(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
放電空間にカソード電極と該カソード電極に対向する接地電極とを備え、前記放電空間に原料ガスを導入し、高周波電力によって前記原料ガスをプラズマ化して堆積膜として、シリコン系非晶質膜又はシリコン系微結晶膜を形成する堆積膜形成方法において、
前記カソード電極の裏面に前記カソード電極と前記接地電極に対して直流電位的に絶縁された導電体プレートを１枚乃至複数枚設けると共に、
前記カソード電極と前記導電体プレートをシールド壁によって包囲し、前記カソード電極と前記導電体プレート裏面側の前記シールド壁の底面とからなる結合容量に対し、前記カソード電極と前記接地電極とからなる電極間結合容量が１／３以上となるように前記放電空間を構成し、
前記高周波電力の周波数を３０ＭＨｚ〜１５０ＭＨｚとする一方、該高周波電力を５０Ｈｚから１００ＫＨｚの変調周波数でパルス変調し、
該パルス変調の変調周波数の周期に対する高周波投入時間の割合（Ｄｕｔｙ）を、１５％から６０％の範囲として、前記カソード電極に供給し、
前記原料ガスをプラズマ化して堆積膜として、シリコン系非晶質膜又はシリコン系微結晶膜を形成することを特徴とする堆積膜形成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高周波放電を利用した堆積膜形成方法であって、例えば太陽電池や、光起電力素子及びディスプレイ等のシリコン系の非晶質、及び微結晶半導体の製造に用いられるプラズマＣＶＤ装置や、プラズマエッチング装置等の堆積膜形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、プラズマを用いた機能性薄膜を形成する堆積膜形成方法において、一般的に１３．５６ＭＨｚからＶＨＦ帯さらにマイクロ波帯に至、高周波プラズマが用いられ、非結晶薄膜、結晶系薄膜を用いた半導体素子や光起電力素子等が実現されている。
例えば、高周波プラズマを用いたプラズマＣＶＤ法によって、太陽電池等シリコン系半導体素子の非結晶薄膜、結晶系薄膜の成膜が行われている。
【０００３】
良質の非結晶薄膜、結晶系薄膜を実現する為には、良質の薄膜を得るに必要なラジカルのみを生成し表面反応を起こさせることが重要である。そのため、高周波電力の供給量を低く抑えて、良好な薄膜形成に不要なラジカル生成を抑制する方法がとられている。
しかし、この様な方法では、生産性が上がらず、工業化へ応用するには適さない。そこで、堆積速度を上げることが試みられているが、堆積速度を上げる為には、原料ガスの分解を大量に行なうことが必要で、高周波電力の供給量を上げること、及び高周波電力の周波数を高めてプラズマ密度を上げることが有効である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、高周波電力を上げることは、良質の薄膜を形成するに必要なラジカルのみならず、膜質を悪化させるラジカルやイオンをも生成する事になる。さらに、ＳｉＨ2等の活性なラジカルは、クラスター状に成長しやすく、ＳｉＨ2等の活性なラジカルが多数存在するプラズマでは、半導体薄膜中これらのＳｉＨ2や、クラスターが含まれることになり、欠陥の多い膜となり良好な半導体薄膜が得られない。
例えば、本発明者らは、５００×８５０ｍｍの平行平板型カソードからなるプラズマＣＶＤ装置を用い、１３．５６ＭＨｚの高周波電力を供給し５００×８５０ｍｍの基板に膜の堆積速度を１５Å／ｓｅｃで非結晶シリコンの成膜を行ったところ、その薄膜中に含まれるＳｉＨ2の量は１０％にも及び最良の薄膜を得られなかった。そればかりか、材料ガスの流れ方向の最後尾の放電空間内には、副生成物である粉体が発生してしまうという問題も生じた。
【０００５】
これまでの報告によれば、高周波電力をパルス状に印加して活性ラジカルのクラスタヘの成長を抑制し粉体の発生を抑える方法等が試みられている。
例えば、特開平５−２２６６８１号公報や、特開平５−５１７５３号公報、特開平８−２０８７４号公報などには、高周波電力に振幅変調をかけ成膜ダストの削減方法や、フレークの低減方法が記されている。しかし形成された膜質の特性データは、殆ど記されていない。また、その堆積速度も明記されていない。
【０００６】
本発明者らは、従来の形態の平行平板型電極に、低周波のパルス変調をかけた高周波電力を印加し検証を行なった。ところが、パルス変調周波数とＤｕｔｙを変化させても成膜した半導体薄膜に含まれるＳｉＨ2の量は、あまり減少しないばかりか、光暗導電率等の膜特性としても良好な膜とはならなかった。さらに、膜の堆積速度も３Å／ｓｅｃ程度で低レートであった。これは、変調パルスの立上り時にかかる放電開始電圧が高くなり、ガスが多種のラジカル及びイオンに分解され、良質の薄膜を形成する為に必要なラジカルのみを選択的に大量に生成出来ないからである。
【０００７】
このように、従来方法では、ガスの重合化や、イオン衝撃により堆積膜における欠陥密度が高くなり、良好な膜質を得ることが難しく、生産性を考えると３Å／ｓｅｃ程度若しくはそれ以下の成膜速度が、一般的であるとされている。
しかしながら、シリコン系の非結晶薄膜、結晶系薄膜等の半導体を用いたディスプレイや太陽電池と言った大面積製品の生産性を改善するためには、これまで以上の良好なシリコン系の非結晶薄膜、結晶系薄膜等の半導体を大面積で高速に成膜する事が必要である。
【０００８】
そこで、本発明は、上記課題を解決し、欠陥、あるいは光劣化等の生じない高品質の堆積膜を、大面積で高速に成膜することができ、プラズマＣＶＤ法やスパッタリング法などを用いた堆積膜形成においても、同様に高品質の堆積膜を大面積で高速に成膜することができる堆積膜形成方法を提供することを目的とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記課題を達成するために、つぎの（１）のように構成した堆積膜形成方法及び装置を提供するものである。
（１）放電空間にカソード電極と該カソード電極に対向する接地電極とを備え、前記放電空間に原料ガスを導入し、高周波電力によって前記原料ガスをプラズマ化して堆積膜として、シリコン系非晶質膜又はシリコン系微結晶膜を形成する堆積膜形成方法において、
前記カソード電極の裏面に前記カソード電極と前記接地電極に対して直流電位的に絶縁された導電体プレートを１枚乃至複数枚設けると共に、
前記カソード電極と前記導電体プレートをシールド壁によって包囲し、前記カソード電極と前記導電体プレート裏面側の前記シールド壁の底面とからなる結合容量に対し、前記カソード電極と前記接地電極とからなる電極間結合容量が１／３以上となるように前記放電空間を構成し、
前記高周波電力の周波数を３０ＭＨｚ〜１５０ＭＨｚとする一方、該高周波電力を５０Ｈｚから１００ＫＨｚの変調周波数でパルス変調し、
該パルス変調の変調周波数の周期に対する高周波投入時間の割合（Ｄｕｔｙ）を、１５％から６０％の範囲として、前記カソード電極に供給し、
前記原料ガスをプラズマ化して堆積膜として、シリコン系非晶質膜又はシリコン系微結晶膜を形成することを特徴とする堆積膜形成方法。
【００１０】
【発明の実施の形態】
本発明の発明の実施の形態においては、上記構成を適用し、カソード電極とシールド壁底面の結合容量に対し、電極間結合容量の割合を従来型の装置より大きくし、また上記したように導電体プレートを構成することにより、放電空間への電力放射を高めて堆積膜の堆積速度をより速くすることが可能となる。
また、電極間結合容量が大きいため、変調パルスの立上り時の放電開始電圧を低下させるように制御することが可能となり、高い成膜速度を維持しつつ、変調パルス周期毎の放電開始時に発生する活性なラジカルの薄膜への混入や、イオンによる薄膜へのダメージを抑制することが可能となる。さらに、成膜における副生成物である粉体の発生を抑制することができる。
また、この堆積膜形成方法を用いることにより、大面積反応空間で成膜速度を１０Å／ｓｅｃ以上の高速成膜を維持しつつ、これまで以上のダングリングボンドのない良好な非晶質、及び微結晶リシリコン膜を形成することが可能になる。そして光劣化の少ない半導体薄膜が形成できる。
さらには、スパッタ装置及びエッチング装置への展開も可能であり、大面積の高速堆積膜形成装置を実現することも可能になる。
【００１１】
以上は、本発明者らが、上記課題を解決するべく、さまざまな条件で鋭意検討した結果、つぎのような知見を得たことに基づくものである。
すなわち、容量結合型平行平板電極構造のうち、カソード電極の裏面にカソード電極及び接地電極とは直流電位的に絶縁された導電体プレートを配置し、その導電体プレート裏面のシールド壁底面とカソード電極との結合容量を約３６０ｐＦとし、電極間結合容量を１２０ｐＦより大きくし、適切なパルス変調周波数とＤｕｔｙを選択してＶＨＦ帯の高周波電力に変調をかけて放電空間に供給すると、高速成膜を維持しつつ、かつ、薄膜中に含まれるＳｉＨ2の量が飛躍的に減少することを発見した。さらに、副生成物であるポリシランと呼ばれる粉体の発生も、大幅に抑制する効果があることも判明した。
これにより、高周波電力の供給効率を改善し高速成膜を維持しつつ、かつパルス立上り時毎の放電開始電圧を低下させ、高い放電開始電圧で発生していた活性なラジカルの発生を抑制し、クラスタの発生を抑え、また、放電開始電圧による薄膜へのイオンダメージを抑えることが可能となることが明らかとなった。
【００１２】
本発明の実施の形態においては、上記構成を適用し、前記カソード電極と前記接地電極との間の放電空間に高周波電力を変調周波数５０Ｈｚから１００ＫＨｚの範囲でパルス変調を行ない供給することで、ＳｉＨ2等の活性ラジカルの膜中混入を２％以下にし、さらに、副生成物である粉体の発生を抑制することが、より効果的に可能となる。
また、本発明の実施の形態においては、上記構成を適用し、前記カソード電極と前記接地電極との間の放電空間に高周波電力をＤｕｔｙ１５％から６０％の範囲でパルス変調を行ない供給することで、ＳｉＨ2等の活性ラジカルの膜中混入を２％以下にし、さらに、副生成物である粉体の発生を抑制することが、より効果的に可能となる。
また、本発明の実施の形態においては、高周波プラズマをパルス変調して用いる堆積膜形成方法に有効であるが、特に３０ＭＨｚから１５０ＭＨｚにおいてその効果は、より絶大となる。
【００１３】
つぎに、図を用いて、本発明の実施の形態について、さらに詳細に説明する。図１および図２は、本発明の実施の形態における堆積膜形成方法に用いる堆積膜処理装置の一例を示す概念図である。
図１及び図２において、１は真空容器であり、これによりラズマＣＶＤ室を形成する。２はガス供給手段で、材料ガスをプラズマＣＶＤ室の一方から供給し、プラズマＣＶＤ室の反応空間１２で高周波グロー放電による堆積膜形成処理を行う。３はプラズマＣＶＤ室加熱ヒーター、４は基板加熱ヒーターであり、５はガスの流れ方向を示す。また、６は高周波電源である。
【００１４】
７はカソード電極に対向する接地電極（基板ホルダー）、８はカソード電極である。また、９は絶縁体（石英）であり、１０はカソード電極８の裏面にこのカソード電極８と接地電極７に対して絶縁体９により直流電位的に絶縁された導電体プレートである。この導電体プレートは、図１では３枚設けられており、図２では１枚設けられている。
【００１５】
１１はシールド壁面（シールドケース）、１２は反応空間（放電空間）、１３は排気手段、１４は電極間隔、１５はパルス変調回路、１６はシールド壁底面である。
ここで、カソード電極８及び導電体プレート１０を、シールド壁１１によってほぼ包囲し、さらにカソード電極８と導電体プレート１０裏面のシールド壁底面とからなる結合容量に対し、カソード電極８と接地電極７とからなる電極間結合容量が、ほぼ１／３以上になる様に放電空間を構成する。
【００１６】
そして、カソード電極８に供給する高周波電力は、パルス変調をかけて供給し、その周波数、反応空間圧力、電極間結合容量、材料ガスを適切に調整することにより、大面積の高速成膜を実現しつつ、高品質の堆積膜を形成することが可能となる。
これにより、堆積膜を形成する際に生じる副生成物であるポリシラン粉の発生も抑制され、極めて、生産性の高い堆積膜形成方法を提供することができる。
【００１７】
【実施例】
以下、本発明の実施例について説明するが、本発明はこれらによって何ら限定されるものではない。
［実施例１］
実施例１では、図１に示した構成のプラズマＣＶＤ法による堆積膜の形成装置を用いて、非結晶シリコン膜中に含まれるＳｉＨ2の量の変化について実験を行なった。
反応空間を、５１０ｍｍ×５１０ｍｍ、カソード電極サイズは５０４ｍｍ×５０４ｍｍ、カソード電極とシールド壁底面の結合容量（２１０ｐＦ）に対する電極間結合容量（４０ｐＦ）の割合（以下、電極結合容量比とする。）をほぼ１／５とした。
【００１８】
成膜処理は、次の手順で進めた。まず、真空容器１を排気手段により１Ｐａ以下に真空排気した。引き続きアルゴンガスを１００ｓｃｃｍ導入し反応室の内圧を１３Ｐａに維持した。
次に、基板ヒータに電力を供給し、この状態で２時間放置しプラズマＣＶＤ室の基板温度が安定した後、アルゴンガスを止め、ガス供給手段２よりＳｉＨ4の原料ガス５００ｓｃｃｍと希釈水素ガス１０００ｓｃｃｍを流した。
次に、プラズマ反応空間の圧力を１３３Ｐａに制御し、ＶＨＦ３０ＭＨｚ、８００Ｗの高周波電力を変調周波数１０ＫＨｚ、Ｄｕｔｙ５０％で変調をかけてカソード電極に印加し８分間成膜した。ＶＨＦ帯の高周波電力を投入して、非結晶シリコン膜をシリコンウエハー基板上に堆積させた。
【００１９】
次に、高周波電力の供給を停止し、次に原料及び希釈ガス、ヒータ電力の供給を停止した。次に真空容器内、排気手段をパージし装置をＮ2ガスで大気圧にした。
その後、シリコンウエハー基板に堆積した非結晶シリコン膜中に含まれる水素原子量をＦＴ−ＩＲ（パーキンエルマー社製１７２０Ｘ）を用い透過法による赤外吸収スペクトルの２００７ｃｍ-1（ＳｉＨ）と２０８５ｃｍ-1（ＳｉＨ2）の吸収量で測定評価した。
すると、非結晶シリコン膜中に含まれるＳｉＨ2の量は２７％にも達した。さらに放電空間にポリシランが付着し良好な薄膜は得られなかった。
【００２０】
次に、電極間隔を変え、電極結合容量比を１／３として、上記手順で、成膜を行なった。
電極結合容量比を１／３では、ポリシランの発生は無く放電も安定した。
その後、上記方法でサンプル基板の薄膜中に含まれるＳｉＨ2の量を測定したところ、１．９％の良好な結果を得た。
さらに、電極間隔を狭めて電極結合容量比を１／１とし、上記条件で成膜を行ないサンプル基板の薄膜中に含まれる、ＳｉＨ2の量を測定したところ、０．２％の良好な結果を得た。
【００２１】
［実施例２］
実施例２では、反応空間を、８６０ｍｍ×５１０ｍｍ、カソード電極サイズは８５４ｍｍ×５０４ｍｍ、電極結合容量比を１／１とした。
成膜処理は、次の手順で進めた。まず、真空容器１を排気手段により１Ｐａ以下に真空排気した。引き続きアルゴンガスを１００ｓｃｃｍ導入し反応室の内圧を１３Ｐａに維持した。
次に、基板ヒータに電力を供給し、この状態で２時間放置しプラズマＣＶＤ室の基板温度が安定した後、アルゴンガスを止め、ガス供給手段２よりＳｉＨ4の原料ガス５００ｓｃｃｍと希釈水素ガス１０００ｓｃｃｍを流した。
【００２２】
次に、プラズマ反応空間の圧力を１３３Ｐａに制御し、ＶＨＦ６０ＭＨｚ  ８００Ｗの高周波電力を変調周波数５０Ｈｚ、Ｄｕｔｙ５０％でパルス変調をかけカソード電極に印加し８分間成膜した。高周波電力を投入して、非結晶シリコン膜をガラス基板上とシリコンウエハ上に堆積させた。
その後、高周波電力の供給を停止し、次に原料及び希釈ガス、ヒータ電力の供給を停止した。次に真空容器内、排気手段をパージし装置をＮ2ガスで大気圧にした。
【００２３】
引き続き、成膜処理を上記手順で繰り返し行い、変調周波数を２００ＫＨｚまで変化させて非結晶シリコン膜サンプルを作製した。
その後、シリコンウエハー基板に堆積した非結晶シリコン膜中に含まれる水素原子量を実施例１記載の測定方法を用いて測定評価した。
さらに、ガラス基板上に堆積した非結晶シリコン膜にギャップ２５０μｍ、全長５ｃｍの櫛形電極を蒸着し、照射光６３３ｎｍ、４Ｅ１５ｐｈｏｔｏｎｓ／ｃｍ2．ｓｅｃのレーザーと電源及び微小電流計（ＨＰ社製４１４０Ｂ）を用いて自作した光感度測定器により、光導電率σｐ（Ｓ／ｃｍ）と暗導電率σｄ（Ｓ／ｃｍ）を測定し、光暗導電率比σｐ／σｄを算出した。
【００２４】
その結果、変調周波数５０Ｈｚから１０ＫＨｚまでは、非結晶シリコン膜中に含まれるＳｉＨ2の量が、１ａｔｏｍｉｃ％以下と良好な結果となり、かつ光暗導電率比σｐ／σｄも５桁以上の良好な結果となった。さらに、１００ＫＨｚでは１．８ａｔｏｍｉｃ％と良好な結果を得た。
【００２５】
［実施例３］
実施例３では、図１に示した構成のプラズマＣＶＤ法による堆積膜の形成装置を用いて、実施例２の手順で変調周波数１０ＫＨｚ、Ｄｕｔｙを１０％から８０％まで変化させて非結晶シリコン膜中に含まれるＳｉＨ2の量について確認した。
プラズマ反応空間は、８６０ｍｍ×５１０ｍｍ、カソード電極サイズは、８５４ｍｍ×５０４ｍｍ、電極結合容量比を１／１とした。プラズマ反応空間には、希釈水素ガス１０００ｓｃｃｍ，ＳｉＨ4ガス５００ｓｃｃｍをフローした。そして、反応空間圧力を１３３Ｐａに維持した。ここでＶＨＦ６０ＭＨｚの高周波電力に上記条件でパルス変調をかけカソード電極に印加し１０分間成膜してシリコンウエハー基板とガラス基板上に非結晶シリコン膜を堆積させた。
【００２６】
その後、堆積した非結晶シリコン膜について実施例１及び２記載の測定方法で赤外吸収スペクトルと光暗導電率を測定評価した。
その結果、Ｄｕｔｙ１５％から６０％までは、薄膜中のＳｉＨ2含有量が１ａｔｏｍｉｃ％以下で光暗導電率比σｐ／σｄも５桁以上の良好な結果を得た。ただし、Ｄｕｔｙ１０％では、放電が不安定となった。
【００２７】
［実施例４］
実施例４では、反応空間を、５１０ｍｍ×５１０ｍｍ、カソード電極サイズは５０４ｍｍ×５０４ｍｍ、電極結合容量比を２／１とした。
成膜処理は、実施例２の手順で進めた。成膜は、ＳｉＨ4の原料ガス５００ｓｃｃｍと希釈水素ガス１０００ｓｃｃｍを流した。
次に、プラズマ反応空間の圧力を１３３Ｐａに制御し、ＶＨＦ１５０ＭＨｚ、８００Ｗの高周波電力に変調周波数１０ＫＨｚ，Ｄｕｔｙ５０％のパルス変調をかけてカソード電極に印加し１０分間成膜した。ＶＨＦ帯の高周波電力を投入して、非結晶シリコン膜をガラス基板上とシリコンウエハー基板上に堆積させた。
【００２８】
その後、ＶＨＦ帯の高周波電力の供給を停止し、次に原料及び希釈ガス、ヒータ電力の供給を停止した。次に真空容器内、排気手段をパージし装置をＮ2ガスで大気圧にした。
その後、ガラス基板とシリコンウエハー基板上の非結晶シリコン膜について実施例１及び２記載の測定方法で赤外吸収スペクトルと光暗導電率を測定評価した。
その結果、非結晶シリコン膜中のＳｉＨ2含有量は、０．２ａｔｏｍｉｃ％と良好な非結晶シリコン膜が得られた。
【００２９】
（比較例）
比較例では、反応空間を、８６０ｍｍ×５１０ｍｍ、カソード電極サイズを８５４ｍｍ×５０４ｍｍ、電極結合容量比を１／１として、ＳｉＨ4流量５００ｓｃｃｍ、Ｈ2流量１０００ｓｃｃｍ、成膜圧力を１３３Ｐａ、高周波電力を６０ＭＨｚ、４００Ｗに変更して、パルス変調をかけずに放電空間に高周波電力を供給した。実施例２と同様の手順で成膜処理を行なった。
その後、実施例１の測定方法を用いて赤外吸収スペクトルを測定した。
その結果、薄膜中に含まれるＳｉＨ2の量は、２．２ａｔｏｍｉｃ％とパルス変調をかけた時より膜質は劣っていた。
【００３０】
［実施例５］
実施例５では、図１に示した構成のプラズマＣＶＤ法による堆積膜の形成装置を用いて、変調周波数１０ＫＨｚ、Ｄｕｔｙを５０％に設定し微結晶シリコン膜をガラス基板上に堆積した。
プラズマ反応空間は、５１０ｍｍ×５１０ｍｍ、カソード電極サイズは、５０４ｍｍ×５０４ｍｍ、電極結合容量比を１／２とした。プラズマ反応空間には、希釈水素ガス２０００ｓｃｃｍ，ＳｉＨ4ガス５０ｓｃｃｍをフローし、ガラス基板の温度を３００℃に加熱維持した。そして、反応空間圧力を２６６Ｐａに維持した。
【００３１】
ここでＶＨＦ６０ＭＨｚ、１２００Ｗの高周波電力に上記条件でパルス変調をかけカソード電極に印加し６０分間成膜してガラス基板上に微結晶シリコン膜を堆積させた。その後、堆積した微結晶シリコン膜についてラマン分光器（日本分光製  ＮＲＳ２００Ｃ）を用いて測定したところ、５２０ｃｍ-1付近から鋭い信号の立上りを観測し、結晶性を確認した。
電極結合容量比を従来の１／５から１／２と、これまでより大きく設定し、高周波電力にパルス変調をかけて供給したことで、従来より結晶性が高まったことが確認された。
【００３２】
【発明の効果】
以上に説明したように、本発明によれば、特に、シリコン系の非結晶薄膜、微結晶薄膜等の半導体を用いた製品の生産性を改善することができ、これまで以上の良好なシリコン系の非結晶薄膜、微結晶薄膜等の半導体を大面積でかつ高速に成膜することが可能となる。また、被処理体に欠陥が発生することなく、光劣化のないこれまで以上の機能膜及び高品質の薄膜を形成することが可能となる。
さらに、プラズマＣＶＤ法やスパッタリング法などを用いた堆積膜形成においても、大面積プラズマを実現し欠陥のない、これまでの技術範囲で実現できなかった堆積膜処理が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の実施の形態における堆積膜処理方法に用いる堆積膜処理装置の一例を示す概念図である。
【図２】  本発明の実施の形態における堆積膜処理方法に用いる堆積膜処理装置の他の一例を示す概念図である。
【図３】  実施例２のパルス変調周波数が１０ＫＨｚにおける成膜速度分布のグラフである。
【図４】  実施例２のパルス変調周波数が１０ＫＨｚにおける光感度分布のグラフである。
【図５】  実施例２における薄膜中のＳｉＨ2含有量のパルス変調周波数特性のグラフである。
【図６】  実施例３における薄膜中のＳｉＨ2含有量のパルス変調Ｄｕｔｙ特性のグラフである。
【符号の説明】
１：真空容器
２：ガス供給手段
３：プラズマＣＶＤ室加熱ヒーター
４：基板加熱ヒーター
５：ガスの流れ方向
６：高周波電源
７：接地電極（基板ホルダー）
８：カソード電極
９：絶縁体（石英）
１０：導電体プレート
１１：シールド壁面（シールドケース）
１２：反応空間
１３：排気手段
１４：電極間隔
１５：パルス変調回路
１６：シールド壁底面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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