(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、結晶構造が体心立方構造である下地層が形成され、該下地層の上に、結晶構造が最密六方構造である中間層が形成され、該中間層の上に、Ｃｏを主成分とし、該主成分の結晶構造が最密六方構造である磁性層が形成され、該磁性層の上に保護層が形成され、かつ前記下地層の（１１０）面間隔ｄ１、前記中間層の（００２）面間隔ｄ２および前記磁性層の（００２）面間隔ｄ３の間に、
ｄ１＞ｄ２＞ｄ３，かつ
０．０２≦（ｄ１−ｄ２）／ｄ１＜０．１，かつ
０．０２≦（ｄ２−ｄ３）／ｄ２＜０．１
なる関係があり、
前記磁性層は、情報を記録するための磁化の方向が前記基板に対し水平であり、
前記磁性層の材料は、ＳｉＯ2をＣｏに対するモル比で５〜２０％含有し、
前記下地層、前記中間層、前記磁性層および前記保護層の少なくとも１つは、スパッター方式で形成され、スパッター工程において基板加熱を行わない
ことを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
請求項１に記載の磁気記録媒体において、前記磁性層の材料は、ＰｔをＣｏに対する原子比で１０〜５０％含有することを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項３】
請求項１〜２のいずれかに記載の磁気記録媒体において、前記中間層は、Ｒｕ，ＲｅおよびＯｓのいずれかを主成分とすることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項４】
請求項１〜２のいずれかに記載の磁気記録媒体において、前記中間層は、ＷＲｈ3 ，Ｎｉ3Ｓｎ，Ｎｉ3ＺｒおよびＣｏ3Ｗからなる群から選択される金属間化合物を主成分とすることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載の磁気記録媒体において、前記下地層は、Ｔａ，Ｎｂ，ＷおよびＭｏのいずれかを主成分とすることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の磁気記録媒体において、前記基板と前記下地層との間に、ＣｏＴｉ，ＣｏＺｒ，ＣｕＺｒ，ＦｅＴｉおよびＮｉＴｉのいずれかの組成の金属間化合物からなるシード層を有することを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載の磁気記録媒体において、前記下地層の厚さは５〜２０ｎｍであることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかに記載の磁気記録媒体において、前記中間層の厚さは５〜５０ｎｍであることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれかに記載の磁気記録媒体において、前記磁性層の厚さは５〜２０ｎｍであることを特徴とする磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は磁気記録媒体に関し、より詳細には、ＰＣ（パーソナルコンピュータ）やネットワーク端末機器、ＡＶ機器などで使用するＨＤＤ（ハードディスクドライブ）装置等で使用される磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＰＣ用のＨＤＤ装置等で使用される従来の磁気記録媒体は図７に示すように、Ａｌ基板またはガラス基板からなる基板１の上に、下地層２、中間層３、磁性層４および保護層５が形成されている。情報は、磁性層４に、磁化された磁気記録ビットとして磁気記録媒体上に記録される。このような記録媒体のうち、記録ビットが磁化される方向が基板面に対し水平方向（面内方向）のものを水平記録（長手記録または面内記録）媒体、垂直方向のものを垂直記録媒体という。現在実用化されているものはすべて水平記録方式であるが、近年は垂直記録方式のものについても活発に研究が行われている。
【０００３】
磁気記録媒体に使用される磁性層４としては、一般にＣｏの微細な結晶を膜状に形成したＣｏ系多結晶薄膜が用いられている。その個々のＣｏ結晶の結晶構造は、六方晶系の最密六方構造（ｈｃｐ構造）である。この構造を有する磁性層４を基板１に対して水平方向（面内方向）に磁化させて情報を記録するためには、図８に示す結晶軸ａ軸およびｃ軸のうち、磁化容易軸であるｃ軸が基板１に対して水平方向（面内方向）に優先配向するように、Ｃｏ系多結晶磁性膜を形成する必要がある。垂直記録媒体では、Ｃｏ結晶のｃ軸を、基板１に対して垂直に優先配向させる必要がある。
【０００４】
また、高い記録密度を実現するためには、個々の結晶粒は微細化し、さらに結晶粒間の磁気的な相互作用を小さくするために、個々の結晶粒を孤立させ、分離させることが望ましい。このような理由から、従来はＣｏＣｒ系の多結晶薄膜が磁性層４として用いられてきた。Ｃｒを１０〜２０％程度含むこのＣｏ合金は、相分離によりＣｏリッチな強磁性相とＣｒリッチな非磁性相とに分離し、Ｃｒリッチな非磁性相が結晶粒界に析出する傾向がある。そのため、Ｃｏリッチな強磁性結晶粒の微細化および結晶粒の孤立化・分離が実現される。
【０００５】
結晶粒の微細化・分離およびｃ軸の水平方向（面内方向）への優先配向の両者を実現するために、従来は、Ａｌ基板またはガラス基板上に、下地層としてＣｒまたはＣｒ系合金の多結晶薄膜を形成し、その上に、ＣｏＣｒ系磁性層を形成したものが実用されてきた。
【０００６】
ＣｒまたはＣｒ系合金が下地層として用いられた理由は２つある。１つは、磁性層４がＣｏＣｒ系であり、Ｃｒリッチな非磁性相がＣｏリッチな強磁性結晶粒を取囲むように析出することから、下地層２のＣｒが、磁性層４のＣｒリッチな非磁性相の析出を促進し、磁性層４の結晶粒の微細化・分離に対し良い方向に働くためである。もう１つの理由は、磁性層４のＣｏ結晶のｃ軸を水平方向（面内方向）に優先配向させる効果があるためである。この効果は、Ｃｒの結晶構造は立方晶系に属する体心立方構造（ｂｃｃ構造）であるが、ＣｏＣｒ合金結晶との格子整合が良いことによる。
【０００７】
このような磁気記録媒体の製造は、ＮｉＰメッキを施したＡｌ基板（ディスク状）に、Ｃｒ系下地層、ＣｏＣｒ系磁性層、Ｃ系保護膜を、スパッター法により順次形成することにより行われる。ガラス基板の磁気記録媒体も、同様な方法で、ガラス基板上に、ＮｉＡｌ（シード層）、Ｃｒ系下地層、ＣｏＣｒ系磁性層およびＣ系保護膜を、スパッター法により順次形成することにより製造されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、このように、ＣｏＣｒ系磁性層と、Ｃｒ系下地層と、Ａｌ基板またはガラス基板とを用いた従来の磁気記録媒体においては、磁性層をスパッター法で形成する際に、基板を２００℃〜３００℃程度に加熱する必要があった。このような基板加熱をしないと、高記録密度を実現するために必要な高い保磁力Ｈｃが得られないからである。
【０００９】
できるだけ高い保磁力をもつ磁性層を形成するために、ＣｏＣｒ系磁性層にＰｔを比較的高濃度（Ｃｏ原子に対し、５〜１０％）添加する、という手法が知られている。しかしながら、Ｐｔを比較的高濃度に添加した磁性層を用いても、Ｃｒ系下地層を用いた場合には、基板加熱をしないと高い保磁力が得られない。その理由は次のように考えられる。すなわち、基板加熱をしないと、ＣｏＣｒ系合金のＣｏリッチ相およびＣｒリッチ相への相分離が十分に起こらず、そのためＣｏ結晶粒の分離が十分に起こらないからである。また、Ｃｏ結晶のｃ軸の面内への優先配向も十分に起こらないからである。
【００１０】
従って、プラスチック基板などでは成膜時に基板加熱ができないため、高い記録密度に対応できる磁気記録媒体を製造することができないという問題があった。また、Ａｌ基板やガラス基板の磁気記録媒体においても、スパッター工程で基板加熱をしなければならず、それだけコストがかかってしまうという問題があった。
【００１１】
本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、スパッター工程において基板加熱を行うことなく、磁気特性の良好な磁気記録媒体を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
このような課題を解決するために鋭意検討した結果、プラスチック基板などを用いて構成する磁気記録媒体で、下地層（ｂｃｃ構造）、中間層（ｈｃｐ構造）および磁性層（ｈｃｐ構造）の３層構造を基本として、それぞれの対応する（１１０）、（００２）、（００２）格子間隔が上の方ほど小さくなり、各層間の格子間隔の不一致度（ミスフィット）が１０％以下である場合に、スパッター工程において基板加熱をせずに製造することができ、磁気特性も良好であることが明らかとなった。
【００１３】
具体的には、本発明における磁気記録媒体は、基板上に、結晶構造が体心立方構造である下地層が形成され、該下地層の上に、結晶構造が最密六方構造である中間層が形成され、該中間層の上に、Ｃｏを主成分とし、該主成分の結晶構造が最密六方構造である磁性層が形成され、該磁性層の上に保護層が形成され、かつ前記下地層の（１１０）面間隔ｄ１、前記中間層の（００２）面間隔ｄ２および前記磁性層の（００２）面間隔ｄ３の間に、
ｄ１＞ｄ２＞ｄ３，かつ
０．０２≦（ｄ１−ｄ２）／ｄ１＜０．１，かつ
０．０２≦（ｄ２−ｄ３）／ｄ２＜０．１
なる関係があり、
前記磁性層は、情報を記録するための磁化の方向が前記基板に対し水平であり、
前記磁性層の材料は、ＳｉＯ2をＣｏに対するモル比で５〜２０％含有し、
前記下地層、前記中間層、前記磁性層および前記保護層の少なくとも１つは、スパッター方式で形成され、スパッター工程において基板加熱を行わないものである。
【００１８】
また、前記磁性層の材料は、ＰｔをＣｏに対する原子比で１０〜５０％含有することが好ましい。
【００２０】
また、前記中間層は、Ｒｕ，ＲｅおよびＯｓのいずれかを主成分とすることが好ましい。
【００２１】
また、前記中間層は、ＷＲｈ３，Ｎｉ３Ｓｎ，Ｎｉ３ＺｒおよびＣｏ３Ｗからなる群から選択されることが好ましい。
【００２２】
また、前記下地層は、Ｔａ，Ｎｂ，ＷおよびＭｏのいずれかを主成分とすることが好ましい。
【００２３】
また、前記基板と前記下地層との間に、ＣｏＴｉ，ＣｏＺｒ，ＣｕＺｒ，ＦｅＴｉおよびＮｉＴｉのいずれかの組成の金属間化合物からなるシード層を有することが好ましい。
【００２６】
また、前記下地層の厚さは５〜２０ｎｍであることが好ましい。
【００２７】
また、前記中間層の厚さは５〜５０ｎｍであることが好ましい。
【００２８】
また、前記磁性層の厚さは５〜２０ｎｍであることが好ましい。
【００３４】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照し、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００３５】
（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態に係る磁気記録媒体の構成を示す断面図である。本実施形態に係る磁気記録媒体は、基板１０１上に、下地層１０２として体心立方構造（ｂｃｃ構造）の結晶構造を有する非磁性膜が形成されている。下地層１０２の上には、中間層１０３として、最密六方構造（ｈｃｐ構造）の結晶構造を有する非磁性膜が形成されている。中間層１０３の上には、情報を記録するための磁性層１０４として、Ｃｏを主成分とし、磁化の方向が基板１０１に対し水平な最密六方構造の結晶構造を有する磁性膜が形成されている。ここで、主成分とは、Ｃｏを原子比でおよそ５０％程度以上含有していることをいう。また、磁性層１０４の上には、該磁性層または磁気ヘッドを保護するための保護層１０５が形成されている。
【００３６】
図２は、本実施形態に係る磁気記録媒体の各層における基板に垂直な格子面の面間隔ｄ１、ｄ２およびｄ３の定義を示す図である。下地層１０２の（１１０）面間隔をｄ１、中間層１０３の（００２）面間隔をｄ２、磁性層１０４の（００２）面間隔をｄ３と定義する。下地層１０２、中間層１０３および磁性層１０４には、上記の結晶格子面の面間隔の間に次のような関係を有する材料が用いられる。
ｄ１＞ｄ２＞ｄ３                                           （１）
【００３７】
さらに、下地層および中間層間の面間隔ミスフィット（不一致度）Δ１、ならびに中間層および磁性層間の面間隔ミスフィット（不一致度）Δ２をそれぞれ
Δ１＝（ｄ１−ｄ２）／ｄ１，
Δ２＝（ｄ２−ｄ３）／ｄ２
と定義した場合、
０．０＜Δ１＜０．１、かつ  ０．０＜Δ２＜０．１         （２）
とする。
【００３８】
下地層１０２、中間層１０３および磁性層１０４のそれぞれの結晶面間隔ｄ１，ｄ２およびｄ３は、それぞれの結晶の格子定数との間に、以下の関係がある。
【００３９】
図３に示すように、ｂｃｃ構造の格子定数はａのみである。図４に示すように、下地層１０２の格子定数をａ１とすると、（１１０）面の面間隔ｄ１は
ｄ１＝ａ１／√２
である。
【００４０】
中間層１０３および磁性層１０４はｈｃｐ構造であるため、図８に示すように格子定数はａおよびｃの２つである。図４に示すように中間層１０３の格子定数をそれぞれａ２およびｃ２、磁性層１０４の格子定数をそれぞれａ３およびｃ３とする。中間層１０３の格子面間隔ｄ２、および磁性層１０４の格子面間隔ｄ３は、それぞれ
ｄ２＝ｃ２／２，          ｄ３＝ｃ３／２
である。これらの面間隔と格子定数との関係を図５にまとめて示す。
【００４１】
従って、（１）および（２）の関係は、これらの格子定数を使うと、次のように書き換えることができる。
【００４２】
ａ１／√２＞ｃ２／２＞ｃ３／２                            （３）
０．０＜Δ１＝（ａ１／√２−ｃ２／２）／ａ１／√２＜０．１、かつ
０．０＜Δ２＝（ｃ２−ｃ３）／ｃ２＜０．１                （４）
【００４３】
次に、本実施形態に係る磁気記録媒体の具体的な製造方法について説明する。基板１０１上に、体心立方構造を有する下地層１０２をスパッター法などで形成すると、一般に個々の結晶粒は（１００）面、（１１０）面、（１１１）面、（２１１）面など結晶面が基板面に平行になるような向きで基板１０１上に成長する。体心立方構造の結晶粒では、これらのどの方位での成長においても、基板面に垂直な方向に（１１０）結晶面が存在する。下地層１０２の上に、最密六方構造で、基板面に垂直な（００２）面の面間隔ｄ２が面間隔ｄ１よりも小さい中間層１０３を、同じくスパッター法などで形成する。
【００４４】
下地層１０２の面間隔ｄ１と中間層１０３の面間隔ｄ２との間には、
ｄ１＝（下地層のｄ（１１０））＞ｄ２＝（中間層のｄ（００２））
の関係がある。ここで、ｄ（ｈｋｌ）は、ミラー指数（ｈｋｌ）により表現される面の格子面間隔を表す。
【００４５】
ところで、中間層１０３は最密六方構造の結晶であるため、一般に（００２）結晶面間隔ｄ２に近い面間隔の結晶面として、（１０１）面が存在する。（００２）面はｃ軸に垂直な結晶面であるため、ｃ軸の方向を制御する上で重要な結晶面である。しかし、（１０１）面はｃ軸と鋭角をなす面で、この面の成長はｃ軸の方向制御を妨げることになる。そして、（１０１）面間隔は、最密六方構造の結晶では、（００２）面間隔ｄ２よりも小さい。すなわち、
ｄ２＝（中間層のｄ（００２））＞（中間層のｄ（１０１））
である。
【００４６】
六方晶構造の場合、格子面間隔ｄ（ｈｋｌ）は格子定数ａおよびｃを用いて、次のように表される。
１／ｄ（ｈｋｌ）２＝４（ｈ２＋ｈｋ＋ｋ２）／３ａ２＋ｌ２／ｃ２
【００４７】
最密六方構造ではｃ／ａがおよそ１．６３程度である。この式とｃ／ａ＝１．６３を用いると、
ｄ（１０１）  ＜  ｃ／２＝ｄ（００２）
となる。
【００４８】
従って、下地層１０２と中間層１０３の格子整合の関係は、
（下地層のｄ（１１０））−（中間層のｄ（００２））
＜（下地層のｄ（１１０））−（中間層のｄ（１０１））
となる。すなわち、
ｄ１−ｄ２  ＜  ｄ１−（中間層のｄ（１０１））
である。そのため、下地層１０２の結晶粒の中の基板１０１に垂直な（１１０）面に対し、中間層１０３の（１０１）面の格子整合は、中間層１０３の（００２）面の格子整合よりも悪い。その結果、中間層１０３は、（１０１）面よりも（００２）面の方が、下地層１０２の（１１０）面に連続して基板１０１に垂直になるような傾向をもって結晶粒が初期成長すると考えられる。すなわち、中間層１０３の結晶は、ｃ軸が基板１０１に平行になるように優先配向して初期成長する、と言い換えることができる。さらに、
（下地層のｄ（１１０））＞（中間層のｄ（００２））
の関係において、層間の面間隔ミスフィットΔ１が
０．０＜Δ１＝（ｄ１−ｄ２）／ｄ１＜０．１
というように、格子不整合（ミスフィット）が１０％以下であるため、中間層１０３は、ｃ軸が水平方向に優先的に配向しながら、ある程度の大きさまで結晶成長することができると考えられる。
【００４９】
このように、ｃ軸が基板１０１に対し平行になるような配向性を持って中間層１０３が成長した場合、その上に、ｃ軸方向の面間隔ｄ３が中間層１０３のｃ軸方向面間隔ｄ２よりも小さく、ミスフィットが１０％以下である最密六方構造の結晶となる磁性層１０４を形成すると、
ｄ２＝（中間層のｄ（００２））＞ｄ３＝（磁性層のｄ（００２））
となる。また、磁性層１０４は最密六方構造のＣｏ系結晶となるので、
ｄ２＝（磁性層のｄ（００２））＞（磁性層のｄ（１０１））
の関係がある。従って、中間層１０３と磁性層１０４の格子整合の関係は、
（中間層のｄ（００２））−（磁性層のｄ（００２））＜（中間層のｄ（００２））−（磁性層のｄ（１０１））
すなわち、
ｄ２−ｄ３＜ｄ２−（磁性層のｄ（１０１））
となる。そのため、中間層１０３の結晶粒の中の基板１０１に垂直な（００２）面に対し、磁性層１０４の（１０１）面よりも磁性層１０４の（００２）面の方が格子整合が良い。結果として、（００２）面が基板に垂直になるような傾向をもって磁性層１０４が初期成長する。すなわち、磁性層１０４のｃ軸が基板１０１に対し水平方向に優先的に配向して、結晶粒の初期成長が起こる。
【００５０】
さらに、（下地層のｄ（１１０））＞（中間層のｄ（００２））の関係において、層間の面間隔ミスフィットΔ１は、
０．０＜Δ１＝（ｄ１−ｄ２）／ｄ１＜０．１
というように、格子不整合が１０％以下である。このため、中間層１０３は、ｃ軸が水平方向に優先的に配向しながら、ある程度の大きさまで結晶成長することができると考えられる。
【００５１】
このようにして、中間層１０３のｃ軸が基板面に対して水平になるような配向性を有し、その中間層１０３の影響を受け、磁性層１０４のｃ軸は、中間層１０３よりもさらに強く基板１０１に水平となるような配向性を持つようになるため（すなわち、下地層１０２、中間層１０３、磁性層１０４と、上の層にいくほど結晶の配向性が強まるため）、このような層構成においては、膜形成時に基板加熱を行わなくとも、磁性層１０４の結晶粒のｃ軸が基板面に水平に優先配向すると考えられる。
【００５２】
また、下地層１０２、中間層１０３、および磁性層１０４の間には、
下地層の（１１０）面間隔ｄ１＞中間層（００２）面間隔ｄ２＞ｄ３磁性層（００２）面間隔
なる関係がある。さらに、層間（界面）での面間隔の不一致が１０％以下で存在するため、中間層１０３の結晶粒の水平方向の大きさは、下地層１０２と同程度かまたはやや小さくなる傾向があり、磁性層１０４の結晶粒の水平方向の大きさは、中間層１０３のそれよりもさらに小さくなる傾向を有する。その結果、磁性層１０４の結晶粒の微細化が実現する。
【００５３】
しかも、下の層に比べ、上の層の対応する結晶格子面間隔が小さいため、下地層１０２に比べ、中間層１０３は、結晶粒界面にすきまが生じ易く、磁性層１０４は、中間層１０３よりも、さらに結晶粒界面にすきまを生じ易くなる。そのため、膜形成時に基板加熱をしなくとも、磁性層１０４では、結晶粒の微細化と共に、結晶粒の孤立化（分離）も実現することになる。この傾向を助長するためには、ｃ軸の水平方向（面内方向）への十分な優先配向が起こり得る範囲で、層間の面間隔の不一致度（ミスフィット）をやや大きくすると良いと考えられる。
【００５４】
すなわち、従来は磁気記録媒体を製造する際に各層間のミスフィットがより小さくなるように材料が選択されていたが、本発明では各層間のミスフィットを所定の範囲内に収めることにより、良好な磁気特性を得たものである。特に、
０．０２≦（ｄ１−ｄ２）／ｄ１，および
０．０２≦（ｄ２−ｄ３）／ｄ２
のいずれかの条件を満たす構成とすることは、本発明の大きな特徴である。
【００５５】
以上のように、磁性層１０４は、結晶粒の微細化および孤立化が起こりやすいため、磁性層１０４として、結晶粒界に析出しやすい元素または化合物を含む材料を用いると、その元素または化合物がＣｏ結晶の粒界にほぼ均一に析出することを促進する。このため、磁気記録媒体の磁性層１０４として、優れた微細構造を実現できる。
【００５６】
また、このような磁性材料を用いても、中間層１０３のｃ軸が水平方向に優先配向する傾向があるため、磁性層１０４のＣｏ結晶のｃ軸は中間層１０３よりもさらに強く、基板１０１に対し水平方向へ優先配向する。
【００５７】
高保磁力を期待して、Ｃｏに対しＰｔを１０〜５０原子％含有するＣｏＰｔ系の材料を磁性層材料として用いると、磁性層１０４のＣｏ結晶の面間隔は、Ｐｔ原子が固溶することによりやや大きくなる。しかし、中間層１０３として、六方晶構造であって、（００２）面間隔がＰｔを固溶したＣｏ結晶の（００２）面間隔よりも大きな材料を用いれば、Ｐｔ原子がＣｏ結晶の中に固溶するのを促進する作用が働くことも期待される。その結果、特に高い保磁力を導き出すことができると考えられる。
【００５８】
なお、非金属成分（元素または化合物）をＣｏに対する原子比５〜２０％の範囲で非金属元素が添加されることが好ましい。
【００５９】
また、下地層の厚さが５〜２０ｎｍ、中間層の厚さが５〜５０ｎｍ、および磁性層の厚さが５〜２０ｎｍの範囲内にあることが好ましい。
【００６０】
また、上記の層構成において、下地層は、Ｔａ以外に、Ｎｂ，ＷまたはＭｏを用いても良い。これらはいずれも結晶構造がｂｃｃ構造で非磁性であり、次の表に示すとおり、（１１０）面間隔は、中間層の材料として用いられるＲｕの（００２）面間隔２．１４２Åよりも大きく、ミスフィットは１０％以下である。また、これらの元素を主成分とする合金を下地層として用いても良い。ここで、主成分とは、原子比でおよそ５０％以上含有していることをいう。
【００６１】
【表１】
0004497784.tif 000002
【００６２】
また、中間層には、Ｒｕ以外に、Ｏｓ，ＲｅおよびＴｃを用いても、ミスフィットは小さくなり、格子整合は比較的良くなる。これらはいずれも、ｈｃｐ構造で非磁性であり、次の表に示すとおり、（００２）面間隔はＣｏ（００２）面間隔よりも大きく、ミスフィットは１０％以下である。特に、Ｃｏ主成分の磁性層にＰｔを２０原子％程度添加した場合には、Ｃｏ結晶の（００２）面間隔が３％程度大きくなる。なお、これらの元素を主成分とする合金を中間層として用いても良い。ここで、主成分とは、原子比でおよそ５０％以上含有していることをいう。
【００６３】
【表２】
0004497784.tif 000003
【００６４】
また、中間層には、六方晶系で、空間群がＣｏと同じＰ６３／ｍｍｃであり、結晶構造が類似する、次の表に示す組成の合金（金属間化合物）を主成分とするものを用いても良い。ここで、主成分とは、これらの金属間化合物の１つを原子比でおよそ５０％程度以上含有していることをいう。
【００６５】
【表３】
0004497784.tif 000004
【００６６】
（第２実施形態）
図６は、本発明の第２実施形態に係る磁気記録媒体の構成を示す断面図である。本実施形態に係る磁気記録媒体は、基板１０１上に、結晶配向性を良くするためのシード層１０６が形成されている。シード層１０６の上には、下地層１０２として体心立方構造（ｂｃｃ構造）の結晶構造を有する非磁性膜が形成されている。下地層１０２の上には、中間層１０３として最密六方構造（ｈｃｐ構造）の結晶構造を有する非磁性膜が形成されている。中間層１０３の上には、磁性層１０４として最密六方構造の結晶構造を有する磁性膜が形成されている。また、磁性層１０４の上には、保護層１０５が形成されている。
【００６７】
このシード層の結晶は、下地層１０２と同じ体心立方格子を有し、空間群がＰｍ３ｍで、下地層１０２と結晶構造が類似している。このため、下地層１０２に対する格子整合も良く、さらに２種類の構成元素が基板に交互に堆積する傾向を有する。この傾向は、下地層がＣｒ、磁性層がＣｏＣｒ系であるガラス基板の磁気記録媒体などにおいて、下地層（Ｃｒ）の下に、シード層としてＮｉＡｌを用いた場合と同様である。
【００６８】
その結果、下地層結晶の（２１１）面が基板面に平行になるような配向性を示す。この下地層１０２の（２１１）面は、ｈｃｐ構造の（１００）面と格子マッチングが良いため、中間層１０３の配向性が良くなり、ｃ軸の水平方向への配向性が増す。結果として、磁性層１０４のｃ軸の水平方向への配向性が強くなると考えられる。
【００６９】
本実施形態では、下地層の下に、表４に示す組成の２元合金（金属間化合物）薄膜をシード層として設けることができる。
【００７０】
【表４】
0004497784.tif 000005
【００７１】
なお、上記の表４では下地層をＴａとした場合における格子ミスフィットを示したが、この中では、ＣｏＺｒおよびＣｕＺｒがＴａに対し格子ミスフィットが小さく、本発明を適用した磁気記録媒体の製造により適しているものと考えられる。また、ＣｏＴｉ，ＦｅＴｉ，ＮｉＴｉは、Ｔａに対してはミスフィットが大きいが、下地層の材料としてＴａよりも（１１０）面間隔が小さいＷ，Ｍｏなどを用いた場合には格子ミスフィットが小さくなるため、本発明を適用した磁気記録媒体の製造により適合しているものと考えられる。
【００７２】
（その他の実施形態）
中間層は六方晶系に属する第１中間層および第２中間層を有することとしてもよい。この場合、基板上に下地層、第１中間層、第２中間層、磁性層および保護層の順で順次形成され、かつ下地層の（１１０）面間隔ｄ１、第１中間層の（００２）面間隔ｄ４、第２中間層の（００２）面間隔ｄ５および磁性層の（００２）面間隔ｄ３の間に
ｄ１＞ｄ４＞ｄ５＞ｄ３
なる関係があることが好ましい。ここで、基板と下地層との間にシード層が入っていてもよい。
【００７３】
また、下地層は体心立方格子の第１下地層および第２下地層を有することとしてもよい。この場合、基板上に第１下地層、第２下地層、中間層、磁性層および保護層の順で順次形成され、かつ第１下地層の（１１０）面間隔ｄ６、第２下地層の（１１０）面間隔ｄ７、中間層の（００２）面間隔ｄ２および磁性層の（００２）面間隔ｄ３の間に、
ｄ６＞ｄ７＞ｄ２＞ｄ３
なる関係があることが好ましい。ここで、基板と下地層との間にシード層が入っていてもよい。
【００７４】
以下に、本発明を実施例により更に詳細に説明する。
【００７５】
【実施例】
（実施例１）
プラスチック基板上に、スパッター法により、下地層としてＴａ膜を、中間層としてＲｕ膜を、磁性層としてＣｏ系磁性膜を、その上に保護層としてＣ系保護膜を順次形成した。ここで、Ｔａ，ＲｕおよびＣｏの結晶構造と、Ｃｏ系結晶のｃ軸配向制御にとって重要な格子面の面間隔、および中間層／下地層界面および磁性層／中間層界面での面間隔のミスフィットは、次のとおりである。
【００７６】
【表５】
0004497784.tif 000006
【００７７】
ただし、磁性層には、Ｃｏに対しＰｔを２０原子％添加すると共に、Ｃｒを１０原子％添加し、さらに非金属成分としてＳｉＯ２をＣｏに対し原子モル比で１０％添加したので、特にＰｔ原子がＣｏ結晶に入り込むことにより、Ｃｏ結晶の（００２）面間隔は２．０８Å程度になる。そのため、磁性層／中間層の界面のミスフィットは、実際には３％程度となっていると推定される。
【００７８】
スパッターガスには、１００％Ａｒを用いた。また、スパッター条件は、以下の通りである。
【００７９】
【表６】
0004497784.tif 000007
【００８０】
各層の膜厚は、次のように設定したが、断面方向からＴＥＭで観察した膜厚は次のとおりであった。なお、試料はイオンミリング法（ＰＩＰＳ  Ｍｏｄｅｌ  ６９１）で作製した。また、ＴＥＭには電界放出型透過電子顕微鏡ＦＥ−ＴＥＭ（ＪＥＭ２０１０Ｆ）を用いた。
【００８１】
【表７】
0004497784.tif 000008
【００８２】
それぞれの層をＴＥＭで平面方向を観察した結果、平面方向での平均結晶粒サイズとその標準偏差は、およそ次のとおりであった。なお、粒径解析には画像解析装置Ｌｕｚｅｘ−ＦＳ（暗視野トレース法）を用いた。
【００８３】
【表８】
0004497784.tif 000009
【００８４】
各層の平面方向の平均結晶粒径は、それぞれの膜厚に比べ小さくなっており、また、上の層ほど小さい。さらに、標準偏差も小さく、結晶粒がほぼ均一の大きさを持っていることを示している。そして、ＴＥＭ像を見ると、磁性層では、結晶粒界が明瞭に観察され、ほぼ均一な粒界層を有している。この粒界層は、ＳｉＯ２の析出によるものと考えられる。
【００８５】
（実施例２）
実施例１と同様に、プラスチック基板上に、スパッター法により、下地層としてＭｏ膜を、中間層としてＲｕ膜を、磁性層としてＣｏ系磁性膜を、その上に保護層としてＣ系保護膜を順次形成した。
【００８６】
ただし、磁性層には、Ｃｏに対しＰｔを２０原子％添加すると共に、Ｃｒを１０原子％添加し、さらに非金属成分としてＳｉＯ２をＣｏに対し原子モル比で１０％添加した。
【００８７】
スパッターガスには、１００％Ａｒを用いた。また、スパッター条件は、実施例１と同様である。
【００８８】
比較例として、次の表に示す層構成の磁気記録媒体を作製した。
【００８９】
【表９】
0004497784.tif 000010
【００９０】
上記の表において、Ｍａｇは磁性層を示す。比較例１は、ｂｃｃ構造となる下地Ｃｒ１６Ｗ（Ｃｒ：Ｗ＝８４：１６）を有するが、中間層がない。比較例２は、ｈｃｐ構造の中間層Ｃｏ４２Ｃｒ（Ｃｏ：Ｃｒ＝５８：４２）を有するが、中間層（００２）面間隔＜磁性層（００２）面間隔である。また、比較例３は、中間層がＣｏ４２Ｃｒ（中間層１）とＴｉ１０Ｃｒ（Ｔｉ：Ｃｒ＝９０：１０）（中間層２）の２層構造であるが、中間層１（００２）面間隔＜中間層２（００２）面間隔である。
【００９１】
上記のように構成された磁気記録媒体について、保磁力Ｈｃ（Ｏｅ）、磁性層の残留磁束密度Ｂｒと膜厚ｔとの積Ｂｒｔ（Ｇμｍ）、角型比Ｓ（＝Ｂｒ／Ｂｓ）、保磁力角型比（磁化曲線の保磁力の位置での傾き）Ｓ＊を測定した。
【００９２】
これらの磁気特性の測定結果を以下の表に示す。
【００９３】
【表１０】
0004497784.tif 000011
【００９４】
このように、実施例１および２の磁気記録媒体は、比較例に対して、特に保磁力Ｈｃが向上しており、磁気特性が良好であることがわかる。
【００９５】
また、各層の結晶構造と、基板に垂直な主要な結晶面、結晶軸の配向性は、Ｘ線回折とＴＥＭの電子線回折で調べた結果、次の表のとおりであった。
【００９６】
【表１１】
0004497784.tif 000012
【００９７】
また、結晶配向性は、中間層よりも磁性層で、より強くｃ軸が水平方向に配向していた。
【００９８】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、基板上に、結晶構造が体心立方構造である下地層が形成され、下地層の上に、結晶構造が最密六方構造である中間層が形成され、中間層の上に、Ｃｏを主成分とし、主成分の結晶構造が最密六方構造である磁性層が形成され、磁性層の上に保護層が形成された磁気記録媒体において、前記下地層の（１１０）面間隔ｄ１、前記中間層の（００２）面間隔ｄ２および前記磁性層の（００２）面間隔ｄ３の間に、ｄ１＞ｄ２＞ｄ３なる関係があるので、スパッター工程において基板加熱をせずに製造することができ、磁気特性の良好な磁気記録媒体が実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態に係る磁気記録媒体の構成を示す断面図である。
【図２】本発明の第１実施形態に係る磁気記録媒体の各層における基板に垂直な格子面の面間隔の定義を示す図である。
【図３】結晶のｂｃｃ構造を模式的に示す図である。
【図４】本発明の第１実施形態に係る磁気記録媒体の各層における格子定数の定義を示す図である。
【図５】本発明の第１実施形態に係る磁気記録媒体の各層における面間隔と格子定数との関係を示す図である。
【図６】本発明の第２実施形態に係る磁気記録媒体の構成を示す断面図である。
【図７】従来の磁気記録媒体の構成を示す断面図である。
【図８】結晶のｈｃｐ構造を模式的に示す図である。
【符号の説明】
１、１０１  基板
２、１０２  下地層
３、１０３  中間層
４、１０４  磁性層
５、１０５  保護層
１０６  シード層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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