(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
媒体対向面と、前記媒体対向面に形成された光出射面を含む光導波路のコアと、出射光が前記光導波路のコアの光入射面に到達するように設けられた発光素子と、を有する熱アシスト磁気ヘッドの製造方法であって、
凹面を有し当該凹面内にピンホールが形成された遮光膜の前記ピンホールの前記凹面側の端面と前記光出射面とを対向させ、この際、前記遮光膜と前記媒体対向面の前記遮光膜の厚み方向の最短距離が、前記ピンホールの前記凹面側の端面と前記光出射面との最短距離よりも短くなるようにする対向工程と、
前記発光素子から光を出射させる光出射工程と、
前記光出射面から出射され、前記ピンホールを通過した光を検出する検出工程と、
を備えることを特徴とする熱アシスト磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２】
媒体対向面と、前記媒体対向面に形成された光出射面を含む光導波路のコアと、出射光が前記光導波路のコアの光入射面に到達するように設けられた発光素子と、を有する熱アシスト磁気ヘッドの製造方法であって、
透明基板の凹部内に設けられピンホールが形成された遮光膜の前記ピンホールの前記透明基板側とは反対側の端面と前記光出射面とを対向させ、この際、前記透明基板と前記媒体対向面の前記遮光膜の厚み方向の最短距離が、前記ピンホールの前記透明基板側とは反対側の端面と前記光出射面との最短距離よりも短くなるようにする対向工程と、
前記発光素子から光を出射させる光出射工程と、
前記光出射面から出射され、前記ピンホールを通過した光を検出する検出工程と、
を備えることを特徴とする熱アシスト磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記検出工程における光の検出結果に基づいて、前記光出射面から出射される光の強度を調整する調整工程をさらに備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の熱アシスト磁気ヘッドの製造方法。
【請求項４】
前記調整工程において、前記発光素子の駆動電流値を変えることによって、前記光出射面から出射される光の強度を調整することを特徴とする請求項３に記載の熱アシスト磁気ヘッドの製造方法。
【請求項５】
前記調整工程において、前記発光素子と前記光導波路のコアとの相対的な位置関係を変えることによって、前記光出射面から出射される光の強度を調整することを特徴とする請求項３に記載の熱アシスト磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、熱アシスト磁気ヘッドの製造方法及びその製造方法に用いられるアパーチャに関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスク装置の高記録密度化に伴い、薄膜磁気ヘッドのさらなる性能の向上が要求されている。薄膜磁気ヘッドとしては、磁気抵抗（ＭＲ）効果素子等の磁気検出素子と電磁コイル素子等の磁気記録素子とを積層した構造である複合型薄膜磁気ヘッドが広く用いられており、これらの素子によって磁気記録媒体である磁気ディスクにデータ信号が読み書きされる。
【０００３】
一般に、磁気記録媒体は、いわば磁性微粒子が集合した不連続体であり、それぞれの磁性微粒子は単磁区構造となっている。ここで、１つの記録ビットは、複数の磁性微粒子から構成されている。従って、記録密度を高めるためには、磁性微粒子を小さくして、記録ビットの境界の凹凸を減少させなければならない。しかし、磁性微粒子を小さくすると、体積減少に伴う磁化の熱安定性の低下が問題となる。
【０００４】
磁化の熱安定性の目安は、ＫＵＶ／ｋＢＴで与えられる。ここで、ＫＵは磁性微粒子の磁気異方性エネルギー、Ｖは１つの磁性微粒子の体積、ｋＢはボルツマン定数、Ｔは絶対温度である。磁性微粒子を小さくするということは、まさにＶを小さくすることであり、そのままではＫＵＶ／ｋＢＴが小さくなって熱安定性が損なわれる。この問題への対策として、同時にＫＵを大きくすることが考えられるが、このＫＵの増加は、記録媒体の保磁力の増加をもたらす。これに対して、磁気ヘッドによる書き込み磁界強度は、ヘッド内の磁極を構成する軟磁性材料の飽和磁束密度でほぼ決定されてしまう。従って、保磁力が、この書き込み磁界強度の限界から決まる許容値を超えると書き込みが不可能となってしまう。
【０００５】
このような磁化の熱安定性の問題を解決する方法として、ＫＵの大きな磁性材料を用いる一方で、書き込み磁界印加の直前に記録媒体に熱を加えることによって、保磁力を小さくして書き込みを行う、いわゆる熱アシスト磁気記録方式が提案されている。
【０００６】
このような熱アシスト磁気ヘッドにおいては、発光素子から出射した光を記録媒体の記録領域に局所的に照射する必要がある。これを実現する方法として、媒体対向面に光出射面を有する光導波路を備えた熱アシスト磁気ヘッドが知られている（例えば、下記特許文献１）。このような光導波路を備えた熱アシスト磁気ヘッドでは、発光素子の出射光を光導波路の光入射面まで導くと、その光は媒体対向面の光出射面から出射されるため、記録媒体の記録領域に局所的に光を照射することが可能となる。
【特許文献１】特開２００６−１８５５４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
光導波路を備えた熱アシスト磁気ヘッドの製造時には、適切な熱アシスト磁気記録を実現するために、光導波路の光出射面から出射される光の強度を測定する必要がある。何故なら、光導波路の光出射面から出射される光の強度は、記録媒体の記録領域の加熱温度を決める重要なパラメーターの一つとなるためである。
【０００８】
光導波路の光出射面から出射される光の強度の測定方法として、十分大きな受光面を持つ光検出器を光出射面に対向させて測定する方法や、光出射面から出射される光を集光レンズで集光してから光検出器に入射させて測定する方法が考えられる。しかし、光導波路の光入射面に入射した光の一部は、光導波路のコアから漏れ光導波路のクラッドから出射されてしまうが、これらの方法ではこのようなクラッドから出射される光も測定してしまう。熱アシスト磁気記録において記録媒体の加熱に寄与し得るのは光導波路のコアから出射される光である。そのため、光導波路を備えた熱アシスト磁気ヘッドの製造方法においては、光導波路のコアから出射される光のみを測定する工程が重要となる。
【０００９】
光導波路のコアから出射される光のみを測定する方法として、光導波路の光出射面と対向して、ピンホールが形成された遮光膜を設ける方法が考えられる。ピンホールの大きさと光導波路のコアの光出射面における大きさが同程度であれば、この遮光膜によって光導波路のクラッドから出射される光を遮光し、コアから出射される光のみを取り出すことが可能なため、コアから出射される光のみを測定することができる。
【００１０】
しかしながら、上述のピンホールが形成された遮光膜を用いる光強度測定方法を採用すると、熱アシスト磁気ヘッドの媒体対向面に傷が付いたり、汚れが付着したりするおそれがある。即ち、上述の光強度測定方法では、光導波路のコアから出射される光のみを取り出すために、ピンホールが形成された遮光膜と媒体対向面とを対向させる必要がある。そのため、光強度測定中に遮光膜と媒体対向面とが接触する可能性があるため、媒体対向面に傷が付いたり、汚れが付着したりするおそれが生じる。媒体対向面は、記録・再生時に熱アシスト磁気ヘッドが記録媒体上を適切な浮上量で浮上するように、その形状が精密に加工されている。そのため、媒体対向面に傷や汚れが付くと、ハードディスクドライブの動作時に熱アシスト磁気ヘッドが適切に浮上せず、書き込み又は読み込みエラーの発生や、磁気ヘッドと記録媒体との衝突等の不具合が発生してしまう。
【００１１】
本発明はこのような課題に鑑みてなされたものであり、光導波路を備えた熱アシスト磁気ヘッドの製造方法であって、媒体対向面に記録・再生時の動作不良に繋がるような傷や汚れが付く可能性が十分に低減された熱アシスト磁気ヘッドの製造方法、及びこのような製造方法に用いられるアパーチャを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上述の課題を解決するため、本発明に係る熱アシスト磁気ヘッドの製造方法は、媒体対向面と、媒体対向面に形成された光出射面を含む光導波路のコアと、出射光が光導波路のコアの光入射面に到達するように設けられた発光素子とを有する熱アシスト磁気ヘッドの製造方法であって、凹面を有し凹面内にピンホールが形成された遮光膜のピンホールの凹面側の端面と光出射面とを対向させ、この際、遮光膜と媒体対向面の遮光膜の厚み方向の最短距離が、ピンホールの透明基板側とは反対側の端面と光出射面との最短距離よりも短くなるようにする対向工程と、発光素子から光を出射させる光出射工程と、光出射面から出射され、ピンホールを通過した光を検出する検出工程とを備えることを特徴とする。
【００１３】
本発明に係る熱アシスト磁気ヘッドの製造方法によれば、媒体対向面に記録・再生時の動作不良に繋がるような傷や汚れが付く可能性を十分に低減させながら、熱アシスト磁気ヘッドを製造することができる。即ち、発光素子から出射した光は、光導波路のコアの光入射面に入射する。そして、光入射面に入射した光のうち、光導波路のコアの光出射面から出射した光は遮光膜に形成されたピンホールを通過する。また、光入射面に入射した光のうち、光導波路のクラッドに漏れた光は、遮光膜によって遮光される。従って、遮光膜のピンホールを通過した光の強度を測定すれば、光導波路のコアの光出射面から出射した光のみを測定することができる。
【００１４】
さらに、対向工程において、遮光膜の凹面側と媒体対向面とを対向させ、この際、遮光膜と媒体対向面の遮光膜の厚み方向の最短距離が、ピンホールの凹面側の端面と光出射面との最短距離よりも短くなるようにしているため、遮光膜と媒体対向面とが接触してしまった場合も、平坦な遮光膜を用いた場合と比較して媒体対向面に付く傷や汚れは少なくなる。そのため、媒体対向面に記録・再生時の動作不良に繋がるような傷や汚れが付く可能性が十分に低減されている。
【００１５】
また、本発明に係る熱アシスト磁気ヘッドの製造方法の他の態様は、媒体対向面と、媒体対向面に形成された光出射面を含む光導波路のコアと、出射光が光導波路のコアの光入射面に到達するように設けられた発光素子とを有する熱アシスト磁気ヘッドの製造方法であって、透明基板の凹部内に設けられピンホールが形成された遮光膜のピンホールの透明基板側とは反対側の端面と光出射面とを対向させ、この際、透明基板と媒体対向面の遮光膜の厚み方向の最短距離が、ピンホールの凹面側の端面と光出射面との最短距離よりも短くなるようにする対向工程と、発光素子から光を出射させる光出射工程と、光出射面から出射され、ピンホールを通過した光を検出する検出工程とを備えることを特徴とする。
【００１６】
本発明に係る熱アシスト磁気ヘッドの製造方法の他の態様によれば、媒体対向面に記録・再生時の動作不良に繋がるような傷や汚れが付く可能性を十分に低減させながら、熱アシスト磁気ヘッドを製造することができる。即ち、発光素子から出射した光は、光導波路のコアの光入射面に入射する。そして、光入射面に入射した光のうち、光導波路のコアの光出射面から出射した光は遮光膜に形成されたピンホールを通過する。また、光入射面に入射した光のうち、光導波路のクラッドに漏れた光は、遮光膜によって遮光される。従って、遮光膜のピンホールを通過し、さらに透明基板を通過した光の強度を測定すれば、光導波路のコアの光出射面から出射した光のみを測定することができる。
【００１７】
さらに、対向工程において、透明基板の凹部側と媒体対向面とを対向させ、この際、透明基板と媒体対向面の遮光膜の厚み方向の最短距離が、ピンホールの凹面側の端面と光出射面との最短距離よりも短くなるようにしているため、透明基板と媒体対向面とが接触してしまった場合も、平坦な遮光膜を用いた場合と比較して媒体対向面に付く傷や汚れは少なくなる。そのため、媒体対向面に記録・再生時の動作不良に繋がるような傷や汚れが付く可能性が十分に低減されている。
【００１８】
また、検出工程における光の検出結果に基づいて、光出射面から出射される光の強度を調整する調整工程をさらに備えることが好ましい。これにより、光出射面から適切な強度の光を出射させることが可能な熱アシスト磁気ヘッドが得られる。
【００１９】
さらに、調整工程において、発光素子の駆動電流値を変えることによって、光出射面から出射される光の強度を調整することが好ましい。これにより、光出射面から出射される光の強度を容易に調整することが可能となる。
【００２０】
また、調整工程において、発光素子と光導波路のコアとの相対的な位置関係を変えることによって、光出射面から出射される光の強度を調整することが好ましい。これにより、発光素子の光軸と光導波路のコアの光軸を合わせることが可能となる。さらに、光出射面から適切な強度の光を出射させることが可能な熱アシスト磁気ヘッドが得られる。
【００２１】
また、本発明に係るアパーチャは、透明基板と、透明基板上に設けられた遮光膜とを備え、遮光膜は、透明基板側とは反対側に凹面を有し凹面にピンホールが形成されていることを特徴とする。
【００２２】
本発明に係るアパーチャによれば、光導波路を備えた熱アシスト磁気ヘッドの製造に用いることにより、媒体対向面に記録・再生時の動作不良に繋がるような傷や汚れが付く可能性を十分に低減させることができる。即ち、アパーチャの遮光膜と媒体対向面とが対向するように、遮光膜のピンホールと光導波路のコアの光出射面とを対向させれば、光導波路のコアの光入射面に入射した光のうち、光導波路のコアの光出射面から出射した光は遮光膜に形成されたピンホールを通過する。また、光入射面に入射した光のうち、光導波路のクラッドに漏れた光は、遮光膜によって遮光される。従って、遮光膜のピンホールを通過した光の強度を測定すれば、光導波路のコアの光出射面から出射した光のみを測定することができる。
【００２３】
さらに、アパーチャの遮光膜は凹面を有しているため、アパーチャの遮光膜と媒体対向面とを対向させる際、遮光膜と媒体対向面の遮光膜の厚み方向の最短距離が、ピンホールの凹面側の端面と光出射面との最短距離よりも短くなるようにすれば、遮光膜又は透明基板と媒体対向面とが接触してしまった場合も、平坦な遮光膜を用いた場合と比較して媒体対向面に付く傷や汚れは少なくなる。そのため、媒体対向面に記録・再生時の動作不良に繋がるような傷や汚れが付く可能性を十分に低減させることができる。
【００２４】
また、本発明に係るアパーチャの他の態様は、透明基板と、透明基板上に設けられた遮光膜とを備え、遮光膜は、透明基板に形成された凹部内に設けられピンホールが形成されていることを特徴とする。
【００２５】
本発明に係るアパーチャの他の態様によれば、光導波路を備えた熱アシスト磁気ヘッドの製造に用いることにより、媒体対向面に記録・再生時の動作不良に繋がるような傷や汚れが付く可能性を十分に低減させることができる。即ち、アパーチャの遮光膜と媒体対向面とが対向するように、遮光膜のピンホールと光導波路のコアの光出射面とを対向させれば、光導波路のコアの光入射面に入射した光のうち、光導波路のコアの光出射面から出射した光は遮光膜に形成されたピンホールを通過する。また、光入射面に入射した光のうち、光導波路のクラッドに漏れた光は、遮光膜によって遮光される。従って、遮光膜のピンホールを通過した光の強度を測定すれば、光導波路のコアの光出射面から出射した光のみを測定することができる。
【００２６】
さらに、アパーチャの遮光膜は透明基板に形成された凹部内に設けられているため、アパーチャの遮光膜と媒体対向面とを対向させる際、透明基板と媒体対向面の遮光膜の厚み方向の最短距離が、ピンホールの透明基板側とは反対側の端面と光出射面との最短距離よりも短くなるようにすれば、遮光膜又は透明基板と媒体対向面とが接触してしまった場合も、平坦な遮光膜を用いた場合と比較して媒体対向面に付く傷や汚れは少なくなる。そのため、媒体対向面に記録・再生時の動作不良に繋がるような傷や汚れが付く可能性を十分に低減させることができる。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によれば、光導波路を備えた熱アシスト磁気ヘッドの製造方法であって、媒体対向面に記録・再生時の動作不良に繋がるような傷や汚れが付く可能性が十分に低減された熱アシスト磁気ヘッドの製造方法、及びこのような製造方法に用いられるアパーチャが提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、実施の形態に係る熱アシスト磁気ヘッドの製造方法、及びこの製造方法に用いられるアパーチャについて、添付図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図面において、同一要素には同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。また、図面中の構成要素内及び構成要素間の寸法比は、図面の見易さのため、それぞれ任意となっている。
【００２９】
図１は、本実施形態に係る熱アシスト磁気ヘッドの製造方法で製造される磁気ヘッドの斜視図であり、磁気ヘッドがサスペンションに取り付けられている状態を示している。
【００３０】
図１に示すように、サスペンション２０の先端部に熱アシスト磁気ヘッド２１が取り付けられている。熱アシスト磁気ヘッド２１は、スライダー１と、スライダー１に貼り合わされた光源ユニット２とで構成されている。スライダー１は、スライダー基板１ＡのＹＺ平面上に形成された磁気ヘッド部１Ｂを備えている。スライダー１の−Ｚ方向のＸＹ平面は媒体対向面Ｓを成している。一方、光源ユニット２は、光源支持基板２ＡのＹＺ平面上に絶縁層２Ｂを備えており、絶縁層２ＢのＹＺ平面上に発光素子３が固定されている。
【００３１】
磁気ヘッド部１Ｂは、絶縁体内に埋設された複数の素子を備えている。具体的には、磁気ヘッド部１Ｂは、電流の供給によって磁界を発生する螺旋状のコイル５と、コイル５において発生した磁束を媒体対向面Ｓまで導くようにコイル中心から延びた主磁極６と、媒体対向面Ｓ上に露出した磁気感応面を有する磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）７と、周囲の絶縁体をクラッドとしてＺ軸方向に沿って延びる光導波路のコア４である。
【００３２】
磁気ヘッド部１ＢはＭＲ素子７、クラッド、コア４、コイル５及び主磁極６をＸ軸に沿って積層してなるが、この積層方向はトラック内の記録領域Ｒの配列方向に沿っており、トラック幅はＹ軸に平行である。
【００３３】
主磁極６は媒体対向面Ｓ上に露出しているが、主磁極６は記録媒体１０の表面にある記録領域Ｒに磁界を与えることができる位置であれば、媒体対向面Ｓ上に露出している必要はない。また、主磁極６の近傍には必要に応じて副磁極が設けられ、主磁極６からの磁力線が記録領域Ｒを介して副磁極に流れるようにしてもよい。
【００３４】
ＭＲ素子７は、磁化の向きが固定された磁化固定層と、周辺の磁界に応じて磁化の向きが偏向する磁化自由層を積層してなり、磁化自由層と磁化固定層の磁化の向きの相違に応じて、素子の抵抗値が変化する。即ち、記録領域Ｒの周囲に発生する磁界に感応して、ＭＲ素子７の磁気抵抗が変化し、電極パッド群Ｇ１の中の一対の電極パッド間の抵抗値が変化する。そのため、記録領域Ｒに記録された磁気情報を、電極パッド群Ｇ１の中の一対の電極パッド間の抵抗値が変化として読み出すことができる。なお、磁化自由層のＹ軸方向両端には磁化自由層の磁区安定化のための硬磁性層が配置されている。
【００３５】
光導波路のコア４は、発光素子３からの光が入射する光入射面４ＡをＺ軸の正方向のＸＹ平面上に有しており、負方向のＸＹ平面、すなわち媒体対向面Ｓ上に光出射面４Ｂを備えている。発光素子３は、本例では端面発光型のレーザダイオードであり、ＸＹ平面に平行な端面から出射されたレーザ光３Ａ（出射光３Ａ）は、光入射面４Ａを介してコア４内に入る。なお、コア４の形状としては様々ものが挙げられるが、本実施形態ではＺ軸に沿って直線的に延びている。また、コア４のＸＹ平面に平行な断面の大きさは、例えばＸ軸に沿った方向の長さが０．５〜３μｍ、Ｙ軸に沿った方向の長さが１〜５μｍとすることができる。
【００３６】
磁気ヘッド部１ＢのＸ軸の負方向のＹＺ平面上には、複数の電極パッドからなる電極パッド群Ｇ１が形成されている。それぞれの電極パッドは、コイル５の両端、ＭＲ素子７の上下の電極に接続されている。
【００３７】
熱アシスト磁気記録を行う際は、まず発光素子３から出射光３Ａを出射する。すると、出射光３Ａは、光入射面４Ａを介して光導波路のコア４内に入り、光出射面４Ｂから出射される。光出射面４Ｂから出射された出射光３Ａは、記録媒体１０の記録領域Ｒを局所的に加熱する。加熱された記録領域Ｒの保磁力は、一時的に低下する。この記録領域Ｒの保磁力が低下している間に、電極パッド群Ｇ１の中の別の一対の電極パッド間に電流を流してコイル５の両端間に電流を流すことにより、主磁極６から書き込み用の磁界を記録領域Ｒに印加する。このようにして、熱安定性の高い保磁力の大きな強磁性材料を記録層として有する記録媒体１０に、熱アシスト磁気記録が行われる。
【００３８】
なお、光出射面４Ｂ上に近接場光発生素子（図示せず）が形成されていてもよい。近接場光発生素子は、媒体対向面に露出し、先端部を有する微小な金属体である。発光素子３からの出射光３Ａが近接場光発生素子に照射されると、金属体を構成する金属内の電子がプラズマ振動し、その先端部において電界の集中が生じる。その結果、近接場光発生素子から近接場光が発生する。
【００３９】
この近接場光の電界強度は、出射光３Ａに比べて桁違いに強く、この非常に強力な近接場光が、記録媒体１０の局所的な記録領域Ｒを急速に加熱する。さらに、この近接場光の拡がりは、金属体の先端部の半径程度となるため、この先端部の半径を十分に小さくすれば、擬似的に出射光３Ａが回折限界以下にまで絞り込まれた効果を奏する。これらの効果により、光出射面４Ｂ上に近接場光発生素子が形成されていると、さらに高記録密度に対応した熱アシスト磁気ヘッド２１となる。
【００４０】
スライダー基板１Ａ及び光源支持基板２Ａは、例えばアルティック（Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ）から構成されている。光源支持基板２ＡのＺ軸の正方向側のＸＹ面は、サスペンション２０の裏面に貼り付けられている。
【００４１】
次に、本実施形態に係る熱アシスト磁気ヘッドの製造方法について説明する。
【００４２】
まず、公知の方法を用いて、上述のような媒体対向面Ｓと、媒体対向面Ｓに形成された光出射面４Ｂを含む光導波路のコア４と、出射光３Ａが光導波路のコア４の光入射面４Ａに到達するように設けられた発光素子３とを有する熱アシスト磁気ヘッド２１を製造する（図１参照）。
【００４３】
続いて、発光素子３からの出射光３Ａが光導波路のコア４の光出射面４Ｂから出射される光強度の測定を行う。この工程について、図２及び図３を用いて説明する。
【００４４】
図２は、熱アシスト磁気ヘッドを本実施形態に係るアパーチャと対向させている状態を示す模式図である。また、図３は、本実施形態に係るアパーチャの平面図である。
【００４５】
図２及び図３に示すように、本実施形態に係るアパーチャ６０は、透明基板５８と、透明基板５８上に設けられた遮光膜５０とを備えており、遮光膜５０は、透明基板５８側とは反対側に凹面５２を有し、その凹面５２にピンホール５４が形成されている。
【００４６】
本実施形態の場合、遮光膜５０が有する凹面５２は、ＸＺ平面と平行な断面形状が円弧状となり、ＹＺ平面における断面形状は直線となる。
【００４７】
また、アパーチャ６０が備える遮光膜５０は、例えば、Ａｕ、Ａｕ、Ａｌ、Ｔａ、又はＣｒ等の金属で形成されている。遮光膜５０の厚さは、最も薄い場所で例えば５０〜２００ｎｍとすることができる。遮光膜５０は、それを形成する材料の種類とその膜厚を適当に選択することにより、発光素子３が出射する出射光３Ａに対する光透過率が十分に低くなっている。この光透過率は、遮光膜５０の厚さが最も薄い場所において、好ましくは１％以下である。
【００４８】
また、遮光膜５０に形成されたピンホール５４の長さは、例えば、５０〜２００ｎｍとすることができる。また、ピンホール５４のＸＹ平面に平行な断面の大きさは、発光素子３から出射される出射光３Ａの光出射面４Ｂの位置におけるニアフィールド形状の最小面積の１２０％以上の大きさであることが好ましい。何故なら、後述のように光出射面４Ｂから出射される光を漏れなく測定することができるからである。また、ピンホール５４のＸＹ平面に平行な断面の大きさは、発光素子３から出射される出射光３Ａの光出射面４Ｂの位置におけるニアフィールド形状の最小面積の１５０％以下の大きさであることが好ましい。何故なら、後述のように光出射面４Ｂから出射される光を測定する際、導波路のコア４のクラッドの部分から出射される光を有効に遮光することができるためである。具体的には、ピンホール５４のＸＹ平面に平行な断面の直径を、例えば１．２〜７．５μｍとすることができる。
【００４９】
また、凹面５２の反り量Ｗ５０（凹面５２の開口端から凹面最深部までの深さ）は、例えば５０〜２００ｎｍとすることができる。
【００５０】
透明基板５８は、例えばガラス等の光透過率の高い材料で形成されている。透明基板５８の厚さは、特に制限されないが、例えば０．２〜１．１ｍｍとすることができる。透明基板５８の発光素子３が出射する出射光３Ａに対する光透過率は、好ましくは９２％以上である。
【００５１】
アパーチャ６０の製造方法は、例えば、ガラス基板等の透明基板５８上のピンホール５４を形成予定位置にレジストパターンを形成し、透明基板５８上にスパッタリング法等で遮光膜５０を形成する材料を成膜する。その後、遮光膜５０を形成する材料の一部を凹面研磨等することにより、凹面５２を形成する。このようにして、アパーチャ６０を製造することができる。なお、本実施形態においては、アパーチャ６０は、透明基板５８を備えていなくてもよい。
【００５２】
このようなアパーチャ６０を用いて、図２に示すように、遮光膜５０のピンホール５４の凹面５２側の端面５４Ｘと、光出射面４Ｂとを対向させる。この際、遮光膜５０と媒体対向面Ｓの遮光膜５０の厚み方向（即ち、Ｚ軸に沿った方向）の最短距離Ａ５２が、ピンホール５４の凹面５２側の端面５４Ｘ（ピンホール５４の開口端面の重心位置）と光出射面４Ｂ（の重心位置）との最短距離Ａ５４よりも短くなるようにする。
【００５３】
続いて、発光素子３から出射光３Ａを出射させる。発光素子３から出射した出射光３Ａは、光導波路のコア４の光入射面４Ａに入射する。そして、光入射面４Ａに入射した光のうち、光導波路のコア４の光出射面４Ｂから出射した光は遮光膜５０に形成されたピンホール５４を通過する。また、光入射面４Ａに入射した光のうち、光導波路のクラッドに漏れた光は、遮光膜５０によって遮光される。
【００５４】
次に、ピンホール５４を通過した光を、フォトダイオード等の光検出器７０で検出する。このようにして、光導波路のコア４の光出射面４Ｂから出射した光の強度を測定することができる。この際の光の測定強度は、光導波路のクラッドに漏れた光の強度を含まない値となる。
【００５５】
熱アシスト磁気記録の際、光導波路のコア４の光出射面４Ｂから出射される光の強度は、記録媒体１０の記録領域Ｒ（図１参照）の加熱温度を決める重要なパラメーターの一つとなる。そのため、光導波路のコア４の光出射面４Ｂから出射した光の強度を測定した後、さらに、光出射面４Ｂから出射する光の強度を調節することが好ましい。この調整は、例えば、発光素子３の駆動電流値を帰ることにより行うことができる。このような方法によれば、非常に容易に光出射面４Ｂから出射する光の強度を調節することができる。
【００５６】
また、光出射面４Ｂから出射する光の強度の調節は、発光素子３と光導波路のコア４との相対的な位置関係を変えることによって行ってもよい。本実施形態の場合、図４に示すように、スライダー１と光源ユニット２との相対位置を、ＸＹ平面に沿った方向に移動させることによって、発光素子３と光導波路のコア４との相対的な位置関係を変更させることができる。これにより、光出射面４Ｂから出射する光の強度の調節だけでなく、発光素子３の光軸と光導波路のコア４の光軸を合わせることも可能となる。この場合、光軸を合わせた後にスライダー１と光源ユニット２とを接着・固定する。また、発光素子３と光導波路のコア４との相対的な位置関係と共に、上述の発光素子３の駆動電流値を変える事により、光出射面４Ｂから出射する光の強度の調節を行ってもよい。このようにして、熱アシスト磁気ヘッド２１が製造される。
【００５７】
本実施形態に係る熱アシスト磁気ヘッド２１の製造方法では、上述のようなアパーチャ６０を用いて光導波路のコア４の光出射面４Ｂから出射した光の強度を測定しているため、媒体対向面Ｓに記録・再生時の動作不良に繋がるような傷や汚れが付く可能性を十分に低減させながら、熱アシスト磁気ヘッド２１を製造することができる。即ち、本実施形態においては、光導波路のコア４の光出射面４Ｂから出射した光の強度を測定するためにアパーチャ６０と熱アシスト磁気ヘッド２１を対向させる際、遮光膜５０の凹面５２側と媒体対向面Ｓとを対向させている。さらにこの際、遮光膜５０と媒体対向面Ｓの遮光膜５０の厚み方向（Ｚ軸に沿った方向）の最短距離Ａ５２が、ピンホール５４の凹面５２側の端面５４Ｘと光出射面４Ｂとの最短距離Ａ５４よりも短くなるようにしているため、遮光膜５０と媒体対向面Ｓとが接触してしまった場合も、平坦な遮光膜を用いた場合と比較して媒体対向面Ｓに付く傷や汚れは少なくなる。そのため、媒体対向面に記録・再生時の動作不良に繋がるような傷や汚れが付く可能性が十分に低減されている。
【００５８】
また、媒体対向面Ｓに傷や汚れが付いた場合、その傷や汚れが媒体対向面Ｓの中心付近であると特に熱アシスト磁気ヘッド２１の浮上特性に影響を与え易い。しかし、本実施形態の場合、遮光膜５０と媒体対向面Ｓとが接触してしまった場合も、媒体対向面Ｓの中心付近に傷や汚れが付く可能性は低減されている。そのため、媒体対向面に記録・再生時の動作不良に繋がるような傷や汚れが付く可能性が特に低減されている。
【００５９】
本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、様々な変形態様が可能である。
【００６０】
例えば、アパーチャ６０の変形例を図５〜図７に示す。
【００６１】
図５（Ａ）は、変形例に係るアパーチャ６０Ａの断面構成を示す模式図であり、図５（Ｂ）は、アパーチャ６０Ａの平面図である。アパーチャ６０Ａは、アパーチャ６０（図２参照）と比較して、遮光膜の形状が異なる。アパーチャ６０Ａの遮光膜５０Ａは、凹レンズ型の凹面５２Ａを有している。即ち、凹面５２Ａは、Ｚ軸に平行な断面形状がいずれも円弧状となっている。このようなアパーチャ６０Ａを用いて発光素子３（図２参照）からの出射光３Ａが光導波路のコア４の光出射面４Ｂから出射される光強度の測定する際も、アパーチャ６０を用いる場合と同様に、遮光膜５０Ａのピンホール５４Ａの凹面５２Ａ側の端面５４ＡＸと、光出射面４Ｂとを対向させる。またこの際、遮光膜５０Ａと媒体対向面Ｓの遮光膜５０Ａの厚み方向（即ち、Ｚ軸に沿った方向）の最短距離Ａ５２が、ピンホール５４Ａの凹面５２Ａ側の端面５４ＡＸと光出射面４Ｂとの最短距離Ａ５４よりも短くなるようにする。他はアパーチャ６０を用いた場合と同様である。
【００６２】
図６は、アパーチャ６０の変形例の断面構成を示す模式図である。変形例に係るアパーチャ６０Ｂは、凹面を有する透明基板５８Ｂ上に、凹面５２Ｂを有しピンホール５４Ｂが形成された遮光膜５０Ｂが形成されおり、遮光膜５０Ｂ上にさらに保護膜５１が形成されている。遮光膜５０Ｂは遮光膜５０（図２参照）と同様の材料で形成されており、保護膜５１は、ＴｉＯ２等の光透過率の高い材料で形成されている。透明基板５８Ｂと遮光膜５０Ｂとは接着・固定しており、また、遮光膜５０Ｂと保護膜５１とは接着・固定している。
【００６３】
このようなアパーチャ６０Ｂは、遮光膜５０Ｂ及び保護膜５１が有する応力でアパーチャ６０Ｂ全体を変形させ、透明基板５８に反り量Ｗ５８Ｂを与えることによって製造されている。即ち、例えば遮光膜５０Ｂと保護膜５１の熱膨張係数は、透明基板５８Ｂの熱膨張係数よりも大きくなっている。そして、遮光膜５０Ｂ及び保護膜５１は高温で形成されるため、冷却後には遮光膜５０Ｂと保護膜５１は透明基板５８Ｂよりも収縮する。このようにして、透明基板５８に反り量Ｗ５８Ｂが与えられる。
【００６４】
このようなアパーチャ６０Ｂでは、遮光膜５０Ｂ及び保護膜５１を形成する材料、膜厚、成膜条件等を適当に選択することにより、容易に凹面５２Ｂを形成することができる。このようなアパーチャ６０Ｂを用いて発光素子３（図２参照）からの出射光３Ａが光導波路のコア４の光出射面４Ｂから出射される光強度の測定する際も、アパーチャ６０を用いる場合と同様に、遮光膜５０Ｂのピンホール５４Ｂの凹面５２Ｂ側の端面５４ＢＸと、光出射面４Ｂとを対向させる。またこの際、遮光膜５０Ｂと媒体対向面Ｓの遮光膜５０Ａの厚み方向（即ち、Ｚ軸に沿った方向）の最短距離Ａ５２が、ピンホール５４Ｂの凹面５２Ｂ側の端面５４ＢＸと光出射面４Ｂとの最短距離Ａ５４よりも短くなるようにする。他はアパーチャ６０を用いた場合と同様である。なお、アパーチャ６０Ｂは、保護膜５１を有していなくてもよい。
【００６５】
図７は、アパーチャ６０の変形例の断面構成を示す模式図である。変形例に係るアパーチャ６０Ｃは、透明基板５８Cと、透明基板５８Ｃ上に設けられた遮光膜５０Ｃとを備え、遮光膜５０Cは、透明基板５８Cに形成された凹部５２C内に設けられピンホール５４Cが形成されている。
【００６６】
アパーチャ６０Ｃを用いて発光素子３からの出射光３Ａが光導波路のコア４の光出射面４Ｂから出射される光強度の測定する際は、透明基板５８Ｃの凹部５２Ｃ内に設けられピンホール５４Ｃが形成された遮光膜５０Ｃのピンホール５４Ｃの透明基板５８Ｃ側とは反対側の端面５４ＣＸと光出射面４Ｂとを対向させる。さらにこの際、透明基板５８Ｃと媒体対向面Ｓの遮光膜５０Cの厚み方向の最短距離Ａ５２Ｃが、ピンホール５４Ｃの透明基板５８Ｃ側とは反対側の端面５４ＣＸと光出射面４Ｂとの最短距離Ａ５４Ｃよりも短くなるようにする。これにより、アパーチャ６０を用いた場合と同様の効果を得ることができる。
【００６７】
また、熱アシスト磁気ヘッド２１（図１、図２、及び図７参照）も上述も態様に限られない。図８〜図１０は、熱アシスト磁気ヘッドの変形例の断面の模式図である。
【００６８】
図８に示す熱アシスト磁気ヘッド２１Ａは、光導波路のコア４と連結するように、光導波路４Ｘのコア４ＸＡが設けられている。コア４ＸＡは、光入射面４ＸＣから−Ｘ方向に延びた後−Ｚ方向に曲がっている。また、コア４ＸＡの回りには、クラッド４ＸＢが設けられている。そのため、発光素子３から出射した出射光３Ａは、光入射面４ＸＣからコア４ＸＡ内に入り−Ｘ方向に進んだ後、進行方向を−Ｚ方向に変え、コア４内を進み、光出射面４Ｂから出射される。他はアパーチャ６０を用いた場合と同様である。
【００６９】
このように、熱アシスト磁気ヘッドが備える光導波路のコアは、直線的に延びている必要はなく、図８に示すように直角に曲がっていてもよいし、他の角度で曲がっていてもよい。また、曲線形状であってもよい。
【００７０】
図９に示す熱アシスト磁気ヘッド２１Ｂは、図８に示す熱アシスト磁気ヘッド２１Ａと比較して、発光素子３の位置が異なり、また、光ファイバ１１を備えている点が異なる。熱アシスト磁気ヘッド２１Ｂにおいては、発光素子３はスライダー１に直接固定されていないが、スライダー１との相対位置は固定されている。そして、光ファイバ１１が発光素子３とコア４ＸＡの光入射面４ＸＣとの間に設けられている。そのため、発光素子３から出射した出射光３Ａは、光ファイバ１１内を進み、光入射面４ＸＣに入射する。また、図２に示すような直線的なコア４を備える熱アシスト磁気ヘッド２１において、発光素子３を光入射面４Ａから離れた場所に配置し、発光素子３から出射した光を光ファイバによって光入射面４Ａまで導いてもよい。
【００７１】
また、図１０に示す熱アシスト磁気ヘッド２１Ｃは、熱アシスト磁気ヘッド２１（図２参照）と比較して、発光素子３は光源支持基板２Ａを用いてスライダー１と直接固定されていない点が異なる。熱アシスト磁気ヘッド２１Ｃにおいては、発光素子３と光入射面４Ａとの間に、集光レンズ１５が設けられている。発光素子３から出射した出射光３Ａは、集光レンズ１５に到達し、集光して光入射面４Ａからコア４内に入ることとなる。
【００７２】
これらの熱アシスト磁気ヘッドの変形例２１Ａ、２１Ｂ、及び２１Ｃ（図８、図９、及ぶ図１０）を用いた場合であっても、本発明の実施は可能であり、熱アシスト磁気ヘッド２１（図２）を用いた場合と同様の効果を得ることができる。
【実施例】
【００７３】
次に、本発明の効果をより一層明らかなものとするため、実施例を用いて説明する。
【００７４】
まず、図２に示すような光導波路のコアを備えた熱アシスト磁気ヘッドを用意した。この熱アシスト磁気ヘッドのスライダーのＹ軸方向の長さを７００μｍ、Ｘ軸方向の長さを１２２５μｍとした。また、発光素子から出射した出射光の光導波路のコアの光出射面でのニアフィールド形状は、約３μｍ×４μｍの楕円形状となった。
【００７５】
次に、図６に示すような実施例１に係るアパーチャを作成した。透明基板としては、０．５ｍｍ厚の白板透明ガラスを用いた。また、透明基板の大きさは、上記スライダーよりも大きくした。具体的には透明基板のＹ軸方向の長さを８００μｍ、Ｘ軸方向の長さを１４００μｍとした。
【００７６】
この透明基板上に、遮光膜として厚さ１５０ｎｍのＴａ層をＲＦスパッタリング法により形成した。この場合の遮光膜の光透過率は０．１％以下となる。そして、この遮光膜にピンホールを形成した。このピンホールの直径は、上記出射光の光導波路のコアの光出射面でのニアフィールド形状よりも大きくなるように、５μｍとした。このＴａで形成された遮光膜は圧縮応力を発生し、この透明基板に対して遮光膜側が凸になるように１８ｎｍの反り量を与えた。
【００７７】
この遮光膜の上に、保護膜として厚さ５００ｎｍのＴｉＯ２膜を形成した。この保護膜の膜応力は２０００ＭＰａであり、この透明基板に対して遮光膜側が凹になるように１５０ｎｍの反り量を与えた。遮光膜が与える反りと保護膜が与える反りとが重畳され、透明基板には遮光膜側が凹となるように１３２ｎｍの反り量が与えられた。これにより、遮光膜には凹面が形成された。
【００７８】
次に、光導波路のコアの光出射面から出射される光の強度を測定した。具体的には、実施例１に係るアパーチャの遮光膜のピンホールの凹面側の端面と、熱アシスト磁気ヘッドの光出射面とを対向させた。この際、上述のようにスライダーよりも実施例１に係るアパーチャを大きくしているため、熱アシスト磁気ヘッドの媒体対向面と実施例１に係るアパーチャが接触することがあっても、媒体対向面の端部のみが実施例１に係るアパーチャと接触し、媒体対向面の中心付近が実施例１に係るアパーチャと接触する可能性はより低減されている。
【００７９】
そして、発光素子から出射光を出射し、光出射面から出射される光の強度をＣＣＤカメラでモニターした。なお、このモニターはパワーメーターで行ってもよい。その後、発光素子と光導波路のコアとの相対的な位置関係を変え（図４参照）、光出射面から出射される光の強度が最大になった状態で発光素子と光導波路のコアとの相対的な位置関係を固定した。このようにして、発光素子の光軸と光導波路のコアの光軸を合わせることができた。
【００８０】
その後、発光素子から出射光を出射し、光出射面から出射される光の強度を、アパーチャを用いずに大受光面積を有する光センサーで測定したところ、８ｍＷであった。なお、発光素子から出射した直後の出射光の強度は、１０ｍＷであった。次に、実施例１に係るアパーチャの遮光膜のピンホールの凹面側の端面と、熱アシスト磁気ヘッドの光出射面とを対向させ、ピンホールを通過した光の強度を同様に測定したところ、５ｍＷであった。これにより、導波路のコアを通過した光の強度は５ｍＷであり、熱アシスト磁気記録の際の記録媒体の加熱に利用される光の割合は５０％であることがわかった。また、実施例１に係るアパーチャを用いずに、光出射面から出射される光の強度を測定した場合には、導波路のコアだけでなく、クラッドの部分から出射される光も測定してしまい、熱アシスト磁気記録の際の記録媒体の加熱に利用される光の強度を正確に測定することはできないことがわかった。
【００８１】
次に、上述の光強度測定後の熱アシスト磁気ヘッドの媒体対向面に付着した汚れについて評価を行った。この評価においては、上述の実施例１に係るアパーチャに加え、実施例２に係るアパーチャを用いた。実施例２に係るアパーチャは、実施例１に係るアパーチャのＴｉＯ２で形成された保護膜を、厚さ５００ｎｍのＳｉＯ２で形成した保護膜に置き換えたものであり、他の条件は実施例１に係るアパーチャと同一である。厚さ５００ｎｍのＳｉＯ２は膜応力が２００ＭＰａであり、透明基板に対して遮光膜側が凹になるように２０ｎｍの反り量を与えた。遮光膜が与える反りと保護膜が与える反りとが重畳され、透明基板には遮光膜側が凹となるように２ｎｍの反り量が与えられた。これにより、実施例２に係るアパーチャの遮光膜には、実施例１に係るアパーチャの遮光膜よりも小さな凹面が形成された。
【００８２】
そして、実施例１及び実施例２に係るアパーチャを用いて、上述のような光出射面から出射される光の強度の測定を行った。その後、実施例１のアパーチャで測定を行った熱アシスト磁気ヘッドと、実施例２のアパーチャで測定を行った熱アシスト磁気ヘッドのそれぞれの媒体対向面の汚れ量を評価した。具体的には、媒体対向面内の任意に選択した２０μｍ×２０μｍの領域内にある５ｎｍ以下の汚れ（ゴミ）の個数をＡＦＭで数えた。その結果、この領域内の汚れの個数は、実施例１に係るアパーチャを用いた熱アシスト磁気ヘッドでは１個であり、実施例２に係るアパーチャを用いた熱アシスト磁気ヘッドでは３３個であった。
【図面の簡単な説明】
【００８３】
【図１】本実施形態に係る熱アシスト磁気ヘッドの製造方法で製造される磁気ヘッドの斜視図である。
【図２】熱アシスト磁気ヘッドを本実施形態に係るアパーチャと対向させている状態を示す模式図である。
【図３】本実施形態に係るアパーチャの平面図である。
【図４】発光素子と光導波路のコアとの相対的な位置関係を変更させる方法を説明するための磁気ヘッドの斜視図である。
【図５】アパーチャの変形例の断面構成を示す模式図及び平面図である。
【図６】アパーチャの変形例の断面構成を示す模式図である。
【図７】アパーチャの変形例の断面構成を示す模式図である。
【図８】熱アシスト磁気ヘッドの変形例の断面の模式図である。
【図９】熱アシスト磁気ヘッドの変形例の断面の模式図である。
【図１０】熱アシスト磁気ヘッドの変形例の断面の模式図である。
【符号の説明】
【００８４】
３・・・発光素子、３Ａ・・・出射光（レーザ光）、４・・・光導波路のコア、４Ａ・・・光入射面、４Ｂ・・・光出射面、２１・・・熱アシスト磁気ヘッド、５０・・・遮光膜、５２・・・凹面、５４・・・ピンホール、５４Ｘ・・・ピンホールの端面、５８・・・透明基板、６０・・・アパーチャ、Ａ５２・・・遮光膜と媒体対向面の遮光膜の厚み方向の最短距離、Ａ５４・・・ピンホールの端面と光出射面との最短距離、Ｓ・・・媒体対向面。
【図１】
0004497201.tif 000002
【図２】
0004497201.tif 000003
【図３】
0004497201.tif 000004
【図４】
0004497201.tif 000005
【図５】
0004497201.tif 000006
【図６】
0004497201.tif 000007
【図７】
0004497201.tif 000008
【図８】
0004497201.tif 000009
【図９】
0004497201.tif 000010
【図１０】
0004497201.tif 000011