(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
上下方向に連通可能となるように縦型に構成される一対のチャンバを備え、前記一対のチャンバのうち、上側に位置する一方のチャンバを加熱チャンバとして用い、下側に位置する他方のチャンバを該チャンバ内の基板に対してプラズマ表面処理を行うためのプロセスチャンバとして用いることを特徴とするバッチ式真空処理装置。
【請求項２】
前記プロセスチャンバを用いて行う、前記基板に対するプラズマ表面処理は、前記一対のチャンバの外部に設けたプラズマ発生源から発生する活性種を用いる遠隔プラズマ表面処理であることを特徴とする請求項１に記載のバッチ式真空処理装置。
【請求項３】
前記基板に対するプラズマ表面処理に用いるプロセスチャンバにガス導入口とガス排気口とを設け、該ガス導入口の中心軸と該ガス排気口の中心軸とを同一直線上に配置することを特徴とする請求項１または２に記載のバッチ式真空処理装置。
【請求項４】
前記基板に対してプラズマ表面処理を行う際に、前記基板を上下方向に揺動させると共に水平面上で回転させることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のバッチ式真空処理装置。
【請求項５】
前記加熱チャンバは、該チャンバ外部に設けた外部ヒータと、補助熱源として該チャンバ内部に設けたランプヒータとを備えることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のバッチ式真空処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば半導体ウェハ上に形成される薄膜の除去に用いる真空処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子の製造に際して、半導体ウェハ等の基板に対してイオン打ち込みや配線など種々の成膜処理が行われる。この際、成膜処理前のウェハ上に周辺雰囲気に起因してシリコンから成る自然酸化膜が１０〜２０Å程度のごく薄い膜厚で容易に形成され種々の問題の発生原因となる。即ち、ウェハ上に直接配線すべき金属配線材料とｐ型またはｎ型半導体として加工されるウェハとの間に自然酸化膜が介在するとコンタクト抵抗を発生させる原因となり、また、単結晶シリコンから成るウェハ上にエピタキシャル成長により薄膜を形成する際に、この薄膜とウェハとの間に自然酸化膜が介在すると単結晶で形成するべき薄膜を多結晶化させてエピタキシャル成長の阻害要因となり、さらに、ウェハ上にごく薄い膜厚（５０Å程度）で形成するべきゲート酸化膜の形成の際にウェハ上に自然酸化膜が形成されているとゲート酸化膜として機能する薄膜の膜厚制御に著しい困難をもたらす。
【０００３】
そこで、成膜処理前のウェハ上から自然酸化膜を除去するため、従来は、希フッ酸などの薬液による洗浄工程と乾燥工程とを繰り返す、いわゆる湿式処理が行われてきた。しかし、このような湿式処理を用いる場合、０．１μｍ以下のデザインルールが要求される配線用コンタクトホールの底部に形成された自然酸化膜に対しては、薬液を到達させ、循環させることは困難であり、特に近年は自然酸化膜除去法としては有用とされなくなった。
【０００４】
このため、ウェハ上の自然酸化膜除去を確実に行う方法として水素還元や水素プラズマなど乾式処理によるものが考えられるが、前者の水素還元法は８００℃以上の高温が必要で実用的ではない。後者の水素プラズマを用いてウェハをプラズマエッチングしてウェハの自然酸化膜処理を行うときの温度条件は４５０℃程度であるが、ウェハ内でプラズマによるダメージが発生するのと、薄膜化が進んだ素子ではさらなる低温化が要求され、４００℃以下で自然酸化膜を除去処理することが望ましく、このものも依然として問題が残る。
【０００５】
そこで、比較的低温の処理条件で、水素ラジカルを用いた乾式処理法による自然酸化膜除去方法が提案されている。このものは、Ｎ2ガスとＮＨ3ガスとＮＦ3ガスとを用いたものが考えられる。このものでは、Ｎ2ガスとＮＨ3ガスとの混合ガスにマイクロ波を印加して水素ラジカル（Ｈ*）を発生させ、これとＮＦ3ガスとを反応させてアンモニアフッ化物ガスを生成し、その後、このアンモニアフッ化物ガスが、自然酸化膜を構成するＳｉＯ2をエッチングする。また、副生成物であるアンモニア錯体が生成されるが、このアンモニア錯体は１００〜２００℃で熱分解されるものである。即ち、
Ｈ*＋ＮＦ3→ＮＨｘＦｙ（ＮＨｘＦｙが自然酸化膜をエッチングする。）
ＮＨｘＦｙ＋ＳｉＯ2→（ＮＨ4）2ＳｉＦ6＋Ｈ2Ｏ↑（副生成物）
としてアンモニアフッ化物（ＮＨｘＦｙ）と自然酸化膜（ＳｉＯ2）との反応で生成されると考えられるアンモニア錯体（（ＮＨ4）2ＳｉＦ6）を以下のように蒸気圧の高いガスに分解して蒸発させるものである。
（ＮＨ4）2ＳｉＦ6→ＮＨ3↑＋ＨＦ↑＋ＳｉＦ4↑
この際に自然酸化膜を除去するために要する温度は１００〜２００℃程度であり、ウェハの温度制約条件内である。
【０００６】
このようにして自然酸化膜の除去処理を完了したウェハは水素終端シリコンウェハとしてその後の成膜処理に適している。
【特許文献１】特開平１０−３３５３１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、この種の遠隔プラズマ処理方法を用いてウェハの自然酸化膜を除去するための装置として、従来、特開平１０−３３５３１６号公報で示すものが知られている。図１は、このものの要部断面図である。Ｎ2ガスとＨ2ガスとをプラズマ発生装置１に導入して水素ラジカル（Ｈ*）を発生させて処理装置２の内部に導入し、その後水素ラジカルとＮＦ3ガスとが反応して形成されると考えられるＮＨｘＦｙガスを加熱台３上に基板ホルダ４を介して載置したウェハ５上に吹き付けてウェハ５の自然酸化膜をＮＨｘＦｙガスでエッチングさせる。その後加熱台３によりウェハ５の温度を上昇させて副生成物のアンモニア錯体の除去処理を行っている。ところが、このものは枚葉式であるので、自然酸化膜の除去処理に要する一連の工程（仕込み→エッチング→加熱→取出し）に基板１枚あたり約３分を要し、成膜のための前処理工程としては実用的ではない。
【０００８】
そこで、上記枚葉式処理装置に替えてバッチ式処理装置を用いることが考えられる。このようなバッチ式処理装置の要部断面図を図２に示す。この装置６では、５０枚程度のウェハを１バッチとし、ウェハバッチ７をウェハ支持台８に取り付け、装置６の外部からＮ2ガスとＮＨ3ガスとをプラズマ発生装置９に導入して水素ラジカル（Ｈ*）を発生させ、その後水素ラジカルの気流上にＮＦ3を導入して、水素ラジカルとＮＦ3ガスとの反応により生成されると考えられるＮＨｘＦｙガスをウェハバッチ７に吹き付けて、ウェハの自然酸化膜をエッチングする。そして、その後に装置６の外部に設けた加熱源１０によりウェハの温度を上昇させてアンモニア錯体の除去処理を行っている。なお、このものでは、加熱源１０が装置６の外部に設けられているが、装置６の内部に設けられる場合もある。
【０００９】
このようなバッチ式処理装置では、ウェハの１回の処理枚数は増加するが、ウェハの自然酸化膜のエッチング反応を２５℃程度で行った後、副生成物であるアンモニア錯体を蒸発させるため、加熱源１０により装置６全体を１５０℃程度に加熱するための時間を要する。即ち、ウェハの自然酸化膜のエッチング反応は、いわゆるドライエッチング工程であるが、一般にエッチング工程は温度が低いほどエッチング効率が向上するため、２５℃程度の温度を維持して反応を行う必要があり、その後に加熱工程に移行する。そして、ウェハバッチ７の取出しのため、室温まで冷却する必要があり、その待機する時間まで含めると上記の自然酸化膜の除去処理の一連の工程に要する時間は２００分程度と依然として効率的でない。このため急速冷却機構を付設することも考えられるが、装置６はアルミニウムなどの耐腐食性の金属により構成されることが多く、このような金属装置に対して急速冷却を繰り返すことで、金属に対する圧縮膨張の繰り返しストレスに起因してパーティクルが発生するなどして、処理基板の歩留りの悪化や、装置の耐用年数に対して悪影響を及ぼすことが懸念される。
【００１０】
本発明は、上記問題点に鑑み、遠隔プラズマ処理プロセスなどのプラズマ処理を用い、例えばウェハの自然酸化膜除去などの表面処理を効率的に行うことができ、装置負担を軽減し得るバッチ式真空処理装置を提供することを課題としている。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するため、本発明は、１枚以上の基板にバッチ処理を行うため、上下方向に連通可能となるように縦型に構成される一対のチャンバを備え、上記のように加熱工程を伴う表面処理プロセスを行う目的で、前記一対のチャンバのうち、上側に位置する一方のチャンバを加熱チャンバとし、下側に位置する他方のチャンバを該チャンバ内の基板に対してプラズマ表面処理を行うためのプロセスチャンバとして用いることができる。このように縦型に構成される装置は、横型など他の形態に比べ占有面積が小さくコンパクトな構造の装置を構成することができ、さらに、上部に加熱チャンバを配置することで高温制御が必要な加熱チャンバと、これが不要なプロセスチャンバとの間の温度制御が容易になる。
【００１２】
この場合、前記加熱チャンバと前記プロセスチャンバとの間に冷却機構を介設して、加熱チャンバとプロセスチャンバとを断熱する構成とすると、両チャンバ間の温度制御をさらに確実に行うことができる。
【００１３】
さらに、この場合、前記プロセスチャンバを用いて、このプロセスチャンバ内に配置した基板に対するプラズマ表面処理、即ち、プロセスチャンバ内に上記のように水素ラジカルとＮＦ3ガスとを導入して、基板の自然酸化膜をエッチング反応し、その後、副生成物であるアンモニア錯体を有する基板ごと加熱チャンバに搬送し、加熱処理を行って基板上のアンモニア錯体を除去するなどの表面処理を行うことができる。
【００１４】
さらに、このような基板に対するプラズマ表面処理に際し、前記した一対のチャンバの外部に設けたプラズマ発生源から発生する活性種として水素ラジカルを用いるようにすれば、遠隔プラズマ表面処理により基板の自然酸化膜を除去するなどの表面処理を行うことができる。遠隔プラズマ処理は、基板を直接プラズマに曝す必要がないので基板の保護上有用である。
【００１５】
そして、このような遠隔プラズマ表面処理を行うため、プロセスチャンバにガス導入口とガス排気口とを設け、ガス導入口の中心軸とガス排気口の中心軸とが同一直線上に配置するようにプロセスチャンバを構成すれば、複数枚同時に提供されるバッチ処理において基板のそれぞれに上記のような反応性ガスが気流として均等に接触できるので、バッチ方式でも各基板を確実に処理することが可能である。
【００１６】
さらに、基板に対してプラズマ表面処理等を行う際に、基板を上下方向に揺動させると共に水平面上で回転させるように作動させると、上記の各基板において、表面処理の均一性はさらに向上し、バッチ式処理の効率が向上する。
【００１７】
例えば、ウェハ上に形成された自然酸化膜を除去するプロセスを行う場合は、プロセスチャンバを用いて、ウェハに対するプラズマ表面処理工程を、真空を維持したままその後の加熱工程を経ることにより、バッチ式で確実に行い得る。
【００１８】
そして、加熱チャンバを、このチャンバ外部に設けた外部ヒータと、補助熱源としてこのチャンバ内部に設けたランプヒータとを備えるように構成すれば、あらかじめ外部ヒータにより加熱チャンバを所望温度に保つ場合に、その後に上記プロセスチャンバから基板が搬送されるときの加熱チャンバの温度低下をランプヒータの作動により早期に回復することが可能であり、このようにしてウェハのアンモニア錯体の除去などの表面処理を効率的に行うことができる。
【発明の効果】
【００１９】
以上の説明から明らかなように、本発明の装置を用いると、縦型に連通可能に構成される加熱チャンバとプロセスチャンバとにより、バッチ単位のウェハに対して自然酸化膜除去処理などの表面処理を効率よく行うことができる。また、本発明装置は、各チャンバにおける温度の変動を抑制できるので、装置負担を軽減することが可能である。さらに、本発明の装置の上部チャンバとして、加熱チャンバと成膜チャンバとを並置すると、ウェハの自然酸化膜の除去処理などの表面処理とその後の成膜処理とを一体化して行うことができ、さらに効率よく成膜を行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
図３は、本発明のバッチ式真空処理装置の第１の実施態様の断面図である。本処理装置１１は、５０枚程度のバッチ単位のウェハ５の自然酸化膜の除去処理を行うもので、プロセスチャンバ１２と、加熱チャンバ１３と、プロセスチャンバ１２に反応ガス導入管１４を介して接続するプラズマ発生部１５とで構成されている。
【００２１】
プロセスチャンバ１２と反応ガス導入管１４とはガス導入口１６を介して連結され、また、このガス導入口１６の中心軸の延長線上にガス排出口１７の中心軸が位置するようにガス排出口１７が設けられ、プロセスチャンバ１２はこのガス排出口１７を介して図外のメカニカルブースタポンプとドライポンプとに選択可能に連結するガス排出管１８と連結している。また、プロセスチャンバ１２内には、上下方向に伸縮可能なロッド１９を介して昇降可能な昇降台２０が設けられ、この昇降台２０にはウェハ５をバッチ（１バッチはウェハ５０〜１００枚）単位で収納できるウェハ支持台８が、ウェハ支持台８用の回転機構２１を介して載置されている。そして、バッチ単位のウェハ５はウェハバッチ７として、図外の仕入取出口を介して、ウェハ支持台８に収納され、または、ウェハ支持台８から取出される。さらに、プロセスチャンバ１２の下方には、プロセスチャンバ１２の外部と連通する冷却用送風管２２が設けられている。さらに、プロセスチャンバ１２の下方部分には図外のパイプが巻回され、このパイプ内を冷却水や加熱用オイルが選択可能に循環できるように構成されている。
【００２２】
プロセスチャンバ１２の上部に位置して、仕切弁２３を介して加熱チャンバ１３が取付けられている。加熱チャンバ１３の外部には、抵抗加熱炉やマントルヒータなどの外部加熱源２４とターボ分子ポンプ２５とが取付けられている。また、加熱チャンバ１３の内部には、ランプヒータなどの補助熱源２６と温度モニタ用の熱電対２７とが取付けられている。さらに、加熱チャンバ１３の上方には、加熱チャンバ１３の外部と連通するパージガス導入管２８が取付けられている。
【００２３】
プロセスチャンバ１２と加熱チャンバ１３との間に介設した仕切弁２３は、水平方向に開閉可能に設けられており、プロセスチャンバ１２内でロッド１９が伸張して昇降台２０上のウェハ支持台８に支持されたウェハバッチ７が加熱チャンバ１３内に挿入する際は仕切弁２３が開かれる。なお、ウェハバッチ７が加熱チャンバ１３内に配置されるように上昇したときに、昇降台２０の上部両端とプロセスチャンバ１２の上部側壁とが当接して、プロセスチャンバ１２と加熱チャンバ１３とが隔離される。また、この隔離を確実に行うため、昇降台２０の上部両端部分にはＯリング２０ａを取付けている。また、プロセスチャンバ１２と加熱チャンバ１３との断熱効果を確実にするため、両チャンバの連結部には図外のパイプが巻回され、このパイプ内を冷却水が循環できるように構成されている。
【００２４】
そして、プロセスチャンバ１２の側面方向の外部から反応ガス導入管１４を介して接続するプラズマ発生部１５は、Ｎ2ガスとＮＨ3ガスとを導入する第１導入管２９と、ＮＦ3ガスを導入する第２導入管３０と、マイクロ波プラズマ発生装置３１とで構成されている。この構成において、第２導入管３０とマイクロ波プラズマ発生装置３１とは最適位置に離間することが望ましい。第２導入管３０から導入されるＮＦ3ガスが逆流してマイクロ波プラズマ発生装置３１に到達し、フッ素ラジカルが形成されてプロセスチャンバ１２に流入すると、好ましくない副反応を招いてプロセスチャンバ１２内のウェハ５に損傷を与える可能性があるからである。なお、プロセスチャンバ１２内の反応ガス導入管１４の導入口１６近傍には、図外のシャワーノズルが設けられ、プラズマ発生部１５から導入されるガスが均等に拡散されて、導入口１６に対向して位置するウェハバッチ７の各ウェハ５に等しく吹き付けられるように構成されている。
【００２５】
なお、図３のバッチ式真空処理装置１１を構成するプロセスチャンバ１２と加熱チャンバ１３とは、ハロゲンガスによる腐食を抑制するためにアルミニウム製とする。
【００２６】
さて、図３のバッチ式真空処理装置を用いて、ウェハバッチ７を構成する各ウェハ５の自然酸化膜の除去処理を行うに際し、まず、図外の仕入取出口より移載機を用いてアルミボートなどのウェハ支持台８に５０〜１００枚単位のウェハ５を収納する。仕切弁２３や仕入取出口を閉じた後、ガス排出管１８に連なる図外のメカニカルブースタポンプとドライポンプとを作動させて、プロセスチャンバ１２を１３０Ｐａ程度に到達させる。そして、プロセスチャンバ１２におけるエッチングレートを最適にする目的で、プロセスチャンバ１２に接続している図外の冷却パイプ内に冷却水を流し、プロセスチャンバ１２内を２５℃程度の温度に保つ。
【００２７】
一方、上記作動と並行してプラズマ発生部１５において、第１導入管２９からＮ2ガスとＮＨ3ガスとの混合ガスを導入し、この混合ガスをマイクロ波プラズマ発生装置３１でプラズマ励起して水素ラジカルを発生させる。そして、第２導入管３０から導入されるＮＦ3ガスとこの水素ラジカルとを反応させてアンモニアフッ化物ガスを生成する。これらの反応は以下の過程で行われていると考えられる。
Ｈ*＋ＮＦ3→ＮＨｘＦｙ
次に、このアンモニアフッ化物ガスをプロセスチャンバ１２内に導入する。アンモニアフッ化物ガスは上記したシャワーノズルなどの適宜手段により、ウェハバッチ７を構成する各ウェハ５に均等に吹き付けられる。そして、この際に、各ウェハ５の自然酸化膜はエッチング反応によりエッチングされる。
【００２８】
なお、各ウェハ５へのアンモニアフッ化物ガスの均等な吹き付けを確実にするために、プロセスチャンバ１２内のウェハ支持台８を、回転機構２１により１０ｒｐｍで回転軸回りに水平面上で回転し、さらに、ロッド１９の伸縮作動により上下方向に揺動させる。
【００２９】
この状態で、２分間程度アンモニアフッ化物ガスを吹き付けた後、このアンモニアフッ化物ガスの導入を終了する。そして、プロセスチャンバ１２の圧力状態を当初の１３０Ｐａ程度に回復させた後、仕切弁２３を開きロッド１９を伸張させて、ウェハバッチ７を加熱チャンバ１３に、ウェハ支持台８と一体的に搬送する。このウェハバッチ７の搬送に際して、加熱チャンバ１３は、あらかじめ１２０〜１５０℃に保たれており、また、ウェハバッチ７が搬送される際に、プロセスチャンバ１２内の残留ガスが流入しないように、パージガス導入管２８よりＮ2ガスを適当な流量で導入して加熱チャンバ１３からプロセスチャンバ１２へのダウンフローを維持する。さらに、ウェハバッチ７が搬送される際に、加熱チャンバ１３内の温度が一時的に低下するので、これを軽減するために補助熱源２６を作動させる。このときのバッチ式真空処理装置１１の状態は図４に示す通りである。
【００３０】
この状態で、ウェハバッチ７の各ウェハ５を３分間程度加熱し、ウェハ５上のアンモニア錯体を分解して蒸発させる。また、この分解と蒸発とを確実に行うため、上記の加熱後にターボ分子ポンプ２５を５分間程度作動させる。このとき各ウェハ５上では以下の過程の反応が行われていると考えられる。
（ＮＨ4）2ＳｉＦ6→ＮＨ3↑＋ＨＦ↑＋ＳｉＦ4↑
このようにして、ウェハ５上のアンモニア錯体は、揮発性の高いＮＨ3ガスやＨＦガスやＳｉＦ4ガスを生成する。そして、これらのガスが蒸発することにより、ウェハ５が水素で終端された状態になるものである。
【００３１】
そして、加熱チャンバ１３における処理が終了したウェハバッチ７を、ロッド１９を圧縮させてプロセスチャンバ１３に下降させ、仕切弁２３を閉じた後、冷却ガス導入管２２から冷却Ｎ2ガスを吹き付けて５分間程度冷却した後、図外の仕入取出室に搬送し、さらに装置１１の外部に取出して、その後の成膜処理工程に搬送する。このようにしてウェハの自然酸化膜の除去処理に要する時間は全体でおおむね３０分強である。
【００３２】
さらに、本発明のバッチ式真空処理装置の第２の実施態様を図５に示す。図３及び図４の装置１１と相異するのは、プロセスチャンバ１２がロードロックチャンバを兼ねている点と、装置上部に加熱チャンバ１３と成膜チャンバ３２とが並置されている点である。このようにしてバッチ式真空処理装置を構成することにより、上記の第１の実施の態様と同様にしてプロセスチャンバ１２と加熱チャンバ１３とを用い、自然酸化膜の除去処理などの表面処理を終了したウェハ５はウェハバッチ７として、昇降台２０と一体的にボート移載機構３３によりロードロックチャンバ１２内で移送して、成膜チャンバ３２の直下に到達する。さらに上記のロッド１９の伸縮による昇降機構により、表面処理が終了した直後のウェハ５をウェハバッチ７として成膜チャンバ３２に搬送する。成膜チャンバ３２内の詳細は省略してあるが、加熱チャンバ１３の場合と同様に、仕切弁３４により閉鎖系を構成することができ、成膜チャンバ３２内での成膜処理を確実に行うことができるようにしている。そして、このような構成により、表面処理後のウェハ５は、表面処理時の真空状態を維持しながら、バッチ単位でその後の成膜処理に移行することができる。
【００３３】
このような形態で成膜チャンバ３２に用いることが可能な装置として、エピタキシャル成膜装置、アニール処理装置、プラズマ改質装置、ＣＶＤ装置、酸化処理装置などが挙げられる。
【実施例】
【００３４】
図３及び図４に示すバッチ式真空処理装置１１を用いて上記第１の実施の態様に示す方法でウェハの自然酸化膜の除去処理を行った。このときの処理条件は、導入ガスの流量として、Ｎ2ガスを１０００ｓｃｃｍ、ＮＨ3ガスを１００ｓｃｃｍ、ＮＦ3ガスを１００ｓｃｃｍである。また、水素ラジカル発生のためＮ2ガスとＮＨ3ガスとに印加するマイクロ波のエネルギーを１０００Ｗ、プロセスチャンバ内の圧力を約５３０Ｐａとした。このときの処理時間と自然酸化膜（ＳｉＯ2）に対するエッチング量（Å）との関係を図６に示す。図６により、通常１０Å程度に形成されるウェハ上の自然酸化膜は、１〜２分程度のプラズマ表面処理によりエッチングされることが分かる。
【００３５】
したがって、図３及び図４のバッチ式真空処理装置により、その後の２分間程度の加熱処理も含めた真空処理を行うことにより、ウェハ上の副生成物であるアンモニア錯体は確実に効率よく除去できることがわかる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】従来の枚葉式表面処理装置の要部断面図
【図２】従来のバッチ式表面処理装置の要部断面図
【図３】ウェハがプロセスチャンバ内に位置するときの本発明の第１の実施の態様を示す要部断面図
【図４】ウェハが加熱チャンバ内に位置するときの本発明の第１の実施の態様を示す要部断面図
【図５】本発明の第２の実施の態様を示す要部断面図
【図６】本発明の第１の実施の態様の装置を用いたときのエッチング効果を示すグラフ
【符号の説明】
【００３７】
５    ウェハ
１２  プロセスチャンバ（下側チャンバ）
１３  加熱チャンバ（上側チャンバ）
１６  ガス導入口
１７  ガス排出口
２４  外部加熱源
２６  補助熱源
３２  成膜チャンバ
【図１】
0004557960.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
0004557960.tif 000006
【図６】
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