(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
データアドレスユニット単位で設計されたマスクパターンを有する写真製版用マスクであって、前記データアドレスユニットに比して大きな所定の描画アドレスユニットを用いて前記マスクパターンを描画する際に必要となる全ての描画グリッドに対応するモニタマークを備え、前記モニタマークは前記マスクパターンの寸法をモニタするために用いられ、前記モニタマークのそれぞれに、互いに異なる描画グリッドで描かれたパターンエッジが分配されていることを特徴とする写真製版用マスク。
【請求項２】
前記モニタマークのそれぞれは、互いに大きさおよび形状が同じであることを特徴とする請求項１記載の写真製版用マスク。
【請求項３】
前記全ての描画グリッドは、任意のＸ方向位置にパターンエッジを描くために必要となるＸ方向対応描画グリッドの群と、任意のＹ方向位置にパターンエッジを描くために必要となるＹ方向対応描画グリッドの群とを含み、前記モニタマークは、前記Ｘ方向対応描画グリッドの数と同数のＸ方向対応モニタマークと、前記Ｙ方向対応描画グリッドの数と同数のＹ方向対応モニタマークとを含み、前記Ｘ方向対応モニタマークのそれぞれに、互いに異なるＸ方向対応描画グリッドで描かれたパターンエッジが分配され、更に、前記Ｙ方向対応モニタマークのそれぞれに、互いに異なるＹ方向対応描画グリッドで描かれたパターンエッジが分配されていることを特徴とする請求項１または２記載の写真製版用マスク。
【請求項４】
前記全ての描画グリッドは、任意のＸ方向位置にパターンエッジを描くために必要となるＸ方向対応描画グリッドの群と、任意のＹ方向位置にパターンエッジを描くために必要となるＹ方向対応描画グリッドの群とを含み、前記モニタマークは、前記Ｘ方向対応描画グリッドの数と同数、すなわち、前記Ｙ方向対応描画グリッドの数と同数のマークを含み、前記モニタマークのそれぞれには、互いに異なるＸ方向対応描画グリッドで描かれたパターンエッジと、互いに異なるＹ方向対応描画グリッドで描かれたパターンエッジとが分配されていることを特徴とする請求項１または２記載の写真製版用マスク。
【請求項５】
所定の幅を有するストライプ単位で描画が進められる写真製版用マスクであって、第１のストライプと第２のストライプの境界線と重なる位置に複数の境界上モニタマークを備え、前記境界上モニタマークは前記写真製版用マスクのマスクパターンの寸法をモニタするために用いられ、前記複数の境界上モニタマークのそれぞれは、前記第１のストライプ上に形成される部分と、前記第２のストライプ上に形成される部分との割合が、他の境界上モニタマークの割合と異なるように設けられていることを特徴とする写真製版用マスク。
【請求項６】
データアドレスユニット単位で設計されたマスクパターンと、前記データアドレスユニットに比して大きな所定の描画アドレスユニットを用いて前記マスクパターンを描画する際に必要となる全ての描画グリッドに対応するモニタマークの群とを備え、前記モニタマークのそれぞれに、互いに異なる描画グリッドで描かれたパターンエッジが分配されており、前記モニタマークの群は、前記第１ストライプ上、および前記第２ストライプ上の双方に形成されていることを特徴とする請求項５記載の写真製版用マスク。
【請求項７】
データアドレスユニット単位で設計されたマスクパターンと、前記データアドレスユニットに比して大きな所定の描画アドレスユニットを用いて前記マスクパターンを描画する際に必要となる全ての描画グリッドに対応するモニタマークの群とを備え、前記境界上モニタマークには、前記境界線と平行なパターンエッジとして、互いに異なる描画グリッドで描かれたパターンエッジが分配されていることを特徴とする請求項５記載の写真製版用マスク。
【請求項８】
前記モニタマークの群は、前記第１ストライプ上、および前記第２ストライプ上の双方に形成されていることを特徴とする請求項７記載の写真製版用マスク。
【請求項９】
データアドレスユニット単位で設計されたマスクパターンを有する写真製版用マスクの製造方法であって、前記データアドレスユニットに比して大きな所定の描画アドレスユニットを用いて前記マスクパターンを描画するステップと、前記マスクパターンを描画する際に必要となる全ての描画グリッドに対応するモニタマークを描画するステップとを含み、前記モニタマークは前記マスクパターンの寸法をモニタするために用いられ、前記モニタマークのそれぞれに、互いに異なる描画グリッドで描かれたパターンエッジが分配されていることを特徴とする写真製版用マスクの製造方法。
【請求項１０】
前記モニタマークを描画するステップは、前記モニタマークのそれぞれを、互いに大きさおよび形状が同じになるように描画するステップを含むことを特徴とする請求項９記載の写真製版用マスクの製造方法。
【請求項１１】
前記全ての描画グリッドは、任意のＸ方向位置にパターンエッジを描くために必要となるＸ方向対応描画グリッドの群と、任意のＹ方向位置にパターンエッジを描くために必要となるＹ方向対応描画グリッドの群とを含み、前記モニタマークを描画するステップは、前記Ｘ方向対応描画グリッドの数と同数のＸ方向対応モニタマークを描画するステップと、前記Ｙ方向対応描画グリッドの数と同数のＹ方向対応モニタマークを描画するステップとを含み、前記Ｘ方向対応モニタマークのそれぞれに、互いに異なるＸ方向対応描画グリッドで描かれたパターンエッジが分配され、更に、前記Ｙ方向対応モニタマークのそれぞれに、互いに異なるＹ方向対応描画グリッドで描かれたパターンエッジが分配されていることを特徴とする請求項９または１０記載の写真製版用マスクの製造方法。
【請求項１２】
前記全ての描画グリッドは、任意のＸ方向位置にパターンエッジを描くために必要となるＸ方向対応描画グリッドの群と、任意のＹ方向位置にパターンエッジを描くために必要となるＹ方向対応描画グリッドの群とを含み、前記モニタマークを描画するステップは、前記Ｘ方向対応描画グリッドの数と同数、すなわち、前記Ｙ方向対応描画グリッドの数と同数のマークを描画するステップを含み、前記モニタマークのそれぞれには、互いに異なるＸ方向対応描画グリッドで描かれたパターンエッジと、互いに異なるＹ方向対応描画グリッドで描かれたパターンエッジとが分配されていることを特徴とする請求項９または１０記載の写真製版用マスクの製造方法。
【請求項１３】
所定の幅を有するストライプ単位で写真製版用マスクの描画を進める写真製版用マスクの製造方法であって、第１のストライプと第２のストライプの境界線と重なる位置に複数の境界上モニタマークを描画するステップを含み、前記境界上モニタマークは前記写真製版用マスクのマスクパターンの寸法をモニタするために用いられ、前記複数の境界上モニタマークのそれぞれは、前記第１のストライプ上に形成される部分と、前記第２のストライプ上に形成される部分との割合が、他の境界上モニタマークの割合と異なるように描画されることを特徴とする写真製版用マスクの製造方法。
【請求項１４】
データアドレスユニット単位で設計されたマスクパターンを、前記データアドレスユニットに比して大きな所定の描画アドレスユニットを用いて描画するステップと、前記マスクパターンを描画する際に必要となる全ての描画グリッドに対応するモニタマークの群を描画するステップとを含み、前記モニタマークのそれぞれに、互いに異なる描画グリッドで描かれたパターンエッジが分配されており、前記モニタマークの群は、前記第１ストライプ上、および前記第２ストライプ上の双方に描画されることを特徴とする請求項１３記載の写真製版用マスクの製造方法。
【請求項１５】
データアドレスユニット単位で設計されたマスクパターンを、前記データアドレスユニットに比して大きな所定の描画アドレスユニットを用いて描画するステップと、前記マスクパターンを描画する際に必要となる全ての描画グリッドに対応するモニタマークの群を描画するステップとを含み、前記境界上モニタマークには、前記境界線と平行なパターンエッジとして、互いに異なる描画グリッドで描かれたパターンエッジが分配されていることを特徴とする請求項１３記載の写真製版用マスクの製造方法。
【請求項１６】
前記モニタマークの群は、前記第１ストライプ上、および前記第２ストライプ上の双方に描画されることを特徴とする請求項１５記載の写真製版用マスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、モニタマークを備える写真製版用マスクおよびその製造方法に係り、特に、転写を目的とするパターンの寸法を正確にモニタするうえで好適な写真製版用マスクおよびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、半導体装置の製造工程で用いられる写真製版用マスクに、パターン精度の測定等を目的として、モニタマークを形成する技術が知られている。例えば、設計値が所定長のモニタマークをマスク上に形成し、そのマークの長さを実測すれば、上記所定長の設計値を有するパターンの寸法精度を測定することができる。
【０００３】
ところで、写真製版用マスクを製造する手法としては、電子ビーム（ＥＢ）描画装置を用いる手法が知られている。この手法によれば、電子ビームによる描画により、マスク上の領域がパターン領域と非パターン領域とに区分される。以後、現像処理などが行われることにより、所望のパターンを有する写真製版用マスクが形成される。
【０００４】
マスク上に形成すべきパターンを設計する際には、例えば５０nm×５０nmの大きさを有するデータアドレスユニットが単位として用いられる。より具体的には、マスク上のパターンは、データアドレスユニットで表される大きさの正方形を組み合わせることで設計される。
【０００５】
一方、ＥＢ描画装置によるパターンの描画は、描画工程でのスループットを高めるために、データアドレスユニットの整数倍の大きさを有する描画アドレスユニット（例えば２００nm×２００nmの正方形）を単位として行われる。より具体的には、マスク上のパターンは、描画アドレスユニットで表される大きさの正方形を単位として電子ビームをマスクに照射することで描画される。
【０００６】
このため、マスク上にパターンを描画する際には、パターンのエッジが描画アドレスユニットのエッジと一致する場合の他、それら両者が一致しない場合が発生する。具体的には、上記の例によれば、以下の４つの状態が発生する。
【０００７】
（１）パターンエッジが、描画アドレスユニットのエッジと一致する状態。以下、このようなエッジ位置を「第１エッジ位置」と称す。
（２）パターンエッジが、描画アドレスユニットのエッジから５０nm（１データアドレスユニット分）だけ入り込んだ（またははみ出した）状態。以下、このようなエッジ位置を「第２エッジ位置」と称す。
（３）パターンエッジが、描画アドレスユニットのエッジから１００nm（２データアドレスユニット分）だけ入り込んだ（またははみ出した）状態。以下、このようなエッジ位置を「第３エッジ位置」と称す
（４）パターンエッジが、描画アドレスユニットのエッジから１５０nm（３データアドレスユニット分）だけ入り込んだ（またははみ出した）状態。以下、このようなエッジ位置を「第４エッジ位置」と称す
【０００８】
従って、マスクパターンがＥＢ描画で形成される場合は、長さの等しいパターン（例えば１０００nm）の中に、以下に示す複数種類のパターンが含まれる。
（１）第１エッジ位置にパターンエッジを有し、かつ、所定長（１０００nm）を有するパターン。以下、このようなパターンを描画するための描画グリッドを「Grid-１」と称し、また、このようなパターンを「Grid-１パターン」と称す。
（２）第２エッジ位置にパターンエッジを有し、かつ、所定長（１０００nm）を有するパターン。以下、このようなパターンを描画するための描画グリッドを「Grid-２」と称し、また、このようなパターンを「Grid-１パターン」と称す。
（３）第３エッジ位置にパターンエッジを有し、かつ、所定長（１０００nm）を有するパターン。以下、このようなパターンを描画するための描画グリッドを「Grid-３」と称し、また、このようなパターンを「Grid-１パターン」と称す。
（４）第４エッジ位置にパターンエッジを有し、かつ、所定長（１０００nm）を有するパターン。以下、このようなパターンを描画するための描画グリッドを「Grid-４」と称し、また、このようなパターンを「Grid-１パターン」と称す。
【０００９】
ＥＢ描画装置でパターンを描画する場合は、個々の描画アドレスユニットへのＥＢ照射エネルギーを適切に制御したり、また、その後の現像プロセスの条件を適切に調整したりすることにより、４つの描画グリッド（Grid-１〜Grid-４）を実現する。ＥＢ照射のエネルギーや、その他のプロセス条件は、形成すべき描画グリッド毎に適宜設定される。従って、パターンエッジの位置は描画グリッド毎にばらつき易く、Grid-１パターン〜Grid-４パターンの長さにも、描画グリッドの違いに応じたばらつきが重畳し易い。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来の写真製版用マスクには、描画グリッドの違いに起因するパターン長の差を考慮したモニタマークが形成されていなかった。このため、従来の写真製版用マスクにおいては、モニタマークの寸法を測定しても、描画グリッドの違いに起因するパターン長の差をモニタすることができなかった。
【００１１】
本発明は、上記のような課題を解決するためになされたもので、描画グリッドの違いに起因するパターン長の差をモニタするためのモニタマークを備える写真製版用マスクを提供することを第１の目的とする。
また、本発明は、上記のモニタマークを備える写真製版用マスクの製造方法を提供することを第２の目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
請求項１記載の発明は、データアドレスユニット単位で設計されたマスクパターンを有する写真製版用マスクであって、前記データアドレスユニットに比して大きな所定の描画アドレスユニットを用いて前記マスクパターンを描画する際に必要となる全ての描画グリッドに対応するモニタマークを備え、前記モニタマークは前記マスクパターンの寸法をモニタするために用いられ、前記モニタマークのそれぞれに、互いに異なる描画グリッドで描かれたパターンエッジが分配されていることを特徴とするものである。
【００１３】
請求項２記載の発明は、請求項１記載の写真製版用マスクであって、
前記モニタマークのそれぞれは、互いに大きさおよび形状が同じであることを特徴とするものである。
【００１４】
請求項３記載の発明は、請求項１または２記載の写真製版用マスクであって、前記全ての描画グリッドは、任意のＸ方向位置にパターンエッジを描くために必要となるＸ方向対応描画グリッドの群と、任意のＹ方向位置にパターンエッジを描くために必要となるＹ方向対応描画グリッドの群とを含み、
前記モニタマークは、前記Ｘ方向対応描画グリッドの数と同数のＸ方向対応モニタマークと、前記Ｙ方向対応描画グリッドの数と同数のＹ方向対応モニタマークとを含み、
前記Ｘ方向対応モニタマークのそれぞれに、互いに異なるＸ方向対応描画グリッドで描かれたパターンエッジが分配され、更に、
前記Ｙ方向対応モニタマークのそれぞれに、互いに異なるＹ方向対応描画グリッドで描かれたパターンエッジが分配されていることを特徴とするものである。
【００１５】
請求項４記載の発明は、請求項１または２記載の写真製版用マスクであって、前記全ての描画グリッドは、任意のＸ方向位置にパターンエッジを描くために必要となるＸ方向対応描画グリッドの群と、任意のＹ方向位置にパターンエッジを描くために必要となるＹ方向対応描画グリッドの群とを含み、
前記モニタマークは、前記Ｘ方向対応描画グリッドの数と同数、すなわち、前記Ｙ方向対応描画グリッドの数と同数のマークを含み、
前記モニタマークのそれぞれには、互いに異なるＸ方向対応描画グリッドで描かれたパターンエッジと、互いに異なるＹ方向対応描画グリッドで描かれたパターンエッジとが分配されていることを特徴とするものである。
【００１６】
請求項５記載の発明は、所定の幅を有するストライプ単位で描画が進められる写真製版用マスクであって、第１のストライプと第２のストライプの境界線と重なる位置に複数の境界上モニタマークを備え、前記境界上モニタマークは前記写真製版用マスクのマスクパターンの寸法をモニタするために用いられ、前記複数の境界上モニタマークのそれぞれは、前記第１のストライプ上に形成される部分と、前記第２のストライプ上に形成される部分との割合が、他の境界上モニタマークの割合と異なるように設けられていることを特徴とするものである。
【００１７】
請求項６記載の発明は、請求項５記載の写真製版用マスクであって、
データアドレスユニット単位で設計されたマスクパターンと、
前記データアドレスユニットに比して大きな所定の描画アドレスユニットを用いて前記マスクパターンを描画する際に必要となる全ての描画グリッドに対応するモニタマークの群とを備え、
前記モニタマークのそれぞれに、互いに異なる描画グリッドで描かれたパターンエッジが分配されており、
前記モニタマークの群は、前記第１ストライプ上、および前記第２ストライプ上の双方に形成されていることを特徴とするものである。
【００１８】
請求項７記載の発明は、請求項５記載の写真製版用マスクであって、
データアドレスユニット単位で設計されたマスクパターンと、
前記データアドレスユニットに比して大きな所定の描画アドレスユニットを用いて前記マスクパターンを描画する際に必要となる全ての描画グリッドに対応するモニタマークの群とを備え、
前記境界上モニタマークには、前記境界線と平行なパターンエッジとして、互いに異なる描画グリッドで描かれたパターンエッジが分配されていることを特徴とするものである。
【００１９】
請求項８記載の発明は、請求項７記載の写真製版用マスクであって、
前記モニタマークの群は、前記第１ストライプ上、および前記第２ストライプ上の双方に形成されていることを特徴とするものである。
【００２０】
請求項９記載の発明は、データアドレスユニット単位で設計されたマスクパターンを有する写真製版用マスクの製造方法であって、前記データアドレスユニットに比して大きな所定の描画アドレスユニットを用いて前記マスクパターンを描画するステップと、前記マスクパターンを描画する際に必要となる全ての描画グリッドに対応するモニタマークを描画するステップとを含み、前記モニタマークは前記マスクパターンの寸法をモニタするために用いられ、前記モニタマークのそれぞれに、互いに異なる描画グリッドで描かれたパターンエッジが分配されていることを特徴とするものである。
【００２１】
請求項１０記載の発明は、請求項９記載の写真製版用マスクの製造方法であって、
前記モニタマークを描画するステップは、前記モニタマークのそれぞれを、互いに大きさおよび形状が同じになるように描画するステップを含むことを特徴とするものである。
【００２２】
請求項１１記載の発明は、請求項９または１０記載の写真製版用マスクの製造方法であって、
前記全ての描画グリッドは、任意のＸ方向位置にパターンエッジを描くために必要となるＸ方向対応描画グリッドの群と、任意のＹ方向位置にパターンエッジを描くために必要となるＹ方向対応描画グリッドの群とを含み、
前記モニタマークを描画するステップは、前記Ｘ方向対応描画グリッドの数と同数のＸ方向対応モニタマークを描画するステップと、前記Ｙ方向対応描画グリッドの数と同数のＹ方向対応モニタマークを描画するステップとを含み、
前記Ｘ方向対応モニタマークのそれぞれに、互いに異なるＸ方向対応描画グリッドで描かれたパターンエッジが分配され、更に、
前記Ｙ方向対応モニタマークのそれぞれに、互いに異なるＹ方向対応描画グリッドで描かれたパターンエッジが分配されていることを特徴とするものである。
【００２３】
請求項１２記載の発明は、請求項９または１０記載の写真製版用マスクの製造方法であって、
前記全ての描画グリッドは、任意のＸ方向位置にパターンエッジを描くために必要となるＸ方向対応描画グリッドの群と、任意のＹ方向位置にパターンエッジを描くために必要となるＹ方向対応描画グリッドの群とを含み、
前記モニタマークを描画するステップは、前記Ｘ方向対応描画グリッドの数と同数、すなわち、前記Ｙ方向対応描画グリッドの数と同数のマークを描画するステップを含み、
前記モニタマークのそれぞれには、互いに異なるＸ方向対応描画グリッドで描かれたパターンエッジと、互いに異なるＹ方向対応描画グリッドで描かれたパターンエッジとが分配されていることを特徴とするものである。
【００２４】
請求項１３記載の発明は、所定の幅を有するストライプ単位で写真製版用マスクの描画を進める写真製版用マスクの製造方法であって、第１のストライプと第２のストライプの境界線と重なる位置に複数の境界上モニタマークを描画するステップを含み、前記境界上モニタマークは前記写真製版用マスクのマスクパターンの寸法をモニタするために用いられ、前記複数の境界上モニタマークのそれぞれは、前記第１のストライプ上に形成される部分と、前記第２のストライプ上に形成される部分との割合が、他の境界上モニタマークの割合と異なるように描画されることを特徴とするものである。
【００２５】
請求項１４記載の発明は、請求項１３記載の写真製版用マスクの製造方法であって、
データアドレスユニット単位で設計されたマスクパターンを、前記データアドレスユニットに比して大きな所定の描画アドレスユニットを用いて描画するステップと、
前記マスクパターンを描画する際に必要となる全ての描画グリッドに対応するモニタマークの群を描画するステップとを含み、
前記モニタマークのそれぞれに、互いに異なる描画グリッドで描かれたパターンエッジが分配されており、
前記モニタマークの群は、前記第１ストライプ上、および前記第２ストライプ上の双方に描画されることを特徴とするものである。
【００２６】
請求項１５記載の発明は、請求項１３記載の写真製版用マスクの製造方法であって、
データアドレスユニット単位で設計されたマスクパターンを、前記データアドレスユニットに比して大きな所定の描画アドレスユニットを用いて描画するステップと、
前記マスクパターンを描画する際に必要となる全ての描画グリッドに対応するモニタマークの群を描画するステップとを含み、
前記境界上モニタマークには、前記境界線と平行なパターンエッジとして、互いに異なる描画グリッドで描かれたパターンエッジが分配されていることを特徴とするものである。
【００２７】
請求項１６記載の発明は、請求項１５記載の写真製版用マスクの製造方法であって、
前記モニタマークの群は、前記第１ストライプ上、および前記第２ストライプ上の双方に描画されることを特徴とするものである。
【００２８】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照してこの発明の実施の形態について説明する。尚、各図において共通する要素には、同一の符号を付して重複する説明を省略する。
【００２９】
実施の形態１．
図１は、マスク上に形成すべきパターンと、データアドレスユニットと、描画アドレスユニットとの関係を説明するための図を示す。図１中に破線で描かれた正方形の領域は、マスクパターンの設計時の用いられるデータアドレスユニットを示す。本実施形態において、データアドレスユニットは、５０nm×５０nmの大きさに設定されている。図１中に実線で描かれた正方形の領域は、マスクパターンの描画時に用いられる描画アドレスユニットを示す。本実施形態において、描画アドレスユニットは、データアドレスユニットの整数倍（Ｎ倍）の大きさ、具体的には２００nm×２００nmの大きさに設定されている。
【００３０】
マスクパターンは、十分に小さな単位で設計する必要がある。このため、データアドレスユニットは、５０nm×５０nm程度の小さな単位とされる。尚、マスクパターンは、データアドレスユニットで表される大きさの正方形を組み合わせた形状に設計される。一方、マスクパターンを描画する際には、スループットを高めるために、ある程度大きな単位で電子ビームをマスクに照射することが望ましい。このため、描画アドレスユニットは、データアドレスユニットに比して大きく設定されている。尚、マスクパターンの描画は、描画アドレスユニット単位で電子ビームをマスクに照射することにより行われる。
【００３１】
図１中にハッチングを付して表す４つの図形１０，１２，１４，１６は、Ｘ方向およびＹ方向に同じ長さを有するマスクパターンを示す。具体的には、尚、図１においては、説明の便宜上、２次元平面の左下の点（●を付して表す点）を、データアドレスユニットおよび描画アドレスユニットの基準点とする。
【００３２】
図１おいて、マスクパターン１０の左側パターンエッジのＸ座標は、次式により表すことができる。尚、以下の記載において、数式中に含まれるＮは、描画アドレスユニットの１辺の長さとデータアドレスユニットの１辺の長さとの比を表す整数（以下、「アドレスユニット比」と称す）であり、本実施形態では“４”である。また、次式においてｎ１は任意の整数である（図１では“１”）。
Ｘ＝データアドレスユニット×Ｎ×ｎ１
【００３３】
マスクパターン１０のＸ座標は、常に描画データアドレスユニットのエッジと一致する。以下、このようなエッジを描画するための描画グリッドを「Grid-１」と称す。従って、マスクパターン１０は、「Ｘ方向に４００nm、Ｙ方向に８００nmの大きさを有し、 かつ、Grid-１で描画されたパターン」と定義することができる。
【００３４】
図１おいて、マスクパターン１２の左側パターンエッジのＸ座標は、次式により表すことができる。尚、次式に含まれるｎ２は任意の整数であり、図１においては“４”である。
Ｘ＝データアドレスユニット×Ｎ×ｎ２＋データアドレスユニット×１
【００３５】
マスクパターン１２のＸ座標は、常に描画データアドレスユニットのエッジから１データアドレスユニット分（５０nm）だけ入り込んだ（またははみ出した）位置と一致する。以下、このようなエッジを描画するための描画グリッドを「Grid-２」と称す。従って、マスクパターン１２は、「Ｘ方向に４００nm、Ｙ方向に８００nmの大きさを有し、かつ、 Grid-２で描画されたパターン」と定義することができる。
【００３６】
図１おいて、マスクパターン１４の左側パターンエッジのＸ座標は、次式により表すことができる。尚、次式に含まれるｎ３は任意の整数であり、図１においては“７”である。
Ｘ＝データアドレスユニット×Ｎ×ｎ３＋データアドレスユニット×２
【００３７】
マスクパターン１４のＸ座標は、常に描画データアドレスユニットのエッジから２データアドレスユニット分（１００nm）だけ入り込んだ（またははみ出した）位置と一致する。以下、このようなエッジを描画するための描画グリッドを「Grid-３」と称す。従って、マスクパターン１４は、「Ｘ方向に４００nm、Ｙ方向に８００nmの大きさを有し、かつ、 Grid-３で描画されたパターン」と定義することができる。
【００３８】
図１おいて、マスクパターン１６の左側パターンエッジのＸ座標は、次式により表すことができる。尚、次式に含まれるｎ４は任意の整数であり、図１においては“１０”である。
Ｘ＝データアドレスユニット×Ｎ×ｎ４＋データアドレスユニット×３
【００３９】
マスクパターン１６のＸ座標は、常に描画データアドレスユニットのエッジから３データアドレスユニット分（１５０nm）だけ入り込んだ（またははみ出した）位置と一致する。以下、このようなエッジを描画するための描画グリッドを「Grid-４」と称す。従って、マスクパターン１６は、「Ｘ方向に４００nm、Ｙ方向に８００nmの大きさを有し、かつ、 Grid-４で描画されたパターン」と定義することができる。
【００４０】
上述の如く、アドレスユニット比Ｎが４である場合は、描画アドレスユニット単位で電子ビームを照射しつつ、４種類の描画グリッドGrid-１〜Grid-４を実現し、４種類のパターンエッジ位置を形成することが必要である。より一般的には、マスクパターンをＥＢ描画で形成する場合には、描画アドレスユニット単位で電子ビームを照射しつつ、アドレスユニット比Ｎと同数の描画グリッドを実現し、Ｎ種類のパターンエッジ位置を形成することが必要である。
【００４１】
以下、図２および図３を参照して、アドレスユニット比Ｎが４である場合に、４種類の描画グリッドGrid-１〜Grid-４を実現する方法について説明する。
図２（Ａ）は、パターンエッジを形成すべきマスク上の領域を切り出して表した図を示す。図２（Ｂ）は、図２（Ａ）に示すマスク領域に蓄積された電子ビームエネルギーのＸ方向の分布を表す図を示す。
【００４２】
本実施形態において、個々の描画アドレスユニットに対する電子ビームの照射は、一度の照射により、十分な感光に必要なエネルギーの１／Ｎのエネルギー、すなわち、１／４のエネルギーが照射されるように行われる。図２（Ａ）に示す領域１８は、Ｎ回（４回）の照射が繰り返されることにより十分に感光した領域を示す。領域２０は、照射回数が４回に満たない領域を示す。また、領域２２は、電子ビームの照射を受けていない領域を示す。
【００４３】
図２（Ｂ）に示す曲線２４は、領域１８に４回の照射が行われ、かつ、領域２０が１回も照射を受けていない場合のエネルギー分布を示す。領域１８を構成する描画アドレスユニットに電子ビームが照射される際には、領域２０にもある程度エネルギーが注入される。曲線２４は、領域１８の全域が感光レベル以上のエネルギーを受けており、かつ、領域２０に蓄積されたエネルギーは、その全域において感光レベルに到達していないことを表している。
【００４４】
本実施形態では、曲線２４で表される条件が満たされるように、電子ビームの照射条件、レジストの特性、並びにレジストの現像条件などが決定されている。従って、領域１８にのみ４回の照射を行うと、図３（Ａ）に示すように、領域１８と領域２０との間に、すなわち、描画アドレスユニットのエッジと一致する位置に、パターンエッジを形成することができる。つまり、本実施形態においては、上記の照射条件によりGrid-１を実現することができる。
【００４５】
図２（Ｂ）に示す曲線２６は、領域１８に４回の照射が行われ、かつ、領域２０が１回だけ照射を受けた場合のエネルギー分布を示す。曲線２６は、領域１８の全域が感光レベル以上のエネルギーを受けていると共に、領域２０の左端が１データアドレスユニット（５０nm）の幅で感光レベルに達していることを表している。
【００４６】
本実施形態では、曲線２６で表される条件が満たされるように、電子ビームの照射条件、レジストの特性、並びにレジストの現像条件などが決定されている。従って、領域１８を４回照射し、かつ、領域２０を１回だけ照射すると、図３（Ｂ）に示すように、領域１８から１データアドレスユニット分（５０nm）だけはみ出した位置にパターンエッジを形成することができる。つまり、本実施形態においては、上記の照射条件によりGrid-２を実現することができる。
【００４７】
図２（Ｂ）に示す曲線２８は、領域１８に４回の照射が行われ、かつ、領域２０に２回の照射が行われた場合のエネルギー分布を示す。曲線２８は、領域１８の全域が感光レベル以上のエネルギーを受けていると共に、領域２０の左側半分、すなわち、２データアドレスユニット（１００nm）分の部分が感光レベルに達していることを表している。
【００４８】
本実施形態では、曲線２８で表される条件が満たされるように、電子ビームの照射条件、レジストの特性、並びにレジストの現像条件などが決定されている。従って、領域１８を４回照射し、かつ、領域２０を２回だけ照射すると、図３（Ｃ）に示すように、領域１８から２データアドレスユニット分（１００nm）だけはみ出した位置にパターンエッジを形成することができる。つまり、本実施形態においては、上記の照射条件によりGrid-３を実現することができる。
【００４９】
図２（Ｂ）に示す曲線３０は、領域１８に４回の照射が行われ、かつ、領域２０に３回の照射が行われた場合のエネルギー分布を示す。曲線３０は、領域１８の全域が感光レベル以上のエネルギーを受けていると共に、領域２０の左側３／４の部分、すなわち、３データアドレスユニット（１５０nm）分の部分が感光レベルに達していることを表している。
【００５０】
本実施形態では、曲線３０で表される条件が満たされるように、電子ビームの照射条件、レジストの特性、並びにレジストの現像条件などが決定されている。従って、領域１８を４回照射し、かつ、領域２０を３回だけ照射すると、図３（Ｄ）に示すように、領域１８から３データアドレスユニット分（１５０nm）だけはみ出した位置にパターンエッジを形成することができる。つまり、本実施形態においては、上記の照射条件によりGrid-４を実現することができる。
【００５１】
図２（Ｂ）に示す曲線３２は、領域１８および領域２０に４回の照射が行われ、かつ、領域２２が１回も照射を受けていない場合のエネルギー分布を示す。曲線３２の分布は、上述した曲線２４の分布と同様に、２つの領域の境界にパターンエッジが形成されることを示している。従って、上記の照射条件によれば、Grid-１を実現して、領域２０と領域２２との間にパターンエッジを形成することができる。
【００５２】
上述の如く、本実施形態では、電子ビームの照射回数を制御することで、設計されたマスクパターンを描くうえで必要な４種類の描画グリッドの全てを実現することができる。尚、上述した４種類の描画グリッドは、パターンエッジをＸ方向にずらすためのものであるが、パターンエッジをＹ方向にずらすための描画グリッドも同様の原理により実現することができる。以下、Ｙ方向にパターンエッジをずらすための４種類の描画グリッドも、Ｘ方向の描画グリッドに対応させて、Grid-１、Grid-２、Grid-３、およびGrid-４と称す。
【００５３】
次に、図４を参照して、写真製版用マスクの全面にマスクパターンを形成するために用いられる描画の方法について説明する。
図４は、電子ビームの描画軌跡の一例を説明するための図を示す。図４に示す描画軌跡は、例えば、所定の振幅幅でＹ方向にビームを往復させながら、マスクを載せた台をＸ方向に移動させることにより実現される。このような描画方法によれば、ストライプと呼ばれる帯状の領域（図４における領域３４、３６）毎にマスク全体の描画を進めつつ、マスクパターン（図４における領域３８）を形成することができる。
【００５４】
次に、図５および図６を参照して、本発明の実施の形態１の写真製版用マスク４０について説明する。
図５は、本実施形態の写真製版用マスク４０の平面図を示す。写真製版用マスク４０は、機能パターン領域４２と非機能パターン領域４４とを備えている。機能パターン領域４２は、半導体装置の機能を実現するうえで必要な機能パターンを形成すべき領域である。一方、非機能パターン領域４４は、半導体装置の機能に影響を与えないパターンを形成し得る領域である。非機能パターン領域４４にはモニタマーク領域４６が設けられている。モニタマーク領域４６は、写真製版用マスク４０の主要部であるモニタマークを形成するための領域である。
【００５５】
図６（Ａ）および図６（Ｂ）は、それぞれ、写真製版用マスク４０に形成されるモニタマークを示す。尚、図６（Ａ）に示すモニタマークと、図６（Ｂ）に示すモニタマークとは、同じモニタマーク領域４６内に形成してもよく、また、異なるモニタマーク領域４６内に形成してもよい。
【００５６】
図６（Ａ）に示すモニタマークは、大きさが同一の４個（Ｎ個）のモニタマーク４８，５０，５２，５４を含んでいる。これら４つのモニタマークは、Ｙ方向の端部（図中、上下に配置される端部）に、同じ描画グリッド（Grid-１）で描かれるべきパターンエッジを備えており、一方、Ｘ方向の端部（図中、左右に配置される端部）に、それぞれ異なる描画グリッド（Grid-１〜Grid-４の何れか）で描かれるべきパターンエッジを備えている。
【００５７】
図６（Ｂ）に示すモニタマークは、大きさが同一の４個（Ｎ個）のモニタマーク５６，５８，６０，６２を含んでいる。これら４つのモニタマークは、Ｘ方向の端部（図中、左右に配置される端部）に、同じ描画グリッド（Grid-１）で描かれるべきパターンエッジを備えており、一方、Ｙ方向の端部（図中、上下に配置される端部）に、それぞれ異なる描画グリッド（Grid-１〜Grid-４の何れか）で描かれるべきパターンエッジを備えている。
【００５８】
図６（Ａ）および図６（Ｂ）に示す全てのモニタマーク４８〜６２は、機能パターン領域４２の中に形成される機能パターンと共に描画され、また現像されることにより写真製版用マスク４０上に形成される。マスク上に形成されたモニタマーク４８〜６２は、その後、公知のパターン寸法測定装置による寸法測定に付される。
【００５９】
具体的には、図６（Ａ）に示す４つのモニタマーク４８〜５４については、Ｘ方向のパターン長が測定される。それらの測定結果のばらつきは、描画グリッドの違いに起因するＸ方向パターン長のばらつきに相当している。また、そのようなパターン長のばらつきは、機能パターン領域４２内の機能パターンにも生じていると考えられる。従って、本実施形態の写真製版用マスク４０によれば、描画グリッドの違いに起因して機能パターンに生じているＸ方向の寸法ばらつきを、精度良くモニタすることができる。
【００６０】
一方、図６（Ｂ）に示す４つのモニタマーク５６〜６２については、Ｙ方向のパターン長が測定される。それらの測定結果のばらつきは、描画グリッドの違いに起因するＹ方向パターン長のばらつきに相当している。また、そのようなパターン長のばらつきは、機能パターン領域４２内の機能パターンにも生じていると考えられる。従って、本実施形態の写真製版用マスク４０によれば、描画グリッドの違いに起因して機能パターンに生じているＹ方向の寸法ばらつきを、精度良くモニタすることができる。
【００６１】
描画グリッドの違いに起因する寸法ばらつきがモニタできると、その結果に基づいてパターン設計を修正したり、或いは、描画工程や現像工程の条件を見直すことが可能となる。このような修正や見直しは、半導体装置の歩留まりを高めるうえで、また、半導体装置の品質を安定化させるうえで有効である。従って、本実施形態の写真製版マスク４０は、安定した品質の半導体装置を高い歩留まりで製造するうえで極めて有用である。
【００６２】
ところで、上述した実施の形態１では、Ｘ方向に対応するモニタマークおよびＹ方向に対応するモニタマークを、それぞれ４つずつ設けているが、本発明はこれに限定されるものではない。つまり、実施の形態１では、アドレスユニット比Ｎが４であり、パターン描画に必要な描画グリッドが４種類であることから、モニタマークの数が４つとされている。アドレスユニット比Ｎがそれ以外の数である場合は、モニタマーク数をその数Ｎに合わせればよい。
【００６３】
実施の形態２．
次に、図７を参照して、本発明の実施の形態２の写真製版用マスクについて説明する。
図７は、本実施形態の写真製版用マスクが備えるモニタマークを示す。本実施形態のマスクは、図６（Ａ）および図６（Ｂ）に示すモニタマークに代えて、図７に示すモニタマークを備えることを除き、実施の形態１のマスクと同様の構造を有している。
【００６４】
図７に示すモニタマークは、大きさが同一の４個（Ｎ個）のモニタマーク６４，６６，６８，７０を含んでいる。これら４つのモニタマークは、Ｘ方向の端部（図中、左右に配置される端部）およびＹ方向の端部（図中、上下に配置される端部）の双方に、それぞれ異なる描画グリッド（Grid-１〜Grid-４の何れか）で描かれるべきパターンエッジを備えている。
【００６５】
モニタマーク６４〜７０は、機能パターンと共にマスク上に形成された後、公知のパターン寸法測定装置によって、そのＸ方向およびＹ方向のパターン長が測定される。Ｘ方向のパターン長のばらつきは、描画グリッドの違いに起因するＸ方向のパターン長のばらつきに相当している。同様に、Ｙ方向のパターン長のばらつきは、描画グリッドの違いに起因するＹ方向パターン長のばらつきに相当している。
【００６６】
従って、本実施形態の写真製版用マスクでは、描画グリッドの違いに起因するパターン長のばらつきを、Ｘ方向およびＹ方向の双方について、４つのモニタマーク６４〜７０だけでモニタすることができる。このため、本実施形態の構造によれば、実施の形態１の場合に比して効率良くパターン寸法のばらつきをモニタすることができる。
【００６７】
ところで、上述した実施の形態２では、モニタマークの数を４つとしているが、その数は４つに限定されるものではなく、アドレスユニット比Ｎと同数以上であればよい。また、実施の形態２では、Ｘ方向の寸法と、Ｙ方向の寸法とを効率良く高精度に測定するため、モニタマーク６４〜７０を正方形としているが、モニタマークの形状はこれに限定されるものではなく、長方形であってもよい。
【００６８】
実施の形態３．
次に、図８を参照して、本発明の実施の形態３の写真製版用マスクについて説明する。
図８は、本実施形態の写真製版用マスクが備えるモニタマークを示す。本実施形態のマスクは、図６（Ａ）および図６（Ｂ）に示すモニタマークに代えて、図８に示すモニタマークを備えることを除き、実施の形態１のマスクと同様の構造を有している。
【００６９】
図８中に符号７２を付して表す直線は、第１ストライプ７４と第２ストライプ７６との境界線である。図８に示すモニタマークは、境界線７２と重なる位置に形成される複数のモニタマーク７８-ｉ（ｉ＝１〜ｋ）を備えている。モニタマーク７８-ｉは、第１ストライプ７４に含まれる部分と第２ストライプ７６に含まれる部分との割合が、それぞれ異なるように設計されている。具体的には、モニタマーク７８-１は、第１ストライプ７４に含まれる割合が大きく、第２ストライプ７６に含まれる割合が小さくなるように設けられている。また、モニタマーク７８-ｋは、第１ストライプ７４に含まれる割合が小さく、第２ストライプ７６に含まれる割合が大きくなるように設けられている。以下、この割合を「パターン形成割合」と称す。
【００７０】
２つのストライプ７４，７６に跨って形成されるモニタマーク７８-ｉの精度は、２つのストライプ７４，７６の境界部における接続精度の大きく影響される。また、モニタマーク７８-ｉは、第１ストライプ７４の描画時に形成されるパターンエッジと、第２ストライプ７６の描画時に形成されるパターンエッジとを含んでいる。それらのパターンエッジの精度は、それらの位置が境界線７２に近づくほど、ストライプの接続部分の精度に影響され易くなる。
【００７１】
それらのパターンエッジと境界線７２との距離は、モニタマーク７８-ｉのそれぞれが、如何なる割合で２つのストライプ７４，７６上に形成されているか、すなわち、モニタマーク７８-ｉそれぞれのパターン形成割合に応じて決定される。従って、それらのパターンエッジの精度、すなわち、モニタマーク７８-ｉのＹ方向の寸法精度は、モニタマーク７８-ｉそれぞれのパターン形成割合に応じて変動する。
【００７２】
写真製版用マスクの機能パターン領域中には、モニタマーク７８-ｉのように、２つのストライプに跨って形成される機能パターンが含まれる。これらの機能パターンの寸法精度は、モニタマーク７８-ｉの寸法精度と同様に、２つのストライプの接続精度に影響されると共に、それぞれのパターンが如何なる割合で２つのストライプ上に形成されているかに応じて変動する。従って、それらの機能パターンの寸法を精度良く管理するためには、ストライプの接続精度に起因する寸法のばらつき、および、パターン形成割合の違いに起因する寸法のばらつきを正確に把握することが必要である。
【００７３】
モニタマーク７８-ｉのＹ方向寸法には、それぞれパターン形成割合の違いに起因するばらつきが重畳されている。従って、モニタマーク７８-ｉのＹ方向寸法を比較すれば、パターン形成割合の違いに起因する寸法のばらつきをモニタすることができる。
【００７４】
一方、モニタマーク７８-ｉのＹ方向寸法は、その全てがストライプ接続精度の影響を受けている。従って、モニタマーク７８-ｉの寸法を比較するだけでは、ストライプ接続精度の影響を把握することはできない。このため、本実施形態の写真製版用マスクには、図８に示すように、モニタマーク７８-ｉそれぞれの上下に複数のモニタマーク８０-ｉおよび８２-ｉ（ｉ＝１〜ｋ）が形成されている。
【００７５】
モニタマーク８０-ｉは、第１ストライプ７４の描画時に描画されるマークである。モニタマーク８０-ｉのそれぞれには、Ｎ種類の描画グリッド（Ｙ方向にエッジをずらすためのGrid-１〜Grid-Ｎ）で描かれるべきモニタマークが含まれている。一方、モニタマーク８２-ｉは、第２ストライプ７６の描画時に描画されるマークである。モニタマーク８２-ｉのそれぞれには、Ｎ種類の描画グリッド（Ｙ方向にエッジをずらすためのGrid-１〜Grid-Ｎ）で描かれるべきモニタマークが含まれている。
【００７６】
図８に示す全てのモニタマークは、機能パターンと共にマスク上に形成された後、公知のパターン寸法測定装置によって、そのＹ方向のパターン幅が測定される。以下、モニタマーク７８-ｉ（ｉ＝１〜ｋ）についての測定結果を、それらの符号を用いて“Ｗ（７８-ｉ）”のように示す。また、モニタマーク８０-ｉ、８２-ｉ（ｉ＝１〜ｋ）に含まれる個々のマークについての測定結果を、それらの符号と、個々のマークを描くための描画グリッドの番号とを用いて“Ｗ（８０-ｉ，Ｇｊ）”または“Ｗ（８２-ｉ，Ｇｊ）” （ｊ＝１〜Ｎ）のように表す。
【００７７】
本実施形態では、上記の測定が終了した後、モニタパターン７８-ｉのそれぞれについて、ストライプ接続精度に起因する寸法ばらつきを求めるための演算が行われる。例えば、モニタパターン７８-１については、次式の演算結果の絶対値を求める処理が行われる。
｛Ｗ（８０-１，Ｇ１）＋…＋Ｗ（８０-１，ＧＮ）
＋Ｗ（８２-１，Ｇ１）＋…＋Ｗ（８２-１，ＧＮ）｝／２Ｎ−Ｗ（７８-１）
【００７８】
上記の演算処理は、モニタパターン７８-ｉの全てについて行われる。それらの演算処理によれば、モニタパターン７８-ｉのＹ方向寸法Ｗ（７８-ｉ）から、ストライプ毎の描画条件の違いに起因する寸法差や、描画グリッドの違いに起因する寸法差を排除して、ストライプ接続精度に起因する寸法差を精度良く求めることができる。また、その結果得られた寸法差を相互に比較することにより、モニタパターン７８-ｉそれぞれのパターン形成割合の違いに起因する寸法差を精度良く求めることができる。従って、本実施形態の写真製版用マスクによれば、ストライプ接続精度の影響で個々の機能パターンに生じる寸法のばらつきを、パターン形成割合毎に精度良くモニタすることができる。
【００７９】
実施の形態４．
次に、図９を参照して、本発明の実施の形態４の写真製版用マスクについて説明する。
図９は、本実施形態の写真製版用マスクが備えるモニタマークを示す。本実施形態のマスクは、図６（Ａ）および図６（Ｂ）に示すモニタマークに代えて、図９に示すモニタマークを備えることを除き、実施の形態１のマスクと同様の構造を有している。
【００８０】
図９に示すモニタマークは、境界線７２と重なる位置に、アドレスユニット比Ｎと同数のモニタマーク８４-ｉ（ｉ＝１〜Ｎ）を備えている。モニタマーク８４-ｉは、パターン形成割合が相互に相違するように、かつ、相互に異なる描画グリッドで描かれるように設計されている。具体的には、モニタマーク８４-１は、第１ストライプ７４に含まれる割合が大きく第２ストライプ７６に含まれる割合が小さくなるように、かつ、Grid-１で描かれるように設けられている。また、モニタマーク８４-Ｎは、第１ストライプ７４に含まれる割合が小さく第２ストライプ７６に含まれる割合が大きくなるように、かつ、Grid-Ｎで描かれるように設けられている。
【００８１】
モニタマーク８４-１の上下には、モニタマーク８６-１および８８-１が形成されている。モニタマーク８６-１は、第１ストライプ７４の描画時に描画されるマークである。一方、モニタマーク８８-１は、第２ストライプ７６の描画時に描画されるマークである。これらのモニタマーク８６-１および８８-１は、いずれも、モニタマーク８４-１と同様にGrid-１で描かれるべきマークである。モニタマーク８４-２〜８４-Ｎの上下にも、それぞれ、同じ描画グリッドで描かれるべきモニタマーク８６-２〜８６-Ｎおよび８８-２〜８８-Ｎが形成されている。
【００８２】
図９に示す全てのモニタマークは、機能パターンと共にマスク上に形成された後、公知のパターン寸法測定装置によって、そのＹ方向のパターン幅が測定される。以下、それらの測定結果を、モニタマークの符号を用いて“Ｗ（８４-ｉ）”、“Ｗ（８６-ｉ）”、または“Ｗ（８８-ｉ）”のように示す。
【００８３】
本実施形態では、上記の測定が終了した後、モニタパターン８４-ｉのそれぞれについて、ストライプ接続精度に起因する寸法ばらつきを求めるための演算が行われる。例えば、モニタパターン８４-１については、次式の演算結果の絶対値を求める処理が行われる。
｛Ｗ（８６-１）＋Ｗ（８８-１）｝／２−Ｗ（８４-１）
【００８４】
上記の演算処理は、モニタパターン８４-ｉの全てについて行われる。それらの演算処理によれば、モニタパターン８４-ｉのＹ方向寸法Ｗ（８４-ｉ）から、ストライプ毎の描画条件の違いに起因する寸法差や、描画グリッドの違いに起因する寸法差を排除して、ストライプ接続精度に起因する寸法差を精度良く求めることができる。また、その結果得られた寸法差を相互に比較することにより、モニタパターン８４-ｉそれぞれのパターン形成割合の違いに起因する寸法差を精度良く求めることができる。従って、本実施形態の写真製版用マスクによれば、ストライプ接続精度の影響で個々の機能パターンに生じる寸法のばらつきを、パターン形成割合毎に精度良くモニタすることができる。
【００８５】
【発明の効果】
この発明は以上説明したように構成されているので、以下に示すような効果を奏する。
請求項１または９記載の発明によれば、マスクパターンの描画に必要な全ての描画グリッドに対応するモニタマークを形成することができる。従って、本発明によれば、それらのモニタマークの寸法を測定することで、全てのマスクパターンの寸法ばらつきを、描画グリッドの違いを考慮しながらモニタすることができる。
【００８６】
請求項２または１０記載の発明によれば、モニタマークの大きさおよび形状が同じであるため、モニタマークの寸法の相互比較を簡単に行うことができる。
【００８７】
請求項３または１１記載の発明によれば、Ｘ方向のパターン長のばらつきと、Ｙ方向のパターン長のばらつきとを、それぞれ別個のモニタマークを使ってモニタすることができる。
【００８８】
請求項４または１２記載の発明によれば、Ｘ方向のパターン長のばらつきと、Ｙ方向のパターン長のばらつきとを、共通のモニタマークを使ってモニタすることができる。
【００８９】
請求項５または１３記載の発明によれば、境界上モニタマークの寸法を測定することで、２つのストライプの境界上に形成される機能パターンの精度をモニタすることができる。また、本発明では、複数の境界上モニタマークが、パターン形成割合が相互に異なるように設けられるため、２つのストライプに跨るパターンの精度を、それらのパターン形成割合の違いを考慮しつつモニタすることができる。
【００９０】
請求項６または１４記載の発明によれば、境界上モニタマークの両側に、それぞれ全ての描画グリッドに対応する複数のモニタマークが形成される。従って、それらのモニタマークの寸法を比較考慮することで、２つのストライプの接続精度を精度良くモニタすることができる。
【００９１】
請求項７または１５記載の発明によれば、境界上モニタマークを描くための描画グリッドを異ならせることにより、それらのパターン形成割合に差異が与えられている。従って、本発明によれば、境界上モニタマークの寸法を測定することで、パターン形成割合の違いに起因する寸法のばらつきと、描画グリッドの違いに起因する寸法のばらつきとの合計をモニタすることができる。
【００９２】
請求項８または１６記載の発明によれば、境界上モニタマークの両側に、それぞれ全ての描画グリッドに対応する複数のモニタマークが形成される。従って、それらのモニタマークの寸法と、境界上モニタマークの寸法とを比較考慮することで、描画グリッドの違いに起因するばらつきを除外して、パターン形成割合の違いに起因する寸法のばらつきだけを精度良くモニタすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  写真製版用マスク上に形成すべきパターンと、データアドレスユニットと、描画アドレスユニットとの関係を説明するための図である。
【図２】  パターンエッジを形成すべきマスク上の領域を切り出して表した図（図２（Ａ））と、マスク領域に蓄積された電子ビームエネルギーのＸ方向の分布を表す図（図２（Ｂ））である。
【図３】  パターンエッジと描画グリッドとの関係を表す図である。
【図４】  写真製版用マスクの全面にマスクパターンを形成する際の描画軌跡の一例を表す図である。
【図５】  本発明の実施の形態１の写真製版用マスクの平面図を示す。
【図６】  本発明の実施の形態１の写真製版用マスクが備えるモニタパターンの平面図である。
【図７】  本発明の実施の形態２の写真製版用マスクが備えるモニタパターンの平面図である。
【図８】  本発明の実施の形態３の写真製版用マスクが備えるモニタパターンの平面図である。
【図９】  本発明の実施の形態４の写真製版用マスクが備えるモニタパターンの平面図である。
【符号の説明】
４０  写真製版用マスク、    ４２  機能パターン領域、    ４４  非機能パターン領域、    ４６  モニタマーク領域、    ４８，５０，５２，５４；５６，５８，６０，６２；６４，６６，６８，７０；７８-ｉ，８０-ｉ，８２-ｉ（ｉ＝１〜ｋ）；８４-ｉ，８６-ｉ，８８-ｉ（ｉ＝１〜Ｎ）  モニタパマーク。
【図１】
0004451525.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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