(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
液浸法により基板に露光処理を行う露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、
基板に処理を行うための処理部と、
前記処理部の一端部に隣接するように設けられ、前記処理部と前記露光装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部とを備え、
前記処理部は、
第１および第２の処理ユニットを含み、
前記第１の処理ユニットは、前記露光装置による露光処理前の基板の端面をブラシを用いて洗浄し、
前記第２の処理ユニットは、前記第１の処理ユニットによる端面の洗浄後でかつ前記露光装置による露光処理前の基板に所定の処理を行うことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記処理部は、前記露光装置による露光処理後の基板に所定の処理を行う第３の処理ユニットをさらに含むことを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記処理部の他端部に隣接するように配置され、前記処理部への基板の搬入および前記処理部からの基板の搬出を行う基板搬入搬出部をさらに備え、
前記処理部は、前記第１の処理ユニットおよび基板を搬送する第１の搬送ユニットを備える第１の処理単位と、
前記第２の処理ユニットおよび基板を搬送する第２の搬送ユニットを備える１または複数の第２の処理単位と、
前記第３の処理ユニットおよび基板を搬送する第３の搬送ユニットを備える１または複数の第３の処理単位とを含み、
前記第１の処理単位は、前記基板搬入搬出部に隣接するように配置されたことを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記第１の処理単位は、基板が当該処理単位に搬入される際に基板が載置される第１の載置部と、基板が当該処理単位から搬出される際に基板が載置される第２の載置部とをさらに備え、
前記第１の搬送ユニットは、基板を保持する第１および第２の保持手段を含み、
前記第１の搬送ユニットは、
前記第１の載置部から前記第１の処理ユニットへ基板を搬送する際には前記第１の保持手段により基板を保持し、
前記第１の処理ユニットから前記第２の載置部へ基板を搬送する際には前記第２の保持手段により基板を保持することを特徴とする請求項３記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記第１の保持手段は、前記第２の保持手段よりも下方に設けられることを特徴とする請求項４記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記第３の処理ユニットは、前記露光装置による露光処理後に基板の乾燥処理を行う乾燥処理ユニットを含み、
前記乾燥処理ユニットを備える前記第３の処理単位は、前記受け渡し部に隣接するように配置され、
前記受け渡し部は、露光処理前の基板を前記露光装置へ受け渡し、露光処理後の基板を前記露光装置から前記乾燥処理ユニットへ搬送し、前記乾燥処理ユニットにより乾燥処理された基板を受け取る第４の搬送ユニットを備えることを特徴とする請求項３〜５のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記第４の搬送ユニットは、基板を保持する第３および第４の保持手段を含み、
前記第４の搬送ユニットは、
露光処理前の基板を前記露光装置へ受け渡す際、および前記乾燥処理ユニットにより乾燥処理された基板を受け取る際には前記第３の保持手段により基板を保持し、
露光処理後の基板を前記露光装置から前記乾燥処理ユニットへ搬送する際には前記第４の保持手段により基板を保持することを特徴とする請求項６記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記第４の保持手段は、前記第３の保持手段よりも下方に設けられることを特徴とする請求項７記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記第２の処理ユニットは、基板に感光性材料からなる感光性膜を形成する感光性膜形成ユニットを含むことを特徴とする請求項２〜８のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記第２の処理ユニットは、前記感光性膜を保護する保護膜を形成する保護膜形成ユニットをさらに含むことを特徴とする請求項９記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記第３の処理ユニットは、前記露光装置による露光処理後に前記保護膜を除去する除去ユニットをさらに含むことを特徴とする請求項１０記載の基板処理装置。
【請求項１２】
前記第２の処理ユニットは、前記感光性膜形成ユニットによる前記感光性膜の形成前に基板に反射防止膜を形成する反射防止膜形成ユニットをさらに含むことを特徴とする請求項９〜１１のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項１３】
前記第３の処理ユニットは、基板の現像処理を行う現像処理ユニットを含むことを特徴とする請求項２〜１２のいずれかに記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の処理を行う基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等の各種基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。
【０００３】
このような基板処理装置では、一般に、一枚の基板に対して複数の異なる処理が連続的に行われる。特許文献１に記載された基板処理装置は、インデクサブロック、反射防止膜用処理ブロック、レジスト膜用処理ブロック、現像処理ブロックおよびインターフェイスブロックにより構成される。インターフェイスブロックに隣接するように、基板処理装置とは別体の外部装置である露光装置が配置される。
【０００４】
上記の基板処理装置においては、インデクサブロックから搬入される基板は、反射防止膜用処理ブロックおよびレジスト膜用処理ブロックにおいて反射防止膜の形成およびレジスト膜の塗布処理が行われた後、インターフェイスブロックを介して露光装置へと搬送される。露光装置において基板上のレジスト膜に露光処理が行われた後、基板はインターフェイスブロックを介して現像処理ブロックへ搬送される。現像処理ブロックにおいて基板上のレジスト膜に現像処理が行われることによりレジストパターンが形成された後、基板はインデクサブロックへと搬送される。
【０００５】
近年、デバイスの高密度化および高集積化に伴い、レジストパターンの微細化が重要な課題となっている。従来の一般的な露光装置においては、レチクルのパターンを投影レンズを介して基板上に縮小投影することによって露光処理が行われていた。しかし、このような従来の露光装置においては、露光パターンの線幅は露光装置の光源の波長によって決まるため、レジストパターンの微細化に限界があった。
【０００６】
そこで、露光パターンのさらなる微細化を可能にする投影露光方法として、液浸法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。特許文献２の投影露光装置においては、投影光学系と基板との間に液体が満たされており、基板表面における露光光を短波長化することができる。それにより、露光パターンのさらなる微細化が可能となる。
【特許文献１】特開２００３−３２４１３９号公報
【特許文献２】国際公開第９９／４９５０４号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、上記特許文献２の投影露光装置においては、基板と液体とが接触した状態で露光処理が行われるので、露光処理前に基板に汚染物質が付着すると、その汚染物質が液体中に混入する。
【０００８】
露光処理前においては、基板に対して種々の成膜処理が施されるが、この成膜処理の過程で、基板の端面が汚染する場合がある。このように、基板の端面が汚染された状態で基板の露光処理を行うと、露光装置のレンズが汚染され、露光パターンの寸法不良および形状不良が発生するおそれがある。
【０００９】
本発明の目的は、基板の端面の汚染に起因する露光装置内の汚染を防止できる基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
（１）
本発明に係る基板処理装置は、液浸法により基板に露光処理を行う露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、基板に処理を行うための処理部と、処理部の一端部に隣接するように設けられ、処理部と露光装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部とを備え、処理部は、第１および第２の処理ユニットを含み、第１の処理ユニットは、露光装置による露光処理前の基板の端面をブラシを用いて洗浄し、第２の処理ユニットは、第１の処理ユニットによる端面の洗浄後でかつ露光装置による露光処理前の基板に所定の処理を行うものである。
【００１１】
本発明に係る基板処理装置は液浸法により基板に露光処理を行う露光装置に隣接するように配置される。この基板処理装置においては、第１の処理ユニットにより、露光装置による露光処理前の基板の端面がブラシを用いて洗浄される。また、第２の処理ユニットにより、第１の処理ユニットによる端面の洗浄後でかつ露光装置による露光処理前の基板に所定の処理が行われる。さらに、、処理部の一端部に隣接するように設けられた受け渡し部により、処理部と露光装置との間で基板の受け渡しが行われる。露光装置では、液浸法により基板に露光処理が行われる。
【００１２】
処理部においては、露光装置による露光処理前の基板の端面が第１の処理ユニットによりブラシを用いて洗浄される。このように、ブラシを用いて基板の端面を洗浄する場合には、基板の端面に直接ブラシが接触するので、基板の端面の汚染物質を物理的に剥離させることができる。それにより、端面に強固に付着した汚染物質を確実に取り除くことができる。その結果、基板の端面の汚染に起因する露光装置内の汚染が防止でき、露光パターンの寸法不良および形状不良の発生を防止することができる。
また、処理部においては、第２の処理ユニットにより第１の処理ユニットによる端面の洗浄後でかつ露光装置による露光処理前の基板に所定の処理が行われる。第１の処理ユニットが第２の処理ユニットによる処理前の基板の端面を洗浄することにより、第２の処理ユニットおよび露光装置間で基板を搬送する搬送装置に基板の端面の汚染物質が転写することが防止される。
それにより、第２の処理ユニットにおいて、基板に対する所定の処理を清浄に行うことができる。また、基板の端面が清浄に保たれるので、基板の端面の汚染に起因する基板の処理不良が十分に防止される。
【００１３】
（２）
処理部は、露光装置による露光処理後の基板に所定の処理を行う第３の処理ユニットをさらに含んでもよい。
【００１４】
この場合、処理部においては、第３の処理ユニットにより露光装置による露光処理後の基板に所定の処理が行われる。
【００１５】
第１の処理ユニットが第２の処理ユニットによる処理前の基板の端面を洗浄することにより、第２の処理ユニット、第３の処理ユニットおよび露光装置間で基板を搬送する搬送装置に基板の端面の汚染物質が転写することが防止される。
【００１６】
それにより、第２および第３の処理ユニットにおいて、基板に対する所定の処理を清浄に行うことができる。また、基板の端面が清浄に保たれるので、基板の端面の汚染に起因する基板の処理不良が十分に防止される。
【００１７】
（３）
処理部の他端部に隣接するように配置され、処理部への基板の搬入および処理部からの基板の搬出を行う基板搬入搬出部をさらに備え、処理部は、第１の処理ユニットおよび基板を搬送する第１の搬送ユニットを備える第１の処理単位と、第２の処理ユニットおよび基板を搬送する第２の搬送ユニットを備える１または複数の第２の処理単位と、第３の処理ユニットおよび基板を搬送する第３の搬送ユニットを備える１または複数の第３の処理単位とを含み、第１の処理単位は、基板搬入搬出部に隣接するように配置されてもよい。
【００１８】
この場合、基板が基板搬入搬出部により処理部に搬入される。処理部の第１の処理単位においては、隣接する基板搬入搬出部から搬入された基板の端面が第１の処理ユニットにより洗浄され、基板が第１の搬送ユニットにより搬送される。
【００１９】
処理部の第２の処理単位においては、第１の処理ユニットにより端面が洗浄された露光処理前の基板が第２の処理ユニットにより処理され、第２の搬送ユニットにより搬送される。
【００２０】
処理部の第３の処理単位においては、露光処理後の基板が第３の処理ユニットにより処理され、第３の搬送ユニットにより搬送される。そして、第３の処理ユニットにより処理された基板が基板搬入搬出部により処理部から搬出される。
【００２１】
この基板処理装置は、第２の処理単位、第３の処理単位および基板搬入搬出部を有する既存の基板処理装置に、第１の処理単位を追加した構成を有するので、低コストで露光処理前の基板の端面の汚染に起因する露光装置内の汚染を防止することが可能となる。
【００２２】
（４）
第１の処理単位は、基板が当該処理単位に搬入される際に基板が載置される第１の載置部と、基板が当該処理単位から搬出される際に基板が載置される第２の載置部とをさらに備え、第１の搬送ユニットは、基板を保持する第１および第２の保持手段を含み、第１の搬送ユニットは、第１の載置部から第１の処理ユニットへ基板を搬送する際には第１の保持手段により基板を保持し、第１の処理ユニットから第２の載置部へ基板を搬送する際には第２の保持手段により基板を保持してもよい。
【００２３】
第１の処理単位においては、当該処理単位に搬入された基板が第１の載置部に載置され、第１の載置部に載置された基板が第１の搬送ユニットの第１の保持手段により第１の処理ユニットへ搬送される。第１の処理ユニットにより端面が洗浄された基板が、第１の搬送ユニットの第２の保持手段により第２の載置部へ搬送される。その後、第２の載置部に載置された基板が当該処理単位から搬出される。
【００２４】
すなわち、第１の処理ユニットにより端面が洗浄された基板を搬送する際には第２の保持手段が用いられ、端面が洗浄されていない基板を搬送する際には第１の保持手段が用いられる。したがって、第２の保持手段に基板の端面に付着した汚染物質が付着することを防止することができる。
【００２５】
それにより、露光処理前の基板の端面に汚染物質が付着することを防止することができる。その結果、露光処理前の基板の汚染を防止することができる。
【００２６】
（５）
第１の保持手段は、第２の保持手段よりも下方に設けられてもよい。この場合、第１の保持手段およびそれが保持する基板の端面から汚染物質が落下しても、第２の保持手段およびそれが保持する基板に汚染物質が付着することが防止される。
【００２７】
それにより、露光処理前の基板に汚染物質が付着することを確実に防止することができる。その結果、露光処理前の基板の汚染を確実に防止することができる。
【００２８】
（６）
第３の処理ユニットは、露光装置による露光処理後に基板の乾燥処理を行う乾燥処理ユニットを含み、乾燥処理ユニットを備える第３の処理単位は、受け渡し部に隣接するように配置され、受け渡し部は、露光処理前の基板を露光装置へ受け渡し、露光処理後の基板を露光装置から乾燥処理ユニットへ搬送し、乾燥処理ユニットにより乾燥処理された基板を受け取る第４の搬送ユニットを備えてもよい。
【００２９】
この場合、受け渡し部においては、露光処理前の基板が第４の搬送ユニットにより露光装置へ受け渡され、露光処理後の基板が第４の搬送ユニットにより露光装置から乾燥処理ユニットへ搬送される。
【００３０】
第３の処理単位に含まれる乾燥処理ユニットにおいては、基板の乾燥処理が行われる。その後、受け渡し部において、乾燥処理ユニットにより乾燥処理された基板が第４の搬送ユニットにより受け取られる。
【００３１】
これにより、露光装置による露光処理時に基板に付着した液体が、基板処理装置内に落下することが防止される。その結果、基板処理装置の電気系統の異常等の動作不良を防止することができる。
【００３２】
また、露光処理後の基板の乾燥処理を行うことにより、露光処理後の基板に雰囲気中の塵埃等が付着することが防止されるので、基板の汚染を防止することができる。
【００３３】
また、基板処理装置内を液体が付着した基板が搬送されることを防止することができるので、露光処理時に基板に付着した液体が基板処理装置内の雰囲気に影響を与えることを防止することができる。それにより、基板処理装置内の温湿度調整が容易になる。
【００３４】
また、露光処理時に基板に付着した液体が基板処理装置内において露光処理前の他の基板に付着することを防止することができる。したがって、露光処理前の他の基板に雰囲気中の塵埃等が付着することが防止されるので、露光処理時の解像性能の劣化を防止することができるとともに露光装置内の汚染を確実に防止することができる。
【００３５】
これらの結果、基板の処理不良を確実に防止することができる。
【００３６】
（７）
第４の搬送ユニットは、基板を保持する第３および第４の保持手段を含み、第４の搬送ユニットは、露光処理前の基板を露光装置へ受け渡す際、および乾燥処理ユニットにより乾燥処理された基板を受け取る際には第３の保持手段により基板を保持し、露光処理後の基板を露光装置から乾燥処理ユニットへ搬送する際には第４の保持手段により基板を保持してもよい。
【００３７】
この場合、受け渡し部においては、露光処理前の基板が第４の搬送ユニットの第３の保持手段により保持され、露光装置へ受け渡される。
【００３８】
また、露光処理後の基板が第４の搬送ユニットの第４の保持手段により保持され、露光装置から乾燥処理ユニットへ搬送される。
【００３９】
さらに、乾燥処理ユニットにより乾燥処理された基板が第４の搬送ユニットの第３の保持手段により保持され、乾燥処理ユニットから受け取られる。
【００４０】
すなわち、露光処理時に液体が付着した基板の搬送には第４の保持手段が用いられ、露光処理前および乾燥処理ユニットによる乾燥処理後の液体が付着していない基板の搬送には第３の保持手段が用いられる。したがって、第３の保持手段に液体が付着することを防止することができる。
【００４１】
それにより、露光処理前および乾燥処理ユニットによる乾燥処理後の基板に液体が付着することを防止することができる。その結果、露光処理後および乾燥処理ユニットによる乾燥処理後の基板に雰囲気中の塵埃等が付着することを確実に防止することができる。
【００４２】
（８）
第４の保持手段は、第３の保持手段よりも下方に設けられてもよい。この場合、第４の保持手段およびそれが保持する基板から液体が落下しても、第３の保持手段およびそれが保持する基板に液体が付着することが防止される。
【００４３】
それにより、露光処理前の基板に塵埃等が付着することを確実に防止することができる。その結果、露光処理前の基板の汚染を確実に防止することができる。
【００４４】
（９）
第２の処理ユニットは、基板に感光性材料からなる感光性膜を形成する感光性膜形成ユニットを含んでもよい。この場合、端面が洗浄された露光処理前の基板に感光性材料からなる感光性膜が感光性膜形成ユニットにより形成される。
【００４５】
これにより、基板に感光性膜を形成する際には、基板の端面に付着した汚染物質が取り除かれているので、基板の端面の汚染に起因する感光性膜の形成不良が防止でき、露光パターンの寸法不良および形状不良の発生を防止することができる。
【００４６】
また、１つの基板処理装置内において、基板の端面の洗浄を行うとともに、基板に感光性膜を形成することができるので、フットプリントを低減することができる。
【００４７】
（１０）
第２の処理ユニットは、感光性膜を保護する保護膜を形成する保護膜形成ユニットをさらに含んでもよい。この場合、感光性膜上に保護膜が形成されるので、露光装置において基板が液体と接触した状態で露光処理が行われても、感光性膜の成分が液体中に溶出することが防止される。それにより、露光装置内の汚染を確実に防止することができる。
【００４８】
（１１）
第３の処理ユニットは、露光装置による露光処理後に保護膜を除去する除去ユニットをさらに含んでもよい。この場合、感光性膜上に形成された保護膜を確実に除去することができる。
【００４９】
（１２）
第２の処理ユニットは、感光性膜形成ユニットによる感光性膜の形成前に基板に反射防止膜を形成する反射防止膜形成ユニットをさらに含んでもよい。この場合、基板上に反射防止膜が形成されるので、露光処理時に発生する定在波およびハレーションを低減させることができる。
【００５０】
（１３）
第３の処理ユニットは、基板の現像処理を行う現像処理ユニットを含んでもよい。この場合、現像処理ユニットにより基板の現像処理が行われる。
【００５１】
このように、１つの基板処理装置内において、基板の端面の洗浄を行うとともに、基板の現像処理を行うことができるので、フットプリントを低減することができる。
【発明の効果】
【００６１】
本発明に係る基板処理装置は液浸法により基板に露光処理を行う露光装置に隣接するように配置される。この基板処理装置においては、第１の処理ユニットにより、露光装置による露光処理前の基板の端面がブラシを用いて洗浄される。また、第２の処理ユニットにより、第１の処理ユニットによる端面の洗浄後でかつ露光装置による露光処理前の基板に所定の処理が行われる。さらに、、処理部の一端部に隣接するように設けられた受け渡し部により、処理部と露光装置との間で基板の受け渡しが行われる。露光装置では、液浸法により基板に露光処理が行われる。
【００６２】
処理部においては、露光装置による露光処理前の基板の端面が第１の処理ユニットによりブラシを用いて洗浄される。このように、ブラシを用いて基板の端面を洗浄する場合には、基板の端面に直接ブラシが接触するので、基板の端面の汚染物質を物理的に剥離させることができる。それにより、端面に強固に付着した汚染物質を確実に取り除くことができる。その結果、基板の端面の汚染に起因する露光装置内の汚染が防止でき、露光パターンの寸法不良および形状不良の発生を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００６３】
以下、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置について図面を用いて説明する。以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等をいう。
【００６４】
また、以下の図面には、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。なお、各方向において矢印が向かう方向を＋方向、その反対の方向を−方向とする。また、Ｚ方向を中心とする回転方向をθ方向としている。
【００６５】
（１）  基板処理装置の構成
以下、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置について図面を参照しながら説明する。
【００６６】
図１は、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。
【００６７】
図１に示すように、基板処理装置５００は、インデクサブロック８、端面洗浄処理ブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４、洗浄／乾燥処理ブロック１５およびインターフェースブロック１６を含む。基板処理装置５００においては、これらのブロックが上記の順で並設される。
【００６８】
基板処理装置５００のインターフェースブロック１６に隣接するように露光装置１７が配置される。露光装置１７においては、液浸法により基板Ｗの露光処理が行われる。
【００６９】
インデクサブロック８は、各ブロックの動作を制御するメインコントローラ（制御部）８１、複数のキャリア載置台８２およびインデクサロボットＩＲを含む。インデクサロボットＩＲには、基板Ｗを受け渡すためのハンドＩＲＨ１，ＩＲＨ２が上下に設けられる。
【００７０】
端面洗浄処理ブロック９は、端面洗浄後熱処理部９００，９０１、端面洗浄処理部９０および第１のセンターロボットＣＲ１を含む。端面洗浄処理部９０は、第１のセンターロボットＣＲ１を挟んで端面洗浄後熱処理部９００，９０１に対向して設けられる。第１のセンターロボットＣＲ１には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ９１，ＣＲＨ９２が上下に設けられる。
【００７１】
インデクサブロック８と端面洗浄処理ブロック９との間には、雰囲気遮断用の隔壁１９が設けられる。この隔壁１９には、インデクサブロック８と端面洗浄処理ブロック９との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ８１，ＰＡＳＳ８２が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ８１は、基板Ｗをインデクサブロック８から端面洗浄処理ブロック９へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ８２は、基板Ｗを端面洗浄処理ブロック９からインデクサブロック８へ搬送する際に用いられる。
【００７２】
また、基板載置部ＰＡＳＳ８１，ＰＡＳＳ８２には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示せず）が設けられている。それにより、基板載置部ＰＡＳＳ８１，ＰＡＳＳ８２において基板Ｗが載置されているか否かの判定を行うことが可能となる。また、基板載置部ＰＡＳＳ８１，ＰＡＳＳ８２には、固定設置された複数本の支持ピンが設けられている。なお、上記の光学式のセンサおよび支持ピンは、後述する基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ１６にも同様に設けられる。
【００７３】
反射防止膜用処理ブロック１０は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１、反射防止膜用塗布処理部３０および第２のセンターロボットＣＲ２を含む。反射防止膜用塗布処理部３０は、第２のセンターロボットＣＲ２を挟んで反射防止膜用熱処理部１００，１０１に対向して設けられる。第２のセンターロボットＣＲ２には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１，ＣＲＨ２が上下に設けられる。
【００７４】
端面洗浄処理ブロック９と反射防止膜用処理ブロック１０との間には、雰囲気遮断用の隔壁２０が設けられる。この隔壁２０には、端面洗浄処理ブロック９と反射防止膜用処理ブロック１０との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ１は、基板Ｗを端面洗浄処理ブロック９から反射防止膜用処理ブロック１０へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ２は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック１０から端面洗浄処理ブロック９へ搬送する際に用いられる。
【００７５】
レジスト膜用処理ブロック１１は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１、レジスト膜用塗布処理部４０および第３のセンターロボットＣＲ３を含む。レジスト膜用塗布処理部４０は、第３のセンターロボットＣＲ３を挟んでレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に対向して設けられる。第３のセンターロボットＣＲ３には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ３，ＣＲＨ４が上下に設けられる。
【００７６】
反射防止膜用処理ブロック１０とレジスト膜用処理ブロック１１との間には、雰囲気遮断用の隔壁２１が設けられる。この隔壁２１には、反射防止膜用処理ブロック１０とレジスト膜用処理ブロック１１との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ３は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック１０からレジスト膜用処理ブロック１１へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ４は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック１１から反射防止膜用処理ブロック１０へ搬送する際に用いられる。
【００７７】
現像処理ブロック１２は、現像用熱処理部１２０，１２１、現像処理部５０および第４のセンターロボットＣＲ４を含む。現像処理部５０は、第４のセンターロボットＣＲ４を挟んで現像用熱処理部１２０，１２１に対向して設けられる。第４のセンターロボットＣＲ４には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ５，ＣＲＨ６が上下に設けられる。
【００７８】
レジスト膜用処理ブロック１１と現像処理ブロック１２との間には、雰囲気遮断用の隔壁２２が設けられる。この隔壁２２には、レジスト膜用処理ブロック１１と現像処理ブロック１２との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ５は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック１１から現像処理ブロック１２へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ６は、基板Ｗを現像処理ブロック１２からレジスト膜用処理ブロック１１へ搬送する際に用いられる。
【００７９】
レジストカバー膜用処理ブロック１３は、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１、レジストカバー膜用塗布処理部６０および第５のセンターロボットＣＲ５を含む。レジストカバー膜用塗布処理部６０は、第５のセンターロボットＣＲ５を挟んでレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１に対向して設けられる。第５のセンターロボットＣＲ５には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ７，ＣＲＨ８が上下に設けられる。
【００８０】
現像処理ブロック１２とレジストカバー膜用処理ブロック１３との間には、雰囲気遮断用の隔壁２３が設けられる。この隔壁２３には、現像処理ブロック１２とレジストカバー膜用処理ブロック１３との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ７は、基板Ｗを現像処理ブロック１２からレジストカバー膜用処理ブロック１３へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ８は、基板Ｗをレジストカバー膜用処理ブロック１３から現像処理ブロック１２へ搬送する際に用いられる。
【００８１】
レジストカバー膜除去ブロック１４は、レジストカバー膜除去用処理部７０ａ，７０ｂおよび第６のセンターロボットＣＲ６を含む。レジストカバー膜除去用処理部７０ａ，７０ｂは、第６のセンターロボットＣＲ６を挟んで互いに対向して設けられる。第６のセンターロボットＣＲ６には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ９，ＣＲＨ１０が上下に設けられる。
【００８２】
レジストカバー膜用処理ブロック１３とレジストカバー膜除去ブロック１４との間には、雰囲気遮断用の隔壁２４が設けられる。この隔壁２４には、レジストカバー膜用処理ブロック１３とレジストカバー膜除去ブロック１４との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ９は、基板Ｗをレジストカバー膜用処理ブロック１３からレジストカバー膜除去ブロック１４へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ１０は、基板Ｗをレジストカバー膜除去ブロック１４からレジストカバー膜用処理ブロック１３へ搬送する際に用いられる。
【００８３】
洗浄／乾燥処理ブロック１５は、露光後ベーク用熱処理部１５０，１５１、洗浄／乾燥処理部８０および第７のセンターロボットＣＲ７を含む。露光後ベーク用熱処理部１５１はインターフェースブロック１６に隣接し、後述するように、基板載置部ＰＡＳＳ１３，ＰＡＳＳ１４を備える。洗浄／乾燥処理部８０は、第７のセンターロボットＣＲ７を挟んで露光後ベーク用熱処理部１５０，１５１に対向して設けられる。第７のセンターロボットＣＲ７には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１１，ＣＲＨ１２が上下に設けられる。
【００８４】
レジストカバー膜除去ブロック１４と洗浄／乾燥処理ブロック１５との間には、雰囲気遮断用の隔壁２５が設けられる。この隔壁２５には、レジストカバー膜除去ブロック１４と洗浄／乾燥処理ブロック１５との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ１１，ＰＡＳＳ１２が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ１１は、基板Ｗをレジストカバー膜除去ブロック１４から洗浄／乾燥処理ブロック１５へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ１２は、基板Ｗを洗浄／乾燥処理ブロック１５からレジストカバー膜除去ブロック１４へ搬送する際に用いられる。
【００８５】
インターフェースブロック１６は、第８のセンターロボットＣＲ８、送りバッファ部ＳＢＦ、インターフェース用搬送機構ＩＦＲおよびエッジ露光部ＥＥＷを含む。また、エッジ露光部ＥＥＷの下側には、後述する基板載置部ＰＡＳＳ１５，ＰＡＳＳ１６および戻りバッファ部ＲＢＦが設けられている。第８のセンターロボットＣＲ８には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１３，ＣＲＨ１４が上下に設けられ、インターフェース用搬送機構ＩＦＲには、基板Ｗを受け渡すためのハンドＨ１，Ｈ２が上下に設けられる。
【００８６】
図２は、図１の基板処理装置５００を＋Ｘ方向から見た側面図である。
【００８７】
端面洗浄処理ブロック９の端面洗浄処理部９０（図１参照）には、３個の端面洗浄ユニットＥＣが上下に積層配置される。端面洗浄ユニットＥＣの詳細は後述する。
【００８８】
反射防止膜用処理ブロック１０の反射防止膜用塗布処理部３０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＢＡＲＣが上下に積層配置される。各塗布ユニットＢＡＲＣは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック３１およびスピンチャック３１上に保持された基板Ｗに反射防止膜の塗布液を供給する供給ノズル３２を備える。
【００８９】
レジスト膜用処理ブロック１１のレジスト膜用塗布処理部４０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＲＥＳが上下に積層配置される。各塗布ユニットＲＥＳは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック４１およびスピンチャック４１上に保持された基板Ｗにレジスト膜の塗布液を供給する供給ノズル４２を備える。
【００９０】
現像処理ブロック１２の現像処理部５０（図１参照）には、５個の現像処理ユニットＤＥＶが上下に積層配置される。各現像処理ユニットＤＥＶは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック５１およびスピンチャック５１上に保持された基板Ｗに現像液を供給する供給ノズル５２を備える。
【００９１】
レジストカバー膜用処理ブロック１３のレジストカバー膜用塗布処理部６０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＣＯＶが上下に積層配置される。各塗布ユニットＣＯＶは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック６１およびスピンチャック６１上に保持された基板Ｗにレジストカバー膜の塗布液を供給する供給ノズル６２を備える。レジストカバー膜の塗布液としては、レジストおよび水との親和力が低い材料（レジストおよび水との反応性が低い材料）を用いることができる。例えば、フッ素樹脂である。塗布ユニットＣＯＶは、基板Ｗを回転させながら基板Ｗ上に塗布液を塗布することにより、基板Ｗ上に形成されたレジスト膜上にレジストカバー膜を形成する。
【００９２】
レジストカバー膜除去ブロック１４のレジストカバー膜除去用処理部７０ｂ（図１参照）には、３個の除去ユニットＲＥＭが上下に積層配置される。各除去ユニットＲＥＭは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック７１およびスピンチャック７１上に保持された基板Ｗに剥離液（例えばフッ素樹脂）を供給する供給ノズル７２を備える。除去ユニットＲＥＭは、基板Ｗを回転させながら基板Ｗ上に剥離液を塗布することにより、基板Ｗ上に形成されたレジストカバー膜を除去する。
【００９３】
なお、除去ユニットＲＥＭにおけるレジストカバー膜の除去方法は上記の例に限定されない。例えば、基板Ｗの上方においてスリットノズルを移動させつつ基板Ｗ上に剥離液を供給することによりレジストカバー膜を除去してもよい。
【００９４】
洗浄／乾燥処理ブロック１５の洗浄／乾燥処理部８０（図１参照）には、３個の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤが上下に積層配置される。洗浄／乾燥処理ユニットＳＤの詳細は後述する。
【００９５】
インターフェースブロック１６には、２個のエッジ露光部ＥＥＷ、基板載置部ＰＡＳＳ１５，ＰＡＳＳ１６および戻りバッファ部ＲＢＦが上下に積層配置されるとともに、第８のセンターロボットＣＲ８（図１参照）およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲが配置される。各エッジ露光部ＥＥＷは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック９８およびスピンチャック９８上に保持された基板Ｗの周縁を露光する光照射器９９を備える。
【００９６】
図３は、図１の基板処理装置５００を−Ｘ方向から見た側面図である。
【００９７】
端面洗浄処理ブロック９の端面洗浄後熱処理部９００には、２個の加熱ユニット（ホットプレート）ＨＰおよび２個の冷却ユニット（クーリングプレート）ＣＰが積層配置され、端面洗浄後熱処理部９０１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置される。また、端面洗浄後熱処理部９００，９０１には、最上部に冷却ユニットＣＰおよび加熱ユニットＨＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００９８】
反射防止膜用処理ブロック１０の反射防止膜用熱処理部１００には、２個の加熱ユニット（ホットプレート）ＨＰおよび２個の冷却ユニット（クーリングプレート）ＣＰが積層配置され、反射防止膜用熱処理部１０１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置される。また、反射防止膜用熱処理部１００，１０１には、最上部に冷却ユニットＣＰおよび加熱ユニットＨＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００９９】
レジスト膜用処理ブロック１１のレジスト膜用熱処理部１１０には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置され、レジスト膜用熱処理部１１１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置される。また、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１には、最上部に冷却ユニットＣＰおよび加熱ユニットＨＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【０１００】
現像処理ブロック１２の現像用熱処理部１２０には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置され、現像用熱処理部１２１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置される。また、現像用熱処理部１２０，１２１には、最上部に冷却ユニットＣＰおよび加熱ユニットＨＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【０１０１】
レジストカバー膜用処理ブロック１３のレジストカバー膜用熱処理部１３０には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置され、レジストカバー膜用熱処理部１３１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置される。また、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１には、最上部に冷却ユニットＣＰおよび加熱ユニットＨＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【０１０２】
レジストカバー膜除去ブロック１４のレジストカバー膜除去用処理部７０ａには、３個の除去ユニットＲＥＭが上下に積層配置される。
【０１０３】
洗浄／乾燥処理ブロック１５の露光後ベーク用熱処理部１５０には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置され、露光後ベーク用熱処理部１５１には２個の加熱ユニットＨＰ、２個の冷却ユニットＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１３，１４が上下に積層配置される。また、露光後ベーク用熱処理部１５０，１５１には、最上部に冷却ユニットＣＰおよび加熱ユニットＨＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【０１０４】
なお、端面洗浄ユニットＥＣ、塗布ユニットＢＡＲＣ，ＲＥＳ，ＣＯＶ、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ、除去ユニットＲＥＭ、現像処理ユニットＤＥＶ、加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの個数は、各ブロックの処理速度に応じて適宜変更してよい。
【０１０５】
（２）  基板処理装置の動作
次に、本実施の形態に係る基板処理装置５００の動作について図１〜図３を参照しながら説明する。
【０１０６】
インデクサブロック８のキャリア載置台８２の上には、複数枚の基板Ｗを多段に収納するキャリアＣが搬入される。インデクサロボットＩＲは、上側のハンドＩＲＨ１を用いてキャリアＣ内に収納された未処理の基板Ｗを取り出す。その後、インデクサロボットＩＲは±Ｘ方向に移動しつつ±θ方向に回転移動し、未処理の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ８１に載置する。
【０１０７】
本実施の形態においては、キャリアＣとしてＦＯＵＰ（front opening unified pod）を採用しているが、これに限定されず、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Inter Face）ポッドや収納基板Ｗを外気に曝すＯＣ（open cassette）等を用いてもよい。さらに、インデクサロボットＩＲ、第１〜第８のセンターロボットＣＲ１〜ＣＲ８ならびにインターフェース用搬送機構ＩＦＲには、それぞれ基板Ｗに対して直線的にスライドさせてハンドの進退動作を行う直動型搬送ロボットを用いているが、これに限定されず、関節を動かすことにより直線的にハンドの進退動作を行う多関節型搬送ロボットを用いてもよい。
【０１０８】
基板載置部ＰＡＳＳ８１に載置された未処理の基板Ｗは、端面洗浄処理ブロック９の第１のセンターロボットＣＲ１により受け取られる。第１のセンターロボットＣＲ１は、下側のハンドＣＲＨ９２を用いてその基板Ｗを端面洗浄処理部９０に搬入する。この端面洗浄処理部９０の端面洗浄ユニットＥＣでは、基板処理装置５００に搬入された未処理の基板Ｗの端面が洗浄される（端面洗浄処理）。端面洗浄ユニットＥＣの詳細は後述する。
【０１０９】
第１のセンターロボットＣＲ１は、上側のハンドＣＲＨ９１を用いて端面洗浄処理部９０から端面洗浄処理された基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを端面洗浄後熱処理部９００，９０１に搬入する。
【０１１０】
その後、第１のセンターロボットＣＲ１は、上側のハンドＣＲＨ９１を用いて端面洗浄後熱処理部９００，９０１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１に載置する。端面洗浄処理ブロック９における第１のセンターロボットＣＲ１の動作の詳細は後述する。
【０１１１】
基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された基板Ｗは、反射防止膜用処理ブロック１０の第２のセンターロボットＣＲ２により受け取られる。第２のセンターロボットＣＲ２は、その基板Ｗを反射防止膜用塗布処理部３０に搬入する。この反射防止膜用塗布処理部３０では、露光処理時に発生する定在波やハレーションを減少させるために、塗布ユニットＢＡＲＣにより基板Ｗ上に反射防止膜が塗布形成される。
【０１１２】
その後、第２のセンターロボットＣＲ２は、反射防止膜用塗布処理部３０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを反射防止膜用熱処理部１００，１０１に搬入する。次に、第２のセンターロボットＣＲ２は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ３に載置する。
【０１１３】
基板載置部ＰＡＳＳ３に載置された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック１１の第３のセンターロボットＣＲ３により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、その基板Ｗをレジスト膜用塗布処理部４０に搬入する。このレジスト膜用塗布処理部４０では、塗布ユニットＲＥＳにより、反射防止膜が塗布形成された基板Ｗ上にレジスト膜が塗布形成される。
【０１１４】
その後、第３のセンターロボットＣＲ３は、レジスト膜用塗布処理部４０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に搬入する。次に、第３のセンターロボットＣＲ３は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ５に載置する。
【０１１５】
基板載置部ＰＡＳＳ５に載置された基板Ｗは、現像処理ブロック１２の第４のセンターロボットＣＲ４により受け取られる。第４のセンターロボットＣＲ４は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ７に載置する。
【０１１６】
基板載置部ＰＡＳＳ７に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜用処理ブロック１３の第５のセンターロボットＣＲ５により受け取られる。第５のセンターロボットＣＲ５は、その基板Ｗをレジストカバー膜用塗布処理部６０に搬入する。このレジストカバー膜用塗布処理部６０では、上述したように塗布ユニットＣＯＶによりレジスト膜上にレジストカバー膜が塗布形成される。
【０１１７】
その後、第５のセンターロボットＣＲ５は、レジストカバー膜用塗布処理部６０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１に搬入する。次に、第５のセンターロボットＣＲ５は、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１から熱処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９に載置する。
【０１１８】
基板載置部ＰＡＳＳ９に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜除去ブロック１４の第６のセンターロボットＣＲ６により受け取られる。第６のセンターロボットＣＲ６は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置する。
【０１１９】
基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置された基板Ｗは、洗浄／乾燥処理ブロック１５の第７のセンターロボットＣＲ７により受け取られる。第７のセンターロボットＣＲ７は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置する。
【０１２０】
基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置された基板Ｗは、インターフェースブロック１６の第８のセンターロボットＣＲ８により受け取られる。第８のセンターロボットＣＲ８は、その基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷに搬入する。このエッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗの周縁部に露光処理が施される。
【０１２１】
次に、第８のセンターロボットＣＲ８は、エッジ露光部ＥＥＷからエッジ露光処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１５に載置する。
【０１２２】
基板載置部ＰＡＳＳ１５に載置された基板Ｗは、インターフェース用搬送機構ＩＦＲにより露光装置１７の基板搬入部１７ａ（図１参照）に搬入される。
【０１２３】
なお、露光装置１７が基板Ｗの受け入れをできない場合は、基板Ｗは送りバッファ部ＳＢＦに一時的に収納保管される。
【０１２４】
露光装置１７において、基板Ｗに露光処理が施された後、インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、基板Ｗを露光装置１７の露光装置１７ｂ（図１参照）から取り出し、洗浄／乾燥処理ブロック１５の洗浄／乾燥処理部８０に搬入する。洗浄／乾燥処理部８０の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤにおいては、露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。詳細は後述する。
【０１２５】
洗浄／乾燥処理部８０において、露光処理後の基板Ｗに洗浄および乾燥処理が施された後、インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、基板Ｗを洗浄／乾燥処理部８０から取り出し、基板載置部ＰＡＳＳ１６に載置する。インターフェースブロック１６におけるインターフェース用搬送機構ＩＦＲの動作の詳細は後述する。
【０１２６】
なお、故障等により洗浄／乾燥処理部８０において一時的に洗浄および乾燥処理ができないときは、インターフェースブロック１６の戻りバッファ部ＲＢＦに露光処理後の基板Ｗを一時的に収納保管することができる。
【０１２７】
基板載置部ＰＡＳＳ１６に載置された基板Ｗは、インターフェースブロック１６の第８のセンターロボットＣＲ８により受け取られる。第８のセンターロボットＣＲ８は、その基板Ｗを洗浄／乾燥処理ブロック１５の露光後ベーク用熱処理部１５１に搬入する。露光後ベーク用熱処理部１５１においては、基板Ｗに対して露光後ベーク（ＰＥＢ）が行われる。その後、第８のセンターロボットＣＲ８は、露光後ベーク用熱処理部１５１から基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１４に載置する。
【０１２８】
なお、本実施の形態においては露光後ベーク用熱処理部１５１により露光後ベークを行っているが、露光後ベーク用熱処理部１５０により露光後ベークを行ってもよい。
【０１２９】
基板載置部ＰＡＳＳ１４に載置された基板Ｗは、洗浄／乾燥処理ブロック１５の第７のセンターロボットＣＲ７により受け取られる。第７のセンターロボットＣＲ７は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置する。
【０１３０】
基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜除去ブロック１４の第６のセンターロボットＣＲ６により受け取られる。第６のセンターロボットＣＲ６は、その基板Ｗをレジストカバー膜除去用処理部７０ａまたはレジストカバー膜除去用処理部７０ｂに搬入する。レジストカバー膜除去用処理部７０ａ，７０ｂにおいては、除去ユニットＲＥＭにより、基板Ｗ上のレジストカバー膜が除去される。
【０１３１】
その後、第６のセンターロボットＣＲ６は、レジストカバー膜除去用処理部７０ａまたはレジストカバー膜除去用処理部７０ｂから処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置する。
【０１３２】
基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜用処理ブロック１３の第５のセンターロボットＣＲ５により受け取られる。第５のセンターロボットＣＲ５は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ８に載置する。
【０１３３】
基板載置部ＰＡＳＳ８に載置された基板Ｗは、現像処理ブロック１２の第４のセンターロボットＣＲ４により受け取られる。第４のセンターロボットＣＲ４は、その基板Ｗを現像処理部５０に搬入する。現像処理部５０においては、現像処理ユニットＤＥＶにより、基板Ｗの現像処理が行われる。
【０１３４】
その後、第４のセンターロボットＣＲ４は、現像処理部５０から現像処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを現像用熱処理部１２０，１２１に搬入する。
【０１３５】
次に、第４のセンターロボットＣＲ４は、現像用熱処理部１２０，１２１から熱処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ６に載置する。
【０１３６】
基板載置部ＰＡＳＳ６に載置された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック１１の第３のセンターロボットＣＲ３により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ４に載置する。
【０１３７】
基板載置部ＰＡＳＳ４に載置された基板Ｗは、反射防止膜用処理ブロック１０の第２のセンターロボットＣＲ２により受け取られる。第２のセンターロボットＣＲ２は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２に載置する。
【０１３８】
基板載置部ＰＡＳＳ２に載置された基板Ｗは、端面洗浄処理ブロック９の第１のセンターロボットＣＲ１により受け取られる。第１のセンターロボットＣＲ１は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ８２に載置する。
【０１３９】
基板載置部ＰＡＳＳ８２に載置された基板Ｗは、インデクサブロック８のインデクサロボットＩＲによりキャリアＣ内に収納される。
【０１４０】
（３）  端面洗浄ユニットについて
ここで、上記の端面洗浄ユニットＥＣについて図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する端面洗浄ユニットＥＣの各構成要素の動作は、図１のメインコントロ−ラ（制御部）８１により制御される。
【０１４１】
（３−ａ）  端面洗浄ユニットの構成
図４は端面洗浄ユニットＥＣの構成を説明するための図である。図４に示すように、端面洗浄ユニットＥＣは、基板Ｗを水平に保持するとともに基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸の周りで基板Ｗを回転させるためのスピンチャック２０１を備える。
【０１４２】
スピンチャック２０１は、チャック回転駆動機構２０４によって回転される回転軸２０３の上端に固定されている。また、スピンチャック２０１には吸気路（図示せず）が形成されており、スピンチャック２０１上に基板Ｗを載置した状態で吸気路内を排気することにより、基板Ｗの下面をスピンチャック２０１に真空吸着し、基板Ｗを水平姿勢で保持することができる。
【０１４３】
スピンチャック２０１の側方でかつ端面洗浄ユニットＥＣ内の上部には、端面洗浄装置移動機構２３０が設けられている。端面洗浄装置移動機構２３０には、下方に延びる棒状の支持部材２２０が取り付けられている。支持部材２２０は、端面洗浄装置移動機構２３０により水平方向（図４矢印Ｍ参照）に移動する。
【０１４４】
支持部材２２０の下端部には、略円筒形状を有する端面洗浄装置２１０が水平方向に延びるように取り付けられている。これにより、端面洗浄装置２１０は、端面洗浄装置移動機構２３０により支持部材２２０とともに移動する。
【０１４５】
端面洗浄装置２１０は、スピンチャック２０１に吸着保持された基板Ｗとほぼ同じ高さに位置する。これにより、端面洗浄装置２１０の一端が基板Ｗの端面Ｒと対向する。以下の説明においては、端面洗浄装置２１０の基板Ｗの端面Ｒと対向する一端を正面とする。
【０１４６】
基板Ｗの端面洗浄処理開始時において、端面洗浄装置２１０は、端面洗浄装置移動機構２３０により基板Ｗの端面位置に移動する。また、基板Ｗの端面洗浄処理終了時において、端面洗浄装置２１０は、端面洗浄装置移動機構２３０により基板Ｗの端面Ｒから離れるように移動する。
【０１４７】
端面洗浄装置２１０は、その内部に空間を有する（後述の洗浄室２１１）。端面洗浄装置２１０には、洗浄液供給管２４１および排気管２４４が接続されている。洗浄液供給管２４１は、バルブ２４２を介して図示しない洗浄液供給系に接続されている。バルブ２４２を開くことにより、洗浄液が洗浄液供給管２４１を通じて端面洗浄装置２１０の内部空間に供給される。
【０１４８】
また、排気管２４４は、排気部２４５に接続されている。排気部２４５は、端面洗浄装置２１０の内部空間の雰囲気を吸引し、排気管２４４を通じて排気する。
【０１４９】
端面洗浄装置２１０の詳細を説明する。図５は、図４の端面洗浄ユニットＥＣの端面洗浄装置２１０の構造を説明するための図である。図５（ａ）に端面洗浄装置２１０の縦断面図が示され、図５（ｂ）に端面洗浄装置２１０の正面図が示されている。
【０１５０】
図５（ａ）に示すように、端面洗浄装置２１０の略円筒形状のハウジング２１０ａの内部には、洗浄室２１１が形成されている。
【０１５１】
また、図５（ａ）および図５（ｂ）に示すように、ハウジング２１０ａの正面側には、洗浄室２１１と外部とを連通させる開口２１２が形成されている。開口２１２は、中央部から両側方にかけて上下幅が漸次拡大するように、円弧状の上面および下面を有する。基板Ｗの端面洗浄処理時には、開口２１２にスピンチャック２０１に吸着保持された基板Ｗの端面Ｒが挿入される。
【０１５２】
洗浄室２１１内には、略円筒形状を有するブラシ２１３が鉛直方向に延びるように配置されている。ブラシ２１３は鉛直方向に延びる回転軸２１４に取り付けられている。回転軸２１４の上端および下端は、洗浄室３１の上部および下部に形成された回転軸受に回転可能に取り付けられている。これにより、ブラシ２１３は、洗浄室２１１および回転軸２１４により回転可能に支持されている。
【０１５３】
基板Ｗの端面洗浄処理時には、回転する基板Ｗの端面Ｒとブラシ２１３とが接触する。これにより、基板Ｗの端面Ｒがブラシ２１３により洗浄される。
【０１５４】
ここで、図４の端面洗浄ユニットＥＣにおいて、ブラシ２１３が取り付けられた回転軸２１４は、スピンチャック２０１が固定される回転軸２０３と略平行となるように配置される。これにより、ブラシ２１３が回転する基板Ｗの端面Ｒに確実に接触した状態で回転する。それにより、基板Ｗの端面Ｒに付着した汚染物質が剥離される。
【０１５５】
端面洗浄装置２１０の上部には、上述の洗浄液供給管２４１および排気管２４４が接続されている。
【０１５６】
洗浄液供給管２４１は、ハウジング２１０ａ内に形成された洗浄液供給路２４１ａ，２４１ｂに接続されている。図５（ａ）に示すように、洗浄液供給路２４１ａは、ハウジング２１０ａの外部から洗浄室２１１の上部内面まで延びている。また、洗浄液供給路２４１ｂは、ハウジング２１０ａの外部から洗浄室２１１の下部内面まで延びている。図５（ａ）には、洗浄液供給管２４１ｂの一部のみが示されている。
【０１５７】
これにより、基板Ｗの端面洗浄処理時には、端面洗浄装置２１０に供給される洗浄液が、洗浄室２１１内でブラシ２１３と接触する基板Ｗの端面Ｒに向かって上下方向から噴射される。それにより、基板Ｗの端面Ｒが効率よく洗浄される。
【０１５８】
排気管２４４は、ハウジング２１０ａの上部に設けられた孔部を通じて洗浄室２１１内に挿入されている。これにより、上述のように、洗浄室２１１内の雰囲気が図４の排気部２４５により吸引され、排気管２４４を通じて排気される。
【０１５９】
このように、洗浄室２１１においては、その内部雰囲気が排気部２４５により排気されるので、揮発した洗浄液および洗浄液のミストが効率よく排気される。
【０１６０】
上記において、端面洗浄装置２１０に供給され、基板Ｗの端面Ｒに噴射される洗浄液としては、所定のレジスト溶媒、フッ素系薬液、アンモニア過水、および露光装置１７における液浸法に用いられる液体のいずれかが用いられる。
【０１６１】
この他、洗浄液としては、例えば、純水、純水に錯体（イオン化したもの）を溶かした液または純水、炭酸水、水素水、電解イオン水、ＨＦＥ（ハイドロフルオロエーテル）、フッ酸、硫酸および硫酸過水のいずれかを用いることもできる。
【０１６２】
（３−ｂ）  端面洗浄ユニットの他の構成例
端面洗浄ユニットＥＣは、以下の構成を有してもよい。図６は端面洗浄ユニットＥＣの他の構成例を説明するための図である。図６の端面洗浄ユニットＥＣについて、図４の端面洗浄ユニットＥＣと異なる点を説明する。
【０１６３】
図６に示すように、スピンチャック２０１の外方には、モータ３０１が設けられている。モータ３０１には、回動軸３０２が接続されている。また、回動軸３０２には、アーム３０３が水平方向に延びるように連結され、アーム３０３の先端に二流体ノズル３１０が設けられている。この二流体ノズル３１０は、気体および液体からなる混合流体を吐出する。詳細は後述する。
【０１６４】
なお、アーム３０３の先端部において、二流体ノズル３１０は、スピンチャック２０１により保持される基板Ｗの面に対して傾斜して取り付けられている。
【０１６５】
基板Ｗの端面洗浄処理開始時には、モータ３０１により回動軸３０２が回転するとともにアーム３０３が回動する。これにより、二流体ノズル３１０がスピンチャック６２１により保持された基板Ｗの端面Ｒの斜め上方に移動する。その結果、二流体ノズル３１０の混合流体の吐出部３１０ａが、基板Ｗの端面Ｒに対向する。
【０１６６】
モータ３０１、回動軸３０２およびアーム３０３の内部を通るように洗浄液供給管３３１が設けられている。洗浄液供給管３３１は、一端が二流体ノズル３１０に接続されるとともに、他端がバルブ３３２を介して図示しない洗浄液供給系に接続されている。バルブ３３２を開くことにより、洗浄液が洗浄液供給管３３１を通じて二流体ノズル３１０に供給される。なお、本例では、洗浄液として例えば純水を用いるが、純水の代わりに所定のレジスト溶媒、フッ素系薬液、アンモニア過水、露光装置１７における液浸法に用いられる液体、フッ酸、硫酸および硫酸過水のいずれかを用いることもできる。
【０１６７】
また、二流体ノズル３１０には、洗浄液供給管３３１とともに、気体供給管３４１の一端が接続されている。気体供給管３４１の他端は、バルブ３４２を介して図示しない気体供給系に接続されている。バルブ３４２を開くことにより気体が二流体ノズル３１０に供給される。なお、本例では、二流体ノズル３１０に供給される気体として窒素ガス（Ｎ2 ）を用いるが、窒素ガス（Ｎ2 ）の代わりにアルゴンガスまたはヘリウムガス等の他の不活性ガスを用いることもできる。
【０１６８】
基板Ｗの端面洗浄処理時には、洗浄液および気体が二流体ノズル３１０に供給される。これにより、回転する基板Ｗの端面Ｒに二流体ノズル３１０から混合流体が吐出される。それにより、基板Ｗの端面Ｒが洗浄される。
【０１６９】
二流体ノズル３１０の内部構造の一例を説明する。図７は、端面洗浄処理に用いられる二流体ノズル３１０の内部構造の一例を示す縦断面図である。
【０１７０】
図７に示される二流体ノズル３１０は外部混合型と呼ばれる。図７に示す外部混合型の二流体ノズル３１０は、内部本体部３１１および外部本体部３１２により構成される。内部本体部３１１は、例えば石英等からなり、外部本体部３１２は、例えばＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）等のフッ素樹脂からなる。
【０１７１】
内部本体部３１１の中心軸に沿って純水導入部３１１ｂが形成されている。純水導入部３１１ｂには図６の洗浄液供給管３３１が取り付けられる。これにより、洗浄液供給管３３１から供給される純水が純水導入部３１１ｂに導入される。
【０１７２】
内部本体部３１１の下端には、純水導入部３１１ｂに連通する純水吐出口３１１ａが形成されている。内部本体部３１１は、外部本体部３１２内に挿入されている。なお、内部本体部３１１および外部本体部３１２の上端部は互いに接合されており、下端は接合されていない。
【０１７３】
内部本体部３１１と外部本体部３１２との間には、円筒状の気体通過部３１２ｂが形成されている。外部本体部３１２の下端には、気体通過部３１２ｂに連通する気体吐出口３１２ａが形成されている。外部本体部３１２の周壁には、気体通過部３１２ｂに連通するように図６の気体供給管３４１が取り付けられている。これにより、気体供給管３４１から供給される窒素ガス（Ｎ2 ）が気体通過部３１２ｂに導入される。
【０１７４】
気体通過部３１２ｂは、気体吐出口３１２ａ近傍において、下方に向かうにつれて径小となっている。その結果、窒素ガス（Ｎ2 ）の流速が加速され、気体吐出口３１２ａより吐出される。
【０１７５】
この二流体ノズル３１０では、純水吐出口３１１ａから吐出された純水と気体吐出口３１２ａから吐出された窒素ガス（Ｎ2 ）とが二流体ノズル３１０の下端付近の外部で混合され、純水の微細な液滴を含む霧状の混合流体Ｎが生成される。
【０１７６】
上述のように、基板Ｗの端面洗浄処理時においては、霧状の混合流体Ｎが基板Ｗの端面Ｒに吐出されることにより、基板Ｗの端面Ｒの表面の洗浄が行われる。
【０１７７】
なお、図６の端面洗浄ユニットＥＣにおいては、図７の二流体ノズル３１０に代えて、混合流体Ｎの生成をノズル本体の内部で行う内部混合型の二流体ノズル３１０を用いてもよい。二流体ノズル３１０の内部構造の他の例を説明する。
【０１７８】
図８は、端面洗浄処理に用いられる二流体ノズル３１０の内部構造の他の例を示す縦断面図である。図８に示される二流体ノズル３１０は内部混合型と呼ばれる。
【０１７９】
図８に示される内部混合型の二流体ノズル３１０は、気体導入管３３３および本体部３３４により構成される。本体部３３４は、例えば、石英からなり、気体導入管３３３は、例えば、ＰＴＦＥからなる。
【０１８０】
気体導入管３３３には、上端から下端まで連通する気体導入部３３３ａが形成されている。また、気体導入管３３３の上端には、図６の気体供給管３４１が取り付けられている。これにより、気体供給管３４１から供給されるＮ2 ガスが気体導入部３３３ａに導入される。
【０１８１】
本体部３３４は、径大な上部筒３３４ａ、テーパ部３３４ｂおよび径小な下部筒３３４ｃからなる。
【０１８２】
上部筒３３４ａのテーパ部３３４ｂ内に混合室３３４ｄが形成され、下部筒３３４ｃ内に直流部３３４ｅが形成されている。下部筒３３４ｃの下端には、直流部３３４ｅに連通する混合流体吐出口３３４ｆが形成されている。
【０１８３】
本体部３３４の上部筒３３４ａには、混合室３３４ｄに連通するように図６の洗浄液供給管３３１が取り付けられている。これにより、洗浄液供給管３３１から供給される純水が混合室３３４ｄに導入される。気体導入管３３３の下端部は、本体部３３４の上部筒３３４ａの混合室３３４ｄ内に挿入されている。
【０１８４】
図８の内部混合型の二流体ノズル３１０では、気体導入部３３３ａから加圧された窒素ガス（Ｎ2 ）が供給され、洗浄液供給管３３１から純水が供給されると、混合室３３４ｄで窒素ガス（Ｎ2 ）と純水とが混合され、純水の微細な液滴を含む霧状の混合流体Ｎが生成される。
【０１８５】
混合室３３４ｄで生成された混合流体Ｎは、テーパ部３３４ｂに沿って直流部３３４ｅを通過することにより加速される。加速された混合流体Ｎは、混合流体吐出口３３４ｆから基板Ｗの端面Ｒに吐出される。それにより、基板Ｗの端面Ｒの洗浄が行われる。
【０１８６】
（３−ｃ）  端面洗浄ユニットのさらに他の構成例
端面洗浄ユニットＥＣは、さらに以下の構成を有してもよい。図９は、端面洗浄ユニットＥＣのさらに他の構成例を説明するための図である。図９の端面洗浄ユニットＥＣについて、図６の端面洗浄ユニットＥＣと異なる点を説明する。
【０１８７】
図９に示すように、本例の端面洗浄ユニットＥＣにおいては、アーム３０３の先端に二流体ノズル３１０に代えて超音波ノズル４１０が設けられている。
【０１８８】
なお、本例においても、超音波ノズル４１０は、スピンチャック２０１により保持される基板Ｗの面に対して傾斜してアーム３０３の先端部に取り付けられている。
【０１８９】
超音波ノズル４１０には、洗浄液供給管３３１が接続されている。これにより、図６の例と同様に、バルブ３３２を開くことにより、洗浄液が洗浄液供給管３３１を通じて超音波ノズル４１０に供給される。なお、本例でも、洗浄液として純水を用いる。
【０１９０】
超音波ノズル４１０内には、高周波振動子４１１が内蔵されている。この高周波振動子４１１は、高周波発生装置４２０と電気的に接続されている。
【０１９１】
基板Ｗの端面洗浄処理時においては、純水が超音波ノズル４１０から基板Ｗの端面Ｒに向かって吐出される。ここで、超音波ノズル４１０から純水が吐出される際には、高周波発生装置４２０から高周波振動子４１１に高周波電流が供給される。
【０１９２】
それにより、高周波振動子４１１が超音波振動し、超音波ノズル４１０内を通る純水に高周波電流の値に応じた高周波出力が印加される。その結果、超音波振動状態となった純水が基板Ｗの端面Ｒに吐出され、基板Ｗの端面Ｒが洗浄される。
【０１９３】
（４）  第１のセンターロボットについて
上記の端面洗浄ユニットＥＣを備える端面洗浄処理ブロック９の第１のセンターロボットＣＲ１の動作を説明する。図１０は、図１の端面洗浄処理ブロックを−Ｙ方向から見た図である。
【０１９４】
図１０に示すように、第１のセンターロボットＣＲ１の固定台１９１にはハンド支持台１９２が±θ方向に回転可能でかつ±Ｚ方向に昇降可能に搭載される。ハンド支持台１９２は、回転軸１９３を介して固定台１９１内のモータＭ１に連結しており、このモータＭ１によりハンド支持台１９２が回転する。ハンド支持台１９２には、基板Ｗを水平姿勢で保持する２個のハンドＣＲＨ９１，ＣＲＨ９２が進退可能に上下に設けられる。
【０１９５】
基板載置部ＰＡＳＳ８１（図１参照）に載置された基板Ｗは、第１のセンターロボットＣＲ１の下側のハンドＣＲＨ９２により受け取られる。その後、第１のセンターロボットＣＲ１は、ハンド支持台１９２を回転させるとともに±Ｚ方向に上昇または下降させ、ハンドＣＲＨ９２により基板Ｗを端面洗浄処理部９０の端面洗浄ユニットＥＣに搬入する。これにより、端面洗浄ユニットＥＣにより未処理の基板Ｗの端面洗浄処理が行われる。
【０１９６】
次に、第１のセンターロボットＣＲ１は、上側のハンドＣＲＨ９１により端面洗浄処理部９０の端面洗浄ユニットＥＣから端面洗浄処理済みの基板Ｗを受け取る。
【０１９７】
続いて、第１のセンターロボットＣＲ１は、ハンド支持台１９２を回転させるとともに±Ｚ方向に上昇または下降させ、ハンドＣＲＨ９１により基板Ｗを端面洗浄後熱処理部９００の加熱ユニットＨＰに搬入する。これにより、加熱ユニットＨＰにより、基板Ｗが加熱処理される。それにより、端面洗浄により基板Ｗに付着した洗浄液が除去され、基板Ｗが乾燥する。
【０１９８】
その後、第１のセンターロボットＣＲ１は、上側のハンドＣＲＨ９１により端面洗浄後熱処理部９００の加熱ユニットＨＰから加熱処理済みの基板Ｗを受け取る。
【０１９９】
第１のセンターロボットＣＲ１は、加熱ユニットＨＰから受け取った基板Ｗを端面洗浄後熱処理部９００の冷却ユニットＣＰに搬入する。これにより、冷却ユニットＣＰにより基板Ｗが冷却処理される。
【０２００】
その後、第１のセンターロボットＣＲ１は、上側のハンドＣＲＨ９１により端面洗浄後熱処理部９００の冷却ユニットＣＰから冷却処理済みの基板Ｗを受け取る。第１のセンターロボットＣＲ１は、その基板Ｗを上側の基板載置部ＰＡＳＳ１に載置する。
【０２０１】
（５）  洗浄／乾燥処理ユニットについて
ここで、上記の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤについて図面を用いて詳細に説明する。
【０２０２】
（５−ａ）  洗浄／乾燥処理ユニットの構成
洗浄／乾燥処理ユニットＳＤの構成について説明する。図１１は、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤの構成を説明するための図である。
【０２０３】
図１１に示すように、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤは、基板Ｗを水平に保持するとともに基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸の周りで基板Ｗを回転させるためのスピンチャック６２１を備える。
【０２０４】
スピンチャック６２１は、チャック回転駆動機構６３６によって回転される回転軸６２５の上端に固定されている。また、スピンチャック６２１には吸気路（図示せず）が形成されており、スピンチャック６２１上に基板Ｗを載置した状態で吸気路内を排気することにより、基板Ｗの下面をスピンチャック６２１に真空吸着し、基板Ｗを水平姿勢で保持することができる。
【０２０５】
スピンチャック６２１の外方には、第１のモータ６６０が設けられている。第１のモータ６６０には、第１の回動軸６６１が接続されている。また、第１の回動軸６６１には、第１のアーム６６２が水平方向に延びるように連結され、第１のアーム６６２の先端に洗浄処理用ノズル６５０が設けられている。
【０２０６】
第１のモータ６６０により第１の回動軸６６１が回転するとともに第１のアーム６６２が回動し、洗浄処理用ノズル６５０がスピンチャック６２１により保持された基板Ｗの上方に移動する。
【０２０７】
第１のモータ６６０、第１の回動軸６６１および第１のアーム６６２の内部を通るように洗浄処理用供給管６６３が設けられている。洗浄処理用供給管６６３は、バルブＶａおよびバルブＶｂを介して洗浄液供給源Ｒ１およびリンス液供給源Ｒ２に接続されている。このバルブＶａ，Ｖｂの開閉を制御することにより、洗浄処理用供給管６６３に供給する処理液の選択および供給量の調整を行うことができる。図１１の構成においては、バルブＶａを開くことにより、洗浄処理用供給管６６３に洗浄液を供給することができ、バルブＶｂを開くことにより、洗浄処理用供給管６６３にリンス液を供給することができる。
【０２０８】
洗浄処理用ノズル６５０には、洗浄液またはリンス液が、洗浄処理用供給管６６３を通して洗浄液供給源Ｒ１またはリンス液供給源Ｒ２から供給される。それにより、基板Ｗの表面へ洗浄液またはリンス液を供給することができる。洗浄液としては、例えば、純水、純水に錯体（イオン化したもの）を溶かした液またはフッ素系薬液などが用いられる。リンス液としては、例えば、純水、炭酸水、水素水および電解イオン水、ＨＦＥ（ハイドロフルオロエーテル）のいずれかが用いられる。
【０２０９】
スピンチャック６２１の外方には、第２のモータ６７１が設けられている。第２のモータ６７１には、第２の回動軸６７２が接続されている。また、第２の回動軸６７２には、第２のアーム６７３が水平方向に延びるように連結され、第２のアーム６７３の先端に乾燥処理用ノズル６７０が設けられている。
【０２１０】
第２のモータ６７１により第２の回動軸６７２が回転するとともに第２のアーム６７３が回動し、乾燥処理用ノズル６７０がスピンチャック６２１により保持された基板Ｗの上方に移動する。
【０２１１】
第２のモータ６７１、第２の回動軸６７２および第２のアーム６７３の内部を通るように乾燥処理用供給管６７４が設けられている。乾燥処理用供給管６７４は、バルブＶｃを介して不活性ガス供給源Ｒ３に接続されている。このバルブＶｃの開閉を制御することにより、乾燥処理用供給管６７４に供給する不活性ガスの供給量を調整することができる。
【０２１２】
乾燥処理用ノズル６７０には、不活性ガスが、乾燥処理用供給管６７４を通して不活性ガス供給源Ｒ３から供給される。それにより、基板Ｗの表面へ不活性ガスを供給することができる。不活性ガスとしては、例えば、窒素ガス（Ｎ2 ）が用いられる。
【０２１３】
基板Ｗの表面へ洗浄液またはリンス液を供給する際には、洗浄処理用ノズル６５０は基板の上方に位置し、基板Ｗの表面へ不活性ガスを供給する際には、洗浄処理用ノズル６５０は所定の位置に退避される。
【０２１４】
また、基板Ｗの表面へ洗浄液またはリンス液を供給する際には、乾燥処理用ノズル６７０は所定の位置に退避され、基板Ｗの表面へ不活性ガスを供給する際には、乾燥処理用ノズル６７０は基板Ｗの上方に位置する。
【０２１５】
スピンチャック６２１に保持された基板Ｗは、処理カップ６２３内に収容される。処理カップ６２３の内側には、筒状の仕切壁６３３が設けられている。また、スピンチャック６２１の周囲を取り囲むように、基板Ｗの処理に用いられた処理液（洗浄液またはリンス液）を排液するための排液空間６３１が形成されている。さらに、排液空間６３１を取り囲むように、処理カップ６２３と仕切壁６３３の間に基板Ｗの処理に用いられた処理液を回収するための回収液空間６３２が形成されている。
【０２１６】
排液空間６３１には、排液処理装置（図示せず）へ処理液を導くための排液管６３４が接続され、回収液空間６３２には、回収処理装置（図示せず）へ処理液を導くための回収管６３５が接続されている。
【０２１７】
処理カップ６２３の上方には、基板Ｗからの処理液が外方へ飛散することを防止するためのガード６２４が設けられている。このガード６２４は、回転軸６２５に対して回転対称な形状からなっている。ガード６２４の上端部の内面には、断面く字状の排液案内溝６４１が環状に形成されている。
【０２１８】
また、ガード６２４の下端部の内面には、外側下方に傾斜する傾斜面からなる回収液案内部６４２が形成されている。回収液案内部６４２の上端付近には、処理カップ６２３の仕切壁６３３を受け入れるための仕切壁収納溝６４３が形成されている。
【０２１９】
このガード６２４には、ボールねじ機構等で構成されたガード昇降駆動機構（図示せず）が設けられている。ガード昇降駆動機構は、ガード６２４を、回収液案内部６４２がスピンチャック６２１に保持された基板Ｗの外周端面に対向する回収位置と、排液案内溝６４１がスピンチャック６２１に保持された基板Ｗの外周端面に対向する排液位置との間で上下動させる。ガード６２４が回収位置（図１１に示すガードの位置）にある場合には、基板Ｗから外方へ飛散した処理液が回収液案内部６４２により回収液空間６３２に導かれ、回収管６３５を通して回収される。一方、ガード６２４が排液位置にある場合には、基板Ｗから外方へ飛散した処理液が排液案内溝６４１により排液空間６３１に導かれ、排液管６３４を通して排液される。以上の構成により、処理液の排液および回収が行われる。
【０２２０】
（５−ｂ）  洗浄／乾燥処理ユニットの動作
次に、上記の構成を有する洗浄／乾燥処理ユニットＳＤの処理動作について説明する。なお、以下に説明する洗浄／乾燥処理ユニットＳＤの各構成要素の動作は、図１のメインコントロ−ラ（制御部）８１により制御される。
【０２２１】
まず、基板Ｗの搬入時には、ガード６２４が下降するとともに、図１のインターフェース用搬送機構ＩＦＲが基板Ｗをスピンチャック６２１上に載置する。スピンチャック６２１上に載置された基板Ｗは、スピンチャック６２１により吸着保持される。
【０２２２】
次に、ガード６２４が上述した廃液位置まで移動するとともに、洗浄処理用ノズル６５０が基板Ｗの中心部上方に移動する。その後、回転軸６２５が回転し、この回転にともないスピンチャック６２１に保持されている基板Ｗが回転する。その後、洗浄処理用ノズル６５０から洗浄液が基板Ｗの上面に吐出される。これにより、基板Ｗの洗浄が行われる。
【０２２３】
なお、洗浄／乾燥処理部８０ａにおいては、この洗浄時に基板Ｗ上のレジストカバー膜の成分が洗浄液中に溶出する。また、基板Ｗの洗浄においては、基板Ｗを回転させつつ基板Ｗ上に洗浄液を供給している。この場合、基板Ｗ上の洗浄液は遠心力により常に基板Ｗの周縁部へと移動し飛散する。したがって、洗浄液中に溶出したレジストカバー膜の成分が基板Ｗ上に残留することを防止することができる。なお、上記のレジストカバー膜の成分は、例えば、基板Ｗ上に純水を盛って一定時間保持することにより溶出させてもよい。また、基板Ｗ上への洗浄液の供給は、図７に示すような二流体ノズルを用いたソフトスプレー方式により行ってもよい。
【０２２４】
所定時間経過後、洗浄液の供給が停止され、洗浄処理用ノズル６５０からリンス液が吐出される。これにより、基板Ｗ上の洗浄液が洗い流される。
【０２２５】
さらに所定時間経過後、回転軸６２５の回転速度が低下する。これにより、基板Ｗの回転によって振り切られるリンス液の量が減少し、図１２（ａ）に示すように、基板Ｗの表面全体にリンス液の液層Ｌが形成される。なお、回転軸６２５の回転を停止させて基板Ｗの表面全体に液層Ｌを形成してもよい。
【０２２６】
次に、リンス液の供給が停止され、洗浄処理用ノズル６５０が所定の位置に退避するとともに乾燥処理用ノズル６７０が基板Ｗの中心部上方に移動する。その後、乾燥処理用ノズル６７０から不活性ガスが吐出される。これにより、図１２（ｂ）に示すように、基板Ｗの中心部のリンス液が基板Ｗの周縁部に移動し、基板Ｗの周縁部のみに液層Ｌが存在する状態になる。
【０２２７】
次に、回転軸６２５（図１１参照）の回転数が上昇するとともに、図１２（ｃ）に示すように乾燥処理用ノズル６７０が基板Ｗの中心部上方から周縁部上方へと徐々に移動する。これにより、基板Ｗ上の液層Ｌに大きな遠心力が作用するとともに、基板Ｗの表面全体に不活性ガスを吹き付けることができるので、基板Ｗ上の液層Ｌを確実に取り除くことができる。その結果、基板Ｗを確実に乾燥させることができる。
【０２２８】
次に、不活性ガスの供給が停止され、乾燥処理ノズル６７０が所定の位置に退避するとともに回転軸６２５の回転が停止する。その後、ガード６２４が下降するとともに図１のインターフェース用搬送機構ＩＦＲが基板Ｗを洗浄／乾燥処理ユニットＳＤから搬出する。これにより、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤにおける処理動作が終了する。なお、洗浄および乾燥処理中におけるガード６２４の位置は、処理液の回収または廃液の必要性に応じて適宜変更することが好ましい。
【０２２９】
なお、上記実施の形態においては、洗浄液処理用ノズル６５０から洗浄液およびリンス液のいずれをも供給できるように、洗浄液の供給およびリンス液の供給に洗浄液処理用ノズル６５０を共用する構成を採用しているが、洗浄液供給用のノズルとリンス液供給用のノズルとを別々に分けた構成を採用してもよい。
【０２３０】
また、リンス液を供給する場合には、リンス液が基板Ｗの裏面に回り込まないように、基板Ｗの裏面に対して図示しないバックリンス用ノズルから純水を供給してもよい。
【０２３１】
また、基板Ｗを洗浄する洗浄液に純水を用いる場合には、リンス液の供給を行う必要はない。
【０２３２】
また、上記実施の形態においては、スピン乾燥方法により基板Ｗに乾燥処理を施すが、減圧乾燥方法、エアーナイフ乾燥方法等の他の乾燥方法により基板Ｗに乾燥処理を施してもよい。
【０２３３】
また、上記実施の形態においては、リンス液の液層Ｌが形成された状態で、乾燥処理用ノズル６７０から不活性ガスを供給するようにしているが、リンス液の液層Ｌを形成しない場合あるいはリンス液を用いない場合には洗浄液の液層を基板Ｗを回転させて一旦振り切った後で、即座に乾燥処理用ノズル６７０から不活性ガスを供給して基板Ｗを完全に乾燥させるようにしてもよい。
【０２３４】
（６）  インターフェースブロックのインターフェース用搬送機構について
インターフェース用搬送機構ＩＦＲについて説明する。図１３はインターフェース用搬送機構ＩＦＲの構成および動作を説明するための図である。
【０２３５】
まず、インターフェース用搬送機構ＩＦＲの構成について説明する。図１３に示すように、インターフェース用搬送機構ＩＦＲの可動台１８１は螺軸１８２に螺合される。螺軸１８２は、Ｘ方向に延びるように支持台１８３によって回転可能に支持される。螺軸１８２の一端部にはモータＭ２が設けられ、このモータＭ２により螺軸１８２が回転し、可動台１８１が±Ｘ方向に水平移動する。
【０２３６】
また、可動台１８１にはハンド支持台１８４が±θ方向に回転可能でかつ±Ｚ方向に昇降可能に搭載される。ハンド支持台１８４は、回転軸１８５を介して可動台１８１内のモータＭ３に連結しており、このモータＭ３によりハンド支持台１８４が回転する。ハンド支持台１８４には、基板Ｗを水平姿勢で保持する２個のハンドＨ１，Ｈ２が進退可能に上下に設けられる。
【０２３７】
次に、インターフェース用搬送機構ＩＦＲの動作について説明する。インターフェース用搬送機構ＩＦＲの動作は、図１のメインコントローラ（制御部）８１により制御される。
【０２３８】
まず、インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、図１３の位置Ａにおいてハンド支持台１８４を回転させるとともに＋Ｚ方向に上昇させ、上側のハンドＨ１を基板載置部ＰＡＳＳ１５に進入させる。基板載置部ＰＡＳＳ１５においてハンドＨ１が基板Ｗを受け取ると、インターフェース用搬送機構ＩＦＲはハンドＨ１を基板載置部ＰＡＳＳ１５から後退させ、ハンド支持台１８４を−Ｚ方向に下降させる。
【０２３９】
次に、インターフェース用搬送機構ＩＦＲは−Ｘ方向に移動し、位置Ｂにおいてハンド支持台１８４を回転させるとともにハンドＨ１を露光装置１７の基板搬入部１７ａ（図１参照）に進入させる。基板Ｗを基板搬入部１７ａに搬入した後、インターフェース用搬送機構ＩＦＲはハンドＨ１を基板搬入部１７ａから後退させる。
【０２４０】
次に、インターフェース用搬送機構ＩＦＲは下側のハンドＨ２を露光装置１７の基板搬出部１７ｂ（図１参照）に進入させる。基板搬出部１７ｂにおいてハンドＨ２が露光処理後の基板Ｗを受け取ると、インターフェース用搬送機構ＩＦＲはハンドＨ２を基板搬出部１７ｂから後退させる。
【０２４１】
その後、インターフェース用搬送機構ＩＦＲは＋Ｘ方向に移動し、位置Ａにおいて、ハンド支持台１８４を回転させるとともにハンドＨ２を洗浄／乾燥処理ユニットＳＤに進入させ、基板Ｗを洗浄／乾燥処理ユニットＳＤに搬入する。これにより、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤにより露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。
【０２４２】
続いて、インターフェース用搬送機構ＩＦＲは上側のハンドＨ１を洗浄／乾燥処理ユニットＳＤに進入させ、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤから洗浄および乾燥処理後の基板Ｗを受け取る。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、その基板Ｗを上側の基板載置部ＰＡＳＳ１６に載置する。
【０２４３】
なお、上述のように露光装置１７が基板Ｗの受け入れをできない場合は、基板Ｗは送りバッファ部ＳＢＦに一時的に収納保管される。また、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤにおいて一時的に洗浄および乾燥処理ができない場合は、露光処理後の基板Ｗはインターフェースブロック１５の戻りバッファ部ＲＢＦに一時的に収納保管される。
【０２４４】
本実施の形態においては、１台のインターフェース用搬送機構ＩＦＲによって、基板載置部ＰＡＳＳ１５から露光装置１７への搬送、露光装置１７から洗浄／乾燥処理ユニットＳＤへの搬送を行っているが、複数のインターフェース用搬送機構ＩＦＲを用いて基板Ｗの搬送を行ってもよい。
【０２４５】
（７）  効果
（７−ａ）  端面洗浄処理による効果
以上のように、本実施の形態に係る基板処理装置５００においては、端面洗浄処理ブロック９の端面洗浄処理部９０において、端面洗浄ユニットＥＣにより露光処理前の基板Ｗの端面Ｒが洗浄される。それにより、露光処理前の基板Ｗの端面Ｒに付着した汚染物質を取り除くことができる。その結果、基板Ｗの端面Ｒの汚染に起因する露光装置内の汚染が防止でき、露光パターンの寸法不良および形状不良の発生を防止することができる。
【０２４６】
（７−ｂ）  端面洗浄処理のタイミングに関する効果
端面洗浄処理ブロック９は、基板Ｗが搬入されるインデクサブロック８に隣接して設けられ、端面洗浄処理ブロック９における基板Ｗの端面洗浄処理は、他のブロックにおける他の処理よりも先に行われる。
【０２４７】
これにより、各ブロック間で基板Ｗを搬送するための第１〜第８のセンターロボットＣＲ１〜ＣＲ８およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲのハンドＩＲＨ１〜１４，Ｈ１，Ｈ２に基板Ｗの端面Ｒの汚染物質が転写することが防止される。
【０２４８】
それにより、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４および洗浄／乾燥処理ブロック１５において、基板Ｗの処理を清浄に行うことができる。
【０２４９】
また、基板Ｗの端面Ｒが清浄に保たれるので、基板Ｗの端面Ｒの汚染に起因する基板Ｗの処理不良が十分に防止される。
【０２５０】
（７−ｃ）  端面洗浄処理ブロックの効果
端面洗浄ユニットＥＣを含む端面洗浄処理ブロック９が、他のブロック間（インデクサブロック８と反射防止膜用処理ブロック１０との間）に配置されている。
【０２５１】
このように、本実施の形態に係る基板処理装置５００は、既存の基板処理装置に端面洗浄処理ブロック９を追加した構成を有するので、低コストで、露光処理前の基板Ｗの端面の汚染に起因する露光装置内の汚染を防止することが可能となる。
【０２５２】
（７−ｄ）  第１のセンターロボットのハンドについての効果
端面洗浄処理ブロック９においては、基板載置部ＰＡＳＳ８１から端面洗浄処理部９０へ未処理の基板Ｗを搬送する際には、第１のセンターロボットＣＲ１の下側のハンドＣＲＨ９２が用いられ、端面洗浄処理部９０から端面洗浄後熱処理部９００，９０１へ端面洗浄処理済みの基板Ｗを搬送する際、および端面洗浄後熱処理部９００，９０１から基板載置部ＰＡＳＳ１へ未処理の基板Ｗを搬送する際には、第１のセンターロボットＣＲ１の上側のハンドＣＲＨ９１が用いられる。
【０２５３】
すなわち、端面Ｒが洗浄された基板Ｗの搬送にはハンドＣＲＨ９１が用いられ、端面Ｒが洗浄されていない基板Ｗの搬送にはハンドＣＲＨ９２が用いられる。
【０２５４】
この場合、端面洗浄処理ブロック９において、基板Ｗの端面Ｒに付着した汚染物質がハンドＣＲＨ９１に付着することが防止される。また、ハンドＣＲＨ９２は、ハンドＣＲＨ９１よりも下方に設けられるので、ハンドＣＲＨ９２およびそれが保持する基板Ｗの端面Ｒから汚染物質が落下しても、ハンドＣＲＨ９１およびそれが保持する基板Ｗに汚染物質が付着することが防止される。
【０２５５】
それにより、露光処理前の基板Ｗに汚染物質が付着することを確実に防止することができる。その結果、露光処理前の基板Ｗの汚染を確実に防止することができる。
【０２５６】
（７−ｅ）  ブラシを用いた端面洗浄処理の効果
端面洗浄ユニットＥＣにおいて、図４および図５に示すようにブラシ２１３を用いて基板Ｗの端面洗浄処理を行う場合には、基板Ｗの端面Ｒに直接ブラシ２１３が接触するので、基板Ｗの端面Ｒの汚染物質を物理的に剥離させることができる。それにより、端面Ｒに強固に付着した汚染物質を確実に取り除くことができる。
【０２５７】
（７−ｆ）  二流体ノズルを用いた端面洗浄処理の効果
端面洗浄ユニットＥＣにおいて、図６〜図８に示すように二流体ノズル３１０を用いて基板Ｗの端面洗浄処理を行う場合には、気体と液体との混合流体Ｎが基板Ｗの端面Ｒに吐出され、基板Ｗの端面Ｒが洗浄される。このように、混合流体Ｎを用いることにより高い洗浄効果を得ることができる。
【０２５８】
また、気体と液体との混合流体Ｎが基板Ｗの端面Ｒに吐出されることにより、非接触で基板Ｗの端面Ｒが洗浄されるので、洗浄時における基板Ｗの端面Ｒの損傷が防止される。さらに、混合流体Ｎの吐出圧および混合流体Ｎにおける気体と液体との比率を制御することにより基板Ｗの端面Ｒの洗浄条件を容易に制御することも可能である。
【０２５９】
また、二流体ノズル３１０によれば、均一な混合流体Ｎを基板Ｗの端面Ｒに吐出することができるので、洗浄ムラが発生しない。
【０２６０】
（７−ｇ）  超音波ノズルを用いた端面洗浄処理の効果
端面洗浄ユニットＥＣにおいて、図９に示すように超音波ノズル４１０を用いて基板Ｗの端面洗浄処理を行う場合には、超音波ノズル４１０内を通る純水に高周波電流の値に応じた高周波出力が印加される。
【０２６１】
これにより、超音波振動状態となった純水が基板Ｗの端面Ｒに吐出され、基板Ｗの端面Ｒが洗浄される。この場合、純水に印加される高周波出力を基板Ｗの種類および洗浄条件に応じて電気的に可変制御することが可能となる。
【０２６２】
（７−ｈ）  露光処理後の基板の洗浄処理の効果
露光装置１７において基板Ｗに露光処理が行われた後、洗浄／乾燥処理ブロック１５の洗浄／乾燥処理部８０において基板Ｗの洗浄処理が行われる。この場合、露光処理時に液体が付着した基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着しても、その付着物を取り除くことができる。それにより、基板Ｗの汚染を防止することができる。
【０２６３】
また、洗浄／乾燥処理部８０においては、露光処理後の基板Ｗの乾燥処理が行われる。それにより、露光処理時に基板Ｗに付着した液体が、基板処理装置５００内に落下することが防止される。その結果、基板処理装置５００の電気系統の異常等の動作不良を防止することができる。
【０２６４】
また、露光処理後の基板Ｗの乾燥処理を行うことにより、露光処理後の基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着することが防止されるので、基板Ｗの汚染を防止することができる。
【０２６５】
また、基板処理装置５００内を液体が付着した基板Ｗが搬送されることを防止することができるので、露光処理時に基板Ｗに付着した液体が基板処理装置５００内の雰囲気に影響を与えることを防止することができる。それにより、基板処理装置５００内の温湿度調整が容易になる。
【０２６６】
また、露光処理時に基板Ｗに付着した液体がインデクサロボットＩＲおよび第１〜第８のセンターロボットＣＲ１〜ＣＲ８に付着することが防止されるので、露光処理前の基板Ｗに液体が付着することが防止される。それにより、露光処理前の基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着することが防止されるので、基板Ｗの汚染が防止される。その結果、露光処理時の解像性能の劣化を防止することができるとともに露光装置１７内の汚染を確実に防止することができる。
【０２６７】
これらの結果、基板Ｗの処理不良を確実に防止することができる。
【０２６８】
なお、露光処理後の基板Ｗの乾燥処理を行うための構成は図１の基板処理装置５００の例に限られない。レジストカバー膜除去ブロック１４とインターフェースブロック１６との間に洗浄／乾燥処理ブロック１５を設ける代わりに、インターフェースブロック１６内に洗浄／乾燥処理部８０を設け、露光処理後の基板Ｗの乾燥処理を行ってもよい。
【０２６９】
（７−ｉ）  露光処理後の基板の乾燥処理の効果
洗浄／乾燥処理ユニットＳＤにおいては、基板Ｗを回転させつつ不活性ガスを基板Ｗの中心部から周縁部へと吹き付けることにより基板Ｗの乾燥処理を行っている。この場合、基板Ｗ上の洗浄液およびリンス液を確実に取り除くことができるので、洗浄後の基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着することを確実に防止することができる。それにより、基板Ｗの汚染を確実に防止することができるとともに、基板Ｗの表面に乾燥しみが発生することを防止することができる。
【０２７０】
（７−ｊ）  洗浄／乾燥処理ブロックの効果
本実施の形態に係る基板処理装置５００は、既存の基板処理装置に洗浄／乾燥処理ブロック１５を追加した構成を有するので、低コストで、基板Ｗの処理不良を防止することができる。
【０２７１】
（７−ｋ）  インターフェース用搬送機構のハンドについての効果
インターフェースブロック１６においては、基板載置部ＰＡＳＳ１５から露光装置１７の基板搬入部１７ａへ露光処理前の基板Ｗを搬送する際、および洗浄／乾燥処理ユニットＳＤから基板載置部ＰＡＳＳ１６へ洗浄および乾燥処理後の基板Ｗを搬送する際には、インターフェース用搬送機構ＩＦＲのハンドＨ１が用いられ、露光装置１７の基板搬入部１７ｂから洗浄／乾燥処理ユニットＳＤへ露光処理後の基板Ｗを搬送する際には、インターフェース用搬送機構ＩＦＲのハンドＨ２が用いられる。
【０２７２】
すなわち、液体が付着していない基板Ｗの搬送にはハンドＨ１が用いられ、液体が付着した基板Ｗの搬送にはハンドＨ２が用いられる。
【０２７３】
この場合、露光処理時に基板Ｗに付着した液体がハンドＨ１に付着することが防止されるので、露光処理前の基板Ｗに液体が付着することが防止される。また、ハンドＨ２はハンドＨ１より下方に設けられるので、ハンドＨ２およびそれが保持する基板Ｗから液体が落下しても、ハンドＨ１およびそれが保持する基板Ｗに液体が付着することを防止することができる。それにより、露光処理前の基板Ｗに液体が付着することを確実に防止することができる。その結果、露光処理前の基板Ｗの汚染を確実に防止することができる。
【０２７４】
（７−ｌ）  レジストカバー膜の塗布処理の効果
露光装置１７において基板Ｗに露光処理が行われる前に、レジストカバー膜用処理ブロック１３において、レジスト膜上にレジストカバー膜が形成される。この場合、露光装置１７において基板Ｗが液体と接触しても、レジストカバー膜によってレジスト膜が液体と接触することが防止されるので、レジストの成分が液体中に溶出することが防止される。
【０２７５】
（７−ｍ）  レジストカバー膜の除去処理の効果
現像処理ブロック１２において基板Ｗに現像処理が行われる前に、レジストカバー膜除去ブロック１４において、レジストカバー膜の除去処理が行われる。この場合、現像処理前にレジストカバー膜が確実に除去されるので、現像処理を確実に行うことができる。
【０２７６】
（７−ｎ）  洗浄／乾燥処理ユニットの効果
上述したように、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤにおいては、基板Ｗを回転させつつ不活性ガスを基板Ｗの中心部から周縁部へと吹き付けることにより基板Ｗの乾燥処理を行っているので、洗浄液およびリンス液を確実に取り除くことができる。
【０２７７】
それにより、洗浄／乾燥処理部８０から現像処理部５０へ基板Ｗを搬送する間に、レジストの成分またはレジストカバー膜の成分が基板Ｗ上に残留した洗浄液およびリンス液中に溶出することを確実に防止することができる。それにより、レジスト膜に形成された露光パターンの変形を防止することができる。その結果、現像処理時における線幅精度の低下を確実に防止することができる。
【０２７８】
（７−ｏ）  ロボットのハンドについての効果
第２〜第６のセンターロボットＣＲ２〜ＣＲ６およびインデクサロボットＩＲにおいては、露光処理前の基板Ｗの搬送には上側のハンドを用い、露光処理後の基板Ｗの搬送には下側のハンドを用いる。それにより、露光処理前の基板Ｗに液体が付着することを確実に防止することができる。
【０２７９】
（７−ｐ）  レジスト膜用塗布処理部についての効果
本例では、端面Ｒが洗浄された露光処理前の基板Ｗにレジスト膜用塗布処理部４０によりレジスト膜が形成される。
【０２８０】
これにより、基板Ｗにレジスト膜を形成する際には、基板Ｗの端面Ｒに付着した汚染物質が取り除かれているので、基板Ｗの端面Ｒの汚染に起因するレジスト膜の形成不良が防止でき、露光パターンの寸法不良および形状不良の発生を防止することができる。
【０２８１】
また、１つの基板処理装置５００内において、基板Ｗの端面Ｒの洗浄を行うとともに、基板Ｗにレジスト膜を形成することができるので、フットプリントを低減することができる。
【０２８２】
（８）  他の実施の形態およびその効果
（８−ａ）  露光処理前の基板の洗浄処理について
上記の実施の形態に係る基板処理装置５００は、露光処理前に基板Ｗの洗浄処理を行ってもよい。この場合、例えば洗浄／乾燥処理ブロック１５の洗浄／乾燥処理部８０において、露光処理前の基板Ｗの洗浄および乾燥処理を行う。それにより、露光処理前の基板Ｗに付着した塵埃等を取り除くことができる。その結果、露光装置１７内の汚染を防止することができる。
【０２８３】
また、洗浄／乾燥処理部８０においては、基板Ｗの洗浄処理後に基板Ｗの乾燥処理が行われる。それにより、洗浄処理時に基板Ｗに付着した洗浄液またはリンス液が取り除かれるので、洗浄処理後の基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が再度付着することが防止される。その結果、露光装置１７内の汚染を確実に防止することができる。
【０２８４】
また、レジストカバー膜の形成後であって露光装置１７において基板Ｗに露光処理が行われる前に、洗浄／乾燥処理部８０において基板Ｗの洗浄処理が行われる。このとき、基板Ｗ上に形成されたレジストカバー膜の成分の一部が洗浄液中に溶出する。それにより、露光装置１７において基板Ｗが液体と接触しても、レジストカバー膜の成分が液体中に溶出することを防止することができる。
【０２８５】
これらの結果、露光装置１７内の汚染が確実に防止されるとともに基板Ｗの表面にレジスト膜およびレジストカバー膜の成分が残留することも防止される。それにより、基板Ｗの処理不良を確実に防止することができる。
【０２８６】
なお、露光処理前における基板Ｗの洗浄および乾燥処理は、インターフェースブロック１６内に洗浄／乾燥処理部８０を設けることにより行ってもよい。
【０２８７】
（８−ｂ）  レジストカバー膜用処理ブロックについて
露光処理前に基板Ｗの洗浄処理を行う場合においては、レジストカバー膜用処理ブロック１３は設けなくてもよい。この場合、露光処理前に基板Ｗの洗浄処理を行う洗浄／乾燥処理部８０においては、洗浄処理時にレジスト膜の成分の一部が洗浄液中に溶出する。それにより、露光装置１７においてレジスト膜が液体と接触しても、レジストの成分が液体中に溶出することが防止される。その結果、露光装置１７内の汚染を防止することができる。
【０２８８】
さらに、レジストカバー膜用処理ブロック１３を設けない場合、レジストカバー膜除去ブロック１４を設ける必要がない。したがって、基板処理装置５００のフットプリントを低減することができる。
【０２８９】
（８−ｃ）  基板処理装置が防水機能を有する場合について
基板処理装置５００が十分な防水機能を有している場合には洗浄／乾燥処理部８０は設けなくてもよい。この場合、基板処理装置５００のフットプリントを低減することができる。また、露光処理後の洗浄／乾燥処理部８０への基板Ｗの搬送が省略されるので、基板Ｗの生産性が向上する。
【０２９０】
（８−ｄ）  他の配置例について
上記の実施の形態において、レジストカバー膜除去ブロック１４は２つのレジストカバー膜除去用処理部７０ａ，７０ｂを含むが、レジストカバー膜除去ブロック１４は２つのレジストカバー膜除去用処理部７０ａ，７０ｂの一方に代えて、基板Ｗに熱処理を行う熱処理部を含んでもよい。この場合、複数の基板Ｗに対する熱処理が効率的に行われるので、スループットが向上する。
【０２９１】
（８−ｅ）  洗浄／乾燥処理ユニットの他の例について
図１１に示した洗浄／乾燥処理ユニットＳＤにおいては、洗浄処理用ノズル６５０と乾燥処理用ノズル６７０とが別個に設けられているが、図１４に示すように、洗浄処理用ノズル６５０と乾燥処理用ノズル６７０とを一体に設けてもよい。この場合、基板Ｗの洗浄処理時または乾燥処理時に洗浄処理用ノズル６５０および乾燥処理用ノズル６７０をそれぞれ別々に移動させる必要がないので、駆動機構を単純化することができる。
【０２９２】
また、図１１に示す乾燥処理用ノズル６７０の代わりに、図１５に示すような乾燥処理用ノズル７７０を用いてもよい。
【０２９３】
図１５の乾燥処理用ノズル７７０は、鉛直下方に延びるとともに側面から斜め下方に延びる分岐管７７１，７７２を有する。乾燥処理用ノズル７７０の下端および分岐管７７１，７７２の下端には不活性ガスを吐出するガス吐出口７７０ａ，７７０ｂ，７７０ｃが形成されている。各吐出口７７０ａ，７７０ｂ，７７０ｃからは、それぞれ図１５の矢印で示すように鉛直下方および斜め下方に不活性ガスが吐出される。つまり、乾燥処理用ノズル７７０においては、下方に向かって吹き付け範囲が拡大するように不活性ガスが吐出される。
【０２９４】
ここで、乾燥処理用ノズル７７０を用いる場合には、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤは以下に説明する動作により基板Ｗの乾燥処理を行う。
【０２９５】
図１６は、乾燥処理用ノズル７７０を用いた場合の基板Ｗの乾燥処理方法を説明するための図である。
【０２９６】
まず、図１２で説明した方法により基板Ｗの表面に液層Ｌが形成された後、図１６（ａ）に示すように、乾燥処理用ノズル７７０が基板Ｗの中心部上方に移動する。その後、乾燥処理用ノズル７７０から不活性ガスが吐出される。これにより、図１６（ｂ）に示すように、基板Ｗの中心部のリンス液が基板Ｗの周縁部に移動し、基板Ｗの周縁部のみに液層Ｌが存在する状態になる。なお、このとき、乾燥処理用ノズル７７０は、基板Ｗの中心部に存在するリンス液を確実に移動させることができるように基板Ｗの表面に近接させておく。
【０２９７】
次に、回転軸６２５（図１１参照）の回転数が上昇するとともに、図１６（ｃ）に示すように乾燥処理用ノズル７７０が上方へ移動する。これにより、基板Ｗ上の液層Ｌに大きな遠心力が作用するとともに、基板Ｗ上の不活性ガスが吹き付けられる範囲が拡大する。その結果、基板Ｗ上の液層Ｌを確実に取り除くことができる。なお、乾燥処理用ノズル７７０は、図１１の第２の回動軸６７２に設けられた回動軸昇降機構（図示せず）により第２の回動軸６７２を上下に昇降させることにより上下に移動させることができる。
【０２９８】
また、乾燥処理用ノズル７７０の代わりに、図１７に示すような乾燥処理用ノズル８７０を用いてもよい。図１７の乾燥処理用ノズル８７０は、下方に向かって徐々に直径が拡大する吐出口８７０ａを有する。この吐出口８７０ａからは、図１７の矢印で示すように鉛直下方および斜め下方に不活性ガスが吐出される。つまり、乾燥処理用ノズル８７０においても、図１５の乾燥処理用ノズル７７０と同様に、下方に向かって吹き付け範囲が拡大するように不活性ガスが吐出される。したがって、乾燥処理用ノズル８７０を用いる場合も、乾燥処理用ノズル７７０を用いる場合と同様の方法により基板Ｗの乾燥処理を行うことができる。
【０２９９】
また、図１１に示す洗浄／乾燥処理ユニットＳＤの代わりに、図１８に示すような洗浄／乾燥処理ユニットＳＤａを用いてもよい。
【０３００】
図１８に示す洗浄／乾燥処理ユニットＳＤａが図１１に示す洗浄／乾燥処理ユニットＳＤと異なるのは以下の点である。
【０３０１】
図１８の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤａにおいては、スピンチャック６２１の上方に、中心部に開口を有する円板状の遮断板６８２が設けられている。アーム６８８の先端付近から鉛直下方向に支持軸６８９が設けられ、その支持軸６８９の下端に、遮断板６８２がスピンチャック６２１に保持された基板Ｗの上面に対向するように取り付けられている。
【０３０２】
支持軸６８９の内部には、遮断板６８２の開口に連通したガス供給路６９０が挿通されている。ガス供給路６９０には、例えば、窒素ガス（Ｎ2 ）が供給される。
【０３０３】
アーム６８８には、遮断板昇降駆動機構６９７および遮断板回転駆動機構６９８が接続されている。遮断板昇降駆動機構６９７は、遮断板６８２をスピンチャック６２１に保持された基板Ｗの上面に近接した位置とスピンチャック６２１から上方に離れた位置との間で上下動させる。
【０３０４】
図１８の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤａにおいては、基板Ｗの乾燥処理時に、図１９に示すように、遮断板６８２を基板Ｗに近接させた状態で、基板Ｗと遮断板６８２との間の隙間に対してガス供給路６９０から不活性ガスを供給する。この場合、基板Ｗの中心部から周縁部へと効率良く不活性ガスを供給することができるので、基板Ｗ上の液層Ｌを確実に取り除くことができる。
【０３０５】
（９）  請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応
上記実施の形態において、端面洗浄処理ブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４および洗浄／乾燥処理ブロック１５が処理部に相当し、インターフェースブロック１６が受け渡し部に相当し、端面洗浄処理部９０の端面洗浄ユニットＥＣが第１の処理ユニットに相当する。
【０３０６】
また、反射防止膜用塗布処理部３０の塗布ユニットＢＡＲＣ、レジスト膜用塗布処理部４０の塗布ユニットＲＥＳおよびレジストカバー膜用塗布処理部６０の塗布ユニットＣＯＶが第２の処理ユニットに相当し、現像処理部５０の現像処理ユニットＤＥＶ、レジストカバー膜除去用処理部７０ａ，７０ｂの除去ユニットＲＥＭおよび洗浄／乾燥処理部８０の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤが第３の処理ユニットに相当する。
【０３０７】
さらに、インターフェースブロック１６が基板搬入搬出部に相当し、センターロボットＣＲ１が第１の搬送ユニットに相当し、端面洗浄処理ブロック９が第１の処理単位に相当し、センターロボットＣＲ２，ＣＲ３，ＣＲ５が第２の搬送ユニットに相当し、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１およびレジストカバー膜用処理ブロック１３が第２の処理単位に相当する。
【０３０８】
センターロボットＣＲ４，ＣＲ６，ＣＲ７が第３の搬送ユニットに相当し、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜除去ブロック１４および洗浄／乾燥処理ブロック１５が第３の処理単位に相当し、基板載置部ＰＡＳＳ８１が第１の載置部に相当し、基板載置部ＰＡＳＳ１が第２の載置部に相当し、ハンドＣＲＨ９２が第１の保持手段に相当し、ハンドＣＲＨ９１が第２の保持手段に相当する。
【０３０９】
さらに、洗浄／乾燥処理部８０の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤが乾燥処理ユニットに相当し、インターフェース用搬送機構ＩＦＲが第４の搬送ユニットに相当し、ハンドＨ１が第３の保持手段に相当し、ハンドＨ２が第４の保持手段に相当する。
【０３１０】
また、レジスト膜用塗布処理部４０の塗布ユニットＲＥＳが感光性膜形成ユニットに相当し、レジストカバー膜用塗布処理部６０の塗布ユニットＣＯＶが保護膜形成ユニットに相当し、レジストカバー膜除去用処理部７０ａ，７０ｂの除去ユニットＲＥＭが除去ユニットに相当し、反射防止膜用塗布処理部３０の塗布ユニットＢＡＲＣが反射防止膜形成ユニットに相当し、現像処理部５０の現像処理ユニットＤＥＶが現像処理ユニットに相当する。
【産業上の利用可能性】
【０３１１】
本発明は、種々の基板の処理等に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０３１２】
【図１】本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。
【図２】図１の基板処理装置を＋Ｘ方向から見た側面図である。
【図３】図１の基板処理装置を−Ｘ方向から見た側面図である。
【図４】端面洗浄ユニットの構成を説明するための図である。
【図５】図４の端面洗浄ユニットの端面洗浄装置の構造を説明するための図である。
【図６】端面洗浄ユニットの他の構成例を説明するための図である。
【図７】端面洗浄処理に用いられる二流体ノズルの内部構造の一例を示す縦断面図である。
【図８】端面洗浄処理に用いられる二流体ノズルの内部構造の他の例を示す縦断面図である。
【図９】端面洗浄ユニットのさらに他の構成例を説明するための図である。
【図１０】図１の端面洗浄処理ブロックを−Ｙ方向から見た図である。
【図１１】洗浄／乾燥処理ユニットの構成を説明するための図である。
【図１２】洗浄／乾燥処理ユニットの動作を説明するための図である。
【図１３】インターフェース用搬送機構の構成および動作を説明するための図である。
【図１４】乾燥処理用ノズルの他の例を示す模式図である。
【図１５】乾燥処理用ノズルの他の例を示す模式図である。
【図１６】図１５の乾燥処理用ノズルを用いた場合の基板の乾燥処理方法を説明するための図である。
【図１７】乾燥処理用ノズルの他の例を示す模式図である。
【図１８】洗浄／乾燥処理ユニットの他の例を示す模式図である。
【図１９】図１８の洗浄／乾燥処理ユニットを用いた場合の基板の乾燥処理方法を説明するための図である。
【符号の説明】
【０３１３】
９  端面洗浄処理ブロック
１０  反射防止膜用処理ブロック
１１  レジスト膜用処理ブロック
１２  現像処理ブロック
１３  レジストカバー膜用処理ブロック
１４  レジストカバー膜除去ブロック
１５  洗浄／乾燥処理ブロック
１６  インターフェースブロック
３０  反射防止膜用塗布処理部
４０  レジスト膜用塗布処理部
５０  現像処理部
６０  レジストカバー膜用塗布処理部
７０ａ，７０ｂ  レジストカバー膜除去用処理部
８０  洗浄／乾燥処理部
９０  端面洗浄処理部
５００  基板処理装置
ＢＡＲＣ，ＣＯＶ，ＲＥＳ  塗布ユニット
ＣＲ１，ＣＲ２，ＣＲ３，ＣＲ４，ＣＲ５，ＣＲ６，ＣＲ７  センターロボット
ＣＲＨ９１，ＣＲＨ９２，Ｈ１，Ｈ２  ハンド
ＥＣ  端面洗浄ユニット
ＤＥＶ  現像処理ユニット
ＩＦＲ  インターフェース用搬送機構
ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ８１  基板載置部
ＲＥＭ  除去ユニット
ＳＤ  洗浄／乾燥処理ユニット
Ｗ  基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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