(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板間に誘電異方性が負の液晶が挟持されるとともに前記一対の基板の各基板上に垂直配向処理が施され、前記一対の基板のうちの一方の基板上に前記液晶を駆動する複数の電極が設けられた垂直配向モードの液晶装置であって、
前記複数の電極は、マトリクス状に配置された略矩形状の画素電極からなり、前記画素電極の縁部の下方にあたる位置に、導電膜からなる配向制御部が絶縁膜を介して設けられ、
前記配向制御部は、前記画素電極の辺に沿って配置され、
前記画素電極の下層に絶縁膜を介して透明導電膜が設けられ、前記配向制御部が前記透明導電膜上に設けられた凸条部からなることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記定電位がグランド電位であることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
光源と、前記光源からの光を変調する請求項１または２に記載の液晶装置からなる光変調手段と、前記光変調手段により変調された光を投射する投射手段とを備えたことを特徴とする投射型表示装置。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか一項に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶装置およびこれを用いた投射型表示装置、電子機器に関し、特に垂直配向モードの液晶装置の構成に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
液晶装置の配向モードには、電圧無印加状態で液晶分子が基板面に略平行で基板に垂直な方向にねじれた配向を持つツイステッド・ネマティック（Twisted Nematic,以下、ＴＮと略記する）モードと、液晶分子が垂直に配向した垂直配向モードとがある。信頼性等の面から従来はＴＮモードが主流であったが、垂直配向モードがいくつかの優れた特性を持っていることから、垂直配向モードの液晶装置が注目されてきた。
【０００３】
例えば、垂直配向モードでは、液晶分子が基板面に対して垂直に配列された状態（法線方向から見た光学的リターデーションが無い）を黒表示として用いるため、黒表示の質が良く、高いコントラストが得られる。また、正面コントラストに優れる垂直配向型ＬＣＤでは、一定のコントラストが得られる視角範囲は水平配向モードのＴＮ（Twisted Nematic）液晶に比較して広くなる。さらに、画素内の液晶の配向状態を多分割化するマルチドメイン化の技術を採用すれば、極めて広い視野角を得ることができる。
【０００４】
また、垂直配向モードの液晶装置においては、応答速度と配向制御とが他の液晶表示モードに比較してより密接な関係にあり、その配向状態によって得られる応答速度が大きく異なるが、初期配向にバイアスを与えることにより応答速度が大幅に改善される、といった特性を有している。これらの長所を持つことから、垂直配向モードの液晶装置は、近年、リア型プロジェクションＴＶなどの映像向けの液晶ライトバルブとして注目されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
垂直配向モードの液晶装置はこのような長所を有する反面、以下のような問題点を有している。一般に垂直配向モードは、ＴＮモードに比較して配向規制力が弱いという特性を有している（上述したような垂直配向型液晶装置における応答速度の強い配向状態依存性も、この特性に起因していると考えられる）。配向規制力が弱いことで、電圧印加時の液晶は過渡的に数々の配向方向を容易にとり、不安定なドメイン構造が形成されやすくなる。
【０００６】
特にプレチルト角が小さい場合、液晶に横電界が作用しなければ液晶分子が立ち上がった状態から全て一様な方向に倒れるが、例えば隣接する画素電極からの横電界が作用すると液晶分子が画素内で様々な方向に倒れることになる。特に、駆動方法としてライン反転、ドット反転等を用いると、隣接する画素電極に逆極性の電圧が印加されて生じる強い横電界の影響によって、上記の傾向が顕著に現れる。例えばドット反転駆動の場合、１つの画素を囲む周囲の画素が全て逆極性となるため、液晶分子が矩形の画素の各辺の外周部から中心部に向けてそれぞれ倒れていくし、ライン反転駆動の場合、隣り合う画素電極間で電気的に極性差のある側の辺から中心部に向けて倒れていくことになる。
【０００７】
そして、液晶分子が画素の各辺の外周部から中心部に向けて倒れていった結果、矩形の画素の対角線に沿ってドメインの境界ができ、この部分が透過率の低い領域、いわゆるディスクリネーションラインとなる。垂直配向モードの液晶装置ではもともと配向規制力が弱く、不安定なドメイン構造が形成されやすいため、例えば基板上の配向処理のわずかな乱れやその時々の電圧印加状態のバラツキなどによって、上述した画素中央のディスクリネーションラインがふらつくという現象が生じることがある。それ程大きくないディスクリネーションラインであれば、常に同じ箇所に発生している限りあまり大きな問題にならないが、ディスクリネーションラインの動きは、使用者の目には画像のちらつきとして視認されるという点で問題があった。
【０００８】
さらに、ディスクリネーションラインの領域が大きくなると、画面のコントラストが大幅に低下するという問題もあった。従来から、様々な手法によりディスクリネーションによる画質の低下を回避する手段が提案されているが、遮光層等を用いてディスクリネーションの発生領域を隠す方法では、開口率が低下し、画面の明るさが低下してしまう。したがって、ある程度の開口率を確保した上でディスクリネーションによる画質の低下を抑制する手段の提供が望まれている。
【０００９】
垂直配向モードの液晶表示装置におけるディスクリネーションを抑制するための構造が、特開平１１−２１２０５３号公報に開示されている。この公報に記載された技術は、隣接する画素電極間の下部に画素電極と電気的に絶縁された埋込電極を設け、この埋込電極に所定の電圧を印加することで画素電極の縁部で液晶に電位傾斜を与え、配向方向を制御しようとするものである。しかしながら、この技術では、画素電極とは独立して埋込電極を駆動するための埋込電極駆動回路が必要になるなど、装置構成が複雑となるという欠点がある。
【００１０】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、垂直配向型の液晶装置においてディスクリネーションに起因する画質の低下を抑制し、高コントラスト比、高開口率の液晶装置を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明の液晶装置は、一対の基板間に誘電異方性が負の液晶が挟持されるとともに前記一対の基板の各基板の表面に垂直配向処理が施され、前記一対の基板のうちの一方の基板上に前記液晶を駆動する複数の電極が設けられた垂直配向モードの液晶装置であって、前記一方の基板上の前記各電極の縁部の下方に、導電膜からなる配向制御部が絶縁膜を介して設けられ、前記配向制御部の電位が定電位に固定されたことを特徴とする。
【００１２】
本発明の液晶装置によれば、一方の基板上の液晶駆動用の各電極の縁部下方に配向制御部が設けられ、この配向制御部が定電位に設定されているので、電極に電圧が印加されていない状態では配向制御部は何の作用も生じないが、電極に画像信号を書き込むべく電圧が印加された瞬間に電極、特に電極の縁部と配向制御部との間に基板面に略垂直な方向（この方向を縦方向という）に電界が発生する。すると、電極の縁部上方に位置する誘電異方性が負の液晶分子はこの縦電界の作用により電界方向と垂直な方向に倒れようとするので、液晶の倒れる方向が規制されることになる。このように、本発明の場合、配向制御部を定電位に設定するだけで配向を規制することができ、配向制御部の駆動回路も不要であるため、装置構成をそれ程複雑にすることなく、ディスクリネーションを効果的に抑制することができる。
【００１３】
本発明の液晶装置において、電極が設けられた一方の基板の表面には配向処理が施されていなくてもよいが、液晶層の初期状態での配向方向を規制する意味で一般的なラビング処理等の一定方向の配向処理を施しておくことが望ましい。本発明の液晶装置が例えばアクティブマトリクス型液晶装置であり、前記複数の電極がマトリクス状に配置された略矩形状の画素電極からなる場合、前記配向制御部が、一方の基板の表面の配向方向に延在する画素電極の辺に沿って配置されていることが望ましい。
【００１４】
ラビング処理等の配向処理を施した場合、液晶層の初期状態の配向方向は基本的にはこの配向処理によって規制されることになる。しかしながら、液晶層に電圧が印加されて液晶分子が一定の方向に配向しようとする際、種々の要因によって配向が乱されることがある。この時、上記の構成によれば、ラビング処理等で規定された配向方向に延在する画素電極の辺に沿うように配向制御部が配置されているので、この辺に沿う領域で縦電界が発生することになり、電圧印加時にはこの縦電界に直交する方向に液晶分子が倒れようとする。結局のところ、この方向はラビング処理による配向方向と一致するので、電極と配向制御部との間で発生する縦電界による作用が、配向を乱そうとする作用を打ち消し、配向処理による初期の配向方向を維持しようとする形となってディスクリネーションをより確実に抑制することができる。
【００１５】
配向制御部の具体的な形態としては、例えば絶縁膜上に帯状の導電膜を単独に設け、これを配向制御部としてもよいし、画素電極の下層に絶縁膜を介して透明導電膜を設け、この透明導電膜上に凸条を形成することで配向制御部を構成することができる。
特に後者の構成によれば、透明導電膜の平坦な部分に対して凸条の部分が最も画素電極に近くなり、強い電界が発生するので、配向方向を規制する作用を強めることができる。その他、反射型の液晶装置を作製する際、この透明導電膜を金属膜に変えるだけで実現することができるという効果が得られる。
【００１６】
また、配向制御部の電位としては、定電位であればいかなる電位でもよいが、種々の画素電位が印加されても確実に作用し、かつ定電位の供給源との接続が容易である点などを考慮すると、グランド電位とすることが最も簡単である。
【００１７】
本発明の投射型表示装置は、光源と、前記光源からの光を変調する本発明の液晶装置からなる光変調手段と、前記光変調手段により変調された光を投射する投射手段とを備えたことを特徴とする。本構成によれば、高コントラスト比と明るい画像を有する投射型表示装置を実現することができる。
【００１８】
本発明の電子機器は、本発明の液晶装置を備えたことを特徴とする。本構成によれば、高コントラスト比と明るい画像を有する液晶表示部を備えた電子機器を実現することができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
［液晶装置の構成］
以下、本発明の一実施の形態を図１〜図６を参照して説明する。
本実施の形態の液晶装置は、表示モードとして垂直配向モードを用いたアクティブマトリクス型液晶装置である。図１は液晶装置の表示領域を構成するマトリクス状に配置された複数の画素におけるスイッチング素子、信号線等の等価回路図、図２はデータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の隣接する画素の平面図、図３は図２のＡ−Ａ’線断面図、図４は図２のＢ−Ｂ’線断面図である。
なお、以下の各図面においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。
【００２０】
本実施の形態の液晶装置において、図１に示すように、画像表示領域を構成するマトリクス状に配置された複数の画素には、画素電極１と当該画素電極１を制御するためのスイッチング素子である薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor, 以下、ＴＦＴと略記する）２がそれぞれ形成されており、画像信号が供給されるデータ線３が当該ＴＦＴ２のソースに電気的に接続されている。データ線３に書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給されるか、あるいは相隣接する複数のデータ線３同士に対してグループ毎に供給される。また、走査線４がＴＦＴ２のゲートに電気的に接続されており、複数の走査線４に対して走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍが所定のタイミングでパルス的に線順次で印加される。画素電極１はＴＦＴ２のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ２を一定期間だけオンすることにより、データ線３から供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。
【００２１】
画素電極１を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、後述する共通電極との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能にする。ここで、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極１と共通電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量５が付加されている。
【００２２】
本実施の形態の液晶装置の場合、図２に示すように、ＴＦＴアレイ基板上にマトリクス状に複数の略矩形状の画素電極１が設けられ（図２では横方向に隣接する２個の画素電極のみを示す）、画素電極１の縦横の辺に沿ってデータ線３、走査線４がそれぞれ設けられている。そして、ＴＦＴアレイ基板上の各画素電極１の角部近傍に、データ線３、走査線４に電気的に接続され、各画素電極１をスイッチング制御する画素スイッチング用のＴＦＴ２が設けられている。また、実際には図１の等価回路図に示したように上記蓄積容量５を構成する容量線６が設けられているが、ここでは図示を省略する。データ線３は、例えばポリシリコンからなる半導体層７のうち、後述のソース領域に電気的に接続されており、画素電極１は、半導体層７のうち、後述のドレイン領域にドレイン電極８を介して電気的に接続されている。また、半導体層７のうち、後述のチャネル領域に対向するように走査線４から分岐して延びるゲート電極９が配置されている。
【００２３】
また、本発明の特徴として、画素電極１のデータ線３の延在する方向（図２における縦方向）に沿って延びる辺１ａの略全長にわたってこの辺１ａに沿うように、配向制御部１０が配置されている。この配向制御部１０は後述する透明導電膜上に形成された凸条からなるものであって、液晶装置内でグランド電位が供給される任意の箇所と電気的に接続されている。
【００２４】
次に、断面構造を見ると、図３、図４に示すように、本実施の形態の液晶装置は、ガラス、プラスチック等からなる一対の透明基板１１，１２を有し、その一方の基板をなすＴＦＴアレイ基板１３と、これに対向配置された他方の基板をなす対向基板１４とを備えている。ＴＦＴアレイ基板１３側は、ガラス、プラスチック等からなる透明基板１２上にインジウム錫酸化物（Indium Tin Oxide, 以下、ＩＴＯと略記する）等の透明導電膜１５が形成され、透明導電膜１５上に図３，図４において紙面に垂直な方向に延在する凸条が形成され、この凸条が配向制御部１０とされている。この凸条は透明導電膜１５と一体に形成してもよいし、透明導電膜１５と電気的に接続されていさえすれば透明導電膜１５と別体であってもよい。透明導電膜１５は各画素毎に分割する必要はないので、透明基板１２上にベタで形成してよい。
【００２５】
透明導電膜１５上に例えば膜厚５０〜３００ｎｍ程度の任意の絶縁膜１６が形成されている。この絶縁膜１６の膜厚が５０ｎｍより薄いと、配向制御部１０の凸条の部分と画素電極１の絶縁性が低下する恐れがあり、好ましくない。この膜厚が３００ｎｍより厚いと、後で作用を説明するが、配向制御部１０と画素電極１との間で充分な縦電界が発生しなくなり、液晶の配向を制御する作用が得られなくなる。
【００２６】
ＴＦＴ２の部分では、絶縁膜１６上に走査線４から延びたゲート電極９が形成され、ゲート絶縁膜１７を介してポリシリコン等からなる半導体層７が形成されている。半導体層７は、ゲート電極９からの電界によりチャネルが形成されるチャネル領域、例えばリン等のｎ型不純物が導入されたソース領域、ドレイン領域を有しているが、ソース領域にはデータ線３が電気的に接続され、ドレイン領域にはドレイン電極８を介してＩＴＯ等の透明導電膜からなる画素電極１が電気的に接続されている。画素電極１から見ると、絶縁膜１６を介して画素電極１の下方で、画素電極１のデータ線３が延在する側の辺に沿う外側の位置に、配向制御部１０として機能する凸条が配置されている。
【００２７】
他方、対向基板１４側には、ＴＦＴアレイ基板１３上のデータ線３、走査線４、ＴＦＴ２の形成領域に対向する領域、すなわち各画素部の開口領域以外の領域に遮光膜１９（ブラックマトリクス）が設けられている。さらに、遮光膜１９上を含む対向基板１４上にはその全面にわたって共通電極２０が設けられている。
共通電極２０もＴＦＴアレイ基板１３の画素電極１と同様、ＩＴＯ等の透明導電膜から形成されている。遮光膜１９の存在により、対向基板１４の側からの入射光がＴＦＴ２の半導体層７に入射することはない。
【００２８】
そして、ＴＦＴアレイ基板１３における画素電極１上または絶縁膜１６上、対向基板１４における共通電極２０上には例えばＳｉＯ等の無機膜、あるいはポリイミド等の樹脂膜からなる配向膜２１，２２がそれぞれ形成されており、これら配向膜２１，２２に垂直配向処理が施されている。そして、両基板１３，１４間に誘電率異方性が負の液晶からなる液晶層２５が挟持されている。本実施の形態の液晶装置の場合、液晶層２５の層厚ｄが例えばｄ＝３．２μｍ、リタデーションΔｎｄ＝０．２６に設定されている。各基板１３，１４上の配向膜２１，２２に施された配向処理の方向は、図２の平面図に示す通りであり、ＴＦＴアレイ基板１３側が紙面の下側から上側に向く方向（実線の矢印ＬＡで示す方向）であり、対向基板１４側が紙面の上側から下側に向く方向（破線の矢印ＬＢで示す方向）である。
【００２９】
この配向処理は、配向膜２１，２２の種類に応じて種々の方法を採ることができる。例えば配向膜２１，２２の材料としてポリイミドを用い、配向処理にラビング法を用いる場合にはラビング布でポリイミド膜を擦る方向を適宜選択することによって配向膜の配向方向を制御することができる。あるいは、配向膜２１，２２の材料としてＳｉＯを用いる場合には、ＳｉＯ膜を斜方蒸着法により形成することとし、蒸着源から基板へ向かう原子の飛程方向、いわゆる蒸着方向を基板面内で適宜選択することにより配向膜の配向方向を制御することができる。
【００３０】
上記構成の液晶装置において、ＴＦＴアレイ基板１３上の画素電極１の駆動方式としてはドット反転駆動を採用しており、隣接する画素電極１に＋５Ｖ、−５Ｖの電圧がそれぞれ印加される構成となっている。すなわち、一つの画素電極１に着目すると、その画素電極１に＋５Ｖの電圧が印加されたときにその周囲の全ての画素電極１には−５Ｖの電圧が印加される。図５および図６は本実施の形態の液晶装置の作用を説明するための図であって、電圧印加時に画素電極１と配向制御部１０との間に発生する縦電界の様子を示している。図５は走査線４に沿う方向（図２のＢ−Ｂ’線に沿う方向）で切断した状態、図６はデータ線３に沿う方向（図２のＣ−Ｃ’線に沿う方向）で切断した状態をそれぞれ示している。
【００３１】
本実施の形態の場合、図５、図６に示す画素電極１の下方に設けられた透明導電膜１５全体がグランド電位に固定されているが、画素電極１に電圧が印加されると、透明導電膜１５の平坦面よりも上に突出した配向制御部１０の部分は画素電極１との距離が最も近いので、この部分で最も強い縦電界ＥＬが発生する。この時、反転駆動を行っているので、この図に示す画素電極１と隣接する画素電極との間で最大１０Ｖの電位差が生じるので、横電界Ｅｓも同時に発生する。しかしながら、１０Ｖの電位差とはいっても画素電極１間の距離が数μｍあるのに対し、５Ｖの電位差がある配向制御部１０と画素電極１との距離はたかだか数十〜数百ｎｍ程度（絶縁膜１６の膜厚に相当）であるから、画素電極１間の横電界Ｅｓよりも配向制御部１０と画素電極１との間の縦電界ＥＬの方が相対的に強くなり、画素電極１の縁部の上方に位置する液晶分子Ｍの配向方向はこの縦電界ＥＬに支配されることになる。
【００３２】
そこで、液晶層２５全体はあくまでも対向基板１４側の共通電極２０との間で生じる通常の縦電界で駆動されながら、画素電極１縁部の上方の液晶についてはさらに配向制御部１０から生じる縦電界ＥＬにも影響を受け、液晶分子Ｍはこれら縦電界ＥＬに垂直な方向に倒れようとする。この時、本実施の形態では、ＴＦＴアレイ基板１３上の配向膜２１に、図５において紙面手前側から奥側に向く方向、図６においては紙面左側から右側に向かう方向Ｌのラビング（配向）処理がもともと施されているので、縦電界ＥＬの作用も手伝って画素電極上のどの場所においても液晶分子はこの方向に従って確実に配向する。
【００３３】
このように、本実施の形態の液晶装置においては、ＴＦＴアレイ基板１３上に配向制御部１０を設けたことによって、画素電極１の縁部上方に位置する液晶分子は配向制御部１０と画素電極１との間の縦電界の作用を受けてこの電界方向と垂直な方向に倒れようとするので、もともとの配向膜２１の持つ配向方向に加えて液晶の倒れる方向が規制されることになる。したがって、本実施の形態の液晶装置の場合、配向制御部１０はグランド電位に固定するだけでよく、従来の液晶装置のように配向制御部の駆動回路を設ける必要がないため、装置構成をそれ程複雑にすることなく、ディスクリネーションを効果的に抑制することができる。
ひいては、ディスクリネーション発生領域が小さくなり、遮光膜で覆い隠す領域を最小限に留められるので、開口率が向上し、明るい画像が得られるとともに高精細化を図ることが可能となる。
【００３４】
［投射型液晶装置］
図７は、上記実施の形態の液晶装置を３つの液晶ライトバルブとして用いた、いわゆる３板式の投射型液晶表示装置の一例を示す概略構成図である。図中、符号５１０は光源、５１３，５１４はダイクロイックミラー、５１５，５１６，５１７は反射ミラー、５１８，５１９，５２０はリレーレンズ、５２２，５２３，５２４は液晶ライトバルブ、５２５はクロスダイクロイックプリズム、５２６は投射レンズ系を示す。
【００３５】
光源５１０は、メタルハライド等のランプ５１１とランプ５１１の光を反射するリフレクタ５１２とから構成されている。青色光・緑色光反射のダイクロイックミラー５１３は、光源５１０からの白色光のうちの赤色光を透過させるとともに、青色光と緑色光とを反射する。透過した赤色光は反射ミラー５１７で反射され、赤色光用液晶ライトバルブ５２２に入射される。
【００３６】
一方、ダイクロイックミラー５１３で反射された色光のうち、緑色光は、緑色光反射のダイクロイックミラー５１４によって反射され、緑色用液晶ライトバルブ５２３に入射される。一方、青色光は、第２のダイクロイックミラー５１４も透過する。青色光に対しては、光路長が緑色光、赤色光と異なるのを補償するために、入射レンズ５１８、リレーレンズ５１９、出射レンズ５２０を含むリレーレンズ系からなる導光手段５２１が設けられ、これを介して青色光が青色光用液晶ライトバルブ５２４に入射される。
【００３７】
各ライトバルブにより変調された３つの色光は、クロスダイクロイックプリズム５２５に入射する。このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されたものである。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が形成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ系５２６によってスクリーン５２７上に投射され、画像が拡大されて表示される。
【００３８】
上記構成の投射型液晶表示装置においては、上記実施の形態の液晶装置をライトバルブとして用いたことにより、高コントラスト比と明るい画像を実現することができる。
【００３９】
［電子機器］
上記実施の形態の液晶装置を備えた電子機器の例について説明する。
図８は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図８において、符号１０００は携帯電話本体を示し、符号１００１は上記の液晶表示装置を用いた液晶表示部を示している。
【００４０】
図９は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図９において、符号１１００は時計本体を示し、符号１１０１は上記の液晶表示装置を用いた液晶表示部を示している。
【００４１】
図１０は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図１０において、符号１２００は情報処理装置、符号１２０２はキーボードなどの入力部、符号１２０４は情報処理装置本体、符号１２０６は上記の液晶表示装置を用いた液晶表示部を示している。
【００４２】
図８〜図１０に示す電子機器は、上記実施の形態の液晶装置を用いた液晶表示部を備えているので、高コントラスト比と明るい画像を実現することができる。
【００４３】
なお、本発明の技術範囲は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。例えば上記実施の形態では画素スイッチング素子としてＴＦＴを用いたアクティブマトリクス方式の液晶装置の例を挙げたが、画素スイッチング素子に薄膜ダイオード（Thin Film Diode,ＴＦＤ）を用いたアクティブマトリクス方式の液晶装置、さらにはパッシブマトリクス方式の液晶装置に本発明を適用することも可能である。また、配向制御部の形状、配置、配向方向との位置関係等の具体的な記載に関しては、上記実施形態で例示したものに限ることなく、適宜変更が可能である。
【００４４】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、液晶装置を構成する一方の基板上に配向制御部を設けたことによって、特に電極の縁部上方に位置する液晶分子が配向制御部と電極との間に生じる縦電界の作用を受けてこの電界方向と垂直な方向に倒れようとし、液晶の倒れる方向が規制されることになる。このため、配向制御部の駆動回路を設けた従来の液晶装置のように装置構成をそれ程複雑にすることなく、ディスクリネーションを効果的に抑制することができる。また、ディスクリネーション発生領域が小さくなり、遮光膜で覆い隠す領域を最小限に留められるので、開口率が向上し、明るい画像が得られるとともに高精細化を図ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の一実施の形態の液晶装置の表示領域を構成する複数の画素におけるスイッチング素子、信号線等の等価回路図である。
【図２】  同液晶装置のＴＦＴアレイ基板の隣接する画素の平面図である。
【図３】  図２のＡ−Ａ’線に沿う断面図である。
【図４】  図２のＢ−Ｂ’線に沿う断面図である。
【図５】  同液晶装置の電圧印加時に画素電極と配向制御部との間に発生する縦電界の様子を示す図であって、走査線に沿う方向（図２のＢ−Ｂ’線に沿う方向）で切断した状態を示す。
【図６】  同図であって、データ線に沿う方向（図２のＣ−Ｃ’線に沿う方向）で切断した状態を示す。
【図７】  同液晶装置を備えた投射型液晶表示装置の一例を示す図である。
【図８】  同液晶装置を備えた電子機器の一例を示す図である。
【図９】  同、電子機器の他の例を示す図である。
【図１０】  同、電子機器のさらに他の例を示す図である。
【符号の説明】
１  画素電極（電極）
２  ＴＦＴ（スイッチング素子）
３  データ線
４  走査線
１０  配向制御部
１１，１２  透明基板
１３  ＴＦＴアレイ基板
１４  対向基板
１５  透明導電膜
１６  絶縁膜
２０  共通電極
２１，２２  配向膜
２５  液晶層
【図１】
0004560990.tif 000002
【図２】
0004560990.tif 000003
【図３】
0004560990.tif 000004
【図４】
0004560990.tif 000005
【図５】
0004560990.tif 000006
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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