(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下地表面上で第１の方向と前記第１の方向とは異なる第２の方向とで決まるアレイ状のドット状パターンが得られるように、前記下地層表面に複数の第１の液滴を配置する第１の工程と、
前記第１の液滴を前記下地表面に対して固定させる第２の工程と、
少なくとも前記第１の液滴の間の前記下地表面を第２の液滴に対して親液化する第３の工程と、
前記第３の工程の後で、前記第１の方向に並んだ前記第１の液滴の間に第２の液滴を配置して、前記ドット状パターンを前記第１の方向に繋げる第４の工程と、
前記第４の工程の後で、前記第２の方向に並んだ前記第１の液滴の間に第３の液滴を配置して、前記ドット状パターンを前記第２の方向に繋げる第５の工程と、
を包含した層形成方法。
【請求項２】
請求項１記載の層形成方法であって、
前記第２の液滴の１つあたりの体積と、前記第３の液滴の１つあたりの体積は、前記第１の液滴の１つあたりの体積より大きい、
層形成方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の層形成方法であって、
前記第５の工程の後で、前記第１の方向と前記第２の方向との合成方向に並んだ前記第１の液滴の間に第４の液滴を配置する第６の工程と、
を包含した層形成方法。
【請求項４】
請求項３記載の層形成方法であって、
前記第４の液滴の１つあたりの体積は、前記第１の液滴の１つあたりの体積より大きい、
層形成方法。
【請求項５】
請求項３または４に記載の層形成方法であって、
前記第６の工程の後で、前記第１の液滴と前記第２の液滴と前記第３の液滴と前記第４の液滴とを活性化または乾燥させる第７の工程、
をさらに包含した層形成方法。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか一つに記載の層形成方法であって、
前記第３の工程は、固定された前記第１の液滴の上に第５の液滴をそれぞれ配置する工程を含んでいる、
層形成方法。
【請求項７】
請求項６記載の層形成方法であって、
前記第５の液滴の１つあたりの体積は、前記第１の液滴の１つのあたりの体積と異なる、
層形成方法。
【請求項８】
請求項１から５のいずれか一つに記載の層形成方法であって、
前記第３の工程は、前記下地表面に紫外線を照射する工程、または前記表面をプラズマに曝す工程を含んでいる、
層形成方法。
【請求項９】
下地表面上で第１の方向と前記第１の方向とは異なる第２の方向とで決まるアレイ状のドット状パターンが得られるように、前記下地層表面に複数の第１の液滴を配置する第１の工程と、
前記第１の液滴を前記下地表面に対して固定させる第２の工程と、
少なくとも前記第１の液滴の間の前記下地表面を第２の液滴に対して親液化する第３の工程と、
前記第３の工程の後で、前記第１の方向に並んだ前記第１の液滴の間に第２の液滴を配置して、前記ドット状パターンを前記第１の方向に繋げる第４の工程と、
前記第４の工程の後で、前記第２の方向に並んだ前記第１の液滴の間に第３の液滴を配置して、前記ドット状パターンを前記第２の方向に繋げる第５の工程と、
を包含したアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項１０】
下地表面上で第１の方向と前記第１の方向とは異なる第２の方向とで決まるアレイ状のドット状パターンが得られるように、前記下地層表面に複数の第１の液滴を配置する第１の工程と、
前記第１の液滴を前記下地表面に対して固定させる第２の工程と、
少なくとも前記第１の液滴の間の前記下地表面を第２の液滴に対して親液化する第３の工程と、
前記第３の工程の後で、前記第１の方向に並んだ前記第１の液滴の間に第２の液滴を配置して、前記ドット状パターンを前記第１の方向に繋げる第４の工程と、
前記第４の工程の後で、前記第２の方向に並んだ前記第１の液滴の間に第３の液滴を配置して、前記ドット状パターンを前記第２の方向に繋げる第５の工程と、
を包含した多層配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液滴の配置工程を伴う層形成方法、アクティブマトリクス基板の製造方法、および多層配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液滴吐出装置を用いて線状パターンを形成することが知られている（特許文献１）。
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−３４８３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
インクジェットプロセスは、液滴吐出装置を用いて機能液と呼ばれる液状材料を物体表面に配置する工程を含んでいる。この液滴吐出装置は、通常、機能液を液滴として吐出するヘッドと、対象となる下地表面に対してそのヘッドを２次元的に相対移動させる機構と、を備えており、このような構成のおかげで下地表面の任意の位置に、機能液からなる液滴を配置できる。
【０００５】
このようなインクジェットプロセスを利用して、１つの液滴が濡れ拡がる面積よりも大きい面積を有する下地表面を機能液で隙間無く覆う場合には、その下地表面上で、濡れ拡がる範囲が互いに重なるように複数の液滴を配置する。そうすれば、その下地表面を隙間無く覆うパターンが得られる。ところが、その下地表面が機能液に対して撥液性を有している場合には、下地表面と液滴とが引き合う力よりも、互いに接する液滴同士が表面張力によって引き合う力の方が強いので、機能液が局所的に集中し得る。このような集中が生じると、下地表面が機能液で均一に覆われないし、最悪の場合には、下地表面の一部が機能液の欠如のために露出してしまう。
【０００６】
本発明は、このような課題を鑑みてなされ、その目的の一つは、下地表面に液滴を配置して良好なべた状パターンを設ける方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の層形成方法は、下地表面上で互いから孤立した２つのドット状パターンが得られるように、前記下地表面の２つの部位のそれぞれに、第１の液滴を配置する第１の工程と、前記２つのドット状パターンを前記下地表面に対して固定させる第２の工程と、少なくとも前記２つのドット状パターンの間の前記下地表面を第２の液滴に対して親液化する第３の工程と、前記第３の工程の後で、前記２つのドット状パターンの間の前記下地表面に、前記２つのドット状パターンを繋げる前記第２の液滴を配置する第４の工程と、を包含している。ここで、前記第３の工程は、固定された前記２つのドット状パターンのそれぞれ上に第３の液滴をそれぞれ配置する工程を含んでいてもよい。また、前記第３の工程は、前記下地表面に紫外線を照射する工程、または前記下地表面をプラズマに曝す工程を含んでいてもよい。
【０００８】
第２の工程によれば、２つのドット状パターンが下地表面に対して固定される。このため、第２の工程によって、下地表面上で２つのドット状パターンを動きにくくできる。
【０００９】
さらに第３の工程によれば、２つのドット状パターンを繋げる第２の液滴が配置される前に、２つのドット状パターンの間の下地表面が第２の液滴に対して親液化される。この第３の工程によって下地表面に対して第２の液滴を動きにくくできる。
【００１０】
以上のことから、第２の工程と第３の工程とによって、下地表面上で、第４の工程の際に２つのドット状パターンと第２の液滴とが互いに繋がっても、ドット状パターンも第２の液滴も下地表面に対して動きにくい。したがって、機能液の局所的な集合が生じにくくなり、そしてこの結果、下地表面上に得られる層に穴が生じる可能性が低下する。
【００１１】
本発明の他の態様では、上記層形成方法は、前記第４の工程の後で、繋げられた前記２つのドット状パターンを活性化または乾燥させる第５の工程をさらに包含している。
【００１２】
上記特徴によれば、液滴の配置によって生じるドット状パターンから最終的に得られる層に穴の生じる可能性が少ない。
【００１３】
なお、上記層形成方法において、前記第２の液滴の１つあたりの体積と、前記第３の液滴の１つあたりの体積と、の少なくとも１つは、前記第１の液滴の１つあたりの体積と異なっていてもよい。
【００１４】
本発明の層形成方法は、下地表面上で第１の方向と前記第１の方向とは異なる第２の方向とで決まるアレイ状に並んだ複数のドット状パターンが得られるように、前記下地表面の複数の部位のそれぞれに、第１の液滴を配置する第１の工程と、前記複数のドット状パターンを前記下地表面に対して固定させる第２の工程と、前記第２の工程の後で、前記第１の方向に並んだ前記複数のドット状パターンのそれぞれの間に第２の液滴をそれぞれ配置して、前記複数のドット状パターンを前記第１の方向に繋げる第３の工程と、前記第３の工程の後で、前記第２の方向に並んだ前記複数のドット状パターンのそれぞれの間に第３の液滴をそれぞれ配置して、前記複数のドット状パターンを前記第２の方向に繋げる第４の工程と、前記第４の工程の後で、前記第１の方向と前記第２の方向との合成方向に並んだ前記複数のドット状パターンのそれぞれの間に第４の液滴をそれぞれ配置する第５の工程と、を包含している。
【００１５】
上記特徴によれば、第１の液滴を配置して得られる複数のドット状パターンのそれぞれが、下地表面の複数の部位のそれぞれに対して固定される。この結果、たとえ下地表面が第１の液滴に対して撥液性を有していても、第２の液滴および第３の液滴が第１の液滴に重なる際に第１の液滴が移動しない。
【００１６】
好ましくは、上記層形成方法が、前記第２の工程と前記第３の工程との間で前記下地表面を親液化する第６の工程をさらに包含している。ここで、前記第６の工程は前記複数のドット状パターンのそれぞれ上に第５の液滴をそれぞれ配置する工程を含んでいてもよい。または、前記第６の工程は、前記下地表面に紫外線を照射する工程、または前記下地表面をプラズマに曝す工程を含んでいてもよい。
【００１７】
上記特徴によって得られる効果の一つは、既に形成された複数のドット状パターンに第２の液滴が重なっても、第２の液滴が複数のドット状パターン側に引き寄せられないことである。
【００１８】
本発明のさらに他の態様では、上記層形成方法が、前記第５の工程の後で前記複数のドット状パターンを活性化または乾燥させる第７の工程をさらに包含している。
【００１９】
上記特徴によれば、液滴の配置によって生じるドット状パターンから最終的に得られる層に穴の生じる可能性が少ない。
【００２０】
なお、上記層形成方法において、前記第２の液滴の１つあたりの体積と、前記第３の液滴の１つあたりの体積と、前記第４の液滴の１つあたりの体積と、前記第５の液滴の１つあたりの体積と、の少なくとも１つは、前記第１の液滴の１つのあたりの体積と異なっていてもよい。
【００２１】
本発明のアクティブマトリクス基板の製造方法は、下地表面上で互いから孤立した２つのドット状パターンが得られるように、前記下地表面の２つの部位のそれぞれに、第１の液滴を配置する第１の工程と、前記２つのドット状パターンを前記下地表面に対して固定させる第２の工程と、少なくとも前記２つのドット状パターンの間の前記下地表面を第２の液滴に対して親液化する第３の工程と、前記第３の工程の後で、前記２つのドット状パターンの間の前記下地表面に、前記２つのドット状パターンを繋げる前記第２の液滴を配置する第４の工程と、を包含している。
【００２２】
本発明の多層配線基板の製造方法は、下地表面上で互いから孤立した２つのドット状パターンが得られるように、前記下地表面の２つの部位のそれぞれに、第１の液滴を配置する第１の工程と、前記２つのドット状パターンを前記下地表面に対して固定させる第２の工程と、少なくとも前記２つのドット状パターンの間の前記下地表面を第２の液滴に対して親液化する第３の工程と、前記第３の工程の後で、前記２つのドット状パターンの間の前記下地表面に、前記２つのドット状パターンを繋げる前記第２の液滴を配置する第４の工程と、を包含している。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下で説明する層形成方法によれば、下地表面としての基板１０Ａの表面（図１）に液滴が配置されることで、最終的にべた状の導電層８（図１０）が設けられる。そして、層形成方法において液滴を配置する工程は、好適には液滴吐出装置によって実行される。ここで、液滴吐出装置の一例は、インクジェット装置である。
【００２４】
液滴吐出装置は、具体的には、液滴を吐出するヘッドと、液滴が配置されることになる基板１０Ａを載せるステージと、ヘッドおよびステージの少なくとも一方を他方に対して相対移動させることで基板１０Ａ上の任意の位置にヘッドを対面させる機構と、を備えている。そして、ヘッドから吐出される液滴の体積は、１．５ｐｌ以上４２ｐｌ（ピコリットル）以下の間で可変である。このような構成の液滴吐出装置において、ヘッドが基板１０Ａ上の所定位置に向けて液滴を吐出すると、その所定位置に液滴が配置される。
【００２５】
ただし、場合によっては、液滴吐出装置が利用されなくてもよい。具体的には、機能液が液滴の形態で下地表面に配置されるのであれば、本発明の層形成方法は実行され得る。例えば、液滴吐出装置の代わりにマイクロピペットで液滴を配置してもよい。そして、液滴の体積も、１．５ｐｌより小さくてもよいし、４２ｐｌより大きくてもよい。
【００２６】
以下では、本実施形態の層形成方法を具体的に説明する。
【００２７】
（１．ブロック）
図１に示すように、基板１０Ａの表面のうち、少なくとも導電層が形成される範囲に、仮想的な複数のブロック１を対応付ける。これら複数のブロック１は、Ｘ軸方向とＹ軸方向とで決まるアレイ状に並んでいる。ここでは、複数のブロック１のそれぞれのＸ軸方向に沿った長さは１１μｍであり、Ｙ軸方向に沿った長さは１５μｍである。また、Ｘ軸方向とＹ軸方向とは互いに直交する方向である。そして、基板１０Ａは、ポリイミドからなる基板であり、テープ状の形状を有している。本実施形態では、基板１０Ａの表面が本発明の下地表面の一例である。このような下地表面のうち、導電層が形成されるべき範囲を「層形成範囲」とも表記する。
【００２８】
複数のブロック１のそれぞれは、液滴が配置され得る領域、すなわち部位である。本実施形態では、ある１つのブロック１に液滴が配置される場合には、そのブロック１の中心と、配置される液滴の中心とがほぼ一致するように、液滴が配置される。また、複数のブロック１のＸ軸方向のピッチは、Ｘ軸方向に隣り合う２つの液滴の最小中心間距離に対応する。同様に、複数のブロック１のＹ軸方向のピッチは、Ｙ軸方向に隣り合う２つの液滴の最小中心間距離に対応する。なお、図１では、説明の便宜上、１４４個（１２×１２）のブロック１が描かれているが、実際のブロック１の数はこの数に限定されない。
【００２９】
さて、４ブロック×４ブロックで決まる１６個のブロック１の集合ごとに、ブロック群１Ｇが定義されている。そして、１つのブロック群１Ｇにおける１６個のブロック１のそれぞれを識別する目的で、それら１６個のブロック１のそれぞれは、文字「Ｃ」と２桁のサフィックスとからなる符号（例えばＣ１１）で表記されている。ここで、サフィックスの右側の数値はブロック群１ＧにおけるＹ軸方向に沿った位置を表しており、１から４までの整数である。一方、サフィックスの左側の数値はブロック群１ＧにおけるＸ軸方向の位置を表しており、１から４までの整数である。
【００３０】
そして、複数のＣ１１に着目すると、基板１０Ａの表面上では、複数のＣ１１が、Ｘ軸方向およびＹ軸方向で決まるアレイ状に並んでいる。具体的には、複数のＣ１１が、Ｘ軸方向にも、Ｙ軸方向にも、それらの合成方向Ｕにも、周期的に位置している。本実施形態では、Ｘ軸方向に隣り合う任意の２つのＣ１１の中心間の距離は、いずれも４４．０μｍである。また、Ｙ軸方向に隣り合う任意の２つのＣ１１の中心間の距離も、いずれも６０．０μｍである。さらに、Ｘ軸方向とＹ軸方向との合成方向Ｕに隣り合う任意の２つのＣ１１の中心間距離は、いずれも７４．４μｍである。なお、Ｘ軸方向とＹ軸方向との合成方向Ｕは、ブロック１の対角線の方向である。
【００３１】
（２．機能液）
ここで、導電層８を設ける工程は、機能液の液滴を配置する工程を含んでいる。「機能液」とは、液滴吐出装置のヘッドに設けられたノズルから液滴として吐出されうる粘度を有する液状材料をいう。「機能液」が水性であると油性であるとを問わない。ノズルから吐出可能な流動性（粘度）を備えていれば十分で、固体物質が混入していても全体として流動体であればよい。「機能液」の粘度は１ｍＰａ・ｓ以上５０ｍＰａ・ｓ以下であるのが好ましい。粘度が１ｍＰａ・ｓ以上である場合には、「機能液」の液滴を吐出する際にノズルの周辺部が「機能液」で汚染されにくい。一方、粘度が５０ｍＰａ・ｓ以下である場合は、ノズルにおける目詰まり頻度が小さく、このため円滑な液滴の吐出を実現できる。
【００３２】
本実施形態の機能液は、分散媒と、導電材料としての銀と、を含有する。ここで、機能液における銀は、銀粒子の形態をしており、その銀粒子の平均粒径は１０ｎｍ程度である。そして、機能液において、銀粒子はコーティング剤で被覆されていて、コーティング剤で被覆された銀粒子は、分散媒中に安定して分散されている。なお、平均粒径が１ｎｍ程度から数１００ｎｍまでの粒子は、「ナノ粒子」とも表記される。この表記によれば、機能液は銀のナノ粒子を含んでいる。
【００３３】
分散媒（または溶媒）としては、銀粒子などの導電性微粒子を分散できるもので凝集を起こさないものであれば特に限定されない。例えば、水の他に、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、ドデカン、テトラデカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、またエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサンなどのエーテル系化合物、さらにプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノンなどの極性化合物を例示できる。これらのうち、導電性微粒子の分散性と分散液の安定性、またインクジェットプロセスへの適用の容易さの点で、水、アルコール類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物が好ましく、より好ましい分散媒としては、水、炭化水素系化合物を挙げることができる。
【００３４】
また、上述のコーティング剤は、銀原子に配位可能な化合物である。コーティング剤としては、アミン、アルコール、チオールなどが知られている。より具体的には、コーティング剤として、２−メチルアミノエタノール、ジエタノールアミン、ジエチルメチルアミン、２−ジメチルアミノエタノール、メチルジエタノールアミンなどのアミン化合物、アルキルアミン類、エチレンジアミン、アルキルアルコール類、エチレングリコール、プロピレングリコール、アルキルチオール類、エタンジチオールなどがある。コーティング剤で被覆された銀のナノ粒子は、分散媒中でより安定して分散され得る。
【００３５】
（３．液滴の配置順序）
以下では、図２の右上のブロック１を基準にして９ブロック×９ブロックに対応する層形成範囲に、Ｘ軸方向にもＹ軸方向にも合成方向Ｕにも連続したべた状パターンを設ける。ここでの「べた状パターン」とは、後述する活性化工程を経て、導電層８になる層である。なお、配置された液滴は表面上で若干濡れ拡がるので、９ブロック×９ブロックに対応する層形成範囲の面積は、９ブロック×９ブロックの面積よりもやや大きい。
【００３６】
もちろん、他の実施形態では層形成範囲が、９ブロック×９ブロック以外に対応してもよい。例えば、層形成範囲が、１００ブロック×１００ブロックに対応する範囲であってもよいし、１ブロック×５ブロックに対応する範囲であってもよい。あるいは、層形成範囲は、１）Ｃ１１を含むロウまたはカラムが層形成範囲の最も外側に対応し、および／または、２）Ｃ１１が層形成範囲の隅に対応するように、設定される。なお、ここでの「ロウ」とは、Ｘ軸方向に一列に並んだブロック１の集合を意味し、「カラム」とは、Ｙ軸方向に一列に並んだブロック１の集合を意味する。
【００３７】
図２を参照しながら、層形成範囲に液滴を配置する工程を説明する。図２に示すように、複数のブロック群１Ｇ（図１）のいずれにおいても、液滴を配置させる順番は同じである。具体的には、複数のブロック群１Ｇのそれぞれにおいて、液滴を配置する順番は、Ｃ１１、Ｃ３１，Ｃ１３，Ｃ３３の順番である。
【００３８】
ただし、図２の左上に位置するブロック群１Ｇと、左中央に位置するブロック群１Ｇと、において、Ｃ１１，Ｃ１３は層形成範囲に対応するが、Ｃ３１，Ｃ３３は層形成範囲に対応しない。このため、これらのブロック群１Ｇでは、Ｃ３１，Ｃ３３への液滴の配置はスキップされる。同様に、図２の左下のブロック群１Ｇにおいて、Ｃ１１は層形成範囲に対応するが、Ｃ３１，Ｃ１３，Ｃ３３は層形成範囲に対応しない。このため、このブロック群１Ｇについては、Ｃ３１，Ｃ１３，Ｃ３３への液滴の配置がスキップされる。さらに、図２の中央下に位置するブロック群１Ｇと、右下に位置するブロック群１Ｇと、において、Ｃ１１，Ｃ３１は層形成範囲に対応するが、Ｃ１３，Ｃ３３は層形成範囲に対応しない。このため、これらのブロック群１Ｇについては、Ｃ１３，Ｃ３３への液滴の配置がスキップされる。
【００３９】
（３Ａ．基本ドットの配置工程）
まず、液滴の着弾径を３０μｍに設定する。着弾径とは、基板１０Ａに配置された液滴が基板１０Ａ上で濡れ拡がる範囲の直径とも言える。ここで、液滴吐出装置のノズルから吐出された直後の液滴の形状は、吐出方向に関してほぼ軸対称なので、基板１０Ａに着弾後の液滴の範囲の形状はほぼ円形になる。本明細書では、基板１０Ａ上に着弾した液滴または液滴の範囲を「ドット」とも表記する。
【００４０】
次に、図３に示すように、層形成範囲内の複数のＣ１１のそれぞれに、１つの液滴Ｄをそれぞれ配置する。つまり、複数のブロック群１Ｇのそれぞれにおいて、四隅に対応する４つのブロック１の１つに、液滴Ｄを配置する。この際に、Ｃ１１の中心に液滴Ｄの中心が位置するように、液滴Ｄを配置する。なお、１つのブロック群１Ｇに対応する範囲において、最初に配置された液滴Ｄを「基本ドット」とも表記する。
【００４１】
さて、上述のように、液滴Ｄの着弾径が３０μｍなので、Ｃ１１に液滴Ｄが配置されると、Ｃ１１の中心から１５μｍの範囲に液滴Ｄが拡がる。そしてこの結果、ドット状パターン４が得られる。ここで、Ｘ軸方向に互いに隣り合う２つのＣ１１の中心間の距離は４４μｍであり、そして、Ｙ軸方向に互いに隣り合う２つのＣ１１の中心間の距離は６０μｍである。さらに、Ｘ軸方向とＹ軸方向との合成方向Ｕに互いに隣り合う２つのＣ１１の中心間の距離は約７４．４μｍである。したがって、任意のＣ１１上のドット状パターン４はいずれも隣のＣ１１上のドット状パターン４に接しない。つまり、任意のＣ１１上のドット状パターン４はいずれも隣のＣ１１上のドット状パターン４から孤立している。
【００４２】
以上のような工程の結果、基板１０Ａの表面上で、複数のドット状パターン４がＸ軸方向とＹ軸方向とで決まるアレイ状にかつそれぞれ孤立して並ぶ。なお、複数のＣ１１と複数のドット状パターン４とは対応しているので、Ｃ１１の数とドット状パターン４の数とは同じである。なお、Ｃ１１を「基準領域」とも表記する。
【００４３】
（３Ｂ．基本ドットの固定工程）
次に、複数のＣ１１のそれぞれに配置されたそれぞれの液滴Ｄを固定する。つまり、複数のドット状パターン４を対応するＣ１１に固定する。具体的には、ドット状パターン４を構成する機能液から溶媒（または分散媒）が気化する程度にドット状パターン４を乾燥させる。本実施形態では、ドライヤーから熱風を複数のＣ１１のそれぞれ上のドット状パターン４に吹き付ける。通常、撥液性を有する表面上で機能液は移動し易い。しかしながら、本実施形態では、機能液からなるドット状パターン４を、このように乾燥させるのでドット状パターン４が流動性を失う。そしてこのため、ドット状パターン４がＣ１１に固定される。この結果、Ｃ１１上のドット状パターン４が、後にＣ３１，Ｃ１３、およびＣ３３に配置されるそれぞれの液滴Ｄに接しても、Ｃ３１，Ｃ１３、またはＣ３３へ引き寄せられる可能性が低くなる。そしてこのため、最終的に得られる導電層に穴が開く可能性が低くなる。
【００４４】
（３Ｃ．親液化）
次に、図示はしていないが、基板１０Ａの表面を親液化する。本実施形態では、固定されたドット状パターン４上に液滴Ｄを配置する。つまり、複数のＣ１１のそれぞれに再び１つの液滴Ｄをそれぞれ配置する。そうすると、後にＣ３１に配置される液滴Ｄに対して、Ｃ３１が親液性を呈するようになる。この結果、Ｃ３１に配置された液滴Ｄが、Ｃ１１に配置された液滴Ｄまたはドット状パターン４に接しても、Ｃ１１へ引き寄せられる可能性が低くなる。そしてこのため、最終的に得られる導電層に穴が開く可能性が低くなる。なお、Ｃ１１に再び液滴Ｄを配置することによって基板１０Ａの表面（Ｃ３１）が親液性を呈することのメカニズムは十分理解されていない。ただし、現時点で発明者らは、再び配置された液滴Ｄがもたらす溶媒雰囲気が基板１０Ａ、またはＣ３１での親液性の発現に寄与している、と推測している。
【００４５】
ここで、Ｃ１１に再び配置される液滴Ｄの体積は、Ｃ１１に最初に配置された液滴Ｄの体積よりも小さくてもよい。具体的には、Ｃ３１が親液性を発現するとともに、Ｃ１１上のドット状パターン４が隣のＣ１１のドット状パターン４から孤立し続ける程度の体積の液滴ＤをＣ１１に再び配置してもよい。もちろん、Ｃ１１に再び配置される液滴Ｄの体積は、Ｃ１１に最初に配置された液滴Ｄの体積以上であってもよい。
【００４６】
なお、機能液に対して基板１０Ａがある程度親液性を呈する場合には、上記の親液化の工程は、省略されてもよい。
【００４７】
（３Ｄ．第１の接続ドットの配置工程）
層形成範囲内のＣ１１のすべてに液滴Ｄを配置した後で、液滴吐出装置から吐出される液滴Ｄの着弾径を３２μｍに設定する。つまり、Ｃ１１に配置された液滴Ｄの体積よりも大きい体積の液滴Ｄを吐出するように、液滴吐出装置の駆動波形を変える。なお、液滴吐出装置の駆動波形を変える技術（いわゆるバリアブルドットを実現する技術）の詳細は、特開２００１−５８４３３号公報の図５〜図８において説明されているので、ここではその説明を省略する。
【００４８】
そして、図４に示すように、層形成範囲内の複数のＣ３１のそれぞれに、１つの液滴Ｄをそれぞれ配置する。この際に、Ｃ３１の中心に液滴Ｄの中心が位置するように、液滴Ｄを配置する。ここで、Ｃ３１は、Ｘ軸方向に隣り合う２つのＣ１１の中間にある。このため、Ｃ３１とＣ３１に最も近いＣ１１との間の距離は２２μｍである。そして、Ｃ１１上のドット状パターン４は、Ｃ１１の中心から１５μｍの範囲に拡がっている。一方、Ｃ３１上では、液滴ＤがＣ３１の中心から１６μｍの範囲に拡がるので、Ｃ３１に配置された液滴Ｄは、Ｃ１１上のドット状パターン４に接する。なお、本明細書では、Ｃ３１，Ｃ１３，Ｃ３３に配置される液滴Ｄを「接続ドット」とも表記する。
【００４９】
このようにこの工程では、Ｃ１１に対してＸ軸方向に位置するＣ３１に液滴Ｄを配置する。そしてこのことで、ドット状パターン４がＸ軸方向に延びる。さらに、この工程では、Ｘ軸方向に並んだ複数のドット状パターン４がＸ軸方向に繋がる。そして、層形成範囲内のＣ３１のすべてに液滴Ｄを配置し終えると、図５に示すように、Ｃ１１に配置された液滴Ｄと、Ｃ３１に配置された液滴Ｄとから構成される複数のライン状パターン５が現れる。これら複数のライン状パターン５のそれぞれは、Ｘ軸方向に延びているとともに、互いから孤立している。
【００５０】
（３Ｅ．第２の接続ドットの配置工程）
層形成範囲内のＣ３１のすべてに液滴Ｄを配置した後で、液滴吐出装置から吐出される液滴Ｄの着弾径を３２μｍに設定する。そして、図６に示すように、層形成範囲内の複数のＣ１３のそれぞれに、１つの液滴Ｄをそれぞれ配置する。この際に、Ｃ１３の中心に液滴Ｄの中心が位置するように、液滴Ｄを配置する。ここで、Ｃ１３は、Ｙ軸方向に隣り合う２つのＣ１１の中間にある。このため、Ｃ１３とＣ１３に最も近いＣ１１との間の距離は３０μｍである。そして、Ｃ１１に配置された液滴Ｄは、Ｃ１１の中心から１５μｍの範囲に拡がっている。一方、Ｃ１３上では、液滴ＤがＣ１３の中心から１６μｍの範囲に拡がるので、Ｃ１３に配置された液滴Ｄは、ライン状パターン５に接する。
【００５１】
このようにこの工程では、Ｃ１１に対してＹ軸方向に位置するＣ１３に液滴Ｄを配置する。そしてこのことで、複数のライン状パターン５のそれぞれがＹ軸方向に延びる。さらに、この工程では、これら複数のライン状パターン５がＹ軸方向に繋がる。そして、図７に示すように、層形成範囲内のＣ１３のすべてに液滴Ｄを配置し終えると、Ｃ１１に配置された液滴Ｄと、Ｃ３１に配置された液滴Ｄと、Ｃ１３に配置された液滴Ｄと、から構成される格子状パターン６が現れる。
【００５２】
（３Ｆ．第３の接続ドットの配置工程）
層形成範囲内のＣ１３のすべてに液滴Ｄを配置した後で、液滴吐出装置から吐出される液滴Ｄの着弾径を３２μｍに設定する。そして、図８に示すように、層形成範囲内の複数のＣ３３のそれぞれに、１つの液滴Ｄをそれぞれ配置する。この際に、Ｃ３３の中心に液滴Ｄの中心が位置するように、液滴Ｄを配置する。ここで、Ｃ３３は、Ｘ軸方向とＹ軸方向との合成方向Ｕに隣り合う２つのＣ１１の中間にある。そして、Ｃ３３に配置される液滴Ｄは、すでに配置された液滴Ｄから構成される格子状パターン６の穴を埋める。そしてこのため、Ｃ３３への液滴Ｄの配置によって、すでに配置された液滴Ｄから構成された格子状パターン６は、合成方向Ｕに延びる。
【００５３】
さらに、層形成範囲内のＣ３３のすべてに液滴Ｄを配置し終えると、図９に示すように、Ｃ１１に配置された液滴Ｄと、Ｃ３１に配置された液滴Ｄと、Ｃ１３に配置された液滴Ｄと、Ｃ３３に配置された液滴Ｄと、から構成されるべた状パターン７が現れる。本実施形態では、基板１０Ａの表面上の９ブロック×９ブロックに対応する層形成範囲は、隙間無くべた状パターン７に覆われる。なお、上述のように、液滴Ｄは表面上で拡がるので、べた状パターン７が覆う面積（層形成範囲の面積）は、９ブロック×９ブロックの面積よりも若干大きくなる。
【００５４】
このように、層形成範囲において、Ｃ１１，Ｃ３１，Ｃ１３，Ｃ３３に、この順番でそれぞれの液滴Ｄを配置する。そうすれば、たとえ基板１０Ａの表面が撥液性を有していても、これら４種類のブロック１に配置された液滴Ｄによって、Ｃ１１からＸ軸方向、Ｙ軸方向、および合成方向Ｕのそれぞれに連続したべた状パターン７が形成できる。つまり、穴のないべた状パターン７が形成される。
【００５５】
（３Ｇ．活性化工程）
次に、べた状パターン７を活性化する。本実施形態では、具体的には、べた状パターン７における銀粒子が焼結または融着するように、べた状パターン７を加熱する。そうすると、焼結または融着した銀粒子によってべた状パターン７において導電性が発現し、そしてこの結果、図１０に示すような、導電層８が得られる。
【００５６】
ここで、得られる導電層８の厚さの均一性が十分ではない場合には、活性化に先立って、図１１に示すように、それぞれのブロック群１Ｇにおいて、さらに１２個の液滴Ｄを配置してもよい。具体的には、Ｃ１１、Ｃ３１，Ｃ１３，Ｃ３３の４つのブロック１に加えて、Ｃ２１，Ｃ４１，Ｃ２３，Ｃ４３，Ｃ１２，Ｃ３２，Ｃ１４，Ｃ３４，Ｃ２２，Ｃ４２，Ｃ２４，Ｃ４４の１２ブロック１のそれぞれにこの順番で、液滴Ｄを配置してもよい。つまり、ブロック群１Ｇにおけるブロック１の全てに液滴Ｄを配置してもよい。そうすれば、より均一な厚さの導電層８が得られる。なお、追加で配置される１２個の液滴の体積は、先に配置された４つの液滴の体積よりも小さくてもよい。
【００５７】
このように、本実施形態によれば、まず、基板１０Ａ上に複数のドット状パターン４が配置される。その後、Ｘ軸方向に延びる複数のライン状パターン５が現れる。その次に、複数のライン状パターン５がＹ軸方向に繋がって、格子状パターン６が現れる。最後に、残ったスペースに液滴Ｄが配置されて、２次元的に連続なべた状パターン７が形成される。そして、べた状パターン７を活性化することで、穴のない導電層８が得られる。
【００５８】
さて、ブロック群１Ｇ内の液滴Ｄの配置順序が上述の順序である限り、複数のブロック群１Ｇ間の順番になんら制限はない。例えば、同じ種類のブロック１（例えばＣ１１）に液滴Ｄを配置する場合に、Ｘ軸方向に延びた１つの列を構成する複数のブロック群１Ｇがほぼ同時に処理されてよい。同様に、Ｙ軸方向に延びた１つの列を構成する複数のブロック群１Ｇがほぼ同時に処理されてもよい。また、同じ種類のブロック１に液滴Ｄを配置する場合に、１つのブロック群１Ｇずつが順番に処理されてもよい。
【００５９】
さらに、ブロック群１Ｇ間の順番に拘わらず、本実施形態の層形成方法によれば、目的とする導電層８を形成する過程で、Ｘ軸方向に延びるライン状パターン５が格子状パターン６よりも先に現れる。しかしながら、本発明はこのような形態に限定されない。具体的には、Ｙ軸方向に延びるライン状パターン５が格子状パターン６よりも先に現れるように、液滴Ｄを配置してもよい。具体的には、図１２に示すように、Ｃ１１，Ｃ１３，Ｃ３１，Ｃ３３の順番で、これら４つのブロック１のそれぞれに、それぞれの液滴Ｄを配置すればよい。さらに、図１３に示すように、これらＣ１１，Ｃ１３，Ｃ３１，Ｃ３３に加えて、Ｃ１２，Ｃ１４，Ｃ３２，Ｃ３４，Ｃ２１，Ｃ２３，Ｃ４１，Ｃ４３，Ｃ２２，Ｃ２４，Ｃ４２，Ｃ４４のそれぞれにこの順番で、液滴Ｄを配置してもよい。そうすれば、より均一な厚さの層を得る。
【００６０】
（４．アクティブマトリクス基板の製造方法）
本発明は、アクティブマトリクス基板を製造する際に適用できる。まず、本発明を適用したアクティブマトリクス基板の一例について、図を参照して説明する。本実施形態のアクティブマトリクス基板は、スイッチング素子としてＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子を備えている。
【００６１】
（４Ａ．アクティブマトリクス基板の例）
図１４は、本実施形態のアクティブマトリクス基板の一部を拡大した模式図である。図１５は、本実施形態のアクティブマトリクス基板の断面を示す模式図である。
【００６２】
アクティブマトリクス基板２０は、図１４に示すように、基板２１と、ゲート絶縁膜３１（図１５参照）と、活性層３２と、コンタクト層３３と、ゲート配線４０と、ゲート電極４１と、ソース配線４２と、ソース電極４３と、ドレイン電極４４と、を備えている。そして、ゲート絶縁膜３１と活性層３２とコンタクト層３３とゲート電極４１とソース電極４３とドレイン電極４４とを含む部分がＴＦＴ３０である。さらに、本実施形態では、アクティブマトリクス基板２０上に画素電極４５が位置している。
【００６３】
複数のゲート配線４０は、基板２１上でＸ軸方向に延びている。それぞれのゲート配線４０は、基板２１上のそれぞれのゲート電極４１に接続されている。一方、ゲート絶縁膜３１は、複数のゲート配線４０と、複数のゲート電極４１と、を覆っている。複数のソース電極４１は、ゲート絶縁膜３１上で、Ｙ軸方向に延びている。なお、Ｘ軸方向と、Ｙ軸方向と、は互いにほぼ垂直である。
【００６４】
半導体層はゲート絶縁膜３１上に位置している。ここで、半導体層のうち、半導体層と、１つのゲート電極４１と、が互いに重なる部分を、ＴＦＴ３０の活性層３２と表記する。以下では、１つのＴＦＴ３０に着目して説明を進める。
【００６５】
活性層３２上に、互いから所定距離を置いて離れている２つのコンタクト層３３が設けられている。一方のコンタクト層３３上には、ソース電極４３が位置しており、他方のコンタクト層３３上には、ドレイン電極４４が位置している。ソース電極４３は、対応するソース配線４２に電気的に接続されている。また、ドレイン電極４４は、対応する画素電極４５に、コンタクトホール６５（後述）を介して電気的に接続されている。
【００６６】
ゲート配線４２と、ゲート電極４３と、ドレイン電極４４と、２つのコンタクト層３３と、活性層３２とは、層間絶縁層によって覆われている。層間絶縁層の機能の一つは、ゲート配線４２、活性層３２などに起因した下地の凹凸を吸収して、ほぼ平坦な表面Ｓを提供することである。なお、後に説明するが、本実施形態の層間絶縁層は、複数のバンク６１と、複数の絶縁材料層６５とを含んでいる。
【００６７】
ドレイン電極４４上には、層間絶縁層を貫いてドレイン電極４４に達するコンタクトホール６６が位置している。また、層間絶縁層の表面Ｓ上には、画素電極４５が位置している。そして、ドレイン電極４４と、画素電極４５とは、コンタクトホール６６内に設けられた導電体によって接続されている。
【００６８】
（４Ｂ．アクティブマトリクス基板の製造方法の例）
続いて、本発明を適用したアクティブマトリクス基板の製造方法の一例について、図を参照して説明する。図１６は、本実施形態のアクティブマトリクス基板の製造方法を説明する図である。まず、基板２１を用意する。基板２１の材料は、ガラス、石英ガラス、Ｓｉウエハ、プラスチックフィルム、金属板など各種のものを用いることができる。また、基板２１は、これら各種の材料の表面に半導体膜、金属膜、誘電体膜、有機膜などが下地表面層として形成されたものであってもよい。
【００６９】
次に、図１６（ａ）に示すように、洗浄した基板２１の上面に、１画素ピッチの１／２０〜１／１０の開口部５２を設けるためのバンク５１を、例えばフォトリソグラフィ法を用いて形成する。本実施形態では、バンク５１は形成後に光透過性と撥液性を備えるので、その材料として、アクリル、ポリイミド、オレフィン、メラミンなどの高分子材料が好適に用いられる。バンク５１は形成後に表面の撥液性を向上させる処理を施すが、その代わりに、バンク５１の材料自体に予め撥液成分（フッ素基等）を充填しておいてもよい。この場合には、表面の撥液性を向上させる処理等を省略することができる。
【００７０】
次に、インクジェットプロセスにより、バンク５１で区画された開口部５２内を充填するように機能液の液滴を配置し、ゲート配線４０（図示しない）とゲート電極４１とを形成する。ここで、機能液が含有する導電性微粒子としては、例えば、金、銀、銅、錫、鉛等を含有する金属微粒子の他、これらの酸化物、並びに導電性ポリマーや超電導体の微粒子などを用いる。これらの導電性微粒子は、分散性を向上させるために表面に有機物などをコーティングして使うこともできる。
【００７１】
このとき、バンク５１には十分な撥液性が予め与えられているので、開口部５２からはみ出ることなく微細なゲート配線４０のパターンを形成することができる。そして、この後、予備乾燥、焼成工程を経ることにより、基板２１上にバンク５１とゲート配線４０とゲート電極４１とからなる平坦な上面を備えた層が形成される。なお、開口部５２内における良好な吐出結果を得るためには、図１６（ａ）に示すように、この開口部５２の形状として、吐出元に向かって開く向きのテーパ形状を採用するのが好ましい。これにより、吐出された機能液の液滴を十分に奥深くまで入り込ませることが可能となる。
【００７２】
次に、図１６（ｂ）に示すように、本発明の層形成方法を適用して、ゲート絶縁膜３１を形成する。ただし、前述の実施形態におけるべた状の導電層の代わりに、べた状の絶縁層を形成する。べた状の絶縁層を形成するには、導電材料の代わりに絶縁材料を含有する機能液を準備すればよい。ここで、このような機能液は、好適には、絶縁材料として光硬化性の絶縁樹脂と、この絶縁樹脂を溶解する有機溶媒と、を含有している。そして、機能液がこのような絶縁材料を含有する場合には、前述の固定工程と活性化工程とは、どちらも絶縁樹脂が硬化するように、機能液からなるドット状パターンまたはべた状パターンに光を照射する工程、またはこれらドット状パターンまたはべた状パターンを加熱する工程である。なお、ここでは、バンク５１と、ゲート配線４０と、ゲート電極４１と、の表面がゲート絶縁膜３１にとっての下地表面である。
【００７３】
次に、プラズマＣＶＤ法により、活性層３２とコンタクト層３３との連続成膜を行う。具体的には、活性層３２としてアモルファスシリコン膜を、コンタクト層３３としてｎ＋型シリコン膜を、原料ガスやプラズマ条件を変化させることにより形成する。ＣＶＤ法で形成する場合、３００℃〜３５０℃の熱履歴が必要になるが、無機系の材料をバンクに使用することで、透明性、耐熱性に関する問題を回避することができる。
【００７４】
次に、図１６（ｃ）に示すように、ゲート絶縁膜３１の上面に、１画素ピッチの１／２０〜１／１０でかつ開口部５２と交差する開口部６２を設けるためのバンク６１を、例えばフォトリソグラフィ法を用いて形成する。本実施形態では、バンク６１は、形成後に光透過性と撥液性を備えるので、その材料として、アクリル、ポリイミド、オレフィン、メラミンなどの高分子材料が好適に用いられる。バンク６１は形成後に表面の撥液性を向上させる処理を施すが、その代わりに、バンク６１の材料自体に予め撥液成分（フッ素基等）を充填しておいてもよい。この場合には、表面の撥液性を向上させる処理等を省略することができる。
【００７５】
次に、インクジェットプロセスにより、バンク６１で区画された開口部６２内の、ゲート絶縁膜３１と活性層３２とコンタクト層３３との露出面を覆うように機能液の液滴を配置し、図１６（ｄ）に示すように、ゲート配線４０に対して交差するソース配線４２（図示しない）とソース電極４３とドレイン電極４４とを形成する。このとき、機能液が含有する導電性材料としては、金、銀、銅、アルミニウム等を含有する金属微粒子の他、これらの酸化物、並びに導電性ポリマー等が好適に用いられる。ソース配線４２とソース電極４３とドレイン電極４４とは、バンク６１に十分な撥液性が予め与えられているので、開口部６２からはみ出ることなく微細な配線パターンを形成することができる。
【００７６】
次に、ソース配線４２とソース電極４３とドレイン電極４４とを配置した開口部６２を充填するように絶縁材料層６５を配置する。これにより、基板２１上に、バンク６１と絶縁材料層６５とからなる平坦な上面を備えた層が形成される。次に、図１５に示すように、絶縁材料層６５にコンタクトホール６６を形成する。以上により、アクティブマトリクス基板２０を製造することができる。
【００７７】
本実施形態では、さらに、バンク６１と絶縁材料層６５とコンタクトホール６６との上面に、本発明の層形成方法を適用して、画素電極４５を形成する。画素電極４５を形成する方法としては、前述の実施形態におけるべた状の導電層の形成方法を適用することができる。画素電極４５は透明電極であるため、その材料に含有される導電性微粒子として、例えばＩＴＯを用いる。画素電極４５は、コンタクトホール６６を介してドレイン電極４４に電気的に接続される。なお、ここでは、バンク６１と、絶縁材料層６５と、コンタクトホール６６と、の表面が画素電極４５にとっての下地表面である。
【００７８】
本実施形態では、ゲート絶縁膜３１がべた状の絶縁層の形成方法に基づいて形成され、画素電極４５がべた状の導電層の形成方法に基づいて形成されている。これにより、最終的に得られる絶縁層および導電層に穴の生じる可能性が少ない。なお、このアクティブマトリクス基板２０を用いて液晶表示装置を構成する場合、画素電極４５の上面に液晶の分子を一定方向に並べるための配向膜（図示しない）を形成するが、この配向膜を形成する際にも本発明の層形成方法を適用することができる。また、アクティブマトリクス基板２０を用いて液晶表示装置を構成する場合、アクティブマトリクス基板２０に保持容量線を設けてもよい。
【００７９】
（５．多層配線基板の製造方法）
本発明は多層配線基板を製造する際にも適用できる。まず、本発明を適用した多層配線基板の一例について、図を参照して説明する。本実施形態の多層配線基板は、基板の片面側に多層配線が形成されている。
【００８０】
（５Ａ．多層配線基板の例）
図１７は、本実施形態の多層配線基板の構造を示す模式図である。多層配線基板７０は、図１７に示すように、基板７１と、導電パターン７２と、導電ポスト７３と、サブ絶縁層８１，８２からなる絶縁層７４と、複数のダミーポスト７５と、絶縁層７６と、導電層７７と、を備えている。
【００８１】
（５Ｂ．多層配線基板の製造方法の例）
続いて、本発明を適用した多層配線基板の製造方法の一例について、図を参照して説明する。図１８および図１９は、本実施形態の多層配線基板の製造方法を説明する図である。
【００８２】
まず、図１８（ａ）に示すような基体７０Ａを準備する。基体７０Ａは、基板７１と、基板７１上に位置している導電パターン７２と、を備えている。ここで、基板７１は、ポリイミドからなるフレキシブル基板である。基板７１はテープ状の形状を有しており、そしてこのため、基板７１はテープ基板とも呼ばれる。なお、本実施形態において、「基体７０Ａ」とは、基板７１と、基板７１上に設けられた１つ以上のパターンまたは層と、をまとめた総称である。
【００８３】
次に、図１８（ｂ）に示すように、導電パターン７２上の一部に、インクジェットプロセスによって、導電ポスト７３を設ける。導電ポスト７３は、後述する導電層７７に対して密着性のよい導電材料を含有するように構成される。本実施形態では、導電層７７が銀からなるので、導電ポスト７３も銀を含有するように構成される。そして、このことで、導電ポスト７３と、導電層７７とは、密着できる。
【００８４】
導電ポスト７３を形成した後に、図１８（ｃ）および（ｄ）に示すように、絶縁層７４を形成する。絶縁層７４は、導電ポスト７３の側面の下部を囲むとともに導電パターン７２を覆うことになる。ここで、絶縁層７４は、以下で説明するように、本発明の層形成方法を適用して形成され、互いに積層された２つのサブ絶縁層８１，８２からなる。
【００８５】
まず、基板７１の表面上の部分のうち、導電パターン７２がない部分にサブ絶縁層８１を形成する（図１８（ｃ））。サブ絶縁層８１を形成する方法としては、べた状の絶縁層の形成方法を適用することができる。ここで、サブ絶縁層８１の厚さは導電パターン７２の厚さにほぼ一致するように設定されている。そしてこのため、サブ絶縁層８１が形成された後では、サブ絶縁層８１の表面と、導電パターン７２の表面とは、ほぼ同じレベルに位置することになる。また、本実施形態のサブ絶縁層８１は、アクリル樹脂を含有する。なお、ここでは、基板７１の表面がサブ絶縁層８１にとっての下地表面である。
【００８６】
次に、導電パターン７２とサブ絶縁層８１との面上に、サブ絶縁層８２を形成する（図１８（ｄ））。サブ絶縁層８２を形成する方法としては、べた状の絶縁層の形成方法を適用することができる。ここで、サブ絶縁層８２は、下地の導電パターン７２とサブ絶縁層８１とを覆うとともに、導電ポスト７３の側面の下部を囲むように形成される。また、サブ絶縁層８２は、アクリル樹脂を含有する。なお、ここでは、導電パターン７２とサブ絶縁層８１との表面がサブ絶縁層８２にとっての下地表面である。
【００８７】
次に、図１９（ａ）に示すように、絶縁層７４上にインクジェットプロセスによって、複数のダミーポスト７５を形成する。ここで、複数のダミーポスト７５のそれぞれの上部と、導電ポスト７３の上部とが、ほぼ同じレベルに位置するように、複数のダミーポスト７５が形成される。複数のダミーポスト７５のそれぞれは、後述する導電層７７に対して密着性のよい導電材料を含有するように構成される。本実施形態では、導電層７７が銀からなるので、複数のダミーポスト７５のそれぞれも銀を含有するように構成される。そして、このことで、複数のダミーポスト７５のそれぞれと、導電層７７とは、密着できる。
【００８８】
次に、図１９（ｂ）に示すように、絶縁層７４上に、複数のダミーポスト７５のそれぞれの側面を囲むとともに、絶縁層７４上に突出している導電ポスト７３の側面を囲む絶縁層７６を形成する。ここで、絶縁層７６の厚さは、絶縁層７６から複数のダミーポスト７５のそれぞれの上部と、導電ポスト７３の上部と、が露出するように、設定されている。絶縁層７６を形成する方法としては、べた状の絶縁層の形成方法を適用することができる。なお、ここでは、絶縁層７４の表面、すなわちサブ絶縁層８２の表面が絶縁層７６にとっての下地表面である。
【００８９】
このように絶縁層７６を設ければ、複数のダミーポスト７５にＺ軸方向の外力を加えることで複数のダミーポスト７５を絶縁層７６から抜き取ろうとしても、複数のダミーポスト７５は絶縁層７６を抜け出ることがない。つまり、複数のダミーポスト７５のそれぞれは、絶縁層７６に対して固定される。
【００９０】
さらに、絶縁層７６は、絶縁層７４に対して密着性のよい絶縁材料を含有するように構成される。本実施形態では、絶縁層７４がアクリル樹脂を含有するように構成されているので、絶縁層７６も同様に、アクリル樹脂を含有するように構成されている。そして、このことから、絶縁層７６と絶縁層７４とは、互いに密着する。つまり、絶縁層７６は絶縁層７４に対して固定される。
【００９１】
次に、図１９（ｃ）に示すように、絶縁層７６上に、本発明の層形成方法を適用して、複数のダミーポスト７５のそれぞれの上部に接続されるとともに、導電ポスト７３の上部に接続される導電層７７を形成する。導電層７７を形成する方法としては、べた状の導電層の形成方法を適用することができる。ここでは、絶縁層７６と複数のダミーポスト７５との表面が導電層７７にとっての下地表面である。
【００９２】
本実施形態では、このような工程によって、基体７０Ａから多層配線基板７０が得られる。ここで、導電層７７は、銀を含有する。上述のように、複数のダミーポスト７５のそれぞれも銀を含有するので、導電層７７と、ダミーポスト７５のそれぞれとは、互いに密着する。つまり、導電層７７は、複数のダミーポスト７５に対して固定される。
【００９３】
上述のように、複数のダミーポスト７５のそれぞれは絶縁層７６に対して固定されているので、このため、導電層７７も絶縁層７６に対して固定される。しかも、絶縁層７６は絶縁層７４に対して固定されているので、結果として、導電層７７は、より下地の絶縁層７４に対しても固定される。
【００９４】
本実施形態では、サブ絶縁層８１，８２からなる絶縁層７４と絶縁層７６とがべた状の絶縁層の形成方法に基づいて形成され、導電層７７がべた状の導電層の形成方法に基づいて形成されている。これにより、最終的に得られる絶縁層および導電層に穴の生じる可能性が少ない。
【００９５】
なお、本実施形態では、多層配線基板７０は、その最下層を構成する基板７１から最表層を構成する導電層７７まで、Ｚ軸方向に積層された５つの層からなる。しかしながら、実際には、基板７１と、絶縁層７４との間に、さらに多くの層が存在してもよい。また、多層配線基板７０において、複数の絶縁層または絶縁パターンの間に、抵抗器、キャパシタ、ＬＳＩベアチップ、またはＬＳＩパッケージなどの電子部品が埋め込まれていてもよい。また、ポリイミドからなる基板７１に代えて、セラミック基板、ガラス基板、エポキシ基板、ガラスエポキシ基板、またはシリコン基板などが利用されても、上記実施形態で説明した効果と同様の効果が得られる。
【００９６】
（変形例１）
上記実施形態では、Ｃ１１上のドット状パターン４を乾燥した後で、Ｃ１１に再度液滴Ｄを配置することで、Ｃ３１の表面を親液化した。しかしながら、本発明はこのような形態に限定されない。具体的には、Ｃ１１上の液滴Ｄを乾燥した後で、基板１０Ａの表面を酸素プラズマに曝すことで、Ｃ３１を親液化してもよいし、基板１０Ａの表面に紫外域の波長を照射することで、Ｃ３１を親液化してもよい。
【００９７】
（変形例２）
上記実施形態では、べた状の導電層を形成するための機能液には、銀のナノ粒子が含まれている。しかしながら、銀のナノ粒子に代えて、他の金属のナノ粒子が用いられてもよい。ここで、他の金属として、例えば、金、白金、銅、パラジウム、ロジウム、オスミウム、ルテニウム、イリジウム、鉄、錫、亜鉛、コバルト、ニッケル、クロム、チタン、タンタル、タングステン、インジウムのいずれか１つが利用されてもよいし、または、いずれか２つ以上が組み合わせられた合金が利用されてもよい。ただし、銀であれば比較的低温で還元できるため、扱いが容易であり、この点で、液滴吐出装置を利用する場合には、銀のナノ粒子を含有する機能液を利用することは好ましい。
【００９８】
また、機能液が、金属のナノ粒子に代えて、有機金属化合物を含んでいてもよい。ここでいう有機金属化合物は、加熱による分解によって金属が析出するような化合物である。このような有機金属化合物には、クロロトリエチルホスフィン金（Ｉ）、クロロトリメチルホスフィン金（Ｉ）、クロロトリフェニルフォスフィン金（Ｉ）、銀（Ｉ）２，４−ペンタンヂオナト錯体、トリメチルホスフィン（ヘキサフルオロアセチルアセトナート）銀（Ｉ）錯体、銅（Ｉ）ヘキサフルオロペンタンジオナトシクロオクタジエン錯体、などがある。
【００９９】
このように、機能液に含まれる金属の形態は、ナノ粒子に代表される粒子の形態でもよいし、有機金属化合物のような化合物の形態でもよい。
【０１００】
さらに、機能液は、金属に代えて、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリフェニレンビニレン、ポリ（３，４エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ）などの導電性高分子の可溶性材料を含んでいてもよい。
【０１０１】
（変形例３）
上記実施形態によれば、ポリイミドからなる基板１０Ａ上に液滴が配置される。しかしながら、このような基板１０Ａに代えて、セラミック基板、ガラス基板、エポキシ基板、ガラスエポキシ基板、またはシリコン基板などが利用されても、上記実施形態で説明した効果と同様の効果が得られる。また、液滴が配置される下地表面は、基板の表面に限定されない。ほぼ平坦な絶縁層の表面またはほぼ平坦な導電層の表面でもよい。
【０１０２】
（変形例４）
上記実施形態におけるブロック１の大きさ、ブロック群１Ｇに含まれるブロック１の数、および液滴Ｄの着弾径は、本実施形態の値に限定されない。具体的には、任意のＣ１１上のドット状パターン４がいずれも隣のＣ１１上のドット状パターン４から孤立するように、ブロック１の大きさ、ブロック群１Ｇに含まれるブロック１の数、および液滴Ｄの着弾径の少なくとも一つを設定すればよい。
【０１０３】
（変形例５）
上記実施形態によれば、Ｃ３１に配置される液滴Ｄの着弾径と、Ｃ１３に配置される液滴Ｄの着弾径と、Ｃ３３に配置される液滴の着弾径とは、何れも同じである。ただし、このような構成に代えて、より均一な厚さの導電層８が得られるように、これらの着弾径を異ならせてもよい。なお、液滴Ｄの着弾径を異ならせる際には、吐出される液滴Ｄの体積を変えればよい。
【０１０４】
（変形例６）
Ｃ１１，Ｃ３１，Ｃ１３，Ｃ３３への液滴Ｄの配置に先立って、下地表面の撥液性の程度が上昇するように、基板１０Ａの表面に表面改質処理を施してもよい。そうすれば、べた状パターン７の縁の形状がよりシャープになる。なお、表面の撥液性を向上させる処理として、基板１０Ａの表面にフルオロアルキルシラン（ＦＡＳ）膜を形成することが知られている。また、フッ素を含有する処理ガスを用いた大気圧プラズマ法にしたがって処理ガスに表面を曝しても、表面の撥液性を向上させることができる。
【０１０５】
（変形例７）
本実施形態では、べた状パターン７を活性化させ、目的とする導電層８を得る。ただし他の実施形態では、べた状パターン７を構成する材料に応じて、べた状パターン７を活性化する代わりに、べた状パターン７を乾燥させてもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１０６】
【図１】基板の表面に対応付けられたブロックを示す模式図。
【図２】ブロックに液滴を配置する順番を示す図。
【図３】Ｃ１１に液滴を配置する工程を示す図。
【図４】Ｃ３１に液滴を配置する工程を示す図。
【図５】Ｃ３１に液滴が配置された後に得られるライン状パターンを示す模式図。
【図６】Ｃ１３に液滴を配置する工程を示す図。
【図７】Ｃ１３に液滴が配置された後に得られる格子状パターンを示す模式図。
【図８】Ｃ３３に液滴を配置する工程を示す図。
【図９】Ｃ３３に液滴が配置された後に得られるべた状パターンを示す模式図。
【図１０】図９のべた状パターンを活性化して得られる導電層を示す模式図。
【図１１】ブロックに液滴を配置する他の順番を示す図。
【図１２】ブロックに液滴を配置するさらに他の順番を示す図。
【図１３】ブロックに液滴を配置するさらに他の順番を示す図。
【図１４】本実施形態のアクティブマトリクス基板の一部を拡大した模式図。
【図１５】本実施形態のアクティブマトリクス基板の断面を示す模式図。
【図１６】本実施形態のアクティブマトリクス基板の製造方法を説明する図。
【図１７】本実施形態の多層配線基板の構造を示す模式図。
【図１８】本実施形態の多層配線基板の製造方法を説明する図。
【図１９】本実施形態の多層配線基板の製造方法を説明する図。
【符号の説明】
【０１０７】
Ｄ…液滴、１…ブロック、４…ドット状パターン、５…ライン状パターン、６…格子状パターン、７…べた状パターン、８…導電層、１０Ａ…基板、２０…アクティブマトリクス基板、２１…基板、３０…ＴＦＴ、３１…ゲート絶縁膜、３２…活性層、３３…コンタクト層、４０…ゲート配線、４１…ゲート電極、４２…ソース配線、４３…ソース電極、４４…ドレイン電極、４５…画素電極、５１…バンク、５２…開口部、６１…バンク、６２…開口部、６５…絶縁材料層、６６…コンタクトホール、７０…多層配線基板、７０Ａ…基体、７１…基板、７２…導電パターン、７３…導電ポスト、７４…絶縁層、７５…ダミーポスト、７６…絶縁層、７７…導電層、８１…サブ絶縁層、８２…サブ絶縁層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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