(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
原材料を仮焼成して得た仮焼成粉を所望の形状に形成して焼成したＦｅ2Ｏ3、ＮｉＯ、ＣｕＯおよびＺｎＯを主成分とする磁性フェライト材料であって、
Ｆｅ2Ｏ3、ＮｉＯ、ＣｕＯおよびＺｎＯの組成は、Ｆｅ2Ｏ3：４９〜５０モル％、ＮｉＯ：７〜１２モル％、ＣｕＯ：７．５〜１２．５モル％、ＺｎＯ：２８．５〜３３モル％の範囲内にあり、かつ、Ｓ成分の含有量とＣｌ成分の含有量の比（Ｓ／Ｃｌ）が０．１５〜５．０の範囲内にあり、Ｓ成分の含有量は１０〜１００ｐｐｍの範囲内、Ｃｌ成分の含有量は１０〜１００ｐｐｍの範囲内にあることを特徴とする磁性フェライト材料。
【請求項２】
前記仮焼成粉におけるＦｅ2Ｏ3、ＮｉＯ、ＣｕＯおよびＺｎＯの組成は、Ｆｅ2Ｏ3：４９〜５０モル％、ＮｉＯ：７〜１２モル％、ＣｕＯ：７．５〜１２．５モル％、ＺｎＯ：２８．５〜３３モル％の範囲内にあり、かつ、Ｓ成分の含有量とＣｌ成分の含有量の比（Ｓ／Ｃｌ）が０．０３〜１．５の範囲内にあり、Ｓ成分の含有量は１０〜３００ｐｐｍの範囲内、Ｃｌ成分の含有量は５０〜６００ｐｐｍの範囲内にあることを特徴とする請求項１に記載の磁性フェライト材料。
【請求項３】
磁性フェライト層と内部電極とを多層積層して構成される積層型チップフェライト部品において、
前記磁性フェライト層は請求項１または請求項２に記載の磁性フェライト材料で構成されていることを特徴とする積層型チップフェライト部品。
【請求項４】
フェライト磁性層と内部電極とを積層して構成されるチップフェライト部を有する複合積層型部品において、
前記フェライト磁性層は請求項１または請求項２に記載の磁性フェライト材料で構成されていることを特徴とする複合積層型部品。
【請求項５】
請求項１または請求項２に記載の磁性フェライト材料で構成されていることを特徴とする磁心。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁性フェライト材料と、この磁性フェライト材料を磁性材料として用いる積層型チップフェライト部品や複合積層型部品等の積層型フェライト部品および磁心に関する。
【０００２】
【従来の技術】
積層型チップインダクタや積層型チップビーズ等の積層型チップフェライト部品、ＬＣ複合フィルタ等の複合積層型部品は、体積が小さいこと、堅牢性および信頼性が高いことなどから、各種電子機器に多用されている。このような積層型フェライト部品は、通常、磁性フェライトからなる磁性層用のシートやペースト、および、内部電極用のペーストを厚膜積層技術によって積層一体化した後、焼成し、得られた燒結体表面に外部電極用ペーストを印刷ないし転写した後に焼成して製造される。この場合、磁性層に用いられる磁性フェライト材料は、内部電極用材料の融点以下での低温焼成が可能であるという点から、ＮｉＣｕＺｎフェライトやＮｉＺｎフェライトが一般に用いられている。
【０００３】
一方、近年のデジタル回路および機器、さらに情報通信分野および高周波分野の急速な展開の中、上記の積層型フェライト部品にも従来以上の電気特性、例えば、積層チップインダクタの場合は、より高いインダクタンスＬが求められ、積層チップビーズの場合は、より高い吸収特性等が求められている。また、各種フェライトコアの場合、その磁心であるフェライトに高透磁率が求められている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、積層型フェライト部品に用いられるＮｉＣｕＺｎフェライトは、Ａｇ内部電極と同時焼成されるので、その組成や焼成温度（Ａｇの融点（９６０℃）以下）、および、添加物の種類や含有量等に制限があり、所望の電磁気特性を得る手段の自由度が低く、透磁率も最高で１０００程度であり、上述の高特性に対する要請を十分に満足できるものではなかった。
【０００５】
このような問題を解消するために、本発明者らはＮｉＣｕＺｎフェライト材料やＮｉＺｎフェライト材料中のＳ成分量とＣｌ成分量とを規定することによりインダクタンスＬや品質係数Ｑを向上させた複合積層型部品を開示（特開平５−２５８９３７号）しているが、さらに、特開平５−２５８９３７号とは異なる組成範囲において、高い透磁率を有するＮｉＣｕＺｎフェライト材料が要望されている。
【０００６】
本発明は、上記のような事情に鑑みてなされたものであり、ＮｉＣｕＺｎフェライト材料中のＳ成分とＣｌ成分との割合が透磁率に大きな影響を与えることを見出し、より高い透磁率をもつ磁性フェライト材料と磁心、より高いインダクタンスＬや高い吸収特性をもつ積層型チップフェライト部品や複合積層型部品を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
このような目的を達成するために、本発明の磁性フェライト材料は、原材料を仮焼成して得た仮焼成粉を所望の形状に形成して焼成したＦｅ2Ｏ3、ＮｉＯ、ＣｕＯおよびＺｎＯを主成分とする磁性フェライト材料であって、Ｆｅ2Ｏ3、ＮｉＯ、ＣｕＯおよびＺｎＯの組成は、Ｆｅ2Ｏ3：４９〜５０モル％、ＮｉＯ：７〜１２モル％、ＣｕＯ：７．５〜１２．５モル％、ＺｎＯ：２８．５〜３３モル％の範囲内にあり、かつ、Ｓ成分の含有量とＣｌ成分の含有量の比（Ｓ／Ｃｌ）が０．１５〜５．０の範囲内にあり、Ｓ成分の含有量は１０〜１００ｐｐｍの範囲内、Ｃｌ成分の含有量は１０〜１００ｐｐｍの範囲内にあるような構成とした。
【０００９】
また、本発明の磁性フェライト材料は、前記仮焼成粉におけるＦｅ2Ｏ3、ＮｉＯ、ＣｕＯおよびＺｎＯの組成が、Ｆｅ2Ｏ3：４９〜５０モル％、ＮｉＯ：７〜１２モル％、ＣｕＯ：７．５〜１２．５モル％、ＺｎＯ：２８．５〜３３モル％の範囲内にあり、かつ、Ｓ成分の含有量とＣｌ成分の含有量の比（Ｓ／Ｃｌ）が０．０３〜１．５の範囲内にあり、Ｓ成分の含有量は１０〜３００ｐｐｍの範囲内、Ｃｌ成分の含有量は５０〜６００ｐｐｍの範囲内にあるような構成とした。
【００１１】
本発明の積層型チップフェライト部品は、磁性フェライト層と内部電極とを多層積層して構成される積層型チップフェライト部品であって、前記磁性フェライト層は上記のいずれかの磁性フェライト材料で構成されているものとした。
【００１２】
本発明の複合積層部品は、フェライト磁性層と内部電極とを積層して構成されるチップフェライト部を有する複合積層型部品であって、前記フェライト磁性層は上記のいずれかの磁性フェライト材料で構成されているものとした。
【００１３】
本発明の磁心は、上記のいずれかの磁性フェライト材料で構成されているものとした。
【００１４】
このような本発明では、フェライト組成およびＳ成分の含有量とＣｌ成分の含有量の比を規定することによって、焼成時の結晶粒成長が促進されて、高い透磁率を有する磁性フェライト材料や磁心が可能となり、この磁性フェライト材料を用いた積層型チップフェライト部品や複合積層型部品は、インダクタンスＬや吸収特性等の特性向上が可能となる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の実施の形態について説明する。
磁性フェライト材料
本発明の磁性フェライト材料は、原材料を仮焼成して得た仮焼成粉を所望の形状に形成して焼成したＦｅ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、ＣｕＯおよびＺｎＯを主成分とする磁性フェライト材料であり、Ｆｅ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、ＣｕＯおよびＺｎＯの組成が下記の範囲内で、かつ、Ｓ成分の含有量とＣｌ成分の含有量の比（Ｓ／Ｃｌ）が０．１５〜５．０、好ましくは０．２０〜４．３の範囲内のものである。
のものである。
【００１６】
・Ｆｅ2 Ｏ3 ：４９〜５０モル％、好ましくは４９．５〜４９．８モル％
・ＮｉＯ  ：７〜１２モル％、好ましくは７．５〜１０．０モル％
・ＣｕＯ  ：７．５〜１２．５モル％、好ましくは８．５〜１０．５モル％
・ＺｎＯ  ：２８．５〜３３モル％、好ましくは３０．７〜３２．７モル％
上述のＳ成分の含有量とＣｌ成分の含有量の比（Ｓ／Ｃｌ）は、焼成時における結晶粒成長を促進させ、微細構造を制御して透磁率を向上させるために重要であり、上記の０．１５〜５．０の範囲内となるように設定する必要がある。
【００１７】
磁性フェライト材料の磁気特性は組成依存性が非常に強く、Ｆｅ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、ＣｕＯおよびＺｎＯの組成が上記の範囲を外れた領域では、透磁率や品質係数Ｑが低く不十分なものとなる。具体的には、例えば、Ｆｅ2 Ｏ3 量が少な過ぎると透磁率が小さく、化学量論組成に近づくにしたがい透磁率は上昇し、化学量論組成付近から急激に低下する。また、ＮｉＯ量の減少、あるいは、ＺｎＯ量の増加に伴って透磁率は高くなる。しかし、ＺｎＯ量が多過ぎるとキュリー温度が１００℃以下となり、電子部品に要求される温度特性を満足できなくなる。また、ＣｕＯ量が少な過ぎると低温焼成（９３０℃以下）が困難となり、逆に多過ぎるとフェライトの固有抵抗が低下して品質係数Ｑが劣化する。このため、高い透磁率を得るには、組成を上記の範囲内で管理することが必要である。
【００１８】
また、本発明の磁性フェライト材料は、上述のように比（Ｓ／Ｃｌ）が０．１５〜５．０の範囲内であるとともに、Ｓ成分の含有量が１０〜１００ｐｐｍの範囲内、Ｃｌ成分の含有量が１０〜１００ｐｐｍの範囲内であることが好ましい。Ｓ成分の含有量とＣｌ成分の含有量が上記の範囲を外れる場合、焼成時における結晶粒成長は十分に促進されず、磁性フェライト材料の透磁率は不十分なものとなる。
【００１９】
本発明の磁性フェライト材料は、仮焼成粉におけるＳ成分の含有量とＣｌ成分の含有量の比（Ｓ／Ｃｌ）が０．０３〜１．５、好ましくは０．０５〜１．０の範囲内であることが好ましい。粉末冶金協会の学会誌（粉末および粉末冶金１９９８、４５巻、７号、Ｐ６３０−６３５）にもあるように、Ｃｌ成分はＮｉＣｕＺｎフェライトの反応に低温から関与しており、反応促進的な役割を果たしている。しかし、Ｃｌ成分量が多い原料を選択すると、Ｍｎ，Ｃｒ，Ｃｏ，Ａｌ，Ｓｉ等の不純物が多くなり、フェライトの燒結を阻害したり、また、そのフェライト材料を用いてＡｇ内部電極と同時焼成した場合、フェライト材料中へのＡｇの拡散を促進したりする悪影響がある。
【００２０】
本発明の磁性フェライト材料は、仮焼成粉におけるＳ成分の含有量とＣｌ成分の含有量の比（Ｓ／Ｃｌ）を０．０３〜１．５の範囲内で設定するとともに、Ｓ成分の含有量を１０〜３００ｐｐｍの範囲内、Ｃｌ成分の含有量を５０〜６００ｐｐｍの範囲内とすることが好ましい。Ｓ成分の含有量とＣｌ成分の含有量が上記の範囲を外れる場合、焼成時における結晶粒成長は十分に促進されず、磁性フェライト材料の透磁率は不十分なものとなる。
【００２１】
尚、本発明の磁性フェライト材料や仮焼成粉中のＳ成分は、試料を粉砕した後に焼成酸化させ、変換されたＳＯ2 を赤外線検出器で分析することができる。また、Ｃｌ成分は、粉砕後の試料を水中で超音波分散させ、遠心分離後、濾過し、イオンクロマトグラフにて測定することができる。さらに、Ｆｅ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、ＣｕＯおよびＺｎＯ組成の分析は、ガラスビート法による蛍光Ｘ線分析で測定することができる。
積層チップフェライト部品
本発明の積層型チップフェライト部品は、磁性フェライト層と内部電極とを多層積層して構成され、磁性フェライト層を本発明の磁性フェライト材料で構成したものである。
【００２２】
図１は、本発明の積層型チップフェライト部品の一実施形態である積層型チップインダクタの一例を示す概略断面図であり、図２は平面部分断面図である。図１および図２において、積層型チップインダクタ１は、磁性フェライト層２と内部電極３とが交互に積層一体化された多層構造のチップ体４を有し、このチップ体４の端部には、内部電極３と電気的に導通する外部電極５，５が設けられている。
【００２３】
積層型チップインダクタ１を構成する磁性フェライト層２は、上述の本発明の磁性フェライト材料で構成されたものである。すなわち、本発明の磁性フェライト材料を得るための仮焼成粉をエチルセルロース等のバインダとテルピネオール、ブチルカルビトール等の溶剤とともに混練して得た磁性フェライト層用ペーストを、内部電極用ペーストと交互に印刷積層した後、焼成して形成することができる。
【００２４】
この磁性フェライト層用ペースト中のバインダおよび溶剤の含有量には制限はなく、例えば、バインダの含有量は１〜５重量％、溶剤の含有量は１０〜５０重量％程度の範囲で設定することができる。また、ペースト中には、必要に応じて各種ガラスや酸化物、分散剤、可塑剤、誘電体、絶縁体等を１０重量％以下の範囲で含有させることができる。
【００２５】
また、磁性フェライト層２は、磁性フェライト層用シートを用いて形成することもできる。すなわち、本発明の磁性フェライト材料を得るための仮焼成粉を、ポリビニルブチラールを主成分としたバインダとトルエン、キシレン等の溶媒とともにボールミル中で混練して得たスラリーを、ポリエステルフィルム等の上にドクターブレード法等で塗布し乾燥して磁性フェライト層用シートを得る。この磁性フェライト層用シートを、内部電極用ペーストと交互に積層した後、焼成する。尚、磁性フェライト層用シート中のバインダの含有量には制限はなく、例えば、１〜５重量％程度の範囲で設定することができる。また、磁性フェライト層用シート中には、必要に応じて各種ガラスや酸化物、分散剤、可塑剤、誘電体、絶縁体等を１０重量％以下の範囲で含有させることができる。
【００２６】
積層型チップインダクタ１を構成する内部電極３は、インダクタとして実用的な品質係数Ｑを得るために抵抗率の小さいＡｇを主体とした導電材を用いて形成する。内部電極３は、各層が長円形状であり、隣接する内部電極３の各層は、図２に示されるように、スパイラル状に導通が確保されているので、内部電極３は閉磁路コイル（巻線パターン）を構成し、その両端に外部電極５，５が接続されている。
【００２７】
積層型チップインダクタ１のチップ体４の外形や寸法には特に制限はなく、用途に応じて適宜設定することができ、通常、外形はほぼ直方体形状とし、寸法は１．０〜４．５ｍｍ×０．５〜３．２ｍｍ×０．６〜１．９ｍｍ程度とすることができる。また、磁性フェライト層２の電極間厚みおよびベース厚みには特に制限はなく、電極間厚み（内部電極３，３の間隔）は１０〜１００μｍ、ベース厚みは２５０〜５００μｍ程度で設定することができる。さらに、内部電極３の厚みは、通常、５〜３０μｍの範囲で設定でき、巻線パターンのピッチは１０〜１００μｍ程度、巻数は１．５〜２０．５ターン程度とすることができる。
【００２８】
磁性フェライト層用ペーストあるいはシートと内部電極用ペーストとを交互に印刷積層した後の焼成時の温度は、８００〜９３０℃、好ましくは８５０〜９００℃とする。焼成温度が８００℃未満であると焼成不足となり、一方、９３０℃を超えるとフェライト材料中に内部電極材料が拡散して、電磁気特性を著しく低下させることがある。また、焼成時間は０．０５〜５時間、好ましくは０．１〜３時間の範囲で設定することができる。
【００２９】
尚、磁性フェライト層２中のＳ成分は、磁性フェライト層を分離し、これを粉砕した後に焼成酸化させ、変換されたＳＯ2 を赤外線検出器で分析することができる。また、Ｃｌ成分は、粉砕後の試料を水中で超音波分散させ、遠心分離後、濾過し、イオンクロマトグラフにて測定することができる。さらに、磁性フェライト層のＦｅ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、ＣｕＯおよびＺｎＯ組成の分析は、ガラスビート法による蛍光Ｘ線分析で測定することができる。
複合積層型部品
本発明の複合積層型部品は、本発明の磁性フェライト材料で構成されたフェライト磁性層と内部電極とを積層したチップフェライト部を有するものである。
【００３０】
図３は、本発明の複合積層型部品の一実施形態であるＬＣ複合部品の一例を示す概略断面図である。図３において、ＬＣ複合部品１１は、チップコンデンサ部１２とチップフェライト部１３とを一体化したものであり、この端部には外部電極１５，１５が設けられている。
【００３１】
チップコンデンサ部１２は、セラミック誘電体層２１と内部電極２２とが交互に積層一体化された多層構造を有する。
【００３２】
セラミック誘電体層２１としては特に制限はなく、種々の誘電体材料を用いることができ、焼成温度が低い酸化チタン系誘電体が好ましい。また、チタン酸系複合酸化物、ジルコン酸系複合酸化物、あるいは、これらの混合物を使用することもできる。さらに、焼成温度を下げるために、ホウケイ酸ガラス等の各種ガラスが含有されてもよい。
【００３３】
また、内部電極２２は、抵抗率の小さいＡｇを主体とした導電材を用いて形成されており、内部電極２２の各層は、交互に別の外部電極に接続されている。
【００３４】
チップフェライト部１３は、積層型チップインダクタであり、フェライト磁性層３２と内部電極３３とが交互に積層一体化された多層構造のチップ体である。フェライト磁性層３２は、本発明の磁性フェライト材料で構成されたものである。すなわち、本発明の磁性フェライト材料を得るための仮焼成粉を、エチルセルロース等のバインダとテルピネオール、ブチルカルビトール等の溶剤とともに混練して得たフェライト磁性層用ペーストを、内部電極用ペーストと交互に印刷積層した後、焼成して形成することができる。あるいは、本発明の磁性フェライト材料を得るための仮焼成粉を、ポリビニルブチラールを主成分としたバインダとトルエン、キシレン等の溶媒とともにボールミル中で混練してスラリーを作成し、このスラリーをポリエステルフィルム等の上にドクターブレード法等で塗布し乾燥して得たフェライト磁性層用シートを、内部電極用ペーストと交互に積層した後、焼成して形成することができる。
【００３５】
また、内部電極３３はスパイラル状に導通が確保されて閉磁路コイル（巻線パターン）を構成し、その両端は外部電極１５，１５に接続されている。この内部電極３３は、抵抗率の小さいＡｇを主体とした導電材を用いて形成される。
【００３６】
チップフェライト部１３のフェライト磁性層３２の電極間厚みおよびベース厚みには特に制限はなく、電極間厚み（内部電極３３，３３の間隔）は１０〜１００μｍ、ベース厚みは１００〜５００μｍ程度で設定することができる。さらに、内部電極３３の厚みは、通常、５〜３０μｍの範囲で設定でき、巻線パターンのピッチは１０〜４００μｍ程度、巻数は１．５〜５０．５ターン程度とすることができる。
【００３７】
本発明のＬＣ複合部品１１の外形や寸法には特に制限はなく、用途に応じて適宜設定することができ、通常、外形はほぼ直方体形状とし、寸法は１．６〜１０．０ｍｍ×０．８〜１５．０ｍｍ×１．０〜５．０ｍｍ程度とすることができる。
【００３８】
尚、フェライト磁性層３２中のＳ成分は、フェライト磁性層を分離し、これを粉砕した後に焼成酸化させ、変換されたＳＯ2 を赤外線検出器で分析することができる。また、Ｃｌ成分は、粉砕後の試料を水中で超音波分散させ、遠心分離後、濾過し、イオンクロマトグラフにて測定することができる。さらに、フェライト磁性層のＦｅ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、ＣｕＯおよびＺｎＯ組成の分析は、ガラスビート法による蛍光Ｘ線分析で測定することができる。
磁心
本発明の磁心は、本発明の磁性フェライト材料で構成したものである。本発明の磁心を製造するためには、まず、上記の本発明の磁性フェライト材料用の原料を、磁性フェライト材料の最終組成が上記の量比となるように混合する。次に、これをスプレードライヤー等にて８０〜２００μｍ程度の径の顆粒とする。そして、これに適当なバインダ、例えば、ポリビニルアルコールを少量（例えば、０．１〜１重量％）加えて成型する。
【００３９】
次いで、この成型品を、通常、大気圧下で脱バインダのための初期焼成として４００〜５００℃の範囲内の所定温度まで、例えば６０℃／時程度の昇温速度で徐熱する。次に、８５０〜１１００℃の範囲内の所望の焼成温度まで５０〜３００℃／時の昇温速度で徐熱し、その温度で一定時間、好ましくは１時間以上保持する。
【００４０】
その後の冷却工程は、冷却速度１００〜５００℃／時で常温まで冷却する。以上の焼成方法により、高密度、かつ、高透磁率という極めて高性能な磁心が得られる。
【００４１】
尚、本発明の磁心中のＳ成分は、試料を粉砕した後に焼成酸化させ、変換されたＳＯ2 を赤外線検出器で分析することができる。また、Ｃｌ成分は、粉砕後の試料を水中で超音波分散させ、遠心分離後、濾過し、イオンクロマトグラフにて測定することができる。さらに、磁心のＦｅ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、ＣｕＯおよびＺｎＯ組成の分析は、ガラスビート法による蛍光Ｘ線分析で測定することができる。
【００４２】
【実施例】
次に、具体的な実施例を挙げて本発明を更に詳細に説明する。
［仮焼成粉の調製］
Ｆｅ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、ＣｕＯおよびＺｎＯの各成分を下記の製造条件で配合、仮焼成、粉砕して２１種の仮焼成粉（実施例１〜９、比較例１〜１２）を調製した。
【００４３】
製造条件
・配合及び粉砕用ポット  ：  ４インチ、ステンレスボールミルポット
・配合及び粉砕用メディア：  １／８インチスチールボール８００ｇ
・配合時間              ：  １０時間
・粉砕時間              ：  ６０時間
・仮焼成条件            ：  ７００℃、４時間
得られた２１種の仮焼成粉（実施例１〜９、比較例１〜１２）について、試料を粉砕した後に焼成酸化させ、変換されたＳＯ2 を赤外線検出器で分析してＳ成分量を測定し、また、粉砕後の試料を水中で超音波分散させ、遠心分離後、濾過し、イオンクロマトグラフにてＣｌ成分量を測定し、比（Ｓ／Ｃｌ）を算出して下記の表１に示した。
［磁性フェライト材料の作製］
次に、各仮焼成粉（実施例１〜９、比較例１〜１２）にポリビニルアルコール６％水溶液を１０重量％添加し、トロイダル（外径１１．１ｃｍ、内径５．１ｃｍ、厚み２．４ｃｍ）に成形し、９００℃で２時間の焼成を行って磁性フェライト材料（実施例１〜９、比較例１〜１２）を得た。得られた２１種の磁性フェライト材料について、上記の仮焼成粉と同様にしてＳ成分量およびＣｌ成分量を測定し、比（Ｓ／Ｃｌ）を算出して下記の表１に示した。また、２１種の磁性フェライト材料（実施例１〜９、比較例１〜１２）について、ガラスビート法による蛍光Ｘ線分析でＦｅ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、ＣｕＯおよびＺｎＯの組成を分析して結果を下記の表１に示した。
【００４４】
さらに、得られた磁性フェライト材料（実施例１〜９、比較例１〜１２）の燒結密度、透磁率μを下記の方法で測定して、結果を下記の表１に示した。
【００４５】
透磁率μの測定方法
トロイダル形状の磁性フェライト材料に銅製ワイヤー（線径０．３５ｍｍ）を２０ターン巻き、測定周波数１００ＫＨｚ、測定電流０．５ｍＡでＬＣＲメーター（ヒューレットパッカー（株）製）を用いてインダクタンスを測定し、下記の式を用いて透磁率μを算出する。
【００４６】
透磁率μ＝（ｌe ×Ｌ）／（μ0 ×Ａe ×Ｎ2 ）
ｌe ：磁路長          Ｌ：試料のインダクタンス
μ0 ：真空の透磁率＝４π×１０-7（Ｈ／ｍ）
Ａe ：試料の断面積    Ｎ：コイルの巻数
［積層型チップフェライト部品の作製］
また、各仮焼成粉（実施例１〜９、比較例１〜１２）１００重量部に対して、エチルセルロース２．５重量部、テルピネオール４０重量部を加え、３本ロールにて混練して磁性フェライト層用ペーストを調製した。一方、平均粒径０．８μｍのＡｇ１００重量部に対して、エチルセルロース２．５重量部、テルピネオール４０重量部を加え、３本ロールにて混練して、内部電極用ペーストを調製した。このような磁性フェライト層用ペーストと内部電極用ペーストを交互に印刷積層した後、９００℃で２時間の焼成を行って図１および図２に示されるような積層型チップインダクタ（実施例１〜９、比較例１〜１２）を得た。これらの４５３２タイプの積層型チップインダクタの寸法は４．５ｍｍ×３．２ｍｍ×１．２ｍｍであり、巻数は９．５ターンとした。次いで、上記の積層型チップインダクタ（実施例１〜９、比較例１〜１２）の端部に外部電極を約６００℃で焼き付けて形成し、測定周波数１００ＫＨｚ、測定電流０．２ｍＡでＬＣＲメーター（ヒューレットパッカー（株）製）を用いてインダクタンスＬを測定し、結果を下記の表１に示した。
【００４７】
また、仮焼成粉（実施例５、比較例２）を用いて、上記と同様にして磁性フェライト層用ペーストを調製し、このペーストと、上記の内部電極用ペーストとを使用して、２０１２タイプの積層型チップビーズ（実施例Ａ、比較例Ａ）を得た。焼成は９００℃、２時間とし、巻数は３．５ターンとした。次いで、上記の積層型チップビーズ（実施例Ａ、比較例Ａ）の端部に外部電極を約６００℃で焼き付けて形成し、インピーダンズアナライザー（ヒューレットパッカー（株）製）を用いて測定周波数１００ＫＨｚ、測定電流０．２ｍＡでＬＣＲメーターを用いてインピーダンスＺ、リアクタンスＸ、レジスタンスＲの周波数特性を測定し、結果を図４に示した。
【００４８】
【表１】
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表１に示されるように、Ｆｅ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、ＣｕＯおよびＺｎＯの組成を所定範囲に規定し、かつ、Ｓ成分の含有量とＣｌ成分の含有量の比を所定範囲内に規定する本発明の磁性フェライト材料（実施例１〜９）は、透磁率が１０００を超えるものであった。また、このような本発明の磁性フェライト材料で構成された磁性フェライト層を備える積層型チップインダクタ（実施例１〜９）は、９０以上の非常に高いインダクタンスＬを有することが確認された。さらに、本発明の磁性フェライト材料（実施例５）で構成された磁性フェライト層を備える積層型チップビーズ（実施例Ａ）は、図４に示されるように、反射成分（リアクタンス）が小さく、吸収成分（レジスタンス）が大きく、両者の交点が低周波数側にあるので、積層型チップビーズ（比較例Ａ）に比べて高い吸収特性を備えることが確認された。
【００４９】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明によればフェライト組成およびＳ成分の含有量とＣｌ成分の含有量の比を所定範囲内に規定することによって、焼成時の結晶粒成長が促進され、磁性フェライト材料およびこの磁性フェライト材料で構成された磁心の透磁率が高いものとなり、このような磁性フェライト材料で構成された磁性フェライト層を備える積層型チップインダクタは、非常に高いインダクタンスＬをもち、従来品に比べ同等の取得インダクタンスＬの設計の場合、巻数が低減され、小型化や低背化が可能となり、また、本発明の磁性フェライト材料で構成された磁性フェライト層を備える積層型チップビーズは、反射成分（リアクタンス）が小さく、吸収成分（レジスタンス）が大きく、かつ、両者の交点が低周波数側にシフトするので、従来に比べて高い吸収特性を備えたものとなり、さらに、本発明の磁性フェライト材料で構成されたフェライト磁性層と内部電極とを積層したチップフェライト部を有する複合積層型部品は、高密度化、高特性化が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の積層型チップフェライト部品の一実施形態である積層型チップインダクタの一例を示す概略断面図である。
【図２】図１に示される積層型チップインダクタの平面部分断面図である。
【図３】本発明の複合積層型部品の一実施形態であるＬＣ複合部品の一例を示す概略断面図である。
【図４】積層型チップビーズ（実施例Ａ、比較例Ａ）のインピーダンスＺ、リアクタンスＸ、レジスタンスＲの周波数特性を示す図である。
【符号の説明】
１…積層型チップインダクタ
２…磁性フェライト層
３…内部電極
４…チップ体
５，５…外部電極
１１…ＬＣ複合部品
１２…チップコンデンサ部
１３…チップフェライト部
１５，１５…外部電極
２１…セラミック誘電体層
２２…内部電極
３２…フェライト磁性層
３３…内部電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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