(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の一方の面に形成された第一電極ごと被覆するように前記基板の一方の面上に下地膜を成膜する下地膜形成工程と、
前記下地膜上の一面にレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、
前記レジスト膜を部分的に除去することによって残留したレジスト膜で囲繞された囲繞領域内に前記第一電極を配するように、前記レジスト膜を形状加工する形状加工工程と、
前記残留したレジスト膜をマスクとしてＣ4Ｆ8又はＣＦ4を含むガスで前記下地膜をエッチングすると同時に前記レジスト膜の表層に撥液層を形成するエッチング工程と、
前記レジスト膜間にＥＬ層を形成するＥＬ層形成工程と、
を含むＥＬパネルの製造方法。
【請求項２】
前記形状加工工程において、前記第一電極の外縁部分に前記残留したレジスト膜が重なるように前記レジスト膜を形状加工することを特徴とする請求項１記載のＥＬパネルの製造方法。
【請求項３】
前記基板の一方の面に形成された前記第一電極は複数であり、
前記下地膜形成工程において複数の前記第一電極ごと前記下地膜で被覆し、
前記形状加工工程において前記囲繞領域を複数形成するように、且つ一つの囲繞領域に少なくとも一つの前記第一電極が配されるように前記レジスト膜を形状加工することを特徴とする請求項１又は２記載のＥＬパネルの製造方法。
【請求項４】
前記ＥＬ層は、ＥＬ材料を溶解したＥＬ溶液を液滴として前記囲繞領域に向けて噴出することによって形成されることを特徴とする請求項３に記載のＥＬパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板とこの基板に設けられたＥＬ素子とを備えるＥＬパネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ素子はアノード電極、有機材料からなる有機ＥＬ層、カソード電極の順に積層された積層構造を為しており、アノード電極とカソード電極の間に順バイアス電圧が印加されると有機ＥＬ層において発光する。このような有機ＥＬ素子を画素として基板上にマトリクス状に配列して、各有機ＥＬ素子を所定の階調輝度で発光することによって画像表示を行う有機ＥＬ表示パネルが実現化されている。
【０００３】
アクティブマトリクス構造の有機ＥＬ表示パネルでは、アノード電極又はカソード電極のうちの一方の電極を全ての画素に共通する共通電極とすることができるが、少なくとも他方の電極及び有機ＥＬ層を画素ごとにパターニングする必要がある。アノード電極やカソード電極を画素ごとにパターニングする手法は従来の半導体素子製造技術を適用できる。つまり、真空蒸着法、スパッタ法のようなＰＶＤ法又はＣＶＤ法等による成膜工程、フォトリソグラフィー法等によるマスク工程、エッチング法等による薄膜の形状加工工程を適宜行うことで、アノード電極やカソード電極を画素ごとにパターニングすることができる。
【０００４】
有機ＥＬ層の成膜方法については、材料等の条件に応じてドライ蒸着法と湿式コーティング法に大別できる。ドライ蒸着法を用いる場合には、ドライ蒸着法により有機ＥＬ層を一面に成膜した後にシャドウマスクを行い、その後マスクの無い部分をエッチングで除去すると、画素ごとに有機ＥＬ層をパターニングすることができる。一方、湿式コーティング法を用いる場合には、インクジェット技術を応用することで画素ごとに有機ＥＬ層をパターニングすることができる。つまり、有機ＥＬ層になる材料を溶媒で溶解してなるＥＬ溶液の液滴を画素ごとに噴出することで、画素ごとに有機ＥＬ層をパターニングすることができる。インクジェット技術を応用した湿式コーティング法では成膜工程と、画素ごとのパターニング工程をほぼ同時に行えることから、インクジェット方式は主流の技術となりつつある。
【０００５】
ところで、高解像度の画像表示を行う有機ＥＬ表示パネルを提供するためには、有機ＥＬ層を微細パターンで形成しなければならない。インクジェット方式では、ＥＬ溶液の液滴の粒径が非常に小さいため有機ＥＬ層を微細パターンで形成することは可能であるが、液滴が着弾した形状で固化してしまうため、所望の形状に成膜しにくく、また固化するまでの間に滲んで拡散してしまうため、わずかなインクジェットヘッドの位置ズレや着弾位置ずれにより隣りの画素の有機ＥＬ層のＥＬ溶液と混じってしまう恐れがあった。そこで、基板上に予め網目状の隔壁を微細パターニングしてから、隔壁によって囲繞された領域に液滴を噴出することで、隣り合う画素同士のＥＬ溶液が混ざることを防止する技術が提案されている。（例えば、特許文献１参照。）
【０００６】
図１１には、隔壁３０８を具備する従来の有機ＥＬ表示パネル３０１が示されている。この有機ＥＬ表示パネル３０１では、平面視して網目状の隔壁３０８が基板３１２に形成されており、隔壁３０８に囲繞された一つの領域に一つの有機ＥＬ素子３０２が設けられ、このような有機ＥＬ素子３０２が複数マトリクス状に配列されている。また、隔壁３０８の密着性を向上させるため、酸化シリコンからなる網目状の下地層３０９が隔壁３０８と基板３１２との間に形成されている。
【０００７】
この有機ＥＬ表示パネル３０１の製造方法としては、まず、基板３１２上に複数のアノード電極３１５をマトリクス状にパターニングした後、各アノード電極３１５の間において基板３１２上に下地層３０９を網目状にパターニングする。次に、下地層３０９上に隔壁３０８をパターニングする。
【０００８】
次に、酸素プラズマクリーニング装置にこの基板３１２をセットして、酸素プラズマクリーニング装置でアノード電極３１５上に付着した有機汚物をアッシングすることでアノード電極３１５をクリーニングする。アノード電極３１５をクリーニングするのは、有機ＥＬ層３１６をインクジェット方式で成膜するに際してＥＬ溶液の液滴がアノード電極３１５上で濡れやすくするためである。
【０００９】
次に、フッ化物プラズマ照射装置にこの基板３１２をセットして、フッ化物プラズマ照射装置で隔壁３０８にフッ化物プラズマ照射することで隔壁３０８の表層に撥液性の高いフッ化物層を形成する。隔壁３０８の表層に撥液性の高いフッ化物層を形成するのは、隔壁３０８の頭頂部より高くなるような大量のＥＬ溶液が噴出された場合でも隔壁３０８上にＥＬ溶液が滲むことを防止してアノード電極３１５上のみにＥＬ溶液が定着させるとともに、隔壁３０８上で隣り合う画素のＥＬ溶液が混じることを防止するためである。
【００１０】
次に、インクジェット式成膜装置にこの基板３１２をセットして、インクジェット式成膜装置で各アノード電極３１５上にＥＬ溶液を噴出後に乾燥させて、各アノード電極３１５上に有機ＥＬ層３１６をパターニングする。次に、有機ＥＬ層３１２上にカソード電極３１７を成膜する。
【特許文献１】特開２０００−３２３２７６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
ところで、上記製造方法では、下地層３０９をパターニングした後に隔壁３０８をパターニングしているため、下地層３０９上に隔壁３０８が確実に成膜されるように、平面視して下地層３０９の幅を隔壁３０８の幅より広くする必要がある。このように下地層３０９の幅が隔壁３０８の幅より広く、下地層３０９がアノード電極３１５の周縁部上に形成されるため、発光部分が狭く、所謂開口率が低い。一方、下地層３０９の幅を狭くすることで開口率を高めたものとしても、隔壁３０８の形成において隔壁３０８がアノード電極３１５上にはみ出てしまうため隔壁３０８の密着性が低下する。従って、隔壁３０８はアノード電極３１５に重なった部分から剥がれてしまう恐れがある。
【００１２】
一方、酸素プラズマクリーニングを行わなければ、ＥＬ溶液がアノード電極３１５上で広がらず、アノード電極３１５上において有機ＥＬ層３１６の成膜されていない部分が生じてしまう恐れがある。また、フッ化物プラズマ照射を行わなければ、ＥＬ溶液が隔壁３０８上に滲んでしまい、隣り同士の画素同士のＥＬ溶液が隔壁３０８上で混じってしまう可能性がある。しかしながら、酸素プラズマクリーニングやフッ化物プラズマ照射を行うため、製造工程が煩雑になる。
【００１３】
以上のように従来の製造方法では、高品質の有機ＥＬ表示パネルの提供と、製造工程の簡便さとを両立するにも限度がある。そこで、本発明の課題は、高品質のＥＬ表示パネルの提供と製造工程の簡便さの両立を図ることである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
以上の課題を解決するために、請求項１記載の発明に係る製造方法は、例えば図１〜８に示すように、基板（例えば、ＴＦＴ駆動基板６）の一方の面（例えば、表面６ａ）に形成された第一電極（例えば、アノード電極１５）ごと被覆するように前記基板の一方の面上に下地膜（例えば、酸化シリコン下地膜９’）を成膜する下地膜形成工程（例えば図４に図示）と、前記下地膜上の一面にレジスト膜（例えば、レジスト膜８’）を形成するレジスト膜形成工程（例えば図５に図示）と、前記レジスト膜を部分的に除去することによって残留したレジスト膜（例えば、隔壁８）で囲繞された囲繞領域内に前記第一電極を配するように、前記レジスト膜を形状加工する形状加工工程（例えば、図６に図示）と、前記残留したレジスト膜をマスクとしてＣ4Ｆ8又はＣＦ4を含むガスで前記下地膜をエッチングすると同時に前記レジスト膜の表層に撥液層を形成するエッチング工程（例えば図７に図示）と、前記レジスト膜間にＥＬ層を形成するＥＬ層形成工程（例えば、図８に図示）と、を含むことを特徴とする。
【００１５】
請求項２記載の発明は、請求項１記載の製造方法において、前記形状加工工程において、前記第一電極の外縁部分に前記残留したレジスト膜が重なるように前記レジスト膜を形状加工することを特徴とする。
【００１６】
請求項３記載の発明は、請求項１又は２記載の製造方法において、前記基板の一方の面に形成された前記第一電極は複数であり、前記下地膜形成工程において複数の前記第一電極ごと前記下地膜で被覆し、前記形状加工工程において前記囲繞領域を複数形成するように、且つ一つの囲繞領域に少なくとも一つの前記第一電極が配されるように前記レジスト膜を形状加工することを特徴とする。
【００１７】
請求項４記載の発明は、請求項３に記載の製造方法において、前記ＥＬ層（例えば、有機ＥＬ層１６）は、ＥＬ材料を溶解したＥＬ溶液を液滴（例えば、液滴１１６）として前記囲繞領域に向けて噴出することによって形成されることを特徴とする。
【００１８】
請求項１から４の何れかに記載の発明では、レジスト膜を形状加工して残留したレジスト膜が従来の隔壁３０８に相当するものとなる。ここで、残留したレジスト膜をマスクとして、下地膜をエッチングしているため、残留した下地膜の形状は残留したレジスト膜の形状に合致する。残留した下地膜は従来の下地層３０９に相当するものであり、残留した下地膜が残留したレジスト膜（つまり、隔壁）に合致するため、ＥＬ素子の発光範囲を最大限に広げることができる。また、残留したレジスト膜が残留した下地膜に合致しているから、残留したレジスト膜が下地膜から第一電極や基板にはみ出てないから、残留したレジスト膜が剥がれにくい。故に、高品質のＥＬパネルを提供することができる。
【００１９】
また、残留したレジスト膜をマスクとして下地膜を形状加工しているため、従来のように下地層３０９をパターニングした後に隔壁３０８を下地層３０９上に成膜する場合と比較しても、工程が省略されて、ＥＬパネルの製造方法が簡便化される。以上のように請求項１から４の何れかに記載の発明では、高品質のＥＬパネルの提供と製造工程の簡便さの両立を図ることができる。
【００２０】
また、残留したレジスト膜をマスクとしてＣ4Ｆ8又はＣＦ4を含むガスで下地膜をエッチングしているため、残留したレジスト膜の表層にフッ素を含む化合物の層が形成される。フッ素を含む化合物の層は一般的に撥液性が高いため、残留したレジスト膜にフッ化物プラズマ照射をしなくても、ＥＬ溶液が残留したレジスト膜上に広がらない。従って、請求項４記載の発明のようにＥＬ溶液でＥＬ層を成膜しようとした場合、残留したレジスト膜上において隣り同士の画素のＥＬ溶液が混じることもない。また、フッ化物プラズマ照射を省略しても残留したレジスト膜上にＥＬ溶液が広がらないから、従来の製造方法に比較してもＥＬパネルの製造方法が簡便化される。
【発明の効果】
【００２１】
以上のように請求項１から４の何れかに記載の発明によれば、残留した酸化シリコン膜の形状は残留したレジスト膜の形状に合致するから、残留した酸化シリコン及び残留したレジスト膜に囲繞された囲繞領域において、第一電極、ＥＬ層及び第二電極からなるＥＬ素子の発光範囲を最大限に広げることができる。従って、高品質のＥＬパネルを提供することができる。また、残留したレジスト膜をマスクとして酸化シリコン膜を形状加工しているため、残留したレジスト膜が、第一電極、ＥＬ層及び第二電極からなるＥＬ素子を囲繞する隔壁となる。従って、工程が省略されて、ＥＬパネルの製造方法が簡便化される。
【００２２】
また、残留したレジスト膜の表層にフッ素を含む化合物の層が形成されるから、残留したレジスト膜にフッ化物プラズマ照射をしなくても良い。従って、従来の製造方法に比較してもＥＬパネルの製造方法が簡便化される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下に、図面を用いて本発明の具体的な態様について説明する。ただし、発明の範囲を図示例に限定するものではない。なお、以下の説明において、『平面視して』とは、『発光面に対して垂直な方向に見て』という意味である。
【００２４】
図１には、有機ＥＬ表示パネル１の断面図が示されている。平面視して、有機ＥＬ表示パネル１では赤色、緑色及び青色の複数の画素がマトリクス状に配列されており、一つの画素は、一つの有機ＥＬ素子２（詳細については後述する。）によって発光する発光部３と、その発光部３の周囲において発光しない非発光部４とからなる。
【００２５】
有機ＥＬ表示パネル１は、アクティブマトリクス駆動方式によりカラー表示を行うものである。即ち、有機ＥＬ表示パネル１は、一つの画素につき、一つの有機ＥＬ素子２と、有機ＥＬ素子２を駆動するための一つの画素スイッチング回路（薄膜トランジスタ５を含む）と、から構成されており、周辺ドライバ回路から出力された信号に従って画素スイッチング回路が有機ＥＬ素子２に流れる電流をオン・オフしたり、有機ＥＬ素子２の発光期間中に電流値を保持することで有機ＥＬ素子２の発光輝度を一定に制御したりする。なお、画素スイッチング回路は、一つにつき、少なくとも一つ以上の薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと述べる。）から構成され、適宜コンデンサ等も付加されることもあるが、以下では画素スイッチング回路のＴＦＴのうち、他の電気素子を介しないで有機ＥＬ素子２に直接接続されるＴＦＴ５を例にして説明する。
【００２６】
有機ＥＬ表示パネル１は、画素スイッチング回路（ＴＦＴ５を含む）を有するＴＦＴ駆動基板６と、ＴＦＴ駆動基板６に対向した平板状の対向基板７と、ＴＦＴ駆動基板６と対向基板７との間においてマトリクス状にパターニング形成された複数の有機ＥＬ素子２と、有機ＥＬ素子２の周囲に設けられた平面視網目状の隔壁８と、隔壁８とＴＦＴ駆動基板６との間に形成された平面視網目状の下地層９と、隔壁８及び下地層９の表層の撥液層１０と、有機ＥＬ素子２を封止する封止樹脂層１１等とを具備する。
【００２７】
ＴＦＴ駆動基板６は、光に対して透過性を有する絶縁性の透明基板１２を基本構成としている。透明基板１２は、ホウケイ酸ガラス、石英ガラス、その他のガラスといった材料で平板状に形成されている。この透明基板１２の一方の面１２ａにＴＦＴ５、配線１９（例えば、走査線、信号線等）、その他の電気素子等が形成され、透明基板１２の全面にゲート絶縁膜１３及び層間絶縁膜１４が成膜されて、ＴＦＴ駆動基板６が構成される。
【００２８】
ＴＦＴ５は、ゲート電極、ドレイン電極、ソース電極、半導体層、不純物半導体層等から構成されたＭＯＳ型の電界効果トランジスタであり、半導体層はアモルファスシリコンであっても、ポリシリコンであってもよく、逆スタガ構造であってもコプラナ構造であってもよい。更に、ＴＦＴ５は配線１９に接続されており、周辺ドライバ回路から各ＴＦＴ５に電流が流れたり、電圧が印加されたりする。ゲート絶縁膜１３は、ＴＦＴ５の半導体層、不純物半導体層、ソース電極並びにドレイン電極とゲート電極との間に介在するとともに、走査線等の配線１９を被覆する。ゲート絶縁膜１３は、可視光に対して透過性を有するとともに絶縁性を有する。層間絶縁膜１４は、全てのＴＦＴ５を被覆して、ＴＦＴ駆動基板６の表面６ａを構成する。また、層間絶縁膜１４は信号線等の配線も被覆する。層間絶縁膜１４は、可視光に対して透光性を有するとともに絶縁性を有する。
【００２９】
層間絶縁膜１４上に複数の有機ＥＬ素子２がマトリクス状に配列されている。各有機ＥＬ素子２は、アノード電極（第一電極）１５と、有機ＥＬ層１６と、カソード電極（第二電極）１７とを具備しており、層間絶縁膜１４側から順にアノード電極１５、有機ＥＬ層１６、カソード電極１７が積層した積層構造となっている。
ここでは、カソード電極１７は、全ての有機ＥＬ素子２に共通した電極となっており、一面に形成されている。一方、アノード電極１５及び有機ＥＬ層１６は、画素ごとに設けられており、平面視して複数マトリクス状に配列されている。
【００３０】
アノード電極１５は、導電性を有するとともに可視光に対して透光性を有している。更に、アノード電極１５は、比較的仕事関数が高く、有機ＥＬ層１２へ正孔を効率よく注入するものが好ましい。アノード電極１５としては、インジウム・スズ・酸化物（ＩＴＯ:Indium-Tin-Oxide）が望ましいが、例えば、亜鉛ドープ酸化インジウム（ＩＺＯ）、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）、酸化スズ（ＳｎＯ2）又は酸化亜鉛（ＺｎＯ）を主成分としたものでも良い。なお、画素ごとに層間絶縁膜１４にコンタクトホール１８が設けられており、コンタクトホール１８を介してＴＦＴ５のドレイン電極又はカソード電極がアノード電極１５に電気的に接続されている。
【００３１】
有機ＥＬ層１６は、アノード電極１５上に形成されている。有機ＥＬ層１６は、例えば、アノード電極１５から順に正孔輸送層、狭義の発光層、電子輸送層となる三層構造であっても良いし、アノード電極１５から順に正孔輸送層、狭義の発光層となる二層構造であっても良いし、狭義の発光層からなる一層構造であっても良いし、これらの層構造において適切な層間に電子或いは正孔の注入層が介在した積層構造であっても良いし、その他の層構造であっても良い。
【００３２】
有機ＥＬ層１６は、正孔及び電子を注入する機能、正孔及び電子を輸送する機能、正孔と電子の再結合により励起子を生成して赤色、緑色又は青色の何れかに発光する機能を有する広義の発光層である。つまり、画素が赤である場合にはその画素の有機ＥＬ層１６は赤色に発光し、画素が緑である場合にはその画素の有機ＥＬ層１６は緑色に発光し、画素が青である場合にはその画素の有機ＥＬ層１６は青色に発光する。
【００３３】
また、有機ＥＬ層１６は、電子的に中立な有機化合物であることが望ましく、これにより正孔と電子が有機ＥＬ層１６でバランス良く注入及び輸送される。また、電子輸送性の物質が狭義の発光層に適宜混合されていても良いし、正孔輸送性の物質が狭義の発光層に適宜混合されても良いし、電子輸送性の物質及び正孔輸送性の物質が狭義の発光層に適宜混合されていても良い。なお、有機ＥＬ層１６に発光材料（蛍光材料）が含有されているが、発光材料は高分子系材料である。この有機ＥＬ層１６は、後述する成膜装置５０によって液滴噴出方式（所謂インクジェット方式）で形成されたものである。
【００３４】
カソード電極１７は、仕事関数の低い材料で形成されており、具体的なものとして、マグネシウム、カルシウム、リチウム若しくはバリウム又はこれらの少なくとも一種を含む合金若しくは混合物等で形成され、その上を例えばアルミニウム、クロム等高仕事関数で且つ低抵抗の材料で覆った積層構造になっている。また、カソード電極１７は可視光に対して遮光性を有するのが望ましく、かつ、有機ＥＬ層１６から発する可視光に対して高い反射性を有するのが望ましい。つまり、カソード電極１７は可視光を反射する鏡面として作用する。
【００３５】
マトリクス状に配列された複数のアノード電極１５及び有機ＥＬ層１６をそれぞれ仕切るように、下地層９及び隔壁８が平面視して網目状に設けられている。下地層９は、酸化シリコン（ＳｉＯ2）により形成されており、可視光に対して透過性を有するとともに絶縁性を有する。
【００３６】
隔壁８は、下地層９上に形成されており、平面視して下地層９の形状に合致している。従って、平面視して、隔壁８が下地層９からはみ出ておらず、下地層９が隔壁８からはみ出ていない。また、隔壁８は、ポリイミド樹脂等の感光性樹脂で形成されている。隔壁８とＴＦＴ駆動基板６との間に下地層９が介在することで、ＴＦＴ駆動基板６に対して隔壁８の密着性が高くなっている。隔壁８及び下地層９の表層に撥液層１０が形成されているが、撥液層１０はフッ素と炭素の化合物であり、有機ＥＬ層１６の材料（有機ＥＬ材料）を数％の濃度で溶媒に溶解したＥＬ溶液をはじく性質を有する。なお、カソード電極１７は、全ての有機ＥＬ素子２に共通の電極であるため、隔壁８の上面や隔壁８の側面上にも形成されている。
【００３７】
封止樹脂層１１は、以上のように構成された複数の有機ＥＬ素子２全体を被覆するように成膜されている。この封止樹脂層１１は、例えば、エポキシ樹脂等により形成されている。対向基板７は、この封止樹脂層１１によって有機ＥＬ素子２上に接着されており、ホウケイ酸ガラス、石英ガラス、その他のガラスといった材料で形成されている。
【００３８】
次に、液滴噴出方式で有機ＥＬ層１６を成膜する成膜装置５０について説明する。
図２には、成膜装置５０が示された概略側面図である。
成膜装置５０は、有機溶媒（例えば、トルエン又はキシレン等）または水溶性の溶媒に有機ＥＬ層１６の材料（発光性物質、正孔輸送性物質、電子輸送性物質等の有機ＥＬ材料）が溶解してなるＥＬ溶液を液滴としてＴＦＴ駆動基板６に噴出することで有機ＥＬ層１６を成膜するものである。ここで、有機ＥＬ層１６を成膜する際には、下地層９、隔壁８及びアノード電極１５が表面６ａ上に形成されているＴＦＴ駆動基板６を用いる。
【００３９】
成膜装置５０は、平坦で且つ水平な上面を有するワークテーブル５１と、ワークテーブル５１を副走査方向Ｙ（ワークテーブル５１に平行である。）の順方向及び逆方向の両方に移動する移動装置５２と、副走査方向Ｙに対して略直角な主走査方向Ｘ（ワークテーブル５１に平行である。）に延在するガイド部５３と、ガイド部５３に案内されてガイド部５３に沿って主走査方向Ｘの順方向及び逆方向に移動するヘッド部５４と、ＥＬ溶液を液滴として噴出する複数のノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂと、プラズマ照射を行う酸素プラズマ照射ヘッド５６及びフッ化物プラズマ照射ヘッド５７と、内部空間６６ａを形成した箱体６６等とを具備する。
【００４０】
ワークテーブル５１にはＴＦＴ駆動基板６が載置される。
移動装置５２は、ヘッド部５４の動作に合わせてワークテーブル５１とともにＴＦＴ駆動基板６を副走査方向Ｙに搬送するものであり、具体的には、間欠的にＴＦＴ駆動基板６を搬送するものである。
【００４１】
ヘッド部５４は、間欠的なＴＦＴ駆動基板６の搬送に合わせて、ワークテーブル５１上においてガイド部５３に沿って主走査方向Ｘに往復移動するものであり、具体的にはＴＦＴ駆動基板６が停止している際に主走査方向Ｘに少なくとも一往復の移動をするものである。
【００４２】
ヘッド部５４に複数のノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂが設けられている。ノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂは、主走査方向Ｘに一列となって等間隔に並んでいる。
【００４３】
各ノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂの内部にはそれぞれ互いに発光色の異なる有機ＥＬ材料を含むＥＬ溶液が充填されており、各ノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂには噴出手段が設けられているとともに、ノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂの下端部にはそれぞれ噴出口５５Ｒａ，５５Ｇａ，５５Ｂａが設けられている。ノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂはそれぞれの噴出手段の作動によりそれぞれの噴出口５５Ｒａ，５５Ｇａ，５５ＢａからＥＬ溶液をＴＦＴ駆動基板６に向けて噴出する。噴出手段は、サーマルジェット式、ピエゾ式又は静電式等が挙げられる。
【００４４】
サーマルジェット式の噴出手段は、発熱体でノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂ内のＥＬ溶液に気泡を発生することでノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂ内の圧力を変化させることによって、ＥＬ溶液の液滴を噴出するものである。
【００４５】
ピエゾ式の噴出手段は、ノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂ内の溶液に接したピエゾ素子の体積を変化させることでノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂ内の圧力を変化させることによって、ＥＬ溶液の液滴を噴出するものである。
【００４６】
静電式の噴出手段は、ノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂ内の溶液に接したコンデンサに電圧を印加してコンデンサの電極の引力又は斥力を変化させることでノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂ内の溶液の圧力を変化させることによって、ＥＬ溶液の液滴を噴出するものである。
【００４７】
なお、噴出口５５Ｒａからは、赤色に発光する有機ＥＬ層１６のＥＬ溶液が噴出され、噴出口５５Ｇａからは緑発光のＥＬ溶液が噴出され、噴出口５５Ｂａからは青発光のＥＬ溶液が噴出される。
【００４８】
更に、ヘッド部５４には、酸素プラズマ照射ヘッド５６と、フッ化物プラズマ照射ヘッド５７とが設けられている。酸素プラズマ照射ヘッド５６は、ＴＦＴ駆動基板６に向けて酸素のプラズマ照射を行うものである。フッ化物プラズマ照射ヘッド５７は、ＴＦＴ駆動基板６に向けてフッ化物のプラズマ照射を行うものである。
【００４９】
酸素プラズマ照射においては、酸素ガス供給源５８からガス混合器６０へ酸素ガスが供給され、不活性ガス供給源５９からガス混合器６０へアルゴンガス又はヘリウムガスが供給され、酸素ガスとアルゴンガスの混合ガス、又は酸素ガスとヘリウムガスの混合ガスがガス混合器６０から酸素プラズマ照射ヘッド５６へ供給されるようになっている。ここで、高周波電源６１で酸素プラズマ照射ヘッド５６の電極に高周波電圧が印加されると、酸素プラズマ照射ヘッド５６からＴＦＴ駆動基板６に向けて酸素プラズマ（電離した酸素ガス（例えば、酸素ラジカル、酸素イオン等））が照射されるようになっている。酸素プラズマ照射ヘッド５６から照射されたプラズマは、大気圧のプラズマであるが、大気圧より気圧の低い減圧プラズマであっても良い。
【００５０】
フッ化物プラズマ照射においては、フッ化物ガス供給源６２からガス混合器６４へＦ2ガス又はＣＦ4ガス（以下、Ｆ2ガス、ＣＦ4ガスをまとめてフッ化物ガスと称する。）が供給され、不活性ガス供給源６３からガス混合器６４へアルゴンガス又はヘリウムガスが供給され、フッ化物ガスとアルゴンガスの混合ガス、又はフッ化物ガスとヘリウムガスの混合ガスがガス混合器６４からフッ化物プラズマ照射ヘッド５７へ供給されるようになっている。ここで、高周波電源６５でフッ化物プラズマ照射ヘッド５７の電極に高周波電圧が印加されると、フッ化物プラズマ照射ヘッド５７からＴＦＴ駆動基板６に向けてフッ化物プラズマ（電離したフッ化物ガス（例えば、フッ化物ラジカル、フッ化物イオン等））が照射されるようになっている。フッ化物プラズマ照射ヘッド５７から照射されるプラズマは、大気圧のプラズマであるが、大気圧より気圧の低い減圧プラズマであっても良い。なお、ガス混合器６４へＯ2ガスが供給されても良い。
【００５１】
酸素プラズマ照射ヘッド５６及びフッ化物プラズマ照射ヘッド５７は、ノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂとともに主走査方向Ｘに一列となって並んでいる。つまり、酸素プラズマ照射ヘッド５６、フッ化物プラズマ照射ヘッド５７及びノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂは一直線状に配列されており、酸素プラズマ照射ヘッド５６、フッ化物プラズマ照射ヘッド５７及びノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂを結ぶ直線は主走査方向Ｘに平行となっている。
【００５２】
また、酸素プラズマ照射ヘッド５６は、主走査方向Ｘの順方向の最前に配置されており、酸素プラズマ照射ヘッド５６の逆方向側にフッ化物プラズマ照射ヘッド５７が配置されており、フッ化物プラズマ照射ヘッド５７の逆方向側にノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂが配置されている。従って、ヘッド部５４が主走査方向Ｘの順方向に移動している場合、ＴＦＴ駆動基板６上のある点の直上を、酸素プラズマ照射ヘッド５６、フッ化物プラズマ照射ヘッド５７、ノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂの順に通過する。なお、ノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂの並び順は、どのような並び順であっても良い。
【００５３】
ワークテーブル５１、ノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂ、酸素プラズマ照射ヘッド５６及びフッ化物プラズマ照射ヘッド５７は、箱体６６内に配設されている。従って、ＴＦＴ駆動基板６が副走査方向Ｙに移動されること、ノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５ＢからＥＬ溶液の液滴が噴出されること、ＥＬ溶液の液滴がＴＦＴ駆動基板６に着弾すること、ＴＦＴ駆動基板６に酸素プラズマ照射すること、及びＴＦＴ駆動基板にフッ化物プラズマ照射することが、箱体６６の内部空間６６ａにおいて行われる。
【００５４】
なお、移動装置５２、ヘッド部５４、ノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂ、酸素プラズマ照射ヘッド５６、フッ化物プラズマ照射ヘッド５７、高周波電源６１及び高周波電源６５は制御装置（図示略）によって制御されて所定タイミングで動作したり、停止したりする。
【００５５】
有機ＥＬ表示パネル１の製造方法について説明する。
まず、ＴＦＴ駆動基板６を製造する。つまり、ＰＶＤ法或いはＣＶＤ法等による成膜工程、フォトリソグラフィー法等によるマスク工程、エッチング法等による薄膜形状加工工程を適宜行うことによって、画素ごとに画素スイッチング回路（ＴＦＴ５を含む）を透明基板１２の面１２ａにパターニング形成するとともに、面１２ａに配線１９をパターニング形成し、更に一面に層間絶縁膜１４を成膜する。
【００５６】
次に、層間絶縁膜１４にコンタクトホールを形成後、ＰＶＤ法或いはＣＶＤ法等による成膜工程、フォトリソグラフィー法等によるマスク工程、エッチング法等による薄膜形状加工工程を適宜行うことによって、層間絶縁膜１４上に複数のアノード電極１５をマトリクス状にパターニング形成し、コンタクトホール１８を介してアノード電極１５をＴＦＴ５に接続する（図３）。なお、図３（ｂ）はこの工程直後におけるＴＦＴ駆動基板６の平面図を示し、図３（ａ）は図３（ｂ）の破断線Ａ−Ａにおける断面図を示す。
【００５７】
次に、ＰＶＤ法或いはＣＶＤ法等による成膜工程を行うことで、複数のアノード電極１５の形成された層間絶縁膜１４上の一面に酸化シリコン下地膜９’を成膜する（図４）。ここで、酸化シリコン下地膜９’で全てのアノード電極１５を被覆するように、酸化シリコン下地膜９’を成膜する。なお、図４（ｂ）はこの工程直後におけるＴＦＴ駆動基板６の平面図を示し、図４（ａ）は図４（ｂ）の破断線Ｂ−Ｂにおける断面図を示す。
【００５８】
次に、スピンコート法又はディップ法等によって、酸化シリコン下地膜９’上の一面に感光性樹脂のレジスト膜８’を成膜する（図５）。酸化シリコン下地膜９’はレジスト膜８’に対して密着性が高いから、酸化シリコン下地膜９’を成膜せずにＴＦＴ駆動基板６の透明基板１２のガラス表面やアノード電極１５の表面に直接レジスト膜８’を成膜した場合よりもレジスト膜８’が剥がれにくい。なお、図５（ｂ）はこの工程直後におけるＴＦＴ駆動基板６の平面図を示し、図５（ａ）は図５（ｂ）の破断線Ｃ−Ｃにおける断面図を示す。
【００５９】
次に、レジスト膜８’を形状加工するために、レジスト膜８’を選択的に露光する。ここで、レジスト膜８’がネガ型である場合には隔壁８となる部分を露光し、レジスト膜８’がポジ型である場合には隔壁８となる部分以外を露光する。次に、レジスト膜８’に現像液を散布して、隔壁８となる部分以外のレジスト膜８’を現像液で除去することで、レジスト膜８’を形状加工する。レジスト膜８’の残留した部分が隔壁８となる（図６）。ここで、図６（ｂ）に示すように、平面視して、各アノード電極１５の外縁部に隔壁８の一部が重なるようにレジスト膜８’を形状加工する。レジスト膜８’を形状加工することで隔壁８が形成されるが、隔壁８で囲繞される囲繞領域は複数形成され、この時点では平面視してそれぞれの囲繞領域に一つのアノード電極１５が配される。なお、図６（ｂ）はこの工程直後におけるＴＦＴ駆動基板６の平面図を示し、図６（ａ）は図６（ｂ）の破断線Ｄ−Ｄにおける断面図を示す。
【００６０】
次に、隔壁８をマスクとして酸化シリコン下地膜９’をＣ4Ｆ8ガスによるドライエッチング（プラズマエッチング）を行う。これにより、酸化シリコン下地膜９’のうち隔壁８に平面視して重なっていない部分が除去され、隔壁８に重なった部分が残留して下地層９となる（図７）。隔壁８をマスクとしているため、図７（ｂ）に示すように、酸化シリコン下地膜９’の残留した部分（つまり、下地層９）の形状は平面視して隔壁８に合致しており、下地層９が隔壁８からはみ出ていることもなく、隔壁８が下地層９からはみ出ていることもない。隔壁８によって囲繞された囲繞領域で酸化シリコン下地膜９’が除去されることで、囲繞領域にアノード電極１５が露出する。
【００６１】
また、ドライエッチングにおいてＣ4Ｆ8がプラズマ化すると、ＣＦやＣＦ2のラジカル種が発生するが、ラジカル種が酸化シリコンと反応するから酸化シリコン下地膜９’が除去される。一方、ラジカル種は感光性樹脂（ポリイミド樹脂）と反応しないため、隔壁８の表層ではラジカル種が重合することで、フッ素と炭素の化合物が形成されて、隔壁８の表層に撥液層１０が形成される。従って、隔壁８をマスクとしたＣ4Ｆ8ガスのドライエッチングによって、酸化シリコン下地膜９’を形状加工することと、隔壁８の表層に撥液層１０を成膜することを同時行うことができる上、更に、下地層９の形状を隔壁８と合致することができる。なお、エッチングガスとしてＣ4Ｆ8の代わりに、ＣＦ4やこれらの少なくともいずれかを含む混合ガスを用いても良く、酸化シリコン下地膜９’をエッチングできるとともに隔壁８の表層にフッ素化合物の撥液層１０を成膜できるフッ素化合物ガスであれば何でも良い。なお、図７（ｂ）はこの工程直後におけるＴＦＴ駆動基板６の平面図を示し、図７（ａ）は図７（ｂ）の破断線Ｅ−Ｅにおける断面図を示す。
【００６２】
次に、アノード電極１５、隔壁８、下地層９及び撥液層１０の形成されたＴＦＴ駆動基板６を成膜装置５０にセッティングする。つまり、箱体６６内のワークテーブル５１上にＴＦＴ駆動基板６を載置する。次に、成膜装置５０を用いて、アノード電極１５を酸素プラズマ照射することでアノード電極１５をクリーニングしつつ、且つ、隔壁８をフッ化物プラズマ照射することで隔壁８の表層に撥液層１０を成膜しつつ、隔壁８に囲繞された囲繞領域に有機溶媒の液滴を噴出することで隔壁８に囲繞された囲繞領域に有機ＥＬ層１６を成膜する。
【００６３】
詳細には成膜装置５０は、制御装置に制御されて以下のように動作する。
つまり、成膜装置５０が、移動装置５２でＴＦＴ駆動基板６を副走査方向Ｙに間欠的に搬送する。ここで、ＴＦＴ駆動基板６が停止している際に、ヘッド部５４が主走査方向Ｘに少なくとも一往復する。
【００６４】
図８に示すように、ヘッド部５４が主走査方向Ｘの順方向に移動している最中では、まず、酸素プラズマ照射ヘッド５６がアノード電極１５の直上を通過するとともに、フッ化物プラズマ照射ヘッド５７が隔壁８の直上を通過する。酸素プラズマ照射ヘッド５６がアノード電極１５の直上を通過している最中には、酸素プラズマ照射ヘッド５６がアノード電極１５に向けて酸素プラズマを噴出し、これによりアノード電極１５の表面に付着した有機不要物が灰化（アッシング）されて、アノード電極１５がクリーニングされる。
【００６５】
一方、フッ化物プラズマ照射ヘッド５７が隔壁８の直上を通過している最中には、フッ化物プラズマ照射ヘッド５７が隔壁８に向けてフッ化物プラズマを噴出し、これにより隔壁８の表層でフッ化物プラズマのラジカル種が重合して、隔壁８の表層に撥液層１０が成膜される。先程のドライエッチングによって撥液層１０が十分に成膜されていない場合でも、フッ化物プラズマ照射によって隔壁８の表層に撥液層１０が確実に成膜される。
【００６６】
酸素プラズマ照射ヘッド５６がアノード電極１５上の通過後、ノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂがアノード電極１５の直上を通過する。ノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂがアノード電極１５上を通過している最中には、ノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂのうちの色に応じた一つのノズルがアノード電極１５に向けてＥＬ溶液を液滴１１６として一回又は複数回噴出する。
【００６７】
アノード電極１５に着弾した液滴１１６がアノード電極１５上で広がって膜になり、そして固化することによって、有機ＥＬ層１６が形成される。アノード電極１５がプラズマクリーニングされているので、アノード電極１５はＥＬ溶液に対して濡れ性が高いとともに撥液性が低いから、ＥＬ溶液はアノード電極１５上で広がりやすい。従って、隔壁８に囲繞された囲繞領域において、ＥＬ溶液がアノード電極１５一面に広がり、有機ＥＬ層１６がアノード電極１５の一面に均等な厚さで成膜される。
【００６８】
また、隔壁８の頭頂部より高くなるような大量のＥＬ溶液が噴出された場合でも、隔壁８の表層に撥液性の高い撥液層１０が成膜されているため、ＥＬ溶液が隔壁８上に滲むことがない。そのため、隣り合う二つの画素のＥＬ溶液同士が隔壁８上で混ざることがない。ここで、固体（撥液層１０）の臨界表面張力をγｃとし、液体（ＥＬ溶液）の表面張力をγＬとし、固体と液体との接触角をθとすると、式（１）のような関係式が成立する。
ＣＯＳθ＝１＋ｂ（γc−γL） …（１） （但し、ｂは定数）
撥液層１０の材料から望ましいＥＬ溶液の表面張力を考慮すると、撥液層１０がポリ四フッ化エチレンからできている場合、臨界界面張力γcは約１８×１０-3となる。このため、表面張力γLが、γL＜１８×１０-3［Ｎ／ｍ］であるＥＬ溶液であれば、ポリ四フッ化エチレンの撥液層１０の撥液性が生じ効果が生じることになる。ＥＬ溶液の表面張力から望ましい撥液層１０の材料を考慮すると、ＥＬ溶液中の有機溶剤で主に用いられるトルエンやキシレンの表面張力は、γL≒２８×１０-3［Ｎ／ｍ］であり、ＥＬ溶液もほぼ同様の値なので撥液層１０の臨界界面張力γcが表面張力より小さくなれば、良好な撥液性を示すから、撥液層１０の臨界界面張力γc≦２８×１０-3［Ｎ／ｍ］が望ましい。
【００６９】
以上のようにヘッド部５４が主走査方向Ｘに少なくと一往復した後、成膜装置５０は、移動装置５２でＴＦＴ駆動基板６を副走査方向Ｙに所定距離搬送する。そして、ＴＦＴ駆動基板６が再び停止したら、成膜装置５０はヘッド部５４の往復移動、ＥＬ溶液の噴出、及びプラズマ照射を再び行う。以降、成膜装置５０が上述の動作を繰り返すことにより、隔壁８に囲繞された囲繞領域全てに有機ＥＬ層１６が成膜される。
【００７０】
なお、酸素プラズマ照射ヘッド５６によるプラズマ照射、フッ化物プラズマ照射ヘッド５７によるプラズマ照射及びノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂによる液滴噴出が行われている最中には、ヘッド部５４が停止しても良いし、ヘッド部５４が移動していても良い。また、隔壁８の寸法や間隔、隔壁８に囲繞された囲繞領域の寸法や間隔が予め制御装置に記憶されており、記憶されたデータに基づいて制御装置は、ヘッド部５４の移動速度、移動開始タイミング並びに停止タイミング、移動装置５２の移動速度、移動開始タイミング並びに停止タイミング、ノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂの噴出タイミング、酸素プラズマ照射ヘッド５６の照射タイミング、及びフッ化物プラズマ照射ヘッド５７の照射タイミングを演算し、移動装置５２、ヘッド部５４、ノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂ、酸素プラズマ照射ヘッド５６及びフッ化物プラズマ照射ヘッド５７を制御する。
【００７１】
成膜装置５０による有機ＥＬ層１６の成膜が終了したら、ＰＶＤ法又はＣＶＤ法等による成膜工程を行うことで、一面にカソード電極１７を成膜する。次に、流動性のある封止樹脂をディスペンサ装置又はスプレー装置等によって一面に塗布し、封止樹脂でカソード電極１７に対向基板７を接着する。封止樹脂が固化することで、それが封止樹脂層１１となり、有機ＥＬ表示パネル１が完成する。
【００７２】
以上の実施の形態では、隔壁８をマスクとしてドライエッチングすることによって下地層９を形状加工しているため、隔壁８に下地層９を合致することができる。故に、平面視して、下地層９の面積を最小限にすることができ、発光部３を最大限に広げることができる。従って、この有機ＥＬ表示パネル１では、画素の発光効率が高く、高コントラストの表示を行うことができる。
【００７３】
また、平面視して隔壁８が下地層９に合致しているため、隔壁８がアノード電極１５上にはみ出ていない。従って、隔壁８が剥がれにくい。
【００７４】
また、隔壁８をマスクに代用しているため、従来のように下地層３０９に形状加工した後に隔壁３０８を下地層３０９上に成膜する場合と比較しても、本実施形態では工程が省略されて、有機ＥＬ発光パネルの製造方法が簡便化される。
【００７５】
また、以上の説明では、撥液層１０を確実に成膜するために成膜装置５０でフッ化物プラズマ照射を行っていたが、ドライエッチングによって撥液層１０を成膜することを同時行うことができるから、フッ化物プラズマ照射を省略することができる。
【００７６】
また、成膜装置５０には酸素プラズマ照射機能が付加されているから、プラズマクリーニング用の装置から有機ＥＬ層成膜用の装置へとＴＦＴ駆動基板６を移し替えることなく、アノード電極１５のクリーニングと有機ＥＬ層１６の成膜を行える。つまり、ノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂと酸素プラズマ照射ヘッド５６とがヘッド部５４に設けられているから、アノード電極１５をプラズマクリーニングした直後にＥＬ溶液の液滴をアノード電極１５に噴出することができる。従い、アノード電極１５の濡れ性を安定して高い状態に維持した状態で、ＥＬ溶液の液滴をアノード電極１５に着弾することができ、有機ＥＬ層１６を均等な厚さで成膜することができる。そのうえ、所謂白抜けの発生を抑えることができる。ここで白抜けとは、隔壁８に囲繞された囲繞領域においてアノード電極１５上において有機ＥＬ層１６の成膜されていない部分であり、隔壁８に囲繞された囲繞領域において発光しない部分である。
【００７７】
また、成膜装置５０にフッ化物プラズマ照射機能が付加されているから、フッ化物プラズマ照射用の装置から有機ＥＬ層成膜用の装置へとＴＦＴ駆動基板６を移し替えることなく、撥液層１０の成膜と有機ＥＬ層１６の成膜を行える。従って、撥液層１０が汚染されることなく、隔壁８の表層の撥液性を安定して高い状態に維持した状態で、ＥＬ溶液の液滴をアノード電極１５に着弾することができる。故に、隣り合う二つの画素のＥＬ溶液同士が隔壁８上で混ざることがない。
【００７８】
また、成膜装置５０では、酸素プラズマ照射ヘッド５６がヘッド部５４に設けられ、酸素プラズマ照射ヘッド５６から酸素プラズマを照射する構成となっているから、部分的に酸素プラズマをアノード電極１５に照射することができ、酸素プラズマを隔壁８に照射しなくても済む。従って、酸素プラズマによって隔壁８がアッシングされることがない。同様に、フッ化物プラズマ照射ヘッド５７がヘッド部５４に設けられ、フッ化物プラズマ照射ヘッド５７からフッ化物プラズマを照射する構成となっているから、部分的に酸素プラズマを隔壁８に照射することができ、酸素プラズマをアノード電極１５に照射しなくても済む。従って、アノード電極１５の表層にフッ素と炭素を含む化合物が形成されなく、アノード電極１５の濡れ性を高く維持できる。
【００７９】
また、この成膜装置５０を用いれば、アノード電極１５のクリーニングと、隔壁８に撥液性の付与と、有機ＥＬ層１６の成膜とをほぼ同時に行えるから、有機ＥＬ発光パネル１の製造方法が簡便化される。
【００８０】
なお、本発明は、上記実施の形態に限定されることなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、種々の改良並びに設計の変更を行っても良い。例えば、上記実施形態ではカソード電極１７が共通電極でありアノード電極１５が画素ごとにパターニングされた電極であるが、逆にカソード電極が画素ごとにパターニングされた電極でアノード電極が共通電極であっても良い。この際、にも下地層９及び隔壁８がアノード電極上に網目状に形成されるが、隔壁８及び下地層９が網目状に形成された時点では隔壁８に囲繞された囲繞領域においてアノード電極が露出する。
【００８１】
また、上記実施形態ではＴＦＴ駆動基板６に複数のアノード電極１５をパターニングし、その後下地膜９’を成膜したが、透明なガラス基板に複数のアノード電極１５をパターニングし、その後下地膜９’を成膜しても良い。
【００８２】
また、上記実施形態では、下地層９及び下地膜９’が酸化シリコンであったが、下地層９’及び下地膜９’が窒化シリコンであっても良い。
【００８３】
また、上記実施形態ではヘッド部５４に設けられる各色のノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂはそれぞれ一つずつであったが、各色のノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂが複数であっても良い。
【００８４】
また、上記実施形態ではヘッド部５４が主走査方向Ｘの順方向に移動している際に、ノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂから液滴が噴出されているが、ヘッド部５４が逆方向に移動している際にもノズル５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂから液滴が噴出されても良い。この場合、ノズル５５Ｂの逆方向側においてフッ化物プラズマ照射ヘッド及び酸素プラズマ照射ヘッドをヘッド部５４に設けるのが望ましい。
【００８５】
また、上記実施形態ではヘッド部５４が主走査方向Ｘに移動可能であったが、主走査方向Ｘ及び副走査方向Ｙに移動可能、つまりワークテーブル５１に対して平行な面に沿って移動可能であっても良い。この場合、ワークテーブル５１が固定されていても良い。
同様に、ワークテーブル５１が移動装置５２によって主走査方向Ｘ及び副走査方向Ｙに移動可能であっても良い。この場合、ヘッド部５４が固定されていても良い。
つまり、ワークテーブル５１に載置されたＴＦＴ駆動基板６に対してヘッド部５４が相対的に移動可能であれば良い。
【００８６】
また、図９に示すように、ヘッド部５４にフッ化物プラズマ照射ヘッドが設けられてない成膜装置１５０で有機ＥＬ層１６を成膜しても良く、図１０に示すように、ヘッド部５４に酸素プラズマヘッドが設けられていない成膜装置２５０で有機ＥＬ層１６を成膜しても良い。なお、成膜装置１５０及び成膜装置２５０については、成膜装置５０と同様の構成要素に同様の符号を付してその説明を省略する。
【図面の簡単な説明】
【００８７】
【図１】図１は、有機ＥＬ表示パネルの部分的な断面図である。
【図２】図２は、有機ＥＬ層を成膜する成膜装置を示す側面図である。
【図３】図３は、図１の有機ＥＬ表示パネルの製造方法の一工程を示した図面である。
【図４】図４は、図１の有機ＥＬ表示パネルの製造方法の一工程を示した図面である。
【図５】図５は、図１の有機ＥＬ表示パネルの製造方法の一工程を示した図面である。
【図６】図６は、図１の有機ＥＬ表示パネルの製造方法の一工程を示した図面である。
【図７】図７は、図１の有機ＥＬ表示パネルの製造方法の一工程を示した図面である。
【図８】図８は、図１の有機ＥＬ表示パネルの製造方法の一工程を示した図面である。
【図９】図９は、図２の成膜装置とは別の成膜装置を示した側面図である。
【図１０】図１０は、図２又は図９の成膜装置とは別の成膜装置を示した側面図である。
【図１１】図１１は、従来の有機ＥＬ表示パネルを示した平面図及び断面図である。
【符号の説明】
【００８８】
１  有機ＥＬ表示パネル（有機ＥＬパネル）
２  有機ＥＬ素子
５  薄膜トランジスタ
６  ＴＦＴ駆動基板（基板）
６ａ  表面
７  対向基板
８  隔壁（残留したレジスト膜）
８’  レジスト膜
９  下地層
９’  酸化シリコン下地膜（下地膜）
１０  撥液層
１２  透明基板
１５  アノード電極（第一電極、電極）
１６  有機ＥＬ層
１７  カソード電極
５０、１５０、２５０  成膜装置
５４  ヘッド部（移動体）
５５Ｒ，５５Ｇ，５５Ｂ  ノズル（液滴噴出部）
５６  酸素プラズマ照射ヘッド（酸素プラズマ照射部）
５７  フッ化物プラズマ照射ヘッド（フッ化物プラズマ照射部）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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