(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに交差する複数本のソース線および複数本のゲート線と、前記ソース線及びゲート線に沿ってマトリクス状に配置される複数の画素電極と、それぞれ前記ゲート線に接続されているゲート電極と前記ソース線に接続されているソース電極と前記画素電極に接続されているドレイン電極とを有する複数のスイッチング素子と、前記ゲート線に沿って配置されると共に前記画素電極と絶縁膜を介して一部が重なる複数の共通配線とを有するアレイ基板と、前記アレイ基板に対向する対向電極を有する対向基板と、前記アレイ基板と前記対向基板との間に充填されているＯＣＢモード液晶からなる液晶層とを具備した液晶表示装置の駆動方法において、
前記液晶層をスプレイ配向状態からベンド配向状態に転移させるにあたり、前記ソース線と前記共通配線との間に前記アレイ基板の面内方向の電界を作用させるステップと、
前記画素電極と前記対向電極との間に前記アレイ基板面に垂直方向の電界を作用させるステップと、
を備えたことを特徴とする液晶表示装置の駆動方法。
【請求項２】
前記面内方向の電界を印加するステップに先立ち、前記液晶層に０Ｖの電圧を印加してリセットするステップをさらに備えたことを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置の駆動方法。
【請求項３】
前記共通配線は、前記ソース線に沿って突出した突出電極を含むことを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置の駆動方法。
【請求項４】
前記液晶表示装置はバックライトを含み、
前記バックライトの点灯は前記液晶層をスプレイ配向状態からベンド配向状態に転移させるよりも後であることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置の駆動方法。
【請求項５】
前記突出電極は前記画素電極から外れて位置していることを特徴とする請求項３記載の液晶表示装置の駆動方法。
【請求項６】
前記突出電極の一部と前記画素電極とは重なり合っていることを特徴とする請求項３記載の液晶表示装置の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、液晶表示装置の駆動方法に関し、より詳細には表示状態における配向状態と非表示状態における配向状態とが異なり、画像を表示させる前に非表示状態の配向状態から表示状態の配向状態へ初期化することが必要である液晶表示装置においてより効果的な初期化を行うことができる液晶表示装置の駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
高速応答および高視野角を両立する液晶表示装置として、ＯＣＢモードの液晶を有するＯＣＢ型液晶表示装置が知られている。
【０００３】
図１８（ａ）は、このＯＣＢ型液晶表示装置の一般的な構造を示している。ＯＣＢ型液晶表示装置１は、アレイ基板２と、このアレイ基板２に対向する対向基板３と、これらのアレイ基板２と対向基板３との間に挟まれたＯＣＢモードの液晶（以下単に「液晶」という場合がある）５とを有している。
【０００４】
図１９は、ＯＣＢ型液晶表示装置の一般的な断面構造を示している。図１９に示すように、アレイ基板２の下側には、位相差板９１ｄおよび偏光板９２ｄがこの順で積層されている。アレイ基板２の上側には、後述する画素電極２３および液晶５を所定の方向に配向させる配向膜６ｄが積層されている。同様に、対向基板３の上側には、位相差板９１ｕおよび偏光板９２ｕが積層されている。対向基板３の下側には、後述する対向電極３１および液晶５を所定の方向に配向させる配向膜６ｕが積層されている。偏光板９２ｄの偏光軸と偏光板９２ｕの偏光軸とは互いに直交している。なお、図１８においては、理解を容易にするため、配向膜６、位相差板９１、および偏光板９２を省略している。
【０００５】
図１８（ａ）に示すように、アレイ基板２は、透明なアレイ基板本体２０と、このアレイ基板本体２０上に設けられていると共に縦方向に平行な複数本のソース線２１と、これらのソース線２１に直交する複数本のゲート線２２とを有している。これらの隣接する２本のソース線２１と隣接する２本のゲート線２２との間に囲まれるようにして透明な画素電極２３がアレイ基板本体２０上に複数個設けられている。一方、対向基板３は、透明な対向基板本体３０とこの対向基板本体３０のほぼ一面に設けられた透明な対向電極３１とを有している。図１８（ａ）では、透明な対向基板本体３０と対向電極３１との間にカラーフィルター３２が挟まれているが、このカラーフィルター３２はアレイ基板２側に設けてもよい。
【０００６】
図１８（ｂ）は、画素電極２３の拡大図である。各画素電極２３には、一般的に「ＴＦＴ」と略記される薄膜トランジスタからなるスイッチング素子４が設けられている。より具体的に説明すると、この薄膜トランジスタからなるスイッチング素子４は、ゲート線２２に接続されているゲート電極４１と、ソース線２１に接続されているソース電極４２と、画素電極２３に接続されているドレイン電極４３とを有する。ソース電極４２とドレイン電極４３との間は図示しない半導体薄膜により接続されている。ゲート電極４１がゲート絶縁層（図示せず）を介してこの半導体薄膜に重なり合っており、ゲート電極４１に印加された駆動電圧により半導体薄膜を介してソース電極４２とドレイン電極４３との間がスイッチングされる。
【０００７】
この薄膜トランジスタからなるスイッチング素子４の動作を、画像表示と共に説明する。通常、ゲート線２２およびそれに接続されたゲート電極４１にはマイナス１０Ｖの電圧が印加されている。この状態では、スイッチング素子４は「オフ」の状態である。次に、図１８（ａ）に示される第１段目のゲート線２２Ａにプラス１０Ｖの駆動電圧を印加することにより第１段目の各スイッチング素子４Ａを「オン」にする。これにより、ソース電極４２とドレイン電極４３との間が電気的に接続される。スイッチング素子４を一斉にオンにするのとほぼ同時に各ソース線２１に表示させたい画像に対応した電圧を印加する。ソース線２１に印加された電圧はソース電極４２およびドレイン電極４３を介して各画素電極２３に印加される。これにより第１段目の各画素電極２３ａと対向電極３１との間にそれぞれ電位差が発生する。
【０００８】
次に、第１段目のゲート線２２Ａに再びマイナス１０Ｖの電圧を印加することによって第１段目のスイッチング素子４Ａをオフにする。これと同時に第２段目のゲート線２２Ｂにプラス１０Ｖの電圧を印加することにより一斉に第２段目のスイッチング素子４Ｂを「オン」にする。上記と同様に、スイッチング素子４Ｂをオンにするのとほぼ同時に各ソース線２１に表示させたい画像に対応した電圧を印加し、これにより第２段目の各画素電極２３Ｂと対向電極３１との間にそれぞれ電位差が発生する。
【０００９】
これを第３段目以降のゲート線２２Ｃ…についても繰り返すことにより、各画素電極２３と対向電極３１との間に、表示させたい画像に対応する電位差を発生させる。この電位差により、液晶５は表示させたい画像に対応して変調される。
【００１０】
ここで、ＯＣＢ型液晶表示装置における一般的な画像表示方法を説明する。ＯＣＢ型液晶表示装置の下面または側面には図示しないバックライトからの光が照射される。この光のうち、図２０に示すように、偏光板９２ｄの偏光軸９２１ｄと同一の偏光面を有する光のみが偏光板９２ｄを通過する。次に、この光（偏光）は位相差板９１ｄを通過することにより、位相差板９１ｄが有する位相差（約−３５ｎｍ）を付与される。
【００１１】
位相差板９１ｄを通過した光は、位相差を表示させたい画像に調節された液晶５を透過する。これによっても、光はさらに位相差を付与される。次いで、この光は位相差板９１ｕに到達する。位相差板９１ｕは、位相差板９１ｄと同じ位相差（上記の例では約−３５ｎｍ）を有しており、光はこの位相差板によってさらに位相差を付与される。
【００１２】
ここで「位相差」について詳述すると、図２０に示すように、所定の偏光軸９２１ｄを有する偏光板９２ｄを通過した正弦波からなる偏光Ｌは、２つの直交する正弦波成分Ｌｘ・Ｌｙに分解して考えることができる。図２０（ａ）に示すように、液晶５（厳密には液晶分子５１）の長軸ＬＱＬＳが偏光Ｌが進む軸ｙに対して平行であれば、成分Ｌｘが液晶５内部を進む距離Ｄ１（図２０においては太線にて示してある）とＬｙが液晶５内部を進む距離Ｄ２（図２０においては太線にて示してある）とは同じである。従って、液晶５から同時に成分Ｌｘおよび成分Ｌｙは出て行くため、位相差は生じない。
【００１３】
一方、液晶（厳密には液晶分子）５の長軸ＬＱＬＳが、偏光Ｌが進む軸ｙに対して垂直（図２０（ｂ）においては成分Ｌｘと長軸ＬＱＬＳとを平行にしている）であれば、成分Ｌｘが液晶５内部を進む距離Ｄ１は成分Ｌｙが液晶５内部を進む距離Ｄ２と比較して長くなるため、成分Ｌｘは成分Ｌｙと比較して液晶５から遅く出て行く。従って、正弦波成分Ｌｘとしては正弦波成分Ｌｙよりも後ろ（図１２（ｂ）においては左側）にずれる。このずれが「位相差」である。
【００１４】
前述したように、液晶は表示させたい画像に対応して変調されることにより、所定の位相差を有するようになる。一例を挙げれば、白を表示する場合には、液晶５は約３４５ｎｍの位相差を有しており、黒を表示する場合には、液晶５は約７０ｎｍの位相差を有している。
【００１５】
黒表示の場合、位相差板９１および液晶５から受ける位相差は０（＝−３５＋７０−３５）となり、位相差がない。一方、白表示の場合、位相差板９１および液晶５から受ける位相差は、上記の例では２４５ｎｍ（＝−３５＋３４５−３５）となる。偏光板９２ｄの偏光軸と偏光板９２ｕの偏光軸とは互いに直交しているので、位相差板９１ｕを透過して偏光板９２ｕに到達したが位相差がない光は、偏光板９２ｕを通過することができない。従って、「黒表示」となる。より詳細に説明すると、図２０（ａ）に示すように、正弦波成分Ｌｘ・Ｌｙの間の位相差が０である場合には、正弦波成分Ｌｘ・Ｌｙを合成した偏光Ｌの偏光面は、偏光板９２ｄが有する偏光軸９２１ｄに平行であって、偏光板９２ｕが有する偏光軸９２１ｕとは直交している。従って、この光は偏光板９２ｕを通過することができず、「黒表示」となる。
【００１６】
一方、白表示の場合、位相差板９１および液晶５から受ける位相差は、上記の例では２４５ｎｍ（＝−３５＋３４５−３５）となる。正弦波成分Ｌｘ・Ｌｙの間の位相差が２４５ｎｍである場合には、正弦波成分Ｌｘ・Ｌｙを合成した偏光Ｌの偏光面は、偏光板９２ｕが有する偏光軸９２１ｕに平行である。従って、この光は偏光板９２ｕを通過するので、「白表示」となる。上記の説明においては、位相差を２４５ｎｍとしたが、この白表示に必要な位相差は、いわゆる当業者によって適切に選択され得る。
【００１７】
図２１は、一般的なＯＣＢモードの液晶５の輝度−電圧特性を示すグラフである。電圧を上げれば液晶５が偏光に与える位相差が小さくなって輝度が下がり、最終的には「黒表示」となる。電圧を下げれば液晶が偏光に与える位相差が大きくなって輝度が上がり、最終的には「白表示」となる。このようにして表示させたい画像に対応する輝度を各画素電極２３ごとに調節する。
【００１８】
このようにして輝度が調節された光は、最終的にはカラーフィルタ３２を透過する。図２２に示すように、一般的な液晶表示装置においては、横方向に赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、および青色（Ｂ）の３色のカラーフィルターがそれぞれ１つの画素電極２３に対応するように重なり合って１つの画素を構成している。光の３原色により、赤色のカラーフィルターに対応した画素、緑色のカラーフィルターに対応した画素、および青色のカラーフィルターに対応した画素の３つの画素から１つのドットが構成される。このＲＧＢ３つの画素からなるドットが、所定の数、手前・奥方向および左右方向に設けられている。例えば、手前・奥方向に７６８個のドットを有すると共に左右方向に１０７６個のドットを有する液晶表示装置は、１０７６×７６８×３個（約２５０万個）の画素電極２３を有している。もちろん、縦方向にＲＧＢ３つの画素が並ぶことにより１つのドットが構成されている液晶表示装置も存在する。
【００１９】
ＯＣＢモードの液晶５は、図２３（ａ）に示すように、非表示状態においてはスプレイ配向状態になっている。このスプレイ配向状態は画像表示に適さない。そのため、画像を表示させようとする前には、アレイ基板２に設けられた画素電極２３および対向基板３に設けられた対向電極３１を介して液晶５に高電圧を印加することにより、ＯＣＢモードの液晶５を「初期化」する必要がある。この初期化により、ＯＣＢモードの液晶５は、図２３（ｂ）に示すように、ベンド配向状態に転移する。そして、このようなベンド配向状態において各画素電極２３と対向電極３１との間に発生させた電位差により位相差を発生させることにより画像が表示される。
【００２０】
初期化の一手法が、例えば、特許文献１に記載されている。この公報は、図２４に示すように、各画素電極２３の電圧Ｖｓを一定にしておく一方、対向電極３１の電圧Ｖｃｏｍを矩形パルス波のように変化させることによって初期化を行うことを開示している。
【特許文献１】特開平１０−２０６８２２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２１】
上記公報に記載した初期化によると、アレイ基板２と対向基板３との間に挟まれた液晶５全体に矩形パルス波による電位差が発生する。なぜなら、各画素電圧２３の電圧Ｖｓは一定であり、対向電極３１は対向基板本体のほぼ一面に積層されているからである。従って、この公報に記載された初期化によれば、図２５に示すように、液晶５に対しては厚み方向に電位差が発生するのみである。液晶５の左右方向および手前・奥方向には電位差は発生しない。すなわち、上記公報においては、ＯＣＢ型液晶表示装置の初期化において、液晶５の左右方向および手前・奥方向の電位差については何ら記載されていない。ＰＣＴ／ＷＯ００／１４５９７号公報、特開２００１−８３５５２号公報においても同様である。本発明者らは、液晶５に対してその厚み方向にのみ電位差を発生させるだけでは転移が十分に行われない場合があるという課題を見出した。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
上記課題を解決するため、本発明の態様に係る液晶表示装置の駆動方法は、
互いに交差する複数本のソース線および複数本のゲート線と、前記ソース線及びゲート線に沿ってマトリクス状に配置される複数の画素電極と、それぞれ前記ゲート線に接続されているゲート電極と前記ソース線に接続されているソース電極と前記画素電極に接続されているドレイン電極とを有する複数のスイッチング素子と、前記ゲート線に沿って配置されると共に前記画素電極と絶縁膜を介して一部が重なる複数の共通配線とを有するアレイ基板と、前記アレイ基板に対向する対向電極を有する対向基板と、前記アレイ基板と前記対向基板との間に充填されているＯＣＢモード液晶からなる液晶層とを具備した液晶表示装置の駆動方法において、
前記液晶層をスプレイ配向状態からベンド配向状態に転移させるにあたり、前記ソース線と前記共通配線との間に前記アレイ基板の面内方向の電界を作用させるステップと、
前記画素電極と前記対向電極との間に前記アレイ基板面に垂直方向の電界を作用させるステップと、
を備えたことを特徴としている。
【発明の効果】
【００２３】
本発明により、画素電極の間で横電界が生じるので、画像を表示させる前に非表示状態の配向状態（例えば、スプレイ配向状態）から表示状態の配向状態（例えば、ベンド配向状態）への初期化がより促進され、これにより速やかに画像を表示させることができる液晶表示装置の駆動方法が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明の好適な実施の形態を図面を参照しながら説明する。一般的なＯＣＢ型液晶表示装置については上述したので、以下の各実施の形態においては、上述したＯＣＢ型液晶表示装置と異なる点を中心に説明する。なお、本明細書においては、用語「厚み方向」「手前・奥方向」「左右方向」を用いるが、それぞれが有する意味は、図２５に示されている。なお、ゲート線２２Ａ、Ｂ、Ｃ…の配列を考慮して、図２５では、手前と奥とを逆にしている。まず、第１群の本発明に係る液晶表示装置の好適な実施の形態を、以下の実施の形態１において説明する。
【００２５】
（実施の形態１）
（実施の形態１−１）
この実施の形態においては、ソース電極２１を介して交流矩形波電圧を画素電極２３に印加することによって手前・奥方向の横電界８１を画素電極２３の間に生じさせることによって初期化を促進する。
【００２６】
図１は、本実施の形態１−１においてソース線２１、ゲート線２２、および対向電極３１に印加される電圧を縦軸とし、時間を横軸としたＯＣＢ型液晶表示装置を初期化する際の駆動波形を示している。なお、図１には、ソース線２１、ゲート線２２、画素電極２３、および駆動手段（駆動回路）の概略図も併せて示している。なお、説明を容易にするという観点から、他の図においては、駆動手段（駆動回路）の表記を省略する。
【００２７】
まず、第１段目のゲート線２２Ａに駆動信号としてプラス１０Ｖの電圧を印加することにより画素電極２３Ａａのスイッチング素子４Ａａを「オン」にする。これにより、ソース電極４２とドレイン電極４３との間が電気的に接続される。ソース線２１ａには交流矩形波電圧が印加されているが、スイッチング素子４Ａａがオンになった時には、図１に示すように、ソース線２１ａにプラス７Ｖの電圧が印加されている。従って、ソース線２１ａからソース電極４２およびドレイン電極４３を介してプラス７Ｖの電圧が画素電極２３Ａａに印加される。
【００２８】
次に、第１段目のゲート線２２Ａに再びマイナス１０Ｖの電圧を印加することによって画素電極２３Ａａのスイッチング素子４Ａａをオフにする。スイッチング素子４がオンになる時間は約２０μ秒である。これと同時に第２段目のゲート線２２Ｂにプラス１０Ｖの電圧を印加することにより画素電極Ｂａのスイッチング素子４Ｂａを「オン」にする。ソース線２１ａには交流矩形波電圧が印加されているが、スイッチング素子４Ｂａがオンになった時には、図１に示すように、ソース線２１ａにマイナス７Ｖの電圧が印加されている。従って、ソース線２１ａからソース電極４２およびドレイン電極４３を介してマイナス７Ｖの電圧が画素電極２３Ｂａに印加される。これを第３段目以降のゲート線２２Ｃ…についても繰り返す。
【００２９】
すべてのゲート線２２について順次プラス１０Ｖの電圧を印加することによって、縦一列の画素電極２３ａにソース線２１ａから上記のように交流矩形波電圧を印加すると、図２に示すように、奇数行目の画素電極２３Ａａ、Ｃａ…には、プラスの電圧が印加される。偶数行目の画素電極２３Ｂａ、Ｄａ…には、マイナスの電圧が印加される。
【００３０】
そうすると、図２に示すように、奇数行目の画素電極２３Ａａ、Ｃａ…と、偶数行目の画素電極２３Ｂａ、Ｄａ…との間には、それぞれ電界が発生する。この電界は、液晶表示装置の横方向（厳密には手前・奥方向）に向いているので、以下、「横電界」（参照符号：８１）と呼ぶ。後述する他の横電界と区別するため、厳密には「手前・奥方向の横電界」（参照符号：８１）という場合がある。
【００３１】
このように生じた横電界８１はスプレイ配向からベンド配向への転移を促進する。その理由は判然とはしていないが、図３に示すように、画素電極２３上に位置する液晶分子５１ａについては、画素電極２３と対向電極３１（図３においては図示せず）との間に電位差が生じた場合、点線で示したようにその長軸方向ＬＱＬＳがちょうど液晶表示装置に厚み方向に平行となるように起きあがろうとする。一方、縦方向に隣接する画素電極２３の間に挟まれた液晶分子５１ｂについては、画素電極２３と対向電極３１との間の電位差だけでなく、上述した横電界８１もかかるので、点線で示したようにその長軸方向ＬＱＬＳがちょうど矢印Ｃ１のようにひねられるようにしてソース線２１に平行な方向にも向こうとする。このように、液晶５内でその長軸ＬＱＬＳがそれぞれ異なる方向に向こうとする液晶分子５１が生じると、そこで不安定な「擾乱」状態が発生する。この不安定な「擾乱」状態が生じると、スプレイ配向からベンド配向へ転移しやすくなると考えられている。なお、画素電極２３と対向電極３１との間に電位差が生じている限り、液晶５のどこかでスプレイ配向からベンド配向へ転移すれば、当該箇所から液晶５全体にスプレイ配向からベンド配向への転移が広がる。液晶５全体がベンド配向になった後に、表示させたい画像に対応した電圧を各画素電極２３に印加することによって表示が行われる。
【００３２】
本実施の形態１−１においては、画素電極２３は、ゲート線２２とは異なる層に設けることが好ましい。なぜなら、本実施の形態においては、上記のように、手前・奥方向に隣接する２つの画素電極２３の間で横電界８１が生じる。しかし、画素電極２３とゲート線２２とが同一の層に位置する場合には、手前・奥方向に隣接する２つの画素電極２３の間に生じる横電界８１が、スイッチング素子４をオン・オフするためにゲート線２２に印加される電圧から影響を受けることになる。従って、ゲート線２２に印加される電圧からの影響を最小限にするためには、ゲート線２２と画素電極２３との間に絶縁層（図示せず）を挟むことが好ましい。この絶縁層は一般的には「平坦化膜」とも呼ばれており、厚みが２μｍ以上３μｍ以下の樹脂から構成されていることが好ましい。理由は実施の形態１−２において後述するが、画素電極２３は、ソース線２１とも異なる層に設けることが好ましい。ゲート線２２と画素電極２３との間に絶縁層（図示せず）を挟む場合には、本発明の実施の形態１に係る液晶表示装置の平面図である図４に示すように、平面視において画素電極２３の手前側の側縁および奥側の側縁がゲート線２２または共通容量線２５に重なり合う（図面ではゲート線２２に重なり合っている）。また、図４に示すように、画素電極２３をゲート線２２とソース線２１とも異なる層に設ける場合には、平面視において画素電極２３の左側および右側の側縁がソース線２１に重なり合う。
【００３３】
図１に示すように、このようなソース線２１を介して交流矩形波電圧を画素電極２３に印加している際には、対向電極３１にも電圧を印加することにより画素電極２３と対向電極３１との間の電位差を大きくすることが好ましい。好ましい電位差は、８Ｖ以上３０Ｖ以下である。このような電位差を画素電極２３と対向電極３１との間に発生させることによって、厚み方向の電位差が大きくなるので、スプレイ配向からベンド配向への転移が促進される。
【００３４】
画素電極２３と対向電極３１との間の電位差が８Ｖ未満であると、スプレイ配向からベンド配向への転移が促進されにくい場合がある。逆にこの電位差を３０Ｖ以上とすることは、液晶表示装置としての設計の観点から困難である場合が多い。より好ましい電位差は２０Ｖ以上２５Ｖ以下である。また、対向電極３１に印加する電圧は一定に維持することが好ましい。
【００３５】
本発明者らは、図５に示すように、画素電極２３に電圧を印加し始めてから５０ミリ秒が経過する前に対向電圧３２に一定電圧を印加し始めることが好ましいという知見も見いだした。言い換えれば、画素電極２３に電圧を印加し始めてから５０ミリ秒が経過した後に対向電圧３２に一定電圧を印加し始めた場合には、液晶分子５１がスプレイ配向からベンド配向へ転移しにくいことを見いだした。より好ましくは、画素電極２３および対向電極３１に同時に電圧を印加する。この理由について、以下、詳述する。
【００３６】
液晶表示装置に電源を入れた瞬間には、図５において電圧ノイズ２７が入るおそれがあるため、一般的に画素電極２３に電圧を印加し始める前の一定の期間、全ての画素電極２３の電圧を０Ｖにする。この期間を「リセット期間」（参照符号：２８）という。
【００３７】
このリセット期間２８が経過した後、各画素電極２３は、ゲート線２２がオンになった期間にソース線２１から電圧を印加され、ゲート線２２がオフになった後には、対向電極３１との間に当該電圧を保持する。そして、全てのゲート線２２に順に駆動電圧が印加されて全ての画素電極２３に電圧が印加された後には、再び第１段目のゲート線２２Ａに駆動電圧が印加され、第１段目のスイッチング素子４Ａがオンになり、ソース線２１から電圧が再度印加される。全てのゲート線２２に順に駆動電圧を印加して全ての画素電極２３に電圧を印加するためには、約１６．６ミリ秒必要である。この後は、上述したのと全く同様に、第１段目のスイッチング素子４Ａがオフになり、第１段目のスイッチング素子４Ａがオンになる。これが繰り返される。
【００３８】
但し、画素電極２３に長時間同一極性の電圧を印加することにより液晶分子５１が長時間同一の方向に向いて動かない状態が続いた場合には、液晶分子５１が電圧の変動に対応しなくなって、「焼き付き」という現象が生じるおそれがある。そのため、図５に示すように、画素電極２３にプラスの電位が加えられてそれを保持した後に、再度第１段目のスイッチング素子４Ａをオンにしてソース線２１から電圧を印加する際には、当該画素電極２３にはマイナスの電位を加えることが一般的である。もちろん、図５における画素電極２３Ｂの電位のように、プラスとマイナスとを入れ替えても同様である。言い換えれば、各画素電極２３においては、１６．６ミリ秒ごとにプラスとマイナスとの間で極性が入れ替わる。
【００３９】
１６．６ミリ秒×３＝約５０ミリ秒であるので、画素電極２３に電圧を印加し始めてから５０ミリ秒を経過した後に対向電圧３２に一定電圧を印加し始めた場合には、各画素電極２３には順にプラス、マイナス、およびプラス（またはマイナス、プラス、およびマイナス）の電圧が印加されることになる。この５０ミリ秒の間において対向電極３１の電圧が０Ｖである場合には、液晶分子５１には±７Ｖの電圧が印加されることになる。これでは、リセット期間を設けた意味がなくなり、これにより液晶分子５１がスプレイ配向からベンド配向へ転移しにくくなると考えられている。
【００４０】
本実施の形態１−１においては、画素電極２３の形状を矩形とし得る。図６のように画素電極の端部から先端が尖った突起を設けることにより横電界を生じさせることも公知であるが、そのような突起を画素電極に設けることと比較すれば、本実施の形態のような矩形の画素電極を作成することの方が容易である。なお、本実施の形態１−１においては、ソース線２１に印加される交流矩形波電圧は±７Ｖ、ゲート線２２に印加される電圧はマイナス１０Ｖ（オフ時）およびプラス１０Ｖ（オン時）としたが、これは例示にすぎない。また、オン時にゲート線２２にマイナスの電圧を印加して、オフ時にはゲート線２２にプラスの電圧を印加するようにしてもよい。
【００４１】
（実施の形態１−２）
この実施の形態１−２においては、手前・奥方向の横電界８１だけでなく、左右方向の横電界８２を画素電極２３の間に生じさせることによって初期化を促進する。
【００４２】
配向膜６によって規定される液晶分子５１の配向方向がソース線２１に平行である場合、すなわち、液晶分子５１の長軸ＬＱＬＳがソース線２１に平行である場合には、横電界８１を発生させるだけではあまり効果的ではない。なぜなら、縦方向に隣接する画素電極２３の間に挟まれた液晶分子５１ｂの長軸ＬＱＬＳがはじめからソース線２１に平行になっているため、上記「ひねり（矢印Ｃ１）」が発生せず、液晶分子５１ａ・５１ｂの両方とも同じ方向（すなわち、厚み方向）に向こうとするからである。
【００４３】
そこで、図７に示すように、奇数欄目のソース線２１ａ、ｃ…を介して各画素電極２３ａ、ｃ…に入力される交流矩形波電圧の極性と、偶数欄目のソース線２１ｂ、ｄ…を介して各画素電極２３ａ、ｃ…に入力される交流矩形波電圧の極性とが逆になるようにすることが好ましい。
【００４４】
この場合、まず、第１段目のゲート線２２Ａに駆動信号としてプラス１０Ｖの電圧を印加することにより第１段目の画素電極２３Ａａ、Ａｂ、Ａｃ…のスイッチング素子４Ａａ、Ａｂ、Ａｃ…を「オン」にする。これらのスイッチング素子４Ａａ、Ａｂ、Ａｃ…がオンになった時には、図７に示すように、ソース線２１ａ、ｃ…にプラス７Ｖの電圧が印加されている。従って、ソース線２１ａ、ｃ…からソース電極４２およびドレイン電極４３を介してプラス７Ｖの電圧が画素電極２３Ａａ、Ａｃ…に印加される。一方、スイッチング素子４４Ａａ、Ａｂ、Ａｃ…がオンになった時には、図７に示すように、ソース線２１ｂ、ｄ…にはマイナス７Ｖの電圧が印加されている。従って、ソース線２１ｂ、ｄ…からソース電極４２およびドレイン電極４３を介してマイナス７Ｖの電圧が画素電極２３Ａｂ、Ａｄ…に印加される。
【００４５】
次に、第１段目のゲート線２２Ａに再びマイナス１０Ｖの電圧を印加することによって第１段目の画素電極２３Ａのスイッチング素子４Ａ、Ａｂ、Ａｃ…をオフにする。これと同時に第２段目のゲート線２２Ｂにプラス１０Ｖの電圧を印加することにより第２段目の画素電極２３Ｂａ、Ｂｂ、Ｂｃ…のスイッチング素子４Ｂａ、Ｂｂ、Ｂｃ…を「オン」にする。スイッチング素子４Ｂａ、Ｂｂ、Ｂｃ…がオンになった時には、図７に示すように、ソース線２１ａ、ｃ…にマイナス７Ｖの電圧が印加されている。従って、ソース線２１ａ、ｃ…からソース電極４２およびドレイン電極４３を介してマイナス７Ｖの電圧が画素電極２３Ｂａ、Ｂｃ…に印加される。一方、スイッチング素子４Ｂａ、Ｂｂ、Ｂｃ…がオンになった時には、図７に示すように、ソース線２１ｂ、ｄ…にはプラス７Ｖの電圧が印加されている。従って、ソース線２１ｂ、ｄ…からソース電極４２およびドレイン電極４３を介してプラス７Ｖの電圧が画素電極２３Ｂｂ、Ｂｄ…に印加される。
【００４６】
すべてのゲート線２２について順次プラス１０Ｖの電圧を印加することによって、各画素電極２３にソース線２１から上記のように交流矩形波電圧を印加すると、図８に示すように、奇数行目・奇数欄目の画素電極２３Ａａ、Ｃａ、Ａｃ、Ｃｃ…および偶数行目・偶数欄目の画素電極２３Ｂｂ、Ｄｂ、Ｄｂ、Ｄｄ…には、プラスの電圧が印加される。偶数行目・奇数欄目の画素電極２３Ｂａ、Ｄａ、Ｂｃ、Ｄｃ…および奇数行目・偶数欄目の画素電極２３Ａｂ、Ｃｂ、Ａｄ、Ｃｄ…には、マイナスの電圧が印加される。
【００４７】
そうすると、図８に示すように、奇数行目の画素電極２３Ａａ、Ｃａ、Ｅａ…と、偶数行目の画素電極２３Ｂａ、Ｄａ、Ｆａ…との間だけでなく、奇数欄目の画素電極２３Ａａ、Ｂａ、Ｃａ、Ｄａ…と偶数欄目の画素電極２３Ａｂ、Ｂｂ、Ｃｂ、Ｄｂ…との間にもそれぞれ電界８２が発生する。この電界８２は、液晶表示装置の横方向（厳密には左右方向）に向いているので、以下、「横電界８２」と呼ぶ。先述した「手前・奥方向の横電界８１」と区別するため、厳密には「左右方向の横電界８２」という場合がある。
【００４８】
このようにすれば、たとえ配向膜６によって規定される液晶分子５１の配向方向がソース線２１に平行であって、ゲート線２２上に存在する液晶分子５１ｂが手前・奥方向の横電界８１からは影響を受けない場合であっても、液晶分子５１の長軸ＬＱＬＳと直交する方向の左右方向の横電界８２により、図１２に示すようにソース線２１上に存在する液晶分子５１ｃが矢印Ｃ２のようにひねられる。そのため、液晶５内でその長軸ＬＱＬＳがそれぞれ異なる方向に向こうとする液晶分子５１（画素電極２３上に存在する液晶分子５１ａおよびソース線上に存在して横電界８２により矢印Ｃ２の方向にひねられる液晶分子５１ｃ）が必ず生じることになるので、スプレイ配向からベンド配向への転移を促進することができる。
【００４９】
本実施の形態１−２においては、画素電極２３は、ソース線２１とは異なる層に設けることが好ましい。なぜなら、本実施の形態においては、上記のように、左右方向に隣接する２つの画素電極２３の間で横電界８２が生じる。しかし、画素電極２３とソース線２１とが同一の層に位置する場合には、左右方向に隣接する２つの画素電極２３の間に生じる横電界８２が、ソース線２１に印加される電圧から影響を受けることになる。従って、ソース線２１に印加される電圧からの影響を最小限にするためには、図４に示すように、実施の形態１−１と同様に、ソース線２１と画素電極２３との間に絶縁層（図示せず）を挟むことが好ましい。なお、この他については、実施の形態１−１と同様である。
【００５０】
また、配向膜６によって規定される液晶分子５１の配向方向がソース線２１に平行ではない場合においては、手前・奥方向の横電界８１のみにより、液晶５内でその長軸ＬＱＬＳがそれぞれ異なる方向に向こうとする液晶分子５１が生じる。従って、このような場合には、図９に示すように、左右方向に隣接する２つの画素電極２３ａ、２３ｂ、２３ｃ…に入力される電圧の極性が同一となるように画素電極２３に電圧を印加するようにしてもよい。
【００５１】
（実施の形態１−３）
この実施の形態１−３においては、左右方向の横電界８２を画素電極２３の間に生じさせることによって初期化を促進する。
【００５２】
上記のように、配向膜６によって規定される液晶分子５１の配向方向がソース線２１に平行であるの場合などのように、手前・奥方向の横電界８１は不要である場合がある。この場合、以下のようにして左右方向の横電界８２のみを生じさせるようにしてもよい。
【００５３】
図１０に示すように、本実施の形態１−３においては、各ソース線２１ａ、ｂ…を介して各画素電極２３ａ、ｂ…に入力される交流矩形波電圧の極性を同一にする。
【００５４】
実施の形態１−１、１−２と全く同様にゲート線２２およびスイッチング素子４を動作させる。こうすると、図１１に示すように、奇数段目の画素電極２３Ａａ、Ａｂ、Ａｃ、Ａｄ…と偶数段目の画素電極２３Ｂａ、Ｂｂ、Ｂｃ、Ｂｂ…との間にそれぞれ左右方向の横電界８２が発生する。但し、実施の形態１−１において説明したような、手前・奥方向の横電界８１は発生しない。実施の形態１−２において説明したように、液晶分子５１の長軸ＬＱＬＳと直交する方向の左右方向の横電界８２により、図１２に示すようにソース線２１上に存在する液晶分子５１ｃが矢印Ｃ２のようにひねられる。そのため、液晶５内でその長軸ＬＱＬＳがそれぞれ異なる方向に向こうとする液晶分子５１（画素電極２３上に存在する液晶分子５１ａおよびソース線上に存在して横電界８２により矢印Ｃ２の方向にひねられる液晶分子５１ｃ）が必ず生じることになるので、スプレイ配向からベンド配向への転移を促進することができる。この実施の形態１−２は、特に配向膜６によって規定される液晶分子５１の配向方向がソース線２１に平行である場合に好ましい実施の形態である。なお、この他については、実施の形態１−１と同様である。
【００５５】
（実施の形態１−４）
この実施の形態１−４においては、手前・奥方向に隣接する２つの画素電極２３の間において手前・奥方向の横電界８１および左右方向の横電界８２の両者を生じさせることによって初期化を促進する。
【００５６】
実施の形態１−１においても詳述したように、配向膜６によって規定される液晶分子５１の配向方向がソース線２１に平行である場合、すなわち、液晶分子５１の長軸ＬＱＬＳがソース線２１に平行である場合には、手前・奥方向の横電界８１を発生させるだけではあまり効果的ではない。そのため、実施の形態１−２においては、左右方向に隣接する２つの画素電極２３同士の間で左右方向の横電界８２を生じさせている。本実施の形態１−４においては、画素電極２３の形状を所定の形状にすることによって、手前・奥方向に隣接する２つの画素電極２３同士の間の間でも左右方向の横電界８２を生じさせる。以下、これについて詳細に説明する。
【００５７】
図１３に示すように、本実施の形態１−４においては、２つの画素電極２３α・２３βが手前・奥方向に隣接している。奥側には画素電極２３αが、手前側には画素電極２３βが位置しているとして説明する。
【００５８】
画素電極２３αの手前側の端縁２３１αからは、第１突出部２３２αが延び出している。一方、画素電極２３βの奥側の端縁２３３βからは、第２突出部２３４βが延び出している。そして、平面視においては、第１突起部２３２αおよび第２突起部２３４βはいずれもゲート線２２と重なり合っている。このように第１突起部２３２αと第２突起部２３４βとが咬み合うようにして、図２のように手前・奥方向に隣接する画素電極２３間において異なる極性の電圧を印加すれば、図１３に示すように、第１突起部２３２αと画素電極２３βとの間および第２突起部２３４βと画素電極２３αとの間において手前・奥方向の横電界８１が生じると共に、第１突起部２３２αと第２突起部２３４βとの間において左右方向の横電界８２が生じる。
【００５９】
このようにすれば、図３および図１２において示したように、配向膜６によって規定される液晶分子５１の配向方向に拘わらず、液晶５内でその長軸ＬＱＬＳがそれぞれ異なる方向に向こうとする２種類の液晶分子５１が生じることになる。従って、先述したように、この２種類の液晶分子５１が生じることにより「擾乱」状態が生じ、スプレイ配向からベンド配向への転移が促進される。特に、配向膜６によって規定される液晶分子５１の配向方向がソース線２１と平行であると共に画素電極２３が完全に矩形である場合には、実施の形態１−２において説明したように、「擾乱」が生じない場合がある。そのため、配向膜６によって規定される液晶分子５１の配向方向がソース線２１と平行である場合には、本実施の形態１−４のように第１突起部２３２αおよび第２突起部２３４βを画素電極２３α・２３βにそれぞれ設けることが特に好ましい。
【００６０】
第１突起部２３２αおよび第２突起部２３４βがあまりにも小さすぎると、第１突起部２３２αと第２突起部２３４βとの間において左右方向の横電界８２が生じにくくなる。そのため、図１３に示すように、第１突起部２３２αの先端は、第２突起部２３４βの先端よりも手前側にある（言い換えれば、第２突起部２３４βの先端は、第１突起部２３２αの先端よりも奥側にある）ことが好ましい。
【００６１】
第１突起部２３２αおよび第２突起部２３４βの大きさは特に限定されないが、一例を挙げれば、これらの突起部の幅は約１μｍ以上１０μｍ以下（好ましくは約５μｍ）であり、突起部同士の距離もまた、約１μｍ以上１０μｍ以下（好ましくは約５μｍ）である。
【００６２】
第１突起部２３２αおよび第２突起部２３４βは、画素電極２３α・βにそれぞれ１つずつ設けられていればよい。しかし、より多くの箇所で擾乱状態を生じさせた方がスプレイ配向からベンド配向への転移が促進される。そのため、２つの第１突起部２３２αおよび１つの第２突起部２３４βをそれぞれ画素電極２３α・２３βに設けて、２つの第１突起部２３２αの間に１つの第２突起部２３４βを位置させることが好ましい。さらに好ましくは、図１３に示すように、複数個の第１突起部２３２αおよび複数個の第２突起部２３４βをそれぞれ画素電極２３α・２３βに設け、これらの複数個の第１突起部２３２αおよび複数個の第２突起部２３４βを櫛歯のように互いに咬み合わせる。すなわち、隣接する２つの第１突起部２３２αの間に１つの第２突起部２３４βが位置すると共に、隣接する２つの第２突起部２３４βの間に１つの第１突起部２３２αが位置することがさらに好ましい。
【００６３】
図１３では、画素電極２３αの端縁２３１αと第１突起部２３２αとがなす角度θ１が９０°となっているが、液晶５内でその長軸ＬＱＬＳがそれぞれ異なる方向に向こうとする２種類の液晶分子５１が生じることによる「擾乱」状態が生じれば足る。そのため、この角度θ１は９０°に限られず、１０°以上１７０°以下であればよい。１０°未満である場合には、上記２種類の液晶分子５１がなす角度が小さすぎて、擾乱状態が生じにくくなる場合がある。一方、１７０°を越えても、同様の問題が生じる。画素電極２３βの端縁２３３βと第２突起部２３４βとがなす角度θ２についても、上記と同様に、図１３および図１１においては９０°となっているが、角度θ２は９０°に限られない。角度θ２もまた、１０°以上１７０°以下であればよい。但し、設計の容易性を考慮すれば、角度θ１および角度θ２は、それぞれ９０°であることが好ましい。
【００６４】
第１突起部２３２αおよび第２突起部２３４βの他の例としては、図１４を挙げることができる。この場合、画素電極２３の端縁２３１と凸部２３６とがなす角度をθ３とすると、図１４に示すように、左右方向の横電界８２は角度（９０°−θ３）だけ左右方向からずれている。この構造は、隣接する第２突起部２３４βの間に第１突起部２３２αが位置している構造であるが、「画素電極２３αの手前側の側縁には凸部２３６αが設けられ、画素電極２３βの奥側の側縁には凹部２３７βが設けられ、これらの凸部２３６αと凹部２３７βとが咬み合っている」とも表記され得る。このような構造によっても、上記と同様、必ず液晶５内でその長軸ＬＱＬＳがそれぞれ異なる方向に向こうとする２種類の液晶分子５１が生じることによる「擾乱」状態が生じる。従って、スプレイ配向からベンド配向への転移が促進される。なお、図１４に示すように、凸部２３６の先端には頂点２３５が存在することが好ましい。
【００６５】
第１突起部２３２αおよび第２突起部２３４βのさらに他の例としては、図１５を挙げることができる。この場合、手前・奥方向の横電界８１もまた、手前・奥方向からずれている。この図１５においては、画素電極２３の端縁２３１と凸部２３６とがなす角度をθ４とすると、図１４に示すように、手前・奥方向の横電界８１は角度θ４だけ手前・奥方向からずれている。このような構造によっても、上記と同様、必ず液晶５内でその長軸ＬＱＬＳがそれぞれ異なる方向に向こうとする２種類の液晶分子５１が生じることによる「擾乱」状態が生じる。従って、スプレイ配向からベンド配向への転移が促進される。
【００６６】
本実施の形態１−４においては、上記のように、第１の突起部２３２αと第２の突起部２３４βとの間で手前・奥方向の横電界８１および左右方向の横電界８２を十分生じさせるために、画素電極２３は、絶縁層（図示せず）を挟んでゲート線２２とは異なる層に設けられる。実施の形態１−２と同様、画素電極２３は、絶縁層（図示せず）を挟んでソース線２１とも異なる層に設けられることが好ましい。
【００６７】
第１の突起部２３２αおよび第２の突起部２３４βは、図１３に示すように、頂点２３５をそれぞれ有することが好ましい。図１３において破線で示したように、第１の突起部２３２αの頂点２３５が面取りされて大きなアール（具体的には半径が１μｍを越えるようなアール）がつけられている場合には、液晶５内でその長軸ＬＱＬＳがそれぞれ異なる方向に向こうとしている液晶分子５１の長軸ＬＱＬＳが向く方向の変化が緩やかになってしまう。そのため、スプレイ配向からベンド配向へ転移しやすくなる「擾乱」が十分に生じないおそれがある。そのため、液晶５内でその長軸ＬＱＬＳがそれぞれ異なる方向に向こうとしている液晶分子５１の長軸ＬＱＬＳが向く方向の変化を急峻にするため、第１の突起部２３２αおよび第２の突起部２３４βは、頂点２３５をそれぞれ有することが好ましい。
【００６８】
この実施の形態１−４においては、手前・奥方向に隣接する２つの画素電極２３α・２３βにそれぞれ異なる極性の電圧が印加されればよい。従って、左右方向に隣接する２つの画素電極２３の極性は同一であってもよく、異なっていてもよい。但し、左右方向に隣接する２つの画素電極２３の極性が異なっていれば、実施の形態１−２において説明したように、左右方向に隣接する２つの画素電極２３の間に左右奥方向の横電界８２が生じ、これによってもスプレイ配向からベンド配向への転移が促進される。従って、左右方向に隣接する２つの画素電極２３の極性も異なっていることが好ましい。
【００６９】
なお、第１の突起部２３２αは画素電極２３αとは別個に形成されてもよいが、作成が容易であるという観点から、第１の突起部２３２αは透明な画素電極２３αと一体的に形成されることが好ましい。なお、透明な画素電極２３を形成する材料としては、錫・インジウム酸化物（ＩＴＯ）を挙げることができる。第２の突起部２３４βと画素電極２３βとについても同様である。
【００７０】
（実施の形態１−５）
この実施の形態１−５においては、左右方向に隣接する２つの画素電極２３の間において手前・奥方向の横電界８１および左右方向の横電界８２の両方を生じさせることによって初期化を促進する。
【００７１】
図１６に示すように、実施の形態１−４とほぼ同様に、左右方向に隣接する２つの画素電極２３α・２３βのそれぞれに、第３突起部２３８αおよび第４突起部２３９βを設ける。これらの第３突起部２３８αおよび第４突起部２３９βは、平面視においてソース線２１と重なり合っている。なお、説明を容易にするため、画素電極２３αが左側に、画素電極２３βが右側に位置することとする。
【００７２】
左右方向に隣接する２つの画素電極２３α・２３βにそれぞれ異なる極性の電圧を印加すれば、実施の形態１−４と同様に、第３突起部２３８αと右側の画素電極２３βとの間および第４突起部２３９βと左側の画素電極２３αとの間において左右方向の横電界８２が生じる。そして、第３突起部２３８αと第４突起部２３９βとの間に手前・奥方向の横電界８１が生じる。これにより「擾乱」状態が引き起こされ、スプレイ配向からベンド配向への転移が促進される。
【００７３】
この実施の形態１−５においては、左右方向に隣接する２つの画素電極２３α・２３βにそれぞれ異なる極性の電圧が印加されればよい。従って、手前・奥方向に隣接する２つの画素電極２３の極性は同一であってもよく、異なっていてもよい。但し、手前・奥方向に隣接する２つの画素電極２３の極性が異なっていれば、実施の形態１−１において説明したように、手前・奥方向に隣接する２つの画素電極２３の間に手前・奥方向の横電界８１が生じ、これによってもスプレイ配向からベンド配向への転移が促進される。従って、手前・奥方向に隣接する２つの画素電極２３の極性が異なっていることが好ましい。また、図１４および図１５のような第１突起部２３２および第２突起部２３４を、図１６に転用してそれぞれ第３突起部２３８および第４突起部２３９としてもよい。
【００７４】
（実施の形態１−６）
この実施の形態１−６は、実施の形態１−４および実施の形態１−５を組み合わせている。すなわち、図１７に示すように、画素電極２３の手前側の側縁に第１突起部２３２を、画素電極２３の奥側の側縁に第２突起部２３４を、画素電極２３の右側の側縁に第３突起部２３５を、画素電極２３の左側の側縁に第４突起部２３６を設けている。そして、これらの突起部２３２〜２３６は、手前・奥方向および左右方向に隣接する画素電極２３にも同様に設けられたこれらの各突起部２３２〜２３６との間で手前・奥方向の横電界８１および左右方向の横電界８２を生じさせる。
【００７５】
この実施の形態１−６においては、手前・奥方向および左右方向に隣接する画素電極２３との間で手前・奥方向の横電界８１および左右方向の横電界８２を発生させる。そのため、手前・奥方向に隣接する２つの画素電極２３にそれぞれ印加される電圧の極性は逆であると共に、左右方向に隣接する２つの画素電極２３にそれぞれ印加される電圧の極性もまた逆であることが好ましい。また、図１４および図１５のような第１突起部２３２および第２突起部２３４を、図１６に転用してそれぞれ第３突起部２３８および第４突起部２３９としてもよい。
【００７６】
なお、積層技術およびフォト利祖エッチング技術を知る当業者は、上記の実施の形態１に係る液晶表示装置を適切に作成し得る。
【００７７】
（実施の形態２）
次に、第２群の本発明に係る液晶表示装置の好適な実施の形態を、以下の実施の形態２において説明する。
【００７８】
（実施の形態２−１）
図２６は実施の形態２−１に関る液晶表示装置の１画素の構成を示す平面図であり、図２７はＡ−Ａ’線の断面図を示すものである。
【００７９】
図において、１０は画素電極であり、これと対向電極２８の間に印加された電圧で液晶層２１を動作させて表示を行う。画素電極にはスイッチングのための薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）６がドレイン電極７を介して接続されている。１はゲート配線であり薄膜トランジスタのオンオフを走査する。５は画素電極に電圧供給するためのソース配線である。２は共通配線であり、これと画素電極の重なり部で蓄積容量１１を形成している。蓄積容量は、画素電極上に形成された液晶容量に対する並列容量として機能し、ＴＦＴのリーク電流などによる画素電位の低下を防止する。１２は、ラビングなどによる液晶の配向処理方向を示している。
【００８０】
２２と２３は基板であり、液晶２１を挟持している。２４と２５は偏光表示を行うための偏光板である。偏光板には、その基板側面に、偏光の位相を調整してコントラストや視野角特性を向上させるための位相板が必要に応じて貼り合せられている。２６はゲート電極８とソース電極５の間にある第１の絶縁膜、２７はＴＦＴを保護するための第２の絶縁膜である。偏光板２４の下側には、図示しないが表示のためのバックライトが配置されており、バックライトからの光を遮断あるいは透過することにより表示が行われる。２９はカラー表示を行うためのカラーフィルター、３０は画素周辺の光漏れを遮光するためのブラックマトリクスである。以上は、従来の液晶表示装置とほぼ同じものである。
【００８１】
本発明の液晶表示装置では、以上の構成に加え、共通配線２を分枝させて突出電極３を形成している。これにより、ソース配線５と突出電極３の間の空隙部４に基板面内方向の電界を発生させて、スプレイ配向からベンド配向への転移が容易に起こるようにしている。以下、この効果について説明する。
【００８２】
本実施形態の液晶表示装置においては、初期化（転移）のための準備ステップとして、ソース電極の電位を０ボルトとしながら、ゲート電極に１５〜２０ボルト程度のオン電位を与えてＴＦＴをオン状態とする。この結果、画素電極に０ボルト電位が書き込まれる。液晶表示装置は複数のゲート電極を持っているが、これを走査して各ラインごとに電位を書き込んでもよいし、全てのゲート電極にオン電圧を与えて全画素を一括して電位書き込みしてもよい。
【００８３】
この時、共通電極および突出電極の電位を０ボルトとしておけば、突出電極、ソース配線、画素電極は同電位（０ボルト）となり、画素部とソース配線部の液晶層には電界が印加されない。すべての画素に０ボルト電位を書きこんだ後、ゲート電極をも０ボルトとすれば、液晶層に印加される電界を完全になくすことができて、さらに望ましい状態が得られるが、ゲート電極に電圧が印加した状態で次のステップに移っても以下の説明には変わりがない。
【００８４】
上記の準備ステップの結果、本実施形態の液晶表示装置は、図２８に断面図を示すような初期状態になる。図において、３１は液晶分子を示している。液晶層にかかる電界がないので、液晶分子はラビングによる配向処理の方向に長軸を向けて並んでいる。図は、配向処理方向に直交する方向の断面図であるので、液晶分子の長軸はほぼ紙面の奥行き方向に向けて配列している。実際には、液晶分子は紙面奥行き方向に数度から十数度のプレチルト角をもっているが、図ではこれを省略している。
【００８５】
一方、この状態では液晶はスプレイ配向状態にあるので、ラビング方向（図２６のｂ−ｂ’方向）の断面においては、図４５のＰのように液晶分子は配列している。
【００８６】
図２９は、本実施形態の液晶表示装置における初期化（転移）の第１ステップを示す断面図である。突出電極を０ボルトに保ちながら、ソース電極に電圧印加すると、間隙部４に基板面内方向の電界Ｅ１が発生する。これにより、間隙部の液晶層の中央部にある液晶分子４１が電界Ｅ１の方向に向けられる。間隙部の界面にある液晶分子４２と４３は配向処理のアンカリング効果により、電界を印加してもほとんど動かない。この結果、間隙部の液晶分子は、図のｚ方向に軸をもってねじれて配列する。一方、間隙部以外の部分においては液晶分子は、図２８と同様の配列状態にある。従って、その境界部に液晶配列状態の遷移領域４４・４５が形成される。
【００８７】
ソース電極に印加する電圧は、高い方がねじれ構造を形成しやすいが、５ボルト以上であれば実用的には十分であり、信号側ドライバーＩＣの性能も考え合わせると５ボルトから１０ボルト程度が望ましい。また、ソース電極に印加する電圧は、数十〜数十キロヘルツの交流電圧が望ましい。周波数が低すぎる場合は、配線付近でイオンが偏在したりして表示にむらが生じることがあり、周波数が高すぎる場合は、ソース配線の時定数により波形に歪が生じて十分な電圧が印加されなくなるからである。１５型で１２８０×７２０画素を持つ液晶表示装置の場合、下限は１０Ｈｚ、上限は５０ｋＨｚであった。
【００８８】
十分なねじれ状態を得るためには、液晶の応答時間と同等程度以上に横電界の印加状態を続けることが望ましい。液晶の応答時間が数ミリ秒であることを考慮すると、１ミリ秒以上、望ましくは５ミリ秒以上続けた後、次のステップに移るのが望ましい。
【００８９】
図３０は、初期化（転移）の第２ステップを示す断面図である。対向電極２８に電圧印加することにより、基板面に垂直な電界Ｅ２を液晶層に印加し、液晶分子５１を基板面から立上がらせる。図３１はこの時のベンド配向の広がりを模式的に示した平面図である。まず、電界Ｅ２の印加により横電界の印加された間隙部４の付近にベンド配向部が形成され、次いで６１の方向にベンド配向部が広がっていき、やがて画素全体がベンド配向となる。本実施形態の液晶表示装置によれば、従来のものより各段に容易かつ確実に、スプレイ配向からベンド配向への転移を行わせることができた。
【００９０】
この理由については以下のように考えられる。即ち、第１のステップで形成された液晶配列状態の遷移領域４４・４５は、他の部分に比べて液晶の配列が不安定となっている。スプレイ配向とベンド配向は、不連続な２つの配向状態であるため、両者間の転移にはエネルギーポテンシャルの壁を乗り越える必要があるが、上記の遷移領域では液晶の配列に不安定要因があるため、このエネルギーポテンシャルの壁が比較的低くなっている。従って、ここに第２の電界Ｅ２を印加することにより比較的容易にベンド配向状態を形成できる。
【００９１】
対向電極に印加する電圧は高い方が転移時間が短いが、一方で電源回路への負担が大きくなる。両者を同時に満足する条件として、実用的には１０ボルト以上３０ボルト以下の電圧が望ましい。周波数は、０．１ヘルツから５０ヘルツ程度の間が望ましい。対向電極は全画面に形成されているため大きな電気容量を持っているので、数百ヘルツ以上の高い周波数は、電力の増加や駆動回路の極性スイッチングの負担を増大させるので望ましくない。
【００９２】
なお、上記の説明においては、初期化（転移）のための準備ステップとして、ソース電極の電位を０ボルトとしながら、ゲート電極にオン電位を与えてＴＦＴをオン状態とするものとした。この準備ステップの効果は、立上げ時に液晶の配列状態を毎回等しくすることにより安定な転移性能を得るものであるが、場合によりこの準備ステップは省略することもできる。その理由は、上記の説明のように第１と第２のステップにより転移操作を行うことができるからである。
【００９３】
なお、図２６では突出電極３と画素電極１０とは全く重なり合っていないが、空隙部４が存在すれば液晶分子にひねりは加えられるので、図４６に示すように、突出電極３の一部と画素電極１０とが重なり合っていてもよい。
【００９４】
（実施の形態２−２）
図３２は実施の形態２−２に関る液晶表示装置の動作を説明するための断面図である。図は、第１の実施形態の説明における図３０に相当するものである。
【００９５】
本実施形態は、第１の実施形態において画素電極にも電位を与えることにより、突出電極３と画素電極１０の間にある第２の間隙部７１にも基板面内方向の電界Ｅ３を発生させるものである。これにより、従来の液晶配列状態の遷移領域４４・４５に加えて、新たな遷移領域７２を発生させている。
【００９６】
第１の実施形態に対する、本実施形態の効果は、第１には遷移領域の数が増えることによリ転移の始まる確率が増大して、より確実に転移が行われることである。第２の効果は、新たな遷移領域７２は画素電極１０により近いところにあるため、実際に表示を行う画素領域の転移が早期に完了するので、結果的に機器の立上げ時間を短くできることにある。画素電極部は基板２２側の電極に隙間がないため対向電極に電圧を加えた場合に縦電界が安定的に発生するが、この画素電極部の近くに新たな遷移領域７２を設けているので、転移が安定的に行えるという第３の利点もある。
【００９７】
本実施形態においても、第１の実施形態と同様に、初期化（転移）のための準備ステップとして、ソース電極の電位を０ボルトとしながら、ゲート電極に１５〜２０ボルト程度のオン電位を与えてＴＦＴをオン状態とする。この時、共通電極および突出電極の電位を０ボルトとしておき、突出電極、ソース配線、画素電極を同電位（０ボルト）とし、画素部とソース配線部の液晶層に電界が印加されないようにする。このステップは、第１の実施形態で説明したように、場合により省略することができる。
【００９８】
第１のステップとして、ゲート電極にオン電圧を印加しながらソース配線に正電圧（例えば＋５ボルト）を供給し、画素電極を正電圧＋５ボルトに充電する。
【００９９】
第２のステップとして、ゲート電極にオン電圧を印加しながらソース配線に負電圧（例えば＋５ボルト）を供給し、画素電極を正電圧−５ボルトに充電する。
【０１００】
これらのステップを通じて、共通配線、および突出電極の電位を０ボルトとしておくと、図３２に示すように、突出電極３とソース配線５の間に電界Ｅ１が、突出電極３と画素電極１０の間に電界Ｅ３が発生する。これらの電界はともに基板面にほぼ平行な方向に生じており、間隙部４・７１における液晶層中央部の液晶分子４１・７３を面内方向に回転させ、２つの間隙部にねじれ状態を生じさせる。
【０１０１】
第３のステップとして、第１と第２のステップを交互に繰り返す。これにより、間隙部に印加する電圧を交流とする。
【０１０２】
第４のステップは、対向電極に電圧印加することにより、基板面に垂直な電界を液晶層に印加し、液晶分子を基板面から立上がらせるものである。これにより、第１の実施形態と同様に、垂直電界の印加により、横電界の印加された間隙部４・７１の付近にベンド配向部が形成されて、主に画素電極の方向にベンド配向部が広がっていき、やがて画素全体がベンド配向となる。本実施形態の液晶表示装置によれば、従来のものより各段に容易かつ確実に、スプレイ配向からベンド配向への転移を行わせることができた。
【０１０３】
（実施の形態２−３）
図３３は、実施の形態２−３に関る液晶表示装置の動作を説明するための１画素の構成を示す平面図である。図は、第１の実施形態の説明における図２６に相当するものである。
【０１０４】
第１または第２の実施形態においては、突出電極が直線形状でありその周辺の空隙部に印加される電界の方向は液晶配向方向に垂直な方向であった。本実施形態の液晶表示装置では、図３３に示すように突出電極３、ソース配線５および画素電極１０のエッジ部分を屈曲形状にして、図中に矢印で示す電界方向８１が液晶配向方向に垂直な方向から右回りに回転した方向となる領域と、左回りに回転した方向となる領域の２つの領域を、空隙部４・８２に作り出している。
【０１０５】
第１や第２の実施形態に対する本実施形態の効果は、空隙部における液晶が右向きに回る領域と左向きに回る領域を確実に形成することにより、転移が安定的に行えるという点にある。
【０１０６】
空隙部における液晶が右向きに回る領域と左向きに回る領域を形成することの効果について、以下に説明する。
【０１０７】
まず、液晶分子が基板面内に回転しておらず、また、ねじれ構造を持っていない場合について、その転移操作における問題点を説明する。図３４は、このような場合の転移操作における液晶分子の配向を模式的に示した断面図である。液晶分子９１は初期状態においては、図３４（ａ）に示すスプレイ配向となっている。上下基板の電極間に電圧が印加されると液晶分子は電界に平行に配列しようとするため、それぞれの液晶分子には図３４（ｂ）に示すような回転トルクがかかる。トルクの方向は液晶分子の電圧無印加時のチルト角の方向に依存し、上半分にある液晶分子９２には時計回りの回転トルクが、下半分にある液晶分子９３には反時計回りの回転トルクがかかる。上下基板のちょうど中央にある液晶分子９４は、初期状態が基板に平行であるため、回転方向が特定できない。最終的には、図３４（ｃ）に示すベンド配向状態となるが、液晶層の中央部にある液晶分子９４の回転方向が時計回りとなる状態を経由する領域と、反時計回りとなる状態を経由する領域の２つの領域ができる。このため、転移発生が不安定であり転移に時間がかかったり、２つの領域間のディスクリネーション・ラインが表示期間まで残ってコントラスト低下の要因となったりする。
【０１０８】
第１や第２の実施形態においては、図３５に示すスプレイ配向状態の液晶に対して横方向の電界を印加して図３６に示すようなねじれ状態の配向を得、これに基板法線方向の電界を印加して転移操作を行った。図３６に示す断面図は、横電界を印加した時に液晶層の中央部にある液晶分子の左側を手前方向に回転させ、右側を奥行き方向に回転させるトルクがかかるとしたものである。図の下から上に向かって液晶分子の回転方向を見た場合、断面図の下半分では液晶分子は時計回りに９０度ねじれており（以下Ｒ９０°と略記）、上半分では液晶分子は反時計回りに９０度ねじれている（以下Ｌ９０°と略記）。この場合、上下基板界面の液晶分子のチルト角が相殺されるので、液晶層中央にある液晶分子１０１は基板に対してほとんど起き上がらず、チルト角がほぼ０度となる。従って、基板法線方向の電界を印加した場合に、この液晶分子が立上がる方向が一義的に定まらず、転移発生が不安定になることがある。
【０１０９】
図３７は、本実施形態の液晶表示装置において、横方向の電界を印加した場合の液晶分子の配列を示した断面図である。本実施形態においては、液晶層中央にある液晶分子の回転方向が異なる２領域が隣接している。図はこの隣接部を示したもので、図の左側は、液晶層の中央部にある液晶分子の左側を手前方向に回転させ、右側を奥行き方向に回転させるトルクがかかっており、下半分はＲ９０°、上半分はＬ９０°の状態にある。一方、図の右側は、液晶層の中央部にある液晶分子の左側を奥行き方向に回転させ、右側を手前方向に回転させるトルクがかかっており、下半分はＬ９０°、上半分はＲ９０°の状態にある。
【０１１０】
これらの領域が隣接しているので、図に破線で示すように、左側の下半分にあるＲ９０°の部分と、右側の上半分にあるＲ９０°の部分が液晶分子の熱ゆらぎ現象や交流電界の切替りに伴う液晶分子の揺れなどによって結合することがある。そういう領域では、液晶分子は下側基板から上側基板に向かって、右向きに連続的に１８０度ねじれた状態（Ｒ１８０°）となる。この場合、上下基板界面のチルト角の影響で、液晶層中央の液晶分子１０１にはチルト角が生じる。
【０１１１】
このような領域が形成されれば、転移を容易に生じさせることができる。図３８はその様子を示すもので、（ａ）に示すように中央部の液晶分子１０１がチルトを持ち、１８０度ねじれた状態にある液晶層に電圧を印加することにより、（ｂ）のように安定した方向に中央部の液晶分子１０１を立ち上げることができ、その結果（ｃ）に示すベンド状態を容易に形成することができる。
【０１１２】
本実施形態の液晶表示装置では、転移のきっかけとして１８０度ねじれ状態を形成しているが、ねじれ状態の形成のためにカイラル材を添加してしていないので、転移が生じた後では液晶の配向にねじれ構造がほとんど残らず、印加電圧が低い場合にも良好なベンド配向が維持される。このため、視野角特性の低下、白表示の着色、応答速度の低下といった課題が生じることがない。
【０１１３】
なお、上記の説明では上半分と下半分のねじれ角はそれぞれ９０度であるとしたとしたが、これはこのように限定されるものではない。結合領域の液晶のねじれ角は、上下の基板界面の液晶の配向方位によって定まり、これが平行に配向処理されていれば、上下部分の元もとのねじれ角に関係なくねじれ角は１８０度となる。従って、横電界印加時に中央部の液晶分子が２つの領域で逆向きのトルクを受けるようにすれば、上下部分のねじれ角に関わらず良好なベンド状態を形成することができる。
【０１１４】
本実施形態の液晶表示装置は、第２の実施形態での説明と同様に駆動される。こうすれば、間隙部４・８２のそれぞれにねじれ電界が逆となる領域を形成することができ、良好な転移特性を得ることができる。
【０１１５】
（実施の形態２−４）
図３９は、実施の形態２−４に関る液晶表示装置の動作を説明するための１画素の構成を示す平面図である。
【０１１６】
本実施形態は、第３の実施形態と同様に、図中に矢印で示す電界方向８１が液晶配向方向に垂直な方向から右回りに回転した方向となる領域と、左回りに回転した方向となる領域の２つの領域を、空隙部４に作り出している。
【０１１７】
第３の実施形態では、突出電極３の両側の空隙部を屈曲させてこのような領域を形成していたが、本実施形態では、突出電極３とソース配線５の間のみで空隙部を屈曲させている。これにより、画素電極１０を広げることができ、開口率を高めて明るい表示を行うことができるという特徴がある。本実施形態の液晶表示装置は、例えば、実施形態１での説明と同様に駆動される。
【０１１８】
本実施形態の液晶表示装置も第３の実施形態と同様、カイラル材を添加することなく、ねじれ構造を誘起し、これを転移の核として用いている。このため、転移が生じた後では液晶の配向にねじれ構造がほとんど残らず、印加電圧が低い場合にも良好なベンド配向が維持される。従って、視野角特性の低下、白表示の着色、応答速度の低下といった課題が生じることがない。
【０１１９】
なお、本実施形態においても第３の実施形態と同様、上半分と下半分のねじれ角は９０度に限定されるものではなく、横電界印加時に中央部の液晶分子が２つの領域で逆向きのトルクを受けるようにすれば、上下部分のねじれ角に関わらず良好なベンド状態を形成することができる。
【０１２０】
（実施の形態２−５）
図４０は、実施の形態２−５に関る液晶表示装置の動作を説明するための断面図である。本実施形態は、第１の実施形態では全領域に対向配置されていた対向電極２８のうち、空隙部４・１５２の付近にある部分を取り除いたことにある。こうすることによって、図４０に示す断面では対向電極が２８ａと２８ｂの２つに分かれる。
【０１２１】
図で対向電極２８ａ・２８ｂと突出電極３の間に電圧を加えると、電界Ｅ１とＥ３には斜め方向の成分が生じ、液晶層中央にある液晶分子１５１が電界の傾斜方向に傾きながらねじれ配向する。この後、薄膜トランジスタ６を介して画素電極１０に電位を与え、対向電極２８ｂとの間に縦電界を印加することにより、転移を行わせる。
【０１２２】
本実施形態においては、空隙部において斜め方向の電界を印加しているので、縦電界を印加した際に液晶層中央の液晶分子が立上がる方向が一定する。従って、第３の実施形態の図３４で説明したように、液晶の転移が不安定になったり、時間がかかったりすることがない。
【０１２３】
なお、上記の説明では対向電極の一部を取り除いて斜め電界成分を発生させたが、突出電極と画素電極、または、突出電極と信号配線の間の高低レベルに差がある場合には、同様の効果を得ることができる。このレベル差は、１マイクロメートル以上であることが望ましく、１マイクロメートル以上であれば、なお良好な結果を得ることができる。この構成は、例えば、信号配線の上に設けた第２の絶縁膜を絶縁樹脂とすることによって形成することができる。
【０１２４】
（実施の形態２−６）
第３あるいは第４の実施形態では、例えば図３３や図３９に示されるように、平面図において電界方向が液晶配向方向に垂直な方向から右回りに回転した方向となる領域と、左回りに回転した方向となる領域の２つの領域を、空隙部に作り出す構成について説明した。これにより、図３７の断面図で対角上に存在する、右ねじれ９０度（Ｒ９０°）どうし、あるいは左ねじれ９０度（Ｌ９０°）どうしの部分が結合し、１８０度のねじれ状態を形成して転移を容易にしている。ところが、右ねじれと左ねじれのいずれが結合するかについては十分な選択性がなく、わずかながら不安定要因が存在する。
【０１２５】
本実施形態は、第５の実施形態に示す構成、即ち、例えば図４０に示されるような横電界印加時に断面図において斜め方向の成分を発生させる構成を、第３あるいは第４の実施形態で説明した構成に組合せたものである。斜め電界の存在により右ねじれ１８０度（Ｒ１８０°）と左ねじれ１８０度（Ｌ１８０°）のいずれか一方がエネルギー的により安定となるため、各領域でねじれ状態がいずれか一方に選択され、第３あるいは第４の実施形態に比べてさらに安定的に転移を行わせることができる。
【０１２６】
（実施の形態２−７）
上記の各実施形態では、まず横電界を加えた後に縦電界を印加して転移を行わせたが、いずれの実施形態においても、画素領域に縦電界を印加した後、横電界を印加する方法も有効である。この場合、縦電界を印加して数ミリ秒から１秒程度待って、画素領域の液晶をほぼ立ち上がった状態にした後に、突出電極付近に横電界を印加して液晶を回転させるのがよい。
【０１２７】
具体的な方法の一例について、図２６と図２７を用いて説明する。まず、初期化（転移）のための準備ステップとして、ソース電極の電位を０ボルトとしながら、ゲート電極に１５〜２０ボルト程度のオン電位を与えてＴＦＴをオン状態とする。この時、共通電極および突出電極の電位を０ボルトとしておき、突出電極、ソース配線、画素電極を同電位（０ボルト）とし、画素部とソース配線部の液晶層に電界が印加されないようにする。このステップは、場合により省略することができる。
【０１２８】
第１のステップとして、対向電極２８に＋２５ボルトを印加すると、画面のほぼ全領域にわたって縦電界が印加される。
【０１２９】
第２のステップとして共通配線２に＋２５ボルトを印加すると、突出電極３の電位も＋２５ボルトとなり、この付近の縦電界がほぼなくなるとともに、突出電極３とソース配線５の間、および突出電極３と画素電極１０の間に横電界が印加される。
【０１３０】
第３のステップとして、薄膜トランジスタ６をオン状態としながらソ−ス配線５に電圧供給すれば、画素電極１０の電位が変動し横電界成分を交流化することができる。このステップは、場合により省略することができる。
【０１３１】
なお、第３のステップにおいて、画素電極電位は対向電極の電位（＋２５ボルト）をまたぐように設定すれば、対向電極電位を中心とした理想的な交流電圧が印加できるが、ソース側の駆動ＩＣに大きな出力電圧が要求される。これを避けるために画素電極電位を、例えば、＋５ボルトと−５ボルトの間で交流とすることも可能である。この場合ば、その交流成分が横電界として働き、対向電極（＋２５ボルト）との間には、平均電圧の０ボルトとの間の電界が縦電界として働く。
【０１３２】
また、対向電極２８と共通配線２を同電位としておき、これらを＋２５ボルトと−２５ボルトの間で交流駆動してもよい。
【０１３３】
本実施形態の液晶表示装置においても、従来のものより各段に容易かつ確実に、スプレイ配向からベンド配向への転移を行わせることができた。
【０１３４】
なお、上記のいずれの実施形態においても、横電界を印加する領域は突出電極付近に限定されているので、画素領域の内部にまで横電界が及んでコントラストなどの光学性能が低下するのを防止することができる。一方、縦電界の印加される領域はほぼ全面に渡っており、ここに横電界領域あるいはその周辺の遷移領域を含んでいるので、スムーズに転移が開始するという利点がある。
【０１３５】
（実施の形態２−８）
上記のいずれの実施形態においても、遷移部分や横電界発生部の周辺にベンド配向部が生じてしまえば横電界は必要でなくなる。本実施形態では、ある程度転移が広がった後でソース配線への供給電圧を調整し、横電界を止めたり、あるいは横電界の強度を弱めた。これにより、横電界の影響により一度生じたベンド配向が乱されて表示異常が生じたり、コントラストが低下するのを防ぎ、また横電界発生のための電力を削減することができる。より具体的には、第１から第６の実施形態では、例えば縦電界を印加して数ミリ秒から数十ミリ秒後にソース電圧の印加を止めることが有効である。第７の実施形態では、例えば縦電界を印加して数ミリ秒から数十ミリ秒後にソース電圧の印加を止めることが有効である。
【０１３６】
（実施の形態２−９）
上記の第１から第８の実施形態の液晶表示装置において、横電界により液晶の配向が変化する領域を遮蔽するように、ブラックマトリクスによる遮光部を形成した。具体的には、図２７においては間隙部４を覆うように、図３２においては間隙部４・７１を覆うように、図４０においては間隙部４・１５２を覆うようにブラックマトリクス３０を形成した。
【０１３７】
実際に液晶表示装置が表示を行っている時には、表示パターンにより、ソース配線、共通配線、画素電極は様々な電位をとり、これらの空隙部に横電界が生じてしまう。この部分をブラックマトリクスで覆うことにより、横電界に液晶が応答して生じる光もれを遮光して、コントラストの高い表示を行うことができる。
【０１３８】
なお、図２６においては、さらに突出電極３と画素電極１０の間の部分も遮光するのがさらに効果的であった。
【０１３９】
（実施の形態２−１０）上記の各実施形態において、液晶にわずかなカイラル材を添加して、特定方向のねじれをエネルギー的に優勢にすれば、さらに良好な転移性能が得られる。
【０１４０】
従来例の液晶表示装置では、液晶層に電界が印加されていない場合にも１８０度ねじれが安定となる量のカイラル材を添加しているが、本実施形態では、カイラル材の添加量を電界が印加されていない場合にはねじれのないスプレイ配向が安定となる程度に抑えている。
【０１４１】
従来の構成では、多量のカイラル材を添加しているため、転移が生じた後に液晶の配向にねじれ構造が残って、印加電圧が低い場合にベンド配向が損なわれ、視野角特性の低下、白表示の着色、応答速度の低下といった課題が生じる。一方、本実施形態では、カイラル材の添加量が少ないので、転移が生じた後に液晶の配向にねじれ構造がほとんど残らず、印加電圧が低い場合にもベンド配向が損なわれることがない。従って、視野角特性の低下、白表示の着色、応答速度の低下といった課題が生じることがない。
【０１４２】
以下、本実施形態の転移性能について説明する。実施形態３で、図３７と図３８を用いて示したように、横電界、あるいは横電界と縦電界を印加した際に、特定のねじれ方向が優勢となれば転移性能が向上する。本実施形態では、カイラル材による電界印加時に左右いずれかのねじれがエネルギー的に安定となるので、優勢側のねじれ構造が誘起されやすく、良好な転移性能が得られる。次に、カイラル材の添加量について説明する。カイラル材を添加した液晶材料の自発ピッチをＰｓ、セル厚をｄとすると液晶分子の自然なねじれ角φは
φ＝±３６０×（ｄ／Ｐｓ） （度）
で表される。複号はねじれの方向を示している。
【０１４３】
一方、ＯＣＢ型の液晶表示装置では配向処理は平行方向である。従って、実際には電圧印加がない場合のねじれ角は、０度、±１８０度、±３６０度、……に限定される。φが±９０度の間にあれば、実際のねじれ角は０度、φが９０度を越えると１８０度ねじれが安定となる。従って、Ｐｓがセル厚の４倍以上になるようにすれば、ねじれ角が０度のスプレイ配向が安定となる。この条件を満たすカイラル添加量は、Ｐｓとカイラル添加量の間にはほぼ反比例の関係があるので、これを用いて定めてもよいし、カイラルピッチの実測から定めることもできる。
【０１４４】
なお、上記の範囲内であってもカイラルの添加量が多すぎると、動作時にねじれ構造が残って、表示性能が若干悪化する場合があるので、カイラル添加量は少ない方がよい。実験によれば、Ｐｓが３０度以下であるようにカイラル添加量を設定するのが望ましく、１０度以下であるようにすれば、さらに高画質が得られる。
【０１４５】
（実施の形態２−１１）
上記の各実施形態において、縦電界と横電界で印加周波数を変えたところ、転移性能の安定度が向上した。縦電界と横電界で印加周波数が等しい場合には、相互の電界の干渉が生じるので、両電界の位相差によっては十分な転移性能が得られない場合がある。本実施形態の方法によれば、このような干渉を防ぐことができ、安定な転移性能が得られる。
【０１４６】
２つの電界の周波数をずらす場合には、横電界の周波数を高く、縦電界の周波数を低く設定するのが望ましい。第１の理由は、縦電界は一方を対向電極として広い面積に発生させるているので、容量負荷が大きく、周波数を高めると電源への負荷が大きくなるからである。一方で、横電界は電界印加部分が限定されており、容量負荷が小さい。第２の理由は、横電界は場合により印加時間を短くすることもあるので、周波数が低いと直流成分が残ってしまい、表示むらの原因となる場合があるからである。
【０１４７】
実験によれば、横電界は１０ヘルツ以上、より望ましくは３０ヘルツ以上が良好な結果を与えた。縦電界は０．１ヘルツから５０ヘルツ程度の間、より望ましくは０．１ヘルツから１０ヘルツの間であり、横電界の周波数以上であることが望ましい。
【０１４８】
（実施の形態２−１２）
図４１は、上記の各実施形態に説明したいずれかの液晶表示装置１６３に、コントローラ部とインターフェース（Ｉ／Ｆ）部を設けて液晶モニター１６９としたものである。液晶表示装置はパネル部１６１とバックライト部１６２を有している。１６５は電源スイッチである。インターフェース部は画像信号１６４を受けて、これをコントローラに送る。コントローラ部は、パネル部に画像表示用の表示制御信号１６６を、バックライト部にバックライト制御信号１６８を送っている。
【０１４９】
本実施形態の液晶モニターでは、初期化制御信号１６７をパネル部に供給して、転移を行わせている。液晶表示装置およびその転移操作は、上記第１から第１０の実施形態で説明した方法を用いることができる。電源スイッチ１６５が投入されたときや、レジューム後に立上がる時に、初期化制御信号がパネル部に送られ、転移操作が行われる。これらの場合、バックライトの点灯を転移操作から若干遅らせることにより、転移時の画面の乱れを使用者に見せることなく転移操作を行うことができる。また、レジューム時には、バックライトをオフ状態として、画像信号も送られていないが、初期化信号を供給して、定期的に転移操作を行っておいて、使用が再開されたときの立上げ時間を短くすることもできる。
【０１５０】
（実施の形態２−１３）
図４２は、上記の各実施形態に説明したいずれかの液晶表示装置１６３をＣＰＵと組合せ、キーボード、マウス、タッチパネルなどからの入力信号１７１の処理部を設けて液晶表示装置付きコンピュータ１７２としたものである。他の部分は、実施形態１２と同様に動作する。
【０１５１】
本実施形態の液晶表示装置付コンピュータも、実施形態１２での説明と同様に、初期化制御信号１６７をパネル部に供給して転移を行わせている。液晶表示装置およびその転移操作は、上記第１から第１０の実施形態で説明した方法を用いることができる。初期化時にバックライトの点灯を転移操作から若干遅らせることにより、転移時の画面の乱れを使用者に見せることなく転移操作を行うことができることや、レジューム時にバックライトをオフ状態としながら初期化信号を供給して定期的に転移操作を行っておいて、使用が再開されたときの立上げ時間を短くすることもできるのも上記の説明と同様である。
【０１５２】
また、同様のブロック図の構成により、液晶表示装置付モバイル端末を構成することもできる。この場合、電池駆動をする時には図中の電源コードは不要である。
【０１５３】
（実施の形態２−１４）
図４３は、上記の各実施形態に説明したいずれかの液晶表示装置１６３に、チューナ部とインターフェース（Ｉ／Ｆ）部を設けて液晶テレビなどの映像表示機器１８２としたものである。液晶表示装置は、第１１の実施形態と同様に、パネル部１６１とバックライト部１６２を有している。１６５は電源スイッチである。チューナ部は映像信号１８１を受けて、これをコントローラに送る。コントローラ部は、パネル部に映像表示用の表示制御信号１６６を、バックライト部にバックライト制御信号１６８を送っている。
【０１５４】
本実施形態の液晶テレビでは、初期化制御信号１６７をパネル部に供給して、転移を行わせている。この液晶テレビにおいても、液晶表示装置およびその転移操作は、上記第１から第１０の実施形態で説明した方法を用いることができる。主電源スイッチ１６５が投入されたときや、リモコンスイッチで表示が立上がる時に、初期化制御信号がパネル部に送られ、転移操作が行われる。これらの場合、バックライトの点灯を転移操作から若干遅らせることにより、転移時の画面の乱れを使用者に見せることなく転移操作を行うことができる。また、リモコンスイッチで表示がオフにされた時には、バックライトをオフ状態として、画像信号も送られていないが、初期化信号を供給して、定期的に転移操作を行っておいて、リモコンスイッチで表示が再開されたときの立上げ時間を短くすることもできる。
【０１５５】
以上説明したように、本発明による表示装置は、液晶分子の配向が電圧無印加時とは異なった状態で表示中は動作する液晶表示装置において、液晶分子を基板面内のねじれ成分を含む方向に回転させる第１の電界を発生する第１の電界発生手段と、前記液晶分子を基板面から立ち上らせる電界を発生する第２の電界発生手段とを有するものである。これにより、液晶にねじれ成分を含むような電界を加えることにより、ねじれ配向、あるいはねじれ状態に類した配向を作り出して、表示中の配向状態への転移を容易に行わせている。
【０１５６】
また、本発明による液晶表示装置の駆動方法は、第１の電界により液晶分子をねじれ成分を含む方向に回転させる第１のステップと、第２の電界により液晶分子を基板面にほぼ垂直な方向に立ち上らせる第２のステップとをこの順で行なうものである。これにより、第１のステップでは、液晶にねじれ成分を含むような電界を加えることにより、ねじれ配向、あるいはねじれ状態に類した配向を作り出して、表示中の配向状態への遷移状態として機能させる。第２のステップでは、縦電界によりこの近傍から転移を開始させ、転移領域を拡大成長していき、表示領域全体の転移を行う。このようなステップにより、表示中の配向状態への転移を容易に行わせている。
【０１５７】
本発明による液晶表示装置の別の駆動方法は、第１の電界により液晶分子を基板面にほぼ垂直な方向に立ち上らせる第１のステップと、第２の電界により液晶分子をねじれ成分を含む方向に回転させる第２のステップとをこの順で行なうものである。これにより、第１のステップでは、縦電界を加えることにより、縦電界印加領域の液晶分子を立ち上った状態にセットする。第２のステップでねじれ成分を含むような電界を加えて、ねじれ配向、あるいはねじれ状態に類した配向を作り出して、表示時の配向状態への遷移状態を作りだし、転移核として機能させる。このようなステップにより、表示中の配向状態への転移を容易に行わせている。
【０１５８】
（その他の事項）
上記の説明においては、液晶５としてＯＣＢモードの液晶を例に挙げて説明した。しかし、本発明はＯＣＢモードの液晶に限られず、表示状態における配向状態と非表示状態における配向状態とが異なり、画像を表示させる前に非表示状態の配向状態から表示状態の配向状態へ初期化することが必要である液晶に対して用いられ得る。
【図面の簡単な説明】
【０１５９】
【図１】本発明の実施の形態１−１に係る液晶表示装置において、ソース線２１、ゲート線２２、および対向電極３１に印加される電圧を縦軸とし、時間を横軸としたＯＣＢ型液晶表示装置を初期化する際の駆動波形を示す図。
【図２】本発明の実施の形態１−１に係る液晶表示装置において、マトリックス状に配置された画素電極２３に印加された電圧の極性を示す図。
【図３】本発明の実施の形態１−１において、液晶５内でその長軸ＬＱＬＳがそれぞれ異なる方向に向こうとする液晶分子５１ａ・ｂが生じ、そこで不安定な「擾乱」状態が発生していることを示す図。
【図４】本発明の実施の形態１に係る液晶表示装置の平面図。
【図５】本発明の実施の形態１−１に係る液晶表示装置において、画素電極２３および対向電極３１に印加される電圧を縦軸とし、時間を横軸としたＯＣＢ型液晶表示装置を初期化する際の駆動波形を、対向電極３１に印加される電圧のタイミングを中心にして示す図。
【図６】画素電極の端部から先端が尖った突起を設けることにより横電界を生じさせる公知例を示す図。
【図７】本発明の実施の形態１−２に係る液晶表示装置において、ソース線２１、ゲート線２２、および対向電極３１に印加される電圧を縦軸とし、時間を横軸としたＯＣＢ型液晶表示装置を初期化する際の駆動波形を示す図。
【図８】本発明の実施の形態１−２に係る液晶表示装置において、マトリックス状に配置された画素電極２３に印加された電圧の極性を示す図。
【図９】本発明の実施の形態１−２に係る他の液晶表示装置において、マトリックス状に配置された画素電極２３に印加された電圧の極性を示す図。
【図１０】本発明の実施の形態１−３に係る液晶表示装置において、ソース線２１、ゲート線２２、および対向電極３１に印加される電圧を縦軸とし、時間を横軸としたＯＣＢ型液晶表示装置を初期化する際の駆動波形を示す図。
【図１１】本発明の実施の形態１−３に係る液晶表示装置において、マトリックス状に配置された画素電極２３に印加された電圧の極性を示す図。
【図１２】本発明の実施の形態１−３において、液晶５内でその長軸ＬＱＬＳがそれぞれ異なる方向に向こうとする液晶分子５１ａ・ｃが生じ、そこで不安定な「擾乱」状態が発生していることを示す図。
【図１３】（ａ）本発明の実施の形態１−４に係る液晶表示装置の平面図。（ｂ）同（ａ）の部分拡大図。
【図１４】本発明の実施の形態１−４に係る液晶表示装置の変形例における平面図。
【図１５】本発明の実施の形態１−４に係る液晶表示装置の他の変形例における平面図。
【図１６】本発明の実施の形態１−５に係る液晶表示装置の平面図。
【図１７】本発明の実施の形態１−６に係る液晶表示装置の平面図。
【図１８】（ａ）ＯＣＢ型液晶表示装置の一般的な構造を示す図。（ｂ）同（ａ）の拡大図。
【図１９】ＯＣＢ型液晶表示装置の一般的な断面構造を示す図。
【図２０】位相差の概念を示す図。
【図２１】一般的なＯＣＢモードの液晶５の輝度−電圧特性を示すグラフを示す図。
【図２２】カラーフィルタを備えたＯＣＢ型液晶表示装置の一般的な平面図。
【図２３】（ａ）スプレイ配向状態を示す概念図。（ｂ）ベンド配向状態を示す概念図。
【図２４】特開平１０−２０６８２２号公報に記載された初期化における駆動電圧を示す図。
【図２５】用語「厚み方向」「手前・奥方向」「左右方向」を定義するために用いられる液晶表示装置を示す図。
【図２６】実施の形態２−１に係る液晶表示装置の構成を示す平面図。
【図２７】実施の形態２−１に係る液晶表示装置の構成を示す断面図。
【図２８】実施の形態２−１に係り、液晶分子の配列状態を説明するための断面図。
【図２９】実施の形態２−１に係り、液晶分子の配列状態を説明するための断面図。
【図３０】実施の形態２−１に係り、液晶分子の配列状態を説明するための断面図。
【図３１】実施の形態２−１に係り、転移の広がりを説明する平面図。
【図３２】実施の形態２−２に係る液晶表示装置の構成を示す断面図。
【図３３】実施の形態２−３に係る液晶表示装置の構成を示す平面図。
【図３４】実施の形態２−３に係り、従来例における転移状態を説明するための断面図。
【図３５】実施の形態２−３に係り、スプレイ配向状態を示す断面図。
【図３６】実施の形態２−３に係り、横電界印加時のねじれ状態の配向を示す断面図。
【図３７】実施の形態２−３に係り、ねじれ状態が異なる２領域隣接部の配向を示す断面図。
【図３８】実施の形態２−３に係り、転移作用を説明するための断面図。
【図３９】実施の形態２−４に係る液晶表示装置の構成を示す平面図。
【図４０】実施の形態２−５に係る液晶表示装置の構成を示す断面図。
【図４１】実施の形態２−１２に係る液晶モニターの構成を示すブロック図。
【図４２】実施の形態２−１２に係る液晶表示装置付きコンピュータの構成を示すブロック図。
【図４３】実施の形態２−１３に係る液晶テレビの構成を示すブロック図。
【図４４】実施の形態２に対する従来例の液晶表示装置の構成を示す断面図。
【図４５】液晶分子の配列状態を説明するための断面図。
【図４６】実施の形態２−１の変形例を示す図。
【符号の説明】
【０１６０】
（従来の技術および実施の形態１）
１：液晶表示装置
２：アレイ基板
２０：アレイ基板本体
２１：ソース線
２２：ゲート線
２３：画素電極
２３１：画素電極の手前側の端縁
２３２：第１突出部
２３３：画素電極の奥側の端縁
２３４：第２突出部
２３５：頂点
２３６：画素電極２３の手前側の側縁に設けられた凸部
２３７：画素電極２３の奥側の側縁に設けられた凹部
２３８：第３突起部
２３９：第４突起部
２７：電圧ノイズ
２８：リセット期間
３：対向基板
３０：対向基板本体
３１：対向電極
３２：カラーフィルタ
４：スイッチング素子
４１：ゲート電極
４２：ソース電極
４３：ドレイン電極
５：液晶
５１：液晶分子
６：配向膜
８１：手前・奥方向の横電界
８２：左右方向の横電界
９１：位相差板
９２：偏光板
９２１：偏光軸
Ｌ：偏光
ＬＱＬＳ：液晶５（厳密には液晶分子５１）の長軸
Ｌｘ・Ｌｙ：正弦波成分
Ｃ１：手前・奥方向の横電界８１により液晶分子５１がひねられる方向
Ｃ２：左右方向の横電界８２により液晶分子５１がひねられる方向
Ｄ１：成分Ｌｘが液晶５内部を進む距離
Ｄ２：成分Ｌｙが液晶５内部を進む距離
ｙ：偏光Ｌが進む軸
θ１：画素電極２３の端縁２３１と第１突起部２３２とがなす角度
θ２：画素電極２３の端縁２３３と第２突起部２３４とがなす角度
θ３：画素電極２３の端縁２３１と凸部２３６とがなす角度
θ４：画素電極２３の端縁２３１と凸部２３６とがなす角度
（実施の形態２）
１  ゲート配線
２  共通配線
３  突出電極（横電界電極）
４，７１，８２，１５１  間隙部
５  ソース配線
６  薄膜トランジスタ
１０，２１５  画素電極
１１  蓄積容量
１２  配向処理方向
２１  液晶層
２８，２１６  対向電極
３０  ブラックマトリクス
３１，４１，４２，４３，５１，７３，９１，１０１  液晶分子
２１２  液晶
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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