(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
未処理の被処理基板を複数枚収容する搬入用カセットモジュールと、被処理基板の露光前後において被処理基板に所定の処理を施す複数のプロセスモジュールと、被処理基板を各モジュール間で搬送する複数の搬送モジュールとを具備し、上記搬送モジュールによって上記搬入用カセットモジュールからの被処理基板を各プロセスモジュールに分散させて搬送し、各プロセスモジュールで被処理基板を露光前処理及び露光後加熱処理する、基板搬送処理装置であって、
上記搬送モジュールとの間で複数の被処理基板を受け渡しするバッファモジュールと、
上記プロセスモジュールで発生した障害及び障害の復旧を検知し、その検知信号に基づいて各モジュールを統括して制御する制御手段とを具備し、
上記制御手段は、いずれかのプロセスモジュールで発生した障害を検知した場合、露光部から露光後加熱処理に存在する被処理基板の全てをバッファモジュールに搬送させるように上記バッファモジュールの空き部を予約し、上記制御手段の制御信号に基づいて、露光後の被処理基板を加熱処理後に上記バッファモジュールの空き部に搬送し、露光前の被処理基板の露光処理部への搬送を一旦停止すると共に、上記バッファモジュールに搬送し、障害が発生したプロセスモジュールの復旧を検知した場合、上記バッファモジュールの空き部に搬送した被処理基板の上記露光後加熱処理の後の搬送、処理を行うと共に、その他の被処理基板の搬送、処理を行うように形成してなる、
ことを特徴とする基板搬送処理装置。
【請求項２】
請求項１記載の基板搬送処理装置において、
上記被処理基板は、化学増幅型レジストが塗布された基板である、ことを特徴とする基板搬送処理装置。
【請求項３】
請求項１又は２記載の基板搬送処理装置において、
露光後加熱処理された被処理基板を冷却する冷却モジュールを更に具備する、ことを特徴とする基板搬送処理装置。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載の基板搬送処理装置において、
上記プロセスモジュールで発生する障害には、プロセスモジュール間に被処理基板を搬送する搬送モジュールの障害が含まれる、ことを特徴とする基板搬送処理装置。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかに記載の基板搬送処理装置において、
上記制御手段は、被処理基板の露光後から加熱処理までの時間を一定に制御可能に形成される、ことを特徴とする基板搬送処理装置。
【請求項６】
請求項５記載の基板搬送処理装置において、
上記制御手段により制御される一定の時間には、加熱処理後の冷却処理まで含まれる、ことを特徴とする基板搬送処理装置。
【請求項７】
未処理の被処理基板を複数枚収容する搬入用カセットモジュールと、被処理基板の露光前後において被処理基板に所定の処理を施す複数のプロセスモジュールと、被処理基板を各モジュール間で搬送する複数の搬送モジュールとを具備し、上記搬送モジュールによって上記搬入用カセットモジュールからの被処理基板を各プロセスモジュールに分散させて搬送し、各プロセスモジュールで被処理基板を露光前処理及び露光後加熱処理する、基板搬送処理装置における障害対策方法であって、
上記各モジュールを統括して制御する制御手段によって、いずれかのプロセスモジュールで発生した障害及び障害の復旧を検知し、
上記制御手段は、いずれかのプロセスモジュールで発生した障害を検知した場合、露光部から露光後加熱処理に存在する被処理基板の全てをバッファモジュールに搬送させるように上記バッファモジュールの空き部を予約し、上記制御手段の制御信号に基づいて、露光後の被処理基板を加熱処理後に上記バッファモジュールの空き部に搬送し、露光前の被処理基板の露光処理部への搬送を一旦停止すると共に、上記バッファモジュールに搬送し、障害が発生したプロセスモジュールの復旧を検知した場合、上記バッファモジュールの空き部に搬送した被処理基板の上記露光後加熱処理の後の搬送、処理を行うと共に、その他の被処理基板の搬送、処理を行う、
ことを特徴とする基板搬送処理装置における障害対策方法。
【請求項８】
請求項７記載の基板搬送処理装置における障害対策方法において、
上記被処理基板は、化学増幅型レジストが塗布された基板である、ことを特徴とする基板搬送処理装置における障害対策方法。
【請求項９】
請求項７又は８のいずれかに記載の基板搬送処理装置における障害対策方法において、
上記プロセスモジュールで発生する障害には、プロセスモジュール間に被処理基板を搬送する搬送モジュールの障害が含まれる、ことを特徴とする基板搬送処理装置における障害対策方法。
【請求項１０】
請求項７ないし９のいずれかに記載の基板搬送処理装置における障害対策方法において、
上記被処理基板を加熱処理の後に冷却処理を行い、その後にバッファモジュールに搬送する、ことを特徴とする基板搬送処理装置における障害対策方法。
【請求項１１】
請求項７ないし１０のいずれかに記載の基板搬送処理装置における障害対策方法において、
上記被処理基板の露光後から加熱処理までの時間が一定に制御される、ことを特徴とする基板搬送処理装置における障害対策方法。
【請求項１２】
請求項１１記載の基板搬送処理装置における障害対策方法において、
上記制御される一定の時間には、加熱処理後の冷却処理まで含まれる、ことを特徴とする基板搬送処理装置における障害対策方法。
【請求項１３】
未処理の被処理基板を複数枚収容する搬入用カセットモジュールと、被処理基板の露光前後において被処理基板に所定の処理を施す複数のプロセスモジュールと、被処理基板を各モジュール間で搬送する複数の搬送モジュールとを具備し、上記搬送モジュールによって上記搬入用カセットモジュールからの被処理基板を各プロセスモジュールに分散させて搬送し、各プロセスモジュールで被処理基板を露光前処理及び露光後加熱処理する、基板搬送処理装置における障害対策用プログラムであって、
コンピュータに、
いずれかのプロセスモジュールで発生した障害を検知する手順と、
露光部から露光後加熱処理に存在する被処理基板の全てをバッファモジュールに搬送させるように上記バッファモジュールの空き部を予約する手順と、
露光後の被処理基板を加熱処理後に上記バッファモジュールの空き部に搬送する手順と、
露光処理部への被処理基板の搬送を一旦停止する手順と、
露光前処理後の被処理基板を上記バッファモジュールに搬送する手順と、
障害が発生したプロセスモジュールの復旧を検知する手順と、
上記プロセスモジュールの復旧後、上記バッファモジュールの空き部に搬送した被処理基板の上記露光後加熱処理の後の搬送、処理を行う手順と、
上記バッファモジュールの空き部に搬送した被処理基板以外のその他の被処理基板の搬送、処理を行う手順と、
を実行させることを特徴とする基板搬送処理装置における障害対策用プログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、例えば半導体ウエハやＬＣＤガラス基板等の基板を複数のプロセスモジュールで分散処理し、露光前処理及び露光後加熱処理する基板搬送処理装置に関するもので、更に詳細には、いずれかのプロセスモジュールで障害が発生した場合の対策を具備した基板搬送処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体ウエハやＬＣＤ（Liquid Crystal Display）等の基板の製造においては、基板上にＩＴＯ（Indium Tin Oxide）の薄膜や電極パターンを形成するために、フォトリソグラフィ技術が利用されている。このフォトリソグラフィ技術では、基板を複数のプロセスモジュールに搬送して、フォトレジストを基板に塗布し、これを露光し、更に現像処理する基板搬送処理装置が採用されている。
【０００３】
この種の基板搬送処理装置は、未処理の基板を複数枚収容する搬入用カセットモジュールと、基板に所定の処理を施す複数のプロセスモジュールと、処理済みの基板を収容する搬出用カセットモジュールと、基板を各モジュール間で搬送する搬送モジュールとを具備し、搬送モジュールによって搬入用カセットモジュールからの基板を各プロセスモジュールに分散させて搬送し、各複数のプロセスモジュールで基板を分散処理すなわち露光前処理及び露光後加熱処理するように構成されている。
【０００４】
従来のこの種の基板搬送処理装置において、基板を複数のプロセスモジュールで分散して処理する工程において、各モジュールへ基板を搬送中にあるモジュールで障害が発生すると、搬送中の基板の搬送先を他方の正常のモジュールに変更して、障害が発生したモジュールの障害発生による装置内全基板の搬送が停止することを防いでいる（例えば、特許文献１，特許文献２参照）。
【特許文献１】特開平９−５０９４８号公報（特許請求の範囲）
【特許文献２】特開平１１−１６９８３号公報（特許請求の範囲）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、化学増幅型レジストを塗布した基板においては、露光処理によってレジストが酸触媒反応を誘起するため加熱処理を施して回路パターンの線幅を一定に保っている。
【０００６】
しかしながら、基板を複数のモジュールで分散して処理する工程では、プロセス時間が非常に長い可能性があるため、あるモジュールの障害発生により、搬送中の基板の搬送先を他方の正常なモジュールに変更すると、当該モジュールのプロセスが終了するまで、基板搬送が遅延するという問題があり、上記化学増幅型レジストを使用する処理においては、露光処理が行われてから加熱処理が行われるまでの時間にバラツキが生じ、回路パターンの線幅を一定に保つことができないという問題があった。
【０００７】
また、基板の搬送に遅延が発生した場合、サイクルタイムコントロールのバラツキが発生し、製品歩留まりの低下をきたすという問題があった。
【０００８】
この発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、プロセスモジュールに障害が発生した場合においても、基板の露光処理が行われてから加熱処理が行われるまでの時間を一定に維持し、製品歩留まりの向上を図れるようにした基板搬送処理装置及びその障害対策方法並びに障害対策用プログラムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、この発明の基板搬送処理装置は、未処理の被処理基板を複数枚収容する搬入用カセットモジュールと、被処理基板の露光前後において被処理基板に所定の処理を施す複数のプロセスモジュールと、被処理基板を各モジュール間で搬送する複数の搬送モジュールとを具備し、上記搬送モジュールによって上記搬入用カセットモジュールからの被処理基板を各プロセスモジュールに分散させて搬送し、各プロセスモジュールで被処理基板を露光前処理及び露光後加熱処理する、基板搬送処理装置であって、
上記搬送モジュールとの間で複数の被処理基板を受け渡しするバッファモジュールと、
上記プロセスモジュールで発生した障害及び障害の復旧を検知し、その検知信号に基づいて各モジュールを統括して制御する制御手段とを具備し、  上記制御手段は、いずれかのプロセスモジュールで発生した障害を検知した場合、露光部から露光後加熱処理に存在する被処理基板の全てをバッファモジュールに搬送させるように上記バッファモジュールの空き部を予約し、上記制御手段の制御信号に基づいて、露光後の被処理基板を加熱処理後に上記バッファモジュールの空き部に搬送し、露光前の被処理基板の露光処理部への搬送を一旦停止すると共に、上記バッファモジュールに搬送し、障害が発生したプロセスモジュールの復旧を検知した場合、上記バッファモジュールの空き部に搬送した被処理基板の上記露光後加熱処理の後の搬送、処理を行うと共に、その他の被処理基板の搬送、処理を行うように形成してなる、ことを特徴とする（請求項１）。
【００１０】
また、この発明の障害対策方法は、未処理の被処理基板を複数枚収容する搬入用カセットモジュールと、被処理基板の露光前後において被処理基板に所定の処理を施す複数のプロセスモジュールと、被処理基板を各モジュール間で搬送する複数の搬送モジュールとを具備し、上記搬送モジュールによって上記搬入用カセットモジュールからの被処理基板を各プロセスモジュールに分散させて搬送し、各プロセスモジュールで被処理基板を露光前処理及び露光後加熱処理する、基板搬送処理装置における障害対策方法であって、  上記各モジュールを統括して制御する制御手段によって、いずれかのプロセスモジュールで発生した障害及び障害の復旧を検知し、  上記制御手段は、いずれかのプロセスモジュールで発生した障害を検知した場合、露光部から露光後加熱処理に存在する被処理基板の全てをバッファモジュールに搬送させるように上記バッファモジュールの空き部を予約し、上記制御手段の制御信号に基づいて、露光後の被処理基板を加熱処理後に上記バッファモジュールの空き部に搬送し、露光前の被処理基板の露光処理部への搬送を一旦停止すると共に、上記バッファモジュールに搬送し、障害が発生したプロセスモジュールの復旧を検知した場合、上記バッファモジュールの空き部に搬送した被処理基板の上記露光後加熱処理の後の搬送、処理を行うと共に、その他の被処理基板の搬送、処理を行う、ことを特徴とする（請求項７）。
【００１１】
この発明において、上記被処理基板は露光前処理，露光処理及び露光後加熱処理される基板であれば任意の基板であっても差し支えないが、好ましくは上記被処理基板は、化学増幅型レジストが塗布された基板である方がよい（請求項２，８）。
【００１２】
また、上記プロセスモジュールで発生する障害には、プロセスモジュール間に被処理基板を搬送する搬送モジュールの障害を含める方が好ましい（請求項４，９）。
【００１３】
また、上記被処理基板を加熱処理の後に冷却処理を行い、その後にバッファモジュールに搬送する方が好ましい（請求項３，１０）。
【００１４】
また、上記制御手段により、被処理基板の露光後から加熱処理までの時間を一定に制御可能に形成する方が好ましい（請求項５，１１）。この場合、制御される一定の時間には、加熱処理後の冷却処理まで含める方が好ましい（請求項６，１２）。
【００１５】
また、この発明の障害対策用プログラムは、上記障害対策方法を実行するもので、未処理の被処理基板を複数枚収容する搬入用カセットモジュールと、被処理基板の露光前後において被処理基板に所定の処理を施す複数のプロセスモジュールと、被処理基板を各モジュール間で搬送する複数の搬送モジュールとを具備し、上記搬送モジュールによって上記搬入用カセットモジュールからの被処理基板を各プロセスモジュールに分散させて搬送し、各プロセスモジュールで被処理基板を露光前処理及び露光後加熱処理する、基板搬送処理装置における障害対策用プログラムであって、  コンピュータに、  いずれかのプロセスモジュールで発生した障害を検知する手順と、  露光部から露光後加熱処理に存在する被処理基板の全てをバッファモジュールに搬送させるように上記バッファモジュールの空き部を予約する手順と、  露光後の被処理基板を加熱処理後に上記バッファモジュールの空き部に搬送する手順と、  露光処理部への被処理基板の搬送を一旦停止する手順と、  露光前処理後の被処理基板を上記バッファモジュールに搬送する手順と、  障害が発生したプロセスモジュールの復旧を検知する手順と、  上記プロセスモジュールの復旧後、上記バッファモジュールの空き部に搬送した被処理基板の上記露光後加熱処理の後の搬送、処理を行う手順と、  上記バッファモジュールの空き部に搬送した被処理基板以外のその他の被処理基板の搬送、処理を行う手順と、を実行させることを特徴とする（請求項１３）。
【００１６】
上記のように構成することにより、搬送モジュールによって搬入用カセットモジュールからの被処理基板を各プロセスモジュールに分散させて搬送し、各複数のプロセスモジュールで被処理基板を分散処理すなわち露光前処理及び露光後加熱処理している状態において、いずれかのプロセスモジュールで障害が発生すると、制御手段が障害を検知する。そして、制御手段の制御信号に基づいて、いずれかのプロセスモジュールで発生した障害を検知した場合、露光後の被処理基板を加熱処理後にバッファモジュールの空き部に搬送し、露光前の被処理基板の露光処理部への搬送を一旦停止すると共に、バッファモジュールに搬送し、また、制御手段によって障害が発生したプロセスモジュールの復旧を検知した場合、バッファモジュールの空き部に搬送した被処理基板の上記露光後加熱処理の後の搬送、処理を行うと共に、その他の被処理基板の搬送、処理を行うことができる。
【発明の効果】
【００１７】
この発明は、上記のように構成されているので、以下のような効果が得られる。
【００１８】
（１）請求項１，５，７，１１記載の発明によれば、制御手段は、いずれかのプロセスモジュールで発生した障害を検知した場合、露光部から露光後加熱処理に存在する被処理基板の全てをバッファモジュールに搬送させるようにバッファモジュールの空き部を予約するので、露光後加熱処理される全ての被処理基板を確実に退避させることができる。また、いずれかのプロセスモジュールで発生した障害を検知した場合、露光後の被処理基板を加熱処理後にバッファモジュールの空き部に搬送するので、露光処理が行われてから加熱処理が行われるまでの時間を一定にすることができ、回路パターンの線幅を一定に保つことができる。また、プロセスモジュールで発生した障害を検知した場合、露光前の被処理基板の露光処理部への搬送を一旦停止すると共に、バッファモジュールに搬送し、障害が発生したプロセスモジュールの復旧を検知した場合、バッファモジュールの空き部に搬送した被処理基板の上記露光後加熱処理の後の搬送、処理を行うと共に、その他の被処理基板の搬送、処理を行うので、一部のプロセスモジュールに障害が発生した場合においても、被処理基板の搬送及び処理を円滑に実行することができ、かつ、サイクルタイムコントロールを維持し、製品歩留まりの向上を図ることができる。
【００１９】
（２）請求項２，３，６，８，１０，１２記載の発明によれば、露光後加熱処理された被処理基板の加熱処理による反応、例えば化学増幅型レジストの酸触媒反応を止めることができるので、上記（１）に加えて、更に処理の安定化及び装置の信頼性の向上を図ることができる。
【００２０】
（３）請求項４，９記載の発明によれば、プロセスモジュールで発生する障害には、プロセスモジュール間に被処理基板を搬送する搬送モジュールの障害を含めることができるので、全ての被処理基板の処理における障害に対応することができる。したがって、上記（１）〜（２）に加えて、更に装置の信頼性の向上を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下に、この発明の最良の実施形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。ここでは、この発明に係る基板搬送処理装置を化学増幅型レジストを使用する半導体ウエハのレジスト塗布・露光・現像処理システムに適用した場合について説明する。
【００２２】
図１は、この発明に係る基板搬送処理装置を適用した半導体ウエハのレジスト塗布・露光・現像処理システムを示す概略平面図である。
【００２３】
上記レジスト塗布・露光・現像処理システム（以下に処理システムという）は、図１に示すように、複数の未処理の被処理基板である半導体ウエハＷ（以下にウエハＷという）を収容する搬入用カセットモジュール１と、処理済みのウエハＷを収容する搬出用カセットモジュール２を並設した搬入・搬出部３と、ウエハＷに所定の処理を施す後述する複数のプロセスモジュールを具備する処理部４と、露光部５と、搬入・搬出部３と処理部４との間に配置される第１のインターフェース部６と、処理部４と露光部５との間に配置される２つのブロックすなわち主インターフェース部７ａ及び補助インターフェース部７ｂからなる第２のインターフェース部７とを具備している。
【００２４】
また、上記処理部４は、対向する位置に、それぞれ多段に積層される、ウエハＷにレジストを塗布する塗布モジュール１１と、露光後の現像処理を施す現像モジュール１２とを具備する。また、処理部４には、第１のインターフェース部６と隣接する位置に、ウエハＷを疎水化処理するアドヒージョンモジュール１３と、現像処理後のウエハＷを加熱処理する第２のホットプレートモジュール１５が多段に積層された状態で配置され、第２のインターフェース部７の主インターフェース部７ａと隣接する位置に、レジストが塗布されたウエハＷを加熱処理する第１のホットプレートモジュール１４と、露光処理されたウエハＷにおける化学増幅型レジストの酸触媒反応を誘起するために加熱するポストエクスポージャベークモジュール１６と、酸触媒反応を止めるために冷却する冷却モジュール１７が多段に積層された状態で配置されている。なお、冷却モジュール１７を設ける代わりにポストエクスポージャベークモジュール１６内に冷却モジュール１７を併設して、両者間でウエハＷを受け渡し可能にしてもよい。また、処理部４の中心部には、上記塗布モジュール１１，現像モジュール１２，アドヒージョンモジュール１３，第１及び第２のホットプレートモジュール１４，１５及びポストエクスポージャベークモジュール１６との間でウエハＷを受け渡しする主搬送モジュール２０が水平のＸ，Ｙ方向及び回転θと鉛直のＺ方向に移動自在に配設されている。
【００２５】
上記第１のインターフェース部６には、搬入・搬出部３に配置された搬入用又は搬出用カセットモジュール１，２との間でウエハＷを受け渡しする第１の搬送モジュール３１が水平のＸ，Ｙ方向及び回転θと鉛直のＺ方向に移動自在に配設されている。この第１の搬送モジュール３１によって、搬入用カセットモジュール１内に収容された未処理のウエハＷが取り出されて、アドヒージョンモジュール１３に搬送されて、アドヒージョンモジュール１３によってウエハＷが疎水化処理され、また、第２のホットプレートモジュール１５によって現像処理後のウエハＷが加熱処理された後、第２のホットプレートモジュール１５内のウエハＷが第１の搬送モジュール３１によって受け取られて、搬出用カセットモジュール２に搬送（収容）される。
【００２６】
また、上記第２のインターフェース部７の主インターフェース部７ａには、レジストが塗布されたウエハＷの周縁のレジストを除去するための周辺露光モジュール４０と、露光部５との間で受け渡されるウエハＷを一時待機するバッファモジュール５０と、これら周辺露光モジュール４０とバッファモジュール５０及び後述する第１又は第２の受け渡しモジュール６１，６２との間でウエハＷを受け渡しする水平のＸ，Ｙ方向及び鉛直のＺ方向に移動可能な第２の搬送モジュール３２が配設されている。また、主インターフェース部７ａと補助インターフェース部７ｂの仕切り部には、主インターフェース部７ａから搬送された露光前のウエハＷを受け取る第１の受け渡しモジュール６１と、補助インターフェース部７ｂから搬送された露光後のウエハＷを受け取る第２の受け渡しモジュール６２が多段に積層された状態で配置されている。
【００２７】
また、補助インターフェース部７ｂは、上記第１又は第２の受け渡しモジュール６１，６２と露光処理部４との間でウエハを搬出入する第３の搬送モジュール３３が配設されている。
【００２８】
上記のように構成される処理システムにおいて、上記塗布モジュール１１，現像モジュール１２，塗布モジュール１１等のプロセスモジュール、主搬送モジュール２０、第１〜第３の搬送モジュール３１〜３３、及びその他の全てのモジュールは、制御手段であるコンピュータの中央演算処理装置（ＣＰＵ）７０（以下にＣＰＵ７０という）に電気的に接続されており、ＣＰＵ７０によって各モジュールは統括して制御されている。すなわち、ＣＰＵ７０に記憶された搬送スケジュール，処理スケジュール及びこれらスケジュールの選択や切換（変更）等を実行するプログラムによって、後述するように、各プロセスモジュールで発生した障害及び障害の復旧を検知し、その検知信号（制御信号）に基づいてウエハＷの搬送工程及び処理工程が最適な手順に制御されるように障害対策が施されている。
【００２９】
上記のように構成される処理システムによれば、上記ＣＰＵ７０にプログラミングされた搬送スケジュール，処理スケジュール及びこれらスケジュールの選択や切換（変更）等を実行する制御信号に基づいて以下のような工程（手順）でウエハＷの処理が行われる。
【００３０】
まず、第１のインターフェース部６に配設された第１の搬送モジュール３１が搬入用カセットモジュール１内に収容された未処理のウエハＷを取り出し、取り出されたウエハＷをアドヒージョンモジュール１３に搬送されて、アドヒージョンモジュール１３によってウエハＷが疎水化処理される。疎水化処理されたウエハＷは、主搬送モジュール２０によってアドヒージョンモジュール１３から取り出された後、複数例えば２台の塗布モジュール１１へ順次搬入される。この塗布モジュール１１内でウエハＷ表面に一様な膜厚でレジストが塗布される。
【００３１】
レジストが塗布されると、主搬送モジュール２０はウエハＷを塗布モジュール１１から搬出し、次に複数例えば３台の第１のホットプレートモジュール１４内に順次搬入する。第１のホットプレートモジュール１４内でウエハＷは所定温度例えば１００℃で所定時間プリベーク処理される。これによって、ウエハＷ上のレジスト膜から残存溶剤が蒸発除去される。
【００３２】
プリベークが終了すると、第１のホットプレートモジュール１４内のウエハＷは、主インターフェース部７ａ内の第２の搬送モジュール３２によって取り出されて、周辺露光モジュール４０に搬入される。ここで、ウエハＷはエッジ部に露光処理を受ける。
【００３３】
周辺露光処理が終了すると、周辺露光モジュール４０内のウエハＷは、第２の搬送モジュール３２によって取り出されて、第１の受け渡しモジュール６１に受け渡される。すると、補助インターフェース部７ｂ内の第３の搬送モジュール３３が第１の受け渡しモジュール６１内のウエハＷを受け取って、露光部５内に搬入する。
【００３４】
露光部５で露光処理が終了すると、第３の搬送モジュール３３は、露光部５内からウエハＷを受け取り、受け取ったウエハＷを第２の受け渡しモジュール６２に搬送する。すると、第２の搬送モジュール３２が第２の受け渡しモジュール６２からウエハＷを受け取って、ポストエクスポージャベークモジュール１６に搬送し、ポストエクスポージャベークモジュール１６によってウエハＷは所定温度例えば１２０℃これによって、化学増幅型レジストにおける酸触媒反応が誘起される。したがって、露光処理からポストエクスポージャベークまでの時間にバラツキが生じないように正確にコンロトールする必要がある。
【００３５】
ポストエクスポージャベークモジュール１６によって加熱処理された後、冷却モジュール１７で酸触媒反応を止める冷却処理を行う。その後、ウエハＷは主搬送モジュール２０によって複数例えば２台の現像モジュール１２に順次搬入される。この現像モジュール１２内で、ウエハＷ表面のレジストに現像液が満遍なくかけられて、現像処理が施される。現像が終了すると、ウエハＷ表面にリンス液がかけられて現像液が洗い落とされる。
【００３６】
現像工程が終了すると、主搬送モジュール２０は、ウエハＷを現像モジュール１２内から搬出して、次に複数の第２のホットプレートモジュール１５へ順次搬入する。この第２のホットプレートモジュール１５内でウエハＷは例えば１００℃で所定時間ポストベーク処理される。これによって、現像で膨潤したレジストが硬化し、耐薬品性が向上する。
【００３７】
ポストベークが終了すると、第１の搬送モジュール３１は、処理済みのウエハＷを第２のホットプレートモジュール１５から搬出し、搬出用カセットモジュール２に順次搬入して、処理が完了する。
【００３８】
次に、上記処理システムにおける障害対策の一例について、図２ないし図１２を参照して説明する。ここでは、Ａロット（Ａ1〜Ａ17）とＢロット（Ｂ1〜Ｂ17）におけるウエハＷを搬送・処理する場合で、処理部４における塗布モジュール１１に障害が発生した場合にのみの動作について説明する。
【００３９】
まず、例えば、上記２台の塗布モジュール１１の一方で処理中のＡロットのウエハＷ（Ａ14）に障害が発生した場合、処理モジュール，搬送モジュールのステータス信号よりＣＰＵ７０が障害発生を検知する。次に、ＣＰＵ７０により露光部５から露光後加熱処理（ポストエクスポージャベークモジュール１６）までに存在するウエハＷ（Ａ5〜Ａ10）の枚数を検知し、その検知信号に基づく制御信号をバッファモジュール５０に伝達して、検知した枚数分の空きをバッファモジュール５０に予約する。そして、露光部５から露光後加熱処理（ポストエクスポージャベークモジュール１６）までに存在する全てのウエハＷ（Ａ5〜Ａ10）を加熱処理（ポストエクスポージャベーク処理）した後、冷却モジュール１７で冷却処理して、第２の搬送モジュール３２によってバッファモジュール５０の空き部に搬送する（図３参照）。この際、複数のポストエクスポージャベークモジュール１６でそれぞれのウエハＷが加熱処理されたポストエクスポージャベークモジュール１６の記憶に基づいてバッファモジュール５０の空き部にウエハＷが搬送される。これにより、露光処理が行われてからポストエクスポージャベーク処理，冷却処理されるまでの時間を一定に保つことができるので、ウエハＷ（Ａ5〜Ａ10）上に形成される回路パターンの線幅を一定にすることができる。
【００４０】
また、障害発生を検知した場合、図２に示すように、塗布処理後におけるウエハＷ（Ａ12，Ａ13）の露光部５への搬送は一旦停止される。そして、第２のインターフェース部７内の冷却モジュールにあるウエハＷ（Ａ11）以外のウエハＷ（Ａ12，Ａ13）は第２の搬送モジュール３２によってバッファモジュール５０内に搬送される（図４参照）。また、塗布モジュール１１の障害発生時には、塗布処理前のウエハＷ（Ａ15〜Ａ17）の搬送は停止されると共に、次のロットのウエハＷ（Ｂ1）の処理部４への投入が停止される。塗布処理前のウエハＷ（Ａ15〜Ａ17）と同様に現像処理後のウエハＷ（Ａ1〜Ａ4）の搬送も停止される。
【００４１】
その後、塗布モジュール１１の障害が復旧した場合は、エラーフラグが解除されたならばＣＰＵ７０が検知し、ＣＰＵ７０からの制御信号に基づいて、露光前の塗布処理を開始する一方、複数のポストエクスポージャベークモジュール１６でそれぞれのウエハＷが加熱処理されたポストエクスポージャベークモジュール１６の記憶に基づいてバッファモジュール５０の空き部に退避（搬送）された６枚のウエハＷ（Ａ5〜Ａ10）の１枚ずつを最初に退避させたウエハＷから記憶しておいたポストエクスポージャベークモジュール１６に戻す。このとき、ウエハＷの加熱処理を行わずにポストエクスポージャベークモジュール１６の３本の支持ピン上にウエハＷを載置して通過させるのみにする。このようにして戻されたウエハＷは、これから通常の搬送スケジュールに戻されて、現像処理，ポストベーク処理される。すなわち、バッファモジュール５０の空き部に退避（搬送）された６枚のウエハＷ（Ａ5〜Ａ10）の１枚目（Ａ5），２枚目（Ａ6）…６枚目（Ａ10）を順次現像モジュール１２及び第２のホットプレートモジュール１５に搬送して、現像処理，ポストベーク処理を行う（図５〜図１１参照）。
【００４２】
バッファモジュール５０内に搬送（退避）されたウエハＷ（Ａ5〜Ａ13）がバッファモジュール５０から搬出されて、以後の搬送、処理が行われる状態になった後、次のロットのウエハＷ（Ｂ1）が処理部４に投入されて通常通りの処理が行われる（図１２参照）。
【００４３】
なお、処理部４における主搬送モジュール２０に障害が発生した場合も、上記と同様に、ＣＰＵ７０の監視信号により障害発生が検知され、ＣＰＵ７０からの制御信号に基づいて露光部５から露光後加熱処理（ポストエクスポージャベークモジュール１６）までに存在するウエハＷ（Ａ5〜Ａ10）の枚数を検知し、その枚数分の空きをバッファモジュール５０に予約する。そして、露光部５から露光後加熱処理（ポストエクスポージャベークモジュール１６）までに存在する全てのウエハＷ（Ａ5〜Ａ10）を加熱処理（ポストエクスポージャベーク処理）した後、第２の搬送モジュール３２によってバッファモジュール５０の空き部に搬送することで、露光処理が行われてからポストエクスポージャベーク処理，冷却処理されるまでの時間を一定に保つことができるので、ウエハＷ（Ａ5〜Ａ10）上に形成される回路パターンの線幅を一定にすることができる。
【００４４】
主搬送モジュール２０に障害が発生した場合には、障害は発生した時点で、塗布処理前のウエハＷ（Ａ15〜Ａ17）の搬送は停止されると共に、次のロットのウエハＷ（Ｂ1）の処理部４への投入が停止される。また、現像処理後のウエハＷ（Ａ1〜Ａ4）の搬送、処理（ポストベーク処理）も停止される（図４参照）。
【００４５】
また、上記実施形態では、塗布モジュール１１と主搬送モジュール２０に障害が発生した場合の対応について説明したが、塗布モジュール１１と主搬送モジュール２０以外のプロセスモジュール例えば現像モジュール１２や第１及び第２のホットプレートモジュール１４，１５に障害が発生した場合においても、上記と同様に対応することができることは勿論である。
【００４６】
なお、上記実施形態においては、この発明に係る基板搬送処理装置、障害対策方法及び障害対策用プログラムをウエハのレジスト塗布現像処理システムに適用した場合について説明したが、ＬＣＤガラス基板の塗布現像処理システムにも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】この発明に係る基板搬送処理装置を具備するレジスト塗布・露光・現像処理システムの一例を示す概略平面図である。
【図２】この発明におけるプロセスモジュールである塗布モジュールに障害が発生した状態を示す概略平面図である。
【図３】障害が発生した場合の露光処理後、現像処理前のウエハをバッファモジュールに搬送した状態を示す概略平面図である。
【図４】障害が発生した場合の塗布処理後、露光処理前のウエハをバッファモジュールに搬送した状態を示す概略平面図である。
【図５】障害が復旧した場合のバッファモジュールに搬送された１枚目のウエハの搬送と露光前のウエハの１枚目の搬送、処理を示す概略平面図である。
【図６】障害が復旧した場合のバッファモジュールに搬送された２枚目のウエハの搬送と露光前のウエハの２枚目の搬送、処理を示す概略平面図である。
【図７】障害が復旧した場合のバッファモジュールに搬送された３枚目のウエハの搬送と露光前のウエハの３枚目の搬送、処理を示す概略平面図である。
【図８】障害が復旧した場合のバッファモジュールに搬送された４枚目のウエハの搬送と露光前のウエハの４枚目の搬送、処理を示す概略平面図である。
【図９】障害が復旧した場合のバッファモジュールに搬送された５枚目のウエハの搬送を示す概略平面図である。
【図１０】障害が復旧した場合のバッファモジュールに搬送された６枚目のウエハの搬送を示す概略平面図である。
【図１１】障害が復旧した場合のバッファモジュールに搬送された１〜６枚目のウエハの搬送、処理を示す概略平面図である。
【図１２】露光処理後、現像処理前のウエハをバッファモジュールから搬出した後の露光処理前のウエハの搬送、処理を示す概略平面図である。
【符号の説明】
【００４８】
１  搬入用カセットモジュール
２  搬出用カセットモジュール
４  処理部
５  露光部
６  第１のインターフェース部
７  第２のインターフェース部
７ａ  主インターフェース部
７ｂ  補助インターフェース部
１１  塗布モジュール（プロセスモジュール）
１２  現像モジュール（プロセスモジュール）
１３  アドヒージョンモジュール（プロセスモジュール）
１４  第１のホットプレートモジュール（プロセスモジュール）
１５  第２のホットプレートモジュール（プロセスモジュール）
１６  ポストエクスポージャベークモジュール（プロセスモジュール）
１７  冷却モジュール
２０  主搬送モジュール
３１  第１の搬送モジュール
３２  第２の搬送モジュール
３３  第３の搬送モジュール
４０  周辺露光モジュール（プロセスモジュール）
５０  バッファモジュール
７０  ＣＰＵ（制御手段）
Ｗ  半導体ウエハ（被処理基板）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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