(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被加熱基板を載置して加熱するための加熱面を有する絶縁部と該絶縁部に内蔵された発熱体とを有するヒータ部と、該ヒータ部を支持する支持部材とを具備し、
前記支持部材を、シール材を介して反応容器に取り付けることにより、前記反応容器の内部に装着された加熱装置であって、
前記支持部材が、
前記ヒータ部側の端部を含む第１の絶縁部と、
前記シール材に接する部分を含む第２の絶縁部と、
前記第１の絶縁部と前記第２の絶縁部との間に位置する第３の絶縁部とを具備するものであるとともに、
前記第１の絶縁部及び前記第２の絶縁部の熱伝導率が、前記ヒータ部を構成する前記絶縁部の熱伝導率よりも低くされ、
前記第３の絶縁部の熱伝導率が、前記第１の絶縁部及び前記第２の絶縁部の熱伝導率よりも高くされたことを特徴とする加熱装置。
【請求項２】
前記第１の絶縁部及び前記第２の絶縁部がアルミナ基焼結体からなり、前記第３の絶縁部が窒化アルミニウム基焼結体からなることを特徴とする請求項１に記載の加熱装置。
【請求項３】
前記第３の絶縁部の前記支持部材の延在方向の長さが、前記第１の絶縁部及び前記第２の絶縁部の前記支持部材の延在方向の長さよりも長くされたことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の加熱装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、加熱装置に関し、特に、プラズマＣＶＤ装置、プラズマエッチング装置等に装着されて、被加熱基板を加熱するのに好適な加熱装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
プラズマＣＶＤ装置、プラズマエッチング装置等の内部に装着されて、ウェハー、ガラス板等の基板（以下、「被加熱基板」と称する。）を加熱することが可能な、従来の加熱装置の構造について説明する。
【０００３】
図４に、従来の加熱装置の一例を、プラズマＣＶＤ装置等の内部に装着した状態の概略断面構造を示し、この加熱装置１００の構造について説明する。図４において、符号２００はプラズマＣＶＤ装置等の反応容器を示している。
【０００４】
図４に示すように、加熱装置１００は、被加熱基板を載置して加熱するための加熱面１１０Ｓを有する円盤状のヒータ部１１０と、ヒータ部１１０の加熱面１１０Ｓ以外の面上に取り付けられ、ヒータ部１１０を支持する円筒状の支持部材１４０とを主体として構成されている。
【０００５】
ヒータ部１１０は、円盤状の絶縁部にスパイラル状の抵抗発熱体１２０が内蔵された構造となっており、ヒータ部１１０は、表面に、抵抗発熱体１２０を装填するために、抵抗発熱体１２０の形状に沿って刻設された凹部１３０を有する、セラミックス焼結体製の円盤状の基体（絶縁部）１１０Ａと、基体１１０Ａの凹部１３０に装填された抵抗発熱体１２０と、抵抗発熱体１２０を挟持して基体１１０Ａと対向配置された、被加熱基板を載置するためのセラミックス焼結体製の載置板（絶縁部）１１０Ｂとから構成されている。
【０００６】
加熱装置１００において、抵抗発熱体１２０に電力を供給するための電極と、ヒータ部１１０の温度を測定するための熱電対が取り付けられているが、図面上は簡略化のため省略している。
【０００７】
図４に示すように、支持部材１４０のヒータ部１１０側と反対側の端部（図示下側の端部）がＯ−リングなどからなるシール材１５０を介して、反応容器２００に取り付けられており、加熱装置１００と反応容器２００との間の隙間を封止して反応容器２００の内部の気密性を確保した状態で、加熱装置１００は反応容器２００の内部に装着されている。
【０００８】
従来、上記の加熱装置１００において、加熱装置１００の加熱効率を向上させるとともに、支持部材１４０と反応容器２００との間の隙間を、シール材１５０により完全に封止するために、ヒータ部１１０で発せられた熱が、少なくとも支持部材１４０のシール材１５０に接する部分には伝導されないように、支持部材１４０を耐熱性に優れるとともに遮熱性に優れた材質、すなわち、耐熱性に優れるとともに、ヒータ部１１０を構成する絶縁部（基体１１０Ａ及び載置板１１０Ｂ）よりも低い８０〜１００Ｗ／ｍＫ程度の熱伝導率を有するセラミックス焼結体等の絶縁部材から構成している。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、支持部材１４０を前記のような遮熱性に優れた材質で構成し、少なくとも支持部材１４０のシール材１５０に接する部分への熱伝導を遮断した場合、支持部材１４０のヒータ部１１０側とシール材１５０側との間の温度勾配が急となり、その結果、支持部材１４０にクラックが入り、加熱装置１００の耐久性が低下するという問題点を有している。
【００１０】
この問題は、支持部材１４０を１６０〜１７０Ｗ／ｍＫ程度の高い熱伝導率を有するセラミックス焼結体、金属、金属化合物等の絶縁部材から構成し、支持部材１４０の温度分布を緩和することによって解決することができるが、この場合には、少なくとも支持部材１４０のシール材１５０に接する部分への熱伝導を防止するために、支持部材１４０を長くする必要があり、その結果、反応容器２００の構造が制約を受けるという問題点を有している。
【００１１】
そこで、本発明は、上記従来の技術が有する問題点に鑑みてなされたものであって、支持部材の長さを長くすることなく、加熱効率に優れ、支持部材と反応容器との間の隙間を、シール材を介して完全に封止することができるとともに、耐久性に優れた加熱装置を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、種々検討を行った結果、支持部材のヒータ部近傍部分とシール材近傍部分を、ヒータ部を構成する絶縁部よりも低い熱伝導率を有する絶縁部で構成し、ヒータ部近傍部分とシール材近傍部分との間を、ヒータ部近傍部分とシール材近傍部分よりも高い熱伝導率を有する絶縁部で構成することにより、支持部材の温度勾配を緩和して、応力緩和することができることを見出した。
【００１３】
さらに、支持部材を上記構成とした場合には、ヒータ部近傍部分とシール材近傍部分とを、ヒータ部を構成する絶縁部よりも低い熱伝導率を有する絶縁部で構成しているため、ヒータ部から支持部材への熱伝導を抑制することができるとともに、ヒータ部近傍部分とシール材近傍部分との間の絶縁部よりシール材側への熱伝導を抑制することができることを見出し、本発明の加熱装置を発明するに到った。
【００１４】
本発明の加熱装置は、被加熱基板を載置して加熱するための加熱面を有する絶縁部と該絶縁部に内蔵された発熱体とを有するヒータ部と、該ヒータ部を支持する支持部材とを具備し、前記支持部材を、シール材を介して反応容器に取り付けることにより、前記反応容器の内部に装着された加熱装置であって、前記支持部材が、前記ヒータ部側の端部を含む第１の絶縁部と、前記シール材に接する部分を含む第２の絶縁部と、前記第１の絶縁部と前記第２の絶縁部との間に位置する第３の絶縁部とを具備するものであるとともに、前記第１の絶縁部及び前記第２の絶縁部の熱伝導率が、前記ヒータ部を構成する前記絶縁部の熱伝導率よりも低くされ、前記第３の絶縁部の熱伝導率が、前記第１の絶縁部及び前記第２の絶縁部の熱伝導率よりも高くされたことを特徴とする。
【００１５】
すなわち、本発明は、支持部材において、ヒータ部側の端部を含む領域を、ヒータ部を構成する絶縁部よりも低い熱伝導率を有する第１の絶縁部で構成し、シール材に接する部分を含む領域を、ヒータ部を構成する絶縁部よりも低い熱伝導率を有する第２の絶縁部で構成し、第１の絶縁部と第２の絶縁部との間に、第１の絶縁部、第２の絶縁部の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有する第３の絶縁部を設ける構成としている。
【００１６】
本発明者は、支持部材を上記構成とし、支持部材のヒータ部近傍部分とシール材近傍部分との間の部分を、ヒータ部近傍部分の第１の絶縁部とシール材近傍部分の第２の絶縁部よりも高い熱伝導率を有する第３の絶縁部で構成することにより、支持部材の長さを長くすることなく、支持部材の温度勾配を緩和することができ、支持部材にクラックが入ることを防止することができ、耐久性の優れた加熱装置を提供することができることを見出した。
【００１７】
また、支持部材を上記構成とした場合には、ヒータ部近傍部分とシール材近傍部分とを、ヒータ部を構成する絶縁部よりも低い熱伝導率を有する第１の絶縁部、第２の絶縁部で構成しているため、ヒータ部から第１の絶縁部への熱伝導を抑制し、ヒータ部近傍部分とシール材近傍部分との間に位置する第３の絶縁部からシール材側（第２の絶縁部側）への熱伝導を抑制することができるので、本発明の加熱装置は、加熱効率に優れるとともに、支持部材と反応容器との間の隙間を、シール材を介して完全に封止することができるものとなる。
【００１８】
また、本発明の加熱装置において、前記第１の絶縁部及び前記第２の絶縁部をアルミナ基焼結体で構成し、前記第３の絶縁部を窒化アルミニウム基焼結体で構成することが望ましい。第１の絶縁部、第２の絶縁部、第３の絶縁部をこのような構成とすることにより、支持部材を耐プラズマ性、耐腐食性等に優れたものにすることができる。
【００１９】
また、本発明の加熱装置において、前記第３の絶縁部の前記支持部材の延在方向の長さを、前記第１の絶縁部及び前記第２の絶縁部の前記支持部材の延在方向の長さよりも長く設定することが望ましい。
【００２０】
本発明者は、このように、第３の絶縁部の支持部材の延在方向の長さを、第１の絶縁部及び第２の絶縁部の支持部材の延在方向の長さよりも長く設定することにより、支持部材のヒータ部側とシール材側との間の温度勾配を更に緩和し、支持部材の耐熱衝撃性を更に向上させ、加熱装置の耐久性を飛躍的に向上させることができることを見出した。
【００２１】
【発明の実施の形態】
次に、本発明に係る実施形態について詳細に説明する。
【００２２】
［加熱装置の構造］
図１〜図３に基づいて、本発明に係る実施形態の加熱装置１０の構造について説明する。
【００２３】
図１は加熱装置１０を上方から見たときの概略斜視図、図２は半導体装置の製造等に用いられる熱ＣＶＤ装置に加熱装置１０を装着した状態を示す概略断面図、図３は図２に示す加熱装置１０を拡大して示す概略断面図である。なお、図２、図３に示す加熱装置は図１に示す加熱装置をＡ−Ａ’線に沿って切断したときの断面図である。また、図２においては、簡略化のため後述する電極と熱電対の図示を省略している。また、図２、図３において、符号２０は熱ＣＶＤ装置の反応容器を示している。
【００２４】
図１に示すように、加熱装置１０は、被加熱基板を載置して加熱を行うことが可能な円盤状のヒータ部１１と、ヒータ部１１の一方の面上に取り付けられて、ヒータ部１１を支持する円筒状の支持部材１４とを主体として構成されている。ヒータ部１１と支持部材１４とは、ガラス接合法等の接合法により接合されており、図示は省略している接合層を介して気密に接合されている。また、本実施形態において、ヒータ部１１の上側の面が、被加熱基板を載置して加熱するための加熱面１１Ｓとなっていて、ヒータ部１１の下側の面上に支持部材１４が取り付けられている。
【００２５】
図２、図３に示すように、ヒータ部１１は、円盤状の絶縁部にスパイラル状の炭化珪素焼結体等からなる抵抗発熱体（発熱体）１２が内蔵された構造となっており、ヒータ部１１は、表面に、抵抗発熱体１２を装填するために、抵抗発熱体１２の形状に沿って刻設された凹部１３を有する円盤状の基体（絶縁部）１１Ａと、基体１１Ａの凹部１３に装填されたスパイラル状の抵抗発熱体１２と、抵抗発熱体１２を挟持して基体１１Ａと対向配置された、被加熱基板を載置するための載置板（絶縁部）１１Ｂとから構成されている。
【００２６】
基体１１Ａと載置板１１Ｂとは、ガラス接合法等の接合法により接合されており、図示は省略している接合層を介して気密に接合されている。また、載置板１１Ｂの図示上側の面が、被加熱基板を加熱するための加熱面１１Ｓとなっている。
【００２７】
本実施形態において、載置板１１Ｂは、抵抗発熱体１２から加熱面１１Ｓへの熱伝導を良くし、加熱効率を高くするために、１００〜１７０Ｗ／ｍＫ程度の熱伝導率を有する、窒化アルミニウム等のセラミックス焼結体から構成されている。
【００２８】
また、基体１１Ａと載置板１１Ｂとの熱膨張係数が異なる場合には、基体１１Ａと載置板１１Ｂとの熱膨張係数の差に起因した熱ストレスにより、基体１１Ａと載置板１１Ｂとの間に形成された接合層の耐久性が低下する。したがって、本実施形態において、基体１１Ａと載置板１１Ｂとは同じ熱膨張係数を有する材質から構成されている。さらに、ヒータ部１１の製造工程を簡略化することができるので、基体１１Ａと載置板１１Ｂとが同じ材質から構成されていることが望ましい。
【００２９】
また、図３に示すように、加熱装置１０において、抵抗発熱体１２に電力を供給するために、抵抗発熱体１２の両端部には、一端が抵抗発熱体１２に電気的に接続された一対の電極２７が設けられており、電極２７を介して抵抗発熱体１２に電力が供給され、ヒータ部１１の加熱面１１Ｓを加熱することができる構造になっている。
【００３０】
また、加熱装置１０において、ヒータ部１１内の温度を測定するために、一端がヒータ部１１内に挿入された熱電対２８が設けられている。なお、図３には例として、熱電対２８の図示上端部が基体１１Ａと載置板１１Ｂとの接合面に接触している場合について図示している。
【００３１】
電極２７と熱電対２８とは、各々ヒータ部１１の基体１１Ａ内に設けられた貫通孔２３、２４に挿通されており、図示下側の端部は、支持部材１４の内部の空洞を通って、支持部材１４の外部にまで延出形成されている。
【００３２】
また、図２、図３に示すように、支持部材１４のヒータ部１１側と反対側の端部（図示下側の端部）がＯ−リングなどからなるシール材１５を介して、反応容器２０に取り付けられ、加熱装置１０と反応容器２０との間の隙間を封止して反応容器２０の内部の気密性を確保した状態で、加熱装置１０は反応容器２０の内部に装着される。
【００３３】
なお、反応容器２０は、反応容器２０の内部にガス供給孔２１から熱ＣＶＤ用のガスが供給され、吸引孔２２から反応容器２０内の空気が真空ポンプにより排出される構造になっている。
【００３４】
図３に示すように、本実施形態において、支持部材１４は、ヒータ部１１側の端部を含む第１の絶縁部１６と、シール材１５に接する部分を含む第２の絶縁部１８と、第１の絶縁部１６と第２の絶縁部１８との間に位置する第３の絶縁部１７とを具備するものとなっている。第１の絶縁部１６と第３の絶縁部１７、及び第３の絶縁部１７と第２の絶縁部１８は、各々ガラス接合法等の接合法により接合されており、図示は省略している接合層を介して気密に接合されている。
【００３５】
また、本実施形態において、第１の絶縁部１６及び第２の絶縁部１８の熱伝導率がヒータ部１１を構成する絶縁部（基体１１Ａ及び載置板１１Ｂ）の熱伝導率よりも低く設定されていて、かつ、第３の絶縁部１７の熱伝導率が、第１の絶縁部１６及び第２の絶縁部１８の熱伝導率よりも高く設定されている。
【００３６】
第１の絶縁部１６及び第２の絶縁部１８はいずれも、ヒータ部１１を構成する絶縁部（基体１１Ａ及び載置板１１Ｂ）よりも低い１０〜２０Ｗ／ｍＫ程度の熱伝導率を有する絶縁部材から構成されていて、第１の絶縁部１６及び第２の絶縁部１８は、例えば、アルミナ基焼結体（熱伝導率：１０Ｗ／ｍＫ程度）から構成されている。
【００３７】
一方、第３の絶縁部１７は、第１の絶縁部１６及び第２の絶縁部１８よりも高い熱伝導率を有する絶縁部材から構成されていて、例えば、第１の絶縁部１６及び第２の絶縁部１８が、熱伝導率が１０Ｗ／ｍＫ程度の絶縁部材から構成されている場合、第３の絶縁部１７は窒化アルミニウム基焼結体（熱伝導率：８０Ｗ／ｍＫ程度）、アルミナ基焼結体（熱伝導率：２０Ｗ／ｍＫ程度）などから構成されている。
【００３８】
特に、第１の絶縁部１６及び第２の絶縁部１８をアルミナ基焼結体で構成し、第３の絶縁部１７を窒化アルミニウム基焼結体で構成することが好ましく、第１の絶縁部１６、第２の絶縁部１８、第３の絶縁部１７をこのような構成にすることにより、支持部材１４を耐プラズマ性、耐腐食性等に優れたものにすることができる。
【００３９】
なお、本実施形態において、「アルミナ基焼結体」、「窒化アルミニウム基焼結体」とは、アルミナ焼結体又は窒化アルミニウム焼結体、もしくは、焼結性や耐プラズマ性を向上させるために、アルミナ焼結体又は窒化アルミニウム焼結体に、イットリア（Ｙ２Ｏ３）、カルシア（ＣａＯ）、マグネシア（ＭｇＯ）、炭化珪素（ＳｉＣ）、チタニア（ＴｉＯ２）等から選択された１種または２種以上の添加物を合計で０〜１０重量％程度含有したものを言う。
【００４０】
本実施形態において、第１の絶縁部１６、第２の絶縁部１８、第３の絶縁部１７を各々複数の絶縁部材から構成しても良く、例えば、第３の絶縁部１７において、図示上側半分を熱伝導率が１０Ｗ／ｍＫ程度のアルミナ基焼結体から構成し、図示下側半分（シール材１５に接する部分）を熱伝導率が１．８Ｗ／ｍＫ程度の石英板等から構成してもよい。
【００４１】
また、図３に示すように、本実施形態において、第３の絶縁部１７の図示縦方向（支持部材１４の延在方向）の長さＬ３が、第１の絶縁部１６の図示縦方向（支持部材１４の延在方向）の長さＬ１及び第２の絶縁部１８の図示縦方向（支持部材１４の延在方向）の長さＬ２よりも長く設定されていることが好ましい。
【００４２】
［加熱装置の製造方法］
次に、上記構造を有する加熱装置１０の製造方法の一例について説明する。
【００４３】
はじめに、スパイラル状の抵抗発熱体１２を装填するための凹部１３と、電極２７及び熱電対２８を挿通させるための貫通孔２３、２４を有するセラミックス焼結体製の円盤状の基体１１Ａと、被加熱基板を載置して加熱するためのセラミックス焼結体製の円盤状の被覆板１１Ｂとを公知の方法により作製する。
【００４４】
被覆板１１Ｂを作製するに際して、被加熱基板を載置して加熱する加熱面１１Ｓを平滑性の高いものにすることが望ましい。特に、被加熱基板がヒータ部１１の加熱面１１Ｓ上に直接載置される場合には、加熱面１１Ｓの表面粗さを500 μｍ以下とすることが望ましく、このように平滑性の高い加熱面１１Ｓを形成することにより、加熱面１１Ｓ上に被加熱基板を直接載置する場合においても、被加熱基板の裏面（被加熱基板の加熱面１１Ｓ側の面）側にデポジション用ガスが侵入して、被加熱基板の裏面が損傷されることを防止することができる。
【００４５】
次に、基体１１Ａの凹部１３に装填するスパイラル状の炭化珪素焼結体等からなる抵抗発熱体１２を、例えば特開平４−６５３６１号公報に記載の方法により作製し、作製した抵抗発熱体１２を基体１１Ａの凹部１３内に装填する。
【００４６】
次いで、凹部１３内に抵抗発熱体１２を装填した基体１１Ａと、被覆板１１Ｂとをガラス接合法等の公知の接合法を用いて、接合層を介して気密に接合する。次に、基体１１Ａ内に設けた貫通孔２３、２４に電極２７及び熱電対２８を挿通させることにより、ヒータ部１１が作製される。
【００４７】
一方、押出成形、射出成形、プレス成形等により、円筒状のセラミックス成形体を成形し、該セラミックス成形体を常圧又は加圧焼結することにより、第１の絶縁部１６、第２の絶縁部１８、第３の絶縁部１７を各々形成する。
【００４８】
次いで、第１の絶縁部１６と第３の絶縁部１７、第３の絶縁部１７と第２の絶縁部１８とをガラス接合法等の公知の接合法を用いて、接合層を介して気密に接合することにより、支持部材１４を作製する。なお、第１の絶縁部１６と第３の絶縁部１７の接合と、第３の絶縁部１７と第２の絶縁部１８の接合は、いずれを先に行っても構わない。
【００４９】
最後に、上記のようにして作製されたヒータ部１１と支持部材１４とを、ガラス接合法等の公知の接合法を用いて、接合層を介して気密に接合し、加熱装置１０が製造される。
【００５０】
本実施形態によれば、支持部材１４を熱伝導率の異なる複数の絶縁部（第１の絶縁部１６、第３の絶縁部１７、第２の絶縁部１８）を具備する特殊な構造で構成し、支持部材１４のヒータ部１１近傍部分とシール材１５近傍部分との間の部分を、ヒータ部１１近傍部分の第１の絶縁部１６とシール材１５近傍部分の第２の絶縁部１８よりも高い熱伝導率を有する第３の絶縁部１７で構成することにより、支持部材１４の長さを長くすることなく、支持部材１４のヒータ部１１側とシール材１５側との間の温度勾配を緩和することができ、支持部材１４にクラックが入ることを防止することができ、耐久性の優れた加熱装置を提供することができる。
【００５１】
また、支持部材１４を熱伝導率の異なる複数の絶縁部（第１の絶縁部１６、第３の絶縁部１７、第２の絶縁部１８）からなる特殊な構造で構成し、支持部材１４のヒータ部１１近傍部分とシール材１５近傍部分とを、ヒータ部１１を構成する絶縁部よりも低い熱伝導率を有する第１の絶縁部１６、第２の絶縁部１８で構成することにより、ヒータ部１１から第１の絶縁部１６への熱伝導を抑制し、ヒータ部１１近傍部分とシール材１５近傍部分との間に位置する第３の絶縁部１７からシール材１５側（第２の絶縁部１８）への熱伝導を抑制することができるので、本実施形態の加熱装置１０は、加熱効率に優れるとともに、支持部材１４と反応容器２０との間の隙間を、シール材１５を介して完全に封止することができるものとなる。
【００５２】
さらに、本実施形態においては、電極２７が支持部材１４の内部に埋設され、反応容器２０の内部に露出されていないので、電極２７の腐食、電極２７からの被加熱基板への汚染、真空中における電極２７間又は電極２７と反応容器２０との間の放電や漏電の恐れがない。したがって、電極２７を保護するための部材を設ける必要がない。また、熱電対２８についても電極２７と同様に、支持部材１４の内部に埋設され、反応容器２０の内部に露出されていないので、熱電対２８を保護するための部材を設ける必要がない。
【００５３】
なお、本実施形態においては、スパイラル状の発熱体を内蔵する円盤状のヒータ部１１と円筒状の支持部材１４とを具備する加熱装置についてのみ説明したが、本発明はこのような加熱装置に限定されるものではなく、被加熱基板を加熱する加熱面を有する絶縁部と該絶縁部に内蔵された発熱体とを有するヒータ部と、ヒータ部の加熱面以外の面上に取り付けられ、ヒータ部を支持する支持部材とを具備するものであれば、いかなる加熱装置にも適用することができる。
【００５４】
また、本実施形態においては、支持部材の端部を反応容器に取り付けた場合についてのみ説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、支持部材を反応容器に取り付ける位置は、ヒータ部から離れた位置であれば、いかなる位置であってもよい。
【００５５】
また、本実施形態においては、支持部材が第１の絶縁部、第２の絶縁部、第３の絶縁部のみから構成されている場合についてのみ説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、支持部材は、ヒータ部側の端部を含む第１の絶縁部と、シール材に接する部分を含む第２の絶縁部と、第１の絶縁部と第２の絶縁部との間に位置する第３の絶縁部とを具備するものであれば良く、例えば、支持部材を反応容器の外側にまで延出形成させて、第３の絶縁部の下方（反応容器の外側）に第３の絶縁部とは異なる部材を取り付ける構造としてもよい。
【００５６】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、支持部材を熱伝導率の異なる複数の絶縁部からなる特殊な構造で構成したことにより、支持部材の長さを長くすることなく、加熱効率に優れ、支持部材と反応容器との間の隙間を、シール材を介して完全に封止することができるとともに、耐久性に優れた加熱装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  図１は、本発明に係る実施形態の加熱装置の構造を示す概略斜視図である。
【図２】  図２は、本発明に係る実施形態の加熱装置を反応容器の内部に装着した状態を示す概略断面図である。
【図３】  図３は、図２に示す加熱装置を拡大して示す概略断面図である。
【図４】  図４は、従来の加熱装置の一例を反応容器の内部に装着した状態を示す概略断面図である。
【符号の説明】
１０    加熱装置
２０    反応容器
１１    ヒータ部
１１Ａ  基体（絶縁部）
１１Ｂ  載置板（絶縁部）
１１Ｓ  加熱面
１２    抵抗発熱体（発熱体）
１３    凹部
１４    支持部材
１５    シール材
１６    第１の絶縁部
１８    第２の絶縁部
１７    第３の絶縁部
２７    電極
２８    熱電対
Ｌ１    第１の絶縁部の支持部材の延在方向の長さ
Ｌ２    第２の絶縁部の支持部材の延在方向の長さ
Ｌ３    第３の絶縁部の支持部材の延在方向の長さ
【図１】
0004393676.tif 000002
【図２】
0004393676.tif 000003
【図３】
0004393676.tif 000004
【図４】
0004393676.tif 000005