(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と、
前記第１の基板に対向配置された第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間の少なくとも表示領域に介在された液晶と、
前記第１の基板と前記第２の基板との少なくとも一方に形成された下層膜と、
前記表示領域において、前記下層膜上に設けられた画素電極と、
前記表示領域の前記画素電極を覆うと共に該表示領域の周辺に設けられた配向膜と、
前記表示領域の周辺において、前記配向膜上に設けられた前記第１及び第２基板を貼り合わせるシール材と、
前記配向膜と前記下層膜との間に、前記シール材と重なるように形成され、前記画素電極と同一部材からなる透明導電膜とを具備し、
前記透明導電膜は、前記画素電極と離間して周状に形成されており、前記配向膜及び前記下層膜とそれぞれ密着するように形成されてなり、
前記下層膜の前記透明導電膜と接する面に、前記シール材と平面的に少なくとも重なるように周状の複数の溝が形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記透明導電膜は、前記シール材よりも幅広に形成されてなることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記第１の基板と前記第２の基板との少なくとも一方に、外部接続用端子が形成されており、
前記透明導電膜は、前記配向膜と前記下層膜との間の前記外部接続用端子を除く領域の全面に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記下層膜は、絶縁膜から構成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記透明導電膜は、ＩＴＯから構成された膜であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記溝は、前記表示領域の周囲を取り巻くように平面的に周状に形成されていることを特徴とする請求項４または５に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記溝は、閉ループ状に繋がって形成されていることを特徴とする請求項６に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記第１の基板と前記第２の基板との少なくとも一方の前記シール材に接する面は、前記溝により、断面形状が凹凸状を有していることを特徴とする請求項６または７に記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記第１の基板と前記第２の基板との少なくとも一方の前記シール材に接する面と前記溝とにより形成された前記溝の開口縁部の断面形状は、直角を有して形成されていることを特徴とする請求項８に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
前記第１の基板と前記第２の基板との少なくとも一方の前記シール材に接する面と前記溝とにより形成された前記前記溝の開口縁部の断面形状は、曲線を有してまたは鈍角を有して形成されていることを特徴とする請求項８に記載の電気光学装置。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか１項に記載の電気光学装置を有する電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、第１の基板と該第１の基板に対向する第２の基板とがシール材を介して対向配置され、前記第１の基板と前記第２の基板との間の少なくとも有効画素領域に液晶が介在された電気光学装置、電気光学装置の製造方法、電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
周知のように、電気光学装置、例えば液晶装置は、ガラス基板、石英基板等からなる２枚の基板間に液晶が挟持されて構成されており、一方の基板に、例えば複数の薄膜トランジスタ(Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、以下、ＴＦＴと称す)等のスイッチング素子及び画素電極をマトリクス状に配置し、他方の基板に対向電極を配置して、両基板間に挟持した液晶層の光学特性を画像信号に応じて変化させることで、画像表示を可能としている。
【０００３】
即ち、ＴＦＴ等のスイッチング素子によってマトリクス状に配列された複数の画素電極（ＩＴＯ；Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）に画像信号を供給し、画素電極と対向電極相互間の液晶層に画像信号に基づく電圧を印加して、液晶分子の配列を変化させる。これにより、画素の透過率を変化させ、画素電極及び液晶層を通過する光を画像信号に応じて変化させて画像表示を行う。
【０００４】
また、ＴＦＴを配置した素子基板と、この素子基板に対向して配置される対向基板とは、別々に製造され、その後、パネル組立工程において、例えば周状のシール材を介して高精度（例えばアライメント誤差１μ以内）に貼り合わされる。
【０００５】
このパネル組立工程を詳しく説明すると、先ず、各基板の製造工程において夫々製造された素子基板と対向基板との各液晶層と接する面上に、液晶分子を基板面に沿って配向させるための、例えばポリイミドから構成された配向膜が形成される。その後、焼成が行われ、さらに、電圧無印加時の液晶分子の配列を決定させるためのラビング処理が施される。
【０００６】
次いで、例えば液晶封入方式により、素子基板と対向基板との間に液晶が介在される場合には、素子基板と対向基板との一方の基板上のシール材塗布領域に接着剤となるシール材が、一部に切り欠きを有するよう略周状に塗布され、このシール材が用いられて素子基板と対向基板とが貼り合わされ、次いでアライメントが施されて圧着硬化された後、シール材の一部に設けられた切り欠きを介して液晶が封入され、切り欠きが、熱等により硬化された封止材により封止されて、液晶装置は組み立てられる。
【０００７】
このような液晶装置の組み立て工程は、周知であり、例えば特許文献１に開示されている。特許文献１に開示された液晶装置では、上述した封止材の形成工程において、封止材を熱硬化させる際、熱により封止材にクラックが生じ封止材が素子基板から剥離してしまうのを、封止材と素子基板との間に、透明電極からなる封止材剥離防止パターンを形成することにより防止して、液晶装置の耐湿性を向上させる技術の提案がなされている。
【特許文献１】特開平９−２２２６１２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、例えば素子基板の液晶層と接する面上に配向膜を形成した後、配向膜の一部、具体的には、シール材により囲まれた領域に配置された有効画素領域外に形成された配向膜は、該配向膜の下層の膜である、例えばＳｉＯ２（二酸化ケイ素）、ＢＳＧ（ボロンドープ酸化膜）、ＢＰＳＧ（ボロンリンドープ酸化膜）等から構成された平坦化された絶縁膜上に形成される。
【０００９】
しかしながら、ポリイミドから構成された配向膜と上述した部材等から構成された絶縁膜とは、密着性が悪いため、組み立てられた液晶装置を、高湿条件下において用いると、配向膜と絶縁膜との間を介して、有効画素領域内に水分が侵入してしまい、該侵入した水分により、表示ムラ等の表示不良が発生してしまう場合があり、液晶装置の耐湿性を低下させてしまうといった問題があった。
【００１０】
さらに、配向膜をラビング処理する工程において、該ラビング処理により、絶縁膜から剥離した配向膜の塵埃により、表示領域にスジが付着されてしまう等のラビングムラが発生してしまう場合があるといった問題があった。
【００１１】
尚、このような問題は、絶縁膜に限らず、配向膜と該配向膜の下層の膜との密着性により発生するが、これらの問題は、特許文献１に開示された液晶装置では、何ら考慮がなされておらず、液晶装置全体の耐湿性向上を図る手法が望まれていた。
【００１２】
本発明は上記事情に着目してなされたものであり、その目的は、配向膜と該配向膜の下層の膜との間の密着性を向上させ、有効画素領域への水分の侵入を防止して耐湿性を向上させるとともに、ラビング処理の際の配向膜の該配向膜の下層の膜からの剥離を防止できる構成を有する電気光学装置、電気光学装置の製造方法、電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的を達成するために本発明に係る電気光学装置は、第１の基板と、前記第１の基板に対向配置された第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間の少なくとも表示領域に介在された液晶と、前記第１の基板と前記第２の基板との少なくとも一方に形成された下層膜と、前記表示領域において、前記下層膜上に設けられた画素電極と、前記表示領域の前記画素電極を覆うと共に該表示領域の周辺に設けられた配向膜と、前記表示領域の周辺において、前記配向膜上に設けられた前記第１及び第２基板を貼り合わせるシール材と、前記配向膜と前記下層膜との間に、前記シール材と重なるように形成され、前記画素電極と同一部材からなる透明導電膜とを具備し、前記透明導電膜は、前記画素電極と離間して周状に形成されており、前記配向膜及び前記下層膜とそれぞれ密着するように形成されてなり、前記下層膜の前記透明導電膜と接する面に、前記シール材と平面的に少なくとも重なるように周状の複数の溝が形成されていることを特徴とする。
また、前記透明導電膜は、前記シール材よりも幅広に形成されてなることを特徴とする。
【００１４】
本発明によれば、高湿度条件下において、第１の基板と第２の基板との少なくとも一方のシール材によって規定される領域に、配向膜と該配向膜の下層の膜である下層膜との間を介して領域外から水分が侵入してしまうことを防止することができる。その結果、電気光学装置の耐湿性が向上するといった効果を有する。また、配向膜と下層膜との密着性が向上することにより、配向膜の下層膜からの剥離を防止することができるといった効果を有する。
【００１５】
また、前記第１の基板と前記第２の基板との少なくとも一方に、外部接続用端子が形成されており、前記透明導電膜は、前記配向膜と前記下層膜との間の前記外部接続用端子を除く領域の全面に形成されていることを特徴とする。
【００１６】
本発明によれば、透明導電膜が外部接続用端子及び有効画素領域の電極に接触し、外部接続用端子間、電極間でショートしてしまうことなく、高湿度条件下において、第１の基板と第２の基板との少なくとも一方のシール材によって規定される領域に、配向膜と該配向膜の下層の膜である下層膜との間を介して領域外から水分が侵入してしまうことを防止することができる。その結果、電気光学装置の耐湿性が向上するといった効果を有する。また、配向膜と下層膜との密着性が向上することにより、配向膜の下層膜からの剥離を防止することができるといった効果を有する。
【００１８】
本発明によれば、高湿度条件下において、第１の基板と第２の基板との少なくとも一方のシール材によって規定される領域に、配向膜と該配向膜の下層の膜である下層膜との間を介して領域外から水分が侵入してしまうことを、透明導電膜のみならず溝により、溝がない場合と比して侵入経路を延長することで防止することができる。その結果、電気光学装置の耐湿性が向上するといった効果を有する。また、透明導電膜のみならず溝により配向膜と下層膜との密着性が向上することにより、配向膜の下層膜からの剥離を防止することができるといった効果を有する。
【００１９】
本件の参考発明に係る電気光学装置は、第１の基板と該第１の基板に対向する第２の基板とがシール材を介して対向配置され、前記第１の基板と前記第２の基板との間の少なくとも有効画素領域に液晶が介在された電気光学装置であって、前記第１の基板と前記第２の基板との少なくとも一方に形成された、前記シール材の直下の、前記液晶を配向させる配向膜と、前記配向膜の直下の下層膜と、を具備し、前記下層膜の前記配向膜に接する面の前記シール材を平面的に少なくとも覆う領域に溝が形成されていることを特徴とする。
【００２０】
本件の参考発明によれば、高湿度条件下において、第１の基板と第２の基板との少なくとも一方のシール材によって規定される領域に、配向膜と該配向膜の下層の膜である下層膜との間を介して領域外から水分が侵入してしまうことを、溝により侵入経路を溝がない場合と比して延長することで防止することができる。その結果、電気光学装置の耐湿性が向上するといった効果を有する。また、溝により、配向膜と下層膜との密着性が向上することにより、配向膜の下層膜からの剥離を防止することができるといった効果を有する。
【００２１】
また、前記下層膜は、絶縁膜から構成されていることを特徴とする。
【００２２】
本発明の電気光学装置によれば、高湿度条件下において、第１の基板と第２の基板との少なくとも一方のシール材の内側に配置された有効画素領域となる液晶領域に、配向膜と該配向膜の下層の膜である絶縁膜との間を介して領域外から水分が侵入してしまい表示不良が発生してしまうことを防止することができる。その結果、電気光学装置の耐湿性が向上するといった効果を有する。また、配向膜と絶縁膜との密着性が向上することにより、ラビング処理の際、配向膜の絶縁膜からの剥離を防止することができるといった効果を有する。
【００２３】
さらに、前記透明導電膜は、ＩＴＯから構成された膜であることを特徴とする。
【００２４】
本発明の電気光学装置によれば、高湿度条件下において、第１の基板と第２の基板との少なくとも一方のシール材の内側に配置された有効画素領域となる液晶領域に、配向膜と該配向膜の下層の膜である絶縁膜との間を介して領域外から水分が侵入してしまい表示不良が発生してしまうことを防止することができる。その結果、電気光学装置の耐湿性が向上するといった効果を有する。また、配向膜と絶縁膜との密着性が向上することにより、配向膜の絶縁膜からの剥離を防止することができるといった効果を有する。
【００２５】
また、前記溝は、前記表示領域の周囲を取り巻くように平面的に周状に形成されていることを特徴とする。
【００２６】
本発明の電気光学装置によれば、高湿度条件下において、第１の基板と第２の基板との少なくとも一方のシール材に囲まれた領域の内側に配置された有効画素領域となる液晶領域に、配向膜と該配向膜の下層の膜である絶縁膜または透明導電膜との間を介して領域外から水分が侵入してしまい表示不良が発生してしまうことを確実に防止することができる。その結果、電気光学装置の耐湿性が向上するといった効果を有する。
【００２７】
さらに、前記溝は、閉ループ状に繋がって形成されていることを特徴とする。
【００２８】
本発明の電気光学装置によれば、高湿度条件下において、第１の基板と第２の基板との少なくとも一方のシール材に囲まれた領域の内側に配置された有効画素領域となる液晶領域に、配向膜と該配向膜の下層の膜である絶縁膜または透明導電膜との間を介して領域外から水分が侵入してしまい表示不良が発生してしまうことを、電気光学装置のいずれの方向においても確実に防止することができる。その結果、電気光学装置の耐湿性が向上するといった効果を有する。
【００３０】
本発明の電気光学装置によれば、高湿度条件下において、第１の基板と第２の基板との少なくとも一方のシール材に囲まれた領域の内側に配置された有効画素領域となる液晶領域に、配向膜と該配向膜の下層の膜である絶縁膜または透明導電膜との間を介して領域外から水分が侵入してしまい表示不良が発生してしまうことをより確実に防止することができる。その結果、電気光学装置の耐湿性が向上するといった効果を有する。
【００３１】
さらに、前記第１の基板と前記第２の基板との少なくとも一方の前記シール材に接する面は、前記溝により、断面形状が凹凸状を有していることを特徴とする。
【００３２】
また、前記第１の基板と前記第２の基板との少なくとも一方の前記シール材に接する面と前記溝とにより形成された前記溝の開口縁部の断面形状は、直角を有して形成されていることを特徴とする。
【００３３】
さらに、前記第１の基板と前記第２の基板との少なくとも一方の前記シール材に接する面と前記溝とにより形成された前記前記溝の開口縁部の断面形状は、曲線を有してまたは鈍角を有して形成されていることを特徴とする。
【００３４】
本件の参考発明に係る電気光学装置の製造方法は、第１の基板と該第１の基板に対向する第２の基板とがシール材を介して対向配置され、前記第１の基板と前記第２の基板との間の少なくとも有効画素領域に液晶が介在された電気光学装置の製造方法であって、前記第１の基板と前記第２の基板との少なくとも一方の基板表面の膜に、溝を形成する工程と、前記膜の少なくとも前記溝が形成された領域上に、透明導電膜を形成する工程と、少なくとも前記透明導電膜上に、前記液晶を配向させる配向膜を形成する工程と、前記溝が形成された領域の上方の前記配向膜上の領域内に、前記シール材を形成する工程と、を具備していることを特徴とする。
【００３５】
本件の参考発明に係る電気光学装置の製造方法によれば、高湿度条件下において、第１の基板と第２の基板との少なくとも一方のシール材に囲まれた領域の内側に配置された有効画素領域となる液晶領域に、配向膜と該配向膜の下層の膜である絶縁膜との間を介して領域外から水分が侵入してしまい表示不良が発生してしまうことを確実に防止することができる。その結果、電気光学装置の耐湿性が向上するといった効果を有する。また、配向膜と絶縁膜との密着性が向上することにより、ラビング処理の際の配向膜の絶縁膜からの剥離を防止することができるといった効果を有する。
【００３６】
本件の参考発明に係る電気光学装置の製造方法は、第１の基板と該第１の基板に対向する第２の基板とがシール材を介して対向配置され、前記第１の基板と前記第２の基板との間の少なくとも有効画素領域に液晶が介在された電気光学装置の製造方法であって、前記第１の基板と前記第２の基板との少なくとも一方の基板表面の膜に、溝を形成する工程と、少なくとも前記膜上に、前記液晶を配向させる配向膜を形成する工程と、前記溝が形成された領域の上方の前記配向膜上の領域内に、前記シール材を形成する工程と、を具備していることを特徴とする。
【００３７】
本件の参考発明に係る電気光学装置の製造方法によれば、高湿度条件下において、第１の基板と第２の基板との少なくとも一方のシール材に囲まれた領域の内側に配置された有効画素領域となる液晶領域に、配向膜と該配向膜の下層の膜である絶縁膜との間を介して領域外から水分が侵入してしまい表示不良が発生してしまうことを、溝により侵入経路を、溝がない場合と比して延長することで防止することができる。その結果、電気光学装置の耐湿性が向上するといった効果を有する。また、溝により配向膜と絶縁膜との密着性が向上することにより、ラビング処理の際、配向膜の絶縁膜に対する剥離を防止することができるといった効果を有する。
【００３８】
また、前記溝はドライエッチングにより、前記基板表面の前記膜と前記溝とにより形成された前記溝の開口縁部の断面形状が、直角を有して形成されていることを特徴とする。
【００３９】
さらに、前記溝はウエットエッチングにより、前記基板表面の前記膜と前記溝とにより形成された前記溝の開口縁部の断面形状が、曲線を有してまたは鈍角を有して形成されていることを特徴とする。
【００４０】
本発明に係る電子機器は、上述した本発明に係る電気光学装置を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４４】
以下、図面を参照にして本発明の実施の形態を説明する。尚、以下に示す実施の形態において電気光学装置は、液晶装置を例に挙げて説明する。また、液晶装置に用いる一対の基板の内、一方の基板は、素子基板（以下、ＴＦＴ基板と称す）を、また他方の基板は、ＴＦＴ基板に対向する対向基板を例に挙げて説明する。
【００４５】
（第１実施の形態）
図１は、本実施の形態を示す液晶装置の平面図、図２は、図１中のII-II線に沿う液晶装置の断面図である。
【００４６】
図１，図２に示すように、液晶装置１００は、例えば、石英基板、ガラス基板、シリコン基板を用いた第１の基板であるＴＦＴ基板１０と、該ＴＦＴ基板１０に対向配置される、例えばガラス基板や石英基板を用いた第２の基板である対向基板２０との間の内部空間に、電気光学物質である液晶５０が介在されて構成される。対向配置されたＴＦＴ基板１０と対向基板２０とは、シール材５２によって貼り合わされている。
【００４７】
ＴＦＴ基板１０の基板上の液晶５０と接する面側に、液晶装置１００の有効画素領域（以下、表示領域と称す）７０を構成するＴＦＴ基板１０の表示領域１０ｈが構成されている。また、表示領域１０ｈの全面に、画素を構成する複数の画素電極（ＩＴＯ）９がマトリクス状に配置されている。
【００４８】
また、対向基板２０の基板上の全面に、対向電極（ＩＴＯ）２１が設けられており、対向電極２１のＴＦＴ基板１０の表示領域１０ｈに対向する位置の液晶５０と接する面側に、液晶装置１００の表示領域７０を構成する対向基板２０の表示領域２０ｈが構成されている。
【００４９】
ＴＦＴ基板１０の画素電極９上に、ラビング処理が施された配向膜１６が設けられており、また、対向基板２０上の全面に渡って形成された対向電極２１上にも、ラビング処理が施された配向膜２６が設けられている。
【００５０】
各配向膜１６，２６は、例えばポリイミド膜等の透明な有機膜からなる。また、各配向膜１６，２５は、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０とが対向配置された際の、それぞれ対向面を構成している。
【００５１】
また、ＴＦＴ基板１０の表示領域１０ｈにおいては、複数本の走査線と複数本のデータ線（いずれも図示されず）とが交差するように配線され、走査線とデータ線とで区画された領域に、画素電極９がマトリクス状に配置される。そして、走査線とデータ線との各交差部分に対応して薄膜トランジスタであるＴＦＴ３０が設けられ、このＴＦＴ３０毎に画素電極９が接続されている。
【００５２】
ＴＦＴ３０は走査線のＯＮ信号によってオンとなり、これにより、データ線に供給された画像信号が画素電極９に供給される。この画素電極９と対向基板２０に設けられた対向電極２１との間の電圧が液晶５０に印加される。
【００５３】
また、画素電極９と並列に、図示しない蓄積容量が設けられており、蓄積容量によって、画素電極９の電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも例えば３桁も長い時間の保持が可能となる。また、蓄積容量によって、電圧保持特性が改善され、コントラスト比の高い画像表示が可能となる。
【００５４】
対向基板２０に、ＴＦＴ基板１０の表示領域１０ｈ及び対向基板２０の表示領域２０ｈの外周を、画素領域において規定し区画することにより、表示領域を規定する額縁としての遮光膜５３が設けられている。
【００５５】
液晶５０がＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間の空間に、既知の液晶注入方式で注入される場合、シール材５２は、シール材５２の１辺の一部において欠落して、平面的にみて略周状に塗布されている。
【００５６】
シール材５２の欠落した箇所は、該欠落した箇所から貼り合わされたＴＦＴ基板１０及び対向基板２０との間に液晶５０を注入するための液晶注入口１０８を構成している。液晶注入口１０８は、液晶注入後、封止材１０９で封止される。
【００５７】
シール材５２の外側の領域に、ＴＦＴ基板１０の図示しないデータ線に画像信号を所定のタイミングで供給して該データ線を駆動するドライバであるデータ線駆動回路１０１及び外部回路との接続のための外部接続用端子１０２が、ＴＦＴ基板１０の一辺に沿って設けられている。
【００５８】
この一辺に隣接する二辺に沿って、ＴＦＴ基板１０の走査線及びＴＦＴ３０の図示しないゲート電極に、走査信号を所定のタイミングで供給することにより、ゲート電極を駆動するドライバである走査線駆動回路１０３，１０４が設けられている。走査線駆動回路１０３，１０４は、シール材５２の内側の遮光膜５３に対向する位置において、ＴＦＴ基板１０上に形成されている。
【００５９】
また、ＴＦＴ基板１０上に、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０３，１０４、外部接続用端子１０２及び上下導通端子１０７を接続する配線１０５が、遮光膜５３の３辺に対向して設けられている。
【００６０】
上下導通端子１０７は、シール材５２のコーナー部の４箇所のＴＦＴ基板１０上に形成されている。そして、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０相互間に、下端が上下導通端子１０７に接触し上端が対向電極２１に接触する上下導通材１０６が設けられており、該上下導通材１０６によって、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通がとられている。
【００６１】
また、石英基板、ガラス、シリコン基板等のＴＦＴ基板１０上に、画素電極９、配向膜１６、ＴＦＴ３０の他、これらを含む各種の構成が積層構造をなして備えられている。尚、この積層構造、及び積層された各層の機能は周知であるため説明は省略するが、本実施の形態に関わる、ＴＦＴ基板１０の最表面層となる配向膜１６の近傍の積層の構成のみを、図３、図４を用いて説明する。
【００６２】
図３は、図１中のIII-III線に沿う液晶装置の部分断面図、図４は、透明導電膜形成領域を平面的かつ概略的に示す図１のＴＦＴ基板の平面図である。尚、図３においては、遮光膜５３、走査線駆動回路１０４、配線１０５等は、図面を簡略化するため省略されて記載されている。
【００６３】
また、図４においても、遮光膜５３、データ線駆動回路１０１、外部接続用端子１０２、走査線駆動回路１０３,１０４、配線１０５、上下導通材１０６、上下導通端子１０７、封止材１０９等は、図面を簡略化するため省略されて記載されている。
【００６４】
図３に示すように、ＴＦＴ基板１０のシール材５２の直下の層に、例えばポリイミド膜等の透明な有機膜からなる配向膜１６が形成されており、配向膜１６の下層に、例えばＯ３（オゾン）ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）、ＳｉＯ２（二酸化ケイ素）、ＢＳＧ（ボロンドープ酸化膜）、ＢＰＳＧ（ボロンリンドープ酸化膜）等から構成された下層膜である絶縁膜６０が形成されている。尚、絶縁膜６０は、常圧ＣＶＤ等により形成される。
【００６５】
また、図３に示すように、絶縁膜６０と配向膜１６との間であって、図４の点線で示すように、少なくともシール材５２を平面的に覆う領域、即ちシール材５２の図３中下方において平面的に覆う透明導電膜形成領域４１に、絶縁膜６０及び配向膜１６と密着する透明導電膜４０が形成されている。尚、図４においては、透明導電膜４０は、点線の斜線で図示されている。
【００６６】
また、透明導電膜形成領域４１に形成された透明導電膜４０は、図４に示すように、シール材５２が平面的に、略周状に塗布されている場合、シール材５２に沿って平面的に閉ループ状となる周状に形成されている。
【００６７】
透明導電膜４０は、例えば画素電極９を構成するＩＴＯと同一の部材から構成された膜であり、画素電極９と同工程において形成されることにより、画素電極９と同等の所定の膜厚に形成されている。
【００６８】
尚、透明導電膜４０は、ＩＴＯ以外から構成された膜であっても、絶縁膜６０及び配向膜１６と密着性の良い導電膜から構成された膜であればどのような膜であっても構わない。また、透明導電膜４０は、画素電極９と別途の工程において形成されても構わない。さらには、画素電極９と膜厚が異なっていても構わない。
【００６９】
また、透明導電膜４０は、画素電極９や他の導電性を有する部材に対してフローティング状態を有しており、画素電極９及び導電性を有する部材と接触しないよう形成されることにより、画素電極９同士、及び導電性を有する部材同士が電気的にショートしないようになっている。
【００７０】
このように、本実施の形態においては、絶縁膜６０と配向膜１６との間における、シール材５２を平面的に覆う透明導電膜形成領域４１に、絶縁膜６０及び配向膜１６と密着する透明導電膜４０が形成されていると示した。
【００７１】
このことによれば、高湿度条件下において、液晶装置１００を用いた場合であっても、透明導電膜４０を介して、配向膜１６と絶縁膜６０とが密着されているため、シール材５２によって囲まれた領域に配置されたＴＦＴ基板１０の表示領域１０ｈに、配向膜１６と該配向膜１６の下層の膜である絶縁膜６０との間を介して、液晶装置１００外から水分が侵入してしまい、該侵入した水分が液晶５０に混入され、表示ムラ等の表示不良が発生してしまうことを確実に防止することができる。その結果、電気光学装置の耐湿性が向上する。
【００７２】
また、配向膜１６と絶縁膜６０との密着性が透明導電膜４０により向上することにより、配向膜１６にラビング処理を施す際、配向膜１６の絶縁膜６０からの剥離を防止することができることから、絶縁膜６０から剥離した配向膜１６の塵埃により、表示領域１０ｈにスジが付着されてしまう等のラビングムラが発生してしまうことを確実に防止することができる。
【００７３】
尚、以下変形例を示す。図５は、本実施の形態の透明導電膜の形成領域の変形例を概略的に示す液晶装置の正面図、図６は、図５中のVI-VI線に沿う液晶装置の部分断面図、図７は、透明導電膜が外部に露出されている変形例を示す液晶装置の部分断面図である。
【００７４】
尚、図５中において、遮光膜５３、データ線駆動回路１０１、配線１０５、上下導通材１０６、上下導通端子１０７、 封止材１０９等は、図面を簡略化するため省略されて記載されており、図６、図７においても、遮光膜５３、走査線駆動回路１０４、配線１０５等は、図面を簡略化するため省略されて記載されている。
【００７５】
本実施の形態においては、透明導電膜４０は、絶縁膜６０と配向膜１６との間において、シール材５２を平面的にみて覆う透明導電膜形成領域４１に形成されていると示した。
【００７６】
これに限らず、図５、図６に示すように、絶縁膜６０と配向膜１６との間の、画素電極９が形成された領域外、即ち、表示領域１０ｈ外からＴＦＴ基板１０の外周端部までの外部接続用端子１０２以外の領域４２の全面に、透明導電膜４０が形成されていても構わない。さらに、画素電極９に接触しないよう透明導電膜４０を形成すれば、透明導電膜４０は、表示領域１０ｈ内に形成されていても構わない。
【００７７】
このように、ＴＦＴ基板１０の略全面に透明導電膜４０が設けられていることにより、高湿度条件下において、液晶装置１００を用いた場合であっても、透明導電膜４０を介して、絶縁膜６０と配向膜１６とが本実施の形態より広範囲に亘り密着されているため、表示領域１０ｈに、絶縁膜６０と配向膜１６との間を介して、液晶装置１００外から水分が侵入してしまい、該侵入した水分が液晶に混入されることにより、表示ムラ等の表示不良が発生してしまうことを本実施の形態より確実に防止することができる。その結果、電気光学装置の耐湿性がより向上する。
【００７８】
また、本実施の形態より透明導電膜４０の形成範囲が広いことから、絶縁膜６０と配向膜１６との密着性が本実施の形態より向上することにより、配向膜１６にラビング処理を施す際、配向膜１６の絶縁膜６０からの剥離を広範囲に亘り防止することができることから、絶縁膜６０から剥離した配向膜１６の塵埃により、表示領域１０ｈにスジが付着されてしまう等のラビングムラが発生してしまうことを本実施の形態よりも確実に防止することができる。
【００７９】
尚、外部接続用端子１０２及び画素電極９以外の領域４２の全面に透明導電膜４０が形成されていることから、即ち、透明導電膜４０が外部接続用端子１０２及び画素電極９に接触しないように形成されていることから、透明導電膜４０が外部接続用端子１０２及び画素電極９に接触し、外部接続用端子１０２間、画素電極９間でショートしてしまうことがない。
【００８０】
また、本実施の形態同様、透明導電膜４０は、フローティング状態を有しているため、図７に示すように、透明導電膜４０は、シール材５２よりＴＦＴ基板１０の外周側の配向膜１６が除去されて外部に露出されていても構わない。
【００８１】
さらに、本実施の形態においては、透明導電膜４０によるＴＦＴ基板１０側の配向膜１６と絶縁膜６０との密着を例に挙げて示したが、対向基板２０が、全面に対向電極（ＩＴＯ）２１が形成された構成を有していなければ、透明導電膜４０は、対向基板２０側の配向膜２６と対向基板２０の配向膜２６の下層の膜との密着性を向上するために、両膜間に形成されていても構わない。
【００８２】
（第２実施の形態）
図８は、本発明の第２実施の形態を示す液晶装置のＴＦＴ基板の構成の概略を示す正面図、図９は、図８中のIX-IX線に沿うＴＦＴ基板の部分断面図である。
【００８３】
本実施の形態の液晶装置の構成は、上述した図１〜図７に示した第１実施の形態の液晶装置１００と比して、透明導電膜４０を用いずに配向膜１６と絶縁膜６０とを密着させる構成となっている点が異なる。よって、この相違点のみを説明し、第１実施の形態と同様の構成には同じ符号を付し、その説明は省略する。
【００８４】
尚、図８、図９においては、遮光膜５３、データ線駆動回路１０１、外部接続用端子１０２、走査線駆動回路１０３,１０４、配線１０５、上下導通材１０６、上下導通端子１０７、封止材１０９等は図面を簡略化するため省略されて記載されている。
【００８５】
図９に示すように、第１の基板であるＴＦＴ基板２１０の配向膜１６の直下の膜となる下層膜である絶縁膜６０の配向膜１６に接する面６０ｍの少なくともシール材５２を平面的に覆う領域、即ち、シール材５２の図９中下方を平面的に覆う領域２４１内の溝形成領域２４２に、凹溝２４０が形成されている。また、絶縁膜６０の面６０ｍ上に、配向膜１６が形成されており、配向膜１６の面１６ｓ上であって、領域２４１の上方の領域に、シール材５２が形成されている。
【００８６】
領域２４１内の溝形成領域２４２に形成された凹溝２４０は、図８に示すように、シール材５２が平面的に、略周状に塗布されている場合、シール材５２に沿って有効画素領域となる表示領域２１０ｈの周囲を取り巻くように平面的に閉ループ状に繋がって周状に複数本、例えば２本形成されている。尚、凹溝２４０は、１本から形成されていても構わない。
【００８７】
このことにより、凹溝２４０上に形成された配向膜１６の部位にも、図９に示すように、凹溝２４０に沿って凹溝１６ｐが形成されている。即ち、ＴＦＴ基板２１０のシール材５２に接する面２１１は、断面形状が凹凸状に形成されている。このことから、凹溝２４０により、絶縁膜６０と配向膜１６との密着性が向上される。
【００８８】
次に、上述した凹溝の形成工程〜シール材の形成工程を図１０〜図１４を用いて説明する。図１０は、絶縁膜上の溝形成領域外にマスクを形成する工程を示す断面図、図１１は、図１０の絶縁膜の溝形成領域に凹溝を形成する工程を示す断面図、図１２は、図１１の絶縁膜上に配向膜を形成する工程を示す断面図、図１３は、シール材を平面的に覆う領域の上方の図１２の配向膜上に、シール材を形成する工程を示す断面図、図１４は、ウエットエッチングにより形成される凹溝の形状を示す断面図である。
【００８９】
先ず、石英基板、ガラス、シリコン基板等のＴＦＴ基板１０上に所定の層が積層された後の表面となる絶縁膜６０上において、配向膜１６に接する面６０ｍの溝形成領域２４２を除く部位に、図１０に示すように、マスク２３０が形成される。尚、溝形成領域２４２は、後に形成されるシール材５２を平面的に覆う領域２４１内に位置されている。
【００９０】
次いで、図１１に示すように、例えばドライエッチングにより、溝形成領域２４２に、凹溝２４０が、図８に示すように閉ループ状に繋がって周状に、例えば２本形成される。ドライエッチングにより形成された凹溝２４０は、現工程における基板表面の膜となる絶縁膜６０の配向膜１６に接する面１６ｍと凹溝２４０とにより形成された凹溝２４０の開口縁部２４０ｋの断面形状が直角を有して形成される。
【００９１】
尚、凹溝２４０は、ウエットエッチングにより形成されても構わない。ウエットエッチングにより形成された凹溝２４０は、現工程における基板表面の膜となる絶縁膜６０の配向膜１６に接する面１６ｍと凹溝２４０とにより形成された凹溝２４０の開口縁部２４０ｋの断面形状が、図１４に示すように、曲線を有して、または図示しないが鈍角を有して形成される。
【００９２】
絶縁膜６０の溝形成領域２４２に凹溝２４０が形成された後、マスク２３０は除去され、図１２に示すように、絶縁膜６０の面６０ｍ上に配向膜１６が形成される。尚、配向膜１６は基板表面の全面、即ち、表示領域１０ｈの画素電極９上にも形成される。また、溝形成領域２４２上に形成された配向膜１６の部位にも、凹溝２４０に沿って凹溝１６ｐが形成される。
【００９３】
最後に、図１３に示すように、配向膜１６の面１６ｓ上であって、領域２４１の上方の領域内に、シール材５２が略周状に形成される。
【００９４】
このように、本実施の形態においては、絶縁膜６０の配向膜１６に接する面６０ｍの少なくともシール材５２を平面的に覆う領域、即ちシール材５２の図９中下方を平面的に覆う領域２４１内の溝形成領域２４２に、凹溝２４０が、シール材５２に沿って平面的に閉ループ状に繋がって周状に２本形成されていると示した。
【００９５】
このことによれば、高湿度条件下において、液晶装置１００を用いた場合であっても、シール材５２によって囲まれた領域に配置されたＴＦＴ基板１０の表示領域１０ｈに、絶縁膜６０と該絶縁膜６０の下層の膜である配向膜１６との間を介して、液晶装置１００外から水分が侵入してしまい、該侵入した水分が液晶５０に混入されることにより、表示ムラ等の表示不良が発生してしまうことを、凹溝２４０がない場合と比して凹溝２４０により水分の侵入経路を延長することにより確実に防止することができる。その結果、電気光学装置の耐湿性が向上する。
【００９６】
また、凹溝２４０により、絶縁膜６０と配向膜１６との密着性が、絶縁膜６０の面６０ｍが平坦なときよりも向上することにより、配向膜１６にラビング処理を施す際、配向膜１６の絶縁膜６０からの剥離を防止することができることから、絶縁膜６０から剥離した配向膜１６の塵埃により、表示領域１０ｈにスジが付着されてしまう等のラビングムラが発生してしまうことを確実に防止することができる。
【００９７】
尚、以下変形例を示す。図１５は、図８の凹溝の平面形状の変形例を示すＴＦＴ基板の部分平面図である。本実施の形態においては、凹溝２４０は、シール材５２に沿って平面的に閉ループ状に周状に繋がって形成されていると示したが、これに限らず、シール材５２に沿って平面的に周状に形成されておれば、閉ループ状に繋がって形成されていなくても構わない。
【００９８】
具体的には、図１５に示すように、絶縁膜６０のシール材５２を平面的に覆う領域２４１内の溝形成領域２４２に、複数の凹溝２４０ａが、所定間隔を有して平面的に周状に形成されており、該周状の凹溝２４０ａの外周に、凹溝２４０ａの隙間を塞ぐよう凹溝２４０ａと位相がずれて、複数の凹溝２４０ｂが所定間隔を有して平面的に周状に形成されている。
【００９９】
即ち、２本の周状の凹溝２４０ａ，２４０ｂから構成された凹溝２４０は、平面的にみて、千鳥状に形成されている。尚、この場合であっても、周状の凹溝２４０は２本に限らず、複数本から、それぞれ内周に形成された複数の凹溝の隙間を塞ぐよう形成されていても構わない。
【０１００】
このような、形状を有する凹溝であっても、上述した本実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【０１０１】
さらに、本実施の形態においては、凹溝２４０によるＴＦＴ基板１０側の配向膜１６と絶縁膜６０との密着を例に挙げて示したが、凹溝２４０は、対向基板２０側に形成し、対向基板２０側の配向膜２６と該対向基板２０上の配向膜２６の下層の膜との密着性を向上するために用いてもよい。
【０１０２】
（第３実施の形態）
図１６は、本発明の第３実施の形態を示す液晶装置のＴＦＴ基板の部分断面図である。本実施の形態の液晶装置の構成は、上述した図１〜図７に示した第１実施の形態の液晶装置、図８、図９に示した第２実施の形態の液晶装置と比して、透明導電膜及び凹溝を用いて配向膜１６と絶縁膜６０とを密着させる構成となっている点が異なる。よって、この相違点のみを説明し、第１実施の形態及び第２実施の形態と同様の構成には同じ符号を付し、その説明は省略する。
【０１０３】
図１６に示すように、第１の基板であるＴＦＴ基板３１０の絶縁膜６０の面６０ｔ上に、上述した透明導電膜４０が形成されており、該透明導電膜４０の面４０ｈ上に、配向膜１６が形成されており、配向膜１６の面１６ｓ上であって、シール材５２を平面的に覆う領域２４１の上方の領域に、シール材５２が形成されている。
【０１０４】
透明導電膜４０は、絶縁膜６０の面６０ｔ上において、上述した第１実施の形態同様、少なくともシール材５２を平面的に覆う領域２４１に形成されている。尚、透明導電膜４０は、この場合であってもフローティング状態を有している。
【０１０５】
シール材５２が平面的に略周状に塗布されている場合、絶縁膜６０の領域２４１内における溝形成領域２４２に、上述した第２実施の形態に示したように凹溝２４０が、シール材５２に沿って平面的に、有効画素領域２１０ｈの周囲を取り巻くように、閉ループ状に繋がって周状に複数本、例えば２本形成されている。
【０１０６】
尚、この場合であっても、凹溝２４０は、１本から形成されていても構わない。また、凹溝２４０は、繋がった形状に限らず、図１５に示したように、千鳥状に形成されていても構わない。
【０１０７】
このことにより、凹溝２４０上に形成された透明導電膜４０の部位にも、凹溝２４０に沿って凹溝４０ｐが形成されている。さらには、透明導電膜４０上に形成された配向膜１６にも、凹溝２４０に沿って凹溝１６ｐが形成されている。
【０１０８】
即ち、ＴＦＴ基板３１０のシール材５２に接する面３１１は、断面形状が凹凸状に形成されている。このことから、凹溝２４０のみならず配向膜１６及び絶縁膜６０と密着性を有する透明導電膜４０により、領域２４１において、絶縁膜６０と配向膜１６との密着性が向上される。
【０１０９】
次に、上述した凹溝の形成工程〜シール材の形成工程を第２実施の形態において上述した図１０、図１１及び図１７〜図１９を用いて説明する。
【０１１０】
図１７は、図１１の絶縁膜上に透明導電膜を形成する工程を示す断面図、図１８は、図１７の透明導電膜上に配向膜を形成する工程を示す断面図、図１９は、シール材を平面的に覆う領域の上方の図１８の配向膜上に、シール材を形成する工程を示す断面図である。
【０１１１】
先ず、上述したように、絶縁膜６０上において、配向膜１６に接する面６０ｔ側の溝形成領域２４２を除く部位に、上述した図１０に示すように、マスク２３０が形成され、次いで、図１１に示すように、例えばドライエッチングにより、溝形成領域２４２に、凹溝２４０が、図８に示すように平面的に閉ループ状に繋がって周状に、例えば２本形成される。
【０１１２】
絶縁膜６０の溝形成領域２４２に凹溝２４０が形成された後、マスク２３０は除去され、図１７に示すように、絶縁膜６０上に透明導電膜４０が形成される。尚、透明導電膜４０は、上述した第１実施の形態同様、絶縁膜６０において、溝２４０が形成された少なくともシール材５２を平面的に覆う領域２４１上に形成される。この際、溝形成領域２４２上に形成された透明導電膜４０の部位に、凹溝２４０に沿って凹溝４０ｐが形成される。
【０１１３】
また、この場合であっても、第１実施の形態同様、透明導電膜４０は、図５に示すように、画素電極９が形成された領域外、即ち、表示領域外からＴＦＴ基板の外周端部まで、外部接続用端子１０２以外の領域の全面に形成されていても構わない。
【０１１４】
次いで、図１８に示すように、透明導電膜４０の面４０ｈ上に、配向膜１６が形成される。尚、配向膜１６は基板表面の全面、即ち、表示領域１０ｈの画素電極９上にも形成される。また、溝形成領域２４２上に形成された配向膜１６の部位にも、凹溝２４０に沿って凹溝１６ｐが形成される。
【０１１５】
最後に、図１９に示すように、領域２４１の上方であって配向膜１６の面１６ｓの領域内に、シール材５２が、略周状に形成される。
【０１１６】
このように、本実施の形態においては、絶縁膜６０の面６０ｔ側の少なくともシール材５２を平面的に覆う領域２４１内の溝形成領域２４２に、凹溝２４０が、シール材５２に沿って平面的に閉ループ状に繋がって周状に２本形成されていると示した。また、シール材５２を平面的に覆う領域２４１の配向膜１６と絶縁膜６０との間に透明導電膜４０が形成されていると示した。
【０１１７】
このことによれば、高湿度条件下において、液晶装置１００を用いた場合であっても、透明導電膜４０を介して絶縁膜６０と配向膜１６とが密着されているとともに、凹溝２４０がない場合と比して凹溝２４０により侵入経路を延長することにより、シール材５２によって囲まれた領域に配置されたＴＦＴ基板１０の表示領域１０ｈに、絶縁膜６０と配向膜１６との間を介して、液晶装置１００外から水分が侵入してしまい、該侵入した水分が液晶に混入され、表示ムラ等の表示不良が発生してしまうことを第１実施または第２実施の形態よりも確実に防止することができる。その結果、電気光学装置の耐湿性が向上する。
【０１１８】
また、絶縁膜６０と配向膜１６との密着性が、透明導電膜４０及び凹溝２４０によって向上することにより、配向膜１６にラビング処理を施す際、配向膜１６の絶縁膜６０からの剥離を防止することができることから、絶縁膜６０から剥離した配向膜１６の塵埃により、表示領域１０ｈにスジが付着されてしまう等のラビングムラが発生してしまうことを第１実施または第２実施の形態よりも確実に防止することができる。
【０１１９】
さらに、本実施の形態においても、透明導電膜４０によるＴＦＴ基板３１０側の配向膜１６と絶縁膜６０との密着を例に挙げて示したが、対向基板２０が、全面に対向電極（ＩＴＯ）２１が形成された構成を有してなければ、透明導電膜４０は、対向基板２０側の配向膜２６と対向基板２０の配向膜２６の下層の膜との密着性を向上するために、両膜間に形成されていても構わない。また、この場合であっても、凹溝２４０も対向基板２０側に形成してもよい。
【産業上の利用可能性】
【０１２０】
また、液晶装置は、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。例えば、上述した液晶装置は、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）等のアクティブ素子（能動素子）を用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示モジュールを例に挙げて説明したが、これに限らず、ＴＦＤ（薄膜ダイオード）等のアクティブ素子（能動素子）を用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示モジュールであっても構わない。
【０１２１】
さらに、本実施の形態においては、電気光学装置は、液晶装置を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されず、エレクトロルミネッセンス装置、特に、有機エレクトロルミネッセンス装置、無機エレクトロルミネッセンス装置等や、プラズマディスプレイ装置、ＦＥＤ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ）装置、ＳＥＤ(Ｓｕｒｆａｃｅ−Ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−Ｅｍｉｔｔｅｒ Ｄｉｓｐｌａｙ)装置、ＬＥＤ（発光ダイオード）表示装置、電気泳動表示装置、薄型のブラウン管または液晶シャッター等を用いた小型テレビを用いた装置などの各種の電気光学装置に適用できる。
【０１２２】
また、電気光学装置は、半導体基板に素子を形成する表示用デバイス、例えばＬＣＯＳ（Liquid Crystal On Silicon）等であっても構わない。ＬＣＯＳでは、素子基板として単結晶シリコン基板を用い、画素や周辺回路に用いるスイッチング素子としてトランジスタを単結晶シリコン基板に形成する。また、画素には、反射型の画素電極を用い、画素電極の下層に画素の各素子を形成する。
【０１２３】
また、電気光学装置は、片側の基板の同一層に、一対の電極が形成される表示用デバイス、例えばＩＰＳ（In-Plane Switching）や、片側の基板において、絶縁膜を介して一対の電極が形成される表示用デバイスＦＦＳ（Fringe Field Switching）等であっても構わない。
【０１２４】
また、電気光学装置は、片側の基板の同一層に、一対の電極が形成される表示用デバイス、例えばＩＰＳ（In-Plane Switching）や、片側の基板において、絶縁膜を介して一対の電極が形成される表示用デバイスＦＦＳ（Fringe Field Switching）等であっても構わない。
【０１２５】
さらに、本発明の液晶装置が用いられる電子機器としては、投写型表示装置、具体的には、プロジェクタが挙げられる。図２０は、図１の液晶装置が３つ配設されたプロジェクタの構成を示す図である。
【０１２６】
同図に示すように、プロジェクタ１１００に、液晶装置１００は、各々ＲＧＢ用のライトバルブとして、例えば３つ（１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂ）配設されている。
【０１２７】
プロジェクタ１１００では、メタルハライドランプ等の白色光源のランプユニット１１０２から投写光が発せされると、３枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によって、ＲＧＢの３原色に対応する光成分Ｒ、Ｇ、Ｂに分けられ、各色に対応するライトバルブ１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂに各々導かれる。
【０１２８】
この際、特にＢ光は、長い光路による光損失を防ぐため、入射レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３及び出射レンズ１１２４からなるリレーレンズ系１１２１を介して導かれる。
【０１２９】
そして、ライトバルブ１００Ｒ，１００Ｇ，１００Ｂにより各々変調された３原色に対応する光成分は、ダイクロイックプリズム１１１２により再度合成された後、投写レンズ１１１４を介してスクリーン１１２０にカラー画像として投写される。
【図面の簡単な説明】
【０１３０】
【図１】本実施の形態を示す液晶装置の平面図。
【図２】図１中のII-II線に沿う液晶装置の断面図。
【図３】図１中のIII-III線に沿う液晶装置の部分断面図。
【図４】透明導電膜形成領域を平面的かつ概略的に示す図１のＴＦＴ基板の平面図。
【図５】本実施の形態の透明導電膜の形成領域の変形例を概略的に示す液晶装置の正面図。
【図６】図５中のVI-VI線に沿う液晶装置の部分断面図。
【図７】透明導電膜が外部に露出されている変形例を示す液晶装置の部分断面図。
【図８】本発明の第２実施の形態を示す液晶装置のＴＦＴ基板の構成の概略を示す正面図。
【図９】図８中のIX-IX線に沿うＴＦＴ基板の部分断面図。
【図１０】絶縁膜上の溝形成領域外にマスクを形成する工程を示す断面図。
【図１１】図１０の絶縁膜の溝形成領域に凹溝を形成する工程を示す断面図。
【図１２】図１１の絶縁膜上に配向膜を形成する工程を示す断面図。
【図１３】シール材を平面的に覆う領域の上方の図１２の配向膜上に、シール材を形成する工程を示す断面図。
【図１４】ウエットエッチングにより形成される凹溝の形状を示す断面図。
【図１５】図８の凹溝の平面形状の変形例を示すＴＦＴ基板の部分平面図。
【図１６】本発明の第３実施の形態を示す液晶装置のＴＦＴ基板の部分断面図。
【図１７】図１１の絶縁膜上に透明導電膜を形成する工程を示す断面図。
【図１８】図１７の透明導電膜上に配向膜を形成する工程を示す断面図。
【図１９】シール材を平面的に覆う領域の上方の図１８の配向膜上に、シール材を形成する工程を示す断面図。
【図２０】図１の液晶装置が３つ配設されたプロジェクタの構成を示す図。
【符号の説明】
【０１３１】
９…画素電極、１０…ＴＦＴ基板、１０ｈ…有効画素領域、１６…配向膜、２０…対向基板、２６…配向膜、４０…透明導電膜、４０ｈ…透明導電膜の配向膜に接する面、４０ｐ…凹溝、４１…シール材を平面的に覆う領域、４２…画素電極及び外部接続用端子を除く領域、５０…液晶、５２…シール材、６０…絶縁膜、６０ｍ…絶縁膜の配向膜に接する面、６０ｔ…絶縁膜の透明導電膜に接する面、１００…液晶装置、１０２…外部接続用端子、２１０…ＴＦＴ基板、２１１…ＴＦＴ基板のシール材に接する面、２４０…凹溝、２４０ｋ…溝の開口縁部、２４１、シール材を平面的に覆う領域、３１０…ＴＦＴ基板、３１１…ＴＦＴ基板のシール材に接する面、１１００…プロジェクタ。
【図１】
0004475231.tif 000002
【図２】
0004475231.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
0004475231.tif 000009
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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