３６を形成する。アクリル樹脂やポリイミド等の樹脂からなる材料を溶媒に溶解したレジストをスピンコート法、ディップコート法などの各種塗布法により塗布してレジスト層を形成し、フォトリソグラフィ技術等によりパターニングして、開口部３５ａを所定のパターンに形成する。
【００３７】
次に、全面を所定温度、例えば７０〜８０℃程度に加熱してプラズマ処理を施す。大気雰囲気中で酸素を反応ガスとするＯ２プラズマ処理により、隔壁３６の壁面３６ｃ、陽極３１の上面３１ａ及び画素開口膜３５の上面３５ｃ（図３参照）をそれぞれ親液性にする。また、大気雰囲気中で四フッ化メタンを反応ガスとするＣＦ４プラズマ処理により、隔壁３６の上面３６ｅおよび壁面３６ｃを撥液性にする。その後、各部を室温まで冷却する。
【００３８】
次に、正孔注入層３２及び発光層３３を形成する。これらの工程は、例えばインクジェット法により、隔壁３６で囲まれた領域に液滴を吐出し、その液滴を乾燥することによって当該隔壁３６で囲まれた領域に膜を形成するものである。  
まず、正孔注入層３２の形成工程を説明する。この工程で吐出される液滴は、例えばジエチレングリコールと水とを混合した混合溶媒に上述した正孔注入材料を溶解させたインクである。図６に示すように、ノズル５１からこのインク５０を隔壁３６に吐出すると、親液化処理がなされた陽極３１上で広がって開口部３５ａ内に満たされる。その一方で、撥液化処理された隔壁３６の上面では液滴がはじかれて付着しない。
【００３９】
図７は、インク５０を塗布した状態における、当該インク５０内の溶媒及び溶質の状態を模式的に示す図である。  
インク５０を塗布した状態では、わずかではあるが混合溶媒が大気中に蒸発する。蒸発速度は、インク５０の中央部５０ａよりもインク５０の周縁部５０ｂの方が大きく、インク５０の周縁部においてより多くの混合溶媒が蒸発している。インク５０内では、混合溶媒の蒸発を補うように、中央部５０ａから周縁部５０ｂに向けて混合溶媒の流れが形成される（図中、インク５０内の黒矢印で示す。図９、図１０、図１１においても同様）。この流速は、中央部５０ａにおける混合溶媒の蒸発量ＪＣと、周縁部５０ｂにおける混合溶媒の蒸発量ＪＥの差の絶対値｜ＪＥ−ＪＣ｜に比例する。溶質は、この混合溶媒の流れに乗って、中央部５０ａから周縁部５０ｂへと移動する。
【００４０】
一方、溶質は、インク５０全体に拡散しようとするので、周縁部５０ｂから中央部５０ａへ移動しようとする（図中、インク５０内の白抜き矢印で示す。図９、図１０、図１１においても同様）。インク５０を塗布した状態では、混合溶媒の流れによって移動する溶質よりも、拡散によって移動する溶質の方が多いため、インク５０内の溶質の濃度は、中央部５０ａと周縁部５０ｂとでほぼ均一になる。
【００４１】
次に、インク５０の周囲を減圧して当該インク５０を乾燥する。以下、インク５０の乾燥工程を具体的に説明する。図８は、当該インク５０の周囲の圧力の変化を示すグラフである。グラフの縦軸は圧力を示しており、横軸は乾燥開始時からの経過時間を示している。なお、グラフの縦軸は対数で示している。グラフ中、破線（１）は混合溶媒を一定の減圧速度で減圧したときの圧力の変化を示しており、実線（２）は本発明における圧力の変化を示している。
【００４２】
実線（２）に示されるように、まず、室温（例えば２０℃程度）のまま、インク５０の周囲を第１の減圧速度、具体的には約３００Ｐａまで排気時間ｔ１（ｔ１は、例えば１８０秒間）で排気し、インク５０の周囲を減圧する（第１の減圧工程）。
【００４３】
第１の減圧工程では、図９に示すように、インク５０に含まれた混合溶媒のうち一部が蒸発する。この第１の減圧工程では、減圧前に比べて、インク５０の中央部５０ａ及び周縁部５０ｂから蒸発する混合溶媒の量が増加するため、｜ＪＥ−ＪＣ｜の値が大きくなる。｜ＪＥ−ＪＣ｜の値が大きくなると、インク５０内の混合溶媒の流速が大きくなる。したがって、混合溶媒の流速によって移動する溶質が、拡散によって移動する溶質に比べて多くなり、溶質が周縁部５０ｂにわずかに移動する。
【００４４】
次に、排気を停止し、インク５０の周囲に例えば窒素ガスやアルゴンガスなどの不活性ガスを供給して、当該インク５０の周囲を加圧する（加圧工程）。加圧工程における加圧時間ｔ２は、約１２０秒である。インク５０の周囲を加圧することにより、図１０に示すように、インク５０からの混合溶媒の蒸発が抑制される。混合溶媒の蒸発量は、第１の減圧工程に比べて、インク５０の中央部５０ａでも周縁部５０ｂでも減少するため、｜ＪＥ−ＪＣ｜の値が第１の減圧工程における値よりも小さくなる。｜ＪＥ−ＪＣ｜の値が小さくなると、インク５０内の混合溶媒の流速が小さくなる。したがって、混合溶媒の流速によって移動する溶質よりも、拡散によって移動する溶質の方が多くなり、インク５０に含まれる溶質がインク５０全体に拡散する。
【００４５】
次に、インク５０の周囲を第２の減圧速度、具体的には約１０Ｐａまで排気時間ｔ２（ｔ２は、例えば５０秒間）で排気し、インク５０の周囲を減圧する（第２の減圧工程）。インク５０の周囲を減圧することにより、インク５０から再び混合溶媒が蒸発する。
【００４６】
第２の減圧工程では、図１１に示すように、加圧工程に比べて、インク５０の中央部５０ａ及び周縁部５０ｂから蒸発する混合溶媒の量が増加するため、ＪＣ及びＪＥの値が大きくなる。一方、第２の工程では、第１の減圧工程に比べると、インク５０に含まれる混合溶媒の量が少なくなっているため、ＪＣ及びＪＥの値も小さくなる。
【００４７】
したがって、｜ＪＥ−ＪＣ｜の値は、加圧工程に比べて大きくなるものの、第１の減圧工程に比べるとその値は小さく、インク５０内の混合溶媒の流速はほとんど大きくならない。このため、第２の減圧工程では、拡散によって移動する溶質が、混合溶媒の流れによって移動する溶質に比べて多くなる、或いは、ほとんど同じになるため、混合溶媒の流れによる溶質の移動はほとんど無い。このようにインク５０内の溶質の濃度分布を均一にした状態でインク５０から混合溶媒を蒸発させて、正孔注入層３２を形成する。
【００４８】
次に、発光層３３を形成する工程を説明する。この工程では、例えば正孔注入層３２で用いた溶媒とは別の液体を混合させた混合溶媒に上述した発光材料を溶解させたインク６０を用いる。図１２に示すように、ノズル５１から、インク６０を隔壁３６間に吐出する。インク６０を吐出したら、正孔注入層３２を形成する場合と同様の方法により乾燥工程を行う。
【００４９】
すなわち、まずインク６０の周囲を排気して減圧し、インク６０に含まれる一部の混合溶媒を蒸発させる（第１の減圧工程）。次に、インク６０の周囲を加圧し、インク６０内の溶質を拡散させる（加圧工程）。次に、インク６０の周囲を再度減圧し、インク６０に含まれる残りの混合溶媒を蒸発させる（第２の減圧工程）。このように、発光層３３を形成する。
【００５０】
発光層３３を形成後、例えば蒸着法等の物理的気相蒸着法によりカルシウム更にはアルミニウムを成膜して陰極３４を形成する。陰極３４が、発光層３３、隔壁３６の上面３６ｅ、隔壁３６の壁面３６ｃの一部を覆い、上述した接続用配線２７に接続されるように形成する。なお、陰極３４上に陰極保護層を形成させる場合には、イオンプレーティング法等の物理的気相蒸着法により陰極３４上に例えば窒化シリコン等を成膜する。このように、有機ＥＬ素子３が形成される。  
基体１０及び有機ＥＬ素子３を形成したら、当該基体１０及び有機ＥＬ素子３のほぼ全体を封止部材５により缶封止して有機ＥＬ装置１が完成する。
【００５１】
このように、本実施形態によれば、加圧工程でインク５０の周囲の圧力を加圧さすることにより、インク５０に含まれる混合溶媒の蒸発速度を減少させ、インク５０の中央部５０ａからの溶媒の蒸発量（ＪＥ）及び周縁部５０ｂからの溶媒の蒸発量（ＪＣ）を減少させることができる。これにより、ＪＥとＪＣとの差の絶対値｜ＪＥ−ＪＣ｜が小さくなるため、インク５０の内部において中央部５０ａから周縁部５０ｂへ流れる混合溶媒の流速を減少させることができる。混合溶媒の流速を減少させることにより、インク５０の内部で溶質が拡散するようになり、当該インク５０の中央部５０ａと周縁部５０ｂとで溶質の濃度を均一にすることができる。
【００５２】
［第２実施形態］  
次に、本発明の第２実施形態を説明する。第１実施形態と同様、以下の図では、各部材を認識可能な大きさとするため、縮尺を適宜変更している。また、第１実施形態と同一の構成要素については、同一の符号を付してその説明を省略する。なお、本実施形態に係る有機ＥＬ装置の全体構成については、第１実施形態に係る有機ＥＬ装置１の構成とほぼ同様であるので、説明を省略する。
【００５３】
第１実施形態では、加圧工程においてインク５０（６０）の周囲に供給する気体を不活性ガス（窒素ガス、アルゴンガス）としたが、本実施形態では、インク５０（６０）に含まれる混合溶媒の蒸気を供給する。
【００５４】
図１３は、当該混合溶媒の蒸気を処理室内に供給する蒸気供給システムを模式的に示す図である。  
同図に示すように、蒸気供給システム１４０は、気密性を有する処理室１４１と、当該処理室１４１を減圧するための排気装置（例えば、ポンプなど）１４２と、処理室１４１の排気のコンダクションを調節するトラップ１４３と、処理室１４１内に例えば窒素ガス等の不活性ガスを供給するガス供給源１４４と、処理室１４１内に供給するガスの流量を調節するバルブ１４５と、混合溶媒の蒸気の供給源であるタンク１４６と、ガス供給源１４４から供給される不活性ガスの流量やタンク１４６から供給される混合溶媒の蒸気の流量を調節するバルブ１４７、１４８及び１４９とを有している。タンク１４６には、混合溶媒が液体の状態で貯留されており、図示しない蒸発手段により気体として処理室１４１に供給されるようになっている。
【００５５】
上記のように構成された蒸気供給システム１４０を用いて、加圧工程を行う際に混合溶媒の蒸気を供給することによって、インク５０（６０）が変質するのを防ぐことができる。また、インク５０（６０）の周囲が混合溶媒の雰囲気になるため、混合溶媒の蒸発を確実に減少させることができる。
【００５６】
（電子機器）
次に、本発明に係る電子機器について、携帯電話を例に挙げて説明する。  
図１４は、携帯電話３００の全体構成を示す斜視図である。  
携帯電話３００は、筺体３０１、複数の操作ボタンが設けられた操作部３０２、画像や動画、文字等を表示する表示部３０３を有する。表示部３０３には、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１が搭載されている。  
このように、表示ムラの無い有機ＥＬ装置１を搭載したので、快適な表示を実現可能な電子機器を得ることができる。
【００５７】
なお、本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えることができるものである。  
例えば、上記実施形態では、有機ＥＬ装置１の正孔注入層３２及び発光層３３を形成する場合について例に挙げて説明したが、これに限られることは無く、例えば液晶装置に設けられるカラーフィルタ等の膜を形成する場合にも本発明の適用は可能である。
【００５８】
また、上記実施形態では、ボトムエミッション型の有機ＥＬ装置１を例に挙げて説明したが、これに限られることは無く、トップエミッション型の有機ＥＬ装置であっても本発明の適用は勿論可能である。この場合、基板２を構成する材料として透明な材料を用いる必要は無く、封止部材５を構成する材料として透明な材料を用いることが必要である。
【００５９】
また、有機ＥＬ装置に限らず、液晶装置や、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ：Plasma Display Panel）、表面電界ディスプレイ（ＳＥＤ：Surface-conduction Electron-emitter Display）等の膜を形成する場合にも本発明の適用は可能である。
【００６０】
また、上記実施形態では、インクジェット法によって正孔注入層３２及び発光層３３を形成する場合を例に挙げて説明したが、これに限られることは無く、例えばディップ法やスピンコート法、スプレーコート法等の手法を用いる場合であっても、勿論本発明の適用は可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の全体構成を示す図である。
【図２】本実施形態に係る有機ＥＬ装置の平面構成を示す図である。
【図３】本実施形態に係る有機ＥＬ装置の断面構成を示す図である。
【図４】同、断面構成図である。
【図５】本実施形態において、乾燥工程を行う乾燥装置の構成を示す図である。
【図６】インク周囲の圧力の変化を示すグラフである。
【図７】有機ＥＬ装置の製造工程を示す図である。
【図８】同、工程図である。
【図９】同、工程図である。
【図１０】同、工程図である。
【図１１】同、工程図である。
【図１２】同、工程図である。
【図１３】本発明の第２実施形態における乾燥装置の構成を示す図である。
【図１４】本発明に係る電子機器の構成を示す図である。
【図１５】インクの蒸発の様子を示す図である。
【図１６】インクを乾燥させて形成された膜の膜厚を示す図である。
【符号の説明】
【００６２】
１…有機ＥＬ装置  ３２…正孔注入層  ３３…発光層  ５０、６０…液滴  ３００…携帯電話
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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