(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリカーボネート樹脂に、平均繊維径２００ｎｍ以下の炭素フィブリルを０．１〜４０重量％配合した組成物を成形してなる導電性ポリカーボネート成形体であって、成形体を構成するポリカーボネート樹脂の重量平均分子量が３０,０００〜４５,０００であることを特徴とする導電性ポリカーボネート成形体。
【請求項２】
請求項１において、下記原料Ａと原料Ｂとの混合物を溶融成形してなることを特徴とする導電性ポリカーボネート成形体。
原料Ａ：得られる成形体の炭素フィブリル含有量に対して０．５〜１．５倍の割合で平均繊維径２００ｎｍ以下の炭素フィブリルを含むポリカーボネート樹脂組成物の粒状体
原料Ｂ：原料Ａのポリカーボネート樹脂よりも重量平均分子量が５％以上大きいポリカーボネート樹脂及び平均繊維径２００ｎｍ以下の炭素フィブリル
【請求項３】
請求項１又は２において、射出成形により成形されたことを特徴とする導電性ポリカーボネート成形体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、導電性ポリカーボネート成形体に関するものであり、詳しくは、電気電子分野や自動車分野における帯電防止部品として、例えば半導体デバイスの製造、搬送工程におけるトレイやケース、パッケージなどの包装部材、とりわけハードディスクドライブ用のディスクや、磁気ヘッド用の静電防止部材として好適な導電性ポリカーボネート成形体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体デバイスの情報記録の高密度化、処理速度の高速化に伴い、半導体デバイスは静電気に対して極めて弱くなってきていることから、これを収納するケースや取り扱い治工具などの静電気防止対策が重要となってきている。
【０００３】
従来、この静電気防止対策としては、例えばＡＢＳ、ポリカーボネート、変性ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）などの熱可塑性樹脂に、帯電防止剤、カーボンブラック、カーボンファイバー等の導電性付与成分を配合分散させる方法が施されている。
【０００４】
しかしながら、これらの方法では、それぞれ以下の問題点がある。即ち、帯電防止剤の場合には、導電機構がイオン伝導であることに起因して、環境湿度の影響を受け易く、また、洗浄や長時間の使用により帯電防止剤が流出し、帯電防止性が低下する；大量に添加すると耐熱性を損なう；などの問題点がある。また、カーボンブラックやカーボンファイバーは湿度、洗浄等の影響は受けないものの、成形体からカーボン粒子やカーボンファイバーが脱落しやすく、デバイスを損傷するなどの問題が生じている。
【０００５】
これに対して、導電性付与成分として平均繊維径２００ｎｍ以下の炭素フィブリルを配合した場合には、成形体からの脱落が少ないため、脱落による問題は軽減されることから、導電性付与成分としてこのような炭素フィブリルを用いることが、静電気防止対策として有効であると考えられている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、炭素フィブリルでは、炭素フィブリルを添加することにより、機械的強度、特に衝撃強度が著しく損なわれ、成形体の落下時等にクラックを生じやすい；導電性付与のためには、比較的多くの配合量を必要とするが、炭素フィブリルは極めて高価であるため、この場合には、製品のコストアップにつながる；炭素フィブリルの添加量を少なくすると、得られる成形体の導電性が著しく損なわれる；といった欠点がある。
【０００７】
本発明は上記従来の問題点を解決し、少ない炭素フィブリル配合量で高い導電性を発現することができ、従って、安価で衝撃強度等の機械的強度に優れた導電性ポリカーボネート成形体を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の導電性ポリカーボネート成形体は、ポリカーボネート樹脂に、平均繊維径２００ｎｍ以下の炭素フィブリルを０．１〜４０重量％配合した組成物を成形してなる導電性ポリカーボネート成形体であって、成形体を構成するポリカーボネート樹脂の重量平均分子量が３０,０００〜４５,０００であることを特徴とする。
【０００９】
一般的なポリカーボネート樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）は、例えば射出成形用途としては５０,０００〜６０,０００程度であり、このようなＭｗのポリカーボネート樹脂を用いた組成物を成形して得られる成形体を構成するポリカーボネート樹脂のＭｗは４５,０００〜５５,０００程度である。即ち、成形による樹脂の劣化で、成形前に比べて成形後の成形体中に含まれるポリカーボネート樹脂のＭｗは低下する。
【００１０】
本発明者らは炭素フィブリルによる導電性の発現効果について鋭意検討した結果、ポリカーボネート樹脂に、直径２００ｎｍ以下の炭素フィブリルを０．１〜４０重量％を配合した組成物を成形してなる成形体で、成形体を構成するポリカーボネート樹脂のＭｗが３０,０００〜４５,０００と、通常のポリカーボネート樹脂成形体中のポリカーボネート樹脂のＭｗよりも小さい成形体は、導電性の発現が著しく良好となり、少ない炭素フィブリル配合量で、従って、コストの向上や機械的強度の低下を引き起こすことなく、優れた導電性を得ることができることを見出し、本発明を完成させた。
【００１１】
本発明の範囲内のポリカーボネート樹脂を採用することによる導電性の向上効果の作用機構の詳細は明らかではないが、次のように推定される。
【００１２】
即ち、成形時の樹脂の流動に伴い、特に成形体表面付近では強い剪断応力を受けて、炭素フィブリルの分散形態が流動方向に変形したり、炭素フィブリル自体が破断したりすると考えられるが、ベース樹脂であるポリカーボネート樹脂の分子量が本発明の範囲内であると、炭素フィブリルの分散形態の破壊が少なく、結果として、成形体中の炭素フィブリルが、導電性ネットワークとして効率良く機能するものと思われる。
【００１３】
特に、この成形原料として、下記原料Ａと原料Ｂとの混合物を用いることにより、導電性が更に改良され、しかも衝撃強度とのバランスも良好な導電性ポリカーボネート成形体を得ることができる。
【００１４】
原料Ａ：得られる成形体の炭素フィブリル含有量に対して０．９〜１．１倍の割合で平均繊維径２００ｎｍの炭素フィブリルを含むポリカーボネート樹脂組成物の粒状体
原料Ｂ：原料Ａのポリカーボネート樹脂よりもＭｗが５％以上大きいポリカーボネート樹脂及び平均繊維径２００ｎｍ以下の炭素フィブリル
このようにポリカーボネート樹脂のＭｗが５％以上異なる組成物を混合して成形することで、導電性が向上する理由は明らかではないが、高分子量成分である原料Ｂにおいて高粘度下で混練されたことにより、炭素フィブリルの分散が良好となり、一方で、低分子量成分である原料Ａの存在によって、前述の炭素フィブリルの分散形態の破壊が防止されることによる相乗効果であるとも考えられる。
【００１５】
本発明の導電性ポリカーボネート成形体は、特に、射出成形により成形されることが好ましい。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の導電性ポリカーボネート成形体の実施の形態を詳細に説明する。
【００１７】
本発明において、ポリカーボネート樹脂としては、例えば界面重合法、ピリジン法、クロロホーメート法などの溶液法により、二価フェノール系化合物をホスゲンと反応させることによって製造される一般的なものを使用でき、このようなポリカーボネート樹脂は市販品を使用することができる。
【００１８】
本発明で使用される炭素フィブリルは、平均繊維径（直径）２００ｎｍ以下の炭素フィブリルであり、例えば特表平８−５０８５３４号公報に記載されているものが使用できる。
【００１９】
炭素フィブリルは、当該フィブリルの円柱状軸に実質的に同心的に沿って沈着されているグラファイト外層を有し、その繊維中心軸は直線状でなく、うねうねと曲がりくねった管状の形態を有する。この炭素フィブリルの平均繊維径は製法に依存し、ほぼ均一なものである。
【００２０】
炭素フィブリルの平均繊維径が２００ｎｍより大きいと、樹脂中でのフィブリル同士の接触が不十分となり、安定した抵抗値が得られ難い。従って、炭素フィブリルとしては平均繊維径２００ｎｍ以下のものを用いる。特に炭素フィブリルの平均繊維径が２０ｎｍ以下であると、得られる成形体の抵抗値が均一になるので望ましい。ただし、炭素フィブリルの平均繊維径が過度に小さいと、製造が著しく困難となるため、炭素フィブリルの平均繊維径は０．１ｎｍ以上、特に０．５ｎｍ以上であることが望ましい。
【００２１】
また、炭素フィブリルは、長さと平均繊維径との比（長さ／径）が５以上のものが好ましく、特に１００以上、とりわけ１０００以上の長さ／径比を有するものが望ましい。
【００２２】
また、微細な管状の形態を有するフィブリルの壁（管状体の壁厚）厚みは、通常３．５〜７５ｎｍ程度である。これは、通常フィブリルの外径の約０．１〜０．４倍に該当する。
【００２３】
なお、この炭素フィブリルの平均繊維径、平均繊維長（及びアスペクト比）は、透過型電子顕微鏡での観察において、５点の実測値の平均値によって得られる。
【００２４】
このような炭素フィブリルは、市販のものを使用することができ、例えば、ハイペリオンカタリシスインターナショナル社の「ＢＮ」が使用できる。
【００２５】
炭素フィブリルの配合量は樹脂組成物中に０．１〜４０重量％好ましくは０．５〜１０重量％、より好ましくは１〜５重量％である。炭素フィブリルの配合量がこの範囲よりも少ないと導電性が十分に発現せず、この範囲より多いと成形性が著しく低下したり、成形体強度が低下したりする。
【００２６】
なお、炭素フィブリルはその少なくとも一部分が凝集体の形態である場合、原料となる樹脂組成物中に、面積ベースで測定して約５０μｍ、特に１０μｍよりも大きい径を有するフィブリル凝集体を含有していないことが望ましい。
【００２７】
本発明に係るポリカーボネート樹脂組成物には必要に応じて、その性能を損なわない範囲で付加成分を配合することができる。このような付加成分としては、例えば、ガラス繊維、シリカ繊維、シリカ・アルミナ繊維、チタン酸カリウム繊維、硼酸アルミニウム繊維等の無機繊維状強化材、アラミド繊維、ポリイミド繊維、フッ素樹脂繊維等の有機繊維状強化材、タルク、炭酸カルシウム、マイカ、ガラスビーズ、ガラスパウダー、ガラスバルーン等の無機充填剤、フッ素樹脂パウダー、二硫化モリブデン等の固体潤滑剤、パラフィンオイル等の可塑剤、酸化防止剤、熱安定剤、光安定剤、紫外線吸収剤、中和剤、滑剤、相溶化剤、防曇剤、アンチブロッキング剤、スリップ剤、分散剤、着色剤、防菌剤、蛍光増白剤等といった各種添加剤を挙げることができる。
【００２８】
本発明の導電性ポリカーボネート成形体は、通常の熱可塑性樹脂の加工方法で製造することができ、例えば、ポリカーボネート樹脂に炭素フィブリル、必要に応じて添加されるその他の付加成分を予め混合した後、バンバリーミキサー、ロール、ブラベンダー、単軸混練押し出し機、二軸混練押し出し機、ニーダーなどで溶融混練することによってポリカーボネート樹脂組成物を製造し、その後、この樹脂組成物を各種の溶融成形法で成形することにより製造することができる。成形法としては、具体的にはプレス成形、押し出し成形、真空成形、ブロー成形、射出成形などを挙げることができるが、これらの成形方法の中でも特に射出成形が望ましい。
【００２９】
射出成形方法としては、一般的な射出成形法の他に、インサート射出成形法による金属部品、その他の部品との一体成形や、二色射出成形法、コアバック射出成形法、サンドイッチ射出成形法、インジェクションプレス成形法等の各種成形法を用いることができる。射出成形においては、樹脂温度、金型温度、成形圧力によって製品の表面抵抗値が変化するので、適切な条件を設定する必要がある。
【００３０】
特に、本発明においては、射出成形によるポリカーボネート樹脂のＭｗの低下が２％以上、望ましくは２〜５％になるように成形条件を設定すると、得られる成形体の導電性が良好となる点で望ましい。
【００３１】
また、射出成形法における金型のキャビティより樹脂組成物を注入する際のゲート（注入口）としては、サイドゲート、フィルムゲート、サブマリンゲート、ピンゲート等を使用することができる。これらのゲートの断面積としては、０．２ｍｍ２以上が望ましい。
【００３２】
中でも成形後にゲート処理が不要なピンゲートが生産性の点で望ましいが、その場合には、ピンゲートの直径が０．５〜３ｍｍ、特に１．０〜２．５ｍｍであることが望ましい。ピンゲートのゲート直径は、樹脂が金型内に十分に充填できる範囲内であれば、小さい方が望ましく、一般的に０．２〜０．５ｍｍである。しかしながら、本発明では、ゲート径（断面積）が小さいと、ゲート部分を樹脂組成物が流れる際に、過度の剪断を受けるため、炭素フィブリルによる導電性ネットワークの破壊が起こりやすい。一方、ゲート径が大き過ぎると、成形体のゲート部の切れが悪化して仕上がりが悪くなる。このため、ゲート直径は上記範囲とするのが好ましい。
【００３３】
また、本発明の成形体の成形に際しては、樹脂組成物の流動性が良好であるために、金型の転写性が良好である。上述のようにゲートが比較的大きいと更に転写しやすくなる。かかる成形体の金型においては、パーティング面に対して８０〜１００度（垂直に近い）の角度を有する平面部位の表面が滑らかであることが望ましい。
【００３４】
即ち、パーティング面に垂直に近い面の表面粗さが粗いと、樹脂がこれを転写し、金型から製品を取出す際に必要な力が大きくなり、成形体の破損などの不具合が生じる。従って、例えば、このパーティング面に対して垂直に近い面の表面粗さが、カットオフ波長２．５ｍｍの測定における１０点平均粗さ（Ｒｚ）において、１０μｍ以下、望ましくは５μｍ以下、とりわけ望ましくは３μｍ以下であることが好ましい。
【００３５】
また、上記流動性を得るために、本発明の成形体を構成するポリカーボネート樹脂組成物のメルトフローレート（ＭＦＲ）は、２８０℃、２．１６ｋｇ荷重の測定において、２〜３０ｇ／１０分、特に４〜１５g／１０分であることが望ましい。
【００３６】
なお、本発明の導電性ポリカーボネート成形体を半導体デバイスの周辺部品として使用する場合、特にポリカーボネート成形体からのガスの発生量が少ないことが望ましく、具体的にはヘッドスペースガスクロマトグラムによる測定における、加熱温度８５℃、平衡時間１６時間の条件で測定した表面積１２．８ｃｍ２からの塩素化炭化水素発生量が０．１μｇ／ｇ以下、総アウトガス量が１μｇ／ｇ以下であることが望ましい。従って、このような成形体を得るために、樹脂組成物の製造時に揮発成分を脱気するか、重合溶媒を使用しない製造方法で重合されたポリカーボネート樹脂を使用することが望ましい。
【００３７】
本発明の導電性ポリカーボネート成形体は、成形体中のポリカーボネート樹脂のＭｗが３０,０００〜４５,０００、好ましくは、３５,０００〜４３,０００であることに特徴を有する。このＭｗが上記範囲より大きいと、成形体の導電性が損なわれ、表面抵抗値が高くなり、上記範囲より小さいと、衝撃強度が極端に低下したり、成形体にクラックを生じるなどの問題が生じる。
【００３８】
このようなＭｗ範囲内のポリカーボネート樹脂成形体を得る方法としては、例えば、予め本発明の範囲内、又はこれより大きめの分子量を有するポリカーボネート樹脂を用いて成形体を製造し、製造時の加工温度条件等を調整したり、成形を繰り返し行うなどによってポリカーボネート樹脂の分子量を適度に低下させる方法が挙げられるが、特に、下記原料Ａと原料Ｂとの混合物を溶融成形する方法が、容易に望ましい分子量に調整できるだけでなく、得られる成形体の導電性と衝撃強度のバランスがさらに良好となることから好ましい。
【００３９】
原料Ａ：得られる成形体の炭素フィブリル含有量に対して０．９〜１．１倍の割合で平均繊維径２００ｎｍの炭素フィブリルを含むポリカーボネート樹脂組成物の粒状体
原料Ｂ：原料Ａのポリカーボネート樹脂よりもＭｗが５％以上大きいポリカーボネート樹脂及び平均繊維径２００ｎｍ以下の炭素フィブリル
この場合、原料ＢのＭｗが原料Ａのポリカーボネート樹脂のＭｗの分子量よりも５％以上大きくない場合には、衝撃強度及び導電性改良効果が少ない。この分子量が過度に大きいと、Ｍｗの調整が困難となることから、原料Ｂのポリカーボネート樹脂のＭｗは、原料Ａのポリカーボネート樹脂のＭｗより５〜３００％（３倍）大きい程度とするのが望ましい。
【００４０】
原料Ａと原料Ｂの混合物中の原料Ａの比率は５〜９５重量％、特に１０〜７０重量％であると、特に導電性改良効果が大きいので望ましい。また、原料Ａのポリカーボネート樹脂のＭｗは２０,０００〜４５,０００、特に３０,０００〜４３,０００であることが望ましい。
【００４１】
原料Ａと原料Ｂとの混合方法は、原料Ｂを溶融混練する際に、原料Ａを混練押出機に投入して混合しても良いし、予め原料Ｂを溶融混練して得られたペレットを、原料Ａと混合した後に成形しても良い。
【００４２】
なお、原料Ａとしては、半導体製造工程等で用いられている導電性ポリカーボネート成形体製トレイやケース等の廃品を粉砕して用いることもでき、この場合には、廃棄物の有効再利用で廃棄物の減量化と原料のコストダウンを図ることができる。
【００４３】
【実施例】
以下に実施例及び比較例を挙げて本発明をより具体的に説明する。
【００４４】
なお、以下において、ポリカーボネート樹脂は、三菱エンジニアリングプラスチック社製「ユーピロン」を使用した。
【００４５】
また、炭素フィブリルは、ハイペリオンカタリシスインターナショナル社製「ＢＮ」タイプを使用した。なお炭素フィブリルはポリカーボネート樹脂に予め１５重量％の添加量で分散させたマスターバッチを使用した。また、樹脂組成物中に分散した炭素フィブリルは、平均繊維径１０ｎｍ、平均繊維長１μｍ以上である。なお、実施例及び比較例で用いたポリカーボネート樹脂１〜６の混練配合、成形及び各種物性ないし特性の測定方法は下記の通りである。
【００４６】
（１）ポリカーボネート樹脂組成物の混練配合
［ポリカーボネート樹脂組成物１，２，３，５，７］
ポリカーボネートペレットと炭素フィブリルマスターバッチを、表１に示す配合で混合し、２軸押出機（池貝鉄鋼社製「ＰＣＭ４５」、Ｌ／Ｄ＝３２（Ｌ；スクリュー長、Ｄ；スクリュー径））を用いて、バレル温度３００℃、スクリュー回転数１６０ｒｐｍにて溶融混練して、ポリカーボネート樹脂組成物１，２，３，５，７のペレットを得た。
【００４７】
［ポリカーボネート樹脂組成物４］
ポリカーボネート樹脂組成物３を用いて、７５ｔｏｎ射出成型機にて、シリンダ温度３３０℃、金型温度９０℃にて図１（ａ）（斜視図）、（ｂ）（平面図）に示すシート１を成形した（なお、図１中、２はピンゲート（直径２ｍｍ）のゲート跡である。）。このシート１を粉砕して粒状とした後、再度同条件にて成形及び粉砕を行って組成物３の粒状物を得た。
【００４８】
［ポリカーボネート樹脂組成物６］
ポリカーボネート樹脂組成物５をバレル温度３２０℃、スクリュー回転数３００ｒｐｍにて２回溶融混練してポリカーボネート樹脂組成物６のペレットを得た。
【００４９】
（２）ペレット又は粒状物中のポリカーボネート樹脂の分子量の測定
上述の各組成物中のポリカーボネート樹脂の分子量を以下の要領で測定した。まず、各組成物のクロロホルム溶液（２ｍｇ／ｍＬ）を調製し、これを０．２μｍフィルターにて濾過し、炭素フィブリルを分離してポリカーボネート樹脂溶液を得た。このポリカーボネート樹脂溶液を用いて、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにて下記条件にて重量平均分子量（Ｍｗ）を測定した。
【００５０】
検出器    ：Ｗａｔｅｒｓ  ＵＶ４９０（２５４ｎｍ）
カラム    ：Ｓｈｏｄｅｘ  ＧＰＣ  ＡＤ−８０６ＭＳ
カラム温度：３０℃
流量      ：１ｍＬ／ｍｉｎ
内標      ：トルエン
注入量    ：０．０５ｍＬ
この測定結果を表１に示す。
【００５１】
（３）抵抗値等測定用サンプルの成形
各組成物１〜７を用いて７５ｔｏｎ射出成型機により、図１（ａ），（ｂ）に示す抵抗値測定用サンプルを成形した。成形は、シリンダ温度３００℃、金型温度９０℃、金型注入速度３５〜４０ｃｃ／ｓｅｃにて行った。
【００５２】
なお、用いた金型の、サンプル１のパーティング面１Ａに対して９０度の面１Ｂに対応する金型表面粗さは、カットオフ波長２．５ｍｍの測定における１０点平均粗さ（Ｒｚ）で０．８μｍであった。また、成形品の１Ｂ面の粗さ（Ｒｚ）は０．６μｍであった。
【００５３】
（４）成形体中のポリカーボネート樹脂の分子量の測定
（３）で得られたサンプルより分子量測定用サンプルをサンプリングし、（２）と同様にしてポリカーボネート樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）を測定した。
【００５４】
（５）成形体のポリカーボネート樹脂組成物のＭＦＲの測定
（３）で得られたサンプルを粉砕して粒状にした後、２８０℃、２．１６ｋｇの荷重にてメルトフローレート（ＭＦＲ）を測定した（ＪＩＳ−７２１０）。
【００５５】
（６）成形体の表面抵抗値の測定
（３）で得られたサンプルについて、ダイヤインスツルメント社製「ハイレスタＵＰ」を使用して、ＵＡプローブ（２探針プローブ、探針間隔２０ｍｍ）にて印加電圧１０Ｖで図１（ｂ）のＡ〜Ｄ部の表面抵抗値を測定して、平均値を求めた。
【００５６】
（７）成形体のアイゾット衝撃強度
ＡＳＴＭ  Ｄ２５６（ノッチ付き）に準拠して測定した。
【００５７】
実施例１，２、比較例１〜４
表２に示すポリカーボネート樹脂組成物を上述のように成形して各種評価を行い、結果を表２に示した。
【００５８】
実施例３
ポリカーボネート樹脂組成物５をＡ成分とし、ポリカーボネート樹脂組成物３をＢ成分として、Ａ成分５０重量部に対してＢ成分５０重量部を混合したペレットを用いて、実施例１と同様に成形及び評価を行い、結果を表２に示した。
【００５９】
実施例４
ポリカーボネート樹脂組成物４をＡ成分とし、ポリカーボネート樹脂組成物３をＢ成分として、Ａ成分３０重量部に対してＢ成分７０重量部を混合したペレットを用いて、実施例１と同様に成形及び評価を行い、結果を表２に示した。
【００６０】
実施例５
ポリカーボネート樹脂組成物６をＡ成分とし、ポリカーボネート樹脂組成物２をＢ成分として、Ａ成分４０重量部に対してＢ成分６０重量部を混合したペレットを用いて、実施例１と同様に成形及び評価を行い、結果を表２に示した。
【００６１】
実施例６
ポリカーボネート樹脂組成物５をＡ成分とし、ポリカーボネート樹脂組成物２と同様の配合組成のポリカーボネート及び炭素フィブリルマスターバッチ混合物を、Ｂ成分として、Ａ成分５０重量部に対してＢ成分５０重量部を、２軸混練押出機にて溶融混練した。混練条件は、ポリカーボネート組成物２の混練条件と同様とした。得られた組成物のペレットを用いて、実施例１と同様に成形及び評価を行い結果を表２に示した。
【００６２】
【表１】
0004491908.tif 000002
【００６３】
【表２】
0004491908.tif 000003
【００６４】
上記結果からも明らかなように、本発明の範囲内であるポリカーボネート成形体は、比較例のものに比べて、同一の炭素フィブリル配合量であるにも関わらず、導電性と衝撃強度に優れている。一方、本発明の範囲外である比較例４では、炭素フィブリルの添加量を増量しているにも関わらず、実施例のものに比較して導電性が大幅に劣っているだけでなく、衝撃強度も低い。
【００６５】
特に、ポリカーボネート樹脂のＭｗが５％以上異なる組成物を混合して得た実施例３〜６の成形体では、導電性はより一層改良されている。
【００６６】
【発明の効果】
以上詳述した通り、本発明によれば、少ない炭素フィブリル配合量で高い導電性を発現することができ、従って、安価で衝撃強度等の機械的強度に優れた導電性ポリカーボネート成形体が提供される。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１（ａ）は実施例及び比較例において成形したサンプルを示す斜視図であり、図１（ｂ）は同平面図である。
【符号の説明】
１  サンプル
２  ゲート跡
【図１】
0004491908.tif 000004