(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
板状の加工対象物の一方の面に接着され、当該加工対象物の割断により当該加工対象物から分離された分割片を貼着して保持可能なダイシングシートであって、
前記加工対象物を割断する予定線に沿って第１の貫通穴が形成され、
前記加工対象物の周囲外側に第２の貫通穴が形成され、その第２の貫通穴は、前記加工対象物の外周形状に沿った不連続の長穴であることを特徴とするダイシングシート。
【請求項２】
板状の加工対象物の一方の面に接着され、当該加工対象物の割断により当該加工対象物から分離された分割片を貼着して保持可能なダイシングシートであって、
前記加工対象物を割断する予定線に沿って第１の貫通穴が形成され、その第１の貫通穴は、前記分割片の外周形状に沿った不連続の長穴であることと、
前記加工対象物の周囲外側に第２の貫通穴が形成され、その第２の貫通穴は、前記加工対象物の外周形状に沿った不連続の長穴であることとを特徴とするダイシングシート。
【請求項３】
ダイシングシートを一方の面に接着した板状の加工対象物をレーザ光の照射により割断するレーザダイシング方法であって、
前記加工対象物を割断する予定線に沿ってレーザ光を入射し前記加工対象物の内部に多光子吸収による改質領域を形成する改質工程と、
前記改質工程により形成された前記改質領域を起点に前記加工対象物を割断する割断工程と、
前記割断工程による前記加工対象物の割断によって発生する塵を、前記ダイシングシートの第１の貫通穴を介して当該ダイシングシートの前記加工対象物が接着されていない側に吸引する吸引工程と
を含み、
前記ダイシングシートは、
前記加工対象物の割断により前記加工対象物から分離された分割片を貼着して保持可能なダイシングシートであり、
前記加工対象物を割断する予定線に沿って前記第１の貫通穴が形成されていることを特徴とするレーザダイシング方法。
【請求項４】
ダイシングシートを一方の面に接着した板状の加工対象物をレーザ光の照射により割断するレーザダイシング方法であって、
前記加工対象物を割断する予定線に沿ってレーザ光を入射し前記加工対象物の内部に多光子吸収による改質領域を形成する改質工程と、
前記改質工程により形成された前記改質領域を起点に前記加工対象物を割断する割断工程と、
前記割断工程による前記加工対象物の割断によって発生する塵を、前記ダイシングシートの第１の貫通穴を介して当該ダイシングシートの前記加工対象物が接着されていない側に吸引する吸引工程と
を含み、
前記ダイシングシートは、
前記加工対象物の割断により前記加工対象物から分離された分割片を貼着して保持可能なダイシングシートであり、
前記加工対象物を割断する予定線に沿って前記第１の貫通穴が形成され、
前記第１の貫通穴は前記分割片の外周形状に沿った不連続の長穴であることを特徴とするレーザダイシング方法。
【請求項５】
ダイシングシートを一方の面に接着した板状の加工対象物をレーザ光の照射により割断するレーザダイシング方法であって、
前記加工対象物を割断する予定線に沿ってレーザ光を入射し前記加工対象物の内部に多光子吸収による改質領域を形成する改質工程と、
前記改質工程により形成された前記改質領域を起点に前記加工対象物を割断する割断工程と、
前記改質工程によるレーザ光の照射によって発生する塵を、前記ダイシングシートの第１の貫通穴または第２の貫通孔の少なくとも一方を介して当該ダイシングシートの前記加工対象物が接着されていない側に吸引する前吸引工程と
を含み、
前記ダイシングシートは、
前記加工対象物の割断により前記加工対象物から分離された分割片を貼着して保持可能なダイシングシートであり、
前記加工対象物を割断する予定線に沿って前記第１の貫通穴が形成され、
前記加工対象物の周囲外側に前記第２の貫通穴が形成されていることを特徴とするレーザダイシング方法。
【請求項６】
ダイシングシートを一方の面に接着した板状の加工対象物をレーザ光の照射により割断するレーザダイシング方法であって、
前記加工対象物を割断する予定線に沿ってレーザ光を入射し前記加工対象物の内部に多光子吸収による改質領域を形成する改質工程と、
前記改質工程により形成された前記改質領域を起点に前記加工対象物を割断する割断工程と、
前記改質工程によるレーザ光の照射によって発生する塵を、前記ダイシングシートの第１の貫通穴または第２の貫通孔の少なくとも一方を介して当該ダイシングシートの前記加工対象物が接着されていない側に吸引する前吸引工程と
を含み、
前記ダイシングシートは、
前記加工対象物の割断により前記加工対象物から分離された分割片を貼着して保持可能なダイシングシートであり、
前記加工対象物を割断する予定線に沿って前記第１の貫通穴が形成され、前記第１の貫通穴は、前記分割片の外周形状に沿った不連続の長穴であることと、
前記加工対象物の周囲外側に前記第２の貫通穴が形成されていることとを特徴とするレーザダイシング方法。
【請求項７】
ダイシングシートを一方の面に接着した板状の加工対象物をレーザ光の照射により割断するレーザダイシング方法であって、
前記加工対象物を割断する予定線に沿ってレーザ光を入射し前記加工対象物の内部に多光子吸収による改質領域を形成する改質工程と、
前記改質工程により形成された前記改質領域を起点に前記加工対象物を割断する割断工程と、
前記改質工程によるレーザ光の照射によって発生する塵を、前記ダイシングシートの第１の貫通穴または第２の貫通孔の少なくとも一方を介して当該ダイシングシートの前記加工対象物が接着されていない側に吸引する前吸引工程と
を含み、
前記ダイシングシートは、
前記加工対象物の割断により前記加工対象物から分離された分割片を貼着して保持可能なダイシングシートであり、
前記加工対象物を割断する予定線に沿って前記第１の貫通穴が形成され、
前記加工対象物の周囲外側に前記第２の貫通穴が形成され、
前記第２の貫通穴は、前記加工対象物の外周形状に沿った不連続の長穴であることを特徴とするレーザダイシング方法。
【請求項８】
ダイシングシートを一方の面に接着した板状の加工対象物をレーザ光の照射により割断するレーザダイシング方法であって、
前記加工対象物を割断する予定線に沿ってレーザ光を入射し前記加工対象物の内部に多光子吸収による改質領域を形成する改質工程と、
前記改質工程により形成された前記改質領域を起点に前記加工対象物を割断する割断工程と、
前記改質工程によるレーザ光の照射によって発生する塵を、前記ダイシングシートの第１の貫通穴または第２の貫通孔の少なくとも一方を介して当該ダイシングシートの前記加工対象物が接着されていない側に吸引する前吸引工程と
を含み、
前記ダイシングシートは、
前記加工対象物の割断により前記加工対象物から分離された分割片を貼着して保持可能なダイシングシートであり、
前記加工対象物を割断する予定線に沿って前記第１の貫通穴が形成され、
前記第１の貫通穴は、前記分割片の外周形状に沿った不連続の長穴であることと、
前記加工対象物の周囲外側に前記第２の貫通穴が形成され、
前記第２の貫通穴は、前記加工対象物の外周形状に沿った不連続の長穴であることとを特徴とするレーザダイシング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、板状の加工対象物の一方の面に接着され、当該加工対象物の割断により当該加工対象物から分離された分割片を貼着して保持可能なダイシングシートおよびそれを用いたレーザダイシング方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
例えば、ダイシングシートとして下記特許文献１に開示されているように、レーザダイシングされる圧電素子ウェハ（板状の加工対象物）の裏面に貼り付けられることにより、改質層を起点とした割断によって切断分離された圧電デバイスチップ（分割片）の飛散を防ぐウェハシート（ダイシングシート）がある（特許文献１；段落番号００５１）。
【０００３】
このようなダイシングシートは、通常、加工対象物を保持する側の面が粘着性を有する樹脂製テープ等からなり、周囲を環状のホルダに張った状態で挟持されて載置台等にセットされている。そして、レーザ光の照射によって、ダイシングシートの表面に貼着された加工対象物の内側に改質層が形成された後、ダイシングシートの裏側から加工対象物を押し上げるように加圧することで、当該改質層を起点としたクラックの成長により当該加工対象物の割断を可能にしている（特許文献１；段落番号００６２〜００６４、図１９、図２９〜図３２）。
【０００４】
ところで、このようなレーザダイシングでは、加工対象物の割断の際に、少なからずともパーティクル（粉塵）が発生する。そのため、下記特許文献１の開示技術では、吸引装置を設けることにより、加工対象物の切断分離の際に発生する粉塵を吸引可能にしている（特許文献１；段落番号００６５、０１０３）。
【特許文献１】特開２００３−１０９８６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記特許文献１の開示技術によると、このようなパーティクル（粉塵）を吸引可能にする吸引装置は、加工対象物の表面側からパーティクルを吸引する構成を採っている（特許文献１；段落番号００６５、図３２中矢印Ｂ方向）。そのため、吸引に伴う空気の流れは、加工対象物の上方に向かうため吸引途中のパーティクルが加工対象物上の空間で舞う可能性もあることから、加工対象物の上方で舞ったパーティクルが広範囲に亘って割断中の加工対象物や割断された分割片の上に散らばってしまい製品（分割片）の歩留まりや品質を低下させ得るという問題がある。
【０００６】
そして、吸引装置により吸引しても全てのパーティクルを完全に除去することは困難であることから、残留したパーティクルが前述したように加工対象物の上方で舞うことになれば、同様に製品（分割片）の品質低下等の原因になる。また、このようなパーティクルは、加工対象物の切断分離の際に発生するものだけではなく、例えば、レーザ光の照射時に発生するアブレーションによっても発生するものもあるので、製品（分割片）の歩留まりや品質を向上させるためには、これらも除去する必要がある。
【０００７】
本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、製品（分割片）の歩留まりや品質を向上し得るダイシングシートおよびレーザダイシング方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
請求項１に記載の発明は、
板状の加工対象物の一方の面に接着され、当該加工対象物の割断により当該加工対象物から分離された分割片を貼着して保持可能なダイシングシートであって、
前記加工対象物を割断する予定線に沿って第１の貫通穴が形成され、
前記加工対象物の周囲外側に第２の貫通穴が形成され、その第２の貫通穴は、前記加工対象物の外周形状に沿った不連続の長穴であることを技術的特徴とする。
【０００９】
請求項２に記載の発明は、
板状の加工対象物の一方の面に接着され、当該加工対象物の割断により当該加工対象物から分離された分割片を貼着して保持可能なダイシングシートであって、
前記加工対象物を割断する予定線に沿って第１の貫通穴が形成され、その第１の貫通穴は、前記分割片の外周形状に沿った不連続の長穴であることと、
前記加工対象物の周囲外側に第２の貫通穴が形成され、その第２の貫通穴は、前記加工対象物の外周形状に沿った不連続の長穴であることとを特徴とするダイシングシート。
【００１０】
請求項３に記載の発明は、
ダイシングシートを一方の面に接着した板状の加工対象物をレーザ光の照射により割断するレーザダイシング方法であって、
前記加工対象物を割断する予定線に沿ってレーザ光を入射し前記加工対象物の内部に多光子吸収による改質領域を形成する改質工程と、
前記改質工程により形成された前記改質領域を起点に前記加工対象物を割断する割断工程と、
前記割断工程による前記加工対象物の割断によって発生する塵を、前記ダイシングシートの第１の貫通穴を介して当該ダイシングシートの前記加工対象物が接着されていない側に吸引する吸引工程と
を含み、
前記ダイシングシートは、
前記加工対象物の割断により前記加工対象物から分離された分割片を貼着して保持可能なダイシングシートであり、
前記加工対象物を割断する予定線に沿って前記第１の貫通穴が形成されていることを技術的特徴とする。
【００１１】
請求項４に記載の発明は、
ダイシングシートを一方の面に接着した板状の加工対象物をレーザ光の照射により割断するレーザダイシング方法であって、
前記加工対象物を割断する予定線に沿ってレーザ光を入射し前記加工対象物の内部に多光子吸収による改質領域を形成する改質工程と、
前記改質工程により形成された前記改質領域を起点に前記加工対象物を割断する割断工程と、
前記割断工程による前記加工対象物の割断によって発生する塵を、前記ダイシングシートの第１の貫通穴を介して当該ダイシングシートの前記加工対象物が接着されていない側に吸引する吸引工程と
を含み、
前記ダイシングシートは、
前記加工対象物の割断により前記加工対象物から分離された分割片を貼着して保持可能なダイシングシートであり、
前記加工対象物を割断する予定線に沿って前記第１の貫通穴が形成され、
前記第１の貫通穴は前記分割片の外周形状に沿った不連続の長穴であることを技術的特徴とする。
【００１２】
請求項５に記載の発明は、
ダイシングシートを一方の面に接着した板状の加工対象物をレーザ光の照射により割断するレーザダイシング方法であって、
前記加工対象物を割断する予定線に沿ってレーザ光を入射し前記加工対象物の内部に多光子吸収による改質領域を形成する改質工程と、
前記改質工程により形成された前記改質領域を起点に前記加工対象物を割断する割断工程と、
前記改質工程によるレーザ光の照射によって発生する塵を、前記ダイシングシートの第１の貫通穴または第２の貫通孔の少なくとも一方を介して当該ダイシングシートの前記加工対象物が接着されていない側に吸引する前吸引工程と
を含み、
前記ダイシングシートは、
前記加工対象物の割断により前記加工対象物から分離された分割片を貼着して保持可能なダイシングシートであり、
前記加工対象物を割断する予定線に沿って前記第１の貫通穴が形成され、
前記加工対象物の周囲外側に前記第２の貫通穴が形成されていることを技術的特徴とする。
【００１３】
請求項６に記載の発明は、
ダイシングシートを一方の面に接着した板状の加工対象物をレーザ光の照射により割断するレーザダイシング方法であって、
前記加工対象物を割断する予定線に沿ってレーザ光を入射し前記加工対象物の内部に多光子吸収による改質領域を形成する改質工程と、
前記改質工程により形成された前記改質領域を起点に前記加工対象物を割断する割断工程と、
前記改質工程によるレーザ光の照射によって発生する塵を、前記ダイシングシートの第１の貫通穴または第２の貫通孔の少なくとも一方を介して当該ダイシングシートの前記加工対象物が接着されていない側に吸引する前吸引工程と
を含み、
前記ダイシングシートは、
前記加工対象物の割断により前記加工対象物から分離された分割片を貼着して保持可能なダイシングシートであり、
前記加工対象物を割断する予定線に沿って前記第１の貫通穴が形成され、前記第１の貫通穴は、前記分割片の外周形状に沿った不連続の長穴であることと、
前記加工対象物の周囲外側に前記第２の貫通穴が形成されていることとを特徴とするレーザダイシング方法。
【００１４】
請求項７に記載の発明は、
ダイシングシートを一方の面に接着した板状の加工対象物をレーザ光の照射により割断するレーザダイシング方法であって、
前記加工対象物を割断する予定線に沿ってレーザ光を入射し前記加工対象物の内部に多光子吸収による改質領域を形成する改質工程と、
前記改質工程により形成された前記改質領域を起点に前記加工対象物を割断する割断工程と、
前記改質工程によるレーザ光の照射によって発生する塵を、前記ダイシングシートの第１の貫通穴または第２の貫通孔の少なくとも一方を介して当該ダイシングシートの前記加工対象物が接着されていない側に吸引する前吸引工程と
を含み、
前記ダイシングシートは、
前記加工対象物の割断により前記加工対象物から分離された分割片を貼着して保持可能なダイシングシートであり、
前記加工対象物を割断する予定線に沿って前記第１の貫通穴が形成され、
前記加工対象物の周囲外側に前記第２の貫通穴が形成され、
前記第２の貫通穴は、前記加工対象物の外周形状に沿った不連続の長穴であることを技術的特徴とする。
【００１５】
請求項８に記載の発明は、
ダイシングシートを一方の面に接着した板状の加工対象物をレーザ光の照射により割断するレーザダイシング方法であって、
前記加工対象物を割断する予定線に沿ってレーザ光を入射し前記加工対象物の内部に多光子吸収による改質領域を形成する改質工程と、
前記改質工程により形成された前記改質領域を起点に前記加工対象物を割断する割断工程と、
前記改質工程によるレーザ光の照射によって発生する塵を、前記ダイシングシートの第１の貫通穴または第２の貫通孔の少なくとも一方を介して当該ダイシングシートの前記加工対象物が接着されていない側に吸引する前吸引工程と
を含み、
前記ダイシングシートは、
前記加工対象物の割断により前記加工対象物から分離された分割片を貼着して保持可能なダイシングシートであり、
前記加工対象物を割断する予定線に沿って前記第１の貫通穴が形成され、
前記第１の貫通穴は、前記分割片の外周形状に沿った不連続の長穴であることと、
前記加工対象物の周囲外側に前記第２の貫通穴が形成され、
前記第２の貫通穴は、前記加工対象物の外周形状に沿った不連続の長穴であることとを特徴とするレーザダイシング方法。
【発明の効果】
【００１８】
以下の文中における［  ］内の符号等は、［発明を実施するための最良の形態］の欄で説明する符号に対応するものである。
請求項１の発明によれば、以下の（ア）（ウ）（エ）の効果が得られる。
請求項２の発明によれば、以下の（ア）〜（エ）の効果が得られる。
（ア）板状の加工対象物［Ｗ］の一方の面［Ｗｂ］に接着されるダイシングシートには、当該加工対象物［Ｗ］を割断する予定線［Ｄev］に沿って第１の貫通穴［２１,３１ａ,３１ｂ,３１ｃ,４１ａ,４１ｂ,４１ｃ,４１ｄ,４２ａ,４２ｂ,４２ｃ,４２ｄ,６１］が形成されている。これにより、加工対象物［Ｗ］の割断によって発生する塵［β］を、当該ダイシングシートの第１の貫通穴［２１等］を介して当該ダイシングシートの加工対象物［Ｗ］が接着されていない側［２０ｂ］に吸引することが可能となる。即ち、当該ダイシングシートの第１の貫通穴［２１等］を介して加工対象物［Ｗ］の裏側方向に吸引すると、当該吸引による加工対象物［Ｗ］の上方空間の空気の流れは、加工対象物［Ｗ］の下方に向かう流れとなり、加工対象物［Ｗ］の上方に向かう流れにはなり難い。このため、加工対象物［Ｗ］の表側方向に塵［β］を吸引する場合に比べて、加工対象物［Ｗ］の上方空間で塵［β］が舞うことを抑制し得るので、加工対象物［Ｗ］の上方で舞った塵［β］が加工対象物［Ｗ］上に散らばることを抑制することができる。したがって、加工対象物［Ｗ］を割断した分割片［ＳＣ］である製品の歩留まりや品質を向上することができる。
【００１９】
（イ）第１の貫通穴は、分割片［ＳＣ］の外周形状に沿った不連続の長穴［２１,３１ａ,３１ｂ,３１ｃ］であることから、丸穴等を複数設けて当該長穴［２１,３１ａ,３１ｂ,３１ｃ］相当のものを形成する場合に比べて、開口面積を増加させることができる。また、分割片［ＳＣ］の外周形状に沿って形成されているので、加工対象物［Ｗ］の割断に際し発生する塵［β］を効率良く当該長穴［２１,３１ａ,３１ｂ,３１ｃ］を介して当該ダイシングシートの加工対象物［Ｗ］が接着されていない側［２０ｂ］に吸引することが可能となる。これにより、第１の貫通穴として、無秩序に丸穴等が形成されている場合（図３(B) の丸穴［６１］参照）に比べて、非常に効率良く加工対象物［Ｗ］の裏側方向に塵［β］を吸引可能にすることができる。したがって、加工対象物［Ｗ］を割断した分割片［ＳＣ］である製品の歩留まりや品質をより向上することができる。
【００２０】
（ウ）加工対象物［Ｗ］の周囲外側に第２の貫通穴［２３,５３,６３］が形成されていることから、加工対象物［Ｗ］の周囲外側方向に飛散した塵［α］も当該第２の貫通穴［２３,５３,６３］を介して当該ダイシングシートの加工対象物［Ｗ］が接着されていない側［２０ｂ］に吸引することが可能となる。これにより、加工対象物［Ｗ］の割断に際し発生する塵［β］以外に、例えば、レーザ光［Ｌ］の照射時に発生するアブレーションによって発生する塵［α］も、当該第２の貫通穴［２３,５３,６３］を介して当該ダイシングシートの加工対象物［Ｗ］が接着されていない側［２０ｂ］に吸引可能にすることができる。したがって、アブレーションによる塵［α］も加工対象物［Ｗ］の裏側方向に吸引できるので、加工対象物［Ｗ］を割断した分割片［ＳＣ］である製品の歩留まりや品質をより一層向上することができる。
【００２１】
（エ）第２の貫通穴は、加工対象物［Ｗ］の外周形状に沿った不連続の長穴［５３］であることから、丸穴等を複数設けて当該長穴［５３］相当のものを形成する場合に比べて、開口面積を増加させることができる。また、加工対象物［Ｗ］の外周形状に沿って形成されているので、レーザ光［Ｌ］の照射に際し発生するアブレーションによる塵［α］を効率良く当該長穴［５３］を介して当該ダイシングシートの加工対象物［Ｗ］が接着されていない側［２０ｂ］に吸引することが可能となる。これにより、第２の貫通穴として、無秩序に丸穴等が形成されている場合（図３(B) の丸穴［６３］参照）に比べて、非常に効率良く加工対象物［Ｗ］の裏側方向に塵［α］や塵［β］を吸引可能にすることができる。したがって、加工対象物［Ｗ］を割断した分割片［ＳＣ］である製品の歩留まりや品質をさらに向上することができる。
【００２６】
請求項３または請求項４の発明では、割断工程による加工対象物［Ｗ］の割断によって発生する塵［β］を、ダイシングシートの第１の貫通穴［２１,３１ａ,３１ｂ,３１ｃ,４１ａ,４１ｂ,４１ｃ,４１ｄ,４２ａ,４２ｂ,４２ｃ,４２ｄ,６１］を介して当該ダイシングシートの加工対象物［Ｗ］が接着されていない側［２０ｂ］に吸引する吸引工程［図６(C) ］を含む。このため、この吸引工程で、当該ダイシングシートの第１の貫通穴［２１等］を介して加工対象物［Ｗ］の裏側方向に吸引すると、当該吸引による加工対象物［Ｗ］の上方空間の空気の流れは、加工対象物［Ｗ］の下方に向かう流れとなり、加工対象物［Ｗ］の上方に向かう流れにはなり難い。このため、加工対象物［Ｗ］の表側方向に塵［β］を吸引する場合に比べて、加工対象物［Ｗ］の上方空間で塵［β］が舞うことを抑制し得るので、加工対象物［Ｗ］の上方で舞った塵［β］が加工対象物［Ｗ］上に散らばることを抑制することができる。したがって、加工対象物［Ｗ］を割断した分割片［ＳＣ］である製品の歩留まりや品質を向上することができる。
【００２７】
請求項５〜８の発明では、改質工程によるレーザ光［Ｌ］の照射によって発生する塵［α］を、ダイシングシートの第１の貫通穴［２１,３１ａ,３１ｂ,３１ｃ,４１ａ,４１ｂ,４１ｃ,４１ｄ,４２ａ,４２ｂ,４２ｃ,４２ｄ,６１］または第２の貫通孔［２３,５３,６３］の少なくとも一方を介して当該ダイシングシートの加工対象物［Ｗ］が接着されていない側［２０ｂ］に吸引する前吸引工程を含む。このため、この前吸引工程で、当該ダイシングシートの第１の貫通穴［２１等］を介して加工対象物［Ｗ］の裏側方向に吸引すること、および加工対象物［Ｗ］の周囲外側方向に飛散した塵［α］も当該第２の貫通穴［２３,５３,６３］を介して当該ダイシングシートの加工対象物［Ｗ］が接着されていない側［２０ｂ］に吸引することが可能となる。これにより、加工対象物［Ｗ］の割断に際し発生する塵［β］に加えて、例えば、レーザ光［Ｌ］の照射時に発生するアブレーションによって発生する塵［α］も、当該第２の貫通穴［２３,５３,６３］を介して当該ダイシングシートの加工対象物［Ｗ］が接着されていない側［２０ｂ］に吸引可能にすることができる。したがって、アブレーションによる塵［α］も加工対象物［Ｗ］の裏側方向に吸引できるので、加工対象物［Ｗ］を割断した分割片［ＳＣ］である製品の歩留まりや品質をより一層向上することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、本発明のダイシングシートおよびこれを用いたレーザダイシング方法の実施形態について図を参照して説明する。以下に述べる各実施形態では、本発明のダイシングシートをレーザダイシング工程においてウェハの裏面ほぼ全面に貼り付けるエキスパンドテープに適用した例（第１実施形態（図１〜図４）、第２実施形態（図５））と、当該エキスパンドテープを用いて行うレーザダイシング工程の例（第３実施形態（図６））を説明する。
【００２９】
［第１実施形態］
図１に示すように、第１実施形態に係るエキスパンドテープ２０は、例えば、塩化ビニル等からなる伸縮性のあるフィルム状の樹脂製シートで、その一の面２０ａ（図１の紙面表側）にはウェハＷや半導体チップＳＣを貼着可能な粘着剤が塗布されている。これに対し、反対側の他の面２０ｂには、粘着剤等は塗布されていないが、後述するように吸引装置により吸引されたパーティクルα、βが当該他の面に付着し難い表面処理が施されている。なお、ウェハＷは、特許請求の範囲に記載の「板状の加工対象物」に相当し得るもので、また半導体チップＳＣは、同記載の「分割片」に相当し得るものである。
【００３０】
図１(A) に示すように、エキスパンドテープ２０には、矩形状の長穴２１と、円形状の丸穴２３とがそれぞれ多数形成されている。なお、同図中に破線（符号Ｗ）による切欠のある円形状は、ウェハＷを貼着する予定位置および範囲（以下「ウェハ位置(Ｗ)」という）を表したものであり、また二点鎖線（符号Ｄev）による直線は、当該ウェハＷをレーザダイシングによって割断する予定線を表したものである。さらに、一点鎖線枠内のハッチングを付された矩形範囲（符号ＳＣ）は、当該ウェハＷに形成される半導体チップを表したものである。この半導体チップＳＣは、３箇所にのみ表されているが、これは便宜上このように表現しているだけで、実際にはウェハＷの表面ほぼ全面に亘って半導体チップＳＣが形成されている。
【００３１】
エキスパンドテープ２０の長穴２１は、ウェハＷの割断予定線Ｄevに沿って形成される貫通穴で、その拡大図（図１(A) に示す一点鎖線枠内を拡大したもの）が図１(B) に示されている。即ち、長穴２１は、半導体チップＳＣの外周形状に沿って形成されるもので、本第１実施形態では、半導体チップＳＣがほぼ正方形状であることから、当該正方形状の４辺の全てについて不連続に矩形状の長穴が形成されている。なお、長穴２１は、特許請求の範囲に記載の「第１の貫通穴」および「不連続の長穴」に相当し得るものである。
【００３２】
また、当該正方形状の４辺の全てについて連続に長穴を形成、つまり正方形状を取り囲むように長穴を形成した場合には、エキスパンドテープ２０のうち、半導体チップＳＣを貼着する部分が抜け落ちてしまうため、少なくとも、当該正方形状の４隅の角付近では隣接する長穴２１同士が連通しないように、それぞれの長穴２１を不連続に形成している。
【００３３】
一方、エキスパンドテープ２０の丸穴２３は、ウェハ位置(Ｗ)の周囲外側に形成される貫通穴で、図１(A) に示すように、本第１実施形態の場合、切欠のある円形状の周囲に沿って当該丸穴２３が配置されている。なお、この切欠は、ウェハＷ（シリコン）の結晶方位を示すオリエンテーションフラットＯＦに倣ったものである。本第１実施形態では、例えば、ウェハＷの外周形状よりも一回り大きなほぼ円周上に、その中心角として約１０度間隔で丸穴２３を形成している。つまり、当該円周上に３６箇所に丸穴２３を形成している。
【００３４】
なお、長穴２１を形成する長辺および短辺の寸法や丸穴２３の内径寸法は、分割された半導体チップＳＣがこれらの長穴２１や丸穴２３を通り抜けることを防止する観点から、それぞれの穴の最大径（対角線も含む）が当該半導体チップＳＣの最短の辺の長さ未満になるように設定さている。
【００３５】
次に、長穴２１や丸穴２３の改変例を適用したエキスパンドテープ３０、４０、５０、６０の構成を図２および図３を参照して説明する。
図２(A) に示すように、長穴２１の改変例として、例えば、３つの小長穴３１ａ、３１ｂ、３１ｃを不連続に近接させて形成することによって１つの長穴相当分を構成するエキスパンドテープ３０が挙げられる。即ち、エキスパンドテープ３０では、長辺の長さを長穴２１の１／３（三分の一）程度に短縮した小長穴３１ａを形成し、その長手方向にほぼ同形状の小長穴３１ｂ、そしてさらに小長穴３１ｂの長手方向にほぼ同形状の小長穴３１ｃを形成し、同一の割断予定線Ｄev上に長手方向に縦列に整列するように配置する。
【００３６】
これにより、図１に示す長穴２１をこれら３つの小長穴３１ａ、３１ｂ、３１ｃに置き換えることが可能となる。このように３つ一組の小長穴３１ａ、３１ｂ、３１ｃを形成した場合（エキスパンドテープ３０）は、長穴２１を１つ形成した場合（エキスパンドテープ２０）に比べ、それぞれの小長穴３１ａ等を不連続にする分、穴あき部分を減少させることができる。このため、後述するように、エキスパンドテープ２０による引張力を良好に伝達する。
【００３７】
図２(B) に示すように、長穴２１の改変例として、例えば、４つの丸穴４１ａ、４１ｂ、４１ｃ、４１ｄや三角穴４２ａ、４２ｂ、４２ｃ、４２ｄを不連続に形成することによって１つの長穴相当分を構成するエキスパンドテープ４０も挙げられる。即ち、エキスパンドテープ４０では、内径を長穴２１の約１／４（四分の一）程度に設定した丸穴４１ａ、４１ｂ、４１ｃ、４１ｄをそれぞれ形成し、割断予定線Ｄevを串に喩えれば串団子状に丸穴４１ａ、４１ｂ、４１ｃ、４１ｄを配置することで、長穴２１とほぼ同程度のものを構成する。また丸穴４１ａ等に代えて三角形状の貫通穴である三角穴４２ａ、４２ｂ、４２ｃ、４２ｄを三角の向きが互い違いになるように、これらを配置して長穴２１とほぼ同程度のものを構成する。
【００３８】
これにより、４つ一組の丸穴４１ａ、４１ｂ、４１ｃ、４１ｄや三角穴４２ａ、４２ｂ、４２ｃ、４２ｄを形成した場合（エキスパンドテープ４０）は、長穴２１を１つ形成した場合（エキスパンドテープ２０）に比べ、それぞれの丸穴４１ａ等を不連続にする分、穴あき部分を減少させることができる。このため、後述するように、エキスパンドテープ２０による引張力を良好に伝達することが可能となる。
【００３９】
このように長穴２１の変形例として種々のものが想定できるが、他方、丸穴２３の改変例としては、図３(A) に示すエキスパンドテープ５０が挙げられる。即ち、エキスパンドテープ５０では、ウェハＷの外周形状に沿った不連続の長穴、例えば１／４（四分の一）円弧相当の扇形状の円弧穴５３をウェハ位置(Ｗ)の周囲外側にオリエンテーションフラットＯＦに対応する範囲の除いて４箇所に形成する。
【００４０】
これにより、図１に示すように、例えば、約１０度間隔に３６箇所に形成された丸穴２３を、これら４つの円弧穴５３に置き換えることが可能となる。このように４つの円弧穴５３をウェハ位置(Ｗ)の周囲に形成した場合は、丸穴２３を３６箇所に形成した場合に比べ、当該円弧穴５３が長穴である分、穴あき部分を増加させることができる。このため、後述するように、例えば、レーザ光の照射時にウェハＷの外周部分で発生し得るパーティクルαを当該円弧穴５３を介してウェハＷの裏面方向に効率良く吸引することができる。
【００４１】
なお、図１に示す長穴２１や丸穴２３の構成例の一つとして、例えば、図３(B) に示すエキスパンドテープ６０のように、無秩序に丸穴６１、６３を散点させても良い。即ち、エキスパンドテープ６０では、図１に示す長穴２１に対応するものとして丸穴６１をウェハ位置(Ｗ)の範囲内に、また図１に示す丸穴２３に対応するものとして丸穴６３をウェハ位置(Ｗ)の周囲に、それぞれ何らの規則性もなく散点状に配置して形成する。
【００４２】
このように丸穴６１、６３を無秩序に形成するエキスパンドテープ６０では、当該丸穴６１は、必ずしも割断予定線Ｄevに沿って位置するものではなく、また丸穴６３も必ずしもウェハＷの外周形状に沿って位置するものではない。このため、図１、図２および図３(A) に例示した構成例（エキスパンドテープ２０、３０、４０、５０）に比べると、後述するように、パーティクルα、βの吸引効率は低下するが、パーティクルα、βを当該丸穴６１、６３を介してウェハＷの裏面方向に吸引することは可能となる。
【００４３】
次に、エキスパンドテープ２０、３０、４０、５０、６０に形成される丸穴２３等の改変例を図４を参照して説明する。これまでの説明では、長穴２１や丸穴２３あるいは円弧穴５３等、各穴が形成される位置関係とその平面形状について述べたが、ここではこれらの穴の断面形状について説明する。なお、ここで説明する丸穴２３等の改変例は、平面形状が円形状の穴、つまり丸穴に限れることはなく、例えば、長穴２１や長穴３１ａ等の長穴や三角穴４２ａ等の多角形状の穴についても適用可能なものである。但しここでは、これら各種形状の穴の代表として、丸穴２３の改変例を説明する。
【００４４】
丸穴２３の第１改変例を適用したエキスパンドテープ２０’として、図４(A) および図４(B) に示す構成が挙げられる。なお、図４(A) は、図４(B) に示す4A-4A 断面図である。この第１改変例に係る丸穴では、いわゆる段付穴２３’を構成することによって単なる円筒形状の貫通穴を形成した場合に比べてエキスパンドテープ２０’の接続部分を極力確保しエキスパンドテープ２０’による引張力を良好に伝達可能にしている。
【００４５】
即ち、図４(A) および図４(B) に示すように、ウェハＷを貼着し得る一の面２０ａ側に内径が大きく設定された大径部２３ａ’を形成し、これとは反対側の他の面２０ｂ側に、内径が大径部２３ａ’よりも小径に設定された小径部２３ｂ’を形成することで、段付穴２３’を構成している。
【００４６】
これにより、ウェハＷが貼着される一の面２０ａ側には、段付穴２３’の大径部２３ａ’が開口するので、後述するように、当該大径による円形開口の範囲においてパーティクルα、βを吸引することができる。これに対し、吸引装置等により吸引される他の面２０ｂ側には、段付穴２３’の小径部２３ｂ’が開口するので、後述するように、エキスパンドテープ２０’を平面方向の引張力により引っ張る場合には、その引張力をエキスパンドテープ２０’内で良好に伝達することができる。
【００４７】
丸穴２３の第２改変例を適用したエキスパンドテープ２０”として、図４(C) および図４(D) に示す構成が挙げられる。なお、図４(C) は、図４(D) に示す4C-4C 断面図である。この第２改変例に係る丸穴では、一の面２０ａと他の面２０ｂとでは軸ｉ、ｊの異なった丸穴２３ａ”（中心軸はｉ）、２３ｂ”（中心軸はｊ）をそれぞれ形成することにより、両丸穴の重なり部分２３ｃ”が貫通穴として形成されるものである。
【００４８】
これにより、ウェハＷが貼着される一の面２０ａ側には、中心軸を軸ｉとする入口部２３ａ”が開口し、またこれとは反対側の面２０ｂ側には、中心軸を軸ｉとする出口部２３ｂ”が開口しする。このため、図４(C) に示すように、実線による矢印方向にはパーティクルα、βを通過を許容する一方で、点線による矢印方向にはパーティクルα、βの通過を阻止する。つまり、エキスパンドテープ２０”の段付穴２３”では、パーティクルα、βの進入方向によって当該パーティクルα、βの通過させたり阻止したりするので、当該段付穴２３”により通過するウェハＷの進行方向（吸引方向）を制御することができる。
【００４９】
上述したように、本第１実施形態によると、ウェハＷの裏面Ｗｂに接着されるエキスパンドテープ２０、３０、４０には、当該ウェハＷの割断予定線Ｄevに沿って長穴２１や３つ一組の小長穴３１ａ、３１ｂ、３１ｃ等が形成されている。これにより、ウェハＷの割断によって発生するパーティクルβを、当該エキスパンドテープ２０等の長穴２１等を介して当該エキスパンドテープ２０等の他の面２０ｂ側に吸引することが可能となる。
【００５０】
即ち、後述する第３実施形態のように、当該エキスパンドテープ２０等の長穴２１等を介してウェハＷの裏側方向に吸引すると、当該吸引によるウェハＷの上方空間の空気の流れは、ウェハＷの下方に向かう流れとなり、ウェハＷの上方に向かう流れにはなり難い。このため、ウェハＷの表側方向にパーティクルβを吸引する場合に比べて、ウェハＷの上方空間でパーティクルβが舞うことを抑制し得るので、ウェハＷの上方で舞ったパーティクルβがウェハＷ上に散らばることを抑制することができる。したがって、ウェハＷを割断した半導体チップＳＣの歩留まりや品質を向上することができる。
【００５１】
また、エキスパンドテープ２０、３０では、それらの長穴２１、３１ａ等は、半導体チップＳＣの外周形状に沿った不連続の長穴形状であることから、例えば、図２(B) の丸穴４１ａ等のように、丸穴等を複数設けて当該長穴２１相当のものを形成する場合に比べて、開口面積を増加させることができる。また、半導体チップＳＣの外周形状に沿って形成されているので、ウェハＷの割断に際し発生するパーティクルβを効率良く当該長穴２１、３１ａ等を介して当該エキスパンドテープ２０等の他の面２０ｂ側に吸引することが可能となる。これにより、図３(B) に示すように、無秩序に丸穴６１が形成されている場合に比べて、非常に効率良くウェハＷの裏側方向にパーティクルβを吸引可能にすることができる。したがって、ウェハＷを割断した半導体チップＳＣの歩留まりや品質をより向上することができる。
【００５２】
さらに、エキスパンドテープ２０、５０では、ウェハＷの周囲外側に丸穴２３、５３等が形成されていることから、ウェハＷの周囲外側方向に飛散したパーティクルαも当該丸穴２３等を介して当該エキスパンドテープ２０等の他の面２０ｂ側に吸引することが可能となる。これにより、後述する第３実施形態のように、ウェハＷの割断に際し発生するパーティクルβ以外に、例えば、レーザ光Ｌの照射時に発生するアブレーションによって発生するパーティクルαも、当該丸穴２３等を介して当該エキスパンドテープ２０等の他の面２０ｂ側に吸引可能にすることができる。したがって、アブレーションによるパーティクルαもウェハＷの裏側方向に吸引できるので、ウェハＷを割断した半導体チップＳＣの歩留まりや品質をより一層向上することができる。
【００５３】
また、エキスパンドテープ５０の円弧穴５３では、その円弧穴５３は、ウェハＷの外周形状に沿った不連続の長穴であることから、エキスパンドテープ２０の丸穴２３のように、丸穴等を複数設けて当該円弧穴５３相当のものを形成する場合に比べて、開口面積を増加させることができる。また、ウェハＷの外周形状に沿って形成されているので、レーザ光Ｌの照射に際し発生するアブレーションによるパーティクルαを効率良く当該円弧穴５３を介して当該エキスパンドテープ５０のウェハＷが接着されていない側に吸引することが可能となる。これにより、図３(B) に示すように、無秩序に丸穴６３が形成されている場合に比べて、非常に効率良くウェハＷの裏側方向にパーティクルαやパーティクルβを吸引可能にすることができる。したがって、ウェハＷを割断した半導体チップＳＣの歩留まりや品質をさらに向上することができる。
【００５４】
［第２実施形態］
次に、本発明の第２実施形態に係るエキスパンドテープ７０、８０の構成を図５を参照して説明する。
図５(A) および図５(B) に示すように、本第２実施形態のエキスパンドテープ７０、８０は、前述した第１実施形態のエキスパンドテープ２０を網状に形成したものである。そのため、伸縮性がある点やその一の面（図５の紙面表側）にはウェハＷや半導体チップＳＣを貼着可能な粘着剤が塗布されている点等については、エキスパンドテープ２０とほぼ同様である。
【００５５】
このように、エキスパンドテープ７０、８０では、少なくともウェハＷを接着する範囲は、網状に形成されており、またウェハＷの周囲外側の範囲も網状に形成されていることから、前述のエキスパンドテープ２０と同様に、ウェハＷの割断によって発生するパーティクルβやレーザ光の照射時のアブレーションによって発生するパーティクルαを、当該エキスパンドテープ７０、８０の網目７１、７３、８１、８３を介して当該エキスパンドテープ７０、８０の裏側に吸引することが可能となる。
【００５６】
図７(A) に示すエキスパンドテープ７０のように、網状を格子形状に形成することにより、当該格子状を構成する縦糸７０ａの方向および横糸７０ｂの方向に引っ張られる力（引張力）に対する対抗力を高めることが可能となる。これにより、当該エキスパンドテープ７０を張った状態で挟持するホルダとして、例えば矩形状の枠体に適した構成を採ることが可能となる。
【００５７】
また、図７(B) に示すエキスパンドテープ８０のように、網状を、放射状のラジアル線８０ａと同心状のサークル線８０ｂとを組み合わせた蜘蛛の巣状に形成することにより、当該蜘蛛の巣状を構成するサークル線８０ｂによる同心円の中心から放射方向に引っ張られる力（引張力）に対する対抗力を高めることが可能となる。これにより、当該エキスパンドテープ８０を張った状態で挟持するホルダとして、例えば円形状の枠体に適した構成を採ることが可能となる。
【００５８】
［第３実施形態］
次に、上述したエキスパンドテープ２０、３０、４０、５０、６０、７０、８０を用いて行うレーザダイシング工程を第３実施形態として図６を参照して説明する。
図６(A) に示す改質工程では、ウェハＷの割断予定線Ｄevに沿ってレーザ光をウェハＷに入射しウェハＷの内部に多光子吸収による改質領域ＫＫを形成する。これにより、図６(B) にも示すように、ウェハＷの厚さ方向に重層状に改質領域ＫＫが形成される。
【００５９】
図６(C) に示す割断工程では、エキスパンドテープ２０等が貼付されたウェハＷの裏面Ｗｂを加圧することによって、エキスパンドテープ２０等が平面方向に伸びるため、これによる引張力によりウェハＷを径方向に引っ張ることで、改質工程により形成された改質領域ＫＫを起点にウェハＷを割断する。
【００６０】
本第３実施形態では、図略の吸引装置（例えば、吸引ポンプにより負圧するもの、ウェハＷの上方から下方に向かって空気流（例えばダウンフロー）をつくるもの、ウェハＷの上方から加圧空気を吹き付けるもの等）を設けることによって、改質工程のレーザ光の照射によるアブレーションによって発生するパーティクルαや割断工程によるウェハＷの割断によって発生するパーティクルβを、上述したエキスパンドテープ２０等の各長穴２１や丸穴２３等を介してウェハＷの裏面Ｗｂ側、つまりエキスパンドテープ２０等の他の面２０ｂ側に吸引または圧送する。
【００６１】
即ち、割断工程あるいはその前後で、吸引装置により上記のような空気の流れをつくる（吸引工程）。これにより、エキスパンドテープ２０等の長穴２１等を介してウェハＷの裏側方向に吸引すると、当該吸引によるウェハＷの上方空間の空気の流れは、ウェハＷの下方に向かう流れとなり、ウェハＷの上方に向かう流れにはなり難い。このため、ウェハＷの表側方向にパーティクルβを吸引する場合に比べて、ウェハＷの上方空間でパーティクルβが舞うことを抑制し得るので、ウェハＷの上方で舞ったパーティクルβがウェハＷ上に散らばることを抑制することができる。
【００６２】
また、改質工程あるいはその前後で、吸引装置により上記のような空気の流れをつくる（前吸引工程）。これにより、エキスパンドテープ２０等の長穴２１等を介してウェハＷの裏側方向に吸引すること、およびウェハＷの周囲外側方向に飛散したパーティクルαも丸穴２３等を介して当該エキスパンドテープ２０等の他の面２０ｂ側に吸引することが可能となる。これにより、ウェハＷの割断に際し発生するパーティクルβに加えて、例えば、レーザ光Ｌの照射時に発生するアブレーションによって発生するパーティクルαも、当該丸穴２３等を介して当該エキスパンドテープ２０等の他の面２０ｂ側に吸引可能にすることができる。
【００６３】
このように第３実施形態では、吸引装置により上記のような空気の流れをつくるので、アブレーションによるパーティクルαや割断によるパーティクルβもウェハＷの裏側方向に吸引でき、ウェハＷを割断した半導体チップＳＣの歩留まりや品質をより一層向上することができる。
【００６４】
なお、以上説明した各実施形態では、樹脂製のエキスパンドテープ２０等を例示したが、通気性のあるものであれば、例えば、多孔質性のシート、多層膜のシート等をエキスパンドテープ２０等に代えて用いることができ、これによっても、上述と同様の作用および効果を得ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】本発明の第１実施形態に係るエキスパンドテープの構成を示す説明図で、図１(A) は全体構成を示すもの、図１(B) は図１(A) に示す一点鎖線枠1B内を拡大したものである。
【図２】第１実施形態のエキスパンドテープを構成する第１の貫通穴の改変例を示す説明図で、図２(A) は小長穴を複数形成した例を示すもので、図２(B) は長穴に代えて丸穴、三角穴等を複数形成した例を示すものである。
【図３】図３(A) は、第１実施形態のエキスパンドテープを構成する第２の貫通穴の改変例を示す説明図で、図３(B) は、第１の貫通穴および第２の貫通穴の他の例を示す説明図である。
【図４】第１実施形態のエキスパンドテープを構成する第１、第２の貫通穴の構成を図で、図４(A) は第１改変例の断面図、図４(B) は第１改変例の平面図、図４(C) は第２改変例の断面図、図４(D) は第２改変例の平面図である。
【図５】本発明の第２実施形態に係るエキスパンドテープの構成を示す説明図で、図５(A) は格子状に形成された網状のものを示すもの、図５(B) は蜘蛛の巣状に形成された網状のものを示すものである。
【図６】本発明のレーザダイシング方法の各工程を示す説明図で、図６(A) は改質工程および前吸引工程を示すもの、図６(B)は 図６(A) に示すウェハをその周方向に９０度回転させた場合を示すもの、図６(C)は 割断工程および吸引工程を示すものである。
【符号の説明】
【００６６】
２０、２０’、２０”、３０、４０、５０、６０、７０、８０…エキスパンドテープ（ダイシングシート）
２０ａ…一の面
２０ｂ…他の面（加工対象物が接着されていない側）
２１…長穴（第１の貫通穴、不連続の長穴）
２３…丸穴（第２の貫通穴）
３１ａ、３１ｂ、３１ｃ…小長穴（第１の貫通穴、不連続の長穴）
４１ａ、４１ｂ、４１ｃ、４１ｄ…丸穴（第１の貫通穴）
４２ａ、４２ｂ、４２ｃ、４２ｄ…三角穴（第１の貫通穴）
５３…円弧穴（第２の貫通穴、不連続の長穴）
６１…丸穴（第１の貫通穴）
６３…丸穴（第２の貫通穴）
７０ａ…縦糸
７０ｂ…横糸
７１、７３、８１、８３…網目
８０ａ…ラジアル線（放射状の線）
８０ｂ…サークル線（同心状の円）
ＣＶ…集光レンズ
Ｄev…割断予定線（割断する予定線）
Ｋ…改質層
ＫＫ…改質領域
Ｌ…レーザ光
ＳＣ…半導体チップ（分割片）
Ｗ…ウェハ（板状の加工対象物）
Ｗａ…表面
Ｗｂ…裏面（一方の面）
α…パーティクル（レーザ光の照射によって発生する塵）
β…パーティクル（半導体ウェハの割断によって発生する塵）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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