(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビスマスが金属結合したＢｉ微粒子よりなる粉体と、チタンが金属結合した複数のＴｉ微粒子よりなる粉体とが圧縮成形された焼結体から構成されたことを特徴とするターゲット。
【請求項２】
請求項１記載のターゲットにおいて、
前記Ｂｉ微粒子とＴｉ微粒子とは、Ｂｉ4Ｔｉ3の組成となるように混合されていることを特徴とするターゲット。
【請求項３】
請求項１又は２記載のターゲットにおいて、
前記Ｂｉ微粒子とＴｉ微粒子とを混合してＢｉの融点未満の温度で焼成されたことを特徴とするターゲット。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載のターゲットにおいて、
前記Ｂｉ微粒子は粒径１０〜５０μｍに形成され、前記Ｔｉ微粒子は粒径１０〜５０μｍに形成されたものであることを特徴とするターゲット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スパッタ法によりＢｉ4Ｔｉ3Ｏ12の薄膜を形成するために用いるターゲットに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、メモリには、半導体装置が多く用いられてきた。この中の１つとして、ＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）が広く使用されている。ＤＲＡＭの単位記憶素子（以下、メモリセルという）は、１個のキャパシタと１個のＭＯＳＦＥＴ（Metal-oxide-semiconductor field effect transistor）からなり、選択されたメモリセルのキャパシタに蓄えられた電荷の状態に対応する電圧変化を、デジタル信号の「０」あるいは「１」として読み取ることで、メモリ動作をさせている。
【０００３】
しかし、ＤＲＡＭでは、キャパシタに蓄えられた電荷が時間とともに減少するため、通電しながらデータを保持しなければならないという欠点を有している。また、ＤＲＡＭでは、データを読み出す毎にキャパシタの電荷の状態が変化するため、再書き込みが必要となる。これらの問題は、ユビキタスサービス社会で必要となる低消費電力で高速動作をするメモリ装置を開発する上で、大きな制限となっている。
【０００４】
現在、高速かつ不揮発なメモリとして、強誘電体の分極を用いた強誘電体メモリ（ＦｅＲＡＭ：Ferroelectric RAM）や、強磁性体の磁気抵抗を用いた強磁性体メモリ（ＭＲＡＭ：Magnetoresist RAM）などが注目されており、盛んに研究されている。この中で、ＦｅＲＡＭは、既に実用化されていることもあり、諸処の課題を解決できれば、フラッシュメモリやロジックのＤＲＡＭも置き換えできると期待されている。
【０００５】
強誘電体材料のうち、ＦｅＲＡＭには、主に酸化物強誘電体が使用されている。酸化物強誘電体は、ＢａＴｉＯ3，ＰｂＴｉＯ3などのペロブスカイト構造（Perovskite）、ＬｉＮｂＯ3，ＬｉＴａＯ3などの擬イルメナイト構造（Pseudo-ilmenite）、ＰｂＮｂ2Ｏ6，Ｂａ2ＮａＮｂ5Ｏ15などのタングステン・ブロンズ（ＴＢ）構造（Tumgsten-bronze）、ＳｒＢｉ2Ｔａ2Ｏ9，Ｂｉ4Ｔｉ3Ｏ12などのビスマス層状構造（Bismuth layer-structure ferroelectric,BLSF）等、Ｐｂ2Ｎｄ2Ｏ7などのパイロクロア構造（Pyrochlore）に分類される。
【０００６】
これらの中でもＰｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3（ＰＺＴ）で代表される鉛系強誘電体が、実用上で主流となっている。しかしながら、鉛含有物や鉛酸化物は、労働安全衛生法により規制される材料であり、生態への影響や環境負荷の増大などが懸念される。このため欧米では、生態学的見知及び公害防止の面から規制対象となりつつある。
【０００７】
近年の環境負荷軽減の必然性から、非鉛系（無鉛）で鉛系強誘電体の性能に匹敵する強誘電体材料が世界的に注目されている。特に、Ｂｉ4Ｔｉ3Ｏ12は、非鉛系の強誘電体材料野中で最も大きい強誘電性を持つことから、強誘電性メモリ用材料として研究されている。しかし、Ｂｉ4Ｔｉ3Ｏ12は、分極特性に大きな特徴を持ち、配向軸の向きにより分極量が１０倍程度変化することや、分極を反転させた回数による劣化が少なく、Ｐｂ系よりも疲労特性に優れているという報告もなされている。しかし、Ｂｉ4Ｔｉ3Ｏ12は、鉛系強誘電体に比べ分極量が小さく成膜法・加工法ともに課題が多いのも事実である（非特許文献１参照）。
【０００８】
ところで、Ｂｉ4Ｔｉ3Ｏ12を用いた素子を実現するためには、基板の上へのＢｉ4Ｔｉ3Ｏ12薄膜の形成が非常に重要である。Ｂｉ4Ｔｉ3Ｏ12などの強誘電体材料の薄膜形成技術としては、現在までに様々な形成装置及び種々の薄膜形成方法が試みられている。例えば、ゾルゲル法，ＭＯＣＶＤ方法，パルス・レーザ・デポジション（Pulsed laser deposition,PLD），高周波スパッタリング法（rf-sputtering、ＲＦスパッタ法やマグネトロンスパッタ法とも呼ぶ），及びＥＣＲスパッタ法（Electron cyclotron resonance sputtering）などが挙げられる。
【０００９】
ゾルゲル法などの化学溶液堆積法は、強誘電体の基材を有機溶媒に溶解して基板に塗布し、この塗布膜を焼結する手順を繰り返し、所定の膜厚とした強誘電体層を形成する方法である。ゾルゲル法は、簡便で比較的大面積に膜が形成できるのが特徴であるが、塗布する基板との濡れ性の問題や、形成した膜中に溶媒が残ってしまうことによる汚染などの多くの欠点を抱えている。
【００１０】
ＭＯＣＶＤ法は、大面積に結晶性の良い膜を形成でき、かつ段差被覆特性にも優れた強誘電体の成膜手法として、多くの注目を集めている。しかしながら、ソースガスの供給するため有機溶剤を使用するため、膜中の炭素原子による汚染が大きな問題点となる。利用するガスの取り扱いが容易ではなく、装置が非常に大掛かりになってしまう。
【００１１】
形成される薄膜の純度や組成に関しては、ＰＬＤ法は有効な成膜手法である。これは、エキシマレーザなどの強力なレーザ光源で強誘電体材料のターゲットをアブレーションすることにより放出される原子，イオン，クラスターを基板に堆積させ、薄膜を形成する方法である。ＰＬＤ法では、比較的結晶性の良い薄膜を形成できることから、大きな関心が寄せられている。しかし、レーザがターゲットに照射される面積が小さいため、基板の上に形成される薄膜に大きな面内分布が生じてしまい、大面積での成膜は容易ではない。従って、量産をするなど工業的な観点からは、現在のＰＬＤ法は極めて不利な手法である。
【００１２】
上述した種々の膜形成方法に対し、強誘電体膜の形成方法としてスパッタリング法（単にスパッタ法ともいう）が注目されている。スパッタ法は、危険度の高いガスや有毒ガスなどを用いることなく、堆積する膜の表面凹凸（表面モフォロジ）が比較的良いなどの理由により、有望な成膜装置・方法の１つになっている。
【００１３】
従来から使用されているＲＦスパッタ法においては、ターゲットとして対象とする化合物の焼結体を用い、酸化物強誘電体を堆積している。ところが、不活性ガスとしてアルゴン、反応性ガスとして酸素を用いてスパッタした場合、基板の上に形成された強誘電体薄膜中に酸素が十分に取り込まれず、良好な膜質の強誘電体薄膜が得られないという問題点があった。このため、上述したスパッタ法では、膜を形成した後に酸素中でのアニーリングが必要とされてきた。
【００１４】
一方、スパッタ膜の膜質改善の方法として、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）によりプラズマを発生させ、このプラズマの発散磁場を利用して作られたプラズマ流を基板に照射し、同時にターゲットと接地と間に高周波又は負の直流電圧を印加し、ＥＣＲで発生したプラズマ流中のイオンをターゲットに引き込み衝突させて、スパッタリングすることにより、膜を基板上に堆積させるＥＣＲスパッタ法がある。
【００１５】
ＥＣＲを利用したプラズマは、低ガス圧（０．０１Ｐａ程度）での放電、低エネルギー（数１０ｅＶ程度）領域でのイオンエネルギーの制御、高イオン化率などの優れた特性を有する。ＥＣＲプラズマ中のイオンは、ターゲットに印加される負電荷により、ターゲット材料をスパッタするとともに、スパッタされて基板の上に飛来した原料粒子に適度なエネルギーを与え、原料粒子と酸素との結合反応を促進することになり、堆積した膜の膜質改善になると考えられている。従って、ＥＣＲスパッタ法では、低い基板温度で高品質の膜が形成できることが大きな特徴であり、表面モフォロジも極めて優れたものとなる。特にゲート絶縁膜の形成においては、この有効性を発揮している（特許文献１，特許文献２参照）。
【００１６】
また、ＥＣＲスパッタ法を用いた強誘電体薄膜形成の検討についてもいくつか報告されている（特許文献３、特許文献４参照）。これらでは、バリウム又はストロンチウムを含む強誘電体の製造について報告されている。また、ＥＣＲスパッタ法によるＢｉ4Ｔｉ3Ｏ12の製造法についても報告されている（非特許文献２参照）。
【００１７】
【特許文献１】特許第２８１４４１６号公報
【特許文献２】特許第２７７９９９７号公報
【特許文献３】特開平１０−１５２３９７号公報
【特許文献４】特開平１０−１５２３９８号公報
【非特許文献１】塩嵜忠  監修、「強誘電体材料の開発と応用」、シーエムシー出版
【非特許文献２】増本らのアプライド・フィジクス・レター、第５８号、２４３頁、１９９１年、(Appl.Phys.Lett.,58,243,(1991)．
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
ところで、スパッタ法によりＢｉ4Ｔｉ3Ｏ12の薄膜を形成する場合、一般には、製造が容易であるなどの理由により、ビスマス，チタン，及び酸素から構成された酸化物ターゲットが用いられている。ところが、上述した酸化物ターゲットは、スパッタイールドが小さく、成膜速度を速くすることが容易ではない。また、上述した酸化物ターゲットを用いる場合、ターゲットからのスパッタ粒子が、Ｂｉ−ＯやＴｉ−Ｏなどの酸化物であるため、装置内壁などに不完全に付着し、これらが基板の上に飛来してダストとなるなどの問題もある。
【００１９】
本発明は、以上のような問題点を解消するためになされたものであり、ダストの発生などが抑制された状態で、より早い速度でスパッタ法によりＢｉ4Ｔｉ3Ｏ12などのビスマスとチタンとを含む金属酸化物の薄膜形成を可能とするターゲットを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
本発明に係るターゲットは、ビスマスが金属結合したＢｉ微粒子よりなる粉体と、チタンが金属結合した複数のＴｉ微粒子よりなる粉体とが圧縮成形された焼結体から構成されたものである。従って、本ターゲットは、酸素を含まない状態となる。ここで、Ｂｉ微粒子とＴｉ微粒子とは、実質的に「Ｂｉ4Ｔｉ3」と同等の組成となるように混合されていればよい。また、Ｂｉ微粒子とＴｉ微粒子とを混合してＢｉの融点未満の温度で焼成されていればよい。なお、Ｂｉ微粒子は粒径１０〜５０μｍに形成され、Ｔｉ微粒子は粒径１０〜５０μｍに形成されたものであればよい。
【発明の効果】
【００２１】
以上説明したように、本発明によれば、Ｂｉ微粒子よりなる粉体とＴｉ微粒子からなる粉体とを圧縮性成形した焼結体よりターゲットを構成するようにしたので、スパッタ法によりＢｉ4Ｔｉ3Ｏ12などのビスマスとチタンとを含む金属酸化物の薄膜が、ダストの発生などが抑制された状態で、より早い成膜速度で形成できるという優れた効果が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の実施の形態について図を参照して説明する。図１は、本発明の実施の形態におけるターゲット１０１の構成例を概略的に示す模式的な断面図である。図１に示すターゲット１０１は、ビスマス（Ｂｉ）が金属結合したＢｉ微粒子１０２とチタン（Ｔｉ）が金属結合したＴｉ微粒子１０３とより構成された焼結体である。図１に示すターゲット１０１は、例えば、粒径１０〜５０μｍ程度のＢｉ微粒子からなる粉体と粒径１０〜５０μｍ程度のＴｉ微粒子からなる粉体とを、ほぼ「Ｂｉ4Ｔｉ3」の組成となるように混合し、これらを所定の容器に充填して所定の形状に成型し、空気（酸素）が混入してビスマスとチタンが酸化して酸化物が形成されない状態に密封し、Ｂｉが溶解しない程度の温度（２７０℃以下）と適当な圧力とを加えて焼成することで形成可能である。Ｂｉ微粒子１０２とＴｉ微粒子１０３とは、同径である必要はない。このように形成された図１に示すターゲットの組成を、誘導結合プラズマ発光分析装置を用いて分析したところ、Ｂｉの含有量が５７〜６１ｗｔ％，Ｔｉの含有量が３９〜４３ｗｔ％となり、ほぼ「Ｂｉ4Ｔｉ3」（と同等）の組成であることが確認される。
【００２３】
図１に示すターゲット１０１の断面状態を顕微鏡で観察すると、図２（ａ）に示すように、空隙が少ない状態に形成され、また、ＢｉとＴｉとが密着した状態に形成されている。なお、図２（ａ）の写真において、最も黒く見える部分が空隙である。このように、図１に示すターゲット１０１によれば、空隙が非常に少なく密度が９８％以上の状態に形成することが容易である。また、純金属の状態のＢｉ及びＴｉを材料として用いることができるため、図１に示すターゲット１０１によれば、ターゲットの純度を向上させることが容易である。これに対し、従来用いられていたビスマス，チタン，及び酸素から構成された酸化物ターゲットは、図２（ｂ）に示すように、多くの空隙が観察され、また、Ｂｉ酸化物と空隙がＴｉ酸化物の層により覆われた状態となっている。なお、図２（ｂ）の写真においても、最も黒く見える部分が空隙である。このように、従来の構成のターゲットでは、空隙が多く密度が５０％以下となってしまう。また、酸化物から構成されているため、Ｂｉ及びＴｉの酸化物からなるターゲットの純度を向上させることが困難である。
【００２４】
図１に示すターゲットは、例えば、図３に示すようなＥＣＲスパッタ装置に用いることが可能である。図３に示すＥＣＲスパッタ装置について説明すると、まず、処理室２０１とこれに連通するプラズマ生成室２０２とを備えている。処理室２０１は、図示していない真空排気装置に連通し、真空排気装置によりプラズマ生成室２０２とともに内部が真空排気される。処理室２０１には、膜形成対象の基板が固定される基板ホルダ２０４が設けられている。基板ホルダ２０４は、回転機構２０３により回転可能とされている。図３に示す装置では、基板ホルダ２０４に対し、プラズマ生成室２０２が傾斜して配置されているため、プラズマ生成室２０２より引き出されたプラズマ流の方向に対し、基板ホルダ２０４は傾斜して回転することになる。この構成により、堆積させる材料による膜の面内均一性と段差被覆性とを向上させることが可能となる。
【００２５】
また、処理室２０１内のプラズマ生成室２０２からのプラズマが導入される開口領域において、開口領域を取り巻くようにリング状のターゲット２０５が備えられている。このターゲット２０５が、図１に示す構成とされたターゲット１０１である。ターゲット２０５は、絶縁体からなる容器２０５ａ内に載置され、内側の面が処理室２０１内に露出している。また、ターゲット２０５には、マッチングユニット２２１を介して高周波電源２２２が接続され、例えば、１３．５６ＭＨｚの高周波が印加可能とされている。ターゲット２０５が導電性材料の場合、直流の負電圧を印加するようにしても良い。なお、ターゲット２０５は、上面から見た状態で、円形状だけでなく、多角形状態であっても良い。
【００２６】
プラズマ生成室２０２は、真空導波管２０６に連通し、真空導波管２０６は、石英窓２０７を介して導波管２０８に接続されている。導波管２０８は、図示していないマイクロ波発生部に連通している。また、プラズマ生成室２０２の周囲及びプラズマ生成室２０２の上部には、磁気コイル（磁場形成手段）２１０が備えられている。これら、マイクロ波発生部、導波管２０８，石英窓２０７，真空導波管２０６により、マイクロ波供給手段が構成されている。なお、導波管２０８の途中に、モード変換器を設けるようにする構成もある。
【００２７】
図３のＥＣＲスパッタ装置の動作例について説明すると、まず、処理室２０１及びプラズマ生成室２０２内を１０-5Ｐａから１０-4Ｐａに真空排気した後、不活性ガス導入部２１１より不活性ガスであるアルゴンガスを導入し、また、反応性ガス導入部２１２より酸素ガスなどの反応性ガスを導入し、プラズマ生成室２０２内を例えば１０-3〜１０-2Ｐａ程度の圧力にする。この状態で、磁気コイル２１０よりプラズマ生成室２０２内に０．０８７２Ｔの磁場を発生させた後、導波管２０８，石英窓２０７を介してプラズマ生成室２０２内に２．４５ＧＨｚのマイクロ波を導入し、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）プラズマを発生させる。
【００２８】
ＥＣＲプラズマは、磁気コイル２１０からの発散磁場により、基板ホルダ２０４の方向にプラズマ流を形成する。生成されたＥＣＲプラズマのうち、電子は磁気コイル２１０で形成される発散磁場によりターゲット２０５の中を貫通して基板（基板ホルダ２０４）の側に引き出され、基板の表面に照射される。このとき同時に、ＥＣＲプラズマ中のプラスイオンが、電子による負電荷を中和するように、すなわち、電界を弱めるように基板側に引き出され、成膜している層の表面に照射される。このように各粒子が照射される間に、プラスイオンの一部は電子と結合して中性粒子となる。
【００２９】
なお、図３の薄膜形成装置では、図示していないマイクロ波発生部より供給されたマイクロ波電力を、導波管２０８において一旦分岐し、プラズマ生成室２０２上部の真空導波管２０６に、プラズマ生成室２０２の側方から石英窓２０７を介して結合させている。このようにすることで、石英窓２０７に対するターゲット２０５からの飛散粒子の付着が、防げるようになり、ランニングタイムを大幅に改善できるようになる。
【００３０】
次に、図１に示すターゲットを用いた図３に示すようなＥＣＲスパッタ装置による酸素供給量と成膜速度との関係について説明する。図４は、基板温度を室温（２０℃程度）とした場合と、基板温度を４２０℃した場合との結果を示している。酸素の流量が６sccmよりも多い場合、成膜速度が低下している。これに対し、酸素流量が４．５sccmから５．５sccmの間では、他の酸素流量条件に比較して成膜速度が大きい。なお、sccmは流量の単位であり０℃・１気圧の流体が１分間に１ｃｍ3流れることを示す。
【００３１】
ここで、上述した酸素流量と成膜速度の関係について考察する。ＥＣＲスパッタ法では、プラズマ流のイオンをスパッタリングに利用するため、ターゲットに加える高周波自身でプラズマを生成しなくともスパッタリングが可能になっている。ＥＣＲプラズマは、よく知られているように、低い圧力で生成可能であるため、ＥＣＲスパッタ法は一般のスパッタ法よりも低い圧力（ほぼ分子流に近い領域）で成膜できる。このような特性を備えるＥＣＲスパッタ法により金属酸化物の薄膜を形成する場合、供給する酸素ガスの流量の増加に従い、初期には堆積速度が増加し、ある流量値を越えると堆積速度が低下する。
【００３２】
酸素ガス流量がある流量値を超えると堆積速度が減少するのは、ターゲットの表面が酸化されてスパッタリングが起きにくい状態となるためである。堆積速度は、スパッタ率が大きいほど速くなるので、ターゲットの表面がスパッタリングしにくくなってスパッタ率が低下すれば、堆積速度も遅くなる。酸素ガス流量が増えると、ターゲットの表面をスパッタリングして取り除く速度よりも、ターゲットの表面が酸化される速度の方が大きくなるため、スパッタ率が低下するものと考えられる。この現象の詳細は、反応性スパッタ法において広く知られている現象である。この現象の詳細は、例えば、金原粲著、「スパッタリング現象」（東京大学出版会）、１２０〜１３２頁を参照されたい。
【００３３】
酸素ガス流量が少ない領域では、ターゲットの表面は充分に酸化されていないため、チタンやビスマスがスパッタリングされ、基板には、チタンやビスマスがリッチな粒子が到達するものと考えられる。しかしながら、ＥＣＲスパッタ法の場合、アルゴンと酸素ガスのプラズマ流中のイオンが基板に降り注いているために、基板表面でチタンやビスマスの粒子の酸化がアシスト又は促進されて、化学量論的組成に近い金属酸化物が堆積するものと考えられる。
【００３４】
以上に説明したように、酸素流量が少ない領域で大きな堆積速度を得られる領域、言い換えるとスパッタ率が大きい領域が、メタルモードと呼ばれる成膜領域である。これに対して、酸素流量が大きい領域で小さな堆積速度となる領域、言い換えるとスパッタ率が小さくなった領域を酸化物モードと呼ばれる成膜領域である。また、メタルモード領域と酸化物モード領域の中間に当たり、堆積速度が大きく変化する領域が遷移領域である。この遷移領域では、ターゲットの表面の酸化が完全に進んでいないメタルモードと類似の状態と言える。従って、成膜（膜の形成）モードを厳密に規定すると、酸素流量が大きい領域で成膜速度が減少した後の領域が酸化物モードであり、これ以下の酸素流量が小さい領域は、遷移領域を含めてメタルモードである。
【００３５】
また、酸素流量を大きくすると、図５に示すように、形成されるＢｉとＴｉとからなる金属酸化物の薄膜の屈折率が変化する。特に、基板温度を室温程度とした場合、酸素流量を５．５sccmより大きくすると、屈折率が低下している。この領域では、化学量論的組成よりも酸素原子数の多い状態の金属酸化物薄膜が形成されている。一方、基板温度を４２０℃と高温にすれば、酸素の供給量を増加しても、屈折率の低下はみられない。
【００３６】
次に、成膜時の基板温度について説明する。図６に示すように、基板温度が高温になるほど、成膜速度が低下し、４００℃を超えた領域において成膜速度は一定の状態となる。一方、屈折率は、３００℃近辺を境に、基板温度が高温になるほど高くなり、４００℃を超えた領域からは、屈折率が２．５程度とＢｉ4Ｔｉ13Ｏ12の膜と考えられる値に安定する。なお、図６は、酸素の供給量を５．０sccmとした場合の結果である。
【００３７】
次に、図１に示すターゲットを用いたＥＣＲスパッタ法による膜の形成と従来のターゲットを用いた膜の形成とによる、異物発生状態の差について説明する。膜の形成条件は、基板温度条件を４２０℃とし、シリコン基板の上にＢｉとＴｉとからなる金属酸化物の薄膜を形成した。図７（ａ）に示すように、図１に示すターゲットを用いた場合、異物はほとんど観察されない。これに対し、ビスマス，チタン，及び酸素から構成された従来よりある酸化物ターゲットを用いた場合、図７（ｂ）に示すように、２４１個／ｍｍ2と多くの異物が観察される。なお、これらの顕微鏡による観察は、斜め方向からの落射照明を用いた暗視野による観察の結果である。
【００３８】
ところで、本実施の形態による図１に示す構成としたターゲットは、「Ｂｉ4Ｔｉ3」の組成比とした複数のＢｉ微粒子１０２と複数のＴｉ微粒子１０３とより構成された焼結体であり、ビスマス：チタン＝５７：４２（ａｔｏｍ％）とした合金と同等である。しかしながら、ビスマスとチタンの上記組成比とした合金は、次に示すように得られない。図８の相図（２成分系相平衡図）に示すように、Ｂｉが５７ａｔｏｍ％における平衡状態の固相においては、（Ｂｉ）＋ＢｉＴｉ2のように、ＢｉとＢｉＴｉ2とに分離し、「Ｂｉ4Ｔｉ3」となる条件は存在していない。このように、ビスマスとチタンとの合金から酸素を含まないターゲットを得ることはできないことがわかる。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明の実施の形態におけるターゲット１０１の構成例を概略的に示す模式的な断面図である。
【図２】図１に示すターゲット１０１の断面状態を顕微鏡で観察した結果を示す写真（ａ）、及び従来よりある酸化物焼結体ターゲットの断面状態を顕微鏡で観察した結果を示す写真（ｂ）である。
【図３】図１に示すターゲットが適用可能なＥＣＲスパッタ装置の構成例を示す構成図である。
【図４】図１に示すターゲットを用いたＥＣＲスパッタ装置による酸素供給量と成膜速度との関係について示す特性図である。
【図５】図１に示すターゲットを用いたＥＣＲスパッタ装置による酸素供給量と得られた膜の屈折率との関係について示す特性図である。
【図６】図１に示すターゲットを用いたＥＣＲスパッタ装置による酸素供給量と成膜速度及び屈折率との関係について示す特性図である。
【図７】ターゲットの違いによる異物発生の差の観察結果を示す写真である。
【図８】ビスマスとチタンとの２成分系相平衡図である。
【符号の説明】
【００４０】
１０１…ターゲット、１０２…Ｂｉ微粒子、１０３…Ｔｉ微粒子。
【図１】
0004441646.tif 000002
【図３】
0004441646.tif 000003
【図４】
0004441646.tif 000004
【図５】
0004441646.tif 000005
【図６】
0004441646.tif 000006
【図８】
0004441646.tif 000007
【図２】
0004441646.tif 000008
【図７】
0004441646.tif 000009