(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂系基板が搬入されるチャンバと、前記チャンバ内に、前記樹脂系基板表面に水酸基を形成する水蒸気または炭化水素基を形成するアルコール蒸気の１種類以上のガスを含むガスと酸素ガスとを供給するガス導入管と、減圧された前記チャンバ内にてプラズマを発生させ、前記チャンバ内に搬入された状態の前記樹脂系基板を洗浄するプラズマ発生機構とを備える基板洗浄装置と、前記樹脂系基板にＩＣチップを実装する実装装置と、前記樹脂系基板を前記基板洗浄装置内に搬入し、前記基板洗浄装置から前記樹脂系基板を受け取って前記実装装置内に搬送し前記実装装置より搬出するコンベアと、前記基板洗浄装置に搬入される前記樹脂系基板を前記コンベアに載置するローダと、前記実装装置より搬出される前記樹脂系基板を前記コンベアから取り出すアンローダとからなる前記樹脂系基板上の接合部位をドライ洗浄する実装システムにおいて、
前記基板洗浄装置の第１カバーと、前記実装装置の第２カバーが、前記コンベアを覆うダクトで接続され、前記実装装置と前記アンローダ及び、前記ローダと前記基板洗浄装置との間にはそれぞれ窒素ガスの気流を利用した外気遮断機構が取り付けられ、前記第１カバー、前記第２カバー及び前記ダクトの内部が窒素ガスで覆われた前記樹脂系基板上の接合部位を減圧ドライ洗浄する実装システム。
【請求項２】
コンベアからの樹脂系基板を、チャンバに搬送し、搬入する移載ロボットが基板洗浄装置に設置されている請求項１記載の樹脂系基板上の接合部位をドライ洗浄する実装システム。
【請求項３】
実装装置が、接着材料を付与する付与部と、前記付与された接着材料上にＩＣチップを装着する装着部と、前記ＩＣチップを樹脂系基板に向けて加圧、加熱する加熱部とを有する請求項１または２記載の樹脂系基板上の接合部位をドライ洗浄する実装システム。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、樹脂系の基板上の接合部位をドライ洗浄する基板洗浄方法および基板洗浄装置、並びに、樹脂系の基板に電子部品を実装する実装方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
携帯電話やＰＤＡ等の小型化に伴い、近年、内部の電気回路に可撓性を有するプリント配線基板（以下、「ＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）」という。）が使用され、さらに、ＦＰＣにＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）のベアチップ（以下、「ＩＣチップ」という。）が直接実装される。
【０００３】
ＩＣチップの電極は非常に狭ピッチで形成されるため、ＩＣチップの実装に際して導電性微粒子を含む接着材料が使用される。具体的には、ＦＰＣ上に接着材料を付与し、その上にＩＣチップを装着し、さらに、ＩＣチップをＦＰＣに押さえつけるとともに加熱が行われる。これにより、ＩＣチップとＦＰＣとの間において接着材料中の導電性微粒子が潰れ、ＩＣチップの電極とＦＰＣ上の配線とが電気的に接合される。また、接着材料は加熱により硬化する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、ＩＣチップ内の回路の高集積化に伴ってＩＣチップ上に形成される電極間のさらなる狭ピッチ化が進んでいる。したがって、ＦＰＣ上に形成される配線のピッチも一層微小とする必要が生じる。配線ピッチの微小化は、イオンマイグレーションに起因する配線の劣化や短絡の問題を引き起こす。イオンマイグレーションとは吸湿による配線金属のイオン化と析出との繰り返し作用による配線の劣化である。イオンマイグレーションは、ＦＰＣ製造時のメッキ処理に伴う塩化物の残留により促進されることが知られている。
【０００５】
一方で、配線の狭ピッチ化により、人体からの皮膚、ふけ、化粧、あるいは、工場内に浮遊するフラックス、油、樹脂片等の微小な有機物が配線上に付着した際の影響も無視できなくなっている。
【０００６】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、樹脂系の基板に対する接合の信頼性を向上することができる基板洗浄方法を提供することを主たる目的としており、特に、基板表面の活性化による接合強度の向上、および、基板上に形成された配線におけるイオンマイグレーションの発生の抑制等を実現することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、樹脂系基板が搬入されるチャンバと、前記チャンバ内に、前記樹脂系基板表面に水酸基を形成する水蒸気または炭化水素基を形成するアルコール蒸気の１種類以上のガスを含むガスと酸素ガスとを供給するガス導入管と、減圧された前記チャンバ内にてプラズマを発生させ、前記チャンバ内に搬入された状態の前記樹脂系基板を洗浄するプラズマ発生機構とを備える基板洗浄装置と、前記樹脂系基板にＩＣチップを実装する実装装置と、前記樹脂系基板を前記基板洗浄装置内に搬入し、前記基板洗浄装置から前記樹脂系基板を受け取って前記実装装置内に搬送し前記実装装置より搬出するコンベアと、前記基板洗浄装置に搬入される前記樹脂系基板を前記コンベアに載置するローダと、前記実装装置より搬出される前記樹脂系基板を前記コンベアから取り出すアンローダとからなる前記樹脂系基板上の接合部位をドライ洗浄する実装システムにおいて、
前記基板洗浄装置の第１カバーと、前記実装装置の第２カバーが、前記コンベアを覆うダクトで接続され、前記実装装置と前記アンローダ及び、前記ローダと前記基板洗浄装置との間にはそれぞれ窒素ガスの気流を利用した外気遮断機構が取り付けられ、前記第１カバー、前記第２カバー及び前記ダクトの内部が窒素ガスで覆われた前記樹脂系基板上の接合部位を減圧ドライ洗浄する実装システムである。
【０００８】
請求項２に記載の発明は、コンベアからの樹脂系基板を、チャンバに搬送し、搬入する移載ロボットが基板洗浄装置に設置されている請求項１記載の樹脂系基板上の接合部位をドライ洗浄する実装システムである。
【０００９】
請求項３に記載の発明は、実装装置が、接着材料を付与する付与部と、前記付与された接着材料上にＩＣチップを装着する装着部と、前記ＩＣチップを樹脂系基板に向けて加圧、加熱する加熱部とを有する請求項１または２記載の樹脂系基板上の接合部位をドライ洗浄する実装システムである。
【００２０】
【発明の実施の形態】
図１は本発明の一の実施の形態に係る洗浄装置１を有する実装システム２を示す図である。実装システム２は、トレイ９１から可撓性を有するプリント配線基板（以下、「基板」という。）を取り出してパレット８に載置するローダ２１、基板９をパレット８とともにチャンバ内にてドライ洗浄する洗浄装置１、基板９にＩＣチップを実装する実装装置２２、および、パレット８から実装済みの基板９を取り出してトレイ９２に収納するアンローダ２３を順に配置した構成となっている。
【００２１】
ローダ２１は、複数のトレイ９１を順次最上段に位置させる機構を有し、移載ロボット２１１がトレイ９１上に収容されている基板をパレット８上に載置する。なお、パレット８は別途供給されて洗浄装置１から突出するコンベヤ１１上に配置され、１つのパレット８には２つの基板が載置される。
【００２２】
洗浄装置１は、パレット８ごと基板が搬入されて基板にドライ洗浄を行うチャンバ１２およびコンベヤ１１上を搬送されてきたパレット８をチャンバ１２内へと移載する移載ロボット１３を有する。洗浄装置１の上部はカバー１４により覆われており、カバー１４には窒素ガスを供給するガス供給管１５が接続される。
【００２３】
実装装置２２は、洗浄装置１のコンベヤ１１からパレット８を受け取るとともにパレット８を搬送するコンベヤ２２１を有し、コンベヤ２２１上を搬送される基板に対して導電性微粒子を含む接着材料を付与する付与部２２２、付与された接着材料上にＩＣチップを装着する装着部２２３、および、ＩＣチップを基板に向けて加圧するとともに加熱する加熱部２２４を順に有する。加熱部２２４による加圧により接着材料に含まれる導電性微粒子がＩＣチップの電極と基板上の配線との間で潰れてＩＣチップと配線とが電気的接合され、加熱により接着材料が硬化して基板上にＩＣチップが固定される。
【００２４】
実装装置２２の上部もカバー２２５に覆われており、カバー２２５には窒素ガスを供給するガス供給管２２６が接続される。
【００２５】
アンローダ２３は、ローダ２１と同様に複数のトレイ９２を順次最上段に位置させる機構を有し、移載ロボット２３１がアンローダ２３内部まで伸びるコンベヤ２２１上のパレット８から実装済みの基板を取り出してトレイ９２に移載する。パレット８は図示しない機構によりコンベヤ２２１上から除去される。
【００２６】
実装システム２では、洗浄装置１のカバー１４と実装装置２２のカバー２２５とがダクト３１により接続され、ローダ２１と洗浄装置１との間、および、実装装置２２とアンローダ２３との間には、窒素ガスの気流を利用した外気遮断機構（いわゆる、エアカーテン）３２，３３が取り付けられる。これにより、カバー１４およびカバー２２５の内部は窒素ガスの雰囲気とされる。
【００２７】
図２は、洗浄装置１の構成を示す平面図である。基板９を保持しつつコンベヤ１１上を搬送されてきたパレット８は、移載ロボット１３のチャック１３１により保持され、僅かに持ち上げられた後にチャンバ１２に向けて搬送される。チャンバ１２の搬出入口にはゲート部材１２１が設けられており、ゲート部材１２１が移動した後にパレット８がチャンバ１２内のステージ１２２上に載置される。
【００２８】
その後、ゲート部材１２１により搬出入口が閉じられ、チャンバ１２内で基板９に対してプラズマを利用した減圧ドライ洗浄が行われる。洗浄が完了すると、ゲート部材１２１が移動して搬出入口が開かれ、チャック１３１が基板９をパレット８ごと取り出してコンベヤ１１へと戻す。パレット８はコンベヤ１１により実装装置２２へと搬送される。
【００２９】
図３はチャンバ１２の構成を示す図である。パレット８が載置されるステージ１２２は電極板となっており、チャンバ１２内の上部にはステージ１２２に対向する電極板１２３が設けられる。ステージ１２２には高周波の交流電源１２４が接続され、ステージ１２２、電極板１２３および交流電源１２４によりチャンバ１２内にプラズマを発生させるプラズマ発生機構が構成される。
【００３０】
一方、チャンバ１２にはガスを導入するガス導入管１２５および内部のガスを排気する排気管１２６が接続されており、ガス導入管１２５は基板９を洗浄処理するための処理ガスを供給する処理ガス供給部４１および窒素ガスを供給する窒素ガス供給部４２に接続される。排気管１２６からはチャンバ１２内のガスが強制排気され、チャンバ１２内の気圧を調整することが可能とされている。
【００３１】
図４は、チャンバ１２において基板９の洗浄が行われる際の洗浄装置１の動作、および、基板９にＩＣチップが実装される工程の流れを示す図である。
【００３２】
ローダ２１において基板９がトレイ９１からパレット８に移載されて洗浄装置１へと搬送されると、まず、移載ロボット１３により基板９がパレット８ごとステージ１２２上に載置され、ゲート部材１２１が搬出入口を閉じてチャンバ１２内が密閉される（ステップＳ１１）。チャンバ１２内にはガス導入管１２５を介して処理ガス供給部４１から処理ガスが導入され、さらに、排気管１２６からガスが排気されることによりチャンバ１２内が所定の処理ガスによる所定の気圧へと減圧される（ステップＳ１２）。
【００３３】
チャンバ１２内の雰囲気が整えられると、ステージ１２２と電極板１２３との間に高周波の電圧が与えられ、高周波放電により処理ガスがプラズマ化される（ステップＳ１３）。チャンバ１２内の処理ガス中にプラズマが発生すると、プラズマにより生じたラジカルやイオンにより基板９の洗浄が行われる。これにより、基板９表面の活性化、基板９上の配線パターンに付着している塩素原子（塩素や塩素化合物に存在する塩素原子をいい、以下、単に「塩素」という。）の除去および有機物の除去が行われる。
【００３４】
洗浄が完了すると、窒素ガス供給部４２からガス導入管１２５を介して窒素ガスがチャンバ１２内に導入され、排気管１２６から排気が行われることにより基板９の周囲が窒素ガスの雰囲気へと置換される（ステップＳ１４）。その後、ゲート部材１２１が搬出入口を解放し、基板９がパレット８ごと移載ロボット１３により搬出される（ステップＳ１５）。以上の動作により、１つのパレット８に対する一連の洗浄動作が完了する。
【００３５】
その後、基板９は洗浄装置１から実装装置２２へと搬送される。洗浄装置１のカバー１４内および実装装置２２のカバー２２５内には窒素ガスを供給するガス供給管１５，２２６が接続され、チャンバ１２から基板９が搬出される際の搬送経路はこれらのカバー１４，２２５に覆われることから、基板９は窒素ガス雰囲気下にて搬送されることとなる（ステップＳ２１）。これにより、基板９は活性ガスによる影響を受けることなく実装装置２２へと搬送される。
【００３６】
図５（ａ）ないし（ｃ）は、基板９上にＩＣチップ９６が実装される様子を示す図である。実装装置２２では、付与部２２２のノズルヘッドにより基板９上の所定領域に導電性微粒子を有する接着材料９５が付与され（ステップＳ２２、図５（ａ））、装着部２２３により接着材料９５上にＩＣチップ９６が装着される（ステップＳ２３、図５（ｂ））。加熱部２２４はヒータにより加熱されたヘッド２２４１を有し、ヘッド２２４１がＩＣチップ９６に当接してＩＣチップ９６を基板９側に押さえつけることにより、接着材料９５中の導電性微粒子がＩＣチップ９６と基板９上の配線との間で潰れて電気的な接合が行われる。このとき、ヘッド２２４１からの熱を受けて接着材料９５が硬化し、ＩＣチップ９６が基板９上に固定される（ステップＳ２４、図５（ｃ））。
【００３７】
ＩＣチップの実装が完了すると、基板９は図１に示す外気遮断機構３３を介して窒素雰囲気下から大気中へと搬出され、パレット８から取り出されてアンローダ２３のトレイ９２に収容される。
【００３８】
洗浄装置１では樹脂系の基板９に適した洗浄を行うために、専用の処理ガスが用いられる。次に、洗浄装置１におけるプラズマを用いた洗浄の原理および特徴について説明する。
【００３９】
洗浄装置１では、樹脂系の基材上に配線パターンが形成された基板９を洗浄する際に、処理ガスとして水蒸気（Ｈ2Ｏ）、アルコール蒸気およびフロロカーボン系ガスからなるグループから選択された１種類以上のガスを含むガスが用いられる。さらに、洗浄をより効率よく行うために１０ないし２０％程度、酸素ガス（Ｏ2）も添加される。
【００４０】
なお、アルコールとは鎖式または脂環式の炭化水素の水素原子をＯＨ基で置換したヒドロキシ化合物を指している。実用上はコストを考慮してエチルアルコール（Ｃ2Ｈ5ＯＨ）やメチルアルコール（ＣＨ3ＯＨ）が用いられる。
【００４１】
フロロカーボン系のガスとはＣmＦnで示される分子構造を有するガスであり、四フッ化炭素（ＣＦ4）、六フッ化エチレン（Ｃ2Ｆ6）、八フッ化プロピレン（Ｃ3Ｆ8）等が利用可能である。洗浄装置１に関する以下の説明ではフロロカーボン系のガスとして四フッ化炭素が使用されるものとする。
【００４２】
チャンバ１２内に電流が流されると、処理ガスに水蒸気が含まれる場合、化１にて示す反応が生じる。化学式における＊はラジカルであることを示している。
【００４３】
【化１】
0004409134.tif 000002
【００４４】
処理ガスにアルコール蒸気が含まれる場合、化２に示す反応が生じ、処理ガスに含まれる酸素ガスにも化３にて示す反応が生じる。なお、化２においてＲは炭化水素基（広義のアルキル基）である。また、酸素ラジカル（Ｏ*）に電子（ｅ-）が衝突すると酸素イオン（Ｏ-）も生成される。
【００４５】
【化２】
0004409134.tif 000003
【００４６】
【化３】
0004409134.tif 000004
【００４７】
処理ガスにフロロカーボン系ガスが含まれる場合、チャンバ１２内では化４にて示す反応が生じる。
【００４８】
【化４】
0004409134.tif 000005
【００４９】
さらに、化４に示す反応から化５に示す反応が生じる。
【００５０】
【化５】
0004409134.tif 000006
【００５１】
そして、化５からさらに分解が進み、Ｆ+やＦ-といったフッ素イオンが生成される。
【００５２】
なお、プラズマを容易に発生させるためにチャンバ１２内は減圧されるが、プラズマを発生させるという点からは、チャンバ１２内の気圧は５ないし８０Ｐａとされることが好ましい。また、ラジカルやイオンをより適切に発生させるという点からは、チャンバ１２内の気圧は２０ないし４０Ｐａとされることがさらに好ましい。
【００５３】
プラズマとして発生するラジカルやイオンにより、チャンバ１２内では基板９に対する有機物の除去、基板表面の活性化および塩素の除去という３つの作用が実現される。
【００５４】
図６は基板９上の有機物が酸素ラジカルや各種イオンにより除去される様子を示す図である。図６の左側は、基板９上の有機物が酸素ラジカルにより酸素、水素、水、二酸化炭素、一酸化炭素等に分解され、ガス化されて除去される様子を示している。右側はイオンが有機物に衝突するスパッタ作用により有機物が除去される様子を示している。図６では酸素イオンのみを例示しているが、他のイオンも有機物除去に寄与する。このように、チャンバ１２内では化学反応および物理反応により有機物が除去されるが、処理ガスに酸素ガスを添加することにより、酸素ラジカルを利用したより効率のよい有機物除去が可能となる。
【００５５】
一方、チャンバ１２内に発生する酸素ラジカルや水素ラジカルにより、基板９の表面の活性化も行われる。すなわち、ポリイミド樹脂である基板９の表面と酸素ラジカルや水素ラジカルが反応することにより、基板９の表面にカルボキシル基（−ＣＯＯＨ）、カルボニル基（＞Ｃ＝Ｏ）、水酸基（−ＯＨ）、アミド基（−ＣＯＮＨ2）、アミノ基（−ＮＨ2）等の極性基が形成される。その結果、後工程において接着材料を介してＩＣチップが基板９上に強固に接着することが実現される。
【００５６】
図７は基板９の表面に水酸基、カルボキシル基、カルボニル基が形成されて活性化された様子を模式的に示す図である。基板９の表面にこれらの極性基が形成されることにより、図８に示すように基板９と接着材料の主成分であるエポキシの樹脂層９００とが化学的に強く結合する。
【００５７】
四フッ化炭素（ＣＦ4）が処理ガスに含まれる場合も基板９の表面の活性化が実現される。図９は四フッ化炭素から生じたフッ素ラジカルやフッ素イオンにより基板９の表面にＣＯＦ基（−ＣＯＦ）が形成されて活性化された様子を示す図である。フッ素原子は電気陰性度が高く、電子を引きつける性質を有するため、ＣＯＦ基の炭素原子は電気的にδ+となる。その結果、図１０に示す樹脂層９００の水酸基において電気的にδ-となっている酸素原子と基板９上の炭素原子とが引き合い、基板９の表面と樹脂層９００との強い結合が実現される。
【００５８】
さらに、チャンバ１２内に発生する水素イオンやフッ素イオンにより、製造時のメッキ処理等により基板９の表面に残留する塩素が、塩化水素（ＨＣｌ）、フッ化塩素（ＣｌＦ）、三フッ化塩素（ＣｌＦ3）等へと変化する。フッ化塩素は減圧されたチャンバ１２内にて気体であり、塩化水素や三フッ化塩素は常圧常温にて気体であることから、基板９上の塩素が気体の化合物として除去することが実現される。
【００５９】
以上のように、洗浄装置１では処理ガスとして水蒸気（Ｈ2Ｏ）、アルコール蒸気およびフロロカーボン系ガスからなるグループから選択された１種類以上のガスを含むガスを用いることにより、基板９上の有機物除去、表面の活性化および塩素除去が実現される。そして、処理ガスに酸素ガスを添加することにより、より効率よく有機物除去が行われる。
【００６０】
表面の活性化により後工程のＩＣチップの実装においてＩＣチップを基板９上に強固に接着することが実現され、塩素除去により基板９上の配線にイオンマイグレーションが発生することが防止される。その結果、洗浄装置１では樹脂系の基板９に特に適した洗浄が行われ、基板９に対するＩＣチップの実装の信頼性を向上することができる。
【００６１】
特に、イオンマイグレーションの防止（すなわち、塩素の除去）は、ＩＣチップ等の微細な電極を有する電子部品を基板９上に直接実装する際に重要となる。イオンマイグレーションによる基板９上の回路の信頼性低下は配線パターンにおける配線と配線との間の間隙が２５μｍ以下である場合に顕著となることから、洗浄装置１による洗浄はこのような微細配線を接合部位として有する基板に対して極めて有効となる。
【００６２】
以上、本発明にかかる実施の形態について説明してきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、様々な変形が可能である。
【００６３】
上記実施の形態ではチャンバ１２内を減圧することによりプラズマを発生しやすくしているが、処理ガスにヘリウム（Ｈｅ）を混合することにより、チャンバ１２の減圧の程度を小さくすることも可能である。
【００６４】
プラズマの発生も上記実施の形態のように平行平板の電極を用いる手法に限定されず、他の手法によりプラズマが発生されてもよい。
【００６５】
上記実施の形態では導電性微粒子を含む接着材料が用いられ、導電性微粒子がＩＣチップと基板９上の配線との間において潰れることによりＩＣチップと配線とが電気的に接合されるが、接着材料としては導電性微粒子を含まないものが用いられてもよい。例えば、ＩＣチップにバンプが形成され、基板９上に樹脂本体側から銅、ニッケル、金を順に積層した電極が形成され、バンプと電極との圧着接合が行われるとともに接着材料によりＩＣチップが基板９上に固定されてもよい。
【００６６】
接着材料は流動体の塗布として基板９に付与される必要はなく、フィルム状の接着材料が用いられてもよい。接着材料がフィルム状である場合、所定の長さに切断されたフィルムがＩＣチップの装着位置に貼付される。
【００６７】
上記実施の形態では、基板９はパレット８に保持された状態で洗浄されるが、基板９はパレット８から取り出されて洗浄されてもよい。なお、チャンバ１２を減圧する際に基板９の位置がずれないように、図１１に例示するように基板９はステージ１２２上のピン１２２１等により固定されることが好ましい。ピン１２２１はアルミナ等の絶縁物で形成されることが好ましく、基板９は移載ロボット１３の吸引チャック１３１ａ等によりステージ１２２上に載置される。
【００６８】
上記実施の形態では、基板９はポリイミド樹脂にて形成されたものであると説明したが、基板９はエポキシ樹脂にて形成されたものであってもよい。この場合、接着材料がエポキシ系である場合、ＩＣチップの実装はエポキシ樹脂とエポキシ系接着材料との接合となる。このときの表面活性および接合原理は図７ないし図１０を用いて行った説明と同様である。また、基板９は可撓性を有しないものであってもよい。
【００６９】
また、本実施例ではイオンマイグレーションを防止するため塩素を除去する場合を説明したが、マイグレーションに係る他のイオン（例えばＢｒ-、ＳＯ2-4、ＮＨ+4）が存在する場合でも本発明の基板洗浄方法を用いることにより、接合の密着性は向上し、水分の侵入を防ぎ、結果としてイオンマイグレーションを防止することができる。
【００７０】
さらに、所定の処理ガスを用いた樹脂系の基板の洗浄は、基板とＩＣチップ等の電子部品との接合の場合に限定されるものではなく、基板上の接合部位の洗浄として様々な用途において実施されてよい。
【００７１】
例えば、多層基板の製造における樹脂と樹脂との接合の際に、上記実施の形態におけるドライ洗浄が実施されてもよい。ポリイミド樹脂による多層基板の製造の場合、処理ガスとして四フッ化炭素（ＣＦ4）を含むガスを用いてポリイミド基板が洗浄された後にポリイミド系のワニスを塗り、約摂氏３５０度で接着および硬化が行われる。この場合、処理ガスによるドライ洗浄により基板上には図９に示したようにＣＯＦ基が形成され、ポリイミド系の樹脂層のアミド基とＣＯＦ基とが互いに作用することにより基板同士の強靱な接合が実現される。
【００７２】
また、基板の洗浄は、基板上の接合部位に対して局所的に行われてもよい。すなわち、基板の接合部位の近傍のみに処理ガスを供給し、処理ガス中にプラズマを発生させることにより接合部位の洗浄が行われてもよい。このように、少なくとも基板上の接合部位に対してドライ洗浄を行うことにより、接合の信頼性の向上を実現することができる。
【００７３】
なお、上記実施の形態にて説明した反応および接着の際の化学的結合は、およそ推測される範囲で説明したものであり、実際の反応および結合としてはさらに複雑な反応や他の種類の化学的または物理的結合が生じていてもよい。
【００７４】
【発明の効果】
本発明では、樹脂系の基板に対する接合の信頼性を向上することができる。特に、基板の表面の活性化および塩素除去により、微細配線が形成された基板に電子部品を実装する際の信頼性を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】洗浄装置を有する実装システムを示す図
【図２】洗浄装置の構成を示す平面図
【図３】チャンバの構成を示す図
【図４】洗浄装置の動作および基板にＩＣチップが実装される工程を示す図
【図５】（ａ）ないし（ｃ）は、基板上にＩＣチップが実装される様子を示す図
【図６】基板上の有機物が酸素ラジカルや各種イオンにより除去される様子を示す図
【図７】活性化された基板の表面を示す図
【図８】基板と樹脂層との結合を示す図
【図９】活性化された基板の表面を示す図
【図１０】基板と樹脂層との結合を示す図
【図１１】基板がステージに載置された様子を示す図
【符号の説明】
１  洗浄装置
９  基板
１２  チャンバ
１４，２２５  カバー
１５，２２６  ガス供給管
９６  ＩＣチップ
１２２  ステージ
１２３  電極板
１２４  交流電源
１２５  ガス導入管
Ｓ１２，Ｓ１３，Ｓ２１〜Ｓ２４  ステップ
【図１】
0004409134.tif 000007
【図２】
0004409134.tif 000008
【図３】
0004409134.tif 000009
【図４】
0004409134.tif 000010
【図５】
0004409134.tif 000011
【図６】
0004409134.tif 000012
【図７】
0004409134.tif 000013
【図８】
0004409134.tif 000014
【図９】
0004409134.tif 000015
【図１０】
0004409134.tif 000016
【図１１】
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