(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＰＴＣ特性を有する導電性ポリマと、前記導電性ポリマに接して設けられた第１の主電極と、前記導電性ポリマを介して前記第１の主電極に対向して設けられた第２の主電極と、前記導電性ポリマの内部に位置し前記第１の主電極および前記第２の主電極の間に設けられた内層主電極とを有し、前記第１の主電極、前記第２の主電極、前記内層主電極は交互に前記第１の側面電極または前記第２の側面電極と電気的に接続し、前記第１の主電極、前記第２の主電極、前記内層主電極のそれぞれに変位抑制解除手段が設けられ、一の変位抑制解除手段が配置された位置は、前記一の変位抑制解除手段に隣接する他の一の変位抑制解除手段が配置された位置に対し、前記第１の主電極と平行な面上で回転対称にあることを特徴とするチップ形ＰＴＣサーミスタ。
【請求項２】
ＰＴＣ特性を有する導電性ポリマと、前記導電性ポリマに接して設けられた第１の主電極と、前記導電性ポリマを介して前記第１の主電極に対向して設けられた第２の主電極と、前記導電性ポリマの内部に位置し前記第１の主電極および前記第２の主電極の間に設けられた内層主電極とを有し、前記第１の主電極、前記第２の主電極、前記内層主電極は交互に前記第１の側面電極または前記第２の側面電極と電気的に接続し、前記第１の主電極、前記第２の主電極または前記内層主電極のそれぞれに変位抑制解除手段が設けられ、前記変位抑制解除手段は前記第１、第２の側面電極に近接して設けられたことを特徴とするチップ形ＰＴＣサーミスタ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、正の温度係数（Ｐositive Ｔemperature Ｃoefficient、以下「ＰＴＣ」と記す）特性を有する導電性ポリマを用いたチップ形ＰＴＣサーミスタに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ＰＴＣサーミスタは過電流保護素子として使用でき、電気回路に過電流が流れると、ＰＴＣ特性を有する導電性ポリマが自己発熱し、導電性ポリマが熱膨張し高抵抗に変化し、電流を安全な微小領域まで減衰させるものである。
【０００３】
以下、従来のチップ形ＰＴＣサーミスタについて説明する。
【０００４】
従来のチップ形ＰＴＣサーミスタとしては、特表平９−５０３０９７号公報に示されているように、ＰＴＣ特性を示す抵抗材料から成り、第１面、第２面を有し、かつ第１面と第２面との間を通る開口部を設けたＰＴＣ抵抗素子と、前記開口部の内部に位置し、かつＰＴＣ抵抗素子の第１面と第２面との間を通り、前記ＰＴＣ抵抗素子に固定される横方向の導電部材と、前記ＰＴＣ抵抗素子の第１面に固定され、前記横方向の導電部材に物理的かつ電気的に接続される第１層状導電部材とを有するチップ形ＰＴＣサーミスタが開示されている。図１８（ａ）は従来のチップ形ＰＴＣサーミスタを示す断面図であり、図１８（ｂ）は同上面図である。図１８（ａ）（ｂ）において、１はＰＴＣ特性を有する導電性ポリマよりなる抵抗体であり、２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄは金属箔よりなる電極であり、３ａ，３ｂはスルーホールによる開口部であり、４ａ，４ｂはスルーホールによる開口部３ａ，３ｂの内部に形成され、電極２ａと２ｄおよび電極２ｂと２ｃを電気的に接続するめっきによる導電部材である。
【０００５】
また、本発明者らは、上記従来のチップ形ＰＴＣサーミスタに対して、実装時のはんだ付け部の外観検査が容易で、かつフローはんだ付けを可能とするために、ＰＴＣ特性を有する導電性ポリマと、前記導電性ポリマの第１面に位置する第１の主電極および第１の副電極と、前記導電性ポリマの第１面に対向する第２面に位置する第２の主電極と第２の副電極と、前記導電性ポリマの一方の側面および対向する側面に形成された第１および第２の側面電極とを有するチップ形ＰＴＣサーミスタを開発した。
【０００６】
図１９（ａ）（ｂ）（ｃ）は本発明者らが開発したチップ形ＰＴＣサーミスタの斜視図、断面図および分解斜視図である。
【０００７】
図１９（ａ）（ｂ）（ｃ）において、５はポリエチレン等の高分子材料と、カーボンブラック等の導電性粒子との混合物からなるＰＴＣ特性を有するシート状の導電性ポリマである。６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄは金属箔よりなる電極であり、７ａ，７ｂは電極６ａと６ｄおよび６ｂと６ｃを電気的に接続するめっきによる側面電極である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、過電流が流れた際のチップ形ＰＴＣサーミスタは導電性ポリマ５が自己発熱（発熱エネルギーＰ＝Ｉ2×Ｒ、Ｉ：電流、Ｒ：ＰＴＣサーミスタ抵抗値）によって膨張し、高抵抗値に変化するが、上記従来の本発明者らが開発したチップ形ＰＴＣサーミスタの構造では、電極６ａ，６ｃによって、シート状の導電性ポリマ５の電流経路である厚み方向への膨張が阻害され、これにより導電性ポリマ５本来の抵抗値上昇能力までＰＴＣサーミスタ抵抗値上昇率を大きくできない。この結果、消費電力（Ｐ＝Ｖ2／Ｒ、Ｖ：印加電圧）を一定に保つようにバランスのとれる抵抗値上昇域が低下することで耐電圧を上げることができないという問題点を有していた。
【０００９】
本発明は上記従来の課題を解決するもので、過電流が流れた際に抵抗値上昇率を大きくでき、耐電圧を上げることができるチップ形ＰＴＣサーミスタを提供することを目的とするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明のチップ形ＰＴＣサーミスタは、ＰＴＣ特性を有する導電性ポリマと、前記導電性ポリマに接して設けられた第１の主電極と、前記導電性ポリマを介して前記第１の主電極に対向して設けられた第２の主電極と、前記導電性ポリマの内部に位置し前記第１の主電極および前記第２の主電極の間に設けられた内層主電極とを有し、前記第１の主電極、前記第２の主電極、前記内層主電極は交互に前記第１の側面電極または前記第２の側面電極と電気的に接続し、前記第１の主電極、前記第２の主電極、前記内層主電極のそれぞれに変位抑制解除手段が設けられ、一の変位抑制解除手段が配置された位置は、前記一の変位抑制解除手段に隣接する他の一の変位抑制解除手段が配置された位置に対し、前記第１の主電極と平行な面上で回転対称にあることを特徴としている。
【００１１】
この構成によれば、導電性ポリマに過電流が流れた際の導電性ポリマの抵抗値上昇率を大きくでき、チップ形ＰＴＣサーミスタの耐電圧を上げることができるものである。
【００１２】
【発明の実施の形態】
本発明の請求項１に記載の発明は、ＰＴＣ特性を有する導電性ポリマと、前記導電性ポリマに接して設けられた第１の主電極と、前記導電性ポリマを介して前記第１の主電極に対向して設けられた第２の主電極と、前記導電性ポリマの内部に位置し前記第１の主電極および前記第２の主電極の間に設けられた内層主電極とを有し、前記第１の主電極、前記第２の主電極、前記内層主電極は交互に前記第１の側面電極または前記第２の側面電極と電気的に接続し、前記第１の主電極、前記第２の主電極、前記内層主電極のそれぞれに変位抑制解除手段が設けられ、一の変位抑制解除手段が配置された位置は、前記一の変位抑制解除手段に隣接する他の一の変位抑制解除手段が配置された位置に対し、前記第１の主電極と平行な面上で回転対称にあることを特徴とするものである。
【００１３】
この構成によれば、第１の主電極、第２の主電極、内層主電極のそれぞれに変位抑制解除手段を設けているため、チップ形ＰＴＣサーミスタ素子に過電流が流れた際には、導電性ポリマが厚み方向へ膨張し易くなり、これにより、導電性ポリマの比抵抗値が増大して抵抗値上昇率を大きくすることができるため、チップ形ＰＴＣサーミスタ自身の抵抗値上昇性能も向上し、これにより、耐電圧を上げることができ、さらに、変位抑制解除手段を回転対称な位置に配置しているため、導電性ポリマの膨張によるＰＴＣサーミスタの変形を平均化することができ、これにより、信頼性の向上を図ることができるという作用効果を有するものである。
【００１４】
請求項２に記載の発明は、ＰＴＣ特性を有する導電性ポリマと、前記導電性ポリマに接して設けられた第１の主電極と、前記導電性ポリマを介して前記第１の主電極に対向して設けられた第２の主電極と、前記導電性ポリマの内部に位置し前記第１の主電極および前記第２の主電極の間に設けられた内層主電極とを有し、前記第１の主電極、前記第２の主電極、前記内層主電極は交互に前記第１の側面電極または前記第２の側面電極と電気的に接続し、前記第１の主電極、前記第２の主電極または前記内層主電極のそれぞれに変位抑制解除手段が設けられ、前記変位抑制解除手段は前記第１、第２の側面電極に近接して設けられたことを特徴とするものである。
【００１５】
この構成によれば、第１の主電極、第２の主電極、内層主電極の変位抑制解除手段が形成された部分の変形が容易になるため、導電性ポリマは厚み方向へ膨張しやすい構造となり、これにより、導電性ポリマの持つ膨張性能を十分に引出すことができるため、チップ形ＰＴＣサーミスタの抵抗値上昇率の向上が可能になるという作用効果を有するものである。
【００１６】
（実施の形態１）
以下、本発明の実施の形態１におけるチップ形ＰＴＣサーミスタについて図面を参照しながら説明する。
【００１７】
図１（ａ）は本発明の実施の形態１におけるチップ形ＰＴＣサーミスタの斜視図、図１（ｂ）は構成部材の分解斜視図、図１（ｃ）は図１（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。
【００１８】
図１（ａ）（ｂ）（ｃ）において、１１は結晶性ポリマである高密度ポリエチレンと導電性粒子であるカーボンブラック等との混合物からなる直方体形状をしたＰＴＣ特性を有する導電性ポリマである。１２ａは前記導電性ポリマ１１の第１面に位置する第１の主電極であり、１２ｂは前記第１の主電極１２ａと同じ面に位置し、かつ前記第１の主電極１２ａと独立した第１の副電極である。ここで、第１の主電極１２ａと同じ面とは、第１の主電極１２ａの延長上に位置することを意味し、第１の主電極１２ａと独立したとは、第１の主電極１２ａと電気的に直接接続されていないことを意味するが、導電性ポリマ１１を介して通電することを排除する意味ではない。１２ｃは前記導電性ポリマ１１の第１面に対向する第２面に位置する第２の主電極であり、１２ｄは前記第２の主電極１２ｃと同じ面に位置し、かつ前記第２の主電極１２ｃと独立した第２の副電極であり、それぞれ銅あるいはニッケル等の金属箔からなる。１３ａは前記導電性ポリマ１１の一方の側面全面および前記第１の主電極１２ａの端縁部と前記第２の副電極１２ｄとに回り込むように設けられ、かつ前記第１の主電極１２ａと前記第２の副電極１２ｄとを電気的に接続するニッケルめっき層からなる第１の側面電極であり、１３ｂは前記第１の側面電極１３ａに対向する前記導電性ポリマ１１の他方の側面全面および前記第２の主電極１２ｃの端縁部と前記第１の副電極１２ｂとに回り込むように設けられ、かつ前記第２の主電極１２ｃと前記第１の副電極１２ｂとを電気的に接続するニッケルめっき層からなる第２の側面電極である。１４は第１の主電極１２ａおよび第２の主電極１２ｃに設けた切り欠き部である。１５ａ，１５ｂは前記導電性ポリマ１１の第１面と第２面の最外層に設けられたエポキシ混合アクリル系樹脂からなる第１、第２の保護コートである。
【００１９】
以上のように構成された本発明の実施の形態１におけるチップ形ＰＴＣサーミスタについて、次にその製造方法について図面を参照しながら説明する。
【００２０】
図２（ａ）〜（ｃ）および図３（ａ）〜（ｄ）は、本発明の実施の形態１におけるチップ形ＰＴＣサーミスタの製造方法を示す工程図である。
【００２１】
まず、結晶化度７０〜９０％の高密度ポリエチレン４２重量％と、ファーネス法で製造した平均粒径５８ｎｍ、比表面積３８ｍ2／ｇのカーボンブラック５７重量％と、酸化防止剤１重量％とを約１７０℃に加熱した２本熱ロールにより約２０分間混合し、そして前記混合物を２本熱ロールからシート状で取り出し、図２（ａ）に示す厚みが約０．１６ｍｍのシート状の導電性ポリマ２１を作製した。尚、図２の導電性ポリマ２１は、完成時には図１の導電性ポリマ１１を形成するものである。
【００２２】
次に、約８０μｍの電解銅箔に金型プレスによりパターン形成を行い、図２（ｂ）に示す電極２２を作製した。ここで電極２２は、完成時には第１の主電極１２ａ、第１の副電極１２ｂ、第２の主電極１２ｃ、第２の副電極１２ｄを形成するものである。
【００２３】
図２（ｂ）の２３は、図１において第１の主電極１２ａと第２の主電極１２ｃのいずれか一方、もしくは両方に、第１の側面電極１３ａおよび第２の側面電極１３ｂとの接続部に近接して設けた切り欠き部に相当するものである。図２（ｂ）の２４は後工程で個片状に分割したときに主電極と副電極を独立させるためのギャップを形成する溝であり、２５は個片状に分割するときに、電解銅箔を切断する部分を減らし、分割時の電解銅箔のダレやバリを少なくするための溝である。
【００２４】
次に、図２（ｃ）に示すように、シート状の導電性ポリマ２１の上下に電極２２を重ね、温度１７５℃、真空度約２０Ｔｏｒｒ、面圧力約７５ｋｇｆ／ｃｍ2で約１分間の真空熱プレスにより加熱加圧成形し、一体化した図３（ａ）に示す第１のシート２６を作製した。
【００２５】
その後、一体化した第１のシート２６を熱処理（１１０℃〜１２０℃で１時間）した後、電子線照射装置内で電子線を約４０Ｍｒａｄ照射し、高密度ポリエチレンの架橋を行った。
【００２６】
次に、図３（ｂ）に示すように、ダイシングにより、細長い一定間隔の貫通溝２７を所望のチップ形ＰＴＣサーミスタの長手方向の幅を残して形成した。
【００２７】
次に、図３（ｃ）に示すように、貫通溝２７を形成した第１のシート２６の上下面に貫通溝２７の周辺を除いて、エポキシ混合アクリル系のＵＶ硬化と熱硬化との併用硬化型樹脂をスクリーン印刷し、ＵＶ硬化炉で片面ずつ仮硬化し、その後、熱硬化炉で両面同時に本硬化を行って保護コート２８を形成した。
【００２８】
次に、図３（ｃ）に示すように第１のシート２６の保護コート２８が形成されていない部分と貫通溝２７の内壁に、スルファミン酸ニッケル浴中で約４０分間、電流密度約４Ａ／ｄｍ2の条件で、約２０μｍのニッケルめっき層からなる側面電極２９を形成した。
【００２９】
その後、図３（ｃ）に示す第１のシート２６をダイシングにより個片に分割し、図３（ｄ）に示す本発明のチップ形ＰＴＣサーミスタ３０を作製した。
【００３０】
次に、本発明の実施の形態１においてチップ形ＰＴＣサーミスタの十分な抵抗値上昇率を得るために、導電性ポリマ１１の両面に設けられた第１、第２の主電極１２ａ，１２ｃのいずれか一方、もしくは両方に、第１の側面電極１３ａと第２の側面電極１３ｂのいずれか一方もしくは両方との接続部に近接して切り欠き部１４を設ける必要性について説明する。
【００３１】
本発明のチップ形ＰＴＣサーミスタは、面実装部品として基板上に実装し、過電流が流れた場合に自己発熱によって、導電性ポリマ１１が膨張して比抵抗値が増大し、過電流を微小な値まで低下させるものである。従来のチップ形ＰＴＣサーミスタにおいては、図１９に示すように導電性ポリマ５の両面を電極６ａと電極６ｃで挟んだ構造となっているため、導電性ポリマ５は厚み方向に膨張しにくいものである。そこで、図１に示す第１、第２の主電極１２ａ，１２ｃのいずれか一方、もしくは両方に、第１の側面電極１３ａと第２の側面電極１３ｂのいずれか一方もしくは両方との接続部に近接して切り欠き部１４を設けると、この切り欠き部１４の存在により、金属箔の切り欠き部１４で挟まれた部分の変形が容易になり導電性ポリマ１１は厚み方向へ膨張しやすい構造となる。その結果、導電性ポリマ１１の持つ膨張性能を十分に引出すことができ、チップ形ＰＴＣサーミスタの抵抗値上昇率の向上が可能となる。それ故、印加電圧がより大きい場合においても消費電力を一定に保ち、破壊することなく過電流を抑制することができ、耐電圧の大きいチップ形ＰＴＣサーミスタを実現させることが可能となる。
【００３２】
本発明の実施の形態１に記載した製造方法で、第１の主電極１２ａおよび第２の主電極１２ｃに第１の側面電極１３ａおよび第２の側面電極１３ｂとの接続部に近接して切り欠き部１４を設けたサンプルと、切り欠き部１４を設けないサンプルをそれぞれ作製した。
【００３３】
第１の主電極１２ａおよび第２の主電極１２ｃに第１の側面電極１３ａおよび第２の側面電極１３ｂとの接続部に近接して切り欠き部１４を設けたことによる抵抗値上昇率の違いを確認するために、以下の試験を行った。
【００３４】
試験は前述した第１の主電極１２ａおよび第２の主電極１２ｃに第１の側面電極１３ａおよび第２の側面電極１３ｂとの接続部に近接して切り欠き部１４を設けたサンプルと、切り欠き部１４を設けないサンプルをそれぞれ５個ずつプリント基板に実装し、恒温槽の中に置いた。恒温槽の温度を２５℃から１５０℃まで２℃／分で上昇させ各温度でサンプルの抵抗値を測定した。図４に第１の主電極１２ａおよび第２の主電極１２ｃに第１の側面電極１３ａおよび第２の側面電極１３ｂとの接続部に近接して切り欠き部１４を設けたサンプルと、切り欠き部１４を設けないサンプルの抵抗／温度特性の一例を示す。第１の主電極１２ａおよび第２の主電極１２ｃに第１の側面電極１３ａおよび第２の側面電極１３ｂとの接続部に近接して切り欠き部１４を設けた場合には、切り欠き部１４を設けない場合と比較して、１２５℃到達時の抵抗値が大きくなっていることが確認できた。
【００３５】
なお、本発明の実施の形態１においては、第１の主電極１２ａおよび第２の主電極１２ｃに第１の側面電極１３ａおよび第２の側面電極１３ｂとの接続部に近接して切り欠き部１４を設けた場合について説明したが、図５（ａ）〜（ｃ）に示すように、第１の主電極１２ａおよび第２の主電極１２ｃに第１の側面電極１３ａおよび第２の側面電極１３ｂとの接続部に近接して孔１６を設けた場合においても、本発明の実施の形態１と同様の効果が得られるものである。
【００３６】
また、本発明の実施の形態１においては、第１の主電極１２ａおよび第２の主電極１２ｃの両方に、第１の側面電極１３ａまたは第２の側面電極１３ｂとの接続部に近接して切り欠き部１４あるいは孔１６を設けた場合について説明したが、第１の主電極１２ａと第２の主電極１２ｃのいずれか一方に、第１の側面電極１３ａまたは第２の側面電極１３ｂとの接続部に近接して切り欠き部１４を設け、かつ他方に少なくとも１個以上の孔１６を設けた場合においても、本発明の実施の形態１と同様の効果が得られるものである。
【００３７】
そしてまた、上記本発明の実施の形態１では、第１の主電極１２ａと電気的に接続する第１の電極として第１の側面電極１３ａを用いたが、導電性ポリマ１１の側面全面に設けられた電極に限られず、側面の一部に設けられた電極であっても良い。また、図６に示すように導電性ポリマ１１の内部に設けられた第１の内部貫通電極１７ａであってもよい。図６は、図１と同じ構成要素には同じ符号を付している。図６（ａ）は中央部での断面図であり、図６（ｂ）は平面図である。さらに第１の側面電極１３ａと第１の内部貫通電極１７ａの両方を有する構造であってもよい。同様に第２の電極においても第２の側面電極１３ｂの形状に限られず、図６に示す第２の内部貫通電極１７ｂであってもよいし、第２の側面電極１３ｂと第２の内部貫通電極１７ｂの両方を有する構造であっても良い。
【００３８】
また、第１の副電極１２ｂおよび第２の副電極１２ｄがない構成であっても、ＰＴＣサーミスタに過電流が流れても導電性ポリマ１１の厚み方向への膨張を妨げるものではなく本発明の目的を達成するが、これらを設けることで信頼性の向上を図ることができる。
【００３９】
そしてまた、上記本発明の実施の形態１では、変位抑制解除手段は、第１の主電極１２ａに切り欠き部１４または孔１６を設けたもので構成したが、第１の主電極１２ａの一部分の強度を他の部分より弱くする構成であればよい。第２の主電極１２ｃも同様である。
【００４０】
さらに、変位抑制解除手段の位置は、第１の主電極１２ａのいずれに設けても効果は奏するが、第２の主電極１２ｂの先端と対向する部分から第１の側面電極１３ａと接続している部分までの間に設けるとより大きな効果が得られる。第２の主電極１２ｃに設けた変位抑制解除手段についても同様である。
【００４１】
（実施の形態２）
以下、本発明の実施の形態２におけるチップ形ＰＴＣサーミスタについて図面を参照しながら説明する。
【００４２】
図７（ａ）は本発明の実施の形態２におけるチップ形ＰＴＣサーミスタの斜視図、図７（ｂ）は構成部材の分解斜視図、図７（ｃ）は図７（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。
【００４３】
図７（ａ）（ｂ）（ｃ）において、３１は結晶性ポリマである高密度ポリエチレンと導電性粒子であるカーボンブラック等との混合物からなる直方体形状をしたＰＴＣ特性を有する導電性ポリマである。３２ａは前記導電性ポリマ３１の第１面に位置する第１の主電極であり、３２ｂは前記第１の主電極３２ａと同じ面に位置し、かつ前記第１の主電極３２ａと独立した第１の副電極であり、３２ｃは前記導電性ポリマ３１の第１面に対向する第２面に位置する第２の主電極であり、３２ｄは前記第２の主電極３２ｃと同じ面に位置し、かつ前記第２の主電極３２ｃと独立した第２の副電極であり、それぞれ銅あるいはニッケル等の金属箔からなる。３３ａは前記導電性ポリマ３１の一方の側面全面および前記第１の主電極３２ａの端縁部と前記第２の主電極３２ｃの端縁部とに回り込むように設けられ、かつ前記第１の主電極３２ａと前記第２の主電極３２ｃとを電気的に接続するニッケルめっき層からなる第１の側面電極であり、３３ｂは前記第１の側面電極３３ａに対向する前記導電性ポリマ３１の他方の側面全面および前記第２の副電極３２ｄと前記第１の副電極３２ｂとに回り込むように設けられ、かつ前記第２の副電極３２ｄと前記第１の副電極３２ｂとを電気的に接続するニッケルめっき層からなる第２の側面電極である。３４ａは前記導電性ポリマ３１の内部に位置して前記第１、第２の主電極３２ａ，３２ｃに平行に設けられ、第２の側面電極３３ｂと電気的に接続された内層主電極、３４ｂは前記内層主電極３４ａと同じ面に位置し、かつこの内層主電極３４ａと独立し、第１の側面電極３３ａと電気的に接続された内層副電極であり、これらは銅あるいはニッケル等の金属箔からなるものである。３５は第１の主電極３２ａおよび第２の主電極３２ｃに設けた切り欠き部である。３６ａ，３６ｂは前記導電性ポリマ３１の第１面と第２面の最外層に設けられたエポキシ混合アクリル系樹脂からなる第１、第２の保護コートである。
【００４４】
以上のように構成された本発明の実施の形態２におけるチップ形ＰＴＣサーミスタについて、次にその製造方法について図面を参照しながら説明する。
【００４５】
図８（ａ）（ｂ）は、本発明の実施の形態２におけるチップ形ＰＴＣサーミスタの製造方法を示す工程図である。
【００４６】
本発明の実施の形態１と同様に、まず、シート状の導電性ポリマ４１および電極４２を作製する。次に図８（ａ）に示すようにシート状の導電性ポリマ４１および電極４２を交互に重ね、加熱加圧成形して図８（ｂ）に示す第１のシート４６を作製する。以下、本発明の実施の形態１と同様に製造し、本発明のチップ形ＰＴＣサーミスタを作製した。
【００４７】
次に、本発明の実施の形態２においてチップ形ＰＴＣサーミスタの十分な抵抗値上昇率を得るために、導電性ポリマ３１の両面に設けられた第１、第２の主電極３２ａ，３２ｃのいずれか一方、もしくは両方に、第１の側面電極３３ａとの接続部に近接して切り欠き部３５を設ける必要性について説明する。
【００４８】
本発明の実施の形態２に記載した製造方法で、第１の主電極３２ａおよび第２の主電極３２ｃに第１の側面電極３３ａとの接続部に近接して切り欠き部３５を設けたサンプルと、切り欠き部３５を設けないサンプルをそれぞれ作製した。
【００４９】
第１の主電極３２ａおよび第２の主電極３２ｃに第１の側面電極３３ａとの接続部に近接して切り欠き部３５を設けたことによる抵抗値上昇率の違いを確認するために、本発明の実施の形態１と同様、サンプルをそれぞれ５個ずつプリント基板に実装し、恒温槽中で２５℃から１５０℃まで２℃／分で上昇させ各温度でサンプルの抵抗値を測定した。その結果、第１の主電極３２ａおよび第２の主電極３２ｃに第１の側面電極３３ａとの接続部に近接して切り欠き部３５を設けた場合には、切り欠き部３５を設けない場合と比較して、１２５℃到達時の抵抗値が大きくなっていることが確認できた。
【００５０】
なお、本発明の実施の形態２においては、第１の主電極３２ａおよび第２の主電極３２ｃに第１の側面電極３３ａとの接続部に近接して切り欠き部３５を設けた場合について説明したが、図９（ａ）〜（ｃ）に示すように、さらに内層主電極３４ａに第２の側面電極３３ｂとの接続部に近接して切り欠き部３５ａを設けた場合においても、本発明の実施の形態２と同様の効果が得られるものである。
【００５１】
また、本発明の実施の形態２においては、第１の主電極３２ａおよび第２の主電極３２ｃに第１の側面電極３３ａとの接続部に近接して切り欠き部３５を設けた場合について説明したが、図１０（ａ）〜（ｃ）に示すように、第１の主電極３２ａと第２の主電極３２ｃに第１の側面電極３３ａとの接続部に近接して孔３７を設けるか、あるいは図１１（ａ）〜（ｃ）に示すように、第１の主電極３２ａ、第２の主電極３２ｃおよび内層主電極３４ａに、第１の側面電極３３ａおよび第２の側面電極３３ｂとの接続部に近接して孔３７，３７ａを設けた場合においても、本発明の実施の形態２と同様の効果が得られるものである。
【００５２】
そしてまた、本発明の実施の形態２においては、第１の主電極３２ａおよび第２の主電極３２ｃの両方に、第１の側面電極３３ａとの接続部に近接して切り欠き部３５あるいは孔３７を設けた場合について説明したが、第１の主電極３２ａと第２の主電極３２ｃのいずれか一方に、第１の側面電極３３ａとの接続部に近接して切り欠き部３５を設け、かつ他方に少なくとも１個以上の孔３７を設けた場合においても、本発明の実施の形態２と同様の効果が得られるものである。
【００５３】
さらに本発明の実施の形態２においては、導電性ポリマ３１の内部に位置して、１個の内層主電極３４ａと１個の内層副電極３４ｂを設けたものについて説明したが、３個、５個という具合に奇数の内層主電極と奇数の内層副電極を導電性ポリマの内部に位置して設けたものにも、本発明の実施の形態２で示した構造が適用できるものである。
【００５４】
そして３個以上の奇数の内層主電極と内層副電極を設けた場合、３個以上の奇数の内層主電極に形成される切り欠き部３５と孔３７は、どちらか一方にするか、あるいは両方を適宜組み合わせた場合においても、本発明の実施の形態２と同様の効果が得られるものである。
【００５５】
さらにまた、本発明の実施の形態２においては、内層副電極３４ｂを形成したものについて説明したが、内層副電極３４ｂを形成していないものにも適用でき、この場合も、本発明の実施の形態２と同様の効果が得られるものである。
【００５６】
なお、本発明の実施の形態２においても、上記した本発明の実施の形態１と同様に、第１の電極は第１の側面電極３３ａに限られず、導電性ポリマ３１の側面全面に設けられたものでなくても良く、側面の一部に設けられたものや、図６に示す内部貫通電極のようなものであっても良いし、側面電極と内部貫通電極の両方を有するものであっても良い。
【００５７】
また、変位抑制解除手段は、上記した切り欠き部３５または孔３７，３７ａ，３７ｂに限らず、第１の主電極３２ａの一部の強度を他の部分より弱くする構成であっても、上記した本発明の実施の形態１と同様の効果が得られるものである。
【００５８】
さらに、変位抑制解除手段の位置も、上記した本発明の実施の形態１と同様に、第１の主電極３２ａに設けた変位抑制解除手段を、これに隣接する第１の内層主電極３４ａの先端部から第１の主電極と第１の側面電極３３ａの間に設けるとより大きな効果が得られる。第２の側面電極３３ｂ、内層主電極３４ａについても同様である。
【００５９】
（実施の形態３）
以下、本発明の実施の形態３におけるチップ形ＰＴＣサーミスタについて図面を参照しながら説明する。
【００６０】
図１２（ａ）は本発明の実施の形態３におけるチップ形ＰＴＣサーミスタの斜視図、図１２（ｂ）は構成部材の分解斜視図、図１２（ｃ）は図１２（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。
【００６１】
図１２（ａ）（ｂ）（ｃ）において、５１は結晶性ポリマである高密度ポリエチレンと導電性粒子であるカーボンブラック等との混合物からなる直方体形状をしたＰＴＣ特性を有する導電性ポリマである。５２ａは前記導電性ポリマ５１の第１面に位置する第１の主電極であり、５２ｂは前記第１の主電極５２ａと同じ面に位置し、かつ前記第１の主電極５２ａと独立した第１の副電極であり、５２ｃは前記導電性ポリマ５１の第１面に対向する第２面に位置する第２の主電極であり、５２ｄは前記第２の主電極５２ｃと同じ面に位置し、かつ前記第２の主電極５２ｃと独立した第２の副電極であり、それぞれ銅あるいはニッケル等の金属箔からなる。５３ａは前記導電性ポリマ５１の一方の側面全面および前記第１の主電極５２ａの端縁部と前記第２の副電極５２ｄとに回り込むように設けられ、かつ前記第１の主電極５２ａと前記第２の副電極５２ｄとを電気的に接続するニッケルめっき層からなる第１の側面電極であり、５３ｂは前記第１の側面電極５３ａに対向する前記導電性ポリマ５１の他方の側面全面および前記第２の主電極５２ｃの端縁部と前記第１の副電極５２ｂとに回り込むように設けられ、かつ前記第２の主電極５２ｃと前記第１の副電極５２ｂとを電気的に接続するニッケルめっき層からなる第２の側面電極である。５４ａは前記導電性ポリマ５１の内部に位置して前記第１、第２の主電極５２ａ，５２ｃに平行に設けられ、第２の側面電極５３ｂと電気的に接続された第１の内層主電極、５４ｂは前記第１の内層主電極５４ｃと同じ面に位置し、かつこの第１の内層主電極５４ａと独立し、第１の側面電極５３ａと電気的に接続された第１の内層副電極であり、５４ｃは前記導電性ポリマ５１の内部に位置して前記第１、第２の主電極５２ａ，５２ｃに平行に設けられ、第１の側面電極５３ａと電気的に接続された第２の内層主電極、５４ｄは前記第２の内層主電極５４ｃと同じ面に位置し、かつこの第２の内層主電極５４ｃと独立し、第２の側面電極５３ｂと電気的に接続された第２の内層副電極であり、これらは銅あるいはニッケル等の金属箔からなるものである。５５は第１の主電極５２ａおよび第２の主電極５２ｃに設けた切り欠き部である。５６ａ，５６ｂは前記導電性ポリマ５１の第１面と第２面の最外層に設けられたエポキシ混合アクリル系樹脂からなる第１、第２の保護コートである。
【００６２】
以上のように構成された本発明の実施の形態３におけるチップ形ＰＴＣサーミスタについて、次にその製造方法について図面を参照しながら説明する。
【００６３】
図１３（ａ）（ｂ）は、本発明の実施の形態３におけるチップ形ＰＴＣサーミスタの製造方法を示す工程図である。
【００６４】
上記した本発明の実施の形態１と同様に、まず、シート状の導電性ポリマ６１および電極６２を作製する。次に本発明の実施の形態１と同様に、シート状の導電性ポリマ６１の上下に電極６２を重ね、真空熱プレスにより加熱加圧成形して一体化した図１３（ａ）に示す第１のシート６６を作製し、その後、この第１のシート６６の両側に、シート状の導電性ポリマ６１と電極６２を電極６２が最外層にくるように交互に積層し、加熱加圧成形して図１３（ｂ）に示す第２のシート６７を作製する。以下、本発明の実施の形態１と同様に製造し、本発明のチップ形ＰＴＣサーミスタを作製した。
【００６５】
次に、本発明の実施の形態３においてチップ形ＰＴＣサーミスタの十分な抵抗値上昇率を得るために、導電性ポリマ５１の両面に設けられた第１、第２の主電極５２ａ，５２ｃのいずれか一方、もしくは両方に、第１の側面電極５３ａと第２の側面電極５３ｂのいずれか一方もしくは両方との接続部に近接して切り欠き部５５を設ける必要性について以下の比較サンプルを用いて説明する。
【００６６】
本発明の実施の形態３に記載した製造方法で、第１の主電極５２ａおよび第２の主電極５２ｃに第１の側面電極５３ａおよび第２の側面電極５３ｂとの接続部に近接して切り欠き部５５を設けたサンプルと、切り欠き部５５を設けないサンプルをそれぞれ作製した。
【００６７】
第１の主電極５２ａおよび第２の主電極５２ｃに第１の側面電極５３ａおよび第２の側面電極５３ｂとの接続部に近接して切り欠き部５５を設けたことによる抵抗値上昇率の違いを確認するために、本発明の実施の形態１と同様、サンプルをそれぞれ５個ずつプリント基板に実装し、恒温槽中で２５℃から１５０℃まで２℃／分で上昇させ各温度でサンプルの抵抗値を測定した。その結果、第１の主電極５２ａおよび第２の主電極５２ｃに第１の側面電極５３ａおよび第２の側面電極５３ｂとの接続部に近接して切り欠き部５５を設けた場合には、切り欠き部５５を設けない場合と比較して、１２５℃到達時の抵抗値が大きくなっていることが確認できた。
【００６８】
なお、本発明の実施の形態３においては、第１の主電極５２ａおよび第２の主電極５２ｃに、第１の側面電極５３ａおよび第２の側面電極５３ｂとの接続部に近接して切り欠き部５５を設けた場合について説明したが、図１４（ａ）〜（ｃ）に示すように、さらに第１の内層主電極５４ａおよび第２の内層主電極５４ｃに、第２の側面電極５３ｂおよび第１の側面電極５３ａとの接続部に近接して切り欠き部５５ａ，５５ｂを設けた場合においても、本発明の実施の形態３と同様の効果が得られるものである。
【００６９】
また、本発明の実施の形態３においては、第１の主電極５２ａおよび第２の主電極５２ｃに、第１の側面電極５３ａおよび第２の側面電極５３ｂとの接続部に近接して切り欠き部５５を設けた場合について説明したが、図１５（ａ）〜（ｃ）に示すように、第１の主電極５２ａと第２の主電極５２ｃに、第１の側面電極５３ａおよび第２の側面電極５３ｂとの接続部に近接して孔５７を設けるか、あるいは図１６（ａ）〜（ｃ）に示すように、第１の主電極５２ａ、第２の主電極５２ｃ、第１の内層主電極５４ａおよび第２の内層主電極５４ｃに、第１の側面電極５３ａおよび第２の側面電極５３ｂとの接続部に近接して孔５７，５７ａを設けた場合においても、本発明の実施の形態３と同様の効果が得られるものである。
【００７０】
そしてまた、本発明の実施の形態３においては、第１の主電極５２ａおよび第２の主電極５２ｃの両方に、第１の側面電極５３ａまたは第２の側面電極５３ｂとの接続部に近接して切り欠き部５５あるいは孔５７を設けた場合について説明したが、第１の主電極５２ａと第２の主電極５２ｃのいずれか一方に、第１の側面電極５３ａまたは第２の側面電極５３ｂとの接続部に近接して切り欠き部５５を設け、かつ他方に少なくとも１個以上の孔５７を設けた場合においても、本発明の実施の形態３と同様の効果が得られるものである。
【００７１】
さらに本発明の実施の形態３においては、導電性ポリマ５１の内部に位置して、１個の内層主電極５４ａと第１の内層副電極５４ｂおよび第２の内層主電極５４ｃと第２の内層副電極５４ｄを設けたものについて説明したが、４個、６個という具合に偶数の内層主電極と偶数の内層副電極を導電性ポリマの内部に位置して設けたものにも、本発明の実施の形態３で示した構造が適用できるものである。
【００７２】
そして２個以上の偶数の内層主電極と内層副電極を設けた場合、２個以上の偶数の内層主電極に形成される切り欠き部５５と孔５７は、どちらか一方にするか、あるいは両方を適宜組み合わせた場合においても、本発明の実施の形態３と同様の効果が得られるものである。
【００７３】
さらにまた、本発明の実施の形態３においては、第１の内層副電極５４ｂおよび第２の内層副電極５４ｄを形成したものについて説明したが、第１の内層副電極５４ｂおよび第２の内層副電極５４ｄを形成していないものにも適用でき、この場合も、本発明の実施の形態３と同様の効果が得られるものである。
【００７４】
また、変位抑制解除手段の形状は、図１７のようなものであってもよい。５８ａ〜５８ｄはそれぞれ第１の主電極５２ａ、第２の主電極５２ｃ、第１の内層主電極５４ａ、第２の内層主電極５４ｃに設けられた変位抑制解除手段としての切り欠き部である。図１２に示した切り欠き部５５は紙面の前後方向の両側から設けられているのに対し、図１７の切り欠き部５８ａ〜５８ｄは片側から設けられている。言い換えると、図１２の第１の主電極５２ａは切り欠き部５５を設けることで中央部のみ残した形状となっているのに対し、図１７の第１の主電極５２ａは切り欠き部５８ａを設けることで片側の端のみ残した形状となる。従って、図１７の第１の主電極５２ａの方がより変形し易い形状であり、導電性ポリマ５１の膨張を抑制する力は小さいものとなる。よって、過電流が流れた時の抵抗値上昇をより大きくすることができる。なお、第１の主電極５２ａだけでなく、第２の主電極５２ｃ、第１の内層主電極５４ａ、第２の内層主電極５４ｃについても同様である。また、このような変位抑制解除手段の形状は、上記した本発明の実施の形態１，２におけるチップ形ＰＴＣサーミスタにおいても同様に用いることができる。
【００７５】
さらに、図１７の変位抑制解除手段は、第１の主電極５２ａに設けられた切り欠き部５８ａと、これと隣接する第１の内層主電極５４ａに設けられた切り欠き部５８ｃとが回転対称の位置にあるものであり、さらに、切り欠き部５８ｃと、これに隣接する第２の内層主電極５４ｃに設けられた切り欠き部５８ｄも回転対称の位置にあり、さらにまた、切り欠き部５８ｄと切り欠き部５８ｂも同様の関係になっているものである。ここで回転対称の基準となる回転軸は第１の主電極５２ａ、導電性ポリマ５１、第１の内層主電極５４ａ等を積層する方向である。言い換えると第１の主電極５２ａと平行な面上で回転対称となる関係に切り欠き部５８ａ，５８ｃは設けられているものである。
【００７６】
ここで、第１の主電極５２ａの中の切り欠き部５８ａより先端方向（第１の側面電極５３ａと離れる方向）にある部分で、導電性ポリマ５１の膨張による変位が最も少ないのは切り欠き部５８ａに近接する近傍部５９ａであり、最も大きいのが近傍部５９ａから最も離れた先端部５９ｂとなる。
【００７７】
同様に、第１の内層主電極５４ａ、第２の内層主電極５４ｃ、第２の主電極５２ｃの中で、最も変位が大きくなるのはそれぞれ近傍部５９ｃ，５９ｅ，５９ｇであり、小さいのは先端部５９ｄ，５９ｆ，５９ｈである。
【００７８】
このように、近傍部５９ａ，５９ｃ，５９ｅ，５９ｇと先端部５９ｂ，５９ｄ，５９ｆ，５９ｈを導電性ポリマ５１を介して交互に対向させる構成にしているので、チップ形ＰＴＣサーミスタ全体としての変位はある程度平均化される。これにより信頼性が向上する。
【００７９】
すなわち、例えば図１７において、切り欠き部５８ｃ，５８ｂを手前に形成した場合、言い換えると、第１の内層主電極５４ａ、第２の主電極５２ｃをＡ−Ａを対称線として反転させた場合、紙面手前側の導電性ポリマ５１は紙面奥側のそれよりも膨張し易くなる。これによりチップ形ＰＴＣサーミスタの紙面手前側の変位は大きくなるのに対し奥側の変位は小さいものとなり、全体として不均一な変形が生じる。
【００８０】
これにより、第１の側面電極５３ａを紙面手前側では上へ、紙面奥側では下へ回転させようとする力が働くので、第１の側面電極５３ａと第１の主電極５２ａの接続の信頼性が低下する。
【００８１】
しかしながら、本発明の実施の形態３のような構成にすれば、このような課題も解決することができる。
【００８２】
なお、上記した本発明の実施の形態１，２においても変位抑制解除手段の配置を回転対称にすることにより、同様の効果が得られる。
【００８３】
また、上記本発明の実施の形態３においては、第１の主電極５２ａ、第１の副電極５２ｂ、第２の主電極５２ｃ、第２の副電極５２ｄ、第１の内層主電極５４ａ、第１の内層副電極５４ｂ、第２の内層主電極５４ｃ、第２の内層副電極５４ｄを金属箔で形成した場合について説明したが、導電性材料をスパッタリング、溶射、めっきによって形成した場合、また、導電材料をスパッタリングまたは溶射した後に、めっきすることにより形成した場合、あるいは、導電性シートで構成した場合、金属粉、金属酸化物、導電性を有する窒化物若しくは炭化物、カーボンのいずれかを含む導電性シートで構成した場合、金属網と金属粉、金属酸化物、導電性を有する窒化物若しくは炭化物、カーボンのいずれかを含む導電性シートで形成した場合についても、同様の効果が得られる。なお、上記した本発明の実施の形態１，２においても同様である。
【００８４】
【発明の効果】
以上のように本発明のチップ形ＰＴＣサーミスタは、ＰＴＣ特性を有する導電性ポリマと、前記導電性ポリマに接して設けられた第１の主電極と、前記導電性ポリマを介して前記第１の主電極に対向して設けられた第２の主電極と、前記導電性ポリマの内部に位置し前記第１の主電極および前記第２の主電極の間に設けられた内層主電極とを有し、前記第１の主電極、前記第２の主電極、前記内層主電極は交互に前記第１の側面電極または前記第２の側面電極と電気的に接続し、前記第１の主電極、前記第２の主電極、前記内層主電極それぞれに変位抑制解除手段が設けられ、一の変位抑制解除手段が配置された位置は、前記一の変位抑制解除手段に隣接する他の一の変位抑制解除手段が配置された位置に対し、前記第１の主電極と平行な面上で回転対称にあることを特徴とするものである。
【００８５】
上記構成によれば、第１の主電極、第２の主電極、内層主電極それぞれに変位抑制解除手段を設けているため、チップ形ＰＴＣサーミスタ素子に過電流が流れた際には、導電性ポリマが厚み方向へ膨張し易くなり、これにより、導電性ポリマの比抵抗値が増大して抵抗値上昇率を大きくすることができるため、チップ形ＰＴＣサーミスタ自身の抵抗値上昇性能も向上し、これにより、耐電圧を上げることができ、さらに、変位抑制解除手段を回転対称な位置に配置しているため、導電性ポリマの膨張によるＰＴＣサーミスタの変形を平均化することができ、これにより、信頼性の向上を図ることができるという効果を有するものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】  （ａ）本発明の実施の形態１におけるチップ形ＰＴＣサーミスタの斜視図
（ｂ）同チップ形ＰＴＣサーミスタの構成部材の分解斜視図
（ｃ）（ａ）におけるＡ−Ａ線断面図
【図２】  （ａ）〜（ｃ）本発明の実施の形態１におけるチップ形ＰＴＣサーミスタの製造方法を示す工程図
【図３】  （ａ）〜（ｄ）同チップ形ＰＴＣサーミスタの製造方法を示す工程図
【図４】  第１および第２の主電極に切り欠き部を設けた場合と設けない場合の抵抗と温度の関係の測定結果を示す特性図
【図５】  （ａ）本発明の実施の形態１におけるチップ形ＰＴＣサーミスタの変形例を示す斜視図
（ｂ）同変形例におけるチップ形ＰＴＣサーミスタの構成部材の分解斜視図
（ｃ）（ａ）におけるＡ−Ａ線断面図
【図６】  （ａ）本発明の実施の形態１におけるチップ形ＰＴＣサーミスタの変形例を示す断面図
（ｂ）同変形例の平面図
【図７】  （ａ）本発明の実施の形態２におけるチップ形ＰＴＣサーミスタの斜視図
（ｂ）本発明の実施の形態２におけるチップ形ＰＴＣサーミスタの構成部材の分解斜視図
（ｃ）（ａ）におけるＡ−Ａ線断面図
【図８】  （ａ）（ｂ）本発明の実施の形態２におけるチップ形ＰＴＣサーミスタの製造方法を示す工程図
【図９】  （ａ）本発明の実施の形態２におけるチップ形ＰＴＣサーミスタの変形例を示す斜視図
（ｂ）同変形例におけるチップ形ＰＴＣサーミスタの構成部材の分解斜視図
（ｃ）（ａ）におけるＡ−Ａ線断面図
【図１０】  （ａ）本発明の実施の形態２におけるチップ形ＰＴＣサーミスタの変形例を示す斜視図
（ｂ）同変形例におけるチップ形ＰＴＣサーミスタの構成部材の分解斜視図
（ｃ）（ａ）におけるＡ−Ａ線断面図
【図１１】  （ａ）本発明の実施の形態２におけるチップ形ＰＴＣサーミスタの変形例を示す斜視図
（ｂ）同変形例におけるチップ形ＰＴＣサーミスタの構成部材の分解斜視図
（ｃ）（ａ）におけるＡ−Ａ線断面図
【図１２】  （ａ）本発明の実施の形態３におけるチップ形ＰＴＣサーミスタの斜視図
（ｂ）同チップ形ＰＴＣサーミスタの構成部材の分解斜視図
（ｃ）（ａ）におけるＡ−Ａ線断面図
【図１３】  （ａ）（ｂ）本発明の実施の形態３におけるチップ形ＰＴＣサーミスタの製造方法を示す工程図
【図１４】  （ａ）本発明の実施の形態３におけるチップ形ＰＴＣサーミスタの変形例を示す斜視図
（ｂ）同変形例におけるチップ形ＰＴＣサーミスタの構成部材の分解斜視図
（ｃ）（ａ）におけるＡ−Ａ線断面図
【図１５】  （ａ）本発明の実施の形態３におけるチップ形ＰＴＣサーミスタの変形例を示す斜視図
（ｂ）同変形例におけるチップ形ＰＴＣサーミスタの構成部材の分解斜視図
（ｃ）（ａ）におけるＡ−Ａ線断面図
【図１６】  （ａ）本発明の実施の形態３におけるチップ形ＰＴＣサーミスタの変形例を示す斜視図
（ｂ）同変形例におけるチップ形ＰＴＣサーミスタの構成部材の分解斜視図
（ｃ）（ａ）におけるＡ−Ａ線断面図
【図１７】  （ａ）本発明の実施の形態３におけるチップ形ＰＴＣサーミスタの変形例を示す斜視図
（ｂ）同変形例におけるチップ形ＰＴＣサーミスタの構成部材の分解斜視図
（ｃ）（ａ）におけるＡ−Ａ線断面図
【図１８】  （ａ）従来のチップ形ＰＴＣサーミスタの断面図
（ｂ）同チップ形ＰＴＣサーミスタの上面図
【図１９】  （ａ）従来のチップ形ＰＴＣサーミスタの斜視図
（ｂ）（ａ）におけるＡ−Ａ線断面図
（ｃ）従来のチップ形ＰＴＣサーミスタの構成部材の分解斜視図
【符号の説明】
１１，３１，５１  導電性ポリマ
１２ａ，３２ａ，５２ａ  第１の主電極
１２ｂ，３２ｂ，５２ｂ  第１の副電極
１２ｃ，３２ｃ，５２ｃ  第２の主電極
１２ｄ，３２ｄ，５２ｄ  第２の副電極
１３ａ，３３ａ，５３ａ  第１の側面電極
１３ｂ，３３ｂ，５３ｂ  第２の側面電極
１４，３５，３５ａ，５５，５５ａ，５５ｂ  切り欠き部
１６，３７，３７ａ，５７，５７ａ  孔
１７ａ  第１の内部貫通電極
１７ｂ  第２の内部貫通電極
３４ａ，５４ａ  第１の内層主電極
３４ｂ，５４ｂ  第１の内層副電極
５４ｃ  第２の内層主電極
５４ｄ  第２の内層副電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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