(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｉ）指紋パターンによって反射された光を受光して前記反射された光の強さに相応する
電荷量を有する電荷を発生させるセンサ薄膜トランジスタ、ｉｉ）前記電荷を保存する保存素子、ｉｉｉ）前記保存素子に保存された電荷を外部制御信号に応答して出力する第１スイッチング薄膜トランジスタを有する複数の単位セルで構成される第１基板と、
前記第１基板の下部に形成された第１透明電極と、
ｉ）第２スイッチング薄膜トランジスタ、ｉｉ）前記第２スイッチング薄膜トランジスタの第１電極に接続されるデータライン及びｉｉｉ）前記第２スイッチング薄膜トランジスタの第２電極に接続されるゲートライン、ｉｖ）前記ゲートライン、データライン及び  前記第２スイッチング薄膜トランジスタの第１部分上に形成されるカラーフィルタ層、ｖ）前記カラーフィルタ層上に形成され、前記第１電極の第２部分と電気的に接続される第２透明電極を含む複数の画素を含む第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に介在された液晶層を含み、
前記第１基板と前記第２基板に付着されるゲート集積回路とデータ集積回路を、互いに重ならないように配置することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記第２基板は、前記カラーフィルタ層をカバーするように前記カラーフィルタ層と前記第２透明電極との間に形成され、前記第１電極の前記第２部分と電気的に接続される第１絶縁層を更に含むことを特徴とする請求項1記載の液晶表示装置。
【請求項３】
複数の単位セルが一つの画素に重なるように配列されることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項４】
１：１の第２縦横比を有する単位セル三つが、１：３の第１縦横比を有する画素上に重なるように配列されることを特徴とする請求項３記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記第１基板はさらに、前記センサ薄膜トランジスタの前記ゲートラインと第３電極に接続され、センサ信号を出力するセンサ信号出力ラインを備え、該センサ信号出力ラインは、透明導電膜で形成されることを特徴とする請求項４記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記第１基板は、前記センサ薄膜トランジスタ、保存素子及び第１スイッチング薄膜トランジスタをカバーするように形成される第２絶縁層を更に含むことを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記第１スイッチング薄膜トランジスタは、
非晶質シリコンからなるチャネル領域と、
前記チャネル領域の上部に相応する前記第２絶縁層の第３部分上に配置され、前記指紋パターンによって反射された光が前記チャネル領域に受光されることを遮断するクロム／クロム酸化物からなる光遮断層と
を有することを特徴とする請求項６記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記第１スイッチング薄膜トランジスタは、
非晶質シリコンからなるチャネル領域と、
前記チャネル領域の上部に配置され、前記指紋パターンによって反射された光が受光されることを遮断するクロム／クロム酸化物からなる光遮断層と
を更に含むことを特徴とする請求項６記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記液晶表示装置は、
前記第１基板の第１側面に隣接に位置して前記第１側面に接続され、前記指紋認識パターンに相応する指紋認識信号を生成するために、前記第１スイッチング薄膜トランジスタの第１電極から前記電荷の入力を受けるデータ読み出し部と、
前記第１基板の第２側面に隣接に位置して前記第２側面に接続され、前記第１スイッチング薄膜トランジスタ及びセンサ薄膜トランジスタの第２電極をオンオフ制御する第１ゲート駆動部と、
前記第２基板の第１側面に隣接に位置して前記第１側面に接続され、前記第２スイッチング薄膜トランジスタの第３電極に前記データラインを通じて画像データを印加するデータ駆動部と、
前記第２基板の第２側面に隣接に位置して前記第２側面に接続され、前記第２スイッチング薄膜トランジスタの前記第２電極をオンオフ制御する第２ゲート駆動部と、
を含み、
前記データ駆動部は、前記データ読み出し部と反対側に位置し、前記第１ゲート駆動部は、前記第２ゲート駆動部と反対側に位置するように配置されることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
絶縁物質からなる第１基板上に、指紋パターンによって反射された光を受光して前記反
射された光の強さに相応する電荷量を発生させるセンサ薄膜トランジスタ、前記電荷を保存する保存素子、及び前記保存素子に保存された電荷を外部制御信号に応答して出力する第１スイッチング薄膜トランジスタを形成するステップと、
前記第１基板の下部表面に第１透明電極を形成するステップと、
絶縁物質からなる第２基板上に第２スイッチング薄膜トランジスタ及び前記第２スイッチング薄膜トランジスタの第１電極及び第２電極とそれぞれ接続されるゲートライン及びデータラインを形成するステップと、
前記ゲートライン、データライン及び前記第２スイッチング薄膜トランジスタの第１部分上にカラーフィルタ層を形成するステップと、
前記カラーフィルタ層上に、前記第２スイッチング薄膜トランジスタの第１電極の第２部分と電気的に接続される第２透明電極を形成するステップと、
前記第１基板と前記第２基板との間に液晶層を形成するステップと、
前記第１基板と前記第２基板に付着されるゲート集積回路とデータ集積回路を、互いに重ならないように配置するステップを含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記カラーフィルタ層をカバーするように、前記カラーフィルタ層と前記第２透明電極との間に、前記第１電極の第２部分と電気的に接続される第１絶縁層を形成するステップを更に含むことを特徴とする請求項１０記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記センサ薄膜トランジスタ、保存素子、及び第１スイッチング薄膜トランジスタをカバーするように、センサ薄膜トランジスタ、保存素子、及び第１スイッチング薄膜トランジスタ上に第２絶縁層を形成するステップを更に含むことを特徴とする請求項１０記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１３】
非晶質シリコンからなるチャネル領域を形成するステップと、
前記チャネル領域に重なるように配置され、前記第２絶縁層の第３部分に、前記指紋パターンによって反射された光が前記チャネル領域に受光されることを遮断するクロム／クロム酸化物からなる光遮断層を形成するステップと
を更に含むことを特徴とする請求項１２記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１４】
非晶質シリコンからなるチャネル領域を形成するステップと、
前記チャネル領域に重なるように配置され、前記指紋パターンによって反射された光が受光されることを遮断するクロム／クロム酸化物からなる光遮断層を更に形成するステップと
を含むことを特徴とする請求項１３記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１５】
絶縁物質からなる第１基板の上部に、指紋パターンによって反射された光を受光して電
荷を発生させるセンサ薄膜トランジスタ、前記センサ薄膜トランジスタから発生した電荷を保存する保存素子、前記保存素子に保存された電荷を外部からの制御信号に応答して出力する第１スイッチング薄膜トランジスタを形成するステップと、
前記第１基板の下部表面に第１透明電極を形成するステップと、
絶縁物質からなる第２基板上に第２スイッチング薄膜トランジスタを形成するステップと、
前記第２スイッチング薄膜トランジスタ上にカラーフィルタ層を形成するステップと、
前記カラーフィルタ層上に第２透明電極を形成するステップと、
第１基板の第１画素単位に関する第１縦横比と、第２基板の第２画素単位に関する第２縦横比に基づいて、前記第１基板を前記第２基板上に整列させるステップと、
前記第１基板と前記第２基板との間に液晶層を形成するステップと、
前記第１基板と前記第２基板に付着されるゲート集積回路とデータ集積回路を、互いに重ならないように配置するステップを含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項１６】
前記カラーフィルタ層に前記第２スイッチング薄膜トランジスタの第１電極の第１部分を露出させる第１コンタクトホールを形成するステップを更に含むことを特徴とする請求項１５記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１７】
前記第２透明電極に、前記第２スイッチング薄膜トランジスタの前記第１電極の第２部分を露出させる第２コンタクトホールを、前記第２スイッチング薄膜トランジスタの前記第１電極の前記第１部分に対応するように、形成するステップを更に含むことを特徴とする請求項１６記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１８】
前記カラーフィルタ層をカバーするように、前記カラーフィルタ層と前記第２透明電極との間に形成される絶縁層であって、前記第２スイッチング薄膜トランジスタの前記第１電極の前記第２部分を露出させる第３コンタクトホールを有する第１絶縁層を形成するステップを更に含むことを特徴とする請求項１７記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１９】
前記センサ薄膜トランジスタ、保存素子及び第１スイッチング薄膜トランジスタをカバーするように、センサ薄膜トランジスタ、保存素子、及び第１スイッチング薄膜トランジスタ上に第２絶縁層を形成するステップを更に含むことを特徴とする請求項１８記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項２０】
非晶質シリコンからなるチャネル領域を形成するステップと、
前記チャネル領域上の前記第２絶縁層の第３部分に、前記指紋パターンによって反射された光が前記チャネル領域で受光されることを遮断するクロム／クロム酸化物からなる光遮断層を形成するステップと
を更に含むことを特徴とする請求項１９記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項２１】
非晶質シリコンからなるチャネル領域を形成するステップと、
前記チャネル領域の上部に、前記指紋パターンによって反射された光が前記チャネル領域で受光されることを遮断するクロム／クロム酸化物からなる光遮断層を形成するステップと
を更に含むことを特徴とする請求項１５記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項２２】
前記指紋認識パターンに対応する指紋認識信号を生成するために、前記第１スイッチング薄膜トランジスタの第１電極から前記電荷の入力を受けるデータ読み出し部を、前記第１基板の第１側面に隣接配置して接続するステップと、
前記第１スイッチング薄膜トランジスタの第２電極及び前記センサ薄膜トランジスタの第２電極をオンオフ制御する第１ゲート駆動部を、前記第１基板の第２側面に隣接配置して接続するステップと、
前記第２スイッチング薄膜トランジスタの第３電極に前記データラインを通じて画像データ信号を印加するデータ駆動部を、前記第２基板の第１側面に隣接配置して接続するステップと、
前記第２スイッチング薄膜トランジスタの第２電極をオンオフ制御する第２ゲート駆動部を、前記第２基板の第２側面に隣接配置して接続するステップと、
を更に含み、
前記データ駆動部は、前記データ読み出し部と反対側に位置し、前記第１ゲート駆動部は、前記第２ゲート駆動部と反対側に位置するように配置する
ことを特徴とする請求項１５記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項２３】
複数の単位セルを備えた第１基板であって、各単位セルが、ｉ）指紋パターンによって
反射された光を受光して前記反射された光の強さに相応する電荷量を有する電荷を発生させるセンサ薄膜トランジスタ、ｉｉ）前記電荷を保存する保存素子、ｉｉｉ）前記保存素子に保存された電荷を、外部制御信号に応答して出力する第１スイッチング薄膜トランジスタを有する、第１基板と、
前記第１基板の下部表面に形成された第１透明電極と、
第２基板と、
ｉ）前記第２基板上に形成されたデータラインを含むデータ配線、ｉｉ）前記データ配線が形成された第２基板上に、前記データ配線の第１部分をカバーするように形成されたカラーフィルタ層、ｉｉｉ）前記データ配線及び前記カラーフィルタ層をカバーする絶縁膜、ｉｖ）前記絶縁膜上に形成された第２スイッチング薄膜トランジスタ、ｖ）前記第２スイッチング薄膜トランジスタの第１電極の第２部分と電気的に接続される第２透明電極を含む画素と、
前記第２基板と前記第２基板との間に介在された液晶層を含み、
前記第１基板と前記第２基板に付着されるゲート集積回路とデータ集積回路を、互いに重ならないように配置することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２４】
それぞれが１：１の第２縦横比を有する３つの単位セルが、１：３の第１縦横比を有する画素上に重なるように配列されることを特徴とする請求項２３記載の液晶表示装置。
【請求項２５】
前記第１基板は、前記センサ薄膜トランジスタと、ゲートラインと、前記センサ薄膜トランジスタの第３電極とに接続され、センサ信号を出力する透明電極で形成されたセンサ信号出力ラインを有することを特徴とする請求項２４記載の液晶表示装置。
【請求項２６】
前記第１基板は、前記センサ薄膜トランジスタ、保存素子及び第１スイッチング薄膜トランジスタをカバーするように形成される第２絶縁層を更に含むことを特徴とする請求項２３記載の液晶表示装置。
【請求項２７】
前記第１スイッチング薄膜トランジスタは、
非晶質シリコンからなるチャネル領域と、
前記チャネル領域上である前記第２絶縁層の第３部分に、前記指紋パターンによって反射された光が前記チャネル領域に受光されることを遮断するクロム／クロム酸化物からなる光遮断層と
を有することを特徴とする請求項２６記載の液晶表示装置。
【請求項２８】
前記第１スイッチング薄膜トランジスタは、
非晶質シリコンからなるチャネル領域と、
前記チャネル領域の上部に、前記指紋パターンによって反射された反射光が前記チャネル領域に受光されることを遮断するクロム／クロム酸化物からなる光遮断層と
を更に含むことを特徴とする請求項２６記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、指紋認識素子を内装した一体型液晶表示装置及びこれの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ａ−Ｓｉ薄膜トランジスタ液晶表示装置（ＴＦＴ−ＬＣＤ）は、平板表示装置（ＦＰＤ）の一つとして、ラップトップコンピュータ、モニタ、テレビ、モバイル端末機などに広く用いられている。
ａ−Ｓｉ  ＴＦＴ−ＬＣＤは、スイッチング機能を有しているのでディスプレイ素子として用いられる。また、ａ−Ｓｉ  ＴＦＴ−ＬＣＤは、感光性のため光感知センサとして用いられ、バイオメトリクス（ｂｉｏｍｅｔｒｉｃｓ）などにも広く用いられている。
【０００３】
個人認証システムにおいて、特に、費用、使用便宜性、正確性の側面から、指紋認識装置を用いた指紋認証方法が広く用いられている。
既存の指紋認識装置としては、光学センサを用いる光学型と半導体センサを用いた半導体型がある。
光学型の指紋認証装置は、指紋の画像品質が高い長所があるが、イメージ歪に弱く、小型化が難しく、値段が高い短所がある。特に、複数のレンズを使用するため、軽薄短小が不可能であるので、モバイル端末機などには適合しない。
【０００４】
半導体型の指紋心証装置のうち、ＣＭＯＳ工程を活用する方式は、小型で製作することができるが、静電気やその他の外部環境に弱くて、信頼性が低いという短所がある。指紋認識装置はモバイル用に適合するように、軽くて小型であるだけでなく、耐久性及び安定性を必要とする。
【０００５】
最近、モバイル用として要求条件を満たすａ−Ｓｉ感光性を用いたａ−Ｓｉ  ＴＦＴ指紋認識装置が開発され、該装置は，ａ−Ｓｉ−ＴＦＴにａ−Ｓｉチャネルの光感知特性を使用し、比較的薄い構造であるので、感知動作中、高い感光性を有することができる。
一方、前記のようなａ−Ｓｉ  ＴＦＴ指紋認識装置を携帯のＴＦＴ−ＬＣＤに結合したＴＦＴ−ＬＣＤがある。
【０００６】
図１は、ＴＦＴ指紋認識基板を実装したＴＦＴ−ＬＣＤパネルを有する携帯電話の概略的な斜視図であり、図２は、図１のＴＦＴ−ＬＣＤパネル上に図１のＴＦＴ指紋認識基板が実装されたＴＦＴ−ＬＣＤパネルの断面図である。
図１及び図２を参照すると、複数のカラーフィルタを有するカラーフィルタ基板と薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）基板とで構成されたＴＦＴ−ＬＣＤパネル２０上に、ａ−ＳｉＴＦＴを用いたＴＦＴ指紋認識基板１０が付着されている。
【０００７】
ＴＦＴ指紋認識基板１０は、ガラスのような材質からなる第１透明基板１２、透明基板１２上に形成された指紋認識のためのセンサＴＦＴとスイッチングＴＦＴで構成された指紋認識ＴＦＴ１４、及び、その上に形成された層間絶縁膜１６を含む。
【０００８】
従来のＴＦＴ−ＬＣＤパネル２０は、ＴＦＴ基板２５、カラーフィルタ基板３２、及び前記ＴＦＴ基板２５とカラーフィルタ基板３２との間に介在された液晶層３５で構成される。ＴＦＴ基板２５は、ガラスのような材質からなる第２透明基板２２上に形成された薄膜トランジスタ（図示せず）を含む。カラーフィルタ基板３２には、ガラスのような材質からなる第３透明基板３４上に、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、及び青色（Ｂ）カラーフィルタ４０が形成され、カラーフィルタ基板３２は、液晶層３５を間にＴＦＴ基板と対向するようにＴＦＴ基板に付着される。
【０００９】
一般的に、正確な指紋認識のために、ＴＦＴ−ＬＣＤパネル２０の解像度より高い解像度を有する指紋認識基板１０を用いる。例えば、１：ｎの縦横比（ａｓｐｅｃｔ  ｒａｔｉｏ）を有する一つのＴＦＴ−ＬＣＤ画素に対して１：１の縦横比を有するＴＦＴ単位セルｎ個が対応する。すなわち、１：１の縦横比を有するｎ個のＴＦＴ単位セルは、１：ｎの縦横比を有するＴＦＴ−ＬＣＤパネルの１つの画素をカバーするよう配置される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
例えば、ＴＦＴ指紋識別装置１０の解像度がＴＦＴ−ＬＣＤパネル２０の解像度よりもｎ倍高いとする。ＴＦＴ指紋認識基板１０とＴＦＴ−ＬＣＤパネル２０との間にミスアライン（ｍｉｓｓ−ａｌｉｇｎ）が発生する場合、ＴＦＴ指紋認識基板１０の開口率は、ＴＦＴ−ＬＣＤパネル２０の開口率よりｎ倍以上減少するようになる。
【００１１】
特に、ＴＦＴ−ＬＣＤパネル２０のＴＦＴ基板とカラーフィルタ基板との間にミスアラインが発生する場合までも考慮すると、開口率が大幅減少するようになる問題点がある。その結果、設計マージンが少なくなり、製造工程の管理に困難が発生する。
また、正確なアラインのための作業が困難であり、基板間のミスアラインを考慮してＴＦＴ指紋認識基板１０を実装したＴＦＴ−ＬＣＤパネル２０を設計する場合、開口率減少によるディスプレイ特性が低下する。
【００１２】
したがって、本発明は、上記した従来技術の制限及び短所による１又は複数の問題点を解決するためのものである。
本発明の第１の特徴は、基板間のミスアラインを減少させて開口率を増加させ、透過率を向上させることができる指紋認識素子を内装した一体型液晶表示装置を提供することにある。
また、本発明の第２の特徴は、基板間ミスアラインを減少させて開口率を増加させ、透過率を向上させることができる指紋認識素子を内装した一体型液晶表示装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の第１の特徴の一観点によれば、ｉ）指紋パターンによって反射された光を受光
して前記反射された光の強さに相応する電荷量を有する電荷を発生させるセンサ薄膜トラ
ンジスタ、ｉｉ）前記電荷を保存する保存素子、ｉｉｉ）前記保存素子に保存された電荷
を外部制御信号に応答して出力する第１スイッチング薄膜トランジスタを有する複数の単
位セルで構成される第１基板と；前記第１基板の下部に形成された第１透明電極と；ｉ）
第２スイッチイング薄膜トランジスタ、ｉｉ）前記第２スイッチング薄膜トランジスタの
第１電極に接続されるデータライン及びｉｉｉ）前記第２スイッチング薄膜トランジスタ
の第２電極に接続されるゲートライン、ｉｖ）前記ゲートライン、データライン及び前記
第２スイッチング薄膜トランジスタの第１部分上に形成されるカラーフィルタ層、ｖ）前
記カラーフィルタ層上に形成され、前記第１電極の第２部分と電気的に接続される第２透
明電極を含む複数の画素を含む第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に介在し
た液晶層とを含み、前記第１基板と前記第２基板に付着されるゲート集積回路とデータ集
積回路を、互いに重ならないように配置することを特徴とする液晶表示装置を提供する。
【００１４】
本発明の第１の特徴の他の観点によれば、複数の単位セルを備えた第１基板であって、
各単位セルが、ｉ）指紋パターンによって反射された光を受光して前記反射された光の強
さに相応する電荷量を有する電荷を発生させるセンサ薄膜トランジスタ、ｉｉ）前記電荷
を保存する保存素子、ｉｉｉ）前記保存素子に保存された電荷を、外部制御信号に応答し
て出力する第１スイッチング薄膜トランジスタを有する、第１基板と、；前記第１基板の
下部表面に形成された第１透明電極と；第２基板と；ｉ）前記第２基板上に形成されたデ
ータラインを含むデータ配線、ｉｉ）前記データ配線が形成された第２基板上に、前記デ
ータ配線の第１部分をカバーするように形成されたカラーフィルタ層、ｉｉｉ）前記デー
タ配線及び前記カラーフィルタ層をカバーする絶縁膜、ｉｖ）前記絶縁膜上に形成された
第２スイッチング薄膜トランジスタ、ｖ）前記第２スイッチング薄膜トランジスタの第１
電極の第２部分と電気的に接続される第２透明電極を含む画素と；前記第２基板と前記第
２基板との間に介在された液晶層とを含み、前記第１基板と前記第２基板に付着されるゲ
ート集積回路とデータ集積回路を、互いに重ならないように配置することを特徴とする液晶表示装置を提供する。
【００１５】
本発明の第２の特徴を実現するために、本発明は、絶縁物質からなる第１基板上に、指
紋パターンによって反射された光を受光して前記反射された光の強さに相応する電荷量を
発生させるセンサ薄膜トランジスタ、前記電荷を保存する保存素子、及び前記保存素子に
保存された電荷を外部制御信号に応答して出力する第１スイッチング薄膜トランジスタを
形成するステップと；前記第１基板の下部表面に第１透明電極を形成するステップと；絶
縁物質からなる第２基板上に第２スイッチング薄膜トランジスタ及び前記第２スイッチン
グ薄膜トランジスタの第１電極及び第２電極とそれぞれ接続されるゲートライン及びデー
タラインを形成するステップと；前記ゲートライン、データライン及び前記第２スイッチ
ング薄膜トランジスタの第１部分上にカラーフィルタ層を形成するステップと；前記カラ
ーフィルタ層上に、前記第２スイッチング薄膜トランジスタの第１電極の第２部分と電気
的に接続される第２透明電極を形成するステップと、前記第１基板と前記第２基板との間
に液晶層を形成するステップと、を含み、前記第１基板と前記第２基板に付着されるゲート集積回路とデータ集積回路を、互いに重ならないように配置するステップを含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法を提供する。
【００１６】
本発明によれば、カラーフィルタと薄膜トランジスタがセルフ−アラインされるカラーフィルタオンアレイ（ＣＯＡ）構造を有するＴＦＴ−ＬＣＤパネルに、指紋認識のためのセンサＴＦＴを有する指紋認識素子を内装した一体型ＴＦＴ−ＬＣＤパネルを提供する。
【発明の効果】
【００１７】
したがって、薄膜トランジスタＴＦＴ−ＬＣＤパネルにセンサＴＦＴを有する指紋認証装置を搭載すれば、ガラス基板の数を低減させることができ、もって製造コストを低減させることができる。本発明の液晶表示パネルによれば、従来の液晶表示装置が３枚のガラス基板が用いられていたものを２枚に減少することができる。特に、モバイル端末機などに適用する場合、モバイル端末機の厚さ及び総重量を減少させることができる。
また、ガラス基板数の減少によって指紋認識素子を内装したＴＦＴ−ＬＣＤパネルの透過率が増加することによって、指紋認識の感度を更に向上させることができる。
【００１８】
また、指紋認識装置を備えたＴＦＴ−ＬＣＤパネルにおいて、ＴＦＴ基板をカラーフィルタ搭載構造にすることができる。したがって、カラーフィルタと薄膜トランジスタとのアライン不良を除去して、指紋認識素子を内装したＴＦＴ−ＬＣＤパネルの開口率を大きく向上させて、ディスプレイ特性を向上させることができる。
さらに、指紋認識装置を備えた液晶表示装置を設計し製造する場合、設計マージンが増大し、かつ製造工程が簡単になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、添付した図面を参照して、本発明の望ましい実施例をより詳細に説明する。
図３は、本発明の望ましい実施例による、ＴＦＴ指紋識別基板を実装したカラーフィルタオンアレイ（ＣＯＡ）構造のａ−Ｓｉ  ＴＦＴ−ＬＣＤパネルの断面図である。
【００２０】
カラーフィルタオンアレイ（ＣＯＡ）構造では、ＴＦＴ基板上に、カラーフィルタがＴＦＴ基板の薄膜トランジスタとアラインするように形成される。すなわち、カラーフィルタと薄膜トランジスタとがセルフ−アラインされる構造を有している。その結果、ＴＦＴ−ＬＣＤパネルの開口率が高くなり、ＴＦＴ基板上の薄膜トランジスタとカラーフィルタとの間のミスアラインによる問題を減少させることができる。
【００２１】
図３を参照すると、カラーフィルタオンアレイ（ＣＯＡ）構造を有するＴＦＴ−ＬＣＤパネル上に、ＴＦＴ指紋認識基板４００を実装する。
ＴＦＴ指紋認識基板４００は、ガラスのような材質からなる第１透明基板４１２、第１透明基板４１２の上面に形成された指紋認識のためのセンサＴＦＴとスイッチングＴＦＴからなる指紋認識ＴＦＴ４１０、その上に形成された層間絶縁膜４４０、及び第１透明基板４１２の下面に形成された透明な導電性物質、例えば、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）などからなる共通電極４５０を含む。
【００２２】
カラーフィルタオンアレイ（ＣＯＡ）構造を有するＴＦＴ−ＬＣＤパネルは、薄膜トランジスタ（図示せず）上に絶縁膜(又は有機絶縁膜)の代わりに、感光性の赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、及び青色（Ｂ）カラーフィルタ３３６を形成する。即ち、ガラスのような材質からなる第２透明基板３３０上に、薄膜トランジスタ及び該トランジスタに接続されたデータライン３３４を形成し、その上に絶縁膜の代わりにカラーフィルタ３３６を形成した後にコンタクトホール３４５を形成し、その上に画素電極３４０を形成する。又は、コンタクトホール３４５が形成されたカラーフィルタ３３６上に絶縁膜３３８を形成した後、画素電極３４０を形成することもできる。
【００２３】
薄膜トランジスタは、第２透明基板３３０上に形成され、ゲート電極（図示せず）、ゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極、アクティブパターン及びオーミックコンタクトパターン（図４及び図１５Ｂを参照）で構成される。
【００２４】
図４は、指紋認識の原理を説明するために図３のＴＦＴ指紋認識基板を実装したＴＦＴ−ＬＣＤパネルのうち、ＴＦＴ指紋認識基板の単位節の断面図を概略的に示した図面であり、図５は、図４のＴＦＴ指紋認識基板の単位セルに対する等価回路を示す。以下、指紋認識原理に対して概略的に説明する。
【００２５】
図４及び図５を参照すると、ＴＦＴ指紋認識基板４００には、第１透明基板４１２上に形成されたＴＦＴ４１０ｂ及びスイッチングＴＦＴ４１０ａ、そして保存キャパシタ（Ｃｓｔ）が配列される。
【００２６】
センサ４１０ｂのドレイン電極４２７は、外部ＶＤＤ電源線に接続されており（図７参照）、センサＴＦＴ４１０ｂのソース電極４２５とスイッチングＴＦＴ４１０ａのソース電極４０９は、第１電極層４３２を通じて電気的に相互接続されていて、スイッチングＴＦＴ４１０ａのドレイン電極４０７は、センサ信号出力ライン（図５参照）に接続されている。センサＴＦＴ４１０ｂのゲート電極４２１は、センサＴＦＴゲートラインに接続されていて、スイッチングＴＦＴ４１０ａのゲート電極４０１は、スイッチングＴＦＴゲートラインに接続されている。また、第２電極層４３６はセンサＴＦＴゲートライン（図５参照）に接続されている。ＴＦＴ指紋認識基板４００とＴＦＴ基板とのミスアラインによる開口率減少を減らすために、ＩＴＯからなるゲートライン及びデータラインなどを用いることができる。
【００２７】
第２電極層４３６と第１電極層４３２は対抗しており、第２電極４３６は、第１電極層４３２と絶縁層４３４との間に位置している。第１電極層４３２と第２電極層４３６は、保存キャパシタＣｓｔとして役割を果たす。即ち、保存キャパシタＣｓｔは、センサＴＦＴ４１０ｂに入力される光量に対応する電荷を充電させる役割を果たす。
【００２８】
センサＴＦＴ４１０ｂのソース電極４２５とドレイン電極４２７との間には非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）からなるチャネル領域４２３が形成される。したがって、チャネル領域４２３に所定光量以上の光が受光されると、ソース電極４２５とドレイン電極４２７が電気的に導通される。
【００２９】
使用者が手の指紋をＴＦＴ指紋認識基板４００に密着すると、第１透明基板４１２の下部のバクライトアセンブリ（図示せず）から発生された光が液晶層３５０を経由した後、ＴＦＴ指紋認識基板４００に入射される。ＴＦＴ指紋認識基板４００に入射された光は、指紋パターンによって反射されてチャネル領域４２３に受光される。その結果、センサＴＦＴ４１０ｂが導通されて保存キャパシタＣｓｔには入力される光量に比例する電荷が充電される。
【００３０】
一方、スイッチングＴＦＴ４１０ａのドレイン電極４０７とソース電極４０９の上部には、光遮断層（又はＢｌａｃｋ  Ｍａｔｒｉｘ）４３８が形成される。光遮断層４３８は、スイッチング薄膜トランジスタ４１０ａのチャネル領域４０５に光が入射されないようにする。
【００３１】
以下、図５を参照して指紋認識の原理を説明する。
センサＴＦＴ４１０ｂのドレイン端子Ｄに所定レベルの直流電圧ＶＤＤが印加され、ゲート端子Ｇには所定レベルのバイアス電圧が印加される。
【００３２】
スイッチングＴＦＴ４１０ａは、スイッチングＴＦＴ４１０ａのゲート端子Ｇでゲート駆動部（図示せず）からゲート駆動信号の印加を受けて、スイッチング動作を行う。ゲート駆動部は、指紋をスキャニングするように設定されたフレームごとに、スイッチングＴＦＴ４１０ａをスイッチングするためのゲート駆動信号を出力することによって、ＴＦＴ指紋認識基板４００を通じて入力された指紋の画像を配列されたセンサＴＦＴ４１０ｂ毎にスキャンしたフレームを形成するようにする。
【００３３】
また、スイッチングＴＦＴ４１０ａのドレイン端子Ｄは、センサ信号出力ラインを通じて外部のデータ読み出し部内の増幅部に接続され、スイッチングＴＦＴ４１０ａがターンオンされた場合、保存キャパシタＣｓｔに充電された電荷量に比例する電圧が出力される。センサＴＦＴ４１０ｂのソース端子Ｓから出力される信号が増幅部を通じて増幅される。増幅部の信号出力端は、マルチプレクサなどに接続されて単一信号として出力される。
【００３４】
図６は、本発明の一実施例による、ＴＦＴ指紋認識基板と、ＣＯＡ構造のＴＦＴ基板と、ゲート集積回路と、データ集積回路との配置を示す概略的なブロック図である。ゲート集積回路は、ゲート駆動部を集積回路に具現したものであって、データ集積回路はデータ読み出し部を集積回路に具現したものである。
【００３５】
図６を参照すると、ＴＦＴ−ＬＣＤ基板６１０の上側には、第１データ集積回路６１２が隣接配置されかつ接続され、左側には第１ゲート集積回路６１４が隣接は位置されかつ接続される。また、指紋認識基板６２０の下側には第２データ集積回路６２２が隣接配置されかつ接続され、右側には第２ゲート集積回路６２４が隣接配置されかつ接続される。ＴＦＴ−ＬＣＤ基板６１０の上には、ＴＦＴ指紋識別基板６２０が配置される。
【００３６】
ＴＦＴ基板６１０と指紋認識基板６２０を付着する場合、ゲート集積回路とデータ集積回路を有するＴＦＴ指紋認識基板６２０を実装したＴＦＴ−ＬＣＤパネルの全体厚さが増加しないようにする必要がある。したがって、ＴＦＴ基板６１０と指紋認識基板６２０に付着されるゲート集積回路とデータ集積回路を、互いに重ならないように配置する。例えば、第１データ集積回路６１２がＴＦＴ基板６１０の上側（又は下側）に配置されると、第２データ集積回路６２２は指紋認識基板６２０の下側（又は上側）に配置され、第１ゲート集積回路６１４がＴＦＴ基板６１０の左側（又は右側）に配置されると、第２ゲート集積回路６２４は指紋認識基板６２０の右側（又は左側）に配置される。
【００３７】
以下、ＴＦＴ指紋認識基板４００の単位セルの製造工程を説明した後、ＴＦＴ−ＬＣＤパネルの１つの画素の製造工程に対して説明する。
図７は、図４の指紋認識基板の単位セルの平面図を示し、図８は図７のＡ−Ａ’に沿って見た断面図であり、図９Ａ〜図１４Ｃは、図７の指紋認識基板の単位セルの製造工程を説明するための平面図及び断面図である。
【００３８】
図７及び図８を参照すると、指紋認識基板の単位セルには、センサＴＦＴ４１０ｂ、スイッチングＴＦＴ４１０ａ、そして第１電極層４３２及び第２電極層４３６で構成された保存キャパシタＣｓｔが形成される。センサＴＦＴ４１０ｂのゲート電極４２１とスイッチングＴＦＴ５１０ａのゲート電極４０１はそれぞれ、センサＴＦＴ４１０ｂのゲートライン４７０−ｎ及びスイッチングＴＦＴ４１０ａのゲートライン４６０−ｎの一部であることができ、又は分枝であることもできる。第２電極層４３６は、センサＴＦＴ４１０ｂのゲートライン４７０−ｎに接続されている。
【００３９】
図９Ａ及び図９Ｂを参照すると、ガラス、石英、又はサファイアからなる第１透明基板４１２上に、センサＴＦＴ４１０ｂのゲート電極４２１、スイッチングＴＦＴ４１０ａのゲート電極４０１が形成される。
【００４０】
図１０Ａ及び図１０Ｂを参照すると、センサＴＦＴ４１０ｂのゲート電極４２１、スイッチングＴＦＴ４１０ａのゲート電極４０１上に、例えば、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）からなるゲート絶縁膜が形成される。ゲート絶縁膜４０３上には、非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）及びｎ＋非晶質シリコンからなる、センサＴＦＴ４１０ｂのチャネル領域４２３及びスイッチングＴＦＴ４１０ａのチャネル領域４０５が、ＰＥＣＶＤ方式によって形成される。
【００４１】
図１１Ａ及び図１１Ｂを参照すると、上記の構造上に金属膜からなるデータ配線が形成される。データ配線は、センサＴＦＴ４１０ｂのソース電極４２５及びドレイン電極４２７、スイッチング薄膜トランジスタ４１０ａのソース電極４０９及びドレイン電極４０７、ゲートライン４６０−ｎ、４７０−ｎと交差するセンサ信号出力ライン４８０−ｍ、及び、外部電源線（ＶＤＤ）４８５−ｍを含む。望ましくは、ゲートライン４６０−ｎ、４７０−ｎとセンサ信号出力ライン４８０−ｍは、ＩＴＯのような透明電極で形成する。
【００４２】
図１２Ａ及び図１２Ｂを参照すると、生成され構造上に保存キャパシタＣｓｔを作るために、ＩＴＯからなる第１電極４３２を形成する。
図１３Ａ及び図１３Ｂを参照すると、データ配線及び第１電極４３２上に絶縁層４３４を形成し、保存キャパシタＣｓｔを作るために、第１電極４３２と対向するように絶縁層４３４上にＩＴＯからなる第２電極４３６を形成する。
【００４３】
図１４Ａ及び図１４Ｂを参照すると、チャネル領域４０５の上部の絶縁層４３４上には、第２電極４３６と同層に、クロム／クロム酸化物（Ｃｒ／ＣｒｘＯｙ）からなる光遮断層４３８が形成される。光遮断層４３８、第２電極層４３６、及び絶縁層４３４上には、これらを外部環境から保護するための層間絶縁層４４０が形成される。
【００４４】
光遮断層４３８を第２電極層４３６と同層に形成しなくてもよい。図１４Ｃを参照すると、光遮断層４３８は、層間絶縁層４４０を形成した後、スイッチングＴＦＴ４１０ａのチャネル領域４０５上部の層間絶縁層４４０上に形成することもできる。
【００４５】
図１５Ａは、図３のＴＦＴ指紋認識基板を実装したＴＦＴ指紋認識基板の一つの画素の平面図を示し、図１５Ｂは図１５ＡのＢ−Ｂ’に沿って見た断面図であり、図１５Ｃは図１５ＡのＣ−Ｃ’に沿って見た断面図である。
図１５Ａ、図１５Ｂ及び図１５Ｃを参照すると、ＴＦＴ−ＬＣＤパネルは、カラーフィルタ３３６が薄膜トランジスタ３１０及びデータライン３３４−ｊ、３３４−（ｊ＋１）にセルフアラインされるように形成されるカラーフィルタオンアレイ（ＣＯＡ）構造を有する。
【００４６】
ＴＦＴ−ＬＣＤパネルの１つの画素は、薄膜トランジスタ３１０、薄膜トランジスタ３１０と接続されるゲートライン３２１−ｉ、及びデータライン３３４−ｊ、カラーフィルタ３４０、有機絶縁膜３３８及び画素電極３４０などを含む。
【００４７】
カラーフィルタオンアレイ（ＣＯＡ）構造を有するＴＦＴ−ＬＣＤパネルは、薄膜トランジスタ３１０上に絶縁膜（すなわち有機絶縁膜）の代わりに感光性の赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、及び青色（Ｂ）カラーフィルタ３３６を形成する。即ち、ガラスのような材質からなる第２透明基板３３０上に薄膜トランジスタ３１０を形成し、その上にカラーフィルタ３３６を形成した後、薄膜トランジスタ３１０のドレイン電極３１１の第１部分を露出する第１コンタクトホールを形成する。
その結果得られた第１コンタクトホールを有する構造の表面全体上に、スイッチング薄膜トランジスタ３１０のドレイン電極３１１の第２部分を露出する第２コンタクトホールを有する有機保護膜３３８を形成する。ドレイン電極３１１の第２部分は、ドレイン電極の第１部分に対応するように、ドレイン電極３１１の第１部分の上に形成される。
そして、第２コンタクトホールを有する構造の表面全体に、スイッチング薄膜トランジスタ３１０のドレイン電極３１１と電気的に接触できるように、該ドレイン電極３１１の第３部分を露出する第３コンタクトホールを有する画素電極３４０を形成する。ドレイン電極３１１の第３部分は、ドレイン電極の第２部分に対応するように、ドレイン電極３１１の第２部分の上に形成される。
有機絶縁膜３３８は形成しなくてもよい。すなわち、スイッチング薄膜トランジスタ３１０が形成されている第２透明基板３３０上にカラーフィルタ３３６を形成した後、有機絶縁膜の代わりに画素電極３４０を、第１コンタクトホールを有する構造の表面全体にわたって形成してもよい。
【００４８】
薄膜トランジスタ３１０は、ガラスのような材質からなる第２透明基板３３０上に形成されたゲート電極３０１、ゲート絶縁膜３０３、アクティブパターン３０５、オーミックコンタクトパターン３０７、ソース電極３０９及びドレイン電極３１１で構成される。
【００４９】
図１６Ａ〜図２０Ｃは、図１５ＡのＴＦＴ基板の１つの画素の製造工程を説明するための平面図及び断面図である。
【００５０】
まず、図１６Ａ及び図１６Ｂを参照すると、第２透明基板３３０上にＡｌ−Ｎｄ又はＡｌ−Ｎｄ／Ｃｒからなる金属膜をスパッタリングによって蒸着し、第１マスクを用いて金属膜をパターニングしてゲートライン３２１及びゲートライン３２１から分岐したゲート電極３０１を形成する。
【００５１】
図１７Ａ及び図１７Ｂを参照すると、ゲートライン３２１及びゲート電極３０１が形成された第２透明電極３３０の全表面にシリコン窒化物からなるゲート絶縁膜３０３を塗布する。第２マスクを用いて、ゲート絶縁膜３０３上にゲート電極３０１と対応する位置に非晶質シリコンからなるアクティブパターン３０５及びｎ＋非晶質シリコンからなるオーミックコンタクトパターン３０７を形成する。
【００５２】
図１８Ａ、図１８Ｂ及び図１８Ｃを参照すると、オーミックコンタクトパターン３０７及びゲート絶縁膜３０３上には、クロム（Ｃｒ）のような金属膜をスパッタリングによって蒸着した後、第３マスクを用いて金属膜をパターニングしてデータ配線を形成する。ここで、データ配線は、スイッチング薄膜トランジスタ４１０ａのドレイン電極３１１及びソース電極３０９、第２電極層３２３、データライン３３４−ｊ、３３４−（ｊ＋１）、及びデータパッド(図示せず)を含む。第２電極層３２３は、ストレージ電極とも称し、下部のゲートライン３２１と共にストレージキャパシタを構成する。
【００５３】
図１９Ａ、図１９Ｂ、及び図１９Ｃを参照すると、第４マスクを用いてオーミックコンタクトパターンをイオンエッチングしてゲート電極３０１上部にチャネルを形成した後、その全面に、シリコン窒化物からなる絶縁膜３３５を蒸着する。絶縁膜３３５上に赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、及び青色（Ｂ）カラーフィルタ３３６を塗布した後、第５マスクを用いてカラーフィルタ３３６をパターニングしてカラーフィルタ３３６上にコンタクトホール３４５ａ、３４５ｂを形成する。
【００５４】
図２０Ａ、図２０Ｂ、及び図２０Ｃを参照すると、生成された構造の全表面にアクリル系樹脂からなる有機絶縁膜３３８を塗布した後、第６マスクを用いてフォトリソグラフィ工程により有機絶縁膜３３８をパターニングしてコンタクトホールを形成する。その上に、第７マスクを用いてフォトリソグラフィ工程によりＩＴＯからなる画素電極３４０を形成する。画素電極３４０は第３電極３２３と接続される。
【００５５】
本発明によるＴＦＴ指紋認識基板を実装したＴＦＴ−ＬＣＤパネルのＴＦＴ基板の構造において、カラーフィルタを薄膜トランジスタ上に形成することもできるが、カラーフィルタを薄膜トランジスタの下部に形成することもできる。
図２１は、本発明の他の実施例による図３のＴＦＴ指紋認識基板を実装したＴＦＴ−ＬＣＤの一つの画素を示す断面図である。
図２１を参照すると、ＴＦＴ基板５００は、下部透明基板３３０、データ配線、カラーフィルタ３３６、絶縁膜３３８、ゲート配線、薄膜トランジスタ３１０及び画素電極３４０を含む。
【００５６】
データ配線は、ガラスのような材質からなる下部透明基板３３０上に形成され、データライン３３４ａ、３３４ｂ及びデータパッド（図示せず）を含む。データラインは、図２１に示したように上部膜３３４ａと下部膜３３４ｂからなる二重膜で構成することもでき、導電性物質からなる単一膜で構成することもできる。例えば、上部膜３３４ａは、他の物質との接触特性がよい物質であるクロム（Ｃｒ）からなることができる。例えば、下部膜は低抵抗物質であるアルミニウム、アルミニウム合金又は銅（Ｃｕ）などからなることができる。データラインの一部は光遮断層（即ち、ブラックマトリクス）として作用して下部透明基板３３０の下部から入射される光を遮断する機能を果たすことができる。
【００５７】
カラーフィルタ３３６は、データ配線が形成された下部透明基板３３０上に形成され、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、及び青色（Ｂ）カラーフィルタ３３６からなる。カラーフィルタ３３６は、カラーフィルタ３３６のエッジ部分がデータライン３３４ａ、３３４ｂ及びデータパッドをカバーするように形成することができる。
絶縁膜３３８は、カラーフィルタ３３６上に形成され、望ましくは有機絶縁膜からなることができる。
ゲート配線は、絶縁膜３３８上に形成され、ゲートライン３２１とゲートパッド（図示せず）を含む。
薄膜トランジスタ３１０は、ゲート電極３０１、ゲート絶縁膜３０３、ソース電極３０９、ドレイン電極３１１、アクティブパターン３０５及びオーミックコンタクトパターン３０７を含む。
【００５８】
画素電極３４０は、ＩＴＯ又はＩＺＯのような透明な導電性物質からなる。画素電極３４０は、薄膜トランジスタ３１０のドレイン電極３１１と電気的に接続される。
ソース電極３０９は、該電極上に形成されたコンタクトホール３４５ｃを通じて、データライン３３４ａ、３３４ｂと電気的に接続される。
【００５９】
本発明の実施例によると、ゲートライン３２１とデータライン３３４ａ、３３４ｂは、光遮断層の機能を有することができるので、液晶層を間にしてＴＦＴ基板の上部に位置する上部透明基板（図示せず）に光遮断層を形成する必要がない。したがって、上部透明基板と下部透明基板の整列誤差が低減されるので、ＴＦＴ−ＬＣＤパネルの開口率を向上させることができ、画像表示特性が向上する。
一方、ＴＦＴ基板の上部に位置するＴＦＴ指紋認識基板の構造は、前述したＴＦＴ指紋認識基板と類似であるので省略する。
【００６０】
以上、本発明の実施例によって詳細に説明したが、本発明はこれに限定されず、本発明が属する技術分野において通常の知識を有するものであれば本発明の思想と精神を離脱することなく、本発明を修正または変更できる。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】ＴＦＴ指紋認識基板を実装したＴＦＴ−ＬＣＤパネルを有する携帯の概略的な斜視図である。
【図２】図１のＴＦＴ指紋認識基板が実装されたＴＦＴ−ＬＣＤパネルの断面図である。
【図３】本発明の望ましい一実施例による、ＴＦＴ指紋認識基板を実装したカラーフィルタオンアレイ（ＣＯＡ）構造のＴＦＴ−ＬＣＤパネルの断面図である。
【図４】図３のＴＦＴ指紋認識基板の単位セルの概略断面図である。
【図５】図４のＴＦＴ指紋認識基板の単位セルに対する等価回路を示す。
【図６】本発明の一実施例による、ＴＦＴ指紋認識基板、カラーフィルタ搭載アレイ構造のＴＦＴ基板、ゲート駆動集積回路、及びデータ駆動集積回路の配置関係を示す概略ブロック図である。
【図７】図４のＴＦＴ指紋識別基板の単位セルの平面図である。
【図８】図７のＡ−Ａ’に沿って見た断面図である。
【図９Ａ】図７のＴＦＴ指紋認識基板の単位セルの製造工程を説明するための平面図及び断面図である。
【図９Ｂ】図７のＴＦＴ指紋認識基板の単位セルの製造工程を説明するための平面図及び断面図である。
【図１０Ａ】図７のＴＦＴ指紋認識基板の単位セルの製造工程を説明するための平面図及び断面図である。
【図１０Ｂ】図７のＴＦＴ指紋認識基板の単位セルの製造工程を説明するための平面図及び断面図である。
【図１１Ａ】図７のＴＦＴ指紋認識基板の単位セルの製造工程を説明するための平面図及び断面図である。
【図１１Ｂ】図７のＴＦＴ指紋認識基板の単位セルの製造工程を説明するための平面図及び断面図である。
【図１２Ａ】図７のＴＦＴ指紋認識基板の単位セルの製造工程を説明するための平面図及び断面図である。
【図１２Ｂ】図７のＴＦＴ指紋認識基板の単位セルの製造工程を説明するための平面図及び断面図である。
【図１３Ａ】図７のＴＦＴ指紋認識基板の単位セルの製造工程を説明するための平面図及び断面図である。
【図１３Ｂ】図７のＴＦＴ指紋認識基板の単位セルの製造工程を説明するための平面図及び断面図である。
【図１４Ａ】図７のＴＦＴ指紋認識基板の単位セルの製造工程を説明するための平面図及び断面図である。
【図１４Ｂ】図７のＴＦＴ指紋認識基板の単位セルの製造工程を説明するための平面図及び断面図である。
【図１４Ｃ】図７のＴＦＴ指紋認識基板の単位セルの製造工程を説明するための平面図及び断面図である。
【図１５Ａ】図３のＴＦＴ指紋認識基板一つの画素の平面図を示す。
【図１５Ｂ】図１５ＡのＢ−Ｂ’に沿って見た断面図である。
【図１５Ｃ】図１５ＡのＣ−Ｃ’に沿って見た断面図である。
【図１６Ａ】図１５ＡのＴＦＴ指紋識別基板の１つの画素の製造工程を説明するための平面図及び断面図である。
【図１６Ｂ】図１５ＡのＴＦＴ指紋識別基板の１つの画素の製造工程を説明するための平面図及び断面図である。
【図１７Ａ】図１５ＡのＴＦＴ指紋識別基板の１つの画素の製造工程を説明するための平面図及び断面図である。
【図１７Ｂ】図１５ＡのＴＦＴ指紋識別基板の１つの画素の製造工程を説明するための平面図及び断面図である。
【図１８Ａ】図１５ＡのＴＦＴ指紋識別基板の１つの画素の製造工程を説明するための平面図及び断面図である。
【図１８Ｂ】図１５ＡのＴＦＴ指紋識別基板の１つの画素の製造工程を説明するための平面図及び断面図である。
【図１８Ｃ】図１５ＡのＴＦＴ指紋識別基板の１つの画素の製造工程を説明するための平面図及び断面図である。
【図１９Ａ】図１５ＡのＴＦＴ指紋識別基板の１つの画素の製造工程を説明するための平面図及び断面図である。
【図１９Ｂ】図１５ＡのＴＦＴ指紋識別基板の１つの画素の製造工程を説明するための平面図及び断面図である。
【図１９Ｃ】図１５ＡのＴＦＴ指紋識別基板の１つの画素の製造工程を説明するための平面図及び断面図である。
【図２０Ａ】図１５ＡのＴＦＴ指紋識別基板の１つの画素の製造工程を説明するための平面図及び断面図である。
【図２０Ｂ】図１５ＡのＴＦＴ指紋識別基板の１つの画素の製造工程を説明するための平面図及び断面図である。
【図２０Ｃ】図１５ＡのＴＦＴ指紋識別基板の１つの画素の製造工程を説明するための平面図及び断面図である。
【図２１】本発明の他の実施例による、図３のＴＦＴ指紋認識基板を実装したＴＦＴ−ＬＣＤパネルのうち、一つの画素の断面図である。
【図１】
0004542430.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１１Ａ】
0004542430.tif 000014
【図１１Ｂ】
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【図１２Ａ】
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【図１２Ｂ】
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【図１３Ａ】
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【図１３Ｂ】
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【図１４Ａ】
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【図１４Ｂ】
0004542430.tif 000021
【図１４Ｃ】
0004542430.tif 000022
【図１５Ａ】
0004542430.tif 000023
【図１５Ｂ】
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【図１５Ｃ】
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【図１６Ａ】
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【図１６Ｂ】
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【図１７Ａ】
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【図１７Ｂ】
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【図１８Ａ】
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【図１８Ｂ】
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【図１８Ｃ】
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【図１９Ａ】
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【図１９Ｂ】
0004542430.tif 000034
【図１９Ｃ】
0004542430.tif 000035
【図２０Ａ】
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【図２０Ｂ】
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【図２０Ｃ】
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【図２１】
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