(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
あるエネルギー分布をもつ電荷キャリアを有する第一の導体と、
前記第一の導体との界面を有し、該界面の近傍に前記電荷キャリアの輸送を制御するために電気的に変更可能なポテンシャル障壁を有する材料、
とを有する第一の導体−材料系であって：
前記電荷キャリアが熱的電荷キャリアであり、
前記材料が、前記第一の導体と前記界面で接し、ある極性の電荷キャリアに対するフィルタ機能を与えるための誘電体を含んでいるフィルタであり、該フィルタが：
ある極性の電荷キャリアの当該フィルタを通じた一方向への流れを制御するための電気的に変更可能なポテンシャル障壁の第一のセットと、
前記極性に対して逆極性の電荷キャリアの当該フィルタを通じた前記一方向に対して実質逆のもう一つの方向への流れを制御するための電気的に変更可能なポテンシャル障壁の第二のセットとを含んでいる、
ことを特徴とする、第一の導体−材料系。
【請求項２】
前記フィルタがさらに：
前記誘電体における電圧降下を低減させるための分圧器機能を有することを特徴とする、請求項１記載の第一の導体−材料系。
【請求項３】
前記フィルタ機能が帯域通過フィルタ機能であることを特徴とする、請求項１記載の第一の導体−材料系。
【請求項４】
前記フィルタ機能が質量フィルタ機能であることを特徴とする、請求項１記載の第一の導体−材料系。
【請求項５】
前記フィルタ機能が電荷フィルタ機能であることを特徴とする、請求項１記載の第一の導体−材料系。
【請求項６】
前記電荷キャリアがエネルギーの高い電荷キャリアであり、
前記材料が絶縁体であり、
前記ポテンシャル障壁が影像力ポテンシャル障壁を含み、該影像力ポテンシャル障壁が該影像力ポテンシャル障壁より高いところでの電荷キャリアの輸送を制御するために電気的に変更可能である、
ことを特徴とする、請求項１記載の第一の導体−材料系。
【請求項７】
前記エネルギーの高い電荷キャリアが30meVないし500meVの範囲のエネルギースペクトルを有することを特徴とする、請求項６記載の第一の導体−材料系。
【請求項８】
請求項１記載の第一の導体−材料系、ならびに、
前記フィルタに接し、前記フィルタからのあるエネルギー分布をもったエネルギーの高い電荷キャリアをもつ第二の導体と、
前記第二の導体とある第二の界面で接し、該第二の界面に隣接する電気的に変更可能な影像力ポテンシャル障壁を有する絶縁体、
とを含む第二の導体−材料系、ならびに、
第一の伝導型を有する半導体材料のボディ、ならびに、
該ボディ中に形成される、第二の伝導型を有する離間した第一および第二の領域であって、その間としてボディのチャネルが定義される領域、ならびに、
該チャネルに隣接するチャネル誘電体、ならびに、
前記絶縁体と前記チャネル誘電体との間に配置される、前記第二の導体からのエネルギーの高い電荷キャリアを保存するための電荷保存領域、
を有することを特徴とするメモリセル。
【請求項９】
前記フィルタが：
前記第一の導体に隣接して配置され、エネルギーバンドギャップをもつ第一の誘電体と、
前記第一の誘電体に隣接して配置される第二の誘電体とを有しており、
前記第二の誘電体が前記第一の誘電体のエネルギーバンドギャップよりも狭いエネルギーバンドギャップを有することを特徴とする、請求項８記載のメモリセル。
【請求項１０】
前記第一の誘電体が第一の誘電率および第一の厚さをもち、前記第二の誘電体が第二の誘電率および第二の厚さをもち、前記第二の誘電率と前記第一の厚さの積が前記第一の誘電率と前記第二の厚さの積よりも実質的に大きいことを特徴とする、請求項９記載のメモリセル。
【請求項１１】
前記電荷保存領域がポリシリコンであることを特徴とする、請求項８記載のメモリセル。
【請求項１２】
前記電荷保存領域が離間した複数のナノ粒子であることを特徴とする、請求項８記載のメモリセル。
【請求項１３】
前記電荷保存領域が複数の捕捉中心を有する誘電体であることを特徴とする、請求項８記載のメモリセル。
【請求項１４】
前記エネルギーの高い電荷キャリアが軽いホールであることを特徴とする、請求項８記載のメモリセル。
【請求項１５】
前記エネルギーの高い電荷キャリアが電子であることを特徴とする、請求項８記載のメモリセル。
【請求項１６】
前記エネルギーの高い電荷キャリアが機械的応力下にある材料中のホールであることを特徴とする、請求項８記載のメモリセル。
【請求項１７】
前記エネルギーの高い電荷キャリアが機械的応力下にある材料中の電子であることを特徴とする、請求項８記載のメモリセル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体デバイスおよび半導体メモリデバイスに関するものである。より詳細には、本発明はこうしたデバイスにおいて電荷を輸送する方法および装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
影像力（Image-Force）はよく知られた主題であり、Szeによる著作“Physics  of  Semiconductor  Devices,”Wiley,  New  York,  1981、第５章などに記載されている。影像力は障壁低下を誘起して影像力障壁低下効果を引き起こし、電荷キャリア放出のためのショトキー効果を支配する主要な機構である。
【０００３】
影像力はまた、Lenzlinger  and  Snowによる、“Fowler-Nordheim  Tunneling  into  Thermally  Grown  SiO2,”J.  Appl.  Phys.,  40,  pp.  278-283  (1969)という論文でも議論されている。そこでは影像力の効果は、ファウラー・ノルドハイムトンネリング機構により熱的キャリアがSiO2（「酸化物」）中をトンネルさせられる際に該機構に組み込まれる。
【０００４】
酸化物中の酸化物電荷分布を調べることについては、光I-V測定法とともに影像力を利用する若干の試みがなされてきた（Nicollian  and  Brewsによる著作“MOS  Physics  and  Technology,”Wiley,  New  York,  1982,  第１１章、p.513参照）。影像力およびそのような方法はまた、金属・酸化物界面およびシリコン（「Si」）・酸化物界面における障壁高さの研究に利用されてきた。
【０００５】
Wuらに対して2004年6月1日に発行された米国特許第6,744,111号では、エミッタ、ベース、コレクタをもつ三端子半導体トランジスタが記載されている。ショトキー障壁接合がエミッタ領域とベース領域の界面およびコレクタ領域とベース領域の界面に形成される。そのようなデバイスは（影像力障壁低下機構を通じて）ショトキー効果を利用しており、ベース領域の電圧を制御することを通じてショトキー障壁接合を通じたトンネル電流を許容する。
【０００６】
しかし、上記の例および試みはすべて不揮発性メモリには関係のない分野について影像力機構を利用したものである。
【０００７】
電荷記憶機能がある不揮発性半導体メモリセルは当技術分野では周知である。典型的にはフローティングゲート中に電荷が保存されることでメモリセルの状態が定義される。典型的には、状態は２レベルあるいは３レベル以上（多レベル状態記憶の場合）のいずれかでありうる。熱電子注入によって誘起される、チャネル熱電子注入（CHEI:  channel-hot-electron-injection）、ソースサイド注入（SSI:  source-side  injection）、ファウラー・ノルドハイムトンネリング（FN:  Fowler-Nordheim  tunneling）およびバンド間トンネリング（BTBT:  Band-to-Band  Tunneling）といった機構を使うことで、プログラム操作および／または消去操作においてそのようなセルの状態を変えることができる。こうした機構をメモリ操作に用いる例は、CHEI、SSI、SN、BTBTの場合についてそれぞれ米国特許第4,698,787号、第5,029,130号、第5,792,670号、第5,966,329号に見ることができる。
【０００８】
しかし、上記の機構および試みはみな、注入効率（供給されるキャリア数に対する集められるキャリア数の比として定義される）が悪い。さらに、これらの機構はメモリ操作をサポートするためには高電圧を必要とし、１０Vもの高電圧もしばしば見られる。そのような高電圧はフローティングゲートを取り囲む絶縁体の品質に対して厳しい管理を要求するものと信じられている。よって、これらの機構のもとに操作されるメモリは、製造上の問題および信頼性の問題がありがちである。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上記の問題に鑑み、コンパクトなエネルギー分布と高い注入効率をもって輸送を行う電荷キャリアを有する導体−材料系を提供することが本発明の一つの目的である。そのような系を半導体デバイス、メモリセルおよびメモリアレイに適用することが本発明のもう一つの目的である。本発明の他の目的および前記目的についてのさらなる理解は、明細書および図面を参照することによって感得されることであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
端的に言えば、本発明の一つの実施形態は導体−材料系である。該導体−材料系は、あるエネルギー分布をもつ電荷キャリアを有する導体と、前記導体との界面を有し、該界面の近傍に前記電荷キャリアの輸送を制御するために電気的に変更可能なポテンシャル障壁を有する材料からなる。
【００１１】
端的に言えば、本発明のもう一つの実施形態は電荷注入系である。該電荷注入系は、第一の導体−材料系および第二の導体−材料系からなる。第一の導体−材料系は、あるエネルギー分布をもつ熱い電荷キャリアを有する第一の導体と、該第一の導体と第一の界面で接しある極性の電荷キャリアに対するフィルタ機能を与えるための誘電体を有するフィルタを含んでいる。前記フィルタは、ある極性の電荷キャリアの当該フィルタを通じた一方向への流れを制御するための電気的に変更可能なポテンシャル障壁の第一のセットと、前記極性に対して逆極性の電荷キャリアの当該フィルタを通じた前記一方向に対して実質逆のもう一つの方向への流れを制御するための電気的に変更可能なポテンシャル障壁の第二のセットとを含んでいる。前記第二の導体−材料系は、前記フィルタに接し、前記フィルタからあるエネルギー分布をもつエネルギーの高い電荷キャリアを有する第二の導体と、前記第二の導体と第二の界面で接し、該第二の界面に隣接する電気的に変更可能な影像力ポテンシャル障壁を有する絶縁体とを含んでいる。
【００１２】
端的に言えば、本発明のある追加的な実施形態はメモリセルである。該メモリセルは第一の導体−材料系および第二の導体−材料系からなる。前記第一の導体−材料系は、あるエネルギー分布をもつ熱電荷キャリアを有する第一の導体と、該第一の導体と第一の界面で接しある極性の電荷キャリアに対するフィルタ機能を与えるための誘電体を有するフィルタを含んでいる。前記フィルタは、ある極性の電荷キャリアの当該フィルタを通じた一方向への流れを制御するための電気的に変更可能なポテンシャル障壁の第一のセットと、前記極性に対して逆極性の電荷キャリアの当該フィルタを通じた前記一方向に対して実質逆のもう一つの方向への流れを制御するための電気的に変更可能なポテンシャル障壁の第二のセットとを含んでいる。前記第二の導体−材料系は、前記フィルタに接し、前記フィルタからあるエネルギー分布をもつエネルギーの高い電荷キャリアを有する第二の導体と、前記第二の導体と第二の界面で接し、該第二の界面に隣接する電気的に変更可能な影像力ポテンシャル障壁を有する絶縁体とを含んでいる。該メモリセルはさらに、第一の伝導型を有する半導体材料のボディを有しており、該ボディ中には第二の伝導型を有する第一および第二の領域が離間して形成されており、その間として定義されるボディのなすチャネルと、該チャネルに隣接するチャネル誘電体と、前記絶縁体と前記チャネル誘電体との間に配置される、前記第二の導体からのエネルギーの高い電荷キャリアを保存するための電荷保存領域とをもつ。
【００１３】
端的に言えば、本発明のもう一つの追加的な実施形態はメモリセルを形成する方法である。該方法は、半導体基板中に第一の伝導型のボディを形成し、前記基板の上に第一の絶縁体層を形成し、前記第一の絶縁体層の上に電荷保存領域を形成し、前記ボディ中に第二の伝導型を有する第一および第二の領域を形成し、前記ボディ中の第一の領域と第二の領域との間に、前記電荷保存領域に概して隣接して配置され、かつ絶縁されたチャネル領域を形成し、前記電荷保存領域に隣接して第二の絶縁体層を形成し、少なくとも一部分が前記電荷保存領域に隣接して配置され、かつ前記第二の絶縁体層によってそれから絶縁されている第一の電気伝導領域を形成し、前記第一の電気伝導領域に隣接してフィルタ機能をもつフィルタを形成し、前記第一の電気伝導領域の少なくとも一部分に隣接し、かつ前記フィルタによってそれから絶縁されている第二の電気伝導領域を形成するステップを有しており、前記第二の電気伝導領域はあるエネルギー分布をもつ電荷キャリアを有し、ある重なり領域において前記第一の電気伝導領域と重なり合い、前記電荷保存領域の少なくとも一部分は前記重なり領域の近傍に配置されていることを特徴とする。
【００１４】
端的に言えば、本発明のさらに一つの追加的な実施形態は、メモリセルのアレイを形成する方法である。該方法は、半導体基板中に第一の伝導型のボディを形成し、前記基板の上に第一の絶縁体層を形成し、前記第一の絶縁体層の上に複数の、ある第一の方向に伸びる列とある第二の概して前記第一の方向に垂直な第二の方向の行とのなすアレイ上に配列される電荷保存領域を形成し、第二の伝導型を有する複数の第一の領域を形成し、第二の伝導型を有する複数の第二の領域を形成し、前記ボディ中にそれぞれが前記第一の領域の一つと前記第二の領域の一つとの間に伸びる、概して前記電荷保存領域の一つに隣接して配置され、かつそれからは絶縁されている複数のチャネル領域を形成し、前記電荷保存領域のそれぞれに隣接して第二の絶縁体層を形成し、少なくとも一部分が前記電荷保存領域の一つに隣接して配置され、かつ前記第二の絶縁体層によってそれから絶縁されている複数の第一の電気伝導領域を形成し、それぞれの少なくとも一部分が前記第一の電気伝導領域の一つに隣接して配置され、かつフィルタ機能をもつ複数のフィルタを形成し、それぞれがあるエネルギー分布をもつ電荷キャリアを有し、それぞれが前記第一の電気伝導領域の一つの少なくとも一部分に隣接し、かつ前記フィルタの一つによってそれから絶縁されている複数の第二の電気伝導領域を形成するステップを有している。該方法はさらに、前記第一の方向に伸びる複数の離間した平行なビット線であってそのいくつかが電気的に前記第二の領域のいくつかに接続されているものを形成し、それぞれが前記第二の方向に前記ビット線を横切って伸びる伝導性材料の複数の離間した平行なワード線であって該ワード線のそれぞれが前記第一の電気伝導領域のいくつかに電気的に接続されているようなものを形成し、それぞれが前記第一の方向に伸び、前記第二の電気伝導領域のいくつかに電気的に接続されている伝導性材料の複数の離間した平行なトンネル線を形成するステップを有しており、前記第一の電気伝導領域のそれぞれはある重なり領域において前記第二の電気伝導領域の一つと重なり合い、前記電荷保存領域のそれぞれは前記重なり領域の一つの近傍に配置されている。
【００１５】
本発明の上記およびその他の目的、特徴および利点は、付属の図面とともに以下の詳細な説明から明らかとなることであろう。
【００１６】
本発明は、ここでは単なる例としての付属の図面を参照しつつ説明される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明は、あるエネルギー分布をもつ電荷キャリアを有する導体を含み、前記導体との界面を有し、該界面の近傍に前記電荷キャリアの輸送を制御するために電気的に変更可能なポテンシャル障壁を有する材料を含む導体−材料系である。
【００１８】
たとえば図４、図５、図６に示したある実施形態では、前記導体−材料系は導体−絶縁体系であり、導体１０はあるエネルギー分布をもつエネルギーの高い電荷キャリアを有し、絶縁体１２は酸化物、窒化物、酸窒化物などのようなさまざまな材料で形成される。
【００１９】
たとえば図７に示すような別のある実施形態では、導体−材料系は導体−フィルタ系であり、導体５０はあるエネルギー分布をもつ熱的電荷キャリアを有し、材料５２は酸化物、窒化物、酸窒化物、ナノ粒子などのようなさまざまな材料で形成される。
【００２０】
図９、図１０、図１１、図１３、図１６に示すようなさらに別の実施形態では、そのような導体−材料系は電荷注入系のために使用される。
【００２１】
図２２、図２３、図２４に示すようないま一つ別の実施形態では、そのような導体−材料系は不揮発性メモリセルのために使用される。
【００２２】
ここでの用法では、記号ｎ＋は高濃度にドーピングされたｎ型半導体材料を示すものとし、典型的にはｎ型不純物（ヒ素など）のドーピングレベルは1020原子／cm3のオーダーである。記号ｐ＋は高濃度にドーピングされたｐ型半導体材料を示すものとし、典型的にはｐ型不純物（ホウ素など）のドーピングレベルは1020原子／cm3のオーダーである。適切な場合には、複数の図面および以下の詳細な説明を通じて同じまたは同様の部分を指すのに同じ参照符号が使用される。
【００２３】
図１は、電場が印加されたときの導体−材料系のエネルギーバンド図を示している。図には導体１０が示されており、該導体１０は、絶縁体１２に接し、エネルギーバンド中にフェルミエネルギー準位１６を有している。さらに、伝導帯中に絶縁体１２のエネルギーバンド１８、１８′が示されているが、それぞれ影像力効果がある場合、ない場合のものである。追加的に、絶縁体１２によって形成されるポテンシャル障壁２４および２４′の障壁高さφb２０およびφb0２２が示されており、それぞれ影像力効果がある場合、ない場合のものである。影像力効果は、ポテンシャル障壁の形を障壁の端で鋭角をもつ三角形の障壁２４′からなめらかな角をもつ三角形障壁２４（「影像力ポテンシャル障壁」または「影像力障壁」）に変えることが示されている。影像力効果はポテンシャル障壁を障壁高さ２２から障壁高さ２０に障壁オフセットΔφb２６だけ低下させ、これは影像力障壁低下効果と称される。影像力障壁２４の頂点のところには障壁ピーク２８が示されており、導体１０と絶縁体１２の界面から距離Xm３０離れた位置にある。
【００２４】
図１において、導体は、多結晶シリコン（「ポリシリコン」）、多孔質シリコン、多結晶シリコン・ゲルマニウム（「ポリSiGe」）といった半導体でも、アルミニウム（Al）、白金（Pt）、金（Au）、タングステン（W）、モリブデン（Mo）、ルテニウム（Ru）。タンタル（Ta）、ニッケル（Ni）、窒化タンタル（TaN）、窒化チタン（TiN）などといった金属でも、あるいは白金シリサイド、タングステンシリサイド、ニッケルシリサイドなどといったそれらの合金でもよい。絶縁体は、誘電体でも空気でも真空でもよい。絶縁体として誘電体を考える場合は、該誘電体としては酸化物、窒化物、酸窒化物（「SiON」）といった材料を使うことができる。追加的に、酸化物よりも誘電率（誘電定数ともいう）kが低い、あるいは高い誘電体（それぞれ「低k誘電体」、「高k誘電体」）も絶縁体のための材料として考えることができる。そのような低k誘電体は、フッ素化シリコンガラス（fluorinated  silicon  glass）（「FSG」）、SiLK、ナノ多孔性炭素ドープ酸化物（carbon-doped  oxide）（「CDO」）のような多孔性酸化物などでありうる。そのような高k誘電体は、酸化アルミニウム（Al2O3）、酸化ハフニウム（HfO2）、酸化チタン（TiO2）、酸化ジルコニウム（ZrO2）、五酸化タンタル（Ta2O5）などでありうる。さらに、これらの材料のいかなる複合およびこれらから形成される合金、たとえば酸化ハフニウム−酸化物合金（「HfO2−SiO2」）、ハフニウム−アルミニウム−酸化物合金（「HfAlO」）、ハフニウム−酸窒化物合金（「HfSiON」）などを前記誘電体として使用することができる。さらに、絶縁体は一様な化学成分をもつ誘電物質である必要はなく、単層からなる必要もない。成分組成が徐々に変化する誘電物質であってもいいし、二つ以上の層からなっていてもよい。
【００２５】
図２（従来技術）は、電子３１が量子力学的なトンネル効果（たとえばファウラー・ノルドハイムトンネリング）によって図１のポテンシャル障壁を通って輸送されるところを示している。導体１０内の電子３１は障壁２４または２４′をトンネルする前には熱的温度にあり、よって該電子はフェルミ準位１６に対して運動エネルギーをもたない。そのような種類の電子は「熱的電子」（thermal  electrons）と称され、そのような種類の電荷キャリアは「熱的電荷キャリア」または「熱的キャリア」と称される。熱的電子３１は、絶縁体内に大きな電場（典型的には10MV/cm以上）が印加されると量子力学的トンネリングによって絶縁体１２を通って輸送されることができる。そのような大きな電場のもとで、電子３１が絶縁体１２を通過してトンネルして、影像力効果がある場合、ない場合に応じてそれぞれ伝導帯１８、１８′にはいる様子が図示されている。そのようなトンネリング機構では、障壁２４′を通る場合よりも、障壁高さが影像力効果によって低下させられた障壁２４を通る場合のほうが輸送される電子３１のトンネル率が高いことが知られている。
【００２６】
図３Ａは、図１の系のポテンシャル障壁より高いところで輸送されるエネルギーの高い電荷キャリア（電子３２）についてのエネルギーバンド図を示している。ある領域におけるエネルギーの高い電荷キャリアとは、その領域のフェルミ準位エネルギーに対して運動エネルギーをもつ電荷キャリアとして定義される。たとえば、図３Ａでは、導体１０内のエネルギーの高い電子３２は、導体１０のフェルミ準位エネルギー１６に対して運動エネルギー３３をもっている。そのような電子の輸送は、図２との関連で述べた熱的電子３１の輸送とは異なる機構による。図示されている運動エネルギー３３は、影像力障壁２４の障壁高さ２０よりもわずかに高く、障壁高さ２２よりも低いレベルになっている。電子３２は導体１０から絶縁体１２に向けて前方方向３４（矢印で示されている）に動くものとして示されている。影像力効果がない場合のポテンシャル障壁を考えた場合、運動エネルギー３３は熱い電子（hot  electron）３２がポテンシャル障壁２４′より高いところで輸送されるのを支えるには不十分であり、よって電子は障壁２４′によって遮られ、戻り経路３４′に沿って動く。ところが、影像力効果のもとでは、低下した障壁高さ２０は同じ運動エネルギー３３をもつ熱い電子３２が影像力障壁２４をかすめて前方方向に通過して輸送され、伝導帯１８にはいることを許容する。この効果は、集積回路（IC）およびメモリにおける用途のための熱い電子を生成するために電子３２をエネルギーの高い状態にするのに必要とされる電圧を低下させることができ、望ましいものである。
【００２７】
図３Ｂは、影像力が影像力ポテンシャル障壁の障壁高さや障壁ピークの位置を変える効果を示している。障壁高さおよび障壁ピークの位置は、絶縁体に印加される電場EDの関数としてプロットされている。この効果を説明する上で、絶縁体材料としては酸化物を想定する。図３Ｂは、約5MV/cmの電場EDが絶縁体に印加された場合に障壁高さ２０が3.1eVから約2.5eVに低下させられうることを示している。この効果が影像力障壁低下効果を表している。さらに、影像力ポテンシャル障壁２４が電場を通じて電気的に変更可能であるという、影像力ポテンシャル障壁の性質をも表している。さらに、電場を使うことにより障壁２４の障壁高さを変える手段をも表している。典型的には、そのような電場は絶縁体に電圧を印加することによって加えられる。たとえば、厚さ6nmの酸化物絶縁体については、5MV/cmの電場を生成するためには酸化物にかける電圧として約3.0Vが必要とされる。この影像力効果は、印加される電場によって可能となる、電子運動エネルギーの節約を提供する。影像力およびポテンシャル障壁に立ち向かわなければならないのは距離Xmまでだけでよく、無限遠までではないからである。ひとたび距離Xmを超えるところまで輸送されれば、エネルギーの高い電荷キャリア３２は影像力障壁を越えて輸送が許容されるのである。
【００２８】
図３Ｂはさらに、導体／絶縁体界面からのピーク障壁距離Xm３０が、無限大の範囲（ED＝0MV/cmの場合）から1nm未満の範囲（ED＝2MV/cmの場合）にまで短縮できることを示している。固体物理学では、媒質（たとえば図１の絶縁体）の分極は、電荷の移動時間が当該媒質の誘電分極時間よりも短い場合、移動する電荷に追随できないことが知られている。図３Ｂで与えられているようなピーク障壁距離Xmの短縮は電荷移動時間を短縮し、そのような効果は影像力障壁２４の誘電率を下げ（「影像力誘電率」）、よって障壁低下効果を向上させる手段を提供することができるので望ましいものである。電荷移動速度を上げる（たとえば運動エネルギーを上げることによって）といった他の手段も移動時間を下げ、よって影像力誘電率を下げるために考えられる。これは影像力ポテンシャル障壁の障壁高さを変更するもう一つの手段として考えられる。典型的には、そのような手段を使えば、誘電率はその静的な値（たとえば酸化物の場合約3.9）から光学的な値に近い値（たとえば酸化物の場合約2.2）に引き下げることができる。この効果は影像力障壁２４を約0.14eV（酸化物の場合）引き下げる。この効果は、距離Xm３０を横切るキャリア（電子）の移動時間が短いことの結果であり、移動時間が絶縁体の誘電分極時間よりも短い場合には他の粒子との相互作用がない状態で発生することを注意しておく。いくつかの状況においては、キャリアは距離３０以内にある量子力学的な粒子（たとえばフォノン）と相互作用することは可能であることを注意しておく。そのような相互作用は、障壁２４の影像力誘電率が光学的な値よりもわずかに大きい結果を生じることがありえ、よってここに記載される手段を用いる際の障壁低下の効果をわずかに弱めることがありうる。
【００２９】
図３Ｃは、ポテンシャル障壁の障壁高さを電場の関数として、影像力理論を使ってさまざまな誘電率kに基づいて計算した障壁について示している。最低のk（＝1.4）に対する障壁高さφbが電場EDに最も強く依存することが示されている。電場が約5MV/cmの場合、障壁高さはk＝3.1の場合は約2.6eVにまで引き下げられうるが、k＝1.4の場合はさらに0.2eV低い約2.4eVにまで引き下げられうることが示されている。この結果は、障壁低下をもたらす影像力効果（影像力障壁低下）を、より低い誘電率をもつ絶縁体を選ぶことによって、および／または図３Ｂとの関連で述べた影像力障壁の誘電率を下げることのできる手段によって、増幅できることを示している。
【００３０】
図４は、本発明の導体−材料系のある実施形態についてのエネルギーバンド図である。この導体−材料系は、あるエネルギー分布３６をもつエネルギーの高い電荷キャリア３５を有する導体１０と、前記導体１０に界面１４で接し、その界面１４に隣接して前記エネルギーの高い電荷キャリア３５の障壁より高いところでの輸送を許容するために電気的に変更可能な影像力ポテンシャル障壁２４を有する絶縁体１２を有している導体−材料系である。
【００３１】
電子３５は、さまざまなエネルギー準位に分布した分布数をもつエネルギー分布３６をもつものとして示されており、その分布は幅Δ３６の広いエネルギースペクトルを有するガウス型分布として示されている。その分布は運動エネルギー３３のレベルにピーク分布数３６ｐを有している。運動エネルギー３３は、図３Ａとの関連で述べたのと同じ運動エネルギーレベルである。図４ではさらに、電子の約半分の部分（上半分の部分）が障壁高さ２０よりも大きなエネルギーをもち、電子のもう半分の部分（下半分の部分）が障壁高さ２０より低いエネルギーをもつことが示されている。影像力障壁低下効果がなければ、電子３５のすべては、伝導帯１８′との関連で形成されるポテンシャル障壁２４′によって遮られることがわかる。影像力障壁低下効果があれば、エネルギースペクトルで上半分の部分の電子は、伝導帯１８との関連で形成される影像力障壁２４を超え、前方方向３４（矢印で示されている）に沿って輸送されることができることがわかる。これらの電子は伝導帯１８にはいってエネルギー分布３６′を有する電子３５′となることができる。電子３５の下半分の部分は運動エネルギーが不十分なため、これらの電子は映像力障壁２４によって遮られる。よって、図示したように、電子３５′の分布３６′は、一次近似では、電子３５の上半分の部分の分布だけを反映したものである。
【００３２】
図４では、もう一つの影像力効果が注目に値し、記されている。電子３５の下半分の部分は上半分よりも小さな運動エネルギーをもつことがわかる。したがって、ピーク障壁に達するまでに距離Xm３０を横切る移動時間は上半分の部分の電子よりも長い。状況によっては、その移動時間は絶縁体の誘電緩和時間よりも長いこともありうるので、これらの電子との影像力相互作用が絶縁体によって完全に遮蔽されることが可能となる。その結果、そのような種類の電子にとっては誘電率がより大きく見え、そのため影像力障壁低下効果が弱まることになる。そのような効果は低エネルギー電子についての障壁高さ２０をより高くする結果となり、よってこれらの電子が障壁２４を乗り越えることを遮る効果がより強くなる。
【００３３】
図４で述べられた影像力効果はさらに、高エネルギー電荷キャリアを通過させて低エネルギー電荷単体を遮るというフィルタ機能を提供する。キャリアが通過するために必要なエネルギーレベル（「閾値エネルギー」）の選択は、図３Ｂとの関連で述べたような障壁高さφbが電場EDに依存することに基づいて絶縁体の電場を選択することを通じて障壁高さ２０を制御することによって行うことができる。たとえば図３Ｂでは、閾値エネルギーの調整可能な範囲は、電場を0から5MV/cmまで変えることに対応して（あるいは同じことだが、厚さ6nmの酸化物を想定すれば酸化物絶縁体に0から３Vまでの電圧を印加することによって）3.1eVから約2.5eVまで可能である。
【００３４】
図４では、広いエネルギースペクトルをもつ電子は、当業界で周知のCHEI、SSI、BTBTといった機構を採用することによって生成することができる。これらの種類の機構によってエネルギーの高い電子は典型的には、格子原子による球対称で方向性のない散乱に関わり、エネルギースペクトルΔ３６は約0.5eVから約3eVの範囲でありうる。
【００３５】
図５は、本発明の導体−絶縁体系のもう一つの実施形態についてのエネルギーバンド図を掲げている。図５では、この導体−絶縁体系は、あるエネルギー分布３８をもつエネルギーの高い電荷キャリア３７を有する導体１０と、前記導体１０に界面１４で接し、その界面１４に隣接して前記エネルギーの高い電荷キャリア３７の障壁より高いところでの輸送を許容するために電気的に変更可能な影像力ポテンシャル障壁２４を有する絶縁体１２とを有している。
【００３６】
図５では、エネルギーの高い電荷キャリア（熱い電子３７）は、導体−絶縁体系の影像力障壁２４より高いところで輸送される際に、幅Δ３８の狭いエネルギースペクトルに分布した分布数をもつエネルギー分布３８をもつものとして示されている。この図はほとんどすべての点で図４と同一であるが、一点だけ違いがある。その違いとは、熱い電子の分布３６が広いエネルギースペクトルΔ３６ではなく、この図では熱い電子の分布３８が狭いエネルギースペクトルΔ３８をもつということである。図４との関連で述べた電子３５と同じエネルギー準位３３にピーク分布数をもつ熱い電子３７について、これらの熱い電子３７はすべてが伝導帯１８によって形成される影像力障壁２４を超え、３８と同様の分布数の分布３８′をもつ電子３７′となることができることがわかる。典型的には、エネルギーの高い電荷キャリア３７のエネルギー分布３８のエネルギースペクトル幅Δ３８は約30meVから約500meVの範囲になる。
【００３７】
この実施形態の独特な部分は、電子３７がコンパクトなエネルギー分布に詰め込まれており、影像力障壁２４が下半分の運動エネルギーで通過する熱い電子もすべて許容する「全域通過フィルタ」として機能するという点である。よってこの実施形態により、より高い注入効率およびより低い動作電圧という利点がもたらされる。
【００３８】
図２から図５との関連での上記の説明は、電子をエネルギーの高い電荷キャリアとし、伝導帯を障壁のエネルギーバンドとしてなされたが、ホールなど他の種類のエネルギーの高い電荷キャリアおよび価電子帯など他の種類のエネルギーバンドについても容易に同じ説明を行うことができることは明らかである。
【００３９】
図６は、ホールを例として説明する本発明のもう一つの実施形態のエネルギーバンド図を掲げている。図６では、導体−絶縁体系は、あるエネルギー分布４８をもつエネルギーの高い電荷キャリア４０を有する導体１０と、前記導体１０に界面１４で接し、その界面１４に隣接して前記エネルギーの高い電荷キャリア４０の障壁より高いところでの輸送を許容するために電気的に変更可能な影像力ポテンシャル障壁４２を有する絶縁体１２とを有している。
【００４０】
図６はほとんどすべての点で図５と同一であるが、いくつかの相違点がある。一つの相違点は、輸送電荷キャリアとして熱い電子３７の代わりに、この図ではエネルギーの高いホール４０（「熱いホール」４０）が与えられている。さらに、絶縁体によって形成される障壁がここでは絶縁体の価電子帯と関連している。図にはまた、影像力効果がない場合の価電子帯４４′に関連したポテンシャル障壁４２′の障壁高さ４１′と、導体−絶縁体系の価電子帯４４での影像力障壁４２の障壁高さ４１とが示されている。絶縁体に電場が印加されている間、障壁高さ４１は影像力障壁低下効果によって引き下げられる。これは図１、図３Ｂ、図３Ｃとの関連における障壁高さ２０について述べたのと同様である。
【００４１】
図６では、熱いホール４０は、狭いエネルギースペクトルΔ４８をもつガウス型曲線に分布した構成粒子集団のエネルギー分布４８をもつものとして示されている。分布４８はピーク分布４８ｐおよび裾野分布４８ｔをもつものとして示されている。ピーク分布４８ｐにおけるホールは、導体のフェルミ準位１６に対して運動エネルギー４６をもつものとして示されている。運動エネルギー４６は影像力障壁高さ４１よりわずかに高く、障壁高さ４１′よりは低いことがわかる。影像力障壁低下効果がなければ、分布４８をもつホール４０は障壁高さ４１′よりエネルギーが低く、よって障壁４２′を乗り越えることができないことがわかる。しかし、影像力効果があると、ホール４０は大部分（裾野部分４８ｔ以外）が影像力障壁４２を乗り越えて、前方方向３４に沿って輸送されて構成粒子集団がエネルギー分布４８′をもつホール４０′となれることがわかる。そのようなホール４０′は価電子帯４４よりも高いエネルギーを有しており、同じ方向に沿って絶縁体内を輸送され続け、絶縁体の反対側に隣接している材料（図示せず）に到達することができる。図６ではまた、図４で電子について述べた効果と同様の、ホールについての高域通過フィルタ効果が示されている。裾野分布４８ｔ内のホールは障壁高さ４１よりもわずかに低い運動エネルギーをもち、影像力障壁４２を乗り越えることが遮られていることがわかる。そのようなホールは分布４８′には含まれていない。しかし、ホール４０のエネルギースペクトルΔ４８がコンパクトであるため、裾野分布４８ｔ内のホールを遮る状況は、追加的に小さな電圧（たとえば約100mV）を印加することによりそのようなホールのエネルギーを持ち上げてやることで容易に避けることができる。
【００４２】
これで、本発明で用いられる影像力障壁低下効果により、熱いキャリア（電子またはホール）がより低い運動エネルギーで絶縁体障壁を通って輸送されることができ、メモリセルまたは半導体デバイスの操作のためにそのような効果を用いる際の動作電圧を引き下げられることが明らかになった。そうしたデバイスにおいて高い注入効率を達成するためには、熱いキャリアとして、エネルギー分布上でコンパクトなエネルギースペクトルをもつキャリアが与えられ、影像力障壁低下効果とともに使われることが望ましい。
【００４３】
本発明が、ここで図示され、上述された実施形態に限定されるものではなく、付属の特許請求の範囲にはいるすべてのいかなる変形をも包含するものであることを理解しておくものとする。たとえば、本発明のキャリア分布３６，３８、４８はガウス型として説明したが、通常の当業者には分布が他のいかなる種類の曲線形にも拡張でき、その形がエネルギーに関して対称的でなくてもよいことは明らかであろう。
【００４４】
図７は、本発明のもう一つの実施形態に基づく導体−材料系のエネルギーバンド図を掲げている。この導体−材料系は、あるエネルギー分布をもつ電荷キャリア（電子からなる熱的電荷キャリア５６）を有する導体５０とフィルタ５２とを有する導体−フィルタ系である。該フィルタ５２は、前記導体５０に界面１５で接し、ある極性の前記電荷キャリア５６（負の電荷キャリア、電子５６）に対するフィルタ機能を提供するための誘電体５３および５４を含んでいる。フィルタ５２は、前記ある極性の電荷キャリア５６のある方向（前方方向３４）の流れを制御するために前記界面の近傍に電気的に変更可能なポテンシャル障壁２４53および２４54を含んでいる。
【００４５】
図７は、導体−フィルタ系の例である。導体５０はフェルミ準位エネルギー１６50をもち、ポリシリコン、ポリSiGeといった半導体でも、Al、Pt、Au、W、Mo、Ru、Ta、Ni、TaN、TiNなどといった金属でも、あるいは白金シリサイド、タングステンシリサイド、ニッケルシリサイドなどといったそれらの合金でもよい。フィルタ５２はトンネル誘電体（tunneling  dielectric）ＴＤ５３と遮蔽誘電体（blocking  dielectric）ＢＤ５４を有するものとして示されている。トンネル誘電体ＴＤ５３は該ＴＤ５３の伝導帯１８53内に形成された障壁２４53を有するものとして示されている。遮蔽誘電体ＢＤ５４は該ＢＤ５４の伝導帯１８54内に形成された障壁２４54を有するものとして示されており、伝導帯１８54はＴＤ５３の伝導帯１８53に対してオフセット５５を有するものとして示されている。ＴＤ５３は導体５０に隣接して配置され、ＢＤ５４はＴＤ５３に隣接して配置されている。典型的には、ＢＤ５４はＴＤ５３よりも狭いエネルギーバンドギャップを有する。フィルタに電圧が印加される際、フィルタ５２は伝導帯に対して異なるバンドの曲がり（band  bending）を有しうる。ＢＤ５４の伝導帯１８54は、ＴＤ５３の伝導帯１８53について示しているよりもバンドの曲がりが小さいものとして示されている。導体５０は、構成粒子集団のエネルギー分布５７をもつ熱的電子５６を提供する。電子５６のエネルギー分布５７はフェルミ準位エネルギー１６50より低いものとして示されており、その分布の曲線はピーク分布５７ｐ、裾野分布５７ｔを有している。導体５０はフェルミ準位エネルギーよりも低いエネルギーをもつ電荷キャリアを提供するので、「低域通過」キャリア提供器のような感じで機能する。フィルタ５２内に電場が印加された状態では、ピーク部分の分布５７ｐ内の電子５６は量子力学的なトンネル効果（たとえば直接トンネリング）によってＴＤ５３内でＴＤ５３の障壁２４53を通過して輸送されることができ、ＢＤ５４の伝導帯１８54にはいってエネルギー分布５７′上でコンパクトなエネルギースペクトルΔ５７′をもつ電子５６′となれることが示されている。これに対し、裾野分布５７ｔ内の電子５６はトンネルして障壁２４53および２４54を通過することができないことが示されている。フィルタ５２内に設けられているＢＤ５４の障壁２４54は裾野分布５７ｔ内の電子５６についての追加的なトンネル障壁をなし、障壁２４54をそれらの電子のエネルギーよりも高いエネルギー準位（「閾値エネルギー」５８）に保つことによって、それらの電子に対する遮蔽効果が起こり、実現されることができる。閾値エネルギー５８は、一次近似では、両方の障壁２４53および２４54によって確立される（それは障壁２４53における電圧降下によって、そして障壁２４53と２４54との間のオフセット５５によって制御される）。フィルタ５２の障壁構造の遮蔽効果は、トンネルする電荷キャリア５６に対して高域通過フィルタ効果を生じるフィルタ機構を与える。このフィルタ効果は独特なものであり、図４との関連で述べたエネルギーの高いキャリア（たとえば熱い電子３５）に対するフィルタ効果とは幾分異なっている。
【００４６】
図７のフィルタ５２ではＴＤ５３およびＢＤ５４を示したが、そのような表示は単に例としてであって、キャリアの流れを制御するために好適なポテンシャル障壁をもついかなる追加的な材料の層を用いてもよい。そのような層は半導体材料（たとえばSiC）でも、ナノ粒子でも、あるいは誘電体でもよい。前記ナノ粒子は直径が約2nmないし約7nmの範囲の概球形の粒子であり、典型的にはフィルタのポテンシャル障壁を効果的に変更することのできる半導体材料（たとえば、Ge、SiGe合金など）、誘電体粒子（たとえばHfO2）あるいは金属（たとえばAu、Ag、Ptなど）でつくられる。そのような層はＴＤ５３とＢＤ５４の間に配置してもよいし、その一方のみに隣接して配置してもよい。
【００４７】
図７の導体−フィルタ系の独特な部分は、コンパクトなエネルギー分布で輸送される電荷キャリアを提供する機能にある。そのような機能は導体５０の「低域通過」キャリア提供器機能とフィルタ５２の高域通過フィルタ機能との結果である。そのような両方の機能を組み合わせることによって、図７の導体−フィルタ系は、分布において狭いエネルギースペクトルをもつ電荷キャリアの輸送を許容する「帯域通過」フィルタ機能を提供するのである。帯域通過フィルタ機能はフィルタ５２のフィルタ機能の一つの実施例であり、当該導体−フィルタ系がフェルミ準位エネルギー１６50と閾値エネルギー５８とによって制御される「帯域」をもつ「帯域通過フィルタ」として機能することを可能にする。典型的には、エネルギースペクトルは約30meVから約500meVの範囲にある。
【００４８】
フィルタ５２は閾値エネルギー５８より高いエネルギーをもつ電子を通過させるフィルタ効果を提供する。これは、ピーク分布５７ｐにある電子を通過させ、裾野分布５７ｔにある電子を遮る結果となる。電子５６′のエネルギー分布５７′は図７の導体−フィルタ系の「帯域通過」フィルタ機能を説明する例として示されており、該分布５７′はこの効果を説明するために分布５７のピーク分布５７ｐと同様なものとして示されている。最良の「帯域通過」フィルタ効果を得るために、分布５７′のエネルギースペクトルΔ５７′は典型的には、閾値エネルギー５８をより上または下のレベルに調整することによってそれぞれ狭めたり広げたりすることができる。エネルギースペクトルΔ５７′を調整できることは、いかなる実用上の用途におけるフィルタ効果のためであっても帯域通過フィルタの「帯域幅」を合わせられる機能を許容することになるので、望ましい。これは、フィルタ５２に印加される電圧を調整することによって、あるいは以下の段落で説明するその他のパラメータを調整することによってなすことができる。
【００４９】
フィルタ５２の構築において、以下の考察のため、ＢＤ５４はＴＤ５３に比べて大きな誘電率をもつようにしておくことが通例望ましい。第一に、それによりＢＤ５４内の電場が低下し、それにより裾野分布５７ｔにおける電子のトンネル確率を低下させることができ、よってそうした電子に対する遮蔽効果を向上させることができる。さらに、フィルタ効果のためにフィルタ５２に電圧を印加する際、ＢＤ５４の誘電率が大きいほど印加された電圧の大きな部分がＴＤ５３の両端に現れるようにすることができる。これは印加電圧とＴＤにかかる電圧との間の電圧転換率を改善し、よってフィルタ効果のために必要とされる印加電圧を低くし、印加電圧のフィルタ効果に対する感度を上げ、裾野分布に分布している電子に対するエネルギースペクトル中の遮蔽範囲を増やすことができるという利点がある。
【００５０】
追加的に、エネルギースペクトルΔ５７′を調整するために他のパラメータも考えることができる。そのようなパラメータの一つがＢＤとＴＤの間の伝導帯オフセット５５である。伝導帯オフセット５５は、分布５７の電子５６がフィルタ５２を通ってトンネルすることが許容される下限である閾値エネルギー５８を制御するためにさまざまな値に合わせることができる。これはＢＤ５４およびＴＤ５３の材料を適切に選ぶことによってできる。具体例では、ＴＤ５３の材料として酸化物を選ぶとき、ＢＤ５４としては酸窒化物系（「SiOxN1-x」）の誘電体膜がいい候補になる。よく実証された製造工程向きの膜品質および処理制御のためである。SiOxN1-xにおいて「x」は酸化物分率、すなわち酸窒化物膜中の酸化物の等価百分率である。たとえば、x＝1は膜が純粋な酸化物である場合に対応する。同様に、x＝0は膜が純粋に窒化物の場合に対応する。酸化物分率xが0から1に変わるにつれて、伝導帯オフセット５５を約1eVから0eVに変えることができる。よって、SiOxN1-xの酸化物分率xを調整することによって伝導帯オフセット５５をフィルタ５２の所望の範囲に合わせることができるようになり、よってエネルギースペクトルΔ５７′（すなわち、帯域通過フィルタの「帯域幅」）を調整する方法が与えられるのである。
【００５１】
ＴＤ５３およびＢＤ５４の厚さならびに導体５０のフェルミ準位エネルギー１６50といったその他のパラメータも、閾値エネルギーレベル５８およびそのフェルミ準位エネルギー１６50に対する相対的なエネルギーレベルを、よって帯域通過フィルタの「帯域幅」を調整するために考えることができる。ここで図７の導体−フィルタ系を構築する上でこれらのパラメータを考えてみる。説明の目的上、導体−フィルタ系の導体５０、ＴＤ５３、ＢＤ５４としてはそれぞれポリシリコン、酸化物、窒化物を想定する。ＴＤの酸化物は30Åの厚さをもつものとする。図８は、ここで示される二つの場合について、フェルミ準位レベル１６50に対する閾値エネルギー５８の相対的なエネルギーレベルを示している。フェルミ準位に対して閾値エネルギーが負の値となる領域は、閾値エネルギーのレベルがフェルミ準位よりも低い状況に対応しており、両者の差が帯域通過フィルタの「帯域幅」に対応する。示している二つの場合は、ポリシリコン（ｎ＋とｐ＋のポリシリコン）のフェルミ準位において、そしてフィルタ５２にかけられる印加電圧Vaにおいて相違がある。図８を参照すると、ｐ＋ポリシリコンでVa＝−4Vの場合については、閾値エネルギーがフェルミ準位以下になる範囲は0eVから約0.4eVの範囲で、ＢＤの厚さ（「TBD」）を約30Åから約20Åに減らすことに対応している。ｎ＋ポリシリコンでVa＝−3Vの場合については、閾値エネルギーがフェルミ準位以下になるより広い範囲（約0.8eV）が示されており、TBDの範囲でいうと50Åから20Åにあたる。
【００５２】
これで、導体のフェルミ準位に対する閾値エネルギーが、フィルタのＴＤおよびＢＤの厚さを調整することによって、および／または導体のフェルミ準位を調整することによって調整できることが明らかとなったであろう。そのような方法を使って、輸送電荷の帯域幅を実用上の用途のための所望の範囲に合わせることができる。輸送電荷キャリアの運動エネルギーはこの方法を用いることによって制御され、用途に適合させられる。
【００５３】
図７の導体−フィルタ系は、ホール（たとえば、軽いホール（light-hole）（「LH」）または重いホール（heavy  hole）（「HH」））のような他の種類の電荷キャリアに対する帯域通過フィルタ機能を提供するために用いることもできる。図７および図８との関連で電子について述べられたのと同様の考察は、エネルギーバンド図の価電子帯で形成されるフィルタ５２のトンネル障壁を考慮することによってこれらのホールにも容易に適用できる。ホールが電子とは電荷極性が逆であるため、ホールに対する帯域通過フィルタ処理は、図７に示したフィルタ５２にかかる電圧の極性を反転させることによって行うことができる。
【００５４】
この開示の思想が、所望のフィルタ効果のためにフィルタ処理後の電荷分布を調整できるよう選択するフィルタの誘電体を修正して適用することもできることは、通常の当業者には明らかであろう。たとえば、ＢＤ５４の誘電率はＴＤ５３よりも大きいものとして説明したが、この開示の思想は、ＢＤ５４を、ＴＤ５３と同程度の誘電率をもつ材料に修正することで、トンネル輸送の間にピーク分布における電荷キャリアを効率的に通過させるようにして適用することもできる。さらに、ＴＤ５３およびＢＤ５４は一様な化学成分をもつ材料である必要はなく、その成分構成が徐々に変化する材料であってもよい。さらに、酸化物、窒化物または酸窒化物の代わりにAl2O3、HfO2、TiO2、ZrO2、Ta2O5などといったいかなる好適な誘電体をも使用することができる。さらに、これらの材料のいかなる複合およびそれらから形成される合金、たとえばHfO2-SiO、HfAlO、HfSiONなども酸化物、窒化物または酸窒化物の代わりに使用することができる。
【００５５】
図９は、本発明のある実施形態による、コンパクトなエネルギー分布をもつ電荷を注入するための電荷注入系のエネルギーバンド図を掲げている。図９を参照すると、図７との関連で述べた型の第一の導体−材料系（導体−フィルタ系５９）と、図５との関連で述べた型の第二の導体−材料系（導体−絶縁体系６０）と、電荷保存領域（charge  storage  region）（「CSR」）６６が示されている。一つの例として、CSR６６はチャネル誘電体（channel  dielectric）（「CD」）６８を通じてボディ７０に電気的に結合しているものとして示されている。他の例では（図示せず）、CSR６６はボディ７０に直接的に接していることができる。図９のエネルギーバンド構造はその完全なバンド構造とともに示されている。たとえば、導体−フィルタ系５９では、図７の伝導帯１８53および１８54に加えて価電子帯４４53および４４54も示されている。導体−フィルタ系５９は、あるエネルギー分布５７をもつ電荷キャリア５６を有するトンネリングゲート（「TG」）６１およびフィルタ５２を有している。フィルタ５２はポテンシャル障壁２４53および２４54を含み、図７との関連で述べたフィルタ効果を制御するための障壁によって確立される閾値エネルギー５８を有する。フィルタ５２はさらに、図７との関連で述べたトンネル誘電体（「TD」）５３および遮蔽誘電体（「BD」）５４を有している。導体−絶縁体系６０は系の導体および絶縁体としてそれぞれ弾道学的ゲート（ballistic  gate）（「BG」）６２および保持誘電体（retention  dielectric）（「RD」）６４を有している。この電荷注入系のエネルギーバンド図は、TG６１からRD６４までの領域では、導体−フィルタ系５９のフィルタ５２を導体−絶縁体系６０の導体（BG６２）に「接合する」ことによって構築される。TG６１およびBG６２は金属でできており、それぞれの仕事関数はフェルミ準位１６61および１６62に対応する。CSR６６は、BG６２およびボディ７０からはそれぞれ誘電体RD６４およびCD６８によって絶縁されており、伝導帯１８66および価電子帯４４66を有するｎ型伝導性をもつ半導体であるものとして示されている。CSR６６は電荷キャリアを保存するために使われる他の型の伝導性（たとえばｐ型）の半導体であってもよい。ボディ７０は、それぞれ伝導帯１８70および価電子帯４４70をもつ半導体で、導体−絶縁体系６０の影像力障壁２４64をCSR６６に電圧を結合することによって変調するのに使うことができる。誘電体RD６４およびCD６８は単層で示されており、一般には二つ以上の層を有して複合層を形成することができる。
【００５６】
図９はさらに、コンパクトなエネルギー分布をもつ電荷を形成し、注入するプロセスの図解をも提供する。熱的電子５６は注入のために使われる供給された電荷キャリアであり、図７との関連で述べた機構によりフィルタ５２を通ってのトンネル輸送の間にフィルタ５２によってフィルタ処理される。フィルタ処理後、熱的電子は、フィルタ処理前の分布５７よりもコンパクトなエネルギー分布５７′をもつ電子５６′となる。そのような電子５６′は導体−絶縁体系６０に給送される。一つのケースでは、電子５６′の一部分が散乱されることなく（「弾道学的輸送」）、BG６２のフェルミ準位１６62より高いある運動エネルギー３３でBG６２を通って輸送され、BG６２とRD６４との界面においてエネルギーの高い電子３７となることができる。そのような電子３７（「弾道学的電子」と称する）は他の粒子（たとえば、電子、フォノンなど）との散乱を経験せず、よって運動エネルギーおよび当初の運動に沿った方向の運動量とを保存することができる。もう一つのケースでは、電子５６′は他の粒子と部分散乱しながら（「部分的弾道学的輸送」）BG６２を通って輸送されることができ、それでもその運動エネルギー３３を十分高く維持し、方向性も維持し、BG６２とRD６４との界面付近において電子３７となることができる。いずれにせよ、そのようなエネルギーの高い電子３７は、図３Ｂおよび図５との関連で述べたような機構により影像力障壁２４64の障壁高さ２０を乗り越え、RD６４の伝導帯１８64にはいり、そこを進んで構成粒子集団のエネルギー分布３８′をもつ電子３７′となり、最終的に伝導帯１８66において電子７１として捕集され、CSR６６に保存されることができる。電荷を形成し、注入するこのようなプロセスは（弾道学的輸送であろうと、部分弾道学的輸送であろうと）、弾道学的電荷注入機構と称される。電荷キャリアとして電子を選択した場合には、そのような機構は弾道学的電子注入機構と称される。典型的には、エネルギーの高い電荷キャリア（電子３７）のエネルギー分布は、約30meVから約500meVの範囲のエネルギースペクトルを有する。そのような電子の注入効率（供給されたキャリア数に対する捕集されたキャリア数の比として定義される）は典型的には約10-4から約0.5の範囲である。注入効率はさらにピエゾ電子を注入することによって向上させることができる（図１７Ｂとの関連で述べるピエゾ弾道学的電子注入機構を参照）。
【００５７】
図９に示した弾道学的電荷注入は弾道学的電子注入を示しており、電子３７が導体−絶縁体系６０の影像力障壁高さ２０よりも高い運動エネルギー３３をもつようTG６１とBG６２との間に電圧を印加することによってなされる。そのような電圧は低下させることができるが、それには図３Ａ、図３Ｂ、図３Ｃとの関連で述べた手段を使って影像力障壁２４64の障壁高さ２０を引き下げる。これはたとえば、正電圧（たとえば約＋1Vから約＋3V）をCSR６６に結合させることによって行うことができる。あるいはまた、障壁高さ２０は、BG６２よりも低い仕事関数（または高いフェルミ準位エネルギー）をもつ材料をCSR６６のために選ぶことによって引き下げることができる。
【００５８】
図１０は、電荷注入系のもう一つの実施形態についてのエネルギーバンド図を掲げている。この例は電子を注入する場合について示されている。当該電荷注入系は、図７との関連で述べた型の第一の導体−材料系５９（導体−フィルタ系）と、図５との関連で述べた型の第二の導体−材料系６０（導体−絶縁体系）とを有している。第一の導体−材料系５９は、あるエネルギー分布５７をもつ熱的電荷キャリア５６を有する第一の導体６１と、第一の界面１５で第一の導体６１に接し、ある極性の電荷キャリア５６（たとえば負電荷キャリア）に対してフィルタ機能を提供するための誘電体５３および５４を有するフィルタ５２とを含んでいる。フィルタ５２は、ある極性の電荷キャリア５６のある方向（たとえば前方方向３４）の流れを制御するための電気的に変更可能なポテンシャル障壁２４53および２４54の第一のセットと、前記ある極性とは逆のある極性の電荷キャリア（たとえば正電荷キャリアLH７２およびHH７３）の前記ある方向３４と実質逆向きのある別の方向（たとえば後方方向７４）の流れを制御するための電気的に変更可能なポテンシャル障壁４４53および４４54の第二のセットとを含んでいる。第二の導体−材料系６０は前記フィルタ５２に接し、前記フィルタ５２からあるのエネルギー分布５７′をもつエネルギーの高い電荷キャリア５６′を有する第二の導体６２と、前記第二の導体６２と第二の界面１４で接し、該第二の界面１４に隣接する電気的に変更可能な影像力ポテンシャル障壁２４64を有する絶縁体６４とを含んでいる。
【００５９】
そのようなフィルタ機能は、前記ある極性型の電荷キャリアが前方方向３４に（すなわち、TG６１からBG６２に）輸送されることを許容し、逆極性型の電荷キャリアが後方方向７４に（すなわち、BG６２からTG６１に）輸送されることを遮る。よって、フィルタ５２は電荷の流れを「純化する」ことのできる電荷フィルタ機能を提供する。電荷フィルタ機能はフィルタ５２のフィルタ機能のもう一つの実施例である。
【００６０】
図１０はほとんどすべての点において図９と同一であるが、いくつかの相違点がある。相違点の一つは、導体−フィルタ系５９および導体−絶縁体系６０の導体領域のための材料として金属を使うのではなく、これらの導体領域（すなわち、TG６１およびBG６２）がここでは、TG６１とBG６２に対してそれぞれ、伝導帯１８61および価電子帯４４61、ならびに伝導帯１８62および価電子帯４４62をもつ半導体を用いて提供されているという点である。TG６１は供給された電荷キャリアとして価電子帯４４61に熱的電子５６を有するｐ型半導体として示されている。そのような電子５６およびそのエネルギー分布５７は図９との関連で述べたのと同一の輸送プロセスを経て、電子５６の一部分はCSR６６にはいってエネルギー分布３８′をもつ電子３７′となり、図９との関連で述べたのと同様にして最終的に捕集され、電子７１としてCSR６６に保存されることができる。
【００６１】
図１０に示した例については、電子５６をTG６１内に前方方向３４に沿って注入するような極性を有する電圧を印加する際、その電圧は同時にBG６２内のホールLH７２およびHH７３の後方方向７４に沿った輸送を誘起する。LH７２およびHH７３の後方輸送は望ましくない問題を生じることがある。たとえば、ホールがその領域に後方輸送されたとき、価電子帯４４61よりも高いそのエネルギーのためTG６１において衝撃イオン化を引き起こすことがある。さらに、こうしたホールは、たとえばメモリセルのプログラム操作において弾道学的電子注入を採用する際、メモリ操作に貢献しない。したがって、電流、それゆえ電力を無駄にすることになりうる。よって、LH７２およびHH７３がTG６１に後方輸送されることは遮ることが望ましい。
【００６２】
図１０におけるエネルギーバンド構造は、後方輸送キャリア（すなわち、LH７２およびHH７３）は前方輸送キャリア（すなわち電子５６）よりも多くの障壁を通って輸送されなければならず、よって後方輸送キャリアの遮蔽に対してフィルタ効果が提供されることを示している。フィルタ効果は、フィルタ５２におけるポテンシャル障壁によって構築されるエネルギーバンド構造に基づいている。後方輸送ホール７２および７３を遮る第一のポテンシャル障壁４２54は障壁４２54の入口側、出口側それぞれの障壁高さが４１54および４１′54となっている。両方の障壁高さ４１54および４１′54はBD５４の価電子帯４４54を基準としている。入口側の障壁高さが４１53である第二のポテンシャル障壁４２53がホール７２および７３を遮るもう一つの障壁を形成する。障壁高さ４１53はTD５３とBD５４の界面におけるTD５３の価電子帯４４53を基準としている。
【００６３】
ここで与えられているフィルタ５２は障壁高さ工学の概念に基づいている。その概念を解説するために使われる導体−フィルタ系５９および導体−絶縁体系６０の一つの具体的な実施例は、TG６１としてｐ＋ポリシリコン、TD５３として酸化物層、BD５４として窒化物層、BG６２としてｎ＋ポリシリコン、RD６４として酸化物層を有している。BG６２としてｎ＋ポリシリコンを考えるのはいくつかの考察のためである。主要な考察は、ｎ型不純物（たとえばヒ素、リンなど）の固溶度がｐ型不純物（たとえばホウ素）よりもずっと高いという点にある。固溶度が高い不純物ほど、通例シリコンを高濃度にドープでき、シート抵抗を低くすることにつながるので望ましく、集積回路（IC）の用途に好都合である。今の実施例では、TG６１およびBG６２の材料としてポリシリコンが採用されたのは、そのよく実証された収率、製造の容易さ、既存のIC技術との整合性のためである。RD６４として約7nmから10nmの厚さの酸化物が採用されているのも同じ理由による。TD５３として使用される酸化物層の厚さは約1.5nmから4nmの範囲、好ましくは約2nmから3.5nmの範囲でよい。TD５３層の厚さは、その層を横切って輸送される電荷キャリア（電子、LHまたはHH）が主として直接トンネル機構によるような範囲に選ばれている。BD５４の厚さは、TG６１とBG６２の間に約1Vから約2.5Vの範囲のほどほどの電圧が印加されたときにBD５４層およびTD５３層の両方を通っていかなる型の電荷キャリアもトンネルが遮られるよう選ばれる。BD５４層の厚さはさらに、より高い電圧範囲（3V以上）が印加されたときにある型の電荷キャリア（たとえば電子）は前方方向に輸送されることを許容し、他方の型の電荷キャリア（たとえばLH）は後方方向に輸送されることを遮るよう選ばれる。のちに遮蔽高さ工学理論において述べるように、BD５４の厚さの選択はまた、誘電率によっても決定される。一般に、フィルタ５２が効率的に上記の要求を満たすことができる限りは、BD５４の厚さはTD５３より薄くても厚くてもよい。たとえば、ここでの具体的な実施例では、TD５３として3nm（すなわち30Å）の酸化物が選ばれたとすると、BD５４に対する最小厚さは約2nm（すなわち20Å）またはそれ以上であってよい。その具体的な実施例ついては、TD５３のための酸化物はHTO（high  temperature  oxide［高温酸化物］）または従来式の蒸着技術を使って形成されるTEOS層、すなわち当業界で周知の熱的酸化法を使うことによる熱的酸化物であってよい。BD５４のための窒化物は、バンドギャップ内に電荷捕捉中心のない高品質窒化物であってよい。この高品質窒化物は、NH3（アンモニア）雰囲気中で高温で（たとえば1050°C）、たとえば当技術分野で周知のRTN（Rapid  Thermal  Nitridation［高速熱的窒化膜形成］）法を使うことによって形成できる。
【００６４】
TD５３およびBD５４の材料としてそれぞれ酸化物および窒化物が示されているが、具体的な実施例でのそのような表示は単なる例であって、他のいかなる種類の誘電体材料およびその複合もTDおよびBDとして容易に用いることができる。たとえば、別の実施例では、TD５３は厚さが約1.5nmから約4nmの範囲の酸化物であることができ、BD５４は窒化物、酸窒化物、Al2O3、HfO2、TiO2、ZrO2、Ta2O5およびそれから形成される合金からなる群のうちから選択される材料であることができる。さらに別の実施例では、TD５３は厚さが約1.5nmから約4nmの範囲の酸窒化物であることができ、BD５４は窒化物、Al2O3、HfO2、TiO2、ZrO2、Ta2O5およびそれから形成される合金からなる群のうちから選択される材料であることができる。
弾道学的電荷注入のための障壁高さ工学
ここでの障壁工学の概念は、弾道学的電荷注入のための電気的に変更可能なフィルタを構築する方法を提供する。障壁高さ工学についてのさらなる詳細についてこれから、弾道学的電子注入については図１１、弾道学的ホール注入については図１３を参照しつつ述べる。
【００６５】
図１１は図１０と同様のエネルギーバンド図であるが、障壁高さのさらなる詳細を明らかにするためにフィルタ６２のエネルギーバンドのバンドの曲がりが小さくなっている。図１０に示した領域およびその参照符号に加え、図１１はさらに４４62と４４53の間の価電子帯オフセットの障壁高さ４１′53を示している。障壁高さ４１′53は、後方輸送LH７２およびHH７３を遮るための第二のホールポテンシャル障壁４２53の出口側にある。さらに、TD５３によって形成される第一の電子ポテンシャル障壁２４53が示されているが、これは該障壁２４53の入口側、出口側でそれぞれ障壁高さ２０53および２０′53をもつ。さらに、BD５４によって形成される第二の電子ポテンシャル障壁２４54が示されているが、これは該障壁２４54の入口側、出口側でそれぞれ障壁高さ２０54および２０′54をもつ。この第二の電子ポテンシャル障壁２４54は前方輸送電子５６を遮る影響をもつ。
【００６６】
ここで、本発明に基づくエネルギーバンド構造では、電荷として前方輸送電子５６に関連して二つの電子障壁２４53および２４54があることが明らかである。同様に、BG６２の後方輸送ホール７２および７３に関連して二つのホール障壁４２54および４２53がある。効率的な弾道学的電子注入を許容するためには、第一および第二の電子障壁２４53および２４54の障壁高さが電気的に変更可能で前方方向３４の輸送を助けられることが望ましい。これに対し、BG６２のホール７２および７３がTG６１に後方輸送されるのを遮るためには、第一および第二のホール障壁４２54および４２53の障壁高さを注入の間電圧範囲を通じて十分高く保つことが望まれる。
【００６７】
図１１を参照すれば、第二の電子障壁２４54の障壁高さ２０54（ΔΦVE_TB）は一次近似で次の式で表せる。
【００６８】
ΔΦVE_TB＝ΔΦCB_TB＋Eg−|VTD|          （１）
ここで、
ΔΦCB_TBは平坦バンド条件下にあるときのTG６１とBD５４の間の伝導帯オフセット、
VTDは弾道学的電子注入の間のTDの両端での電圧降下であり、次のように表される。
【００６９】
VTD＝(Va−Vfb)/[1＋(εTD×TBD)/(εBD×TTD)]          （１）′
VaはTG６１からBG６２にわたって印加される電圧、
Vfbは平坦バンド電圧、
EgはTG６１のエネルギーギャップ、である。
【００７０】
同様に、後方輸送ホールを遮るための第二のホール障壁４２53の障壁高さ４１53（ΔΦVH_GT）は一次近似で次の式で表せる。
【００７１】
ΔΦVH_GT＝ΔΦVB_GT−|VBD|          （２）
ここで、
ΔΦVB_GTは平坦バンド条件下にあるときのBG６２とTD５３の間の価電子帯オフセット、
VBDは弾道学的電子注入の間のBD５４の両端での電圧降下であり、次のように表される。
【００７２】
VBD＝(Va−Vfb)/[1＋(εBD×TTD)/(εTD×TBD)]          （２）′
式（１）および（２）から、障壁高さ２０54（ΔΦVE_TB）および障壁高さ４１53（ΔΦVH_GT）はVaに対する異なる依存性をもつことが明らかである。式（１）′および（２）′から、障壁高さの電圧依存性は非対称で、主として誘電率と誘電体厚さが組み合わさった効果（すなわち、「εT効果」）によって決定されることが明らかである。
【００７３】
図１２Ａは，弾道学的電子注入のためのここに記載する理論を使って障壁高さ工学の概念の例を説明するものである。見て取れるように、TG６１とBG６２との間の印加電圧を下げるとき、TG６１での電子に対する障壁高さ２０54（ΔΦVE_TB）は、BG62でのLH７２およびHH７３に対する障壁高さ４１53（ΔΦVH_GT）より速く減少する。換言すれば、障壁高さ４１53は障壁高さ２０54よりも弱い電圧依存性であるということである。電圧依存性がこのように異なることで、障壁高さ２０54（ΔΦVE_TB）は実際、印加電圧が約−3.5Vのところでフェルミ準位エネルギー１６61（すなわち、障壁高さが０になるところ）より下になるが、それに対して障壁高さ４１53（ΔΦVH_GT）については約3.4eVという十分な障壁高さがまだ残っている。図１０は、印加電圧がこの電圧レベルよりさらに下げられたときの状況のエネルギーバンド図を示したものである。図１０に示されるように、図１１に示される電子５６に対する第二の障壁２４54は、印加電圧がこの電圧レベル以下に下げられているので今やフェルミ準位エネルギー１６61より下になる。したがって、閾値エネルギー５８より高いエネルギーをもつTG６１の電子５６はBD５４層によって遮られることなくフィルタ５２を通って輸送されることができる。これは、導体−フィルタ系５９に、前方方向３４にコンパクトなエネルギー分布５７′をもつ電子を注入するための帯域通過フィルタ機能を許容する。障壁高さ４１53（ΔΦVH_GT）のずっと弱い電圧依存性のため、この電圧範囲でもホールを遮る障壁４２53は維持され、よってホールの後方輸送を防ぐことができる。したがって、ここに述べる障壁工学の概念は、弾道学的電子注入のために電気的に変更可能なフィルタを構築する方法を実際に提供する。本フィルタは、所望のキャリア（すなわち前方輸送電子５６）の輸送に影響することなく不要なキャリア（すなわち後方輸送されるLH７２およびHH７３）をフィルタで除去する独特な機能を提供するのである。
【００７４】
式（１）および（２）について、そして図１２Ａにおける結果についての説明は、二つの障壁高さ２０54および４１54についての障壁高さの電圧依存性を解説するための例としてなされている。図１１のフィルタ５２の他の障壁高さ（障壁２４53および２４54のそれぞれ２０′53および２０′54、障壁４２53の４１′53および４１53のような）についても容易に同様の説明をすることができる。このように、後方輸送電荷キャリアを制御するポテンシャル障壁の障壁高さが、前方輸送電荷キャリアを制御するポテンシャル障壁の障壁高さよりも、フィルタの両端での電圧降下に対してより弱い電圧依存性を有することが明らかである。
【００７５】
BDにかかる電圧（VBD）は、弾道学的電子注入のために通常使われる電圧範囲の障壁高さ４１54より低く保つことが望ましい。VBDを障壁高さ４１54より低く保つことが望ましいのは、後方注入されたLH７２およびHH７３をより効果的に遮るためにBD５４におけるホール障壁４２54についての台形状バンド構造を維持できるためである。このバンド構造は図１０を参照することによって明らかとなりうる。ここで、障壁高さ４１54は障壁４２54の一辺（ホール７２および７３の入口側）をなし、障壁高さ４１′54は該障壁のもう一辺（ホール７２および７３の出口側）をなす。台形状障壁４２54の出口側の障壁高さ４１′54は一次近似ではΔΦVB_GB−VBDに等しい。ここで、ΔΦVB_GBは障壁高さ４１54である。図１０のバンド構造の特定の実施例では、TG６１とBG６２の間の印加電圧−4Vに対して、障壁高さ４１′54は約0.7eVであり、よって障壁４２54の台形構造は維持される。TD５３およびBD５４の誘電率と厚さを最適化することを通じてVBDを下げることによって障壁高さ４１′54を高くすることができることは、先述の理論において教えられているように明らかである。
【００７６】
このように、本発明において解説されるフィルタおよびエネルギーバンド構造が、弾道学的電荷注入の間に効果的に、一つの極性型の電荷キャリアが後方方向に輸送されるのを妨げる一方、前方方向に輸送される逆極性型の電荷キャリアは通過させることができるのは明らかである。よって、フィルタ５２は、電荷の流れを「純化」できる電荷フィルタ機能を提供する。一般に、電荷フィルタ機能を最もよく利用するためには、BG６２の材料は、平坦バンド条件においてフィルタ５２のBD５４のエネルギーバンドギャップの中ほどに位置するフェルミレベルをもつことが望ましい。
【００７７】
特定の実施例としては、TG６１の電圧は弾道学的電子注入のためのBG６２の電圧に対して約3.5Vから約−4.5Vの範囲で選ばれる。そのような電圧は、図３Ａ、図３Ｂ、図３Ｃとの関連で述べたように導体−絶縁体系６０の影像力障壁高さ２０を下げることによってさらに下げることができる。これは、約1Vから約3Vの範囲の電圧をCSR６６に結合することによって行うことができる。あるいはまた、影像力障壁を下げるのは、CSR６６の材料としてBG６２より小さな仕事関数（すなわちより高いフェルミ準位エネルギー）をもつものを選ぶことによっても行うことができる。
【００７８】
影像力障壁を下げることによってTG６１とBG６２の間に印加される電圧を下げることは、本発明の望ましい効果をもたらす。主要な利点の一つは、TGとBGの間の誘電体における電場を下げ、誘電体中での高電場に関係する問題（誘電体の恒久的損傷につながりうる絶縁破壊など）を防止することができることである。
【００７９】
フィルタ５２はさらに、本発明のもう一つの実施形態に基づく分圧器機能を提供する。図１２Ｂは、図１１との関連で述べた障壁高さ工学の概念を使った分圧器機能の例を示している。図１２Ｂを参照すると、さまざまな誘電体にかかる電圧とフィルタ５２にかかる電圧の関係が示されている。見て取れるように、フィルタ５２にかかる電圧（すなわち、印加電圧Va）はVTDおよびVBDを含むさまざまな成分に分割される。このように、Vaはフィルタ５２内のさまざまな誘電体の間で分割される。BD５４もTD５３も、弾道学的電荷注入のために必要とされる全電圧Vaを占有しない。分圧器機能はこのように、これら誘電体のそれぞれによって占有される電圧を減らし、弾道学的電荷注入を損なうことなく高電場に関係した問題を防止する。
【００８０】
弾道学的電荷注入および障壁高さ工学理論についてのこれまでの説明は電子についてなされている。軽いホールおよび重いホールについても電荷フィルタ処理および電荷注入に対する同様の効果を実現するような同様の説明を容易にすることができる。
【００８１】
図１３は、ホールについてのそのような説明を、図１０型の電荷注入系を例として使って提供するものである。導体−フィルタ系５９では、第一の導体６１はあるエネルギー分布７７をもつ熱的電荷キャリア７５および７６を有する。フィルタ５２は界面１５で第一の導体６１に接し、ある極性の電荷キャリア７５および７６（正電荷キャリア）に対してフィルタ機能を提供するための誘電体５３および５４を含んでいる。導体−絶縁体系６０はフィルタ５２に接し、フィルタ５２からのエネルギー分布８０および８１をもつエネルギーの高い電荷キャリア７５′および７６′をもつ第二の導体６２、ならびに、該第二の導体と第二の界面１４で接し、該第二の界面１４に隣接する電気的に変更可能な影像力ポテンシャル障壁４４64をもつ絶縁体６４を含んでいる。前記フィルタは、ある極性の電荷キャリア７５および７６のある方向（前方方向３４）の該フィルタ５２を通じた流れを制御するための電気的に変更可能なポテンシャル障壁４２53bおよび４２54bの第一のセットと、前記ある極性とは逆のある極性の電荷キャリア（負電荷キャリア、電子８４）の前記ある方向と実質逆向きのある別の方向（後方方向７４）の流れを制御するための電気的に変更可能なポテンシャル障壁２４53bおよび２４54bの第二のセットとを含んでいる。
【００８２】
図１３を参照すると、注入のために供給された電荷キャリアとして、TG６１の価電子帯４４61内のLH７５およびHH７６が示されている。LH７５およびHH７６は、構成粒子集団のエネルギー分布７７をもって前方方向に輸送されているものとして示されている。LH７５およびHH７６のエネルギー分布は同じ分布７７をなすものとして示されているが、LH７５およびHH７６がその構成粒子集団について有効質量の違いのために異なるエネルギー分布をもつこともできることを注意しておく。
【００８３】
図１３では、LH７５およびHH７６の両者は、量子力学的トンネル効果によってフィルタ５２の複数の障壁を通って輸送され、BG６２の価電子帯に対して、影像力障壁４２64の障壁高さ４１よりもわずかに高い運動エネルギー４６をもつLH７５′およびHH７６′となることが示されている。これらのキャリアが前方方向にさらに輸送されるとき、BG６２を通ってのその輸送挙動はその有効質量の違いのために非常に異なったものになる。HH７６′については、有効質量が重いため、平均自由行程は非常に短くなりうる。したがって、HH７６′は他の粒子（フォノンなど）との散乱イベントを経験しやすく、弾道学的輸送効率（「弾道性」）は低くなる。図１３では、HH７６′は散乱イベントを経験してエネルギーを失ってHH７９になるものとして示されている。さらに、これらの散乱されたHH７９は散乱のために当初の分布７７よりも広いエネルギー分布８１を有するものとして示されている。そのようなホール７９はRD６４の価電子帯４４64において影像力障壁４２64の障壁高さ４１よりも低いエネルギーで輸送され、よって障壁４２64を越えて輸送されることは遮られ、CSR６６にはいることはできないことがわかる。これに対し、LH７５′は有効質量がより軽く、平均自由行程はずっと長く、HH７６′よりも弾道性がずっと高い（たとえば、シリコンではLHの平均自由行程はHHの約３倍である）。ある場合には、前記LH７５′の一部分はBG６２を通って散乱されることなく（すなわち、弾道学的輸送で）運動エネルギー４６をもって輸送され、BG６２とRD６４の界面でエネルギーの高い電荷キャリアLH７８となることができる。そのようなLH７８（「弾道学的LH」とも称される）は他の粒子（フォノンなど）との散乱は経験せず、よってその運動エネルギーおよびもとの運動に沿った方向性の運動量、ならびにもとの分布７７と同様のエネルギー分布８０を保存することができる。別の場合には、前記LH７５′はBG６２を通って部分散乱を受けて輸送され（部分弾道学的輸送）、それでも運動エネルギー４６を十分高く、BG６２とRD６４との界面に向かう方向性をもって維持してLH７８となることができる。いずれの場合にせよ、そのようなLH７８は図６との関連で述べた機構における影像力障壁４２64の障壁高さ４１を乗り越え、RD６４の価電子帯４４64にはいって、通り進んで構成粒子集団のエネルギー分布８０′をもつLH７８′となり、最終的に捕集されて価電子帯４４66におけるホール８２としてCSR６６上に保存されることができる。ホール電荷のこのようなフィルタ処理および注入のプロセスは（弾道学的輸送であろうと、部分弾道学的輸送であろうと）、弾道学的ホール注入機構と称される。典型的には、エネルギーの高い電荷キャリア（LH７８）のエネルギー分布８０は約30meVから約500meVの範囲のエネルギースペクトルを有する。そのようなホールの注入効率（供給されたキャリア数に対する捕集されたキャリア数の比として定義される）は典型的には約10-5から約10-1の範囲である。注入効率はさらにピエゾホールを注入することによって向上させることができる（図１７Ｂ、図１７Ｃとの関連で述べるピエゾ弾道学的ホール注入機構を参照）。
【００８４】
図１０との関連で述べた系５９および６０の材料についての特定の実施例としては、TG６１の電圧は弾道学的ホール注入の場合BG６２の電圧に対して約＋5Vから約＋6.0Vの範囲で選ばれる。そのような電圧は、図６との関連で述べたように導体−絶縁体系６０の影像力障壁高さ４１を下げることによってさらに下げることができる。これは、たとえば約−1Vから約−3Vの範囲の電圧をCSR６６に結合することによって行うことができる。あるいはまた、影像力障壁を下げるのは、CSR６６の材料としてBG６２より大きな仕事関数（すなわちより低いフェルミ準位エネルギー）をもつものを選ぶことによっても行うことができる。
【００８５】
TG６１とBG６２の間に印加される電圧は、これらの領域のために同程度のフェルミ準位エネルギーをもつ材料を用いることによってさらに低下させることができる。これは、弾道学的ホール注入のための系５９および６０の材料のもう一つの具体的な実施例をなす。たとえば、電荷注入系は、TG６１としてはｐ＋ポリシリコン、TD５３としては酸化物層、BD５４としては窒化物層、BG６２としてはｐ＋ポリシリコン、RD６４としては酸化物層を有することができる。そのような実施例は、BG６２の電圧に対するTG６１の電圧が弾道学的ホール注入のためにより低い範囲で（たとえば約＋4.5Vから約＋5.5Vの範囲から）選ぶことを可能にする。
【００８６】
図１３はさらに、BG６２の伝導帯１８62にある電子８４が後方方向７４に沿って輸送され、その際LH７５およびHH７６を前方方向３４に輸送するための電圧極性のエネルギーバンド構造にバイアスを与えることができることを示している。後方輸送電子８４は、
TG６１における衝撃イオン化、電流や電力の無駄などといった、図１０との関連で述べた後方輸送ホールによって引き起こされる問題と同じような望ましくない問題を生じうる。よって、フィルタ５２を使うことによって電子８４が後方輸送されてTG６１にはいるのを遮ることが望ましい。
【００８７】
図１３のエネルギーバンド構造から、後方輸送キャリア（すなわち電子８４）は、前方輸送キャリア（すなわちLH７５およびHH７６）よりも多くの障壁を通って輸送される必要があることがわかる。後方輸送電子８４を遮る第一の電子障壁２４54bは該障壁２４54bの入口側および出口側でそれぞれ障壁高さ２０54bおよび２０′54bを有している。障壁高さ２０54bおよび２０′54bはそれぞれBD５４とBG６２の間、TD５３とBD５４の間の界面におけるBD５４の伝導帯１８54を基準としている。第二の電子障壁２４53bが示されており、その入り口側の障壁高さは２０53bであり、電子８４を遮るもう一つの障壁をなしている。障壁高さ２０53bは、TD５３とBD５４の間の界面におけるTD５３の伝導帯１８53を基準としている。障壁２４53bの出口側には障壁高さ２０′53b（図示せず）があり、これはTG６１とTD５３の間の界面におけるTD５３の伝導帯１８53を基準としている。ここで示した例では、障壁高さ２０′53bは電子８４のエネルギーレベルよりも低く、よって図１３では示されていない。障壁２４54bおよび２４53bの両方が、後方輸送電子８４を遮るためのフィルタ５２の伝導帯におけるエネルギーバンド構造を形成している。
【００８８】
ホール７５および７６に対しても、前方方向３４に沿ったその輸送経路上に二つの同様の障壁がある。第一のポテンシャル障壁４２53bはTD５３によって形成され、該障壁４２53bのそれぞれ入口側と出口側に障壁高さ４１53bおよび４１′53bをもつ。BD５４によって第二の障壁４２54bが形成され、これは該障壁４２54bの入口側および出口側でそれぞれ障壁高さ４１54bおよび４１′54b（図示せず）をもつ。障壁４２53bおよび４２54bの両方が、フィルタ５２の価電子帯にエネルギーバンド構造を形成し、前方輸送ホール７５および７６を遮る効果をもつ。図１３では、エネルギーバンド構造はホールを注入するためのバイアスがかけられている。障壁高さ４１54bおよび４１′54bの両方が前方輸送ホールのエネルギーレベルよりも低く、よって図１３では示されていない。
【００８９】
図１４は、弾道学的ホール注入のための、本発明に基づく障壁高さ工学の効果を示すものである。ここでは、後方輸送電子の障壁高さ２０′54bが前方輸送ホールの障壁高さ４１54bよりもフィルタ５２の両端の電圧降下（すなわち、TG６１とBG６２の間の電圧）に対してより弱い電圧依存性を有しているものとして示されている。よって、二つの障壁高さ２０′54bおよび４１54bはフィルタ５２の両端の電圧降下によって異なる度合いで変更を受けることができる。障壁高さのこの電圧依存性は非対称であり、主として、障壁高さ工学理論において説明されるような、誘電率と誘電体厚さの組み合わさった効果（すなわち、「εT効果」）によって支配される。見て取れるように、TG６１とBG６２の間の印加電圧を増加させると、TG６１のホール７５および７６に対する障壁高さ４１54bはBG６２の電子８４に対する障壁高さ２０′54bよりも速く減少する。換言すれば、障壁高さ２０′54bは障壁高さ４１54bよりも弱い電圧依存性を有している。障壁高さ４１54bは実際、約＋3.5Vの印加電圧でホールエネルギー（すなわち、障壁高さが０に等しいところ）より下になるが、それに対して障壁高さ２０′54bについては約＋2.5eVという十分な障壁高さがまだ残っている。図１３は、印加電圧がこの電圧レベルよりさらに上げられたときの状況のエネルギーバンド図を示したものである。図１３に示されるような、ホール７５および７６に対する第二の障壁４２54bは、印加電圧がこの電圧レベル以上に上げられているので今やホールエネルギーより下になる。したがって、TG６１のホール７５および７６はBD５４層によって遮られることなくフィルタ５２を通って輸送されることができる。障壁高さ２０′54bの印加電圧に対するずっと弱い依存性のため、この電圧範囲でも電子８４を遮り、よって電子の後方輸送を防ぐための障壁２４54bおよび２４53bは維持される。
【００９０】
図１４でなされた説明は、二つの障壁高さ２０′54bおよび４１54bについて障壁高さの非対称な電圧依存性を示す例としてなされている。図１３のフィルタ５２の他の障壁高さ（障壁２４53bおよび４２53bのそれぞれ２０′53bおよび４１′53bような）についても同様の説明を容易にすることができる。このように、後方輸送電荷キャリアを制御するポテンシャル障壁の障壁高さが、前方輸送電荷キャリアを制御するポテンシャル障壁の障壁高さよりも、フィルタの両端での電圧降下に対してより弱い電圧依存性を有することが明らかである。そのような効果は、一つの極性型の電荷キャリアが前方方向３４に輸送されるのを許容する一方、後方方向７４に輸送される逆極性型の電荷キャリアは遮る。本フィルタは、所望のキャリア（すなわち前方輸送キャリア）の輸送に影響することなく不要なキャリア（すなわち後方輸送されるキャリア）をフィルタで除去する独特な機能を提供し、それにより電荷の流れを「純化」する電荷フィルタ機能を提供するのである。電荷フィルタ機能は、フィルタ５２のフィルタ機能のもう一つの実施例であり、図１０との関連で述べた電荷フィルタ機能と同様である。
【００９１】
示されてはいないものの、本フィルタはまた、TGとBGの間の電圧極性が弾道学的ホール注入のために設定されている際に分圧器機能を提供する。弾道学的ホール注入のための分圧器機能はフィルタ５２の誘電体における電圧降下を減少させ、弾道学的電子注入について図１２Ｂとの関連で述べたのと同じような効果によって支配される。弾道学的ホール注入の場合は、示されているより高い電圧のため、分圧器機能は、誘電体の両端間での電圧降下を減らすことによってフィルタ５２の誘電体内での電場を低減し、それにより高電場に関係した問題を防止する。
【００９２】
フィルタ５２は本発明に基づくもう一つのフィルタ機能を提供する。そのようなフィルタ機能は、ある一つの極性型で、より軽い質量をもつ電荷キャリア（たとえばLH）にはフィルタを通っての輸送を許容し、同じ極性型でより重い質量をもつ電荷キャリア（たとえばHH）はフィルタを通っての輸送を遮る。よって、フィルタ５２は電荷キャリアの流れをその質量に基づいてフィルタ処理することのできる質量フィルタ機能を提供する。
【００９３】
図１５はフィルタ５２の質量フィルタ機能の基礎を示している。質量フィルタ機能は、いったん戻って図１３を参照することでよりよく把握できる。図１３の導体−フィルタ系５９において、導体６１は熱的電荷キャリア（LH７５およびHH７６）を提供する。フィルタ５２は導体６１に接しており、ある極性の電荷キャリア７５および７６（正電荷キャリア）に対するフィルタ機能を提供するための誘電体５３および５４を含んでいる。ここで、前記フィルタは、ある一つの極性の電荷キャリア７５および７６にフィルタ５２を通ってのある方向（前方方向３４）の流れを制御するために電気的に変更可能なポテンシャル障壁４２53bおよび４２54bを含んでいる。
【００９４】
量子力学の理論において、電荷キャリアのトンネル確率がその質量の関数であり、より重いキャリア（たとえばHH７６）がより軽いキャリア（たとえばLH７５）より低いトンネル確率をもちうることが知られている。図１５は、フィルタ５２の質量フィルタ機能を説明するために、LHおよびHHに対して計算された規格化されたトンネル確率をVTDの逆数の関数としてプロットしたものである。図において、フィルタ５２は厚さ3nmの酸化物のTD５３および厚さ2nmの窒化物のBD５４からなるものと想定されている。弾道学的ホール注入のためにTG６１とBG６２の間に印加される電圧の範囲（＋5Vから＋6V）については、HHのトンネル確率がLHのトンネル確率よりも４ないし８桁小さいことが示されている。キャリア質量の効果に起因するトンネル確率の相違は、フィルタ５２で質量フィルタ機能を実現することを可能にする。ここで示した説明はホールキャリアについてのものだが、同じ説明は、同じ極性型だが質量が異なる他の種類のキャリア（たとえば、図１７Ｂおよび図１７Ｃとの関連で述べるピエゾ電子）にも容易に拡張できる。質量フィルタ機能は、フィルタ５２のフィルタ機能のもう一つの実施例である。
【００９５】
フィルタ５２の質量フィルタ機能およびLH通過へのその適用は、本発明に望ましい利点をもたらす。たとえば、弾道学的注入のために使われる、TG６１の供給された電荷キャリアを無駄にすることが避けられる。これは、TG６１内のホールキャリアの大半の構成粒子がHH型であり、平均自由行程がより短く、BG６２を横切って輸送される際に散乱イベントを経験しやすいためである。そのようなHHは弾道学的注入に効果的に貢献することができず、よって供給される電荷キャリアとして用いられると無駄になる。フィルタ５２の質量フィルタ機能を通じてHHをフィルタ除去することによって、主たる供給電荷キャリアは今ではLHキャリアのみに限定される。LHキャリアはより長い平均自由行程をもち、図１３との関連で述べた機構によりBG６２を通って輸送される間、弾道学的注入により効率的に貢献する。結果として、フィルタ５２の質量フィルタ機能は、供給電荷キャリアとして高い弾道性をもつキャリアを選択する機能を提供し、よって弾道性が低いキャリアによる供給電流の無駄を回避する。
【００９６】
本発明の独特な部分の一つは、障壁高さ工学の概念と、導体−フィルタ系５９のフィルタ５２におけるその実装によって与えられる効果にある。フィルタ５２は、図７との関連で述べた帯域通過フィルタ機能、図１０、図１２Ａ、図１３、図１４との関連で述べた電荷フィルタ機能、図１５との関連で述べた質量フィルタ機能を含む独特なフィルタ機能を提供する。フィルタ機能に加えて、フィルタ５２は図１２Ｂとの関連で述べた追加的な分圧器機能を提供する。この開示の思想は、前記フィルタの誘電体および／またはアーキテクチャを修正するために適用することができ、それを通じてこれらの機能を個別的または集団的に調整することができることは、通常の当業者には明らかであろう。たとえば、前記フィルタは、その分圧器機能を向上させるために３つ以上の誘電体を含むこともできる。さらに、フィルタの誘電体は一様な化学成分をもつ必要はなく、これらの機能を効果的に支持することのできる、徐々に変化する成分構成であってもよい。よって、本発明は、ここに示され、上に説明された実施形態に限定されるものではなく、付属の請求項の範囲にはいるすべてのいかなる変形をも包含するものと理解されるものとする。
【００９７】
ここで図１６に目を向けていただきたい。図１６は、本発明に基づく電荷注入系のエネルギーバンド構造についてのもう一つの実施形態についての平坦バンド条件におけるエネルギーバンド図を掲げている。バンド構造はほとんどすべての点で図１１と同一であるが、一点だけ相違がある。その相違は、BG６２が半導体ではなく、BG６２がフェルミ準位１６62に対応する仕事関数をもつ金属、たとえば図１との関連で述べた導体の材料のようなものからなる場合の図が掲げられている。図１６はさらに、TG６１の価電子帯にある電子５６、LH７５、HH７６という電荷キャリアを示している。その電子５６は、図７、図１２Ａ、図１０との関連で述べたように、TG６１およびBG６２にしかるべき電圧および極性の電圧を印加することによって、フィルタ５２によってフィルタ処理され、CSR６６に注入される。同様に、LH７５およびHH７６は、図１４、図１５、図１３との関連で述べたように、TG６１およびBG６２にしかるべき電圧と極性の電圧を印加することによってフィルタ５２によってフィルタ処理され、CSR６６に注入される。
【００９８】
弾道学的電荷注入のためのバンド構造についてのこれまでの実施形態では、BG６２が弾道学的電荷輸送のための能動層をなし、電荷キャリアが良好な効率でBG６２を通って輸送されるためには、一般に電荷キャリアの平均自由行程の数倍よりも薄い厚さ（典型的には10nmから20nmの範囲）をもつことが求められている。BG６２層を薄くする必要性は、必然的にその層に対する大きなシート抵抗Rを生じ、ICの応用における根本的な問題を引き起こす。たとえば、大きなシート抵抗Rと大きなCが組み合わさった効果のために大きな信号遅延（すなわち、RC遅延）を引き起こしうる。RC遅延は大きなメモリアレイに組み込まれたときのメモリセルにアクセスする速度を制限しうるので、これは特に、メモリ動作に関する主要問題である。第二に、不選択セルに対する擾乱防止のため、所定の電圧の最適な組み合わせが通例これらのセルに印加される必要がある。しかし、RC遅延のため、不選択セル上の電圧は所望の値とは異なることがありえ、よってセル擾乱がより起こりやすくなる。さらに、大きなRは大電流Iと組み合わさってIR効果を生じることがある。それは信号線に電圧を通すときに電圧降下を起こしうる。この効果は、メモリセルの指定された電極上の電圧が所望のレベルに達する妨げとなり、よってセルの動作に悪影響を与えうる。たとえば、不選択セルに対する悪影響としては、セル状態が意図せずして一方の論理状態（たとえば「０」）から他方（たとえば「１」）へと変わるような望ましくないセル擾乱がありうる。選択されたセルに対するIR効果の影響としては、セル動作（たとえば、プログラム、消去、読み出し操作）の速度低下がありうる。
【００９９】
しかし、これらの問題は、これから説明するピエゾ効果を考えることによって克服することができる。
ピエゾ効果の弾道学的電荷注入への適用
ピエゾ効果は、固体物理学におけるよく知られた物理現象である。ピエゾ効果は、半導体材料に機械的応力が加えられたときにその半導体材料の電気的性質を変化させることができる（Pikus  and  Bir,“Symmetry  and  Strain-Induced  Effects  in  Semiconductors,”New  York,  Wiley,  1974参照）。機械的応力は、当該材料の内部または外部のひずみ源から発生させることができる。この機械的応力は、圧縮性（圧縮）または伸張性（引っ張り）のいずれかでありえ、当該材料のひずみを生じることができる。半導体（たとえばシリコン）のピエゾ効果のいくつかのよく知られた応用として、抵抗器におけるピエゾ抵抗効果、バイポーラトランジスタおよびダイオードにおけるピエゾ接合効果、センサーにおけるピエゾホール効果、電界効果トランジスタ（FET）におけるピエゾFETがある。
【０１００】
本発明はさらに、ピエゾ効果を弾道学的電荷キャリア注入および輸送への適用を提供する。新たなピエゾ弾道学的電荷注入機構がここに記載する本発明のさまざまな実施形態との関連で提供される。
ピエゾ弾道学的電荷注入機構
半導体中にひずみがあると、伝導帯の谷ならびにHHおよびLHの価電子帯サブバンドの縮退を分裂させうることが知られている（Hensel  et  al,  “Cyclotron  Resonance  Experiments  in  Uniaxially  Stressed  Silicon:  Valence  Band  Inverse  Mass  Parameters  and  Deformation  Potentials”,  Phys.  Rev.  129,  pp.  1141-1062,  1963参照）。図１７Ａ、図１７Ｂ、図１７Ｃは半導体のエネルギーEと運動量ベクトルkとの間の分散関係を、それぞれひずみがない（すなわち「ひずみなし」）、引っ張り応力下（引っ張りひずみ）、圧縮応力下（圧縮ひずみ）の場合について示す概略図を掲げている。
【０１０１】
図１７Ａは、ひずみがない半導体の分散関係を示している。示されている電子８５は、ちそれぞれ極小点８６ｍおよび８７ｍをもつ左の谷８６および右の谷８７を埋めている。極小点８６ｍおよび８７ｍは同程度のエネルギー準位にあるように示されている。二つの谷について示されている分散曲線の曲率が異なるため、左の谷８６が右の谷８７よりも重い有効質量をもつ。また、ホール９０で埋められたLHサブバンド８８およびHHサブバンド８９の分散曲線も示されている。LHサブバンド８８およびHHサブバンド８９は、価電子帯極大点９１においてエネルギーの縮退をもつように示されている。
【０１０２】
図１７Ｂは図１７Ａと同様の分散関係を示しているが、半導体は引っ張り応力によってひずみが加えられている。伝導帯の谷は位置がずれて、左の谷８６では極小点が上に動き、右の谷８７では極小点が下に動いている。このずれは二つの谷の中での電子構成の分布を変更し、電子８５は、伝導帯極小点８７ｍでのエネルギーレベルがより低いため谷８７により多く分布している。電子８５が主として谷８７に存在するような分布変更は二つの理由から望ましい。第一に、伝導谷８７におけるより軽い電子有効質量のため、半導体内での電子輸送の望ましい効果を提供する。第二に、谷の分離は  谷どうしの間の電子散乱を減少させうることが知られている。これらの効果は、例としてシリコンを使うことでより具体的に説明できる。シリコン中のひずみは、６重縮退した伝導帯の２重縮退の谷および４重縮退への分裂を引き起こし、ほとんどの電子（全電子のほぼ１００％）が電子輸送方向でのより軽い有効質量をもつ２重縮退の谷に分布するようにすることができる。このひずみ効果は、ひずみSi-FET（ピエゾFETの一種。Vogelsang  et  al.,“Electron  Mobilities  and  High-Fiedld  Drift  Velocity  in  Strained  Silicon  on  Silicon-Germanium  Substrate,”IEEE  Trans.  on  Electron  Devices,  pp.  2641-2642,  1992参照）において電子易動度を約５０％増加させ、ドリフト速度を約１６％増加させることが知られている。同様のひずみ効果は、弾道学的電荷キャリアの輸送を向上させるために適用されうる。こうして、シリコンにおける弾道学的電子注入効率が２重縮退谷への電子の再分布によって向上させることができる。これはシリコンに応力を加えて電子輸送の方向のひずみを引き起こすことによって達成することができる。このように、ピエゾ効果は、集中的に分布した「ピエゾ」電子（すなわち、機械的応力下にある材料中の電子）を生じさせることができることが明らかである。そのような電子はより軽い質量とより低い散乱率を有する。これらの効果を弾道学的電子注入に組み合わせれば、本発明の一つの実施形態に基づくピエゾ弾道学的電子注入機構が提供される。
【０１０３】
図１７Ｂはまた、半導体における引っ張り応力のひずみ効果がさらに、価電子帯サブバンド８８および８９の縮退を解くことができることを示している。ここで、LHサブバンド８８は上方にずれ、HHサブバンド８９は下方にずれていることが示されている。LH−HHバンド分裂は、LHサブバンド８８およびHHサブバンド８９のそれぞれの極大点８８ｐおよび８９ｐの間で示されている。このバンド分裂は、LHとHHとの間のバンド間散乱を減少させる効果がある。さらに、図示されているように価電子帯サブバンドが変形し、これが軽いホールの有効質量を減少させることができる。結果として、弾道学的軽いホールの平均自由行程は、ひずみのない半導体よりもひずみのある半導体においてのほうが長くなる。
【０１０４】
図１７Ｂはまた、LHサブバンドとHHサブバンドの縮退を解くことによって、ホール９０がHHサブバンド８９からLHサブバンド８８に再分布させられうることを示している。実際、引っ張り応力下でひずみを加えられたシリコンでは、LH分布数は全ホール数のうちの約２０％から約９０％へと増加させることができる（Fischetti  et  al.,  Journal  of  Appl.  Physics,  vol.  94,  pp.  1079-1095,  2003参照）。これらの効果については、本発明の注入機構においてさらに考察する。ホールをHHサブバンドからLHサブバンドに再分布させることを通じて「ピエゾ」ホール（すなわち、機械的応力下にある材料中のホール）を注入することによってホール注入効率を向上させることができる。これは、注入されるホールがやってくるもとの領域に応力を加えることを通じて実現することができ、弾道学的電荷注入においてピエゾ効果を用いる方法を提供する。集中して分布したLHおよびそのより高い弾道性のため、これらの組み合わされた効果をそのような方法を通じて弾道学的電荷注入に適用すると、本発明に基づくピエゾ弾道学的電荷注入機構のもう一つの実施形態としてピエゾ弾道学的ホール注入機構が提供される。本方法は、ピエゾホール（たとえばLH）の注入を通じて弾道学的ホール注入効率を向上させる。
【０１０５】
図１７Ｃは図１７Ｂと同様の分散関係を示しているが、半導体は圧縮応力のひずみを受けている。引っ張り応力の場合と同様、圧縮応力も価電子帯サブバンド８８および８９の縮退を解くことができるが、図１７Ｂに示したのとは逆方向である。図示したように、LHサブバンド８８は下向きにずれ、HHサブバンド８９は上向きにずれている。にもかかわらず、HHとLHの縮退を解くことはLHとHHの間のバンド間散乱を減少させることができる。この価電子帯サブバンドのずれのため、図示したようにホールは主としてHH価電子帯サブバンドに分布している。さらに、価電子帯サブバンドはひずみのない図１７Ａの場合に比べて変形した曲率をもつものとして示されている。図１７Ｃの変形したHH価電子帯サブバンドは、重いホールの有効質量をより軽い質量に減少させることができる。結果として、ひずみのある半導体におけるホール（すなわち、ピエゾホール）の平均自由行程は、ひずみがない場合よりも長くなりうる。この効果は、本発明に基づくピエゾ弾道学的電荷注入機構のもう一つの実施形態を提供する。
【０１０６】
図示はしていないが、そのようなピエゾ電荷（すなわち、ピエゾ電子およびピエゾホール）は図９、図１０、図１６と関連するエネルギーバンド構造における供給された電荷キャリアとして用いられ、そこで述べた輸送プロセスを通り抜けることができる。
【０１０７】
図１８は、応力がピエゾ弾道学的電荷の平均自由行程を変える効果の例を示している。ひずみのあるシリコン上の圧縮応力は電荷輸送の方向と平行な方向に沿って調整され、HHに対する効果を説明する例として使用される。図１８を参照すると、縦軸は規格化された平均自由行程、すなわちひずみのあるシリコンでの平均自由行程とひずみのないシリコンでの平均自由行程との比を表している。図に現れているように、規格化平均自由行程は応力を上げていくと直線的に増加する。さらに、平均自由行程に対する向上効果は、応力軸がシリコン中の結晶学的方向の[001]よりも[111]に平行な場合についてより顕著である。
【０１０８】
図１９は、ピエゾ弾道学的ホール注入についての効率向上度と圧縮応力との関係を示している。効率向上度は、ひずみのあるシリコンの効率のひずみのないシリコンの効率に対する比である。グラフから見て取れるように、向上度はほどほどの機械的応力（たとえば、200メガパスカル（MPa）程度以下）では応力に対して直線よりも急に上昇するが、より上の範囲（たとえば400MPa程度以上）では応力にほぼ直線的に比例するようになる。さらに、向上効果は応力軸が[001]よりも[111]に平行な場合についてずっと顕著である。[001]方向と[111]方向の応力軸の場合について、それぞれ約２０倍、５０倍高い効率が達成可能であることがわかる。
【０１０９】
図２０は、効率向上度のひずみのないシリコンの平均自由行程（以下、「mfp*」）に対する感度を示している。mfp*の違いの原因としては、たとえば半導体中の不純物濃度の差がありうることを述べておく。この図では結晶学的方向[001]に平行な応力を選んでいる。図２０を参照すると、応力が同じ大きさに保たれる場合、mfp*が短い場合（たとえば4nm）のほうがより長いmfp*の場合（たとえば10nm）よりも、顕著に向上させられることがわかる。たとえば、1000MPaの応力がmfp*が4nmのシリコンに適用されると効率向上度を1000倍高くすることができるが、mfp*が10nmのシリコンにおいては同じ応力では10倍の効率向上しか達成できない。ここで立証された効果は、先進技術における小型化されたメモリセルのために有益である。そのようなメモリセルでは、シリコン中の不純物濃度がより高いためmfp*が短くなると予想されるのである、これは、シリコン中の不純物濃度が高いほうがより小さな幾何学的サイズにまでセルを小型化するのを助けることができるからである（たとえば、メモリセルを小型化したときに弾道学的電荷が横切る領域の抵抗のいたずらな増加を避けることができる）。
【０１１０】
これで、弾道学的キャリア（LH、HHまたは電子）の輸送機構はピエゾ弾道学的電荷注入機構を用いることによって変更できることが明らかとなったことであろう。また、通常の当業者には、この開示の教えるところは、注入効率を向上させられるよう電荷の分布や平均自由行程を変更するために異なる種類の応力（たとえば引っ張り応力または圧縮応力）を選択したり、応力軸を変えたりするために適用されうることが明らかとなったことであろう。
【０１１１】
これまでの議論はピエゾホールの注入に焦点を当ててきたが、通常の当業者には、同様の考察、その効果および利点がピエゾ弾道学的電子注入にも当てはまることが明らかであろう。さらに、これまでの議論は半導体（たとえばシリコン）に焦点を当ててきたが、通常の当業者には、同様の考察、その効果および利点は他の種類の導体（たとえば、TiN、TaN、Si1-xGex合金など）にも当てはまることが明らかであろう。さらに、これまでの電荷注入系の解説はメモリ関係の応用に焦点を当ててきたが、通常の当業者には同様の考察、その効果および利点は他の種類の半導体デバイス（たとえばトランジスタ、増幅器など）にも適用可能であることは明らかであろう。
【０１１２】
図２１は、電荷の注入効率が１％の固定値に維持されているときに、BG６２のシート抵抗の平均自由行程への依存性を示している。ピエゾ弾道学的電子注入機構を用いることによって、シート抵抗を、たとえばひずみなしのシリコンの場合の250Ω/sqから平均自由行程が同程度でひずみありのシリコンの場合の220Ω/sqに減少させることができる。図２１はまた、前記機構を用いて、平均自由行程を10nmから約28nmに伸ばすことによって注入効率を損なうことなくさらなるシート抵抗の減少が実現できることを示している。この効果は、本発明のある側面に基づく、大抵抗の問題を解消する手段を提供する。
【０１１３】
ピエゾ弾道学的電荷注入機構は、本発明の電荷注入のバンド構造に容易に適用できる。ここでは図１３に示したエネルギーバンド構造を使って例を示す。図１３において、今、ホールの分布数の大半がLH７５になるよう、TG６１にひずみが与えられる。TG６１においてLHの分布数が高いほうが望ましいのは、高い弾道性をもつ電荷キャリアがより多く注入に提供されるからである。それは、たとえば、ピエゾ弾道学的電荷注入機構の一つの実施形態に基づいてTG６１に機械的応力を加えることによって行われる。応力効果により、TG６１中でLH７５と共存しうるHH７６は、今ではずっと少ない分布数になる（たとえば、全ホール分布数のうち約５ないし約２０パーセント）。
【０１１４】
TG６１にはここで述べた機構のもとでひずみが与えられたが、BG領域６２にピエゾ弾道学的電荷注入機構の別の実施形態に基づく条件の下でひずみを与えてBG６２を横切るホールの平均自由行程がその領域のmfp*より長くなりうるようにすることもできることを注意しておく。たとえば、これは図１７Ｂおよび図１７Ｃとの関連で述べたようにBG６２に機械的応力を加えてバンド縮退を解くことによって行われる。その方法は、当該領域を横切るときのLHキャリアのバンド間散乱を減少させることができ、よってその注入効率を向上させる。
本発明のメモリセル
本発明は、さらにさまざまな実施形態のメモリセルを提供する。各実施形態は、あるエネルギー分布をもつ熱的電荷キャリアを有する第一の導体と、該導体と接し、ある極性の電荷キャリアに対するフィルタ機能を与えるための誘電体を有するフィルタを含んでいる第一の導体−材料系（「導体−フィルタ系」）を有する。前記フィルタは、ある極性の電荷キャリアの当該フィルタを通じた一方向への流れを制御するための電気的に変更可能なポテンシャル障壁の第一のセットと、前記極性に対して逆極性の電荷キャリアの当該フィルタを通じた前記一方向に対して実質逆のもう一つの方向への流れを制御するための電気的に変更可能なポテンシャル障壁の第二のセットとを含んでいる。当該メモリセルはさらに、前記フィルタに接し、前記フィルタからのエネルギーの高い電荷キャリアを有する第二の導体と、前記第二の導体とある界面で接し、該界面に隣接する電気的に変更可能な影像力ポテンシャル障壁を有する絶縁体とを含んでいる第二の導体−材料系（「導体−絶縁体系」）を有している。当該メモリセルはさらに、第一の伝導型を有する半導体材料のボディを有しており、該ボディ中には第二の伝導型を有する第一および第二の領域が離間して形成されており、その間として定義されるボディのなすチャネルと、該チャネルに隣接するチャネル誘電体と、前記絶縁体と前記チャネル誘電体との間に配置される、前記第二の導体からのエネルギーの高い電荷キャリアを保存するための電荷保存領域とをもつ。
実施例１００
図２２は、本発明のセル構造の一つの実施形態に基づくセル・アーキテクチャ１００の断面図である。セル１００を参照すると、図７、図９、図１１、図１３との関連で述べた種類の導体−フィルタ系５９、図１，図５、図６との関連で述べた種類の導体−絶縁体系６０、フローティングゲート（「FG」）６６100の形の電荷保存領域（「CSR」）６６、およびチャネル誘電体（「CD」）６８が示されている。導体−フィルタ系５９はトンネリングゲート（「TG」）６１およびフィルタ５２を含んでおり、このうちTG６１が系５９の導体に対応する。フィルタ５２は図７との関連で述べた帯域通過フィルタ機能、図１０、図１２Ａ、図１３、図１４との関連で述べた電荷フィルタ機能、図１２Ｂとの関連で述べた分圧器機能、および図１５との関連で述べた質量フィルタ機能を提供する。ある好ましい実施形態では、フィルタ５２は図７との関連で述べたトンネル誘電体（「TD」）５３および遮蔽誘電体（「BD」）を有している。導体−絶縁体系６０は、系の導体および絶縁体としてそれぞれ弾道学的ゲート（「BG」）６２および保持誘電体（「RD」）６４を有している。TG６１からRD６４の諸領域のセル構造は、導体−フィルタ系５９のフィルタ５２を導体−絶縁体系６０の導体（BG）６２に「接合する」ことによって構築される。こうして形成される構造は、TG６１領域とBD５４領域の間に配置されたTD５３をもち、TD５３領域とBG６２領域の間に配置されたBD５４をもつ。BG６２はFG６６100に隣接しながらも保持誘電体（RD６４）によってそれから絶縁されて配置されている。FG６６100はボディ７０に隣接しながらもCD６８によってそれから絶縁されて配置されている。FG６６100は典型的には、RD６４、CD６８および漏洩なしに電荷を保持するための適正な厚さおよび良好な絶縁性をもつその他の誘電体を近接して含む誘電体によって包み込まれ、絶縁されている。典型的には、RD６４およびCD６８は約5nmから約20nmの範囲の厚さをもつ。TD５３およびBD５４は一様な化学成分、あるいは徐々に変化する成分構成をもつ誘電体からなることができる。TD５３およびBD５４は、酸化物、窒化物、酸窒化物、Al2O3、HfO2、ZrO2、Ta2O5からなる群のうちの誘電体材料であってよい。さらに、これらの材料およびそれから形成される合金のいかなる複合、たとえばHfO2−SiO2、HfAlO、HfSiONなどをも、TDおよびBDのための誘電体材料として使用することができる。好ましい実施形態においては、厚さが2nmないし4nmの酸化物誘電体および約2nmから5nmの範囲の厚さをもつ窒化物誘電体がそれぞれTD５３およびBD５４に選ばれる。
【０１１５】
図２２のセル１００はさらに、ソース９５、チャネル９６、ドレイン９７およびボディ７０を半導体基板９８（シリコン基板またはシリコン・オン・インシュレータ基板など）中に具備している。ボディ７０は、ドーピングレベルが約1×1015原子／cm3から約1×1018原子／cm3の範囲の第一の伝導型（たとえばｐ型）の半導体材料からなる。ソース９５およびドレイン９７はボディ７０中に形成され、典型的には第二の伝導型（たとえばｎ型）の不純物によって約1×1018原子／cm3から約5×1021原子／cm3の範囲のドーピングレベルで高濃度にドーピングされている。これらのドーピング領域は熱拡散によって、あるいはイオン注入によって形成されうる。ソース９５およびドレイン９７の間に定義されるボディ部分がチャネル９６となる。
【０１１６】
図２２では、TG６１はBG６２に重なって両者の間に重なり領域９９を形成するものとして示されている。少なくともFG６６100の一部分がその近傍に配置される。重なり領域９９はセル・アーキテクチャにおいて本質的である。TG６１における供給される電荷キャリアがBG６２、RD６４を通り最終的にFG６６100へと輸送されるためには、重なり領域９９の下のフィルタによってフィルタ処理されるのである。FG６６100はそのような電荷キャリアを捕集して保存するためのもので、ポリシリコン、ポリSiGeまたは効率的に電荷を保存することのできる他のいかなる種類の半導体材料であってもよい。FG６６100の伝導型はｎ型でもｐ型でもよい。
【０１１７】
TG６１およびBG６２の材料は、ポリシリコン、多孔質シリコン、ポリSiGeなどといった半導体、Ａｌ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｗ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｔａ、Ｎｉ、ＴａＮ、ＴｉＮなどといった金属、またはタングステンシリサイド、ニッケルシリサイドなどといったその合金からなる群から選択することができる。セル１００のＴＧとＢＧはそれぞれ単層として示されているが、ＢＧ６２およびＴＧ６１はそれぞれ複数層の構造を有していてもよい。たとえば、ＴＧ６１は、ポリシリコン層の上にニッケルシリサイド層を有して複合層のＴＧ６１を形成していてもよい。ＴＧ６１の厚さは、約80nmから約500nmの範囲であることができ、BG６２の厚さは約20nmから約500nmの範囲であることができる。
【０１１８】
線AA′に沿った方向のエネルギーバンド構造は図９型、図１０型または図１６型であることができる。
【０１１９】
メモリセル１００のプログラム操作は、図９および図１０との関連で述べた弾道学的電子注入機構を、あるいは図１７Ｂならびに図９および図１０との関連で述べたピエゾ弾道学的電子注入機構を用いることによって行うことができる。これらの注入機構は、約30meVから約500meVの範囲のエネルギースペクトルをもつエネルギー分布をもつエネルギーの高い電荷キャリアをCSR６６に注入する。特定の実施形態については、BG６２の電圧に対するTG６１の電圧は、コンパクトなエネルギー分布をもつ電子を注入するためのそれらの間のプログラム電圧を形成するため、約−3.3Vから約−4.5Vの範囲で選ばれる。これはたとえば、TG６１に−3.3Vの電圧を、BG６２に0Vの電圧を印加することによって行うことができ、それによりプログラム電圧として−3.3Vが発生する。あるいはまた、TGに−1.8V、BGに＋1.5Vのような他の電圧の組み合わせを印加することによって行うこともできる。TGとBGの間の電圧降下（すなわちプログラム電圧）は、図３Ａ、図３Ｂ、図３Ｃとの関連で述べた導体−絶縁体系６０の影像力障壁高さを引き下げることによってさらに低下させることができる。それは、ソース９５、ドレイン９７、ボディ７０に約１Vから約3.3Vの範囲の電圧を印加することを通じて約1Vから約3Vの範囲の電圧をCSR６６に結合することによって行うことができる。たとえば、RDの厚さが8nmと想定すると、そのような影像力低下効果はプログラム電圧を−3.3Vから約−2.8Vないし−3.0Vの範囲に低下させることができる。
【０１２０】
CSR６６のFG６６100は、セル１００がプログラムされてプログラム状態となったあとでは電子キャリアによって負電荷を帯びている。セル１００のプログラム状態は消去操作を実行することによって消去される。消去操作は、図１３との関連で述べた弾道学的ホール注入機構を、あるいは図１７Ｂ、図１７Ｃ、図１３との関連で述べたピエゾ弾道学的ホール注入機構を用いることによって行うことができる。これらの注入機構は約30meVから約500meVの範囲のエネルギースペクトルをもつエネルギー分布をもつエネルギーの高い電荷キャリアをCSR６６に注入する。特定の実施形態については、BG６２の電圧に対するTG６１の電圧は、コンパクトなエネルギー分布をもつ軽いホールを注入するためのそれらの間の消去電圧を形成するため、約＋5Vから約＋6Vの範囲で選ばれる。これはたとえば、TG６１に＋3Vの電圧を、BG６２に−2Vの電圧を印加することによって行うことができ、それにより消去電圧としてTGとBGの間に＋5Vの消去電圧が発生する。あるいはまた、TGに＋2.5V、BGに−2.5Vのような他の電圧の組み合わせを印加することによって行うこともできる。消去電圧（すなわちTGとBGの間の電圧降下）は、図６との関連で述べた導体−絶縁体系６０の影像力障壁高さを引き下げることによってさらに低下させることができる。影像力障壁はFG６６100が負電荷を帯びているときには若干下がるが、一般にソース９５、ドレイン９７、ボディ７０に約−1Vから約−3.3Vの範囲の電圧を印加することを通じて約−1Vから約−3Vの範囲の電圧をCSR６６に結合することによって行うことができる。たとえば、RDの厚さが8nmと想定すると、そのような影像力低下効果は＋5Vの消去電圧を約＋4.5Vないし＋4.7Vの範囲に低下させることができる。
【０１２１】
最後に、このメモリセルを読み取るためには、およそ＋1Vの読み取り電圧がそのドレイン９７に印加され、およそ＋2.5V（当該デバイスの電源電圧に依存する）がそのBG６２に印加される。他の領域（すなわち、ソース９５およびボディ７０）は接地電位にある。もしFG６６100が正電荷を帯びている場合（すなわち、CSR６６が電子を放出している場合）、チャネル９６がオンにされる。こうして、ソース９５からドレイン９７への電流が流れる。これが「１」状態となる。他方、FG６６100が負電荷を帯びている場合には、チャネル９６は弱くオンにされるか、あるいは完全に遮断されるかする。BG６２およびドレイン９７が読み取り電圧まで上げられたとしても、チャネル９６を通じてはほとんど、あるいは全く電流が流れない。この場合、電流は「１」状態に比べて非常に小さいか、あるいは完全に電流が０かである。このようにして、このメモリセルは「０」状態にプログラムされていることが検知される。
【０１２２】
本発明のメモリセル１００は、周囲の伝導性領域から電気的には絶縁されているが容量的に結合している、導体または半導体材料のCSR６６（すなわち、FG６６100）上に電荷を保存するものとして示されている。そのような保存方式では、電荷はCSR６６全体にわたって均一に分布する。しかし、この開示の恩恵を受ける通常の当業者には、本発明がここに示され、上に説明された実施形態に限定されず、電荷を保存する他のいかなる種類の方式をも包含できることは明らかとなるであろう。たとえば、本発明のメモリセルは、図２３および図２４にそれぞれ示すような、誘電体層中のナノ粒子またはトラップのような複数の離散的な保存サイトを有するCSRに電荷を保存することもできる。さらに、BGは普通の導体として示されているが、該導体はナノメートルスケールまたはサブナノメートルスケールの空隙やトンネルを含んでいてもよい。空隙やトンネルは空気または真空で満たされていることができる。そのような種類の導体は「多孔性導体」と称され、この用語は導体材料に合わせて修正されうる。たとえば、多孔性導体は導体としてシリコンを考えるときは多孔性シリコンである。BG６２の材料として多孔性導体を選ぶことは、プログラム操作および消去操作の間にBGを通じてエネルギーの高い電荷キャリアを輸送する際に該キャリアの弾道性を向上させる利点を提供する。これはそのようなキャリアの一部分がBGの空隙やトンネル領域中は散乱されることなく輸送されることができるからである。
実施例２００
図２３に目を向けると、メモリセル２００では図２２のメモリセル１００のわずかな変形が呈示されている。セル２００はほとんどすべての点で図２２のセル１００と同一であるが、一点だけ違いがある。その違いは、CSR６６としてFG６６100の伝導性領域の代わりに、セル２００ではCSR６６としてナノメートルスケールで形成された複数の離間したナノ粒子６６200を有しているという点である。ナノ粒子６６200は典型的には約2nmから約10nmの範囲の大きさをもつ卵形で、CD６８に接し、RD６４中に配置されているものとして示されている。RD６４は単一層として示されているが、酸化物／窒化物／酸化物スタックの層のような誘電体のスタックからなる層であってもよい。保存サイトとなるナノ粒子は、それぞれが卵形で約2nmから約7nmの範囲の直径をもつシリコンのナノ結晶であることができ、これは周知の化学蒸着（CVD）法を使って形成できる。ナノ粒子は、ナノ粒子の形をなし、効果的に電荷を保存することのできるその他の種類の半導体材料（たとえばGe、SiGe合金など）、誘電体粒子（たとえばHfO2）または金属（たとえばAu、Ag、Ptなど）であってもよい。
【０１２３】
ナノ粒子６６200の断面が卵形である必要はなく、基板表面と同じ面上である必要もなく、基板表面より下または上のいかなる高さにあってもよく、効果的に電荷キャリアを保存することのできる他の形であってもよいことは、当業者には明らかであろう。さらに、ナノ粒子６６200はCD６８に接する必要はなく、完全にRD６４内にある必要もなく、部分的にRD６４内にあり部分的にCD６８内にあってもよく、あるいは完全にCD68内にあってもよい。
実施例３００
図２４は、本発明に基づくもう一つの実施例のメモリセル３００の断面図を掲げている。セル３００はほとんどすべての点で図２２のセル１００と同一であるが、一点だけ違いがある。その違いは、CSR６６としての伝導性領域の代わりに、セル３００では複数の捕捉中心（トラップ６６300）をもつ捕捉誘電体のCSR６６を有しているという点である。誘電体CSR６６はトラップ６６300を電荷保存サイトとして使い、たとえば当技術分野で周知のLPCVD（Low-Pressure-Chemical-Vapor-Deposition［低圧化学気相成長法］）を使って形成される窒化物層でありうる。より深い捕捉エネルギーのトラップをもつHfO2やZrO2といったその他の誘電体も捕捉誘電体の材料として考えることができる。
【０１２４】
セル２００およびセル３００はいずれも、それぞれナノ粒子６６200、トラップ６６300の形の局在化された電荷保存サイトに電荷を保存する方式を利用している。これらのセルは、図２２との関連で述べたセル１００について示されたのと同じようにして操作することができる。これら二つのセル構造の利点は、処理の複雑さの軽減、および、そのようなセルがメモリアレイとして配列されたときに隣接セル間での干渉がほとんどないことである。さらに、一つのサイトのまわりの絶縁体で局所的な絶縁破壊があった場合も、他のサイトに保存されている電荷は保持されうるので、そこに保存されている論理データは残る。
【０１２５】
本発明に基づくセルの大きさは、処理技術の所与の世代の設計方針と密接に関係している。したがって、これまでに挙げたセルやその内部に定義される領域の大きさは、単に説明のための例である。しかし、一般に、メモリセルの大きさは、供給された電荷キャリアが、TGとBGの間の電圧の絶対値が大きいときには（たとえば3Vないし6V）フィルタ処理されて該フィルタを通じて輸送され、電圧の絶対値が低いときには（たとえば2.5以下）該フィルタによって遮られるようなものである必要がある。さらに、BGおよびRDの大きさは、フィルタを通った電荷の大部分がその領域を通って輸送され、CSRによって捕集され、典型的には約10-6から約0.5の範囲の注入効率となることが許されるようなものである必要がある。
【０１２６】
本発明がここに示され、上に説明された実施形態に限定されるものではなく、付属の特許請求の範囲内にはいるすべてのいかなる変形をも包含するものであることを理解しておくべきである。たとえば、セル１００は、セル構造および動作において導体−フィルタ系と導体−絶縁体系の両方をもつ必要はなく、電荷キャリアを効率的にフィルタ処理してCSRに輸送することのできる導体−フィルタ系または導体−絶縁体系をセル構造中にもつことができる。
【０１２７】
本発明に基づくメモリセルは、周辺回路とともにアレイとして形成されることができる。周辺回路には、通常の行アドレスデコード回路、列アドレスデコード回路、センスアンプ回路、出力バッファ回路、入力バッファ回路が含まれるが、当技術分野で周知のものである。
【０１２８】
これらの実施形態のメモリセルは典型的には行と列からなる長方形のアレイに配列され、複数のセルが当技術分野で周知のNOR、ANDまたはNAND構造に構築される。図２５は、NORアレイ構造の例を示す概略図であり、複数のメモリセル１００が示されている。図２５を参照すると、複数のワード線１１０が示されている。特にワード線M−1、M、M＋1はある第一の方向（行方向）に配向している。さらに、トンネル線L−1、L、L＋1を含む複数のトンネル線、線N−1、N、N＋1、N＋2を含む複数のビット線１３０が示されており、これらはみな第二の方向（列方向）に配向している。同じ行にあるメモリセル１００のそれぞれのBG６２はワード線１１０の一つを通じて互いに接続されている。それにより、ワード線M＋1は最下行のメモリセルのそれぞれのBG６２を接続している。トンネル線１２０のそれぞれは同じ列にあるメモリセルのすべてのTG６１を接続する。それにより、トンネル線L−1は図２５のいちばん左の列にあるメモリセルのそれぞれのTG６１を接続する。ビット線１３０のいくつかは同じ列にあるメモリセルのドレイン９７を接続する。たとえば、ビット線Nは図２５のいちばん左の列にあるメモリセルのそれぞれのドレイン９７を接続している。このアレイ例について、ビット線はまたメモリセルのためのソース線としても機能することができる。たとえば、ビット線Nは中央の列にあるメモリセルのそれぞれのソース９５を接続している。当業者は、ソースおよびドレインの語は交換可能であり、ソース線およびドレイン線、あるいはソース線およびビット線は交換可能であることを認識することであろう。さらに、ワード線はメモリセルのBG６２に接続されるので、BG、BG線の語をワード線の語と交換可能に使うこともできる。
【０１２９】
アレイ領域のわずかな区画しか示されてはいないものの、図２５の例はそのような領域のいかなるサイズのアレイをも表していることは理解されるであろう。さらに、本発明のメモリセルは、他の種類のNORアレイ構造にも適用可能である。たとえば、ビット線１３０のそれぞれは隣接する列のセルと共有されるよう構成されているが、セルの各列が専用のビット線をもつようにメモリアレイを構成することもできる。さらに、本発明はNORアレイとして示されているが、通常の当業者には、本発明の複数のセルを行と列からなる長方形のアレイに配列して、前記複数のセルがANDまたはNANDアレイ構造として、あるいはNANDおよびNORアレイ構造を両方もつアレイ構造のようなこれらの構造の組み合わせとして構築されるようにすることができる。
【０１３０】
本発明に基づくメモリセルとしては、プログラム操作および消去操作はいずれも絶対値が3.3V以下のレベルのバイアスを用いて行うことができることを注意しておく。さらに、この消去機構およびセル構造は、個別消去可能セルという特徴を可能にする。これは定期的に変更される必要のある定数のようなデータを保存するために理想的である。同じ特徴はさらに、同時に消去されるそのようなセルの小さなグループ（たとえば、８つのセルを含む、デジタルなワードを保存するセル）に拡張可能である。追加的に、同じ特徴はまた、大きなグループ単位で同時に消去可能なそのようなセルにもさらに拡張可能である（たとえば、ソフトウェアプログラムのためのコードを保存するセルで、ページとして構成された2048個のセルを含むことができるし、アレイ構造の複数のページからなるブロックを含むこともできる）。
製造方法
本発明はさらに、図２２の型のセルおよび図２５の型のアレイとして説明したメモリセルおよびメモリアレイを形成するための自己整列技術および製造方法を提供する。説明はセル１００についてなされるが、そのような説明は単に例としてであって、セル２００およびセル３００のような本発明に基づくその他のセルにも容易に修正して適用することができる。
【０１３１】
図２６Ａを参照すると、メモリセルおよびメモリアレイを形成するための出発材料として使われる半導体基板９８の上面図が示されている。そのように述べられる材料の断面図が図２６Ｂに示されている。ここで、基板９８は好ましくはある第一の伝導型（たとえばｐ型）のシリコンである。この基板中にイオン注入のような周知の技術によってボディ７０が形成され、これは前記第一の伝導型をもつものとする。ボディ７０は任意的に、ある第二の伝導型（たとえばｎ型）をもつ半導体領域によって基板９８から絶縁される。
【０１３２】
図２６Ｂに示された構造が得られたら、この構造が以下のようにしてさらに処理される。第一の絶縁体６８が、好ましくは約5nmないし約50nmの厚さで基板９８上に形成される。この絶縁体は、たとえば、従来式の熱的酸化、HTO、TEOS蒸着プロセスを用いることによって、あるいは当技術分野で周知のインシトゥ蒸気生成（ISSG:  in-situ  steam  generation）によって蒸着される酸化物でありうる。この絶縁体は、単一層の形でもよいし、他の種類の絶縁体との複合層（たとえば酸化物と窒化物の組み合わせ）の形でもよい。次に、ポリシリコンのような電荷保存材料６６ａの層が、たとえば従来式のＬＰＣＶＤ法を使って当該構造の上に蒸着される。そのポリシリコン膜はその場で、あるいはその後のイオン注入によってドープされる。こうして形成されたポリシリコン層６６ａは、図２２の型のメモリセル（セル１００）のＣＳＲ６６を形成するために使われる。これは、約1×1018原子/cm3ないし約5×1021原子/cm3の範囲のドーピングレベルである第二の伝導型の不純物をドープすることができる。ポリシリコン層６６ａはたとえば約50nmから500nmの範囲の厚さをもつ。好ましくは、こうして形成されたポリシリコン層６６ａの表面形状は実質平坦である。電荷保存層６６ａの材料としてポリシリコンを選んだのはセル１００を説明するためであることを注意しておく。一般には、電荷保存機能をもつその他の好適な材料（たとえば、ナノ粒子、捕捉誘電体）を代わりに用いて本発明に基づくその他の種類のセル（セル２００およびセル３００）を製造することもできる。
【０１３３】
次に、当該構造表面上に耐光性材料（以下「フォトレジスト」）が好適に塗布され、続くマスキングステップにおいて、従来式の光リソグラフィー技術を使って選択的にフォトレジストが除去されて前記電荷保存層６６ａの上に第二の方向（列方向）に配向した複数のフォトレジストの線トレースが残される。工程では続いて、露出された層６６ａが絶縁体６８が見えるまでエッチングされる。絶縁体６８がエッチング停止層のはたらきをするのである。層６６ａでまだ残ったフォトレジストの下に隠れている部分はこのエッチング工程によって影響されない。このステップで、第二の方向（すなわち「列方向」）に配向した複数のポリ線６６ｂが形成される。隣り合う線どうしは第一のトレンチ１４２で隔てられている。ポリ線６６ｂの幅および隣接するポリ線の間の距離は使用されるリソグラフィー工程で描ける最小の特徴と同程度まで小さくできる。次いでイオン注入ステップが実行されて露出されたシリコン領域に第二の伝導型でドーピングが行われ、前記第一のトレンチ１４２に自己整列した拡散領域が形成される。次いで残ったフォトレジストが従来式の手段を使って除去される。
【０１３４】
工程では続いて、露出された電荷保存層６６ａの上に第二の絶縁体層６４ａが好ましくは約5nmから約50nmの厚さで形成される。この絶縁体は、たとえば、従来式の熱的酸化、HTO、TEOSまたはISSG蒸着技術を用いることによって蒸着される酸化物であることができる。この絶縁体は単一層の形であってもよいし、他の種類の絶縁体との複合層（たとえば酸化物とFSGの複合層）の形であってもよい。この第二の絶縁体６４ａは、主としてメモリセルのＲＤ６４を形成するために使われる。
【０１３５】
次に、ポリシリコンのような導体材料６２ａがたとえば従来式のＬＰＣＶＤ技術を使って当該構造の上に蒸着される。ポリシリコン膜はその場で、あるいはその後のイオン注入によってドープされる。導体材料６２ａはメモリセルおよびメモリアレイのワード線１１０を形成するためのものである。典型的には、導体材料６２ａは前記第一のトレンチ１４２を埋めるのに十分な厚さをもち、たとえば約20nmないし200nmのオーダーでありうる。好ましくは、こうして形成された導体材料６２ａの表面形状は実質平坦であり、化学機械研磨（CMP:  chemical-mechanical-polishing）のような任意的な平坦化工程を使って平坦な表面構造を実現することもできる。材料６２ａとしてポリシリコンを選んだのは説明の目的のためである（工程が単純なため）ことを注意しておく。一般には、シート抵抗が低く、トレンチ空隙充填機能が良好で、高温（たとえば900°C）で安定した物性を示す他のいかなる導体材料を代わりに用いることもできる。たとえば、ポリシリコンの上にタングステンポリサイドをかぶせたような金属化ポリシリコン層を周知のCVD技術を使って導体層６２ａに用いることができる。タングステンポリサイドはシート抵抗が典型的には約5から10Ω/sqで、典型的には約100ないし300Ω/sqのシート抵抗をもつ金属化していない高濃度ドーピングしたポリシリコンより著しく低い。半導体製造においてすぐ利用可能なTiN、TaNなどといったその他の導体も導体層６２ａとして考えることができる。
【０１３６】
工程では続いて導体層６２ａの上に好ましくは約10nmないし約50nmの厚さの誘電体１４３が形成される。誘電体１４３は当技術分野で周知のLPCVD技術によって蒸着される窒化物であってよい。
【０１３７】
次に、当該構造表面上にフォトレジストが好適に塗布され、続くマスキングステップにおいて、従来式の光リソグラフィー技術を使って選択的にフォトレジストが除去されて前記誘電体層１４３の上に第一の方向（行方向）に配向した複数のフォトレジストの線トレース１４０が残される。工程では続いて、露出された誘電体１４３が絶縁体６４ａが見えるまでエッチングされる。絶縁体６４ａがエッチング停止層のはたらきをするのである。層１４３および６２ａで、まだ残ったフォトレジスト１４０の下に隠れている部分はこのエッチング工程によって影響されない。このステップで、行（たとえばＢＧ６２1、６２2、６２3）および列（たとえばＢＧ６２3、６２4、６２5）に配列された複数のBG６２が形成される。追加的に、工程の諸ステップで、線１１０1、１１０2、１１０3を含む複数のワード線１１０が第一の方向（すなわち「行方向」）に配向して形成される。隣り合う線どうしは第二のトレンチ１４４で隔てられている。ワード線１１０の幅および隣接するワード線の間の距離は使用されるリソグラフィー工程で描ける最小の特徴と同程度まで小さくできる。結果として得られるワード線構造１１０は、一般に電荷保存層６６ａ（メモリセルのBG６２に使われる）の上でより薄い領域をもち、ビット線拡散１３０の上でより太い領域をもつ。ワード線のそれぞれはBG６２のいくつかに接続する。たとえば、ワード線１１０3はBG６２1、６２2、６２3を接続する。結果として得られる構造の上面図が図２７に示されており、該結果として得られる構造の線AA′、BB′、CC′、DD′に沿った断面図がまとめてそれぞれ図２７Ａ、図２７Ｂ、図２７Ｃ、図２７Ｄに示されている。
【０１３８】
工程では続いて、露出された第二の層６４ａのエッチング、続いて露出された電荷保存層６６ａのエッチングが前記第一の絶縁体６８が見えるまで行われる。第一の絶縁体６８がエッチング停止層のはたらきをするのである。層６６ａで残っているフォトレジストの下に隠れている部分はこのエッチング工程によって影響されない。このステップで複数のCSR６６が形成される。次いで残っているフォトレジストが従来式の手段を使って除去される。結果として得られる、ワード線の線１１０が第二のトレンチ１４４と交互になった構造の上面図が図２８に示されている。該結果として得られる構造の線AA′、BB′、CC′、DD′に沿った断面図がまとめてそれぞれ図２８Ａ、図２８Ｂ、図２８Ｃ、図２８Ｄに示されている。
【０１３９】
工程では続けて任意的に、ワード線１１０やCSR６６のトレンチ１４４に面した側面上の酸化物といった絶縁体層（図示せず）が形成される。その酸化物は、たとえば高速熱的酸化（RTO）法を使った熱的酸化ステップを実行することによって形成することができ、約2nmないし約8nmの厚さをもつことができる。次に、従来式CVDのような周知の技術を使ってトレンチ１４４を埋めるために比較的厚い誘電体層（たとえば酸化物）が形成される。この酸化物誘電体は次いで選択的に除去されて、トレンチ１４４内の領域に酸化物ブロック１４６を残す。好ましい構造は、この酸化物ブロック１４６の上面が窒化物誘電体１４３の上面と実質同じ面上にあるものである。これはたとえば、酸化物の厚さを平坦化するCMP工程とそれに続く窒化物誘電体１４３を研磨および／またはエッチング停止層として使ったRIE（reactive  ion  etch［反応性イオンエッチング］）を用いることによって実現できる。必要なら、窒化物誘電体１４３上の酸化物残留物を除去するために任意的な酸化物オーバーエッチングステップが続いて設けられる。これにより、工程はトレンチ１４４内にのみ酸化物を残し、トレンチ１４４に自己整列した酸化物ブロック１４６が形成される。結果として得られる、ワード線１１０が酸化物線ブロック１４６と交互になった構造の上面図が図２９に示されている。該結果として得られる構造の線AA′、BB′、CC′、DD′に沿った断面図がまとめて図２９Ａ、図２９Ｂ、図２９Ｃ、図２９Ｄに示されている。
【０１４０】
工程では続いて、窒化物誘電体１４３を除去する（たとえば熱リン酸を使って）エッチングステップがある。次に、多層誘電体をもつフィルタ５２がワード線１１０の上に形成される。ある特定の実施形態では、第三の絶縁体５４ａおよび第四の絶縁体５３ａがフィルタ５２のための多層誘電体として考えられる。窒化物のような第三の絶縁体層５４ａの形成は、1050°Cでのアンモニア雰囲気中でのRTNのような熱的窒化膜形成法を用いることによって行われる。高品質窒化物を形成することのできるその他の技術も容易に用いることができる。この第三の絶縁体５４ａは好ましくは約2nmないし約5nmの厚さをもつ。工程では続いて、前記第三の絶縁体５４ａの上の酸化物のような第四の絶縁体層５３ａが形成される。この第四の絶縁体は、当技術分野で周知の熱的酸化、HTO、TEOSまたはISSG法を使うことによって形成することができる。第四の絶縁体５３ａは好ましくは約2nmないし約4nmの厚さをもつ。第三および第四の絶縁体層５４ａおよび５３ａはそれぞれ本発明に基づくメモリセルのBD５４およびTD５３として使われる。結果として得られる構造の上面図が図３０に示されており、該結果として得られる構造の線AA′、BB′、CC′、DD′に沿った断面図がまとめて図３０Ａ、図３０Ｂ、図３０Ｃ、図３０Ｄに示されている。
【０１４１】
工程では続いて、たとえば従来式のLPCVD技術を使って当該構造の上にポリシリコンのような導体材料６１ａの層が形成される。ポリシリコン膜はその場で、あるいはその後のイオン注入によってドープされる。導体材料６１ａは、メモリアレイのトンネル線１２０およびメモリセルのTG６１を形成するためのものである。典型的には、導体材料６１ａは約50nmないし500nmの厚さをもつ。好ましくは、こうして形成される導体材料６１ａの表面構造は実質平坦であり、任意的な平坦化工程（すなわちCMP）を使って平坦な表面構造を実現することもできる。材料６１ａとしてポリシリコンを選んだのは説明の目的のためである（工程が単純なため）ことを注意しておく。一般には、図２７との関連で述べたような、シート抵抗が低く、高温（たとえば900°C）で安定した物性を示す他のいかなる導体材料を代わりに用いることもできる。半導体製造においてすぐ利用可能な白金シリサイド、ニッケルシリサイド、コバルトシリサイド、チタンシリサイド、TiN、TaNなどといったその他の導体も導体層６１ａとして考えることができる。さらに、そのような種類の導体をポリシリコンの上に形成して層６１ａとして使うための複合導体を形成させることもできる。
【０１４２】
次に、当該構造表面上にフォトレジストが好適に塗布され、続くマスキングステップにおいて、従来式の光リソグラフィー技術を使って選択的にフォトレジストが除去されて前記導体層６１ａの上に第二の方向（列方向）に配向した複数のフォトレジストの線トレースが残される。工程では続いて、露出された導体層６１ａが絶縁体５３ａが見えるまでエッチングされる。絶縁体５３ａがエッチング停止層のはたらきをするのである。導体層６１ａでまだ残っているフォトレジストの下に隠れている部分はこのエッチング工程によって影響されない。この結果として得られる構造の上面図が図３１に示されている。この工程の諸ステップで、行（たとえばＴＧ６１1、６１2、６１3）および列（たとえばＴＧ６１3、６１4、６１5）に配列された複数のTG６１が形成される。追加的に、該諸ステップで、線１２０1を含む複数のトンネル線１２０が第二の方向に配向して形成される。隣り合う線どうしは第三のトレンチ１４７で隔てられている。トンネル線１２０の幅および隣接するトンネル線の間の距離は使用されるリソグラフィー工程で描ける最小の特徴と同程度まで小さくできる。トンネル線のそれぞれはTG６１のいくつかに接続する。たとえば、線１２０1はTG６１3、６１4、６１5を接続する。トンネル線１２０はワード線１１０に重なって複数の重なり領域９９を形成し、重なり領域９９のそれぞれは、CSR６６の一つがその下またはそこに近接して配置されている。結果として得られる構造の線AA′、BB′、CC′、DD′に沿った断面図がまとめて図３１Ａ、図３１Ｂ、図３１Ｃ、図３１Ｄに示されている。
【０１４３】
この工程の諸ステップはまた、複数のメモリセルを形成する。図３１には例として図２２の型のメモリセル（セル１００）が示されている。図面を過度に複雑にするのを避けるため、一つのセルしか示していない。図３１Ｃには該セルのさまざまな領域も示されている。ビット線１３０1およびビット線１３０2はセル１００のソース９５およびドレイン９７に電気的に接続されている。図３１Ｃにおいて、CD６８、CSR６６、RD６４、BG６２、BD５４、TD５３、TG６１の領域は図２２との関連で述べたセル１００のそれぞれの領域と同一である。
【０１４４】
メモリセルおよびアレイ上の構造は、機械的応力（たとえば引っ張り応力または圧縮応力）をもつひずみ材料１５０の層をかぶせることによってさらに処理することができる。このひずみ材料は、図１７Ｂおよび図１７Ｃとの関連で述べたピエゾ弾道学的電荷注入機構を提供する応力源の役を果たすものであり、図３１に示した構造の上に形成することもできるし、あるいは露出された絶縁体５３ａおよび５４ａを除去したあとで形成することもできる。それはRIEのような従来式のエッチング技術を使うことによって第三のトレンチ１４７に形成される。前者の場合、応力材料１５０は応力を主としてTG６１に与える。後者の場合、応力材料はワード線１１０にも接し、よってメモリセルのそれぞれのTG６１およびBG６２に応力を与える。ひずみ材料１５０はさまざまな種類の応力を与える誘電体であってよく、ピエゾ弾道学的電荷注入のためにTG６１および／またはBG６２においてピエゾ効果を生成するために使われる。応力は、一般に表面TG６１に平行で第一の方向（行方向）に沿った応力軸をもつ単軸応力でありうる。ひずみ材料１５０としてのある好ましい実施例は、窒化物である。窒化物の応力レベルおよび物理的性質はその厚さおよび形成時の処理条件によって制御できる。たとえば、形成中に化学成分（たとえばシラン）の圧力を変化させることによって、約50MPaないし約1ギガパスカル（GPa）の範囲の応力レベルの大きさが達成できる。窒化物は、熱的CVD（引っ張り応力窒化物の場合）またはプラズマCVD（圧縮応力窒化物の場合）といった周知のCVD技術を用いることによって引っ張り応力または圧縮応力のいずれをもつよう形成することもできる。さらに、窒化物の応力レベルは必要なら、閾値レベル（たとえば約1×1014原子/ｃｍ2）を超える注入量での窒化物へのGeイオン注入のような周知の技術によって、調整したり、緩和したりすることさえできる。結果として得られるアレイ全体の上に配置されたひずみ材料１５０をもつ構造の上面図が図３２に示されている。該結果として得られる構造の線AA′、BB′、CC′、DD′に沿った断面図がまとめて図３２Ａ、図３２Ｂ、図３２Ｃ、図３２Ｄに示されている。
【０１４５】
本開示の恩恵を受けた当業者には、本発明においてBG６２およびTG６１に対するピエゾ効果を生じるひずみ源はひずみ材料１５０から生じる必要はなく、図示された位置からである必要もなく、他のいかなる手段からでもよく、またメモリセル内の他のいかなる領域においてでもよいことは明らかであろう。さらに、応力は単軸性である必要はなく、他の種類（たとえば二軸）であってもよい。たとえば、領域BG６２の材料としてポリシリコンが用いられる場合には、ひずみ源はBG６２に由来からでよい。これは、ポリシリコンが典型的には約200MPaないし約500MPaの範囲の応力レベルの引っ張り応力を提供できるからである。ひずみ源としてのもう一つの材料はタングステンシリサイドである。これは半導体IC製造において広く使われている物質である。タングステンシリサイドは約1.5GPaないし約2GPaの範囲の応力レベルを与え、単独でBGを形成するのに用いることができる。さらに、これはポリシリコン層の上に形成されて両層が合わさってBG６２を形成するようにもできる。非晶質シリコン、ポリSiGe、TaN、TiNなどといったその他の材料も材料として考えることができる。さらに、ひずみを導入する手段はひずみ材料の使用による必要はなく、ひずみを加えるべき結晶領域に重い原子（たとえばSi、Ge、Asなど）をイオン注入するといった他の手法を通じてであってもよい。臨界量を超える量の重いイオンの注入は、結晶格子の周期性を乱して転位のループ、よって応力をその領域に生成することができるのである。さらに、その領域における応力はそれに隣接する領域にひずみを与えることができる。セル製造の間ののちの処理ステップにおいて応力が緩和されるのを防ぐため、注入を受けた領域に窒素のような原子を注入することによって、その領域における応力は保存することができる。イオン注入の手法は、ひずみ材料の蒸着やエッチングを必要としないので工程が単純という利点がある。さらに、注入を受けた領域内での応力を形成することができるので、ひずみ効果が最も望まれている領域に応力を局在化させることができる。こうしたすべての手法のいずれもが本発明に基づくピエゾ弾道学的電荷注入のための所望のピエゾ効果を与える。さらに、本発明に基づくメモリセルにおいては一つのひずみ源が示されているが、通常の当業者には、付属の特許請求の範囲にはいるメモリセルのさまざまな領域に対する応力（引っ張り応力または圧縮応力）に対して何らかの変化を与えるために同じセル内に二つ以上のひずみ源が共存することもできることは明らかであろう。
【０１４６】
さらに、本発明のひずみ材料はTGの両側に配置されている必要はなく、BGの上に配置されている必要もなく、断面が長方形である必要もなく、TGと直接接触している必要もなく、BGと直接接触している必要もなく、各メモリセルのTGおよびBGに効果的にひずみを与えることができれば、TGの上に配置されていてもよく、BGの下に配置されていてもよく、TGおよびBGに隣接するいかなる位置にあってもよく、断面がいかなる大きさおよび形状であってもよく、TGと間接的に接していてもよく、BGと間接的に接していてもよい。さらに、当業者は、ひずみを生じる源は「ひずみ源」と称されるものである必要はなく、電荷注入および輸送に対してピエゾ効果を生成するための機械的応力を与えることのできる他のいかなる用語（たとえば「応力器」「応力源」など）のものであってもよいことを認識することであろう。
【０１４７】
さらに、本発明の電荷保存領域は上面図および断面図において長方形である必要はなく、TGとBGの間の重なり領域の下に配置されている必要もなく、上面図および断面図においていかなる大きさおよび形状であってもよく、各メモリセルにおいて電荷を捕集して保存し、ドレイン９７およびソース９５を効果的に接続するものなら前記重なり領域の近傍にあるいかなる位置にあってもよい。追加的に、フィルタ５２の上面および底面は基板表面に平行である必要はなく、平坦である必要もなく、基板表面と同じ面上にある必要もなく、効果的にフィルタ機能を実行できるものであれば基板表面の下または上のいかなる高さにあってもよく、基板表面といかなる角度であってもよく、他の形状であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１４８】
【図１】導体−材料系についてのエネルギーバンド図である。
【図２】図１の系のエネルギーバンドにおいてポテンシャル障壁を通ってトンネリングする熱的電子を示したエネルギーバンド図である。
【図３Ａ】図１の系のエネルギーバンドにおいてポテンシャル障壁を通って輸送される熱い電子を示したエネルギーバンド図である。
【図３Ｂ】ポテンシャル障壁の障壁ピークの障壁高さおよび位置を絶縁体に印加される誘電場の関数として示す図である。
【図３Ｃ】ポテンシャル障壁の高さを誘電率の異なるさまざまな誘電体について誘電場の関数として示す図である。
【図４】導体−材料系のポテンシャル障壁を通って輸送される、広いエネルギースペクトルをもつ熱い電子を示すエネルギーバンド図である。
【図５】導体−材料系のポテンシャル障壁を通って輸送される、狭いエネルギースペクトルをもつ熱い電子を示すエネルギーバンド図である。
【図６】導体−材料系の価電子帯にあるポテンシャル障壁を通って輸送される、狭いエネルギースペクトルをもつ熱いホールを示すエネルギーバンド図である。
【図７】本発明に基づく導体−フィルタ系についてのエネルギーバンド図である。
【図８】フェルミ準位に対する閾値エネルギーの相対的なエネルギーレベルを、印加電圧Vaをパラメータとして示すグラフである。
【図９】弾道学的電子注入機構についてフィルタ処理および影像力障壁低下を図解する、本発明の電荷注入系の一つの実施形態に基づくエネルギーバンド図である。
【図１０】弾道学的電子注入機構についてフィルタ処理および影像力障壁低下を図解する、本発明の電荷注入系のもう一つの実施形態に基づくエネルギーバンド図である。
【図１１】弾道学的電子注入機構について障壁高さ工学を図解する、本発明に基づくエネルギーバンド図である。
【図１２Ａ】弾道学的電子注入機構について本発明に基づく障壁高さ工学の効果を図解するもので、前方輸送電子の障壁高さおよび後方輸送ホールの障壁高さがTGとBGとの間の電圧によって異なる度合いで変更できる様子を示すグラフである。
【図１２Ｂ】本発明に基づく分圧器機能の効果を示すグラフである。
【図１３】弾道学的軽いホール注入機構について電荷フィルタ処理および影像力障壁低下を図解する、本発明のもう一つの実施形態に基づくエネルギーバンド図である。
【図１４】弾道学的ホール注入について本発明に基づく障壁高さ工学の効果を図解するもので、前方輸送ホールの障壁高さおよび後方輸送電子の障壁高さがTGとBGとの間の電圧によって異なる度合いで変更できる様子を示すグラフである。
【図１５】規格化されたトンネル確率をLHおよびHHについてTDにかかる電圧の逆数の関数としてプロットしたグラフである。
【図１６】本発明に基づく電荷注入系のもう一つの実施形態のバンド構造のエネルギーバンド図である。
【図１７Ａ】ひずみのない半導体についてエネルギーEと運動量ベクトルkとの間の分散関係を示す概略図である。
【図１７Ｂ】引っ張り応力のもとでの半導体について分散関係を示す概略図である。
【図１７Ｃ】圧縮応力のもとでの半導体について分散関係を示す概略図である。
【図１８】圧縮ひずみを加えられたシリコンについて計算された、規格化された平均自由工程と応力との関係をプロットしたグラフである。
【図１９】圧縮ひずみを加えられたシリコンにおける効率向上度と応力との関係を、応力軸をパラメータとしてプロットしたグラフである。
【図２０】圧縮ひずみを加えられたシリコンにおける効率向上度と応力との関係を、ひずみのないシリコンの平均自由工程をパラメータとしてプロットしたグラフである。
【図２１】ピエゾ電子注入効率１％の場合について、BGのシート抵抗の平均自由工程への依存性をプロットしたグラフである。
【図２２】本発明の一つの実施形態に基づくセル構造の断面図である。
【図２３】本発明のもう一つの実施形態に基づくセル構造の断面図である。
【図２４】本発明のもう一つの実施形態に基づくセル構造の断面図である。
【図２５】本発明に基づくメモリセルのためのアレイアーキテクチャを示す概略図である。
【図２６Ａ】本発明においてメモリセルを製造する方法の第一のステップにおいて用いられる半導体基板の上面図である。
【図２６Ｂ】図２６Ａにおける線ＣＣ′に沿った、当該構造の断面図である。
【図２７】図２７は本発明に基づくメモリアレイおよびメモリセルの形成における、あるステップを示す構造の上面図である。図２７Ａは、本発明に基づくメモリセルおよびメモリアレイを形成するための処理におけるあるステップを示す、図２７における線Ａ−Ａ′に沿った断面図である。図２７Ｂは、本発明に基づくメモリセルおよびメモリアレイを形成するための処理におけるあるステップを示す、図２７における線Ｂ−Ｂ′に沿った断面図である。図２７Ｃは、本発明に基づくメモリセルおよびメモリアレイを形成するための処理におけるあるステップを示す、図２７における線Ｃ−Ｃ′に沿った断面図である。図２７Ｄは、本発明に基づくメモリセルおよびメモリアレイを形成するための処理におけるあるステップを示す、図２７における線Ｄ−Ｄ′に沿った断面図である。
【図２８】図２８は本発明に基づくメモリアレイおよびメモリセルの形成における、あるステップを示す構造の上面図である。図２８Ａは、本発明に基づくメモリセルおよびメモリアレイを形成するための処理におけるあるステップを示す、図２８における線Ａ−Ａ′に沿った断面図である。図２８Ｂは、本発明に基づくメモリセルおよびメモリアレイを形成するための処理におけるあるステップを示す、図２８における線Ｂ−Ｂ′に沿った断面図である。図２８Ｃは、本発明に基づくメモリセルおよびメモリアレイを形成するための処理におけるあるステップを示す、図２８における線Ｃ−Ｃ′に沿った断面図である。図２８Ｄは、本発明に基づくメモリセルおよびメモリアレイを形成するための処理におけるあるステップを示す、図２８における線Ｄ−Ｄ′に沿った断面図である。
【図２９】図２９は本発明に基づくメモリアレイおよびメモリセルの形成における、あるステップを示す構造の上面図である。図２９Ａは、本発明に基づくメモリセルおよびメモリアレイを形成するための処理におけるあるステップを示す、図２９における線Ａ−Ａ′に沿った断面図である。図２９Ｂは、本発明に基づくメモリセルおよびメモリアレイを形成するための処理におけるあるステップを示す、図２９における線Ｂ−Ｂ′に沿った断面図である。図２９Ｃは、本発明に基づくメモリセルおよびメモリアレイを形成するための処理におけるあるステップを示す、図２９における線Ｃ−Ｃ′に沿った断面図である。図２９Ｄは、本発明に基づくメモリセルおよびメモリアレイを形成するための処理におけるあるステップを示す、図２９における線Ｄ−Ｄ′に沿った断面図である。
【図３０】図３０は本発明に基づくメモリアレイおよびメモリセルの形成における、あるステップを示す構造の上面図である。図３０Ａは、本発明に基づくメモリセルおよびメモリアレイを形成するための処理におけるあるステップを示す、図３０における線Ａ−Ａ′に沿った断面図である。図３０Ｂは、本発明に基づくメモリセルおよびメモリアレイを形成するための処理におけるあるステップを示す、図３０における線Ｂ−Ｂ′に沿った断面図である。図３０Ｃは、本発明に基づくメモリセルおよびメモリアレイを形成するための処理におけるあるステップを示す、図３０における線Ｃ−Ｃ′に沿った断面図である。図３０Ｄは、本発明に基づくメモリセルおよびメモリアレイを形成するための処理におけるあるステップを示す、図３０における線Ｄ−Ｄ′に沿った断面図である。
【図３１】図３１は本発明に基づくメモリアレイおよびメモリセルの形成における、あるステップを示す構造の上面図である。図３１Ａは、本発明に基づくメモリセルおよびメモリアレイを形成するための処理におけるあるステップを示す、図３１における線Ａ−Ａ′に沿った断面図である。図３１Ｂは、本発明に基づくメモリセルおよびメモリアレイを形成するための処理におけるあるステップを示す、図３１における線Ｂ−Ｂ′に沿った断面図である。図３１Ｃは、本発明に基づくメモリセルおよびメモリアレイを形成するための処理におけるあるステップを示す、図３１における線Ｃ−Ｃ′に沿った断面図である。図３１Ｄは、本発明に基づくメモリセルおよびメモリアレイを形成するための処理におけるあるステップを示す、図３１における線Ｄ−Ｄ′に沿った断面図である。
【図３２】図３２は本発明に基づくメモリアレイおよびメモリセルの形成における、あるステップを示す構造の上面図である。図３２Ａは、本発明に基づくメモリセルおよびメモリアレイを形成するための処理におけるあるステップを示す、図３２における線Ａ−Ａ′に沿った断面図である。図３２Ｂは、本発明に基づくメモリセルおよびメモリアレイを形成するための処理におけるあるステップを示す、図３２における線Ｂ−Ｂ′に沿った断面図である。図３２Ｃは、本発明に基づくメモリセルおよびメモリアレイを形成するための処理におけるあるステップを示す、図３２における線Ｃ−Ｃ′に沿った断面図である。図３２Ｄは、本発明に基づくメモリセルおよびメモリアレイを形成するための処理におけるあるステップを示す、図３２における線Ｄ−Ｄ′に沿った断面図である。
【符号の説明】
【０１４９】
１０  導体（電気伝導帯）
１２  絶縁体
１４  界面（１０と１２の間）
１５  界面（５０または６１と５３との間）
１６  フェルミ準位（フェルミエネルギー）
１８  伝導帯のエネルギーバンド（影像力あり）
１８′  伝導帯のエネルギーバンド（影像力なし）
２０  ２４の障壁高さ
２０53  障壁２０53の入口側の障壁高さ
２０′53  障壁２０53の出口側の障壁高さ
２０54  障壁２０54の入口側の障壁高さ
２０′54  障壁２０54の出口側の障壁高さ
２２  ２４′の障壁高さ
２４  ポテンシャル障壁（影像力あり）
２４′  ポテンシャル障壁（影像力なし）
２６  障壁低下量（障壁オフセット）
２８  障壁ピーク
３０  障壁ピークまでの距離
３１  熱的電子
３２  熱い電子（エネルギーの高い電子）
３３  運動エネルギー
３４  前方方向
３４′  戻り経路
３５  熱い電子（エネルギーの高い電子）
３５′  通過後の熱い電子
３６  広いエネルギー分布
３６ｐ  ３６のピーク分布
Δ３６  ３６のスペクトル幅
３６′  通過後のエネルギー分布
３７  熱い電子（エネルギーの高い電子）
３７′  通過後の熱い電子
３８  狭いエネルギー分布
Δ３８  ３８のスペクトル幅
３８′  通過後のエネルギー分布
４０  熱いホール（エネルギーの高いホール）
４０′  通過後の熱いホール
４１  障壁高さ（影像力あり）
４１′  障壁高さ（影像力なし）
４１53  障壁４１53の入口側の障壁高さ
４１′53  障壁４１53の出口側の障壁高さ
４１54  障壁４１54の入口側の障壁高さ
４１′54  障壁４１54の出口側の障壁高さ
４２  ポテンシャル障壁（影像力あり）
４２′  ポテンシャル障壁（影像力なし）
４４  価電子帯（影像力あり）
４４′  価電子帯（影像力なし）
４６  運動エネルギー
４８  エネルギー分布
４８ｐ  ４８のピーク分布
４８ｔ  ４８の裾野分布
Δ４８  ４８のスペクトル幅
４８′  通過後のエネルギー分布
５０  導体（電気伝導帯）
５２  フィルタ
５３  トンネル誘電体（ＴＤ）
５４  遮蔽誘電体（ＢＤ）
５５  オフセット
５６  熱的電子
５６′  通過後の電子
５７  エネルギー分布
５７ｐ  ５７のピーク分布
５７ｔ  ５７の裾野分布
５７′  通過後のエネルギー分布
Δ５７′  ５７′のスペクトル幅
５８  閾値エネルギー
５９  導体−フィルタ系
６０  導体−絶縁体系
６１  トンネリングゲート（ＴＧ）
６２  弾道学的ゲート（ＢＧ）
６４  保持誘電体（ＲＤ）
６６  電荷保存領域（ＣＳＲ）
６６100  ６６全体にわたって均一に分布する電荷保存部分
６６200  ６６中でナノ粒子からなる電荷保存部分
６６300  ６６中で捕捉中心（トラップ）からなる電荷保存部分
６６ｂ  ポリ線
６８  チャネル誘電体（ＣＤ）
７０  ボディ
７１  捕集された電子
７２  軽いホール（ＬＨ）
７３  重いホール（ＨＨ）
７４  後方方向
７５  熱的電荷キャリア
７５′  エネルギーの高い電荷キャリア
７６  熱的電荷キャリア
７６′  エネルギーの高い電荷キャリア
７７  エネルギー分布
７８  ＢＧ６２とＲＤ６４の界面まできた電荷キャリア
７８′  ＲＤ６４を通過した電荷キャリア
７９  ＢＧ６２内で散乱された電荷キャリア
８０  ７８のエネルギー分布
８０′  ７８′のエネルギー分布
８１  ７９のエネルギー分布
８２  捕集された電荷キャリア
８４  後方方向の電子
８５  電子
８６  左の谷
８６ｍ  ８６の極小点
８７  右の谷
８７ｍ  ８７の極小点
８８  ＬＨサブバンド
８８ｐ  ８８の極大点
８９  ＨＨサブバンド
８９ｐ  ８９の極大点
９０  ホール
９１  価電子帯極大点
９５  ソース
９６  チャネル
９７  ドレイン
９８  半導体基板
９９  重なり領域
１００  電荷保存領域６６全体で均一に電荷が保存されるメモリセル
１１０  ワード線
１２０  トンネル線
１３０  ビット線
１４０  フォトレジスト
１４２  第一のトレンチ
１４３  誘電体
１４４  第二のトレンチ
１４６  １４４を埋めるブロック
２００  電荷保存領域６６中でナノ粒子に電荷が保存されるメモリセル
３００  電荷保存領域６６中で捕捉中心（トラップ）に電荷が保存されるメモリセル
【図１】
0004486027.tif 000002
【図２】
0004486027.tif 000003
【図３Ａ】
0004486027.tif 000004
【図３Ｂ】
0004486027.tif 000005
【図３Ｃ】
0004486027.tif 000006
【図４】
0004486027.tif 000007
【図５】
0004486027.tif 000008
【図６】
0004486027.tif 000009
【図７】
0004486027.tif 000010
【図８】
0004486027.tif 000011
【図９】
0004486027.tif 000012
【図１０】
0004486027.tif 000013
【図１１】
0004486027.tif 000014
【図１２Ａ】
0004486027.tif 000015
【図１２Ｂ】
0004486027.tif 000016
【図１３】
0004486027.tif 000017
【図１４】
0004486027.tif 000018
【図１５】
0004486027.tif 000019
【図１６】
0004486027.tif 000020
【図１７Ａ】
0004486027.tif 000021
【図１７Ｂ】
0004486027.tif 000022
【図１７Ｃ】
0004486027.tif 000023
【図１８】
0004486027.tif 000024
【図１９】
0004486027.tif 000025
【図２０】
0004486027.tif 000026
【図２１】
0004486027.tif 000027
【図２２】
0004486027.tif 000028
【図２３】
0004486027.tif 000029
【図２４】
0004486027.tif 000030
【図２５】
0004486027.tif 000031
【図２６Ａ】
0004486027.tif 000032
【図２６Ｂ】
0004486027.tif 000033
【図２７】
0004486027.tif 000034
【図２８】
0004486027.tif 000035
【図２９】
0004486027.tif 000036
【図３０】
0004486027.tif 000037
【図３１】
0004486027.tif 000038
【図３２】
0004486027.tif 000039