(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体膜を備える電子部品であって、
前記誘電体膜が、少なくとも一種以上の樹脂モノマーを含む薄膜を形成したのち前記薄膜中の前記樹脂モノマーを重合反応させることによって形成された膜であり、
前記樹脂モノマーが、チオジアルキレン基を介して結合している複数の芳香環と、前記芳香環に結合したビニル基とを備えることを特徴とする電子部品。
【請求項２】
前記樹脂モノマーに含まれる前記芳香環の数が２個以上４個以下である請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
前記樹脂モノマーに含まれる前記ビニル基の数が２個である請求項１に記載の電子部品。
【請求項４】
前記チオジアルキレン基がチオジメチレン基である請求項１に記載の電子部品。
【請求項５】
前記誘電体膜の少なくとも一部を挟むように対向して配置された一対の電極をさらに備える請求項１〜４のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項６】
前記樹脂モノマーが、以下の化学式（１）で表される樹脂モノマーを含む請求項１〜５のいずれか１項に記載の電子部品。
【化１】
0004472148.tif 000014
（式（１）中、２つのベンゼン環が置換されている位置は、それぞれ独立に、メタ位またはパラ位である）
【請求項７】
前記樹脂モノマーが、以下の化学式（２）で表される樹脂モノマーを含む請求項１〜５のいずれか１項に記載の電子部品。
【化２】
0004472148.tif 000015
（式（２）中、３つのベンゼン環が置換されている位置は、それぞれ独立に、メタ位またはパラ位である）
【請求項８】
前記薄膜が添加剤をさらに含む請求項１〜７のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項９】
前記添加剤が酸化防止剤を含む請求項８に記載の電子部品。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、誘電体膜を備える電子部品に関し、特にたとえばコンデンサに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、コンデンサなどに用いられる誘電体膜には、樹脂膜が用いられている。このような誘電体膜は、特公昭６３−３２９２９号、特開平１１−１４７２７２号公報およびＵＳＰ５,１２５,１３８号に示されるように、基板に蒸着した樹脂モノマーに電子線や紫外線を照射し、前記樹脂モノマーを硬化させることによって形成されている。
【０００３】
上記誘電体膜を形成するための樹脂モノマーとしては、たとえば、以下の化学式（Ａ）で表されるジメチロールトリシクロデカンジアクリレートや、以下の化学式（Ｂ）で表される１，９−ノナンジオールジアクリレートなどが用いられてきた。
【０００４】
【化３】
0004472148.tif 000002
【０００５】
【化４】
0004472148.tif 000003
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記樹脂モノマーによって形成された誘電体膜を用いた電子部品は、特性が十分でないという問題があった。すなわち、化学式（Ａ）の樹脂モノマーによって形成された誘電体膜を用いた電子部品は、高湿度下での特性が十分でないという問題があった。また、化学式（Ｂ）の樹脂モノマーによって形成された誘電体膜を用いた電子部品は、高温時に酸化分解しやすいという問題があった。
【０００７】
上記問題を解決するため、本発明は、高湿度下や高温度下においても特性が良好な電子部品を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために本発明の電子部品は、誘電体膜を備える電子部品であって、誘電体膜が、少なくとも一種以上の樹脂モノマーを含む薄膜を形成したのち薄膜中の樹脂モノマーを重合反応させることによって形成された膜であり、樹脂モノマーが、チオジアルキレン基（−ＣnＨ2n−Ｓ−ＣmＨ2m−。ここで、ｎおよびｍは、それぞれ任意の自然数を示す。）を介して結合している複数の芳香環と、芳香環に結合したビニル基とを備えることを特徴とする。上記電子部品によれば、高湿度下や高温度下においても特性が良好な電子部品が得られる。
【０００９】
上記電子部品では、樹脂モノマーに含まれる芳香環の数が２個以上４個以下であることが好ましい。
【００１０】
上記電子部品では、樹脂モノマーに含まれるビニル基の数が２個であることが好ましい。
【００１１】
上記電子部品では、チオジアルキレン基がチオジメチレン基（−ＣＨ2−Ｓ−ＣＨ2−）であることが好ましい。
【００１２】
上記電子部品では、誘電体膜の少なくとも一部を挟むように対向して配置された一対の電極をさらに備えることが好ましい。上記構成によれば、高湿度下や高温度下においても特性が良好なコンデンサなどの電子部品が得られる。
【００１３】
上記電子部品では、樹脂モノマーが、以下の化学式（１）、化学式（２）で表される樹脂モノマーを、いずれか単独、または両方とも含むことが好ましい。
【００１４】
【化５】
0004472148.tif 000004
【００１５】
（式（１）中、２つのベンゼン環が置換されている位置は、それぞれ独立に、メタ位またはパラ位である）
【００１６】
【化６】
0004472148.tif 000005
【００１７】
（式（２）中、３つのベンゼン環が置換されている位置は、それぞれ独立に、メタ位またはパラ位である）
上記電子部品では、薄膜が添加剤をさらに含むことが好ましい。上記添加剤が酸化防止剤を含むことが好ましい。上記構成によれば、誘電体膜の酸化を防止できる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００１９】
（実施形態１）
実施形態１では、本発明の電子部品として、コンデンサの一例を説明する。実施形態１のコンデンサ１０の断面図を、図１（ａ）に示す。なお、本発明のコンデンサは、図１（ｂ）に示すコンデンサ１０ａのような形状でもよい。
【００２０】
図１（ａ）を参照して、コンデンサ１０は、支持体１１と、支持体１１上に形成された下部電極膜１２と、主に下部電極膜１２上に配置された誘電体膜１３と、主に誘電体膜１３上に配置された上部電極膜１４とを備える。ここで、誘電体膜１３は、樹脂膜（なお、樹脂膜中にさらに添加剤などを含んでもよい）である。すなわち、コンデンサ１０は、誘電体膜１３と、誘電体膜１３を挟むように対向して配置された一対の電極（下部電極膜１２および上部電極膜１４）とを備える。
【００２１】
支持体１１には、さまざまなものを用いることができる。具体的には、たとえば、ポリエチレンテレフタレート（以下、ＰＥＴという場合がある）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリアミド（ＰＡ）、またはポリイミド（ＰＩ）などの高分子フィルムを用いることができる。支持体１１の厚さに限定はないが、一般的には、１μｍ〜７５μｍ程度の場合が多い。なお、下部電極膜１２が支持体を兼ねる場合には、支持体１１は不要である。また、下部電極膜１２、誘電体膜１３および上部電極膜１４を形成したのち、支持体１１を除去してもよい。すなわち、本発明のコンデンサは、支持体がないものであってもよい。
【００２２】
下部電極膜１２および上部電極膜１４には、導電性を有する膜を用いることができ、たとえば金属膜を用いることができる。具体的には、アルミ、亜鉛、銅などを主成分とする金属膜を用いることができる。電極膜の膜厚については特に限定はないが、たとえば、膜厚が１０ｎｍ〜１５０ｎｍの膜を用いることができ、好ましくは膜厚が２０ｎｍ〜５０ｎｍの膜を用いることができる。コンデンサ１０の下部電極膜１２と上部電極膜１４とは、それぞれ電気回路に接続される。電気回路に接続する方法としては、たとえば、はんだ付け、金属溶射、クランプなどの方法を用いることができる。
【００２３】
誘電体膜１３は、少なくとも一種以上の樹脂モノマーを含む薄膜を形成したのち、上記薄膜中の樹脂モノマーを重合反応させることによって形成された樹脂膜である。
【００２４】
重合反応によって誘電体膜１３となる薄膜１３ａ（図２（ｂ）参照）は、樹脂モノマーに加えて、さらに添加剤を含んでもよい。このような添加剤としては、たとえば、重合開始剤、酸化防止剤、可塑剤、界面活性剤、密着性向上剤などが挙げられる。重合開始剤としては、たとえば、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフェリノフェニル）−ブタノン−１、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）−フェニルフォスフィンオキサイド、２−メチル−１［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノプロパン−１−オン（以上それぞれ、イルガキュア３６９、８１９および９０７、チバスペシャルティケミカルズ製）を用いることができる。また、酸化防止剤としては、たとえば、オクタデシル−３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート、ベンゼンプロパン酸，３，５−ビス（１，１−ジメチルエチル）−４−ヒドロキシ，Ｃ７−Ｃ９側鎖アルキルエステル、４，６ビス（オクチルチオメチル）−ｏ−クレゾール（以上それぞれ、ＩＲＧＡＮＯＸ−１０７６、１１３５および１５２０Ｌ、チバスペシャルティケミカルズ製）を用いることができる。
【００２５】
薄膜１３ａが重合開始剤を含む場合には、重合開始剤の含有量は、０．５重量％〜１０重量％であることが好ましく、１重量％〜３重量％であることが特に好ましい。重合開始剤の含有量を０．５重量％以上とすることによって、薄膜１３ａの硬化速度を速めることができる。また、重合開始剤の含有量を１０重量％以下とすることによって、樹脂モノマー３１（図３参照）のポットライフが短くなりすぎるのを防止できる。また、重合開始剤の含有量を１重量％〜３重量％とすることによって、硬化速度を速めるとともに、樹脂モノマー３１のポットライフが短くなることを防止し、コンデンサ１０の製造を容易にできる。
【００２６】
薄膜１３ａが酸化防止剤を含む場合には、酸化防止剤の含有量は、０．１重量％〜１０重量％であることが好ましく、０．５重量％〜５重量％であることが特に好ましい。酸化防止剤の含有量を０．１重量％以上とすることによって、誘電体膜１３の酸化を防止できる。また、酸化防止剤の含有量を１０重量％以下とすることによって、薄膜１３ａの硬化速度を実用的な値にすることができる。また、酸化防止剤の含有量を０．５重量％以上とすることによって、誘電体膜１３の酸化を顕著に防止できる。また、酸化防止剤の含有量を５重量％以下とすることによって、薄膜１３ａの硬化速度を好ましい値にすることができる。
【００２７】
薄膜１３ａは、チオジアルキレン基を介して結合している複数の芳香環と、芳香環に結合したビニル基とを備える樹脂モノマー（以下、樹脂モノマーＡという場合がある）を少なくとも含む。樹脂モノマーＡに含まれる芳香環の数は、２個以上４個以下であることが好ましい。また、樹脂モノマーＡに含まれるビニル基の数は、２個であることが好ましい。また、樹脂モノマーＡに含まれるチオジアルキレン基は、チオジメチレン基であることが好ましい。なお、薄膜１３ａは、一種類の樹脂モノマーを含んでも、複数の種類の樹脂モノマーを含んでもよい。また、薄膜１３ａは、樹脂モノマーＡと、樹脂モノマーＡ以外の樹脂モノマーとを含んでもよい。
【００２８】
具体的には、たとえば、薄膜１３ａとして、以下の化学式（１）で表される樹脂モノマーや、以下の化学式（２）で表される樹脂モノマーを、いずれか単独、または両方とも含む膜を用いることができる。
【００２９】
【化７】
0004472148.tif 000006
【００３０】
（式（１）中、２つのベンゼン環が置換されている位置は、それぞれ独立に、メタ位またはパラ位である）
【００３１】
【化８】
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【００３２】
（式（２）中、３つのベンゼン環が置換されている位置は、それぞれ独立に、メタ位またはパラ位である）
なお、薄膜１３ａは、上記化学式（１）、（２）の樹脂モノマーを任意の割合で含んでもよく、たとえば、化学式（１）の樹脂モノマーを５０重量％以上の割合で含み、さらに化学式（２）の樹脂モノマーを含んでもよい。
【００３３】
以下に、上記化学式（１）の樹脂モノマーの製造方法について一例を説明する。化学式（１）の樹脂モノマーは、以下の化学式（３）で表されるｍ−クロロメチルスチレンおよびｐ−クロロメチルスチレンから選ばれる少なくとも１つと、硫化ナトリウム（Ｎａ2Ｓ）とを、６０℃〜１２０℃の温度で４〜８時間反応させることによって容易に製造できる。
【００３４】
【化９】
0004472148.tif 000008
【００３５】
上記化学式（３）で表されるクロロメチルスチレンは、セイミケミカル株式会社からＣＭＳ-Ｐ(メタ体５０％、パラ体５０％)およびＣＭＳ-１４（メタ体５％、パラ体９５％）という商品名で販売されている。
【００３６】
上記反応の溶媒としては、水、アルコール類または水を３〜３０重量％含むアルコール類が適している。
【００３７】
次に、上記化学式（２）の樹脂モノマーの製造方法について一例を説明する。化学式（２）の樹脂モノマーは、以下の化学式（３）で表されるｍ−クロロメチルスチレンおよびｐ−クロロメチルスチレンから選ばれる少なくとも１つと、以下の化学式（４）で表されるｍ−ビス（メルカプトメチル）ベンゼンおよびｐ−ビス（メルカプトメチル）ベンゼンから選ばれる少なくとも１つとを、塩基触媒の存在下で６０℃〜１２０℃で４〜８時間反応させることによって容易に製造できる。
【００３８】
【化１０】
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【００３９】
【化１１】
0004472148.tif 000010
【００４０】
上記化学式（４）で表されるｍ−ビス（メルカプトメチル）ベンゼンおよびｐ−ビス（メルカプトメチル）ベンゼンは、それぞれ、淀化学株式会社からｍ−キシレンジチオールおよびｐ−キシレンジチオールという商品名で販売されている。
【００４１】
上記塩基触媒には、Ｎａ2ＣＯ3やＫ2ＣＯ3などのアルカリ金属炭酸塩、ＣａＣＯ3やＭｇＣＯ3などのアルカリ土類金属炭酸塩、アルカリ金属のアルコキシドなどが適している。この中でも、特にアルカリ金属炭酸塩が好ましい。また、上記反応の溶媒としては、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンなどのケトン類や、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどのエーテル類が適している。
【００４２】
次に、コンデンサ１０の製造方法について説明する。図２に、製造工程の一例を示す。
【００４３】
図２（ａ）を参照して、まず、支持体１１上に、下部電極膜１２を形成する。下部電極膜１２は、電子ビーム蒸着、抵抗加熱蒸着、誘導加熱蒸着などの真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法またはメッキ法などで形成できる。なお、下部電極膜１２を所定の形状に形成するには、メタルマスクを用いたり、フォトリソグラフィーやエッチングなどの技術を用いることができる。
【００４４】
次に、図２（ｂ）に示すように、下部電極膜１２上に、樹脂モノマーを含む薄膜１３ａを形成する。薄膜１３ａは、重合反応によって誘電体膜１３となる膜であり、上述した化学式（１）、（２）で表される樹脂モノマーや添加剤を含む。薄膜１３ａは、図３に示すように、真空下で薄膜１３ａを形成する樹脂モノマー３１を入れた容器３２を下部電極膜１２に向けて配置し、容器３２を加熱して樹脂モノマーを蒸発させることによって形成できる。薄膜１３ａを所定の形状に形成するには、メタルマスク（図示せず）を用いればよい。
【００４５】
次に、薄膜１３ａ中で樹脂モノマーを重合反応させることによって、図２（ｃ）に示すように、誘電体膜１３を形成する。重合反応（硬化）は、たとえば、薄膜１３ａに紫外線や電子線を照射することによって起こさせることができる。
【００４６】
次に、図２（ｄ）に示すように、下部電極膜１２と同様の方法によって、上部電極膜１４を形成する。このようにして、コンデンサ１０を製造できる。なお、コンデンサ１０ａについても同様の製造方法で製造できる。
【００４７】
上記実施形態１のコンデンサでは、誘電体膜１３が、高湿度下や高温度下でも変質しにくいため、高湿度下や高温度下においても特性が良好なコンデンサが得られる。
【００４８】
（実施形態２）
実施形態２では、本発明の電子部品について、コンデンサの他の一例を説明する。実施形態２のコンデンサ４０の断面図を図４に示す。なお、実施形態１で説明した部分と同様の部分については重複する説明を省略する。
【００４９】
図４を参照して、コンデンサ４０は、誘電体膜４１（ハッチングは省略する）と、誘電体膜４１中に配置された複数の電極４２ａと電極４２ａに対向するように配置された電極４２ｂと、電極４２ａおよび４２ｂがそれぞれ接続された外部電極４３ａおよび４３ｂとを備える。すなわち、コンデンサ４０は、誘電体膜４１の少なくとも一部を挟むように対向して配置された少なくとも一対の電極を備える。さらにコンデンサ４０は、誘電体膜４１中であって、電極４２ａおよび４２ｂの外側に配置された金属薄膜４４を備える。コンデンサ４０のうち、複数の電極４２ａと電極４２ａに対向するように配置された電極４２ｂが存在する部分が素子層４０ａとなる。また、コンデンサ４０のうち、金属薄膜４４が形成されている部分が補強層４０ｂとなる。また、コンデンサ４０のうち、誘電体膜４１のみの部分が保護層４０ｃとなる。補強層４０ｂおよび保護層４０ｃは、素子層４０ａが熱負荷や外力によって損傷を受けるのを防止する層である。なお、補強層４０ｂや保護層４０ｃがないコンデンサであってもよいことはいうまでもない。
【００５０】
誘電体膜４１は、実施形態１で説明した誘電体膜１３と同様のものであり、同様の製造方法によって製造できる。
【００５１】
コンデンサ４０は、実施形態１で説明した方法を用いて製造することができる。ただし、コンデンサ４０を製造する場合には、誘電体膜と電極４２ａまたは４２ｂとを交互に積層する必要がある点、および外部電極４３ａおよび４３ｂを形成する必要がある点で、実施形態１の製造方法と異なる。なお、外部電極４３ａおよび４３ｂは、たとえば、金属溶射法、バンプ電極形成法または導電性ペースト塗布法などによって形成できる。
【００５２】
上記実施形態２のコンデンサ４０では、誘電体膜４１が、高湿度下や高温度下でも変質しにくいため、高湿度下や高温度下においても特性が良好なコンデンサが得られる。
【００５３】
【実施例】
以下、実施例を用いて本発明をさらに詳細に説明する。
【００５４】
（実施例１）
実施例１では、化学式（１）で表される樹脂モノマーを作製した一例について説明する。
【００５５】
硫化ナトリウム九水和物３６．０ｇ（０．１５モル）と蒸留水６０ｍｌとを容量が１リットルのフラスコに採取し、硫化ナトリウムを溶解させた後、室温下で１時間をかけて上述したＣＭＳ-Ｐ(メタ体５０％、パラ体５０％のクロロメチルスチレン)３０．５ｇ（０．２０モル）を滴下した。次に、溶液を９０℃まで昇温し、３時間撹拌を続けることによって反応させた。反応終了後、油状の上層液と下層の水溶液とに分離した溶液から油状液を分液し、これにトルエン２００ｍｌを加えた。こうして得られた溶液を５％苛性ソーダ水で洗浄した後、さらに蒸留水を用いてｐＨが７になるまで繰り返し洗浄した。次に、洗浄後の溶液を、無水硫酸ナトリウムで乾燥させたのち、重合禁止剤であるｐ−メトキシフェノール０．０１５ｇ（ＣＭＳ-Ｐに対して１００００分の５重量部）を加え、溶媒を留去して赤褐色透明の液体２５ｇを得た。この液体について、赤外分光分析（ＩＲ）、およびゲルパーミエーションクロマトグラフィ（ＧＰＣ）の測定を行った。
【００５６】
ＩＲの測定結果を図５に示す。図５から明らかなように、ビニル基に基づく１６３０ｃｍ-1の吸収ピークと芳香環に基づく１５１０ｃｍ-1、１５８０ｃｍ-1および１６００ｃｍ-1の吸収ピークが見られた。また、ＧＰＣでは、原料および副生成物は検出されなかった。以上のことから、最終的に得られた液体は、以下の化学式（５ａ）、（５ｂ）および（５ｃ）（以下、これら３つの化学式をまとめて化学式（５）という場合がある）で表されるビス（ビニルベンジル）スルフィドであることが判明した。
【００５７】
【化１２】
0004472148.tif 000011
【００５８】
なお、本実施例では、化学式（１）で表されるビス（ビニルベンジル）スルフィドのうち、化学式（５）で表されるビス（ビニルベンジル）スルフィドを作製した一例について説明したが、ＣＭＳ-Ｐに代えてＣＭＳ-１４を用いることによって、ビス（ｐ−ビニルベンジル）スルフィドについても同様に作製できる。
【００５９】
（実施例２）
実施例２では、化学式（２）で表される樹脂モノマーのうち、１，３−ビス（ビニルベンジルチオメチル）ベンゼンを作製した一例について説明する。
【００６０】
上述したＣＭＳ-Ｐ(メタ体５０％、パラ体５０％のクロロメチルスチレン)３０．５ｇ（０．２０モル）と、上述したｍ−キシレンジチオール１７．０ｇ（０．１０モル）と、炭酸カリウム２７．６ｇ（０．２０モル）と、メチルイソブチルケトン３００ｍｌとを、容量が１リットルのフラスコに採取し、還流下で６時間撹拌を続けることによって反応させた。反応終了後、得られた溶液に５％の塩酸水５０ｍｌを撹拌しながら徐々に加え、その後さらにトルエン３００ｍｌを加えた。こうして得られた溶液を、ｐＨが７になるまで蒸留水を用いて繰り返し洗浄した。次に、洗浄後の溶液を、無水硫酸ナトリウムで乾燥させたのち、重合禁止剤であるｐ−メトキシフェノール０．０１５ｇ（ＣＭＳ-Ｐに対して１００００分の５重量部）を加え、溶媒を留去して淡黄色透明の液体３８ｇを得た。この液体について、赤外分光分析（ＩＲ）、およびゲルパーミエーションクロマトグラフィ（ＧＰＣ）の測定を行った。
【００６１】
ＩＲの測定結果を図６に示す。図６から明らかなように、ビニル基に基づく１６３０ｃｍ-1の吸収ピークと芳香環に基づく１５１０ｃｍ-1、１５８０ｃｍ-1および１６００ｃｍ-1の吸収ピークが見られる。また、ＧＰＣでは、原料および副生成物は検出されなかった。以上のことから、最終的に得られた液体は、以下の化学式（６ａ）、（６ｂ）および（６ｃ）（以下、これら３つの化学式をまとめて化学式（６）という場合がある）で表される１，３−ビス（ビニルベンジルチオメチル）ベンゼンであることが判明した。
【００６２】
【化１３】
0004472148.tif 000012
【００６３】
なお、本実施例では、化学式（２）で表される樹脂モノマーのうち、１，３−ビス（ビニルベンジルチオメチル）ベンゼンを作製した一例について説明したが、ｍ−キシレンジチオールに代えてｐ−キシレンジチオールを用いることにより、１，４−ビス（ビニルベンジルチオメチル）ベンゼンについても同様に作製できる。また、ＣＭＳ-Ｐに代えてＣＭＳ-１４を用いることにより、１，３−ビス（ｐ−ビニルベンジルチオメチル）ベンゼンを同様に作製できる。ｍ−キシレンジチオールとＣＭＳ-Ｐに代えてｐ−キシレンジチオールとＣＭＳ-１４を用いることにより、１，４−ビス（ｐ−ビニルベンジルチオメチル）ベンゼンを同様に作製できる。
【００６４】
（実施例３）
実施例３では、本発明の電子部品として、図１（ａ）に示したコンデンサを作製した一例について、図２を参照しながら説明する。
【００６５】
まず、厚さ２５μｍのＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）基板（支持体１１に相当）を用意し、このＰＥＴ基板上に、アルミからなる下部電極膜１２（厚さ３０ｎｍ）を、１００ｎｍ／秒の堆積速度で蒸着した。
【００６６】
その後、下部電極膜１２上に、樹脂モノマーを蒸着することによって、樹脂モノマーからなる薄膜１３ａ（厚さ２００ｎｍ）を形成した（図２（ｂ）参照）。具体的には、図３に示すような樹脂モノマー３１を入れた容器３２を、蒸着速度が５００ｎｍ／秒となるように加熱し、下部電極膜１２の一部が露出する位置に薄膜１３ａを形成した。
【００６７】
その後、−１５ｋＶの加速電子を５０μＡ／ｃｍ2の密度で２秒間、薄膜１３ａに照射することによって、薄膜１３ａ中の樹脂モノマーを重合させ、誘電体膜１３を形成した（図２（ｃ）参照）。
【００６８】
その後、誘電体膜１３の上方であって下部電極膜１２と接触しない位置に、アルミからなる上部電極膜１４を、１００ｎｍ／秒の堆積速度で蒸着した（図２（ｄ）参照）。このようにしてコンデンサを、作製した。
【００６９】
実施例３では、化学式（５）、化学式（６）、酸化防止剤としてＩＲＧＡＮＯＸ１５２０Ｌを３重量％添加した化学式（５）で示される樹脂モノマーを用いて３種類の異なるサンプルを作製し、実施サンプル１〜３とした。
【００７０】
また、比較例として、化学式（Ａ）および化学式（Ｂ）で表される樹脂モノマーを用いたコンデンサを作製し、比較サンプル１および２とした。
【００７１】
以上の５種類のコンデンサについて、特性の評価を行った。具体的には、▲１▼吸湿容量変化率と、▲２▼高温負荷容量変化率と、▲３▼素子を温水に浸漬した時の素子厚の変化を調べた（測定方法の詳細については後述する）。上記評価の結果を表１に示す。
【００７２】
【表１】
0004472148.tif 000013
【００７３】
表１から明らかなように、実施サンプル１〜３のコンデンサは、▲１▼、▲２▼、▲３▼のいずれの評価においても、比較サンプルおよび２のコンデンサよりも優れた特性を示した。すなわち、本発明の樹脂モノマーを用いてコンデンサの誘電体膜を形成することによって、高湿度下および高温度下においても優れた特性のコンデンサが得られる。
【００７４】
なお、誘電正接（ｔａｎδ）についても、実施サンプル１〜３のコンデンサは比較サンプル１および２のコンデンサと同等またはそれ以上の特性を示した。
【００７５】
以下、表１に示した評価の方法について詳述する。
【００７６】
▲１▼吸湿容量変化率については、以下の様に評価した。まず、コンデンサを１０５℃の環境下で１０時間乾燥させ、初期容量Ｃ11を測定した。容量は、周波数１ｋＨｚ、電圧１Ｖｒｍｓの正弦波をコンデンサに加えて測定した。その後、温度６０℃、湿度９５％Ｒｈの環境下でコンデンサを１００時間放置し、放置後の容量（吸湿時の容量）Ｃ12を、初期容量と同様の条件で測定した。吸湿容量変化率は、（Ｃ12−Ｃ11）／Ｃ11×１００（％）で表される値である。吸湿容量変化率の絶対値が小さいほど、湿度環境下における容量安定性が高く、製品として好ましい。したがって、この吸湿容量変化率の絶対値ができるだけ小さいことが特に重要である。
【００７７】
▲２▼高温負荷容量変化率については、以下のように評価した。まず、コンデンサを１０５℃の環境下で１０時間乾燥させ、初期容量Ｃ21を測定した。容量は、周波数１ｋＨｚ、電圧１Ｖｒｍｓの正弦波をコンデンサに加えて測定した。その後、温度１０５℃の環境下でコンデンサに１６Ｖの直流電圧を印加した状態で５００００時間放置し、放置後の容量Ｃ22を、初期容量と同様の条件で測定した。高温負荷容量変化率は、（Ｃ22−Ｃ21）／Ｃ21×１００（％）で表される値である。高温負荷容量変化率の絶対値が小さいほど、高温時に酸化しにくいことを示しており、製品として好ましい。特に、近年はＣＰＵの高速化などに伴う電子部品の耐高温性が重要になってきており、高温負荷容量変化率の絶対値が小さいことが、コンデンサの評価の重要な指標となる。
【００７８】
▲３▼温水に浸漬したときの厚さの変化は、以下の様に評価した。まず、コンデンサの厚さを測定した。次に、コンデンサを９０℃の温水中に３．５時間浸漬し、その後コンデンサを温水から取り出して再度厚さを測定した。そして、温水浸漬前の厚さと浸漬後の厚さとを比較した。この厚さの変化が大きいほど、誘電体膜が吸湿し、金属からなる電極膜との密着性が低下していることを示している。したがって、厚さの変化が小さいほど、誘電体膜と電極膜との密着性が高く、製品として好ましい。
【００７９】
なお、誘電正接（ｔａｎδ）については、周波数１ｋＨｚ、電圧１Ｖｒｍｓの正弦波をコンデンサに加えて測定した。誘電正接が小さいほど、コンデンサ自体で消費する電力がより小さく、製品として好ましい。
【００８０】
以上、本発明の実施の形態について例を挙げて説明したが、本発明は、上記実施の形態に限定されず本発明の技術的思想に基づき他の実施形態に適用することができる。
【００８１】
たとえば、上記実施形態では、本発明の電子部品がコンデンサである場合について説明したが、本発明の電子部品はこれに限定されず、上記実施形態で説明した誘電体膜を備えるものであれば、いかなるものであってもよい。具体的には、たとえば、コイル、抵抗、容量性電池、他の電子部品の支持部材などに用いることができる。
【００８２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の電子部品によれば、高湿度下や高温度下においても特性が良好な電子部品が得られる。特に、本発明をコンデンサに適用することによって、環境による特性変化が少ない高品質なコンデンサが得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明のコンデンサについて（ａ）一例の断面および（ｂ）他の一例の断面を示す図である。
【図２】  本発明のコンデンサについて製造方法の一例を示す工程図である。
【図３】  図２に示した製造工程の一過程を示す図である。
【図４】  本発明のコンデンサについてその他の一例を示す（ａ）断面図および（ｂ）斜視図である。
【図５】  本発明の電子部品の製造に用いられる樹脂モノマーの一例のビス（ビニルベンジル）スルフィドについてのＩＲスペクトルを示す図である。
【図６】  本発明の電子部品の製造に用いられる樹脂モノマーの一例の１，３−ビス（ビニルベンジルチオメチル）ベンゼンについてのＩＲスペクトルを示す図である。
【符号の説明】
１０、１０ａ、４０  コンデンサ（電子部品）
１１  支持体
１２  下部電極膜
１３  誘電体膜
１３ａ  薄膜
１４  上部電極膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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