(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
略長方形の誘電体板から成り、上面の一辺から対向する他辺にかけて形成された線路導体および該線路導体の両側に等間隔をもって形成された同一面接地導体とを有する平板部と、該平板部の上面に前記線路導体を間に挟んで接合された誘電体から成る立壁部とを具備した入出力端子において、前記立壁部は、前記線路導体の伝送方向に略垂直な対向する両側面の下端部に前記線路導体を囲むように切欠き部がそれぞれ形成されているとともに、該切欠き部の前記伝送方向に略平行であり互いに対向する２つの内側面に接地導体層が形成されており、該接地導体層の下端が前記同一面接地導体と直接導通していることを特徴とする入出力端子。
【請求項２】
前記立壁部の前記両側面に形成されたそれぞれの切欠き部は、前記伝送方向における深さが互いに同一であることを特徴とする請求項１に記載の入出力端子。
【請求項３】
上面に半導体素子が載置される載置部を有する基体と、該基体の上面に前記載置部を囲繞するように取着された金属枠体と、該金属枠体に形成された切欠きまたは貫通孔から成る入出力端子の取付部と、該取付部に嵌着された請求項１乃至請求項２記載の入出力端子とを具備したことを特徴とする半導体素子収納用パッケージ。
【請求項４】
請求項３記載の半導体素子収納用パッケージと、前記載置部に載置固定された半導体素子と、前記金属枠体の上面に取着された蓋体とを具備したことを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高周波で作動する半導体素子を収納するための半導体素子収納用パッケージの入出力部に使用される入出力端子、この入出力端子を用いた半導体素子収納用パッケージ、およびこの半導体素子収納用パッケージを用いた半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、マイクロ波帯やミリ波帯等の高周波信号により作動する半導体素子を収納する半導体素子収納用パッケージ（以下、半導体パッケージという）には、半導体素子と外部電気回路基板とを電気的に接続するための入出力端子が設けられている。この入出力端子を図３に斜視図で示す。
【０００３】
同図において、１０１はアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）セラミックス，窒化アルミニウム（ＡｌＮ）セラミックス，ムライト（３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2）セラミックス等の誘電体から成る平板部であり、その上面の略中央部に、一辺から対向する辺にかけて形成された線路導体１０１ａを有するとともに、この線路導体１０１ａの両側に所定の間隔をもって形成された同一面接地導体１０１ｂを有する。また、平板部１０１の側面には側面接地導体１０１ｃ、下面には下面接地導体１０１ｄが形成されている。
【０００４】
また、平板部１０１の上面には、線路導体１０１ａを挟持するとともに、上面に上面接地導体層１０２ａを有し、側面に側面接地導体１０１ｃから延出するように形成された側面接地導体層１０２ｂを有する、Ａｌ2Ｏ3セラミックス，ＡｌＮセラミックス，３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2セラミックス等の誘電体から成る立壁部１０２が接合される。そのため、線路導体１０１ａは、平板部１０１と立壁部１０２とに挟持されていない部位（露出部位）のマイクロストリップ線路と、平板部１０１と立壁部１０２とに挟持された部位のストリップ線路とから成る。
【０００５】
線路導体１０１ａのストリップ線路は、上面接地導体層１０２ａ，側面接地導体層１０２ｂ，側面接地導体１０１ｃおよび下面接地導体１０１ｄにより擬似同軸構造とされている。一方、線路導体１０１ａのマイクロストリップ線路は、同一面接地導体１０１ｂによりマイクロストリップ構造とされている。即ち、線路導体１０１ａのストリップ線路を伝送する高周波信号の伝搬モードはＴＥＭモードであり、また線路導体１０１ａのマイクロストリップ線路を伝送する高周波信号の伝搬モードは準ＴＥＭモードである。
【０００６】
このような平板部１０１，立壁部１０２から構成される入出力端子１０３は、半導体パッケージの構成部材の１つである金属枠体に形成された切欠または貫通孔から成る取付部に嵌着されることにより、半導体パッケージ内外を遮断しその内部を封止する機能を有するとともに、外部電気回路基板との高周波信号の入出力を行う機能を有することと成る。
【０００７】
また、上記の半導体パッケージ内部に載置固定された半導体素子と、半導体パッケージ上面に取着された蓋体とを具備することにより半導体装置となる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の入出力端子１０３では、半導体素子が例えば１０ＧＨｚ以上の高周波信号により作動するものの場合、ストリップ線路１０１ａの長さを短くすることにより、半導体素子と外部電気回路基板との高周波信号の入出力時における伝送損失を小さくし、伝送効率を良好なものとできるが、これに伴い立壁部１０２の幅を小さくせざるを得なかった。
【０００９】
このように立壁部１０２の幅を小さくした入出力端子１０３を半導体パッケージに用いた場合、立壁部１０２と、半導体パッケージの構成部材の１つである金属枠体との間に発生する熱膨張差による熱歪みを有効に緩和し抑制することができなかった。その結果、平板部１０１や立壁部１０２にクラック等の破損が発生し、半導体素子と外部電気回路基板との高周波信号の伝送効率が損なわれるという問題点を有していた。
【００１０】
従って、本発明は上記問題点に鑑み完成されたものであり、その目的は、半導体パッケージの信号線路部材としての入出力端子の破損を有効に防止するとともに、線路導体を伝送する高周波信号の伝送損失を小さくして伝送効率を良好なものとし、その結果半導体素子と外部電気回路基板との高周波信号の伝送効率を良好に保持し伝送特性を向上させることにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明の入出力端子は、略長方形の誘電体板から成り、上面の一辺から対向する他辺にかけて形成された線路導体および該線路導体の両側に等間隔をもって形成された同一面接地導体とを有する平板部と、該平板部の上面に前記線路導体を間に挟んで接合された誘電体から成る立壁部とを具備した入出力端子において、前記立壁部は、前記線路導体の伝送方向に略垂直な対向する両側面の下端部に前記線路導体を囲むように切欠き部がそれぞれ形成されているとともに、該切欠き部の前記伝送方向に略平行であり互いに対向する２つの内側面に接地導体層が形成されており、該接地導体層の下端が前記同一面接地導体と直接導通していることを特徴とする。
【００１２】
本発明は、上記の構成により、誘電体に挟持されるストリップ線路部の長さを短くすることができ、その結果線路導体を伝送する高周波信号の伝送損失を小さくし、伝送効率を良好なものとできる。
【００１３】
本発明の半導体素子収納用パッケージは、上面に半導体素子が載置される載置部を有する基体と、該基体の上面に前記載置部を囲繞するように取着された金属枠体と、該金属枠体に形成された切欠きまたは貫通孔から成る入出力端子の取付部と、該取付部に嵌着された請求項１記載の入出力端子とを具備したことを特徴とする。
【００１４】
本発明の半導体素子収納用パッケージは、上記の構成により、上記入出力端子を半導体パッケージの構成部材の１つである金属枠体の取付部に嵌着しても、入出力端子と金属枠体との間に発生する熱膨張差による熱歪みを有効に抑制でき、半導体パッケージ内部の気密性や、半導体素子と外部電気回路基板との高周波信号の伝送効率を非常に良好なものとできる。
【００１５】
本発明の半導体装置は、本発明の半導体素子収納用パッケージと、前記載置部に載置固定された半導体素子と、前記金属枠体の上面に取着された蓋体とを具備したことを特徴とする。
【００１６】
本発明の半導体装置は、上記の構成により、半導体素子が例えば１０ＧＨｚ以上の高周波信号により作動するものの場合であっても、半導体素子を長期に亘り正常かつ安定に作動させ得る。
【００１７】
【発明の実施の形態】
本発明の入出力端子について添付の図面に基づいて詳細に説明する。図１は本発明の入出力端子の実施の形態の一例を示す斜視図、図２は本発明の半導体パッケージを示す斜視図である。また、図２に示すように、本発明の半導体パッケージに半導体素子を載置固定するとともに、蓋体を接合することにより本発明の半導体装置となる。
【００１８】
図１において、１はＡｌ2Ｏ3セラミックス，ＡｌＮセラミックス，３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2セラミックス等の誘電体から成る平板部であり、この平板部１は上面の略中央部に一辺から対向する他辺にかけて形成された線路導体１ａと、この線路導体１ａの両側に所定間隔をもって形成されて成る同一面接地導体１ｂとを有する。また、平板部１の側面には側面接地導体１ｃ、下面には下面接地導体１ｄが形成されている。
【００１９】
また、平板部１の上面には、線路導体１ａ，同一面接地導体１ｂを挟持するとともに、上面に上面接地導体層２ａ、側面に側面接地導体１ｃを延出するようにして形成された側面接地導体層２ｂを有する、Ａｌ2Ｏ3セラミックス，ＡｌＮセラミックス，３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2セラミックス等の誘電体から成る立壁部２が接合される。
【００２０】
これら平板部１と立壁部２とで入出力端子３が構成される。なお、入出力端子３の作製は以下のようになされる。まず、線路導体１ａ，同一面接地導体１ｂ，側面接地導体１ｃ，下面接地導体１ｄ，上面接地導体層２ａ，側面接地導体層２ｂとなるメタライズ層用の金属ペーストを、タングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍｏ），マンガン（Ｍｎ）等の粉末に有機溶剤，溶媒を添加混合して得る。次に、誘電体となる原料粉末に適当な有機バインダや溶剤等を添加混合しペースト状と成すとともにこのペーストをドクターブレード法やカレンダーロール法によって成形されたセラミックグリーンシートに、上記金属ペーストを予め従来周知のスクリーン印刷法により所望の形状に印刷塗布し、約１６００℃の高温で焼結することにより、作製される。
【００２１】
本発明の入出力端子３は、立壁部２が、線路導体１ａの伝送方向に略垂直な対向する両側面の下端部に線路導体１ａを囲むように切欠き部２ｃが形成されているとともに、切欠き部２ｃの伝送方向に略平行な内面に接地導体層２ｄが形成されている。また切欠き部２ｃは、好ましくは、切欠き部２ｃの内面のうち線路導体１ａの伝送方向に平行な対向する２内側面の下端が、同一面接地導体１ｂの端に位置するかまたは同一面接地導体１ｂ内に位置するように形成されるのがよい。
【００２２】
本発明の上記構成の入出力端子３は以下のような効果を奏する。即ち、線路導体１ａの接地導体層２ｄで囲まれている部位の高周波信号の伝搬モードは、囲まれていない部位の伝搬モードである準ＴＥＭモードと、平板部１と立壁部２との間に挟持されている部位の伝搬モードであるＴＥＭモードとの中間程度である。この中間的な伝搬モードが存在することにより、線路導体１ａに高周波信号が伝送された場合、従来のように準ＴＥＭモードからＴＥＭモードに切り替わった際に伝搬モードの変化部でインピーダンスがステップ状に変化することがなく、高周波信号の反射を大幅に低減できる。従って、本発明では、線路導体１ａに高周波信号が伝送された場合、準ＴＥＭモードから、準ＴＥＭモードとＴＥＭモードとの中間程度のモード、そしてＴＥＭモードと、順次非常に緩やかにモードが変化するため、伝搬モードの変化部でインピーダンスが緩やかに変化し高周波信号の反射を極力抑制できる。
【００２３】
また、好ましくは、切欠き部２ｃの内面のうち線路導体１ａの伝送方向に平行な対向する２内側面（接地導体層２ｄ）の下端が、同一面接地導体１ｂの端に位置するかまたは同一面接地導体１ｂ内に位置するように形成されることにより、接地導体層２ｄは同一面接地導体１ｂに直接的に導通される。または、立壁部２を複数の誘電体層を積層して形成し、これら誘電体層の間に設けられた層間接地導体層を介して、接地導体層２ｄと同一面接地導体１ｂとを間接的に導通させることもできる。これにより、接地導体層２ｄは線路導体１ａに対するグランドとして機能することになる。
【００２４】
一方、接地導体層２ｄの下端が同一面接地導体１ｂの端に位置するかまたは同一面接地導体１ｂ内に位置するように形成されていない場合、即ち接地導体層２ｄの下端が線路導体１ａと同一面接地導体１ｂとの間にある場合、線路導体１ａを伝送する高周波信号が、立壁部２の誘電体が露出している側面により誘電体損失が発生し伝送効率が損なわれる傾向にある。
【００２５】
また、切欠き部２ｃ内面の線路導体１ａの伝送方向に垂直となる面（最奥の面）には、接地導体層２ｄとなるメタライズ層が線路導体１ａに導通しないように被着されているのが好ましい。即ち、切欠き部２ｃ内面の線路導体１ａの伝送方向に垂直となる面にメタライズ層が形成されていない場合、線路導体１ａの接地導体層２ｄで囲まれている部位を伝送する高周波信号が、切欠き部２ｃ内面の線路導体１ａの伝送方向に垂直な面で誘電体損失が発生し伝送効率が損なわれる傾向にある。
【００２６】
この場合、切欠き部２ｃ内面の線路導体１ａの伝送方向に垂直となる面（最奥の面）に形成される、接地導体層２ｄとなるメタライズ層は、最奥の面の上端から線路導体１ａの表面に達しないように形成するが、メタライズ層の下端と線路導体１ａとの間隔は０．１〜０．２ｍｍ程度あればよい。０．１ｍｍ未満では、メタライズ層用の金属ペーストを塗布した際に線路導体１ａに接触してショートし易くなり、０．２ｍｍを超えると、メタライズ層の非形成部が大きくなり、最奥の面の露出した誘電体部で誘電体損失で発生し伝送損失が増大し易くなる。
【００２７】
なお、切欠き部２ｃの平板部１上面からの高さは、立壁部２の高さの２／３以下であることが好ましい。２／３を超えると、立壁部２の強度が低下し、半導体パッケージの構成部材の１つである金属枠体との熱膨張差による熱歪みにより、入出力端子３が破損する傾向にある。
【００２８】
また、一つの切欠き部２ｃの深さ（奥行き）は、｛（立壁部２の伝送方向の幅）−（平板部１と立壁部２とで挟持された線路導体１ａの部位の長さ）｝／２であれば良い。即ち、二つの切欠き部２ｃの深さは同一であるのが良い。この理由は、半導体パッケージの金属枠体との熱膨張差による熱歪みを立壁部２から平板部１に均等に分散させるためである。均等に分散されない場合、熱応力分散のバランスがくずれて入出力端子３が破損する傾向にある。
【００２９】
また、平板部１と立壁部２とで挟持される線路導体１ａの部位の長さは、０．３〜０．８ｍｍであるのが良い。０．３ｍｍ未満の場合、切欠き部２ｃの長さが非常に長くなり、半導体パッケージの金属枠体との熱膨張差による熱歪みにより、入出力端子３が破損する傾向にある。一方、０．８ｍｍを超えると、半導体素子と外部電気回路基板との間での高周波信号の入出力時における伝送損失が非常に大きくなる。
【００３０】
なお、切欠き部２ｃの形状は、切欠き部２ｃ内面の接地導体層２ｄが平板部１と立壁部２とに挟持された線路導体１ａに導通しないものであればよく、例えば図１のような方形状に限らず、半円形状等の種々の形状とし得る。
【００３１】
本発明の入出力端子３によれば、線路導体１ａの伝送方向に略垂直な対向する両側面であって、立壁部２の誘電体が露出している面の下端部に、切欠き部２ｃを形成したことにより、線路導体１ａの平板部１と立壁部２とに挟持された部分、即ち線路導体１ａのストリップ線路の長さを０．３〜０．８ｍｍと非常に短くできる。また、線路導体１ａを伝送する高周波信号の伝搬モードが、準ＴＥＭモードから、準ＴＥＭモードとＴＥＭモードとの中間程度のモード、そしてＴＥＭモードとなるようにできるため、線路導体１ａを伝送する高周波信号は、ストリップ線路を伝送することにより失われる誘電体損失や、伝搬モードが急激に変化することによる反射損失が非常に小さくなる。
【００３２】
次に、本発明の半導体パッケージを図２に基づいて説明する。同図は本発明の半導体パッケージの実施の形態の一例を示す斜視図である。同図において、１１は基体であり、その上面にはＩＣ，ＬＳＩ等の半導体素子１４を載置するための載置部１１ａを有している。この基体１１は、鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金，銅（Ｃｕ）−タングステン（Ｗ）合金等の金属材料や、Ａｌ2Ｏ3セラミックス，ＡｌＮセラミックス，３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2セラミックス等の誘電体から成る。
【００３３】
基体１１が金属材料から成る場合、そのインゴット（塊）に圧延加工や打ち抜き加工等の従来周知の金属加工法を施すことによって所定の形状に製作される。一方、誘電体から成る場合、その原料粉末に適当な有機バインダや溶剤等を添加混合しペースト状と成すとともに、このペーストをドクターブレード法やカレンダーロール法によってセラミックグリーンシートと成し、しかる後セラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工を施し、これを複数枚積層し約１６００℃の高温で焼成することによって作製される。
【００３４】
なお、基体１１が金属材料から成る場合、その表面に耐蝕性に優れかつロウ材との濡れ性に優れる金属、具体的には厚さ０．５〜９μｍのＮｉ層と、厚さ０．５〜５μｍのＡｕ層を順次メッキ法により被着させておくのがよく、基体１１が酸化腐蝕するのを有効に防止できるとともに、基体１１上面の載置部１１ａに半導体素子１４を強固に接着固定させることができる。
【００３５】
一方、基体１１が誘電体から成る場合、半導体素子１４を載置する載置部１１ａに、Ｗ，Ｍｏ−Ｍｎ等のメタライズ層を下地層として、耐蝕性に優れかつロウ材との濡れ性に優れる金属、具体的には厚さ０．５〜９μｍのＮｉ層と、厚さ０．５〜５μｍのＡｕ層を順次メッキ法により被着させておくのがよく、基体１１上面の載置部１１ａに半導体素子１４を強固に接着固定させることができる。
【００３６】
また、１２は基体１１上に載置部１１ａを囲繞するように、プリフォームとされた銀（Ａｇ）ロウ等のロウ材を介して取着された、金属材料から成る金属枠体である。
【００３７】
なお、この金属枠体１２の壁の幅（厚さ）は、０．８ｍｍ以上かつ入出力端子３の最上面（立壁部２上面）の幅より狭くするのが良い。金属枠体１２の幅が０．８ｍｍ未満の場合、半導体パッケージとして要求される剛性を満足できなくなる。また、金属枠体１２の幅が入出力端子３の最上面の幅よりも大きくなると、金属枠体１２上面に蓋体１６を接合した際に、蓋体１６と金属枠体１２との熱膨張差または、蓋体１６と入出力端子３との熱膨張差により発生する熱歪みが大きくなる。その結果、入出力端子３にその熱歪みが加わりクラック等による破損が発生し、半導体素子１４と外部電気回路基板との高周波信号の伝送効率や、半導体パッケージ内部の気密性が損なわれる。
【００３８】
また、１２ａは金属枠体１２の側面に切欠または貫通孔を形成して成る入出力端子３の取付部であり、取付部１２ａの内周面に入出力端子３がＡｇロウ等のロウ材で嵌着される。
【００３９】
また、入出力端子３の半導体パッケージ外側の線路導体１ａの上面には、外部電気回路基板と入出力端子３とを電気的に接続するための、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金やＦｅ−Ｎｉ合金等の金属材料から成るリード端子１５が、Ａｇロウ等のロウ材で接合される。このリード端子１５の表面には、耐蝕性に優れかつロウ材との濡れ性に優れる金属、具体的には厚さ０．５〜９μｍのＮｉ層と、厚さ０．５〜５μｍのＡｕ層を順次メッキ法により被着させておくのがよく、リード端子１５が酸化腐蝕するのを有効に防止できる。
【００４０】
このような本発明の半導体パッケージは、本発明の入出力端子３を具備していることから、高周波信号の入出力による誘電体損失を最小限に抑え、高周波信号による伝送損失を小さくした、良好な伝送効率を有するものとなる。また、入出力端子３の最上面の幅を上記の範囲としているため、金属枠体１２と入出力端子３との間の熱膨張差による熱歪みを有効に抑制したものとなる。そのため、半導体パッケージ内部の気密性も損なわれることなく十分なものとなる。
【００４１】
また、本発明の半導体装置は、上記本発明の半導体パッケージと、載置部１１ａに載置固定された半導体素子１４と、金属枠体１２上面に取着された蓋体１６とを具備する構成である。
【００４２】
そして、本発明の半導体装置は具体的には以下のようにして作製される。載置部１１ａ上面に半導体素子１４を載置し、樹脂接着剤，ロウ材等の接着剤で固定した後、半導体パッケージ内側の線路導体１ａと半導体素子１４の電極とをボンディングワイヤ，リボン等（図示せず）で電気的に接続する。次に、金属枠体１２の上面にＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金やＦｅ−Ｎｉ合金等の金属材料や、Ａｌ2Ｏ3セラミックス等のセラミックスから成る蓋体１６を、Ａｕ−錫（Ｓｎ）等の低融点ロウ材やシームウエルド法等により接合することにより、半導体素子１４が半導体パッケージ内部に収納された製品としての半導体装置となる。なお、蓋体１６を接合する際には、半導体パッケージ内部の気密性がとれるように接合したほうが、半導体素子１４の酸化腐食等を有効に防止でき、半導体素子１４をより長期に亘り正常かつ安定に作動させ得る。
【００４３】
なお、本発明は上述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内であれば種々の変更は可能である。例えば、半導体素子１４が半導体レーザ（ＬＤ），フォトダイオード（ＰＤ）等の光半導体素子であっても良く、この場合半導体パッケージは光ファイバ等の光学部品を接続可能な所謂光半導体パッケージとなる。
【００４４】
【発明の効果】
本発明の入出力端子は、略長方形の誘電体板から成り、上面の一辺から対向する他辺にかけて形成された線路導体および線路導体の両側に等間隔をもって形成された同一面接地導体とを有する平板部と、平板部の上面に線路導体を間に挟んで接合された誘電体から成る立壁部とを具備し、立壁部は、線路導体の伝送方向に略垂直な対向する両側面の下端部に線路導体を囲むように切欠き部がそれぞれ形成されているとともに、切欠き部の伝送方向に略平行であり互いに対向する２つの内側面に接地導体層が形成されており、接地導体層の下端が同一面接地導体と直接導通している。これにより、線路導体の平板部と立壁部とに挟持された部分、即ち線路導体のストリップ線路の長さを、０．３〜０．８ｍｍと非常に短くでき、また線路導体を伝送する高周波信号の伝搬モードが、準ＴＥＭモードから、準ＴＥＭモードとＴＥＭモードとの中間程度のモード、そしてＴＥＭモードと成るようにできるため、線路導体を伝送する高周波信号はストリップ線路を伝送することにより失われる誘電体損失や、伝搬モードが変化することによる反射損失が非常に小さくなる。
【００４５】
また、本発明の半導体パッケージは、上面に半導体素子が載置される載置部を有する基体と、基体の上面に載置部を囲繞するように取着された金属枠体と、金属枠体に形成された切欠きまたは貫通孔から成る入出力端子の取付部と、取付部に嵌着された本発明の入出力端子とを具備したことから、高周波信号の入出力による誘電体損失を最小限に抑え、高周波信号による伝送損失を小さくした、良好な伝送特性を有するものとなる。また、入出力端子の最上面の幅を従来と同様としているため、金属枠体と入出力端子との間の熱膨張差による熱歪みを有効に抑制し得る。そのため、半導体パッケージ内部の気密性も良好に保持される。
【００４６】
また、本発明の半導体装置は、本発明の半導体素子収納用パッケージと、載置部に載置固定された半導体素子と、金属枠体の上面に取着された蓋体とを具備したことにより、半導体素子が例えば１０ＧＨｚ以上の高周波信号で作動する場合であっても、半導体素子を長期に亘り正常かつ安定に作動させ得る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の入出力端子について実施の形態の例を示す斜視図である。
【図２】本発明の半導体パッケージについて実施の形態の例を示す斜視図である。
【図３】従来の入出力端子の斜視図である。
【符号の説明】
１：平板部
１ａ：線路導体
１ｂ：同一面接地導体
２：立壁部
２ｃ：切欠き部
２ｄ：接地導体層
３：入出力端子
１１：基体
１１ａ：載置部
１２：金属枠体
１２ａ：取付部
１４：半導体素子
１６：蓋体
【図１】
0004522010.tif 000002
【図２】
0004522010.tif 000003
【図３】
0004522010.tif 000004