(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性基体上に下地層を積層する工程と、
該下地層の上に、磁気記録層を形成する工程と、
該磁気記録層を急冷する工程と、
該磁気記録層の上に、保護層を積層する工程と、
該保護層の上に、液体潤滑剤層を積層する工程と
を少なくともこの順に具え、
該下地層を、六方最密充填構造を有し、かつそのａ軸格子定数が磁気記録層の材料のａ軸格子定数の１０５％より大きく１２０％以下となるような金属あるいは合金材料で形成し、
該磁気記録層の一軸異方性Ｋｕおよび保磁力Ｈｃを向上させることを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２】
非磁性基体上に下地層を積層する工程と、
該下地層の上に、磁気記録層を形成する工程と、
該磁気記録層を急加熱する工程と、
該磁気記録層を急冷する工程と、
該磁気記録層の上に、保護層を積層する工程と、
該保護層の上に、液体潤滑剤層を積層する工程と
を少なくともこの順に具え、
該下地層を、六方最密充填構造を有し、かつそのａ軸格子定数が磁気記録層の材料のａ軸格子定数の１０５％より大きく１２０％以下となるような金属あるいは合金材料で形成し、
該磁気記録層の一軸異方性Ｋｕおよび保磁力Ｈｃを向上させることを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３】
前記金属あるいは合金材料は、Ｒｕ、Ｔｉ、ＴｉＣｒ、Ｒｅ、ＣｏＣｒ、ＣｕＺｎ、ＩｒＭｏ、Ｉｒ２Ｗ、ＭｏＰｔおよびＭｏＲｈ２からなる群から選択されることを特徴とする請求項１または２に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項４】
非磁性基体上に下地層を積層する工程と、
該下地層の上に、磁気記録層を形成する工程と、
該磁気記録層を急冷する工程と、
該磁気記録層の上に、保護層を積層する工程と、
該保護層の上に、液体潤滑剤層を積層する工程と
を少なくともこの順に具え、
該下地層を、面心立方格子構造を有し、かつ（ａ軸格子定数）×１／√２が磁気記録層の材料のａ軸格子定数の１０５％より大きく１２０％以下となるような金属あるいは合金材料で形成し、
該磁気記録層の一軸異方性Ｋｕおよび保磁力Ｈｃを向上させることを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項５】
非磁性基体上に下地層を積層する工程と、
該下地層の上に、磁気記録層を形成する工程と、
該磁気記録層を急加熱する工程と、
該磁気記録層を急冷する工程と、
該磁気記録層の上に、保護層を積層する工程と、
該保護層の上に、液体潤滑剤層を積層する工程と
を少なくともこの順に具え、
該下地層を、面心立方格子構造を有し、かつ（ａ軸格子定数）×１／√２が磁気記録層の材料のａ軸格子定数の１０５％より大きく１２０％以下となるような金属あるいは合金材料で形成し、
該磁気記録層の一軸異方性Ｋｕおよび保磁力Ｈｃを向上させることを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項６】
前記金属あるいは合金材料は、Ｐｄ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ａｇ、Ｎｉ３ＡｌおよびＣｏ３Ｔｉからなる群から選択されることを特徴とする請求項４または５に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は各種磁気記録装置に搭載される垂直磁気記録媒体およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
磁気記録の高密度化を実現する技術として、従来の面内記録方式に代えて、垂直磁気記録方式が注目されつつある。
【０００３】
垂直磁気記録媒体は、主に、硬質磁性材料の磁気記録層と、磁気記録層を目的の方向に配向させるための下地層、磁気記録層の表面を保護する保護層、そして磁気記録層への記録に用いられる磁気ヘッドが発生する磁束を集中させる役割を担う軟磁性材料の裏打ち層から構成される。
【０００４】
近年、面内記録方式の磁気記録媒体では、記録密度が上昇するにつれ、熱安定性すなわち熱揺らぎによる記録消失の問題が顕在化してきている。一方、垂直記録媒体では高密度になるほどビット（記録）の安定性が増すため、熱安定性については面内記録方式ほど問題にならないと考えられていた。しかし、今後、磁気記録層のさらなる薄膜化が進み、熱安定性が不充分となる可能性が考えられる。また、サーポパターンのような低密度の記録に対する安定性も求められている。これらのことから、最近では垂直記録媒体においても熱安定性の向上が重要な課題となっている。
【０００５】
垂直磁気記録媒体の熱安定性は磁気記録層の一軸異方性定数（以下、Ｋｕ）に比例することから、熱安定性を向上させるにはＫｕを高くすれば良い。最近行われている高Ｋｕ化へのアプローチとして具体例を挙げると、Ｃｏ／Ｐｔ多層積層膜、Ｃｏ／Ｐｄ多層積層膜、ＣｏＰｔ規則格子、ＦｅＰｔ規則格子、ＴｂＦｅＣｏ等のアモルファス材料の利用などがある。しかし、多層積層膜はその製造プロセスが量産に向かず、また規則格子では規則化のための熱処理が必要であり、アモルファス材料では耐食性の向上が課題であるなど、いずれも実用化までに解決すベき問題を含んでいるというのが実情である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
前述の通り、高Ｋｕ材料である、Ｃｏ／Ｐｔ・Ｃｏ／Ｐｄ多層積屠腹、ＣｏＰｔ・ＦｅＰｔ等の規則格子、ＴｂＦｅＣｏ等のアモルファス材料は、大量生産を考えた場合に何れも問題がある。そこで、実際の大量生産を考慮した場合には、従来のＣｏＣｒ系の磁気記録材料を用いて高Ｋｕ化を図り、それによって熱安定性の向上を図ることが望ましい。しかし、材料組成を変えることによるＫｕの上昇には限界があり、組成変更以外の方策が求められていた。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記の問題を解決する手段として、以下の方法を提案する。
【０００８】
（１）磁気記録層の材料よりもａ軸の格子定数が大きい、Ｒｕ、Ｔｉ、ＴｉＣｒ、Ｒｅ、ＣｏＣｒ、ＣｕＺｎ、ＩｒＭｏ、Ｉｒ２Ｗ、ＭｏＰｔ、ＭｏＲｈ２などの六方最密充填（以下、ｈｃｐと称する）型の結晶構造を持つ金属および合金を、下地層として用いる。これにより、磁気記録層のａ軸格子定数が増大し、相対的にｃ軸格子定数が減少することで磁歪が増し、Ｋｕが上昇する。但し、格子定数のミスフィットが大きすぎる場合は磁気記録層の結晶構造（格子定数）が下地層に従わないため、ミスフィットの上限は２０％程度を目安とする。
【０００９】
（２）（下地層のａ軸格子定数）×１／√２の長さが、磁気記録層の材料のａ軸格子定数よりも大きい、Ｐｄ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ａｇ、Ｎｉ３Ａｌ、Ｃｏ３Ｔｉなどの面心立方格子（以下、ｆｃｃと称する）型の結晶構造を持つ金属および合金を、下地層として用いる。これにより、磁気記録層のａ軸格子定数が増大し、相対的にｃ軸格子定数が減少することで磁歪が増し、Ｋｕが上昇する。磁気記録層の格子定数と（下地層のａ軸格子定数）×１／√２のミスフィットの上限は（２）と同様に２０％程度とする。
【００１０】
（３）（１）あるいは（２）の下地層を用い、磁気記録層の成膜直後に急冷することにより膜内に歪を導入し、磁歪によりＫｕおよび保磁力Ｈｃを上昇させる。
【００１１】
（４）または、（１）あるいは（２）の下地層を用い、磁気記録層の成膜後に急加熱し、急冷することで（３）と同様の効果を得る。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好ましい形態について説明する。図１は本発明に係る垂直磁気記録媒体（磁気記録層および軟磁性裏打ち層の２つの磁性層を有する垂直二層媒体）の断面模式図である。垂直磁気記録媒体は、非磁性基体１上に少なくとも、下地層３、磁気記録層４、および保護層５が順に形成された構造を有しており、さらにその上に液体潤滑材層６が形成されている。軟磁性裏打ち層２は、非磁性基体１と下地層３との間に設けられ、記録時にヘッドから発生する磁束の広がりを防止し、垂直方向の磁界を確保する役割を果たす。したがって軟磁性裏打ち層２がある方が望ましいが、該層が無くても記録は可能である。
【００１３】
非磁性基体１としては、通常の磁気記録媒体用に用いられる、ＮｉＰメッキを施したＡｌ合金、強化ガラス、または結晶化ガラス等を用いることができる。必要に応じて、表面処理を施すことにより、非磁性基体１に対して所望の表面粗さまたは表面形状を付与することができる。
【００１４】
次に、非磁性基体１の表面上に、軟磁性裏打ち層２を設けてもよい。前述のように、軟磁性裏打ち層２は、ヘッドからの磁束を集中させて垂直方向磁界を確保するのに有効であるが、設けなくてもよい。軟磁性裏打ち層２の材料として、結晶のＮｉＦｅ合金、センダスト（ＦｅＳｉＡｌ）合金等、または非晶質のＣｏ合金を用いることができる。非晶質のＣｏ合金としては、ＣｏＺｒＮｂなどを用いることができる。軟磁性裏打ち層２の膜厚は、記録に使用する磁気ヘッドの構造や特性によって最適値が変化する。生産性を考慮すると、一般的に約１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下程度であることが望ましい。
【００１５】
軟磁性裏打ち層２は、蒸着、スパッタ、電子ビーム蒸着、ＣＶＤのような当該技術において知られている任意の方法を用いて形成することができる。スパッタ法を用いることが好ましく、特にＤＣマグネトロンスパッタ法を用いることが好ましい。軟磁性裏打ち層２を、基体を加熱しながら、または基体に対してバイアス電圧を印加しながら形成してもよい。基体を加熱する場合の温度は、所望される特性に依存して決定される。一般的に、１５０〜３５０℃の温度範囲を用いることが好ましい。
【００１６】
次に、非磁性基体１または軟磁性裏打ち層２の表面上に、下地層を設ける。本発明の下地層３は、その上に形成される磁気記録層４の結晶構造に対して歪みを導入し、磁気記録層４の一軸異方性Ｋｕおよび保磁力Ｈｃを増大させるために用いられる。下地層３は、５〜３０ｎｍの膜厚を有することが好ましい。本発明においては、磁気記録層のｈｃｐ構造をａ軸方向に拡張するような歪みを与える。下地層３として、適切なａ軸格子定数を持つｈｃｐおよびｆｃｃ構造を有する、種々の金属または合金を用いることができる。
【００１７】
Ｒｕは、磁気記録層４のａ軸格子定数の１１０％のａ軸格子定数を有し、下地層３として好ましいｈｃｐ構造を有する材料である。また、下地層３として好ましいｈｃｐ構造を有する他の材料は、ａ軸格子定数が磁気記録層の材料のａ軸格子定数の１００％よりも大きく１２０％以下である金属および合金材料である、Ｔｉ、ＴｉＣｒ、Ｒｅ、ＣｏＣｒ、ＣｕＺｎ、ＩｒＭｏ、Ｉｒ２Ｗ、ＭｏＰｔ、ＭｏＲｈ２などを含む。ｈｃｐ構造を有する下地層材料のａ軸格子定数は、磁気記録層材料のａ軸格子定数の１０５％よりも大きく１１０％以下であることがより好ましい。前述の範囲のａ軸格子定数を有することによって、磁気記録層４の結晶構造を下地層３の結晶構造に良好に追随させ、および効率的に歪みを与えることが可能となる。
【００１８】
下地層３として好ましいｆｃｃ構造を有する材料は、（ａ軸格子定数）×１／√２が磁気記録層の材料のａ軸格子定数の１００％よりも大きく１２０％以下である、Ｐｄ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ａｇ、Ｎｉ３Ａｌ、Ｃｏ３Ｔｉなどを含む。ｆｃｃ構造を有する下地層材料のａ軸格子定数×１／√２は、磁気記録層材料のａ軸格子定数の１０５％よりも大きく１１０％以下であることがより好ましい。前述の範囲のａ軸格子定数を有することによって、磁気記録層の結晶構造を下地層の結晶構造に良好に追随させ、および効率的に歪みを与えることが可能となる。
【００１９】
下地層３は、蒸着、スパッタ、電子ビーム蒸着、ＣＶＤのような当該技術において知られている任意の方法を用いて形成することができる。スパッタ法を用いることが好ましく、特にＤＣマグネトロンスパッタ法を用いることが好ましい。下地層３を、基体を加熱しながら、または基体に対してバイアス電圧を印加しながら形成してもよい。基体を加熱する場合の温度は、所望される特性に依存して決定される。一般的に、１５０〜３５０℃の温度範囲を用いることが好ましい。
【００２０】
なお、本明細書におけるａ軸格子定数は、特に指定のない限り、バルク（無歪み）状態におけるものである。これらのａ軸格子定数は、種々の文献に記載されている。特に複雑な合金などに関しては、ガラス基板上に目的とする合金の膜を単独で形成し、それをＸ線回折により分析することで求めることができる。以下に、本発明の磁気記録層および下地層に用いることができる代表的材料のａ軸格子定数を示す。（Ni15Fe25Crは、全原子数を基準として１５原子％のFeと、２５原子％のCrと、残余のNiとからなる合金を示す。）
【００２１】
【表１】
0004491768.tif 000002
【００２２】
次に、下地層３の表面上に、磁気記録層４を設ける。磁気記録層４の材料として、少なくともＣｏおよびＣｒを含む合金の強磁性材料が好適に用いられる。好ましい合金は、ｈｃｐ構造を有するＣｏＣｒ、ＣｏＣｒＰｔ、またはＣｏＣｒＴａを含む。垂直磁気記録媒体用の磁気記録層４として用いる場合には、これらの合金のｈｃｐ構造のｃ軸（すなわち、磁化容易軸）が層表面に対して垂直方向に配向していることが必要である。
【００２３】
磁気記録層４は、蒸着、スパッタ、電子ビーム蒸着、ＣＶＤのような当該技術において知られている任意の方法を用いて形成することができる。スパッタ法を用いることが好ましく、特にＤＣマグネトロンスパッタ法を用いることが好ましい。磁気記録層４を、基体を加熱しながら、または基体に対してバイアス電圧を印加しながら形成してもよい。基体を加熱する場合の温度は、所望される特性に依存して決定される。一般的に、１５０〜３５０℃の温度範囲を用いることが好ましい。
【００２４】
本発明において、磁気記録層４をその形成直後に急冷することによって、磁気記録層４に歪みを導入し、磁気異方性および保磁力を増大させることができる。本明細書において「急冷」とは、１０〜３０℃／分の速度で、磁気記録層４の温度を１００〜３００℃低下させることを意味する。好ましくは、急冷において、磁気記録層の温度は、２０〜２５℃／分の速度で、１５０〜２００℃低下させられる。
【００２５】
そのような急冷は、成膜チャンバ内に不活性ガスなどの冷媒を導入すること、あるいは成膜中の磁気記録媒体を保持しているホルダを冷媒で冷却することによって実施することができる。あるいはまた、成膜チャンバに隣接する冷却チャンバ内に成膜中の磁気記録媒体を移動させ、該冷却チャンバ内で上記操作を行ってもよい。好ましくは、急冷は冷却チャンバ内で行われる。
【００２６】
また、本発明において、磁気記録層４をその形成直後に急冷する前に急加熱を行ってもよい。この方法は、特に磁気記録層４の形成を比較的低温（室温〜２５０℃）で行った場合に有効である。本明細書において「急加熱」とは、１０〜３５℃／分の速度で、磁気記録層４の温度を１００〜４００℃上昇させることを意味する。好ましくは、急加熱において、磁気記録層の温度は、１０〜２０℃／分の速度で、１００〜２００℃上昇させられる。
【００２７】
そのような急加熱は、ランプヒータ、シースヒータ、成膜中の磁気記録媒体を保持しているホルダを熱媒で加熱すること、あるいは誘導加熱のような、当該技術において知られている任意の手段によって実施することができる。
【００２８】
磁気記録層４の急冷または急加熱・急冷処理を行った後に、磁気記録層４の表面上に保護層５を形成する。保護層５は、保護層として従来より使用されている材料を用いて形成することができ、たとえばカーボンを主体とする材料から形成することができる。保護層５の膜厚などの条件は、通常の磁気記録媒体で用いられる諸条件をそのまま用いることができる。
【００２９】
保護層５は、蒸着、スパッタ、電子ビーム蒸着、ＣＶＤのような当該技術において知られている任意の方法を用いて形成することができる。スパッタ法を用いることが好ましく、特にＤＣマグネトロンスパッタ法を用いることが好ましい。保護層５を、基体を加熱しながら、または基体に対してバイアス電圧を印加しながら形成してもよい。基体を加熱する場合の温度は、所望される特性に依存して決定される。一般的に、２５０〜３００℃の温度範囲を用いることが好ましい。
【００３０】
最後に、保護層５の表面上に、液体潤滑材層６を設ける。液体潤滑材層６は、たとえば、パーフルオロポリエーテル系の潤滑剤等の従来より使用されている材料を用いることができる。液体潤滑材層６の膜厚などの条件は、通常の磁気記録媒体で用いられる諸条件をそのまま用いることができる。
【００３１】
液体潤滑材層６は、ディップ法、スピンコート法、ロール塗布法などの当該技術において知られている任意の方法を用いて形成することができる。ディップ法を用いることが好ましい。
【００３２】
また、本発明において、下地層３もしくは存在する場合には軟磁性裏打ち層２から保護層５までの層を、同一装置内で形成させることが可能である。特に、各層の形成において減圧条件を用いる場合には、同一装置内で減圧を破ることなしに、前記各層を形成することが好ましい。
【００３３】
【実施例】
以下に本発明の実施例を記す。
（実施例１）
非磁性基体として表面が平滑な化学強化ガラス基板（例えばＨ０ＹＡ社製Ｎ−１０ガラス基板）を用いた。該基板を洗浄後スパッタ装置内に導入し、Ｒｕターゲットを用いて厚さ５ｎｍのＲｕ下地層を成膜した。引き続いてランプヒータを用いて基板表面温度が３００℃になるように加熱を行なった後、Ｃｏ２０Ｃｒ１０Ｐｔターゲットを用いて厚さ２０ｎｍのＣｏＣｒＰｔ磁気記録層を成膜した。次に成膜中の基板を冷却チャンバに導入し、７秒間で基板温度を３００℃から１５０℃まで低下させるような速度で急冷した。再び、成膜中の基板を成膜チャンバに移し、最後にカーボンターゲットを用いてカーボンからなる厚さ１０ｎｍの保護層を成膜し、真空装置から取り出した。ヒータ加熱および急冷を除くこれらの成膜はすべてＡｒガス圧５ｍＴｏｒｒ（０．６７Ｐａ）下でＤＣマグネトロンスパッタリング法により行なった。その後、パーフルオロポリエーテルからなる厚さ２ｎｍの液体潤滑材層をディッフ法により形成し、単層の垂直磁気記録媒体とした。
【００３４】
完成した垂直磁気記録媒体について、ＶＳＭ（振動試料磁力計）を用いて保磁力Ｈｃを、トルクメ―タを用いてＫｕを、Ｘ線回折装置を用いて磁気記録層のｃ軸格子定数を評価した。また、ＴＥＭによる構造観察を行った。表２に、下地層として、（ａ軸格子定数）×１／√２の長さが磁気記録層のａ軸格子定数とほば同じでｆｃｃ型の結晶構造を持つ合金であるＮｉ１５Ｆｅ２５Ｃｒを用いた場合（比較例１）、Ｒｕを下地として用い急冷をしなかった場合（比較例２）と比較して、本実施例における媒体の諸特性を示す。
【００３５】
【表２】
0004491768.tif 000003
【００３６】
磁気記録層とほぼ格子整合しているＮｉ１５Ｆｅ２５Ｃｒ下地層を、より大きなａ軸格子定数を有するＲｕ下地層に変更することで、Ｈｃ、Ｋｕともに上昇し、また磁気記録層のｃ軸格子定数が減少していることがわかる。また、同じＲｕ下地層を用いた場合でも、磁気記録層成膜後に急冷することでＨｃおよびＫｕともに１割以上上昇し、磁気記録層のｃ軸格子定数は減少している。通常のＸ線回折装置では、磁気記録媒体中に積層された磁気記録層のａ軸格子定数の測定は不可能であるため類推するしかないが、ｃ軸が縮んだ分（体積が一定になるような割合で）相対的にａ軸が伸び、磁歪が増していると推測される。ＴＥＭ観察により、これらのサンプルの微細構造に大きな違いはないことがわかっていることから、ＨｃおよびＫｕの変化は、磁気記録層の結晶格子が歪んだことによる磁歪の影響であると考えられる。このように、磁気記録層の組成を変更することなく、下地層を変更し、磁気記録層成膜直後に急冷を加えることで、ＫｕおよびＨｃを上昇させることができた。微細構造が同等の磁気記録層を有する磁気記録媒体の熱安定性はＫｕに比例するため、本実施例により磁気記録媒体の熱安定性が向上する。
【００３７】
（実施例２）
下地層としてＲｕの代わりにＰｄターゲットを用いて厚さ５ｎｍのＰｄを成膜し、Ｃｏ１７Ｃｒ１７Ｐｔターゲットを用いて厚さ２０ｎｍのＣｏＣｒＰｔ磁気記録層を成膜した以外は実施例１と全く同様にして垂直媒体を作製した。表３に急冷をした場合と急冷しなかった場合（比較例３）のＨｃ、Ｋｕおよびｃ軸格子定数を示す。
【００３８】
【表３】
0004491768.tif 000004
【００３９】
なお、上記特性は実施例１と同様にそれぞれＶＳＭ、トルクメータ、Ｘ線回折装置を用いて測定した。表からわかるように、実施例１と同様に磁気記録層のｃ軸格子定数が減少し、ＨｃおよびＫｕが増加している。これらの結果から、本実施例でも媒体の熱安定性を向上させることができた。
【００４０】
（実施例３、４）
非磁性基体として表面が平滑な化学強化ガラス基板（例えばＨＯＹＡ社製Ｎ−１０ガラス基板）を用い、これを洗浄後スパッタ装置内に導入し、Ｃｏ５Ｚｒ８Ｎｂターゲットを用いて厚さ２００ｎｍのＣｏＺｒＮｂ軟磁性裏打ち層を成膜した。次に、Ｒｕターゲットを用いて厚さ５ｎｍのＲｕ下地層を成膜した。引き続いてランプヒータを用いて基板表面温度が２２０℃になるように加熱を行なった後、Ｃｏ２０Ｃｒ１０Ｐｔターゲットを用いて厚さ２０ｎｍのＣｏＣｒＰｔ磁気記録層を成膜した。引き続いてランプヒータを用いて基板表面温度が３２０℃になるように加熱を行った後、成膜中の基板を冷却チャンバに導入し、７秒で基板温度が３２０℃から１５０℃まで低下するような速度で急冷した。再び、成膜中の基板を成膜チャンバに移し、最後にカーボンターゲットを用いてカーボンからなる厚さ１０ｎｍの保護層を成膜し、真空装置から取り出した。ヒータ加熱および急冷を除くこれらの成膜はすべてＡｒガス圧５ｍＴｏｒｒ（０．６７Ｐａ）下でＤＣマグネトロンスパッタリング法により行なった。その後、パーフルオロポリエーテルからなる厚さ２ｎｍの液体潤滑材層をディップ法により形成し、垂直磁気記録媒体とした。
【００４１】
磁気記録層成膜前の加熱温度、成膜後の急加熱の有無、急冷の有無を変更したことを除いて、上記の方法により種々の磁気記録媒体を作成した。それら磁気記録媒体にについて、Ｋｅｒｒ効果（外部磁界を印加しながら、入射光の偏向面の回転角を測定）を用いて保磁力Ｈｃを、Ｘ線回折装置を用いて磁気記録層のｃ軸格子定数を測定した。図２に磁気記録層のｃ軸格子定数と保磁力Ｈｃの関係を示す。図２中に矢印で示す点が、上記の方法で作成した実施例３の磁気記録媒体の特性である。代表的な磁気記録媒体の特性を、以下の表４に示す。
【００４２】
【表４】
0004491768.tif 000005
【００４３】
図２からわかるように、磁気記録層のｃ軸格子定数が減少するに従い、保磁力Ｈｃが上昇する傾向が見られ、実施例３の磁気記録媒体では、ｃ軸格子定数４．１２３［Å］、Ｈｃ＝３１８．６［ｋＡ／ｍ］（４００４［Ｏｅ］）が得られている。また、急加熱を行った実施例３の磁気記録媒体は、磁気記録層形成後の急加熱を行わなかった実施例４よりも大きなＨｃおよび小さいｃ軸格子定数を有することが分かった。なお、軟磁性裏打ち層のついた媒体では、トルクメータによるＫｕの測定ができないため定性的な判断になるが、図中に示した媒体では微細構造に変化が無いことを確認しており、Ｈｃの上昇は実施例１と同様に磁歪による一軸異方性の上昇であると考えられる。すなわち、実施例３においても実施例１同様にＫｕが増大しているとみなすことができる。よって、実施例３の急加熱工程により、媒体の熱安定性を向上させることができた。
【００４４】
（実施例５）
下地層としてＲｕの代わりにＴｉ１０Ｃｒターゲットを用いて厚さ１０ｎｍのＴｉＣｒを成膜した以外は実施例３と全く同様にして垂直記録媒体を作製した。表３に、磁気記録層形成直後の急加熱および急冷をしていないサンプル（比較例５）と本実施例のサンプルとのＨｃ、磁気記録層のｃ軸格子定数およびＤ５０を示す。Ｄ５０とは、スピンスタンドテスタ上で媒体出力の記録周波数依存性を測定した際に、出力が最大値の半分になる周波数（単位：磁束変化数毎インチ（ＦＣＩ））を意味し、Ｄ５０が大きいほど高密度まで記録できる。
【００４５】
【表５】
0004491768.tif 000006
【００４６】
実施例３と同様に、急加熱・急冷によりＨｃの向上およびｃ軸格子定数の減少が見られる。本実施例の媒体も軟磁性裏打ち層がついているため、トルクメータによるＫｕの測定はできないが、実施例３と同様に熱安定性が向上していると考える。また表３からわかるように、加熱・急冷によりＤ５０が約１割向上しており、更に高密度まで記録可能になっていることがわかる。以上から、本実施例により熱安定性の向上に加え、記録特性を向上させることができた。
【００４７】
【発明の効果】
以上述べたように本発明によれば、磁気記録層の熱安定性が向上することから、媒体の信頼性向上につながる。また本発明は、従来のＣｏＣｒ系磁気記録材料を使用でき、成膜も従来の装置を用いて実施可能であることから、大量生産に向いている。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る垂直二層媒体の断面模式図である。
【図２】実施例３に係る磁気記録層のｃ軸格子定数と保磁力Ｈｃの関係を示すグラフである。
【符号の説明】
１    非磁性基板
２    軟磁性裏打ち層
３    下地層
４    磁気記録層
５    保護層
６    液体潤滑剤層
【図１】
0004491768.tif 000007
【図２】
0004491768.tif 000008