(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
同心円またはスパイラル形状のグルーブ及びランドが形成された透明樹脂基板と、前記透明樹脂基板の前記グルーブ及び前記ランド上に形成された記録膜を備え、
前記記録膜は、中心金属１つに対して下記式（１）で表される構成単位が２つ配置された構造を持つ金属錯体単体と、中心金属１つに対して下記式（２）で表される構成単位が２つ配置された構造を持つ金属錯体多量体とを含有する有機色素層を含み、
前記有機色素層は、短波長レーザ光の照射によって記録マークが形成され、短波長レーザ光の照射前の光反射率よりも、前記短波長レーザ光の照射により形成される記録マーク部分の光反射率の方が高く、
前記グルーブが所定の振幅範囲内でウォブルしていることを特徴とする追記型情報記録媒体。
【化１】
0004427582.tif 000095
但し、式中、環Ｃは、水素または置換基を有する炭化水素環、あるいは水素または置換基を有する複素環で表され、
中心金属は、Ａｌ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｙから選択され、
置換基Ｘは、水素原子、フッ素原子や塩素原子や臭素原子などのハロゲン原子、ヒドロキシル基、アミノ基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシル基、アリールカルボニル基、ヘテロアリールカルボニル基、アルキル基、アラルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルケニル基、アルキニル基、メタロセニル基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、アシルオキシ基、アルキルチオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロアリールチオ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、ヘテロアリールアミノ基、アルキルカルボニルアミノ基、アリールカルボニルアミノ基、メタロセニル基、フェニル基、フタロイミド基、あるいはバルビツール酸基を有する基から選択され、
置換基Ｙは、−ＳＨ，−ＳＯ２Ｈ，−ＳＯ３Ｈ，−ＮＨ２，−ＮＨＲ，−ＯＨ，−ＣＯＯＨ，−Ｂ（ＯＨ）２，−ＰＯ（ＯＨ）２，−ＮＨＣＯＨ，−ＮＨＣＯＲ，ＮＨＳＯＲ等の活性水素を有する基で表され、
Ｒ３，Ｒ４，及びＲ５は、各々、水素原子、フッ素原子や塩素原子や臭素原子などのハロゲン原子、ヒドロキシル基、アミノ基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシル基、アリールカルボニル基、ヘテロアリールカルボニル基、アルキル基、アラルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルケニル基、アルキニル基、メタロセニル基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、アシルオキシ基、アルキルチオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロアリールチオ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、ヘテロアリールアミノ基、アルキルカルボニルアミノ基、アリールカルボニルアミノ基、メタロセニル基、フェニル基、フタロイミド基及びバルビツール酸基を有する基から選択される。
【化２】
0004427582.tif 000096
但し、式中、環Ｃは、水素または置換基を有する炭化水素環、あるいは水素または置換基を有する複素環で表され、
中心金属は、Ａｌ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｙから選択され、
Ｒ１は、水素原子、フッ素原子や塩素原子や臭素原子などのハロゲン原子、ヒドロキシル基、アミノ基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシル基、アリールカルボニル基、ヘテロアリールカルボニル基、アルキル基、アラルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルケニル基、アルキニル基、メタロセニル基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、アシルオキシ基、アルキルチオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロアリールチオ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、ヘテロアリールアミノ基、アルキルカルボニルアミノ基、アリールカルボニルアミノ基、メタロセニル基、フェニル基、フタロイミド基、あるいはバルビツール酸基を有する基から選択され、
置換基Ｙは、−ＳＨ，−ＳＯ２Ｈ，−ＳＯ３Ｈ，−ＮＨ２，−ＮＨＲ，−ＯＨ，−ＣＯＯＨ，−Ｂ（ＯＨ）２，−ＰＯ（ＯＨ）２，−ＮＨＣＯＨ，−ＮＨＣＯＲ，ＮＨＳＯＲ等の活性水素を有する基で表される。
【請求項２】
同心円またはスパイラル形状のグルーブ及びランドが形成された透明樹脂基板と、前記透明樹脂基板の前記グルーブ及び前記ランド上に形成された第１の記録膜と、前記第１の記録膜上に設けられ、前記形状のグルーブ及びランドが形成された透明樹脂材料からなる中間層と、前記中間層のグルーブ及びランド上に形成された第２の記録膜とを備え、
前記第１の記録膜及び前記第２の記録膜のうち少なくとも１つは中心金属１つに対して下記式（１）で表される構成単位が２つ配置された構造を持つ金属錯体単体と、中心金属１つに対して下記式（２）で表される構成単位が２つ配置された構造を持つ金属錯体多量体とを含有する有機色素層を含み、
前記第１及び第２の記録膜は、短波長レーザ光の照射によって記録マークが形成され、
前記第１及び第２の記録膜は、前記短波長レーザ光の照射前の光反射率よりも、前記短波長レーザ光の照射により形成される前記記録マーク部分の光反射率の方が高く、
前記グルーブが所定の振幅範囲内でウォブルしていることを特徴とする追記型情報記録媒体。
【化３】
0004427582.tif 000097
但し、式中、環Ｃは、水素または置換基を有する炭化水素環、あるいは水素または置換基を有する複素環で表され、
中心金属は、Ａｌ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｙから選択され、
置換基Ｘは、水素原子、フッ素原子や塩素原子や臭素原子などのハロゲン原子、ヒドロキシル基、アミノ基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシル基、アリールカルボニル基、ヘテロアリールカルボニル基、アルキル基、アラルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルケニル基、アルキニル基、メタロセニル基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、アシルオキシ基、アルキルチオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロアリールチオ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、ヘテロアリールアミノ基、アルキルカルボニルアミノ基、アリールカルボニルアミノ基、メタロセニル基、フェニル基、フタロイミド基、あるいはバルビツール酸基を有する基から選択され、
置換基Ｙは、−ＳＨ，−ＳＯ２Ｈ，−ＳＯ３Ｈ，−ＮＨ２，−ＮＨＲ，−ＯＨ，−ＣＯＯＨ，−Ｂ（ＯＨ）２，−ＰＯ（ＯＨ）２，−ＮＨＣＯＨ，−ＮＨＣＯＲ，ＮＨＳＯＲ等の活性水素を有する基で表され、
Ｒ３，Ｒ４，及びＲ５は、各々、水素原子、フッ素原子や塩素原子や臭素原子などのハロゲン原子、ヒドロキシル基、アミノ基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシル基、アリールカルボニル基、ヘテロアリールカルボニル基、アルキル基、アラルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルケニル基、アルキニル基、メタロセニル基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、アシルオキシ基、アルキルチオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロアリールチオ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、ヘテロアリールアミノ基、アルキルカルボニルアミノ基、アリールカルボニルアミノ基、メタロセニル基、フェニル基、フタロイミド基及びバルビツール酸基を有する基から選択される。
【化４】
0004427582.tif 000098
但し、式中、環Ｃは、水素または置換基を有する炭化水素環、あるいは水素または置換基を有する複素環で表され、
中心金属は、Ａｌ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｙから選択され、
Ｒ１は、水素原子、フッ素原子や塩素原子や臭素原子などのハロゲン原子、ヒドロキシル基、アミノ基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシル基、アリールカルボニル基、ヘテロアリールカルボニル基、アルキル基、アラルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルケニル基、アルキニル基、メタロセニル基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、アシルオキシ基、アルキルチオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロアリールチオ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、ヘテロアリールアミノ基、アルキルカルボニルアミノ基、アリールカルボニルアミノ基、メタロセニル基、フェニル基、フタロイミド基、あるいはバルビツール酸基を有する基から選択され、
置換基Ｙは、−ＳＨ，−ＳＯ２Ｈ，−ＳＯ３Ｈ，−ＮＨ２，−ＮＨＲ，−ＯＨ，−ＣＯＯＨ，−Ｂ（ＯＨ）２，−ＰＯ（ＯＨ）２，−ＮＨＣＯＨ，−ＮＨＣＯＲ，ＮＨＳＯＲ等の活性水素を有する基で表される。
【請求項３】
前記金属錯体単体は下記式（１−０）で表されることを特徴とする請求項３に記載の追記型情報記録媒体。
【化５】
0004427582.tif 000099
但し、Ｒ５及びＲ６は、各々、水素原子、フッ素原子や塩素原子や臭素原子などのハロゲン原子、ヒドロキシル基、アミノ基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシル基、アリールカルボニル基、ヘテロアリールカルボニル基、アルキル基、アラルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルケニル基、アルキニル基、メタロセニル基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、アシルオキシ基、アルキルチオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロアリールチオ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、ヘテロアリールアミノ基、アルキルカルボニルアミノ基、アリールカルボニルアミノ基、メタロセニル基、フェニル基、フタロイミド基あるいはバルビツール酸基を有する基から選択され、
中心金属Ｍｅは、Ａｌ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｙから選択される。
【請求項４】
前記金属錯体多量体は下記式（３）または（４）で表されることを特徴とする請求項１または２に記載の追記型情報記録媒体。
【化６】
0004427582.tif 000100
【化７】
0004427582.tif 000101
但し、式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４は、各々、水素原子、フッ素原子や塩素原子や臭素原子などのハロゲン原子、ヒドロキシル基、アミノ基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシル基、アリールカルボニル基、ヘテロアリールカルボニル基、アルキル基、アラルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルケニル基、アルキニル基、メタロセニル基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、アシルオキシ基、アルキルチオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロアリールチオ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、ヘテロアリールアミノ基、アルキルカルボニルアミノ基、アリールカルボニルアミノ基、メタロセニル基、フェニル基、フタロイミド基、あるいはバルビツール酸基を有する基から選択され、
ｎは２ないし６である。
中心金属Ｍｅは、Ａｌ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｙから選択される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば青色レーザ光等のような短波長レーザ光による情報の記録再生を可能とした追記型情報記録媒体及びその再生を行うディスク装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
周知のように、近年では、パーソナルコンピュータ等の普及に伴なって、デジタルデータを蓄積するメディアの重要性が高まっている。例えば、現在では、長時間の映像情報及び音声情報等をデジタル記録再生可能な情報記録媒体が普及している。また、携帯電話等のモバイル機器にも、デジタル記録再生用の情報記録媒体が使用されてきている。
【０００３】
ここで、この種の情報記録媒体としては、情報の記録容量が大きく、所望の記録情報を迅速に検索し得る高いランダムアクセス性能を有し、しかも、小型軽量で保存性及び可搬性に優れ、かつ、経済的にも安価である等の理由により、ディスク形状のものが多く利用されている。
【０００４】
そして、このようなディスク形状の情報記録媒体として、現状では、レーザ光を照射することにより非接触で情報の記録及び再生が可能な、いわゆる光ディスクが主流となっている。この光ディスクは、主として、ＣＤ（Ｃｏｍｐａｃｔ  Ｄｉｓｋ）規格またはＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｋ）規格に準拠しており、両規格間で互換性も備えられている。
【０００５】
光ディスクには、ＣＤ−ＤＡ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ａｕｄｉｏ）、ＣＤ−ＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）、ＤＶＤ−Ｖ（Ｖｉｄｅｏ）、ＤＶＤ−ＲＯＭ等のように情報の記録ができない再生専用型と、ＣＤ−Ｒ（Ｒｅｃｏｒｄａｂｌｅ）、ＤＶＤ−Ｒ等のように１回だけ情報の書き込みができる追記（ライトワンス）型と、ＣＤ−ＲＷ（ＲｅＷｒｉｔａｂｌｅ）、ＤＶＤ−ＲＷ等のように何回でも情報の書き替えができるリライタブル型との３種類がある。
【０００６】
このうち、記録が可能なものとしては、製造コストが低いことから、記録層に有機色素を用いた追記型光ディスクが最も普及している。これは、情報の記録容量が７００ＭＢ（Ｍｅｇａ  Ｂｙｔｅｓ）を超えると、記録情報を消去して新たな情報に書き替えるという用途がほとんどなく、事実上１回だけ記録することができれば十分であるからである。
【０００７】
情報の大容量化に伴い、光ディスクにも大容量化と高転送レート化が求められている。現在市場に出ている光ディスクにはＣＤやＤＶＤなどがあるが、これらも記録可能な光ディスクにおける記録時間短縮という市場の要求に応えるため、例えばＣＤ−Ｒでは４８倍速、ＤＶＤ−Ｒでは１６倍速といったように高転送レート化されてきた。
【０００８】
ここで、更なる光ディスクの大容量化を行うために、ＨＤ  ＤＶＤという種類の光ディスクが開発されている。データ容量は、ＨＤ  ＤＶＤ−ＲＯＭやＲでは片面１５ＧＢと、今までのＤＶＤの４．７ＧＢと比較して３倍以上の大容量化を実現している。このようなＨＤ  ＤＶＤ−Ｒの記録層には、有機色素材料が使用されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００９】
しかしながら、このＨＤ  ＤＶＤではまだ標準速でしか記録を行うことができていない。
【００１０】
標準速で記録が可能なＨＤ  ＤＶＤ−Ｒディスクに高線速で記録を行うことを試みると、例え２倍速でも記録信号特性がかなり劣化するという問題があり、現状の記録層の特性では、高線速記録を行うことは困難であった。
【特許文献１】特開２００３−３０８６３０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は、高線速でも良好な情報記録再生を行うことが可能な情報記録媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の追記型情報記録媒体は、同心円またはスパイラル形状のグルーブ及びランドが形成された透明樹脂基板と、前記透明樹脂基板の前記グルーブ及び前記ランド上に形成された記録膜を備え、
前記記録膜は、中心金属１つに対して下記式（１）で表される構成単位が２つ配置された構造を持つ金属錯体単体と、中心金属１つに対して下記式（２）で表される構成単位が２つ配置された構造を持つ金属錯体多量体とを含有する有機色素層を含み、
前記有機色素層は、短波長レーザ光の照射によって記録マークが形成され、短波長レーザ光の照射前の光反射率よりも、前記短波長レーザ光の照射により形成される記録マーク部分の光反射率の方が高く、
前記グルーブが所定の振幅範囲内でウォブルしていることを特徴とする。
【化８】
0004427582.tif 000002
但し、式中、環Ｃは、水素または置換基を有する炭化水素環、あるいは水素または置換基を有する複素環で表され、
中心金属は、Ａｌ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｙから選択され、
置換基Ｘは、水素原子、フッ素原子や塩素原子や臭素原子などのハロゲン原子、ヒドロキシル基、アミノ基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシル基、アリールカルボニル基、ヘテロアリールカルボニル基、アルキル基、アラルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルケニル基、アルキニル基、メタロセニル基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、アシルオキシ基、アルキルチオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロアリールチオ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、ヘテロアリールアミノ基、アルキルカルボニルアミノ基、アリールカルボニルアミノ基、メタロセニル基、フェニル基、フタロイミド基、あるいはバルビツール酸基を有する基から選択され、
置換基Ｙは、−ＳＨ，−ＳＯ２Ｈ，−ＳＯ３Ｈ，−ＮＨ２，−ＮＨＲ，−ＯＨ，−ＣＯＯＨ，−Ｂ（ＯＨ）２，−ＰＯ（ＯＨ）２，−ＮＨＣＯＨ，−ＮＨＣＯＲ，ＮＨＳＯＲ等の活性水素を有する基で表され、
Ｒ３，Ｒ４，及びＲ５は、各々、水素原子、フッ素原子や塩素原子や臭素原子などのハロゲン原子、ヒドロキシル基、アミノ基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシル基、アリールカルボニル基、ヘテロアリールカルボニル基、アルキル基、アラルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルケニル基、アルキニル基、メタロセニル基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、アシルオキシ基、アルキルチオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロアリールチオ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、ヘテロアリールアミノ基、アルキルカルボニルアミノ基、アリールカルボニルアミノ基、メタロセニル基、フェニル基、フタロイミド基及びバルビツール酸基を有する基から選択される。
【化９】
0004427582.tif 000003
但し、式中、環Ｃは、水素または置換基を有する炭化水素環、あるいは水素または置換基を有する複素環で表され、
中心金属は、Ａｌ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｙから選択され、
Ｒ１は、水素原子、フッ素原子や塩素原子や臭素原子などのハロゲン原子、ヒドロキシル基、アミノ基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシル基、アリールカルボニル基、ヘテロアリールカルボニル基、アルキル基、アラルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルケニル基、アルキニル基、メタロセニル基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、アシルオキシ基、アルキルチオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロアリールチオ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、ヘテロアリールアミノ基、アルキルカルボニルアミノ基、アリールカルボニルアミノ基、メタロセニル基、フェニル基、フタロイミド基、あるいはバルビツール酸基を有する基から選択され、
置換基Ｙは、−ＳＨ，−ＳＯ２Ｈ，−ＳＯ３Ｈ，−ＮＨ２，−ＮＨＲ，−ＯＨ，−ＣＯＯＨ，−Ｂ（ＯＨ）２，−ＰＯ（ＯＨ）２，−ＮＨＣＯＨ，−ＮＨＣＯＲ，ＮＨＳＯＲ等の活性水素を有する基で表される。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の追記型情報記録媒体を用いると、高線速でも良好な情報記録再生を行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
本発明の追記型情報記録媒体は、同心円またはスパイラル形状のグルーブ及びランドが形成された透明樹脂基板と、
透明樹脂基板のグルーブ及びランド上に形成された有機色素層、及び有機色素層上に設けられた反射層を有する記録膜とを備え、
記録膜は、短波長レーザ光の照射によって記録マークが形成され、短波長レーザ光の照射前の光反射率よりも、短波長レーザ光の照射により形成される記録マーク部分の光反射率の方が高く、グルーブが所定の振幅範囲内でウォブルしている。
【００１５】
記録膜としては、有機色素層と反射層の組合せを２層、３層、またはそれ以上形成することができる。
【００１６】
本発明の他の実施態様にかかる追記型情報記録媒体は、このような多層積層された記録膜を有するもので、同心円またはスパイラル形状のグルーブ及びランドが形成された透明樹脂基板と、透明樹脂基板のグルーブ及びランド上に形成された第１の記録膜と、第１の記録膜上に設けられ、上記形状のグルーブ及びランドが形成された透明樹脂材料からなる中間層と、中間層のグルーブ及びランド上に形成された第２の記録膜とを備え、
第１の記録膜及び第２の記録膜のうち少なくとも１つは金属錯体単体と金属錯体多量体とを含有する有機色素層を含み、
第１及び第２の記録膜は、短波長レーザ光の照射によって記録マークが形成され、
第１及び第２の記録膜は、前記短波長レーザ光の照射前の光反射率よりも、前記短波長レーザ光の照射により形成される前記記録マーク部分の光反射率の方が高く、
グルーブが所定の振幅範囲内でウォブルしている。
【００１７】
以下、図面を参照し、本発明をより詳細に説明する。
【００１８】
図１に、本発明の追記型情報記録媒体の一例を構造を表す断面図を示す。
【００１９】
追記型光ディスク２２８は、厚みが０．６ｍｍのポリカーボネートからなり、ランド、グループパターンを有する透明なディスク基板２２０上に、有機色素層２４、及びＧａ（ガリウム）を１％、銅を１％含む銀合金層２２５、及び紫外線硬化型樹脂層２６が順に積層され、さらに紫外線硬化型樹脂層２２６上に厚みが０．６ｍｍのポリカーボネートからなるディスク基板２２７を設けた構造を有する。
【００２０】
図２に、本発明に係る追記型情報記録媒体の一例の断面構造を表す模式図を示す。
【００２１】
図示するように、２層追記型情報記録媒体１１０は、同心円またはスパイラル形状のグルーブ及びランドが形成された透明樹脂からなる第１の基板４１上に、第１の基板４１のグルーブ５３及びランド５４上に形成された第１の記録膜５１と、同心円またはスパイラル形状のグルーブ５３及びランド５４が形成された例えば紫外線硬化性樹脂等の透明樹脂材料からなる中間層４４と、中間層４４のグルーブ５３及びランド５４上に形成された第２の記録膜５２とを備えている。
【００２２】
上記第１の記録膜５１は、透明樹脂基板４１のグルーブ５３及びランド５４上に設けられた例えば第１の有機色素層４２と、第１の有機色素層４２上に形成された例えば銀合金等からなる半透明層４３とを備えている。また、上記第２の記録層５２は、例えば中間層４４上に設けられた第２の有機色素層４５と、例えば銀合金等からなる反射層４６とを備えている。
【００２３】
第１の有機色素層、及び第２の有機色素層には、各々、金属錯体単体と金属錯体多量体の混合物が使用されている。
【００２４】
また、銀合金反射層４６上には、接着剤層４７を介して、例えば透明樹脂からなる第２の基板４８が設けられている。
【００２５】
次に、本発明にかかる単層追記型情報記録媒体の製法について記述する。
【００２６】
予め、グルーブ及びランドパターンを有するディスクスタンパ１９を形成しておく。
【００２７】
図３（ａ）に示すように、ディスクスタンパ２１９を用いて、住友重機械工業製射出成形装置ＳＤ４０にて射出成形することにより、図３（ｂ）に示すように、厚みが０．６ｍｍのポリカーボネートでなる透明なディスク基板２２０を複製する。このディスク基板２２０には、当然のことながら、グルーブ２２１が形成されている。
【００２８】
その後、図３（ｃ）に示すように、２１Ｇのノズル径を有するディスペンサ２２２を用いて、有機色素を溶媒に溶かした後述する有機色素溶液２２３を、ディスク基板２２０のグルーブ２２１が形成されている面に垂らす。次に、ディスク基板２０を回転制御することによって、図３（ｄ）に示すように、有機色素溶液２２３がグルーブ２２１を充填して記録膜２２４が形成される。
【００２９】
この記録膜２２４のスピンコート条件は、まず、ディスク基板２２０を停止状態から１秒間で３００ｒｐｍまで回転駆動させ、この状態で８秒間保持する間に、ディスペンサ２２２により有機色素溶液２２３を塗布する。次に、ディスク基板２２０の回転数を２秒間で１８００ｒｐｍまで高め、この状態で１５秒間保持する。その後、ディスク基板２２０の回転数を２秒間で３０００ｒｐｍまで高め、この状態で３秒間保持する。
【００３０】
第２段階における回転数を制御することにより、記録膜２２４の膜厚を制御することができる。すなわち、第２段階での回転数を低速にすれば、記録膜２２４の膜厚を厚くすることができる。
【００３１】
次に、記録膜２２４の塗布されたディスク基板２２０をクリーンオーブンにて８０℃で３０分間ベーキングし、図３（ｅ）に示すように、記録膜２２４上に、１００ｎｍの金属膜２２５をスパッタリングする。この金属膜２２５としては、Ｇａ（ガリウム）を１％、Ｃｕを１％含むＡｇ合金が使用されるが、純銀でも使用可能であり、ＡｇＢｉ合金も使用可能である。
【００３２】
その後、図３（ｆ）に示すように、金属膜２２５上に、紫外線硬化型樹脂２６をスピン塗布し、厚みが０．６ｍｍのポリカーボネートでなるディスク基板２２７を貼り付けることにより、有機色素を記録膜２２４に含む追記型光ディスク（Ｒディスク）２２８が作成されることになる。
【００３３】
次に、本発明の２層追記型情報記録媒体の製法について記述する。
【００３４】
図４に、上記２層追記型情報記録媒体の一例の製造方法の流れを表す模式図を示す。
【００３５】
図中、１００ないし１１１は、各々、上記２層追記型情報記録媒体の一例の製造工程を説明するためのモデル図である。
【００３６】
まず、１００で表される工程では、第１の記録膜（Ｌ０）５１を形成するために、マスタリング工程により得たＬ０用Ｎｉスタンパーを射出成形して得たＬ０用ポリカーボネート基板４１を用意する。この基板４１の上に、１０１に示すように、Ｌ０用有機色素材料４２’を適用し、１０２に示すように、スピン塗布して、乾燥し、第１の有機色素層４２を得る。
【００３７】
次に、１０３で表される工程では、例えば銀合金などをスパッタリングすることにより、半透明層４３を形成し、基板４１上に、第１の記録膜（Ｌ０）５１として、第１の有機色素層４２、及び半透明層４３の積層体を得る。
【００３８】
一方、マスタリング工程により得た第２の記録膜（Ｌ１）用Ｎｉスタンパー（マザースタンパー）を射出成形し、これを用いて、Ｌ１用ポリカーボネート基板４８を用意する。
【００３９】
上記１０３で表される工程で得られた積層体の半透明層４３上に、１０４に示すように、紫外線硬化性樹脂４４’を適用して、スピン塗布し、紫外線硬化性樹脂層４４を形成する。
【００４０】
続いて、紫外線硬化性樹脂層４４の上に、１０５に示すように、Ｌ１用ポリカーボネート基板４８を押圧して、紫外線を照射することにより、一時的に貼りあわせる。なお、紫外線硬化性樹脂４４’の厚みは均一になるようにスピン条件は調整される。
【００４１】
その後、１０６に示すように、硬化された紫外線硬化性樹脂層４４からＬ１用ポリカーボネート基板４８を剥離する。
【００４２】
次に、１０７に示すように、紫外線硬化性樹脂層４４表面にＬ１用有機色素材料４５’を適用してスピン塗布し、乾燥させることにより、１０８に示すように、第２の有機色素層４５を形成する。
【００４３】
さらに、１０９に示すように、例えば銀合金等をスパッタリングして、反射層４６を形成し、第２の有機色素層４５と反射層４６の積層体を含む第２の記録膜（Ｌ１）を得る。
【００４４】
その後、１１０に示すように、反射層４６上に接着剤４７’を適用して、さらに、例えば１０６で表される工程で、Ｌ２転写用スタンパーとして射出形性されたポリカーボネート基板４９を利用して、接着剤層４７を介して貼り合わせることで、上記１１０で表される構成を有する２層追記型情報記録媒体が得られる。
【００４５】
また、図５に、本発明に係る追記型情報記録媒体の他の一例の断面構造を表す模式図を示す。
【００４６】
図示するように、この３層追記型情報記録媒体は、モデル図１１７で表され、第２の基板４８の代わりに第２の基板４９が用いられ、銀合金反射層４６と、接着剤層４７及び第２の基板４９との間に、第２の中間層６１と、第３の有機色素層６２及び例えば銀合金等からなる反射層６３を備える第３の記録層６０とがさらに設けられていること以外は図１と同様の構成を有する。
【００４７】
図６及び図７に、図５に示す３層追記型情報記録媒体１１７の製造方法の流れを表す模式図を示す。
【００４８】
図中、１００ないし１０９及び１１２ないし１１７は、上記３層追記型情報記録媒体の一例の製造工程を説明するためのモデル図である。
【００４９】
図示するように、３層追記型情報記録媒体の製造工程は、モデル図１００ないし１０９で表される工程までは、図４に示す製造工程と同様である。その後、反射層４６上に接着剤を適用する代わりに、紫外線硬化性樹脂６１’を適用し、Ｌ２転写用スタンパーとして射出成形されたＬ２用ポリカーボネート基板４９を利用し、１１２に示すように紫外線硬化性樹脂６１’上に押圧して、紫外線を照射することにより、一時的に貼りあわせる。なお、紫外線硬化性樹脂６１’の厚みは均一になるようにスピン条件は調整される。
【００５０】
その後、１１２に示すように、硬化された紫外線硬化性樹脂層６１からＬ２用ポリカーボネート基板４９を剥離する。
【００５１】
次に、１１３に示すように、紫外線硬化性樹脂層６１表面にＬ２用有機色素材料６２’を適用してスピン塗布し、乾燥させることにより、１１４に示すように、第２の有機色素層６２を形成する。
【００５２】
さらに、１１５に示すように、例えば銀合金等をスパッタリングして、反射層６３を形成し、第３の有機色素層６２と反射層６３の積層体を含む第３の記録膜（Ｌ２）を得る。
【００５３】
その後、１１６に示すように、反射層６３上に接着剤４７’を適用して、さらに、例えば１１２で表される工程で、Ｌ２転写用スタンパーとして成形されたポリカーボネート基板４９を利用して、接着剤層４７を介して貼り合わせることで、１１７で表される構成を有する３層追記型情報記録媒体が得られる。
【００５４】
本発明では、有機色素層に使用される有機色素化合物は、金属錯体単体と金属錯体多量体との混合物である。
【００５５】
本発明の一態様において、金属錯体単体として、中心金属１つに対し、下記式（１）で表される構成単位が２つ配置された構造を有する有機色素化合物を使用することが出来る。
【化６】
0004427582.tif 000004
【００５６】
上記のアゾ金属錯体単体の配位子を構成するフタルイミドのＮの先に付加する置換基（Ｘ）は、例えば水素原子、フッ素原子や塩素原子や臭素原子などのハロゲン原子、ヒドロキシル基、アミノ基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシル基、アリールカルボニル基、ヘテロアリールカルボニル基、アルキル基、アラルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルケニル基、アルキニル基、メタロセニル基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、アシルオキシ基、アルキルチオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロアリールチオ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、ヘテロアリールアミノ基、アルキルカルボニルアミノ基、アリールカルボニルアミノ基、メタロセニル基、フェニル基、フタロイミド基、あるいはバルビツール酸基を有する基があげられる。
【００５７】
上記のアゾ金属錯体単体の配位子をもう一方を構成するフタルイミドに付加する３つの置換基（Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５）は、互いに同じ基でも良く、互いに異なる基でも良い。例えば水素原子、フッ素原子や塩素原子や臭素原子などのハロゲン原子、ヒドロキシル基、アミノ基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシル基、アリールカルボニル基、ヘテロアリールカルボニル基、アルキル基、アラルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルケニル基、アルキニル基、メタロセニル基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、アシルオキシ基、アルキルチオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロアリールチオ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、ヘテロアリールアミノ基、アルキルカルボニルアミノ基、アリールカルボニルアミノ基、メタロセニル基、フェニル基、フタロイミド基あるいはバルビツール酸基を有する基があげられる。
【００５８】
Ｙとしては、活性水素を有する基を使用することが出来る
具体例としては、例えば−ＳＨ，  −ＳＯ２Ｈ，  −ＳＯ３Ｈ，  −ＮＨ２，  −ＮＨＲ，  −ＯＨ，  −ＣＯＯＨ，  −Ｂ（ＯＨ）２，  −ＰＯ（ＯＨ）２，  −ＮＨＣＯＨ，  −ＮＨＣＯＲ，  ＮＨＳＯＲ等の活性水素を有する基があげられる。本発明の一態様によれば、−ＮＨ，  −ＮＨＲ，  −ＯＨを使用することが出来る。ここで、Ｒとしてはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基などのアルキル基またはフェニル基を表し、これらはフッ素原子、塩素原子、臭素原子などのハロゲン基で置換されていても良い。
【００５９】
中心金属としては、例えばＭｇ、Ａｌ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｈｆ、Ｏｓ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｙがあげられる。本発明の一態様によれば、例えばＮｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｙを使用することが出来る。本発明の更なる態様によれば、Ｃｕを用いることが出来る。
【００６０】
式（１）で表される２つの構成単位は、互いに同じ構造（対称配位子構造、ホモ錯体構造）であってもよいし、違う構造（非対称配位子構造、ヘテロ錯体構造）であっても良い。
【００６１】
環Ｃは、置換基を有してもよい炭化水素環あるいは置換基を有してもよい複素環を表す。
【００６２】
環Ｃとして、例えば下記一般式（Ｃ−１）から（Ｃ−８）で表される置換基を用いることが出来る。
【化７】
0004427582.tif 000005
【００６３】
【化８】
0004427582.tif 000006
【００６４】
【化９】
0004427582.tif 000007
【００６５】
【化１０】
0004427582.tif 000008
【００６６】
【化１１】
0004427582.tif 000009
【００６７】
【化１２】
0004427582.tif 000010
【００６８】
【化１３】
0004427582.tif 000011
【００６９】
【化１４】
0004427582.tif 000012
【００７０】
ここでＲ６〜Ｒ２３は、互いに同じ基でも良く、互いに異なる基でも良い。例えば水素原子、フッ素原子や塩素原子や臭素原子などのハロゲン原子、ヒドロキシル基、アミノ基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシル基、アリールカルボニル基、ヘテロアリールカルボニル基、アルキル基、アラルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルケニル基、アルキニル基、メタロセニル基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、アシルオキシ基、アルキルチオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロアリールチオ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、ヘテロアリールアミノ基、アルキルカルボニルアミノ基、アリールカルボニルアミノ基、メタロセニル基、フェニル基、フタロイミド基あるいはバルビツール酸基をあげることができる。
【００７１】
また、本発明の一態様によれば、下記式（１）で表される金属錯体単体の一例として、下記式（１−０）で表される有機色素化合物があげられる。
【化１５】
0004427582.tif 000013
【００７２】
上記のアゾ金属錯体単体の配位子を構成するフタルイミドのＮの先に付加する置換基（Ｒ６）としては、例えば水素原子、フッ素原子や塩素原子や臭素原子などのハロゲン原子、ヒドロキシル基、アミノ基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシル基、アリールカルボニル基、ヘテロアリールカルボニル基、アルキル基、アラルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルケニル基、アルキニル基、メタロセニル基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、アシルオキシ基、アルキルチオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロアリールチオ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、ヘテロアリールアミノ基、アルキルカルボニルアミノ基、アリールカルボニルアミノ基、メタロセニル基、フェニル基、フタロイミド基、あるいはバルビツール酸基を有する基をあげることができる。
【００７３】
また、上記のアゾ金属錯体単体の配位子をもう一方を構成するバルビツール酸のＮの先に付加する二つの置換基（Ｒ５）は、互いに同じ基でも良く、互いに異なる基でも良い。例えば水素原子、フッ素原子や塩素原子や臭素原子などのハロゲン原子、ヒドロキシル基、アミノ基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシル基、アリールカルボニル基、ヘテロアリールカルボニル基、アルキル基、アラルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルケニル基、アルキニル基、メタロセニル基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、アシルオキシ基、アルキルチオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロアリールチオ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、ヘテロアリールアミノ基、アルキルカルボニルアミノ基、アリールカルボニルアミノ基、メタロセニル基、フェニル基、フタロイミド基あるいはバルビツール酸基を有する基があげられる。
【００７４】
中心金属としては、例えばＭｇ、Ａｌ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｈｆ、Ｏｓ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｙがあげられる。本発明の一態様によれば、中心金属としてＮｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｙが使用でき、更なる態様によれば、Ｃｕが使用できる。
【００７５】
式（１−０）は、中心金属１つに対して２つの構成単位を有している。これら構成単位は、互いに同じ構造（対称配位子構造、ホモ錯体構造）であってもよいし、違う構造（非対称配位子構造、ヘテロ錯体構造）であっても良い。
【００７６】
下記式（１−０）で表される有機色素化合物の例を、例えば下記式（１−１）、式（１−２）、式（１−３）、式（１−４）、及び式（１−５）に示す。
【化１６】
0004427582.tif 000014
【００７７】
【化１７】
0004427582.tif 000015
【００７８】
【化１８】
0004427582.tif 000016
【００７９】
【化１９】
0004427582.tif 000017
【００８０】
【化２０】
0004427582.tif 000018
【００８１】
また、下記式（１）で表される金属錯体単体の他の一例として、例えば下記式（２−１）、式（２−２）、式（２−３）、式（２−４）、及び式（２−５）で表される有機色素化合物があげられる。
【化２１】
0004427582.tif 000019
【００８２】
【化２２】
0004427582.tif 000020
【００８３】
【化２３】
0004427582.tif 000021
【００８４】
【化２４】
0004427582.tif 000022
【００８５】
【化２５】
0004427582.tif 000023
【００８６】
本発明の一態様において、金属錯体多量体として、下記式（２）で表される有機色素化合物を使用することが出来る。
【化２６】
0004427582.tif 000024
【００８７】
上記のアゾ金属錯体多量体の配位子を構成するフタルイミドのＮの先に付加する置換基（Ｒ１）としては、例えば水素原子、フッ素原子や塩素原子や臭素原子などのハロゲン原子、ヒドロキシル基、アミノ基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシル基、アリールカルボニル基、ヘテロアリールカルボニル基、アルキル基、アラルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルケニル基、アルキニル基、メタロセニル基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、アシルオキシ基、アルキルチオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロアリールチオ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、ヘテロアリールアミノ基、アルキルカルボニルアミノ基、アリールカルボニルアミノ基、メタロセニル基、フェニル基、フタロイミド基、あるいはバルビツール酸基を有する基をあげることができる。
【００８８】
上記のアゾ金属錯体多量体の配位子を一方を構成するフタルイミドに付加する３つの置換基（Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４）は、互いに同じ基でも良く、互いに異なる基でも良い。例えば水素原子、フッ素原子や塩素原子や臭素原子などのハロゲン原子、ヒドロキシル基、アミノ基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシル基、アリールカルボニル基、ヘテロアリールカルボニル基、アルキル基、アラルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルケニル基、アルキニル基、メタロセニル基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、アシルオキシ基、アルキルチオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロアリールチオ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、ヘテロアリールアミノ基、アルキルカルボニルアミノ基、アリールカルボニルアミノ基、メタロセニル基、フェニル基、フタロイミド基あるいはバルビツール酸基を有する基をあげることができる。
【００８９】
Ｙは活性水素を有する基を表す。
【００９０】
具体例としては、例えば−ＳＨ，  −ＳＯ２Ｈ，  −ＳＯ３Ｈ，  −ＮＨ２，  −ＮＨＲ，  −ＯＨ，  −ＣＯＯＨ，  −Ｂ（ＯＨ）２，  −ＰＯ（ＯＨ）２，  −ＮＨＣＯＨ，  −ＮＨＣＯＲ，  ＮＨＳＯＲ等の活性水素を有する基があるが、好ましくは−ＮＨ，  −ＮＨＲ，  −ＯＨである。Ｒとしてはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基などのアルキル基またはフェニル基を表し、これらはフッ素原子、塩素原子、臭素原子などのハロゲン基で置換されていても良い。
【００９１】
中心金属としてはＭｇ、Ａｌ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｈｆ、Ｏｓ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｙなどであり、好ましくは、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｙであり、さらに好ましくはＣｕである。
【００９２】
なお、中心金属ｎ個に対して式（２）はｎ個である。つまり、式（２）はｎ量体を表すので、ｎが２であれば中心金属は２個で構成される。ｎが３であれば中心金属は３個で構成される。ｎが４であれば中心金属は４個で構成される。ｎが５であれば中心金属は５個で構成される。ｎが６であれば中心金属は６個で構成される。
【００９３】
環Ｃは、置換基を有してもよい炭化水素環あるいは置換基を有してもよい複素環を表す。
【００９４】
環Ｃとして、例えば上記一般式（Ｃ−１）から（Ｃ−８）を用いることが出来る。
【００９５】
ｎは２ないし６である。
【００９６】
また、本発明のさらなる態様によれば、式（２）で表される有機色素化合物の例として、下記式（３）および（４）で表される有機色素化合物があげられる。
【化２７】
0004427582.tif 000025
【００９７】
上記のアゾ金属錯体多量体の配位子を構成するフタルイミドのＮの先に付加する置換基（Ｒ１）としては、例えば水素原子、フッ素原子や塩素原子や臭素原子などのハロゲン原子、ヒドロキシル基、アミノ基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシル基、アリールカルボニル基、ヘテロアリールカルボニル基、アルキル基、アラルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルケニル基、アルキニル基、メタロセニル基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、アシルオキシ基、アルキルチオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロアリールチオ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、ヘテロアリールアミノ基、アルキルカルボニルアミノ基、アリールカルボニルアミノ基、メタロセニル基、フェニル基、フタロイミド基、あるいはバルビツール酸基を有する基があげられる。
【００９８】
上記のアゾ金属錯体多量体の配位子をもう一方を構成するバルビツール酸のＮの先に付加する１つの置換基（Ｒ４）及び置換基（Ｒ３、Ｒ４）は、互いに同じ基でも良く、互いに異なる基でも良い。例えば水素原子、フッ素原子や塩素原子や臭素原子などのハロゲン原子、ヒドロキシル基、アミノ基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシル基、アリールカルボニル基、ヘテロアリールカルボニル基、アルキル基、アラルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルケニル基、アルキニル基、メタロセニル基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、アシルオキシ基、アルキルチオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロアリールチオ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、ヘテロアリールアミノ基、アルキルカルボニルアミノ基、アリールカルボニルアミノ基、メタロセニル基、フェニル基、フタロイミド基あるいはバルビツール酸基を有する基をあげることができる。
【００９９】
中心金属としては、例えばＭｇ、Ａｌ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｈｆ、Ｏｓ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｙを用いることが出来る。本発明の一態様によれば、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｙを用いることが出来る。本発明の更なる態様によれば、Ｃｕを用いることが出来る。
【０１００】
多量体を示す数ｎは２〜６にすることができる。
【化２８】
0004427582.tif 000026
【０１０１】
上記のアゾ金属錯体多量体の配位子を構成するフタルイミドのＮの先に付加する置換基（Ｒ１）としては、例えば水素原子、フッ素原子や塩素原子や臭素原子などのハロゲン原子、ヒドロキシル基、アミノ基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシル基、アリールカルボニル基、ヘテロアリールカルボニル基、アルキル基、アラルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルケニル基、アルキニル基、メタロセニル基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、アシルオキシ基、アルキルチオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロアリールチオ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、ヘテロアリールアミノ基、アルキルカルボニルアミノ基、アリールカルボニルアミノ基、メタロセニル基、フェニル基、フタロイミド基、あるいはバルビツール酸基をあげることが出来る。
【０１０２】
上記のアゾ金属錯体多量体の配位子をもう一方を構成するバルビツール酸のＮの先に付加する２つの置換基（Ｒ２、Ｒ４）は、互いに同じ基でも良く、互いに異なる基でも良い。例えば水素原子、フッ素原子や塩素原子や臭素原子などのハロゲン原子、ヒドロキシル基、アミノ基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシル基、アリールカルボニル基、ヘテロアリールカルボニル基、アルキル基、アラルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルケニル基、アルキニル基、メタロセニル基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、アシルオキシ基、アルキルチオ基、アラルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロアリールチオ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、ヘテロアリールアミノ基、アルキルカルボニルアミノ基、アリールカルボニルアミノ基、メタロセニル基、フェニル基、フタロイミド基あるいはバルビツール酸基を有する基をあげることができる。
【０１０３】
中心金属としては、例えばＭｇ、Ａｌ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｈｆ、Ｏｓ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｙを用いることができる。本発明の一態様によれば、例えば、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｙを用いることが出来る。本発明の更なる態様によればＣｕを用いることが出来る。
【０１０４】
置換基Ｒ３としては酸素原子あるいは硫黄原子を用いることが出来る。また、多量体を示す数ｎは２〜６のいずれかの数にすることができる。
【０１０５】
上記式（３）であらわされる多量体として例えば下記式（α）で表される有機色素化合物があげられる。
【化２９】
0004427582.tif 000027
【０１０６】
また、その具体例は、下記式（α２）ないし（α６）で表すことが出来る。
【化３０】
0004427582.tif 000028
【０１０７】
【化３１】
0004427582.tif 000029
【０１０８】
【化３２】
0004427582.tif 000030
【０１０９】
【化３３】
0004427582.tif 000031
【０１１０】
【化３４】
0004427582.tif 000032
【０１１１】
上記式（４）であらわされる多量体として例えば下記式（β）で表される有機色素化合物があげられる。
【化３５】
0004427582.tif 000033
【０１１２】
また、その具体例は、下記式（β２）ないし（β６）で表すことが出来る。
【化３６】
0004427582.tif 000034
【０１１３】
【化３７】
0004427582.tif 000035
【０１１４】
【化３８】
0004427582.tif 000036
【０１１５】
【化３９】
0004427582.tif 000037
【０１１６】
【化４０】
0004427582.tif 000038
【０１１７】
本発明においては、紫外線硬化性樹脂として、ポリカーボネート基板から剥離しやすく、かつＡｇ層またはＡｇ合金層には付着する性質を有するものを使用することができる。このような紫外線硬化性樹脂を使用することにより、Ｌ１のランドとグルーブのパターンを紫外線硬化性樹脂層４４に容易に転写することが可能となる。
【０１１８】
上述のような紫外線硬化性樹脂は１種類だけ使用すれば良く、従来の様な真空接着工程を用いることなく、Ｌ１、Ｌ２の成形ができ、接着工程、及びそれに用いられる設備が簡便である。
【０１１９】
また、この紫外線硬化性樹脂を用いると、ポリカーボネート基板からの剥離が容易となるため、基板の反りが発生しにくく、プッシュプル信号変調度が０．２６以上の良好な追記型情報記録媒体が得られる。
【０１２０】
このプッシュプル信号変調度は大きい方が良い。また、反りの大きさ（チルト角）は小さいほうが良い。
【０１２１】
また、本発明の一実施形態に使用され得る紫外線硬化性樹脂は、炭素、水素、窒素、及び酸素を主成分として含有する高分子材料であり、高分子材料中の酸素比率が１１ａｔｍ％以上であることが好ましい。
【０１２２】
炭素、水素、窒素、及び酸素を主成分として含有し、その酸素比率が１１ａｔｍ％以上である紫外線硬化性樹脂は、ポリカーボネート基板から剥離しやすく、かつＡｇ層またはＡｇ合金層には付着する性質を有する傾向がある。より好ましくは、この酸素比率が１１ないし１４ａｔｍ％である。
【０１２３】
ここで、主成分とは、高分子材料を構成する各元素の中で、その原子比が比較的多い元素であって、原子比が一番多い元素、及びそれに準ずる原子比で含まれる元素等をいう。
【０１２４】
本発明に使用される紫外線硬化性樹脂材料は、モノマー、オリゴマー、接着剤、重合開始剤を混合してなる。モノマーやオリゴマー材料は複数種類を混合しても良い。
【０１２５】
モノマー材料としては、下記のようなものが使われる。
【０１２６】
・アクリレート類      
ビスフェノールＡ・エチレンオキサイド変性ジアクリレート（ＢＰＥＤＡ）      
ジペンタエリスリトールヘキサ（ペンタ）アクリレート（ＤＰＥＨＡ）      
ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート（ＤＰＥＨＰＡ）      
ジプロピレングリコールジアクリレート（ＤＰＧＤＡ）      
エトキシレイテドトリメチロールプロパントリアクリレート（ＥＴＭＰＴＡ）      
グリセリンプロポキシトリアクリレート（ＧＰＴＡ）      
４−ヒドロキシブチルアクリレート（ＨＢＡ）      
１，６−ヘキサンジオールジアクリレート（ＨＤＤＡ）      
２−ヒドロキシエチルアクリレート（ＨＥＡ）      
２−ヒドロキシプロピルアクリレート（ＨＰＡ）      
イソボルニルアクリレート（ＩＢＯＡ）      
ポリエチレングリコールジアクリレート（ＰＥＤＡ）      
ペンタエリスリトールトリアクリレート（ＰＥＴＡ）      
テトラヒドロフルフリルアクリレート（ＴＨＦＡ）      
トリメチロールプロパントリアクリレート（ＴＭＰＴＡ）      
トリプロピレングリコールジアクリレート（ＴＰＧＤＡ）      
・メタクリレート類      
テトラエチレングリコールジメタクリルレート（４ＥＤＭＡ）      
アルキルメタクリレート（ＡＫＭＡ）      
アリルメタクリレート（ＡＭＡ）      
１，３−ブチレングリコールジメタクリレート（ＢＤＭＡ）      
ｎ−ブチルメタクリレート（ＢＭＡ）      
ベンジルメタクリレート（ＢＺＭＡ）      
シクロヘキシルメタクリレート（ＣＨＭＡ）      
ジエチレングリコールジメタクリレート（ＤＥＧＤＭＡ）      
２−エチルヘキシルメタクリレート（ＥＨＭＡ）      
グリシジルメタクリレート（ＧＭＡ）      
１，６−ヘキサンジオールジメタクリレート（ＨＤＤＭＡ）      
２−ヒドロキシエチルメタクリレート（２−ＨＥＭＡ）      
イソボルニルメタクリレート（ＩＢＭＡ）      
ラウリルメタクリレート（ＬＭＡ）      
フェノキシエチルメタクリレート（ＰＥＭＡ）      
ｔ−ブチルメタクリレート（ＴＢＭＡ）      
テトラヒドロフルフリルメタクリレート（ＴＨＦＭＡ）      
トリメチロールプロパントリメタクリレート（ＴＭＰＭＡ）      
特に、下記構造式（Ａ１）で表されるトリシクロデカンジメタノールジアクリレート（Ａ−ＤＣＰ）、下記構造式（Ａ２）で表されるイソボルニルアクリレート（ＩＢＯＡ）、下記構造式（Ａ３）で表されるトリプロピレングリコールジアクリレート（ＴＰＧＤＡ）、下記構造式（Ａ４）で表されるジプロピレングリコールジアクリレート（ＤＰＧＤＡ）、下記構造式（Ａ５）で表されるネオペンチルグリコールジアクリレート（ＮＰＤＡ）、下記構造式（Ａ６）で表されるエトキシ化イソシアヌル酸トリアクリレート（ＴＩＴＡ）、下記構造式（Ａ７）で表される２−ヒドロキシプロピルジアクリレート（ＨＰＤＡ）、下記構造式（Ａ８）で表されるアセタールグリコールジアクリレート（ＡＧＤＡ）、下記構造式（Ａ９）で表されるジトリメチロールプロパンテトラアクリレート（ＤＴＴＡ）、下記構造式（Ａ１０）で表されるエトキシ化２モルビスフェノールＡジメチルアクリレート（ＥＯ２ＢＤＭＡ）、下記構造式（Ａ１１）で表されるエトキシ化３モルビスフェノールＡジメチルアクリレート（ＥＯ３ＢＭＡ）などが良好である。
【化４１】
0004427582.tif 000039
【０１２７】
【化４２】
0004427582.tif 000040
【０１２８】
【化４３】
0004427582.tif 000041
【０１２９】
【化４４】
0004427582.tif 000042
【０１３０】
【化４５】
0004427582.tif 000043
【０１３１】
【化４６】
0004427582.tif 000044
【０１３２】
【化４７】
0004427582.tif 000045
【０１３３】
【化４８】
0004427582.tif 000046
【０１３４】
【化４９】
0004427582.tif 000047
【０１３５】
【化５０】
0004427582.tif 000048
【０１３６】
【化５１】
0004427582.tif 000049
【０１３７】
オリゴマー材料としては、例えば下記構造式（Ｂ１）で表されるウレタンアクリレート系材料、たとえば、ポリウレタンジアクリレート（ＰＵＤＡ）や下記構造式（Ｂ２）で表されるポリウレタンヘキサアクリレート（ＰＵＨＡ）、その他、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、フッ化ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ−Ｆ）、ポリカーボネートジアクリエート、フッ化ポリカーボネートメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ−ＰＣ−Ｆ）などが使われる。
【化５２】
0004427582.tif 000050
【０１３８】
【化５３】
0004427582.tif 000051
【０１３９】
接着剤としてはリン酸アクリレート系材料、例えば下記構造式（Ｐ１）、（Ｐ２）、及び（Ｐ３）で表される材料などが使われる。
【化５４】
0004427582.tif 000052
【０１４０】
【化５５】
0004427582.tif 000053
【０１４１】
【化５６】
0004427582.tif 000054
【０１４２】
重合開始剤としては、例えば下記構造式（Ｂ１）で表されるチバガイギー社製  イルガキュア１８４及び下記構造式（Ｂ２）で表されるチバガイギー社製  ダロキュア１１７３などが使われる。
【化５７】
0004427582.tif 000055
【０１４３】
【化５８】
0004427582.tif 000056
【０１４４】
この紫外線硬化性樹脂材料は、Ｌ１色素，Ｌ２色素のぬれ具合に大きく影響をするため、ディスクのＬ１のプッシュプル信号変調度の大きさに大きく影響を与える。
【０１４５】
また、Ｌ０基板の反りの大きさにも影響を与える。
【０１４６】
プッシュプル信号変調度は大きい方が良い。少なくとも０．２６以上が好ましい。反りの大きさ（チルト角）は小さいほうが良い。
【０１４７】
また、下記表Ａに示すモノマー、オリゴマーを使用し、下記表ＢないしＥに示す組み合わせで、モノマー、オリゴマー、添加剤、重合開始剤を混合し、紫外線硬化性樹脂材料サンプル１ないし３６を得た。また、その材料の酸素の含有比率、その材料を使用したときのプッシュプル信号変調度とチルト角を下記表Ｃ及び表Ｅに併せて示す。
【表１】
0004427582.tif 000057
【０１４８】
【表２】
0004427582.tif 000058
【０１４９】
【表３】
0004427582.tif 000059
【０１５０】
【表４】
0004427582.tif 000060
【０１５１】
【表５】
0004427582.tif 000061
【０１５２】
評価指標は、重要なものを選択した。特に重要なのは、Ｌ１のトラッキング誤差信号変調度（プッシュプル信号）である。これの定義は、図８に示した差信号振幅（Ｉ１−Ｉ２）ｐｐを和信号の平均レベル（Ｉ１＋Ｉ２）ＤＣで割った値である。つまり、プッシュプル信号＝（Ｉ１−Ｉ２）ｐｐ／（Ｉ１＋Ｉ２）ＤＣである。この値は０．２６以上が必要である。紫外線硬化性樹脂材料により臨界表面張力が大きく変るため、色素の塗れ具合、溝への埋まり具合が大きく変ることがこの実施実験を通して判明した。このためＬ１のプッシュプル信号が大きく変る。０．２６よりも小さいとＬ１のトラッキング不良を引き起こす場合がある。
【０１５３】
次に、紫外線硬化性樹脂転写後のＬ０基板の反り量に相当する傾き角（ラジアルチルト）である。紫外線硬化性樹脂材料に硬化収縮応力が大きく変り、Ｌ０基板の反りが大きく変ることがこの実験を通して判明した。２．６°以上になると貼りあわせした後のディスクのラジアルチルトを０．７°以下に抑えることができなくなる傾向があるので、完成後の２層ディスクのトラッキング特性、信号特性に影響が出てしまいデータエラー率が悪くなり易い。
【０１５４】
上記種々の紫外線硬化性樹脂のテストの結果、中にはサンプル３４のようにＬ１基板を剥離しようとした際に、剥離できなかったものがあり、ＮＧであった。また、プッシュプル信号が０．２６以上であるがチルトが大きいものもあった。最優良なものは、サンプル２９であった。
【０１５５】
また、表Ｄ及び表Ｅに記載のサンプル３４から明らかなように、酸素含有比率が１４ａｔｍ％を超えると、ポリカーボネート基板を紫外線硬化性樹脂層から剥離できない傾向がある。またはチルト角が３°以上になり、貼り合せ不良が生じてしまう。
【０１５６】
よって、酸素含有比率が１１ａｔｍ％以上、好ましくは１１ａｔｍ％ないし１４ａｔｍ％となる紫外線硬化性樹脂を選択することにより、より良好なディスクが得られることがわかる。
【０１５７】
この実施の形態で説明する追記型情報記録媒体は、例えばポリカーボネート等の合成樹脂材料で円盤状に形成された透明樹脂基板を備えている。この透明樹脂基板には、同心円状またはスパイラル状にグルーブが形成されている。この透明樹脂基板は、スタンパを用いて射出成形により製造することができる。
【０１５８】
そして、この透明樹脂基板上に、そのグルーブを充填するように、有機色素を含む記録膜を形成する。
【０１５９】
図８は、上記追記型情報記録媒体を再生するためのディスク装置の概略構成を示すブロック図である。
【０１６０】
図８に示すように、追記型情報記録媒体Ｄは例えば図５に示した片面３層追記型情報記録媒体である。光源には短波長の半導体レーザ光源１２０が用いられる。その出射光の波長は、例えば４００ｎｍ〜４１０ｎｍの範囲の紫色波長帯のものである。半導体レーザ光源１２０からの出射光１００は、コリメートレンズ１２１により平行光となり偏光ビームスプリッタ１２２、λ／４板１２３を透過して、対物レンズ１２４に入射される。その後、追記型情報記録媒体Ｄの基板を透過し各情報記録層に集光されるようになっている。追記型情報記録媒体Ｄの情報記録層による反射光１０１は、再び追記型情報記録媒体Ｄの基板を透過し、対物レンズ１２４、λ／４  板１２３を透過し、偏光ビームスプリッタ１２２で反射された後、集光レンズ１２５を透過して光検出器１２６に入射される。
【０１６１】
光検出器１２７の受光部は、通常複数に分割されておりそれぞれの受光部から光強度に応じた電流を出カする。出力された電流は、図示しない１／Ｖアンプ（電流電圧変換）により電圧に変換された後、演算回路１４０に入力される。入力された電圧信号は、演算回路１４０によりチルト誤差信号及びＨＦ  信号及びフオーカス誤差信号及びトラック誤差信号などに演算処理される。チルト誤差信号はチルト制御を行うためのものであり、ＨＦ  信号は追記型情報記録媒体Ｄに記録された情報を再生するためのものであり、フォーカス誤差信号はフォーカス制御を行うためのものであり、またトラック誤差信号はトラッキング制御を行うためのものである。
【０１６２】
対物レンズ１２４はアクチュエータ１２８にて上下方向、ディスクラジアル方向、およびチルト方向（ラジアル方向または／およびタンジェンシャル方向）に駆動可能であり、サーボドライバ１５０によって追記型情報記録媒体Ｄ上の情報トラックに追従するように制御される。なおチルト方向には２種類ある。追記型情報記録媒体の中心に向かってディスク面が傾くことで生じる「ラジアルチルト」と、トラックの接線方向に生じる「タンジェンシャルチルト」とがあるこのうちディスクの反りで一般に生じるのはラジアルチルトである。単にディスク製造時に生じるチルトだけではなく、経年変化や使用環境の急変で生じるチルトも考慮する必要がある。
【０１６３】
ここで、上記のように作成された追記型情報記録媒体としてのＨＤ  ＤＶＤ−Ｒディスクは、図８に示すように、ディスク基板２０の記録膜２４が塗布されている面と反対側の面から、光ヘッド２９による記録再生用のレーザ光が入射される。
【０１６４】
この場合、ディスク基板２０に形成されたグルーブ２１の底面２１ａと、隣接するグルーブ２１間に挟まれたランド３０とが、情報の記録トラックとなる。そして、グルーブ２１の底面２１ａが構成する記録トラックをグルーブトラックＧｔと称し、ランド３０が構成する記録トラックをランドトラックＬｔと称する。
【０１６５】
また、ランドトラックＬｔ面に対するグルーブトラックＧｔ面の高さの差を、グルーブ深さＧｈと称する。さらに、グルーブ深さＧｈのほぼ１／２の高さでみたグルーブトラックＧｔの幅をグルーブ幅Ｇｗと称し、グルーブ深さＧｈのほぼ１／２の高さでみたランドトラックＬｔの幅をランド幅Ｌｗと称する。
【０１６６】
また、上述したように、グルーブトラックＧｔは、各種のアドレス情報を記録するためにウォブルされている。図１２（ａ）は、隣接するグルーブトラックＧｔが同相である場合を示し、図１２（ｂ）は、隣接するグルーブトラックＧｔが逆相である場合を示している。追記型情報記録媒体２８の領域によっては、隣接するグルーブトラックＧｔは種々の位相差を持つことになる。
【０１６７】
実施例
以下、実施例を示し、本発明をより具体的に説明する。
【０１６８】
以下のように、本発明に係る追記型情報記録媒体の一例として、単層及び二層ＨＤ  ＤＶＤ−Ｒディスクを作製した。
【０１６９】
（単層用スタンパーの準備）
表面粗さＲａ０．３ｎｍに精密研磨された直径２００ｍｍ、厚み６ｍｍのガラス円盤をテクノオカバヤシ製洗浄装置にて、無機アルカリ液洗浄、超純水洗浄、電解脱脂、温水洗浄、引き上げ乾燥の順の工程で洗浄した。
【０１７０】
次に、レジスト塗布装置（（株）アクセス製）にて、前記ガラス円盤表面にＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）をスピン塗布した後、フォトレジスト（日本ゼオン製ＤＶＲ３００）をスピン塗布した。その後、ホットプレート（１００℃、１０分間）にてプリベークした。
【０１７１】
次に、前記レジスト塗布済みガラス盤にＵＶレーザーカッティングマシン（（株）アクセス製ＬＢＲ）にて、同心円状またはスパイラル状のパターンに相当するＨＤ  ＤＶＤ−Ｒの単層信号を記録した。ＵＶレーザーは３５１ｎｍ波長のクリプトンイオンレーザーであり、対物レンズはトロペル製ＮＡ０．９０型である。ＨＤ  ＤＶＤ−Ｒ信号源はエクリプス社製ＨＤ  ＤＶＤ−Ｒフォ−マッタを用いた。
【０１７２】
次に、前記記録済みレジスト盤を現像装置（（株）アクセス製）にて、スピン現像した。現像液は無機アルカリ現像液（東京応化製ＤＥ３）を１割合に対し、超純水２割合を混合した希釈無機アルカリ現像液を使用した。
【０１７３】
続いて、現像済み原盤にＮｉスパッタ装置（日本ビクター製）にてＮｉ薄膜をスパッタリングし導電化した。Ｎｉ膜厚は１０ｎｍである。その後、電鋳装置（ノベルテクノロジー製）にてスルファミン酸ニッケル液温浴中にてＮｉ電鋳し、レジスト原盤から剥離後、複製されたＮｉスタンパーをスピン洗浄し、ＲＩＥ装置にて酸素アッシングを行い、表面の残存フォトレジストを除去した。その後、Ｎｉスタンパー表面に保護膜（ファインケミカルジャパン製クリーンコートＳ）をスピン塗布した後、裏面研磨し、内外径を打ち抜き、単層用スタンパーが完成した。
【０１７４】
（Ｌ０用スタンパーの準備）
表面粗さＲａ０．３ｎｍに精密研磨された直径２００ｍｍ、厚み６ｍｍのガラス円盤をテクノオカバヤシ製洗浄装置にて、無機アルカリ液洗浄、超純水洗浄、電解脱脂、温水洗浄、引き上げ乾燥の順の工程で洗浄した。
【０１７５】
次に、レジスト塗布装置（（株）アクセス製）にて、前記ガラス円盤表面にＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）をスピン塗布した後、フォトレジスト（日本ゼオン製ＤＶＲ３００）をスピン塗布した。その後、ホットプレート（１００℃、１０分間）にてプリベークした。
【０１７６】
次に、前記レジスト塗布済みガラス盤にＵＶレーザーカッティングマシン（松下電器産業製ＬＢＲ）にて、同心円状またはスパイラル状のパターンに相当するＨＤ  ＤＶＤ−ＲのＬ０信号を記録した。ＵＶレーザーは３５１ｎｍ波長のクリプトンイオンレーザーであり、対物レンズはトロペル製ＮＡ０．９０型である。ＨＤ  ＤＶＤ−Ｒ信号源はケンウッドＴＭＩ製ＨＤ  ＤＶＤ−Ｒフォ−マッタを用いた。
【０１７７】
次に、前記記録済みレジスト盤を現像装置（（株）アクセス製）にて、スピン現像した。現像液は無機アルカリ現像液（東京応化製ＤＥ３）を１割合に対し、超純水２割合を混合した希釈無機アルカリ現像液を使用した。
【０１７８】
続いて、現像済み原盤にＮｉスパッタ装置（日本ビクター製）にてＮｉ薄膜をスパッタリングし導電化した。Ｎｉ膜厚は１０ｎｍである。その後、電鋳装置（ノベルテクノロジー製）にてスルファミン酸ニッケル液温浴中にてＮｉ電鋳し、レジスト原盤から剥離後、複製されたＮｉスタンパーをスピン洗浄し、ＲＩＥ装置にて酸素アッシングを行い、表面の残存フォトレジストを除去した。その後、Ｎｉスタンパー表面に保護膜（ファインケミカルジャパン製クリーンコートＳ）をスピン塗布した後、裏面研磨し、内外径を打ち抜き、Ｌ０用スタンパーが完成した。
【０１７９】
（Ｌ１用及びＬ２用マザースタンパーの準備）
表面粗さＲａ０．３ｎｍに精密研磨された直径２００ｍｍ、厚み６ｍｍのガラス円盤をテクノオカバヤシ製洗浄装置にて、無機アルカリ液洗浄、超純水洗浄、電解脱脂、温水洗浄、引き上げ乾燥の順の工程で洗浄した。
【０１８０】
次に、レジスト塗布装置（（株）アクセス製）にて、前記ガラス円盤表面にＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）をスピン塗布した後、フォトレジスト（日本ゼオン製ＤＶＲ３００）をスピン塗布した。その後、ホットプレート（１００℃、１０分間）にてプリベークした。
【０１８１】
次に、前記レジスト塗布済みガラス盤にＵＶレーザーカッティングマシン（松下電器産業製ＬＢＲ）にて、同心円状またはスパイラル状のパターンに相当するＨＤ  ＤＶＤ−ＲのＬ１信号を記録した。ＵＶレーザーは３５１ｎｍ波長のクリプトンイオンレーザーであり、対物レンズはトロペル製ＮＡ０．９０型である。ＨＤ  ＤＶＤ−Ｒ信号源はケンウッドＴＭＩ製ＨＤ  ＤＶＤ−Ｒフォ−マッタを用いた。
【０１８２】
次に、前記記録済みレジスト盤を現像装置（（株）アクセス製）にて、スピン現像した。現像液は無機アルカリ現像液（東京応化製ＤＥ３）を１割合に対し、超純水２割合を混合した希釈無機アルカリ現像液を使用した。
【０１８３】
次に、現像済み原盤にＮｉスパッタ装置（日本ビクター製）にてＮｉ薄膜をスパッタリングし導電化した。Ｎｉ膜厚は１０ｎｍである。その後、電鋳装置（ノベルテクノロジー製）にてスルファミン酸ニッケル液温浴中にてＮｉ電鋳し、レジスト原盤から剥離後、複製されたＮｉファザースタンパーをスピン洗浄し、ＲＩＥ装置にて酸素アッシングを行い、表面の残存フォトレジストを除去した。このＲＩＥ工程はパッシベーション処理も兼ねている。その後、再度、電鋳装置にてＮｉファザースタンパーをスルファミン酸Ｎｉ浴中にて電鋳し、Ｎｉマザースタンパーを複製した。そのＮｉマザースタンパー表面に保護膜（ファインケミカルジャパン製クリーンコートＳ）をスピン塗布した後、裏面研磨し、内外径を打ち抜き、Ｌ１及びＬ２共用のマザースタンパーが得られた。
【０１８４】
（単層ＨＤ  ＤＶＤ−Ｒディスクの複製）
本発明に係る単層追記型情報記録媒体の製法についてさらに詳述する。
【０１８５】
ディスク製造は、オリジン電気（株）製単層ＨＤ  ＤＶＤ−Ｒ量産製造ライン設備を用いた。プロセスの流れは以下のとおりである。
【０１８６】
射出圧縮成形装置  住友重機械製ＳＤ４０Ｅに単層用スタンパーを取り付け、ポリカーボネートディスク基板を成形した。ポリカーボネート樹脂は帝人化成（株）製ＡＤ５５０３である。成形金型は精工技研製Ｇ金型である。成形収縮率は０．６％である。成形板厚みは６００ミクロンである。
【０１８７】
次に、単層成形ディスク基板を冷却後、単層用有機色素溶液をスピン塗布し、乾燥後、ＡｇＢｉ（Ｂｉ：０．３〜１％）膜をＤＣスパッタリングし、単層記録層を形成した。（スパッタ装置はユナクシス製ＨＤ  ＤＶＤ−ＲＡｇ合金成膜タイプ）。
【０１８８】
ＡｇＢｉ膜の厚みは１００ｎｍである。その後、ＵＶ接着剤をスピン塗布し、ダミー成形基板を張り合わせ、紫外線を照射し硬化させ、単層追記型情報記録媒体を得た。
【０１８９】
（２層ＨＤ  ＤＶＤ−Ｒディスクの複製）
本発明に係る二層追記型情報記録媒体の製法についてさらに詳述する。
【０１９０】
ディスク製造は、オリジン電気（株）製２層ＨＤ  ＤＶＤ−Ｒ量産製造ライン設備を用いた。プロセスの流れは以下のとおりである。
【０１９１】
射出圧縮成形装置  住友重機械製ＳＤ４０ＥにＬ０用スタンパーを取り付け、ポリカーボネートディスク基板を成形した。ポリカーボネート樹脂は帝人化成（株）製ＡＤ５５０３である。成形金型は精工技研製Ｇ金型である。成形収縮率は０．６％である。成形板厚みは５９０ミクロンである。
【０１９２】
もう１台の射出圧縮成形装置（住友重機械製ＳＤ４０Ｅ）にＬ１用マザースタンパーを取り付け、ポリカーボネートディスク基板を成形した。ポリカーボネート樹脂は帝人化成（株）製ＡＤ５５０３である。成形金型は精工技研製Ｇ金型である。成形収縮率は０．６％である。成形板厚みは５９０ミクロンである。
【０１９３】
さらに、もう１台の射出圧縮成形装置（住友重機械製ＳＤ４０Ｅ）にＬ２用マザースタンパーを取り付け、ポリカーボネートディスク基板を成形した。ポリカーボネート樹脂は帝人化成（株）製ＡＤ５５０３である。成形金型は精工技研製Ｇ金型である。成形収縮率は０．６％である。成形板厚みは５９０ミクロンである。
【０１９４】
次に、Ｌ０成形ディスク基板を冷却後、Ｌ０用有機色素溶液をスピン塗布し、乾燥後、ＡｇＢｉ（Ｂｉ：０．３〜１％）膜をＤＣスパッタリングし、Ｌ０記録層を形成した。（スパッタ装置はユナクシス製ＨＤ  ＤＶＤ−Ｒ２層Ａｇ合金成膜タイプ）ＡｇＢｉ膜の厚みは１０ｎｍである。その後、紫外線硬化性樹脂をスピン塗布し、Ｌ１成形ディスク基板を貼り合せ、紫外線を照射し、硬化させる。紫外線硬化性樹脂層の厚みは１４ミクロンである。その後、Ｌ１成形ディスク基板を剥離することで、Ｌ０基板上にＬ１成形基板からの転写パターンが紫外線硬化樹脂表面に転写された。これがＬ１のパターンとなる。次いで、Ｌ１用有機色素溶液をスピン塗布し、乾燥後、ＡｇＢｉ（Ｂｉ：０．３〜１％）膜を１００ｎｍＤＣスパッタリングし、Ｌ１記録層を形成した。その後、ＵＶ接着剤をスピン塗布し、使用済みのＬ１成形基板を張り合わせ、紫外線を照射し硬化させ、二層追記型情報記録媒体を得た。
【０１９５】
ここで、有機色素層は、表１に記載の有機色素化合物を使用し、表２ないし１８，表２−２、３−２、４−２、５−２、６−２、８−２、９−２、１０−２、１１−２、１２−２、１４−２、１５−２、１６−２、１７−２、及び１８−２に記載の組合せで使用し、単層及び二層追記型情報記録媒体を作成した。
【０１９６】
表２ないし６，及び表２−２、３−２、４−２、５−２、６−２は単層追記型情報記録媒体の例であり、表７ないし１２、表８−２、９−２、１０−２、１１−２、１２−２はＬ０について、表１３ないし１８、表１４−２、１５−２、１６−２、１７−２、及び１８−２は、Ｌ１について測定を行った例である。
【０１９７】
作製されたＨＤ  ＤＶＤ−Ｒディスクをパルステック工業製ＨＤ  ＤＶＤ−Ｒディスク評価装置ＯＤＵ１０００にて４倍速記録し再生し、ＰＲＳＮＲ及びＳｂＥＲを評価した。ＰＲＳＮＲ１５となる記録ピークパワーの高い側と低い側の幅を平均の記録ピークパワーで割り算した値の２分の１を求め、これを４倍速記録パワーマージン（％）として評価した。実際のドライブでの記録再生を考えると記録パワーマージンは±１５％が必要である。また、記録後に１倍速にて再生パワー０．４ｍＷで再生を行い、ＰＲＳＮＲ１５となるまでの再生回数を測定した。
【０１９８】
これを再生耐久回数として評価した。実際のドライブでの再生を考えると１００万回以上が必要である。
【０１９９】
この評価結果を表１〜６及び表２−２〜表６−２に示す。単体色素では記録パワーマージン±１５％以上、再生耐久回数１００万回以上の両方を満たす色素は無かったが、単体と多量体の混合色素では全てが満足した。Ｂ２〜Ｂ６を混合した場合も記録パワーマージン±１５％以上、再生耐久回数１００万回以上の両方を満たした。そして最も記録パワーマージンが広かったのは４量体色素を混合したものであった。
【０２００】
、その反射率と再生耐久回数を測定した。
【０２０１】
作製された２層ＨＤ  ＤＶＤ−Ｒディスクをパルステック工業製ＨＤ  ＤＶＤ−Ｒディスク評価装置ＯＤＵ１０００にてＬ０及びＬ１ともに２倍速記録し再生し、ＰＲＳＮＲ及びＳｂＥＲを評価した。なお、Ｌ１はＬ０を記録した後に記録した。ＰＲＳＮＲ１５となる記録ピークパワーの高い側と低い側の幅を平均の記録ピークパワーで割り算した値の２分の１を求め、これを２倍速記録パワーマージン（％）として評価した。実際のドライブでの記録再生を考えると記録パワーマージンは±１５％が必要である。また、記録後に１倍速にて再生パワー０．５ｍＷで再生を行い、ＰＲＳＮＲ１５となるまでの再生回数を測定した。これを再生耐久回数として評価した。実際のドライブでの再生を考えると１００万回以上が必要である。
【０２０２】
この評価結果をＬ０に関しては表７〜１２及び表８−２〜１２−２に、Ｌ１に関しては表１３〜１８及び表１４−２〜１８−２に示す。単体色素ではＬ０及びＬ１ともに記録パワーマージン±１５％以上、再生耐久回数１００万回以上の両方を満たす色素は無かったが、単体と多量体の混合色素ではＬ０及びＬ１ともに全てが満足した。Ｂ２〜Ｂ６を混合した場合もＬ０及びＬ１ともに記録パワーマージン±１５％以上、再生耐久回数１００万回以上の両方を満たした。そして最も記録パワーマージンが広かったのはＬ０、Ｌ１ともに４量体色素を混合したものであった。
【０２０３】
以上のように本発明の効果が確認された。
【表６】
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【０２０４】
【表７】
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【０２０５】
【表８】
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【０２０６】
【表９】
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【０２０７】
【表１０】
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【０２０８】
【表１１】
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【０２０９】
【表１２】
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【０２１０】
【表１３】
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【０２１１】
【表１４】
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【０２１２】
【表１５】
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【０２１３】
【表１６】
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【０２１４】
【表１７】
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【０２１５】
【表１８】
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【０２１６】
【表１９】
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【０２１７】
【表２０】
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【０２１８】
【表２１】
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【０２１９】
【表２２】
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【０２２０】
【表２３】
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【０２２１】
【表２４】
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【０２２２】
【表２５】
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【０２２３】
【表２６】
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【０２２４】
【表２７】
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【０２２５】
【表２８】
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【０２２６】
【表２９】
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【０２２７】
【表３０】
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【０２２８】
【表３１】
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【０２２９】
【表３２】
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【０２３０】
【表３３】
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【０２３１】
【表３４】
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【０２３２】
【表３５】
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【０２３３】
【表３６】
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【０２３４】
【表３７】
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【０２３５】
【表３８】
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【図面の簡単な説明】
【０２３６】
【図１】本発明に係る追記型情報記録媒体の一例の断面構造を表す模式図
【図２】本発明に係る追記型情報記録媒体の他の一例の断面構造を表す模式図
【図３】追記型情報記録媒体の製造方法の一例の流れを表す模式図
【図４】追記型情報記録媒体の製造方法の一例の流れを表す模式図
【図５】本発明に係る追記型情報記録媒体の一例の断面構造を表す模式図
【図６】追記型情報記録媒体の製造方法の一例の流れを表す模式図
【図７】追記型情報記録媒体の製造方法の一例の流れを表す模式図
【図８】本発明に係る追記型情報記録媒体の一例のウォブルによるアドレスデータの構成を説明するために示す図
【図９】本発明に係る追記型情報記録媒体の一例を再生するためのディスク装置の概略構成を示すブロック図
【図１０】本発明に係る追記型情報記録媒体の一例のグルーブとランドとの関係を説明するために示す図。
【図１１】追記型情報記録媒体に記録再生評価の評価試験を行なうために記録する信号の一例を示す波形図
【図１２】本発明に係る追記型情報記録媒体の一例のグルーブトラックのウォブルを説明するために示す図。
【符号の説明】
【０２３７】
４１…第１の基板、４２…第１の有機色素層、４３…半透明層、４４…中間層、４５…第２の有機色素層、４６…反射層、４７…接着剤層、４８…第２の基板、４９…第３の基板、５１…第１の記録膜、５２…第２の記録膜、５３…グルーブ、５４…ランド、６０…第３の記録膜、６１…中間層、６２…第３の有機色素層、６３…反射層、１００…出射光、１０１…反射光、１１０…追記型情報記録媒体、１２０…半導体レーザ光源、１２１…コリメートレンズ、１２２…偏光ビームスプリッタ、１２３…λ／４板、１２４…対物レンズ、１２５…集光レンズ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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