(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
入射する光信号の強度に応じて電流を生ずるフォトダイオードを有し、 前記フォトダイオードと直列に接続され、かつ１つの接続点において前記フォトダイオードに接続された可変インピーダンス回路を有し、該可変インピーダンス回路のインピーダンスはそれを流れる電流に依存し、トランスインピーダンス増幅器とフィードバック回路とを有し、かつ入力と出力のあるトランスインピーダンス増幅器回路を有し、該トランスインピーダンス増幅器回路の前記入力は前記接続点に接続され、かつ前記トランスインピーダンス増幅器回路の前記出力は検出回路の出力を形成し、前記可変インピーダンス回路と前記フォトダイオードとの直列接続体が交流および直流において低いインピーダンスを有する接続体によって１対の電圧供給レールの間に接続され、ここで前記トランスインピーダンス増幅器回路の入力インピーダンスがカット・オフ電流において前記可変インピーダンス回路のインピーダンスに整合し、カットオフ電流以下の電流では前記可変インピーダンス回路のインピーダンスよりも低く、かつ前記トランスインピーダンス増幅器回路の入力インピーダンスが過負荷電流において前記可変インピーダンス回路のインピーダンスに比べて高い、検出回路。
【請求項２】
請求項１記載の検出回路において、前記トランスインピーダンス増幅器回路のフォードバック回路が抵抗器を有する検出回路。
【請求項３】
請求項１記載の検出回路において、前記トランスインピーダンス増幅器回路の入力と前記接続点との間に接続されたコンデンサをさらに有する検出回路。
【請求項４】
請求項１記載の検出回路において、前記可変インピーダンス回路が過負荷保護ダイオードを有する検出回路。
【請求項５】
請求項４記載の検出回路において、前記過負荷保護ダイオードがベースとコレクタとが共通接続されたバイポーラ・トランジスタを有する検出回路。
【請求項６】
請求項４記載の検出回路において、前記過負荷保護ダイオードが１つの電圧供給レールに直接に接続される検出回路。
【請求項７】
入射する光信号の強度に応じて電流を生ずるフォトダイオードを有し、該フォトダイオードは第１接続点と第２接続点との間に接続され、 交流および直流において低いインピーダンスを有する接続体によって前記第１接続点と第１電圧供給レールとの間に接続された第１可変インピーダンス回路と、 交流および直流において低いインピーダンスを有する接続体によって前記第２接続点と第２電圧供給レールとの間に接続された第２可変インピーダンス回路を有し、 各々が入力と出力のある第１トランスインピーダンス増幅器回路および第２トランスインピーダンス増幅器回路を設けた差動トランスインピーダンス増幅器回路を有し、前記第１トランスインピーダンス増幅器回路の入力が第１コンデンサを通して前記第１接続点に接続され、かつ前記第２トランスインピーダンス増幅器回路の入力が第２コンデンサを通して前記第２接続点に接続され、かつ前記第１および第２トランスインピーダンス増幅器回路の出力が差動増幅器に対する入力を形成することによって検出回路の出力を設け、ここで前記トランスインピーダンス増幅器回路の入力インピーダンスがカット・オフ電流において前記可変インピーダンス回路のインピーダンスに整合し、カットオフ電流以下の電流では前記可変インピーダンス回路のインピーダンスよりも低く、かつ前記トランスインピーダンス増幅器回路の入力インピーダンスが過負荷電流において前記可変インピーダンス回路のインピーダンスに比べて高い、検出回路。
【請求項８】
請求項７記載の検出回路において、前記トランスインピーダンス増幅器回路の各々が抵抗器を備えたフィードバック回路を有する検出回路。
【請求項９】
請求項７記載の検出回路において、前記可変インピーダンス回路の各々が過負荷保護ダイオードを有する検出回路。
【請求項１０】
請求項９記載の検出回路において、前記過負荷保護ダイオードの各々がそれぞれのベースとコレクタとで共通接続されたバイポーラ・トランジスタを有する検出回路。
【請求項１１】
請求項９記載の検出回路において、前記過負荷保護ダイオードの各々がそれぞれの電圧供給レールに直接に接続された検出回路。
【請求項１２】
入射する光信号の強度に応じて電流を生じ、かつ第１接続点と第２接続点との間に接続されたフォトダイオードを有し、 交流および直流において低いインピーダンスを有する接続体によって前記第１接続点と第１電圧供給レールとの間に接続された第１可変インピーダンス回路を有し、該第１可変インピーダンス回路のインピーダンスはそれを流れる電流に依存し、 交流および直流において低いインピーダンスを有する接続体によって前記第２接続点と第２電圧供給レールとの間に接続された第２可変インピーダンス回路を有し、該第２可変インピーダンス回路のインピーダンスはそれを流れる電流に依存し、 各々が入力と出力のある第１トランスインピーダンス増幅器回路および第２トランスインピーダンス増幅器回路を設けた差動トランスインピーダンス増幅器回路を有し、前記第１トランスインピーダンス増幅器回路の入力が第１コンデンサを通して前記第１接続点に接続され、かつ前記第２トランスインピーダンス増幅器回路の入力が第２コンデンサを通して前記第２接続点に接続され、かつ前記第１および第２トランスインピーダンス増幅器回路の出力が差動増幅器に対する入力を形成することによって検出回路の出力を設け、 前記トランスインピーダンス増幅器回路の入力インピーダンスがカットオフ電流において前記可変インピーダンス回路のインピーダンスに整合し、カットオフ電流以下の電流では前記可変インピーダンス回路のインピーダンスよりも低く、かつ前記トランスインピーダンス増幅器回路の入力インピーダンスが過負荷電流において前記可変インピーダンス回路のインピーダンスに比べて高い、検出回路。
【請求項１３】
請求項１２記載の検出回路において、前記トランスインピーダンス増幅器回路の各々が抵抗器を備えたフィードバック回路を有する検出回路。
【請求項１４】
請求項１２記載の検出回路において、前記可変インピーダンス回路の各々が過負荷保護ダイオードを有する検出回路。
【請求項１５】
請求項１４記載の検出回路において、前記過負荷保護ダイオードの各々がそれぞれのベースとコレクタとで共通接続されたバイポーラ・トランジスタを有する検出回路。
【請求項１６】
請求項１４記載の検出回路において、前記過負荷保護ダイオードの各々がそれぞれの電圧供給レールに直接に接続された検出回路。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
（発明の技術分野）
本発明は検出回路に関する。さらに詳細に言えば、本発明は入射光信号の光強度に応じて電圧信号を発生する回路に関する。
【０００２】
（発明の背景）
フォトダイオード検出器を有しそして入射光の強度に比例する電流を発生する検出回路は、よく知られている。この回路はさらに、この電流を出力電圧に変換するトランスインピーダンス増幅器回路を有する。例えば、米国特許第 5,030,925号はこの形式の検出回路を開示している。
【０００３】
この形式の検出回路の場合に認識されている１つの問題点は、入力光信号の強度およびこの入力光信号の強度に比例するフォトダイオード電流が、非常に広いダイナミック・レンジにわたって変わることである。例えば、大きさが数桁にわたって変化する入力信号を取り扱うことが必要である。増幅器の入力におけるインピーダンスの設計値に特別の配慮をしなければ、増幅器に対する入力のダイナミック・レンジが大きいことが原因となって、低い信号レベルにおいて有用である程に十分に大きい出力信号を生ずるために種々の問題点が生じ、一方、回路が飽和または制限を起こさないで取り扱うことができる大きな入力信号レベルに対して出力信号を生ずるためになお種々の問題点が生ずる。
【０００４】
米国特許第 5,708,392号は、限定用トランスインピーダンス増幅器（ＴＩＡ、transimpedance amplifier）を開示している。この増幅器回路は、抵抗器の両端に接続されたダイオードを備えたフィードバック抵抗器を有している。したがって、高い信号レベルでは、ダイオードに入力電流が流れ、そして増幅器の出力段階の飽和を引き起こすレベルより低いレベルに、出力電圧を制限する。それらの入力／出力の両端にダイオードを用いているＴＩＡ増幅器は、それらの出力段階において、過負荷電流を取り扱わなければならない。このことは、さらに大きな容量を有する大型のトランジスタを必要とする。したがって、これらの設計はさらに複雑になり、そして集積回路の中に組込む時にはシリコンのさらに大きな面積領域が必要になる。
【０００５】
さらに、欧州特許出願第Ａ−0745868 号は、フォトダイオード検出器およびトランスインピーダンス増幅器を有する検出回路を開示している。初期の検出段階の間に過剰な入力電流を取り扱うことができるために、光ダイオードはまた別のダイオードを通してアースに接続され、またＲＣ回路網を通して正電圧源に接続される。
【０００６】
（発明の要約）
本発明は検出回路に関する。この検出回路は、好ましい実施例では、大きな過負荷電流を取り扱うことができる。さらに詳細に言えば、本発明は持続する大きな過負荷電流を取り扱うことができる検出回路に関する。
【０００７】
本発明の検出回路は、利点として、過負荷保護ダイオードを有し、検出用フォトダイオードと直列に接続され、かつ低い交流インピーダンスによる電源電圧に接続され、平坦周波数応答接続体のものである。この過負荷保護ダイオードと検出用フォトダイオードとの間の接続点がトランスインピーダンス増幅器に接続され、そしてこのトランスインピーダンス増幅器の入力インピーダンスは、カットオフ信号電流において、過負荷保護ダイオードのインピーダンスと整合するように調整されることが好ましい。カットオフ電流よりも低い信号電流に対しては、電流の大部分がトランスインピーダンス増幅器に送られ、一方、カットオフ電流よりも高い信号電流に対しては、電流の大部分が過負荷保護ダイオードを通ってトランスインピーダンス増幅器をそれて流れる。
【０００８】
この検出回路は、増幅器の設計を簡単にすることができるという利点を有している。
【０００９】
（好ましい実施例の詳細な説明）
図１は、検出回路２を示した図である。入射光信号を検出するために、検出用フォトダイオード４が配置される。この入射光信号は、例えば、光ファイバから出力される光に含まれる信号であってもよい。典型的な場合には、光ファイバは論理値「１」および「０」で構成されるディジタル信号を伝送することができる。論理値「１」の光強度は、論理値「０」の光強度の10倍であってもよい。けれども、光の強度レベルは非常に広い範囲にわたって変わり得る。検出回路は、広い範囲で変化するパワーを有する送信器に接続された光ファイバからの信号を受け取ることができる。さらに、検出回路は長い光ファイバと一緒に用いることができ、または短い光ファイバと一緒に用いることもできる。したがって、このことは光信号の減衰の程度が変化することに対応する。よって、これらの２つの事柄を考慮するならば、論理値「０」の光強度は数桁の範囲で変わり得る。
【００１０】
検出用フォトダイオード４は、この例示された実施例では正電圧源Ｖccに逆バイアスの方向に直接に接続されているが、しかし原理的には、直流および交流で低いインピーダンスを有し、かつ全体的に平坦な周波数特性を有する任意の接続体によって電源に接続することができる。
【００１１】
検出用フォトダイオードの作用は、入射光強度に正比例する信号電流Ｉs を生ずることである。
【００１２】
検出用フォトダイオード４の陽極は、トランスインピーダンス増幅器回路６に接続される。トランスインピーダンス増幅器回路６は、トランスインピーダンス増幅器８およびフィードバック抵抗器１０を有する。トランスインピーダンス増幅器回路６を構成する回路の形式それ自体は、よく知られている。増幅器８は利得Ａ１を有し、そして抵抗器１０は抵抗値Ｒt を有する。トランスインピーダンス増幅器回路６の出力は、出力端子１２において検出回路出力を形成する。
【００１３】
この増幅器の利得は入力信号のレベルによって変わることはほとんどないが、一方において前記で説明したように、信号電流Ｉs は極めて広い範囲で変わり得る。例えば、信号電流は数ナノアンペアという低い値から数ミリアンペアという高い値まで変化できる。したがって、増幅器が受け入れ可能な広いダイナミック・レンジを有するべきであるならば、検出回路２は高い入力信号レベルにおいて過負荷電流を処理できることが必要である。
【００１４】
本発明に従い、過負荷電流は過負荷保護ダイオードによって処理される。本発明のこの例示された実施例では、過負荷保護ダイオードはＮＰＮトランジスタ１４の形式を有する。ＮＰＮトランジスタ１４のコレクタ端子とベース端子とは共通に接続され、そしてフォトダイオード４の陽極に接続される。ＮＰＮトランジスタ１４のエミッタ端子はアースに接続される。
【００１５】
トランジスタ１４のコレクタ・エミッタ導電路の抵抗値Ｒe は、それを流れる電流Ｉc の逆関数である。したがって、電流が低い場合にはトランジスタ１４は高い抵抗値を有するが、しかし電流が高い場合には抵抗値は小さい。さらに詳細に言えば、抵抗値は下記の式により与えられる。
【００１６】
【数１】
0004472874.tif 000002
【００１７】
ここで、Ｖt はダイオードの熱電圧であり、室温において約25ｍＶである。
【００１８】
ところで、トランスインピーダンス増幅器回路６は入力インピーダンスＲa を有する。入力インピーダンスＲa は一般的には一定であり、そして増幅器８の利得Ａ１と抵抗器１０の抵抗値Ｒｔとによって主として決定される。第１近似では、この入力インピーダンス下記の式により与えられる。
【００１９】
【数２】
0004472874.tif 000003
【００２０】
信号電流の一部分Ｉa はトランスインピーダンス増幅器回路６の中に流れ、そして残りの部分Ｉc は過負荷保護ダイオード１４の中に流れる。これらの電流の大きさの比は、トランスインピーダンス増幅器回路の入力インピーダンスＲa と過負荷保護ダイオードの動的抵抗値Ｒe との相対的な大きさに応じて定まる。
【００２１】
場合によっては、フォトダイオード４の陽極と増幅器６の入力との間にコンデンサを挿入すると有利である。これによって、回路の作成と利用できる電源とを適合させるために、増幅器を分離してバイアスすることができる。
【００２２】
抵抗値Ｒt と増幅器の利得Ａ１とを適切に選定することにより、一定のレベルを越えた過負荷電流が過負荷保護ダイオードを優先して流れるように、トランスインピーダンス増幅器回路の入力インピーダンスを調整することができる。例えば、その時にカットオフ電流として作用する特定の電流において、入力インピーダンスがダイオードの抵抗値に等しくなるように設計することができる。電流が低い場合には、信号電流の大部分は増幅器に流れる。電流が高い場合には、信号電流の大部分は過負荷保護ダイオードを通ってアースに流れる。
【００２３】
１つの好ましい実施例では、Ｒt ＝６ｋΩおよびＡ１＝30であり、これは入力インピーダンス 200Ωを与える。Ｉc ＝ 125μＡの時Ｒe ＝ 200Ωである。
【００２４】
光信号レベルが低い場合には、またはフォトダイオードの電流が低い場合には、フォトダイオードの電流の大部分は増幅器を流れる。この場合、「１」および「０」を表す光信号の間のフォトダイオード電流の変化から生ずる差動出力電圧Ｖout は、増幅器の入力電流とフィードバック抵抗器１０の抵抗値Ｒｔとに応じて定まる。「１」を表す光信号に対するフォトダイオード電流をＩs1で表し、そして「０」を表す光信号に対するフォトダイオード電流をＩs0で表すことにする。フォトダイオード電流の全部が増幅器の入力に流れる極端な場合には、差動出力電圧は下記の式により与えられる。
【００２５】
【数３】
0004472874.tif 000004
【００２６】
ここで例えば、「１」を表す光信号に対するフォトダイオード電流は10μＡであり、そして「０」を表す光信号に対するフォトダイオード電流は１μＡである。ここで、Ｒt ＝６ｋΩ、Ｖout ＝54ｍＶである。
【００２７】
さらに高い信号レベルの場合には、または高いフォトダイオード電流の場合には、過負荷保護ダイオードの抵抗値がトランスインピーダンス増幅器の入力インピーダンスよりも低いので、フォトダイオード電流の大部分は過負荷保護ダイオードを流れる。例えば、「１」を表す光信号に対するフォトダイオード電流は５ｍＡであり、そして「０」を表す光信号に対するフォトダイオード電流は 500μＡにできる。（過負荷保護ダイオードの電流が５ｍＡである場合、その抵抗値は５Ωである。この値は、前記で説明した例の増幅器のインピーダンス 200Ωと比較される。）その場合には、「１」を表す光信号と「０」を表す光信号との間のフォトダイオード電流の変化から生ずる差動出力電圧Ｖout は、トランジスタのベース・エミッタを流れる電流が増大することにより生ずるこのトランジスタのベース・エミッタ電圧の増大に応じて変化する。この時、この増大したベース・エミッタ電圧が増幅器によって増幅される。
【００２８】
ここで再び、「１」を表す光信号に対するフォトダイオード電流をＩs1で表し、そして「０」を表す光信号に対するフォトダイオード電流をＩs0で表し、そしてフォトダイオード電流の全部が過負荷保護ダイオードを流れる極端な場合を考えるならば、差動出力電圧は下記の式により与えられる。
【００２９】
【数４】
0004472874.tif 000005
【００３０】
「１」を表す光信号に対するフォトダイオード電流は、前記で説明したように、「０」を表す光信号に対するフォトダイオード電流の一般的に10倍であるから、前記のようにＡ１＝30である場合には、室温においてＶout ＝1800ｍＶである。
【００３１】
したがって、入力信号のレベルが（５ｍＡ／10μＡ）＝ 500の因子だけ増大しているけれども、前記で説明した２つの場合の間で、出力信号のレベルは（1800ｍＶ／54ｍＶ）＝33の因子だけ増大する。
【００３２】
したがって、高い信号電流の場合には、ダイオードの抵抗値が低下し、そして信号電流のさらに多くの部分がトランスインピーダンス増幅器回路を流れるよりもむしろダイオードを流れる。信号電流が変化する時、この調整が自動的に行われる。このように過負荷保護が得られ、検出回路のダイナミック・レンジが増大する。その上、電源に対する接続体は交流と直流との両方において低いインピーダンスを有するために、検出回路は高い周波数の一時的な過大負荷と、持続する過大負荷、すなわち低い周波数の過大負荷、との両方を取り扱うことができる。
【００３３】
図２は、本発明のまた別の検出回路２２を示した図である。検出回路２２では、検出用フォトダイオード２４が、正電圧源Ｖccとアースとの間に逆バイアスに接続され、そして再び、入射光の強度に応ずる信号電流Ｉs が流れる。
【００３４】
けれどもこの実施例では、差動トランスインピーダンス増幅器構造体が用いられる。さらに詳細に言えば、第１トランスインピーダンス増幅器回路２６がフォトダイオード２４の陰極に接続され、かつ第２トランスインピーダンス増幅器回路２８がフォトダイオード２４の陽極に接続される。第１トランスインピーダンス増幅器回路２６は増幅器３０と抵抗器３２とを有し、そして第２トランスインピーダンス増幅器回路２８は増幅器３４と抵抗器３６とを有する。これら２つのトランスインピーダンス増幅器は整合していて、同じ配線および整合したレイアウトを有する。第１トランスインピーダンス増幅器回路からの出力と第２トランスインピーダンス増幅器回路からの出力とが差動回路利得ブロック３８に送られる。差動回路利得ブロック３８は差動出力信号を生ずる。
【００３５】
それらのベースとコレクタとが共通接続されているＮＰＮトランジスタ４０、４２で再び形成されるそれぞれの過負荷保護ダイオードは、フォトダイオード２４のそれぞれ陰極および陽極に接続される。ダイオード４０は正電圧源Ｖccに直接に接続され、一方、ダイオード４２はアースに直接に接続される。
【００３６】
さらに、２つの増幅器回路２６、２８の入力は同じ直流電圧になければならないから、フォトダイオードからのそれぞれの入力信号は、増幅器回路の入力においてそれぞれのコンデンサ４４、４６を通して交流的に結合される。
【００３７】
利点として、図２に示された回路２２は単一のチップの上に集積することができる。また、それとは異なって、過負荷保護ダイオードは検出回路のその他の部分を含むチップに対して外部にあるダイオードであり得る。
【００３８】
したがって前記で説明したように、高い信号電流の場合には、過負荷保護ダイオード４０、４２の抵抗値が低下し、そして信号電流Ｉs のさらに多くの部分がトランスインピーダンス増幅器回路２６、２８を流れるよりもむしろ過負荷保護ダイオードを流れる。
【００３９】
図１および図２の回路は、本発明の好ましい実施例を表している。一般的に言えば、１個または複数個の過負荷保護ダイオードを、それを流れる電流と共にインピーダンスが変化する任意の回路ブロックまたは任意の回路部品で置き換えることができる。
【００４０】
図３は、図１のデバイスと全体的には同様であるデバイスの回路図（この図において、同じ参照番号は同じ部品であることを示している）である。図３では、過負荷保護ダイオード１４が保護回路６０によって置き換えられている。
【００４１】
前記で説明したように、場合によっては、フォトダイオード４の陽極と増幅器６の入力との間にコンデンサを挿入すると有利である。この場合には、増幅器を分離してバイアスすることができ、それにより回路の作成と利用できる電源とを適合させることができる。
【００４２】
同様に図４は、図２のデバイスと全体的には同様であるデバイスの回路図（この図において、同じ参照番号は同じ部品であることを示している）である。図４では、過負荷保護ダイオード４０、４２が保護回路６２、６４によって置き換えられている。
【００４３】
例えば場合によっては、トランスインピーダンス増幅器回路に対して利用可能であるヘッドルームを増加すると有利である。この場合には図５に示されているように、保護回路６２、６４は直列に接続されたダイオード６６、６８およに７０、７２のそれぞれの対の形式を取ることができる。
【００４４】
図６および図７はまた別の回路の図であって、これらの回路では保護回路は異なる形式を有している。図６および図７の両方の場合、これらの回路は図３の回路に基づいている。これらの図において、図３の部品と同じである部品は同じ参照番号で示されており、そしてこれ以上に詳しく説明することはしない。
【００４５】
図６の回路では、保護回路６０はＮＰＮトランジスタ８０を有している。ＮＰＮトランジスタ８０は、フォトダイオード４の陽極に接続されたコレクタ端子と、アースに接続されたエミッタ端子とを有する。また別のＮＰＮトランジスタ８２は、トランジスタ８０のコレクタに接続されたベース端子と、トランジスタ８０のベースに接続されたエミッタ端子とを有する。トランジスタ８２のエミッタ端子はまた、電流源８４を通してアースに接続される。この回路により、フォトダイオード電流が高い場合に、電流の大部分をアースに流すようにバイアスのレベルを設定することができる。
【００４６】
図７の回路では、保護回路６０はＮＰＮトランジスタ９０を有する。ＮＰＮトランジスタ９０は、フォトダイオード４の陽極に接続されたコレクタ端子と、アースに接続されたエミッタ端子とを有する。低インピーダンスの基準電圧源９２が、トランジスタ９０のベース端子とコレクタ端子との間に接続される。このことにより、フォトダイオード４の陽極の電圧を要求されたレベルに設定することができる。その上さらに、回路に要求された温度係数を与えるように基準電圧源９２を設計することができる。
【００４７】
図８は、本発明によるさらに別の検出回路を示した図である。このデバイスは図１のデバイスと全体的には同様（この図において、同じ参照番号は同じ部品であることを示している）である。この場合には回路は、フォトダイオード４の陽極と増幅器６の入力との間に接続された交流結合コンデンサ７０を有している。この交流結合コンデンサは前記で説明されたが、しかし図には示されなかった。
【００４８】
さらにそれに加えて、一定電流Ｉb を流す定電流源７２が、正電圧源とフォトダイオード４の陽極との間に接続される。バイアス電流Ｉb は、フォトダイオード電流には関係なく、過負荷保護ダイオード１４の中の電流を増加させる。このことは、入力「１」と入力「０」を比較するならば、過負荷保護ダイオード（差動出力電圧）の中の電流の比が過負荷の場合に小さくなることを意味する。
【００４９】
この同じ原理を２重終端回路に用いることができる。例えば、図２の回路において、電流源をフォトダイオード２４と並列に接続することができる。またはそれとは異なって、第１電流源を正電圧源とフォトダイオード２４の陽極との間に接続することができ、一方、第２電流源をアース電源とフォトダイオード２４の陰極との間に接続することができる。
【００５０】
検出回路は、これまではバイポーラ・トランジスタで作成されたダイオードを用いるとして説明してきた。ＢｉＣＭＯＳまたはＣＭＯＳを用いても同様に可能であることが理解されるであろう。
【００５１】
したがって、広いダイナミック・レンジを有する検出回路を達成するために、高い入力信号レベルにまで動的に反応して過負荷電流を増幅器からそらして流す回路が説明された。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明に従う第１検出回路の回路概要図。
【図２】  本発明に従う第２検出回路の回路概要図。
【図３】  本発明に従う第３検出回路の回路概要図。
【図４】  本発明に従う第４検出回路の回路概要図。
【図５】  本発明に従う第５検出回路の回路概要図。
【図６】  本発明に従う第６検出回路の回路概要図。
【図７】  本発明に従う第７検出回路の回路概要図。
【図８】  本発明に従う第８検出回路の回路概要図。
【図１】
0004472874.tif 000006
【図２】
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【図３】
0004472874.tif 000008
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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