(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成されたバスラインから引き出され絶縁膜を介して画素電極下層に延びる引出部と、
前記引出部と前記画素電極との間の前記絶縁膜中に孤立して形成された中間導電層と
を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
請求項１記載の液晶表示装置において、
前記中間導電層は、直上の絶縁層に形成されたコンタクトホールを介して前記画素電極と電気的に接続されていること
を特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の液晶表示装置において、
前記中間導電層は、単層あるいは多層構成の薄膜よりなり、少なくとも金属膜又は金属酸化膜を含んで形成されていること
を特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
基板上に形成されたバスラインに生じた断線欠陥を修復する液晶表示装置の欠陥修復方法において、
画素電極と、前記画素電極下層の絶縁膜中に孤立して形成された中間導電層とに対してレーザ光を照射して、前記画素電極と前記中間導電層とを電気的に接続する第１工程と、
前記中間導電層と、前記バスラインから引き出され絶縁膜を介して前記中間導電層の下層に延びる引出部とに対してレーザ光を照射して、前記中間導電層と前記引出部とを電気的に接続する第２工程とを含むこと
を特徴とする液晶表示装置の欠陥修復方法。
【請求項５】
請求項４記載の液晶表示装置の欠陥修復方法において、
前記第２工程は、前記第１工程のレーザ光照射で形成されるスリットより狭い幅のスリットを形成すること
を特徴とする液晶表示装置の欠陥修復方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示装置及びその欠陥修復方法に係り、特に液晶表示装置の製造工程において発生した断線欠陥を従来よりも高い成功率で容易に修復（リペア）して良品化可能な液晶表示装置及びその欠陥修復方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
コンピュータを含むＯＡ機器等で表示装置として用いられるアクティブマトリクス型の液晶表示装置は、高画質のフラットパネル・ディスプレイとして注目されている。この液晶表示装置では、製造歩留まりを向上させるために、製造工程において発生した断線欠陥を修復できる冗長構成を有して製造されている。以下、従来の液晶表示装置の概要を図２７乃至図２９を用いて説明する。
【０００３】
図２７は、従来の液晶表示装置の液晶表示パネルのアレイ基板を液晶層側から見た基板面を示している。図２７に示すように、基板上には図中上下方向に延びる複数のデータバスライン（ドレインバスライン）１１ａ、１１ｂ、１１ｃ・・が形成されている。また基板上には、図中左右方向に延びる破線で示した複数のゲートバスライン１３ａ、１３ｂ・・が形成されている。これらデータバスライン１１ａ、１１ｂ、１１ｃとゲートバスライン１３ａ、１３ｂとで画定される領域に画素が形成される。そして、各データバスライン１１ａ、１１ｂ、１１ｃとゲートバスライン１３ａ、１３ｂとの交差位置近傍にＴＦＴ１５ａ、１５ｂ・・が形成されている。
【０００４】
図中上側に示すＴＦＴ１５ａ、１５ｂを例に取ると、ドレイン電極１７ａ、１７ｂは、ＴＦＴ１５ａ、１５ｂの左側に示されたデータバスライン１１ａ、１１ｂから引き出されて、その端部がゲートバスライン１３ａ上に形成されたチャネル保護膜１９ａ、１９ｂ上の一端辺側に位置するように形成されている。
【０００５】
一方、ソース電極２１ａ、２１ｂはチャネル保護膜１９ａ、１９ｂ上の他端辺側に位置するように形成されている。このような構成においてチャネル保護膜１９ａ、１９ｂ直下のゲートバスライン１３ａ領域が当該ＴＦＴ１５ａ、１５ｂのゲート電極として機能するようになっている。図示は省略しているが、ゲートバスライン１３ａ、１３ｂ上にはゲート絶縁膜が形成され、その上にチャネルを構成する動作半導体層が形成されている。このように図２７に示すＴＦＴ構造は、ゲート電極がゲートバスライン１３ａ、１３ｂから引き出されて形成されておらず、直線状に配線されたゲートバスライン１３ａ、１３ｂの一部をゲート電極として用いる構成になっている。
【０００６】
また、画素領域ほぼ中央を左右に延びる破線で示された領域に蓄積容量バスライン２３が形成されている。蓄積容量バスライン２３の上層には絶縁膜を介して各画素毎に蓄積容量電極２５ａ、２５ｂが形成されている。ソース電極２１ａ、２１ｂおよび蓄積容量電極２５ａ、２５ｂの上層には保護膜を介して透明電極材料からなる画素電極２７ａ、２７ｂが形成されている。画素電極２７ａ、２７ｂは、その下層に形成された保護膜に設けられたコンタクトホール２９ａ、２９ｂを介してソース電極２１ａ、２１ｂと電気的に接続されている。また画素電極２７ａ、２７ｂは、コンタクトホール３１ａ、３１ｂを介して蓄積容量電極２５ａ、２５ｂと電気的に接続されている。
【０００７】
以上説明したＴＦＴ構造は逆スタガ型であるが、例えば最下層にドレイン電極が形成され、ゲート電極がその上層に形成されたＴＦＴ構造を有するスタガ型やプレーナ型の薄膜トランジスタもある。いずれの構造にせよ、各メタル層が絶縁膜を介して積層されている。
【０００８】
各ゲートバスライン１３には、バスラインの延びる方向に直交して画素内に引き出される引出部３３ａ、３３ｂ・・が形成されている。例えば引出部３３ｂは、パネル面の法線方向から見た場合に画素右上で画素電極２７ｂと重なり合う領域を有している。図２８は、引出部３３ａを図２７のＥ−Ｅ’線で切断した断面を示している。図２８に示すように、ガラス基板３５上にはゲートバスライン１３ａが形成される。このゲートバスライン１３ａの側部に引出部３３ｂが引き出されて形成されている。ゲートバスライン１３ａの直上には、ゲート絶縁膜３７が形成され、引出部３３ｂ上に保護膜３９を介して画素電極２７ｂが形成されている。
【０００９】
例えば、図２７の上方右側に示すように、ゲートバスライン１３ａが断線部４１で断線した場合、次のようにして修復が行われる。すなわち、断線部４１は、ＴＦＴ１５ｂとデータバスライン１１ｃとの間にあるので、画素電極２７ｂの右上角に示すレーザ照射位置４３にレーザ光を照射する。レーザ光の照射エネルギにより画素電極２７ｂとその直下にある引出部３３ｂの形成金属を溶融させて接続し短絡させる。これにより、ゲートバスライン１３ａの断線部４１の右端が引出部３３ｂを介して画素電極２７ｂと電気的に接続される。
【００１０】
同様にして、ＴＦＴ１５ｂのソース電極２１ｂ側のレーザ照射位置４５にレーザ光を照射してソース電極２１ｂとゲートバスライン１３ａの断線部４１の左端とを短絡させる。また、データバスライン１１ｂの基部側に示すレーザ照射位置４７にレーザ光を照射してドレイン電極１７ｂをデータバスライン１１ｂから電気的に切り離す。これにより、ゲートバスライン１３ａの断線部４１は画素電極２７ｂにより短絡され、断線欠陥が修復される。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記従来の欠陥修復方法は、修復の成功率を高めることが困難であるという問題を有している。図２９は、図２７に示すレーザ照射位置４３でレーザ光を照射した場合の断面図である。図２９に示すように、下層のゲートバスライン１３ａと上層の画素電極２７ｂとの間隔ｄが、例えば８００ｎｍと厚いために、レーザ光４９の照射によって例えば膜厚１００ｎｍの下層のゲートバスライン１３ａの形成金属が溶融しても上層の画素電極２７ｂと短絡する部分は僅かで、殆ど短絡しない状態となる場合がある。
製造コスト低減のためには、製造歩留りの向上が強く望まれる。その一環として、欠陥部の救済としてのリペアによる修復の成功率を上げることが強く望まれている。
【００１２】
本発明の目的は、製造工程において発生した断線欠陥を従来よりも高い成功率で容易に修復して良品化することができる液晶表示装置及びその欠陥修復方法を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、基板上に形成されたバスラインから引き出され絶縁膜を介して画素電極下層に延びる引出部と、前記引出部と前記画素電極との間の前記絶縁膜中に形成された、孤立した中間導電層とを有することを特徴とする液晶表示装置によって達成される。
【００１４】
本発明によれば、バスラインと画素電極との間の絶縁膜の厚さを中間導電層で分割するので、レーザ光の照射による短絡間隔が従来よりも狭くなるので、修復率を向上させることができるようになる。
【００１５】
また、上記本発明の液晶表示装置において、前記中間導電層は、直上の絶縁層に形成されたコンタクトホールを介して前記画素電極と電気的に接続されていることを特徴とする。本発明によれば、１回のレーザ光の照射によりバスラインと中間導電層と画素電極とを同時に接続することができ、修復率をさらに向上させることができるようになる。
【００１６】
また、上記本発明の液晶表示装置において、前記中間導電層は、単層あるいは多層構成の薄膜よりなり、少なくとも金属膜又は金属酸化膜を含んで形成されていることを特徴とする。金属膜による場合は製造工程を増加させないようにでき、また金属酸化膜による場合でも製造工程の増加を少なくすることができる。
【００１７】
上記目的は、基板上に形成されたバスラインに生じた断線欠陥を修復する液晶表示装置の欠陥修復方法において、画素電極と、前記画素電極下層の絶縁膜中に形成された中間導電層とに対してレーザ光を照射して、前記画素電極と前記中間導電層とを電気的に接続する第１工程と、前記中間導電層と、前記バスラインから引き出され絶縁膜を介して前記中間導電層の下層に延びる引出部とに対してレーザ光を照射して、前記中間導電層と前記引出部とを電気的に接続する第２工程とを含むことを特徴とする液晶表示装置の欠陥修復方法によって達成される。
【００１８】
本発明よれば、中間導電層と画素電極を接続し、中間導電層と最下層バスラインとを接続するので、従来よりも修復率が向上するようになる。
【００１９】
また、上記本発明の液晶表示装置の欠陥修復方法において、  前記第２工程は、前記第１工程のレーザ光照射で形成されるスリットより狭い幅のスリットを形成することを特徴とする。本発明によれば、中間導電層と最下層バスラインとを接続するのに用いるレーザ光スリット幅を、中間導電層と画素電極とを接続する場合よりも狭いので、さらに修復率の向上が期待できるようになる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
本発明の第１乃至第３の実施の形態による液晶表示装置及び欠陥修復方法を図１乃至図２６を用いて説明する。なお、従来の技術で説明した図２７乃至図２９に示した構成と同一の機能作用を有する構成要素には同一の符号を付してその説明は省略する。
【００２１】
まず、本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置及び欠陥修復方法を図１乃至図１８を用いて説明する。図１は、本実施の形態による液晶表示装置の欠陥修復方法を説明する断面図である。前述したように、ＴＦＴの構造には、逆スタガ型の他に、スタガ型やプレーナ型がある。スタガ型やプレーナ型では最下層にドレイン電極があり、ゲート電極はその上部にあるという逆の構造になっている。
【００２２】
したがって、図１において、透明絶縁基板（ガラス基板）６に最初に形成される最下層バスライン１は、逆スタガ型のＴＦＴ構造では、ゲートバスライン（及び蓄積容量バスライン）であり、スタガ型やプレーナ型では、ドレインバスライン（データバスライン）である。
【００２３】
この最下層バスライン１には、側部に図２７で示した引出部（３３ａ、３３ｂ）が引き出されて形成されている。この引出部の形成位置がレーザ照射位置である。最下層バスライン１の側部に引き出された引出部の上部には、絶縁層２、４を介して画素電極３が形成される。本実施の形態では、絶縁層２、４の間であって引出部の直上位置に中間層として孤立した中間導電層５が設けられている。中間導電層５は、金属膜または金属酸化膜を成膜して形成される。膜厚は、５０ｎｍ〜２００ｎｍである。
【００２４】
このような中間導電層５を設けることにより、レーザ照射時に考慮すべき絶縁膜２、４の深さが、従来では最下層バスライン１と画素電極３との間であったのを、最下層バスライン１と中間導電層５との間、及び中間導電層５と画素電極３との間の２段階にすることができ従来よりも浅くすることができる。したがって、照射エネルギをそれほど強くしなくても容易に確実に短絡させることができ、従来よりも修復率を上げることができるようになる。
【００２５】
具体的な短絡方法は、図２や図３に示すように、２通りの方法が考えられる。図２、図３は、本実施の形態による液晶表示装置の欠陥修復方法で用いるレーザ照射の第１、第２の方法を説明する断面図である。
【００２６】
図２において、（ａ）示すように、まず、レーザ光５０を照射して上層の画素電極３と中間導電層５を短絡させる。次に、（ｂ）に示すように、同じスリット幅を形成するレーザ光５０を照射して、画素電極３と短絡した中間導電層５を最下層バスライン１と短絡させる。
【００２７】
また、図３において、（ａ）に示すように、まず、レーザ光５１を照射して上層の画素電極３と中間導電層５を短絡させる。次に、（ｂ）に示すように、スリット幅を狭く形成したレーザ光５２を照射し、最下層バスライン１と中間導電層５とを短絡させる。このように、画素電極３と中間導電層５との間と、最下層バスライン１と中間導電層５との間を分割して接続する。これによれば、修復率をさらに向上させることができる。なお、レーザ光５０やレーザ光５１の照射により形成するスリット幅は、パターン寸法等を考慮して２〜１３μｍが適当である。
【００２８】
以下、本実施の形態による逆スタガ型ＴＦＴ構造の液晶表示装置及び製造方法を図４乃至図１８を用いた実施例で説明する。なお、図４乃至図１０は実施例１に関し、図１１乃至図１７は実施例２に関し、図１８は実施例３に関する。
【００２９】
（実施例１）
図４は、実施例１による液晶表示装置を説明する平面図である。図４は、アレイ基板を液晶層側から見た基板面を示している。図４に示すように、引出部３３ａ、３３ｂと画素電極２７ａ、２７ｂとがそれぞれ重なり合う領域に中間導電層９ａ、９ｂが設けられている。中間導電層９ａ、９ｂは、図５乃至図１０に示すようにして形成される。
【００３０】
図５乃至図１０は、本実施例による液晶表示装置の製造方法の工程断面図である。なお、図５乃至図１０において、図４に示した構成要素と同一の構成要素については同一の符号を付している。また、図５乃至図１０における（ａ）は、図４のＡ−Ａ’線で切断したＴＦＴ１５ｂの断面を示し、（ｂ）は図４のＢ−Ｂ’線で切断した中間導電層９ｂを含む領域の断面を示している。
【００３１】
まず、図５に示すように、透明ガラス基板３５上に例えばＡｌ（アルミニウム）を全面に成膜して厚さ約１５０ｎｍの金属層を形成する。次いで、第１のマスクを用いてパターニングし、ゲートバスライン１３ａ（図５（ａ）参照）及び引出部３３ｂを形成する（図５（ｂ）参照）。次に、例えばシリコン窒化膜（ＳｉＮ）をプラズマＣＶＤ法により基板全面に成膜してゲート絶縁膜３７を形成する。次に、動作半導体膜を形成するための例えばアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）層１０１をプラズマＣＶＤ法により基板全面に成膜する。さらに、チャネル保護膜を形成するための例えばシリコン窒化膜（ＳｉＮ）１０３をプラズマＣＶＤ法により全面に形成する。
【００３２】
次に、ゲートバスライン１３ａ及び引出部３３ｂをマスクとして、透明ガラス基板３５に対して背面露光を行い、第２のマスクを用いて、ゲートバスライン１３ｂ上に自己整合的にレジストパターン（図示せず）を形成し、ゲートバスライン１３ａ上に形成されたシリコン窒化膜１０３をエッチングして、ＴＦＴ１５ｂ形成領域のゲートバスライン１３ａ上にチャネル保護膜１９ｂを形成する（図６（ａ）、（ｂ）参照）。
【００３３】
次に、図７に示すように、オーミックコンタクト層を形成するためのｎ+ａ−Ｓｉ層１０５をプラズマＣＶＤ法により全面に形成する。次いで、ドレイン電極１７ｂ、ソース電極２１ｂ、蓄積容量電極２５ｂ、データバスライン１１ｂ及び中間導電層９ｂを形成するための金属（例えばＣｒ）層１０７をスパッタリングにより成膜する。
【００３４】
次に第３のマスクを用いて、図８に示すように、金属層１０７、ｎ+ａ−Ｓｉ層１０５、アモルファスシリコン層１０１をパターニングし、データバスライン１１ｂ（図８では図示せず）、ドレイン電極１７ｂ、ソース電極２１ｂ、中間導電層９ｂ、及び動作半導体層１０９を形成する。このパターニングにおけるエッチング処理において、チャネル保護膜１９ｂはエッチングストッパーとして機能し、その下層のアモルファスシリコン層１０１はエッチングされずに残存する。
【００３５】
次に、図９に示すように例えばシリコン窒化膜からなる保護膜３９をプラズマＣＶＤ法にて形成する。次いで、第４のマスクを用いて保護膜３９をパターニングし、ソース電極２１ｂ上の保護膜３９を開口して、ソース電極２１ｂ上にコンタクトホール２９ｂを形成する。
【００３６】
次に、図１０に示すように、透明ガラス基板３５全面に例えばＩＴＯからなる画素電極材１１１を成膜する。次いで、第５のマスクを用いて画素電極材１１１をパターニングし、図４に示すような所定形状の画素電極２７ｂを形成する。また、画素電極２７ｂはコンタクトホール２９ｂを介してソース電極２１ｂと電気的に接続される。また、詳細な説明は後述するが画素電極２７と蓄積容量電極２５も保護膜３９を開口したコンタクトホール３１を介して電気的に接続される。以上説明した工程を経て図４に示したような液晶表示装置が完成する。
【００３７】
（実施例２）
図１１は、本実施の形態による液晶表示装置の実施例２を説明する平面図である。図１１は、アレイ基板を液晶層側から見た基板面を示している。図４に示すように、本実施例は、実施例１（図４）において、さらに蓄積容量バスライン２３に引出部５５が形成される場合の適用例である。引出部５５は、画素電極２７ａ、２７ｂの左右の側辺側において、蓄積容量バスライン２３の両側端から大きく引き出されて形成されている。したがって、引出部５５は、各画素領域に４つ形成されているが、それぞれの引出部５５のほぼ全領域上に中間導電層１０が設けられている。この中間導電層１０は、図１２乃至図１７に示すようにして形成される。これにより、ゲートバスライン１３ａ、１３ｂ、・・に発生する断線部に加え、蓄積容量バスラインに発生する断線部も高い成功率で修復できるようになる。
【００３８】
図１２乃至図１７は、本実施例による液晶表示装置の製造方法の工程断面図である。なお、図１２乃至図１７において、図１１に示した構成要素と同一の構成要素については同一の符号を付している。また、図１２乃至図１７における（ａ）は、図１１のＣ−Ｃ’線で切断した蓄積容量バスライン２３の断面を示し、（ｂ）は図１１のＤ−Ｄ’線で切断した中間導電層１０を含む領域の断面を示している。
【００３９】
まず図１２に示すように、透明ガラス基板３５上に例えばＡｌ（アルミニウム）を全面に成膜して厚さ約１５０ｎｍの金属層を形成する。次いで、第１のマスクを用いてパターニングし、ゲートバスライン１３の形成と同時に蓄積容量バスライン２３（図１２（ａ）参照）及び引出部５５（図１２（ｂ）参照）を形成する。次に、例えばシリコン窒化膜（ＳｉＮ）をプラズマＣＶＤ法により基板全面に成膜してゲート絶縁膜３７を形成する。次に、ＴＦＴの動作半導体膜を形成するための例えばアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）層１０１をプラズマＣＶＤ法により基板全面に成膜する。さらに、チャネル保護膜を形成するための例えばシリコン窒化膜（ＳｉＮ）１０３をプラズマＣＶＤ法により全面に形成する。
【００４０】
次に、蓄積容量バスライン２３及び引出部５５上に形成されたシリコン窒化膜１０３をエッチングして除去する（図１３（ａ）、（ｂ）参照）。
【００４１】
次に、図１４に示すように、ＴＦＴのソース／ドレイン電極のオーミックコンタクト層を形成するためのｎ+ａ−Ｓｉ層１０５をプラズマＣＶＤ法により全面に形成する。次いで、蓄積容量電極２５ｂ及び中間導電層１０を形成するための金属（例えばＣｒ）層１０７をスパッタリングにより成膜する。
【００４２】
次に、図１５に示すように、金属層１０７、ｎ+ａ−Ｓｉ層１０５、アモルファスシリコン層１０１をパターニングし、蓄積容量電極２５ｂ及び中間導電層１０を形成する。
【００４３】
次に、図１６に示すように例えばシリコン窒化膜からなる保護膜３９をプラズマＣＶＤ法にて形成する。次いで保護膜３９をパターニングし、蓄積容量電極２５ｂ上の保護膜３９を開口して、蓄積容量電極２５ｂ上にコンタクトホール３１ｂを形成する。
【００４４】
次に、図１７に示すように、透明ガラス基板３５全面に例えばＩＴＯからなる画素電極材１１１を成膜する。次いで画素電極材１１１をパターニングし、図１１に示すような所定形状の画素電極２７ｂを形成する。画素電極２７ｂはコンタクトホール３１ｂを介して蓄積容量電極２５ｂと電気的に接続される。以上説明した工程を経て図１１に示したような液晶表示装置が完成する。
【００４５】
（実施例３）
次に、図１８を用いて実施例３による液晶表示装置について説明する。図１８は、アレイ基板を液晶層側から見た基板面を示している。図１８に示すように、本実施例は、実施例２と同様に、実施例１（図４）においてさらに蓄積容量バスライン２３に引出部５５が形成される場合の適用例である。引出部５５は、実施例２と同様にして形成されている。本実施例では、この引出部５５の全領域上に中間導電層１０がアイランド状に点在して形成されている。この中間導電層１０は、実施例２で説明した図１２乃至図１７に示す工程を経て形成される。これにより、実施例２と同様に、ゲートバスライン１３ａ、１３ｂ、・・に発生する断線部に加え、蓄積容量バスライン２３に発生する断線部も高い成功率で修復できるようになる。
【００４６】
次に、上記第１の実施の形態による液晶表示装置及びその欠陥修復方法の変形例について説明する。上記第１の実施の形態では、画素毎に１つのＴＦＴ１５が形成される構成であるが、例えば１画素に２個のＴＦＴを配置した冗長構成を取ることも可能である。その場合において、引出部３３も１画素に２個形成してもよい。
【００４７】
まず、一方のＴＦＴ１５及び引出部３３を利用してゲートバスライン１３の断線を修復する。次いでレーザ照射により、これら一方のＴＦＴ１５及び引出部３３を取り囲む領域と、他方のＴＦＴ１５を含む領域とに画素電極２７を分離する。他方のＴＦＴ１５をスイッチング素子として用いて画素電極２７を駆動するようにすれば、欠陥修復に供した画素を点欠陥とせずに画像表示に利用させることができるようになる。
【００４８】
次に、本発明の第２実施の形態による液晶表示装置及びその欠陥修復方法を図１９乃至図２６を用いて説明する。図１９は、本実施の形態による液晶表示装置の欠陥修復方法を説明する断面図である。図１９（ａ）に示すように、本実施の形態による液晶表示装置は、予め保護膜４にコンタクトホール７が形成され、中間導電層５がコンタクトホール７を介して画素電極３に電気的に接続されている。
【００４９】
図１９（ｂ）に示すように、コンタクトホール７の中心部または中心部近傍にレーザ光５３を照射することにより、中間導電層５と最下層バスライン１とを接続する。このように、上層の画素電極３は孤立した中間導電層５に予め電気的に接続させてあるので、コンタクトホール７を照射することで一度に接続することができるようになる。
【００５０】
以下、本実施の形態による逆スタガ型ＴＦＴ構造の液晶表示装置及び製造方法を図２０乃至図２６を用いて説明する。図２０は、本実施の形態による液晶表示装置を説明する平面図である。図２０は、アレイ基板を液晶層側から見た基板面を示している。本実施の形態は、上記第１の実施の形態における実施例１（図４参照）への適用例である。すなわち、図２０に示すように、パネル面の法線方向から見て、引出部３３ａ、３３ｂと画素電極２７ａ、２７ｂとがそれぞれ重なり合う領域に設けられている中間導電層９ａ、９ｂに、コンタクトホール８ａ、８ｂが形成されている。この中間導電層９ａ、９ｂ及びコンタクトホール８ａ、８ｂは、図２１乃至図２６に示すようにして形成される。これにより、ゲートバスライン１３ａ、１３ｂ、・・に発生する断線部を高い成功率で修復することができるようになる。
【００５１】
図２１乃至図２６は、本実施の形態による液晶表示装置の製造方法の工程断面図である。なお、図２１乃至図２６において、図２０に示した構成要素と同一の構成要素については同一の符号を付している。また、図２１乃至図２６における（ａ）は、図２０のＥ−Ｅ’線で切断したＴＦＴ１５ｂの断面を示し、（ｂ）は図２０のＦ−Ｆ’線で切断した中間導電層９ｂ及びコンタクトホール８ｂの断面を示している。
【００５２】
図２１乃至図２６における（ａ）に示したＴＦＴの製造方法は、図５乃至図１０の（ａ）に示したものと同一である。また、図２１乃至図２６における（ｂ）に示す中間導電層の製造方法は、図２１乃至図２４が図５乃至図８（ｂ）に示したものと同一である。従って、これら既に説明した製造方法と同一の製造方法の説明は省略し、以下、図２５、図２６を参照して説明する。
【００５３】
図２５に示すように、例えばシリコン窒化膜からなる保護膜３９をプラズマＣＶＤ法にて形成する。次いで保護膜３９をパターニングし、ソース電極２１ｂ及び中間導電層９ｂ上の保護膜３９を開口して、ソース電極２１ｂ上にコンタクトホール２９ｂを形成し、中間導電層９ｂ上にコンタクトホール８ｂを形成する。
【００５４】
次に、図２６に示すように、透明ガラス基板３５全面に例えばＩＴＯからなる画素電極材１１１を成膜する。次いで画素電極材１１１をパターニングし、図２０に示すような所定形状の画素電極２７ｂを形成する。また、画素電極２７ｂはコンタクトホール２９ｂを介してソース電極２１ｂと電気的に接続され、またコンタクトホール８ｂを介して中間導電層９ｂと電気的に接続される。以上説明した工程を経て図２０に示したような液晶表示装置が完成する。
【００５５】
なお、本実施の形態は、上記第１の実施の形態における実施例２、３についても同様に適用できることは言うまでもない。また、中間導電層９ａ、９ｂ、１０は、ドレイン電極１７ａ、１７ｂやソース電極２１ａ、２１ｂなどを形成する金属層１０７を用いて形成した。この方法では、中間導電層の積層工程を追加する必要をなくすことができる。しかし、このことは、中間導電層を別途金属酸化膜で成膜して形成することを排除するものではない。
【００５６】
次に、本発明の第３の実施の形態による液晶表示装置の欠陥修復方法を説明する。例えば、図２７に示す断線部４１で断線が発生した場合、レーザ照射位置４３にレーザ光を照射して開口を設け、次いで開口部近傍に金属粒子を分散したコロイド溶液を塗布し、再度、当該開口部分にレーザ光を照射して金属を析出させる。析出した金属により画素電極２７ｂと引出部３３ｂとが接続させられるので、断線が修復される。この方法によれば、従来の製造工程に変更を加えることなく、実施することができる。
【００５７】
本発明は、以上説明した実施の形態に限らず種々の変形が可能である。例えば以上の実施の形態では、中間導電層を表示部の画素部に設けた場合を示したが、端子部等の表示部外にも適用することができる。
【００５８】
【発明の効果】
以上の通り、本発明によれば、液晶表示装置の製造工程において発生した断線欠陥を従来よりも高い成功率で容易に修復して良品化することができる表示装置及びその欠陥修復方法を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置の欠陥修復方法を説明する断面図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置の欠陥修復方法で用いるレーザ照射の第１の方法を説明する断面図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置の欠陥修復方法で用いるレーザ照射の第２の方法を説明する断面図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置（実施例１）を説明する平面図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置（実施例１）の製造方法の工程断面図である。
【図６】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置（実施例１）の製造方法の工程断面図である。
【図７】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置（実施例１）の製造方法の工程断面図である。
【図８】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置（実施例１）の製造方法の工程断面図である。
【図９】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置（実施例１）の製造方法の工程断面図である。
【図１０】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置（実施例１）の製造方法の工程断面図である。
【図１１】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置（実施例２）を説明する平面図である。
【図１２】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置（実施例２）の製造方法の工程断面図である。
【図１３】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置（実施例２）の製造方法の工程断面図である。
【図１４】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置（実施例２）の製造方法の工程断面図である。
【図１５】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置（実施例２）の製造方法の工程断面図である。
【図１６】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置（実施例２）の製造方法の工程断面図である。
【図１７】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置（実施例２）の製造方法の工程断面図である。
【図１８】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置（実施例３）を説明する平面図である。
【図１９】本発明の第２の実施の形態による液晶表示装置の欠陥修復方法を説明する断面図である。
【図２０】本発明の第２の実施の形態による液晶表示装置を説明する平面図である。
【図２１】本発明の第２の実施の形態による液晶表示装置の製造方法の工程断面図である。
【図２２】本発明の第２の実施の形態による液晶表示装置の製造方法の工程断面図である。
【図２３】本発明の第２の実施の形態による液晶表示装置の製造方法の工程断面図である。
【図２４】本発明の第２の実施の形態による液晶表示装置の製造方法の工程断面図である。
【図２５】本発明の第２の実施の形態による液晶表示装置の製造方法の工程断面図である。
【図２６】本発明の第２の実施の形態による液晶表示装置の製造方法の工程断面図である。
【図２７】従来の液晶表示装置の構成を説明する平面図である。
【図２８】図２７中のＥ−Ｅ’線の断面図である。
【図２９】従来の欠陥修復方法におけるレーザ照射の様子を説明する断面図である。
【符号の説明】
１  引出部が設けられる最下層バスライン
２  絶縁層
３  画素電極
４  絶縁層
５  中間導電層
６  透明絶縁性基板（ガラス基板）
７、８  コンタクトホール
９ａ、９ｂ、１０  中間導電層
１１ａ、１１ｂ、１１ｃ  データバスライン
１３ａ、１３ｂ  ゲートバスライン
１５ａ、１５ｂ  ＴＦＴ
１７ａ、１７ｂ  ドレイン電極
１９  チャネル保護膜
２１ａ、２１ｂ  ソース電極
２３  蓄積容量バスライン
２５ａ、２５ｂ  蓄積容量電極
２７ａ、２７ｂ  画素電極
２９ａ、２９ｂ、３１ａ、３１ｂ  コンタクトホール
３３ａ、３３ｂ、５５  引出部
３５  ガラス基板
３７  デート絶縁膜
３９  保護膜
４１  断線部
４３、４５、４７  レーザ照射位置
４９、５０、５１、５２、５３  レーザ光
１０１  アモルファスシリコン層（ａ−Ｓｉ層）
１０３  シリコン窒化膜
１０５  ｎ+ａ−Ｓｉ層
１０７  金属層
１０９  動作半導体層
１１１  画素電極材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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