(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像素子と、該撮像素子の出力信号である撮像信号に重畳されるスミア成分を検出するスミア検出手段と、該スミア検出手段の検出した前記スミア成分に基づいて前記撮像信号を補正するスミア補正手段とを有し、該スミア補正手段は、前記検出スミア成分のレベルに応じて前記撮像信号の被写体成分に対する実効的なゲインを１画面について同一の値とするように構成されていることを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記スミア検出手段におけるスミア成分の検出は、前記撮像信号の垂直ブランキング期間に対応する出力に基づいて行われるように構成されていることを特徴とする請求項１に係る撮像装置。
【請求項３】
前記実効的なゲインの値は、前記スミア補正手段の出力飽和レベル値を、前記撮像信号の飽和レベル値と前記スミア検出手段の検出したスミア成分のレベルの最大値との差で除した結果値であることを特徴とする請求項１又は２に係る撮像装置。
【請求項４】
前記スミア補正手段における前記ゲイン設定に応じて、前記撮像素子における露出を補正する露出補正手段を有していることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に係る撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、スミア低減機能を有する撮像装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＣＣＤ撮像素子等を用いた固体撮像装置においては、固体撮像装置特有の現象として、強烈な光が入射したときに発生するスミア現象（より正確には、スミア及びブルーミングによって総合的に生じる現象であるが、本明細書においては当業者における慣用にならって、これを単にスミアと称している）による画質劣化が問題となっている。すなわち、このスミア現象は本来の電荷蓄積領域に捕捉されなかった電荷がポテンシャル障壁を乗り越えて垂直転送路に漏れ込んだり、入射光の回折成分や多重反射成分が遮光膜下の垂直転送路に漏れ込んで電荷発生することなどにより生じるものであり、通常の定常的な光に起因する場合は、これが垂直転送期間にわたって発生するため、例えばスポット光の場合は、その上下に伸びる縦筋が生じ、画質を著しく損ねていた。これを低減するために、信号補正を行なう方法が知られており、具体的には、スミアがその発生原理から垂直方向にほぼ同レベルで生じることに着目して、有効画素領域外の遮光された蓄積画素領域である垂直ＯＢ（オプティカルブラック：光学的黒）の出力レベルをスミア除去基準信号とし、これを有効画面の画素出力信号から減じる手法が、例えば特開平７−６７０３８号公報等に開示されていて公知である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記従来の技術を用いて単純にスミア補正を行おうとすると、現実のカメラに使用される撮像素子の出力レンジは限られているため、スミア成分が大きい場合は、補正によって却って画質劣化を来す不具合があった。具体例として、極端な例を挙げると、画面全体にほぼ一様に高いレベル（撮像素子の飽和レベルの50％とする）のスミアが発生していたとすれば、スミア補正によるスミア成分の減算によってスミアは除去されるものの、得られる出力信号は本来の被写体輝度レベルの50％で飽和した極めて暗い画像になってしまうことになる。
【０００４】
次に、この事情を、上記態様を一般的に示した図２の（Ａ），（Ｂ）に基づいて説明する。図２の（Ａ），（Ｂ）において、横軸は撮像素子出力のＡＤ変換値すなわちスミア補正回路の入力値、縦軸はスミア補正回路の出力値である。入力値については撮像素子自身の飽和レベルか又はＡＤ変換の最大レベルのいずれかで飽和してしまうが、このいずれによるかは本質でないので、ここでは撮像素子の出力信号の飽和はＡＤ変換の最大レベルによる場合を想定して、記号Ｓatで表わしている。なお、縦軸のＳatは数値的には同じであるが出力ディジタル値の最大値であって、概念的にはスミア補正出力の飽和レベル（出力可能最大値）に対応するものである。図２の（Ａ）に示す特性は、参照のため無補正の場合を示したものであるが、飽和レベルＳatを超える信号は有り得ないから、スミアＳm を減じて得られた図２の（Ｂ）に示す従来のスミア補正の出力信号の特性は、確かにスミアが除去された被写体輝度を反映したものではあるが、最大レベルはＳat−Ｓm しか得られない。
【０００５】
この問題は、特に高速シャッタ使用時に顕著になるものである。この点について更に詳述すると、シャッタ速自身はスミアレベルと直接相関はないものの、一般的な撮影時においては、いわゆる適正露出を与えることが前提になるから、高速シャッタを使用する場合とは、すなわちそれだけ短時間の露光であっても、充分な露光量が得られる板面照度の場合ということになる。この意味において、平均的板面照度Ｌと露光時間Ｔとの間には、Ｌ＝ｋ／Ｔ（ｋは撮像素子の感度によって決まる定数）の関係がある。したがって、極めて短時間の露光に関しては画面全体が極めて高輝度になっている状態のため、局所的なスポット光の有無に係らず、高いレベルのスミアが画面全体に亘って（遍在して）発生することになる。そして、このような画像に上記従来のスミア補正を施せば、画面全体が暗い画像しか得られないことになるわけである。
【０００６】
本発明は上記問題点を解消するためになされたもので、スミア補正を行なう際に撮像素子やシステムの飽和に起因して生じる上記問題点を解決し、良好な画像の得られる撮像装置を提供することを目的とする。請求項毎の目的を述べると、請求項１に係る発明は、スミア補正を行いつつ画面全体が暗くなる不具合を生じさせないようにした撮像装置を提供することを目的とする。請求項２に係る発明は、均一でないスミア成分を含む撮像に対しても、請求項１に係る発明を適用できるようにすることを目的とする。請求項３に係る発明は、飽和に起因する擬似信号の発生を生じないようにしつつゲインアップに伴うＳＮ比劣化を最小にとどめることができるようにした撮像装置を提供することを目的とする。請求項４に係る発明は、スミアを生じない通常の被写体を撮像した場合と同等の撮像特性の高画質の画像が得られるようにした撮像装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記問題点を解決するため、請求項１に係る発明は、撮像素子と、該撮像素子の出力信号である撮像信号に重畳されるスミア成分を検出するスミア検出手段と、該スミア検出手段の検出した前記スミア成分に基づいて前記撮像信号を補正するスミア補正手段とを有し、該スミア補正手段は、前記検出スミア成分のレベルに応じて前記撮像信号の被写体成分に対する実効的なゲインを１画面について同一の値とするようにして撮像装置を構成するものである。
【０００８】
このように、スミア補正手段をスミア成分のレベルに応じて撮像信号の被写体成分に対する実効的なゲインを１画面について同一の値とするように構成することにより、スミア補正を行いつつ画面全体が暗くなる不都合を生じさせないようにした撮像装置を実現することができる。
【０００９】
請求項２に係る発明は、請求項１に係る撮像装置において、前記スミア検出手段におけるスミア成分の検出は、前記撮像信号の垂直ブランキング期間に対応する出力に基づいて行われるように構成されていることを特徴とするものである。このように、スミア成分の検出を撮像素子の出力信号の垂直ブランキング期間に対応する出力に基づいて行うように構成することにより、請求項１に係る撮像装置を、均一でないスミア成分を含む撮像に対しても適用することが可能となる。
【００１０】
請求項３に係る発明は、請求項１又は２に係る撮像装置において、前記実効的なゲインの値は、前記スミア補正手段の出力飽和レベル値を、前記撮像信号の飽和レベル値と前記スミア検出手段の検出したスミア成分のレベルの最大値との差で除した結果値であることを特徴とするものである。このように、撮像信号の被写体成分に対する実効的なゲインを設定することにより、飽和に起因する擬似信号の発生を生じさせないようにしつつゲインアップに伴うＳＮ比の劣化を最小にとどめることが可能となる。
【００１１】
請求項４に係る発明は、請求項１〜３のいずれか１項に係る撮像装置において、前記スミア補正手段における前記ゲイン設定に応じて、前記撮像素子における露出を補正する露出補正手段を有していることを特徴とするものである。このように、露出補正手段を備え、実効的なゲイン設定に応じて露出を補正するように構成することにより、スミアを生じない通常の被写体を撮像した場合と同等の撮像特性の高画質の画像を得ることが可能となる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
次に、実施の形態について説明する。図１は、本発明に係る撮像装置の主たる実施の形態のディジタルカメラを示すブロック構成図である。１は前玉１ａと後玉１ｂとかなる撮像レンズ、２はフォーカスアクチュエータ２ａとズームアクチュエータ２ｂとからなるレンズ駆動機構、３は可動絞り、４はローパスフィルタ及び赤外カットフィルタからなる光学フィルタ、５はＣＣＤ撮像素子、６はＣＣＤドライバ、７はＡＤコンバータを含むプリプロセス回路、８はディジタルプロセス回路で、ハードとしてメモリを含み、全てのディジタルプロセス処理を行うもので、スミア検出部８−１とスミア補正部８−２を備えている。９はメモリカードインターフェース、10はメモリカード、11はＬＣＤ画像表示系、12は主たる構成としてマイコンを含むシステムコントローラで、露出補正部12−１を備えている。13は操作スイッチ系、14は表示用ＬＣＤを含む操作表示系、15は絞りアクチュエータ、16はアクチュエータドライバ、17は光拡散素子、18は光拡散素子ドライバである。
【００１３】
そして、本実施の形態のディジタルカメラにおいては、スミア補正の効果をより高いものにするために、局所的スミア発生を低減させるスミア低減撮像を行なうことができる構成としてあり、そのための構成として、いわゆる高分子分散型（ポリマーネットワーク型）液晶を透明電極付き光学ガラスの板状セルに封入した構造の光拡散素子17が、図１に示すように撮像レンズ１の内部の可動絞り３の近傍に設けられている。
【００１４】
次に、この光拡散素子17について詳述する。光拡散素子17は２枚の光学ガラスを貼り合わせた、全体としては厚さが 0.9mmの平行平板ガラスを備え、貼り合わせ部に厚さ10μｍの平坦な液晶封入部を有している。この封入部に液晶が分散された透明樹脂が封入されて、素子としての能動部分が形成されているものである。そして透明電極から引出された接続線は、光拡散素子ドライバ18に接続され、所定電圧の公知の交流駆動によって駆動されるようになっている。
【００１５】
なお、電圧印加時と非印加時（残留電荷排出のため本実施の形態では０電圧印加）に対して、拡散と非拡散（素通し）状態をどのように割り当てるかは本来任意であるが、ＴＴＬ光学ファインダと組み合わせた場合に、カメラ電源ＯＦＦでもファインダが見えるようにする、あるいはスミア低減撮像を必要としない場合に電力を消費する必要が生じないようにするなどの効果を得る目的で、本実施の形態では特に電圧非印加時に非拡散となるようにしており、一旦０電圧印加して残留電荷を排出した後には、ドライバへの電源供給を停止しても素通し状態が保たれるようになっている。このためには媒質に相当する液晶と媒体に相当する樹脂の実効的な屈折率が、電圧非印加状態で等しくなるように構成されていることは言うまでもない。
【００１６】
続いて、このスミア低減撮像の制御に関する説明を行なう。本実施の形態のディジタルカメラにおいては、システムコントローラ12が全ての制御を統括的に行なっており、可動絞り３と、ＣＣＤドライバ６によるＣＣＤ撮像素子５の駆動（電子シャッタ）を制御して、露光（電荷蓄積）及び信号の読み出しを行ない、それをプリプロセス回路７を介してディジタルプロセス回路８に格納し、このディジタルプロセス回路８の中で全ての必要な各種信号処理を施した後に、メモリカード10に記録するものである。なお、上記各種信号処理には、後述する本発明の要部であるところのスミア補正処理が含まれている。また、露光及び信号読み出しのタイミングに合わせて光拡散素子ドライバ18を駆動し、光拡散素子17の拡散特性を変化させることで、スミア低減撮像を行なうことができるようになっている。
【００１７】
すなわち、撮影対象である当該被写体像の光電変換電荷を蓄積中は、光拡散素子17を非拡散（素通し）状態のままとしてあり、ＣＣＤ転送路（垂直シフトレジスタ）への転送パルスＴＧが出ると同時に、拡散状態にすべく電圧印加を開始する。ただし駆動を開始してから光拡散素子17が現実に充分な拡散状態に転移するまでは、かなりの時間を要する。この転移時間は、素子の材料、印加電圧や駆動周波数にも依存するが、通常数ｍｓ〜数 100ｍｓ程度である。そして素子（能動部）の厚さにも大きく依存する。本実施の形態では厚さが10μｍと薄いため、転移時間は10ｍｓ以下と高速であって、これに対応して撮像信号の読み出し（信号電荷のＣＣＤ転送）は、転送パルスＴＧの出力後10ｍｓの時点から開始される。そして、信号読み出しが終了した後は次の撮影に備え、また無駄な駆動電力をなくす意味で、速やかな適時に光拡散素子17への電圧印加を０電圧として素通し状態に転移させる。この後、光拡散素子ドライバ18への通電を停止してもよい。
【００１８】
このとき、もしも転移時間が異なる値であれば、これに合わせた読み出し開始時刻を設定すればよい。また、このとき更に遅らせて読み出しを開始してもよいが、それに伴う暗電流ノイズの増加を避けるため、本実施の形態では不要な遅延はさせていない。
【００１９】
以上のようなスミア低減撮像を行なえば、被写体のスポット光による局所的スミアは、信号読み出し時に像が拡散されていることにより、かなりの程度低減される。しかしながら、高速シャッタ（短時間露光）使用時の遍在スミアは発生するし、また上記のように応答性の要請から、厚みの薄い拡散素子を使用するため拡散性を充分確保できなかったり、あるいはレンズの周辺光量落ちのため、発生するスミアは完全に均一ではない場合がある。したがって、上記のようなスミア低減撮像によってもなお撮像素子出力に重畳されているスミア成分を除去するために、本実施の形態のカメラにおいてはスミア補正手段を有しており、このスミア補正手段によるスミア補正は、上記スミア低減撮像とは相補的に作用するようになっている。
【００２０】
次に、上記スミア補正について詳述する。本実施の形態において使用されているスミア補正処理の方式は、「撮像素子の出力信号の垂直ブランキング期間に対応する出力に基づいて撮像素子のスミア成分を検出するスミア検出手段の検出したスミア成分に基づいて、有効信号出力期間の撮像素子出力である有効画像信号を補正する」ものであって、具体的にはＶＯＢ（垂直光学的黒検出用画素）の出力から算出したスミア除去基準信号を有効画像信号から減じる方式である。
【００２１】
すなわち、上記スミア低減撮像によって得られた１画面に対応する撮像出力信号をディジタルプロセス回路８の所定メモリ領域に格納すると、まずスミア検出部８−１において、ＶＯＢの出力を用いてスミア除去基準信号を算出する。すなわち、複数ライン（ここでは仮に12ラインとする）あるＯＢ画素のデータのうち、同じ水平アドレスを持つ12画素毎の和をとり画素数12で除することで平均値を得る。言い換えれば、このスミア除去基準信号は複数のＶＯＢラインの平均値に相当する、１ライン分の画像信号である。このスミア除去基準信号をＳm(i)とする。但しｉは水平アドレス、後出のｊは垂直アドレスである。このようにして得られたスミア除去基準信号Ｓm(i)を用いて、スミア補正部８−２において有効画素信号に関するスミア補正が行なわれる。
【００２２】
スミア補正処理の内容は概念的に２つに分けて説明できる。第１の処理は、従来公知のものと同様であって、すなわち有効画素部分から読み出された画素信号の各ラインデータからこのスミア除去基準信号を減じたものを補正後の出力とする。言うまでもなく、減算は同じ水平アドレスを持つデータ間で行われる。
【００２３】
この処理概念を数式で示すと、スミア補正部８−２における入力画像信号（すなわち有効画像領域に対応する撮像素子出力のディジタル値）をＳig(i,j) 、スミア成分を減じた段階の中間データ（概念上のものであり、処理上の実在は問わない）をＳdif(i,j)とすると、次式（１）のように表される。
Ｓdif(i,j)＝Ｓig(i,j）−Ｓm(i)  ・・・・・・・・・・（１）
【００２４】
この段階では撮像信号の被写体成分が抜き出されてはいるものの、上記従来例のすなわち図２の（Ｂ）に相当する特性であり、画像が暗くなってしまう。本実施の形態のスミア補正は、最終的には更に定数を乗じる補正（これをゲイン補正と称する）を伴うものである。補正後の出力をＳout(i,j)とすると、次式（２）で表される。
0004503740.tif 000002
ただし、上記（２）式の分子分母の各Sat は、この実施の形態の場合数値的には等しいが、概念的には分子のそれは最大出力レベル（出力信号の飽和レベル）に、分母のそれは最大入力レベル（撮像信号の飽和レベル）に対応するものである。
【００２５】
また、Ｓm はＳm(i)の１画面代表値である。すなわち、上述のようにスミアは必ずしも充分均一ではないので、一般的には水平アドレスによって異なる値を持つ。しかし、画像のゲインは当然１画面については同一の値である必要があるため、ゲイン項はｉ，ｊに関する定数でなければならない。具体的には、本実施の形態ではＳm(i)の１画面最大値、Ｓm ＝Max[i]｛Ｓm(i)｝を採用している。すなわち飽和による最大レベルの低下の影響をもっとも受けるのは、スミア発生レベルが最大の画素列であり、この画素列において最大出力レベルがちょうどＳat（出力信号の飽和レベル）に等しくなるように、被写体成分に対する実効的なゲインを調節するものである。このとき、スミア発生レベルが上記Ｓm （＝Max[i]｛Ｓm(i)｝）に満たない画素列では、本来被写体情報を反映している「レベルがＳat−Ｓm を超えた領域の信号成分」がクリップされてしまうことになるが、これによって「１画面内のどの画素でも（被写体輝度に関して）等しい飽和レベルを持つ」という条件（この条件が充たされないと、画素による飽和レベルの違いが生じ、擬似信号発生の原因になる）が充たされるものであり、且つその条件内では最小のゲイン（ゲインが大きいとＳＮ比が劣化する）であるから、より高画質を求める場合には止むを得ない選択となっている。
【００２６】
このときのスミア補正処理の特性を図３に示す。ただし、図３の各軸や記号等の定義は図２と同じであり、また簡略化のためスミアが一様な場合（すなわちＳm(i)＝const ＝Ｓm の場合）を示すものである。図３より判るように、入力信号から被写体成分だけを抜き出した後、この被写体成分に対する実効的なゲインアップを行なったのと等価な特性となっている。
【００２７】
さて、このようなスミア補正を行なった場合、ゲイン補正によって画面は明るくなるが、これだけでは被写体輝度域に着目した場合に、再現域は改善されていない。すなわち、スミアによって狭くなった撮像レンジは狭いままで改善されていない。この原因は、ゲインを上げたにも係らず露出はゲインを上げる以前の撮像系に対して適正となるようになされたものであるから、露出オーバー状態を来たしているためである。本実施の形態のカメラは、この露出オーバー状態を生じないように適正露光を得るべく、露出を補正する露出補正部12−１をシステムコントローラ12内に更に有している。具体的には、システムコントローラ12は、一旦上記説明に従ったスミア低減撮像による試行露出を行ない、その後露出を変更して本露光を行なうものである。すなわち試行露出の結果、上記ゲイン項が求まる。試行露出の時の露光時間がＴtry であったとするとき、本露光の露光時間Ｔexp は次式（３）に示すように、ゲイン項の逆数を乗ずることによって決定される。
Ｔexp ＝Ｔtry ×（Ｓat−Ｓm ）／Sat   ・・・・・・・（３）
ただし、これは試行時の露出が理想的に行われたときの変更条件であって、必要に応じてその他の情報による露出の補正を伴ってもよいことは勿論である。また、始めから上記試行露出を繰り返し実行しつつスミア補正後の出力信号のレベルにのみ着目することで、本露光時の露出を決定してもよい。
【００２８】
このように構成した本実施の形態に係るカメラによれば、極めて高速なシャッタを用いた場合も含めて全ての場合に、スミアの影響が除去されて且つ撮像レンジが充分確保された高画質な撮像を行なうことができる。
【００２９】
なお、上記実施の形態の他にも様々な実施の形態が考えられる。例えば、上記スミア補正に伴う被写体成分に対する可変ゲインの設定は、事情に合わせて上記実施の形態とは異なる任意の値にしてもよい。上記実施の形態における設定は、既に述べたとおり「１画面内のどの画素でも（被写体輝度に関して）等しい飽和レベルを持つ」という条件を充たす値の中で最小のゲインになっており、上記条件により「飽和に起因する擬似信号の発生を生じない」ようにしつつ、ゲインアップに伴うＳＮ比劣化を最小にとどめるように意図したものであるから、一つの最良設定例と言えるが、これによればゲイン値は任意の値をとるから演算がやや複雑になり、それに対応して露出制御も複雑化するといった問題も生じ得る。したがって、演算や制御の単純化を優先的に意図して、ＳＮ劣化を若干許容すれば、上記ゲイン項の値を限って「Ｓat／（Ｓat−Ｓm ）の値が２の（ｎ−１）乗倍を超えているときには、ゲイン項を２のｎ乗倍に設定する（ｎは自然数）」といったものも好適な実施の形態の一つとなる。
【００３０】
また逆に若干の飽和に起因する擬似信号の発生を許容して、よりＳＮ比優先の設定を意図すれば、Ｓm として上記Max[i]｛Ｓm(i)｝に代えて、Ｓm(i)の１画面平均値Ave[i]｛Ｓm(i)｝や、１画面最小値Min[i]｛Ｓm(i)｝を採用したものなども、同様に好適な実施の形態となる。このように、Ｓm(i)の１画面代表値Ｓm も任意の方法で算出し得る。
【００３１】
また上記実施の形態における露出の補正は、露光時間を変更することで行なっているが、これを絞りで行なうようにしてもよい。
【００３２】
更に、上記実施の形態のカメラは、スミア補正の効果をより高いものにするために、光拡散素子を用いたスミア低減撮像を行なっているが、言うまでもなくこれは必須ではない。少なくとも上記実施の形態のカメラのようなスミア補正処理を行なえば、スミア低減撮像を採用しない場合においても、従来技術に比して格段の画質向上を図ることができる。
【００３３】
また、本発明は、静止画撮影、動画撮影のいずれに対しても適用することができる。
【００３４】
以上本発明のいくつかの実施の形態を具体的に示したが、本発明はこれらに限られることなく、特許請求の範囲に記載の限りにおいて如何なる態様をも取り得るものであることは言うまでもない。
【００３５】
【発明の効果】
以上実施の形態に基づいて説明したように、請求項１に係る発明によれば、スミアレベルに応じて撮像信号の被写体信号成分に対する実効的なゲインを１画面について同一の値とするように構成したので、スミア補正を行ないつつ画面全体が暗くなる不具合を生じさせないようにした撮像装置を実現することができる。また請求項２に係る発明によれば、スミア成分の検出を、撮像素子の出力信号の垂直ブランキング期間に対応する出力に基づいて行なうように構成しているので、均一でないスミア成分を含む撮像に対しても本発明を適用できるという優れた効果が得られる。また請求項３に係る発明によれば、撮像信号の被写体成分に対する実効的なゲインを、スミア補正手段の出力飽和レベル値を、上記撮像信号の飽和レベル値と上記スミア検出手段の検出したスミア成分のレベルの最大値との差で除した値に設定するように構成しているので、飽和に起因する擬似信号の発生を生じないようにしつつゲインアップに伴うＳＮ比劣化を最小にとどめることができるという優れた効果が得られる。また請求項４に係る発明によれば、更に上記実効的なゲインに応じて露出を補正するように構成しているので、スミアを生じない通常の被写体を撮像した場合と同等の撮像特性の高画質な画像が得られるという優れた効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る撮像装置の実施の形態のディジタルカメラの構成を示すブロック図である。
【図２】従来のスミア補正前後の入出力特性を示す図である。
【図３】図１に示した本発明の実施の形態におけるスミア補正処理後の入出力特性を示す図である。
【符号の説明】
１  撮像レンズ
１ａ  前玉
１ｂ  後玉
２  レンズ駆動機構
２ａ  フォーカスアクチュエータ
２ｂ  ズームアクチュエータ
３  可動絞り
４  光学フィルタ
５  ＣＣＤ撮像素子
６  ＣＣＤドライバ
７  プリプロセス回路
８  ディジタルプロセス回路
８−１  スミア検出部
８−２  スミア補正部
９  メモリカードインターフェース
10  メモリカード
11  ＬＣＤ画像表示系
12  システムコントローラ
12−１  露出補正部
13  操作スイッチ系
14  操作表示系
15  絞りアクチュエータ
16  アクチュエータドライバ
17  光拡散素子
18  光拡散素子ドライバ
【図１】
0004503740.tif 000003
【図２】
0004503740.tif 000004
【図３】
0004503740.tif 000005