(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）下記式（１−ａ）で表される構造と下記式（１−ｂ）で表される構造とを有する化合物からなる感放射線性酸発生剤
【化１】
0004438218.tif 000021
〔式（１−ａ）において、Ｒ1 〜Ｒ15は相互に独立に、水素原子、ヒドロキシル基、炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状、もしくは環状のアルキル基、炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状、もしくは環状のアルコキシル基またはｔ−ブトキシカルボニルメトキシ基を示し、かつＲ1 〜Ｒ5 のうちの２個以上が水素原子以外の基である条件、Ｒ6 〜Ｒ10のうちの２個以上が水素原子以外の基である条件およびＲ11〜Ｒ15のうちの２個以上が水素原子以外の基である条件の少なくとも１つの条件を満たす。〕
〔式（１−ｂ）において、Ｒ16〜Ｒ20は相互に独立に、水素原子、フッ素原子またはトリフルオロメチル基を示し、かつＲ16〜Ｒ20のうちの１〜５個がフッ素原子またはトリフルオロメチル基である。〕
並びに
（Ｂ）下記式（２）で表される繰返し単位と下記式（３）で表される繰返し単位とを有する樹脂
【化２】
0004438218.tif 000022
〔式（２）において、Ｒ21はメチル基またはエチル基を示し、Ｒ22は炭素数１〜６の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基を示す。〕
【化３】
0004438218.tif 000023
を含有することを特徴とする感放射線性樹脂組成物。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、特にＫｒＦエキシマレーザーあるいはＡｒＦエキシマレーザー等に代表される遠紫外線のほか、電子線等の荷電粒子線、Ｘ線の如き各種の放射線を用いる微細加工に有用な化学増幅型レジストとして好適な感放射線性樹脂組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】
集積回路素子の製造に代表される微細加工の分野においては、より高い集積度を得るために、リソグラフィーにおける加工サイズの微細化が進んでおり、近年では、０．５μｍ以下の微細加工を再現性よく行なうことの可能な技術が必要とされている。そのため微細加工に用いられるレジストにおいても、０．５μｍ以下のパターンを精度よく形成することが必要であるが、従来の可視光線（波長８００〜４００ｎｍ）または近紫外線（波長４００〜３００ｎｍ）を用いる方法では、０．５μｍ以下の微細パターンを高精度に形成することは極めて困難である。そこで、より短波長（波長３００ｎｍ以下）の放射線の利用が鋭意検討されている。
このような短波長の放射線としては、例えば、水銀灯の輝線スペクトル（波長２５４ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）あるいはＡｒＦエキシマレーザー（波長１９３ｎｍ）等に代表される遠紫外線、電子線等の荷電粒子線、シンクロトロン放射線等のＸ線を挙げることができるが、これらのうち特にエキシマレーザーを使用するリソグラフィーが、その高出力、高効率特性等の理由から注目されている。このため、リソグラフィーに用いられるレジストについても、エキシマレーザーにより、０．５μｍ以下の微細パターンを高感度かつ高解像度で再現性よく形成できることが必要とされている。
エキシマレーザー等の遠紫外線に適したレジストとしては、放射線の照射（以下、「露光」という。）により酸を生成する感放射線性酸発生剤を使用し、その酸の触媒作用によりレジストの感度を向上させた「化学増幅型レジスト」が提案されている。
【０００３】
このような化学増幅型レジストとしては、例えば、特開昭５９−４５４３９号公報に、ｔ−ブチル基あるいはｔ−ブトキシカルボニル基で保護された樹脂と感放射線性酸発生剤との組合せが、また特開昭６０−５２８４５号公報に、シリル基で保護された樹脂と感放射線性酸発生剤との組合せが、それぞれ開示されている。またその他にも、アセタール基またはケタール基で保護された樹脂と感放射線性酸発生剤とを含有するレジスト（特開平２−２５８５０号公報参照）等、化学増幅型レジストに関しては多くの報告がなされている。
これらの化学増幅型レジストのうち、特に、アセタール基またはケタール基を有する樹脂を用いた化学増幅型レジストが、解像性能が高いことから注目を集めている（例えば、Proc. SPIE Vol.3049, p314 参照）。
しかしながら、デバイスの設計寸法がサブハーフミクロン以下になり、線幅制御をより精密に行う必要がある場合には、解像性能だけでは不十分であり、レジストパターン形成後の膜表面の平滑性に優れていることも重要となってきている。膜表面の平滑性に劣る化学増幅型レジストを用いると、エッチングなどの処理により、基板にレジストパターンを転写する際に、膜表面の凹凸形状（所謂ナノエッジラフネス）が基板に転写されて、寸法精度が低下し、最終的にデバイスの電気特性が損なわれることになる（例えば、J. Photopolym. Sci. Tech. p571, 1998；Proc. SPIE Vol.3333, p313 ；Proc. SPIE Vol.3333, p634 ；J. Vac. Sci. Technol. B16(1), 1998, p69 参照) 。
そこで、解像性能に優れ、かつナノエッジラフネスの小さい、より優れた化学増幅型レジストの開発が求められてきた。
【０００４】
ところで近年、特開２０００−２８４４８２号公報に、アセタール基またはケタール基を有する樹脂を用い、かつ感放射線性酸発生剤がジアゾメタン系化合物と、トリフェニルスルホニウム有機スルホネート系化合物およびジフェニルヨウドニウム有機スルホネート系化合物の群の１種以上との混合物を含有する化学増幅型レジストが提案されており、該レジストは、感度、解像性能等に優れ、パターン側壁の荒れが少ないなどの特性を有するとされている。
しかしながら、アセタール基またはケタール基を有する樹脂を用いる化学増幅型レジストに対して、特に解像性能およびナノエッジラフネスがともに優れた特性をもたらすことができる感放射線性酸発生剤は、開発の緒についたばかりであり、半導体デバイスにおける微細化の進行に対応しうる技術開発の観点から、このような化学増幅型レジストに対して優れた特性を与える新たな感放射線性酸発生剤の開発が重要な技術課題となっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、従来技術における前記状況に鑑み、各種の放射線、特に、ＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー（波長１９３ｎｍ）あるいはＦ2 エキシマレーザー（波長１５７ｎｍ）に代表される遠紫外線や、電子線等の荷電粒子線に感応し、解像性能およびパターン形状が優れるとともに、特にナノエッジラフネスが小さい化学増幅型レジストとして好適に使用することができる感放射線性樹脂組成物を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明によると、前記課題は、
（Ａ）下記式（１−ａ）で表される構造と下記式（１−ｂ）で表される構造とを有する化合物からなる感放射線性酸発生剤
【０００７】
【化４】
0004438218.tif 000002
【０００８】
〔式（１−ａ）において、Ｒ1 〜Ｒ15は相互に独立に、水素原子、ヒドロキシル基、炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状、もしくは環状のアルキル基、炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状、もしくは環状のアルコキシル基またはｔ−ブトキシカルボニルメトキシ基を示し、かつＲ1 〜Ｒ5 のうちの２個以上が水素原子以外の基である条件、Ｒ6 〜Ｒ10のうちの２個以上が水素原子以外の基である条件およびＲ11〜Ｒ15のうちの２個以上が水素原子以外の基である条件の少なくとも１つの条件を満たす。〕
〔式（１−ｂ）において、Ｒ16〜Ｒ20は相互に独立に、水素原子、フッ素原子またはトリフルオロメチル基を示し、かつＲ16〜Ｒ20のうちの１〜５個がフッ素原子またはトリフルオロメチル基である。〕
並びに
（Ｂ）下記式（２）で表される繰返し単位と下記式（３）で表される繰返し単位とを有する樹脂
【０００９】
【化５】
0004438218.tif 000003
〔式（２）において、Ｒ21はメチル基またはエチル基を示し、Ｒ22は炭素数１〜６の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基を示す。〕
【００１０】
【化６】
0004438218.tif 000004
を含有することを特徴とする感放射線性樹脂組成物
によって達成される。
【００１１】
以下、本発明を詳細に説明する。
酸発生剤（Ａ）
本発明における（Ａ）成分は、前記式（１−ａ）で表される構造と前記式（１−ｂ）で表される構造とを有する化合物からなる感放射線性酸発生剤（以下、「酸発生剤（Ａ）」という。）である。
【００１２】
式（１−ａ）において、Ｒ1 〜Ｒ15の炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状、もしくは環状のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ネオペンチル基、２−メチル−１−ブチル基、２−メチル−２−ブチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−へプチル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等を挙げることができる。
【００１３】
また、Ｒ1 〜Ｒ15の炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルコキシル基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、２−メチル−１−ブトキシ基、２−メチル−２−ブトキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、ｎ−へプチルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ｎ−ノニルオキシ基、ｎ−デシルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等を挙げることができる。
【００１４】
式（１−ａ）においては、Ｒ1 〜Ｒ5 のうちの２個以上が水素原子以外の基である条件、Ｒ6 〜Ｒ10のうちの２個以上が水素原子以外の基である条件およびＲ11〜Ｒ15のうちの２個以上が水素原子以外の基である条件の少なくとも１つの条件を満たさなければならない。
Ｒ1 〜Ｒ5 のうちの２個以上、Ｒ6 〜Ｒ10のうちの２個以上あるいはＲ11〜Ｒ15のうちの２個以上が水素原子以外の基である場合、それぞれの場合における水素原子以外の基としては、ヒドロキシル基、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、メトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシカルボニルメトキシ基等が好ましく、特に好ましくは、メチル基、エチル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシカルボニルメトキシ基等である。
【００１５】
以下では、前記式（１−ａ）で表される構造を「スルホニウムカチオン（ａ）」といい、前記式（１−ｂ）で表される構造を「スルホネートアニオン（ｂ）」という。
スルホニウムカチオン（ａ）の具体例としては、
２，３−ジヒドロキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２，４−ジヒドロキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２，５−ジヒドロキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２，６−ジヒドロキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、３，４−ジヒドロキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、３，５−ジヒドロキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２，４，６−トリヒドロキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、
【００１６】
２−ヒドロキシ−３−メチルフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２−ヒドロキシ−４−メチルフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２−ヒドロキシ−５−メチルフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２−ヒドロキシ−６−メチルフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、３−ヒドロキシ−４−メチルフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、３−ヒドロキシ−５−メチルフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、
２−メチル−３−ヒドロキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２−メチル−４−ヒドロキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２−メチル−５−ヒドロキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、３−メチル−４−ヒドロキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、
【００１７】
２−ヒドロキシ−３−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２−ヒドロキシ−４−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２−ヒドロキシ−５−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２−ヒドロキシ−６−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、３−ヒドロキシ−４−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、３−ヒドロキシ−５−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、
２−メトキシ−３−ヒドロキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２−メトキシ−４−ヒドロキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２−メトキシ−５−ヒドロキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、３−メトキシ−４−ヒドロキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、
【００１８】
２−ヒドロキシ−３−ｔ−ブトキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、
２−ヒドロキシ−４−ｔ−ブトキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、
２−ヒドロキシ−５−ｔ−ブトキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、
２−ヒドロキシ−６−ｔ−ブトキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、
３−ヒドロキシ−４−ｔ−ブトキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、
３−ヒドロキシ−５−ｔ−ブトキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、
２−ｔ−ブトキシ−３−ヒドロキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、
２−ｔ−ブトキシ−４−ヒドロキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、
２−ｔ−ブトキシ−５−ヒドロキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、
３−ｔ−ブトキシ−４−ヒドロキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、
【００１９】
２−ヒドロキシ−３−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２−ヒドロキシ−４−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２−ヒドロキシ−５−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２−ヒドロキシ−６−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、３−ヒドロキシ−４−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、３−ヒドロキシ−５−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、
２−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシ−３−ヒドロキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシ−４−ヒドロキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシ−５−ヒドロキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、３−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシ−４−ヒドロキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、
【００２０】
２，３−ジメチルフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２，４−ジメチルフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２，５−ジメチルフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２，６−ジメチルフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、３，４−ジメチルフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、３，５−ジメチルフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２，４，６−トリメチルフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、
２，３−ジエチルフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２，４−ジエチルフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２，５−ジエチルフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２，６−ジエチルフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、３，４−ジエチルフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、３，５−ジエチルフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２，４，６−トリエチルフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、
【００２１】
２，４−ジ−ｎ−プロピルフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２，４，６−トリ−ｎ−プロピルフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２，４−ジ−ｉ−プロピルフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２，４，６−トリ−ｉ−プロピルフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、
２，４−ジ−ｎ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２，４，６−トリ−ｎ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２，４−ジ−ｉ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２，４，６−トリ−ｉ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２，４−ジ−ｓｅｃ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２，４，６−トリ−ｓｅｃ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２，４，６−トリ−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、
２−メチル−４−ｎ−プロピルフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２−メチル−４−ｉ−プロピルフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２−メチル−４−ｎ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２−メチル−４−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２−メチル−４−ｎ−ヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２−メチル−４−ｎ−オクチルフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２−メチル−４−ｎ−デシルフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２−メチル−４−ｎ−シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、
【００２２】
２−メチル−３−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２−メチル−４−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２−メチル−５−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２−メチル−６−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、３−メチル−４−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、３−メチル−５−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、
２−メトキシ−３−メチルフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２−メトキシ−４−メチルフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２−メトキシ−５−メチルフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、３−メトキシ−４−メチルフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、
【００２３】
２−メチル−４−ｎ−プロポキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２−メチル−４−ｉ−プロポキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２−メチル−４−ｎ−ブトキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２−メチル−４−ｎ−ヘキシルオキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２−メチル−４−ｎ−オクチルオキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２−メチル−４−ｎ−デシルオキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２−メチル−４−シクロヘキシルオキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２−メチル−３−ｔ−ブトキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２−メチル−４−ｔ−ブトキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２−メチル−５−ｔ−ブトキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２−メチル−６−ｔ−ブトキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、３−メチル−４−ｔ−ブトキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、３−メチル−５−ｔ−ブトキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、
２−ｔ−ブトキシ−３−メチルフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２−ｔ−ブトキシ−４−メチルフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２−ｔ−ブトキシ−５−メチルフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、３−ｔ−ブトキシ−４−メチルフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、４−ｔ−ブトキシ−２，６−ジメチルフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、
【００２４】
２−メチル−３−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２−メチル−４−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２−メチル−５−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２−メチル−６−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、３−メチル−４−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、３−メチル−５−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、
２−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシ−３−メチルフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシ−４−メチルフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシ−５−メチルフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、３−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシ−４−メチルフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、４−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシ−２，６−ジメチルフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、
【００２５】
２，３−ジメトキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２，４−ジメトキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２，５−ジメトキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２，６−ジメトキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、３，４−ジメトキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、３，５−ジメトキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２，４，６−トリメトキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、
２−メトキシ−３−ｔ−ブトキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２−メトキシ−４−ｔ−ブトキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２−メトキシ−５−ｔ−ブトキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２−メトキシ−６−ｔ−ブトキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、３−メトキシ−４−ｔ−ブトキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、３−メトキシ−５−ｔ−ブトキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、
【００２６】
２−ｔ−ブトキシ−３−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２−ｔ−ブトキシ−４−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２−ｔ−ブトキシ−５−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、３−ｔ−ブトキシ−４−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、
２，３−ジ−ｔ−ブトキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２，４−ジ−ｔ−ブトキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２，５−ジ−ｔ−ブトキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２，６−ジ−ｔ−ブトキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、３，４−ジ−ｔ−ブトキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、３，５−ジ−ｔ−ブトキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２，４，６−トリ−ｔ−ブトキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、
【００２７】
２−メトキシ−３−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２−メトキシ−４−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２−メトキシ−５−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２−メトキシ−６−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、３−メトキシ−４−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、３−メトキシ−５−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、
２−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシ−３−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシ−４−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシ−５−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、３−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシ−４−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、
【００２８】
２−ｔ−ブトキシ−３−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２−ｔ−ブトキシ−４−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２−ｔ−ブトキシ−５−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２−ｔ−ブトキシ−６−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、３−ｔ−ブトキシ−４−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、３−ｔ−ブトキシ−５−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、
２−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシ−３−ｔ−ブトキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシ−４−ｔ−ブトキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシ−５−ｔ−ブトキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、３−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシ−４−ｔ−ブトキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、
【００２９】
２，３−ジ−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２，４−ジ−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２，５−ジ−ｔ−ブトキシメトキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２，６−ジ−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、３，４−ジ−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、３，５−ジ−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２，４，６−トリ−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、
【００３０】
フェニルビス（２，３−ジメチルフェニル）スルホニウムカチオン、フェニルビス（２，４−ジメチルフェニル）スルホニウムカチオン、フェニルビス（２，５−ジメチルフェニル）スルホニウムカチオン、フェニルビス（２，６−ジメチルフェニル）スルホニウムカチオン、フェニルビス（３，４−ジメチルフェニル）スルホニウムカチオン、フェニルビス（３，５−ジメチルフェニル）スルホニウムカチオン、フェニルビス（２，４，６−トリメチルフェニル）スルホニウムカチオン、
トリス（２，３−ジメチルフェニル）スルホニウムカチオン、トリス（２，４−ジメチルフェニル）スルホニウムカチオン、トリス（２，５−ジメチルフェニル）スルホニウムカチオン、トリス（２，６−ジメチルフェニル）スルホニウムカチオン、トリス（３，４−ジメチルフェニル）スルホニウムカチオン、トリス（３，５−ジメチルフェニル）スルホニウムカチオン、トリス（２，４，６−トリメチルフェニル）スルホニウムカチオン
等を挙げることができる。
【００３１】
これらのスルホニウムカチオン（ａ）のうち、２，４−ジヒドロキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２，４−ジメチルフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２，６−ジメチルフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２，４，６−トリメチルフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２，４，６−トリエチルフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２，４，６−トリ−ｉ−プロピルフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２，４−ジ−ｔ−ブトキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、２，４−ジ−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、４−ｔ−ブトキシ−２，６−ジメチルフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、４−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシ−２，６−ジメチルフェニルジフェニルスルホニウムカチオン等が好ましい。
【００３２】
次に、式（１−ｂ）において、Ｒ16〜Ｒ20のフッ素原子およびトリフルオロメチル基はともに好ましく、またＲ16〜Ｒ20のフッ素原子およびトリフルオロメチル基の合計数は１〜５である。
スルホネートアニオン（ｂ）の具体例としては、
２−フルオロベンゼンスルホネートアニオン、３−フルオロベンゼンスルホネートアニオン、４−フルオロベンゼンスルホネートアニオン、
２，３−ジフルオロベンゼンスルホネートアニオン、２，４−ジフルオロベンゼンスルホネートアニオン、２，５−ジフルオロベンゼンスルホネートアニオン、２，６−ジフルオロベンゼンスルホネートアニオン、３，４−ジフルオロベンゼンスルホネートアニオン、３，５−ジフルオロベンゼンスルホネートアニオン、２，４，６−トリフルオロベンゼンスルホネートアニオン、２，３，５，６−テトラフルオロベンゼンスルホネートアニオン、２，３，４，５，６−ペンタフルオロベンゼンスルホネートアニオン、
【００３３】
２−フルオロ−３−トリフルオロメチルベンゼンスルホネートアニオン、２−フルオロ−４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネートアニオン、２−フルオロ−５−トリフルオロメチルベンゼンスルホネートアニオン、２−フルオロ−６−トリフルオロメチルベンゼンスルホネートアニオン、３−フルオロ−４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネートアニオン、３−フルオロ−５−トリフルオロメチルベンゼンスルホネートアニオン、
２−トリフルオロメチル−３−フルオロベンゼンスルホネートアニオン、２−トリフルオロメチル−４−フルオロベンゼンスルホネートアニオン、２−トリフルオロメチル−５−フルオロベンゼンスルホネートアニオン、３−トリフルオロメチル−４−フルオロベンゼンスルホネートアニオン、
【００３４】
２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネートアニオン、３−トリフルオロメチルベンゼンスルホネートアニオン、４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネートアニオン、
２，３−ビス（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホネートアニオン、２，４−ビス（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホネートアニオン、２，５−ビス（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホネートアニオン、２，６−ビス（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホネートアニオン、３，４−ビス（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホネートアニオン、３，５−ビス（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホネートアニオン、２，４，６−トリス（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホネートアニオン、２，３，５，６−テトラキス（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホネートアニオン、２，３，４，５，６−ペンタキス（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホネートアニオン
等を挙げることができる。
【００３５】
これらのスルホネートアニオン（ｂ）のうち、４−フルオロベンゼンスルホネートアニオン、２，４−ジフルオロベンゼンスルホネートアニオン、２，６−ジフルオロベンゼンスルホネートアニオン、２，３，４，５，６−ペンタフルオロベンゼンスルホネートアニオン、４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネートアニオン、２，４−ビス（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホネートアニオン、２，４，６−トリス（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホネートアニオン、２，３，４，５，６−ペンタキス（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホネートアニオン等が好ましい。
【００３６】
本発明における好ましい酸発生剤（Ａ）としては、例えば、
２，４−ジヒドロキシフェニルジフェニルスルホニウム４−フルオロベンゼンスルホネート、２，４−ジヒドロキシフェニルジフェニルスルホニウム２，４−ジフルオロベンゼンスルホネート、２，４−ジヒドロキシフェニルジフェニルスルホニウム２，６−ジフルオロベンゼンスルホネート、２，４−ジヒドロキシフェニルジフェニルスルホニウム２，３，４，５，６−ペンタフルオロベンゼンスルホネート、２，４−ジヒドロキシフェニルジフェニルスルホニウム４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、２，４−ジヒドロキシフェニルジフェニルスルホニウム２，４−ビス（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホネート、２，４−ジヒドロキシフェニルジフェニルスルホニウム２，４，６−トリス（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホネート、２，４−ジヒドロキシフェニルジフェニルスルホニウム２，３，４，５，６−ペンタキス（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホネート、
２，４−ジメチルフェニルジフェニルスルホニウム４−フルオロベンゼンスルホネート、２，４−ジメチルフェニルジフェニルスルホニウム２，４−ジフルオロベンゼンスルホネート、２，４−ジメチルフェニルジフェニルスルホニウム２，６−ジフルオロベンゼンスルホネート、２，４−ジメチルフェニルジフェニルスルホニウム２，３，４，５，６−ペンタフルオロベンゼンスルホネート、２，４−ジメチルフェニルジフェニルスルホニウム４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、２，４−ジメチルフェニルジフェニルスルホニウム２，４−ビス（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホネート、２，４−ジメチルフェニルジフェニルスルホニウム２，４，６−トリス（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホネート、２，４−ジメチルフェニルジフェニルスルホニウム２，３，４，５，６−ペンタキス（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホネート、
【００３７】
２，６−ジメチルフェニルジフェニルスルホニウム４−フルオロベンゼンスルホネート、２，６−ジメチルフェニルジフェニルスルホニウム２，４−ジフルオロベンゼンスルホネート、２，６−ジメチルフェニルジフェニルスルホニウム２，６−ジフルオロベンゼンスルホネート、２，６−ジメチルフェニルジフェニルスルホニウム２，３，４，５，６−ペンタフルオロベンゼンスルホネート、２，６−ジメチルフェニルジフェニルスルホニウム４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、２，６−ジメチルフェニルジフェニルスルホニウム２，４−ビス（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホネート、２，６−ジメチルフェニルジフェニルスルホニウム２，４，６−トリス（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホネート、２，６−ジメチルフェニルジフェニルスルホニウム２，３，４，５，６−ペンタキス（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホネート、
３，５−ジメチルフェニルジフェニルスルホニウム４−フルオロベンゼンスルホネート、３，５−ジメチルフェニルジフェニルスルホニウム２，４−ジフルオロベンゼンスルホネート、３，５−ジメチルフェニルジフェニルスルホニウム２，６−ジフルオロベンゼンスルホネート、３，５−ジメチルフェニルジフェニルスルホニウム２，３，４，５，６−ペンタフルオロベンゼンスルホネート、３，５−ジメチルフェニルジフェニルスルホニウム４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、３，５−ジメチルフェニルジフェニルスルホニウム２，４−ビス（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホネート、３，５−ジメチルフェニルジフェニルスルホニウム２，４，６−トリス（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホネート、３，５−ジメチルフェニルジフェニルスルホニウム２，３，４，５，６−ペンタキス（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホネート、
【００３８】
２，４，６−トリメチルフェニルジフェニルスルホニウム４−フルオロベンゼンスルホネート、２，４，６−トリメチルフェニルジフェニルスルホニウム２，４−ジフルオロベンゼンスルホネート、２，４，６−トリメチルフェニルジフェニルスルホニウム２，６−ジフルオロベンゼンスルホネート、２，４，６−トリメチルフェニルジフェニルスルホニウム２，３，４，５，６−ペンタフルオロベンゼンスルホネート、２，４，６−トリメチルフェニルジフェニルスルホニウム４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、２，４，６−トリメチルフェニルジフェニルスルホニウム２，４−ビス（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホネート、２，４，６−トリメチルフェニルジフェニルスルホニウム２，４，６−トリス（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホネート、２，４，６−トリメチルフェニルジフェニルスルホニウム２，３，４，５，６−ペンタキス（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホネート、
２，４，６−トリエチルフェニルジフェニルスルホニウム４−フルオロベンゼンスルホネート、２，４，６−トリエチルフェニルジフェニルスルホニウム２，４−ジフルオロベンゼンスルホネート、２，４，６−トリエチルフェニルジフェニルスルホニウム２，６−ジフルオロベンゼンスルホネート、２，４，６−トリエチルフェニルジフェニルスルホニウム２，３，４，５，６−ペンタフルオロベンゼンスルホネート、２，４，６−トリエチルフェニルジフェニルスルホニウム４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、２，４，６−トリエチルフェニルジフェニルスルホニウム２，４−ビス（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホネート、２，４，６−トリエチルフェニルジフェニルスルホニウム２，４，６−トリス（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホネート、２，４，６−トリエチルフェニルジフェニルスルホニウム２，３，４，５，６−ペンタキス（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホネート、
【００３９】
２，４，６−トリ−ｉ−プロピルフェニルジフェニルスルホニウム４−フルオロベンゼンスルホネート、２，４，６−トリ−ｉ−プロピルフェニルジフェニルスルホニウム２，４−ジフルオロベンゼンスルホネート、２，４，６−トリ−ｉ−プロピルフェニルジフェニルスルホニウム２，６−ジフルオロベンゼンスルホネート、２，４，６−トリ−ｉ−プロピルフェニルジフェニルスルホニウム２，３，４，５，６−ペンタフルオロベンゼンスルホネート、２，４，６−トリ−ｉ−プロピルフェニルジフェニルスルホニウム４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、２，４，６−トリ−ｉ−プロピルフェニルジフェニルスルホニウム２，４−ビス（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホネート、２，４，６−トリ−ｉ−プロピルフェニルジフェニルスルホニウム２，４，６−トリス（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホネート、２，４，６−トリ−ｉ−プロピルフェニルジフェニルスルホニウム２，３，４，５，６−ペンタキス（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホネート、
【００４０】
２，４−ジ−ｔ−ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム４−フルオロベンゼンスルホネート、２，４−ジ−ｔ−ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム２，４−ジフルオロベンゼンスルホネート、２，４−ジ−ｔ−ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム２，６−ジフルオロベンゼンスルホネート、２，４−ジ−ｔ−ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム２，３，４，５，６−ペンタフルオロベンゼンスルホネート、２，４−ジ−ｔ−ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、２，４−ジ−ｔ−ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム２，４−ビス（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホネート、２，４−ジ−ｔ−ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム２，４，６−トリス（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホネート、２，４−ジ−ｔ−ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム２，３，４，５，６−ペンタキス（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホネート、
２，６−ジ−ｔ−ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム４−フルオロベンゼンスルホネート、２，６−ジ−ｔ−ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム２，４−ジフルオロベンゼンスルホネート、２，６−ジ−ｔ−ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム２，６−ジフルオロベンゼンスルホネート、２，６−ジ−ｔ−ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム２，３，４，５，６−ペンタフルオロベンゼンスルホネート、２，６−ジ−ｔ−ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、２，６−ジ−ｔ−ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム２，４−ビス（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホネート、２，６−ジ−ｔ−ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム２，４，６−トリス（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホネート、２，６−ジ−ｔ−ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム２，３，４，５，６−ペンタキス（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホネート、
【００４１】
３，５−ジ−ｔ−ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム４−フルオロベンゼンスルホネート、３，５−ジ−ｔ−ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム２，４−ジフルオロベンゼンスルホネート、３，５−ジ−ｔ−ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム２，６−ジフルオロベンゼンスルホネート、３，５−ジ−ｔ−ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム２，３，４，５，６−ペンタフルオロベンゼンスルホネート、３，５−ジ−ｔ−ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、３，５−ジ−ｔ−ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム２，４−ビス（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホネート、３，５−ジ−ｔ−ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム２，４，６−トリス（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホネート、３，５−ジ−ｔ−ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム２，３，４，５，６−ペンタキス（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホネート、
２，４，６−トリ−ｔ−ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム４−フルオロベンゼンスルホネート、２，４，６−トリ−ｔ−ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム２，４−ジフルオロベンゼンスルホネート、２，４，６−トリ−ｔ−ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム２，６−ジフルオロベンゼンスルホネート、２，４，６−トリ−ｔ−ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム２，３，４，５，６−ペンタフルオロベンゼンスルホネート、２，４，６−トリ−ｔ−ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、２，４，６−トリ−ｔ−ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム２，４−ビス（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホネート、２，４，６−トリ−ｔ−ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム２，４，６−トリス（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホネート、２，４，６−トリ−ｔ−ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム２，３，４，５，６−ペンタキス（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホネート、
【００４２】
２，４−ジ−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシフェニルジフェニルスルホニウム４−フルオロベンゼンスルホネート、２，４−ジ−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシフェニルジフェニルスルホニウム２，４−ジフルオロベンゼンスルホネート、２，４−ジ−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシフェニルジフェニルスルホニウム２，６−ジフルオロベンゼンスルホネート、２，４−ジ−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシフェニルジフェニルスルホニウム２，３，４，５，６−ペンタフルオロベンゼンスルホネート、２，４−ジ−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシフェニルジフェニルスルホニウム４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、２，４−ジ−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシフェニルジフェニルスルホニウム２，４−ビス（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホネート、２，４−ジ−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシフェニルジフェニルスルホニウム２，４，６−トリス（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホネート、２，４−ジ−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシフェニルジフェニルスルホニウム２，３，４，５，６−ペンタキス（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホネート、
２，６−ジ−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシフェニルジフェニルスルホニウム４−フルオロベンゼンスルホネート、２，６−ジ−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシフェニルジフェニルスルホニウム２，４−ジフルオロベンゼンスルホネート、２，６−ジ−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシフェニルジフェニルスルホニウム２，６−ジフルオロベンゼンスルホネート、２，６−ジ−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシフェニルジフェニルスルホニウム２，３，４，５，６−ペンタフルオロベンゼンスルホネート、２，６−ジ−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシフェニルジフェニルスルホニウム４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、２，６−ジ−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシフェニルジフェニルスルホニウム２，４−ビス（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホネート、２，６−ジ−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシフェニルジフェニルスルホニウム２，４，６−トリス（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホネート、２，６−ジ−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシフェニルジフェニルスルホニウム２，３，４，５，６−ペンタキス（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホネート、
【００４３】
３，５−ジ−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシフェニルジフェニルスルホニウム４−フルオロベンゼンスルホネート、３，５−ジ−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシフェニルジフェニルスルホニウム２，４−ジフルオロベンゼンスルホネート、３，５−ジ−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシフェニルジフェニルスルホニウム２，６−ジフルオロベンゼンスルホネート、３，５−ジ−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシフェニルジフェニルスルホニウム２，３，４，５，６−ペンタフルオロベンゼンスルホネート、３，５−ジ−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシフェニルジフェニルスルホニウム４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、３，５−ジ−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシフェニルジフェニルスルホニウム２，４−ビス（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホネート、３，５−ジ−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシフェニルジフェニルスルホニウム２，４，６−トリス（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホネート、３，５−ジ−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシフェニルジフェニルスルホニウム２，３，４，５，６−ペンタキス（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホネート、
２，４，６−トリ−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシフェニルジフェニルスルホニウム４−フルオロベンゼンスルホネート、２，４，６−トリ−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシフェニルジフェニルスルホニウム２，４−ジフルオロベンゼンスルホネート、２，４，６−トリ−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシフェニルジフェニルスルホニウム２，６−ジフルオロベンゼンスルホネート、２，４，６−トリ−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシフェニルジフェニルスルホニウム２，３，４，５，６−ペンタフルオロベンゼンスルホネート、２，４，６−トリ−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシフェニルジフェニルスルホニウム４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、２，４，６−トリ−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシフェニルジフェニルスルホニウム２，４−ビス（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホネート、２，４，６−トリ−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシフェニルジフェニルスルホニウム２，４，６−トリス（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホネート、２，４，６−トリ−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシフェニルジフェニルスルホニウム２，３，４，５，６−ペンタキス（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホネート、
【００４４】
４−ｔ−ブトキシ−２，６−ジメチルフェニルジフェニルスルホニウム４−フルオロベンゼンスルホネート、４−ｔ−ブトキシ−２，６−ジメチルフェニルジフェニルスルホニウム２，４−ジフルオロベンゼンスルホネート、４−ｔ−ブトキシ−２，６−ジメチルフェニルジフェニルスルホニウム２，６−ジフルオロベンゼンスルホネート、４−ｔ−ブトキシ−２，６−ジメチルフェニルジフェニルスルホニウム２，３，４，５，６−ペンタフルオロベンゼンスルホネート、４−ｔ−ブトキシ−２，６−ジメチルフェニルジフェニルスルホニウム４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、４−ｔ−ブトキシ−２，６−ジメチルフェニルジフェニルスルホニウム２，４−ビス（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホネート、４−ｔ−ブトキシ−２，６−ジメチルフェニルジフェニルスルホニウム２，４，６−トリス（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホネート、４−ｔ−ブトキシ−２，６−ジメチルフェニルジフェニルスルホニウム２，３，４，５，６−ペンタキス（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホネート、
４−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシ−２，６−ジメチルフェニルジフェニルスルホニウム４−フルオロベンゼンスルホネート、４−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシ−２，６−ジメチルフェニルジフェニルスルホニウム２，４−ジフルオロベンゼンスルホネート、４−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシ−２，６−ジメチルフェニルジフェニルスルホニウム２，６−ジフルオロベンゼンスルホネート、４−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシ−２，６−ジメチルフェニルジフェニルスルホニウム２，３，４，５，６−ペンタフルオロベンゼンスルホネート、４−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシ−２，６−ジメチルフェニルジフェニルスルホニウム４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、４−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシ−２，６−ジメチルフェニルジフェニルスルホニウム２，４−ビス（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホネート、４−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシ−２，６−ジメチルフェニルジフェニルスルホニウム２，４，６−トリス（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホネート、４−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシ−２，６−ジメチルフェニルジフェニルスルホニウム２，３，４，５，６−ペンタキス（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホネート
等を挙げることができる。
【００４５】
これらの酸発生剤（Ａ）のうち、特に好ましくは、２，４−ジヒドロキシフェニルジフェニルスルホニウム２，４，６−トリス（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホネート、２，４−ジメチルフェニルジフェニルスルホニウム２，３，４，５，６−ペンタキス（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホネート、２，４，６−トリメチルフェニルジフェニルスルホニウム２，４−ジフルオロベンゼンスルホネート、２，４，６−トリメチルフェニルジフェニルスルホニウム４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、２，４，６−トリエチルフェニルジフェニルスルホニウム４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、２，４，６−トリ−ｉ−プロピルフェニルジフェニルスルホニウム２，４−ジフルオロベンゼンスルホネート、４−ｔ−ブトキシ−２，６−ジメチルフェニルジフェニルスルホニウム２，３，４，５，６−ペンタフルオロベンゼンスルホネート、４−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシ−２，６−ジメチルフェニルジフェニルスルホニウム２，４，６−トリス（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホネート等である。
【００４６】
他の酸発生剤
本発明においては、場合により、酸発生剤（Ａ）と共に、該酸発生剤以外の感放射線性酸発生剤（以下、「他の酸発生剤」という。）を併用することができる。
他の酸発生剤としては、例えば、▲１▼オニウム塩化合物、▲２▼スルホン化合物、▲３▼スルホン酸エステル化合物、▲４▼スルホンイミド化合物、▲５▼ジアゾメタン化合物、▲６▼オキシムスルホネート化合物等を挙げることができる。以下に、これらの他の酸発生剤について説明する。
【００４７】
▲１▼オニウム塩化合物
オニウム塩化合物としては、例えば、ヨードニウム塩、スルホニウム塩、ホスホニウム塩、ジアゾニウム塩、アンモニウム塩、ピリジニウム塩等を挙げることができる。
オニウム塩化合物の具体例としては、
ビス（ｐ−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス（ｐ−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ビス（ｐ−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムｏ−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ビス（ｐ−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムｐ−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ビス（ｐ−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム１０−カンファ−スルホネート、ビス（ｐ−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムｐ−トルエンスルホネート、ビス（ｐ−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムピレンスルホネート、ビス（ｐ−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、ビス（ｐ−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムベンゼンスルホネート、ビス（ｐ−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム２，４−ジフルオロベンゼンスルホネート、ビス（ｐ−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムｎ−オクタンスルホネート、
ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムｏ−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ジフェニルヨードニウムｐ−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ジフェニルヨードニウム１０−カンファ−スルホネート、ジフェニルヨードニウムｐ−トルエンスルホネート、ジフェニルヨードニウムピレンスルホネート、ジフェニルヨードニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、ジフェニルヨードニウムベンゼンスルホネート、ジフェニルヨードニウム２，４−ジフルオロベンゼンスルホネート、ジフェニルヨードニウムｎ−オクタンスルホネート、
【００４８】
トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムｏ−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、トリフェニルスルホニウムｐ−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、トリフェニルスルホニウム１０−カンファ−スルホネート、トリフェニルスルホニウムｐ−トルエンスルホネート、トリフェニルスルホニウムピレンスルホネート、トリフェニルスルホニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、トリフェニルスルホニウムベンゼンスルホネート、トリフェニルスルホニウム２，４−ジフルオロベンゼンスルホネート、トリフェニルスルホニウムｎ−オクタンスルホネート、
ｐ−メチルフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ｐ−メチルフェニルジフェニルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ｐ−メチルフェニルジフェニルスルホニウムｏ−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ｐ−メチルフェニルジフェニルスルホニウムｐ−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ｐ−メチルフェニルジフェニルスルホニウム１０−カンファ−スルホネート、ｐ−メチルフェニルジフェニルスルホニウムｐ−トルエンスルホネート、ｐ−メチルフェニルジフェニルスルホニウムピレンスルホネート、ｐ−メチルフェニルジフェニルスルホニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、ｐ−メチルフェニルジフェニルスルホニウムベンゼンスルホネート、ｐ−メチルフェニルジフェニルスルホニウム２，４−ジフルオロベンゼンスルホネート、ｐ−メチルフェニルジフェニルスルホニウムｎ−オクタンスルホネート、
【００４９】
ｐ−エチルフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ｐ−エチルフェニルジフェニルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ｐ−エチルフェニルジフェニルスルホニウムｏ−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ｐ−エチルフェニルジフェニルスルホニウムｐ−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ｐ−エチルフェニルジフェニルスルホニウム１０−カンファ−スルホネート、ｐ−エチルフェニルジフェニルスルホニウムｐ−トルエンスルホネート、ｐ−エチルフェニルジフェニルスルホニウムピレンスルホネート、ｐ−エチルフェニルジフェニルスルホニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、ｐ−エチルフェニルジフェニルスルホニウムベンゼンスルホネート、ｐ−エチルフェニルジフェニルスルホニウム２，４−ジフルオロベンゼンスルホネート、ｐ−エチルフェニルジフェニルスルホニウムｎ−オクタンスルホネート、
ｐ−ｉ−プロピルフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ｐ−ｉ−プロピルフェニルジフェニルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ｐ−ｉ−プロピルフェニルジフェニルスルホニウムｏ−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ｐ−ｉ−プロピルフェニルジフェニルスルホニウムｐ−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ｐ−ｉ−プロピルフェニルジフェニルスルホニウム１０−カンファ−スルホネート、ｐ−ｉ−プロピルフェニルジフェニルスルホニウムｐ−トルエンスルホネート、ｐ−ｉ−プロピルフェニルジフェニルスルホニウムピレンスルホネート、ｐ−ｉ−プロピルフェニルジフェニルスルホニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、ｐ−ｉ−プロピルフェニルジフェニルスルホニウムベンゼンスルホネート、ｐ−ｉ−プロピルフェニルジフェニルスルホニウム２，４−ジフルオロベンゼンスルホネート、ｐ−ｉ−プロピルフェニルジフェニルスルホニウムｎ−オクタンスルホネート、
【００５０】
ｐ−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ｐ−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ｐ−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウムｏ−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ｐ−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウムｐ−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ｐ−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウム１０−カンファ−スルホネート、ｐ−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウムｐ−トルエンスルホネート、ｐ−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウムピレンスルホネート、ｐ−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、ｐ−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウムベンゼンスルホネート、ｐ−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウム２，４−ジフルオロベンゼンスルホネート、ｐ−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウムｎ−オクタンスルホネート、
ｐ−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ｐ−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ｐ−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムｏ−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ｐ−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムｐ−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ｐ−メトキシフェニルジフェニルスルホニウム１０−カンファ−スルホネート、ｐ−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムｐ−トルエンスルホネート、ｐ−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムピレンスルホネート、ｐ−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、ｐ−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムベンゼンスルホネート、ｐ−メトキシフェニルジフェニルスルホニウム２，４−ジフルオロベンゼンスルホネート、ｐ−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムｎ−オクタンスルホネート、
【００５１】
ｐ−ｔ−ブトキシフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ｐ−ｔ−ブトキシフェニルジフェニルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ｐ−ｔ−ブトキシフェニルジフェニルスルホニウムｏ−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ｐ−ｔ−ブトキシフェニルフェニルジフェニルスルホニウムｐ−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ｐ−ｔ−ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム１０−カンファ−スルホネート、ｐ−ｔ−ブトキシフェニルジフェニルスルホニウムｐ−トルエンスルホネート、ｐ−ｔ−ブトキシフェニルジフェニルスルホニウムピレンスルホネート、ｐ−ｔ−ブトキシフェニルジフェニルスルホニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、ｐ−ｔ−ブトキシフェニルジフェニルスルホニウムベンゼンスルホネート、ｐ−ｔ−ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム２，４−ジフルオロベンゼンスルホネート、ｐ−ｔ−ブトキシフェニルジフェニルスルホニウムｎ−オクタンスルホネート、
ｐ−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ｐ−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシフェニルジフェニルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ｐ−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシフェニルジフェニルスルホニウムｏ−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ｐ−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシフェニルジフェニルスルホニウムｐ−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ｐ−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシフェニルジフェニルスルホニウム１０−カンファ−スルホネート、ｐ−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシフェニルジフェニルスルホニウムｐ−トルエンスルホネート、ｐ−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシフェニルジフェニルスルホニウムピレンスルホネート、ｐ−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシフェニルジフェニルスルホニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、ｐ−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシフェニルジフェニルスルホニウムベンゼンスルホネート、ｐ−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシフェニルジフェニルスルホニウム２，４−ジフルオロベンゼンスルホネート、ｐ−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシフェニルジフェニルスルホニウムｎ−オクタンスルホネート
等を挙げることができる。
【００５２】
▲２▼スルホン化合物
スルホン化合物としては、例えば、β−ケトスルホン、β−スルホニルスルホン等を挙げることができる。
スルホン化合物の具体例としては、フェナシルフェニルスルホン、メシチルフェナシルスルホン、ビス（フェニルスルホニル）メタン、１，１−ビス（フェニルスルホニル）シクロペンタン、１，１−ビス（フェニルスルホニル）シクロヘキサン、４−トリスフェナシルスルホン等を挙げることができる。
▲３▼スルホン酸エステル化合物
スルホン酸エステル化合物としては、例えば、アルキルスルホン酸エステル、ハロアルキルスルホン酸エステル、アリールスルホン酸エステル、イミノスルホネート等を挙げることができる。
スルホン酸エステル化合物の具体例としては、ベンゾイントシレート、ピロガロールトリストリフルオロメタンスルホネート、ピロガロールメタンスルホン酸トリエステル、ニトロベンジル−９，１０−ジエトキシアントラセン−２−スルホネート、α−メチロールベンゾイントシレート、α−メチロールベンゾインｎ−オクタンスルホネート、α−メチロールベンゾインｎ−ドデカンスルホネート、α−メチロールベンゾイントリフルオロメタンスルホネート等を挙げることができる。
▲４▼スルホンイミド化合物
スルホンイミド化合物としては、例えば、下記式（４）で表される化合物を挙げることができる。
【００５３】
【化７】
0004438218.tif 000005
〔式（４）において、Ｘはアルキレン基、アリーレン基、アルコキシレン基等の２価の基を示し、Ｒ23はアルキル基、アリール基、ハロゲン置換アルキル基、ハロゲン置換アリール基等の１価の基を示す。〕
【００５４】
スルホンイミド化合物の具体例としては、
Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ナフチルイミド、
Ｎ−（１０−カンファースルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（１０−カンファースルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（１０−カンファースルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（１０−カンファースルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシミド、Ｎ−（１０−カンファースルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシミド、Ｎ−（１０−カンファースルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシミド、Ｎ−（１０−カンファースルホニルオキシ）ナフチルイミド、
【００５５】
Ｎ−（ｐ−メチルフェニルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（ｐ−メチルフェニルスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（ｐ−メチルフェニルスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（ｐ−メチルフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシミド、Ｎ−（ｐ−メチルフェニルスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシミド、Ｎ−（ｐ−メチルフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシミド、Ｎ−（ｐ−メチルフェニルスルホニルオキシ）ナフチルイミド、
Ｎ−（ｏ−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（ｏ−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（ｏ−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（ｏ−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシミド、Ｎ−（ｏ−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシミド、Ｎ−（ｏ−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシミド、Ｎ−（ｏ−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）ナフチルイミド、
【００５６】
Ｎ−（ｐ−フルオロフェニルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（ｐ−フルオロフェニルスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（ｐ−フルオロフェニルスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（ｐ−フルオロフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシミド、Ｎ−（ｐ−フルオロフェニルスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシミド、Ｎ−（ｐ−フルオロフェニルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシミド、Ｎ−（ｐ−フルオロフェニルスルホニルオキシ）ナフチルイミド
等を挙げることができる。
【００５７】
▲５▼ジアゾメタン化合物
ジアゾメタン化合物としては、例えば、下記式（５）で表される化合物等を挙げることができる。
【００５８】
【化８】
0004438218.tif 000006
〔式（５）において、Ｒ24およびＲ25は相互に独立に、置換されていてもよい炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基、置換されていてもよい炭素数７〜２０のアラルキル基またはヘテロ原子を有する炭素数１〜２０の他の１価の有機基を示す。〕
【００５９】
ジアゾメタン化合物の具体例としては、
ビス（トリフルオロメチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｔ―ブチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（フェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｐ−メチルフェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（１，４―ジオキサスピロ［４．５］デカン−７―スルホニル）ジアゾメタン、ビス（１，５―ジオキサスピロ［５．５］ウンデカン−８―スルホニル）ジアゾメタン、ビス（３，３―ジメチル−１，５―ジオキサスピロ［５．５］ウンデカン−８―スルホニル）ジアゾメタン、
メチルスルホニル・シクロヘキシルスルホニルジアゾメタン、メチルスルホニル・フェニルスルホニルジアゾメタン、メチルスルホニル・ｐ−メチルフェニルスルホニルジアゾメタン、ｔ−ブチルスルホニル・シクロヘキシルスルホニルジアゾメタン、ｔ−ブチルスルホニル・フェニルスルホニルジアゾメタン、ｔ−ブチルスルホニル・ｐ−メチルフェニルスルホニルジアゾメタン、
シクロヘキシルスルホニル・１，４―ジオキサスピロ［４．５］デカン−７―スルホニルジアゾメタン、シクロヘキシルスルホニル・１，５―ジオキサスピロ［５．５］ウンデカン−８―スルホニルジアゾメタン、シクロヘキシルスルホニル・３，３―ジメチル−１，５―ジオキサスピロ［５．５］ウンデカン−８―スルホニルジアゾメタン
等を挙げることができる。
【００６０】
▲６▼オキシムスルホネート化合物
オキシムスルホネート化合物としては、例えば、（５−ｎ―プロピルスルホニルオキシイミノ−５Ｈ−チオフェン−２−インデン）（２−メチルフェニノン）アセトニトリル、２，２，２―トリフルオロ−１−｛４−（３−［４−｛２，２，２―トリフルオロ−１−（１−ｎ―プロパンスルホニルオキシイミノ）エチル｝フェノキシ］ｎ―プロポキシ）フェニル｝エタンオキシム  １―ｎ―プロパンスルホネート等を挙げることができる。
これらの他の酸発生剤は、単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。
【００６１】
樹脂（Ｂ）
本発明における（Ｂ）成分は、前記式（２）で表される繰返し単位（以下、「繰返し単位（２）」という。）と前記式（３）で表される繰返し単位（以下、「繰返し単位（３）」という。）とを有する樹脂（以下、「樹脂（Ｂ）」という。）からなる。
【００６２】
式（２）において、Ｒ22の炭素数１〜６の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ネオペンチル基、ｎ−ヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等を挙げることができる。
式（２）におけるＲ22としては、メチル基、エチル基、シクロヘキシル基等が好ましい。
また、式（２）におけるＲ21としては、メチル基およびエチル基がともに好ましい。
式（２）における基−ＯＣＨ（Ｒ21)(ＯＲ22) は、式（２）中のベンゼン環と一緒になって、アセタール構造をなしており、該アセタール構造は、酸の作用により解離する酸解離性を有するものである。
【００６３】
繰返し単位（２）の具体例としては、
ｐ−（１−メトキシエトキシ）スチレン、ｐ−（１−エトキシエトキシ）スチレン、ｐ−（１−ｎ−プロポキシエトキシ）スチレン、ｐ−（１−ｉ−プロポキシエトキシ）スチレン、ｐ−（１−ｎ−ブトキシエトキシ）スチレン、ｐ−（１−ｔ−ブトキシエトキシ）スチレン、ｐ−（１−ｎ−ペンチルオキシエトキシ）スチレン、ｐ−（１−ネオペンチルオキシエトキシ）スチレン、ｐ−（１−ｎ−ヘキシルオキシエトキシ）スチレン、ｐ−（１−シクロペンチルオキシエトキシ）スチレン、ｐ−（１−シクロヘキシルオキシエトキシ）スチレン、ｐ−（１−メトキシプロポキシ）スチレン、ｐ−（１−エトキシプロポキシ）スチレン、ｐ−（１−ｎ−プロポキシプロポキシ）スチレン、ｐ−（１−ｉ−プロポキシプロポキシ）スチレン、ｐ−（１−ｎ−ブトキシプロポキシ）スチレン、ｐ−（１−ｔ−ブトキシプロポキシ）スチレン、ｐ−（１−ｎ−ペンチルオキシプロポキシ）スチレン、ｐ−（１−ネオペンチルオキシプロポキシ）スチレン、ｐ−（１−ｎ−ヘキシルオキシプロポキシ）スチレン、ｐ−（１−シクロペンチルオキシプロポキシ）スチレン、ｐ−（１−シクロヘキシルオキシプロポキシ）スチレン等の重合性不飽和結合が開裂した単位を挙げることができる。
【００６４】
これらの繰返し単位（２）のうち、ｐ−（１−メトキシエトキシ）スチレン、ｐ−（１−エトキシエトキシ）スチレン、ｐ−（１−メトキシプロポキシ）スチレン、ｐ−（１−エトキシプロポキシ）スチレン、ｐ−（１−シクロヘキシルオキシエトキシ）スチレン等の重合性不飽和結合が開裂した単位が好ましい。
樹脂（Ｂ）において、繰返し単位（２）は、単独でまたは２種以上が存在することができる。
【００６５】
樹脂（Ｂ）は、場合により、他の繰返し単位をさらに有することができ、また適当な架橋基（例えば、ジエチレングリコール骨格を有する架橋基等）で部分架橋された構造を有することもできる。
前記他の繰返し単位としては、例えば、
スチレン、α−メチルスチレン、ｏ−メチルスチレン、ｍ−メチルスチレン、ｐ−メチルスチレン、ｏ−メトキシスチレン、ｍ−メトキシスチレン、ｐ−メトキシスチレン、ｐ−ｔ−ブトキシスチレン、ｐ−ｔ−ブトキシカルボニルオキシスチレン、ｐ−ｔ−ブトキシカルボニルメチルオキシスチレン、ｐ−（２−ｔ−ブトキシカルボニルエチルオキシ）スチレン、ｏ−ヒドロキシスチレン、ｍ−ヒドロキシスチレン、３，４−ジヒドロキシスチレン、ｐ−ヒドロキシ−α―メチルスチレン、ｐ−アセトキシスチレン、ｐ−テトラヒドロフラニルオキシスチレン、ｐ−テトラヒドロピラニルオキシスチレン等のビニル芳香族化合物；
【００６６】
（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸ｎ−プロピル、（メタ）アクリル酸ｉ−プロピル、（メタ）アクリル酸ｎ−ブチル、（メタ）アクリル酸ｉ−ブチル、（メタ）アクリル酸ｓｅｃ−ブチル、（メタ）アクリル酸ｔ−ブチル、（メタ）アクリル酸ｎ−ペンチル、（メタ）アクリル酸ネオペンチル、（メタ）アクリル酸ｎ−ヘキシル、（メタ）アクリル酸２−エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸３−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸シクロペンチル、（メタ）アクリル酸１−メチルシクロペンチル、（メタ）アクリル酸シクロヘキシル、（メタ）アクリル酸１−メチルシクロヘキシル、（メタ）アクリル酸ノルボルニル、（メタ）アクリル酸イソボルニル、（メタ）アクリル酸トリシクロデカニル、（メタ）アクリル酸ジシクロペンテニル、（メタ）アクリル酸アダマンチル、（メタ）アクリル酸２−アダマンチル−２−メチル、（メタ）アクリル酸２−アダマンチル−２−エチル、（メタ）アクリル酸テトラヒドロフラニル、（メタ）アクリル酸テトラヒドロピラニル、（メタ）アクリル酸フェニル、（メタ）アクリル酸ベンジル、（メタ）アクリル酸フェネチル、（メタ）アクリル酸（ジメチル）（ｐ−メチルシクロヘキシル）メチル、（メタ）アクリル酸（ジメチル）（ノルボルニル）メチル、（メタ）アクリル酸（ジメチル）（フェニル）メチル等の（メタ）アクリル酸エステル類；
【００６７】
（メタ）アクリル酸、クロトン酸、マレイン酸、無水マレイン酸、フマル酸、けい皮酸等の不飽和カルボン酸またはその酸無水物類；
（メタ）アクリル酸２−カルボキシエチル、（メタ）アクリル酸２−カルボキシプロピル、（メタ）アクリル酸３−カルボキシプロピル等の不飽和カルボン酸のカルボキシアルキルエステル類；
（メタ）アクリロニトリル、α−クロロアクリロニトリル、クロトンニトリル、マレインニトリル、フマロニトリル等の不飽和ニトリル化合物；
（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル（メタ）アクリルアミド、クロトンアミド、マレインアミド、フマルアミド等の不飽和アミド化合物；
マレイミド、Ｎ−フェニルマレイミド、Ｎ−シクロヘキシルマレイミド等の不飽和イミド化合物；
Ｎ−ビニル−ε−カプロラクタム、Ｎ−ビニルピロリドン、２−ビニルピリジン、３−ビニルピリジン、４−ビニルピリジン、２−ビニルイミダゾール、４−ビニルイミダゾール等の他の含窒素ビニル化合物
等の重合性不飽和結合が開裂した単位を挙げることができる。
【００６８】
これらの他の繰返し単位のうち、スチレン、α−メチルスチレン、ｐ−ｔ−ブトキシスチレン、ｐ−ｔ−ブトキシカルボニルオキシスチレン、ｐ−ｔ−ブトキシカルボニルメチルオキシスチレン、ｐ−アセトキシスチレン、ｐ−（２−ｔ−ブトキシカルボニルエチルオキシ）スチレン、（メタ）アクリル酸ｔ−ブチル、（メタ）アクリル酸イソボルニル、（メタ）アクリル酸トリシクロデカニル、（メタ）アクリル酸２−アダマンチル−２−メチル、（メタ）アクリル酸２−アダマンチル−２−エチル等の重合性不飽和結合が開裂した単位が好ましい。
樹脂（Ｂ）において、他の繰返し単位は、単独でまたは２種以上が存在することができる。
【００６９】
樹脂（Ｂ）において、繰返し単位（２）と繰返し単位（３）との合計数に対する繰返し単位（２）の数の割合は、繰返し単位（２）中のアセタール構造、他の繰返し単位あるいは架橋基の種類や含量などによって変わり、一概には規定できないが、好ましくは５〜９０％、さらに好ましくは１０〜８０％である。
また、他の繰返し単位の含有率は、全繰返し単位に対して、通常、５０モル％以下、好ましくは３０モル％以下である。
また、架橋基の含有率は、全繰返し単位に対して、通常、１５モル％以下、好ましくは１０モル％以下である。
樹脂（Ｂ）のゲルパーミエーションクロマトグラフィーで測定したポリスチレン換算重量平均分子量（以下、「Ｍｗ」という。）は、好ましくは１，０００〜５００，０００、さらに好ましくは３，０００〜３００，０００である。
また、樹脂（Ｂ）のＭｗとゲルパーミエーションクロマトグラフィーで測定したポリスチレン換算数平均分子量（以下、「Ｍｎ」という。）との比（Ｍｗ／Ｍｎ）は、通常、１〜５、好ましくは１〜３である。
【００７０】
樹脂（Ｂ）は、例えば、
（イ）ｐ−ヒドロキシスチレンの（共）重合体中のフェノール性水酸基の一部を、弱酸性条件下で、エチルビニルエーテル、ｎ−ブチルビニルエーテル、シクロへキシルビニルエーテル等のビニルエーテル化合物と付加反応させる方法；
（ロ）ｐ−ヒドロキシスチレン中のフェノール性水酸基の一部を、弱酸性条件下で、エチルビニルエーテル、ｎ−ブチルビニルエーテル、シクロへキシルビニルエーテル等のビニルエーテル化合物と付加反応させることにより、繰返し単位（２）に対応する単量体を合成し、この単量体をｐ−ヒドロキシスチレンと常法により共重合する方法
等により製造することができる。
また、樹脂（Ｂ）におけるジエチレングリコール骨格を有する架橋基により部分架橋された構造は、前記（イ）の方法におけるビニルエーテル化合物との付加反応に際して、例えば、適当量のジエチレングリコールジビニルエーテルを同時に反応させることにより導入することができる。
【００７１】
他の酸解離性基含有樹脂
本発明においては、樹脂（Ｂ）と共に、該樹脂以外の酸解離性基含有樹脂（以下、「他の酸解離性基含有樹脂」という。）を併用することもできる。以下に、他の酸解離性基含有樹脂について説明する。
他の酸解離性基含有樹脂は、酸解離性基で保護されたアルカリ不溶性またはアルカリ難溶性の樹脂であって、該酸解離性基が解離したときにアルカリ可溶性となる樹脂からなる。
ここで言う「アルカリ不溶性またはアルカリ難溶性」とは、他の酸解離性基含有樹脂を含有する感放射線性樹脂組成物を用いて形成されるレジスト被膜からレジストパターンを形成する際に採用されるアルカリ現像条件下で、当該レジスト被膜の代わりに該樹脂のみを用いた被膜を現像した場合に、当該被膜の初期膜厚の５０％以上が現像後に残存する性質を意味する。
【００７２】
他の酸解離性基含有樹脂としては、例えば、フェノール性水酸基、カルボキシル基等の酸性官能基を１種以上有するアルカリ可溶性樹脂、例えば、下記する式（６）〜（８）で表される繰返し単位を１種以上有するアルカリ可溶性樹脂中の酸性官能基の水素原子を、酸の存在下で解離することができる１種以上の酸解離性基で置換した構造を有する、それ自体としてはアルカリ不溶性またはアルカリ難溶性の樹脂（以下「樹脂（ｂ１）」という。）、下記する式（９）で表される繰返し単位を１種以上有するアルカリ可溶性樹脂中のフェノール性水酸基の水素原子を、酸の存在下で解離することができる１種以上の酸解離性基で置換した構造を有する、それ自体としてはアルカリ不溶性またはアルカリ難溶性の樹脂（以下「樹脂（ｂ２）」という。）を挙げることができる。以下では、樹脂（ｂ１）と樹脂（ｂ２）とをまとめて「樹脂（ｂ）」ともいう。
【００７３】
【化９】
0004438218.tif 000007
〔式（６）において、Ｒ26は水素原子またはメチル基を示し、Ｒ27はハロゲン原子または炭素数１〜６の１価の有機基を示し、ｎは０〜３の整数である。〕
【００７４】
【化１０】
0004438218.tif 000008
〔式（７）において、Ｒ28は水素原子またはメチル基を示す。〕
【００７５】
【化１１】
0004438218.tif 000009
【００７６】
【化１２】
0004438218.tif 000010
〔式（９）において、Ｒ29、Ｒ30、Ｒ31、Ｒ32およびＲ33は相互に独立に、水素原子または炭素数１〜４の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基を示す。〕
【００７７】
樹脂（ｂ）における酸解離性基としては、例えば、置換メチル基、１−置換エチル基、１−置換プロピル基、１−分岐アルキル基、シリル基、ゲルミル基、アルコキシカルボニル基、アシル基、環式酸解離性基等を挙げることができる。但し、該酸解離性基は、ｐ−ヒドロキシスチレンに由来する繰返し単位中のフェノール性水酸基の水素原子を該酸解離性基で置換した構造が繰返し単位（２）に相当する場合を含まない。
前記置換メチル基としては、例えば、メトキシメチル基、メチルチオメチル基、エトキシメチル基、エチルチオメチル基、メトキシエトキシメチル基、ベンジルオキシメチル基、ベンジルチオメチル基、フェナシル基、ブロモフェナシル基、メトキシフェナシル基、メチルチオフェナシル基、α−メチルフェナシル基、シクロプロピルメチル基、ベンジル基、ジフェニルメチル基、トリフェニルメチル基、ブロモベンジル基、ニトロベンジル基、メトキシベンジル基、メチルチオベンジル基、エトキシベンジル基、エチルチオベンジル基、ピペロニル基、メトキシカルボニルメチル基、エトキシカルボニルメチル基、ｎ−プロポキシカルボニルメチル基、イソプロポキシカルボニルメチル基、ｎ−ブトキシカルボニルメチル基、ｔ−ブトキシカルボニルメチル基等を挙げることができる。
【００７８】
また、前記１−置換エチル基としては、例えば、１−メトキシエチル基、１−メチルチオエチル基、１，１−ジメトキシエチル基、１−エトキシエチル基、１−エチルチオエチル基、１，１−ジエトキシエチル基、１−フェノキシエチル基、１−フェニルチオエチル基、１，１−ジフェノキシエチル基、１−ベンジルオキシエチル基、１−ベンジルチオエチル基、１−シクロプロピルエチル基、１−フェニルエチル基、１，１−ジフェニルエチル基、１−メトキシカルボニルエチル基、１−エトキシカルボニルエチル基、１−ｎ−プロポキシカルボニルエチル基、１−イソプロポキシカルボニルエチル基、１−ｎ−ブトキシカルボニルエチル基、１−ｔ−ブトキシカルボニルエチル基等を挙げることができる。
また、前記１−分岐アルキル基としては、例えば、ｉ−プロピル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、１，１−ジメチルプロピル基、１−メチルブチル基、１，１−ジメチルブチル基等を挙げることができる。
また、前記１−置換プロピル基としては、１−メトキシプロピル基、１−エトキシプロピル基等を挙げることができる。
【００７９】
また、前記シリル基としては、例えば、トリメチルシリル基、エチルジメチルシリル基、メチルジエチルシリル基、トリエチルシリル基、ｉ−プロピルジメチルシリル基、メチルジ−ｉ−プロピルシリル基、トリ−ｉ−プロピルシリル基、ｔ−ブチルジメチルシリル基、メチルジ−ｔ−ブチルシリル基、トリ−ｔ−ブチルシリル基、フェニルジメチルシリル基、メチルジフェニルシリル基、トリフェニルシリル基等を挙げることができる。
また、前記ゲルミル基としては、例えば、トリメチルゲルミル基、エチルジメチルゲルミル基、メチルジエチルゲルミル基、トリエチルゲルミル基、ｉ−プロピルジメチルゲルミル基、メチルジ−ｉ−プロピルゲルミル基、トリ−ｉ−プロピルゲルミル基、ｔ−ブチルジメチルゲルミル基、メチルジ−ｔ−ブチルゲルミル基、トリ−ｔ−ブチルゲルミル基、フェニルジメチルゲルミル基、メチルジフェニルゲルミル基、トリフェニルゲルミル基等を挙げることができる。
また、前記アルコキシカルボニル基としては、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｉ−プロポキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニル基等を挙げることができる。
【００８０】
また、前記アシル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、ヘプタノイル基、ヘキサノイル基、バレリル基、ピバロイル基、イソバレリル基、ラウリロイル基、ミリストイル基、パルミトイル基、ステアロイル基、オキサリル基、マロニル基、スクシニル基、グルタリル基、アジポイル基、ピペロイル基、スベロイル基、アゼラオイル基、セバコイル基、アクリロイル基、プロピオロイル基、メタクリロイル基、クロトノイル基、オレオイル基、マレオイル基、フマロイル基、メサコノイル基、カンホロイル基、ベンゾイル基、フタロイル基、イソフタロイル基、テレフタロイル基、ナフトイル基、トルオイル基、ヒドロアトロポイル基、アトロポイル基、シンナモイル基、フロイル基、テノイル基、ニコチノイル基、イソニコチノイル基、ｐ−トルエンスルホニル基、メシル基等を挙げることができる。
さらに、前記環式酸解離性基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘキセニル基、ｐ−メトキシシクロヘキシル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロチオピラニル基、テトラヒドロチオフラニル基、３−ブロモテトラヒドロピラニル基、４−メトキシテトラヒドロピラニル基、４−メトキシテトラヒドロチオピラニル基、３−テトラヒドロチオフェン−１，１−ジオキシド基等を挙げることができる。
【００８１】
これらの酸解離性基のうち、ｔ−ブチル基、１−メトキシメチル基、１−メトキシエチル基、１−エトキシエチル基、１−エトキシプロピル基、１−プロポキシエチル基、トリメチルシリル基、ｔ−ブトキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニルメチル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基等が好ましい。
【００８２】
樹脂（ｂ）中における酸解離性基の導入率（樹脂（ｂ）中の酸性官能基と酸解離性基との合計数に対する酸解離性基の数の割合）は、酸解離性基や該基が導入されるアルカリ可溶性樹脂の種類により一概には規定できないが、好ましくは１０〜１００％、さらに好ましくは１５〜１００％である。
【００８３】
樹脂（ｂ）のＭｗは、好ましくは１，０００〜１５０，０００、さらに好ましくは３，０００〜１００，０００である。
また、樹脂（ｂ）のＭｗ／Ｍｎは、通常、１〜５、好ましくは１〜３である。
樹脂（ｂ）は、例えば、予め製造したアルカリ可溶性樹脂に１種以上の酸解離性基を導入することによって製造することができ、また樹脂（ｂ１）は、酸解離性基を有する１種以上の重合性不飽和単量体を（共）重合することによって製造することができ、さらに樹脂（ｂ２）は、酸解離性基を有する１種以上の重縮合成分を（共）重縮合することによって製造することができる。
本発明において、他の酸解離性基含有樹脂は、単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。
【００８４】
他の添加剤
本発明の感放射線性樹脂組成物は、酸発生剤（Ａ）並びに樹脂（Ｂ）を必須成分として含有し、場合により、他の酸発生剤、他の酸解離性基含有樹脂をさらに含有するものであるが、必要に応じて、溶解制御剤、酸拡散制御剤、界面活性剤、増感剤等の他の添加剤を含有することもできる。
【００８５】
−溶解制御剤−
溶解性制御剤としては、例えば、フェノール性水酸基、カルボキシル基等の酸性官能基を有する化合物、該化合物中の酸性官能基の水素原子を酸の存在下で解離しうる１種以上の置換基（以下、「酸解離性置換基」という。）で置換した化合物等を挙げることができる。
前記酸解離性置換基としては、例えば、前記他の酸解離性基含有樹脂について例示した置換メチル基、１−置換エチル基、１−置換−ｎ−プロピル基、１−分岐アルキル基、シリル基、ゲルミル基、アルコキシカルボニル基、アシル基、環式酸解離性基等の酸解離性基と同様の基を挙げることができる。
溶解性制御剤は、低分子化合物でも高分子化合物でもよいが、低分子化合物の具体例としては、下記式（１０）〜（１４）で表される化合物等を挙げることができる。
【００８６】
【化１３】
0004438218.tif 000011
〔式（１０）において、Ｒ34は水素原子または酸解離性置換基を示し、複数存在するＲ34は相互に同一でも異なってもよく、Ｒ35は炭素数１〜４の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、フェニル基または１−ナフチル基を示し、複数存在するＲ35は相互に同一でも異なってもよく、ｐは１以上の整数、ｑは０以上の整数で、ｐ＋ｑ≦６を満たす。〕
【００８７】
【化１４】
0004438218.tif 000012
【００８８】
〔式（１１）において、Ｒ34およびＲ35は式（１０）のそれぞれＲ34およびＲ35と同義であり、Ａは単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＳＯ−、−ＳＯ2 −、−Ｃ（Ｒ36)(Ｒ37）−（但し、Ｒ36およびＲ37は相互に独立に水素原子、炭素数１〜６の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、炭素数２〜１１のアシル基、フェニル基または１−ナフチル基を示す。）または下記式で表される基
【００８９】
【化１５】
0004438218.tif 000013
【００９０】
（但し、Ｒ35は前記に同じであり、ｘは０〜４の整数である。）を示し、ｐ、ｑ、ｒおよびｓはそれぞれ０以上の整数で、ｐ＋ｑ≦５、ｒ＋ｓ≦５、ｐ＋ｒ≧１を満たす。〕
【００９１】
【化１６】
0004438218.tif 000014
〔式（１２）において、Ｒ34およびＲ35は式（１０）のそれぞれＲ34およびＲ35と同義であり、Ｒ38は水素原子、炭素数１〜４の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基またはフェニル基を示し、ｐ、ｑ、ｒ、ｓ、ｔおよびｕはそれぞれ０以上の整数で、ｐ＋ｑ≦５、ｒ＋ｓ≦５、ｔ＋ｕ≦５、ｐ＋ｒ＋ｔ≧１を満たす。〕
【００９２】
【化１７】
0004438218.tif 000015
〔式（１３）において、Ｒ34およびＲ35は式（１０）のそれぞれＲ34およびＲ35と同義であり、Ａは式（１１）のＡと同義であり、Ｒ38は式（１２）のＲ38と同義であり、複数存在するＲ38は相互に同一でも異なってもよく、ｐ、ｑ、ｒ、ｓ、ｔ、ｕ、ｖおよびｗはそれぞれ０以上の整数で、ｐ＋ｑ≦５、ｒ＋ｓ≦５、ｔ＋ｕ≦５、ｖ＋ｗ≦５、ｐ＋ｒ＋ｔ＋ｖ≧１を満たす。〕
【００９３】
【化１８】
0004438218.tif 000016
〔式（１４）において、Ｒ34およびＲ35は式（１０）のそれぞれＲ34およびＲ35と同義であり、Ｒ38は式（１２）のＲ38と同義であり、複数存在するＲ38は相互に同一でも異なってもよく、ｐ、ｑ、ｒ、ｓ、ｔ、ｕ、ｖおよびｗはそれぞれ０以上の整数で、ｐ＋ｑ≦５、ｒ＋ｓ≦５、ｔ＋ｕ≦５、ｖ＋ｗ≦４、ｐ＋ｒ＋ｔ＋ｖ≧１を満たす。〕
これらの溶解制御剤は、単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。
【００９４】
−酸拡散制御剤−
酸拡散制御剤は、露光によって酸発生剤（Ａ）等から発生した酸のレジスト被膜中における拡散現象を制御し、未露光領域での好ましくない化学反応を抑制する作用等を有するものである。このような酸拡散制御剤を使用することにより、組成物の保存安定性が向上し、またレジストとして、解像度がさらに向上するとともに、露光から現像に到るまでの引き置き時間（ＰＥＤ）の変動によるレジストパターンの線幅変化を抑えることができ、プロセス安定性に極めて優れたものとなる。
【００９５】
酸拡散制御剤としては、例えば、下記式（１５）で表される化合物（以下、「含窒素化合物（ｉ）」という。）
【化１９】
0004438218.tif 000017
〔式（１５）において、Ｒ39、Ｒ40およびＲ41は相互に独立に、水素原子、置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアリール基または置換されていてもよいアラルキル基を示す。〕
【００９６】
、同一分子内に窒素原子を２個有するジアミノ化合物（以下、「含窒素化合物（ii）」という。）、窒素原子を３個以上有する重合体（以下、「含窒素化合物（iii)」という。）、少なくとも１個の水素原子が窒素原子に結合したアミノ基を１つ以上有する化合物の前記水素原子の１個以上がｔ−ブトキシカルボニル基で置換された低分子化合物（以下、「含窒素化合物（iv）」という。）、アミド基含有化合物、ウレア化合物、含窒素複素環化合物等を挙げることができる。
【００９７】
含窒素化合物（ｉ）としては、例えば、ｎ−ヘキシルアミン、ｎ−ヘプチルアミン、ｎ−オクチルアミン、ｎ−ノニルアミン、ｎ−デシルアミン、ｎ−ドデシルアミン、シクヘキシルアミン等の直鎖状、分岐状もしくは環状のモノアルキルアミン類；ジ−ｎ−ブチルアミン、ジ−ｎ−ペンチルアミン、ジ−ｎ−ヘキシルアミン、ジ−ｎ−ヘプチルアミン、ジ−ｎ−オクチルアミン、ジ−ｎ−ノニルアミン、ジ−ｎ−デシルアミン、メチル・ｎ−ドデシルアミン、ジ−ｎ−ドデシルアミン、メチル・シクロヘキシルアミン、ジシクロヘキシルアミン等の直鎖状、分岐状もしくは環状のジアルキルアミン類；トリエチルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、トリ−ｎ−ペンチルアミン、トリ−ｎ−ヘキシルアミン、トリ−ｎ−ヘプチルアミン、トリ−ｎ−オクチルアミン、トリ−ｎ−ノニルアミン、トリ−ｎ−デシルアミン、ｎ−ドデシルジメチルアミン、メチルジ−ｎ−ドデシルアミン、トリ−ｎ−ドデシルアミン、シクロヘキシルジメチルアミン、メチルジシクロヘキシルアミン、トリシクロヘキシルアミン等の直鎖状、分岐状もしくは環状のトリアルキルアミン類；エタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、トリ−ｉ−プロパノールアミン等の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルカノールアミン類；アニリン、Ｎ−メチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、ｏ−メチルアニリン、ｍ−メチルアニリン、ｐ−メチルアニリン、ｐ−ニトロアニリン、メチル・フェニルアミン、ジフェニルアミン、フェニルジメチルアミン、メチルジフェニルアミン、トリフェニルアミン、１−ナフチルアミン、２−ナフチルアミン等の芳香族アミン類等を挙げることができる。
【００９８】
また、含窒素化合物（ii）としては、例えば、エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ',Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−ジアミノベンゾフェノン、４，４’−ジアミノジフェニルアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ',Ｎ’−テトラキス（２−ヒドロキシエチル）エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ',Ｎ’−テトラキス（２−ヒドロキシプロピル）エチレンジアミン、２，２−ビス（ｐ−アミノフェニル）プロパン、２−（ｍ−アミノフェニル）−２−（ｐ−アミノフェニル）プロパン、２−（ｐ−アミノフェニル）−２−（ｍ−ヒドロキシフェニル）プロパン、２−（ｐ−アミノフェニル）−２−（ｐ−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，４−ビス [１−（ｐ−アミノフェニル）−１−メチルエチル] ベンゼン、１，３−ビス [１−（ｐ−アミノフェニル）−１−メチルエチル] ベンゼン、ビス（２−ジメチルアミノエチル）エーテル、ビス（２−ジエチルアミノエチル）エーテル等を挙げることができる。
また、含窒素化合物（iii)としては、例えば、ポリエチレンイミン、ポリアリルアミン、ジメチルアミノエチルアクリルアミドの重合体等を挙げることができる。
【００９９】
また、含窒素化合物（iv）としては、例えば、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニルジ−ｎ−オクチルアミン、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニルジシクロヘキシルアミン等の直鎖状、分岐状もしくは環状のジアルキルアミン誘導体類；Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−１−アダマンチルアミン、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−Ｎ−メチル−１−アダマンチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジ−ｔ−ブトキシカルボニル−１−アダマンチルアミン等のアダマンチルアミン誘導体類；Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−４，４’−ジアミノジフェニルメタン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔ−ブトキシカルボニル−４，４’−ジアミノジフェニルメタン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔ−ブトキシカルボニルヘキサメチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’Ｎ’−テトラ−ｔ−ブトキシカルボニルヘキサメチレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔ−ブトキシカルボニル−１，７−ジアミノ−ｎ−ヘプタン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔ−ブトキシカルボニル−１，８−ジアミノ−ｎ−オクタン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔ−ブトキシカルボニル−１，１０−ジアミノ−ｎ−デカン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔ−ブトキシカルボニル−１，１２−ジアミノ−ｎ−ドデカン等の他のジアミン誘導体類；Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニルベンズイミダゾール、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−２−メチルベンズイミダゾール、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−２−フェニルベンズイミダゾール等のイミダゾール誘導体類等を挙げることができる。
【０１００】
また、前記アミド基含有化合物としては、例えば、ホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、アセトアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、プロピオンアミド、ベンズアミド、ピロリドン、Ｎ−メチルピロリドン等を挙げることができる。
また、前記ウレア化合物としては、例えば、尿素、メチルウレア、１，１−ジメチルウレア、１，３−ジメチルウレア、１，１，３，３−テトラメチルウレア、１，３−ジフェニルウレア、トリ−ｎ−ブチルチオウレア等を挙げることができる。
さらに、前記含窒素複素環化合物としては、例えば、イミダゾール、４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、４−メチル−２−フェニルイミダゾール、ベンズイミダゾール、２−フェニルベンズイミダゾール等のイミダゾール類；ピリジン、２−メチルピリジン、４−メチルピリジン、２−エチルピリジン、４−エチルピリジン、２−フェニルピリジン、４−フェニルピリジン、２−メチル−４−フェニルピリジン、２−ベンジルピリジン、４−ベンジルピリジン、２，６−ジメタノールピリジン、ニコチン、ニコチン酸、ニコチン酸アミド、キノリン、８−オキシキノリン、アクリジン等のピリジン類のほか、ピラジン、ピラゾール、ピリダジン、キノザリン、プリン、ピロリジン、ピペリジン、１−ピペリジンエタノール、モルホリン、４−メチルモルホリン、ピペラジン、１，４−ジメチルピペラジン、１，４−ジアザビシクロ [２．２．２] オクタン等を挙げることができる。
【０１０１】
これらの含窒素有機化合物のうち、含窒素化合物（ｉ）、含窒素化合物（iv）、含窒素複素環化合物が好ましく、また含窒素化合物（ｉ）の中では、トリアルキルアミン類およびアルカノールアミン類が特に好ましく、含窒素化合物（iv）の中では、ジアルキルアミン誘導体類およびイミダゾール誘導体類が特に好ましく、含窒素複素環化合物の中では、イミダゾール類およびピリジン類が特に好ましい。
前記酸拡散制御剤は、単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。
【０１０２】
−界面活性剤−
界面活性剤は、感放射線性樹脂組成物の塗布性、ストリエーション、現像性等を改良する作用を示すものである。
このような界面活性剤としては、アニオン系、カチオン系、ノニオン系あるいは両性のいずれでも使用することができるが、好ましい界面活性剤はノニオン系界面活性剤である。
前記ノニオン系界面活性剤としては、例えば、ポリオキシエチレン高級アルキルエーテル類、ポリオキシエチレン高級アルキルフェニルエーテル類、ポリエチレングリコールの高級脂肪酸ジエステル類等のほか、以下商品名で、ＫＰ（信越化学工業製）、ポリフロー（共栄社油脂化学工業製）、エフトップ（トーケムプロダクツ製）、メガファック（大日本インキ化学工業製）、フロラード（住友スリーエム製）、アサヒガード、サーフロン（旭硝子製）等の各シリーズを挙げることができる。
これらの界面活性剤は、単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。
【０１０３】
−増感剤等−
増感剤は、放射線のエネルギーを吸収して、そのエネルギーを酸発生剤（Ａ）や他の酸発生剤に伝達して、酸の生成量を増加させ、それにより感放射線性樹脂組成物のみかけの感度を向上させる作用を有するものである。
このような増感剤としては、例えば、アセトフェノン類、ベンゾフェノン類、ナフタレン類、ビアセチル、エオシン、ローズベンガル、ピレン類、アントラセン類、フェノチアジン類等を挙げることができる。
これらの増感剤は、単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。
また、染料あるいは顔料を配合することにより、露光部の潜像を可視化させて、露光時のハレーションの影響を緩和でき、接着助剤を配合することにより、基板との接着性を改善することができる。
さらに、前記以外の添加剤としては、ハレーション防止剤、保存安定剤、消泡剤、形状改良剤等、具体的には４−ヒドロキシ−４’−メチルカルコン等を挙げることができる。
【０１０４】
感放射線性樹脂組成物
本発明の感放射線性樹脂組成物は、酸発生剤（Ａ）並びに樹脂（Ｂ）を必須成分とし、場合により、他の酸発生剤、他の酸解離性基含有樹脂、他の添加剤等を含有するものであるが、主な成分の各使用量は、下記のとおりである。
酸発生剤（Ａ）の使用量は、樹脂組成物中の全樹脂成分１００重量部当たり、通常、０．０１〜２０重量部、好ましくは０．１〜１５重量部、特に好ましくは０．３〜８重量部である。この場合、酸発生剤（Ａ）の使用量が０．０１重量部未満では、レジストとしての感度および解像度が低下し、またナノエッジラフネスの低減効果も小さくなる傾向があり、一方２０重量部を超えると、レジストとしての塗布性や耐熱性が低下する傾向がある。
また、酸発生剤（Ａ）および他の酸発生剤の合計使用量は、樹脂組成物中の全樹脂成分１００重量部当たり、通常、０．０２〜８０重量部、好ましくは０．２〜５０重量部、特に好ましくは０．３〜３０重量部である。
さらに、酸発生剤全体における酸発生剤（Ａ）の使用割合は、好ましくは０．５重量％以上、特に好ましくは１重量％以上である。この場合、酸発生剤（Ａ）の使用割合が０．５重量％未満では、ナノエッジラフネスの低減効果が損なわれるおそれがある。
【０１０５】
また、酸解離性基含有樹脂全体における樹脂（Ｂ）の使用割合は、通常、１０重量％以上、好ましくは２０重量％以上である。この場合、樹脂（Ｂ）の使用割合が１０重量％未満では、レジストとしての解像度が低下する傾向がある。
また、溶解制御剤の使用量は、その種類、樹脂（Ｂ）や樹脂（ｂ）の種類等に応じて変わるが、樹脂組成物中の全樹脂成分１００重量部当たり、通常、５０重量部以下、好ましくは３０重量部以下である。この場合、溶解制御剤の使用量が５０重量部を超えると、レジストとしての耐熱性が低下する傾向がある。
また、酸拡散制御剤の使用量は、その種類、酸発生剤（Ａ）や他の酸発生剤の種類等に応じて変わるが、樹脂組成物中の全樹脂成分１００重量部当たり、通常、１０重量部以下、好ましくは５重量部以下である。この場合、酸拡散制御剤の使用量が１０重量部を超えると、レジストとしての感度や露光部の現像性が低下する傾向がある。
また、界面活性剤の使用量は、樹脂組成物中の全樹脂成分１００重量部当たり、界面活性剤の有効成分として、通常、２重量部以下である。
また、増感剤の使用量は、樹脂組成物中の全樹脂成分１００重量部当たり、通常、５０重量部以下、好ましくは３０重量部以下である。
【０１０６】
組成物溶液
本発明の感放射線性樹脂組成物は、その使用に際して、通常、固形分濃度が例えば１〜５０重量％となるように溶剤に溶解したのち、例えば孔径０．２μｍ程度のフィルターでろ過することによって、組成物溶液として調製される。
前記溶剤としては、例えば、エーテル類、エステル類、エーテルエステル類、ケトン類、ケトンエステル類、アミド類、アミドエステル類、ラクタム類、ラクトン類、（ハロゲン化）炭化水素類等、より具体的には、エチレングリコールモノアルキルエーテル類、ジエチレングリコールジアルキルエーテル類、プロピレングリコールモノアルキルエーテル類、プロピレングリコールジアルキルエーテル類、エチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、酢酸エステル類、ヒドロキシ酢酸エステル類、乳酸エステル類、アルコキシ酢酸エステル類、アセト酢酸エステル類、ピルビン酸エステル類、プロピオン酸エステル類、酪酸エステル類、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオン酸エステル類、３−アルコキシプロピオン酸エステル類、２−ヒドロキシ−３−メチル酪酸エステル類、非環式もしくは環式のケトン類、Ｎ，Ｎ−ジアルキルホルムアミド類、Ｎ，Ｎ−ジアルキルアセトアミド類、Ｎ−アルキルピロリドン類、γ−ラクトン類、（ハロゲン化）脂肪族炭化水素類、（ハロゲン化）芳香族炭化水素類等を挙げることができる。
【０１０７】
このような溶剤の具体例としては、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノ−ｎ−プロピルエーテル、エチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジ−ｎ−プロピルエーテル、ジエチレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノ−ｎ−プロピルエーテルアセテート、イソプロペニルプロピオネート、酢酸エチル、酢酸ｎ−プロピル、酢酸ｉ−プロペニル、酢酸ｎ−ブチル、３−メトキシブチルアセテート、３−メチル−３−メトキシブチルアセテート、ヒドロキシ酢酸エチル、乳酸エチル、エトキシ酢酸エチル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、３−メチル−３−メトキシブチルプロピオネート、３−メチル−３−メトキシブチルブチレート、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオン酸エチル、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−メトキシプロピオン酸エチル、３−エトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、２−ヒドロキシ−３−メチル酪酸メチル、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、２−ヘプタノン、３−ヘプタノン、４−ヘプタノン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、トルエン、キシレン等を挙げることができる。
これらの溶剤のうち、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、乳酸エステル類、３−アルコキシプロピオン酸エステル類、２−ヘプタノン、シクロヘプタノン等が好ましい。
前記溶剤は、単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。
【０１０８】
さらに前記溶剤には、必要に応じて、ベンジルエチルエーテル、ジ−ｎ−ヘキシルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、アセトニルアセトン、イソホロン、カプロン酸、カプリル酸、１−オクタノール、１−ノナノール、ベンジルアルコール、酢酸ベンジル、安息香酸エチル、シュウ酸ジエチル、マレイン酸ジエチル、γ−ブチロラクトン、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、エチレングリコールモノフェニルエーテルアセテート等の高沸点溶剤を１種以上添加することもできる。
【０１０９】
レジストパターンの形成
本発明の感放射線性樹脂組成物は、酸解離性のアセタール構造を有する樹脂（Ｂ）を含有し、露光により酸発生剤（Ａ）等から発生した酸の作用によりアセタール構造が解離して、フェノール性水酸基を形成し、それにより該樹脂がアルカリ易溶性ないしアルカリ可溶性となる結果、ポジ型のレジストパターンを形成するものである。
本発明の感放射線性樹脂組成物からレジストパターンを形成する際には、前述のようにして調製された組成物溶液を、回転塗布、流延塗布、ロール塗布等の手段によって、基板上に塗布することにより、レジスト被膜を形成する。
前記基板としては、例えば、シリコン基板、アルミニウムで被覆された基板、窒化シリコンや窒化チタン等の塩基性基板、無機窒化膜や有機反射防止膜で被覆された基板等を使用することができる。
次いで、加熱処理（以下、「ＰＢ」という。）を行ったのち、所定のマスクパターンを介して該レジスト被膜に露光する。その際に使用する放射線は、水銀灯の輝線スペクトル（波長２５４ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー（波長１９３ｎｍ）、Ｆ2 エキシマレーザー（波長１５７ｎｍ）等の遠紫外線や、電子線等の荷電粒子線が好ましいが、他の酸発生剤の種類によっては、シンクロトロン放射線等のＸ線等や、ｉ線（波長３６５ｎｍ）等の通常の紫外線を使用することもできる。また、放射線量等の露光条件は、樹脂組成物の配合組成、他の添加剤の種類等に応じて、適宜選定される。
【０１１０】
露光後、レジストのみかけの感度を向上させるために、加熱処理（以下、「ＰＥＢ」という。）を行うことが好ましい。その加熱条件は、樹脂組成物の配合組成、他の添加剤の種類等により変わるが、通常、３０〜２００℃、好ましくは５０〜１５０℃である。
その後、アルカリ現像液で現像することにより、所定のレジストパターンを形成させる。
アルカリ現像液としては、例えば、アルカリ金属水酸化物、アンモニア水、アルキルアミン類、アルカノールアミン類、複素環式アミン類、テトラアルキルアンモニウムヒドロキシド類、コリン、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン、１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］−５−ノネン等のアルカリ性化合物の１種以上を、通常、５〜１０重量％、好ましくは２〜５重量％の濃度となるように溶解したアルカリ性水溶液が使用される。特に好ましいアルカリ現像液は、テトラアルキルアンモニウムヒドロキシド類の水溶液である。
また、前記アルカリ性水溶液からなる現像液には、例えば、メタノール、エタノール等の水溶性有機溶剤や界面活性剤等を適量添加することもできる。
なお、このようにアルカリ性水溶液からなる現像液を使用した場合には、一般に、現像後、水洗する。
【０１１１】
【発明の実施の形態】
以下、実施例を挙げて、本発明の実施の形態をさらに具体的に説明する。但し、本発明は、これらの実施例に何ら制約されるものではない。
【実施例】
実施例１〜１４、比較例１〜２
表１（但し、部は重量に基づく。）に示す各成分を混合して均一溶液としたのち、孔径０．２μｍのテフロン製メンブレンフィルターでろ過して、組成物溶液を調製した。
次いで、各組成物溶液を、シリコンウエハー上に回転塗布したのち、表２に示す温度と時間にてＰＢを行って、膜厚０．５μｍのレジスト被膜または膜厚０．１μｍ（但し、Ｆ2 エキシマレーザーで露光する場合）のレジスト被膜を形成した。このレジスト被膜に、ＫｒＦエキシマレーザー照射装置（商品名ＮＳＲ−２００５  ＥＸ８Ａ、（株）ニコン製）を用い、ＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）をマスクパターンを介し露光量を変えて露光した。また一部の実施例では、ＫｒＦエキシマレーザーに替えて、簡易型の電子線直描装置（５０ＫｅＶ）（商品名ＨＬ７００Ｄ−Ｍ（電流密度４．５Ａ）、（株）日立製作所製）を用い、電子線をマスクパターンを介し露光量を変えて露光するか、あるいは簡易型のＦ2 エキシマレーザー照射装置（Ｅｘｉｔｅｃｈ社製）を用い、Ｆ2 エキシマレーザーをマスクパターンを介し露光量を変えて露光した。露光後、表２に示す温度と時間にてＰＥＢを行った。次いで、２．３８重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を現像液として用い、２３℃で６０秒間現像したのち、水で３０秒間洗浄し、乾燥して、レジストパターンを形成した。
各実施例および比較例の評価結果を、表３に示す。但し、Ｆ2 エキシマレーザーで露光した場合は、レジスト皮膜の膜厚が極めて薄いため、感度および解像度のみを示した。
【０１１２】
ここで、各レジストの評価は、下記の要領で実施した。
感度
シリコンウエハー上に形成したレジスト被膜に露光量を変えて露光したのち、直ちに露光後ベークを行い、次いでアルカリ現像したのち、水洗し、乾燥して、レジストパターンを形成したとき、線幅０．２５μｍのライン・アンド・スペースパターン（１Ｌ１Ｓ）を１対１の線幅に形成する露光量を最適露光量とし、この最適露光量を感度とした。
解像度
最適露光量で露光したときに解像されるレジストパターンの最小寸法（μｍ）を解像度とした。
ナノエッジラフネス
設計線幅０．２５μｍのライン・アンド・スペースパターン（１Ｌ１Ｓ）のラインパターンを走査型電子顕微鏡にて観察し、図１に示すように、該ラインパターンの横側面に沿って生じた凹凸の最も著しい箇所における線幅と設計線幅０．２５μｍとの差ΔＣＤを測定して、下記基準で評価した。図１において、（イ）はレジストパターンの平面図、（ロ）はレジストパターンの側面図であり、凹凸は実際より誇張されている。
ΔＣＤが０．０１μｍ未満：良好
ΔＣＤが０．０１μｍ以上：不良
【０１１３】
各実施例および比較例で用いた各成分は、下記の通りである。
酸発生剤（Ａ）
Ａ-1：２，４，６−トリメチルフェニルジフェニルスルホニウム２，４−ジフルオロベンゼンスルホネート
Ａ-2：２，４，６−トリメチルフェニルジフェニルスルホニウム４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート
Ａ-3：４−ｔ−ブトキシ−２，６−ジメチルフェニルジフェニルスルホニウム２，３，４，５，６−ペンタフルオロベンゼンスルホネート
Ａ-4：４−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシ−２，６−ジメチルフェニルジフェニルスルホニウム２，４，６−トリス（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホネート
【０１１４】
ａ-1：１，１−ビス（フェニルスルホニル）シクロヘキサン
ａ-2：トリフェニルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート
ａ-3：ビス（４−t −ブチルフェニル）ヨードニウム１０−カンファースルホネート
ａ-4：ビス（シクロヘキシルスルフォニル）ジアゾメタン
ａ-5：ビス（１，４―ジオキサスピロ［４．５］デカン−７―スルホニル）ジアゾメタン
ａ-6：ビス（ｔ―ブチルスルホニル）ジアゾメタン
ａ-7：（５−プロピルスルホニウムオキシイミノ−５Ｈ−チオフェン−２−イリデン）（２−メチルフェニル）アセトニトリル
【０１１５】
樹脂（Ｂ）
Ｂ-1：ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）中のフェノール性水酸基の水素原子の３４モル％が１−エトキシエチル基で置換された樹脂（Ｍｗ＝９，０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．９）
Ｂ-2：ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）中のフェノール性水酸基の水素原子の１５モル％が１−エトキシエチル基で置換され、１８モル％が１−エトキシプロピル基で置換された樹脂（Ｍｗ＝１０，０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．２）
Ｂ-3：ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）中のフェノール性水酸基の水素原子の２５モル％が１−エトキシエチル基で置換され、８モル％がｔ−ブトキシカルボニル基で置換された樹脂（Ｍｗ＝１０，０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．１）
Ｂ-4：ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）中のフェノール性水酸基の水素原子の２３モル％が１−エトキシエチル基で置換され、１０モル％がｔ−ブチル基で置換された樹脂（Ｍｗ＝１２，０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．２）
Ｂ-5：ｐ−ヒドロキシスチレン／スチレン共重合体（共重合モル比＝９０／１０）中のフェノール性水酸基の水素原子の２５モル％が１−シクロヘキシルオキシエチル基で置換された樹脂（Ｍｗ＝１８，０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．９）
Ｂ-6：ｐ−ヒドロキシスチレン／アクリル酸ｔ−ブチル共重合体（共重合モル比＝９０：１０）中のフェノール性水酸基の水素原子の２５モル％が１−エトキシエチル基で置換された樹脂（Ｍｗ＝１８，０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．８）
Ｂ-7：ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）（Ｍｗ＝５，０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．８）中のフェノール性水酸基の水素原子の２４モル％が１−エトキシエチル基で置換され、かつジエチレングリコール骨格を有する架橋基で平均６量体とした部分架橋樹脂（Ｍｗ＝３０，０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝５．０）。この樹脂は、ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）（Ｍｗ＝５，０００）を、ｐ−トルエンスルホン酸ピリジニウム塩の存在下で、エチルビニルエーテルおよびジエチレングリコールジビニルエーテルと反応させて得られたものである。
【０１１６】
樹脂（ｂ）
ｂ-1：ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）中のフェノール性水酸基の水素原子の２６モル％がｔ−ブトキシカルボニル基で置換された樹脂（Ｍｗ＝９，０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．９）
ｂ-2：ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）中のフェノール性水酸基の水素原子の２５モル％がｔ−ブトキシカルボニルメチル基で置換された樹脂（Ｍｗ＝２５，０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．２）
ｂ-3：ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）中のフェノール性水酸基の水素原子の３２モル％がｔ−ブチル基で置換された樹脂（Ｍｗ＝１５，０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．１）
ｂ-4：ｐ−ヒドロキシスチレン／スチレン／アクリル酸ｔ−ブチル共重合体（共重合モル比＝６０：２０：２０、Ｍｗ＝１２，５００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．８）
【０１１７】
溶解制御剤
Ｃ-1：ジフェノール酸
Ｃ-2：２−ヒドロキシベンゾフェノン
酸拡散制御剤
Ｄ-1：ｎ−ドデシルジメチルアミン
Ｄ-2：トリ−ｎ−ヘキシルアミン
Ｄ-3：ベンズイミダゾール
Ｄ-4：２−ベンジルピリジン
Ｄ-5：２−フェニルベンズイミダゾール
Ｄ-6：トリエタノールアミン
Ｄ-7：トリ−ｎ−オクチルアミン
溶剤
Ｅ-1：乳酸エチル
Ｅ-2：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
Ｅ-3：２−ヘプタノン
【０１１８】
【表１】
0004438218.tif 000018
【０１１９】
【表２】
0004438218.tif 000019
【０１２０】
【表３】
0004438218.tif 000020
【０１２１】
【発明の効果】
本発明の感放射線性樹脂組成物は、解像性能およびパターン形状が優れるとともに、特にナノエッジラフネスを小さく抑えることができる。したがって、本発明の感放射線性樹脂組成物は、今後ますます微細化が進行すると予想される半導体デバイス製造用の化学増幅型レジストとして極めて有用である。
【図面の簡単な説明】
【図１】ナノエッジラフネスの評価要領を説明する図である。
【図１】
0004438218.tif 000024