(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
層間樹脂絶縁層と導体層とを交互に積層してなる多層プリント配線板において、
前記導体層の内の少なくとも１層が、同一の層間樹脂絶縁層上にバイアホールへ接続される導体パターンと、バイアホールを備えるプレーン層とを有し、
前記導体パターンに接続されるバイアホール、及び、前記プレーン層に備えられたバイアホールは、同一の層間樹脂絶縁層に形成された開口部内に金属が充填されてなり、
前記同一の層間樹脂絶縁層上のプレーン層に備えられたバイアホールの表面が、該同一の層間樹脂絶縁層上の導体パターンに接続されたバイアホールの表面よりも大きく窪んでいることを特徴とする多層プリント配線板。
【請求項２】
前記バイアホールは、前記開口部の内壁面に形成されている無電解めっき膜と、この無電解めっき膜上に形成されて前記開口部内を充填する電解めっき膜とを有する請求項１記載の多層プリント配線板。
【請求項３】
下層の層間樹脂絶縁層上と前記プレーン層上とには、上層の層間樹脂絶縁層が少なくとも１層設けられており、それら上層の層間樹脂絶縁層のうち前記下層の層間樹脂絶縁層の表面上に形成される層間樹脂絶縁層の一部は前記バイアホールの窪み内に入り込んでいる請求項１又は２記載の多層プリント配線板。
【請求項４】
前記上層の層間樹脂絶縁層のうち前記下層の層間樹脂絶縁層の表面上に形成される層間樹脂絶縁層の表面は平坦である請求項３記載の多層プリント配線板。
【請求項５】
前記上層の層間樹脂絶縁層のうち最外層に位置する層間樹脂絶縁層上には導体パターンが形成されており、これら最外層の層間樹脂絶縁層上及び導体パターン上には当該導体パターンの一部を露出させる開口部を有するソルダーレジスト層が形成されているとともに該開口部から露出される導体パターン上には半田バンプが設けられている請求項３又は請求項４に記載の多層プリント配線板。
【請求項６】
前記下層の層間樹脂絶縁層の開口部の側面は、粗化処理されている請求項３〜５のいずれか一項に記載の多層プリント配線板。
【請求項７】
前記プレーン層の表面は、粗化処理されていることを特徴とする請求項２又は３に記載の多層プリント配線板。
【請求項８】
前記バイアホールの窪みの深さは、５μｍ〜５０μｍであることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の多層プリント配線板。
【請求項９】
前記プレーン層の面積は、０．０１ｄｍ２〜１０ｄｍ２であることを特徴とする請求項１ないし請求項８のいずれか１つに記載の多層プリント配線板。
【請求項１０】
下層の層間樹脂絶縁層にバイアホール用の開口部を形成する工程と、
前記下層の層間樹脂絶縁層上にプレーン層及び導体パターンを形成し、前記開口部内に金属を充填しバイアホールを形成する工程であって、前記プレーン層に備えられるバイアホールの表面が、前記導体パターンに接続されるバイアホールの表面よりも大きく窪んでいるバイアホールを形成する工程と、を有する多層プリント配線板の製造方法。
【請求項１１】
前記開口部の内壁面に無電解めっき膜を形成した後、この無電解めっき膜上に電解めっき膜を形成して前記開口部内を充填することで前記バイアホールを形成する請求項１０記載の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項１２】
前記下層の層間樹脂絶縁層上と前記プレーン層上とに、少なくとも１層の上層の層間樹脂絶縁層を形成する請求項１０記載の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項１３】
前記下層の層間樹脂絶縁層の開口部の側面を粗化する請求項１０記載の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項１４】
前記プレーン層の表面を粗化する請求項１０記載の多層プリント配線板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プレーン層単独又は導体パターンとプレーン層とが併存する導体層を有し、フィルドビア構造のバイアホールを備える多層プリント配線板及び該多層プリント配線板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
多層プリント配線板においては、高密度化が求められている。この要求に答えるため、図２３に示すように下層の層間樹脂絶縁層１４０に形成された下層のバイアホール１５０へ上層のバイアホール１７０を直接接続し、両バイアホール１５０、１７０間の配線の取り回しを無くす技術が案出されている。このバイアホール構造に関しては、本出願人に係る特開平２−１８８９９２号、特開平３−３２９８号、特開平７−３４０４８号に開示されている。係る技術においては、めっき１４８を充填して下層バイアホール１５０を形成し、バイアホール１５０の上端面を盛り上げることで（フィルドビア構造）、該下層バイアホール１５０と上層のバイアホール１７０とを直接接続できるようにしている。
【特許文献１】特開２００３−７５１０９号公報
【特許文献２】特開平７−７４４７５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、上述したフィルドビア構造のバイアホール１５０、１７０において、上端面に窪み１５０ａ、１７０ａができるため、基板表面の平滑性が損なわれ、ＩＣチップ等を載置する際の実装信頼性が低下していた。
【０００４】
係る課題に対応し基板の平滑性を高めるため、本出願人は、バイアホールの上端面を平滑にすることを案出した。即ち、図２４（Ｄ）に示すように下層バイアホール１５０と、上層バイアホール１７０との上端面を平坦にすることで、基板を平滑化することを試みた。ここで、図２４（Ｅ）は、図２４（Ｄ）のＥ−Ｅ横断面、即ち、層間樹脂絶縁層１４０上に形成された導体層を示しており、図２４（Ｄ）は、図２４（Ｅ）のＤ−Ｄ線に沿った縦断面を示している。
【０００５】
しかし、このバイアホールの上面を平坦にしても、図２４（Ｅ）中に示すように導体パターン１５２とプレーン層１５３とが併存する導体層を有する多層プリント配線板においては、図２４（Ｄ）に示すように、プレーン層１５３の上側の層間樹脂絶縁層１６０が隆起するため、やはり基板表面を平坦化できないことが判明した。
【０００６】
このプレーン層１５３の上層の隆起する理由について、該多層プリント配線板の製造工程を示す図２４（Ａ）、図２４（Ｂ）、図２４（Ｃ）、図２４（Ｄ）を参照して説明する。図２４（Ａ）に示すように、下層層間樹脂絶縁層１４０の上面には、図２４（Ｅ）を参照して上述したように導体パターン１５２及びプレーン層１５３が共に形成されている。ここで、図２４（Ｂ）に示すように上層の層間樹脂絶縁層を形成するために、基板表面に層間樹脂絶縁層となる樹脂１６０をロールコータ等で塗布する。この際に、樹脂１６０を均一の厚みとなるようにしても、プレーン層１５３の上側の厚みが厚くなった。この理由として、導体パターン１５２及び導体パターン１５２に接続されるバイアホール１５０Ａ（図２４（Ｅ）参照）の周囲は、該導体パターン１５２とバイアホール１５０Ａとの間に樹脂１６０が入り込めるため、該部分は平滑にできる。これに対して、プレーン層１５３の上は、樹脂１６０を逃がすことができないため、樹脂（層間樹脂絶縁層）が膨らむものと考えられる。
【０００７】
引き続き、図２４（Ｃ）に示すように樹脂１６０に上層のバイアホールを形成するための開口部１６２を形成する。その後、図２４（Ｄ）に示すように該開口部１４２にめっき１６８を充填することにより、上層バイアホール１７０を形成する。
【０００８】
更に、バイアホールの上端面を平滑化した図２４（Ｄ）に示す多層プリント配線板においては、層間樹脂絶縁層１６０が剥離し易いという課題があった。即ち、樹脂から成る層間樹脂絶縁層１６０は、樹脂からなる層間樹脂絶縁層１４０に対して接着性が高い反面、金属からなる導体パターン１５２、バイアホール１５０Ａ、プレーン層１５３に対しては接着性が低い。ここで、導体パターン１５２及びバイアホール１５０Ｂの周囲は、該上層層間樹脂絶縁層１６０が、下層の層間樹脂絶縁層１４０と直接接触しているため、強固に密着している。これに対して、プレーン層１５３においては、該層間樹脂絶縁層１６０が、下層の層間樹脂絶縁層１４０に接触することができないため、接着性に問題を生じ、これが層間樹脂絶縁層１６０の剥離の原因となっていた。なお、図２３を参照して上述した多層プリント配線板において、係る剥離の問題が生じないのは、プレーン層１５３に形成されるバイアホール１５０に窪み１５０ａが形成さ、該窪み１５０ａが層間樹脂絶縁層１６０に対してアンカー効果を発揮するためと考えられる。
【０００９】
本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、基板表面を平坦に形成し得ると共に層間樹脂絶縁層のデラネーションの発生させない多層プリント配線板及び該多層プリント配線板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上述した目的を達成するため本発明は、層間樹脂絶縁層と導体層とを交互に積層してなる多層プリント配線板において、
前記導体層の内の少なくとも１層が、バイアホールを内部に有するプレーン層を有し、前記プレーン層内に備えられたバイアホールは、金属（めっき）が充填され表面に窪みが形成されてなることを技術的特徴とする。
さらに、もう一つの発明は、層間樹脂絶縁層と導体層とを交互に積層してなる多層プリント配線板において、
前記導体層の内の少なくとも１層が、バイアホールに接続される導体パターンとバイアホールを内部に有するプレーン層とを有し、
前記導体パターンに接続されるバイアホールは、金属（めっき）が充填されて表面が平坦に形成され、前記プレーン層内に備えられたバイアホールは、金属（めっき）が充填され表面に窪みが形成されていることを技術的特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明においては、プレーン層内に備えられたバイアホールに窪みが形成されており、該窪みがアンカーとなってプレーン層と上層の層間樹脂絶縁層との密着性を高めるため、該層間樹脂絶縁層に剥離が生じ難い。また、製造工程においてプレーン層の上層の層間樹脂絶縁層を形成する樹脂を塗布する際に、プレーン層のバイアホールの窪み内へ樹脂を逃がすこができ、当該層間樹脂絶縁層、即ち、多層プリント配線板の表面を平坦に形成することができる。このため、ＩＣチップ等を載置する際の実装信頼性を高めることが可能となる。他方、導体パターンに接続されるバイアホールの表面が平坦であるため、該バイアホールの上層にバイアホールを重ねて形成しても、多層プリント配線板の表面の平滑性を損なうことがない。
【００１２】
本発明の好適な態様においては、層間樹脂絶縁層の開口部の側面が粗化処理されているため、該開口部内に形成されるバイアホールとの密着性を高めることができる。
【００１３】
本発明の好適な態様において、バイアホールを内部に有するプレーン層の表面は、粗化処理されているため、上層の層間樹脂絶縁層との密着性を高めることができる。
【００１４】
本発明の好適な態様においては、プレーン層内に備えられるバイアホールの窪みの深さは、５μｍ以上であるため十分なアンカー効果を発揮し、プレーン層と上層の層間樹脂絶縁層との密着性を高め、該層間樹脂絶縁層に剥離を生じさせない。また、製造工程において、プレーン層の上層の層間樹脂絶縁層を形成する樹脂を塗布する際に、該プレーン層のバイアホールの窪み内へ樹脂を逃がすことにより、当該層間樹脂絶縁層を平坦に形成することができる。他方、プレーン層内に備えられたバイアホールの窪みの深さは、５０μｍ以下にすることで、導体パターンに接続されるバイアホールの表面を平坦にすることが可能となる。
【００１５】
本発明の好適な態様においては、プレーン層の面積は、０．０１〜１０ｄｍ２  であるため、該プレーン層内に備えられたバイアホールの充填されためっき表面に窪みを形成すると共に、導体パターンに接続されるバイアホールの充填されためっき表面を平坦に形成することが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の構成について、図２１及び図２２を参照して説明する。図２１は、第１実施形態の多層プリント配線板１０の断面を示している。図中に示す多層プリント配線板１０は、上面に図示しないＩＣチップのバンプ側に接続するための半田バンプ８８Ｕが設けられ、下面側に図示しないマザーボードのバンプに接続するための半田バンプ８８Ｄが配設され、該ＩＣチップ−マザーボード間の信号等の受け渡しの役割を果たすパッケージ基板として構成されている。
【００１７】
多層プリント配線板１０のコア基板３０の上面側上層には、グランド層となる内層銅パターン３４が形成されている。内層銅パターン３４の上層の層間樹脂絶縁層４０の平面図、即ち、図２１のＢ−Ｂ横断面を図２２に示す。ここで、図２２のＡ−Ａ線に沿った縦断面が図２１に相当する。該層間樹脂絶縁層４０の上層の導体層として、図２２に示すように信号線を形成する導体パターン５２、導体パターン５２に接続されるバイアホール５０Ｂ、プレーン層５３、及び、該プレーン層５３内に設けられたバイアホール５０Ａとが形成されている。図２１に示すようにバイアホール５０Ａ、５０Ｂは、層間樹脂絶縁層４０を貫通して下層の内層銅パターン３４に接続されている。ここで、導体パターン５２に接続されるバイアホール５０Ｂの表面（上端面）は、平坦に形成され、一方、プレーン層５３内に形成されたバイアホール５０Ａの表面には窪み５０ａが形成されている。該導体パターン５２及びプレーン層５３の上層には、上層層間樹脂絶縁層６０を介して最外層の導体パターン７２、及び該上層層間樹脂絶縁層６０を貫通する上層バイアホール７０が形成されている。ここで、上層バイアホール７０は、下層のバイアホール５０Ｂの直上に形成されている。上面側の該導体パターン７２、上層バイアホール７０には半田バンプ８８Ｕを支持する半田パッド８６Ｕが形成されている。ここで、ＩＣチップ側の半田パッド８６Ｕは、直径１３３μｍに形成されている。
【００１８】
多層プリント配線板１０のコア基板３０の下面側上層（ここで、上層とは基板３０を中心として上面については上側を、基板の下面については下側を意味する）には、グランド層となる内層銅パターン３４が形成されている。該内層銅パターン３４の上層に形成された層間樹脂絶縁層４０の上層には、信号線を形成する導体パターン５２、導体パターン５２に接続されるバイアホール５０Ｂが形成されている。該導体パターン５２の上層には、上層層間樹脂絶縁層６０を介して最外層の導体パターン７２、及び、上層バイアホール（図示せず）が形成されている。下面側の該導体パターン７２、上層バイアホール（図示せず）には半田バンプ８８Ｄを支持する半田パッド８６Ｄが形成されている。ここで、マザーボード側の半田パッド８６Ｄは、直径６００μｍに形成されている。
【００１９】
該多層プリント配線板１０においては、下層バイアホール５０の表面が平坦であるため、上層のバイアホール７０が接続されても、多層プリント配線板の表面の平滑性を損なうことがない。即ち、図２３を参照して上述した従来技術に係るフィルドビア構造の多層プリント配線板においては、下層バイアホール１５０に窪み１５０ａが、また、上層のバイアホール１７０に窪み１７０ａが出きるため、基板の平滑性を損なわしめていたが、本実施形態の多層プリント配線板１０では、基板表面を平滑に形成することができるため、該多層プリント配線板（パッケージ基板）に載置されるＩＣチップの実装信頼性を高めることが可能となる。
【００２０】
また、後述する製造工程においてプレーン層５３の上層に層間樹脂絶縁層６０を形成する樹脂を塗布する際に、プレーン層５３のバイアホール５０Ａの窪み５０ａ内へ樹脂を逃がすこができる。このため、図２３を参照して上述した従来技術の多層プリント配線板と異なり、本実施形態では、導体パターン５２の上側も、プレーン層５３の上側も層間樹脂絶縁層６０の厚みを均一にできるため、多層プリント配線板の表面を平坦に形成することが可能となる。
【００２１】
更に、プレーン層５３に配設されるバイアホール５０Ａに窪み５０ａが形成されており、該窪み５０ａがアンカーとなってプレーン層５３と上層の層間樹脂絶縁層６０との密着性を高めるため、該層間樹脂絶縁層６０に剥離（デラネーション）が生じ難い。特に、該バイアホールを内部に有するプレーン層５３の表面は、粗化処理され粗化層５８が形成され、上層の層間樹脂絶縁層６０との密着性が高められている。
【００２２】
そして、下層層間樹脂絶縁層４０及び上層層間樹脂絶縁層６０の開口部４２、６２の側面４２ａ、６２ａは、図中に示すように粗化処理されているため、該開口部４２、６２内に形成されるバイアホール５０、７０との密着性を高めることができる。
【００２３】
本実施形態の多層プリント配線板においては、プレーン層５３内に備えられるバイアホール５０Ａの窪み５０ａの深さは、５μｍ以上であることが望ましい。これは、５μｍ以上の深さがあれば、十分なアンカー効果を発揮し、プレーン層と上層の層間樹脂絶縁層との密着性を高め、該層間樹脂絶縁層６０に剥離を生じさせないからである。また、後述する製造工程において、プレーン５３層の上層の層間樹脂絶縁層６０を形成する樹脂を塗布する際に、該プレーン層５３のバイアホール５０Ａの窪み５０ａ内へ十分な量の樹脂を逃がし、当該層間樹脂絶縁層を平坦に形成することができる。他方、該窪み５０ａの深さは、５０μｍ以下にすることが望ましい。これは、５０μｍ以下であれば、導体パターン５２に接続される側のバイアホール５０Ｂの表面を平坦にすることが可能となるからである。
【００２４】
引き続き、図２１に示すパッケージ基板の製造工程について図１〜図２１を参照して説明する。ここで、図示の便宜上、図１〜図２０は、図２１の鎖線Ｃで囲む部位のみを表す。
（１）厚さ１ｍｍのＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂またはガラスエポキシ樹脂からなるコア基板３０の両面に１８μｍの銅箔３２がラミネートされている銅張積層板３０Ａを出発材料とする（図１参照）。まず、この銅張積層板３０Ａをパターン状にエッチングすることにより、基板３０の両面に内層銅パターン（導体パターン）３４を形成する（図２参照）。
【００２５】
さらに、内層銅パターン３４を形成した基板３０を、水洗いして乾燥した後、硫酸銅８ｇ／ｌ、硫酸ニッケル０．６ｇ／ｌ、クエン酸１５ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム２９ｇ／ｌ、ホウ酸３１ｇ／ｌ、界面活性剤０．１ｇ／ｌからなるｐＨ＝９の無電解めっき液に浸漬し、該内層銅パターン３４の表面に厚さ３μｍの銅−ニッケル−リンからなる粗化層３８を形成する（図３参照）。その基板３０を水洗いし、０．１ｍｏｌ／ｌホウふっ化スズ−１．０ｍｏｌ／ｌチオ尿素液からなる無電解スズ置換めっき浴に５０℃で１時間浸漬し、粗化層表面に０．３μｍのスズ層（図示せず）を設ける。
【００２６】
（２）ここで、層間樹脂絶縁層を形成する無電解めっき用接着剤を用意する。ここでは、
(i)クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬製：分子量２５００）の２５％アクリル化物を３５重量部（固形分８０％）、感光性モノマー（東亜合成製：商品名アロニックスＭ３１５）４重量部、消泡剤（サンノプコ製  Ｓ−６５）０．５重量部、ＮＭＰを３．６重量部を撹拌混合する。
(ii)熱可塑性樹脂としてポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）８重量部、熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂粒子（三洋化成製商品名  ポリマーポール）の平均粒径０．５μｍのものを７．２４５重量部、を混合した後、さらにＮＭＰ２０重量部を添加し撹拌混合する。
(iii)イミダゾール硬化剤（四国化成製：商品名２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）２重量部、光開始剤（チバガイギー製イルガキュア    −９０７）２重量部、光増感剤（日本化薬製：ＤＥＴＸ−Ｓ）０．２重量部、ＮＭＰ１．５重量部を撹拌混合する。
(1)から(iii)を混合撹拌して無電解めっき用接着剤を得る。
【００２７】
（３）（１）の無電解めっき用接着剤を（２）の基板３０にロールコ一夕で塗布し、水平状態で２０分間放置してから、６０℃で３０分の乾燥（プリベーク）を行い、層間樹脂絶縁層４０を形成する（図４参照）。
【００２８】
下層層間樹脂絶縁層４０を形成した基板３０の両面に、所定径の黒円が印刷されたフォトマスクフィルムを密着させ、超高圧水銀灯により５００ｍＪ／ｃｍ２  で露光する。これをＤＭＤＧ溶液でスプレー現像し、さらに、当該基板を超高圧水銀灯により３０００ｍＪ／ｃｍ２  で露光し、１００℃で１時間、その後１５０℃で５時間の加熱処理（ポストベーク）をすることにより、フォトマスクフィルムに相当する寸法精度に優れた６０μｍφの開口（バイアホール形成用開口部４２：底部６１μｍ、上部６７μｍ）を有する厚さ２０μｍの層間樹脂絶縁層４０を形成する（図５参照）。
【００２９】
（４）開口部４２が形成された基板３０を、クロム酸に２分間浸漬し、層間樹脂絶縁層４０の表面のエポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、該層間樹脂絶縁層４０の表面に深さ４μｍの粗化面を形成する。この粗化面は、開口部４２内部の側面４２ａに対しても同様に形成される（図６参照）。その後、中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いする。
さらに、粗面化処理した該基板の表面に、パラジウム触媒（アトテック製）を付与することにより、層間樹脂絶縁層４０の表面およびバイアホール用開口部４２の内壁面に触媒核を付ける。
【００３０】
（５）以下の組成の無電解銅めっき浴中に基板を浸漬して、粗面全体に厚さ０．６μｍの無電解銅めっき膜４４を形成する（図７参照）。
〔無電解めっき液〕
ＥＤＴＡ            １５０  ｇ／ｌ
硫酸銅                ２０  ｇ／ｌ
ＨＣＨＯ              ３０ｍｌ／ｌ
ＮａＯＨ              ４０  ｇ／ｌ
α、α’−ビピリジル  ８０  ｍｇ／ｌ
ＰＥＧ                ０．１ｇ／ｌ
この実施形態では、めっきにより充填を行ったが、めっきの代わりに、導電性ペーストを充填することもできる。導電性ペーストとしては、タッタ電線製ＤＤペースト（ＡＥ１６００１）などが挙げられる。
【００３１】
（６）上記（５）で形成した無電解銅めっき膜４４上に市販の感光性ドライフィルムを張り付け、マスクを載置して、１００ｍＪ／ｃｍ２  で露光、０．８％炭酸ナトリウムで現像処理し、厚さ１５μｍで、Ｌ／Ｓ＝２５／２５μｍのめっきレジスト４６を設ける（図８参照）。
【００３２】
（７）ついで、レジスト非形成部分に以下の条件で電解銅めっきを施し、厚さ１５μｍの電解銅めっき膜５８を析出し、該めっき膜により開口部４２内を充填する（図９参照）。
液条件：硫酸銅・５水和物  ６０ｇ／ｌ
硫酸              １９０ｇ／ｌ
塩素イオン        ４０ｐｐｍ
レベリング剤（アトテック製  ＨＬ）４０ｍｌ／ｌ
光沢剤    （アトテック製  ＵＶ）０．５ｍｌ／ｌ
操作条件：バブリング  ３．００ｌ／分      電流密度  ０．５Ａ／ｄｍ２  
設定電流値  ０．１８Ａ          めっき時間１００分
【００３３】
（８）めっきレジスト４６を５％ＫＯＨで剥離除去した後、そのめっきレジスト４６下の無電解めっき膜４４を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチング処理して溶解除去し、無電解めっき膜４４と電解銅めっき膜４８からなる厚さ約１５μｍの導体パターン５２（図２１参照）、プレーン層５３及びバイアホール５０Ａ、５０Ｂを形成する（図１０参照）。本実施形態の製造方法では、定法による電解銅めっきと比較して、めっき面を平滑化するためのレベリング剤の分量を増やし、めっき面に光沢を与える光沢剤の分量を減らし、設定電流値を減らし、めっき時間を長くし、即ち、小電流で長時間かけて電解めっきを行うことで、導体パターン５２に接続されるバイアホール５０Ｂ（図２２参照）の表面を平滑にすると共に、プレーン層５３内に形成されるバイアホール５０Ａの表面中央部に窪み５０ａを形成する。なお、第１実施形態においては、プレーン層５３の面積は、０．０１〜１０ｄｍ２  であることが望ましい。これは、該プレーン層内に備えられたバイアホールの充填されためっき表面に窪みを形成すると共に、導体パターンに接続されるバイアホールの充填されためっき表面を平坦に形成することが可能になるからである。
【００３４】
また、本実施形態では、バイアホール径（開口部４２の開口径：６７μｍ）と層層間樹脂絶縁層４０の厚み（２０μｍ）との比が、３．３５に設定してある。ここで、バイアホール径と層層間樹脂絶縁層の厚みとの比が１以下では、上記めっき工程において、開口部４２の開口径に対して深みが深過ぎて、めっき液が該開口部４２内に十分に回り込めず、効率的にめっきを行い得ない。他方、バイアホール径：層層間樹脂絶縁層の厚みの比が４を越えると、バイアホールを形成する開口部の開口径が深みに対して広すぎるため、中央に窪みができバイアホールの表面を平滑に形成することができない。このため、バイアホール径：層層間樹脂絶縁層の厚みの比は、１を越え４以下であることが望ましい。
【００３５】
また、導電パターン５２及びプレーン層５３の厚みは２０μｍ以下が好適で、６０μｍ以下であることが望ましい。これは、導電パターン及びプレーン層の厚みは、上述しためっきレジスト４６の厚みにより決まるが、該光学的に形成されるめっきレジストの厚みが６０μｍを越えるようにすると、解像度が低下して所望の形状が構成し難いからである。
【００３６】
（９）引き続き、基板３０の導体パターン５２、プレーン層５３及びバイアホール５０に対して、上記（２）と同様にして粗化層５８を形成する（図１１参照）。
【００３７】
（１０）上記（２）〜（８）の工程を繰り返すことにより、さらに上層の導体パターンを形成する。即ち、基板３０の両面に、無電解めっき用接着剤６０を塗布し、水平状態で放置してから乾燥を行う（図１２参照）。この際、上述したようにプレーン層５３の上層に樹脂を塗布する際に、プレーン層５３のバイアホール５０Ａの窪み５０ａ内へ樹脂を逃がすことができる。このため、周囲に樹脂を逃がし得る導体パターン５２の上側も、周囲に逃がし得ないプレーン層５３の上側も樹脂６０の厚みを均一にできる。
【００３８】
その後、フォトマスクフィルムを密着させ、露光・現像し、バイアホール形成用開口６２を有する厚さ２０μｍの層間樹脂絶縁層６０を形成する（図１３参照）。次に、該層間樹脂絶縁層６０の表面に深さ４μｍの粗化層を形成する（図１４参照）。この粗化面は、開口部６２内部の側面６２ａに対しても同様に形成される。該粗面化処理した該基板３０の表面に、無電解銅めっき膜６４を形成する（図１５参照）。引き続き、無電解銅めっき膜６４上にめっきレジスト６６を設けた後、レジスト非形成部分に電解銅めっき膜６８を形成する（図１６参照）。そして、めっきレジスト６６を剥離除去した後、そのめっきレジスト６６下の無電解めっき膜６４を溶解除去し上層バイアホール７０及び導体パターン７２を形成する（図１７参照）。さらに、該上層バイアホール７０及び導体パターン７２の表面に粗化層７８を形成し、パッケージ基板を完成する（図１８参照）。
【００３９】
（１１）引き続き、上述したパッケージ基板にはんだバンプを形成する。先ず、はんだバンプ用のソルダーレジスト組成物の調整について説明する。ここでは、ＤＭＤＧに溶解させた８０重量％のクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬製）のエポキシ基５０％をアクリル化した感光性付与のオリゴマー（分子量４０００）を４６．６７ｇ、メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル製、エピコート１００１）１５．０ｇ、イミダゾール硬化剤（四国化成製、商品名：２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）１．６ｇ、感光性モノマーである多価アクリルモノマー（日本化薬製、商品名：Ｒ６０４）３ｇ、同じく多価アクリルモノマー（共栄社化学製、商品名：ＤＰＥ６Ａ）１．５ｇ、分散系消泡剤（サンノプコ社製、商品名：Ｓ−６５）０．７１ｇを混合し、さらにこの混合物に対して光開始剤としてのベンゾフェノン（関東化学製）を２ｇ、光増感剤としてのミヒラーケトン（関東化学製）を０．２ｇ加えて、粘度を２５℃で２．０Ｐａ・ｓに調整したソルダーレジスト組成物を得る。なお、粘度測定は、Ｂ型粘度計（東京計器、ＤＶＬ−Ｂ型）で６０ｒｐｍの場合はローターＮｏ．４、６ｒｐｍの場合はローターＮｏ．３によった。
【００４０】
（１２）基板にソルダーレジスト組成物を２０μｍの厚さで塗布する。次いで、７０℃で２０分間、７０℃で３０分間の乾燥処理を行った後、１０００ｍＪ／ｃｍ２  の紫外線で露光し、ＤＭＴＧ現像処理し、パッド部８１が開口したソルダーレジスト層８０を得る（図１９参照）。パッド部８１の開口径は上面側１３３μｍ、下面側６００μｍである。
【００４１】
（１３）次に、ソルダーレジスト層８０を形成した基板３０を、塩化ニッケル３０ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム１０ｇ／ｌ、クエン酸ナトリウム１０ｇ／ｌからなるｐＨ＝５の無電解ニッケルめっき液に２０分間浸漬して、パッド部（開口部）８１に厚さ５μｍのニッケルめっき層８２を形成する（図２０参照）。さらに、その基板３０を、シアン化金カリウム２ｇ／ｌ、塩化アンモニウム７５ｇ／ｌ、クエン酸ナトリウム５０ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム１０ｇ／ｌからなる無電解金めっき液に９３℃の条件で２３秒間浸漬して、ニッケルめっき層８２上に厚さ０．０３μｍの金めっき層８４を析出し、上面に直径１３３μｍの半田パッド８６Ｕを、下面に直径６００μｍの半田パッド８６Ｄを形成する。
【００４２】
（１４）厚さ４０μｍ、直径１６０μｍの開口をもつメタルマスク（図示せず）を載置し、ソルダーレジスト層８０の開口部８１内の上面側半田パッド８６Ｕに、平均粒子径２０μｍの半田ペーストを印刷し、同様に下面側の半田パッド８６Ｄに半田ペーストを印刷した後、２００℃で加熱リフローし、上面側半田パッド８６Ｕに直径１３３μｍの半田バンプ８８Ｕを、下面側半田パッド８６Ｄに直径６００μｍの半田バンプ８８Ｄを設け、半田バンプの形成を完了する（図２１参照）。
【００４３】
ここで、本実施形態の多層プリント配線板に対して、ＰＣＴ試験及びヒートサイクル試験を行った結果について述べる。多層プリント配線板を２気圧、１２１°Ｃ、湿度１００％の環境下で２００時間放置するＰＣＴ試験を行った結果、層間樹脂絶縁層のデラミネーションが観察されなかった。また、−５５〜１２５°Ｃのヒートサイクルを２００回繰り返しても、層間樹脂絶縁層のデラミネーションが発生しなかった。即ち、本実施形態の多層プリント配線板においては、上述したようにプレーン層５３に配設されるバイアホール５０Ａに窪み５０ａが形成され、また、プレーン層５３の表面は、粗化処理され粗化層５８が形成され、プレーン層５３と層間樹脂絶縁層６０との密着性が高められている。このため、層間樹脂絶縁層６０に剥離（デラネーション）が生じ難い。
【００４４】
なお、上述した実施形態では、セミアディティブ法により形成するパッケージ基板を例示したが、本発明の構成は、フルアディティブ法により形成するパッケージ基板にも適用し得る。また、上述した実施形態では、多層プリント配線板としてパッケージ基板を例に挙げたが、本発明の構成をパッケージ基板以外の多層プリント配線板に好適に適用し得ることは言うまでもない。
【００４５】
以上説明したように本発明のパッケージ基板において、プレーン層内に備えられたバイアホールに窪みが形成されており、該窪みがアンカーとなってプレーン層と上層の層間樹脂絶縁層との密着性を高めるため、該層間樹脂絶縁層に剥離が生じ難い。また、製造工程においてプレーン層の上層の層間樹脂絶縁層を形成する樹脂を塗布する際に、プレーン層のバイアホールの窪み内へ樹脂を逃がすこができ、当該層間樹脂絶縁層、即ち、多層プリント配線板の表面を平坦に形成することができる。このため、ＩＣチップ等を載置する際の実装信頼性を高めることが可能となる。他方、導体パターンに接続されるバイアホールの表面が平坦であるため、該バイアホールの上層にバイアホールを重ねて形成しても、多層プリント配線板の表面の平滑性を損なうことがない。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程を示す図である。
【図２】本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程を示す図である。
【図３】本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程を示す図である。
【図４】本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程を示す図である。
【図５】本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程を示す図である。
【図６】本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程を示す図である。
【図７】本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程を示す図である。
【図８】本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程を示す図である。
【図９】本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程を示す図である。
【図１０】本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程を示す図である。
【図１１】本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程を示す図である。
【図１２】本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程を示す図である。
【図１３】本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程を示す図である。
【図１４】本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程を示す図である。
【図１５】本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程を示す図である。
【図１６】本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程を示す図である。
【図１７】本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程を示す図である。
【図１８】本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程を示す図である。
【図１９】本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程を示す図である。
【図２０】本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程を示す図である。
【図２１】本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板を示す断面図である。
【図２２】図２２は、図２１のＢ−Ｂ横断面を示す断面図である。
【図２３】従来技術に係る多層プリント配線板の断面図である。
【図２４】図２４（Ａ）、図２４（Ｂ）、図２４（Ｃ）、図２４（Ｄ）は、従来技術に係る多層プリント配線板の製造工程を示す図である。図２４（Ｅ）は、図２４（Ｄ）のＥ−Ｅ断面を示す図である。
【符号の説明】
【００４７】
３０  コア基板
４０  下層層間樹脂絶縁層
４２  開口部
４２ａ  側面
５０Ａ、５０Ｂ  バイアホール
５２  導体パターン
５３  プレーン層
５８  粗化層
６０  上層層間樹脂絶縁層
６２  開口部
６２ａ  側面
７０  上層バイアホール
７２  導体パターン
８６Ｕ、８６Ｄ  半田パッド
８８Ｕ、８８Ｄ  半田バンプ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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