(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
リードフレームの吊りリードで支持されたダイパッド上に搭載された半導体素子と、この半導体素子の上面の電極とリードフレームの複数の端子部における銀メッキ部分とを電気的に接続したワイヤーと、端子部の下面と側面とを露出させた状態で、ワイヤーを含む半導体素子の外囲領域を封止してなる封止樹脂とを備えたノンリードタイプの樹脂封止型半導体装置を製造する方法であって、リードフレームの各端子部の内側から所定距離をおいた所に、外側の線が最大エリアとなり内側の線が最小エリアとなるようにワイヤー接続用の銀メッキエリアを規定する溝を設けておき、銀メッキを施した後の検査で銀メッキの端が溝の中にあることを確認してから、吊りリードに支持されたダイパッドの上に半導体素子を搭載し、半導体素子の上面の電極とリードフレームの複数の端子部における銀メッキ部分との間にワイヤーボンディングを実施した後、個々の半導体素子を個別にモールドしてから、抜型により個々の半導体装置に打ち抜くことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項２】
リードフレームの吊りリードで支持されたダイパッド上に搭載された半導体素子と、この半導体素子の上面の電極とリードフレームの複数の端子部における銀メッキ部分とを電気的に接続したワイヤーと、端子部の下面と側面とを露出させた状態で、ワイヤーを含む半導体素子の外囲領域を封止してなる封止樹脂とを備えたノンリードタイプの樹脂封止型半導体装置を製造する方法であって、リードフレームの各端子部の内側から所定距離をおいた所に、外側の線が最大エリアとなり内側の線が最小エリアとなるようにワイヤー接続用の銀メッキエリアを規定する溝を設けておき、銀メッキを施した後の検査で銀メッキの端が溝の中にあることを確認してから、吊りリードに支持されたダイパッドの上に半導体素子を搭載し、半導体素子の上面の電極とリードフレームの複数の端子部における銀メッキ部分との間にワイヤーボンディングを実施した後、複数個配列されている半導体素子を所定のキャビティサイズで一括モールドしてから、ダイシングにより個片化することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、リードフレーム上に半導体素子を搭載し、その外囲、特に半導体素子の上面側をモールド樹脂で封止した樹脂封止型半導体装置の技術分野に属するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、基板実装の高密度化に伴い、基板実装される半導体製品の小型化・薄型化が要求されている。ＬＳＩも、高集積化によるチップ数の削減とパッケージの小型・軽量化が厳しく要求され、いわゆるＣＳＰ（Chip Size Package)の普及が急速に進んでいる。特に、リードフレームを用いた薄型の半導体製品の開発においては、リードフレームに半導体素子を搭載し、その搭載面をモールド樹脂で封止する片面封止タイプの樹脂封止型半導体装置が開発されている。
【０００３】
図１は樹脂封止型半導体装置の一例を示す断面図、図２はその封止樹脂を透視した状態で示す平面図である。これらの図に示される樹脂封止型半導体装置は、リードフレーム１の吊りリード２で支持されたダイパッド３に搭載された半導体素子４と、この半導体素子４の上面の電極とリードフレーム１の端子部５とを電気的に接続したワイヤー６と、半導体素子４の上側とダイパッド３の下側とを含む半導体素子４の外囲領域を封止した封止樹脂７とを備えている。この樹脂封止型半導体装置は、いわゆるアウターリードが突き出ておらず、インナーリードとアウターリードの両者が端子部５として一体となったノンリードタイプである。また、ここで用いられているリードフレーム１は、ダイパッド３が端子部５より上方に位置するように、吊りリード２がアップセット処理されている。このようにダイパッド３に段差を設けることにより、ダイパッド３の下側にも封止樹脂７を存在させている。
【０００４】
上記のようなノンリードタイプの樹脂封止型半導体装置は、半導体素子のサイズが小型であるため、１枚のフレームの幅方向に複数列配列して製造するマトリックスタイプが主流である。そして、最近では、コストダウンの要求から、図３に示すような個別にモールドするタイプから、図４に示すような一括してモールドするタイプへ移行することが考えられている。
【０００５】
個別モールドタイプは、図３（Ａ）に示すように、１枚のフレームＦ内に小さなサイズの個々のモールドキャビティＣを分かれた状態で設けるようにし、モールド後は抜型により個別に打ち抜いて図３（Ｂ）に示す半導体装置Ｓを得るものである。すなわち、半導体素子を銀ペースト等によりリードフレームのダイパッド上に搭載し、ワイヤーボンディングを実施した後、個々の半導体素子を個別にモールドしてから、抜型により個々の半導体装置として打ち抜くのである。
【０００６】
一括モールドタイプは、図４（Ａ）に示すように、１枚のフレームＦ内に大きなサイズの幾つかのモールドキャビティＣを設けるようにし、その一つ一つのモールドキャビティＣ内には多数の半導体素子をマトリックス状に配列し、それらの半導体素子を一括してモールドした後、各リードフレームのグリッドリードＬのところをダイシングソーで切断して図４（Ｂ）に示す半導体装置Ｓを得るものである。すなわち、半導体素子を銀ペースト等によりリードフレームのダイパッド上に搭載し、ワイヤーボンディングを実施した後、複数個配列されている半導体素子を所定のキャビティサイズで一括モールドしてから、ダイシングにより個片化するのである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
一般に半導体装置では、その製造工程にて行うワイヤーボンディングを容易にするため、あらかじめリードフレームにおける端子部のワイヤー接続部分に銀メッキを施している。このメッキエリアについては、アウターリードが突き出たタイプの樹脂封止型半導体装置では、インナーリードの先端より０．３ｍｍからダムバーの内側までという規格が多く、目視により容易にエリア合否の判定ができていた。これに対し、従来の技術で述べた如きノンリードタイプの樹脂封止型半導体装置の場合、メッキエリアが狭いため、抜き取りによる実測値でエリア精度を保証している。このため、寸法測定にかかる人件費がコストアップの要因となっていた。
【０００８】
本発明は、このような問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、ワイヤーボンディングのためのメッキエリアの精度を目視で容易に確認できるようにし、検査コストの低減を図ったノンリードタイプの樹脂封止型半導体装置の製造方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するため、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、リードフレームの吊りリードで支持されたダイパッド上に搭載された半導体素子と、この半導体素子の上面の電極とリードフレームの複数の端子部における銀メッキ部分とを電気的に接続したワイヤーと、端子部の下面と側面とを露出させた状態で、ワイヤーを含む半導体素子の外囲領域を封止してなる封止樹脂とを備えたノンリードタイプの樹脂封止型半導体装置を製造する方法であって、リードフレームの各端子部の内側から所定距離をおいた所に、外側の線が最大エリアとなり内側の線が最小エリアとなるようにワイヤー接続用の銀メッキエリアを規定する溝を設けておき、銀メッキを施した後の検査で銀メッキの端が溝の中にあることを確認してから、吊りリードに支持されたダイパッドの上に半導体素子を搭載し、半導体素子の上面の電極とリードフレームの複数の端子部における銀メッキ部分との間にワイヤーボンディングを実施した後、個々の半導体素子を個別にモールドしてから、抜型により個々の半導体装置に打ち抜くことを特徴としている。
【００１１】
また、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、リードフレームの吊りリードで支持されたダイパッド上に搭載された半導体素子と、この半導体素子の上面の電極とリードフレームの複数の端子部における銀メッキ部分とを電気的に接続したワイヤーと、端子部の下面と側面とを露出させた状態で、ワイヤーを含む半導体素子の外囲領域を封止してなる封止樹脂とを備えたノンリードタイプの樹脂封止型半導体装置を製造する方法であって、リードフレームの各端子部の内側から所定距離をおいた所に、外側の線が最大エリアとなり内側の線が最小エリアとなるようにワイヤー接続用の銀メッキエリアを規定する溝を設けておき、銀メッキを施した後の検査で銀メッキの端が溝の中にあることを確認してから、吊りリードに支持されたダイパッドの上に半導体素子を搭載し、半導体素子の上面の電極とリードフレームの複数の端子部における銀メッキ部分との間にワイヤーボンディングを実施した後、複数個配列されている半導体素子を所定のキャビティサイズで一括モールドしてから、ダイシングにより個片化することを特徴としている。
【００１３】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
【００１４】
図５は本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法で使用するリードフレームの一例を示すもので、図５（Ａ）は平面図、図５（Ｂ）は図５（Ａ）のＸ−Ｘ断面図である。
【００１５】
図示のように、リードフレーム１は、周辺部からの４本の吊りリード２でダイパッド３を支持し、そのダイパッド３に向けて周囲４辺からそれぞれ４本ずつ端子部５が突き出た状態になっている。そして、各端子部５の内側から所定距離をおいた所に表側からのハーフエッチングにより溝８が形成されている。また、図示のリードフレーム１では、ダイパッド３の裏面がハーフエッチングされて薄くなっている。このリードフレーム１は、殆どの場合、厚みが０．２ｍｍの銅製の金属板で構成されており、溝８を形成するハーフエッチングは０．１ｍｍ程度で実施できる。また、ダイパッド裏面のハーフエッチングも０．１ｍｍ程度で実施できる。通常、このようなリードフレームが、図３（Ａ）の如く１枚のフレームに複数個並んだ状態で配列される。
【００１６】
リードフレーム１の端子部５にはワイヤー接続用の銀メッキが施されるが、端子部５に形成した溝８は、その銀メッキのエリアを規定するのに利用される。すなわち、溝８の外側の線ａが最大エリア、内側の線ｂが最小エリアであり、検査時に銀メッキの端が溝８の中にあれば合格となる。この検査は目視により容易に行うことができる。なお、メッキエリアは端子部５の先端から０．３〜０．６ｍｍ程度であり、溝８の幅は０．１２ｍｍ程度である。
【００１７】
この銀メッキ済みのリードフレーム１を用いて樹脂封止型半導体装置を製造する手順は次のようである。まず、リードフレーム１における吊りリード２に支持されたダイパッド３の上に半導体素子を銀ペーストにより搭載し、半導体素子の上面の電極と端子部５の銀メッキ部分との間に金線によるワイヤーボンディングを実施した後、モールド型にセットして個別にモールドしてから、抜型により個々の半導体装置に打ち抜く。
【００１８】
このようにして製造された樹脂封止型半導体装置の断面図を図６に示す。端子部５には銀メッキのエリアを規定する溝８があり、この溝８には封止樹脂７が入り込むので、端子部５と封止樹脂７との密着性を増す効果もある。なお、この樹脂封止型半導体装置は、図示の如く半導体素子４の裏側が封止樹脂７で覆われた状態になっているので、基板に実装した際に、ダイパッド３の下の基板内配線との間でデンドライトが発生するのが防止される。また、ダイパッド３が封止樹脂７から剥がれるようなことがない。
【００１９】
なお、上記の説明では、個別モールドタイプについて述べたが、一括モールドタイプの樹脂封止型半導体装置についても同様である。
【００２０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、リードフレームの吊りリードで支持されたダイパッド上に搭載された半導体素子と、この半導体素子の上面の電極とリードフレームの複数の端子部における銀メッキ部分とを電気的に接続したワイヤーと、端子部の下面と側面とを露出させた状態で、ワイヤーを含む半導体素子の外囲領域を封止してなる封止樹脂とを備えたノンリードタイプの樹脂封止型半導体装置を製造する方法であって、リードフレームの各端子部の内側から所定距離をおいた所に、外側の線が最大エリアとなり内側の線が最小エリアとなるようにワイヤー接続用の銀メッキエリアを規定する溝を設けておき、銀メッキを施した後の検査で銀メッキの端が溝の中にあることを確認してから、吊りリードに支持されたダイパッドの上に半導体素子を搭載し、半導体素子の上面の電極とリードフレームの複数の端子部における銀メッキ部分との間にワイヤーボンディングを実施した後、個々の半導体素子を個別にモールドしてから、抜型により個々の半導体装置に打ち抜くようにするか、或いは、複数個配列されている半導体素子を所定のキャビティサイズで一括モールドしてから、ダイシングにより個片化するようにしたので、目視で容易にメッキエリアの精度を確認することができ、検査コストを抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  樹脂封止型半導体装置の一例を示す断面図である。
【図２】  図１に示す樹脂封止型半導体装置の平面図である。
【図３】  個別モールドタイプの説明図である。
【図４】  一括モールドタイプの説明図である。
【図５】  本発明の樹脂封止型半導体装置を製造するのに使用するリードフレームの一例を示すもので、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＸ−Ｘ断面図である。
【図６】  図５に示すリードフレームを使用して製造された樹脂封止型半導体装置を示す断面図である。
【符号の説明】
１  リードフレーム
２  吊りリード
３  ダイパッド
４  半導体素子
５  端子部
６  金属細線
７  封止樹脂
８  溝
Ｃ  モールドキャビティ
Ｆ  フレーム
Ｌ  グリッドリード
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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