(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）半導体基板の上層に第１絶縁膜を形成し、前記第１絶縁膜に溝を形成する工程、
（ｂ）前記溝内および前記溝の外の第１絶縁膜上にバリア導電膜を堆積し、前記バリア導電膜上に銅を主成分とする導電膜を堆積し、前記導電膜で前記溝内を埋め込み前記第１絶縁膜上にも前記導電膜を形成する工程、
（ｃ）前記溝以外の前記第１絶縁膜上の前記導電膜を第１の研磨パッドおよび第１の研磨液により研磨して除去したのち、前記第１絶縁膜上の前記バリア導電膜を第２の研磨パッドおよび第２の研磨液により研磨して除去し、前記溝内に前記バリア導電膜および前記導電膜からなる配線を形成する工程、
（ｄ）前記第１絶縁膜上および配線の表面を還元性雰囲気のプラズマにより処理する工程、
（ｅ）前記プラズマ処理工程の終了後、前記第１絶縁膜および配線上にバリア絶縁膜を堆積する工程、
を含み、
前記第１の研磨液および前記第２の研磨液のそれぞれは、酸化剤および有機酸を含む研磨液であり、
前記第１の研磨液の砥粒濃度は０．０１重量％未満であり、前記第２の研磨液の砥粒濃度は０．５重量％以上であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体集積回路装置の製造方法であって、
前記還元性雰囲気のプラズマは、アンモニア（ＮＨ3 ）プラズマ、または、水素（Ｈ2 ）プラズマであることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１記載の半導体集積回路装置の製造方法であって、
前記還元性雰囲気のプラズマは、水素（Ｈ2 ）、窒素（Ｎ2 ）、アルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）から選択された単一または複数のガスとアンモニア（ＮＨ3 ）との混合ガスプラズマであることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３記載の半導体集積回路装置の製造方法であって、
前記混合ガスに対するアンモニア（ＮＨ3 ）の濃度は５％以上であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１記載の半導体集積回路装置の製造方法であって、
前記還元性雰囲気のプラズマは、アンモニア（ＮＨ3 ）、窒素（Ｎ2 ）、アルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）から選択された単一または複数のガスと水素（Ｈ2 ）との混合ガスプラズマであることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５記載の半導体集積回路装置の製造方法であって、
前記混合ガスに対する水素（Ｈ2 ）の濃度は５％以上であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１記載の半導体集積回路装置の製造方法であって、
前記還元性雰囲気のプラズマは、アンモニア（ＮＨ3 ）、水素（Ｈ2 ）、または、これらのガスと窒素（Ｎ2 ）、アルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）から選択された単一または複数のガスとの混合ガスのプラズマであることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体集積回路装置および半導体集積回路装置の製造方法に関し、特に、銅を主導電層とする配線を、絶縁膜への溝形成、溝を埋め込む銅膜の形成およびＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing ）法を用いた研磨により形成する、いわゆるダマシン法に適用して有効な技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年の半導体集積回路装置における配線の微細化に伴い、配線抵抗の増大、配線遅延の増加、これらに起因する半導体集積回路装置の性能が低下が問題になっている。特に高性能なロジックＬＳＩにおいては、その性能阻害要因として大きな問題を生じている。このため、たとえば１９９３  ＶＭＩＣ（VLSI Multilevel Interconnection Conference）予稿集、ｐ１５〜ｐ２１に記載されているように、絶縁膜に形成した配線溝に銅（Ｃｕ）を主導体層とする配線用金属を埋め込んだ後、配線溝外部の余分な金属を化学機械研磨法（ＣＭＰ法）を用いて除去することにより配線溝内に配線パターンを形成する方法が検討されている。
【０００３】
なお、特開平９−３０６９１５号公報には、半導体基板上のシリコン酸化膜に配線溝を形成後、スパッタ法を用いて窒化チタン膜および銅膜を堆積し、リフローにより溝内に銅を充填し、その後ＣＭＰ法により溝以外の銅膜を除去し、さらに水素雰囲気中で熱処理を施す技術が記載されている。これにより銅配線中の欠陥を低減できるとしている。
【０００４】
また、特開平１０−５６０１４号公報には、半導体基板上に形成された窒化チタン膜およびタングステン膜を有する被研磨材料をＣＭＰ法により研磨した後、その研磨された表面にハロゲン系混合ガスを用いたプラズマ処理を施す技術が記載されている。これにより、ＣＭＰ法に由来するマイクロスクラッチが形成されても配線ショートを生じないとしている。
【０００５】
また、特開平１０−５６０１４号公報には、配線を形成したい下地上に感光性ＳＯＧ膜を形成し、このＳＯＧ膜に配線溝を形成し、窒化チタン膜、銅膜および銅チタン合金膜を形成し、ＣＭＰ法による研磨により配線溝内にのみ前記被膜を残し、さらにアンモニア雰囲気で加熱処理して銅チタン合金膜の表層部に窒化チタン膜を形成する技術が記載されている。特開平１０−１８９６０４号公報にはＣｕ膜のＣＭＰ後に３００℃のＳｉＨ4雰囲気でアニールしてその後アンモニアプラズマ処理を行いＳｉＮキャップ層を形成する開示がある。特開２００１−１６０５５８号公報（特願平１１−３４３５１０号）にはＣＭＰ後にＮ2＋ＮＨ3あるいはＨ2、Ｎ2、Ｎ2＋Ｈ2＋ＮＨ3のプラズマ処理を行った後ＳｉＮあるいはＳｉＣ、ＳｉＣＮからなるキャップ絶縁膜を形成する開示がある。特開平１１−８７３５３号公報にはＣＭＰ後のＨ2アニールあるいはアンモニアプラズマ処理を行う開示がある（【００４０】〜【００４１】）。特開平１１−３３０２４６号公報には銅配線形成後にアンモニアプラズマ照射により銅配線と銅バリア層の接着性を向上させる開示がある（【００１７】）。特開平１１−１６９１２号公報にはＣＭＰ後に酸化層を還元するために水素あるいはアンモニアプラズマを行う開示がある（【００６２】〜【００６３】）。特開２０００−０４０６７９号公報（特願平１０−２０９８５７号）にはＣｕのＣＭＰ後に洗浄および保管時の光起電力によるＣｕ配線部の腐食を防止するために遮光状態にして洗浄、保管を行う開示がある。特開平１１−１３５４６６号公報には実質的に砥粒を含まない研磨液を用いてＣｕのＣＭＰを行う研磨方法の開示がある。特開２０００−１５０４３５号公報（特願平１０−３１７２３３号）には実質的に砥粒を含まない研磨液を用いてＣｕを研磨した後、バリアメタルを砥粒を含みＣｕとの研磨速度の選択比を大きくした研磨液を用いて研磨する方法の開示がある。特開２０００−３１５６６６号公報（特願平１１−１２３０６１号）にはＣｕとバリア膜からなる埋め込み配線のＣＭＰにおいて砥粒濃度が０．５％以下の研磨液を用いてＣｕ膜を研磨した後、砥粒濃度が０．５％以上の研磨液を用いてバリア膜の一部を研磨しその後Ｃｕの防食剤であるＢＴＡを含む研磨液を用いてバリア膜の残りを研磨する方法の開示がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上記配線溝を形成した後にこれを埋め込む金属膜（たとえば銅膜）を形成し、配線溝以外の銅膜をＣＭＰ法により除去する配線形成法、いわゆるダマシン法による配線形成技術において、本発明者らは、以下に説明するような問題を認識した。
【０００７】
すなわち、高性能のロジックＬＳＩへの適用を考慮した場合、配線抵抗の低減は重要な技術検討課題の一つである。そこで、発明者らは、配線を構成する金属として銅を検討している。銅は、その物性として他の金属（たとえばアルミニウム、タングステン）と比較して絶縁膜であるシリコン酸化膜中を拡散しやすいという性質を有する。よって、配線を覆うバリア膜の検討が重要である。配線溝内のバリア膜としては窒化チタン膜が検討されている。一方、配線上部を覆う被膜（キャップ膜）としてシリコン窒化膜が検討されている。これら配線溝に沿う窒化チタン膜と配線の上部をキャップするシリコン窒化膜とで銅を覆い、層間絶縁膜（シリコン酸化膜）への銅の拡散をブロックし、配線の信頼性を高めることが検討されている。
【０００８】
ところが、銅を配線材料に用いた場合、ＴＤＤＢ（Time Dependence on Dielectric Breakdown ）寿命が、他の金属材料（たとえばアルミニウム、タングステン）の場合と比較して著しく短いという問題が存在する。なお、ＴＤＤＢ試験とは、配線間の絶縁破壊強度を評価する加速試験方法の一種であり、通常使用環境より高い所定の温度での高電界下における絶縁破壊時間から、通常使用状態における絶縁破壊時間（寿命）を推定する試験方法である。ＴＤＤＢ寿命はこのＴＤＤＢ試験から推定される寿命である。ＴＤＤＢ寿命については後に詳述する。
【０００９】
図５５は、銅配線、アルミニウム配線、タングステン配線のＴＤＤＢ特性を測定したデータを示すグラフである。縦軸にＴＤＤＢ寿命を横軸に電界強度を割り当てている。アルミニウム配線の特性（データＡ）およびタングステン配線の特性（データＢ）を外挿すると、電界強度が０．２ＭＶ／ｃｍ（通常使用状態）におけるＴＤＤＢ寿命は、本発明者らの開発目標である３×１０8 ｓｅｃ（１０年）を優に越える。一方、銅配線の特性（データＣ）を外挿すると、１０年の開発目標に対してほとんどマージンのない状態であることがわかる。アルミニウム配線は被膜の堆積とフォトリソグラフィを用いたパターニングにより形成しているが、タングステン配線は銅配線と同様にダマシン法を用いて形成している。すなわち、銅配線とタングステン配線の相違は材料のみであり、構造上の相違はない。それにもかかわらずＴＤＤＢ特性の顕著な相違があることは、配線材料の相違に起因することが示唆される。なお、ここでのＴＤＤＢ特性は１４０℃の温度下で行ったデータを示している。
【００１０】
このようなＴＤＤＢ寿命の劣化原因は、配線材料に適用された銅が周辺に拡散し、これが配線間の絶縁耐圧を低下させることによると一般には考えられるが、本発明者らの検討によれば、その銅は原子状の銅よりも、酸化銅あるいは銅シリサイドから供給されるイオン化銅が配線間の電位でドリフトし拡散する要因が支配的であると考えられる。また、銅の拡散経路は銅配線が形成された絶縁膜とキャップ膜との界面が支配的であると考えられる。すなわち、銅配線の表面に酸化銅あるいは銅シリサイドが形成され、これら銅の化合物から銅イオンが形成され、イオン化された銅が配線形成用絶縁膜とキャップ膜との界面に沿って配線間電界によりドリフトして拡散し、この拡散した銅原子がリーク電流を増加させる原因になると考えられる。そしてリーク電流の増加は熱ストレスを増加させ、最終的にリークパスで絶縁破壊が生じてＴＤＤＢ寿命に至ると考えられる。なお、この点のメカニズムは後に詳述する。
【００１１】
また、本発明者らの検討では、配線層を多層に形成した場合、上層配線の形成工程であるＣＭＰ工程において、下層配線とその上層に形成された絶縁膜（キャップ膜）との間に剥離が生ずる問題もある。
【００１２】
さらに、銅配線上のキャップ膜としてシリコン窒化膜を用いると、銅とシリコン窒化膜との界面にシリサイド物が形成され、銅配線の抵抗が増加するという問題もある。
【００１３】
本発明の目的は、ダマシン法を用いて形成された銅配線の絶縁破壊耐性（信頼性）を向上することにある。
【００１４】
また、本発明の目的は、配線層とキャップ膜との剥離の発生を抑制することにある。
【００１５】
さらに、本発明の目的は、キャップ膜にシリコン窒化膜を用いた場合の銅配線の抵抗値の増加を防止することにある。
【００１６】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００１８】
すなわち、本発明は、ＣＭＰ工程の後、配線上にキャップ膜（たとえばシリコン窒化膜）を形成する前に、配線およびそれが埋め込まれた層間絶縁膜（たとえばシリコン酸化膜）の表面を還元性プラズマで処理するものである。
【００１９】
これにより、配線および層間絶縁膜とキャップ絶縁膜との間の界面を連続的に形成でき、界面における密着性を改善してＴＤＤＢ寿命を著しく向上することができる。
【００２０】
以下、本発明の概要を列記して説明する。
【００２１】
本発明の製造方法は、半導体基板の上層に第１絶縁膜（たとえばシリコン酸化膜）を形成し、第１絶縁膜に溝（配線溝）を形成する。その後第１導電膜（銅の拡散を防止するブロッキング膜、たとえば窒化チタン膜）、溝を埋め込む第２導電膜（銅膜）を順次形成し、第２導電膜および第１導電膜を研磨して溝内に配線を形成する。その後、第１絶縁膜および配線の表面を還元性雰囲気のプラズマにより処理する。さらに、第１絶縁膜および配線上に第２絶縁膜（キャップ絶縁膜、たとえばシリコン窒化膜）を堆積する。
【００２２】
ここで、還元性雰囲気のプラズマは、アンモニア（ＮＨ3 ）プラズマあるいは水素（Ｈ2 ）プラズマとすることができる。また、アンモニア（ＮＨ3 ）と希釈ガス（水素（Ｈ2 ）、窒素（Ｎ2 ）、アルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）から選択された単一または複数のガス）との混合ガスプラズマ、あるいは、水素（Ｈ2 ）と希釈ガス（アンモニア（ＮＨ3 ）、窒素（Ｎ2 ）、アルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）から選択された単一または複数のガス）との混合ガスプラズマとすることができる。なお、混合ガスに対するアンモニアあるいは水素の濃度は５％以上である。
【００２３】
また、第１絶縁膜はシリコン酸化膜とし、第２導電膜は銅、第２絶縁膜はシリコン窒化膜とすることができる。なお、言うまでもないことであるが、銅は配線としての特性を損なわない範囲で合金要素や添加物、不純物を含むことを許容する。実施の形態で用いる高純度の銅は一般に４Ｎすなわち９９．９９％以上のものが用いられる。
【００２４】
また、研磨工程の後、プラズマ処理前に第１絶縁膜および配線の表面を酸洗浄することができる。酸洗浄には、フッ化水素（ＨＦ）またはクエン酸（Ｃ（ＣＨ2 ＣＯＯＨ）2 （ＯＨ）（ＣＯＯＨ））の水溶液を用いることができる。
【００２５】
また、研磨工程には、砥粒フリーの化学機械研磨法を用いることができる。研磨は、砥粒フリー化学機械研磨を行う第１研磨、有砥粒化学機械研磨を行う第２研磨、および、第２導電膜に対して第１導電膜の選択比が５以上である化学機械研磨を行う第３研磨の３段階の化学機械研磨で行うことができる。
【００２６】
本発明の製造方法は、半導体基板の上層に第１絶縁膜を形成し、第１絶縁膜に溝を形成し、第１導電膜、溝を埋め込む第２導電膜を形成し、第２導電膜および第１導電膜を研磨して溝内に配線を形成し、第１絶縁膜および配線の表面にプラズマを用いて還元処理および窒化処理をし、第１絶縁膜および配線上に第２絶縁膜を堆積するものである。
【００２７】
この場合のプラズマは、アンモニア（ＮＨ3 ）またはアンモニアおよび水素（Ｈ2 ）と、窒素（Ｎ2 ）、アルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）から選択された単一または複数のガスとの混合ガスのプラズマである。
【００２８】
また、本発明の製造方法は、保護膜（パッシベーション膜）に含まれるシリコン酸化膜よりも誘電率の低い第１絶縁膜を形成し、第１絶縁膜に溝または孔を形成し、第１絶縁膜の露出面を還元性雰囲気のプラズマにより処理し、溝または孔の内壁を含む表面を覆う第１導電膜を堆積し、溝または孔を埋め込む第２導電膜を形成し、溝または孔以外の第２導電膜および第１導電膜を研磨により除去し、溝または孔内に導電部材を形成するものである。この場合の還元性雰囲気のプラズマも前記同様である。なお、第１絶縁膜上に第２絶縁膜を形成しても良い。
【００２９】
本発明の半導体集積回路装置は、第１絶縁膜と、第１絶縁膜の溝内に埋め込んで形成された配線と、第１絶縁膜および配線上に形成された第２絶縁膜とをし、第１絶縁膜および配線と第２絶縁膜との界面には窒化膜が形成されているものである。この場合、第１絶縁膜はシリコン酸化膜であり、配線は銅であり、第２絶縁膜はシリコン窒化膜である。また、窒化膜は、その膜中の窒素濃度が、第１絶縁膜および配線側から第２絶縁膜側に進むに従って高くなるものである。
【００３０】
さらに、本発明の製造方法は、半導体基板の上層に第１絶縁膜を形成し、第１絶縁膜に溝を形成し、第１絶縁膜上に第１導電膜を堆積し、溝を埋め込む第２導電膜を形成し、第２導電膜および第１導電膜を研磨して溝内に配線を形成し、第１絶縁膜および配線の表面を還元性雰囲気のプラズマにより処理し、さらに、半導体基板を大気雰囲気に曝すことなく減圧または不活性状態を維持し、連続的に第１絶縁膜および配線上に第２絶縁膜を堆積するものである。
【００３１】
以下、本願において、使用する用語の一般的意味について説明する。
【００３２】
ＴＤＤＢ寿命とは、所定の温度（たとえば１４０℃）の測定条件下で電極間に比較的高い電圧を加え、電圧印加から絶縁破壊までの時間を印加電界に対してプロットしたグラフを作成し、このグラフから実際の使用電界強度（たとえば０．２ＭＶ／ｃｍ）に外挿して求めた時間（寿命）をいう。図５６は、本願のＴＤＤＢ寿命測定に使用した試料を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）および（ｃ）は（ａ）におけるＢ−Ｂ’線断面およびＣ−Ｃ’線断面を各々示す。この試料は実際にはウェハのＴＥＧ（Test Equipment Group）領域に形成できる。図示するように一対の櫛形配線Ｌを第２配線層Ｍ２に形成し、最上層のパットＰ１，Ｐ２に各々接続する。この櫛形配線Ｌ間に電界が印加され電流が測定される。パットＰ１，Ｐ２は測定端子である。櫛形配線Ｌの配線幅、配線間隔、配線厚さは何れも０．５μｍである。また配線対向長は１．５８×１０5 μｍとした。図５７は、測定の概要を示した概念図である。試料は測定ステージＳに保持され、パッドＰ１，Ｐ２間に電流電圧測定器（Ｉ／Ｖ測定器）を接続する。試料ステージＳはヒータＨで加熱され試料温度が１４０℃に調整される。図５８は電流電圧測定結果の一例である。試料温度１４０℃、電界強度５ＭＶ／ｃｍの場合を例示した。ＴＤＤＢ寿命測定には定電圧ストレス法と低電流ストレス法とがあるが、本願では絶縁膜に印加される平均電界が一定となる定電圧ストレス法を用いている。電圧印加の後、時間の経過とともに電流密度は減少し、その後急激な電流増加（絶縁破壊）が観測される。ここでは、リーク電流密度が１μＡ／ｃｍ2 に達した時間をＴＤＤＢ寿命（５ＭＶ／ｃｍにおけるＴＤＤＢ寿命）とした。なお、本願において、ＴＤＤＢ寿命とは、特に言及しない限り０．２ＭＶ／ｃｍにおける破壊時間（寿命）をいうが、広義には所定の電界強度に言及したうえで破壊までの時間としてＴＤＤＢ寿命の語を用いる場合もある。また、特に言及しない限り、ＴＤＤＢ寿命は、試料温度１４０℃の場合をいう。なお、ＴＤＤＢ寿命は前記の櫛形配線Ｌで測定した場合をいうが、実際の配線間の破壊寿命を反映することはいうまでもない。
【００３３】
プラズマ処理とは、プラズマ状態にある環境に基板表面、あるいは、基板上に絶縁膜、金属膜等の部材が形成されている時にはその部材表面を暴露し、プラズマの化学的、機械的（ボンバードメント）作用を表面に与えて処理することをいう。一般にプラズマは特定のガス（処理ガス）に置換した反応室内に必要に応じて処理ガスを補充しつつ、高周波電界等の作用によりガスを電離させて生成するが、現実には完全に処理ガスで置換することはできない。よって、本願では、たとえばアンモニアプラズマと称しても、完全なアンモニアプラズマを意図するものではなく、そのプラズマ内に含まれる不純物ガス（窒素、酸素、二酸化炭素、水蒸気等）の存在を排除するものではない。同様に、言うまでもないことであるが、プラズマ中に他の希釈ガスや添加ガスを含むことを排除するものではない。
【００３４】
還元性雰囲気のプラズマとは、還元作用すなわち酸素を引き抜く作用を有するラジカル、イオン、原子、分子等の反応種が支配的に存在するプラズマ環境をいい、ラジカル、イオンには原子あるいは分子状のラジカルあるいはイオンが含まれる。また、環境内には単一の反応種のみならず、複数種の反応種が含まれていても良い。たとえば水素ラジカルとＮＨ2 ラジカルとが同時に存在する環境でもよい。
【００３５】
本願でたとえば銅からなると表現した場合、主成分として銅が用いられていることを意図する。すなわち、一般に高純度な銅であっても不純物が含まれることは当然であり、添加物や不純物も銅からなる部材に含まれることを排除するものではない。本願において高純度の銅からなると表現した場合には、一般的な高純度材料（たとえば４Ｎ（９９．９９％））程度の銅で構成されることを意図し、０．０１％程度の任意の不純物が含まれることを前提にする。これは銅に限らず、その他の金属（窒化チタン等）でも同様である。
【００３６】
本願でガスの濃度という場合には、質量流量における流量比を言うものとする。すなわち、ガスＡとガスＢとの混合ガスにおいて、ガスＡの濃度が５％という時には、ガスＡの質量流量をＦａ、ガスＢの質量流量をＦｂとして、Ｆａ／（Ｆａ＋Ｆｂ）＝０．０５のことをいう。
【００３７】
研磨液（スラリ）とは、一般に化学エッチング薬剤に研磨砥粒を混合した懸濁液をいい、本願においては発明の性質上、研磨砥粒が混合されていないものを含むものとする。
【００３８】
砥粒（スラリ粒子）とは、一般にスラリに含まれるアルミナ、シリカなどの粉末をいう。
【００３９】
化学機械研磨（ＣＭＰ）とは、一般に被研磨面を相対的に軟らかい布様のシート材料などからなる研磨パッドに接触させた状態で、スラリを供給しながら面方向に相対移動させて研磨を行うことをいい、本願においてはその他、被研磨面を硬質の砥石面に対して相対移動させることによって研磨を行うＣＭＬ(Chemical Mechanical Lapping) なども含むものとする。
【００４０】
砥粒フリー化学機械研磨とは、一般に砥粒の重量濃度が０．５％未満のスラリを用いた化学機械研磨をいい、有砥粒化学機械研磨とは、砥粒の重量濃度が０．５％以上のスラリを用いた化学機械研磨をいう。しかし、これらは相対的なものであり、第１ステップの研磨が砥粒フリー化学機械研磨で、それに続く第２ステップの研磨が有砥粒化学機械研磨である場合、第１ステップの研磨濃度が第２ステップの研磨濃度よりも１桁以上、望ましくは２桁以上小さい場合などには、この第１ステップの研磨を砥粒フリー化学機械研磨という場合もある。
【００４１】
防食剤とは、金属の表面に耐食性のおよび／または疎水性の保護膜を形成することによって、ＣＭＰによる研磨の進行を阻止または抑制する薬剤をいい、一般にベンゾトリアゾール（ＢＴＡ）などが使用される（詳しくは特開平８−６４５９４号公報参照）。
【００４２】
導電性バリア層とは、一般に埋め込み配線材料を構成する原子やイオンが輸送（拡散などを含む）されて下層の素子などに悪影響を及ぼすのを防ぐためのもので、電気伝導性が絶縁膜に比べて比較的高いＴｉなどの金属、ＴｉＮなどの金属窒化物、導電性酸化物、導電性窒化物その他の拡散阻止性を有する導電材料からなる層をいう。
【００４３】
選択的除去、選択的研磨、選択的エッチング、選択的化学機械研磨というときは、いずれも選択比が５以上のものをいう。
【００４４】
埋め込み配線とは、一般にシングルダマシン(single damascene)やデュアルダマシン(dual damascene)などのように、絶縁膜に形成された溝などの内部に導電膜を埋め込んだ後、絶縁膜上の不要な導電膜を除去する配線形成技術によって形成された配線をいう。
【００４５】
選択比について、「ＡのＢに対する」（または「Ｂに対するＡの」）選択比がＸというときは、研磨レートを例にとった場合、Ｂに対する研磨レートを基準にしてＡに対する研磨レートを計算したときにＸになることをいう。
【００４６】
以下の実施の形態では、特に必要なとき以外は同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。
【００４７】
また、以下の実施の形態では、便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらは互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明などの関係にある。
【００４８】
さらに、以下の実施の形態において、要素の数等（個数、数値、量、範囲などを含む）に言及する場合、特に明示したときおよび原理的に明らかに特定の数に限定されるときを除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でもよい。さらに、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等を含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合を除き、必ずしも必須のものではないことはいうまでもない。
【００４９】
同様に、以下の実施の形態において、構成要素などの形状、位置関係などに言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合を除き、実質的にその形状などに近似または類似するものなどを含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。
【００５０】
また、本願において半導体集積回路装置というときは、特に単結晶シリコン基板上に作られるものだけでなく、特にそうでない旨が明示された場合を除き、ＳＯＩ(Silicon On Insulator)基板やＴＦＴ(Thin Film Transistor)液晶製造用基板などといった他の基板上に作られるものを含むものとする。また、ウエハとは半導体集積回路装置の製造に用いる単結晶シリコン基板（一般にほぼ円盤形）、ＳＯＳ基板、ガラス基板その他の絶縁、半絶縁または半導体基板などやそれらを複合した基板をいう。
【００５１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００５２】
（実施の形態１）
本発明の実施の形態１であるＣＭＯＳ−ＬＳＩの製造方法を図１〜図１９を用いて工程順に説明する。
【００５３】
まず、図１に示すように、例えば１〜１０Ωcm程度の比抵抗を有するｐ型の単結晶シリコンからなる半導体基板（以下、基板という）１に深さ３５０nm程度の素子分離溝２をフォトリソグラフィとドライエッチングを用いて形成した後、溝の内部を含む基板１上にＣＶＤ法でシリコン酸化膜３を堆積する。続いて溝の上部のシリコン酸化膜３を化学機械研磨（ＣＭＰ）によってその表面を平坦化する。その後、基板１にｐ型不純物（ホウ素）およびｎ型不純物（例えばリン）をイオン打ち込みすることによって、ｐ型ウエル４およびｎ型ウエル５を形成した後、基板１をスチーム酸化することによって、ｐ型ウエル４およびｎ型ウエル５の表面に膜厚６nm程度のゲート酸化膜６を形成する。
【００５４】
次に、図２に示すように、ゲート酸化膜６の上部に、低抵抗多結晶シリコン膜、ＷＮ（窒化タングステン）膜およびＷ（タングステン）膜からなるゲート電極７を形成する。多結晶シリコン膜はＣＶＤ法により、ＷＮ膜およびＷ膜はスパッタ法により形成できる。ゲート電極７は、これら堆積膜のパターニングにより形成する。ゲート電極７は、低抵抗多結晶シリコン膜とＷシリサイド膜との積層膜などを使って形成してもよい。その後、イオン打ち込みすることによって、ｐ型ウエル４に低不純物濃度のｎ- 型半導体領域１１を、ｎ型ウエル５に低不純物濃度のｐ- 型半導体領域１２を形成する。
【００５５】
次に、図３に示すように、たとえばシリコン窒化膜をＣＶＤ法で堆積し、これを異方的にエッチングすることによって、ゲート電極７の側壁にサイドウォールスペーサ１３を形成する。この後、イオン打ち込みすることによって、ｐ型ウエル４に高不純物濃度のｎ+ 型半導体領域１４（ソース、ドレイン）を形成し、ｎ型ウエル５に高不純物濃度のｐ+ 型半導体領域１５（ソース、ドレイン）を形成する。なお、ｎ型不純物にはリンまたはヒ素を、ｐ型不純物にはボロンを例示できる。その後、チタン、コバルト等の金属膜を堆積し、熱処理の後に未反応の金属膜を除去するいわゆるサリサイド法を用いて、ｎ+ 型半導体領域１４（ソース、ドレイン）の表面およびｐ+ 型半導体領域１５（ソース、ドレイン）の表面にシリサイド層９を形成する。ここまでの工程で、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱｎおよびｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱｐが完成する。
【００５６】
次に、図４に示すように、基板１上にＣＶＤ法でシリコン酸化膜１８を堆積し、続いてフォトレジスト膜をマスクにしてシリコン酸化膜１８をドライエッチングすることにより、ｎ+ 型半導体領域１４（ソース、ドレイン）の上部にコンタクトホール２０を形成し、ｐ+ 型半導体領域１５（ソース、ドレイン）の上部にコンタクトホール２１を形成する。またこのとき、ゲート電極７の上部にもコンタクトホール２２を形成する。
【００５７】
シリコン酸化膜１８は、ゲート電極７、７の狭いスペースを埋め込むことのできるリフロー性の高い膜、例えばＢＰＳＧ(Boron-doped Phospho Silicate Glass)膜で構成する。また、スピン塗布法によって形成されるＳＯＧ(Spin On Glass) 膜で構成してもよい。
【００５８】
次に、コンタクトホール２０、２１、２２の内部にプラグ２３を形成する。プラグ２３を形成するには、例えばコンタクトホール２０、２１、２２の内部を含むシリコン酸化膜１８の上部にＣＶＤ法でＴｉＮ膜およびＷ膜を堆積した後、シリコン酸化膜１８の上部の不要なＴｉＮ膜およびＷ膜を化学機械研磨（ＣＭＰ）法またはエッチバック法によって除去し、コンタクトホール２０、２１、２２の内部のみにこれらの膜を残す。
【００５９】
次に、図５に示すように、シリコン酸化膜１８の上部に第１層目の配線となるＷ配線２４〜３０を形成する。Ｗ配線２４〜３０を形成するには、例えばシリコン酸化膜１８の上部にスパッタリング法でＷ膜を堆積した後、フォトレジスト膜をマスクにしてこのＷ膜をドライエッチングする。第１層目のＷ配線２４〜３０は、コンタクトホール２０、２１、２２を通じてｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱｎのソース、ドレイン（ｎ+ 型半導体領域）、ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱｐのソース、ドレイン（ｐ+ 型半導体領域）あるいはゲート電極７と電気的に接続される。
【００６０】
次に、図６（ａ）、（ｂ）に示すように、第１層目のＷ配線２４〜３０の上部にシリコン酸化膜３１を堆積し、続いてフォトレジスト膜をマスクにしたドライエッチングでシリコン酸化膜３１にスルーホール３２〜３６を形成した後、スルーホール３２〜３６の内部にプラグ３７を形成する。
【００６１】
シリコン酸化膜３１は、例えばオゾン（または酸素）とテトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）とをソースガスに用いたプラズマＣＶＤ法で堆積する。また、プラグ３７は、例えばＷ膜で構成し、前記コンタクトホール２０、２１、２２の内部にプラグ２３を形成した方法と同じ方法で形成する。
【００６２】
次に、図７（ａ）、（ｂ）に示すように、シリコン酸化膜３１の上部にプラズマＣＶＤ法で膜厚５０nm程度の薄いシリコン窒化膜３８を堆積し、続いてシリコン窒化膜３８の上部にプラズマＣＶＤ法で膜厚４５０nm程度のシリコン酸化膜３９を堆積する。その後、フォトレジスト膜をマスクにしたドライエッチングでスルーホール３２〜３６の上部のシリコン酸化膜３９およびシリコン窒化膜３８を除去し、配線溝４０〜４４を形成する。
【００６３】
配線溝４０〜４４を形成するには、まずシリコン窒化膜３８をエッチングストッパにしてシリコン酸化膜３９を選択的にエッチングし、その後、シリコン窒化膜３８をエッチングする。このように、配線溝４０〜４４が形成されるシリコン酸化膜３９の下層に薄いシリコン窒化膜３８を形成しておき、このシリコン窒化膜３８の表面でエッチングを一旦停止した後、シリコン窒化膜３８をエッチングすることにより、配線溝４０〜４４の深さを精度良く制御することができる。
【００６４】
次に、上記配線溝４０〜４４の内部に以下のような方法で第２層目の配線となる埋め込みＣｕ配線を形成する。
【００６５】
まず、図８に示すように、配線溝４０〜４４の内部を含むシリコン酸化膜３９の上部にスパッタリング法で膜厚５０nm程度の薄いＴｉＮ（窒化チタン）膜４５を堆積した後、ＴｉＮ膜４５の上部に配線溝４０〜４４の深さよりも十分に厚い膜厚（例えば８００nm程度）のＣｕ膜４６をスパッタリング法で堆積する。続いて、４７５℃程度の非酸化性雰囲気（例えば水素雰囲気）中で基板１を熱処理することによってＣｕ膜４６をリフローさせ、配線溝４０〜４４の内部に隙間なくＣｕ膜４６を埋め込む。
【００６６】
なお、ここでは、スパッタ法によるＣｕ膜４６とその後のリフローによる埋め込みを説明したが、薄いＣｕ膜をスパッタ法により形成し、その後メッキ法でＣｕ膜４６に相当するＣｕ膜を形成しても良い。
【００６７】
Ｃｕはシリコン酸化膜中に拡散し易いという性質があるために、配線溝４０〜４４の内部にＣｕ配線を形成した場合、シリコン酸化膜３９中にＣｕが拡散し、配線間の短絡や、シリコン酸化膜３９の誘電率上昇による配線間寄生容量の増加を引き起こす。また、Ｃｕは酸化シリコンなどの絶縁材料に対する密着性が乏しいという性質があるために、シリコン酸化膜３９との界面で剥離を引き起こし易い。
【００６８】
従って、配線溝４０〜４４の内部にＣｕ配線を形成する場合は、シリコン酸化膜３９とＣｕ膜４６との間にＣｕの拡散を抑制し、かつ絶縁材料に対する密着性が高いバリア層を設ける必要がある。さらに、上記のようなリフロー・スパッタリング法で配線溝４０〜４４の内部にＣｕ膜４６を埋め込む場合には、リフロー時にＣｕ膜４６の濡れ性を向上させる性質もバリア層に要求される。
【００６９】
Ｃｕと殆ど反応しない上記ＴｉＮや、ＷＮ、ＴａＮ（窒化タンタル）などの高融点金属窒化物は、このようなバリア層として好適な材料である。また、高融点金属窒化物にＳｉ（シリコン）を添加した材料や、Ｃｕと反応し難いＴａ、Ｔｉ、Ｗ、ＴｉＷ合金などの高融点金属もバリア層として用いることができる。
【００７０】
また、以下で説明するＣｕ配線の形成方法は、高純度のＣｕ膜を使ってＣｕ配線を形成する場合のみならず、Ｃｕを主成分とする合金膜を使ってＣｕ配線を形成する場合にも適用することができる。
【００７１】
図９は、上記Ｃｕ膜４６の研磨に用いる枚葉式のＣＭＰ装置１００を示す概略図である。このＣＭＰ装置１００は、表面にＣｕ膜４６が形成された基板１を複数枚収容するローダ１２０、Ｃｕ膜４６を研磨、平坦化する研磨処理部１３０、研磨が終了した基板１の表面に防蝕処理を施す防蝕処理部１４０、防蝕処理が終了した基板１を後洗浄するまでの間、その表面が乾燥しないように維持しておく浸漬処理部１５０、防蝕処理が終了した基板１を後洗浄する後洗浄処理部１６０および後洗浄が終了した基板１を複数枚収容するアンローダ１７０を備えている。
【００７２】
図１０に示すように、ＣＭＰ装置１００の研磨処理部１３０は、上部が開口された筐体１０１を有しており、この筐体１０１に取り付けられた回転軸１０２の上端部には、モータ１０３によって回転駆動される研磨盤（プラテン）１０４が取り付けられている。この研磨盤１０４の表面には、多数の気孔を有する合成樹脂を均一に貼り付けて形成した研磨パッド１０５が取り付けられている。
【００７３】
また、この研磨処理部１３０は、基板１を保持するためのウエハキャリア１０６を備えている。ウエハキャリア１０６を取り付けた駆動軸１０７は、ウエハキャリア１０６と一体となってモータ（図示せず）により回転駆動され、かつ研磨盤１０４の上方で上下動されるようになっている。
【００７４】
基板１は、ウエハキャリア１０６に設けられた真空吸着機構（図示せず）により、その主面すなわち被研磨面を下向きとしてウエハキャリア１０６に保持される。ウエハキャリア１０６の下端部には、基板１が収容される凹部１０６ａが形成されており、この凹部１０６ａ内に基板１を収容すると、その被研磨面がウエハキャリア１０６の下端面とほぼ同一か僅かに突出した状態となる。
【００７５】
研磨盤１０４の上方には、研磨パッド１０５の表面と基板１の被研磨面との間に研磨スラリ（Ｓ）を供給するためのスラリ供給管１０８が設けられており、その下端から供給される研磨スラリ（Ｓ）によって基板１の被研磨面が化学的および機械的に研磨される。研磨スラリ（Ｓ）としては、例えばアルミナなどの砥粒と過酸化水素水または硝酸第二鉄水溶液などの酸化剤とを主成分とし、これらを水に分散または溶解させたものが使用される。
【００７６】
また、この研磨処理部１３０は、研磨パッド１０５の表面を整形（ドレッシング）するための工具であるドレッサ１０９を備えている。このドレッサ１０９は、研磨盤１０４の上方で上下動する駆動軸１１０の下端部に取り付けられ、モータ（図示せず）により回転駆動されるようになっている。
【００７７】
研磨が終了した基板１は、防蝕処理部１４０において、その表面に防蝕処理が施される。防蝕処理部１４０は、上記した研磨処理部１３０の構成と類似した構成になっており、ここでは、まず研磨盤（プラテン）の表面に取り付けた研磨パッドに基板１の主面が押し付けられて研磨スラリが機械的に除去された後、例えばベンゾトリアゾール（ＢＴＡ）などの防蝕剤を含んだ薬液が基板１の主面に供給されることによって、基板１の主面に形成されたＣｕ配線の表面部分に疎水性保護膜が形成される。
【００７８】
研磨スラリの機械的洗浄（前洗浄）は、例えば図１１に示すように、水平面内で回転させた基板１の両面をＰＶＡ（ポリビニルアルコール）のような合成樹脂の多孔質体からなる円筒状のブラシ１２１Ａ、１２１Ｂで挟み、ブラシ１２１Ａ、１２１Ｂを基板１の面に対して垂直な面内で回転しながら基板１の両面を同時に洗浄する。また、前洗浄後の防蝕処理に際しては、必要に応じて純水スクラブ洗浄、純水超音波洗浄、純水流水洗浄または純水スピン洗浄などを防蝕処理に先行または並行して行うことにより、研磨処理部１３０で基板１の主面に付着した研磨スラリ中の酸化剤を十分に除去し、酸化剤が実質的に作用しない条件下で疎水性の保護膜を形成するようにする。
【００７９】
防蝕処理が終了した基板１は、その表面の乾燥を防ぐために、浸漬処理部１５０に一時的に保管される。浸漬処理部１５０は、防蝕処理が終了した基板１を後洗浄するまでの間、その表面が乾燥しないように維持するためのもので、例えば純水をオーバーフローさせた浸漬槽（ストッカ）の中に所定枚数の基板１を浸漬させて保管する構造になっている。このとき、Ｃｕ配線２８〜３０の電気化学的腐蝕反応が実質的に進行しない程度の低温に冷却した純水を浸漬槽に供給することにより、Ｃｕ配線２８〜３０の腐蝕をより一層確実に防止することができる。
【００８０】
基板１の乾燥防止は、例えば純水シャワーの供給など、少なくとも基板１の表面を湿潤状態に保持することのできる方法であれば、上記した浸漬槽中での保管以外の方法で行ってもよい。
【００８１】
後洗浄処理部１６０へ搬送された基板１は、その表面の湿潤状態が保たれた状態で直ちに後洗浄に付される。ここでは、酸化剤を中和するためにＮＨ4 ＯＨを含む洗浄液などの弱アルカリ薬液を供給しながら、基板１の表面をスクラブ洗浄（またはブラシ洗浄）した後、フッ酸水溶液を基板１の表面に供給してエッチングによる異物粒子（パーティクル）の除去を行う。また、上記のスクラブ洗浄に先行または並行して、基板１の表面を純水スクラブ洗浄、純水超音波洗浄、純水流水洗浄または純水スピン洗浄したり、基板１の裏面を純水スクラブ洗浄したりしてもよい。
【００８２】
上記後洗浄処理が終了した基板１は、純水リンスおよびスピンドライの後、乾燥した状態でアンローダ１７０に収容され、複数枚単位で一括して次工程へ搬送される。
【００８３】
なお、図１２に示すように、防蝕処理が終了した基板１の表面乾燥を防ぐための浸漬処理部（ウエハ保管部）１５０を遮光構造にし、保管中の基板１の表面に照明光などが照射されないようにすることができる。これにより、光起電力効果による短絡電流の発生を防ぐようにできる。浸漬処理部１５０を遮光構造にするには、具体的には浸漬槽（ストッカ）の周囲を遮光シートなどで被覆することによって、浸漬槽（ストッカ）の内部の照度を少なくとも５００ルクス以下、好ましくは３００ルクス以下、さらに好ましくは１００ルクス以下にする。
【００８４】
また、図１３に示すように、研磨処理の直後、すなわちその表面に残った研磨スラリ中の酸化剤による電気化学的腐蝕反応が開始される前に直ちに乾燥処理部に搬送され、研磨スラリ中の水分が強制乾燥によって除去されてもよい。図１３に示すＣＭＰ装置２００は、表面にＣｕ膜が形成された基板１を複数枚収容するローダ２２０、Ｃｕ膜を研磨、平坦化して配線を形成する研磨処理部２３０、研磨が終了した基板１の表面を乾燥させる乾燥処理部２４０、基板１を後洗浄する後洗浄処理部２５０および後洗浄が終了した基板１を複数枚収容するアンローダ２６０を備えている。このＣＭＰ装置２００を使ったＣｕ配線形成プロセスでは、研磨処理部２３０において研磨処理に付された基板１は、研磨処理の直後、すなわちその表面に残った研磨スラリ中の酸化剤による電気化学的腐蝕反応が開始される前に直ちに乾燥処理部２４０に搬送され、研磨スラリ中の水分が強制乾燥によって除去される。その後、基板１は、乾燥状態が維持されたまま後洗浄処理部２５０に搬送され、後洗浄処理に付された後、純水リンスおよびスピンドライを経てアンローダ２６０に収容される。この場合、研磨処理の直後から後洗浄が開始されるまでの間、基板１の表面が乾燥状態に保たれるために、電気化学的腐蝕反応の開始が抑制され、これにより、Ｃｕ配線の腐蝕を有効に防止することが可能となる。
【００８５】
このようなＣＭＰ法により、シリコン酸化膜３９上のＣｕ膜４６およびＴｉＮ膜４５を除去し、図１４に示すように、配線溝４０〜４４内にＣｕ配線４６ａ〜４６ｅを形成する。
【００８６】
次に、Ｃｕ配線４６ａ〜４６ｅとシリコン酸化膜３９の表面にプラズマ処理を施す。図１５は、プラズマ処理に用いる処理装置の概要を示した断面図（ａ）および平面図（ｂ）である。
【００８７】
この処理装置には、ロードロック室３０１に２つの処理室３０２ａ，３０２ｂとカセットインタフェイス３０３が取り付けられている。ロードロック室３０１内には基板１を搬送するロボット３０４を有する。ロードロック室３０１と処理室３０２ａ，３０２ｂとの間には、処理中にもロードロック室３０１内の高真空状態が保てるようにゲートバルブ３０５を有する。
【００８８】
処理室３０２ａ，３０２ｂ内には基板１を保持するサセプタ３０６、ガス流を整えるバッフル板３０７、サセプタ３０６を支持する支持部材３０８、サセプタ３０６に対向して配置されるメッシュ状の電極３０９、バッフル板３０７にほぼ対向して配置された絶縁板３１０を有する。絶縁板３１０はサセプタ３０６と電極３０９の間以外の不必要な領域での寄生放電を抑制する作用がある。サセプタ３０６の裏面側には反射ユニット３１１内に設置されたランプ３１２が配置され、ランプ３１２を発した赤外線３１３が石英窓３１４を通過してサセプタ３０６および基板１に照射される。これにより基板１が加熱される。なお、基板１はサセプタ３０６上にフェイスアップで設置される。
【００８９】
処理室３０２ａ，３０２ｂはその内部を高真空に排気することが可能であり、処理ガスおよび高周波電力がガスポート３１５から供給される。処理ガスはメッシュ状の電極３０９を通過して基板１の近傍に供給される。処理ガスは真空マニホールド３１６から排出され、処理ガスの供給流量および排気速度を制御することにより圧力が制御される。高周波電力は電極３０９に印加され、サセプタ３０６と電極３０９との間でプラズマを生成する。高周波電力はたとえば１３．５６ＭＨｚの周波数を用いる。
【００９０】
処理室３０２ａでは、たとえば次に説明するアンモニアプラズマ処理が行われる。また、処理室３０２ｂでは、後に説明するキャップ膜（シリコン窒化膜）の堆積が行われる。処理室３０２ａと処理室３０２ｂとはロードロック室３０１を介して接続されているため、アンモニアプラズマ処理の後に真空破壊することなく基板１を処理室３０２ｂに搬送することができ、アンモニアプラズマ処理とキャップ膜の形成を連続的に行うことができる。
【００９１】
次に、上記したプラズマ処理装置を用いて、基板１にアンモニアプラズマ処理を施す。カセットインタフェイス３０３から基板１がロボット３０４によりロードロック室３０１に搬入される。ロードロック室３０１を十分な減圧状態になるまで真空排気し、ロボット３０４を用いて処理室３０２ａに基板１を搬送する。
処理室３０２ａのゲートバルブ３０５を閉じ、処理室３０２ａ内が十分な真空度になるまで排気した後、処理室３０２ａにアンモニアガスを導入し、圧力調整を行って所定の圧力に維持する。その後、高周波電源から電極３０９に電界を印加し、図１６に示すように、基板１の表面をプラズマ処理する。所定時間の経過後高周波電界を停止し、プラズマを停止する。その後、処理室３０２ａ内を真空排気し、ゲートバルブ３０５を開いてロボット３０４により基板１をロードロック室３０１に搬出する。なお、ロードロック室３０１は高真空状態に維持されているため、基板１の表面が大気雰囲気に曝されることがない。
【００９２】
プラズマ処理条件は、たとえば、基板１のサイズを８インチとした場合、処理圧力を５．０Ｔｏｒｒ、ＲＦ電力を６００Ｗ、基板温度を４００℃、アンモニア流量を２００ｓｃｃｍ、処理時間を１０秒とすることができる。電極間距離は６００ｍｉｌｓとした。なお、プラズマ処理条件は、これら例示した条件に限られないのはもちろんである。本発明者らの検討では、圧力が高いほどプラズマダメージが低減でき、基板温度が高いほどＴＤＤＢ寿命の基板内ばらつきの低減と長寿命化がはかれる。また、基板温度が高く、ＲＦ電力が大きく、処理時間が長いほどＣｕの表面にヒロックが発生しやすい、という知見が得られている。これらの知見と装置構成による条件のばらつきを考慮すると、処理圧力は０．５〜６Ｔｏｒｒ、ＲＦ電力は３００〜６００Ｗ、基板温度は３５０〜４５０℃、アンモニア流量は２０〜５００ｓｃｃｍ、処理時間は５〜１８０秒、電極間距離は３００〜６００ｍｉｌｓの範囲で設定することができる。
【００９３】
このように、Ｃｕ配線４６ａ〜４６ｅとシリコン酸化膜３９の表面にプラズマ処理を施すことにより、Ｃｕ配線４６ａ〜４６ｅおよびシリコン酸化膜３９の表面のごく薄い領域に各々の下地材料の窒化膜を形成することができる。これにより、次に説明するキャップ膜（シリコン窒化膜）とＣｕ配線４６ａ〜４６ｅおよびシリコン酸化膜３９との密着性が向上し、ＴＤＤＢ寿命を著しく向上できる。
この点は、本発明者らの実験結果の解析とともに後に詳しく説明する。
【００９４】
次に、ロボット３０４を用いて基板１を処理室３０２ｂに搬送する。処理室３０２ｂのゲートバルブ３０５を閉じ、処理室３０２ｂ内が十分な真空度になるまで排気した後、処理室３０２ｂにシラン（ＳｉＨ4 ）、アンモニア、窒素の混合ガスを導入し、圧力調整を行って所定の圧力に維持する。その後、高周波電源から電極３０９に電界を印加してプラズマを発生し、図１７に示すように、Ｃｕ配線４６ａ〜４６ｅおよびシリコン酸化膜３９の表面にシリコン窒化膜４７（キャップ膜）を堆積する。所定時間の経過後高周波電界を停止しプラズマを停止する。その後、処理室３０２ｂ内を真空排気し、ゲートバルブ３０５を開いてロボット３０４により基板１をロードロック室３０１に搬出する。さらに、ロボット３０４を用いてカセットインタフェイス３０３に基板１を排出する。
【００９５】
シリコン窒化膜４７の膜厚はたとえば５０ｎｍとする。その後、第３層目の配線と第２層目の配線（Ｃｕ配線４６ａ〜４６ｅ）とを接続するプラグを形成するためのシリコン酸化膜を形成し、前記したと同様の方法で、第３層目以降の埋め込みＣｕ配線が形成される。図１８は、上述したＣｕ配線４６ａ〜４６ｅの形成プロセスの全体フロー図である。
【００９６】
なお、図１９に第７層目の配線までを形成したＣＭＯＳ−ＬＳＩの一例を示す。第１層目の配線（Ｍ１）は、前記した通りタングステン膜からなる。第２層配線（Ｍ２）から第５層配線（Ｍ５）までは、前記したＣｕ配線の形成方法で製造する。なお、第２層配線（Ｍ２）および第３層配線（Ｍ３）は、配線幅、配線間距離および配線高さ（厚さ）は何れも０．５μｍで形成する。第４層配線（Ｍ４）および第５層配線（Ｍ５）は、配線幅、配線間距離および配線高さ（厚さ）は何れも１μｍで形成する。第６層配線（Ｍ６）はタングステン膜、アルミニウム膜およびタングステン膜の３層構成とし、第７層配線（Ｍ７）はアルミニウム膜で構成する。第７層配線（Ｍ７）にはバンプ等が形成されるが図示を省略している。
【００９７】
本実施の形態によれば、ＴＤＤＢ寿命が大幅に改善される。図２０は、本実施の形態の第２層配線Ｍ２（Ｃｕ配線４６ａ〜４６ｅ）と同層に形成されたＴＥＧサンプルのＴＤＤＢ寿命を示すグラフであり、本実施の形態の場合のデータをラインＡに示す。比較のためにアンモニアプラズマ処理をしない場合のＴＤＤＢ寿命データ（ラインＲｅｆ）も同時に示す。図から明らかな通り、本実施の形態では、比較データと比べて約６桁の寿命向上が見られる。
【００９８】
図２１は、本実施の形態で適用したシリコン酸化膜３９をそれよりも緻密で強固なシリコン窒化膜に置き換えた場合のデータ（ラインＢ）を示す。絶縁膜を窒化シリコンに置き換えた場合であってもアンモニアプラズマ処理を施さなければ絶縁膜をシリコン酸化膜とした場合と何ら相違はない（ラインＲｅｆ）。一方、シリコン窒化膜を絶縁膜に適用し、アンモニアプラズマ処理を施せば、本実施の形態以上にＴＤＤＢ寿命が向上する。しかしその向上の割合は大きくなく、アンモニアプラズマ処理を行うことによる要因の方が支配的であることがわかる。これは、ＴＤＤＢ寿命を支配する要因は絶縁膜のバルクよりは、その界面が支配的であることを示している。
【００９９】
そこで、本発明者らは、アンモニアプラズマ処理によりＴＤＤＢ寿命が向上する機構を解析するために銅とシリコン酸化膜の表面分析を行った。以下に解析の結果を説明する。
【０１００】
図２２〜図２４は、Ｃｕ配線表面のＸＰＳ（X-ray Photo-electron Spectroscopy ）分析の結果を示したグラフである。各図の（ａ）、（ｃ）はＣｕ２ｐの分光結果を示し、（ｂ）、（ｄ）はＮ１ｓの分光結果を示す。
【０１０１】
図２２（ａ）、（ｂ）はアズデポ状態のＣｕ膜表面を分析した結果である。Ｃｕ２ｐのピークが観察され、Ｎ１ｓのピークはノイズレベルであることから、アズデポ状態のＣｕ膜には窒素は存在しないことがわかる。図２２（ｃ）、（ｄ）は、Ｃｕ膜にＣＭＰのみを施した直後のＣｕ配線表面を分析した結果である。Ｃｕ２ｐのピークとともにＮ１ｓのピークが観察される。前記した通りスラリにはＢＴＡが含まれるため、Ｃｕ表面に残留したＢＴＡ内の窒素を観察しているものと推察できる。図２３（ａ）、（ｂ）は、ＣＭＰ後に後洗浄まで行った状態のＣｕ配線表面を分析した結果である。Ｃｕ２ｐピークに変化は見られないが、Ｎ１ｓピークが低下している。洗浄によりＢＴＡが除去されたと考えられる。図２３（ｃ）、（ｄ）は、後洗浄後大気雰囲気に２４時間放置した状態のＣｕ配線表面を分析した結果である。Ｃｕ２ｐのピークとともにＣｕＯのピークが観察される。Ｎ１ｓピークには放置による変化は見られない。放置によりＣｕ表面が酸化され、ＣｕＯが生成していることがわかる。
【０１０２】
このように酸化されたＣｕ配線にアンモニアプラズマ処理を施した状態のＣｕ配線表面を分析した結果が図２４（ａ）、（ｂ）である。ＣｕＯのピークはほぼ消失している。一方、Ｎ１ｓピークは強く生じている。Ｃｕ表面が還元されて酸素が引き抜かれているとともに表面が窒化されていると考えられる。比較のため、酸化されたＣｕ配線に３５０℃の水素熱処理を施した状態のＣｕ配線表面を分析した。結果は図２４（ｃ）、（ｄ）である。Ｃｕ２ｐピークについて、図２４（ｃ）と図２４（ａ）とを比較すれば、よりアズデポ状態（図２２（ａ））に近いことから、水素熱処理の方が還元性は強いと考えられる。一方、Ｎ１ｓピークはほとんど観察されないことから、水素熱処理ではＣｕ表面が還元されるのみである。
【０１０３】
以上の結果から、アンモニアプラズマ処理によりＣｕ配線４６ａ〜４６ｅの表面は還元されるとともに窒化層が形成されてことがわかる。この窒化層は、アンモニアプラズマ処理の後にシリコン窒化膜を堆積する際の原料ガスに含まれるシランと銅との反応を防止し、銅のシリサイドの形成を抑制する働きを有すると考えられる。シリサイド形成の防止は配線抵抗の増加を抑制する役割があると考える。
【０１０４】
図２５は、シリコン酸化膜表面のＸＰＳ分析を行った結果を示すグラフであり、図２６および図２７は、シリコン酸化膜の質量分析（ＴＤＳ−ＡＰＩＭＳ）を行った結果を示すグラフである。シリコン酸化膜の分析においては、ＣＭＰ後洗浄まで行った状態（プロファイルＣ）、ＣＭＰ後洗浄後水素プラズマ処理を行った状態（プロファイルＤ）、ＣＭＰ後洗浄後アンモニアプラズマ処理を行った状態（プロファイルＥ）、ＣＭＰ後洗浄後窒素プラズマ処理を行った状態（プロファイルＦ）について分析した。なお、プロファイルＣの１ｅＶ程度の高エネルギー方向へのずれはチャージアップの影響によるものである。
【０１０５】
図２５（ａ）、（ｂ）はともにＳｉ２ｐスペクトルを観察したデータであり、（ａ）は１０ｎｍ程度の深さを、（ｂ）は２ｎｍ程度の深さを分析したものである。図２５（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）は各々Ｎ１ｓ、Ｏ１ｓ、Ｃ１ｓスペクトルを観察したデータである。
【０１０６】
図２５（ｂ）から、水素プラズマ処理（プロファイルＤ）の低エネルギー側（１０２ｅＶ付近）にブロードなピークが見られる。これはＳｉ−Ｈ結合が存在すると考えられ、水素プラズマ処理によりシリコン酸化膜表面にＳｉ−Ｈが形成されると推察される。
【０１０７】
図２５（ａ）より、アンモニアプラズマ処理（プロファイルＥ）と窒素プラズマ処理（プロファイルＦ）の１０５ｅＶのピークが低エネルギー側に広がった非対称なピークになっている。非対称部分のピーク（１０３．５ｅＶ）はＳｉ−Ｏ−Ｎ結合と考えられる。アンモニアプラズマ処理および窒素プラズマ処理によりシリコン酸化膜の表面が窒化されていると推察される。また、図２５（ａ）と（ｂ）との比較から、窒化は表面でより強くされていると考えられる。アンモニアプラズマ処理および窒素プラズマ処理による窒化は、図２５（ｃ）でも確認できる。
【０１０８】
図２５（ｅ）より、水素プラズマ処理（プロファイルＤ）では炭素はほとんど検出されない。水素プラズマ処理により表面の有機物が除去されていることがわかる。また、ＣＭＰ後（プロファイルＣ）の２８９ｅＶのピークはＣ−Ｏ結合と考えられる。ＣＭＰ後ではスラリが残留していると考える。
【０１０９】
図２５（ｆ）は、ＳｉピークとＮピークとからそれらの存在比を求め、Ｎ量を推定した値を示す。アンモニアプラズマ処理と窒素プラズマ処理とではほぼ同等の窒化がなされていると考える。
【０１１０】
図２６（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は各々質量数４１（Ａｒ−Ｈ）、質量数２７（Ｃ2 Ｈ3 ）、質量数５７（Ｃ4 Ｈ9 ）、質量数５９（Ｃ3 Ｈ7 Ｏ）を測定したグラフである。また、図２７（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は各々質量数２８（Ｓｉ、Ｃ2 Ｈ4 ）、質量数４４（ＳｉＯ、Ｃ3 Ｈ6 ）、質量数２９（ＳｉＨ、Ｃ2 Ｈ5 ）、質量数３１（ＳｉＨ3 ）を測定したグラフである。
【０１１１】
図２６（ａ）から、プラズマ処理による水素の脱離量の相違はほとんどないが、水素プラズマ処理（プロファイルＤ）の脱離温度が他の場合（５６０℃）と比較して５２０℃と低いことがわかる。
【０１１２】
図２６（ａ）、（ｂ）、（ｃ）から、各プロセスとも有機物の離脱が見られる。一方、図２７（ａ）〜（ｄ）から、有機物の離脱以外のピークの存在が見られる。すなわち、３００〜４００℃のピークは各々、Ｓｉ、ＳｉＯ、ＳｉＨ、ＳｉＨ3 と思われる。各図を比較すると、水素、アンモニア、窒素の各プラズマ処理で、ＳｉＯの離脱は見られるが、アンモニアプラズマ処理ではＳｉＨ、ＳｉＨ3 の離脱はほとんど観察されない。すなわち、アンモニアプラズマ処理ではＳｉ−Ｏ−Ｎが形成され、比較的低いエネルギーで容易に離脱する。また、離脱に必要なエネルギーは窒素プラズマ処理の場合が最も高く、水素プラズマ処理とアンモニアプラズマ処理とではほぼ同じと言える。
【０１１３】
これらの結果から、シリコン酸化膜表面のダングリングボンドの原因となるＳｉ−ＯＨやＳｉ−Ｏ−は、アンモニアプラズマ処理により、弱い結合のＳｉ−Ｏ−Ｎで終端されると考えられる。アンモニアプラズマ処理の後のシリコン窒化膜の成膜において、ごく表面のＳｉ−Ｏ−Ｎが離脱し、バルクのＳｉ−Ｏ結合とシリコン窒化膜のＳｉ−Ｎとが強固に結合し、連続的な界面を形成する。これが界面の密着性を向上する機構と考えられる。一方、アンモニアプラズマ処理を行わない場合には、そもそもＳｉ−ＯＨ結合の多いシリコン酸化膜の表面とシリコン窒化膜の原料ガスであるアンモニアとが縮合反応し、ダングリングボンドの原因であるＳｉ−Ｏ−結合が多数発生していると考えられる。シリコン酸化膜とシリコン窒化膜との界面に多数のダングリングボンドが存在すれば、そこはリークパスを形成することとなり配線間のリーク電流、ひいては絶縁破壊の原因となっていると考えられる。
【０１１４】
以上の分析結果から、アンモニアプラズマ処理により、酸化されたＣｕ配線の表面は還元されてＣｕ単元素に変換され、イオン化されたＣｕよりも電気的に安定な状態になり、かつ、シリコン酸化膜／シリコン窒化膜界面は連続的な強固な膜になることから、リーク電流が減少し、ＴＤＤＢ寿命も大幅に向上すると考えられる。
【０１１５】
図２８は、アンモニアプラズマ処理を行った本実施の形態の場合の配線層とシリコン窒化膜（キャップ膜）との界面を観察したＴＥＭ写真である。一方図２９はアンモニアプラズマ処理を行わない場合の界面のＴＥＭ写真である。図２８では、界面に薄い被膜の存在が確認できる（矢印で示した）。この薄い被膜が前記した窒化層であると考えられる。一方図２９では、そのような被膜は確認できない。
【０１１６】
また、本実施の形態では、Ｃｕ配線の抵抗を低減できる。図３０は、各種の処理を行った場合の配線抵抗の測定結果である。処理無し（プラズマ処理なし）とアンモニアプラズマ処理をした場合とでは、他の場合（水素プラズマ処理、水素アニール、窒素プラズマ処理）と比較して有意に低い値となっている。図３１および図３２は、これら各処理を施した場合のＣｕ配線とキャップ膜（シリコン窒化膜）との界面を観察したＴＥＭ写真である。処理無しとアンモニアプラズマ処理の場合（図３１）では界面に特異ものは見られないが、水素アニール、窒素プラズマ処理の場合（図３２）では界面に銅のシリサイド（ＣｕＳｉ）層が形成されている。このシリサイド層が抵抗増加の原因と思われる。このようなシリサイド層は、シリコン窒化膜の形成の際のシランガスとの反応で形成されるが、アンモニア処理を行っている場合にはＣｕ表面にごく薄い窒化膜が形成されており、この窒化膜がシリサイド化のブロッキング層として機能していると考えられる。一方、水素アニール等、単に銅表面を還元するのみでは活性なＣｕ表面が露出してシリコンとの反応が促進されるため、シリサイド層が生成されやすいと考えられる。なお、水素プラズマ処理（図３２（ｃ）、（ｆ））の場合には、界面に何らかの生成物が見られる。ただし、多くの場合にはそのような生成物が形成されない場合もあり水素プラズマ処理の場合にはシリサイド化の程度は小さいと考えられる。なお、図３１および図３２において、ＴＥＭ写真（図３１（ａ）および（ｂ）、図３２（ａ）〜（ｃ））に加えて、各々対応するトレース図面（図３１（ｃ）および（ｄ）、図３２（ｄ）〜（ｆ））を参考のために各ＴＥＭ写真の下に示した。
【０１１７】
上記した分析結果から、ＴＤＤＢ寿命の劣化機構として、以下のようなモデルが考えられる。すなわち、本実施の形態のアンモニア処理を施さない場合には、Ｃｕ配線の表面部分に酸化銅（ＣｕＯ）が形成され、また、キャップ膜（シリコン窒化膜４７）の形成の際に銅シリサイドが形成される。このような酸化銅あるいは銅シリサイドは、純粋な銅と比較してイオン化されやすく、このようなイオン化された銅は配線間の電界によりドリフトされ、配線間の絶縁膜に拡散される。また、銅配線を埋め込んで形成する絶縁膜（シリコン酸化膜３９）とキャップ膜（シリコン窒化膜４７）との界面は、本実施の形態のアンモニア処理を施さない場合にはダングリングボンドが多く形成され、不連続であり、密着性にも乏しい。このようなダングリングボンドの存在は銅イオンの拡散を助長する作用を有し、銅イオンは界面に沿ってドリフトされ拡散する。すなわち、配線間の前記界面にリークパスが形成される。リークパスを流れるリーク電流は、長時間のリーク作用と電流による熱ストレスも加わり、その後加速度的に電流値が増加して破壊に至る（ＴＤＤＢ寿命）。
【０１１８】
これに対し、本実施の形態では、Ｃｕ配線４６ａ〜４６ｅの表面にアンモニア処理を施すため、Ｃｕ配線４６ａ〜４６ｅ表面の酸化層は還元されて消失し、Ｃｕ配線４６ａ〜４６ｅの表面に薄い窒化層が形成されるためシリコン窒化膜４７の形成の際に銅シリサイドが形成されない。このため、リークおよび絶縁破壊の原因となる銅イオンを支配的に供給する原因物質を生じなくすることができる。また、本実施の形態では、シリコン酸化膜３９の表面にアンモニア処理を施すため、シリコン窒化膜４７との接続を連続的にし、ダングリングボンドの密度を低減してリークパスの形成を抑制できる。すなわち、ＴＤＤＢ寿命低下の原因となる銅イオンの発生を抑制し、かつ、銅の拡散を抑制できるようなシリコン酸化膜３９とシリコン窒化膜４７との接合界面を形成できる。これによりＴＤＤＢ寿命を向上できるのである。
【０１１９】
なお、前記した解析から、水素プラズマ処理でもＴＤＤＢ寿命を向上できると考えられる。すなわち、水素プラズマ処理により、Ｃｕ表面は還元され、Ｓｉ−Ｏ−等のダングリングボンドや、その原因となるＳｉ−ＯＨがＳｉ−Ｈで終端される。そして、シリコン窒化膜の形成の際に、結合の弱い表面のＳｉ−Ｈが離脱し、Ｓｉ−Ｎで置換される。これにより連続的なシリコン酸化膜とシリコン窒化膜の界面が形成される。ただし配線抵抗は前記の通り増加する。図３３は、水素プラズマ処理を行った場合のＴＤＤＢ寿命のデータを示したグラフである。参考にラインＲｅｆ（処理無し）とラインＡ（アンモニアプラズマ処理）を示した。水素プラズマ処理（ラインＣ）では、ＴＤＤＢ寿命が格段に向上することがわかる。水素プラズマ処理の場合にはプラズマダメージが軽減されることが期待されるので、キャップ膜としてシリコン窒化膜にかわる他の材料であってＣｕとの反応生成物を生じないような材料が適用できるときにはきわめて有効である。なお、窒素プラズマ処理（ラインＤ）ではＴＤＤＢ寿命がかえって低下する。図２６，２７からもわかるように、窒素プラズマ処理によってかえって有機物の付着が増加していることに起因すると思われる。
【０１２０】
本実施の形態では、さらに、Ｃｕ配線４６ａ〜４６ｅおよびシリコン酸化膜３９とキャップ膜４７との接着性が向上しているため、界面の剥離強度が増し、マージンが大きくなるという効果もある。
【０１２１】
なお、アンモニア、水素の単一ガスに限られず、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガスとの混合ガスプラズマで処理しても良い。すなわち、アンモニアと水素、窒素、アルゴンまたはヘリウムとの混合ガス、あるいは、水素とアンモニア、窒素、アルゴンまたはヘリウムとの混合ガスでも良い。さらに、これらのガスから選択された３元系、４元系等多元系の混合ガスであっても良い。このとき、水素、アンモニア、あるいは水素とアンモニアの和は、総流量（質量流量）に対して５％以上混合されていることが必要である。
【０１２２】
（実施の形態２）
本発明の実施の形態２であるＣＭＯＳ−ＬＳＩの製造方法を図３４〜図４３を用いて工程順に説明する。
【０１２３】
本実施の形態の製造方法は、実施の形態１における図１〜図８までの工程については同様である。以下ＣＭＰ工程以降の工程を説明する。
【０１２４】
図３４は、埋め込みＣｕ配線の形成に用いるＣＭＰ装置の全体構成の一例を示す概略図である。
【０１２５】
図示のように、ＣＭＰ装置４００は、研磨処理部４０１とその後段に設けられた後洗浄部４０２とによって構成されている。研磨処理部４０１には、ウエハ（基板）１の研磨処理を行う２台の定盤（第１定盤４０３Ａ、第２定盤４０３Ｂ）、研磨処理が終わった基板１を予備洗浄し、その表面に防食処理を施すクリーン・ステーション４０４、基板１をローダ４０６、第１定盤４０３Ａ、第２定盤４０３Ｂ、クリーン・ステーション４０４、アンローダ４０７間に移動させる回転アーム４０５などが設置されている。
【０１２６】
研磨処理部４０１の後段には予備洗浄が終わった基板１の表面をスクラブ洗浄する後洗浄部４０２が設けられている。後洗浄部４０２には、ローダ４０８、第１洗浄部４０９Ａ、第２洗浄部４０９Ｂ、スピンドライヤ４１０、アンローダ４１１などが設置されている。また、後洗浄部４０２は、洗浄中の基板１の表面に光が照射するのを防ぐために、全体が遮光壁４３０で囲まれ、内部が１８０ルックス、好ましくは１００ルックス以下の暗室状態となっている。これは、表面に研磨液が付着した基板１に湿潤状態で光が照射されると、シリコンの光起電力によってｐｎ接合に短絡電流が流れ、ｐｎ接合のｐ側（＋側）に接続されたＣｕ配線の表面からＣｕイオンが解離して配線腐食を引き起こすからである。
【０１２７】
図３５に示すように、第１定盤４０３Ａは、その下部に設けられた駆動機構４１２によって水平面内で回転駆動する。また、第１定盤４０３Ａの上面には多数の気孔を有するポリウレタンなどの合成樹脂を均一に貼り付けて形成した研磨パッド４１３が取り付けられている。第１定盤４０３Ａの上方には、駆動機構４１４によって上下動および水平面内で回転駆動するウエハキャリア４１５が設置されている。基板１は、このウエハキャリア４１５の下端部に設けられたウエハチャック４１６およびリテーナリング４１７によって、その主面（被研磨面）を下向きにして保持され、所定の荷重で研磨パッド４１３に押し付けられる。研磨パッド４１３の表面と基板１の被研磨面との間にはスラリ供給管４１８を通じてスラリ（研磨液）Ｓが供給され、基板１の被研磨面が化学的および機械的に研磨される。また、第１定盤４０３Ａの上方には、駆動機構４１９によって上下動および水平面内で回転駆動するドレッサ４２０が設置されている。ドレッサ４２０の下端部にはダイヤモンド粒子を電着した基材が取り付けられており、研磨パッド４１３の表面は、研磨砥粒による目詰まりを防ぐために、この基材によって定期的に切削される。なお、第２定盤４０３Ｂは、２本のスラリ供給管４１８ａ、４１８ｂが設けられている点を除き、第１定盤４０３Ａとほぼ同様の構成になっている。
【０１２８】
上記ＣＭＰ装置４００を使ってＣｕ配線を形成するには、ローダ４０６に収容された基板１を回転アーム４０５を使って研磨処理部４０１に搬入し、まず図３６に示すように、第１定盤４０３Ａの上において、砥粒を含まないスラリを使用した化学機械研磨（砥粒フリー化学機械研磨）（第１ステップのＣＭＰ）を行い、前記配線溝４０〜４４の外部のＣｕ膜４６を除去する（図３７）。
【０１２９】
ここで砥粒フリー化学機械研磨とは、アルミナ、シリカなどの粉末からなる砥粒の含有量が０．５％重量未満の研磨液（スラリ）を使用した化学機械研磨を意味し、研磨液としては、特に砥粒の含有量が０．１重量％未満のものが好ましく、０．０１重量％未満のものはさらに好ましい。
【０１３０】
また、研磨液としては、Ｃｕの腐食域に属するようにそのｐＨが調整されたものが使用され、さらにＴｉＮ膜４５（バリア層）に対するＣｕ膜４６の研磨選択比が少なくとも５以上となるようにその組成が調整されたものが使用される。このような研磨液として、酸化剤と有機酸とを含んだスラリを例示することができる。酸化剤としては、過酸化水素、水酸化アンモニウム、硝酸アンモニウム、塩化アンモニウムなどを例示することができ、有機酸としては、クエン酸、マロン酸、フマル酸、リンゴ酸、アジピン酸、安息香酸、フタル酸、酒石酸、乳酸、コハク酸などを例示することができる。これらのうち、過酸化水素は金属成分を含まず、かつ強酸ではないため、研磨液に用いて好適な酸化剤である。また、クエン酸は食品添加物としても一般に使用されており、毒性が低く、廃液としての害も低く、臭いもなく、水への溶解度も高いため、研磨液に用いて好適な有機酸である。本実施の形態では、例えば純水に５体積％の過酸化水素と０．０３重量％のクエン酸とを加え、砥粒の含有量を０．０１重量％未満にした研磨液を使用する。
【０１３１】
上記研磨液で化学機械研磨を行うと、まずＣｕ表面が酸化剤によって酸化され、表面に薄い酸化層が形成される。次に酸化物を水溶性化する物質（例えば上記有機酸）が供給されると上記酸化層が水溶液となって溶出し、上記酸化層の厚さが減る。酸化層が薄くなった部分は再度酸化性物質に晒されて酸化層の厚さが増し、この反応を繰り返して化学機械研磨が進行する。なお、このような砥粒フリーの研磨液を使用した化学機械研磨については、本願発明者などによる日本特願平９−２９９９３７号および特願平１０−３１７２３３号に詳しく記載されている。
【０１３２】
研磨の条件は、一例として荷重＝２５０ｇ/cm2、ウエハキャリア回転数＝３０rpm 、定盤回転数＝２５rpm 、スラリ流量＝１５０cc/minとし、研磨パッドは、米国ロデール(Rodel) 社の硬質パッド（ＩＣ１４００）を使用する。研磨の終点は、Ｃｕ膜４６が除去されて下地のＴｉＮ膜４５が露出した時点とし、終点の検出は、研磨対象がＣｕ膜４６からＴｉＮ膜４５になったときに変化する定盤またはウエハキャリアの回転トルク信号強度を検出することによって行う。また、研磨パッドの一部に穴を開け、ウエハ表面からの光反射スペクトル変化に基づいて終点を検出したり、スラリの光学的スペクトル変化に基づいて終点を検出したりしてもよい。
【０１３３】
図３７に示すように、上記の砥粒フリー化学機械研磨を行うことにより、配線溝４０〜４４の外部のＣｕ膜４６は殆ど除去されて下層のＴｉＮ膜４５が露出するが、図３８（ａ）（ｂ）に拡大して示すように、下地段差に起因して生じたＴｉＮ膜４５の窪み（矢印で示す）などには、この研磨では除去しきれなかったＣｕ膜４６が残存する。
【０１３４】
次に、配線溝４０〜４４の外部のＴｉＮ膜４５とその上面に局所的に残ったＣｕ膜４６とを除去するために、基板１を第１定盤４０３Ａから第２定盤４０３Ｂに移し、砥粒を含む研磨液（スラリ）を使用した化学機械研磨（有砥粒化学機械研磨）（第２ステップのＣＭＰ）を行う。ここで有砥粒化学機械研磨とは、アルミナ、シリカなどの粉末からなる砥粒の含有量が０．５重量％以上の研磨液を使用した化学機械研磨を意味する。本実施の形態では、研磨液として純水に５体積％の過酸化水素、０．０３重量％のクエン酸および０．５重量％の砥粒を混合したものを使用するが、これに限定されるものではない。この研磨液は、前記のスラリ供給管４１８ａを通じて第２定盤４０３Ｂの研磨パッド４１３に供給される。
【０１３５】
また、この有砥粒化学機械研磨においては、ＴｉＮ膜４５の上面に局所的に残ったＣｕ膜４６の除去に引き続いて、配線溝４０〜４４の外部のＴｉＮ膜４５を除去する。そこで、ＴｉＮ膜４５（バリア層）に対するＣｕ膜４６の研磨選択比が前記砥粒フリー化学機械研磨のそれよりも低い条件、例えば選択比３以下の条件で研磨を行い、配線溝４０〜４４の内部のＣｕ膜４６の表面が研磨されるのを抑制する。
【０１３６】
研磨の条件は、一例として荷重＝１２０ｇ/cm2、ウエハキャリア回転数＝３０rpm 、定盤回転数＝２５rpm 、スラリ流量＝１５０cc/minとし、研磨パッドは、ロデール社のＩＣ１４００を使用する。研磨量はＴｉＮ膜４５の膜厚相当分とし、研磨の終点は、ＴｉＮ膜４５の膜厚および研磨速度から算出した時間によって制御する。
【０１３７】
図３９に示すように、上記の有砥粒化学機械研磨を行うことにより、配線溝４０〜４４の外部のＴｉＮ膜４５は殆ど除去されて下層のシリコン酸化膜３９が露出するが、図４０（ａ）、（ｂ）に拡大して示すように、下地段差に起因して生じたシリコン酸化膜３９の窪み（矢印で示す）などには、上記の研磨で除去しきれなかったＴｉＮ膜４５が残存する。
【０１３８】
次に、配線溝４０〜４４の内部のＣｕ膜４６の研磨を可能な限り抑制しつつ、配線溝４０〜４４の外部のシリコン酸化膜３９上に局所的に残ったＴｉＮ膜４５（バリア層）を除去するための選択的化学機械研磨（第３ステップのＣＭＰ）を行う。この選択的化学機械研磨は、Ｃｕ膜４６に対するＴｉＮ膜４５の研磨選択比が少なくとも５以上となる条件で行う。また、この化学機械研磨は、Ｃｕ膜４６の研磨速度に対するシリコン酸化膜３９の研磨速度の比が１よりも大きくなる条件で行う。
【０１３９】
上記選択的化学機械研磨を行うには、一般に前記有砥粒化学機械研磨で使用したような０．５％重量以上の砥粒を含有する研磨液に防食剤を添加したものを使用する。防食剤とは、Ｃｕ膜４６の表面に耐食性の保護膜を形成することによって研磨の進行を阻止または抑制する薬剤をいい、ベンゾトリアゾール（ＢＴＡ）、ＢＴＡカルボン酸などのＢＴＡ誘導体、ドデシルメルカプタン、トリアゾール、トリルトリアゾールなどが使用されるが、特にＢＴＡを使用した場合に安定な保護膜を形成することができる。
【０１４０】
防食剤としてＢＴＡを使用する場合、その濃度はスラリの種類にもよるが、通常は０．００１〜１重量％、より好ましくは０．０１〜１重量％、さらに好ましくは０．１〜１重量％（３段階）の添加で十分な効果が得られる。本実施の形態では、研磨液として前記第２ステップの有砥粒化学機械研磨で使用した研磨液に防食剤として０．１重量％のＢＴＡを混合したものを使用するが、これに限定されるものではない。また、防食剤の添加による研磨速度の低下を避けるために、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、これらのアンモニウム塩またはエチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）などを必要に応じて添加してもよい。なお、このような防食剤を含むスラリを使用した化学機械研磨については、本願発明者などによる特願平１０−２０９８５７号、特願平９−２９９９３７号および特願平１０−３１７２３３号に詳しく記載されている。
【０１４１】
この選択的化学機械研磨（第３ステップのＣＭＰ）は、前記の有砥粒化学機械研磨（第２ステップのＣＭＰ）が終了した後、引き続いて第２定盤４０３Ｂの上で行われる。防食剤を添加した研磨液は、前記のスラリ供給管４１８ｂを通じて研磨パッド４１３の表面に供給される。研磨の条件は、一例として荷重＝１２０ｇ/cm2、ウエハキャリア回転数＝３０rpm 、定盤回転数＝２５rpm 、スラリ流量＝１９０cc/minとする。
【０１４２】
図４１および図４２（ａ）、（ｂ）に示すように、上記の選択的化学機械研磨を行うことにより、配線溝４０〜４４の外部のＴｉＮ膜４５がすべて除去され、配線溝４０〜４４の内部に埋め込みＣｕ配線４６ａ〜４６ｅが形成される。
【０１４３】
埋め込みＣｕ配線４６ａ〜４６ｅの形成が完了した上記基板１の表面には、砥粒などのパーティクルやＣｕ酸化物などの金属粒子を含んだスラリ残渣が付着している。そこでこのスラリ残渣を除去するために、まず前記図３４に示すクリーン・ステーション４０４においてＢＴＡを含む純水で基板１を洗浄する。このとき、洗浄液に８００ｋＨｚ以上の高周波振動を加えて基板１の表面からスラリ残渣を遊離させるメガソニック洗浄を併用してもよい。次に、表面の乾燥を防ぐために基板１を湿潤状態に保持した状態で研磨処理部４０１から後洗浄部４０２に搬送し、第１洗浄部４０９Ａにおいて０．１重量％のＮＨ4 ＯＨを含む洗浄液を用いたスクラブ洗浄を行い、続いて第２洗浄部４０９Ｂにおいて純水を用いたスクラブ洗浄を行う。前記のように、後洗浄部４０２は、洗浄中の基板１の表面に光が照射することに起因してＣｕ配線４６ａ〜４６ｅに腐食が発生するのを防ぐため、全体が遮光壁４３０で覆われている。
【０１４４】
上記スクラブ洗浄（後洗浄）が完了した基板１は、スピンドライヤ４１０で乾燥された後、次工程へ搬送される。
【０１４５】
その後の工程は実施の形態１と同様である。図４３は、上述したＣｕ配線４６ａ〜４６ｅの形成プロセスの全体フロー図である。
【０１４６】
本実施の形態によれば、実施の形態１の場合よりさらにＴＤＤＢ寿命を向上できる。図４４は本実施の形態の場合のＴＤＤＢ寿命を示したグラフである。本実施の形態の場合のデータはラインＥで示している。参考のため、処理無し（ラインＲｅｆ）と有砥粒の化学機械研磨の場合（実施の形態１）のデータ（ラインＡ）を同時に示している。なお、アンモニアプラズマ処理を行わず、砥粒フリーの化学機械研磨のみを行っただけでもラインＦに示すようにＴＤＤＢ特性が改善する。このように砥粒フリーの場合にＴＤＤＢ寿命が向上するのはシリコン酸化膜に与えるダメージを低減できるためと考えられる。有砥粒の場合、スラリには２〜３μｍの粒径（２次粒径）の砥粒（アルミナ等）が含まれる。この砥粒によりマイクロスクラッチが生じ、シリコン酸化膜３９の表面にダメージを与える。しかし、砥粒フリーの場合にはスラリに砥粒が含まれず、あるいは含まれていてもごく少数であるため、ダメージを大幅に軽減できる。このため、ＴＤＤＢ特性が改善されたものと考えられる。
【０１４７】
なお、次の実施の形態で説明する酸処理（ＨＦ処理）を組み合わせると、さらにＴＤＤＢ特性が改善する（ラインＧ）。酸処理は、ＣＭＰ後洗浄後、さらに酸性水溶液（たとえばＨＦ水溶液）で基板１を処理し、その後アンモニアプラズマ処理を行うものである。酸処理により表面のダメージ層が除去されて界面の密着性が向上しＴＤＤＢ寿命が改善したものと考えられる。
【０１４８】
（実施の形態３）
図４５は、Ｃｕ配線４６ａ〜４６ｅの形成プロセスの全体フロー図である。同図に示すように、ＨＦまたはクエン酸による洗浄工程を挿入した以外は実施の形態１と同様である。
【０１４９】
ＨＦ洗浄は、たとえばブラシスクラブ洗浄を用い、ＨＦ濃度を０．５％、洗浄時間を２０秒の条件が選択できる。
【０１５０】
あるいはＨＦ洗浄に代えてクエン酸洗浄を用いても良い。クエン酸洗浄は、たとえばブラシスクラブ洗浄を用い、クエン酸濃度を５％、洗浄時間を４５秒の条件が選択できる。
【０１５１】
このようにＨＦまたはクエン酸洗浄を用いることにより、ＣＭＰ等で生じた表面のダメージ層を除去することができる。これによりＴＤＤＢ寿命を向上できる。図４６は、本実施の形態の場合のＴＤＤＢ寿命を示したグラフである。本実施の形態の場合のクエン酸を適用したデータはラインＨ、ＨＦ洗浄を適用したデータはラインＩで示している。参考のため、処理無し（ラインＲｅｆ）と実施の形態１のデータ（ラインＡ）を同時に示している。なお、アンモニアプラズマ処理を行わず、ＨＦ洗浄のみを行っただけでもラインＪに示すようにＴＤＤＢ特性が改善する。これは、ダメージ層の除去により界面の特性を向上できたためと思われる。
【０１５２】
（実施の形態４）
図４７〜図４９は、本発明の実施の形態４である半導体集積回路装置の製造方法を示した平面図および断面図である。図４７〜図４９においては配線部のみ示している。
【０１５３】
図４７に示すように、絶縁膜５０１上に配線形成用の絶縁膜５０２を形成し、この絶縁膜５０２に埋め込んで銅配線５０３を形成する。層配線５０３の形成方法は実施の形態１〜３と同様である。
【０１５４】
さらに、シリコン窒化膜５０４、低誘電率のシリコン酸化膜５０５およびＴＥＯＳを原料ガスに用いてプラズマＣＶＤ法により形成したシリコン酸化膜（ＴＥＯＳ酸化膜）５０６を形成する。
【０１５５】
低誘電率のシリコン酸化膜５０５は、例えば水素シルセスキオキサン(Hydrogen Silsesquioxane) を原料とする無機系ＳＯＧ膜、テトラアルコキシシラン(tetra alkoxy silane) ＋アルキルアルコキシシラン(alkyl alkoxy silane) を原料とする有機系ＳＯＧ膜といった塗布型絶縁膜や、プラズマＣＶＤ法で成膜するフロロカーボンポリマー膜など、比誘電率（ε）が３．０以下の酸化シリコン系絶縁膜によって構成する。このような低誘電率のシリコン酸化膜を用いることによって配線間寄生容量を低減し、配線遅延の問題を回避できる。
【０１５６】
次に、図４８（ａ）に示すようなパターンで、図４８（ｂ）に示すように、接続孔５０７を開口する。接続孔５０７の開口にはフォトリソグラフィとエッチングを用いる。ところで、低誘電率のシリコン酸化膜５０５は、表面が粗な膜構造を有し、Ｓｉ−ＯＨ結合を多く有する。このためその上層に形成する膜の膜質や界面状態が良くないことは経験的に判明している。また、次工程で説明するバリア膜（窒化チタン）をそのまま未処理で成膜するとＴＤＤＢ特性が良くないことも経験的に判明している。そこで、次に、実施の形態１で説明したアンモニアプラズマ処理を接続孔５０７内部のシリコン酸化膜５０５露出部に施す。これにより、表面のＳｉ−ＯＨ結合が改質されて、実施の形態１で説明したようにＳｉ−Ｏ−Ｎ結合に転換される。
【０１５７】
次に、図４９に示すように、接続孔５０７内に窒化チタンおよびタングステンからなるプラグ５０８を形成する。この窒化チタンの堆積の際、実施の形態１と同様にＳｉ−Ｏ−Ｎ結合が離脱し、窒化チタンと低誘電率のシリコン酸化膜５０５との界面が改善され接着性が向上する。
【０１５８】
なお、このような接続孔内のプラズマ処理は、配線溝にも適用できることはもちろんである。
【０１５９】
また、アンモニアプラズマ処理に代えて水素プラズマ処理、窒素、アルゴン、ヘリウム等が混合されたプラズマ処理であっても良い。
【０１６０】
なお、接続孔５０７の開口後にフォトレジスト膜を除去するためのアッシング工程に置いて、接続孔５０７底部の配線５０３の表面が酸化される場合がある。このような酸化層を除去する技術として、特開平１１−１６９１２号公報に記載の技術がある。
【０１６１】
また、低誘電率のシリコン酸化膜５０５は、パッシベーション膜として形成される保護膜に含まれるシリコン酸化膜（たとえばＴＥＯＳ酸化膜）の誘電率よりも低い誘電率を有するシリコン酸化膜と定義できる。
【０１６２】
以上、本発明者によってなされた発明を発明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【０１６３】
すなわち、上記した埋め込みＣｕ配線４６ａ〜４６ｅの形成方法は、デュアルダマシン法を用いた埋め込みＣｕ配線の形成に適用することもできる。この場合は、第１層目のＷ配線２４〜３０を形成した後、まず図５０に示すように、第１層目のＷ配線２４〜３０の上部にプラズマＣＶＤ法で膜厚１２００nm程度のシリコン酸化膜３１、膜厚５０nm程度の薄いシリコン窒化膜３８および膜厚３５０nm程度のシリコン酸化膜３９を順次堆積する。
【０１６４】
次に、図５１に示すように、フォトレジスト膜をマスクにしたドライエッチングで第１層目のＷ配線２４、２６、２７、２９、３０の上部のシリコン酸化膜３９、シリコン窒化膜３８およびシリコン酸化膜３１を順次除去した後、図５２（ａ）、（ｂ）に示すように、別のフォトレジスト膜をマスクに用い、シリコン窒化膜３８をエッチングのストッパしたドライエッチングでシリコン酸化膜３９を除去することによって、スルーホールを兼ねた配線溝５０〜５４を形成する。
【０１６５】
次に、図５３に示すように、配線溝５０〜５４の内部を含むシリコン酸化膜３９の上部に膜厚５０nm程度の薄いＴｉＮ膜４５を堆積した後、ＴｉＮ膜４５の上部に配線溝５０〜５４の深さよりも十分に厚い膜厚のＣｕ膜４６を堆積する。スルーホールを兼ねた配線溝５０〜５４は、前記配線溝４０〜４４に比べてアスペクト比が大きいため、ＴｉＮ膜４５はＣＶＤ法で堆積する。また、Ｃｕ膜４６はスパッタリングを２回以上繰り返すことによって堆積する。また、ＣＶＤ法、電解メッキ法あるいは無電解メッキ法で形成してもよい。メッキ法でＣｕ膜４６を形成する場合には、配線溝５０〜５４の下層にＣｕのシード層をスパッタリング法などで形成する工程が必要となる。
【０１６６】
次に、図５４に示すように、前述した砥粒フリー化学機械研磨、有砥粒化学機械研磨および選択的化学機械研磨によって配線溝５０〜５４の外部のＣｕ膜４６とＴｉＮ膜４５とを除去し、配線溝５０〜５４の内部に埋め込みＣｕ配線４６ａ〜４６ｅを形成する。その後の工程は、前記シングルダマシン法を用いた埋め込みＣｕ配線４６ａ〜４６ｅの形成方法と同じである。
【０１６７】
また、前記実施の形態１〜４は、各々独立に適用できることはもちろん、相互に組み合わせて適用できることは言うまでもない。たとえば実施の形態２の技術を適用して砥粒フリーで化学機械研磨を施し、その後実施の形態３を適用して酸処理を施し、さらに実施の形態１を適用してアンモニアあるいは水素、その他のプラズマ処理を施しても良い。
【０１６８】
また、前記実施の形態では、アンモニアプラズマ処理後のシリコン窒化膜４７の形成を真空破壊することなく連続的に行ったが、アンモニアプラズマ処理の後、一旦真空破壊をして、その後シリコン窒化膜４７を形成しても良い。真空破壊しない方が本発明の効果をより効果的に奏することができるが、アンモニアプラズマ処理により薄い窒化層が形成されるため、真空破壊を行い大気雰囲気に暴露しても酸化層の形成を抑制できる。よって、真空破壊した場合であっても、本実施の形態の効果をある程度奏することは可能である。
【０１６９】
【発明の効果】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。
【０１７０】
ダマシン法を用いて形成された銅配線の絶縁破壊耐性（信頼性）を向上できる。
【０１７１】
配線層とキャップ膜との剥離の発生を抑制できる。
【０１７２】
キャップ膜にシリコン窒化膜を用いた場合の銅配線の抵抗値の増加を防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態（実施の形態１）である半導体集積回路装置の製造方法を示す半導体基板の要部断面図である。
【図２】実施の形態１の製造方法を示す半導体基板の要部断面図である。
【図３】実施の形態１の製造方法を示す半導体基板の要部断面図である。
【図４】実施の形態１の製造方法を示す半導体基板の要部断面図である。
【図５】実施の形態１の製造方法を示す半導体基板の要部断面図である。
【図６】（ａ）は実施の形態１の製造方法を示す平面図、（ｂ）は実施の形態１の製造方法を示す要部断面図である。
【図７】（ａ）は実施の形態１の製造方法を示す平面図、（ｂ）は実施の形態１の製造方法を示す要部断面図である。
【図８】実施の形態１の製造方法を示す半導体基板の要部断面図である。
【図９】埋め込みＣｕ配線の形成に用いるＣＭＰ装置の全体構成の一例を示す概略図である。
【図１０】埋め込みＣｕ配線の形成に用いるＣＭＰ装置の一部を示す概略図である。
【図１１】ウエハのスクラブ洗浄方法を示す斜視図である。
【図１２】埋め込みＣｕ配線の形成に用いるＣＭＰ装置の全体構成の他の例を示す概略図である。
【図１３】埋め込みＣｕ配線の形成に用いるＣＭＰ装置の全体構成のさらに他の例を示す概略図である。
【図１４】実施の形態１の製造方法を示す半導体基板の要部断面図である。
【図１５】（ａ）は、アンモニアプラズマ処理およびシリコン窒化膜の堆積に用いるプラズマ処理装置の概要を示した断面図であり、（ｂ）は同じく平面図である。
【図１６】実施の形態１の製造方法を示す半導体基板の要部断面図である。
【図１７】実施の形態１の製造方法を示す半導体基板の要部断面図である。
【図１８】実施の形態１の半導体集積回路装置の製造方法を示すフロー図である。
【図１９】実施の形態１の半導体集積回路装置の概要を示す断面図である
【図２０】ＴＤＤＢ寿命を示すグラフである。
【図２１】ＴＤＤＢ寿命を示すグラフである。
【図２２】（ａ）〜（ｄ）は、ＸＰＳデータを示すグラフである。
【図２３】（ａ）〜（ｄ）は、ＸＰＳデータを示すグラフである。
【図２４】（ａ）〜（ｄ）は、ＸＰＳデータを示すグラフである。
【図２５】（ａ）〜（ｅ）は、ＸＰＳデータを示すグラフである。（ｆ）は組成比を示す表図である。
【図２６】（ａ）〜（ｄ）は、質量分析結果を示すグラフである。
【図２７】（ａ）〜（ｄ）は、質量分析結果を示すグラフである。
【図２８】実施の形態１の配線部分を示すＴＥＭ写真である。
【図２９】比較として示すＴＥＭ写真である。
【図３０】配線抵抗を示すグラフである。
【図３１】（ａ）は処理無しの場合の配線部分を示すＴＥＭ写真である。（ｂ）は実施の形態１の配線部分を示すＴＥＭ写真である。（ｃ）および（ｄ）は、各々（ａ）および（ｂ）をトレースした図面である。
【図３２】（ａ）〜（ｃ）は、比較として示すＴＥＭ写真である。（ｄ）、（ｅ）および（ｆ）は、各々（ａ）、（ｂ）および（ｃ）をトレースした図面である。
【図３３】ＴＤＤＢ寿命を示すグラフである。
【図３４】本発明の実施の形態２である半導体集積回路装置の製造方法に用いるＣＭＰ装置の全体構成の一例を示す概略図である。
【図３５】埋め込みＣｕ配線の形成に用いるＣＭＰ装置の一部を示す概略図である
【図３６】Ｃｕ膜の研磨状態を示すＣＭＰ装置の概略図である。
【図３７】実施の形態２の半導体集積回路装置の製造方法を示す半導体基板の要部断面図である。
【図３８】（ａ）は、実施の形態２の半導体集積回路装置の製造方法を示す半導体基板の要部平面図、（ｂ）は同じく要部断面図である。
【図３９】実施の形態２の半導体集積回路装置の製造方法を示す半導体基板の要部断面図である。
【図４０】（ａ）は、実施の形態２の半導体集積回路装置の製造方法を示す半導体基板の要部平面図、（ｂ）は同じく要部断面図である。
【図４１】実施の形態２の半導体集積回路装置の製造方法を示す半導体基板の要部断面図である。
【図４２】（ａ）は、実施の形態２の半導体集積回路装置の製造方法を示す半導体基板の要部平面図、（ｂ）は同じく要部断面図である。
【図４３】実施の形態２の半導体集積回路装置の製造方法を示すフロー図である。
【図４４】ＴＤＤＢ寿命を示すグラフである。
【図４５】実施の形態３の半導体集積回路装置の製造方法を示すフロー図である。
【図４６】ＴＤＤＢ寿命を示すグラフである。
【図４７】実施の形態４の半導体集積回路装置の製造方法を示す半導体基板の要部断面図である。
【図４８】（ａ）は、実施の形態４の半導体集積回路装置の製造方法を示す半導体基板の要部平面図、（ｂ）は同じく要部断面図である。
【図４９】実施の形態４の半導体集積回路装置の製造方法を示す半導体基板の要部断面図である。
【図５０】本発明の他の実施の形態の半導体集積回路装置の製造方法を示す半導体基板の要部断面図である。
【図５１】本発明の他の実施の形態の半導体集積回路装置の製造方法を示す半導体基板の要部断面図である。
【図５２】（ａ）は、他の実施の形態の半導体集積回路装置の製造方法を示す半導体基板の要部平面図、（ｂ）は同じく要部断面図である。
【図５３】本発明の他の実施の形態の半導体集積回路装置の製造方法を示す半導体基板の要部断面図である。
【図５４】本発明の他の実施の形態の半導体集積回路装置の製造方法を示す半導体基板の要部断面図である。
【図５５】銅配線、アルミニウム配線、タングステン配線のＴＤＤＢ特性を測定したデータを示すグラフである。
【図５６】本願のＴＤＤＢ寿命測定に使用した試料を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）および（ｃ）は（ａ）におけるＢ−Ｂ’線断面およびＣ−Ｃ’線断面を各々示す。
【図５７】測定の概要を示した概念図である。
【図５８】電流電圧測定結果の一例である。
【符号の説明】
１  基板
２  素子分離溝
３  シリコン酸化膜
４  ｐ型ウエル
５  ｎ型ウエル
６  ゲート酸化膜
７  ゲート電極
９  シリサイド層
１１  ｎ- 型半導体領域
１２  ｐ- 型半導体領域
１３  サイドウォールスペーサ
１４  ｎ+ 型半導体領域
１５  ｐ+ 型半導体領域
１８  シリコン酸化膜
２０〜２２  コンタクトホール
２３  プラグ
２４〜３０  Ｗ配線
２８〜３０  Ｃｕ配線
３１  シリコン酸化膜
３２〜３６  スルーホール
３７  プラグ
３８  シリコン窒化膜
３９  シリコン酸化膜
４０〜４４  配線溝
４５  ＴｉＮ膜
４６  Ｃｕ膜
４６ａ〜４６ｅ  Ｃｕ配線
４７  シリコン窒化膜（キャップ膜）
５０〜５４  配線溝
１００  ＣＭＰ装置
１０１  筐体
１０２  回転軸
１０３  モータ
１０４  研磨盤
１０５  研磨パッド
１０６  ウエハキャリア
１０６ａ  凹部
１０７  駆動軸
１０８  スラリ供給管
１０９  ドレッサ
１１０  駆動軸
１２０  ローダ
１２１Ａ  ブラシ
１３０  研磨処理部
１４０  防蝕処理部
１５０  浸漬処理部
１６０  後洗浄処理部
１７０  アンローダ
２００  ＣＭＰ装置
２２０  ローダ
２３０  研磨処理部
２４０  乾燥処理部
２５０  後洗浄処理部
２６０  アンローダ
３０１  ロードロック室
３０２ａ  処理室
３０２ｂ  処理室
３０３  カセットインタフェイス
３０４  ロボット
３０５  ゲートバルブ
３０６  サセプタ
３０７  バッフル板
３０８  支持部材
３０９  電極
３１０  絶縁板
３１１  反射ユニット
３１２  ランプ
３１３  赤外線
３１４  石英窓
３１５  ガスポート
３１６  真空マニホールド
４００  ＣＭＰ装置
４０１  研磨処理部
４０２  後洗浄部
４０３Ａ  第１定盤
４０３Ｂ  第２定盤
４０４  クリーン・ステーション
４０５  回転アーム
４０６  ローダ
４０７  アンローダ
４０８  ローダ
４０９Ａ  第１洗浄部
４０９Ｂ  第２洗浄部
４１０  スピンドライヤ
４１１  アンローダ
４１２  駆動機構
４１３  研磨パッド
４１４  駆動機構
４１５  ウエハキャリア
４１６  ウエハチャック
４１７  リテーナリング
４１８  スラリ供給管
４１８ａ  スラリ供給管
４１８ｂ  スラリ供給管
４１９  駆動機構
４２０  ドレッサ
４３０  遮光壁
５０１  絶縁膜
５０２  絶縁膜
５０３  配線
５０４  シリコン窒化膜
５０５  シリコン酸化膜
５０７  接続孔
５０８  プラグ
Ｑｎ  ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴ
Ｑｐ  ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴ
【図１】
0004554011.tif 000002
【図２】
0004554011.tif 000003
【図３】
0004554011.tif 000004
【図４】
0004554011.tif 000005
【図５】
0004554011.tif 000006
【図６】
0004554011.tif 000007
【図７】
0004554011.tif 000008
【図８】
0004554011.tif 000009
【図９】
0004554011.tif 000010
【図１０】
0004554011.tif 000011
【図１１】
0004554011.tif 000012
【図１２】
0004554011.tif 000013
【図１３】
0004554011.tif 000014
【図１４】
0004554011.tif 000015
【図１５】
0004554011.tif 000016
【図１６】
0004554011.tif 000017
【図１７】
0004554011.tif 000018
【図１８】
0004554011.tif 000019
【図１９】
0004554011.tif 000020
【図２０】
0004554011.tif 000021
【図２１】
0004554011.tif 000022
【図２２】
0004554011.tif 000023
【図２３】
0004554011.tif 000024
【図２４】
0004554011.tif 000025
【図２５】
0004554011.tif 000026
【図２６】
0004554011.tif 000027
【図２７】
0004554011.tif 000028
【図２８】
0004554011.tif 000029
【図２９】
0004554011.tif 000030
【図３０】
0004554011.tif 000031
【図３１】
0004554011.tif 000032
【図３２】
0004554011.tif 000033
【図３３】
0004554011.tif 000034
【図３４】
0004554011.tif 000035
【図３５】
0004554011.tif 000036
【図３６】
0004554011.tif 000037
【図３７】
0004554011.tif 000038
【図３８】
0004554011.tif 000039
【図３９】
0004554011.tif 000040
【図４０】
0004554011.tif 000041
【図４１】
0004554011.tif 000042
【図４２】
0004554011.tif 000043
【図４３】
0004554011.tif 000044
【図４４】
0004554011.tif 000045
【図４５】
0004554011.tif 000046
【図４６】
0004554011.tif 000047
【図４７】
0004554011.tif 000048
【図４８】
0004554011.tif 000049
【図４９】
0004554011.tif 000050
【図５０】
0004554011.tif 000051
【図５１】
0004554011.tif 000052
【図５２】
0004554011.tif 000053
【図５３】
0004554011.tif 000054
【図５４】
0004554011.tif 000055
【図５５】
0004554011.tif 000056
【図５６】
0004554011.tif 000057
【図５７】
0004554011.tif 000058
【図５８】
0004554011.tif 000059