(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、ポリマー基材と、マグネトロンスパッタ法によりポリマー基材上に形成された第一の金属層と、スパッタ法により第一の金属層の上に形成された第二の金属層とにより構成され、
前記第一の金属層が強磁性の耐熱性金属であるニッケルまたはコバルトと、非強磁性の耐熱性金属であるチタンとからなる合金からなる、純度９９．９％以上のターゲットを用いて形成されてなり、
前記第一の金属層における非強磁性の耐熱性金属の割合が３０〜７０重量％（ただし、第一の金属層における強磁性の耐熱性金属と非強磁性の耐熱性金属との合計を１００重量％とする）の範囲内にあることを特徴とするプリント配線板材料。
【請求項２】
前記第二の金属層が銅あるいは銅を主体とする金属であることを特徴とする請求項１に記載のプリント配線板材料。
【請求項３】
前記ポリマー基材がポリイミドであることを特徴とする請求項１〜２のいずれかに記載のプリント配線板材料。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はプリント配線板材料に関し、特に電子部品や半導体（ＬＳＩ、ＩＣ）の実装やパッケージ材料、あるいは、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、半導体や半導体パッケージの検査基板に用いる配線間ピッチが１００μｍ以下であるプリント配線板に用いることができる材料に関する。
【０００２】
【従来の技術】
プリント配線板の用途の拡大はとどまることを知らず、従来の単なる電子部品の接続用配線とそれらの支持体としての機能のみではなく、ＩＣをマザーボードに実装するためのＣＳＰ（Chip Size Package）やＢＧＡ（Ball Grid Array）等の半導体パッケージ用途としてＩＣの配線の一部として用いる半導体基板用途に用いられるようになり、配線ルールの微細化が進行している。
【０００３】
とりわけ、フレキシブル配線板材料では、新たな用途としてＬＣＤや半導体の検査用プローブに使用されるに至り配線ピッチ５０μｍ以下が実用的に用いられ、さらには、ＣＯＦ（Chip On Film）など液晶用等のドライバーＩＣを基材上に直接実装することにより、耐熱性に対する要求も高まっている。
従来、フレキシブルプリント配線板用途としては銅箔上にポリイミド前駆体を塗工した後にイミド化を行うことにより作成されたいわゆるキャスト材や、ポリイミドフィルムにエポキシ系の接着剤を介して銅箔を貼り付けた材料が用いられてきた。
【０００４】
しかしながら、キャスト材等では銅箔の最小厚みが１２μｍと厚いため、５０μｍピッチ以下の微細パターンの加工には困難が生ずる。そのため、より薄い銅箔９μｍのキャスト材も開発されているが、いまだ基材のハンドリング面なども含めて実用化に至っていないのが現状である。
そこで、従来、価格上の制約や耐熱性の面から敬遠されてきたスパッタ法等により、ポリイミド基材上に１μｍ以下の銅薄膜を形成、あるいはこれらの銅薄膜にさらに電解銅メッキを施すことにより１０μｍ以下の銅厚に加工した、いわゆる、スパッタ材が注目を集めている。
【０００５】
スパッタ材の耐熱性に関しては、例えば、特開平８−３３０６９３号公報、特開平８−３３０６９４号公報、特開平８−３３２６９７号公報等に、第一の金属層に、コバルト、チタン、ニッケルやこれらの合金等をスパッタ法により形成することで、高温環境での銅とポリイミドの密着性の低下を改善し、耐熱性に優れたプリント配線板材料を作製可能であることが開示されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、ニッケルやコバルトは電気伝導度が１０5Ｓｃｍ-1と高くかつ優れた耐熱性を示すが、一方でパターン形成に用いる塩化第二鉄や塩化第二銅等のエッチング液に対して、銅に比べてエッチングされやすいという問題がある。したがって、５０μｍピッチ以下の配線加工ではこれらニッケルやコバルト等の金属層が銅よりも速くエッチングされることで、配線のポリマー基材への密着性の低下が発生する可能性があり、必ずしもこのようなファインパターン加工に適さないことが分かってきた。
【０００７】
また、ニッケルやコバルトは何れも強磁性の金属であるため、ＡＣスパッタ、ＤＣスパッタを問わず、マグネトロンスパッタに適さないと共に、大型の生産装置では装置に設置されている磁石に引き寄せられる。そのため、生産現場での作業が困難であるばかりではなく危険な場合すらあり、強磁性ターゲットを容易に装置から外すための特殊な工夫が装置側に必要とされたり、ターゲットの取扱い性向上のために分割式ターゲットとする必要がある等、製造工程の作業上の手間が増加する等の製造上の困難性や装置面のコストの増加が発生する等が認められるという新たな問題が発生した。
【０００８】
一方、非強磁性の金属であるチタンを第一の金属層に用いた場合には、ニッケルやコバルトとは逆に、電気伝導度が１０4Ｓｃｍ-1台と低く、また、塩化第二鉄や塩化第二銅などのエッチング液に対しては、銅よりもエッチングされ難いため、配線間の絶縁を保つのが難しいという新たな問題が発生してきた。
そこで本発明は、配線ピッチ１００μｍ以下の回路パターンを容易に作製可能であり、かつ、スパッタ法において容易に製造可能であるプリント配線板材料を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上述した問題を解決するために、本発明に係るプリント配線板材料は、少なくとも、ポリマー基材と、マグネトロンスパッタ法によりポリマー基材上に形成された第一の金属層と、スパッタ法により第一の金属層の上に形成された第二の金属層とにより構成され、
前記第一の金属層が強磁性の耐熱性金属であるニッケルまたはコバルトと、非強磁性の耐熱性金属であるチタンとからなる合金からなる、純度９９．９％以上のターゲットを用いて形成されてなり、
前記第一の金属層における非強磁性の耐熱性金属の割合が３０〜７０重量％（ただし、第一の金属層における強磁性の耐熱性金属と非強磁性の耐熱性金属との合計を１００重量％とする）の範囲内にあることを特徴としている。
【００１０】
この場合、前記第一の金属層に用いる強磁性の耐熱性金属がニッケルまたはコバルトであり、かつ、非強磁性の耐熱性金属がチタンであることが好ましく、前記第一の金属層における非強磁性の耐熱性金属の割合が２０重量％〜８０重量％（ただし、第一の金属層における強磁性の耐熱性金属と非強磁性の耐熱金属との合計を１００重量％とする。）であることが好ましい。
【００１１】
また、前記第二の金属層が銅あるいは銅を主体とする金属であることが好ましい。
また、前記ポリマー基材がポリイミドであることが好ましい。
このようにすることで、スパッタ工程において発生する問題点とエッチング時に発生する問題点を解決でき、生産性良くプリント配線板の製造ができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、発明の実施の形態を詳細に説明する。
図１は、ポリマー基材の一方の面、すなわちポリマー基材１００の表面に第一の金属層１０２が形成され、さらに第一の金属層１０２の上に第二の金属層１０４が形成された例を示す断面図である。図２は、ポリマー基材の両方の面、すなわちポリマー基材１００の上下面それぞれに第一の金属層１０２が形成され、それぞれの第一の金属層１０２の表面に第二の金属層１０４が形成された例を示す断面図である。
【００１３】
ポリマー基材
前記ポリマー基材の材料としては特に限定されるものではなく、プリント配線板やフレキシブルプリント配線板として用いることが可能なものならば好適に用いることができる。
例えば、ポリイミド、あるいは充填材入りのポリイミド、エポキシ樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルイミド、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンサルファー、ポリアミド、芳香族ポリアミド等を用いることができる。
【００１４】
これらの中でも特に好ましくは、本プリント配線材料の加工中あるいは加工後の使用環境においては、耐熱性が要求項目の一つであることが多いという観点からポリイミド、あるいは充填材入りのポリイミドである。具体的商品名としては例えば、「カプトンスーパーＶ」、「カプトンＶ」、「カプトンＥ」、「カプトンＥＮ」、「カプトンＨ」、（以上、東レデュポン株式会社製）、「ユーピレックスＳ」、「ユーピレックスＳＧＡ」（以上、宇部興産株式会社製）、「アピカルＡＨ」、「アピカルＮＰＩ」、「アピカルＨＰ」（以上、鐘淵化学工業株式会社製）等が挙げられ、市場において容易に入手可能であり本発明に好適に利用可能である。
【００１５】
さらに、酸無水物とアミンとを反応、イミド化して形成されるポリイミドも効果的に用いることができる。
このような酸無水物としては、例えば、ピロメリット酸無水物、ビフタル酸無水物、ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物、オキシジフタル酸無水物、ハイドロフランジフタル酸無水物等が挙げられる。
【００１６】
一方、アミンとしては、例えば、メトキシジアミノベンゼン、４，４’ーオキシジアニリン、３，４’オキシジアニリン、３，３’オキシジアニリン、ビスジアニリノメタン、３，３’ージアミノゼンゾフェノン、ｐ，ｐ−アミノフェノキシベンゼン、ｐ，ｍ−アミノフェノキシベンゼン、ｍ，ｐ−アミノフェノキシベンゼン、ｍ，ｍ−アミノフェノキシベンゼン、クロル−ｍ−アミノフェノキシベンゼン、ｐ−ピリジンアミノフェノキシベンゼン、ｍ−ピリジンアミノフェノキシベンゼン、ｐ−アミノフェノキシビフェニル、ｍ−アミノフェノキシビフェニル、ｐ−ビスアミノフェノキシベンジスルホン、ｍ−ビスアミノフェノキシベンジスルフォン、ｐ−ビスアミノフェノキシベンジルケトン、ｍ−ビスアミノフェノキシベンジルケトン、ｐ−ビスアミノフェノキシベンジルヘキサフルオロプロパン、ｍ−ビスアミノフェノキシベンジルヘキサフルオロプロパン、ｍ−ビスアミノフェノキシベンジルヘキサフルオロプロパン、ｐ−ビスアミノフェノキシベンジルプロパン、ｏ−ビスアミノフェノキシベンジルプロパン、ｍ−ビスアミノフェノキシベンジルプロパン、ｐ−ジアミノフェノキシベンジルチオエーテル、ｍ−ジアミノフェノキシベンジルチオエーテル、インダンジアミン、スピロビジアミン、ジケトンジアミン等が挙げられる。
【００１７】
このようなポリマー基材の厚みは特に限定するものではなく、プリント配線板の使用目的に応じて適宜選択可能である。例えば、フレキシブルプリント配線板用途に用いることの多いポリイミドフィルム基材では、１２．５〜１５０μｍの厚みのものが好ましく、さらには１２．５〜１００μｍのものが好ましく、特には１２．５〜５０μｍのものが好ましく、市場において容易に入手可能である。
【００１８】
また、ポリマー基材と、このポリマー基材の表面に形成される第一の金属層の接着強度を向上させる目的で、ポリマー基材表面をプラズマや紫外線に曝したりアルカリ性のエッチング液に浸漬し表面改質したり、あるいは、シランカップリング材や別種のポリマーを用いて表面修飾する等、公知の技術を用いてポリマー基材の表面処理を行うことが好ましい。
【００１９】
第一の金属層
前記第一の金属層に用いる耐熱性に優れる強磁性の金属とは、強磁性を示しかつ空気中で不動態皮膜を形成する金属である。このような金属としては、単体の金属であっても、２種類以上の金属からなる合金であってもよい。例えば、好ましい金属としては、コバルトとニッケルが挙げられ、これらは耐熱性に優れ、また安価でかつ入手が容易である。
【００２０】
第一の金属層に用いる耐熱性に優れる非強磁性の金属とは、強磁性を示さずかつ空気中で不動態皮膜を形成する金属である。このような金属は単体であっても２種類以上の金属からなる合金であってもよい。例えば、チタン、ジルコニウム、クロム、ニオブ、モリブデン、タンタル、タングステンなどが挙げられる。これらのうち、クロム、チタン、ジルコニウム、タングステンは価格面、入手容易性の面から好ましい。また、環境面への影響を考慮した場合は、チタン、ジルコニウム、タングステンが好ましく、さらに、耐熱性に優れることを考慮した場合は、チタンが好ましい。
【００２１】
上記強磁性の耐熱性金属に上記非強磁性の耐熱性金属を添加し非強磁性の耐熱性合金とすることで、特にマグネトロンスパッタを行う装置での作業の困難性を解決するとともに、非強磁性の耐熱性金属のエッチング工程における困難性を解決することができる。強磁性の耐熱性金属に対する非強磁性の耐熱性金属の添加量は、エッチング液に対する溶解性や強磁性を考慮して適宜選択可能であるが、第一の金属層における強磁性の耐熱性金属と非強磁性の耐熱金属との合計を１００重量％とすると、３０〜７０重量％である。
【００２２】
第一の金属層の厚みは好ましくは１〜１００ｎｍ、さらに好ましくは、５〜５０ｎｍである。この範囲内であれば、ポリマー基材と金属層の高温時の密着性の低下に対する抑制効果がある。また、第一の金属層の厚みをあまり大きく増加させても、ポリマー基材と金属層の高温時の密着性の低下の抑制効果は著しく向上することはないので、上記範囲内とすることで資源の有効活用ができる。
【００２３】
第一の金属の層は耐熱性の合金であるため、一般的に融点が高く、また、個々の金属の蒸気圧が異なることや、異なる金属では溶液中から析出する電位が異なることで、組成の制御が困難であることから、蒸着手法やイオンプレーティング等の成膜方法による金属層の作製や、無電解めっきや電解めっき等の湿式プロセスによる金属層の作製に比べて、例えば、後述するマグネトロンスパッタ法による金属層の形成が有利である。
【００２４】
すなわち、このような耐熱性の合金層を形成する手法としては、耐熱性の金属や合金でも、スパッタリング現象を利用することで容易に成膜が可能であるため、スパッタ法を用いることが好ましい。
なお、スパッタ法にもその手法により、ＤＣスパッタ法、ＤＣマグネトロンスパッタ法、１３．５６ＭＨｚのラジオ周波数の交流を用いるＲＦスパッタ法、ＲＦマグネトロンスパッタ法、ＥＣＲスパッタ法やレーザービームスパッタ法など種々の手法があるが、成膜物質の導電性が充分に高い金属を用いることから、ＤＣスパッタが可能であることと、設備的に最も安価でかつ効率的に生産可能であることを考慮すると、ＤＣマグネトロンスパッタ法が特に好ましい手法である。
【００２５】
また、本発明における目的の一つは、ポリマーと金属層の高温時の密着性を改善する効果の高い強磁性の耐熱性金属を、設備的にも安価でかつ効率的なＤＣマグネトロン法において成膜する際の問題点を解決することであるので、ＤＣマグネトロンスパッタにより第一の金属層を成膜することが好ましい。
この場合、マグネトロンスパッタによる第一の金属層の成膜条件は、スパッタガスをアルゴンガスとして、圧力は１０-2〜１Ｐａ、好ましくは７×１０-2〜７×１０-1Ｐａ、さらに好ましくは１０-1〜４×１０-1Ｐａであり、スパッタ電力密度は、１〜１００Ｗｃｍ-2、好ましくは１〜５０Ｗｃｍ-2、さらに好ましくは１〜２０Ｗｃｍ-2である。
【００２６】
ターゲットとしては、純度９９．９％以上、好ましくは９９．９９％以上の強磁性の耐熱性金属と非強磁性の耐熱性金属の合金あるいは混合物を用いることができる。純度９９．９９９％以上のターゲットを用いることは、コストの著しい増加を招くので好ましいことではない。マグネトロンスパッタにより第一の金属層を成膜する際の膜厚の制御は、予め成膜速度を求めておくことにより成膜時間の管理により行うことができる。
【００２７】
スパッタガスとして用いるアルゴンガスは、９９．９％以上が好ましく、さらに好ましくは９９．９９％以上である。なお、９９．９９９％以上の純度のアルゴンガスを用いることは技術的側面からは好ましいことであるが、アルゴンガスの価格が著しく増加するので、製造コストの面からの制約があり、低価格化を図る面からは困難である。
【００２８】
第二の金属層
前記第二の金属層としては、プリント配線板の導体層として用いることができ、電気伝導性に優れ、エッチング液によりパターンが形成可能な金属であれば特に限定されるものではない。例えば、アルミニウム、銅あるいはこれらの合金は電気伝導度に優れると共にエッチング可能な金属であり好ましい。とりわけ、銅や銅を主体とする金属は電気伝導度に優れるとともに、展延性にも富むので特に好ましい。なお、本発明における銅を主体とする金属とは、銅を５０重量％以上含有する金属のこと、すなわち銅合金または銅を意味する。
【００２９】
第二の金属層の成膜方法は特に限定されるものでなく、無電解めっき、電解めっきなどの湿式的手法や、蒸着法、イオンプレーティング法、イオンクラスタービーム法やスパッタ法など種々選択可能である。
これらの中でも、密着性の高い金属膜が得やすいことからスパッタ法により第二の金属層を形成することが好ましいが、耐熱性の金属は、スパッタ法で用いる真空チャンバーから出して大気雰囲気に曝すと酸化皮膜を形成しやすく、そのため、第一の金属層と第二の金属層との界面で剥離が発生し易くなることから、スパッタ成膜法の中でも、真空中から出さずに成膜可能な枚葉式のスパッタ装置を用いることが好ましい。また、ロールツーロール方式で生産する場合にはインライン式のスパッタ装置で第二の金属層を成膜することが好ましい。
【００３０】
なお、マグネトロンスパッタによる第二の金属層の成膜条件は、スパッタガスをアルゴンガスとして、圧力は１０-2〜１Ｐａ、好ましくは７×１０-2〜７×１０-1Ｐａ、さらに好ましくは１０-1〜４×１０-1Ｐａであり、スパッタ電力密度は、１〜１００Ｗｃｍ-2、好ましくは１〜５０Ｗｃｍ-2、さらに好ましくは１〜２０Ｗｃｍ-2である。
【００３１】
スパッタに用いるターゲットとしては、純度９９．９％以上、好ましくは９９．９９％以上の銅あるいは銅を主体とする金属を用いることができる。純度９９．９９９９％以上のターゲットを用いることは、コストの著しい増加を招くので好ましいことではない。マグネトロンスパッタにより第二の金属層を成膜する際の膜厚の制御は、予め成膜速度を求めておくことにより成膜時間の管理により行うことができる。
【００３２】
ロールツーロール式の装置において第一の金属層と第二の金属層をインラインで成膜する場合においては、成膜時間に相当するフィルムの送り速度が等しいため、所望の成膜膜厚比となるように各のスパッタ電力を調整することで所望の膜厚を管理することができる。
このような方法により作製された第二の金属層の厚みは特に限定されるものではないが、スパッタ法により成膜する場合にはコスト面での制約から１μｍ、好ましくは５００ｎｍを上限とすることが望ましい。また、第二の金属層はセミアディティブ法におけるパターンめっき時の給電層（導電体層）やサブトラクティブ法に用いるために行う１０μｍ以下の厚みの電解銅めっき時の給電層として用いるので、導電性を確保する目的で、第二の金属層の厚さは５０ｎｍ以上、好ましくは１００ｎｍ以上、さらに好ましくは２００ｎｍ以上であることが望ましい。
【００３３】
なお、ポリマー基材への第一のおよび第二の金属層の形成は、プリント配線基板の用途により、図１に示したようにポリマー基材の片面でもよいし、図２に示したようにポリマー基材の両面でもよい。
ポリマー基材の両面に金属層を形成する場合、片面ずつ第一の金属層および第二の金属層を成膜してもよく、あるいは両面に第一の金属層を形成した後に第二の金属層をそれぞれの第一の金属層に成膜してもよい。各金属層の成膜順番は、使用する装置構成の特徴、枚葉式のスパッタ装置であるか、インライン式のスパッタ装置であるか、取り付け可能なターゲットの数やポリマー基材の両面に同時に成膜可能な装置構成であるか、等を適宜勘案して、最も効率的に本発明に記載のプリント配線板材料を製造可能なように適宜選択することができる。
【００３４】
このような配線板材料を用いてプリント配線板を作成することにより、配線間ピッチが１００μｍ以下、好ましくは５０μｍ以下というファインパターン加工の生産性を向上させることができる。
【００３５】
【実施例】
以下に本発明を実施例、比較例によりさらに具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００３６】
【実施例１】
直径１０ｃｍ、厚さ５ｍｍのスパッタターゲットを３個取り付け可能なマグネトロンスパッタ装置を用いて試料の作製を行った。なお、本装置ではバッキングプレートがターゲットホルダーとなっていると共に、バッキングプレート背面にはマグネトロンスパッタ用のサマリウムコバルト磁石が配置されている。
【００３７】
ポリマー基材として５０μｍ厚のポリイミドフィルム、「アピカルＮＰＩ」（鐘淵化学工業株式会社製）を用い、これを１０ｃｍ四方で切り出し、基板ホルダーに設置した後、１０-3Ｐａ以下の圧力まで真空引きを行った。酸素流量１０ＳＣＣＭ、圧力２．６Ｐａ、ＲＦ電力１００Ｗ、３分の条件でポリイミドフィルムのプラズマ処理を行った。
【００３８】
ついで、ターゲットとしてニッケル−チタン合金（チタン５０重量％、純度９９．９５％）を用いて、アルゴン流量１５ＳＣＣＭ、圧力０．１３Ｐａ、ＤＣ１６０Ｗの条件で１分間成膜を行い１５ｎｍ厚の第一の金属層であるニッケル−チタン合金層を形成した。
さらに、銅ターゲット（純度９９．９９％）を用いて、アルゴン流量１５ＳＣＣＭ、圧力０．１３Ｐａ、ＤＣ１８０Ｗの条件で１８分成膜を行い第二の金属層である銅を２５０ｎｍ厚で成膜した。
【００３９】
なお、成膜されたニッケル−チタンの合金の組成は表面分析装置（ＥＳＣＡ）により測定したところ、チタンの組成は４７重量％であった。
試料作成後にはニッケル−チタン合金ターゲットをターゲットホルダーから取り外し、ターゲット交換時の作業性について評価した。ニッケル−チタン合金ターゲットの交換には特に問題は発生することなく可能であった。
【００４０】
エッチング試験は、得られた試料に硫酸銅浴を用いた電解メッキで銅を８μｍの厚さとした後、液状パターンレジストに塩化第二鉄を用いたエッチング液により、Ｌ／Ｓ＝２５μｍ／２５μｍの配線パターンを形成し、断面試料により第一の金属層のエッチング状態を観察した。また、パターン表面からエネルギー分散型（ＥＤＸ）検出器により元素分析することで配線間に残存する第一の金属層を観察した。エッチング試験では第一の金属層であるニッケル−チタン合金のオーバーエッチングや、配線間へのニッケルやチタンの残存は特に認められなかった。
【００４１】
【実施例２】
ターゲットにコバルト−チタン合金（チタン５０重量％）を用いて、第一の金属層としてコバルト−チタン合金１５ｎｍを形成したこと以外は実施例１と同様にして、試料の作製ならびに評価を行った。なお、成膜されたコバルト−チタンの合金の組成はＥＳＣＡにより測定したところ、チタンの組成は４６重量％であった。
【００４２】
コバルト−チタン合金ターゲットの交換には特に問題は発生すること無く可能であった。また、エッチング試験でも第一の金属層であるコバルト−チタン合金のオーバーエッチングや配線間へのコバルトやチタンの残存は特に認められなかった。
【００４３】
【比較例１】
スパッタターゲットとしてニッケル（純度９９．９９％）のみを用いたこと以外は実施例１と同様にして試料の作製ならびに評価を行った。
ターゲット交換のためにニッケルターゲットをターゲットホルダーであるバッキングプレートから取り外そうとしたところ、バッキングプレート裏にあるサマリウムコバルト磁石に引き付けられており、ニッケルターゲットをバッキングプレートから引き剥がすのが非常に困難かつ危険であった。大型のロールツーロール式のマグネトロンスパッタ装置にニッケルターゲットを用いることは非常に困難であることが示唆された。
【００４４】
また、エッチング試験ではニッケル層のオーバーエッチングが認められた。
【００４５】
【比較例２】
スパッタリングターゲットとしてコバルト（純度９９．９５％）のみを用いたこと以外は実施例１と同様にして試料の作製ならびに評価を行った。
ターゲット交換のためにコバルトターゲットをターゲットホルダーであるバッキングプレートから取り外そうとしたところ、バッキングプレート裏にあるサマリウムコバルト磁石に引き付けられており、コバルトターゲットをバッキングプレートから引き剥がすのが非常に困難かつ危険であった。大型のロールツーロール式のマグネトロンスパッタ装置にコバルトターゲットを用いるのは、非常に困難であることが示唆された。
【００４６】
また、エッチング試験ではコバルト層のオーバーエッチングが認められた。
【００４７】
【比較例３】
スパッタリングターゲットとしてチタン（純度９９．９９％）のみを用いたこと以外は実施例１と同様にして試料の作製ならびに評価を行った。
ターゲットの交換時には特に問題は発生しなかったが、エッチング試験ではチタンの残存が認められた。
【００４８】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、強磁性のターゲットを用いることに伴うスパッタ工程上の問題点とファインパターン加工上の問題点を解決することが可能となり、優れた生産性でプリント配線板の製造を可能にする材料を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明のプリント配線板材料の一例を示す断面図である。
【図２】図２は、本発明のプリント配線板材料の一例を示す断面図である。
【符号の説明】
１００  ポリマー基材
１０２  第一の金属層
１０４  第二の金属層
【図１】
0004522612.tif 000002
【図２】
0004522612.tif 000003