(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
該基板に取り付けられ持ち上げられていないアンカ部と、該基板の上に該アンカ部から延長され解放されている爪部と、を含み、該アンカ部に第１内部応力勾配を有するばね金属指と、
該ばね金属指のアンカ部上に形成され、第１内部応力勾配とは逆向きの第２内部応力勾配を有する応力均衡パッドと、
を含むことを特徴とするばね構造。
【請求項２】
請求項１に記載のばね構造であって、
前記アンカ部は、正の応力勾配を持ち、前記応力均衡パッドは、負の応力勾配を持つ場合、
前記応力均衡パッドの第２内部応力勾配の大きさが、前記アンカ部の第１内部応力勾配の大きさと等しいか、または前記アンカ部の第１内部応力勾配の大きさより大きいことを特徴とするばね構造。
【請求項３】
請求項１に記載のばね構造であって、
前記ばね金属指および前記応力均衡パッドは、いずれも、基本的に単一の物質組成で構成されていることを特徴とするばね構造。
【請求項４】
請求項３に記載のばね構造であって、
前記単一の物質組成は、モリブデン（Ｍｏ）およびモリブデンクロム（ＭｏＣｒ）のいずれかであることを特徴とするばね構造。
【請求項５】
請求項１に記載のばね構造であって、
前記ばね金属指が第１物質で構成され、前記応力均衡パッドが第１物質とは異なる第２物質で構成されることを特徴とするばね構造。
【請求項６】
請求項５に記載のばね構造であって、
前記第１物質は、基本的にモリブデンクロム合金（ＭｏＣｒ）で構成され、前記応力均衡パッドは基本的にモリブデン（Ｍｏ）で構成されることを特徴とするばね構造。
【請求項７】
基板と、
該基板に保持されたアンカ部および該基板上に該アンカ部から延長された爪部を有するばね金属指と、
該ばね金属指のアンカ部上に形成された応力均衡パッドと、
を有し、
前記ばね金属指が第１応力強化物質から形成され、該第１応力強化物質に基板から離れる方向に爪部を曲げる第１内部応力モーメントが存在し、
前記応力均衡パッドが第２応力強化物質から形成され、該第２応力強化物質に第１内部応力モーメントとは逆向きの第２内部モーメントが存在することを特徴とするばね構造。
【請求項８】
基板上にばね構造を加工する加工方法であって、
該基板上に生成された解放物質島上に第１内部応力を有するばね金属島を形成するステップと、
該ばね金属島の一端にあるアンカ部上にのみ、第１内部応力とは逆向きの第２内部応力を有する応力均衡パッドを形成するステップと、
該アンカ部に隣接し、そこから該ばね金属島の他端までの範囲である爪部の下に設けられた解放物質島の一部を選択的に除去するステップであって、該爪部が基板から離れる方向に曲げられ、前記アンカ部が基板に取り付けられたまま残るステップと、
を含むことを特徴とする加工方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、応力強化金属膜から形成されるばね構造およびその加工方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来のばね構造の一例として、特許文献１，２に開示されているものが挙げられる。
【０００３】
【特許文献１】
米国特許３８４２１８９号明細書
【特許文献２】
米国特許５６１３８６１号明細書
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、金属膜の剥離または剥がれに対する耐性を高め、ばね構造の強度および耐久性を改善することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
このような目的を達成するために、本発明に係るばね構造は、基板と、該基板に取り付けられ持ち上げられていないアンカ部と、該基板の上に該アンカ部から延長され解放されている爪部と、を含み、該アンカ部に第１内部応力勾配を有するばね金属指と、該ばね金属指のアンカ部上に形成され、第１内部応力勾配とは逆向きの第２内部応力勾配を有する応力均衡パッドと、を含むことを特徴とする。
【０００６】
【発明の実施の形態】
ここでは、「ばね金属」および「応力均衡」という用語を、逆向きの内部応力勾配を用いて加工した応力強化金属を識別するために使用する。特に、「ばね金属層」という用語は、下部（すなわち、支持基板に近い部分）の内部圧縮応力が上部より高くなるように加工された金属膜のことを表す。逆に、「応力均衡層」という用語は、下部（すなわち、基板１０１に近い部分）の内部圧縮応力が上部より低くなる（つまり、応力均衡層の内部応力勾配が、ばね金属層の内部応力勾配と逆になる）ように加工された金属膜のことを表す。ただ、いずれの層でも固有応力部分は、張力を持っていてもよい。さらに、「島」という用語は、解放工程以前のパターン化された層部分を表現するために用いられる。たとえば、「ばね金属島」は、解放されていない（持ち上げられていない）爪部分およびアンカ部分を含むばね金属層のパターン化された部分を表す用語であるのに対し、「ばね金属指」という用語は、その同じパターン化された部分について爪が解放された後の状態を表す。同様に、「応力均衡島」および「解放物質島」とは、ばね金属島の上下にそれぞれ設けられた応力均衡層および解放物質層のパターン化された部分を表す用語である。
【０００７】
本発明の第１実施形態に係るばね構造１００を、図１、２、３、および４に示す。ばね構造１００は、通常、基板１０１、保持パッド１１０、ばね金属指１２０、および応力均衡パッド１３０を有する。基板１０１（例えば、ガラス基板）には、任意選択ではあるが導体１０５を追加してもよい。この導体１０５にはいくつかの形式（すなわち、基板上に配した金属線、またはパシベーション層の開口部から接触させる埋め込み式の導体）を利用できる。導体を追加する場合は、導体１０５を利用して、集積回路の電子的構成部品とばね構造１００を電気的に接続してもよい。あるいは、基板１０１がプリント回路板、プリント配線板、シリコンデバイス、またはインターポーザ（interposer）である場合は、再分散トレース、基板貫通ビア、はんだバンプ、はんだボール、積載型電気的構成部品、集積型受動構成部品、または連係パッドと電気的に接続された導電物質の露出部分を導体１０５としてもよい。
【０００８】
保持パッド１１０は、基板１０１の上面に、導体１０５と接触するように形成される（導体１０５が存在する場合）。一実施形態では、保持パッド１１０を解放物質層から形成するが、この解放物質層の一部を犠牲にして、ばね金属指１２０の爪部１２５を解放する。解放物質から形成する場合は、保持パッド１１０にチタンを用いて、約５０ｎｍ以上の厚さにスパッタリングし、基板１０１上に配置してもよい。チタンは、その可塑性（すなわち、割れに対する耐性）によって、解放物質層として理想的な特性を提供するが、別の解放物質であっても、チタンと同等の可塑特性を有するものであれば利用できる。別の実施形態では、保持パッド１１０が、別の金属、たとえば、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、またはコバルト（Ｃｏ）などを含んでいる。導電解放物質を選択することによって、保持パッド１１０は、ばね金属指１２０および導体１０５（存在する場合）の間に電気的な接続を提供する。別の実施形態では、保持パッド１１０を非導電の解放物質から形成し、露出している導体とばね金属指の間にストラップまたは別の導電構造を形成してもよい。さらに、別の実施形態では、保持部１１０を解放物質とは異なる物質から形成し、周知の技術を使用して、解放物質と保持部１１０を個別にパターン化してもよい。
【０００９】
ばね金属指１２０は、アンカ部１２２および爪（すなわち、片持ち部分）１２５を有する。アンカ部１２２は、保持パッド１１０を介して基板１０１に取り付けられている（つまり、保持パッド１１０は、アンカ部１２２と基板１０１との間に挟まれた位置に設けられている）。爪１２５は、先端部１２５−Ｔを有し、基板１０１の上部でアンカ部１２２から延長されている。ばね金属指１２０は、応力強化金属膜からエッチングされる。応力強化金属膜は、１種類以上の金属の直流磁電管スパッタリングによって付着されるが、その際、膜が成長している間のスパッタリング環境でガス（たとえば、アルゴンガス）圧変動を利用する。このガス圧変動を周知の技術を用いて制御し、内部応力勾配を発生させる。その結果、下部の解放物質が除去されると、爪１２５が基板１０１から離れる方向に曲げられる。この内部応力勾配のほとんどは、基本的に、持ち上げられた爪１２５内から除去されているが、アンカ部１２２はかなりの量の内部応力を保持していることを明記しておく。
【００１０】
また、本発明者の認識によれば、ばね構造の損傷（すなわち、層間剥離または剥がれによってばね構造が下部の基板から分離すること）の多くは、加工後かなりの時間が経過してから発生する。
【００１１】
本発明の一特性では、応力均衡パッド１３０をばね金属指１２０のアンカ部１２２の上に形成し、アンカ部１２２を保持パッド１１０から分離させる（たとえば、層間剥離または剥がれを発生させる）ように作用する内部応力勾配と均衡させる。ばね金属指１２０と同様、応力均衡パッド１３０は応力強化金属膜を使用して形成される。この応力強化金属膜も、膜の成長時におけるガス圧変動を利用して、１種類以上の金属の直流磁電管スパッタリングによって付着される。ただし、応力均衡パッド１３０は、ばね金属指１２０の生成に使用する場合と逆の順序の圧力変動を使用して形成される。これにより、応力均衡パッド１３０は、ばね金属指１２０とは逆向きの内部応力を有する。一実施形態では、逆向きの応力勾配を得るために、引張応力を生むことが知られている条件下で付着工程を開始し、後に、１つ以上のステップ内で付着スパッタ圧を下げ、より圧縮力のある層を１層以上追加する。理想的には、追加の層を強化して、有効応力および有効モーメントがゼロの金属積層を生成する。したがって、応力均衡パッド１３０によって下向きの（つまり、基板１０１に向かう）力をアンカ部１２２の先端に作用させ、ばね金属指１２０の内部応力勾配によって生成され上向きの力と均衡させる。これにより、アンカ部１２２に基板１０１からの層間剥離または剥がれが生じないようにする。
【００１２】
図４の部分側面図には、アンカ部１２２および応力均衡パッド１３０の一部に重ねて内部応力勾配が示されている。図４の下部に示すように、アンカ部１２２は、正の応力勾配Δσ＋（すなわち、アンカ部１２２の先端を基板１０１から離れる方向に曲げようとする傾向）を持つ応力強化金属膜からエッチングされる一方、応力均衡パッド１３０は、負の応力勾配Δσ−（すなわち、応力均衡パッド１３０を基板１０１に向かって下側に曲げようとする傾向）を持つ応力強化金属膜からエッチングされる。本発明の一実施形態によれば、応力均衡パッド１３０の負の応力勾配（およびその結果生じる応力モーメント）の大きさは、アンカ部１２２の正の応力勾配（およびその結果生じる応力モーメント）の大きさと等しいか、またはそれよりも大きくなる。そのため、応力均衡パッド１３０の上面１３１では、応力勾配が打ち消されるか、または若干負の値にふれるため、上面１３１に存在する有効応力（およびゼロのピーリング（peeling）モーメント）はゼロになり、アンカ部１２２の分離が確実に回避される。ただし、別の実施形態では、応力均衡パッド１３０の応力勾配の大きさはアンカ部１２２の応力勾配より小さくなる場合もあるが、それでも、ばね構造１００の動作寿命は、応力均衡パッド１３０を設けずに作成される従来の構造よりも長い。
【００１３】
図５〜７、図８〜１０および図１１〜１３の側面断面図に、本発明の応力均衡パッドを組み込んだばね構造を作成する３種類の方法を示す。
【００１４】
図５〜７に示す第１の方法では、ばね金属層および応力均衡層の両方が付着または成長した後で、ばね金属指を加工（たとえば、マスキング、エッチング、解放）する。第１方法では最小限の加工ステップ数しか必要としないが、通常は、組成の異なる物質を使用してばね金属層および応力均衡層を生成し、ばね金属指の爪部分に設けられる応力均衡層の一部を選択的にエッチングする必要がある。
【００１５】
図５（Ａ）を参照しながら、第１の製造方法を説明する。まず、基板１０１（たとえば、シリコン基板）上に解放物質層２１０を生成することから始める。一実施形態では、解放物質層２１０は、電気的な伝導性のある物質から生成され、解放物質層２１０の部分２１０Ａを、基板１０１の上面に露出している導体１０５と接触させる。一実施形態では、解放物質層２１０をチタン（Ｔｉ）として、基板１０１の上面に約０．２ミクロン以上の厚さにスパッタリングして付着させる。
【００１６】
図５（Ｂ）に示す応力強化ばね金属層２２０は、周知の加工技術を使用して解放物質層２１０の上に形成され、成長方向（すなわち、図４に示す方向）に内部応力変動を有するようにする。ばね金属層２２０にこのような内部応力変動を発生させる方法は、たとえば、米国特許第３，８４２，１８９号（内部応力の異なる２種類の金属を付着させる方法）および米国特許第５，６１３，８６１号（たとえば、加工パラメータを変化させながら単一の金属をスパッタリングする方法）に開示されている。０．２ミクロンのチタン製解放物質層を使用する一実施形態において、ばね金属層２２０は、１ミクロンの厚さにスパッタリングして付着されたモリブデンクロム（ＭｏＣｒ）を有する。
【００１７】
図５（Ｃ）を参照すると、次に、ばね金属層２２０の上に応力均衡層２３０が形成される。形成には、ばね金属層２２０と逆向きの内部応力勾配を発生させるガス圧変動を使用する。応力均衡層２３０は、組成が単一の物質（たとえば、厚さ１ミクロンのモリブデン）で、ばね金属層２２０の形成に利用したものとは異なる材料から形成することが好ましい。下記に説明するように、応力均衡層２３０およびばね金属層２２０を組成の異なる物質から生成することによって、選択的エッチングを利用して、応力均衡層２３０の一部を排除することもできるため、ばね金属層２２０に不必要なエッチングを行わずにすむ。
【００１８】
図５（Ｄ）に示すばね金属マスク（第１マスク）２４０（たとえば、フォトレジスト）は、応力均衡層２３０の選択部分の上にパターン化される。ばね金属マスク２４０は、対応する導体１０５の上に展開する（導体１０５が存在する場合）。
【００１９】
次に、図６（Ａ）に示すように、マスク２４０を取り巻く応力均衡層およびばね金属層の露出部分をエッチングするが、このとき、１種類以上のエッチング材料２４２を使用して積層構造を形成する。この積層構造は、ばね金属島２２０−１の上の応力均衡島２３０−１を含んでいる。このエッチング工程は選択的に実行し、ばね金属島２２０−１を取り巻く解放物質層２１０のエッチングを最小限に留める。一実施形態では、Ｃｒエッチングを使用して、Ｍｏの応力均衡層とＭｏＣｒのばね金属層をエッチングする。Ｃｒエッチングは、下部のＴｉ解放物質層のエッチングに大きな影響を与えない。
【００２０】
この後の異方性エッチング工程を図６（Ｂ）に示す。この工程の実行中に、ばね金属島２２０−１を取り巻く解放物質層の露出部分を除去して、解放物質島２１０−１を形成する。Ｔｉ解放物質層を使用する場合は、フッ素プラズマを使用して異方性エッチングを実行してもよい。
【００２１】
図６（Ｃ）および図６（Ｄ）を参照して説明する。ここで、ばね金属マスクを除去し、解放マスク（第２マスク）２５０を形成する。その結果、解放物質島の第１部分２１０−１Ａ、ばね金属島の第１部分（爪部）２２０−１Ａ、および応力均衡島の第１部分２３０−１Ａが露出する。特に、解放マスク２５０は、解放物質島の第２部分２１０−１Ｂ、ばね金属島の第２部分（アンカ部）２２０−１Ｂ、および応力均衡島の第２部分２３０−１Ｂの上に形成される。これらの部分が、次に説明するように、本発明の応力均衡パッドを形成する部分となる。
【００２２】
次に、図７（Ａ）に示すように、エッチング材料２５２を使用して、露出している応力均衡島の第１部分を選択的にエッチングする。その結果、応力均衡パッド１３０が生成される。応力均衡層にＭｏ、ばね金属層にＭｏＣｒを使用している場合は、異方性フッ素プラズマのエッチング材料２５２を使用し、爪部分２２０−１Bのエッチングは行わない。
【００２３】
続いて、図７（Ｂ）に示すように、解放エッチング材料２５４（たとえば、Ｔｉ解放物質を除去する緩衝酸化エッチング）を使用して、ばね金属島の爪部分の下から解放物質層の第1部分を選択的に除去することによって、保持パッド１１０、爪１２５、およびアンカ部１２２を形成する。すなわち、露出している解放物質を除去すると、爪１２５は、ばね金属層の形成中に生じる内部応力変動によって基板１０１から離れる方向に曲げられる。このとき、アンカ部１２２は、保持パッド１１０を介して基板１０１と結合された状態のまま残る。保持パッド１１０および応力均衡パッド１３０は、解放工程の間、解放マスク２５０によって保護される。
【００２４】
最後に、図７（Ｃ）に示すように、解放マスクが除去され、ばね構造１００の加工が完了する。この点については、図１から図４を参照した説明に既に記載してある。
【００２５】
図５〜７を参照しながら説明した前記第1の方法に代わる別の方法として、ニッケルジルコニウム（ＮｉＺｒ）を使用してばね金属層２２０（図５（Ｂ））を形成し、シリコンで硬化させたＴｉ溶液（Ｔｉ：Ｓｉ）を使用して応力均衡層２３０（図５（Ｃ））を形成する方法がある。この別の実施形態では、応力均衡層のエッチング（図７（Ａ））と解放工程（図７（Ｂ））を同時に、単一のＴｉエッチング材料（たとえば、緩衝酸化エッチング）を使用して実行できるので、製造コストが削減される。Ｔｉエッチング材料は、ばね金属指のＮｉＺｒ爪部をエッチングしない。
【００２６】
図８〜１０に第２の製造方法を示す。この方法では、第１の方法と同様に、解放物質層３１０（図８（Ａ））、ばね金属層３２０（図８（Ｂ））、および応力均衡層３３０（図８（Ｄ））を付着および成長させてからばね金属指を加工する。ただし、第２の方法では、応力均衡層３３０およびばね金属層３２０を同一の物質から形成するため、付着装置に必要な設備の数を減らせる一方で、図８（Ｃ）に示すようにばね金属層３２０の上にエッチング防止層３２５を付着させる必要がある。エッチング防止層３２５は、後の工程で形成される応力均衡層３３０とばね金属層３２０の間に挟まれた位置に設けられる（図８（Ｄ）参照）。第２方法の一実施形態では、Ｔｉ解放層３１０、Ｍｏばね金属層３２０、Ｃｒエッチング防止層３２５、およびＭｏ応力均衡層３３０を利用する。
【００２７】
第２方法における後続の処理は、第１方法と同様で、ばね金属マスク（第１マスク）３４０を応力均衡層３３０の上に形成する（図８（Ｅ））。そして、第１エッチング材料（たとえば、Ｃｒエッチング）３４２を使用して、ばね金属島３２０−１、エッチング防止島３２５−１、および応力均衡島３３０−１を形成する（図９（Ａ））。続いて、第２エッチング材料３４４（たとえば、フッ素プラズマを使用した異方性エッチング）を使用して、解放物質層をエッチングし、解放物質島３１０−１を形成する（図９（Ｂ））。その後、ばね金属マスクを除去する（図９（Ｃ））。次に、解放マスク３５０を形成すると、応力均衡層の一部（第１部分）３３０−１が露出する（図９（Ｄ））ので、エッチング材料３５２（たとえば、フッ素プラズマを使用した異方性エッチング）を使用してこの第１部分を除去する（図１０（Ａ））。任意に追加できるエッチング材料３５３を必要に応じて使用して、爪部３２０−１Ａを形成するためにエッチング防止物質の一部３２５−１Ａを除去する（図１０（Ａ）および図１０（Ｂ））。そして、解放エッチング材料３５４を使用して、爪１２５−Ａを解放する（図１０（Ｃ））。ここで、ばね構造１００−Ａが形成される（図１０（Ｄ））が、このばね構造１００−Ａは、図１から図４を参照して説明した前述の特性と基本的に同じ特性を持っている。
【００２８】
さらに、第２の方法とは別の方法では、単一のステップで島を形成するエッチング（図９（Ａ））に代えて、次に示す３つのステップで加工を行う。まず、Ｍｏ応力均衡島３３０−１を形成するため、フッ素プラズマを使用して応力均衡層を異方的にエッチングする。次に、Ｃｒエッチングを使用してＣｒエッチング防止島３２５−１を形成し、最後に、フッ素プラズマを使用してばね金属層を異方的にエッチングして、Ｍｏばね金属島３２０−１を形成する。この方法によってエッチングステップの数は増えるが、作成結果のばね構造に定義される特性は、単一のステップで島を形成する前述の工程よりも向上する。
【００２９】
第２方法のさらに別の方法では、Ｓｉを使用して解放物質層３１０（図６（Ａ））を形成し、ＭｏＣｒを使用してばね金属層３２０（図６（Ｂ））を形成する。さらに、Ｔｉを使用してエッチング防止層３２５（図６（Ｃ））を形成し、ＭｏＣｒを使用して応力均衡層３３０（図６（Ｄ））を形成する。第１の代替実施形態と同様に、３つのステップで島を形成する加工方法（Ｃｒエッチング、Ｔｉエッチング、Ｃｒエッチング）を利用して、応力均衡島３３０−１、エッチング防止島３２５−１、およびばね金属島３２０−１を各ステップで形成する。応力均衡島３２０−１の一部３３０−１Ａは、その後で、Ｃｒエッチングを使用してエッチングする。解放は、フッ化キセノン（ＸｅＦ2）エッチング材料３５４を使用して行われる。
【００３０】
図１１〜１３に第３の製造方法を示す。この方法では、（たとえば、Ｔｉ）解放物質層４１０（図１１（Ａ））および（たとえば、ＭｏＣｒ）ばね金属層４２０（図１１（Ｂ））の形成、マスク設置（図１１（Ｃ））、エッチング（図１１（Ｄ）および図１２（Ａ））を行ってから、（たとえば、ＭｏＣｒ）応力均衡層を付着させる。すなわち、ばね金属島４２０−１および解放物質島４１０−１（図１１（Ｄ）および図１２（Ａ））を形成した後で、ばね金属マスク４４０を除去する（図１２（Ｂ））。その後、（第２）マスク４４６を形成して爪部４２０−１Ａを覆い、アンカ部４２０−１Ｂ（図１２（Ｃ））を露出させる。次に、応力均衡層を付着させるが、これは、第１部分４３０−１Ａをマスク４４６の上に形成し、第２部分４３０−１Ｂをアンカ部４２０−１Ｂの上に形成して行う。さらに、周知の技術を使用して、マスク４４６を第１部分４３０−１Ａ（図１３（Ａ））とともに取り外して、応力均衡パッド１３０−Ｂをパターン化する。次に、解放マスク４５０を形成し（図１３（Ｂ））、この解放マスクを利用して爪１２５−Ｂ（図１３（Ｃ））を解放し、その後で解放マスク４５０を除去する（図１３（Ｄ））。これで、図１から図４を参照して説明した前述の特性と基本的に同じ特性を持つばね構造１００−Ｂの製造が完了する。
【００３１】
利用可能なさらに別の実施形態では、３つのマスクを利用してばね構造を形成するが、この実施形態では、応力均衡パッドを形成した後で、ばね金属島をエッチングする。すなわち、開放物質層、ばね金属層、および応力均衡層を順次付着する（つまり、図５（Ｃ）および図８（Ｃ）と同様の構造を形成する）。次に、第１マスクをパターン形成する。形成されたマスクを利用して、周知の技術で応力均衡層のみをエッチングすることによって、応力均衡パッドが形成される。さらに、第２マスクを使用してばね金属層および解放層をエッチングし（つまり、図５（Ｄ）および図８（Ｄ）と同様）、ばね金属および解放物質島を形成する。その後、解放マスク（図６（Ｄ）および図９（Ｄ）と同様）を使用して爪部の下の解放物質をエッチングし、爪を解放する。中間エッチング防止層を形成してもよく、中間エッチング防止層は、ばね金属層と応力均衡層の間に前述した方法で形成される。
【００３２】
本発明を特定の実施形態について説明したが、本発明の発明的特性は別の形態にも同様に適用できるものであり、適用可能な対象はすべて本発明の範囲に入るものであることは、当業者であれば容易に理解できるであろう。たとえば、ここで開示した工程の例は、特定の製造工程および材料構成には限定されない。ほかの構造、たとえば、パシベーション層、キャッピング層、デバイス、バイアスなども、本発明の範囲内で工程の流れに組み込むことができる。また、前述の実施形態では、逆向きの勾配を持つ２種類の層（すなわち、ばね金属層と応力均衡層）を利用しているが、別の応力特性を用いて、開示した実施形態と同様に応力を打ち消す効果を持つばね構造（たとえば、圧縮性、伸縮性、圧縮性で構成される一連の応力強化層）を製造してもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の第１実施形態に係るばね構造を示す平面図である。
【図２】  図１に示すばね構造の２−２断面における横断面図である。
【図３】  図１に示すばね構造の切断図である。
【図４】  図１に示すばね構造の各層における内部応力を示す側面図である。
【図５】  第１の方法による図１に示すばね構造の加工工程を説明する横断面図である。
【図６】  第１の方法による図１に示すばね構造の加工工程を説明する横断面図である。
【図７】  第１の方法による図１に示すばね構造の加工工程を説明する横断面図である。
【図８】  第２の方法による別のばね構造の加工工程を説明する横断面図である。
【図９】  第２の方法による別のばね構造の加工工程を説明する横断面図である。
【図１０】  第２の方法による別のばね構造の加工工程を説明する横断面図である。
【図１１】  第３の方法による図１に示すばね構造の加工工程を説明する横断面図である。
【図１２】  第３の方法による図１に示すばね構造の加工工程を説明する横断面図である。
【図１３】  第３の方法による図１に示すばね構造の加工工程を説明する横断面図である。
【符号の説明】
１００  ばね構造、１０１  基板、１０５  導体、１１０  保持パッド、１２０  ばね金属指、１２２  アンカ部、１２５  爪部、１３０  応力均衡パッド、１３１  上面、２１０  解放物質層、２４０  ばね金属マスク、２４２  エッチング材料、３２５  エッチング防止層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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