(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
内層導体を有する内層回路板の上に、銅箔付絶縁層を設け、その銅箔付絶縁層に内層導体に達する穴をあけ、無電解パラジウムめっきを施した後、銅箔表面を研磨することにより、前記穴の底部に無電解パラジウムめっきを選択的に行い、前記穴に無電解めっきによるめっき金属を充填する工程を有し、
穴に充填するめっき金属が、ニッケル若しくはニッケル合金である、プリント配線板の製造方法。
【請求項２】
銅箔付絶縁層の一部をエッチング除去して開口部を形成し、その開口部にレーザーを照射して、その部分の絶縁層を蒸散し、内層導体に達する穴を設ける請求項１に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項３】
銅箔付絶縁層の絶縁層に接している銅箔の表面粗さが、１０点平均粗さで、０．１〜２μｍの範囲となる粗さを有する銅箔を用いる請求項１または２に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項４】
穴に充填するめっき金属が、ニッケル若しくはニッケル合金であって、０〜３０重量％のりんを含有している請求項１〜３のうちいずれかに記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項５】
穴に充填するめっき金属が、ニッケル若しくはニッケル合金であって、０〜１５重量％のホウ素を含有している請求項１〜４のうちいずれかに記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項６】
穴に充填されためっき金属が、ニッケル合金であって、金、銀、銅、すず、鉄、亜鉛、タングステン、パラジウム、コバルト、マンガン、クロム、レニウムのうち少なくとも１種類以上を含有している請求項１〜５のうちいずれかに記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項７】
めっき金属を形成する無電解めっき液に、そのめっき金属の還元剤として、ヒドラジン、次亜リン酸塩、ジメチルアミンボランの内いずれかを含有する無電解めっき液を用いる請求項１〜６のうちいずれかに記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項８】
無電解めっき液に、ニッケルイオンを少なくとも０．１ｍモル／ｌ以上含有するめっき液を用いる請求項１〜７のうちいずれかに記載のプリント配線板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プリント配線板とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子機器の小型、軽量、高速化、多機能化、項信頼性化の要求が高まり、その要求を満足するため半導体回路素子の高集積化及び高速化が進んでいる。この様な電子機器、半導体回路素子の傾向に伴い、プリント配線板は多層化、配線の微細化、層間接続穴の小径化という形で対応してきた。特にここ数年、高密度化の障害となるスルーホールから隣接する層の導体間のみを接続するインタースティシャルバイアホール（Interstitial  Via  Hole、以下ＩＶＨという。）に変えたビルドアップ配線板が各社で開発、上市されている。
【０００３】
このＩＶＨは、通常、穴内壁にめっきを行って、隣接する層の導体間を電気的に接続しているが、その穴の箇所の上に絶縁層を重ねて、さらに穴をあけ、接続を行うのは、穴の位置合わせが困難であると共に、穴の深さが深くなりめっき液の交換が行われにくく、金属化が困難になるという課題があった。
そこで、特開平９−２３０６７号公報、特開平７−１７００４６号公報及び特開平７−１７６８４６号公報に開示されているように、ＩＶＨの内部に導電性ペーストを充填すれば、穴がふさがり、ＩＶＨの上部が平坦となるので、あおの上に絶縁層を設けて、穴をあけても前記のようなことがなく、配線設計の自由度が高く、部品ランド直下に層間接続が可能で、かつＩＶＨの上にＩＶＨを設計できる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
導電性ペーストをＩＶＨに充填した層間接続は、特にＩＶＨの直径が１００μｍ以下の時は、熱サイクル試験においてＩＶＨ部分が断線しやすいという課題がある。
【０００５】
本発明は、微細なＩＶＨであっても接続信頼性に優れたプリント配線板の製造方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、以下のことを特徴とする。
（１）内層導体を有する内層回路板の上に、銅箔付絶縁層を設け、その銅箔付絶縁層に内層導体に達する穴をあけ、その穴に無電解めっきによるめっき金属を充填する工程を有するプリント配線板の製造方法。
（２）銅箔付絶縁層の一部をエッチング除去して開口部を形成し、その開口部にレーザーを照射して、その部分の絶縁槽を蒸散し、内層導体に達する穴を設ける（１）に記載のプリント配線板の製造方法。
（３）銅箔付絶縁層の絶縁層に接している銅箔の表面粗さが、１０点平均粗さで、０．１〜２μｍの範囲となる粗さを有する銅箔を用いる（１）または（２）に記載のプリント配線板の製造方法。
（４）穴を充填するめっき金属が、ニッケル若しくはニッケル合金である（１）〜（３）のうちいずれかに記載のプリント配線板の製造方法。
（５）穴に充填するめっき金属が、ニッケル若しくはニッケル合金であって、０〜３０重量％のりんを含有している（１）〜（４）のうちずれかに記載のプリント配線板の製造方法。
（６）穴に充填するめっき金属が、ニッケル若しくはニッケル合金であって、０〜１５重量％のホウ素を含有している（１）〜（４）のうちいずれかに記載のプリント配線板の製造方法。
（７）穴に充填されためっき金属が、ニッケル合金であって、金、銀、銅、すず、鉄、亜鉛、タングステン、パラジウム、コバルト、マンガン、クロム、レニウムのうち少なくとも１種類以上を含有している（１）〜（６）のうちいずれかに記載のプリント配線板の製造方法。
（８）めっき金属を形成する無電開めっき液に、そのめっき金属の還元剤として、ヒドラジン、次亜リン酸塩、ジメチルアミンボランの内いずれかを含有する無電解めっき液を用いる（１）〜（７）のうちいずれかに記載のプリント配線板の製造方法。
（９）無電解めっき液に、ニッケルイオンを少なくとも０．１ｍモル／ｌ以上含有するめっき液を用いる（１）〜（８）のうちいずれかに記載のプリント配線板の製造方法。
（１０）絶縁層にあけた内層導体に達する穴を、無電解めっきによるめっき金属で充填する工程の前処理工程として、無電解パラジウムめっきをＩＶＨ底部に選択的に行う（１）〜（９）のうちいずれかに記載のプリント配線板の製造方法。
【０００７】
【発明の実施の形態】
本発明の絶縁層には、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂やフッ素樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂等の熱可塑性樹脂を用ることができる。
【０００８】
エポキシ樹脂は、分子内にエポキシ基を有するものであればどのようなものでもよく、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、脂肪族鎖状エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールのジグリシジリエーテル化物、ナフタレンジオールのジグリシジリエーテル化物、フェノール類のジグリシジリエーテル化物、アルコール類のジグリシジルエーテル化物、及びこれらのアルキル置換体、ハロゲン化物、水素添加物などがある。これらは併用してもよく、エポキシ樹脂以外の成分が不純物として含まれていてもよい。
【０００９】
本発明において、ハロゲン化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ハロゲン化ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ハロゲン化ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂等のテトラブロモビスフェノールＡ等のハロゲン化ビスフェノール化合物とエピクロルヒドリンを反応させて得られるべきエポキシ樹脂のようにエーテル基が結合しているベンゼン環のエーテル基に対してオルト位が塩素、臭素等のハロゲン原子で置換されているエポキシ樹脂を使用したときに、本発明の処理液によるエポキシ樹脂硬化物の分解及び／又は溶解の効率が特によい。
【００１０】
本発明で使用するエポキシ樹脂用硬化剤は、エポキシ樹脂を硬化させるものであれば、限定することなく使用でき、例えば、多官能フェノール類、アミン類、イミダゾール化合物、酸無水物、有機リン化合物およびこれらのハロゲン化物などがある。
【００１１】
多官能フェノール類の例として、単環二官能フェノールであるヒドロキノン、レゾルシノール、カテコール,多環二官能フェノールであるビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ナフタレンジオール類、ビフェノール類、及びこれらのハロゲン化物、アルキル基置換体などがある。更に、これらのフェノール類とアルデヒド類との重縮合物であるノボラック、レゾールがある。
【００１２】
アミン類の例としては、脂肪族あるいは芳香族の第一級アミン、第二級アミン、第三級アミン、第四級アンモニウム塩及び脂肪族環状アミン類、グアニジン類、尿素誘導体等がある。
【００１３】
これらの化合物の一例としては、Ｎ、Ｎ−ベンジルジメチルアミン、２−（ジメチルアミノメチル）フェノール、２、４、６−トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、テトラメチルグアニジン、トリエタノールアミン、Ｎ、Ｎ’−ジメチルピペラジン、１、４−ジアザビシクロ［２、２、２］オクタン、１、８−ジアザビシクロ［５、４、０］−７−ウンデセン、１、５−ジアザビシクロ［４、４、０］−５−ノネン、ヘキサメチレンテトラミン、ピリジン、ピコリン、ピペリジン、ピロリジン、ジメチルシクロヘキシルアミン、ジメチルヘキシルアミン、シクロヘキシルアミン、ジイソブチルアミン、ジ−ｎ−ブチルアミン、ジフェニルアミン、Ｎ−メチルアニリン、トリ−ｎ−プロピルアミン、トリ−ｎ−オクチルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、トリフェニルアミン、テトラメチルアンモニウムクロライド、テトラメチルアンモニウムブロマイド、テトラメチルアンモニウムアイオダイド、トリエチレンテトラミン、ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジフェニルエーテル、ジシアンジアミド、トリルビグアニド、グアニル尿素、ジメチル尿素等がある。
【００１４】
イミダゾール化合物の例としては、イミダゾール、２−エチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、４、５−ジフェニルイミダゾール、２−メチルイミダゾリン、２−フェニルイミダゾリン、２−ウンデシルイミダゾリン、２−ヘプタデシルイミダゾリン、２−イソプロピルイミダゾール、２、４−ジメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−エチルイミダゾリン、２−フェニル−４−メチルイミダゾリン、ベンズイミダゾール、１−シアノエチルイミダゾールなどがある。
【００１５】
酸無水物の例としては、無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、ピロメリット酸二無水物、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物等がある。
【００１６】
有機リン化合物としては、有機基を有するリン化合物であれば特に限定せれずに使用でき、例えば、ヘキサメチルリン酸トリアミド、リン酸トリ（ジクロロプロピル）、リン酸トリ（クロロプロピル）、亜リン酸トリフェニル、リン酸トリメチル、フェニルフォスフォン酸、トリフェニルフォスフィン、トリ−ｎ−ブチルフォスフィン、ジフェニルフォスフィンなどがある。
【００１７】
これらの硬化剤は、単独、或いは、組み合わせて用いることもできる。
これらエポキシ樹脂用硬化剤の配合量は、エポキシ基の硬化反応を進行させることができれば、特に限定することなく使用できるが、好ましくは、エポキシ基１モルに対して、０．０１〜５．０当量の範囲で、特に好ましくは０．８〜１．２当量の範囲で使用する。
【００１８】
また、本発明の熱硬化性エポキシ樹脂組成物には、必要に応じて硬化促進剤を配合してもよい。代表的な硬化促進剤として、第三級アミン、イミダゾール類、第四級アンモニウム塩等があるが、これに限定されるものではない。
【００１９】
ポリイミド樹脂には、ビスマレイミド樹脂をアミン類で硬化させたもの、これらのプレポリマーをエポキシ樹脂、ビスシアネートモノマ、アミノフェノール、ビスフェノール、ジカルボン酸等で硬化させたものが使用できる。
【００２０】
上記、樹脂を可溶性溶媒に溶解させ樹脂ワニスとし、必要に応じ、硬化剤、反応促進剤、および難燃剤、熱可塑性樹脂粒子、硬化促進剤、着色材、紫外線不透過剤、酸化防止剤、還元剤などの各種添加剤や充填材を加えて調合することができる。
【００２１】
このような樹脂ワニスを、銅箔の粗化面に塗布し、加熱・乾燥して半硬化状にし、銅箔付絶縁層とする。このときの銅箔の粗化面の粗さは、１０点平均粗さで、０．１〜２μｍの範囲とすることが好ましく、０．１μｍ未満であると絶縁層と銅箔の接着力が低下し、はんだなどの加熱によって剥がれやすくなるおそれがあり、２μｍを越えると、絶縁性が低下するおそれがある。
【００２２】
内層導体を有する内層回路板には、通常のプリント配線板に用いる銅張積層板の不要な箇所の銅箔をエッチング除去して回路導体を形成したり、あるいは、ガラスエポキシ基板やポリイミド基板、セラミック基板等の基板の表面に無電解めっき用接着材層を形成し、この接着材層の表面を粗化し、必要な箇所にのみ銅めっきを形成することによって製造されたものを用いることができる。
このような内層回路板は、絶縁層を形成する前に、内層導体の表面を粗面化し、この内層導体の上に形成される絶縁層との密着性を向上させることが好ましい。
【００２３】
内層導体を有する内層回路板の上に銅箔付絶縁層を設けるには、前述の銅箔付絶縁層の樹脂面を、内層回路板の内層導体に接するように重ね、加熱・加圧して積層一体化することができる。
このときの積層一体化する条件は、通常の多層プリント配線板の条件を用いることができ、エポキシ樹脂を用いた絶縁層であれば、例えば、１５０〜２００℃で、０．５〜４．０ＭＰａ、３０〜１８０分の範囲の条件で行うことが好ましい。
【００２４】
この銅箔付絶縁層に、内層導体に達する穴をあけるには、レーザーを照射して行うが、そのレーザーを照射する箇所の銅箔を予め取り除いておくことが好ましく、形成する穴の大きさに応じて、銅箔をエッチング除去し、開口部を設ける。
その開口部を形成した銅箔付絶縁層に内層導体に達する穴をあけるには、レーザー照射によって形成することができ、炭酸ガスレーザ、ＵＶ−ＹＡＧレーザ等、特に制限されない。穴あけ条件は、絶縁層の種類及び絶縁層の厚さにより調整しなければならず、実験的に求めるのが好ましく、エネルギー量としては、０．００１Ｗ〜１Ｗの範囲内であって、レーザ発振用の電源をパルス状に印加し、一度に大量のエネルギーが集中しないよう制御しなければならない。この穴あけ条件の調整は、内層回路板の内層回路に達する穴があけられることと、穴径をできるだけ小さくするために、レーザ発振用の電源を駆動するパルス波形デューティー比で１／１０００〜１／１０の範囲で、１〜２０ショット（パルス）であることが好ましい。波形デューティー比が１／１０００未満であると穴をあけるのに時間がかかりすぎ効率的でなく、１／１０を越えると照射エネルギーが大きすぎて穴径が１ｍｍ以上に大きくなり実用的でない。ショット（パルス）数は、穴内の接着剤が内層回路に達するところまで蒸発できるようにする数を実験的に求めればよく、１ショット未満では穴があけられず、２０ショットを越えると、１ショットのパルスの波形デューティー比が１／１０００近くであっても穴径が大きくなり実用的でない。
【００２５】
このようにして穴を形成した後に、穴内の絶縁層のかすを除去するためにデスミア処理を行う。このデスミア処理は、一般的な酸性の酸化性粗化液やアルカリ性の酸化性粗化液を用いることができる。例えば、酸性の酸化性粗化液としては、クロム／硫酸粗化液があり、アルカリ性の酸化粗化液は過マンガン酸カリウム粗化液等を用いることができる。
絶縁層を酸化性の粗化液で粗化した後、絶縁樹脂表面の酸化性粗化液を化学的に中和する必要があるが、これも一般的な手法を取り入れることができる。
例えば、クロム／硫酸粗化液を用いたときには、亜硫酸水素ナトリウム１０ｇ／ｌを用いて室温で５分間処理し、また、過マンガン酸カリウム粗化液を用いたときには、硫酸１５０ｍｌ／ｌと過酸化水素水１５ｍｌ／ｌの水溶液に室温で５分間浸漬して中和を完了させるなどである。
【００２６】
絶縁層にあける内層導体に達する穴をあけるために、絶縁層に光硬化型の絶縁材料を用い、絶縁層の上にＩＶＨとなる箇所をマスクするフォトマスクを介して紫外線を照射し、未露光の部分を現像して除去することによっても行うことができ、絶縁層の樹脂に、オニウム塩などの光開始剤を用いることにより行うことができる。
【００２７】
その穴に無電解ニッケルめっき若しくは無電解ニッケル合金めっきを充填するには、無電解ニッケルめっき液あるいは無電解ニッケル合金めっき液に、絶縁層に穴をあけた積層板を浸漬処理するのであるが、その無電解ニッケルめっき液あるいは無電解ニッケル合金めっき液には、ニッケルイオンとニッケルイオンの錯化剤、ニッケルイオンの還元剤、pH調整剤、及び必要な場合には安定剤などの添加剤を含むものを用いることが好ましい。
無電解ニッケルめっき若しくは無電解ニッケル合金めっきに用いる還元剤として、ヒドラジン、次亜リン酸塩、ジメチルアミンボランの内いずれかを含有する無電解めっき液を用いることが好ましい。
無電解ニッケルめっき若しくは無電解ニッケル合金めっきに用いるめっき液には、ニッケルイオンを少なくとも０．１ミリモル／ｌ以上含有することが好ましく、０．１ミリモル／ｌ未満では、めっき析出速度が遅くなるおそれがある。
【００２８】
絶縁層にあけた内層導体に達する穴を、無電解ニッケルめっき若しくは無電解ニッケル合金めっきによって充填する工程の前処理工程として、ＩＶＨの底に露出した内層導体を活性化するために、酸を用いることが好ましく、より好ましくは硫酸を用いる。さらに、無電解パラジウムめっきをＩＶＨ底部に選択的に行うことが好ましく、この無電解パラジウムめっきは、活性化した内層銅パターンの上に無電解めっきを析出しやすくするためのもので、置換パラジウムめっきが好適である。この置換パラジウムめっきは、めっき液中のパラジウムイオンの置換反応によって、銅上にパラジウム皮膜を形成できるものであればよく、特に限定しない。
【００２９】
無電解ニッケルめっき若しくは無電解ニッケル合金めっきを充填した後に、絶縁層の表面の整面処理を行うことが好ましく、その場合、整面処理は羽布ロールやブラシロールを使用した整面研磨機やスクラブ研磨機、センチュリー研磨機を用い、層間樹脂絶縁層表面を羽布ロールやブラシロール、砥粒で機械的に研磨し、ＩＶＨに充填した無電解ニッケルめっき若しくは無電解ニッケル合金めっきと絶縁層とが同じ高さになるようにすることが好ましい。
【００３０】
このようにしてＩＶＨに無電解ニッケルめっき若しくは無電解ニッケル合金めっきを充填した基板の表面に、回路導体を形成することができる。
この回路導体の形成は、絶縁層の表面全面にめっき銅を形成し、必要な場合に、電解めっきを形成して厚さを調整し、不要なめっき銅の箇所を露出するようにエッチングレジストを形成し、エッチングレジストから露出しためっき銅を化学エッチング液をスプレー噴霧して、エッチング除去することによって行うことができ、また、絶縁層の表面に、回路導体とならない箇所にめっきレジストを形成し、めっきレジストを形成していない箇所に、選択的にめっきを行うことによって、回路導体を形成することもできる。また、絶縁層の表面全面に薄く無電解めっき銅を形成し、めっきレジストを形成して、電解銅めっきを行い、必要な厚さにまで回路導体を形成した後、めっきレジストを剥離して、回路導体でない箇所に形成されている無電解めっき銅をエッチング除去することによっても回路導体を形成することができる。
絶縁層の表面には、めっき銅が密着しやすいように粗面化することが好ましく、この粗面化には酸化剤を用いるのが好適である。酸化剤にはクロム酸塩や過マンガン酸塩のような酸化力の強い酸化剤を用いる。粗化面の窪みの深さは１〜１０μｍ、より好ましくは２〜３μｍの範囲で、１μｍ未満であるとめっきとの密着性が改良されないことがあり、１０μｍを越えると、絶縁性が低下するおそれがある。
【００３１】
【実施例】
図１（ａ）に示すように、絶縁基材２２に、厚さ１８μｍの銅箔を両面に貼り合わせた厚さ０．２ｍｍのガラス布基材エポキシ銅張積層板であるＭＣＬ−Ｅ−６７９（日立化成工業株式会社製、商品名）を用い、その不要な個所の銅箔をエッチング除去して、内層導体回路２１を形成し、内層回路板２を作製した。
その内層回路板２の内層導体回路２１の表面処理を、ＭＥＣ  ｅｔｃｈ  ＢＯＮＤ  ＣＺ−８１００（メック株式会社製、商品名）を用い、液温３５℃、スプレー圧力０．１４７ＭＰａの条件で、スプレー噴霧処理し、銅表面を粗面化して、粗さ３μｍ程度の凹凸をつくり、続いて、ＭＥＣ  ｅｔｃｈ  ＢＯＮＤ  ＣＬ−８３００（メック株式会社製、商品名）を用いて、液温２５℃、浸漬時間２０秒間の条件で浸漬処理して、銅表面に防錆処理を行った。
図１（ｂ）に示すように、内層回路板２の両面に、銅箔付絶縁層であるＭＣＦ−６０００Ｅ（日立化成工業株式会社製、商品名）をラミネートした。このＭＣＦ−６０００Ｅ（日立化成工業株式会社製、商品名）の銅箔３の表面粗さは、１０点平均粗さで１．２μｍであり、絶縁層１の厚さは４０μｍであった。
図１（ｃ）に示すように、穴の箇所の銅箔をエッチング除去して直径８０μｍの開口部４１を形成した後、炭酸ガスインパクトレーザー穴あけ機Ｌ−５００（住友重機械工業株式会社製、商品名）により、直径８０μｍの非貫通穴４をあけ、過マンガン酸カリウム６５ｇ／ｌと水酸化ナトリウム４０ｇ／ｌの混合水溶液に、液温７０℃で２分間、浸漬し、スミアの除去を行った。
次にめっき前処理として、酸性脱脂液Ｚ−２００（株式会社ワールドメタル製、商品名）に液温６０℃の条件で１分間浸漬し、それを過硫酸ソーダ５０ｇ／ｌに１分間浸漬し、続いて１０ｖｏｌ％の硫酸に室温で１分間浸漬した。それをメルプレートアクチベータ３５０（メルテックス株式会社製、商品名）に室温で５分間浸漬した。
次に、銅箔表面の触媒を羽布研磨により除去した。
次に、無電解ニッケル−リン合金めっきであるＮＩＰＳ−１００（日立化成工業株式会社製、商品名）に９０℃で２時間浸漬し、図１（ｄ）に示すように、ニッケルポストを形成した。次に、アルカリエッチング液（アンモニア８％、過酸化水素水０．３％混合水溶液）により銅箔のみを選択的にエッチングした。
次に、図１（ｅ）に示すように、基板をパラジウム溶液であるＨＳ−２０２Ｂ（日立化成工業株式会社製、商品名）に、２５℃で１５分間、浸漬処理し、触媒を付着させ、ＣＵＳＴ−２０１（日立化成工業株式会社製、商品名）を使用し、液温２５℃、３０分の条件で無電解銅めっきを行い、厚さ０．３μｍの無電解銅めっき層６を形成した。
図１（ｆ）に示すように、フォトレジスト用ドライフィルムであるフォテックＨＷ−４２５（日立化成工業株式会社製、商品名）を、無電解銅めっき層６の表面にラミネートし、電解銅めっきを行う個所をマスクしたフォトマスクを介して紫外線を露光し、現像して、めっきレジスト７を形成した。
図１（ｇ）に示すように、硫酸銅浴を用いて、液温２５℃、電流密度１．０Ａ／ｄｍ2の条件で、電解銅めっきを１０μｍほど行い、回路導体幅／回路導体間隔（Ｌ／Ｓ）＝５０／５０となるように電解銅めっき層８を形成した。
図１（ｈ）に示すように、めっきレジスト７を、１重量％の炭酸ナトリウムにより溶解除去し、次にアンモニウム系アルカリ銅エッチング液であるＡプロセス液（メルテックス株式会社製、商品名）に室温で１分間浸漬し、めっきレジスト７の下に形成されていた無電解銅めっき層６をエッチング除去し、その直後に、流水で洗浄した。
そして最後に、樹脂の表面に付着した無電解めっき用触媒のパラジウムとわずかに残った無電解銅めっきを除去するために、過マンガン酸カリウムを６５ｇ／ｌと水酸化ナトリウムを４０ｇ／ｌに調整した混合水溶液に、液温７０℃で浸漬時間２分間の条件で浸漬処理し、樹脂ごとエッチング除去した。
【００３２】
上記基板は導通不良や回路欠損がなく、外層導体回路のめっきピールは１．４ＫＮ／ｍであった。
【００３３】
【発明の効果】
以上に説明したとおり、本発明により、微細なＩＶＨであっても接続信頼性に優れたプリント配線板の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）〜（ｈ）はいずれも、本発明の一実施例を説明するための各工程における断面図である。
【符号の説明】
１．絶縁層                          ２．内層回路板
２２．絶縁基材                      ２１．内層導体回路
３．銅箔                            ４．非貫通穴
４１．開口部                        ６．無電解銅めっき層
７．めっきレジスト                  ８．電解銅めっき層
１０．めっき
【図１】
0004505908.tif 000002