(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体層（３）を有し、前記半導体層（３）がパターニングされることで固定電極（１６）および固定配線部（１５）を含んだ固定部（７）と前記固定電極（１６）と対向する可動電極（１０）を含んだ可動部（６）とが形成され、前記固定配線部（１５）の上に固定部用外部出力端子（１７）が設けられており、
前記可動電極（１０）と前記固定電極（１６）との間に形成される容量に基づいて物理量を検出する半導体力学量センサの製造方法であって、
前記半導体層（３）を用意し、該半導体層（３）の上に金属層（１９）を形成する工程と、
前記金属層（１９）の上にレジスト（２０）を形成する工程と、
前記レジスト（２０）を前記固定部（７）のパターンにパターニングして前記レジスト（２０）に固定部用開口部（２１）を形成すると共に、前記金属層（１９）のうち前記固定部用開口部（２１）で囲まれた領域内で前記固定部用外部出力端子（１７）となる部分と該部分を除いた部分とが少なくとも離間するように前記レジスト（２０）にサイドエッチングホール（２２）を形成する工程と、
前記固定部用開口部（２１）および前記サイドエッチングホール（２２）から露出する前記金属層（１９）を異方性エッチングする工程と、
前記金属層（１９）を異方性エッチングした後、前記固定部用開口部（２１）から露出する前記半導体層（３）を異方性エッチングすることにより、前記半導体層（３）に前記固定部（７）を形成する工程と、
前記固定部（７）を形成した後、前記固定部用開口部（２１）および前記サイドエッチングホール（２２）を起点として前記金属層（１９）をサイドエッチングすることにより、前記固定配線部（１５）の上に前記固定部用外部出力端子（１７）を形成すると共に該固定部用外部出力端子（１７）と前記固定配線部（１５）の上の金属層（１９）とを離間して分離する工程とを含んでいることを特徴とする半導体力学量センサの製造方法。
【請求項２】
前記可動部（６）には、外部と電気的に接続される可動部用外部出力端子（１２）が設けられており、
前記レジスト（２０）に前記固定部用開口部（２１）および前記サイドエッチングホール（２２）を形成する工程では、前記レジスト（２０）を前記可動部（６）のパターンにパターニングして前記レジスト（２０）に可動部用開口部（２３）を形成すると共に、前記金属層（１９）のうち前記可動部（６）が形成される領域内で前記可動部用外部出力端子（１２）となる部分と該部分を除いた部分とが少なくとも離間するように前記レジスト（２０）にサイドエッチングホール（２２）を形成し、
前記金属層（１９）を異方性エッチングする工程では、前記レジスト（２０）のうち、前記可動部用開口部（２３）および前記サイドエッチングホール（２２）から露出する前記金属層（１９）を異方性エッチングし、
前記半導体層（３）に前記固定部（７）を形成する工程では、前記可動部用開口部（２３）から露出する前記半導体層（３）を異方性エッチングすることにより、前記半導体層（３）に前記可動部（６）となる部分を形成し、
前記サイドエッチングする工程では、前記可動部用開口部（２３）および前記サイドエッチングホール（２２）を起点として前記金属層（１９）をサイドエッチングすることにより、前記可動部（６）となる部分の上に前記可動部用外部出力端子（１２）を形成すると共に該可動部用外部出力端子（１２）と前記可動部（６）となる部分の上の金属層（１９）とを離間して分離することを特徴とする請求項１に記載の半導体力学量センサの製造方法。
【請求項３】
前記サイドエッチングする工程では、前記固定配線部（１５）の上の金属層（１９）のうち前記固定部用外部出力端子（１７）を除いた部分を交点金属（１４）として残しつつ該交点金属（１４）と前記固定部用外部出力端子（１７）とを分離することを特徴とする請求項１または２に記載の半導体力学量センサの製造方法。
【請求項４】
前記レジスト（２０）に前記サイドエッチングホール（２２）を形成する工程では、前記半導体層（３）において前記固定電極（１６）となる部分の上の金属層（１９）と前記半導体層（３）において前記固定配線部（１５）となる部分の上の金属層（１９）とが少なくとも離間するように、前記レジスト（２０）に前記サイドエッチングホール（２２）を形成し、
前記サイドエッチングする工程では、前記固定部用開口部（２１）および前記サイドエッチングホール（２２）を起点として前記金属層（１９）をサイドエッチングすることにより、前記固定電極（１６）となる部分の上の金属層（１９）と前記固定配線部（１５）となる部分の上の金属層（１９）とを離間して分離することを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の半導体力学量センサの製造方法。
【請求項５】
前記固定部（７）と前記可動部（６）との周囲には、前記固定部（７）および前記可動部（６）を囲む周辺部（１８）が設けられており、
前記レジスト（２０）にサイドエッチングホール（２２）を形成する工程では、前記半導体層（３）において前記周辺部（１８）となる部分に形成された前記レジスト（２０）に前記サイドエッチングホール（２２）を形成し、
前記金属層（１９）を異方性エッチングする工程では、前記サイドエッチングホール（２２）から露出する前記金属層（１９）を異方性エッチングし、
前記サイドエッチングする工程では、前記サイドエッチングホール（２２）を起点として、前記半導体層（３）において前記周辺部（１８）となる部分の上の金属層（１９）を該金属層（１９）の一部が交点金属（１４）として残るようにサイドエッチングすることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１つに記載の半導体力学量センサの製造方法。
【請求項６】
半導体層（３）と、
前記半導体層（３）がパターニングされることで形成された、固定電極（１６）および固定配線部（１５）を含んだ固定部（７）と、
前記固定配線部（１５）の上に設けられ、外部に電気的に接続される固定部用外部出力端子（１７）と、
前記半導体層（３）がパターニングされることで形成された、前記固定電極（１６）と対向する可動電極（１０）を含んだ可動部（６）とを備え、
前記可動電極（１０）と前記固定電極（１６）との間に形成される容量に基づいて物理量を検出する半導体力学量センサであって、
前記固定配線部（１５）の上には、前記固定部用外部出力端子（１７）と離間して分離された交点金属（１４）が配置されていることを特徴とする半導体力学量センサ。
【請求項７】
前記固定部（７）と前記可動部（６）との周囲に、前記半導体層（３）がパターニングされることで形成された周辺部（１８）を有し、該周辺部（１８）の上には前記交点金属（１４）が配置されていることを特徴とする請求項６に記載の半導体力学量センサ。
【請求項８】
前記可動部（６）には、外部に電気的に接続される可動部用外部出力端子（１２）と、該可動部用外部出力端子（１２）と離間して分離された前記交点金属（１４）とが設けられていることを特徴とする請求項６または７に記載の半導体力学量センサ。
【請求項９】
一面（２６）を有するキャップ（２５）を有しており、
前記キャップ（２５）の一面（２６）は前記交点金属（１４）に圧着されていることを特徴とする請求項６ないし８のいずれか１つに記載の半導体力学量センサ。
【請求項１０】
前記キャップ（２５）は前記一面（２６）から該一面（２６）の反対側の他面（２７）に貫通して設けられたキャップ埋設電極（２８）を有しており、
前記キャップ（２５）の一面（２６）から露出する前記キャップ埋設電極（２８）の一端側が前記交点金属（１４）に電気的に接続されると共に、前記キャップ（２５）の他面（２７）に露出する前記キャップ埋設電極（２８）の他端側が外部と電気的に接続されることを特徴とする請求項９に記載の半導体力学量センサ。
【請求項１１】
半導体層（３）がパターニングされることで形成されたパターニング部（６、７）の上に外部と電気的に接続されるパッド（１２、１７）が形成されたものを製造する方法であって、
前記半導体層（３）を用意し、該半導体層（３）の上に金属層（１９）を形成する工程と、
前記金属層（１９）の上にレジスト（２０）を形成する工程と、
前記レジスト（２０）を前記パターニング部（６、７）のパターンにパターニングして前記レジスト（２０）にパターニング部用開口部（２１、２３）を形成すると共に、前記金属層（１９）のうち前記パターニング部用開口部（２１、２３）で囲まれた領域内で前記パッド（１２、１７）となる部分と該部分を除いた部分とが少なくとも離間するように前記レジスト（２０）にパッド用開口部（２２）を形成する工程と、
前記パターニング部用開口部（２１、２３）および前記パッド用開口部（２２）から露出する前記金属層（１９）を異方性エッチングする工程と、
前記金属層（１９）を異方性エッチングした後、前記パターニング部用開口部（２１、２３）から露出する前記半導体層（３）を異方性エッチングすることにより、前記半導体層（３）に前記パターニング部（６、７）を形成する工程と、
前記パターニング部（６、７）を形成した後、前記パターニング部用開口部（２１、２３）および前記パッド用開口部（２２）を起点として前記金属層（１９）をサイドエッチングすることにより、前記パターニング部（６、７）の上に前記パッド（１２、１７）を形成すると共に該パッド（１２、１７）と前記パターニング部（６、７）の上の金属層（１９）とを離間して分離する工程とを含んでいることを特徴とする製造方法。
【請求項１２】
前記分離する工程では、前記パターニング部（６、７）の上の金属層（１９）のうち前記パッド（１２、１７）を除いた部分をすべて除去することを特徴とする請求項１１に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、外部と電気的に接続するための外部出力端子を備えた半導体力学量センサおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、ＳＯＩウェハを用いた単結晶シリコンの静電容量検出電極を具備する半導体力学量センサの製造方法が、例えば特許文献１で提案されている。具体的に、特許文献１では、加速度の作用に応じて変位する可動部として梁構造体が設けられ、その梁構造体の変位が梁構造体に一体に設けられ可動する可動電極と基板上に設けられ固定された固定部の固定電極とで構成されるコンデンサの静電容量の変化として取り出される静電容量式の加速度センサが提案されている。
【０００３】
上記の加速度センサでは、固定部は配線部を有し、この配線部の上には外部と電気的接続を行うための外部出力端子が設けられている。固定部はＳＯＩ層に形成され、外部出力端子はアルミ材料等で形成される。このため、ＳＯＩ層からなる固定部は該固定部を形成するための専用のホトマスクが用いられて形成され、外部出力端子は該外部出力端子を形成するための専用のホトマスクが用いられて形成される。このように、固定部および外部出力端子は、半導体製造技術であるホトリソグラフィーが少なくとも２回実施されることでそれぞれ形成される。
【特許文献１】特開２０００−３１５０２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記従来の技術では、固定部および外部出力端子それぞれについてホトリソグラフィーを行っているが、ホトリソグラフィーは細かな複数の加工を実施する必要があり、工数延長の要因になっている。また、異なるホトマスクを用いて複数回のホトリソグラフィーを実施するため、ホトリソグラフィーの工程ごとにホトマスクの位置合わせを行う必要がある。このため、ホトマスクの重ね合わせ回数（少なくとも１回）の数だけホトマスクの位置ずれが生じると、配線部の所望の場所に外部出力端子を形成できない可能性があり、加速度センサの歩留まりが低下してしまうという問題がある。
【０００５】
本発明は、上記点に鑑み、固定部および外部出力端子を形成するためのマスクの位置ずれを生じさせないことを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、半導体層（３）を有し、半導体層（３）がパターニングされることで固定電極（１６）および固定配線部（１５）を含んだ固定部（７）と固定電極（１６）と対向する可動電極（１０）を含んだ可動部（６）とが形成され、固定配線部（１５）の上に固定部用外部出力端子（１７）が設けられており、可動電極（１０）と固定電極（１６）との間に形成される容量に基づいて物理量を検出する半導体力学量センサの製造方法であって、半導体層（３）を用意し、該半導体層（３）の上に金属層（１９）を形成する工程と、金属層（１９）の上にレジスト（２０）を形成する工程と、レジスト（２０）を固定部（７）のパターンにパターニングしてレジスト（２０）に固定部用開口部（２１）を形成すると共に、金属層（１９）のうち固定部用開口部（２１）で囲まれた領域内で固定部用外部出力端子（１７）となる部分と該部分を除いた部分とが少なくとも離間するようにレジスト（２０）にサイドエッチングホール（２２）を形成する工程と、固定部用開口部（２１）およびサイドエッチングホール（２２）から露出する金属層（１９）を異方性エッチングする工程と、金属層（１９）を異方性エッチングした後、固定部用開口部（２１）から露出する半導体層（３）を異方性エッチングすることにより、半導体層（３）に固定部（７）を形成する工程と、固定部（７）を形成した後、固定部用開口部（２１）およびサイドエッチングホール（２２）を起点として金属層（１９）をサイドエッチングすることにより、固定配線部（１５）の上に固定部用外部出力端子（１７）を形成すると共に該固定部用外部出力端子（１７）と固定配線部（１５）の上の金属層（１９）とを離間して分離する工程とを含んでいることを特徴とする。
【０００７】
これにより、金属層（１９）の上に形成した一つのレジスト（２０）のみで固定部（７）と固定部用外部出力端子（１７）とを形成することができる。すなわち、マスクとしての一つのレジスト（２０）のみで固定部（７）および固定部用外部出力端子（１７）を形成することができる。このため、固定部（７）専用のマスクや固定部用外部出力端子（１７）専用のマスクを用いることなく、共通のマスクで形成できるので、マスクの位置ずれが生じないようにすることができる。また、固定部（７）の形成および固定部用外部出力端子（１７）の形成においてマスクを共通化できることから、工程数も削減することができる。以上により、マスク位置ずれによる歩留まり低下を防止した高精度なセンサデバイスを提供することができる。
【０００８】
請求項２に記載の発明では、可動部（６）には、外部と電気的に接続される可動部用外部出力端子（１２）が設けられており、レジスト（２０）に固定部用開口部（２１）およびサイドエッチングホール（２２）を形成する工程では、レジスト（２０）を可動部（６）のパターンにパターニングしてレジスト（２０）に可動部用開口部（２３）を形成すると共に、金属層（１９）のうち可動部（６）が形成される領域内で可動部用外部出力端子（１２）となる部分と該部分を除いた部分とが少なくとも離間するようにレジスト（２０）にサイドエッチングホール（２２）を形成し、金属層（１９）を異方性エッチングする工程では、レジスト（２０）のうち、可動部用開口部（２３）およびサイドエッチングホール（２２）から露出する金属層（１９）を異方性エッチングし、半導体層（３）に固定部（７）を形成する工程では、可動部用開口部（２３）から露出する半導体層（３）を異方性エッチングすることにより、半導体層（３）に可動部（６）となる部分を形成し、サイドエッチングする工程では、可動部用開口部（２３）およびサイドエッチングホール（２２）を起点として金属層（１９）をサイドエッチングすることにより、可動部（６）となる部分の上に可動部用外部出力端子（１２）を形成すると共に該可動部用外部出力端子（１２）と可動部（６）となる部分の上の金属層（１９）とを離間して分離することを特徴とする。
【０００９】
これにより、可動部（６）における可動部用外部出力端子（１２）を形成する場合にも、固定部（７）と同じマスクを用いて可動部（６）および可動部用外部出力端子（１２）を形成でき、マスク位置ずれを生じさせないようにすることができる。
【００１０】
請求項３に記載の発明では、サイドエッチングする工程では、固定配線部（１５）の上の金属層（１９）のうち固定部用外部出力端子（１７）を除いた部分を交点金属（１４）として残しつつ該交点金属（１４）と固定部用外部出力端子（１７）とを分離することを特徴とする。これにより、交点金属（１４）を例えば配線の一部として用いることができる。
【００１１】
請求項４に記載の発明では、レジスト（２０）にサイドエッチングホール（２２）を形成する工程では、半導体層（３）において固定電極（１６）となる部分の上の金属層（１９）と半導体層（３）において固定配線部（１５）となる部分の上の金属層（１９）とが少なくとも離間するように、レジスト（２０）にサイドエッチングホール（２２）を形成し、サイドエッチングする工程では、固定部用開口部（２１）およびサイドエッチングホール（２２）を起点として金属層（１９）をサイドエッチングすることにより、固定電極（１６）となる部分の上の金属層（１９）と固定配線部（１５）となる部分の上の金属層（１９）とを離間して分離することを特徴とする。
【００１２】
これにより、金属層（１９）が固定電極（１６）および固定配線部（１５）の上で一体的に繋がっていることで該金属層（１９）に生じる反り応力によって、固定電極（１６）のセンシングに影響を及ぼさないようにすることができる。
【００１３】
請求項５に記載の発明では、固定部（７）と可動部（６）との周囲には、固定部（７）および可動部（６）を囲む周辺部（１８）が設けられており、レジスト（２０）にサイドエッチングホール（２２）を形成する工程では、半導体層（３）において周辺部（１８）となる部分に形成されたレジスト（２０）にサイドエッチングホール（２２）を形成し、金属層（１９）を異方性エッチングする工程では、サイドエッチングホール（２２）から露出する金属層（１９）を異方性エッチングし、サイドエッチングする工程では、サイドエッチングホール（２２）を起点として、半導体層（３）において周辺部（１８）となる部分の上の金属層（１９）を該金属層（１９）の一部が交点金属（１４）として残るようにサイドエッチングすることを特徴とする。
【００１４】
これにより、周辺部（１８）の上に残した交点金属（１４）を例えば配線の一部として用いることができる。また、半導体層（３）にキャップ（２５）を圧着する場合に交点金属（１４）によって半導体層（３）にキャップ（２５）を圧着させやすくすることができる。
【００１５】
請求項６に記載の発明では、半導体層（３）と、半導体層（３）がパターニングされることで形成された、固定電極（１６）および固定配線部（１５）を含んだ固定部（７）と、固定配線部（１５）の上に設けられ、外部に電気的に接続される固定部用外部出力端子（１７）と、半導体層（３）がパターニングされることで形成された、固定電極（１６）と対向する可動電極（１０）を含んだ可動部（６）とを備え、可動電極（１０）と固定電極（１６）との間に形成される容量に基づいて物理量を検出する半導体力学量センサであって、固定配線部（１５）の上には、固定部用外部出力端子（１７）と離間して分離された交点金属（１４）が配置されていることを特徴とする。
【００１６】
このように、固定配線部（１５）の上に交点金属（１４）が設けられたセンサを提供することができる。
【００１７】
請求項７に記載の発明では、固定部（７）と可動部（６）との周囲に、半導体層（３）がパターニングされることで形成された周辺部（１８）を有し、該周辺部（１８）の上には交点金属（１４）が配置されていることを特徴とする。
【００１８】
このように、周辺部（１８）の上にも交点金属（１４）が設けられたセンサを提供することができる。
【００１９】
請求項８に記載の発明では、可動部（６）には、外部に電気的に接続される可動部用外部出力端子（１２）と、該可動部用外部出力端子（１２）と離間して分離された交点金属（１４）とが設けられていることを特徴とする。
【００２０】
このように、可動部（６）の上にも交点金属（１４）が設けられたセンサを提供することができる。
【００２１】
請求項９に記載の発明では、一面（２６）を有するキャップ（２５）を有しており、キャップ（２５）の一面（２６）は前記交点金属（１４）に圧着されていることを特徴とする。
【００２２】
これにより、半導体層（３）に交点金属（１４）が設けられている場合でも、半導体層（３）にキャップ（２５）を設けることができる。このキャップ（２５）により、固定部（７）や可動部（６）によって構成されるセンシング部を保護することができる。
【００２３】
請求項１０に記載の発明では、キャップ（２５）は一面（２６）から該一面（２６）の反対側の他面（２７）に貫通して設けられたキャップ埋設電極（２８）を有しており、キャップ（２５）の一面（２６）から露出するキャップ埋設電極（２８）の一端側が交点金属（１４）に電気的に接続されると共に、キャップ（２５）の他面（２７）に露出するキャップ埋設電極（２８）の他端側が外部と電気的に接続されることを特徴とする。
【００２４】
これにより、固定配線部（１５）のうちキャップ（２５）で覆われた部位は交点金属（１４）およびキャップ埋設電極（２８）を介して外部と電気的に接続することができ、固定配線部（１５）のうちキャップ（２５）で覆われていない部位は固定部用外部出力端子（１７）を介して外部と電気的に接続することができる。
【００２５】
請求項１１に記載の発明では、半導体層（３）がパターニングされることで形成されたパターニング部（６、７）の上に外部と電気的に接続されるパッド（１２、１７）が形成されたものを製造する方法であって、半導体層（３）を用意し、該半導体層（３）の上に金属層（１９）を形成する工程と、金属層（１９）の上にレジスト（２０）を形成する工程と、レジスト（２０）をパターニング部（６、７）のパターンにパターニングしてレジスト（２０）にパターニング部用開口部（２１、２３）を形成すると共に、金属層（１９）のうちパターニング部用開口部（２１、２３）で囲まれた領域内でパッド（１２、１７）となる部分と該部分を除いた部分とが少なくとも離間するようにレジスト（２０）にパッド用開口部（２２）を形成する工程と、パターニング部用開口部（２１、２３）およびパッド用開口部（２２）から露出する金属層（１９）を異方性エッチングする工程と、金属層（１９）を異方性エッチングした後、パターニング部用開口部（２１、２３）から露出する半導体層（３）を異方性エッチングすることにより、半導体層（３）にパターニング部（６、７）を形成する工程と、パターニング部（６、７）を形成した後、パターニング部用開口部（２１、２３）およびパッド用開口部（２２）を起点として金属層（１９）をサイドエッチングすることにより、パターニング部（６、７）の上にパッド（１２、１７）を形成すると共に該パッド（１２、１７）とパターニング部（６、７）の上の金属層（１９）とを離間して分離する工程とを含んでいることを特徴とする。
【００２６】
このように、金属層（１９）の上に形成したマスクとしての一つのレジスト（２０）のみでパターニング部（６、７）およびパッド（１２、１７）を形成することができる。すなわち、パターニング部（６、７）を形成するための専用のマスクやパッド（１２、１７）を形成するための専用のマスクを必要とせず、共通のマスクでパターニング部（６、７）およびパッド（１２、１７）を形成することができる。したがって、パターニング部（６、７）を形成する際とパッド（１２、１７）を形成する際とでマスクの位置ずれが生じないようにすることができる。また、共通のマスクを用いるので、マスクを用いた工程を削減することができる。
【００２７】
請求項１２に記載の発明では、分離する工程では、パターニング部（６、７）の上の金属層（１９）のうちパッド（１２、１７）を除いた部分をすべて除去することを特徴とする。
【００２８】
これにより、金属層（１９）のうちパッド（１２、１７）にならない不要な部分をすべて除去できるので、パターニング部（６、７）の上にパッド（１２、１７）のみを残すようにすることができる。
【００２９】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、図中、同一符号を付してある。
【００３１】
（第１実施形態）
以下、本発明の第１実施形態について図を参照して説明する。本実施形態に係る半導体力学量センサは、可動部を有する差動容量式の加速度センサであり、例えば、エアバッグ、ＡＢＳ、ＶＳＣ等の作動制御を行うために用いられる。
【００３２】
図１は、本発明の第１実施形態に係る加速度センサの部分断面斜視図である。この図に示されるように、本実施形態の加速度センサのセンシング部は、支持基板１の上に埋込酸化膜２を介してシリコン層３が配置されたＳＯＩ基板４を用いて形成されている。なお、シリコン層３は本発明の半導体層に相当する。
【００３３】
支持基板１は、例えばｐ型シリコンにて構成されている。埋込酸化膜２は、支持基板１とシリコン層３との間に所定の間隔を形成するためのものであり、部分的に除去されている。シリコン層３は、該シリコン層３がパターニングされることでトレンチ５が形成されることにより可動部（梁構造体）６や固定部７等を構成するものであり、埋込酸化膜２が部分的に除去された部分の上に配置されたシリコン層３にて可動部６が構成され、埋込酸化膜２が残された部分の上に配置されたシリコン層３にて固定部７が構成されている。
【００３４】
図１に示されるように、可動部６は、細長状の錘部８と、その両端に連結されたバネ部９と、錘部８に接続された可動電極１０と、バネ部９に一体化されたアンカー部１１とを有して構成されている。
【００３５】
錘部８は、加速度が印加されたときに可動部６を動かす錘として機能するものである。
【００３６】
可動電極１０は、錘部８によって構成される細長状の部位から垂直方向に延設され、複数本が設けられることで櫛歯状に配置されている。各可動電極１０の間隔は、一定間隔とされており、各可動電極１０の幅および長さも一定とされている。
【００３７】
バネ部９は、錘部８とアンカー部１１とを接続するものである。バネ部９は、図１に示されるように、平行な２本の梁がその両端で連結された矩形枠状をなしており、２本の梁の長手方向と直交する方向に変位するバネ機能を有するものである。
【００３８】
アンカー部１１は、各バネ部９を片持ち支持するものである。アンカー部１１の下方には埋込酸化膜２が残されており、アンカー部１１が支持基板１に対して固定されている。このため、可動部６は、アンカー部１１にて支持された状態でバネ部９の変位に基づいて基板水平方向に移動できるようになっている。
【００３９】
アンカー部１１の表面には可動部用外部出力端子１２が設けられており、該可動部用外部出力端子１２に図示しないボンディングワイヤなどが電気的に接続されることで可動部６の電位を取り出すことが可能となる。このような可動部用外部出力端子１２は、例えばアルミニウムをスパッタや蒸着する等により形成されている。
【００４０】
そして、可動部６のうちアンカー部１１には該アンカー部１１の表面が凹んだ複数のホール１３が設けられている。そして、各ホール１３の交差点の位置に交点金属１４が複数配置されている。この交点金属１４は、可動部用外部出力端子１２と離間して分離されている。本実施形態では、交点金属１４の厚さは例えば１μｍになっている。ホール１３の径は例えば２μｍである。なお、図１では、交点金属１４の部分を斜線部で示してある。
【００４１】
一方、固定部７は、可動部６を構成する細長状の錘部８の長辺と対向するように配置されている。固定部７は、固定配線部１５と固定電極１６と固定部用外部出力端子１７とを有した構成とされている。
【００４２】
固定配線部１５は、固定電極１６と固定部用外部出力端子１７とを電気的に接続する部位である。固定配線部１５の下方において埋込酸化膜２が残されており、固定配線部１５が支持基板１に固定されている。
【００４３】
固定電極１６は、固定配線部１５のうちの可動部６と対向する辺から垂直方向に延設され、固定配線部１５に複数本ずつ備えられることで櫛歯状に配置されている。各固定電極１６の間隔は、一定間隔とされており、各固定電極１６の幅および長さも一定とされている。そして、各固定電極１６が各可動電極１０と対向配置させられることで、各固定電極１６と各可動電極１０との間に容量が形成されている。このため、基板水平方向の加速度が印加されたときに、容量値の変化に基づいてその加速度を検出することが可能となっている。なお、固定電極１６は、固定配線部１５に支持されることで支持基板１に固定された状態となっているため、下方に埋込酸化膜２が残されていなくても構わない。
【００４４】
固定部用外部出力端子１７は、固定配線部１５を介して固定電極１６を外部と電気的に接続するためのパッドである。この固定部用外部出力端子１７には図示しないボンディングワイヤが接続されるようになっている。このため、ボンディングワイヤを通じて所望の電位を印加することができる。
【００４５】
このような固定部用外部出力端子１７は、例えばアルミニウムをスパッタや蒸着する等により形成されている。また、固定部用外部出力端子１７は一辺の長さが例えば１２０μｍの正方形をなしている。
【００４６】
図２は、固定部７の平面図を示したものである。この図に示されるように、固定部７のうち固定配線部１５には該固定配線部１５の表面が凹んだ複数のホール１３が設けられている。また、各ホール１３の交差点の位置に交点金属１４が複数配置されている。そして、各交点金属１４は、固定部用外部出力端子１７と離間して分離されている。上記と同様に、交点金属１４の厚さは例えば１μｍであり、ホール１３の径は例えば２μｍである。なお、図２では、交点金属１４および固定部用外部出力端子１７の部分を斜線部で示してある。
【００４７】
また、シリコン層３のうち、可動部６や固定部７以外の周辺部１８は、これら各部から離間されるようにして支持基板１上に残されている。すなわち、可動部６、固定部７、および周辺部１８は、シリコン層３に形成されたトレンチ５によってそれぞれが離間して配置されている。この周辺部１８には図示しないボンディングワイヤなどを電気的に接続されることで、例えばＧＮＤ電位などに電位固定される。
【００４８】
図３は、周辺部１８の一部の平面図を示したものである。この図に示されるように、周辺部１８にも図２で示されたホール１３と交点金属１４とが設けられている。図１および図３では、周辺部１８の一部のみを示してあるが、実際には図１に示される周辺部１８全体にホール１３および交点金属１４が配置されている。なお、図３では、交点金属１４の部分を斜線部で示してある。
【００４９】
以上のように構成された加速度センサでは、例えば、基板水平方向のうちの錘部８の長辺方向が例えば車両前後方向となるように車両に搭載される。そして、各固定部７に対して所望の電位が印加された状態で車両前後方向の加速度が印加されると、それに伴って可動電極１０と固定電極１６との間の容量の値が変動する。この容量値の変動を可動部６のアンカー部１１に備えられた可動部用外部出力端子１２を通じて取り出すことにより、車両前後方向の加速度を検出することが可能となる。
【００５０】
なお、図１および図２に示される交点金属１４およびホール１３は模式的に描かれたものであり、数や配置を限定するものではない。以下で示される図も同様である。
【００５１】
次に、上記のように構成された本実施形態にかかる加速度センサの製造方法について説明する。図４は、図１に示す加速度センサの製造工程を示した断面図である。なお、図４では、ウェハ状のＳＯＩ基板４に複数の加速度センサを形成する様子を示してある。
【００５２】
まず、図４（ａ）に示す工程では、例えばｎ型シリコンからなる支持基板１の表面にＳｉＯ２等の埋込酸化膜２を形成したのち、埋込酸化膜２の表面にシリコン基板を貼り合せ、さらにシリコン基板を削って薄くすることでシリコン層３を形成することによりＳＯＩ基板４を形成する。なお、ここではＳＯＩ基板４の形成方法の一例を示したが、ＳＯＩ基板４の形成方法は様々あり、周知となっているどのような手法によって形成しても構わない。
【００５３】
続いて、シリコン層３の表面に、スパッタや蒸着の方法によりアルミニウム等の金属層１９を形成する。該金属層１９は後に可動部用外部出力端子１２、固定部用外部出力端子１７、交点金属１４となるものである。金属層１９の厚さは例えば１μｍである。
【００５４】
この後、図４（ｂ）に示す工程では、金属層１９の上にレジスト２０を形成する。そして、図５（ａ）に示されるように、レジスト２０を固定部７のパターンにパターニングすることで、レジスト２０の一部が開口した固定部用開口部２１を形成する。また、金属層１９のうち固定部用開口部２１で囲まれた領域内で固定部用外部出力端子１７となる部分と該部分を除いた部分とが少なくとも離間するようにレジスト２０を開口させた複数のサイドエッチングホール２２を形成する。なお、図５（ａ）では、レジスト２０が開口した部分を斜線で示してあり、該斜線部が固定部用開口部２１およびサイドエッチングホール２２が形成された領域に相当する。
【００５５】
同様に、図５（ｂ）に示されるように、レジスト２０を可動部６のパターンにパターニングすることで、レジスト２０に可動部用開口部２３を形成する。また、金属層１９のうち可動部６が形成される領域内で可動部用外部出力端子１２となる部分と該部分を除いた部分とが少なくとも離間するようにレジスト２０に複数のサイドエッチングホール２２を形成する。なお、図５（ｂ）も同様に、レジスト２０が開口した部分を斜線で示してある。
【００５６】
さらに、固定部７と可動部６との周囲に位置する周辺部１８に形成されたレジスト２０に図示しないサイドエッチングホールを形成する。周辺部１８のレジスト２０に形成する図示しないサイドエッチングホールは図５に示されるものと同じものである。
【００５７】
本実施形態では、固定部用開口部２１、可動部用開口部２３、サイドエッチングホール２２のすべてを盛り込んだホトマスクを使って露光、現像ポストベークといった一連のホトリソグラフィーを実施する。
【００５８】
そして、固定部用開口部２１、可動部用開口部２３、およびエッチングホール１３から露出する金属層１９を異方性エッチングする。これにより、金属層１９のうちレジスト２０が開口した部分が除去され、該部分にシリコン層３を露出させる。
【００５９】
続いて、図４（ｃ）に示す工程では、レジスト２０の固定部用開口部２１から露出するシリコン層３を、埋込酸化膜２をストッパとして異方性エッチングすることにより、シリコン層３に固定部７を形成する。同様に、レジスト２０の可動部用開口部２３から露出するシリコン層３を、埋込酸化膜２をストッパとして異方性エッチングすることにより、シリコン層３に可動部６となる部分を形成する。これにより、シリコン層３にトレンチ５が形成され、シリコン層３において固定部７、可動部６、および周辺部１８がそれぞれ分離される。
【００６０】
図４（ｄ）に示す工程では、レジスト２０の固定部用開口部２１、可動部用開口部２３およびエッチングホール１３を起点として、金属層１９をサイドエッチングする。まず、サイドエッチングについて、図６および図７を参照して説明する。なお、図６および図７では、金属層１９の部分を斜線で示してある。
【００６１】
図６は、レジスト２０に４つのサイドエッチングホール２２が設けられたときに金属層１９がサイドエッチングされる様子を示した図である。図６（ａ）に示されるように、四角形の頂点位置に円形状のサイドエッチングホール２２が位置するようにレジスト２０にサイドエッチングホール２２を設け、該サイドエッチングホール２２を起点としてレジスト２０の下にある金属層１９をサイドエッチングする。
【００６２】
これにより、図６（ｂ）に示されるように、円形状のサイドエッチングホール２２から矢印に示されるように同心円状に金属層１９がエッチングされていく。これによると、４つのサイドエッチングホール２２の中央に位置する金属層１９は、各サイドエッチングホール２２からサイドエッチングされずに残る。図６（ｂ）に示されるように、サイドエッチングホール２２が四角形状の頂点に位置する場合には上面がひし形の金属層１９の一部が残り、これが交点金属１４となる。なお、図６（ｂ）において交点金属１４はレジスト２０の下部に配置されている。また、例えばサイドエッチングホール２２が互い違いに配置されると、交点金属１４は略三角形の平面図となる。
【００６３】
また、図７は、レジスト２０に設けられた固定部用開口部２１を起点として金属層１９をサイドエッチングする様子を示した図である。図７（ａ）に示される固定部用開口部２１を起点として金属層１９をサイドエッチングすると、図７（ｂ）に示されるように固定部用開口部２１で囲まれた領域の内側に矢印に示されるように金属層１９がサイドエッチングされていく。すなわち、固定部用開口部２１のパターニング形状を承継しながら、そのパターニング形状を小さくするように金属層１９がサイドエッチングされていく。これにより、図７（ｂ）に示されるように、固定部７に四角形状の金属層１９の一部が残り、これが固定部用外部出力端子１７となる。以上、図６および図７に示されるように金属層１９をサイドエッチングする。
【００６４】
ここで、固定部７において、サイドエッチングにより、固定配線部１５の上の金属層１９と固定部用外部出力端子１７とを離間して分離することについて、図８を参照して説明する。
【００６５】
図８は、固定配線部１５となる部分に設けられたレジスト２０に、金属層１９のうち固定部用外部出力端子１７となる部分と他の部分（交点金属１４）とが少なくとも離間するようにサイドエッチングホール２２を設けた様子を示した図であり、固定部７のうち固定部用外部出力端子１７が設けられる部位を拡大した平面図である。なお、図８では、金属層１９の部分を斜線部で示してある。
【００６６】
以下のように定義する。図８に示されるように、サイドエッチングホール２２の径をａ、レジスト２０がサイドエッチングホール２２を起点としてサイドエッチングされる距離をｂとする。また、固定配線部１５のうち固定部用外部出力端子１７が形成される部位から延設される固定電極用リード部２４の固定電極用リード幅をＷ１とし、固定部用外部出力端子１７が配置される部位においてリード幅Ｗ１の方向の寸法をＷ２とする。さらに、ＷＡＬＸ、ＷＡＬＹを固定部用外部出力端子１７の所望サイズとする。図８には図示しないが、固定電極１６の短軸方向の幅をＷ３とする。
【００６７】
このように定義したとき、ｎを配置数としたとき固定電極用リード幅Ｗ１がＷ１＜ａｎ＋２ｂ（ｎ＋１）の関係式を満たすようにする。また、リード幅Ｗ１の方向の寸法Ｗ２がＷ２＜ＷＡＬＹ＋２ｂの関係式を満たすようにする。ここで、固定電極１６の上に金属層１９を残さない場合には、Ｗ３≦２ｂを満たすようにする。なお、固定電極１６の上に金属層１９を残す場合にはＷ３＞２ｂを満たすようにすれば良い。
【００６８】
例えば、サイドエッチングホール２２の径ａをａ＝２μｍ、サイドエッチングされる距離ｂをｂ＝３μｍ、固定電極用リード幅Ｗ１をＷ１＝２５μｍ、リード幅Ｗ１の方向の寸法Ｗ２をＷ２＝１２６μｍとする。これにより、ＷＡＬＸ、ＷＡＬＹ＝１２０μｍ、ｎ＝３のときにＷ１＜ａｎ＋２ｂ（ｎ＋１）の関係式を満たし、Ｗ３＝４μｍとすれば固定電極１６の上に金属層１９が残らない。
【００６９】
図８では模式的にサイドエッチングホール２２が示されているが、図８に示されるようにサイドエッチングホール２２を起点として金属層１９をサイドエッチングすることにより、固定電極用リード部２４の部分の金属層１９と固定部用外部出力端子１７とが切り離されて互いに離間すると共に分離される。また、固定電極１６の上の金属層１９はすべて除去される。
このように、本実施形態では、固定配線部１５の上の金属層１９のうち固定部用外部出力端子１７を除いた部分を交点金属１４として残しつつ、該除いた部分である交点金属１４と固定部用外部出力端子１７とを分離している。
【００７０】
このようにして、固定配線部１５の上に固定部用外部出力端子１７を形成すると共に該固定部用外部出力端子１７と固定配線部１５の上の金属層１９とを離間して分離する。同様に、可動部６となる部分の上に可動部用外部出力端子１２を形成すると共に該可動部用外部出力端子１２と可動部６となる部分の上の金属層１９とを離間して分離する。
【００７１】
また、周辺部１８に形成されたレジスト２０に形成した図示しないサイドエッチングホールを起点として、シリコン層３において周辺部１８となる部分の上の金属層１９を図に示されるように該金属層１９の一部が残るようにサイドエッチングする。
【００７２】
この後、図４（ｅ）に示す工程では、レジスト２０を除去する。この場合、Ｏ２アッシングといったドライな処理はもちろんのこと、ウェットな処理でも良い。また、必要に応じて金属層１９のシンターを実施する。そして、センシング部のバネ部９、可動電極１０、固定電極１６を埋込酸化膜２をエッチングすることによりリリースする。これにより、バネ部９にて支持された可動部６がフローティング状態とされ、図１に示した構造の加速度センサが完成する。
【００７３】
以上説明したように、本実施形態では、固定部７と固定部用外部出力端子１７とを形成するために共通のマスクを用いていることが特徴となっている。このとき、マスクとなるレジスト２０にサイドエッチングホール２２を多数設け、該サイドエッチングホール２２を起点として金属層１９をエッチングすることにより、固定配線部１５の上に固定部用外部出力端子１７を形成すると共に該固定部用外部出力端子１７と固定配線部１５の上の金属層１９とを離間して分離することが特徴となっている。
【００７４】
これにより、固定部７を形成するための専用のマスクや固定部用外部出力端子１７を形成するための専用のマスクを用いる必要がなく、固定部７および固定部用外部出力端子１７を共通のマスクで形成できる。したがって、固定部７を形成するための専用のマスクと固定部用外部出力端子１７を形成するための専用のマスクとのマスクの位置ずれが生じないようにすることができ、マスク位置ずれによる歩留まり低下を防止することができる。また、マスクを共通化できることから、加速度センサを製造するための工程数を削減することができ、加速度センサをより安価に製造できる。
【００７５】
上記と同様に、可動部６の可動部用外部出力端子１２を形成する場合にも、共通のマスクにて可動部６および可動部用外部出力端子１２を形成でき、マスク位置ずれを生じさせないようにすることができる。
【００７６】
（第２実施形態）
本実施形態では、第１実施形態と異なる部分についてのみ説明する。本実施形態では、図１に示される加速度センサにセンシング部を覆うキャップを設けたことが特徴となっている。
【００７７】
図９は、本発明の第２実施形態に係る加速度センサの部分断面斜視図である。この図に示されるように、加速度センサのうちシリコン層３の上に板状のキャップ２５が設けられている。このキャップ２５により、可動部６や固定部７で構成されたセンシング部が覆われ、可動部６や固定部７が外部から保護されている。キャップ２５として、例えばシリコン基板やガラス基板が採用される。
【００７８】
また、キャップ２５には、シリコン層３に対向する一面２６から該一面２６の反対側の他面２７に貫通するキャップ埋設電極２８が設けられている。そして、キャップ２５の一面２６から露出するキャップ埋設電極２８の一端側が交点金属１４に圧着されて電気的に接続されると共に、キャップ２５の他面２７に露出するキャップ埋設電極２８の他端側にボンディングワイヤ２９が接続されている。
【００７９】
また、可動部６や固定部７のうち可動部用外部出力端子１２や固定部用外部出力端子１７はキャップ２５に覆われておらず、露出している。これら各端子１２、１７にボンディングワイヤ２９が接続され、外部と電気的に接続されている。
【００８０】
これによると、キャップ２５の内側では交点金属１４およびキャップ埋設電極２８を介して外部と電気的に接続することができる。また、キャップ２５の外側では固定部用外部出力端子１７を介して外部と電気的に接続することができる。このように、信号の取り出し経路を複数設けることが可能となる。
【００８１】
なお、図９では、キャップ埋設電極２８は、直線状の経路のものが一つ設けられているだけであるが、キャップ埋設電極２８は複数設けられていても良いし、直線状ではなくキャップ２５の内部で折り曲げられた経路のものでも良い。
【００８２】
このようなキャップ埋設電極２８は、周辺部１８の交点金属１４に接続されるように設けられていても良い。例えば、周辺部１８に交点金属１４による配線を設け、キャップ埋設電極２８を該配線に接続することにより、任意の配線経路を形成することが可能となる。
【００８３】
（第３実施形態）
本実施形態では、第１、第２実施形態と異なる部分についてのみ説明する。上記第１、第２実施形態では、金属層１９をサイドエッチングしたとしても、固定配線部１５の上や周辺部１８に交点金属１４が残されるようにしていたが、本実施形態では交点金属１４を残さずにすべて除去することが特徴となっている。
【００８４】
図１０は、レジスト２０に４つのサイドエッチングホールが設けられたときに金属層がサイドエッチングされる様子を示した図である。この図に示されるように、円形状のサイドエッチングホール２２から矢印に示されるように同心円状に金属層１９がエッチングされていくと、４つのサイドエッチングホール２２の中央に位置する金属層１９は各サイドエッチングホール２２からサイドエッチングされてすべて除去される。本実施形態では、図１０に示されるようにサイドエッチングによって、各端子１２、１７を除くすべての金属層１９が除去されるようにする。
【００８５】
すなわち、サイドエッチングホール２２および固定部用開口部２１を起点として金属層１９がサイドエッチングされると、図１１に示されるように固定配線部１５には固定部用外部出力端子１７は残され、交点金属１４は残されない。また、固定電極１６の上の金属層１９もすべて除去されている。同様に、周辺部１８においても、図１２に示されるように金属層１９はすべて除去され、交点金属１４は残されない。なお、図１１では、固定部用外部出力端子１７の部分を斜線部で示してある。
【００８６】
もちろん、可動部６においても、可動部用外部出力端子１２以外の金属層１９を残さないようにサイドエッチングすることとなる。
【００８７】
以上のように、金属層１９のうち残すべき各端子１２、１７を残し、他のすべての部分をサイドエッチングにより除去することができる。交点金属１４が残されていると、交点金属１４とシリコン層３との熱膨張係数の差によって応力が発生し、該応力がセンシングに影響を及ぼす可能性があるが、本実施形態のように交点金属１４が残らないようにすることで該応力の影響を回避できる。
【００８８】
（他の実施形態）
図５や図６等に示されるサイドエッチングホール２２の形状、サイズ、配置等は一例を示したものであり、上記各実施形態に限られたものではない。例えば、サイドエッチングホール２２の形状は円形に限らず、四角形状や三角形状であっても良い。また、配置についても、四角形の頂点に配置されるだけでなく、三角形の頂点に配置されるようにしても良い。
【００８９】
第１実施形態では、図３に示されるように、周辺部１８にも交点金属１４を設けてあるが、周辺部１８に交点金属１４を設けなくても良い。この場合、レジスト２０に開口部は設けられないから、周辺部１８にホール１３が形成されることもない。
【００９０】
第１実施形態では、固定部７において固定電極１６の上の金属層１９が全て除去されているが、該固定電極１６の上に交点金属１４が設けられていても良い。同様に、可動部６において錘部８、可動電極１０、バネ部９の上の金属層１９が全て除去されているが、錘部８、可動電極１０、バネ部９の上に交点金属１４が設けられていても良い。
【００９１】
第１実施形態では、ホール１３は固定配線部１５の表面が凹んだ穴をなしていたが、異方性エッチングによってシリコン層３が貫通して埋込酸化膜２に達する貫通穴になっていても良い。また、レジスト２０に設ける開口部のサイズが極小の場合には、シリコン層３を異方性エッチングしたとしてもシリコン層３にホール１３や貫通穴が形成されないこともある。
【００９２】
第１実施形態では、固定電極１６の上の金属層１９をすべてサイドエッチングにより除去していたが、固定電極１６の上に金属層１９を残しても良い。この場合、シリコン層３において固定電極１６となる部分の上の金属層１９とシリコン層３において固定配線部１５となる部分の上の金属層１９とが少なくとも離間するように、レジスト２０にサイドエッチングホール２２を形成し、レジスト２０に設けた固定部用開口部２１およびサイドエッチングホール２２を起点として金属層１９をサイドエッチングすることにより、固定電極１６となる部分の上の金属層１９と固定配線部１５となる部分の上の金属層１９とを離間して分離することが好ましい。金属層１９が固定電極１６および固定配線部１５の上で一体的に繋がっていることで該金属層１９に反り応力が生じるため、該反り応力が固定電極１６のセンシングに影響を及ぼさないようにすることができる。
【００９３】
上記第１実施形態では、固定部７および可動部６を同時に形成していたが、例えば固定部７と固定部用外部出力端子１７との形成だけについて共通のマスクを用いたり、可動部６と可動部用外部出力端子１２の形成だけについて共通のマスクを用いたりしても良い。このようにしても、固定部７と固定部用外部出力端子１７とを共通のマスクで形成でき、複数のホトリソグラフィー工程を行う必要が無くなる。可動部６についても同様である。
【００９４】
上記各実施形態では、加速度センサについて、マスクを共通化させて固定部７および固定部用開口部２１を形成することや可動部６および可動部用外部出力端子１２を形成することについて説明したが、加速度センサに限らず、例えばヨーレートセンサや圧力センサなどの製造についても、シリコン層３のパターニングとパターニングされたシリコン層３の上にパッドを形成することについて共通のマスクを用いるようにすることもできる。
【００９５】
例えば、シリコン層３においてパターニングされた部分をパターニング部とする。該パターニング部は、例えば固定部７や可動部６に相当するものである。また、パターニング部の上に外部と電気的に接続されるパッドが形成されるとする。該パッドは、固定部用外部出力端子１７や可動部用外部出力端子１２に相当するものである。
【００９６】
このようなものを製造する場合、まず、シリコン層３を用意し、該シリコン層３の上に金属層１９を形成する。続いて、金属層１９の上にレジスト２０を形成する。そして、レジスト２０をパターニング部のパターンにパターニングしてレジスト２０にパターニング部用開口部を形成すると共に、金属層１９のうちパターニング部用開口部で囲まれた領域内でパッドとなる部分と該部分を除いた部分とが少なくとも離間するようにレジスト２０にサイドエッチングホール２２を形成する。なお、パターニング部用開口部は、例えば固定部用開口部２１に相当するものである。
【００９７】
そして、パターニング部用開口部およびエッチングホール１３から露出する金属層１９を異方性エッチングし、この後、パターニング部用開口部から露出するシリコン層３を異方性エッチングすることにより、シリコン層３にパターニング部を形成する。
【００９８】
この後、パターニング部を形成した後、パターニング部用開口部およびサイドエッチングホール２２を起点として金属層１９をサイドエッチングすることにより、パターニング部の上にパッドを形成すると共に該パッドとパターニング部の上の金属層１９、すなわち交点金属１４とを離間して分離する。こうして、共通のマスクにてパターニング部およびパッドを形成することができる。このとき、サイドエッチングにより、パターニング部の上にパッドのみを残し、パッドを除いた金属層１９をすべて除去しても良い。
【図面の簡単な説明】
【００９９】
【図１】本発明の第１実施形態に係る加速度センサの部分断面斜視図である。
【図２】固定部の平面図である。
【図３】周辺部の一部の平面図である。
【図４】図１に示す加速度センサの製造工程を示した断面図である。
【図５】（ａ）はレジストに固定部用開口部とサイドエッチングホールとを形成した平面図であり、（ｂ）はレジストに可動舞踊開口部とサイドエッチングホールとを形成した平面図である。
【図６】レジストに４つのサイドエッチングホールが設けられたときに金属層がサイドエッチングされる様子を示した図である。
【図７】レジストに設けられた固定部用開口部を起点として金属層をサイドエッチングする様子を示した図である。
【図８】固定配線部となる部分に設けられたレジストに、金属層のうち固定部用外部出力端子となる部分と他の部分とが少なくとも離間するようにサイドエッチングホールを設けた様子を示した図である。
【図９】本発明の第２実施形態に係る加速度センサの部分断面斜視図である。
【図１０】本発明の第３実施形態において、レジストに４つのサイドエッチングホールが設けられたときに金属層がすべてサイドエッチングされる様子を示した図である。
【図１１】本発明の第３実施形態において、固定部の上の金属層をサイドエッチングした様子を示した平面図である。
【図１２】本発明の第３実施形態において、周辺部の上の金属層をすべてサイドエッチングした様子を示した平面図である。
【符号の説明】
【０１００】
３    シリコン層
６    可動部
７    固定部
１０  可動電極
１２  可動部用外部出力端子
１４  交点金属
１５  固定配線部
１６  固定電極
１７  固定部用外部出力端子
１８  周辺部
１９  金属層
２０  レジスト
２１  固定部用開口部
２２  サイドエッチングホール
２３  可動部用開口部
【図１】
0004557034.tif 000002
【図２】
0004557034.tif 000003
【図３】
0004557034.tif 000004
【図４】
0004557034.tif 000005
【図５】
0004557034.tif 000006
【図６】
0004557034.tif 000007
【図７】
0004557034.tif 000008
【図８】
0004557034.tif 000009
【図９】
0004557034.tif 000010
【図１０】
0004557034.tif 000011
【図１１】
0004557034.tif 000012
【図１２】
0004557034.tif 000013