(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマを用いて試料に反応処理を施す反応容器において、
内面の一部又は全部にアルミナ保護膜を５００μｍ〜１０００μｍの厚みで形成してあることを特徴とする反応容器。
【請求項２】
プラズマを用いて試料に反応処理を施す反応容器において、
内面の一部又は全部に緩衝膜を介してアルミナ保護膜を５００μｍ〜１０００μｍの厚みで形成してあり、前記緩衝膜はその線膨張係数が前記内面及び前記アルミナ保護膜の線膨張係数の略中間値を有することを特徴とする反応容器。
【請求項３】
前記内面はアルミニウムで形成されており、前記緩衝膜はＮｉを含む膜である請求項２記載の反応容器。
【請求項４】
プラズマを用いて試料に反応処理を施す反応容器において、
内面がアルミニウムで形成されており、該内面の一部又は全部にアルミニウムとアルミナとの中間組成を有する緩衝膜を介してアルミナ保護膜を５００μｍ〜１０００μｍの厚みで形成してあることを特徴とする反応容器。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載の反応容器と、該反応容器の開口を封止し、マイクロ波を透過させて前記反応容器内に導入する封止部材と、導入されたマイクロ波により生成したプラズマを用いてプラズマ処理を施すべき試料を載置する試料台とを備えることを特徴とするプラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体素子基板，液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）用ガラス基板などにエッチング，アッシング，ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ）などのプラズマ処理を施すための反応容器及びそれを備えるプラズマ処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
プラズマ処理は、真空近くまで減圧された容器内にプラズマ生成ガスとマイクロ波とを導入し、放電により生成したプラズマを基板表面に導いてエッチング，レジスト除去（アッシング），ＣＶＤ等の処理を施す。このようなプラズマ処理を行なう装置として高周波を用いてプラズマを発生させる装置、マイクロ波を用いてプラズマを発生させ、印加した高周波でそのプラズマを制御する装置などがある。プラズマ処理装置に用いられる反応容器は、特公平５−53870 公報に示されるような内面に膜厚0.5 μｍ〜20μｍの陽極酸化被膜を形成したアルミニウム製のものが多く用いられている。陽極酸化被膜を反応容器の内面に被着せしめることにより、反応容器から発生するFe, Cr, Ni等の不純物による試料の汚染を防止できる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
一方、プラズマを発生せしめるために反応容器内に CHF3 ，CF4 ，SF6 等のＦ系又はCl2 ,BCl3 等のCl系のハロゲンガスが導入される。このハロゲンガスにより、一般にAlOOH の化学式で表示される陽極酸化被膜の表面はエッチングされ、Al，O, Hがプラズマ中に放出されてプラズマ成分が変動する。その結果、高精度なプラズマ処理を試料に施すことができないという問題があった。また、Alを含むパーティクルは半導体デバイスの特性に悪影響を及ぼすという問題があった。さらに、陽極酸化被膜が硫酸中で形成されたものである場合はＳがプラズマ中に放出され、陽極酸化被膜が蓚酸中で形成されたものである場合はＣがプラズマ中に放出されていずれもプラズマ処理に悪影響を及ぼすという問題があった。
【０００４】
また、近年の半導体デバイスの微細化によりECR （電子サイクロトロン共鳴）プラズマ，表面波プラズマ（SWP ）等の高密度プラズマが多く用いられ、これに伴い反応容器内面の陽極酸化被膜がプラズマによりエッチングされ易くなっている。また陽極酸化被膜が高速でエッチングされることにより、反応容器の短命化という問題が生じている。
【０００５】
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであり、プラズマ生成ガスに曝されてもAl，O, Hのような元素不純物が発生せず、高密度プラズマのエッチングに起因する内面の損傷を抑制できる反応容器、及び該反応容器を備えるプラズマ処理装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
第１発明に係る反応容器は、プラズマを用いて試料に反応処理を施す反応容器において、内面の一部又は全部にアルミナ保護膜を５００μｍ〜１０００μｍの厚みで形成してあることを特徴とする。
【０００７】
出願人は、反応容器の内面に各種材料を被覆してプラズマ及びプラズマ生成ガスに対する耐久性を調べた。その結果、アルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）の溶射膜を被覆した場合に耐久性が向上すること、また膜厚が厚くなるに従いアルミナのプラズマに対する耐性が向上することが判明した。第１発明にあっては、反応容器の内面に５００μｍ〜１０００μｍの厚みのアルミナ保護膜が被着しているので、プラズマ生成ガスによる不純物の発生を防止でき、且つプラズマによるエッチングを抑制して反応容器の長寿命化を図る。このエッチングの抑制は、アルミナ保護膜が通常よりも厚いのでエッチングに寄与するプラズマ中のイオンのエネルギが、保護膜表面で低下するためであると考えられる。
【０００８】
反応容器は完全に絶縁されていても良く、アルミナ保護膜が５００μｍよりも厚い膜であっても差し支えない。アルミナ保護膜が５００μｍよりも薄い場合はエッチング損傷の抑制効果が小さく、１０００μｍを超えた場合はアルミナ保護膜の剥離が生じ易くなる。
【０００９】
第２発明に係る反応容器は、プラズマを用いて試料に反応処理を施す反応容器において、内面の一部又は全部に緩衝膜を介してアルミナ保護膜を５００μｍ〜１０００μｍの厚みで形成してあり、前記緩衝膜はその線膨張係数が前記内面及び前記アルミナ保護膜の線膨張係数の略中間値を有することを特徴とする。
【００１０】
第２発明にあっては、アルミナ保護膜は緩衝膜を介して５００μｍ〜１０００μｍの厚みで形成されている。緩衝膜はその線膨張係数が反応容器の内面の線膨張係数とアルミナ保護膜の線膨張係数との略中間値を有しており、この緩衝膜によりアルミナ保護膜の剥離を防止できる。アルミナ保護膜をある程度厚く被覆した場合に内面とアルミナ保護膜との線膨張率の違いにより、溶射形成中、溶射後の冷却時、又はプラズマ処理中にアルミナ保護膜が反応容器から剥離することがあるが、線膨張係数が両者の略中間値である緩衝膜を介することによりアルミナ保護膜の剥離を防止できる。
【００１１】
第３発明に係る反応容器は、第２発明において、前記内面はアルミニウムで形成されており、前記緩衝膜はＮｉを含む膜であることを特徴とする。
【００１２】
第３発明にあっては、反応容器がアルミニウム製である場合に、緩衝膜としてアルミニウムとアルミナ保護膜との略中間の線膨張係数を有するＮｉが主成分である膜を溶射形成することにより、アルミナ保護膜の剥離を防止できる。
【００１３】
第４発明に係る反応容器は、プラズマを用いて試料に反応処理を施す反応容器において、内面がアルミニウムで形成されており、該内面の一部又は全部にアルミニウムとアルミナとの中間組成を有する緩衝膜を介してアルミナ保護膜を５００μｍ〜１０００μｍの厚みで形成してあることを特徴とする。
【００１４】
第４発明にあっては、反応容器はアルミニウム製であり、緩衝膜はAlとO との組成比をアルミニウムに相当する1:0 からアルミナに相当する1:1.5 までの中間の組成を有する。これにより、反応容器の内面とこれを覆うアルミナ保護膜との線膨張係数の変化が小さくなるので、アルミナ保護膜の剥離を防止できる。
【００１５】
第５発明に係るプラズマ処理装置は、第１乃至第４発明のいずれかの反応容器と、該反応容器の開口を封止し、マイクロ波を透過させて前記反応容器内に導入する封止部材と、導入されたマイクロ波により生成したプラズマを用いてプラズマ処理を施すべき試料を載置する試料台とを備えることを特徴とする。
【００１６】
第５発明にあっては、上述した如きアルミナ保護膜を内面に形成した反応容器を用いる。この反応容器の開口部に封止部材が配され、マイクロ波を反応容器内に導入してプラズマを発生せしめ、試料をプラズマ処理する。反応容器の内面にアルミナ保護膜が形成してあるので、プラズマ生成ガスによる不純物の発生が防止され、プラズマ成分を一定にし、試料汚染も防止される。また、反応容器内面がプラズマによるエッチングから保護されるので容器の長寿命化が図れる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明をその実施の形態を示す図面に基づき具体的に説明する。
実施の形態１．
図１は本発明に係るマイクロ波プラズマ処理装置の構造を示す側断面図である。図中１は本発明の特徴となる反応容器であり、矩形箱状でその全体がアルミニウムで形成されている。反応容器１の上部の開口は封止板４で気密状態に封止されている。封止板４は耐熱性及びマイクロ波透過性を有すると主に誘電損失が小さい石英ガラス（ＳｉＯ2 ）又はアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）等の誘電体で形成されている。
【００１８】
反応容器１の内部は処理室２になっており、処理室２の側壁にはガス導入管５が取付けられて処理室２内に所要のガスが導入されるようになっている。反応容器１の内側壁にはガス導入管５の開口部分を除いてアルミナ保護膜２１が100 μｍ〜1000μｍの厚みで形成されている。アルミナ保護膜２１はプラズマ溶射により内側壁を覆うようにアルミナを被着させて形成されている。処理室２の底部中央には、封止板４に対面して試料Ｗを載置する試料台３が設けてあり、試料台３にはマッチングボックス６を介して数百ｋＨｚ〜十数ＭＨｚの高周波電源７が接続されている。試料台３はその基台部分を図示しない焼結体アルミナで覆っており、プラズマから遮蔽されるようになっている。また、反応容器１の底部壁には試料台３の周囲に排気口８が開設してあり、排気口８から処理室２の内気を排出するようになっている。
【００１９】
封止板４の下部周縁には、対向電極９が反応容器１の周囲壁から内部に張り出す態様で設けられている。対向電極９は高周波電圧が印加される試料台３に対する接地電極の役割を果たす。このような形状の対向電極９は試料Ｗに安定したバイアス電位を発生させることができる。
【００２０】
反応容器１には、その上部を覆う長方形箱形状の金属製のカバー部材４０が連結してあり、カバー部材４０の一側には導波路３１を介してマイクロ波発振器３０が連結されている。カバー部材４０内の天井部分には誘電体線路４１が封止板４から所定間隔を隔てて対向配置されている。誘電体線路４１はテフロン（登録商標）のようなフッ素樹脂，ポリエチレン樹脂又はポリスチレン樹脂等の誘電体を、平面視で矩形と三角形とを組み合わせた略五角形の板形状に成形してなり、前記五角形の頂点は延設せしめてある。この延設部分は導波路３１に内嵌されている。
【００２１】
このようなマイクロ波プラズマ処理装置を用いて試料Ｗの表面に例えばエッチング処理を施す際には、まず排気口８から排気して処理室２内を所望の圧力まで減圧した後、ガス導入管５から処理室２内にプラズマ生成ガスを供給する。次いで、マイクロ波発振器３０からマイクロ波を発振させ、これを導波路３１を介して誘電体線路４１に導入する。ほぼ同時に高周波電源７から試料台３に例えば400 ｋＨｚ又は13.56 ＭＨｚの高周波電圧を印加し、試料Ｗの表面にバイアス電圧を発生させる。
【００２２】
マイクロ波は例えば2.45ＧＨｚの周波数のものが用いられる。誘電体線路４１に導入されたマイクロ波はカバー部材４０の端面で反射し、入射波と反射波とは重ね合わされ、誘電体線路４１内に定在波を形成する。この定在波によって、誘電体線路４１の下側に漏れ電界が形成され、封止板４を透過して処理室２内へ導入される。処理室２内に導入されたマイクロ波とプラズマ生成ガスとによりプラズマが生成される。試料Ｗ表面に発生したバイアス電圧によりプラズマ中のイオンのエネルギーが制御され、プラズマにより試料Ｗの表面にエッチングが施される。
【００２３】
なお、このような反応性イオンエッチング処理後に処理室２の内面に堆積した反応生成物を除去するためにクリーニングを行なうことがある。クリーニングは試料Ｗを入れ替えた後にガス導入管５から所定流量のＯ2 ガスを処理室２内に導入し、上述したエッチング処理と同様の手順にてプラズマを発生せしめて行なわれる。クリーニングにより、反応容器内面に付着した反応生成物が除去される。また、試料ＷにＳｉＯ2 膜を成膜した場合には、クリーニングの際にフッ素系ガスを処理室２内に導入して内壁表面に堆積したＳｉＯ2 を除去する。
【００２４】
このように、試料Ｗのプラズマ処理中及び反応容器１のクリーニング中に、処理室２内にＦ系又はＣｌ系のプラズマ生成ガスを導入する。上述した如く、本実施の形態の反応容器１の内面にはアルミナ保護膜２１が被覆されているので、プラズマ生成ガスとの反応による不純物の発生を防止できる。またアルミナ保護膜２１は比較的厚い100 μｍ〜1000μｍの厚みに形成されているので、反応容器１の内面のプラズマによるエッチングが抑制され長寿命化が図られる。
【００２５】
以上の如きプラズマ処理装置の反応容器１についてプラズマによる損傷程度を試験した。アルミナ保護膜２１の厚みが100 μｍ，500 μｍ，1000μｍの反応容器１を用いて試料Ｗにプラズマ処理を施し、そのときの処理室２内面の損傷量を調べた。また比較例としてアルミナ保護膜が20μｍ，50μｍ，1300μｍ，1500μｍの厚さの反応容器について同様に試験し、さらに従来例として硫酸中で形成された20μｍの厚さの陽極酸化被膜を有する反応容器について同様に試験した。アルミナ保護膜は大気中のプラズマ溶射により形成されており、アルミナの原料粉の純度は99％及び99.99 ％のそれぞれを用いた。
【００２６】
試料Ｗとして１μｍの厚みのシリコン酸化膜が形成された６インチのシリコンウエハを用い、これにプラズマエッチングを行なった。エッチング条件は、プラズマ生成ガスに CHF3 を用い、マイクロ波の周波数は2.45ＧＨｚ、その電力が1300Ｗ、高周波の周波数は4000ｋＨｚ、その電力が600 Ｗである。このエッチングプロセスをウエハ１枚当たりに１分間行い、これを5000枚のウエハについて5000分間連続して行なった。但し、500 分毎に所定流量のＯ2 を処理室２内に導入し、上述したクリーニングをウエハを入れ替えた後に行った。そのときのプラズマ発生条件はエッチング条件と同様である。そして1000分間のエッチングプロセスが終了した後にウエハ上のＡｌ等を成分とするパーティクルの大きさ及び個数，Ａｌ等の元素による汚染量（コンタミネーション，以下コンタミという）を測定した。結果を表１及び表２に示す。表１は1000分後，2000分後及び3000分後のパーティクル及びコンタミの結果を示し、表２は4000分後及び5000分後のパーティクル及びコンタミの結果を示している。
【００２７】
【表１】
0004437350.tif 000002
【００２８】
【表２】
0004437350.tif 000003
【００２９】
パーティクルの大きさ及び個数はパーティクルカウンタにより測定した。パーティクルカウンタはウエハ表面にＳ偏光レーザを照射し、異物からの散乱光を検出することにより、パーティクルの大きさ及び個数を調べることができる装置である。表中、ウエハ上に0.01μｍ以上のパーティクルが10個以上存在するものは‘×’で示し、10個以上存在しないものは‘○’で示した。
【００３０】
また、Ａｌによる汚染量はウエハの表面をフッ酸で洗浄し、その洗浄液中に含まれるＡｌ量をＩＣＰ（誘導結合高周波プラズマ）分光分析法によって測定した。ウエハ上のその他の元素による汚染量は全反射蛍光Ｘ線分析法により測定した。これらの測定の結果は１cm2 当たりの元素量（Atoms ）で表され、ウエハ上に元素が１×1010Atoms/cm2 以上存在するものは‘×’で示し、１×1010Atoms/cm2 以上存在しないものは‘○’で示した。
【００３１】
表１及び表２から判るように、本実施の形態の反応容器は比較例及び従来例とは異なり、ウエハ上に0.01μｍ以上のパーティクルが10個より少なく、Ａｌ等の元素による汚染量が１×1010Atoms/cm2 より少ない。これにより、本実施の形態の反応容器はプラズマ生成ガスに曝されても元素不純物を発生せず、試料汚染を防止できると言える。なお、アルミナ保護膜の厚みが1300μｍ及び1500μｍの比較例については、パーティクル及びコンタミでは‘○’を示しているが、アルミナ保護膜が剥離し易いことが判っている。
【００３２】
さらに、5000分間のエッチングプロセスが終了した後に、反応容器をプラズマ処理装置から取り外し、反応容器の内面の損傷量を調べた。損傷量はエッチングプロセス以前に反応容器の内面にポリイミド系のテープを固定し、プロセス後にこのテープを取り除いて生じた段差を測定することにより求めた。結果を表３に示す。損傷量は硫酸中で20μｍの厚みの陽極酸化被膜を形成した反応容器の損傷量を１として各反応容器の内面の損傷量を示している。
【００３３】
【表３】
0004437350.tif 000004
【００３４】
表３から判るように、本実施の形態の反応容器は損傷量が１よりも小さく、硫酸陽極酸化被膜を被着した反応容器よりも損傷が少ないことが判る。また、アルミナ保護膜は膜厚が厚いほど損傷量が小さくなっている。なお、アルミナ保護膜の厚みが1300μｍ及び1500μｍの比較例については損傷量は零であり、全く損傷を受けていないが、アルミナ保護膜が剥離し易いことが判っている。
【００３５】
以上のごとく、本発明の反応容器は内面の一部又は全部に100 μｍ〜1000μｍの厚みのアルミナ保護膜が形成してあり、アルミナ保護膜が100 μｍよりも薄い場合はエッチング損傷の抑制効果が小さく、1000μｍを超えた場合はアルミナ保護膜の剥離が生じ易くなる。
【００３６】
実施の形態２．
図２は本発明のプラズマ処理装置に係る実施の形態２の反応容器の構造を示す部分拡大断面図である。実施の形態２の反応容器を備えるプラズマ処理装置の全体構成は、図１に示す実施の形態１のものと同様であり、その説明を省略する。図２は図１のＡ部分に対応する部分を拡大図示している。図２に示すように、アルミニウム製の反応容器１の内側壁には緩衝膜２１ａを介してアルミナ保護膜２１が被覆されている。緩衝膜２１ａは純Ｎｉの溶射膜であり、大気プラズマにより反応容器１の内面に形成されている。アルミナ保護膜２１は緩衝膜２１ａの形成後にプラズマ溶射により緩衝膜２１ａを覆うようにアルミナを被着させて形成してある。緩衝膜２１ａの膜厚は５０μｍであり、アルミナ保護膜２１は100 μｍ〜1000μｍである。反応容器１，緩衝膜２１ａ及びアルミナ保護膜２１のおおよその線膨張係数は、夫々、2.3 ×10-5，1.5 ×10-5及び8.8 ×10-6である。反応容器１のその他の構成は実施の形態１と同様であり、説明を省略する。
【００３７】
このような構造の反応容器１を備えたプラズマ処理装置を用いて試料Ｗの表面にエッチング処理を施した。その結果、実施の形態１と同様にプラズマ生成ガスによる元素不純物の発生が防止され、プラズマによる反応容器１の内面のエッチング損傷が抑制されることが判った。さらに、アルミナ保護膜２１と反応容器１の内面との間に線膨張係数がそれらの略中間値である緩衝膜２１ａを形成してあるので、溶射形成中，溶射後の冷却時又はプラズマ処理中のアルミナ保護膜２１の剥離を防止できる。
【００３８】
実施の形態３．
図３は本発明のプラズマ処理装置に係る実施の形態３の反応容器の構造を示す部分拡大断面図である。実施の形態３の反応容器を備えるプラズマ処理装置の全体構成は、図１に示す実施の形態１のものと同様であり、その説明を省略する。図３は図１のＡ部分に対応する部分を拡大図示している。図３に示すように、アルミニウム製の反応容器１の内側壁には緩衝膜２１ｂを介してアルミナ保護膜２１が被覆されている。
【００３９】
緩衝膜２１ｂは、AlとO との組成比をアルミニウムに相当する1:0 からアルミナに相当する1:1.5 まで厚み方向に連続的に変化させた膜である。この緩衝膜２１ｂは、アルミニウム及びアルミナの溶射原料粉末の混合割合を変えて溶射を繰り返すことにより形成されている。アルミナ保護膜２１は緩衝膜２１ｂの形成後にプラズマ溶射により緩衝膜２１ｂを覆うようにアルミナを被着させて形成してある。緩衝膜２１ａの膜厚は５０μｍであり、アルミナ保護膜２１は100 μｍ〜1000μｍである。反応容器１，緩衝膜２１ｂ及びアルミナ保護膜２１のおおよその線膨張係数は、夫々、2.3 ×10-5，2.2 ×10-5〜8.9 ×10-6  及び8.8 ×10-6である。反応容器１のその他の構成は実施の形態１と同様であり、説明を省略する。
【００４０】
このような構造の反応容器１を備えたプラズマ処理装置を用いて試料Ｗの表面にエッチング処理を施した。その結果、実施の形態１と同様にプラズマ生成ガスによる元素不純物の発生が防止され、プラズマによる反応容器１の内面のエッチング損傷が抑制されることが判った。さらに、アルミナ保護膜２１と反応容器１との間に線膨張係数がそれらの間で厚み方向に変化する緩衝膜２１ｂを形成してあるので、アルミナ保護膜２１の剥離を防止できる。
【００４１】
なお、実施の形態３では緩衝膜２１ｂは組成比を厚み方向に連続的に変化するように形成してあるが、これに限るものではなく、反応容器の内面と保護膜との中間の組成に一定させてあっても良い。
【００４２】
また、実施の形態１〜実施の形態３では、アルミナ保護膜を反応容器の内側壁のみに形成した場合を説明しているが、これに限るものではなく、反応容器の内底面に同様に被着してあっても良いし、内面全面に被着してあっても良い。
【００４３】
実施の形態４．
図４は本発明に係る実施の形態４のマイクロ波プラズマ処理装置の構造を示す側断面図である。図中１０は本発明の特徴となる反応容器であり、有底円筒形状を有し、その全体がアルミニウムで形成されている。反応容器１０の上部の開口は封止板４で気密状態に封止されている。封止板４は耐熱性及びマイクロ波透過性を有すると主に誘電損失が小さい石英ガラス（ＳｉＯ2 ）又はアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）等の誘電体で形成されており、封止板４上には後述する環状導波管型アンテナ部１１ａが固定されている。
【００４４】
反応容器１０の内部は処理室２になっており、処理室２の側壁にはガス導入管５が取付けられて処理室２内に所要のガスが導入されるようになっている。またガス導入管５の対向側壁には試料搬送口１２が開設されており、試料Ｗを試料搬送口１２から搬入出するようになっている。処理室２の底部中央には、試料Ｗを載置する試料台３が設けてあり、試料台３にはマッチングボックス６を介して数百ｋＨｚ〜十数ＭＨｚの高周波電源７が接続されている。反応容器１０の底部壁には試料台３の周囲に排気口８が開設してあり、排気口８から処理室２の内気を排出するようになっている。
【００４５】
このような構造の反応容器１０の内側面には、膜厚0.5 μｍ〜20μｍの陽極酸化被膜が形成されている（図示せず）。また、本発明の特徴となるアルミナ保護膜２１，２１，２１が、反応容器１０内面の試料搬送口１２及び排気口８の夫々のエッジ部分に100 μｍ〜1000μｍの厚みで形成されている。アルミナ保護膜２１はプラズマ溶射によりエッジ部分を覆うようにアルミナを被着させて形成されている。
【００４６】
図４に示すように、封止板４には導電性金属を円形蓋上に成形してなるカバー部材４ａが外嵌してあり、該カバー部材４ａは反応容器１０上に固定してある。カバー部材４ａの上面には反応容器１０内へマイクロ波を導入するためのアンテナ１１が固定してある。断面がコ字状の部材が無終端環状に成形された環状導波管型アンテナ部１１ａが、コ字状の開口がカバー部材４ａに対向する向きに反応容器１０の中心軸と同心円状に配されており、カバー部材４ａの環状導波管型アンテナ部１１ａに対向する部分に複数の開口１５，１５…が開設されている。即ち、環状導波管型のアンテナ１１は、環状導波管型アンテナ部１１ａと、開口１５，１５…が開設されたカバー部材４ａの環状導波管型アンテナ部１１ａに対向する部分とによって構成されている。
【００４７】
環状導波管型アンテナ部１１ａ内にはテフロン（登録商標）のようなフッ素樹脂，ポリエチレン樹脂又はポリスチレン樹脂等の誘電体１４が内嵌されている。環状導波管型アンテナ部１１ａの外周にはその直径方向になるように導波管２９が連結されており、導波管２９にはマイクロ波発振器３０が連結されている。
【００４８】
このような構成のプラズマ処理装置を用いて試料Ｗの表面に例えばエッチング処理を施す際には、まず排気口８から排気して処理室２内を所望の圧力まで減圧した後、ガス導入管５から処理室２内にプラズマ生成ガスを供給する。次いで、マイクロ波発振器３０からマイクロ波を発振させ、これを導波路２９を介してアンテナ１１に導入する。マイクロ波は環状導波管型アンテナ部１１ａ内を互いに逆方向へ進行する進行波として、該環状導波管型アンテナ部１１ａ内の誘電体１４中を伝播し、両進行波は重ね合わされて環状導波管型アンテナ部１１ａの内面に定在波が生成される。この定在波によって環状導波管型アンテナ部１１ａの内面に、所定の間隔で極大値を示す壁面電流が通流する。環状導波管型アンテナ部１１ａの下面の開口１５，１５…から電界が放射され、封止板４を透過して処理室２内に導入され、処理室２内に導入されたプラズマ生成ガスによりプラズマが生成される。このプラズマにより試料台３上の試料Ｗの表面にエッチングが施される。
【００４９】
処理室２内に導入するプラズマ生成ガス、及び実施の形態１で説明したようなクリーニング時の導入ガスにはＦ系又はＣｌ系のものが用いられる。これらのガスは反応容器１０の内面、特にエッジ部分を選択的に高速度でエッチングするが、上述した如く、本実施の形態の反応容器１０の試料搬送口１２及び排気口８のエッジ部分にはアルミナ保護膜２１が被覆されているので、プラズマ生成ガスによる元素不純物の発生が抑制され、プラズマによる反応容器１の内面エッジ部分のエッチング損傷が低減する。またアルミナ保護膜２１は比較的厚い100 μｍ〜1000μｍの厚みに形成されているので、反応容器１０のエッジ部分の損傷をさらに防止できる。
【００５０】
なお、上述した実施の形態１〜実施の形態３のプラズマ処理装置が備える反応容器１は、実施の形態４の図４に示すように排気口８のエッジ部分を覆う態様でアルミナ保護膜２１を形成してあっても実施の形態４と同様の効果を得る。また、実施の形態４のプラズマ処理装置が備える反応容器１０は、実施の形態１〜３のように反応容器１０の内側壁にアルミナ保護膜２１を形成してあっても実施の形態１〜３と同様の効果を得る。
【００５１】
【発明の効果】
以上のように、本発明においては５００μｍ〜１０００μｍの厚みのアルミナ保護膜を内面の一部又は全部に形成してあるので、プラズマ生成のためのガスに曝されても元素不純物が発生せず、また高密度プラズマのエッチングに起因する反応容器の損傷を抑制できる。また、アルミニウム製の反応容器の内面に緩衝膜を介してアルミナ保護膜を形成しており、この緩衝膜は線膨張係数がアルミニウムとアルミナ保護膜との略中間値を有するので熱膨張に起因するアルミナ保護膜の剥離を防止できる。
【００５２】
また、この緩衝膜はアルミニウムとアルミナ保護膜との間の組成を有するので、熱膨張に起因するアルミナ保護膜の剥離を防止できる。さらに本発明においては、このような反応容器がプラズマ処理装置の処理室となるので、試料汚染を防止できるなど本発明は優れた効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るマイクロ波プラズマ処理装置の構造を示す側断面図である。
【図２】実施の形態２の反応容器の構造を示す部分拡大断面図である。
【図３】実施の形態３の反応容器の構造を示す部分拡大断面図である。
【図４】実施の形態４のマイクロ波プラズマ処理装置の構造を示す側断面図である。
【符号の説明】
１，１０  反応容器
２  処理室
３  試料台
４  封止板
９  対向電極
１２  試料搬送口
２１  アルミナ保護膜
２１ａ，２１ｂ  緩衝膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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