(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成された、第１の蛍光体を含むベース層と、
前記ベース層に形成された、前記第１の蛍光体とは組成および発光スペクトルが異なる第２の蛍光体を含む記録ドットと、を有する記録媒体であって、
前記第１の蛍光体と前記第２の蛍光体はストイキオメトリック蛍光体であることを特徴とする記録媒体。
【請求項２】
基板と、
前記基板上に形成された、第１の蛍光体を含むベース層と、
前記ベース層に形成された、前記第１の蛍光体とは組成および発光スペクトルが異なる第２の蛍光体を含む記録ドットと、を有する記録媒体であって、
前記第１の蛍光体は硫化物であり、前記第２の蛍光体は酸化物であることを特徴とする記録媒体。
【請求項３】
前記第１の蛍光体は、ＥｕＧａ２Ｓ４またはＥｕＡｌ２Ｓ４であることを特徴とする請求項１又は２記載の記録媒体。
【請求項４】
蛍光体を含むベース層が形成された記録用媒体に情報を記録することで請求項１乃至３いずれか１項に記載の記録媒体を作成する記録装置であって、
前記記録用媒体を保持する、減圧可能に構成された内部空間を有する処理容器と、
前記記録用媒体に電子を照射する電子照射手段と、
前記記録用媒体に酸素イオンを照射するイオン照射手段と、を有することを特徴とする記録装置。
【請求項５】
請求項１乃至３いずれか１項に記載の記録媒体に記録された情報を読み出す読み出し装置であって、
前記記録媒体を保持する、減圧可能に構成された内部空間を有する処理容器と、
前記記録媒体に電子を照射する電子照射手段と、
前記記録媒体の発光を検出する光検出手段と、を有することを特徴とする読み出し装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は蛍光体を用いた記録媒体と、記録媒体にデータを記録する記録装置、および記録媒体の情報を読み出す読み出し装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、記録媒体はナノテクノロジーの急激な進展に伴い、その記録密度を著しく向上させている。例えば、記録媒体の記録技術としては、大別して磁気記録技術と光記録技術の２つの方式があることが知られている。磁気記録技術を用いた記録媒体の例としてはＨＤ（Hard  Disk）があり、光記録技術を用いた記録媒体の例としては、ＤＶＤ、ＢＤ（Blue-ray  Disk）などがある。例えば２００４年において、ＨＤで１５０（ＧＢ／Ｉｎ２）、ＤＶＤで、４．７（ＧＢ／Ｉｎ２）、ＢＤで２３．３（ＧＢ／Ｉｎ２）の記録密度を実現している（例えば非特許文献１、非特許文献２参照。）。
【０００３】
しかし、上記の記録媒体において、さらに記録密度を向上させようとする場合、以下に示すように様々な技術的な問題がある。まず、磁気記録技術においては「超常磁性限界」と呼ばれる磁気記録特有の現象が生じることが知られている。そのため、記録ドットを微細化して記録密度の向上を図る場合、例えば記録媒体の記録ドットの直径が１０〜２０ｎｍ以下になると信号出力が記録後１００時間程度で１０％以上も低下する経時劣化が生じてしまう。
【０００４】
一方、光記録技術についてみると、「光の回折限界」により、光の焦点でのスポットサイズを小さくすることに限界がある。例えば、スポットサイズの下限の径は、現行のＤＶＤではレーザで６００ｎｍ程度、ＢＤでは２８０ｎｍ程度であり、記録ドットの微細化は困難であった。
【０００５】
そこで、これらの技術的な問題を解決し、さらに記録密度を向上させるために、蛍光体を用いた記録媒体が提案されていた（例えば非特許文献３、非特許文献４参照。）。上記の蛍光体を用いた記録媒体では、蛍光体のトラップレベルに情報を書き込むという方式となっており、これらの記録媒体に用いられる蛍光体は、輝尽蛍光体と呼ばれている。
【０００６】
上記の輝尽蛍光体には多くのトラップレベルが存在し、蛍光体の発光のエネルギーよりも低いエネルギーの光を蛍光体に照射すると、蛍光体の発光強度が強くなるという現象が生じる。この現象を用いることにより、光による蛍光体への情報の書き込みと、光による蛍光体からの情報の読み出しができるようになる。
【０００７】
このように、蛍光体を用いた情報の記録を行う場合、発光強度の多諧調を用いて情報を記録する、いわゆる多値記憶が容易となることから記録密度を向上させることが可能となる。
【非特許文献１】映像メディア学会誌  ２００４年９月号  ｐｐ．１２０９−１２１３
【非特許文献２】映像メディア学会誌  ２００４年９月号  ｐｐ．１２１４−１２１８
【非特許文献３】南戸  秀仁著「電子トラップ光メモリーの基礎−輝尽発光の物理−」光学２６巻７号（１９９７）ｐｐ．３４８−３５３．）
【非特許文献４】Donald Carlin “Electorontrapping promises superdense optical storage” Data storage May/June （１９９６）ｐｐ．４１−４７
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、輝尽蛍光体を用いた記録媒体では、上記の非特許文献４にも記載してあるように、蛍光体に白色光を照射した場合や、熱を加えた場合に情報が消失してしまう場合があり、また、読み出しを１度行うと書き込んだ情報が消失してしまう場合があった。
【０００９】
このため、輝尽蛍光体を用いた記録媒体では、記録データを保持するためのリフレッシュ動作が必要であった。このような問題があるため、輝尽蛍光体を用いた光メモリーは現在まで実用化に至っていない。
【００１０】
そこで、本発明は上記の問題を解決した、新規で有用な記録媒体、記録媒体の記録装置、記録媒体の読み出し装置を提供することを目的としている。
【００１１】
本発明の具体的な課題は、記録密度が高く、記憶された状態が安定である、蛍光体を用いた記録媒体と、当該記録媒体に情報を記録する記録装置、および情報を読み出す読み出し装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の第１の観点では、上記の課題を、基板と、前記基板上に形成された、第１の蛍光体を含むベース層と、前記ベース層に形成された、前記第１の蛍光体とは組成および発光スペクトルが異なる第２の蛍光体を含む記録ドットと、を有し、前記第１の蛍光体と前記第２の蛍光体はストイキオメトリック蛍光体であることを特徴とする記録媒体により、解決する。
【００１３】
上記の記録媒体は、記録密度が高く、また記録された状態が安定である特徴を有している。また、発光中心濃度が高く、記録ドットを小さくすることが可能であるために記録密度を向上させることが可能であり、好適である。
【００１５】
また、本発明の第２の観点では、上記の課題を、基板と、前記基板上に形成された、第１の蛍光体を含むベース層と、前記ベース層に形成された、前記第１の蛍光体とは組成および発光スペクトルが異なる第２の蛍光体を含む記録ドットと、を有し、前記第１の蛍光体は硫化物であり、前記第２の蛍光体は酸化物であることを特徴とする記録媒体により、解決する。前記記録媒体は、前記ベース層に対して前記記録ドットを形成することが容易であり、また記録ドットが安定な構造であるため、好ましい。
【００１６】
また、前記第１の蛍光体は、ＥｕＧａ２Ｓ４またはＥｕＡｌ２Ｓ４であると、発光中心濃度が高く、記録ドットを小さくすることが可能であるために記録密度を向上させることが可能であり、好適である。
【００１７】
また、本発明の第３の観点では、上記の課題を、蛍光体を含むベース層が形成された記録用媒体に情報を記録することで上記の記録媒体を作成する記録装置であって、前記記録用媒体を保持する、減圧可能に構成された内部空間を有する処理容器と、前記記録用媒体に電子を照射する電子照射手段と、前記記録用媒体に酸素イオンを照射するイオン照射手段と、を有することを特徴とする記録装置により、解決する。
【００１８】
当該記録装置は、記録密度が高く、また記録された状態が安定である記録をすることが可能である。
【００２１】
また、本発明の第４の観点では、上記の課題を、上記の記録媒体に記録された情報を読み出す読み出し装置であって、前記記録媒体を保持する、減圧可能に構成された内部空間を有する処理容器と、前記記録媒体に電子を照射する電子照射手段と、前記記録媒体の発光を検出する光検出手段と、を有することを特徴とする読み出し装置により、解決する。
【００２２】
当該読み出し装置は、高密度に記録された情報を安定に読み出すことが可能である。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、記録密度が高く、記録された状態が安定である、蛍光体を用いた記録媒体と、当該記録媒体に情報を記録する記録装置、および読み出しを行う読み出し装置を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
次に、本発明の実施の形態について、図面に基づき、説明する。
【実施例１】
【００２７】
図１は、本発明の実施例１による記録媒体１０を模式的に示した斜視図である。
【００２８】
図１を参照するに、本実施例による記録媒体１０は、基板１と、前記基板１上に形成された、第１の蛍光体を含むベース層２と、前記ベース層２に形成された、前記第１の蛍光体とは組成の異なる第２の蛍光体を含む記録ドット３と、を有している。なお、本図には前記記録ドット３を３個のみ示し、他の記録ドットを省略しているが、実際は円板の同心円に沿って、多数の記録ドットが形成されている。
【００２９】
上記の構成の記録媒体では、前記ベース層２と、前記記録ドット３が、組成の異なる蛍光体により形成されているため、当該ベース層２と当該記録ドット３との間で、フォトルミネッセンスやカソードルミネッセンスにおける発光スペクトルが異なっている。本実施例による記録媒体ではこのことを利用し、情報が読み出される構造になっている。すなわち、前記ベース層２および前記記録ドット３に、電子線やレーザなどの励起光が照射されるときに生じる異なった発光のスペクトルが検出されることで、情報が読み出される。
【００３０】
このため、従来の、輝尽蛍光体を用いて、蛍光体のトラップレベルに情報が書き込まれる記録媒体に比べて情報が記録された状態が安定であり、情報の書き込みと読み出しの信頼性が高い特徴を有している。
【００３１】
また、上記の記録媒体１０は蛍光体を用いているため、従来の磁気記録の場合の超常磁性限界のように記録密度が制限されることがない。また、情報の読み出しや書き込みに電子線を用いることが可能であるため、従来の光記録のように光の回折限界により記録密度の向上が制限されることがない。このため、本実施例による記録媒体では、従来の磁気記録や光記録に比べて格段に記録密度を向上させることができる。また、蛍光体からの発光の立ち上がり（電子線が基板上に照射されてから発光を開始するまでの時間）はｎｓｅｃ以下と非常に早い応答速度を有するため、高速読み出しが可能となる。
【００３２】
また、本実施例による記録媒体は、情報の読み出しに蛍光体の発光を用いているために、発光強度の多諧調を用いて情報を記録する、いわゆる多値記録が可能であり、記録密度を高くすることができる。この場合、多値記録とは、例えば１つの記録ドットに複数個の発光中心イオンをドープして発光強度のレベル差（諧調）を生じさせることにより、発光強度の多諧調を用いて情報を記録することである。このため、蛍光体を用いた記録媒体では記録媒体の記録密度を向上させることが可能となる。
【００３３】
上記の記録媒体は、例えば、前記基板１上に形成された硫化物蛍光体を含むベース層２を、部分的に酸化して前記記録ドット３を形成することにより、形成される。
【００３４】
また、前記第１の蛍光体と前記第２の蛍光体はストイキオメトリック蛍光体であることが好ましい。
【００３５】
従来の蛍光体を記録媒体として用いた場合、発光中心濃度が０．１〜５ｍｏｌ％程度と非常に小さいため、例えば記録ドットの径を１０ｎｍ以下として記録ドットを小さくした場合には、単一記録ドット中に発光中心イオンが１個も入っていない場合が多数生じてしまう。記録ドットに発光中心イオンが入ってない場合には、そのドットは発光を示さないため、記録媒体として機能せず、記録エラーが生じてしまう場合があった。
【００３６】
例えば、ストイキオメトリック蛍光体を用いた場合には、発光中心濃度が１００ｍｏｌ％であるため、発光中心イオンの周囲に単位格子が形成されていれば、電子または光の励起により、記録ドットが発光を示す。したがって記録ドットの径を、例えば１０ｎｍ以下とした場合でも、必ず単一ドット中に発光中心イオンが１個以上入って発光を用いた記録が可能となる。そのため、記録ドットを微細化して記録密度を大きくすることが可能となり、好ましい。
【００３７】
また、上記のように微細な記録ドットを形成するためには、すなわち情報の書き込みには、光の回折限界の問題を回避するため、電子線を用いることが好ましい。同様の理由により、微細な記録ドットにより記録された情報の読み出しには、電子線を用いることが好ましい。
【００３８】
また、情報の書き込みと読み出しには、例えばレーザなどの照射光および励起光を用いることも可能であり、この場合には記録密度は電子線を用いた場合に劣るものの、書き込みと読み出しの装置（方法）が単純となるメリットがある。
【００３９】
本実施例では、前記ベース層２が、ストイキオメトリック蛍光体であるＥｕＧａ２Ｓ４により、形成されている。また、前記記録ドット３は、前記ベース層２を部分的に酸化することで形成され、前記記録ドット３は、例えばストイキオメトリック蛍光体であるＥｕＧａＯ３およびＥｕ２Ｏ３の混合物よりなる。このようなベース層や記録ドットの形成方法および形成するための装置の詳細に関しては後述する。
【００４０】
また、図２には、図１の記録媒体１０の一部であるＡ部の拡大図を模式的に示す。ただし図中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
【００４１】
図２を参照するに、本実施例による記録媒体では、前記記録ドット３は、例えば従来の光ディスクなどと同様のパターン形状を有している。
【００４２】
また、図３（Ａ）には、記録装置によって前記記録ドット３を形成する場合の記録装置への入力信号の一例を示し、図３（Ｂ）には、当該入力信号に対応して形成される前記記録ドット３のパターンの一例を、それぞれ示す。図３（Ａ）、（Ｂ）を参照するに、前記記録ドット３のドット長と記録ドットの間隔によって、情報を記録する場合の入力信号のゼロクロッシングの位置が記録されるようになっている。
【００４３】
次に、上記の記録媒体に情報を記録する記録装置の形態の一例について、以下に説明する。
【００４４】
図４は、上記の記録媒体に情報を記録する（記録ドットを形成する）記録装置２０を模式的に示した断面図である。図４を参照するに、本実施例による記録装置２０は、例えばＡｌやステンレスなどの金属などからなる処理容器２１と、当該処理容器２１内に設けられた、被処理基板Ｗを保持する保持台２２を有している。
【００４５】
前記保持台２２は、当該保持台２２を回動させることが可能に構成された支持部２３に支持される構造となっている。さらに、前記支持部２３は、前記処理容器２１の底部に設置されたレール上のトレーサ２４上を稼動することが可能に構成されている。
【００４６】
前記処理容器２１には、前記保持台２２に電子線２６Ａを照射する電子照射手段（電子銃）２６と、前記保持台２２に酸素イオン２７Ａを照射するイオン照射手段２７が設置されている。また、前記処理容器２１には、真空ポンプなどの排気手段２５が接続される排気口２１Ａが形成されており、当該処理容器２１内の空間を所望の減圧状態とすることが可能になっている。
【００４７】
上記の装置を用いて、記録媒体に情報を記録し、先に説明した記録媒体１０に相当する構造とするためには、以下のように装置が制御される。なお、前記記録装置２０は、書き込み情報に基づき、制御手段（図示せず）により制御される。
【００４８】
まず、ＥｕＧａ２Ｓ４よりなるベース層が形成された、ガラスよりなる被処理基板Ｗ（記録用媒体）が前記保持台２２に保持された後、前記処理容器２１内の空間が前記排気手段２５により排気さる。この場合、当該空間は、前記電子照射手段２６が電子を放出することが可能な、１０−５Ｔｏｒｒ程度の圧力とされることが好ましい。
【００４９】
次に、前記保持台２２が前記支持部２３によって回転されるとともに、書き込み情報に対応して前記電子照射手段２６によってベース層に電子線２６Ａが照射される。この場合、当該電子線が照射される前に、または当該電子線が照射されると同時に、ベース層には前記イオン照射手段２７によって、高速に加速された酸素イオン２７Ａが照射される。
【００５０】
ここで、硫化物蛍光体（ＥｕＧａ２Ｓ４）よりなるベース層の表面が、酸化されて酸化物蛍光体（ＥｕＧａＯ３およびＥｕ２Ｏ３の混合物）となり、図１〜図３に示すような記録ドットが形成される。
【００５１】
本実施例による記録装置では、記録ドットの形成、すなわち情報の書き込みに電子線を用いており、またベース層を酸化する場合の酸素の供給のために高速に加速された直進性の高い酸素イオンを用いている。このため、微細な形状を有する、例えば径が１０ｎｍ以下の記録ドットを形成することが可能となり、記録密度の高い記録媒体を形成することが可能となっている。
【００５２】
上記の記録装置では、前記電子照射手段２６の、電子が放出される近傍では、電子の放出に好適な真空度が保たれるとともに、記録ドットが形成される部分には、局所的に効率よく酸化に必要な酸素イオンが供給される。この場合、イオン供給手段２７を用いて高速に加速された酸素イオンを基板上に照射することで、ガスに比べて格段に直進性の高いイオンを基板上に照射することが可能となり、微細な形状を有する記録ドットを形成することが可能となっている。
【００５３】
また、上記の装置において、電子線を照射する場合の電子線のスポット径は、電子の加速電圧と電子放出手段（電子銃）の種類および対物レンズ（図示せず）の種類によって変わることが知られている（「半導体計測評価辞典」サイエンスフォーラム１９９４年、ｐ２６参照。）。
【００５４】
例えば、加速電圧１０ｋＶとした場合、通常の熱電子銃と対物レンズを用いた場合には電子線のスポット径は１０ｎｍ程度であるが、電界放出（ＦＥ）電子銃を用いた場合にはスポット径は３ｎｍ、さらにＦＥ電子銃とインレンズ型対物レンズを用いた場合にはスポット径は１ｎｍ程度まで絞り込むことが可能である。
【００５５】
したがって、上記の記録装置を用いた場合に、前記電子放出手段２６にＦＥ電子銃とインレンズ型対物レンズを組み合わせたもの用いると、略円状の記録ドットを形成する場合に、径が１ｎｍ程度のものを容易に形成することができる。
【００５６】
また、情報の書き込みを行う場合には電子線に限定されず、例えばレーザなどの照射光を用いることも可能である。この場合、前記記録装置２０において、前記電子照射手段２６に換えてレーザ照射手段を設置すればよい。また、書き込みにレーザを用いる場合には大気中での処理が可能となるため、処理容器内を減圧状態とすることを要しない。そのため、排気手段などの減圧のための構造や、イオン照射手段などの酸素イオンを供給するための構造は不要となる。この場合には、大気中でベース層に対してレーザが照射されることにより、大気中の酸素によって蛍光体が酸化される。
【００５７】
次に、上記の装置によって記録媒体に記録された情報を読み出す読み出し装置（再生装置）の構成の一例について説明する。
【００５８】
図５は、上記の記録媒体の情報を読み出す読み出し装置（再生装置）３０を模式的に示した断面図である。図５を参照するに、本実施例による読み出し装置３０の、処理容器３１、排気口３１Ａ、保持台３２、支持部３３、トレーサ３４、排気手段３５、電子照射手段３６、および電子線３６Ａは、それぞれ前記記録装置２０の、処理容器２１、排気口２１Ａ、保持台２２、支持部２３、トレーサ２４、排気手段２５、電子照射手段２６、および電子線２６Ａに相当し、同様の構造を有している。本図に示す読み出し装置３０は、記録ドットからの発光を読み出すための光検出手段３７を備えている。
【００５９】
上記の読み出し装置を用いて、記録媒体に書き込まれた情報を読み出すためには以下のように装置が制御される。なお、前記読み出し装置３０は、制御手段（図示せず）により制御される。
【００６０】
まず、ベース層と記録ドットが形成された被処理基板Ｗ（記録媒体）が前記保持台３２に保持された後、前記処理容器３１内の空間が前記排気手段３５により排気される。この場合、当該空間は、前記電子照射手段３６が電子を放出することが可能な、１０−５Ｔｏｒｒ程度の圧力とされることが好ましい。
【００６１】
次に、前記保持台３２が前記支持部３３によって回転されながら、前記電子照射手段３６によって前記ベース層または記録ドットに電子線３６Ａが照射される。
【００６２】
ここで、電子線の照射（保持台の回転）に対応して、硫化物蛍体（ＥｕＧａ２Ｓ４）よりなるベース層か、または酸化物蛍光体（ＥｕＧａＯ３およびＥｕ２Ｏ３の混合物）よりなる記録ドットのいずれかが発光するが、その発光スペクトルの違いを前記光検出手段３７でモニターすることにより、情報が読み出される。この場合、発光スペクトルの違いを検出するために、例えば前記光検出手段３７と記録媒体との間には光学フィルタ３８が設置されることが好ましい。
【００６３】
上記の読み出し装置では、いわゆるＣＬ（カソードルミネッセンス）の原理を用いているが、ＰＬ（フォトルミネッセンス）の原理を用いて情報を読み出してもよい。すなわち、情報の読み出しにレーザなどの励起光を用いてもよい。ただし、励起光は情報の書き込みに用いた照射光とは光の波長が異なり、蛍光体を励起するためだけに用いる光であり、紫外光を用いる。この紫外光は通常紫外線レーザが使われるが、レーザ光に限られるものではない。この場合、処理容器内を減圧状態とすることを要しないため、排気手段などの減圧のための構造が不要となる。
【００６４】
また、前記光検出手段３７は、高感度でしかも高速な光応答をするものであることが好ましく、例えばフォトマルチプライヤー（ＰＭ）や、アバランシェフォトダイオード（ＡＰＤ）などを用いることが好ましい。
【００６５】
次に、上記に示した記録媒体を形成するために、基板上に、ストイキオメトリック蛍光体を形成する具体的な例を、以下に示す。
【００６６】
例えば、緑色蛍光体であるＥｕＧａ２Ｓ４の薄膜をガラス基板上に作成するための作成条件については、公知の方法（例えば特開２００４−２０７０９１号公報記載の方法）を用いることが可能である。
【００６７】
例えば、多元蒸着法によりＥｕＧａ２Ｓ４の薄膜を作成する場合には、蒸着クヌードセンセル（Ｋセル）に蒸着原料としてＥｕおよびＧａ２Ｓ３を充填し、下記の条件で作成すればよい。
【００６８】
【表１】
0004469310.tif 000002
この場合、基板上では以下の化学反応により、薄膜が製膜され、膜厚０．５〜１．０μｍ程度を得る。
【００６９】
Ｅｕ＋２Ｇａ２Ｓ３  →  ＥｕＧａ２Ｓ４＋２ＧａＳ↑
上記の式において、右辺のＧａＳは、適当な基板温度（４０５℃）で完全に再蒸発してしまい、ＥｕＧａ２Ｓ４膜中には残留しない。
【００７０】
このＥｕＧａ２Ｓ４薄膜のＣＬの発光スペクトルを図６に示す。図６を参照するに、本図に示すスペクトルは中心波長５３６ｎｍのブロードな発光であり、ＣＩＥ色度座標（０．２９，０．６７）の、色純度の良好な緑色発光であることが確認された。このＥｕＧａ２Ｓ４薄膜に紫外線を照射した場合も、同様な緑色発光が得られる。
【００７１】
次に、上記のＥｕＧａ２Ｓ４薄膜を、７００℃以上の温度で高速アニール（ＲＴＡ）処理を行い、表面を酸化して表面に酸化物蛍光体（ＥｕＧａＯ３およびＥｕ２Ｏ３の混合物、記録ドットに相当する組成）を形成した。この酸化物蛍光体の発光スペクトルを図７に示す。図７を参照するに、本図に示す発光スペクトルは、現用ＣＲＴ実用蛍光体であるＹ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ３＋と同様、典型的なＥｕ３＋イオンによる輝線スペクトルとなっており、ＣＩＥ色度座標（０．６５，０．３４）の色純度の、良好な赤色発光が得られる。
【００７２】
上記の硫化物蛍光体と酸化物蛍光体の発光スペクトルの比較から、先に説明した記録媒体において、発光スペクトルの違いにより、情報の書き込みと読み出しが可能であることが確認された。
【００７３】
例えば、上記の硫化物蛍光体をベース層に、酸化物蛍光体を記録ドットとした場合、図５に示した前記読み出し装置３０において、前記光学フィルタ３８に、６００ｎｍ付近をカットオフ波長とするハイパス光学フィルタ（例えば東芝色ガラスフィルターＲ−６１など）を用いると、Ｓ／Ｎよく記録情報（記録信号）を再生できる。また、６００ｎｍ付近をカットオフ波長とするローパス光学フィルタを用いてもよい。
【００７４】
また、上記の実施例においては、記録媒体に用いる基板としてガラス基板を用いる場合例にとって説明したが、これに限定されるものではない。例えば、セラミック基板や半導体基板を用いることも可能である。さらには、ＥｕＧａ２Ｓ４と格子整合のとれた半導体基板を用いることで、ＥｕＧａ２Ｓ４よりなるベース層を、エピタキシャル成長により形成することも可能となる。
【００７５】
また、記録媒体のベース層に用いるストイキオメトリック蛍光体として、ＥｕＧａ２Ｓ４（ユーロピウムチオガレート）を例にとって説明したが、これに限定されるものではない。例えば、ベース層には、ＥｕＡｌ２Ｓ４（ユーロピウムチオアルミネート）を用いることも可能であり、先に説明した場合と同様にして記録媒体へ情報を記録したり、また記録媒体の情報の読み出しなどをすることが可能である。
【００７６】
また、記録媒体として電子線やレーザを照射することで発光スペクトルが変化する他の無機系蛍光体や有機系蛍光体を用いることも可能である。
【００７７】
以上、本発明を好ましい実施例について説明したが、本発明は上記の特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した要旨内において様々な変形・変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】実施例１による記録媒体を示す斜視図である。
【図２】図１の一部拡大図である。
【図３】図１の記録媒体に記録される入力信号を示す図である。
【図４】記録媒体に情報を記録する記録装置の構成例である。
【図５】記録媒体の情報を読み出す読み出し装置の構成例である。
【図６】蛍光体の発光スペクトルの例（その１）である。
【図７】蛍光体の発光スペクトルの例（その２）である。
【符号の説明】
【００７９】
１０  記録媒体
１  基板
２  ベース層
３  記録ドット
２０  記録装置
３０  読み出し装置
２１，３１  処理容器
２１Ａ，３１Ａ  排気口
２２，３２  保持台
２３，３３  支持部
２４，３４  トレーサ
２５，３５  排気手段
２６，３６  電子照射手段
２７  イオン照射手段
３７  光検出手段
３８  光学フィルタ
【図１】
0004469310.tif 000003
【図２】
0004469310.tif 000004
【図３】
0004469310.tif 000005
【図４】
0004469310.tif 000006
【図５】
0004469310.tif 000007
【図６】
0004469310.tif 000008
【図７】
0004469310.tif 000009