(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の行と列を有して配列された発光層と、
前記各発光層の外周縁に形成された画素定義層と、
前記画素定義層上に上部方向に突出され、奇数番目の行方向に配列された奇数発光層と偶数番目の行方向に配列された偶数発光層との間に形成されていると同時に、複数の分離領域を有して行方向に配列された奇数スペーサーと、
前記画素定義層上に上部方向に突出され、前記偶数発光層と次の行に配列された奇数発光層との間に形成されていると同時に、複数の分離領域を有して行方向に配列された偶数スペーサーとを含み、
前記奇数スペーサーの分離領域と前記偶数スペーサーの分離領域はお互いに異なる列に形成されていることを特徴とする有機電界発光表示装置。
【請求項２】
前記奇数スペーサーの分離領域と前記偶数スペーサーの分離領域は、幅が同一であることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項３】
前記分離領域は、幅が前記奇数スペーサーと前記偶数スペーサーの長さより短いことを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項４】
前記奇数スペーサーと前記偶数スペーサーは、縦の長さが前記偶数発光層と前記奇数発光層の離隔距離より短いことを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項５】
前記奇数スペーサーと前記偶数スペーサーは、それぞれの下面の縦の長さが前記偶数発光層と前記奇数発光層の離隔距離より短いことを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項６】
前記奇数スペーサーと前記偶数スペーサーは、それぞれの下面の縦の長さが前記奇数スペーサーと前記偶数スペーサーそれぞれの上面の縦の長さよりも長いことを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項７】
前記奇数スペーサーと前記偶数スペーサーは、それぞれの横の長さが一つの発光層の横の長さより長く、四つの発光層の横の長さよりは短いことを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項８】
前記奇数スペーサーと前記偶数スペーサーは、それぞれの下面の横の長さが一つの発光層の横の長さより長く、四つの発光層の横の長さよりは短いことを特徴とする請求項７に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項９】
前記奇数スペーサーと前記偶数スペーサーは、それぞれの下面の横の長さがそれぞれの上面の横の長さよりも長いことを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１０】
前記奇数スペーサーと前記偶数スペーサーは、それぞれの横の長さが一つの発光層の横の長さより長く、二つの発光層の横の長さよりは短いことを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１１】
前記奇数スペーサーと前記偶数スペーサーは、それぞれの横の長さが二つの発光層の横の長さより長く、三つの発光層の横の長さよりは短いことを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１２】
前記奇数スペーサーと前記偶数スペーサーは、それぞれの横の長さが三つの発光層の横の長さより長く、四つの発光層の横の長さよりは短いことを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１３】
前記奇数スペーサーと前記偶数スペーサーには、前記画素定義層に密着される下面と、前記下面の反対面である上面と、前記下面及び前記上面を傾くように連結する側面とが形成されていることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１４】
前記奇数スペーサーと前記偶数スペーサーにおいて、前記下面と前記側面との間の傾斜角度が３０゜ないし６０゜であることを特徴とする請求項１３に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１５】
前記発光層は、映像を表示するメイン画素部と、前記メイン画素部の外周縁に形成されて映像を表示しないダミー画素部からなり、前記奇数スペーサーと前記偶数スペーサーは前記メイン画素部のみでなく前記ダミー画素部にも形成されることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１６】
前記発光層の外周縁には、発光層が形成されない非画素部が形成され、前記奇数スペーサーと前記偶数スペーサーは前記非画素部にも形成されることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１７】
前記発光層が形成された領域は、発光領域であり、前記画素定義層とスペーサーが形成された領域は非発光領域であることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１８】
前記発光層は、映像を表示するメイン画素部と前記メイン画素部の外周縁に形成されて映像を表示しないダミー画素部からなり、前記発光層の外周縁には発光層が形成されない非画素部が形成され、前記奇数スペーサーと前記偶数スペーサーは前記メイン画素部のみでなくダミー画素部と非画素部にも形成され、有機電界発光表示装置の外部衝撃に対する耐性が増加して前記発光領域を保護することを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１９】
前記画素定義層、前記奇数スペーサー及び前記偶数スペーサーが形成された領域は、非発光領域であることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項２０】
前記発光層の下部の前記発光層に対応する領域に形成されたアノード電極と、
前記発光層、前記画素定義層、奇数スペーサー及び偶数スペーサーの上部に形成されたカソード電極及び、
前記画素定義層の下部の前記画素定義層に対応する領域に形成された画素回路をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項２１】
前記アノード電極と前記発光層との間に形成され、前記画素定義層、奇数スペーサー及び偶数スペーサーの上部に形成された正孔注入層及び、
前記正孔注入層の上部に形成される正孔輸送層をさらに含むことを特徴とする請求項２０に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項２２】
前記発光層に対応する領域において、前記発光層の上部に形成され、前記発光層に対応する領域以外の領域では、前記正孔輸送層の上部に形成される電子輸送層及び、
前記電子輸送層と前記カソード電極との間に形成される電子注入層をさらに含むことを特徴とする請求項２１に記載の有機電界発光表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機電界発光表示装置に係り、より詳しくは、偶数スペーサーと奇数スペーサーの分離領域がお互いに相異なって形成され、マスクがスペーサーにかかることなく移動可能であり、外部衝撃に対する耐性が増加して発光領域を効果的に保護することができる有機電界発光表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、有機電界発光素子は、蛍光性または燐光性有機化合物を電気的に励起させて発光する表示装置として、Ｎ×Ｍ個の有機電界発光素子を駆動して映像を表示する。このような有機電界発光素子は、アノード（ＩＴＯ）、有機薄膜、カソード（Ｍｅｔａｌ）の構造を備える。有機薄膜は、電子と正孔との均衡を良くして発光効率を向上させるために発光層（ＥＭｉｔｔｉｎｇ  Ｌａｙｅｒ、ＥＭＬ）、電子輸送層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  Ｌａｙｅｒ、ＥＴＬ）及び正孔輸送層（Ｈｏｌｅ  Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  Ｌａｙｅｒ、ＨＴＬ）とを含む多層構造から構成され、また別途の電子注入層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｉｎｊｅｃｔｉｎｇ  Ｌａｙｅｒ、ＥＩＬ）と正孔注入層（Ｈｏｌｅ  Ｉｎｊｅｃｔｉｎｇ  Ｌａｙｅｒ、ＨＩＬ）とを含む。
【０００３】
このような有機電界発光素子において、フルカラー化を具現するためには赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の発光層をそれぞれパターニングしなければならない。ここで、上記発光層をパターニングするための方法として、低分子有機電界発光素子の場合、シャドーマスク（ｓｈａｄｏｗ  ｍａｓｋ）を用いる方法があり、高分子有機電界発光素子の場合、インクジェットプリンティング（ｉｎｋ−ｊｅｔ  ｐｒｉｎｔｉｎｇ）またはレーザーによる熱転写法（Ｌａｓｅｒ  Ｉｎｄｕｃｅｄ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ｉｍａｇｉｎｇ、以下、ＬＩＴＩ）がある。このうち、上記レーザーによる熱転写法（ＬＩＴＩ）は、上記有機膜層を微細にパターニングすることができ、大面積に対して使用可能であり、また高解像度に有利であるという長所のみならず、上記インクジェットプリンティングが湿式工程であることに比べてこれは乾式工程である長所がある。しかし、このようなレーザーによる熱転写法（ＬＩＴＩ）では、高精細マスク（Ｆｉｎｅｅ  Ｍｅｔａｌ  Ｍａｓｋ）を用いて発光層をパターニングする。上記高精細マスク（ＦＭＭ）を用いた工程においては、スペーサーが分離された領域で高精細マスク（ＦＭＭ）のスリット（Ｓｌｉｔ）がかかる現象が発生するようになる。そして、スペーサーが分離領域なしで一体型になる場合には、スペーサー上部のカソード電極がスペーサーの段差によって短絡して有機電界発光表示装置の不良をもたらす可能性がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、上述した従来の問題点を解決するためになされたものであって、その目的は、偶数スペーサーと奇数スペーサーの分離領域がお互いに相異なって形成され、発光層形成時に用いられる高精細マスクがスペーサーにかかることなく移動ができる有機電界発光表示装置を提供することである。
【０００５】
また、本発明の他の目的は、偶数スペーサーと奇数スペーサーの分離領域がお互いに相異なって形成されて外部衝撃に対する耐性が増加して発光領域を保護することができる有機電界発光表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述の目的を達成するための本発明に係る有機電界発光表示装置は、複数の行と列を有して配列された発光層と、上記各発光層の外周縁に形成された画素定義層と、上記画素定義層上に上部方向に突出され、奇数番目の行方向に配列された奇数発光層と偶数番目の行方向に配列された偶数発光層との間に形成されていると同時に、複数の分離領域を有して行方向に配列された奇数スペーサーと、上記画素定義層上に上部方向に突出され、上記偶数発光層と次の行に配列された奇数発光層との間に形成されていると同時に、複数の分離領域を有して行方向に配列された偶数スペーサーとを含み、上記奇数スペーサーの分離領域と上記偶数スペーサーの分離領域はお互いに異なる列に形成されていることを特徴とする。
【０００７】
上記奇数スペーサーの分離領域と上記偶数スペーサーの分離領域は、同一な幅に形成されることを特徴とする。
【０００８】
上記分離領域は、幅が上記奇数スペーサーと上記偶数スペーサーの長さより短く形成されることを特徴とする。
【０００９】
上記奇数スペーサーと上記偶数スペーサーは、縦の長さが上記偶数発光層と上記奇数発光層の離隔距離より短く形成されることを特徴とする。
【００１０】
上記奇数スペーサーと上記偶数スペーサーは、それぞれの下面の縦の長さが上記偶数発光層と上記奇数発光層の離隔距離より短く形成されることを特徴とする。
【００１１】
上記奇数スペーサーと上記偶数スペーサーは、それぞれの下面の縦の長さが上記奇数スペーサーと上記偶数スペーサーそれぞれの上面の縦の長さよりも長く形成されることを特徴とする。
【００１２】
上記奇数スペーサーと上記偶数スペーサーは、それぞれの横の長さが一つの発光層の横の長さより長く、四つの発光層の横の長さよりは短く形成されることを特徴とする。
【００１３】
上記奇数スペーサーと上記偶数スペーサーは、それぞれの下面の横の長さが一つの発光層の横の長さより長く、四つの発光層の横の長さよりは短く形成されることを特徴とする。
【００１４】
上記奇数スペーサーと上記偶数スペーサーは、それぞれの下面の横の長さがそれぞれの上面の横の長さよりも長く形成されることを特徴とする。
【００１５】
上記奇数スペーサーと上記偶数スペーサーは、それぞれの横の長さが一つの発光層の横の長さより長く、二つの発光層の横の長さよりは短く形成されることを特徴とする。
【００１６】
上記奇数スペーサーと上記偶数スペーサーは、それぞれの横の長さが二つの発光層の横の長さより長く、三つの発光層の横の長さよりは短く形成されることを特徴とする。
【００１７】
上記奇数スペーサーと上記偶数スペーサーは、それぞれの横の長さが三つの発光層の横の長さより長く、四つの発光層の横の長さよりは短く形成されることを特徴とする。
【００１８】
上記奇数スペーサーと上記偶数スペーサーは、上記画素定義層に密着される下面と、上記下面の反対面である上面と、上記下面及び上記上面を傾くように連結する側面とを有することができる。
【００１９】
上記奇数スペーサーと上記偶数スペーサーにおいて、上記下面と上記側面との間の傾斜角度が３０゜ないし６０゜であることができる。
【００２０】
上記発光層は、映像を表示するメイン画素部と、上記メイン画素部の外周縁に形成されて映像を表示しないダミー画素部からなり、上記奇数スペーサーと上記偶数スペーサーは上記メイン画素部のみでなく上記ダミー画素部にも形成されることを特徴とする。
【００２１】
上記発光層の外周縁には、発光層が形成されない非画素部が形成され、上記奇数スペーサーと上記偶数スペーサーは上記非画素部にも形成されることを特徴とする。
【００２２】
上記発光層が形成された領域は発光領域であり、上記画素定義層とスペーサーが形成された領域は非発光領域であることができる。
【００２３】
上記発光層は、映像を表示するメイン画素部と上記メイン画素部の外周縁に形成されて映像を表示しないダミー画素部からなり、上記発光層の外周縁には発光層が形成されない非画素部が形成され、上記奇数スペーサーと上記偶数スペーサーは上記メイン画素部のみでなくダミー画素部と非画素部にも形成され、有機電界発光表示装置の外部衝撃に対する耐性が増加して上記発光領域を保護することができる。
【００２４】
上記画素定義層、上記奇数スペーサー及び上記偶数スペーサーが形成された領域は非発光領域であることができる。
【００２５】
上記発光層の下部の上記発光層に対応する領域に形成されたアノード電極と上記発光層、上記画素定義層、奇数スペーサー及び偶数スペーサーの上部に形成されたカソード電極及び上記画素定義層の下部の上記画素定義層に対応する領域に形成された画素回路とをさらに含むことができる。
【００２６】
上記アノード電極と上記発光層との間に形成され、上記画素定義層、奇数スペーサー及び偶数スペーサーの上部に形成された正孔注入層及び上記正孔注入層の上部に形成される正孔輸送層をさらに含むことができる。
【００２７】
上記発光層に対応する領域では、上記発光層の上部に形成され、上記発光層に対応する領域以外の領域では上記正孔輸送層の上部に形成される電子輸送層及び上記電子輸送層と上記カソード電極との間に形成される電子注入層をさらに含むことができる。
【発明の効果】
【００２８】
上述のように、本発明に係る有機電界発光表示装置は、偶数スペーサーと奇数スペーサーの分離領域がお互いに相異なって形成され、発光層形成時に用いられる高精細マスクがスペーサーにかかることなく移動することができる。
【００２９】
また、上記のように本発明に係る有機電界発光表示装置は、偶数スペーサーと奇数スペーサーの分離領域がお互いに相異なって形成されて外部衝撃に対する耐性が増加して発光領域を保護することができる。  
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下、本発明の属する技術分野の通常の知識を有する者が容易に実施できるように、この発明の実施形態について図面に基づいて説明する。
【００３１】
図１には、本発明による有機電界発光表示装置を示したブロック図が示されている。
【００３２】
図１に示すように、有機電界発光表示装置１０００は、走査駆動部１００、データ駆動部２００及び有機電界発光表示パネル（以下、パネル）３００とを含むことができる。
【００３３】
上記走査駆動部１００は、走査線（ＳｃａｎＲＧＢ［１］、ＳｃａｎＲＧＢ［２］、  …、ＳｃａｎＲＧＢ［ｎ］）を介して上記パネル３００に走査信号を順次に供給することができる。
【００３４】
上記データ駆動部２００は、データ線（ＤａｔａＲＧＢ［１］、ＤａｔａＲＧＢ［２］、…、ＤａｔａＲＧＢ［ｍ］）を介して上記パネル３００にデータ信号を供給することができる。
【００３５】
また、上記パネル３００は、行方向に配列されている複数の走査線（ＳｃａｎＲＧＢ［１］、ＳｃａｎＲＧＢ［２］、…、ＳｃａｎＲＧＢ［ｎ］）と、列方向に配列される複数のデータ線（ＤａｔａＲＧＢ［１］、ＤａｔａＲＧＢ［２］、…、ＤａｔａＲＧＢ［ｍ］）と、上記の複数の走査線（Ｓｃａｎ［１］、Ｓｃａｎ［２］、…、Ｓｃａｎ［ｎ］）及びデータ線（ＤａｔａＲＧＢ［１］、ＤａｔａＲＧＢ［２］、…、ＤａｔａＲＧＢ［ｍ］）によって定義される画素（Ｐｉｘｅｌ）３０１を含むことができる。
【００３６】
ここで、上記画素（Ｐｉｘｅｌ）は、隣合う二つの走査線と隣合う二つのデータ線によって定義される画素領域に形成される。勿論、上述のように上記走査線（Ｓｃａｎ［１］、Ｓｃａｎ［２］、…、Ｓｃａｎ［ｎ］）には、上記走査駆動部１００から走査信号が供給され、上記データ線（Ｄａｔａ［１］、Ｄａｔａ［２］、…、Ｄａｔａ［ｍ］）には上記のデータ駆動部２００からデータ信号が供給される。
【００３７】
上記パネル３００は、外部から第１電源電圧及び第２電源電圧が供給されてそれぞれの画素回路３０１に供給する。第１電源電圧及び第２電源電圧が供給されて画素回路３０１は、それぞれのデータ信号に対応して第１電源電圧から発光素子を経由して第２電源電圧に流れる電流を制御することからデータ信号に対応される発光をする。
【００３８】
図２には、本発明に係る有機電界発光表示パネルを示した平面図が示されている。
【００３９】
図２に示すように、有機電界発光表示パネルは画素部３０２と非画素部３０３とを含む。
【００４０】
上記画素部３０２は、パネルに複数の画素３０１が形成された領域であり、上記複数の画素３０１は有機電界発光素子（ＯＬＥＤ）を含み、上記有機電界発光素子（ＯＬＥＤ）はアノード（ＩＴＯ）、有機薄膜、カソード（Ｍｅｔａｌ）の構造を備える。有機薄膜は、電子と正孔の結合を介して発光する発光層（ＥＭｉｔｔｉｎｇ  Ｌａｙｅｒ、ＥＭＬ）、電子を輸送する電子輸送層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  Ｌａｙｅｒ、ＥＴＬ）及び正孔を輸送する正孔輸送層（Ｈｏｌｅ  Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  Ｌａｙｅｒ、ＨＴＬ）を含む多層構造からなり、また、別途の電子を注入する電子注入層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｉｎｊｅｃｔｉｎｇ  Ｌａｙｅｒ、ＥＩＬ）と正孔を注入する正孔注入層（Ｈｏｌｅ  Ｉｎｊｅｃｔｉｎｇ  Ｌａｙｅｒ、ＨＩＬ）とを含むことができる。すなわち、上記画素部３０２は、発光層（ＥＭＬ）を含むので発光する領域である。上記画素部３０２は、メイン画素部３０２ａとダミー画素部３０２ｂに分けられることができ、上記メイン画素部３０２ａはパネルが有機電界発光表示装置１０００に取り付けられて製品として完成された時、有機電界発光素子（ＯＬＥＤ）の発光層が発光する領域として、すなわち、映像が表示されることで使用者が見ることのできる領域である。上記ダミー画素部３０２ｂは、上記メイン画素部３０２ａと同一な構造になっているが、有機電界発光表示装置１０００の内側に位置して実質的には映像を表示しない領域であり、メイン画素部３０２ａを形成する時に追加的にダミーとして形成された領域である。上記画素部３０２の複数の画素３０１の間に行方向にスペーサー形成部３０４が形成される。上記スペーサー形成部３０４は、行方向に形成された複数のスペースを含み、上記スペーサーはメイン画素部３０２ａとダミー画素部３０２ｂに同一に形成される。
【００４１】
上記非画素部３０３は、有機電界発光表示装置３００において、上記画素部３０２以外の領域、すなわち、画素３０１が形成されない領域であり、上記画素部３０２を保護するためのダミー領域である。上記非画素部３０３の内にスペーサー形成部３０４が行方向に画素部３０２から延長されて形成され、上記スペーサー形成部３０４は行方向に形成された複数のスペーサーを含む。上記非画素部３０３にスペーサー形成部３０４が形成されなければ、外部衝撃からパネルの画素部３２０を保護することができない。
【００４２】
図３には、本発明の一実施形態に係る有機電界発光表示パネルを拡大して示した平面図が示されている。図３の有機電界発光表示パネルを拡大して示した平面図は、図２の有機電界発光表示パネルの一部を拡大して示したものである。図２の有機電界発光表示パネルの画素部３０２は、図３と同一な構造であり、非画素部３０２は画素が形成されないので、スペーサー３４０のみ図３と同一な構造になっている。図３の有機電界発光表示パネルは、高精細マスク（Ｆｉｎｅ  Ｍｅｔａｌ  Ｍａｓｋ  Ｓｌｉｔ）３７０を介して発光層３５３が形成される場合を示したものである。
【００４３】
図３に示すように、有機電界発光表示パネルは、発光層３５３とスペーサー３４０とを含む。
【００４４】
上記発光層３５３は、画素３０１（図２参照）に対応する領域に形成され、上記発光層３５３は赤色発光層３５３Ｒ、緑色発光層３５３Ｇ及び青色発光層３５３Ｂのそれぞれの領域別にレーザーによる熱転写法（ＬＩＴＩ）で高精細マスク（Ｆｉｎｅｅ  Ｍｅｔａｌ  Ｍａｓｋ、３７０）を利用して形成することができる。図３で赤色発光層３５３Ｒを形成するためには上記赤色発光層３５３Ｒのうち赤色発光層３５３Ｒが形成される列のみ露出させるスリット３７１を有する高精細マスク３７０を配置する。上記高精細マスク３７０の露出した領域で赤色発光層を積層し、高精細マスク３７０を移動させて次の列の赤色発光層を積層する方式として順次に赤色発光層３５３Ｒを積層させる。上記緑色発光層３５３Ｇ及び青色発光層３５３Ｂも赤色発光層３５３Ｒと同一な方法で順次に積層させる。この時、行方向に形成された奇数発光層と偶数発光層との間に形成された奇数スペーサーと、行方向に形成された偶数発光層と次の行の奇数発光層との間に形成された偶数スペーサーの分離領域をお互いに異なる列に配することで、上記高精細マスク３７０がスペーサーにかかることを防止することができる。上記発光層３５３は、奇数発光層３５３ａと偶数発光層３５３ｂとを含み、奇数発光層３５３ａは画素部の奇数番目の行の発光層として奇数番目の行の画素３０１（図２参照）に対応する領域に形成され、偶数発光層３５３ｂは画素部の偶数番目の行の発光層として偶数番目の行の画素３０１（図２参照）に対応する領域に形成される。
【００４５】
上記スペーサー３４０は、スペーサー形成部（図２参照、３０４）に対応する領域に行方向に形成され、奇数スペーサー３４０ａと偶数スペーサー３４０ｂとを含む。上記奇数スペーサー３４０ａは、奇数番目の行のスペーサーとして奇数番目の行の発光層３５３ａと偶数番目の行の発光層３５３ｂとの間に形成されたスペーサーであり、偶数スペーサー３４０ｂは偶数番目の行のスペーサーとして偶数番目の行の発光層３５３ｂと次の奇数番目の行の発光層３５３ａとの間に形成されたスペーサーである。上記スペーサー３４０は、行方向に分離して形成され、上記奇数スペーサー３４０ａと偶数スペーサー３４０ｂの分離領域３４５は他の部分に形成される。上記スペーサー３４０の横の長さは、二つの発光層の横の長さより長く、三つの発光層の横の長さより短くて上記分離領域３４５より長く、上記分離領域３４５は一つの発光層の横の長さより短く形成される。上記発光層３５３は、列方向には同一な色相の発光層が形成され、行方向には赤色発光層３５３Ｒ、緑色発光層３５３Ｇ及び青色発光層３５３Ｂが順次に形成される時、奇数スペーサーの分離領域３４５は緑色発光層３５３Ｇが形成された列に形成され、その次の列に形成された青色発光層３５３Ｂの列には形成されず、その次の列に形成された赤色発光層３５３Ｒが形成された列に形成される。この時、偶数スペーサーの分離領域３４５は、奇数スペーサーの分離領域がある列には形成されず、奇数スペーサーの分離領域３４５のない列には形成される。すなわち、奇数スペーサーの分離領域３４５と偶数スペーサーの分離領域３４５は同一な列には形成されない。これによって、発光層が形成される時、高精細マスク３７０を用いて形成すれば、高精細マスク３７０のスリット３７１が分離領域３４５にかかる現象を防止することができる。上記スペーサー３４０に分離領域３４５が形成されないと、スペーサー３４０が形成された後に一体型に形成されるカソード（Ｃａｔｈｏｄｅ）電極がスペーサーの段差によって短絡して有機電界発光表示パネルの不良が発生する可能性があるので、分離領域３４５は必要である。
【００４６】
図４ａには、図３の４ａ−４ａ線に沿った概略的な断面図が示されており、図４ｂには図３の４ｂ−４ｂ線に沿ったスペーサーの断面図が示されており、図４ｃには図３の４ｃ−４ｃ線に沿ったスペーサーの断面図が示されている。
【００４７】
上記図４ａ、４ｂ及び図４ｃに示された有機電界発光表示パネル３００及びスペーサー３４０は、実際の大きさ、厚さ及び長さなどに正確に比例せず、本発明の理解のために誇張または単純化されている。一例として、図４ａに示された表示パネル３００の発光領域（ＬＥ）と非発光領域（ＮＬＥ）は大体に同一な大きさに示されているが、実際には非発光領域（ＮＬＥ）は発光領域（ＬＥ）に比べて非常に小さな領域である。
【００４８】
上記図４ａに示されたパネル３００は、下部基板３１０と、上記下部基板３１０の上部に形成されたアノード電極３２０と、上記下部基板３１０とアノード電極３２０の上部に形成された画素定義層３３０と、上記画素定義層３３０の上部に突出して形成されたスペーサー３４０と、上記アノード電極３２０と上記画素定義層３３０と上記スペーサー３４０の上部に形成された有機薄膜層３５０及び上記有機薄膜層３５０の上部に形成されたカソード電極３６０とを含む。
【００４９】
先ず、下部基板３１０は、基板３１１と、上記基板３１１の上部に形成されたバッファ層３１２と、上記バッファ層３１２の上部に形成されたアクティブ層３１３と、上記アクティブ層３１３及びバッファ層３１２の上部に形成されたゲート絶縁膜３１４と、上記ゲート絶縁膜３１４の上部に形成されたゲート電極３１５と、上記ゲート絶縁膜３１４及びゲート電極３１５の上部に形成された層間絶縁膜３１６と、上記層間絶縁膜３１６の上部に形成されたソース／ドレイン電極３１７と、上記層間絶縁膜３１６及びソース／ドレイン電極３１７の上部に形成された保護膜３１８及び上記保護膜３１８の上部に形成された平坦化膜３１９とを含むことができる。
【００５０】
上記基板３１０は、通常のガラス基板、プラスチック基板、メタル基板、ポリマー基板及びその等価物の中から選択されたいずれか１つで形成できるが、この基板材質に本発明が限定されるものではない。
【００５１】
上記バッファ層３１２は、基板３１１の上部に形成される。このようなバッファ層３１２は、アクティブ層３１３或いは有機薄膜層３５０の方に水分（Ｈ２Ｏ）、水素（Ｈ２）または酸素（Ｏ２）などが基板３１１を貫通して浸透しないようにする役割を有する。このため、バッファ層３１２は半導体工程中に容易に形成することができるシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）、シリコン窒化膜（Ｓｉ３Ｎ４）、無機膜及びその等価物の中から選択された少なくともいずれか１つで形成できるが、この材質に本発明が限定されるものではない。また、このようなバッファ層３１２は、基板３１１またはアクティブ層３１３の構造によっては省略可能である。
【００５２】
上記アクティブ層３１３は、バッファ層３１２の上部に形成される。このようなアクティブ層３１３は、お互いに対向して両側に形成されたソース／ドレイン領域と、ソース／ドレイン領域の間に形成されたチャネル領域からなることができる。このようなアクティブ層３１３は、非晶質シリコン（ａｍｏｒｐｈｏｕｓ  Ｓｉ）、多結晶シリコン（ｐｏｌｙ  Ｓｉ）、有機薄膜、マイクロシリコン（ｍｉｃｒｏ  Ｓｉ、非晶質シリコンと多結晶シリコンとの間のグレーンサイズを有するシリコン）及びその等価物の中から選択された少なくともいずれか１つで形成できるが、これらに、本発明におけるアクティブ層３１３の種類が限定されるものではない。また、アクティブ層３１３が多結晶シリコンで形成される場合、アクティブ層３１３は低温でレーザーを用いて結晶化する方法と、金属触媒を用いて結晶化する方法及びその等価方法の中から選択されたいずれか１つの方法で形成できるが、これらに、本発明における多結晶シリコンの結晶化方法が限定されるものではない。
【００５３】
上記ゲート絶縁膜３１４は、アクティブ層３１３の上部に形成される。勿論、このようなゲート絶縁膜３１４は、アクティブ層３１３の外周縁であるバッファ層３１２上にも形成できる。また、ゲート絶縁膜３１４は、半導体工程中に容易に得ることができるシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、無機膜及びその等価物の中から選択された少なくともいずれか１つで形成できるが、これらに、その材質が限定されるものではない。
【００５４】
上記ゲート電極３１５は、アクティブ層３１３のうちチャネル領域に対応するゲート絶縁膜３１４の上部に形成される。このようなゲート電極３１５は、ゲート絶縁膜３１４の下部のチャネル領域に電界を印加することで、チャネル領域に正孔または電子のチャネルが形成されるようにするＦＥＴ（Ｆｉｅｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）構造である。また、ゲート電極１１５は、金属（Ｍｏ、ＭｏＷ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ａｌ、ＡｌＮｄ、Ｃｒ、Ｍｏ合金、Ｃｕ合金、Ａｌ合金など）がドーピングされた多結晶シリコン及びその等価物の中から選択された少なくともいずれか１つで形成できるが、これらに、その材質が限定されるものではない。
【００５５】
上記層間絶縁膜３１６は、ゲート絶縁膜３１４及びゲート電極３１５の上部に形成される。上記層間絶縁膜３１６は、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、ポリマー、プラスチック、ガラスまたはその等価物の中から選択されたいずれか１つで形成できるが、これらに、上記層間絶縁膜３１６の材質が限定されるものではない。上記層間絶縁膜３１６及びゲート絶縁膜３１４の所定領域を蝕刻してアクティブ層３１３の一部を露出させるコンタクトホールを形成する。
【００５６】
上記ソース／ドレイン電極３１７は、層間絶縁膜３１６の上部にＰＥＣＶＤ（Ｐｌａｓｍａ  Ｅｎｈａｎｃｅｄ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、ＬＰＣＶＤ（Ｌｏｗ  Ｐｒｅｓｓｕｒｅ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、スパッタリング及びその等価方法の中から選択されたいずれか１つの方法で形成される。勿論、上記のような工程以後には、フォトレジスト塗布、露光、現像、蝕刻及びフォトレジスト剥離などの工程を介して所望の位置にソースドレイン電極３７０を形成する。上記ソース／ドレイン電極３１７とアクティブ層３１３のソース／ドレイン領域との間には、上記層間絶縁膜３１６を貫通する導電性コンタクト（Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  ｃｏｎｔａｃｔ）を形成する。勿論、上記導電性コンタクトは、上述のようにあらかじめ形成されたコンタクトホールを介して形成される。
【００５７】
上記保護膜３１８は、ソース／ドレイン電極３１７及び層間絶縁膜３１６の上部に形成されてソース／ドレイン電極３１７などを保護する役割を有する。このような保護膜３１８は、通常の無機膜及びその等価物の中から選択されたいずれか１つで形成できるが、これらに、本発明における上記保護膜３１８の材質が限定されるものではない。
【００５８】
上記平坦化膜３１９は、保護膜３１８の上部に形成される。このような平坦化膜３１９は、有機薄膜層３５０及びそのカソード電極が段差によって短絡、断線されることを防止する役割を有し、ＢＣＢ（Ｂｅｎｚｏ  Ｃｙｃｌｏ  Ｂｕｔｅｎｅ）、アクリル（Ａｃｒｙｌｉｃ）及びその等価物の中から選択された少なくともいずれか１つで形成できるが、これらに、その材質が限定されるものではない。  上記平坦化膜３１９が形成された後、上記保護膜３１８及び平坦化膜３１９には上記ソース／ドレイン電極３１７に対応する領域を蝕刻してビアホールを形成する。
【００５９】
次に、アノード電極３２０は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｕｉｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＴＯ／Ａｇ、ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯ、ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、銀合金（ＩＴＯ／Ａｇ合金／ＩＴＯ）及びその等価物の中から選択された少なくともいずれか１つで形成できるが、これらに、本発明における上記アノード電極３２０の材質が限定されるものではない。上記ＩＴＯは、仕事関数が均一で有機電界発光薄膜に対する正孔注入障壁が小さい透明導電膜であり、上記Ａｇは、前面発光方式で特に有機電界発光薄膜からの光を上面に反射させる膜である。上記ソース／ドレイン電極３１７とアノード電極３２０との間には、保護膜３１８及び平坦化膜３１９を貫通する導電性ビアを形成する。このような導電性ビアは、上記アノード電極３２０と上記アクティブ層３１３のソース／ドレイン領域を電気的に連結する役割を有する。また、上記アノード電極３２０は、開口率を最大にするためにトランジスタ構造に対応する領域３１３、３１４、３１５、３１７以外の領域すなわち、発光領域（ＬＥ）に形成できる。
【００６０】
次に、画素定義層３３０は、平坦化膜３１９及びアノード電極３２０の上部に形成される。また、画素定義層３３０は、画素の開口率を高めるためにトランジスタ構造に対応する領域３１３、３１４、３１５、３１７、すなわち、非発光領域（ＮＬＥ）に形成される。このような画素定義層１３０は、それぞれの有機電界発光素子の間の境界を明確に区別させて画素の間の発光境界領域が明確になるようにする。このような画素定義層３３０は、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）及びその等価物の中から選択された少なくともいずれか１つで形成できるが、これらに、上記画素定義膜３３０の材質が限定されるものではない。
【００６１】
次に、スペーサー３４０は、上記画素定義層３３０の上部に突出されている形状に形成される。上記スペーサーは、有機電界発光表示装置のパネルが外部の圧力から損傷されることを阻むために必要である。すなわち、上記スペーサー３４０の形成によって有機電界発光表示パネルは、上部に余裕空間を有し、外部の圧力から上記有機電界発光表示パネルが損傷されることを防止するようになる。このようなスペーサー３４０は、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）及びその等価物の中から選択された少なくともいずれか１つで形成できるが、これらに、スペーサー３４０の材質が限定されるものではない。
【００６２】
次に、有機薄膜層３５０は、アノード電極３２０と、画素定義層３３０及びスペーサー３４０の上部に形成される。上記有機薄膜層３５０は、正孔注入層３５１と、正孔輸送層３５２と、発光層３５３と、電子輸送層３５４及び電子注入層３５５とを含む。上記発光層３５３を除いた残りの有機薄膜層３５１、３５２、３５４、３５５は有機電界発光表示装置の下部基板３１０の全面にかけて形成される。そして、発光層３６３は、上記アノード電極１２０が形成された上部に対応して発光領域（ＬＥ）にレーザーによる熱転写法（ＬＩＴＩ）で高精細マスク（ＦＭＭ）を利用して形成される。上記スペーサー３４０は、奇数スペーサーと偶数スペーサーの分離領域が他の所に形成されて発光層３５３が高精細マスク（Ｆｉｎｅｅ  Ｍｅｔａｌ  Ｍａｓｋ）を利用して形成される時、高精細マスク（Ｆｉｎｅｅ  Ｍｅｔａｌ  Ｍａｓｋ）のスリット３７１がかかることを防止することができる。
【００６３】
次に、カソード電極３６０は、電子注入層３５５の上部に有機電界発光表示装置の下部基板３１０の全面にかけて形成される。上記カソード電極３６０は、一体型に形成されるので、下部にスペーサー３４０と画素定義層３３０により発生される段差によって短絡する可能性がある。したがって、上記画素定義層３３０とスペーサー３４０の側面は傾斜面に形成し、スペーサー３４０に分離領域を形成してカソード電極３６０の短絡を防止することができる。上記側面は、行方向の第１側面３４３（図４ｂ参照）と列方向の第２側面３４４（図４ｃ参照）に分けられる。
【００６４】
図４ｂのスペーサーは、上面３４１と、下面３４２と、第１側面３４３とを含む。上記上面３４１の縦の長さ（ＶＴＬ）は下面３４２の縦の長さより短く、上記下面３４２の縦の長さ（ＶＢＬ）は偶数発光層と奇数発光層がお互いに離隔された距離より短く形成される。上記上面３４１の縦の長さ（ＶＴＬ）は、上面３４１と下面３４２との間に形成される側面が傾斜面に形成されてカソード電極の短絡を防止し、上記下面３４２の長さ（ＶＢＬ）はスペーサー３４０が発光層の間に形成されて上記発光層を外部衝撃から保護するが、非発光領域（図４ａ  参照、ＮＬＥ）に形成しなければならないので、偶数発光層と奇数発光層がお互いに離隔された距離より短く形成される。上記第１側面３４３は、カソード電極３６０の短絡を防止するために傾斜面に形成され、上記第１側面３４３と下面３４２の傾斜角度（ａ）は３０゜ないし６０゜にすることができる。上記第１側面３４３の傾斜角度（ａ）が、３０゜以下であれば、発光層（図４ａ参照、３５３）形成時に発光層が所望しない他の発光層に流入する可能性があり、６０゜以上であれば、スペーサーの上部に形成されるカソード電極がスペーサーの段差によって短絡する可能性がある。
【００６５】
図４ｃのスペーサーは、上面３４１と、下面３４２と、第２側面３４４とを含む。上記上面３４１の横の長さ（ＨＴＬ）は、下面３４２の横の長さ（ＨＢＬ）より短く、上記下面３４２の横の長さ（ＨＢＬ）は発光層一つの横の長さより長くて四つの横の長さより短い。上記上面３４１の横の長さ（ＨＴＬ）は、上面３４１と下面３４２との間に形成される側面が傾斜面に形成されてカソード電極の短絡を防止するためのものである。上記下面３４２の横の長さ（ＨＢＬ）が発光層一つの横の長さより短く形成されば、発光層形成時に用いられる高精細マスク（ＦＭＭ）のスリット３７１がスペーサー３４０によってかかる可能性があり、四つの横の長さより長く形成されば、スペーサー３４０の上部に一体型に形成されるカソードがスペーサー３４０の段差によって短絡する可能性がある。上記第２側面３４４は、カソード電極の短絡を防止するために傾斜面に形成され、上記第２側面３４２の傾斜角度（ａ）は、上記第１側面の傾斜角度と同一に３０゜ないし６０゜にすることができる。上記第２側面３４４と下面３４２との傾斜角度（ａ）が、３０゜以下であれば、発光層（図４ａ参照、３５３）形成時に発光層が所望しない他の発光層に流入する可能性があり、６０゜以上であれば、スペーサー３４０の上部に形成されるカソード電極３６０がスペーサーの段差によって短絡する可能性がある。
【００６６】
図５には、本発明の他の実施形態に係る有機電界発光表示パネルを拡大して示した平面図が示されている。図５の有機電界発光表示パネルを拡大して示した平面図は、図２の有機電界発光表示パネルの一部を拡大して示したものである。図２の有機電界発光表示パネルの画素部３０２は、図５と同一な構造になっており、非画素部３０２は画素が形成されないので、スペーサー４４０のみ図５と同一な構造になっている。上記スペーサー４４０の大きさ及び形態は、図４ａと図４ｂ及び図４ｃと同一である。図５の有機電界発光表示パネルは、高精細マスク（Ｆｉｎｅ  Ｍｅｔａｌ  Ｍａｓｋ  Ｓｌｉｔ、３７０）を介して発光層３５３が形成される場合を示したものである。
【００６７】
図５に示すように、有機電界発光表示パネルは、スペーサー４４０を除いて図３に示された一実施形態と同じ構造を有する。一実施形態と異なるスペーサー４４０を主に詳しく説明すると、上記スペーサー４４０はスペーサー形成部３０４（図２参照）に対応する領域に行方向に形成され、奇数スペーサー４４０ａと偶数スペーサー４４０ｂとを含む。上記奇数スペーサー４４０ａは、奇数番目の行のスペーサーとして奇数番目の行の発光層３５３ａと偶数番目の行の発光層３５３ｂとの間に形成されたスペーサーであり、偶数スペーサー４４０ｂは偶数番目の行のスペーサーとして偶数番目の行の発光層３５３ｂと奇数番目の行の発光層３５３ａとの間に形成されたスペーサーである。上記スペーサー４４０は、行方向に分離して形成され、上記奇数スペーサー４４０ａと偶数スペーサー４４０ｂの分離領域４４５は他の部分に形成される。上記スペーサー４４０の横の長さは、二つの発光層の横の長さより長く、三つの発光層の横の長さより短くて上記分離領域４４５より長く、上記分離領域４４５は一つの発光層の横の長さより長くて二つの発光層の横の長より短い。上記分離領域４４５が一つの発光層の横の長さより長くなるようにすれば、一つの発光層が横の長さより短く形成する時に比べてさらに容易にカソード電極が短絡されることを防止することができ、二つの発光層の横の長さより長くなるようになれば、上記スペーサーより分離領域が大きくなることから高精細マスク３７０のスリット３７１がスペーサーにかかるようになるので、スペーサーを分離領域より大きく形成することが好ましい。上記発光層３５３には、列方向に同一な色相の発光層が形成され、行方向には赤色発光層３５３Ｒと、緑色発光層３５３Ｇ及び青色発光層３５３Ｂが順次に形成される。奇数スペーサーの分離領域４４５は、緑色発光層３５３Ｇが形成された列には形成され、その次の列に形成された青色発光層３５３Ｂと赤色発光層３５３Ｇの列には形成されず、その次の列に形成された緑色発光層３５３Ｇが形成された列には形成されるようになる。この時、偶数スペーサーの分離領域４４５は、奇数スペーサーの分離領域のある列には形成されず、奇数スペーサーの分離領域４４５のない列には形成されるようになる。すなわち、奇数スペーサーの分離領域４４５と偶数スペーサーの分離領域４４５は、同一な列には形成されない。これによって、発光層が形成される時、高精細マスク３７０を用いて形成すれば、高精細マスク３７０のスリット３７１が分離領域４４５にかかる現象を防止することができる。上記スペーサー４４０に分離領域４４５が形成されなければ、スペーサー４４０が形成された後に一体型に形成されるカソード（Ｃａｔｈｏｄｅ）電極がスペーサーの段差によって短絡して有機電界発光表示パネルの不良が発生する可能性があるので、分離領域４４５は必要である。
【００６８】
図６には、本発明の他の実施形態による有機電界発光表示パネルを拡大して示した平面図が示されている。図６の有機電界発光表示パネルを拡大して示した平面図は、図２の有機電界発光表示パネルの一部を拡大して示したものである。図２の有機電界発光表示パネルの画素部３０２は、図６と同一な構造になっており、非画素部３０２は画素が形成されないので、スペーサー５４０のみ図６と同一な構造になっている。上記スペーサー５４０の大きさ及び形態は、図４ａと図４ｂ及び図４ｃと同一である。図６の有機電界発光表示パネルは、高精細マスク（Ｆｉｎｅ  Ｍｅｔａｌ  Ｍａｓｋ  Ｓｌｉｔ、３７０）を介して発光層３５３が形成される場合を示したものである。
【００６９】
図６に示すように、有機電界発光表示パネルは、スペーサー５４０を除いて図３に示された一実施形態と同一な構造を有する。一実施形態と異なるスペーサー５４０を主に詳しく説明すると、上記スペーサー５４０はスペーサー形成部３０４（図２参照）に対応する領域に行方向に形成され、奇数スペーサー５４０ａと偶数スペーサー５４０ｂとを含む。上記奇数スペーサー５４０ａは、奇数番目の行のスペーサーとして奇数番目の行の発光層３５３ａと偶数番目の行の発光層３５３ｂとの間に形成されたスペーサーであり、偶数スペーサー５４０ｂは偶数番目の行のスペーサーとして偶数番目の行の発光層３５３ｂと奇数番目の行の発光層３５３ａとの間に形成されたスペーサーである。上記スペーサー５４０は、行方向に分離して形成され、上記奇数スペーサー５４０ａと偶数スペーサー５４０ｂの分離領域５４５は他の部分に形成される。上記スペーサー５４０の横の長さは、一つの発光層の横の長さより長く、二つの発光層の横の長さより短くて上記分離領域５４５より長く、上記分離領域５４５は一つの発光層の横の長さより短い。上記分離領域５４５が上記スペーサー５４０より長くなると、発光層形成時に高精細マスク３７０のスリット３７１がスペーサーにかかるようになるので、スペーサーを分離領域より大きく形成することが好ましい。上記発光層３５３には、列方向には同一な色相の発光層が形成され、行方向には赤色発光層３５３Ｒと、緑色発光層３５３Ｇ及び青色発光層３５３Ｂが順次に形成される。奇数スペーサーの分離領域５４５は、赤色発光層３５３Ｒ、緑色発光層３５３Ｇ及び青色発光層３５３Ｂが形成された列に形成され、偶数スペーサーの分離領域５４５は奇数スペーサーの分離領域が形成されない、すなわち、発光層が形成されない列に形成されるようになる。すなわち、奇数スペーサーの分離領域５４５と偶数スペーサーの分離領域５４５は、同一な列には形成されない。これによって、発光層が形成される時、高精細マスク３７０を用いて形成すれば、高精細マスク３７０のスリット３７１が分離領域５４５にかかる現象を防止することができる。上記スペーサー５４０に分離領域５４５が形成されないと、スペーサー５４０が形成された後に一体型に形成されるカソード（Ｃａｔｈｏｄｅ）電極がスペーサーの段差によって短絡して有機電界発光表示パネルの不良が発生する可能性があるので、分離領域５４５は必要である。
【００７０】
図７には、本発明の他の実施形態に係る有機電界発光表示パネルを拡大して示した平面図が示されている。図７の有機電界発光表示パネルを拡大して示した平面図は、図２の有機電界発光表示パネルの一部を拡大して示したものである。図２の有機電界発光表示パネルの画素部３０２は、図７と同一な構造になっており、非画素部３０２は画素が形成されないので、スペーサー６４０のみ図７と同一な構造になっている。上記スペーサー６４０の大きさ及び形態は、図４ａと図４ｂ及び図４ｃと同一である。図７の有機電界発光表示パネルは、高精細マスク（Ｆｉｎｅ  Ｍｅｔａｌ  Ｍａｓｋ  Ｓｌｉｔ、３７０）を介して発光層３５３が形成される場合を示したものである。
【００７１】
図７に示すように、有機電界発光表示パネルは、スペーサー６４０を除いて図３に示された一実施形態と同一な構造を有する。一実施形態と異なるスペーサー６４０を主に詳しく説明すると、上記スペーサー６４０はスペーサー形成部（図２参照、３０４）に対応する領域に行方向に形成され、奇数スペーサー６４０ａと偶数スペーサー６４０ｂとを含む。上記奇数スペーサー６４０ａは、奇数番目の行のスペーサーとして奇数番目の行の発光層３５３ａと偶数番目の行の発光層３５３Ｂとの間に形成されたスペーサーであり、偶数スペーサー６４０ｂは偶数番目の行のスペーサーとして偶数番目の行の発光層３５３Ｂと奇数番目の行の発光層３５３ａとの間に形成されたスペーサーである。上記スペーサー６４０は、行方向に分離して形成され、上記奇数スペーサー６４０ａと偶数スペーサー６４０ｂの分離領域６４５は他の部分に形成される。上記スペーサー６４０の横の長さは三つの発光層の横の長さより長くて四つの発光層の横の長さより短くて上記分離領域６４５より長く、上記分離領域６４５は一つの発光層の横の長さより短い。上記分離領域６４５が上記スペーサー６４０より長くなると、発光層形成時に高精細マスクのスリット３７１がスペーサー６４０にかかるようになるので、スペーサーを分離領域より大きく形成することが好ましい。上記スペーサー６４０が発光層の四つの横の長さより長くなると、スペーサーによってスペーサー６４０の上部に一体型に形成されるカソード電極が短絡する可能性がある。上記奇数スペーサーの分離領域６４５と偶数スペーサーの分離領域６４５は、同一な列には形成されない。これによって、発光層が形成される時、高精細マスク３７０を用いて形成すれば、高精細マスク３７０のスリット３７１が分離領域６４５にかかる現象を防止することができる。上記スペーサー６４０に分離領域６４５が形成されなければ、スペーサー６４０が形成された後に一体型に形成されるカソード（Ｃａｔｈｏｄｅ）電極がスペーサーの段差によって短絡して有機電界発光表示パネルの不良が発生する可能性があるので、分離領域６４５は必要である。
【００７２】
以上、上述の実施例は、本発明に係る有機電界発光表示装置を実施するための一実施例に過ぎず、本発明が上述した特定の好適な実施例に限定されるものではなく、特許請求範囲に記載された本発明の基本概念に基づき、当該技術分野における通常の知識を有する者であれば、様々な実施変形が可能であり、そのような変形は本発明の特許請求範囲に属するものである。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】本発明による有機電界発光表示装置を示したブロック図である。
【図２】本発明による有機電界発光表示パネルを示した平面図である。
【図３】本発明の一実施形態による有機電界発光表示パネルを拡大して示した平面図である。
【図４ａ】図３の４ａ−４ａ線に沿った概略的な断面図である。
【図４ｂ】図３の４ｂ−４ｂ線に沿ったスペーサーの断面図である。
【図４ｃ】図３の４ｃ−４ｃ線に沿ったスペーサーの断面図である。
【図５】本発明の他の実施形態による有機電界発光表示パネルを拡大して示した平面図である。
【図６】本発明の他の実施形態による有機電界発光表示パネルを拡大して示した平面図である。
【図７】本発明の他の実施形態による有機電界発光表示パネルを拡大して示した平面図である。
【符号の説明】
【００７４】
１０００  有機電界発光表示装置
１００    走査駆動部
２００    データ駆動部
３００    有機電界発光表示パネル
３０１    画素回路
３０２    画素部
３０２ａ  メイン画素部
３０２ｂ  ダミー画素部
３０３    非画素部
３０４    スペーサー生成部
３１０    下部基板
３２０    アノード電極
３３０    画素定義層
３４０    スペーサー
３４１    上面
３４２    下面
３４３    第１側面
３４４    第２側面
３４５    分離領域
３５０    有機薄膜層
３６０    カソード電極
３７０    高精細マスク
３７１    スリット
【図１】
0004555363.tif 000002
【図２】
0004555363.tif 000003
【図３】
0004555363.tif 000004
【図４ａ】
0004555363.tif 000005
【図４ｂ】
0004555363.tif 000006
【図４ｃ】
0004555363.tif 000007
【図５】
0004555363.tif 000008
【図６】
0004555363.tif 000009
【図７】
0004555363.tif 000010