(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリマー基材の少なくとも片面に第一の金属層を有し、該第一の金属層の表面に、該第一の金属層よりも卑な金属あるいはそれらの金属の酸化物からなる酸化防止層を有し、
前記酸化防止層の厚さが０．１〜５ｎｍであり、
前記酸化防止層が、錫、インジウム、および亜鉛よりなる群から選ばれる１つ以上の金属あるいはそれらの金属の酸化物からなることを特徴とするプリント配線板材料。
【請求項２】
前記第一の金属層が銅あるいは銅を主体とする金属であることを特徴とする請求項１に記載のプリント配線板材料。
【請求項３】
前記第一の金属層の厚さが５０ｎｍ〜１μｍであることを特徴とする請求項１または２に記載のプリント配線板材料。
【請求項４】
前記ポリマー基材がポリイミドであることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載のプリント配線板材料。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明はプリント配線板材料、特に電子部品や半導体（ＬＳＩ、ＩＣ）の実装やパッケージ材料、あるいは、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、半導体や半導体パッケージの検査基板に用いる配線間ピッチが１００μｍ以下であるプリント配線板に用いることができる材料に関する。
【０００２】
【従来の技術】
プリント配線板の用途の拡大はとどまることを知らず、従来の単なる電子部品の接続用配線とそれらの支持体としての機能のみではなく、ＩＣをマザーボードに実装するためのＣＳＰ（Chip Size Package）やＢＧＡ（Ball Grid Array）等の半導体パッケージ用途としてＩＣの配線の一部として用いる半導体基板用途に用いられるようになり、配線ルールの微細化が進行している。とりわけ、フレキシブル配線板材料では、新たな用途としてＬＣＤや半導体の検査用プローブに使用されるに至り、配線ピッチ５０μｍ以下が実用的に用いられ、さらには、配線ピッチ３０μｍ以下の配線加工についても実用化検討が進められている。
【０００３】
従来、フレキシブルプリント配線板用途としては銅箔上にポリイミド前駆体を塗工した後にイミド化を行うことにより作製されるいわゆるキャスト材やポリイミド基材にエポキシ系の接着剤を介して銅箔を貼り付けた材料が広く用いられてきた。
しかしながら、キャスト材等では銅箔の最小厚みが１２μｍと厚いため、配線ピッチが５０μｍピッチ以下の微細可能パターンの加工には困難が生ずるという問題が発生してきた。銅箔９μｍのキャスト材も開発されているが、いまだ基材のハンドリング面なども含めて実用化に至っていない。
【０００４】
このような背景から、従来、価格上の制約や耐熱性の面から敬遠されてきた、スパッタ法等によりポリイミド基材上に１μｍ以下の銅薄膜を形成、あるいは銅薄膜に電解銅メッキを施すことにより１０μｍ以下の銅厚に加工した、いわゆる、スパッタ材が注目を集めている。
とりわけ、スパッタ法等によりポリイミド基材上に１μｍ以下の銅薄膜を形成したものは、セミアディティブ工法により微細配線加工が可能な材料として注目を集めている。すなわち、例えば、銅薄膜上にドライフィルムレジストや液状パターンレジストを積層した後に露光、現像し、パターンレジストを形成し、さらに、銅薄膜を給電層として用いてニッケルや銅などの金属を電解メッキし、その後レジストを剥離した後にソフトエッチングを行い銅薄膜を除去することにより、電気回路パターンや部品を作製する方法に用いる材料として、注目を集めている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、基板上に１μｍ以下の銅薄膜を形成したのみの材料では、防錆処理を行うことが困難であり、銅薄膜上に発生する錆び、すなわち銅が酸化することによりしばしば歩留まりの低下が発生することが新たな問題として発生してきた。
【０００６】
例えば、銅が酸化すると、銅薄膜上へのパターンレジスト（フォトレジスト）の密着性が低下し、パターンめっき工程（めっきによる回路形成工程）で銅めっきがパターンレジストの下部にも施されてしまうことでショートが発生しやすくなる。また、仮にパターンレジストが酸化した銅に密着した場合においても、酸化物により生じた凹凸によりガラスマスクや露光フィルム（回路パターン焼付け用のパターンマスク）がわずかに浮いてしまい、その結果マスクでの遮光部にも光が回り込みショートを発生させやすくなる。またあるいは、露光工程後の現像工程やパターンめっき工程での薬液処理で酸化銅が溶解してしまうことでパターンレジストが銅薄膜から剥離し、その結果パターンめっき工程でショートが発生しやすくなるとの問題がある。
【０００７】
このような銅が酸化することによる問題に対しては、特に、銅厚が厚いものについては防錆処理を施すことで解決を図ることが可能である。
すなわち、９μｍ以上の厚さの銅箔を用いるキャスト品や、スパッタ法などにより１μｍ以下の銅薄膜を形成した後に電解銅めっきを施して銅の厚みを例えば３μｍ以上に厚膜化したスパッタ品等のような、銅の厚みが比較的厚いプリント配線板材料では、銅の表面をベンゾトリアゾールで代表されるような有機系の薬品や不動態化皮膜を作り易い金属で被覆するなどの防錆処理を行い、パターンレジストを銅箔の上に積層する直前に過硫酸アンモニウム等のいわゆるソフトエッチング液により表面処理された銅表面を、例えば、３μｍ以下の厚さでエッチングし、酸化銅や防錆処理剤を除去すると共に銅の表面を粗化処理してパターンレジストの密着性を向上させることができる。
【０００８】
しかしながら、１μｍ以下の銅薄膜を形成したのみの材料にこれらの防錆処理を適用した場合には、銅箔のエッチング厚の制御が非常に困難となり、残存する銅箔の厚さのバラツキが大きくなることで、表面抵抗にバラツキが生じ、パターンメッキ時のメッキ厚のバラツキを生じることにより歩留まりが低下したり、最悪の場合には銅薄膜が完全に除去されたりすることがある。
【０００９】
このように、１μｍ以下の銅薄膜を基材表面に形成したのみのプリント配線板材料では、銅箔表面に防錆処理を施し銅の酸化を防止することが困難であり、セミアディティブ工法での微細配線パターンや微細な部品を作製する際の歩留まり向上の大きな障害となっている。
本発明は、ポリマー基材上に形成した金属薄膜の厚さが１μｍ以下であっても、当該金属薄膜の酸化を、歩留まりの低下を招くことなく防止し、優れた生産性でプリント配線板を製造可能とするプリント配線板材料を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明のプリント配線板材料は、ポリマー基材の少なくとも片面に第一の金属層を有し、該第一の金属層の表面に、該第一の金属層よりも卑な金属あるいはそれらの金属の酸化物からなる酸化防止層を有することを特徴とする。
前記酸化防止層の厚さは０．１〜５ｎｍであることが好ましく、前記第一の金属層は銅あるいは銅を主体とする金属であることが好ましく、前記酸化防止層は、錫、インジウム、および亜鉛よりなる群から選ばれる１つ以上の金属あるいはそれらの金属の酸化物からなることが好ましく、前記第一の金属層の厚さは５０ｎｍ〜１μｍであることが好ましく、前記ポリマー基材はポリイミドであることが好ましい。
【００１１】
このようにすることで、第一の金属層を有効に酸化から防止するだけでなく、前記プリント配線板材料によりプリント配線板を作成する際のエッチング工程において、酸化防止層を容易にエッチングすることができるため、プリント配線板の生産性を低下させることがない。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、発明の実施の形態を詳細に説明する。
本発明に係るプリント配線板材料は、ポリマー基材の少なくとも片面に第一の金属層を有し、該第一の金属層の表面に、該第一の金属層よりも卑な金属あるいはそれらの酸化物からなる酸化防止層を有する。
【００１３】
図１は、ポリマー基材の一方の面、すなわちポリマー基材１００の表面に第一の金属層１０２が形成され、さらに第一の金属層１０２の上に酸化防止層１０４が形成された例を示す断面図である。図２は、ポリマー基材の両方の面、すなわちポリマー基材１００の上下面それぞれに第一の金属層１０２が形成され、それぞれの第一の金属層１０２の表面に酸化防止層１０４が形成された例を示す断面図である。
【００１４】
ポリマー基材
前記ポリマー基材の材料としては特に限定されるものではなく、プリント配線板やフレキシブルプリント配線板として用いることが可能なものならば好適に用いることができる。
例えば、ポリイミド、あるいは充填材入りのポリイミド、エポキシ樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルイミド、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンサルファー、ポリアミド、芳香族ポリアミド等を用いることができる。
【００１５】
これらの中でも特に好ましくは、本プリント配線材料の加工中あるいは加工後の使用環境においては、耐熱性が要求項目の一つであることが多いという観点からポリイミド、あるいは充填材入りのポリイミドである。具体的商品名としては例えば、「カプトンスーパーＶ」、「カプトンＶ」、「カプトンＥ」、「カプトンＥＮ」、「カプトンＨ」、（以上、東レデュポン株式会社製）、「ユーピレックスＳ」、「ユーピレックスＳＧＡ」（以上、宇部興産株式会社製）、「アピカルＡＨ」、「アピカルＮＰＩ」、「アピカルＨＰ」（以上、鐘淵化学工業株式会社製）等が挙げられ、市場において容易に入手可能であり本発明に好適に利用可能である。
【００１６】
さらに、酸無水物とアミンとを直接、イミド化して形成されるポリイミドも効果的に用いることができる。
このような酸無水物としては、例えば、ピロメリット酸無水物、ビフタル酸無水物、ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物、オキシジフタル酸無水物、ハイドロフランジフタル酸無水物等が挙げられる。
【００１７】
一方、アミンとしては、例えば、メトキシジアミノベンゼン、４，４’ーオキシジアニリン、３，４’オキシジアニリン、３，３’オキシジアニリン、ビスジアニリノメタン、３，３’ージアミノゼンゾフェノン、ｐ，ｐ−アミノフェノキシベンゼン、ｐ，ｍ−アミノフェノキシベンゼン、ｍ，ｐ−アミノフェノキシベンゼン、ｍ，ｍ−アミノフェノキシベンゼン、クロル−ｍ−アミノフェノキシベンゼン、ｐ−ピリジンアミノフェノキシベンゼン、ｍ−ピリジンアミノフェノキシベンゼン、ｐ−アミノフェノキシビフェニル、ｍ−アミノフェノキシビフェニル、ｐ−ビスアミノフェノキシベンジスルホン、ｍ−ビスアミノフェノキシベンジスルフォン、ｐ−ビスアミノフェノキシベンジルケトン、ｍ−ビスアミノフェノキシベンジルケトン、ｐ−ビスアミノフェノキシベンジルヘキサフルオロプロパン、ｍ−ビスアミノフェノキシベンジルヘキサフルオロプロパン、ｍ−ビスアミノフェノキシベンジルヘキサフルオロプロパン、ｐ−ビスアミノフェノキシベンジルプロパン、ｏ−ビスアミノフェノキシベンジルプロパン、ｍ−ビスアミノフェノキシベンジルプロパン、ｐ−ジアミノフェノキシベンジルチオエーテル、ｍ−ジアミノフェノキシベンジルチオエーテル、インダンジアミン、スピロビジアミン、ジケトンジアミン等が挙げられる。
【００１８】
このようなポリマー基材の厚みは特に限定するものではなく、プリント配線版の使用目的に応じて適宜選択可能である。例えば、フレキシブルプリント配線版用途に用いることの多いポリイミドフィルム基材では、１２．５〜１５０μｍの厚みのものが好ましく、さらには１２．５〜１００μｍのものが好ましく、特には１２．５〜７５μｍの厚みのものが好ましく、市場において容易に入手可能である。
【００１９】
第一の金属層
前記第一の金属層とは、５０ｎｍから１μｍの厚さの単体の金属あるいは合金の膜である。
第一の金属層に用いる金属の種類は特に限定されるものではないが、当該金属膜には、プリント配線板の配線やアディティブ工法における電解メッキ時の給電層（導電体層）として用いられるので導電性に優れること、塩化第二銅、塩化第二鉄等の酸性のエッチング液、アンモニア系等のアルカリ性のエッチング液、あるいはその他のエッチング液や過硫酸アンモニウムなどのソフトエッチング液に容易に溶解可能であること等が求められる。
【００２０】
このような金属としては例えば、銅、アルミニウム、モリブデン、コバルト、ニッケル等の単体の金属およびこれらを少なくとも１種類以上を含む合金が好ましい。なかでも、銅や銅を主体とする金属は導電性に優れると共に展延性に富むため、特に好ましい金属である。ここで、本発明において、銅を主体とする金属とは、銅を５０重量％以上含有する金属のことであり、すなわち、銅合金または銅である。
【００２１】
第一の金属層の形成方法は特に限定されるものではなく、湿式プロセスである無電解メッキ法、電解メッキ法、乾式プロセスである蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタ法、化学気相輸送法（ＣＶＤ法）など、また、これらの組み合わせなどを適宜選択して使用できる。
これらの中でも第一の金属層とポリマー基材との接着性や成膜の容易性を考慮すると、スパッタリング法が好ましい。また、スパッタリング法にも、ＤＣスパッタ、ＲＦスパッタ、ＤＣマグネトロンスパッタ、ＲＦマグネトロンスパッタ、ＥＣＲスパッタ、レーザービームスパッタ等各種の手法が有るが、特に限定されるものではなく必要に応じて適宜用いることができる。とりわけ、ＤＣマグネトロンスパッタ法は、低コストであり、かつ第一の金属層を容易に形成できるため好ましい。
【００２２】
この場合、マグネトロンスパッタによる第一の金属層の成膜条件は、スパッタガスをアルゴンガスとして、圧力は１０-2〜１Ｐａ、好ましくは７×１０-2〜７×１０-1Ｐａ、さらに好ましくは１０-1〜４×１０-1Ｐａであり、スパッタ電力密度は、１〜１００Ｗｃｍ-2、好ましくは１〜５０Ｗｃｍ-2、さらに好ましくは１〜２０Ｗｃｍ-2である。
【００２３】
スパッタに用いるターゲットとしては、純度９９．９％以上、好ましくは９９．９９％以上の銅あるいは銅を主体とする金属を用いることができる。純度９９．９９９％以上のターゲットを用いることは、コストの著しい増加を招くので好ましいことではない。マグネトロンスパッタにより第一の金属層を成膜する際の膜厚の制御は、予め成膜速度を求めておくことにより成膜時間の管理により行うことができる。
【００２４】
このような方法により形成した第一の金属層の厚さは、５０ｎｍ以上、好ましくは１００ｎｍ以上、さらに好ましくは２００ｎｍ以上である。第一の金属層は、アディティブ工法で微細パターンを形成するときの、電解メッキを行うための給電層や無電解メッキ時の下地層として用いるので、このような範囲内であれば電気伝導性を確保することやピンホールを発生することがない。
【００２５】
また、第一の金属層に用いる金属の純度は、単体の金属で第一の金属層を形成する場合は第一の金属層全体に対する単体の金属が占める割合として、合金で第一の金属層を形成する場合は第一の金属層全体に対する合金が占める割合として９９．９％以上、好ましくは９９．９９％以上であり、この範囲であれば充分に電気伝導性を確保することができる。
【００２６】
一方で、プリント配線板上に微細パターンを形成するためには、第一の金属層はある程度薄いことが必要であり、また、好ましく用いられるスパッタ法により第一の金属層を形成する場合のコスト上の制約も考慮すると、第一の金属層の厚さは１μｍ以下、好ましくは５００ｎｍ以下であることが望ましい。
さらに、ポリマー基材と第一の金属層の接着強度や耐熱性を向上させる目的で、ポリマー基材と第一の金属層の間に接着層を設けることや、ポリマー基材表面をプラズマや紫外線に曝したりアルカリ性のエッチング液に浸漬して表面改質したりすることや、シランカップリング材や別種のポリマーを用いてポリマー基材表面を修飾すること等の公知の技術を用いることが好ましい。
【００２７】
上記接着層として使用できる物質としては、具体的には例えば、チタン、バナジウム、コバルト、ニッケル、亜鉛、タングステン、モリブデン、ジルコニウム、タンタル、錫、インジウム等の金属、あるいはこれらの群から選ばれる一つ以上の金属を含む合金、モネル、ニクロム、インコネル等の耐熱性の合金が挙げられる。さらには、前記金属の酸化物、窒化物、炭化物、燐化合物、さらにはインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、ジンククロメート等の前記金属の複合酸化物等も上記接着層として用いることができる。
【００２８】
このような接着層の厚さは５〜５０ｎｍ、好ましくは５〜２０ｎｍであることが望ましく、この範囲であれば、ポリマー基材と第一の金属層との接着強度や耐熱性を改善させる効果がある。
酸化防止層
前記酸化防止層に用いる金属あるいはそれらの酸化物に用いる金属は、第一の金属層よりも卑な金属である。ここである金属に対して卑な金属とは、水溶液系における標準電極電位がより低い金属のことである。
【００２９】
例えば、本発明において、第一の金属層に用いる金属が、好ましくは銅や銅を主体とする金属であることを考慮すると、インジウム、錫、亜鉛やこれらの酸化物はエッチング工程において容易に溶解させることができる金属であるとともに第一の金属層の酸化防止効果も高く、好ましい物質である。これらの金属を用いると、一種の電気化学的作用により第一の金属層の酸化を防止できると考えられる。
【００３０】
このような酸化防止層の成膜方法は特に限定されるものではなく、成膜される物質の特性に基づき適宜選択可能である。例えば無電解めっき等の湿式法や、蒸着法やイオンプレーティング法、イオンクラスタービーム法、スパッタリング法等の乾式法が挙げられる。
これらの中でも、インジウム、錫、亜鉛等の低融点の金属を酸化防止層として用いる場合には、金属を加熱融解して発生する金属蒸気を用いる蒸着法が好ましい。また、インジウム、錫、亜鉛などの金属の酸化物を用いる場合には、酸化物を容易に成膜可能なスパッタ法が好ましく、スパッタ法の中でもＤＣマグネトロンスパッタ法が最も効率良く低コストで成膜可能であるため好ましい。酸化錫、酸化インジウム、ＩＴＯは導電性の物質であり、また、酸化亜鉛は酸化アルミニウムや酸化珪素を数重量％添加することにより高い導電性を示す物質であり、ＤＣマグネトロンスパッタにより容易に成膜可能な物質である。また、これらの酸化物は市場において容易に入手可能でもある。
【００３１】
このような酸化防止層の厚さは０．１〜５ｎｍ、好ましくは０．５〜２ｎｍであり、この範囲であれば、第一の金属層の酸化防止効果がある。
なお、このような薄い膜厚では金属や金属酸化物は完全に層状に成膜されないことが考えられ、すなわち島状（海島構造）にとなることが考えられるが、本発明の効果を何ら妨げるものではない。このように島状に成長するなど完全に層状に金属あるいは金属酸化物が形成されない場合には、成膜速度から予想される換算膜厚や水晶振動子式膜厚計などで測定される成膜された物質の重量と密度から計算される膜厚が上記範囲内であればよい。
【００３２】
なお、ポリマー基材への第一の金属層および酸化防止層の形成は、プリント配線基板の用途により、図１に示したようにポリマー基材の片面でもよいし、図２に示したようにポリマー基材の両面でもよい。
ポリマー基材の両面に金属層を形成する場合、片面ずつ第一の金属層および酸化防止層を形成してもよく、あるいは両面に第一の金属層を形成した後に酸化防止層をそれぞれの第一の金属層の上に成膜してもよい。各金属層の成膜順番は、各層に用いる材料の特性に適した手法による成膜装置、例えば、蒸着装置、イオンプレーティング装置、スパッタ装置、また、各装置の構成、例えば、両面を同時に成膜可能なスパッタ装置、蒸着装置あるいはイオンプレーティング装置であるか、スパッタと蒸着をロールツーロール式で連続に実施可能である装置か、第一の金属層はスパッタ装置、酸化防止層は蒸着装置等、２台の装置を用いて、本発明のプリント配線材料を作製するのか、等を適宜勘案して、最も効率的に本発明に記載のプリント配線板材料を製造可能なように適宜選択することができる。
【００３３】
このような配線板材料を用いてプリント配線板を作成することにより、配線間ピッチが１００μｍ以下、好ましくは５０μｍ以下というファインパターン加工で、第一の金属層の厚さが１μｍ以下であっても、歩留まりの低下を招くことなく第一の金属層の酸化を防止し、生産性を向上させることができる。
【００３４】
【実施例】
以下、実施例により本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらに何ら限定されるものではない。
【００３５】
【実施例１】
ポリマー基材として５０μｍ厚のポリイミドフィルム、「アピカルＮＰＩ」（鐘淵化学工業株式会社製）を用い、これを８ｃｍ四方に切り出し、スパッタ装置の基板ホルダーに設置し、１０-3Ｐａ以下の圧力まで真空引きを行った。酸素流量１００ＳＣＣＭ、圧力 １．３Ｐａ、ＲＦ電力１００Ｗ、処理時間３分の条件でポリイミドフィルムのプラズマ処理を行った。
【００３６】
ついで、銅ターゲット（純度９９．９９％）を用いて、アルゴン流量４０ＳＣＣＭ、圧力０．２６Ｐａ、ＤＣ１８０Ｗの条件で１５分成膜を行い第一の金属層である銅を２５０ｎｍの厚さに成膜した。
さらに、スパッタ装置から試料を取り出し電子ビーム加熱式の蒸着装置内に設置し、１０-3Ｐａ以下の圧力をまで真空引きを行った後、蒸着源に亜鉛を用いて酸化防止層として亜鉛を１ｎｍの厚さで銅の上に成膜した。なお、亜鉛の膜厚は、水晶振動子式の膜厚計に連動して開閉可能なシャッターにより制御した。
【００３７】
このようにして作製された試料を温度２５℃、湿度５０％のクラス１００００のクリーンルーム中に３０日間放置し、目視にて外観検査を行った。
評価は、銅の酸化を示す変色部位の発生の有無により行ったが、本試料には変色部位は特に発生しなかった。
【００３８】
【実施例２】
酸化防止層としてインジウムを１ｎｍの厚さで形成したこと以外は実施例１と同様にして試料を作製し評価を行ったが、銅の酸化を示す変色部位は発生しなかった。
【００３９】
【実施例３】
酸化防止層として錫を１ｎｍの厚さで形成したこと以外は実施例１と同様にして試料を作成し評価を行ったが、銅の酸化を示す変色部位は発生しなかった
【００４０】
【実施例４】
実施例１で酸化防止層として蒸着法により亜鉛を形成した代わりに、スパッタリング法により酸化亜鉛を１ｎｍの厚さで形成し試料を作成した。
すなわち、酸化亜鉛ターゲット（酸化アルミニウム３重量％添加）を用いて、アルゴン流量４０ＳＣＣＭ、圧力０．２６Ｐａ、ＤＣ１８０Ｗの条件で１０秒成膜を行い酸化防止層である酸化亜鉛を１ｎｍの厚さで成膜した。
【００４１】
得られた試料を実施例１と同様にして評価したところ、銅の酸化を示す変色部位は発生しなかった。
【００４２】
【実施例５】
スパッタリングターゲットとして酸化インジウムを用いて、酸化防止層として酸化インジウムを１ｎｍの厚さで形成したこと以外は実施例４と同様にして試料を作製し、実施例１と同様に評価を行ったが、銅の酸化を示す変色部位は発生しなかった。
【００４３】
【実施例６】
スパッタリングターゲットとして酸化錫を用いて、酸化防止層として酸化錫を１ｎｍの厚さで形成したこと以外は実施例４と同様にして試料を作製し、実施例１と同様に評価を行ったが、銅の酸化を示す変色部位は発生しなかった。
【００４４】
【実施例７】
スパッタリングターゲットとしてＩＴＯ（酸化錫２０重量％）を用いて、酸化防止層としてＩＴＯを１ｎｍの厚さで形成したこと以外は実施例４と同様にして試料を作製し、実施例１と同様に評価を行ったが、銅の酸化を示す変色は認められなかった。
【００４５】
【比較例１】
酸化防止層を銅の上に形成しなかったこと以外は実施例１と同様にして試料を作製し評価を行ったところ、銅の酸化を示す変色部位が発生した。
【００４６】
【発明の効果】
本発明によれば、少なくとも、ポリマー基材の片面に第一の金属層を形成した後に第一の金属よりも卑な金属あるいはそれらの酸化物からなる酸化防止層を０．１ｎｍから５ｎｍの厚みに形成することで、第一の金属層の酸化を防止することが可能となり、第一の金属層上に形成するパターンレジストの密着性の低下を防止できる。また、第一の金属層の厚さが１μｍ以下であっても、パターンメッキ時のメッキ厚のバラツキを防止することができ、優れた生産性でプリント配線板を生産することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明のプリント配線板材料の一例を示す断面図である。
【図２】図２は、本発明のプリント配線板材料の一例を示す断面図である。
【符号の説明】
１００  ポリマー基材
１０２  第一の金属層
１０４  酸化防止層
【図１】
0004463442.tif 000002
【図２】
0004463442.tif 000003