(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
該基板上の画素領域に配線された複数のデータ線及び複数の走査線と、
前記基板上に、前記画素領域において画素部毎に前記データ線及び前記走査線と電気的に接続されて形成されると共に、上層側からの水素化処理が施された半導体層を有するトランジスタと、
前記基板上に、前記画素部毎に前記トランジスタに電気的に接続されて、前記トランジスタより下層側に配置されて形成された蓄積容量と、
前記基板上に、前記画素部毎に、前記トランジスタ及び前記蓄積容量と電気的に接続されて形成された画素電極と
を備え、
前記蓄積容量は、前記半導体層にプラグを介して電気的に接続された上部容量電極と、下部容量電極との間に誘電体膜が挟持されてなり、
前記プラグにおいて、少なくとも前記半導体層と接触する表面は、非金属材料により形成されており、
前記基板上には、前記基板上で平面的に見て、前記画素部毎に前記上部容量電極と重畳的に配置された凹部が形成されている
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記基板上で平面的に見て、前記トランジスタと前記蓄積容量とは重畳的に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記上部容量電極及び前記下部容量電極の少なくとも一方が、光を遮光することが可能な遮光材料により形成されていること
を特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記下部容量電極が前記遮光材料により形成されると共に、前記基板上で平面的に見て、前記画素部において非開口領域を規定する格子状のパターンとして形成されていること
を特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記データ線は、前記基板上に前記トランジスタより上層側に且つ平面的に見て前記トランジスタと重畳的に配置され、光を遮光することが可能な遮光材料により形成されること
を特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記データ線は、前記データ線に沿って配列された前記画素部の各々について、前記基板上で平面的に見て、前記非開口領域の一部を前記データ線の延在方向及び前記延在方向と交差する交差方向について規定するように、該交差方向に沿って枝状に突き出して延びる突出部分を有することを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記基板上に、前記トランジスタより上層側に形成され、前記データ線に沿って配列された前記画素部の各々について、前記基板上で平面的に見て、前記非開口領域の一部を、前記データ線と共に、前記データ線の延在方向及び前記延在方向と交差する交差方向について規定するように、該交差方向に沿って延びる島状の遮光膜を更に備えることを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記基板上に、前記トランジスタの下地膜として、前記蓄積容量と前記トランジスタとを層間絶縁するように形成されると共に、表面に平坦化処理が施された層間絶縁膜を更に備えること
を特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記層間絶縁膜は、前記平坦化処理としてＣＭＰ（化学的機械研磨）処理が施されていること
を特徴とする請求項８に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置及びその製造方法、並びにそのような電気光学装置を備えた各種電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置は、例えば特許文献１に開示されているように、電気光学物質として例えば液晶を一対のＴＦＴアレイ基板及び対向基板間に挟持することにより形成される。そして、ＴＦＴアレイ基板上における複数の画素が平面配列されてなる画素領域には、画素部毎に液晶に印加電圧を印加するための画素電極が形成されると共に、この画素電極をスイッチング制御するための例えばＴＦＴ（Thin Film Transistor；以下適宜、“ＴＦＴ”と称する）及び画素電極と共にＴＦＴに電気的に接続されて蓄積容量が形成される。尚、本明細書においては、「画素領域」を、画像表示領域と称して説明することもある。
【０００３】
特許文献１に開示された技術によれば、各画素部において、ＴＦＴアレイ基板上に、ＴＦＴ及び蓄積容量は同一層に配置される。或いは、各画素部において、ＴＦＴアレイ基板上に蓄積容量はＴＦＴより上層側に且つ平面的に見てＴＦＴと重畳的に配置して形成される。
【０００４】
ここで、電気光学装置の製造プロセスにおいて、ＴＦＴ及び蓄積容量の形成後、ＴＦＴの半導体層に対して、それよりも上層側から蓄積容量を介して水素化処理が行われる。
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−７５３２０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、各画素部において、ＴＦＴアレイ基板上にＴＦＴ及び蓄積容量を同一層に配置する構成によれば、ＴＦＴアレイ基板上で平面的に見て、ＴＦＴ及び蓄積容量を配置するために、非開口領域の面積が大きくなり開口領域の面積が減少することで、開口率の低下を招く恐れがある。これに対して、各画素部において、ＴＦＴアレイ基板上に蓄積容量をＴＦＴより上層側に配置する構成によれば、開口率を向上させることができる。しかしながら、ＴＦＴアレイ基板上で平面的に見て、ＴＦＴは蓄積容量の影に隠れて配置されることとなるため、電気光学装置の製造時、上層側から水素化処理を行った場合には、蓄積容量に阻まれて、水素化を効率良く行うことができないという問題点が生じる。その結果、ＴＦＴの特性が不安定となって劣化し、電気光学装置の製造プロセスにおける歩留りの低下を招くと共に、画像品質も劣化する恐れがある。
【０００７】
本発明は上記問題点等に鑑みてなされたものであり、例えば歩留りを向上させると共に、高品質な画像表示を行うことが可能な電気光学装置及びその製造方法、並びにこのような電気光学装置を具備してなる電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、基板と、該基板上の画素領域に配線された複数のデータ線及び複数の走査線と、前記基板上に、前記画素領域において画素部毎に前記データ線及び前記走査線と電気的に接続されて形成されると共に、上層側からの水素化処理が施された半導体層を有するトランジスタと、前記基板上に、前記画素部毎に前記トランジスタに電気的に接続されて、前記トランジスタより下層側に配置されて形成された蓄積容量と、前記基板上に、前記画素部毎に、前記トランジスタ及び前記蓄積容量と電気的に接続されて形成された画素電極とを備える。
【０００９】
本発明の電気光学装置では、基板上の画素領域において、各データ線及び各走査線は例えば非開口領域に縦横に配線され、データ線及び走査線の交差に対応して画素部が形成される。各画素部において、トランジスタ及び蓄積容量も例えば非開口領域に配置され、画素電極は開口領域に配置されて形成される。尚、本発明では、各画素或いは各画素部において例えば光が透過することにより表示が行われる領域を「開口領域」と称し、各画素の全領域（即ち、開口領域及びそれ以外の非開口領域）に占める開口領域の面積割合を「開口率」と称して説明する。
【００１０】
このような電気光学装置では、アクティブマトリクス駆動方式による駆動が可能となる。即ち、電気光学装置の駆動時、各走査線を介して対応する画素部におけるトランジスタに走査信号が供給され、各トランジスタはオン状態となる。そして、各画素部ではオン状態となったトランジスタを介してデータ線より画像信号が画素電極に供給され、画像信号に応じた画像表示が開口領域において行われる。また、例えば電気光学物質として液晶を一対の基板間に挟持してなる液晶装置においては、各画素部における蓄積容量は、トランジスタに電気的に接続されると共に、画素電極に電気的に並列接続されて形成される。この場合、蓄積容量は、画素電極に保持される画像信号がリークするのを防止する。言い換えれば、蓄積容量は、画素電極に画像信号を保持する時間を長くする。
【００１１】
ここで、電気光学装置の製造時、トランジスタ及び蓄積容量の形成後、活性化処理として水素化処理が、トランジスタの半導体層に対して、半導体層の形成後に、それよりも上層側から施される。しかるに、本発明の電気光学装置では、各画素部において、基板上に蓄積容量はトランジスタより下層側に配置されて形成される。よって、水素化処理の際、トランジスタの半導体層が、蓄積容量を構成する導電膜や誘電体膜の影になって、これら各種の膜に阻まれて水素化の効率が低下するのを防止することができる。
【００１２】
よって、トランジスタの半導体層に対して水素化処理を効率良く行うことが可能となり、半導体層の水素化が不十分なことに起因してトランジスタの特性が不安定化するのを防止することができる。従って、電気光学装置の製造プロセスにおける歩留りを向上させると共に、各画素部においてトランジスタの特性を向上させることが可能となる。
【００１３】
加えて、各画素部において、基板上で平面的に見てトランジスタ及び蓄積容量を重畳的に配置するのが好ましい。これにより、例えば既に説明した特許文献１に開示された構成と比較して、基板上で平面的に見て、各画素部において、トランジスタと蓄積容量とを配置するのに要する面積を小さくして、開口領域の面積を広げることで、開口率を向上させることが可能となる。
【００１４】
よって、以上説明したような本発明の電気光学装置では、高品質な画像表示を行うことが可能となる。
【００１５】
本発明の電気光学装置の一態様では、前記基板上で平面的に見て、前記トランジスタと前記蓄積容量とは重畳的に配置されている。
【００１６】
この態様によれば、電気光学装置における開口率を向上させることが可能となる。尚、ここに「重畳的に配置されている」とは、「重なって配置されている」或いは「少なくとも部分的に重なって配置されている」という意味である。
【００１７】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記蓄積容量は、前記半導体層にプラグを介して電気的に接続されている。
【００１８】
この態様によれば、導電性の金属プラグや導電性のシリサイドプラグを利用することで、トランジスタと蓄積容量との電気的接続における抵抗を低抵抗とすることができる。
【００１９】
この、蓄積容量と半導体層とを電気的に接続するプラグを形成する態様では、前記プラグにおいて、少なくとも前記半導体層と接触する表面は、非金属材料により形成されているように構成してもよい。
【００２０】
このように構成すれば、半導体層が、プラグの該導電膜との接触面より、この接触面を形成する金属材料によって汚染されるのを防止することが可能となる。尚、プラグにおいて、蓄積容量と接触する表面が、非金属材料により形成されているように構成してもよい。
【００２１】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記蓄積容量は、上部容量電極及び下部容量電極間に誘電体膜が挟持されてなり、前記上部容量電極及び前記下部容量電極の少なくとも一方が、光を遮光することが可能な遮光材料により形成されている。
【００２２】
この態様によれば、蓄積容量において、上部容量電極及び下部容量電極のうち遮光材料により形成された一方又は両方は、例えば各画素部において非開口領域の少なくとも一部を規定するパターンとして形成される。よって、この態様では、トランジスタの半導体層に、それよりも下層側から入射する光を、蓄積容量の上部及び下部容量電極の一方又は両方によって、遮光することが可能となる。従って、各画素部においてトランジスタにおける光リーク電流の発生を抑制し、電気光学装置においてフリッカ等の表示不良が発生するのを防止することができる。
【００２３】
この、上部又は下部容量電極を遮光材料により形成する態様では、前記下部容量電極が前記遮光材料により形成されると共に、前記基板上で平面的に見て、前記画素部において非開口領域を規定する格子状のパターンとして形成されているように構成してもよい。
【００２４】
このように構成すれば、蓄積容量の下部容量電極によって、各画素部における非開口領域の概ね全域において、トランジスタの下層側から入射される光を遮光することが可能となる。よって、トランジスタの半導体層に、それよりも下層側から入射する光を、より効果的に遮光することができる。
【００２５】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記データ線は、前記基板上に前記トランジスタより上層側に且つ平面的に見て前記トランジスタと重畳的に配置され、光を遮光することが可能な遮光材料により形成される。
【００２６】
この態様によれば、各画素部において、基板上で平面的に見て、トランジスタとデータ線とを配置するのに要する面積をより小さくして、開口領域の面積を広げることで、開口率を向上させることが可能となる。また、この場合、電気光学装置の製造プロセスにおいて、トランジスタの半導体層に対する水素化処理は、データ線の形成前に行ってもよいし、データ線の形成後に行うようにしてもよい。
【００２７】
更に、この態様では、各データ線は、例えば基板上に、トランジスタよりも上層側において、データ線の延在方向で非開口領域の一部を規定するように形成される。よって、この態様によれば、各画素部において、データ線によって、トランジスタの半導体層にそれよりも上層側から入射する光を遮光することが可能となる。従って、各画素部においてトランジスタにおける光リーク電流の発生をより確実に抑制することができる。
【００２８】
この、データ線を遮光材料により形成する態様では、前記データ線は、前記データ線に沿って配列された前記画素部の各々について、前記基板上で平面的に見て、前記非開口領域の一部を前記データ線の延在方向及び前記延在方向と交差する交差方向について規定するように、該交差方向に沿って枝状に突き出して延びる突出部分を有するように構成してもよい。
【００２９】
このように構成すれば、各画素部において、各データ線の延在方向に交差する交差方向に沿う非開口領域の一部に対して、該一部に進行する光が、トランジスタの半導体層に入射されるのを、このような光をデータ線の突出部分によって遮光することにより防止することが可能となる。その結果、トランジスタの半導体層に、それよりも上層側から入射する光を、より効果的に遮光することができる。
【００３０】
尚、本発明において「非開口領域の一部をデータ線の延在方向及び交差方向について規定する」とは、例えばＹ方向或いは縦方向であるデータ線の延在方向に沿った非開口領域の輪郭線の一部（言い換えれば、延在方向に沿った開口領域の輪郭線の一部）を規定し、更に、例えばＸ方向或いは横方向である交差方向に沿った非開口領域の輪郭線の一部（言い換えれば、交差方向に沿った開口領域の輪郭線の一部）を規定するという意味である。
【００３１】
また、上述したデータ線を遮光材料により形成する態様では、前記基板上に、前記トランジスタより上層側に形成され、前記データ線に沿って配列された前記画素部の各々について、前記基板上で平面的に見て、前記非開口領域の一部を、前記データ線と共に、前記データ線の延在方向及び前記延在方向と交差する交差方向について規定するように、該交差方向に沿って延びる島状の遮光膜を更に備えるように構成してもよい。
【００３２】
このように構成すれば、各画素部において、各データ線の延在方向に交差する交差方向に沿う非開口領域の一部に対して、該一部に進行する光が、トランジスタの半導体層に入射されるのを、島状の遮光膜によって遮光することにより防止することが可能となる。尚、このような遮光膜は、光を遮光することが可能な遮光材料により形成される。
【００３３】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記基板上に、前記トランジスタの下地膜として、前記蓄積容量と前記トランジスタとを層間絶縁するように形成されると共に、表面に平坦化処理が施された層間絶縁膜を更に備える。
【００３４】
この態様によれば、トランジスタの下地膜として形成された層間絶縁膜の表面に、蓄積容量の存在に起因する凹凸形状が生じるのを防止して、基板面に対して概ね平坦な表面を得ることが可能となる。従って、このような層間絶縁膜の表面の凹凸形状に起因して、トランジスタの断面部分における半導体層の形状が上下に蛇行して、例えば半導体層における抵抗が高抵抗となり、トランジスタの特性が劣化するのを防止することが可能となる。
【００３５】
この態様では、前記層間絶縁膜は、前記平坦化処理としてＣＭＰ（化学的機械研磨）処理が施されてもよい。
【００３６】
このように構成すれば、平坦度の高い層間絶縁膜によって、蓄積容量の存在に起因する凹凸形状が生じるのを防止できる。
【００３７】
尚、前記基板において、平面的に見て前記蓄積容量と重畳的に配置された凹部が形成されてもよい。この際、各画素部において、蓄積容量は、基板に形成された凹部上に配置して形成される。すると、トランジスタの下地膜として、蓄積容量とトランジスタとを層間絶縁するように形成された層間絶縁膜の表面に、蓄積容量の存在に起因する凹凸形状が生じるのを防止することができる。これにより、例えば、その後に上述の如きＣＭＰ処理を行う場合に、比較的短時間で行うことも可能となる。
【００３８】
本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置（但し、その各種態様も含む）を具備する。
【００３９】
本発明の電子機器は、上述した本発明の電気光学装置を具備してなるので、歩留りを向上させると共に高品質な画像表示を行うことが可能な、投射型表示装置、テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。
【００４０】
本発明の電気光学装置の製造方法は上記課題を解決するために、基板上に、画素領域において画素部毎に蓄積容量を形成する工程と、前記基板上に、前記画素部毎に前記蓄積容量より上層側に、前記蓄積容量と電気的に接続して半導体層を形成することでトランジスタを形成する工程と、前記トランジスタを形成した後、前記半導体層に対してその上層側から水素化処理を施す工程と、前記基板上に、前記画素領域に前記トランジスタと電気的に夫々接続して複数のデータ線及び複数の走査線を形成する工程と、前記基板上に、前記画素部毎に前記トランジスタ及び前記蓄積容量と電気的に接続して画素電極を形成する工程とを含む。
【００４１】
本発明の電気光学装置の製造方法では、上述した本発明の電気光学装置と同様に、電気光学装置の製造プロセスにおける歩留りを向上させると共に、電気光学装置において、高品質な画像表示を行うことが可能となる。尚、データ線及び走査線を形成する工程や、画素電極を形成する工程については、水素化処理を施す工程等の後に実施されてもよいし、前に実施されてもよい。
【００４２】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施の形態から明らかにされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４３】
以下では、本発明の実施の形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態は、本発明の電気光学装置を液晶装置に適用したものである。
【００４４】
＜１；液晶装置＞
まず、本実施形態に係る電気光学装置の構成について、図１及び図２を参照して説明する。ここに、図１は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た電気光学装置の平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ’断面図である。ここでは、電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。
【００４５】
尚、図２では、各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各部材の縮尺を異ならしめてある。この点については、後述する図３以降の各図についても同様である。また、図２と、図３以降の断面図の各々においても、各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各部材の縮尺を互いに異ならしめてある。
【００４６】
図１及び図２において、本実施形態に係る電気光学装置では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【００４７】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。また、シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材（図示省略）が散布されている。即ち、本実施形態の電気光学装置は、プロジェクタのライトバルブ用として小型で拡大表示を行うのに適している。
【００４８】
シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。
【００４９】
周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。また、走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿い、且つ、前記額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。更に、このように画像表示領域１０ａの両側に設けられた二つの走査線駆動回路１０４間をつなぐため、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に沿い、且つ、前記額縁遮光膜５３に覆われるようにして複数の配線１０５が設けられている。
【００５０】
また、対向基板２０の４つのコーナー部には、両基板間の上下導通端子として機能する上下導通材１０６が配置されている。他方、ＴＦＴアレイ基板１０にはこれらのコーナー部に対向する領域において上下導通端子（図示せず）が設けられている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。
【００５１】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が形成された後の画素電極９ａ上に、同図中には図示しない配向膜が形成されている。尚、本実施形態では、画素スイッチング素子はＴＦＴのほか、各種トランジスタ或いはＴＦＤ等により構成されてもよい。他方、対向基板２０上には、格子状又はストライプ状のブラックマトリクス２３、対向電極２１の他、最上層部分に配向膜（図示省略）が形成されている。また、液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。更に、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０の各々の対向面の背面側には配向方向に応じた偏光板（図示省略）が設けられる。
【００５２】
なお、図１及び図２に示したＴＦＴアレイ基板１０上の周辺領域には、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等に加えて、画像信号線上の画像信号をサンプリングしてデータ線に供給するサンプリング回路、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
【００５３】
＜２：画素部における構成＞
以下では、本発明の本実施形態における電気光学装置の画素部における構成について、図３から図６を参照して説明する。
【００５４】
ここに図３は、電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素部における各種素子、配線等の等価回路であり、図４は、データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板上の相隣接する複数の画素群の平面図である。また、図５は、図４のＡ−Ａ´断面図であり、図６は、図４のＢ−Ｂ´断面図である。
【００５５】
図３において、本実施形態における電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素部には、それぞれ、画素電極９ａと当該画素電極９ａをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
【００５６】
また、ＴＦＴ３０のゲートに走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。
【００５７】
画素電極９ａを介して電気光学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板２０に形成された対向電極２１との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として電気光学装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射する。
【００５８】
ここで保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極２１との間に形成される液晶容量と電気的に並列に蓄積容量７０を付加する。この蓄積容量７０は、構成上、走査線３ａに並んで設けられ、固定電位側容量電極を含むとともに定電位に固定された容量電極７１を含んでいる。
【００５９】
尚、図１又は図２において、走査線駆動回路１０４より、上述の如く走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍが所定タイミングで走査線３ａに供給され（図３参照）、データ線駆動回路１０１より、上述の如く画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが所定タイミングでデータ線６ａに供給される（図３参照）。
【００６０】
次に、図４から図６を参照して、画素部の具体的な構成について説明する。電気光学装置は、図５又は図６に示すように、例えば、石英基板、ガラス基板、シリコン基板等からなるＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置される、例えばガラス基板や石英基板等からなる対向基板２０とを備えている。
【００６１】
ＴＦＴアレイ基板１０の側には、図４又は図６に示すように、画素電極９ａが設けられており、その上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６が設けられている。画素電極９ａは、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜等の例えば膜厚が８３．５［ｎｍ］の透明導電性膜からなる。他方、対向基板２０の側には、例えばその全面に渡って対向電極２１が設けられており、その下側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設けられている。対向電極２１は、上述の画素電極９ａと同様に、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなる。
【００６２】
このように対向配置されたＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間には、前述のシール材５２（図１及び図２参照）により囲まれた空間に液晶等の電気光学物質が封入され、液晶層５０が形成される。液晶層５０は、画素電極９ａからの電界が印加されていない状態で配向膜１６及び２２により所定の配向状態をとる。
【００６３】
また、本実施形態では、図５又は図６に示すように、対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０と対向する側であって、対向電極２１より下層側（図５又は図６中、対向電極２１より上側）に、画像表示領域１０ａにおいて各画素部の非開口領域を規定する、例えば格子状のパターンとしてブラックマトリクス２３が形成される。このように本実施形態では、後述するＴＦＴアレイ基板１０側の遮光性の各種の膜と共に、対向基板２０側においてもブラックマトリクス２３を形成して、非開口領域を規定するようにしてもよい。
【００６４】
以下において、ＴＦＴアレイ基板１０上の積層構造の各層について、下層側から上層側に向かって順に説明する。
【００６５】
先ず、第１層には、蓄積容量７０が設けられると共に、第１層より下層側には、下地絶縁膜１２が、例えば４００［ｎｍ］の膜厚で設けられている。下地絶縁膜１２は、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用のＴＦＴ３０の特性変化を防止する機能を有する。
【００６６】
そして、蓄積容量７０は、図４及び図５において、固定電位側容量電極としての下部容量電極７１の一部と、上部容量電極３００の一部とが、誘電体膜７５を介して対向配置されることにより形成されている。この蓄積容量７０によれば、画素電極９ａにおける電位保持特性を顕著に高めることが可能となる。
【００６７】
より詳細には、本実施形態では、図４において、下部容量電極７１は、導電性の遮光性材料により、例えば、ＴＦＴアレイ基板１０側において非開口領域を規定する格子状のパターンとして、ＴＦＴ３０より下層側に配置されて形成される。この場合、各画素部では、下部容量電極７１によって区切られた開口における領域が、入射される光が透過することが可能な開口領域となる。そして、本実施形態に係る蓄積容量７０は、図４の平面図を見るとわかるように、画素電極９ａの形成領域にほぼ対応する光透過領域である開口領域には至らないように形成されているため（換言すれば、遮光領域（即ち非開口領域）内に収まるように形成されているため）、電気光学装置全体の画素開口率は比較的大きく維持され、これにより、より明るい画像を表示することが可能となる。
【００６８】
よって、本実施形態では、下部容量電極７１により、各画素部における非開口領域の概ね全域において、ＴＦＴ３０の半導体層１ａにそれよりも下層側から入射しようとする光を、より効果的に遮光することが可能となる。従って、各画素部においてＴＦＴ３０における光リーク電流の発生を抑制し、電気光学装置においてフリッカ等の表示不良が発生するのを防止することができる。
【００６９】
また、下部容量電極７１は、固定電位側容量電極としても機能する。下部容量電極７１は、例えばＷ（タングステン）等の高融点金属を含む金属シリサイドからなる金属シリサイド膜７１ｂが１５０［ｎｍ］の膜厚で、及びこの金属シリサイド膜７１ｂよりも上層側に例えば導電性のポリシリコン膜７１ａが例えば１５０［ｎｍ］の膜厚で積層されることにより形成される。この下部容量電極７１は、画素電極９ａが配置された画像表示領域１０ａからその周囲に延設され、定電位源と電気的に接続されることで、固定電位とされている。
【００７０】
また、上部容量電極３００は、例えば導電性のポリシリコン膜より例えば１５０［ｎｍ］の膜厚で形成され、画素電位側容量電極として機能する。このように上部容量電極３００をポリシリコン膜により形成すれば、例えばＷ（タングステン）等を含む金属シリサイド膜により形成する場合と比較して、表面において良好な平坦性を確保することが出来、その結果蓄積容量７０の耐圧を確保することが可能となる。また、上部容量電極３００は、図４に示すように、各画素部において、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、非開口領域内に、Ｘ方向（走査線３ａの延在方向、即ちデータ線６ａの延在方向と交差する交差方向）に沿う方向から、Ｙ方向（データ線６ａの延在方向）に沿う方向に向かって、島状で且つＬ字状のパターンで形成される。更に、本実施形態では、上部容量電極３００は、後述するようにＬＤＤ構造を有するＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅと画素電極９ａとを電気的に中継接続する機能をもつ。この中継接続に係る構成について、詳細は後述する。
【００７１】
尚、本実施形態では、例えば上部容量電極３００も下部容量電極７１と同様の遮光性材料により形成し、上部容量電極３００及び下部容量電極７１の両方で、各画素部において非開口領域の少なくとも一部を規定するようにしてもよい。
【００７２】
また、誘電体膜７５は、図５又は図６に示すように、下層に例えば膜厚５［ｎｍ］程度の比較的薄いＨＴＯ（High Temperature Oxide）膜等の酸化シリコン（ＳｉＯ２）膜７５ｂ、及び上層に例えば膜厚１５［ｎｍ］程度の窒化シリコン（ＳｉＮ）膜７５ａというように二層構造を有するものとなっている。
【００７３】
次に、第２層には、ＴＦＴ３０及びこのＴＦＴ３０のゲート電極を含む走査線３ａが形成される。ここで、ＴＦＴアレイ基板１０上において、第１層における上部容量電極３００よりも上層側で、且つＴＦＴ３０よりも下層側に、第１層間絶縁膜４１が、例えば６００［ｎｍ］の膜厚で形成されている。この第１層間絶縁膜４１の表面に対しては、好ましくは平坦化処理が施されている。
【００７４】
この第１層間絶縁膜４１には、図５に示すように、例えば後述するようにＬＤＤ構造を有するＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅと、上部容量電極３００とを電気的に接続するためのコンタクトホール８３が、第１層間絶縁膜４１を貫通しつつ開孔されている。そして、このコンタクトホール８３を導電性のポリシリコンにより埋めこんでプラグ８３ａが、ＴＦＴアレイ基板１０の基板面に対して垂直方向の高さが例えば５００［ｎｍ］となるように形成される。これにより、蓄積容量７０とＴＦＴ３０とは、プラグ８３ａを介して電気的に接続されることとなる。このようにプラグ８３ａを介する電気的接続によれば抵抗を低抵抗化することが可能となる。
【００７５】
尚、プラグ８３ａは、例えば、下層が例えば膜厚が１５０［ｎｍ］の窒化チタン（ＴｉＮ）膜、及び上層が例えば膜厚が３５０［ｎｍ］のＷ（タングステン）からなる膜の２層構造としてもよい。特に、半導体層１ａが、プラグ８３ａの高濃度ドレイン領域１ｅとの接触面より、この接触面を形成する金属材料によって汚染されるのを防止するために、プラグ８３ａにおいて、少なくとも高濃度ドレイン領域１ｅと接触する表面は、非金属材料により形成されるのが好ましい。或いは、蓄積容量７０の上部容量電極３００が、プラグ８３ａの上部容量電極３００との接触面より、この接触面を形成する金属材料によって汚染されるのを防止するために、プラグ８３ａにおいて、少なくとも上部容量電極３００と接触する表面は、非金属材料により形成されてもよい。
【００７６】
加えて、図６に示すように、第１層間絶縁膜４１には、後述する中継電極６ａ１と上部容量電極３００とを電気的に接続するためのコンタクトホール８４が、後述する第２層間絶縁膜４２を貫通しつつ開孔されている。
【００７７】
そして、第２層では、図５において、第１層間絶縁膜４１上にＴＦＴ３０が設けられる。ＴＦＴ３０は、図５に示すように、例えばＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、その構成要素としては、上述した走査線３ａの一部をなすゲート電極、ゲート電極３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶縁膜を含む、例えば膜厚が３１．５［ｎｍ］の半導体層１ａを構成するアモルファスシリコン膜を熱酸化することにより得られた膜及び例えば膜厚が５０［ｎｍ］のＨＴＯ膜の２層の膜２０１ａ及び２０１ｂからなる絶縁膜２、例えば膜厚が５５［ｎｍ］のアモルファスシリコン膜からなる半導体層１ａが形成されている。半導体層１ａにおいては、ゲート電極３ａからの電界によりチャネルが形成されるチャネル領域１ａ´、更には、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ並びに高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅを備えている。
【００７８】
本実施形態では、後述するようにＴＦＴ３０の半導体層１ａに対して、その上層側から水素化処理が行われることにより、活性化処理が施されている。また、図４に示すように、ＴＦＴ３０と蓄積容量７０とは、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、両方が開口領域には至らないように重畳的に配置される。これにより、例えば既に説明した特許文献１に開示された構成と比較して、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、各画素部において、ＴＦＴ３０と蓄積容量７０とを配置するのに要する面積を小さくして、開口領域の面積を広げて、開口率をより向上させることが可能となる。
【００７９】
また、本実施形態では、この第２層にはＴＦＴ３０のゲート電極を含む走査線３ａが、例えば導電性のポリシリコン膜により、例えば膜厚が３５０［ｎｍ］程度で形成される。各走査線３ａは、平面的にみて、図４のＸ方向に沿って延在するパターンとして、ストライプ状にＴＦＴアレイ基板１０上の画像表示領域１０ａに形成される。
【００８０】
さて、第２層に続けて、第３層には、データ線６ａ及び中継電極６ａ１が形成されている。そして、第２層及び第３層の間には、図５又は図６に示すように、走査線３ａより上層側、及びデータ線６ａ及び中継電極６ａ１より下層側に、第２層間絶縁膜４２が、例えば膜厚が６００［ｎｍ］として形成されている。この第２層間絶縁膜４２には、ＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄとデータ線６ａとを電気的に接続する、コンタクトホール８１が第２層間絶縁膜４２及び絶縁膜２を夫々貫通して高濃度ソース領域１ｄの表面に至るように開孔される。更には、第２層間絶縁膜４２には、この第２層間絶縁膜４２、絶縁膜２、及び第１層間絶縁膜４１を夫々貫通して、上部容量電極３００の表面に至る、上述のコンタクトホール８４が開孔される。
【００８１】
第３層において、データ線６ａは、図４中Ｙ方向に沿って延在するパターンとして、ストライプ状にＴＦＴアレイ基板１０上の画像表示領域１０ａに形成される。また、データ線６ａは、図４に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、ＴＦＴ３０と重畳的に配置され、導電性の遮光性材料により形成される。より具体的には、データ線６ａは、例えば図５に示すように、下層より順に、例えば膜厚が１５０［ｎｍ］の窒化チタン膜４１ｂ、例えば膜厚が３５０［ｎｍ］のアルミニウム（Ａｌ）膜４１ａの２層の膜が積層されて形成されている。よって、この場合、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、ＴＦＴ３０とデータ線６ａとを配置するのに要する面積をより小さくして、開口領域の面積を広げることで、開口率をより向上させることが可能となる。また、データ線６ａによって、ＴＦＴ３０よりも上層側において、データ線６ａの延在方向（即ちＹ方向に沿う方向）で非開口領域の一部が規定されることとなり、各画素部において、データ線６ａによって、ＴＦＴ３０の半導体層１ａにそれよりも上層側から入射する光を遮光することが可能となる。
【００８２】
また、この第３層には、図４又は図６に示すように、データ線６ａと例えば同一膜として、中継電極６ａ１が島状のパターンで形成されている。即ち、中継電極６ａ１はデータ線６ａと同様に下層より順に、窒化チタン膜４１ｂ、アルミニウム（Ａｌ）膜４１ａの２層の膜が積層されて形成されている。図４において、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、中継電極６ａ１は走査線３ａ及び上部容量電極３００と重畳的に且つ非開孔領域内に配置されると共に、隣接するデータ線６ａ間に配置されて形成される。
【００８３】
尚、このような中継電極６ａ１は、データ線６ａと同一層に配置された同一膜から形成される場合に限定されず、例えば走査線３ａと同一層に配置され、走査線３ａと同一膜により形成されてもよい。
【００８４】
更に、図４又は図６において、第３層に続いて第４層には画素電極９ａが、データ線６ａ及び走査線３ａの交差に対応してマトリクス状に形成され、更には、画素電極９ａ上に配向膜１６が形成されている。そして、第３層と第４層との間には、画素電極９ａより下層側であって、データ線６ａ及び中継電極６ａ１より上層側に、第３層間絶縁膜４３が例えば膜厚が６００［ｎｍ］で形成されている。この第３層間絶縁膜４３には、画素電極９ａ及び中継電極６ａ１間を電気的に接続するためのコンタクトホール８５が開孔されている。画素電極９ａとＴＦＴ３０との間は、このコンタクトホール８５及び中継電極６ａ１並びに前述したコンタクトホール８４、上部容量電極３００及びプラグ８３ａを介して、電気的に接続されることとなる。
【００８５】
＜３：電気光学装置の製造方法＞
以下では、上述した実施形態の電気光学装置の製造プロセスについて、図７から図１３を参照して説明する。また、図７から図１３は、製造プロセスの各工程における電気光学装置の積層構造を、図５及び図６の断面図に関して、順を追って示す工程図である。尚、図７から図１３の各図において、ＴＦＴアレイ基板１０側の積層構造のみについて、図（ａ）には図５の断面図に関して示してあり、図（ｂ）には図６の断面図に関して示してある。
【００８６】
以下においては、本実施形態において特徴的なＴＦＴアレイ基板１０側の積層構造に係る主要な製造工程についてのみ、特に詳しく説明することとし、そのほか対向基板２０側の構成等についての製造工程の説明に関しては省略することとする。
【００８７】
まず、図７の工程では、ＴＦＴアレイ基板１０に対して、後に実施される高温プロセス等において基板に生じる歪みが少なくなるように、所定の前処理した後、ＴＦＴアレイ基板１０上に、例えば、ＴＥＯＳ（テトラ・エチル・オルソ・シリケート）ガス等を用いて、常圧又は減圧ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等により下地絶縁膜１２を形成する。
【００８８】
続いて、下地絶縁膜１２の上に、蓄積容量７０を形成する。より具体的には、下部容量電極７１や上部容量電極３００は、例えば、減圧ＣＶＤ法等によりポリシリコン膜を堆積し、更に燐（Ｐ）を熱拡散し、このポリシリコン膜を導電化することにより導電性ポリシリコン膜を成膜し、更には、金属シリサイド膜を例えばスパッタリングにより成膜して、これら導電性ポリシリコン膜や金属シリサイド膜に対してフォトエッチング処理によりパターニングを施すことにより形成する。また、例えば、減圧ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等により高温酸化シリコン膜（ＨＴＯ膜）や窒化シリコン膜を成膜し、これらの各膜にパターニングを施して誘電体膜７５を形成する。
【００８９】
続いて、図８の工程では、例えば下地絶縁膜１２と同様に、第１層間絶縁膜４１を形成する。この第１層間絶縁膜４１の表面には、蓄積容量７０の存在に起因する凹凸形状が生じている。その後、図９の工程では、例えばＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）処理により、第１層間絶縁膜４１に対して平坦化処理を施す。これにより、第１層間絶縁膜４１の表面において、ＴＦＴアレイ基板１０の基板面に対して概ね平坦な表面を得ることができる。
【００９０】
その後、図１０の工程では、第１層間絶縁膜４１上に、ＴＦＴ３０及び走査線３０を形成する。より具体的には、先ず、表面が平坦化された第１層間絶縁膜４１に、例えばドライエッチング法又はウエットエッチング法若しくはこれらの組み合わせにより、コンタクトホール８３を開孔する。続いて、このコンタクトホール８３を導電性のポリシリコンにより埋め込んでプラグ８３ａを形成する。
【００９１】
その後、減圧ＣＶＤ等によりアモルファスシリコン膜を成膜し、例えばフォトエッチング処理によりパターニングを施して、半導体層１ａを形成し、続いて、例えばアモルファスシリコン膜の表面を熱酸化し、更には減圧ＣＶＤ法等によりＨＴＯ膜を成膜することによりゲート絶縁膜を含む絶縁膜２を形成する。その後、例えば減圧ＣＶＤ法等によりポリシリコン膜を堆積し、更に燐（Ｐ）を熱拡散して、このポリシリコン膜を導電化した後、例えばフォトエッチング処理を施してパターニングすることにより走査線３ａを形成する。次に、低濃度及び高濃度の２段階で不純物イオンをドープすることにより、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ、高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅを含む、ＬＤＤ構造の画素スイッチング用ＴＦＴ３０の半導体層１ａを形成する。
【００９２】
尚、上述したように、ＴＦＴ３０の下地膜である第１層間絶縁膜４１の表面において良好な平坦性を確保することが可能であるため、第１層間絶縁膜４１の表面の凹凸形状に起因して、ＴＦＴ３０の断面部分における半導体層１ａの形状が上下に蛇行して、例えば半導体層１ａにおける抵抗が高抵抗となり、ＴＦＴ３０の特性が劣化するのを防止することが可能となる。
【００９３】
その後、図１１の工程では、例えば下地絶縁膜１２や第１層間絶縁膜４１と同様にして、第２層間絶縁膜４２を形成した後、ＴＦＴ３０の半導体層１ａに対して活性化処理として水素化処理を、第２層間絶縁膜４２の上層側より施す。このような水素化処理は、例えば水素アニール処理又は水素プラズマ処理により行われる。この際、各画素部において、ＴＦＴアレイ基板１０上に蓄積容量７０はＴＦＴ３０より下層側に配置されているため、半導体層１ａが、蓄積容量７０を形成する上部容量電極３００等の影になって、これら各種の膜に阻まれて水素化の効率が低下するのを防止することができる。尚、このような水素化処理は、第３層におけるデータ線６ａ等を形成した後に行うようにしてもよい。
【００９４】
その後、図１２の工程では、第２層間絶縁膜４２に、例えばドライエッチング法又はウエットエッチング法若しくはこれらの組み合わせにより、コンタクトホール８１、更には第２層間絶縁膜４２、絶縁膜２、及び第１層間絶縁膜４１を夫々貫通して、コンタクトホール８４を開孔する。その後、例えばスパッタリング法等により窒化チタン膜、アルミニウム膜を成膜した後、これらの各膜に対してフォトエッチング処理を施して、データ線６ａ及び中継電極６ａ１を形成する。
【００９５】
その後、図１３の工程では、例えば、ＴＥＯＳ（テトラ・エチル・オルソ・シリケート）ガス等を用いて例えば常圧又は減圧ＣＶＤ法等により、例えば燐（Ｐ）がドープされてなる第３層間絶縁膜４３を形成し、この第３層間絶縁膜４３に、例えばドライエッチング法又はウエットエッチング法若しくはこれらの組み合わせにより、コンタクトホール８５を開孔する。その後、例えば、スパッタ処理等によりＩＴＯ膜を形成し、更にフォトエッチング処理を行なうことにより、画素電極９ａを形成する。
【００９６】
よって、以上説明したような製造プロセスによれば、ＴＦＴ３０の半導体層１ａに対して水素化処理を効率良く行うことが可能となり、半導体層１ａの水素化が不十分なことに起因してＴＦＴ３０の特性が不安定化するのを防止することができる。従って、電気光学装置の製造プロセスにおける歩留りを向上させると共に、各画素部においてＴＦＴ３０の特性を向上させることが可能となる。よって、本実施形態によれば、高品質な画像表示を行うことが可能となる。
【００９７】
＜４：変形例＞
上述した本実施形態の変形例について、図１４及び図１５を参照して説明する。
【００９８】
先ず、図１４を参照して、本変形例に係る一の構成について説明する。図１４（ａ）は、本変形例に係る一の構成について、図５に対応する断面部分の構成を示す断面図であって、図１４（ｂ）は、本変形例に係る一の構成について、図６に対応する断面部分の構成を示す断面図である。尚、図１４（ａ）及び図１４（ｂ）の各図においては、ＴＦＴアレイ基板１０側の積層構造の主要な構成のみについて示してある。
【００９９】
図１４（ａ）及び図１４（ｂ）に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０において、基板上で平面的に見て、画素部毎に蓄積容量７０、特に上部容量電極３００と重畳的に配置された凹部１０ｈが形成されるようにしてもよい。この場合、各画素部において、蓄積容量７０の上部容量電極３００は、ＴＦＴアレイ基板１０の凹部１０ｈ上に配置して形成される。また、凹部１０ｈは、例えば図４を参照して説明した下部容量電極７１の平面的なパターンと対応して、例えば格子状のパターンで形成されてもよいし、上部容量電極３００の平面的なパターンと対応して、Ｌ字状のパターンとして形成されてもよい。いずれにしても、第１層間絶縁膜４１においてＴＦＴ３０の下地となる一部において、蓄積容量７０の存在に起因する凹凸形状を軽減させる形状として、凹部１０ｈはＴＦＴアレイ基板１０に形成されるのがよい。
【０１００】
よって、ＴＦＴ３０の下地膜である第１層間絶縁膜４１の表面に、蓄積容量７０の存在に起因する凹凸形状を減少させるか又はこの凹凸形状が生じるのを防止することができる。また、第１層間絶縁膜４１の表面に対する平坦化処理を比較的短時間で容易に行うことが可能となる。
【０１０１】
次に、図１５を参照して、本変形例に係る他の構成について説明する。図１５（ａ）及び図１５（ｂ）は夫々、本変形例に係る他の構成について、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見たデータ線６ａの構成を示す平面図である。尚、図１５（ａ）及び図１５（ｂ）には夫々、データ線６ａとＴＦＴ３０の半導体層１ａ及び中継電極６ａ１との配置関係についても示してある。
【０１０２】
図１５（ａ）において、各データ線６ａは、データ線６ａに沿って配列された画素部の各々について、ＴＦＴアレイ基板上１０に平面的に見て、非開口領域の一部をデータ線６ａの延在方向（即ちＹ方向）及びこの延在方向と交差する交差方向（即ちＸ方向）で規定するように、該交差方向に沿って延びる、本発明に係る「突出部分」の一例である延在部分６ａ２を有する。各画素部において、このデータ線６ａの延在部分６ａ２は、中継電極６ａ１と相互に分断されて形成されている。よって、このような構成によれば、各画素部において、各データ線６ａの延在方向（即ちＹ方向）に交差する交差方向（即ちＸ方向）に沿う非開口領域の一部に対して、該一部に進行する光が、ＴＦＴ３０の半導体層１ａに入射されるのを、このような光をデータ線６ａの延在部分６ａ２によって遮光することにより防止することが可能となる。従って、ＴＦＴ３０の半導体層１ａに、それよりも上層側から入射する光を、より効果的に遮光することができる。
【０１０３】
また、図１５（ｂ）において、例えばデータ線６ａと同一膜により、データ線６ａに沿って配列された画素部の各々について、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、非開口領域の一部を、データ線６ａと共に、データ線６ａの延在方向（Ｙ方向）及びこの延在方向と交差する交差方向（Ｘ方向）で規定するように、この交差方向に沿って延びる島状の遮光膜６ａ３が形成されてもよい。この場合においても、図１５（ａ）の構成と同様に、各画素部において、ＴＦＴ３０の半導体層１ａに、それよりも上層側から入射する光を、より効果的に遮光することができる。
【０１０４】
尚、各画素部において、遮光膜６ａ３は、データ線６ａに加えて中継電極６ａ１とも相互に分断されて形成されている。或いは、遮光膜６ａ３は、中継電極６ａ１を兼ねる構成としてもよいし、更には、データ線６ａと異なる層に配置されるか、又は異なる材料により形成されるようにしてもよい。
【０１０５】
＜５：電子機器＞
次に、上述した電気光学装置をライトバルブとして用いた電子機器の一例たる投射型カラー表示装置の実施形態について、その全体構成、特に光学的な構成について説明する。ここに、図１６は、投射型カラー表示装置の図式的断面図である。
【０１０６】
図１６において、投射型カラー表示装置の一例たる液晶プロジェクタ１１００は、駆動回路がＴＦＴアレイ基板上に搭載された液晶装置を含む液晶モジュールを３個用意し、それぞれＲＧＢ用のライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂとして用いたプロジェクタとして構成されている。液晶プロジェクタ１１００では、メタルハライドランプ等の白色光源のランプユニット１１０２から投射光が発せられると、３枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロックミラー１１０８によって、ＲＧＢの三原色に対応する光成分Ｒ、Ｇ及びＢに分けられ、各色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂにそれぞれ導かれる。この際特に、Ｂ光は、長い光路による光損失を防ぐために、入射レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３及び出射レンズ１１２４からなるリレーレンズ系１１２１を介して導かれる。そして、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂによりそれぞれ変調された三原色に対応する光成分は、ダイクロックプリズム１１１２により再度合成された後、投射レンズ１１１４を介してスクリーンにカラー画像として投射される。
【０１０７】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨、あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置及びその製造方法、並びに該電気光学装置を具備してなる電子機器もまた、本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【０１０８】
【図１】電気光学装置の全体構成を示す平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ’断面図である。
【図３】電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。
【図４】データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板上の相隣接する複数の画素群の平面図である。
【図５】図４のＡ−Ａ´断面図である。
【図６】図４のＢ−Ｂ´断面図である。
【図７】製造プロセスの各工程における電気光学装置の積層構造を、図５及び図６の断面図に関して、順を追って示す工程図（その１）である。
【図８】製造プロセスの各工程における電気光学装置の積層構造を、図５及び図６の断面図に関して、順を追って示す工程図（その２）である。
【図９】製造プロセスの各工程における電気光学装置の積層構造を、図５及び図６の断面図に関して、順を追って示す工程図（その３）である。
【図１０】製造プロセスの各工程における電気光学装置の積層構造を、図５及び図６の断面図に関して、順を追って示す工程図（その４）である。
【図１１】製造プロセスの各工程における電気光学装置の積層構造を、図５及び図６の断面図に関して、順を追って示す工程図（その５）である。
【図１２】製造プロセスの各工程における電気光学装置の積層構造を、図５及び図６の断面図に関して、順を追って示す工程図（その６）である。
【図１３】製造プロセスの各工程における電気光学装置の積層構造を、図５及び図６の断面図に関して、順を追って示す工程図（その７）である。
【図１４】図１４（ａ）は、本変形例に係る一の構成について、図５に対応する断面部分の構成を示す断面図であって、図１４（ｂ）は、本変形例に係る一の構成について、図６に対応する断面部分の構成を示す断面図である。
【図１５】図１５（ａ）及び図１５（ｂ）は夫々、本変形例に係る他の構成について、ＴＦＴアレイ基板上で平面的に見たデータ線の構成を示す平面図である。
【図１６】投射型カラー表示装置の図式的断面図である。
【符号の説明】
【０１０９】
３ａ…走査線、６ａ…データ線、９ａ…画素電極、１０…ＴＦＴアレイ基板、１０ａ…画像表示領域、３０…ＴＦＴ、７０…蓄積容量
【図１】
0004475238.tif 000002
【図２】
0004475238.tif 000003
【図３】
0004475238.tif 000004
【図４】
0004475238.tif 000005
【図５】
0004475238.tif 000006
【図６】
0004475238.tif 000007
【図７】
0004475238.tif 000008
【図８】
0004475238.tif 000009
【図９】
0004475238.tif 000010
【図１０】
0004475238.tif 000011
【図１１】
0004475238.tif 000012
【図１２】
0004475238.tif 000013
【図１３】
0004475238.tif 000014
【図１４】
0004475238.tif 000015
【図１５】
0004475238.tif 000016
【図１６】
0004475238.tif 000017