(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板を構成する厚膜ベース層と厚膜埋込導体とに接続するように、密着性改善層と導体金属層とを設けるとともに、前記密着性改善層と前記導体金属層との間に、前記密着性改善層側から高融点金属から前記導体金属層を構成する導体金属へと組成が連続的或いはステップ状のいずれかで変化する傾斜組成層を挿入したことを特徴とする薄膜多層回路基板。
【請求項２】
上記傾斜組成層が、上記高融点金属及び上記導体金属の双方のマトリックスを構成する組成比であることを特徴とする請求項１記載の薄膜多層回路基板。
【請求項３】
上記導体金属がＣｕまたはＣｕを主成分とするＣｕ系導体のいずれかからなるとともに、上記高融点金属が、Ｗ，Ｍｏ，Ｃｒ，Ｔａ，Ｃｏ，Ｎｂ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｒｅ，Ｉｒ，Ｏｓのいずれかからなることを特徴とする請求項１または２に記載の薄膜多層回路基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は薄膜多層回路基板に関するものであり、特に、厚膜支持基板上に設ける配線層の密着性を改善するためのバリアメタル層の構成に特徴のある薄膜多層回路基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年のコンピュータの高速化、半導体装置の大容量化・高集積化に伴い、その実装方法も大きく変化しており、高密度実装、微細配線、多層化などが主流となり、小さなスペーサで多層の配線が形成されるようになっている。
【０００３】
この様な要請に応えるため、高密度な配線を提供することが可能な薄膜多層回路基板、所謂ＭＣＭ（Ｍｕｌｔｉ  Ｃｈｉｐ  Ｍｏｄｕｌｅ）基板が実用化され、コンピュータ等の電子機器に適用されているが、信号の高速伝播のためには低誘電率の樹脂を絶縁材料として用いることが必要になる。
【０００４】
例えば、このＭＣＭ基板においては、通常、誘電体としてはスピンコートにより厚膜ベース層上に非常に薄い誘電体層の形成が可能な感光性樹脂が使用され、また、信号パターンもスパッタリング法と高感度レジストを使用したエッチングによって形成しているので、通常のプリント配線基板とは比較にならない高密度パターンが実現可能になっている。
【０００５】
これらの薄膜多層回路基板において、電子部品を実装する場合に必要なＩ／Ｏピンを薄膜側に設ける場合と、厚膜の裏面側に形成する場合がある。
薄膜側に形成する場合には、基板の周囲にＩ／Ｏピンを配置する場合が多いが、厚膜側にビアが不要になるという利点がある反面、Ｉ／Ｏピンの専有する実装面積やＩ／Ｏピンまで引き回す配線の影響で、高密度実装を行うには不利な方法となってきた。
【０００６】
そこで、厚膜の裏面側にＩ／Ｏピンを形成することによって多端子実装が可能となり、電気的にも配線長を短くすることができるので性能面で非常に有利となるが、この様なビアを有する厚膜基板は、最もポピュラーなプリント板から、多層セラミック回路基板、アレイパッケージングであるＰＧＡ、ＢＧＡ、さらには、ＬＳＩと同程度の大きさであるＣＳＰ等、多種多様の基板が存在する。
【０００７】
例えば、ＭＣＭ−Ｃ／Ｄ（Ｃｏ−ｆｉｒｅ：同時焼成，Ｄｅｐｏｓｉｔｅ：堆積プロセス）と呼ばれるＭＣＭは、セラミック基板、若しくは、内部に厚膜回路が形成されたセラミック基板上に薄膜回路をＤｅｐｏｓｉｔｅ（堆積プロセス）、即ち、樹脂層の形成、ビアホールの加工、スパッタ，蒸着，メッキ等による導体の成膜及びパターニングからなる一連の工程繰り返すドライ及びウエットプロセスで多層に形成したものである。
【０００８】
この場合、ＬＳＩ等の機能部品は、ＭＣＭ基板の表面層に形成された部品搭載用パッドに半田によって接続されることになり、特に、ＬＳＩの場合には、端子上に半田バンプを形成し、ＭＣＭ基板上にフェイスダウンで搭載するＣ４接続（Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ  Ｃｏｌｌａｐｓｅｄ  Ｃｈｉｐ  Ｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ）が行われている。
【０００９】
ここで、図４を参照して、従来のＭＣＭ−Ｃ／Ｄを説明する。
図４（ａ）参照
図４（ａ）は、従来のＭＣＭ−Ｃ／Ｄの概略的構成図であり、ＭＣＭ−Ｃ／Ｄは、同時焼成で形成される多層回路基板Ｃ部３１とその後の真空プロセスによって形成される薄膜多層回路基板Ｄ部３２とから構成され、多層回路基板Ｃ部３１の一方の面には入出力ピン３３が設けられ、外部との信号のやり取りと電源の供給を行う。
【００１０】
一方、薄膜多層回路基板Ｄ部３２上には、ＬＳＩチップ３４がフリップ方式でＰｂ−Ｓｎ等からなる半田バンプ３５により実装され、ＬＳＩチップ３４の裏面側には冷却フィン３６を実装することによってＬＳＩで発生した熱を直接冷却する構成となっている。
【００１１】
図４（ｂ）参照
図４（ｂ）は、図４（ａ）における点線の円内を拡大した概略的断面図であり、多層回路基板Ｃ部３１においては、セラミック基板３７の内部には表裏貫通するタングステン（Ｗ）からなるＷビア３８がセラミック焼成時に同時形成されてセラミック基板３７に埋設された構造となっており、埋設されたＷビア３８の一方の面にはＷ−Ｎｉメッキ、或いは、Ｃｒ−Ｃｕ−Ｎｉ−Ａｕ等からなる接続用パッド３９を設け、半田４０によって、例えば、コバールからなる入出力ピン３３が接続されている。
【００１２】
一方、他方の面には、Ｗビア３８に接続する接続導体４１が形成され、その上に、ポリイミド層４４及びＣｕ配線層４２を堆積プロセスによって順次積層させた薄膜多層回路基板Ｄ部３２を設ける。
なお、層準の異なるＣｕ配線層４２の間はＣｕビア４３によって接続されており、図において、中央のＣｕビア４３の接続構造は、実際には投影的に異なった位置における接続状態を便宜的に中央部に集中させた状態で図示している。
【００１３】
そして、最上部のＣｕビア４３に接続するように部品搭載用のパッド４５がメッキ工程等によって形成されており、このパッド４５にＬＳＩチップ３４に設けた半田バンプ３５を溶融させて接続することによってＬＳＩチップ３４が実装された状態となる。
【００１４】
この様な薄膜多層回路基板において、薄膜多層配線層を形成するために、ビアを有する厚膜基板を用いた場合には、表面の平坦性、平滑性や、厚膜と薄膜の界面に高い信頼性を有することが大変重要となり、実際にも、多くの場合、この様な点が問題となる。
【００１５】
例えば、厚膜基板の表面に接続導体を同時焼成（Ｃｏ−ｆｉｒｅ）で形成するために、導電性ペーストを塗布して形成した場合には、膜厚が数１０〜１００μｍ程度の厚膜導体となるため、この上に、薄膜配線層を積層させると段差が大きくなりすぎ、薄膜多層配線に凹凸が生ずるため微細パターンの形成が困難になる。
【００１６】
この様な焼成による接続導体の形成方法の問題を改善するために、Ｗビア３８に直接ＮｉメッキとＣｕメッキを施す方法も知られているので、図５（ａ）参照して説明する。
図５（ａ）参照
図５（ａ）は、Ｗビア３８の近傍における拡大図であり、Ｗビア３８の露出表面上に電解メッキ法を用いて直接Ｎｉメッキ層４６及びＣｕメッキ層４７を設けたものであり、これによって、焼成法より接続導体４１の厚さを薄く形成することができる。
【００１７】
しかし、多層回路基板Ｃ部３１のように、同時焼成（Ｃｏ−ｆｉｒｅ）の基板では、焼成時の収縮が非等方的であるため、収縮率の微妙な差によってＷビアの位置が設計値よりずれてしまい、回路パターンが微細化するにつれて、その後の薄膜多層配線を設計値を基にしてフォトエッチング工程で形成することができなくなってしまうという問題がある。
【００１８】
そこで、厚膜基板には、薄膜接続導体による位置矯正パターンによって、厚膜導体とのコンタクトを行うことが必要になる。
この場合、厚膜側と薄膜の密着性を確保しなければならないが、Ｃｕ等の薄膜多層配線に必要な低抵抗金属が、必ずしも厚膜ベース層や厚膜導体と密着するとは限らないため、厚膜側と薄膜配線との密着性を改善するための密着性改善層が必要になる。
【００１９】
このため、厚膜側との密着性を担う薄膜導電層と、薄膜多層配線に必要な薄膜導電層とを併せ持つ金属多層膜にする必要があり、さらに、これらの多層膜相互の密着性を確保しつつ相互の反応や拡散を抑制した層構成にする必要がある。
【００２０】
しかし、いずれにしても、接続導体４１として厚膜導体を用いた場合には、厚膜導体に起因した凹凸が問題になるので、接続導体自体を薄膜によって形成することが行われており、回路の構成にもよるが、直接セラミック基板３７に形成する接続導体４１として低抵抗のＣｕが用いられている。
【００２１】
このセラミック基板３７としては、通常、ＬＳＩチップ３４を構成するシリコンの熱膨張率とマッチングし、放熱性の良好なＡｌＮセラミック基板が用いられているが、ＣｕはＡｌＮセラミック基板との密着性に乏しいため、密着性改善層として窒化物に対する密着性の良好なＴｉ層を設ける必要があるが、Ｔｉ層を設けた場合には、その後の絶縁層形成時の熱処理工程で、ＴｉとＣｕが拡散層や化合物層を生成し、さらに、熱処理雰囲気によっては拡散層中にＴｉ酸化物まで形成してしまい、熱的には信頼性の低いものとなる。
【００２２】
したがって、ＴｉとＣｕとの相互拡散を防止するために、Ｔｉ層とＣｕ層との界面に拡散防止層を設ける必要があり、この様な拡散防止層としては、ＴｉとＣｕとの密着性に優れ、且つ、Ｔｉ及びＣｕと化合物を形成しない金属が理想となる。
【００２３】
この様な拡散防止層としては、ＷやＭｏ等の高融点金属が挙げられるので、この様な高融点金属をバリア層として用いた薄膜接続導体を図５（ｂ）を参照して説明する。
図５（ｂ）参照
図５（ｂ）は、Ｗビア３８の近傍における拡大図であり、スパッタリング法によってＴｉ層４８、Ｗバリア層４９、及び、Ｃｕ層５０を順次成膜したのち、パターニングすることによって接続導体４１を形成したものであり、この層構成によって、接続導体４１の薄膜化が可能になるともに、熱的安定性が高まるので相互拡散による信頼性の低下が改善され、微細パターンを有する薄膜多層回路基板Ｄ部３２の形成が可能になる。
【００２４】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、バリア層となるＷやＭｏはＣｕと反応しないため、Ｃｕ層５０とＷバリア層４９との密着を図るのが困難であり、信頼性に問題がある。
【００２５】
したがって、本発明は、密着性改善層と導体金属層との間に設けるバリア層と、導体金属層との密着性を改善することを目的とする。
【００２６】
【課題を解決するための手段】
ここで、図１を参照して本発明における課題を解決するための手段を説明する。
なお、図１は、本発明の原理的構成を示す厚膜埋込導体の近傍の概略的断面図である。
図１参照
（１）本発明は、薄膜多層回路基板において、支持基板１を構成する厚膜ベース層２と厚膜埋込導体３とに接続するように、密着性改善層４と導体金属層６とを設けるとともに、密着性改善層４と導体金属層６との間に、密着性改善層４側から高融点金属から導体金属層６を構成する導体金属へと組成が連続的或いはステップ状のいずれかで変化する傾斜組成層５を挿入したことを特徴とする。
【００２７】
この様に、密着性改善層４側から高融点金属から導体金属層６を構成する導体金属へと組成が変化する傾斜組成層５を挿入することによって、導体金属との密着性を大幅に改善することができるとともに、密着性改善層４と導体金属層６との間の相互拡散を防止することができ、それによって、熱的安定性の優れた薄膜接続導体を形成することができる。
なお、この場合の傾斜組成層５は、組成が連続的に変化するようにしても良いし、ステップ状に変化するようにしても良く、多元スパッタ装置を用いて形成することができる。
【００２８】
（２）また、本発明は、上記（１）において、傾斜組成層５が、高融点金属及び導体金属の双方のマトリックスを構成する組成比であることを特徴とする。
【００２９】
この様に、傾斜組成層５の組成比は、高融点金属及び導体金属の双方のマトリックスを構成する組成比、即ち、界面を構成しない組成比であることが必要である。
【００３０】
（３）また、本発明は、上記（１）または（２）において、導体金属がＣｕまたはＣｕを主成分とするＣｕ系導体のいずれかからなるとともに、高融点金属が、Ｗ，Ｍｏ，Ｃｒ，Ｔａ，Ｃｏ，Ｎｂ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｒｅ，Ｉｒ，Ｏｓのいずれかからなることを特徴とする。
【００３１】
この様に、導体金属としては低抵抗なＣｕ或いはＣｕを主成分とするＣｕ系導体のいずれかが好適であり、また、高融点金属としては、Ｃｕと合金を構成しないＷ，Ｍｏ，Ｃｒ，Ｔａ，Ｃｏ，Ｎｂ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｒｅ，Ｉｒ，Ｏｓのいずれかが好適である。
なお、密着性改善層４としては、厚膜ベース層２は一般には窒化物セラミックスで構成されるので、窒化物に対する密着性の良好なＴｉが望ましい。
【００３２】
【発明の実施の形態】
ここで、図２を参照して本発明の第１の実施の形態の薄膜多層回路基板を説明するが、図２は、薄膜多層回路基板を構成する多層回路基板Ｃ部のＷビア近傍の概略的断面図であり、図においては、理解しやすくするために、膜厚方向の尺度を強調して図示している。
図２参照
まず、多層薄膜回路基板Ｃ部１１の表面をＴｉターゲット、Ｗターゲット、及び、Ｃｕターゲットをセットした多元同時スパッタ装置を用いてＡｒエッチングを行ったのち、多層薄膜回路基板Ｃ部１１を構成するＡｌＮセラミック基板１２及びＡｌＮセラミック基板１２に埋め込まれたＷビア１３に接続するように、厚さが、例えば、１００ｎｍのＴｉ密着性改善層１４、及び、厚さが、例えば、１００ｎｍのＷ層１５を順次堆積させる。
【００３３】
引き続いて、ＷターゲットとＣｕターゲットとを同時放電させることによって傾斜組成層１６を形成する。
この場合、Ｗターゲットへの投入電力を４ｋＷ、２ｋＷ、１ｋＷと順次変化させるのに同期させてＣｕターゲットへの投入電力を１ｋＷ、２ｋＷ、４ｋＷと順次変化させることによって、厚さが、例えば、１００ｎｍの原子数比でＷ：Ｃｕ≒７０：３０のＷリッチＷ−Ｃｕ複合層１７、厚さが、例えば、１００ｎｍの原子数比でＷ：Ｃｕ≒５０：５０のＷ−Ｃｕ複合層１８、及び、厚さが、例えば、１００ｎｍの原子数比でＷ：Ｃｕ≒３０：７０のＣｕリッチＷ−Ｃｕ複合層１９のおおよそ３層構造の傾斜組成層１６が形成される。
【００３４】
引き続いて、Ｃｕターゲットを単独で放電させることによって、厚さが、例えば、５００ｎｍのＣｕ層２０を堆積させたのち、所定形状にパターニングすることによって、薄膜接続導体が形成される。
【００３５】
この場合、後の薄膜多層配線を形成する際の熱処理工程に対する熱的安定性を確認するために、真空中における５００℃でのアニールとＮ2 ガス雰囲気中における５００℃でのアニールの二通りのアニール処理を行ったのち、基板の断面を観察したところ、いずれの場合もＣｕ薄膜の結晶粒は再結晶化によって結晶粒の成長が見られたが、高融点金属であるＷ組織には顕著な変化は見られず、熱的安定性が確認された。
【００３６】
以降は、従来と同様に、ポリイミドからなる絶縁膜、Ｃｒ密着性改善層及びＣｕ層からなる配線層を交互に積層させて薄膜多層回路基板Ｄ部を形成することによって薄膜多層回路基板の基本構成が完成する。
【００３７】
この様に、本発明の第１の実施の形態においてはＴｉ密着性改善層１４とＣｕ層２０との間に、熱的安定性を改善するためのＷを用いたバリア層を形成する際に、組成がＷからＣｕへステップ状に変化する傾斜組成層１６を設けているので、バリア層とＣｕ層２０との密着性を改善することができ、それによって、信頼性を向上することができる。
なお、Ｗ層１５を含めて傾斜組成層として考えても良い。
【００３８】
即ち、ＷリッチＷ−Ｃｕ複合層１７においてはＷがマトリックス、即ち、ネットワークを形成し、Ｗ−Ｃｕ複合層１８においてはＷとＣｕの双方が個別にマトリックスを構成し、また、ＣｕリッチＷ−Ｃｕ複合層１９においてはＣｕがマトリックスを構成するので、各層間の明確な界面が形成されず、密着性が高まることになる。
【００３９】
次に、図３を参照して、本発明の第２の実施の形態の薄膜多層回路基板を説明するが、図３は、薄膜多層回路基板を構成する多層回路基板Ｃ部のＷビア近傍の概略的断面図であり、この場合も理解しやすくするために、図において膜厚方向の尺度を強調して図示している。
図３参照
まず、多層薄膜回路基板Ｃ部１１の表面をＴｉターゲット、Ｍｏターゲット、及び、ＣｕターゲットをセットしたＤＣスパッタ装置を用いてＡｒエッチングを行ったのち、多層薄膜回路基板Ｃ部１１を構成するＡｌＮセラミック基板１２及びＡｌＮセラミック基板１２に埋め込まれたＷビア１３に接続するように、厚さが、例えば、１００ｎｍのＴｉ密着性改善層１４、及び、厚さが、例えば、１００ｎｍのＭｏ層２１を順次堆積させる。
【００４０】
引き続いて、ＭｏターゲットとＣｕターゲットとを交互に放電させることによって傾斜組成層２２を形成する。
この場合、Ｍｏターゲットへの電力の投入時間、Ｃｕターゲットへの電力の投入時間を相反するようにステップ的に変化させることによって、例えば、９０ｎｍのＭｏ層２３1 ／１０ｎｍのＣｕ層２４1 、３０ｎｍのＭｏ層２３2 ／１０ｎｍのＣｕ層２４2 、２０ｎｍのＭｏ層２３3 ／１０ｎｍのＣｕ層２４3 、２０ｎｍのＭｏ層２３4 ／１０ｎｍのＣｕ層２４4 、１０ｎｍのＭｏ層２３5 ／１０ｎｍのＣｕ層２４5 、１０ｎｍのＭｏ層２３6 ／１０ｎｍのＣｕ層２４6 、１０ｎｍのＭｏ層２３7 ／１０ｎｍのＣｕ層２４7 、１０ｎｍのＭｏ層２３8 ／１０ｎｍのＣｕ層２４8 、１０ｎｍのＭｏ層２３9 ／１０ｎｍのＣｕ層２４9 、１０ｎｍのＭｏ層２３10／２０ｎｍのＣｕ層２４10、１０ｎｍのＭｏ層２３11／２０ｎｍのＣｕ層２４11、１０ｎｍのＭｏ層２３12／３０ｎｍのＣｕ層２４12、及び、１０ｎｍのＭｏ層２３12／９０ｎｍのＣｕ層２４12の２６層を形成する。
【００４１】
この様に、成膜過程で２６層で構成したＭｏとＣｕとの複合層からなる傾斜組成層２２は、Ｍｏ層２１側ではＭｏリッチの組成となっており、一方、Ｃｕ層２０側ではＣｕリッチの組成のステップ状の傾斜組成層２２となっている。
【００４２】
引き続いて、Ｃｕターゲットを単独で放電させることによって、厚さが、例えば、５００ｎｍのＣｕ層２０を堆積させたのち、所定形状にパターニングすることによって、薄膜接続導体が形成される。
【００４３】
この場合も、後の薄膜多層配線を形成する際の熱処理工程に対する熱的安定性を確認するために、真空中における５００℃でのアニールとＮ2 ガス雰囲気中における５００℃でのアニールの二通りのアニール処理を行ったのち、基板の断面を観察したところ、いずれの場合もＣｕ薄膜の結晶粒は再結晶化によって結晶粒の成長が見られたが、高融点金属であるＭｏ組織には顕著な変化は見られず、熱的安定性が確認された。
【００４４】
以降は、上記の第１の実施の形態と同様に、ポリイミドからなる絶縁膜、Ｃｒ密着性改善層及びＣｕ層からなる配線層を交互に積層させて薄膜多層回路基板Ｄ部を形成することによって薄膜多層回路基板の基本構成が完成する。
【００４５】
この様に、本発明の第２の実施の形態においてはＴｉ密着性改善層１４とＣｕ層２０との間に、熱的安定性を改善するためのＭｏを用いたバリア層を形成する際に、組成がＭｏからＣｕへステップ状に変化する傾斜組成層２１を設けているので、バリア層とＣｕ層２０との密着性を改善することができ、それによって、信頼性を向上することができる。
なお、Ｍｏ層２１を含めて傾斜組成層として考えても良い。
【００４６】
即ち、ＭｏリッチＭｏ−Ｃｕ複合層側においてはＭｏがマトリックスを形成し、Ｍｏ−Ｃｕ均等複合層においてはＭｏとＣｕの双方が個別にマトリックスを構成し、また、ＣｕリッチＭｏ−Ｃｕ複合層側においてはＣｕがマトリックスを構成するので、各層間の明確な界面が形成されず、密着性が高まることになる。
【００４７】
以上、本発明の各実施の形態を説明してきたが、本発明は各実施の形態に記載した構成及び条件に限られるものではなく、各種の変更が可能である。
例えば、本発明の各実施の形態においては、傾斜組成層を含むバリア層を形成する高融点金属としてＷ或いはＭｏを用いているが、Ｗ或いはＭｏに限られるものではなく、Ｗ及びＭｏと同様に、Ｔｉとの密着性が良好で、且つ、Ｔｉ及びＣｕと反応しない高融点金属である、Ｃｒ，Ｔａ，Ｃｏ，Ｎｂ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｒｅ，Ｉｒ，Ｏｓのいずれかを用いても良いものである。
【００４８】
また、上記の各実施の形態においては、配線層の主体を構成する導体金属層としてＣｕを用いているが、純粋なＣｕに限られるものではなく、Ｃｕを主成分とするＣｕ系導電体を用いても良いものである。
【００４９】
また、上記の第１の実施の形態においては、Ｗを構成元素とする傾斜組成層を同時スパッタリング法を用いてステップ状に組成が変化する層として形成しているが、各ターゲットに対する投入電力を連続的に変化させることによって連続的に組成が変化する傾斜組成層としても良いものであり、さらには、上記の第２の実施の形態と同様に、ＤＣスパッタリング法を用いて超格子的な構造によって傾斜組成層を形成しても良いものである。
【００５０】
また、上記の第２の実施の形態においては、Ｍｏを構成元素とする傾斜組成層をＤＣスパッタリング法を用いて超格子的な構造によってステップ状に組成が変化する層として形成しているが、上記の第２の実施の形態と同様に、同時スパッタリング法を用いてステップ状に組成が変化する層として形成しても良く、さらには、各ターゲットに対する投入電力を連続的に変化させることによって連続的に組成が変化する傾斜組成層としても良いものである。
【００５１】
【発明の効果】
本発明によれば、多層回路基板Ｃ部のＷビアに接続する薄膜接続導体を形成する際に、相互拡散を防止するバリア層を傾斜組成層として設けているので、導体金属層とバリア層の密着性を大幅に改善することができ、それによって、熱的安定性に優れ且つ密着性の優れた薄膜接続導体を構成することができるので、繰り返し熱処理及び高温保持によって劣化せず信頼性の高い薄膜多層回路基板Ｄ部を有する薄膜多層回路基板を実現することができ、ひいては、電子部品の高密度実装化に寄与するところが大きい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の原理的構成の説明図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態の薄膜接続導体の説明図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態の薄膜接続導体の説明図である。
【図４】従来のＭＣＭ−Ｃ／Ｄの概略的構成図である。
【図５】従来の薄膜多層回路基板における接続導体の説明図
【符号の説明】
１  支持基板
２  厚膜ベース層
３  厚膜埋込導体
４  密着性改善層
５  傾斜組成層
６  導体金属層
１１  多層回路基板Ｃ部
１２  ＡｌＮセラミック基板
１３  Ｗビア
１４  Ｔｉ密着性改善層
１５  Ｗ層
１６  傾斜組成層
１７  ＷリッチＷ−Ｃｕ複合層
１８  Ｗ−Ｃｕ複合層
１９  ＣｕリッチＷ−Ｃｕ複合層
２０  Ｃｕ層
２１  Ｍｏ層
２２  傾斜組成層
２３1 〜２３13：Ｍｏ層
２４1 〜２４13：Ｃｕ層
３１  多層回路基板Ｃ部
３２  薄膜多層回路基板Ｄ部
３３  入出力ピン
３４  ＬＳＩチップ
３５  半田バンプ
３６  冷却フィン
３７  セラミック基板
３８  Ｗビア
３９  接続用パッド
４０  半田
４１  接続導体
４２  Ｃｕ配線層
４３  Ｃｕビア
４４  ポリイミド層
４５  パッド
４６  Ｎｉメッキ層
４７  Ｃｕメッキ層
４８  Ｔｉ層
４９  Ｗバリア層
５０  Ｃｕ層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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