(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で表されることを特徴とする光学活性な２，３−ビス（ジアルキルホスフィノ）ピラジン誘導体。
【化１】
0004500289.tif 000019
式中、Ｒ1は、直鎖状若しくは分岐状の非環式アルキル基又は脂環式アルキル基を示し、炭素数は２〜１０である。Ｒ2は、Ｒ1よりも炭素数の少ない、直鎖状又は分岐状のアルキル基を示す。Ｒ3及びＲ4は、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数１〜６のアルキル基又は水素原子を示し、同一でもよく又は異なっていてもよい。Ｒ3及びＲ4は互いに結合して飽和又は不飽和の環を形成していてもよい。
【請求項２】
下記一般式（２）で表される請求項１記載のピラジン誘導体。
【化２】
0004500289.tif 000020
式中、Ｒ1及びＲ2は前記の定義と同じであり、Ｒ5はハロゲン原子又は水素原子を示す。
【請求項３】
Ｒ1がｔ−ブチル基又はアダマンチル基で、Ｒ2がメチル基である請求項１又は２記載のピラジン誘導体。
【請求項４】
請求項１記載のピラジン誘導体の製造方法であって、
下記一般式（３）で表される２，３−ジハロゲノピラジン誘導体に、下記一般式（４）で表されるジアルキルホスフィン−ボランを脱プロトン化させて作用させ求核置換反応を行い、次いで脱ボラン化反応を行うことを特徴とする光学活性な２，３−ビス（ジアルキルホスフィノ）ピラジン誘導体の製造方法。
【化３】
0004500289.tif 000021
【化４】
0004500289.tif 000022
【請求項５】
請求項１記載のピラジン誘導体を配位子とすることを特徴とする不斉合成触媒用金属錯体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学活性な２，３−ビス（ジアルキルホスフィノ）ピラジン誘導体及びその製造方法に関する。このピラジン誘導体は不斉合成反応に用いられる金属錯体の不斉触媒の配位子として有用である。また本発明は、該ピラジン誘導体を配位子とする不斉合成触媒用金属錯体に関する。
【背景技術】
【０００２】
Ｐ原子上に不斉中心を有する光学活性なホスフィン配位子は、遷移金属錯体を用いる触媒的不斉合成反応において重要な役割を果たしている。しかし一般に、前記のホスフィン配位子は、出発原料から目的物を得るまでの反応段数が多い場合がしばしばである。従って、今までよりも更に簡便に合成可能なホスフィン配位子が望まれていた。また、前記のホスフィン配位子は空気中での保存安定性が十分でない場合があり、その取り扱いに注意を払う必要があった。
【０００３】
本発明者らは先に、Ｐ原子上に不斉中心を有する光学活性なホスフィン配位子として、１，２−ビス（ジアルキルホスフィノ）ベンゼン誘導体を提案した（特許文献１参照）。この配位子は、遷移金属に対して非常に安定な単一のキレートコンフォメーションをとるので、中心金属周辺の不斉環境が効率よく基質に転写される。従って、この配位子を用いたロジウム金属錯体を始めとする遷移金属錯体は、不斉水素化反応の不斉触媒として極めて有用である。しかし、このベンゼン誘導体よりも一層合成が容易で、且つ取り扱い性が良好な配位子が望まれていた。
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−３１９２８８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従って本発明の目的は、従来のホスフィン配位子よりも合成が容易で且つ取り扱い性に優れた光学活性なホスフィン配位子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、下記一般式（１）で表されることを特徴とする光学活性な２，３−ビス（ジアルキルホスフィノ）ピラジン誘導体を提供することにより前記目的を達成したものである。
【０００７】
【化５】
0004500289.tif 000002
式中、Ｒ1は、直鎖状若しくは分岐状の非環式アルキル基又は脂環式アルキル基を示し、炭素数は２〜１０である。Ｒ2は、Ｒ1よりも炭素数の少ない、直鎖状又は分岐状のアルキル基を示す。Ｒ3及びＲ4は、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数１〜６のアルキル基又は水素原子を示し、同一でもよく又は異なっていてもよい。Ｒ3及びＲ4は互いに結合して飽和又は不飽和の環を形成していてもよい。
【０００８】
また本発明は、前記の一般式（１）で表されるピラジン誘導体の好ましい製造方法であって、下記一般式（３）で表される２，３−ジハロゲノピラジン誘導体に、下記一般式（４）で表されるジアルキルホスフィン−ボランを脱プロトン化させて作用させ求核置換反応を行い、次いで脱ボラン化反応を行うことを特徴とする光学活性な２，３−ビス（ジアルキルホスフィノ）ピラジン誘導体の製造方法を提供するものである。
【０００９】
【化６】
0004500289.tif 000003
【００１０】
【化７】
0004500289.tif 000004
【００１１】
更に本発明は、前記の一般式（１）で表されるピラジン誘導体を配位子とすることを特徴とする不斉合成触媒用金属錯体を提供するものである。
【発明の効果】
【００１２】
本発明のピラジン誘導体は、空気中で安定に存在するので、保存安定性を始めとする取り扱い性が非常に良好である。また本発明の製造方法によれば、本発明のピラジン誘導体を容易に製造することができる。更に本発明のピラジン誘導体を配位子とする金属錯体を不斉合成の触媒として用いた場合に、高いエナンチオ選択性及び反応活性を有し、各種不斉合成に幅広く適用することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
前記の一般式（１）で表される本発明のピラジン誘導体において、Ｒ1は、置換されていてもよい直鎖状又は分岐状の２〜１０のアルキル基を示す。その例としては、エチル基、イソプロピル基、ｎ−プロピル基、イソブチル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソヘプチル基、ｎ−ヘプチル基、イソヘキシル基、ｎ−ヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基等が挙げられる。これらの基は、少なくとも一個の一価の置換基で適宜置換されていてもよい。特にＲ1は、立体障害性を有するバルキーな基であることが好ましい。この観点から、Ｒ1が非環式のアルキル基の場合、一級アルキル基よりも二級アルキル基が好ましく、二級アルキル基よりも三級アルキル基が好ましい。また、Ｒ1が脂環式のアルキル基であることも好ましい。好ましいアルキル基としてはｔｅｒｔ−ブチル基やアダマンチル基が挙げられる。
【００１４】
一方、一般式（１）においてＲ2は、Ｒ1よりも炭素数の少ない、置換されていてもよい直鎖状又は分岐状のアルキル基を示す。Ｒ1とＲ2の炭素数の差は少なくとも１であることが必要である。本発明のピラジン誘導体を、不斉合成触媒用金属錯体の配位子として用いた場合、高度な不斉空間が形成されることを考慮すると、Ｒ1とＲ2の立体障害性に大きな差があることが好ましい。つまり、Ｒ1が立体障害性を有するバルキーな基、つまり極大基であるのに対して、Ｒ2は極小基であることが好ましい。従ってＲ1とＲ2は炭素数の差は大きいほど好ましい。具体的には、Ｒ1とＲ2の炭素数の差は２以上、特に３以上、とりわけ４以上であることが好ましい。Ｒ2が極小基であることに鑑みれば、Ｒ2として最も好ましい基はメチル基であると言える。しかし、一般的には、Ｒ2として用い得る基はＲ1との関係で相対的に決定される。Ｒ1とＲ2の特に好ましい組み合わせとしては、Ｒ1＝ｔｅｒｔ−ブチル基、Ｒ2＝メチル基の組み合わせや、Ｒ1＝アダマンチル基、Ｒ2＝メチル基の組み合わせが挙げられる。
【００１５】
一般式（１）において、Ｒ3及びＲ4は、炭素数１〜６のアルキル基又は水素原子を示す。Ｒ3とＲ4は、同一でもよく或いは異なっていてもよい。Ｒ3及びＲ4としては、例えばエチル基、イソプロピル基、ｎ−プロピル基、イソブチル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソヘプチル基、ｎ−ヘプチル基、イソヘキシル基、ｎ−ヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。これらの基は、少なくとも一個の一価の置換基で適宜置換されていてもよい。またＲ3及びＲ4は、互いに結合して飽和又は不飽和の環を形成していてもよい。Ｒ3及びＲ4が結合して形成された環としては、飽和又は不飽和の五員環又は六員環が挙げられる。例えばフェニル基、シクロヘキシル基、シクロペンチル基等が挙げられる。これらの環は、少なくとも一個の一価の置換基で適宜置換されていてもよい。
【００１６】
Ｒ3及びＲ4として特に好ましいのは、両者が結合してフェニル基を形成している場合であり、その場合、本発明に係る化合物は以下の一般式（２）で表されるキノキサリン誘導体である。
【００１７】
【化８】
0004500289.tif 000005
【００１８】
前記の一般式（２）中、Ｒ5で示される一価の置換基に特に制限はない。Ｒ5としては例えばハロゲン原子等が挙げられる。
【００１９】
前記の一般式（１）で表される２，３−ビス（ジアルキルホスフィノ）ピラジン誘導体の具体的な化合物を例示すると、（Ｒ，Ｒ）−２，３−ビス（ｔｅｒｔ−ブチルメチルホスフィノ）キノキサリン、（Ｒ，Ｒ）−２，３−ビス（アダマンチルメチルホスフィノ）キノキサリン、（Ｒ，Ｒ）−２，３−ビス（ｔｅｒｔ−ブチルメチルホスフィノ）ピラジン、（Ｒ，Ｒ）−２，３−ビス（アダマンチルメチルホスフィノ）ピラジン等が挙げられる。
【００２０】
前記の一般式（１）で表されるピラジン誘導体は、ピラジン骨格に起因する電子吸引性によってホスフィン部位のＰ原子の電子密度が低められている。その結果、ホスフィン部位が空気による酸化に対して不活性になり、保存安定性が高くなる。特に、前記の一般式（１）で表されるピラジン誘導体が、前記の一般式（２）で表されるキノキサリン誘導体である場合、ホスフィン部位が空気による酸化に対して一層不活性になり、保存安定性が一層高くなる。
【００２１】
また前記の一般式（１）で表されるピラジン誘導体は、ピラジン骨格に起因して剛性の高いものとなり、２つのホスフィン部位と遷移金属とで形成される挟角が大きくなる。その結果、該ピラジン誘導体を配位子として有する遷移金属錯体を触媒として用いると、還元的脱離を容易に進行させることができる。特に、前記の一般式（１）で表されるピラジン誘導体が、前記の一般式（２）で表されるキノキサリン誘導体である場合、前記の挟角が一層大きくなり、還元的脱離を一層容易に進行させることができる。
【００２２】
次に、本発明に係る２，３−ビス（ジアルキルホスフィノ）ピラジン誘導体の製造方法を説明する。先ず、下記の一般式（３）で表される２，３−ジハロゲノピラジン誘導体、例えば２，３−ジクロロキノキサリンを用意する。２，３−ジクロロキノキサリンは商業的に入手可能な化合物である。
【００２３】
【化９】
0004500289.tif 000006
【００２４】
これとは別に、下記の一般式（４）で表されるジアルキルホスフィン−ボランを用意し、これをテトラヒドロフラン等の不活性溶媒中で脱プロトン化する。脱プロトン化には、例えばブチルリチウムが用いられる。
【００２５】
【化１０】
0004500289.tif 000007
【００２６】
脱プロトン化された状態のジアルキルホスフィン−ボランを、前記の２，３−ジハロゲノピラジン誘導体に作用させる。２，３−ジハロゲノピラジン誘導体におけるハロゲンが結合している炭素原子の電子は、隣接する窒素原子によって吸引されている。従って、脱プロトン化された状態のジアルキルホスフィン−ボラン、即ち求核試薬は、当該炭素原子を攻撃して求核置換反応が起こる。この反応は、液体窒素環境下ないし室温下で速やかに進行する。この反応によって、反応系内には中間体であるジホスフィン−ボラン体が生成する。
【００２７】
引き続き、前記の中間体であるジホスフィン−ボラン体の脱ボラン化反応を行う。脱ボラン化反応には、例えば反応系にＮ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン（ＴＭＥＤＡ）を添加すればよい。脱ボラン化は、室温にて数十分ないし数時間で完了する。これによって、目的とする２，３−ビス（ジアルキルホスフィノ）ピラジン誘導体が得られる。全体の反応スキームは以下の通りであり、付加脱離反応であることが判る。
【００２８】
【化１１】
0004500289.tif 000008
【００２９】
以上の方法によれば、実質的に一段の反応で、出発物質から目的物質を得ることができるという利点がある。また特筆すべきは、前記の反応の間、Ｐ原子についての立体性が損なわれていないということである。
【００３０】
なお、前記の反応に用いられる求核試薬であるジアルキルホスフィン−ボランは、公知の方法によって調製することができる。そのような方法としては、例えば特開２００１−２５３８８９号公報に記載の方法等が挙げられる。具体的には次の方法が挙げられる。
【００３１】
下記一般式（５）で表されるジアルキル（ヒドロキシメチル）ホスフィン−ボランを、０℃ないし室温下でピリジンに溶解する。この溶液に塩化ベンゾイルを滴下する。
【００３２】
【化１２】
0004500289.tif 000009
【００３３】
この反応によって下記一般式（６）表されるジアルキル（ベンゾイルオキシメチル）ホスフィン−ボランが生成する。反応系に水を添加して希釈し、エーテルで抽出する。有機層を塩酸で洗浄し、溶媒を除去してジアルキル（ベンゾイルオキシメチル）ホスフィン−ボランの結晶を得る。
【００３４】
【化１３】
0004500289.tif 000010
【００３５】
前記の一般式（６）で表されるジアルキル（ベンゾイルオキシメチル）ホスフィン−ボランの結晶をエタノールに溶解し、そこに水酸化カリウム水溶液を滴下し、加水分解反応を行う。次いで、水酸化カリウム、過硫酸カリウム及び三塩化ルテニウムを含む水溶液を滴下し反応を行う。反応液を塩酸で中和した後、エーテルで抽出を行う。溶媒を除去して、前記の一般式（４）で表されるジアルキルホスフィン−ボランの結晶を得る。
【００３６】
前記の一般式（１）で表される本発明の２，３−ビス（ジアルキルホスフィノ）ピラジン誘導体は、配位子として、遷移金属と共に錯体を形成することができる。この錯体は不斉合成触媒として有用なものである。不斉合成としては、例えば不斉水素化反応、有機ボロン酸を用いた電子不足オレフィンへの不斉１，４−付加反応、不斉ヒドロシリル反応、不斉マイケル反応などが挙げられる。
【００３７】
錯体を形成することができる遷移金属としては、例えば、ロジウム、ルテニウム、イリジウム、パラジウム、ニッケル、鉄等が挙げられる。好ましい金属はロジウムである。一般式（１）で表される２，３−ビス（ジアルキルホスフィノ）ピラジン誘導体を配位子として用い、ロジウムと共に錯体を形成させる方法としては、例えば実験化学講座第４版（日本化学会編、丸善株式会社発行 第１８巻３２７〜３５３頁）に記載されている方法に従えばよい。具体的には、一般式（１）で表される２，３−ビス（ジアルキルホスフィノ）ピラジン誘導体と、ビス（シクロオクタ−１，５−ジエン）ロジウムテトラフルオロホウ酸塩と反応させることにより、ロジウム錯体を製造することができる。
【００３８】
得られるロジウム錯体を具体的に例示すると、Ｒｈ（（Ｓ，Ｓ）−（１））Ｃｌ、Ｒｈ（（Ｓ，Ｓ）−（１））Ｂｒ、Ｒｈ（（Ｓ，Ｓ）−（１））Ｉ、［Ｒｈ（（Ｓ，Ｓ）−（１））（ｃｏｄ）］ＢＦ4、［Ｒｈ（（Ｓ，Ｓ）−（１））（ｃｏｄ）］ＣｌＯ4、［Ｒｈ（（Ｓ，Ｓ）−（１））（ｃｏｄ）］ＰＦ6 、［Ｒｈ（（Ｓ，Ｓ）−（１））（ｃｏｄ）］ＢＰｈ4、［Ｒｈ（（Ｓ，Ｓ）−（１））（ｎｂｄ）］ＢＦ4、［Ｒｈ（（Ｓ，Ｓ）−（１））（ｎｄｂ）］ＣｌＯ4、［Ｒｈ（（Ｓ，Ｓ）−（１））（ｎｄｂ）］ＰＦ4、［Ｒｈ（（Ｓ，Ｓ）−（１））（ｎｄｂ）］ＢＰｈ4、Ｒｈ（（Ｒ，Ｒ）−（１））Ｃｌ、Ｒｈ（（Ｒ，Ｒ）−（１））Ｂｒ、Ｒｈ（（Ｒ，Ｒ）−（１））Ｉ、［Ｒｈ（（Ｒ，Ｒ）−（１））（ｃｏｄ）］ＢＦ4、［Ｒｈ（（Ｒ，Ｒ）−（１））（ｃｏｄ）］ＣｌＯ4、［Ｒｈ（（Ｒ，Ｒ）−（１））（ｃｏｄ）］ＰＦ6、［Ｒｈ（（Ｒ，Ｒ）−（１））（ｃｏｄ）］ＢＰｈ4、［Ｒｈ（（Ｒ，Ｒ）−（１））（ｎｂｄ）］ＢＦ4、［Ｒｈ（（Ｒ，Ｒ）−（１））（ｎｄｂ）］ＣｌＯ4、［Ｒｈ（（Ｒ，Ｒ）−（１））（ｎｄｂ）］ＰＦ6、［Ｒｈ（（Ｒ，Ｒ）−（１））（ｎｄｂ）］ＢＰｈ4等が挙げられる。特に［Ｒｈ（（Ｓ，Ｓ）−（１））（ｃｏｄ）］ＢＦ4が好ましい。なお、前記のロジウム錯体中の（１）は、一般式（１）で表される２，３−ビス（ジアルキルホスフィノ）ピラジン誘導体を示す。ｃｏｄは１，５−シクロオクタジエンを、ｎｂｄはノルボルナジエンを、Ｐｈはフェニルを示す。
【実施例】
【００３９】
以下、実施例を挙げて本発明を更に具体的に説明する。しかしこれは単に例示であって、本発明を制限するものではない。
【００４０】
〔実施例１〕
（１）前記の一般式（４）で表される化合物の合成
以下の手順により、前記の一般式（４）で表される化合物の一種である（Ｒ）−ｔｅｒｔ−ブチルメチルホスフィン−ボラン（９）を合成した。
【００４１】
【化１４】
0004500289.tif 000011
【００４２】
（Ｒ）−ｔｅｒｔ−ブチル（ヒドロキシメチル）メチルホスフィン−ボラン（７）（９２％ｅｅ、２．２２ｇ、１５．０ｍｍｏｌ）を１０ｍｌのピリジンに溶解した溶液に、０℃、撹拌下に、塩化ベンゾイル（２．１ｍＬ、１８ｍｍｏｌ）を滴下した。次いで反応混合液を室温まで加熱した。１時間経過後、反応混合液を水で希釈し、エーテルで３回抽出した。得られた有機層を１Ｍの塩酸、炭酸水素ナトリウム水溶液及び飽和食塩水で洗浄し、硫酸ナトリウムで脱水した。溶媒を除去した後、シリカゲルのカラムクロマトグラフィー（移動相：ヘキサン／酢酸エチル＝３／１）で残渣を精製した。無色の固体が得られ、この固体を、ヘキサン／酢酸エチル混合溶媒で２回再結晶した。このようにして光学的に純粋なベンゾイルオキシメチル（ｔｅｒｔ−ブチル）メチルホスフィン−ボラン（８）を得た。収量は２．３４ｇ、収率は６２％であった。
【００４３】
ベンゾイルオキシメチル（ｔｅｒｔ−ブチル）メチルホスフィン−ボラン（８）（９９％ｅｅ、６．０５ｇ、２４．０ｍｍｏｌ）を２５ｍＬのエタノールに溶解した溶液に、１５ｍＬの水に溶解した水酸化カリウム（４．０ｇ、７２ｍｍｏｌ）を滴下した。約１時間で加水分解が完了した。反応混合液を水で希釈し、エーテルで３回抽出した。抽出液を飽和食塩水で洗浄し、硫酸ナトリウムで脱水した。ロータリーエバポレータで溶媒を除去し、シリカゲルのカラムクロマトグラフィー（移動相：ヘキサン／酢酸エチル＝３／１）で残渣を精製し、（Ｒ）−ｔｅｒｔ−ブチル（ヒドロキシメチル）メチルホスフィン−ボラン（７）を得た。この化合物を７２ｍＬのアセトンに溶解した。水酸化カリウム（１３．５ｇ、２４０ｍｍｏｌ）、過硫酸カリウム（１９．４ｇ、７２．０ｍｍｏｌ）及び三塩化ルテニウム三水和物（６２４ｍｇ、２．４ｍｍｏｌ）を１５０ｍＬの水に溶解した水溶液（０℃）に、該水溶液を激しく撹拌した状態で、前記アセトン溶液を徐々に添加した。２時間経過後、反応混合液を３Ｍの塩酸で中和し、エーテルで３回抽出した。抽出液を飽和食塩水で洗浄し、硫酸ナトリウムで脱水した。ロータリーエバポレータで溶媒を室温下に除去し、シリカゲルのカラムクロマトグラフィー（移動相：ペンタン／エーテル＝８／１）で残渣を精製した。このようにして（Ｒ）−ｔｅｒｔ−ブチルメチルホスフィン−ボラン（９）を得た。収量は２．２７ｇ、収率は８０％であった。
【００４４】
（２）前記の一般式（１）で表される化合物の合成
以下の手順により、前記の一般式（１）で表される化合物の一種である（Ｒ，Ｒ）−２，３−ビス（ｔｅｒｔ−ブチルメチルホスフィノ）キノキサリン（１２）を合成した。
【００４５】
【化１５】
0004500289.tif 000012
【００４６】
２３６ｍｇ（２．０ｍｍｏｌ）の（Ｒ）−ｔｅｒｔ−ブチルメチルホスフィン−ボラン（９）を４ｍＬのテトラヒドロフランに溶解して溶液を得た。この溶液を液体窒素で−７８℃に冷却し、そこにｎ−ブチルリチウムのヘキサン溶液（１．６Ｍ）を１．２５ｍＬ滴下した。１５分経過後、１３３ｍｇ（０．６７ｍｍｏｌ）の２，３−ジクロロキノキサリン（１０）を４ｍＬのテトラヒドロフランに溶解して得た溶液を、激しく撹拌した状態下に滴下した。これによって中間体であるジホスフィン−ボラン体（１１）を得る。１時間かけて液温を室温にした後、３時間撹拌を行った。次いで１ｍＬのＴＭＥＤＡを添加して、更に２時間撹拌を継続し、脱ボラン化反応を行った。１Ｍの塩酸を添加して反応を終了させ、反応液をヘキサンで抽出した。抽出液を１Ｍの塩酸及び飽和食塩水で洗浄し、硫酸ナトリウムで脱水した。溶媒を真空吸引で除去し、シリカゲルのカラムクロマトグラフィー（移動相：ヘキサン／酢酸エチル＝３０／１）で残渣を精製した。これにより（Ｒ，Ｒ）−２，３−ビス（ｔｅｒｔ−ブチルメチルホスフィノ）キノキサリン（１２）の橙色の固体物を得た。この固体物を、熱メタノール（１．７ｍＬ）で再結晶した。これにより橙色結晶を得た（＞９９％ｅｅ、収率８０％）。この化合物の物性値は以下の通りであった。
【００４７】
融点１０２−１０３℃；〔β〕22D−５４．３（ｃ１．００，ＣＨＣｌ3）；1Ｈ ＮＭＲ（３９５．７５ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）：β １．００−１．０３（ｍ，１８Ｈ）、１．４２−１．４４（ｍ，６Ｈ）、７．７０−７．７４（ｍ，２Ｈ）、８．０８−８．１２（ｍ，２Ｈ）；13Ｃ ＮＭＲ（９９．４５ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）：β ４．７７（ｔ，Ｊ＝４．１Ｈｚ）、２７．５９（ｔ，Ｊ＝７．４Ｈｚ）、３１．９０（ｔ，Ｊ＝７．４Ｈｚ）、１２９．５０，１２９．６０，１４１．６３，１６５．１２（ｄｄ，Ｊ＝５．７，２．４Ｈｚ）；31Ｐ ＮＭＲ（２０２．３５ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）：β −１７．７（ｓ）；ＩＲ（ＫＢＲ）２９５０，１４７０，７８０ｃｍ-1；ＨＲＭＳ（ＦＡＢ）計算値（Ｃ18Ｈ29Ｎ2Ｐ2（Ｍ+ ＋Ｈ））３３５．１８０９、実測値３３５．１８２６
【００４８】
〔実施例２〕
ロジウム錯体を用いた不斉水素化反応
５０ｍＬの反応管に、以下の表１に示す基質を０．５ｍｍｏｌ仕込んだ。反応管はステンレス製のチューブで水素ガスタンクに接続されていた。反応管に１気圧の水素ガス（日本酸素製、９９．９９９９％）を充填した。１．９ｍｇ（５．０μｍｏｌ）の［Ｒｈ（ｎｂｄ）2］ＢＦ4及び２．０ｍｇ（６．０μｍｏｌ）の（Ｒ，Ｒ）−２，３−ビス（ｔｅｒｔ−ブチルメチルホスフィノ）キノキサリン（１２）を、脱ガスした１ｍＬのメタノールに添加した液を、シリンジを用いて反応管に添加した。次いで反応管内の水素ガスの圧力を３気圧にした。反応混合液を蒸発させ、残渣をシリカゲルのフラッシュクロマトグラフィーで精製した。溶離液には酢酸エチルを用いた。生成物の絶対配置及びｅｅ値は、保持時間と既報値との比較から決定した。
【００４９】
【表１】
0004500289.tif 000013
【００５０】
〔実施例３〕
ロジウム錯体を用いた有機ボロン酸のβ，β−不飽和カルボニル化合物への１，４−付加反応
１．８ｍｇ（９．０μｍｏｌ）の［ＲｈＣｌ（Ｃ2Ｈ4）2］2及び３．３ｍｇ（９．９μｍｏｌ）の（Ｒ，Ｒ）−２，３−ビス（ｔｅｒｔ−ブチルメチルホスフィノ）キノキサリン（１２）を、１ｍＬのジオキサンに添加し、室温、窒素雰囲気下で１５分間撹拌した。そこに１．５Ｍの水酸化カリウム水溶液０．１ｍｌを添加し、１５分間撹拌した。更に、表２に示す有機ボロン酸（０．６０ｍｍｏｌ）及びβ，β−不飽和カルボニル化合物（０．３０ｍｍｏｌ）を添加した。４０℃で１時間撹拌した後、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で反応を終了させ、エーテルで５回抽出した。有機層を硫酸ナトリウムで脱水し、減圧下に濃縮した。最後に残渣をＴＬＣで精製した（シリカゲル、ヘキサン／酢酸エチル＝３／１）。生成物の絶対配置及びｅｅ値は、保持時間と既報値との比較から決定した。
【００５１】
【表２】
0004500289.tif 000014
【００５２】
〔実施例４〕
パラジウム触媒を用いた不斉開環反応
７．１ｍｇ（０．０２５ｍｍｏｌ）のＰｄＣｌ2（ｃｏｄ）及び８．３ｍｇ（０．０２５ｍｍｏｌ）の（Ｒ，Ｒ）−２，３−ビス（ｔｅｒｔ−ブチルメチルホスフィノ）キノキサリン（１２）を、１ｍＬのＣＨ2Ｃｌ2に添加し、室温、窒素雰囲下で２時間撹拌した。そこに、表３に示すオキサベンゾノルボルナジエン０．５ｍｍｏｌを、１５ｍＬのＣＨ2Ｃｌ2に溶解した溶液を添加した。引き続き、ジメチル亜鉛の１．０Ｍヘキサン溶液（０．７５ｍＬ）又はジエチル亜鉛の１．０Ｍヘキサン溶液（０．７５ｍＬ）を添加した。反応が完了するまで液を撹拌した。数滴の水を添加して反応を終了させた。反応混合液をセライト（商品名）に通し、次いで濃縮した。最後に残渣をＴＬＣで精製した（シリカゲル、ヘキサン／酢酸エチル＝３／１）。生成物の絶対配置及びｅｅ値は、保持時間と既報値との比較から決定した。
【００５３】
【表３】
0004500289.tif 000015
【００５４】
〔実施例５〕
（１）前記の一般式（４）で表される化合物の合成
以下の手順により、  前記の一般式（４）で表される化合物の一種である（Ｒ）−アダマンチルメチルホスフィン−ボラン（１５）を合成した。
【００５５】
【化１６】
0004500289.tif 000016
【００５６】
（Ｒ）−アダマンチル（ヒドロキシメチル）メチルホスフィン−ボラン（１３）（８８％ｅｅ、１．５７ｇ、６．９４ｍｍｏｌ）と４−ジメチルアミノピリジン（４３ｍｇ、０．３５  ｍｍｏｌ）を２０ｍＬのテトラヒドロフランに溶解した溶液に、攪拌下に、塩化ベンゾイル（１．２２ｍＬ、１０．５ｍｍｏｌ）とトリエチルアミン（１．９５ｍＬ、１４ｍｍｏｌ）を加えた。混合物を終夜攪拌した後、反応混合液を１Ｍの塩酸で処理し、酢酸エチルで３回抽出した。抽出液を炭酸水素ナトリウム水溶液及び飽和食塩水で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥した。ロータリーエバポレータで溶媒を留去した後、シリカゲルのカラムクロマトグラフィー（移動相：ヘキサン／酢酸エチル＝１／１）で残渣を精製した。無色の固体が得られ、この固体をメタノールで２回再結晶した。このようにして光学的に純粋なアダマンチル（ベンゾイルオキシメチル）メチルホスフィン−ボラン（１４）を得た。収量は１．０９ｇ、収率は４７％であった。ＮＭＲスペクトルデータは次の通りであった。
【００５７】
1Ｈ  ＮＭＲ（３９６ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）：δ  ０．４６（ｂｒ  ｑ，３Ｈ），１．３２−１．３５（ｄ，３Ｈ），１．６８−２．０４（ｍ，１５Ｈ），４．６６−４．７７（ｍ，２Ｈ），７．２６−７．４９（ｔ，２Ｈ），７．５８−７．６２（ｔ，１Ｈ）８．０３−８．０５（ｄ，２Ｈ）
【００５８】
アダマンチル（ベンゾイルオキシメチル）メチルホスフィン−ボラン（１４）（９９％ｅｅ、１．０９ｇ、３．３ｍｍｏｌ）を１０ｍＬのアセトンに溶解した溶液に、１Ｍの水酸化カリウム水溶液を１０ｍＬ滴下した。１時間後、反応混合液を水で希釈し、酢酸エチルで３回抽出した。抽出液を飽和食塩水で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥した。ロータリーエバポレータで溶媒を留去し、シリカゲルのカラムクロマトグラフィー（移動相：ヘキサン／酢酸エチル＝１／１）で残渣を精製し、（Ｒ）−アダマンチル（ヒドロキシメチル）メチルホスフィン−ボラン（１３）を得た。この化合物を６ｍＬのアセトンに溶解した。このアセトン溶液を、９ｍＬの水に水酸化カリウム（１．８５ｇ、３３ｍｍｏｌ）と過硫酸カリウム（２．６７ｇ、９．９ｍｍｏｌ）を溶かした溶液に加えた。反応容器を氷浴に浸し、三塩化ルテニウム三水和物（８７ｍｇ、０．３３ｍｍｏｌ）を激しく攪拌しながら加えた。１５分後氷浴を除去し、さらに室温で２時間撹拌した後、１Ｍの塩酸で中和した。混合物を酢酸エチルで３回抽出し、抽出液を飽和食塩水で洗浄した後、硫酸ナトリウムで乾燥した。ロータリーエバポレータで溶媒を留去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動層：ヘキサン／酢酸エチル＝５／１）で残渣を精製した。このようにして（Ｒ）−アダマンチルメチルホスフィン−ボラン（１５）を得た。収量は５０６ｍｇ、収率は７８％であった。ＮＭＲスペクトルデータは次の通りであった。
【００５９】
1Ｈ  ＮＭＲ（３９６ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）：δ  ０．４５（ｂｒ  ｑ，３Ｈ），１．２６（ｄｄ，３Ｈ），１．７１−２．０５（ｍ，１５Ｈ），３．７３−３．８０，４．６３−４．７０（ｍ，１Ｈ）
【００６０】
（２）前記の一般式（１）で表される化合物の合成
以下の手順により、前記の一般式（１）で表される化合物の一種である２，３−ビス（アダマンチルメチルホスフィノ）キノキサリン（１７）を合成した。
【００６１】
【化１７】
0004500289.tif 000017
８６ｍｇ（０．４４ｍｍｏｌ）の（Ｒ）−アダマンチルメチルホスフィン−ボラン（１５）を２ｍＬのジエチレングリコールジメチルエーテルに溶解して溶液を得た。この溶液に窒素雰囲気下でｎ−ブチルリチウムのヘキサン溶液（２．５５Ｍ、０．１７ｍＬ）を０℃でゆっくり滴下した。１５分経過後、２，３−ジクロロキノキサリン（１０）（４０ｍｇ、０．２ｍｍｏｌ）を加え、室温で３時間撹拌した。これによって中間体であるジホスフィン−ボラン体（１６）を得る。次いで０．２９ｍＬ（２ｍｍｏｌ）のＴＭＥＤＡを添加して、更に３時間攪拌を継続し、脱ボラン化反応を行った。反応混合物を１Ｍの塩酸で処理し、次いでヘキサンで抽出した。抽出液を飽和食塩水で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥した後、溶媒をロータリーエバポレータで留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動層：ヘキサン／酢酸エチル＝２００／１）で精製することにより，２，３−ビス（アダマンチルメチルホスフィノ）キノキサリン（１７）を橙色無定形質固体として得た（収率７５％）。この化合物の物性値は次の通りであった。
【００６２】
〔α〕24D＝−２４８；1Ｈ  ＮＭＲ（３９６ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）：δ  １．５３−１．８５（ｍ，３０Ｈ），１．３９−１．４２（ｍ，６Ｈ），７．７２−７．７５（ｍ，２Ｈ），８．０９−８．１３（ｍ，２Ｈ）；31Ｐ  ＮＭＲ（２０２ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）：δ  −１７．９（ｓ）
【００６３】
〔実施例６〕
ロジウム錯体を用いた不斉水素化反応
ガラス製の耐圧反応管に、以下の表４に示す基質（０．５ｍｍｏｌ）を仕込み、系内を窒素置換した。一方、５ｍＬの丸底フラスコに、１．８７ｍｇ（５．０μｍｏｌ）の［Ｒｈ（ｎｂｄ）2］ＢＦ4及び２．９４ｍｇ（６．０μｍｏｌ）の２，３−ビス（アダマンチルメチルホスフィノ）キノキサリン（１７）を入れた。系内を窒素置換した後に、脱ガスした１ｍＬのメタノールを加えて３０分間撹拌した。この溶液を耐圧反応管に移し入れ、系内を３気圧の水素ガスで置換した。２時間後、溶媒をロータリーエバポレータで除去し、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（移動層：酢酸エチル）で精製した。生成物の絶対配置及びｅｅ値は、高速液体クロマトグラフィーを用い、既報値との比較から決定した。
【００６４】
【表４】
0004500289.tif 000018