(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被試験電子部品と試験装置とを電気的に接続する測定用ボードであって、
前記被試験電子部品が電気的に接続されるコンタクタが表面に実装されていると共に、前記コンタクタに電気的に接続された信号用導体配線が表面に形成され、さらに裏面から表面に向かって貫通する貫通孔が形成されたベース基板と、
前記測定用ボードと前記試験装置を電気的に接続するための同軸ケーブルが接続され、前記ベース基板の前記貫通孔に挿入され、中心コンタクトの先端露出部分のインピーダンスと前記先端露出部分の前後との間でインピーダンス不整合を生じるように、前記先端露出部分が折れ曲がって前記信号用導体配線に電気的に接続された同軸コネクタと、
前記ベース基板の前記貫通孔に対向するように設けられ、前記中心コンタクトの先端露出部分の少なくとも一部を覆って、前記中心コンタクトの先端露出部分のインピーダンスを補正するカバー部材と、を備えた測定用ボード。
【請求項２】
前記カバー部材は、
前記中心コンタクトの先端露出部分の周囲に配置された第１の誘電体と、
前記第１の誘電体を挟んで前記中心コンタクトの先端露出部分と対向するように配置された第１の導体配線と、を有する請求項１記載の測定用ボード。
【請求項３】
前記第１の導体配線は、前記第１の誘電体の表面に形成されたＧＮＤパターンであり、
前記第１の誘電体は、前記中心コンタクトの先端露出部分のインピーダンスを当該先端露出部分の前後のインピーダンスに実質的に整合させる厚さを有する請求項２記載の測定用ボード。
【請求項４】
前記第１の誘電体は、前記ベース基板を構成する材料と同一の材料で構成されている請求項２又は３記載の測定用ボード。
【請求項５】
前記カバー部材は、
前記第１の導体配線を挟んで前記中心コンタクトの先端露出部分と対向するように配置された複数の第２の誘電体と、
前記複数の第２の誘電体同士の間、及び、最上部の第２の誘電体の上にそれぞれ積層された複数の第２の導体配線と、をさらに有し、
前記第１の導体配線及び複数の前記第２の導体配線とはビアホールを介して電気的に接続されている請求項２〜４の何れかに記載の測定用ボード。
【請求項６】
前記第２の誘電体は、前記第１の誘電体を構成する材料と同一の材料から構成されている請求項５記載の測定用ボード。
【請求項７】
前記カバー部材において前記ベース基板に半田付けされる面は、金メッキ層を有する請求項１〜６の何れかに記載の測定用ボード。
【請求項８】
前記カバー部材と前記ベース基板との間に介装された固定部材をさらに備えており、
前記同軸コネクタが有する筒形状のシェルの端面は、前記固定部材に当接している請求項１〜７の何れかに記載の測定用ボード。
【請求項９】
請求項１〜８の何れかに記載の測定用ボードを適用したパフォーマンスボードであって、
前記被試験電子部品は、パッケージングされた半導体デバイスであり、
前記コンタクタは、前記ベース基板の表面に実装され、前記半導体デバイスに電気的に接続されるソケットであるパフォーマンスボード。
【請求項１０】
請求項１〜８の何れかに記載の測定用ボードを適用したプローブカードであって、
前記被試験電子部品は、ウェハ上に形成された半導体デバイスであり、
前記コンタクタは、前記ベース基板の表面に実装され、前記半導体デバイスに電気的に接続されるプローブ針であるプローブカード。
【請求項１１】
請求項１〜８の何れかに記載の測定用ボードに用いられるカバー部材。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体集積回路素子等の各種電子部品（以下、代表的にＩＣデバイスとも称する。）を試験装置によりテストする際に、ＩＣデバイスと試験装置とを電気的に接続するための測定用ボード、パフォーマンスボード及びプローブカードに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣデバイス等の電子部品の製造過程においては、パッケージングされた状態でＩＣデバイスの性能や機能を試験するために電子部品試験装置が用いられている。
【０００３】
この電子部品試験装置は、表面にソケットが実装されているとともに同軸ケーブルを介してテストヘッドに接続されたパフォーマンスボードを備えており、ソケットに電気的に接続されたＩＣデバイスとテスタとの間で試験信号を授受することによりＩＣデバイスのテストが実施される。
【０００４】
このパフォーマンスボードの上部には、ＩＣデバイスを搬送して試験時にソケットにＩＣデバイスを押し付けるハンドラが連結される。この連結の際、パフォーマンスボードとハンドラとの間に連結部材や荷重受け金具が介在するため、パフォーマンスボードの表面（ソケットが実装されている側の面）は、出来る限りフラットであることが好ましい。
【０００５】
このような課題を解決するパフォーマンスボードとして図７Ａ及び図７Ｂに示す基板貫通型の同軸コネクタを備えたものが従来から知られている。同図に示すように、このパフォーマンスボード３０’のベース基板３１には貫通孔３１ｃが形成されており、この貫通孔３１ｃを介して、同軸コネクタ５０がベース基板３１の裏面３１ｂから表面３１ａに向かって貫通し、中心コンタクト５１の先端露出部分５１ａが折れ曲がって、ベース基板３１上の信号パターン３３に電気的に接続されている。
【０００６】
このパフォーマンスボード３０’は、上述のようにその表面３１ａがフラットである点で優れているが、中心コンタクト５１の先端露出部分５１ａの周囲にＧＮＤが存在せずに露出しているため、当該先端露出部分５１ａのインピーダンスとその前後のインピーダンスとの間で不整合を生じている。特に、例えば数ＧＨｚ以上の高周波信号を用いて行うＩＣデバイスのテストでは、インピーダンス不整合が生じている先端露出部分５１ａにおいて信号の損失や反射が大きいため、安定した伝送特性を確保することが困難であるという問題がある。
【０００７】
また、中心コンタクト５１の先端露出部分５１ａが約９０度折れ曲がっているため、その部分から外部に高周波信号が漏洩したり、また外部から折れ曲がり部分を介して伝送路にノイズが流入し易いという問題がある。
【発明の開示】
【０００８】
本発明は、高周波信号を用いて被試験電子部品をテストする際にも、低損失・低反射で安定した伝送特性を確保することが可能であると共に、信号の外部への漏洩及びノイズ流入を抑制することが可能な測定用ボード、パフォーマンスボード及びプローブカードを提供することを目的とする。
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明によれば、被試験電子部品と試験装置とを電気的に接続する測定用ボードであって、前記被試験電子部品が電気的に接続されるコンタクタが表面に実装されていると共に、前記コンタクタに電気的に接続された信号用導体配線が表面に形成され、さらに裏面から表面に向かって貫通する貫通孔が形成されたベース基板と、前記測定用ボードと前記試験装置を電気的に接続するための同軸ケーブルが接続され、前記ベース基板の前記貫通孔に挿入され、中心コンタクトの先端露出部分のインピーダンスと前記先端露出部分の前後との間でインピーダンス不整合を生じるように、前記先端露出部分が折れ曲がって前記信号用導体配線に電気的に接続された同軸コネクタと、前記ベース基板の前記貫通孔に対向するように設けられ、前記中心コンタクトの先端露出部分の少なくとも一部を覆って、前記中心コンタクトの先端露出部分のインピーダンスを補正するカバー部材と、を備えた測定用ボードが提供される（請求項１参照）。
【００１０】
本発明では、ベース基板を貫通する同軸コネクタの中心コンタクトの先端露出部分の少なくとも一部をカバー部材で覆って、当該先端露出部分のインピーダンスを補正する。これにより、中心コンタクトの先端露出部分のインピーダンスとその前後のインピーダンスを整合させることが可能となるので、低損失・低反射で安定した伝送特性を確保することができる。
【００１１】
また、折れ曲がっている先端露出部分をカバー部材で覆うので、先端露出部分から信号が外部へ漏洩したり、先端露出部分を介して伝送路にノイズが流入するのを抑制することができる。
【００１２】
上記発明においては特に限定されないが、前記カバー部材は、前記中心コンタクトの先端露出部分の周囲に配置された第１の誘電体と、前記第１の誘電体を挟んで前記中心コンタクトの先端露出部分と対向するように配置された第１の導体配線と、を有することが好ましい（請求項２参照）。
【００１３】
上記発明においては特に限定されないが、前記第１の導体配線は、前記第１の誘電体の表面に形成されたＧＮＤパターンであり、前記第１の誘電体は、前記中心コンタクトの先端露出部分のインピーダンスを当該先端露出部分の前後のインピーダンスに実質的に整合させる厚さを有することが好ましい（請求項３参照）。
【００１４】
上記発明においては特に限定されないが、前記第１の誘電体は、前記ベース基板を構成する材料と同一の材料で構成されていることが好ましい（請求項４参照）。
【００１５】
上記発明においては特に限定されないが、前記カバー部材は、前記第１の導体配線を挟んで前記中心コンタクトの先端露出部分と対向するように配置された複数の第２の誘電体と、前記複数の第２の誘電体同士の間、及び、最上部の第２の誘電体の上にそれぞれ積層された複数の第２の導体配線と、をさらに有し、前記第１の導体配線及び複数の前記第２の導体配線とはビアホールを介して電気的に接続されていることが好ましい（請求項５参照）。
【００１６】
第１の誘電体及び第１の導電配線に加えて、複数の第２の誘電体及び第２の導電配線を交互に積層することにより、カバー部材の厚さが増すので、ベース基板へのカバー部材の取り付けが容易となる。また、ビアホールを介して第１の導電配線と複数の第２の導電配線を電気的に接続することにより、第１の導電配線を同軸コネクタのＧＮＤやベース基板のＧＮＤ層に確実に接続することができる。
【００１７】
上記発明においては特に限定されないが、前記第２の誘電体は、前記第１の誘電体を構成する材料と同一の材料から構成されていることが好ましい（請求項６参照）。
【００１８】
上記発明においては特に限定されないが、前記カバー部材において前記ベース基板に半田付けされる面は、金メッキ層を有することが好ましい（請求項７参照）。これにより、カバー部材をベース基板に取り付け易くなる。
また、上記発明においては特に限定されないが、前記カバー部材と前記ベース基板との間に介装された固定部材をさらに備えており、前記同軸コネクタが有する筒形状のシェルの端面は前記固定部材に当接していることが好ましい（請求項８参照）。
【００１９】
上記目的を達成するために、本発明によれば、上記何れかの測定用ボードを適用したパフォーマンスボードであって、前記被試験電子部品は、パッケージングされた半導体デバイスであり、前記コンタクタは、前記ベース基板の表面に実装され、前記半導体デバイスに電気的に接続されるソケットであるパフォーマンスボードが提供される（請求項９参照）。
【００２０】
上記目的を達成するために、本発明によれば、上記何れかの測定用ボードを適用したプローブカードであって、前記被試験電子部品は、ウェハ上に形成された半導体デバイスであり、前記コンタクタは、前記ベース基板の表面に実装され、前記半導体デバイスに電気的に接続されるプローブ針であるプローブカードが提供される（請求項１０参照）
【００２１】
上記目的を達成するために、本発明によれば、上記何れかの測定用ボードに用いられるカバー部材が提供される（請求項１１参照）。
【００２２】
同軸コネクタの中心コンタクトの先端露出部分にカバー部材を後付けで取り付けることにより、基板貫通型の同軸コネクタが既に取り付けられた測定用ボードの伝送特性を容易にしかも安価に安定させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
【００２４】
図１は本発明の第１実施形態に係るパフォーマンスボードの全体を示す概略断面図、図２Ａは図１のII部の拡大断面図、図２Ｂは図１のII部の拡大平面図、図３Ａは本発明の第１実施形態に係るカバー部材を示す斜視図、図３Ｂは図３ＡのIIB-IIB線に沿った断面図である。
【００２５】
先ず、図１を参照して、本発明の第１実施形態に係るパフォーマンスボード３０が装着される電子部品試験装置について説明する。
【００２６】
電子部品試験装置は、テスタ１０とテストヘッド２０を備えている。テストヘッド２０の上部には、パフォーマンスボード３０の脱着を精度よく行うためのシリンダ機構が搭載されたトッププレート２５が設けられている。このトッププレート２５は、各コネクタを任意の位置に精度良く配置するためのセンターリング２６を有している。テストヘッド２０とトッププレート２５とは、同軸ケーブル２７２及びケーブル２８２を介して電気的に接続されている。トッププレート２５の上部にはさらにパフォーマンスボード３０が設けられている。トッププレート２５とパフォーマンスボード３０は、トッププレート２５の同軸コネクタ２７１とパフォーマンスボード３０の下側の同軸コネクタ３８とが連結されると共に、トッププレート２５のコネクタ２８１とパフォーマンスボード３１のコネクタ３９とが連結されることにより電気的に接続される。そして、特に図示しないハンドラ等によりパフォーマンスボード３０上のソケット４０に被試験ＩＣデバイスが押し付けられると、ＩＣデバイスとテスタ１０との間で試験信号が授受されることにより、ＩＣデバイスの試験が実施される。
【００２７】
本実施形態に係るパフォーマンスボード３０は、図１、図２Ａ及び図２Ｂに示すように、ベース基板３１、同軸コネクタ５０、固定部材７０及びカバー部材８０Ａを備えている。
【００２８】
ベース基板３１は、高周波信号を用いたＩＣデバイスの試験に対応可能な低誘電体材料から構成されており、具体的には例えばポリイミド樹脂やポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）等を挙げることができる。同図に示すように、ベース基板３１の表面３１ａには、試験時にＩＣデバイスが電気的に接続されるソケット４０が実装されていると共に、このソケット４０から貫通孔３１ｃまで信号パターン３３が配線されている。貫通孔３１ｃは、ベース基板３１の所定位置を裏面３１ｂから表面３１ａに貫通するように形成されている。また、ベース基板３１の裏面３１Ｂには、ハンドラ等から押圧されるパフォーマンスボード３０の構造的な強度向上を図るためにスティフナ３７が取り付けられている。
【００２９】
図２Ａに示すように、ベース基板３１の内部にはＧＮＤ層３４が形成されており、信号パターン３３のインピーダンスを実質的に５０［Ω］或いは７５［Ω］など使用する伝送線路に適した値とするマイクロストリップライン３２が、信号パターン３３とＧＮＤ層３４とから構成されている。また、ベース基板３１の表面３１ａにおいて貫通孔３１ｃの周囲には、ビアホール（Vai  Hall）３６を介してＧＮＤ層３４に電気的に接続されたＧＮＤパターン３５が形成されている。
【００３０】
ベース基板３１の貫通孔３１ｃには、裏面３１ｂから表面３１ａに向かって同軸コネクタ５０が貫通するように配置されている。この同軸コネクタ５０の下部には、同軸ケーブル６０の一端が接続されている。なお、この同軸ケーブル６０の他端には、トッププレート２５の同軸コネクタ２７１が連結する下側同軸コネクタ３８が接続されている。
【００３１】
同軸ケーブル６０は、図２Ａに示すように、中心導体６１と、この中心導体６１を被覆している絶縁性の内側被覆部６２と、内側被覆部６２の外周に設けられている外部導体６３と、外部導体６３上を被覆している絶縁性の外側被覆部６４と、から構成されている。中心導体６１及び外部導体６３は、例えば銅等の導電性材料から構成されている。内側被覆部６２は、例えばポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）等の低誘電体材料から構成されている。内側被覆部６２は、中心導体６１のインピーダンスが実質的に５０［Ω］或いは７５［Ω］など使用する伝送線路に適した値となるように、中心導体６１と外部導体６３との間を隔てている。
【００３２】
同軸コネクタ５０は、同軸ケーブル６０の中心導体６１に接続される中心コンタクト５１と、中心コンタクト１１を挿通させ、保持している略円柱形状のインシュレータ５２と、インシュレータ５２を内装して保持している略筒形状のシェル５３と、から構成されている。中心コンタクト５１及びシェル５３は、例えば銅等の導電性材料から構成されている。インシュレータ５２は、例えばポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）等の低誘電体材料から構成されている。インシュレータ５２は、中心コンタクト５１のインピーダンスが実質的に５０［Ω］或いは７５［Ω］など使用する伝送線路に適した値となるように、中心コンタクト５１とシェル５３との間を隔てている。
【００３３】
貫通孔３１ｃを貫通している同軸コネクタ５０の中心コネクタ５１は、ベース基板３１の表面３１ａにおいて先端が露出している。以下、中心コネクタ５０において先端の露出している部分を、単に先端露出部分５１ａと称する。この先端露出部分５１ａは約９０度折れ曲がって、ベース基板３１の表面３１ａ上に形成された信号パターン３３に半田付け５１ｂにより接合されている。
【００３４】
同軸コネクタ５０がベース基板３１の貫通孔３１ｃから突き抜けてしまうのを防止するために、同軸コネクタ５０の上に固定部材７０が設けられている。この固定部材７０は、図２Ｂに示すように、その略中央から一側面に向かって切欠部７１が形成された平板状部材であり、この切欠部７１で中心コンタクト５１の先端露出部分５１ａをベース基板３１の表面３１ａ上に導出させている。そして、図２Ａに示すように、固定部材７０において切欠部７１以外の部分でシェル５３を受け止め、固定部材７０を半田付け７２によりベース基板３１（より詳しくはＧＮＤパターン３５）に接合することにより、同軸コネクタ５０が貫通孔３１ｃを突き抜けてしまうのを防止している。
【００３５】
さらに本実施形態では、固定部材７０の上にカバー部材８０Ａが設けられている。このカバー部材８０Ａは、図３Ａ及び図３Ｂに示すように、第１の基板８１及び第１のＧＮＤ層８２から構成される平板状部材である。第１の基板８１は、信号パターン８７を介して、同軸コネクタ５０の中心コンタクト５１の先端露出部分５１ａ（図３Ｂにおいて破線で示す）に接するように配置されており、この第１の基板８１において先端露出部分５１ａに接触している面とは反対側の面に第１のＧＮＤ層８２が形成されている。なお、第１の基板８１上に形成された信号パターン８７は、中心コンタクト５１の先端露出部分５１ａと接触して、第１のＧＮＤ層８２との間でのインピーダンス整合を容易に精度良く実現することを目的としたパターンである。本発明においては、信号パターン８７は必須の構成要件ではなく、信号パターン８７を設けずに第１の基板８１に中心コンタクト５１の先端露出部分５１ａを直接接触させても良い。
【００３６】
第１の基板８１は、例えばポリイミド樹脂やポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）等の低誘電体材料から構成されており、ベース基板３１を構成する材料と同一の材料で構成されていることが好ましい。第１の基板８１は、同軸コネクタ５０の中心コンタクト５１の先端露出部分５１ａのインピーダンスが実質的に５０［Ω］或いは７５［Ω］など使用する伝送線路に適した値となるように厚さＴを有している。このため本実施形態では、中心コンタクト５１の先端露出部分５１ａのインピーダンスが、同軸コネクタ５０の中心導体６１やベース基板３１上の信号パターン３３のインピーダンスと整合している。
【００３７】
また、本実施形態では、中心コンタクト５１の先端露出部分５１ａをカバー部材８０Ａで覆われるので、先端露出部分５１ａから信号が外部へ漏洩したり、先端露出部分５１ａから伝送路にノイズが流入するのを抑制することができる。
【００３８】
図３Ａ及び図３Ｂに示すように、カバー部材８０Ａにおいて、ベース基板３１の表面３１ａに形成されたＧＮＤパターン３５に半田付けされる三面（カバー部材８０Ａにおいて同軸コネクタ５０の中心コンタクト５１が延びている方向を除く三つの側面）に、メタルエッジ加工により金メッキ層８６が形成されている。これにより、細かな部品であるカバー部材８０Ａを、ベース基板３１に半田付けし易くなる。
【００３９】
［第２実施形態］
図４Ａは本発明の第２実施形態に係るカバー部材を示す斜視図、図４Ｂは図４ＡのIVB-IVB線に沿った断面図である。
【００４０】
本実施形態に係るパフォーマンスボードは、第１実施形態におけるカバー部材８０Ａと厚さが異なる点で相違するが、その他の構成は同一である。以下に、本実施形態におけるパフォーマンスボードにおいて、第１実施形態との相違点についてのみ説明する。
【００４１】
本実施形態におけるカバー部材８０Ｂは、図４Ａ及び図４Ｂに示すように、第１の基板８１及び第１のＧＮＤ層８２に加えて、２つの第２の基板８３と２つの第２のＧＮＤ層８４を備えている。
【００４２】
第１の基板８１は、第１のカバー部材８０Ａと同様に、信号パターン８７を介して、同軸コネクタ５０の中心コンタクト５１の先端露出部分５１ａ（図４Ｂにおいて破線で示す）に接するように配置されている。そして、この第１の基板８１において先端露出部分５１ａに接触している面とは反対側の面に第１のＧＮＤ層８２が形成されている。なお、第１の基板８１上に形成された信号パターン８７は、中心コンタクト５１の先端露出部分５１ａと接触して、第１のＧＮＤ層８２との間でのインピーダンス整合を容易に精度良く実現することを目的としたパターンである。なお、本発明においては、信号パターン８７は必須の構成要件ではなく、信号パターン８７を設けずに第１の基板８１に中心コンタクト５１の先端露出部分５１ａを直接接触させても良い。
【００４３】
本実施形態では、第１のＧＮＤ層８２の上に２つの第２の基板８３が積層されており、さらに、これら第２の基板８３の間及び最上部の第２の基板８３の表面に第２のＧＮＤ層８４がそれぞれ形成されている。
【００４４】
第１及び第２の基板８１、８３は、いずれも例えばポリイミド樹脂やポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）等の低誘電体材料から構成されており、ベース基板３１を構成する材料と同一の材料で構成されていることが好ましい。
【００４５】
第１の基板８１は、第１実施形態におけるカバー部材８０Ａと同様に、同軸コネクタ５０の中心コンタクト５１の先端露出部分５１ａのインピーダンスが実質的に５０［Ω］或いは７５［Ω］など使用する伝送線路に適した値となるように厚さＴを有している。これに対し、第２の基板８３は、カバー部材８０Ｂの構造的な強度向上などを目的として総厚を増すためのダミーであるので、インピーダンス整合のための厚さの制約は特にない。
【００４６】
本実施形態では、第１の基板８１による先端露出部分５１ａのインピーダンス整合に加えて、第２の基板８３及び第２のＧＮＤ層８４により、細かな部品であるカバー部材８０Ｂを厚くすることができるので、カバー部材８０Ｂの取り扱いが容易となる。
【００４７】
さらに、本実施形態では、第１のＧＮＤ層８２と２つの第２のＧＮＤ層８４とがビアホール８５を介して電気的に接続されている。第１のＧＮＤ層８２の端面がカバー部材８０Ｂの側面で露出していない場合、最上部の第２のＧＮＤ層８４を介して第１のＧＮＤ層８２を同軸コネクタ５０のシェル５３やベース基板３１のＧＮＤ層３４に電気的に接続することができ、パフォーマンスボードにおける伝送安定性をさらに安定させることができる。
【００４８】
図４Ａ及び図４Ｂに示すように、カバー部材８０Ｂにおいて、ベース基板３１の表面３１ａに形成されたＧＮＤパターン３５に半田付けされる三面（カバー部材８０Ｂにおいて同軸コネクタ５０の中心コンタクト５１が延びている方向を除く三つの側面）に、メタルエッジ加工により金メッキ層８６が形成されている。これにより、カバー部材８０Ａの取付作業性が向上することに加えて、第１のＧＮＤ層８２及び第２のＧＮＤ層８４をそれらの端面で電気的に接続することができるので、パフォーマンスボードにおける伝送安定性をさらに安定させることができる。
【００４９】
［第３実施形態］
図５は本発明の第３実施形態に係るパフォーマンスボードにおける同軸コネクタの接続部を示す拡大断面図である。
【００５０】
第１及び第２実施形態では、貫通孔３１ａを貫通した一つの同軸コネクタ５０（詳しくは中心コンタクト５１の先端露出部分５１ａ）のみをカバー部材８０Ａ、８０Ｂが覆うように説明したが、図５に示すように、ベース基板３１上の同一の信号パターン３３で接続されている複数の同軸コネクタ５０を、一つのカバー部材８０Ｃで覆うようにしても良い。
【００５１】
第１〜第３実施形態では、パッケージングされたＩＣデバイスのテストに用いられるパフォーマンスボードに本発明を適用した例について説明した。本発明については特にこれに限定されず、以下の第４実施形態で説明するように、半導体ウェハ上に造り込まれたＩＣデバイスのテストに用いられるプローブカードに適用しても良い。
【００５２】
［第４実施形態］
図６は本発明の第４実施形態に係るプローブカードを示す断面図である。
【００５３】
本実施形態に係るプローブカード９０は、図６に示すように、ＩＣデバイスに電気的に接触する複数のプローブ針９１と、プローブ針９１が表面９２ａに実装されたベース基板９２と、ベース基板９２の裏面９２ｂから表面９２ａに向かって貫通孔９２ｃに挿入された同軸コネクタ９５と、プローブカード９０の構造的な強度向上を図るためにベース基板９２の裏面９２ｂに取り付けられたスティフナ９４と、を備えている。同軸コネクタ９５の中心コンタクトの先端露出部分９５ａは、ベース基板９２の表面９２ａに形成された信号パターン９３に電気的に接続されている。
【００５４】
図６では図示を省略しているが、本実施形態では、同軸コネクタ９５の先端露出部分９５ａが、第１実施形態と同様のカバー部材８０Ａで覆われている。このため、同軸コネクタ９５の先端露出部分９５ａのインピーダンスがその前後のインピーダンスに整合している。また、先端露出部分９５ａから信号が外部に漏洩したり、先端露出部分９５ａから伝送路にノイズが流入するのを抑制することができる。なお、本実施形態では、先端露出部９５ａを覆うカバー部材として、第１実施形態にて説明したカバー部材８０Ａの代わりに、第２実施形態にて説明した第２の基板８３及び第２のＧＮＤ層８４を有するカバー部材８０Ｂを用いても良い。
【００５５】
なお、以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記の実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。
【００５６】
例えば、基板貫通型の同軸コネクタが既に取り付けられたパフォーマンスボードやプローブカードに、後付けでカバー部材を取り付けても良い。これにより、基板貫通型の同軸コネクタを備えた既存のパフォーマンスボードやプローブカードの伝送特性を容易にしかも安価に安定させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】図１は、本発明の第１実施形態に係るパフォーマンスボードの全体を示す概略断面図である。
【図２Ａ】図２Ａは、図１のII部の拡大断面図である。
【図２Ｂ】図２Ｂは、図１のII部の拡大平面図である。
【図３Ａ】図３Ａは、本発明の第１実施形態に係るカバー部材を示す斜視図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは、図３ＡのIIIB-IIIB線に沿った断面図である。
【図４Ａ】図４Ａは、本発明の第２実施形態に係るカバー部材を示す斜視図である。
【図４Ｂ】図４Ｂは、図４ＡのIVB-IVB線に沿った断面図である。
【図５】図５は、本発明の第３実施形態に係るパフォーマンスボードにおける同軸コネクタの接続部を示す拡大断面図である。
【図６】図６は、本発明の第４実施形態に係るプローブカードを示す断面図である。
【図７Ａ】図７Ａは、従来のパフォーマンスボードにおける同軸コネクタの接続部を示す拡大断面図である。
【図７Ｂ】図７Ｂは、従来のパフォーマンスボードにおける同軸コネクタの接続部を示す拡大平面図である。
【符号の説明】
【００５８】
１０…テスタ
２０…テストヘッド
２５…トッププレート
２６…センターリング
２７１…同軸コネクタ
２７２…同軸ケーブル
２８１…コネクタ
２８２…ケーブル
３０、３０’…パフォーマンスボード
３１…ベース基板
３１ａ…裏面
３１ｂ…表面
３１ｃ…貫通孔
３２…マイクロストリップライン
３３…信号パターン
３４…ＧＮＤ層
３５…ＧＮＤパターン
３６…ビアホール
３７…スティフナ
３８…同軸コネクタ
３９…コネクタ
４０…ソケット
５０…同軸コネクタ
５１…中心コンタクト
５１ａ…先端露出部分
５１ｂ…半田付け
５２…インシュレータ
５３…シェル
６０…同軸ケーブル
６１…中心導体
６２…内側被覆部
６３…外部導体
６４…外側被覆部
７０…固定部材
７１…切欠部
７２…半田付け
８０Ａ、８０Ｂ、８０Ｃ…カバー部材
８１…第１の基板
８２…第１のＧＮＤ層
８３…第２の基板
８４…第２のＧＮＤ層
８５…ビアホール
８６…金メッキ層
８７…信号パターン
９０…プローブカード
９１…プローブ針
９２…ベース基板
９２ａ…表面
９２ｂ…裏面
９２ｃ…貫通孔
９３…信号パターン
９４…スティフナ
９５…同軸コネクタ
９５ａ…先端露出部分
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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