(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板上に構成した入力側を不平衡とし出力側を平衡とした平衡型弾性表面波フィルタであって、
前記圧電基板上に配置した入力パッド電極から距離が遠い方の出力パッド電極との間を、橋絡容量を介して結合したことを特徴とする平衡型弾性表面波フィルタ。
【請求項２】
圧電基板上に弾性表面波の伝播方向に沿って３つの櫛形電極を近接配置すると共にこれらの両側に反射器を配置し、入力側を不平衡とし出力側を平衡とした縦結合二重モードの平衡型弾性表面波フィルタであって、
前記圧電基板上に配置した入力パッド電極から距離が遠い方の出力パッド電極との間を橋絡容量を介して結合したことを特徴とする平衡型弾性表面波フィルタ。
【請求項３】
圧電基板上に弾性表面波の伝播方向に沿って３つの櫛形電極を近接配置すると共にこれらの両側に反射器を配置した構造の縦結合二重モード弾性表面波フィルタを２つ縦続接続し、入力側を不平衡とし出力側を平衡とした平衡型弾性表面波フィルタであって、
前記圧電基板上に配置した入力パッド電極から距離が遠い方の出力パッド電極との間を、橋絡容量を介して結合したことを特徴とする平衡型弾性表面波フィルタ。
【請求項４】
圧電基板上に弾性表面波の伝播方向に沿って３つの櫛形電極を近接配置すると共に、これらの両側に反射器を配置した構造の縦結合二重モード弾性表面波フィルタを所定の間隙を隔して併置し、前記縦結合二重モード弾性表面波フィルタの両外側に配置した櫛形電極の間隙側の電極同士を接続すると共に外側の電極を接地パッド電極に接続し、一方の前記縦結合二重モード弾性表面波フィルタの中央に配置した櫛形電極の間隙側の電極を接地パッド電極に接続すると共に外側の電極を入力パッド電極に接続し、他方の前記縦結合二重モード弾性表面波フィルタの中央に配置した櫛形電極の間隙側の電極を第１の出力パッド電極に接続すると共に外側の電極を第２の出力パッド電極に接続し、入力側を不平衡とし出力側を平衡とした平衡型弾性表面波フィルタであって、
前記入力パッド電極と前記第２の出力パッド電極との間を前記圧電基板上に配置した橋絡容量を介して結合したことを特徴とする平衡型弾性表面波フィルタ。
【請求項５】
前記橋絡容量を接続するリード電極を前記圧電基板の周縁に設けたことを特徴とする請求項４に記載の平衡型弾性表面波フィルタ。
【請求項６】
前記橋絡容量を接続するリード電極を前記圧電基板の一方の周縁に設けたことを特徴とする請求項４に記載の平衡型弾性表面波フィルタ。
【請求項７】
前記容量が前記入力パッド電極より前記圧電基板の周縁に沿って圧電基板の中央部までリード電極を配設すると共に前記第２の出力パッド電極より前記圧電基板の周縁に沿って前記圧電基板の中央部までリード電極を配設して構成されたことを特徴とする請求項４に記載の平衡型弾性表面波フィルタ。
【請求項８】
圧電基板上に弾性表面波の伝播方向に沿って３つの櫛形電極を近接配置すると共にこれらの両側に反射器を配置して縦結合二重モード弾性表面波フィルタとし、該縦結合二重モード弾性表面波フィルタの両外側に配置した櫛形電極の一方の電極をそれぞれ入力パッド電極に接続し、他方の電極をそれぞれ接地すると共に、中央に配置した櫛形電極の一方の電極を第１の出力パッド電極に接続し、他方の電極を第２の出力パッド電極に接続し、入力側を不平衡とし出力側を平衡とした平衡型弾性表面波フィルタであって、
前記入力パッド電極と前記第２の出力パッド電極との間を前記圧電基板上に配置した橋絡容量を介して結合したことを特徴とする平衡型弾性表面波フィルタ。
【請求項９】
前記第２の出力パッド電極の周辺に近接して第１の電極を配設すると共に前記入力パッド電極と、前記縦結合二重モード弾性表面波フィルタの外側の一方の櫛形電極とを結ぶリード電極に近接して第２の電極を設け、前記第１及び第２の電極をリード電極にて接続して構成したことを特徴とする請求項８記載の平衡型弾性表面波フィルタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、平衡型弾性表面波フィルタに関し、特に保証減衰量を改善した平衡型弾性表面波フィルタに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、弾性表面波フィルタ（以下、ＳＡＷフィルタという）は高性能、小型、量産性等の優れた特徴を有することから携帯電話機等に多く利用されている。最近の携帯電話機ではデジタル回路とアナログ回路とが非常に小さな空間に収容されている。したがって、デジタル回路やアナログ回路は各々が発生するノイズを低減すると共に他方の回路からのノイズを極力避けるようにすることが重要である。発生するノイズを低減し、また他の回路からのノイズの影響を避けるため、ＲＦ回路、ＩＦ回路の入出力回路は平衡化され、それに伴いＲＦ及びＩＦ回路等に用いられるデバイスは平衡型のものが要求されている。【０００３】
図１５は、ＲＦ回路に用いられる２段縦続接続型の縦結合１次−３次二重モードＳＡＷフィルタの構成を示す図である。この構成例では、アンテナに接続する側（ＩＮ）は不平衡回路、ＩＣ回路に接続する側（ＯＵＴ１−ＯＵＴ２）は平衡回路である。
圧電基板５１の主表面上に表面波の伝搬方向に沿って櫛形電極（ＩＤＴ；Interdigital Transducer）５２、５３、５４を近接配置し、ＩＤＴ５２、５３、５４の両側にはグレーティング反射器（以下、反射器と称す）５５ａ、５５ｂを配設する。ＩＤＴ５２、５３、５４及び反射器５５ａ、５５ｂにより第１二重モードＳＡＷフィルタＦ１を形成する。この第１二重モードＳＡＷフィルタＦ１は縦結合１次−３次二重モードＳＡＷフィルタである。同じく、縦結合１次−３次二重モードＳＡＷフィルタである第２二重モードＳＡＷフィルタＦ２はＩＤＴ５２’、５３’、５４’、反射器５５’ａ、５５’ｂから構成している。第１二重モードＳＡＷフィルタＦ１及び第２二重モードＳＡＷフィルタＦ２を縦続接続して２段縦続接続型のＳＡＷフィルタを構成する。
入力側を不平衡入力とするためＩＤＴ５２の一方の電極を入力端子ＩＮに、他方の電極を接地する。一方、出力側を平衡出力とするためＩＤＴ５２’の一方の電極を出力端子ＯＵＴ１に、他方の電極を出力端子ＯＵＴ２に接続する。ここで、縦結合二重モードＳＡＷフィルタを２段縦続接続してＳＡＷフィルタを構成したのは減衰傾度、保証減衰量を増して要求される規格を満たすためである。【０００４】
しかし、このような構成のＳＡＷフィルタ素子をセラミックパッケージに収容して構成したＳＡＷフィルタでは、最近の携帯電話用ＲＦフィルタに求められる厳しい規格、例えば保証減衰量を満たさないという問題があった。これを解決すべく特開２００２−７６８２８号公報に開示されているようなＳＡＷフィルタが発明された。このＳＡＷフィルタは図１６に示すように、圧電基板６１にＩＤＴ６２、パッド電極６３を形成すると共に、ＩＤＴ６２と対向して圧電基板６１の反対側に導通電極６４を形成してＳＡＷフィルタ素子を構成する。このＳＡＷフィルタ素子のパッド電極６３とセラミック基板６５上に形成した端子電極６６とを金属バンプ６７を介して接続導通し、さらに金属ケース６８でＳＡＷフィルタ素子を封止してＳＡＷフィルタを構成する。
このような構造により保証減衰量が改善される理由は、ＩＤＴ６２と対向して導通電極６４を形成しているのでＩＤＴ６２と導通電極６４との間に浮遊容量が形成され、この浮遊容量により減衰量が改善されると特開２００２−７６８２８号公報には記述されている。
しかし、圧電基板の裏面に導通電極６４を形成するため製造工数が増加すると共に、封止用部材である金属ケース６８が高価であるという問題点や、ＳＡＷフィルタ素子と金属ケース６８との間に空間を設ける必要があり、ＳＡＷフィルタが大きくなるという問題点、更にはＩＤＴ６２と導通電極６４との僅かな位置ずれが保証減衰量の変動を生じるという問題点があった。
また、平衡−不平衡変換機能を有すＳＡＷフィルタについては、特許第３４４０９３５号に開示がある。この先行技術にも記載があるように、平衡−不平衡変換機能を有する弾性表面波フィルタの通過帯域外減衰量の大きさは、該弾性表面波フィルタの平衡度に大きく依存する。平衡度とは、不平衡信号端子と第１の平衡信号端子との間の伝送特性と、不平衡信号端子と第２の平衡信号端子との間の伝送特性との差により表される。伝送特性のうち、振幅特性の差が振幅平衡度、位相特性の差が位相平衡度と呼ばれている。【０００５】
振幅平衡度及び位相平衡度は、平衡−不平衡変換機能を有する弾性表面波フィルタを第１〜第３のポートを有するデバイスと考え、例えば不平衡入力端子を第１のポート、第１、第２の平衡出力端子の各ポートを第２のポート及び第３のポートとしたとき、下記の式で表される。
0004548418.tif 000002
従来の平衡−不平衡型ＳＡＷフィルタでは第１の平衡信号端子と第２の平衡信号端子とで寄生インピーダンスの加わり方が異なり、それによって通過帯域外の平衡度が悪化するので、特許第３４４０９３５号に記載された発明では第１の平衡信号端子と第２の平衡信号端子とでほぼ同様に寄生インピーダンスが付加されるような電極構造としている。
具体的には図１７（ａ）〜（ｆ）に示すように、第１及び第２の平衡信号端子に付加される寄与インピーダンスが同等となるように第１及び第３ＩＤＴを第２ＩＤＴを中心に点対称に配置している。
【特許文献１】特開２００２−７６８２８号公報
【特許文献２】特許第３４４０９３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許第３４４０９３５号公報に開示された発明では、第１ＩＤＴ及び第３ＩＤＴを、第２ＩＤＴを中心に点対称に配置することにより第１の平衡信号端子と第２の平衡信号端子とに付加される寄生インピーダンスをほぼ同等にしているが、例えば所望の保証減衰量を得るために、二重モードＳＡＷフィルタを２段縦続接続する構成とする場合には各ＩＤＴの配置やＩＤＴ間の配線の自由度が極めて制限されるという問題点があった。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
そこで、保証減衰量を改善するため、請求項１に記載の発明は、圧電基板上に構成した入力側を不平衡とし出力側を平衡とした平衡型弾性表面波フィルタであって、前記圧電基板上に配置した入力パッド電極から距離が遠い方の出力パッド電極との間を、橋絡容量を介して結合したことを特徴とする。
また請求項２に記載の発明は、圧電基板上に弾性表面波の伝播方向に沿って３つの櫛形電極を近接配置すると共にこれらの両側に反射器を配置し、入力側を不平衡とし出力側を平衡とした縦結合二重モードの平衡型弾性表面波フィルタであって、前記圧電基板上に配置した入力パッド電極から距離が遠い方の出力パッド電極との間を橋絡容量を介して結合したことを特徴とする。
また請求項３に記載の発明は、圧電基板上に弾性表面波の伝播方向に沿って３つの櫛形電極を近接配置すると共にこれらの両側に反射器を配置した構造の縦結合二重モード弾性表面波フィルタを２つ縦続接続し、入力側を不平衡とし出力側を平衡とした平衡型弾性表面波フィルタであって、前記圧電基板上に配置した入力パッド電極から距離が遠い方の出力パッド電極との間を、橋絡容量を介して結合したことを特徴とする。
請求項４に記載の発明は、圧電基板上に弾性表面波の伝播方向に沿って３つの櫛形電極を近接配置すると共に、これらの両側に反射器を配置した構造の縦結合二重モード弾性表面波フィルタを所定の間隙を隔して併置し、前記縦結合二重モード弾性表面波フィルタの両外側に配置した櫛形電極の間隙側の電極同士を接続すると共に外側の電極を接地パッド電極に接続し、一方の前記縦結合二重モード弾性表面波フィルタの中央に配置した櫛形電極の間隙側の電極を接地パッド電極に接続すると共に外側の電極を入力パッド電極に接続し、他方の前記縦結合二重モード弾性表面波フィルタの中央に配置した櫛形電極の間隙側の電極を第１の出力パッド電極に接続すると共に外側の電極を第２の出力パッド電極に接続し、入力側を不平衡とし出力側を平衡とした平衡型弾性表面波フィルタであって、前記入力パッド電極と前記第２の出力パッド電極との間を前記圧電基板上に配置した橋絡容量を介して結合したことを特徴とする。【０００８】
請求項５に記載の発明は、前記橋絡容量を接続するリード電極を前記圧電基板の周縁に設けた請求項４に記載の平衡型弾性表面波フィルタを特徴とする。
請求項６に記載の発明は、前記橋絡容量を接続するリード電極を前記圧電基板の一方の周縁に設けた請求項４に記載の平衡型弾性表面波フィルタを特徴とする。
請求項７に記載の発明は、前記容量が前記入力パッド電極より前記圧電基板の周縁に沿って圧電基板の中央部までリード電極を配設すると共に前記第２の出力パッド電極より前記圧電基板の周縁に沿って前記圧電基板の中央部までリード電極を配設して構成された請求項４に記載の平衡型弾性表面波フィルタを特徴とする。
請求項８に記載の発明は、圧電基板上に弾性表面波の伝播方向に沿って３つの櫛形電極を近接配置すると共にこれらの両側に反射器を配置して縦結合二重モード弾性表面波フィルタとし、該縦結合二重モード弾性表面波フィルタの両外側に配置した櫛形電極の一方の電極をそれぞれ入力パッド電極に接続し、他方の電極をそれぞれ接地すると共に、中央に配置した櫛形電極の一方の電極を第１の出力パッド電極に接続し、他方の電極を第２の出力パッド電極に接続し、入力側を不平衡とし出力側を平衡とした平衡型弾性表面波フィルタであって、前記入力パッド電極と前記第２の出力パッド電極との間を前記圧電基板上に配置した橋絡容量を介して結合したことを特徴とする。
請求項９に記載の発明は、前記第２の出力パッド電極の周辺に近接して第１の電極を配設すると共に前記入力パッド電極と、前記縦結合二重モード弾性表面波フィルタの外側の一方の櫛形電極とを結ぶリード電極に近接して第２の電極を設け、前記第１及び第２の電極をリード電極にて接続して構成した請求項８記載の平衡型弾性表面波フィルタを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明に係る平衡型弾性表面波フィルタ（平衡型ＳＡＷフィルタ）は、入力パッド電極（入力ポート）及び出力パッド電極（出力ポート）の周辺に近接して電極を形成するため、この電極とリード電極とにより入出力間に橋絡容量が形成されるので、ＳＡＷフィルタの保証減衰量が改善できるという利点がある。
また、電極とリード電極とにより橋絡容量を形成するので、高価な金属ケースやＳＡＷフィルタ素子と金属ケースとの間に空間を設ける必要がない。したがって、樹脂封止によるＣＳＰ（Chip Sized Package）にもＳＡＷフィルタを収納することができる。
さらに、電極とリード電極とにより橋絡容量を形成し、位相平衡度を好適に維持することができるので、二重モードＳＡＷフィルタの多段縦続接続のように複数のＩＤＴを同一基板上に配置する場合であっても、ＩＤＴの配置や結線の自由度を確保することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明の実施形態例を示しながら本発明を詳細に説明する。図１は、本発明に係る平衡型二重モードＳＡＷフィルタの実施の形態を詳細に示す平面図である。
圧電基板１上に表面波の伝搬方向に沿って３つの櫛形電極（ＩＤＴ）を配置し、両端のＩＤＴの外側にグレーティング反射器を配置して第１の二重モードＳＡＷフィルタＦ１を構成する。第２の二重モードＳＡＷフィルタＦ２も第１の二重モードＳＡＷフィルタと同様に構成する。そして、第１二重モードＳＡＷフィルタＦ１と第２二重モードＳＡＷフィルタＦ２とを縦続接続する。
第１二重モードＳＡＷフィルタＦ１の両外側に位置するＩＤＴのそれぞれ一方の電極を接地（ＧＮＤ）し、中央に配置したＩＤＴの一方の電極を入力パッド電極である第１のポートPort1と接続する。また中央に配置したＩＤＴの他方の電極を接地する（ＧＮＤ）。
第２の二重モードＳＡＷフィルタＦ２の両外側に位置するＩＤＴのそれぞれ一方の電極を接地する。また中央に配置したＩＤＴの一方の電極を出力パッド電極である第２のポートPort2に接続し、他方の電極を出力パッド電極である第３のポートPort3に接続する。これにより不平衡−平衡型機能を有すＳＡＷフィルタを構成する。
さらに、第１のポートPort1及び第３のポートPort3の周辺に近接して容量形成用の電極２を配設すると共に該電極２を圧電基板１の周縁に形成したリード電極３にて接続する。
第１のポートPort1及び第３のポートPort3の周辺に近接して電極２を配設し、電極２を圧電基板１の周縁に形成したリード電極３にて接続することにより、図１の右側に示すように第１のポートPort1と第３のポートPort3との間に橋絡容量Ｃが形成されることになる。容量Ｃの大きさは主として電極２の大きさと、電極２と第１のポートPort1及び第３のポートPort3との間隙に依存する。
電極２の大きさと間隙とを変えて図１に示す２段縦続の二重モードＳＡＷフィルタを試作し、そのフィルタ特性を測定したものが図２である。
圧電基板に３８．７°Ｙ−ＸＬｉＴａＯ３を用い、中央のＩＤＴの対数は２９対、両側のＩＤＴの対数は１９．５対、交差幅３０λ（λは波長）、反射器の本数は９５本で、８００ＭＨｚ帯Ｗ−ＣＤＭＡ方式のＲＦフィルタ用のＳＡＷフィルタである。【００１１】
図２のＰ１で示すフィルタ特性は容量形成用の電極２が無い、所謂従来のＳＡＷフィルタの特性、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４で示すフィルタ特性は電極２の大きさと間隙を変えて、橋絡容量Ｃの大きさをそれぞれ変えた場合のフィルタ特性である。
Ｐ２で示すフィルタ特性は、図３（ｃ）に示したような第３のポートPort3に対する電極２の構成を採用した場合のものであり、Ｐ３で示すフィルタ特性は図４（ｃ）に示した第３のポートPort3に対する電極２の構成を採用した場合のものであり、Ｐ４で示すフィルタ特性は図５（ｃ）に示した第３のポートPort3に対する電極２の構成を採用した場合のものである。なお、各図には第３のポートPort3と電極２との位置及び寸法が示されているが、電極２と第１のポートPort1との関係も電極２と第３のポートPort3との関係と同様である。
図２に示すように、電極２を用いて第１のポートPort1と第３のポートPort3との間に橋絡容量を形成したＳＡＷフィルタの特性Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４は容量形成用の電極２が無い従来のＳＡＷフィルタの特性Ｐ１に比べて通過域特性は変化せずに減衰特性のみが大きく異なっている。即ち、要求スペックに応じて橋絡容量を適切に選択することによって所望の特性を得ることが可能である。
ここで、ＳＡＷフィルタの平衡側出力ＯＵＴ１−ＯＵＴ２の減衰特性は平衡度に大きく依存し、振幅平衡度及び位相平衡度のいずれも伝送特性Ｓ２１、Ｓ３１の差で表される。したがって、伝送特性Ｓ２１、Ｓ３１の振幅特性と位相特性を測定し、比較することにした。【００１２】
図３（ａ）及び（ｂ）は、図３（ｃ）のように電極２を形成したときの振幅特性及び位相特性を示す図、図４（ａ）及び（ｂ）は、図４（ｃ）のように電極２を形成したときの振幅特性及び位相特性を示す図、図５（ａ）及び（ｂ）は、図５（ｃ）のように電極２を形成したときの振幅特性及び位相特性を示す図である。各特性図において、実線は、伝送特性Ｓ２１の特性を示し、破線は、伝送特性Ｓ３１の特性を示している。
図３（ａ）に示した伝送特性Ｓ２１及びＳ３１の振幅特性と、図５（ａ）に示した伝送特性Ｓ２１及びＳ３１の振幅特性とを比較すると、伝送特性Ｓ２１及びＳ３１の振幅特性の差は図５（ａ）に示したものの方が小さい。同様に図３（ｂ）に示した伝送特性Ｓ２１及びＳ３１の位相特性と、図５（ｂ）に示した伝送特性Ｓ２１及びＳ３１の位相特性とを比較すると、伝送特性Ｓ２１及びＳ３１の位相特性の差は図５（ｂ）に示したものの方が小さい。図２に示したようにフィルタ特性Ｐ２とＰ４とを比較すると、フィルタ特性Ｐ４（図５に示した構造のフィルタ）の減衰特性が大きい。
したがって、これらの図から分かるように、橋絡容量を変化させて、伝送特性Ｓ２１、Ｓ３１の振幅特性と位相特性の差が小さいものほど通過域近傍の周波数帯において、平衡出力の減衰量が大きくなるので、橋絡容量Ｃの値を適宜設定することにより、通過域近傍の所望の周波数帯において、減衰特性を改善することができる。【００１３】
図６は、本発明にかかる平衡型二重モードＳＡＷフィルタの第２の実施の形態を示す図である。第２の実施の形態が図１に示した第１の実施の形態と構成が異なるところは容量形成用の電極２をリード電極３’にて短絡したことである。この構成でも第１のポートPort1と第３のポートPort3の間に橋絡容量Ｃが接続されることになり、容量Ｃを適切に設定することにより保証減衰量を改善することができる。なお、この図は平衡型二重モードＳＡＷフィルタの第１二重モードＳＡＷフィルタＦ１の部分のみを拡大して表しているが、第２二重モードＳＡＷフィルタＦ２の第３のポートPort3と電極２との構成も図示したものと同様に容量形成用の電極２をリード電極３’にて短絡してもよい。
図７、図８は、第３及び第４の実施の形態を示す平面図である。この第３及び第４の実施の形態が図１に示した第１の実施の形態と構成が異なるところは容量形成用の電極２と、該電極２を接続するリード電極３とを、図中左半面あるいは右半面のみに構成した点である。これらの構成でも電極２の大きさと、第１のポートPort1及び第３のポートPort３と電極２との間隙を適切に設定することにより、第１のポートPort1と第３のポートPort3の間に橋絡容量Ｃが形成され、保証減衰量を改善することができる。
図９は、図７、図８に示す電極パターンを用いて試作したＳＡＷフィルタのフィルタ特性を重ね書きした図で、圧電基板、ＩＤＴ、反射器等は図２に示したものと同じパラメータを用いた。図７の電極パターンを採用したＳＡＷフィルタのフィルタ特性をＰ５で示し、図８の電極パターンを採用したＳＡＷフィルタのフィルタ特性をＰ６で示す。なお、フィルタ特性Ｐ１はフィルタ特性Ｐ５及びＰ６との比較のために示したものであり、これは図２に示した構造を採用した場合のフィルタ特性である。
この図からも明らかなように図７、図８の電極パターンを用いても容量形成用の電極２の大きさと、該電極２と第１のポートPort1及び第３のポートPort3との間隙を適切に設定することにより、ＳＡＷフィルタの所望の周波数帯の保証減衰量を改善することができる。【００１４】
図１０は、本発明にかかる平衡型二重モードＳＡＷフィルタの第５の実施の形態を示す図である。第５の実施の形態が第１の実施の形態と異なるところは、電極２に代えて第１のポートPort1から圧電基板１の周縁に沿って圧電基板１の中央部までリード電極４を形成した点及び第３のポートPort3から圧電基板１の周縁に沿って圧電基板１の中央部までリード電極５を形成した点である。電極２に代えてリード電極４とリード電極５との間で橋絡容量Ｃを形成する。
図１１は、本発明にかかる平衡型二重モードＳＡＷフィルタの第６の実施の形態を示す図である。第６の実施の形態が第５の実施の形態と異なるところは、第３のポートPort3からのみ圧電基板１の周縁に沿って圧電基板１の中央部までリード電極６を形成した点である。
図１２は、本発明にかかる平衡型二重モードＳＡＷフィルタの第７の実施の形態を示す図である。第７の実施の形態が第５の実施の形態と異なるところは、第３のポートPort3に近接した位置に電極２を配置すると共に、二重モードＳＡＷフィルタＦ１の外側に位置するＩＤＴと、二重モードＳＡＷフィルタＦ２の外側に位置するＩＤＴとを接続する縦続接続用に形成されたリード電極の近傍に電極１７を形成し、該電極１７と電極２とを圧電基板１の周縁に形成したリード電極３にて接続した点である。【００１５】
図１３（ａ）は、本発明にかかる平衡型二重モードＳＡＷフィルタの第８の実施の形態を示す図である。第８の実施の形態が第７の実施の形態と異なるところは、ＳＡＷフィルタを２段縦続接続とせず、１段のみとした点である。
すなわち、圧電基板１上に表面波の伝搬方向に沿って３つのＩＤＴを設け、更にその両側に反射器を配置して二重モードＳＡＷフィルタＦ３を形成する。そして、両外側に位置するＩＤＴのそれぞれ一方と第１のポートPort1とを圧電基板１上に形成したリード電極にて接続し、他方はそれぞれ接地電極（ＧＮＤ）に接続する。中央に配置したＩＤＴの一方は第２のポートPort2と接続し、他方は第３のポートPort3と接続する。これにより不平衡−平衡型の二重モードＳＡＷフィルタを構成したものである。
さらに、第３のポートPort3の周辺に近接して橋絡容量用の電極２を形成し、該電極２及び電極６を設け、両者をリード電極３を介して接続している。
図１３（ｂ）は、図１３（ａ）に示す電極パターンを用いて試作したＳＡＷフィルタのフィルタ特性を重ね書きした図である。このＳＡＷフィルタは中心周波数が１５７５．４２ＭＨｚのＧＰＳ用に用いられるものであって、その構造は、圧電基板に３８．７°Ｙ−ＸＬｉＴａＯ３を用い、中央のＩＤＴの対数は３２対、両側のＩＤＴの対数は２２．５対、交差幅３０λ、反射器の本数は１１０本である。
同図のＰ１０は、図１３（ａ）において容量形成用の電極が無いときのフィルタ特性であり、Ｐ１１は図１３（ａ）において橋絡容量が０．０３ｐＦとなるように、電極２、６の大きさと、該電極２、６と第１のポートPort1及び第３のポートPort3との間隙を適切に設定したときのフィルタ特性である。同図に示すように、第１のポートPort1と第３のポートPort3との間に橋絡容量を形成することにより、減衰特性が大きくなり、ＳＡＷフィルタの所望の周波数帯の保証減衰量を改善することができる。【００１６】
図１４（ａ）は、本発明にかかる平衡型二重モードＳＡＷフィルタの第９の実施の形態を示す図である。第９の実施の形態が第８の実施の形態と異なるところは、外側に位置するＩＤＴ７の電極指を、ＩＤＴ８に対してπずらして配置した点である。このためＩＤＴ８の圧電基板１の中央寄り（図において下側）の電極をＧＮＤに接地し、他方側（図において上側）の電極を、リード電極９を介して第１のポートPort1と接続する。そして、第３のポートPort3の周辺に近接して電極２を形成し、更にリード電極９に近接して電極１０を形成し、電極２と電極１０とをリード電極１１にて接続する。
このように、中央のＩＤＴを中心として両側のＩＤＴを点対称に配置することにより、第２のポートPort2側と第３のポートPort3側の配線パターンはほぼ対称となるので、図１３（ａ）に示した構造のＳＡＷフィルタと比較して平衡度が良くなり通過帯域外の減衰量を改善できる。また、第１のポートPort1と第２のポートPort2の距離、及び、第１のポートPort1と第３のポートPort3の距離の差に起因する伝送特性Ｓ２１及びＳ３１の位相特性及び振幅特性の差を電極２、９、１０、１１及び第３のポートPort3による橋絡容量で補償しているので、従来技術で示した特許第３４４０９３５号よりも良好な平衡度及び通過帯域外の減衰量を得ることができる。
図１４（ｂ）は、図１４（ａ）に示す電極パターンを用いて試作したＳＡＷフィルタのフィルタ特性を重ね書きした図で、圧電基板、ＩＤＴ、反射器等は図１３（ｂ）に示したものと同じパラメータを用い、中心周波数を１５７５．４２ＭＨｚとしている。同図のＰ１２は容量形成用の電極２、１１等が無いときのフィルタ特性であり、Ｐ１３は橋絡容量が０．１０ｐＦとなるように、電極２、１０の大きさと、該電極２、１０と第３のポートPort3及びリード電極９との間隙を適切に設定したときのフィルタ特性である。同図に示すように、第３のポートPort3とリード電極９との間に橋絡容量を形成することにより、減衰特性が大きくなり、特に通過帯域の高域側の減衰量を大幅に改善することができる。
なお、ＳＡＷフィルタをＲＦフィルタとして用いる場合、通常アンテナに接続する側は５０Ωの不平衡回路、ＩＣ回路に接続する側は２００Ωの平衡回路として利用する場合が多いので、平衡回路側の中央ＩＤＴの電極指を間引きし、インピーダンスを２００Ωに整合させるよう構成してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明に係るＳＡＷフィルタの第１の実施の形態の構成を示した概略平面図である。
【図２】第１の実施の形態における第１のポートPort1及び第３のポートPort3と電極２とで形成される橋絡容量Ｃの大きさを変化させたときのフィルタ特性を示す図である。
【図３】第１の実施の形態における橋絡容量の一形態を示し、（ａ）は橋絡容量Ｃによる伝送特性Ｓ２１、Ｓ３１の振幅特性、（ｂ）は橋絡容量Ｃによる位相特性、（ｃ）は橋絡容量Ｃを形成する電極の一部の平面図である。
【図４】第１の実施の形態における橋絡容量の一形態を示し、（ａ）は橋絡容量Ｃによる伝送特性Ｓ２１、Ｓ３１の振幅特性、（ｂ）は橋絡容量Ｃによる位相特性、（ｃ）は橋絡容量Ｃを形成する電極の一部の平面図である。
【図５】第１の実施の形態における橋絡容量の一形態を示し、（ａ）は橋絡容量Ｃによる伝送特性Ｓ２１、Ｓ３１の振幅特性、（ｂ）は橋絡容量Ｃによる位相特性、（ｃ）は橋絡容量Ｃを形成する電極の一部の平面図である。
【図６】本発明に係るＳＡＷフィルタの第２の実施の形態の電極パターン構成を示す図で、下半分のみを示した平面図である。
【図７】本発明に係るＳＡＷフィルタの第３の実施の形態の電極パターン構成を示した平面図である。
【図８】本発明に係るＳＡＷフィルタの第４の実施の形態の電極パターン構成を示した平面図である。
【図９】第３及び第４の実施の形態のフィルタ特性を示す図である。
【図１０】本発明に係るＳＡＷフィルタの第５の実施の形態の電極パターン構成を示した平面図である。
【図１１】本発明に係るＳＡＷフィルタの第６の実施の形態の電極パターン構成を示した平面図である。
【図１２】本発明に係るＳＡＷフィルタの第７の実施の形態の電極パターン構成を示した平面図である。
【図１３】本発明に係るＳＡＷフィルタの第８の実施の形態を示す図であり、（ａ）は電極パターン構成を示した平面図、（ｂ）はフィルタ特性を示す図である。
【図１４】本発明に係るＳＡＷフィルタの第９の実施の形態を示す図であり、（ａ）は電極パターン構成を示した平面図、（ｂ）はフィルタ特性を示す図である。
【図１５】従来の２段縦続接続の不平衡−平衡型１次−３次二重モードＳＡＷフィルタの構成を示した平面図である。
【図１６】従来のＳＡＷフィルタの構成を示す断面図である。
【図１７】従来のＳＡＷフィルタの構成を示す図である。
【符号の説明】
【００１８】
１  圧電基板
２、６、１０、１４、１７  容量形成用の電極
３、３’、４、５、９、９’、１１、１２、１３、１５  リード電極
７、８  ＩＤＴ
Ｆ１、Ｆ２、Ｆ３  縦結合１次−３次二重モードＳＡＷフィルタ
【図１】
0004548418.tif 000003
【図２】
0004548418.tif 000004
【図３】
0004548418.tif 000005
【図４】
0004548418.tif 000006
【図５】
0004548418.tif 000007
【図６】
0004548418.tif 000008
【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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