(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄板状の被処理体を処理する洗浄装置において、
前記被処理体の端部を洗浄する略円錐状の傾斜側面を有する洗浄部を有する周縁部洗浄手段と、
前記周縁部洗浄手段を被処理体の端部に当接させる移動手段と、
前記被処理体を保持した状態で前記被処理体を回転させる第１回転駆動部と、
を有し、
前記周縁部洗浄手段の前記洗浄部は、一体形成されたＰＶＡのスポンジ体により形成され、
前記移動手段は被処理体の端部を周縁部洗浄手段の前記スポンジ体により形成された前記傾斜側面に当接させ、
前記スポンジ体に押圧されて、前記第１駆動部により回転される被処理体の一方の面及び端面が同時に洗浄され、
更に、前記周縁部洗浄手段は、被処理体の周縁に１個配置されていることを特徴とする洗浄装置。
【請求項２】
請求項１に記載の洗浄装置において、
前記周縁部洗浄手段を回転させる第２回転駆動部を有することを特徴とする洗浄装置。
【請求項３】
請求項２に記載の洗浄装置において、
前記第１回転駆動部は、前記被処理体の周縁部を保持しつつ前記被処理体を回転させ、
前記第１回転駆動部と前記第２回転駆動部とを反対方向に回転させる第１制御手段を更に有することを特徴とする洗浄装置。
【請求項４】
請求項２に記載の洗浄装置において、
前記第１回転駆動部は、前記被処理体の周縁部を保持しつつ前記被処理体を回転させ、
前記第１回転駆動部と前記第２回転駆動部とを同方向に回転させる第１制御手段を更に有することを特徴とする洗浄装置。
【請求項５】
請求項４に記載の洗浄装置において、
前記第１回転駆動部と前記第２回転駆動部とは、前記被処理体と前記周縁部洗浄手段とを同方向に異なる回転速度で回転させることを特徴とする洗浄装置。
【請求項６】
請求項２から請求項５までのいずれかに記載の洗浄装置において、
前記第２回転駆動部は、前記被処理体の主面に垂直な軸を中心として前記周縁部洗浄手段を回転させることを特徴とする洗浄装置。
【請求項７】
請求項１から請求項６までのいずれかに記載の洗浄装置において、
前記被処理体は、薄膜が形成された表面を研磨する加工処理がされた基板であることを特徴とする洗浄装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハ、液晶表示用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板などの薄板状の被処理体である基板に所定の洗浄処理を行う洗浄装置に関する。特に基板の端部をも効率的に洗浄できる基板の洗浄装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から基板の一種であるウェハの処理過程において、ウェハの表面に形成された多層構造化に伴う凹凸を取り除くために、化学研磨剤（スラリー）やパッド等を使用してウェハの表面を機械的に削ることにより、ウェハの表面の平坦化を行うＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）処理を行っている。
【０００３】
ＣＭＰ（化学機械研磨）処理が行われたウェハ（以下、単に基板という）の表面には研磨によって研磨屑等が付着しているため、ＣＭＰ処理後の基板に対する処理として基板を洗浄して研磨屑等を除去する処理が行われる。
【０００４】
このＣＭＰ洗浄は、上記ＣＭＰにおいて、基板面を汚染させるスラリーを除去するための後処理洗浄であり、下記のように、ブラシスクラブ洗浄が一般に採用されている。
【０００５】
上述のような基板の洗浄を行うための従来技術の概念的な構成は、図１４および図１５に示されている。すなわち、基板Ｗの端面が一対の端面支持ハンド２１０，２１１によって挟持されることにより、基板Ｗの支持が達成されている。そして、基板Ｗの上面は、円板状のベース部２１２とその下面に固設された洗浄用ブラシ２１４とからなるスクラブ洗浄部材２１６によってスクラブ洗浄される。すなわち、洗浄用ブラシ２１４の接触面２１８が基板Ｗの上面に接触した状態で、スクラブ洗浄部材２１６が図示しない回転駆動機構によって回転され、かつ洗浄用ブラシ２１４のほぼ中心に配置されたノズル２２０から洗浄液が吐出されて、基板Ｗの上面がスクラブ洗浄される。
【０００６】
また、基板Ｗの下面も同様に、円板状のベース部２１３とその上面に固設された洗浄用ブラシ２１５とからなるスクラブ洗浄部材２１７が、洗浄用ブラシ２１５の接触面２１９が基板Ｗの下面に接触した状態で、図示しない回転駆動機構によって回転され、かつ洗浄用ブラシ２１５のほぼ中心に配置されたノズル２２１から洗浄液が吐出されて、基板Ｗの下面がスクラブ洗浄される。
【０００７】
なお、この構成において、端面支持ハンド２１０，２１１は、基板Ｗを保持しつつ、図１４に示すように基板Ｗの中心ＯＷが円軌道を描くように、基板Ｗを円運動させる。この結果、接触面２１８，２１９は、基板Ｗのほぼ全面に接触することとなるから、基板Ｗのほぼ全面をスクラブ洗浄できる。
【０００８】
ところで、基板Ｗは、一般に、その表面全体が半導体装置の形成に用いられるわけではなく、図１６に示すように、周縁付近の上下面２３０および端面２３１を含む周縁部２３２を除く中央部２３３だけが半導体装置の形成に用いられる有効エリアである。したがって、基板Ｗの表面上に薄膜をパターン形成していくと、基板Ｗの中央部２３３と周縁部２３２とでは膜厚や膜硬などの膜質が異なってくる。そのため、本来なら、基板Ｗの中央部２３３の洗浄の仕方と周縁部２３２の洗浄の仕方とを変える必要がある。たとえば、用いられる洗浄液の種類や濃度を変えることにより、中央部２３３に残留しているスラリーを除去し、また、周縁部２３２に残留しているスラリーや不要な薄膜を除去する必要がある。
【０００９】
しかし、上記従来技術の構成では、エッチング処理による基板Ｗの薄膜に対するパターン形成において、基板Ｗの中央部２３３の有効エリア内にのみ注意が払われているから、基板Ｗの周縁部２３２にエッチング不足領域が残ったままとなり、これが、不要な薄膜となる場合や、また、スラリーが基板Ｗの周縁部２３２に残ってしまうことがある。
【００１０】
もしも、基板Ｗの周縁部２３２に不要な薄膜およびスラリーが残っていると、当該薄膜とスラリーとが反応し、その結果生成された物質が基板Ｗの周縁部２３２に残る場合もある。このように、上記従来技術の構成においては、基板Ｗの周縁部２３２に、不要な薄膜やスラリー、薄膜とスラリーとの反応生成物が残るという不具合がある。この場合、これらの物質はパーティクルとなるから、半導体装置の製造工程において歩留りの低下につながり、大きな問題となっていた。
【００１１】
このように、基板の清浄度は年々厳しくなり、基板の端部汚染も無視できなくなってきており、端部を洗浄する装置が開発されている。その一例として、特開平１１−６２５号公報には、基板の端部に接触して基板を定位置に保持するとともに、基板を回転させるための一対のエッジ部洗浄用ローラが開示されている。このエッジ部洗浄用ローラは、その表面の洗浄用弾性部材に、基板の端部が入り込むような略Ｖ字型の周溝が形成され、その周溝に基板の端部を押圧する。よって、基板は回転しつつ全周の端部がエッジ部洗浄用ローラの洗浄用弾性部材で擦られて洗浄される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、上記特開平１１−６２５号公報に記載の洗浄装置は、基板に対して回転駆動を与える構成上、基板の端部とエッジ部洗浄用ローラの周速は同じである。そのため、洗浄用弾性部材により端部の不要な薄膜やスラリーを充分に擦り取るという洗浄力は発生せず、充分な洗浄が期待できない。
【００１３】
更に、搬送されてくる基板に対して、エッジ部洗浄用ローラはサイドから移動されセットされる。そのため、装置構成として幅方向に大きくなってしまうという問題があった。
【００１４】
また、この際、基板の高さ位置は正確に位置決めされる必要があるし、そうでなければエッジ部洗浄用ローラの周溝以外の部分が基板端部に当接して傷つける、もしくは、エッジ部洗浄用ローラから基板が落下してしまうことが考えられるという問題もあった。
【００１５】
本発明は、かかる事情を鑑みてなされたものであって、上述の技術的課題を解決し、かつ基板の周縁部の粒子汚染物を確実に除去できる基板の洗浄装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記課題を解決するため、請求項１に係る発明は、薄板状の被処理体を処理する洗浄装置において、前記被処理体の端部を洗浄する略円錐状の傾斜側面を有する洗浄部を有する周縁部洗浄手段と、前記周縁部洗浄手段を被処理体の端部に当接させる移動手段と、前記被処理体を保持した状態で前記被処理体を回転させる第１回転駆動部と、を有し、前記周縁部洗浄手段の前記洗浄部は、一体形成されたＰＶＡのスポンジ体により形成され、前記移動手段は被処理体の端部を周縁部洗浄手段の前記スポンジ体により形成された前記傾斜側面に当接させ、前記スポンジ体に押圧されて、前記第１駆動部により回転される被処理体の一方の面及び端面が同時に洗浄され、更に、前記周縁部洗浄手段は、被処理体の周縁に１個配置されていることを特徴とする。
【００１７】
請求項２に係る発明は、請求項１に記載の洗浄装置において、前記周縁部洗浄手段を回転させる第２回転駆動部を有することを特徴とする。
【００１８】
請求項３に係る発明は、請求項２に記載の洗浄装置において、前記第１回転駆動部は、前記被処理体の周縁部を保持しつつ前記被処理体を回転させ、前記第１回転駆動部と前記第２回転駆動部とを反対方向に回転させる第１制御手段を更に有することを特徴とする。
【００１９】
請求項４に係る発明は、請求項２に記載の洗浄装置において、前記第１回転駆動部は、前記被処理体の周縁部を保持しつつ前記被処理体を回転させ、前記第１回転駆動部と前記第２回転駆動部とを同方向に回転させる第１制御手段を更に有することを特徴とする。
【００２０】
請求項５に係る発明は、請求項４に記載の洗浄装置において、前記第１回転駆動部と前記第２回転駆動部とは、前記被処理体と前記周縁部洗浄手段とを同方向に異なる回転速度で回転させることを特徴とする。
【００２１】
請求項６に係る発明は、請求項２から請求項５までのいずれかに記載の洗浄装置において、前記第２回転駆動部は、前記被処理体の主面に垂直な軸を中心として前記周縁部洗浄手段を回転させることを特徴とする。
【００２３】
請求項７に係る発明は、請求項１から請求項６までのいずれかに記載の洗浄装置において、前記被処理体は、薄膜が形成された表面を研磨する加工処理がされた基板であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２４】
請求項１〜７に記載の発明によれば、被処理体の中央部はもちろん、被処理体の周縁部をも良好に洗浄することができる。また被処理体の端部を洗浄する洗浄部に傾斜側面を有する周縁部洗浄手段で、被処理体の平面側から洗浄部の傾斜側面に当接させることで洗浄するようにしているから、被処理体の端部を掴み損ねて落下することを防止できる。また、周縁部洗浄手段を一方向に移動するだけでセットできるので駆動機構が少なくて構成できる。また、洗浄部は一体形成されたスポンジ体により構成されるため、回転している被処理体の周縁部をさらに確実に洗浄することができる。
【００２５】
特に、請求項２に記載の発明によれば、洗浄装置は、前記周縁部洗浄手段を回転させる回転駆動部を有する。このため、被処理体の端部の平面部と端面に対して相対移動により擦るように洗浄し、回転している被処理体の周縁部のすべてを確実に洗浄することができる。
【００２６】
特に、請求項７に記載の発明によれば、被処理体が薄膜が形成された表面を研磨する加工処理がされた基板であっても周縁部のすべてをさらに確実に洗浄することができる。なお、ここでいう加工処理には、薄膜が形成された基板の表面を研磨するＣＭＰ処理等の研磨処理が考えられる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、図面に基づいて本発明に係る基板処理装置の一実施の形態について説明する。
【００２８】
図１は、本発明の実施の形態に係る基板処理装置を示す平面図である。また、図２は、本発明の実施の形態に係る基板処理装置のＹＺ平面における概略断面図である。さらに、図３は、本発明の実施の形態に係る基板処理のＺＸ平面における概略断面図である。
【００２９】
この基板処理装置１００では、基板の一種であるウエハＷを複数枚収納するポッド（ＰＯＤ）９が収納器として使用されＣＭＰ処理の対象となる複数のウエハＷがポッド９内に密閉された状態で基板収納部７に配置される。この基板収納部７には、複数のポッド９がＸ軸方向に一列に配置されている。なお、ポッド９の代わりにウエハカセットを用いてもよい。
【００３０】
また、基板収納部７との間にＸ軸方向に沿って設けられた搬送路１５を挟んで、複数の処理部３０，４０，５０が設けられている。これらの処理部３０，４０，５０もＸ軸方向に沿って一列に配置されており、ウエハＷに対する処理手順に応じて隣接して設けられている。
【００３１】
複数の処理部のうち一端側に配置された処理部３０は、詳細には後述するが図３に示すように、ＣＭＰ処理が終了した直後のウエハＷを保持装置３３が支持した状態で、ウエハＷの表面に接触してウエハＷの表面を洗浄する表面ブラシ３１とウエハＷの裏面に接触してウエハＷの裏面を洗浄する裏面ブラシ３２とを使用してウエハＷの両面をブラッシングすることによって、ＣＭＰ処理によってウエハＷに付着した研磨屑等のパーティクルを除去する処理を行う処理部である。
【００３２】
この処理部３０では、表面ブラシ３１及び裏面ブラシ３２による洗浄効果を高めるために、図示しないノズルによってアルカリ液等の所定の処理液をウエハＷの表面や裏面に供給することが行われる。また、保持装置３３の近傍には保持装置３３により保持されるウェハＷをその裏面が上面になるように反転させる公知の反転装置３が配置されている。なお、この処理部３０が、本発明の洗浄装置に相当する。
【００３３】
また、処理部４０は、さらにパーティクル除去能力の高いブラシ４１を使用してウエハＷの表面に付着している微細なパーティクルを取り除く処理部（表面処理部）である。処理部４０では、ブラシ４１による洗浄効果を高めるために、ノズル４３よりウエハＷの表面に対して所定の処理液が吐出することができるとともに、回転部４２がウエハＷを保持しながら回転させることも可能である。
【００３４】
さらに、複数の処理部の内、他端側に配置された処理部５０は、ウエハＷが回転部５２に回転可能な状態に載置され、ウエハＷを回転させながらノズル５３より純水等のリンス液をウエハＷの表面に向けて吐出することにより、ウエハＷに対する最終リンスを行った後、リンス液の吐出を停止させてウエハＷを高速に回転させて、スピンドライ乾燥を行う処理部（リンス処理・乾燥処理部）である。
【００３５】
なお、搬送路１５と処理部３０，４０，５０等との上方には、基板処理装置１００の内部の雰囲気を清浄に保つために、ファンフィルタユニットＦＦＵが設けられている。そして、ファンフィルタユニットＦＦＵからは搬送路１５や処理部３０，４０，５０等に向けてクリーンエアのダウンフローが形成されている。
【００３６】
この基板処理装置１００では、図１に示すように、処理部３０のＸ軸方向に隣接する部分をＣＭＰ装置２００とのインタフェース部分として構成しており、この部分に載置部２０が設けられている。載置部２０では、ＣＭＰ装置２００に設けられた搬送部２１０との間でウエハＷの受け渡しを行うことができる位置として、図３に示すように、上下方向に２箇所の受け渡し位置Ｌａ，Ｌｂが設定されている。
【００３７】
受け渡し位置Ｌｂは、ウエハＷをＣＭＰ装置２００に受け渡す際に、ウエハＷが一旦載置される位置である。そして、ＣＭＰ装置２００の搬送部２１０の搬送アーム（図示せず）が載置部２０の受け渡し位置Ｌｂに対してアクセスし、この搬送アームがウエハＷをＣＭＰ装置２００側に搬送し、ＣＭＰ装置２００において所定の研磨処理を行う。
【００３８】
また、受け渡し位置Ｌａは、ＣＭＰ処理が終了したウエハＷをＣＭＰ装置２００の搬送部２１０の搬送アームが基板処理装置１００に渡す際に、ウエハＷを一旦載置する位置である。ＣＭＰ装置２００の搬送部２１０の搬送アームが載置部２０の受け渡し位置Ｌａにアクセスし、ＣＭＰ処理が終了したウエハＷを載置するように構成されている。
【００３９】
そして、処理部３０，４０，５０等および載置部２０と、基板収納部７との間に設けられた搬送路１５には、Ｘ軸方向に沿って移動可能な搬送ロボット１０が設けられている。この搬送ロボット１０は、上下方向に２つの搬送アーム１１を備えており、この搬送アーム１１がウエハＷを保持した状態でウエハＷの搬送を行う。また、図２に示すように、基台部分１４には、Ｘ軸方向に設けられたボールネジ１３が螺嵌されており、ボールネジ１３が回転することによって搬送ロボット１０がＸ軸方向に沿って移動可能となっている。また、搬送ロボット１０は、昇降部分１２が伸縮することによってウエハＷをＺ軸方向（上下方向）にも搬送することができるとともに、θ軸を中心とする回転動作も行うことが可能となっている。したがって、搬送ロボット１０の搬送アーム１１は、基板収納部７に配置された複数のポッド９と、ウエハ載置部２０と、処理部５０とにアクセスすることができ、これらの処理部間でウエハＷの搬送を行う。
【００４０】
ここで、搬送ロボット１０の搬送アーム１１がポッド９にアクセスする際には、密閉状態のポッド９を開放して搬送アーム１１がアクセス可能な状態にする必要がある。そこで、基板処理装置１００には、ポッド９が載置されるそれぞれの位置にポッドオープナ８が設けられている。図２に示す符号８ａの状態のように、基板収納部７にポッド９が配置されると、ポッドオープナ８はアームを伸ばしてポッド９の蓋のロックを解除する。そして、図２に示す符号８ｂの状態のように、アームがポッド９の蓋を把持した状態でＹ軸方向に移動して、ポッド９を密閉状態から開放する。符号８ｂの状態のままでは、搬送ロボット１０の搬送アーム１１がポッド９内にアクセスすることができないので、図２に示す８ｃの状態のように、ポッドオープナ９は蓋を保持しているアームを下降させる。
【００４１】
このような動作により、ポッド９の密閉状態が開放され、搬送ロボット１０の搬送アーム１１は、ポッド９内のウエハＷにアクセスすることが可能となる。なお、ポッド９は、ウエハＷを外気とは隔離した清浄な雰囲気に保つことでウエハＷの汚染をしないように密閉されるものであるが、基板処理装置１００の内部はポッド９内部と同様に清浄な雰囲気を維持するように構成されており、ポッド９の開放動作は、基板処理装置１００の内部で蓋を開放するため、ウエハＷを汚染する問題はない。
【００４２】
そして、搬送ロボット１０は、搬送アーム１１がポッド９の内部に向けて伸ばし、ポッド９の内部からウエハＷを１枚取り出す。搬送ロボット１０は、Ｘ軸方向の移動やＺ軸方向の移動を行うとともに、θ軸についての回転動作を行い、搬送アーム１１は、ポッド９から取り出したウエハＷを載置部２０の受け渡し位置Ｌｂに載置する。また、搬送ロボット１０の搬送アーム１１は、処理部５０に対してアクセスし、全ての処理が完了したウエハＷを取り出す。そして、搬送ロボット１０は、Ｘ軸方向の移動やＺ軸方向の移動を行うとともに、θ軸についての回転動作を行い、搬送アーム１１はポッド９の所定位置にアクセスして、ＣＭＰ処理後の洗浄処理が終了したウエハＷをポッド９内に収納する。
【００４３】
また、この基板処理装置１００には、載置部２０に載置されたＣＭＰ処理後のウエハＷを処理部３０に搬送し、処理部３０での処理が終了したウエハＷを処理部４０に搬送し、処理部４０での処理が終了したウエハＷを処理部５０に搬送するためにシャトル搬送ロボット６０が設けられている。シャトル搬送ロボット６０は、後述するように、Ｘ軸方向に沿って移動可能であり、基板受け渡し位置Ｌａに載置されているウエハＷを処理部３０に、また、処理部３０での処理が終了したウエハＷを処理部４０に、さらに、処理部４０での処理が終了したウエハＷを処理部５０に搬送するので、それぞれの処理部間の搬送動作は一括して同時に行われる。
【００４４】
このように、この基板処理装置１００においては、搬送ロボット１０がポッド９から載置部２０へのウエハＷの搬送動作を行い、シャトル搬送ロボット６０が載置部２０から処理部３０，４０，５０へのウエハＷの搬送動作を行う。そして、処理部５０からポッド９へのウエハＷの搬送は、再び搬送ロボット１０が担当するように構成されている。
【００４５】
また、この基板処理装置１００には、処理部３０，４０，５０における処理の際に使用される処理液等が処理部外部へ飛散しないように、昇降可能なカバー７０が設けられている。このカバー７０は、シャトル搬送ロボット６０によって各処理部間のウエハＷの搬送が行われる際には、図示しないシリンダやモータ等の昇降駆動機構によって上昇し、シャトル搬送ロボット６０のＸ軸方向に沿った移動と緩衝しないように構成されており、シャトル搬送ロボット６０による処理部間搬送が終了して各処理部において洗浄処理を行う際には、昇降駆動機構によってカバー７０が下降し、各処理部３０，４０，５０の側面等を覆う。したがって、各処理部においてウエハＷに対する処理を行っている際に、他の処理部からの処理液やパーティクル等が付着することがなく、清浄な処理を行うことができる。
【００４６】
この基板処理装置１００の全体構成は上記のごとくであり、ウエハＷに対して処理を行うための複数の処理部３０，４０，５０をＸ軸方向に沿って隣接するように一列に配置しており、各処理部間のウエハＷの搬送を１台のシャトル搬送ロボット６０で一括して行うことができるように構成されているため、基板処理装置１００のフットプリントを縮小することができる。また、載置部２０によって直接外部装置であるＣＭＰ装置２００とインライン化することができるため、基板処理装置１００とＣＭＰ装置２００とをインライン化したときのフットプリントも縮小することができる。
【００４７】
次に、処理部３０の詳細な構成について説明する。図４は、本発明の一実施形態の処理部である洗浄装置の構成を示す平面図である。また、図５は、図４のＤ−Ｄ断面図であり、一部を省略し、かつ一部を概念的に示している。
【００４８】
この装置は、ウエハＷの表面に形成された薄膜を研磨するＣＭＰ処理が行われた後にウエハＷの表面に残っているスラリーおよび不要な薄膜を除去するためのもので、側壁３０ａ，３０ｂ，３０ｃ，３０ｄによって囲まれた平面視においてほぼ矩形の処理室３０１内においてウエハＷを水平に保持し、かつこの状態でウエハＷを回転させることができる保持装置３３を備えている。
【００４９】
さらに、この処理部３０は、保持装置３３により保持されたウエハＷの上面および下面の各中央部に残っているスラリーをスクラブして除去するための両面洗浄装置３４と、ウェハＷの端部の一方の被洗浄平面である下面及び端面を含む周縁部を洗浄する周縁部洗浄手段９０と、前述した反転装置３を備えている。
【００５０】
そして、処理室３０１は底壁３０ｅによりウェハＷが処理される底壁３０ｅより上部の処理区画３０２と、底壁３０ｅより下部で保持装置３３等の駆動部が配置される駆動区画３０３より構成される。
【００５１】
保持装置３３は、処理室３０１の側壁３０ｂまたは３０ｄに対して直交する方向（以下「保持方向」という。）Ａに関して対向配置された一対の保持ハンド３５ａ，３５ｂを有している。保持ハンド３５ａ，３５ｂは本実施例において同一構造を採用し、図５中左右対称であるので以下、一方の保持ハンド３５ａをもって説明する。尚、他方の保持ハンド３５ｂは同一構造に同符号を付与して説明を省略する。
【００５２】
保持ハンド３５ａはその全体を図６及び図７に示すように、保持方向Ａに沿って移動可能なもので、ベース取付部３６に取り付けられたベース部３７と、ベース部３７の上方に配置されるハンド軸３８と、ウエハＷを保持するための３つの保持用ローラ（基板保持具）８０（ａ〜ｃ）を配設される本体部３９をそれぞれ有している。
【００５３】
ベース取付部３６には、側壁３０ｂに締結された連結部材３６１を介して保持方向Ａに沿って長く形成され、ベース部３７の下方まで延びた台部３６２の一端が連結されている。台部３６２の一端には、Ｌ字状の取付板３６３の立設面にシリンダ３６４が固定され、シリンダ３６４のロッド３６４ａが連結板３７１を介してベース部３７に取り付けられている。ロッド３６４ａは、保持方向Ａに沿って突出したり引っ込んだりできるようになっている。また、台部３６２上には保持方向Ａに沿ってスライドレール３６５が配置される。
【００５４】
一方、ベース部３７は、スライドレール３６５上に装着されるスライド部３７２と、スライド部３７１上に底板３７３を配置して構成される。底板３７３には下面にブラケット３７４が装着され、このブラケット３７４にモータＭ１が支持される。また、底板３７３の上面にはハンド軸３８が固定される。
【００５５】
ハンド軸３８は、２つの筒状体より構成され、底板３７３の挿通口３７３ａの位置に合わせて底板３７３上面に装着される外筒体３８１と、その内部に装着される内筒体３８２により構成される。そして、内筒体３８２の上部は底壁３０ｅの挿通穴３０ｆを通って処理区画３０２に延在し、その内筒体３８２の上端に本体部３９が装着され支持される。
【００５６】
本体部３９上面の保持用ローラ８０は、ウエハＷを保持した状態でウエハＷを回転させるべく、本体部３９に回転可能に設けられている。これらの保持用ローラ８０（ａ〜ｃ）は、ウエハＷの端面形状に対応した円周上に配置されている。ウエハＷは、保持用ローラ８０（ａ〜ｃ）の側面にその端面が当接した状態で保持される。すなわち、保持用ローラ８０（ａ〜ｃ）は、本体部３９に鉛直軸まわりの回転が自在であるように支持されたローラ軸８１（ａ〜ｃ）と、ローラ軸８１（ａ〜ｃ）の上端に固定されている保持具８２（ａ〜ｃ）により構成される。
【００５７】
保持具８２（ａ〜ｃ）は同じ構成であり、図９に示すように、軸部８２１と、外周面に略Ｖ字状の周溝８２２が形成された駆動伝達部８２３により構成される。この周溝８２２にウエハＷの端部が当接しながら回転がウエハＷに伝達される。保持具８２は硬度の高い樹脂、例えポリエーテルエーテルケトン等で形成される。これは、ウエハＷの端部の当接によっても傷がつかないような硬さに設定されている。
【００５８】
ウエハＷを回転させるために必要な駆動力は、保持用ローラ８０ｂにのみ与えられるようになっている。すなわち、保持用ローラ８０（ａ〜ｃ）のうち中央の保持用ローラ８０ｂには、ベース部３７の下端に取り付けられたモータＭ1 の駆動力が連結部８２４とローラ軸８１ｂを介して伝達されるようになっている。
【００５９】
さらに詳述する。保持用ローラ８０ａのローラ軸８１ａは、図６に示すように、本体部３９に形成された挿通穴３９１ａを通って本体部３９の内部に形成された空間３９２まで延ばされており、挿通穴３９１ａに配置された２つの軸受３９３ａ，３９３ｂを介して本体部３９に回転自在に支持されている。他の保持用ローラ８０ｃのローラ軸０１ｃも同様に、挿通穴３９１ｃを通って空間３９２まで延ばされ、かつ挿通穴３９１ｃに配置された２つの軸受３９４ａ，３９４ｂを介して本体部３９に回転自在に支持されている。
【００６０】
中央の保持用ローラ８０ｂのローラ軸８１ｂは、本体部３９に形成された挿通穴３９１ｂを通って本体部３９の内部に形成された空間３９２まで延ばされており、及び挿通穴３９５を介して本体部３９の下方に突出している。そして、挿通穴３９１ｂに配置された軸受３９６ａと、挿通穴３９５に配置された軸受３９６ｂを介して本体部３９に回転自在に支持されている。
【００６１】
中央のローラ軸８１ｂには、２つのプーリ８３ｂ，８４ｂが取り付けられている。そして、２つのプーリ８３ｂ，８４ｂと他の２つのローラ軸８１ａ，８１ｃにそれぞれ取り付けられたプーリ８３ａ，８４ｃとの間に、ベルト８５，８６がそれぞれ巻き掛けられている。符号８７，８８はそれぞれのベルト８５，８６にテンションを付与するテンション軸である。
【００６２】
この構成により、シリンダ３６４を駆動することによって、ベース部３７が連結板３７１を介してスライドレール３６５上をスライド部３７２によって移動し、保持ハンド３５ａを保持方向Ａに沿って進退させることができる。そして、保持ハンド３５ａ，３５ｂが互いに反対方向に進退することでウエハＷを保持用ローラ７０の間で挾持したり、この挾持を解放したりすることができる。即ち、シリンダ３６４が保持装置３３の駆動手段を構成する。この際、底壁３０ｅの挿通穴３０ｆはハンド軸３８のスライド領域より大きく開孔されており、保持ハンド３５ａの移動が妨げられることがない。
【００６３】
そして、モータＭ１によって中央の保持用ローラ８０ｂが駆動されると、中央の保持用ローラ８０ｂに伝達されてきた駆動力は、ベルト８５，８６を介して他の２つの保持用ローラ８０ａ，８０ｃにも伝達され、これに伴って他の２つの保持用ローラ８０ａ，８０ｃが駆動される。その結果、保持用ローラ８０（ａ〜ｃ）に保持されているウエハＷは回転を始める。このようにして、ウエハＷは保持用ローラ８０（ａ〜ｃ）に保持された状態で回転方向Ｂに沿って回転する。この場合におけるウエハＷの回転速度は、たとえば約１０〜２０（回転／分）である。以上のように、この実施形態では、モータＭ１およびベルト８５，８６が回転駆動部に対応している。
【００６４】
周縁部洗浄手段９０は、図８に示すように軸部９１と、軸部９１の上部に連結される洗浄具９２と、軸部９１の下部に連結される回転駆動部９３と昇降駆動部９４から構成されている。そして、周縁部洗浄手段９０は図４に示すように、ウエハＷの端面形状に対応した円周上の下方に配置される。
【００６５】
洗浄具９２は図１０に示すように、軸部９１に連結される円柱状の本体部９２１と、この本体部９２１に万遍なく植毛されたブラシ毛９２２より構成される。このブラシ毛９２２は略円錐状になるようにその長さが外側から中心に向かって長く形成される。そしてそのブラシ毛９２２の先端により形成される側面が図１０に示すように断面視で傾斜している。
【００６６】
回転駆動部９３は、軸部９１に連結板９３１を介して接続されるモータＭ２により構成される。モータＭ２は軸部９１を軸受９３２，９３３により回転自在に支持する外筒９３４に固定される。
【００６７】
昇降駆動部９４は外筒９３４の連結片９３５にロッド９４１ａが接続されるシリンダー９４１と、外筒９３４の周面に配置されたレール部９４２と、このレール部９４２を案内するスライドレール９４３より構成される。
【００６８】
この構成により、シリンダ９４１を駆動することによって、軸部９１が外筒９３４を介してスライドレール９４３上をスライド部９４２によって移動し、上下方向に進退させることができる。即ち、シリンダ９４１が周縁部洗浄手段９０の移動手段を構成する。
【００６９】
この際、ウエハＷは、その端部が洗浄具９２のブラシ毛９２２の側面に押圧され、ウエハＷの下面及び端面を含む周縁部がブラシ毛９２２により洗浄されるべく、ブラシ毛９２２は変形する。
【００７０】
そして、モータＭ２によって軸部９１が駆動されると、洗浄具９２がウェハＷに回転方向とは逆に駆動される。その結果、ウェハＷの端面に対してはブラシ毛９２２が叩くように、下面に対しては擦るようにウェハＷを洗浄する。
【００７１】
なお、参照符号３００は、保持ハンド３５ａ及び周縁部洗浄手段９０の移動とともに変形及び伸縮自在なベローズであり、両面洗浄装置３４において使用される洗浄液ならびにその雰囲気が、駆動部に影響を与えないようにするため、あるいは処理区画３０２の外部に漏れるのを防ぐためのものである。また、シリンダ３６４，９４１のロッド３６４ａ，９４１ａやハンド軸３８及び軸部９１から発生するパーティクルが処理区画３０２の内部に侵入するのを防止するためのものでもある。
【００７２】
図５に戻って、両面洗浄装置３４は、保持装置３３により保持されたウエハＷの上方および下方に配置された表面ブラシ３１および裏面ブラシ３２を備えている。表面ブラシ３１および裏面ブラシ３２は、それぞれ、保持ハンド３５ａ，３５ｂに干渉しない位置に、ウエハＷの中心部から周縁部に至るウエハＷの平面領域を覆うように配置されている。
【００７３】
表面ブラシ３１および裏面ブラシ３２は、ウエハＷに対向する側に取付面３１１，３２１を有するベース部３１２，３２２と、ベース部３１２，３２２に取り付けられた回転軸３１３，３２３とを有し、回転駆動部３１４，３２４により鉛直軸方向に沿う回転軸Ｏを中心に回転方向Ｃに沿って回転できるようにされている。さらに、表面ブラシ３１および裏面ブラシ３２は、それぞれ、昇降駆動部３１５，３２によって上下方向に移動できるようになっている。これにより、ウエハ洗浄時においてはウエハＷを表面ブラシ３１および裏面ブラシ３２で挟み込むことができ、また、ウエハ洗浄後においては、ウエハＷから表面ブラシ３１および裏面ブラシ３２を離すことができるようになっている。
【００７４】
ベース部３１２，３２２の各取付面３１１，３２１には、洗浄用ブラシ（両面スクラブ手段）３１６，３２６が設けられている。洗浄用ブラシ３１６，３２６の中央付近には、ウエハＷに洗浄液を供給するための洗浄液供給ノズル３１７（ａ，ｂ），３２７（ａ，ｂ）がそれぞれ配置されている。洗浄液は、フッ酸、硝酸、塩酸、リン酸、酢酸、アンモニアなどの薬液、および純水を含む。
【００７５】
洗浄液供給ノズル３１７（ａ，ｂ），３２７（ａ，ｂ）には、洗浄用パイプ３１８（ａ，ｂ），３２８（ａ，ｂ）が連結されている。洗浄用パイプ３１８（ａ，ｂ），３２８（ａ，ｂ）は、回転軸３１３，３２３内に回転しないように挿通されており、その他端には、図示しない薬液用タンクから薬液が導かれる薬液供給路３１９ａ，３２９ａ、および図示しない純水用タンクから純水が導かれる純水供給路３１９ｂ，３２９ｂが開閉弁３３０（ａ，ｂ），３３１（ａ，ｂ）接続されている。この構成により、洗浄用パイプ３１８（ａ，ｂ），３２８（ａ，ｂ）に薬液および純水を選択的に供給でき、したがって洗浄液供給ノズル３１７（ａ，ｂ），３２７（ａ，ｂ）から薬液および純水を選択的に吐出させることができる。
【００７６】
次に、シャトル搬送ロボット６０の構成について説明する。図１１は、シャトル搬送ロボットの平面図、図１２（ａ），（ｂ）はシャトル搬送ロボット６０とウエハＷの処理部との関係を示す概略側面図である。
【００７７】
図１１に示すシャトル搬送ロボット６０には、ウエハＷの処理部間搬送を行う際に、ウエハＷを保持する３個の保持部６１，６２，６３が設けられているが、このうち最も＋Ｘ軸方向側に設けられている保持部６１は載置部２０から処理部３０へのウエハＷの搬送を担当し、中央に設けられている保持部６２は処理部３０から処理部４０へのウエハＷの搬送を担当し、最も−Ｘ軸方向側に設けられている保持部６３は処理部４０から処理部５０へのウエハＷの搬送を担当する。
【００７８】
それぞれの保持部６１，６２，６３は、第１アーム６１ａ，６２ａ，６３ａと第２アーム６１ｂ，６２ｂ，６３ｂとを備えている。そして、各々のアームには、図１２に示すようにウエハＷを周縁部で保持するための保持部材６４が各々２個設けられている。第１アーム６１ａ，６２ａ，６３ａと第２アーム６１ｂ，６２ｂ，６３ｂは、ＸＹ平面内でのスライド動作を行うようになっている。
【００７９】
そして、基板処理装置１００内にある図示しないコントローラが、図示しない駆動手段に対して駆動命令を送ると、各第１アーム６１ａ，６２ａ，６３ａは＋Ｘ軸方向に移動する一方、各第２アーム６１ｂ，６２ｂ，６３ｂは−Ｘ軸方向に移動する。この動作により、シャトル搬送ロボット６０によるウエハＷを保持する動作（すなわち、ウエハＷのチャッキング動作）が行われる。このチャッキング動作は、第１アーム６１ａ，６２ａ，６３ａと第２アーム６１ｂ，６２ｂ，６３ｂとの２本のアームによってウエハＷを挟み込む動作であるため、ウエハＷの下面を支持するだけのものに比べると、各処理部に対して搬送するウエハＷの位置アライメントを行う。
【００８０】
また、逆に各第１アーム６１ａ，６２ａ，６３ａは−Ｘ軸方向に移動する一方、各第２アーム６１ｂ，６２ｂ，６３ｂは＋Ｘ軸方向に移動する動作により、シャトル搬送ロボット６０のウエハＷの保持状態を開放する動作が行われる。
【００８１】
また、図示しないモータの駆動によってα方向に保持部６１，６２，６３も回転軸６５を中心にして回転する。よって保持部６１，６２，６３がウエハＷを保持した状態でモータを駆動することにより、ウエハＷもＹＺ平面での回転動作を行う。
【００８２】
ここで、図１２（ａ）に示すように回転軸６５にα方向の微少量の回転を与えると、ウエハＷの保持状態の保持部６１は、その状態でα方向に微少量の回転を行う。したがって、載置部２０に載置されているウエハＷは、保持部６１に保持されてα方向に回転することによって、離脱することとなる。同様に、各処理部３０，４０で保持されていたウエハＷについても、保持部６１，６２，６３に保持されてα方向に回転することによって各処理部３０，４０における保持状態から開放されることになる。
【００８３】
そして、保持部６１，６２，６３は下部に移動台６６が連結されており、移動台６６は−Ｘ軸方向に沿って移動する。したがって、同時に保持部６１，６２，６３も−Ｘ軸方向に沿って移動する。
【００８４】
まず、図１１に示すように、シャトル搬送ロボット６０は、載置部２０と処理部３０，４０に対応する側に位置する。処理部３０，４０におけるウエハＷの処理中は、保持部６１，６２，６３は図中一点鎖線で示す位置にある。そして、処理部３０，４０のおけるウエハＷの処理が終了すると、各保持部６１はそれぞれ図中実線で示す位置に移動し、載置部２０，処理部３０，処理部４０にあるウエハＷの保持を行う。そして、各ウエハＷを上昇させた後、シャトル搬送ロボット６０を−Ｘ軸方向に移動させる。
【００８５】
そして、処理部３０，処理部４０，処理部５０へ搬送したウエハＷを下降させた後、保持部６１，６２，６３を一点鎖線で示す位置に退避させることによって、各処理部へのウエハＷの搬送動作を完了する。なお、保持部６１，６２，６３が退避する際には、各処理部間等に設けられた退避位置６７に退避する。
【００８６】
このように、このシャトル搬送ロボット６０は、隣接する処理部間でのウエハＷの搬送を同時に行うようになっているため、効率的なウエハＷの処理部間の搬送を実現しているとともに、載置部２０から処理部３０へのウエハＷの搬送と、処理部３０から処理部４０へのウエハＷの搬送と、処理部４０から処理部５０へのウエハＷの搬送とについては個別に搬送ロボットを設ける必要がなく、基板処理装置１００のフットプリントを減少させることが可能となる。
【００８７】
なお、処理部５０からのウエハＷの取り出しは、上述のように搬送ロボット１０の搬送アーム１１が行うように構成されている。
【００８８】
次に、カバー７０について説明する。図１２に示すように、カバー７０は、処理部３０，４０，５０におけるウエハＷの処理の際に処理液等が飛散しないように各処理部を覆っている。また、カバー７０は図１１に示すように、下降した際に、退避位置６７に退避しているシャトル搬送ロボット６０の保持部６１，６２，６３に緩衝しないように各退避位置６７に対応する位置の凹部７１が設けられている。したがって、シャトル搬送ロボット６０の保持部６１，６２，６３が図１１の一点鎖線で示す位置に退避した場合に、カバー７０を下降させれば、カバー７０は保持部６１，６２，６３に接触することなく各処理部３０，４０，５０を良好に覆うことができる。
【００８９】
また、シャトル搬送ロボット６０の保持部６１，６２，６３が退避位置６７に退避した直後にカバー７０を下降させれば、各処理部３０，４０，５０における上述のウエハＷの処理を開始することができる。
【００９０】
次に、図１２（ａ），（ｂ）に基づいて、カバー７０とシャトル搬送ロボット６０との関係について説明する。図１２（ａ）に示すように、シャトル搬送ロボット６０の回転軸６５がα方向に微少量回転し、保持部６１がウエハＷを持ち上げた状態で処理部間搬送を行う。このとき、カバー７０は、シャトル搬送ロボット６０の搬送動作の際に緩衝しないように図示しない昇降手段によって上昇した状態となっている。
【００９１】
ところで、ウエハＷの処理部間搬送が終了し、カバー７０が下降して各処理部におけるウエハＷの処理が開始された際に、処理部３０，４０，５０に対応する位置にあるシャトル搬送ロボット６０を次の処理部間搬送に備えて、載置部２０，処理部３０，４０に対応する位置に予め移動させておくことが必要に応じて行われる。
【００９２】
しかし、各処理部はウエハＷの処理中であり、カバー７０は閉じた状態であるため、保持部６１が退避位置６７にある状態で、シャトル搬送ロボット６０を＋Ｘ軸方向に移動させると、カバー７０に衝突する。
【００９３】
そこで、このシャトル搬送ロボット６０では、図１２（ｂ）に示すように、シャトル搬送ロボット６０の回転軸６５を９０度程度回転させることによって保持部６１を起立状態にし、側面視でカバー７０と保持部６１とが重ならないようにな状態にする。こうすることにより、シャトル搬送ロボット６０がＸ軸方向に移動しても保持部６１がカバー７０と緩衝しないようになり、各処理部におけるウエハＷの処理中に、シャトル搬送ロボット６０を載置部２０，処理部３０，４０に対応する位置に予め移動させておくことが可能となる。
【００９４】
そして、シャトル搬送ロボット６０がＸ軸方向に移動して、載置部２０，処理部３０，４０に対応する位置に到達すると、起立状態の保持部６１を再び略水平状態に戻す。
【００９５】
なお、ウエハＷの処理中に図１１の一点鎖線で示す保持部６１の位置で待機しているときに保持部６１の洗浄を行う場合は、載置部２０の近辺に載置部２０内のウエハＷをチャッキングする保持部６１に対してリンス液を吐出するノズル（図示せず）を設ければよい。そして、載置部２０の近辺に設けられたノズルからリンス液を吐出することにより、保持部６１を洗浄することが可能となる。また、保持部６１，６２，６３の洗浄は、それぞれの退避位置６７内に配置されたノズル等からのリンス液を吐出する手段を用いる事により洗浄することが可能となる。
【００９６】
図１３は、この基板処理装置１００の主要な電気的構成を示すブロック図である。この基板処理装置１００には、当該装置の制御中枢として機能するマイクロコンピュータなどで構成された制御部５００が備えられている。制御部５００は、ＲＯＭ５０１に格納された制御プログラムに従って、シリンダ３６４，３６４，９４１、モータＭ１，Ｍ２、回転駆動部３１４，３２４，９３、昇降駆動部３１５，３２５，９４、および開閉弁３３０（ａ，ｂ），３３１（ａ，ｂ）を制御する。
【００９７】
次に、この基板処理装置１００の洗浄動作について説明する。洗浄前においては、保持ハンド３５ａ，３５ｂはウエハＷを保持する保持位置から退避した待機位置で待機し、かつ表面ブラシ３１および裏面ブラシ３２も互いにウエハＷから離れた状態で待機している。前工程であるＣＭＰ処理が終了しシャトル搬送ロボット６０によってウエハＷが搬送されてくると、制御部５００は、シリンダ３６４のロッド３６４ａを進出させる。その結果、保持ハンド３５ａ，３５ｂは互いに近づく。これにより、ウエハＷがその端面において保持用ローラ８０（ａ〜ｃ）に保持される。
【００９８】
少し遅れて周縁部洗浄手段９０もシリンダ９４１のロッド９４１ａが進出され、上方へ移動することでウエハＷの端部の洗浄位置に正確に配置されることとなる。そしてウェハＷの端部がブラシ毛９２２による側面に押圧されることとなる。
【００９９】
その後、制御部５００は、回転駆動部３１４，３２４を駆動し、上表面ブラシ３１および裏面ブラシ３２を回転させる。これと同時に、制御部５００は、開閉弁３３０ａ，３３１ａを制御し、薬液供給路３１９ａ，３２９ａを接続させる。その結果、洗浄液供給ノズル３１７ａ，３２７ａから薬液がそれぞれウエハＷの上面および下面に供給される。
【０１００】
その後、制御部５００は、モータＭ１，Ｍ２を駆動する。その結果、保持用ローラ８０（ａ〜ｃ）が回転駆動され、これに伴って、ウエハＷが低速回転する。また洗浄具９２は逆回転駆動される。
【０１０１】
さらに、制御部５００は、昇降駆動部３１５，３２５を制御し、表面ブラシ３１および裏面ブラシ３２を互いに近づく方向に移動させる。その結果、保持用ローラ８０（ａ〜ｃ）に保持されているウエハＷは、表面ブラシ３１および裏面ブラシ３２によって挟み込まれ、表面ブラシ３１および裏面ブラシ３２によりウエハＷの上面および下面が擦られる。これにより、ウエハＷの上面および下面が薬液が供給されつつ表面ブラシ３１および裏面ブラシ３２によってスクラブ洗浄される。その結果、ウエハＷの上面および下面に残っていたスラリーが除去される。
【０１０２】
同時にウエハＷの端部は周縁部洗浄手段９０により洗浄される。周縁部洗浄手段９０はウエハＷの回転とは逆に回転するので、洗浄位置にて充分な洗浄作用をウエハＷの端部の周縁に対して行うこととなる。
【０１０３】
所定の時間経過後、制御部５００は、昇降駆動部３１５，３２５を制御し、表面ブラシ３１および裏面ブラシ３２を互いにウエハＷから離れる方向に移動させ、ウエハＷから表面ブラシ３１および裏面ブラシ３２を離れさせる。その後、開閉弁３１９ａ，３１９ｂを閉じて開閉弁３２９ａ，３２９ｂを開くよう制御し、洗浄用パイプ３１８ｂ，３２８ｂと純水供給路３１９ｂ，３２９ｂとを接続させる。その結果、洗浄液供給ノズル３１７ｂ，３２７ｂから純水がウエハＷの上面および下面に供給され、ウエハＷの上面および下面に残っている薬液等が洗い流される。
【０１０４】
その後、制御部５００は、開閉弁３２９ａ，３２９ｂを制御し純水の吐出を停止させ、また、回転駆動部３１４，３２４の駆動を停止して表面ブラシ３１および裏面ブラシ３２の回転を停止させる。さらに、モータＭ１，Ｍ２の駆動を停止させ、ウエハＷと周縁部洗浄手段９０の回転を停止させる。これにより、両面洗浄装置３４におけるスクラブ洗浄処理が終了する。
【０１０５】
その後、制御部５００は、反転装置３によりウエハＷは表裏が反転され保持装置３３に保持され、上記と同じようにスクラブ洗浄処理が行われる。
【０１０６】
その結果、ウエハＷの周縁部の表面上に残っているエッチング液が洗い流されるとともに、ウエハＷの周縁部に残っていたスラリーが除去されたり、不要な薄膜がエッチングされる。
【０１０７】
洗浄処理終了後、制御部５００は、保持ハンド３５ａ，３５ｂをウエハＷに向けて移動させる。これにより、シャトル搬送ロボット６０はウエハＷを次の処理部４０へ搬送する。処理部４０では、ブラシ４１により表面洗浄処理を行う。そして、処理部５０では、純水等のリンス液を使用してウエハの最終リンスを行った後、ウエハを高速に回転させて、スピンドライ乾燥（リンス処理・乾燥処理）を行う。
【０１０８】
さらに、搬送ロボット１０は、処理部５０での最終リンス処理が行われて、乾燥処理されたウエハＷを取り出してウエハＷを基板収納部７に設けられているポッド９に収納する。
【０１０９】
以上のように本実施形態によれば、ウエハＷの端部を下方から保持して洗浄できるようにしているから、ウエハＷ端部への当接状態を確実に出来るとともに、別途、洗浄位置まで横移動させる構造を必要としない。したがって、ウエハＷの周縁部にスラリーが残っている場合であっても、当該スラリーを確実に除去できる。その結果、スラリーと薄膜との反応生成物が発生することもなくなる。そのため、ＣＭＰ処理後のウエハＷの全体を良好に洗浄できる。よって、高品質な半導体製造装置を提供できる。
【０１１０】
本発明の実施の一形態の説明は以上のとおりであるが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではない。たとえば上記実施形態では、ウエハＷの中央部と周縁部とを１つの処理室３０１にて洗浄する場合を例にとって説明しているが、たとえばウエハＷの中央部を第１の処理室にて洗浄した後、別の第２の処理室にてウエハＷの周縁部を洗浄するようにしてもよい。この構成によっても、ウエハＷの中央部と周縁部とを洗浄することができるから、上記実施形態と同様に、膜残り等の不具合を解消でき、ウエハＷの表面の全体を良好に洗浄できる。
【０１１１】
また、上記実施形態では、図４から図７まで及び図９に示すように、ウエハＷを６つの保持用ローラ８０によって保持する構成を例にとって説明しているが、ウエハＷを保持すべき保持用ローラは少なくとも３つ以上あればよい。この場合、３つ以上の保持用ローラのうちいずれか１つに対してだけ駆動力を伝達するようにしてもよい。この構成によっても、ウエハＷを端面にて保持しつつ回転させることができる。
【０１１２】
さらに、上記実施形態では、周縁部洗浄手段９０をウエハＷの回転方向Ｂと反対方向に回転させているが、固定としてもよい。または、同方向にウエハＷの回転速度（周速）と異なる回転速度（周速）で回転させてもよい。
【０１１３】
さらに、上記実施形態では、周縁部洗浄手段９０を１個配置する構成としているが、複数配置する構成としてもよい。
【０１１４】
さらに、上記実施形態では、周縁部洗浄手段９０の洗浄具９２をブラシ毛９２２で構成したが、例えばＰＶＡによる多数の気孔を有するスポンジ状の部材で構成してもよい。
【０１１５】
さらに、上記実施形態では、ＣＭＰ処理後のウエハＷの洗浄を行う場合を例にとって説明しているが、本発明は、ＣＭＰ処理後に限らずに、ウエハＷの中央部と周縁部とを洗浄する必要のある場合に広く適用することができる。
【０１１６】
さらに、上記実施形態では、ウエハＷの洗浄が行われる場合について説明しているが、本発明は、液晶表示装置用ガラス基板およびＰＤＰ（プラズマ・ディスプレイ・パネル）基板など他の各種の基板の洗浄に対して広く適用することができる。その他、特許請求の範囲に記載された範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１１７】
【図１】本発明の実施の形態に係る基板処理装置を示す平面図である。
【図２】本発明の実施の形態に係る基板処理装置のＹＺ平面における概略断面図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る基板処理装置のＺＸ平面における概略断面図である。
【図４】本発明の実施の形態に係る洗浄装置の構成を示す概略平面図である。
【図５】本発明の実施の形態に係る洗浄装置を示す図４のＤ−Ｄ矢視の断面図である。
【図６】本発明の実施の形態に係る洗浄装置を示す要部を断面とした側面図である。
【図７】図５の保持ハンド３５ａの拡大図である。
【図８】周縁部洗浄手段を示す概略断面図である。
【図９】保持ローラを示す側面図である。
【図１０】周縁部洗浄手段を示す断面図である。
【図１１】シャトル搬送ロボットによる処理部間搬送の様子を示す説明図である。
【図１２】カバーと保持部との動作関係を示す概略側面図で、（ａ）はウェハを保持した状態、（ｂ）は保持部を起立状態にした状態を示した図である。
【図１３】基板処理装置の制御部の構成を示すブロック図である。
【図１４】従来の洗浄装置の概略構成図である。
【図１５】従来の洗浄装置の構成を示す側面図である。
【図１６】従来の基板の端部の洗浄領域を示す説明図である。
【符号の説明】
【０１１８】
３０、４０、５０    処理部
３３    保持装置
３４    両面洗浄装置
９０    周縁部洗浄手段
９１    軸部
９２    洗浄具
９２２    ブラシ毛
９３    回転駆動部
１００    基板処理装置
２００    ＣＭＰ装置
Ｗ    ウエハ
【図１】
0004451429.tif 000002
【図２】
0004451429.tif 000003
【図３】
0004451429.tif 000004
【図４】
0004451429.tif 000005
【図５】
0004451429.tif 000006
【図６】
0004451429.tif 000007
【図７】
0004451429.tif 000008
【図８】
0004451429.tif 000009
【図９】
0004451429.tif 000010
【図１０】
0004451429.tif 000011
【図１１】
0004451429.tif 000012
【図１２】
0004451429.tif 000013
【図１３】
0004451429.tif 000014
【図１４】
0004451429.tif 000015
【図１５】
0004451429.tif 000016
【図１６】
0004451429.tif 000017