(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも基材を有する基板と、前記基板上の発光領域に配置されている少なくとも１つの有機発光素子と、前記有機発光素子上および前記基板表面に成膜されている無機封止層と、を有し、前記有機発光素子は、前記基板上に形成されている一対の電極と、前記一対の電極間に配置されている有機化合物層と、を有する有機発光装置において、
前記基板表面と前記無機封止層とを密着させる密着層が、前記基板と前記無機封止層との間で、かつ前記発光領域と前記基板の端部との間に形成されており、前記密着層の材料は、少なくともＩｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｓｉの１種を含有する無機材料もしくはダイヤモンドライクカーボンのいずれかであることを特徴とする有機発光装置。
【請求項２】
前記密着層の材料は、ＩＴＯであることを特徴とする請求項１に記載の有機発光装置。
【請求項３】
前記密着層の材料が、前記一対の電極のうち少なくともいずれか一方の電極の材料と同じであることを特徴とする請求項１乃至請求項２のいずれか１項に記載の有機発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、フラットパネルディスプレイとして、自発光型デバイスである有機発光装置が注目されている。有機発光装置は、水分や酸素により特性劣化を招き易く、わずかな水分により有機化合物層と電極層との剥離が生じるなどして、ダークスポット発生の原因となる。そのため、有機発光部をエッチングガラスカバーで覆い、シール剤により周辺を貼り付け、内部に吸湿剤を装着して、更にシール面から浸入する水分を吸湿剤で吸湿し、有機発光装置の寿命を確保している。しかし、薄型の有機発光装置による省スペースのフラットパネルディスプレイを実現するためには吸湿剤のスペースを無くし、さらに薄型化を図っていかなければならず、大量の吸湿剤を必要としない有機発光装置の封止方法が求められている。その為、水分や酸素の有機化合物層への侵入を防止するための高機能な封止層が求められている。
【０００３】
これらの問題を解決する為に、近年、有機発光装置の封止層として、ＣＶＤ法やスパッタ法を用いた酸化窒化シリコン膜や、セラミックと有機膜を積層させた封止層が提案されている。
【０００４】
特許文献１によれば、第１の無機封止層と、樹脂封止層と、第２の無機封止層をこの順に積層して設ける構成が提案されている。残留応力の少なく、水分遮蔽が充分な有機ＥＬ素子を得ることができる、としている。
【０００５】
また、特許文献２によれば、有機発光層が無機膜により被覆され、有機ＥＬ素子から離間した位置にカバー板上に形成したカラーフィルタを配置する構成が提案されている。カラーフィルタから発生する水分やガス成分による有機ＥＬ層の劣化を抑制可能である、としている。
【０００６】
これらの特許文献にも述べられているように、水分やガス成分の侵入を防止するための封止層を、無機膜もしくは無機膜を含む積層膜で形成することにより、有機発光層に対して封止層を通過して侵入する水分やガス成分を遮蔽することは可能となる。
【特許文献１】特開２０００−２２３２６４号公報
【特許文献２】特開２００３−２２３９９２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、先に挙げた特許文献は有機発光装置の端部から有機発光層に侵入する水分やガス成分について考慮されていない。有機発光装置を劣化させる要因である水分等を防ぐ手段として防湿性に優れた封止層を発光部の上に配置しても、封止層とそれに隣接する層との界面から水分が侵入し、発光領域に大きな影響を与えることを、本発明者は発見した。
【０００８】
更に、有機発光装置の製造において、１枚の基板上に電極や有機層を作成し、封止層を成膜した後に切断することによって、１枚の基板から複数の有機発光装置を作成する方法が採られている。このような方法によって有機発光装置を作成する場合に切断面において封止層が露出し、更には切断によって封止層が剥離したり、封止層にクラックが発生したりすることが分かってきた。
【０００９】
このように、封止層が露出し、更には剥離やクラックが発生してしまうと、封止層の界面や剥離部分から水分等が侵入し、発光を妨げることにつながる。
【００１０】
そこで、本発明は、有機発光装置における封止層の端部から水分等が浸入することを防ぎ、長時間高品質の発光を維持することができる有機発光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、少なくとも基材を有する基板と、前記基板上の発光領域に配置されている少なくとも１つの有機発光素子と、前記有機発光素子上および前記基板表面に成膜されている無機封止層と、を有し、前記有機発光素子は、前記基板上に形成されている一対の電極と、前記一対の電極間に配置されている有機化合物層と、を有する有機発光装置において、
前記基板表面と前記無機封止層とを密着させる密着層が、前記基板と前記無機封止層との間で、かつ前記発光領域と前記基板の端部との間に形成されており、前記密着層の材料は、少なくともＩｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｓｉの１種を含有する無機材料もしくはダイヤモンドライクカーボンのいずれかであることを特徴とする有機発光装置。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、有機発光装置における封止層の端部から水分等の浸入を防ぎ、長時間高品質の発光を維持することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明の有機発光装置は、少なくとも基材を有する基板と、基板上に配置されている少なくとも１つの有機発光素子と、有機発光素子上および基板表面に成膜されている無機封止層と、を有し、有機発光素子は、基板上に形成されている一対の電極と、一対の電極間に配置されている有機化合物層と、を有する。そして、基板表面と無機封止層とを密着させる密着層が、基板と無機封止層との間で発光領域の周囲にのみ形成されている。
【００１４】
封止層を基板表面と密着させる層（密着層）が面内の発光領域の周囲に配置されていることによって、有機発光素子に水分等が浸入しにくい構造になる。また、本発明では密着層は前記基板と前記無機封止層との間で前記発光領域の周囲のみに形成されている。つまり、発光領域には密着層が配置されていない。そのため、有機発光素子と無機封止層との間隔を短くすることができ、より確実に水分等の侵入を防ぐことができる。また、有機化合物層で発光する光が無機封止層を介して外部に取り出される場合には、余分な光吸収を減らし光取り出し効率を高めることが可能である。
【００１５】
水分等の浸入を防止する目的で設けられる封止層は、層の中を水分等が通過することに関しては、高い遮蔽性能を有している。しかし、封止層とそれに隣接する層との界面を伝わって水分等が浸入すること、あるいは封止層にできる欠陥部分から水分等が浸入することに関しては必ずしも十分な遮蔽性能があるわけではない。そのため、層の中だけでなく、界面や欠陥部分から侵入する水分等も遮蔽することが求められるのである。
【００１６】
界面からの水分等の遮蔽性能は、封止層とそれに隣接する層との化学的な親和性や、隣接する層の表面の凹凸によって変わってくる。具体的には、化学的および物理的な親和性が高いほど封止層とそれに隣接する層との密着性が高まるため、遮蔽性能が高まるのである。
【００１７】
そこで、本発明は、封止層に対して密着性の高い密着層を配置することによって、封止層の界面からの水分等の浸入を防いだものである。
【００１８】
また、本発明の有機発光装置は、製造過程において基板上に封止層が配置されたものを切断する場合においても、水分等の侵入を防ぐ効果を有するものである。
【００１９】
有機発光装置の製造において、１枚の基板上に電極や有機層を作成し、封止層を成膜した後に切断することによって、１枚の基板から複数の有機発光装置を作成する方法が採られている。封止層は、水分を通過させないようにするために、緻密な構造を有するものであるが、その反面硬い層となるため、切断する際に封止層にクラックが発生してしまったり、封止層が剥離してしまったりする。
【００２０】
本発明の有機発光装置は、密着層が発光領域の周囲において封止層に隣接して配置されているため、封止層にクラックが発生するのを防ぎ、また封止層が剥離するのを防ぐことができる。またクラックが発生しても、クラックが発光領域に広がることを防ぐことができる。
【００２１】
以上のことから、本発明の有機発光装置は水分等の浸入を防ぐ効果が高いため、有機ＥＬ発光部が劣化しにくく、より長時間高品質の発光を維持することができる。
【００２２】
本発明に係る有機発光装置は、面発光体として液晶表示装置のバックライトに好ましく用いることができる。また、ＲＧＢ等の複数色の発光部に対応する有機化合物層を複数配置する場合には有機発光装置として好ましく用いることができる。
【００２３】
本発明に係る有機発光装置は、テレビ受像機、ＰＣのモニタ、携帯電話等の表示部に好ましく用いることができる。特に幅広い温度、湿度での使用が想定され、高い対環境性を必要とするモバイル機器の表示部に好ましく用いることができる。本発明の有機発光装置を表示部に有する表示装置は、より長時間にわたって高品質の表示が可能となる。
【００２４】
また、本発明に係る有機発光装置は、デジタルカメラ等の撮像装置に好ましく用いることもできる。本発明の有機発光装置を表示部に有する撮像装置は、より長時間にわたって高品質の表示が可能となる。
【００２５】
本発明の実施形態について、以下、図１から図３の図面を用いて説明する。図１は、本発明の実施の形態に係る有機発光装置の一部を示す模式的断面図である。また、図２及び図３は本発明の別の実施の形態に係る有機発光装置の一部を示す模式的断面図である。１はガラス基板（基材）、２はＴＦＴ（スイッチング素子）、３は絶縁層、４は平坦化層、５は第１電極、６は有機ＥＬ層、７は第２電極、８は、素子分離膜、９は封止層、１０は密着層、１１はエッチングガラス、１２は接着剤、１３は吸湿層、１４は円偏光板である。また、１５はカバーガラス、１６は充填材、１７は粘着材である。
【００２６】
図１に示した有機発光装置は、ガラス基板１の上にＴＦＴ２、絶縁膜３、有機平坦化膜４の順で積層形成されており、本発明ではこれらの部材を有するものを基板とする。そして、その上部に、画素単位の第１電極５が形成され、その各画素の周囲がポリイミド製の素子分離膜８によって覆われている。この上に正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層等の有機化合物層６が順次形成されていて、その上部には第２電極７が形成されている。有機化合物層６は必ずしもこれら全ての層がある必要はなく、少なくとも発光層があればよい。第１電極５と第２電極７の間に電流を流すことによって、これらの間に配置される発光層が発光する。発光する部分が有機ＥＬ発光部となる。さらに取り出し電極（不図示）を除き、第２電極７、有機ＥＬ層６、素子分離膜８、平坦化層４を覆って、無機膜からなる封止層９が形成されている。ガラス基板１と封止層９との間、より具体的には、絶縁層３と封止層９との間には密着層１０が配置されている。そして、封止層９を含むその上部は画素部が凹構造となったエッチングガラス１１で覆われ、エッチングガラスの周囲は接着剤１２で封止されている。エッチングガラスの有機化合物層側の内面には、吸湿膜１３が形成されている。更に、エッチングガラスの上部には円偏光板１４が設けられている。
【００２７】
本実施の形態に係る有機発光装置は、密着層１０が面内の発光領域の周囲において絶縁層３と封止層９との間に配置されている。発光領域の周囲とは、複数画素を有する場合の画素間の領域を指すものではなく、発光領域よりもパネル端部に近い領域のことを指すものであり、額縁領域ともいう。図１において発光領域の周囲は領域Ａのことを示す。密着層１０が配置されていることによって、端部から侵入する水分等を有効に防ぐことができる。
【００２８】
図２に示した有機発光装置では、図１と同様にガラス基板１から封止層９までの積層構成が形成されており、封止層９を含むその上部をカバーガラス１５で覆い、カバーガラスと封止層の間には充填材１６が挿入されている。カバーガラスの周囲は接着剤１２で封止されている。更に、カバーガラスの上部には円偏光板１４が設けられている。
【００２９】
図３に示した有機発光装置では、図１と同様にガラス基板１から封止層９までの積層構成が形成されており、封止層９を含むその上部に円偏光板１４が粘着材１７により直接貼り付けられている。
【００３０】
本発明において、封止層９の上に配置される部材は以上の図１から図３に示す構成を採ることが好ましいが、他の構成であってもよい。
【００３１】
本発明の有機発光装置の第１電極５は、高導電性の電極材料であれば特に限定されないが、例えば高反射性の材料であるＣｒ、Ａｌ、Ａｇなどを用いることができる。ＩＴＯ、ＩＺＯなどの透明電極を積層して用いてもよい。
【００３２】
第２電極７は、高導電性の電極材料であれば特に限定されないが、例えば高透過性もしくは半透過性の材料で構成され、ＩＴＯ、ＩＺＯなどＩｎを含む酸化膜、Ａｇなどを用いることができる。
【００３３】
本発明においては、第１電極５から光を取り出す構成、あるいは第２電極７から光を取り出す構成のいずれの構成であってもよい。つまり、トップエミッション型の発光装置、ボトムエミッション型の発光装置のいずれの装置であってもよい。
【００３４】
封止層９は、水分やガス成分の遮断能力が高いものであれば特に限定されないが、一般に水分およびガスバリア性が高いことで知られる無機膜を用いることが好ましい。具体的には、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ等の膜を用いることができる。また封止層９は、組成が異なる２種類以上の積層膜であってもよい。封止層９に求められる特性によっては、無機膜と有機膜の積層構成であってもよい。ただし、水分やガス成分の伝播経路となることから、相対的に水分を通しやすい有機膜が有機発光装置の端部において露出せずに被覆されていることが望ましい。
【００３５】
本発明の封止層９に用いられる無機膜は、例えば、プラズマＣＶＤにより成膜できる。プラズマＣＶＤの励起周波数を３０ＭＨｚから１００ＭＨｚのＶＨＦ帯を用いることで、プラズマのイオン衝撃を弱め素子の熱ダメージを抑えることができる。さらに、緻密で欠陥が無く、斜面や凹凸のカバレッジ性が良好で、防湿性が高く、さらに低応力の良好な無機封止層を成膜できる。
【００３６】
また望ましくは、無機層は、シリコン、窒素、水素、酸素原子の総数に対する水素濃度が、１２〜３２ａｔｏｍｉｃ％が好ましい。下地の有機封止層との密着性や、凹凸のカバレッジ性が良く、熱応力の緩和に効果的で有機発光装置の発光による温度上昇に効果が絶大である。さらに、水素濃度が１７〜２８ａｔｏｍｉｃ％ではさらに効果的である。
【００３７】
本発明に用いる封止層は、組成が異なる２種類以上の積層膜から構成されていても良い。
【００３８】
例えば、水素濃度を１２〜３２ａｔｏｍｉｃ％の範囲で勾配を持たせることにより、無機層中の熱応力の緩和と光取り出し効率に効果的であるが、さらに、光取り出し効率を高める為、水素濃度を３２ａｔｏｍｉｃ％以上に膜厚方向に上げても良い。
【００３９】
このような無機封止層に水素濃度の勾配を持たせた無機封止層で構成された有機発光装置は、防湿性能が高いばかりか、屈折率の異なる膜の積層で生じる光の反射を抑え、光の透過率を改善できる。
【００４０】
次に、本発明の密着層１０について説明する。
本発明の密着層１０は、封止層９をガラス基板１上の絶縁層３あるいは平坦化層４への密着性を向上させるために設けられた中間層であり、有機発光装置の端部において、水分やガス成分の侵入を防止する効果が得られる。本発明の密着層１０を形成しない構成においては、封止層９と絶縁層３あるいは封止層９と平坦化層４との密着性が十分得られず、封止層９とそれに接する層との界面から水分等が浸入してしまう。また、有機発光装置の発光領域の周囲における切断位置において、封止層９のクラックや剥離の発生が避けられない。有機発光装置の切断部における封止層９のやクラックや剥離は、水分やガス成分の伝播経路となり、有機化合物層の発光劣化を引き起こす原因となる。封止層９のクラックや剥離が発生する領域を見込んで、切断位置をより広く取ることも可能であるが、その場合には発光領域の周囲の面積が大きくなり、有機発光装置の狭額縁化とは相反する。
【００４１】
本発明の密着層１０は、図１から図３に示すように、前記有機化合物層６が形成される発光領域の外の額縁領域に設けられており、平坦化層４が形成される領域のよりも外側の領域に形成されていることが好ましい。加えて、図４のように平坦化層４の上に形成されていてもよいし、図５のように第２電極７の上に形成されていてもよい。また、密着層１０は、図１から図５のように発光領域方向に連続的に形成されていてもよいし、図６のように不連続に形成されていてもよい。
【００４２】
更に、本発明の密着層１０は、発光領域の周囲に配置されていてもよいし、発光領域の周囲に配置されていなくてもよい。発光領域の周囲に配置される場合は、例えば図８のように周辺回路の外に四方を囲むように配置してもよい。この場合にはより高い防湿効果を得ることができる。発光領域の周囲に配置されない場合には、例えば図７のように引き出し配線を除く３辺を囲むように配置してもよい。引き出し配線２０と電気的に絶縁する場合には、より確実に絶縁することができる構成である。
【００４３】
また、有機発光装置の端部において、密着層１０が露出し、水分やガス成分の侵入経路となることが問題となる場合においては、密着層１０が封止層９によって覆われるようにすることが好ましい。具体的には、図９のように密着層１０が封止層９と絶縁層３との間に配置され、かつ密着層１０が封止層９に覆われて端部に露出しない構成にすることである。このようにすることによって密着層１０を介して水分等が侵入することを防ぐことができる。
【００４４】
密着層１０は、封止層９と基板との間に形成され、ガラス基板１もしくは絶縁層３、平坦化層４と界面を形成する。また、密着層１０が引き出し配線２０、あるいは平坦化層４、第２電極７と界面を形成することも可能である。密着層１０は上記それぞれの界面にて密着性を向上させることができる材料、膜厚で形成されることが好ましく、密着性向上が得られないときは部分的に設けない領域があってもよい。より具体的には、密着層１０は封止層９の密着性を低下させる成膜下地の凹凸をなだらかにするもの、成膜下地と封止層９との間の化学結合力や物理引力を高めるものが好ましい。また、密着層１０は水分およびガス成分の遮蔽性が高いものであることが好ましい。
【００４５】
本発明の密着層１０は、上記特性を満たすものであれば特に限定されないが、例えばＩｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｓｉの１種を含有する無機材料からなる膜、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）があげられる。また、密着層１０は、第１電極５または第２電極７と同じ材料であってもよい。さらに密着層１０は、第２電極７と同じ材料にする場合は、第２電極７の形成時に、同時に形成することができる。
【００４６】
積層膜からなる封止層９に対しては、封止層９を構成するいずれかの構成層と密着層１０が接していれば良い。望ましくは、封止層９を構成する最も水分遮蔽性およびガスバリア性が高い構成層と接していることが良い。そのために、封止層９の各構成層の配置位置を、密着層１０を配置する位置に対して変化させることも有効となる。
【００４７】
次に本発明の有機発光装置を作成するためのプロセスの例を順に説明する。ここでは、図１に示す有機発光装置を例にして説明する。
【００４８】
＜第１電極５の成膜＞
ガラス基板１上にＴＦＴ２を形成し、その上に絶縁層３、平坦化層４を順に成膜する。そして、ＴＦＴ２の電極との電気的接続を図るために、絶縁層３、平坦化層４にエッチングによってコンタクトホールを設け、コンタクトホール上に成膜されるようにＡｇをスパッタリングによって成膜する。その後、各有機発光部に対応するようにエッチングする。
【００４９】
＜有機化合物層６の成膜＞
第１電極が形成された基材上にホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層を真空蒸着によって成膜する。また、ＲＧＢ３色の画素を有する装置の場合には必要に応じてシャドウマスクを用いて所望の画素にのみ成膜することによって発光色毎に塗り分ける。
【００５０】
＜第２電極７、及び密着層１０の成膜＞
有機化合物層６の上に、ＩＴＯからなる第２電極７をスパッタにより膜厚６０ｎｍで成膜した後、第２電極７と同様の材料であるＩＴＯからなる密着層１０をスパッタにより膜厚１００ｎｍ成膜する。
【００５１】
＜封止層９の成膜＞
更に、平坦化層４、有機化合物層６、第２電極７、素子分離膜８を覆うように、ＶＨＦプラズマＣＶＤで窒化シリコン膜を５μｍ成膜し、封止層９を成膜する。
【００５２】
以上の工程のうち、有機化合物層６の成膜から封止層９の成膜まで一貫して真空中で行う。
【００５３】
＜封止層９の上に配置される部材の形成＞
次に、封止層９を含むその上部を、画素部が凹構造となっており、吸湿膜１３が形成されたエッチングガラス１１で覆い、エッチングガラスの周囲を接着剤１２で封止する。続いて、円偏光板１４をエッチングガラス１１に貼り合わせる。エッチングガラス端から０．３ｍｍの位置でガラス基板１を含む積層体を切断し、図１の有機発光装置を作成する。
【実施例】
【００５４】
以下、本発明の有機発光装置による効果について、実施例に基づいて説明する。
【００５５】
（実施例１）
本実施例について、図１０を用いて説明する。
本実施例では、図１０の評価サンプルを作成し、切断面からの水分の浸入の有無について、Ｃａ腐食による透過率の変化で評価した。Ｃａ層は水および酸素と反応することにより、Ｃａ膜の透過率が変化する。
【００５６】
ガラス基板１の上に絶縁層３が形成された基板上に、Ｃａ膜２０を部分的に、真空蒸着により１０００Å形成し、Ｃａ成膜領域の周囲にＩＴＯからなる密着層１０をスパッタにより膜厚１００ｎｍ成膜した。続いてＣａ膜２０、密着層１０を覆うようにＶＨＦプラズマＣＶＤで窒化シリコン膜を５μｍ成膜し、封止層９を形成した。基板投入後、封止層の成膜まで一貫して真空中で行った。
次に、Ｃａの成膜端から０．３ｍｍの位置でガラス基板を作成し、図１０の評価サンプルを作成した。
【００５７】
（比較例１）
本比較例について、図１１を用いて説明する。
本比較例では、図１１の評価サンプルを作成し、切断面からの水分の浸入の有無について、Ｃａ腐食による透過率の変化で評価した。
本比較例の評価サンプルは実施例１と同様の工程にて作成されるが、密着層１０となるＩＴＯについては、形成しなかった。
【００５８】
（評価）
実施例１のサンプルの切断面についてＳＥＭを用いて観察すると、封止層９の剥離、クラックはほとんど見られず、切断による封止層９の損傷は、切断位置から０．０５ｍｍ以内であった。また、実施例１の評価サンプルを温度６０℃、相対湿度９０％ＲＨの恒温恒湿槽内に放置し、１０００ｈｒ経過後に測定してもＣａの透過率は変化しなかった。
【００５９】
一方、比較例１のサンプルの切断面についてＳＥＭを用いて観察すると、封止層９の剥離およびクラックが発生していることがわかった。切断による封止層９の損傷は、切断位置から０．５ｍｍ以内であった。また、比較例１の評価サンプルを温度６０℃、相対湿度９０％ＲＨの恒温恒湿槽内に放置すると、１０００ｈｒ経過後には、切断面方向からＣａは腐食され、約２０ｍｍの領域に渡って透過率の低下が観察された。以上のことから、密着層１０が封止層９に接して配置されていることによって水分が浸入しにくくなることが分かった。
【００６０】
（実施例２）
本実施例について、図１および図７を用いて説明する。
本実施例では、図７に示すように、有機表示装置の表示領域１８の周囲において、周辺回路１９が形成されている辺にのみ密着層１０を形成して、素子の発光特性評価を行った。
【００６１】
図１に示すように、ガラス基板１の上にＴＦＴ２、絶縁膜３、有機平坦化膜４を順次積層形成し、更にその上に形成される第１電極の周囲を、ポリイミド製の素子分離膜１４で絶縁された基板を用いた。この基板上に、ＦＬ０３／ＤｐｙＦＬ＋ｓＤＴＡＢ２／ＤＦＰＨ１／ＤＦＰＨ１＋Ｃｓ２ＣＯ３の積層構造体６を蒸着し、第１電極５、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層の順で積層構造体６を形成した。その上層には、ＩＴＯからなる第２電極７をスパッタにより膜厚６０ｎｍで成膜し画素を形成後、ＩＴＯからなる密着層１０をスパッタにより膜厚１００ｎｍ成膜した。更に、有機平坦化膜４、積層構造体６、第２電極７、素子分離膜８、密着層１０を覆うように、ＶＨＦプラズマＣＶＤで窒化シリコン膜を５μｍ成膜し、封止層９を形成する。基板の投入後、封止層９の成膜まで一貫して真空中で行った。
【００６２】
次に、封止層９を含むその上部を、画素部が凹構造となっており、吸湿膜１３が形成されたエッチングガラス１１で覆い、エッチングガラスの周囲を接着剤１２で封止した。続いて、円偏光板１４をエッチングガラス１１に貼り合わせる。エッチングガラス端から０．３ｍｍの位置でガラス基板１を切断し、図１の有機表示装置を作製した。
【００６３】
（実施例３）
本実施例について、図１２を用いて説明する。
本実施例では、実施例２と同じ領域に密着層１０を形成して、素子の発光特性評価を行った。
【００６４】
図１２に示すように、実施例２と同様にして積層構造体６まで形成した後、ＩＴＯからなる第２電極７と密着層１０を膜厚６０ｎｍで同時にスパッタ成膜した。次に、有機平坦化層４の成膜端から０．３ｍｍの位置でガラス基板１を切断し、円偏光板１４を粘着材１７で有機表示装置に貼り合わせて、図１１の有機表示装置を作製した。
【００６５】
（実施例４）
本実施例について、図８および図１３を用いて説明する。
本実施例では、図８に示すように、有機表示装置の表示領域１８の全周囲において密着層１０を形成して、素子の発光特性評価を行った。電源および信号配線と密着層１０は絶縁されている。
【００６６】
図１３に示すように、実施例２と同様にして積層構造体６まで形成した後、ＩＴＯからなる第２電極７と密着層１０を膜厚６０ｎｍで同時にスパッタ成膜した。次に、有機平坦化層４の成膜端から０．３ｍｍの位置、密着層１０の成膜端から０．１ｍｍの位置でガラス基板１を切断し、円偏光板１４を粘着材１７で有機表示装置に貼り合わせて、図１３の有機表示装置を作製した。
【００６７】
（比較例２）
比較例について、図１４を用いて説明する。
実施例２と同様にして図１４の構成の有機表示装置を作製した。但し、有機表示装置の表示領域１８の周囲に密着層１０を設けていない。
【００６８】
（評価）
実施例２および３および４の有機ＥＬパネルを温度６０℃、相対湿度９０％ＲＨの恒温恒湿槽内に放置し、１０００ｈｒ経過後に評価しても、ＶＩ特性及び輝度の劣化は確認されない。また、有機ＥＬ表示装置の外周領域からの輝度変化及びΦ１μｍ以上のダークスポットも、画素周辺からの輝度劣化及びΦ１μｍ以上のダークスポットも発生しない。
【００６９】
一方、実施例２の有機ＥＬパネルを温度６０℃、相対湿度９０％ＲＨの恒温恒湿槽内に放置すると、１０００ｈｒ経過後には、表示領域の周囲においてＶＩ特性及び輝度の劣化が認められる。表示領域の中央においてはＶＩ特性及び輝度の劣化は確認されない。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】本発明の有機発光装置の実施形態の一例を示す模式的断面図である。
【図２】本発明の有機発光装置の他の実施形態の一例を示す模式的断面図である。
【図３】本発明の有機発光装置の他の実施形態の一例を示す模式的断面図である。
【図４】本発明の密着層の形成位置の一例を示す模式的断面図である。
【図５】本発明の密着層の他の形成位置の一例を示す模式的断面図である。
【図６】本発明の密着層の他の形成位置の一例を示す模式的断面図である。
【図７】本発明の密着層の形成位置の一例を示す模式的鳥瞰図である。
【図８】本発明の密着層の他の形成位置の一例を示す模式的鳥瞰図である。
【図９】本発明の密着層の他の形成位置の一例を示す模式的断面図である。
【図１０】実施例１における評価基板の構成の概略を示す模式的断面図である。
【図１１】比較例１における評価基板の構成の概略を示す模式的断面図である。
【図１２】第３の実施例における評価基板の構成の概略を示す模式的断面図である。
【図１３】第４の実施例における評価基板の構成の概略を示す模式的断面図である。
【図１４】第２の比較例における評価基板の構成の概略を示す模式的断面図である。
【符号の説明】
【００７１】
１  ガラス基板
２  ＴＦＴ（スイッチング素子）
３  絶縁層
４  有機平坦化層
５  第１電極
６  有機化合物層
７  第２電極
８  素子分離膜
９  封止層
１０  密着層
１１  エッチングガラス
１２  接着剤
１３  吸湿膜
１４  円偏光板
１５  カバーガラス
１６  充填材
１７  粘着材
１８  表示領域
１９  周辺回路
２０  引き出し線
２１  Ｃａ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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