(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一のウエハ、第二のウエハ及びマイクロデバイスを設けるステップと、
前記第一のウエハ上にボンディングパッドと前記ボンディングパッドを取り囲む周縁パッドとを形成するステップと、
前記第二のウエハ上に、前記ボンディングパッドの周縁と実質的に整合する第一の封止部材、及び前記第一の封止部材を取り囲み、前記周縁パッドと整合する第二の封止部材を形成するステップと、
前記第二のウエハ中にウエルを形成するステップと、
前記第一及び第二のウエハを合わせ、前記第一及び第二の封止部材を使ってボンディングし、前記ボンディングと前記周縁パッドを利用して間に気密封止容量を形成するステップであって、前記ウエルが前記ボンディングパッド上に来るように前記第二のウエハを配置することができ、前記マイクロデバイスが前記封止部材の間の前記気密封止容量中にあるステップと、そして、
前記第二のウエハの一部を除去することにより前記ウエルを前記第二のウエハ中のスルーホールとするステップであって、前記スルーホールを前記第一のウエハ上のボンディングパッドへと通じさせたステップとを含み、
前記第一及び第二の封止部材を形成するステップが、
前記第二のウエハ上にシード層を形成するステップと、
前記シード層を、フォトリソグラフィープロセスによって露光、現像することにより加工してその上に封止パターンのフォトレジストを残すステップと、
前記封止パターンのフォトレジストを利用して前記封止部材を前記シード層上へと堆積させるステップと、
前記封止パターンのフォトレジストを除去するステップと、そして、
前記封止パターンのフォトレジストを除去する前には前記封止パターンのフォトレジスト下にあったシード層部分を除去するステップとを含むウエハパッケージの製造方法。
【請求項２】
前記第二のウエハ中に前記ウエルを形成するステップが、
前記第二のウエハを加工してその上にウエルパターンのフォトレジストを残すステップと、
前記ウエルパターンのフォトレジストを利用して、前記第二のウエハ中に予め決められた深さのウエルを形成するステップと、そして、
前記ウエルパターンのフォトレジストを除去するステップとを含む請求項１に記載のウエハパッケージの製造方法。
【請求項３】
ボンディングが３５０℃以下の低温下で圧縮荷重をかけて実施され、これにより前記第一の封止部材が前記ボンディングパッドへと冷間圧接され、前記第二の封止部材が前記周縁パッドへと冷間圧接される請求項１に記載のウエハパッケージの製造方法。
【請求項４】
前記ウエハパッケージをマイクロデバイス使用装置中に配置するステップと、そして、
前記マイクロデバイス使用装置と前記第一のウエハ上にあるボンディングパッドとを接続するステップを含む請求項１に記載のウエハパッケージの製造方法。
【請求項５】
前記ウエハの一方に凹部を画定し、これにより丈高のマイクロデバイスを収容できるようにするステップを含む請求項１に記載のウエハパッケージの製造方法。
【請求項６】
前記マイクロデバイスを設けるステップが、前記第一及び第二のウエハのうちの少なくとも一方を加工して前記マイクロデバイスをその中に形成するステップを含む請求項１に記載のウエハパッケージの製造方法。
【請求項７】
前記第一及び第二の封止部材を形成するステップにおいて、前記封止部材を、金、シリコン、アルミニウム、銅、及び銀から構成されるグループの中から選択された１つの材料を用いて形成する請求項１に記載のウエハパッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はウエハレベルのパッケージング技術に関するものであり、より具体的には半導体のウエハパッケージの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイスをパッケージングするために数多くのウエハ対ウエハボンディング技術が現在利用されている。利用されている技術の中には、シリコン対ガラス陽極ボンディングやシリコン対シリコン融着ボンディング、そして中間材料を実際のボンディング媒体として利用したウエハ対ウエハボンディングが含まれる。このような中間材料には二酸化珪素や金、インジウム、アルミニウム等の軟質金属が含まれ、これらは電気的、熱的及び／又は圧接技術を利用してボンディングされている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
これら全ての技術には様々な問題がある。ガラスウエハをシリコンウエハに陽極ボンディングする場合は高電圧を使用するが、これがシリコンウエハ上の電子回路に悪影響を及ぼす可能性がある。同様にシリコン対シリコンボンディングもまた、非常に高い電圧及び高温で実施しなければならない。これら技術のいずれも、ボンディングに要する温度よりも低い融点を持つ金属を溶かしてしまう可能性があり、したがって、シリコンウエハ上の半導体デバイスが特定の種類のものである場合には利用できない。ガラスフリット等のような材料は相対的に大きいボンディング面積を要し、この結果ダイサイズが大きくなって一枚のウエハ上に作成できるデバイスの数が限定されてしまう。さらにこれらの技術の中にはパッケージングされたデバイスの気密封止に信頼性を保証することができないものもある。
【０００４】
このようなパッケージング方法の一例はＫｏｎｇ等による米国特許第５，４４８，０１４号に記載されている。しかしながら、Ｋｏｎｇ等の方法においては、２枚のウエハ間の距離を調節するために多層のスタンドオフが必要とされる。加えて、ウエハ各々に異なる材料を利用するという開示の方法では、開示のとおりに熱を用いてパッケージを製作すると材料の異なる熱膨張係数によって悪い結果が生じる可能性がある。
【０００５】
半導体上、又は半導体中のマイクロデバイスを非電気的に低温で気密封止することができる相対的に単純なプロセスが長い間求められて来た。さらに、標準的又は標準に近いプロセスであって、一般的な半導体研究施設や製造施設において現在利用されているプロセスを利用した方法が求められている。
【０００６】
さらに、既存の方法ではエポキシやグロメット、即ち封止リングをワイヤ周囲のスルーホールに使用することなくウエハパッケージ自体に電気導体を貫通させることができるウエハ対ウエハ封止が提供されなかったため、過去においてはパッケージングされたデバイスへの電気接触を得ることは困難であった。以前の封止技術は、非常に小さく扱いにくいことに加え、封止中の配線導体の屈曲により封止が開き、リークを生じる可能性もあった。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、マイクロデバイスがベースウエハ上のボンディングパッドに接続しているマイクロキャップ・ウエハレベルパッケージを提供するものである。ベースウエハ上の周縁パッドはボンディングパッド及びマイクロデバイスを取り囲んでいる。キャップウエハの上にはガスケットが形成されている。ボンディングパッド・ガスケットはボンディングパッドの周縁に整合し、周縁パッド・ガスケットはベースウエハ上の周縁パッドに整合する。キャップウエハ中にはボンディングパッド・ガスケットの周界内に予め決められた深さにウエル（ｗｅｌｌ）が形成されている。そのキャップウエハはベースウエハ上に配置され、ガスケットがパッドにボンディングされてボンディングパッド・ガスケットと周縁パッド・ガスケットとの間に気密封止容量が形成されている。キャップウエハは薄く削られ、「マイクロキャップ」が形成される。マイクロデバイスを利用する装置の導体が接続できるように、マイクロキャップはウエルがパッケージ内ではあるが気密封止の外にあるボンディングパッドへと通じるスルーホールになるまで、基本的に予め決められた深さの下まで薄く削られる。この構成により、封止部材中に電気接続を通すことなくウエハレベルパッケージの気密封止に高い信頼性が保証されるのである。さらにこのプロセスによれば、マイクロキャップは原位置のままで形成されるので壊れやすいマイクロキャップをアセンブリ中に取り上げて扱うことが無いためにウエハを以前可能であったよりも薄くすることが可能になる。
【０００８】
本発明は、半導体デバイスを気密封止しつつウエハの一方を通じて電気的又は熱的接続を提供するウエハレベルのチップスケールパッケージ中に電気的又は機械的デバイスを設けるものである。
【０００９】
本発明はさらに、パッケージ自体を封止するウエハを介してデバイスへの電気接続を作ることが可能のウエハレベル・チップスケールパッケージ中にデバイスを設けるものである。
【００１０】
本発明はさらに、デバイスへの電気接続を、デバイスの封止と同時に別個に封止されるボンディングパッドへと通じるキャップウエハ中の開口を通じて作ることができるウエハレベル・チップスケールパッケージ中にデバイスを設けるものである。
【００１１】
本発明はさらに、ウエハレベルで気密封止を行う低温バッチプロセスを採用し、ベースウエハ上の標準的ボンディングパッドへの電気接続が可能なウエハレベル・チップスケールパッケージング技術を提供するものである。
【００１２】
本発明はさらに、高電圧又は高温を要さずに半導体デバイスの気密封止を行う相対的に単純なプロセスを提供するものである。
【００１３】
本発明はさらに、代表的な半導体研究施設又は製造施設で採用される標準的プロセスや装置、又はそれに近いプロセスステップ及び装置を用いてウエハパッケージを製造する方法を提供するものである。
【００１４】
本発明の上記及び更なる利点は、添付図と共に以下の詳細説明を読むことにより、当業者に明らかとなる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
まず、図１を参照すると、マイクロキャップ・ウエハレベルパッケージ１０の断面図が示されている。マイクロキャップ・ウエハレベルパッケージ１０は、例えば集積回路等の能動素子又はセンサなどの受動素子であるマイクロデバイス１４が結合したベースウエハ１２を含む。導電性リード線（図示せず）によりマイクロデバイス１４に接続するボンディングパッド１６、１８は、ベースウエハ１２にも結合している。ベースウエハ１２の周縁には、ボンディングパッド１６、１８と同時に形成することができる周縁パッド２０が設けられている。
【００１６】
キャップウエハ２４とベースウエハ１２上の周縁パッド２０との間には周縁パッド封止部材、即ちガスケット２２が設けられており、これが周縁パッド２０へと冷間圧接ボンディングされることによりマイクロデバイス１４の周囲に気密封止容量２５が作られている。キャップウエハ２４は電子的に非導電性材料又は単結晶シリコン等の高抵抗半導体材料から作ることができる。しかしながら、熱膨張係数の不整合に起因する問題を回避するためにベースウエハ１２及びキャップウエハ２４はいずれも同じ半導体材料から作成されていることが望ましい。
【００１７】
キャップウエハ２４はその中にスルーホール２６及び２８を有し、これによりそれぞれボンディングパッド１６及び１８へのアクセスが得られている。スルーホール２６、２８は径が１０〜５００μｍであり、従来型のワイヤボンディングツールを通すことができるようになっている。ボンディングワイヤ３０、３２のような導体をそれぞれボンディングパッド１６、１８へとボンディングしてマイクロデバイス１４への電気接続を作ることが可能である。ボンディングパッド封止部材、即ちガスケット３４、３６はボンディングパッド１６、１８それぞれの周縁にボンディングされ、ガスケット２２は周縁パッド２０へとボンディングされ、これにより気密封止容量２５が形成される。気密封止容量２５はマイクロデバイス１４及びボンディングパッド・ガスケット３４、３６を包含するものである。また、マイクロデバイス１４とボンディングパッド１６、１８との電気接続（図示せず）は気密封止容量２５内にあり、いずれのガスケットも通過していない。
【００１８】
図示の実施例においては、ボンディングパッド１６、１８、ガスケット２２、３４、３６及び周縁パッド２０は金で形成される。しかしながら、本発明の範囲から離れることなく他の材料を利用することも可能である。例えば、シリコン、インジウム、アルミニウム、銅、銀、これらの合金及びこれらの化合物等のように相互にボンディングすることが可能の他の材料を利用することもできる。
【００１９】
次に、図２〜図７を見ると、図１に示したマイクロキャップ・ウエハレベルパッケージ１０の製造プロセスが示されている。以下の説明において、異なる図の中でも同様の部品には全て同じ定義及び同じ符号が適用されるものとする。
【００２０】
図２はキャップウエハ２４を示す図である。スパッタリング又は蒸着等のプロセスを通じて導電性シード層４８がキャップウエハ２４のウエル側の面全体に形成される。この実施例においては、シード層４８は金である。金は、最初に非常に薄い接着層（図示せず）をスパッタリングした後に成膜される。接着層はシード層４８及びキャップウエハ２４への接着性の良好な材料から成る。最良の態様においては、シード層４８が金、キャップウエハ２４がシリコンである場合、接着層はクロム、ニッケルクロム、チタン又はそれらの合金等の金属から成る。その後、金が接着層の上にスパッタリングによって堆積される。金の厚さは、例えば２０００〜３０００Åである。接着層が使用されるのは、金自体ではシリコンに対して直接的に良好な接着が得られないためである。しかしながら、両層とも通常は従来の製造装置を利用して単一のスパッタリング又は蒸着処理において設けられる。
【００２１】
フォトレジスト層５０が塗布され、従来のフォトリソグラフィープロセスにより露光、現像されて、ガスケット２２、３４、３６の形状を画定するパターン開口５２が作成される。ガスケット２２、３４、３６形成用のパターン作成には厚膜フォトレジスト・リソグラフィーを行うことが望ましい。標準的なフォトレジストでは形成される層が相対的に薄くなるため、より粘度の高い厚いフォトレジスト層５０が必要である。必要に応じて厚いフォトレジスト層５０を多層にして使用する。ガスケット２２、３４、３６をパターニングするために用いるフォトレジストの厚さは、少なくともガスケット２２、３４、３６の最終厚分はなければならない。
【００２２】
図３はシード層４８を電極として利用して電気メッキ処理を行った後のキャップウエハ２４を示したものである。ガスケットの導電性材料をフォトレジスト層５０の開口５２中、導電性のシード層４８上に堆積する。その後フォトレジスト層５０を従来のフォトレジスト剥離技術を利用して除去する。
【００２３】
図４においては、以前にはフォトレジスト層５０の下にあった残りのシード層４８を従来のエッチングプロセスによりエッチング除去する。ガスケット２２、３４、３６は除去されるシード層４８の厚み分、高さが低くなる。もう１枚の厚いフォトレジスト層５４を形成し、ガスケット２２、３４、３６を覆う。厚膜フォトレジスト・フォトリソグラフィーを利用してフォトレジスト層５４をパターニング及び現像し、キャップウエハ２４中のウエルをエッチングする領域を露出させる。
【００２４】
図５はエッチングされ、フォトレジスト層５４が除去された後のキャップウエハ２４を示す図である。キャップウエハ２４の当初の厚みは、説明の便宜上２００μｍを超えるものとする。その後キャップウエハ２４をエッチングしてウエル５６、５８を形成するが、これらの深さも説明の便宜上約１００μｍとする。ウエル５６、５８の形成にはドライエッチ等の従来のエッチングプロセスを利用することができる。そのようなドライエッチプロセスの１つには、シリコンのディープエッチングにおいて高アスペクト比のチャネル及びバイアをエッチング形成するために利用されるプラズマエッチプロセスがあげられる。このプロセスでは、エッチングプロセスとエッチングを施した壁にポリマーを堆積するプロセスとを交互に行うことで、アンダーカットを最低限に抑制する方法がとられている。このプロセスによれば、非常に深いエッチングがわずかなアンダーカットを生じただけで得られる。この目的はウエル５６、５８の深さが加工後のキャップウエハ２４の最終厚を越える深さとなるように、十分に深くエッチングするところにある。キャップウエハ２４の最終厚が１００μｍ未満である場合、ウエル５６、５８の深さは１００μｍ以上なければならない。
【００２５】
図６においては、キャップウエハ２４は裏返されてベースウエハ１２に整合させた状態にある。ベースウエハ１２には従来の製造プロセスを利用してボンディングパッド１６、１８及び周縁パッド２０が設けられている。簡単に述べると、ベースウエハ１２上に接着層（図示せず）を成膜し、スパッタリング又は蒸着により導電性材料を堆積させる。フォトリソグラフィーによってパターニングを行い、不要の導電性材料をエッチング除去、そしてフォトレジストを除去する。他の手法においては、フォトリソグラフィーと接着層及び導電性材料層の形成を行い、その後フォトレジストと不要の導電性材料を除去してボンディングパッド１６、１８及び周縁パッド２０を形成する。チャネル、即ちワイヤ（図示せず）によりベースウエハ１２上のマイクロデバイス１４をボンディングパッド１６、１８へと電気的に接続する。ガスケット３４及び３６は、ベースウエハ１２上のボンディングパッド１６及び１８に、ボンディングパッド１６、１８の周縁にてそれぞれ接触し、ガスケット２２は周縁パッド２０と接触する。ボンディングワイヤ３０、３２を図１に示したようにボンディングするために十分な領域が各ガスケット３４、３６内に作られるように、ガスケット３４、３６はそれぞれ対応するボンディングパッド１６、１８の周縁に実質的に整合するように構成されている。
【００２６】
その後ベースウエハ１２及びキャップウエハ２４は位置合わせされ、３５０℃以下の温度下で冷間圧接が生じるまで圧接される。ガスケット３４、３６はそれらに対応するボンディングパッド１６、１８に融着し、同様にガスケット２２も周縁パッド２０に融着する。これにより完全に気密封止された容量２５がマイクロデバイス１４に提供される。
【００２７】
図７においては、気密封止が作られた後に従来のウエハ研削又はラッピング及び研磨技術によりキャップウエハ２４が薄く削られ、ウエル５６、５８がスルーホール２６、２８になった状態にある。スルーホール２６、２８はマイクロキャップ２４を貫通して伸びている。こうしてマイクロキャップ・ウエハレベルパッケージ１０は、マイクロデバイスを利用する装置（図示せず）へと接続することができるようになる。電気接触は、ボールボンディング又はウェッジボンディング等の従来のボンディング技術を使ってボンディングワイヤ３０、３２をボンディングすることにより、ベースウエハ１２上のボンディングパッド１６、１８へと作られる。このことには、ボンディングにより生じる力が相対的に厚いベースウエハ１２へと印加されるという利点が含まれる。
【００２８】
次に図８〜図１０を参照すると、ここには図１に示したマイクロキャップ・ウエハレベルパッケージ１０を他の態様の方法で製造した場合における様々な段階が示されている。
【００２９】
図８では、キャップウエハ２４に従来のフォトリソグラフィー技術を用いてウエル５６、５８がパターニングされる。ここでも説明の便宜上、キャップウエハ２４の当初の厚さが２００μｍを超えているものとする。次にキャップウエハ２４にウエル５６、５８がエッチングされるが、ウエルの深さも説明の便宜上、約１００μｍとする。ウエル５６、５８の形成には、以前にも説明したような従来のエッチングプロセスを利用することができる。ここでも目的はウエル５６、５８の深さが加工後のキャップウエハ２４の最終厚を越える深さとなるように、十分に深くエッチングするところにある。ウエル５６、５８の深さが１００μｍであった場合、最終的な厚さまで加工した時点でウエル５６、５８がスルーホールを形成することになるようにキャップウエハ２４の最終厚は１００μｍ未満でなければならない。
【００３０】
図９においては、スパッタリング等のプロセスによりシード層４８がキャップウエハ２４全体及びウエル５６、５８中に形成される。シード層４８が金から成る場合、最初に非常に薄い接着層（図示せず）をスパッタリングした後にシード層４８が堆積される。ここでも接着層は、クロム、ニッケルクロム、チタン又は他の金属等のように、シリコンであるキャップウエハ２４及び金であるガスケット材料への接着性が良好な金属から形成される。その後接着層の上からスパッタリングにより金が堆積される。この金の厚さは、例えば２０００〜３０００Åである。通常は、両層とも従来の製造装置を利用して単一のスパッタリング処理により形成される。
【００３１】
フォトレジスト層５０もまた、従来のフォトリソグラフィープロセスで形成、露光及び現像され、ガスケット２２、３４、３６の形状を画定するパターン開口５２が作られる。ガスケット２２、３４、３６形成用のパターンの作成には、厚膜フォトレジスト・リソグラフィーを利用することが望ましい。ガスケット２２、３４、３６をパターニングするために用いるフォトレジストは、少なくともガスケット２２、３４、３６の最終厚分の高さを持っていなければならない。さらに、厚膜フォトレジスト間に気泡が生じないように、ウエル５６、６８を埋めるために用いる層の数はできる限り少なくしなければならない。フォトレジストの厚さをキャップウエハ２４表面上でより均等にするために、厚膜フォトレジストを多層としても良い。
【００３２】
図１０は、シード層４８を電極として利用して電気メッキを施した後のキャップウエハ２４を示す図である。ガスケット２２、３４、３６の導電性材料は、開口５２中にフォトレジスト層５０を通して露出した導電性のシード層４８上に堆積される。その後フォトレジスト層５０は従来のフォトレジスト剥離技術により除去される。
【００３３】
このようにしてキャップウエハ２４を図６に示したように裏返してベースウエハ１２へとボンディングすることができるようになり、その後は同様のプロセスが実施される。
【００３４】
次に図１１を参照するが、ここにはキャップウエハ６２が、ベースウエハ１２上にある相対的に丈高、即ち厚いマイクロデバイス６４を収容できるようにエッチングされているマイクロキャップ・ウエハレベルパッケージ６０が描かれている。キャップウエハ６２及びマイクロデバイス６４間の間隙は、キャップウエハ６２のマイクロデバイス６４直上部分をエッチングする等で凹部６６を画定するためのプロセスを追加することにより調節することができる。相対的に丈高のマイクロデバイス、又は可能な限り小さなパッケージに封止しなければならないマイクロデバイスを収容するための追加エッチングには、従来のドライエッチングプロセスを利用することが可能である。したがって、キャップウエハ６２を薄く加工する処理は、凹部６６近くまで実施されることになる。さらにこれによってガスケット２２、３４、３６をマイクロデバイス６４の厚さよりも短くすることができ、この結果、金等の材料の使用量が削減され、従来のフォトレジストのリソグラフィープロセスを採用することができるようになる。
【００３５】
次に図１２を見ると、キャップウエハ７２及びベースウエハ７４を有するマイクロキャップ・ウエハレベルパッケージ７０が示されている。ウエハはシリコン製であるため、これらに従来の半導体製造プロセスを用いてキャップウエハ７２及び／又はベースウエハ７４中にそれぞれ集積回路７６、７８を形成することは容易である。ガスケット３４、３６は導電性材料から成るため、導電性のシード層の一部を残すことにより、又はキャップウエハ７２上にポリシリコンのチャネルを形成することにより、これらを介して集積回路７６をボンディングパッド１６、１８へと電気的に接続することは容易にできる。ベースウエハ７４中の集積回路７８は、マイクロデバイス１４と同様の方法で接続可能である。
【００３６】
キャップウエハ２４とマイクロデバイス１４との間には間隙を示した。本発明はデバイスを収容するためにそのような間隙が必要であるかないかにかかわらず利用可能である。例えば、センサ又はフィルタ等を含むアプリケーションの幾つかにおいては、デバイスを適正に作動させるためにはデバイス上に空間が必要である。同様に、加速計やプレッシャセンサ等、自由に動けることを必要とする機械装置や可動部品をデバイスが含む場合は間隙が必要である。また、例えば集積回路デバイスの場合、この間隙は必要無い。間隙の距離は、ガスケットのめっきの高さと、キャップウエハ２４及びベースウエハ１２を結合する際のガスケットの圧迫による印加圧力との組み合わせにより調整することが可能であり、したがって、多層ガスケットの必要性は無い。
【００３７】
本発明はウエハレベルでのパッケージングを必要とするあらゆる状況に適用可能である。本発明は、集積回路、フィルタ、プレッシャセンサ、加速計、多種にわたる機械的熱量計、及びその他のデバイスのパッケージングに利用することができる。
【００３８】
本発明を、個々のマイクロキャップ・ウエハレベルパッケージを例に取って図示及び説明したが、説明した方法によれば同時に複数のマイクロキャップ・ウエハレベルパッケージのウエハレベルでの製造が可能であることは当業者に明らかである。説明したプロセスは所定のウエハ上にあるマイクロデバイス全てに対して適用可能である。パッケージングされたデバイスは、従来の方法で切断、即ちダイシングすることができ、気密にパッケージングされた個々のデバイスが提供される。
【００３９】
また、本発明は最良の実施態様である特定の実施例に基づいて説明したが、上述の説明に照らし、数多くの変更及び改変が当業者に明らかであることは言うまでもない。したがって、添付請求項に示す本発明の範囲は、そのような変更及び改変を全て含むことを意図したものである。本明細書の記載事項及び添付図に示した内容は全て説明目的のものであり、限定的な意味は持たないものと解釈される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る製造方法で得られるマイクロキャップ・ウエハレベルパッケージの断面図である。
【図２】本発明のマイクロキャップ・ウエハレベルパッケージの製造プロセスを示す図である。
【図３】本発明のマイクロキャップ・ウエハレベルパッケージの製造プロセスを示す図である。
【図４】本発明のマイクロキャップ・ウエハレベルパッケージの製造プロセスを示す図である。
【図５】本発明のマイクロキャップ・ウエハレベルパッケージの製造プロセスを示す図である。
【図６】本発明のマイクロキャップ・ウエハレベルパッケージの製造プロセスを示す図である。
【図７】本発明のマイクロキャップ・ウエハレベルパッケージの製造プロセスを示す図である。
【図８】本発明のマイクロキャップ・ウエハレベルパッケージの他の製造方法を示す図である。
【図９】本発明のマイクロキャップ・ウエハレベルパッケージの他の製造方法を示す図である。
【図１０】本発明のマイクロキャップ・ウエハレベルパッケージの他の製造方法を示す図である。
【図１１】大型の半導体デバイスを収容するために他の方法で加工した本発明のマイクロキャップ・ウエハレベルパッケージを示す図である。
【図１２】一体型集積回路の他の配置を示す、本発明のマイクロキャップ・ウエハレベルパッケージの図である。
【符号の説明】
１２  第一のウエハ（ベースウエハ）
１４  マイクロデバイス
１６  ボンディングパッド
２０  周縁パッド
２２  第二の封止部材（周縁パッド・ガスケット）
２４  第二のウエハ（キャップウエハ）
２５  気密封止容量
３４  第一の封止部材（ボンディングパッド・ガスケット）
４８  シード層
５０  フォトレジスト
５４  フォトレジスト
５６  ウエル
６６  凹部
７２  第一のウエハ
７４  第二のウエハ
７６、７８  ウエハ中に形成したマイクロデバイス
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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