(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のセットの特徴形体を基板の目標部位にプリントするステップと、
前記第１のセットの特徴形体の最小寸法を、リソグラフィ装置を含むリソクラスタに一体化されたスキャトロメータを用いて測定するステップと、
前記第１のセットの特徴形体の測定された最小寸法に一致する最小寸法で、前記目標部位に第２のセットの特徴形体をプリントするためのプリントプロセスに対する設定を計算するステップと、
前記計算された設定を用いて、前記第１のセットの特徴形体と交互配置される前記第２のセットの特徴形体をプリントするステップと、
を備える、リソグラフィ装置を用いるデバイス製造方法。
【請求項２】
前記第１および前記第２のセットの特徴形体が、ラインを含む、
請求項１記載のリソグラフィ装置を用いるデバイス製造方法。
【請求項３】
前記第１および前記第２の特徴形体が、集積回路のゲートを画定する、
請求項１または２記載のリソグラフィ装置を用いるデバイス製造方法。
【請求項４】
前記第１のセットの特徴形体をプリントするステップが、
前記基板の放射線感応層を前記第１のセットの特徴形体を表すパターンに露光するステップと、
前記放射線感応層を現像するステップと、
を含む、請求項１〜３のいずれか１項記載のリソグラフィ装置を用いるデバイス製造方法。
【請求項５】
前記第２のセットの特徴形体をプリントするステップが、
前記基板の放射線感応層を第２のセットの特徴形体を表すパターンに露光するステップと、
前記放射線感応層を現像するステップと、
を含む、請求項１〜４のいずれか１項記載のリソグラフィ装置を用いるデバイス製造方法。
【請求項６】
前記露光するステップにおいては、前記最小寸法を調整するために、照射線量を調節する、
請求項４または５記載のリソグラフィ装置を用いるデバイス製造方法。
【請求項７】
前記露光するステップにおいては、前記最小寸法を制御するために、焦点、非点収差、マスク高さおよび基板高さの設定を調節する、
請求項４〜６のいずれか１項記載のリソグラフィ装置を用いるデバイス製造方法。
【請求項８】
前記第１のセットの特徴形体が前記第２のセットの特徴形体と異なる、
請求項１〜７のいずれか１項記載のリソグラフィ装置を用いるデバイス製造方法。
【請求項９】
前記第２のセットの特徴形体が前記第１のセットの特徴形体と同一であるが、該第１のセットの特徴形体と位置的にずれている、
請求項１〜７のいずれか１項記載のリソグラフィ装置を用いるデバイス製造方法。
【請求項１０】
潜像を形成するように第１のセットの特徴形体の像を基板の放射線感応層に投影するステップと、
前記第１のセットの特徴形体を実像にするために前記潜像を現像するステップと、
前記実像の少なくとも１つの特徴形体の最小寸法を、リソグラフィ装置を含むリソクラスタに一体化されたスキャトロメータを用いて測定するステップと、
前記測定された最小寸法に一致する目標最小寸法で、第２のセットの特徴形体を結像するために結像パラメータの設定を計算するステップと、
前記計算された設定を用いて、前記第２のセットの特徴形体の像を前記基板の前記放射線感応層上に投影し、これにより、前記第１および前記第２のセットの特徴形体の両方のピッチよりも小さいピッチを有する特徴形体アレイを形成するように、前記第２のセットの特徴形体を前記第１のセットの特徴形体と少なくとも部分的に交互配置するステップと、
を備える、リソグラフィ投影装置を用いるデバイス製造方法。
【請求項１１】
デバイス製造方法を実施するために、基板上にプリントした特徴形体の最小寸法を測定するように配置されるリソグラフィ装置および測定装置を含むリソグラフィクラスタを制御するためのプログラムコードを備えるコンピュータプログラム製品であって、
前記デバイス製造方法が、
第１のセットの特徴形体を基板の目標部位にプリントするステップと、
前記第１のセットの特徴形体の最小寸法を、リソグラフィ装置を含むリソクラスタに一体化されたスキャトロメータを用いて測定するステップと、
前記第１のセットの特徴形体の測定された最小寸法に一致する最小寸法で、前記目標部位に第２のセットの特徴形体をプリントするためのプリントプロセスに対する設定を計算するステップと、
前記計算された設定を用いて、前記第１のセットの特徴形体と交互配置される前記第２のセットの特徴形体をプリントするステップと、
を含む、コンピュータプログラム製品。
【請求項１２】
デバイス製造方法を実施するために、基板上にプリントした特徴形体の最小寸法を測定するように配置したリソグラフィ装置および測定装置を含むリソグラフィクラスタを制御するためのプログラムコードを備えるコンピュータプログラム製品であって、
前記デバイス製造方法が、
潜像を形成するように第１のセットの特徴形体の像を基板の放射線感応層に投影するステップと、
前記第１のセットの特徴形体を実像にするために前記潜像を現像するステップと、
前記実像の少なくとも１つの特徴形体の最小寸法を、リソグラフィ装置を含むリソクラスタに一体化されたスキャトロメータを用いて測定するステップと、
前記測定された最小寸法に一致する目標最小寸法で、第２のセットの特徴形体を結像するために結像パラメータの設定を計算するステップと、
前記計算された設定を用いて、前記第２のセットの特徴形体の像を前記基板の前記放射線感応層上に投影し、これにより、前記第１および前記第２のセットの特徴形体の両方のピッチよりも小さいピッチを有する特徴形体アレイを形成するように、前記第２のセットの特徴形体を前記第１のセットの特徴形体と少なくとも部分的に交互配置するステップと、
を含む、コンピュータプログラム製品。
【請求項１３】
小さいピッチで特徴形体アレイをプリントするために二重露光プロセスを用いるデバイス製造方法であって、
前記二重露光の第１の露光でプリントした特徴形体の最小寸法を、リソグラフィ装置を含むリソクラスタに一体化されたスキャトロメータを用いて測定するステップと、
前記測定された最小寸法に一致する目標最小寸法を提供する設定で前記二重露光の第２の露光を実施するステップと、
を備える、デバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明はリソグラフィ装置を用いたデバイス製造方法と、コンピュータプログラム製品とに関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  リソグラフィ装置とは、基板、通常は基板の目標部位に所望のパターンを形成する機器である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。この例では、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、場合によってはマスクあるいはレチクルと呼ばれるパターニングデバイスを用いる。このパターンは基板（例えば、シリコンウェハ）上の（例えば、ダイの一部、１つのダイ、もしくは複数のダイを含む）目標部位に転写できる。パターンの転写は、典型的には、基板上に設けた放射線感受性材料（レジスト）層への結像によって行う。一般に、単一の基板は、連続してパターン形成した隣接する目標部位のネットワーク構造を含む。既知のリソグラフィ装置は、パターン全体を目標部位に同時に露光することで各目標部位を照射するいわゆるステッパと、放射線ビームを通してある方向（「走査」方向）でパターンを走査すると同時に、この方向と平行または逆平行で基板を同期走査することで各目標部位を照射するいわゆるスキャナとを含む。同じく、パターンを基板にインプリントすることでパターニングデバイスからのパターンを基板に転写することも可能である。
【０００３】
[0003]  集積回路上のデバイス密度を上げるために、ラインおよびその他の特徴形体（features）の大きさおよびピッチを小さくすることが必要である。しかしながら、たいていのリソグラフィ装置は、その解像限界、あるいはその近辺で作動する。リソグラフィ装置によって結像することのできる最小の大きさよりも小さな特徴形体を可能にするために、さまざまなプロセス技術が開発されてきた。例えば、レジストにあるラインの幅より小さいラインをエッチングするために、露出したレジストを電子ビームで処理し、露出したラインを部分的に閉じるように残りのレジストを液化または可塑化し、流出させることができる。その後、レジスト内にプリントしたラインよりも小さいラインを下地基板にエッチングすることができる。リソグラフィ装置によって結像することのできる最小ピッチよりも小さなピッチでラインを露光するためには、二重露光技術を利用できる。第１のセットのラインは所望のピッチの倍のピッチで結像し、その後、再び所望のピッチの倍のピッチで、ただし所望のピッチに等しい位置ずれで第２のセットのラインの画像を形成する。米国特許第６，５８９，７１３号は、これらの技術を両方用いて幅およびピッチの特徴形体をプリントする方法を開示している。これらの技術は、特にゲートの画定に有用であるが、他の特徴形体タイプに関して用いる場合もある。
【０００４】
[0004]  二重露光技術で発生しうる問題は、２つの露光ステップでプリントした特徴形体幅が異なるということである。これについては添付図面中の図２で示すが、図２は、２Ｐのピッチで第１のステップで結像した特徴形体Ａと、同様に２Ｐのピッチで、ただしＰの位置ずれで第２のステップで結像した特徴形体Ｂとを示す。得られるパターンはＰのピッチをもつ。特徴形体ＡはＷ１の幅（最小寸法−ＣＤ）をもち、特徴形体ＢはＷ２の幅をもつ。結像あるいは工程での変動、例えば、焦点および線量変動のために、Ｗ１がＷ２と等しくならないことがあり得る。ＣＤがこのように変動すると、上記のようにして製造したデバイスが正しく機能しなくなり、工程の歩留まりが悪くなる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
[0005]  したがって、二重露光によりデバイスの製造を行うための改良された方法を提供することが望まれる。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
[0006]  本発明の１つの態様によれば、第１のセットの特徴形体を基板の目標部位にプリントするステップと、第１のセットの特徴形体の最小寸法を測定するステップと、第１のセットの特徴形体の測定された最小寸法に一致する最小寸法で、目標部位に第２のセットの特徴形体をプリントするためのプリントプロセスに対する設定を計算するステップと、計算された設定を用いて、第１のセットの特徴形体と交互配置される第２のセットの特徴形体をプリントするステップとを備えるリソグラフィ装置を用いるデバイス製造方法が提供される。
【０００７】
[0007]  本発明の１つの態様によれば、潜像を形成するように第１のセットの特徴形体の像を基板の放射線感応層に投影するステップと、第１のセットの特徴形体を実像にするために潜像を現像するステップと、実像の少なくとも１つの特徴形体の最小寸法を測定するステップと、測定された最小寸法に一致する目標最小寸法で、第２のセットの特徴形体を結像するために結像パラメータの設定を計算するステップと、計算された設定を用いて、第２のセットの特徴形体の画像を基板の放射線感応層に投影し、これにより、第１および第２のセットの特徴形体の両方のピッチよりも小さいピッチを有する特徴形体アレイを形成するように、第２のセットの特徴形体を第２のセットの特徴形体と少なくとも部分的に交互配置するステップとを備えるリソグラフィ投影装置を用いるデバイス製造方法が提供される。
【０００８】
[0008]  本発明の１つの態様によれば、第１のセットの特徴形体を基板の目標部位にプリントするステップと、第１のセットの特徴形体の最小寸法を測定するステップと、第１のセットの特徴形体の測定された最小寸法に一致する最小寸法で、目標部位に第２のセットの特徴形体をプリントするためのプリントプロセスに対する設定を計算するステップと、計算された設定を用いて、第１のセットの特徴形体と交互配置される第２のセットの特徴形体をプリントするステップとを備えるデバイス製造方法を実施するために、基板上にプリントした特徴形体の最小寸法を測定するよう配置されるリソグラフィ装置および測定装置を含むリソグラフィクラスタを制御するためのプログラムコードを備えるコンピュータプログラム製品が提供される。
【０００９】
[0009]  本発明の１つの態様によれば、潜像を形成するように第１のセットの特徴形体の像を基板の放射線感応層に投影するステップと、第１のセットの特徴形体を実像にするために潜像を現像するステップと、実像の少なくとも１つの特徴形体の最小寸法を測定するステップと、測定された最小寸法に一致する目標最小寸法で、第２のセットの特徴形体を結像するために結像パラメータの設定を計算するステップと、計算された設定を用いて第２のセットの特徴形体の画像を基板の放射線感応層に投影し、これにより、第１および第２のセットの特徴形体の両方のピッチよりも小さいピッチを有する特徴形体アレイを形成するように、第２のセットの特徴形体を第２のセットの特徴形体と少なくとも部分的に交互配置するステップとを備えるデバイス製造方法を実施するために、基板上にプリントした特徴形体の最小寸法を測定するよう配置されたリソグラフィ装置および測定装置を含むリソグラフィクラスタを制御するためのプログラムコードを備えるコンピュータプログラム製品が提供される。
【００１０】
[0010]  本発明の１つの態様によれば、小さいピッチで特徴形体アレイをプリントするために二重露光プロセスを用いるデバイス製造方法であって、二重露光の第１の露光でプリントした特徴の最小寸法を測定するステップと、測定された最小寸法に一致する目標最小寸法を提供する設定で二重露光の第２の露光を実施するステップとを含む改善策を有するデバイス製造方法が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
[0011]  本発明の実施形態について、添付の概略図面を参照しながら、ここでは例としてのみ説明し、図面では対応する参照番号が対応する部品を示す。
【００１２】
[0016]  図１は、本発明の１つの実施形態で用いることのできるリソグラフィ装置を概略的に示す。この装置は以下のものを備える。
【００１３】
[0017]  放射線ビームＢ（例えば、紫外線（ＵＶ）または遠紫外線（ＤＵＶ））を調節するように構成された照明システム（照明器）ＩＬ
【００１４】
[0018]  パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構成され、あるパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１の位置決め装置ＰＭに接続された支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ
【００１５】
[0019]  基板（例えば、レジスト塗布ウェハ）Ｗを保持するように構成され、あるパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第２の位置決め装置ＰＷに接続された基板テーブル（例えば、ウェハテーブル）ＷＴ
【００１６】
[0020]  パターニングデバイスＭＡにより与えられたパターンを基板Ｗの（例えば、１つ以上のダイを備える）目標部位Ｃに投影するように構成された投影システム（例えば、屈折投影レンズシステム）ＰＳ
【００１７】
[0021]  照明システムには、放射線の方向決め、形成、制御を行うために、屈折式、反射式、磁気式、電磁気式、静電式といったさまざまなタイプの光学構成要素、あるいは他のタイプの構成要素、もしくはそれらを任意に組み合わせたものを含む。
【００１８】
[0022]  支持構造は、例えばパターニングデバイスの重さを支えるなど、パターニングデバイスを支持する。同構造は、パターニングデバイスの配向、リソグラフィ装置の設計、例えば、パターニングデバイスが真空環境で保持されているかどうかといった他の条件に依存する方式でパターニングデバイスを保持する。支持構造は、パターニングデバイスを保持するために、機械、真空、静電あるいは他の締結技術を用いることができる。支持構造は、例えば、必要に応じて固定された、あるいは移動可能なフレームまたはテーブルである。支持構造は、例えば投影システムに対して、パターニングデバイスが所望の位置に位置することを保証する。ここで「レチクル」あるいは「マスク」といった用語を使う際には、さらに一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義と考慮される。
【００１９】
[0023]  ここで用いる「パターニングデバイス」という用語は、基板の目標部位にパターンを生成するといった、断面にパターンをもつ放射線ビームを与えるために用いることのできる何らかのデバイスについて言及するものとして幅広く解釈する必要がある。例えば、パターンが位相シフト特徴形体あるいはいわゆるアシスト特徴形体を含む場合、放射線ビームに与えるパターンが基板の目標部位で所望のパターンに正確に対応しない場合があるということに注意しなければならない。一般に、放射線ビームに与えたパターンは、集積回路といった、目標部位で作成されるデバイスの特定機能層に対応する。
【００２０】
[0024]  パターニングデバイスは透過型または反射型である。パターニングデバイスの例として、マスク、プログラマブルミラーアレイ、プログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィでよく知られており、バイナリ、交互位相シフト、減衰位相シフトといったマスクタイプと同様にさまざまな混成マスクタイプがある。プログラマブルミラーアレイの１つの例では、それぞれが異なる方向に入射放射線ビームを反射するように個々に傾けることのできる小さなミラーのマトリクス配置を用いる。傾けたミラーにより、ミラーマトリクスで反射される放射線ビームにパターンを与える。
【００２１】
[0025]  ここで用いる「投影システム」という用語は、用いる露光放射、あるいは浸液（immersion liquid）の使用、もしくは真空の使用といった他の因子に適したものとして、屈折式、反射式、反射屈折式、磁気式、電磁気式、静電光学式システムを含む何らかのタイプの投影システム、あるいはそれらを任意に組み合わせたものを含むものとして幅広く解釈するべきである。ここで「投影レンズ」という用語を使用する際には、さらに一般的な用語である「投影システム」と同義と考慮される。
【００２２】
[0026]  ここで示すとおり、本装置は（例えば、透過マスクを用いる）透過タイプである。その他の場合、本装置は（例えば、上で言及するようなタイプのプログラマブルミラーアレイ、あるいは反射マスクを用いる）反射タイプである。
【００２３】
[0027]  リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）またはそれ以上の段の基板テーブル（および／または２つ以上のマスクテーブル）をもつタイプであってもよい。このような「多段式」機械において、追加テーブルを平行に用いる、あるいは１つ以上の他のテーブルを露光に用いながら１つ以上のテーブルに対して準備ステップを実施してもよい。
【００２４】
[0028]  リソグラフィ装置は、また、投影システムと基板との間のスペースを埋めるように、比較的屈折率の高い液体、例えば、水で基板の少なくとも一部を覆うタイプであってもよい。例えば、マスクと投影システムとの間のリソグラフィ装置の他のスペースに浸液を加えてもよい。液浸技術は、投影システムの開口数を増やすために従来技術でよく知られている。ここで用いる「液浸」という用語は、基板といった構造体を液体に浸さなければならないということを意味するのではなく、どちらかといえば、露光中に投影システムと基板との間に液体があるということを意味するだけである。
【００２５】
[0029]  図１を参照すると、照明器ＩＬは放射線源ＳＯからの放射線ビームを受ける。線源とリソグラフィ装置とは、例えば、線源がエキシマレーザの場合には別体の物である。このような場合、線源はリソグラフィ装置の一部を形成するものとはみなされず、例えば、適切な指向ミラーおよび／またはビーム拡大器を備えるビーム配送システムの助けで放射線ビームが線源ＳＯから照明器ＩＬまで通過する。他の場合、例えば線源が水銀ランプであれば、線源がリソグラフィ装置の一体部分になる。線源ＳＯと照明器ＩＬとは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤと共に照射システムと呼ぶことがある。
【００２６】
[0030]  照明器ＩＬは、放射線ビームの角度強度分布を調節するためのアジャスタＡＤを備え得る。一般に、照明器の瞳面における強度分布の少なくとも（一般に、それぞれσアウタおよびσインナと呼ばれる）外側および／または内側径方向範囲を調節できる。さらに、照明器ＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯといったさまざまな他の構成要素を備え得る。断面における所望の均一性および強度分布を得るために、照明器を用いて放射線ビームを調節し得る。
【００２７】
[0031]  放射線ビームＢは、支持構造（例えば、マスクテーブルＭＴ）で保持されるパターニングデバイス（例えば、マスクＭＡ）に入射し、パターニングデバイスでパターン形成される。マスクＭＡを横断すると、放射線ビームＢは投影システムＰＳを通過するが、このシステムはビームを基板Ｗの目標部位Ｃにフォーカスする。第２の位置決め装置ＰＷおよび位置センサＩＦ（例えば、干渉装置、リニアエンコーダあるいは容量センサ）の補助で、例えば、異なる目標位置Ｃを放射線ビームＢの経路で位置決めするように、基板テーブルＷＴを正確に移動できる。同様に、第１の位置決め装置ＰＭと（図１で明示されていない）他の位置センサとを用いて、例えば、マスクライブラリからの検索後、あるいは走査中に放射線ビームＢの経路に対してマスクＭＡを正確に位置決めできる。一般に、マスクテーブルＭＴの動きは、長ストロークモジュール（粗動位置決め）および短ストロークモジュール（微動位置決め）により実現されるが、これらのモジュールは第１の位置決め装置ＰＭの一部を形成する。同様に、基板テーブルの動きは、長ストロークモジュールおよび短ストロークモジュールにより実現されるが、これらのモジュールは第２の位置決め装置ＰＷの一部を形成する。（スキャナとは逆に）ステッパの場合、マスクテーブルＭＴは短ストロークアクチュエータだけに接続または固定される。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスクアラインメントマーカＭ１，Ｍ２および基板アラインメントマーカＰ１，Ｐ２を用いてアライメントする。図示した基板アラインメントマーカは専用の目標部位を占め、（けがき線アラインメントマーカとして知られている）目標部位間のスペース内に配置され得る。同様に、マスクＭＡ上に複数のダイを設けるような状況では、マスクアラインメントマーカがダイの間に配置され得る。
【００２８】
[0032]  上述の装置は以下のモードのうちの少なくとも１つで用いることができる。
【００２９】
[0033]  １．ステップモードでは、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴは実質的に固定状態に維持される一方、放射線ビームに与えられる全体パターンは一時に目標部位Ｃに投影される（すなわち、単一の静的露光）。基板テーブルＷＴはその後、異なる目標部分Ｃが露光されるようにＸ方向および／またはＹ方向にシフトされる。ステップモードにおいて、露光フィールドの最大サイズは単一の静的露光で結像した目標部位Ｃのサイズを制限する。
【００３０】
[0034]  ２．走査モードでは、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴは同期走査される一方、放射線ビームに与えられるパターンは目標部位Ｃに投影される（すなわち、単一の動的露光）。マスクテーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大および画像反転特性によって決定される。走査モードにおいて、露光フィールドの最大サイズは単一の動的露光で目標部位の（非走査方向の）幅を制限するのに対して、走査動作の長さにより目標部位の（走査方向の）高さが決まる。
【００３１】
[0035]  ３．もう１つ別のモードでは、マスクテーブルＭＴはプログラマブルパターニングデバイスを保持して実質的に固定状態で維持されており、基板テーブルＷＴが移動される、あるいは走査される一方、放射ビームに与えられるパターンが目標部位Ｃに投影される。このモードにおいて、一般に、パルス放射線源を用いて、基板テーブルＷＴの各動きの後、あるいは走査中の連続放射線パルス間に必要に応じてプログラマブルパターニングデバイスが更新される。この操作モードは、上で言及されるようなタイプのプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを用いるマスクレスリソグラフィに難なく適用できる。
【００３２】
[0036]  上で説明した使用モードに対する組合せおよび／または変形、もしくは全く異なる使用モードも用いられ得る。
【００３３】
[0037]  本発明による方法を図３に示す。この方法では、二重露光技術を用いて、デバイスの通常の限度と比較して特徴形体幅および／またはピッチの小さなデバイスの特徴形体をプリントする。このプロセスは、第１のセットの特徴形体をプリントするステップと、その後、第１または第２のセットの特徴形体のいずれかのピッチよりも小さなピッチを有する組み合わせセットの特徴形体を形成するように第１のセットと交互配置される第２のセットの特徴形体をプリントするステップとを備える。第２のセットの特徴形体は第１のセットの特徴形体と通常は異なっているが、一部のケースでは、位置がずれた状態で同一のパターンを第２の露光で用い得る。この技術、および特徴形体の幅を小さくするための技術の更なる詳細については、当業者にとって既知であるため、その説明については簡潔さのために省略する。
【００３４】
[0038]  本実施形態において、放射線感応層（例えば、レジスト）の第１の露光の画像をプリントするために第１の露光を行い（Ｓ１）、実像として潜像を示すためにレジストを現像（Ｓ２）した後に、第１のセットの特徴形体の少なくとも１つの最小寸法を測定する（Ｓ３）。一例として、測定される特徴形体は、製造されるデバイスの適当なすなわち改良された機能のための第２のセットの特徴形体における１つ以上の特徴形体と一致すべき適切な寸法を有するものである。
【００３５】
[0039]  最小寸法は、例えば、スキャトロメータ、走査型電子顕微鏡あるいはデュアルビームデバイスといった適切なデバイスで測定され得る。最小寸法を測定するために用いるデバイスがリソグラフィ装置のリソクラスタに一体化されると有用である。これを行うためには、スキャトロメータが有用である。このような配置が図４に示されており、同図は、リソグラフィ装置１およびプロセス部すなわちトラックＴＲを備えるリソクラスタを示す。このリソクラスタは、例えば、スピンコーター、ベイク及び冷却プレート、現像器等の多数のプロセスユニットＰＵを備えるが、これらユニットの一部は多目的式でもよい。ロボットＲは基板を、ロードロックＬＬに、またそこから、プロセスユニット間で、さらにリソグラフィ装置１に、またそこから搬送する。本発明の実施形態においては、最小寸法を測定するために、基板が一体型スキャトロメータあるいは他の計量デバイスＭＥＴに搬送され得る。図示されていない統合制御システムは、種々の装置を制御し、必要なデータをリソグラフィ装置に送信する。スタンドアロンデバイスも、第１の結像特徴形体の最小寸法の測定に用いられ得る。
【００３６】
[0040]  測定された最小寸法に基づいて、本発明の実施形態においては、第２のセットの特徴形体の最小寸法を第１のセットの最小寸法に一致させるために、第２の露光のため設定を計算する（Ｓ４）。露光ステップのさまざまなパラメータは結像した特徴形体の最小寸法に影響を与えるため、所望の最小寸法を得るために調節され得る。使いやすいパラメータは照射線量であるが、ステップモードでは線源出力または露光時間を、走査モードでは走査速度を調節することにより、制御され得る。ポジティブあるいはネガティブレジストを用いるか否かに応じて、照射線量が増加すると、よく知られているとおり、最小寸法が増加もしくは減少する。最小寸法を制御するために、焦点、非点収差（水平および垂直の焦点差異）、マスク高さおよび基板高さの設定が用いられる。
【００３７】
[0041]  第２のセットの特徴形体は、そのから、第１のセットの特徴形体の最小寸法と同じ最小寸法の特徴形体を生成するように、計算された設定を用いて結像される（Ｓ５）。ステップＳ６において、適用された補正が所望の結果をもたらしたことを確証するために、測定が任意に行われ得る。その後、プロセスは従来の方法で完了され得る。
【００３８】
[0042]  第２の露光に対する目標最小寸法は第１の露光で結像した特徴形体の測定された最小寸法に依存するようであり、これにより、当初決定された目標最小寸法や第１の露光の目標最小寸法と異なり得る。ある場合には、第２の露光の目標最小寸法は、第１の露光の測定された最小寸法における差異を反映して、目標部位毎に異なり得る。二重露光プロセスの第１の露光と第２の露光との間でさらに正確に最小寸法を一致させることにより、収率が増加し、場合によっては高速の作動装置が製造される。
【００３９】
[0043]  ＩＣの製造でリソグラフィ装置を用いる際に本文では特定の言及がなされているが、ここで説明したリソグラフィ装置には、一体化された光学システムの製造、磁気領域メモリに対する指針および検出パターン、平面型ディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の他の適用例もあることが理解されるべきである。当業者であれば、このような代替適用例に関して、ここで用いた「ウェハ」あるいは「ダイ」といった用語が、「基板」あるいは「目標部位」といった更に一般的な用語と同義に解され得ることを認めるであろう。ここで言及した基板は、例えば、トラック（典型的には基板に対するレジスト層の塗布を行い、露光レジストの現像を行うツール）、計量ツールおよび／または検査ツールで、露光前または後に処理され得る。適用可能であれば、ここで示した開示内容はこのような基板処理ツール、あるいは他のツールに適用することがある。さらに、例えば、多層ＩＣを生成するために基板が１回以上処理され得るが、そのため、ここで用いる基板という用語は、すでに複数の処理された層を含む基板を指すこともある。
【００４０】
[0044]  光学式リソグラフィについて本発明の実施形態の使用に対して特定の言及を上で行ったものの、本発明が他のアプリケーション、例えば、インプリントリソグラフィに使用でき、状況が許せば、光学式リソグラフィに限定されないことが認められるであろう。インプリントリソグラフィにおいて、パターニングデバイスのトポグラフィ（表面的特徴）が、基板上に形成されるパターンを画定する。パターニングデバイスのトポグラフィは、基板に供給されるレジスト層にプレスされ、その上に、電磁放射線、熱、圧力あるいはそれらを組合せたものを加えることでレジストが硬化する。パターニングデバイスがレジストから離れると、レジストの硬化後にレジスト内にパターンを残す。
【００４１】
[0045]  ここで用いる「放射線」および「ビーム」という用語は、（例えば、約３６５ナノメートル、３５５ナノメートル、２４８ナノメートル、１９３ナノメートル、１５７ナノメートルあるいは１２６ナノメートルの波長をもつ）紫外線（ＵＶ）放射および（例えば、５〜２０ナノメートルの範囲の波長をもつ）極紫外（ＥＵＶ）放射だけでなく、イオンビームあるいは電子ビームといった粒子ビームを含むあらゆるタイプの電磁放射線を網羅する。
【００４２】
[0046]  状況が許す場合、「レンズ」という用語は、屈折型、反射型、磁気型、電磁気型、静電光学型構成要素を含むさまざまなタイプの光学構成要素の内の１つ、あるいはそれらを組み合わせたものを指すことがある。
【００４３】
[0047]  本発明の特定の実施形態を上で説明したものの、本発明を説明したものとは別の方法で実施され得ることが認められる。例えば、本発明は、上で開示した方法を記述する機械読み取り可能指令の１つ以上のシーケンスを含むコンピュータプログラム、あるいはそのようなコンピュータプログラムを保存したデータ記録（記憶）媒体（例えば、半導体メモリ、磁気または光学式ディスク）の形態を取り得る。
【００４４】
[0048]  上の説明は限定するのではなく例示的であることを意図している。これにより、請求項に規定された範囲から逸脱することなく、上述した本発明の変形が可能であることは、当業者にとって明白である。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の実施形態で使用可能なリソグラフィ装置を示す。
【図２】二重露光で形成された特徴形体を示す。
【図３】本発明の一実施形態による方法を示す。
【図４】本発明の一実施形態で使用可能なリソクラスタを示す。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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