(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
坩堝の内部に種結晶を充填すると共に、該種結晶上に原料を積み重ねて充填する充填工程と、
前記坩堝の垂直方向に温度勾配を有する炉の内部に前記坩堝を配置し、前記原料を融解して融液を形成する融解工程と、
前記融液を下方から上方に向けて漸次固化させて単結晶を育成する育成工程とを備え、
前記種結晶が、ランガサイトによって構成されていることを特徴とするブリッジマン法を用いたランガテイト単結晶の製造方法。
【請求項２】
前記育成工程で、前記坩堝を前記垂直方向の軸回りで回転させることを特徴とする請求項１に記載のランガテイト単結晶の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば圧電デバイスに用いられるランガテイト単結晶の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ランガテイト（Ｌａ３Ｔａ０．５Ｇａ５．５Ｏ１４）単結晶は、圧電定数が水晶と比較して約３倍と大きいため、各種の圧電デバイス用基板の材料として研究が行われている。また、ランガテイト単結晶は、水晶と比較して高温まで圧電性が保持されるため、高温向け圧電デバイス用材料としても注目されている。
さらに、ランガテイトは、同様の構造や特性を有するランガサイト（Ｌａ３Ｇａ５ＳｉＯ１４）と比較して特に圧電定数の温度変化が小さく、温度による電荷発生量のバラツキを抑制することができる（例えば、特許文献１参照）。
一般に、このようなランガテイト単結晶はチョクラルスキー法を用いて育成されているが、低コスト化を目的として垂直ブリッジマン法による育成が検討されている（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２００５−９９８８号公報
【特許文献２】特開２００５−２１９９５２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、上記従来の単結晶の製造方法には、以下の課題が残されている。すなわち、ブリッジマン法を用いてランガテイト単結晶の育成を行う際は、一般的に同物質、つまりランガテイト単結晶を種結晶として用いるが、ランガテイトの大型結晶育成技術が確立していないため種結晶を安定して供給することが困難な場合がある。一方、ランガテイト単結晶を種結晶として育成した場合でも、種子付けの過程においてランガテイトの種結晶を溶融させて固化させた場合、条件によってはＬａ（ランタン）、Ｔａ（タンタル）系化合物の異相が発生することがあり、結晶の品質面に悪影響を及ぼすことがある。すなわち、育成初期の原料にはランガテイト単結晶の組成よりも若干ＬａやＴａが少ないほうが好ましい場合もあり、このような場合にはランガテイトの種結晶を用いてもうまく結晶を育成できないことがある。
【０００４】
本発明は、前述の課題に鑑みてなされたもので、良質のランガテイト単結晶を効率的に育成することができるランガテイト単結晶の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。すなわち、本発明のランガテイト単結晶の製造方法は、坩堝の内部に種結晶を充填すると共に、該種結晶上に原料を積み重ねて充填する充填工程と、前記坩堝の垂直方向に温度勾配を有する炉の内部に前記坩堝を配置し、前記原料を融解して融液を形成する融解工程と、前記融液を下方から上方に向けて漸次固化させて単結晶を育成する育成工程とを備え、前記種結晶が、ランガサイトによって構成されていることを特徴とする。
【０００６】
この発明では、種結晶としてランガテイトよりも容易に入手可能で安定して供給できるランガサイト結晶を用いるので、ランガテイト単結晶を効率的に育成することができる。また、ランガテイト種結晶を用いた際に見られる初期異相の発生がないため、クラックや欠陥などの発生が抑制された良質なランガテイト単結晶を育成することができる。
ここで、ランガテイトは、ランガサイト単結晶系列の置換型単結晶の一種であり、ランガサイトと同じ結晶構造を有している。そして、ランガテイトとランガサイトとは、構成元素も部分的に同じになっている。さらに、ランガテイトの融点とランガサイトの融点とが極めて近く、しかも、ある程度の範囲で互いに固溶する。これにより、ランガサイトを種結晶に用いた場合、クラックや欠陥などの発生が抑制されたランガテイト単結晶を育成することができる。このとき、ランガサイト種結晶を溶し込んだ際のＳｉの拡散が懸念されるが、量が小さいので、育成されたランガテイト単結晶の電気特性など特性は、ランガテイト種結晶を用いて育成されたランガテイト単結晶とほぼ同等となる。
【０００７】
また、本発明のランガテイト単結晶の製造方法は、前記育成工程で、前記坩堝を前記垂直方向の軸回りで回転させることが好ましい。
この発明では、単結晶を育成する際に坩堝を回転させることで、融液中の組成を均一化することができる。これにより、より均一で組成ムラのないランガテイト単結晶を製造することができる。
【発明の効果】
【０００８】
本発明のランガテイト単結晶の製造方法によれば、ランガテイトと比較して容易に入手でき、ランガテイトと同じ結晶構造を有すると共に構成元素も部分的に同一であるランガサイト種結晶を用いることで、異相の少ない良質なランガテイト単結晶を効率的に育成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明にかかるランガテイト単結晶の製造方法の一実施形態を、図面を参照しながら説明する。
本実施形態によるランガテイト単結晶の製造方法は、図１に示すようなブリッジマン法を用いた製造装置１を用いて製造される。
この製造装置１は、図１及び図２に示すように、垂直方向に温度勾配を形成することができる垂直ブリッジマン炉（以下、炉と省略する）２と坩堝３とを有しており、この坩堝３内にランガサイト種結晶（種結晶）５及びランガテイト原料（原料）６を充填する。そして、この製造装置１は、ランガテイト原料６を加熱して融液７にした後、融液７を図１及び図２に示す矢印Ａ方向である下方から上方に向けて漸次固化させてランガテイト単結晶８を育成する。
【００１０】
炉２は、図１に示すように、筒型形状を有し、高温加熱を可能とするスーパーカンタル製であって、内部にランガテイト原料６を加熱するヒータ１０と、坩堝３の外周に配設されたチューブ１１と、坩堝３を載置する坩堝受１２と、坩堝受１２を上下動させる軸部材１３とを備えている。
【００１１】
ヒータ１０は、例えば長さが２００ｍｍの３ゾーンヒータによって構成されており、炉２内で上中下段に別れている。また、ヒータ１０は、製造装置１が有する温度制御部（図示略）に接続されており、各段の温度がそれぞれ独立した温度となるように温度制御されている。これにより、炉２は、垂直方向に温度勾配を形成することができる。ここで、ヒータ１０は、上段がランガテイト原料６の融点よりも高温（例えば、１５５０℃）に設定され、中段が１５００℃、下段がランガテイト原料６の融点よりも低温（例えば、１４００℃）の温度幅となるように設定されている。
【００１２】
チューブ１１は、坩堝３を保護するように坩堝受１２の上であって坩堝３の外周に設けられており、例えばアルミナによって形成されている。そして、チューブ１１の一箇所には、貫通孔１１ａが形成されている。この貫通孔１１ａから坩堝３内に充填されたランガサイト種結晶５とランガテイト原料６との界面にあたる坩堝３の側壁位置３ａに対して点接触するように、熱電対１４が設けられている。熱電対１４は、製造装置１が有する温度表示部（図示略）に接続されており、側壁位置３ａで検出した温度を表示するように構成されている。
【００１３】
坩堝受１２は、緻密質アルミナ（ＳＳＡ−Ｓ）によって形成されている。
軸部材１３は、製造装置１が有する駆動機構（図示略）によって、坩堝受１２を上下動させると共に、坩堝３の垂直方向である軸回りで回転させるように構成されている。
【００１４】
坩堝３は、白金などの材料で上部が開口部となっている円柱状の有底筒状を有しており、例えば、高さ（Ｌ）２００ｍｍ、内径（φ）５２ｍｍ、厚さ０．２ｍｍとなっている。また、坩堝３の上部には、坩堝３の内部にゴミなどの不純物が混入することを防止するため、例えば白金箔などで形成された蓋１５が被せられている。
【００１５】
ランガサイト種結晶５は、例えば、直径５１．５ｍｍ、厚さ５〜３０ｍｍのペレット状を有している。
ランガテイト原料６は、例えば直径が約５０ｍｍ、高さが８０ｍｍの円柱状を有しており、複数（本実施形態では４）の第１から第４原料ペレット（原料塊）２０Ａ〜２０Ｄをこの順でランガサイト種結晶５上に積層して構成されている。
この第１から第４原料ペレット２０Ａ〜２０Ｄは、例えば、直径が約５０ｍｍ、厚さが２０ｍｍであって、酸化ランタン（Ｌａ２Ｏ３）、酸化ガリウム（Ｇａ２Ｏ３）及び酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）の混合粉末をプレス成形し、仮焼してペレット状としたものである。ここで、第１原料ペレット２０Ａは、ランガサイト種結晶５の上端を基準としたときにランガテイト原料６のうち０〜２０ｍｍの育成初期部に位置している。また、第２から第４原料ペレット２０Ｂ〜２０Ｄは、ランガテイト原料６のうち２０〜４０ｍｍの第１育成中期部、４０〜６０ｍｍの第２育成中期部、６０〜８０ｍｍの育成終了部にそれぞれ位置している。
【００１６】
これら第１から第４原料ペレット２０Ａ〜２０Ｄは、以下のようにして形成されている。まず、酸化ランタン、酸化ガリウム及び酸化タンタルの各粉末を秤量し、十分に混合して混合粉末とした後、坩堝３の内径以下となるようにプレス成形する。そして、プレス成形した成形物をゴム袋などに入れて真空引きを行うことでゴム袋と密着させ、静水圧ラバープレスなどによってゴム袋を除去した後、例えば１１００〜１３００℃で５時間仮焼する。ここで、第１から第４原料ペレット２０Ａ〜２０Ｄは、それぞれランガテイトの化学量論比近傍の組成となるように形成されている。
【００１７】
次に、このように構成されたランガテイト単結晶の製造装置１を用いたランガテイト単結晶８の製造方法を説明する。このランガテイト単結晶８の製造方法は、充填工程と、融解工程と、育成工程とを有している。
最初に、ランガサイト種結晶５及び第１から第４原料ペレット２０Ａ〜２０Ｄを坩堝３内に充填する充填工程を行う。これは、図２に示すように、ランガサイト種結晶５（例えば、厚さ３０ｍｍ）を坩堝３の下部に充填すると共に、ランガサイト種結晶５上に複数の異なる組成を有する第１から第４原料ペレット２０Ａ〜２０Ｄをこの順で積層する。そして、第１から第４原料ペレット２０Ａ〜２０Ｄの充填後、坩堝３の上部にゴミなどの混入を防止するために蓋１５を被せる。
【００１８】
次に、ランガテイト原料６を融解する融解工程を行う。これは、図１に示すように、坩堝３を炉２の内部に配設された坩堝受１２の上に載置して固定する。そして、坩堝３の外周にチューブ１１を被せ、坩堝３を保護する。さらに、チューブ１１に形成された貫通孔１１ａから熱電対１４を挿入し、熱電対１４を坩堝３の側壁位置３ａに接触させる。その後、軸部材１３を上記駆動機構によって駆動し、坩堝受１２が炉２の最下部に位置するようにセットする。そして、アルゴンや窒素ガスなどの不活性ガスに酸素を混合した混合ガスを層流で流れるように炉２内に流す。この状態で、ヒータ１０の温度を下段から上段に向けて順次温度が高くなるように温度勾配を設定して昇温を行う。このとき、例えば１４００℃〜１５５０℃の温度範囲となるように各ヒータ１０の温度を設定する。
【００１９】
ヒータ１０による昇温が終了して炉２の内部温度が安定した後、軸部材１３を駆動して坩堝３を緩やかな速度で上昇させる。このとき、上述のように、炉２の上部に向かうにしたがってヒータ１０の温度が高くなるように設定されているので、第１から第４原料ペレット２０Ａ〜２０Ｄが加熱融解されて融液７となる。ここで、融液７は最終的に高さが約１００ｍｍとなる。なお、坩堝３の上部の温度が下部の温度と比較して高いので、融液７の全体での対流は発生しない。
また、ヒータ１０による加熱と同時に、軸部材１３と共に坩堝３を例えば１０〜２０ｒｐｍの速度で回転させると共に、熱電対１４によって坩堝３の側壁位置３ａの温度をモニタしながら坩堝３の高さを調節する。これにより、ランガサイト種結晶５とランガテイト原料６との界面の温度が、例えば１４９６℃〜１５１６℃付近の温度安定状態となる位置に坩堝３を位置させる。このように坩堝３を回転させることで、各組成からなる第１から第４原料ペレット２０Ａ〜２０Ｄの融液７をほどよく拡散させることができる。そして、この位置で坩堝３を数時間保持する。
ここで、ランガテイトの融点とランガサイトの融点とが極めて近いので、ある程度の範囲で互いに固溶する。
【００２０】
次に、融液７を下方から上方に向けて漸次固化させてランガテイト単結晶８を育成する育成工程を行う。これは、坩堝３を、例えば１ｍｍ／ｈの速度で降下させて坩堝３をヒータ１０の温度が低い炉２の底部に移動させる。これにより、安定状態に加熱されていた融液７の温度が低下し始める。そして、坩堝３の側壁付近から坩堝３の中心に向けて、融液７が冷却固化してランガサイト種結晶５にランガテイト単結晶８を育成する。このランガテイト単結晶８の吸着が坩堝３の降下と共に順次繰り返されることで、ランガテイト単結晶８が坩堝３の下部から上部に向けて育成される。
ここで、ランガテイトはランガサイト単結晶系列の置換型単結晶の一種なので、ランガテイトとランガサイトとは同じ結晶構造を有している。そして、ランガテイトとランガサイトとは、構成元素も部分的に同じである。さらに、上述したように、ランガテイトとランガサイトとは互いの融点が極めて近い。以上より、ランガサイト種結晶５及び融液７の温度を低下させることで、クラックや欠陥などの発生を抑制しながら、ランガサイト種結晶５にランガテイト単結晶８が育成される。
所定時間ランガテイト単結晶８を育成した後、１〜３℃／ｈの冷却速度で炉２の温度を下げ、坩堝３を剥がしてランガテイト単結晶８のインゴットを得る。
【００２１】
ここで、ランガサイト種結晶５の構成元素であるＳｉの拡散量が少ないので、ランガサイト種結晶５中の融液７に対する異種物質が交じり合うことによる異相の発生がない。また、ランガテイトを種結晶として用いた場合には融液の状態でランガテイトの一部が相分離してランタン及びタンタルを主成分としたＬａＴａＯ４などの異相が発生することがあるが、ランガサイトを種結晶として用いることで、このような異相の発生も抑制される。これにより、均一で組成ムラのないランガテイト単結晶８が形成される。
【００２２】
以上のように本実施形態におけるランガテイト単結晶の製造方法によれば、ランガテイトと比較して容易に入手でき、ランガテイトと同じ結晶構造を有すると共に構成元素も部分的に同一であるランガサイト種結晶５を用いることで、クラックや欠陥などの発生が抑制されたランガテイト単結晶８を効率的に育成することができる。
また、育成工程において坩堝３を回転させているので、融液７中の組成を均一化することができ、より均一で組成ムラのないランガテイト単結晶８を製造できる。
【００２３】
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、上記実施形態では４つの原料ペレットを積層することによって原料を形成しているが、原料ペレットの積層数は３以下であっても、５以上であってもよい。
また、各原料ペレットにおける酸化ランタン、酸化タンタル及び酸化ガリウムの混合比は、育成工程の初期段階においてにランタン及びタンタルを主成分としたＬａＴａＯ４などの異相の発生が抑制されれば、他の混合比としてもよい。
また、坩堝を回転させてランガテイト単結晶を製造したが、坩堝を回転させずに製造してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の一実施形態における単結晶製造装置を示す概略図である。
【図２】充填工程後の図１の坩堝を示す概略図である。
【符号の説明】
【００２５】
２  炉
３  坩堝
５  ランガサイト種結晶（種結晶）
６  ランガテイト原料（原料）
７  融液
８  ランガテイト単結晶（単結晶）
【図１】
0004475242.tif 000002
【図２】
0004475242.tif 000003