(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
導体回路が設けられた基板上に、樹脂絶縁層と導体回路とが順次積層された多層プリント配線板の製造に用いる電解めっき液であって、５０〜３００ｇ／ｌの硫酸銅、３０〜２００ｇ／ｌの硫酸、２５〜９０ｍｇ／ｌの塩素イオン、および、レベリング剤と光沢剤とからなる１〜１０００ｍｇ／ｌの添加剤を含有しており、
前記レベリング剤の配合量と前記光沢剤の配合量との配合比率は、２：１〜１０：１であり、
前記レベリング剤は、ポリエチレン、その誘導体、ゼラチンおよびその誘導体からなる群より選択される少なくとも１種からなり、
前記光沢剤は、ビスジスルフィド及びスルホン酸アミドのうちの少なくとも１種からなることを特徴とする電解めっき液。
【請求項２】
１４０〜２１０ｇ／ｌの硫酸銅、１２０〜１５０／ｌの硫酸、４０〜５０ｍｇ／ｌの塩素イオン、および、レベリング剤と光沢剤とからなる４００〜５５０ｍｇ／ｌの添加剤を含有しており、
前記レベリング剤の配合量と前記光沢剤の配合量との配合比率は、２．７：１〜３：１である請求項１に記載の電解めっき液。
【請求項３】
少なくとも下記の工程（ａ）〜（ｅ）、即ち（ａ）露光および現像処理、もしくは、レーザ処理を行うことによりバイアホール用開口部を有する樹脂絶縁層を形成する工程、（ｂ）樹脂絶縁層およびバイアホール用開口部の表面に、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐ、Ｐｄ、ＣｏおよびＷからなる群より選択される少なくとも１種からなる金属層を形成する工程、（ｃ）前記金属層上にめっきレジストを形成する工程、（ｄ）請求項１又は２記載の電解めっき液を用いて、前記めっきレジスト非形成部に電解めっき膜を形成する工程、（ｅ）前記めっきレジストを剥離した後、前記めっきレジストの下に存在する金属層をエッチングすることにより導体回路を形成する工程、を含むことを特徴とする多層プリント配線板の製造方法。
【請求項４】
前記（ｂ）の工程において、金属層は、スパッタリング、めっき、もしくは、スパッタリングおよびめっきを行うことにより形成する請求項３に記載の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項５】
前記樹脂絶縁層は、フッ素樹脂、ポリオレフィン系樹脂およびポリフェニレン系樹脂からなる群より選択される少なくとも１種からなる請求項３または４に記載の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項６】
前記樹脂絶縁層は、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂とを含む樹脂複合体からなる請求項３または４に記載の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項７】
導体回路が設けられた基板上に、樹脂絶縁層と導体回路とが順次積層され、上下に隣り合う導体回路がフィールドビアにより接続された多層プリント配線板であって、前記フィールドビアは、バイアホール用開口部に金属が充填されることにより構成されており、同一層における前記フィールドビアの上面と前記導体回路の上面との前記基板からの高さの差は１μｍ以下であり、かつ、前記フィールドビアの底面から上面までの距離が前記導体回路の厚さの２〜７倍であることを特徴とする多層プリント配線板。
【請求項８】
前記樹脂絶縁層は、１ＧＨｚにおける誘電率が３．０以下である請求項７に記載の多層プリント配線板。
【請求項９】
請求項３〜６のいずれか１に記載の多層プリント配線板の製造方法を用いて製造される請求項７または８に記載の多層プリント配線板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、多層プリント配線板の製造に用いる電解めっき液、該電解めっき液を用いた多層プリント配線板の製造方法、および、多層プリント配線板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
いわゆる多層ビルドアップ配線基板と呼ばれる多層プリント配線板は、セミアディティブ法等により製造されており、コアと呼ばれる０．５〜１．５ｍｍ程度のガラスクロス等で補強された樹脂基板の上に、銅等による導体回路と層間樹脂絶縁層とを交互に積層することにより作製される。この多層プリント配線板の層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の接続は、バイアホールにより行われている。
【０００３】
従来、ビルドアップ多層プリント配線板は、例えば、特開平９−１３００５０号公報等に開示された方法により製造されている。
すなわち、まず、銅箔が貼り付けられた銅貼積層板に貫通孔を形成し、続いて無電解銅めっき処理を施すことによりスルーホールを形成する。続いて、基板の表面を導体パターン状にエッチング処理して導体回路を形成し、この導体回路の表面に、無電解めっきやエッチング等により粗化面を形成する。そして、この粗化面を有する導体回路上に樹脂絶縁層を形成した後、露光および現像処理等を行ってバイアホール用開口部を形成し、その後、ＵＶ硬化、本硬化を経て層間樹脂絶縁層を形成する。
【０００４】
さらに、層間樹脂絶縁層に酸や酸化剤などにより粗化処理を施した後、薄い金属層を形成し、この金属層上にめっきレジストを形成した後、電解めっきにより厚付けを行い、めっきレジスト剥離後にエッチングを行って、下層の導体回路とバイアホールにより接続された導体回路を形成する。
この工程を繰り返した後、最後に導体回路を保護するためのソルダーレジスト層を形成し、ＩＣチップ等の電子部品やマザーボード等との接続のために開口部を露出させた部分にめっき等を施した後、半田ペーストを印刷して半田バンプを形成することにより、ビルドアップ多層プリント配線板の製造を完了する。
【０００５】
このようなビルドアップ多層プリント配線板の製造において、無電解めっきと電解メッキとを行うことにより下層の導体回路とバイアホールにより接続された導体回路を形成する場合、バイアホール用開口部は金属で完全に充填されておらず、図２５に示すように、バイアホール周辺部には凹部が形成されていた。なお、図２５は、従来の多層プリント配線板のバイアホールの断面を示す断面図である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
このように、従来のビルドアップ多層プリント配線板では、導体回路上面、特にバイアホール周辺が平坦では無かったため、導体回路上面に層間樹脂絶縁層を形成した場合、該層間樹脂絶縁層にうねりが生じてしまい、層間樹脂絶縁層の剥離やクラックの原因となったり、層間樹脂絶縁層の上層に形成する導体回路に断線を引き起こす原因となることがあった。
【０００７】
また、プリント配線板の高速化、ファイン化のため、配線距離を短縮するビルドアップ多層プリント配線板の構造として、スタックビア構造（バイアホールの直上にバイアホールを形成する構造、図１参照）が要求されている。しかしながら、上述したように従来の方法で製造されたビルドアップ多層プリント配線板は、バイアホール用開口部が金属で完全に充填されていないため、スタックビア構造をとることが難しかった。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記課題に鑑みて鋭意研究した結果、特定のレベリング剤と光沢剤とからなる添加剤を特定の割合で含む電解めっき液を用いることにより、バイアホール用開口部を完全に金属で充填することができ、同一層におけるバイアホールの上面と導体回路の上面とを略同一平面にすることができることを見いだし、以下に示す内容を要旨構成とする発明に到達した。
【０００９】
即ち、本発明の電解めっき液は、導体回路が設けられた基板上に、樹脂絶縁層と導体回路とが順次積層された多層プリント配線板の製造に用いる電解めっき液であって、５０〜３００ｇ／ｌの硫酸銅、３０〜２００ｇ／ｌの硫酸、２５〜９０ｍｇ／ｌの塩素イオン、および、レベリング剤と光沢剤とからなる１〜１０００ｍｇ／ｌの添加剤を含有しており、
上記レベリング剤の配合量と上記光沢剤の配合量との配合比率は、２：１〜１０：１であり、
上記レベリング剤は、ポリエチレン、その誘導体、ゼラチンおよびその誘導体からなる群より選択される少なくとも１種からなり、
上記光沢剤は、ビスジスルフィド及びスルホン酸アミドのうちの少なくとも１種からなることを特徴とする。
【００１１】
また、本発明の多層プリント配線板の製造方法は、少なくとも下記の工程（ａ）〜（ｅ）、即ち、
（ａ）露光および現像処理、もしくは、レーザ処理を行うことによりバイアホール用開口部を有する樹脂絶縁層を形成する工程、
（ｂ）樹脂絶縁層およびバイアホール用開口部の表面に、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐ、Ｐｄ、ＣｏおよびＷからなる群より選択される少なくとも１種からなる金属層を形成する工程、
（ｃ）上記金属層上にめっきレジストを形成する工程、
（ｄ）本発明の電解めっき液を用いて、上記めっきレジスト非形成部に電解めっき膜を形成する工程、
（ｅ）上記めっきレジストを剥離した後、上記めっきレジストの下に存在する金属層をエッチングすることにより導体回路を形成する工程、
を含むことを特徴とする。
【００１２】
上記本発明の多層プリント配線板の製造方法において、（ｂ）の工程では、金属層は、スパッタリング、めっき、もしくは、スパッタリングおよびめっきを行うことにより形成することが望ましい。
また、上記樹脂絶縁層は、フッ素樹脂、ポリオレフィン系樹脂およびポリフェニレン系樹脂からなる群より選択される少なくとも一種であるか、または、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂とを含む樹脂複合体であることが望ましい。
【００１４】
また、本発明の多層プリント配線板は、導体回路が設けられた基板上に、樹脂絶縁層と導体回路とが順次積層され、上下に隣り合う導体回路がフィールドビアにより接続された多層プリント配線板であって、上記フィールドビアは、バイアホール用開口部に金属が充填されることにより構成されており、同一層における上記フィールドビアの上面と上記導体回路の上面との上記基板からの高さの差は１μｍ以下であり、かつ、上記フィールドビアの底面から上面までの距離が上記導体回路の厚さの２〜７倍であることを特徴とする。
【００１５】
上記多層プリント配線板において、上記樹脂絶縁層は、１ＧＨｚにおける誘電率が３．０以下であることが望ましい。
また、上記多層プリント配線板は、本発明の多層プリント配線板の製造方法を用いて製造されることが望ましい。
【００１６】
【発明の実施の形態】
まず、本発明の電解めっき液について説明する。
本発明の電解めっき液は、導体回路が設けられた基板上に、樹脂絶縁層と導体回路とが順次積層された多層プリント配線板の製造に用いる電解めっき液であって、５０〜３００ｇ／ｌの硫酸銅、３０〜２００ｇ／ｌの硫酸、２５〜９０ｍｇ／ｌの塩素イオン、および、レベリング剤と光沢剤とからなる１〜１０００ｍｇ／ｌの添加剤を含有しており、
上記レベリング剤の配合量と上記光沢剤の配合量との配合比率は、２：１〜１０：１であり、
上記レベリング剤は、ポリエチレン、その誘導体、ゼラチンおよびその誘導体からなる群より選択される少なくとも１種からなり、
上記光沢剤は、ビスジスルフィド及びスルホン酸アミドのうちの少なくとも１種からなることを特徴とする。
【００１７】
本発明の電解めっき液によれば、該電解めっき液を用いて多層プリント配線板を製造することにより、バイアホール用開口部が金属で完全に充填され、同一層におけるバイアホールの上面と導体回路の上面とが略同一平面にあるバイアホール（以下、このようなバイアホールをフィールドビアともいう）を形成することができる。即ち、本発明の電解めっき液は、フィールドビア用電解めっき液に最適である。
【００１８】
上記電解めっき液は、５０〜３００ｇ／ｌの硫酸銅、３０〜２００ｇ／ｌの硫酸、２５〜９０ｍｇ／ｌの塩素イオン、および、少なくともレベリング剤と光沢剤とからなる１〜１０００ｍｇ／ｌの添加剤を含有する。
【００１９】
上記電解めっき液において、硫酸銅の濃度が５０ｇ／ｌ未満では、フィールドビアが形成できず、３００ｇ／ｌを超えると、めっき膜厚のバラツキが大きくなる。
また、硫酸の濃度が３０ｇ／ｌ未満では、液抵抗が大きくなるため、めっき析出がされにくくなり、２００ｇ／ｌを超えると、硫酸銅が結晶になりやすい。
また、塩素イオンの濃度が２５ｍｇ／ｌ未満では、めっき膜の光沢が低下し、９０ｍｇ／ｌを超えるとアノードが溶解しにくくなる。
【００２０】
このような組成の電解めっき液を用いることにより、バイアホールの開口径、樹脂絶縁層の材質や厚さ、樹脂絶縁層の粗化面の有無等に関係なく、フィールドビアを形成することができる。
【００２１】
また、多層プリント配線板を製造する際に、上記電解めっき液を用いると、該電解めっき液が銅イオンを高濃度で含有していることから、バイアホール用開口部に銅イオンを充分に供給し、バイアホール用開口部をめっき速度４０〜１００μｍ／時間でめっきすることができ、電解めっき工程の高速化を図ることもできる。
【００２２】
また、上記電解めっき液は、硫酸を高濃度で含有しているため、めっき時の液抵抗を下げることができる。そのため、電流密度が高くなり、バイアホール用開口部でのめっき膜の成育も妨げられず、フィールドビア構造の形成に適している。
【００２３】
上記電解めっき液の望ましい組成は、１００〜２５０ｇ／ｌの硫酸銅、５０〜１５０ｇ／ｌの硫酸、３０〜７０ｍｇ／ｌの塩素イオン、および、少なくともレベリング剤と光沢剤とからなる１〜６００ｍｇ／ｌの添加剤を含有する組成である。
【００２５】
上記レベリング剤としては、例えば、ポリエチレン、その誘導体、ゼラチンおよびその誘導体からなる群から選択される少なくとも１種を用いることが望ましい。
【００２６】
上記ポリエチレン誘導体としては特に限定されず、例えば、ポリエチレンイソフタレート、ポリエチレンイミン、ポリエチレンオキシド、ポリエチレングリコール、ポリエチレングリコールエステル、ポリエチレングリコールエーテル、ポリエチレンスルフィド、ポリエーテル等を挙げることができる。
これらのなかでは、ポリエチレングリコールまたはゼラチンを用いることが望ましい。汎用性が高く、樹脂絶縁層や金属膜への損傷がないからである。
【００２７】
また、上記光沢剤としては、例えば、酸化物硫黄、その関連化合物、硫化水素、その関連化合物およびその他の硫黄化合物からなる群から選択される少なくとも１種を用いることが望ましい。
【００２８】
上記酸化物硫黄およびその関連化合物としては特に限定されず、例えば、スルホン酸系化合物、スルホン系化合物、亜硫酸系化合物およびその他の酸化物硫黄化合物等が挙げられる。
【００２９】
上記スルホン酸系化合物としては特に限定されず、例えば、スルホ安息香酸、スルホ安息香酸塩、スルホアントラキノン、スルホメタン、スルホエタン、スルホカルバミド、スルホ琥珀酸、スルホ琥珀酸エステル、スルホ酢酸、スルホサリチル酸、スルホシアヌル酸、スルホシアン、スルホシアン酸エステル、スルホニン、スルホビン酸、スルホフタル酸、スルホン酸アミド、スルホン酸イミド等、および、スルホカルボアニリド等のスルホカルボニル系化合物等を挙げることができる。
【００３０】
上記スルホン系化合物としては特に限定されず、例えば、スルホナール、スルホニルジ酢酸、スルホニルジフェニルメタン、スルホキシル酸、スルホキシル酸塩、スルホンアミド、スルホンイミド等、および、スルホニルクロリド系化合物等を挙げることができる。
【００３１】
上記亜硫酸系化合物としては特に限定されず、例えば、亜硫酸、亜硫酸アンモニウム、亜硫酸カリウム、亜硫酸ジエチル、亜硫酸ジメチル、亜硫酸水素ナトリウムおよび亜硫酸エステル化合物等を挙げることができる。
【００３２】
上記その他の酸化物硫黄化合物としては特に限定されず、例えば、スルホキシド等を挙げることができる。
【００３３】
上記硫化水素、その関連化合物としては特に限定されず、例えば、スルホニウム化合物、および、スルホニウム塩等を挙げることができる。
上記その他の硫黄化合物としては特に限定されず、例えば、ビスジスルフィド等を挙げることができる。
【００３４】
本発明の電解めっき液は、さらに、上記光沢剤を含有することにより、多層プリント配線板を製造する際にバイアホール用開口部を金属で完全に充填することができ、上記レベリング剤を含有することにより、同一層におけるバイアホールの上面と導体回路の上面とを略同一平面に形成することができる。
【００３５】
これは、上記光沢剤がバイアホール用開口部の低電流部分を活性化することにより、バイアホール用開口部へのめっき析出を加速させ、上記レベリング剤が導体回路表面に吸着することにより、導体回路表面でのめっきの析出を抑制するからである。
【００３６】
上記レベリング剤の配合量は、１〜１０００ｍｇ／ｌが望ましく、上記光沢剤の配合量は、０．１〜１００ｍｇ／ｌが望ましい。また、両者の配合比率は、２：１〜１０：１が望ましい。
【００３７】
上記レベリング剤の配合量が少なすぎると、導体回路表面へのレベリング剤の吸着量が少なく、導体回路へのめっき析出が速くなる。一方、レベリング剤の配合量が多すぎると、バイアホール用開口部底部へのレベリング剤の吸着量が多く、バイアホール用開口部へのめっき析出が遅くなる。
【００３８】
また、上記光沢剤の配合量が少なすぎると、バイアホール用開口部の底部の活性化ができなくなり、めっきによりバイアホール用開口部を金属で完全に充填することができない。一方、多すぎると、導体回路部分のめっきの析出が速くなり、導体回路上面とバイアホール上面に段差が生じてしまう。
【００３９】
このような構成の電解めっき液を用いる電解めっき法としては特に限定されず、以下に示す電解めっき法等を用いることができる。
即ち、一般的な電解めっき法である直流電解めっき法（ＤＣめっき法）や、カソード電流の供給および中断を交互に繰り返すことにより、電流を矩形波のパルス電流に制御する方法（ＰＣめっき法）、カソード電流の供給とアノード電流の供給とを交互に反転させて繰り返すことにより、周期的逆転波を用いて電流を制御するパルス−リバース電気めっき法（ＰＲめっき法）、カソード電流として高密度電流パルスと低密度電流パルスとを交互に印加する方法等を用いることができる。
これらのなかでは、多層プリント配線板を製造する際に、フィールドビアを形成するのに適しており、また、高価な電源装置や制御装置を必要としない点から直流電解めっき法が望ましい。
【００４０】
次に、本発明の多層プリント配線板の製造方法について説明する。
本発明の多層プリント配線板の製造方法は、少なくとも下記の工程（ａ）〜（ｅ）、即ち、
（ａ）露光および現像処理、もしくは、レーザ処理を行うことによりバイアホール用開口部を有する樹脂絶縁層を形成する工程、
（ｂ）樹脂絶縁層およびバイアホール用開口部の表面に、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐ、Ｐｄ、ＣｏおよびＷからなる群より選択される少なくとも１種からなる金属層を形成する工程、
（ｃ）上記金属層上にめっきレジストを形成する工程、
（ｄ）本発明の電解めっき液を用いて、上記めっきレジスト非形成部に電解めっき膜を形成する工程、
（ｅ）上記めっきレジストを剥離した後、上記めっきレジストの下に存在する金属層をエッチングすることにより導体回路を形成する工程、
を含むことを特徴とする。
【００４１】
以下に、上記本発明の多層プリント配線板の製造方法について、工程順に説明する。
(1) 本発明のプリント配線板の製造方法においては、まず、絶縁性基板の表面に導体回路が形成された基板を作製する。
【００４２】
絶縁性基板としては、樹脂基板が望ましく、具体的には、例えば、ガラスエポキシ基板、ポリイミド基板、ビスマレイミドトリアジン樹脂基板、フッ素樹脂基板、セラミック基板、銅貼積層板などが挙げられる。
本発明の多層プリント配線板の製造方法では、この絶縁性基板にドリル等で貫通孔を設け、該貫通孔の壁面および銅箔表面に無電解めっきを施して表面導電膜およびスルーホールを形成する。無電解めっきとしては銅めっきが好ましい。
【００４３】
この無電解めっきの後、通常、スルーホール内壁および無電解めっき膜表面の粗化面形成処理を行う。粗化処理方法としては、例えば、黒化（酸化）−還元処理、有機酸と第二銅錯体の混合水溶液によるスプレー処理、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｐ針状合金めっきによる処理などが挙げられる。
【００４４】
(2) 次に、無電解めっきが施された基板上に導体回路形状のエッチングレジストを形成し、エッチングを行うことにより導体回路を形成する。次に、この導体回路が形成された基板表面に樹脂充填剤を塗布、乾燥させて半硬化状態とした後、研摩を行い、樹脂充填材の層を研削するとともに、導体回路の上部も研削し、基板の両主面を平坦化する。この後、樹脂充填材の層を完全硬化する。
なお、樹脂充填材の層を形成する際、導体回路非形成部分に開口が形成されたマスクを用い、エッチングにより凹部が形成された導体回路非形成部分のみを樹脂充填剤で充填し、その後、上記した研磨処理等を行ってもよい。
【００４５】
(3) 次に、導体回路上に、必要により、粗化層または粗化面（以下、粗化層ともいう）を形成する。粗化処理方法としては、例えば、黒化（酸化）−還元処理、有機酸と第二銅錯体の混合水溶液によるスプレー処理、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｐ合金めっきによる処理などが挙げられる。
【００４６】
(4) ついで、形成された粗化層表面に、必要により、スズ、亜鉛、銅、ニッケル、コバルト、タリウム、鉛等からなる被覆層を無電解めっき、蒸着などにより形成する。上記被覆層を０．０１〜２μｍの範囲で析出させることにより、樹脂絶縁層から露出した導体回路を粗化液やエッチング液から保護し、内層パターンの変色、溶解を確実に防止することができるからである。
【００４７】
(5) この後、粗化層が形成された導体回路上に、後工程を経て樹脂絶縁層となる未硬化の樹脂層を形成する。
上記樹脂絶縁層の材料としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂の一部を感光化した樹脂またはこれらの複合樹脂を使用することができる。
上記未硬化の樹脂層は、未硬化の樹脂を塗布して形成してもよく、また、未硬化の樹脂フィルムを熱圧着して形成してもよい。さらに、未硬化の樹脂フィルムの片面に銅箔などの金属層が形成された樹脂フィルムを貼付してもよい。このような樹脂フィルムを使用する場合は、バイアホール形成部分の金属層をエッチングした後、レーザ光を照射して開口部を設ける。金属層が形成された樹脂フィルムとしては、樹脂付き銅箔などを使用することができる。
【００４８】
これらの樹脂絶縁層の材料のなかでは、ポリオレフィン系樹脂、ポリフェニレン系樹脂（ＰＰＥ、ＰＰＯ等）、フッ素系樹脂等が望ましい。低誘電率の樹脂絶縁層を形成するのに適しているからである。
上記ポリオレフィン系樹脂としては、例えば、上記ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリイソブチレン、ポリブタジエン、ポリイソプレン、２−ノルボルネン、５−エチリデン−２−ノルボルネン、これらの樹脂の共重合体等が挙げられ、上記フッ素系樹脂としては、例えば、エチル／テトラフルオロエチレン共重合樹脂（ＥＴＦＥ）、ポリクロロトリフルオロエチレン（ＰＣＴＦＥ）等が挙げられる。
【００４９】
また、上記樹脂絶縁層の材料としては、上記熱可塑性樹脂と上記熱硬化性樹脂とを含む樹脂複合体も使用することができる。
上記熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリスルフォン（ＰＳＦ）、ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）、ポリフェニレンスルフォン（ＰＰＳ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＥＳ）、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）、ポリエーテルイミド（ＰＩ）、フェノキシ樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。
これらのなかでは、ポリスルフォン（ＰＳＦ）、ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド（ＰＩ）および／またはフェノキシ樹脂が望ましい。耐熱性、絶縁性に優れるとともに、高い靱性値を有するため、耐クラック性、形状保持性に優れる樹脂絶縁層を形成するのに特に適しているからである。
【００５０】
上記熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂等が挙げられる。また、上記熱硬化性樹脂は、感光化した樹脂であってもよく、具体的には、例えば、メタクリル酸やアクリル酸等と熱硬化基とをアクリル化反応させたもの等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂をアクリレート化したものが望ましい。これらのなかでは、１分子中に、２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂がより望ましい。
【００５１】
上記エポキシ樹脂としては、例えば、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールＦ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。それにより、耐熱性等に優れるものとなる。
【００５２】
上記樹脂複合体における熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂との混合割合は、熱硬化性樹脂／熱可塑性樹脂＝９５／５〜５０／５０が望ましい。耐熱性を損なうことなく、高い靱性値を確保することができるからである。
また、上記樹脂複合体は、感光性の付与された感光性樹脂であってもよい。感光性樹脂を用いる場合、露光・現像処理にてバイアホール用開口部を形成することができる。
【００５３】
上記樹脂複合体の具体例としては、例えば、酸または酸化剤に可溶性の粒子（以下、可溶性粒子という）が酸または酸化剤に難溶性の樹脂（以下、難溶性樹脂という）中に分散した粗化面形成用樹脂組成物等が挙げられる。
なお、上記「難溶性」および「可溶性」という語は、同一の粗化液に同一時間浸漬した場合に、相対的に溶解速度の早いものを便宜上「可溶性」といい、相対的に溶解速度の遅いものを便宜上「難溶性」と呼ぶ。
【００５４】
上記可溶性粒子としては、例えば、酸または酸化剤に可溶性の樹脂粒子（以下、可溶性樹脂粒子）、酸または酸化剤に可溶性の無機粒子（以下、可溶性無機粒子）、酸または酸化剤に可溶性の金属粒子（以下、可溶性金属粒子）等が挙げられる。これらの可溶性粒子は、単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよい。
【００５５】
上記可溶性粒子の形状は特に限定されず、球状、破砕状等が挙げられる。また、上記可溶性粒子の形状は、一様な形状であることが望ましい。均一な粗さの凹凸を有する粗化面を形成することができるからである。
【００５６】
上記可溶性粒子の平均粒径としては、０．１〜１０μｍが望ましい。この粒径の範囲であれば、２種類以上の異なる粒径ものを含有してもよい。すなわち、平均粒径が０．１〜０．５μｍの可溶性粒子と平均粒径が１〜３μｍの可溶性粒子とのを含有する等である。これにより、より複雑な粗化面を形成することができ、導体回路との密着性にも優れる。なお、本明細書において、可溶性粒子の粒径とは、可溶性粒子の一番長い部分の長さである。
【００５７】
上記可溶性樹脂粒子としては、酸あるいは酸化剤からなる溶液に浸漬した場合に、上記難溶性樹脂よりも溶解速度が速いものであれば特に限定されず、その具体例としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂、アミノ樹脂（メラミン樹脂、尿素樹脂、グアナミン樹脂）等からなるものが挙げられ、これらの樹脂の一種からなるものであってもよいし、２種以上の樹脂の混合物からなるものであってもよい。
【００５８】
これらの可溶性樹脂粒子としては、(a) 平均粒径が１０μｍ以下の可溶性樹脂粉末、(b) 平均粒径が２μｍ以下の可溶性樹脂粉末を凝集させた凝集粒子、(c) 平均粒径が２〜１０μｍの可溶性樹脂粉末と平均粒径が２μｍ以下の可溶性樹脂粉末との混合物、(d) 平均粒径が２〜１０μｍの可溶性樹脂粉末の表面に平均粒径が２μｍ以下の可溶性樹脂粉末または無機粉末のいずれか少なくとも１種を付着させてなる疑似粒子、(e) 平均粒径が０．１〜０．８μｍの可溶性樹脂粉末と平均粒径が０．８μｍを超え、２μｍ未満の可溶性樹脂粉末との混合物、(f) 平均粒径が０．１〜１．０μｍの可溶性樹脂粉末を用いることが望ましい。これらは、より複雑なアンカーを形成することができるからである。
【００５９】
また、上記可溶性樹脂粒子としては、ゴムからなる樹脂粒子を用いることもできる。上記ゴムとしては、例えば、ポリブタジエンゴム、エポキシ変性、ウレタン変性、（メタ）アクリロニトリル変性等の各種変性ポリブタジエンゴム、カルボキシル基を含有した（メタ）アクリロニトリル・ブタジエンゴム等が挙げられる。これらのゴムを使用することにより、可溶性樹脂粒子が酸あるいは酸化剤に溶解しやすくなる。つまり、酸を用いて可溶性樹脂粒子を溶解する際には、強酸以外の酸でも溶解することができ、酸化剤を用いて可溶性樹脂粒子を溶解する際には、比較的酸化力の弱い過マンガン酸でも溶解することができる。また、クロム酸を用いた場合でも、低濃度で溶解することができる。そのため、酸や酸化剤が樹脂表面に残留することがなく、後述するように、粗化面形成後、塩化パラジウム等の触媒を付与する際に、触媒が付与されなかったり、触媒が酸化されたりすることがない。
【００６０】
上記可溶性無機粒子としては、例えば、アルミニウム化合物、カルシウム化合物、カリウム化合物、マグネシウム化合物およびケイ素化合物からなる群より選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げられる。
【００６１】
上記アルミニウム化合物としては、例えば、アルミナ、水酸化アルミニウム等が挙げられ、上記カルシウム化合物としては、例えば、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム等が挙げられ、上記カリウム化合物としては、例えば、炭酸カリウム等が挙げられ、上記マグネシウム化合物としては、例えば、マグネシア、ドロマイト、塩基性炭酸マグネシウム等が挙げられ、上記ケイ素化合物としては、例えば、シリカ、ゼオライト等が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよい。
【００６２】
上記可溶性金属粒子としては、例えば、銅、ニッケル、鉄、亜鉛、鉛、金、銀、アルミニウム、マグネシウム、カルシウムおよびケイ素からなる群より選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げられる。また、これらの可溶性金属粒子は、絶縁性を確保するために、表層が樹脂等により被覆されていてもよい。
【００６３】
上記可溶性粒子を、２種以上混合して用いる場合、混合する２種の可溶性粒子の組み合わせとしては、樹脂粒子と無機粒子との組み合わせが望ましい。両者とも導電性が低くいため上下の導体回路間の絶縁性を確保することができるとともに、難溶性樹脂との間で熱膨張の調整が図りやすく、樹脂絶縁層にクラックが発生せず、樹脂絶縁層と導体回路との間で剥離が発生しないからである。
【００６４】
上記難溶性樹脂としては、樹脂絶縁層に酸または酸化剤を用いて粗化面を形成する際に、粗化面の形状を保持できるものであればよく、上記熱可塑性樹脂と上記熱硬化性樹脂との混合物を用いることができる。
【００６５】
上記樹脂複合体として、粗化面形成用樹脂組成物を用いる場合、上記可溶性粒子は、上記難溶性樹脂中にほぼ均一に分散されていることが望ましい。均一な粗さの凹凸を有する粗化面を形成することができ、バイアホールを含む導体回路との密着性を確保することができるからである。
また、粗化面を形成する表層部だけに可溶性粒子を含有するフィルムを用いてもよい。この場合、フィルムの表層部以外は、酸または酸化剤にさらされることがないため、樹脂絶縁層を介した導体回路間の絶縁性が確実に保たれる。
【００６６】
上記可溶性粒子の混合重量比は、難溶性樹脂の固形分に対して５〜５０重量％が望ましく、１０〜４０重量％がさらに望ましい。
可溶性粒子の混合重量比が５重量％未満では、充分な粗さの粗化面を形成することができない場合があり、５０重量％を超えると、酸または酸化剤を用いて可溶性粒子を溶解して粗化面を形成する際に、樹脂絶縁層の深部まで溶解してしまい、樹脂絶縁層を介した上下の導体回路間の絶縁性を確保することができず、短絡の原因となる場合がある。
【００６７】
上記粗化面形成用樹脂組成物は、上記熱可塑性樹脂および上記熱硬化性樹脂以外に、硬化剤、その他の成分等を含有していることが望ましい。
上記硬化剤としては、例えば、イミダゾール系硬化剤、アミン系硬化剤、グアニジン系硬化剤、これらの硬化剤のエポキシアダクトやこれらの硬化剤をマイクロカプセル化したもの、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスフォニウム・テトラフェニルボレート等の有機ホスフィン系化合物等が挙げられる。
【００６８】
上記硬化剤の含有量は、粗化面形成用樹脂組成物に対して、０．０５〜１０重量％であることが望ましい。０．０５重量％未満では、樹脂絶縁層を形成する際に、樹脂複合体が充分に硬化せず、酸や酸化剤を用いて樹脂絶縁層表面に粗化面を形成し、酸等が樹脂フィルムに侵入する度合いが大きくなり、樹脂絶縁層の絶縁性が損なわれることがある。一方、１０重量％を超えると過剰な硬化剤成分が樹脂の組成を変成させることがあり、信頼性の低下を招いてしまうことがある。
【００６９】
上記その他の成分としては、例えば、粗化面の形成に影響しない無機化合物や樹脂等のフィラーが挙げられる。
上記無機化合物としては、例えば、シリカ、アルミナ、ドロマイト等が挙げられ、上記樹脂としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアクリル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、メラニン樹脂、オレフィン系樹脂等が挙げられる。これらのフィラーを含有させることにより、熱膨張係数の整合や耐熱性、耐薬品性の向上等を図り、多層プリント配線板の性能をより向上させることができる。
【００７０】
また、上記粗化面形成用樹脂組成物は、溶剤を含有していてもよい。上記溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテートやトルエン、キシレン等の芳香族炭化水素等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよい。
【００７１】
上述した樹脂複合体を用いて樹脂絶縁層を形成することにより、この樹脂絶縁層に容易に粗化面を形成することができ、また、この粗化面が形成された樹脂絶縁層の上に、本発明の電解めっき液を用いてめっき層を形成した際、このめっき層には余り大きな応力が発生せず、該応力が緩和されているため、樹脂絶縁層にクラックや剥離が発生することがない。特に、フィールドビア周縁部において好適な効果が得られる。
【００７２】
(6) 次に、露光および現像処理、もしくは、レーザ処理を行うことによりバイアホール用開口部を有する樹脂絶縁層を形成する。
バイアホール用開口部の形成は、樹脂複合体の樹脂マトリックスが熱硬化性樹脂、ポリオレフィン系樹脂、シクロオレフィン系樹脂等の場合は、レーザ光や酸素プラズマ等を用いて行い、感光性樹脂である場合には、露光現像処理にて行うかまたはレーザ処理により行う。上記露光現像処理は、未硬化の感光性樹脂層を硬化する前に行う。また、上記レーザ処理は、熱硬化や光硬化の前後を問わず行うことができる。
また、露光現像処理は、バイアホール用開口部形成のための円パターンが描画されたフォトマスク（ガラス基板がよい）を、円パターン側を感光性の樹脂絶縁層の上に密着させて載置した後、露光し、現像処理液に浸漬するか、現像処理液をスプレーすることにより行う。
充分な凹凸形状の粗化面を有する導体回路上に形成された未硬化の樹脂層を硬化させることにより、導体回路との密着性に優れた樹脂絶縁層を形成することができる。
【００７３】
上記レーザ光を用いて、バイアホール用開口部を設ける場合、使用するレーザ光としては、例えば、炭酸ガス（ＣＯ2 ）レーザ、紫外線レーザ、エキシマレーザ、ＹＡＧレーザ等が挙げられる。これらのなかでは、エキシマレーザや短パルスの炭酸ガスレーザが好ましい。
【００７４】
エキシマレーザは、後述するように、バイアホール用開口部を形成する部分に貫通光が形成されたマスク等を用いることにより、一度に多数のバイアホール用開口部を形成することができ、また、短パルスの炭酸ガスレーザは、開口部内の樹脂残りが少なく、開口部周縁の樹脂に対するダメージが小さいからである。
【００７５】
また、エキシマレーザのなかでも、ホログラム方式のエキシマレーザを用いることが望ましい。ホログラム方式とは、レーザ光をホログラム、集光レンズ、レーザマスク、転写レンズ等を介して目的物に照射する方式であり、この方式を用いることにより、一度の照射で多数の開口部を効率的に形成することができる。
【００７６】
また、炭酸ガスレーザを用いる場合、そのパルス間隔は、１０-4〜１０-8秒であることが望ましい。また、開口部を形成するためのレーザを照射する時間は、１０〜５００μ秒であることが望ましい。
エキシマレーザを用いる場合、バイアホール用開孔を形成する部分に貫通孔が形成されたマスクの貫通孔は、レーザ光のスポット形状を真円にするために、真円である必要があり、上記貫通孔の径は、０．１〜２ｍｍ程度が望ましい。
【００７７】
レーザ光にて開口部を形成した場合、特に炭酸ガスレーザを用いた場合には、デスミア処理を行うことが望ましい。上記デスミア処理は、クロム酸、過マンガン酸塩等の水溶液からなる酸化剤を使用して行うことができる。また、酸素プラズマ、ＣＦ4 と酸素の混合プラズマやコロナ放電等で処理してもよい。また、低圧水銀ランプを用いて紫外線を照射することにより、表面改質することもできる。
【００７８】
(7) 次に、必要に応じてバイアホール用開口部を設けた樹脂絶縁層の表面を粗化する。上記粗化は、例えば、樹脂絶縁層の材料として粗化面形成用樹脂組成物を用いた場合、樹脂絶縁層の表面に存在する可溶性樹脂粒子を酸または酸化剤で溶解除去することにより行う。
酸処理等により形成する粗化面の高さは、Ｒｍａｘ＝０．０１〜２０μｍが望ましい。導体回路との密着性を確保するためである。特にセミアディティブ法では、０．１〜５μｍが望ましい。密着性を確保しつつ、金属層を除去することができるからである。
【００７９】
上記酸処理を行う際には、リン酸、塩酸、硫酸、または、蟻酸や酢酸などの有機酸を用いることができ、特に有機酸を用いるのが望ましい。粗化形成処理した場合に、バイアホールから露出する金属導体層を腐食させにくいからである。
上記酸化処理は、クロム酸、過マンガン酸塩（過マンガン酸カリウム等）を用いることが望ましい。
【００８０】
(8) 次に、樹脂絶縁層およびバイアホール用開口部の表面にＣｕ、Ｎｉ、Ｐ、Ｐｄ、ＣｏおよびＷからなる群より選択される少なく一種からなる薄付けの金属層を形成する。
この金属層の厚さは、０．１〜５μｍが望ましく、０．５〜２μｍがより望ましい。上記金属層は、スパッタリング、めっき、もしくは、スパッタリングおよびめっきを行うことにより形成することが望ましい。
【００８１】
(9) 次いで、上記(8) で形成した金属層上にめっきレジストを形成する。
上記めっきレジストとしては、市販の感光性ドライフィルムや液状レジストを使用することができる。
また、上記めっきレジストは、感光性ドライフィルムを貼り付けたり、液状レジストを塗布した後、紫外線露光処理を行い、アルカリ水溶液で現像処理することにより形成することができる。
【００８２】
(10)次いで、本発明の電解めっき液を用いて、(9) で形成しためっきレジスト非形成部に電解めっき膜を形成する。これは、上記電解めっき液に上記金属層およびめっきレジストを形成した基板を浸漬することにより行う。また、上記電解めっき液に含有されるレベリング剤としては、ポリエチレン、その誘導体、ゼラチンおよびその誘導体からなる群より選択される少なくとも１種を用いることが望ましく、また、上記電解めっき液に含有される光沢剤としては、酸化物硫黄、その関連化合物、硫化水素、その関連化合物およびその他の硫黄化合物からなる群から選択される少なくとも１種を用いることが望ましい。
電解めっきとしては、電解銅めっきが望ましく、その厚さは、バイアホール以外の導体回路部分では、３〜２５μｍが望ましい。厚さが３μｍ未満では、同一層におけるバイアホールの上面と導体回路上面とが略同一平面にならないことがあり、２５μｍを超える厚さの導体回路を形成しようとすると、めっきレジストの厚さが厚くなり、めっきレジスト非形成部に電解めっき液が入りこみにくくなることがある。より望ましくは、５〜１５μｍである。また、形成されたバイアホールの底面から上面までの距離が、上記導体回路部分の厚さの２〜７倍であることが望ましい。
上記電解めっきの方法としては特に限定されないが、上述したように、直流電解めっき法を用いることが望ましい。
【００８３】
(11)次いで、上記めっきレジストを強アルカリ水溶液等で剥離した後、その下に存在する金属層をエッチングすることにより、上層導体回路およびバイアホールを独立パターンとする。
上記エッチングは、硫酸／過酸化水素水溶液、塩化第二鉄、塩化第二銅、過硫酸アンモニウムなどの過硫酸塩の水溶液等をエッチング液として用いた化学エッチング、イオンビームエッチング等による物理エッチング等が使用される。
なお、非導体回路部分に露出したパラジウム触媒核は、クロム酸、硫酸、過酸化水素等により溶解除去する。
【００８４】
(12)必要により、(3) 〜(11)の工程を繰り返し、最上層の導体回路に上記(3) の工程と同様の条件で無電解めっきやエッチング等を施し、最上層の導体回路上に粗化層または粗化面を形成する。
【００８５】
次に、最上層の導体回路を含む基板面にソルダーレジスト層を形成する。上記ソルダーレジスト層としては、例えば、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂、熱可塑性エラストマー、ソルダーレジスト樹脂組成物等からなるものが挙げられる。
上記ソルダーレジスト層は、未硬化の樹脂（樹脂組成物）をロールコータ法等により塗布し、上述した開口処理、硬化処理等を行うことにより形成する。
【００８６】
上記ソルダーレジスト樹脂組成物としては、例えば、ノボラック型エポキシ樹脂の（メタ）アクリレート、イミダゾール硬化剤、２官能性（メタ）アクリル酸エステルモノマー、分子量５００〜５０００程度の（メタ）アクリル酸エステルの重合体、ビスフェノール型エステル樹脂等からなる熱硬化性樹脂、多価アクリル系モノマー等の感光性モノマー、グリコールエーテル系溶剤等を含むペースト状の流動体等が挙げられ、その粘度は２５℃で１〜１０Ｐａ・ｓに調整されていることが望ましい。
【００８７】
上記ノボラック型エポキシ樹脂の（メタ）アクリレートとしては、例えば、フェノールノボラックやクレゾールノボラックのグリシジルエーテルをアクリル酸やメタクリル酸等と反応させたエポキシ樹脂等が挙げられる。
また、上記２官能性（メタ）アクリル酸エステルモノマーとしては特に限定されず、例えば、各種ジオール類やアクリル酸やメタクリル酸のエステル等が挙げられる。
【００８８】
そしてこの後、上記ソルダーレジスト層の開口部分に半田バンプを形成することにより本発明の多層プリント配線板の製造を終了する。
なお、製品認識文字などを形成するための文字印刷工程やソルダーレジスト層の改質のために、酸素や四塩化炭素などのプラズマ処理を適時行ってもよい。
【００８９】
図１は、本発明の多層プリント配線板の一断面を示す断面図であるが、このような本発明の多層プリント配線板の製造方法によれば、図１に示すようにバイアホール用開口部が金属で完全に充填され、同一層におけるバイアホール７の上面と導体回路４、５の上面とが略同一平面にあるプリント配線板を製造することができ、さらには、スタックビア構造を有するプリント配線板を製造することができる。なお、上記スタックビア構造とは、バイアホール７の直上に、上層のバイアホール７が設けられた構造のことである。
【００９０】
上記多層プリント配線板は、上述の方法とは別の製造方法によっても製造することができる。
この他の多層プリント配線板の製造方法は、少なくとも下記の工程（ａ）〜（ｄ）、即ち、
（ａ）露光および現像処理、もしくは、レーザ処理を行うことによりバイアホール用開口部を有する樹脂絶縁層を形成する工程、
（ｂ）樹脂絶縁層およびバイアホール用開口部の表面に、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐ、Ｐｄ、ＣｏおよびＷからなる群より選択される少なくとも１種からなる金属層を形成する工程、
（ｃ）本発明の電解めっき液を用いて、上記金属層上に電解めっき膜を形成する工程、
（ｄ）上記電解めっき膜上にエッチングレジストを形成した後、エッチングを行うことにより導体回路を形成する工程を含む。
【００９１】
以下に、上記他の多層プリント配線板の製造方法（以下、他の製造方法ともいう）について、工程順に説明する。
なお、上記他の多層プリント配線板の製造方法は、上記（ｃ）および（ｄ）の工程が、本発明の多層プリント配線板の製造方法と異なるのみであり、上記（ｃ）および（ｄ）以外の工程は、本発明の多層プリント配線板の製造方法と同様の方法を用いて行うことができる。従って、ここでは、上記別の製造方法の（ｃ）および（ｄ）の工程について、主に説明することにする。
【００９２】
(1) まず、本発明の多層プリント配線板の製造方法の(1) 〜(8) の工程と同様にして、上記絶縁層およびバイアホール用開口部に薄付けの金属層を形成する。
【００９３】
(2) 次いで、本発明の電解めっき液を用いて、(1) で形成した金属層上に電解めっき膜を形成する。これは、上記電解めっき液に上記金属層を形成した基板を浸漬することにより行う。また、上記電解めっき液に含有されるレベリング剤として、ポリエチレン、その誘導体、ゼラチンおよびその誘導体からなる群より選択される少なくとも１種を用いることが望ましく、また、上記電解めっき液に含有される光沢剤として、酸化物硫黄、その関連化合物、硫化水素、その関連化合物およびその他の硫黄化合物からなる群から選択される少なくとも１種を用いることが望ましい。
電解めっきとしては、電解銅めっきが望ましく、その厚さは、バイアホール以外の導体回路部分では、３〜２５μｍが望ましい。厚さが３μｍ未満では、同一層におけるバイアホールの上面と導体回路上面とが略同一平面にならなかったり、エッチング時に導体回路の断線が発生することがあり、２５μｍを超えるとエッチングにより、電解めっき層や金属層が完全に除去されない場合がある。より望ましくは、５〜１５μｍである。また、形成されたバイアホールの底面から上面までの距離が、上記導体回路部分の厚さの２〜７倍であることが望ましい。
上記電解めっきの方法としては特に限定されないが、上述したように、直流電解めっき法を用いることが望ましい。
【００９４】
(3) さらに、この電解めっき膜上にエッチングレジストを形成した後、エッチングを行うことにより導体回路を形成する。
上記エッチングレジストとしては、市販の感光性ドライフィルムや液状レジストを使用することができる。
そして、感光性ドライフィルムを貼り付けたり、液状レジストを塗布した後、紫外線露光処理を行い、アルカリ水溶液で現像処理する。
【００９５】
(4) 次いで、非導体回路形成部の金属層および電解めっき層をエッチングすることにより除去した後、エッチングレジストを強アルカリ水溶液で剥離することにより、上層導体回路およびバイアホールを独立パターンとする。
上記エッチングは、硫酸／過酸化水素水溶液、塩化第二鉄、塩化第二銅、過硫酸アンモニウムなどの過硫酸塩の水溶液等をエッチング液として用いた化学エッチング、イオンビームエッチング等による物理エッチング等が使用される。
なお、非導体回路部分に露出したパラジウム触媒核は、クロム酸、硫酸、過酸化水素等により溶解除去する。
【００９６】
(5) さらに、必要により、本発明の多層プリント配線板の製造方法と同様、導体回路表面に粗化層を形成する工程から、導体回路を形成する工程（上記(4) の工程）までを繰り返し、その後、最上層の導体回路上に粗化層または粗化面を形成する。
【００９７】
次に、本発明の多層プリント配線板の製造方法と同様にして、ソルダーレジスト層を形成し、このソルダーレジスト層の開口部分に半田バンプを形成することにより、他の製造方法に係る多層プリント配線板の製造を終了する。
【００９８】
次に、本発明の多層プリント配線板について説明する。
本発明の多層プリント配線板は、導体回路が設けられた基板上に、樹脂絶縁層と導体回路とが順次積層され、上下に隣り合う導体回路がフィールドビアにより接続された多層プリント配線板であって、上記フィールドビアは、バイアホール用開口部に金属が充填されることにより構成されており、同一層における上記フィールドビアの上面と上記導体回路の上面との上記基板からの高さの差は１μｍ以下であり、かつ、上記フィールドビアの底面から上面までの距離が上記導体回路の厚さの２〜７倍であることを特徴とする。
なお、以下の説明では、フィールドビアのことを、単にバイアホールともいう。
【００９９】
本発明の多層プリント配線板によれば、バイアホール用開口部に金属が完全に充填され、同一層における上記バイアホールの上面と前記導体回路の上面とが略同一平面にあるため、バイアホールを含む導体回路と樹脂絶縁層との間で剥離やクラックが発生したり、該導体回路の上層の導体回路が断線したりすることがない。また、上記多層プリント配線板は、プリント配線板の高速化およびファイン化を達成するために配線距離を短縮したスタックビア構造をとることもできる。
【０１００】
本発明の多層プリント配線板としては、例えば、図１に示すような構成のものを挙げることができる。
本発明の多層プリント配線板においては、バイアホールの底面から上面までの距離が、導体回路の厚さの２〜７倍である。
バイアホールの底面から上面までの距離が、導体回路の厚さの７倍を超えるものは、バイアホール用開口部を金属で完全に充填しにくいため、同一層におけるバイアホールの上面と導体回路の上面とが略同一平面にならないことがあり、スタックビア構造を形成しにくい。一方、バイアホール用開口部の深さが浅いほどフィールドビア構造を形成し易いが、バイアホールの底面から上面までの距離が、導体回路の厚さの２倍未満のものは、バイアホールの上面が導体回路の上面より高くなったり、エッチングを行った場合に、導体回路で断線が発生することがある。
【０１０１】
上記多層プリント配線板の樹脂絶縁層は、１ＧＨｚにおける誘電率が３．０以下であることが望ましい。
誘電率が３．０以下の樹脂絶縁層を用いることにより、１ＧＨｚ以上の高周波帯域で使用した際にも電子信号に関する遅延やエラーを防止することができる。
上記樹脂絶縁層に用いる樹脂としては、本発明の多層プリント配線板の製造方法で用いる樹脂と同様の樹脂が挙げられる。
【０１０２】
このような本発明の多層プリント配線板は、本発明の多層プリント配線板の製造方法を用いて製造することが望ましい。
【０１０３】
【実施例】
以下、本発明を実施例によりさらに詳細に説明する。
（実施例１）
Ａ．樹脂複合体の調製（上層用接着剤）
(i) クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社製、分子量：２５００）の２５％アクリル化物を８０重量％の濃度でジエチレングリコールジメチルエーテル（ＤＭＤＧ）に溶解させた樹脂液３５重量部、感光性モノマー（東亜合成社製、アロニックスＭ３１５）３．１５重量部、消泡剤（サンノプコ社製  Ｓ−６５）０．５重量部およびＮ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）３．６重量部を容器にとり、攪拌混合することにより混合組成物を調製した。
【０１０４】
(ii)ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）１２重量部、エポキシ樹脂粒子（三洋化成社製、ポリマーポール）の平均粒径１．０μｍのもの７．２重量部および平均粒径０．５μｍのもの３．０９重量部を別の容器にとり、攪拌混合した後、さらにＮＭＰ３０重量部を添加し、ビーズミルで攪拌混合し、別の混合組成物を調製した。
【０１０５】
(iii) イミダゾール硬化剤（四国化成社製、２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）２重量部、光重合開始剤（チバ・スペシャリティ・ケミカルズ社製、イルガキュアー  Ｉ−９０７）２重量部、光増感剤（日本化薬社製、ＤＥＴＸ−Ｓ）０．２重量部およびＮＭＰ１．５重量部をさらに別の容器にとり、攪拌混合することにより混合組成物を調製した。
そして、(i) 、(ii)および(iii) で調製した混合組成物を混合することにより樹脂複合体を得た。
【０１０６】
Ｂ．樹脂複合体の調製（下層用接着剤）
(i) クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社製、分子量：２５００）の２５％アクリル化物を８０重量％の濃度でジエチレングリコールジメチルエーテル（ＤＭＤＧ）に溶解させた樹脂液３５重量部、感光性モノマー（東亜合成社製、アロニックスＭ３１５）４重量部、消泡剤（サンノプコ社製  Ｓ−６５）０．５重量部およびＮ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）３．６重量部を容器にとり、攪拌混合することにより混合組成物を調製した。
【０１０７】
(ii)ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）１２重量部、および、エポキシ樹脂粒子（三洋化成社製、ポリマーポール）の平均粒径０．５μｍのもの１４．４９重量部を別の容器にとり、攪拌混合した後、さらにＮＭＰ３０重量部を添加し、ビーズミルで攪拌混合し、別の混合組成物を調製した。
【０１０８】
(iii) イミダゾール硬化剤（四国化成社製、２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）２重量部、光重合開始剤（チバ・スペシャリティ・ケミカルズ社製、イルガキュアー  Ｉ−９０７）２重量部、光増感剤（日本化薬社製、ＤＥＴＸ−Ｓ）０．２重量部およびＮＭＰ１．５重量部をさらに別の容器にとり、攪拌混合することにより混合組成物を調製した。
そして、(i) 、(ii)および(iii) で調製した混合組成物を混合することにより樹脂複合体を得た。
【０１０９】
Ｃ．樹脂充填材の調製
(i) ビスフェノールＦ型エポキシモノマー（油化シェル社製、分子量：３１０、ＹＬ９８３Ｕ）１００重量部、表面にシランカップリング剤がコーティングされた平均粒径が１．６μｍで、最大粒子の直径が１５μｍ以下のＳｉＯ2 球状粒子（アドマテックス社製、ＣＲＳ  １１０１−ＣＥ）１７０重量部およびレベリング剤（サンノプコ社製  ペレノールＳ４）１．５重量部を容器にとり、攪拌混合することにより、その粘度が２３±１℃で４０〜５０Ｐａ・ｓの樹脂充填材を調製した。
なお、硬化剤として、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）６．５重量部を用いた。
【０１１０】
Ｄ．プリント配線板の製造方法
(1) 厚さ１ｍｍのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる基板１の両面に１８μｍの銅箔８がラミネートされている銅貼積層板を出発材料とした（図２（ａ）参照）。まず、この銅貼積層板をドリル削孔し、無電解めっき処理を施し、パターン状にエッチングすることにより、基板１の両面に下層導体回路４とスルーホール９を形成した。
【０１１１】
(2) スルーホール９および下層導体回路４を形成した基板を水洗いし、乾燥した後、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＣｌＯ2 （４０ｇ／ｌ）、Ｎａ3 ＰＯ4 （６ｇ／ｌ）を含む水溶液を黒化浴（酸化浴）とする黒化処理、および、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＢＨ4 （６ｇ／ｌ）を含む水溶液を還元浴とする還元処理を行い、そのスルーホール９を含む下層導体回路４の全表面に粗化面４ａ、９ａを形成した（図２（ｂ）参照）。
【０１１２】
(3) 上記Ｃに記載した樹脂充填材を調製した後、下記の方法により調製後２４時間以内にスルホール９内、および、基板１の片面の導体回路非成形部と導体回路４の外縁部とに樹脂充填材１０の層を形成した。
すなわち、まず、スキージを用いてスルーホール内に樹脂充填材を押しこんだ後、１００℃、２０分の条件で乾燥させた。次に、導体回路非形成部に相当する部分が開口したマスクを基板上に載置し、スキージを用いて、凹部となっている導体回路非形成部に樹脂充填材１０の層を形成し、１００℃、２０分の条件で乾燥させた（図２（ｃ）参照）。
【０１１３】
(4) 上記(3) の処理を終えた基板の片面を、＃６００のベルト研磨紙（三共理化学社製）を用いたベルトサンダー研磨により、導体回路外縁部に形成された樹脂充填材１０の層や導体回路非形成部に形成された樹脂充填材１０の層の上部を研磨し、ついで、上記ベルトサンダー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行った。このような一連の研磨を基板の他方の面についても同様に行った。
なお、必要に応じて、研摩の前後にエッチングを行い、スルーホール９のランド９ａおよび下層導体回路４に形成された粗化面４ａを平坦化してもよい。
この後、１００℃で１時間、１５０℃で１時間の加熱処理を行い、樹脂充填材の層を完全に硬化させた。
【０１１４】
このようにして、スルーホール９や導体回路非形成部に形成された樹脂充填材１０の表層部および下層導体回路４の表面を平坦化し、樹脂充填材１０と下層導体回路４の側面４ａとが粗化面を介して強固に密着し、またスルーホール９の内壁面９ａと樹脂充填材１０とが粗化面を介して強固に密着した絶縁性基板を得た（図２（ｄ）参照）。すなわち、この工程により、樹脂充填剤の表面と内層銅パターンとの表面が同一平面となる。
【０１１５】
(5) 上記基板を水洗、酸性脱脂した後、ソフトエッチングし、次いで、エッチング液を基板の両面にスプレイで吹きつけた後、搬送ロールで送ることで下層導体回路４の表面とスルーホール９のランド表面と内壁とをエッチングすることにより、下層導体回路４の全表面に厚さ３μｍの粗化面４ａ、９ａを形成した（図３（ａ）参照）。エッチング液として、イミダゾール銅 (II）錯体１０重量部、グリコール酸７重量部、塩化カリウム５重量部からなるエッチング液（メック社製、メックエッチボンド）を使用した。
【０１１６】
(6) 基板の両面に、上記Ｂにおいて記載した下層用の樹脂複合体（粘度：１．５Ｐａ・ｓ）を調製後２４時間以内にロールコータを用いて塗布し、水平状態で２０分間放置してから、６０℃で３０分の乾燥（プリベーク）を行った。次いで、上記Ａにおいて記載した上層用の樹脂複合体（粘度：７Ｐａ・ｓ）を調製後２４時間以内にロールコータを用いて塗布し、同様に水平状態で２０分間放置してから、６０℃で３０分の乾燥（プリベーク）を行い、厚さ３５μｍの樹脂複合体の層２ａ、２ｂを形成した（図３（ｂ）参照）。
【０１１７】
(7) 上記(6) で樹脂複合体の層を形成した基板の両面に、直径８５μｍの黒円が印刷されたフォトマスクフィルムを密着させ、超高圧水銀灯により５００ｍＪ／ｃｍ2 強度で露光した後、ＤＭＤＧ溶液でスプレー現像した。この後、さらに、この基板を超高圧水銀灯により３０００ｍＪ／ｃｍ2 強度で露光し、１００℃で１時間、１２０℃で１時間、１５０℃で３時間の加熱処理を施し、フォトマスクフィルムに相当する寸法精度に優れた直径８５μｍのバイアホール用開口部６を有する厚さ３５μｍの樹脂絶縁層２を形成した（図３（ｃ）参照）。なお、バイアホールとなる開口部には、下層導体回路４の粗化面を露出させた。
【０１１８】
(8) バイアホール用開口部６を形成した基板を、クロム酸水溶液（７５００ｇ／ｌ）に１９分間浸漬し、樹脂絶縁層の表面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去してその表面を粗化し、粗化面を得た。その後、中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いをした（図３（ｄ）参照）。
さらに、粗面化処理した該基板の表面に、パラジウム触媒（アトテック社製）を付与することにより、絶縁材層の表面およびバイアホール用開口部の内壁面に触媒核を付着させた。
【０１１９】
(9) 次に、以下の組成の無電解銅めっき水溶液中に基板を浸漬して、粗面全体に厚さ０．６〜１．２μｍの無電解銅めっき膜１２を形成した（図４（ａ）参照）。
〔無電解めっき水溶液〕
ＣｕＳＯ4 ・５Ｈ2 Ｏ      １０ｇ／ｌ
ＨＣＨＯ                    ８ｇ／ｌ
ＮａＯＨ                    ８ｇ／ｌ
ロッシェル塩              ４５ｇ／ｌ
添加剤                  ３０ｍｌ／ｌ
〔無電解めっき条件〕
３５℃の液温度で２５分
【０１２０】
(10)ついで、無電解銅めっき膜上の全面に以下の条件で電解めっきを施し、厚さ７．５μｍの電解めっき膜１３を形成した（図４（ｂ）参照）。
〔電解めっき水溶液〕
ＣｕＳＯ4 ・５Ｈ2 Ｏ        ２１０ｇ／ｌ
硫酸                        １５０ｇ／ｌ
Ｃｌ-                       ４０ｍｇ／ｌ
ポリエチレングリコール    ３００ｍｇ／ｌ
ビスジスルフィド          １００ｍｇ／ｌ
〔電解めっき条件〕
電流密度                  １．０Ａ／ｄｍ2
時間                      ３５  分
温度                      ２５  ℃
【０１２１】
(11)市販の感光性ドライフィルムを電解銅めっき膜１３に貼り付け、マスクを載置して、１００ｍＪ／ｃｍ2 で露光し、０．８％炭酸ナトリウム水溶液で現像処理することにより、厚さ１５μｍのエッチングレジスト３を設けた（図４（ｃ）参照）。
【０１２２】
(12)さらに、硫酸−過酸化水素水溶液を用いたスプレーエッチングにより導体回路以外の部分をエッチングした。続いて、５０℃の４０ｇ／ｌＮａＯＨ水溶液中でレジストフィルムを剥離除去した。その後、基板に１５０℃で１時間熱処理を施し、金属層と電解銅めっき膜とからなる厚さ１５μｍの導体回路とフィールドビアとを形成した（図４（ｄ）参照）。
【０１２３】
(13)導体回路を形成した基板に対し、上記(5) と同様の処理を行い、フィールドビアを含む導体回路の表面に粗化面を形成した（図５（ａ）参照）。
(14)続いて、上記 (6)〜(13)の工程を、繰り返すことにより、さらに上層の導体回路を形成し、８層の多層プリント配線板を得た。なお、図中では、構造を理解しやすいように６層のものを示している（図５（ｂ）〜図６（ｃ）参照）。
【０１２４】
(15)次に、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ＤＭＤＧ）に６０重量％の濃度になるように溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社製）のエポキシ基５０％をアクリル化した感光性付与のオリゴマー（分子量：４０００）４６．６７重量部、メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル社製、商品名：エピコート１００１）１５重量部、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、商品名：２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）１．６重量部、感光性モノマーである多価アクリルモノマー（日本化薬社製、商品名：Ｒ６０４）３重量部、同じく多価アクリルモノマー（共栄化学社製、商品名：ＤＰＥ６Ａ）１．５重量部、分散系消泡剤（サンノプコ社製、商品名：Ｓ−６５）０．７１重量部を容器にとり、攪拌混合することにより混合組成物を調製し、この混合組成物に対して光重合開始剤としてのベンゾフェノン（関東化学社製）２．０重量部、光増感剤としてのミヒラーケトン（関東化学社製）０．２重量部を加えて、粘度を２５℃で２．０Ｐａ・ｓに調製したソルダーレジスト樹脂組成物を得た。
なお、粘度測定は、Ｂ型粘度計（東京計器社製、ＤＶＬ−Ｂ型）で６０ｍｉｎ-1（６０ｒｐｍ）の場合はローターＮｏ．４、６ｍｉｎ-1（６ｒｐｍ）の場合はローターＮｏ．３によった。
【０１２５】
(16)次に、多層配線基板の両面に、上記(15)に記載したソルダーレジスト樹脂組成物を調製した後、これを２０μｍの厚さで塗布し、７０℃で２０分間、７０℃で３０分間の条件で乾燥処理を行った後、ソルダーレジスト開口部のパターンが描画された厚さ５ｍｍのフォトマスクをソルダーレジスト層に密着させて１０００ｍＪ／ｃｍ2 の紫外線で露光し、ＤＭＴＧ溶液で現像処理し、２００μｍの直径の開口を形成した。
そして、さらに、８０℃で１時間、１００℃で１時間、１２０℃で１時間、１５０℃で３時間の条件でそれぞれ加熱処理を行ってソルダーレジスト層を硬化させ、開口径２００μｍの半田パッド部分（バイアホールとそのランド部分とを含む）が開口した、その厚さが２０μｍのソルダーレジスト層（有機樹脂絶縁層）１４を形成した。
【０１２６】
(17)次に、ソルダーレジスト層（有機樹脂絶縁層）１４を形成した基板を、塩化ニッケル（２．３×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（２．８×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．６×１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液に２０分間浸漬して、開口部に厚さ５μｍのニッケルめっき層１５を形成した。さらに、その基板をシアン化金カリウム（７．６×１０-3ｍｏｌ／ｌ）、塩化アンモニウム（１．９×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．２×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（１．７×１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含む無電解めっき液に８０℃の条件で７．５分間浸漬して、ニッケルめっき層１５上に、厚さ０．０３μｍの金めっき層１６を形成した。
【０１２７】
(18)この後、ソルダーレジスト層１４の開口に半田ペーストを印刷して、２００℃でリフローすることにより半田バンプ１７を形成し、半田バンプ１７を有する多層配線プリント基板を製造した（図７（ａ）参照）。
【０１２８】
（実施例２）
Ａ．プリント配線板の製造方法
(1) 厚さ０．８ｍｍのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる基板１の両面に１８μｍの銅箔８がラミネートされている銅貼積層板を出発材料とした（図８（ａ）参照）。まず、この銅貼積層板をドリル削孔し、無電解めっき処理を施し、パターン状にエッチングすることにより、基板１の両面に下層導体回路４とスルーホール９を形成した。
【０１２９】
(2) スルーホール９および下層導体回路４を形成した基板を水洗いし、乾燥した後、下記のエッチング液を基板の両面にスプレイで吹き付けて、下層導体回路４とスルーホール９のランド表面および内壁をエッチングすることにより、スルーホール９を含む下層導体回路４の全表面に粗化面４ａ、９ａを形成した（図８（ｂ）参照）。エッチング液としては、イミダゾール銅（II）錯体１０重量部、グリコール酸７重量部、塩化カリウム５重量部およびイオン交換水７８重量部を混合したものを使用した。
【０１３０】
(3) 次に、ポリオレフィン系樹脂を主成分とする樹脂充填剤を、基板の両面に印刷機を用いて塗布することにより下層導体回路４間およびスルーホール９内に充填し、加熱乾燥をおこなった（図８（ｃ）参照）。すなわち、この工程により、樹脂充填剤１０が下層導体回路４間およびスルーホール９内に充填される。
【０１３１】
(4) 上記(3) の処理を終えた基板の片面を、＃６００のベルト研磨紙（三共理化学社製）を用いたベルトサンダー研磨により、導体回路外縁部に形成された樹脂充填材１０の層や導体回路非形成部に形成された樹脂充填材１０の層の上部を研磨し、ついで、上記ベルトサンダー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行った。このような一連の研磨を基板の他方の面についても同様に行った。
なお、必要に応じて、研摩の前後にエッチングを行い、スルーホール９のランド９ａおよび下層導体回路４に形成された粗化面４ａを平坦化してもよい。
この後、１００℃で１時間、１５０℃で１時間の加熱処理を行い、樹脂充填材の層を完全に硬化させた。
【０１３２】
このようにして、スルーホール９や導体回路非形成部に形成された樹脂充填材１０の表層部および下層導体回路４の表面を平坦化し、樹脂充填材１０と下層導体回路４の側面４ａとが粗化面を介して強固に密着し、またスルーホール９の内壁面９ａと樹脂充填材１０とが粗化面を介して強固に密着した絶縁性基板を得た（図８（ｄ）参照）。
【０１３３】
(5) 上記基板を水洗、酸性脱脂した後、ソフトエッチングし、次いで、エッチング液を基板の両面にスプレイで吹きつけた後、搬送ロールで送ることで下層導体回路４の表面とスルーホール９のランド表面とをエッチングすることにより、下層導体回路４の全表面に厚さ３μｍの粗化面４ａ、９ａを形成した。エッチング液としては、上記(2) の工程で用いたものと同様のものを用いた。
【０１３４】
(6) 基板の両面に、厚さ５０μｍの熱硬化型ポリオレフィン系樹脂シートを温度を５０〜１５０℃まで昇温しながら圧力０．５ＭＰａ（５ｋｇｆ／ｃｍ2 ）で真空ラミネートし、ポリオレフィン系樹脂からなる樹脂絶縁層を設けた。なお、真空圧着時の真空度は、１３３０Ｐａ（１０ｍｍＨｇ）とした（図９（ａ）参照）。
【０１３５】
(7) 樹脂絶縁層を設けた基板の両面に、炭酸（ＣＯ2 ）ガスレーザを用いて、ビーム径５ｍｍ、トップハットモード、パルス幅５０μ秒、マスクの穴径０．５ｍｍ、３ショットの条件で直径８０μｍのバイアホール用開口部６を設けた。（図９（ｂ）参照）。この後、酸素プラズマを用いてデスミア処理を行った。
【０１３６】
(8) バイアホール用開口部６を形成した基板にプラズマ処理を施し、樹脂絶縁層の表層を粗化した（図９（ｃ）参照）。この際、不活性ガスとしてアルゴンガスを使用し、電力２００Ｗ、ガス圧０．６Ｐａ、温度７０℃の条件で、日本真空技術株式会社製のＳＶ−４５４０を用い、２分間プラズマ処理を実施した。
【０１３７】
(9) 次に、樹脂絶縁層の表層を粗化した基板に、日本真空技術株式会社製のＳＶ−４５４０を用い、ＮｉとＣｕとの合金をターゲットにしたスパッタリングを、気圧０．６Ｐａ、温度８０℃、電力２００Ｗ、時間５分間の条件で行い、Ｎｉ−Ｃｕ合金層１２を樹脂絶縁層２の表面に形成した（図９（ｄ）参照）。このとき、形成されたＮｉ−Ｃｕ合金層の厚さは０．２μｍであった。
さらに、基板をコンデショニングし、アルカリ触媒中で触媒付与を５分間行った。
【０１３８】
(10)ついで、Ｎｉ−Ｃｕ合金層１２上の全面に以下の条件で電解めっきを施し、厚さ５μｍの電解めっき膜１３を形成した（図１０（ａ）参照）。
〔電解めっき水溶液〕
ＣｕＳＯ4 ・５Ｈ2 Ｏ        １４０ｇ／ｌ
硫酸                        １２０ｇ／ｌ
Ｃｌ-                       ５０ｍｇ／ｌ
ゼラチン                  ３００ｍｇ／ｌ
スルホン酸アミド          １００ｍｇ／ｌ
〔電解めっき条件〕
電流密度                  ０．８Ａ／ｄｍ2
時間                      ３０  分
温度                      ２５  ℃
【０１３９】
(11)市販の感光性ドライフィルムを電解銅めっき膜１３に貼り付け、マスクを載置して、１００ｍＪ／ｃｍ2 で露光し、０．８％炭酸ナトリウム水溶液で現像処理することにより、厚さ２０μｍのエッチングレジスト３を設けた（図１０（ｂ）参照）。
【０１４０】
(12)さらに、硫酸−過酸化水素水溶液を用いたスプレーエッチングにより導体回路以外の部分をエッチングした。続いて、５０℃の４０ｇ／ｌＮａＯＨ水溶液中でレジストフィルムを剥離除去した。その後、基板に１５０℃で１時間熱処理を施し、金属層と電解銅めっき膜とからなる厚さ１５μｍの導体回路５とフィールドビア７とを形成した。形成された導体回路の上面とフィールドビアの上面との樹脂基板１からの高さの差は１μｍ以下と、略同一平面にあり、また、バイアホールの上面に凹部は形成されていなかった（図１０（ｃ）参照）。
【０１４１】
(13)続いて、上記 (7)〜(13)の工程を、繰り返すことにより、さらに上層の導体回路を形成し、８層の多層プリント配線板を得た。なお、図中では、構造を理解しやすいように６層のものを示している（図１１（ａ）〜図１３（ａ）参照）。なお、表層の導体回路にも上記(2) の工程で用いたエッチング液と同様のものを用いてエッチングを行い、粗化面を形成した。
【０１４２】
(14)次に、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ＤＭＤＧ）に６０重量％の濃度になるように溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社製）のエポキシ基５０％をアクリル化した感光性付与のオリゴマー（分子量：４０００）４６．６７重量部、メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル社製、商品名：エピコート１００１）１５重量部、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、商品名：２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）１．６重量部、感光性モノマーである多価アクリルモノマー（日本化薬社製、商品名：Ｒ６０４）３重量部、同じく多価アクリルモノマー（共栄化学社製、商品名：ＤＰＥ６Ａ）１．５重量部、分散系消泡剤（サンノプコ社製、商品名：Ｓ−６５）０．７１重量部を容器にとり、攪拌混合することにより混合組成物を調製し、この混合組成物に対して光重合開始剤としてのベンゾフェノン（関東化学社製）２．０重量部、光増感剤としてのミヒラーケトン（関東化学社製）０．２重量部を加えて、粘度を２５℃で２．０Ｐａ・ｓに調製したソルダーレジスト樹脂組成物を得た。
なお、粘度測定は、Ｂ型粘度計（東京計器社製、ＤＶＬ−Ｂ型）で６０ｍｉｎ-1（６０ｒｐｍ）の場合はローターＮｏ．４、６ｍｉｎ-1（６ｒｐｍ）の場合はローターＮｏ．３によった。
【０１４３】
(15)次に、多層配線基板の両面に、上記(15)に記載したソルダーレジスト樹脂組成物を調製した後、これを２０μｍの厚さで塗布し、７０℃で２０分間、７０℃で３０分間の条件で乾燥処理を行った後、ソルダーレジスト開口部のパターンが描画された厚さ５ｍｍのフォトマスクをソルダーレジスト層に密着させて１０００ｍＪ／ｃｍ2 の紫外線で露光し、ＤＭＴＧ溶液で現像処理し、２００μｍの直径の開口を形成した。
そして、さらに、８０℃で１時間、１００℃で１時間、１２０℃で１時間、１５０℃で３時間の条件でそれぞれ加熱処理を行ってソルダーレジスト層を硬化させ、開口径２００μｍの半田パッド部分（バイアホールとそのランド部分とを含む）が開口した、その厚さが２０μｍのソルダーレジスト層（有機樹脂絶縁層）１４を形成した。
【０１４４】
(16)次に、ソルダーレジスト層（有機樹脂絶縁層）１４を形成した基板を、塩化ニッケル（２．３×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（２．８×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．６×１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液に２０分間浸漬して、開口部に厚さ５μｍのニッケルめっき層１５を形成した。さらに、その基板をシアン化金カリウム（７．６×１０-3ｍｏｌ／ｌ）、塩化アンモニウム（１．９×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．２×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（１．７×１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含む無電解めっき液に８０℃の条件で７．５分間浸漬して、ニッケルめっき層１５上に、厚さ０．０３μｍの金めっき層１６を形成した。
【０１４５】
(17)この後、ソルダーレジスト層１４の開口に半田ペーストを印刷して、２００℃でリフローすることにより半田バンプ１７を形成し、半田バンプ１７を有する多層配線プリント基板を製造した（図１３（ｂ）参照）。
【０１４６】
（実施例３）
Ａ．プリント配線板の製造方法
(1) 実施例１の(1) 〜(8) の工程と同様にして、導体回路４と樹脂絶縁層２の形成された基板を作製し、その後、実施例１の(9) の工程と同様にして無電解銅めっき膜１２を形成した（図１４（ａ）〜図１６（ａ）参照）。
【０１４７】
(2) 市販の感光性ドライフィルムを無電解銅めっき膜１２に貼り付け、マスクを載置して、１００ｍＪ／ｃｍ2 で露光し、０．８％炭酸ナトリウム水溶液で現像処理することにより、厚さ１５μｍのめっきレジスト２３を設けた（図１６（ｂ）参照）。
【０１４８】
(3) 次に、めっきレジスト２３の非形成部に以下の条件で電解めっきを施し、厚さ７．５μｍの電解めっき膜１３を形成した（図１６（ｃ）参照）。
〔電解めっき水溶液〕
ＣｕＳＯ4 ・５Ｈ2 Ｏ        ２１０ｇ／ｌ
硫酸                        １５０ｇ／ｌ
Ｃｌ-                       ４０ｍｇ／ｌ
ポリエチレングリコール    ３００ｍｇ／ｌ
ビスジスルフィド          １００ｍｇ／ｌ
〔電解めっき条件〕
電流密度                  １．０Ａ／ｄｍ2
時間                      ３５  分
温度                      ２５  ℃
【０１４９】
続いて、５０℃の４０ｇ／ｌＮａＯＨ水溶液中でめっきレジストを剥離除去した。その後、基板に１５０℃で１時間熱処理を施し、硫酸−過酸化水素水溶液等のエッチング液を用いて、導体回路以外の金属を除去し、金属層と電解銅めっき膜とからなる厚さ８μｍの導体回路とフィールドビアとを形成した（図１６（ｄ）参照）。
【０１５０】
(4) その後、実施例１の(13)〜(18)と同様の工程を施し、半田バンプ１７を有する多層配線プリント基板を製造した（図１７〜図１８参照）。
【０１５１】
（実施例４）
Ａ．樹脂複合体からなるフィルムの作製
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量４６９、油化シェルエポキシ社製  エピコート１００１）３０重量部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量２１５、大日本インキ化学工業社製  エピクロンＮ−６７３）４０重量部、トリアジン構造含有フェノールノボラック樹脂（フェノール性水酸基当量１２０、大日本インキ化学工業社製  フェノライトＫＡ−７０５２）３０重量部をエチルジグリコールアセテート２０重量部、ソルベントナフサ２０重量部に攪拌しながら加熱溶解させ、そこへ末端エポキシ化ポリブタジエンゴム（ナガセ化成工業社製  デナレックスＲ−４５ＥＰＴ）１５重量部と２−フェニル−４、５−ビス（ヒドロキシメチル）イミダゾール粉砕品１．５重量部、微粉砕シリカ２重量部、シリコン系消泡剤０．５重量部を添加し樹脂複合体の溶液を得た。
得られた樹脂複合体の溶液を厚さ３８μｍのＰＥＴフィルム上に乾燥後の厚さが５０μｍとなるようにロールコーターを用いて塗布した後、８０〜１２０℃で１０分間乾燥させることにより、樹脂複合体のフィルムを作製した。
【０１５２】
Ｂ．プリント配線板の製造方法
(1) 実施例１の(1) 〜(4) の工程と同様にして、スルーホール９および導体回路非形成部に樹脂充填剤１０の層が形成された基板を作製し、その後、実施例１の(5) の工程と同様にして下層導体回路４の表面とスルーホール９のランド表面とをエッチングすることにより、下層導体回路４の表面全体に厚さ３μｍの粗化面４ａ、９ａを形成した（図１９（ａ）〜図２０（ａ）参照）。
【０１５３】
(2) 上記基板の両面に、上記Ａにおいて記載した樹脂複合体フィルムを、以下の方法により真空ラミネータ装置を用いて張り付けることにより樹脂複合体フィルム層を形成し、その後、熱硬化させて、樹脂絶縁層２０とした（図２０（ｂ）参照）。即ち、上記樹脂複合体フィルムの張り付けは、真空度７５Ｐａ、圧力０．４ＭＰａ、温度８０℃、圧着時間６０秒の条件で行い、上記熱硬化は、１００℃で３０分、１５０℃で１時間の条件で行った。
【０１５４】
(3) 次に、樹脂絶縁層２０上に、貫通孔が形成されたマスクを介して、波長１０．４μｍのＣＯ2 ガスレーザにて、ビーム径４．０ｍｍ、トップハットモード、パルス幅８．０μ秒、マスクの貫通孔の径１．０ｍｍ、２ショットの条件で樹脂絶縁層２０に、直径６０μｍのバイアホール用開口部６を形成した（図２０（ｃ）参照）。この後、酸素プラズマを用いてデスミア処理を行った。なお、バイアホール用開口部６には、下層導体回路４の粗化面を露出させた。
【０１５５】
(4) バイアホール用開口部６を形成した基板を、クロム酸水溶液（７５００ｇ／ｌ）に１９分間浸漬し、樹脂絶縁層の表面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去してその表面を粗化し、粗化面を得た。その後、中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いをした（図２０（ｄ）参照）。
さらに、粗面化処理した該基板の表面に、パラジウム触媒（アトテック社製）を付与することにより、絶縁材層の表面およびバイアホール用開口部６の内壁面に触媒核を付着させた。
【０１５６】
(5) 次に、以下の組成の無電解銅めっき水溶液中に基板を浸漬して、粗面全体に厚さ０．６〜１．２μｍの無電解銅めっき膜１２を形成した（図２１（ａ）参照）。
〔無電解めっき水溶液〕
ＣｕＳＯ4 ・５Ｈ2 Ｏ      １０ｇ／ｌ
ＨＣＨＯ                    ８ｇ／ｌ
ＮａＯＨ                    ８ｇ／ｌ
ロッシェル塩              ４５ｇ／ｌ
添加剤                  ３０ｍｌ／ｌ
〔無電解めっき条件〕
３５℃の液温度で２５分
【０１５７】
(6) 市販の感光性ドライフィルムを電解銅めっき膜１２に貼り付け、マスクを載置して、１００ｍＪ／ｃｍ2 で露光し、０．８％炭酸ナトリウム水溶液で現像処理することにより、厚さ２０μｍのめっきレジスト２３を設けた（図２１（ｂ）参照）。
【０１５８】
(7) 次に、めっきレジスト２３の非形成部に以下の条件で電解めっきを施し、厚さ１５μｍの電解めっき膜１３を形成した（図２１（ｃ）参照）。
〔電解めっき水溶液〕
ＣｕＳＯ4 ・５Ｈ2 Ｏ        ２１０ｇ／ｌ
硫酸                        １５０ｇ／ｌ
Ｃｌ-                       ４０ｍｇ／ｌ
ポリエチレングリコール    ３００ｍｇ／ｌ
ビスジスルフィド        １００ｍｇ／ｌ
〔電解めっき条件〕
電流密度                  １．０Ａ／ｄｍ2
時間                      ６０  分
温度                      ２５  ℃
【０１５９】
続いて、５０℃の４０ｇ／ｌＮａＯＨ水溶液中でめっきレジスト２３を剥離除去した。その後、基板に１５０℃で１時間熱処理を施し、硫酸−過酸化水素水溶液等のエッチング液を用いて、導体回路以外の金属を除去し、金属層と電解銅めっき膜とからなる厚さ１５μｍの導体回路とフィールドビアとを形成した（図２１（ｄ）参照）。
【０１６０】
(8) 導体回路を形成した基板に対し、上記(1) と同様の処理を行い、フィールドビアを含む導体回路の表面に粗化面を形成した（図２２（ａ）参照）。
(9) 続いて、上記(2) 〜(8) の工程を、繰り返すことにより、さらに上層の樹脂絶縁層と導体回路とを形成し、多層プリント配線板を得た（図２２（ｂ）〜図２３（ｂ）参照）。
【０１６１】
(10)その後、実施例１の(15)〜(18)と同様の工程を施し、半田バンプ１７を有する多層配線プリント基板を製造した（図２３（ｃ）参照）。
【０１６２】
（実施例５）
樹脂複合体からなるフィルムとして、エポキシ樹脂（熱硬化性樹脂）とフェノキシ樹脂（熱可塑性樹脂）の樹脂複合体によって形成されたものを用いた以外は、実施例４とほぼ同様にして多層プリント配線板を製造した。
【０１６３】
（実施例６）
電解めっき液の添加剤として、ゼラチン４００ｍｇ／ｌ、ビスジスルフィド１５０ｍｌ／ｌを用いた以外は、実施例１とほぼ同様にして多層プリント配線板を製造した。
【０１６４】
（実施例７）
電解めっき液の添加剤として、ゼラチン４００ｍｇ／ｌ、ビスジスルフィド１５０ｍｌ／ｌを用いた以外は、実施例２とほぼ同様にして多層プリント配線板を製造した。
【０１６５】
（実施例８）
電解めっき液の添加剤として、ゼラチン４００ｍｇ／ｌ、ビスジスルフィド１５０ｍｌ／ｌを用いた以外は、実施例３とほぼ同様にして多層プリント配線板を製造した。
【０１６６】
（実施例９）
電解めっき液の添加剤として、ポリエチレングリコール４００ｍｇ／ｌ、スルホン酸アミド１５０ｍｌ／ｌを用いた以外は、実施例１とほぼ同様にして多層プリント配線板を製造した。
【０１６７】
（実施例１０）
電解めっき液の添加剤として、ポリエチレングリコール４００ｍｇ／ｌ、スルホン酸アミド１５０ｍｌ／ｌを用いた以外は、実施例２とほぼ同様にして多層プリント配線板を製造した。
【０１６８】
（実施例１１）
電解めっき液の添加剤として、ポリエチレングリコール４００ｍｇ／ｌ、スルホン酸アミド１５０ｍｌ／ｌを用いた以外は、実施例３とほぼ同様にして多層プリント配線板を製造した。
【０１６９】
（実施例１２）
電解めっき液の添加剤として、ゼラチン４００ｍｇ／ｌ、ビスジスルフィド１５０ｍｌ／ｌを用いた以外は、実施例５とほぼ同様にして多層プリント配線板を製造した。
【０１７０】
（実施例１３）
電解めっき液の添加剤として、ポリエチレングリコール４００ｍｇ／ｌ、スルホン酸アミド１５０ｍｌ／ｌを用いた以外は、実施例５とほぼ同様にして多層プリント配線板を製造した。
【０１７１】
（比較例１）
Ａ．樹脂複合体の調製（上層用接着剤）、樹脂複合体の調製（下層用接着剤）、および、樹脂充填材の調製は実施例１と同様に行った。
【０１７２】
Ｂ．プリント配線板の製造方法
(1) 厚さ０．６ｍｍのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる基板を用いた以外は、実施例１の(1) 〜(6) と同様にして厚さ３５μｍの樹脂複合体の層を形成した（図２（ａ）〜図３（ｂ）参照）。
【０１７３】
(2) 次に、樹脂複合体の層を形成した基板の両面に、直径９０μｍの黒円が印刷されたフォトマスクフィルムを密着させた以外は、実施例１の(7) と同様にして、直径９０μｍのバイアホール用開口部を有する厚さ３５μｍの樹脂絶縁層を形成した（図３（ｃ）参照）。なお、バイアホールとなる開口部には、下層導体回路の粗化面を露出させた。
【０１７４】
(3) さらに、バイアホール用開口部を形成した基板をコンデイショニングし、アルカリ触媒中で触媒付与を５分間行った後、基板を活性化し、以下の組成の無電解銅めっき水溶液中に基板を浸漬して、粗面全体に厚さ１．１μｍの無電解銅めっき膜を形成した。
〔無電解めっき水溶液〕
ＣｕＳＯ4 ・５Ｈ2 Ｏ      １０ｇ／ｌ
ＨＣＨＯ                    ８ｇ／ｌ
ＮａＯＨ                    ８ｇ／ｌ
ロッシェル塩              ４５ｇ／ｌ
添加剤                  ３０ｍｌ／ｌ
〔無電解めっき条件〕
３４℃の液温度で２５分
【０１７５】
(4) ついで、無電解銅めっき膜上の全面に以下の条件で電解めっきを施し、厚さ１１μｍの電解めっき膜１３を形成した。
〔電解めっき水溶液〕
ＣｕＳＯ4 ・５Ｈ2 Ｏ          ８０ｇ／ｌ
硫酸                        １８０ｇ／ｌ
Ｃｌ-                       ４０ｍｇ／ｌ
添加剤                    ０．５ｍｌ／ｌ
〔電解めっき条件〕
電流密度                  １．０Ａ／ｄｍ2
時間                      ５０  分
温度                      ２７  ℃
【０１７６】
(5) 市販の感光性ドライフィルムを電解銅めっき膜に貼り付け、マスクを載置して、１００ｍＪ／ｃｍ2 で露光し、０．８％炭酸ナトリウム水溶液で現像処理することにより、厚さ２０μｍ、Ｌ／Ｓ＝２０／１０μｍのめっきレジストを設けた。
【０１７７】
(6) さらに、硫酸−過酸化水素水溶液を用いたスプレーエッチングにより導体回路以外の部分をエッチングした。続いて、５０℃の４０ｇ／ｌＮａＯＨ水溶液中でレジストフィルムをを剥離除去した。その後、基板に１５０℃で１時間熱処理を施し、金属層と電解銅めっき膜とからなる導体回路とフィールドビアとを形成した。
【０１７８】
(7) 導体回路を形成した基板に対し、上記(5) と同様の処理を行い、フィールドビアを含む導体回路の表面に厚さ２μｍの粗化面をを形成した。
(8) 続いて、上記 (1)の樹脂複合体の層を形成する工程〔実施例１の(1) 〜(7) の工程〕を、繰り返すことにより、さらに上層の導体回路を形成し、８層の多層プリント配線板を得た。
【０１７９】
(9) 次に、実施例１の(15)と同様にしてソルダーレジスト樹脂組成物を得た。
さらに、実施例１の(16)〜(18)と同様にして、半田バンプを有する多層配線プリント基板を製造した。
【０１８０】
実施例および比較例で得られた半田バンプを有する多層配線プリント基板をカッターで切断し、その断面を顕微鏡で観察したところ、実施例に係る多層プリント配線板をカッターで切断し、その断面を顕微鏡で観察したところ、導体回路の上面とフィールドビアの上面との樹脂基板からの高さの差は、１μｍ以下と略同一平面にあり、また、バイアホールの上面に凹部は形成されていなかった。一方、比較例に係る多層プリント配線板は、バイアホール用開口部が金属で完全に充填されておらず、バイアホール上面に凹部が形成されていた。
【０１８１】
また、実施例に係る多層配線プリント基板は、スタックビア構造を有しており、導通試験等の結果、このスタックビア構造部分でも導通はとれていた。一方、比較例に係る多層プリント配線板では、導通試験等の結果、スタックビア構造の部分では導通がとれていなかった。
【０１８２】
【発明の効果】
以上説明してきたように、本発明の電解めっき液によれば、この電解めっき液を用いて多層プリント配線板を製造することにより、バイアホール用開口部に金属が完全に充填され、同一層におけるバイアホールの上面と導体回路の上面とが略同一平面にあるバイアホールを形成することができる。
【０１８３】
また、本発明の多層プリント配線板の製造方法によれば、バイアホール用開口部に金属が完全に充填され、同一層におけるバイアホールの上面と導体回路の上面とが略同一平面にあるバイアホールを形成することができ、さらには、スタックビア構造を有する多層プリント配線板を製造することができる。
【０１８４】
また、本発明の多層プリント配線板によれば、バイアホール用開口部に金属が完全に充填され、同一層におけるバイアホールの上面と導体回路の上面とが略同一平面にあるため、バイアホールを含む導体回路と樹脂絶縁層との間で剥離やクラックが発生したり、該導体回路の上層の導体回路が断線したりすることがなく、接続信頼性を向上させることができる。また、上記多層プリント配線板は、プリント配線板の高速化およびファイン化を達成するために配線距離を短縮したスタックビア構造をとることもできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の多層プリント配線板の一断面を示す断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｄ）は、他の多層プリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｄ）は、他の多層プリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｄ）は、他の多層プリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は、他の多層プリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。
【図６】（ａ）〜（ｃ）は、他の多層プリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。
【図７】（ａ）は、他の多層プリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。
【図８】（ａ）〜（ｄ）は、他の多層プリント配線板の別の一例の製造工程の一部を示す断面図である。
【図９】（ａ）〜（ｄ）は、他の多層プリント配線板の別の一例の製造工程の一部を示す断面図である。
【図１０】（ａ）〜（ｃ）は、他の多層プリント配線板の別の一例の製造工程の一部を示す断面図である。
【図１１】（ａ）〜（ｃ）は、他の多層プリント配線板の別の一例の製造工程の一部を示す断面図である。
【図１２】（ａ）〜（ｃ）は、他の多層プリント配線板の別の一例の製造工程の一部を示す断面図である。
【図１３】（ａ）〜（ｂ）は、他の多層プリント配線板の別の一例の製造工程の一部を示す断面図である。
【図１４】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の多層プリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。
【図１５】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の多層プリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。
【図１６】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の多層プリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。
【図１７】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の多層プリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。
【図１８】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の多層プリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。
【図１９】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の多層プリント配線板の別の一例の製造工程の一部を示す断面図である。
【図２０】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の多層プリント配線板の別の一例の製造工程の一部を示す断面図である。
【図２１】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の多層プリント配線板の別の一例の製造工程の一部を示す断面図である。
【図２２】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の多層プリント配線板の別の一例の製造工程の一部を示す断面図である。
【図２３】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の多層プリント配線板の別の一例の製造工程の一部を示す断面図である。
【図２４】本発明の多層プリント配線板のバイアホールの断面を示す顕微鏡写真である。
【図２５】従来の多層プリント配線板のバイアホールの断面を示す顕微鏡写真である。
【符号の説明】
１  基板
２ａ、２ｂ  樹脂複合体
２  樹脂絶縁層
４  下層導体回路
４ａ  粗化面
５  上層導体回路
６  バイアホール用開口部
７  バイアホール
８  銅箔
９  スルーホール
９ａ  粗化面
１０ 樹脂充填材
１１  粗化層
１２  Ｎｉ−Ｃｕ合金層
１３  電解めっき層
１４  ソルダーレジスト層
１５  ニッケルめっき膜
１６  金めっき膜
１７  ハンダバンプ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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