(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を略水平姿勢で回転させながら該基板に処理液を供給して前記基板に対して所定の処理を施す基板処理装置において、
基板を略水平姿勢で保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段を回転駆動して前記基板を所定の回転中心回りに回転させる回転駆動手段と、
前記回転駆動手段により回転される前記基板の上面に向けて、前記基板の回転半径方向に略平行な所定の配列方向に沿って列状に処理液を吐出する第１吐出手段と、
前記基板上面の回転中心に向けて処理液を吐出する第２吐出手段と
を備え、
前記基板の回転中心を通って前記基板の回転半径方向に伸びる線を回転半径線としたとき、前記第１吐出手段から吐出され前記基板上面に着液する前記列状処理液を構成する処理液の各々の着液位置が、前記回転半径線上から該回転半径線に直交するオフセット方向に所定の距離だけずれていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記第１吐出手段は、複数の吐出孔が前記配列方向に沿って設けられた多孔ノズルを備え、
前記多孔ノズルは前記複数の吐出孔の各々から処理液を吐出することで、前記基板上面に前記列状処理液を供給する請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記第１吐出手段は、前記基板の回転中心を通って前記オフセット方向に伸びる線と前記回転半径線とで前記基板上面を分割して規定される４つの象限のいずれかに前記着液位置が限定されるように、処理液を吐出する請求項１または２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記第１吐出手段は、前記基板の回転方向に沿って前記基板上面に対して斜め上方から列状に処理液を吐出する請求項３記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記基板として長方形の角型基板に前記所定の処理を施す請求項３または４記載の基板処理装置であって、
前記第１吐出手段から吐出され前記角型基板の上面に着液する前記列状処理液の前記配列方向における長さは、前記角型基板の短辺の半分の長さ以下である基板処理装置。
【請求項６】
基板を略水平姿勢で回転させながら該基板に処理液を供給して前記基板に対して所定の処理を施す基板処理装置において、
基板を略水平姿勢で保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段を回転駆動して前記基板を所定の回転中心回りに回転させる回転駆動手段と、
前記回転駆動手段により回転される前記基板の上面に向けて、前記基板の回転半径方向に略平行な所定の配列方向に沿って列状に、しかも前記基板の回転方向に沿って前記基板上面に対して斜め上方から処理液を吐出する吐出手段と
を備え、
前記吐出手段から吐出され前記基板上面に着液する前記列状処理液を構成する処理液の各々の着液位置は、前記基板の回転中心を通って前記基板の回転半径方向に伸びる線を回転半径線としたとき、前記基板上面において以下の条件の両方を満足することを特徴とする基板処理装置。
第１条件：前記回転半径線のうち前記基板の回転中心に対して一方側に伸びる線上から前記回転半径線に直交するオフセット方向に前記基板の回転方向と反対方向に所定の距離だけずれている。
第２条件：前記着液位置の前記基板の回転中心側の端部が、前記基板の回転中心を通って前記オフセット方向に伸びる線に対して、前記回転半径線の伸びる方向において前記基板の回転中心に対して前記一方側と反対の他方側に位置している。
【請求項７】
前記吐出手段は、複数の吐出孔が前記配列方向に沿って設けられた多孔ノズルを備え、
前記多孔ノズルは前記複数の吐出孔の各々から処理液を吐出することで、前記基板上面に前記列状処理液を供給する請求項６記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記基板として長方形の角型基板に前記所定の処理を施す請求項６または７記載の基板処理装置であって、
前記吐出手段から吐出され前記角型基板の上面に着液する前記列状処理液の前記配列方向における長さＬが以下の条件を満足することを特徴とする基板処理装置。
Ｌ≦Ｒｅ・ｓｉｎθ＋（Ｗｎ／２）
ただし、
Ｒｅ…前記角型基板の回転中心から前記列状処理液の前記角型基板の回転中心側の端部着液位置までの距離、
θ…前記角型基板の回転中心と前記列状処理液の前記角型基板の回転中心側の端部着液位置とを結ぶ線分と、前記角型基板の回転中心を通って前記オフセット方向に伸びる線とがなす角、
Ｗｎ…前記角型基板の短辺の長さ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、基板を回転させながら該基板に処理液を供給することによって基板に所定の処理を施す基板処理装置に関する。なお、基板には半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、光ディスク用基板などの各種基板が含まれる。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置や液晶表示装置などの製造工程では、基板に処理液としてフッ酸などの薬液を供給することによって基板上に不所望に形成される薄膜（不要物）をエッチング除去することが行われることがある。そこで、このような基板上に形成された薄膜を除去するために、例えば特許文献１に記載された基板処理装置が提案されている。
【０００３】
この基板処理装置では、基板保持部によって基板がほぼ水平な状態で保持される。基板保持部には、鉛直方向に伸びる回転軸が取り付けられており、この回転軸をモータで回転駆動することで、基板中心と回転軸とをほぼ一致させた状態で、基板保持部が基板を保持したまま回転して基板を回転させている。また、基板保持部によって保持された基板の上方には、薬液供給ノズルが配置されており、基板中心（基板の上面の回転中心）付近に薬液を供給する。このとき、基板上面の中心付近に供給された薬液は、基板の回転に伴う遠心力の作用により拡散して基板上面全体に行き渡り、基板に対するエッチング処理が実行される。
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−２３７２１４号公報（図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、上記のように基板に対してエッチング処理する際には、基板上面の面内を均一にエッチング処理することが要求される。そこで、基板上面のエッチング処理の面内均一性を高めるために、基板上面の各部に薬液を速やかに行き渡らせる、つまり基板上面の各部にそれぞれ薬液が供給されるまでの時間差を少なくすることと、基板上面の各部に供給される薬液量を均一にすることが重要となっている。
【０００６】
しかしながら、従来装置では、薬液供給ノズルから基板中心付近に供給された薬液を遠心力の作用により拡散させて基板の端縁部に薬液を供給しているため、基板中心付近に薬液が供給されるまでの時間と基板の端縁部に薬液が供給されるまでの時間との間に時間差が発生していた。特に、基板が液晶表示用ガラス基板のような角型基板である場合には、角型基板の中心付近と、角型基板の角部（４隅の部分）とでは、薬液が供給されるまでの時間に大きな時間差が発生していた。また、薬液供給ノズルから基板中心付近に供給した薬液を基板の端縁部に拡散させているために、基板中心部に供給される単位面積当たりの薬液量に対して基板端縁部に供給される単位面積当たりの薬液量が少なくなっていた。このような結果、従来装置では、基板上面全体を均一に処理することが阻害されていた。
【０００７】
そこで、従来装置において、処理の均一性を高めるために、次のようなことが考えられる。すなわち、基板の端縁部にも処理に必要なだけの薬液が十分に供給されるように基板上面に供給する薬液量を増やすことが考えられる。しかしながら、このように薬液消費量を増加させることはそのままランニングコストの増大に直結するとともに、基板から排出される薬液の排液処理に要する設備にも相応の負担をかけることとなり、好ましくない。また、基板の回転速度を高めて、基板中心付近に供給された薬液を基板の端縁部に速く拡散させることも考えられるが、基板の高速回転に対応するため装置構成が複雑になるほか、装置の構成部品にさらなる耐久性が要求され、現実的ではない。特に、基板サイズが大型化していくと、基板中心から基板の端縁までの距離が長くなってしまい、基板の回転速度を高めて処理の均一化を図っていくにも限界がある。
【０００８】
一方で、基板に供給する薬液量および／または基板の回転速度を増加させることなく、処理の均一性を高める方法として、薬液供給ノズルを基板上面に対向させながら、水平姿勢で回転される基板に対して薬液供給ノズルを水平移動させることも考えられる。具体的には、薬液供給ノズルから薬液を供給しながら、薬液供給ノズルを基板中心部に対応する位置と基板端縁部に対応する位置との間で往復移動させることにより、処理の均一化を図ることが考えられる。しかしながら、この場合、例えば薬液供給ノズルが基板端縁部に薬液を供給しているときには、基板中心部には薬液が供給されず、また、遠心力により基板中心から端縁部へと薬液が流れるので、基板中心部が部分的に乾燥してしまうという問題があった。その結果、かえって、処理の均一性を劣化させることとなっていた。
【０００９】
この発明は上記課題に鑑みなされたものであり、少量の処理液で基板上面全体を均一に処理することができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
この発明にかかる基板処理装置の一態様は、基板を略水平姿勢で回転させながら該基板に処理液を供給して基板に対して所定の処理を施す基板処理装置であって、上記目的を達成するため、基板を略水平姿勢で保持する基板保持手段と、基板保持手段を回転駆動して基板を所定の回転中心回りに回転させる回転駆動手段と、回転駆動手段により回転される基板の上面に向けて、基板の回転半径方向に略平行な所定の配列方向に沿って列状に処理液を吐出する第１吐出手段と、基板上面の回転中心に向けて処理液を吐出する第２吐出手段とを備え、基板の回転中心を通って基板の回転半径方向に伸びる線を回転半径線としたとき、第１吐出手段から吐出され基板上面に着液する列状処理液を構成する処理液の各々の着液位置が、回転半径線上から該回転半径線に直交するオフセット方向に沿って所定の距離だけずれていることを特徴としている。
【００１１】
このように構成された発明では、基板上面に向けて第１吐出手段より基板の回転半径方向に略平行な方向に沿って列状に処理液（列状処理液）を吐出しているので、比較的広範囲にわたって処理液が基板上面に同時に着液する。したがって、基板上面の各部に処理液が供給されるまでの時間差を最小限にとどめ基板上面の各部に所定量の処理液を供給することができる。しかも、列状処理液を構成する処理液の各々の着液位置を、基板の回転中心を通って基板の回転半径方向に伸びる回転半径線上ではなく、該回転半径線上から回転半径線に直交する方向（オフセット方向）に沿って所定の距離だけずらしている。このように列状処理液を着液させることにより、次のような利点を有する。すなわち、基板上面に着液した処理液は、基板の回転に伴う基板の回転方向と反対方向に作用する反作用の力と、回転半径方向に作用する遠心力とが合成されたベクトルに従った方向および力の大きさにそって基板上面を流れ、基板外に排出されていく。ここで、列状処理液を構成する処理液の各々を回転半径線上に着液させた場合には、列状処理液を構成する各処理液（液滴）に作用する遠心力の方向（回転半径方向）は、すべて同一方向となる。その一方で、本願発明のように列状処理液を構成する処理液の各々を回転半径線上からずらして着液させることにより、列状処理液を構成する処理液の各々に作用する遠心力の方向（回転半径方向）は、互いに相違する方向となる。その結果、基板上面に着液した後の処理液（液滴）の軌跡が互いに異なり、基板上面における処理液の均一分散が促進される。
【００１２】
さらに、この発明によれば、第１吐出手段に加えて第２吐出手段を設けて、該第２吐出手段より基板上面の回転中心に向けて処理液を吐出している。このため、第１吐出手段より吐出され基板上面に着液した処理液を基板の回転中心に十分に供給することができない、あるいは基板上面に着液した処理液の軌跡が基板の回転中心を外れる場合であっても、第２吐出手段により吐出される処理液によって、基板の回転中心に処理液を供給して基板中心部を確実に処理することができる。なお、第１および第２吐出手段は、それぞれ別体で構成して個別に配置するようにしてもよいし、一体的に構成して配置するようにしてもよい。
【００１３】
このように、この発明によれば、第２吐出手段より吐出される処理液によって基板中心部を確実に処理しながらも、第１吐出手段より吐出される列状処理液によって基板上面の各部に速やかに処理液を供給することができ、基板上面を均一に処理することが可能となっている。したがって、基板上面に供給する処理液の量を増加させることなく、少量の処理液で基板上面全体を均一にして処理することができる。
【００１４】
ここで、基板の回転中心を通ってオフセット方向に伸びる線と回転半径線とで基板上面を分割して規定される４つの象限のいずれかに第１吐出手段から吐出される列状処理液の着液位置が限定されるようにしてもよい。このような範囲に列状処理液の着液位置を限定しても、基板の回転により基板上面全体を均一に処理することができる。さらに、列状処理液の着液位置を限定することにより、処理液の消費量を効果的に低減することができる。
【００１５】
また、第１吐出手段より吐出する処理液の吐出方向は任意である。例えば、基板上面に対して垂直に処理液を吐出してもよいし、基板上面に対して基板の回転方向に沿って斜め上方から列状に処理液を吐出するようにしてもよい。但し、後者のように処理液を吐出することで次のような効果が得られる。すなわち、基板の回転方向に沿って処理液を吐出することにより、基板上面に着液した処理液は、基板の回転に伴う基板の回転方向と反対方向に作用する反作用の力と回転半径方向に作用する遠心力を受けながらも、回転方向にならった吐出方向に沿って該吐出方向の前面側に押し広げられていく。したがって、少量の処理液で、より広範囲に処理液を均一分散させることができ、基板上面の各部に供給される単位面積当たりの処理液の供給量の均一性をさらに高めることができる。また、基板上面に垂直に処理液を吐出する場合に対して、基板上面に向けて吐出され基板上面に着液する処理液が、基板上面に既に供給された処理液と干渉するのを抑制することができる。例えば、基板上面に着液する処理液と、基板の回転とともに着液位置に移動してくる基板上面に付着する処理液との衝突により、基板上面の処理液の液面が盛り上がり、処理の均一性を劣化させることがあるが、このような現象の発生を防止することができる。
【００１６】
また、第１吐出手段として基板の回転半径方向に略平行な配列方向に沿って複数の吐出孔を有する多孔ノズルを設けて、該複数の吐出孔の各々から処理液を吐出することが望ましい。このような構成によれば、上記した配列方向に沿って処理液を列状に基板に供給することができ、例えば半導体ウエハのような略円形の基板はもとより、液晶表示用ガラス基板のような角型基板に対して処理液を供給した際において、処理液を基板の端縁部に確実に行き渡らせることができ、処理液の浪費を抑制しつつ均一に基板を処理することが可能となる。
【００１７】
ここで、長方形の角型基板を処理する場合には、第１吐出手段から吐出され角型基板の上面に着液する列状処理液の配列方向における長さを角型基板の短辺の半分の長さ以下にすることが好ましい。このような構成によれば、回転される角型基板の上面に対して列状処理液を確実に着液させることが可能となり、次のような効果が得られる。すなわち、列状処理液の配列方向における長さを角型基板の短辺の半分の長さよりも長くすると、基板の回転に伴い、第１吐出手段から吐出された列状処理液のうち基板の端縁側の処理液の一部が基板上面に供給されない状態（例えば列状処理液の配列方向と角型基板の短辺方向とが平行になった場合）が発生する。その状態から基板がさらに回転されると、角型基板の角部（４隅）が第１吐出手段から吐出された基板の端縁側の処理液を横から切ってしまい、処理液の跳ね返りを発生させる。このため、角型基板の上面に対して列状処理液を確実に着液させることにより、処理液の跳ね返りを防止して、基板を均一に処理することができる。特に、基板サイズが大きい場合には、角部の線速度も大きくなるため、上記のように列状処理液の配列方向における長さを設定することが、処理液の跳ね返りを防止する上で非常に有効となる。
【００１８】
この発明にかかる基板処理装置の他の態様は、基板を略水平姿勢で回転させながら該基板に処理液を供給して基板に対して所定の処理を施す基板処理装置であって、上記目的を達成するため、基板を略水平姿勢で保持する基板保持手段と、基板保持手段を回転駆動して基板を所定の回転中心回りに回転させる回転駆動手段と、回転駆動手段により回転される基板の上面に向けて、基板の回転半径方向に略平行な方向に沿って列状に、しかも基板の回転方向に沿って基板上面に対して斜め上方から処理液を吐出する吐出手段とを備え、吐出手段から吐出され基板上面に着液する列状処理液を構成する処理液の各々の着液位置は、基板の回転中心を通って基板の回転半径方向に伸びる線を回転半径線としたとき、基板上面において以下の第１および第２条件を満足することを特徴としている。
【００１９】
ここで、第１条件とは、回転半径線のうち基板の回転中心に対して一方側に伸びる線上から回転半径線に直交するオフセット方向に基板の回転方向と反対方向に所定の距離だけずれている構成である。また、第２条件とは、着液位置の基板の回転中心側の端部が、基板の回転中心を通ってオフセット方向に伸びる線に対して、回転半径線の伸びる方向において基板の回転中心に対して一方側と反対の他方側に位置している構成である。
【００２０】
このような構成によれば、吐出手段より基板の回転半径方向に略平行な配列方向に沿って列状に処理液（列状処理液）を吐出しているので、比較的広範囲にわたって基板上面の各部に処理液が供給されるまでの時間差を最小限にとどめ処理液を供給することができる。
【００２１】
また、第１条件を満足することにより、基板上面に着液した列状処理液を構成する処理液の液滴の各々に作用する遠心力の方向（回転半径方向）は、互いに相違する方向となる。その結果、基板上面に着液した処理液（液滴）の軌跡が互いに異なり、基板上面における処理液の均一分散が促進される。さらに、基板の回転方向に沿って処理液を吐出することにより、基板上面に着液した処理液は吐出方向に沿って該吐出方向の前面側に押し広げられていく。したがって、少量の処理液で、より広範囲に処理液を均一に分散させることができる。
【００２２】
また、第２条件を満足することにより、基板上面に着液した列状処理液のうち基板の回転中心側の端部に位置する処理液は、基板の回転中心を通過しながら基板の端縁側へと流れていく。具体的には、吐出手段からの吐出方向に作用する力のほか、基板の回転に伴う基板の回転方向と反対方向に作用する反作用の力と、回転半径方向に作用する遠心力とを受けながら処理液が基板中心部に供給され、分散しながら基板外に排出されていく。
【００２３】
したがって、第１および第２条件を満足することにより、基板中心部を確実に処理しながらも、列状処理液によって基板上面の各部に速やかに処理液を供給することができ、基板上面を均一に処理することが可能となっている。その結果、基板上面に供給する処理液の量を増加させることなく、少量の処理液で基板を均一にして処理することができる。
【００２４】
ここで、処理液の浪費を抑制しつつ均一に基板を処理するために、吐出手段として基板の回転半径方向に略平行な配列方向に沿って複数の吐出孔が設けられた多孔ノズルを設けて、該複数の吐出孔の各々から処理液を吐出するようにしてもよい。
【００２５】
また、長方形の角型基板を処理する場合には、吐出手段から吐出され基板上面に着液する列状処理液の配列方向における長さＬを以下の条件を満足するように設定するのが好ましい。つまり、
Ｌ≦Ｒｅ・ｓｉｎθ＋（Ｗｎ／２）
ただし、
Ｒｅ…角型基板の回転中心から列状処理液の角型基板の回転中心側の端部着液位置までの距離、
θ…角型基板の回転中心と列状処理液の角型基板の回転中心側の端部着液位置とを結ぶ線分と、角型基板の回転中心を通ってオフセット方向に伸びる線とがなす角、
Ｗｎ…角型基板の短辺の長さ、
に設定することが好ましい。
【００２６】
このような構成によれば、回転される角型基板の上面に対して列状処理液を確実に着液させることが可能となり、回転される角型基板の角部（４隅）が吐出手段から吐出された基板の端縁側の処理液を切ってしまうのを防止することができる。その結果、処理液の跳ね返りを防止して、基板を均一に処理することができる。
【発明の効果】
【００２７】
この発明によれば、基板上面に列状に処理液を吐出することにより比較的広範囲にわたって基板上面の各部に処理液が供給されるまでの時間差を最小限にとどめ処理液を供給している。しかも、基板上面に着液する列状処理液を構成する処理液の各々の着液位置を回転半径線上から回転半径線に直交するオフセット方向に沿って所定の距離だけずらすことにより、基板上面における処理液の均一分散を促進することができる。さらに、基板中心に向けて処理液を供給することにより、基板中心部を確実に処理している。したがって、基板中心部を確実に処理しながらも、列状処理液によって基板上面の各部に速やかに処理液を供給することができ、少量の処理液で基板上面全体を均一にして処理することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
＜第１実施形態＞
図１は、この発明にかかる基板処理装置の第１実施形態を示す図である。この基板処理装置は、長方形の角型基板であるＬＣＤ用ガラス基板Ｗ（以下、単に「基板Ｗ」という）に処理液として希フッ酸等の薬液を供給して、該基板Ｗの上面に不所望に形成された薄膜（不要物）をエッチング除去する装置である。この装置は、図１に示すように、基板Ｗを略水平姿勢で保持する基板保持部１（基板保持手段）と、その基板保持部１を回転駆動する回転駆動部２と、基板保持部１に保持された基板Ｗの上面に処理液を供給する液吐出ノズル部３と、液吐出ノズル部３を上下方向および水平方向に移動させるノズル駆動部４と、基板Ｗから振り切られる液体を回収するカップ部５と、それぞれの装置各部を収納するハウジング６と、装置全体を制御する制御部（図示省略）とを備えている。
【００２９】
この基板保持部１は、基板Ｗと同程度の平面サイズを有する基板支持板１１と、この基板支持板１１の上面に固着されて基板Ｗの周縁部を支持する周縁支持ピン１２と、基板支持板１１の上面に固着されて基板Ｗの下面中央部を支持する中央支持ピン１３とを備えている。また、基板保持部１は、エッチング処理を実行することを考慮して耐薬品性樹脂で構成されている。
【００３０】
周縁支持ピン１２は基板Ｗの４角部に対応して配置される。各周縁支持ピン１２は、基板Ｗの外周端縁を下方から支持する支持台１２１と、支持台１２１に支持された基板Ｗの外周端面に当接して基板Ｗの移動を規制する案内立ち上がり面１２２とを備えており、基板Ｗの周縁部を４箇所で支持している。なお、図１では、図面が煩雑になることを避けるために、２個の周縁支持ピン１２のみを示している。また、中央支持ピン１３は基板Ｗの中央部に対応して基板支持板１１に４個配置されている。なお、中央支持ピン１３の個数は４個に限定されるものではない。
【００３１】
基板支持板１１の下面には、中空の筒軸２１の上方端部が取り付けられている。そして、この筒軸２１の下方端部がベルト機構２２を介してモータ２３の回転駆動力が伝達されるように構成されている。このため、モータ２３を駆動することで基板支持板１１に保持された基板Ｗは回転中心（基板Ｗの中心）Ａ０回りに回転される。このように、この実施形態では、モータ２３とベルト機構２２とを備える回転駆動部２が本発明の「回転駆動手段」として機能している。
【００３２】
また、筒軸２１は中空筒状の部材で構成され、その中心に沿って液ノズル１６が配設されている。そして、液ノズル１６には、液供給管１６１が貫通され、この液供給管１６１の上端が基板Ｗの下面中央部に臨んでおり、上端部に設けられたノズル孔１６２から基板Ｗの下面の回転中心付近に処理液として薬液や洗浄液を供給できるように構成されている。なお、ここでは、洗浄液として純水等が用いられている。
【００３３】
さらに、筒軸２１は基板支持板１１の開口に臨んで延在し、基板支持板１１に対して上側に位置することにより排出口１７が開口されている。また、筒軸２１と液ノズル１６との間隙は流量調整弁８６ａを介して配管８６が大気圧雰囲気に開放されるように構成されている。そして、排出口１７において、この液ノズル１６の側面と筒軸２１内周面との間隙から大気圧雰囲気からのエアーが吐出される。また、液ノズル１６の先端部には断面Ｔ字状に形成され、平坦な上面の中央部に処理液のノズル孔１６２が開口される。
【００３４】
液ノズル１６は配管８０に接続されている。この配管８０の基端部は２つに分岐されており、第１の分岐配管８０ａには薬液供給源８１が接続され、第２の分岐配管８０ｂには純水供給源８２が接続されている。各分岐配管８０ａ、８０ｂには開閉弁８３ａ、８３ｂがそれぞれ設けられている。そして、制御部からの開閉指令に応じて開閉弁８３ｂを開き、開閉弁８３ａを閉じることで、洗浄液（純水）が配管８０を介して液ノズル１６に圧送されて液ノズル１６のノズル孔１６２から基板Ｗの下面に向けて供給される。また、制御部からの開閉指令に応じて開閉弁８３ａを開き、開閉弁８３ｂを閉じることで、液ノズル１６のノズル孔１６２から基板Ｗの下面に向けて薬液を供給できるようになっている。
【００３５】
また、気体供給路１６３は、液ノズル１６内に設けられるとともに、その下端部は、開閉弁８４ａが設けられた配管８４を介して気体供給源８５に連通接続されており、気体供給路１６３の上端部の吐出口から基板支持板１１と基板Ｗの下面との間の空間に、清浄な空気や清浄な不活性ガス（窒素ガスなど）などの清浄な気体を供給できるように構成されている。
【００３６】
モータ２３やベルト機構２２などは、この基板処理装置の底板としてのベース部材６１上に設けられた円筒状のケーシング６２内に収容されている。このケーシング６２が、筒軸２１の外周面に軸受け６３を介して接続され、筒軸２１を覆う状態となる。すなわち、モータ２３から基板支持板１１に接続する直前までの筒軸２１の周囲をケーシング６２で覆い、これに伴い筒軸２１に下方に取り付けられたモータ２３もカバーで覆った状態とする。
【００３７】
液吐出ノズル部３は、ノズル本体３０を備えており、ノズル本体３０が基板保持部１に保持された基板Ｗの上方に上下方向および水平方向に移動自在に配設されている。ノズル本体３０は支持アーム７の先端部に取り付けられており、この支持アーム７の他端部にはノズル駆動部４が連結されている。そのため、ノズル駆動部４が駆動されることで、ノズル本体３０を後述する処理位置と、基板搬送手段（図示せず）により基板Ｗを搬入出する際に基板保持部１から退避した退避位置との間で移動可能に構成されている。ノズル駆動部４は、ノズル本体３０と支持アーム７とを一体的に水平移動させる水平移動駆動源４１と、ノズル本体３０と支持アーム７とを一体的に上下方向に昇降させる昇降駆動源４２とを備えている。これらの構成により、ノズル本体３０を、水平移動駆動源４１の駆動により基板Ｗの上面に平行に水平移動させるとともに、昇降駆動源４２の駆動により上下移動させることが可能となっている。
【００３８】
液吐出ノズル部３は、液ノズル１６側と同様にして薬液と洗浄液とを選択的に切り換えて基板Ｗの上面に供給できるようになっている。すなわち、ノズル本体３０には、液供給管３１が接続され、液供給管３１からノズル本体３０に圧送される処理液をノズル本体３０から基板保持部１に保持された基板Ｗの上面に供給できるように構成されている。この液供給管３１は配管８７に接続されている。そして、この配管８７の基端部は２つに分岐されており、第１の分岐配管８７ａには薬液供給源８１が接続され、第２の分岐配管８７ｂには純水供給源８２が接続されている。分岐配管８７ａ、８７ｂには開閉弁８８ａ、８８ｂがそれぞれ設けられている。そして、制御部からの開閉指令に応じて開閉弁８８ｂを開き、開閉弁８８ａを閉じることで洗浄液（純水）がノズル本体３０から基板Ｗの上面に向けて供給される。また、制御部からの開閉指令に応じて開閉弁８８ａを開き、開閉弁８８ｂを閉じることで、ノズル本体３０から基板Ｗの上面に向けて薬液を供給できるようになっている。
【００３９】
図２は、液吐出ノズル部の構成および液吐出ノズル部から吐出された処理液の基板上面における着液位置を示す斜視図であり、図３は、その平面図である。具体的には、これらの図２および図３は、ノズル駆動部４の駆動により液吐出ノズル部３が基板Ｗの直上の処理位置に位置決めされ、該処理位置にて液吐出ノズル部３から基板Ｗの上面に向けて処理液を吐出している様子を示している。
【００４０】
ノズル本体３０は、基板Ｗの回転半径方向に略平行な配列方向Ｘ（（＋Ｘ）方向および（−Ｘ）方向）に伸びる筒状に構成されており、多孔ノズル３２と中心処理ノズル３３とを備えている。多孔ノズル３２と中心処理ノズル３３とは基板Ｗの配列方向Ｘに沿って結合され、一体的に構成されている。つまり、液供給管３１からノズル本体３０に処理液が圧送されることにより、多孔ノズル３２と中心処理ノズル３３とから処理液が基板Ｗの上面に向けて吐出されるように構成されている。
【００４１】
多孔ノズル３２には、配列方向Ｘに沿って一列に複数の吐出管３２１が等間隔に設けられている。これらの吐出管３２１はそれぞれ、吐出管３２１から吐出される処理液の直進性を高めるために後述の吐出方向に沿って延設された細径の円筒形状に構成されている。これにより、各吐出管３２１から吐出され基板Ｗの上面に処理液が着液する着液位置が相互に重なり、互いに干渉するのを防止することができる。また、吐出管３２１の先端に開口された吐出孔３２１ａの開口径は、処理液の流量（吐出量）を絞る目的からφ１〜２ｍｍ程度となっている。したがって、液供給管３１からノズル本体３０に処理液が圧送されると、複数の吐出管３２１の各々の吐出孔３２１ａから処理液が一斉に吐出方向に沿って吐出され、基板Ｗの上面に配列方向Ｘに沿って一列に処理液が供給される。このように、この実施形態では、多孔ノズル３２が、本発明の「第１吐出手段」として機能している。
【００４２】
一方、中心処理ノズル３３には、吐出管３３１が延設されており、吐出管３３１の先端に開口された吐出孔３３１ａは、基板Ｗの上面中心（回転中心Ａ０）に向けられている。このため、液供給管３１からノズル本体３０に処理液が圧送されると、吐出孔３３１ａから基板Ｗの回転中心Ａ０に向けて処理液が吐出され、基板Ｗの中心部に処理液が供給される。このように、この実施形態では、中心処理ノズル３３が、本発明の「第２吐出手段」として機能している。
【００４３】
図４は、多孔ノズルから吐出される処理液の吐出方向を説明するための図である。多孔ノズル３２の各吐出管３２１から吐出される処理液は、基板Ｗの回転方向Ａに沿って基板Ｗの上面に対して斜め上方から入射される。このとき、基板Ｗの上面と処理液の吐出方向Ｆとのなす角αは、おおよそ３０°〜６０°に設定される。このように、処理液を吐出させることにより、基板Ｗの上面に着液した処理液は、基板Ｗの回転に伴う基板の回転方向Ａと反対方向に作用する反作用の力と回転半径方向に作用する遠心力を受けながらも、回転方向Ａにならった吐出方向Ｆに沿って該吐出方向Ｆの前面側に押し広げられていく。
【００４４】
次に、図２および図３に戻って多孔ノズル３２から吐出された処理液の基板Ｗの上面における着液位置について説明する。ここでは、基板Ｗの回転中心Ａ０を通って基板Ｗの回転半径方向に伸びる任意の仮想線のうち、ノズル本体３０の配列方向（Ｘ方向）に平行する仮想線を回転半径線ＲＬとして、該回転半径線ＲＬを基準として多孔ノズル３２から吐出される処理液の着液位置について説明していく。ここで、回転半径線ＲＬは、基板Ｗの上面に着液する処理液の着液位置を特定するために便宜的に導入するものであり、回転半径線ＲＬそれ自体は、基板Ｗと多孔ノズル３２（配列方向Ｘ）との配置関係に応じて任意に仮想的に描かれるものであって、基板Ｗの位置に対して特定されるものではない。
【００４５】
多孔ノズル３２から吐出され基板Ｗの上面に着液する列状処理液を構成する処理液（液滴）の各々の着液位置は、回転半径線ＲＬ上ではなく、回転半径線ＲＬ上から回転半径線ＲＬに直交するオフセット方向Ｙ（（＋Ｙ）方向および（−Ｙ）方向）に所定の距離Ｓ１（以下「オフセット距離」という）だけずれている。すなわち、回転半径線ＲＬ上からＹ方向にオフセット距離Ｓ１だけずらした位置に列状処理液が着液するように、多孔ノズル３２から処理液を吐出させている。
【００４６】
また、列状処理液の着液位置は、基板Ｗの上面において次のように限定されている。すなわち、基板Ｗの回転中心Ａ０を通ってＹ方向に伸びる線ＣＬと回転半径線ＲＬとで基板Ｗの上面を分割して規定される４つの象限Ｗ１〜Ｗ４のうち、列状処理液の着液位置が象限Ｗ２内の領域に限定されている。これは、上記した基板Ｗの回転方向Ａに沿って基板Ｗの上面に対して処理液を吐出するという要請と、処理液の消費量を抑制するためである。このように列状処理液の着液位置を限定しても、基板Ｗの回転により着液した処理液が拡散され、中心処理ノズル３３から供給される処理液と合わせて基板Ｗの上面全体を処理することが可能である。なお、中心処理ノズル３３により基板Ｗの中心部を処理する限り、多孔ノズル３２から吐出される列状処理液の着液位置を象限Ｗ１内の領域に限定するようにしてもよい。
【００４７】
さらに、基板Ｗの上面に着液する列状処理液のＸ方向の長さＬ１が、基板Ｗの短辺の長さＷｎの半分以下となるように、多孔ノズル３２から処理液を吐出させている。このように、列状処理液の長さＬ１を規定することにより、回転される基板Ｗの上面に対して列状処理液を確実に着液させることが可能となっている。
【００４８】
次に、上記のように構成された基板処理装置の動作について説明する。ここでは、基板保持部１に保持された基板Ｗに対して処理液として希フッ酸等の薬液を供給して基板Ｗの上面に不所望に形成された薄膜をエッチング除去する場合について説明する。
【００４９】
基板搬送手段により未処理の基板Ｗが装置内に搬入され、基板保持部１に保持されると、ノズル駆動部４の駆動によりノズル本体３０が退避位置から処理位置に移動される。基板保持部１に保持された基板Ｗは、モータ２３が駆動されることで、基板Ｗの回転中心Ａ０回りに所定の回転速度で回転される。このようなエッチング処理において、基板Ｗの回転速度は、およそ５０〜２００ｒｐｍ、好ましくは５０〜１５０ｒｐｍに設定される。
【００５０】
続いて、ノズル本体３０から基板Ｗの上面に向けて薬液が吐出される。具体的には、多孔ノズル３２から基板Ｗの上面に対して基板Ｗの回転方向Ａに沿って斜め上方から列状に（一列に）薬液が吐出されるとともに、中心処理ノズル３３から基板Ｗの上面の回転中心Ａ０に向けて薬液が吐出される。多孔ノズル３２から吐出された列状薬液を構成する薬液（液滴）の各々は、基板Ｗの上面において、回転半径線ＲＬから（＋Ｙ）方向にオフセット距離Ｓだけずれた位置に着液する。ここで、基板Ｗがいわゆる第４世代（基板サイズ：７３０ｍｍ×９２０ｍｍ）のガラス基板である場合には、処理の均一性の観点からオフセット距離Ｓは、およそ４０ｍｍ〜６０ｍｍに設定するのが好適である。勿論、オフセット距離Ｓは、処理対象となる基板サイズに応じて適宜、適正な距離に設定される。
【００５１】
図５は、多孔ノズルから吐出され基板上面に着液した薬液に作用する力の方向を示した模式図である。基板Ｗの上面に着液した列状薬液を構成する各薬液（液滴）には、(1)基板Ｗの回転方向Ａと反対方向に作用する反作用の力ｆｒ１，ｆｒ２，…ｆｒｎと、(2)回転半径方向に作用する遠心力ｆｃ１，ｆｃ２，…ｆｃｎと、(3)回転方向Ａにならった吐出方向Ｆに作用する力ｆｄ１，ｆｄ２，…ｆｄｎとが合成されたベクトルに従った方向および力の大きさに沿って基板Ｗの上面を流れ、基板外に排出されていく。ここで、仮に列状薬液を構成する薬液の各々を回転半径線ＲＬ上に着液させた場合には、列状薬液を構成する各薬液（液滴）に作用する遠心力の方向（回転半径方向）は、すべて同一方向となる。その一方で、図５に示すように列状薬液を構成する薬液の各々を回転半径線ＲＬ上からＹ方向にずらして着液させることにより、列状薬液を構成する薬液の各々に作用する遠心力ｆｃ１，ｆｃ２，…ｆｃｎの方向（回転半径方向）は、互いに相違する方向となる。その結果、基板Ｗの上面に着液した後の薬液（液滴）の軌跡が互いに異なり、基板Ｗの上面における薬液の均一分散が促進される。
【００５２】
しかも、基板Ｗの回転方向Ａに沿って斜め上方から薬液を吐出しているので、基板Ｗの上面に着液した薬液は回転方向Ａにならった吐出方向Ｆに沿って該吐出方向Ｆの前面側に押し広げられていく。したがって、少量の薬液で、より広範囲に薬液を均一分散させることができ、基板Ｗの上面の各部に供給される単位面積当たりの薬液の供給量の均一性をさらに高めることができる。さらに、基板Ｗの上面に垂直に薬液を吐出する場合に対して、次のような有利な効果を有する。すなわち、基板Ｗの上面に向けて吐出され基板Ｗの上面に着液する薬液が、基板Ｗの上面に既に供給された薬液と干渉するのを抑制することができる。例えば、基板Ｗの上面に着液する薬液と、基板Ｗの回転とともに着液位置に移動してくる基板Ｗの上面に付着する薬液との衝突により、基板Ｗの上面で薬液の液面が盛り上がり、エッチング処理の均一性を劣化させることがあるが、このような現象の発生を防止することができる。
【００５３】
また、基板Ｗの上面に着液する列状薬液の配列方向（Ｘ方向）の長さＬ１が、角型基板である基板Ｗの短辺の長さＷｎの半分以下となっているので、回転される基板Ｗの上面に対して列状薬液を確実に着液させることができる。これにより、次のような効果が得られる。すなわち、列状薬液のＸ方向における長さＬ１を角型基板の短辺の長さＷｎの半分よりも長くすると、基板Ｗの回転に伴い、多孔ノズル３２から吐出された列状薬液のうち基板Ｗの端縁側の薬液の一部が基板Ｗの上面に供給されない状態（例えば列状薬液の配列方向Ｘと基板Ｗの短辺方向とが平行になった場合）が発生する。その状態から基板Ｗがさらに回転されると、基板Ｗの角部（４隅）が多孔ノズル３２から吐出された基板Ｗの端縁側の薬液を横から切ってしまい、薬液の跳ね返りを発生させる。このため、上記のように基板Ｗの上面に対して列状薬液を確実に着液させることにより、薬液の跳ね返りを防止して、基板Ｗを均一にエッチング処理することができる。
【００５４】
以上のように、この実施形態によれば、複数の吐出孔３２１ａを有する多孔ノズル３２から配列方向Ｘに沿って列状に薬液を吐出しているので、比較的広範囲にわたって薬液を基板Ｗの上面に同時に着液させることができる。したがって、基板Ｗの上面の各部に薬液が供給されるまでの時間差を最小限にとどめ基板Ｗの上面の各部に所定量の薬液を供給することができる。
【００５５】
また、この実施形態によれば、列状薬液を構成する薬液の各々の着液位置を回転半径線ＲＬ上から回転半径線ＲＬに直交するオフセット方向Ｙに沿って所定の距離（オフセット距離）Ｓだけずらしている。その結果、基板Ｗの上面に着液した薬液（液滴）の軌跡が互いに異なり、基板Ｗの上面における薬液の均一分散が促進される。さらに、基板Ｗの回転方向Ａに沿って薬液を吐出させているので、基板Ｗの上面に着液した薬液は吐出方向Ｆに沿って該吐出方向Ｆの前面側に押し広げられ、少量の薬液で、より広範囲に薬液を均一に分散させることができる。
【００５６】
また、この実施形態によれば、中心処理ノズル３３より基板Ｗの回転中心Ａ０に向けて薬液を吐出している。このため、多孔ノズル３２より吐出され基板Ｗの上面に着液した薬液を基板Ｗの回転中心Ａ０に十分に供給することができない、あるいは基板Ｗの上面に着液した薬液の軌跡が基板Ｗの回転中心Ａ０を外れる場合であっても、中心処理ノズル３３により吐出される薬液によって、基板Ｗの中心部を確実にエッチング処理することができる。
【００５７】
このように、この実施形態によれば、中心処理ノズル３３より吐出される薬液によって基板Ｗの中心部を確実にエッチング処理しながらも、多孔ノズル３２より吐出される列状薬液によって基板Ｗの上面の各部に速やかに薬液を供給することができ、基板Ｗの上面を均一にエッチング処理することが可能となっている。したがって、基板Ｗの上面に供給する薬液の量を増加させることなく、少量の薬液で基板Ｗの上面全体を均一にしてエッチング処理することができる。
【００５８】
＜第２実施形態＞
図６は、この発明にかかる基板処理装置の第２実施形態を示す図である。また、図７は図６の基板処理装置の要部拡大図である。この第２実施形態が第１実施形態と大きく相違する点は、多孔ノズルのみから供給される薬液で基板Ｗの上面に対してエッチング処理を施している点であり、そのように処理するために多孔ノズルから吐出され基板Ｗの上面に着液する薬液の着液位置を変更している。なお、その他の構成は基本的に第１実施形態と同様であり、第１実施形態と対比しながら、第２実施形態の特徴について以下に詳述する。
【００５９】
この第２実施形態にかかる基板処理装置で採用されるノズル本体３０は、多孔ノズル３４（本発明の「吐出手段」に相当）のみからなり、その構成は第１実施形態で用いられた多孔ノズル３２と同様である。すなわち、多孔ノズル３４には、配列方向（Ｘ方向）に沿って一列に複数の吐出管３４１が等間隔に延設され、各吐出管３４１の吐出孔３４１ａから基板Ｗの上面に対して斜め上方から薬液が吐出されるよう構成されている。また、基板Ｗの上面に着液する列状薬液を構成する薬液の各々の着液位置が、オフセット方向（Ｙ方向）に所定の距離（オフセット距離）だけずれるように、多孔ノズル３４から薬液を吐出させている。なお、オフセット距離Ｓ２については、薬液の均一分散とともに、基板Ｗの中心部に薬液を確実に供給するという観点から、基板Ｗの回転速度等も考慮して適宜、設定される。
【００６０】
その一方で、第１実施形態においては、基板Ｗの回転中心Ａ０を通ってＹ方向に伸びる線ＣＬと回転半径線ＲＬとで基板Ｗの上面を分割して規定される４つの象限Ｗ１〜Ｗ４のうち、列状薬液の着液位置を象限Ｗ２内の領域に限定していたが、この第２実施形態では、列状薬液の一部を象限Ｗ３内の領域に着液させている。つまり、基板Ｗの上面に着液する列状薬液を構成する薬液（液滴）の着液位置が以下の第１および第２条件を満足するように、多孔ノズル３４から薬液を吐出させている（図７）。
【００６１】
第１条件：回転半径線ＲＬのうち基板Ｗの回転中心Ａ０に対して一方側（＋Ｘ方向）に伸びる線上からＹ方向に基板Ｗの回転方向Ａと反対方向に所定の距離（オフセット距離）Ｓ２だけずれている。つまり、回転半径線ＲＬのうち基板Ｗの回転中心Ａ０に対して＋Ｘ方向に伸びる線上から＋Ｙ方向にオフセット距離Ｓ２だけずれている。
【００６２】
第２条件：列状薬液の着液位置の基板Ｗの回転中心側の端部Ｐｅが、基板Ｗの回転中心Ａ０を通ってＹ方向に伸びる線ＣＬに対して、回転半径線ＲＬのうち基板Ｗの回転中心Ａ０に対して他方側（−Ｘ方向）に位置している。
【００６３】
このように、列状薬液を着液させることにより、基板Ｗの回転により、列状薬液のうち基板Ｗの回転中心側の端部Ｐｅに位置する薬液は、基板Ｗの回転中心Ａ０を通過しながら基板Ｗの端縁側へと流れていく。具体的には、基板Ｗの回転中心側の端部Ｐｅに位置する薬液には、吐出方向に作用する力のほか、基板Ｗの回転方向Ａと反対方向に作用する反作用の力と、回転半径方向に作用する遠心力が働き、それらの合力に従って薬液が基板Ｗの中心部に供給され、分散しながら基板外に排出されていく。
【００６４】
ここで、基板Ｗの回転中心Ａ０から列状薬液の基板Ｗの回転中心側の端部着液位置Ｐｅまでの距離をＲｅとし、基板Ｗの回転中心Ａ０と列状薬液の基板Ｗの回転中心側の端部着液位置Ｐｅとを結ぶ線分と、基板Ｗの回転中心Ａ０を通ってＹ方向に伸びる線ＣＬとがなす角をθとすると、Ｒｅ・ｓｉｎθに相当する長さが象限Ｗ２から象限Ｗ３へと列状薬液の着液位置がシフトされた量となる。このようなシフト量（Ｒｅ・ｓｉｎθに相当する長さ）は、オフセット距離Ｓ２，基板Ｗの回転速度、基板Ｗの上面の状態、使用する薬液の表面張力の大きさ等の諸条件を勘案して、象限Ｗ３内に着液した薬液が基板Ｗの回転中心Ａ０を通るように設定される。
【００６５】
また、角型基板Ｗの上面に着液する列状薬液の配列方向（Ｘ方向）の長さＬ２が、以下の不等式、つまり、
Ｌ２≦Ｒｅ・ｓｉｎθ＋（Ｗｎ／２）
ただし、Ｗｎ…角型基板の短辺の長さ、
を満足するように、多孔ノズル３４から処理液を吐出させている。このように、列状薬液の長さＬ２を規定することにより、回転される基板Ｗの上面に対して列状薬液を確実に着液させることができる。これにより、回転される基板Ｗの角部（４隅）が多孔ノズル３４から吐出された基板Ｗの端縁側の薬液を切ってしまうのを防止することができる。その結果、薬液の跳ね返りを防止して、基板Ｗを均一にエッチング処理することができる。
【００６６】
以上のように、この実施形態によれば、第１実施形態と同様にして多孔ノズル３４より基板Ｗの回転半径方向に略平行な配列方向Ｘに沿って列状に薬液（列状薬液）を吐出しているので、比較的広範囲にわたって基板Ｗの上面の各部に薬液が供給されるまでの時間差を最小限にとどめ薬液を供給することができる。
【００６７】
また、この実施形態によれば、上記第１条件を満足することにより、第１実施形態と同様の作用効果を得ることができる。すなわち、基板Ｗの上面に着液した薬液（液滴）の軌跡が互いに異なり、基板Ｗの上面における薬液の均一分散が促進される。さらに、基板Ｗの回転方向Ａに沿って薬液を吐出することにより、基板Ｗの上面に着液した薬液は吐出方向に沿って該吐出方向の前面側に押し広げられ、少量の薬液で、より広範囲に薬液を均一に分散させることができる。
【００６８】
また、この実施形態によれば、上記第２条件を満足することにより、基板Ｗの上面に着液した列状薬液のうち基板Ｗの回転中心側の端部Ｐｅに位置する薬液を基板Ｗの中心部に供給することが可能となり、基板Ｗの中心部をエッチング処理することができる。
【００６９】
したがって、第１および第２条件を満足することにより、基板Ｗの中心部を確実に処理しながらも、列状薬液によって基板Ｗの上面の各部に速やかに薬液を供給することができ、基板Ｗの上面を均一にエッチング処理することが可能となっている。その結果、基板Ｗの上面に供給する薬液の量を増加させることなく、少量の薬液で基板Ｗを均一にして処理することができる。しかも、中心処理用のノズルを設けることなく、各吐出管３４１から同一条件で薬液を吐出しているので、エッチング処理の均一性が一層に高められる。
【００７０】
＜その他＞
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば上記第１実施形態では、ノズル本体３０に多孔ノズル３２と中心処理ノズル３３とが設けられ、多孔ノズル３２と中心処理ノズル３３とを一体的に構成しているが、これに限定されない。例えば図８に示すように、多孔ノズル３２とは別に、中心処理ノズル３５を別体に設けて、多孔ノズル３２と中心処理ノズル３５とを個別に配置してもよい（第３実施形態）。このように構成することで、基板Ｗの中心部を確実に処理しながら、中心処理ノズル３５の配設位置にかかわりなく、処理内容に応じて多孔ノズル３２から吐出する処理液の吐出方向、列状処理液の着液位置等の処理パラメータを自在に変更することができる。
【００７１】
また、上記実施形態では、多孔ノズル３２，３４から基板Ｗの上面に対して斜め上方から処理液（列状処理液）を吐出しているが、処理液の吐出方向は任意である。例えば基板Ｗの上面に対して垂直に処理液を吐出してもよい。このように構成しても、列状処理液の着液位置が回転半径線ＲＬ上からオフセット方向Ｙにずれている限り、基板Ｗに着液した処理液（液滴）の軌跡が互いに異なり、処理液の均一分散が促進される。したがって、少量の処理液で、基板Ｗの上面全体を均一にして処理することができる。この場合、基板Ｗの回転方向Ａと吐出方向とは直交関係にあるので、基板Ｗの回転中心Ａ０を通ってＹ方向に伸びる線ＣＬと回転半径線ＲＬとで基板Ｗの上面を分割して規定される４つの象限Ｗ１〜Ｗ４のいずれかに列状処理液の着液位置が限定されることはない。
【００７２】
また、上記実施形態では、多孔ノズル３２，３４に複数の吐出管をＸ方向（配列方向）に沿って一列に配設して、複数の吐出管の各々から吐出され基板Ｗの上面に着液する各処理液の着液位置が一列に配列するようにしているが、処理液の配列形状はこれに限定されない。例えば、複数の吐出管の各々から吐出され基板Ｗの上面に着液する各処理液の着液位置が、Ｙ方向（オフセット方向）において互いに異なるように、弓なり状にあるいは千鳥状に配列方向Ｘに沿って配列させるように、多孔ノズルの構成を変更してもよい。要は、複数の吐出管の各々から吐出され基板Ｗの上面に着液する各処理液の着液位置が相互に干渉しないように、配列方向Ｘに沿って列状に処理液を吐出させる限り、多孔ノズルの構成は任意である。
【００７３】
また、上記実施形態では、多孔ノズル３２，３４に設けられた複数の吐出管より処理液を吐出させることで、列状処理液を基板Ｗに供給しているが、これに限定されない。例えば複数の吐出ノズルを個別に配列方向Ｘに沿って列状に配置して、各吐出ノズルから処理液を吐出させることにより、列状処理液を基板Ｗに供給するようにしてもよい。
【００７４】
また、上記実施形態では、多孔ノズル３２，３４には、複数の吐出管が延設されているが、複数の吐出管を設けることなく、配列方向Ｘに伸びる管に配列方向Ｘに沿って複数の吐出孔を穿設するようにしてもよい。さらに、多孔ノズルに限らず、配列方向Ｘに伸びるように開口されたスリットノズルを用いてもよい。
【００７５】
また、上記実施形態では、希フッ酸等による薬液を基板Ｗに供給して基板Ｗに対してエッチング処理を施す場合について説明しているが、基板処理の内容はこれに限定されない。例えば、処理液として純水等の洗浄液を用いて、該洗浄液に超音波振動を付与しながら列状に洗浄液を回転する基板Ｗに供給して、基板Ｗに対して洗浄処理を施す装置にも適用することができる。
【産業上の利用可能性】
【００７６】
この発明は、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、ＰＤＰ（プラズマ・ディスプレイ・パネル）用基板、あるいは磁気ディスク用のガラス基板やセラミック基板などを含む各種基板を回転させながら該基板に処理液を供給して、基板に対して所定の処理を施す基板処理装置に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】この発明にかかる基板処理装置の第１実施形態を示す図である。
【図２】液吐出ノズル部の構成および液吐出ノズル部から吐出された処理液の基板上面における着液位置を示す斜視図である。
【図３】液吐出ノズル部の構成および液吐出ノズル部から吐出された処理液の基板上面における着液位置を示す平面図である。
【図４】多孔ノズルから吐出される処理液の吐出方向を説明するための図である。
【図５】多孔ノズルから吐出され基板上面に着液した薬液に作用する力の方向を示した模式図である。
【図６】この発明にかかる基板処理装置の第２実施形態を示す図である。
【図７】図６の基板処理装置の要部拡大図である。
【図８】この発明にかかる基板処理装置の第３実施形態を示す図である。
【符号の説明】
【００７８】
１…基板保持部（基板保持手段）
２…回転駆動部（回転駆動手段）
３２…多孔ノズル（第１吐出手段）
３３，３５…中心処理ノズル（第２吐出手段）
３４…多孔ノズル（吐出手段）
３２１ａ，３４１ａ…複数の吐出孔
Ａ…（基板の）回転方向
Ａ０…（基板の）回転中心
ＣＬ…オフセット方向に伸びる線
Ｌ１，Ｌ２…列状処理液の配列方向における長さ
ＲＬ…回転半径線
Ｗ…基板
Ｗ１〜Ｗ４…（基板の回転中心を通ってオフセット方向に伸びる線と回転半径線とで基板上面を分割して規定される）４つの象限
Ｘ…配列方向
＋Ｘ…回転半径線のうち基板の回転中心に対して一方側
−Ｘ…回転半径線のうち基板の回転中心に対して他方側
Ｙ…オフセット方向
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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