(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
放電管の光強度を検出する光強度検出手段と、放電管の発光を制御する発光制御回路と、光強度検出手段の出力値が第１の値より、大きくなると発光を停止させる信号を発光制御回路へ出力し、前記第１の値よりも小さな第２の値より、小さくなると発光を開始させる信号を発光制御回路へ出力する、フラット発光制御回路を備えたフラット発光が可能な閃光装置において、
フラット発光開始から所定の時間の間における前記第１の値と前記第２の値の差を、その後における前記第１の値と前記第２の値の差よりも大きくすることを特徴とする閃光装置。
【請求項２】
第１の値とは、フラット発光時の波高値であり、第２の値とは、フラット発光時の発光のリップル幅を決めるヒステリシス値であることを特徴とする請求項１に記載の閃光装置。
【請求項３】
前記第２の値のみが可変であることを特徴とする請求項１又は２に記載の閃光装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、フラット発光が可能な閃光装置の改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、フォーカルプレーンシャッターがスリット露光する場合（高速シャッタ時）でもほぼ均一な発光強度で発光を持続するフラット発光が可能な閃光装置は知られている。又、撮影に先立ち、予備発光をおこない、その後その測光結果に基づき、本発光を行う閃光装置においての予備発光においても、予備発光の測光精度等の関係でフラット発光を用いる装置は、特開昭54-128734号公報に開示されている。この種の閃光装置においては、フラット発光の光強度を発光開始から終了まで一定に保つ必要があり、発光開始から終了まである一定の値と光強度検出手段より出力される値を比較し、発光制御を行っていた。又、予備発光時の光強度は、省エネの観点からも小さい方が望まれている。
【０００３】
しかしながら、前記公知例における発光制御回路では、発光強度が少ない状態においても、放電管の放電電流をほぼ所定値に保つことは可能ではあるが、発光開始初期段階において閃光放電管内の放電アークが管全体に広がらず発光周波数が高くなり、発光制御回路の素子の破壊を招いたり、発光強度が不安定になりやすいという課題はあった。
【０００４】
この課題を解決する為に、特開平9-80594号公報においては、発光開始より所定時間とそれ以降の時間で発光強度を変える手段を用いている。
【０００５】
又、特開平10-48715号公報においては、発光開始より所定時間とそれ以降の時間で発光検出手段の応答性を変える手段を用いている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特開平9-80594号公報においては、発光強度を可変にさせる為、予備発光時の発光において、光強度の違いが生じ発光開始より測光を行うと特定の測光出力を得る事が難しい。
【０００７】
又、特開平10-48715号公報においては、発光検出部に容量を付加させることで、発光検出手段の応答性を可変させる事を行っているが、ある特定の応答性の変化のみ可能であり、発光強度が異なった場合（波高値が変わった場合）に対し適切な応答遅れを施す事は難しく、又、発光開始後の複数区間において応答遅れ手段が必要で有る場合には、付加させる回路が複数必要となりコストアップの要因となる。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、放電管の光強度を検出する光強度検出手段と、放電管の発光を制御する発光制御回路と、光強度検出手段の出力値が第１の値より、大きくなると発光を停止させる信号を発光制御回路へ出力し、前記第１の値よりも小さな第２の値より、小さくなると発光を開始させる信号を発光制御回路へ出力する、フラット発光制御回路を備えたフラット発光可能な閃光装置において、フラット発光開始から所定の時間の間における前記第１の値と前記第２の値の差を、その後における前記第１の値と前記第２の値の差よりも大きくする閃光装置を提供するものである。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、図面に基づいて、本発明の実施形態について詳細を説明する。
ここでは、発光開始後に所定時間とそれ以降でリップル幅を決定する波高値設定回路とヒステリシス設定回路を変える時のフラット発光制御についての実施形態について説明する。
【００１３】
図１は本発明を実現するための、閃光装置における全体のシステム構成を示す。
１は充電、発光等の各モジュールを制御する制御回路としてのＭＰＵである。５は発光の為の電気エネルギーを蓄積する為のメインコンデンサであり、このメインコンデンサ５に対しバッテリー２より充電を行う為の昇圧回路３がバッテリー１とメインコンデンサ５間に接続されている。又、充電を所定の電圧で終了させる為に、ＭＰＵ１は充電電圧をモニタするモニタ回路４の出力値が所定の値に達すると昇圧回路３のイネーブル信号をＯＦＦさせ、充電を終了させる。更に、８はメインコンデンサの電気エネルギを光りに変換する放電管であり、７は放電管を励起状態にさせるトリガー回路、９はＭＰＵの信号とフラット発光制御回路からの出力をもとに放電管の発光制御をおこなう発光制御回路であり、IGBT等の高電流制御が可能なトランジスタと、そのゲートに対するバッファ回路等で構成されている。また６はメインコンデンサと放電管の陽極間に接続されるコイルであり、３０はアノード側を陰極に、カソード側をメインコンデンサの陽極側に接続したダイオードである。
【００１４】
また、１１は光強度検出回路であり、放電管８が放つ光を光電変化しその光強度を電圧値として出力する回路である。又、１２は波高値設定回路であり、ＭＰＵから出力されるデジタル値を所定の電圧として出力するＤ／Ａコンバータ回路であり、この回路ではフラット発光時の波高値を決定する。また、１３はヒステリシス設定回路であり、ＭＰＵから出力されるデジタル値を所定の電圧として出力するＤ／Ａコンバータ回路であり、この回路ではフラット発光時のリップル幅、つまりヒステリシス幅を決定する。１０はフラット発光制御回路であり、波高値設定回路からの出力値とヒステリシス設定回路からの出力値の２つの値に対して、光強度検出回路からの出力値を比較し、それに基づいた信号を発光制御回路に出力する回路である。又、この制御のイネーブル信号としてＭＰＵ１に接続されている。
【００１５】
次に、フラット発光時の動作原理について、図１、図２（図1のフラット発光制御回路の構成を示す）、図３（動作説明図）を用いて説明を行う。
発光開始においては、ＭＰＵ１からの信号により、トリガー回路を駆動させ放電管を励起状態にさせると共にフラット発光制御回路のＯＲ回路１７、ラッチ回路１６に発光開始信号２４、ラッチＥＮ信号２５として、highレベル信号、を出力させ、フラット発光制御回路は、発光制御回路に対しhighレベル信号を出力することで、発光開始を行う。発光開始後、つぎに、光検出回路の出力値が波高値設定回路に設定された値２０を越えると、コンパレータ１４がhighレベル信号を出力し、ラッチ１６はリセットされLowレベル信号を出力する。この最初のラッチ回路のlowレベル信号により、発光開始信号２４はlowレベル信号を出力しつづける様にＭＰＵは発光開始信号２４の制御を行う。この結果、フラット発光制御回路は、発光制御回路９にlowレベル信号を出力し発光を停止させる。発光停止状態となると、コイル６に溜まったエネルギーが放電管→ダイオードの経路で放電されるので、発光強度は、発光制御回路が発光停止状態になってから少し遅れて下がり始める。そして、発光の強度が下がり光検出回路の出力値が、波高値２０を下回るとコンパレータ１４が動作しラッチ１６のリセットを解除する。更に、光強度が下がり光検出回路の出力値が、ヒステリシス設定回路で設定したヒステリシス値を下回るとコンパレータ１５が動作し、ラッチ１６をセットしＯＲ回路にhighレベル信号出力し、発光制御回路を動作させ、再び発光を開始する。発光開始状態となると、メインコンデンサのエネルギーがコイル→放電管→発光制御回路の経路で放電される為、発光強度は、発光制御回路が発光開始状態になってから少し遅れて立ち上がり始める。以上の様にして、フラット発光制御の動作が繰り返され、この動作は、ＭＰＵよりラッチ１６のＥＮ端子にlowレベル信号を出力するまで動作し続ける。
【００１６】
次に、発光開始中にフラット発光のリップル幅を変更を行う制御について述べる。
図５は、図４の従来回路において、フラット発光においては波高値を決める回路のみを設置した場合の例である。この様に波高値設定回路３０によるある１つの基準でのみ放電管に対しフラット発光の制御を行うと、光検出回路３１による光電流波形３６に示すように、発光開始初期段階において閃光放電管内の放電アークが管全体に広がらず、不安定領域３３の様に、発光周波数が高くなる結果、発光制御回路へ高周波的なドライブ信号を出力することになり、発光制御回路の素子を破壊させる等の問題が起こる。又、光電流波形３０が安定しない為、３８に示すように実際の実効的な光量が、不安定領域３３においては、フラットでなくなるという問題が生じる。
【００１７】
図６は、発光開始後所定時間の放電管の不安定領域のみ、波高値設定回路、ヒストリシス設定回路の値を安定領域の値と変化させて制御を行う本発明の実施形態である。この実施形態においては、発光開始後所定時間の不安定領域のみ、波高値２０、ヒステリシス値２１間の値を安定領域のそれよりも大きくなるように、且つ、そのセンター値を安定領域における実効的な光量レベルとするように、波高値２０、ヒステリシス値２１を図1の波高値設置回路12及びヒステリシス設定回路１３により設定しフラット発光制御を行う。この様な制御を行うことで、光検出回路１１における光電流波形４０に示すように、発光開始後の放電管の不安定領域においては低周波でありリップル幅が幾分増える光波形を発生させることになるが、発光周波数を上げ発光制御回路の素子破壊を招く事無く、また発光開始から終了まで、４１に示すように実効的な光量においてフラットな光波形を出力する事が可能となる。
【００１８】
図７は、発光開始後所定時間の放電管の不安定領域のみ、ヒステリシス設定回路の値のみを安定領域の値と変化させて制御を行う本発明の他の実施形態である。この実施形態においては、発光開始後所定時間の不安定領域のみ、ヒステリシス値２１の値を安定領域のそれよりも小さくなるように図1のヒステリシス設定回路13により設定し、フラット発光制御を行う。この様な制御を行うことで、光電流波形４０に示すように、発光開始後の放電管の不安定領域においては低周波となりリップル幅が幾分増える光波形を発生させることになりが、発光周波数を上げ発光制御回路の素子破壊を招く事が無くなる。また、４１に示すように発光開始後所定時間の不安定領域の実効的な光量レベルは安定領域に対して多少変わるが、前述の図６の実施形態の様に、発光途中で波高値、ヒステリシス値の２つのD/Aコンバータの出力値を変化させることなく、１つのD/Aコンバータの出力変化のみで行え、発光途中以降の安定領域のみの光を使用するシステムにおいては、必要充分な手段と言える。
【００１９】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、フラット発光を制御する時の波高値設定回路の他にヒステリシス設定回路を設け、その波高値とヒステリシス値の差をフラット発光が不安定になりやすい領域において、安定領域よりも大きくなるように設定する事で、フラット発光開始から発光が不安定になり易い領域においも、安定した発光を行う事が可能になり、発光開始から終了まで、実効的な光量がフラットな光波形を出力させる事が可能となる。また、発光周波数が安定領域以上にあがることなく、高い発光周波数により、発光制御回路の素子を破壊する懸念が無くなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明における全体のシステム構成。
【図２】本発明におけるフラット発光制御回路。
【図３】本発明におけるフラット発光制御時のタイミングチャート。
【図４】従来における全体のシステム構成。
【図５】従来におけるフラット発光時の光出力波形図。
【図６】本発明の実施形態におけるフラット発光時の光出力波形図。
【図７】本発明の他の実施形態におけるフラット発光時の光出力波形図。
【符号の説明】
１  MPU
８  放電管
９  発光制御回路
１０  フラット発光制御回路
１１  光強度検出回路
１２  波高値設置回路
１３  ヒステリシス設定回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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