(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
カートリッジ内に収納された磁気超解像用光磁気ディスクを回転させるスピンドルモータと、
対物レンズと、
外部磁界を発生して前記光磁気ディスクに印加する磁界発生装置と、
この磁界発生装置が前記光磁気ディスクに外部磁界を印加した状態で、光ビームを前記対物レンズを通して前記光磁気ディスクに照射して情報の記録再生を行う半導体レーザと、
前記記録再生の際に、磁気回路によって前記対物レンズを前記光磁気ディスクの半径方向に駆動するとともに、該磁気回路からの漏れ磁界の方向が、前記光磁気ディスクの記録スポットにおいて記録側の方向となると共に、磁気超解像再生時においては再生磁界の方向となる対物レンズ駆動装置と、
を具備したことを特徴とする光磁気ディスク装置。
【請求項２】
カートリッジ内に収納された磁気超解像用光磁気ディスクを回転させるスピンドルモータと、
対物レンズと、
外部磁界を発生して前記光磁気ディスクに印加する磁界発生装置と、
この磁界発生装置が前記光磁気ディスクに外部磁界を印加した状態で、光ビームを前記対物レンズを通して前記光磁気ディスクに照射して情報の記録再生を行う半導体レーザと、
前記記録再生の際に、第１の磁気回路によって前記対物レンズを前記光磁気ディスクの半径方向に駆動する対物レンズ駆動装置と、
前記記録再生の際に、第２の磁気回路によって前記対物レンズ駆動装置を前記光磁気ディスクの半径方向に駆動するとともに、該第２の磁気回路からの漏れ磁界の方向が、前記光磁気ディスクの記録スポットにおいて記録側の方向となると共に、磁気超解像再生時においては再生磁界の方向となるボイスコイルモータと、
を具備したことを特徴とする光磁気ディスク装置。
【請求項３】
カートリッジ内に収納された磁気超解像用光磁気ディスクを回転させるスピンドルモータと、
対物レンズと、
外部磁界を発生して前記光磁気ディスクに印加する磁界発生装置と、
この磁界発生装置が前記光磁気ディスクに外部磁界を印加した状態で、光ビームを前記対物レンズを通して前記光磁気ディスクに照射して情報の記録再生を行う半導体レーザと、
前記記録再生の際に、第１の磁気回路によって前記対物レンズを前記光磁気ディスクの半径方向に駆動する対物レンズ駆動装置と、
前記光磁気ディスクの近傍に設けられ、磁界の方向が、前記光磁気ディスクの記録スポットにおいて記録側の方向となると共に、磁気超解像再生時においては再生磁界の方向となる補助永久磁石と、
を具備したことを特徴とする光磁気ディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光磁気ディスクに対して情報の記録再生を行うる光磁気ディスク装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、一般的に光磁気ディスクを駆動する光磁気ディスク装置としては、例えば特開平９−６９２８１号公報に開示されているように電磁石を使ってバイアス磁界を記録媒体に印加して、情報の記録及び消去を行う。
【０００３】
ここで、１．３ギガの容量の光磁気ディスク装置は、ＭＳＲ（磁気超解像）再生のため、再生時にも記録方向のバイアス磁界が必要であり、この場合の磁界の強さとして３００［Ｏｅ］程度が必要となっている。また、記録時及び消去時はバイアス磁界の強さとしてＩＳＯ規格で２００〜４００［Ｏｅ］と定められている。
【０００４】
バイアス磁界の発生装置としては、一般的に電磁石が使用されるが、磁界の強さを大きくする場合には、コイルに電流を多く流す必要があり、発熱量が増大して、光磁気ディスク装置内部の温度が高くなり、信頼性が低下してしまう。このため記録時及び消去時にはＩＳＯ規格下限に近い２５０［Ｏｅ］程度の磁界を発生させるのが一般的である。
【０００５】
しかしながら、ＭＳＲ再生時は、３００［Ｏｅ］程度の磁界が必要なため、コイルの電流値を増やして磁界を確保しており、光磁気ディスク装置内部の温度が高く、信頼性が低下するという問題が発生していた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上記上述したように従来の光磁気ディスク装置では、ＭＳＲ再生時は３００  ［Ｏｅ］程度の磁界が必要なため、コイルの電流値を増やして磁界を確保しており、発熱量が増大して、ディスク装置内部の温度が高くなり、信頼性が低下するという問題が発生していた。
【０００７】
本発明は、これらの事情に鑑みてなされたものであり、発熱量の増大させることなく、ＭＳＲ再生の再生磁界、記録磁界及び消去磁界が確保できる光磁気ディスク装置の提供を目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するため本発明の第１の光磁気ディスク装置は、カートリッジ内に収納された磁気超解像用光磁気ディスクを回転させるスピンドルモータと、対物レンズと、外部磁界を発生して前記光磁気ディスクに印加する磁界発生装置と、この磁界発生装置が前記光磁気ディスクに外部磁界を印加した状態で、光ビームを前記対物レンズを通して前記光磁気ディスクに照射して情報の記録再生を行う半導体レーザと、前記記録再生の際に、磁気回路によって前記対物レンズを前記光磁気ディスクの半径方向に駆動するとともに、該磁気回路からの漏れ磁界の方向が、前記光磁気ディスクの記録スポットにおいて記録側の方向となると共に、磁気超解像再生時においては再生磁界の方向となる対物レンズ駆動装置と、を具備したことを特徴とする。
【０００９】
この構成により、磁界発生装置の外部磁界とともに対物レンズ駆動装置の磁気回路の漏れ磁界を光磁気ディスクの記録スポットに印加するので、発熱量の増大させることなく、ＭＳＲ再生の再生磁界、記録磁界及び消去磁界が確保できる。
【００１０】
前記目的を達成するため本発明の第２の光磁気ディスク装置は、カートリッジ内に収納された磁気超解像用光磁気ディスクを回転させるスピンドルモータと、対物レンズと、外部磁界を発生して前記光磁気ディスクに印加する磁界発生装置と、この磁界発生装置が前記光磁気ディスクに外部磁界を印加した状態で、光ビームを前記対物レンズを通して前記光磁気ディスクに照射して情報の記録再生を行う半導体レーザと、前記記録再生の際に、第１の磁気回路によって前記対物レンズを前記光磁気ディスクの半径方向に駆動する対物レンズ駆動装置と、前記記録再生の際に、第２の磁気回路によって前記対物レンズ駆動装置を前記光磁気ディスクの半径方向に駆動するとともに、該第２の磁気回路からの漏れ磁界の方向が、前記光磁気ディスクの記録スポットにおいて記録側の方向となると共に、磁気超解像再生時においては再生磁界の方向となるボイスコイルモータと、を具備したことを特徴とする。
【００１１】
この構成により、磁界発生装置の外部磁界とともにボイスコイルモータの第２の磁気回路の漏れ磁界を光磁気ディスクの記録スポットに印加するので、発熱量の増大させることなく、ＭＳＲ再生の再生磁界、記録磁界及び消去磁界が確保できる。
【００１２】
前記目的を達成するため本発明の第３の光磁気ディスク装置は、カートリッジ内に収納された磁気超解像用光磁気ディスクを回転させるスピンドルモータと、対物レンズと、外部磁界を発生して前記光磁気ディスクに印加する磁界発生装置と、この磁界発生装置が前記光磁気ディスクに外部磁界を印加した状態で、光ビームを前記対物レンズを通して前記光磁気ディスクに照射して情報の記録再生を行う半導体レーザと、前記記録再生の際に、第１の磁気回路によって前記対物レンズを前記光磁気ディスクの半径方向に駆動する対物レンズ駆動装置と、前記光磁気ディスクの近傍に設けられ、磁界の方向が、前記光磁気ディスクの記録スポットにおいて記録側の方向となると共に、磁気超解像再生時においては再生磁界の方向となる補助永久磁石と、を具備したことを特徴とする。
【００１３】
この構成により、磁界発生装置の外部磁界とともに補助永久磁石の磁界を光磁気ディスクの記録スポットに印加するので、発熱量の増大させることなく、ＭＳＲ再生の再生磁界、記録磁界及び消去磁界が確保できる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
【００１５】
（第１の実施の形態）
図１乃至図８は本発明の第１の実施の形態に係り、図１は光磁気ディスク装置を示す分解斜視図、図２は図１のフレームの爪部を拡大して示す斜視図、図３は図１のフレームのインシュレータ取り付け部を拡大して示す斜視図、図４は光学式可動ピックアップ及びその周辺部を示す斜視図、図５は光学式可動ピックアップの分解斜視図。図６は光学式可動ピックアップと光磁気ディスクとバイアス磁界用電磁石の位置関係を示す説明図、図７は磁気回路の漏れ磁界の大きさを調整する第１の方法を示す説明図、図８は磁気回路の漏れ磁界の大きさを調整する第２の方法を示す説明図である。
【００１６】
図１に示すように、光磁気ディスク装置１は、ディスクの情報を読み書きするデッキ部２と、このデッキ部２を４個のインシュレータ３を介して支えるフレーム４と、回路基板５と、トップカバー６１と、リアカバー６２、ボトムカバー６３とから成る。光磁気ディスク装置１の前面にはディスクカートリッジを挿入するための開口６４が設けられている。
【００１７】
デッキ部２は、カートリッジ内に収納されたディスク状情報記録媒体の光磁気ディスクを回転させるスピンドルモータと、光磁気ディスクの信号の読み書きを行う光学式可動ピックアップ７４（図４参照）及び光学式固定ピックアップ２５と、光磁気ディスクにバイアス磁界を加えるためのバイアス磁界用電磁石２０と、光磁気ディスクを電動イジェクトするための直流モータとが設けられている。
【００１８】
光学式固定ピックアップ２５には、光ビームを光学式可動ピックアップ７４の対物レンズ８（図４参照）を通して前記光磁気ディスクに照射する半導体レーザが設けられている。
【００１９】
デッキ部２には、回路基板５へ接続されるＦＰＣ（フレキシブルプリント配線板）２１、２２、２３、２４が設けられている。ＦＰＣ２１はスピンドルモータ用、ＦＰＣ２２は光学式可動ピックアップ７４用、ＦＰＣ２３はバイアス磁界用電磁石２０及び光磁気ディスクを電動イジェクトするための直流モータ用、ＦＰＣ２４は光学式固定ピックアップ２５用である。ＦＰＣ２１、２２、２３、２４は、それぞれ回路基板５のＦＰＣコネクタ５１、５２、５３、５４に接続される。回路基板５のＦＰＣコネクタ５１、５２、５３はＦＰＣを横方向から挿入するタイプであり、ＦＰＣコネクタ５４は縦方向からＦＰＣを挿入するタイプである。また、ＦＰＣ２４は光学式固定ピックアップ２５からの信号の劣化防止のために極力短くなっており、ＦＰＣコネクタ５４に接続される。
【００２０】
フレーム４に対するインシュレータ３の取り付け構造を図２及び図３を参照して説明する。
【００２１】
図２に示すように、フレーム４には、上下二つの爪部４１，４２が内側に湾曲されて形成されている。
【００２２】
図３に示すように、インシュレータ３は、円筒状に形成されるとともに、一端側の壁面３１に十字穴３２が形成されている。インシュレータ３の材質はブチルゴム等の弾性を有するものを用いている。インシュレータ３は、他端側の開口からフレーム４の爪部４１，４２が挿入され、爪部４１，４２の先端が、十字穴３２の縦方向部分に嵌入される。
【００２３】
さらに、図１に示すデッキ部２の爪部２６（４ヵ所）を図３に示すインシュレータ３の十字穴３２の水平方向部分に挿入することにより、デッキ部２がフレーム４に弾性支持される。この場合、デッキ部２はフレーム４のコの字を開くようにして組み込む。
【００２４】
図４に示すように、デッキ部２のデッキベース７１は、対物レンズ８を取り付けた光学式可動ピックアップ７４が軸７２，７３によって前記光磁気ディスクの半径方向Ａにスライド可能な状態で取り付けられている。光学式可動ピックアップ７４のスライド方向Ａに対する左右側方には、ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）７５，７６が設けられている。ＶＣＭ７５，７６は、記録再生の際に、前記光学式可動ピックアップ７４を前記光磁気ディスクの半径方向に駆動する。また、デッキベース７１には図１の光学式固定ピックアップ２５からの光ビームを通過させる貫通孔７０が形成されている。
【００２５】
図５に示すように、光学式可動ピックアップ７４には、対物レンズ８と、記録再生の際に、磁気回路によって前記対物レンズ８を前記光磁気ディスクの半径方向に駆動する対物レンズ駆動装置８１が設けられている。
【００２６】
対物レンズ駆動装置８１は、ＶＣＭ７５，７６のコイル７７，７８が取り付け固定された下側フレーム８２と、上側フレーム８３と、対物レンズ８を取り付ける対物レンズ取り付け部８４とから成る。
【００２７】
下側フレーム８２は、上側が開口した箱型に形成され、光学式固定ピックアップ２５側の壁８５に図１の光学式固定ピックアップ２５からの光ビームを通過させる貫通孔８６が形成され、中央には光学式固定ピックアップ２５からの光ビームを上方に反射させる立ち上げミラー８７が設けらてている。また、下側フレーム８２は、図４の軸７２，７３が挿入される貫通孔８８，８９が形成されている。上側フレーム８３の下面には、４本の軸９０が設けられ、下側フレーム８２には４本の軸９０が挿入れる４個の貫通孔９１が形成されている。
【００２８】
上側フレーム８３には、対物レンズ取り付け部８４を前記光磁気ディスクの半径方向に移動可能な状態で指示する指示部材９２，９２と、ヨーク９３，９４と永久磁石９５，９６が設けられている。対物レンズ取り付け部８４にはトラッキングコイル９７，９８が設けられており、トラッキングコイル９７，９８に流れる電流を制御することにより、トラッキング駆動が行われるようになっている。
【００２９】
このような構造により、対物レンズ駆動装置８１は、記録再生の際に、第１の磁気回路（ヨーク９３，９４、永久磁石９５，９６、トラッキングコイル９７，９８）によって前記対物レンズ８を前記光磁気ディスクの半径方向に駆動する。ＶＣＭ７５，７６は、記録再生の際に、第２の磁気回路（ヨーク、永久磁石、コイル７７，７８）によって前記対物レンズ駆動装置８１を前記光磁気ディスクの半径方向に駆動する。
【００３０】
図６に示すように、光学式ピックアップ７４の光磁気ディスク９９を挟んだ反対側には、バイアス磁界用電磁石２０が配置されている。バイアス磁界用電磁石２０は、記録再生の際に、外部磁界を発生して前記光磁気ディスクに印加する磁界発生装置となっている。
【００３１】
ヨーク９３，９４は、金属板をコ字状に曲げて形成したものであり、それぞれ光学式ピックアップ内部の左右両側に配置され、それぞれ外側の壁部２０１，２０２の内面に永久磁石９５，９６を取り付けている。バイアス磁界用電磁石２０は、バイアスコイル１０１をバイアスコイルホルダ１０２により保持し、バイアスコイル１０１の中心に円柱状のヨーク１０３を設けた構造になっている。
【００３２】
この図の矢印は光学式可動ピックアップ７４の対物レンズ駆動装置８１の永久磁石９５，９６及びヨーク９３，９４による磁気回路からディスク側に漏れてくる磁界の向きを表しており、該磁気回路からの漏れ磁界の方向が、前記光磁気ディスク９９の記録スポット１０４において記録側となり、また、ＭＳＲ再生時の再生磁界の方向となっている。
【００３３】
（作用）
本実施の形態の場合、漏れ磁界の大きさを５０［Ｏｅ］となるように対物レンズ駆動装置８１の第１の磁気回路を設計し、バイアス磁界用電磁石２０が発生する磁界の大きさを２５０［Ｏｅ］とすれば、ＭＳＲ再生時及び記録時の光磁気ディスク９９の記録面上の磁界は２５０十５０＝３００［Ｏｅ］、消去時は２５０−５０＝２００［Ｏｅ］となる。この様にすれば、発熱量の増大を招かずにＭＳＲ再生磁界３００［Ｏｅ］を確保できる。
対物レンズ駆動装置内磁気回路の漏れ磁界の大きさを調整する方法としては、図７に示すように永久磁石９５，９６の大きさを破線の状態に調整する、図８に示すようにヨーク９３，９４の厚さを破線の状態に調整する等の方法がある。
【００３４】
対物レンズ駆動装置内磁気回路の漏れ磁界の大きさを調整する方法としては、図７に示すように永久磁石９５，９６の大きさを破線の状態に調整する、図８に示すようにヨーク９３，９４の厚さを破線の状態に調整する等の方法がある。
【００３５】
（効果）
このような実施の形態によれば、バイアス磁界用電磁石２０の外部磁界とともに対物レンズ駆動装置８１の磁気回路の漏れ磁界を光磁気ディスク９９の記録スポット１０４に印加するので、発熱量の増大させることなく、ＭＳＲ再生の再生磁界、記録磁界及び消去磁界が確保でき、これにより、光磁気ディスク装置を冷却する冷却機構の簡素化が行え、光磁気ディスク装置を搭載する製品の小形化、低コスト化省エネルギー化を図れる。
【００３６】
（第２の実施の形態）
図９乃至図１２は本発明の第２の実施の形態に係り、図９はＶＣＭと光磁気ディスクとバイアス磁界用電磁石の位置関係を示す説明図、図１０はＶＣＭのヨークの横から見た断面図、図１１は磁気回路の漏れ磁界の大きさを調整する第１の方法を示す説明図、図１２は磁気回路の漏れ磁界の大きさを調整する第２の方法を示す説明図である。図９乃至図１２以外の構成要素は、図１乃至図５に示した実施の形態と同様になっている。
【００３７】
図９に示すように、矢印はＶＣＭ７５，７６の第２の磁気回路（永久磁石１１１，１１２、ＶＣＭヨーク１１３，１１４）から光磁気ディスク９９側に漏れてくる磁界の向きを表している。図１０に示すように、ＶＣＭヨーク１１３，１１４は、平面の板状の下側ヨーク１２１と、前後を下側に湾曲させ下側ヨークに接合ようようにした上側ヨーク１２２とから成り、上側ヨーク１２１の下面に永久磁石１１１，１１２を取り付けている。
【００３８】
図９に示すように、ＶＣＭ７５，７６の第２の磁気回路からの漏れ磁界の方向は前記光磁気ディスク９９の記録スポット１０４において記録側となり、ＭＳＲ再生時の再生磁界の方向となっている。
【００３９】
（作用）
本実施の形態において、漏れ磁界の大きさを５０［Ｏｅ］となるように第２の磁気回路を設計し、バイアス磁界用電磁石２０が発生する磁界の大きさを２５０［Ｏｅ］とすれば、ＭＳＲ再生時及び記録時の光磁気ディスク９９の記録面上の磁界は２５０十５０で３００［Ｏｅ］、消去時は２５０−５０で２００［Ｏｅ］となる。この様にすれば、発熱量の増大を招かずにＭＳＲ再生磁界３００［Ｏｅ］を確保できる。この場合、対物レンズ駆動装置７４の第１の磁気回路からディスク側に漏れてくる磁界はゼロに近くなるように磁気回路を設計する。
【００４０】
ＶＣＭ７５，７６の漏れ磁界の大きさを調整する方法としては、図１１に示すように永久磁石９５，９６の大きさを破線の状態に調整する、図１２に示すようにヨーク９３，９４の厚さを破線の状態に調整する等の方法がある。
【００４１】
（効果）
このような発明の実施の形態によれば、バイアス磁界用電磁石２０の外部磁界とともにＶＣＭ７５，７６の第２の磁気回路の漏れ磁界を光磁気ディスクの記録スポットに印加するので、発熱量の増大させることなく、ＭＳＲ再生の再生磁界、記録磁界及び消去磁界が確保でき、図１乃至図８に示した実施例と同様の効果が得られる。
【００４２】
（第３の実施の形態）
図１３は本発明の第３の実施の形態に係る光磁気ディスクとバイアス磁界用電磁石の位置関係を示す説明図である。
【００４３】
図１３に示すように、バイアス磁界用電磁石２２０のヨーク２２１の上端に補助永久磁石２２２を設けている。補助永久磁石２２２は、磁界の方向が前記光磁気ディスク９９の記録スポット１０４において記録方向となるように極性を設定するとともに、記録スポット１０４において磁界の大きさが５０［０ｅ］（方向はＭＳＲ再生磁界の方向）となるように、補助永久磁石２２２の大きさを設定している。
【００４４】
（作用）
この様な構成にすれば、補助永久磁石２２２の磁界により、発熱量の増大を招かずにＭＳＲ再生磁界３００［Ｏｅ］を確保できる。
【００４５】
（効果）
バイアス磁界用電磁石２０の外部磁界とともに補助永久磁石２２２の磁界を光磁気ディスクの記録スポットに印加するので、この構成でも図１乃至図８に示した実施例と同様の効果が得られる。
【００４６】
図１３の実施の形態では、補助永久磁石２２２を設ける位置として、バイアス磁界用電磁石２２０のヨーク２２１の上端を用いたが、これ以外でも、前記光磁気ディスク９９の近傍で、磁界の方向が光磁気ディスク９９の記録スポット１０４において記録方向となるという条件を満たせば各種適用可能である。
【００４７】
［付記］
以上詳述したような本発明の上記実施の形態によれば、以下の如き構成を得ることができる。
【００４８】
（１）  カートリッジ内に収納された光磁気ディスクを回転させるスピンドルモータと、
対物レンズと、
外部磁界を発生して前記光磁気ディスクに印加する磁界発生装置と、
この磁界発生装置が前記光磁気ディスクに外部磁界を印加した状態で、光ビームを前記対物レンズを通して前記光磁気ディスクに照射して情報の記録再生を行う半導体レーザと、
前記記録再生の際に、磁気回路によって前記対物レンズを前記光磁気ディスクの半径方向に駆動するとともに、該磁気回路からの漏れ磁界の方向が、前記光磁気ディスクの記録スポットにおいて記録方向となる対物レンズ駆動装置と、
を具備したことを特徴とする光磁気ディスク装置。
【００４９】
（２）  カートリッジ内に収納された光磁気ディスクを回転させるスピンドルモータと、
対物レンズと、
外部磁界を発生して前記光磁気ディスクに印加する磁界発生装置と、
この磁界発生装置が前記光磁気ディスクに外部磁界を印加した状態で、光ビームを前記対物レンズを通して前記光磁気ディスクに照射して情報の記録再生を行う半導体レーザと、
前記記録再生の際に、第１の磁気回路によって前記対物レンズを前記光磁気ディスクの半径方向に駆動する対物レンズ駆動装置と、
前記記録再生の際に、第２の磁気回路によって前記対物レンズ駆動装置を前記光磁気ディスクの半径方向に駆動するとともに、該第２の磁気回路からの漏れ磁界の方向が、前記光磁気ディスクの記録スポットにおいて記録方向となるボイスコイルモータと、
を具備したことを特徴とする光磁気ディスク装置。
【００５０】
（３）  カートリッジ内に収納された光磁気ディスクを回転させるスピンドルモータと、
対物レンズと、
外部磁界を発生して前記光磁気ディスクに印加する磁界発生装置と、
この磁界発生装置が前記光磁気ディスクに外部磁界を印加した状態で、光ビームを前記対物レンズを通して前記光磁気ディスクに照射して情報の記録再生を行う半導体レーザと、
前記記録再生の際に、第１の磁気回路によって前記対物レンズを前記光磁気ディスクの半径方向に駆動する対物レンズ駆動装置と、
前記記録再生の際に、第２の磁気回路によって前記対物レンズ駆動装置を前記光磁気ディスクの半径方向に駆動するボイスコイルモータと、
前記光磁気ディスクの近傍に設けられ、磁界の方向が、前記光磁気ディスクの記録スポットにおいて記録方向となる補助永久磁石と、
を具備したことを特徴とする光磁気ディスク装置。
【００５１】
（４）前記磁気回路に永久磁石を用いたことを特徴とする付記１に記載の電源装置。
【００５２】
（５）前記第２の磁気回路に永久磁石を用いたことを特徴とする付記２に記載の電源装置。
【００５３】
【発明の効果】
以上述べた様に請求項１乃至３に記載の発明によれば、発熱量の増大を招かずに、ＭＳＲ再生の再生磁界、記録磁界及び消去磁界が確保でき、光磁気ディスク装置を冷却する冷却機構の簡素化が行え、光磁気ディスク装置を搭載する製品の小形化、低コスト化省エネルギー化を図れる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る光磁気ディスク装置を説明する説明斜視図。
【図２】図１のフレームの爪部を拡大して示す斜視図。
【図３】図１のフレームのインシュレータ取り付け部を拡大して示す斜視図。
【図４】図１のデッキ部の光学式可動ピックアップ及びその周辺部を示す斜視図。
【図５】図４の光学式可動ピックアップの分解斜視図。
【図６】図４の光学式可動ピックアップと光磁気ディスクとバイアス磁界用電磁石の位置関係を示す説明図。
【図７】図６の磁気回路の漏れ磁界の大きさを調整する第１の方法を示す説明図。
【図８】図６の磁気回路の漏れ磁界の大きさを調整する第２の方法を示す説明図。
【図９】本発明の第２の実施の形態に係るＶＣＭと光磁気ディスクとバイアス磁界用電磁石の位置関係を示す説明図。
【図１０】図９のＶＣＭのヨークの横から見た断面図。
【図１１】図９の磁気回路の漏れ磁界の大きさを調整する第１の方法を示す説明図。
【図１２】磁気回路の漏れ磁界の大きさを調整する第２の方法を示す説明図。
【図１３】本発明の第３の実施の形態に係る光磁気ディスクとバイアス磁界用電磁石の位置関係を示す説明図。
【符号の説明】
１…光磁気ディスク装置
２…デッキ部
８…対物レンズ
２０…バイアス磁界用電磁石
８１…対物レンズ駆動装置
９３，９４…ヨーク
９５，９６…永久磁石
【図１】
0004499881.tif 000002
【図２】
0004499881.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
0004499881.tif 000012
【図１２】
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【図１３】
0004499881.tif 000014