(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面方向に対して傾斜した複数の面を有する凹凸構造からなり、所定の波長以上の波長の光の反射を抑制する光反射防止構造を有する光反射防止構造体をＸ線リソグラフィーにより製造するためのＸ線リソグラフィー用マスクであって、
Ｘ線を透過させる透過基板と、
上記透過基板の上に上記光反射防止構造により反射が抑制される光の波長以下のピッチで板面方向に沿って配置されたＸ線を遮蔽する複数の粒状体からなるＸ線遮蔽層と、
を備えたＸ線リソグラフィー用マスク。
【請求項２】
請求項１に記載されたＸ線リソグラフィー用マスクにおいて、
上記凹凸構造は複数の錐体状突起部により構成されているＸ線リソグラフィー用マスク。
【請求項３】
請求項２に記載されたＸ線リソグラフィー用マスクにおいて、
上記錐体状突起部相互間のピッチは、上記光反射防止構造により反射が抑制される光の波長以下であるＸ線リソグラフィー用マスク。
【請求項４】
請求項１に記載されたＸ線リソグラフィー用マスクにおいて、
上記各粒状体は、粒状体本体と、該粒状体本体の表面を被覆し、Ｘ線遮蔽材料を含むＸ線遮蔽膜とを備えているＸ線リソグラフィー用マスク。
【請求項５】
表面方向に対して傾斜した複数の面を有する凹凸構造からなり、所定の波長以上の波長の光の反射を抑制する光反射防止構造を有する光反射防止構造体をＸ線リソグラフィーにより製造するためのＸ線リソグラフィー用マスクを製造するための方法であって、
Ｘ線を透過させる透過基板を用意する工程と、
上記透過基板上に、Ｘ線を遮蔽する複数の粒状体を上記光反射防止構造により反射が抑制される光の波長以下のピッチで板面方向に沿って配置する配置工程と、
を備えたＸ線リソグラフィー用マスクの製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載されたＸ線リソグラフィー用マスクの製造方法において、
上記配置工程は、液体中に上記複数の粒状体を分散混入させて粒状体分散液を調製する工程と、該粒状体分散液を上記透過基板上に塗布する工程と、該粒状体分散液が塗布された透過基板から上記液体を除去することにより上記複数の粒状体を配置する工程とを含むＸ線リソグラフィー用マスクの製造方法。
【請求項７】
請求項５に記載されたＸ線リソグラフィー用マスクの製造方法において、
上記凹凸構造は複数の錐体状突起部により構成されているＸ線リソグラフィー用マスクの製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載されたＸ線リソグラフィー用マスクの製造方法において、
上記錐体状突起部相互間のピッチは、上記光反射防止構造により反射が抑制される光の波長以下であるＸ線リソグラフィー用マスクの製造方法。
【請求項９】
請求項５に記載されたＸ線リソグラフィー用マスクの製造方法において、
上記各粒状体は、粒状体本体と、該粒状体本体の表面を被覆し、Ｘ線遮蔽材料を含むＸ線遮蔽膜とを備えているＸ線リソグラフィー用マスクの製造方法。
【請求項１０】
Ｘ線を透過させる透過基板と、該透過基板の上に上記光反射防止構造により反射が抑制される光の波長以下のピッチで板面方向に沿って配置されたＸ線を遮蔽する複数の粒状体からなるＸ線遮蔽層とを備えたＸ線リソグラフィー用マスクを用いて、表面方向に対して傾斜した複数の面を有する凹凸構造からなり、所定の波長以上の波長の光の反射を抑制する光反射防止構造を有する光反射防止構造体を製造する方法であって、
構造体形成用基板上に実質的にＸ線感光材料からなるＸ線感光膜を形成する工程と、
上記Ｘ線感光膜が形成された構造体形成用基板の上方に、上記Ｘ線遮蔽層が該構造体形成用基板に対向するようにＸ線リソグラフィー用マスクを配置する工程と、
上記Ｘ線リソグラフィー用マスクを介して上記Ｘ線感光膜にＸ線を照射した後に現像することにより該Ｘ線感光膜を所定パターンにパターニングする工程と、
上記パターニングされたＸ線感光膜の上から上記構造体形成用基板をエッチングして該構造体形成用基板に上記光反射防止構造を形成する工程と、
を備えた光反射防止構造体の製造方法。
【請求項１１】
Ｘ線を透過させる透過基板と、該透過基板の上に上記光反射防止構造により反射が抑制される光の波長以下のピッチで板面方向に沿って配置されたＸ線を遮蔽する複数の粒状体からなるＸ線遮蔽層とを備えたＸ線リソグラフィー用マスクを用いて、表面方向に対して傾斜した複数の面を有する凹凸構造からなり、所定の波長以上の波長の光の反射を抑制する光反射防止構造を有する光反射防止構造体を製造する方法であって、
実質的にＸ線感光材料からなる構造体形成用基板の上方に、上記Ｘ線遮蔽層が該構造体形成用基板に対向するようにＸ線リソグラフィー用マスクを配置する工程と、
上記Ｘ線リソグラフィー用マスクを介して上記構造体形成用基板にＸ線を照射した後に現像することにより該構造体形成用基板に上記光反射防止構造を形成する工程と、
を備えた光反射防止構造体の製造方法。
【請求項１２】
Ｘ線を透過させる透過基板と、該透過基板の上に上記光反射防止構造により反射が抑制される光の波長以下のピッチで板面方向に沿って配置されたＸ線を遮蔽する複数の粒状体からなるＸ線遮蔽層とを備えたＸ線リソグラフィー用マスクを用いて、表面方向に対して傾斜した複数の面を有する凹凸構造からなり、所定の波長以上の波長の光の反射を抑制する光反射防止構造を有する光反射防止構造体を製造する方法であって、
構造体形成用基板上にエッチングマスク膜を形成する工程と、
上記エッチングマスク膜の上に実質的にＸ線感光材料からなるＸ線感光膜を形成する工程と、
上記Ｘ線感光膜が形成された構造体形成用基板の上方に、上記Ｘ線遮蔽層が該構造体形成用基板に対向するようにＸ線リソグラフィー用マスクを配置する工程と、
上記Ｘ線リソグラフィー用マスクを介して上記Ｘ線感光膜にＸ線を照射した後に現像することにより該Ｘ線感光膜を所定パターンにパターニングする工程と、
上記パターニングされたＸ線感光膜の上から上記エッチングマスク膜をエッチングして該エッチングマスク膜を所定のパターンにパターニングする工程と、
上記パターニングされたエッチングマスク膜の上から上記構造体形成用基板をエッチングして該構造体形成用基板に上記光反射防止構造を形成する工程と、
を備えた光反射防止構造体の製造方法。
【請求項１３】
請求項１０乃至１２のいずれか一項に記載された光反射防止構造体の製造方法において、
上記凹凸構造は複数の錐体状突起部により構成されている光反射防止構造体の製造方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載された光反射防止構造体の製造方法において、
上記錐体状突起部相互間のピッチは、上記光反射防止構造により反射が抑制される光の波長以下である光反射防止構造体の製造方法。
【請求項１５】
請求項１０乃至１２のいずれか一項に記載された光反射防止構造体の製造方法において、
上記各粒状体は、粒状体本体と、該粒状体本体の表面を被覆し、Ｘ線遮蔽材料を含むＸ線遮蔽膜とを備えている光反射防止構造体の製造方法。
【請求項１６】
請求項１０乃至１２のいずれか一項に記載された光反射防止構造体の製造方法において、
上記光反射防止構造体は光学素子である光反射防止構造体の製造方法。
【請求項１７】
表面方向に対して傾斜した複数の面を有する凹凸構造からなり、所定の波長以上の波長の光の反射を抑制する光反射防止構造を有する光学素子を製造するための成形型を製造する方法であって、
請求項１０乃至１２のいずれか一項に記載された製造方法により光反射防止構造体を製造する工程と、
上記光反射防止構造体を金属のイオンを含有する電解液に浸漬して、該金属イオンを上記光反射防止構造上に付着堆積させることにより、実質的に該金属からなる被形成物を形成する工程と、
上記金属からなる被形成物を上記光反射防止構造体から分離して上記成形型とする工程と、
を備えた成形型の製造方法。
【請求項１８】
請求項１７に記載された成形型の製造方法において、
上記光反射防止構造体を無電解メッキ用溶液に浸漬し、上記光反射防止構造上に導電性を有する導電層を形成する工程をさらに備え、
上記被形成物は上記導電層の上に形成する成形型の製造方法。
【請求項１９】
請求項１７に記載された成形型の製造方法において、
上記被形成物を上記光反射防止構造体から分離する工程は、該光反射防止構造体を直接剥離する工程、又は、該光反射防止構造体を塩基溶液に浸漬することにより該光反射防止構造体から分離する工程である成形型の製造方法。
【請求項２０】
所定波長以上の波長の光の反射を抑制する光反射防止構造を有するガラス被成形物を製造する方法であって、
請求項１０又は１２に記載された製造方法により光反射防止構造体を製造する工程と、
上記光反射防止構造体に離型膜を形成してガラス成形用型を作成し、所定の温度に加熱したガラス材を、該ガラス成形用型でプレス成形することにより上記ガラス被成形物を得ることを特徴とするガラス被成形物の製造方法。
【請求項２１】
請求項２０に記載されたガラス被成形物の製造方法において、
上記ガラス被成形物はガラス材をプレス成形するための成形型であるガラス被成形物の製造方法。
【請求項２２】
請求項２０に記載されたガラス被成形物の製造方法において、
上記ガラス被成形物は光学素子であるガラス被成形物の製造方法。
【請求項２３】
所定波長以上の波長の光の反射を抑制する光反射防止構造を有する樹脂被成形物を製造する方法であって、
請求項１０又は１２に記載された製造方法により光反射防止構造体を製造する工程と、
上記光反射防止構造体が嵌合装入されるキャビティーと、該キャビティーに連通する開口とを備えた型本体を用意する工程と、
上記光反射防止構造が露出するように、上記キャビティーに上記光反射防止構造体を嵌合装入する工程と、
上記開口から上記キャビティー内に樹脂を注入充填する工程と、
上記キャビティー内において上記注入された樹脂を固化して上記光反射防止構造を転写させることにより上記樹脂被成形物を得る工程と、
を備えた樹脂被成形物の製造方法。
【請求項２４】
請求項２３に記載された樹脂被成形物の製造方法において、
上記樹脂被成形物は光学素子である樹脂被成形物の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、Ｘ線リソグラフィー用マスク、そのＸ線リソグラフィー用マスクの製造方法、そのＸ線リソグラフィー用マスクを用いた光反射防止構造体の製造方法、及びその光反射防止構造体を用いた成形型、ガラス被成形物、又は樹脂被成形物の製造方法に関する。詳細には、本発明に係るＸ線リソグラフィー用マスクは光反射防止構造体をＸ線リソグラフィーにより製造するためのものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、光の反射を抑制する光反射防止処理が表面に施された種々の光学素子が提案されている。光反射防止処理としては、例えば、屈折率の比較的低い膜（低屈折率膜）や、低屈折率膜と屈折率の比較的高い膜（高屈折率膜）とを交互に積層してなる多層膜等からなる光反射防止膜を表面に形成する処理が挙げられる（例えば、特許文献１等）。一般的に、このような低屈折率膜や多層膜等からなる光反射防止膜は、蒸着法や、スパッタリング法等により形成される。
【０００３】
しかしながら、蒸着法やスパッタリング法等を用いた光反射防止膜の形成工程は、複雑である。このため、光反射防止膜は、生産性が低く、また生産コストが高いという問題がある。
【０００４】
また、このような光反射防止膜は、波長依存性が大きいという問題がある。具体的には、所定の波長（設計波長）の光に対しては高い光反射防止機能を有するものの、その他の波長の光に対しては十分な光反射防止機能を有さないという問題がある。このため、低屈折率膜や多層膜等からなる光反射防止膜では、撮像光学系などにおいて必要とされる可視波長域全域に亘る光反射防止効果を実現することは困難である。
【０００５】
さらには、低屈折率膜や多層膜等からなる光反射防止膜は、垂直入射光に対しては比較的高い光反射防止効果を有するものの、入射角が大きくなると光反射防止効果が小さくなるという入射角依存性を有する。すなわち、入射角の大きな光に対しては十分な光反射防止効果が得られないという問題もある。
【０００６】
このような問題に鑑み、例えば、サブミクロンピッチで配列された複数の錐体状突起部からなる光反射防止構造（以下、「光反射防止凹凸構造」とすることがある。）が提案されている。この光反射防止凹凸構造を有する光学素子では、光学素子界面における急激な屈折率変化が抑制される。すなわち、光反射防止凹凸構造において緩やかに屈折率が変化する。このため、光学素子表面における光反射が低減され、光学素子内への高い光入射率を実現することができる。この光反射防止凹凸構造によれば、錐体状突起部相互間のピッチ以上の波長を有する光の反射を抑制することができる。また、光反射防止凹凸構造は、入射角の大きい光に対しても比較的高い反射抑制効果を奏する。すなわち、この光反射防止凹凸構造は、波長依存性が小さく、入射角依存性も小さいものである。従って、この光反射防止凹凸構造を用いることにより、広い波長域における高い光反射防止効果を有する光学素子、光学系等を実現することができる。
【０００７】
尚、光反射防止凹凸構造の形成方法としては、例えば、Ｘ線リソグラフィーの技術を用いた方法が提案されている。Ｘ線は、波長が短く直進性に優れているので、Ｘ線リソグラフィーは従来加工が困難であったサブミクロンレベルの微細な構造を加工するのに適している。例えば、特許文献２、３等には、Ｘ線リソグラフィーの技術を用いて微細な構造を加工する技術が開示されている。
【特許文献１】特許第２５６６６３４号公報
【特許文献２】特開２０００−０３５５００号公報
【特許文献３】特許第３５２１２０５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
特許文献２、３等に記載されたＸ線リソグラフィーの技術において、通常、Ｘ線は当倍で露光される。このため、Ｘ線露光工程には原寸マスクが必要となる。すなわち、加工しようとする光反射防止凹凸構造と同じ形状寸法のパターンが形成されたＸ線マスクが必要となる。このため、例えば、可視光の反射を抑制することができる光反射防止凹凸構造を作製しようとすると、可視光の波長以下のサブミクロンサイズの微細パターンを有するＸ線マスクを作製しなければならない。
【０００９】
サブミクロンサイズの微細パターンを有するＸ線マスクの製造方法としては、電子線（ＥＢ）描画法が挙げられる。しかしながら、電子線（ＥＢ）描画法により従来のサブミクロンサイズの微細パターンを有するＸ線マスクを作製するためには、長い製作期間及び多大な費用を要するという問題がある。このため、従来のサブミクロンサイズのパターンを有するＸ線マスクを用いた場合、光反射防止凹凸構造の作成にかかるコストが高くなってしまうという問題がある。具体的には、サブミクロンサイズのパターンのＸ線マスクの面積が大きいほど、加工時間が長くなり、例えば、５０ｍｍ角の面積にパターンをＥＢで描画しようとすると、約５００時間もの長時間を要することとなる。
【００１０】
以上の如く、従来のＸ線リソグラフィー用マスクは作製コストが高く、また長い制作時間を要するため、従来のＸ線リソグラフィー用マスクを用いては、安価且つ容易に光反射防止凹凸構造を形成することが困難であるという問題がある。
【００１１】
本発明は係る点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、安価且つ容易に作製可能なＸ線リソグラフィー用マスクを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明に係るＸ線リソグラフィー用マスクは、光反射防止構造を有する光反射防止構造体をＸ線リソグラフィーにより製造するためのものである。光反射防止構造は、表面方向に対して傾斜した複数の面を有する凹凸構造からなり、所定の波長以上の波長の光の反射を抑制するものである。本発明に係るＸ線リソグラフィー用マスクは、Ｘ線を透過させる透過基板と、透過基板の上に板面方向に沿って配置されたＸ線を遮蔽する複数の粒状体からなるＸ線遮蔽層とを備えている。複数の粒状体は光反射防止構造により反射が抑制される光の波長以下のピッチで配列されている。
【００１３】
尚、本明細書において、「光反射防止構造」とは、光の反射率を低減する構造のことをいい、完全に光の反射を防止する（すなわち、光反射率が０％である）構造に限定されるものではない。また、本明細書において「Ｘ線を透過させる」とは１００％の透過率でＸ線を透過させることに限定されるものではない。
【００１４】
「ピッチ」とは、平面視における中心間距離をいう。例えば、粒状体相互間のピッチとは、平面視にける、隣接する粒状体の中心相互間の距離をいう。
【００１５】
「粒状体」は球状、半球状、又は多面体状であってもよい。
【００１６】
また、本明細書において「基板」は、シート状、膜状のものであってもよい。
【００１７】
本発明に係るＸ線リソグラフィー用マスクの製造方法は、本発明に係るＸ線リソグラフィー用マスクを製造するためのものである。すなわち、表面方向に対して傾斜した複数の面を有する凹凸構造からなり、所定の波長以上の波長の光の反射を抑制する光反射防止構造を有する構造体をＸ線リソグラフィーにより製造する際に使用されるＸ線リソグラフィー用マスクを製造するためのものである。
【００１８】
本発明に係るＸ線リソグラフィー用マスクの製造方法は、Ｘ線を透過させる透過基板を用意する工程と、Ｘ線を遮蔽する複数の粒状体を透過基板上に板面方向に沿って配置する配置工程とを備えている。当該製造方法では、複数の粒状体は光反射防止構造により反射が抑制される光の波長以下のピッチで配置される。
【００１９】
本発明に係る光反射防止構造体の製造方法（第１、第２、及び第３の製造方法）は、本発明に係るＸ線リソグラフィー用マスクを用いて行うものである。すなわち、Ｘ線を透過させる透過基板と、透過基板の上に光反射防止構造により反射が抑制される光の波長以下のピッチで板面方向に沿って配置されたＸ線を遮蔽する複数の粒状体からなるＸ線遮蔽層とを備えたＸ線リソグラフィー用マスクを用いて行うものである。
【００２０】
本発明に係る光反射防止構造体の第１の製造方法は、構造体形成用基板上に実質的にＸ線感光材料からなるＸ線感光膜を形成する工程と、Ｘ線感光膜が形成された構造体形成用基板の上方に、Ｘ線遮蔽層が構造体形成用基板に対向するようにＸ線リソグラフィー用マスクを配置する工程と、Ｘ線リソグラフィー用マスクを介してＸ線感光膜にＸ線を照射した後に現像することによりＸ線感光膜を所定パターンにパターニングする工程と、パターニングされたＸ線感光膜の上から構造体形成用基板をエッチングして構造体形成用基板に光反射防止構造を形成する工程とを備えている。
【００２１】
本発明に係る光反射防止構造体の第２の製造方法は、実質的にＸ線感光材料からなる構造体形成用基板の上方に、Ｘ線遮蔽層が構造体形成用基板に対向するようにＸ線リソグラフィー用マスクを配置する工程と、Ｘ線リソグラフィー用マスクを介して構造体形成用基板にＸ線を照射した後に現像することにより構造体形成用基板に光反射防止構造を形成する工程とを備えている。
【００２２】
本発明に係る光反射防止構造体の第３の製造方法は、構造体形成用基板上にエッチングマスク膜を形成する工程と、エッチングマスク膜の上に実質的にＸ線感光材料からなるＸ線感光膜を形成する工程と、Ｘ線感光膜が形成された構造体形成用基板の上方に、Ｘ線遮蔽層が構造体形成用基板に対向するようにＸ線リソグラフィー用マスクを配置する工程と、Ｘ線リソグラフィー用マスクを介してＸ線感光膜にＸ線を照射した後に現像することによりＸ線感光膜を所定パターンにパターニングする工程と、パターニングされたＸ線感光膜の上からエッチングマスク膜をエッチングしてエッチングマスク膜を所定のパターンにパターニングする工程と、パターニングされたエッチングマスク膜の上から構造体形成用基板をエッチングして構造体形成用基板に光反射防止構造を形成する工程とを備えている。
【００２３】
本発明に係る、光反射防止構造を有する光学素子を製造するための成形型の製造方法は、上記本発明に係る光反射防止構造体の製造方法により光反射防止構造体を製造する工程を含むものである。
【００２４】
本発明に係る成形型の製造方法は、光反射防止構造体を金属のイオンを含有する電解液に浸漬して該金属イオンを上記光反射防止構造上に付着堆積させることにより、被形成物を形成する工程と、金属からなる被形成物を光反射防止構造体から分離して成形型とする工程とを備えている。
【００２５】
本発明に係る、光反射防止構造を有するガラス被成形物の製造方法は、上記本発明に係る光反射防止構造体の製造方法により光反射防止構造体を製造する工程を含むものである。
【００２６】
本発明に係るガラス被成形物の製造方法は、所定の温度に加熱したガラス材を、光反射防止構造体の光反射防止構造でプレス成形することによりガラス被成形物を得ることを特徴とする。
【００２７】
本発明に係る、光反射防止構造を有する樹脂被成形物の製造方法は、上記本発明に係る光反射防止構造体の製造方法により光反射防止構造体を製造する工程を含むものである。
【００２８】
本発明に係る樹脂被成形物の製造方法は、光反射防止構造体が嵌合装入されるキャビティーと、キャビティーに連通する開口とを備えた型本体を用意する工程と、光反射防止構造が露出するように、キャビティーに光反射防止構造体を嵌合装入する工程と、開口からキャビティー内に樹脂を注入充填する工程と、キャビティー内において注入された樹脂を固化して光反射防止構造を転写させることにより樹脂被成形物を得る工程と備えている。
【発明の効果】
【００２９】
本発明に係るＸ線リソグラフィー用マスクは、安価且つ容易に作製可能であるため、安価に光反射防止構造を有する構造体を製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００３１】
（実施形態１）
図１は本実施形態１に係るＸ線リソグラフィー用マスク１の断面図である。
【００３２】
図２はＸ線遮蔽粒状体１１の断面図である。
【００３３】
図３はＸ線リソグラフィー用マスク１の一部分を拡大した部分断面図である。
【００３４】
まず、本実施形態１にかかるＸ線リソグラフィー用マスク１の形態について、図１乃至図３を参照しながら詳細に説明する。
【００３５】
図１に示すように、本実施形態１に係るＸ線リソグラフィー用マスク１は、第１の基板（透過基板）１０と、Ｘ線遮蔽層２と、第２の基板１２とを備えている。第２の基板１２は、Ｘ線を遮蔽するＸ線遮蔽材料（例えば、シリコン等）により形成されている。具体的には、第２の基板１２は、例えば、直径１０．１６ｃｍ（４インチ）、厚さ２ｍｍのシリコンウエハ等により形成することができる。第２の基板１２は、第１の基板１０及びＸ線遮蔽層２の保持する機能を有すると共に、不要なＸ線を遮蔽する機能を有するものである。第２の基板１２の中央部には、Ｘ線を透過させるための開口１２ａが形成されている。この開口１２ａの形状寸法は、Ｘ線露光しようとするものの形状寸法に合わせて適宜選択決定することができる。
【００３６】
第１の基板１０は、第２の基板１２の上に、開口１２ａを覆うように形成されている。第１の基板１０は、Ｘ線を透過させる材料により形成されている。Ｘ線を透過させる材料としては、例えば、ＳｉＣ、Ｓｉ３Ｎ４等が挙げられる。具体的には、第１の基板１０は、例えば、ＳｉＣメンブレン等により構成することができる。尚、第１の基板１０は、ある程度の透過率（例えば、５０％以上の透過率）でＸ線を透過させるものであればよく、透過率１００％でＸ線を透過させるものでなくてもよい。
【００３７】
第１の基板１０の厚さは、特に限定されるものではなく、第１の基板１０は、板状、シート状、又は膜状等であってもよい。例えば、第１の基板１０の厚さは１μｍとすることができる。
【００３８】
Ｘ線遮蔽層２は第１の基板１０の上に形成されている。Ｘ線遮蔽層２は、第１の基板１０上に板面方向に沿って配置された複数のＸ線遮蔽粒状体１１により構成されている。Ｘ線遮蔽粒状体１１はＸ線を遮蔽する機能を有する。
【００３９】
尚、Ｘ線遮蔽粒状体１１は、例えば、Ｘ線遮蔽材料を含む（好ましくは、実質的にＸ線遮蔽材料からなる）粒状体（粒子）であってもよい。また、図２に示すように、Ｘ線遮蔽粒状体１１は、例えば、球状の粒状体本体１１ａと、Ｘ線遮蔽膜１１ｂとを備えるものであってもよい。Ｘ線遮蔽膜１１ｂはＸ線を遮蔽するＸ線遮蔽材料を含むものであり、粒状体本体１１ａの表面を被覆するように形成されている。Ｘ線遮蔽材料としては、例えば、金、タンタル、ニッケル、銅、銀、クロム等が挙げられる。また、粒状体本体１１ａは、例えば、実質的に、酸化ケイ素、ポリオレフィン系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ポリエステル系樹脂、アクリル系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、カーボン、アルミニウム、リン、チタン、ジルコニウム、及びイットリウム、からなる群より選ばれた１種又は２種以上の材料からなるものであってもよい。具体的に、ポリオレフィン系樹脂としては、例えば、ポリエチレン（ＰＥ）等が挙げられる。ポリスチレン系樹脂としては、ポリスチレン、アクリル−スチレン（ＡＳ）等が挙げられる。ポリエステル系樹脂としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等が挙げられる。
【００４０】
尚、Ｘ線遮蔽粒状体１１の粒径（詳細には、平均粒径）は、所望する光反射防止凹凸構造のピッチ（設定ピッチ、すなわち、反射抑制波長）に応じて適宜選択決定することができる。例えば、Ｘ線遮蔽粒状体１１の粒径は、光反射防止凹凸構造の設定ピッチ（反射抑制波長）とほぼ同様、又はそれ以下とすることができる。具体的、可視光（４００ｎｍ〜７００ｎｍの波長を有する光）の反射を抑制する光反射防止凹凸構造を形成する場合は、Ｘ線遮蔽粒状体１１の粒径を、反射を抑制しようとする光の最小波長（反射抑制波長）、すなわち３００ｎｍ以下とすることができる。
【００４１】
本実施形態１において、Ｘ線遮蔽粒状体１１の平均粒径（詳細には、平面視における平均粒径）ｔは、このＸ線リソグラフィー用マスク１を用いて形成される光反射防止凹凸構造により反射が抑制される光の波長（詳細には、反射が抑制される光のうち最も波長の短い光の波長。以下、「反射抑制波長」とすることがある。）以下であり、且つ、Ｘ線遮蔽粒状体１１は、その反射抑制波長以下のピッチ（ピッチ：Ｘ線遮蔽粒状体１１の中心Ｃ相互間距離）Ｐ１で配列されている。
【００４２】
このため、図３に示すように、Ｘ線リソグラフィー用マスク１に垂直に入射するＸ線のうち、Ｘ線遮蔽粒状体１１の中央に比較的近い領域（非透過領域：ＮＴＲ）に入射するＸ線はＸ線遮蔽粒状体１１により遮蔽（例えば、吸収及び／又は反射）される。その一方、Ｘ線遮蔽粒状体１１相互間、及びＸ線遮蔽粒状体１１の周辺領域（透過領域：ＴＲ）に入射するＸ線はＸ線遮蔽粒状体１１によってあまり遮蔽されず、比較的高い透過率でＸ線リソグラフィー用マスク１を透過することとなる。すなわち、本実施形態１に係るＸ線リソグラフィー用マスク１では、Ｘ線透過領域ＴＲも、透過領域ＴＲ相互間に非透過領域ＮＴＲを介在させて反射抑制波長以下のピッチで配列されている。従って、本実施形態１に係るＸ線リソグラフィー用マスク１を用いることによって、後に詳述するように、微細な凹凸構造からなる光反射防止凹凸構造を有する構造体を好適に製造することができる。
【００４３】
次に、本実施形態１に係るＸ線リソグラフィー用マスク１の製造方法について、図４乃至図１０を参照しながら詳細に説明する。
【００４４】
図４はＸ線リソグラフィー用マスク１の製造工程を表すフローチャートである。
【００４５】
図５乃至図１０はＸ線リソグラフィー用マスク１の製造工程を表す断面図である。詳細には、図５乃至図７はＸ線遮蔽粒状体１１を作製する工程を表す図である。さらに詳細には、図５はアンモニアを滴下する工程を表す図である。図６は粒状体本体１１ａを形成する工程を表す図である。図７は粒状体本体１１ａの表面をＸ線遮蔽膜１１ｂでコーティングする工程を表す図である。図８は第１の基板１０を形成する工程を表す断面図である。図９は粒状体分散液１５を塗布する工程を表す断面図である。図１０は液体１３を除去する工程を表す断面図である。
【００４６】
まず、例えば、シリコンウエハ等のＸ線遮蔽材料を含む基板１２ｂの上にＳｉＣメンブレ等からなるＸ線を透過させる第１の基板１０を形成する（ステップ１、図８参照）。第１の基板１０の形成は、例えば、スパッタリング法等により行うことができる。
【００４７】
また、Ｘ線遮蔽粒状体１１を作製する（ステップ２）。Ｘ線遮蔽粒状体１１は、例えば、Stober法を用いて形成した粒状体本体１１ａをＸ線遮蔽膜１１ｂでコートすることにより形成することができる。具体的には、図５に示すように、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）とエタノールと純水との混合液３中に、攪拌しながらアンモニア水を添加して、ゾル溶液を作成する。このゾル溶液のｐＨは、例えば１１程度であることが好ましい。そのゾル溶液を数時間（例えば２時間）さらに攪拌することにより、図６に示すように、実質的にＳｉＯ２からなる粒状体本体１１ａを形成する。形成された粒状体本体１１ａを混合液３中から取り出し、例えば５００℃程度で、乾燥、焼成させる。焼成された粒状体本体１１ａを金属イオンを含む溶液（例えば、塩化金を主成分とする溶液）４に浸漬して粒状体本体１１ａの表面にＸ線遮蔽膜１１ｂを形成することによりＸ線遮蔽粒状体１１を完成させることができる。
【００４８】
得られたＸ線遮蔽粒状体１１を液体１３に分散混入させて粒状体分散液１５を調製する（ステップ３）。尚、液体１３としては、例えば、アルコール、エーテル、ケトン等の有機溶媒や水等が挙げられる。
【００４９】
次に、第１の基板１０の上に粒状体分散液１５を、例えば吹き付けることにより塗布して第１の基板１０の上に粒状体分散液１５の膜を形成する（ステップ４、図９参照）。尚、粒状体分散液１５の塗布は、例えば、インクジェット法、スクリーン印刷法、ノズルコート法等によっても行うことができる。
【００５０】
その後、形成した粒状体分散液１５の膜に含まれる液体１３を除去する（ステップ５、図１０参照）。液体１３の除去は、例えば、乾燥等により行うことができる。液体１３を除去することにより、図１０に示すように、複数のＸ線遮蔽粒状体１１を配列することができる。通常、隣接するＸ線遮蔽粒状体１１は密接するように配置されるため、Ｘ線遮蔽粒状体１１相互間の距離はＸ線遮蔽粒状体１１の平均粒径とほぼ近似する。すなわち、複数のＸ線遮蔽粒状体１１は反射抑制波長以下のピッチで配列される。
【００５１】
最後に、基板１２ｂに開口１２ａを形成することにより第２の基板１２を作製し、Ｘ線リソグラフィー用マスク１を完成させる（ステップ６）。
【００５２】
このように、本実施形態１に係るＸ線リソグラフィー用マスク１は、その製造に電子線（ＥＢ）出射装置等の大がかりな装置を要さず、比較的容易且つ安価に製造できる。具体的には、大面積（例えば５０ｍｍ四方）のＸ線マスクを、電子線（ＥＢ）描画法及びドライエッチング法を併用して従来の方法により製造するためには、大凡６００時間程度といった非常に長い時間を要するのに対して、本実施形態１に係るＸ線リソグラフィー用マスク１は、例えば１／４０程度の１５時間程度で製造が可能である。また、大面積（例えば５０ｍｍ四方）に光反射防止凹凸構造を形成する場合でも比較的安価且つ容易に形成することができる。従って、このＸ線リソグラフィー用マスク１を用いることによって容易且つ安価に光反射防止凹凸構造を有する構造体（例えば、光学素子等）を製造することが可能となる。
【００５３】
次に、本実施形態１に係るＸ線リソグラフィー用マスク１を用いて光反射防止凹凸構造を有する構造体（以下、「光反射防止構造体」とすることがある。）の製造方法について、図１１乃至図１４を参照しながら詳細に説明する。
【００５４】
図１１は光反射防止構造体２２を製造する工程を表すフローチャートである。
【００５５】
図１２乃至図１４は光反射防止構造体２２を製造する工程を表す断面図である。詳細には、図１２はＸ線感光膜２１のパターニング工程を表す断面図である。図１３はＸ線感光膜２１上からの構造体形成用基板（例えば、透明基板）２０のエッチング工程を表す断面図である。図１４は光反射防止構造体２２の断面図である。
【００５６】
まず、光反射防止凹凸構造を形成しようとする構造体形成用基板２０を用意する。構造体形成用基板２０は、例えば光透過性であってもよい。具体的には、構造体形成用基板２０は石英基板であってもよい。
【００５７】
次に、構造体形成用基板２０の一方の表面にＸ線感光膜（例えば、Ｘ線レジスト膜）２１を形成する（ステップ１１）。Ｘ線感光膜２１は、実質的にＸ線感光材料（例えば、Ｘ線レジスト材料）からなる膜である。Ｘ線感光材料としては、一般的はＥＢレジスト材料や、化学増幅形レジスト等が挙げられる。具体的には、ポリメタクリル酸メチル樹脂（ＰＭＭＡ）、エポキシ樹脂、ビニル樹脂、シリコン樹脂等が挙げられる。
【００５８】
Ｘ線感光膜２１の膜厚は、形成しようとする光反射防止構造体のアスペクト比等により適宜決定することができる。Ｘ線感光膜２１の膜厚は、例えば０．３μｍ程度とすることができる。尚、Ｘ線感光膜２１の形成は、例えば、スピンコート法等により行うことができる。
【００５９】
次に、Ｘ線感光膜２１が形成された構造体形成用基板２０の上方に本実施形態１に係るＸ線リソグラフィー用マスク１を配置する（ステップ１２、図１２参照）。Ｘ線リソグラフィー用マスク１は、Ｘ線遮蔽層２とＸ線感光膜２１とが対向するように配置する。Ｘ線リソグラフィー用マスク１と構造体形成用基板２０との間の間隔（ギャップ）は、Ｘ線の回折及び干渉が生じる程度であることが好ましい。具体的には、Ｘ線リソグラフィー用マスク１と構造体形成用基板２０との間の間隔（ギャップ）は、例えば、５０μｍ程度とすることができる。
【００６０】
そして、Ｘ線リソグラフィー用マスク１を介してＸ線感光膜２１に、例えば１５Ａ・ｍｉｎでＸ線を照射して露光した後、〔例えば、２−（２−ｎ−ブトキシエトキシ）エタノール等を主成分とする〕現像液に浸漬することにより現像してＸ線感光膜２１を所定のパターンにパターニングする（ステップ１３）。尚、Ｘ線の照射は、例えば、ＳＲ（シンクロトロン放射）光装置等を用いて行うことができる。
【００６１】
Ｘ線遮蔽層２に入射したＸ線のうち、透過領域ＴＲに入射したＸ線はＸ線遮蔽層２を透過し、Ｘ線感光膜２１に到達する。その一方、非透過領域ＮＴＲに入射したＸ線はＸ線遮蔽層２により吸収され、Ｘ線感光膜２１には到達しない。従って、透過領域ＴＲの配列、すなわち、Ｘ線遮蔽粒状体１１の配列に対応したパターンでＸ線感光膜２１は露光される。その結果、Ｘ線感光膜２１に所定のピッチで配列された複数のホールを形成することができる。
【００６２】
次に、パターニングされたＸ線感光膜２１の上から構造体形成用基板２０を、例えばＲＩＥドライエッチング装置等を用いてエッチングして、構造体形成用基板２０に光反射防止凹凸構造２３を形成することにより光反射防止構造体２２を完成させる（ステップ１４）。尚、Ｘ線感光膜２１はこのエッチング工程において構造体形成用基板２０のエッチングと同時に剥離除去される。
【００６３】
エッチングにより得られた光反射防止構造体２２の表面には、表面方向に対して傾斜した複数の面（平面又は曲面）を有する凹凸構造、具体的には、反射抑制波長以下のピッチ（隣接する錐体状突起部２３ａ相互間の中心間距離、典型的には、隣接する錐体状突起部２３ａの先端部相互間の距離：図１４におけるＰ２）で配列された複数の錐体状突起部２３ａにより構成される光反射防止凹凸構造２３が形成される。尚、錐体状突起部２３ａは、例えば、平面視多角形状の角錐体状突起部、円錐体状突起部等であってもよい。また、先端がＲ面取り状であってもよく、切頭錐体状突起部であってもよい。
【００６４】
形成される錐体状突起部２３ａのアスペクト比（図１４におけるＰ２／Ｈ：錐体状突起部２３ａのピッチ（Ｐ２）を錐体状突起部２３ａの高さ（Ｈ）で割って得られる値）は１以上であることが好ましい。アスペクト比が１以上とすることにより、高い光反射抑制効果を実現することができる。
【００６５】
このように、本実施形態１により製造される光反射防止構造体２２は、複数の錐体状突起部２３ａにより構成された光反射防止凹凸構造２３を有するものである。しかし、本発明に係る光反射防止凹凸構造を有する構造体はこの構成に限定されるものではなく、例えば、複数の錐体状（角錐体状、円錐体状）の凹部により構成された光反射防止凹凸構造を有するものであってもよい。
【００６６】
また、光反射防止構造体２２は、例えば、光学素子であってもよい。また、それら光学素子を形成するための成形型等であってもよい。尚、本明細書において「光学素子」とは、光が入射する少なくとも一つの光学機能面を有するものであって、具体例としては、レンズ、ミラー、プリズム等が挙げられる。
【００６７】
また、本実施形態１では、構造体形成用基板２０が平板状である例について説明したが、構造体形成用基板２０は、両表面が曲面（例えば、凹面又は凸面）により形成された板状体であってもよい。さらには、光反射防止凹凸構造２３を形成する被形成体は板状体に限定されるものではなく、例えば、三角柱状、球状、楕球状等であってもよい。
【００６８】
（実施形態２）
図１５は本実施形態２に係る光反射防止構造体３２の製造工程を表すフローチャートである。
【００６９】
図１６及び図１７は光反射防止構造体３２を製造する工程を表す断面図である。詳細には、図１６は構造体形成用基板３０にＸ線を照射する工程を表す断面図である。図１７は光反射防止構造体３２の断面図である。
【００７０】
上記実施形態１では、石英基板等の構造体形成用基板２０に光反射防止凹凸構造２３を形成する工程について説明したが、本実施形態２では、Ｘ線感光材料（例えば、Ｘ線レジスト材料）からなる構造体形成用基板３０に光反射防止凹凸構造３３を形成する工程例について説明する。言い換えれば、Ｘ線感光材料により形成された光反射防止構造体３２の製造工程について、図１５乃至図１７を参照しながら詳細に説明する。
【００７１】
尚、本実施形態２の説明において、実質的に同じ機能を有する構成要素を実施形態１と共通の参照符号で説明し、説明を省略する
まず、Ｘ線感光材料からなる構造体形成用基板（例えば、ＰＭＭＡ基板等）３０を用意する。
【００７２】
次に、構造体形成用基板３０の上方に上記実施形態１において説明したＸ線リソグラフィー用マスク１を配置する（ステップ２１、図１６参照）。Ｘ線リソグラフィー用マスク１は、Ｘ線遮蔽層２と構造体形成用基板３０とが対向するように配置する。Ｘ線リソグラフィー用マスク１と構造体形成用基板３０との間の間隔（ギャップ）は、Ｘ線の回折及び干渉が生じる程度であることが好ましい。具体的には、Ｘ線リソグラフィー用マスク１と構造体形成用基板３０との間の間隔（ギャップ）は５０μｍ程度とすることができる。
【００７３】
そして、Ｘ線リソグラフィー用マスク１を介して構造体形成用基板３０に、例えば１５Ａ・ｍｉｎでＸ線を照射して露光した後、〔例えば、２−（２−ｎ−ブトキシエトキシ）エタノール等を主成分とする〕現像液に浸漬して現像することにより、実質的にＸ線感光材料からなる構造体形成用基板２０に光反射防止凹凸構造３３を形成して光反射防止構造体３２を完成させる（ステップ２２）。
【００７４】
図１７に示すように、エッチングにより得られた光反射防止構造体３２の表面には、表面方向に対して傾斜した複数の面（平面又は曲面）を有する凹凸構造、具体的には、反射抑制波長以下のピッチ（図１７におけるＰ２）で配列された複数の錐体状突起部３３ａにより構成される光反射防止凹凸構造３３が形成される。尚、錐体状突起部３３ａは、例えば、平面視多角形状の角錐体状突起部、円錐体状突起部等であってもよい。また、先端がＲ面取り状であってもよく、切頭錐体状突起部であってもよい。
【００７５】
上記実施形態１に係る製造方法によれば、種々の材料により形成された構造体形成用基板２０に光反射防止凹凸構造を形成することができる。一方、本実施形態２に係る製造方法で光反射防止凹凸構造を形成することができるのはＸ線感光材料により形成した構造体形成用基板３０のみに限定されるものの、実施形態１において説明した方法よりもより少ない工程で、より容易且つ安価に光反射防止構造体３２を製造することができる。
【００７６】
（実施形態３）
図１８は本実施形態３に係る光反射防止構造体２２を製造する工程を表すフローチャートである。
【００７７】
図１９乃至図２２は本実施形態３に係る光反射防止構造体２２を製造する工程を表す断面図である。詳細には、図１９はＸ線感光膜２１のパターニング工程を表す断面図である。図２０はＸ線感光膜２１上からのエッチングマスク膜４１のエッチング工程を表す断面図である。図２１はエッチングマスク膜４１上からの構造体形成用基板２０のエッチング工程を表す断面図である。図２２は光反射防止構造体２２の断面図である。
【００７８】
本実施形態３では、大きなアスペクト比の錐体状突起部２３ａにより構成された光反射防止凹凸構造２３を有する光反射防止構造体２２を上記実施形態１よりも比較的容易に製造可能な方法について、図１８乃至図２２を参照しながら詳細に説明する。
【００７９】
尚、本実施形態３の説明において、実質的に同じ機能を有する構成要素を実施形態１と共通の参照符号で説明し、説明を省略する。
【００８０】
まず、石英基板等からなる構造体形成用基板２０の上に、エッチングマスク膜４１をスパッタリング法等により形成する（ステップ３１）。エッチングマスク膜４１は、例えば、実質的に、クロム、ニッケル、鉄、アルミニウム、カーボン、タンタル、モリブデン、白金、金、若しくは、クロム、ニッケル、鉄、アルミニウム、カーボン、タンタル、モリブデン、白金、及び金からなる群より選ばれた１種以上の材料を含む合金からなるものであってもよい。尚、エッチングマスク膜４１の膜厚は特に限定されるものではないが、例えば０．３μｍ程度とすることができる。
【００８１】
さらに、エッチングマスク膜４１の上にＸ線感光材料を含むＸ線感光膜２１を形成する（ステップ３２）。
【００８２】
エッチングマスク膜４１及びＸ線感光膜２１が形成された構造体形成用基板２０に実施形態１において説明したＸ線リソグラフィー用マスク１を対向配置する（ステップ３３、図１９参照）。Ｘ線リソグラフィー用マスク１は、Ｘ線遮蔽層２とＸ線感光膜２１とが対向するように配置する。Ｘ線リソグラフィー用マスク１と構造体形成用基板２０との間の間隔（ギャップ）は、Ｘ線の回折及び干渉が生じる程度であることが好ましい。具体的には、Ｘ線リソグラフィー用マスク１と構造体形成用基板２０との間の間隔（ギャップ）は５０μｍ程度とすることができる。
【００８３】
そして、Ｘ線リソグラフィー用マスク１を介してＸ線感光膜２１が形成された構造体形成用基板２０に、例えば１５Ａ・ｍｉｎでＸ線を照射して露光した後、〔例えば、２−（２−ｎ−ブトキシエトキシ）エタノール等を主成分とする〕現像液に浸漬して現像することによりＸ線感光膜２１を所定のパターンにパターニングする（ステップ３４）。
【００８４】
次に、パターニングされたＸ線感光膜２１の上からエッチングマスク膜４１をエッチング（例えば、ウエットエッチング）することにより所望のパターンにパターニングする（ステップ３５、図２０参照）。そして、そのパターニングされたエッチングマスク膜４１の上から構造体形成用基板２０を、例えばＲＩＥドライエッチング装置等を用いてエッチングすることにより、構造体形成用基板２０に光反射防止凹凸構造２３を形成して光反射防止構造体２２を完成させる（ステップ３６、図２１参照）。
【００８５】
このように、さらなるエッチングマスク膜４１を設け、複数回にわたってエッチングを行うことにより光反射防止凹凸構造２３を構成する各錐体状突起部２３ａのアスペクト比を大きくすることができる。さらに、大きなアスペクト比の錐体状突起部２３ａを実現する観点から、ステップ３５におけるエッチングマスク膜４１のエッチングレートがステップ３４におけるＸ線感光膜２１のエッチングレートよりも小さいことが好ましい。さらに、エッチングマスク膜４１のエッチングレートを小さくすることによりさらにアスペクト比が大きな錐体状突起部２３ａを形成することが可能となる。
【００８６】
（実施形態４）
図２３は本実施形態４に係る成形型５４を製造する工程を表すフローチャートである。
【００８７】
図２４乃至図２６は成形型５４を製造する工程を表す断面図である。詳細には、図２４は導電層５２の形成工程を表す断面図である。図２５は光反射防止構造体２２上に成形型５４を形成する工程を表す断面図である。図２６は成形型５４を光反射防止構造体２２から分離する工程を表す断面図である。
【００８８】
本実施形態４では、例えば実施形態１において説明した光反射防止構造体２２を用いて、光反射防止凹凸構造２３を有する被成形物（例えば、光学素子）を成形するための金属製成形型５４を製造する工程について図２３乃至図２６を参照しながら詳細に説明する。
【００８９】
本実施形態４において、成形型５４は、電鋳複製法により形成される。例えば、光反射防止構造体２２が導電性を有さない場合、まず、光反射防止構造体２２に導電性を有する導電層５２を形成する（ステップ４１）。導電層５２は、例えば、図２４に示すように、光反射防止構造体２２を無電解メッキ用溶液（例えば、無電解メッキ用Ｎｉ／Ｂ溶液）５１に浸漬することにより形成することができる。導電層５２の層厚は特に限定されるものではないが、例えば、３０ｎｍとすることができる。尚、光反射防止構造体２２自体が導電性を有する場合は、このステップ４１を省略することができる。
【００９０】
次に、図２５に示すように、光反射防止構造体２２を金属イオンを含有する電解液（例えば、スルファミン酸ニッケル電解液）５３に浸漬することにより、電解液５３に含まれる金属イオンを導電層５２（導電層５２を形成しない場合は、光反射防止凹凸構造２３）上に付着堆積させていくことにより金属製の成形型（被形成物）５４を形成する（ステップ４２）。
【００９１】
最後に、光反射防止構造体２２から成形型５４を分離することにより成形型５４を完成させる（ステップ４３）。成形型５４の分離は、例えば、光反射防止構造体２２を直接剥離することによりおこなうことができる。また、例えば、図２３に示すように、塩基溶媒（例えば、水酸化ナトリウム）５５に成形型５４が形成された光反射防止構造体２２を浸漬させることにより行ってもよい。
【００９２】
尚、成形型５４の厚さは特に限定されるものではないが、例えば、１．０ｍｍ程度とすることができる。
【００９３】
このように形成された成形型５４を用いて、加熱軟化させた樹脂や低融点ガラス等をプレス成形することにより光反射防止凹凸構造２３を有する被成形物を容易に成形することができる。
【００９４】
本実施形態４に係る成形型５４は、一端母型としての光反射防止構造体２２を作成してしまえば、容易且つ安価に成形型５４を複製可能である。従って、本実施形態４に係る成形型５４は安価且つ容易に作成可能で、さらに量産性に優れている。また、大面積の成形型５４であっても比較的容易に作製することができる。
【００９５】
（実施形態５）
図２７は本実施形態５に係るガラス被成形物６４の製造工程を表すフローチャートである。
【００９６】
図２８乃至図３０はガラス被成形物６４の製造工程を表す断面図である。詳細には、図２８は成形型としての光反射防止構造体２２を対向配置させる工程を表す断面図である。図２９は光反射防止構造体２２によりガラス材６２をプレス成形する工程を表す断面図である。図３０は光反射防止構造体２２を隔離する工程を表す断面図である。
【００９７】
本実施形態５では、例えば実施形態１の光反射防止構造体２２を成形型として用いて光反射防止凹凸構造２３に対応した光反射防止凹凸構造を有するガラス被成形物を成形する工程について、図２７乃至図３０を参照しながら詳細に説明する。
【００９８】
まず、光反射防止構造体２２の光反射防止凹凸構造２３側表面に表面保護膜６１を形成する（ステップ５１）。この表面保護膜６１は、プレス成形するガラス材６２の離型性（解離性）を向上するためのものである。表面保護膜６１は、例えばＩｒ−Ｒｈ合金等の貴金属合金又は貴金属等により形成することができる。表面保護膜６１の膜厚は特に限定されるものではないが、例えば、０．０１μｍ程度とすることができる。
【００９９】
一方、プレス成形するガラス材６２の形状に対応した形状の成形型６３を用意する。そして、その成形型６３の表面にも表面保護膜６１を形成する。尚、成形型６３は、例えば、ＷＣを主成分とする超硬合金等により形成することができる。
【０１００】
成形型６３の上にガラス材（例えば、クラウン系ホウ珪酸ガラス、ガラス転移温度（Ｔｇ）：５０１℃、屈伏点（Ａｔ）：５４９℃）６２を配置し、ガラス材６２の上にも表面保護膜６１を形成する。このガラス材６２の上に形成する表面保護膜６１は、例えばチッ化硼素（ＢＮ）等により形成することができる。尚、光反射防止構造体２２がガラスで形成されている場合、光反射防止構造体２２のガラス転移温度が、ガラス材６２のガラス転移温度よりも高いことが好ましい。また、光反射防止構造体２２が結晶で形成されている場合は、光反射防止構造体２２の融点が、ガラス材６２のガラス転移温度よりも高いことが好ましい。例えば、本実施形態５において使用する光反射防止構造体２２はガラス転移温度の比較的高い石英ガラス等で形成されていることが好ましい。そうすることによって、プレス成形可能なガラス材６２のバリエーションが広くなる。
【０１０１】
そして、図２８に示すように、成形型としての光反射防止構造体２２を光反射防止凹凸構造２３がガラス材６２と対向するように配置する。配置後、ガラス材６２をその軟化温度近傍まで加熱し、成形型としての光反射防止構造体２２でもってガラス材６２を所定の期間（例えば、数分間）プレスする（ステップ５２）。その後、図３０に示すように、ガラス材６２の温度を保持したまま光反射防止構造体２２を上昇させ、離型させる（ステップ５３）。そして、成形されたガラス材６２を所定の温度（例えば、ガラス転移温度〜室温）まで冷却することにより光反射防止凹凸構造２３が転写されたガラス被成形物６４を完成させることができる。尚、この加熱工程、プレス工程、冷却工程は、不活性ガス（例えば、窒素ガスやアルゴンガス等）で置換されたチャンバー内で行うことが好ましい。そうすることによって、成形型６３の変性等を抑制することができる。
【０１０２】
本実施形態５のような方法によれば、一端母型としての光反射防止構造体２２を作成してしまえば、容易且つ安価に光反射防止凹凸構造を有するガラス被成形物を複製可能である。すなわち、本実施形態５に係る方法によれば、容易且つ安価に光反射防止凹凸構造を有するガラス被成形物を量産することができる。
【０１０３】
尚、本実施形態５において得られるガラス被成形物６４は、例えば光学素子であってもよく、また光学素子を成形するためのガラス製成形型であってもよい。
【０１０４】
（実施形態６）
図３１は本実施形態６に係る樹脂被成形物７６の製造工程を表すフローチャートである。
【０１０５】
図３２乃至図３４は本実施形態６に係る樹脂被成形物７６の製造工程を表す断面図である。詳細には、図３２は光反射防止構造体２２をキャビティー７４内に嵌合装入する工程を表す断面図である。図３３はキャビティー７４内に樹脂７５を注入する工程を表す断面図である。図３４は注入充填された樹脂７５を固化して樹脂被成形物７６を得る工程を表す断面図である。
【０１０６】
本実施形態６では、光反射防止構造体２２をインサート型として用いて射出成形法により樹脂被成形物７６を成形する。具体的には、まず、第１の成形型７１と第２の成形型７２とに分離可能な型本体７０を用意する。型本体７０には、例えば直方体状の内部空間（キャビティー）７４が形成されている。詳細には、第１の成形型７１と第２の成形型７２とのそれぞれに凹部が形成されており、それら凹部によりキャビティー７４が形成されている。また、型本体７０の側壁にはキャビティー７４に連通する開口７７が形成されている。
【０１０７】
第１の成形型７１に形成された凹部は光反射防止構造体２２の外形とほぼ同様の形状寸法であり、光反射防止構造体２２をその凹部に変位不能に嵌合装入する（ステップ６１、図３２参照）。尚、光反射防止構造体２２の光反射防止凹凸構造２３部分及び型本体７０の内側面には表面保護膜７３を形成しておくことが好ましい。尚、表面保護膜７３は、例えば、シランカップリング剤を塗布することにより形成することができる。
【０１０８】
次に、開口７７からキャビティー７４内に樹脂７５を注入充填する（ステップ６２、図３３参照）。注入される樹脂７５の種類は特に限定されるものではない。樹脂７５としては、例えば、ポリオレフィン樹脂、アクリル樹脂、テフロン（イー  アイ  デュポン  ドゥ  ヌムール  アンド  カンパニーの登録商標）、ポリオレフィン樹脂、ポリカーボネート樹脂等が挙げられる。
【０１０９】
この樹脂７５の注入は、具体的には、例えば、次のような手順で行うことができる。まず、型本体７０とインサート型としての光反射防止構造体２２とを所定の温度まで加熱する。加熱温度は、注入される樹脂７５、注入条件等により適宜決定することができる。具体的に、型本体７０の温度は、例えば、１３０℃とすることができる。加熱した型本体７０のキャビティー７４内に、予め所定の温度に加熱され流動状態にある樹脂７５を射出注入する。射出注入の際の樹脂７５の温度は、樹脂７５の粘性特性等により適宜決定することができる。ポリオレフィン樹脂を射出注入する場合は、射出注入する樹脂７５の温度を、例えば、２５０℃程度とすることができる。樹脂７５の射出速度も樹脂７５の粘性特性やキャビティー７４の形状等を考慮した上で適宜決定することができる。樹脂７５の射出速度は、例えば５０ｍｍ／秒とすることができる。
【０１１０】
樹脂７５の注入充填完了後、注入された樹脂７５に所定の圧力を印加しながら樹脂７５を固化させることにより、光反射防止構造体２２の光反射防止凹凸構造２３の形状に対応する光反射防止凹凸構造を有する樹脂被成形物７６を得る（ステップ６３、図３４参照）。例えば、樹脂７５が熱硬化性や熱可塑性である場合は、樹脂７５を冷却することにより固化させる。また、樹脂７５が光硬化性である場合は、光（例えば紫外光等）を樹脂７５に照射することにより樹脂７５を固化させる。尚、固化工程に所定の圧力を印加するのは、固化工程における樹脂７５のひけを抑制するためである。固化工程において樹脂７５に印加する圧力は、例えば１００ＭＰａとすることができる。
【０１１１】
樹脂７５の固化後、型本体７０を第１の成形型７１と第２の成形型７２とに分離し、成形された樹脂被成形物７６を型本体７０から取り出す。
【０１１２】
本実施形態６のような方法によれば、一端母型としての光反射防止構造体２２を作成してしまえば、容易且つ安価に光反射防止凹凸構造を有する樹脂被成形物を複製可能である。特に、本実施形態６のように射出成形法を利用することにより樹脂被成形物の成形がより容易となる。すなわち、本実施形態６に係る方法によれば、容易且つ安価に光反射防止凹凸構造を有する樹脂被成形物を量産することができる。
【０１１３】
尚、本実施形態６において得られる樹脂被成形物７６は、例えば光学素子であってもよい。
【産業上の利用可能性】
【０１１４】
本発明は、安価且つ容易に作成可能であるため、光反射防止効果が要求されるレンズ素子、プリズム素子、ミラー素子などの光学素子に広く適用可能であり、これらの光学素子が搭載される光再生記録装置の光ピックアップ光学系、デジタルスチルカメラの撮影光学系、プロジェクタの投影系および照明系、光走査光学系等に好適である。
【図面の簡単な説明】
【０１１５】
【図１】実施形態１に係るＸ線リソグラフィー用マスク１の断面図である。
【図２】Ｘ線遮蔽粒状体１１の断面図である。
【図３】Ｘ線リソグラフィー用マスク１の一部分を拡大した部分断面図である。
【図４】Ｘ線リソグラフィー用マスク１の製造工程を表すフローチャートである。
【図５】アンモニアを滴下する工程を表す図である。
【図６】粒状体本体１１ａを形成する工程を表す図である。
【図７】粒状体本体１１ａの表面をＸ線遮蔽膜１１ｂでコーティングする工程を表す図である。
【図８】第１の基板１０を形成する工程を表す断面図である。
【図９】粒状体分散液１５を塗布する工程を表す断面図である。
【図１０】液体１３を除去する工程を表す断面図である。
【図１１】光反射防止構造体２２を製造する工程を表すフローチャートである。
【図１２】Ｘ線感光膜２１のパターニング工程を表す断面図である。
【図１３】Ｘ線感光膜２１上からの構造体形成用基板（例えば、透明基板）２０のエッチング工程を表す断面図である。
【図１４】光反射防止構造体２２の断面図である。
【図１５】実施形態２に係る光反射防止構造体３２の製造工程を表すフローチャートである。
【図１６】構造体形成用基板３０にＸ線を照射する工程を表す断面図である。
【図１７】光反射防止構造体３２の断面図である。
【図１８】実施形態３に係る光反射防止構造体２２を製造する工程を表すフローチャートである。
【図１９】Ｘ線感光膜２１のパターニング工程を表す断面図である。
【図２０】Ｘ線感光膜２１上からのエッチングマスク膜４１のエッチング工程を表す断面図である。
【図２１】エッチングマスク膜４１上からの構造体形成用基板２０のエッチング工程を表す断面図である。
【図２２】光反射防止構造体２２の断面図である。
【図２３】実施形態４に係る成形型５４を製造する工程を表すフローチャートである。
【図２４】導電層５２の形成工程を表す断面図である。
【図２５】光反射防止構造体２２上に成形型５４の形成する工程を表す断面図である。
【図２６】成形型５４を光反射防止構造体２２から分離する工程を表す断面図である。
【図２７】実施形態５に係るガラス被成形物６４の製造工程を表すフローチャートである。
【図２８】光反射防止構造体２２を対向配置させる工程を表す断面図である。
【図２９】光反射防止構造体２２によりガラス材６２をプレス成形する工程を表す断面図である。
【図３０】光反射防止構造体２２を隔離する工程を表す断面図である。
【図３１】実施形態６に係る樹脂被成形物７６の製造工程を表すフローチャートである。
【図３２】光反射防止構造体２２をキャビティー７４内に嵌合装入する工程を表す断面図である。
【図３３】キャビティー７４内に樹脂７５を注入する工程を表す断面図である。
【図３４】注入された樹脂７５を固化して樹脂被成形物７６を得る工程を表す断面図である。
【符号の説明】
【０１１６】
１      Ｘ線リソグラフィー用マスク
２      Ｘ線遮蔽層
３      混合液
１０、１２      基板
１１      Ｘ線遮蔽粒状体
１１ａ    粒状体本体
１１ｂ    Ｘ線遮蔽膜
１５      粒状体分散液
２０、３０      構造体形成用基板
２１      Ｘ線感光膜
２２、３２      光反射防止構造体
２３、３３      光反射防止凹凸構造
２３ａ、３３ａ    錐体状突起部
４１      エッチングマスク膜
５２      導電層
５３      電解液
５４、６３      成形型
６１、７３      表面保護膜
６２      ガラス材
６４      ガラス被成形物
７０      型本体
７４      キャビティー
７５      樹脂
７６      樹脂被成形物
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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