(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に設けられた駆動手段と、
前記駆動手段上に積層された絶縁膜と、
前記絶縁膜上にマトリックス状に配列され、上部電極と下部電極との間に発光層として有機物層が配置された有機エレクトロルミネッセンス素子からなる発光素子と
を備え、
前記発光素子ごとに設けられた前記駆動手段によって駆動されるアクティブマトリックス型表示装置であって、
前記発光素子の前記下部電極と同一層で前記発光素子の周囲に配線され、前記上部電極と接続されて前記上部電極の電気抵抗を低下させる補助配線と、
前記絶縁膜を介して前記補助配線の下層に重なり合う部分が存在するように設けられ、前記発光素子を駆動するための駆動用配線として、マトリックス状に配列された前記発光素子の各列ごとに配線された信号線、又は前記発光素子の各行ごとに配線された電源線と
を備え、
前記補助配線と前記信号線、又は前記補助配線と前記電源線とは、前記信号線又は前記電源線が直線的に配線された場合に上下に重なり合う位置では、前記信号線又は前記電源線の一部が前記補助配線を避けるように水平方向にずらして配線されている
アクティブマトリックス型表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載のアクティブマトリックス型表示装置において、
前記電源線は、直線的に配線された場合に前記補助配線と上下に重なり合う位置で、その一部が前記補助配線を避けるように水平方向にずらして２本に枝分かれしており、その２本の前記電源線の間に前記補助配線と上下で重なるスリットが形成されている
アクティブマトリックス型表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マトリックス状に配列された発光素子を備え、発光素子ごとに設けられた駆動手段によって駆動されるアクティブマトリックス型表示装置に係るものである。より詳しくは、アクティブマトリックス型表示装置において、歩留りの向上を図ることができるようにした技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、自発光のアクティブマトリックス型表示装置において、その発光素子として有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」という）を発光素子に使用した有機ＥＬディスプレイが知られている。この有機ＥＬ素子は、アノード電極とカソード電極との間に、有機物の正孔輸送層や有機物の発光層を積層した有機物層を配置し、電圧を印加して有機物層に電子と正孔とを注入することによって発光させるものである。そして、このような有機ＥＬ素子をマトリックス状に配列するとともに、有機ＥＬ素子ごとに駆動手段を設けて、有機ＥＬディスプレイとしている。
【０００３】
図６は、有機ＥＬディスプレイ１１０の配線構造の参考例を示す平面図である。
また、図７は、図６に示す有機ＥＬディスプレイ１１０における行方向（図６では、横方向）の断面図である。
図６に示すように、有機ＥＬディスプレイ１１０は、有機ＥＬ素子１２０がｍ行×ｎ列（図６では、図面の簡略化のため、２行×３列）のマトリックス状に配列されたものである。
【０００４】
ここで、有機ＥＬディスプレイ１１０は、基板１１１（図７参照）の上に、有機ＥＬ素子１２０を駆動する駆動手段として、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）１３０（ＴＦＴ１３０ａ，ＴＦＴ１３０ｂ）やキャパシタ（容量素子）１４０等を設けたものである。そして、ＴＦＴ１３０は、図７に示すように、ゲート電極１３１の上に、ゲート絶縁膜１３２、ａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）層１３３、保護膜１３４をそれぞれ積層し、ａ−Ｓｉ層１３３の左側にソース電極１３５、ａ−Ｓｉ層１３３の右側にドレイン電極１３６を配置したものである。なお、ｎ型の不純物を適量含んだｎ＋型ａ−Ｓｉ層１３７は、ａ−Ｓｉ層１３３とソース電極１３５又はドレイン電極１３６とのオーミックコンタクトを良好にするために設けられている。
【０００５】
また、ゲート絶縁膜１３２の上には、有機ＥＬ素子１２０を駆動するための駆動用配線の１つである信号線１５１が配線されている。そして、ＴＦＴ１３０及び信号線１５１の上には、絶縁保護膜１６１と絶縁平坦化膜１６２とによって構成される絶縁膜１６０が積層されており、絶縁平坦化膜１６２の表面は、凹凸のない平坦面となっている。なお、駆動用配線には、信号線１５１の他にも、図６に示すような走査線１５２及び電源線１５３があるが、これらの駆動用配線は、絶縁膜１６０内に配線されている。
【０００６】
さらにまた、図７に示す絶縁平坦化膜１６２の上には、有機ＥＬ素子１２０が配列されている。この有機ＥＬ素子１２０は、アノード電極１２１とカソード電極１２２との間に有機物層１２３を配置したものである。そして、アノード電極１２１は、絶縁膜１６０に開口した接続孔（図示せず）を介してＴＦＴ１３０と接続されている。なお、有機物層１２３は、注入された電子と正孔との再結合によって発光する有機物からなっている。
【０００７】
さらに、カソード電極１２２は、透明電極である。そのため、有機物層１２３が発する光は、アノード電極１２１の周囲を覆う開口規定絶縁膜１２４から露出した中央部から取り出される。すなわち、図６及び図７に示す有機ＥＬディスプレイ１１０は、基板１１１と反対側から光を取り出すトップエミッション方式のものとなっている。
【０００８】
ところで、トップエミッション方式の有機ＥＬディスプレイ１１０の場合には、上記したように、カソード電極１２２として、有機物層１２３が発する光を取り出せる透明電極が使用されることとなるが、光透過率の高い導電性材料は、抵抗値が高い。一方、基板１１１側のアノード電極１２１には、反射率が高い金属等が用いられている。そのため、アノード電極１２１の周囲には、補助配線１５４が配線され、カソード電極１２２と接続することにより、カソード電極１２２の低抵抗化を図っている。
【０００９】
この補助配線１５４は、図７に示すように、アノード電極１２１と同一層に設けられており、信号線１５１と上下に重なり合っている。また、図６に示すように、補助配線１５４は、走査線１５２及び電源線１５３とも重なり合っている。そして、補助配線１５４と信号線１５１、走査線１５２、及び電源線１５３とは、絶縁膜１６０（図７参照）によって絶縁されている。
【００１０】
しかしながら、製造工程で異物が混入等すると、その異物によってショートが発生し、歩留りが低下してしまう。この場合、補助配線１５４の配線幅を狭くしたり、設置面積を小さくしたりすることによって信号線１５１等と重ならないようにすることも考えられるが、そのようにすると、補助配線１５４の電圧降下を招き、クロストークを発生させるため、困難である。
【００１１】
そこで、ショートが発生した場合には、その修復作業を行うことができるようにしたマトリックス型配線基板が知られている。すなわち、ゲートライン上に交差するドレインラインを覆う層間絶縁膜に対し、両ラインの交点を挟むように予め一対の開口部を形成し、この開口部において、ドレインラインを露出させておく。そして、層間絶縁膜の欠陥により、両ラインの交点でショートが発生し、それを検査工程において検知した場合は、そのショート部分を挟む一対の開口部のそれぞれ内側（ショート側）の層間絶縁膜を破壊し、その下のドレインラインを切断する。その後、一対の開口部を介して、ショート部分を迂回するようにバイパスラインを形成し、切断したドレインラインを再び接続するようにした技術である（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２０００−２４１８３３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかし、上記した特許文献１の技術は、ショートが発生する可能性のある交点の両側に予め一対の開口部を形成しておくだけであり、ショートが発生した後に、バイパスラインを形成するようにしている。そのため、新たにバイパスラインの形成工程が必要となり、ショートが発生した場合の修復作業には、手間と時間がかかるものであった。
【００１３】
したがって、本発明が解決しようとする課題は、新たにバイパスラインを形成することなく、補助配線と上下に重なり合う駆動用配線（例えば、信号線、走査線、及び電源線）のショートの発生を抑制し、アクティブマトリックス型表示装置の歩留りの向上を図ることである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明は、以下の解決手段によって、上述の課題を解決する。
本発明の請求項１に記載の発明は、基板上に設けられた駆動手段と、前記駆動手段上に積層された絶縁膜と、前記絶縁膜上にマトリックス状に配列され、上部電極と下部電極との間に発光層として有機物層が配置された有機エレクトロルミネッセンス素子からなる発光素子とを備え、前記発光素子ごとに設けられた前記駆動手段によって駆動されるアクティブマトリックス型表示装置であって、前記発光素子の前記下部電極と同一層で前記発光素子の周囲に配線され、前記上部電極と接続されて前記上部電極の電気抵抗を低下させる補助配線と、前記絶縁膜を介して前記補助配線の下層に重なり合う部分が存在するように設けられ、前記発光素子を駆動するための駆動用配線として、マトリックス状に配列された前記発光素子の各列ごとに配線された信号線、又は前記発光素子の各行ごとに配線された電源線とを備え、前記補助配線と前記信号線、又は前記補助配線と前記電源線とは、前記信号線又は前記電源線が直線的に配線された場合に上下に重なり合う位置では、前記信号線又は前記電源線の一部が前記補助配線を避けるように水平方向にずらして配線されているアクティブマトリックス型表示装置である。
【００１５】
（作用）
上記の請求項１に記載の発明は、発光素子の下部電極と同一層に設けられた補助配線と、絶縁膜を介して補助配線の下層に重なり合う部分が存在するように設けられた駆動用配線としての信号線又は電源線とを備えている。そして、補助配線と信号線、又は補助配線と電源線とは、信号線又は電源線が直線的に配線された場合に上下に重なり合う位置では、信号線又は電源線の一部が補助配線を避けるように水平方向にずらして配線されている。そのため、信号線又は電源線の一部において、補助配線と信号線、又は補助配線と電源線との重なり合いを少なくすることができる。
【発明の効果】
【００１６】
上記の発明によれば、補助配線と駆動用配線としての信号線又は電源線とが、信号線又は電源線が直線的に配線された場合に上下に重なり合う位置で、信号線又は電源線の一部が補助配線を避けるように水平方向にずらして配線されているので、両者の重なり合いが少なくなっている。そのため、製造工程での異物の混入等によるショートの発生が抑制されるので、マトリックス状に配列された各発光素子をほぼ確実に発光させることが可能となる。その結果、アクティブマトリックス型表示装置における歩留りの向上を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、図面等を参照して、本発明の一実施形態について説明する。
図１は、本実施形態のアクティブマトリックス型表示装置の一例として、有機ＥＬディスプレイ１０を示す平面図である。
また、図２は、図１に示す有機ＥＬディスプレイ１０の等価回路図である。
図１に示すように、有機ＥＬディスプレイ１０は、アノード電極２１（本発明における下部電極に相当するもの）、カソード電極２２（本発明における上部電極に相当するもの）、及び有機物層２３によって構成される有機ＥＬ素子２０を備えている。なお、カソード電極２２は、透明電極となっている。
【００１８】
この有機ＥＬ素子２０は、図２に示す本発明の駆動手段であるＴＦＴ３０（ＴＦＴ３０ａ，ＴＦＴ３０ｂ）やキャパシタ４０によって駆動される。すなわち、有機ＥＬディスプレイ１０は、例えば、カソード電極２２がＧＮＤ（グラウンド）に接続された有機ＥＬ素子２０と、ソース電極３５ａが有機ＥＬ素子２０のアノード電極２１に接続され、ドレイン電極３６ａが正電位（Ｖｃｃ）の電源線５３に接続されたＴＦＴ３０ａと、このＴＦＴ３０ａのゲート電極３１ａと電源線５３との間に接続されたキャパシタ４０と、ソース電極３５ｂがＴＦＴ３０ａのゲート電極３１ａに、ゲート電極３１ｂが走査線５２に、ドレイン電極３６ｂが信号線５１にそれぞれ接続されたＴＦＴ３０ｂとを備えている。
【００１９】
このような有機ＥＬディスプレイ１０は、ＴＦＴ３０ａが駆動トランジスタで、ＴＦＴ３０ｂがスイッチングトランジスタとなっている。そして、走査線５２に書込み信号を印加し、ＴＦＴ３０ｂのゲート電極３１ｂの電位を制御すると、信号線５１の信号電圧がＴＦＴ３０ａのゲート電極３１ａに印加される。この際、ゲート電極３１ａの電位は、次に走査線５２に書込み信号が印加されるまでの間、キャパシタ４０によって安定的に保持される。すると、この間は、ＴＦＴ３０ａのゲート電極３１ａとソース電極３５ａとの間の電圧に応じた電流が有機ＥＬ素子２０に流れ、有機ＥＬ素子２０は、この電流値に応じた輝度で発光し続けることとなる。
【００２０】
ここで、有機ＥＬ素子２０から発生した光は、図１に示す開口規定絶縁膜２４の露出部分（中央部）から取り出される。すなわち、開口規定絶縁膜２４は、アノード電極２１及び有機物層２３の周囲に設けられたものであり、中央部が開口している。そのため、有機ＥＬ素子２０の発生光は、開口規定絶縁膜２４の露出した中央部で、透明なカソード電極２２を通って外部に出る。なお、開口規定絶縁膜２４内には、カソード電極２２の電気抵抗を調整するための補助配線５４が配線されている。
【００２１】
図３は、本実施形態のアクティブマトリックス型表示装置の一例として、有機ＥＬディスプレイ１０の配線構造を示す平面図である。
また、図４は、図３に示す有機ＥＬディスプレイ１０における行方向（図３では、横方向）の断面図である。
図３に示すように、有機ＥＬディスプレイ１０は、有機ＥＬ素子２０がＭ行×Ｎ列（図３では、図面の簡略化のため、２行×３列）のマトリックス状に配列されたものである。
【００２２】
ここで、有機ＥＬディスプレイ１０は、基板１１（図４参照）の上に、有機ＥＬ素子２０を駆動するＴＦＴ３０（ＴＦＴ３０ａ，ＴＦＴ３０ｂ）が有機ＥＬ素子２０ごとにそれぞれ設けられたアクティブマトリックス型表示装置である。なお、基板１１の上には、ＴＦＴ３０（ＴＦＴ３０ａ，ＴＦＴ３０ｂ）の他、キャパシタ４０等も設けられている。
【００２３】
このＴＦＴ３０は、図４に示すように、ゲート電極３１の上に、ゲート絶縁膜３２、ａ−Ｓｉ層３３、保護膜３４をそれぞれ積層し、ａ−Ｓｉ層３３の左側にソース電極３５、ａ−Ｓｉ層３３の右側にドレイン電極３６を配置したものである。なお、ｎ型の不純物を適量含んだｎ＋型ａ−Ｓｉ層３７は、ａ−Ｓｉ層３３とソース電極３５又はドレイン電極３６とのオーミックコンタクトを良好にするために設けられている。
【００２４】
このようなＴＦＴ３０を製造するには、最初に、ガラス等の基板１１の上に、Ｍｏ（モリブデン）等の導電性材料によってゲート電極３１を形成する。次に、基板１１及びゲート電極３１の上を覆うようにして、ゲート絶縁膜３２を製膜する。そして、ゲート電極３１の上方のゲート絶縁膜３２の上に、ａ−Ｓｉ層３３を形成し、その中央部（ゲート電極３１の上方）に、保護膜３４を形成するとともに、その両側に、ｎ＋型ａ−Ｓｉ層３７を形成する。その後、ゲート絶縁膜３２及びｎ＋型ａ−Ｓｉ層３７の上に、Ａｌ（アルミニウム）等の金属材料を形成してパターニングし、ソース電極３５及びドレイン電極３６とする。
【００２５】
また、ゲート絶縁膜３２の上には、有機ＥＬ素子２０を駆動するための駆動用配線の１つである信号線５１が配線されている。この駆動用配線としては、信号線５１の他にも、図３に示すような走査線５２及び電源線５３があり、これらの駆動用配線は、絶縁膜６０内にパターニング形成され、相互に絶縁されている。すなわち、ＴＦＴ３０や信号線５１等の上には、絶縁保護膜６１が積層され、この絶縁保護膜６１の上に絶縁平坦化膜６２が積層されて絶縁膜６０が構成されている。なお、絶縁平坦化膜６２は、絶縁膜６０の表面を凹凸のない平坦面とするためのものである。
【００２６】
さらにまた、絶縁平坦化膜６２の上には、有機ＥＬ素子２０が配列されている。この有機ＥＬ素子２０は、アノード電極２１とカソード電極２２との間に有機物層２３を配置したものである。そして、アノード電極２１は、絶縁膜６０に開口した接続孔６３（図１参照）を介してＴＦＴ３０と接続されており、有機物層２３は、注入された電子と正孔との再結合によって発光する有機物からなっている。
【００２７】
この有機物層２３が発する光は、アノード電極２１の周囲を覆う開口規定絶縁膜２４から露出した中央部から取り出される。すなわち、アノード電極２１に反射率が高い金属等が用いられる一方、カソード電極２２は、光透過率の高い導電性材料の透明電極となっている。そのため、有機物層２３が発する光は、基板１１と反対側から取り出されることとなる。そして、このようなトップエミッション方式の有機ＥＬディスプレイ１０は、有機ＥＬ素子２０の開口率を確保する上で有効なものとなっている。
【００２８】
ここで、カソード電極２２を構成する光透過率の高い導電性材料は、抵抗値が高いものである。そのため、カソード電極２２の電気抵抗を調整し、カソード電極２２の低抵抗化を図るため、カソード電極２２には、補助配線５４が接続されている。この補助配線５４は、アノード電極２１の周囲に配線されており、カソード電極２２と同電位で、例えば、ＧＮＤ（図２参照）に接地される。
【００２９】
また、図３に示すように、有機ＥＬディスプレイ１０は、マトリックス状に配列された有機ＥＬ素子２０の各列ごとに信号線５１が配線され、有機ＥＬ素子２０の各行（各行の上方）ごとに走査線５２が配線され、有機ＥＬ素子２０の各行（各行の下方）ごとに電源線５３が配線されている。そして、信号線５１、走査線５２、及び電源線５３は、アノード電極２１（図４参照）と同一層に設けられた補助配線５４の下層に配線されている。そのため、信号線５１、走査線５２、電源線５３、及び補助配線５４は、相互に、上下に重なり合う部分が存在する。
【００３０】
このように配線された電源線５３は、図２に示すように、正電位（Ｖｃｃ）に接続されており、数１０Ｖの電圧が印加される場合があるので、ＧＮＤに接続された補助配線５４と最も電位差を有する配線となっている。そのため、補助配線５４と電源線５３とが上下に重なり合う位置では、両者間の電位差によってショートが発生しやすい状況にある。しかも、電源線５３は、電圧降下を防ぐため、配線を太くして低抵抗化を図っているので、補助配線５４と重なり合う面積が広くなり、この点からもショートしやすい。そして、電源線５３は、有機ＥＬディスプレイ１０の全体を一本の配線でレイアウトしているので、どこか一箇所がショートした場合であっても、発光への影響が大きい。
【００３１】
また、図７に示す従来の有機ＥＬディスプレイ１１０のように、補助配線５４の下で、補助配線５４に沿って信号線５１が配線されていると、信号線５１に印加される不規則な電位と補助配線５４との電位差により、補助配線５４と信号線５１との間にショートが発生しやすい。
【００３２】
特に、有機ＥＬディスプレイ１０が大型化すると、ショートの発生頻度が増加して歩留まりが低下するので、ショートした場所を修正するレーザリペア工程が必須となる。すなわち、有機ＥＬディスプレイ１０の生産工程において、ショートを検出するための光学式検査を行う検査工程を設け、検出されたショート部分を表面からのレーザ照射によって修正する工程を設けている。
【００３３】
そこで、本実施形態の有機ＥＬディスプレイ１０は、図３に示すように、補助配線５４と信号線５１とが、信号線５１が直線的に配線された場合に重なり合う位置では、信号線５１の一部を補助配線５４から避けるように内側に水平方向にずらして配線している。また、図３に示すように、補助配線５４と電源線５３とが、電源線５３が直線的に配線された場合に重なり合う位置では、電源線５３を水平方向にずらして２本に枝分かれさせ、その間に補助配線５４が位置するようにしている。
【００３４】
図５は、本実施形態のアクティブマトリックス型表示装置の一例として、有機ＥＬディスプレイ１０における補助配線５４と信号線５１との位置関係及び補助配線５４と電源線５３との位置関係を示す平面図である。
この補助配線５４と信号線５１とは、信号線５１が直線的に配線された場合に、絶縁膜６０（図４参照）を介して上下に重なり合うようになるが、図５（ａ）に示すように、信号線５１には、その一部を水平方向にずらした迂回部５１ａが形成されている。そのため、補助配線５４と信号線５１とが、信号線５１が直線的に配線された場合に上下に重なり合う位置で、信号線５１の一部が迂回部５１ａによって補助配線５４を避けるように水平方向にずらして配線されることとなる。
【００３５】
ここで、迂回部５１ａでは、信号線５１が補助配線５４から水平方向にずらして配線されることとなる。そのため、信号線５１と補助配線５４とが上下に重なり合うことがないので、製造工程での異物の混入等があっても、信号線５１と補助配線５４との間のショートの発生が抑制されるようになる。
【００３６】
また、図５（ｂ）に示すように、補助配線５４と電源線５３とが、電源線５３が直線的に配線された場合に重なり合う位置では、電源線５３が２本に枝分かれしており、その２本の電源線５３の間にスリット５４ａが形成された状態となっている。そして、このスリット５４ａの部分に補助配線５４が位置するように配線されている。そのため、補助配線５４と電源線５３とが、電源線５３が直線的に配線された場合に重なり合う位置で、電源線５３の一部が補助配線５４を避けるように配線されることとなる。
【００３７】
ここで、スリット５４ａの部分では、電源線５３が補助配線５４から水平方向にずらして配線されることとなる。そのため、電源線５３と補助配線５４とが上下に重なり合うことがないので、製造工程での異物の混入等があっても、電源線５３と補助配線５４との間のショートの発生が抑制されるようになる。
【００３８】
このように、本実施形態の有機ＥＬディスプレイ１０は、信号線５１が補助配線５４から水平方向にずらして配線され、電源線５３が補助配線５４から水平方向にずらして配線されている。そのため、補助配線５４と信号線５１との間や、補助配線５４と電源線５３との間において、両者の重なり合いが少なくなっている。したがって、両者間のショートの発生が抑制され、マトリックス状に配列された各有機ＥＬ素子をほぼ確実に発光させることが可能となり、歩留りが改善される。
【００３９】
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は、上述した実施形態に限定されることなく、例えば、以下のような種々の変形が可能である。
（１）本実施形態では、補助配線５４と信号線５１とが上下に重なり合う位置で信号線５１を迂回させ、補助配線５４と電源線５３とが上下に重なり合う位置で電源線５３を枝分かれさせて迂回させている。しかし、これに限らず、補助配線５４と走査線５２とが上下に重なり合う位置で走査線５２を迂回させることもできる。
【００４０】
（２）本実施形態では、信号線５１及び電源線５３を迂回させているが、信号線５１又は電源線５３ではなく、補助配線５４を迂回させるようにしても良い。なお、補助配線５４と走査線５２とが上下に重なり合う位置でも、走査線５２ではなく、補助配線５４を迂回させても良い。
【００４１】
（３）本実施形態では、有機ＥＬ素子２０（発光素子）が発した光を基板１１と反対側から取り出すようにしたトップエミッション方式について説明しているが、有機ＥＬ素子２０（発光素子）が発した光を基板１１と同じ側から取り出すようにしたボトムゲート方式にも適用できる。
【００４２】
（４）本実施形態では、ＴＦＴ３０（ＴＦＴ３０ａ，ＴＦＴ３０ｂ）にａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）層３３を用いているが、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ（ポリシリコン）を用いても良い。また、本実施形態では、発光素子に有機ＥＬ素子（有機エレクトロルミネッセンス素子）２０を用いているが、無機エレクトロルミネッセンス素子や発光ダイオード等、上部電極と下部電極との間に発光層を形成することができる発光素子であれば広く適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本実施形態のアクティブマトリックス型表示装置の一例として、有機ＥＬディスプレイを示す平面図である。
【図２】図１に示す有機ＥＬディスプレイの等価回路図である。
【図３】本実施形態のアクティブマトリックス型表示装置の一例として、有機ＥＬディスプレイの配線構造を示す平面図である。
【図４】図３に示す有機ＥＬディスプレイにおける行方向（図３では、横方向）の断面図である。
【図５】本実施形態のアクティブマトリックス型表示装置の一例として、有機ＥＬディスプレイにおける補助配線と信号線との位置関係及び補助配線と電源線との位置関係を示す平面図である。
【図６】有機ＥＬディスプレイの配線構造の参考例を示す平面図である。
【図７】図６に示す有機ＥＬディスプレイにおける行方向（図６では、横方向）の断面図である。
【符号の説明】
【００４４】
１０  有機ＥＬディスプレイ（アクティブマトリックス型表示装置）
１１  基板
２０  有機ＥＬ素子（発光素子）
２１  アノード電極（下部電極）
２２  カソード電極（上部電極）
２３  有機物層
３０，３０ａ，３０ｂ  ＴＦＴ（駆動手段）
５１  信号線（駆動用配線）
５２  走査線（駆動用配線）
５３  電源線（駆動用配線）
５４  補助配線
６０  絶縁膜
【図１】
0004466722.tif 000002
【図２】
0004466722.tif 000003
【図３】
0004466722.tif 000004
【図４】
0004466722.tif 000005
【図５】
0004466722.tif 000006
【図６】
0004466722.tif 000007
【図７】
0004466722.tif 000008