(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＡｌＮセラミック製の基板本体と、
上記基板本体上に形成されＡｌＮを含有するメタライズ層と、
上記メタライズ層上に形成されたメッキ層と、
を備えるセラミック基板であって、
上記メタライズ層のうち、
上記基板本体との接合部のうち周縁よりも平面方向内側に位置する内側部は、他の部分よりもＡｌＮ含有量が多いＡｌＮリッチ領域であり、
表面部全体、及び、前記接合部のうち周縁部は、他の部分よりもＡｌＮ含有量が少ないＡｌＮリーン領域であり、
上記メッキ層は上記メタライズ層の上記表面部全体に形成されてなり、
上記ＡｌＮリッチ領域のＡｌＮ含有量は、２０ｗｔ％以上６０ｗｔ％以下であり、
上記ＡｌＮリーン領域のＡｌＮ含有量は、６ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下である
セラミック基板。
【請求項２】
ＡｌＮセラミック製の基板本体と、
上記基板本体上に形成されＡｌＮを含有するメタライズ層と、
上記メタライズ層上に形成されたメッキ層と、
を備えるセラミック基板の製造方法であって、
未焼成または焼成済みの基板本体上に、ＡｌＮの含有量が２０ｗｔ％以上６０ｗｔ％以下の第１未焼成メタライズ層を形成する第１未焼成メタライズ層形成工程と、
上記第１未焼成メタライズ層上に、この第１未焼成メタライズ層全体を覆うように、ＡｌＮの含有量が６ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下の第２未焼成メタライズ層を形成する第２未焼成メタライズ層形成工程と、
上記第１未焼成メタライズ層及び第２未焼成メタライズ層を焼成し、上記メタライズ層を形成する焼成工程と、
上記メタライズ層上に上記メッキ層を形成するメッキ工程と、
を備えるセラミック基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＡｌＮセラミック製の基板本体上に、ＡｌＮを含有するメタライズ層が形成され、このメタライズ層上にメッキ層が形成されたセラミック基板及びセラミック基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、ＡｌＮセラミック製の基板本体に、ＡｌＮを含有するメタライズ層が形成され、さらに、このメタライズ層上にメッキ層が形成されたセラミック基板が知られている。ＡｌＮを主成分とするセラミック基板は、Ａｌ2Ｏ3を主成分とするセラミック基板の特徴である高い絶縁抵抗、高い絶縁耐圧、低い誘電率などをほぼ受け継いだ上に、高い熱伝導率、低い熱膨張係数などのメリットを持つことから、近年応用されている。
【０００３】
その例として、図８に模式的に部分拡大断面図を示すセラミック基板１０１が挙げられる。このセラミック基板１０１は、ＡｌＮを主成分とするＡｌＮセラミック製の基板本体１０３を備える。そして、この基板本体１０３上には、ＡｌＮを含有する所定パターンのメタライズ層１０５が形成されている。さらに、このメタライズ層１０５上には、メタライズ層１０５の酸化防止等の目的のため、その表面部全体に、Ｎｉメッキ層及びその上に被着したＡｕメッキ層からなるメッキ層１０７が形成されている。
【０００４】
このようなセラミック基板１０１は、通常次のようにして製造する。即ち、ＡｌＮを主成分とするセラミック原料粉末に、有機バインダや有機溶剤、分散剤などの添加物を混ぜ合わせて、スラリーをつくる。そして、このスラリーをドクタブレードの隙間に通してセラミックグリーンシート（以下、本明細書では単にシートとも言う。）を成形する。その後、このシートに孔を穿孔したり、切断用の切線を入れるなどの加工をする。
【０００５】
次に、加工されたシートにメタライズペーストを印刷し、所定パターンの未焼成メタライズ層を形成する。メタライズペーストは、Ｗ等の金属粉末に、有機バインダや有機溶剤等、さらには、シートに含まれるセラミック原料粉末と同じセラミック原料粉末（ＡｌＮを主成分とするもの）を均一に混練したものである。セラミック原料粉末を混合するのは、焼成後におけるメタライズ層１０５と基板本体１０３との接合を強固にするためである。
【０００６】
次に、未焼成メタライズ層が形成されたシートから有機バインダ等を飛散させた後、シートと未焼成メタライズ層を一体で焼成する。これにより、シートから基板本体１０３が形成されると共に、未焼成メタライズ層からメタライズ層１０５が形成される。
次に、焼成後のセラミック基板にＮｉメッキを施して、メタライズ層１０５の表面部全体にＮｉメッキ層を形成し、さらに、Ａｕメッキを施して、Ｎｉメッキ層上にＡｕメッキ層を形成する。これにより、Ｎｉメッキ層とＡｕメッキ層とからなるメッキ層１０７が形成され、上記のセラミック基板１０１ができる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、メタライズペーストに混合するＡｌＮの量に起因して、以下の不具合が生じる。即ち、メタライズペースト中に占めるＡｌＮの含有量を増やせば増やすほど、焼成後のメタライズ層１０５中のＡｌＮ含有量が増え、メタライズ層１０５と基板本体１０３との接合強度が向上する。しかし、メッキがメタライズ層１０５に被着しにくくなり、メッキ層１０７とメタライズ層１０５との結合強度が低下する。一方、ＡｌＮの含有量を減らすほど、メタライズ層１０５中のＡｌＮ含有量が減り、メッキ層１０７はメタライズ層１０５に強固に被着する。しかし、メタライズ層１０５と基板本体１０３との接合強度が低下する。
このように、メタライズ層１０５と基板本体１０３の結合強度と、メッキ層１０７とメタライズ層１０５との結合強度の両方を十分に高めることは困難である。
【０００８】
本発明はかかる現状に鑑みてなされたものであって、ＡｌＮセラミック製の基板本体上にメタライズ層が形成され、このメタライズ層上にメッキ層が形成されたセラミック基板について、メタライズ層と基板本体との接合及びメッキ層とメタライズ層との接合が共に強固なセラミック基板及びセラミック基板の製造方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段、作用及び効果】
その解決手段は、ＡｌＮセラミック製の基板本体と、上記基板本体上に形成されＡｌＮを含有するメタライズ層と、上記メタライズ層上に形成されたメッキ層と、を備えるセラミック基板であって、上記メタライズ層のうち、上記基板本体との接合部のうち周縁よりも平面方向内側に位置する内側部は、他の部分よりもＡｌＮ含有量が多いＡｌＮリッチ領域であり、表面部全体、及び、前記接合部のうち周縁部は、他の部分よりもＡｌＮ含有量が少ないＡｌＮリーン領域であり、上記メッキ層は上記メタライズ層の上記表面部全体に形成されてなり、上記ＡｌＮリッチ領域のＡｌＮ含有量は、２０ｗｔ％以上６０ｗｔ％以下であり、上記ＡｌＮリーン領域のＡｌＮ含有量は、６ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下であるセラミック基板である。
【００１０】
前述したように、ＡｌＮの含有量をメタライズ層全体で多くすると、メタライズ層と基板本体との接合強度は高くなるが、メッキ層がメタライズ層に強固に被着できなくなる。一方、ＡｌＮの含有量をメタライズ層全体で少なくすると、メッキ層はメタライズ層に強固に被着するが、メタライズ層と基板本体との接合強度が低下する。
これに対し、本発明では、メタライズ層のうち、基板本体との接合部の少なくとも一部（具体的には、接合部のうち周縁よりも平面方向内側に位置する内側部）についてＡｌＮの含有量が多くされ（ＡｌＮリッチ領域）、表面部の少なくとも一部（具体的には、表面部全体）、及び、接合部のうち周縁部はＡｌＮの含有量が少なくされている（ＡｌＮリーン領域）。メタライズ層の接合部のうちＡｌＮリッチ領域は、基板本体と強固に接合しているので、メタライズ層全体と基板本体との接合強度も高い。また、メタライズ層の表面部のうちＡｌＮリーン領域には、メッキ層が強固に被着しているので、メッキ層全体と基板本体との接合強度も高い。従って、このセラミック基板は、メタライズ層と基板本体との接合及びメッキ層とメタライズ層との接合が共に強固である。
【００１１】
【００１２】
メタライズ層と基板本体との接合強度がそれほど高くないセラミック基板では、メタライズ層を基板本体から剥がす強度試験を行うと、メタライズ層と基板本体との界面で基板が破壊する。
これに対し、本発明では、接合部のＡｌＮリッチ領域のＡｌＮ含有量が、２０ｗｔ以上と多い。このようなメタライズ層は、ＡｌＮリッチ領域で基板本体と特に強固に接合しているので、メタライズ層の強度試験を行っても、メタライズ層と基板本体との界面では破壊しにくく、メタライズ層内でメタライズ層自体が破壊する。従って、本発明のセラミック基板は、メタライズ層と基板本体との接合強度が特に高い。
【００１３】
【００１４】
メタライズ層中のＡｌＮ含有量が極端に多くなると、メタライズ層の導通抵抗が大きくなる。
これに対し、本発明では、接合部のＡｌＮリッチ領域のＡｌＮ含有量を６０ｗｔ％以下としている。このようなメタライズ層は、基板本体との接合強度が高い上、メタライズ層の導通抵抗も低く抑えられている。
特に、ＡｌＮリッチ領域が、基板本体に形成されたビア導体などの導体と直接接続しているセラミック基板の場合には、ＡｌＮリッチ領域の導通抵抗が全体の抵抗値に大きく影響するので、上記のようにＡｌＮ含有量が６０ｗｔ％以下で、導通抵抗が低くされているのが好ましい。
【００１５】
【００１６】
表面部のＡｌＮ含有量が多いと、具体的には１０ｗｔ％を越えると、メッキが均一にメタライズ層に被着しにくくなり、メッキ層とメタライズ層との接合強度が低下する傾向にある。
一方、本発明のように、表面部のＡｌＮリーン領域のＡＬＮの含有量が１０ｗｔ％以下の場合には、このＡｌＮリーン領域にメッキ層が特に強固に被着するので、メッキ層とメタライズ層との接合強度が特に高い。また、この範囲内では、メッキは均一にメタライズ層に被着する。
【００１７】
【００１８】
また、本発明では、ＡｌＮ含有量が、接合部のうち、周縁部等ではなく、内側部で多くされている。このため、内側部と基板本体との接合強度が高くなるから、メタライズ層と基板本体との接合強度が特に高い。
【００１９】
また、本発明では、ＡｌＮ含有量が表面部全体で少なくされている。このため、メッキ層が被着する表面部全体で接合強度が高くなるから、メッキ層とメタライズ層との接合強度が特に高い。
【００２０】
【００２１】
メタライズ層の表面部全体のＡｌＮ含有量が少ないほど、メッキ層はメタライズ層に強固に被着する。しかし、メタライズ層のうち、表面部の一部でもあり接合部の周縁部でもある部分（メタライズ層の周縁部）のＡｌＮ含有量も少なくなり、メタライズ層の周縁部と基板本体との接合強度が低くなる。このため、メタライズ層の内側部と基板本体との接合強度が十分に高く、メタライズ層全体が基板本体から剥がれることはない場合であっても、メタライズ層の周縁部だけが基板本体から部分的に剥がれることがある。
これに対し、本発明では、表面部の一部でもあり接合部の周縁部でもある部分のＡｌＮ含有量が６ｗｔ％以上とある程度多い。従って、メッキ層とメタライズ層との接合強度を保ちつつ、メタライズ層の周縁部も基板本体とある程度強固に接合している。
【００２２】
また、他の解決手段は、ＡｌＮセラミック製の基板本体と、上記基板本体上に形成されＡｌＮを含有するメタライズ層と、上記メタライズ層上に形成されたメッキ層と、を備えるセラミック基板の製造方法であって、未焼成または焼成済みの基板本体上に、ＡｌＮの含有量が２０ｗｔ％以上６０ｗｔ％以下の第１未焼成メタライズ層を形成する第１未焼成メタライズ層形成工程と、上記第１未焼成メタライズ層上に、この第１未焼成メタライズ層全体を覆うように、ＡｌＮの含有量が６ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下の第２未焼成メタライズ層を形成する第２未焼成メタライズ層形成工程と、上記第１未焼成メタライズ層及び第２未焼成メタライズ層を焼成し、上記メタライズ層を形成する焼成工程と、上記メタライズ層上に上記メッキ層を形成するメッキ工程と、を備えるセラミック基板の製造方法である。
【００２３】
本発明では、基板本体上にメタライズ層を形成するにあたり、まず、未焼成のまたは焼成済みの基板本体上に、ＡｌＮを多く含有する（具体的には、ＡｌＮの含有量が２０ｗｔ％以上６０ｗｔ％以下の）第１未焼成メタライズ層を形成し（第１未焼成メタライズ層形成工程）、その後、その上にＡｌＮの含有量が少ない（具体的には、ＡｌＮの含有量が６ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下の）第２未焼成メタライズ層を形成する（第２未焼成メタライズ層形成工程）。
このような未焼成メタライズ層を形成すれば、焼成後において、メタライズ層のうち、第１未焼成メタライズ層に対応した部分のＡｌＮ含有量が多くなり、この部分と基板本体との接合強度が強固になる。従って、メタライズ層全体と基板本体との接合強度も向上させることができる。
一方、メタライズ層のうち、第２未焼成メタライズ層に対応した部分のＡｌＮ含有量は少なくなり、メッキ後、この部分にメッキが強固に被着する。従って、メッキ層全体とメタライズ層との接合強度も向上させることができる。
【００２４】
【００２５】
第１未焼成メタライズ層のＡｌＮの含有量を２０ｗｔ％以上と多くすれば、焼成後のメタライズ層において、基板本体との接合部のうち第１未焼成メタライズ層に対応した部分は、ＡｌＮの含有量がおよそ２０ｗｔ％以上と多くなる。従って、このＡｌＮが多くなった部分でメタライズ層と基板本体との接合強度が強固になる。このようなメタライズ層は、メタライズ層を基板本体から剥がす強度試験を行っても、メタライズ層と基板本体との界面では破壊しにくく、メタライズ層内でメタライズ層自体が破壊する。従って、本発明によれば、メタライズ層と基板本体との接合強度をさらに向上させることができる。
【００２６】
【００２７】
第１未焼成メタライズ層のＡｌＮ含有量を極端に多くすると、焼成後のメタライズ層は、基板本体との接合部のうち第１未焼成メタライズ層に対応した部分のＡｌＮ含有量が多くなって、基板本体との接合強度が向上するけれども、メタライズ層自体の導通抵抗が大きくなる。
これに対し、本発明では、第１未焼成メタライズ層のＡｌＮ含有量を６０ｗｔ％以下としている。このため、メタライズ層のうち第１未焼成メタライズ層に対応した部分で、基板本体との接合強度を高くすることができる上、この部分の導通抵抗を低く抑え、メタライズ層全体の導通抵抗も低く抑えることができる。
特に、第１未焼成メタライズ層を、基板本体に形成されたビア導体などの導体上に形成する場合には、ＡｌＮ含有量が多くなった部分の導通抵抗が全体の抵抗値に大きく影響するので、第１未焼成メタライズ層のＡｌＮ含有量を６０ｗｔ％以下に抑えるのが好ましい。
【００２８】
【００２９】
第２未焼成メタライズ層のＡｌＮ含有量を１０ｗｔ％以下と少なくすれば、焼成後のメタライズ層において、表面部のうち第２未焼成メタライズ層に対応した部分のＡｌＮの含有量が、およそ１０ｗｔ％以下と少なくなる。このため、このＡｌＮ含有量が少なくされた部分で、メッキ層との接合強度をさらに高くすることができ、メッキ層とメタライズ層との接合強度もさらに向上させることができる。また、この範囲内では、ＡｌＮが少なくされた部分にメッキを均一に被着させることができる。
【００３０】
【００３１】
第１未焼成メタライズ層を覆うように第２未焼成メタライズ層を形成すれば、焼成後のメタライズ層において、第１未焼成メタライズ層に対応した接合部の内側部のＡｌＮ含有量が多くなる。従って、この内側部で基板本体との接合強度を高くすることができるので、メタライズ層と基板本体との接合強度をさらに高くすることができる。
一方、焼成後のメタライズ層において、第２未焼成メタライズ層に対応した表面部全体のＡｌＮ含有量が少なくなる。従って、メッキ工程で、メタライズ層の表面部全体にメッキ層を強固に被着させることができる。
【００３２】
また、メタライズ層の幅など平面方向の寸法精度は、第１未焼成メタライズ層を形成する際の精度にはほとんど依存しない。第１未焼成メタライズ層を形成する際に多少位置ずれが生じても、第１未焼成メタライズ層は、第２未焼成メタライズ層の内側に位置するからである。このため、第２未焼成メタライズ層を形成する際の精度だけで、メタライズ層の平面方向の寸法精度を決めることができる。つまり、第１未焼成メタライズ層の精度は多少低くても良いので、製造が容易になる。
【００３３】
【００３４】
上記の発明のように、第１未焼成メタライズ層を覆うように第２未焼成メタライズ層を形成すれば、メタライズ層の接合部のうち周縁部は、内側部とは異なりＡｌＮの含有量が少なくなる。従って、接合部の周縁部と基板本体との接合強度は、接合部の内側部と基板本体との接合強度よりも低くなる。このようなセラミック基板では、第２未焼成メタライズ層のＡｌＮ含有量が極端に少ないと、接合部の周縁部のＡｌＮ含有量が極端に少なくなり、メタライズ層の周縁部が基板本体から部分的に剥がれやすくなる。
これに対し、本発明では、第２未焼成メタライズ層のＡｌＮ含有量を６ｗｔ％以上とある程度多くしているので、接合部の周縁部のＡｌＮ含有量がある程度多くなる。よって、メッキ層とメタライズ層との接合強度を保ちつつ、メタライズ層の周縁部も基板本体とある程度強固に接合させることができる。
【００３５】
【発明の実施の形態】
（実施形態）
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照しつつ説明する。
本実施形態のセラミック基板１について、図１に主面３側の部分拡大断面図を示す。このセラミック基板１は、ＡｌＮ製セラミックからなる複数のセラミック層が積層され、主面３と図示しない裏面とを有する略板形状をなす。
【００３６】
このうち最も主面３側に位置する第１セラミック層５には、これを貫通するビア用貫通孔７が所定の位置に複数形成され、各ビア用貫通孔７には、略円柱形状のビア導体９が形成されている。また、その下に位置する第２セラミック層１１にも、これを貫通するビア用貫通孔１３が所定の位置に複数形成され、各ビア用貫通孔１３には、略円柱形状のビア導体１５が形成されている。また、その下方に位置する図示しない複数のセラミック層にも、同様に、ビア用貫通孔及びビア導体が形成されている。
【００３７】
第１セラミック層５上には、配線やパッド等の所定パターンのメタライズ層１７が形成され、第１セラミック層５のビア導体９等と接続している。また、第１セラミック層５と第２セラミック層１１との層間にも、配線やパッド等の所定パターンの内部メタライズ層１９が形成され、第１セラミック層５のビア導体９や第２セラミック層１１のビア導体１５と接続している。同様に、第２セラミック層１１よりも下方のセラミック層の層間にも、配線やパッド等の所定パターンの内部メタライズ層がそれぞれ形成されている。
【００３８】
これらのメタライズ層のうち主面３に露出するメタライズ層１７について、その近傍を拡大した図２をもとに詳述する。
このメタライズ層１７は、後述する厚膜法により形成されたものであり、ＡｌＮを含有するタングステン（Ｗ）メタライズ層である。その全体の厚さは、約３０μｍである。メタライズ層１７の表面部３１の全体には、厚さ約６μｍのＮｉメッキ層と、さらにその上に形成された厚さ約３μｍのＡｕメッキ層とからなるメッキ層２１が被着している。
【００３９】
メタライズ層１７は、ＡｌＮ含有量が場所によらずほぼ均一な従来のメタライズ層１０５（図８参照）とは異なり、その部分によりＡｌＮの含有量が異なる。具体的には、基板本体２３（セラミック基板１からメタライズ層１７とメッキ層２１を除いた部分）と接合する接合部２５のうち周縁部２７よりも平面方向内側に位置する内側部２９（図中において破線で囲んだ部分）は、ＡｌＮの含有量が約４０ｗｔ％と多いＡｌＮリッチ領域である。一方、それ以外の部分、即ち、接合部２５の周縁部２７を含む表面部３１（図中において破線よりも外側の部分）は、ＡｌＮの含有量が約９ｗｔ％と少ないＡｌＮリーン領域である。
【００４０】
このように、本実施形態では、メタライズ層１７のうち基板本体２３との接合部２５の一部である内側部２９において、他の部分よりもＡｌＮ含有量が多いので、このＡｌＮリッチ領域において基板本体２３との接合強度が高く、従って、メタライズ層１７と基板本体２３との接合強度が高くすることができる。
さらに、この内側部２９のＡｌＮ含有量（約４０ｗｔ％）は、２０ｗｔ％以上と特に多いので、基板本体２３からメタライズ層１７を剥がす強度試験を行っても、メタライズ層１７は基板本体２３から剥がれず、メタライズ層１７内で破壊するほど、メタライズ層１７と基板本体２３との接合強度が高い。
また、この内側部２９のＡｌＮ含有量は、６０ｗｔ％以下でもあるので、メタライズ層１７の導通抵抗が低く抑えられている。特に、ＡｌＮ含有量が多い内側部２９が、第１セラミック層５のビア導体９と直接接続している部分（図１中に破線で囲む部分）では、導通抵抗が全体の抵抗値に大きく影響するので、ＡｌＮ含有量を６０ｗｔ％以下とし、導通抵抗を低くした効果が大きい。
【００４１】
一方、表面部３１全体において、ＡｌＮ含有量が接合部２５の内側部２９よりも少ないので、メッキ層２１全体がメタライズ層１７に強固に被着している。
さらに、この表面部３１全体のＡｌＮ含有量（９ｗｔ％）は、１０ｗｔ％以下と特に少ないので、メッキ層２１がメタライズ層１７に均一に被着し、メッキ層２１とメタライズ層１７との接合強度が特に高い。
また、表面部３１の一部であり接合部２５の周縁部２７でもある部分（メタライズ層１７の周縁部）のＡｌＮ含有量（９ｗｔ％）が、６ｗｔ％以上とある程度配合されているので、メッキ層２１がメタライズ層１７の周縁部にも強固に被着している上、メタライズ層１７の周縁部（接合部２５の周縁部２７）が基板本体２３とある程度強固に接合している。
【００４２】
次に、上記セラミック基板１の製造方法について、図を参照しつつ説明する。
まず、ＡｌＮを主成分とするセラミック原料粉末に、有機バインダや有機溶剤、分散剤等を混ぜ合わせて、スラリーをつくる。そして、このスラリーをドクタブレードの隙間に通して、セラミックグリーンシートを成形する。セラミックグリーンシートは、焼成後に各セラミック層となるので、セラミック層の総数に応じて用意する。
【００４３】
次に、第１セラミック層５に対応した第１セラミックグリーンシート（第１シート）４１について述べると、第１シート４１に、まず、ビア用貫通孔７などの孔を穿孔する（図３参照）。
その後、図３に示すように、このビア用貫通孔７にビア用メタライズペースト４３を印刷充填する。ここで使用するビア用メタライズペースト４３は、Ｗの金属粉末に有機バインダや有機溶剤等を混練したものである。
【００４４】
次に、第１未焼成メタライズ層形成工程において、図４及び図４中の一点鎖線で囲んだ部分を拡大した図５に示すように、第１シート４１の表面に第１のメタライズペーストを印刷し、厚さ約２０μｍの所定パターンの第１未焼成メタライズ層４５を形成する。ここで使用する第１のメタライズペーストは、Ｗの金属粉末に、有機バインダや有機溶剤等の他、第１シート４１に含まれるセラミック原料粉末と同じセラミック原料粉末（ＡｌＮを主成分とするもの）を均一に混練したものである。ＡｌＮは、約４０ｗｔ％配合する。
【００４５】
次に、第２未焼成メタライズ層形成工程において、図６及び図６中の一点鎖線で囲んだ部分を示した図７に示すように、第１未焼成メタライズ層４５上に、第１未焼成メタライズ層４５を覆うようにして、第２のメタライズペーストを印刷し、厚さ約１５μｍの第２未焼成メタライズ層４７を形成する。このように印刷形成すれば、第２未焼成メタライズ層４７のうち幅約１５０μｍの周縁部分４８は、第１シート４１上に直接形成される。なお、ここで使用する第２のメタライズペーストは、上記のものと同様に、Ｗの金属粉末に、有機バインダや有機溶剤等の他、ＡｌＮ等のセラミック原料粉末が配合されているが、ＡｌＮの配合量は、約９ｗｔ％と少ない。
【００４６】
ところで、第２未焼成メタライズ層４７を形成する際、第１未焼成メタライズ層４５が精度良く印刷形成されていないために、第１未焼成メタライズ層４５と第２未焼成メタライズ層４７との間で多少位置ずれを生じることがある。しかし、第１未焼成メタライズ層４５が第２未焼成メタライズ層４７の内側に位置する限りは、第２未焼成メタライズ層４７の印刷精度だけで、焼成後のメタライズ層１７の寸法精度を決めることができる。このため、第１未焼成メタライズ層４５の印刷精度が多少低くても良いので、未焼成メタライズ層４９の製造が容易である。
【００４７】
なお、第１シート４１以外のシートについては、ビア用貫通孔などの孔を穿孔し、Ｗの金属粉末に有機バインダや有機溶剤等を混練したビア用メタライズペーストを印刷充填する。また、このメタライズペーストを用いて、シートの表面に未焼成メタライズ層を形成する。これらのシートについては、２回に分けて未焼成メタライズ層を形成した第１シート４１とは異なり、１回の印刷で未焼成メタライズ層を形成する。
【００４８】
次に、未焼成メタライズ層４９等がそれぞれ形成された複数のシート４１等を、位置合わせをして積層し、熱と圧力を加えて積層体にする。
次に、焼成工程において、有機バインダや有機溶剤を飛散させた後、各シート４１等と各未焼成メタライズ層４９等とを一体で焼成する。これにより、各シート４１等から各セラミック層５，１１等が形成されると共に、各未焼成メタライズ層４９等から各メタライズ層１７，１９等が形成される（図１参照）。
【００４９】
次に、メッキ工程において、焼成後のセラミック基板にＮｉメッキを施し、メタライズ層１７の表面部全体にＮｉメッキ層を形成する。そしてさらに、Ａｕメッキを施して、Ｎｉメッキ層上にＡｕメッキ層を形成する。これにより、メタライズ層１７の表面部全体にメッキ層２１が形成される（図２参照）。
このようにして、上記セラミック基板１が完成する。
【００５０】
以上で述べたように、本実施形態では、第１，第２未焼成メタライズ層４５，４７からなる未焼成メタライズ層４９を形成している。このため、焼成工程後のメタライズ層１７のうち、第１未焼成メタライズ層４５に対応した部分（内側部２９）のＡｌＮ含有量が多くなる（図２参照）。従って、この内側部２９において基板本体２３との接合強度が強固となり、メタライズ層１７全体と基板本体２３との接合強度を向上させることができる。
【００５１】
特に、この内側部２９のＡｌＮ含有量（約４０ｗｔ％）が約２０ｗｔ％以上と多くなるので、メタライズ層１７の強度試験を行っても、メタライズ層１７は基板本体２３からは剥がれず、メタライズ層１７内で破壊するほど、メタライズ層１７と基板本体２３との接合強度を向上させることができる。
また、この内側部２９のＡｌＮ含有量は、約６０ｗｔ％以下でもあるので、メタライズ層１７の導通抵抗を低く抑えることができる。特に、ＡｌＮ含有量が多い内側部２９が第１セラミック層５のビア導体９と直接接続している部分（図１参照）では、導通抵抗が全体の抵抗値に大きく影響するので、ＡｌＮ含有量を６０ｗｔ％以下とし、導通抵抗を低くする効果が顕著になる。
【００５２】
一方、焼成後のメタライズ層１７のうち、第２未焼成メタライズ層４７に対応した部分（表面部３１全体）のＡｌＮの含有量が少なくなる（図２参照）。従って、メッキ工程において、メッキ層２１をメタライズ層１７全体に強固に被着させることができる。
特に、この表面部３１全体のＡｌＮ含有量（９ｗｔ％）は、１０ｗｔ％以下と少ないので、メッキ層２１をメタライズ層１７に均一に被着させ、メッキ層２１とメタライズ層１７との接合強度をさらに高くすることができる。
また、表面部３１の一部であり接合部２５の周縁部２７でもある部分（メタライズ層１７の周縁部）のＡｌＮ含有量（９ｗｔ％）が、６ｗｔ％以上とある程度多くなるので、メッキ層２１がメタライズ層１７の周縁部にも強固に被着する上、メタライズ層１７の周縁部（接合部２５の周縁部２７）と基板本体２３との接合もある程度強固にすることができる。
【００５３】
以上において、本発明を実施形態に即して説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、適宜変更して適用できることはいうまでもない。
例えば、上記実施形態では、基板本体２３が略板形状をなすセラミック基板１に本発明を適用した場合について示したが、基板本体は、ＡｌＮセラミック製であればその形状は問わない。例えば、電子部品を内部に収容することが可能なキャビティが形成された基板本体を備えるセラミック基板に、本発明を適用することもできる。
【００５４】
また、上記実施形態では、焼成前の基板本体２３に、第１，第２未焼成メタライズ層４５，４７を形成し、焼成工程でこれらを一体で焼成している。これに対し、基板本体２３を予め焼成しておき、焼成済みの基板本体２３上に第１，第２未焼成メタライズ層４５，４７を形成し、その後、第１，第２未焼成メタライズ層４５，４７を焼成することもできる。このようにしても、メタライズ層１７と基板本体２３との接合及びメッキ層２１とメタライズ層１７の接合を共に強固にすることができるなど、上記実施形態の場合と同様の効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  実施形態に係るセラミック基板の主面側の部分拡大断面図である。
【図２】  実施形態に係るセラミック基板のうち、主面に露出するメタライズ層近傍の部分拡大断面図である。
【図３】  実施形態に係るセラミック基板の製造方法に関し、第１セラミックグリーンシートにビア用貫通孔を穿孔し、これにメタライズペーストを充填した様子を示す説明図である。
【図４】  実施形態に係るセラミック基板の製造方法に関し、第１セラミックグリーンシートに第１未焼成メタライズ層を形成した様子を示す説明図である。
【図５】  実施形態に係るセラミック基板の製造方法に関し、第１未焼成メタライズ層を形成した第１セラミックグリーンシートのうち、第１未焼成メタライズ層近傍を示す説明図である。
【図６】  実施形態に係るセラミック基板の製造方法に関し、第１セラミックグリーンシートに第２未焼成メタライズ層を形成した様子を示す説明図である。
【図７】  実施形態に係るセラミック基板の製造方法に関し、第２未焼成メタライズ層を形成した第１セラミックグリーンシートのうち、第１，第２未焼成メタライズ層近傍を示す説明図である。
【図８】  従来技術に係るセラミック基板のうち、露出するメタライズ層近傍の部分拡大断面図である。
【符号の説明】
１      セラミック基板
５      第１セラミック層
１１    第２セラミック層
１７    メタライズ層
１９    内部メタライズ層
２１    メッキ層
２３    基板本体
２５    （メタライズ層の）接合部
２７    （接合部の）周縁部
２９    （接合部の）内側部（ＡｌＮリッチ領域）
３１    （メタライズ層の）表面部（ＡｌＮリーン領域）
４１    第１セラミックグリーンシート（第１シート）
４５    第１未焼成メタライズ層
４７    第２未焼成メタライズ層
４９    （第１，第２未焼成メタライズ層からなる）未焼成メタライズ層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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