(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の洗浄処理と乾燥処理とを行う基板洗浄乾燥装置を有する基板処理装置において、
基板洗浄乾燥装置は、
開放され内部に基板を収容可能な処理槽であって、内部に貯留した洗浄液による洗浄処理および乾燥処理を収容した基板に対して施すように構成された処理槽と、
前記処理槽を上方から閉鎖可能な蓋体と、
前記処理槽と前記蓋体との間に設けられ、前記蓋体が前記処理槽を閉鎖する際に前記処理槽の内部に収容された基板に上方から対面するようになる前記蓋体の内面を遮蔽し得るように構成された遮蔽機構と、を有し、
前記処理槽内で基板に乾燥処理を行う際に、前記蓋体は前記処理槽を閉鎖し、
前記処理槽内で基板に洗浄処理を行う際に、前記遮蔽機構が前記蓋体の内面を遮蔽する、ように構成された
ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記遮蔽機構は、貫通孔を形成されたケーシングと、前記ケーシングに支持され前記貫通孔を開閉可能な遮蔽体と、を有し、前記遮蔽体が前記貫通孔を閉鎖することによって前記蓋体の内面を遮蔽し得る
ことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
基板洗浄乾燥装置は、基板を支持する支持部材と、支持部材に連結された昇降可能な昇降部材であって、前記ケーシングの前記貫通孔内を延びる昇降部材と、をさらに有し、
前記遮蔽機構は互いに対して接離可能な二以上の遮蔽体を有し、
前記二以上の遮蔽体は互いに当接することによって、前記昇降部材の周囲を取り囲むとともに前記ケーシングの前記貫通孔を閉鎖する
ことを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記処理槽内で乾燥処理を行う場合、前記蓋体は、前記遮蔽体によって開放された前記ケーシングの前記貫通孔を介し、前記処理槽を閉鎖する
ことを特徴とする請求項２または３に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記基板洗浄乾燥装置は、前記遮蔽機構に取り付けられ前記処理槽内に乾燥薬剤を供給する乾燥薬剤供給機構をさらに有する
ことを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記蓋体および前記遮蔽機構は前記処理槽に対して上下方向にそれぞれ移動可能である
ことを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記処理槽内で洗浄処理を行う場合、前記蓋体は前記処理槽から上方に離間して配置されている
ことを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項８】
洗浄液を貯留した前記処理槽を前記蓋体で閉鎖した状態で、前記処理槽の内部に不活性ガスを供給しながら前記処理槽内から洗浄液を排出し、その後、前記処理槽の内部に乾燥薬剤を供給することによって、前記基板洗浄乾燥装置を洗浄処理の状態から乾燥処理の状態へと変更する
ことを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項９】
基板の洗浄処理と乾燥処理とを行う基板洗浄乾燥装置を有する基板処理装置において、
基板洗浄乾燥装置は、
開放され内部に基板を収容可能な処理槽であって、内部に貯留した洗浄液による洗浄処理および乾燥処理を収容した基板に対して施すように構成された処理槽と、
前記処理槽を上方から閉鎖可能な蓋体と、を有し、
前記処理槽内で基板に乾燥処理を行う際に、前記蓋体は前記処理槽を閉鎖し、
前記処理槽内で基板に洗浄処理を行う際に、前記蓋体が前記処理槽を閉鎖した場合に前記処理槽の内部に収容された基板に上方から対面するようになる前記蓋体の内面が遮蔽される、ように構成された
ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項１０】
基板洗浄乾燥装置は、前記処理槽と前記蓋体との間に設けられ、前記蓋体に接触して前記蓋体の内面を遮蔽し得るように構成された遮蔽機構をさらに有する
ことを特徴とする請求項９に記載の基板処理装置。
【請求項１１】
開放され内部に基板を収容可能な処理槽と、前記処理槽を上方から閉鎖可能な蓋体と、を有する基板洗浄乾燥装置を用いて基板を処理する方法であって、
前記蓋体が前記処理槽を閉鎖した場合に前記処理槽の内部に収容された基板に上方から対面するようになる前記蓋体の内面が遮蔽された状態で、前記処理槽内に貯留された洗浄液により前記処理槽内に収容された基板を洗浄する工程と、
前記蓋体により前記処理槽を閉鎖した状態で、前記処理槽内に収容された前記基板を乾燥させる工程と、を備える
ことを特徴とする基板処理方法。
【請求項１２】
前記洗浄する工程において、前記蓋体は、前記処理槽と前記蓋体との間に設けられ前記蓋体の内面を遮蔽し得るように構成された遮蔽機構によって、遮蔽される
ことを特徴とする請求項１１に記載の基板処理方法。
【請求項１３】
前記遮蔽機構は、貫通孔を形成されたケーシングと、前記ケーシングに支持され前記貫通孔を開閉可能な遮蔽体と、を有し、前記遮蔽体が前記貫通孔を閉鎖することによって前記蓋体の内面を遮蔽する
ことを特徴とする請求項１２に記載の基板処理方法。
【請求項１４】
前記乾燥させる工程において、前記蓋体は、前記遮蔽体によって開放された前記ケーシングの前記貫通孔を介し、前記処理槽を閉鎖する
ことを特徴とする請求項１３に記載の基板処理方法。
【請求項１５】
前記乾燥させる工程において、前記遮蔽機構に取り付けられた乾燥薬剤供給機構から前記処理槽内に乾燥薬剤を供給する
ことを特徴とする請求項１４に記載の基板処理方法。
【請求項１６】
前記洗浄する工程において、前記蓋体は前記処理槽から上方に離間して配置される
ことを特徴とする請求項１１〜１５のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項１７】
前記洗浄する工程の後で前記乾燥させる工程の前に設けられた工程であって、洗浄液を貯留した前記処理槽を前記蓋体で閉鎖した状態で、前記処理槽内に不活性ガスを供給しながら前記処理槽内から洗浄液を排出する工程をさらに備える
ことを特徴とする請求項１１〜１６のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項１８】
開放され内部に基板を収容可能な処理槽と、前記処理槽を上方から閉鎖可能な蓋体と、を有する基板洗浄乾燥装置を制御する制御部によって実行されるプログラムであって、前記プログラムが前記制御部によって実行されることにより、請求項１１〜１７のいずれか一項に記載された被処理基板の処理方法を、基板洗浄乾燥装置に実施させる
ことを特徴とするプログラム。
【請求項１９】
開放され内部に基板を収容可能な処理槽と、前記処理槽を上方から閉鎖可能な蓋体と、を有する基板洗浄乾燥装置を制御する制御部によって実行されるプログラムが記録された記録媒体であって、前記プログラムが前記制御部によって実行されることにより、請求項１１〜１７のいずれか一項に記載された被処理基板の処理方法を、基板洗浄乾燥装置に実施させる
ことを特徴とする記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本発明は、半導体ウエハや液晶基板などの基板に対して洗浄や乾燥などの処理を施すための基板洗浄乾燥装置、および、基板洗浄乾燥装置を含んだ基板処理装置に関する。また、本発明は、半導体ウエハや液晶基板などの基板に対して洗浄や乾燥などの処理を施す基板処理方法、および基板処理方法を実施するためのプログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】  従来、半導体部品やフラットディスプレイなどの製造過程において、基板処理装置によって半導体ウエハや液晶基板の表裏面に対して洗浄や乾燥などの各種の処理が施されている。基板処理装置としては、基板の洗浄処理と乾燥処理とを連続して行う基板洗浄乾燥装置を内蔵したものが知られている（例えば、特開平１１−１８６２１２号公報）。【０００３】  従来の基板洗浄乾燥装置は、収容した基板の洗浄処理を行うための洗浄槽と、収容した基板の乾燥処理を行うための乾燥室と、を有している。乾燥室は、洗浄槽に対向して洗浄槽とは別個に設けられている。また、基板洗浄乾燥装置は、これらの洗浄槽と乾燥室との間で基板を搬送するための基板搬送機構をさらに有している。このような従来の基板洗浄乾燥装置においては、洗浄液を貯留した洗浄槽の内部にて基板に対して洗浄処理を行う。その後、基板搬送機構を用いて基板を洗浄槽から乾燥室に搬送する。次に、乾燥室の内部に乾燥薬剤（ＩＰＡ：イソプロピルアルコールなど）を導入し基板を乾燥させる。【０００４】  しかしながら、従来の基板洗浄乾燥装置では、洗浄槽の上方に洗浄槽とは別個に乾燥槽が配設されているため、基板洗浄乾燥装置が大型化してしまい、この結果、基板洗浄乾燥装置の製造に要する労力や時間や費用が増大してしまう。さらに、基板洗浄乾燥装置を内蔵した基板処理装置も大型化し、基板処理装置の製造に要する労力や時間や費用が増大してしまう。【０００５】  その一方で、基板に対する洗浄処理と乾燥処理とを同一のチャンバー内で行おうとすると、チャンバー内に洗浄処理で用いた洗浄液が残留し、基板の乾燥を良好に行えなくなる虞がある。
【発明の開示】
【０００６】  本発明はこのような点を考慮してなされたものであり、基板の乾燥を良好に行うことができる小型化された基板洗浄乾燥装置、および、基板の乾燥を良好に行うことができる小型化された基板洗浄乾燥装置を含む基板処理装置を提供することを主要な目的の一つとする。また、本発明は、同一処理槽内で基板に対して洗浄処理および乾燥処理を行う基板処理方法であって、基板の乾燥を良好に行うことができる基板処理方法、並びに、このような基板処理方法を実行するためのプログラムを提供することを主要な目的の一つとする。
【０００７】  本発明による第１の基板処理装置は、基板の洗浄処理と乾燥処理とを行う基板洗浄乾燥装置を有する基板処理装置であって、基板洗浄乾燥装置は、開放され内部に基板を収容可能な処理槽であって、内部に貯留した洗浄液による洗浄処理および乾燥処理を収容した基板に対して施すように構成された処理槽と、前記処理槽を閉鎖可能な蓋体と、前記処理槽と前記蓋体との間に設けられ、前記蓋体が前記処理槽を閉鎖する際に前記処理槽の内部に対面するようになる前記蓋体の内面を遮蔽し得るように構成された遮蔽機構と、を有し、前記処理槽内で基板に乾燥処理を行う際に、前記蓋体は前記処理槽を閉鎖し、前記処理槽内で基板に洗浄処理を行う際に、前記遮蔽機構が前記蓋体の内面を遮蔽する、ように構成されたことを特徴とする。
【０００８】  このような本発明による第１の基板処理装置によれば、基板洗浄乾燥装置の単一の処理槽内において基板に対して洗浄処理および乾燥処理を施し得る。そして、乾燥処理時に処理槽を閉鎖する蓋体は、洗浄処理時にその内面を遮蔽機構によって遮蔽されるようになっている。したがって、洗浄処理時に、洗浄液や洗浄液の蒸気が蓋体に付着してしまうことを防止することができる。これにより、蓋体によって閉鎖された処理槽内において基板を良好に乾燥させることができる。また、洗浄処理と乾燥処理とを同一の処理槽内で行うことにより基板洗浄乾燥装置を格段に小型化することができるとともに、基板洗浄乾燥装置の製造負荷を著しく低減することができる。同様に、このような基板洗浄乾燥装置を有する基板処理装置を格段に小型化することができるとともに、基板処理装置の製造負荷を著しく低減することができる。
【０００９】  本発明による第２の基板処理装置は、基板の洗浄処理と乾燥処理とを行う基板洗浄乾燥装置を有する基板処理装置であって、基板洗浄乾燥装置は、開放され内部に基板を収容可能な処理槽であって、内部に貯留した洗浄液による洗浄処理および乾燥処理を収容した基板に対して施すように構成された処理槽と、前記処理槽を閉鎖可能な蓋体と、を有し、前記処理槽内で基板に乾燥処理を行う際に、前記蓋体は前記処理槽を閉鎖し、前記処理槽内で基板に洗浄処理を行う際に、前記蓋体が前記処理槽を閉鎖した場合に前記処理槽の内部に対面するようになる前記蓋体の内面が前記処理槽の内部に対面する位置からずれるように前記蓋体が前記処理槽に対して配置される、あるいは、前記蓋体の前記内面が遮蔽される、ように構成されたことを特徴とする。
【００１０】  このような本発明による第２の基板処理装置によれば、基板洗浄乾燥装置の単一の処理槽内において基板に対して洗浄処理および乾燥処理を施し得る。そして、乾燥処理時に処理槽を閉鎖する蓋体は、洗浄処理時に、その内面が処理槽の内部に対面する位置からずれるよう、処理槽に対して配置される、あるいは、洗浄処理時にその内面を洗浄処理時に遮蔽機構によって遮蔽されるようになっている。したがって、洗浄処理時に、洗浄液や洗浄液の蒸気が蓋体に付着してしまうことを防止することができる。これにより、蓋体によって閉鎖された処理槽内において基板を良好に乾燥させることができる。また、洗浄処理と乾燥処理とを同一の処理槽内で行うことにより基板洗浄乾燥装置を格段に小型化することができるとともに、基板洗浄乾燥装置の製造負荷を著しく低減することができる。同様に、このような基板洗浄乾燥装置を有する基板処理装置を格段に小型化することができるとともに、基板処理装置の製造負荷を著しく低減することができる。
【００１１】  本発明による第２の基板処理装置において、前記蓋体は、前記処理槽内で洗浄処理を行う場合、前記処理槽の側方に配置されるようにしてもよい。このような基板処理装置によれば、簡易な手段および簡易な方法により、洗浄処理時に、洗浄液や洗浄液の蒸気が蓋体に付着してしまうことを防止することができる。
【００１２】  あるいは、本発明による第２の基板処理装置において、基板洗浄乾燥装置は、前記処理槽と前記蓋体との間に設けられ、前記蓋体に接触して前記蓋体の内面を遮蔽し得るように構成された遮蔽機構をさらに有するようにしてもよい。このような基板処理装置によれば、洗浄処理時に、洗浄液や洗浄液の蒸気が蓋体に付着してしまうことを確実に防止することができる。
【００１３】  本発明による第１および第２の基板処理装置において、前記遮蔽機構は、貫通孔を形成されたケーシングと、前記ケーシングに支持され前記貫通孔を開閉可能な遮蔽体と、を有し、前記遮蔽体が前記貫通孔を閉鎖することによって前記蓋体の内面を遮蔽し得るようにしてもよい。このような基板処理装置によれば、蓋体を遮蔽した状態と、蓋体を遮蔽していない状態との切り替えを迅速かつ容易に行うことができる。
【００１４】  また、本発明による第１および第２の基板処理装置において、基板洗浄乾燥装置は、基板を支持する支持部材と、支持部材に連結された昇降可能な昇降部材であって、前記ケーシングの前記貫通孔内を延びる昇降部材と、をさらに有し、前記遮蔽機構は互いに対して接離可能な二以上の遮蔽体を有し、前記二以上の遮蔽体は互いに当接することによって、前記昇降部材の周囲を取り囲むとともに前記ケーシングの前記貫通孔を閉鎖するようにしてもよい。このような基板処理装置によれば、簡易な構成からなるウエハの支持機構を有した基板洗浄乾燥装置に対し、遮蔽機構を適用することができるようになる。
【００１５】  さらに、本発明による第１および第２の基板処理装置において、前記処理槽内で乾燥処理を行う場合、前記蓋体は、前記遮蔽体によって開放された前記ケーシングの前記貫通孔を介し、前記処理槽を閉鎖するようにしてもよい。このような基板処理装置において、前記基板洗浄乾燥装置は、前記遮蔽機構に取り付けられ前記処理槽内に乾燥薬剤を供給する乾燥薬剤供給機構をさらに有するようにしてもよい。
【００１６】  さらに、本発明による第１および第２の基板処理装置において、前記蓋体および前記遮蔽機構は前記処理槽に対して上下方向にそれぞれ移動可能であるようにしてもよい。このような基板処理装置において、前記処理槽内で洗浄処理を行う場合、前記蓋体は前記処理槽から上方に離間して配置されているようにしてもよい。このような基板処理装置によれば、洗浄処理時に、洗浄液や洗浄液の蒸気が蓋体に付着してしまうことをより確実に防止することができる。
【００１７】  さらに、本発明による第１および第２の基板処理装置において、洗浄液を貯留した前記処理槽を前記蓋体で閉鎖した状態で、前記処理槽の内部に不活性ガスを供給しながら前記処理槽内から洗浄液を排出し、その後、前記処理槽の内部に乾燥薬剤を供給することによって、前記基板洗浄乾燥装置を洗浄処理の状態から乾燥処理の状態へと変更するようにしてもよい。このような基板処理装置によれば、洗浄処理が終了した後から乾燥処理が終了する前までに、処理槽内の雰囲気を制御するだけで、基板を大気に曝さないようにすることが可能となる。したがって、基板が汚染されてしまうことを防止することができるとともに、基板を良好に乾燥させることができる。
【００１８】  本発明による第１の基板洗浄乾燥装置は、基板の洗浄処理と乾燥処理とを行う基板洗浄乾燥装置であって、開放され内部に基板を収容可能な処理槽であって、内部に貯留した洗浄液による洗浄処理および乾燥処理を収容した基板に対して施すように構成された処理槽と、前記処理槽を閉鎖可能な蓋体と、前記処理槽と前記蓋体との間に設けられ、前記蓋体が前記処理槽を閉鎖する際に前記処理槽の内部に対面するようになる前記蓋体の内面を遮蔽し得るように構成された遮蔽機構と、を備え、前記処理槽内で基板に乾燥処理を行う際に、前記蓋体は前記処理槽を閉鎖し、前記処理槽内で基板に洗浄処理を行う際に、前記遮蔽機構が前記蓋体の内面を遮蔽する、ように構成されたことを特徴とする。
【００１９】  このような本発明による第１の基板洗浄乾燥装置によれば、単一の処理槽内において基板に対して洗浄処理および乾燥処理を施し得るようになっている。そして、乾燥処理時に処理槽を閉鎖する蓋体は、洗浄処理時にその内面を遮蔽機構によって遮蔽されるようになっている。したがって、洗浄処理時に、洗浄液や洗浄液の蒸気が蓋体に付着してしまうことを防止することができる。これにより、蓋体によって閉鎖された処理槽内において基板を良好に乾燥させることができる。また、洗浄処理と乾燥処理とを同一の処理槽内で行うことにより基板洗浄乾燥装置を格段に小型化することができるとともに、基板洗浄乾燥装置の製造負荷を著しく低減することができる。
【００２０】  また、本発明による第２の基板洗浄乾燥装置は、基板の洗浄処理と乾燥処理とを行う基板洗浄乾燥装置であって、開放され内部に基板を収容可能な処理槽であって、内部に貯留した洗浄液による洗浄処理および乾燥処理を収容した基板に対して施すように構成された処理槽と、前記処理槽を閉鎖可能な蓋体と、を備え、前記処理槽内で基板に乾燥処理を行う際に、前記蓋体は前記処理槽を閉鎖し、前記処理槽内で基板に洗浄処理を行う際に、前記蓋体が前記処理槽を閉鎖した場合に前記処理槽の内部に対面するようになる前記蓋体の内面が前記処理槽の内部に対面する位置からずれるように前記蓋体が前記処理槽に対して配置される、あるいは、前記蓋体の前記内面が遮蔽される、ように構成されたことを特徴とする。
【００２１】  このような本発明による第２の基板洗浄乾燥装置によれば、単一の処理槽内において基板に対して洗浄処理および乾燥処理を施し得るようになっている。そして、乾燥処理時に処理槽を閉鎖する蓋体は、洗浄処理時にその内面が処理槽の内部に対面する位置からずれるよう、処理槽に対して配置される、あるいは、洗浄処理時にその内面を遮蔽機構によって遮蔽されるようになっている。したがって、洗浄処理時に、洗浄液や洗浄液の蒸気が蓋体に付着してしまうことを防止することができる。これにより、蓋体によって閉鎖された処理槽内において基板を良好に乾燥させることができる。また、洗浄処理と乾燥処理とを同一の処理槽内で行うことにより基板洗浄乾燥装置を格段に小型化することができるとともに、基板洗浄乾燥装置の製造負荷を著しく低減することができる。
【００２２】  これらの本発明による第１および第２の基板洗浄乾燥装置に対しても、上述した本発明による第１および第２の基板処理装置の基板洗浄乾燥装置に対する種々の具体的な態様を、適用することができる。
【００２３】  本発明による基板処理方法は、開放され内部に基板を収容可能な処理槽と、前記処理槽を閉鎖可能な蓋体と、を有する基板洗浄乾燥装置を用いて基板を処理する方法であって、前記処理槽を閉鎖した場合に前記処理槽の内部に対面するようになる前記蓋体の内面が前記処理槽の内部に対面する位置からずれるように前記蓋体が前記処理槽に対して配置された状態、あるいは、前記蓋体の前記内面が遮蔽された状態で、前記処理槽内に貯留された洗浄液により前記処理槽内に収容された基板を洗浄する工程と、前記蓋体により前記処理槽を閉鎖した状態で、前記処理槽内に収容された前記基板を乾燥させる工程と、を備えることを特徴とする。
【００２４】  このような本発明による基板処理方法によれば、単一の処理槽内において基板に対して洗浄処理および乾燥処理を施し得るようになっている。そして、乾燥処理時に処理槽を閉鎖する蓋体は、洗浄処理時にその内面が処理槽の内部に対面する位置からずれるよう、処理槽に対して配置される、あるいは、洗浄処理時にその内面を遮蔽機構によって遮蔽されるようになっている。したがって、洗浄処理時に、洗浄液や洗浄液の蒸気が蓋体に付着してしまうことを防止することができる。これにより、蓋体によって閉鎖された処理槽内において基板を良好に乾燥させることができる。また、洗浄処理と乾燥処理とを同一の処理槽内で行うことにより、基板の処理に用いられる装置を格段に小型化することができるとともに、装置の製造負荷を著しく低減することができる。
【００２５】  本発明による基板処理方法の前記洗浄する工程において、前記蓋体は、前記処理槽と前記蓋体との間に設けられ前記蓋体の内面を遮蔽し得るように構成された遮蔽機構によって、遮蔽されるようにしてもよい。このような基板処理方法によれば、洗浄処理時に、洗浄液や洗浄液の蒸気が蓋体に付着してしまうことを確実に防止することができる。
【００２６】  また、本発明による基板処理方法において、前記遮蔽機構は、貫通孔を形成されたケーシングと、前記ケーシングに支持され前記貫通孔を開閉可能な遮蔽体と、を有し、前記遮蔽体が前記貫通孔を閉鎖することによって前記蓋体の内面を遮蔽するようにしてもよい。このような基板処理方法によれば、蓋体を遮蔽した状態と、蓋体を遮蔽していない状態との切り替えを迅速かつ容易に行うことができる。また、このような基板処理方法の前記乾燥させる工程において、前記蓋体は、前記遮蔽体によって開放された前記ケーシングの前記貫通孔を介し、前記処理槽を閉鎖するようにしてもよい。さらに、このような基板処理方法の前記乾燥させる工程において、前記遮蔽機構に取り付けられた乾燥薬剤供給機構から前記処理槽内に乾燥薬剤を供給するようにしてもよい。
【００２７】  さらに、本発明による基板処理方法の前記洗浄する工程において、前記蓋体は前記処理槽から上方に離間して配置されるようにしてもよい。このような基板処理方法によれば、洗浄処理時に、洗浄液や洗浄液の蒸気が蓋体に付着してしまうことをより確実に防止することができる。
【００２８】  さらに、本発明による基板処理方法が、前記洗浄する工程の後で前記乾燥させる工程の前に設けられた工程であって、洗浄液を貯留した前記処理槽を前記蓋体で閉鎖した状態で、前記処理槽内に不活性ガスを供給しながら前記処理槽内から洗浄液を排出する工程をさらに備えるようにしてもよい。このような基板処理方法によれば、洗浄処理が終了した後から乾燥処理が終了する前までに、処理槽内の雰囲気を制御するだけで、基板を大気に曝さないようすることが可能となる。したがって、基板が汚染されてしまうことを防止することができるとともに、基板を良好に乾燥させることができる。
【００２９】  さらに、本発明による基板処理方法の前記洗浄する工程において、前記蓋体は前記処理槽の側方に配置されるようにしてもよい。このような基板処理方法によれば、簡易な手段および簡易な方法により、洗浄処理時に、洗浄液や洗浄液の蒸気が蓋体に付着してしまうことを防止することができる。
【００３０】  本発明によるプログラムは、開放され内部に基板を収容可能な処理槽と、前記処理槽を閉鎖可能な蓋体と、を有する基板洗浄乾燥装置を制御する制御部によって実行されるプログラムであって、前記プログラムが前記制御部によって実行されることにより、前記処理槽を閉鎖した場合に前記処理槽の内部に対面するようになる前記蓋体の内面が前記処理槽の内部に対面する位置からずれるように前記蓋体が前記処理槽に対して配置された状態、あるいは、前記蓋体の前記内面が遮蔽された状態で、前記処理槽内に貯留された洗浄液により前記処理槽内に収容された基板を洗浄する工程と、前記蓋体により前記処理槽を閉鎖した状態で、前記処理槽内に収容された前記基板を乾燥させる工程と、を備える被処理基板の処理方法を、基板洗浄乾燥装置に実施させることを特徴とする。
【００３１】  本発明によるプログラムにおいて、前記実施される基板の処理方法が、前記洗浄する工程の後で前記乾燥させる工程の前に設けられた工程であって、洗浄液を貯留した前記処理槽を前記蓋体で閉鎖した状態で、前記処理槽内に不活性ガスを供給しながら前記処理槽内から洗浄液を排出する工程をさらに備えるようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】図１は、本発明による基板処理装置の一実施の形態を示す上面図である。
【図２】図２は、図１に示された基板処理装置に含まれ得る、本発明による基板洗浄乾燥装置の一実施の形態の全体構成を示す図である。
【図３】図３は、図２に示された基板洗浄乾燥装置を示す縦断面図である。
【図４】図４は、図２に示された基板洗浄乾燥装置を示す縦断面図である。
【図５】図５は、本発明による基板処理方法および基板処理プログラムの一実施の形態を説明するためのフローチャートである。
【図６】図６は、基板洗浄乾燥装置の動作（初期設定時）を説明するための図である。
【図７】図７は、基板洗浄乾燥装置の動作（ウエハ受け取り時）を説明するための図である。
【図８】図８は、基板洗浄乾燥装置の動作（洗浄準備時）を説明するための図である。
【図９】図９は、基板洗浄乾燥装置の動作（薬液置換時）を説明するための図である。
【図１０】図１０は、基板洗浄乾燥装置の動作（純水置換時）を説明するための図である。
【図１１】図１１は、基板洗浄乾燥装置の動作（不活性ガス置換時）を説明するための図である。
【図１２】図１２は、基板洗浄乾燥装置の動作（乾燥薬液供給時）を説明するための図である。
【図１３】図１３は、基板洗浄乾燥装置の動作（ウエハ引き渡し時）を説明するための図である。
【図１４】図１４は、基板洗浄装置の一変形例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３３】  以下、本発明による基板処理装置、基板洗浄乾燥装置、基板処理方法、および、基板洗浄プログラムの一実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００３４】  図１に示すように、基板処理装置１は、複数枚のウエハ２（基板）を収容したキャリア３の搬入及び搬出を行うキャリア搬入出部４と、複数のキャリア３に収容されたウエハ２を組合わせることによって一括処理されるバッチ５を編成するバッチ編成部６と、バッチ５ごとにウエハ２の洗浄処理及び乾燥処理を行う基板処理部７と、で構成されている。
【００３５】  キャリア搬入出部４は、キャリア３が載置されるキャリアステージ８およびキャリア載置台１２と、キャリアステージ８およびキャリア載置台１２の間でキャリア３を搬送するキャリア搬送機構１０と、を有している。キャリア載置台１２には、バッチ編成部６との間で受け渡されるキャリア３が載置される。キャリア搬送機構１０およびキャリア載置台１２は、外部から遮断された密閉空間内に配置されている。この密閉された空間とキャリアステージ８との間でのキャリア３の受け渡しは、密閉閉鎖可能な開閉扉９を介して行われる。また、密閉された空間内には、キャリア３を必要に応じて一時的に保管するためのキャリアストック１１が設けられている。
【００３６】  処理されるべきウエハ２を収納したキャリア３はキャリアステージ８に載置される。そして、開閉扉９を介し、キャリア搬送機構１０によってキャリア載置台１２まで搬送されるようになる。なお、搬送途中に、キャリア３は必要に応じてキャリアストック１１に一時的に保管される。また、キャリア載置台８には、基板処理部７で処理されたウエハ２を収納したキャリア３も載置される。そして、処理済みウエハ２を収納したキャリア３は、開閉扉９を介し、キャリア搬送機構１０によってキャリアステージ８まで搬送されるようになる。なお、処理済みウエハ２を収納したキャリア３も、搬送途中に、必要に応じてキャリアストック１１に一時的に保管される。
【００３７】  バッチ編成部６は、キャリア３に収容された複数枚のウエハ２を同時に搬送するための基板搬送機構１４と、この基板搬送機構１４によって搬送されたウエハ２の配列間隔を半分に変更してバッチ５を形成するためのバッチ形成機構１５と、基板搬送機構１４によって搬送されたウエハ２の配列順序を変更する配列順序変更機構１６と、バッチ形成機構１５によって形成されたバッチ５をバッチ編成部６および基板処理部７内において搬送するバッチ搬送機構１７と、によって構成されている。なお、バッチ編成部６のこれらの各機構１４，１５，１６，１７は、基板処理部７の各装置や各機構とともに、外部から遮断された密閉空間内に配置されている。この密閉された空間とキャリア搬入出部４のキャリア載置台１２との間でのウエハ２の受け渡しは、密閉閉鎖可能な開閉扉１３を介して行われる。また、バッチ編成部６は、キャリア３に収容されたウエハ２の収容状態を検出するウエハ収容状態検出センサー１８と、キャリア３に収容された複数枚のウエハ２のノッチの位置調整を行うノッチアライナー１９と、を密閉された空間内に有している。
【００３８】  そして、バッチ編成部６では、キャリア搬入出部４から搬入される複数個（たとえば、２個）のキャリア３にそれぞれ収容された複数枚（たとえば、２５枚）のウエハ２を組み合わせる。これにより、基板処理部７において一括処理される複数枚（たとえば、５０枚）のウエハ２によって構成されるバッチ５が形成される。得られたバッチ５は、バッチ搬送機構１７によって基板処理部７に引き渡される。また、基板処理部７での処理が完了したバッチ５は、バッチ搬送機構１７によって基板処理部７からバッチ編成部６に引き渡される。処理済みのバッチ７を構成する各ウエハ２は、元のキャリア３に収容される。
【００３９】  基板処理部７は、ウエハ２の洗浄及び乾燥を行う洗浄乾燥機構２０と、ウエハ２の洗浄を行う洗浄機構２１と、で構成されている。洗浄乾燥機構２０は、ウエハ昇降機構２２によって昇降可能に保持されたバッチ５に対して洗浄処理および乾燥処理を施す基板洗浄乾燥装置２３と、バッチ搬送機構１７の洗浄を行う搬送機構洗浄ユニット２４と、を有している。図示する例において、基板洗浄乾燥装置２３と搬送機構洗浄ユニット２４とは並設されている。一方、洗浄機構２１は、バッチ５を薬液処理する第１〜第３の薬液槽２５，２６，２７と、バッチ５を純水処理する第１〜第３の純水槽２８，２９，３０と、これらの第１〜第３の薬液槽２５，２６，２７および第１〜第３の純水槽２８，２９，３０の間でバッチ５の搬送を行う第１〜第３の搬送装置３１，３２，３３と、を有している。
【００４０】  また、図１に示すように、バッチ搬送機構１７は、洗浄乾燥機構２０および洗浄機構２１に沿って移動可能に配設されている。バッチ搬送機構１７の始端部分は、バッチ編成部６内に配設されている。
【００４１】  バッチ搬送機構１７は、バッチ編成部６で編成されたバッチ５を洗浄乾燥機構２０のウエハ昇降機構２２や洗浄機構２１の第１〜第３の搬送装置３１，３２，３３へ引き渡すようになっている。各洗浄乾燥機構２０や洗浄機構２１では、受け取ったウエハ２の処理をバッチ５ごとに行なう。処理済みのバッチ５は、洗浄乾燥機構２０のウエハ昇降機構２２や洗浄機構２１の第１〜第３の搬送装置３１，３２，３３からバッチ搬送機構１７に引き渡される。そして、バッチ搬送機構１７によって処理済みのバッチ５がバッチ編成部６へ再び搬送されるようにしている。
【００４２】  以上のように、本実施の形態における基板処理装置１においては、ウエハ２はキャリア３ごとキャリア搬入出部４からバッチ編成部６に搬入される。バッチ編成部６では、基板処理部７にて一括処理されるようになるバッチ５を、持ち込まれたウエハ２から編成する。バッチ５は基板処理部７に引き渡され、基板処理部７でバッチ５に含まれるウエハ２が一括して処理される。その後、処理済みのバッチ５はバッチ編成部６へ引き渡される。処理済みのバッチ５に含まれるウエハ２は、バッチ編成部６において、キャリア３に収容される。処理済みウエハ２を収容したキャリア３はバッチ編成部６からキャリア搬入出部４へ搬送される。そしてその後、処理済みのウエハ２を収容したキャリア３がキャリア搬入出部４から搬出される。
【００４３】  次に、基板洗浄乾燥装置（基板洗浄乾燥ユニット）２３の構成についてさらに詳述する。
【００４４】  図２〜図４に示すように、基板洗浄乾燥装置２３は、上端部が開放され、ウエハ２を収容することができる有底矩形箱型状の処理槽３４と、処理槽３４を閉鎖可能な蓋体８９と、処理槽３４と蓋体８９との間に設けられ、蓋体８９が処理槽３４を閉鎖する際に処理槽３４の内部に対面するようになる蓋体８９の内面を遮蔽し得るように構成された遮蔽機構６５と、を備えている。図３に示すように、処理槽３４の左右側壁３５，３６には、洗浄液を供給するための洗浄液供給ノズル３７，３８，３９，４０，４１，４２が上下に間隔をあけて取付けられている。また、処理槽３４の底壁４３には、排水管４４が処理槽３４の内部と連通するようにして連結されている。排水管４４には、開閉バルブ４５が設けられている。さらに、処理槽３４の上端の外側には、処理槽３４の上端を取り囲むオーバーフロー槽４６が設けられている。オーバーフロー槽４６の底壁４７には、排水管４８がオーバーフロー槽４６の内部と連通するようにして連結されている。排水管４８には、開閉バルブ４９が設けられている。
【００４５】  図２に示すように、洗浄液供給ノズル３７〜４２には、純水を供給するための純水供給源５０と薬液を供給するための薬液供給源５１とが三方コック５２を介して接続されている。この三方コック５２を切り換えることによって、洗浄液供給ノズル３７〜４２から処理槽３４の内部に純水又は薬液を供給できるようにしている。なお、開閉バルブ４５，４９や三方コック５２は制御部９５と接続されており、この制御部９５によって開閉バルブ４５，４９や三方コック５２の動作が制御されるようになっている。
【００４６】  また、基板洗浄乾燥装置２３は、一つのバッチ５を構成する複数のウエハ２を一括して支持し得るウエハボート（支持部材）５４と、ウエハボート５４に連結されるとともにウエハ昇降機構２２に連結されたガイド桿（昇降部材）５３と、をさらに有している。ガイド桿５３は、処理槽３４の直上方に配置されている。ウエハボート５４はガイド桿５３の下端部に支持されている。ウエハボート５４は、前後一対の連結体５５，５６（図４参照）と、一対の連結体５５，５６間を延びる４本の支持体５７，５８，５９，６０（図３参照）と、から構成されている。図３に示すように、４本の支持体５７〜６０は互いに左右方向（図３の紙面における左右方向）に間隔をあけるようにして連結体５５，５６に取り付けられている。各支持体５７〜６０の上端部には、ウエハ２の周縁部と係合してウエハ２を支持する支持溝６１，６２，６３，６４が前後方向（図４の紙面における左右方向）に間隔をあけて形成されている。このような構成により、ウエハボート５４は、ウエハ昇降機構２２を用いてガイド桿５３を昇降させることによって、処理槽３４の上方に位置する上方位置と処理槽３４の内部に位置する内部位置との間を移動する。このウエハボード５４の移動にともなって、ウエハボード５４に支持されるウエハ２がバッチ５単位で処理槽外と処理槽内との間を昇降させられ得るようになっている。なお、ウエハ昇降機構２２は制御部９５と接続されており、この制御部９５によってウエハ昇降機構２２が駆動制御される。
【００４７】  図２乃至図４に示すように、遮蔽機構６５は処理槽３４の上方に配設されている。遮蔽機構６５は、貫通孔６６ａを形成されたケーシング６６と、ケーシング６６に支持され貫通孔６６ａを開閉可能な遮蔽体６８，６９と、を有している。図３および図４に示すように、ケーシング６６は角筒状の形状を有し、貫通孔６６ａは処理槽３４の開口部の形状とおおよそ一致する形状を有している。ケーシング６６の下端部に遮蔽体収容部６７が形成されている。左右一対の遮蔽体６８，６９は、開状態にあるとき、この遮蔽体収容部６７内に収容されるようになる。また、ケーシング６６の上端部にフランジ部７０が形成されている。
【００４８】  図２に示すように、遮蔽機構６５は昇降機構７５と連結されている。遮蔽機構６５は、この昇降機構７５に駆動されることにより、上下方向に移動し、処理槽３４に接近すること、および、処理槽３４から離間することができる。そして、昇降機構７５によって遮蔽機構６５を下降させた場合には、ケーシング６６の下端部と処理槽３４の上端部とが密着するようになる。昇降機構７５は制御部９５と接続され、この制御部９５によって昇降機構７５は駆動制御される。
【００４９】  また、図３および図４に示すように、ガイド桿５３は遮蔽機構６５の貫通孔６６ａ内を通過して延びている。各遮蔽体６８，６９には、ガイド桿５３を挿通させるための半円状切欠７６が形成されている。各半円状切欠７６にはパッキン７７，７８が取り付けられている。そして、一対の遮蔽体６８，６９は、閉状態にあるとき、ウエハ２を昇降させるための昇降部材としてのガイド桿５３の周囲を、パッキン７７，７８を介して気密に取り囲むようになっている。また、一対の遮蔽体６８，６９が閉状態にあるとき、ガイド桿５３が遮蔽体６８，６９に対して摺動したとしても、ガイド桿５３とパッキン７７，７８との間の気密は維持されるようになっている。これらにより、遮蔽機構６５の貫通孔６６ａが一対の遮蔽体６８，６９によって気密に閉鎖されるようになる。図２に示すように、遮蔽体６８，６９は開閉機構７９と連結されており、この開閉機構７９は制御部９５と接続されている。制御部９５によって開閉機構７９は駆動制御される。
【００５０】  図３および図４に示すように、遮蔽機構６５のケーシング６６の左右側壁７１，７２には、乾燥薬剤（ＩＰＡ：イソプロピルアルコールなど）を蒸気の状態で供給する乾燥薬剤供給機構としての乾燥薬剤供給ノズル７３，７４が取付けられている。図２に示すように、乾燥薬剤供給ノズル７３，７４は可動管８０を介して混合器８１に接続されている。混合器８１は、窒素などの不活性ガスを供給するための不活性ガス供給源８２と供給管８４を介して接続され、蒸気状の乾燥薬剤を供給するための乾燥薬剤供給源８３と供給管８５を介して接続されている。可動管８０と供給管８４，８５には、それぞれ開閉バルブ８６，８７，８８が設けられている。各開閉バルブ８６，８７，８８は制御部９５と接続され、この制御部９５によって各開閉バルブ８６，８７，８８の動作が制御される。
【００５１】  なお、乾燥薬剤供給ノズル７３，７４から供給される乾燥薬剤が蒸気状であることは必須ではない。乾燥薬剤供給ノズル７３，７４に液体状の乾燥薬剤を供給する乾燥薬液供給源を接続し、乾燥薬剤供給ノズル７３，７４からミスト状の乾燥薬剤を供給するようにしてもよい。
【００５２】  図２乃至図４に示すように、蓋体８９は処理槽３４の上方に配設されている。図３および図４に示すように、本実施の形態において、蓋体８９は、左右方向（図３の紙面における左右方向）に沿った断面において円弧状の断面形状を有する蓋部９０と蓋部９０の下端に形成されたフランジ部９１と、から形成されている。蓋部９０には、ガイド桿５３を挿通させるための孔９２が形成されている。この孔９２にはパッキン９３が取り付けられている。これにより、ガイド桿５３は蓋体８９を摺動可能に貫通するとともに、ガイド桿５３と蓋体８９との間は気密となっている。
【００５３】  図２に示すように、蓋体８９は蓋体昇降機構９４と連結されている。そして、蓋体８９は、この蓋体昇降機構９４に駆動されることにより、上下方向に移動し、処理槽３４および遮蔽機構６５に接近すること、並びに、処理槽３４および遮蔽機構６５から離間することができる。そして、蓋体昇降機構９４によって蓋体８９を下降させた場合には、蓋体８９のフランジ部９１と遮蔽機構６５のフランジ部７０とが密着するようになっている。蓋体昇降機構９４は制御部９５と接続され、この制御部９５によって蓋体昇降機構９４は駆動制御される。
【００５４】  基板洗浄乾燥装置２３は、以上に説明したように構成されており、制御部９５によって駆動制御される。この制御部９５は、基板洗浄乾燥装置２３だけでなく基板処理装置１の各部を駆動制御することができ、ＣＰＵからなるコントローラ９６とこのコントローラ９６に接続された記憶媒体９７とで構成されている。この記憶媒体９７には、各種の設定データや基板洗浄乾燥プログラム９８が格納されている。なお、記憶媒体９７は、ＲＯＭやＲＡＭなどのメモリーでもよく、また、ハードディスクやＣＤ−ＲＯＭなどのディスク状記憶媒体でもよい。
【００５５】  次に、以上のような構成からなる基板洗浄乾燥装置２３を用いたウエハ２の処理方法の一例について説明する。
【００５６】  基板洗浄乾燥装置２３は、記憶媒体９７に格納された基板洗浄乾燥プログラム９８に従って、制御部９５によって駆動制御される。ウエハ２は、基板洗浄乾燥装置２３の一つの処理槽３４内において、洗浄処理と乾燥処理とを続けて行われるようになっている。
【００５７】  図５に示すように、基板洗浄乾燥プログラム９８では、まず、基板洗浄乾燥装置２３の初期設定を行う（初期設定ステップＳ１）。具体的には、制御部９５によって、各構成要素が以下のように設定される。処理槽３４の開閉バルブ４５およびオーバーフロー槽４６の開閉バルブ４９が閉鎖される。また、遮蔽機構６５が、昇降機構７５によって、処理槽３４の上方に処理槽３４から間隔をあけて配置される。遮蔽機構６５の遮蔽体６８，６９は遮蔽体収容部６７内に配置され、遮蔽機構６５の貫通孔６６ａは開放される。さらに、ウエハボート５４が、ウエハ昇降機構２２によって、遮蔽機構６５の上方に遮蔽機構６５から間隔をあけて配置される。また、蓋体８９が、蓋体昇降機構９４によって、ウエハボート５４の上方にウエハボート５４から間隔をあけて配置される。その後、制御部９５が三方コック５２を動作させて、純水９９が、純水供給源５０から処理槽３４へ洗浄液供給ノズル３７〜４２を介して供給される。このときに、オーバーフロー槽４６の開閉バルブ４９が制御部９５からの信号によって開放され、処理槽３４からオーバーフローした純水９９がオーバーフロー槽４６から排出されるようになる。
【００５８】  次に、基板洗浄乾燥プログラム９８に従って、ウエハボート５４は複数枚（たとえば、５０枚）のウエハ２からなるバッチ５を受取る（ウエハ受取ステップＳ２）。具体的には、図７に示すように、制御部９５からの信号に従って、複数のウエハ２からなる一つのバッチ５が、バッチ搬送機構１７によって搬送される。そして、バッチ５がウエハボード５４の支持体５７〜６０上に載置される。各バッチ５のウエハ２は、支持体５７〜６０に形成された溝によって、保持されるようになる。
【００５９】  次に、基板洗浄乾燥プログラム９８に従って、ウエハボート５４に保持されたウエハ２が処理槽３４の内部に貯留された純水９９に浸漬され、洗浄処理のために準備が行われる。（洗浄準備ステップＳ３）。具体的には、以下のようにして洗浄処理の準備が行われる。図８に示すように、制御部９５からの制御信号に基づき、ウエハ昇降機構２２は、ウエハボート５４が処理槽３４の内部まで降下するよう、ウエハボート５４を駆動する。これによって、ウエハボード５４に支持されたウエハ２が、処理槽３４の内部に貯留された純水９９に浸漬されるようになる。その後、開閉機構７９によって、遮蔽機構６５の遮蔽体６８，６９が互いに接近させられ、遮蔽機構６５の貫通孔６６ａが遮蔽体６８，６９によって閉鎖される。また、蓋体昇降機構９４によって、蓋体８９が下降させられ、遮蔽機構６５に上方から密着するようになる。この結果、蓋体８９の内面は遮蔽機構６５によって処理槽３４の内部から遮蔽される。
【００６０】  次に、図９に示すように、基板洗浄乾燥プログラム９８に従って、処理槽３４の内部に貯留された純水９９が薬液１００によって置換される（薬液置換ステップＳ４）。具体的には、以下のようにして処理槽３４内の置換が行われる。制御部９５が三方コック５２を動作させて、薬液（洗浄液）１００が、薬液供給源５１から処理槽３４の内部へ処理槽３４の洗浄液供給ノズル３７〜４２を介して供給される。このとき、処理槽３４の開閉バルブ４５は閉じたままとなっており、オーバーフロー槽４６の開閉バルブ４９は開いたままとなっている。したがって、処理槽内の液体が処理槽３４からオーバーフロー槽４６に徐々にオーバーフローしていき、最終的には、処理槽３４の内部に薬液１００が貯留された状態となる。
【００６１】  その後、基板洗浄乾燥プログラム９８に従って、処理槽３４の内部に貯留された薬液１００に浸漬されたウエハ２が薬液１００によって洗浄（薬液洗浄）される（薬液処理ステップＳ５）。薬液洗浄処理中に、超音波発振手段からウエハ２に超音波を照射して、超音波のエネルギーによってウエハ２から汚染物を除去するようにしてもよい。なお、この薬液洗浄処理時には、処理槽３４の内部のみによって洗浄処理領域Ａ１が形成され、この洗浄処理領域Ａ１においてウエハ２の洗浄処理が行われることになる。
【００６２】  次に、図１０に示すように、基板洗浄乾燥プログラム９８に従って、処理槽３４の内部に貯留された薬液１００が純水９９によって置換される（純水置換ステップＳ６）。具体的には、以下のようにして処理槽３４内の置換が行われる。制御部９５が三方コック５２を動作させて、純水９９が、純水供給源５１から処理槽３４の内部に処理槽３４の洗浄液供給ノズル３７〜４２を介して供給される。このとき、処理槽３４の開閉バルブ４５は閉じたままであり、オーバーフロー槽４６の開閉バルブ４９は開いたままとなっている。したがって、処理槽３４内の液体が処理槽３４からオーバーフロー槽４６に徐々にオーバーフローしていき、最終的には、処理槽３４の内部に薬液９９が貯留された状態となる。
【００６３】  その後、基板洗浄乾燥プログラム９８に従って、処理槽３４の内部に貯留された純水９９に浸漬されたウエハ２が純水９９によって洗浄処理（リンス処理）される（純水処理ステップＳ７）。リンス処理中に、超音波発振手段からウエハ２に超音波を照射して、超音波のエネルギーによってウエハ２から汚染物を除去するようにしてもよい。なお、このリンス処理時には、処理槽３４の内部のみによって洗浄処理領域Ａ１が形成され、この洗浄処理領域A１においてウエハ２の洗浄処理が行われることになる。
【００６４】  次に、基板洗浄乾燥プログラム９８に従って、処理槽３４に貯留された純水９９が排出されるとともに、不活性ガス１０１が処理槽３４内に充填される。（不活性ガス置換ステップＳ８）。具体的には、以下のようにして処理槽３４内が不活性ガスで満たされるようになる。昇降機構７５および蓋体昇降機構９４が制御部９５からの信号に基づいて動作する。これにより、図１１に示すように、遮蔽機構６５が下降させられ、処理槽３４の上部に密着する位置まで移動する。また、蓋体８９も下降させられ、遮蔽機構６５の上部に密着した状態に維持される。さらに、図１１に示すように、制御部９５からの制御信号に基づき、開閉機構７９が、遮蔽機構６５の遮蔽体６８，６９を互いから離間する方向に移動させる。したがって、遮蔽機構６５の貫通孔６６ａは開放され、蓋体９４の内面が処理槽３４の内部に露出するようになる。この結果、処理槽３４は、遮蔽機構６５の貫通孔６６ａを介し、蓋体８９によって閉鎖されるようになる。
【００６５】  また、開閉バルブ８６,８７が開放され、その一方で、開閉バルブ８８が閉鎖される。さらに、処理槽３４の開閉バルブ４５が開放される。この結果、不活性ガス１０１が、不活性ガス供給源８２から処理槽３４の内部に乾燥薬剤供給ノズル７３,７４を介して供給されるとともに、それまで処理槽３４内に貯留されていた純水９９が処理槽３４の内部から排出される。そして最終的に、処理槽３４の内部が不活性ガス１０１で満たされた状態となる。
【００６６】  次に、図１２に示すように、基板洗浄乾燥プログラム９８に従って、処理槽３４の内部に乾燥薬剤１０２が供給される（乾燥薬剤供給ステップＳ９）。具体的には、制御部９５からの信号に基づき、開閉バルブ８６,８７だけでなく、乾燥薬剤供給源８３に通ずる開閉バルブ８８も開放される。この結果、乾燥薬剤供給源８３から乾燥薬剤１０２が供給され、乾燥薬剤１０２は不活性ガス供給源８２から供給される不活性ガス１０１と混合器８１で混合される。そして、乾燥薬剤１０２は、不活性ガス１０１をキャリアガスとして、乾燥薬剤供給ノズル７３,７４を介して処理槽３４の内部に送り込まれる。
【００６７】  その後、基板洗浄乾燥プログラム９８に従って、処理槽３４の内部に配置されたウエハ２は、処理槽３４の内部を満たす乾燥薬剤１０２によって乾燥させられる（乾燥処理ステップＳ１０）。なお、この乾燥処理時には、処理槽３４の内部と、遮蔽機構６５の貫通孔６６ａ内と、蓋体８９の内面と、によって画定される空間により、乾燥処理領域（乾燥室）Ａ２が形成され、この乾燥処理領域Ａ２においてウエハ２の乾燥処理が行われることになる。
【００６８】  最後に、図１３に示すように、基板洗浄乾燥プログラム９８に従って、処理槽３４の内部を不活性ガス１０１で置換し、洗浄処理及び乾燥処理を施されたウエハ２がバッチ搬送機構１７へ引き渡される（ウエハ受渡ステップＳ１１）。具体的には、制御部９５からの信号に基づき、開閉バルブ８６,８７が開放され、開閉バルブ８８が閉鎖される。この結果、乾燥薬剤供給源８３からの乾燥薬剤１０２の供給が停止し、不活性ガス供給源８２から供給される不活性ガス１０１のみが乾燥薬剤供給ノズル７３,７４を介して処理槽３４の内部に送り込まれる。その後、蓋体昇降機構９４によって、蓋体８９が上昇するとともに、ウエハ昇降機構２２によって、ウエハボート５４が遮蔽機構６５の上方まで上昇する。そして、図１３に示す状態において、ウエハボート５４に支持されたウエハ２がバッチ搬送機構１７に受け取られる。
【００６９】  以上に説明したように、上記構成の基板洗浄乾燥装置２３では、内部でウエハ２の洗浄処理と乾燥処理とを行う処理槽３４と、この処理槽３４の開口部を閉塞可能な蓋体８９と、この蓋体８９を処理槽３４の内部の洗浄液雰囲気（洗浄液および洗浄液の蒸気）から遮蔽する遮蔽機構６５と、を有している。また、処理槽３４の内部に貯留した洗浄液（純水９９や薬液１００）が蓋体８９に付着しないように蓋体８９を待避させた状態で洗浄槽３４の内部だけに洗浄処理領域Ａ１を形成して洗浄処理を行う洗浄処理状態（図９、図１０参照）と、処理槽３４の開口部を蓋体８９で閉鎖した状態で処理槽３４の内部および遮蔽機構６５の内部によって乾燥処理領域Ａ２を形成して乾燥処理を行う乾燥処理状態（図１２参照）と、に変更可能にしている。
【００７０】  したがって、上記基板洗浄乾燥装置２３によれば、単一の処理槽３４だけでウエハ２の洗浄処理と乾燥処理とを行うことができ、基板洗浄乾燥装置２３の小型化を図ることができる。また、基板洗浄乾燥装置２３の製造に要する労力や時間や費用を低減することができる。これらに伴って、基板洗浄乾燥装置２３を内蔵した基板処理装置１の小型化や製造に要する労力や時間や費用を低減することができる。
【００７１】  しかも、上記基板洗浄乾燥装置２３によれば、洗浄処理時に蓋体８９へ洗浄液が付着しないように、蓋体８９を処理槽３４から離間する方向へ移動させている。すなわち、洗浄処理時に蓋体８９を処理槽３４から待避させている。したがって、処理槽３４内の洗浄液雰囲気から蓋体８９を遮断することができる。このため、高温の洗浄液を使用して洗浄処理を行った後に、乾燥処理時に処理槽３４の開口部を蓋体８９で閉塞したとしても、蓋体８９に洗浄液が付着していないので、乾燥処理を良好に行うことができる。
【００７２】  特に、上記基板洗浄乾燥装置２３によれば、処理槽３４と蓋体８９との間に遮蔽機構６５を設けている。したがって、遮蔽機構６５によって処理槽３４の内部の洗浄液雰囲気から蓋体８９を確実に遮蔽することができる。
【００７３】  しかも、洗浄処理状態で遮蔽体６８,６９を挟んで処理槽３４の反対側に蓋体８９を移動させることによって蓋体８９を処理槽３４から待避させている。したがって、蓋体８９を処理槽３４の側方に移動させる必要がなくなり、基板処理装置１の小型化を図ることができる。
【００７４】  また、上記基板洗浄乾燥装置２３によれば、処理槽３４と蓋体８９との間に配設した遮蔽機構６５に遮蔽体６８,６９を開閉可能に形成している。したがって、遮蔽体６８,６９の開閉によって処理槽３４と蓋体８９とを遮断させた洗浄処理状態および処理槽３４と蓋体８９とを連通させた乾燥処理状態のうちの一方の状態から他方の状態へ容易かつ迅速に変更することができる。すなわち、遮蔽体６８,６９の開閉によって、蓋体８９に洗浄液が付着するのを容易かつ迅速に防止することができる。
【００７５】  また、上記基板洗浄乾燥装置２３によれば、遮蔽体６８,６９を左右に分離可能に形成するとともに、ウエハ２を処理槽３４の内部位置と上方位置との間で昇降させるための昇降部材としてのガイド桿５３を遮蔽体６８,６９の閉鎖状態において密閉するようにしている。したがって、処理槽３４の内部にウエハ２を昇降させるための昇降部材を配設しても、遮蔽機構６５によって蓋体８９を遮蔽することができる。
【００７６】  また、上記基板洗浄乾燥装置２３によれば、蓋体８９と遮蔽機構６５とを分離可能とするとともに、処理槽３４の内部に乾燥薬剤１０２を供給するための乾燥薬剤供給ノズル７３,７４を遮蔽機構６５に配設している。したがって、ウエハ２の受け取り時や引き渡し時に蓋体８９を移動させるだけで遮蔽機構６５を移動させる必要がなくなる。このため、遮蔽機構６５の可動範囲を小さくすることができ、これに伴って乾燥薬剤供給ノズル７３,７４と乾燥薬剤供給源８３とを接続する可動管８０の長さを短くすることができ、可動管８０の劣化や損傷を防止することができる。
【００７７】  また、上記基板洗浄乾燥装置２３によれば、洗浄処理状態から乾燥処理状態への変更時に、処理槽３４の内部に洗浄液を貯留した状態で処理槽３４の開口部を蓋体８９で気密状に閉鎖し、処理槽３４の内部に不活性ガス１０１を供給しながら処理槽３４の内部から洗浄液を排出し、その後、処理槽３４の内部に乾燥薬剤１０２を供給している。したがって、洗浄処理と乾燥処理との間にウエハ２が大気に曝されることがなくなり、ウエハ２に汚染物が付着してしまうのを防止することができ、洗浄不良や乾燥不良の発生を防止することができる。
【００７８】  なお、上述した実施の形態に対して種々の変更を行うことが可能である。例えば、図１４に示す基板洗浄乾燥装置１０３のように、処理槽１０４の上部に蓋体１０５を配設し、この蓋体１０５を左右の蓋構成体１０６,１０７に分割して形成し、各蓋構成体１０６,１０７を公知の可動手段を用いて処理槽１０４の側方位置と処理槽１０４の上部位置との間で移動可能に構成することもできる。このような例においても、洗浄処理時に、蓋体８９を待避させることによって、蓋体８９を処理槽３４の洗浄液雰囲気から遮断することができる。この結果、洗浄処理時に蓋体８９に洗浄液が付着しないようにすることができ、ウエハ２を良好に乾燥させることができる。このように、洗浄処理状態において処理槽１０４の側方に蓋体１０５を移動させるようにした場合、遮蔽機構６５が必要なくなり、基板洗浄乾燥装置１０３の構成を簡略化することができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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