(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
銀粒子及び分散剤を含む固形分の濃度が１〜２０重量％の銀コロイド水溶液であって、
前記分散剤は、ＣＯＯ基とＯＨ基とを合わせて３個以上有し、かつ、ＣＯＯ基の数がＯＨ基と同じか、それよりも多いヒドロキシ酸塩であり、
前記固形分の熱重量分析による５００℃までの加熱減量が１〜４重量％であることを特徴とする銀コロイド水溶液。
【請求項２】
分散剤と還元剤とを溶解した水溶液中に銀塩水溶液を滴下して、請求項１に記載の銀コロイド水溶液を製造する方法であって、
前記分散剤として、ＣＯＯ基とＯＨ基とを合わせて３個以上有し、かつ、ＣＯＯ基の数がＯＨ基と同じか、それよりも多いヒドロキシ酸塩を用いたことを特徴とする銀コロイド水溶液の製造方法。
【請求項３】
分散剤と還元剤とを溶解した水溶液のｐＨを６〜１０に調整した後、銀塩水溶液を滴下する請求項２記載の銀コロイド水溶液の製造方法。
【請求項４】
分散剤と還元剤とを溶解した水溶液中に銀塩水溶液を滴下した後、銀コロイドを含む水溶液を一定期間静置し、生じた上澄み液を取り除いた上で、純水を加えて再度攪拌し、さらに一定期間静置して生じた上澄み液を取り除く工程を繰り返す方法、前記静置の代わりに遠心分離を行う方法、及び、限外濾過でイオンを取り除く方法のうちの少なくとも１つの方法による洗浄を行う請求項２又は３に記載の銀コロイド水溶液の製造方法。
【請求項５】
銀コロイド水溶液に水酸化アルカリ金属水溶液を添加して最終的なｐＨを６〜１１に調整する請求項２、３又は４記載の銀コロイド水溶液の製造方法。
【請求項６】
請求項２、３、４又は５記載の製造方法により製造されてなることを特徴とする銀コロイド水溶液。
【請求項７】
非イオン性高分子を含有し、前記非イオン性高分子の量が、銀コロイド水溶液の固形分の１〜２重量％である請求項１又は６記載の銀コロイド水溶液。
【請求項８】
請求項１、６又は７記載の銀コロイド水溶液を基材上に塗布し、乾燥することにより形成される、その体積抵抗率が１×１０−３Ω・ｃｍ以下であることを特徴とする導電性被膜。
【請求項９】
請求項１、６又は７記載の銀コロイド水溶液を基材上に塗布して成膜し、乾燥し、加熱処理することにより形成される、その体積抵抗率が１×１０−４Ω・ｃｍ以下であることを特徴とする導電性被膜。
【請求項１０】
請求項８又は９記載の導電性被膜を形成する方法であって、
基材表面に予め水溶性高分子溶液を塗布し、乾燥させて接着層を設けた後、
前記接着層上に、請求項１、６又は７に記載の銀コロイド水溶液を塗布し、加熱することを特徴とする導電性被膜の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、溶液状態では低粘度で分散性が良いため取扱いが容易であり、溶媒に水のみを使用するため環境に優しく、塗布、乾燥後は優れた導電性を有する被膜が得られるため、ブラウン管の電磁波遮蔽用、建材又は自動車の赤外線遮蔽用、電子機器の静電気帯電防止剤用、曇ガラスの熱線用、ＩＣカード用コイル、回路基板に形成する電極、スルーホール又は回路自体等に好適に用いられる銀コロイド水溶液、該銀コロイド水溶液の製造方法、該銀コロイド水溶液を用いて形成した導電性被膜及び導電性被膜の形成方法等に関する。
【０００２】
【従来の技術】
回路基板上に形成する電極等に導電性被膜を用いる場合には、他の用途に比べて優れた導電性が要求され、この分野では、従来より、銀や他の貴金属粒子を樹脂成分や有機溶媒で練り込んだ銀ペースト等が広く用いられている。
しかし、上記銀ペースト等は、高粘度で取扱いにくく、また、塗りにくいために精細な用途に向かず、乾燥時又は焼成時の溶剤臭が強いという問題がある。さらに、それらが大気中に揮発しやすいため環境に悪影響を及ぼす可能性が強く、また、多くの樹脂分を含有するため導電性が損なわれやすいという問題がある。
【０００３】
透明導電膜の分野では、化学還元法によって製造した銀コロイドを使用する例があるが、従来の化学還元法によって製造した銀コロイドは、加熱焼成後の体積抵抗率が１０-2〜１０2 Ωｃｍ程度であって、回路基板用としては使用しづらい。これは、回路基板用の導電膜は、少なくとも１０-4〜１０-5Ω・ｃｍ程度の体積抵抗率が必要であるからである。導電性を上げるためには、銀以外の含有物をできるだけ少なくする必要がある。
【０００４】
また、高粘度の銀ペーストでは問題にならないが、低粘度のインクにおいては分散安定性の問題が必ず生じる。
従来の化学還元法で製造した銀コロイドでは、銀含量を上げると沈殿が生じてしまい、常に攪拌する必要があるので工業的には不利である。一方、銀含量を下げすぎると、必要な厚みを出すために何度も重ね塗る必要が生じるので、これも不利である。従って、銀含量を上げても分散安定性の良い銀コロイドを製造する必要がある。
【０００５】
上記銀コロイドを得るために用いる銀コロイドの分散剤は、大まかに低分子系分散剤と高分子系分散剤とに分類することができる。
上記低分子系分散剤は、銀コロイドの表面に作用し、分散性を大きく支配するが、分散剤の量が多いと成膜後の導電性を悪化させることとなりるため、少量で分散性を良好にすることができる低分子系分散剤が求められている。
【０００６】
また、上記高分子系分散剤としては、ゼラチン、アラビアゴム、ポリビニルアルコール、各種蛋白質のような高分子がよく添加されるが、このような非導電性物質の添加は確実に体積抵抗率を大きくする。ただし、塗布時の成膜性の面では有利に働くので、少量の添加で分散性と成膜性に大きく寄与する高分子分散剤が必要となる。
【０００７】
上記問題に対応するために、例えば、特開平１０−６６８６１号公報では、硝酸銀と分散剤であるクエン酸ナトリウムと還元剤である硫酸第一鉄をモル比で１：３．６９：３．３６の割合で添加しており、また、特開平９−５３０３０号公報では、上記と同じ物質を１：３．２４：１．８４の割合で添加しているが、どちらも発明の詳細な説明では、これらの物質について、その使用範囲が規定されていないため、好適に使用し得る範囲を把握することができない。
【０００８】
過剰の分散剤や還元剤は、銀の還元と分散に関して有効に働かないまま残存し、過剰の電解質となって銀コロイドの凝析を促進させるため、除去工程が煩雑になり、また、非導電性不純物となって成膜後の導電性を悪化させる。また、分散剤が少なければ沈殿が生じやすくなり、使用前の再攪拌工程が必要になってくる。さらに、銀粒子に吸着した分散剤は有機不純物となって成膜後の導電性を悪化させる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記に鑑み、銀含有量を上げても分散安定性が良い銀コロイド水溶液、該銀コロイド水溶液の製造方法、導電性に優れる導電性被膜、及び、作業性、接着性に優れる導電性被膜の形成方法等を提供することを目的とするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明の銀コロイド水溶液は、銀粒子及び分散剤を含む固形分の濃度が１〜２０重量％の銀コロイド水溶液であって、上記分散剤は、ＣＯＯ基とＯＨ基とを合わせて３個以上有し、かつ、ＣＯＯ基の数がＯＨ基と同じか、それよりも多いヒドロキシ酸塩であり、上記固形分の熱重量分析による５００℃までの加熱減量が１〜４重量％であることを特徴とする。
【００１１】
また、本発明の銀コロイド水溶液の製造方法は、分散剤と還元剤とを溶解した水溶液中に銀塩水溶液を滴下して銀コロイド水溶液を製造する方法であって、上記分散剤として、ＣＯＯ基とＯＨ基とを合わせて３個以上有し、かつ、ＣＯＯ基の数がＯＨ基と同じか、それよりも多いヒドロキシ酸塩を用いたことを特徴とする。
【００１２】
また、本発明の導電性被膜は、上記銀コロイド水溶液を基材上に塗布し、乾燥することにより形成される導電性被膜で、その体積抵抗率が１×１０−３Ω・ｃｍ以下であることを特徴とする。
【００１３】
さらに、本発明の導電性被膜の形成方法は、上記導電性被膜を形成する方法であって、基材表面に予め水溶性高分子溶液を塗布し、乾燥させて接着層を設けた後、上記接着層上に上記銀コロイド水溶液を塗布し、加熱することを特徴とする。以下に本発明を詳述する。
【００１４】
まず、本発明の銀コロイド水溶液の製造方法について説明する。
本発明の銀コロイド水溶液の製造方法は、分散剤と還元剤とを溶解した水溶液中に銀塩水溶液を滴下する方法であって、上記分散剤として、ＣＯＯ基とＯＨ基とを合わせて３個以上有し、かつ、ＣＯＯ基の数がＯＨ基と同じか、それよりも多いヒドロキシ酸塩を用いることを特徴とする。
【００１５】
本発明の銀コロイド水溶液の製造方法では、まず初めに、分散剤と還元剤とを溶解した水溶液を調製する。
【００１６】
上記分散剤は、ＣＯＯ基とＯＨ基とを合わせて３個以上有し、かつ、ＣＯＯ基の数がＯＨ基と同じか、それよりも多いヒドロキシ酸塩である。これらの分散剤は、製造した銀粒子表面に吸着し、分散剤中に存在するＣＯＯ- 基の電気的反発力により、銀粒子を水溶液中に均一に分散させて銀コロイド水溶液を安定化する働きを有する。
【００１７】
上記分散剤中のＣＯＯ基とＯＨ基の数が３個未満であったり、ＣＯＯ基の数がＯＨ基の数よりも少ないと、銀コロイドの分散性が低下してしまう。
【００１８】
上記分散剤としては、例えば、クエン酸三ナトリウム、クエン酸三カリウム、クエン酸三リチウム、クエン酸三アンモニウム、りんご酸二ナトリウム等を挙げることができる。
【００１９】
上記分散剤の配合量としては、出発物質である硝酸銀のような銀塩中の銀と分散剤とのモル比が１：１〜１：１００程度となるように配合することが好ましい。銀塩に対する分散剤のモル比が大きくなると、粒径が小さくなって成膜後の粒子同士の接触点が増えるため、体積抵抗値の低い被膜を得ることができる。
【００２０】
上記還元剤は、上記出発物質である硝酸銀（Ａｇ+ ＮＯ3 - ）のような銀塩中のＡｇ+ イオンを還元して銀粒子を生成するという働きを有する。
【００２１】
上記還元剤としては特に限定されないが、例えば、ジメチルアミノエタノール、メチルジエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアミン系；水酸化ホウ素ナトリウム、水素ガス、ヨウ化水素等の水素化合物系；一酸化炭素、亜硫酸等の酸化物系；Ｆｅ（II）化合物、Ｓｎ（II）化合物等の低原子価金属塩系；Ｄ−グルコースのような糖類、ホルムアルデヒド等の有機化合物系等が挙げられる。これらの化合物を使用する際には、光や熱を加えて還元反応を促進させてもよい。
【００２２】
上記還元剤の配合量としては、上記出発物質である銀塩を完全に還元できる量が必要であるが、過剰な還元剤は不純物として銀コロイド水溶液中に残存してしまい、成膜後の導電性を悪化させる等の原因となるため、必要最小限の量が好ましい。具体的な配合量としては、上記銀塩と還元剤とのモル比が１：１〜１：３程度である。
【００２３】
本発明では、分散剤と還元剤とを溶解して水溶液を調製した後、この水溶液のｐＨを６〜１０に調整することが好ましい。
【００２４】
これは、以下のような理由による。例えば、分散剤であるクエン酸三ナトリウムと還元剤である硫酸第一鉄とを混合した場合、全体の濃度にもよるがｐＨは大体４〜５程度と、上記したｐＨ６を下回る。このとき存在する水素イオンは、下記反応式（１）；
【００２５】
【化１】
0004497491.tif 000002
【００２６】
で表される反応の平衡を右辺に移動させ、ＣＯＯＨの量が多くなる。従って、その後銀塩溶液を滴下して得られる銀粒子表面の電気的反発力が減少し、銀粒子の分散性が低下してしまうことになるからである。
【００２７】
そこで、分散剤と還元剤とを溶解して水溶液を調製した後、この水溶液にアルカリ性の化合物を添加し、水素イオン濃度を低下させる。
【００２８】
アルカリ性の化合物としては特に限定されないが、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、アンモニア水等を挙げることができる。これらの中では、少量で容易にｐＨを調整できる水酸化ナトリウムが好ましい。
【００２９】
一方、アルカリ性の化合物の添加量が多すぎて、ｐＨが１０を超えると、鉄イオンのような残存している還元剤のイオンの水酸化物の沈殿が起こりやすくなるため好ましくない。
【００３０】
次に、本発明の銀コロイド水溶液の製造方法では、調製した上記分散剤と還元剤とが溶解した水溶液に銀塩を含む水溶液を滴下する。
【００３１】
上記銀塩としては特に限定されないが、例えば、酢酸銀、炭酸銀、酸化銀、硫酸銀、亜硝酸銀、塩素酸銀、硫化銀、クロム酸銀、硝酸銀、二クロム酸銀等を挙げることができる。
これらの中では、水への溶解度が大きい硝酸銀が好ましい。
【００３２】
上記銀塩の量は、目的とする銀コロイドの含有量、及び、還元剤により還元される割合を考慮して定められるが、例えば、硝酸銀の場合、水溶液１００重量部に対して１５〜７０重量部程度である。
【００３３】
上記銀塩水溶液は、上記銀塩を純水に溶かすことにより調製し、調製した銀塩の水溶液を徐々に上記分散剤と還元剤とが溶解した水溶液中に滴下する。
【００３４】
本工程で、銀塩は還元剤により銀粒子に還元され、さらに、該銀粒子の表面に分散剤が吸着し、このような分散剤の吸着した銀粒子が水溶液中にコロイド状に分散した水溶液が得られる。
【００３５】
得られた溶液中には、銀コロイドのほかに、還元剤の残留物や分散剤が存在しており、液全体のイオン濃度が高くなっている。このような状態の液は、凝析が起こり、沈殿しやすい。そこで、このような水溶液中の余分なイオンを取り除い、イオン濃度を低下させるために洗浄を行う。
【００３６】
洗浄の方法としては、例えば、得られた銀コロイドを含む水溶液を一定期間静置し、生じた上澄み液を取り除いた上で、純水を加えて再度攪拌し、さらに一定期間静置して生じた上澄み液を取り除く工程を幾度が繰り返す方法、上記静置の代わりに遠心分離を行う方法、限外濾過等でイオンを取り除く方法等を挙げることができる。
【００３７】
本発明の銀コロイド水溶液の製造方法では、上記工程の後、必要により銀コロイド水溶液に水酸化アルカリ金属水溶液を添加し、最終的なｐＨを６〜１１に調整することが好ましい。
【００３８】
これは、還元後に洗浄を行ったため、電解質イオンであるナトリウム濃度が減少している場合があり、このような状態の水溶液では、下記反応式（２）；
【００３９】
【化２】
0004497491.tif 000003
【００４０】
で表される反応の平衡が右辺へ移動する。
このままでは、銀コロイドの電気的反発力が減少して銀粒子の分散性が低下するため、適当量の水酸化アルカリを添加することにより、反応式（２）の平衡を左辺に移動させ、銀コロイドを安定化させるのである。
【００４１】
このときに使用する上記水酸化アルカリ金属としては、例えば、最初にｐＨを調整する際に用いた化合物と同様の化合物を挙げることができる。
【００４２】
ｐＨが６未満では、反応式（２）の平衡が右辺に移動するため、銀コロイドが不安定化し、一方、ｐＨが１１を超えると、鉄イオンのような残存しているイオンの水酸化塩の沈殿が起こりやすくなるため好ましくない。ただし、予め鉄イオン等を取り除いておけば、ｐＨが１１を超えても大きな問題はない。
【００４３】
なお、ナトリウムイオン等の陽イオンは水酸化物の形で加えるのが好ましい。これは、水の自己プロトリシスを利用できるため最も効果的にナトリウムイオン等の陽イオンを水溶液中に加えることができるからである
【００４４】
上記方法を用いることにより、本発明の銀コロイド水溶液を製造することができる。
得られた上記銀コロイド水溶液には、さらに、銀コロイド水溶液の固形分１００重量部に対して０．１〜５重量部以下の割合で非イオン性高分子をしてもよい。
【００４５】
上記非イオン性高分子は、保護コロイドとも呼ばれており、上記非イオン性高分子を添加することにより、銀粒子の間に高分子鎖が存在することとなり、そのため、銀粒子同士の接近と凝集とを抑制することができ、より高濃度の銀粒子を安定分散させることができる。
【００４６】
また、非イオン性高分子を含む銀コロイド水溶液は、適当な粘度を有するため、成膜性にも優れる。
【００４７】
添加する高分子として、非イオン性高分子を選択したのは、ゼラチンやポリアクリル酸塩のようなイオン性のものはイオン基濃度が高い場合にはかえって銀コロイドを凝析させるためである。
【００４８】
上記非イオン性高分子の添加量が０．１重量部未満であると、高分子による成膜性向上の効果が充分に得られず、一方、５重量部を超えると成膜性は非常に優れるが、形成された導電性被膜の導電性が悪化する。
【００４９】
上記非イオン性高分子としては特に限定されないが、例えば、ポリビニルアルコール、ポリアクリルアミド、ポリエチレングリコール、ポリエチレンイミン、ポリアミン類、セルロース類等を挙げることができる。
【００５０】
上記非イオン性高分子の添加方法には、上記した銀コロイド水溶液に添加する方法のほかに、銀塩水溶液と分散剤等を含む水溶液との二液のいずれかに、または、両方に添加する方法があるが、このような方法は、銀濃度がかなり低い場合には有効に作用するが、銀濃度が高い場合は有効に作用せず、粒径の大きい銀粒子が生成して全く分散しなかったりするため好ましくない。
【００５１】
上記非イオン性高分子の添加時期は、銀コロイド製造後ならいつでもよい。
例えば、還元反応後の洗浄工程において、添加する純水の代わりに所定濃度に調整した非イオン性高分子を含む水溶液を用いてもよい。
また数回の洗浄を行う場合に、最初だけ非イオン性高分子を含む水溶液を用い、後は純水で洗浄すれば銀粒子に吸着した以外の過剰の高分子が取り除かれるため一層効果的である。
【００５２】
次に、本発明の銀コロイド水溶液について説明する。
本発明の銀コロイド水溶液は、銀粒子を含む固形分（以下、単に固形分ともいう）の濃度が１〜２０重量％であって、上記固形分の熱重量分析による５００℃までの加熱減量が１〜２５重量％である。
【００５３】
本発明の銀コロイド水溶液は、通常、上述した方法により製造され、分散剤が表面に吸着した銀粒子が水溶液中に安定的に分散した状態にあるものをいい、この銀コロイド水溶液において、銀粒子を含む固形分の濃度は、１〜２０重量％である。この銀コロイド水溶液は、上述したように、非イオン性高分子を含んでいてもよい。
【００５４】
ここで、銀粒子を含む固形分とは、銀コロイド水溶液から大部分の水をシリカゲル等により取り除いた後、７０℃以下の温度で乾燥させたときに残存する固形分をいい、通常、この固形分は、銀粒子、分散剤及び残留還元剤等からなる。
【００５５】
上記固形分の濃度が１重量％未満であると、銀の含有量が少なすぎるため、導電性被膜を形成した際、必要な厚みを出すために何度も重ね塗る必要が生じ工業的に不利である。一方、上記固形分の濃度が２０重量％を超えると、銀の含有量が多くなりすぎるために沈殿が生じやすくなり、これを防ぐためには常に攪拌している必要が生じ、これも工業的に不利である。上記固形分の濃度は、１〜２０重量％が好ましい。
【００５６】
上記固形分の熱重量分析による５００℃までの加熱減量は、１〜２５重量％である。
上記固形分を５００℃まで加熱すると、分散剤、残留還元剤、非イオン性高分子等が酸化分解され、大部分のものはガス化されて消失する。残留還元剤の量は、僅かであると考えられるので、５００℃までの加熱による減量は、非イオン性高分子が添加されていない場合は、ほぼ固形分中の分散剤の量に相当し、非イオン性高分子が添加されている場合には、ほぼ固形分中の分散剤と非イオン性高分子の量に相当すると考えてよい。
【００５７】
上記固形分の加熱減量が、１重量％未満であると、銀粒子に対する分散剤や非イオン性高分子の量が少ないため銀粒子の充分な分散性が得られず、２５重量％を超えると、銀粒子に対する分散剤や非イオン性高分子の量が多すぎるために、導電性被膜の導電性がかなり悪化する。分散剤や非イオン性高分子の量が多い場合、成膜後に加熱焼成して有機分を分解消失させることで導電性はある程度改善することができるが、導電性被膜にひび割れ等が起こり易くなるため好ましくない。より好ましくは、１〜２０重量％である。
【００５８】
上記固形分の熱重量分析による５００℃までの加熱減量が、１〜２５重量％である銀コロイド水溶液は、分散安定性に優れており、また、分散剤等の量も適切であるため、この銀コロイド水溶液を用いると、導電性に優れた導電性被膜を形成することができる。
銀塩と分散剤とのモル比が１：１〜１：１００程度となるように配合された銀コロイド水溶液は、分散安定性に優れており、銀粒子の粒径が小さい。従って、この銀コロイド水溶液を用いて形成した導電性被膜は、銀粒子同士の接触点が増え、体積抵抗率が小さくなる。
【００５９】
次に、本発明の導電性被膜について説明する。
本発明の導電性被膜は、銀コロイド水溶液を基材上に塗布した後、加熱することにより形成される導電性被膜であって、上記導電性被膜の体積抵抗率が１×１０-3Ω・ｃｍ以下であることを特徴とする。
【００６０】
本発明の導電性被膜は、上記銀コロイド水溶液を基材上に塗布した後、加熱することにより形成される。
上記基材としては特に限定されないが、例えば、アルミナ焼結体、フェノール樹脂、ガラスエポキシ樹脂、ガラス等からなる基板；ガラス、樹脂、セラミック等からなる建材；樹脂やセラミック等で表面が形成された電子機器等を挙げることができる。
また、その形状としては、板状、フィルム状等を挙げることができる。
【００６１】
上記基材上に上記銀コロイド水溶液を塗布する方法としては特に限定されないが、例えば、バーコート法、スピンコート法、刷毛による方法等を挙げることができる。
【００６２】
また、上記導電性被膜の体積抵抗率は、１×１０-3Ω・ｃｍ以下であることが好ましい。このときの体積抵抗率は、１２０℃で加熱、乾燥した際の体積抵抗率をいう。
上記体積抵抗率が１×１０-3Ω・ｃｍを超えると、導電性が要求される用途、すなわち回路基板上に形成する電極等に用いることが困難となる。
【００６３】
上記導電性被膜の２００℃で５分間加熱した後の体積抵抗率は、１×１０-4Ω・ｃｍ以下と、より低抵抗であることが好ましい。
２００℃で加熱を行った場合には、水分や若干の有機分が消失し、銀粒子の焼結も起こるため、被膜の導電性が向上するからである。
【００６４】
９００℃で５分間加熱した後の体積抵抗率は、１×１０-5Ω・ｃｍ以下と、更に低抵抗であることが好ましい。
９００℃で加熱を行った場合には、殆どの有機分が分解、消失し、銀粒子の焼結が一層進行するため、被膜の導電性が大きく向上するからである。
【００６５】
２００℃で５分間加熱し、さらに加圧を行った後の体積抵抗率は、７×１０-5Ω・ｃｍ以下であることが好ましい。
加熱工程と加圧工程とにより、銀粒子同士の密着性が向上し、接触面積が増加するため、相乗的に導電性が向上するからである。
【００６６】
次に、本発明の導電性被膜の形成方法について説明する。
本発明の導電性被膜の形成方法は、基材表面に予め水溶性高分子溶液を塗布し、乾燥させて接着層を設けた後、上記接着層上に銀コロイド水溶液を塗布し、加熱することを特徴とする。
【００６７】
基材上に、本発明の銀コロイド水溶液を塗布する場合、通常は、基材上に直接銀コロイド水溶液を塗布し、加熱することにより導電性被膜を形成する。
しかし、基材として、上記の通り様々な基材を用いるため、基材の種類によっては表面張力が高くてうまく濡れない場合がある。このような場合には界面活性剤の添加が極めて一般的だが、非導電性有機物の添加は導電性を低下させる。
【００６８】
そこで、本発明の場合には、予め基材表面に、基材と導電性被膜との両方に親和性を有する水溶性高分子からなる接着層を設け、この接着層上に上記銀コロイド水溶液を塗布して、導電性被膜を形成する。これにより、結果的に基材との密着性に優れた導電性被膜を形成することができる。
【００６９】
本発明の導電性被膜の形成方法では、まず、基材表面に予め水溶性高分子溶液を塗布し、乾燥させて接着層を設ける。
【００７０】
上記基材としては、本発明の導電性被膜の説明において対象とした基材と同様のものを挙げることができ、その形状も同様のものを挙げることができる。
【００７１】
上記水溶性高分子としては、上記非イオン性高分子と同様のものを挙げることができる。なお、上記水溶性高分子は、ラインの一元化や設備の共通化に都合がよいことから導電インクに近い特性を持つ低粘度のものがより好ましい。
【００７２】
上記基材上に上記水溶性高分子を塗布する方法としては、本発明の導電性被膜の説明において銀コロイド水溶液を塗布する際に用いた方法と同様の方法を用いることができる。
【００７３】
次に、本発明の導電性被膜の形成方法では、上記接着層上に本発明の銀コロイド水溶液を塗布し、加熱する。
【００７４】
上記塗布および加熱の方法としては、上記した本発明の導電性被膜の説明において用いた方法と同様の方法を用いることができる。
【００７５】
上記導電性被膜の形成方法により得られた導電性被膜の体積抵抗率は、上述した導電性被膜の場合と同程度であることが好ましい。
【００７６】
以上、説明してきたように、本発明の銀コロイド水溶液の製造方法を用いることにより、銀コロイドの凝析を抑制して分散性を向上させることができ、銀コロイド水溶液の貯蔵安定性を損なうことなく銀含有量を上げることができる。
また、少量の非イオン性高分子の添加で、銀コロイド水溶液中の銀粒子の分散性がさらに向上し、また、銀コロイド水溶液の粘性の増加により成膜性も大きく向上する。
【００７７】
また、一般的な銀ペーストでは多くの樹脂成分やガラスフリットが含まれているため、乾燥温度や焼成温度はかなり高温が必要である。
しかし、本発明の銀コロイド水溶液は、銀粒子中に含まれる非導電性の共存物が少なく、また、形成した導電性被膜は、比較的低い温度で共存有機物の揮発が進行し、銀粒子の接触点が増加するため、高導電性の導電性被膜となる。さらに、高温で処理した場合には、ガラスフリットのような無機成分を含む銀ペーストよりも高い導電性を示す。
【００７８】
さらに、本発明の導電性被膜の形成方法により形成し導電性被膜は、上述したように非イオン性高分子膜からなる接着剤層の上に形成されており、基材との接着性に優れる。また、非イオン性高分子膜は、濡れ性に優れるため、塗布時に効率良く作業を行うことができる。
【００７９】
【実施例】
以下に実施例を掲げて本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されるものではない。
【００８０】
実施例１
銀コロイド水溶液の製造
クエン酸三ナトリウム二水和物（和光純薬工業社製  試薬特級）３．４１ｇと硫酸第一鉄七水和物（和光純薬工業社製  試薬特級）３．２３ｇとを溶解させた水溶液約２０ｍｌを室温下にマグネティックスターラーで攪拌しながら０．６５７ｇ／ｍｌの硝酸銀（和光純薬工業社製試薬特級）水溶液１．５ｍｌを滴下させて銀コロイド水溶液を製造した。
このときの硝酸銀とクエン酸ナトリウムのモル比は１：２である。さらに上記銀コロイド水溶液に純水を加えて最終的に２５ｍｌの銀コロイド水溶液とした。
【００８１】
銀コロイド水溶液の洗浄
得られた銀コロイド水溶液を一晩静置して、生じた上澄み液約１９ｍｌをスポイトアウトした後、約７ｍｌのイオン交換水を加えて超音波洗浄機に１５分間かけた。さらに、一晩静置して生じた上澄み液約７ｍｌをスポイトアウトした後、約７ｍｌのイオン交換水を加えて超音波洗浄機に１５分間かけて銀コロイド水溶液を得た。
【００８２】
導電被膜の形成
得られた銀コロイド水溶液を市販のアルミナ焼結板上に刷毛で塗布して導電性被膜を形成した。
導電性被膜の厚みは、塗布、乾燥前後のアルミナ焼結板の重量差から塗布重量を求めた後、銀の固有密度（１０．５ｇ／ｃｍ3 ）で除すことによりその体積を求め、さらに塗布面積で除すことにより計算した。
乾燥は、１２０℃で１０分間加熱することにより行った。その後場合によっては、２００℃又は９００℃で５分以上加熱を行い、その後に体積抵抗率を測定した。表１には、各実施例及び比較例で使用した還元剤、硝酸銀と分散剤のモル比、還元剤添加後及び洗浄後のｐＨ、２回目洗浄時の純水量及び洗浄時の高分子溶液の有無とその濃度について示した。
【００８３】
得られた銀コロイド水溶液の固形分濃度、加熱減量、インクの塗布性、基板との密着性及び体積抵抗率を下記方法を用いて求めた。結果を表２に示した。
【００８４】
評価方法
（１）固形分濃度の計算
銀コロイド水溶液の重量と、この銀コロイド水溶液を濾過して、およその水分を除去した後、７０℃で乾燥させた時の重量変化から計算した。
【００８５】
（２）加熱減量の測定
上記（１）の条件で乾燥させた銀コロイド水溶液の乾燥物について、セイコー電子工業社製のＴＧ／ＤＴＡ３００を用いて５００℃までの減量を求めた。
【００８６】
（３）銀コロイド水溶液の塗布性
刷毛塗りしたときの塗り易さを相対的に判断した。
評価基準
◎：極めて均一な膜厚が得られる
○：均一な膜厚が得られる
【００８７】
（４）基材との接着性
セロテープをこするように強く密着させてそれを剥がしたときに被膜が剥がれるかどうかを見た。
評価基準
◎：強固に密着していて全く剥がれない
○：極微量剥がれた部分が存在する
【００８８】
（３）体積抵抗率の測定
横河Ｍ＆Ｃ社製の携帯型ダブルブリッジ２７６９を用いて測定した。
（４）ｐＨの測定
堀場製作所製のＦ−１２を用いて測定した。
【００８９】
実施例２
実施例１と同様の方法で調製したクエン酸酸ナトリウム二水和物と硫酸第一鉄七水和物を溶解した水溶液に、１４重量％に調整した水酸化ナトリウム（和光純薬工業社製  試薬特級）水溶液を少量滴下してｐＨを６に調整した以外は実施例１と同様に銀コロイド水溶液を製造し、実施例１と同様の評価を行った。配合を表１に示し、結果を表２に示した。
【００９０】
実施例３
ｐＨを８に調整した以外は実施例２と同様にして銀コロイド水溶液を製造し、実施例１と同様の評価を行った。配合を表１に示し、結果を表２に示した。
【００９１】
実施例４
実施例１と同様の方法で製造し、洗浄を行った銀コロイド水溶液に、１４重量％の水酸化ナトリウム水溶液を少量滴下してｐＨを８に調整した以外は実施例１と同様にして銀コロイド水溶液を製造し、実施例１と同様の評価を行った。配合を表１に示し、結果を表２に示した。
【００９２】
実施例５
実施例３と同様の方法で製造、洗浄した銀コロイド水溶液に、１４重量％の水酸化ナトリウム水溶液を少量滴下してｐＨを８に調整した以外は実施例３と同様に銀コロイド水溶液を製造し、実施例１と同様の評価を行った。配合を表１に示し、結果を表２に示した。
【００９３】
実施例６
ｐＨを１０に調整した以外は実施例５と同様に銀コロイド水溶液を製造した。配合を表１に示し、実施例１と同様の評価を行った結果を表２に示した。
【００９４】
実施例７
２回目の洗浄時に加える純水の量を約２ｍｌとした以外は実施例６と同様に銀コロイド水溶液を製造し、実施例１と同様の評価を行った。配合を表１に示し、結果を表２に示した。
【００９５】
実施例８
実施例１と同様の方法でで製造した銀コロイド水溶液の１回目の洗浄に０．０１３重量％に調整したポリビニルピロリドン（ナカライテスク社製  ポリビニルピロリドンＫ−３０）水溶液を用いた以外は実施例１と同様にして銀コロイド水溶液を製造し、実施例１と同様の評価を行った。配合を表１に示し、結果を表２に示した。
【００９６】
実施例９
銀コロイド水溶液の１回目の洗浄に０．０１３重量％に調整したポリビニルピロリドン水溶液を用いた以外は実施例３と同様にして銀コロイド水溶液を製造し、実施例１と同様の評価を行った。配合を表１に示し、結果を表２に示した。
【００９７】
実施例１０
製造した銀コロイド水溶液の１回目の洗浄に０．０５重量％に調整したポリビニルアルコール（クラレ社製  クラレポバールＰＶＡ−１１７）水溶液を用いた以外は実施例１と同様に銀コロイド水溶液を製造し、実施例１と同様の評価を行った。配合を表１に示し、結果を表２に示した。
【００９８】
実施例１１
予めアルミナ焼結板に、粘度を１５ｍＰａ・ｓに調整した高分子水溶液（旭電化工業社製  アデカレジンＥＭ−０４３６）を塗布して１２０℃で３０分加熱させて硬化させておく。そこに実施例１と同様の条件で製造、洗浄した銀コロイド水溶液を塗布し、導電性被膜を形成し、実施例１と同様に評価を行った。配合を表１に示し、結果を表２に示した。
【００９９】
実施例１２
クエン酸三ナトリウム量を８．５３ｇ（硝酸銀とクエン酸三ナトリウムのモル比は１：５）とした以外は実施例１と同様に銀コロイド水溶液を製造し、実施例１と同様の評価を行った。配合を表１に示し、結果を表２に示した。
【０１００】
実施例１３
クエン酸三ナトリウム量を３４．１ｇ（硝酸銀とクエン酸三ナトリウムのモル比は１：２０）とした以外は実施例１と同様に銀コロイド水溶液を製造し、実施例１と同様の評価を行った。配合を表１に示し、結果を表２に示した。
【０１０１】
実施例１４
クエン酸三ナトリウム量を１７０．６ｇ（硝酸銀とクエン酸三ナトリウムのモル比は１：１００）とした以外は実施例１と同様に銀コロイド水溶液を製造し、実施例１と同様の評価を行った。配合を表１に示し、結果を表２に示した。
【０１０２】
比較例１
クエン酸三ナトリウム量を０．８５３ｇ（硝酸銀とクエン酸三ナトリウムのモル比は１：０．５）とした以外は実施例１と同様に銀コロイド水溶液を製造し、実施例１と同様の評価を行った。なお、以下の比較例においてと、銀粒子が均一分散していないものは、基材への塗布を行っていない。配合を表１に示し、結果を表２に示した。
【０１０３】
比較例２
ｐＨを１１に調整した以外は実施例２と同様に銀コロイド水溶液を製造し、実施例１と同様の評価を行った。配合を表１に示し、結果を表２に示した。
【０１０４】
比較例３
ｐＨを１２に調整した以外は実施例４と同様に銀コロイド水溶液を製造し、実施例１と同様の評価を行った。配合を表１に示し、結果を表２に示した。
【０１０５】
比較例４
１．３重量％に調整したポリビニルピロリドン水溶液を用いた以外は実施例８と同様に銀コロイド水溶液を製造し、実施例１と同様の評価を行った。配合を表１に示し、結果を表２に示した。
【０１０６】
比較例５
クエン酸三ナトリウムの代わりにグリコール酸ナトリウム（ナカライテスク社製）１．１４ｇ（硝酸銀とグリコール酸ナトリウムのモル比は１：２）を用いた以外は実施例１と同様に銀コロイド水溶液を製造し、実施例１と同様の評価を行った。配合を表１に示し、結果を表２に示した。
【０１０７】
【表１】
0004497491.tif 000004
【０１０８】
【表２】
0004497491.tif 000005
【０１０９】
表２に示した結果より明らかなように、実施例１〜１４で得られた銀コロイド水溶液は、固形分濃度が１〜２０重量％の範囲内にあり、加熱減量が１〜２５重量％の範囲内にあり、アルミナ焼結板上に被膜を形成する際に塗布性が良好であった。また、形成された導電性被膜は、充分に体積抵抗率の低いものであった。
【０１１０】
一方、比較例１で得られた銀コロイド水溶液は、加熱減量が０．８重量％と小さく、分散剤の量が少ないため、銀粒子が水溶液中で均一に分散しておらず、基板への塗布が不可能であった。比較例２で得られた銀コロイド水溶液は、還元剤添加後のｐＨを高くしすぎたため、該銀コロイド水溶液中に水酸化鉄の沈殿が生成した。
【０１１１】
また、比較例３で得られた銀コロイド水溶液は、最終的なｐＨを高くしすぎたため、比較例５で得られた銀コロイド水溶液は、グリコール酸を使用しているため、該銀コロイド水溶液中で均一に分散していなかった。
さらに、比較例４で得られた銀コロイド水溶液は、非イオン性高分子の量が多すぎるため、加熱減量が２８重量％と大きく、体積抵抗率が大きくなってしまった。
【０１１２】
実施例１、３、９で得られた銀コロイド水溶液を基材に塗布して導電性被膜を形成した後、２００℃で５分間焼成し、さらに、鉄製ローラーを用いて５ｋｇｆ／ｃｍ2 の力で加圧処理した後の体積抵抗率を測定結果については、実施例１の場合には、１×１０-5Ω・ｃｍ、実施例３の場合には、８×１０-6Ω・ｃｍ、実施例９の場合には、９×１０-6Ω・ｃｍと、いずれの場合も、加圧処理する前よりも体積抵抗率が低下した。
【０１１３】
【発明の効果】
本発明の銀コロイド水溶液は、上述の構成からなるので、銀含有量を上げても分散安定性に優れ、この銀コロイド水溶液を用いて形成した導電性被膜は、導電性に優れる。
【０１１４】
また、本発明の銀コロイド水溶液の製造方法は、上述の構成からなるので、銀コロイド水溶液の貯蔵安定性を損なうことなく銀含有量を上げることができ、分散安定性に優れる本発明の銀コロイド水溶液を製造することができる。
【０１１５】
また、本発明の導電性被膜は、上述の構成からなるので、高い導電性が要求される用途、例えば、回路基板上に形成する電極等に好適に用いる事ができる。
また、本発明の導電性被膜の形成方法は、上述の構成からなるので、効率良く塗布を行うことができ、形成された導電性被膜は、基材との密着性に優れる。