(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極を形成し、
前記陽極の上に発光層を形成し、
前記発光層の上に陰極を形成し、
前記陰極の上にレジストを形成し、
前記レジストをマスクとして用いて、前記発光層と前記陽極との界面近傍に対して、前記陰極を通して、イオンドーピング法又はイオンインプランテーション法により選択的にハロゲン元素を添加し、
前記レジストを除去し、
前記ハロゲン元素が添加された領域が発光領域となり、前記ハロゲン元素が添加されなかった領域が非発光領域となることを特徴とするＥＬ表示装置の作製方法。
【請求項２】
陰極を形成し、
前記陰極の上に発光層を形成し、
前記発光層の上に陽極を形成し、
前記陽極の上にレジストを形成し、
前記レジストをマスクとして用いて、前記発光層と前記陽極との界面近傍に対して、前記陽極を通して、イオンドーピング法又はイオンインプランテーション法により選択的にハロゲン元素を添加し、
前記レジストを除去し、
前記ハロゲン元素が添加された領域が発光領域となり、前記ハロゲン元素が添加されなかった領域が非発光領域となることを特徴とするＥＬ表示装置の作製方法。
【請求項３】
陽極を形成し、
前記陽極の上に発光層を形成し、
前記発光層の上に陰極を形成し、
前記陰極の上にレジストを形成し、
前記レジストをマスクとして用いて、前記発光層と前記陰極との界面近傍に対して、前記陰極を通して、イオンドーピング法又はイオンインプランテーション法により選択的にアルカリ金属元素又はアルカリ土類金属元素を添加し、
前記レジストを除去し、
前記アルカリ金属元素又は前記アルカリ土類金属元素が添加された領域が発光領域となり、前記アルカリ金属元素又は前記アルカリ土類金属元素が添加されなかった領域が非発光領域となることを特徴とするＥＬ表示装置の作製方法。
【請求項４】
陰極を形成し、
前記陰極の上に発光層を形成し、
前記発光層の上に陽極を形成し、
前記陽極の上にレジストを形成し、
前記レジストをマスクとして用いて、前記発光層と前記陰極との界面近傍に対して、前記陽極を通して、イオンドーピング法又はイオンインプランテーション法により選択的にアルカリ金属元素又はアルカリ土類金属元素を添加し、
前記レジストを除去し、
前記アルカリ金属元素又は前記アルカリ土類金属元素が添加された領域が発光領域となり、前記アルカリ金属元素又は前記アルカリ土類金属元素が添加されなかった領域が非発光領域となることを特徴とするＥＬ表示装置の作製方法。
【請求項５】
陽極を形成し、
前記陽極の上に発光層を形成し、
前記発光層の上に陰極を形成し、
前記陰極の上にレジストを形成し、
前記レジストをマスクとして用いて、前記発光層と前記陽極との界面近傍に対して、前記陰極を通して、イオンドーピング法又はイオンインプランテーション法により選択的にハロゲン元素を添加し、
前記レジストをマスクとして用いて、前記発光層と前記陰極との界面近傍に対して、前記陰極を通して、イオンドーピング法又はイオンインプランテーション法により選択的にアルカリ金属元素又はアルカリ土類金属元素を添加し、
前記レジストを除去し、
前記ハロゲン元素、及び前記アルカリ金属元素又は前記アルカリ土類金属元素が添加された領域が発光領域となり、前記ハロゲン元素、及び前記アルカリ金属元素又は前記アルカリ土類金属元素が添加されなかった領域が非発光領域となることを特徴とするＥＬ表示装置の作製方法。
【請求項６】
陰極を形成し、
前記陰極の上に発光層を形成し、
前記発光層の上に陽極を形成し、
前記陽極の上にレジストを形成し、
前記レジストをマスクとして用いて、前記発光層と前記陰極との界面近傍に対して、前記陽極を通して、イオンドーピング法又はイオンインプランテーション法により選択的にアルカリ金属元素又はアルカリ土類金属元素を添加し、
前記レジストをマスクとして用いて、前記発光層と前記陽極との界面近傍に対して、前記陽極を通して、イオンドーピング法又はイオンインプランテーション法により選択的にハロゲン元素を添加し、
前記レジストを除去し、
前記アルカリ金属元素又は前記アルカリ土類金属元素、及び前記ハロゲン元素が添加された領域が発光領域となり、前記アルカリ金属元素又は前記アルカリ土類金属元素、及び前記ハロゲン元素が添加されなかった領域が非発光領域となることを特徴とするＥＬ表示装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１、２、５及び６のいずれか一において、前記ハロゲン元素はフッ素、塩素、臭素又はヨウ素から選ばれた元素であることを特徴とするＥＬ表示装置の作製方法。
【請求項８】
請求項３乃至６のいずれか一において、前記アルカリ金属元素はリチウム、ナトリウム、カリウム又はセシウムから選ばれた元素であることを特徴とするＥＬ表示装置の作製方法。
【請求項９】
請求項３乃至６のいずれか一において、前記アルカリ土類金属元素はベリリウム、マグネシウム、カルシウム又はバリウムから選ばれた元素であることを特徴とするＥＬ表示装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一において、前記陽極は透明導電膜で形成され、前記陰極はアルカリ金属元素又はアルカリ土類金属元素を含む金属膜で形成されることを特徴とするＥＬ表示装置の作製方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子を有する表示装置（以下、ＥＬ表示装置という）及びそのＥＬ表示装置を用いた表示ディスプレイに関する技術である。
【０００２】
【従来の技術】
近年、自発光型素子としてＥＬ素子を有したＥＬ表示装置の研究が活発化しており、特に、ＥＬ材料として有機材料を用いた有機ＥＬ表示装置が注目されている。有機ＥＬ表示装置は有機ＥＬディスプレイ（ＯＥＬＤ：Organic EL Display）又は有機ライトエミッティングダイオード（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting Diode）とも呼ばれている。
【０００３】
ＥＬ表示装置は、液晶表示装置と異なり自発光型であるため視野角の問題がないという特長がある。即ち、屋外に用いられるディスプレイとしては、液晶ディスプレイよりも適しており、様々な形での使用が提案されている。
【０００４】
ＥＬ素子は一対の電極間にＥＬ層が挟まれた構造となっているが、ＥＬ層は通常、積層構造となっている。代表的には、コダック・イーストマン・カンパニーのTangらが提案した「正孔輸送層／発光層／電子輸送層」という積層構造が挙げられる。この構造は非常に発光効率が高く、現在、研究開発が進められているＥＬ表示装置は殆どこの構造を採用している。
【０００５】
そして、上記構造でなるＥＬ層に一対の電極から所定の電圧をかけ、それにより発光層においてキャリアの再結合が起こって発光する。これには、互いに直交するように設けられた二種類のストライプ状電極の間にＥＬ層を形成する方式（単純マトリクス方式）、又はＴＦＴに接続されマトリクス状に配列された画素電極と対向電極との間にＥＬ層を形成する方式（アクティブマトリクス方式）、の二種類がある。
【０００６】
どちらの方式でも、必ずパターニングされた電極の上にＥＬ層を形成しなくてはならない。しかしながら、ＥＬ層は段差等の変化の影響を受けて容易に劣化するため、平坦度を上げるために様々な工夫がなされている。その結果、工程は複雑化し、製造コストの増加につながるという問題があった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記問題点を鑑みてなされたものであり、高精細なＥＬ表示装置を安価な手段で作製する方法の提供を課題とする。そして、そのようなＥＬ表示装置を具備する安価な電子装置（電子デバイス）の提供を課題とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明では、従来にない全く新しい方式で発光領域と非発光領域とを区別する方式を用いる。具体的には、発光層へ特定の不純物元素を選択的に添加することにより、不純物元素が添加された領域を選択的に発光させることを特長とする技術である。なお、本明細書中において特定の不純物元素とは、発光層中へ添加することにより発光層を正孔輸送層（若しくは正孔注入層）又は電子輸送層（若しくは電子注入層）として機能させる不純物元素をいう。
【０００９】
本発明の構成は大別して三つあり、陽極と発光層の界面近傍に特定の不純物元素を添加する第１の方式、陰極と発光層の界面近傍に特定の不純物元素を添加する第２の方式、陽極と発光層の界面近傍又は陰極と発光層の界面近傍の両方に特定の不純物元素を添加する第３の方式がある。
【００１０】
第１の方式では、陽極と発光層との界面近傍に、特定の不純物元素としてハロゲン元素、代表的にはＦ（フッ素）、Ｃｌ（塩素）、Ｂｒ（臭素）もしくはＩ（ヨウ素）を添加することを特長とする。陽極と発光層の界面近傍とは、陽極と発光層との界面から発光層の深さ方向に１００ｎｍ（典型的には５０ｎｍ）までの範囲を指している。このとき、ハロゲン元素は陽極に含まれても構わない。
【００１１】
また、第２の方式では、陰極と発光層の界面近傍に、特定の不純物元素としてアルカリ金属元素、代表的にはＬｉ（リチウム）、Ｎａ（ナトリウム）、Ｋ（カリウム）もしくはＣｓ（セシウム）又はアルカリ土類金属元素、代表的にはＢｅ（ベリリウム）、Ｍｇ（マグネシウム）Ｃａ（カルシウム）もしくはＢａ（バリウム）を添加することを特長とする。陰極と発光層の界面近傍とは、陰極と発光層との界面から発光層の深さ方向に１００ｎｍ（典型的には５０ｎｍ）までの範囲を指している。このとき、アルカリ金属元素又はアルカリ土類金属元素は陰極に含まれても構わない。
【００１２】
また、第３の方式は、上記第１の方式と第２の方式とを組み合わせて構成であり、陽極と発光層との界面近傍に特定の不純物元素としてハロゲン元素を添加し、且つ、陰極と発光層との界面近傍に特定の不純物元素としてアルカリ金属元素若しくはアルカリ土類金属元素を添加することを特長とする。
【００１３】
なお、上記特定の不純物元素の添加は、公知の添加方法によれば良い。好ましくは、質量分離しないイオンドーピング法、質量分離を行うイオンインプランテーション法、拡散を用いた気相ドーピング法が挙げられる。いずれにしても、上記特定の不純物元素を選択的に添加できることが重要である。
【００１４】
本発明では、特定の不純物元素が陽極又は陰極と発光層との界面近傍に対して選択的に添加され、その部分だけが電圧の印加時に発光する。即ち、本発明におけるＥＬ素子の駆動電圧は、発光層単体では発光しない、若しくは発光しても極めて輝度が低くなるように調節する。さらに、上記特定の不純物元素が添加された部分が、同じ駆動電圧で十分な輝度で発光するように調節する。
【００１５】
即ち、上記第１の方式、第２の方式又は第３の方式いずれかの構成で特定の不純物元素を添加し、その添加した部分を正孔輸送層若しくは電子輸送層として用いる点に特長がある。これにより発光層単体では実質的に発光しないような駆動電圧であっても、特定の不純物元素が添加された部分だけは十分な輝度で発光させることが可能となる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態について、以下に示す実施例でもって詳細な説明を行うこととする。
【００１７】
〔実施例１〕
本実施例の構成について図１を用いて説明する。まず、透光性基板１０１を用意し、順次、透明導電膜でなる陽極１０２、発光層１０３、陰極１０４を形成する。（図１（Ａ））
【００１８】
陽極１０２としては、酸化インジウムと酸化スズとの化合物（以下、ＩＴＯ若しくはインジウム・ティン・オキサイドという）、酸化インジウムと酸化亜鉛との化合物（以下、ＩＺｎＯ若しくはインジウム・ズィンク・オキサイドという）、酸化亜鉛もしくは酸化スズを用いることができる。膜厚は８０〜２００ｎｍ（好ましくは１００〜１５０ｎｍ）とすれば良い。
【００１９】
陽極１０２の表面は発光層１０３を形成する前に、オゾン雰囲気中で紫外光を照射し、表面の有機物等を除去しておくことが望ましい。また、熱処理により陽極１０２の表面の水分を完全に除去しておくことが望ましい。
【００２０】
発光層１０３は、低分子系材料を用いるなら蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法等の公知の技術を用いれば良い。この場合、真空を破らないで連続して陰極１０４を形成することが好ましい。陰極としては、アルカリ金属元素若しくはアルカリ土類金属元素を含む金属膜（代表的には、Ｍｇ−Ａｇ膜、Ａｌ−ＬｉＦ膜等）を１００〜２００ｎｍの膜厚で形成すれば良い。
【００２１】
また、高分子系（ポリマー系）材料を用いるなら、スピンコート法、インクジェット法、キャスト法等の公知の技術を用いれば良い。この場合、乾燥した不活性雰囲気中で発光層を形成し、その後、大気（特に水分、酸素）に曝さずに陰極１０４を形成することが好ましい。
【００２２】
また、発光層１０３の膜厚は３０〜２００ｎｍ（好ましくは５０〜１００ｎｍ）とすれば良い。なお、ここでは発光層１０３を陽極１０２の上に直接形成する例を示しているが、正孔輸送層や正孔注入層を設けても良い。
【００２３】
次に、レジスト１０５a〜１０５eを形成し、発光層１０３と陰極１０４との界面近傍に選択的に特定の不純物元素、本実施例ではアルカリ金属元素若しくはアルカリ土類金属元素の添加工程を行う。本実施例では、特定の不純物元素としてセシウムを用いる。
【００２４】
なお、添加するセシウムの濃度は微量で良い。典型的には１×１０14〜１×１０18atoms/cm3、好ましくは１×１０15〜１×１０17atoms/cm3の濃度で添加すれば良い。実際には発光層１０３の材料によっても適切な濃度は異なるので、実施者が最適な濃度を予め求めておくことが必要である。
【００２５】
また、本実施例ではセシウムを添加する領域は発光層１０３と陰極１０４の界面から発光層側の深さ方向に５０ｎｍまでの範囲とする。即ち、図１（Ｂ）において１０６a〜１０６dで示される領域が、電子輸送層（若しくは電子注入層）として機能する領域（以下、電子輸送領域という）となる。
【００２６】
なお、図面では発光層側のみにセシウムが添加されたように示されているが、陰極１０４にもセシウムは含まれる。しかし実質的に電子輸送領域として機能するのは、セシウムが添加された発光層であると考えられる。
【００２７】
こうして特定の不純物元素を添加したら、レジスト１０５a〜１０５eを除去し、陰極１０４の上に補助電極１０７を形成する。補助電極１０７はアルミニウムを主成分とする材料で形成すれば良い。なお、補助電極１０７は陰極１０４が薄いため抵抗を下げるための補助的な電極として機能する。また、発光層へ水分等が侵入するのを防ぐ保護効果もあるため、保護電極とも言える。
【００２８】
また、さらに好ましくはパッシベーション膜として補助電極１０７上に窒化シリコン膜や窒化酸化シリコン膜（ＳｉＯxＮyで示される）を設けると良い。
【００２９】
こうしてＥＬ表示装置が完成する。実際には、さらに図１（Ｃ）の後、シーリング材（ハウジング材ともいう）２０１をかぶせてＥＬ素子（ここでは陽極、発光層及び陰極でなる容量素子を指す）を完全な密閉空間に閉じこめる。これは、基板２００とシーリング材２０１とをシール剤（接着剤とも言える）２０２で接着することで実現される。（図２）
【００３０】
なお、ＥＬ素子をシーリング材で保護する構造は既に公知であり、如何なる構造としても良い。また、シーリング材とＥＬ素子との間に形成される空隙２０３に乾燥剤（酸化バリウム等）を設けても良い。
【００３１】
そして、陽極１０２及び陰極１０４はシーリング材２０１の外部に引き出されて、ＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）２０４に接続される。ここから外部信号が入力される。なお、図２では陰極１０４のみが外部に引き出されているように図示されているが、別の断面では陽極１０２も引き出されている。
【００３２】
こうして作製されたＥＬ表示装置は、発光層に所定の電圧が加わった時、図１（Ｂ）の電子輸送領域１０６a〜１０６dが形成された部分の発光層だけが発光することになる。上記所定の電圧は発光層の材料及び添加するアルカリ金属元素又はアルカリ土類金属元素によっても異なるが、３〜１０Ｖの範囲で選択すれば良い。好ましくは、セシウムが添加された領域と添加されなかった領域との間において発光輝度のコントラスト比が、１０3以上（好ましくは１０4以上）であれば良い。
【００３３】
この発光の様子の概略を図３に示す。図３（Ａ）は発光層に電圧を加える前の状態である。このとき、点線で示される図形の内側が不純物元素（本実施例ではセシウム）の添加された領域であり、その周辺は不純物元素が添加されていない領域である。
【００３４】
次に、発光層に電圧を加えた後の状態を図３（Ｂ）に示す。このとき、図３（Ａ）において不純物元素を添加した領域の内側が発光し、発光領域として視認することができる。また、図３（Ａ）において不純物元素が添加されなかった領域は、電圧を加えても発光しない。
【００３５】
以上のように、発光層に対して選択的に特定の不純物元素（本実施例ではアルカリ金属元素若しくはアルカリ土類金属元素）を添加し、発光層に電圧を加えた際に特定の不純物元素の添加された領域だけが発光する。本発明の方式を用いると、全工程を通してパターニング回数は１回で済む。即ち、陽極も陰極もパターニングする必要がないので工程が極めて簡易であり、製造コストが低いという利点がある。
【００３６】
また、発光する領域（特定の不純物元素を添加する領域）はパターニングによって決定されるため、非常に微細な文字パターンや図形パターンであっても高精細に表示することが可能である。
【００３７】
〔実施例２〕
本実施例では、実施例１と異なる手段で発光領域と非発光領域とを分離するための実施例について図４を用いて説明する。
【００３８】
まず、実施例１と同様の工程でレジスト１０５a〜１０５eを形成する。なお、発光層１０３の上に電子輸送層や電子注入層を設けても良い。そして、本実施例では陽極１０２と発光層１０３との界面近傍に、特定の不純物元素としてハロゲン元素を添加することを特徴とする。本実施例ではハロゲン元素としてフッ素を添加する。
【００３９】
なお、添加するフッ素の濃度は微量で良い。典型的には１×１０14〜１×１０18atoms/cm3、好ましくは１×１０15〜１×１０17atoms/cm3の濃度で添加すれば良い。実際には発光層１０３の材料によっても適切な濃度は異なるので、実施者が最適な濃度を予め求めておくことが必要である。
【００４０】
また、本実施例ではフッ素を添加する領域は陽極１０２と発光層１０３の界面から発光層側の深さ方向に７０ｎｍｍまでの範囲とする。即ち、図４（Ａ）において４０１a〜４０１dで示される領域が、正孔輸送層（若しくは正孔注入層）として機能する領域（以下、正孔輸送領域という）となる。
【００４１】
なお、図面では発光層側のみにフッ素が添加されたように示されているが、陽極１０２にもフッ素は含まれる。しかし実質的に正孔輸送領域として機能するのは、フッ素が添加された発光層であると考えられる。
【００４２】
こうして特定の不純物元素を添加したら、レジスト１０５a〜１０５eを除去し、陰極１０４の上に補助電極１０７を形成する。補助電極１０７については実施例１で説明した通りである。勿論、実施例１と同様にパッシベーション膜を設けても良い。
【００４３】
このあとは基板とシーリング材をシール剤で接着し、ＦＰＣを取り付けることで図２に示すような構造（但し、発光層の構造は異なる）のＥＬ表示装置が完成する。こうして作製されたＥＬ表示装置は、発光層に所定の電圧が加わった時、図４（Ａ）の正孔輸送領域４０１a〜４０１dが形成された部分の発光層だけが発光することになる。
【００４４】
〔実施例３〕
本実施例では、実施例１と異なる手段で発光領域と非発光領域とを分離するための実施例について図５を用いて説明する。
【００４５】
まず、実施例１と同様の工程でレジスト１０５a〜１０５eを形成する。そして、実施例２と同様の工程によって正孔輸送領域（ハロゲン元素が添加された領域）４０１a〜４０１dを形成する。
【００４６】
その後、同一のレジスト１０５a〜１０５eを用いて実施例１と同様の工程を行い、電子輸送領域（アルカリ金属元素若しくはアルカリ土類金属元素が添加された領域）５０１a〜５０１dを形成する。（図５（Ａ））
【００４７】
上記ハロゲン元素の添加工程に関する詳細は実施例２を参照すれば良く、上記アルカリ金属元素若しくはアルカリ土類金属元素の添加工程に関する詳細は実施例１を参照すれば良い。
【００４８】
こうしてハロゲン元素並びにアルカリ金属元素若しくはアルカリ土類金属元素を添加したら、レジスト１０５a〜１０５eを除去し、陰極１０４の上に補助電極１０７を形成する。補助電極１０７については実施例１で説明した通りである。勿論、実施例１と同様にパッシベーション膜を設けても良い。
【００４９】
このあとは基板とシーリング材をシール剤で接着し、ＦＰＣを取り付けることで図２に示すような構造（但し、発光層の構造は異なる）のＥＬ表示装置が完成する。こうして作製されたＥＬ表示装置は、発光層に所定の電圧が加わった時、正孔輸送領域４０１a〜４０１dと電子輸送領域５０１a〜５０１dが形成された部分の発光層だけが発光することになる。
【００５０】
〔実施例４〕
本実施例の構成について図６を用いて説明する。本実施例では、発光層から発した光を、基板を透過しない側に出力させる構造のＥＬ表示装置に関する。まず、基板６０１を用意し、順次、補助電極６０２、陰極６０３、発光層６０４及び陽極６０５を形成する。これらの材料や形成方法等については、実施例１を参考にすれば良い。なお、発光層６０４を形成する前に陰極６０３の上に電子輸送層や電子注入層を設けても良い。
（図６（Ａ））
【００５１】
次に、レジスト６０６a〜６０６eを形成し、発光層６０４と陽極６０５との界面近傍に選択的に特定の不純物元素、本実施例ではハロゲン元素の添加工程を行う。本実施例では、特定の不純物元素としてフッ素を用いる。
【００５２】
なお、添加するフッ素の濃度は微量で良い。典型的には実施例２と同様に１×１０14〜１×１０18atoms/cm3、好ましくは１×１０15〜１×１０17atoms/cm3の濃度で添加すれば良い。実際には発光層６０３の材料によっても適切な濃度は異なるので、実施者が最適な濃度を予め求めておくことが必要である。
【００５３】
また、本実施例ではフッ素を添加する領域は発光層６０４と陽極６０５の界面から発光層側の深さ方向に７０ｎｍまでの範囲とする。即ち、図６（Ｂ）において６０７a〜６０７dで示される領域が、正孔輸送領域となる。
【００５４】
なお、図面では発光層側のみにフッ素が添加されたように示されているが、陽極６０５にもフッ素は含まれる。しかし実質的に正孔輸送領域として機能するのは、フッ素が添加された発光層であると考えられる。
【００５５】
こうして特定の不純物元素を添加したら、レジスト６０６a〜６０６eを除去し、陽極６０５を保護するためのパッシベーション膜６０８を形成する。パッシベーション膜６０８としては、窒化シリコン膜や窒化酸化シリコン膜を設ければ良いが、光路に配置されることになるため、透過率の高い窒化酸化シリコン膜が好ましい。
【００５６】
このあとは基板とシーリング材をシール剤で接着し、ＦＰＣを取り付けることで図２に示すような構造（但し、発光層の構造は異なる）のＥＬ表示装置が完成する。こうして作製されたＥＬ表示装置は、発光層に所定の電圧が加わった時、正孔輸送領域６０７a〜６０７dが形成された部分の発光層だけが発光することになる。
【００５７】
〔実施例５〕
本実施例では、実施例４と異なる手段で発光領域と非発光領域とを分離するための実施例について図７を用いて説明する。
【００５８】
まず、実施例４と同様の工程で図６（Ａ）の状態を得る。このとき、発光層６０４と陽極６０５の間に正孔輸送層や正孔注入層を設けても良い。そして、図６（Ｂ）のようにレジスト６０６a〜６０６eを形成する。
【００５９】
次に、陰極６０３と発光層６０４との界面近傍に選択的に特定の不純物元素、本実施例ではアルカリ金属元素若しくはアルカリ土類金属元素の添加工程を行う。本実施例では、特定の不純物元素としてカリウムを用いる。（図７（Ａ））
【００６０】
なお、添加するカリウムの濃度は実施例１のセシウムと同程度で良い。また、本実施例ではカリウムを添加する領域は陰極６０３と発光層６０４の界面から発光層側の深さ方向に３０ｎｍまでの範囲とする。即ち、図７（Ａ）において７０１a〜７０１dで示される領域が、電子輸送領域となる。
【００６１】
また、図面では発光層側のみにカリウムが添加されたように示されているが、陰極６０３にもカリウムは含まれる。しかし実質的に電子輸送領域として機能するのは、カリウムが添加された発光層であると考えられる。
【００６２】
こうして特定の不純物元素を添加したら、レジスト６０６a〜６０６eを除去し、陽極６０５を保護するためのパッシベーション膜６０８を形成する。（図７（Ｂ））
【００６３】
このあとは基板とシーリング材をシール剤で接着し、ＦＰＣを取り付けることで図２に示すような構造（但し、発光層の構造は異なる）のＥＬ表示装置が完成する。こうして作製されたＥＬ表示装置は、発光層に所定の電圧が加わった時、電子輸送領域７０１a〜７０１dが形成された部分の発光層だけが発光することになる。
【００６４】
〔実施例６〕
本実施例では、実施例４と異なる手段で発光領域と非発光領域とを分離するための実施例について図８を用いて説明する。
【００６５】
まず、実施例４と同様の工程でレジスト６０６a〜６０６eを形成する。そして、実施例５と同様の工程によって電子輸送領域（アルカリ金属元素若しくはアルカリ土類金属元素が添加された領域）７０１a〜７０１dを形成する。本実施例ではカリウムを添加する。
【００６６】
その後、同一のレジスト６０６a〜６０６eを用い、実施例４と同様の工程によって正孔輸送領域（ハロゲン元素が添加された領域）８０１a〜８０１dを形成する。本実施例ではフッ素を添加する。（図８（Ａ））
【００６７】
上記ハロゲン元素の添加工程に関する詳細は実施例２を参照すれば良く、上記アルカリ金属元素若しくはアルカリ土類金属元素の添加工程に関する詳細は実施例１を参照すれば良い。
【００６８】
こうして特定の不純物元素を添加したら、レジスト６０６a〜６０６eを除去し、陽極６０５を保護するためのパッシベーション膜６０８を形成する。（図８（Ｂ））
【００６９】
このあとは基板とシーリング材をシール剤で接着し、ＦＰＣを取り付けることで図２に示すような構造（但し、発光層の構造は異なる）のＥＬ表示装置が完成する。こうして作製されたＥＬ表示装置は、発光層に所定の電圧が加わった時、電子輸送領域７０１a〜７０１d及び正孔輸送領域８０１a〜８０１dが形成された部分の発光層だけが発光することになる。
【００７０】
〔実施例７〕
本発明を実施して形成されたＥＬ表示装置は、自発光型であるため液晶表示装置に比べて明るい場所での視認性に優れている。そのため直視型のＥＬディスプレイとして用途は広い。なお、ＥＬディスプレイが液晶ディスプレイよりも有利な点の一つとして視野角の広さが挙げられる。従って、対角３０インチ以上の用途ではＥＬディスプレイが好ましい。
【００７１】
本発明を用いたＥＬディスプレイは静止画や文字情報を掲示する広告灯などに適しており、看板、非常口の誘導灯、暗所用の時計の文字盤、道路標識（夜間対策）又はパソコンのキーボード等に用いることができる。これらの表示ディスプレイはできるだけ安価なものであることが望ましい製品であり、本発明は非常に好適であると言える。
【００７２】
【発明の効果】
本発明を用いることで、パターニング工程が１回で済むため非常に少ない製造工程でＥＬ表示装置を作製することが可能である。即ち、ＥＬ表示装置の製造コストを大幅に低減することができる。
【００７３】
また、レジストを用いたパターニング工程によって画像表示領域を決定することができるため、非常に高精細なＥＬ表示装置が作製できる。従って、本発明のＥＬ表示装置を用いることで、細かい文字情報などを正確に表現しうる表示ディスプレイが安価な値段で実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】    ＥＬ表示装置の作製工程を示す図。
【図２】    ＥＬ表示装置の断面構造を示す図。
【図３】    ＥＬ表示装置の画像表示の様子を示す図。
【図４】    ＥＬ表示装置の作製工程を示す図。
【図５】    ＥＬ表示装置の作製工程を示す図。
【図６】    ＥＬ表示装置の作製工程を示す図。
【図７】    ＥＬ表示装置の作製工程を示す図。
【図８】    ＥＬ表示装置の作製工程を示す図。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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