(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極を内蔵したセラミック体の表面又は電極を内蔵した樹脂層を接合したセラミック体の表面に、上記電極の一部が露出する凹部を設け、該凹部に上記セラミック体との熱膨張差が２×１０−７／℃以下の金属からなる給電端子を挿入するとともに、該給電端子と上記凹部とを、導電性粒子を１０〜９０容量％の範囲で含有する樹脂系接着剤からなり弾性率が５〜９０ＧＰａの接着層にて接着固定したことを特徴とする電極内蔵体。
【請求項２】
上記凹部の内径が１．５〜１５ｍｍの円形孔であり、上記凹部に挿入する上記給電端子の挿入部の外径と上記凹部の内径との差が０．０５〜０．３ｍｍであることを特徴とする請求項１に記載の電極内蔵体。
【請求項３】
電極を内蔵したセラミック体の表面又は電極を内蔵した樹脂層を接合したセラミック体の表面に、上記電極の一部が露出する内径が１．５〜１５ｍｍの円形孔の凹部を設け、該凹部に挿入部の外径と上記凹部の内径との差が０．０５〜０．３ｍｍである給電端子を挿入するとともに、該給電端子と上記凹部とを、導電性粒子を１０〜９０容量％の範囲で含有する樹脂系接着剤からなる接着層にて接着固定したことを特徴とする電極内蔵体。
【請求項４】
上記導電性粒子が、金、銀、銅、錫、アルミニウムのうちの少なくとも１種以上からなることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の電極内蔵体。
【請求項５】
上記樹脂系接着剤を形成する樹脂が、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、フッ素樹脂のいずれか１種からなることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の電極内蔵体。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の電極内蔵体を形成する電極を内蔵したセラミック体の表面又は電極を内蔵した樹脂層の表面をウエハの設置面とすることを特徴とするウエハ支持部材。
【請求項７】
上記電極が、静電吸着用電極又はプラズマ電極のいずれかであることを特徴とする請求項６に記載のウエハ支持部材。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電極を内蔵したセラミック体や電極を内蔵した樹脂層を接合したセラミック体に、上記電極と電気的に接続される給電端子を備えた電極内蔵体とこれを用いたウエハ支持部材に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、オゾン発生器、静電吸着部材、酸素センサー、気化装置、ダイボンディング装置等には、セラミック体や樹脂層中に電極を内蔵した電極内蔵体が使用されている。
【０００３】
例えば、半導体製造プロセスでは、ドライ化が急速に進み、エッチング装置、プラズマＣＶＤ装置、プラズマＰＶＤ装置、イオン注入装置、電子ビーム描画装置、イオンビーム描画装置、Ｘ線描画装置等の半導体製造装置では、半導体ウエハ(以下、ウエハという)を真空雰囲気中で処理するため、静電チャックやサセプタなどのウエハ支持部材が使用されている。
【０００４】
図５に従来のウエハ支持部材の一例を示すように、このウエハ支持部材２１は、円盤状をしたセラミック体２２の上面をウエハＷの設置面２３とするとともに、上記セラミック体２２中に電極２４を埋設したもので、上記セラミック体２２の下面には、上記電極２４と電気的に接続される金属製の給電端子２５を接合してある。
【０００５】
また、上記ウエハ支持部材２１を形成する板状セラミック体２２と給電端子２５とを接合する手段として、特開平５−１０１８７１号公報には、図６に示すように、電極２４と給電ブロック体２６をワイヤ２７を介して電気的に接続したものを金型内に設置し、この金型内にセラミック原料を充填してホットプレスによって焼結させることにより、ワイヤ２７によって電気的に接続された電極２４と給電ブロック体２６を一体的に埋設してなるセラミック体２２を製作し、該セラミック体２２の表面に露出する給電ブロック体２６の雌ねじ部２６ａに給電端子２５の雄ねじ部２５ａを螺合させることにより、給電端子２５を電極２４と電気的に接続するようにしたものが提案されている。
【０００６】
また、特開平１０―１８９６９６号公報には、図７に示すように、セラミック体２２の下面に電極２４と連通する穴２２ａを穿孔し、該穴２２ａの内壁面にメタライズ層２８を形成した後、給電端子２５を挿入し、ロウ材層２９を介してロウ付けすることにより、給電端子２５を電極２４と電気的に接続するようにしたものが提案されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図６に示す給電構造を有するウエハ支持部材２１では、ホットプレスによりセラミック体２２を焼結させる際に異材質の給電ブロック体２６が埋設されていることから、その周囲のセラミック部に発生した応力が残留応力として残り、セラミック部にクラックが発生し易く製造歩留りが悪いといった課題があった。しかも、この給電構造の場合、ホットプレスのように大がかりな焼成装置を用いなければならないといった課題もあった。
【０００８】
また、図７に示す接合構造を有するウエハ支持部材２１では、ロウ付け後、セラミック体２２、給電端子２５、及びロウ材層２９間における熱膨張差によって室温まで冷却する際に発生する残留応力によって、セラミックス体２２に形成した穴２２ａのコーナー部を起点とするクラックが発生し易く製造歩留りが悪いといった課題があった。
【０００９】
このように、いずれの給電構造においても製造歩留りが悪く、容易にかつ確実に内部電極との接続が可能な給電構造を有するウエハ支持部材は未だ得られていなかった。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
そこで、上記課題に鑑み、請求項１に係る発明は、電極を内蔵したセラミック体の表面又は電極を内蔵した樹脂層を接合したセラミック体の表面に、上記電極の一部が露出する凹部を設け、該凹部に上記セラミック体との熱膨張差が２×１０−７／℃以下の金属からなる給電端子を挿入するとともに、該給電端子と上記凹部とを、導電性粒子を１０〜９０容量％の範囲で含有する樹脂系接着剤からなり弾性率が５〜９０ＧＰａの接着層にて接着固定して電極内蔵体を構成したものである。
請求項２に係る発明は、上記凹部の内径が１．５〜１５ｍｍの円形孔であり、上記凹部に挿入する上記給電端子の挿入部の外径と上記凹部の内径との差が０．０５〜０．３ｍｍであることを特徴とする。
請求項３に係る発明は、電極を内蔵したセラミック体の表面又は電極を内蔵した樹脂層を接合したセラミック体の表面に、上記電極の一部が露出する内径が１．５〜１５ｍｍの円形孔の凹部を設け、該凹部に挿入部の外径と上記凹部の内径との差が０．０５〜０．３ｍｍである給電端子を挿入するとともに、該給電端子と上記凹部とを、導電性粒子を１０〜９０容量％の範囲で含有する樹脂系接着剤からなる接着層にて接着固定したことを特徴とする。
【００１１】
請求項４に係る発明は、上記導電性粒子として、金、銀、銅、錫、アルミニウムのうちの少なくとも１種以上を用いたことを特徴とする。
【００１２】
請求項５に係る発明は、上記樹脂系接着剤を形成する樹脂として、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、フッ素樹脂のいずれか１種を用いたことを特徴とする。
【００１３】
請求項６に係る発明は、上記電極内蔵体を形成する、電極を内蔵したセラミック体の表面又は電極を内蔵した樹脂層の表面をウエハの設置面としてウエハ支持部材を形成したことを特徴とする。
【００１４】
請求項７に係る発明は、請求項６に係るウエハ支持部材において、電極が、静電吸着用電極又はプラズマ電極のいずれかであることを特徴とする。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について説明する。
【００１６】
図１は本発明に係る電極内蔵体の一例であるウエハ支持部材を示す断面図である。
【００１７】
このウエハ支持部材１は、円盤状をしたセラミック体２の上面をウエハの設置面３とするとともに、上記セラミック体２中に電極４を埋設したもので、上記セラミック体２の下面には、上記電極４と電気的に接続される金属製の給電端子５を接合してある。
【００１８】
また、図２に図１のウエハ支持部材における給電構造を拡大した断面図を示すように、セラミック体２の下面には、電極４の一部が露出する凹部２ａを形成してあり、該凹部２ａには給電端子５を挿入し、導電性粒子を１０〜９０容量％の範囲で含有する樹脂系接着剤からなる接着層６にて接着固定することにより、給電端子５を電極４と電気的に接続してある。
【００１９】
そして、このウエハ支持部材１に内蔵する電極４を静電吸着用電極として用いる場合、設置面３に半導体ウエハ等のウエハＷを載せ、このウエハＷと電極４との間に電圧を印加することで、ウエハＷと電極４との間に誘電分極によるクーロン力や微少な漏れ電流によるジョンソン・ラーベック力等の静電吸着力を発現させ、ウエハＷを設置面３に吸着固定させることができ、また、電極４をプラズマ発生用電極として用いる場合、設置面３の上方に設けた別のプラズマ発生用電極と電極４との間に高周波電力を印加することで、両電極間にプラズマを発生させることができる。
【００２０】
また、本発明によれば、セラミック体２の下面に穿孔した凹部２ａに給電端子５を挿入し、樹脂系接着剤からなる接着層６にて接着固定してあることから、給電端子５の接合時にセラミック体２を破損させるようなことはなく、また、ウエハ支持部材１に使用中において、給電端子５とセラミック体２との接合部が別の熱源によって加熱されたり、給電端子５に印加する電流や高周波電力によって発熱したりしたとしても、セラミック体２を破損させることがない。
【００２１】
即ち、本発明によれば、セラミック体２と金属からなる給電端子５との間の熱膨張差による応力が発生したとしても、この応力を接着層６で吸収することができるため、セラミック体２の破損を防止することができる。
【００２２】
また、接着層６を形成する樹脂系接着剤には導電性粒子を含有させて導電性を持たせてあることから、長期間にわたり安定した通電を行うことができる。
【００２３】
しかも、従来のようにホットプレス装置を用いたり、ロウ付け等の高温に加熱したりする必要がないため、容易に製造することができる。
【００２４】
ところで、給電端子５に印加された電力をロスなく電極４へ通電するためには、接着層６に十分な導電性を持たせる必要があるが、導電性粒子の含有量が１０容量％を下回ると、給電端子５と電極４との間の抵抗が大きくなって電力ロスを生じ易くなるとともに、接合部が異常発熱し、接着層６を劣化させてしまうことになる。ただし、導電性粒子の含有量が９０容量％を超えると、接着強度が低下し、給電端子５がセラミック体２の凹部２ａから落下するおそれがある。
【００２５】
その為、十分な接着強度を維持しつつ、十分な導電性を得るためには、接着層６を形成する樹脂系接着剤に含有させる導電性粒子は、１０〜９０容量％の範囲で含有することが良く、好ましくは２０〜９０容量％の範囲で含有することが良い。
【００２６】
また、導電性粒子の材質としては、導電率が大きく、樹脂系接着剤との反応が小さく、しかも耐熱性に優れたものが良く、例えば、金、銀、銅、錫、アルミニウムを用いることができる。特に、金、銀、銅は導電率の点で好ましく、さらに樹脂系接着剤との反応が小さい点で金と銀が望ましい。なお、導電性粒子の最大粒子経は２〜５０μｍの範囲にあるものを用いることが好ましい。
【００２７】
一方、接着層６を形成する樹脂系接着剤の樹脂材としては、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、フッ素系樹脂及びこれらを混合した樹脂が、上述した導電性粒子との反応が小さく、さらに耐熱性に優れるとともに、経時変化が少ない点で好適である。
【００２８】
また、−５０℃〜２００℃の温度範囲内における熱サイクルや温度変化に対し、セラミック体２と金属からなる給電端子５との熱膨張差による応力を吸収し、セラミック体２の破損を防止するためには、接着層６の弾性率を５〜９０ＧＰａ、好ましくは１０〜４０ＧＰａ、望ましくは１５〜３５ＧＰａとすることが良い。
【００２９】
なぜなら、接着層６の弾性率が５ＧＰａ未満であると、−５０℃〜２００℃の温度範囲内における熱サイクルや温度変化によって給電端子５の緩みが生じ易く、給電端子５が脱落するおそれがあるからであり、逆に接着層６の弾性率が９０ＧＰａを超えると、セラミック体２と金属からなる給電端子５との間の熱膨張差による応力が吸収する効果が小さく、セラミック体２にクラックが生じ易くなるからである。
【００３０】
ところで、セラミック体２を形成するセラミックスとしては、アルミナ質焼結体、窒化珪素質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体等を用いることができる。
【００３１】
また、給電端子５を形成する金属としては、セラミック体２との熱膨張差ができるだけ小さいものが良く、好ましくは熱膨張差が２×１０-7／℃以下であるものが良く、例えばセラミック体２が窒化アルミニウ質焼結体からなる場合、給電端子５はＦｅ−Ｃｏ−Ｎｉ合金を用いれば良い。
【００３２】
なお、セラミック体２に形成する凹部２ａの形状としては特に限定するものではないが、円形であるものが製作性の点で好ましい。ただし、凹部２ａの内径が１５ｍｍを超えると、切削加工時に凹部２ａの開口エッジ部に欠けやクラックが発生し易くなり、逆に凹部２ａの内径が１．５ｍｍより小さくなると、給電端子５の径が小さくなり、リード線の取り付けにあたってネジ止め等の手段にて簡単に取り付けることができなくなるといった不都合がある。
【００３３】
その為、セラミック体２に形成する凹部２ａの内径は１．５〜１５ｍｍの円形孔とすることが良い。
【００３４】
また、セラミック体２の凹部２ａに挿入する給電端子５は、その挿入部５ａの外径を、凹部２ａの内径との差が０．０５〜０．３ｍｍとなるようにすることが良い。
【００３５】
これは、凹部２ａの内径と挿入部５ａの外径との差が０．０５ｍｍ未満では、挿入部５ａを凹部２ａ内に挿入することが難しく、凹部２ａのコーナー部等よりセラミック体２にクラックを発生させるおそれがあるからであり、逆に凹部２ａの内径と挿入部５ａの外径との差が０．３ｍｍを超えると、給電端子５とセラミック体２に設けられた凹部２ａの間の接着層６の層厚みが大きくなり、温度サイクルによる接着層６の膨張や収縮が、給電端子５と凹部２ａとの間隔の変化に対して追従することができず、接着層６が凹部２ａより剥離するおそれがあるからである。
【００３６】
次に、給電端子５の接合方法について説明する。
【００３７】
まず、電極４を埋設したセラミック体２を用意する。なお、セラミック体２は、セラミックグリーンシートを複数枚積み重ね、あるセラミックグリーンシート間に導体層を形成しておいたグリーンシート積層体を焼成することにより形成したものや、生のセラミック成形体上に導体層を配置し、該導体層を覆うように生のセラミック成形体上にセラミック粉末を充填し、圧力を加えて導体層を埋設した生のセラミック成形体を形成したあと焼成することにより形成したもの、あるいは上記導体層を覆うように生のセラミック成形体上にセラミック粉末を充填し、圧力を加えながら加熱して焼成することにより形成したものでも構わない。
【００３８】
そして、セラミック体２の表面に研削加工にて電極４の一部が露出する凹部２ａを穿孔する。この凹部２ａの形成にあたっては、円柱状体の外周にダイヤモンド砥粒を電着等にて固着した工具を用い、セラミック体２にクラックを発生させないようにするため、送り速度を１ｍｍ／分以下の速度で行うことが好ましい。
【００３９】
次に、この穿孔した凹部２ａの内壁面（電極４の露出部も含む）に、導電性粒子を１０〜９０容量％の範囲で含有する樹脂系接着剤を塗布し、給電端子５の挿入部５ａを凹部２ａ内に挿入する。しかる後、２４時間以上室温で樹脂系接着剤を硬化させるか、あるいは１５０℃以下の温度で６時間程加熱して樹脂系接着剤を硬化させて接着層６を形成すれば良い。
【００４０】
このように、本発明によれば、大きな熱を加える必要がないことから、セラミック体２と金属からなる給電端子５との熱膨張差による応力によってセラミック体２を破損させることなく、容易に製造することができる。
【００４１】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は図１に示したものだけに限定されるものではなく、例えば、図３や図４に示す電極内蔵体にも適用することができる。
【００４２】
図３は、本発明に係る電極内蔵体からなるウエハ支持部材の他の例を示す断面図で、電極４を内蔵したセラミック体２が、セラミック焼結体やサファイアからなる誘電体層１１の上面をウエハの設置面３とし、上記誘電体層１１の下面に電極４を、メッキ法やメタライズ法、あるいはＣＶＤ法、ＰＶＤ法、スパッタリング法等の成膜手段にて形成し、上記電極４を覆うように上記誘電体層１１の下面に、セラミック焼結体からなるベース１２を接着剤やロウ材にて接合した接合構造体からなる以外は図１と同様の構造をしたもので、図２に示す給電構造にて給電端子５を接合してある。
【００４３】
また、図４は、本発明に係る電極内蔵体からなるウエハ支持部材のさらに他の例を示す断面図で、電極４を内蔵したセラミック体２が、電極４を埋設した樹脂層１３の上面をウエハの設置面３とするとともに、樹脂層１３の下面に、セラミック焼結体からなるベース１２を接着剤やロウ材にて接合した接合構造体からなる以外は図１と同様の構造をしたもので、図２に示す給電構造にて給電端子５を接合してある。
【００４４】
また、本実施形態ではウエハ支持部材を例にとって説明したが、この他に、オゾン発生器、静電吸着部材、酸素センサー、気化装置、ダイボンディング装置等の電極内蔵体にも適用できることは言う迄もない。
【００４５】
【実施例】
以下、本発明の具体例をウエハ支持部材を例にとって説明する。
【００４６】
まず、セラミック体２を形成するため、平均粒子径が１．２μｍ程度である純度９９．０％のＡｌＮ粉末に、バインダー及び溶媒のみを添加混合して泥漿を製作した後、ドクターブレード法にて厚さ０．５ｍｍ程度のＡｌＮグリーンシートを複数枚製作し、このうち、数枚のＡｌＮグリーンシートを積層した後、その表面にスクリーン印刷法でもってタングステン粉末に若干のＡｌＮ粉末を混ぜた金属ペーストからなる半円状膜を円形に敷設し、さらに残りのＡｌＮグリーンシートを積み重ね、５０ｋｇ／ｃｍ2の圧力で加圧圧着してグリーンシート積層体を形成した。その後、切削加工を施して円板状とした後、窒素雰囲気下で２０００℃程度の焼成温度で２時間程度焼成することにより、純度９９．０％の窒化アルミニウム質焼結体からなり、その内部に電極を埋設したセラミック体を得た。
【００４７】
しかる後、セラミック体の外径を約２００ｍｍ、厚みを８ｍｍとした後、セラミック体の一方の主面（最も広い面）に、研摩加工を施して中心線平均粗さ（Ｒａ）０．８μｍの鏡面に仕上げて設置面を形成するとともに、セラミック体の他方の主面に電極の一部が露出する円形の凹部を研削加工にて穿孔し、凹部中に、導電性粒子として最大粒子径が２０μｍのＡｇを用い、１０容量％の割合で添加したエポキシ系接着剤を塗布し、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ系合金からなる給電端子を挿入した後、１５０℃の温度で加熱硬化させて接着層を形成し、給電端子を凹部内に接着固定することによりウエハ支持部材を製作した。
【００４８】
このようにして製作したウエハ支持部材は、給電端子の接合時にセラミック体を破損させることがなく、容易に製作することができた。
【００４９】
【実験例】
（実験例１）
そこで、実施例のウエハ支持部材のうち、接着層を形成するエポキシ系接着剤に含有させる導電性粒子の割合を異ならせた時の給電端子と電極との間の抵抗値、給電端子の引っ張り強度、ウエハ支持部材に熱サイクルを加えた時の通電不良の発生率についてそれぞれ調べる実験を行った。
【００５０】
そして、本実験では、給電端子と電極との間の抵抗値が０．５Ω以下であるものを良好とし、○で示し、０．５Ωを超えるものは不良とし、×で示した。また、給電端子の引っ張り強度においては、引っ張り強度が９．８Ｎ以上であるものを良好とし、○で示し、９．８Ｎ未満であるものを不良とし、×で示した。さらに、ウエハ支持部材に熱サイクルを加えた時の通電不良の発生率については、各試料をそれぞれ２０個ずつ用意し、昇降温レートを５０℃／分とし、−５０℃と２００℃でそれぞれ１０分間保持する温度サイクルを１０００サイクル実施後に、さらに２００℃に加熱して１０００時間保持した後、給電端子と電極との間の抵抗を測定し、初期の抵抗値に対する変化率を１％以下とできなかったものの発生率を示し、この発生率が５％以下であるものを良好とした。
【００５１】
それぞれの結果は表１に示す通りである。なお、給電端子と電極との間の抵抗値は四端子法により測定した。
【００５２】
【表１】
0004548928.tif 000002
【００５３】
この結果、試料Ｎｏ．２〜９のように、導電性粒子の含有量が１０〜９０容量％の範囲あるものは、いずれも給電端子と電極との間の抵抗値を０．５Ω以下とすることができ、十分な導電性が得られるとともに、−５０℃から２００℃の熱サイクルに対しても抵抗値変化が少なく、熱サイクルによる導通不良発生率も５％以下と少なく、さらに、給電端子を強固に接合することができ、優れていた。
【００５４】
この結果、接合層を形成する樹脂中に含有させる導電性粒子の含有量は１０〜９０容量％の範囲で含有すれば良いことが判る。
【００５５】
（実験例２）
次に、接着層を形成する樹脂の種類及び導電性粒子の種類をそれぞれ異ならせ、実験例１と同様の実験を行った。
【００５６】
それぞれの結果は表２に示す通りである。
【００５７】
【表２】
0004548928.tif 000003
【００５８】
この結果、試料Ｎｏ．１２〜１４，１６，１７，１９，２０，２４のように、導電性粒子として金、銀、銅、錫、アルミニウムを用いるとともに、導電性接着剤を形成する樹脂成分として、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、フッ素樹脂のいずれか１種を用いることにより、給電端子と電極との間の抵抗値を０．５Ω以下とすることができ、十分な導電性が得られるとともに、−５０℃から２００℃の熱サイクル試験に対しても抵抗値の変化が少なく、導通不良率を５％以下に抑えることができ、さらに、給電端子を強固に接合することができることが判る。
【００５９】
この結果、接合層を形成する樹脂系接着剤中に含有させる導電性粒子は、金、銀、銅、錫、アルミニウムを用いるとともに、樹脂系接着剤を形成する樹脂成分は、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、フッ素樹脂のいずれか１種を用いることが良い。
【００６０】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、電極を内蔵したセラミック体の表面又は電極を内蔵した樹脂層を接合したセラミック体の表面に、上記電極の一部が露出する凹部を設け、該凹部に給電端子を挿入するとともに、該給電端子と上記凹部とを、導電性粒子を１０〜９０容量％の範囲で含有する樹脂系接着剤からなる接着層にて接着固定して電極内蔵体を構成したことから、給電端子と電極との間の十分な導電性が得られ、かつ−５０度〜２００度の温度範囲で熱サイクルが加わったとしてもセラミック体を破損させることなく確実に給電端子を接合することができる。しかも、給電端子の接合時に大きな熱を加える必要がないため、給電端子の接続を容易に行うことができる。
【００６１】
特に、上記導電性粒子として、金、銀、銅、錫、アルミニウムのうちの少なくとも１種以上を用いるとともに、樹脂系接着剤を形成する樹脂として、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、フッ素樹脂のいずれか１種を用いれば上記効果を効果的に達成することができる。
【００６２】
その為、本発明の電極内蔵体を用いて電極が静電吸着用電極又はプラズマ電極からなるウエハ支持部材を形成すれば、電極が静電吸着用電極である時には、ウエハを吸着固定するのに十分な静電気力を発生させることができ、また電極がプラズマ電極である時には、各種処理を行うのに十分なプラズマを発生させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る電極内蔵体の一例であるウエハ支持部材を示す断面図である。
【図２】図１のウエハ支持部材における給電構造を拡大した断面図である。
【図３】本発明に係るウエハ支持部材の他の例を示す断面図である。
【図４】本発明に係るウエハ支持部材のさらに他の例を示す断面図である。
【図５】従来の電極内蔵体の一例であるウエハ支持部材を示す断面図である。
【図６】図５のウエハ支持部材における給電構造の一例を示す拡大断面図である。
【図７】図５のウエハ支持部材における給電構造の他の例を示す拡大断面図である。
【符号の説明】
１，２１：ウエハ支持部材  ２，２２：セラミック体  ２ａ，２２ａ：凹部
３，２３：設置面  ４，２４：電極  ５，２５：給電端子  ６：接着層
【図１】
0004548928.tif 000004
【図２】
0004548928.tif 000005
【図３】
0004548928.tif 000006
【図４】
0004548928.tif 000007
【図５】
0004548928.tif 000008
【図６】
0004548928.tif 000009
【図７】
0004548928.tif 000010