(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース基板と、
前記ベース基板上の少なくとも一部に設けられたランド導体層と、
前記ベース基板上及び前記ランド導体層上に設けられ、前記ランド導体層に至るビアホールを有し、ガラス繊維を含有する絶縁層と、
前記ビアホールの表面上及び前記ビアホールの少なくとも開口近傍の前記絶縁層表面を覆い、かつ前記ランド導体層と接続するビア導体層と、
前記ビアホールの表面と前記ビア導体層との間に設けられ、前記絶縁層内のガラス繊維を介した前記ビア導体層へのマイグレーションを防ぐためのブロック層とを備え、
前記ブロック層は、少なくとも前記絶縁層内の前記ガラス繊維がある最上端から最下端までの範囲の前記絶縁層内壁を覆っており、かつ前記ブロック層の下端は、前記ランド導体層の表面よりも上にあり接しないことを特徴とする、プリント配線板。
【請求項２】
請求項１に記載のプリント配線板であって、
前記絶縁層はガラス繊維が埋設された樹脂層からなることを特徴とするプリント配線板。
【請求項３】
請求項１に記載のプリント配線板であって、
前記ブロック層は絶縁層からなることを特徴とするプリント配線板。
【請求項４】
請求項１に記載のプリント配線板であって、
前記ブロック層は樹脂層からなることを特徴とするプリント配線板。
【請求項５】
ａ）ベース基板を準備するステップと、
ｂ）前記ベース基板上の少なくとも一部にランド導体層を設けるステップと、
ｃ）前記ベース基板上及び前記ランド導体層を覆うように、ガラス繊維を含有する絶縁層を設けるステップと、
ｄ）前記ランド導体層上方の前記絶縁層に第１のビアホールを設けるステップと、
ｅ）前記第１のビアホール内に前記ランド導体層に至る第２のビアホールを設けると共に、前記第１のビアホールの表面に、前記絶縁層内のガラス繊維を介したマイグレーションを防ぐためのブロック層を設けるステップと、
ｆ）前記第２のビアホールの表面、前記ブロック層、及び前記第１のビアホールの少なくとも開口近傍の前記絶縁層表面を覆い、かつ前記ランド導体層に接続するビア導体層を設けるステップとを備え、
前記第１のビアホールの深さは、前記絶縁層内の前記ガラス繊維がある最下端よりも深く、かつ前記ランド導体層の表面よりも浅く、
前記第２のビアホール及び前記ブロック層を設けるステップ（ｅ）は、
前記第１のビアホールを絶縁材料で充填するステップと、
前記充填された絶縁材料、及び前記第１のビアホールの底部と前記ランド導体層の表面との間の前記絶縁層のうち、前記絶縁材料の表面から前記ランド導体層の表面に至る柱状部分を、前記第１のビアホールの側面上の所定の厚さの絶縁材料を残すように取り除くステップとを含むことを特徴とする、プリント配線板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリント配線板及びその製造方法に関し、さらに詳しくは、コア層等のベース基板を含むプリント配線板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、プリント配線板の中でも実装密度の向上が可能なビルドアップ配線板が注目されている。図２０に示すように、ビルドアップ配線板はベースとなるコア層５００に複数のビルドアップ層６００を積み上げた構造となり、ビルドアップ層６００には層間を導通させるための複数のビア７００が形成される。
【０００３】
高密度実装を実現するためには、ビア間の距離（ピッチ）も短くする必要があるが、ビア間のピッチが短いとマイグレーション又はバックプレーティングにより短絡が発生する。マイグレーションとは、金属が絶縁層と接触している場合、絶縁層が水を吸着し、金属が絶縁層内部に移行する現象をいう。プリント配線板では、主に以下の２つの原因によりマイグレーションによる短絡が発生する。
【０００４】
（１）ＣＡＦ（Conductive Anodic Filaments）によるマイグレーション発生
プリント配線板にはガラスエポキシ樹脂材が絶縁層として利用される。ガラスエポキシ樹脂材は、ガラス繊維にエポキシ樹脂を含浸させたものである。銅めっき法によりガラスエポキシ樹脂層にビアを形成する場合、銅めっき法に使用される薬液がガラスエポキシ樹脂層内のガラス繊維とエポキシ樹脂との隙間に入り込む。この状態でプリント配線板に高温高湿バイアス試験を行うと、薬液の水分により銅めっきの一部がイオン化し、ガラス繊維とエポキシ樹脂との隙間を移動した後析出する（マイグレーション）。その結果、ビア間で短絡が発生する。
【０００５】
（２）ホローファイバ（Hollow Fiber）現象によるマイグレーション発生
プリント配線板に使用されるガラスエポキシ樹脂層に含まれる複数のガラス繊維には、中空のガラス繊維もある。プリント配線板に高温高湿バイアス試験を行ったとき、その中空のガラス繊維内を銅イオンが移動し、析出することでビア間に短絡が発生する。
【０００６】
一方、バックプレーティングとは、ガラスエポキシ樹脂層のガラス繊維とエポキシ樹脂とに隙間がある場合、銅めっき法による銅めっき層を形成する際に、その隙間が銅めっきされる現象であり、バックプレーティングによってもビア間で短絡が発生する。
【０００７】
これらの短絡を抑制するためには、ビア間のピッチをある程度広くする必要がある。そのためビア間のピッチを狭めることができず、実装密度を高めることができない。また、ビア間のピッチをある程度確保しても、マイグレーションやバックプレーティングによる短絡は発生する可能性があり、信頼性にも問題が生じる。
【特許文献１】特開平９−３１２４６１号公報
【特許文献２】特開平９−２３７９５０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、短絡の発生を防止できるプリント配線板及びその製造方法を提供することである。
【０００９】
また、本発明の他の目的は、高密度実装が可能なプリント配線板及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明によるプリント配線板は、ベース基板と、ランド導体層と、絶縁層と、ビア導体層と、ブロック層とを備える。ランド導体層はベース基板上の少なくとも一部に設けられる。絶縁層はベース基板上及びランド導体層上に設けられ、ランド導体層に至るビアホールを有し、ガラス繊維を含有する。ビア導体層はビアホールの表面上及びビアホールの少なくとも開口近傍の絶縁層表面を覆い、かつランド導体層と接続する。ブロック層はビアホールの表面とビア導体層との間に設けられ、絶縁層内のガラス繊維を介したビア導体層へのマイグレーションを防ぐためのものである。なお、ここでいうベース基板は、コア層だけでなく、ビルドアップ層も含む。
【００１１】
本発明によるプリント配線板は、ビア導体層と絶縁層との間にブロック層が形成される。このブロック層により、ビア導体層と絶縁層とが接触することにより発生するマイグレーションやバックプレーティング現象を防止でき、その結果、短絡を防止できる。さらに、短絡を防止できるため、ビアランド間のピッチを従来よりも狭めることができる。その結果、実装密度を高くできる。
【００１２】
ブロック層は、絶縁層内のガラス繊維がある最上端から最下端までの範囲の絶縁層内壁を覆っている。
【００１３】
マイグレーションやバックプレーティング現象は、絶縁層内のガラス繊維とビア導体層との接触により発生する。よって、絶縁層内のガラス繊維とビア導体層との接触を防止するようにブロック層を形成すれば、短絡は防止できる。
【００１４】
ブロック層の下端は、ランド導体層の表面よりも上にあり接しない。
【００１５】
ブロック層はランド導体層の表面まで形成される必要がない。そのため、プリント配線板の製造において、ブロック層を形成する工程にかかる時間を短縮できる。
【００１６】
好ましくは、絶縁層はガラス繊維が埋設された樹脂層からなる。
【００１７】
好ましくは、ブロック層は絶縁層からなる。
【００１８】
さらに好ましくは、ブロック層は樹脂層からなる。
【００１９】
本発明によるプリント配線板の製造方法は、ａ）ベース基板を準備するステップと、ｂ）ベース基板上の少なくとも一部にランド導体層を設けるステップと、ｃ）ベース基板上及びランド導体層を覆うように、ガラス繊維を含有する絶縁層を設けるステップと、ｄ）ランド導体層上方の絶縁層に第１のビアホールを設けるステップと、ｅ）第１のビアホール内にランド導体層に至る第２のビアホールを設けると共に、第１のビアホールの表面に、絶縁層内のガラス繊維を介したマイグレーションを防ぐためのブロック層を設けるステップと、ｆ）第２のビアホールの表面、ブロック層、及び第１のビアホールの少なくとも開口近傍の絶縁層表面を覆い、かつランド導体層に接続するビア導体層を設けるステップとを備える。
【００２０】
本発明によるプリント配線板は、ビア導体層と絶縁層との間にブロック層が形成される。このブロック層により、ビア導体層と絶縁層とが接触することにより発生するマイグレーションやバックプレーティング現象を防止でき、短絡を防止できる。さらに、短絡を防止できるため、ビアランド間のピッチを従来よりも狭めることができる。その結果、実装密度を高くできる。また、第２のビアホールとブロック層とを共に形成できる。
【００２１】
第２のビアホール及びブロック層を設けるステップ（ｅ）は、第１のビアホールを絶縁材料で充填するステップと、充填された絶縁材料、及び第１のビアホールの底部とランド導体層の表面との間の絶縁層のうち、絶縁材料の表面からランド導体層の表面に至る柱状部分を、第１のビアホールの側面上の所定の厚さの絶縁材料を残すように取り除くステップとを含む。
【００２２】
この場合、第１のビアホールを絶縁材料で充填した後、充填された絶縁材料及び、第１のビアホールとランド導体層の表面との間の絶縁層を加工して第２のビアホールを形成する。このとき、第１のビアホールの側面上の所定の厚さの絶縁材料が残るため、残った絶縁材料がブロック層となる。そのため、ブロック層の形成が容易である。
【００２３】
第１のビアホールの深さは、絶縁層内のガラス繊維がある最下端よりも深く、かつランド導体層の表面よりも浅い。
【００２４】
第１のビアホールを設けるステップで、第１のビアホールをビアランド導体層の表面に至るまで設ける必要がないため、第１のビアホールを設ける時間を短縮できる。また、マイグレーションやバックプレーティング現象は絶縁層内のガラス繊維とビア導体層との接触により発生するため、絶縁層内のガラス繊維とビア導体層との接触を防止するようにブロック層を形成すれば短絡は防止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、図面を参照し、本発明の実施の形態を詳しく説明する。図中同一又は相当部分には同一符号を付してその説明を援用する。
【００２６】
［参考例］
図１を参照して、参考例によるプリント配線板１００は、コア層１と、ビルドアップ層１０とを備える。ビルドアップ層１０は、ビアランド２Ａと、ガラスエポキシ樹脂層３と、ブロック層４Ａと、銅箔５と、ビア導体６とを備える。ビアランド２Ａは銅箔の円板であり、コア層１上に形成される。コア層１上及びビアランド２Ａ上にはガラスエポキシ樹脂層３が形成される。ガラスエポキシ樹脂層３はガラス繊維３Ａにエポキシ樹脂を含浸させたものである。ガラスエポキシ樹脂層３にはビアホール２０が形成される。ビアホール２０はガラスエポキシ樹脂層３の表面からビアランド２Ａの表面までの深さに円柱状に形成される。ビアホール２０の側面にはブロック層４Ａが円筒状に形成される。ブロック層４Ａは熱硬化性の樹脂であり、たとえばエポキシ樹脂である。ブロック層４Ａが形成されたビアホール２０にはビア導体６が形成される。ビア導体６はビアランド２Ａ上に円板状に形成される底部と、ブロック層４Ａの内周面に沿って形成される円筒部と、円筒部の上部に形成される円環部とで構成される。円環部の内周面と円筒部の内周面とはなめらかにつながっている。円環部の外周はビアホール２０よりも大きく、ガラスエポキシ樹脂層３上まで広がっている。ビア導体６は銅めっきで構成されており、後述するように、無電解銅めっきを実施した後、電解銅めっきを実施することで形成される。ガラスエポキシ樹脂層３上であって、ビア導体６の円環部の下には銅箔５が形成される。
【００２７】
プリント配線板１００では、ガラスエポキシ樹脂層３内でガラス繊維３Ａとエポキシ樹脂との間に隙間があったり、一部のガラス繊維３Ａが中空であっても、マイグレーション及びバックプレーティング現象は発生せず、短絡を防止できる。なぜなら、ガラスエポキシ樹脂層３とビア導体６との間にはブロック層４Ａがあるため、ビア導体６を構成する銅めっきや銅めっきに使用した薬液が、ガラス繊維３Ａとエポキシ樹脂との隙間や中空のガラス繊維内に浸透しないからである。
【００２８】
なお、図１ではビアランド２Ａは円板状としたが、他の形状であってもよい。また、ビアホール２０は円柱状に形成されるとしたが、円錐状に形成されてもよいし、他の形状に形成されてもよい。
【００２９】
以上の構成を有するプリント配線板１００の製造方法について説明する。図２〜図１１は図１に示したプリント配線板１００の製造方法を説明するための断面図である。図２を参照して、コア層１はガラスエポキシ樹脂材で構成される。コア層１の上面及び下面には銅箔２が形成される。図３に示すように、コア層１上に形成された銅箔２はサブトラクティブ工法によりエッチングされ、ビアランド２Ａを形成する。
【００３０】
ビアランド２Ａを形成後、図４に示すように、コア層１及びビアランド２Ａ上にガラスエポキシ樹脂層３を半硬化させたプリプレグを載せ、さらにそのガラスエポキシ樹脂層３上に銅箔５を載せて真空状態で加熱しながら積層プレス機で圧着させる（ラミネーション）。このときのガラスエポキシ樹脂層３の厚みはたとえば６０μｍであり、銅箔５の厚みはたとえば１２μｍである。
【００３１】
ラミネーション後、図５及び図６に示すように、ビア形成のために銅箔５及びガラスエポキシ樹脂層３にビアホールを形成する。初めに、ビアホールの形成を容易にするために、図５に示すように銅箔５をソフトエッチングし、銅箔５の厚みを数μｍにする。ソフトエッチング後、図６に示すように銅箔５及びガラスエポキシ樹脂層３にビアホール２０を形成する。ビアホール２０の形成にはＵＶ（Ultra Violet rays：紫外線）レーザ又は炭
酸ガスレーザが用いられる。ビアホール２０を形成するとき、レーザのエネルギ量は、最初は数μｍの銅箔５を貫通するのに必要な量とする。レーザが銅箔５を貫通後、レーザのエネルギ量をガラスエポキシ樹脂材は加工可能で、かつ、銅は加工できない程度の量に下げる。このようにエネルギ状態を変化させ、銅箔５表面からビアランド２Ａが表出する深さＤ１までレーザ加工する。エネルギ量が小さいためビアランド２Ａはレーザ加工されず、ガラスエポキシ樹脂層３のみレーザ加工され、ビアホール２０が形成される。
【００３２】
レーザ加工後、図７に示すように、スクリーンマスクを用いたスクリーン印刷法によりビアホール２０を樹脂埋めし、絶縁層４を形成する。スクリーンマスクの孔径はビアホール２０の孔径とレーザ加工時の加工精度とスクリーン印刷法におけるスクリーンマスクの位置合わせ精度を考慮して決定される。孔埋め用インクには熱硬化性の樹脂、たとえばエポキシ樹脂が用いられる。スクリーン印刷法によりビアホール２０に絶縁層４を形成した後、図８に示すように絶縁層４のうち銅箔５の表面から突出した部分を研磨する。
【００３３】
研磨により絶縁層４と銅箔５との表面の段差をなくした後、図９に示すように、レーザ加工により絶縁層４にビアホール３０を形成する。レーザはＵＶレーザでも炭酸ガスレーザでもよい。エネルギ量は絶縁層４を加工できるが銅を加工できない程度の量とする。レーザ加工によりビアホール３０を形成することで絶縁層４は円筒状のブロック層４Ａになるが、円筒の（外径−内径）／２（＝Ｗとする）が数μｍ程度となるようにレーザ加工を行う。このとき加工されるビアホール３０の孔径はたとえば３０〜５０μｍである。
【００３４】
ブロック層４Ａにビアホール３０を加工後、図１０及び図１１に示すようにビア導体６を形成する。初めに、図１１に示すように無電解銅めっき法により表面に数μｍの銅めっき層６０を形成し、その後、電解銅めっき法により銅めっき層６０の厚みを１０数μｍに増やす。銅めっき層６０を形成後、図１１に示すようにサブトラクティブ法により不要な銅めっき層６０を除去してビア導体６を形成する。
【００３５】
以上の工程により、プリント配線板１００ではビア導体６とガラスエポキシ樹脂層３との間にブロック層４Ａが形成されるため、ビア導体６とガラスエポキシ樹脂層３とは直接接触しない。その結果、マイグレーション及びバックプレーティング現象を抑制でき、短絡を防止できる。
【００３６】
［本発明の実施の形態］
図１２を参照して、本発明の実施の形態によるプリント配線板２００は、図１のプリント配線板１００と比較して、ブロック層４Ａの代わりにブロック層４Ｂが形成される。プリント配線板１００（図１）中のブロック層４Ａはビア導体６の周りに円筒に形成され、その下部がビアランド２Ａと接していのに対し、プリント配線板２００中のブロック層４Ｂはビア導体６の周りに円筒に形成されるが、その下部はビアランド２Ａと接しない。つまり、ブロック層４Ｂの下部とビアランド２Ａとの間にはガラスエポキシ樹脂層３が介在する。
【００３７】
マイグレーション及びバックプレーティングはガラスエポキシ樹脂層３内のガラス繊維３Ａが含まれる領域で発生する。ガラスエポキシ樹脂層３内のガラス繊維３Ａの位置はビルドアップ層１０の製造時に容易に把握できる。よって、マイグレーション及びバックプレーティングの防止のためにはガラス繊維３Ａとビア導体６との間にブロック層４Ｂを形成すればよい。
【００３８】
以上の構成を有するプリント配線板２００の製造方法について説明する。図１３〜図１８は図１２に示したプリント配線板２００の製造方法を説明するための断面図である。なお、コア層１上にビアランド２Ａを形成し、その後ガラスエポキシ樹脂層３のプリプレグと銅箔５とを重ね合わせてラミネーションし、銅箔５をソフトエッチングするまでの工程（図２〜図５）は参考例と同じであるため、その説明は繰り返さない。
【００３９】
図１３を参照して、銅箔５をソフトエッチング後、銅箔５及びガラスエポキシ樹脂層３にレーザ加工によりビアホール４０を形成する。ここで、ビアホール４０の深さをＤとし、銅箔５の表面からビアランド２Ａの上面までの深さをＤ１、銅箔５の表面からガラス繊維３Ａの下部までの深さをＤ２とすると、ビアホール４０の深さＤがＤ２≦Ｄ＜Ｄ１となるようにレーザ加工を行う。
【００４０】
プリント配線板２００でのビアホール４０の深さはプリント配線板１００でのビアホール２０の深さよりも浅くなる。そのため、ビアホール４０のレーザ加工時間はビアホール２０のレーザ加工時間よりも短くなり、プリント配線板２００の方がプリント配線板１００よりも生産性を向上できる。
【００４１】
レーザ加工後、図１４に示すように、スクリーン印刷法によりビアホール４０を樹脂埋めし、絶縁層４を形成する。その後、図１５に示すように絶縁層４のうち銅箔５の表面から突出した部分を研磨する。
【００４２】
研磨後、レーザ加工により、絶縁層４及び、ビアホール４０の底部とビアランド２Ａの表面との間のガラスエポキシ樹脂層３のうち、絶縁層４の表面からビアランド２Ａの表面に至る柱状部分をビアホール４０表面上の所定の厚さの絶縁層４を残すように取り除き、これにより図１６に示すようにビアホール５０を形成する。その結果、絶縁層４は円筒状のブロック層４Ｂとなる。
【００４３】
レーザ加工後、図１７及び図１８に示すように配線板上にビア導体６を形成する。図１７に示すように初めに無電解銅めっき法及び電解めっき法により銅めっき層６０を形成し、その後図１８に示すように、サブトラクティブ法によりビア導体６を形成する。
【００４４】
以上に示した本発明の実施の形態によるプリント配線板２００のブロック層４Ｂの深さは参考例によるプリント配線板１００のブロック層４Ａの深さよりも浅い。そのため、絶縁層４を形成するためのレーザ加工工程にかかる時間を短縮でき、生産性を向上できる。
【００４５】
さらにプリント配線板２００の方が、プリント配線板１００よりも実装密度を高くすることができる。図１９（Ａ）を参照して、プリント配線板１００において、円筒のブロック層４Ａの外径Ｄ４と、ビアランド２Ａの直径Ｄ２Ａが同じである場合であって、ビアランド２Ａの中心点Ｃ<SUB>２Ａ</SUB>がビア導体６の底面の中心点Ｃ<SUB>６</SUB>と△Ｃずれたとき、レーザ加工によりビアホール２０を形成する工程（図６）でビアホール２０の底面に△Ｃだけビアランド２Ａが存在しない領域１５０が発生する。この領域１５０ではレーザ加工によりビアホールの深さがＤ１＋△Ｄとなる。ビアランド２Ａが存在しないため、レーザ加工によりガラスエポキシ樹脂層３を掘り過ぎてしまうからである。ビアホール２０を形成した後、熱硬化性の樹脂を埋め込み絶縁層４を形成するが（図７）、このとき、レーザ加工により掘り過ぎた領域１５０に樹脂が入り込まず、空隙が形成されてしまう。この空隙に水分が含まれれば、その後の製造工程で熱が加えられたときに、その水分が膨張して周辺部にクラックなどを発生させる可能性が出てくる。よって、このような空隙の発生を防ぐため、プリント配線板１００ではビアランドの直径Ｄ２Ａはブロック層４Ａの外径Ｄ４よりも大きくする必要がある。
【００４６】
一方、図１９（Ｂ）を参照して、プリント配線板２００では、ブロック層４Ｂを形成するためのビアホール４０の深さＤは、Ｄ２≦Ｄ＜Ｄ１とすればよい。すなわち、ブロック層４Ｂの下部はビアランド２Ａに接する必要がない。よって、ブロック層４Ｂの外径Ｄ４とビアランド２Ａの直径Ｄ２Ａが同じである場合であって、中心点Ｃ<SUB>２Ａ</SUB>が中心点Ｃ<SUB>６</SUB>と△Ｃずれたときであっても、プリント配線板１００のような不具合は発生しない。
【００４７】
以上より、プリント配線板２００では、プリント配線板１００よりもビアランド２Ａの直径Ｄ２Ａを小さくすることができる。よって、実装密度を高くすることができる。
【００４８】
なお、本実施の形態は、コア層１上に形成されたビア導体６に本発明を適用した例であるが、ビルドアップ層上に形成されたビアにも本発明は適用可能である。また、コア層を持たない全てビルドアップ層からなるプリント配線板にも本発明は適用可能である。これらの場合、上記ビアランド２Ａ及びガラスエポキシ樹脂層３はコア層１ではなくビルドアップ層上に形成されることになる。
【００４９】
また、本実施の形態では、ガラスエポキシ樹脂層を用いたが、ガラスエポキシ樹脂層の代わりに、ガラス繊維にエポキシ樹脂以外の樹脂を含浸させたものを用いてもよい。
【００５０】
また、本実施の形態ではビア導体６をサブトラクティブ法で形成したが、セミアディティブ法等の他の方法で形成してもよい。
【００５１】
以上、本発明の実施の形態を説明したが、上述した実施の形態は本発明を実施するための例示に過ぎない。よって、本発明は上述した実施の形態に限定されることなく、その趣旨を逸脱しない範囲内で上述した実施の形態を適宜変形して実施することが可能である。
【産業上の利用可能性】
【００５２】
以上のように、本発明によるプリント配線板は、ＢＧＡ(Ball Grid Array)基板等のモ
ジュール基板や携帯電話機等に利用されるサブ基板として有用であり、特に高実装化の必要な基板に用いるのに適している。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明の参考例によるプリント配線板の断面図である。
【図２】図１に示したプリント配線板の製造方法の最初の工程を示す断面図である。
【図３】図２の次の工程を示す断面図である。
【図４】図３の次の工程を示す断面図である。
【図５】図４の次の工程を示す断面図である。
【図６】図５の次の工程を示す断面図である。
【図７】図６の次の工程を示す断面図である。
【図８】図７の次の工程を示す断面図である。
【図９】図８の次の工程を示す断面図である。
【図１０】図９の次の工程を示す断面図である。
【図１１】図１０の次の工程を示す断面図である。
【図１２】本発明の実施の形態によるプリント配線板の断面図である。
【図１３】図１２に示したプリント配線板の製造方法のビアホールを形成する工程を示す断面図である。
【図１４】図１３の次の工程を示す断面図である。
【図１５】図１４の次の工程を示す断面図である。
【図１６】図１５の次の工程を示す断面図である。
【図１７】図１６の次の工程を示す断面図である。
【図１８】図１７の次の工程を示す断面図である。
【図１９】ビアランドに対するビアの位置がずれた場合のプリント配線板の断面図である。
【図２０】従来のプリント配線板の断面図である。
【符号の説明】
【００５４】
１  コア層
２，５  銅箔
３  ガラスエポキシ樹脂層
４  絶縁層
６  ビア導体
１０  ビルドアップ層
２０，３０，４０，５０  ビアホール
６０  銅めっき
１００，２００  プリント配線板
２Ａ  ビアランド
３Ａ  ガラス繊維
４Ａ，４Ｂ  ブロック層
【図１】
0004437989.tif 000002
【図２】
0004437989.tif 000003
【図３】
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【図４】
0004437989.tif 000005
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
0004437989.tif 000013
【図１３】
0004437989.tif 000014
【図１４】
0004437989.tif 000015
【図１５】
0004437989.tif 000016
【図１６】
0004437989.tif 000017
【図１７】
0004437989.tif 000018
【図１８】
0004437989.tif 000019
【図１９】
0004437989.tif 000020
【図２０】
0004437989.tif 000021