(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）酸無水物硬化剤、及び（Ｃ）硬化促進剤を含有する光半導体封止用エポキシ樹脂組成物において、（Ｃ）の硬化促進剤が、下記一般式（１）：
【化１】
0004475771.tif 000007
（式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 は、炭素数１〜１８の直鎖または分岐鎖のアルキル基を示し、同一の基であっても異なる基であってもよく、該アルキル基はヒドロキシル基、アリル基又はシアノ基で置換されていてもよく、X はBPh4、BF4 、PF6 又はSbF6を示す。但しPhはフェニル基を示す。）で表されるテトラアルキルホスホニウム塩であることを特徴とする光半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【請求項２】
前記一般式（１）で表されるテトラアルキルホスホニウム塩の添加量は、エポキシ樹脂１００重量部に対して、０．０１〜１０重量部の範囲であることを特徴とする請求項１記載の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【請求項３】
前記一般式（１）で表されるテトラアルキルホスホニウム塩は、テトラ‐ｎ−ブチルホスホニウムテトラフェニルボレート又はテトラ‐ｎ−ブチルホスホニウムテトラフルオロボレートであることを特徴とする請求項１又は２に記載の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光透過性に優れた光半導体封止用エポキシ樹脂組成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ＬＥＤ等の光半導体素子を封止するための封止材料としては、透明であることが必須条件であり、この目的のためにはエポキシ樹脂組成物が適しているとされている。また、エポキシ樹脂組成物に使用される硬化剤は、アミン系、フェノール系に比べ熱処理による黄変が少ないフタル酸系の酸無水物が用いられている。さらに、硬化促進剤として、フタル酸系の酸無水物と併せて第三級アミン類、イミダゾール類、ジアザビシクロウンデセン（ＤＢＵ）塩、第四級アンモニウム塩、第四級ホスホニウム塩、有機金属化合物などが用いられている。これら封止材料は、成型時の熱処理又は使用時の発熱に対しての耐熱性が要求される。しかし、アミン類、イミダゾール類、ジアザビシクロウンデセン（ＤＢＵ）塩、第四級アンモニウム塩などの窒素化合物は、耐熱性が悪く、成型時硬化させる際の熱処理により黄変するため、１２０℃以下の比較的低温で長時間かけ硬化させ、実用に供する樹脂強度を有するように成型されている。しかし、実際使用するに際し、例えば青色の光半導体素子は発光する際に１２０℃以上のかなり高い発熱を伴うため、やはり着色の問題が生じ、透明性の要求される光半導体用の封止材には使用できない。
【０００３】
また、一般的に耐熱性が高いとされているホスホニウム塩を光半導体用エポキシ樹脂用の硬化促進剤として使用する方法も提案されている。例えば、アニオン部がＢｒまたはＩのホスホニウム塩を用いる方法（特開平１−１１０７７５号公報）、アニオン部がハロゲン、ジアルキルホスホロジチオエートまたはサルフェートからなるホスホニウム塩を用いる方法（特開平２−３４６２７号公報、特開平３−２４１１６号公報、特開平１０−２９２０９１号公報）、トリフェニルベンジルホスホニウムブロマイドを用いる方法（特開平５−７０６６６号公報）などが提案されている。
【０００４】
しかしながら、アニオン部がハロゲン、ジアルキルホスホロジチオエートやサルフェートのホスホニウム塩では、得られるエポキシ硬化物の透明性が不十分であったり、また高温での着色が見られ、透明性が要求される光半導体用封止材としては実用的でない。また、特にハロゲンイオンは、アルミニウムを含む半導体に使用すると半導体表面のアルミニウムを腐蝕したり、電気特性等の信頼性を低減させることから、封止材料に使用する樹脂は塩素等の含量が極力少ないものが要望され、硬化促進剤も例外ではない。
【０００５】
一方、アニオン部にハロゲン以外のホスホニウム塩を用いる方法も提案されている。例えば、特開平４−２０９６２４号公報には、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレートを光半導体用エポキシ樹脂用の硬化促進剤として用いる方法が提案されているものの、フタル酸系の酸無水物やエポキシ樹脂と相溶性が悪い。すなわち、両者を混合すると白濁を生じ、このエポキシ樹脂組成物を１００℃の比較的低温で硬化させると、まったく光透過性のない白色硬化物となり、１２０℃では白斑の点在する不均一な硬化物となって光半導体用封止材料として実用性に欠けるという問題がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
従って、本発明の目的は、充分な光透過性を有し、かつ幅広い温度範囲で適用でき、特に、高温下においても優れた光透過性の減衰のない光半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
かかる実情において、本発明者らは鋭意検討を行った結果、特定のテトラアルキルホスホニウム塩が硬化剤とエポキシ樹脂に対して良好な溶解性を示し、該テトラアルキルホスホニウム塩をエポキシ樹脂の硬化促進剤として用いて硬化させたエポキシ樹脂硬化物は２００℃の高温下においてもほとんど変色がなく、充分な光透過性を有し、さらには光透過性の減衰がないことを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００８】
すなわち、本発明は、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）酸無水物硬化剤、及び（Ｃ）硬化促進剤を含有する光半導体封止用エポキシ樹脂組成物において、（Ｃ）の硬化促進剤が、下記一般式（１）：
【０００９】
【化２】
0004475771.tif 000002
【００１０】
（式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 は、炭素数１〜１８の直鎖または分岐鎖のアルキル基を示し、同一の基であっても異なる基であってもよく、該アルキル基はヒドロキシル基、アリル基又はシアノ基で置換されていてもよく、X はBPh4、BF4 、PF6 又はSbF6を示す。但しPhはフェニル基を示す。）で表されるテトラアルキルホスホニウム塩であることを特徴とする光半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供することにある。
【００１１】
【発明の実施の形態】
本発明で用いる（Ａ）成分のエポキシ樹脂としては、特に限定されるものではなく、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＤ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂等の透明性を有するエポキシ樹脂が挙げられ、これらは単独又は２種以上混合して使用することができる。ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂は、例えばエポキシ当量１００〜１０００でありかつ軟化点１２０℃以下のものが使用できる。また、本発明のエポキシ樹脂組成物において、透明性を有するエポキシ樹脂であれば、常温で液状の透明液状エポキシ樹脂も、常温で粉末状の固形エポキシ樹脂も使用することができる。本発明の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物の光透過性を損なわない範囲で、他のエポキシ樹脂、例えばフェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、含複素環式エポキシ樹脂、水添型ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂等を併用することもでき、これらの樹脂のうち、水添型ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂が好ましく併用できる。
【００１２】
本発明で用いる（Ｂ）成分の酸無水物硬化剤としては、無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、４−メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、３−メチルテトラヒドロ無水フタル酸、４−メチルテトラヒドロ無水フタル酸、テトラブロモ無水フタル酸、無水マレイン酸、無水コハク酸、無水ドデシニルコハク酸、無水ジクロルコハク酸、無水メチルナジック酸、無水ピロメリック酸、無水クロレンディク酸、無水ベンゾフェノンテトラカルボン酸等の無色又は淡黄色の酸無水物が挙げられ、これらは単独又は２種以上混合して使用することができる。酸無水物の添加量は、エポキシ樹脂１００重量部に対して通常５０〜２００重量部、好ましくは５０〜１００重量部である。
【００１３】
本発明で用いる（ｃ）成分の硬化促進剤において、前記一般式（１）で表されるテトラアルキルホスホニウム塩化合物の式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 は、炭素数１〜１８の直鎖状または分岐状のアルキル基を示し、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ‐プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、テトラデシル基、オクタデシル基、ヘキサデシル基等が挙げられ、好ましくは炭素数１〜８のアルキル基であり、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ‐プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、オクチル基であり、ｎ−ブチル基が特に好ましい。アルキル基は、ヒドロキシル基、アリル基又はシアノ基で置換されていてもよく、このような置換アルキル基の具体例としては、2-ヒドロキシエチル基、3-ヒドロキシプロピル基、2-シアノエチル基などが挙げられ、この中でも3-ヒドロキシプロピル基が好ましい。X はBPh4、BF4 、PF6 又はSbF6を示し、好ましくはBPh4、BF4 である。但し、Phはフェニル基を示す。
【００１４】
前記一般式（１）で表されるホスホニウム塩の具体的な化合物例としては、テトラメチルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラエチルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラ-n- プロピルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラ-n- ブチルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラ-n- オクチルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラ-n- ドデシルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラ-n- テトラデシルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラ-n- オクタデシルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラキス2-ヒドロキシエチルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラキス3-ヒドロキシプロピルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラキス2-シアノエチルホスホニウムテトラフェニルボレート、トリエチルオクチルホスホニウムテトラフェニルボレート、トリ-n- ブチルメチルホスホニウムテトラフェニルボレート、トリ-n- ブチルオクチルホスホニウムテトラフェニルボレート、トリ-n- ブチルドデシルホスホニウムテトラフェニルボレート、トリ-n- ブチルヘキサデシルホスホニウムテトラフェニルボレート、トリ-2- ヒドロキシエチルオクチルホスホニウムテトラフェニルボレート、トリ-2- ヒドロキシエチルドデシルホスホニウムテトラフェニルボレート、トリ-2- ヒドロキシエチルヘキサデシルホスホニウムテトラフェニルボレート、トリ-3- ヒドロキシプロピルオクチルホスホニウムテトラフェニルボレート、トリ-3- ヒドロキシプロピルドデシルホスホニウムテトラフェニルボレート、トリ-3- ヒドロキシプロピルヘキサデシルホスホニウムテトラフェニルボレート、トリ-2- シアノエチルオクチルホスホニウムテトラフェニルボレート、トリ-2- シアノエチルドデシルホスホニウムテトラフェニルボレート、トリ-2- シアノエチルヘキサデシルホスホニウムテトラフェニルボレート、アリルトリエチルホスホニウムテトラフェニルボレート、アリルトリプロピルホスホニウムテトラフェニルボレート、アリルトリブチルホスホニウムテトラフェニルボレート、アリルトリオクチルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラメチルホスホニウムテトラフルオロボレート、テトラエチルホスホニウムテトラフルオロボレート、テトラ-n- プロピルホスホニウムテトラフルオロボレート、テトラ-n- ブチルホスホニウムテトラフルオロボレート、テトラ-n- オクチルホスホニウムテトラフルオロボレート、テトラキス2-ヒドロキシエチルホスホニウムテトラフルオロボレート、テトラキス3-ヒドロキシプロピルホスホニウムテトラフルオロボレート、テトラキス2-シアノエチルホスホニウムテトラフルオロボレート、トリエチルオクチルホスホニウムテトラフルオロボレート、トリ-n- ブチルメチルホスホニウムテトラフルオロボレート、トリ-n- ブチルオクチルホスホニウムテトラフルオロボレート、トリ-n- ブチルドデシルホスホニウムテトラフルオロボレート、トリ-n- ブチルヘキサデシルホスホニウムテトラフルオロボレート、トリ-2- ヒドロキシエチルオクチルホスホニウムテトラフルオロボレート、トリ-2- ヒドロキシエチルドデシルホスホニウムテトラフルオロボレート、トリ-2- ヒドロキシエチルヘキサデシルホスホニウムテトラフルオロボレート、トリ-3- ヒドロキシプロピルオクチルホスホニウムテトラフルオロボレート、トリ-3- ヒドロキシプロピルドデシルホスホニウムテトラフルオロボレート、トリ-3- ヒドロキシプロピルヘキサデシルホスホニウムテトラフルオロボレート、トリ-2- シアノエチルオクチルホスホニウムテトラフルオロボレート、トリ-2- シアノエチルドデシルホスホニウムテトラフルオロボレート、トリ-2- シアノエチルヘキサデシルホスホニウムテトラフルオロボレート、アリルトリエチルホスホニウムテトラフルオロボレート、アリルトリプロピルホスホニウムテトラフルオロボレート、アリルトリブチルホスホニウムテトラフルオロボレート、アリルトリオクチルホスホニウムテトラフルオロボレート、メチルホスホニウムヘキサフルオロホスフェート、テトラエチルホスホニウムヘキサフルオロホスフェート、テトラ-n- プロピルホスホニウムヘキサフルオロホスフェート、テトラ-n- ブチルホスホニウムヘキサフルオロホスフェート、テトラ-n- オクチルホスホニウムヘキサフルオロホスフェート、テトラキス2-ヒドロキシエチルホスホニウムヘキサフルオロホスフェート、テトラキス3-ヒドロキシプロピルホスホニウムヘキサフルオロホスフェート、テトラキス2-シアノエチルホスホニウムヘキサフルオロホスフェート、トリエチルオクチルホスホニウムヘキサフルオロホスフェート、トリ-n- ブチルメチルホスホニウムヘキサフルオロホスフェート、トリ-n- ブチルオクチルホスホニウムヘキサフルオロホスフェート、トリ-n- ブチルドデシルホスホニウムヘキサフルオロホスフェート、トリ-n- ブチルヘキサデシルホスホニウムヘキサフルオロホスフェート、トリ-2- ヒドロキシエチルオクチルホスホニウムヘキサフルオロホスフェート、トリ-2- ヒドロキシエチルドデシルホスホニウムヘキサフルオロホスフェート、トリ-2- ヒドロキシエチルヘキサデシルホスホニウムヘキサフルオロホスフェート、トリ-3- ヒドロキシプロピルオクチルホスホニウムヘキサフルオロホスフェート、トリ-3- ヒドロキシプロピルドデシルホスホニウムヘキサフルオロホスフェート、トリ-3- ヒドロキシプロピルヘキサデシルホスホニウムヘキサフルオロホスフェート、トリ-2- シアノエチルオクチルホスホニウムヘキサフルオロホスフェート、トリ-2- シアノエチルドデシルホスホニウムヘキサフルオロホスフェート、トリ-2- シアノエチルヘキサデシルホスホニウムヘキサフルオロホスフェート、アリルトリエチルホスホニウムヘキサフルオロホスフェート、アリルトリプロピルホスホニウムヘキサフルオロホスフェート、アリルトリブチルホスホニウムヘキサフルオロホスフェート、アリルトリオクチルホスホニウムヘキサフルオロホスフェート、テトラメチルホスホニウムヘキサフルオロアンチモネート、テトラエチルホスホニウムヘキサフルオロアンチモネート、テトラ-n- プロピルホスホニウムヘキサフルオロアンチモネート、テトラ-n- ブチルホスホニウムヘキサフルオロアンチモネート、テトラ-n- オクチルホスホニウムヘキサフルオロアンチモネート、テトラキス2-ヒドロキシエチルホスホニウムヘキサフルオロアンチモネート、テトラキス3-ヒドロキシプロピルホスホニウムヘキサフルオロアンチモネート、テトラキス2-シアノエチルホスホニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリエチルオクチルホスホニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリ-n- ブチルメチルホスホニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリ-n- ブチルオクチルホスホニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリ-n- ブチルドデシルホスホニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリ-n- ブチルヘキサデシルホスホニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリ-2- ヒドロキシエチルオクチルホスホニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリ-2- ヒドロキシエチルドデシルホスホニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリ-2- ヒドロキシエチルヘキサデシルホスホニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリ-3- ヒドロキシプロピルオクチルホスホニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリ-3- ヒドロキシプロピルドデシルホスホニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリ-3- ヒドロキシプロピルヘキサデシルホスホニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリ-2- シアノエチルオクチルホスホニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリ-2- シアノエチルドデシルホスホニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリ-2- シアノエチルヘキサデシルホスホニウムヘキサフルオロアンチモネート、アリルトリエチルホスホニウムヘキサフルオロアンチモネート、アリルトリプロピルホスホニウムヘキサフルオロアンチモネート、アリルトリブチルホスホニウムヘキサフルオロアンチモネート、アリルトリオクチルホスホニウムヘキサフルオロアンチモネートなどを例示することが出来、これら例示された化合物は１種又は２種以上を組み合わせて用いることが出来る。また、これら例示化合物のうち、トリ−ｎ−ブチルメチルホスホニウムテトラフェニルボレート、トリ−ｎ−ブチルドデシルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラエチルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラ‐ｎ−ブチルホスホニウムテトラフェニルボレート又はテトラ‐ｎ−ブチルホスホニウムテトラフルオロボレートが好ましい。さらに、テトラ‐ｎ−ブチルホスホニウムテトラフェニルボレート又はテトラ‐ｎ−ブチルホスホニウムテトラフルオロボレートが特に好ましい。
【００１５】
かかるホスホニウム塩の硬化促進剤としての添加量は、エポキシ樹脂１００重量部に対して通常０．０１〜１０重量部、好ましくは０．０１〜２重量部である。この理由は、添加量が０．０１重量部未満であると硬化促進剤としての機能をはたさなくなり、一方、１０重量部を越えるとエポキシ樹脂としての特性を損なうことがあるので好ましくない。
【００１６】
なお、本発明の硬化促進剤は、光半導体封止用エポキシ樹脂組成物の光透過性を損なわない程度の範囲で他の硬化促進剤と併用することが出来る。
【００１７】
併用することが出来る他の硬化促進剤としては、特に制限するのではないが、１，８−ジアザ−ビシクロ( ５，４，０) ウンデセン−７、トリエチエンジアミン等の三級アミン類、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−メチルイミダゾール等のイミダゾール類、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム−ｏ，ｏ−ジエチルホスホロジチオエート等のリン化合物、四級アンモニウム塩、有機金属塩類、およびこれらの誘導体等があげられる。
【００１８】
本発明の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物には、必要に応じて着色防止剤、老化防止剤、離型剤、無機質充填剤、変性剤、シランカップリング剤、顔料、染料、反応性若しくは非反応性の希釈剤などの公知の添加剤を含有させることができる。
【００１９】
本発明における光半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、例えば以下のようにして製造することが出来る。
【００２０】
即ち、前記の（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）酸無水物硬化剤、及び（Ｃ）硬化促進剤、を上記した割合で配合し、および必要に応じてその他の添加剤を配合し、常法に準じて、常温ないし加温下で均一に混合して本発明の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物を製造することが出来る。
【００２１】
本発明の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、幅広い温度範囲、特に２００℃の高温時においてもエポキシ樹脂の変色がなく光透過性の優れたものであり、常温で液状のエポキシ樹脂組成物としても、常温で粉末など固形のエポキシ樹脂組成物としても使用することができ、例えば、注型あるいはトランスファー成型等の常法の手段により光半導体素子を封止することができる。また、このようにして得られる光半導体装置は、その封止樹脂が幅広い温度範囲、特に２００℃の高温時においてもエポキシ樹脂の変色がなく充分な光透過性を有し、光透過性の減衰がない耐久性の優れたものとすることができる。
【００２２】
また、本発明の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物により封止される光半導体としては、特に制限されず、例えば、光を検出するホトダイオード（photodiode）、電流を流すと発光する発光ダイオード（ＬＥＤ：light emitting diode）などが挙げられる。
【００２３】
【実施例】
以下、実施例を挙げて本発明を更に詳しく説明するが、これらは単に例示であって、本発明はこれらに限定されるものではない。
実施例１〜４
エピコート８２８（油化シェルエポキシ社製）１００重量部に４−メチルヘキサヒドロ無水フタル酸８５重量部、テトラ-n- ブチルホスホニウムテトラフェニルボレートを0.5 （実施例１）、1.0 （実施例２）、1.5 （実施例３）、及び2.0 （実施例４）重量部各々添加配合し、室温で均一になるまで混合し、各組成物を径５ｍｍ、高さ１．５ｍｍのガラス製ケースに注型し、１２０℃で１５時間加熱して、無色透明な硬化物を得た。次いで得られた硬化物は下記に示す高温光透過試験により波長４００ｎｍ〜７００ｎｍにおける光透過性を評価した。波長４００ｎｍ、５００ｎｍ、６００ｎｍ、及び７００ｎｍの光透過性の評価結果をそれぞれ、表１、２、３、及び４に示す。
【００２４】
（高温光透過試験）
実施例１〜４で得られたエポキシ樹脂硬化組成物を２００℃、１８０℃、又は１６０℃の恒温槽に入れ、試験開始時（０時間後）及び試験開始３時間後に試料を取りだし、４００〜７００ｎｍの範囲で可視分光分析計で透過率を測定し、都合２回の測定を行う。得られた硬化物の光透過率の高温安定性を、試験開始時（０時間）の透過率と試験開始３時間後の透過率との比（比透過率）で評価した。
【００２５】
実施例５
テトラ-n- ブチルホスホニウムテトラフェニルボレートの代わりにテトラ-n- ブチルホスホニウムテトラフルオロボレートを用いた以外は実施例1 と同様にして、エポキシ樹脂硬化組成物を得、更にこれの比透過率を求めた。結果を表１〜４に併載する。
【００２６】
比較例１
テトラ-n- ブチルホスホニウムテトラフェニルボレートの代わりにＤＢＵ（1,8-ジアザビシクロ(5,4,0)-ウンデセン-7）テトラフェニルボレート塩（Ｕ−ＣＡＴ5002、サンアプロ社製）を用いた以外、実施例１と同様にしてエポキシ樹脂硬化組成物を得、更にこれの比透過率を求めた。結果を表１〜４に併載する。
【００２７】
【表１】
0004475771.tif 000003
【００２８】
【表２】
0004475771.tif 000004
【００２９】
【表３】
0004475771.tif 000005
【００３０】
【表４】
0004475771.tif 000006
【００３１】
表１の結果より、比較例のＤＢＵ（1,8-ジアザビシクロ(5,4,0)-ウンデセン-7）テトラフェニルボレート塩を硬化促進剤として用いたエポキシ樹脂硬化組成物は、１６０℃においても着色し、比透過率が低かったのに対して、本発明のホスホニウム塩を硬化促進剤として用いたエポキシ樹脂硬化組成物は、２００℃の高温領域においても全く着色がなく比透過率が高い数値を維持しており、充分な光透過性を有し、且つ高温下においても光透過性の減衰がなく耐久性に優れていることが解る。
【００３２】
【発明の効果】
上記したとおり、本発明の光半導体封止用エポキシ樹脂組成物によれば、充分な光透過性を有し、かつ幅広い温度範囲で適用でき、特に高温下においても優れた光透過性の減衰がなく耐久性に優れているので、光半導体封止用樹脂組成物として好適に用いることができる。