(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体チップ搭載部を有し、テープ幅方向両端部のスプロケットホールエリアの一方のＣｕ箔層のみを残存させる両面配線テープキャリアの製造方法において、
両面にＣｕ箔層を有する長尺の絶縁性フィルムにその絶縁性フィルムを貫通するビアホールを形成し、そのビアホールの壁面に導電性薄膜を形成し、その導電性膜上に両面のＣｕ箔層を導通化するためのメッキ層を形成し、前記絶縁性フィルムの両面のＣｕ箔層を同時あるいは逐次フォトエッチングして一面にＣｕ配線パターンを形成する際に、テープ幅方向両端部のスプロケットホールエリアの一方のＣｕ箔層上に樹脂等の塗布により保護膜を形成した後、他方のＣｕ箔層のエッチングを行って保護膜に保護されたＣｕ箔層のみを残存させることを特徴とする両面配線テープキャリアの製造方法。
【請求項２】
前記導電性膜は、Ｓｎ−Ｐｄまたはその化合物、あるいはグラファイト、導電性カーボン、あるいはポリピロールの如き導電性ポリマの内から選ばれたものからなる請求項１記載の両面配線テープキャリアの製造方法。
【請求項３】
前記メッキ層は、前記導電性薄膜上に酸性電解Ｃｕメッキを直接施すことによって形成される請求項１または２記載の両面配線テープキャリアの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）テープまたはＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）用の両面配線テープキャリア及びその製造方法に係り、特に両面配線テープキャリアを矯正するためにテープ反り量の低減を図った両面配線テープキャリアの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図６に示すように、両面配線テープキャリア６１は、両面にＣｕ箔層６２を有する絶縁性フィルム６３の一面または両面のＣｕ箔層６２をフォトエッチング、また絶縁性フィルム６３に対しレーザー加工を施すことによって導通用のビアホール６４を形成し、ビアホール６４内に酸性電解Ｃｕメッキを直接施すことによって両面のＣｕ箔層６２を導通化するためのメッキ層６５を形成し、絶縁性フィルム６３の両面のＣｕ箔層６２を同時または逐次フォトエッチングすることにより形成されたワイヤボンディングパッド６６、ボールパッド（ハンダボールランド）６７等からなる電気配線を具備する。
【０００３】
このボールパッド６７にはハンダボールが接着され、このハンダボールによって、両面配線テープキャリア６１は半導体装置として電気配線板上に実装される。両面配線テープキャリア６１上には、半導体チップ６８がＡｇペーストまたは接着材テープにより搭載される。半導体チップ６８は、Ａｕワイヤ６９により、両面配線テープキャリア６１上のＣｕ箔等からなるワイヤボンディングパッド６６に電気的に接続される。ワイヤボンディングパッド６６は電気配線により、図示しないハンダボールを接着するボールパッド６７と電気的に接続される。ワイヤボンディングパッド６６は、Ａｕワイヤ６９を接続されるため、ＡｕとＮｉによりメッキされる。
【０００４】
ここに一般的な両面配線テープキャリア６１の平面図を図７（ａ）にその正面図を図７（ｂ）に示す。図７（ａ）および図７（ｂ）に示すように、両面配線テープ６１は、折り曲げ立体加工が可能というその特徴から分かるように、柔軟な材料であるポリイミド材を基材として用いている。また、両面配線テープキャリア６１は、絶縁性フィルム６３としてのポリイミドフィルムの両面にＣｕ箔層６２を有する基材をベース材とし、それを細長で長尺のテープ状としておき、それにテープ製造工程搬送用に使用するスプロケットホール７１を規格に基づいてパンチングした後、それにドライフィルムラミネート加工やエッチング技術により所望の回路パターンを形成する。
【０００５】
しかし、テープ製造工程搬送用に使用するスプロケットホール部分のＣｕ箔層６２をエッチング加工により除去してしまい、ポリイミドフィルム層の単体にしてしまうと、そのテープ基材の特徴的な利点である「柔軟性」、「薄膜化」により、そのポリイミドフィルムが搬送中に破損してしまい、以後のテープ製造加工が不可能になるという問題があった。そのために、従来の両面配線テープキャリア６１では、テープ製造工程搬送用として使用するスプロケットホール部の両面のＣｕ箔層６２はエッチング加工を行わずに、そのまま残存させておくことによって、テープ製造加工を行っていた。
【０００６】
なお、この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、次のものがある。
【０００７】
【特許文献１】特開２００１−５３１０８号公報
【特許文献２】特開２００３−３４７３６６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、従来の両面配線テープキャリアでは、そうした場合、テープ幅方向中央部付近のＣｕ箔層６２を使用しての配線形成のためのエッチング加工時に、そのＣｕ箔層６２が除去されることによって、Ｃｕ箔層６２と絶縁性フィルム６３を貼り合わせるために行ったラミネーション作業時に内在した内部応力が、そのエッチング加工時に開放されるが、テープ幅方向での両端部にＣｕ箔層６２が残存していることから、その内部応力起因により、特にテープ幅方向両端部の形状が波打ちのように悪化していた。
【０００９】
また、両面配線テープキャリア６１に反りが発生すると、半導体チップ６８の実装時に、ダイアタッチペーストが平坦に塗布できなくなる。またはダイアタッチペーストが塗布できたとしてもモールド後の加圧時にＩＣチップなどの半導体チップ６８にクラックが発生する等の不良発生の原因となる。
【００１０】
また、長尺の両面配線テープキャリア６１を使用して半導体チップ６８の実装を行う際には、その作業性のためにテープを短く切断し、さらにＣｕもしくはステンレスのフレームに貼り付けることで実装作業を行っている。ただし、上記のようなテープの端部に波打ちのような形状があると、そのフレーム貼付工程で清浄にフレームと両面配線テープキャリア６１の貼り合わせ作業が行えず、テープを貼り付けたフレームそのものを廃却するといったような実装歩留を低下させる要因になっている。
【００１１】
そこで、本発明の目的は、テープ幅方向両端に残存するＣｕ箔層を除去してテープ反り量の低減を図った両面配線テープキャリアの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は上記目的を達成するために創案されたものであり、請求項１の発明は、複数の半導体チップ搭載部を有し、テープ幅方向両端部のスプロケットホールエリアの一方のＣｕ箔層のみを残存させる両面配線テープキャリアの製造方法において、両面にＣｕ箔層を有する長尺の絶縁性フィルムにその絶縁性フィルムを貫通するビアホールを形成し、そのビアホールの壁面に導電性薄膜を形成し、その導電性膜上に両面のＣｕ箔層を導通化するためのメッキ層を形成し、前記絶縁性フィルムの両面のＣｕ箔層を同時あるいは逐次フォトエッチングして一面にＣｕ配線パターンを形成する際に、テープ幅方向両端部のスプロケットホールエリアの一方のＣｕ箔層上に樹脂等の塗布により保護膜を形成した後、他方のＣｕ箔層のエッチングを行って保護膜に保護されたＣｕ箔層のみを残存させることを特徴とする両面配線テープキャリアの製造方法である。
【００１３】
請求項２の発明は、前記導電性膜は、Ｓｎ−Ｐｄまたはその化合物、あるいはグラファイト、導電性カーボン、あるいはポリピロールの如き導電性ポリマの内から選ばれたものからなる請求項１記載の両面配線テープキャリアの製造方法である。
【００１４】
請求項３の発明は、前記メッキ層は、前記導電性薄膜上に酸性電解Ｃｕメッキを直接施すことによって形成される請求項１または２記載の両面配線テープキャリアの製造方法である。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、両面配線テープキャリアの反り量低減のためにテープ幅方向両端部のスプロケットホールエリアの一方のＣｕ箔層のみ残存させることにより、両面配線テープ構成・構造に起因するテープ反りを低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の好適な実施形態を添付図面にしたがって説明する。
【００１９】
図１は、本発明の好適な実施形態を示す両面配線テープキャリアの横断面図である。
【００２０】
図１に示すように、本実施形態に係る両面配線テープキャリア１は、細長で長尺（あるいは短冊状の）のポリイミドフィルムなどの絶縁性フィルム２の両面（後述するスプロケットホールエリアの一方を除く）にＣｕ箔層３がそれぞれ形成される。絶縁性フィルム２の幅方向の両端には、長さ方向に沿ってテープキャリア１を連続搬送する際にスプロケットの歯が嵌るスプロケットホール４が複数個形成される。絶縁性フィルム２には、厚さ方向に貫通するビアホール５が形成される。
【００２１】
図１でＣｕ箔層３を２層形成した理由は、Ｃｕ箔層とその上に形成したＣｕめっき層とを分けて示したためである。
【００２２】
ビアホール５には、図示しない導電性膜が形成され、その導電性膜の上に両面のＣｕ箔層３を導通化するためのメッキ層６が形成される。導電性膜は、Ｓｎ−Ｐｄまたはその化合物、あるいはグラファイト、導電性カーボン、あるいはポリピロールの如き導電性ポリマの内から選ばれたものからなる。メッキ層６は、導電性薄膜上に酸性電解Ｃｕメッキを直接施すことによって形成される。
【００２３】
一方（図１では表面側）のＣｕ箔層３の一部には、Ａｕワイヤが接続されるワイヤボンディングパッド７が形成され、他方（図１では裏面側）のＣｕ箔層３の一部には、Ａｕ／Ｎｉメッキが施されたボールパッド（ハンダボールランド）８が形成される。絶縁性フィルム２とＣｕ箔層３上には、ワイヤボンディングパット７とボールパッド８を除いて絶縁層９が形成される。この絶縁層９の表面側の中央部分が半導体チップを搭載固定するための複数の半導体チップ搭載部９ｔである。
【００２４】
この両面配線テープキャリア１は、テープ反りを低減させるために、テープ幅方向両端部のスプロケットホールエリア（スプロケットホール部）の一方（図１では表面側）のＣｕ箔層３のみを残存させたものである。
【００２５】
両面配線テープキャリアの半導体チップ搭載部９ｔに半導体チップを搭載固定し、半導体チップの電極とワイヤボンディングパット７とをＡｕワイヤでワイヤボンディング接続し、ボールパッド７にハンダボールを接続し、絶縁層９と半導体チップとをモールドレジンで樹脂封止すると、半導体装置（半導体パッケージ）が得られる。この半導体装置は、ハンダボールによるマザーボードと接続される。
【００２６】
これに対し、図２に示すように、従来の両面配線テープキャリア２１は、スプロケットホールエリアの両方（両面）にＣｕ箔層３が形成されたものである。
【００２７】
次に、両面配線テープキャリア１の製造方法を図３（ａ）〜図３（ｆ）で説明する。
【００２８】
まず、ベース材である絶縁性フィルム２として、両面にＣｕ箔層３を有するポリイミド樹脂製フィルムを用意し、これを細長で長尺のテープ状としておく（図３（ａ））。絶縁性フィルム２の裏面側の２層のＣｕ箔層３は、Ｃｕ箔層とその上に形成したＣｕめっき層である。このポリイミド樹脂製フィルムの幅方向の両端に、長さ方向に沿ってスプロケットホール４を規格に基づいてパンチングして形成する（図３（ｂ））。
【００２９】
スプロケットホール４を形成した後、ポリイミド樹脂製フィルムにビアホール５を形成し（図３（ｃ））、そのビアホール５の壁面に導電性膜（図示せず）を形成し、その導電性膜の上にメッキ層６を形成する（図３（ｄ））。
【００３０】
さて、図３（ｅ）に示すように、メッキ層６を形成した後、ポリイミド樹脂製フィルムにドライフィルムラミネート加工を行い、露光・現像技術によりＣｕ箔層３をエッチングし、所望の回路パターンをドライフィルム上に形成する。その後、スプロケットホール部のＣｕ箔層３が除去されないように、一方のＣｕ箔層３上に樹脂等の塗布による保護膜形成を行い、エッチング技術によりＣｕ箔回路パターンの形成を行う。つまり、保護膜形成を両面へのＣｕ箔層３へ行うのではなく、片面のみ行うことにより、一方のＣｕ箔層３のみがエッチング加工時に除去され、もう一方のＣｕ箔層３のみが残存することになる。さらに、一方のＣｕ箔層３の一部にワイヤボンディングパッド７を形成し、他方のＣｕ箔層３の一部にボールパッド８を形成する。
【００３１】
その後、絶縁性フィルム２とＣｕ箔層３上に、ワイヤボンディングパット７とボールパッド８を除いて絶縁層９を形成すると、図１に示した両面配線テープキャリア１が得られる（図１（ｆ））
本実施の形態の作用を説明する。
【００３２】
図４に、スプロケットホール部のＣｕ箔層３を両面残存させた場合（図２の両面配線テープキャリア２１）、片面一方のみを残存させた場合（本実施の形態に係る図１の両面配線テープキャリア１）、また参考として両面のＣｕ箔層全てを除去した場合のテープ反り量の測定結果を示す。
【００３３】
測定の方法は、図５に示すような測定器具５１を用い、各両面配線テープキャリアを定盤５２上にグランド面が下向きになるように置き、テープ中心のＥ点をゼロ点とし、Ａ点〜Ｄ点で示した４点の高さ（Ｚ方向）を測定し、下式
（反り量）＝Ｍａｘ（Ａ−Ｄ）−Ｅ
より反り量を測定した。反り量測定機器には、焦点顕微鏡を用いた。
【００３４】
なお、今回の実験に使用した機材材料の構成は下記の通りである。また、今回の実験においては、グランド面のＣｕ箔層３を除去した。
【００３５】
銅厚              シグナル面：１２μｍ
グランド面：２７μｍ
絶縁性フィルム厚              ２５μｍ
図４に示すように、Ｃｕ箔層３を両面全て除去した場合に最も反り量を小さくできることが分かるが、上述したように、テープ製造工程時に搬送不具合が発生してしまう。これに対し、片面一方のみＣｕ箔層を除去した両面配線テープキャリア１では、Ｃｕ箔層３を両面全て除去した場合に比べれば若干反り量が大きいものの、Ｃｕ箔層３を両面残存させた場合に比べ、反り量が大幅に小さくなっていることが分かる。
【００３６】
このように、両面配線テープキャリア１よれば、テープ幅方向両端部のＣｕ箔層３のどちらか一方のみをエッチング加工等により除去する、すなわちテープ幅方向両端部のスプロケットホールエリアの一方のＣｕ箔層のみ残存させることにより、テープ反り量の低減を図ることができる。
【００３７】
したがって、両面配線テープキャリアの反り量低減のためにテープ幅方向両端部のスプロケットホールエリアの一方のＣｕ箔層のみ残存させることにより、両面配線テープ構成・構造に起因するテープ反りを低減することができる。
【００３８】
上記実施の形態において、今回の実験に使用した材料の構成厚およびＣｕ箔層３除去面を示したが、これとは異なる機材構成厚、もしくは除去面（例えばシグナル面）であっても、前記のような構造を達成することも考えられる。
【００３９】
従来、両面配線テープキャリアは折り曲げ化、薄膜化およびファインピッチ化が可能であるが、柔軟な材料であるポリイミド材を基材として用いているため、実装時にテープ反りの問題があり、場合によってはＣｕもしくはステンレスフレームにテープを貼り付けた後に実装を行っていた。ただし、本実施の形態に係る両面配線テープキャリア１により、両面配線テープの反り量が低減でき、フレーム貼り付けの必要が無くなるため、実装コストの低減となることからテープ品の拡販が可能となる。
【００４０】
また、両面配線テープキャリアは、実装工程でのワイヤボンディングおよびハンダボール搭載のために、そのＣｕ箔層３表面にＡｕ／Ｎｉメッキを行うが、スプロケットホール部のＣｕ箔層３を片面除去することにより、Ａｕ／Ｎｉメッキ加工を施される面積そのものを小さくすることができる。これにより両面配線テープキャリアの製造コストを下げることが可能になり、テープ製品拡販を促進できる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の好適な実施形態を示す両面配線テープキャリアの横断面図である。
【図２】従来の両面配線テープキャリアの横断面図である。
【図３】図３（ａ）〜図３（ｆ）図１に示した両面配線テープキャリアの製造方法を示す横断面図である。
【図４】本発明と従来例におけるテープ反り量の測定結果の一例を示す図である。
【図５】テープ反り量の測定方法を示す図である。
【図６】半導体チップ搭載後の従来の両面配線テープキャリアの横断面図である。
【図７】図７（ａ）は従来の両面配線テープキャリアの平面図、図７（ｂ）はその正面図である。
【符号の説明】
【００４２】
１  両面配線テープキャリア
２  絶縁性フィルム
３  Ｃｕ箔層
４  スプロケットホール
５  ビアホール
６  メッキ層
９  絶縁層
９ｔ  半導体チップ搭載部
【図１】
0004506666.tif 000002
【図２】
0004506666.tif 000003
【図３】
0004506666.tif 000004
【図４】
0004506666.tif 000005
【図５】
0004506666.tif 000006
【図６】
0004506666.tif 000007
【図７】
0004506666.tif 000008