(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半田パッドが形成されたプリント配線板において、少なくとも以下（ａ）〜（ｆ）の工程を備えることを特徴とするプリント配線板の製造方法：
（ａ）位置合わせ用の通孔及び位置決めマークを備えるセラミック又は樹脂からなる半田バンプ転写板に、プリント配線板に配置される平坦な半田パッドに対応する相対的に小径の通孔と、バイアホール上の半田パッドに対応する相対的に大径の通孔とが形成されたマスクを載置する工程；
（ｂ）前記マスクを介して、前記半田バンプ転写板に転写用半田ペーストを印刷する工程；
（ｃ）前記半田バンプ転写板をリフローして、転写用半田バンプを形成する工程；
（ｄ）前記半田バンプ転写板に設けられた前記位置合わせ用の通孔及び前記位置決めマークと、基板に設けられた位置決めマークとを基に、前記半田バンプ転写板と前記基板とを位置合わせする工程；
（ｅ）前記基板に形成された半田パッドに、前記半田バンプ転写板に載置された前記転写用半田バンプをリフローをする工程；
（ｆ）リフロー中に、前記半田バンプ転写板を前記基板から離す工程。
【請求項２】
前記（ｆ）工程のリフローは、１６０〜２８０℃の範囲で行うことを特徴とする請求項１のプリント配線板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半田バンプを備えるプリント配線板の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
一般にプリント配線板の表層は、ＩＣチップ等を実装するために、半田バンプ等を形成し、これら半田バンプが互いに融着しないようにソルダーレジスト層を設けてある。具体的には、導体回路からなる半田パッドの上にソルダーレジスト層を設け、半田パッド上のソルダーレジスト層に開口を設ける。そして、この開口にニッケルめっき層、金めっき層を設けた後、マスク印刷などを用いて半田ペーストをソルダーレジスト層上の開口部に充填し、リフローして半田バンプを形成している。
【０００３】
めっきによって半田バンプを形成させる従来技術としては、特開平３−１５３８７９号、特開平５−２７５８３５号などがある。これら技術では、めっきによって一括で半田バンプを形成させている。しかしながら、狭ピッチになると半田の未形成の度合いが高くなり、適用できなくなることが分かった。
【０００４】
また、半田層を膜上でエッチングにより形成させる従来技術としては、本出願人に係る特開平９−１３５０７２号がある。この技術では、担持膜上の所定位置に半田を形成し、該プリント配線板の所定の位置のパッド上に転写させてリフローを経て半田バンプを形成させている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特開平９−１３５０７２号の担持膜は、樹脂製のフィルムで形成されており、その上の半田もエッチングで形成されている。半田パッドに段差やソルダーレジスト層に凹凸がある場合には、その形状に沿って追従してしまうので、半田バンプの未形成や付着を引き起こすことがある。そして、高温の半田には適さない。また、更なる狭ピッチのものは、エッチング後に膜上の半田の欠損や損失することがあり、半田バンプの形成や接続性に問題を起こしてしまった。
【０００６】
一方、従来のマスクを用いて半田バンプを形成する方法では、ソルダーレジスト層は完全に平坦ではないため、マスク印刷の際にマスクをソルダーレジスト層上に載置しても、マスクと基板との密着が悪くなり易い。それにより、マスクと基板との間に隙間ができ、半田ペーストを印刷しても、印刷した半田ペーストが隙間に入り込むことがあった。そのため、半田パッドに対して半田ペーストの量が一定にならず、未充填による半田バンプの高さのバラツキや半田バンプの短絡を引き起こしていた。
【０００７】
さらに、バイアホール上の半田バンプと、導体回路上の半田バンプとで高さが揃わないという課題もある。即ち、窪みを有するバイアホール上に形成されたソルダーレジスト層の開口と、平滑に形成された導体回路上に形成されたソルダーレジスト層の開口との半田ペーストの充填量が同じであるため、バイアホール上の半田バンプは、平滑な導体回路上の半田バンプと比較して、半田バンプの径が小さくなり、半田バンプの高さも低くなる傾向があった。半田バンプの高さが均一でない場合、基板とＩＣチップとがうまく接合できない恐れがある。
【０００８】
その上、ソルダーレジスト層の開口に半田ペーストを充填すると、半田ペースト内または半田パッドと半田ペーストとの間に、ボイドが形成されてしまうことがあった。半田バンプ内に形成されたボイドは、ＩＣチップへのリフロー接着時やＩＣチップなどの電子部品の動作時に発生した熱により、拡散あるいは膨張したりする。それにより、半田バンプ或いは半田パッドの剥がれ、クラックが発生して、接続性、信頼性に影響を与えた。
【０００９】
本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、半田パッドに半田バンプを適正に形成できるプリント配線板の製造方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記した目的を達成するため、請求項１のプリント配線板の製造方法では、半田パッドが形成されたプリント配線板において、少なくとも以下（ａ）〜（ｆ）の工程を備えることを技術的特徴とする。：
（ａ）位置合わせ用の通孔及び位置決めマークを備えるセラミック又は樹脂からなる半田バンプ転写板に、プリント配線板に配置される平坦な半田パッドに対応する相対的に小径の通孔と、バイアホール上の半田パッドに対応する相対的に大径の通孔とが形成されたマスクを載置する工程；
（ｂ）前記マスクを介して、前記半田バンプ転写板に転写用半田ペーストを印刷する工程；
（ｃ）前記半田バンプ転写板をリフローして、転写用半田バンプを形成する工程；
（ｄ）前記半田バンプ転写板に設けられた前記位置合わせ用の通孔及び前記位置決めマークと、基板に設けられた位置決めマークとを基に、前記半田バンプ転写板と前記基板とを位置合わせする工程；
（ｅ）前記基板に形成された半田パッドに、前記半田バンプ転写板に載置された前記転写用半田バンプをリフローをする工程；
（ｆ）リフロー中に、前記半田バンプ転写板を前記基板から離す工程。
【００１３】
請求項１のプリント配線板の製造方法により、基板に微細で狭ピッチな半田バンプを形成することができ、プリント配線板の高密度化に対応することが可能となる。さらに、基板の表層のソルダーレジスト層の平滑性に関係なく、基板の半田パッドに半田バンプを形成できるため、半田バンプの高さバラツキ及び短絡を防ぐことが可能となる。その上、半田バンプ転写板に形成する転写用半田ペーストの量を半田パッドごとに対応して調節可能なため、基板に転写形成される半田バンプの高さを均一にすることができ、基板とＩＣチップとの接続性を向上させることが可能となる。なおかつ、半田バンプ転写板上で、転写用半田ペーストをリフローして転写用半田バンプを形成した際に、転写用半田ペースト内に形成された気泡を抜き取ることができ、半田バンプ内でのボイドの発生を防ぐことが可能となる。また、半田バンプ転写板に位置合わせ用の通孔及び位置決めマークが設けられているため、転写用半田バンプを正確な位置で半田パッドに転写することが可能となる。
【００１４】
請求項１の発明では、半田バンプ転写板の材料として、アルミナや窒化アルミニウム等のセラミック又はエポキシ系樹脂等の樹脂を用いるのが好ましい。理由としては、リフローの温度に耐えることができ、さらに、フラックス等の薬品に対する耐薬品性を有しているため、繰り返し使用しても変質、変形の恐れがないからである。
【００１５】
請求項２の発明では、半田バンプの転写の際のリフローの温度を１６０〜２８０℃の範囲で行うとしている。温度が１６０℃未満では、半田パッドへの転写用半田バンプの転写が適切にできない。一方、温度が２８０℃を越える場合、プリント配線板を構成する樹脂層が温度に耐えることができないからである。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について図を参照して説明する。
先ず、本発明の第１実施形態に係るプリント配線板１０の構成について、図８を参照して説明する。図８は、本発明の第１実施形態に係るプリント配線板１０の断面図を示している。
【００１７】
プリント配線板１０は、コア基板３０の表面及び裏面にビルドアップ配線層８０Ａ、８０Ｂが形成されている。コア基板３０には、スルーホール３６が形成され、コア基板３０の両面には、導体回路３４が形成されている。また、ビルドアップ配線層８０Ａ、８０Ｂは、導体回路５８（バイアホール６０を含む）が形成された層間樹脂絶縁層５０と、導体回路１５８（バイアホール１６０を含む）及び位置決めマーク１６２が形成された層間樹脂絶縁層１５０とからなる。層間樹脂絶縁層１５０上には、ソルダーレジスト層７０が配設されている。ソルダーレジスト層７０には、導体回路１５８の開口部７１ａ、バイアホール１６０の開口部７１ｂ、及び、半田パッド７５ａ、７５ｂが形成され、半田パッド７５ａ、７５ｂ上には半田バンプ７８が配設されている。
【００１８】
引き続き、図８を参照して上述したプリント配線板の製造方法について、図１〜図８を参照して説明する。
【００１９】
（１）厚さ０．８ｍｍのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビスマレイミド−トリアジン）樹脂からなる基板３０の両面に１８μｍの銅箔３２がラミネートされている銅張積層板３０Ａを出発材料とする（図１（Ａ）参照）。まず、この銅張積層板３０Ａをドリル削孔し、続いてめっきレジストを形成した後、この基板に無電解銅めっき処理を施してスルーホール３６を形成し、さらに、銅箔３２を常法に従いパターン状にエッチングすることにより、基板３０の両面に下層導体回路３４を形成する（図１（Ｂ）参照）。
【００２０】
（２）下層導体回路３４を形成した基板３０を水洗いし、乾燥した後、エッチング液を基板３０の両面にスプレイで吹きつけて、下層導体回路３４の表面とスルーホール３６のランド表面３６ａとをエッチングすることにより、下層導体回路３４の全表面に粗化面３４α、３６αを形成する（図１（Ｃ）参照）。ここで、エッチング液として、イミダゾール銅（II）錯体１０重量部、グリコール酸７重量部、塩化カリウム５重量部およびイオン交換水７８重量部を混合したものを使用する。
【００２１】
（３）熱硬化性樹脂であるエポキシ系樹脂を主成分とする樹脂充填剤４０を、基板３０の両面に印刷機を用いて塗布することにより、下層導体回路３４間またはスルーホール３６内に充填し、加熱乾燥を行う。即ち、この工程により、樹脂充填剤４０が下層導体回路３４の間あるいはスルーホール３６内に充填される（図１（Ｄ）参照）。
【００２２】
（４）上記（３）の処理を終えた基板３０の片面を、ベルト研磨紙（三共理化学社製）を用いたベルトサンダー研磨により、下層導体回路３４の表面やスルーホール３６のランド表面３６ａに樹脂充填剤４０が残らないように研磨し、ついで、上記ベルトサンダー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行う。このような一連の研磨を基板３０の他方の面についても同様に行う。そして、充填した樹脂充填剤４０を加熱硬化させる（図２（Ａ）参照）。
【００２３】
このようにして、スルーホール３６等に充填された樹脂充填剤４０の表層部および下層導体回路３４上面の粗化層３４αを除去して基板３０両面を平滑化し、樹脂充填剤４０と下層導体回路３４とが粗化面３４αを介して強固に密着し、またスルーホール３６の内壁面と樹脂充填剤４０とが粗化面３６αを介して強固に密着した配線基板を得る。
【００２４】
（５）次に、上記（４）の処理を終えた基板３０の両面に、上記（２）で用いたエッチング液と同じエッチング液をスプレイで吹きつけ、一旦平坦化された下層導体回路３４の表面とスルーホール３６のランド表面３６ａとをエッチングすることにより、下層導体回路３４の全表面に粗化面３４βを形成する（図２（Ｂ）参照）。
【００２５】
（６）次に、上記工程を経た基板の両面に、厚さ５０μｍの熱硬化型シクロオレフィン系樹脂シートを温度５０〜１５０℃まで昇温しながら圧力５ｋｇ／ｃｍ2 で真空圧着ラミネートし、エポキシ系樹脂からなる層間樹脂絶縁層５０を設ける（図２（Ｃ）参照）。真空圧着時の真空度は、１０ｍｍＨｇである。
【００２６】
（７）次に、波長１０．４μｍのＣＯ2 ガスレーザにて、ビーム径５ｍｍ、トップハットモード、パルス幅５０μ秒、マスクの穴径０．５ｍｍ、３ショットの条件でエポキシ系樹脂からなる層間樹脂絶縁層５０に直径８０μｍのバイアホール用開口５１を設ける（図２（Ｄ）参照）。この後、酸素プラズマを用いてデスミア処理を行う。
【００２７】
（８）次に、日本真空技術株式会社製のＳＶ−４５４０を用いてプラズマ処理を行い、層間樹脂絶縁層５０の表面に粗化面５０αを形成する（図３（Ａ）参照）。この際、不活性ガスとしてはアルゴンガスを使用し、電力２００Ｗ、ガス圧０．６Ｐａ、温度７０℃の条件で、２分間プラズマ処理を実施する。
【００２８】
（９）次に、同じ装置を用い、内部のアルゴンガスを交換した後、Ｎｉ及びＣｕをターゲットにしたスパッタリングを、気圧０．６Ｐａ、温度８０℃、電力２００Ｗ、時間５分間の条件で行い、Ｎｉ／Ｃｕ金属層５３を層間樹脂絶縁層５０の表面に形成する。このとき、形成されたＮｉ／Ｃｕ金属層５３の厚さは０．２μｍである（図３（Ｂ）参照）。
【００２９】
（１０）上記処理を終えた基板３０の両面に、市販の感光性ドライフィルムを貼り付け、フォトマスクフィルムを載置して、１００ｍＪ／ｃｍ2 で露光した後、０．８％炭酸ナトリウムで現像処理し、厚さ１５μｍのめっきレジスト５４のパターンを形成する（図３（Ｃ）参照）。
【００３０】
（１１）次に、以下の条件で電解めっきを施して、厚さ１５μｍの電解めっき膜５６を形成する（図３（Ｄ）参照）。なお、電解めっき水溶液中の添加剤は、アトテックジャパン社製のカパラシドＨＬである。
【００３１】
〔電解めっき水溶液〕
硫酸                      ２．２４  ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅                    ０．２６  ｍｏｌ／ｌ
添加剤                    １９．５  ｍｌ／ｌ
〔電解めっき条件〕
電流密度                      １  Ａ／ｄｍ2
時間                        ６５  分
温度                    ２２±２  ℃
【００３２】
（１２）ついで、めっきレジスト５４を５％ＮａＯＨで剥離除去した後、そのめっきレジスト５４の下に存在していたＮｉ／Ｃｕ金属層５３を硝酸および硫酸と過酸化水素との混合液を用いるエッチングにて溶解除去し、Ｎｉ／Ｃｕ金属層５３及び電解めっき膜５６からなる厚さ１６μｍの導体回路５８（バイアホール６０を含む）を形成する（図４（Ａ）参照）。
【００３３】
（１３）次に、上記（５）の工程と同様にエッチングを導体回路５８（バイアホール６０を含む）の表面に行うことにより、導体回路５８（バイアホール６０を含む）の表面に粗化面５８αを形成する（図４（Ｂ）参照）。
【００３４】
（１４）続いて、上記（６）〜（１３）の工程を、繰り返すことにより、さらに上層に、層間樹脂絶縁層１５０を形成する。そして、層間樹脂絶縁層１５０上に導体回路１５８（バイアホール１６０を含む）及び位置決めマーク１６２を形成する（図４（Ｃ）参照）。
【００３５】
（１５）次に、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ＤＭＤＧ）に６０重量％の濃度になるように溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社製）のエポキシ基５０％をアクリル化した感光性付与のオリゴマー（分子量：４０００）４６．６７重量部、メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル社製、商品名：エピコート１００１）１５重量部、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、商品名：２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）１．６重量部、感光性モノマーである多官能アクリルモノマー（日本化薬社製、商品名：Ｒ６０４）３重量部、同じく多価アクリルモノマー（共栄化学社製、商品名：ＤＰＥ６Ａ）１．５重量部、分散系消泡剤（サンノプコ社製、商品名：Ｓ−６５）０．７１重量部を容器にとり、攪拌、混合して混合組成物を調製し、この混合組成物に対して光重合開始剤としてベンゾフェノン（関東化学社製）２．０重量部、光増感剤としてのミヒラーケトン（関東化学社製）０．２重量部を加えて、粘度を２５℃で２．０Ｐａ・ｓに調整したソルダーレジスト組成物（有機樹脂絶縁材料）を得る。
なお、粘度測定は、Ｂ型粘度計（東京計器社製、ＤＶＬ−Ｂ型）で６０ｒｐｍの場合はローターＮｏ．４、６ｒｐｍの場合はローターＮｏ．３によった。
【００３６】
（１６）次に、基板の両面に、上記ソルダーレジスト組成物を２０μｍの厚さで塗布し、７０℃で２０分間、７０℃で３０分間の条件で乾燥処理を行った後、ソルダーレジスト開口部７１ａ、７１ｂのパターンが描画された厚さ５ｍｍのフォトマスクをソルダーレジスト層７０に密着させて１０００ｍＪ／ｃｍ2 の紫外線で露光し、ＤＭＴＧ溶液で現像処理し、２００μｍの直径の開口部７１ａ（導体回路１５８の半田パッド用）、開口部７１ｂ（バイアホール１６０の半田パッド用）、開口部７１ｃ（位置決めマーク１６２用）を形成する。そして、さらに、８０℃で１時間、１００℃で１時間、１２０℃で１時間、１５０℃で３時間の条件でそれぞれ加熱処理を行ってソルダーレジスト層７０を硬化させ、開口部７１ａ、７１ｂ、７１ｃを有する、厚さが２０μｍのソルダーレジスト層（有機樹脂絶縁層）７０を形成する（図５（Ａ）参照）。
【００３７】
（１７）次に、ソルダーレジスト層７０を形成した基板を、塩化ニッケル（２．３×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（２．８×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．６×１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液に２０分間浸漬して、開口部７１ａ、７１ｂ、７１ｃに厚さ５μｍのニッケルめっき層７２を形成する。さらに、その基板をシアン化金カリウム（７．６×１０-3ｍｏｌ／ｌ）、塩化アンモニウム（１．９×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．２×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（１．７×１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含む無電解めっき液に８０℃の条件で７．５分間浸漬して、ニッケルめっき層７２上に、厚さ０．０３μｍの金めっき層７４を形成する。これにより開口部７１ａ、７１ｂ内に、ニッケルめっき層７２及び金めっき層７４からなる半田パッド７５ａ、７５ｂを形成する。なお、半田パッド７５ａは表面が平坦な導体回路１５８上に形成された半田パッドであり、半田パッド７５ｂは、バイアホール１６０上に形成された半田パッドである（図５（Ｂ）参照）。
【００３８】
（１８）次に、表面が平坦な窒化アルミニウム製の半田バンプ転写板９０を用意する。なお、半田バンプ転写板９０の四隅（図中１カ所のみ示す）には、位置合わせ用の通孔９２が形成されている（図６（Ａ）参照）。該半田バンプ転写板９０の表面及び裏面には、通孔９２に内周とする位置決めマーク９４Ａ、９４Ｂが形成されている。この表面側位置決めマーク９４Ａの平面図を図９（Ａ）に示す。ここで、半田バンプ転写板９０に、位置合わせ用の通孔９２及び位置決めマーク９４Ａ、９４Ｂが設けられているため、後述する工程で、半田パッド７５ａ、７５ｂへの転写用半田バンプの転写を正確な位置で行うことが可能となる。
【００３９】
なお、半田バンプ転写板９０の大きさは、個片となった基板に用いる場合には、同じサイズあるいは半田パッドエリアの面積に合わせ１０〜１００％の大きさのものを用いることができる。一方、個片に切り出す前の多数個用大判シートに用いる場合には、４０％〜１００％の大きさのものを用いることができる。半田バンプ転写板９０の厚さは、１〜１０ｍｍ程度が望ましい。
【００４０】
また、半田バンプ転写板９０の材料としては、アルミナや窒化アルミニウム等のセラミック又はエポキシ系樹脂等の樹脂を用いるのが好ましい。理由としては、融点が３００℃以上であるためリフローの温度に耐えることができ、さらに、フラックス等の薬品に対する耐薬品性を有しているため、繰り返し使用しても変質、変形の恐れがないからである。
【００４１】
（１９）次いで、半田バンプ転写板９０の片面に、半田パッド７５ａ、７５ｂのパターンに相対するパターンが形成されたマスク９６を載置する。このとき、半田バンプ転写板９０に設けられた表面側位置決めマーク９４Ａに、マスク９６の位置決めマーク９６ｃを位置合わせして載置するのが好ましい。このマスク９６には、導体回路上に半田パッド７５ａを形成するための相対的に小径の通孔９７ａと、バイアホール上に半田パッド７５ｂを形成するための相対的に大径の通孔９７ｂとが設けられている。次に、マスク９６を介して半田バンプ転写板９０に、Ｓｎ／Ｐｂからなる転写用半田ペースト７６を印刷する（図６（Ｂ）参照）。ここで、半田パッド７５ａ、７５ｂのパターンに相対するパターンが形成されたマスク９６を用いることにより、後述する工程で、適切に転写用半田バンプを半田パッド７５ａ、７５ｂに転写することが可能となる。更に、マスク９６に平坦な半田パッド７５ａ用の小径の通孔９７ａとバイアホール上の半田パッド７５ｂ用の大径の通孔９７ｂとを設けることにより、半田パッド７５ａと半田パッド７５ｂとで転写用半田ペースト７６の量を調節することができ、後述する工程で、基板に転写形成される半田バンプの高さを揃えることが可能となる。
【００４２】
転写用半田ペースト７６としては、一般的にプリント配線板に用いられるものであればよく、Ｓｎ／Ｐｂ、Ｓｎ／Ａｇ、Ｓｎ／Ａｇ／Ｃｕ等が用いられる。特に望ましいのは、融点が１５０〜２７０℃のものがよい。理由としては、融点が１５０℃未満では、半田バンプとしてＩＣチップ等の電子部品からの熱に耐えることができない。また、半田パッド７５ａ、７５ｂへの転写の際に、転写用半田バンプの形状保持性がよくないからである。融点が２７０℃を越える場合は、プリント配線板を構成する樹脂が温度に耐えることができないからである。望ましいのは、２２０〜２７０℃のものである。
【００４３】
（２０）その後、半田バンプ転写板９０上のマスク９６を取り除く。次に、転写用半田ペースト７６が印刷された半田バンプ転写板９０にフラックスを塗布する。そして、１６０〜２７０℃の温度で半田バンプ転写板９０をリフローすることにより、半田バンプ転写板９０上に半田パッド７５ａ、７５ｂに相対するパターンの転写用半田バンプ７６Ａ、７６Ｂを形成する。なお、転写用半田バンプ７６Ａは半田パッド７５ａに対応し、転写用半田バンプ７６Ｂは半田パッド７５ｂに対応している（図６（Ｃ）参照）。ここで、リフローは不活性ガス雰囲気中で行うことが望ましい。また、転写用半田ペースト７６をリフローして転写用半田バンプ７６Ａ、７６Ｂを形成した際に、転写用半田ペースト７６内の気泡を抜き取ることができる。なお、後述する半田バンプへの転写特よりも１０℃程度高い温度でリフローすることで、転写用半田ペースト７６内の気泡を完全に抜き取ることができる。
【００４４】
（２１）次に、上記（２０）の工程で得た半田バンプ転写板９０を反転する。その後、半田バンプ転写板９０と上記（１７）の工程で得た基板とを、半田バンプ転写板９０の裏面側位置決めマーク９４Ｂと基板の位置決めマーク１６２を基に位置合わせする。位置合わせは、ＣＣＤカメラ２００等を備える位置決め装置を用いて行うとよい（図６（Ｄ）参照）。
【００４５】
ここで、半田バンプ転写板９０と基板との位置合わせの工程を上方（ＣＣＤカメラ２００側）から見た説明図を図９（Ｂ）に示す。即ち、半田バンプ転写板９０に設けられた位置決めマーク９４Ｂと、基板側の位置決めマーク１６２とを上方のカメラ２００にて監視し、両者を重ねるようにすることで、半田バンプ転写板９０と基板との位置合わせを行っている。本実施形態では、半田バンプ転写板９０の通孔９２を内周とするように位置決めマーク９４Ａ、９４Ｂが形成されているため、該位置決めマーク９４Ａ、９４Ｂの内周を基準とすることで、表面側位置決めマーク９４Ａを用いた半田バンプ転写板９０に対するマスク９６と、裏面側位置決めマーク９４Ｂを用いた半田バンプ転写板９０に対する基板との位置合わせでずれが生じない。このため、半田バンプ転写板９０に形成された転写用半田バンプ７６Ａ、７６Ｂと基板の半田パッド７５ａ、７５ｂとを正確に位置合わせできる。
【００４６】
（２２）そして、半田バンプ転写板９０に形成された転写用半田バンプ７６Ａ、７６Ｂと基板の半田パッド７５ａ、７５ｂとを低荷重で接触した状態にする。その後、半田バンプ転写板９０と基板とを不活性ガス雰囲気中で、２００℃の温度でリフローを行う（図７（Ａ）参照）。なお、転写用半田バンプ７６Ａ、７６Ｂを半田パッド７５ａ、７５ｂに転写させる前に、基板表面にフラックスを塗布しておくことが望ましい。また、リフローの温度は、１６０〜２８０℃が望ましい。温度が１６０℃未満では、半田パッド７５ａ、７５ｂへの転写用半田バンプ７６Ａ、７６Ｂの転写が適切にできない。一方、温度が２８０℃以上では、プリント配線板を構成する樹脂が温度に耐えることができないからである。なお、前述した半田バンプ転写板９０上でのリフローの際の温度よりも１０℃程度低い温度でリフローすることで、プリント配線板への熱履歴の影響を低減することができる。
【００４７】
半田バンプ転写板９０に形成された転写用半田バンプ７６Ａ、７６Ｂを基板の半田パッド７５ａ、７５ｂに転写することにより、基板の表層のソルダーレジスト層７０の平滑性に関係なく、後述する工程で、基板の半田パッド７５ａ、７５ｂに半田バンプを形成することができる。そのため、半田バンプの高さのバラツキ及び短絡を防ぐことが可能となる。
【００４８】
（２３）次に、リフローの途中で半田バンプ転写板９０を基板から引き離す。これにより、転写用半田バンプ７６Ａ、７６Ｂが半田バンプ転写板９０に残留したり、半田バンプ転写板９０と基板とが接着してしまうこと等を防ぐことが可能となる。そして、更にリフローを続けることにより、半田パッド７５ａ、７５ｂに半田バンプ７８が形成される（図７（Ｂ）参照）。これにより、基板に微細で狭ピッチな半田バンプ７８を形成することができ、プリント配線板の高密度化に対応することが可能となる。
【００４９】
（２４）また、図示しないが基板の反対側の面に関しても、上記（１８）〜（２３）と同様の工程を行う。なお、この工程は、上記（１８）〜（２３）の工程と同時もしくは前後でよい。
【００５０】
（２５）上記工程を経て、半田パッド７５ａ、７５ｂに半田バンプ７８が転写形成されたプリント配線板１０を製造することができる（図８参照）。
【００５１】
（第２実施形態）
第２実施形態のプリント配線板の製造方法は、第１実施形態とほぼ同様である。但し、第２実施形態では、転写用半田ペースト７６にＳｎ／Ａｇを用いる。また、半田バンプ転写板９０として窒化アルミニウムを用いる。
【００５２】
（第３実施形態）
第３実施形態のプリント配線板の製造方法は、第１実施形態とほぼ同様である。但し、第３実施形態では、転写用半田ペースト７６にＳｎ／Ｐｂを用いる。また、半田バンプ転写板９０としてエポキシ系樹脂を用いる。
【００５３】
（第４実施形態）
第４実施形態のプリント配線板の製造方法は、第１実施形態とほぼ同様である。但し、第４実施形態では、転写用半田ペースト７６にＳｎ／Ａｇを用いる。また、半田バンプ転写板９０としてエポキシ系樹脂を用いる。
【００５４】
（第５実施形態）
第５実施形態のプリント配線板の製造方法は、第１実施形態とほぼ同様である。但し、第５実施形態では、転写用半田ペースト７６にＳｎ／Ｐｂを用いる。また、半田バンプ転写板９０としてアルミナを用いる。
【００５５】
（第６実施形態）
第６実施形態のプリント配線板の製造方法は、第１実施形態とほぼ同様である。但し、第６実施形態では、転写用半田ペースト７６にＳｎ／Ａｇを用いる。また、半田バンプ転写板９０としてアルミナを用いる。
【００５６】
（比較例１）
比較例１として、無電解半田めっきで半田バンプを形成した。
【００５７】
（比較例２）
特開平９−１３５０７２号の担持膜を用いて半田バンプを形成した。
【００５８】
比較例のものでは、狭ピッチのものには半田バンプの未形成箇所があった。また、ソルダーレジスト層に凹凸があると、比較例１は、ソルダーレジスト上に半田が残ることや隣合うパッドに半田が取られ、半田バンプ間で短絡を引き起こし、半田の転写量も均一でなかった。比較例２では、半田が転写されなかったり、また、担持膜上に半田の未形成箇所があった。
これに対して、第１〜第６実施形態では、半田バンプを適正に形成することができた。
【００５９】
【発明の効果】
本願発明の製造方法により、基板に微細で１５０μｍ以下の狭ピッチ（ここで、ピッチとは隣接する半田バンプの中心から中心の距離を意味する）な半田バンプを形成することができ、プリント配線板の高密度化に対応することが可能となる。さらに、基板の表層のソルダーレジスト層の平滑性に関係なく、基板の半田パッドに半田バンプを形成できるため、半田バンプの高さバラツキ及び短絡を防ぐことが可能となる。また、半田バンプ転写板に位置合わせ用の通孔及び位置決めマークが設けられているため、転写用半田バンプを正確な位置で半田パッドに転写することが可能となる。その上、半田バンプ転写板に形成する転写用半田ペーストの量を半田パッドごとに対応して調節可能なため、基板に転写形成される半田バンプの高さを均一にすることができ、基板とＩＣチップとの接続性を向上させることが可能となる。なおかつ、半田バンプ転写板上で、転写用半田ペーストをリフローして転写用半田バンプを形成した際に、転写用半田ペースト内に形成された気泡を抜き取ることができ、半田バンプ内でのボイドの発生を防ぐことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。
【図２】図２（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。
【図３】図３（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。
【図４】図４（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。
【図５】図５（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。
【図６】図６（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。
【図７】図７（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。
【図８】本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の断面図である。
【図９】図９（Ａ）は、半田バンプ転写板の位置決めマークの平面図であり、図９（Ｂ）は、半田バンプ転写板と基板との位置合わせの工程を上方から見た状態を示す説明図である。
【符号の説明】
３０  コア基板
３４  下層導体回路
３６  スルーホール
４０  樹脂充填剤
５０  層間樹脂絶縁層
５８  導体回路
６０  バイアホール
７０  ソルダーレジスト層
７１ａ  開口部（半田パッド用）
７１ｂ  開口部（半田パッド用）
７１ｃ  開口部（位置決めマーク用）
７２  ニッケルめっき層
７４  金めっき層
７５ａ  半田パッド（導体回路上）
７５ｂ  半田パッド（バイアホール上）
７６  転写用半田ペースト
７６Ａ、７６Ｂ  転写用半田バンプ
７８  半田バンプ
８０Ａ、８０Ｂ  ビルドアップ配線層
９０  半田バンプ転写板
９２  位置合わせ用通孔
９４Ａ、９４Ｂ  位置決めマーク（マスク）
９６  マスク
１５８  導体回路
１６０  バイアホール
１６２  位置決めマーク（基板）
２００  ＣＣＤカメラ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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