(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
多層の記録層を有し、この各層毎にユーザーデータを記録／再生するデータ記録領域と最適記録パワーを求めるためにテスト信号を記録／再生する試し書き領域とが設定されている書き換え可能な光ディスクに対して、光ピックアップから照射されるレーザ光を用いて記録／再生を行う光ディスク記録再生装置において、
所定記録パワー及び第１の所定消去パワーを用いて変調制御されたレーザ光によって、前記光ディスクの多層の記録層のうち、前記光ピックアップに最も近い記録層であり、記録再生特性に記録回数依存性を有する第１記録層における前記データ領域にユーザーデータを記録する第１の記録処理を行う第１の記録手段と、
段階的に変化する複数の記録パワーを用いて変調制御されたレーザ光によって、前記第１記録層の前記試し書き領域に前記テスト信号を記録する第２の記録処理を行う第２の記録手段と、
前記第１の消去パワーの１．５乃至３倍の第２の所定消去パワーのレーザ光を、前記試し書き領域に照射する処理である特性改善消去処理を行う特性改善消去手段と、
前記特性改善消去処理を行なった領域を示す特性改善消去領域情報と前記第２の記録処理を行なった領域を示す記録領域情報とを記憶管理する管理手段と、
初期状態の前記光ディスクに対して、前記第２の記録手段を用いて最初に前記第２の記録処理を行なう際に、事前に前記試し書き領域のうちの前記第２の記録処理を行う領域を少なくとも含んだ領域に対して前記特性改善消去手段を用いて前記特性改善消去処理を、前記管理手段で管理される前記特性改善消去領域情報と前記記録領域情報とに基づいて、１回から３回の範囲内で行ない、これ以降は前記特性改善消去処理を行なわないように制御するか、又は、初期状態の前記光ディスクに対して、前記第２の記録手段を用いて１回のみ前記第２の記録処理を行なった後に、前記試し書き領域のうち少なくともこの第２の記録処理が行われた領域に対して、前記特性改善消去手段を用いて前記特性改善消去処理を、前記管理手段で管理される前記特性改善消去領域情報と前記記録領域情報とに基づいて、１回から３回の範囲内で行ない、これ以降は前記特性改善消去処理を行なわないように制御するか、いずれか一方の制御を行なう制御手段と、
を有することを特徴とする光ディスク記録再生装置。
【請求項２】
多層の記録層を有し、この各層毎にユーザーデータを記録／再生するデータ記録領域と最適記録パワーを求めるためにテスト信号を記録／再生する試し書き領域とが設定されている書き換え可能な光ディスクに対して、光ピックアップから照射されるレーザ光を用いて記録／再生を行う光ディスク記録再生装置において、
所定記録パワー及び第１の所定消去パワーを用いて変調制御されたレーザ光によって、前記光ディスクの多層の記録層のうち、前記光ピックアップに最も近い記録層であり、記録再生特性に記録回数依存性を有する第１記録層における前記データ領域にユーザーデータを記録する第１の記録処理を行う第１の記録手段と、
段階的に変化する複数の記録パワーを用いて変調制御されたレーザ光によって、前記第１記録層の前記試し書き領域に前記テスト信号を記録する第２の記録処理を行う第２の記録手段と、
前記第１の消去パワーの１．５乃至３倍の第２の所定消去パワーのレーザ光を、前記データ記録領域に照射する処理である特性改善消去処理を行う特性改善消去手段と、
前記特性改善消去処理を行なった領域を示す特性改善消去領域情報と前記第１の記録処理を行なった領域を示す記録領域情報とを記憶管理する管理手段と、
初期状態の前記光ディスクに対して、前記第１の記録手段を用いて最初に前記第１の記録処理を行なう際に、事前に前記データ領域のうちの予め決定されている内周側の所定範囲のみにおいて前記第１の記録処理を行う領域を少なくとも含んだ領域に対して前記特性改善消去手段を用いて前記特性改善消去処理を、前記管理手段で管理される前記特性改善消去領域情報と前記記録領域情報とに基づいて、１回から３回の範囲内で行ない、これ以降は前記特性改善消去処理を行なわないように制御する制御手段と、
を有することを特徴とする光ディスク記録再生装置。
【請求項３】
前記第１記録層において、前記光ディスクの製造段階で予め形成されるプリピット及びコントロールデータ領域の両方又はどちらか一方に記録されている、前記第１記録層への記録に関する参考データを再生する参考データ再生手段を有し、
前記特性改善消去手段は、前記参考データ再生手段で再生した参考データに前記第２の所定消去パワーを求めるための１．５乃至３の係数にかかる情報が含まれている場合はその情報を用いて前記第２の所定消去パワーを決定し、前記情報が含まれていない場合は、本装置内部に予め設定されている前記光ディスクの第１記録層に対応した前記情報を用いて前記第２の所定消去パワーを決定する、
ことを特徴とする請求項１または２に記載の光ディスク記録再生装置。
【請求項４】
請求項３に記載の光ディスク記録再生装置により情報が記録又は再生される、記録層がレーザ光の光軸方向に複数積層された多層構造の書き換え可能なディスク状光記録媒体であって、
前記複数積層された記録層のうちの第１記録層に前記光ディスクの製造段階で予め形成されるプリピット領域及びコントロールデータ領域の両方又はどちらか一方に記録されている前記第１記録層への記録に関する参考データに、前記光ディスク記録再生装置の前記特性改善消去手段で用いる、前記第２の所定消去パワーを求めるための１．５乃至３の係数にかかる情報が含まれていることを特徴とする光記録媒体。
【請求項５】
多層の記録層を有し、この各層毎にユーザーデータを記録／再生するデータ記録領域と最適記録パワーを求めるためにテスト信号を記録／再生する試し書き領域とが設定されている書き換え可能な光ディスクに対して、光ピックアップから照射されるレーザ光を用いて記録／再生を行う光ディスク記録再生方法において、
所定記録パワー及び第１の所定消去パワーを用いて変調制御されたレーザ光によって、前記光ディスクの多層の記録層のうち、前記光ピックアップに最も近い記録層であり、記録再生特性に記録回数依存性を有する第１記録層における前記データ領域にユーザーデータを記録する第１の記録処理を行う第１の記録ステップと、
段階的に変化する複数の記録パワーを用いて変調制御されたレーザ光によって、前記第１記録層の前記試し書き領域に前記テスト信号を記録する第２の記録処理を行う第２の記録ステップと、
前記第１の消去パワーの１．５乃至３倍の第２の所定消去パワーのレーザ光を、前記試し書き領域に照射する処理である特性改善消去処理を行う特性改善消去ステップと、
前記特性改善消去処理を行なった領域を示す特性改善消去領域情報と前記第２の記録処理を行なった領域を示す記録領域情報とを記憶管理する管理ステップと、
初期状態の前記光ディスクに対して、前記第２の記録ステップによって最初に前記第２の記録処理を行なう際に、事前に前記試し書き領域のうちの前記第２の記録処理を行う領域を少なくとも含んだ領域に対して前記特性改善消去ステップによって前記特性改善消去処理を、前記管理ステップで管理される前記特性改善消去領域情報と前記記録領域情報とに基づいて、１回から３回の範囲内で行ない、これ以降は前記特性改善消去処理を行なわないように制御するか、又は、初期状態の前記光ディスクに対して、前記第２の記録ステップを用いて１回のみ前記第２の記録処理を行なった後に、前記試し書き領域のうち少なくともこの第２の記録処理が行われた領域に対して、前記特性改善消去ステップによって前記特性改善消去処理を、前記管理ステップで管理される前記特性改善消去領域情報と前記記録領域情報とに基づいて、１回から３回の範囲内で行ない、これ以降は前記特性改善消去処理を行なわないように制御するか、いずれか一方の制御を行なう制御ステップと、
を実行することを特徴とする光ディスク記録再生方法。
【請求項６】
多層の記録層を有し、この各層毎にユーザーデータを記録／再生するデータ記録領域と最適記録パワーを求めるためにテスト信号を記録／再生する試し書き領域とが設定されている書き換え可能な光ディスクに対して、光ピックアップから照射されるレーザ光を用いて記録／再生を行う光ディスク記録再生方法において、
所定記録パワー及び第１の所定消去パワーを用いて変調制御されたレーザ光によって、前記光ディスクの多層の記録層のうち、前記光ピックアップに最も近い記録層であり、記録再生特性に記録回数依存性を有する第１記録層における前記データ領域にユーザーデータを記録する第１の記録処理を行う第１の記録ステップと、
段階的に変化する複数の記録パワーを用いて変調制御されたレーザ光によって、前記第１記録層の前記試し書き領域に前記テスト信号を記録する第２の記録処理を行う第２の記録ステップと、
前記第１の消去パワーの１．５乃至３倍の第２の所定消去パワーのレーザ光を、前記データ記録領域に照射する処理である特性改善消去処理を行う特性改善消去ステップと、
前記特性改善消去処理を行なった領域を示す特性改善消去領域情報と前記第１の記録処理を行なった領域を示す記録領域情報とを記憶管理する管理ステップと、
初期状態の前記光ディスクに対して、前記第１の記録ステップによって最初に前記第１の記録処理を行なう際に、事前に前記データ領域のうちの予め決定されている内周側の所定範囲のみにおいて前記第１の記録処理を行う領域を少なくとも含んだ領域に対して前記特性改善消去ステップによって前記特性改善消去処理を、前記管理ステップで管理される前記特性改善消去領域情報と前記記録領域情報とに基づいて、１回から３回の範囲内で行ない、これ以降は前記特性改善消去処理を行なわないように制御する制御ステップと、
を実行することを特徴とする光ディスク記録再生方法。
【請求項７】
前記第１記録層において、前記光ディスクの製造段階で予め形成されるプリピット及びコントロールデータ領域の両方又はどちらか一方に記録されている、前記第１記録層への記録に関する参考データを再生する参考データ再生ステップを実行し、
前記特性改善消去ステップは、前記参考データ再生ステップによって再生した参考データに前記第２の所定消去パワーを求めるための１．５乃至３の係数にかかる情報が含まれている場合はその情報を用いて前記第２の所定消去パワーを決定し、前記情報が含まれていない場合は、予め設定されている前記光ディスクの第１記録層に対応した前記情報を用いて前記第２の所定消去パワーを決定する、
ことを特徴とする請求項５または６に記載の光ディスク記録再生方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ディスク記録再生装置、光ディスク記録再生方法、及び光記録媒体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＤＶＤ(Digital Versatile Disc)規格に従う書き換え可能型の光ディスクであるＤＶＤ−ＲＷディスクが現在広く普及している。
以下にそのＤＶＤ−ＲＷディスクの構造を説明する。なお以降は、このＤＶＤ−ＲＷディスクを単にディスクと呼ぶこととする。
［単層ディスクの構造］
図１４（Ａ）は記録層が単層のディスクの断面構造を模式的に示したものである。ディスク１００は、内周から外周へ向かって、パワーキャリブレーション領域(Power Calibration Area:ＰＣＡ)１０１、記録管理領域(Recording Management Area:ＲＭＡ)１０２、リードイン領域(Lead In)１０３、データ領域(Data Area)１０４、リードアウト領域(Lead Out)１０５に分割されている。
【０００３】
ＰＣＡ領域１０１とＲＭＡ領域１０２は、この二つの領域を併せてＲ情報領域(R Information area)１０６を構成する。
データ領域１０４は、ユーザーデータが記録される領域である。リードイン領域１０３とリードアウト領域１０５とは、データ領域１０４にアクセスする際の、記録・再生ヘッド（光ピックアップ）のオーバーランに備える緩衝領域である。
【０００４】
上述したリードイン領域１０３の一部には、図１４（Ｂ）に示すようなコントロールデータゾーン１０７が設けられている。ここには、ディスクの大きさ等のディスク全体の情報や、記録パワーや記録波形パターン等の記録を実行する際の参考条件など、各種情報が、ディスク製造時に予め記録されている。
【０００５】
光ディスクドライブ装置は、ディスク１００のデータ領域１０４に実際にユーザーデータの記録を開始する前に、予めこのディスク１００の所定の領域に対して、記録条件を変えながら所定の信号を試し書きし、この試し書きした領域を再生することにより得られる再生信号の特性に基づいて最適記録条件を導き、この最適記録条件によってユーザーデータの記録を行うようにしている。これにより、良好な記録品質を得ることができる。
【０００６】
このように、試し書きした領域を再生することにより得られる再生信号の特性に基づいて最適記録条件を導くことをＯＰＣ(Optimum Power Control)と呼ぶ。図１４（Ａ）のＰＣＡ領域１０１は、このＯＰＣのための試し書きを行なうための領域である。
【０００７】
また、図１４（Ａ）のＲＭＡ領域１０２は、リードイン領域１０３、データ領域１０４、リードアウト領域１０５に対して行なったユーザーデータの記録情報やＯＰＣ情報を管理するための記録管理情報を記録する領域である。これらの各情報を、ＲＭＤ(Recording Management Data)と呼ぶ予め決められているデータ構造の各バイトに格納して、１回の記録動作が行なわれるたびに、上記ＲＭＡ領域１０２の新たな領域に記録する。
【０００８】
ディスク１００は、図１５の斜視図に示すように、記録層に、情報トラックとしてのグルーブトラック２０１と、そのグルーブトラック２０１に光ビーム２０３を誘導するためのランドトラック２０２とが、ディスク半径方向に交互に形成されている。また、ランドトラック２０２には、ディスク製造時のプリフォーマットの段階で、ディスク上の位置を示す情報であるアドレス情報等がランドプリピット（ＬＰＰ）２０４として記録されている（例えば、特許文献１参照）。ＤＶＤ−ＲディスクやＤＶＤ−ＲＷディスクへの記録は、このＬＰＰ２０４を基にして行われる。ＬＰＰ２０４には、アドレス情報の他に、参考書き込みパワーや記録波形パターン等の記録の際の参考情報も記録されている。
［片面二層ディスクの構造］
次に、片面に二層の記録層を有するディスクの構造を説明する。図１６はこの片面二層ディスクの断面構造を模式的に示したものである。同図に示すように、片面二層ディスク３０は、一層目記録層３０１と二層目記録層３０２とが、記録再生時に照射される光ビーム４０２の光軸方向に積層されている。光ビーム４０２は、対物レンズ４０１によって一層目記録層３０１に集光されるか、又は一層目記録層３０１を透過して二層目記録層３０２に集光される。
【０００９】
対物レンズ４０１に近い方の記録層である一層目記録層３０１の記録領域は、内周から外周へ向かって、ＰＣＡ領域３１１、ＲＭＡ領域３１２、リードイン領域３１３、データ領域３１４及び中間領域(Middle Area)３１５に分割されている。また、二層目記録層３０２の記録領域は、内周から外周へ向かって、ＰＣＡ領域３２１、ＲＭＡ領域３２２、リードアウト領域３２３、データ領域３２４及び中間領域３２５に分割されている。
【００１０】
すなわち、一層目記録層３０１は、図１４（Ａ）に示した単層のディスク１００のリードアウト領域１０５に相当する部分が中間領域３１５に置き換わっている。また、二層目記録層３０２は、一層目記録層３０１のリードイン領域３１３に相当する部分がリードアウト領域３２３に置き換わっている。このような構造になっているのは、一層目記録層３０１は、内周側から外周側に向かって記録再生がなされ、二層目記録層３０２は、外周側から内周側に向かって記録再生がなされるためである。
【００１１】
単層ディスクの場合と同様に、二層ディスクの場合もＯＰＣが行なわれる。
二層の記録層のうち、一層目記録層３０１のデータ領域３１４にユーザーデータを記録する場合は、その記録の前に、一層目記録層３０１のＰＣＡ領域３１１でＯＰＣを行い、二層目記録層３０２のデータ領域３２４にユーザーデータを記録する場合は、その記録の前に、二層目記録層３０２のＰＣＡ領域３２１でＯＰＣを行う。 ＰＣＡ領域３１１及び３２１でそれぞれ行なわれるＯＰＣのための試し書きの順序は、図１７に示すように決められている。すなわち、一層目記録層３０１のＰＣＡ領域３１１への試し書きは、外周側の領域境界から内周方向へ、１,２,３,・・・の順に試し書きを行っていく。一方、二層目記録層３０２のＰＣＡ領域３２１については、内周側の領域境界から外周方向へ、１,２,３,・・・の順に試し書きを行っていく。なお、二層目記録層３０２のＰＣＡ領域３２１に試し書きする場合、その試し書きするための光ビームが入射する領域に位置する一層目記録層３０１のＰＣＡ領域３１１は未記録のままとすることが決められている。従って、それぞれの記録層でＯＰＣのための試し書きを繰り返していき、ＰＣＡ領域３１１の記録済み領域とＰＣＡ領域３２１の記録済み領域とのディスクの半径方向の距離が接近してきて、その距離がある程度以下になると、それ以降は、二層目記録層３０２に対するＯＰＣを行うことが出来なくなる。但し、ＤＶＤ−ＲＷディスクは書き換え可能な媒体であるため、このような事態になった場合には、ＰＣＡ領域３２１の記録済み領域に書き込まれたデータを消去して未記録状態に戻すことで、再度ＯＰＣを行なうことが可能になる。
【００１２】
以上説明したディスクは、数千回以上の書き換えが可能である。このディスクの記録膜には相変化型の材料が用いられる。そして、ディスクへのデータの記録及び記録されたデータの消去には、パワーが３値に変化する光ビームが使用される。図２は、この３値に変化する光ビームを用いてデータを消去及び記録する様子を示した図である。Ｐｗは書込パワーを示すレベルである。記録膜にこのＰｗのパワーを有する光ビームが照射されると、その照射された領域の記録膜が結晶相からアモルファス相に変化してピットが形成される。Ｐｅは消去パワーを示すレベルである。記録膜にこのＰｅのパワーを有する光ビームが照射されると、その照射された領域の記録膜がアモルファス相から結晶相に戻って古いピットが消去される。Ｐｂはボトムパワーを示すレベルである。これは、いわゆるパルス分割記録による分割パルスの底部のパワーに相当し、記録時の光ビーム照射による熱が拡散するのを防ぐ働きをする。
【００１３】
このようなディスクに対してＯＰＣを行う際の記録状態の良否を判定する特性パラメータとして、アシンメトリ値β（ＲＦ信号の非対象性を表す指標）あるいは変調度から得られる値γを用いる方法が特許文献２に記載されている。
【００１４】
特許文献２では、まず光ビームの消去パワー、ボトムパワーを固定し、書込パワーを変化させてテスト用信号を記録し、その記録した領域を再生して記録状態の良否を判定する特性パラメータを測定することで、最適な書込パワーを求める。次に、書込みパワーを上記で求めた最適な書込みパワーに固定し、さらにボトムパワーを固定して、消去パワーを変化させてテスト用記録信号を記録し、その記録した領域を再生して記録状態の良否を判定する特性パラメータを測定することで、最適な消去パワーを求める。最後に、書込パワーと消去パワーとを、上記の処理で求めた最適な書込パワーと消去パワーとに固定して、ボトムパワーを変化させてテスト用記録信号を書込み、その記録した領域を再生して記録状態の良否を判定する特性パラメータを測定することで、最適なボトムパワーを求める。
【００１５】
以上のようにして求めた最適な、書込パワー、消去パワー、ボトムパワーを用いて、データ領域にユーザーデータを記録する方法が述べられている。更に、上記各処理における記録状態の良否を判定する特性パラメータとして、アシンメトリ値βあるいは変調度から得られる値γを用いることが述べられている。最適な記録状態とは、最終的にはエラーレートが最良になる記録状態であるため、エラーレートを記録状態の良否を判定する特性パラメータとして用いることができればそれでも良い。しかしながら、実際には、大量のデータを記録再生しないと実用に耐えうるエラーレートの測定が出来ない。従って、エラーレートは、記録領域を多く消費してしまうことからＯＰＣの特性パラメータとして用いられていない。
【特許文献１】特開平１０−２９３９２６号公報
【特許文献２】特許第３２５９６４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
片面二層ディスク３０では、光ビームを二層目記録層３０２に照射させるためには、一層目記録層３０１を透過させなければならない。従って、一層目記録層の記録膜は単層ディスクに比べてかなり薄くする必要がある。このように記録層の構造が複雑なために、片面二層ディスク３０は、光ビームのパワーをはじめとする各種記録条件の管理が単層ディスクに比べて難しいものになっている。
【００１７】
我々の実験の結果、特に一層目記録層３０１においては、最適な記録条件の設定を厳密に行わないと、記録再生状態が悪化し、再生時にエラーが多く発生したり再生不良になったりする危険性が高いことが判明している。また、同一記録領域へ再記録する回数の増加に伴って記録再生特性が変化することも我々の実験によって判明している。
【００１８】
ここで、記録回数は、新品状態の片面二層ディスク３０の一層目記録層３０１に初めて記録する時を１回目、その後、その１回目に記録した領域と同じ領域に再度記録する時を２回目とする。図１８は、同一の記録条件を用いて同一の領域に対して記録再生を行った場合の記録回数と再生エラーレートとの関係を測定した結果を示す図である。同図から、特に２回目の記録再生時の再生エラーレートが比較的悪く、１０回目以降１０００回以上にわたっては、比較的良好で安定な再生エラーレートとなることが判る。また、図１９（Ａ）は、書込パワーＰｗと再生エラーレートとの関係を測定した結果を示す図であり、図１９（Ｂ）は、消去パワーＰeと再生エラーレートとの関係を測定した結果を示す図である。同図から、書込パワーＰｗまたは消去パワーＰｅの変化によって、再生エラーレートが大きく変化することが判る。また、１回目の記録時の最適な書込パワーＰｗまたは消去パワーＰｅと２回目の記録時の最適な書込パワーＰｗまたは消去パワーＰｅには差があることが判る。
【００１９】
本発明は、上記のような課題を鑑みてなされたものであり、記録条件の管理が難しく、また再記録回数の増加に伴って記録再生特性が変化してしまう危険性のある片面二層ディスク若しくは更に多層のディスクの一層目記録層に対しても、常に安定な記録を行なうことを可能とする装置、方法、プログラム、及び記録媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
そこで上記課題を解決するために本発明は、下記の装置、方法、及び記録媒体を提供するものである。
（１）多層の記録層を有し、この各層毎にユーザーデータを記録／再生するデータ記録領域と最適記録パワーを求めるためにテスト信号を記録／再生する試し書き領域とが設定されている書き換え可能な光ディスクに対して、光ピックアップから照射されるレーザ光を用いて記録／再生を行う光ディスク記録再生装置において、
所定記録パワー及び第１の所定消去パワーを用いて変調制御されたレーザ光によって、前記光ディスクの多層の記録層のうち、前記光ピックアップに最も近い記録層であり、記録再生特性に記録回数依存性を有する第１記録層における前記データ領域にユーザーデータを記録する第１の記録処理を行う第１の記録手段と、
段階的に変化する複数の記録パワーを用いて変調制御されたレーザ光によって、前記第１記録層の前記試し書き領域に前記テスト信号を記録する第２の記録処理を行う第２の記録手段と、
前記第１の消去パワーの１．５乃至３倍の第２の所定消去パワーのレーザ光を、前記試し書き領域に照射する処理である特性改善消去処理を行う特性改善消去手段と、
前記特性改善消去処理を行なった領域を示す特性改善消去領域情報と前記第２の記録処理を行なった領域を示す記録領域情報とを記憶管理する管理手段と、
初期状態の前記光ディスクに対して、前記第２の記録手段を用いて最初に前記第２の記録処理を行なう際に、事前に前記試し書き領域のうちの前記第２の記録処理を行う領域を少なくとも含んだ領域に対して前記特性改善消去手段を用いて前記特性改善消去処理を、前記管理手段で管理される前記特性改善消去領域情報と前記記録領域情報とに基づいて、１回から３回の範囲内で行ない、これ以降は前記特性改善消去処理を行なわないように制御するか、又は、初期状態の前記光ディスクに対して、前記第２の記録手段を用いて１回のみ前記第２の記録処理を行なった後に、前記試し書き領域のうち少なくともこの第２の記録処理が行われた領域に対して、前記特性改善消去手段を用いて前記特性改善消去処理を、前記管理手段で管理される前記特性改善消去領域情報と前記記録領域情報とに基づいて、１回から３回の範囲内で行ない、これ以降は前記特性改善消去処理を行なわないように制御するか、いずれか一方の制御を行なう制御手段と、
を有することを特徴とする光ディスク記録再生装置。
（２）多層の記録層を有し、この各層毎にユーザーデータを記録／再生するデータ記録領域と最適記録パワーを求めるためにテスト信号を記録／再生する試し書き領域とが設定されている書き換え可能な光ディスクに対して、光ピックアップから照射されるレーザ光を用いて記録／再生を行う光ディスク記録再生装置において、
所定記録パワー及び第１の所定消去パワーを用いて変調制御されたレーザ光によって、前記光ディスクの多層の記録層のうち、前記光ピックアップに最も近い記録層であり、記録再生特性に記録回数依存性を有する第１記録層における前記データ領域にユーザーデータを記録する第１の記録処理を行う第１の記録手段と、
段階的に変化する複数の記録パワーを用いて変調制御されたレーザ光によって、前記第１記録層の前記試し書き領域に前記テスト信号を記録する第２の記録処理を行う第２の記録手段と、
前記第１の消去パワーの１．５乃至３倍の第２の所定消去パワーのレーザ光を、前記データ記録領域に照射する処理である特性改善消去処理を行う特性改善消去手段と、
前記特性改善消去処理を行なった領域を示す特性改善消去領域情報と前記第１の記録処理を行なった領域を示す記録領域情報とを記憶管理する管理手段と、
初期状態の前記光ディスクに対して、前記第１の記録手段を用いて最初に前記第１の記録処理を行なう際に、事前に前記データ領域のうちの予め決定されている内周側の所定範囲のみにおいて前記第１の記録処理を行う領域を少なくとも含んだ領域に対して前記特性改善消去手段を用いて前記特性改善消去処理を、前記管理手段で管理される前記特性改善消去領域情報と前記記録領域情報とに基づいて、１回から３回の範囲内で行ない、これ以降は前記特性改善消去処理を行なわないように制御する制御手段と、
を有することを特徴とする光ディスク記録再生装置。
（３）前記第１記録層において、前記光ディスクの製造段階で予め形成されるプリピット及びコントロールデータ領域の両方又はどちらか一方に記録されている、前記第１記録層への記録に関する参考データを再生する参考データ再生手段を有し、
前記特性改善消去手段は、前記参考データ再生手段で再生した参考データに前記第２の所定消去パワーを求めるための１．５乃至３の係数にかかる情報が含まれている場合はその情報を用いて前記第２の所定消去パワーを決定し、前記情報が含まれていない場合は、本装置内部に予め設定されている前記光ディスクの第１記録層に対応した前記情報を用いて前記第２の所定消去パワーを決定する、
ことを特徴とする上記（１）または（２）に記載の光ディスク記録再生装置。
（４）上記（３）に記載の光ディスク記録再生装置により情報が記録又は再生される、記録層がレーザ光の光軸方向に複数積層された多層構造の書き換え可能なディスク状光記録媒体であって、
前記複数積層された記録層のうちの第１記録層に前記光ディスクの製造段階で予め形成されるプリピット領域及びコントロールデータ領域の両方又はどちらか一方に記録されている前記第１記録層への記録に関する参考データに、前記光ディスク記録再生装置の前記特性改善消去手段で用いる、前記第２の所定消去パワーを求めるための１．５乃至３の係数にかかる情報が含まれていることを特徴とする光記録媒体。
（５）多層の記録層を有し、この各層毎にユーザーデータを記録／再生するデータ記録領域と最適記録パワーを求めるためにテスト信号を記録／再生する試し書き領域とが設定されている書き換え可能な光ディスクに対して、光ピックアップから照射されるレーザ光を用いて記録／再生を行う光ディスク記録再生方法において、
所定記録パワー及び第１の所定消去パワーを用いて変調制御されたレーザ光によって、前記光ディスクの多層の記録層のうち、前記光ピックアップに最も近い記録層であり、記録再生特性に記録回数依存性を有する第１記録層における前記データ領域にユーザーデータを記録する第１の記録処理を行う第１の記録ステップと、
段階的に変化する複数の記録パワーを用いて変調制御されたレーザ光によって、前記第１記録層の前記試し書き領域に前記テスト信号を記録する第２の記録処理を行う第２の記録ステップと、
前記第１の消去パワーの１．５乃至３倍の第２の所定消去パワーのレーザ光を、前記試し書き領域に照射する処理である特性改善消去処理を行う特性改善消去ステップと、
前記特性改善消去処理を行なった領域を示す特性改善消去領域情報と前記第２の記録処理を行なった領域を示す記録領域情報とを記憶管理する管理ステップと、
初期状態の前記光ディスクに対して、前記第２の記録ステップによって最初に前記第２の記録処理を行なう際に、事前に前記試し書き領域のうちの前記第２の記録処理を行う領域を少なくとも含んだ領域に対して前記特性改善消去ステップによって前記特性改善消去処理を、前記管理ステップで管理される前記特性改善消去領域情報と前記記録領域情報とに基づいて、１回から３回の範囲内で行ない、これ以降は前記特性改善消去処理を行なわないように制御するか、又は、初期状態の前記光ディスクに対して、前記第２の記録ステップを用いて１回のみ前記第２の記録処理を行なった後に、前記試し書き領域のうち少なくともこの第２の記録処理が行われた領域に対して、前記特性改善消去ステップによって前記特性改善消去処理を、前記管理ステップで管理される前記特性改善消去領域情報と前記記録領域情報とに基づいて、１回から３回の範囲内で行ない、これ以降は前記特性改善消去処理を行なわないように制御するか、いずれか一方の制御を行なう制御ステップと、
を実行することを特徴とする光ディスク記録再生方法。
（６）多層の記録層を有し、この各層毎にユーザーデータを記録／再生するデータ記録領域と最適記録パワーを求めるためにテスト信号を記録／再生する試し書き領域とが設定されている書き換え可能な光ディスクに対して、光ピックアップから照射されるレーザ光を用いて記録／再生を行う光ディスク記録再生方法において、
所定記録パワー及び第１の所定消去パワーを用いて変調制御されたレーザ光によって、前記光ディスクの多層の記録層のうち、前記光ピックアップに最も近い記録層であり、記録再生特性に記録回数依存性を有する第１記録層における前記データ領域にユーザーデータを記録する第１の記録処理を行う第１の記録ステップと、
段階的に変化する複数の記録パワーを用いて変調制御されたレーザ光によって、前記第１記録層の前記試し書き領域に前記テスト信号を記録する第２の記録処理を行う第２の記録ステップと、
前記第１の消去パワーの１．５乃至３倍の第２の所定消去パワーのレーザ光を、前記データ記録領域に照射する処理である特性改善消去処理を行う特性改善消去ステップと、
前記特性改善消去処理を行なった領域を示す特性改善消去領域情報と前記第１の記録処理を行なった領域を示す記録領域情報とを記憶管理する管理ステップと、
初期状態の前記光ディスクに対して、前記第１の記録ステップみよって最初に前記第１の記録処理を行なう際に、事前に前記データ領域のうちの予め決定されている内周側の所定範囲のみにおいて前記第１の記録処理を行う領域を少なくとも含んだ領域に対して前記特性改善消去ステップによって前記特性改善消去処理を、前記管理ステップで管理される前記特性改善消去領域情報と前記記録領域情報とに基づいて、１回から３回の範囲内で行ない、これ以降は前記特性改善消去処理を行なわないように制御する制御ステップと、
を実行することを特徴とする光ディスク記録再生方法。
（７）前記第１記録層において、前記光ディスクの製造段階で予め形成されるプリピット及びコントロールデータ領域の両方又はどちらか一方に記録されている、前記第１記録層への記録に関する参考データを再生する参考データ再生ステップを実行し、
前記特性改善消去ステップは、前記参考データ再生ステップによって再生した参考データに前記第２の所定消去パワーを求めるための１．５乃至３の係数にかかる情報が含まれている場合はその情報を用いて前記第２の所定消去パワーを決定し、前記情報が含まれていない場合は、予め設定されている前記光ディスクの第１記録層に対応した前記情報を用いて前記第２の所定消去パワーを決定する、
ことを特徴とする上記（５）または（６）に記載の光ディスク記録再生方法。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、記録条件の管理が難しく、また再記録回数の増加に伴って記録再生特性が変化してしまう危険性のある片面二層ディスク若しくは更に多層のディスクの一層目記録層に対しても、常に安定な記録を行なうことが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
［全体構成］
図１は、本発明の光情報記録装置の一実施の形態を含む記録再生システムのブロック図を示す。
【００２３】
同図において、記録再生システムは、上位装置１０と、本発明の光情報記録装置の一実施の形態である光ディスク装置２０と、片面二層ディスク３０とで構成される。上位装置１０は、光ディスク装置２０に片面二層ディスク３０に対する記録又は再生を指示する。上位装置１０は、例えば、パーソナルコンピュータなどである。上位装置１０と光ディスク装置２０は同一筐体に収められていてもよい。このような形態は、例えば、光ディスクレコーダにおいて採用される。片面二層ディスク３０は、光ディスク装置２０に装填される。
【００２４】
光ディスク装置２０は、装置全体を制御するシステムコントローラ２１と、片面二層ディスク３０への記録及び再生を行う記録再生回路２２と、記録再生回路２２に接続されて光ビームの放射と反射ビームの受光を行う光ピックアップ２３と、システムコントローラ２１で実行される制御プログラムが格納されたプログラムメモリ２４と、片面二層ディスク３０へ記録及び再生するデータを一時的に保持するデータメモリ２５と、それらの各構成ブロックをつなぐ内部バス２６と、上位装置１０と内部バス２６のインターフェースを行うＩＦ２７と、記録状態検出回路２８とから構成される。
【００２５】
記録再生回路２２及び光ピックアップ２３は、片面二層ディスク３０に対してＯＰＣのための試し書きや管理情報の記録、及びユーザーデータの記録を行う記録手段およびディスクに記録された前述の各情報の再生手段として機能する。
【００２６】
記録状態検出回路２８は、試し書きを行った部分を再生する際に、記録状態の良否を判定する特性パラメータを算出するための測定を行う手段として機能する。記録状態検出回路２８で測定した測定値は、内部バス２６を介してシステムコントローラ２１に送られる。
【００２７】
システムコントローラ２１は、プログラムメモリ２４に格納されている制御プログラムの実行手順に従って、記録状態検出回路２８から供給された測定値を基に演算を行い、特性パラメータを算出する。そして、その算出した特性パラメータを用いて記録条件を決定する。
【００２８】
片面二層ディスク３０は、相変化型の記録媒体である。相変化型とは、記録層へのレーザー照射によってその記録層の記録膜が結晶相とアモルファス（非結晶）相に可逆的に変化する特性を用いて情報を記録及び消去する方式である。
［記録方法］
以下に、片面二層ディスク３０への情報の記録方法及び消去方法を説明する。
【００２９】
図２は、上記した相変化型の記録媒体に対する情報記録時の様子を示したものである。光ビームをマルチパルス列の発光波形に変換して記録層に照射し、情報を記録している。より詳細に説明すると、例えば、記録すべき情報をＮＲＺＩ変調して記録データ(ＮＲＺＩデータ)に変換し、この記録データを更に光変調してマルチパルス列の発光波形を得、この発光波形の光ビームを記録層に照射して情報を記録する。なお、この説明では記録すべき情報の変調方法としてＮＲＺＩ変調を用いる例を示したが、変調方式はこれに限らず、どのような方式のものでも良い。
【００３０】
図２のrecording dataが記録データであり、write pulseがマルチパルス列の発光波形である。このwrite pulseにおいて、Ｐｗは書込パワーを示すレベルである。Ｐｅは消去パワーを示すレベルである。Ｐｂはボトムパワーを示すレベルである。また、Ｔはチャネルクロック期間、Ｔｔｏｐ、Ｔｍｐはそれぞれ書込パワーを維持するパルス期間である。
【００３１】
同図から明らかなように、記録データのローレベル期間は、パワーレベルが、消去パワーＰｅの光ビームが記録層に照射される。一方、記録データのハイレベル期間は、パワーレベルが、書込パワーＰｗとボトムパワーＰｂとで交互に変化する光ビームが記録層に照射される。
【００３２】
このように、記録データのハイレベル期間は、パワーレベルが、書込パワーＰｗとボトムパワーＰｂとで交互に変化する光ビームが記録層に照射されることによって、書込パワーＰｗによる加熱とボトムパワーＰｂによる冷却とによる熱変化（急冷）の条件により、記録層の記録膜にアモルファス相が形成される。
【００３３】
また、記録データのローレベル期間は、レベルＰｅの消去パワーによる加熱のみ熱変化（徐冷）の条件により、記録層の記録膜に結晶相が形成される。
従って、上記説明で明らかなように、記録媒体への記録データの記録は、記録前の相の状態によらないダイレクトオーバー記録が可能である。
【００３４】
図１６における片面二層ディスク３０のデータ領域３１４、３２４にユーザーデータを記録する場合は、記録する領域の記録前の状態が結晶相／アモルファス相いずれの相であるかに関わらず、上記で説明したダイレクトオーバー記録によってユーザーデータを記録する。
【００３５】
一方、ＯＰＣを行うためＰＣＡ領域３１１、３２１へ試し書きする場合は、一旦その試し書きを行なう領域に対して所定の消去パワーでＤＣ(Direct Current)消去を行ってから、試し書きを行う手法が用いられる。これは、ダイレクトオーバー記録では、最適記録パワーを正確に求められないことがあるからである。ＤＣ消去とは、一定パワーの光ビームを連続して記録層に照射することで、照射された記録層の記録膜を全て結晶相にする（データを消去する）ものである。データの記録は、図２に示すようなマルチパルス列の発光波形の光ビームで行われるのに対して、ＤＣ消去は、一定パワーの光ビームで行われる。ＤＣ消去の際のパワーのレベルは、図２の消去パワーＰｅとほぼ同じパワーのレベルである。
［記録状態検出回路］
図１に示す片面二層ディスク３０に記録されている情報を再生する場合、光ピックアップ２３は、再生用の光ビームを片面二層ディスク３０の記録領域に照射し、その反射光を受光して光電変換し、再生信号を得る。そして、この再生信号を、記録再生回路２２と記録状態検出回路２８に出力する。
【００３６】
記録状態検出回路２８の具体例を図３に示し、その動作を説明する。
同図中のピークレベル検出回路４３は、入力される再生信号（ＲＦ信号）の＋側のピークレベルを検出し、Ａ３として出力する。
【００３７】
ハイパスフィルタ４０は、入力されるＲＦ信号の直流成分をカットして、図４に示すような信号を生成し、後段のピークレベル検出回路４１、及びボトムレベル検出回路に出力する。
【００３８】
ピークレベル検出回路４１、ボトムレベル検出回路４２は、ハイパスフィルタ４０によって直流成分がカットされたＲＦ信号の＋側のピーク、−側のピークをそれぞれ検出し、Ａ１、Ａ２として出力する。
【００３９】
これらＡ１〜Ａ３の各ピーク検出信号は、システムコントローラ２１に入力される。
システムコントローラ２１は、これら各ピーク検出信号を用いて所定の演算を行い、各種の特性パラメータを算出する。
［特性パラメータ］
特性パラメータの１つとしてＲＦ信号のアシンメトリの程度を示す値βがある。アシンメトリ値βは、下記式１の演算で求められる。
β ＝（Ａ１＋Ａ２）÷（Ａ１− Ａ２）    ・・・式１
また、他の特性パラメータとしてＲＦ信号の変調度を示す値ｍがある。変調度ｍは、下記式２の演算で求められる。
ｍ ＝（Ａ１−Ａ２）÷Ａ３              ・・・式２
一般的に、変調度ｍは、その再生したデータを記録する際の書込パワーＰｗに応じて変化する。図５はこの様子を示したものである。横軸が書込みパワーＰｗ、縦軸が変調度ｍである。
【００４０】
同図で明らかなように、書込パワーＰｗが低いときは、ＲＦ信号の振幅が小さいので変調度ｍは小さい。書込パワーＰｗが大きくなるにつれて、ＲＦ信号の振幅が大きくなるので変調度ｍが大きくなる。但し、書込パワーＰｗがある程度大きくなると変調度ｍは飽和してくる。この飽和し始めるあたりの書込パワーＰｗでデータを記録すると最も再生エラーが少ない。従って、この飽和し始めるあたりの書込パワーＰｗを最適書込パワーＰｗｏとすれば良いことが判る。
【００４１】
変調度ｍにより記録状態の良否の判定を行う別の手法として、変調度ｍの特性から求められるパラメータγを用いる方法がある。γは下記式３の演算で求められる。この式３は、γが変調度ｍを記録パワーＰｗで微分して得られるものであることを示している。
γ＝（ｄｍ／ｄＰｗ）×（Ｐｗ／ｍ）      ・・・式３
γも、その再生したデータを記録する際の書込パワーＰｗに応じて変化する。図５にこの様子を示す。横軸が書込みパワーＰｗ、縦軸がγである。同図で明らかなように、書込パワーＰｗが大きくなるにつれて、γは減少する。
【００４２】
上記は、書込パワーＰｗとβ、γとの関係を説明したものであるが、消去パワーＰｅに関しても同様の関係がある。
［単層ディスクのＯＰＣ］
単層ディスクの場合、書込パワーＰｗ、消去パワーＰｅと、β、γとの関係は、ディスク種別毎にほぼ一定である。従って、再生時のエラーレートが最も低くなる書込みパワーＰｗ、消去パワーＰｅによって記録したデータのβ、γを測定し、このβ、γの値をディスク製造時に予めディスクにプリ記録しておけば良い。
【００４３】
光ディスク装置２０は、βがプリ記録されたディスクの装填時にそれらの値を読み込んで内部のデータメモリ２５に目標値として記憶しておく。そして、ＯＰＣを実行する際に、書込パワーＰｗ、消去パワーＰｅを１０段階程度に変えて試し書きを行い、その試し書きしたデータを再生して書込パワーＰｗ、消去パワーＰｅの組み合わせ毎のアシンメトリ値βを算出する。このβの値がデータメモリに記憶されている目標値に最も近い値となる書込パワーＰｗ、消去パワーＰｅをそれぞれ最適書込パワーＰｗｏ、最適消去パワーＰｅｏと決定する。γを指標と使用する場合も、同様の処理で決定する。
［片面二層ディスクのＯＰＣ］
一方、片面二層ディスク、特にこの片面二層ディスクの一層目記録層については、上記した単層ディスクに対するＯＰＣの適用が困難である。
【００４４】
図１３は、片面二層ディスクの一層目記録層の所定領域に、別途求めた最適書込パワーＰｗｏ、最適消去パワーＰｅｏによってデータを記録し、この記録したデータを再生してβを測定する記録再生処理を、繰り返し実行した場合の測定結果を示している。横軸が記録再生処理の実行回数、縦軸が測定したβのレベルである。
【００４５】
同図から分かるように、同一の最適書込パワーＰｗｏ、最適消去パワーＰｅｏを用いて記録したにもかかわらず、記録再生処理の実行回数によってβの値が変化する。この測定結果は我々の実験によって初めて得られたもので、従来は知られていなかったものである。
【００４６】
１回目の記録再生処理では、βは比較的小さい値が得られる。以後、２回目、３回目と記録再生処理を繰り返すに従ってβは大きな値となり、４回目以降はほぼ同一の値となる。
【００４７】
この測定結果を鑑みて、例えば４回目以降のほぼ一定になったβの値を目標値としてディスクにプリ記録したとする。しかし、これだと１回目〜３回目までのＯＰＣ実行時は、プリ記録されたβの目標値に近いβ値が得られる書込パワーＰｗは最適書込パワーＰｗｏに比べて小さい値となってしまう。一方、一回目のβの値を目標値としてディスクにプリ記録したとする。しかし、これだと４回目以降のＯＰＣ実行時は、プリ記録されたβの目標値に近いβ値が得られる書込パワーＰｗは最適書込パワーＰｗｏに比べて大きな値となってしまう。
【００４８】
上記状況は消去パワーＰｅに関しても同様である。
このように、記録再生の回数によってβが変化してしまうと、最適書込パワーＰｗｏ及び最適消去パワーＰｅｏを１つに決定することができないという問題がある。
【００４９】
従って、片面二層ディスク、特にこの片面二層ディスクの一層目記録層に対して良好な記録を行うためには、上記問題を解決する必要があった。
【実施例１】
【００５０】
上記問題を解決する本発明の第１実施例を以下に説明する
＜ディスク装填時の動作フロー＞
図１に示す片面二層ディスク３０が光ディスク装置２０に装填された時の動作を図７のフローチャートを用いて説明すると共に、フローチャートの各ステップの説明の中で本実施例の特徴部分を各種図面を用いて説明する。
【００５１】
なお、この動作を実行する主体は、特に記述がない場合は図１に示すシステムコントローラ２１である。
片面二層ディスク３０が光ディスク装置２０に装填されると（ステップＳ１）、光ディスク装置２０は装填されたディスクの種別を判別する（ステップＳ１１）。これは、例えば、リードイン領域に記録されているディスク判別情報を取得する等により行われる。ここでは、片面二層ＤＶＤ−ＲＷディスクが装填されたものとする。
【００５２】
次に、光ディスク装置２０は、片面二層ディスク３０のＲＭＡ領域３１２に記録されている最新の（直前に記録された）ＲＭＤを読み出して、このＲＭＤに含まれている記録特性改善用ＤＣ消去済み領域情報を取得する（ステップＳ２）。
【００５３】
図６（Ａ）は、本実施例のＲＭＤのデータの一部を示したものである。同図において、バイト位置ｍ〜ｍ＋５は、本実施例の特徴である、上記した記録特性改善用ＤＣ消去済み領域情報が格納されるフィールドである。バイト位置ｍ〜ｍ＋２には、記録特性改善用ＤＣ消去済み領域の最内周のアドレスが格納されており、バイト位置ｍ＋３〜ｍ＋５には、記録特性改善用ＤＣ消去済み領域の最外周のアドレスが格納されている。
【００５４】
光ディスク装置２０は、ステップＳ２で取得した記録特性改善用ＤＣ消去済み領域の最内周のアドレスおよび最外周のアドレスと、一層目記録層ＰＣＡ領域３１１の最外周のアドレスおよび最内周のアドレスとをそれぞれ比較して、記録特性改善用ＤＣ消去済み領域が一層目記録層ＰＣＡ領域３１１の全域となっているか否かを判断する（ステップＳ３）。
【００５５】
記録特性改善用ＤＣ消去済み領域の最内周のアドレスが一層目記録層ＰＣＡ領域３１１の最内周のアドレスより大きい値であるか、または、記録特性改善用ＤＣ消去済み領域の最外周のアドレスが一層目記録層ＰＣＡ領域３１１の最外周のアドレスより小さい値ある場合は、一層目記録層ＰＣＡ領域３１１の全域に比べて、記録特性改善用ＤＣ消去済み領域が狭いと判断して、ステップＳ４に進む。なお、新品のディスクの場合には、ＲＭＤ自体が記録されていないか、ＲＭＤが記録されていたとしても、バイト位置ｍ〜ｍ＋５には、すべて０が格納されている。この場合も、ステップＳ４へ進む。
【００５６】
一方、記録特性改善用ＤＣ消去済み領域の最内周のアドレスが一層目記録層ＰＣＡ領域３１１の最内周のアドレスと同じ値であり、かつ、記録特性改善用ＤＣ消去済み領域の最外周のアドレスが一層目記録層ＰＣＡ領域３１１の最外周のアドレスと同じ値である場合は、一層目記録層ＰＣＡ領域３１１の全域が記録特性改善用ＤＣ消去済みであると判断して、ステップＳ９に進む。
ステップＳ４では、片面二層ディスク３０のＬＰＰ２０４、またはリードイン領域１０３の一部であるコントロールデータゾーン１０７を再生して、参考書き込みパワーＰｗｃ、消去パワーと書き込みパワーの比εｃ、記録特性改善用ＤＣ消去パワー係数μを読み出す。この記録特性改善用ＤＣ消去パワー係数μは、通常のＤＣ消去に用いるＤＣ消去パワーＰｅｄｃに対する乗算係数である。詳細は後述する。
これら、参考書き込みパワーＰｗｃ、消去パワーと書き込みパワーの比εｃ、記録特性改善用ＤＣ消去パワー係数μは、ＬＰＰ２０４またはコントロールデータゾーン１０７に、他の各種情報と共に予め定められた構成で格納されている。図８ （Ａ）は、ＬＰＰ２０４またはコントロールデータゾーン１０７に格納するフォーマットの例を示したものである。この例では、バイト位置Ｎに、参考書込パワー値Ｐｗｃが格納されており、Ｎ＋１には消去パワーＰｅｃと書込みパワーＰｗｃとの比の参考値εｃが格納されており、Ｎ＋２に記録特性改善用ＤＣ消去パワー係数μが格納されている。
図８ （Ｂ）は、同図（Ａ）のバイト位置Ｎ＋２に格納されるバイトデータと実際の記録特性改善用ＤＣ消去パワー係数μとの対応関係の例を示した図である。バイトデータが０１ｈの場合のμを１．５とし、以降バイトデータが１ｈ増加する毎にμを０．１ずつ増加させていき、バイトデータが１０ｈの場合のμを３．０とした例である。なお、バイトデータが００ｈの場合は、記録特性改善用ＤＣ消去パワー係数μが格納されていないことを示す。
上記した、Ｐｗｃにεｃを乗じた値、またはそれよりも若干大きめの値のパワーを、通常のＤＣ消去時に用いるＤＣ消去パワーＰｅｄｃとして決定する。このＤＣ消去パワーＰｅｄｃの光ビーム４０２を記録層に照射することで、通常のＤＣ消去が行なわれる。
【００５７】
ステップＳ４１では、光ビーム４０２を一層目記録層３０１に照射する。つまり対物レンズ４０１による光ビーム４０２の焦点を一層目記録層３０１に合わせる。
ステップＳ５では、一層目記録層ＰＣＡ領域３１１のうち、記録特性改善用ＤＣ消去が既に行なわれている領域以外の領域に対して、上記で説明した、記録特性改善用ＤＣ消去パワー係数μと通常のＤＣ消去に用いるＤＣ消去パワーＰｅｄｃとを乗じた値（μ×Ｐｅｄｃ）のパワーによってＤＣ消去を開始する。このμ×Ｐｅｄｃの光ビームパワーで行うＤＣ消去を記録特性改善用ＤＣ消去と呼ぶ。以下に記録特性改善用ＤＣ消去パワー係数μの詳細を説明する。
【００５８】
図１０は、予め片面二層ディスクの一層目記録層の所定領域に対して上記の記録特性改善用ＤＣ消去を例えばμ＝２．０として演算した光パワーによって行なった後に、別途求めた最適書込パワーＰｗｏ、最適消去パワーＰｅｏによってデータを記録し、この記録したデータを再生してβを測定する記録再生処理を、繰り返し実行した場合の測定結果を示している。横軸が記録再生処理の実行回数、縦軸が測定したβのレベルである。この図１０と記録特性改善用ＤＣ消去を行なわない場合の結果である図１３とを比較すると、図１３のβの値が記録再生回数の増加に応じて大きくなるのに対して、図１０のβの値は記録再生回数によらずほぼ一定値になっており、記録回数依存性がなくなっていることがわかる。
【００５９】
また、図２０は、別途求めた最適書込パワーＰｗｏ、最適消去パワーＰｅｏを使用して記録再生を行う前の記録特性改善用ＤＣ消去の消去パワーの値を変えて実験を行った結果を示した図である。横軸が記録特性改善用ＤＣ消去の消去パワー、縦軸がβのレベルである。そして同図中のini（三角印）でプロットされているデータ線が１回目、ＤＯＷ１（四角印）でプロットされているデータ線が２回目、ＲＯＷ１０（ひし形印）でプロットされているデータ線が１１回目の記録再生後のβの測定結果である。それぞれ１回目の記録再生の前に横軸に対応するパワーで記録特性改善用ＤＣ消去を行っている。このとき、最適消去パワーＰｅｏは６．８ｍＷであった。同図によれば、１２ｍＷ（６．８ｍＷの約１．８倍）から１６ｍＷ（６．８ｍＷの約２．４倍）の範囲の消去パワーで記録特性改善用ＤＣ消去を行うと、１回目、２回目、１１回目でほぼ同じ値のβが得られることがわかる。同図の場合は、１４ｍＷの消去パワーを用いた場合が最もβの変動が小さくなっている。１４ｍＷは６．８ｍＷの約２．０倍である。つまり記録特性改善用ＤＣ消去係数μ＝２．０とするとβの変動が最小になる。各種のディスクで実験を行ったところ、μの値が約１．５から３．０の範囲の消去パワーで記録特性改善ＤＣ消去を行うことで、βの記録回数依存性がなくなることが判明した。この測定結果は我々の実験によって得られたもので、従来は知られていなかったものである。
【００６０】
但し、μ×Ｐｅｄｃの光ビームパワーでのＤＣ消去を繰り返し行なうと、書き換え可能回数が減少することも判明した。従って、記録特性改善用ＤＣ消去は各領域に対して１回のみ行うことで書き換え可能回数が減少することを防止する。
【００６１】
図７のフローチャートに戻る。
ステップＳ６では、上位装置１０からの記録または再生命令あるいはディスク取り出し命令が来ないことを確認しながら、ステップＳ５で既に開始されている記録特性改善用ＤＣ消去を続行する。
【００６２】
一層目記録層ＰＣＡ領域３１１の全域について記録特性改善用ＤＣ消去が終了した場合（ステップＳ７）には、ＲＭＤ内のｍ〜ｍ＋２のバイト位置に、一層目記録層ＰＣＡ領域３１１の最内周のアドレスと同じ値を格納し、ｍ＋３〜ｍ＋５のバイト位置に一層目記録層ＰＣＡ領域３１１の最外周のアドレスと同じ値を格納して、ＲＭＡ領域３１２に記録する（ステップＳ８）。
【００６３】
以上の処理が終了したら、待機状態（ステップＳ９）に入る。
以上の処理が終了したディスクが一旦光ディスク装置２０から取り外され、再びこのディスクが光ディスク装置２０に装填された場合（ステップＳ１）には、ステップＳ２、ステップＳ３の処理によって、記録特性改善用ＤＣ消去済みの領域が一層目記録層ＰＣＡ領域３１１の全域となっている判断されるため、直ちにステップＳ９に処理が移る。
【００６４】
また、ステップＳ６において、記録特性改善用ＤＣ消去中に、上位装置１０から記録または再生命令が来た場合には、記録特性改善用ＤＣ消去動作を中断し、ステップＳ８へ処理を移行して、ステップＳ６の中断時点までに記録特性改善用ＤＣ消去が終了した領域の最内周のアドレスと同じ値をＲＭＤ内のｍ〜ｍ＋２のバイト位置に格納し、同様に最外周のアドレスと同じ値をｍ＋３〜ｍ＋５のバイト位置に格納して、ＲＭＡ領域３１２に記録する。
【００６５】
尚、上記の各アドレスは、あらかじめＬＰＰ２０４に格納されているアドレス情報から得る。
ユーザーデータの記録または再生が終了して、上位装置１０からのユーザーデータの記録または再生の為の新たな命令が来ていないと光ディスク装置２０が判断した場合、あるいは取り出されたディスクが再度光ディスク装置２０に装填された場合は、再度ステップＳ１１から実行する。
＜ＯＰＣ動作のフロー＞
上記ステップＳ９の待機状態中に、上位装置１０からＯＰＣの実行を命令された場合、あるいは光ディスク装置２０が自らＯＰＣを実行すると判断した場合、上記処理によって記録特性改善用ＤＣ消去が行なわれた領域でＯＰＣを行う。ＯＰＣの手順を図１１のフローチャートを用いて説明する。
【００６６】
なお、この動作を実行する主体は、特に記述がない場合は図１に示すシステムコントローラ２１である。
ＯＰＣが開始される（ステップＳ２１）と、まずディスクの最新のＲＭＤを読み取って、ＰＣＡ領域３１１内の未だＯＰＣが行われていない領域のうち最外周の領域を求める（ステップＳ２２）。
【００６７】
その領域で、書込パワーＰｗを１０段階程度に変化させて所定のテスト信号の試し書きを行う（ステップＳ２３）。
図９は、この試し書きを行う際の記録再生領域（アドレス）と書き込みパワーの変化の様子を模式的に示した図である。縦軸が書き込みパワーのレベル、横軸が１回のＯＰＣで使用する領域である。
【００６８】
この時、図２に示す書込みパルスのボトムパワーＰｂについては所定の値に固定し、消去パワーＰｅについては書込パワーＰｗに対して所定の値εを乗じた値として、書込パワーＰｗとともに変化させる。εは、例えば０．５といった値になる。
【００６９】
また、上記した書込パワーＰｗの変化範囲をＯＰＣレンジ、このときの基準となる中心パワーをＰｄｅｆと呼ぶ。ＯＰＣレンジは、Ｐｄｅｆに対して、例えば＋４０％、−３０％の範囲内としたり、あるいはＰｄｅｆに対して＋５ｍＷ、−４ｍＷの範囲内としたりする方法で決定する。尚、このＯＰＣレンジ内で変化させる書き込みパワーのレベルは必ずしも１０段階に変化させる必要はなく、適当な段階数であれば何段階でも良い。
【００７０】
次に、ステップＳ２３で試し書きした領域を再生しながら（ステップＳ２４）、図１及び図３に示す記録状態検出回路２８で測定した値（Ａ１，Ａ２，Ａ３）を用いて、書込パワー毎のγを算出する（ステップＳ２５）。
【００７１】
そして、算出したγの値が所定の設定値であるγtargetに近い値となる書込パワーＰtargetを決定し、このＰtargetに下記式４のように所定の係数ρを乗じた値を最適書込パワーＰｗｏとする（ステップＳ２６）。
Ｐｗｏ ＝ ρ × Ｐtarget      ・・・式４
γtargetは、例えば１．５、ρは、例えば１．２２といった値とする。εやＰｄｅｆ、γtarget、ρは、ディスク製造時にＬＰＰ２０４やコントロールデータゾーン１０７に予め記録された値を用いるようにしても良いし、あるいは光ディスク装置２０内の不揮発メモリー（図示せず）に予め市販されている各ディスクの種別の測定結果を記憶しておいて、その値を用いるようにしても良い。
【００７２】
次に、ステップＳ２３と同様の処理で消去パワーＰｅを１０段階程度に変えて所定のテスト信号の試し書きを行う（ステップＳ２７）この試し書きには、ステップＳ２２で求めた領域の内、まだ試し書きを行っていない領域を用いる。この時の書込パワーＰｗはステップＳ２６で求めたＰｗｏとし、ボトムパワーＰｂについては所定の値に固定する。
【００７３】
次に、ステップＳ２７で試し書きした領域を再生しながら（ステップＳ２８）、図１及び図３に示す記録状態検出回路２８で測定した値（Ａ１，Ａ２，Ａ３）を用いて、消去パワーごとのβを算出する（ステップＳ２９）。
【００７４】
そして、算出したβの値が所定の設定値であるβtargetに近い値となる消去パワーＰｅｏを決定する（ステップＳ２１０）。
βtargetは、例えば０．０４といった値とする。この値は、ディスク製造時にＬＰＰ２０４やコントロールデータゾーン１０７に予め記録された値を用いるようにしても良いし、あるいは光ディスク装置２０内の不揮発メモリー（図示せず）に予め市販されている各ディスクの種別毎の測定結果を記憶しておいて、その値を用いるようにしても良い。
【００７５】
以上の処理終了後に、今回の処理で使用したＰＣＡ領域内の試し書き領域のアドレス情報を、ＲＭＤに格納しＲＭＡ領域３１２に記録する（ステップＳ２１１）。
以上説明し動作フローのＯＰＣによって決定した、Ｐｗｏ、Ｐｅｏを用いて、データ領域等へのユーザーデータの記録を行う。
【００７６】
ＯＰＣを何度も実行すると、ＰＣＡ領域内の試し書きが可能な領域が減少していき、最終的には無くなってしまう。このような事態になった場合は、試し書き済みのＰＣＡ領域をＤＣ消去して、再度試し書きが可能な状態に戻す。この場合のＤＣ消去は、上記で説明した記録特性改善用ＤＣ消去ではなく、通常のＤＣ消去である。この通常のＤＣ消去に用いる消去パワーＰｅｄｃは、Ｐｗｃにεｃを乗じた値、またはそれよりも若干大きめの値とする。
【００７７】
尚、本実施例では、一層目記録層ＰＣＡ領域３１１の最外周から最内周まで、記録特性改善用ＤＣ消去を行うものとした。
背景技術でも説明したとおり、図１７に示すような片面二層ディスク３０の場合、一層目記録層ＰＣＡ領域３１１に対するＯＰＣは外周側の領域境界から内周側へ向かって行なわれ、二層目記録層ＰＣＡ領域３２１に対するＯＰＣは内周側の領域境界から外周側へ向かって行われる。そして、二層目記録層ＰＣＡ領域３２１に対するＯＰＣは、そのＯＰＣを行なうための光ビームが入射する領域に位置する一層目記録層ＰＣＡ領域３１１は未記録のままとすることが決められている。
【００７８】
従って、一層目記録層ＰＣＡ領域３１１のうち、内周側の領域になるほどＯＰＣに使用される可能性が少なくなる。そこで、一層目記録層ＰＣＡ領域３０１内の全域に対して記録特性改善用ＤＣ消去を行なわず、外周側の領域境界から適当に設定した領域までのみを記録特性改善用ＤＣ消去するようにしても良い。このようにすることで、一層目記録層３０１のＯＰＣのための記録特性改善用ＤＣ消去に要する時間を短縮できる。
【００７９】
また、新品のディスクが装填された直後に、上位装置１０からユーザーデータの記録命令が来る場合がある。しかし、ユーザーデータの記録の前にはＯＰＣ処理を行う必要がある。そのような場合、一層目記録層ＰＣＡ領域３１１の外周側の領域境界から１回分のＯＰＣに使用する領域のみ、記録特性改善用ＤＣ消去を行い、その領域でＯＰＣ処理を実行するようにしても良い。その後、上位装置１０からユーザーデータの記録あるいは再生の命令が来ないと判断される時に、残りの領域の記録特性改善用ＤＣ消去を行う。このようにすることで、新品のディスクが装填された直後に、上位装置１０からユーザーデータの記録命令が来た場合でも、記録特性改善用ＤＣ消去を行うことができ、かつ、ディスク装填からユーザーデータの記録を開始するまでの所要時間が必要以上に長くなることを防ぐことができる。
【００８０】
以上のように、第１実施例では、一層目記録層ＰＣＡ領域３１１を通常のＤＣ消去用パワーＰｅｄｃとは異なる特別のパワーで事前にＤＣ消去（記録特性改善用ＤＣ消去）することで、ＯＰＣで利用する再生信号の変調度ｍやアシンメトリ値βの記録回数依存性をなくすることが出来る。その結果、記録回数によらないで、最適な記録パワーＰｗｏ及び消去パワーＰｅｏを決定することが出来る。この決定した最適記録パワーＰｗｏ及び消去パワーＰｅｏによってデータ領域３１４に記録されたユーザーデータは、そのユーザーデータを再生する際に、再生エラーの少ない良好な再生を実現できる。
【実施例２】
【００８１】
次に、本発明の第２実施例を以下に説明する。
第１実施例は、新品状態のディスクの一層目記録層ＰＣＡ領域３１１でＯＰＣを行なう前に、予めこの一層目記録層ＰＣＡ領域３１１に対して記録特性改善用ＤＣ消去を行う場合の例である。この第１実施例によれば、１回目のＯＰＣから記録回数依存性のない状態で最適記録条件を求めることが出来る。しかしながら、ＯＰＣの前に、従来は行なわれていなかった処理である、記録特性改善用ＤＣ消去を行なう必要があった。
【００８２】
一方、この第２実施例では、新品状態のディスクの一層目記録層ＰＣＡ領域３１１に対して第１実施例のように予め記録特性改善用ＤＣ消去を行なうことはせずに、この一層目記録層ＰＣＡ領域３１１のそれぞれの領域に対して従来どおり１回目のＯＰＣを行なう。
そして、この１回目のＯＰＣを実行できるＰＣＡ領域３１１が無くなって、この同じＰＣＡ領域３１１へ２回目のＯＰＣを行なう為に、１回目のＯＰＣによる試し書きデータを消去する際のＤＣ消去に記録特性改善用ＤＣ消去を行う。なお、３回目以降のＯＰＣを行なうためのＤＣ消去は、記録特性改善用ＤＣ消去ではなく通常のＤＣ消去を行う。従って、２回目のＯＰＣ実行時のＤＣ消去の消去パワーの違いを除けば、従来の方法と光ディスク装置の動作としてはまったく同じである。
【００８３】
なお、上記で１回目、２回目と称しているのは、単純にＯＰＣを繰り返す回数ではなく、ＯＰＣを繰り返し行なってＰＣＡ領域３１１内の多くの領域に試し書きがなされた後に、再度その試し書きされた領域を再使用する、その再使用の回数のことである。
以下、本第２実施例の動作を詳細に説明する。なお、第１実施例と同様の動作部分については説明を省略する。
【００８４】
なお、この動作を実行する主体は、特に記述がない場合は図１に示すシステムコントローラ２１である。
図１２は、片面二層ディスク３０のＰＣＡ領域３１１、３２１とＲＭＡ領域３１２、３１２とからなるＲ情報領域を示した図である。
【００８５】
図１２（Ａ）は、新品状態の片面二層ディスク３０のＰＣＡ領域３１１、３１２に対して、従来と同様にＯＰＣによる試し書きを行い、ＰＣＡ領域３１１、３１２内の多くの領域が記録済みとなった状態を示す。図の斜線部分が記録済みとなった領域を示している。  
【００８６】
これは、背景技術において説明した、一層目記録層ＰＣＡ領域３１１の記録済み領域と、二層目記録層ＰＣＡ領域３１２の記録済み領域が接近し、ＰＣＡ領域３１１の未記録部分がこれ以上使用できない、または近々使用できなくなる状態を示している。
【００８７】
このような状態になった後、さらにＰＣＡ領域３１１でＯＰＣを行なう場合は、ＰＣＡ領域３１１の記録済み領域に対してＤＣ消去を行って記録済み領域を未記録領域に戻す必要がある。
【００８８】
ＤＣ消去を開始する場合、まず、ＲＭＡ領域３１２に記録されている最新のＲＭＤを読み出す。図６（Ａ）に示したように、ＲＭＤのバイト位置ｍ〜ｍ＋５には、記録特性改善用ＤＣ消去済み領域情報が格納されている。新品状態から一度も記録特性改善用ＤＣ消去が行なわれていない片面二層ディスク３０の場合は、ｍ〜ｍ＋５のバイト位置には００ｈが格納されている。
【００８９】
上記の場合、読み出したＲＭＤのバイト位置ｍ〜ｍ＋５には００ｈが格納されていることから、この片面二層ディスク３０は未だ記録特性改善用ＤＣ消去が行われていないと判断する。
【００９０】
記録特性改善用ＤＣ消去が行われていないと判断したら、ＬＰＰ２０４またはコントロールデータゾーン１０７を再生して、参考書き込みパワーＰｗｃ、消去パワーと書き込みパワーの比εｃ、記録特性改善用ＤＣ消去パワー係数μを取得する。そして、これらの情報から前述した算出方法を用いて、記録特性改善用ＤＣ消去の消去パワーを算出し、この消去パワーで一層目記録層ＰＣＡ領域３１１の記録済み領域に対して記録特性改善用ＤＣ消去を開始する。この際、ＤＣ消去は、記録済み領域のうちの内周側から外周方向へと行う。記録済み領域のうち最内周の領域のアドレスは、通常の場合、ＲＭＡ領域３１２のＲＭＤから取得する。但し、ＲＭＤには、実際に試し書きが行なわれている最新の記録済み領域の情報が格納されていない場合もあるので、ＲＭＤから記録済み領域の情報を得た後に、更に、その内周側に記録済み領域があるか否かを確認するようにしても良い。
ここでは、最内周の記録済み領域のアドレスを、図１２（Ａ）に示す、アドレスＢであるとして以後の説明を行なう。
【００９１】
記録特性改善用ＤＣ消去が一層目記録層ＰＣＡ領域３１１の最外周まで終了したところで、ＲＭＤのｍ〜ｍ＋５のバイト位置に記録特性改善用ＤＣ消去済み領域の最内周のアドレス（アドレスＢ）と最外周のアドレス（アドレスＳ）とを格納して、ＲＭＡ領域３１２に記録する。図６（Ｂ）は、このＲＭＤに上記各アドレスを格納するフォーマットの例を示した図である。ｍ〜ｍ＋２にアドレスＢを、ｍ＋３〜ｍ＋５にアドレスＳを格納している。
【００９２】
このように記録特性改善用ＤＣ消去を行った後に、この消去されたＰＣＡ領域３１１で、再度、ＯＰＣのための試し書きを行うことが可能となる。
図１２（Ｂ）は、上記処理後、再度、ＰＣＡ領域３１１、３１２に対して、ＯＰＣによる試し書きを行い、ＰＣＡ領域３１１、３１２内の多くの領域が記録済みとなった状態を示す。図の斜線部分が記録済みとなった領域を示している。同図は、一層目記録層ＰＣＡ領域３１１は、アドレスＣの領域まで記録済みとなっていることを示している。
【００９３】
このような状態になった後、さらにＰＣＡ領域３１１でＯＰＣを行なう場合は、ＰＣＡ領域３１１の記録済み領域に対してＤＣ消去を行って記録済み領域を未記録領域に戻す必要がある。
【００９４】
ＤＣ消去を開始する場合、まず、ＲＭＡ領域３１２に記録されている最新のＲＭＤを読み出して、図６（Ａ）に示すバイト位置ｍ〜ｍ＋５に格納されている、記録特性改善用ＤＣ消去済み領域の最内周のアドレス（アドレスＢ）と最外周のアドレス（アドレスＳ）とを取得する。そして、この取得した記録特性改善用ＤＣ消去済み領域の最外周のアドレス（アドレスＳ）及び最内周のアドレス（アドレスＢ）と、今回新たにＯＰＣの為の試し書きを行なった記録済み領域の最外周のアドレス（アドレスＳ）及び最内周のアドレス（アドレスＣ）とをそれぞれ比較する。この比較の結果、アドレスＳからアドレスＣの、今回の記録済み領域の範囲が、アドレスＳからアドレスＢの、記録特性改善用ＤＣ消去済み領域の範囲内に含まれる場合には、今回ＤＣ消去する必要のあるアドレスＳからアドレスＣの範囲はすでに記録特性改善用ＤＣ消去が行われていると判断できる。従って、今回のＤＣ消去は、通常のＤＣ消去パワーＰｅｄｃで行う。
【００９５】
一方、今回の記録済み領域の範囲が、記録特性改善用ＤＣ消去済み領域の範囲内に含まれない領域がある場合、例えば、図１２（Ｃ）に示すように、アドレスＣの方がアドレスＢよりも内周側にあって、アドレスＣからアドレスＢの範囲の領域が記録特性改善用ＤＣ消去済み領域の範囲内に含まれない場合、そのアドレスＣからアドレスＢの領域については記録特性改善用ＤＣ消去を実行する。
【００９６】
上記した図１２（Ｃ）の場合であると判断した場合には、ＬＰＰ２０４またはコントロールデータゾーン１０７を再生して、参考書き込みパワーＰｗｃ、消去パワーと書き込みパワーの比εｃ、記録特性改善用ＤＣ消去パワー係数μを取得する。そして、これらの情報から前述した算出方法を用いて、記録特性改善用ＤＣ消去の消去パワーを算出し、この消去パワーで一層目記録層ＰＣＡ領域３１１のアドレスＣからアドレスＢの範囲の領域に対して記録特性改善用ＤＣ消去を行う。次に、パワーを通常のＤＣ消去のパワーＰｅｄｃに変更して、アドレスＢから最外周のアドレスＳまでの範囲の領域に対して通常のＤＣ消去を行う。
【００９７】
この第２実施例の場合は、一層目記録層ＰＣＡ領域３１１への１回目のＯＰＣ実行時には、記録特性改善用ＤＣ消去が行なわれていないので、従来の通り、回数依存性がある状態で行われる。従って、アシンメトリ値βの目標値として、記録特性改善用ＤＣ消去によって回数依存性が無くなった状態での目標値（βｔａｒｇｅｔ）の他に、１回目のＯＰＣ実行時に用いる目標値（βｔａｒｇｅｔ1）を片面二層ディスク３０のＬＰＰ２０４やコントロールデータゾーン１０７に予め記録しておく。そして、１回目のＯＰＣ実行時にはβｔａｒｇｅｔ1を用いて最適書き込みパワーＰｗｏを決定し、２回目以降のＯＰＣ実行時にはβｔａｒｇｅｔを用いて最適書き込みパワーＰｗｏを決定する。消去パワーＰｅｏについても同様である。
【００９８】
以上のように、本第２実施例では、記録特性改善用ＤＣ消去を、一層目記録層ＰＣＡ領域３１１に対する２回目のＯＰＣ実行の前に必要な通常のＤＣ消去の替りとして行うようにしたので、第１実施例で必要だった、記録特性改善用ＤＣ消去のための独立の処理が必要無い。
【００９９】
また、第１実施例と同様に、記録特性改善用ＤＣ消去を実行した後の２回目以降のＯＰＣで利用する再生信号の変調度ｍやアシンメトリ値βの記録回数依存性をなくすることが出来る。その結果、記録回数によらないで、最適な記録パワーＰｗｏ及び消去パワーＰｅｏを決定することが可能となる。この決定した最適記録パワーＰｗｏ及び消去パワーＰｅｏによってデータ領域３１４に記録されたユーザーデータは、そのユーザーデータを再生する際に、再生エラーの少ない良好な再生を実現できる。
【０１００】
さらに、記録特性改善用ＤＣ消去のパワーに係るデータをディスク製造時に予め記録しておくことで、新たに市販を開始したディスクであっても、そのデータを再生して利用できることから利便性が増す。
【実施例３】
【０１０１】
次に、本発明の第３実施例を以下に説明する。
第１実施例及び第２実施例では、一層目記録層ＰＣＡ領域３１１について記録特性改善用ＤＣ消去を行う例を説明した。この第３実施例では、さらに、一層目記録層３０１のデータ領域３１４に対しても記録特性改善用ＤＣ消去を行う例を説明する。
光ディスク装置２０は、片面二層ディスク３０が装填された状態で、上位装置１０から一層目記録層データ領域３１４に対する記録特性改善用ＤＣ消去実行の命令を受け取る。この命令は、一層目記録層データ領域３１４内の全域に対しての命令である場合もあるし、内周側の一部の領域に対しての命令である場合もある。
内周側の一部の領域に対してのみ記録特性改善用ＤＣ消去を行う場合がある理由は以下の通りである。
一層目記録層データ領域３１４の内周側には、片面二層ディスク３０のファイルシステム情報等、重要なデータが記録される場合が多い。
一方、一層目記録層データ領域３１４内の全域に対して記録特性改善用ＤＣ消去を行なうには、その処理に要する時間が長くなってしまう。
従って、少なくともその重要なデータが記録されている内周側の領域についてのみ、記録特性改善用ＤＣ消去を行って記録再生特性を改善することで、記録特性改善用ＤＣ消去のために要する時間を短縮しつつ、ファイルシステムが再生不能になってディスク全体の記録データが読み取れなくなる最悪の事態を回避できる。
光ディスク装置２０は、一層目記録層データ領域３１４に対する記録特性改善用ＤＣ消去の命令を受け取ると、まず、ＲＭＡ領域３１２から最新のＲＭＤを読み出す。ＲＭＤのバイト位置ｋ〜ｋ＋５には、一層目記録層データ領域３１４の記録特性改善用ＤＣ消去済み領域情報が格納されている。装填された片面二層ディスク３０が新品状態の場合、ＲＭＤ自体が記録されていないか、記録されているとしてもｋ〜ｋ＋５には００ｈが格納されている。
なお、このＲＭＤのｋ〜ｋ＋５へのデータ格納フォーマットは、図６に示すＰＣＡ領域３１１の記録特性改善用ＤＣ消去済み領域情報が格納されているｍ〜ｍ＋５と同様のフォーマットである。
バイト位置ｋ〜ｋ＋５に００ｈが格納されていると判断した場合、次にＬＰＰ２０４またはコントロールデータゾーン１０７を再生して、参考書き込みパワーＰｗｃ、消去パワーと書き込みパワーの比εｃ、記録特性改善用ＤＣ消去パワー係数μを取得する。そして、これらの情報から前述した算出方法を用いて、記録特性改善用ＤＣ消去の消去パワーを算出し、この消去パワーで、一層目記録層データ領域３１４の最内周から外周方向へ、記録特性改善用ＤＣ消去を実行する。
【０１０２】
この際に、予め決定した所定量の領域について記録特性改善用ＤＣ消去を行う毎に、ＲＭＤのバイト位置ｋ〜ｋ＋５の内容を更新して、ＲＭＡ領域３１５に記録する。バイト位置ｋ〜ｋ＋２には、一層目記録層データ領域３１４に対して記録特性改善用ＤＣ消去を開始した位置のアドレスを格納し、ｋ＋３〜ｋ＋５には、その所定量の領域毎の位置のアドレスを格納する。このような処理を行う理由は、一層目記録層データ領域３１４に対する記録特性改善用ＤＣ消去は時間がかかるので、この処理の途中で何らかの理由で光ディスク装置２０の電源が落ちてしまったような場合に、その直前までに実行したＤＣ消去済み領域の情報を少なくとも保存するためである。
上位装置１０によって命令された一層目記録層データ領域３１４の所定領域まで記録特性改善用ＤＣ消去が完了したら、記録特性改善用ＤＣ消去を開始した一層目記録層データ領域３１４の領域のアドレスをＲＭＤのバイト位置Ｋ〜Ｋ＋２に、終了した領域のアドレスをバイト位置Ｋ＋３〜Ｋ＋５に格納して、このＲＭＤをＲＭＡ領域３１４に記録する。最後に上位装置１０に対して、命令された一層目記録層データ領域３１４の所定領域の記録特性改善用ＤＣ消去が終了した旨を通知する。
【０１０３】
以上のような処理によって、ＲＭＡ領域３１４にＲＭＤを記録されたディスクが、光ディスク装置２０から一旦取り出された後、再度光ディスク装置２０に装填され、上位装置１０から一層目記録層データ領域３１４に対して、一層目記録層データ領域３１４に対する記録特性改善用ＤＣ消去の命令を受け取った場合、光ディスク装置２０は、まずＲＭＡ領域３１４から最新のＲＭＤを読み出して、このＲＭＤのバイト位置ｋ〜ｋ＋５に格納されている、一層目記録層データ領域３１４の記録特性改善用ＤＣ消去済み領域情報を取得する。この記録特性改善用ＤＣ消去済み領域情報には、上記の処理による、記録特性改善用ＤＣ消去済み領域の先頭アドレスと終了アドレスが格納されている。その各アドレスと、今回上位装置１０から命令された記録特性改善用ＤＣ消去を行う領域の先頭アドレスと終了アドレスとを比較する。この比較の結果、今回命令された先頭アドレスと終了アドレス間の領域が、ＲＭＤから取得した先頭アドレスと終了アドレス間の領域内に含まれると判断した場合には、その旨を上位装置に通知する。
【０１０４】
一方、今回命令された先頭アドレスと終了アドレス間の領域の一部または全部がＲＭＤから取得した先頭アドレスと終了アドレス間の領域内に含まれていないと判断した場合には、このＲＭＤから取得した先頭アドレスと終了アドレス間の領域内に含まれていない領域に対して記録特性改善用ＤＣ消去を実行する。
【０１０５】
なお、一層目記録層ＰＣＡ領域３１１については、実施例１または実施例２の方法で、記録特性改善用ＤＣ消去を実行する。
その後、一層目記録層ＰＣＡ領域３１１でＯＰＣを実行し、最適書込パワーＰｗｏ、最適消去パワーＰｅｏを決定して、一層目記録層データ領域３１４に対してユーザーデータの記録を行う。
【０１０６】
尚、ユーザーデータを記録したデータ領域３１４をＤＣ消去する場合には、通常のＤＣ消去パワーＰｅｄｃを用いる。
この第３実施例で示したデータ領域３１４に対する記録特性改善用ＤＣ消去を行わない場合には、図１９（Ａ）（Ｂ）に示したように、１回目の記録再生と２回目の記録再生とで最適記録パワーＰｗｏ、最適消去パワーＰｅｏが異なる。さらに、図示はしていないが３回目以降の記録もまた異なった最適記録パワーＰｗｏ、最適消去パワーＰｅｏとなる。
一方、この第３実施例で示したデータ記録領域３１４に対する記録特性改善用ＤＣ消去を行った場合は、上記したような記録回数依存性が無くなるので、記録回数によらず、常に同一の最適記録パワーＰｗｏ、最適消去パワーＰｅｏでデータ領域３１４に記録できる。
【０１０７】
以上のように、本第３実施例によれば、一層目記録層ＰＣＡ領域３１１だけでなく、データ領域３１４についても記録特性改善用ＤＣ消去を行うことで、データ領域３１４へユーザーデータを記録する際の記録特性の記録回数依存性をなくすことが出来るため、記録回数によらずに良好な記録ができる。その結果、記録されたユーザーデータを再生する場合は、再生エラーの少ない良好な再生を実現できる。
［第１〜第３実施例の共通事項］
なお、以上説明した第１〜第３実施例では、記録特性改善用ＤＣ消去パワー係数μをディスクに予め記録しておき、その値と通常のＤＣ消去パワーＰｅｄｃとを乗ずることで、記録特性改善用ＤＣ消去で用いる光ビームのパワーを決定するものとしたが、これに限定されるものではない。記録特性改善用ＤＣ消去で用いる光ビームのパワー自体を予めディスクに記録しておくようにしても良い。
【０１０８】
また、第１〜第３実施例では、記録特性改善用ＤＣ消去を１回のみ行うものとしたが、２〜３回程度行っても良い。この回数範囲内であれば、書き換え可能回数はほとんど減少しない。
【０１０９】
また、第１〜第３実施例では、予めディスクに記録されている、参考書込パワーＰｗｃ、消去パワーと書込みパワーの比の参考値εｃによって、通常のＤＣ消去パワーＰｅｄｃを決定したが、これに限定されるものではない。市販されているディスクについて、ディスク種別毎の測定結果に基づいて求めた書込パワーＰｗｃ、消去パワーと書込みパワーの比εｃ、あるいはＤＣ消去パワーＰｅｄｃを、直接光ディスク装置２０内の不揮発メモリーに予め記憶しておき、その値を使用するようにしても良い。また、その場合、ディスク種別毎の上記した各種データの記憶後に、新たに市販されたディスク種別であって、不揮発メモリー内に該当するデータが無い場合には、ディスクのＬＰＰ２０４、またはリードイン領域１０３内のコントロールデータゾーン１０７に予め情報として記録されている値を使用するようにしても良い。
【０１１０】
また、第１〜第３実施例では、予めディスクに記録されている、記録特性改善用ＤＣ消去パワー係数μを用いて記録特性改善用ＤＣ消去用の光ビームの照射パワーを求めたが、これに限定されるものではない。市販されているディスクについて、ディスク種別毎の測定結果に基づいて求めた記録特性改善用ＤＣ消去パワー係数μ、あるいは記録特性改善用ＤＣ消去パワーを、直接光ディスク装置２０内の不揮発メモリーに予め記憶しておき、その値を使用するようにしても良い。また、その場合、ディスク種別毎の上記した各種データの記憶後に、新たに市販されたディスク種別であって、不揮発メモリー内に該当するデータが無い場合には、ディスクのＬＰＰ２０４、またはリードイン領域１０３内のコントロールデータゾーン１０７に予め情報として記録されている値を使用するようにしても良い。
【０１１１】
また、第１〜第３実施例では、記録特性改善ＤＣ消去を実行した領域の開始アドレスと終了アドレスをＲＭＤに格納するものとしたが、一層目記録層ＰＣＡ領域３１１のうちの決められた範囲について、記録特性改善ＤＣ消去を実行したか否かの情報をＲＭＤに格納するようにしても良い。ここで、決められた範囲とは、一層目記録層ＰＣＡ領域３１１全域であっても良いし、外周側の一部の領域であっても良い。ディスクが一旦取り出されて、再度光ディスク装置２０に装填された場合には、光ディスク装置２０は、最新のＲＭＤを読み取って、記録特性改善ＤＣ消去を実行したか否かの情報を取得する。その結果、実行済みとなっていれば新たな記録特性改善ＤＣ消去は実行しない。未実行となっていれば、記録特性改善ＤＣ消去を実行する。
【０１１２】
また、第１〜第３実施例では、一組の、参考書込パワー値Ｐｗｃ、消去パワーと書込みパワーの比の参考値εc によって、記録特性改善ＤＣ消去パワーを算出する例について述べた。ところで、DVD Specifications for Re-recordable Disc (DVD-RW）part1 (Ver.1.X),Optional Specifications 6x-SPEED DVD-RW Revision 3.0 September 2004，DVD Forum にあるように、一枚のディスクには、複数の線速度における参考書込パワー値Pwc、消去パワーと書込みパワーの比の参考値εcが格納されている。これは、例えば、特開２０００−１５５９４５に記載されているように、記録時の線速度に応じて、最適な書込記録パワー、消去パワーが異なるからである。従って、記録特性改善ＤＣ消去においても、線速度に応じて複数の組の、参考書込パワー値Ｐｗｃ、消去パワーと書込みパワーの比の参考値εcによって、複数の記録特性改善ＤＣ消去パワーを算出するようにしても良い。記録特性改善用ＤＣ消去パワー係数μについては、線速度によらない一つの値としてディスクに記録しても良いし、または、複数の線速度に対応して複数の記録特性改善用ＤＣ消去パワー係数μをそれぞれディスクに記録するようにしても良い。
【０１１３】
ところで、ＤＶＤ−ＲＷディスクの場合には、データ領域３１４に新たなユーザーデータを記録するために、データ領域３１４に記録されていたユーザーデータとともにＲＭＡ領域３１２に記録されていた情報も消去されてしまう場合がある。このような場合でも、記録特性改善用ＤＣ消去済み領域情報の各データについては、一旦光ディスク装置２０内のデータメモリ２５にそのデータを記憶しておき、情報消去後にその記憶しておいたデータを新たにＲＭＡ領域３１２へ記録すれば良い。
【０１１４】
なお、本発明は以上の実施の形態及び実施例に限定されるものではなく、例えば、本発明が適用される記録媒体は、３層以上の記録層が積層された書き換え型光ディスクにも適用することができる。
【０１１５】
また、本発明は以上の実施の形態及び各実施例の光ディスク装置の各構成をコンピュータにより実行させるコンピュータプログラムも含むものである。この場合、コンピュータプログラムは、記録媒体からコンピュータに取り込まれたものでも、通信ネットワークを介して配信されてコンピュータにダウンロードされるものでも良い。
【図面の簡単な説明】
【０１１６】
【図１】本発明の一実施例を示す構成図である、
【図２】ＤＶＤ−ＲＷへの記録／消去時のレーザーパワーの変化を示した図である。
【図３】本発明の一実施例における記録状態検出回路の構成図である。
【図４】直流分がカットされたＨＦ信号の様子を示した図である。
【図５】片面二層ＤＶＤ−ＲＷへの書き込みパワーと変調度の関係を示すグラフである      。
【図６】ＲＭＤのデータ構造の一部を示す図である。
【図７】本発明の一実施例の動作を示すフローチャートである。
【図８】ＬＰＰまたはコントロールデータゾーンに記録する記録特性改善用ＤＣ消去パ      ワー係数の内容を示した図である。
【図９】本発明の一実施例における試し書きの様子を示した図である。
【図１０】記録特性改善用ＤＣ消去を行なった場合の片面２層ＤＶＤ−ＲＷへの記録回      数とβの関係を示すグラフである。
【図１１】本発明の一実施例の動作を示すフローチャートである
【図１２】本発明の一実施例の動作説明図である。
【図１３】従来方法での、片面２層ＤＶＤ−ＲＷへの記録回数とβの関係を示すグラフ      である。
【図１４】単層ＤＶＤ−Ｒ／ＲＷの構造図である。
【図１５】ＤＶＤ−Ｒ／ＲＷの記録層の構造図である。
【図１６】片面二層ＤＶＤ−Ｒ／ＲＷの構造図である。
【図１７】片面二層ＤＶＤ−Ｒ／ＲＷのＰＣＡ領域の構造図である。
【図１８】片面二層ＤＶＤ−ＲＷへの記録回数とエラーレートの関係を示すグラフであ      る。
【図１９】片面二層ＤＶＤ−ＲＷへの書き込みパワーとエラーレート、及び消去パワー      とエラーレートの関係を示すグラフである
【図２０】片面二層ＤＶＤ−ＲＷのＯＰＣ時のＤＣ消去パワーとβの関係を示すグラフである。
【符号の説明】
【０１１７】
１０  上位装置
２０  光ディスク装置
２１  システムコントローラ
２２  記録再生回路
２３  光ピックアップ
２４  プログラムメモリ
２５  データメモリ
２６  内部バス
２７  インターフェース（ＩＦ）
２８  記録状態検出回路
３０  片面二層ＤＶＤ−ＲＷディスク
【図１】
0004560798.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
0004560798.tif 000017
【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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