(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
可撓性を有するセラミックス基板と、
前記セラミックス基板の上に設けられた第１の電極層と、
前記第１の電極の上に設けられた発光層と、
前記発光層の上に設けられた第２の電極層と、
を備え、
前記セラミックス基板がジルコニアを９０％以上含有し、ハフニウムが添加されたセラミックスシートであることを特徴とするＥＬ素子。
【請求項２】
前記発光層が硫化物蛍光体であって、前記第１の電極層がインジウムスズ酸化物薄膜、インジウムスズ酸化物薄膜上にガリウムまたはアルミニウムのうち少なくとも一種類の不純物が添加された酸化亜鉛系薄膜が被覆された複層薄膜、またはタンタル、アンチモン、フッ素またはニオブのうち少なくとも一種類の不純物が添加されたSnO2系薄膜で形成された透明電極であることを特徴とする請求項１に記載のＥＬ素子。
【請求項３】
前記発光層が酸化物蛍光体であって、前記第１の電極層がインジウムスズ酸化物薄膜、タンタル、アンチモン、フッ素またはニオブのうち少なくとも一種類の不純物が添加されたSnO2系薄膜、またはインジウムスズ酸化物薄膜上にタンタル、アンチモン、フッ素またはニオブのうち少なくとも一種類の不純物が添加されたSnO2系薄膜が被覆された複層薄膜で形成された透明電極あることを特徴とする請求項１に記載のＥＬ素子。
【請求項４】
前記第２の電極層を金属膜とし、前記セラミックス基板側の片側から前記発光層からの光が取り出されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の記載のＥＬ素子。
【請求項５】
前記発光層が熱処理されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のＥＬ素子。
【請求項６】
前記第１の電極層と前記発光層との間および前記第２の電極層と前記発光層との間の少なくとも一方に設けられた絶縁層をさらに備えることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のＥＬ素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エレクトロルミネッセンス素子に関する。より具体的には、本発明は可撓性を有する無機薄膜エレクトロルミネッセンス素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、可撓性を有するディスプレイやランプが注目されている。無機薄膜エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子においては、プラスチックシートを用いた分散型ＥＬランプが既に実用化されている（たとえば特許文献１参照）。また、近年、基板にプラスチックシートを用いるフレキシブル有機ＥＬ（ＯＬＥＤ）ディスプレイやランプが開発されている（たとえば特許文献２参照）。
【特許文献１】特開平６−１９６２６３号公報
【特許文献２】特開２００１−１１８６７４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
分散型ＥＬランプには、輝度が低い、寿命が短い等の問題がある。また、フレキシブル有機ＥＬ（ＯＬＥＤ）ディスプレイは、安定性および寿命に課題がある。特に、いずれもプラスチックを基板に使用することに加えて、前者は有機バインダーを、後者は有機発光層を使用するため、高温雰囲気での使用が不可能であった。
【０００４】
本発明はこうした課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、特性が改善された可撓性を有するＥＬ素子の提供にある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明のある態様は、ＥＬ素子である。このＥＬ素子は、可撓性を有するセラミックス基板と、セラミックス基板の上に設けられた第１の電極層と、第１の電極の上に設けられた発光層と、発光層の上に設けられた第２の電極層と、を備えることを特徴とする。
【０００６】
この態様によれば、輝度、寿命、高温雰囲気下での動作安定性等の諸特性が改善された、可撓性を有するＥＬ素子が提供される。
【０００７】
上記態様において、セラミックス基板が、ジルコニアを含有していてもよい。また、上記態様において、発光層が硫化物蛍光体であって、第１の電極層がインジウムスズ酸化物（ITO）薄膜、ITO薄膜上にガリウムまたはアルミニウムのうち少なくとも一種類の不純物が添加された酸化亜鉛系薄膜、またはタンタル、アンチモン、フッ素またはニオブのうち少なくとも一種類の不純物が添加されたSnO2系薄膜が添加された酸化亜鉛が被覆された複層薄膜で形成された透明電極であってもよい。
【０００８】
上記態様において、発光層が酸化物蛍光体であって、第１の電極層がインジウムスズ酸化物薄膜、タンタル、アンチモン、フッ素またはニオブのうち少なくとも一種類の不純物が添加されたSnO2系薄膜、またはインジウムスズ酸化物薄膜上にタンタル、アンチモン、フッ素またはニオブのうち少なくとも一種類の不純物が添加されたSnO2系薄膜が被覆された複層薄膜で形成された透明電極であってもよい。特に、SnO2系では、発光層を熱処理したときの抵抗増加が抑制されるとともに、約４００℃以上の温度下での酸化性雰囲気における安定性が向上する。
【０００９】
上記態様において、第２の電極層を金属膜とし、セラミックス基板側の片側から発光層からの光が取り出されてもよい。
【００１０】
また、上記態様において、発光層がアニール処理されてもよい。これによれば、発光層の結晶性が向上し、ひいてはＥＬ素子の輝度が向上する。
【００１１】
また、上記態様において、第１の電極層と発光層との間および第２の電極層と発光層との間の少なくとも一方に設けられた絶縁層をさらに備えてもよい。
【００１２】
なお、上述した各要素を適宜組み合わせたものも、本件特許出願によって特許による保護を求める発明の範囲に含まれうる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、無機薄膜ＥＬ素子に可撓性を付与するとともに諸特性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
【００１５】
図１は、実施形態に係る無機薄膜ＥＬ素子１０の構造を示す断面図である。本実施形態の無機薄膜ＥＬ素子１０は、セラミックス基板２０、第１の電極層３０、第１の絶縁層４０、発光層５０、第２の絶縁層６０および第２の電極層７０を備えた、二重絶縁構造の交流駆動型薄膜ＥＬ素子である。
【００１６】
セラミックス基板２０は、可撓性を有するセラミックスシートで構成されている。セラミックス基板２０としては、ジルコニアを９０％以上含有し、ハフニウムが添加されたセラミックスシートが好適である。可撓性を有するセラミックスシートの一例は、日本ファインセラミックス社から入手可能なセラフレックス（登録商標）である。セラミックス基板２０の厚さを５０μｍ程度にすることにより、十分な可撓性および適度な光透過性を得ることができる。
【００１７】
第１の電極層３０は、セラミックス基板２０の上に形成されている。第１の電極層３０は、交流電源８０に接続されている。
【００１８】
第１の電極層３０としては、ITO薄膜上にアルミニウムまたはガリウム等の不純物が添加された酸化亜鉛（AZOまたはGZO）を被覆した複層薄膜、タンタルが添加されたSnO2（TTO）薄膜、アンチモン、フッ素あるいはニオブなどの不純物が添加されたSnO2薄膜、またはITO薄膜上にタンタル、アンチモン、フッ素またはニオブのうち少なくとも一種類の不純物が添加されたSnO2系薄膜が被覆された複層薄膜を用いることができる。ITO薄膜、AZO薄膜およびTTO薄膜は、マグネトロンスパッタリング法により形成することができる。また、GZO薄膜およびITO薄膜は、真空アークプラズマ蒸着法により形成することができる。第１の電極層３０の典型的な膜厚は、２００〜４００ｎｍである。第１の電極層３０を透明にすることにより、発光層５０で発光した光をセラミックス基板２０側に放射させることができる。
【００１９】
第１の絶縁層４０は、第１の電極層３０の上に形成されている。第１の絶縁層４０により、第１の電極層３０と発光層５０とが絶縁されている。第１の絶縁層４０としては、たとえば、窒化シリコン（Si3N4）絶縁膜、酸窒化シリコンアルミニウム（SiAlON）絶縁膜、酸化アルミニウム酸化チタン(AlTiO)薄膜、またはAlTiOおよびBaTiO3からなる複層薄膜等を用いることができる。第１の絶縁層４０の典型的な膜厚は、２００〜５００ｎｍである。
【００２０】
発光層５０は、第１の絶縁層４０の上に形成されている。発光層５０は、硫化物蛍光体または酸化物蛍光体を含む。硫化物蛍光体としては、ZnS:Mn蛍光体が例示される。また、酸化物蛍光体としては、Zn2Si0.6Ge0.4O4:Mn蛍光体、(Ga2O3-SnO2):Eu蛍光体が例示される。発光層５０に硫化物蛍光体を用いた場合には、透明な第１の電極層３０として、ITO薄膜、ITO薄膜の上にAZO薄膜またはGZO薄膜を被覆した複層薄膜、またはタンタル、アンチモン、フッ素またはニオブ等の不純物が添加されたSnO2系薄膜を用いることが好ましい。また、発光層５０に酸化物蛍光体を用いた場合には、透明な第１の電極層３０として、ITO薄膜、タンタル、アンチモン、フッ素またはニオブのうち少なくとも一種類の不純物が添加されたSnO2系薄膜またはITO薄膜上にタンタル、アンチモン、フッ素またはニオブのうち少なくとも一種類の不純物が添加されたSnO2系薄膜が被覆された複層薄膜を用いることが好ましい。発光層５０の典型的な膜厚は、５００ｎｍ〜１μｍである。
【００２１】
無機薄膜ＥＬ素子では、蛍光体薄膜発光層をポストアニーリング処理することが、蛍光体の種類によらず、ＥＬ素子の特性を向上させる上で非常に重要であることが知られている。ポストアニーリング処理の効果は、蛍光体薄膜の堆積方法および堆積条件に強く依存する。様々なアニーリング処理時間および約１１００℃までの温度下の雰囲気中でのポストアニーリング処理によるＥＬ特性への効果が硫化物および酸化物蛍光体を用いた多くの蛍光体薄膜発光層について研究されている。特に、ポストアニーリング処理は、酸化物蛍光体薄膜発光層を用いた高輝度薄膜ＥＬ素子を製造するうえで不可欠である。しかし、実際には、ポストアニーリング処理条件は、膜特性の劣化、および、熱処理によって生じる、薄膜ＥＬ素子に用いられる異なる薄膜間での相互拡散によりしばしば制限される。したがって、適切なアニーリング処理は、絶縁層および発光層に用いられる材料だけでなく、素子構造および基板材料にも強く依存する。たとえば、実施形態にかかる無機薄膜ＥＬ素子１０において可撓性を有するセラミックス基板を用いることにより、約１０００℃までの温度の様々な雰囲気中で熱処理を行うことができる。この場合には、高温雰囲気中でのポストアニーリング処理における制約要因として、シート抵抗の増加、透明導電酸化物電極としてセラミックス基板上に堆積された透明導電酸化物薄膜の着色などが挙げられる。これらの制約の度合いは、硫化物蛍光体または酸化物蛍光体などの蛍光体材料によってかなり影響される。
【００２２】
第２の絶縁層６０は、発光層５０の上に形成されている。第２の絶縁層６０により、第２の電極層７０と発光層５０とが絶縁されている。第２の絶縁層６０としては、たとえば、窒化シリコン（Si3N4）絶縁膜、酸窒化シリコンアルミニウム（SiAlON）絶縁膜、酸化アルミニウム酸化チタン(AlTiO)薄膜、またはAlTiOおよびBaTiO3からなる複層薄膜等を用いることができる。第２の絶縁層６０の典型的な膜厚は、約２００〜５００ｎｍである。
【００２３】
第２の電極層７０は、第２の絶縁層６０の上に形成されている。第２の電極層７０の典型的な膜厚は、２００〜４００ｎｍである。第２の電極層７０は、交流電源８０に接続されている。交流電源８０を駆動することにより、第１の電極層３０と第２の電極層７０との間に交流パルス、正弦波などの交流電圧を印加し、発光層５０を発光させることができる。
【００２４】
第２の電極層７０としては、GZO透明導電膜、Al薄膜などを用いることができる。セラミックス基板２０を第２の電極層７０としてAl薄膜などの金属を用いた場合には、セラミックス基板２０の側から発光層５０が放射する光を取り出すことができる（図２参照）。また、第１の電極層３０および第２の電極層７０をともに透明導電膜にすることによって、セラミックス基板２０側および第２の電極層７０側の両面から発光層５０が放射する光を取り出すことができる。この他、第２の電極層７０を透明導電膜とし、セラミックス基板２０の裏面にAlまたはAgなどの金属薄膜等の光反射層２１を形成すること、または光反射を高めるための凹凸をセラミックス基板２０の裏面に付け、さらにその上に光反射層２１を形成することにより、第２の電極層７０側からのみ発光層５０が放射する光を取り出すことができる（図３参照）。この場合には、セラミックス基板２０側に放射された光を光反射層２１で反射させて、第２の電極層７０側から取り出すことができるため、第２の電極層７０側の光取り出し効率を増加させることができる。
【００２５】
図４は、硫黄を含有するガス雰囲気（Ar+H2(10%)）でアニーリング処理を３０分間行ったGZO、ITOおよびGZO/ITO薄膜における規格化された抵抗のアニール処理温度依存性を示す。GZO薄膜が約６００度以上の温度下で硫黄を含有する還元性の雰囲気中でITO薄膜にくらべてより安定であることに注目するべきである。上述した結果から、硫化物蛍光体を用いた薄膜ＥＬ素子において、GZO薄膜が透明導電酸化物電極として特に好適である。
【００２６】
上述のように、無機薄膜ＥＬ素子において酸化物蛍光体を用いた場合には、高温下での様々な雰囲気でのアニーリング処理が必要となる。たとえば、Zn2Si1-xGexO4:Mn薄膜および(Ga2O3-SnO2):Eu薄膜に対して適当なポストアニーリング処理条件が約９００℃でのアルゴンガス雰囲気および７５０℃での空気中であることがそれぞれ報告されている。透明導電酸化物電極として、ITO薄膜およびTTO薄膜を用いた場合には、約９００までの温度下でのアルゴンガス雰囲気中が安定であることが見いだされている。しかし、空気中等の酸化性雰囲気中で使用した場合に、TTO薄膜はITO薄膜に比べてより安定である。
【００２７】
図５は、空気中で３０分間アニール処理されたGZO薄膜、ITO薄膜およびTTO薄膜における規格化された抵抗のアニーリング処理温度依存性を示す。図５に示すように、TTO薄膜では、抵抗増加が抑制されている。約４００℃以上の温度下での酸化性雰囲気において、TTO薄膜が他の透明導電酸化物薄膜に比べてより安定であることに注目されたい。以上説明したように、酸化物蛍光体を用いて作製された薄膜ＥＬ素子において、TTO薄膜が透明導電酸化物として好適である。このような高温下での安定性を示す薄膜は、TTO薄膜に限られず、アンチモン、フッ素またはニオブ等の不純物が添加されたSnO2系薄膜もTTOと同様な特性を示す。
【００２８】
なお、本実施形態では、第１の電極層３０と発光層５０との間、および第２の電極層７０と発光層５０との間に、ともに絶縁層が設けられた二重絶縁構造が例示されているが、絶縁層をいずれか一方に設けた片絶縁構造としてもよい。片絶縁構造とすることにより、駆動電圧を略１／２にすることが可能となる。なお、第１の電極層３０と第２の電極層７０との間に所定の電圧を印加することにより発光層５０が発光するのであれば、第１の電極層３０と発光層５０との間、および第２の電極層７０と発光層５０との間に絶縁層が介在していなくてもよい。第１の電極層３０と発光層５０との間、および第２の電極層７０と発光層５０との間に絶縁層を設けない場合には、第１の電極層３０と第２の電極層７０との間に直流電圧を印加させることにより、第１の電極層３０と第２の電極層７０との間で絶縁破壊を起こすことなく、発光層５０を発光させることができる。
【００２９】
また、本実施形態の変形例として、発光層５０の発光色を青色とし、第１の第１の電極層３０を透明電極とし、セラミックス基板２０の裏面（第１の電極層３０の反対側）に、青色を赤色、黄色や緑色に変換する白色蛍光体膜を設けることにより、セラミックス基板２０側から白色光が放射される蛍光灯を得ることができる
【００３０】
（実施例１）
実施例１の無機薄膜ＥＬ素子は、図１に示したセラミックス基板２０、第１の電極層３０、第１の絶縁層４０、発光層５０、第２の絶縁層６０および第２の電極層７０として、それぞれ、厚さ０．０５ｍｍのセラフレックス（登録商標）、TTO薄膜、AlTiO絶縁膜、Zn2Si0.6Ge0.4O4:Mn蛍光体薄膜、Si3N4絶縁膜およびGZO透明導電膜を有する（表１参照）。
【００３１】
TTO透明導電膜、AlTiO絶縁膜、Zn2Si0.6Ge0.4O4:Mn蛍光体薄膜、Si3N4絶縁膜およびGZO透明導電膜の膜厚は、それぞれ、３００ｎｍ、３５０ｎｍ、７５０ｎｍ、３５０ｎｍ、および３００ｎｍである。
【００３２】
実施例１の無機薄膜ＥＬ素子は次のような方法により製造された。
【００３３】
可撓性を有するセラミックス基板の上に、高周波マグネトロンスパッタリング法を用いて、TTO透明導電膜、AlTiO絶縁膜、Zn2Si0.6Ge0.4O4:Mn蛍光体薄膜、Si3N4絶縁膜の順で上述した膜厚に従ってそれぞれ薄膜を形成した。さらに、Si3N4絶縁膜の上にGZO透明導電膜をアークプラズマ蒸着法で形成した。Zn2Si0.6Ge0.4O4:Mn蛍光体薄膜発光層は、成膜後に、結晶性の改善による高輝度化を目的にAr雰囲気中で、９１０℃、６０分のアニール処理が施された。
【００３４】
図６は、実施例１の無機薄膜ＥＬ素子を繰り返し周波数１ｋＨｚの交流パルス（パルス幅２０μｓ）電圧で駆動した状態での発光の様子を示す。交流パルス電圧によって駆動される無機薄膜ＥＬ素子のＥＬ特性は、ソーワータワー(Sawyer-Tower)回路および輝度計を用いて測定された。印加電圧約１５０Ｖにおいて、３１２ｃｄ／ｍ２の高輝度の緑色の発光が確認された。また、実施例１の無機薄膜ＥＬ素子は特別な封止処理なしに、大気中２００℃以上の高温雰囲気中においても極めて安定に動作した。
【００３５】
【表１】
0004528923.tif 000002
【００３６】
（実施例２）
実施例２の無機薄膜ＥＬ素子は、図１に示したセラミックス基板２０、第１の電極層３０、第１の絶縁層４０、発光層５０、第２の絶縁層６０および第２の電極層７０として、それぞれ、ITO薄膜、AlTiO/BaTiO3絶縁膜、Zn2Si0.6Ge0.4O4:Mn蛍光体薄膜、Si3N4絶縁膜およびGZO薄膜を有する（表１参照）。
【００３７】
ITO薄膜、AlTiO/BaTiO3絶縁膜絶縁膜、Zn2Si0.6Ge0.4O4:Mn蛍光体薄膜、Si3N4絶縁膜およびGZO薄膜の膜厚は、それぞれ、３００ｎｍ、１７５ｎｍ／１７５ｎｍ、７５０ｎｍ、３５０ｎｍ、および３００ｎｍである。
【００３８】
実施例２の無機薄膜ＥＬ素子は次のような方法により製造された。
【００３９】
可撓性を有するセラミックス基板の上に、真空アークプラズマ蒸着法を用いてITO薄膜を形成した。次に、２５０℃で高周波マグネトロンスパッタリング法を用いてITO薄膜の上にAlTiO膜を堆積した。次に、商業的に入手可能なBaTiO3溶液（株式会社高純度化学研究所）を用いてAlTiO膜上にディップコーティングすることにより、BaTiO3薄膜（膜厚：約５００ｎｍ)をゾルゲル法で堆積した。続いて、５５０℃以上の温度で空気中で熱処理を行った。次に、約３００−３５０℃で高周波マグネトロンスパッタリング法を適用することによりAlTiO/BaTiO3絶縁膜の上に、Zn2Si0.6Ge0.4O4:Mn蛍光体薄膜を堆積した。さらに、Zn2Si0.6Ge0.4O4:Mn蛍光体薄膜の上に、Si3N4絶縁膜、GZO透明導電膜を順にアークプラズマ蒸着法で形成した。Zn2Si1-xGexO4:Mn薄膜は、９１０℃で３０分間、アルゴン雰囲気中でポストアニーリング処理された。
【００４０】
図７は、実施例２の無機薄膜ＥＬ素子を１ｋＨｚの交流パルス電圧で駆動したときの印加電圧の関数としての輝度（Ｌ−Ｖ特性）を示す。実施例２の無機薄膜ＥＬ素子に、１７０（Ｖ）を印加したときに約３１４ｃｄ／ｍ２の緑色の高輝度発光が得られた。
【００４１】
図８は、実施例２の無機薄膜ＥＬ素子を１ｋＨｚの交流パルス電圧（１４０Ｖ）で駆動したときに得られた発光輝度の温度依存性を示すグラフである。この結果、２００℃以上での高温下の空気中で、薄膜発光層としてZn2Si0.6Ge0.4O4:Mn蛍光体を用いた可撓性を有する無機薄膜ＥＬランプが安定して動作することが示された。
【００４２】
（実施例３）
実施例３の無機薄膜ＥＬ素子は、図１に示したセラミックス基板２０、第１の電極層３０、第１の絶縁層４０、発光層５０、第２の絶縁層６０および第２の電極層７０として、それぞれ、ITO薄膜およびGZO薄膜からなる複層薄膜、AlTiO絶縁膜、ZnS:Mn蛍光体薄膜、Si3N4絶縁膜およびGZO薄膜を有する（表１参照）。
【００４３】
ITO/GZO薄膜、AlTiO絶縁膜、ZnS:Mn蛍光体薄膜、Si3N4絶縁膜およびGZO透明導電膜の膜厚は、それぞれ、１５０ｎｍ／１５０ｎｍ、３５０ｎｍ、７５０ｎｍ、３５０ｎｍ、および３００ｎｍである。
【００４４】
実施例３の無機薄膜ＥＬ素子は次のような方法により製造された。
【００４５】
可撓性を有するセラミックス基板の上に、高周波マグネトロンスパッタリング法を用いて、ITO/GZO薄膜を形成した。次に、ITO/GZO薄膜の上にAlTiO絶縁膜を２５０℃で高周波マグネトロンスパッタリング法を用いて堆積した。次に、AlTiO絶縁膜の上にZnS:Mn蛍光体薄膜、Si3N4絶縁膜を高周波マグネトロンスパッタリング法を用いて順次堆積した。さらに、Si3N4絶縁膜の上にGZO透明導電膜をアークプラズマ蒸着法で形成した。堆積されたままのZnS:Mn蛍光体薄膜を用いた無機薄膜ＥＬ素子は低輝度であるため、ＥＬ特性を向上させるために、硫黄を含有した雰囲気ガス中（Ar+H2（１０％））で９００℃まで温度を上昇させて急速熱処理を実行した。
【００４６】
図９は、堆積されたまま、またはポストアニール処理されたZnS:Mn薄膜を用いて作製された無機薄膜ＥＬ素子を１ｋＨｚの交流パルス電圧（パルス幅：１０μｓ）で駆動したときのＬ−Ｖ特性を示す。図９からわかるように、８５０℃でポストアニーリング処理することによってＥＬ特性が大幅に向上した。ポストアニーリング処理されたZnS:Mn薄膜を用いて作製された無機薄膜ＥＬ素子において、約２０ｃｄ／ｍ２の黄色の高輝度発光が得られた。
【００４７】
図１０は、ポストアニーリング処理されたZnS:Mn蛍光体薄膜を有する無機薄膜ＥＬを用いて構築された薄型および可撓性を有するＥＬランプからの発光の様子を示す。注目すべきは、曲げられた状態で、ＥＬランプが湾曲した表面から均一な発光を呈していることである。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】実施形態に係る無機薄膜ＥＬ素子の構成を示す断面図である。
【図２】光の取り出し方向をセラミックス基板２０側の片側にした無機薄膜ＥＬ素子の構成を示す断面図である。
【図３】光の取り出し方向を第２の電極層側の片側にした無機薄膜ＥＬ素子の構成を示す断面図である。
【図４】高濃度の硫黄を含有するガス雰囲気（Ar+H2(10%)）でアニーリング処理を３０分間行ったGZO、ITOおよびGZO/ITO薄膜における規格化された抵抗のアニール処理温度依存性を示す図である。
【図５】空気中で３０分間アニール処理されたGZO薄膜、ITO薄膜およびTTO薄膜における規格化された抵抗のアニーリング処理温度依存性を示す。
【図６】実施例１の無機薄膜ＥＬ素子の発光の様子を示す図である。
【図７】実施例２の無機薄膜ＥＬ素子を１ｋＨｚの交流パルス電圧で駆動したときの印加電圧の関数としての輝度（Ｌ−Ｖ特性）を示す図である。
【図８】実施例２の無機薄膜ＥＬ素子を１ｋＨｚの交流パルス電圧（１４０Ｖ）で駆動したときに得られた発光の温度依存性を示すグラフである。
【図９】堆積されたまま、またはポストアニール処理されたZnS:Mn薄膜を用いて作製された無機薄膜ＥＬ素子を１ｋＨｚの交流パルス電圧（パルス幅：１０μｓ）で駆動したときのＬ−Ｖ特性を示す図である。
【図１０】ポストアニーリング処理されたZnS:Mn蛍光体薄膜を有する無機薄膜ＥＬを用いて構築された薄型および可撓性を有するＥＬランプからの発光の様子を示す図である。
【符号の説明】
【００４９】
１０  無機薄膜ＥＬ素子、２０  セラミックス基板、３０  第１の電極層、４０  第１の絶縁層、５０  発光層、６０  第２の絶縁層、７０  第２の電極層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図６】
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【図１０】
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