(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面に電子回路が形成されると共に前記第１面と反対側の第２面に凹凸部が形成された薄膜樹脂基板に対し、前記電子回路を覆う樹脂をモールドする薄膜樹脂基板への樹脂モールド方法であって、
前記第２面の凹凸部と対応する逆の凹凸部を有した補助部材を用意し、
該補助部材の凹凸部を前記第２面の凹凸部と係合させ、
その上で、前記電子回路が形成された前記第１面に対して前記樹脂をモールドすることを特徴とする薄膜樹脂基板への樹脂モールド方法。
【請求項２】
第１面に電子回路が形成されると共に前記第１面と反対側の第２面に凹凸部が形成された薄膜樹脂基板に対し、前記電子回路を覆う樹脂をモールドする薄膜樹脂基板への樹脂モールド方法であって、
前記第２面の凹凸部に押圧されることにより弾性変形する補助部材を用意し、
前記第２面の凹凸部を前記補助部材に押圧し、前記補助部材を前記凹凸部の形状に対応するよう変形させ、
その上で、前記電子回路が形成された前記第１面に対して前記樹脂をモールドすることを特徴とする薄膜樹脂基板への樹脂モールド方法。
【請求項３】
第１面に電子回路が形成されると共に前記第１面と反対側の第２面に電極形成による凹凸部が形成された薄膜樹脂基板に対し、前記電子回路を覆う樹脂をモールドする薄膜樹脂基板への樹脂モールド方法であって、
前記第２面の凹凸部の凹部内に前記薄膜樹脂基板をモールド時において支持する支持部を形成し、
その上で、前記電子回路が形成された前記第１面に対して前記樹脂をモールドすることを特徴とする薄膜樹脂基板への樹脂モールド方法。
【請求項４】
第１面に配線を含む電子回路が形成されると共に前記第１面と反対側の第２面に電極形成による凹凸部が形成された薄膜樹脂基板に対し、前記電子回路を覆う樹脂をモールドする薄膜樹脂基板への樹脂モールド方法であって、
電極が形成されてない凹部と対向する位置に前記配線を形成し、
その上で、前記電子回路が形成された前記第１面に対して前記樹脂をモールドすることを特徴とする薄膜樹脂基板への樹脂モールド方法。
【請求項５】
第１面に電子回路が形成されると共に前記第１面と反対側の第２面に凹凸部が形成された薄膜樹脂基板に対し、前記電子回路を覆う樹脂をモールドする薄膜樹脂基板への樹脂モールド方法であって、
前記第２面の凹凸部の凹部に該凹部を埋める埋設部材を配設し、
その上で、前記電子回路が形成された前記第１面に対して前記樹脂をモールドすることを特徴とする薄膜樹脂基板への樹脂モールド方法。
【請求項６】
第１面に配線を含む電子回路が形成されると共に前記第１面と反対側の第２面に電極形成による凹凸部が形成された薄膜樹脂基板に対し、前記電子回路を覆う樹脂をモールドする薄膜樹脂基板への樹脂モールド方法であって、
電極が形成されてない凹部内に前記薄膜樹脂基板を支持する支持部を形成すると共に、前記凹部と対向する位置に前記配線を形成し、
その上で、前記電子回路が形成された前記第１面に対して前記樹脂をモールドすることを特徴とする薄膜樹脂基板への樹脂モールド方法。
【請求項７】
第１面に高周波回路配線を含む高周波回路部品が配設されると共に、前記第１面と反対側の第２面に電極が形成されることにより凹凸部が形成された薄膜樹脂基板と、
前記薄膜樹脂基板の第１面上に形成されており、前記高周波回路配線及び高周波回路部品を封止する樹脂とを具備する高周波モジュールであって、
前記第２面に形成された前記電極間に、該電極の高さと同一高さを有する支持部を形成してなることを特徴とする高周波モジュール。
【請求項８】
第１面に高周波回路配線を含む高周波回路部品が配設されると共に、前記第１面と反対側の第２面に電極が形成されることにより凹凸部が形成された薄膜樹脂基板と、
前記薄膜樹脂基板の第１面上に形成されており、前記高周波回路配線及び高周波回路部品を封止する樹脂とを具備する高周波モジュールであって、
前記第１面における前記高周波回路配線を、前記第２面における一対の前記電極間が離間する位置と対向する位置に配設したことを特徴とする高周波モジュール。
【請求項９】
第１面に高周波回路配線を含む高周波回路部品が配設されると共に、前記第１面と反対側の第２面に電極が形成されることにより凹凸部が形成された薄膜樹脂基板と、
前記薄膜樹脂基板の第１面上に形成されており、前記高周波回路配線及び高周波回路部品を封止する樹脂とを具備する高周波モジュールであって、
前記第２面において一対の前記電極間に形成される凹部内に、該凹部を埋設する絶縁材料よりなる埋設部材を配設したことを特徴とする高周波モジュール。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は薄膜樹脂基板への樹脂モールド方法及び高周波モジュールに係り、特に高周波特性に優れた薄膜樹脂基板への樹脂モールド方法及び高周波モジュールに関する。
【０００２】
例えば、携帯用移動体通信端末等の電子機器は、小型薄型化及び軽量化が急速に進んでいる。この携帯用移動端末は、その内部にパワーアンプに代表されるような高周波モジュールや高周波回路基板が搭載されている。
【０００３】
よって、携帯用移動端末等の小型薄型化及び軽量化を図るためには、高周波モジュールにおいても、小型薄型化及び軽量化を図る必要がある。このため、高周波モジュールに内設される基板として、小型薄型化，軽量化を図れると共に高周波特性の向上も図りうる薄膜樹脂基板を用いたものが提案されている。
【０００４】
しかしながら、薄膜樹脂基板は薄いため高周波モジュールの製造過程において変形が発生しやすい。そこで、製造過程において変形の発生を抑制しうる樹脂モールド方法が望まれている。
【０００５】
【従来の技術】
図１は、従来の高周波モジュールの一例を示している。図１（Ａ）は高周波モジュール１の概略構成を示す平面図であり、図１（Ｂ）は高周波モジュール１の概略構成を示す断面図である。この種の高周波モジュール１は、例えば携帯用移動端末のパワーアンプとして用いられるものであり、小型薄型化及び軽量化が望まれているものである。
【０００６】
この高周波モジュール１は、大略すると高周波回路基板２，高周波アクティブチップ３，チップ部品４，及び樹脂パッケージ５等により構成されている。高周波回路基板２は、セラミック，ガラス・セラミック，或いはガラス・エポキシ等よりなる基材１５を有している。そして、この基材１５の上面には高周波回路配線６，７、直流回路配線８，９（ＤＣ回路配線という）、及びパッド部１２〜１４が所定のパターンで形成され、また下面にはグランド膜１８及びランド部１９が形成されている。
【０００７】
上記構成とされた高周波回路基板２の所定位置には基材１５に開口部１６が形成されており、高周波アクティブチップ３はこの開口部１６の内部に搭載されている。また、高周波アクティブチップ３と各配線６〜９は、ワイヤ１７により電気的に接続されている。
【０００８】
また、高周波回路基板２には複数のチップ部品４が搭載されており、各チップ部品４は各配線６〜９と導電性材料を用いて接合されている。更に、パッド部１２〜１４は、基材１５を貫通するよう形成されたバイアホール２０により、基材下面に形成されたグランド膜１８と電気的に接続された構成とされている。
【０００９】
一方、各配線６〜９の所定端部には、高周波入力端子ＲＦIn，高周波出力端子ＲＦout,及びバイアス端子１０，１１が形成されている。この各端子ＲＦIn，ＲＦout,１０，１１は、基材１５を貫通するよう形成されたバイアホール２０により外部接続端子として機能するランド部１９に電気的に接続されている。
【００１０】
このランド部１９は、高周波モジュール１を実装する際に実装基板に電気的に接続されるものである。また、高周波回路基板２の上面は、金属キャップ（図示せず）等により封止されている。
【００１１】
しかしながら、高周波回路基板２の基材１５としてセラミックを用いた場合には、セラミックは樹脂材料に比べて高コストであるため、高周波モジュール装置１のコストが上昇してしまう。また、高周波回路基板２の基材１５としてセラミック，ガラス・セラミック，ガラス・エポキシ等を用いた場合には、基材１５の厚さを１００μｍ以下とすることが困難で、高周波モジュール１の薄型化に反することとなる。
【００１２】
一方、従来用いられていた基材１５の材料は加工性が悪く、高精度の加工を行なうのが困難であった。特にバイアホール２０においては、高周波信号を処理する高周波モジュール１にあってそのインピーダンスを低減することが望ましいが、従来の高周波モジュール１は、基材１５の厚さ及びバイアホール２０の直径寸法を任意に設定することが困難であったためインピーダンスの低減を図ることができず、バイアホール２０に起因した特性劣化を避けることができなかった。
【００１３】
また、高周波モジュール１においては、同一の信号ライン幅での広帯域化が望まれている。この同一の信号ライン幅での広帯域化を図るためには、高周波回路基板２を構成する基材１５の厚さを薄くし、かつ比誘電率を小さくする必要がある。
【００１４】
しかるに、従来用いられていた基材材料（セラミック，ガラス・セラミック，ガラス・エポキシ等）では、基材１の厚さ及び比誘電率が大きいため、することが同一の信号ライン幅における広帯域化が困難であった。このため、比誘電率が高いセラミックを用いたミリ波領域での回路設計では、５０Ω信号ライン幅が非常に狭くなり、その形成が困難であった。
【００１５】
そこで本発明者は、上記下問題点を解決することを目的として、図２乃至図６に示す構成の高周波モジュール３０Ａを提案した（特願平１１−３１０１５９号）。
【００１６】
高周波モジュール３０Ａは、大略すると高周波回路基板３２Ａ（薄膜樹脂基板），高周波アクティブチップ３３，チップ部品３４，及び樹脂パッケージ３５等により構成されており、特に高周波回路基板３２Ａを構成する基材４５Ａとしてポリイミドを用いたことを特徴としている。
【００１７】
基材４５Ａの上面（第１面）には高周波回路配線３６Ａ，３７Ａ（マイクロストリップライン，コプレナーライン等）、直流回路配線３８Ａ，３９（ＤＣ回路配線という）、及びパッド部４２〜４４が所定のパターンで形成されている。この内、高周波回路配線３６Ａ，３７Ａは、いわゆる５０Ωラインとされている。
【００１８】
この各配線３６Ａ〜３８Ａ，３９及びパッド部４２〜４４は、例えば膜厚３５ミクロンの銅膜或いは金膜により形成されており、その内の高周波回路配線３６Ａ，３７Ａ及びＤＣ回路配線３８Ａ，３９の所定領域はマイクロストリップライン及びλ／４のバイアス回路を構成している。また、基材４５Ａの下面（第２面）には、接地されたグランド膜４８Ａ及び外部接続端子となるランド４９Ａが形成されている。
【００１９】
上記構成とされた高周波回路基板３２Ａには、高周波アクティブチップ３３が搭載される。基材４５Ａの高周波アクティブチップ３３が搭載される位置には、開口部４６が形成されている。また、この開口部４６の底部の開口部分は、グランド膜４８Ａにより閉塞された構成とされている。従って、高周波回路基板３２Ａの高周波アクティブチップ３３が搭載される位置には、開口部４６及びグランド膜４８Ａにより凹部が形成された構成となっている。
【００２０】
高周波アクティブチップ３３は、この開口部４６の内部に搭載され、底部に位置しているグランド膜４８Ａに金−錫合金或いは導電性接着剤等により接合される。このように、基材４５Ａにグランド膜４８Ａ及び開口部４６を形成し、開口部４６内のグランド膜４８Ａ上に高周波アクティブチップ３３を搭載する構成としたことにより、高周波アクティブチップ３３で発生する熱を効率よく放熱することができる。
【００２１】
また、高周波アクティブチップ３３と各配線３６Ａ〜３９は、ワイヤボンディング装置を用いてワイヤ４７により電気的に接続される。この際、高周波アクティブチップ３３は、開口部４６の内部に位置するため、高周波アクティブチップ３３のワイヤボンディング位置と各配線３６Ａ〜３９のワイヤボンディング位置の高さは略等しくなり、ワイヤボンディング性の向上、及びワイヤループの低背化を図ることができる。
【００２２】
また、高周波回路基板３２Ａの上面には複数のチップ部品３４が搭載されており、この各チップ部品３４は各配線３６Ａ〜３８Ａ，３９或いはパッド部４２〜４４にはんだ付け或いは導電性接着剤等により接合されている。このチップ部品３４はチップコンデンサーであり、前記の高周波回路配線３６Ａ，３７Ａと共に入／出力整合回路を形成する。また図示していないが、高周波回路基板３２Ａの上面にハイブリッド回路（ブランチライン，カプラー，ラットレース，位相反転形ハイブリッド，高周波フィルタ等）を配設する構成としてもよい。
【００２３】
また、パッド部４２〜４４は、基材４５Ａを貫通するよう形成されたバイアホール（図に現れず）により、基材４５Ａの下面に形成されたグランド膜４８Ａと電気的に接続された構成とされている。更に、各配線３６Ａ〜３８Ａ，３９の所定端部には、高周波入力端子５３，高周波出力端子５４，及びバイアス端子４０，４１が形成されている。この各端子４０，４１，５３，５４は、基材４５Ｂを貫通するよう形成されたバイアホール５０により外部接続端子として機能するランド部４９Ａに電気的に接続されている。
【００２４】
このランド部４９は、図６に示されるように、基材４５Ｂの下面にグランド膜４８Ａと電気的に分離された状態で形成されており、高周波モジュール３０Ｂを実装する際に実装基板（図示せず）に電気的に接続されるものである。尚、図２におけるＡ−Ａ断面である図３には、本来的にはバイアホール５０は現れないが、理解を容易とするためにバイアホール５０を図示している。
【００２５】
また、高周波回路基板３２Ａの上面には、樹脂パッケージ３５が形成されている。この樹脂パッケージ３５は、例えばトランスファーモールド（以下、単にモールドという）により形成されており、高周波回路基板３２Ａの上面に配設された高周波アクティブチップ３３，チップ部品３４，及び各配線３６Ａ〜３８Ａ，３９等を保護する機能を奏する。
【００２６】
上記構成とされた高周波モジュール３０Ａは、高周波回路基板３２Ａの基材４５Ａとしてポリイミドよりなる薄膜樹脂板を用いている。このポリイミドはセラミックに比べて安価であるため、図１に示すセラミック等を基材１５とする高周波回路基板２（図１参照）に比べて低コスト化を図ることができる。
【００２７】
また、基材４５Ａとしてポリイミドを用いることにより、基材４５Ａの厚さを２５μｍ〜７５μｍまで薄くすることができる。これにより、５０Ωラインのライン幅を約５０μｍ〜１５０μｍと狭くすることができ、高周波回路基板３２Ａ上における５０Ωラインの占める面積を小さくでき、従って高周波モジュール３０Ａの小型薄型化を図ることができる。
【００２８】
また、ポリイミドは比誘電率が約３．１と低比誘電率であるが、このような低比誘電率であるポリイミド製の薄膜樹脂板を用いても、その厚さを薄くすることにより５０Ωライン幅を狭くできる。よって、従来のように基材厚が厚くなる高比誘電率を有する基材材料（例えば、セラミック，ガラス・セラミック，ガラス・エポキシ等）を使用する必要はなくなり、これによっても高周波モジュール３０Ａの小型薄型化を図ることができる。
【００２９】
更に、一般に使用する周波数が高周波となるほど、各配線３６Ａ，３７Ａのインピーダンスは増加する特性を示すが、基材４５Ａの厚さが薄い程、インピーダンスの増加率は低減する。よって、基材４５Ａとして低比誘電率のポリイミドを用いても、その厚さを薄く設定することにより、広帯域の周波数において低インピーダンスを維持させることができ、広帯域において高周波特性の優れた高周波回路を実現することが可能となる。
【００３０】
【発明が解決しようとする課題】
上記したように、図２乃至図６に示す高周波モジュール３０Ａによれば、基材４５Ａとしてポリイミドよりなる薄膜樹脂板を用いることで、広帯域で高周波特性が優れ、低熱抵抗、低コストの高周波回路基板３２Ａを実現することができる。よって、本実施例の高周波モジュール３０Ａを携帯用移動端末に組み込むことにより、薄型の携帯用移動端末を低コストで実現することが可能となる。
【００３１】
また、基材４５Ａはフリキシブルな基板であるため、高周波モジュール３０Ａを携帯用移動端末に搭載した際、この基材４５Ａのフリキシブル性を生かして携帯用移動端末の形状に左右されない低コストな高周波モジュール３０Ａを提供することが可能となる。
【００３２】
しかしながら、本発明者は上記した高周波モジュール３０Ａの製品化を進める過程において、樹脂パッケージ３５を形成するのモールド工程において、基材４５に変形が発生するおそれがあることを発見した。以下、これについて説明する。
【００３３】
前記したように、高周波回路基板３２Ａの底面にはグランド膜４８Ａ及びランド部４９Ａが形成されている。特にランド部４９Ａに注目すると、図５及び図６に示すように、このランド部４９Ａは所定間隔（例えば、６００μｍ）離間配置されている。
【００３４】
このため、隣接するランド部４９Ａの間には、基材４５が露出した部分が存在している。また、グランド膜４８Ａ及びランド部４９Ａは、その膜厚が例えば３５μｍとされている。従って、ランド部４９Ａが形成された部分は凸部となり、基材４５が露出した部分は凹部となるため、高周波回路基板３２Ａの底面は凹凸が発生した状態となっている。
【００３５】
一方、樹脂パッケージ３５を形成する際、図７に示すように、高周波回路基板３２Ａは金型６０Ａに装着され、樹脂モールドが行われる。金型６０Ａは上型６１Ａと下型６２Ａとにより構成されており、各型６１Ａ，６２Ａにはキャビティ６３Ａ，６４Ａが形成されている。
【００３６】
上型６１Ａに形成されたキャビティ６３Ａは樹脂パッケージ３５の形状に対応した形状とされており、また下型６２Ａに形成されたキャビティ６４Ａは平面形状とされている。従って、高周波回路基板３２Ａを金型６０Ａに装着した場合、ランド部４９Ａはキャビティ６４Ａに当接するが、前記凹部５１がキャビティ６４Ａと対向する部分には空間部が形成される。
【００３７】
この状態において金型６０Ａのゲート６５から樹脂６６がキャビティ６３Ａ，６４Ａ内に圧入されると、基材４５は薄膜樹脂基板であるため、樹脂６６の注入圧力により押圧される。この際、前記したように凹部５１がキャビティ６４Ａと対向する部分には空間部が形成されているため、基材４５は図７に一点鎖線で示すように変形してしまう。
【００３８】
このように基材４５に変形が発生すると、チップ部品３４が高周波回路基板３２Ａから外れたり、また各配線３６Ａ，３７Ａ，３８，３９が基材４５から剥離したり、更に各配線３６Ａ，３７Ａ，３８，３９に応力が印加されることにより断線が発生するおそれがあるという問題点が生じる。
【００３９】
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、樹脂パッケージの形成時に高周波回路基板（薄膜樹脂基板）に変形が発生することを抑制しうる薄膜樹脂基板への樹脂モールド方法及び高周波モジュールを提供することを目的とする。
【００４０】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するために本発明では、次に述べる各の手段を講じたことを特徴とするものである。
【００４１】
請求項１記載の発明に係る樹脂モールド方法では、第１面に電子回路が形成されると共にこの第１面の半体面となる第２面に凹凸部が形成された薄膜樹脂基板に対し電子回路を覆う樹脂をモールドするに際し、先ず第２面の凹凸部と対応する逆の凹凸部を有した補助部材を用意する。続いて、この補助部材の凹凸部を第２面の凹凸部と係合させ、その上で第１面に対して樹脂のモールドを実施する。
従って、モールド実施時には、第２面の凹部内には補助部材の凸部が係合した状態となるため、モールド時に樹脂の圧力により薄膜樹脂基板が変形付勢されても、薄膜樹脂基板は補助部材の凸部で支持され変形が規制される。これにより、モールド時において、薄膜樹脂基板に変形が発生することを防止することができる。
【００４２】
また、上記発明において、モールドが行なわれる薄膜樹脂基板と同一構成の薄膜樹脂基板を補助部材として用いることが可能である。この構成とした場合には、新たに第２面の凹凸部と対応する逆の凹凸部を有した補助部材を設計・製作する必要はなく、よってモールド処理に要するコスト低減を図ることができる。
【００４３】
また、請求項２記載の発明に係る樹脂モールド方法では、第１面に電子回路が形成されると共にこの第１面の半体面となる第２面に凹凸部が形成された薄膜樹脂基板に対し電子回路を覆う樹脂をモールドするに際し、先ず第２面の凹凸部に押圧されることにより弾性変形するよう構成された補助部材を用意する。続いて、第２面の凹凸部を補助部材に押圧し、この凹凸部の形状に対応するよう補助部材を変形させる。これにより、補助部材は弾性変形することにより第２面の凹部内に入り込んだ状態となる。
【００４４】
従って、モールドは、第２面の凹部内に補助部材が入り込んだ状態で実施される。このため、モールド時に樹脂の圧力により薄膜樹脂基板が変形付勢されても、薄膜樹脂基板は補助部材で支持されるために変形が規制される。これにより、モールド時において、薄膜樹脂基板に変形が発生することを防止することができる。
【００４５】
また、補助部材は弾性変形するものであるため、第２面の凹凸部が異なる多種の薄膜樹脂基板に対して一つの補助部材で対応することができる。よって、薄膜樹脂基板の凹凸部の種類に応じて補助部材を作製する必要はなく、モールド処理に要するコスト低減を図ることができる。
【００４６】
また、上記発明において、補助部材としてはポリイミド樹脂よりなるシート部材を用いることが好適である。
【００４７】
また、請求項３記載の発明に係る樹脂モールド方法では、モールドを実施する前に、予め第２面の凹凸部の凹部内に支持部を形成しておく。この支持部は、モールド時において薄膜樹脂基板を支持する機能を奏する。
【００４８】
よって、モールド時においては、第２面の凹部内に存在する支持部により薄膜樹脂基板は支持される。このため、モールド時に樹脂の圧力により薄膜樹脂基板が変形付勢されても、薄膜樹脂基板は支持部で支持されることにより変形が規制される。これにより、モールド時において樹脂のモールド圧が薄膜樹脂基板に印加されても、薄膜樹脂基板に変形が発生することを防止することができる。
【００４９】
また、上記発明において、支持部を電極と同時形成することも可能である。この構成とした場合には、支持部材を電極と別個に形成方法に比べて工程の簡略化を図ることができる。
【００５０】
また、請求項４記載の発明に係る樹脂モールド方法では、モールドを実施する前に、予め電極が形成されてない凹部と対向する位置に配線を形成しておく。第２面において凹部が形成された部位は、凸部が形成された部位に比べて機械的強度が弱く、モールドされる樹脂により変形するおそれがある。
【００５１】
しかしながら、この機械的強度が弱い凹部と対向する第１面に配線を形成することにより、この配線は強度が弱い凹部を補強する補強部材として機能する。よって、モールド時において樹脂のモールド圧が薄膜樹脂基板に印加されても、薄膜樹脂基板に変形が発生することを防止することができる。
【００５２】
また、請求項５記載の発明に係る樹脂モールド方法では、モールドを実施する前に、予め第２面の凹凸部の凹部にこの凹部を埋める埋設部材を配設しておく。
前記のように第２面の凹部は機械的強度が低いが、この凹部に埋設部材を配設することにより、凹部は補強された構成となる。よって、モールド時において樹脂のモールド圧が薄膜樹脂基板に印加されても、薄膜樹脂基板に変形が発生することを防止することができる。
【００５３】
また、上記発明において、樹脂のモールドが終了した後、埋設部材を除去する構成としてもよい。これにより、電極は薄膜樹脂基板から突出した状態となるため、実装基板等に対する電極の接続性を向上することができる。
【００５４】
また、請求項６記載の発明に係る樹脂モールド方法では、モールドを実施する前に、電極が形成されてない第２面の凹部内に薄膜樹脂基板を支持する支持部を形成すると共に、第１面の凹部と対向する位置に配線を形成する。これにより、凹部の補強は支持部と配線の二つにより行なわれることになり、モールド時における薄膜樹脂基板の変形をより確実に防止することができる。
【００５５】
ここで、第２面の凹部に形成される支持部に注目すると、支持部の大きさは薄膜樹脂基板の変形防止の観点からは、凹部全体に形成することが望ましい。しかしながら、各電極間ではアイソレーションを取る必要があり、例えば支持部を導電材・磁性材で形成し、かつ凹部内に広い面積で形成すると、確実な電極間のアイソレーションを取ることができなくなってしまう。
【００５６】
即ち、凹部内には所定のアイソレーションを取れる程度の空間を形成しておく必要がある。よって、凹部内に支持部を設ける構成では、モールド時の樹脂圧によっては薄膜樹脂基板の変形を確実に防止できないおそれがある。しかしながら、本発明では、支持部に加え、第１面の凹部と対向する位置に配線を形成するため、電極間のアイソレーションを確実に取りつつ、かつ薄膜樹脂基板の変形を防止することができる。
【００５９】
また、請求項７記載の発明に係る高周波モジュールでは、薄膜樹脂基板の第２面に形成された電極間に、この電極の高さと同一高さを有する支持部を形成した構成としている。これにより、高周波モジュールの製造工程における樹脂モールド時において、この支持部は薄膜樹脂基板を支持するため、薄膜樹脂基板に変形が発生することを防止できる。また、高周波モジュールを実装基板等に実装する実装時においては、薄膜樹脂基板は電極と共に支持部が実装基板に当接するため、実装安定性の向上を図ることができる。
【００６０】
また、上記発明において、支持部を挟んで隣接した一対の電極が、支持部により電磁的に分離される構成とすることが望ましい。この構成とすることにより、電極間のアイソレーションを確実に取ることができ、よって高周波信号が授受される各電極間で干渉が生じることを防止できる。
【００６１】
また、請求項８記載の発明に係る高周波モジュールでは、薄膜樹脂基板の第１面における高周波回路配線を、第２面における一対の電極が離間した位置と対向する位置に配設した構成としている。この構成とすることにより、第２面において強度が低下する電極間位置を、第１面側に配設された高周波回路配線により第１面側から補強することができる。
【００６２】
これにより、薄膜樹脂基板の機械的強度は向上し、よって高周波モジュールの製造工程における樹脂モールド時において薄膜樹脂基板に変形が発生することを防止できる。また同様の理由により、高周波モジュールを実装基板等に実装する実装時においても薄膜樹脂基板の変形は発生しないため、実装安定性の向上を図ることができる。
【００６３】
また、請求項９記載の発明に係る高周波モジュールでは、薄膜樹脂基板の第２面において一対の電極間に形成される凹部内に、絶縁材料よりなりこの凹部を埋設する埋設部材を配設した構成としている。
【００６４】
この構成とすることにより、第２面において強度が低下する電極間位置は埋設部材により補強されるため、よって高周波モジュールの製造工程における樹脂モールド時において薄膜樹脂基板に変形が発生することを防止できる。また同様の理由により、高周波モジュールを実装基板等に実装する実装時においても薄膜樹脂基板の変形は発生しないため、実装安定性の向上を図ることができる。
【００６５】
更に、埋設部材は絶縁材料よりなるため、各電極間におけるアイソレーションを確実に取ることができ、よって高周波信号が授受される各電極間で干渉が生じることを防止できる。
【００６６】
また、第２面に形成された電極間にこの電極の高さと同一高さを有する導電材料よりなる支持部を形成し、かつ、第１面における高周波回路配線を第２面において一対の前記電極間の部位と対向するよう配設する構成とすることも可能である。この構成とした場合には、樹脂モールド時及びモジュール実装時において薄膜樹脂基板に変形が発生することをより確実に防止することができる。
【００６７】
更に、上記した各発明において、薄膜樹脂板としてポリイミドを用いることにより、セラミック等の他の材質を用いる構成に比べ、低コスト化，小型化，薄型化，及び軽量化を図ることができ、また広帯域の高周波特性を得ることができる。
【００６８】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態について図面と共に説明する。
【００６９】
先ず、本発明の第１実施例について、図８及び図９を用いて説明する。
【００７０】
本実施例は、高周波モジュール３０Ａの製造過程で実施される樹脂パッケージ３５のモールド工程において、補助部材７０を用いてモールド処理を行なうことを特徴とするものである。図８は高周波回路基板３２Ａを金型６０Ａにクランプする前の状態を示しており、また図９は高周波回路基板３２Ａを金型６０Ａにクランプした後に樹脂６６を圧入している状態を示している。
【００７１】
尚、図８及び図９において、図７に示した構成と同一構成については同一符号を付してその説明を省略するものとする。また、本実施例で用いる高周波回路基板３２Ａは、図２乃至図６を用いて説明した高周波モジュール３０Ａに用いる高周波回路基板３２Ａと同一であるため、高周波回路基板３２Ａの詳細説明についても省略するものとする。
【００７２】
補助部材７０は、例えば耐熱性を有した硬質樹脂よりなり、高周波回路基板３２Ａと対向する面に凸部７１及び凹部７２を有した構成とされている。この凸部７１及び凹部７２は、高周波回路基板３２Ａの底面にランド部４９Ａ及び凹部５１により形成された凹凸と逆の（対称の）凹凸形状となるよう形成されている。
即ち、高周波回路基板３２Ａと補助部材７０を対向させた状態において、高周波回路基板３２Ａのランド部４９Ａは補助部材７０の凹部７２と対向し、高周波回路基板３２Ａの凹部５１は補助部材７０の凸部７１と対向するよう構成されている。また、凸部７１の高さは、ランド部４９Ａの高さと略等しくなるよう設定されている。
【００７３】
上記構成とされた補助部材７０を用いてモールド処理を行なうには、先ず補助部材７０と高周波回路基板３２Ａとを組み合わせる。これにより、高周波回路基板３２Ａのランド部４９Ａは補助部材７０の凹部７２と係合し、高周波回路基板３２Ａの凹部５１は補助部材７０の凸部７１と係合する。即ち、高周波回路基板３２Ａに形成されている凹部５１は、補助部材７０により埋められた構成となる。
【００７４】
従ってモールド実施時には、図９に示すように、凹部５１は補助部材７０の凸部７１に埋められ、キャビティ６４Ａと高周波回路基板３２Ａとの間に空間部が存在しない状態で樹脂６６の注入が行われる。このため、モールド時に樹脂６６の圧力により基材４５が変形付勢されても、基材４５は補助部材７０の凸部７１で支持され変形が規制される。
【００７５】
これにより、モールド時において、高周波回路基板３２Ａに変形が発生することを防止することができ、チップ部品３４が高周波回路基板３２Ａから外れたり、また各配線３６Ａ，３７Ａ，３８Ａ，３９が基材４５から剥離したり、更に各配線３６Ａ，３７Ａ，３８Ａ，３９に応力が印加されることにより断線が発生することを防止することができる。
【００７６】
次に、本発明の第２実施例について、図１０及び図１１を用いて説明する。
【００７７】
前記した第１実施例では、補助部材７０を用い、モールド時に補助部材７０の凸部７１が凹部５１に係合し基材４５を支持することにより、高周波回路基板３２Ａの変形発生を防止する構成とした。これに対して本実施例では、高周波回路基板３２Ａを第１実施例における補助部材７０と同等に用いる構成とすることにより、高周波回路基板３２Ａの変形発生を抑制する構成としたことを特徴とするものである。
【００７８】
図１０は、本実施例において高周波回路基板３２Ａを金型６０Ａにクランプする前の状態を示しており、また図１１は高周波回路基板３２Ａを金型６０Ａにクランプした後に樹脂６６を圧入している状態を示している。尚、図１０及び図１１において、図８及び図９に示した構成と同一構成については同一符号を付してその説明を省略するものとする。
【００７９】
前記したように、高周波回路基板３２Ａの底面は、底面に複数のランド部４９Ａが形成されることにより凹凸を有した構成とされている。従って、高周波回路基板３２Ａを二つ用意し、各高周波回路基板３２Ａの底面同士を隣接するランド部４９Ａの離間ピッチ分だけずらして対向させることにより、上部に位置する高周波回路基板３２Ａのランド部４９Ａと下部に位置する高周波回路基板３２Ａの凹部５１を対向させ、上部に位置する高周波回路基板３２Ａの凹部５１と下部に位置する高周波回路基板３２Ａのランド部４９Ａを対向させることができる。
【００８０】
続いて、本実施例における具体的なモールド処理の手順について説明する。モールド処理を行なうには、先ず高周波回路基板３２Ａを金型６０Ｂに装着する。
具体的には、一方の高周波回路基板３２Ａを上型６１Ｂのキャビティ６３Ｂに装着すると共に、他方の高周波回路基板３２Ａを下型６２Ｂのキャビティ６４Ｂに装着する。
【００８１】
この装着状態において、各高周波回路基板３２Ａはその底面同士が対向するよう構成されており、かつ、各高周波回路基板３２Ａはランド部４９Ａの１離間ピッチ分だけずれるよう構成されている。
【００８２】
続いて、上型６１Ｂと下型６２Ｂとを組み合わせる。これにより、上型６１Ｂに装着された高周波回路基板３２Ａのランド部４９Ａは、下型６２Ｂに装着された高周波回路基板３２Ｂの凹部５１と係合する。また、上型６１Ｂに装着された高周波回路基板３２Ａの凹部５１は、下型６２Ｂに装着された高周波回路基板３２Ｂのランド部４９Ａと係合する。即ち、各高周波回路基板３２Ａに形成されている凹部５１は、他方の高周波回路基板３２Ａに形成されたランド部４９Ａにより埋められた構成となる。
【００８３】
従って、図１１に示すように、モールド実施時において各凹部５１は、それぞれ対向する高周波回路基板３２Ａのランド部４９Ａに埋められ、よって対向配置された一対の高周波回路基板３２Ａ間に空間部が存在しない状態で樹脂６６の注入が行われる。
【００８４】
このため、モールド時に樹脂６６の圧力により上下の各基材４５が変形付勢されても、一対の高周波回路基板３２Ａは相互に凹部５１を支持し合うため、モールド時において、各高周波回路基板３２Ａに変形が発生することを防止することができる。よって、本実施例によっても、チップ部品３４が高周波回路基板３２Ａから外れたり、また各配線３６Ａ，３７Ａ，３８Ａ，３９が基材４５から剥離したり、更に各配線３６Ａ，３７Ａ，３８Ａ，３９に応力が印加されることにより断線が発生することを防止することができる。
【００８５】
また、本実施例の構成では、第１実施例で必要となる補助部材７０を不要とすることができるため、補助部材７０を設計・製作する必要はなく、よってモールド処理に要するコスト低減を図ることができる。
【００８６】
尚、本実施例のモールド方法では、上下の各高周波回路基板３２Ａに形成されたグランド膜４８Ａも係合する必要がある。このため、グランド膜４８Ａは、上下の高周波回路基板３２Ａが組み合わされた状態において、互いに係合し合えるパターン形状とされている。
【００８７】
次に、本発明の第３実施例について、図１２及び図１３を用いて説明する。
【００８８】
前記した第１実施例では、硬質樹脂よりなり凹凸部７１，７２を有した補助部材７０を用いることにより、高周波回路基板３２Ａの変形発生を防止する構成とした。これに対して本実施例では、補助部材７０に代えて弾性補助部材７５を用いることにより、高周波回路基板３２Ａの変形発生を抑制する構成としたことを特徴とするものである。
【００８９】
図１２は、本実施例において高周波回路基板３２Ａを金型６０Ａにクランプする前の状態を示しており、また図１３は高周波回路基板３２Ａを金型６０Ａにクランプした後に樹脂６６を圧入している状態を示している。尚、図１２及び図１３において、図８及び図９に示した構成と同一構成については同一符号を付してその説明を省略するものとする。
【００９０】
弾性補助部材７５は、例えばポリイミド等の弾性を有した樹脂材料よりなり、凹凸のない矩形状とされている。この弾性補助部材７５を用いてモールド処理を行なうには、高周波回路基板３２Ａを上型６１Ａのキャビティ６３Ａに装着すると共に、弾性補助部材７５を下型６２Ａのキャビティ６４Ａに装着する。その上で、上型６１Ａと下型６２Ａを組み合わせる。
【００９１】
これにより、高周波回路基板３２Ａは相対的に弾性補助部材７５を押圧し、弾性補助部材７５は高周波回路基板３２Ａの底面に形成されている凹凸（ランド部４９Ａによる凹凸）の形状に対応して弾性変形する。この弾性補助部材７５の弾性変形により、弾性補助部材７５は凹部５１内に入り込んだ状態となる。
【００９２】
従ってモールド実施時には、図１３に示すように、凹部５１は弾性補助部材７５により埋められ、キャビティ６４Ａと高周波回路基板３２Ａとの間に空間部が存在しない状態で樹脂６６の注入が行われる。このため、モールド時に樹脂６６の圧力により基材４５が変形付勢されても、基材４５は弾性補助部材７５により支持されその変形が規制される。
【００９３】
これにより、本実施例のモールド方法によっても、モールド時において高周波回路基板３２Ａに変形が発生することを防止することができ、チップ部品３４が高周波回路基板３２Ａから外れたり、また各配線３６Ａ，３７Ａ，３８Ａ，３９が基材４５から剥離したり、更に各配線３６Ａ，３７Ａ，３８Ａ，３９に応力が印加されることにより断線が発生することを防止することができる。
【００９４】
また、弾性補助部材７５は補助部材７０と異なり弾性変形するものであるため、ランド部４９Ａの数やパターン形状が異なる多種の薄膜樹脂基板に対して一つの弾性補助部材７５で対応することができる。即ち、第１実施例で用いた凹凸部７１，７２が形成された補助部材７０では、ランド部の数やパターン形状が異なる種々の高周波回路基板に対してモールド処理を行なおうとした場合、高周波回路基板の種類毎に高周波回路基板を作製する必要がある。
【００９５】
しかしながら、本実施例のモールド方法によれば、高周波回路基板３２Ａのランド部４９Ａの種類（凹凸部の種類）に応じて弾性補助部材７５を作製する必要はなく、モールド処理に要するコスト低減を図ることができる。
【００９６】
また本実施例では、弾性補助部材７５としてポリイミド樹脂よりなるシート部材を用いている。このように、弾性補助部材７５として高周波回路基板３２Ａの基材４５と同材料を用いることにより、加熱環境下で実施されるモールド処理において、基材４５と弾性補助部材７５との間に熱膨張差に起因して応力が発生するのを抑制することができる。
【００９７】
次に、本発明の第４実施例について、図１４乃至図１８を用いて説明する。
【００９８】
前記した各実施例では、モールド時に高周波回路基板３２Ａの凹部５１を補助部材７０，弾性補助部材７５等により支持することにより、高周波回路基板３２Ａの変形発生を防止する構成とした。これに対して本実施例では、高周波モジュールの構成に改良を加えることにより凹部５１を補強し、これにより高周波回路基板３２Ｂの変形発生を抑制する構成としたことを特徴とするものである。
【００９９】
図１４は本実施例に係る高周波モジュール３０Ｂの平面図であり、図１５は図１４におけるＡ−Ａ線に沿う断面図であり、図１６は図１４におけるＢ−Ｂ線に沿う断面図であり、図１７は高周波モジュール３０Ｂの底面図であり、更に図１８は高周波回路基板３２Ｂを金型６０Ａにクランプした後に樹脂６６を圧入している状態を示している。尚、図１４乃至図１８において、図２乃至図６、図８及び図９に示した構成と同一構成については同一符号を付してその説明を省略するものとする。
【０１００】
先に図７を用いて説明したように、モールド時において基材４５に変形が発生するのは、隣接するランド部４９Ａ間において基材４５が露出した状態となる凹部５１の形成位置である。よって、この凹部５１を機械的に補強することにより、基材４５に変形が発生することを抑制することができる。
【０１０１】
そこで、本実施例では、高周波モジュール３０Ｂを構成する高周波回路基板３２Ｂの凹部５１内に支持部７６Ａを形成したことを特徴とするものである（図１６，図１７に詳しい）。この支持部７６Ａは、図１７に示すように、グランド膜４８Ｂと一体的に形成されている。また、支持部７６Ａの高さ（厚さ）は、図１６に示すように、ランド部４９Ａの厚さと等しくなるよう設定されている。更に、支持部７６Ａの幅寸法Ｌ１は、例えば凹部５１の幅寸法Ｌ２が６００μｍであった場合、１００μｍ≦Ｌ１≦３００μｍに設定することが望ましい。
【０１０２】
上記構成とされた高周波モジュール３０Ｂの製造工程において樹脂パッケージ３５を形成するには、樹脂パッケージ３５の形成前に予め支持部７６Ａを形成しておく。前記したように、支持部７６Ａはグランド膜４８Ｂと一体的な構成であるため、グランド膜４８Ｂ及びランド部４９Ａの形成工程において同時形成を行なうことができる。よって、支持部７６Ａを設ける構成としても高周波モジュール３０Ｂの製造工程が複雑になるようなことはなく、また支持部７６Ａをグランド膜４８Ｂ，ランド部４９Ａと別個に形成方法に比べて工程の簡略化を図ることができる。
【０１０３】
一方、モールド工程においては、図１８に示すように、支持部７６Ａが形成された高周波回路基板３２Ｂを金型６０Ａに装着して樹脂６６の注入処理を行なう。高周波回路基板３２Ｂを金型６０Ａ内に装着した状態において、ランド部４９Ａは下型６２Ａのキャビティ６４Ａに当接するが、この際にランド部４９Ａと同一高さを有する支持部７６Ａもキャビティ６４Ａに当接する。従って、高周波回路基板３２Ｂの凹部５１は、この支持部７６Ａにより支持された構成となる。
【０１０４】
このため、モールド時に樹脂６６の注入圧力により基材４５が変形付勢されても、基材４５は支持部７６Ａで支持されているため変形が規制される。従って、本実施例のモールド方法によっても、モールド時において高周波回路基板３２Ａに変形が発生することを防止することができ、チップ部品３４が高周波回路基板３２Ｂから外れたり、また各配線３６Ａ，３７Ａ，３８Ａ，３９が基材４５から剥離したり、更に各配線３６Ａ，３７Ａ，３８Ａ，３９に応力が印加されることにより断線が発生することを防止することができる。
【０１０５】
上記製造工程を経て製造された高周波モジュール３０Ｂは、高周波回路基板３２Ｂに変形が生じないため、実装基板等に対する実装性を向上させることができる。また、高周波モジュール３０Ｂを実装基板に実装した際、電気的な接続を行なうランド部４９Ａが実装基板に当接すると共に、支持部７６Ａも実装基板に当接する。よって、本実施例に係る高周波モジュール３０Ｂによれば、実装基板上に搭載した時の実装安定性が高く、よってランド部４９Ａと実装基板とのはんだ付け性の向上を図ることができる。
【０１０６】
更に、本実施例の高周波モジュール３０Ｂは、図１７に示すように、隣接するランド部４９Ａ間に支持部７６Ａが介装された構成とされており、かつこの支持部７６Ａは接地されたグランド膜４８Ｂと一体的な構成となっている。よって、隣接する一対のランド部４９Ａは支持部７６Ａにより電磁的に分離され、ランド部４９Ａ間のアイソレーションを確実に取ることができる。
【０１０７】
よって、本実施例に係る高周波モジュール３０Ｂによれば、高周波信号が授受される各ランド部４９Ａ間で干渉が生じることを防止できる。この際、図１９に示す高周波回路基板３２Ｃように、ランド部４９Ｂ及び支持部７６Ｂの角部に湾曲部７７，７８を形成しておくことにより、更にランド部４９Ｂ間で干渉が生じることを防止することができる。
【０１０８】
次に、本発明の第５実施例について、図２０乃至図２２を用いて説明する。
【０１０９】
本実施例は、先に説明した第４実施例と同様に、高周波モジュールの構成に改良を加えることにより凹部５１を補強し、これにより高周波回路基板３２Ｂの変形発生を抑制する構成としたことを特徴とするものである。
【０１１０】
図２０は本実施例に係る高周波モジュール３０Ｃの平面図であり、図２１は図２０におけるＢ−Ｂ線に沿う断面図であり、図２２は高周波回路基板３２Ｄを金型６０Ａにクランプした後に樹脂６６を圧入している状態を示している。尚、図２０乃至図２２において、図２乃至図６、図８及び図９に示した構成と同一構成については同一符号を付してその説明を省略するものとする。
【０１１１】
先に説明した第４実施例では、凹部５１内に支持部７６Ａ，７６Ｂを形成することにより高周波回路基板３２Ｂ，３２Ｃの変形発生を抑制する構成とした。これに対して本実施例では、高周波モジュール３０Ｃに形成される各種配線を利用して凹部５１を機械的に補強し、これにより基材４５に変形が発生することを抑制する構成としたことを特徴とするものである。
【０１１２】
具体的には、本実施例では、高周波回路配線３６Ｂ，３７Ｂ及びＤＣ回路配線３８Ｂの配設位置を変更し、凹部５１と対向する基材４５の上面に高周波回路配線３６Ｂ，３７Ｂ，ＤＣ回路配線３８Ｂが位置するよう構成している。これにより、図２１に示すように、基材４５を介して凹部５１の上部には、高周波回路配線３６Ｂ，３７Ｂ或いはＤＣ回路配線３８Ｂが存在する構成となる。
【０１１３】
この高周波回路配線３６Ｂ，３７Ｂ及びＤＣ回路配線３８Ｂは、ＤＣ回路配線３９と一括的に形成される。また、各配線３６Ｂ〜３８Ｂの配設位置の変更は、配線３６Ｂ〜３８Ｂ，３９を形成する際に用いられるマスクのパターンを変更することにより容易に行なうことができる。尚、各配線３６Ｂ〜３８Ｂの高さ（厚さ）は、例えば３５μｍに設定されている。
【０１１４】
上記構成とされた高周波モジュール３０Ｃの製造工程において樹脂パッケージ３５を形成するには、樹脂パッケージ３５の形成前に予め各配線３６Ｂ〜３８Ｂ，３９を形成しておく。そして、モールド工程においては、図２２に示すように、配線３６Ｂ〜３８Ｂが形成された高周波回路基板３２Ｄを金型６０Ａに装着して樹脂６６の注入処理を行なう。
【０１１５】
高周波回路基板３２Ｄを金型６０Ａ内に装着した状態において、ランド部４９Ａは下型６２Ａのキャビティ６４Ａに当接し、凹部５１の形成部位には空間部が形成される。しかしながら、前記したように凹部５１と対向する基材４５の上面には各配線３６Ｂ〜３８Ｂが形成され、これにより凹部５１の機械的強度の向上が図られている。
【０１１６】
このため、モールド時に樹脂６６の注入圧力により基材４５が変形付勢されても、基材４５は各配線３６Ｂ〜３８Ｂで補強されているため変形が規制される。
従って、本実施例のモールド方法によっても、モールド時において高周波回路基板３２Ｄに変形が発生することを防止することができ、チップ部品３４が高周波回路基板３２Ｄから外れたり、また各配線３６Ｂ，３７Ｂ，３８Ｂ，３９が基材４５から剥離したり、更に各配線３６Ｂ，３７Ｂ，３８Ｂ，３９に断線が発生することを防止することができる。
【０１１７】
また、上記製造工程を経て製造された高周波モジュール３０Ｂは、高周波回路基板３２Ｄに変形が生じないため、実装基板等に対する実装性を向上させることができる。
【０１１８】
次に、本発明の第６実施例について、図２３乃至図２７を用いて説明する。
【０１１９】
本実施例も凹部５１の機械的強度を高めることにより、高周波回路基板３２Ｅに変形が発生することを抑制する構成としたことを特徴とするものである。
【０１２０】
図２３は本実施例に係る高周波モジュール３０Ｄの平面図であり、図２４は図２３におけるＡ−Ａ線に沿う断面図であり、図２５は図２３におけるＢ−Ｂ線に沿う断面図であり、図２６は高周波モジュール３０Ｄの底面図であり、更に図２７は高周波回路基板３２Ｅを金型６０Ａにクランプした後に樹脂６６を圧入している状態を示している。尚、図２３乃至図２７において、図２乃至図６、図８及び図９に示した構成と同一構成については同一符号を付してその説明を省略するものとする。
【０１２１】
本実施例は、高周波モジュール３０Ｄを構成する高周波回路基板３２Ｅの凹部５１内に、埋設部７９を配設したことを特徴とするものである（図２５，図２６に詳しい）。この埋設部７９は、例えばポリイミド樹脂等の絶縁部材であり、加熱し軟化した状態のものを凹部５１内に充填する。これにより、凹部５１は埋設部７９により埋設され、高周波モジュール３０Ｄの底面は平面状態となる。
【０１２２】
上記構成とされた高周波モジュール３０Ｄの製造工程において樹脂パッケージ３５を形成するには、樹脂パッケージ３５の形成前に予め埋設部７９を凹部５１内に配設しておく。この配設方法としては、例えばスクリーン印刷法等を用いることができ、容易に埋設部７９を凹部５１内に配設することができる。
【０１２３】
また、モールド工程においては、図２７に示すように、埋設部７９が凹部５１内に配設された高周波回路基板３２Ｅを金型６０Ａに装着して樹脂６６の注入処理を行なう。高周波回路基板３２Ｅを金型６０Ａ内に装着した状態において、ランド部４９Ａは下型６２Ａのキャビティ６４Ａに当接するが、この際に埋設部７９もキャビティ６４Ａに当接する。従って、高周波回路基板３２Ｅの凹部５１は、この埋設部７９により支持された構成となる。
【０１２４】
このため、モールド時に樹脂６６の注入圧力により基材４５が変形付勢されても、基材４５は埋設部７９で支持されているため変形が規制される。従って、本実施例のモールド方法によっても、モールド時において高周波回路基板３２Ｅに変形が発生することを防止することができ、チップ部品３４が高周波回路基板３２Ｅから外れたり、また各配線３６Ａ，３７Ａ，３８，３９が基材４５から剥離したり、更に各配線３６Ａ，３７Ａ，３８，３９に応力が印加されることにより断線が発生することを防止することができる。
【０１２５】
上記製造工程を経て製造された高周波モジュール３０Ｄは、高周波回路基板３２Ｅに変形が生じないため、実装基板等に対する実装性を向上させることができる。また、高周波モジュール３０Ｄを実装基板に実装した際、電気的な接続を行なうランド部４９Ａが実装基板に当接すると共に、埋設部７９も実装基板に当接する。よって、本実施例に係る高周波モジュール３０Ｄによれば、実装基板上に搭載した時の実装安定性が高く、よってランド部４９Ａと実装基板とのはんだ付け性の向上を図ることができる。
【０１２６】
更に、前記したように、埋設部７９は絶縁材料よりなり、かつ隣接するランド部４９Ａ間に形成された凹部５１内に配設されているため、隣接するランド部４９Ａ間のアイソレーションを埋設部７９により確実に取ることができ、よって高周波信号が授受される各電極間で干渉が生じることを防止できる。
【０１２７】
尚、埋設部７９は、樹脂パッケージ３５のモールドが終了した後に凹部５１から除去する構成としてもよい。この構成とした場合には、ランド部４９Ａは基材４５から突出した状態となるため、実装基板等に対する接続性の向上を図ることができる。
【０１２８】
次に、本発明の第７実施例について、図２８乃至図３０を用いて説明する。
【０１２９】
図２８は本実施例に係る高周波モジュール３０Ｅの平面図であり、図２９は図２３におけるＢ−Ｂ線に沿う断面図であり、図３０は高周波回路基板３２Ｆを金型６０Ａにクランプした後に樹脂６６を圧入している状態を示している。尚、図２８乃至図３０において、図２乃至図６、図１４乃至図２２に示した構成と同一構成については同一符号を付してその説明を省略するものとする。
【０１３０】
本実施例では、先に説明した第４実施例と同様に高周波回路基板３２Ｆの凹部５１内に支持部７６Ａを形成する（図１４乃至図１８参照）と共に、先に説明した第５実施例と同様に凹部５１と対向した基材４５の上面に高周波回路配線３６Ｂ，３７Ｂ，ＤＣ回路配線３８Ｂを配設した（図２０乃至図２２参照）ことを特徴とするものである。
【０１３１】
この構成とすることにより、凹部５１の補強は埋設部７９Ａと高周波回路配線３６Ｂ，３７Ｂ，ＤＣ回路配線３８Ｂの二つの構成により行なわれることになる。このため、樹脂パッケージ３５を形成するモールド工程においては、図３０に示すように、凹部５１は支持部７６Ａにより支持されると共に各配線３６Ｂ，３７Ｂ，３８Ｂにより補強されているため、モールド時に樹脂６６の注入圧力により基材４５が変形付勢されても基材４５の変形は規制される。
【０１３２】
従って、本実施例のモールド方法によれば、モールド時において高周波回路基板３２Ｆに変形が発生することをより確実に防止することができ、チップ部品３４が高周波回路基板３２Ｄから外れたり、また各配線３６Ｂ，３７Ｂ，３８Ｂ，３９が基材４５から剥離したり、更に各配線３６Ｂ，３７Ｂ，３８Ｂ，３９に断線が発生することを防止することができる。また、上記製造工程を経て製造された高周波モジュール３０Ｅは、高周波回路基板３２Ｆに変形が生じないため、実装基板等に対する実装性を向上させることができる。
【０１３３】
ここで凹部５１に形成される支持部に注目すると、支持部７６Ａの大きさは高周波回路基板３２Ｆ（基材４５）の変形防止の観点からは、凹部５１の全体に形成することが望ましい。しかしながら、前記したように各ランド部４９Ａ間ではアイソレーションを取る必要があり、例えば支持部７６Ａを導電材・磁性材で形成し、かつ凹部内に広い面積で形成すると、確実な各ランド部４９Ａ間のアイソレーションを取ることができなくなってしまう。
【０１３４】
即ち、支持部７６Ａを導電材・磁性材で形成した場合には、凹部５１内には所定のアイソレーションを取れる程度の空間を形成しておく必要がある。この空間部の幅は、約３００μｍ程度は必要となる。よって、凹部５１内に支持部７６Ａを設ける構成では、モールド時の樹脂６６の圧力によっては基材４５の変形を確実に防止できないおそれがある。
【０１３５】
しかしながら本実施例では、支持部７６Ａに加えて凹部５１と対向する基材４５上に各配線３６Ｂ，３７Ｂ，３８Ｂを形成しているため、支持部７６Ａをランド部４９Ａ間のアイソレーションを確実に取り得る形状としても、各配線３６Ｂ，３７Ｂ，３８Ｂにより凹部５１は補強されるため、ランド部４９Ａ間のアイソレーションを確実に取りつつ、かつ高周波回路基板３２Ｆの変形を防止することができる。
【０１３６】
次に、本発明の第７実施例について、図３１乃至図３５を用いて説明する。
【０１３７】
前記した各実施例では、基材４５の底面側にランド部４９Ａを形成した後に、樹脂パッケージ３５を形成する方法が取られていた。これに対して本実施例では、樹脂パッケージ３５を形成した後に、ランド部４９Ａを形成する方法としたことを特徴とするものである。
【０１３８】
この方法によれば、樹脂パッケージ３５の形成時にはランド部４９Ａが存在しないため、基材４５の底面側に凹凸は存在しない。よって、基材４５に変形が発生することを抑制することができる。以下、本実施例に係る高周波モジュール３０Ｆの製造方法について詳述する。尚、図３１乃至図３５において、図２乃至図６、図８及び図９に示した構成と同一構成については同一符号を付してその説明を省略するものとする。
【０１３９】
樹脂パッケージ３５Ｆを製造するには、図３１（Ａ）に示すように基材４５を用意する。この基材４５はポリイミドフイルムであり、その厚さは２５μｍ〜７０μｍの間で選定されている。この基材４５の表面には、図３１（Ｂ）に示されるように、銅膜８０が形成される。この銅膜８０の形成は、先ず銅スパッターにより銅の薄膜を形成し、続いてフラッシュ銅メッキを実施することにより形成する。
【０１４０】
銅膜８０の形成が終了すると、図３１（Ｃ）に示すように、銅膜８０の上面にドライフィルム８１が配設される。このドライフィルム８１は、ネガ形の感光性樹脂膜である。
【０１４１】
ドライフィルム８１が配設されると、続いて露光処理が実施される。この露光処理では、図３１（Ｄ）に示すように、所定パターンが形成されたガラスマスク８２を配設すると共に光（紫外線等）を照射する。
【０１４２】
露光処理が終了すると、続いて現像処理が実施される。上記したようにドライフィルム８１はネガ形の感光性樹脂膜であるため、現像処理を行なうことによりドライフィルム８１の光照射された部位のみが残留する。図３２（Ｅ）は、露光処理が終了した状態を示している。
【０１４３】
続いて、基材４５は電解メッキ槽に装着され、銅膜８０を電極として銅の電解メッキ処理が行われる。これにより、ドライフィルム８１をマスクとして所定パターンの銅メッキ体８３が形成される。図３２（Ｆ）は、銅メッキ体８３が形成された状態を示している。
【０１４４】
銅メッキ体８３が形成されると、図３２（Ｇ）に示すようにドライフィルム８１の除去処理が実施され、続いて銅メッキ体８３に対してフラッシュエッチングを実施することにより、独立した銅パターン８４を形成する。図３２（Ｈ）は、銅パターン８４が形成された状態を示している。
【０１４５】
続いて、この銅パターン８４の表面に金メッキ等の仕上げメッキ膜８５が形成され、これにより図３２（Ｉ）に示す配線８６が形成される。この配線８６は、前記した高周波回路配線３６Ａ，３７Ａ、ＤＣ回路配線３８Ａ，３９、バイアス端子４０〜４４等となるものである。この配線８６の形成処理が終了すると、図３３（Ｊ）に示すように、所定の配線８６間にチップ部品３４がはんだ付けされる。
【０１４６】
上記のように基材４５上に配線８６及びチップ部品３４が配設されると、続いてこの基材４５に対して樹脂パッケージ３５を形成するためのモールド処理が実施される。このモールド処理では、図３３（Ｋ）に示すように、基材４５は金型６０Ｃ内に装着され、チップ部品３４及び配線８６の形成された上面側に樹脂６６が注入される。
【０１４７】
上記のモールド処理が終了し基材４５に樹脂パッケージ３５が形成されると、図３３（Ｌ）に示すように基材４５の底面に感光性樹脂よりなるドライフィルム８７が配設され、続いて所定パターンを有するガラスマスク８８を用いてドライフィルム８７に対する露光処理が実施される。
【０１４８】
ここで用いるドライフィルム８７は、前記したドライフィルム８１と同様にネガ形の感光性樹脂膜である。また、ガラスマスク８８に形成されたパターンは、バイアホール５０の形成位置を除いた位置に光を照射する構成とされている。
【０１４９】
露光処理が終了すると続いて現像処理が実施され、これにより図３４（Ｍ）に示すように、バイアホール５０の形成位置と対向する位置に開口８９を有したドライフィルム８７が形成される。続いて、このドライフィルム８７をマスクとして、ポリイミドエッチングが行われ、これにより図３４（Ｎ）に示すように、基材４５には貫通孔９０が形成される。
【０１５０】
続いて、貫通孔９０が形成された基材４５の底面には、図３４（Ｏ）に示すように、銅膜９１が形成される。この銅膜９１の形成は、先ず銅スパッターにより銅の薄膜を形成し、続いてフラッシュ銅メッキを実施することにより形成する。
【０１５１】
銅膜９１の形成が終了すると、先に説明した図３１（Ｃ）〜図３２（Ｆ）と同様の処理画実施され、図３５（Ｐ）に示すように、ドライフィルム９２をマスクとして銅メッキ体９３が形成される。この銅メッキ体９３は、銅膜９１を電極とした電解メッキにより形成される。また、銅メッキ体９３は貫通孔９０内にも形成されるため、これによりバイアホール５０が形成される。
【０１５２】
上記のように銅メッキ体９３が形成されると、ドライフィルム９２の除去処理が実施され、続いて銅メッキ体９３に対してフラッシュエッチングを実施することにより、独立した銅パターンを形成する。続いて、この銅パターンの表面に金メッキ等の仕上げメッキ膜９４が形成され、これにより図３５（Ｑ）に示すバイアホール５０，ランド部４９Ａを有した高周波モジュール３０Ｆが製造される。
ここで、上記した製造方法における、樹脂パッケージ３５のモール時処理に注目する。
【０１５３】
前記したように、モールド時に基材４５に変形が発生するのは、モールド前におい基材４５の底面にランド部４９Ａの形成による凹凸が発生することに起因している。しかしながら、本実施例に係る製造方法では、基材４５にランド部４９Ａを形成する前に、換言すれば基材４５の底面に凹凸が形成される前に、樹脂パッケージ３５の形成処理を行なう構成としている。
【０１５４】
このため、図３３（Ｋ）に示すように、モールド時において、基材４５の底面は平面状となっており、金型６０Ｃの下型６２Ｃと基材４５との間に空間部は形成されていない。従って、モールド時に樹脂６６の注入圧力により基材４５が変形付勢されても、基材４５は下型６２Ｃにより支持され、その変形が規制される。従って、本実施例によっても、モールド時において基材４５に変形が発生することを防止することができ、チップ部品３４が配線８６から外れたり、また各配線配線８６が基材４５から剥離したり、更に配線８６に応力が印加されることにより断線が発生することを防止することができる。
【０１５５】
尚、上記した各実施例においては、樹脂パッケージ３５の形成方法としてトランスファーモールドを用いた例について説明したが、樹脂パッケージ３５の形成方法はこれに限定されものではなく、圧縮成形法等の樹脂パッケージ３５の形成時に高周波回路基板に変形付勢力が印加される樹脂形成方法を用いた場合に広く適用できるものである。
【０１５６】
以上の説明に関し、更に以下の項を開示する。
（付記１）  第１面に電子回路が形成されると共に前記第１面と反対側の第２面に凹凸部が形成された薄膜樹脂基板に対し、前記電子回路を覆う樹脂をモールドする薄膜樹脂基板への樹脂モールド方法であって、
前記第２面の凹凸部と対応する逆の凹凸部を有した補助部材を用意し、
該補助部材の凹凸部を前記第２面の凹凸部と係合させ、
その上で、前記電子回路が形成された前記第１面に対して前記樹脂をモールドすることを特徴とする薄膜樹脂基板への樹脂モールド方法。
（付記２）  付記１記載の薄膜樹脂基板への樹脂モールド方法において、
前記補助部材として、モールドが行なわれる前記薄膜樹脂基板と同一構成の薄膜樹脂基板を用いたことを特徴とする薄膜樹脂基板への樹脂モールド方法。
（付記３）  第１面に電子回路が形成されると共に前記第１面と反対側の第２面に凹凸部が形成された薄膜樹脂基板に対し、前記電子回路を覆う樹脂をモールドする薄膜樹脂基板への樹脂モールド方法であって、
前記第２面の凹凸部に押圧されることにより弾性変形する補助部材を用意し、
前記第２面の凹凸部を前記補助部材に押圧し、前記補助部材を前記凹凸部の形状に対応するよう変形させ、
その上で、前記電子回路が形成された前記第１面に対して前記樹脂をモールドすることを特徴とする薄膜樹脂基板への樹脂モールド方法。
（付記４）  付記３記載の薄膜樹脂基板への樹脂モールド方法において、
前記補助部材として、ポリイミド樹脂よりなるシート部材を用いたことを特徴とする薄膜樹脂基板への樹脂モールド方法。
（付記５）  第１面に電子回路が形成されると共に前記第１面と反対側の第２面に電極形成による凹凸部が形成された薄膜樹脂基板に対し、前記電子回路を覆う樹脂をモールドする薄膜樹脂基板への樹脂モールド方法であって、
前記第２面の凹凸部の凹部内に前記薄膜樹脂基板をモールド時において支持する支持部を形成し、
その上で、前記電子回路が形成された前記第１面に対して前記樹脂をモールドすることを特徴とする薄膜樹脂基板への樹脂モールド方法。
（付記６）  付記５記載の薄膜樹脂基板への樹脂モールド方法において、
前記支持部は、前記電極と同時形成されてなることを特徴とする薄膜樹脂基板への樹脂モールド方法。
（付記７）  第１面に配線を含む電子回路が形成されると共に前記第１面と反対側の第２面に電極形成による凹凸部が形成された薄膜樹脂基板に対し、前記電子回路を覆う樹脂をモールドする薄膜樹脂基板への樹脂モールド方法であって、
前記電極が形成されてない凹部と対向する位置に前記配線を形成し、
その上で、前記電子回路が形成された前記第１面に対して前記樹脂をモールドすることを特徴とする薄膜樹脂基板への樹脂モールド方法。
（付記８）  第１面に電子回路が形成されると共に前記第１面と反対側の第２面に凹凸部が形成された薄膜樹脂基板に対し、前記電子回路を覆う樹脂をモールドする薄膜樹脂基板への樹脂モールド方法であって、
前記第２面の凹凸部の凹部に該凹部を埋める埋設部材を配設し、
その上で、前記電子回路が形成された前記第１面に対して前記樹脂をモールドすることを特徴とする薄膜樹脂基板への樹脂モールド方法。
（付記９）  付記８記載の薄膜樹脂基板への樹脂モールド方法において、
前記樹脂のモールドが終了した後、前記埋設部材を除去することを特徴とする薄膜樹脂基板への樹脂モールド方法。
（付記１０）  第１面に配線を含む電子回路が形成されると共に前記第１面と反対側の第２面に電極形成による凹凸部が形成された薄膜樹脂基板に対し、前記電子回路を覆う樹脂をモールドする薄膜樹脂基板への樹脂モールド方法であって、
前記電極が形成されてない凹部内に前記薄膜樹脂基板を支持する支持部を形成すると共に、前記凹部と対向する位置に前記配線を形成し、
その上で、前記電子回路が形成された前記第１面に対して前記樹脂をモールドすることを特徴とする薄膜樹脂基板への樹脂モールド方法。
（付記１１）  第１面に配線を含む電子回路が形成されると共に前記第１面と反対側の第２面に電極が形成される薄膜樹脂基板に対し、前記電子回路を覆う樹脂をモールドする薄膜樹脂基板への樹脂モールド方法であって、
前記薄膜樹脂基板の電子回路が形成された前記第１面に対して前記樹脂をモールドした後、
前記薄膜樹脂基板の第２面に対し前記電極の形成処理を行なうことを特徴とする薄膜樹脂基板への樹脂モールド方法。
（付記１２）  第１面に高周波回路配線を含む高周波回路部品が配設されると共に、前記第１面と反対側の第２面に電極が形成されることにより凹凸部が形成された薄膜樹脂基板と、
前記薄膜樹脂基板の第１面上に形成されており、前記高周波回路配線及び高周波回路部品を封止する樹脂とを具備する高周波モジュールであって、
前記第２面に形成された前記電極間に、該電極の高さと同一高さを有する支持部を形成してなることを特徴とする高周波モジュール。
（付記１３）  付記１２記載の高周波モジュールにおいて、
前記支持部により、該支持部を挟んで隣接する一対の電極間を電磁的に分離する構成としたことを特徴とする高周波モジュール。
（付記１４）  第１面に高周波回路配線を含む高周波回路部品が配設されると共に、前記第１面と反対側の第２面に電極が形成されることにより凹凸部が形成された薄膜樹脂基板と、
前記薄膜樹脂基板の第１面上に形成されており、前記高周波回路配線及び高周波回路部品を封止する樹脂とを具備する高周波モジュールであって、
前記第１面における前記高周波回路配線を、前記第２面において一対の前記電極間の部位と対向するよう配設したことを特徴とする高周波モジュール。
（付記１５）  第１面に高周波回路配線を含む高周波回路部品が配設されると共に、前記第１面と反対側の第２面に電極が形成されることにより凹凸部が形成された薄膜樹脂基板と、
前記薄膜樹脂基板の第１面上に形成されており、前記高周波回路配線及び高周波回路部品を封止する樹脂とを具備する高周波モジュールであって、
前記第２面において一対の前記電極間に形成される凹部内に、絶縁材料よりなり該凹部を埋設する埋設部材を配設したことを特徴とする高周波モジュール。
（付記１６）  第１面に高周波回路配線を含む高周波回路部品が配設されると共に、前記第１面と反対側の第２面に電極が形成されることにより凹凸部が形成された薄膜樹脂基板と、
前記薄膜樹脂基板の第１面上に形成されており、前記高周波回路配線及び高周波回路部品を封止する樹脂とを具備する高周波モジュールであって、
前記第２面に形成された前記電極間に該電極の高さと同一高さを有する導電材料よりなる支持部を形成し、
かつ、前記第１面における前記高周波回路配線を前記第２面において一対の前記電極間の部位と対向するよう配設したことを特徴とする高周波モジュール。
（付記１７）  付記１２乃至１６のいずれかに記載の高周波モジュールにおいて、
前記薄膜樹脂板として、ポリイミドを用いたことを特徴とする高周波モジュール。
【０１５７】
【発明の効果】
上述の如く本発明によれば、次に述べる種種の効果を実現することができる。
請求項１記載の発明によれば、モールド実施時には第２面の凹部内には補助部材の凸部が係合した状態となるため、モールド時の樹脂圧力により付勢されても薄膜樹脂基板は補助部材の凸部で支持され変形が規制される。これにより、薄膜樹脂基板に変形が発生することを防止することができる。
【０１５８】
また、上記発明において、モールドが行なわれる薄膜樹脂基板と同一構成の薄膜樹脂基板を補助部材として用いることが可能である。この構成とした場合には、新たに第２面の凹凸部と対応する逆の凹凸部を有した補助部材を設計・製作する必要はなく、よってモールド処理に要するコスト低減を図ることができる。
【０１５９】
また、請求項２記載の発明によれば、第２面の凹部内に補助部材が入り込んだ状態でモールドが実施されるため、モールド時に樹脂の圧力により薄膜樹脂基板が変形付勢されても、薄膜樹脂基板は補助部材で支持されるために変形が規制される。これにより、モールド時において、薄膜樹脂基板に変形が発生することを防止することができる。
【０１６０】
また、補助部材は弾性変形するものであるため、第２面の凹凸部が異なる多種の薄膜樹脂基板に対して一つの補助部材で対応することが可能となり、モールド処理に要するコスト低減を図ることができる。
【０１６１】
また、上記発明において、補助部材としてはポリイミド樹脂よりなるシート部材を用いることが好適である。
【０１６２】
また、請求項３記載の発明によれば、モールド時において第２面の凹部内に存在する支持部により薄膜樹脂基板は支持され変形が規制されるため、モールド時において樹脂のモールド圧が薄膜樹脂基板に印加されても薄膜樹脂基板に変形が発生することを防止することができる。
【０１６３】
また、上記発明において、支持部を電極と同時形成することも可能である。この構成とした場合には、支持部材を電極と別個に形成方法に比べて工程の簡略化を図ることができる。
【０１６４】
また、請求項４記載の発明によれば、機械的強度が弱い凹部と対向する第１面に補強部材として機能する配線が形成されるため、モールド時において樹脂のモールド圧が薄膜樹脂基板に印加されても、薄膜樹脂基板に変形が発生することを防止することができる。
【０１６５】
また、請求項５記載の発明によれば、機械的強度が低い凹部に埋設部材を配設することにより凹部は補強された構成となり、よってモールド時において樹脂のモールド圧が薄膜樹脂基板に印加されても、薄膜樹脂基板に変形が発生することを防止することができる。
【０１６６】
また、上記発明において、樹脂のモールドが終了した後、埋設部材を除去する構成としてもよい。これにより、電極は薄膜樹脂基板から突出した状態となるため、実装基板等に対する電極の接続性を向上することができる。
【０１６７】
また、請求項６記載の発明によれば、支持部に加え、第１面の凹部と対向する位置に配線を形成するため、電極間のアイソレーションを確実に取りつつ、かつ薄膜樹脂基板の変形を防止することができる。
【０１６９】
また、請求項７記載の発明によれば、高周波モジュールの製造工程における樹脂モールド時において、支持部は薄膜樹脂基板を支持するため、薄膜樹脂基板に変形が発生することを防止できる。また、高周波モジュールを実装基板等に実装する実装時においては、薄膜樹脂基板は電極と共に支持部が実装基板に当接するため、実装安定性の向上を図ることができる。
【０１７０】
また、上記発明において、支持部を挟んで隣接した一対の電極が、支持部により電磁的に分離される構成とすることが望ましい。この構成とすることにより、電極間のアイソレーションを確実に取ることができ、よって高周波信号が授受される各電極間で干渉が生じることを防止できる。
【０１７１】
また、請求項８記載の発明によれば、第２面において強度が低下する電極間位置を、第１面側に配設された高周波回路配線により第１面側から補強することができるため、薄膜樹脂基板の機械的強度は向上し、よって高周波モジュールの製造工程における樹脂モールド時において薄膜樹脂基板に変形が発生することを防止できる。また同様の理由により、高周波モジュールを実装基板等に実装する実装時においても薄膜樹脂基板の変形は発生しないため、実装安定性の向上を図ることができる。
【０１７２】
また、請求項９記載の発明によれば、第２面において強度が低下する電極間位置は埋設部材により補強されるため、よって高周波モジュールの製造工程における樹脂モールド時において薄膜樹脂基板に変形が発生することを防止できる。また同様の理由により、高周波モジュールを実装基板等に実装する実装時においても薄膜樹脂基板の変形は発生しないため、実装安定性の向上を図ることができる。更に、埋設部材は絶縁材料よりなるため、各電極間におけるアイソレーションを確実に取ることができ、よって高周波信号が授受される各電極間で干渉が生じることを防止できる。
【０１７３】
また、第２面に形成された電極間にこの電極の高さと同一高さを有する導電材料よりなる支持部を形成し、かつ、第１面における高周波回路配線を第２面において一対の前記電極間の部位と対向するよう配設する構成とすることも可能である。この構成とした場合には、樹脂モールド時及びモジュール実装時において薄膜樹脂基板に変形が発生することをより確実に防止することができる。
【０１７４】
更に、上記した各発明において、薄膜樹脂板としてポリイミドを用いることにより、セラミック等の他の材質を用いる構成に比べ、低コスト化，小型化，薄型化，及び軽量化を図ることができ、また広帯域の高周波特性を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の一例である高周波モジュールを説明するための図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は断面図である。
【図２】高周波回路基板として薄膜樹脂基板を用いた高周波モジュールを示す平面図である。
【図３】図２におけるＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【図４】図２におけるＣ−Ｃ線に沿う断面図である。
【図５】図２におけるＢ−Ｂ線に沿う断面図である。
【図６】図２に示す高周波モジュールの底面図である。
【図７】図２に示す高周波モジュールの樹脂パッケージを形成する樹脂モールド工程を説明するための図である。
【図８】本発明の第１実施例を説明するための図であり、樹脂モールド工程において上型と下型をクランプする状態を示す図である。
【図９】本発明の第１実施例を説明するための図であり、樹脂モールド工程において樹脂を注入している状態を示す図である。
【図１０】本発明の第２実施例を説明するための図であり、樹脂モールド工程において上型と下型をクランプする状態を示す図である。
【図１１】本発明の第２実施例を説明するための図であり、樹脂モールド工程において樹脂を注入している状態を示す図である。
【図１２】本発明の第３実施例を説明するための図であり、樹脂モールド工程において上型と下型をクランプする状態を示す図である。
【図１３】本発明の第３実施例を説明するための図であり、樹脂モールド工程において樹脂を注入している状態を示す図である。
【図１４】本発明の第４実施例を説明するための図であり、高周波モジュールの平面図である。
【図１５】本発明の第４実施例を説明するための図であり、図１４におけるＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【図１６】本発明の第４実施例を説明するための図であり、図１４におけるＢ−Ｂ線に沿う断面図である。
【図１７】本発明の第４実施例を説明するための図であり、図１４に示す高周波モジュールの底面図である。
【図１８】本発明の第４実施例を説明するための図であり、樹脂モールド工程において樹脂を注入している状態を示す図である。
【図１９】本発明の第４実施例の変形例を説明するための図であり、高周波モジュールの底面図である。
【図２０】本発明の第５実施例を説明するための図であり、高周波モジュールの平面図である。
【図２１】本発明の第５実施例を説明するための図であり、図２０におけるＢ−Ｂ線に沿う断面図である。
【図２２】本発明の第５実施例を説明するための図であり、樹脂モールド工程において樹脂を注入している状態を示す図である。
【図２３】本発明の第６実施例を説明するための図であり、高周波モジュールの平面図である。
【図２４】本発明の第６実施例を説明するための図であり、図２３におけるＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【図２５】本発明の第６実施例を説明するための図であり、図２３におけるＢ−Ｂ線に沿う断面図である。
【図２６】本発明の第６実施例を説明するための図であり、図２３に示す高周波モジュールの底面図である。
【図２７】本発明の第６実施例を説明するための図であり、樹脂モールド工程において樹脂を注入している状態を示す図である。
【図２８】本発明の第７実施例を説明するための図であり、高周波モジュールの平面図である。
【図２９】本発明の第７実施例を説明するための図であり、図２８におけるＢ−Ｂ線に沿う断面図である。
【図３０】本発明の第７実施例を説明するための図であり、樹脂モールド工程において樹脂を注入している状態を示す図である。
【図３１】本発明の第７実施例を説明するための図であり、高周波モジュールの製造方法を製造手順に沿って説明するための図である（その１）。
【図３２】本発明の第７実施例を説明するための図であり、高周波モジュールの製造方法を製造手順に沿って説明するための図である（その２）。
【図３３】本発明の第７実施例を説明するための図であり、高周波モジュールの製造方法を製造手順に沿って説明するための図である（その３）。
【図３４】本発明の第７実施例を説明するための図であり、高周波モジュールの製造方法を製造手順に沿って説明するための図である（その４）。
【図３５】本発明の第７実施例を説明するための図であり、高周波モジュールの製造方法を製造手順に沿って説明するための図である（その５）。
【符号の説明】
３０Ａ〜３２Ｆ  高周波回路基板
３３  高周波アクティブチップ
３４  チップ部品
３５  樹脂パッケージ
３６ＡＡ，３６ＡＢ，３７ＡＡ，３７ＡＢ  高周波回路配線
３８ＡＡ，３８ＡＢ，３９  ＤＣ回路配線
４０，４１  バイアス端子
４５  基材
４８ＡＡ，４８ＡＢ  グランド膜
４９Ａ，４９Ｂ  ランド
５０  バイアホール
５１  凹部
６０Ａ〜６０Ｃ  金型
６６  樹脂
７０  補助部材
７５  弾性補助部材
７６Ａ，７６Ｂ  支持部
７７，７８  湾曲部
７９  埋設部
８０，９１  銅膜
８１，８７，９２  ドライフィルム
８２，８８  ガラスマスク
８３，９３  銅メッキ体
８４  銅パターン
８５  仕上げメッキ膜
８６  配線
【図１】
0004555436.tif 000002
【図２】
0004555436.tif 000003
【図３】
0004555436.tif 000004
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
0004555436.tif 000014
【図１４】
0004555436.tif 000015
【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
0004555436.tif 000018
【図１８】
0004555436.tif 000019
【図１９】
0004555436.tif 000020
【図２０】
0004555436.tif 000021
【図２１】
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【図２２】
0004555436.tif 000023
【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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