(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属支持基板と、前記金属支持基板の上に形成されるベース絶縁層と、前記ベース絶縁層の上に形成され、端子部、前記端子部から連続する配線、および、前記端子部から連続するめっきリードを備える導体層と、前記端子部および前記めっきリードを露出し、前記配線を被覆するように、前記ベース絶縁層の上に形成されるカバー絶縁層とを形成する積層工程と、
前記端子部および前記めっきリードに対応する前記金属支持基板の下面を、前記端子部および前記めっきリードに対応する前記ベース絶縁層の下面が露出されるようにエッチングした後、前記端子部および前記めっきリードに対応するベース絶縁層の下面を、前記端子部および前記めっきリードの下面が露出されるようにエッチングして、前記金属支持基板および前記ベース絶縁層から、前記端子部と前記めっきリードとを同時に露出させる第１エッチング工程と、
前記第１エッチング工程後に、露出させた前記端子部に、前記めっきリードから給電してめっきするめっき工程と、
前記めっき工程後に、前記金属支持基板を外形加工すると同時に、露出させた前記めっきリードをエッチングして、前記めっきリードを切断する第２エッチング工程と
を備えることを特徴とする、配線回路基板の製造方法。
【請求項２】
前記第１エッチング工程では、層厚方向に投影したときに、前記ベース絶縁層が形成されている範囲の内側において、前記金属支持基板をエッチングすることを特徴とする、請求項１に記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項３】
前記ベース絶縁層は、前記ベース絶縁層の上面から下側に凹む段部を有し、前記めっきリードは、前記段部を被覆するように屈曲形成されていることを特徴とする、請求項１または２に記載の配線回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線回路基板の製造方法、詳しくは、回路付サスペンション基板の製造に好適に用いられる、配線回路基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスクドライブには、磁気ヘッドを支持するためのサスペンション基板に、磁気ヘッドが接続される配線回路パターンが一体的に形成されている回路付サスペンション基板が用いられている。回路付サスペンション基板は、ステンレスからなるサスペンション基板、その上に形成され、ポリイミドからなるベース絶縁層、および、ベース絶縁層の上に形成され、銅からなる配線回路パターンを備えている。
【０００３】
このような回路付サスペンション基板の製造方法としては、例えば、ステンレス箔基材上のポリイミドからなる絶縁層上に、端子部およびリード部を備える導体パターンを形成してなる回路付サスペンション基板において、端子部と共にリード部を残して、導体パターンを被覆する被覆層を形成し、端子部に電解ニッケルめっきと電解金めっきを順次に行なって端子を形成した後、化学エッチングによってリード部を除去する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開平１０−２６５５７２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかるに、特許文献１に記載の方法では、化学エッチングによってリード部を除去する工程を、独立の工程として設けており、その工程においてリード部を除去した後、ステンレス箔基材を化学エッチングによって所定形状に打ち抜いている。
【０００５】
一方、配線回路基板の製造においては、一般に多くの工程が必要とされており、工数の低減が望まれている。
【０００６】
本発明の目的は、工数を低減して、生産効率の向上を図ることができる配線回路基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明の配線回路基板の製造方法は、金属支持基板と、前記金属支持基板の上に形成されるベース絶縁層と、前記ベース絶縁層の上に形成され、端子部、前記端子部から連続する配線、および、前記端子部から連続するめっきリードを備える導体層と、前記端子部および前記めっきリードを露出し、前記配線を被覆するように、前記ベース絶縁層の上に形成されるカバー絶縁層とを形成する積層工程と、前記端子部および前記めっきリードに対応する前記金属支持基板の下面を、前記端子部および前記めっきリードに対応する前記ベース絶縁層の下面が露出されるようにエッチングした後、前記端子部および前記めっきリードに対応するベース絶縁層の下面を、前記端子部および前記めっきリードの下面が露出されるようにエッチングして、前記金属支持基板および前記ベース絶縁層から、前記端子部と前記めっきリードとを同時に露出させる第１エッチング工程と、前記第１エッチング工程後に、露出させた前記端子部に、前記めっきリードから給電してめっきするめっき工程と、前記めっき工程後に、前記金属支持基板を外形加工すると同時に、露出させた前記めっきリードをエッチングして、前記めっきリードを切断する第２エッチング工程とを備えることを特徴としている。
【０００８】
この方法では、第１エッチング工程において、金属支持基板およびベース絶縁層から、めっきリードを露出させ、その後、第２エッチング工程において、めっきリードをエッチングしている。
【０００９】
そのため、例えば、端子部をフライングリードとして形成する場合に、金属支持基板から端子部を露出させる工程と同時に、第１エッチング工程を実施して、めっきリードを露出させ、次いで、金属支持基板を外形加工する工程と同時に、第２エッチング工程を実施して、めっきリードをエッチングすることができる。
【００１０】
その結果、めっきリードを除去する工程を独立の工程として設ける必要がなく、工数を低減して、生産効率の向上を図ることができる。
この方法では、積層工程において、カバー絶縁層を形成することにより、端子部を露出し、第１エッチング工程において、めっきリードと同時に端子部を露出させ、めっき工程において、露出させた端子部に、めっきリードから給電してめっきした後、第２エッチング工程において、めっきリードをエッチングする。
そのため、金属支持基板から端子部を露出させ、端子部をフライングリードとして形成する工程と同時に、第１エッチング工程を実施して、めっきリードを露出させ、次いで、金属支持基板を外形加工する工程と同時に、第２エッチング工程を実施して、めっきリードをエッチングすることができる。
その結果、めっきリードを除去する工程を独立の工程として設ける必要がなく、工数を低減して、生産効率の向上を図ることができる。
【００１１】
また、本発明の配線回路基板の製造方法において、前記第１エッチング工程では、層厚方向に投影したときに、前記ベース絶縁層が形成されている範囲の内側において、前記金属支持基板をエッチングすることが好適である。
【００１２】
この方法では、第１エッチング工程において形成される、金属支持基板の開口部周縁では、金属支持基板にベース絶縁層が積層されている。そのため、第２エッチング工程において、ベース絶縁層が、開口部周縁の金属支持基板の上面を被覆する。
【００１３】
その結果、開口部周縁の金属支持基板の上面が、めっきリードとともにエッチングされることを防止することができる。
【００１４】
また、本発明の配線回路基板の製造方法において、前記ベース絶縁層は、前記ベース絶縁層の上面から下側に凹む段部を有し、前記めっきリードは、前記段部を被覆するように屈曲形成されていることが好適である。
【００１５】
この方法では、ベース絶縁層のうち、段部が薄く形成される。そのため、第１エッチング工程において、エッチングするベース絶縁層の厚みが薄く、エッチングの時間を短縮することができる。
【００１６】
その結果、さらに、生産効率の向上を図ることができる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明の配線回路基板の製造方法によれば、めっきリードを除去する工程を独立の工程として設ける必要がなく、工数を低減して、生産効率の向上を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
図１は、配線回路基板が複数形成される配線回路基板集合体シートの一実施形態を示す要部平面図である。
【００２３】
図２（ａ）は、図１に示される配線回路基板集合体シートのＡ−Ａ断面図であり、図２（ｂ）は、Ｂ−Ｂ断面図である。
【００２４】
図３および図４は、配線回路基板集合体シートの製造工程図である。
【００２５】
配線回路基板集合体シート１は、図１に示すように、長手方向（図１の上下方向、以下同じ。）および幅方向（長手方向および厚み方向の両方と直交する方向、以下同じ。）に沿う長尺な平板状の金属支持基板７から形成されている。
【００２６】
金属支持基板７には、配線回路基板としての回路付サスペンション基板６を形成するための製品形成領域２と、回路付サスペンション基板６を支持するための支持領域３とが区画されている。また、製品形成領域２と支持領域３とは、製品形成領域２の外周に沿って形成される溝部４によって、長手方向および幅方向に隔てられ、切断可能な支持部５によって連結されている。
【００２７】
また、製品形成領域２は平面視略矩形状に形成されており、図示しないが、複数の回路付サスペンション基板６に対応するように、長手方向および幅方向に沿って、間隔を隔てて区画されている。
【００２８】
回路付サスペンション基板６は、製品形成領域２として区画される、長手方向に延びる、長尺な平板状に形成されている。また、回路付サスペンション基板６は、図２（ａ）に示すように、金属支持基板７と、ベース絶縁層８と、端子部としての端子１４、配線１５、およびめっきリード１６を備える導体層としての導体パターン９と、カバー絶縁層１０とを備えている。
【００２９】
金属支持基板７には、端子１４とめっきリード１６とに対応して、２つの基板側開口部１１が厚み方向を貫通するように形成されている。
【００３０】
端子１４側の基板側開口部１１は、図１に示すように、平面視においてすべての端子１４を含むように、幅方向に沿って延びる略矩形状に形成されている。
【００３１】
めっきリード１６側の基板側開口部１１は、平面視において、端子１４側の基板側開口部１１に対して、回路付サスペンション基板６の長手方向一端部側に間隔を隔てて配置されている。めっきリード１６側の基板側開口部１１は、端子１４側の基板側開口部１１と平行して、すべてのめっきリード１６を含むように、幅方向に沿って延びる略矩形状に形成されている。
【００３２】
ベース絶縁層８は、平面視において、製品形成領域２と略同一形状に形成されている。
【００３３】
また、ベース絶縁層８は、図２（ａ）に示すように、金属支持基板７の上に形成されている。ベース絶縁層８には、基板側開口部１１に対応して、下側開口部１２および上側開口部１３が形成されている。
【００３４】
下側開口部１２は、平面視において、基板側開口部１１と同じ大きさおよび配置で、ベース絶縁層８の厚み方向下側部分に形成されている。
【００３５】
上側開口部１３は、平面視において、下側開口部１２より小さい相似形状で、下側開口部１２と連通するように、ベース絶縁層８の厚み方向上側部分に形成されている。上側開口部１３は、下方に向かって次第に幅狭となるテーパ形状に形成されている。
【００３６】
導体パターン９は、ベース絶縁層８の上に形成されており、図１に示すように、複数（４つ）の端子１４と、各端子１４に対応するように各端子１４から連続して形成される複数（４つ）の配線１５と、各端子１４に対応し、各配線１５を介して、各端子１４から連続して形成される複数（４つ）のめっきリード１６とを備えている。
【００３７】
各端子１４は、平面視略矩形状に形成され、幅方向に沿って間隔を隔てて配置されている。また、各端子１４は、図２（ａ）に示すように、その上下両面が露出するフライングリードとして形成されている。すなわち、端子１４は、上側開口部１３内に充填されるとともに、上側開口部１３の周辺のベース絶縁層８の上に積層されており、中央部が周端部よりも下方へ凹んで形成されている。端子１４の下面は、下側開口部１２と上側開口部１３との境界面と面一となるように配置され、下側開口部１２および基板側開口部１１から露出している。また、端子１４の上面は、後述のカバー側開口部１９から露出している。
【００３８】
また、各端子１４の露出されている中央部の上面および下面には、金属めっき層１７が形成されている。
【００３９】
なお、図１では、各端子１４は、回路付サスペンション基板６の長手方向一端部に形成されているが、各端子１４は、図示しないが、回路付サスペンション基板６の長手方向他端部にも形成されており、長手方向一端部の各端子１４と長手方向他端部の各端子１４とは、各配線１５によって接続されている。
【００４０】
各配線１５は、図１に示すように、幅方向に沿って間隔を隔てて配置され、長手方向に沿って形成されている。また、各配線１５は、長手方向一端部の各端子１４と長手方向他端部の各端子１４とを接続するように、長手方向に沿って形成されている。
【００４１】
各めっきリード１６は、回路付サスペンション基板６の長手方向一端部に形成されている。各めっきリード１６は、図２（ａ）に示すように、その一端部はベース絶縁層８の上に形成され、その他端部（配線１５側端部）は、めっきリード１６側の上側開口部１３に対応するように形成されている。すなわち、各めっきリード１６の他端部は、めっきリード１６側の上側開口部１３の長手方向両端面を被覆するように、各めっきリード１６の一端部および各配線１５から連続して、下方に屈曲するように形成されている。また、各めっきリード１６の他端部の長手方向中央部には、リード開口部１８が形成されている。
【００４２】
各リード開口部１８は、図１に示すように、幅方向において、各めっきリード１６と同じ幅方向長さになるように形成されている。すなわち、各リード開口部１８は、各めっきリード１６を切断している。
【００４３】
カバー絶縁層１０は、図１に示すように、各配線１５を被覆し、各端子１４および各めっきリード１６を露出するように、ベース絶縁層８の上に形成されている。
【００４４】
カバー絶縁層１０は、ベース絶縁層８よりもやや小さな平面視略矩形状に形成されている。すなわち、カバー絶縁層１０の長手方向端面および幅方向両端面は、ベース絶縁層８の長手方向端面および幅方向両端面よりも、長手方向および幅方向において内側に形成されている。カバー絶縁層１０の長手方向一端面は、各めっきリード１６が露出するように、各めっきリード１６よりも長手方向他方側に配置されている。
【００４５】
また、カバー絶縁層１０には、各端子１４を露出するカバー側開口部１９が形成されている。
【００４６】
カバー側開口部１９は、端子１４側の基板側開口部１１、および、端子１４側の下側開口部１２と同じ大きさおよび配置で形成されている。なお、カバー側開口部１９は、図示しない長手方向他端部の各端子１４にも対応して形成されている。
【００４７】
次に、本実施形態の配線回路基板の製造方法について、図３および図４を参照して説明する。
【００４８】
まず、この方法では、積層工程として、金属支持基板７と、ベース絶縁層８と、導体層と、カバー絶縁層１０とを形成する。
【００４９】
すなわち、この工程では、まず、図３（ａ）に示すように、金属支持基板７を準備する。
【００５０】
金属支持基板７は、例えば、ステンレス、４２アロイ、銅などの金属のシートから形成されている。金属としては、好ましくは、ステンレスが用いられる。
【００５１】
また、金属支持基板７の厚みは、例えば、８〜５０μｍ、好ましくは、１０〜３０μｍである。
【００５２】
次いで、この工程では、図３（ｂ）〜（ｄ）に示すように、ベース絶縁層８を形成する。
【００５３】
ベース絶縁層８を形成するための絶縁材料としては、例えば、ポリイミド、ポリエーテルニトリル、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリ塩化ビニルなどの合成樹脂が用いられる。これらのうち、好ましくは、感光性の合成樹脂が用いられ、さらに好ましくは、感光性ポリイミドが用いられる。
【００５４】
ベース絶縁層８は、例えば、感光性ポリイミドを用いて、金属支持基板７の上に、所定のパターンで形成する。より具体的には、まず、金属支持基板７の上に、図３（ｂ）に示すように、感光性ポリイミドの前駆体の溶液を、金属支持基板７の全面に塗工した後、乾燥して、感光性ポリイミドの前駆体の皮膜８Ｘを形成する。
【００５５】
次に、図３（ｃ）に示すように、フォトマスク２０を介して、感光性ポリイミドの前駆体の皮膜８Ｘを階調露光し、その後、現像することにより、所定のパターンを形成する。なお、図３（ｃ）は、ネガ型でパターンニングする態様を示している。
【００５６】
フォトマスク２０は、遮光部分２１、透過部分２２および半透過部分２３からなる階調パターンとして形成されている。
【００５７】
遮光部分２１は、光を遮る部分であり、遮光部分２１の下に配置される、感光性ポリイミドの前駆体の皮膜８Ｘは、露光されないため、現像により除去される。
【００５８】
透過部分２２は、光を透過する部分であり、透過部分２２の下に配置される、感光性ポリイミドの前駆体の皮膜８Ｘは、露光され、現像後も残存する。
【００５９】
半透過部分２３は、光を一部透過する部分であり、半透過部分２３の下に配置される、感光性ポリイミドの前駆体の皮膜８Ｘは、露光され、現像により一部除去されるとともに、一部残存する。
【００６０】
そして、ベース絶縁層８（各めっきリード１６の他端部および各端子１４を形成する部分を除く。）を形成する部分には、透過部分２２を対向配置し、各めっきリード１６の他端部および各端子１４を形成する部分には、半透過部分２３を対向配置し、それ以外の部分には、遮光部分２１を対向配置して、露光し、現像する。
【００６１】
その後、パターン化された皮膜８Ｘを、加熱により硬化（イミド化）させ、これによって、ポリイミドからなるベース絶縁層８を所定のパターンで形成する。
【００６２】
すると、図３（ｄ）に示すように、遮光部分２１と対向する部分は除去され、透過部分２２と対向する部分に、ベース絶縁層８が形成される。さらに、ベース絶縁層８のうち、半透過部分２３と対向する部分は、透過部分２２と対向する部分よりも薄く形成され、各めっきリード１６の他端部および各端子１４に対応する段部としての端子側凹部２４およびリード側凹部２５が形成される。
【００６３】
なお、上記の方法では、階調パターンのフォトマスク２０を用いたが、例えば、パターンが異なる複数のフォトマスク２０を用いて（例えば、端子側凹部２４およびリード側凹部２５を形成する部分を露光するパターンと、露光しないパターンとを用いる。）、少なくとも２回以上の露光を順次行なって端子側凹部２４およびリード側凹部２５を形成することもできる。
【００６４】
さらには、ベース絶縁層８の形成において、感光性樹脂を用いない場合には、例えば、金属支持基板７の上に、樹脂を、所定のパターンで、塗工またはドライフィルムとして積層すればよく、この場合において、ベース絶縁層８における端子側凹部２４およびリード側凹部２５の厚みを、ベース絶縁層８におけるその他の部分の厚みよりも薄く形成するには、例えば、樹脂の積層を複数回に分けて行ない、端子側凹部２４およびリード側凹部２５の積層回数を、その他の部分の積層回数よりも少なくする。
【００６５】
このようにして形成されるベース絶縁層８（端子側凹部２４およびリード側凹部２５が形成されている部分を除く。）の厚みは、例えば、３〜２０μｍ、好ましくは、４〜１２μｍである。
【００６６】
ベース絶縁層８において、端子側凹部２４およびリード側凹部２５が形成されている部分の厚みは、例えば、１〜７μｍ、好ましくは、２〜５μｍである。端子側凹部２４の長手方向長さは、例えば、０．１〜５ｍｍ、好ましくは、０．３〜４ｍｍであり、幅方向長さは、例えば、０．１〜２ｍｍ、好ましくは、０．２〜１ｍｍである。リード側凹部２５の長手方向長さは、例えば、０．０３〜０．５ｍｍ、好ましくは、０．０５〜０．２ｍｍであり、幅方向長さは、例えば、０．０２〜０．５ｍｍ、好ましくは、０．０３〜０．５ｍｍである。
【００６７】
次いで、この工程では、図３（ｅ）に示すように、ベース絶縁層８の上に、導体パターン９を形成する。
【００６８】
導体パターン９は、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはこれらの合金などが用いられ、好ましくは、銅が用いられる。
【００６９】
また、導体パターン９を形成するには、ベース絶縁層８の表面に、導体パターン９を、例えば、サブトラクティブ法、アディティブ法などの公知のパターンニング法によって形成する。これらのパターンニング法のなかでは、アディティブ法が好ましく用いられる。
【００７０】
サブトラクティブ法では、まず、ベース絶縁層８の表面に、必要により接着剤層を介して金属層を積層し、次いで、その上に、導体パターン９に対応させてエッチングレジストを形成し、次いで、金属層をエッチングして、その後、エッチングレジストを除去する。
【００７１】
また、アディティブ法では、まず、ベース絶縁層８の上に、種膜となる金属薄膜を形成する。金属薄膜は、クロム、ニッケル、銅およびこれらの合金などから、スパッタリング法などの薄膜形成法により形成する。次いで、金属薄膜の表面に、導体パターン９の反転パターンで、めっきレジストを形成する。めっきレジストは、ドライフィルムフォトレジストなどから、露光および現像する公知の方法により形成する。その後、めっきレジストから露出する金属薄膜の表面に、導体パターン９を形成する。導体パターン９は、例えば、電解めっき、好ましくは、電解銅めっきにより形成する。その後、めっきレジストをエッチングまたは剥離により除去した後、導体パターン９から露出する金属薄膜を、エッチングにより除去する。
【００７２】
このようにして形成された導体パターン９の端子１４は、端子側凹部２４内に充填されるとともに、端子側凹部２４の周辺のベース絶縁層８の上に積層されており、中央部が周端部よりも下方へ凹んで形成される。つまり、ベース絶縁層８の端子側凹部２４に対応するように、端子１４が形成される。
【００７３】
また、めっきリード１６は、その一端部が、ベース絶縁層８の上に積層されるとともに、その他端部が、リード側凹部２５に対応するように形成される。すなわち、各めっきリード１６の他端部の長手方向両端部は、リード側凹部２５の長手方向両端面を被覆するように、各めっきリード１６の一端部および各配線１５から連続して、下方に屈曲するように形成される。
【００７４】
導体パターン９の厚みは、例えば、３〜２０μｍ、好ましくは、５〜１２μｍであり、各導体パターン９の幅は、例えば、１０〜１００μｍ、好ましくは、１２〜５０μｍであり、各導体パターン９間の間隔は、例えば、１０〜１００μｍ、好ましくは、１２〜５０μｍである。
【００７５】
次いで、図３（ｆ）に示すように、カバー絶縁層１０をカバー側開口部1９が形成される所定のパターンとして形成する。カバー絶縁層１０を形成するための絶縁材料としては、ベース絶縁層８と同様の絶縁材料が用いられ、好ましくは、感光性ポリイミドが用いられる。カバー絶縁層１０を形成するには、ベース絶縁層８の形成方法と同様の方法が用いられる。
【００７６】
カバー絶縁層１０の厚みは、例えば、２〜２０μｍ、好ましくは、３〜１０μｍである。
【００７７】
次いで、この方法では、第１エッチング工程として、金属支持基板７をエッチングした後、ベース絶縁層８をエッチングして、金属支持基板７およびベース絶縁層８から、端子１４およびめっきリード１６を露出させる。
【００７８】
この工程では、まず、図３（ｇ）に示すように、端子側凹部２４およびリード側凹部２５が形成されているベース絶縁層８の下面が金属支持基板７から露出するように、金属支持基板７に基板側開口部１１を形成する。
【００７９】
基板側開口部１１を形成するには、端子側凹部２４およびリード側凹部２５が形成されているベース絶縁層８の下面が露出するように、層厚方向に投影したときに、ベース絶縁層８が形成されている範囲の内側において、金属支持基板７をエッチングする。
【００８０】
金属支持基板７のエッチングは、公知の方法でよく、例えば、基板側開口部１１を形成する部分以外をすべてマスキングした後に、化学エッチングする。
【００８１】
基板側開口部１１の幅方向長さは、端子１４側において、例えば、０．２〜１ｍｍ、好ましくは、０．３〜１ｍｍであり、めっきリード１６側において、例えば、０．２〜１ｍｍ、好ましくは、０．３〜１ｍｍである。また、基板側開口部１１の長手方向長さは、端子１４側において、例えば、０．２〜５．４ｍｍ、好ましくは、０．５〜５．４ｍｍであり、めっきリード１６側において、例えば、０．０５〜０．５ｍｍ、好ましくは、０．０７〜０．５ｍｍである。
【００８２】
次いで、図３（ｈ）に示すように、端子１４およびめっきリード１６の下面が露出するまで、基板側開口部１１から露出しているベース絶縁層８の、端子側凹部２４およびリード側凹部２５が形成されている部分をエッチングする。
【００８３】
ベース絶縁層８のエッチングは、公知の方法でよく、例えば、化学エッチング、プラズマエッチングなどにより形成する。好ましくは、プラズマエッチングにより形成する。
【００８４】
プラズマエッチングでは、金属支持基板７をマスクとして、基板側開口部１１から露出しているベース絶縁層８の下面をエッチングする。例えば、ガスを封入した雰囲気下で対向電極間に、サンプルを配置して、高周波プラズマを発生させるようにする。ガスとしては、例えば、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｘｅ、Ｋｒ、Ｎ２、Ｏ２、ＣＦ４、ＮＦ３などが用いられ、好ましくは、Ａｒ、Ｏ２、ＣＦ４、ＮＦ３が用いられる。これらのガスは、混合して用いてもよい。また、そのガス圧（真空度）は、例えば、０．５〜２００Ｐａ、好ましくは、１０〜１００Ｐａである。また、高周波プラズマを発生させる条件としては、周波数が、例えば、１０ｋＨｚ〜２０ＭＨｚ、好ましくは、１０ｋＨｚ〜１００ｋＨｚであり、処理電力が、例えば、０．５〜１０Ｗ／ｃｍ２、好ましくは、１〜５Ｗ／ｃｍ２である。周波数が１０ｋＨｚ〜１００ｋＨｚであると、プラズマエッチング装置のマッチング（抵抗値のチューニング）がとりやすくなる。そして、このような雰囲気条件下において、例えば、０〜１２０℃、好ましくは、１０〜８０℃に温度管理された電極上にサンプルを配置して、ベース絶縁層８の下面から端子１４およびめっきリード１６の下面までの間の厚みに相当する所定の時間処理する。
【００８５】
そして、ベース絶縁層８の、端子側凹部２４およびリード側凹部２５が形成されている部分をエッチングすると、下側開口部１２と上側開口部１３とが形成される。
【００８６】
その後、図示しないが、導体パターン９をアディティブ法で形成した場合には、金属支持基板７およびベース絶縁層８から露出する金属薄膜を、エッチングにより除去する。
【００８７】
これによって、金属支持基板７およびベース絶縁層８から、めっきリード１６の他端部および端子１４の下面が同時に露出される。
【００８８】
下側開口部１２の厚み方向長さは、例えば、１〜５μｍ、好ましくは、２〜４μｍである。上側開口部１３の厚み方向長さは、例えば、５〜９μｍ、好ましくは、６〜８μｍである。
【００８９】
次いで、この方法では、めっき工程として、めっきリード１６から給電して、露出させた端子１４の両面をめっきする。
【００９０】
この工程では、図４（ｉ）に示すように、露出している端子１４の上下両面（および図示しないが両側面）に、金属めっき層１７を、めっきにより同時に形成する。金属めっき層１７は、めっきリード１６から給電して、電解めっきを用いて形成される。また、めっきに用いる金属は、特に制限されず、公知の金属を用いることができる。好ましくは、電解ニッケルめっきと電解金めっきとを順次行なうことにより、ニッケルめっき層の上に金めっき層を形成する。
【００９１】
なお、ニッケルめっき層および金めっき層の厚みは、いずれも、好ましくは、１〜５μｍ程度である。
【００９２】
次いで、この方法では、第２エッチング工程として、金属支持基板７を外形加工して、金属支持基板７の外周に沿って溝部４を形成するとともに、露出させためっきリード１６をエッチングする。
【００９３】
この工程では、まず、図４（ｊ）に示すように、ドライフィルムフォトレジスト２６を、回路付サスペンション基板６の表面の全面と裏面の全面とに積層する。その後、図４（ｋ）に示すように、露光および現像する公知のフォト加工により、めっきリード１６の他端部、および、金属支持基板７の溝部４を形成する部分の下面を露出するように、ドライフィルムフォトレジスト２６をパターンに形成する。
【００９４】
次いで、図４（ｌ）に示すように、ドライフィルムフォトレジスト２６から露出する、めっきリード１６の他端部および金属支持基板７を、エッチングにより除去する。エッチングは、例えば、塩化第二鉄水溶液などをエッチング液として用いて、スプレーまたは浸漬するウェットエッチング（化学エッチング）法が用いられる。
【００９５】
次いで、図４（ｍ）に示すように、ドライフィルムフォトレジスト２６を、エッチングまたは剥離によって除去することにより、回路付サスペンション基板６を得る。
【００９６】
そして、この方法では、積層工程において、カバー側開口部１９が開口されたカバー絶縁層１０を形成することにより、端子１４を露出し、第１エッチング工程において、金属支持基板７およびベース絶縁層８から端子１４と同時にめっきリード１６を露出させ、めっき工程において、露出させた端子１４にめっきリード１６から給電してめっきした後、第２エッチング工程において、金属支持基板７の外形加工と同時に、めっきリード１６をエッチングしている。
【００９７】
そのため、金属支持基板７から端子１４を露出させ、端子１４をフライングリードとして形成する工程と同時に、第１エッチング工程を実施して、めっきリード１６を露出させ、次いで、金属支持基板７を外形加工する工程と同時に、第２エッチング工程を実施して、めっきリード１６をエッチングすることができる。
【００９８】
その結果、めっきリード１６をエッチングする工程を独立の工程として設ける必要がなく、工数を低減して、生産効率の向上を図ることができる。
【００９９】
また、上記の説明では、製造形成領域２とベース絶縁層８とを、平面視において、同一形状に形成したが、例えば、図５に示すように、ベース絶縁層８が製品形成領域２より小さく形成されている場合では、第１エッチング工程において、金属支持基板７をベース絶縁層８よりも幅広にエッチングすると、そのＣ−Ｃ断面は、図６（ａ）に示すように、金属支持基板７の上にベース絶縁層８が形成されないようになる。
【０１００】
そして、上記した実施形態と同様に、ベース絶縁層８をエッチングし、ドライフィルムフォトレジスト２６を積層して、露光および現像すると、図６（ｂ）に示すように、金属支持基板７とドライフィルムフォトレジスト２６との界面に間隙Ｇが発生する。その後、めっきリード１６をエッチングすると、図６（ｃ）に示すように、間隙Ｇから露出している金属支持基板７の上面がエッチングされることがある。
【０１０１】
しかし、この方法では、第１エッチング工程において、ベース絶縁層８が形成されている範囲の内側の金属支持基板７をエッチングしている。そのため、そのＢ−Ｂ断面図に対応する断面は、図７（ａ）に示すように、金属支持基板７の上にベース絶縁層８が形成されている。
【０１０２】
その結果、図７（ｂ）に示すように、第２エッチング工程において、ドライフィルムフォトレジスト２６を露光および現像してパターン化したときに、ベース絶縁層８が金属支持基板７の上面を被覆しており、基板側開口部１１周縁の金属支持基板７の上面が、めっきリード１６とともにエッチングされることを防止することができる。
【０１０３】
また、この方法では、ベース絶縁層８のうち、端子側凹部２４およびリード側凹部２５が薄く形成される。そのため、第１エッチング工程において、エッチングするベース絶縁層８の厚みが薄く、エッチングの時間を短縮することができる。その結果、さらに、生産効率の向上を図ることができる。
【０１０４】
なお、本実施形態では、積層工程において、ベース絶縁層８に、端子側凹部２４およびリード側凹部２５を形成したが、図８に示すように、端子側凹部２４およびリード側凹部２５を形成せずに、ベース絶縁層８を均一な厚みに形成することもできる。
【０１０５】
また、本実施形態では、金属支持基板７から端子１４を露出させ、端子１４をフライングリードとして形成する工程と同時に第１エッチング工程を実施し、めっきリード１６を露出させたが、端子１４をフライングリードとして形成しない場合には、金属支持基板７に、ツーリングホールを形成する工程と同時に第１エッチング工程を実施することができる。
【０１０６】
また、本実施形態では、図１に示すように、各めっきリード１６は幅方向に沿って間隔を隔てて配置したが、例えば、図９に示すように、各めっきリード１６を１本のめっきリード１６にまとめることができる。そして、１本にまとめられためっきリード１６の長手方向一端部に、めっき工程において給電するための給電部２７（ランド）を設けることができる。
【０１０７】
すなわち、各めっきリード１６は、それらの長手方向一端部において、幅方向に延びる第１連結リード２８によって連結されており、第１連結リード２８の幅方向一端部から長手方向一端部に向かって延びる第２連結リード２９を備えている。そして、給電部２７は、第２めっきリード２９の長手方向一端部に設けられている。
【０１０８】
そのため、この場合には、第１エッチング工程において、第２連結リード２９の下面を露出させるように金属支持基板７およびベース絶縁層８をエッチングして、基板側開口部３１および下側開口部３２を形成する。そして、第２エッチング工程において、第２連結リード２９をエッチングして切断し、給電部２７を回路付サスペンション基板６から切り離す。
【０１０９】
このようにすれば、第１エッチング工程および第２エッチング工程において、エッチングする面積を小さくすることができる。
【実施例】
【０１１０】
実施例
まず、厚み２０μｍのステンレス箔からなる金属支持基板を準備した（図３（ａ）参照）。
【０１１１】
次いで、その金属支持基板の全面に、感光性ポリイミドの前駆体（感光性ポリアミック酸樹脂）溶液（ワニス）を塗工した後、乾燥して、皮膜を形成した（図３（ｂ）参照。）。この皮膜を、フォトマスクを介して階調露光させ（ネガ型）（図３（ｃ）参照。）、アルカリ現像液を用いて現像することにより、端子側凹部およびリード側凹部が形成されたベース絶縁層をパターンとして形成した（図３（ｄ）参照。）。パターン化された皮膜を加熱硬化させて、平面視略矩形状のベース絶縁層を形成した。
【０１１２】
ベース絶縁層の厚みは、１０μｍであり、ベース絶縁層において、端子側凹部およびリード側凹部が形成されている部分の厚みは、３μｍであった。端子側凹部の長手方向長さは、３．８ｍｍ、幅方向長さは、０．５ｍｍであった。リード側凹部の長手方向長さは、０．１ｍｍ、幅方向長さは、０．５ｍｍであった。
【０１１３】
次いで、スパッタリング法により、クロム薄膜および銅薄膜を順次形成することにより、ベース絶縁層の上に、金属薄膜を形成し、その後、金属薄膜の上に、導体パターンの反転パターンで、ドライフィルムレジストを用いてめっきレジストを形成した後、めっきレジストから露出する金属薄膜の上に、電解銅めっきにより導体パターンを形成した。その後、めっきレジストをウェットエッチングにより除去した後、そのめっきレジストが形成されていた部分の金属薄膜を剥離により除去し、４つの端子、４本の配線および４本のめっきリードを備えた導体パターンを、ベース絶縁層の上に形成した（図３（ｅ）参照。）。
【０１１４】
端子は、端子側凹部内に充填されるとともに、端子側凹部周辺のベース絶縁層の上に積層され、中央部が周端部よりも下方へ凹んで形成された。めっきリードは、各めっきリードの他端部の長手方向両端部が、めっきリード側の上側開口部の長手方向両端面を被覆するように、各めっきリードの前端部および各配線から連続して、下方に屈曲するように形成された。
【０１１５】
導体パターンの厚みは、１２μｍであり、導体パターンの幅は３０μｍであり、互いに隣接する導体パターンの間隔は、５０μｍであった。
【０１１６】
次いで、ベース絶縁層と同様にして、カバー側開口部が形成されるパターンで、厚み４μｍのポリイミド樹脂からなるカバー絶縁層を、ベース絶縁層の上に形成した（図３（ｆ）参照。）。
【０１１７】
次いで、金属支持基板を、塩化第二鉄溶液を用いて化学エッチングして、層厚方向に投影したときに、ベース絶縁層が形成されている範囲の内側において、端子側凹部およびリード側凹部が形成されているベース絶縁層を金属支持基板から露出させるように、金属支持基板に基板側開口部を形成した（図３（ｇ）参照。）。
【０１１８】
基板側開口部の幅方向長さは、端子側において、１．０ｍｍであり、めっきリード側において、１．０ｍｍであった。また、基板側開口部の長手方向長さは、端子側において、５．４ｍｍであり、めっきリード側において、０．５ｍｍであった。
【０１１９】
次いで、端子およびめっきリードの下面を露出させるまで、基板側開口部から露出しているベース絶縁層をプラズマエッチングし、下側開口部と上側開口部とを形成した（図３（ｈ）参照。）。その後、金属支持基板およびベース絶縁層から露出しているクロム薄膜をエッチングし、除去した。
【０１２０】
プラズマエッチングでは、金属支持基板をマスクとして、ベース絶縁層を、ＣＦ４とＯ２との混合ガス（ＣＦ４／Ｏ２＝２０／８０）を封入ガスとして、ガス圧（真空度）２５Ｐａ、周波数１３．５ＭＨｚ、処理電力３Ｗ／ｃｍ２の条件下において、約２分間処理した。
【０１２１】
下側開口部の厚み方向長さは、３μｍであり、上側開口部の厚み方向長さは、７μｍであった。
【０１２２】
次いで、めっきリードから各端子に給電して、電解ニッケルめっきと電解金めっきとを順次実施することにより、各端子の上下両面および両側面に、ニッケルめっき層および金めっき層からなる厚み４μｍの金属めっき層を形成した（図４（ｉ）参照。）。
【０１２３】
次いで、回路付サスペンション基板の表面の全面と裏面の全面とに積層し（図４（ｊ）参照。）、露光および現像する公知のフォト加工によって、金属支持基板の溝部が形成される部分、および、めっきリードの他端部の下面を露出するように、ドライフィルムフォトレジストをパターンに形成した（図４（ｋ）参照。）。
【０１２４】
次いで、ドライフィルムフォトレジストから露出する、めっきリードおよび金属支持基板を、塩化第二鉄溶液を用いて化学エッチングした（図４（ｌ）参照。）。
【０１２５】
次いで、ドライフィルムフォトレジストを、エッチングまたは剥離によって除去することにより、回路付サスペンション基板を得た（図４（ｍ）参照。）。
【図面の簡単な説明】
【０１２６】
【図１】配線回路基板が複数形成される配線回路基板集合体シートの一実施形態を示す平面図である。
【図２】（ａ）は、図１に示される配線回路基板集合体シートのＡ−Ａ断面図、（ｂ）は、Ｂ−Ｂ断面図である。
【図３】配線回路基板集合体シートの製造工程図であって、（ａ）は、金属支持基板を準備する工程、（ｂ）は、感光性ポリイミドの前駆体の皮膜を形成する工程、（ｃ）は、感光性ポリイミドの前駆体の皮膜を、フォトマスクを介して露光させる工程、（ｄ）は、感光性ポリイミドの前駆体の皮膜を硬化させ、ベース絶縁層を形成する工程、（ｅ）は、導体パターンを形成する工程、（ｆ）は、カバー絶縁層を形成する工程、（ｇ）は、金属支持基板をエッチングする工程、（ｈ）は、ベース絶縁層をエッチングする工程を示す。
【図４】図３に続く配線回路基板集合体シートの製造工程図であって、（ｉ）は、金属めっき層を形成する工程、（ｊ）は、ドライフィルムフォトレジストを積層する工程、（ｋ）は、ドライフィルムフォトレジストを露光および現像する工程、（ｌ）は、金属支持基板とともにめっきリードをエッチングする工程、（ｍ）は、ドライフィルムフォトレジストを除去する工程を示す。
【図５】図３（ｇ）に示す工程において、金属支持基板をベース絶縁層よりも幅広にエッチングした場合を示す要部平面図である。
【図６】（ａ）は、図６に示される配線回路基板集合体シートのＣ−Ｃ断面図、（ｂ）は、図４（ｋ）に示す工程における、Ｃ−Ｃ断面図に対応する断面図である。（ｃ）は、図４（ｍ）に示す工程における、Ｃ−Ｃ断面図に対応する断面図である。
【図７】（ａ）は、図３（ｇ）に示す工程における、Ｂ−Ｂ断面図に対応する断面図、（ｂ）は、図４（ｋ）に示す工程における、Ｂ−Ｂ断面図に対応する断面図である。
【図８】本発明の配線回路基板集合体シートの他の実施形態を示す、Ａ−Ａ断面図に対応する断面図である。
【図９】本発明の配線回路基板集合体シートの他の実施形態を示す、要部平面図である。
【符号の説明】
【０１２７】
７      金属支持基板
８      ベース絶縁層
９      導体パターン
１０    カバー絶縁層
１４    端子
１６    めっきリード
２４    端子側凹部
２５    リード側凹部
【図１】
0004523051.tif 000002
【図２】
0004523051.tif 000003
【図３】
0004523051.tif 000004
【図４】
0004523051.tif 000005
【図５】
0004523051.tif 000006
【図６】
0004523051.tif 000007
【図７】
0004523051.tif 000008
【図８】
0004523051.tif 000009
【図９】
0004523051.tif 000010