(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光層を挟んで対向配置された互いに電気的特性が異なる第１絶縁層及び第２絶縁層と、各絶縁層の外側にそれぞれ配置された第１電極及び第２電極とを備えたＥＬ素子を駆動するためのものであって、正及び負の各フィールド期間毎に前記第１電極及び第２電極間に異なる極性の電圧を印加して前記発光層を発光させる駆動回路を備えたＥＬ素子駆動装置において、
前記駆動回路は、前記第１電極及び第２電極間に印加する電圧の波形を正フィールド期間と負フィールド期間とで異ならせる制御を行うことを特徴とするＥＬ素子駆動装置。
【請求項２】
前記駆動回路は、前記ＥＬ素子に対しこれが発光状態となるしきい値レベル以上の電圧を印加する期間を、正フィールド期間と負フィールド期間とで異なった状態となるように制御することを特徴とする請求項１記載のＥＬ素子駆動装置。
【請求項３】
前記駆動回路は、前記ＥＬ素子に印加する電圧のピーク値を、正フィールド期間と負フィールド期間とで異なった状態となるように制御することを特徴とする請求項１記載のＥＬ素子駆動装置。
【請求項４】
前記駆動回路は、正フィールド期間において、ＥＬ素子の非点灯期間に正極性の第１のオフセット電圧を印加すると共に、ＥＬ素子の点灯タイミングに対応した期間に当該ＥＬ素子が発光状態となるしきい値レベル以上の正極性の駆動電圧を印加し、負フィールド期間において、ＥＬ素子の非点灯期間に負極性の第２のオフセット電圧を印加すると共に、ＥＬ素子の点灯タイミングに対応した期間に当該ＥＬ素子が発光状態となるしきい値レベル以上の負極性の駆動電圧を印加するように構成され、
前記第１及び第２のオフセット電圧の絶対値レベルを互いに異ならせたことを特徴とする請求項１記載のＥＬ素子駆動装置。
【請求項５】
前記駆動回路は、前記ＥＬ素子に印加する電圧波形の積分値を、正フィールド期間と負フィールド期間とで異なった状態となるように制御することを特徴とする請求項１記載のＥＬ素子駆動装置。
【請求項６】
発光層を挟んで対向配置された互いに電気的特性が異なる第１絶縁層及び第２絶縁層と、各絶縁層の外側にそれぞれ配置された第１電極及び第２電極とを備え、正及び負の各フィールド期間毎に前記第１電極及び第２電極間に異なる極性の電圧が印加されるＥＬ素子のエージング方法において、
前記第１電極及び第２電極間に、正フィールド期間と負フィールド期間とで異なった電圧波形となる駆動電圧を所定時間だけ印加してエージング処理を行うことを特徴とするＥＬ素子のエージング方法。
【請求項７】
前記ＥＬ素子に対しこれが発光状態となるしきい値レベル以上の電圧を印加する期間を、正及び負の各フィールド期間において互いに異ならせることにより前記エージング処理を行うことを特徴とする請求項６記載のＥＬ素子のエージング方法。
【請求項８】
前記ＥＬ素子に印加する電圧のピーク値を、正フィールド期間と負フィールド期間とで異ならせることにより前記エージング処理を行うことを特徴とする請求項６記載のＥＬ素子のエージング方法。
【請求項９】
正フィールド期間において、ＥＬ素子の非点灯期間に正極性の第１のオフセット電圧を印加すると共に、ＥＬ素子の点灯タイミングに対応した期間に当該ＥＬ素子が発光状態となるしきい値レベル以上の正極性の駆動電圧を印加し、負フィールド期間において、ＥＬ素子の非点灯期間に負極性の第２のオフセット電圧を印加すると共に、ＥＬ素子の点灯タイミングに対応した期間に当該ＥＬ素子が発光状態となるしきい値レベル以上の負極性の駆動電圧を印加するように構成し、
前記第１及び第２のオフセット電圧の絶対値レベルを互いに異ならせた状態で前記エージング処理を行うことを特徴とする請求項６記載のＥＬ素子のエージング方法。
【請求項１０】
前記ＥＬ素子に印加する電圧波形の積分値を、正フィールド期間と負フィールド期間とで異ならせることにより前記エージング処理を行うことを特徴とする請求項６記載のＥＬ素子のエージング方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＥＬ素子を発光させる際にその一対の電極間に正負のフィールド毎に異なる極性の電圧を印加するようにしたＥＬ素子駆動装置及びエージング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えば特許第２９１４２３４号に記載されたＥＬ表示装置においては、マトリクス型に配置されたＥＬ素子の走査電極に対し正負のフィールド毎に異なる極性の走査電圧を印加する構成としている。
具体的には、上記ＥＬ表示装置は、正フィールド期間において、電圧供給回路から走査側ドライバＩＣに対し正極性の走査電圧及び接地レベルより高いオフセット電圧が供給されるようになっており、走査側ドライバＩＣは、ＥＬ素子の非点灯期間に走査電極に対しオフセット電圧を印加すると共に、ＥＬ素子の点灯タイミングに対応した期間に走査電極に対し正極性の走査電圧を印加する。また、負フィールド期間においては、電圧供給回路から走査側ドライバＩＣに対し、上記正極性の走査電圧及びオフセット電圧の差電圧を極性反転させた状態の負極性の走査電圧及び接地電圧が供給されるようになっており、走査側ドライバＩＣは、ＥＬ素子の非点灯期間に走査電極に対し接地電圧を印加すると共に、ＥＬ素子の点灯タイミングに対応した期間に走査電極に対し上記負極性の走査電圧を印加する。
【０００３】
一方、データ側ドライバＩＣには、電圧供給回路から接地電圧及び変調電圧（オフセット電圧と同じ電圧レベル）が供給されるようになっており、そのデータ側ドライバＩＣは、正フィールド期間において、発光状態とするＥＬ素子のデータ電極に対し接地電圧を印加し、負フィールド期間において当該データ電極に対し変調電圧を印加する。
これにより、正負の各フィールドにおいて走査側のドライバＩＣに印加される電圧が走査電圧より所定のオフセット電圧分だけ低くなるものであり、以て当該ドライバＩＣに必要な耐圧を低くできる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
図１３には、ＥＬ素子の基本的な断面構造の一例が模式的に示され、また、図１４には、この構造のＥＬ素子を前記従来構成の駆動装置により駆動する場合の印加電圧波形の一例が示されている。図１３において、ＥＬ素子１は、ガラス基板２上に透明電極３、下部絶縁層４、発光層５、上部絶縁層６、透明電極７をこの順に積層して構成されている。この場合、透明電極３及び７はＩＴＯ膜、下部絶縁層４はＴａ・Ｓｎ・Ｏ＋Ｎ（ＴａＯ5 ：ＳｎＯ2 ＝９：１）膜、発光層５はＭｎドープＺｎＳ膜、上部絶縁層６はＡＴＯ膜（Ａｌ2 Ｏ3 とＴｉＯ2 の多層積層構造膜）により形成されており、ＥＬ素子１の各絶縁層４及び６は非対称構造となっている。このような構造のＥＬ素子１を単純マトリクス型に配置することによりＥＬ表示パネルが構成されるものであり、ここでは、例えば透明電極３を走査電極、透明電極７をデータ電極として使用するものとする。
【０００５】
図１４の印加電圧波形例において、正フィールド期間には、走査電極側の透明電極７に対し、オフセット電圧（４５Ｖ）と正極性の走査電圧（＋２４５Ｖ）を印加すると共に、発光させようとするＥＬ素子１のデータ電極側の透明電極３に対し接地レベルのデータ電圧（０Ｖ）を印加するものであり、これにより当該ＥＬ素子１は、電極７及び３間にしきい値レベル以上の正極性電圧（＋２４５Ｖ）が印加された期間に発光する。また、負フィールド期間には、透明電極７に対し、接地電圧と負極性の走査電圧（−２００Ｖ）を印加すると共に、発光させようとするＥＬ素子１の透明電極３に対しオフセット電圧（４５Ｖ）に相当した正極性のデータ電圧（＋４５Ｖ）を印加するものであり、これにより当該ＥＬ素子１は、電極７及び３間にしきい値レベル以上の負極性電圧（−２４５Ｖ）が印加された期間に発光する。尚、図１４の例では、正及び負フィールド期間はそれぞれ１ｍ秒、しきい値レベル以上の正及び負極性電圧の印加期間はそれぞれ３０μ秒である。
【０００６】
図１５には、上記のような非対称構造のＥＬ素子１に対し図１４に示すような波形の電圧、つまり正及び負の各フィールドにおいて対称な波形となる電圧を連続的に印加した場合における輝度／電圧特性（Ｌ−Ｖ特性）を所定時間経過毎に測定した結果が示されている。
【０００７】
この図１５から明らかなように、電圧印加開始後に２０時間が経過するまでの間に、Ｌ−Ｖ曲線が一旦プラス側（高電圧側）へシフトした後に、さらに時間が経過するのに応じてマイナス側（低電圧側）へ漸次シフトしていき、２５６時間が経過した時点ではＬ−Ｖ曲線が大きくダレた状態で安定する。このようなＬ−Ｖ特性のダレ現象は、図１３に示すＥＬ素子１のように上部及び下部絶縁層４及び６の材料や構造が大きく異なった場合（つまり、互いに電気的特性が異なった場合）、その界面に電荷がトラップされる準位の数が異なり、発光層５の内部の電界が非対称になることに起因するものと考えられる。
【０００８】
このため、従来構成のＥＬ素子駆動装置では、上記のようなダレの発生に伴い発光しきい値電圧（輝度が１Ｃｄ／ｍ2 となるときの印加電圧）が初期値から大きく変動してネガティブシフトを引き起こすため、非点灯モードにおいてＥＬ素子１が発光状態を呈してしまうという所謂「焼付き」現象を発生するという問題点が出てくる。
【０００９】
また、ＥＬ素子１のエージングを行う場合、従来では、図１５から理解できるように、Ｌ−Ｖ特性が安定した状態になるまできわめて長い時間を要するため、そのエージング処理を十分に行うことが困難になるという問題点もあった。
【００１０】
本発明は上記のような事情に鑑みてなされたものであり、第１の目的は、ＥＬ素子の輝度／電圧特性がダレることを抑制できて、そのＥＬ素子の光学的特性を長期間にわたって良好な状態に維持できるようになるＥＬ素子駆動装置を提供することにあり、第２の目的は、ＥＬ素子のエージング処理を短時間で十分に行い得るようになるＥＬ素子のエージング方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記第１の目的を達成するために請求項１に記載した手段を採用できる。駆動対象のＥＬ素子の第１絶縁層及び第２絶縁層の電気的特性が互いに異なっている場合（その材料や構造が異なっている場合）には、その界面に電荷がトラップされる準位の数が異なるようになってＥＬ素子の発光層内部の電界が非対称になり、これに起因して当該ＥＬ素子の輝度／電圧特性（Ｌ−Ｖ特性）のダレ現象が発生することが考えられる。この場合、請求項１記載の手段によれば、駆動回路が、ＥＬ素子の第１電極及び第２電極間に印加する電圧の波形を正フィールド期間と負フィールド期間とで異ならせる制御を行うようになるから、第１及び第２の絶縁層の界面に電荷がトラップされる準位の数が異なることに起因して発光層の内部電界が非対称になる現象、ひいてはこの現象によりＥＬ素子の輝度／電圧特性がダレる事態を抑制することが可能になる。この結果、発光層の内部電界が非対称になることに起因して発光しきい値電圧が初期値から大きく変動することがなくなり、ＥＬ素子の光学的特性を長期間にわたって良好な状態に維持できるようになる。
【００１２】
請求項２記載の手段によれば、駆動回路が、ＥＬ素子に対しこれが発光状態となるしきい値レベル以上の電圧を印加する期間を、正フィールド期間と負フィールド期間とで異なった状態となるように制御するから、ＥＬ素子の第１電極及び第２電極間に印加される電圧の波形が正フィールド期間と負フィールド期間とで異なることになる。このため、前記請求項１記載の手段と同様に、発光層の内部電界が非対称になる現象を抑制することが可能になって、ＥＬ素子の光学的特性を長期間にわたって良好な状態に維持できるようになる。
【００１３】
請求項３記載の手段によれば、駆動回路が、ＥＬ素子に印加する電圧のピーク値を、正フィールド期間と負フィールド期間とで異なった状態となるように制御するから、ＥＬ素子の第１電極及び第２電極間に印加される電圧の波形が正フィールド期間と負フィールド期間とで異なることになる。このため、前記請求項１記載の手段と同様に、発光層の内部電界が非対称になる現象を抑制することが可能になって、ＥＬ素子の光学的特性を長期間にわたって良好な状態に維持できるようになる。
【００１４】
請求項４記載の手段によれば、駆動回路が、正フィールド期間において印加する第１のオフセット電圧の絶対値レベルと、負フィールド期間に印加する第２のオフセット電圧の絶対値レベルとを互いに異ならせる制御を行うから、ＥＬ素子の第１電極及び第２電極間に印加される電圧の波形が正フィールド期間と負フィールド期間とで異なることになる。このため、前記請求項１記載の手段と同様に、発光層の内部電界が非対称になる現象を抑制することが可能になって、ＥＬ素子の光学的特性を長期間にわたって良好な状態に維持できるようになる。
【００１５】
請求項５記載の手段によれば、駆動回路が、ＥＬ素子に印加する電圧波形の積分値を、正フィールド期間と負フィールド期間とで異ならせる制御（各電圧波形により囲まれた領域の面積を異ならせる制御）を行うから、ＥＬ素子の第１電極及び第２電極間に印加される電圧の波形が正フィールド期間と負フィールド期間とで異なることになる。このため、前記請求項１記載の手段と同様に、発光層の内部電界が非対称になる現象を抑制することが可能になって、ＥＬ素子の光学的特性を長期間にわたって良好な状態に維持できるようになる。
【００１６】
前記第２の目的を達成するために請求項６に記載した方法を採用できる。駆動対象のＥＬ素子の第１絶縁層及び第２絶縁層の電気的特性が互いに異なっている場合（その材料や構造が異なっている場合）には、その界面に電荷がトラップされる準位の数が異なるようになってＥＬ素子の発光層内部の電界が非対称になることに起因して、当該ＥＬ素子の輝度／電圧特性が劣化すると考えられる。この場合、請求項６記載の方法によれば、ＥＬ素子の第１電極及び第２電極間に、正フィールド期間と負フィールド期間とで異なった電圧波形となる駆動電圧を所定時間だけ印加するというエージング処理が行われるから、第１及び第２の絶縁層の界面に電荷がトラップされる準位の数が異なることに起因して発光層の内部電界が非対称になる現象、ひいてはこの現象に伴うＥＬ素子の輝度／電圧特性の劣化を短時間で促進させることが可能になる。この結果、ＥＬ素子の輝度／電圧特性が安定した状態になるまでの所要時間を短縮できるから、そのエージング処理を短時間で十分に行い得るようになる。
【００１７】
請求項７記載の方法によれば、ＥＬ素子に対しこれが発光状態となるしきい値レベル以上の電圧を印加する期間を、正及び負の各フィールド期間において互いに異ならせるというエージング処理が行われるから、そのエージング処理時には、ＥＬ素子の第１電極及び第２電極間に印加される電圧の波形が正フィールド期間と負フィールド期間とで異なることになる。このため、前記請求項６記載の方法と同様に、ＥＬ素子の輝度／電圧特性の劣化を短時間で促進させることが可能になって、エージング処理を短時間で十分に行い得るようになる。
【００１８】
請求項８記載の方法によれば、ＥＬ素子に印加する電圧のピーク値を、正フィールド期間と負フィールド期間とで異ならせることによりエージング処理が行われるから、そのエージング処理時には、ＥＬ素子の第１電極及び第２電極間に印加される電圧の波形が正フィールド期間と負フィールド期間とで異なることになる。このため、前記請求項６記載の方法と同様に、ＥＬ素子の輝度／電圧特性の劣化を短時間で促進させることが可能になって、エージング処理を短時間で十分に行い得るようになる。
【００１９】
請求項９記載の方法によれば、正フィールド期間において印加する第１のオフセット電圧の絶対値レベルと、負フィールド期間に印加する第２のオフセット電圧の絶対値レベルとを互いに異ならせることによりエージング処理が行われるから、そのエージング処理時には、ＥＬ素子の第１電極及び第２電極間に印加される電圧の波形が正フィールド期間と負フィールド期間とで異なることになる。このため、前記請求項６記載の方法と同様に、ＥＬ素子の輝度／電圧特性の劣化を短時間で促進させることが可能になって、エージング処理を短時間で十分に行い得るようになる。
【００２０】
請求項１０記載の方法によれば、ＥＬ素子に印加する電圧波形の積分値を、正フィールド期間と負フィールド期間とで異ならせる（各電圧波形により囲まれた領域の面積を異ならせる）ことによりエージング処理が行われるから、そのエージング処理時には、ＥＬ素子の第１電極及び第２電極間に印加される電圧の波形が正フィールド期間と負フィールド期間とで異なることになる。このため、前記請求項６記載の方法と同様に、ＥＬ素子の輝度／電圧特性の劣化を短時間で促進させることが可能になって、エージング処理を短時間で十分に行い得るようになる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
（第１の実施の形態）
以下、本発明をＥＬ素子駆動装置に適用した第１実施例について図１ないし図４を参照しながら説明する。
図２には、ＥＬ素子の基本的な断面構造の一例が模式的に示されている。この図２において、ＥＬ素子１１は、ガラス基板１２上に透明電極１３（第１電極に相当）、下部絶縁層１４（第１絶縁層に相当）、発光層１５、上部絶縁層１６（第２絶縁層に相当）、透明電極１７（第２電極に相当）をこの順に積層して構成されている。この場合、透明電極１３及び１７はＩＴＯ膜のスパッタリング、下部絶縁層１４はＴａ・Ｓｎ・Ｏ＋Ｎ（ＴａＯ5 ：ＳｎＯ2 ＝９：１）膜のスパッタリングにより成膜し、発光層１５はＭｎドープＺｎＳ膜の電子ビーム蒸着装置を使用した成膜により形成されている。また、上部絶縁層１６は、ＡＴＯ膜（Ａｌ2 Ｏ3 とＴｉＯ2 の多層積層構造膜）により形成されるものであり、そのステップカバレージを高めるために原子層エピタキシャル成長装置（ＡＬＥ装置）を使用して成膜される。要するに、ＥＬ素子１１の各絶縁層１４及び１６は非対称構造となっている。本実施例では、このような構造のＥＬ素子１１を用いたセグメント表示型ＥＬ表示パネルに適用した例で説明するが、ＥＬ素子１１を単純マトリクス配置したマトリクス型ＥＬ表示パネルなどにも応用できることは勿論である。
【００２２】
図１には、ＥＬ素子１１を駆動するための回路構成が機能ブロックの組合わせにより概略的に示されている。尚、この図１の回路構成は本発明の目的を達成するためにモデル的に示したものであり、必要に応じて他の回路構成を採用することができる。
【００２３】
図１において、電源供給回路１８は、ＥＬ素子１１の透明電極１３に接続された第１の駆動回路１９に対して、正極性の駆動電圧Ｖｒ（例えば２００Ｖ）、負極性の駆動電圧−Ｖｒ′（例えば−１９０Ｖ）、正極性の第１のオフセット電圧Ｖｍ（例えば５５Ｖ）、負極性の第２のオフセット電圧−Ｖｎ（例えば−４５Ｖ）を与え、ＥＬ素子１１の透明電極１７に接続された第２の駆動回路２０に対して、前記第１のオフセット電圧Ｖｍ、第２のオフセット電圧−Ｖｎ、接地電圧（＝０）を与える構成となっている。
【００２４】
ＥＬ素子１１にあっては、正及び負の各フィールド期間毎に前記透明電極１３及び１７間に異なる極性の電圧が交互に印加されるものであり、これに応じて、発光層１５中のキャリア（電子或いは正孔）が加速されてその発光中心を衝突励起し、このように励起された発光中心が基底状態に戻るときに放出されるエネルギの一部が発光現象を引き起こす。
【００２５】
この場合、第１の駆動回路１９は、正フィールド期間において、ＥＬ素子１１の非点灯期間に透明電極１３に対し第１のオフセット電圧Ｖｍを印加すると共に、ＥＬ素子１１の点灯タイミングに対応した期間に透明電極１３に対し正極性の駆動電圧Ｖｒを印加する。また、負フィールド期間においては、ＥＬ素子１１の非点灯期間に透明電極１３に対し第２のオフセット電圧−Ｖｎを印加すると共に、ＥＬ素子１１の点灯タイミングに対応した期間に透明電極１３に対し負極性の駆動電圧−Ｖｒ′を印加する。
【００２６】
一方、第２の駆動回路２０は、正フィールド期間において、発光状態とするＥＬ素子１１の透明電極１７に対し接地電圧を印加すると共に、その発光タイミングにおいて透明電極１７に対し第２のオフセット電圧−Ｖｎを印加する。また、負フィールド期間において、発光状態とするＥＬ素子１１の透明電極１７に対し接地電圧を印加すると共に、その発光タイミングにおいて透明電極１７に対し第１のオフセット電圧Ｖｍを印加する。
【００２７】
この結果、図３に示すように、発光状態とされるＥＬ素子１１の透明電極１３及び１７間には、正フィールド期間において第１のオフセット電圧Ｖｍ（５５Ｖ）が印加されると共に、発光タイミングにおいて正極性の駆動電圧Ｖｒ（２００Ｖ）と第２のオフセット電圧−Ｖｎ（−４５Ｖ）との差電圧に相当した正極性の電圧（２４５Ｖ）が印加される。また、当該透明電極１３及び１７間には、負フィールド期間において第２のオフセット電圧−Ｖｎ（−４５Ｖ）が印加されると共に、発光タイミングにおいて負極性の駆動電圧−Ｖｒ′（−１９０Ｖ）と第１のオフセット電圧Ｖｍ（５５Ｖ）との差電圧に相当した負極性の電圧（−２４５Ｖ）が印加される。尚、図３の例では、正及び負フィールド期間はそれぞれ１ｍ秒、しきい値レベル以上の正及び負極性電圧（２４５Ｖ及び−２４５Ｖ）の印加期間はそれぞれ３０μ秒である。
【００２８】
図４には、ＥＬ素子１１の透明電極１３及び１７間に図３に示すような波形の電圧、つまり正及び負の各フィールド期間において異なる波形（正側のオフセット電圧が負側のオフセット電圧より大きい非対称な波形）となる電圧を連続的に印加した場合における輝度／電圧特性（Ｌ−Ｖ特性）を所定時間経過毎に測定した結果が示されている。
【００２９】
この図４から明らかなように、本実施例のように、正及び負の各フィールド期間における印加電圧波形が異なる場合、具体的には正極性の第１のオフセット電圧Ｖｍが負極性の第２のオフセット電圧−Ｖｎより大きい場合、Ｌ−Ｖ曲線は、従来構成の場合（図１５参照）と同様に、電圧印加開始後に一旦プラス側（高電圧側）へ最大量シフトし（３１時間経過時点）、この後に、さらに時間が経過するのに応じてマイナス側（低電圧側）へシフトする特性を示すようになるが２０７時間が経過した時点で安定するようになる。本実施例では、特性が安定した状態でのＬ−Ｖ曲線のダレが、従来構成に比べて大幅に低減していることが分かる。
【００３０】
この場合、Ｌ−Ｖ曲線のダレ現象は、ＥＬ素子１１の上部絶縁層１４及び下部絶縁層１６の材料や構造が大きく異なった場合（つまり、互いに電気的特性が異なった場合）に、その界面に電荷がトラップされる準位の数が異なるようになって発光層１５の内部の電界が非対称になることに起因するものと考えられるが、本実施例のように、正及び負の各フィールド期間における印加電圧波形を異ならせた場合、具体的には、第１のオフセット電圧Ｖｍ（ＡＴＯ膜より成る上部絶縁層１６に加わる電圧）を、第２のオフセット電圧−Ｖｎ（Ｔａ・Ｓｎ・Ｏ＋Ｎ膜より成る下部絶縁層１４に加わる電圧）より大きくした場合には、下部絶縁層１４及び上部絶縁層１６の界面に電荷がトラップされる準位の数が異なることに起因して発光層１５の内部電界が非対称になる現象が抑制されて、Ｌ−Ｖ曲線のダレが大幅に低減したと考えられる。
【００３１】
従って、本実施例によるＥＬ素子駆動装置では、Ｌ−Ｖ特性のダレに伴い発光しきい値電圧（輝度が１Ｃｄ／ｍ2 となるときの印加電圧）が初期値から大きく変動してネガティブシフトを引き起こす可能性が低くなるため、非点灯モードにおいてＥＬ素子１１が発光状態を呈してしまうという所謂「焼付き」現象の発生を効果的に抑制できるようになる。
【００３２】
（第２の実施の形態）
図５及び図６には本発明の第２実施例が示されており、以下これについて前記第１実施例と異なる部分のみ説明する。
即ち、本実施例では図５に示すように、ＥＬ素子１１の一方の透明電極１３を接地し、他方の透明電極１７に対し駆動回路２１を通じて正及び負の駆動電圧を印加する構成としている。駆動回路２１には、電源供給回路２２から正極性の駆動電圧Ｖｒ、負極性の駆動電圧−Ｖｒが与えられる。尚、駆動電圧Ｖｒ及び−Ｖｒは、ＥＬ素子１１が発光状態となるしきい値レベル以上の電圧に設定されるものであり、それぞれ同一レベル（例えば２４５Ｖ及び−２４５Ｖ）に設定される。
【００３３】
駆動回路２１は、図６に示すように、正フィールド期間におけるＥＬ素子１１の点灯期間に透明電極１３に対し正極性の駆動電圧Ｖｒを予め設定された時間ｗ１だけ印加し、負フィールド期間におけるＥＬ素子１１の点灯期間に透明電極１３に対し負極性の駆動電圧−Ｖｒを前記時間ｗ１より短く設定された時間ｗ２だけ印加する。
【００３４】
要するに、駆動回路２１は、ＥＬ素子１１を駆動する場合、つまり正及び負の各フィールド期間毎に透明電極１３及び１７間に異なる極性の電圧を印加して発光層１５を発光させる場合に、各フィールドでの駆動電圧Ｖｒ及び−Ｖｒの印加時間を異ならせる（正フィールド期間での印加時間を負フィールド期間の印加時間より長くする）ことにより、正フィールド期間と負フィールド期間とで印加電圧波形が異なるように制御するものである。従って、このような構成とした本実施例によっても、前記第１実施例と同様の作用・効果を奏することができる。
【００３５】
（第３の実施の形態）
図７及び図８には、上記第２実施例に変更を加えた本発明の第３実施例が示されており、以下これについて当該第２実施例と異なる部分のみ説明する。
即ち、本実施例では図７に示すように、電源供給回路２２から駆動回路２１に対して、それぞれＥＬ素子１１が発光状態となるしきい値レベル以上に設定された正極性の駆動電圧Ｖｒ１、負極性の駆動電圧−Ｖｒ２が与えられる。この場合、各駆動電圧Ｖｒ１及び−Ｖｒ２は、互いに異なるレベル（例えば、Ｖｒ１＝２５５Ｖ、−Ｖｒ２＝−２３５Ｖ）に設定されるものである。
【００３６】
駆動回路２１は、正フィールド期間におけるＥＬ素子１１の点灯期間に透明電極１３に対し正極性の駆動電圧Ｖｒ１を予め設定された時間ｗだけ印加し、負フィールド期間におけるＥＬ素子１１の点灯期間に透明電極１３に対し負極性の駆動電圧−Ｖｒ２を前記時間ｗだけ印加する。
【００３７】
要するに、駆動回路２１は、ＥＬ素子１１を駆動する場合、つまり正及び負の各フィールド期間毎に透明電極１３及び１７間に異なる極性の電圧を印加して発光層１５を発光させる場合に、各フィールドでの印加電圧Ｖｒ１及び−Ｖｒ２のピーク値を異ならせる（印加電圧Ｖｒ１のピーク値を印加電圧−Ｖｒ２のピーク値より高くする）ことにより、正フィールド期間と負フィールド期間とで印加電圧波形が異なるように制御するものである。従って、このような構成とした本実施例によっても、前記第１実施例と同様の作用・効果を奏することができる。
【００３８】
（第４の実施の形態）
図９ないし図１２には本発明をＥＬ素子のエージング方法に適用した第４実施例が示されており、以下これについて前記第１実施例の構成を援用しながら説明する。
即ち、図９には、ＥＬ素子１１の透明電極１３及び１７間に、第１実施例における第１の駆動回路１９及び第２の駆動回路２０（図１参照）を利用して印加した電圧波形の一例が示されている。この電圧波形は、第１実施例における印加電圧波形（図３参照）が、正側のオフセット電圧を負側のオフセット電圧より大きくした非対称波形となっているのに対し、負側のオフセット電圧を正側のオフセット電圧より大きくした非対称波形となっている。
【００３９】
この場合、第１の駆動回路１９には、電源供給回路１８（図１参照）から、正極性の駆動電圧Ｖｒ（例えば１８５Ｖ）、負極性の駆動電圧−Ｖｒ′（例えば−２２５Ｖ）、正極性の第１のオフセット電圧Ｖｍ（例えば２０Ｖ）、負極性の第２のオフセット電圧−Ｖｎ（例えば−６０Ｖ）が与えられる構成となっており、また、第２の駆動回路２０には、電源供給回路１８から、前記第１のオフセット電圧Ｖｍ、第２のオフセット電圧−Ｖｎ、接地電圧が与えられる構成となっている。
【００４０】
そして、発光状態とされるＥＬ素子１１の透明電極１３及び１７間には、正フィールド期間において第１のオフセット電圧Ｖｍ（２０Ｖ）が印加されると共に、正極性の駆動電圧Ｖｒ（１８５Ｖ）と第２のオフセット電圧−Ｖｎ（−６０Ｖ）との差電圧に相当した正極性の電圧（２４５Ｖ）が印加される。また、当該透明電極１３及び１７間には、負フィールド期間において第２のオフセット電圧−Ｖｎ（−６０Ｖ）が印加されると共に、負極性の駆動電圧−Ｖｒ′（−２２５Ｖ）と第１のオフセット電圧Ｖｍ（２０Ｖ）との差電圧に相当した負極性の電圧（−２４５Ｖ）が印加される。
【００４１】
図１０には、ＥＬ素子１１の透明電極１３及び１７間に図９に示すような波形の電圧、つまり正及び負の各フィールド期間において異なる波形（負側のオフセット電圧が正側のオフセット電圧より大きい非対称な波形）となる電圧を連続的に印加した場合における輝度／電圧特性（Ｌ−Ｖ特性）を所定時間経過毎に測定した結果が示されている。
【００４２】
この図１０から明らかなように、正及び負の各フィールド期間における印加電圧波形が異なる場合、具体的には負極性の第２のオフセット電圧−Ｖｎ（Ｔａ・Ｓｎ・Ｏ＋Ｎ膜より成る下部絶縁層１４に加わる電圧）が正極性の第１のオフセット電圧Ｖｍ（ＡＴＯ膜より成る上部絶縁層１６に加わる電圧）より大きい場合、Ｌ−Ｖ曲線は、短時間でマイナス側（低電圧側）へ大きくシフトしていき、４８時間程度経過した時点で安定した状態になるという特性を示すようになる。このような特性は、ＥＬ素子１１において、電気的特性が互いに異なる下部絶縁層１４及び上部絶縁層１６の界面に電荷がトラップされる準位の数が異なることに起因して発光層１５の内部電界が非対称になる現象が促進され、これによりＥＬ素子１１の輝度／電圧特性の劣化が早期に進行するために起きると考えられる。従って、上記のような特性を利用すれば、ＥＬ素子１１のエージング処理を短時間で行い得る。
【００４３】
このことを実証するために、ＥＬ素子１１の透明電極１３及び１７間に、図１１に示すような非対称波形の駆動電圧（正負のピーク値がそれぞれ２４５Ｖ及び−２４５Ｖ、第１のオフセット電圧Ｖｍ＝０Ｖ、第２のオフセット電圧−Ｖｎ＝−５０Ｖ）を例えば４時間だけ印加してエージング処理を行った後に、当該透明電極１３及び１７間に、対称波形の駆動電圧（図１４参照）を連続的に印加した場合における輝度／電圧特性（Ｌ−Ｖ特性）を所定時間経過毎に測定した。
【００４４】
この図１１から明らかなように、７２時間が経過した時点以降においては、輝度／電圧特性のシフトがきわめて小さくなっており、エージング処理の効果が現れていることが分かる。要するに、ＥＬ素子１１の透明電極１３及び１７間に、正フィールド期間と負フィールド期間とで異なった電圧波形となる駆動電圧を所定時間だけ印加するというエージング処理を短時間行うだけでＥＬ素子１１の輝度／電圧特性が安定した状態になるまでの所要時間を短縮できるものである。つまり、ＥＬ素子１１のエージング処理を短時間で十分に行い得るようになる。
【００４５】
（その他の実施の形態）
本発明は上記した実施例に限定されるものではなく、次のような変形または拡張が可能である。
第１ないし第３実施例におけるＥＬ素子駆動装置において、ＥＬ素子１１に印加する電圧波形の積分値（電圧波形により囲まれた領域の面積）を、正フィールド期間と負フィールド期間とで異なった状態（正フィールド期間における積分値が負フィールド期間における積分値より大きくなる状態）となるように制御する駆動回路を設ける構成としても良い。この構成によれば、駆動回路が、ＥＬ素子１１に印加する電圧波形の積分値を、正フィールド期間側が負フィールド期間側より大きくなる制御を行うから、ＥＬ素子１１の透明電極１３及び１７間に印加される電圧の波形が正フィールド期間と負フィールド期間とで異なることになる。このため、前記第１ないし第３実施例と同様に、発光層１５の内部電界が非対称になる現象を抑制することが可能になって、ＥＬ素子１１の光学的特性を長期間にわたって良好な状態に維持できるようになる。
【００４６】
第４実施例におけるＥＬ素子１１のエージング方法では、第１実施例に記載した駆動回路構成を利用するようにしたが、第２及び第３実施例に記載した駆動回路構成を利用しても良い。
具体的には、第２実施例に記載した駆動回路構成を利用する場合、エージング処理時において、正及び負の各フィールド期間毎にＥＬ素子１１の透明電極１３及び１７間に異なる極性の電圧を印加する際に、各フィールドでの駆動電圧Ｖｒ及び−Ｖｒの印加時間を異ならせる（負フィールド期間での印加時間を正フィールド期間での印加時間より長くする）ことにより、ＥＬ素子１１の輝度／電圧特性の劣化が早期に進行させる。
【００４７】
第３実施例に記載した駆動回路構成を利用する場合、エージング処理時において、正及び負の各フィールド期間毎にＥＬ素子１１の透明電極１３及び１７間に異なる極性の電圧を印加する際に、各フィールドでの印加電圧Ｖｒ１及び−Ｖｒ２のピーク値を異ならせる（負フィールド期間での印加電圧−Ｖｒ２のピーク値を正フィールド期間での印加電圧Ｖｒ１のピーク値より高くする）ことにより、ＥＬ素子１１の輝度／電圧特性の劣化が早期に進行させる。
【００４８】
また、エージング処理時において、ＥＬ素子１１に印加する電圧波形の積分値（電圧波形により囲まれた領域の面積）を、正フィールド期間と負フィールド期間とで異なった状態（負フィールド期間における積分値が正フィールド期間における積分値より大きくなる状態）とすることにより、ＥＬ素子１１の輝度／電圧特性の劣化が早期に進行させる方法も採用できる。
【００４９】
下部絶縁層１４をＴａ・Ｓｎ・Ｏ＋Ｎ膜で形成した例で説明したが、酸化膜層（例えばシリコン酸化膜）と窒化膜層（例えばシリコン窒化膜）とを積層して形成するなど、他の構造としても良い。上部絶縁層１６をＡＴＯ膜（Ａｌ2 Ｏ3 とＴｉＯ2 の多層積層構造膜）で形成した例で説明したが、これとは異なる多層積層構造膜（例えばＡｌ2 Ｏ3 とＳｉ3 Ｎ4 の多層積層構造膜）で形成するなど、他の構造としても良い。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施例における駆動回路構成を示す機能ブロック図
【図２】ＥＬ素子の基本的な断面構造例を示す模式図
【図３】駆動電圧波形図
【図４】輝度／電圧特性図
【図５】本発明の第２実施例を示す図１相当図
【図６】図３相当図
【図７】本発明の第３実施例を示す図１相当図
【図８】図３相当図
【図９】本発明の第４実施例を示す駆動電圧波形図その１
【図１０】輝度／電圧特性図その１
【図１１】駆動電圧波形図その２
【図１２】輝度／電圧特性図その２
【図１３】従来例を説明するための図２相当図
【図１４】図３相当図
【図１５】図４相当図
【符号の説明】
１１はＥＬ素子、１３は透明電極（第１電極）、１４は下部絶縁層（第１絶縁層）、１５は発光層、１６は上部絶縁層（第２絶縁層）、１７は透明電極（第２電極）、１８は電源供給回路、１９は第１の駆動回路、２０は第２の駆動回路、２１は駆動回路、２２は電源供給回路を示す。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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