(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属板を電解めっき用リードとして、レジスト金属層および配線パターンを電解めっきにより形成する工程と、該金属板をエッチングにより除去する工程とを含む多層配線板の製造方法であって、該多層配線板の半導体チップを搭載する側の最外層を形成する際に使用する金属板を部分的にエッチングして除去することにより、該多層配線板の最外層上に金属枠を形成する工程と、該金属枠を該多層配線板に設けられた接地配線パターンと導通接続する工程とを含んでなることを特徴とする多層配線板の製造方法。
【請求項２】
金属板を電解めっき用リードとして、レジスト金属層および配線パターンを電解めっきにより形成する工程と、該配線パターン上に絶縁膜を形成する工程、該配線パターンの一部が露出するように該絶縁膜にビアを形成する工程と、該金属板を電解めっき用リードとして、導体ポストを電解めっきにより形成する工程と、該導体ポストの表面または被接続層の被接合部の表面の少なくとも一方に接合用金属材料層を形成する工程と、該絶縁膜の表面または該被接続層の表面の少なくとも一方に接着剤層を形成する工程と、該導体ポストと該被接合部とを該接着剤層を介して該接合用金属材料層により接合し、該絶縁膜と該被接続層とを該接着剤層により接着する工程と、該金属板をエッチングにより除去する工程とを含む多層配線板の製造方法であって、該多層配線板の半導体チップを搭載する側の最外層を形成する際に使用する金属板を部分的にエッチングして除去することにより、該多層配線板の最外層上に金属枠を形成する工程を含んでなることを特徴とする多層配線板の製造方法。
【請求項３】
該絶縁膜が補強繊維未充填の樹脂からなることを特徴とする請求項２記載の多層配線板の製造方法。
【請求項４】
該金属枠を多層配線板に設けられた接地配線パターンと導通接続する工程とをさらに含むことを特徴とする請求項２または請求項３に記載の多層配線板の製造方法。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の多層配線板の製造方法により、得られることを特徴とする多層配線板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体チップを搭載する多層配線板に関し、層間の電気的接続と接着を同時に行う多層配線板の製造方法およびその製造方法により製造された多層配線板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年の電子機器の高機能化並びに軽薄短小化の要求に伴い、電子部品の高密度集積化、さらには高密度実装化が進んできており、これらの電子機器に使用される半導体パッケージは、従来にも増して益々小型化かつ多ピン化が進んできている。
【０００３】
従来の回路基板はプリント配線板と呼ばれ、ガラス繊維の織布にエポキシ樹脂を含浸させた積層板からなるガラスエポキシ板に貼り付けられた銅箔をパターニング後、複数枚重ねて積層接着し、ドリルで貫通穴を開けて、この穴の壁面に銅めっきを行ってビアを形成し層間の電気接続を行った配線基板の使用が主流であった。しかし、搭載部品の小型化、高密度化が進み、上記の配線基板では配線密度が不足して部品の搭載に問題が生じるようになってきている。
【０００４】
このような背景により、近年、ビルドアップ多層配線板が採用されている。ビルドアップ多層配線板は、樹脂のみで構成される絶縁層と導体とを積み重ねながら成形される。ビア形成方法としては、従来のドリル加工に代わって、レーザ法、プラズマ法やフォト法等、多岐にわたり、小径のビアホールを自由に配置することで高密度化を達成するものである。層間接続部としては、ブライドビア（Ｂｌｉｎｄ  Ｖｉａ）やバリードビア（Ｂｕｒｉｅｄ  Ｖｉａ：ビアを導電体で充填した構造）等があり、ビアの上にビアを形成するスタックドビアが可能なバリードビアホールが特に注目されている。バリードビアホールとしては、ビアホールをめっきで充填する方法と、導電性ペースト等で充填する場合とに分けられる。一方、配線パターンを形成する方法として、銅箔をエッチングする方法（サブトラクティブ法）、電解銅めっきによる方法（アディティブ法）等があり、配線密度の高密度化に対応可能なアディティブ法が特に注目され始めている。
【０００５】
このような多層配線板を用いた半導体パッケージは非常にピン数が多いため、多層配線板の方が半導体チップよりもサイズが大きいのが一般的である。したがって、多層配線板のハンドリング性の観点から、多層配線板がリジッド性を有する必要があることは当然である。現状は、多層配線板のリジッド性を確保するために、補強繊維に樹脂を含浸させた絶縁層を有するプリント配線板（ＦＲ−４等のガラスエポキシ基板）のリジッド性を利用し、その両面にビルドアップ層を積層している。しかしながら、補強繊維に樹脂を含浸させた絶縁層を有するプリント配線板は、補強繊維と樹脂との界面で絶縁破壊を生じることがあり、絶縁特性に課題を残している。
【０００６】
一方、特開平１１−１１１８８７号公報の”従来の技術”には、テープＢＧＡのスティフナ（補強枠）についての記載がある。テープＢＧＡにスティフナを貼り付けることは一般的であり、テープＢＧＡのハンドリング性の観点から、テープＢＧＡのリジッド性を確保することが目的である。これにより、スムーズに半田ボールを搭載することができるようになる。また、テープＢＧＡには絶縁層としてポリイミド等が使用されており、すなわち、絶縁層が補強繊維未充填の樹脂からなるため、良好な絶縁特性を有している。しかしながら、テープＢＧＡでは多層化が困難であるため、超多ピンの半導体パッケージとして採用することはできない。また、ノイズの不要輻射を防止したり、放熱特性を向上させるためには、スティフナを接地配線パターンに導通接続することが好ましい。しかしながら、テープＢＧＡとスティフナの接着には、絶縁性・熱伝導率の高い接着剤を用いるため、放熱特性の向上は見込めるが、不要輻射の防止には対応できないといった課題がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、半導体チップを搭載する多層配線板における、このような問題点に鑑み、リジッド性を有するだけではなく、放熱特性・ノイズ特性に優れた多層配線板を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、金属板を電解めっき用リードとして、レジスト金属層および配線パターンを電解めっきにより形成する工程と、該金属板をエッチングにより除去する工程とを含む多層配線板の製造方法であって、該多層配線板の半導体チップを搭載する側の最外層を形成する際に使用する金属板を部分的にエッチングして除去することにより、該多層配線板の最外層上に金属枠を形成する工程と、該金属枠を該多層配線板に設けられた接地配線パターンと導通接続する工程とを含んでなることを特徴とする多層配線板の製造方法である。
【０００９】
本発明の多層配線板の製造方法は、金属板を電解めっき用リードとして、レジスト金属層および配線パターンを電解めっきにより形成する工程と、金属板をエッチングにより除去する工程とを含み、かつこれらの工程を繰り返して行うものであって、多層配線板の半導体チップを搭載する側の最外層を形成する際に使用する金属板を部分的にエッチングして除去することにより、多層配線板の最外層上に金属枠を形成する工程を含んでなることを基本とし、金属板を電解めっき用リードとして、レジスト金属層および配線パターンを電解めっきにより形成する工程と、配線パターン上に絶縁膜を形成する工程、配線パターンの一部が露出するように絶縁膜にビアを形成する工程と、金属板を電解めっき用リードとして、導体ポストを電解めっきにより形成する工程と、導体ポストの表面または被接続層の被接合部の表面の少なくとも一方に接合用金属材料層を形成する工程と、絶縁膜の表面または被接続層の表面の少なくとも一方に接着剤層を形成する工程と、導体ポストと被接合部とを接着剤層を介して接合用金属材料層により接合し、絶縁膜と被接続層とを接着剤層により接着する工程と、金属板をエッチングにより除去する工程とを含むものであって、多層配線板の半導体チップを搭載する側の最外層を形成する際に使用する金属板を部分的にエッチングして除去することにより、多層配線板の最外層上に金属枠を形成する工程を含んでなることが好ましい。さらには、絶縁膜が補強繊維未充填の樹脂からなることが好ましく、金属枠を多層配線板に設けられた接地配線パターンと導通接続する工程とを含むことが、よりいっそう好ましい。
【００１０】
本発明の多層配線板は、前記の多層配線板の製造方法により得られることを特徴としている。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明するが、本発明はこれによって何ら限定されるものではない。
【００１２】
図１（ａ）〜図４（ｒ）は、本発明の実施形態である多層配線板の製造方法の一例を説明するための図で、図４（ｒ）は得られる多層配線板の構造を示す断面図である。
【００１３】
本発明の多層配線板の製造方法としては、まず、金属板１０１上にパターニングされためっきレジスト１０２を形成する（図１（ａ））。このめっきレジスト１０２は、例えば、金属板１０１上に紫外線感光性のドライフィルムレジストをラミネートし、ネガフィルム等を用いて選択的に感光し、その後現像することにより形成できる。金属板１０１の材質は、本発明の製造方法に適するものであればどのようなものでも良いが、特に、使用される薬液に対して耐性を有するものであって、最終的にエッチングにより除去可能であることが必要である。金属板１０１の材質としては、例えば、銅、銅合金、４２合金、ニッケル等が挙げられる。
【００１４】
次に、金属板１０１を電解めっき用リードとして、レジスト金属層１０３を電解めっきにより形成する（図１（ｂ））。この電解めっきにより、金属板１０１上のめっきレジスト１０２が形成されていない部分に、レジスト金属層１０３が形成される。レジスト金属層１０３の材質は、本発明の製造方法に適するものであればどのようなものでも良いが、特に、最終的に金属板１０１をエッチングにより除去する際に使用する薬液に対して耐性を有することが必要である。レジスト金属層１０３の材質としては、例えば、ニッケル、金、錫、銀、半田、パラジウム等が挙げられる。なお、レジスト金属層１０３を形成する目的は、金属板１０１をエッチングする際に使用する薬液により、図１（ｃ）に示す配線パターン１０４が浸食・腐食されるのを防ぐことである。したがって、金属板１０１をエッチングする際に使用する薬液に対して、図１（ｃ）に示す配線パターン１０４が耐性を有している場合は、このレジスト金属層１０３は不要である。また、レジスト金属層１０３は配線パターン１０４と同一のパターンである必要はなく、金属板１０１上にめっきレジスト１０２を形成する前に、金属板１０１の全面にレジスト金属層１０３を形成しても良い。
【００１５】
次に、金属板１０１を電解めっき用リードとして、配線パターン１０４を電解めっきにより形成する（図１（ｃ））。この電解めっきにより、金属板１０１上のめっきレジスト１０２が形成されていない部分に、配線パターン１０４が形成される。配線パターン１０４の材質としては、本発明の製造方法に適するものであればどのようなものでも良いが、特に、最終的にレジスト金属層１０３をエッチングにより除去する際に使用する薬液に対して耐性を有することが必要である。実際は、配線パターン１０４を浸食・腐食しない薬液でエッチング可能なレジスト金属層１０３の材質を選定するのが得策である。配線パターン１０４の材質としては、例えば、銅、ニッケル、金、錫、銀、パラジウム等が挙げられる。さらには、銅を用いることで、低電気抵抗で安定した配線パターン１０４が得られる。
【００１６】
次に、めっきレジスト１０２を除去し（図１（ｄ））、形成した配線パターン１０４上に絶縁膜１０５を形成する（図１（ｅ））。絶縁膜１０５を構成する樹脂は、本発明の製造方法に適するものであればどのようなものでも使用できる。特に、補強繊維（例えば、ガラスクロス）未充填の樹脂からなる絶縁膜１０５を形成することが好ましい。また、絶縁膜１０５の形成方法は、使用する樹脂に適した方法で良く、樹脂ワニスを印刷、カーテンコート、バーコート等の方法で直接塗布したり、ドライフィルムタイプの樹脂を真空ラミネート、真空プレス等の方法で積層する方法が挙げられる。特に、市販されている樹脂付銅箔は入手が容易であり、真空ラミネートにより配線パターン１０４の凹凸を埋め込みながら成形し、最後に銅箔をエッチングすれば、絶縁膜１０５の表面が配線パターン１０４の凹凸に影響されることなく、非常に平坦になる。また、絶縁膜１０５の表面には銅箔表面の微細な粗化形状が転写されるため、図２（ｉ）に示す接着剤層１０９との密着性を確保することができる。
【００１７】
次に、形成した絶縁膜１０５にビア１０６を形成する（図１（ｆ））。ビア１０６の形成方法は、本発明の製造方法に適する方法であればどのような方法でも良く、レーザー、プラズマによるドライエッチング、ケミカルエッチング等が挙げられる。また、絶縁膜１０５を感光性樹脂とした場合には、絶縁膜１０５を選択的に感光し、現像することでビア１０６を形成することもできる。
【００１８】
次に、金属板１０１を電解めっき用リードとして、導体ポスト１０７を電解めっきにより形成する（図２（ｇ））。この電解めっきにより、絶縁膜１０５のビア１０６が形成されている部分に、導体ポスト１０７が形成される。電解めっきにより導体ポスト１０７を形成すれば、導体ポスト１０７の先端の形状を自由に制御することができる。導体ポスト１０７の材質としては、本発明の製造方法に適するものであればどのようなものでも良く、例えば、銅、ニッケル、金、錫、銀、パラジウム等が挙げられる。さらには、銅を用いることで、低電気抵抗で安定した導体ポスト１０７が得られる。
【００１９】
次に、導体ポスト１０７の表面（先端）に、接合用金属材料層１０８を形成する（図２（ｈ））。接合用金属材料層１０８の形成方法としては、無電解めっきにより形成する方法、金属板１０１を電解めっき用リードとして電解めっきにより形成する方法、接合用金属材料を含有するペーストを印刷する方法が挙げられる。印刷による方法では、印刷用マスクを導体ポスト１０７に対して精度良く位置合せする必要があるが、無電解めっきや電解めっきによる方法では、導体ポスト１０７の表面以外に接合用金属材料層１０８が形成されることがないため、導体ポスト１０７の微細化・高密度化にも対応しやすい。特に、電解めっきによる方法では、無電解めっきによる方法よりも、めっき可能な金属が多種多様であり、また薬液の管理も容易であるため、非常に好適である。接合用金属材料層１０８の材質としては、図２（ｊ）に示す被接合部１１２と金属接合可能な金属であればどのようなものでもよく、例えば、半田が挙げられる。半田の中でも、ＳｎやＩｎ、もしくはＳｎ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｂｉ、Ｓｂ、Ｐｂ、Ｉｎ、Ａｕの少なくとも二種からなる半田を使用することが好ましい。より好ましくは、環境に優しいＰｂフリー半田である。なお、図２（ｈ）では、導体ポスト１０７の表面に接合用金属材料層１０８を形成する例を示したが、接合用金属材料層１０８を形成する目的は、導体ポスト１０７と被接合部１１２とを金属接合させることであるため、被接合部１１２に接合用金属材料層１０８を形成しても構わない。もちろん、導体ポスト１０７と被接合部１１２の両表面に形成しても構わない。
【００２０】
次に、絶縁膜１０５の表面に、接着剤層１０９を形成する（図２（ｉ））。接着剤層１０９の形成は、使用する接着剤樹脂に応じて適した方法で良く、樹脂ワニスを印刷、カーテンコート、バーコート等の方法で直接塗布したり、ドライフィルムタイプの樹脂を真空ラミネート、真空プレス等の方法で積層する方法が挙げられる。なお、図２（ｉ）では、絶縁膜１０５の表面に接着剤層１０９を形成する例を示したが、被接続層１１１の表面に接着剤層１０９を形成しても構わない。もちろん、絶縁膜１０５と被接続層１１１の両表面に形成しても構わない。
【００２１】
次に、上述の工程により得られた接続層１１０と被接続層１１１とを位置合わせをする（図２（ｊ））。位置合わせは、接続層１１０および被接続層１１１に予め形成されている位置決めマークを、画像認識装置により読み取り位置合わせする方法、位置合わせ用のピン等で位置合わせする方法等を用いることができる。なお、図２（ｊ）に示す被接続層１１１は、図１（ａ）〜図１（ｄ）に示す工程と同様な工程により、得ることができる。
【００２２】
次に、接続層１１０および被接続層１１１とを積層する（図２（ｋ））。積層方法としては、例えば、真空プレスを用いて、導体ポスト１０７が、接着剤層１０９を介して、接合用金属材料層１０８により被接合部１１２と金属接合するまで加圧し、更に加熱して接着剤層１０９を硬化させて、接続層１１０と被接続層１１１とを接着することができる。
【００２３】
次に、接続層１１０の金属板１０１をエッチングにより除去する（図３（ｌ））。金属板１０１と配線パターン１０４との間にレジスト金属層１０３が形成されており、そのレジスト金属層１０３は、金属板１０１をエッチングにより除去する際に使用する薬液に対して耐性を有しているため、金属板１０１をエッチングしてもレジスト金属層１０３が浸食・腐食されることがなく、結果的に配線パターン１０４が浸食・腐食されることはない。金属板１０１の材質が銅、レジスト金属層１０３の材質がニッケル、錫または半田の場合、市販のアンモニア系エッチング液を使用することができる。金属板１０１の材質が銅、レジスト金属層１０３の材質が金や銀の場合、塩化第ニ鉄溶液、塩化第二銅溶液を含め、ほとんどのエッチング液を使用することができる。
【００２４】
次に、レジスト金属層１０３をエッチングにより除去する（図３（ｍ））。配線パターン１０４は、レジスト金属層１０３をエッチングにより除去する際に使用する薬液に対して耐性を有するため、配線パターン１０４は浸食・腐食されることはない。そのため、レジスト金属層１０３が除去されることにより、配線パターン１０４が露出する。配線パターン１０４の材質が銅、レジスト金属層１０３の材質がニッケル、錫または半田の場合、市販の半田・ニッケル剥離剤（例えば、三菱ガス化学製・Ｐｅｗｔａｘ）を使用することができる。配線パターン１０４の材質が銅、レジスト金属層１０３の材質が金の場合、配線パターン１０４を浸食・腐食させることなく、レジスト金属層１０３をエッチングすることは困難である。この場合には、レジスト金属層１０３をエッチングする工程を省略し、レジスト金属層１０３を残したままでも良い。
【００２５】
続いて、上述の工程、すなわち図１（ａ）〜図３（ｍ）を繰り返して行うことにより、多層配線板１１３の製造途中のもの（図３（ｍ）参照）に対して、もう１層積層したものを得ることができる（図３（ｎ））。
【００２６】
図３（ｏ）〜図４（ｐ）に示す工程は、多層配線板１１３の最外層１１７ａを形成する工程を説明するための図である。図３（ｏ）〜図４（ｐ）に示す工程は、図２（ｊ）〜図２（ｋ）に示す工程と同様に、接続層と被接続層との位置合わせ（図３（ｏ））、接続層と被接続層との積層（図４（ｐ））からなる。
【００２７】
次に、金属板１０１ａをエッチングにより完全に除去し、金属板１０１ｂについては、半導体チップ２０２を搭載する部分のみ、エッチングにより除去して、金属枠１１６を形成する（図４（ｑ））。多層配線板１１３が金属枠１１６を有することにより、絶縁膜１０５が補強繊維（例えば、ガラスクロス）未充填の樹脂からなる場合でも、多層配線板１１３としてはリジッド性を有することになる。また、絶縁膜１０５ａは、樹脂ワニスを印刷、カーテンコート、バーコート等の方法で直接塗布したり、ドライフィルムタイプの樹脂を真空ラミネート、真空プレス等の方法で積層することにより、直接、金属板１０１ｂ上に形成するため、絶縁膜１０５ａと金属枠１１６との密着性は高くなる。
【００２８】
最後に、最外層１１７ｂの表面にソルダーレジスト１１５を形成し、パッド１１４ｂの部分を開口して、多層配線板１１３を得ることができる（図４（ｒ））。なお、最外層１１７ｂに配線パターン１０４が形成されておらず、パッド１１４ｂのみが形成されている場合には、ソルダーレジスト１１５を形成する必要はない。もう一方の最外層１１７ａについても同様である。図４（ｒ）の場合は、パッド１１４ａのみが形成されているため、ソルダーレジストを形成する必要はない。また、最外層１１７ａ、１１７ｂを形成する際に使用するレジスト金属層１１８ａ、１１８ｂを除去する必要はない。すなわち、このレジスト金属層１１８ａ、１１８ｂは、多層配線板１１３の両表面に形成されるパッド１１４ａ、１１４ｂに施すめっき被膜として利用される。レジスト金属層１１８ａ、１１８ｂの材質は金、銀、パラジウム、ニッケル、半田等が挙げられ、金、銀、パラジウム、ニッケルのそれぞれからなるいずれか２つ以上を含む層構成にしてもよい。また、配線パターン１０４が銅からなる場合には、金およびニッケルの２層構成であると良い。これにより、パッド１１４ａ、１１４ｂに搭載される半田ボールの半田が、配線パターン１０４の銅に拡散することを防止することができる。さらには、金属枠１１６を多層配線板１１３の接地配線パターン１１９に導通接続することにより、半導体デバイス２０１からのノイズの不要輻射を低減することができるだけでなく、半導体デバイス２０１の放熱特性を向上させることができる。
【００２９】
以上の工程により、多層配線板１１３の半導体チップ２０２を搭載する側に金属枠１１６を有する多層配線板を製造することができる。
【００３０】
本発明による多層配線板の製造方法および製造された多層配線板の特徴は、次に示す通りである。
（１）製造時に使用する金属板１０１ｂを部分的にエッチングすることにより、金属枠１１６を形成することができる。
（２）多層配線板１１３が金属枠１１６を有することにより、絶縁膜１０５が補強繊維（例えば、ガラスクロス）未充填の樹脂からなる場合でも、多層配線板１１３としてはリジッド性を有する。
（３）金属枠１１６を多層配線板１１３の接地配線パターン１１９に導通接続することにより、半導体デバイス２０１からのノイズの不要輻射を低減することができるだけでなく、半導体デバイス２０１の放熱特性を向上させることができる。
【００３１】
なお、上述の工程により得られた多層配線板１１３のパッド１１４ａ側に半導体チップ２０２を搭載し、パッド１１４ｂ側に半田ボール２０５を搭載することにより、半導体装置２０１を得ることができる（図５）。
【００３２】
【実施例】
以下、実施例により更に具体的に説明するが、本発明はこれによって何ら限定されるものではない。
【００３３】
接着剤の調合例
ｍ，ｐ−クレゾールノボラック樹脂（日本化薬(株)製ＰＡＳ−１、ＯＨ基当量１２０）１００ｇと、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（日本化薬(株)製ＲＥ−４０４Ｓ、エポキシ基当量１６５）１４０ｇを、シクロヘキサノン６０ｇに溶解し、硬化触媒としてトリフェニルフォスフィン（北興化学工業（株）製）０．２ｇを添加し、接着剤ワニスを作製した。
【００３４】
実施例（多層配線板の製造例）
表面を粗化処理した１５０ミクロン厚の圧延銅板（金属板１０１・古川電気工業製ＥＦＴＥＣ−６４Ｔ）にドライフィルムレジスト（旭化成製ＡＱ−２０５８）をロールラミネートし、所定のネガフィルムを用いて露光・現像し、配線パターン１０４の形成に必要なめっきレジスト（めっきレジスト１０２）を形成した。次に、圧延銅板を電解めっき用リードとして、電解めっきによりニッケルからなるレジスト金属層（レジスト金属層１０３）を形成し、さらに電解銅めっきにより配線パターン（配線パターン１０４）を形成した。配線パターンは、線幅／線間／厚み＝２０ミクロン／２０ミクロン／１０ミクロンとした。次に、樹脂付銅箔（住友ベークライト製ＡＰＬ）を真空ラミネートにより配線パターンの凹凸を埋め込みながら成形し、銅箔を全面エッチングして、２５ミクロン厚の絶縁膜（絶縁膜１０５）を形成した。次に、５０ミクロン径のビア（ビア１０６）をＵＶ−ＹＡＧレーザーにより形成した。次に、圧延銅板を電解めっき用リードとして、電解銅めっきによりビアを銅で充填し、銅ポスト（導体ポスト１０７）を形成した。次に、圧延銅板を電解めっき用リードとして、電解めっきにより銅ポスト上にＳｎ−Ｐｂ共晶半田層（接合用金属材料層１０８）を形成した。次に、バーコートにより、上述の接着剤ワニスを、絶縁膜の表面、すなわちＳｎ−Ｐｂ共晶半田が形成された面に塗布後、８０℃で２０分乾燥し、１０ミクロン厚の接着剤層（接着剤層１０９）を形成した。これまでの工程により、ビルドアップ層（接続層１１０）を得た。一方、上述の工程と同様に、電解ニッケル／金めっきにより圧延銅板上にレジスト金属層（レジスト金属層１１８ｂ）を形成し、さらに電解銅めっきにより配線パターンを形成し、ランド（被接合部１１２）を有する被接続層（被接続層１１１）を得た。次に、上述の工程により得られたビルドアップ層と被接続層に予め形成されている位置決めマークを、画像認識装置により読み取り、両者を位置合わせし、１００℃の温度で仮圧着した。これを、プレスにより２２０℃の温度で加熱加圧して、銅ポストが、接着剤層を貫通してランドと半田接合し、接着剤層により被接続層にビルドアップ層を接着した。次に、アンモニア系エッチング液を用いて、ビルドアップ層の圧延銅板をエッチングして除去し、さらに半田・ニッケル剥離剤（三菱ガス化学製・Ｐｅｗｔａｘ）を用いてニッケルをエッチングして除去した。さらに、上述の工程を繰返し、ビルドアップ層をもう１層積層した。ただし、最外層（最外層１１７ａ、１１７ｂ）を形成する際のレジスト金属層（レジスト金属層１１８ａ、１１８ｂ）をニッケル／金の２層構成とした。続いて、半導体チップを搭載する側の圧延銅板をエッチングすることにより金属枠（金属枠１１６）を形成し、被接続層側の圧延銅板をエッチングすることにより全面除去した。最後に、ソルダーレジスト（ソルダーレジスト１１５）を形成した。以上の工程により、金属枠を有し、絶縁膜が補強繊維未充填の樹脂からなる多層配線板（多層配線板１１３）を得ることができた。
【００３５】
【発明の効果】
本発明により得られる多層配線板は、金属枠を有するため、絶縁膜が補強繊維未充填の樹脂からなる場合でも、リジッド性を有するため、ハンドリング性を確保することができ、さらには、絶縁特性を大幅に向上させることができる。また、接地配線パターンを金属枠に導通接続することにより、半導体デバイスの放熱特性を大幅に向上することができ、さらには、半導体デバイスからの不要輻射を防止することができ、高速動作に対応できる多層配線板を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の実施形態による多層配線板の製造方法の一例を示す断面図である。
【図２】  本発明の実施形態による多層配線板の製造方法の一例を示す断面図である（図１の続き）。
【図３】  本発明の実施形態による多層配線板の製造方法の一例を示す断面図である（図２の続き）。
【図４】  本発明の実施形態による多層配線板の製造方法の一例を示す断面図である（図３の続き）。
【図５】  本発明の実施形態による多層配線板を使用して製造した半導体デバイスの一例を示す断面図である。
【符号の説明】
１０１      金属板
１０１ａ    金属板
１０１ｂ    金属板
１０２      めっきレジスト
１０３      レジスト金属層
１０４      配線パターン
１０５      絶縁膜
１０６      ビア
１０７      導体ポスト
１０８      接合用金属材料層
１０９      接着剤層
１１０      接続層
１１１      被接続層
１１２      被接合部
１１３      多層配線板
１１４ａ    パッド
１１４ｂ    パッド
１１５      ソルダーレジスト
１１６      金属枠
１１７ａ    最外層
１１７ｂ    最外層
１１８ａ    レジスト金属層
１１８ｂ    レジスト金属層
２０１      半導体デバイス
２０２      半導体チップ
２０３      バンプ
２０４      アンダーフィル
２０５      半田ボール
【図１】
0004427874.tif 000002
【図２】
0004427874.tif 000003
【図３】
0004427874.tif 000004
【図４】
0004427874.tif 000005
【図５】
0004427874.tif 000006