(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光装置の構成要素を収容する真空チャンバをポンプを用いて真空状態にする真空装置において、
前記真空チャンバの内部に前記ポンプと対面して設けられるシールドと、
前記真空チャンバの内部に設けられた筒状の輻射部材と、を有し、
前記輻射部材は、隙間を介して前記シールドの外周を囲むように設けられ、前記輻射部材の前記構成要素側の端部が前記シールドよりも前記構成要素側に配置されることを特徴とする真空装置。
【請求項２】
前記シールドは、前記ポンプと対向する面の輻射率が０．２以下であることを特徴とする請求項１に記載の真空装置。
【請求項３】
前記輻射部材は、前記シールド側の面の輻射率が０．６以上であることを特徴とする請求項１または２に記載の真空装置。
【請求項４】
前記ポンプは、ターボ分子ポンプであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１つに記載の真空装置。
【請求項５】
前記ポンプは、クライオポンプであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１つに記載の真空装置。
【請求項６】
前記輻射部材を温調するための温調手段を備えることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一つに記載の真空装置。
【請求項７】
前記シールドと前記ポンプとの距離が、前記ポンプの開口径の２／５以上であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一つに記載の真空装置。
【請求項８】
前記ポンプの開口径φ１、前記シールドの径φ２、前記輻射部材の内径φ３、前記ポンプ開口部と前記シールド間の距離Ｌ２、前記輻射部材の長さＬ３とすると、
（数式１）  （φ３−φ１）／Ｌ３≦（φ２−φ１）／Ｌ２
を満たすように構成されることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一つに記載の真空装置。
【請求項９】
前記ポンプの開口径φ１、前記ポンプと前記シールド間の距離Ｌ２とすると、
（数式２）  Ｌ２≧２／５（φ１／２）
を満たすように前記シールドを配置することを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一つに記載の真空装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一つに記載の前記真空装置を有することを特徴とする露光装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の前記露光装置を用いてウエハを露光する工程と、
前記ウエハを現像する工程とを備えることを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、波長１０ｎｍ乃至１５ｎｍ程度の極端紫外線（ＥＵＶ）光を用いたより微細な加工を可能にする真空装置、露光装置、及びその真空装置、露光装置を用いたより微細なデバイスの加工を可能にするデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来よりフォトリソグラフィー（焼き付け）技術を用いて半導体メモリや論理回路などの微細な半導体素子を製造するという製造方法がある。
レチクル（マスク）に描画された回路パターンを投影光学系によってウェハなどに投影し回路パターンを転写する縮小投影露光装置が使用されている。
縮小投影露光装置で転写できる最小の寸法（解像度）は、露光に用いる光の波長に比例し、投影光学系の開口数（ＮＡ）に反比例する。従って、波長を短くすればするほど、解像度はよくなる。
【０００３】
このため、近年の半導体素子の微細化への要求に伴い露光光の短波長化が進められている。
例えば、超高圧水銀ランプ（ｉ線）の波長は約３６５ｎｍ、ＫｒＦエキシマレーザの波長は約２４８ｎｍ、ＡｒＦエキシマレーザの波長は約１９３ｎｍというように紫外光の波長は短くなってきた。
しかし、半導体素子は急速に微細化しており、紫外線光を用いたリソグラフィーでは限界があった。
【０００４】
そこで、波長１０ｎｍ乃至１５ｎｍ程度の極端紫外線（ＥＵＶ）光を用いた縮小投影露光装置（以下、「ＥＵＶ露光装置」と称する。）が開発されている。
紫外光よりも更に波長が短い極端紫外線（ＥＵＶ）光を用いる場合、０．１μｍ以下の非常に微細な回路パターンを効率よく転写することが可能である。
【０００５】
（ＥＵＶ）光は、気体中のエネルギー減衰が非常に大きく、また、気体中の酸素と不純物との光化学反応により光学素子に炭素化合物を付着させてしまうという欠点がある。
このため、（ＥＵＶ）光の波長領域を用いた投影露光を行うには、一般に、真空環境を現出して真空環境下で行う必要がある。
【０００６】
縮小投影装置内に真空環境を実現するため、現在においては、多くはターボ分子ポンプが用いられている。
ターボ分子ポンプは、ロータを高速に回転させることで気体分子を弾き飛ばして排気し真空を維持するため、ターボ分子ポンプのロータの温度は、４０〜８０℃に上昇する。
例えば３０００Ｌ／ｍクラスのターボ分子ポンプの場合、１基あたり熱輻射により数Ｗ程度のエネルギーを装置内に放射する。
【０００７】
ＥＵＶ露光装置は、０．１μｍ以下の回路パターンの露光に使用されるため、線幅精度が非常に厳しく、光学素子の形状（即ち、ミラーの表面形状）は０．１ｎｍ程度の変形しか許されない。
熱輻射は、露光装置内の構造物に関しても光学素子やセンサの位置の変化を引き起こしパターンの転写精度を悪化させてしまうため、温度変化を小さくして熱変形を抑えなければならない。
【０００８】
そこで、ターボ分子ポンプから放射される輻射エネルギーを、光学素子や構造物等に到達する前に遮蔽し、光学素子や構造物等の熱変形を抑制する必要がある。
従来、ターボ分子ポンプから放射される輻射エネルギーを、光学素子や構造物等に到達する前に遮蔽する手段として、ターボ分子ポンプ開口部の対向位置に輻射率の低い板を配置するということが行われている。
しかし、輻射率の低い板の配置のみでは、輻射エネルギーの放散を全て吸収することは困難であるため、輻射熱を遮蔽する構成としては不十分であった。
【０００９】
一方、特開１０−２９７６０４号公報（特許文献１）により容器本体に内容物を充填し底部凹部を保持具で支え、蓋を容器本体のフランジ部にシールした後、該保持具を外して密閉を完了するという密閉容器が提案されている。
しかし、この密閉容器では、一度、内容物の冷却で密閉された後、他の構造物を繰り返し冷却するという構成はなく、従って柔軟性に欠け、縮小投影装置内の温度制御には利用し得ないという問題があった。
【００１０】
また、一方、特開２００２−１２４４６１号公報（特許文献２）によりマスクテーブル、基板テーブル、投影システム、及び隔離した基準フレームを囲む温度制御部材を設置した平板投影装置が提案されている。
特に、温度制御部材は、作動の間等温に保持しやすくする表面仕上げが施されており、ターボ分子ポンプの正面の熱そらせ板の背面より奥の位置において広い範囲を有して設置されている。
しかし、熱そらせ板で反射する一部の輻射エネルギーは、真空室内に回りこみ光学素子や構造部材に吸収されてしまうため、光学素子や構造部材の熱変形を引き起こし、パターンの転写精度を悪化させるという問題があった。
温度制御部材がマスクテーブル、基板テーブル、及び投影システムなどを囲む広い領域に渡るため、吸引の効率が低下し、その分、高出力のターボ分子ポンプを必要とするというコスト的な問題もあった。
しかも、温度制御部材は、マスクテーブル、基板テーブル、及び投影システムなどを囲む広い領域をカバーするため、露光装置内のレイアウト設計にスペース的に余分な制約を与え、実用性にも問題があった。
【特許文献１】特開平１１−２９７６０４号公報
【特許文献２】特開２００２−１２４４６１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
そこで、本発明は、輻射エネルギーが、光学素子や構造物等に及ぼす影響を小スペースの構成で効率よく低減し、より微細加工を安定化する真空装置、露光装置、及びデバイス製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するために本発明の真空装置は、露光装置の構成要素を収容する真空チャンバをポンプを用いて真空状態にする真空装置において、前記真空チャンバの内部に前記ポンプと対面して設けられるシールドと、前記真空チャンバの内部に設けられた筒状の輻射部材と、を有し、前記輻射部材は、隙間を介して前記シールドの外周を囲むように設けられ、前記輻射部材の前記構成要素側の端部が前記シールドよりも前記構成要素側に配置されることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の真空装置によれば、真空ポンプから放射される輻射エネルギーが、光学素子や構造物等に影響を及ぼすことを小スペースの構成で効率よく低減することができる。レイアウト設計の自由度も増大する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明を、その実施例に基づいて、図面を参照して説明する。
【実施例１】
【００１５】
図１は、本発明の実施例１の真空装置を露光装置に適用する一例を示す概略構成図である。
【００１６】
実施例１では、真空装置を真空チャンバ１と呼ぶ。真空チャンバ１は、周囲を囲む壁体で露光装置を構成する鏡筒２、レクチルステージ３、及びウエハステージ４を収容する。鏡筒２は光学系（不図示）を収容する。
【００１７】
本例の露光装置は真空チャンバ１で密閉されており、鏡筒２、レクチルステージ３、及びウエハステージ４毎にターボ分子ポンプ５を用いることにより装置内部を真空状態にする。
【００１８】
光源（不図示）からの露光光は、レチクルステージ３が保持するレチクル（不図示）で反射し、かつ鏡筒２内の光学素子（不図示）で反射し、ウエハステージ４が保持するウエハ（不図示）上に投影される。
ウエハ上に露光された露光光は、レチクルのパターン（回路パターンなど）をウエハ上に転写する。
光源は、例えば、超高圧水銀ランプ（ｉ線：波長＝約３６５ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザ（波長＝約２４８ｎｍ）、もしくはＡｒＦエキシマレーザ（波長＝約１９３ｎｍ）などであり、極端紫外線（ＥＵＶ）光を出力する。
【００１９】
露光装置は、鏡筒２の空間、レチクルステージ３の空間、ウエハステージ４の空間のそれぞれの空間が密閉可能に分けられた所謂真空チャンバ１を適用しており、各空間の開口（排気口）にターボ分子ポンプ５を備える。
ターボ分子ポンプ５は、各空間に１基もしくは複数基設置されており、ターボ分子ポンプ５が稼動している間はそのロータ温度が上昇するため、各空間内にそのロータの輻射エネルギーが放出される現象は無視できない。
【００２０】
実施例１では、ターボ分子ポンプ５から放射される輻射エネルギーを遮蔽するために、図１及び図２に示すように、ターボ分子ポンプ５の設置位置の開口（排気口）を取り囲むように輻射部材１０１が配設されている。
また、図１及び図２に示すように、ターボ分子ポンプ５に対向する位置で、ターボ分子ポンプ開口径の２／５以上離れた位置には輻射率の低いシールド１０２が配置されている。
シールド１０２は、図２に示すように、例えば円板状の部材であり、例えば筒状の輻射部材１０１に包囲されている。シールド１０２のターボ分子ポンプ５と対向する面は、輻射率ε＝０．２以下である。
シールド１０２の表面は、輻射率ε＝０．２以下を実現するために、金属、もしくは金属膜が成形されており、さらに鏡面に近い表面仕上げがなされている。
【００２１】
一方、輻射部材１０１のターボ分子ポンプ５を取り囲む内面は高い輻射率ε＝０．６以上を有する。
輻射部材１０１の輻射熱を受ける内面の表面には輻射率ε＝０．６以上とすべくアルミナ、ＳｉＣなどのセラミクス材料、もしくはＳｉＯ２などの輻射率が高く低放出ガスレートの材料からなる輻射膜（輻射層）が成形されている。
【００２２】
例えば、図２に示すように、ターボ分子ポンプ開口径φ１、シールド径φ２、輻射部材径φ３、ターボ分子ポンプとシールド間の距離Ｌ２、輻射部材１０１の高輻射率面の長さＬ３とすると、下記の数式１を満たす関係が好ましい。
（数式１）    （φ３−φ１）／Ｌ３≦（φ２−φ１）／Ｌ２
【００２３】
上記数式１を満たすとき、露光装置（真空チャンバ１）の各空間（真空室）内からターボ分子ポンプ５を直接に見ることはなく、かつシールド１０２をターボ分子ポンプ５の開口径の２／５以上離れた位置に配置することができる。
上記数式１を満たす構成をとることにより、ターボ分子ポンプ５から放射される輻射エネルギーのうち、ターボ分子ポンプ５から広がるようにして放射されるものは、輻射部材１０１の高輻射率面に照射される。
このため、大部分の輻射エネルギーは、輻射部材１０１の内面に吸収されるが、吸収されない僅かな輻射エネルギーのみが真空室内に入っていく。極僅かであるため、真空室内の光学素子や他の構造物には悪影響は及ばない。
【００２４】
詳しくは、真空チャンバ（真空室）１内に入ろうとする輻射エネルギーは、輻射率が低いシールド１０２にあたり、一部はターボ分子ポンプ５の方向に反射され、残りは輻射部材１０１の高輻射率面の方向に反射される。
輻射部材１０１の高輻射率面に照射された輻射エネルギーは、大部分が輻射部材１０１に吸収され、反射される僅かな輻射エネルギーのみが真空室内に入っていく。
従って、ターボ分子ポンプ５から放射される輻射エネルギーの大半は輻射部材１０１の高輻射率面で吸収されるため、真空室内に入っていく輻射エネルギーは僅かであり、何ら悪影響を及ぼすことはない。
【００２５】
尚、数式１を厳密には満たさなくても、ある程度等式が成り立つような構成となっていれば、ターボ分子ポンプ５の輻射エネルギーを遮蔽する効果を得ることができる。
【００２６】
一方、輻射部材１０１の外周には輻射部材１０１を調温する調温手段としての冷却ジャケット２０１が設けられており、冷却ジャケット２０１には基準温度に温調すべく所定の冷媒を流す所定の冷媒循環構成が施されている。
輻射部材１０１で吸収された輻射エネルギーは冷媒により回収される。輻射部材１０１自身の温度は冷媒の循環で低下する。輻射部材１０１の温度低下作用は、真空室内部への輻射エネルギーを低減し、その熱的な影響を抑える。
【００２７】
さらに、ターボ分子ポンプ開口径φ１、ターボ分子ポンプとシールド間の距離Ｌ２とすると、下記の数式２を満たす構成も好ましい。
（数式２）       Ｌ２≧２／５（φ１／２）
【００２８】
即ち、上記数式２を満たす位置にシールド１０２を配置する。ターボ分子ポンプ５の排気口（真空チャンバ１の開口）にシールド１０２を近づけすぎるとコンダクタンスが急激に低下し装置内の圧力が上昇してしまうからである。
ターボ分子ポンプ５からターボ分子ポンプ開口径の２／５以上離れた位置にシールド１０２を配置することで、ターボ分子ポンプ５の排気能力をあまり低下させることなく、ターボ分子ポンプ５の輻射熱を遮蔽することができる。
【００２９】
このように露光装置は、所定の温度に温調される輻射部材１０１とシールド１０２を有し、ターボ分子ポンプ５から放出される輻射エネルギーは、温度に敏感な光学部材や構造部材に吸収される前に少なくとも一度反射する。
ターボ分子ポンプ５を取り囲むように、排気口近傍もしくは排気口よりもターボ分子ポンプ５側に前記輻射部材１０１を配設するため、反射して放散する輻射エネルギーは、輻射部材１０１が吸収する。
さらに、ターボ分子ポンプ５に対向する位置にシールド１０２を配設することは、実質的に真空チャンバ（真空室）１内からターボ分子ポンプ５が直接的には見えない構成であり、輻射エネルギーを高い効率で処理できる。
【００３０】
もしシールド１０２がない場合は、真空室内に入ろうとする輻射エネルギーを吸収するためには、真空チャンバ１内壁を全て高輻射率にし、さらに高輻射率にしたところは温調を行い温度が上がらないようにしなければいけない。
シールド１０２は、高輻射率面とその温度上昇を抑えるための所謂温調機構（冷却ジャケット２０１、及び冷媒循環）をターボ分子ポンプ５周辺に設定する着眼点を指向する役割も担っている。
【００３１】
実施例１では、露光装置（真空チャンバ１）内のターボ分子ポンプ５用の排気口（開口）付近に輻射部材１０１及びシールド１０２を配設する構成であるため、小さなスペースで効率よく輻射エネルギーを処理することができる。
ターボ分子ポンプ５は、小さなスペースで効率よく輻射エネルギーを処理できるため、大出力を維持するターボ分子ポンプを用いなくとも露光装置（真空チャンバ１）内の真空環境を容易に現出し維持することができる。
従って、露光用光源には、極端紫外線（ＥＵＶ）光を出力する超高圧水銀ランプ（波長約３６５ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザ（波長約２４８ｎｍ）、もしくはＡｒＦエキシマレーザ（波長約１９３ｎｍ）などを問題なく使用できる。
このため、実施例１の露光装置は、基板（ウエハ）上により解像度の高いより微細な回路パターンなどの加工（露光）を安定して行うことができ、近年のより微細化の傾向により有利な利点を備える。
しかも、輻射部材１０１及びシールド１０２を配設する構成は小さなスペースで良いため、露光装置（真空チャンバ１）内のレイアウト設計の自由度を増大させる。
【実施例２】
【００３２】
次に、本発明の実施例２を説明する。
図３は、本発明の実施例２の真空装置を露光装置に適用する一例を示す概略構成図である。以下、真空装置を真空チャンバ１と呼ぶ。
露光装置は、図３に示すように、真空チャンバ１で密閉されており、ターボ分子ポンプ５を用いることにより、装置内部を真空状態にする。
光源（不図示）からでた露光光は、レチクルステージ３で保持するレチクル（不図示）で反射し、鏡筒２内の光学素子で反射し、ウエハステージ４で保持するウエハ（不図示）上に投影される。
上記投影でウエハ（不図示）上にはレクチルのパターン（回路パターンなど）が転写される。
【００３３】
露光装置（真空チャンバ１）内では、鏡筒２の空間、レチクルステージ３の空間、及びウエハステージ４の空間のそれぞれが別の空間に分けられており、それぞれの空間にターボ分子ポンプ５が１基もしくは複数基設置されている。
鏡筒２の空間内の光学素子表面が水分や炭化水素を吸着し、ＥＵＶ光があたると光学素子の反射率低下を引き起こすため、光学素子が存在する鏡筒２内に非常にわずかな分圧しか水分や炭化水素が存在することは許されない。
【００３４】
実施例２では、鏡筒２内の水や炭化水素の分圧を下げるため、クライオポンプ６を併用する。
クライオポンプ６は先端にあるクライオパネル７を７０Ｋくらいの極低温まで温度を低下させ、水や炭化水素をクライオンパネル７に吸着させることにより、水や炭化水素の分圧を下げる。
しかし、クライオパネル７の温度が７０Ｋ程度まで下がると、鏡筒２内にある光学素子からでる輻射エネルギーをクライオパネル７が吸収し、光学素子の温度が低下する。
【００３５】
これを防ぐために図３及び図４に示すように、クライオパネル７を取り囲むように輻射部材１０１を設置し、クライオパネル７に対向してシールド１０２を配置する。
輻射部材１０１の内面は、例えば輻射率ε＝０．６以上を有する高輻射率面となっており、シールド１０２の表面は、例えば輻射率ε＝０．２以下を実現する金属、もしくは金属層となっている。
輻射部材１０１の内面、及びシールド１０２の表面は輻射率を高める表面処理（鏡面処理）が施されている。
【００３６】
クライオパネル径φ１、シールド径φ２、輻射部材径φ３、クライオパネルとシールド間の距離Ｌ２、高輻射率壁面の長さＬ３とすると、下記の数式３を満たす構成が好ましい。
（数式３）       （φ３−φ１）／Ｌ３≦（φ２−φ１）／Ｌ２
上記数式３の式を満たすとき、真空室内からクライオパネル７が直接見えなくなる。
上記数式３を満たす構成をとることにより、鏡筒２の空間内からクライオパネル７に向かう輻射エネルギーの大部分が輻射部材１０１の高輻射率面で吸収され、僅かに反射されるもののみがクライオパネル７に到達する。
そのため、鏡筒２の空間内にある光学素子や、光学素子を保持する構造物などの熱歪に敏感な要素とクライオパネル７との輻射による熱のやり取りの量が非常に小さくなり、クライオパネル７の輻射伝熱の影響を遮蔽できる。
但し、数式３を厳密には満たさなくても、ある程度等式が成り立つような構成となっていれば、クライオパネル７の輻射電熱の影響を遮蔽する効果を得ることができる。
【００３７】
一方、輻射部材１０１には、実施例１の場合と同様に冷却ジャケット２０１を設置し、基準温度に温調された流体を流す。流体は輻射部材１０１の調温を実現する。
輻射部材１０１の流体による調温により、鏡筒２の空間（真空室）内部に熱的影響を与えることを抑える。
【００３８】
実施例２では、クライオポンプ６を併用し、クライオパネル７の吸熱性を輻射部材１０１、及びシールド１０２で遮蔽するため、鏡筒２の空間内の調温をより容易に実現することができる。
即ち、クライオポンプ６を併用し、クライオパネル７の吸熱性を輻射部材１０１、及びシールド１０２で遮蔽するため、鏡筒２内の水や炭化水素の分圧を下げ、鏡筒２の空間内に安定した真空環境を現出できる。
従って、露光用光源には、極端紫外線（ＥＵＶ）光を出力する超高圧水銀ランプ（波長約３６５ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザ（波長約２４８ｎｍ）、もしくはＡｒＦエキシマレーザ（波長約１９３ｎｍ）などを問題なく使用できる。
【００３９】
このため、実施例２の露光装置は、基板（ウエハ）上により解像度の高いより微細な回路パターンなどの加工（露光）を安定して行うことができ、近年のより微細化の傾向により有利な利点を備える。
しかも、クライオポンプ６用の輻射部材１０１及びシールド１０２を配設する構成も小さなスペースで良いため、露光装置（真空チャンバ１）内のレイアウト設計の自由度を低下させることはなく、量産性に悪影響は及ばない。
【実施例３】
【００４０】
次に、本発明の実施例３を説明する。
図５は、本発明の実施例３の真空装置を露光装置に適用する一例を示す概略構成図である。以下、真空装置を真空チャンバ１と呼ぶ。
露光装置は、図５に示すように、真空チャンバ１で密閉されており、ターボ分子ポンプ５を用いることにより、装置内部を真空状態にする。
露光装置は、真空チャンバ１で密閉されており、ターボ分子ポンプ５を用いることにより、装置内部を真空状態にする。
光源（不図示）からでた露光光は、レチクルステージ３で保持するレチクル（不図示）で反射し、鏡筒２内の光学素子で反射し、ウエハステージ４で保持するウエハ（不図示）上に投影される。
上記投影でウエハ（不図示）上にはレクチルのパターン（回路パターンなど）が転写される。
【００４１】
露光装置（真空チャンバ１）内では、鏡筒２の空間、レチクルステージ３の空間、及びウエハステージ４の空間のそれぞれが別の空間に分けられており、それぞれの空間にターボ分子ポンプ５が１基もしくは複数基設置されている。
【００４２】
一方、鏡筒２の空間の排気口（開口）の外界側には、ポンプ設置用の筒状体８が配設されており、筒状体８の先端側にターボ分子ポンプ５が設置されている。
筒状体８の内周面には、ターボ分子ポンプ５からの輻射エネルギーを遮蔽する手段としての輻射部材１０１が配置されている。
輻射部材１０１の内面は、例えば輻射率ε＝０．６以上を有する高輻射率面となっている。輻射部材１０１の内面は、例えば輻射率を高める表面処理（鏡面処理）が施されている。
【００４３】
一方、筒状体８の排気口（真空チャンバ１の開口）に対向する位置にはシールド１０２が配置されている。
シールド１０２の表面は、例えば輻射率ε＝０．２以下を実現する金属、もしくは金属層が成形されている。シールド１０２の表面は、例えば輻射率を高める表面処理（鏡面処理）が施されている。
一方、輻射部材１０１には、実施例１の場合と同様に冷却ジャケット２０１が設置されており、冷媒を流す流体機構を備える。流体は輻射部材１０１の輻射熱を奪い、輻射部材１０１の温度低下を実現する。
【００４４】
シールド１０２は、ターボ分子ポンプ５から放射される輻射エネルギーを輻射部材１０１の高輻射率面に向けて反射する。輻射部材１０１は冷却ジャケット１０２の冷媒でその輻射エネルギーの熱量を回収する。
こうすることで、ターボ分子ポンプ５から放出される輻射エネルギーのかなりの量を輻射部材１０１の高輻射率面で吸収することができ、ターボ分子ポンプ５から放出される輻射エネルギーの大半を遮蔽することができる。
【００４５】
また、排気口と対向する位置に配置されたシールド１０２は、排気口径φ１、排気口とシールド１０２間の距離Ｌ２とすると、下記の数式４の関係を有することが好ましい。
（数式４）         Ｌ２≧２／５（φ１／２）
上記数式４を満たすように配置することにより同じくコンダクタンスの悪化を抑えることができる。
【００４６】
実施例３では、筒状体８内周の輻射部材１０１の輻射率を高くし、排気口と対向する位置にシールド１０２を配置する構成に着目した。
この構成においてもターボ分子ポンプ５から放出される輻射エネルギーの大半を遮蔽することができる。輻射部材１０１の軸線方向の長さを大きくすることにより輻射エネルギーの遮蔽率を高めることも可能である。
【００４７】
（デバイスの製造方法の実施例）
次に、図６及び図７を参照して、上述の露光装置を利用したデバイス製造方法の実施例を説明する。
図６は、デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するためのフローチャートである。ここでは、半導体チップの製造方法を例に説明する。
まず、ステップＳ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップＳ２（マスク製作）では設計した回路パターンに基づいてマスクを製作する。ステップＳ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップＳ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、マスクとウエハを用いて、上記の露光装置によりリソグラフィ技術を利用してウエハ上に実際の回路を形成する。ステップＳ５（組み立て）は、後工程と呼ばれ、ステップＳ４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組み立て工程を含む。ステップＳ６（検査）では、ステップＳ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、それが出荷（ステップＳ７）される。
【００４８】
図７は、ステップ４のウエハプロセスの詳細を示すフローチャートである。ステップＳ１１（酸化）では、ウエハの表面を酸化させる。ステップＳ１２（ＣＶＤ）では、ウエハの表面に絶縁膜を形成する。ステップＳ１４（イオン打ち込み）では、ウエハにイオンを打ち込む。ステップＳ１５（レジスト処理）では、ウエハに感光剤を塗布する。ステップＳ１６（露光）では、上記露光装置によってマスクの回路パターンをウエハに露光する。ステップＳ１７（現像）では、露光したウエハを現像する。ステップＳ１８（エッチング）では、現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップＳ１９（レジスト剥離）では、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。
これらのステップを繰り返し行うことによってウエハ上に多重により微細な回路パターンを安定して形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の実施例１の真空装置を露光装置に適用する一例を示す概略構成図である。
【図２】本発明の実施例１の輻射部材、シールドの配置的な構成例を説明する説明図である。
【図３】本発明の実施例２の真空装置を露光装置に適用する一例を示す概略構成図である。
【図４】本発明の実施例２のクライオポンプ、輻射部材、シールドの配置的な構成例を説明する説明図である。
【図５】本発明の実施例３の真空装置を露光装置に適用する一例を示す概略構成図である。
【図６】本発明の露光装置を使用したデバイス製造方法を説明するためのフローチャートである。
【図７】図６に示すフローチャートのステップ４のウェハプロセスの詳細なフローチャートである。
【符号の説明】
【００５０】
１    真空チャンバ
２    鏡筒
３    レチクルステージ
４    ウエハステージ
５    ターボ分子ポンプ
６    クライオポンプ
７    クライオパネル
８    鏡筒体
１０１    輻射部材
１０２    シールド
２０１    冷却ジャケット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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