(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板を準備する段階と、
前記絶縁基板上にチャネル領域に対応するゲート電極を形成し、前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート絶縁膜上に前記チャネル領域を定義するために離間して設けられるソース電極及びドレイン電極を形成する段階と、
前記ソース電極とドレイン電極上に第１保護層を形成する段階と、
前記第１保護層上に前記チャネル領域に対応する開口部が設けられた金属層を形成する段階と、
前記金属層をマスクとして利用して前記開口部を通じ前記第１保護層に前記チャネル領域を露出させる載置孔を形成する段階と、
前記載置孔の内部と前記金属層の上に有機半導体層と第２保護層を順に形成する段階と、
前記金属層、前記載置孔以外の前記有機半導体層及び第２保護層を除去する段階と、
を含み、
前記有機半導体層と前記第２保護層を順に形成する段階では、前記載置孔の段差によって、前記有機半導体層が前記載置孔の内部と前記金属層の上とで分離されて形成され、かつ、前記第２保護層は前記載置孔内部の前記有機半導体層の上面及び側面を全て覆うように形成され、
前記除去する段階では、メタルエッチング剤により前記金属層が分離される間に、メタルリフト工程によって、前記載置孔以外の前記有機半導体層及び前記第２保護層が持ち上げられて除去されることを特徴とする平板表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記金属層、有機半導体層及び第２保護層の除去段階は、リフトオフ（lift-off）法に
よって行われることを特徴とする、請求項１に記載の平板表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記リフトオフ工程に用いられるエッチング剤は、前記第２保護層に実質的に影響を及ぼさないことを特徴とする、請求項２に記載の平板表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記金属層及び前記金属層の上部層は同時に除去されることを特徴とする、請求項１に記載の平板表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記載置孔は、ウェットエッチング（wet etching）工程によって形成されることを特
徴とする、請求項１に記載の平板表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記載置孔の幅は、前記開口部の幅よりさらに大きく形成されることを特徴とする、請求項１に記載の平板表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記金属層の少なくとも一部は、前記載置孔の上部において前記第１保護層から突出して形成されていることを特徴とする、請求項１に記載の平板表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記ソース電極及びドレイン電極の形成前に、前記絶縁基板上にデータ配線を形成する段階をさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の平板表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記データ配線の少なくとも一部を露出させる第１接触孔を有する層間絶縁膜を形成する段階をさらに含むことを特徴とする、請求項８に記載の平板表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記層間絶縁膜上に前記チャネル領域に対応するゲート電極を形成する段階をさらに含むことを特徴とする、請求項９に記載の平板表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記有機半導体層は、蒸発法（Evaporation）によって形成されることを特徴とする、
請求項１に記載の平板表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記有機半導体層は、インクジェット（inkjet）方法によって形成されることを特徴と
する、請求項１に記載の平板表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は平板表示装置の製造方法に係わり、より詳しくは、有機薄膜トランジスターの特性が損なわれることを減少することができる平板表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
平板表示装置は、各ピクセルの動作を制御及び駆動するスイチング及び駆動素子として薄膜トランジスター（Thin Film Transistor：TFT）を備える薄膜トランジスター基板を含む。ここで、薄膜トランジスターは、ゲート電極、ゲート電極を中心に分離されてチャネル領域を定義するソース電極とドレイン電極及び半導体層を含んでいる。この半導体層としては、非晶質シリコンやポリシリコンが用いられるが、最近では、有機半導体の適用が進められている。
【０００３】
有機半導体は常温、常圧で形成できるので、工程単価を低減することができ、熱に弱いプラスチック基板に適用できるという長所がある。しかし、このような有機半導体は耐化学物質性能及び耐プラズマ性能が脆弱であるという短所がある。これを補うためにゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を形成した後に、最後に有機半導体層を形成し、電極と有機半導体層との間に厚い有機膜であるゲート絶縁膜を介在させる構造を採用している。そして、保護層を利用して全面に形成された有機半導体層をパターニングして、チャネル領域にだけ有機半導体層を残す。
【０００４】
ここで、有機半導体層のパターニングのために、有機半導体層上の全面に塗布された保護層をパターニングして、チャネル領域に対応する保護層のみを残さなければならず、この時、保護層のパターニングに用いられる化学物質などによって、有機半導体層が損傷する可能性がある。 そのため、有機半導体層に影響を及ぼさない物質によってパターニング可能な保護層物質を用いるが、このような保護層物質はコーティング性能がよくないという制約がある。
【０００５】
そして、保護層が覆われた有機半導体層の部分は、有機半導体層のパターニングの際に安全に保護されるが、保護層によって覆われていない有機半導体層の両側面は開放状態となっており、パターニングに用いられる化学物質などによって損傷を受け得るという問題点がある。また、有機半導体層のパターニングの際に両側面が開放された構造のため、十分なエッチングが行われなくて、エッチング均一性（etching uniformity）が良好でない場合、画素電極上に有機半導体物質が残留して不良が発生し得る問題点がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
そこで、本発明の目的は、有機薄膜トランジスターの特性が損なわれることを減少することが可能な平板表示装置の製造方法を提供することにある。
本発明の他の目的は、有機薄膜トランジスターの特性が損なわれることを減少した平板表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
第１に、絶縁基板を準備する段階と、前記絶縁基板上にチャネル領域に対応するゲート電極を形成し、前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート絶縁膜上に前記チャネル領域を定義するために離間して設けられるソース電極及びドレイン電極を形成する段階と、前記ソース電極とドレイン電極上に第１保護層を形成する段階と、前記第１保護層上に前記チャネル領域に対応する開口部が設けられた金属層を形成する段階と、前記金属層をマスクとして利用して前記開口部を通じ前記第１保護層に前記チャネル領域を露出させる載置孔を形成する段階と、前記載置孔の内部と前記金属層の上に有機半導体層と第２保護層を順に形成する段階と、前記金属層、前記載置孔以外の前記有機半導体層及び第２保護層を除去する段階と、を含み、前記有機半導体層と前記第２保護層を順に形成する段階では、前記載置孔の段差によって、前記有機半導体層が前記載置孔の内部と前記金属層の上とで分離されて形成され、かつ、前記第２保護層は前記載置孔内部の前記有機半導体層の上面及び側面を全て覆うように形成され、前記除去する段階では、メタルエッチング剤により前記金属層が分離される間に、メタルリフト工程によって、前記載置孔以外の前記有機半導体層及び前記第２保護層が持ち上げられて除去されることを特徴とする平板表示装置の製造方法を提供する。
【０００８】
第２に、前記金属層、有機半導体層及び第２保護層の除去段階は、リフトオフ（lift-off）法によって行われることを特徴とする。
第３に、前記リフトオフ工程に用いられるエッチング剤は、前記第２保護層に実質的に影響を及ぼさないことを特徴とする、請求項２に記載の平板表示装置の製造方法。
【０００９】
第４に、前記金属層及び前記金属層の上部層は同時に除去されることを特徴とする。
第５に、前記載置孔は、ウェットエッチング（wet etching）工程によって形成されることを特徴とする。
【００１０】
第６に、前記載置孔の幅は、前記開口部の幅よりさらに大きく形成されることを特徴とする。
第７に、前記金属層の少なくとも一部は、前記載置孔の上部において前記第１保護層から突出して形成されていることを特徴とする。
【００１１】
第８に、前記ソース電極及びドレイン電極の形成前に、前記絶縁基板上にデータ配線を形成する段階をさらに含むことを特徴とする。
第９に、前記データ配線の少なくとも一部を露出させる第１接触孔を有する層間絶縁膜を形成する段階をさらに含むことを特徴とする。
【００１２】
第１０に、前記層間絶縁膜上に前記チャネル領域に対応するゲート電極を形成する段階をさらに含むことを特徴とする。
第１１に、前記ゲート電極と前記ソース及びドレイン電極との間にゲート絶縁膜を形成する段階をさらに含むことを特徴とする。
第１２に、前記有機半導体層は、蒸発法（Evaporation）によって形成されることを特徴とする。
第１３に、前記有機半導体層は、インクジェット（inkjet）方法によって形成されることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、有機薄膜トランジスターの特性が損なわれることを減少できる平板表示装置の製造方法が提供される。
また、有機薄膜トランジスターの特性が損われることを減少した平板表示装置が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、添付された図面を参照して、本発明についてさらに詳細に説明する。
以下において、ある膜（階）が他の膜（階）の‘上に’形成されて（位置して）いるというのは、２つの膜（階）が接している場合だけでなく、２つの膜（階）の間に他の膜（階）が存在する場合も含む。
図１は本発明による薄膜トランジスター基板の配置図を概略的に示したものであり、 図２は図１のII-II線による断面図である。
【００１５】
本発明による平板表示装置は、各ピクセルの動作を制御及び駆動するスイッチング及び駆動素子として薄膜トランジスター（TFT）を備えている薄膜トランジスター基板１００を含む。
薄膜トランジスター基板１００は、絶縁基板１１０と、絶縁基板上に形成されているデータ配線１２０と、データ配線１２０上に形成されている層間絶縁膜１３０と、層間絶縁膜１３０上に形成されているゲート配線１４０と、ゲート配線１４０上に形成されているゲート絶縁膜１５０と、ゲート絶縁膜１５０上に形成されている透明電極層１６０と、透明電極層１６０の少なくとも一部と接しながらゲート絶縁膜１５０ 上に形成されている有機半導体層１９０とを含む。
【００１６】
絶縁基板１１０はガラスまたはプラスチックで形成することができる。絶縁基板１１０がプラスチックで構成される場合、平板表示装置に柔軟性を付与することができる長所があるが、絶縁基板１１０が熱に弱いという短所がある。本発明のように有機半導体層１９０を用いれば、半導体層の形成を常温、常圧で行うことができるので、プラスチック素材の絶縁基板１１０を用いるのに容易であるという長所がある。ここで、 プラスチック種類としては、ポリカーボン（polycarbon）、ポリイミド（polyimide）、PES、PAR、PEN、PETなどが可能である。
【００１７】
データ配線１２０は絶縁基板１１０上に形成されている。データ配線１２０は、絶縁基板１１０上に一方向に延長されているデータ線１２１と、データ線１２１の端部に設けられ、外部からの駆動または制御信号を受信するデータパッド１２３とを含む。データ配線１２０の材料としては、安価で電気伝導度の良好なAl、Cr、Moや、相対的に高価であるAu、Pt、Pd、ITO、IZOのうちの少なくともいずれか１つを含むことができる。そして、データ配線１２０は、前述の材料のうちの少なくともいずれか１つを含む単一層または複数層で構成することができる。
【００１８】
本発明においては、データ配線１２０の形成過程で用いられる化学物質からゲート絶縁膜１５０を保護するためにデータ配線１２０を先に形成し、データ配線１２０上に層間絶縁膜１３０を形成する構造を採用している。
絶縁基板１１０上には、層間絶縁膜１３０がデータ配線１２０を覆うように形成されている。層間絶縁膜１３０は、データ配線１２０とゲート配線１４０との間の電気的絶縁のための層であって、窒化ケイ素（SiNx）または酸化ケイ素（SiOx）などのような無機物質から構成されている。一方、図示されていないが、層間絶縁膜１３０は、前述のような無機物質からなる層の上に有機物質からなる有機膜をさらに備える構成とすることができる。これは、データ配線１２０の形成の際に用いられる化学物質またはプラズマが残存して、後述する接触孔１５１、１５２の隙間または界面間に流入して、耐化学物質性能及び耐プラズマ性能に脆弱な後述する有機半導体層１９０を損傷し得るので、厚い有機膜をさらに形成することで有機半導体層１９０を完璧に保護するためのものである。そして、層間絶縁膜１３０上には、データ線１２１とデータパッド１２３をそれぞれ露出させる第１接触孔１５１と第２接触孔１５２とが形成されている。
【００１９】
層間絶縁膜１３０上にはゲート配線１４０が形成されている。ゲート配線１４０は、上述したデータ線１２１と電気的に絶縁された状態で交差して画素領域を定義するゲート線１４１と、ゲート線１４１の端部に設けられ外部から駆動または制御信号の印加を受けるゲートパッド１４５と、ゲート線１４１の分岐であって後述する有機半導体層１９０に対応する所に形成されているゲート電極１４３とを含む。
【００２０】
ゲート配線１４０もデータ配線１２０のようにAl、Cr、Mo、Au、Pt、Pdのうちの少なくともいずれか１つを含むことができ、単一層または複数層で構成することができる。
ゲート配線１４０上にはゲート絶縁膜１５０が形成されている。ゲート絶縁膜１５０はデータ配線１２０とゲート配線１４０とを相互に電気絶縁する役割を果たすと同時に、耐化学物質性能及び耐プラズマ性能に脆弱な有機半導体層１９０に不純物が流入することを防止する。ゲート絶縁膜１５０は、窒化ケイ素（SiNx）または酸化ケイ素（SiOx）、BCB、シリコン高分子（Si polymer）、PVVなどの無機物質及び有機物質のうちの少なくともいずれか１つを含んで構成することができる。そして、ゲート絶縁膜１５０にはゲートパッド１４７を露出させる第３接触孔１５３が形成されており、第１及び第２接触孔１５１、１５２に対応する孔も形成されている。
【００２１】
ゲート絶縁膜１５０上には透明電極層１６０が形成されている。透明電極層１６０は、第１接触孔１５１を通じてデータ線１２１と接続され有機半導体層１９０と少なくとも一部が接するソース電極１６１と、有機半導体層１９０を介在してソース電極１６１と分離されているドレイン電極１６３と、ドレイン電極１６３と接続されて画素領域を満たしている画素電極１６５とを含む。
【００２２】
そして、データパッド１２３と接続されているデータパッド接触部材１６７と、第３接触孔１５３を通じてゲートパッド１４５と接続されているゲートパッド接触部材１６６とをさらに含む。
透明電極層１６０はITO（indium tin oxide）またはIZO（indium zinc oxide）などの透明な導電物質で構成される。ソース電極１６１は第１接触孔１５１を通じてデータ線１２１と物理的・電気的に接続され、画像信号の伝達を受ける。そして、ゲート電極１４３を介在してソース電極１６１と離間してチャネル領域Ａを定義するドレイン電極１６３は、ソース電極１６１と共に薄膜トランジスタ（TFT）を形成し、各画素電極１６５の動作を制御及び駆動するスイッチング及び駆動素子として作動する。
【００２３】
ゲート絶縁膜１５０上には第１保護層１７０が形成されている。第１保護層１７０にはチャネル領域Ａを露出させ、後に有機半導体層１９０が載置する載置孔１７１が設けられている。第１保護層１７０は、ポリビニールアルコール（PVA）、ベンゾシクロブテン（BCB）などの物質からなる有機膜とすることができ、アクリル系感光性有機膜で構成することもできる。そして、第１保護層１７０は、金属層１８０を活用したウェットエッチング工程によって有機半導体層１９０が載置される載置孔１７１を設けるために、厚く形成することが好ましい。
【００２４】
第１保護層１７０に形成された載置孔１７１の内部には、有機半導体層（organic semiconductor layer）１９０が位置している。有機半導体層１９０はチャネル領域Ａを覆っており、露出されているソース電極１６１及びドレイン電極１６３と少なくとも一部が接している。
このような有機半導体層１９０としては、ベンゼン環が５つ連結されているペンタセン（pentacene）、ペリレンテトラカルボン酸二無水物（perylene tetra corboxylic dianhyride：PTCDA）、オリゴチオペン（oligothiopene）、ポリチオフェン（polythiophene）、ポリチエニレンビニレン（polythienylenevinylene）などを用いられることができる。その外にも一般的に用いられる公知の有機半導体物質を用いることもできる。
【００２５】
有機半導体層１９０の上部の載置孔１７１の内部には第２保護層２００が形成されている。第２保護層２００は、後述するリフトオフ工程の進行の際に有機半導体層１９０の特性が劣化することを防止するための層であって、上述した第１保護層１７０と同一であるか、または異なる物質を用いることができる。第２保護層２００の厚みは第１保護層１７０の厚みと異なり、好ましくは少し小さいように形成される。そして、第２保護層２００は、後述するリフトオフ工程で用いられるエッチング剤（etchant）に影響を受けない材質で構成することが好ましい。
【００２６】
第２保護層２００上には、第１接触孔１５１からチャネル領域Ａまで覆った保護膜２１０がさらに形成されている。保護膜２１０は選択的なものであって、有機半導体層１９０の特性が劣化することを防止するための層である。保護膜２１０は有機物質からなり、アクリル系の感光性有機膜で構成することができる。
以下、図３ａ〜３ｋを参照して、有機薄膜トランジスター（O-TFT）を具備した平板表示装置の製造方法について説明する。
【００２７】
図３ａに示したように、ガラス、石英、セラミックまたはプラスチックなどの絶縁性材質を含んで作られた絶縁基板１１０を準備する。可撓性（flexible）平板表示装置を製作するには、プラスチック基板を用いることが好ましい。
次に、図３ｂに示したように、絶縁基板１１０上にデータ配線物質をスパッタリング（sputtering）などの方法によって蒸着した後、写真平版（photolithography）工程を通じてデータ線１２１を形成する。
【００２８】
そして、図３ｃに示したように、窒化ケイ素（SiNx）または酸化ケイ素（SiOx）などのような無機物質及びポリビニールアルコール（PVA）、ベンゾシクロブテン（BCB）などの有機物質のうちの少なくともいずれか１つからなる層間絶縁物質を、絶縁基板１１０とデータ配線１２０上にコーティングして層間絶縁膜１３０を形成する。層間絶縁物質が有機物質である場合には、スピンコーティングまたはスリットコーティングなどの方法によって形成することができ、無機物質である場合には化学気相蒸着、プラズマ強化化学気相蒸着方法によって形成することができる。有機膜層と無機膜層の双方を形成することができ、感光性有機膜などを遮断壁として利用してエッチング工程を通じデータ線１２１を露出させる第１接触孔１５１を形成する。そして、図示されていないが第１接触孔１５１と同時にデータパッド１２３を露出させる第２接触孔を形成する。
【００２９】
次に、図３ｄに示したように、層間絶縁膜１３０上にAl、Cr、Mo、Au、Pt、Pdのうちのいずれか１つを含むゲート配線物質をスパッタリングなどの方法によって蒸着した後、フォトエッチング工程を通じてゲート線１４１、ゲート電極１４３及びゲートパッド１４５を形成する。
その後、ゲート配線１４０と層間絶縁膜１３０上にポリビニールアルコール（PVA）、ベンゾシクロブテン（BCB）などの有機物質からなる厚いゲート絶縁膜１５０を形成する。ゲート絶縁膜１５０はスピンコーティングまたはスリットコーティングなどの方法によって形成され、感光性有機膜などを遮断壁として利用してエッチング工程を通じ第１接触孔１５１と対応する孔と第３接触孔１５３とを形成する。そして、ゲート絶縁膜１５０は、窒化ケイ素（SiNx）または酸化ケイ素（SiOx）などのような無機物質で形成することができ、この時には化学気相蒸着、プラズマ強化化学気相蒸着方法によって形成することができる。
【００３０】
次に、図３ｆに示したように、ITOまたはIZOのような透明の導電性金属酸化物（透明導電物質）をゲート絶縁膜１５０上にスパッタリングを通じて形成した後、フォトエッチング工程またはエッチング工程を利用して透明電極層１６０を形成する。透明電極層１６０は、第１接触孔１５１を通じてデータ線１２１と接続され有機半導体層１７０と少なくとも一部が接するソース電極１６１と、有機半導体層１９０を介在してソース電極１６１と分離されてチャネル領域Ａを定義するドレイン電極１６３と、ドレイン電極１６３と接続されて画素領域を満たしている画素電極１６５とを含む。そして、図１に示したように、データパッド１２３と接続されているデータパッド接触部材１６７と、第３接触孔１５３を通じてゲートパッド１４５と接続されているゲートパッド接触部材１６６とをさらに含む。
【００３１】
その後、図３ｇに示したように、透明電極層１６０上にポリビニールアルコール（PVA）、ベンゾシクロブテン（BCB）、アクリル系の感光性有機物質などからなる第１保護層物質をコーティングして、第１保護層１７０を形成する。
そして、図３ｈに示したように、第１保護層１７０上に金属物質層をスパッタリング工程を通じて形成した後、フォトエッチング工程またはエッチング工程を通じてチャネル領域Ａに対応する開口部１８１を有する金属層１８０を形成する。開口部１８１の幅ｄ２は、チャネル領域Ａの幅Ｄ３よりさらに大きく形成することが好ましい。
【００３２】
そして、図３ｉに示したように、開口部１８１が設けられた金属層１８０をマスクとして利用してウェットエッチング工程を通じチャネル領域Ａを露出させる載置孔１７１を第１保護膜１７０に形成する。金属層１８０は金属物質から形成されており、第１保護層１７０は有機物質から形成されているので、過度なウェットエッチング工程によって第１保護層１７０がさらにエッチングされる。これによって、金属層１８０の少なくとも一部は、第１保護層１７０より載置孔１７１の方向にさらに延長された形状で形成される。つまり、載置孔１７１の幅ｄ１は、開口部１８１の幅ｄ２よりさらに大きく形成される。
【００３３】
その後、図３ｊに示したように、金属層１８０の上部と載置孔１７１の内部に有機半導体物質を加えて有機半導体層１９０を形成する。有機半導体層１９０は蒸発法を通じて形成することができる。
次に、図３ｋに示したように、有機半導体層１９０上にスピンコーティングまたはスリットコーティング法を通じて第２保護層２００を形成する。この時、第２保護層２００は有機物質であるため、有機半導体層１９０の上面と側面の全てを覆うようになる。
【００３４】
載置孔１７１の段差によって、載置孔１７１の内部と載置孔１７１の周辺領域に分離されているので、有機半導体層１９０が載置孔１７１の内部に形成されると同時に所望の形状に有機半導体層１９０がパターニングされる。
その後、メタルリフトオフ工程を通じて金属層１８０及びその上部層１９０、２００を除去する。しかし、金属層１８０が下部に存在しない載置孔１７１の内部の有機半導体層１９０と第２保護層２００は、除去されずに残る。ここで、メタルリフトオフ工程とは、金属に特定的に反応して金属層１８０を分離することができるメタルエッチング剤に前記基板を入れて、金属層１８０及びその上部層１９０、２００を全て除去する工程である。つまり、金属層１８０が分離される間に、金属層１８０の上部層１９０、２００が持ち上げられて（lift-off）共に除去される。
【００３５】
ここで、リフトオフ工程に用いられるエッチング剤は、第２保護層２００に実質的に影響を及ぼさないことが好ましい。つまり、第２保護層２００がリフトオフ工程に用いられるエッチング剤によってエッチングされないことが好ましい。載置孔１７１以外の金属層１８０及びその上部層１９０、２００が同時に除去されて有機半導体層１９０のパターニングが完了する。この過程で有機半導体層１９０は第２保護層２００によって上面と側面が保護されるので、化学物質またはプラズマによる影響を受けず、有機半導体層１９０の特性が劣化しない。
【００３６】
そして、図２に示したように、第１接触孔１５１上に有機保護膜２１０がさらに形成される。保護膜２１０は選択的なものであって、保護膜２１０が感光性有機膜からなる場合、コーティング、露光及び現像を通じて形成することができ、シリコン窒化物のような無機膜からなる場合、蒸着とフォトエッチング工程を通じて形成することができる。
これによって、有機薄膜トランジスター（Organic Thin Film Transistor：O-TFT）が作成され、公知の方法によって、有機薄膜トランジスターを含む液晶ディスプレイ素子や有機電界発光ディスプレイ素子または無機電界発光ディスプレイ素子などの平板表示装置を作成できる。
【００３７】
上述したように、本発明は有機半導体層１９０のパターンをフォトエッチング及び／又はエッチング工程によって形成しない。本発明においては、金属層１８０を利用して第１保護層１７０に有機半導体層１９０が載置される載置孔１７１を形成した後、金属エッチング剤（metal etchant）に影響がない第２保護層２００によって有機半導体層１９０の上面とすべての側面を保護し、メタルリフトオフ工程を通じて載置孔１７１以外の有機半導体層１９０を除去することによって、有機半導体層１９０をパターニングする。本発明による有機半導体層１９０のパターニング方法は、フォトエッチングまたはエッチング工程によらないので、耐化学物質性能及び耐プラズマ性能に脆弱な有機半導体層１９０の特性が劣化することを最小化することによって、有機薄膜トランジスターの特性が損なわれることを減少できる。
【００３８】
そして、第２保護層２００が有機半導体層１９０の上面とすべての側面をカバーしているので、有機半導体層１９０の特性が劣化することを効果的に減少することができ、十分なエッチングが行われるので、画素電極上に有機半導体物質が残留して不良が発生することを減少することができる。
また、従来の有機半導体層１９０のパターンの複雑なフォトエッチング工程によらず、簡単なメタルリフトオフ工程によるので、製造工程が簡単で、良質の有機薄膜トランジスターを製作することができる。
【００３９】
以下、図４を参照して、本発明による第２実施形態について説明する。第２実施形態では第１実施形態と同一の構成要素については同一の参照番号を付けた。そして、第２実施形態では第１実施形態と異なる特徴的な部分だけ抜粋して説明し、説明が省略された部分は前記第１実施形態による。
第１実施形態における有機半導体層１９０は、蒸発法とフォトエッチング工程を通じて製作したが、第２実施形態においてはインクジェット方式によって形成する。
【００４０】
図４に示したように、載置孔１７１を隔壁としてチャネル領域Ａに有機半導体物質をジェッティング（jetting）する。有機半導体物質は溶剤によって水性または油性であり得、有機半導体物質は溶剤除去過程を経って有機半導体層１９０が形成される。
そして、完成された有機半導体層１９０上に保護層溶液１９５をジェッティングする。保護層溶液も溶剤によって水性または油性であり得、保護層溶液は溶剤除去過程を経って保護層２００に形成され、保護層２００の表面は平坦である。
【００４１】
これによって、簡単で有機半導体層１９０の特性の劣化を減少することができる有機薄膜トランジスターの製造方法が提供される。
本発明のいくつかの実施形態を図示して説明したが、本発明が属する技術分野の通常の知識を有する当業者であれば、本発明の原則や精神から逸脱せずに本実施形態を変形できることが分かる。本発明の範囲は添付された請求項とその均等物によって決められなければならない。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の第１実施形態による薄膜トランジスター基板の配置図である。
【図２】図１のII-II線による断面図である。
【図３Ａ】本発明の第１実施形態による薄膜トランジスター基板の製造方法を順に示した断面図である。
【図３Ｂ】本発明の第１実施形態による薄膜トランジスター基板の製造方法を順に示した断面図である。
【図３Ｃ】本発明の第１実施形態による薄膜トランジスター基板の製造方法を順に示した断面図である。
【図３Ｄ】本発明の第１実施形態による薄膜トランジスター基板の製造方法を順に示した断面図である。
【図３Ｅ】本発明の第１実施形態による薄膜トランジスター基板の製造方法を順に示した断面図である。
【図３Ｆ】本発明の第１実施形態による薄膜トランジスター基板の製造方法を順に示した断面図である。
【図３Ｇ】本発明の第１実施形態による薄膜トランジスター基板の製造方法を順に示した断面図である。
【図３Ｈ】本発明の第１実施形態による薄膜トランジスター基板の製造方法を順に示した断面図である。
【図３Ｉ】本発明の第１実施形態による薄膜トランジスター基板の製造方法を順に示した断面図である。
【図３Ｊ】本発明の第１実施形態による薄膜トランジスター基板の製造方法を順に示した断面図である。
【図３Ｋ】本発明の第１実施形態による薄膜トランジスター基板の製造方法を順に示した断面図である。
【図４】本発明の第２実施形態による平板表示装置の製造方法を説明するための図面である。
【符号の説明】
【００４３】
１００  薄膜トランジスター基板
１１０  絶縁基板
１２０  データ配線
１３０  層間絶縁膜
１４０  ゲート配線
１５０  ゲート絶縁膜
１５１、１５２、１５３  接触孔
１６０  透明電極層
１６１  ソース電極
１６３  ドレイン電極
１７０、２００  保護層
１７１  載置孔
１８０  金属層
１９０  有機半導体層
１９５  保護層溶液
【図１】
0004554567.tif 000002
【図２】
0004554567.tif 000003
【図３Ａ】
0004554567.tif 000004
【図３Ｂ】
0004554567.tif 000005
【図３Ｃ】
0004554567.tif 000006
【図３Ｄ】
0004554567.tif 000007
【図３Ｅ】
0004554567.tif 000008
【図３Ｆ】
0004554567.tif 000009
【図３Ｇ】
0004554567.tif 000010
【図３Ｈ】
0004554567.tif 000011
【図３Ｉ】
0004554567.tif 000012
【図３Ｊ】
0004554567.tif 000013
【図３Ｋ】
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【図４】
0004554567.tif 000015