(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に対して所定の処理を行う為の処理室と、該基板の搬送を行う為の搬送部とを具え、
前記処理室が、前記基板を第１所定温度まで加熱する為の加熱領域を形成している発熱部を有する加熱処理室を具える成膜装置において、
前記基板の温度が前記第１所定温度より高い第２所定温度に達した時に、該基板の温度上昇を防止する為の基板温度上昇防止機構を具え、
前記基板温度上昇防止機構は、温度検知部と基板位置確認部とを具える基板温度検知部、及び機構作動部を具え、
前記温度検知部は、該温度検知部から前記加熱領域を見る方向にある標的の温度を測定し、該温度が前記第２所定温度に達した時に、基板温度検知信号を前記機構作動部に出力し、
前記基板位置確認部は、前記基板が前記加熱領域に含まれている時に、基板加熱状態信号を前記基板温度上昇防止機構に出力し、
前記機構作動部は、前記発熱部の電力供給が停止した後、前記基板温度検知信号及び前記基板加熱状態信号が入力された時に、前記基板の温度上昇を防止させるように作動する
ことを特徴とする成膜装置。
【請求項２】
請求項１に記載の成膜装置において、
前記温度検知部は、赤外線放射温度計を具え、
該赤外線放射温度計は、前記標的の温度を常時測定している
ことを特徴とする成膜装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の成膜装置において、
前記基板位置確認部は、互いに対向して配置された投光センサ及び受光センサによって形成されている透過式光電センサで構成されており、
かつ前記投光センサから前記受光センサへ向けて出射されるセンサ光が、前記基板が保持された基板キャリアー部に遮られることによって該受光センサへ到達しない時に、基板加熱状態信号を前記基板温度上昇防止機構に出力する
ことを特徴とする成膜装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の成膜装置において、
前記機構作動部の前記基板の温度上昇を防止する為の作動は、前記搬送部をして、前記加熱領域内に含まれている前記基板を、該加熱領域の外部へ搬送させる作動である
ことを特徴とする成膜装置。
【請求項５】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の成膜装置において、
前記機構作動部の前記基板の温度上昇を防止する為の作動は、前記発熱部を、前記加熱領域に含まれている前記基板から遠ざけるように移動させる作動である
ことを特徴とする成膜装置。
【請求項６】
請求項５に記載の成膜装置において、
前記機構作動部は、前記作動において、前記加熱領域における、前記基板の前記主表面及び前記発熱部の前記平坦面の間の距離を、４０ｍｍ以上に拡げる
ことを特徴とする成膜装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、成膜装置、特に、情報記録媒体製造用の成膜装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、ハードディスク等の情報記録媒体（以下、単に「媒体」という。）製造用の成膜装置に含まれる発熱部として、ランプヒータ又はカーボンヒータ等がある。これらヒータは、媒体の基板の主表面に沿って平行になるように、この主表面に近接して配置されている。よって、この主表面を実質的に均一に、予め定められた所定温度まで加熱することができる。この所定温度まで加熱された基板に対して、所定の成膜処理が順次行われる。
【０００３】
ところで、この成膜装置は、緊急停止することがある。「緊急停止」とは、電気系のトラブル、ソフトウェア上のエラー、或いは、異常放電等が発生した時に、自動的に又は手動によって、成膜装置の通常動作を停止させることである。従来構成によれば、緊急停止すると、成膜装置内の全ての動作が停止する。例えば、発熱部への電力供給は、停止する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、緊急停止の時に、基板が発熱部の加熱領域に含まれている場合に、この基板の主表面は、依然として加熱され続ける。その為、基板上に形成されている、磁化すべきでない層（例えば、ハードディスク用のＡｌ基板上に形成されているＮｉＰ層。ＮｉＰ層は、２８０℃以上で磁化される。）が磁化されることがある。よって、良質な媒体を製造することができなくなる。
【０００５】
そこで、良質な媒体を製造する為に、基板の異常な温度上昇を防止する為の基板温度上昇防止機構を具える成膜装置の出現が求められていた。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
この目的を達成する為に、この発明の成膜装置は、基板に対して所定の処理を行う為の処理室と、この基板の搬送を行う為の搬送部とを具える。処理室は、基板を第１所定温度まで加熱する為の加熱領域を形成している発熱部を有する加熱処理室を具える。又、この成膜装置は、基板の温度が第１所定温度より高い第２所定温度に達した時に、この基板の温度上昇を防止する為の基板温度上昇防止機構を具える。
【０００７】
このような構成によれば、基板の温度が第１所定温度より高い第２所定温度に達した時に、基板温度上昇防止機構の機能によって、加熱領域に含まれている基板が、必要以上に加熱されることはない。よって、例えば、基板上に形成されてある、磁化すべきでない層の磁化を防止することができる。従って、良質な媒体を製造することができる。
【０００８】
上述の発明の実施に当たり、基板温度上昇防止機構は、温度検知部と基板位置確認部とを具える基板温度検知部、及び機構作動部を具える。温度検知部は、この温度検知部から加熱領域を見る方向にある標的の温度を測定する。又、この基板温度検知部は、この温度が第２所定温度に達した時に、基板温度検知信号を機構作動部に出力する。基板位置確認部は、基板が加熱領域に含まれている時に、基板加熱状態信号を基板温度上昇防止機構に出力する。機構作動部は、発熱部の電力供給が停止した後、基板温度検知信号及び前記基板加熱状態信号が入力された時に、基板の温度上昇を防止させるように作動する。
上述の発明の実施に当たり、温度検知部は、赤外線放射温度計を具え、この赤外線放射温度計は、上述の標的の温度を常時測定しているのが好ましい。
上述の発明の実施に当たり、基板位置確認部は、互いに対向して配置された投光センサ及び受光センサによって形成されている透過式光電センサで構成されているのが好ましい。そして、基板位置確認部は、投光センサから受光センサへ向けて出射されるセンサ光が、基板が保持された基板キャリアー部に遮られることによって受光センサへ到達しない時に、基板加熱状態信号を基板温度上昇防止機構に出力するのが好ましい。
【０００９】
このように構成すれば、基板温度上昇防止機構は、基板の温度が第１所定温度より高い第２所定温度に達した時に、基板の温度上昇を防止することができる。
【００１０】
この発明の実施に当たり、好ましくは、機構作動部は、基板の温度が第１所定温度より高い第２所定温度に達した時に、搬送部をして、加熱領域内に含まれている基板を、この加熱領域の外部へ搬送させるのが良い。若しくは、機構作動部は、基板の温度が第１所定温度より高い第２所定温度に達した時に、搬送部をして、加熱領域の外部にある基板のこの加熱領域内への搬送を防止させるのが良い。
【００１１】
これらのように構成すれば、基板の温度が第１所定温度より高い第２所定温度に達した時に加熱領域に含まれていた基板は、加熱領域の外部へ搬送されることにより、加熱されないで済む。又、基板の温度が第１所定温度より高い第２所定温度に達した時に加熱領域の外部にある基板は、加熱領域の内部に搬送されないので、加熱されないで済む。従って、基板の温度上昇を防止することができる。
【００１２】
上述の発明の実施に当たり、好ましくは、加熱処理室は、発熱部を挟んで、基板がある側と反対側に、この発熱部からの熱を吸収する為の冷却部を具える。発熱部は、基板側及び冷却部側に、基板の主表面に沿って平行な平坦面を有する。冷却部は、発熱部側に、主表面に沿って平行な平坦面を有する。発熱部及び冷却部は、隙間を形成している。
【００１３】
このように構成すれば、この発熱部は、基板がある側に、この基板の主表面に沿って平行になるように、この主表面に近接して配置されている。よって、この発熱部は、この主表面を実質的に均一に加熱することができる。従って、後の成膜工程において媒体の面内保磁力を均一にすることができ、媒体としての特性を向上させることができる。又、冷却部は、発熱部側に、主表面に沿って平行な平坦面を有しているから、この冷却部は、基板からの熱を効率的に吸収することができる。
【００１４】
上述の発明の実施に当たり、好ましくは、機構作動部は、基板の温度が第１所定温度より高い第２所定温度に達した時に、隙間に、発熱部を冷却する為の気体を導入するのが良い。
【００１５】
このように構成すれば、基板の温度が第１所定温度より高い第２所定温度に達した時に、発熱部からの熱は、発熱部を冷却する為の気体を経由して、冷却部に吸収される。従って、基板の温度上昇を効果的に防止することができる。
【００１６】
この発明の実施に当たり、好ましくは、気体を、不活性ガス及び水素ガスの群から選ばれた１種のガス、又は、２種以上のガスから構成された混合ガスとするのが良い。
【００１７】
このように構成すれば、これらの保冷用気体は、化学的に安定しているので、発熱部又は基板と接触しても、化学反応を起こしにくい。従って、これら発熱部又は基板を化学的に変質させないで済む。
【００１８】
上述の発明の実施に当たり、好ましくは、基板温度上昇防止機構は、冷却部の平坦面に設けられた気体吹出孔、この冷却部のこの平坦面以外の領域に設けられた気体導入孔、気体吹出孔及び気体導入孔を接続するように冷却部を貫通している気体接続路、気体を含む気体ボンベ、及び、気体導入孔及びこの気体ボンベの間を接続している気体導入管を具える。又、隙間における、発熱部の平坦面及び冷却部の平坦面の間の距離を、予め、５ｍｍ以上、かつ、１０ｍｍ以下の範囲内の一定値に維持している。機構作動部は、基板の温度が第１所定温度より高い第２所定温度に達した時に、気体を、気体ボンベから、気体導入管、気体導入孔、気体接続路及び気体吹出孔の順に経由して、隙間に導入する。
【００１９】
このように構成すれば、緊急停止の時に、発熱部からの熱は、気体によって効果的に運び去られる。
【００２０】
上述の発明の実施に当たり、好ましくは、機構作動部は、基板の温度が第１所定温度より高い第２所定温度に達した時に、発熱部を、加熱領域に含まれている基板から遠ざけるように移動させるのが良い。
【００２１】
このように構成すれば、基板の温度が第１所定温度より高い第２所定温度に達した時に、発熱部及び基板の間の距離が離れるので、発熱部より基板に輻射される熱量を、減少させることができる。
【００２２】
この発明の実施に当たり、好ましくは、機構作動部は、基板の温度が第１所定温度より高い第２所定温度に達した時に、加熱領域における、基板の主表面及び発熱部の平坦面の間の距離を、４０ｍｍ以上に拡げるのが良い。
【００２３】
このように構成すれば、基板の温度が第１所定温度より高い第２所定温度に達した時に、発熱部より基板に輻射される熱量は、効果的に減少する。
【００２４】
上述の発明の実施に当たり、好ましくは、基板温度上昇防止機構は、加熱処理室の壁面の一部に孔部分を具える。又、この基板温度上昇防止機構は、冷却部のこの壁面の側に、孔部分の口径と実質的に同一の口径を有する差込部を具える。この差込部は、この孔部分に差し込まれている。又、冷却部は、発熱部の位置を保持する為の機能も兼ねている。又、機構作動部は、基板の温度が第１所定温度より高い第２所定温度に達した時に、差込部を、外部に向かって引き出す。
【００２５】
このように構成すれば、機構作動部は、基板の温度が第１所定温度より高い第２所定温度に達した時に、差込部を、外部に向かって引き出すことにより、基板及び発熱部間の距離を、大きくすることができる。
【００２６】
上述の発明の実施に当たり、好ましくは、基板温度上昇防止機構は、隙間に予め充填されている、発熱部の温度より高融点の保冷用媒体を具えるのが良い。
【００２７】
このように構成すれば、基板の温度が第１所定温度より高い第２所定温度に達した時でも、発熱部からの熱は、保冷用媒体を経由して、冷却部に伝搬される。従って、基板の温度上昇を効果的に防止することができる。
【００２８】
この発明の実施に当たり、好ましくは、保冷用媒体を、発熱部の温度より高融点の、金属又は焼結体とするのが良い。これと共に、その構造を、繊維状、メッシュ状、又は顆粒状とするのが良い。具体的には、金属を、クロム金属、タンタル金属、モリブデン金属及びチタン金属の群から選ばれた１種の金属、又は、２種以上の金属から構成された混合物とするのが良い。又、焼結体を、酸化物又は窒化物とするのが良い。
【００２９】
これらのように構成すれば、保冷用媒体が、発熱部からの熱によって融解することはないので、発熱部を保冷する為の保冷機能を維持することができる。又、その構造を、繊維状、メッシュ状、又は顆粒状とすることにより、保冷用媒体及び発熱部間における接触面積を大きくすることができる。従って、緊急停止の時でも、発熱部からの熱は、保冷用媒体を経由して、冷却部に効率的に伝搬されることができる。
【００３０】
【発明の実施の形態】
以下、図を参照して、この発明の実施の形態について、説明する。尚、図中、各構成成分の大きさ、形状及び配置関係は、この発明が理解できる程度に概略的に示してあるにすぎず、従って、この発明は、図示例に限定されるものではない。
【００３１】
「第１の実施の形態」
先ず、図１及び図２を参照して、この発明の実施の形態における成膜装置１０の全体的な構成の一例について、説明する。
【００３２】
図１は、成膜装置の構成の一例を説明する為の構成図であって、上方から見た場合における概念的な平面図として示してある。図２は、成膜装置の一部を構成する処理室を側方から内部を透視して見た場合における概念的な平面図である。図２において、処理室内の構成の把握を容易にする為に、該構成を特に実線で示してある。
【００３３】
この構成例では、成膜装置１０を、インライン型のハードディスク製造用成膜装置に適用した例について、説明する。
【００３４】
インライン型の成膜装置とは、それぞれが所定の処理（例えば、加熱処理又は成膜処理等）を行う為の複数個の処理室、仕込み室（「ロードロックチャンバー」ともいう。）、回収室（「アンロードロックチャンバー」ともいう。）、搬送チャンバー及びロボットチャンバー等を、基板の搬送方向に沿って順次並べた成膜装置である。この構成例では、導入されたハードディスク製造用基板（以下「基板ＳＢ」という。）が、仕込み室１２から各処理室１４を経由して回収室１６に至るまでの搬送ルートを、略四角形状ループとしてある。
【００３５】
尚、この構成例では、基板ＳＢを、円形の主表面Ｘを有するＡｌ基板（公知の基板である。）としてある。但し、この主表面Ｘ上には、強度補強剤としてのＮｉＰ層が予めメッキ形成されている。ＮｉＰ層の膜厚は、１０μｍ程度である。ＮｉＰ層を基板ＳＢの主表面Ｘにメッキすることにより、該主表面Ｘの強度は、増加する。従って、基板ＳＢの強度安定性は、向上する。又、このＮｉＰ層上には、後述する工程において、Ｃｒ下地層及び磁性層（例えば、ＣｒＣｏＴａ磁性層又はＣｒＣｏＰｔＴａ磁性層等）が順次形成されるが、このＮｉＰ層は、Ｃｒ下地層と相性が良く、該Ｃｒの異方性（テクスチャー）を効率よく形成することができる。これにより、Ｃｒ下地層上に形成される磁性層の保磁力を向上させることができる。
【００３６】
次に、成膜装置１０の構成例について、簡単に説明する。
【００３７】
成膜装置１０は、具体的には、仕込み室１２Ａ及び１２Ｂ、処理室１４Ａ〜１４Ｅ、回収室１６Ａ及び１６Ｂ、搬送部１８、搬送チャンバー２０、ロボットチャンバー２１Ａ及び２１Ｂ、コーナーチャンバー２２Ａ〜２２Ｄ、ゲートバルブ２４及び基板キャリアー部２６を具える。
【００３８】
（仕込み室１２Ａ及び１２Ｂについて）
仕込み室１２Ａ及び１２Ｂは、それぞれ、成膜装置１０の入口に設けられている。これら仕込み室１２Ａ及び１２Ｂには、基板ＳＢを複数枚収納できるカセットケース（図示せず。）がある。このカセットケースに外部から基板ＳＢを収納した後、仕込み室１２を大気圧から０．１３３Ｐａまで荒引きする。
【００３９】
（ロボットチャンバー２１Ａ及び２１Ｂについて）
ロボットチャンバー２１Ａは、基板ＳＢを仕込み室１２より搬送チャンバー２０へ連続的に搬送することができるロボットを具える。同様に、ロボットチャンバー２１Ｂは、基板ＳＢを搬送チャンバー２０より回収室１６へ連続的に搬送することができるロボットを具える。これらロボットチャンバー２１Ａ及び２１Ｂは、通常は、１．３３×１０-3〜１０-6Ｐａ間内の値に保持されている。
【００４０】
（搬送チャンバー２０について）
搬送チャンバー２０は、基板ＳＢを固定及び保持する為の基板キャリアー部２６を具える。ロボットチャンバー２１Ａのロボットは、基板ＳＢを仕込み室１２より搬送チャンバー２０に搬送した後、基板キャリアー部２６の基板ホルダー部２６Ａに固定・保持する。この基板ＳＢが保持された基板キャリアー部２６は、後述の搬送部１８によって、搬送チャンバー２０からコーナーチャンバー２２Ａへ搬送される。又、ロボットチャンバー２１Ｂのロボットは、成膜処理された基板ＳＢが固定・保持された基板キャリアー部２６からこの基板ＳＢを取り外して、上述のように、回収室１６へ搬送する。搬送チャンバー２０は、ロボットチャンバー２１Ａ及び２１Ｂと直接接続されているので（すなわち、ゲートバルブ２４によって境されていないので）、ロボットチャンバー２１Ａ及び２１Ｂの圧力値と同じく、１．３３×１０-3〜１０-6Ｐａ間内の値に保持されている。この構成例では、搬送チャンバー２０は、コーナーチャンバー２２Ａ及び２２Ｄ間にある。
【００４１】
（処理室１４Ａ〜１４Ｅについて）
この構成例では、各処理室１４Ａ〜１４Ｅは、この仕込み室１２から搬送チャンバー２０を経由して搬送された基板ＳＢに対して、ハードディスク生成の為の処理を順次行う。処理室１４Ａは、コーナーチャンバー２２Ａ及び２２Ｂ間にある。又、処理室１４Ｂ、１４Ｃ及び１４Ｄは、この順に、コーナーチャンバー２２Ｂ及び２２Ｃ間にある。又、処理室１４Ｅは、コーナーチャンバー２２Ｃ及び２２Ｄ間にある。よって、基板ＳＢは、処理室１４Ａ→処理室１４Ｂ→処理室１４Ｃ→処理室１４Ｄ→処理室１４Ｅの順に搬送されながら、順次所定の処理が行われる。各処理室１４Ａ〜１４Ｅ内は、通常は、１．３３×１０-3〜１０-6Ｐａ間内の値にに予め減圧される。尚、各処理室１４Ａ〜１４Ｅの具体的な構成については、後述する。
【００４２】
（回収室１６Ａ及び１６Ｂについて）
回収室１６Ａ及び１６Ｂは、それぞれ、成膜装置１０の出口に設けられている。これら回収室１６Ａ及び１６Ｂは、仕込み室１２Ａ及び１２Ｂと同様に、基板ＳＢを複数枚収納できるカセットケース（図示せず。）がある。ロボットチャンバー２１Ｂ内のロボットが、成膜処理された基板ＳＢを搬送チャンバー２０からこのカセットケースに収納する。カセットケースがこの基板ＳＢによって満たされた後、回収室１６の圧力は、０．１３３Ｐａから大気圧まで戻される。次に、基板ＳＢは、外部に取り出されて、回収される。
【００４３】
（コーナーチャンバー２２Ａ〜２２Ｄについて）
コーナーチャンバー２２Ａ〜２２Ｄは、搬送部１８によって基板ＳＢの進路方向を変化させる為の処理室である（例えば、文献「特開平８−２７４１４２号公報」参照）。上述のように、この構成例では、仕込み室１２から各処理室１４を経由して回収室１６に至るまでのルートは、略四角形状であるから、４回進路方向を変化する必要がある。よって、コーナーチャンバー２２Ａ〜２２Ｄは、当該成膜装置１０の４つのコーナーに、それぞれ１個ずつ設けられている。
【００４４】
この成膜装置１０は、上述のように構成してあるので、基板ＳＢは、仕込み室１２→搬送チャンバー２０→コーナーチャンバー２２Ａ→処理室１４Ａ→コーナーチャンバー２２Ｂ→処理室１４Ｂ→処理室１４Ｃ→処理室１４Ｄ→コーナーチャンバー２２Ｃ→処理室１４Ｅ→コーナーチャンバー２２Ｄ→搬送チャンバー２０→回収室１６の順に、搬送される。この基板ＳＢの搬送は、周知の通り、搬送部１８によって行われる。
【００４５】
（ゲートバルブ２４について）
ゲートバルブ２４は、周知の通り、各処理室に残留している残留物質によるクロスコンタミネーションを防止する為の、各処理室間の仕切りである。各処理室において処理が行われている間、ゲートバルブ２４は閉じている。一方、各処理室において処理が行われた後に、ゲートバルブ２４が開いて、搬送部１８によって基板ＳＢが隣接する処理室に搬送される。然る後、ゲートバルブ２４は、再び閉じる。よって、クロスコンタミネーションを防止することができる。このゲートバルブ２４の開閉動作は、当該成膜装置１０の外部にある制御装置（図示せず。）によって、制御されている。
【００４６】
（基板キャリアー部２６について）
図２に示すように、基板キャリアー部２６は、基板ホルダー部２６Ａ及び駆動磁石部２６Ｂを具える。
【００４７】
基板ホルダー部２６Ａは、基板ＳＢを固定する為の平板状の部分を具え、該部分に、基板ＳＢの主表面Ｘを装着する為の孔部を２個有している。これら孔部にそれぞれ基板ＳＢを装着し、次に、基板ＳＢの縁辺部の一部を、複数個（この構成例では、３個）の留め具２６Ｄによって、基板ＳＢの側面から固定する。よって、基板ＳＢは、基板キャリアー部２６に対して、安定して固定保持されている。この基板キャリアー部２６に各処理室を順次搬送させることによって、これら２枚の基板ＳＢも同様に搬送される。成膜装置１０が作動中は、複数個の基板キャリアー部２６が、各処理室を順次搬送される。尚、この構成例では、基板ホルダー部２６Ａを、２枚取り付け型基板ホルダーとしているが、基板ホルダー部２６Ａの構成は、何等これに限定されるものではない。例えば、この基板ホルダー部２６Ａは、１枚取り付け型基板ホルダー等でも良い。
【００４８】
一方、駆動磁石部２６Ｂは、この基板ホルダー部２６Ａの直線状の下方端２６Ｃに、取り付けられている。この駆動磁石部２６Ｂは、Ｎ極側及びＳ極側が順次反転するように、回転駆動軸１８Ａの表面に取り巻かれて付けられた螺旋状のＮ極Ｓ極磁石（後述）のピッチと同一のピッチで配列された複数個の磁石から構成されている。基板キャリアー部２６の搬送には、この磁石の作用が利用される。この点については、後述する。
【００４９】
（搬送部１８について）
搬送部１８は、基板キャリアー部２６を搬送する機能を有する。搬送部１８は、Ｎ極磁石及びＳ極磁石が交互に螺旋状に取り巻かれて付けられた、直線状の回転駆動軸１８Ａを、処理室１４毎に具える。この回転駆動軸１８Ａは、処理室１４の底部に設けられていて、隣接する処理室１４に向かって延在している。この延在方向に、基板ＳＢが搬送される。
【００５０】
上述の駆動磁石部２６Ｂが回転駆動軸１８Ａに対向して配置されるように、基板ホルダー部２６Ａは、ベアリング部（公知。図示せず。）によって保持されている。よって、回転駆動軸１８Ａを所定回り（右回り或いは左回り）に回転させることにより、駆動磁石部２６Ｂ及び回転駆動軸１８Ａの間における磁石の反発力を利用して、基板キャリアー部２６を所定の方向に移動させることができる。「所定の方向」とは、基板キャリアー部２６が搬送される予め定められたルート（仕込み室１２→処理室１４Ａ→処理室１４Ｂ→処理室１４Ｃ→処理室１４Ｄ→処理室１４Ｅ→回収室１６）の方向を意味する。従って、基板ＳＢは、各処理室１４において、順次各処理が施される。
【００５１】
尚、回転駆動軸１８Ａの回転動作は、当該成膜装置１０の外部にある制御装置（図示せず。）によって、制御されている。この制御装置は、各処理室１４毎に個別に設けられてある回転駆動軸１８Ａ毎に、個別に該回転動作を制御している。
【００５２】
（各処理室１４Ａ〜１４Ｅの詳細な説明）
次に、上述の各処理室１４Ａ〜１４Ｅの構成について、更に詳細に説明する。
【００５３】
処理室１４Ａ〜１４Ｅは、加熱処理室又は非加熱処理室の何れかを構成している。「加熱処理室」は、基板ＳＢを所定温度（後述のように「第１所定温度」ともいう。）まで加熱する為の処理室であって、該加熱の為の発熱部を具える。又、「非加熱処理室」は、該加熱された基板ＳＢに対して、非加熱状態で成膜等の処理を行う為の処理室である。
【００５４】
この構成例では、処理室１４Ａ及び１４Ｂは、それぞれ、加熱処理室を構成している。又、処理室１４Ｃ、１４Ｄ及び１４Ｅは、それぞれ、非加熱処理室を構成している。よって、基板ＳＢは、先ず、処理室１４Ａ及び１４Ｂ内で、２段階で所定温度まで加熱される。然る後、該加熱された基板ＳＢは、非加熱状態で（すなわち、実質的に温度を維持した状態で）、処理室１４Ｃ、１４Ｄ及び１４Ｅ内で、順次処理される。
【００５５】
（処理室１４Ａ及び１４Ｂについて）
先ず、図３及び図４を参照して、処理室１４Ａ及び１４Ｂの構成について、説明する。
【００５６】
図３は、この加熱処理室を斜め上方から見た要部の斜視図である。図３は、主として、搬送部１８の回転駆動軸１８Ａと、基板キャリアー部２６と、冷却部３４と、発熱部支持柱３６Ａ及び３６Ｂとの位置関係を示している。又、図４は、各構成要素の配置関係を示す図であって、側方から内部を見た場合における断面図として示してある。尚、図３及び図４においては、処理室１４Ａの加熱領域ＫＡ（後述）に、基板ＳＢが停止しているときの状態を示している。又、基板キャリアー部２６に搭載されている基板ＳＢについては、斜線を付して、その搭載位置を概略的に示してある。
【００５７】
処理室１４Ａは、互いに対向している側面Ｓ１を具える。処理室１４Ａの底面Ｓ３には、これら側面Ｓ１に平行に延在している回転駆動軸１８Ａが、配置されている。この回転駆動軸１８Ａの上方を、この回転駆動軸１８Ａに沿って、基板キャリアー部２６が搬送される。よって、平板状に形成された基板ホルダー部２６Ａに固定・保持されている基板ＳＢの主表面Ｘは、側面Ｓ１に平行で、かつ、底面Ｓ３に対して垂直となる。尚、図３においても、図２と同様に、基板キャリアー部２６を支持するベアリング部（公知）の図示を省略している。
【００５８】
この構成例では、処理室１４Ａには、基板ＳＢの両主表面Ｘの基板停止位置に対して対向するそれぞれの位置に、発熱部３２が個別に設けられている。「基板停止位置」とは、基板ＳＢが、加熱処理の為に、加熱領域ＫＡ（後述）内において停止すべき所定の位置を意味する。この基板停止位置に基板ＳＢが停止すると、発熱部３２の温度が、予め定められた温度まで上昇する。これにより、基板ＳＢの両主表面Ｘが加熱される。
【００５９】
各発熱部３２は、発熱部分Ｒ（図３において斜線を付してある。）、及び、この発熱部分Ｒが形成された平坦面（以下「発熱平坦面Ｈ１」という。）を有する発熱基板４０を具える。この発熱平坦面Ｈ１は、基板ＳＢの主表面Ｘに沿って平行である。この構成例では、発熱基板４０を、例えば、熱分解窒化ホウ素によって形成してある。又、発熱基板４０を、面積が基板ＳＢの主表面Ｘの面積より幾分大きい円形基板とし（例えば、直径３．５インチの基板ＳＢに対して、直径約１１０ｍｍの円形基板とする。）、かつ、その厚さを１ｍｍ程度としてある。又、発熱部分Ｒは、先ず発熱平坦面Ｈ１の全体を実質的に覆うように熱ＣＶＤ法によって成膜された１ミクロン程度のカーボン膜が、機械加工によって、均一温度分布になるような形状に、形成されている（このカーボン膜が、ヒータを構成している。）。そして、発熱部分Ｒは、発熱基板４０もあわせて全体で加熱するので、基板ＳＢの主表面Ｘを実質的に均等に、かつ効果的に所定温度（後述）まで加熱することができる。この構成を有する発熱部は、一般的に、「面状発熱部」といわれる。
【００６０】
又、この構成例では、発熱基板４０の中央部付近には、発熱部分Ｒの導入端子用孔Ｐ１Ａ及びＰ１Ｂが近接して設けられていて、これら導入端子用孔Ｐ１Ａ及びＰ１Ｂを通して、電流が外部より発熱部分Ｒに供給される。この構成例では、これら導入端子用孔Ｐ１Ａ及びＰ１Ｂに、発熱部支持柱３６Ａ及び３６Ｂの一端がそれぞれ挿入されており、発熱部支持柱３６Ａ及び３６Ｂから電流が供給される。発熱部支持柱３６Ａ及び３６Ｂは、発熱部分Ｒの位置を支持・固定する為の円柱棒であって、その他端は、冷却部３４（後述）に固定されている。よって、冷却部３４は、後述のように、発熱部３２の位置を保持する為の機能も兼ねている。発熱部支持柱３６Ａ及び３６Ｂの他端には、それぞれ、当該成膜装置１０の外部から配線（図示せず。）を経由して、電流が供給される。この構成例では、発熱部支持柱３６Ａ及び３６Ｂは、モリブデン等の高融点材によって形成されている。
【００６１】
そして、互いに対向している側面Ｓ１に発熱部３２における平坦面Ｈ１もまた、互いに対向している。これら両平坦面Ｈ１に挟まれる領域を、「加熱領域ＫＡ」という。この加熱領域ＫＡ内に基板ＳＢを停止させることにより、該基板ＳＢを、後述のように、所定温度まで、上昇させる。
【００６２】
この構成例では、上述のように、２枚の基板ＳＢが、同一の基板キャリアー部２６によって、搬送される。この場合は、先ず、基板キャリアー部２６の進路方向に沿って前部に取り付けられた基板ＳＢ（以下「前部基板ＳＢ」という。）が、基板停止位置に停止して、加熱処理される。この基板停止位置は、両発熱部３２に近接している。停止時間は、数秒（この構成例では、３〜４秒）程度である。この間に、前部基板ＳＢの両主表面Ｘは、両発熱部３２によって、実質的に均等に、かつ、効率的に加熱される。一方、後部に取り付けられた基板ＳＢ（以下「後部基板ＳＢ」という。）は、加熱領域ＫＡの外部にある。前部基板ＳＢの加熱処理が終了した後、基板キャリアー部２６が進路方向に前進して、後部基板が、基板停止位置に停止して、加熱処理される。この間に、後部基板ＳＢの両主表面Ｘは、両発熱部３２によって、実質的に均等に、かつ、効率的に加熱される。一方、前部基板ＳＢは、加熱領域ＫＡの外部にある。後部基板ＳＢの加熱処理が終了した後、基板キャリアー部２６が進路方向に前進して、これら前部基板ＳＢ及び後部基板ＳＢは、次の処理室に搬送される。
【００６３】
又、処理室１４Ａは、発熱部３２を挟んで、基板ＳＢがある側（すなわち、加熱領域ＫＡ側）と反対側に、発熱部３２からの熱を吸収する為の冷却部３４を具える。この冷却部３４の内部には、冷媒（例えば、水）を流す為の冷媒用配管が形成されている。外部より冷媒用配管に水を導入することによって、冷却部は常時水冷されている。冷却部３４の内部に導入された冷却水は、発熱部３２の水冷に利用された後、外部に排水される。尚、図中、この冷却水の導入源及び導入管等は、省略されている。尚、冷却水は、例えば、循環させても良いし、一時的に貯蔵しても良い。
【００６４】
この構成例では、冷却部３４は、発熱平坦面Ｈ１に沿って平行な、該平坦面Ｈ１の面積より大きな面積を有する平坦面（以下「冷却平坦面Ｈ３」という。）を有している。そして、この冷却平坦面Ｈ３の円端部に、発熱部３２を取り囲むように、冷却端面Ｈ４が連結されている。そして、これら発熱平坦面Ｈ１及び冷却平坦面Ｈ３は、発熱部３２からの熱を冷却部３４に輻射させる為の隙間ＦＳを形成している。この構成例では、発熱平坦面Ｈ１及び冷却平坦面Ｈ３間の距離を、５ｍｍ以上かつ１０ｍｍ以下としてある。
【００６５】
よって、冷却部３４は、基板ＳＢを包囲していて、特に、発熱平坦面Ｈ１に沿って平行な冷却平坦面Ｈ３を有しているから、発熱部３２からの熱が、この冷却部３４に効率的に吸収される。従って、発熱部３２の過熱を常時防止することができる。これにより、側面Ｓ１が加熱されるのを防止することができる。
【００６６】
又、冷却部３４は、側面Ｓ１の側に、差込部Ｖを有する。この構成例では、側面Ｓ１に対して凸部の形状を有する。この差込部Ｖが、側面Ｓ１に固定されている。よって、冷却部３４は、定位置に保持されている。
【００６７】
尚、上述のように、この構成例では、冷却部３４の冷却平坦面Ｈ３に、発熱部支持柱３６Ａ及び３６Ｂの一端が取り付けられている。一方、これら発熱部支持柱３６Ａ及び３６Ｂの他端が、発熱部３２に取り付けられている。これにより、発熱部３２は、定位置に固定・保持されることができる。すなわち、冷却部３４は、発熱部３２の位置を保持する為の機能も兼ねている。
【００６８】
次に、この基板ＳＢは、コーナーチャンバー２２Ｂを経由して、処理室１４Ｂに搬送される。この処理室１４Ｂは、処理室１４Ａと同様の構成を有する。よって、処理室１４Ｂ内において、基板ＳＢは、処理室１４Ａ内と同様に、加熱領域ＫＡ内で、３〜４秒間加熱される。この時点において、基板ＳＢの表面温度は、所定の温度（この構成例では、２２０〜２３０℃内の温度値）となる。然る後、この所定の温度まで加熱された基板ＳＢは、処理室１４Ｃ（内部構成については、後述。）に搬送される。
【００６９】
このように、この構成例では、加熱用の処理室を、２室（処理室１４Ａ及び１４Ｂ）設けており、２段階で基板ＳＢの温度を上昇させている。上述のように、処理室１４Ａ及び１４Ｂにおいて、基板ＳＢは、それぞれの所定の温度まで加熱させている。この所定の温度を、以下「第１所定温度」という。処理室１４Ａにおける第１所定温度は、処理室１４Ｂにおける第１所定温度より低い。
【００７０】
この構成によれば、発熱部３２は、基板ＳＢの両主表面Ｘに沿って平行になるように、両主表面Ｘに近接して配置されている。よって、基板ＳＢの主表面Ｘを実質的に均等に、かつ、効率的に、第１所定温度まで加熱することができる。これにより、後の処理工程において、第１所定温度まで加熱された基板ＳＢ上に成膜される磁性層の面内保磁力を、均一にすることができる。従って、良質なハードディスクを生産することができる。
【００７１】
（処理室１４Ｃについて）
この構成例では、処理室１４Ｃは、処理室１４Ｂにおける第１所定温度に加熱された基板ＳＢの主表面Ｘ上に（具体的には、ＮｉＰ層上に）、Ｃｒ下地層を成膜する為のスパッタ装置を含む処理室である。このＣｒ下地層は、ＮｉＰ層と相性が良く、異方性を有して結晶成長する。基板ＳＢは、Ｃｒ下地層が成膜された後、隣接する処理室１４Ｄへ搬送される。
【００７２】
（処理室１４Ｄについて）
処理室１４Ｄは、Ｃｒ下地層上に、磁性層（例えば、ＣｒＣｏＴａ磁性層又はＣｒＣｏＰｔＴａ磁性層等）を成膜する為のスパッタ装置を具える。この磁性層は、異方性を有するＣｒ下地層上に形成されるので、該磁性層の保磁力（面内保磁力ともいう。）は、向上する。このことは、記録密度の向上が著しいハードディスクの精度向上の要求に適う。基板ＳＢは、磁性層が形成された後、コーナーチャンバー２２Ｃを経由して、処理室１４Ｅへ搬送される。
【００７３】
（処理室１４Ｅについて）
処理室１４Ｅは、磁性層上に、磁性層を保護する保護層を成膜する為のスパッタ装置（又は、プラズマＣＶＤ装置でも良い。）を含む処理室である。この構成例では、この保護層は、硬質なダイヤモンドライクカーボンによって、形成されている。基板ＳＢは、保護層が形成された後、コーナーチャンバー２２Ｄ及び搬送チャンバー２０を経由して、回収室１６に搬送されて、外部に回収される。以上の工程を以って、基板ＳＢの製造工程は、終了する。
【００７４】
（この発明の特徴部分の構成に係る説明）
ところで、成膜装置１０にトラブルが生じることがある。このトラブルの結果、成膜装置１０は、基板ＳＢが基板停止位置にあるときに、緊急停止することがある。「緊急停止」とは、上述のように、緊急停止の要因（電気系のトラブル、ソフトウェア上のエラー、或いは、異常放電等）が発生した時に、自動的に又は手動によって、成膜装置の通常動作が停止することである。従来構成によれば、緊急停止すると、成膜装置１０内の全ての動作が停止する。例えば、各発熱部３２への電力供給は、停止する。
【００７５】
しかしながら、該緊急停止の時に、基板停止位置にある基板ＳＢの主表面Ｘは、依然として加熱され続ける。これは、発熱部３２（面状発熱部）への電力供給が停止されても、発熱部３２は、その熱容量が大きい為に、その温度降下が遅く、よって、基板ＳＢに熱を供給し続けるからである。その為、基板ＳＢ上に形成されてある、磁化すべきでない層が磁化されてしまう。この構成例では、例えば、ＮｉＰ層が、磁化すべきでない層である。これらＮｉＰ層は、２８０℃以上で磁化されてしまう。よって、このＣｒ下地層上に形成される磁性層の面内保磁力が低下してしまう。その結果、良質なハードディスクを製造することができなくなる。更に、基板ＳＢへの熱供給が持続する場合、基板ＳＢが融解してしまうこともある。基板ＳＢが融解すると、例えば、処理室１４Ａ又は１４Ｂの底面Ｓ３まで流れて、底面Ｓ３が汚れるという問題点もあった。
【００７６】
そこで、この発明における成膜装置１０は、基板温度上昇防止機構２００を具える。基板温度上昇防止機構２００は、この基板ＳＢの温度が第１所定温度より高い第２所定温度に達した時に（以下「非常事態の時に」という。）、基板の温度上昇を防止する。この構成例では、第２所定温度を、２８０℃としてある。
【００７７】
基板温度上昇防止機構２００は、基板温度検知部（図に記載せず。）及び機構作動部２０６を具える。
【００７８】
基板温度検知部は、加熱領域ＫＡに含まれている基板ＳＢの温度を測定し、この温度が第２所定温度に達した時に、基板温度検知信号（図に記載せず。）を機構作動部２０６に出力する。この構成例では、基板温度検知部は、温度検知部２０２及び基板位置確認部２０４を具える。
【００７９】
そこで、図３及び図４に加えて図５を参照して、この基板温度上昇防止機構２００の構成について、説明する。
【００８０】
図５は、温度検知部の構成を示す為の説明図であって、処理室を上方から透視して見た平面図として示してある（「前部基板ＳＢ」が基板停止位置に停止している時の平面図である。）。尚、図３及び図４においては、主として、これら温度検知部２０２、基板位置確認部２０４及び機構作動部２０６の接続・制御関係が、概略的に示されている。
【００８１】
温度検知部２０２は、加熱領域ＫＡの温度を測定し、この温度が第２所定温度に達した時に、温度検知信号Ｚ１（基板温度検知信号を構成する１つの信号）を機構作動部２０６に出力する。
【００８２】
この構成例では、温度検知部２０２は、赤外線放射温度計２０２Ａ及び温度検知信号発信部２０２Ｂを具える。温度検知部２０２は、天井面Ｓ２側の処理室１４Ａの外壁に取り付けられている。赤外線放射温度計２０２Ａは、天井面Ｓ２に設けられた温度計窓（図示せず。）から、加熱領域ＫＡにおける特定方向にある標的の温度を常時測定している。ここでは、基板ＳＢが基板停止位置にあるときは、赤外線放射温度計２０２Ａは、基板ＳＢの主表面Ｘの温度を測定している。若しくは、基板ＳＢが基板停止位置にないときは、赤外線放射温度計２０２Ａは、発熱部３２の温度（例えば、発熱平坦面Ｈ１の温度）を測定している。この赤外線放射温度計２０２Ａは、この測定温度を温度検知信号発信部２０２Ｂに常時出力している。又、温度検知信号発信部２０２Ｂは、第２所定温度（この構成例では、上述のように、２８０℃とする。）に達した時に、温度検知信号Ｚ１を機構作動部２０６に出力する。
【００８３】
又、基板位置確認部２０４は、基板ＳＢが加熱領域ＫＡに含まれている時に、基板加熱状態信号Ｚ２（基板温度検知信号を構成する１つの信号）を、基板温度上昇防止機構２００に出力する。
【００８４】
この構成例では、基板位置確認部２０４を、透過式光電センサから構成する。この透過式光電センサは、基板ＳＢの進行方向に沿って、一方の側面Ｓ１の外側に４個の投光センサ２０４Ａ〜２０４Ｄ、並びに、他方の側面Ｓ１の外側に４個の受光センサ２０４Ｅ〜２０４Ｈを、この順に具える。投光センサ２０４Ａ及び受光センサ２０４Ｅ、投光センサ２０４Ｂ及び受光センサ２０４Ｆ、投光センサ２０４Ｃ及び受光センサ２０４Ｇ、並びに、投光センサ２０４Ｄ及び受光センサ２０４Ｈは、それぞれ、１組の透過式光電センサを形成している。
【００８５】
受光センサ２０４Ｅ〜２０４Ｈは、それぞれ、投光センサ２０４Ａ〜２０４Ｄからのセンサ光が到達する場合（すなわち、基板キャリアー部２６によって遮られていない場合）、機構作動部２０６に、基板加熱状態信号Ｚ２を出力しない。又、受光センサ２０４Ｅ〜２０４Ｈは、それぞれ、投光センサ２０４Ａ〜２０４Ｄからのセンサ光が到達しない場合（すなわち、基板キャリアー部２６によって遮られている場合）、機構作動部２０６に、基板加熱状態信号Ｚ２を出力する。
【００８６】
上述の前部基板ＳＢが基板停止位置に停止している場合は、投光センサ２０４Ａ及び２０４Ｃからのセンサ光は、基板キャリアー部２６によって同時に遮られる。よって、このセンサ光は、受光センサ２０４Ｅ及び２０４Ｇに到達しない。よって、受光センサ２０４Ｅ及び２０４Ｇは、それぞれ、基板加熱状態信号Ｚ２を、機構作動部２０６に同時に出力する。
【００８７】
同様に、上述の後部基板ＳＢが基板停止位置に停止している場合は、投光センサ２０４Ｂ及び２０４Ｄからのセンサ光は、基板キャリアー部２６によって同時に遮られる。よって、このセンサ光は、受光センサ２０４Ｆ及び２０４Ｈに到達しない。よって、受光センサ２０４Ｆ及び２０４Ｈは、それぞれ、基板加熱状態信号Ｚ２を、機構作動部２０６に同時に出力する。
【００８８】
機構作動部２０６は、温度検知信号Ｚ１及び受光センサ２０４Ｅ及び２０４Ｇからの基板加熱状態信号Ｚ２が同時に入力された時に（すなわち、基板温度検知信号が入力された時に）、若しくは、温度検知信号Ｚ１及び受光センサ２０４Ｆ及び２０４Ｈからの基板加熱状態信号Ｚ２が同時に入力された時に（すなわち、基板温度検知信号が入力された時に）、機構作動部２０６は、基板ＳＢの温度上昇を防止させるように作動する。
【００８９】
この実施の形態では、機構作動部２０６は、非常事態のときに、搬送部１８に、非常事態制御信号Ｚ３を出力する。搬送部１８は、この非常事態制御信号Ｚ３が入力されると、加熱領域ＫＡに含まれている基板ＳＢを、加熱領域ＫＡの外部に搬送させるように、回転駆動軸１８Ａを回転駆動させる。例えば、加熱処理室１４Ａ内に存在している基板キャリアー部２６を、この加熱処理室１４Ａに隣接するコーナーチャンバー２２Ａ又は２２Ｂに搬送する。又、加熱処理室１４Ｂ内に存在している基板キャリアー部２６を、隣接するコーナーチャンバー２２Ｂ又は処理室１４Ｃ（処理室１４Ｃは、非加熱処理室である。）に搬送する。これと共に、この搬送部１８は、加熱領域ＫＡの外部にある基板ＳＢの加熱領域ＫＡ内への搬送を防止する。
【００９０】
よって、非常事態の時に加熱領域ＫＡに含まれていた基板ＳＢは、加熱領域ＫＡの外部に搬送された後、加熱されない。よって、この基板ＳＢの温度が上昇することはない。よって、基板ＳＢ上に形成されてある、磁化すべきでない層（この構成例では、ＮｉＰ層。上述のように２８０℃以上で磁化。）の磁化を防止することができる。従って、良質なハードディスクを製造することができる。
【００９１】
「第２の実施の形態」
図６を参照して、第２の実施の形態における成膜装置１０の構成の一例について、説明する。
【００９２】
図６は、加熱処理室の説明に供する構成図であって、側方から内部を見た場合における断面図として示してある。
【００９３】
この実施の形態では、機構作動部２０６は、非常事態の時に、発熱平坦面Ｈ１及び冷却平坦面Ｈ３間の隙間ＦＳに、気体を導入する。よって、非常事態の時に、各発熱部３２からの熱は、この気体を経由して、各冷却部３４に効率的に吸収される。従って、基板ＳＢ（図６において、斜線を付してある。）の温度上昇を効果的に防止することができる。この点が、第１の実施の形態における成膜装置１０の構成と異なる。
【００９４】
基板温度上昇防止機構２００は、上述の、基板温度検知部２０２、基板位置確認部２０４及び機構作動部２０６に加えて、冷却部３４の冷却平坦面Ｈ３に設けられた気体吹出孔Ａ１、この冷却平坦面Ｈ３以外の領域に設けられた気体導入孔Ａ２、気体吹出孔Ａ１及び気体導入孔Ａ２を接続するように冷却部３４を貫通している気体接続路４５、気体を含む気体ボンベ４７、及び、この気体導入孔Ａ２及びこの気体ボンベ４７の間を接続している気体導入管４６を具える。
【００９５】
この構成例では、冷却平坦面Ｈ３に、複数個の気体吹出孔Ａ１が、分散されて設けられている。この分散の形態は、任意の設計事項である。又、差込部Ｖに、１個の気体導入孔Ａ２が設けられている。そして、気体接続路４５は、複数個の気体吹出孔Ａ１及び１個の気体導入孔Ａ２を、枝分かれ状に接続するように、冷却部３４内を貫通している。この気体接続路４５の形状もまた、任意の設計事項である。
【００９６】
また、気体ボンベ４７には、不活性ガス及び水素ガスの群から選ばれた１種のガス、又は、２種以上のガスから構成された混合ガスが含まれている。これらの気体は、化学的に安定しているので、発熱部３２又は基板ＳＢと接触しても、化学反応を起こしにくい。従って、これら発熱部３２又は基板ＳＢを化学的に変質させないで済む。尚、これらのガスは、プロセスガス（各処理室１４において処理を行う時に要するガス）としても使用されるので、このプロセスガスを、非常事態の時に導入するガスとして兼用しても良い。
【００９７】
機構作動部２０６は、非常事態のときに、バルブ４９に、非常事態制御信号Ｚ３を出力する。バルブ４９は、この非常事態制御信号Ｚ３が入力されると、これに応答して、開状態となる。よって、気体ボンベ４７から気体導入管４６に、気体が導入される。この気体は、気体導入孔Ａ２、気体接続路４５及び気体吹出孔Ａ１の順に経由して、隙間ＦＳに導入する。この場合、好ましくは、この気体を、隙間ＦＳに、１０Ｐａ以上の圧力で導入するのが良い。これは、冷却部３４を、効果的に冷却することができるからである。
【００９８】
よって、非常事態の時に、発熱部３２からの熱は、気体によって効果的に運び去られる。よって、従来構成において基板ＳＢに依然として加えられていた熱は、大幅に減少する。従って、この実施の形態における基板温度上昇防止機構２００も、第１の実施の形態における基板温度上昇防止機構２００と同様に、基板ＳＢの温度上昇を防止することができる。
【００９９】
「第３の実施の形態」
図７を参照して、第３の実施の形態における成膜装置１０の構成の一例について、説明する。
【０１００】
図７は、加熱処理室の説明に供する構成図であって、側方から内部を見た場合における断面図として示してある。
【０１０１】
この実施の形態では、基板温度上昇防止機構２００は、冷却平坦面Ｈ３及び発熱基板４０間の各隙間ＦＳに予め充填され、又は、設けられている、発熱部３２の温度より高融点の保冷用媒体４８を具える。この点が、第１及び第２の実施の形態における成膜装置１０の構成と異なる。この第３の実施の形態では、基板温度検知部２０２、基板位置確認部２０４及び機構作動部２０６は、不要である。尚、この実施の形態における媒体とは、気体・液体ではなく、固体を指す。
【０１０２】
この構成例では、側面Ｓ１から保冷用媒体４８を見た場合における形状を、発熱部３２の円形形状と、実質的に同一としてある。好ましくは、保冷用媒体４８は、発熱部３２とずれが生じない状態で対向配置させている。
【０１０３】
よって、非常事態の時でも、各発熱部３２からの熱は、保冷用媒体４８をそれぞれ経由して、冷却部３４に伝搬される。従って、基板ＳＢ（図７において、斜線を付してある。）の温度上昇を効果的に防止することができる。
【０１０４】
但し、この保冷用媒体４８を、発熱部３２の温度より高融点の、金属又は焼結体とする。これは、発熱部３２からの熱によって、保冷用媒体４８を融解するのを防止する為である。具体的には、金属を、クロム金属、タンタル金属、モリブデン金属及びチタン金属の群から選ばれた１種の金属、又は、２種以上の金属から構成された混合物とする。又、焼結体を、酸化物（例えば、アルミナ又は石英等）又は窒化物（例えば、窒化チタン又は窒化タンタル等）とする。
【０１０５】
又、好ましくは、保冷用媒体４８の構造を、繊維状、メッシュ状、又は顆粒状とするのが良い。これにより、保冷用媒体４８及び発熱部３２間における接触面積を大きくすることができる。従って、緊急停止の時でも、各発熱部３２からの熱は、保冷用媒体４８を経由して、冷却部３４に効率的に吸収されることができる。
【０１０６】
尚、保冷用媒体４８の構造を顆粒状とした場合、保冷用媒体４８を隙間ＦＳ内に保持する為に、例えば、発熱基板４０の周辺部から冷却平坦面Ｈ３に至る、保冷用媒体４８の粒径より小さなすき間を有するメッシュ状の保冷用媒体を設けるのが良い。
【０１０７】
「第４の実施の形態」
図８を参照して、第４の実施の形態における成膜装置１０の構成の一例について、説明する。
【０１０８】
図８は、加熱処理室の説明に供する構成図であって、側方から内部を見た場合における断面図として示してある。
【０１０９】
この実施の形態では、機構作動部２０６は、非常事態の時に、発熱部３２を、加熱領域ＫＡに含まれている基板ＳＢ（図８において、斜線を付してある。）から遠ざけるように移動させる。よって、非常事態の時に、発熱部３２及び基板ＳＢの間の距離が離れるので、発熱部３２より基板ＳＢに輻射される熱量を、減少させることができる。この点が、第１、第２及び第３の実施の形態における成膜装置１０の構成と異なる。
【０１１０】
この構成例では、基板温度上昇防止機構２００は、温度検知部２０２、基板位置確認部２０４及び機構作動部２０６に加えて、更に、作動軸５０、ベローズ５２、孔部分ＡＰ及び移動部５４を具える。
【０１１１】
側面Ｓ１の一部には、孔部分ＡＰが設けられている。又、冷却部３４の側面Ｓ１側に、この孔部分ＡＰの口径と実質的に同一の口径を有する差込部Ｖを具える。この差込部Ｖは、孔部分ＡＰに常時可動自在に差し込まれている。よって、冷却部３４は、側面Ｓ１に対して、安定に保持されている。
【０１１２】
又、この孔部分ＡＰの縁辺部には、側面Ｓ１に対して垂直方向に、当該加熱処理室１４Ａの外部に向かって延在しているベローズ５２が設けられている。このベローズ５２で囲まれた側で、差込部Ｖに対して、作動軸５０が接続されている。ベローズ５２は、外部から孔部分ＡＰを介して加熱処理室の内部に空気が流入するのを防止する機能も有している。従って、この構成例でも、加熱処理室の内部は、実質的に真空状態に保持されている。又、作動軸５０には、作動軸５０を移動させる為の移動部５４が接続されている。
【０１１３】
機構作動部２０６は、非常事態の時に、移動部５４に、非常事態制御信号Ｚ３を出力する。移動部５４は、非常事態制御信号Ｚ３が入力されると、作動軸５０を外部に向かってそれぞれ同時に引き出す。作動軸５０を移動させる為の結合機構は、任意な機構とし得る。よって、非常事態の時に、差込部Ｖは、外部に向かって引き出される。その結果、基板ＳＢの主表面Ｘと発熱部３２の発熱部分Ｒの表面間との距離は、大きくなる。従って、発熱部３２より基板ＳＢに輻射される熱量を、効果的に減少させることができる。この場合、好ましくは、該距離を、４０ｍｍ以上に拡げるのが良い。これにより、発熱部３２より基板ＳＢに輻射される熱量を、該距離が７ｍｍである場合における熱量と比較して、１／４まで減少させることができる。
【０１１４】
「変形例の説明」
この発明は、上述の実施の形態にのみ限定されるものではなく、設計に応じて種々の変更を加えることができる。
【０１１５】
例えば、上述の構成例によれば、ハードディスク製造用の成膜装置としてあるが、当該成膜装置は、何等この用途に限定されるものではない。この成膜装置を、その他の情報記録媒体（例えば、光磁気ディスク及び光ディスク等）製造用の成膜装置として利用しても良い。或いは、レーザ発振装置等の非情報記録媒体製造用の成膜装置として利用しても良い。
【０１１６】
又、上述の構成例によれば、基板ＳＢを、Ａｌ基板としているが、例えば、ハードディスク製造用基板の材料は、何等これに限定されるものではない。例えば、基板ＳＢを、ガラス基板としても良い。
【０１１７】
又、上述の構成例によれば、インライン型の成膜装置１０としているが、この発明による成膜装置１０の構成は、何等これに限定されるものではなく、加熱処理室１４、非加熱処理室１４及び搬送部１８を有する成膜装置であれば良い。又、この発明の成膜装置１０によれば、当該成膜装置１０が具える各室の個数や配列方向や配列順序等は、何等限定されるものではない。例えば、一定の方向へ基板ＳＢを搬送させる成膜装置１０であっても良い。
【０１１８】
又、第１の実施の形態における成膜装置１０の構成によれば、発熱部３２を、それぞれ、面状発熱部としているが、これら発熱部３２は、何等これに限定されるものではない。例えば、細いフィラメント形状のランプヒータ及び該ランプヒータから輻射される熱を反射する為の反射板からなる発熱部（公知）としても良い。又、このランプヒータを一定方向に平面状に配列されてある発熱部（公知）としても良い。
【０１１９】
又、第２の実施の形態における成膜装置１０の構成によれば、気体を、冷却部３４の気体導入孔Ａ２より導入しているが、この気体導入孔Ａ２は、他の位置に設けていても良い。
【０１２０】
又、例えば、第２の実施の形態における成膜装置１０の構成に、第３の実施の形態における成膜装置１０の特徴的構成を組み入れても良い。すなわち、隙間ＦＳには予め保冷用媒体を充填させておき、非常事態の時に、この隙間ＦＳに保冷用気体を導入しても良い。これにより、非常事態の時には、発熱部３２からの熱は、気体及び保冷用媒体の両方を伝わって、冷却部３４に放出される。従って、基板ＳＢの温度上昇を、一層効果的に防止することができる。
【０１２１】
又、例えば、第１、第２及び第４の実施の形態における成膜装置の構成によれば、基板位置確認部２０４を透過式光電センサより構成しているが、基板位置確認部２０４の構成は、何等これに限定されるものではない。例えば、基板位置確認部２０４を、反射型センサから構成しても良い。
【０１２２】
【発明の効果】
上述の説明から明らかなように、この発明の成膜装置によれば、非常事態の時に、基板の温度上昇を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】成膜装置を上方から見た平面図である。
【図２】処理室を側方から透視して見た平面図である。
【図３】加熱処理室を斜め上方から見た要部の斜視図である。
【図４】加熱処理室を側方から見た断面図である。
【図５】処理室を上方から透視して見た平面図である。
【図６】加熱処理室を側方から見た断面図である。
【図７】加熱処理室を側方から見た断面図である。
【図８】加熱処理室を側方から見た断面図である。
【符号の説明】
１０：成膜装置
１２Ａ、１２Ｂ：仕込み室
１４、１４Ａ〜１４Ｅ：処理室
１６Ａ、１６Ｂ：回収室
１８：搬送部
１８Ａ：回転駆動軸
２０：搬送チャンバー
２１Ａ、２１Ｂ：ロボットチャンバー
２２Ａ〜２２Ｄ：コーナーチャンバー
２４：ゲートバルブ
２６：基板キャリアー部
２６Ａ：基板ホルダー部
２６Ｂ：駆動磁石部
２６Ｃ：下端縁
２６Ｄ：留め具
２８：排気ポンプ
３０：排気ポンプ用バルブ
３２：発熱部
３４：冷却部
３６Ａ、３６Ｂ：発熱部支持柱
４０：発熱基板
４５：気体接続路
４６：気体導入管
４７：気体ボンベ
４８：保冷用媒体
４９：バルブ
５０：作動軸
５２：ベローズ
５４：移動部
２００：基板温度上昇防止機構
２０２：温度検知部
２０２Ａ：赤外線放射温度計
２０２Ｂ：温度検知信号発信部
２０４：基板位置確認部
２０４Ａ〜２０４Ｄ：投光センサ
２０４Ｅ〜２０４Ｈ：受光センサ
２０６：機構作動部
Ａ１：気体吹出孔
Ａ２：気体導入孔
ＡＰ：孔部分
ＦＳ：隙間
Ｈ１：発熱平坦面
Ｈ３：冷却平坦面
Ｈ４：冷却端面
ＫＡ：加熱領域
Ｐ１Ａ、Ｐ１Ｂ：導入端子用孔
Ｒ：発熱部分
Ｓ１：側面
Ｓ２：天井面
Ｓ３：底面
ＳＢ：基板
Ｖ：差込部
Ｗ：センサー光窓
Ｘ：主表面
Ｚ１：温度検知信号
Ｚ２：基板加熱状態信号
Ｚ３：非常事態制御信号
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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