(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子を載置するために隣接して配される略矩形の第１アイランド部および第２アイランド部と、前記第１アイランド部の端縁近傍から外方に向けて伸びる複数のリード部とを有し、前記第２アイランド部に隣接する前記リード部に前記第１アイランド部の一辺に対して傾斜する傾斜部を設けるとともに、前記第２アイランド部の一辺が前記傾斜部と略平行であるリードフレームと、前記リードフレームの前記第１アイランド部および前記第２アイランド部に搭載された第１の半導体素子および第２の半導体素子とを備え、前記第１の半導体素子に設けられたパッドと前記第２の半導体素子に設けられたパッドとがリード線によって接続されている半導体集積回路であって、
前記第２の半導体素子に設けられたパッドは、前記第２の半導体素子の上面の角部に設けられ、
前記角部は、前記第２の半導体素子の上面が有する角部のうち、前記第１の半導体素子に最も近接している角部であることを特徴とする半導体集積回路。
【請求項２】
前記第１の半導体素子がＩＣチップであるとともに、前記第２の半導体素子がピンフォトダイオードあるいはフォトトランジスタであることを特徴とする請求項１に記載の半導体集積回路。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、複数の半導体素子を搭載するリードフレーム及びリードフレーム上に複数の半導体素子が搭載された半導体集積回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来のＩｒＤＡ（Infrared Data Association)等の赤外線通信装置用の半導体集積回路は特開平１０−２７０７２３号公報等に開示されている。ピンフォトダイオード等の受光素子は赤外線による信号を受信し、発生した電流を信号処理用のＩＣチップで増幅して他の半導体集積回路等に信号データを出力するようになっている。その内部構成は例えば図１に示すようになっている。リードフレーム１には、信号処理を行うＩＣチップ２を載置する第１アイランド部１２及び受光素子となるピンフォトダイオード３を載置する第２アイランド部１３が形成されている。
【０００３】
ＩＣチップ２には一端面に沿って多数のパッド２４〜２６が設けられ、第１アイランド部１２の端縁の近傍に並んで延設されるリード部１４〜１６とワイヤーボンディングされるようになっている。パッド２４〜２６の間隔に対してリード部１４〜１６の間隔は広く形成される。このため、第１アイランド部１２の端部になるに従って各リード部１４〜１６の先端部１４ａ〜１６ａが傾斜して形成されるようになっている。
【０００４】
また、ＩＣチップ２には他のパッド２１が設けられ、ピンフォトダイオード３に設けられたパッド３１とワイヤー５により接続されている。これにより、ピンフォトダイオード３で発生した電流をＩＣチップ２で増幅して他の半導体集積回路等に信号データを出力するようになっている。そして、上面を樹脂モールド４により封止した後、カッティングやフォーミング工程を経て外形が形成されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような半導体集積回路１０によると、リード部１４とアイランド部１３の端部１３ａとが接触しないように離して配置しなければならないので第１、第２アイランド部１２、１３の距離が離れる。このため、図中Ａに示すデッドスペースが生じて集積効率が悪く、ＩＣチップ２のチップサイズを大きくできなかったり、より小さなパッケージに封止することができない等の問題がある。
【０００６】
また、ＩＣチップ２とピンフォトダイオード３の距離が遠くなるためワイヤー５が長くなり、インピーダンスが高くなる。ピンフォトダイオード３により発生する電流は極めて小さいため、ワイヤー５のインピーダンスが高いと外部からのノイズを受けやすくなり、誤動作等によってデータの信頼性を低下させる問題がある。
【０００７】
本発明は、より小型のパッケージを使用可能にすることにより半導体集積回路を用いた装置の実装密度を向上させるとともにノイズによる影響を低減することのできる半導体集積回路を提供することを目的とする。また本発明は、半導体集積回路内に用いるＩＣチップの選択の自由度を増すとともに、ノイズによる影響を低減させることのできるリードフレームを提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本願発明の半導体集積回路は、半導体素子を載置するために隣接して配される略矩形の第１アイランド部および第２アイランド部と、第１アイランド部の端縁近傍から外方に向けて伸びる複数のリード部とを有し、第２アイランド部に隣接するリード部に第１アイランド部の一辺に対して傾斜する傾斜部を設けるとともに、第２アイランド部の一辺が傾斜部と略平行であるリードフレームと、リードフレームの第１アイランド部および第２アイランド部に搭載された第１の半導体素子および第２の半導体素子とを備え、第１の半導体素子に設けられたパッドと第２の半導体素子に設けられたパッドとがリード線によって接続されている。第２の半導体素子に設けられたパッドは、第２の半導体素子の上面の角部に設けられ、角部は、第２の半導体素子の上面が有する角部のうち、第１の半導体素子に最も近接している角部である。
【０００９】
上記目的を達成するために、本願発明の半導体集積回路は、第１の半導体素子がＩＣチップであるとともに、第２の半導体素子がピンフォトダイオードあるいはフォトトランジスタである。
【００１２】
【発明の実施の形態】
本発明の実施形態を図を参照して説明する。説明の便宜上従来例の図１と同一の部材については同一の符号を付している。図２は一実施形態のＩｒＤＡ等の赤外線通信装置用の半導体集積回路の内部構成を示す平面図である。リードフレーム１には、第１、第２アイランド部１２、１３が形成されている。信号処理を行うＩＣチップ２及び受光素子用のピンフォトダイオード３は第１、第２アイランド部１２、１３上に載置されている。ピンフォトダイオード３はフォトトランジスタを用いてもよい。
【００１３】
ＩＣチップ２には一端面に沿って多数のパッド２４〜２６が設けられ、第１アイランド部１２の端縁の近傍に並んで延設されるリード部１４〜１６とそれぞれワイヤーボンディングされるようになっている。パッド２４〜２６の間隔に対してリード部１４〜１６の間隔は広く形成されている。このため、アイランド部１２の端部になるに従って、各リード部１４〜１６の内側の先端部１４ａ〜１６ａが傾斜して形成されるようになっている。
【００１４】
第２アイランド部１３の一辺１３ｂは、第２アイランド部１３と隣接する最も外側に配されたリード部１４の傾斜部１４ａと略平行になるように形成されている。第２アイランド部１３上に載置されるピンフォトダイオード３にはパッド３１が設けられ、ＩＣチップ２のパッド２１とワイヤー５により接続されるようになっている。
【００１５】
また、ワイヤー６により第２アイランド部１３がＩＣチップ２のパッド２２に接続されて電圧Ｖｃｃが供給されるようになっている。そして、ピンフォトダイオード３の上方を透光性、ＩＣチップ２の上方を遮光性の樹脂モールド４で封止した後、カッティング工程やフォーミング工程を経て外形が形成されている。以上の構成により、ピンフォトダイオード３で発生した電流をＩＣチップ２で増幅して他の半導体集積回路等に信号データを出力するようになっている。
【００１６】
このような半導体集積回路１０は、ピンフォトダイオード３がリード部１４の傾斜部１４ａに略平行に配される。このため、ピンフォトダイオード３とＩＣチップ２を接近して配置することができるようになり、デッドスペースＡ（図１参照）を削減することができる。従って、半導体集積回路内の集積効率を向上させることが可能となる。
【００１７】
また、ピンフォトダイオード３により発生する電流は極めて小さくパッド３１とパッド２１とを繋ぐワイヤー５が外部からのノイズを受けやすくなっているが、ピンフォトダイオード３とＩＣチップ２を接続するワイヤ５を従来（図１参照）に比べて短くできるので、ノイズを受ける可能性を低減することができる。これにより、データの信頼性を向上させることができる。
【００１８】
更に、半導体集積回路１０の外方に金属シールドケースのような特別なシールド装置を設ける必要がなくなり、半導体集積回路１０を搭載する装置の構造を簡単にすることができる。また、パッド３１の位置をピンフォトダイオード３のコーナー部分に設けるようにすると、ワイヤー５の長さを更に短くしてノイズを受ける可能性を更に低減させることができるようになる。
【００１９】
本実施形態は、赤外線通信装置用の半導体集積回路について説明したが、ＩＣチップ２及びピンフォトダイオード３に替えて他の半導体素子を用いた半導体集積回路でもよい。この場合も同様に、第１の半導体素子に接続される複数のリード部を有し、第２の半導体素子と隣接する最も外側のリード部の傾斜部と第２の半導体素子の一辺とが略平行となるようにすることによって集積効率を向上させるとともに、ノイズを受ける可能性を低減させることができる。
【００２１】
【発明の効果】
請求項１の発明によると、第２の半導体素子が隣接するリード部の傾斜部に略平行に配されるため、第１の半導体素子と第２の半導体素子を接近して配置することができるようになり、半導体集積回路のデッドスペースを削減し、半導体集積回路内の集積効率を向上させることができる。また、第１、第２アイランド部に搭載される半導体素子が互いにワイヤで接続される場合に、ワイヤ長を短くすることができる。従って、ノイズの影響を低減してデータの信頼性を向上させることができるとともに、金属シールドケースのような特別なシールド装置を設ける必要がなく本発明の半導体集積回路を搭載した装置の構造を簡単にすることができる。
【００２２】
請求項２の発明によると、ピンフォトダイオードが隣接するリード部の傾斜部に略平行に配されるため、ＩＣチップとピンフォトダイオードを接近して配置することができるようになり、赤外線通信装置用の半導体集積回路内の集積効率を向上させることができる。また、ＩＣチップとピンフォトダイオードを接続するワイヤ長を短くしてノイズを低減することができる。従って、通信データの信頼性を向上させることができるとともに、金属シールドケースのような特別なシールド装置を設ける必要がなく赤外線通信装置の構造を簡単にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】    従来の半導体集積回路を示す平面図である。
【図２】    本発明に係る一実施形態の半導体集積回路を示す平面図である。
【符号の説明】
１    リードフレーム
２    ＩＣチップ
３    ピンフォトダイオード
５    ワイヤ
１０    半導体集積回路
１１、１２  アイランド部
１４、１５、１６  リード部
２１、２４、２５、２６、３１  パッド
【図１】
0004392890.tif 000002
【図２】
0004392890.tif 000003