(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板表面に形成された磁気に感ずる半導体薄膜上に最終の小型磁電変換素子のパターン状に多数個の内部電極を形成して多数個の半導体装置を一括して形成する工程と、
前記内部電極部分に隣り合う半導体装置の内部電極部分に跨って第１の導電性樹脂層を形成する工程と、
各半導体装置を分離するように前記第１の導電性樹脂層を含めて基板に切り込みを入れる工程と、
前記基板の裏面全面および前記半導体装置、内部電極および前記第１の導電性樹脂層を覆うように絶縁性の樹脂層を形成する工程と、
前記第１の導電性樹脂層の各電極部分の少なくとも一部が見えるまで研磨する工程と、
表面に露出している前記第１の導電性樹脂層と、前記切り込みに形成された前記絶縁性の樹脂層の表面の部分を少なくともカバーするように第２の導電性樹脂層を付与する工程と、
および、前記切り込み部に沿って、かつ、前記切り込みに形成された絶縁性の樹脂層が残存するように、前記基板裏面の樹脂層を含めて半導体装置を個別に切断して多数個の磁電変換素子を個別化する工程と
を有することを特徴とするフェースダウン接続用小型磁電変換素子の製造方法。
【請求項２】
基板表面に形成された磁気に感ずる半導体薄膜上に最終の小型磁電変換素子のパターン状に多数個の内部電極を形成して多数個の半導体装置を一括して形成する工程と、
前記内部電極部分に隣り合う半導体装置の内部電極部分に跨って第１の導電性樹脂層を形成する工程と、
前記基板の裏面全面に絶縁性の樹脂層を形成する工程と、
各半導体装置を分離するように前記第１の導電性樹脂層を含めて基板に切り込みを入れる工程と、
前記半導体装置、内部電極および前記第１の導電性樹脂層を覆うように絶縁性の樹脂層を形成する工程と、
前記第１の導電性樹脂層の各電極部分の少なくとも一部が見えるまで研磨する工程と、
表面に露出している前記第１の導電性樹脂層と、前記切り込みに形成された前記絶縁性の樹脂層の表面の部分を少なくともカバーするように第２の導電性樹脂層を付与する工程と、
および、前記切り込み部に沿って、かつ、前記切り込みに形成された絶縁性の樹脂層が残存するように、前記基板裏面の樹脂層を含めて半導体装置を個別に切断して多数個の磁電変換素子を個別化する工程と
を有することを特徴とするフェースダウン接続用小型磁電変換素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、極めて小型でかつ実装時での良否の判定を素子を破壊せずに行うことが出来、かつ半導体装置部分の形成が簡便なフェースダウン接続用小型磁電変換素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
磁電変換素子は、ＶＴＲ、フロッピーディスクやＣＤ−ＲＯＭ等のドライブモーター用の回転位置検出センサあるいはポテンショメーター、歯車センサとして広く用いられている。これら電子部品の小型化に伴って、磁電変換素子もより小型化への要求が益々強まっている。
【０００３】
磁電変換素子の中、最も多く使用されているホール素子を例にして小型化の状況を説明する。最も小型のホール素子として現在市販されているものの外形寸法は、実装用の外部電極であるリードフレームを含めて、２．５ｍｍ×１．５ｍｍの投影寸法で高さが０．６ｍｍあるいは、２．１ｍｍ×２．１ｍｍの投影寸法で高さが０．５５ｍｍである。この素子は高さの低いことが特徴となっている。ちなみにこれらの素子の感度である定電圧駆動時の出力電圧は、０．０５Ｔの磁界下、１Ｖの入力電圧の際にホール出力電圧が７０ｍＶ程度である。感度がより高く要求される場合には高さが上記より高くなるが、投影面積はほぼ変わらない。
【０００４】
リードフレームを介在させない方式としてテープキャリア方式が提案されている。この方式では、半導体装置の電極部をテープにバンプで接続して、実装基板等に実装するやり方である。これもテープの厚みの介在分だけ厚さが制限される。また、素子自体が樹脂で覆われにくい。
【０００５】
コンデンサー等はいわゆるチップ素子になり、チップ・オン・ボード方式で実装基板に実装するやり方がとられ、まさに小型化の要請に答えてきている。このような概念を磁電変換素子に適用することができれば良いのだが、樹脂で覆わないとどうしても信頼性上の問題が生じる。
【０００６】
特開平８−６４７２５号公報には、上述した不都合を解消して薄膜化を達成する半導体装置とその製造方法が開示されている。すなわち、半導体ペレットの電極上にバンプまたはＡｕボールを形成し、このバンプまたはＡｕボールをモールド樹脂の表面に露出させたことを特徴とする樹脂封止型半導体装置とその製造方法である。ＩＣカードやメモリカード用等の薄膜化がこの方法で可能となる。しかし、この方法では、平坦な表面にのみ外部電極が形成されているので、その素子を実装する際には、実装の良否の判定が素子を破壊しない限り不可能で、磁電変換素子のようにほぼ自動実装されている現状では適用できない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上述した従来の問題点を解決し、素子の表裏面と側面の少なくとも一部が樹脂で覆われ、かつ極めて小さな投影面積を可能とし、さらに、実装の良否の判定が、素子を破壊せずに各種の光学的手段による観察によって可能となるフェースダウン接続用小型磁電変換素子の製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
現状の磁電変換素子は、内部電極を有する磁気に感ずる半導体薄膜から本質的になる、半導体装置を、リードフレームのアイランド部と呼ばれる部分に固着し、リードフレームと内部電極を金属細線で結線し、次いで、半導体装置を覆うリードフレームの一部を含めた部分を樹脂によりモールドし、バリ取り、フォーミング、電磁気的検査等の工程を経て製造されている。図１８は、このようにして製造された素子の一例として上述した比較的小型の素子の外形を示す図で、（Ａ）は側面図、（Ｂ）は平面図である。高さｈは０．８ｍｍ、幅ｗは１．２５ｍｍ、リードフレームを含めた長さＬおよび幅Ｗはそれぞれ２．１ｍｍである。
【０００９】
本発明者らは、鋭意検討を重ねた結果、現状のようなリードフレームを用いている限り特に投影面積の上での小型化には自ずと限界があるという結論に達した。素子はモールドされるのであるが、モールド寸法自体は１．５ｍｍ×１．５ｍｍ程度にできても、そこからはみでたリードフレームを実装のためにフォーミングする必要があり、そのはみだし部分が小型化の足枷になっている。また、リードフレームの厚みにも限界があること、リードフレームの表裏をモールド樹脂で覆う必要があることなどで、高さにも限界がある。
【００１０】
本発明はこのような結論から出発し、磁電変換素子全体の寸法を、実装用電極も含めてモールド寸法程度にする工夫からなされた。
【００１１】
すなわち、本発明による磁電変換素子の製造方法は、基板表面に形成された磁気に感ずる半導体薄膜上に最終の小型磁電変換素子のパターン状に多数個の内部電極を形成して多数個の半導体装置を一括して形成する工程と、前記内部電極部分に隣り合う半導体装置の内部電極部分に跨って第１の導電性樹脂層を形成する工程と、各半導体装置を分離するように前記第１の導電性樹脂層を含めて基板に切り込みを入れる工程と、前記基板の裏面全面および前記半導体装置、内部電極および前記第１の導電性樹脂層を覆うように絶縁性の樹脂層を形成する工程と、前記第１の導電性樹脂層の各電極部分の少なくとも一部が見えるまで研磨する工程と、表面に露出している前記第１の導電性樹脂層と、前記切り込みに形成された前記絶縁性の樹脂層の表面の部分を少なくともカバーするように第２の導電性樹脂層を付与する工程と、および、前記切り込み部に沿って、かつ、前記切り込みに形成された絶縁性の樹脂層が残存するように、前記基板裏面の樹脂層を含めて半導体装置を個別に切断して多数個の磁電変換素子を個別化する工程とを有することを特徴とするフェースダウン接続用小型磁電変換素子の製造方法である。
【００１２】
ここで、前記基板が高透磁率磁性体であり、前記磁気に感ずる半導体薄膜の感磁部が高透磁率磁性体によって挟まれていることができる。
【００１３】
また、本発明による磁電変換素子の製造方法は、基板表面に形成された磁気に感ずる半導体薄膜上に最終の小型磁電変換素子のパターン状に多数個の内部電極を形成して多数個の半導体装置を一括して形成する工程と、前記内部電極部分に隣り合う半導体装置の内部電極部分に跨って第１の導電性樹脂層を形成する工程と、前記基板の裏面全面に絶縁性の樹脂層を形成する工程と、各半導体装置を分離するように前記第１の導電性樹脂層を含めて基板に切り込みを入れる工程と、前記半導体装置、内部電極および前記第１の導電性樹脂層を覆うように絶縁性の樹脂層を形成する工程と、前記第１の導電性樹脂層の各電極部分の少なくとも一部が見えるまで研磨する工程と、表面に露出している前記第１の導電性樹脂層と、前記切り込みに形成された前記絶縁性の樹脂層の表面の部分を少なくともカバーするように第２の導電性樹脂層を付与する工程と、および、前記切り込み部に沿って、かつ、前記切り込みに形成された絶縁性の樹脂層が残存するように、前記基板裏面の樹脂層を含めて半導体装置を個別に切断して多数個の磁電変換素子を個別化する工程とを有することを特徴とするフェースダウン接続用小型磁電変換素子の製造方法である。
【００１４】
ここで、基板裏面に絶縁性の樹脂層を形成した後に基板に切り込みを入れることができる。このようにすれば、外部電極を除く素子のほぼ全面を樹脂で覆うことができる。
【００１５】
このような構造にすることで、例えば、前述のような比較的感度の低い素子で０．９ｍｍ×０．９ｍｍの投影寸法で高さが０．３５ｍｍ、感度の高い素子でも同程度の投影寸法で、高さが０．５ｍｍといった極めて小型の磁電変換素子が簡便な方法により実現可能になった。
【００１６】
本発明の磁電変換素子における半導体装置を構成する、磁気に感ずる半導体薄膜としてはインジウムアンチモン、ガリウム砒素、インジウム砒素等の化合物半導体あるいは（インジウム、ガリウム）−（アンチモン、砒素）の３元系または４元系化合物半導体薄膜から選択できる。いわゆる量子効果素子も使用できる。これらの化合物半導体薄膜は種々の基板上に形成されるが、その基板としてはシリコン、ガリウム砒素等の化合物半導体基板、石英等のガラス基板、サファイア等の無機基板を使用することができる。
【００１７】
より高い感度の半導体装置は、高透磁率磁性体、その上に形成されパターニングされた感磁部と電極部を有する半導体薄膜、さらにその上に載せられた、ほぼ直方体の磁気集束用磁性体チップからなるサンドイッチ構造をなしている。例えば、特公昭５１−４５２３４号公報には、移動度の高い半導体薄膜をこの構造体にするための方法が示されている。すなわち、雲母等の結晶性基板上に化合物半導体薄膜を形成し、所望のパターニングを施した後、この半導体薄膜をエポキシ樹脂等の接着剤を用いて高透磁率磁性体に接着し、その後、結晶性基板を除去し、次いで、半導体薄膜の感磁部の上に磁気集束用磁性体を載せることによって上記の積層構造の半導体装置を形成する方法である。このような半導体装置は、本発明の小型で高感度の磁電変換素子を作るのに好適である。この際、高透磁率磁性体基板および磁気集束用チップの材料としては、パーマロイ、鉄珪素合金、ＭｎＺｎフェライト等の高透磁率フェライト、あるいはその他の高透磁率材料を用いることができる。その中で、切断のし易さ、価格の安いこと等の理由から高透磁率フェライトが好適なものとして利用できる。
【００１８】
上記手法のうち、感磁部および電極部のパターニングは従来の組立方法である金線ボンディング法をとる場合には、少なくとも３回も感光性レジストの塗布、乾燥、パターニング、レジスト除去の工程を経ねばならず、生産性上ネックとなっているのが現状である。本発明によると、導電性樹脂により外部電極に接続される構造になるので、大幅な工程短縮が図られることになる。勿論、この手法は上記の高感度の構造体にも適用できる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
半導体装置は、一般に多段プロセスを経てウェハー上に同時に多数個形成される。その際、磁電変換素子として使用されるために、一個の素子について一般に４つの内部電極が一括して形成される。その内部電極に金等の金属細線を介在させないで、直接外部電極に結線できるようにするのが本発明の一つのポイントである。そのようなウェハーを用意し、そのウェハー上の多数個の半導体装置に多数個の内部電極を形成する。内部電極の材質としては、Ａｌ，Ｃｕ，Ｐｄ等の金属が適用される。その形成方法としては、メッキや蒸着等が適用できる。内部電極のパターンをそのまま外部電極につながるためのパターンにするのが本発明の他のポイントである。そのために、金属電極上に第１の導電性樹脂層を形成する。例えば、導電性樹脂を印刷でウェハー上に刷り込む形態や、あるいはいわゆるリフトオフ法を利用して導電性樹脂層を付与する形態がとられる。その際、隣り合う素子の内部電極に跨るように形成するのがより好ましい形態である。感磁部のパターニングをするためのエッチング工程は電極形成の前あるいは後に行われる。そのような内部電極の上に導電性樹脂を０．０２ｍｍ以上の厚みに形成する。この厚みが０．０２ｍｍ未満であると下記のような問題が生じる。すなわち、素子の完成後、素子を基板に実装する際に、ハンダにより電極部を接続するが、ハンダの溶融時に導電性物体がハンダに食われ、断線につながる場合がある。また、後述する表面感磁部側に形成される樹脂が薄くなることにより、温度湿度ストレスに対する信頼性が低下する。従って、導電性樹脂層の厚みは０．０２ｍｍ以上が実用上好ましい厚みである。また、この段階あるいはその前の段階で金属酸化物やガラスのような絶縁物を少なくとも感磁部の上に積層してより信頼性の向上をはかるような、いわゆるパッシベーション層を設けることもできる。
【００２０】
本発明に使用できる導電性樹脂としてはＣｕ、Ａｇ、Ｐｄあるいはそれらの混合金属粉末がエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、イミド変性エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂あるいは、フェノキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリスチレン、ポリスルホン、ポリウレタン樹脂、ポリビニルアセテート等の熱可塑性樹脂に分散された多くの導電性樹脂の中から選択できる。
【００２１】
いわゆる異方導電性樹脂も好適に使用できる。この第１の導電性樹脂層の形成にはポッティング法等が使用できるが、スクリーン印刷法を用いるのが好ましい。
【００２２】
次いで、各半導体装置を分離するように前記第１の導電性樹脂層を含めて基板に切り込みを入れる工程が続く。この工程はダイシングにより行うのが簡便である。
【００２３】
次いで、前記基板の裏面全面に樹脂層を形成する工程が続く。この時使用できる樹脂としては、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、イミド変性エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂や、フェノキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリベンツイミダゾール樹脂、ポリスチレン、ポリスルホン、ポリウレタン、ポリビニルアセタール、ポリ酢酸ビニルアルコールとそのアロイ樹脂等の熱可塑性樹脂を挙げることができる。この際、スピンコーター等のコーターによる塗布やトランスファーモールド等のモールディングによって本工程を行うことができる。あるいは、これらの樹脂がラミネート状に付与されたフィルムを熱圧着することによっても本工程を行うことができる。
【００２４】
次いで、前記半導体装置、内部電極および前記第１の導電性樹脂層を覆うように樹脂層を形成する工程が続く。樹脂は切り込みの内部にも入り込む。この時使用できる樹脂としては、先述した裏面に樹脂層を形成する際に用いた樹脂のうちから選択できる。裏面側の樹脂層の形成と表面側の樹脂層の形成の順序は逆にしても良い。
【００２５】
次いで、前記第１の導電性樹脂層の各電極部分の少なくとも一部が見えるまで研磨する工程が続く。この工程で行われる研磨には、一般の適当な粉末を用いる研磨機あるいはグラインダーのような装置が好適に使用できる。
【００２６】
次いで、表面に露出している前記第１の導電性樹脂層を少なくともカバーするように更に第２の導電性樹脂層を付与する工程が続く。第２の導電性樹脂層としては、第１の導電性樹脂層に対して挙げた樹脂の中から選択して使用できる。熱可塑性のものを用いた場合、熱による圧着によって実装が可能となる。第２の導電性樹脂層の形成法としては、スクリーン印刷法等が好適に使用できる。
【００２７】
次のダイシング等によって、個別の磁電変換素子になる。
【００２８】
上記の工程で、裏面に樹脂層を付与する以前に基板の裏面をグラインダー等によって研磨する工程を加えれば、より薄い磁電変換素子が製造可能となる。またこの場合、表面側の樹脂層の付近まで（上述した切り込みの近くまで）研磨すると側面もほぼ完全に樹脂で覆われた磁電変換素子の形成が可能となる。この場合、研磨工程に際し、表面側のモールド樹脂層でのみ固定することになるのでよりしっかり固定するために、表面側に後で剥がすことのできる粘着性テープを貼りつけてからこの工程を行うことがより好ましい。
【００２９】
また、上述したような各工程の前後は問わない工程も当然可能である。
【００３０】
さらに、導電性樹脂の種類によっては、外部基板などへの実装がよりうまくいくように、金やハンダ等の他の金属層を付与することが可能である。その際、無電解メッキあるいはハンダ槽へのディッピングによるのが好ましい。本発明は、かくしてウェハー全体を一括して素子化することを特長とするものである。
【００３１】
【実施例】
以下に図面を参照して本発明の実施例を説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００３２】
（実施例１）
本発明による小型の磁電変換素子の第１の実施例の模式的断面図を図１に示す。１は表面が酸化処理されたシリコン基板、２は半導体装置の内部電極であり金属からなる、３は半導体装置の感磁部、４は内部電極２上に形成された第１の導電性樹脂層で、金属電極２と共に内部電極を構成し、かつ後述する外部電極との接続を助ける役割を果たす。５ａは基板裏面のモールド樹脂、５ｂは感磁部３、金属電極２および第１の導電性樹脂層４を覆って形成された基板表面のモールド樹脂、５ｃは基板側面の少なくとも表面に近い側に形成されたモールド樹脂、６は外部接続用の第２の導電性樹脂層で、以後、外部電極という。
【００３３】
図１に示した磁電変換素子を作成するための工程を、図２〜図８を用いて説明する。図２（Ａ）は上記シリコン基板１上に多数個の半導体のパターンが形成されている様子を示し、図２（Ｂ）は、内部金属電極２，感磁部３の形状を示すための部分拡大図である。このようなウェハーを次のような工程を経て作成した。直径４インチ（１０．２ｃｍ）で厚さが０．２０ｍｍのシリコン基板上に電子移動度２０，０００ｃｍ2 ／Ｖ／ｓｅｃのＩｎＳｂ薄膜を形成し、フォトリソグラフィーの手法でホール素子パターンを形成した。感磁部３の長さは３５０μｍ、幅は１７０μｍであった。一つのペレットの大きさは０．８mm角であった。内部電極用のパターニングを行い、個々の半導体装置の四隅に無電解Ｃｕメッキにより内部電極２を形成した。
【００３４】
次いで、内部電極部分に隣り合う半導体装置の内部電極部分と跨ってスクリーン印刷により５０μｍの厚さで第１の導電性樹脂層４を設けた。この際用いた導電性樹脂は（株）アサヒ科学研究所製のＬＳ−００５Ｐであった。この状態の上面図を図３に示している。
【００３５】
次に、各半導体装置を分離するように、基板に切り込み７を入れた状態を図４に示す。
【００３６】
次に、基板裏面に熱硬化性エポキシ樹脂５ａを、基板表面側に半導体装置と金属電極２と第１の導電性樹脂層４を覆うだけの厚みに熱硬化性エポキシ樹脂５ｂを、それぞれスピンコーターで塗布して硬化させた状態の断面図を図５に示している。熱硬化性エポキシ樹脂５ｂは上述した切り込み内にも入り込んでいる。
【００３７】
次いで、第１の導電性樹脂層４の少なくとも一部が露出するまで表面を研磨した。その状態の断面図を図６に示す。
【００３８】
次いで、表面に露出した第１の導電性樹脂層４の位置に第２の導電性樹脂層６をスクリーン印刷によって形成した。第２の導電性樹脂層６としては、第１の導電性樹脂層４と同じものを用いた。この状態の断面図を図７に示す。
【００３９】
最後に、前述した切り込み内の、図８に矢印で示す切断線８に沿って、０．０５μｍ幅のブレードを使用しダイシングによって個別の磁電変換素子に分離した。このようにして得られた磁電変換素子は図１に示すものである。本実施例のホール素子の寸法は、０．９ｍｍ×０．９ｍｍ角で、厚さが０．３０ｍｍであった。
【００４０】
この磁電変換素子は、上述したように、内部電極上に第１の導電性樹脂層が形成され、第１の導電性樹脂層と電気的に接続するように形成された第２の導電性樹脂層が、素子の表面に露出しており、その基板表面における露出部分が外部電極となるようにしたので、実装時における実装の良否の判定を、素子を破壊せずに顕微鏡などの光学手段によって行うことができる。
【００４１】
（実施例２）
本発明の第２の実施例として、樹脂でほぼ完全に覆われた高感度磁電変換素子の模式的断面図を図９に示す。１１は高透磁率フェライト基板、１２は半導体装置の内部電極で金属からなる、１３は半導体装置の感磁部、１４は内部電極上に形成された第１の導電性樹脂層で、金属電極１２と共に内部電極を構成し、かつ後述する外部電極との接続を助ける役割を果たす。１５ａは基板裏面のモールド樹脂、１５ｂは感磁部１３、金属電極１２および第１の導電性樹脂層１４を覆って形成された基板表面のモールド樹脂、１６は外部接続用の導電性樹脂層で、以後、外部電極という。１７は磁気集束用チップである。
【００４２】
図９に示した磁電変換素子を作成するための工程を、図１０〜図１７を用いて説明する。
【００４３】
図１０（Ａ）はフェライト基板１１上に多数個の半導体装置のパターンが形成されている様子を示し、図１０（Ｂ）は、内部電極１２、感磁部１３の形状を示すための部分拡大図を示してある。このようなウェハーを次のような工程を経て作成した。高透磁率フェライト上に半導体薄膜によるホール素子パターンを形成するには以下のような方法で行った。まず、劈開した雲母を蒸着基板にして、初めにＩｎ過剰のＩｎＳｂ薄膜を蒸着により形成し、次いで過剰のＩｎと化合物を形成するＳｂを過剰に蒸着する方法によって移動度４５，０００ｃｍ2 ／Ｖ／ｓｅｃのＩｎＳｂ薄膜を形成した。次に、５０ｍｍ角で厚み０．３ｍｍのＭｎＺｎフェライトからなる高透磁率フェライトを準備し、上記のＩｎＳｂ薄膜上にポリイミド樹脂を滴下し、高透磁率フェライトをその上に重ね、重石を置いて２００℃で１２時間放置した。次に室温に戻し、雲母を剥ぎ取って高透磁率フェライト上にＩｎＳｂ薄膜が担持された構造体を作成した。次いで、このＩｎＳｂ薄膜上に、フォトリソグラフィーの手法で多数のホール素子パターンを同時に形成した。それぞれの感磁部１３の長さは３５０μｍ、幅は１７０μｍであった。感磁部への配線および内部電極として無電解メッキによりＣｕ層を形成し、次いで、内部電極部分の上に隣り合う半導体装置の内部電極と跨るように第１の導電性樹脂層１４をスクリーン印刷により形成した。この際用いた導電性樹脂は（株）アサヒ化学研究所製のＬＳ−００５Ｐであった。一つのペレットの大きさ（一つのホール素子パターンおよび四つの内部電極が担持されている高透磁率フェライトの寸法）は０．８ｍｍ角であった。
【００４４】
次に、特公平７−１３９８７号公報に記載の方法によって、厚みが０．１ｍｍで、一辺の長さが３５０μｍの直方体の高透磁率フェライトチップ１７を半導体装置の感磁部１３の上に、シリコーン樹脂を接着剤として載せた。この状態の上面図を図１１に示す。
【００４５】
このフェライト基板１１の裏面に熱硬化性エポキシ樹脂１５ａを塗布、乾燥した。この状態の断面図を図１２に示す。
【００４６】
次に、各半導体装置を分離するように、基板１１の裏面の樹脂１５ａが見えるまで切り込み１８を入れた状態を図１３に示す。切り込みの幅は０．２ｍｍであった。
【００４７】
次に、半導体装置および金属電極１２と第１の導電性樹脂層１４、さらに切り込み部１８を覆うだけの厚みに熱硬化性エポキシ樹脂をポッティングして硬化させた状態の断面図を図１４に示している。１５ｂおよび１５ｃはこのようにして形成された基板表面側および切り込みの内部の樹脂層を示している。
【００４８】
次いで、第１の導電性樹脂層１４の少なくとも一部が露出するまで表面を研磨した。その状態の断面図を図１５に示す。
【００４９】
次いで、基板表面の第１の導電性樹脂層１４の表面露出部分をカバーする位置に第２の導電性樹脂層１６をスクリーン印刷によって形成した。第２の導電性樹脂層１６としては、第１の導電性樹脂層１４と同じものを用いた。この状態を図１６に示す。
【００５０】
最後に、前述した切り込み内の、図１７に矢印１９で示す切断線１９に沿って、０．０５μｍ幅のブレードを使用しダイシングソーによって個別の磁電変換素子に分離した。
【００５１】
このようにして得られた磁電変換素子は図９に示すものである。本実施例のホール素子の寸法は、０．９ｍｍ×０．９ｍｍ角で、厚さが０．４５ｍｍであった。感度も１Ｖ、０．０５Ｔの条件で２００ｍＶと極めて高いものであった。
【００５２】
なお、実施例１に示した素子においても、実施例２と同様に、基板裏面に絶縁性樹脂層を形成した後、基板に切り込みを入れ、基板表面に樹脂層を形成することによって、外部電極を除く全体が樹脂で覆われた素子とすることができることは勿論である。
【００５３】
以上の実施例ではホール素子を例にして説明してきたが、本発明の概念および製造方法は他の磁電変換素子である半導体ＭＲや強磁性体ＭＲ、ＧＭＲにも適用できるのはもちろんである。
【００５４】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の製造方法によれば、基板上の多数個の半導体装置に一括して外部電極を形成することができ、また、極めて簡単な操作で内部パターンも形成できるので、効率的に磁電変換素子を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による磁電変換素子の一実施例の模式的断面図である。
【図２】図１に示した実施例の製造方法の工程図であり、フェライト基板上に内部電極と感磁部を多数個形成した状態を示す図である。
【図３】図１に示した実施例の製造方法の工程図であり、内部電極上に第１の導電性樹脂層を形成した状態を示す図である。
【図４】図１に示した実施例の製造方法の工程図であり、半導体装置を分離して基板に切り込みを入れた状態を示す図である。
【図５】図１に示した実施例の製造方法の工程図であり、半導体装置の基板の表裏面を樹脂層で覆った状態を示す図である。
【図６】図１に示した実施例の製造方法の工程図であり、基板表面の第１の導電性樹脂層の少なくとも一部が露出するまで研磨した状態を示す図である。
【図７】図１に示した実施例の製造方法の工程図であり、基板表面の樹脂層の所定位置に第２の導電性樹脂層を形成した状態を示す図である。
【図８】図１に示した実施例の製造方法の工程図であり、ウェハーを個別に磁電変換素子に切断する様子を示す図である。
【図９】本発明による磁電変換素子の他の実施例の模式的断面図である。
【図１０】図９に示した実施例の製造方法の工程図であり、フェライト基板上に内部電極と感磁部を多数個形成した状態を示す図である。
【図１１】図９に示した実施例の製造方法の工程図であり、内部電極上に第１の導電性樹脂層を形成した状態を示す図である。
【図１２】図９に示した実施例の製造方法の工程図であり、基板の裏面に熱硬化性樹脂層を形成した状態を示す図である。
【図１３】図９に示した実施例の製造方法の工程図であり、半導体装置を分離して基板の裏面の樹脂層が見えるまで切り込みを入れる状態を示す図である。
【図１４】図９に示した実施例の製造方法の工程図であり、基板表面と切り込み部に樹脂層を形成した状態を示す図である。
【図１５】図９に示した実施例の製造方法の工程図であり、基板表面を第１の導電性樹脂層の少なくとも一部が露出するまで研磨した状態を示す図である。
【図１６】図９に示した実施例の製造方法の工程図であり、基板表面側の樹脂層の所定位置に第２の導電性樹脂層を形成した状態を示す図である。
【図１７】ウェハーを個別の磁電変換素子に切断する様子を示す図である。
【図１８】従来の磁電変換素子の断面図である。
【符号の説明】
１  シリコン基板
２  内部電極
３  感磁部（半導体薄膜）
４  第１の導電性樹脂層
５ａ，５ｂ，５ｃ  樹脂層
６  第２の導電性樹脂（外部電極）
７  切り込み
８  切断線
１１  フェライト基板
１２  内部電極
１３  感磁部（半導体薄膜）
１４  第１の導電性樹脂層
１５ａ，１５ｂ，１５ｃ  樹脂層
１６  第２の導電性樹脂（外部電極）
１７  磁気集束用チップ
１８  切り込み
１９  切断線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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