(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に配線パターンを有している配線基板と、
前記配線基板の前記表面に実装された第１半導体チップと、
前記第１半導体チップが入り込む第１凹部を有しており、前記配線基板の前記表面及び前記第１半導体チップに、直接又は第１絶縁層を介して接している第１放熱体と、
前記配線基板の裏面に、直接又は第２絶縁層を介して接している第２放熱体と、
前記第１放熱体、前記配線基板、及び前記第２放熱体を挿通しており、前記第１放熱体及び前記第２放熱体を前記配線基板に押し付ける第１固定部材と、
前記配線基板は撓むことが可能であり、前記配線基板を撓ませて該配線基板の前記表面を前記第１放熱体に接触させる第２固定部材と、
を具備し、
前記第１放熱体は導電性を有しており、
前記表面は、前記第２固定部材によって前記第１放熱体に接触している部分に、接地配線を具備する半導体装置。
【請求項２】
前記第１放熱体及び前記第２放熱体は、前記配線基板の端部より外側に位置し、かつ互いに対向する対向部をそれぞれ有しており、
前記第１放熱体の前記対向部及び前記第２放熱体の前記対向部の一方に設けられ、前記第１放熱体の前記対向部及び前記第２放熱体の前記対向部の他方に接することにより前記第１放熱体と前記第２放熱体の間隔を維持するスペーサ部を具備する請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記配線基板に設けられた開口部と、
前記第１放熱体及び前記第２放熱体の一方に設けられた凸部状のスペーサ部であって、前記開口部を挿通して前記第１放熱体及び前記第２放熱体の他方に接することにより、前記第１放熱体と前記第２放熱体の間隔を維持するスペーサ部と、
を具備する請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
表面に配線パターンを有している配線基板と、
前記配線基板の前記表面に実装された第１半導体チップと、
前記第１半導体チップが入り込む第１凹部を有しており、前記配線基板の前記表面及び前記第１半導体チップに、直接又は第１絶縁層を介して接している第１放熱体と、
前記配線基板の裏面に、直接又は第２絶縁層を介して接している第２放熱体と、
前記第１放熱体、前記配線基板、及び前記第２放熱体を挿通しており、前記第１放熱体及び前記第２放熱体を前記配線基板に押し付ける第１固定部材と、
を具備し、
前記第１放熱体及び前記第２放熱体は、前記配線基板の端部より外側に位置し、かつ互いに対向する対向部をそれぞれ有しており、
前記第１放熱体の前記対向部及び前記第２放熱体の前記対向部の一方に設けられ、前記第１放熱体の前記対向部及び前記第２放熱体の前記対向部の他方に接することにより前記第１放熱体と前記第２放熱体の間隔を維持するスペーサ部を具備する半導体装置。
【請求項５】
表面に配線パターンを有している配線基板と、
前記配線基板の前記表面に実装された第１半導体チップと、
前記第１半導体チップが入り込む第１凹部を有しており、前記配線基板の前記表面及び前記第１半導体チップに、直接又は第１絶縁層を介して接している第１放熱体と、
前記配線基板の裏面に、直接又は第２絶縁層を介して接している第２放熱体と、
前記第１放熱体、前記配線基板、及び前記第２放熱体を挿通しており、前記第１放熱体及び前記第２放熱体を前記配線基板に押し付ける第１固定部材と、
前記配線基板に設けられた開口部と、
前記第１放熱体及び前記第２放熱体の一方に設けられた凸部状のスペーサ部であって、前記開口部を挿通して前記第１放熱体及び前記第２放熱体の他方に接することにより、前記第１放熱体と前記第２放熱体の間隔を維持するスペーサ部と、
を具備する半導体装置。
【請求項６】
前記第１放熱体は、前記第１絶縁層を介して前記配線基板に接しており、
前記第１絶縁層は、前記第１放熱体及び前記配線基板の一方に接着しており、他方に接着していない請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記配線基板は、前記裏面に第２配線パターンを有し、
前記配線基板の前記裏面に実装された第２半導体チップと、
前記第２放熱体に設けられ、前記第２半導体チップが入り込む第２凹部と、
を具備し、
前記第２半導体チップは、前記第２凹部の底面に直接又は第３絶縁層を介して接している請求項１〜６のいずれか一項に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップを配線基板に実装し、かつ放熱体を有する半導体装置に関する。特に本発明は、放熱性がよく、かつ信頼性が高い半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えばディスプレイパネルのドライバなどの半導体チップは発熱量が多い為、配線基板に実装する際に、放熱性をよくする必要がある。例えば特許文献１には、半導体チップをフレキシブル基板の表面に実装した半導体装置において、半導体チップの上面を、放熱シートを介して金属シャーシに接着し、フレキシブル基板の裏面に放熱体を取付けることにより、放熱性をよくする技術が開示されている。
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−１２４６０７号公報（第１９乃至２１段落、及び図２）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記した特許文献１に記載の技術では、半導体チップと金属シャーシのいずれかに力が加わった場合、この力は略全てが半導体チップの上面と金属シャーシの間の接続部分に加わり、その結果、半導体チップと配線基板の接続部分が剥離する可能性があった。
【０００５】
これを解決する為に、配線基板の表面側に位置する放熱体を、配線基板の表面に接着させる方法もある。しかしこの場合、放熱体と配線基板のいずれかに横方向の力が加わると、放熱体と配線基板の表面が接着しているため、配線基板の表面に形成された配線に負荷が加わり、配線基板の基材から配線が剥離する可能性があった。
このように、従来は、放熱性及び信頼性を両立することは難しかった。
【０００６】
本発明は上記のような事情を考慮してなされたものであり、その目的は、放熱性がよく、かつ信頼性が高い半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するため、本発明に係る半導体装置は、表面に配線パターンを有している配線基板と、
前記配線基板の前記表面に実装された第１半導体チップと、
前記第１半導体チップが入り込む第１凹部を有しており、前記配線基板の前記表面及び前記第１半導体チップに、直接又は第１絶縁層を介して接している第１放熱体と、
前記配線基板の裏面に、直接又は第２絶縁層を介して接している第２放熱体と、
前記第１放熱体、前記配線基板、及び前記第２放熱体を挿通しており、前記第１放熱体及び前記第２放熱体を前記配線基板に押し付ける第１固定部材と、
を具備する。
【０００８】
この半導体装置によれば、前記第１半導体チップで生じた熱は、直接又は前記第１絶縁層を介して前記第１放熱体に伝熱し、かつ前記配線基板を介して前記１放熱体及び前記第２放熱体に伝熱する。そして前記第１放熱体及び前記第２放熱体に伝熱した熱は、空気に放熱される。従って、前記第１半導体チップで生じた熱を、効率よく放熱することができる。また、前記第１放熱体は前記第１固定部材によって前記配線基板に固定されている。従って、前記配線基板及び前記第１放熱体のいずれかに横方向の力が加わっても、前記第１半導体チップに大きな力は加わらない。従って、前記半導体チップと前記配線基板の配線パターンの接続部分が剥離することを抑制できる。
【０００９】
前記配線基板は撓むことが可能であり、前記配線基板を撓ませて該配線基板の前記表面を前記第１放熱体に接触させる第２固定部材を具備し、前記第１放熱体は導電性を有しており、前記表面は、前記第２固定部材によって前記第１放熱体に接触している部分に、接地配線を具備してもよい。この場合、前記接地配線が前記第１放熱体に接することにより前記接地配線が接地される為、前記接地配線の接地構造を簡単にすることができる。
【００１０】
前記第１放熱体及び前記第２放熱体は、前記配線基板の端部より外側に位置し、かつ互いに対向する対向部をそれぞれ有しており、前記第１放熱体の前記対向部及び前記第２放熱体の前記対向部の一方に設けられ、前記第１放熱体の前記対向部及び前記第２放熱体の前記対向部の他方に接することにより前記第１放熱体と前記第２放熱体の間隔を維持するスペーサ部を具備してもよい。この場合、前記第１放熱板が前記配線基板の表面に近づいて該表面に力が加わることを抑制できる。
【００１１】
前記配線基板に設けられた開口部と、前記第１放熱体及び前記第２放熱体の一方に設けられた凸部状のスペーサ部であって、前記開口部を挿通して前記第１放熱体及び前記第２放熱体の他方に接することにより、前記第１放熱体と前記第２放熱体の間隔を維持するスペーサ部とを具備してもよい。この場合も、前記第１放熱板が前記配線基板の表面に近づいて該表面に力が加わることを抑制できる。
【００１２】
前記第１放熱体が、前記第１絶縁層を介して前記配線基板に接している場合、前記第１絶縁層は、前記第１放熱体及び前記配線基板の一方に接着しており、他方に接着していないのが好ましい。この場合、前記配線基板及び前記第１放熱体の一方に横方向の力が加わっても、前記配線基板の前記配線パターンと前記配線基板の基材の界面には大きな力が加わらない。従って、前記配線パターンが基材から剥離することを抑制できる
【００１３】
前記配線基板は、前記裏面に第２配線パターンを有し、前記配線基板の前記裏面に実装された第２半導体チップと、前記第２放熱体に設けられ、前記第２半導体チップが入り込む第２凹部とを具備し、前記第２半導体チップは、前記第２凹部の底面に直接又は第３絶縁層を介して接していてもよい。この場合も、前記第２半導体チップで生じた熱は、前記第１半導体チップで生じた熱と同様に放熱される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。図１（Ａ）は、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の平面図であり、図１（Ｂ）は図１（Ａ）のＡ−Ａ´断面図である。フレキシブル基板１０の表面には半導体チップ１が実装されている。ここでの実装方式は、例えばＣＯＦ方式である。半導体チップ１は、例えばフラットパネルディスプレイ（例えばプラズマディスプレイ又は液晶ディスプレイ）のドライバであり、樹脂１ａによってフレキシブル基板１０上で封止されている。
【００１５】
フレキシブル基板１０は、基材１１の表面に配線パターン１２を形成し、配線パターン１２をレジスト層１３で被覆した構成である。レジスト層１３及び後述する絶縁層２１は、半導体チップ１と接続する部分、及び後述するネジ５２の周囲において配線パターン１２を被覆していない。なお、配線パターン１２のうちネジ５２の周囲に位置する配線は、接地配線となっている。
【００１６】
フレキシブル基板１０の表面には、熱伝導性が高い絶縁層２１を介して第１放熱板３０が接しており、フレキシブル基板１０の裏面には、熱伝導性の接着剤２２によって第２放熱板４０が接着されている。絶縁層２１は、フレキシブル基板１０及び第１放熱板３０の一方と接着しているが、他方とは接着していない。絶縁層２１を設けることにより、レジスト層１３が破れて配線パターン１２が露出しても、第１放熱板３０と配線パターン１２が導通することを防止できる。
【００１７】
半導体チップ１で発生した熱の一部は、フレキシブル基板１０並びに絶縁層２１又は接着剤２２を介して、第１放熱板３０及び第２放熱板４０に伝熱する。なお、第１放熱板３０は金属板である。また第２放熱板４０も好ましくは金属板である。ここでの金属は、例えばアルミニウム又は銅が用いられる。
【００１８】
第２放熱板４０にはネジ穴が形成されており、第１放熱板３０にも、第２放熱板４０のネジ穴と重なる位置に、ネジ穴が形成されている。またフレキシブル基板１０には、これらネジ穴と重なる位置に、開口が形成されている。第２放熱板４０のネジ穴、フレキシブル基板１０の穴、及び第１放熱板３０のネジ穴にネジ５１を通すことにより、第１放熱板３０及び第２放熱板４０はフレキシブル基板１０に押し付けられる。また第１放熱板３０はフレキシブル基板１０に固定される。ネジ５１は、例えば第２放熱板４０側から挿入されるが、第１放熱板３０側から挿入されてもよい。また本図において、第１放熱板３０に形成されたネジ穴は、第１放熱板３０を上下に貫通しているが、貫通していなくても良い。
【００１９】
また第２放熱板４０には、半導体チップ１と重ならない部分に開口４１が形成されており、第１放熱板３０には、開口４１の内側に位置するネジ穴が形成されている。またフレキシブル基板１０には、このネジ穴と重なる位置に、開口が形成されている。フレキシブル基板１０の穴、及び第１放熱板３０のネジ穴にネジ５２を通すことにより、フレキシブル基板１０は撓み、配線パターン１２の接地配線は第１放熱板３０に接して接地することができる。またフレキシブル基板１０は、ネジ５２によっても第１放熱板３０に固定される。なお、ネジ５２の頭部の直径は開口４１の幅又は直径より小さい。このためネジ５２の頭部は、第２放熱板４０には接せず、直接フレキシブル基板１０の裏面に接する。
【００２０】
第１放熱板３０は、半導体チップ１と対向する部分に凹部３１を有している。凹部３１の底面には熱伝導性の絶縁層１ｂが設けられており、半導体チップ１は、凹部３１内に入り込んでおり、絶縁層１ｂを介して凹部３１の底面と接している。このような構造を有するためには、凹部３１の深さ、絶縁層２１の厚さ、及びレジスト層１３の厚さの和を、半導体チップ１の厚さと絶縁層１ｂの厚さの和に一致させればよい。そして半導体チップ１で発生した熱の一部は、絶縁層１ｂを介して第１放熱板３０に伝熱する。なお、絶縁層１ｂは凹部３１の底面に接着しているが、半導体チップ１には接着していなくても良い。
【００２１】
このように本実施形態によれば、半導体チップ１は、熱伝導性の絶縁層１ｂを介して第１放熱板３０に接している。このため、半導体チップ１で生じた熱は、まず第１放熱板３０に直接伝熱する。またフレキシブル基板１０の表面には、熱伝導性が高い絶縁層２１を介して第１放熱板３０が接しており、フレキシブル基板１０の裏面には、熱伝導性の接着剤２２を介して第２放熱板４０に接している。このため半導体チップ１で生じた熱の一部は、フレキシブル基板１０及び絶縁層２１を介して第１放熱板３０に伝熱し、またフレキシブル基板１０及び接着剤２２を介して第２放熱板４０に伝熱する。そして第１放熱板３０及び第２放熱板４０に伝熱した熱は、例えば空気に放熱される。
従って、半導体チップ１で生じた熱を、効率よく放熱することができる。
【００２２】
また、第１放熱板３０はネジ５１，５２によってフレキシブル基板１０に固定されており、第２放熱板４０は接着剤２２によってフレキシブル基板１０の裏面に固定されている。従って、フレキシブル基板１０、第１放熱板３０、及び第２放熱板４０のいずれかに横方向の力が加わっても、半導体チップ１に大きな力は加わらない。従って、半導体チップ１と配線パターン１２の接続部分が剥離することを抑制できる。この効果は、絶縁層１ｂが半導体チップ１に接着していない場合、特に顕著になる。
【００２３】
また、絶縁層２１は、フレキシブル基板１０及び第１放熱板３０の一方と接着しているが、他方とは接着していない。従って、フレキシブル基板１０及び第１放熱板３０の一方に横方向の力が加わっても、フレキシブル基板１０の配線パターン１２と基材１１の界面には大きな力が加わらない。従って、配線パターン１２が基材１１から剥離することを抑制できる。
【００２４】
また、ネジ５２によって配線パターン１２の接地配線が第１放熱板３０に接しているが、これにより接地配線が接地される。従って、接地配線の接地構造を簡単にすることができる。
【００２５】
図２は、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の構成を説明するための断面図であり、第１の実施形態における図１（Ｂ）に相当する図である。本実施形態に係る半導体装置は、フレキシブル基板１０が両面基板であり、フレキシブル基板１０の裏面に半導体チップ２がＣＯＦ方式で実装されている点を除いて、第１の実施形態と概略同様である。以下、第１の実施形態と同様の構成については説明を省略する。
【００２６】
フレキシブル基板１０の基材１１の裏面には、配線パターン１４が形成されており、さらに配線パターン１４はレジスト層１５で被覆されている。またフレキシブル基板１０と第２放熱板４０の界面には、接着剤ではなく熱伝導性が高い絶縁層２３が設けられている。すなわち本実施形態では、第２放熱板４０は、ネジ５１，５２によってフレキシブル基板１０の裏面に固定される。絶縁層２３は、フレキシブル基板１０及び第２放熱板４０の一方と接着しているが、他方とは接着していない。絶縁層２３を設けることにより、レジスト層１５が破れて配線パターン１４が露出しても、第２放熱板４０と配線パターン１４が導通することを防止できる。
【００２７】
レジスト層１５及び後述する絶縁層２３は、半導体チップ２と接続する部分、及びネジ５２の周囲において配線パターン１４を被覆していない。なお、配線パターン１４のうちネジ５２の周囲に位置する配線は、接地配線となっている。
【００２８】
半導体チップ２は、例えばフラットパネルディスプレイ（例えばプラズマディスプレイ又は液晶ディスプレイ）のドライバであり、樹脂２ａによってフレキシブル基板１０上で封止されている。
【００２９】
第２放熱板４０は、半導体チップ２と対向する部分に凹部４２を有している。凹部４２の底面には熱伝導性の絶縁層２ｂが設けられており、半導体チップ２は、凹部４２内に入り込んでおり、絶縁層２ｂを介して凹部４２の底面と接している。このような構造を有するためには、凹部４２の深さ、絶縁層２３の厚さ、及びレジスト層１５の厚さの和を、半導体チップ２の厚さと絶縁層２ｂの厚さの和に一致させればよい。
【００３０】
以上、本実施形態によれば、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。また、半導体チップ２は、熱伝導性の絶縁層２ｂを介して第２放熱板４０に接している。このため、半導体チップ２で生じた熱は、まず第２放熱板４０に直接伝熱する。また半導体チップ２で生じた熱の一部は、フレキシブル基板１０及び絶縁層２１を介して第１放熱板３０に伝熱し、またフレキシブル基板１０及び絶縁層２３を介して第２放熱板４０に伝熱する。そして第１放熱板３０及び第２放熱板４０に伝熱した熱は、空気に放熱される。
従って、半導体チップ２で生じた熱を、効率よく放熱することができる。
【００３１】
また、第２放熱板４０はネジ５１，５２によってフレキシブル基板１０に固定されている。従って、フレキシブル基板１０、第１放熱板３０、及び第２放熱板４０のいずれかに横方向の力が加わっても、半導体チップ２に大きな力は加わらない。従って、半導体チップ２と配線パターン１４の接続部分が剥離することを抑制できる。この効果は、絶縁層２ｂが半導体チップ２に接着していない場合、特に顕著になる。
【００３２】
また、絶縁層２３は、フレキシブル基板１０及び第２放熱板４０の一方と接着しているが、他方とは接着していない。従って、フレキシブル基板１０及び第２放熱板４０の一方に横方向の力が加わっても、フレキシブル基板１０の配線パターン１４と基材１１の界面には大きなが加わらない。従って、配線パターン１４が基材１１から剥離することを抑制できる。
【００３３】
図３は、本発明の第３の実施形態に係る半導体装置の構成を説明するための断面図であり、第１の実施形態における図１（Ｂ）に相当する図である。本実施形態に係る半導体装置は、第１放熱板３０及び第２放熱板４０の端部が、フレキシブル基板１０の端部より外側に位置していて互いに対向している点、及び、第２放熱板４０の端部にスペーサ部４３が設けられている点を除いて、第１の実施形態と同様である。以下、第１の実施形態と同様の構成については説明を省略する。
【００３４】
スペーサ部４３は、第２放熱板４０の端部のうち第１放熱版３０と対向する面を、第１放熱版３０に向けて凸にすることにより形成される。スペーサ部４３の上端面は第１放熱板３０に当接している。従って、第１放熱板３０と、フレキシブル基板１０及び第２放熱板４０との間隔を、スペーサ部４３によって維持することができる。
【００３５】
以上、本実施形態によっても第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。また、第１放熱板３０とフレキシブル基板１０の間隔を、スペーサ部４３によって維持することができるため、第１放熱板３０がフレキシブル基板１０の表面に近づいてレジスト層１３に力が加わることを抑制できる。
【００３６】
図４は、本発明の第４の実施形態に係る半導体装置の構成を説明するための断面図であり、第２の実施形態における図２に相当する図である。本実施形態に係る半導体装置は、第１放熱板３０及び第２放熱板４０の端部が、第３の実施形態と同様にフレキシブル基板１０の端部より外側に位置していて互いに対向している点、及び、第３の実施形態と同様に第２放熱板４０の端部にスペーサ部４３が設けられている点を除いて、第１の実施形態と同様である。以下、第２の実施形態と同様の構成については説明を省略する。
【００３７】
本実施形態によっても、第２の実施形態と同様の効果を得ることができる。また、本実施形態において、第１放熱板３０及び第２放熱板４０の構成は、第３の実施形態と同様であるため、本実施形態によっても、第１放熱板３０とフレキシブル基板１０の間隔、及び第２放熱板４０とフレキシブル基板１０の間隔それぞれを、スペーサ部４３によって維持することができる。従って、第１放熱板３０又は第２放熱板４０がフレキシブル基板１０に近づいてレジスト層１３，１５に力が加わることを抑制できる。
【００３８】
図５は、本発明の第５の実施形態に係る半導体装置の構成を説明するための断面図であり、第３の実施形態における図３に相当する図である。本実施形態に係る半導体装置は、第１放熱板３０及び第２放熱板４０の端部の位置が第１の実施形態と同様である点、フレキシブル基板１０に開口１０ａが形成されている点、及び、スペーサ部４３が開口１０ａと重なる位置に設けられており、開口１０ａを挿通して第１放熱板３０に当接している点を除いて、第３の実施形態と同様である。以下、第３の実施形態と同様の構成については説明を省略する。
本実施形態によっても、第３の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００３９】
図６は、本発明の第６の実施形態に係る半導体装置の構成を説明するための断面図であり、第４の実施形態における図４に相当する図である。本実施形態に係る半導体装置は、第１放熱板３０及び第２放熱板４０の端部の位置が第１の実施形態と同様である点、フレキシブル基板１０に開口１０ａが形成されている点、及び、スペーサ部４３が開口１０ａと重なる位置に設けられており、開口１０ａを挿通して第１放熱板３０に当接している点を除いて、第４の実施形態と同様である。以下、第４の実施形態と同様の構成については説明を省略する。
本実施形態によっても、第４の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００４０】
尚、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することが可能である。例えば上記した各実施形態において、絶縁層２１を設けなくても良く、また絶縁層１ｂを設けなくても良い。また第２、第４、及び第６の各実施形態において、絶縁層２３を設けなくても良く、また絶縁層２ｂを設けなくても良い。また半導体チップ１，２が実装される基板はフレキシブル基板である必要はなく、配線パターン１２が第１放熱板３０に接する程度に基板がネジ５２によって撓むのであれば、他の基板であってもよい。
【００４１】
また、上記した各実施形態において、ネジ５１，５２の代わりにピンを用いてもよい。この場合、第１放熱板３０及び第２放熱板４０にはネジ穴ではなく、通常の穴を形成すればよい。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の構成を説明するための断面図。
【図２】本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の構成を説明するための断面図。
【図３】本発明の第３の実施形態に係る半導体装置の構成を説明するための断面図。
【図４】本発明の第４の実施形態に係る半導体装置の構成を説明するための断面図。
【図５】本発明の第５の実施形態に係る半導体装置の構成を説明するための断面図。
【図６】本発明の第６の実施形態に係る半導体装置の構成を説明するための断面図。
【符号の説明】
【００４３】
１，２…半導体チップ、１ａ，２ａ…樹脂、１ｂ，２ｂ，２１，２３…絶縁層、１０…フレキシブル基板、１０ａ…開口、１１…基材、１２，１４…配線パターン、１３，１５…レジスト層、２２…接着剤、３０…第１放熱板、３１…凹部、４０…第２放熱板、４３…スペーサ部、５１，５２…ネジ
【図１】
0004466692.tif 000002
【図２】
0004466692.tif 000003
【図３】
0004466692.tif 000004
【図４】
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【図５】
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【図６】
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