(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式 ( I )
【化１】
0004601779.tif 000010
[ 式中、R1は置換基を有していてもよいC1〜C15のアルキル基（置換基としては、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、アミノ基、保護基で保護されたアミノ基、鉱酸または有機酸で保護されたアミノ基、C1〜C4の低級アルキル置換アミノ基、ベンジルオキシ基、C1〜C4の低級アルコキシ基、C1〜C4の低級アルコキシカルボニル基またはアリール基である）、アリール基を示し、R2はC1〜C8の低級アルキル基または置換基を有していてもよいベンジル基を示す]
で表わされるβ−ケトエステル類を、下記一般式 (II)
【化２】
0004601779.tif 000011
[式中、R3、R4は各々独立に、シクロアルキル基、非置換もしくは置換フェニル基、または五員複素芳香環残基を示す]
で表される光学活性三級ジホスフィン化合物を配位子とするルテニウム錯体の存在下不斉水素化することを特徴とする、下記一般式 ( III )
【化３】
0004601779.tif 000012
[式中、R1、R2は上記と同じものである]
で表わされる光学活性アルコールの製造方法。
【請求項２】
光学活性三級ジホスフィン化合物を配位子とするルテニウム錯体が下記一般式(IV)ないし(IX)から選ばれた少なくとも一種の錯体である特許請求の範囲第１項記載の光学活性アルコールの製造方法。
[Ru2X4 (L)2](A)      (IV)
[式中、Xはハロゲン原子を示し、Lは光学活性三級ジホスフィン配位子を示し、Aは３級アミンを示す]で表されるルテニウム錯体、
[RuX (ARENE)(L)]X      (V)
[式中、X、Lは上記と同じものであり、ARENEは置換基を有していてもよいベンゼン環を示す]で表されるルテニウム錯体、
[Ru(G)2(L)]      (VI)
[式中、Lは上記と同じものであり、Gはハロゲン原子またはアセトキシ基を示す]で表されるルテニウム錯体、
[Ru(L)](J)2      (VII)
[式中、Lは上記と同じものであり、JはBF4、ClO4、PF6またはBPh4（Phはフェニル基を示す）を示す]で表されるルテニウム錯体、または
[{RuX(L)}2(μ−X)3][NH2Ｑ2]       (VIII)
[式中、L、Xは上記と同じものであり、Ｑは水素、低級アルキル基、置換基を有していてもよいフェニル基、置換基を有していてもよいベンジル基を示す]で表されるルテニウム錯体、または
RuX2(L)(DMF)n      (IX)
[式中、X、Lは上記と同じものであり、nは１〜３の整数を示し、DMFはN,N−ジメチルホルムアミドを示す]で表わされるルテニウム錯体。
【請求項３】
不斉水素化反応をさらに酸の共存下で行う、特許請求の範囲第１項記載の光学活性アルコールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光学活性なアルコールを製造するための新規な製造方法に関する。
より詳細には医薬品の合成中間体や機能性材料等に有用な光学活性β−ヒドロキシ酸類を実用的に製造できる新規な製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、光学活性アルコール類を合成する方法としては、１）パン酵母などの酵素を用いる方法や、２）金属錯体を用いてカルボニル化合物を不斉水素化する方法などが知られている。特に、後者の不斉水素化方法については以下のように多くの方法が提案されている。例えば、（１）光学活性ルテニウム錯体触媒の存在下での官能基を有するカルボニル化合物の不斉水素化方法（Asymmetric Catalysis In Organic Synthesis, ５６−８２頁（１９９４）Ed. R. Noyori）、（２）１,３ジカルボニル化合物のルテニウムビアリールホスフィン錯体を用いた不斉水素化方法（Tetrahedron Asymmetry, Vol.８, ３３２７−３３５５頁（１９９７））、（３）ルテニウム−光学活性ホスフィン錯体を用いた不斉水素化方法（特公平６−９９３６７号公報）、（４）ルテニウム、ロジウム、イリジウムの不斉錯体触媒の存在下にカルボニル化合物の水素移動型還元反応を利用する方法（Chem. Rev., Vol. ９２,１０５１−１０６９頁）、（５）酒石酸で修飾したニッケル錯体を用いてカルボニル化合物を不斉水素化する方法（油化学,８２８−８３１頁（１９８０）及びAdvances in Catalysis, Vol.３２, ２１５頁（１９８３）Ed. Y. Izumi）、（６）カルボニル化合物の不斉ヒドロシリル化反応を利用する方法（Asymmetric Synthesis, Vol. ５, Chap.４（１９８５）Ed. J. D. Morrisonおよび  J. Organomet. Chem., Vol.３４６, ４１３−４２４頁（１９８８））、（７）不斉配位子の存在下にカルボニル化合物をボラン還元する方法（J. Chem. Soc., Perkin Trans. I, ２０３９−２０４４頁（１９８５）及び  J. Am. Chem. Soc., Vol. １０９,５５５１−５５５３頁（１９８７））、（８）水酸化カリウム、光学活性ジアミン、ルテニウムの不斉錯体触媒の存在下にアセトフェノン類を不斉水素化する方法（J. Am. Chem. Soc., Vol. １１７,２６７５−２６７６頁（１９９５））などが知られている。
【０００３】
しかしながら、上記光学活性アルコールの合成方法のうち、酵素を用いる合成方法は操作が煩雑で、反応基質に制約があり、しかも、得られるアルコール類の絶対配置も特定のものに限られる。また、遷移金属の不斉水素化触媒を用いる合成方法の場合には、カルボニル化合物の不斉水素化に対して様々な遷移金属錯体触媒が報告されているにもかかわらず、反応速度の点で難点があったり、β−ケトエステル類の不斉水素化によって得られる光学活性アルコール類の光学純度が不充分である、といった問題点があった。
特に、医薬品や機能性材料の分野においては、特定の絶対配置のものを光学純度良く得ることが重要であり、上記方法による問題点を解決する必要があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
従って、本発明の目的は、β−ケトエステル類を不斉水素化し、所望する絶対配置の光学活性アルコール類を高い光学純度で得ることのできる新規な製造方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
このような実情において、本発明者らは鋭意研究を行った結果、本発明者らが既に開発した光学活性[４,４'−ビス−１,３−ベンゾジオキソール]−５,５'−ジイルビス(ジフェニルホスフィン)（以下、SEGPHOSと略すことがある）類を配位子とするルテニウム金属錯体を用いてβ−ケトエステル類を不斉水素化すると、対応する光学活性アルコールが高い光学純度で得られることを見い出し、さらに研究を重ね、ついに本発明を完成した。
【０００６】
すなわち、本発明は、次の一般式 ( I )
【化４】
0004601779.tif 000002
[式中、R1は置換基を有していてもよいC1〜C15のアルキル基（置換基としては、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、アミノ基、C1〜C4の低級アルキル置換アミノ基、鉱酸または有機酸で保護されたアミノ基、ベンジルオキシ基、C1〜C4の低級アルコキシ基、C1〜C4の低級アルコキシカルボニル基またはアリール基である）、アリール基を示し、R2はC1〜C8の低級アルキル基または置換基を有していてもよいベンジル基を示す]
で表わされるβ−ケトエステル類を、一般式 (II)
【化５】
0004601779.tif 000003
[式中、R3、R4は各々独立に、シクロアルキル基、非置換もしくは置換フェニル基、または五員複素芳香環残基を示す]で表される光学活性三級ジホスフィン化合物を配位子とするルテニウム錯体の存在下不斉水素化することを特徴とする、次の一般式 ( III )
【化６】
0004601779.tif 000004
[式中、R1、R2は上記と同じものである]
で表わされる光学活性アルコールの製造方法を提供するものである。
【０００７】
また、上記不斉水素化反応を特定のルテニウム錯体の存在下で行う上記光学活性アルコールの製造方法を提供するものである。
【０００８】
さらに、上記不斉水素化反応を特定の酸の存在下で行う上記光学活性アルコールの製造方法を提供するものである。
【０００９】
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の光学活性アルコールを製造するための原料であるβ−ケトエステル類 (I) におけるR1としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基などのC1〜C15のアルキル基、置換基を有するC1〜C15のアルキル基（置換基としては、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、アミノ基、保護基（保護基としてはアセチル基、ベンジルオキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニル基など）で保護されたアミノ基、鉱酸または有機酸で保護されたアミノ基（鉱酸としては塩酸、硫酸、臭素酸、リン酸、ヨウ化水素酸など、有機酸としてはｐ−トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、酢酸など）、C1〜C4の低級アルキル基置換アミノ基、ベンジルオキシ基、メトキシ基、エトキシ基、ｔ−ブトキシ基などのC1〜C4の低級アルコキシ基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基などのC1〜C4の低級アルコキシカルボニル基またはフェニル基、ｐ−メトキシフェニル基、ｐ−トリル基、２−ナフチル基などのアリール基など）、フェニル基、ｐ−メトキシフェニル基、ｐ−トリル基、２−ナフチル基などのアリール基などが好ましい。
【００１０】
上記β-ケトエステル類 (I) におけるR2としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基などのアルキル基、置換基を有していてもよいベンジル基であり、置換基としてはメチル基、エチル基、メトキシなどが好ましい。
【００１１】
上記β−ケトエステル類 (I)の具体例としては、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、アセト酢酸n−プロピル、アセト酢酸イソプロピル、アセト酢酸n−ブチル、アセト酢酸t−ブチル、アセト酢酸n−ペンチル、アセト酢酸n−ヘキシル、アセト酢酸n−オクチル、アセト酢酸ベンジル、４−クロルアセト酢酸メチル、４−クロルアセト酢酸エチル、３−オキソペンタン酸メチル、３−オキソヘキサン酸メチル、３−オキソヘプタン酸メチル、６−メチル−３−オキソヘプタン酸メチル、３−オキソオクタン酸メチル、３−オキソノナン酸メチル、３−オキソデカン酸メチル、３−オキソウンデカン酸メチル、３−オキソドデカン酸メチル、３−オキソトリデカン酸メチル、３−オキソテトラデカン酸メチル、３−オキソペンタデカン酸メチル、３−オキソヘキサデカン酸メチル、３−オキソヘプタデカン酸メチル、３−オキソオクタデカン酸メチル、３−オキソペンタン酸エチル、３−オキソヘキサン酸エチル、３−オキソヘプタン酸エチル、３−オキソオクタン酸エチル、３−オキソノナン酸エチル、３−オキソデカン酸エチル、３−オキソウンデカン酸エチル、３−オキソドデカン酸エチル、３−オキソトリデカン酸エチル、３−オキソテトラデカン酸エチル、３−オキソペンタデカン酸エチル、３−オキソヘキサデカン酸エチル、３−オキソヘプタデカン酸エチル、３−オキソオクタデカン酸エチル、ベンゾイル酢酸メチル、ベンゾイル酢酸エチル、４−フェニル−３−オキソブタン酸メチル、４−ベンジルオキシアセト酢酸メチル、４−メトキシアセト酢酸メチル、３−オキソオクタンジオン酸ジメチル、３−オキソオクタンジオン酸ジエチル、４−ジメチルアミノ−３−オキソブタン酸メチル、４−ジメチルアミノ−３−オキソブタン酸エチル、４−アミノ−３−オキソブタン酸メチルエステル塩酸塩、４−アミノ−３−オキソブタン酸メチルエステルp−トルエンスルホン酸塩、４−アミノ−３−オキソブタン酸メチルエステルメタンスルホン酸塩、塩化３−（エトキシカルボニル）２−オキソプロピルトリメチルアンモニウム、塩化３−（メトキシカルボニル）２−オキソプロピルトリメチルアンモニウム４−ベンジルオキシカルボニルアミノ−３−オキソブタン酸メチル等が挙げられる。
【００１２】
本発明に使用される光学活性三級ジホスフィン化合物は次の一般式 ( II )
【化７】
0004601779.tif 000005
[式中、R3、R4は各々独立に、シクロアルキル基、非置換もしくは置換フェニル基、または五員複素芳香環残基を示す]
で表わされる。上記R3、R4のシクロアルキル基はシクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基が好ましく、R3、R4の五員複素芳香環は２−フリル基、３−フリル基、２−ベンゾフリル基、３−ベンゾフリル基が好ましく、置換フェニルの置換基としてはC1〜C5の低級アルキル基、C1〜C5の低級アルコキシ基、ジ（低級アルキル）アミノ基、ハロゲン原子である。ここでいう低級アルキルとは炭素数が１ないし５のアルキル基である。
【００１３】
これらの化合物の中で、好ましい化合物は、式 ( X )
【化８】
0004601779.tif 000006
[式中、R5、R6は各々独立に、水素原子、C1〜C4のアルキル基、C1〜C4のアルコキシ基、を示し、R7は、水素原子、C1〜C4のアルキル基、C1〜C4のアルコキシ基、ジ（C1〜C4のアルキル基）置換アミノ基を示す]
である。
【００１４】
さらに好ましい化合物は、式 ( XI )
【化９】
0004601779.tif 000007
[式中、R8、R9は同一でかつ、水素原子、t−ブチル基、n−ブチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、エチル基、メチル基を示し、R10は水素原子、t−ブトキシ基、イソプロポキシ基、エトキシ基、メトキシ基を示す]
である。
【００１５】
上記光学活性三級ジホスフィン化合物は既に知られているものであり、例えば特開２０００−１６９９７号公報または特開平１０−１８２６７８号公報に示された方法により合成することができる。
【００１６】
本発明で使用するルテニウム錯体は上記光学活性三級ジホスフィン化合物を配位子とする錯体であり、本出願前公知のものである。好ましい錯体は次の一般式 (
IV )ないし( IX )で表される錯体である。
【００１７】
[ Ru2X4 (L)2 ] (A)         ( IV )
[式中、Xはハロゲン原子を示し、Lは光学活性三級ホスフィン配位子を示し、Aは３級アミンを示す]
で表されるルテニウム光学活性三級ホスフィン錯体、
【００１８】
[ RuX (ARENE) (L) ] X         ( V )
[式中、X、Lは上記と同じものであり、ARENEは置換基を有していてもよいベンゼン環であり、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン、クメン、p−シメン、エチルベンゼンまたはアニソールなどが好ましい]
で表されるルテニウム−光学活性三級ジホスフィン錯体、
【００１９】
[ Ru ( G )2 ( L ) ]                     ( VI )
[式中、 Lは上記と同じものであり、Gはハロゲン原子またはアセトキシ基を示す]
で表されるルテニウム−光学活性三級ジホスフィン錯体、
【００２０】
[ Ru ( L ) ]( J )2                     ( VII )
[式中、Lは上記と同じものであり、JはBF4、ClO4、PF6またはBPh4（Phはフェニル基を示す）を示す]
で表されるルテニウム−光学活性三級ジホスフィン錯体、
【００２１】
[ {RuX ( L )}2 (μ−X)3 ][NH2Ｑ2]          ( VIII )
[式中、L、Xは上記と同じものであり、Ｑは水素、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔ-ブチル基、シクロヘキシル基などの炭素数が１ないし６の低級アルキル基、置換基を有していてもよいフェニル基、置換基を有していてもよいベンジル基を示す]
で表されるルテニウム−光学活性三級ジホスフィン錯体、（上記フェニル基の置換基としてはメチル基、エチル基、メトキシ基、エトキシ基などが好ましく、上記置換基を有していてもよいベンジル基として、例えば１−フェネチル基などが挙げられる）
【００２２】
[ RuX2 ( L ) (DMF)]n                  ( IX )
[式中、X、Lは上記と同じものであり、nは１〜３の整数を示し、DMFはN,N−ジメチルホルムアミドを示す]
で表わされるルテニウム光学活性三級ジホスフィン錯体が挙げられる。
【００２３】
以上の錯体の好適例として次のものが挙げられる。
[Ru2Cl4 (SEGPHOS)2](NEt3)
[SEGPHOSは[４，４'−ビス−１，３−ベンゾジオキソール]−５，５’−ジイルビス(ジフェニルホスフィン)をいう]
[Ru2Cl4 (p−Tol−SEGPHOS)2](NEt3)
[p−Tol−SEGPHOSは[４，４'−ビス−１，３−ベンゾジオキソール]−５，５’−ジイルビス［ジ−ｐ−トリルホスフィン］をいう]
[Ru2Cl4 (DM−SEGPHOS)2](NEt3)
[DM−SEGPHOSは[４，４'−ビス−１，３−ベンゾジオキソール]−５，５’−ジイルビス[ジ−３，５−ジメチルフェニルホスフィン]をいう]
【００２４】
[ RuCl (C6H6) (SEGPHOS) ] Cl
[ RuBr (C6H6) (SEGPHOS) ] Br
[ RuI (C6H6) (SEGPHOS) ] I
[ RuCl (p−シメン) (SEGPHOS) ] Cl
[ RuBr (p−シメン) (SEGPHOS) ] Br
[ RuI (p−シメン) (SEGPHOS) ] I
[ RuCl (C6H6) (p−Tol−SEGPHOS) ] Cl
[ RuBr (C6H6) (p−Tol−SEGPHOS) ] Br
[ RuI (C6H6) (p−Tol−SEGPHOS) ] I
[ RuCl (p−シメン) (p−Tol−SEGPHOS) ] Cl
[ RuBr (p−シメン) (p−Tol−SEGPHOS) ] Br
[ RuI (p−シメン) (p−Tol−SEGPHOS) ] I
[ RuCl (C6H6) (DM−SEGPHOS) ] Cl
[ RuBr (C6H6) (DM−SEGPHOS) ] Br
[ RuI (C6H6) (DM−SEGPHOS) ] I
[ RuCl (p−シメン) (DM−SEGPHOS) ] Cl
[ RuBr (p−シメン) (DM−SEGPHOS) ] Br
[ RuI (p−シメン) (DM−SEGPHOS) ] I
[ Ru ( OAc)2 ( SEGPHOS ) ]
[OAcはアセトキシ基を表わす]
【００２５】
[ Ru ( OAc)2 ( p−Tol−SEGPHOS ) ]
[ Ru ( OAc)2 ( DM−SEGPHOS ) ]
[ Ru Br2 ( SEGPHOS ) ]
[ Ru Br2 ( p−Tol−SEGPHOS ) ]
[ Ru Br2 ( DM−SEGPHOS ) ]
[ Ru ( SEGPHOS ) ] (BF4)2
[ Ru ( SEGPHOS ) ] (ClO4)2
[ Ru ( SEGPHOS ) ] (PF6)2
[ Ru ( p−Tol−SEGPHOS ) ] (BF4)2
[ Ru ( p−Tol−SEGPHOS ) ] (ClO4)2
[ Ru ( p−Tol−SEGPHOS ) ] (PF6)2
[ Ru ( DM−SEGPHOS ) ] (BF4)2
[ Ru ( DM−SEGPHOS ) ] (ClO4)2
[ Ru ( DM−SEGPHOS ) ] (PF6)2
【００２６】
[ {RuCl ( SEGPHOS )}2 (μ−Cl)3 ] [NH2Me2]
[ {RuCl ( SEGPHOS )}2 (μ−Cl)3 ] [NH2Et2]
[ {RuCl ( p−Tol−SEGPHOS )}2 (μ−Cl)3 ] [NH2Me2]
[ {RuCl ( p−Tol−SEGPHOS )}2 (μ−Cl)3 ] [NH2Et2]
[ {RuCl ( DM−SEGPHOS )}2 (μ−Cl)3 ] [NH2Me2]
[ {RuCl ( DM−SEGPHOS )}2 (μ−Cl)3 ] [NH2Et2]
[Me はメチル基を、Etはエチル基を表わす]
RuCl2 ( SEGPHOS ) (DMF)n
RuCl2 ( p−Tol−SEGPHOS ) (DMF)n
RuCl2 ( DM−SEGPHOS ) (DMF)n
[DMFはN,N−ジメチルホルムアミドを表わす]
上記錯体は、例えば特開平１０−１８２６７８号公報または特開平１１−２６９１８５号公報に示された方法により調製することができる。
【００２７】
本発明の光学活性アルコールを調製する方法を説明する。
出発物質である上記β−ケトエステル類（Ｉ）を溶媒中ルテニウム錯体存在下不斉水素化することにより光学活性アルコールを調製することができる。
溶媒としては、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール等のプロティック溶媒が好適である。またはこれら溶媒とテトラヒドロフラン、トルエン、ベンゼン、酢酸メチル、酢酸エチル、塩化メチレン等との混合溶媒も好ましい。β−ケトエステル類（Ｉ）を上記溶媒中に溶解させたうえで不斉水素化反応させることがより好適である。
【００２８】
溶媒中に存在させるルテニウム錯体は上記β−ケトエステル類に対して１／１００〜１／１０００００倍モル、さらに好ましくは１／１０００〜５００００倍モルとなるように添加すると不斉水素化反応が好ましく進行する。この際、水素圧０.１〜１０MPa、さらに好ましくは１〜５Mpaとし、不斉水素化反応温度は０〜１５０℃、好ましくは２０〜１００℃に設定し、１〜４８時間撹拌して不斉水素化反応させる。
【００２９】
本発明では不斉水素化反応を酸の存在下で行うことにより、出発物質であるβ-ケトエステル類の選択性および反応転化率を改善することができる。好ましい酸としては、硫酸などの鉱酸、またはメタンスルホン酸、p−トルエンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸等の有機酸を例示することができる。この場合、酸をルテニウム錯体に対して０.５〜１０モル当量、好ましくは０.７〜８モル当量、さらに好ましくは０.９〜５モル当量添加することが好ましい。
【００３０】
かくして不斉水素化反応が完了した後、常法により精製処理操作してもよい。
即ち溶媒を留去した後残留物を減圧下で蒸留する方法、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製する方法、再結晶法により精製する方法などを採用することができる。
【００３１】
この方法で得られた光学活性アルコール ( III ) について説明する。
光学活性アルコール ( III )は出発物質であるβ−ケトエステル類に対応するものである。即ちβ−ケトエステル類のケト基が水酸基に還元され、光学活性なアルコール ( III )となる。さらに上記ルテニウム錯体を選択することにより（Ｒ）−体なアルコールと（Ｓ）−体なアルコールとを得ることができる。
より詳しく説明すると、使用されるルテニウム錯体の違いにより、下式１の
【化１０】
0004601779.tif 000008
（式１）
ような挙動を示すのであるから、ルテニウム錯体を選択することにより希望する絶対配置を有する光学活性なアルコールを自由に調製することが可能となった。
【００３２】
具体的には、光学活性なアルコール、即ち光学活性な３−ヒドロキシブタン酸メチル、３−ヒドロキシブタン酸エチル、３−ヒドロキシブタン酸オクチル、３−ヒドロキシブタン酸ベンジル、４−クロロ−３−ヒドロキシブタン酸エチル、６−メチル−３−ヒドロキシヘプタン酸エチル、３−ヒドロキシテトラデカン酸メチル、４−フェニル−３−ヒドロキシブタン酸エチル、３−フェニル−３−ヒドロキシプロピオン酸エチル、４−N−ベンジルオキシカルボニルアミノ−３−ヒドロキシブタン酸エチル等を挙げることができる。
【００３３】
【発明の効果】
本発明により、光学活性なアルコールを実用的に製造できることが可能となった。つまり、光学純度が高く特定の絶対配置を有する光学活性なアルコールを効率的にしかも簡便な操作で製造することを可能にした。そのため医薬品の合成中間体や機能性材料等に有用な光学活性アルコールを容易に製造することができた。  さらに、反応系に特定の酸を存在させることにより、光学純度をほぼ維持でき、しかも、選択性を大幅に向上させることができるようになった。
【００３４】
【実施例】
以下に、実施例に基づいて本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらによって何ら限定されるものではない。
本発明に用いた光学活性三級ジホスフィン化合物は特開２０００−１６９９７号公報または特開平１０−１８２６７８号公報に示された方法により合成し、またルテニウム−光学活性三級ジホスフィン錯体は特開平１０−１８２６７８号公報に示された方法により調製した。
本発明に用いたβ−ケトエステル類で４−ベンジルオキシアセト酢酸エチルは特開平６−６５２２号公報に記載の方法、ベンゾイル酢酸メチル、３−オキソオクタンジオン酸ジメチル、３−オキソオクタデカン酸メチル、３−オキソテトラデカン酸メチル、６−メチル−３−オキソヘプタン酸メチル、４−フェニル−３−オキソブタン酸メチルはYuji Oikawaら；J. Org. Chem., ４３巻, pp.２０８７−２０８８ (１９７８)および Heinz Thomaら；Liebigs Ann. Chem., pp.１２３７−１２４８に記載の方法、４−アミノ−３−オキソブタン酸メチルエステル塩酸塩は特開平１１−２８６４７９号公報記載の方法により合成した。
【００３５】
なお、以下の分析機器あるいは分析手段を採用した。
0004601779.tif 000009
【００３６】
実施例１
ベンゾイル酢酸メチルの不斉水素化
１Lオートクレーブに窒素気流下メタノール（３６０ml）を入れ、[{RuCl ((R) SEGPHOS)}2(μ−Cl)3] [Me2NH2] （８２mg：０.１ミリモル）、ベンゾイル酢酸メチル（１７８g：１.０モル）を添加した。水素 (４.0 MPa) を圧入した後、８０℃に加熱して５.５時間撹拌し、不斉水素化反応を行った。冷却後、反応液からメタノールを除去後、減圧蒸留（９４〜９９℃／１３３Pa）し、１７０.６g（収率９５.３％）の（S）−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロピオン酸メチルを得た。HPLC（CHＩRALCEL OD−H 4.6 mm x 250 mm；ヘキサン／イソプロピルアルコール＝９５／５；流速 １.０ml／分；検出波長  UV−２５４nm）を用いて不斉収率を測定したところ９７.２％であった。
【００３７】
実施例２
３−オキソオクタデカン酸メチルの不斉水素化
１００mlオートクレーブに３−オキソオクタデカン酸メチル（２.０g：６.４ミリモル）、メタノール（６ml）、塩化メチレン（３ml）、[{RuCl ((R)−SEGPHOS)}2 (μ−Cl)3] [Et2NH2] (５.２mg：０.００６４ミリモル )を入れ、水素 (3.0 MPa) を圧入して５０℃に加熱して１５時間撹拌し、不斉水素化反応を行い、（R）−３−ヒドロキシオクタデカン酸メチルを得た。
反応液を室温まで冷却した後、HPLC（CHＩRALCEL OD−H 4.6 mm x 250 mm；ヘキサン／イソプロピルアルコール＝９８／２；流速 １.０ml／分；検出波長  UV−２１０nm）を用いて不斉収率を測定したところ９９.５％であった。
【００３８】
実施例３
３−オキソテトラデカン酸メチルの不斉水素化
１００mlオートクレーブに３−オキソテトラデカン酸メチル（２.０g：7.8ミリモル）、メタノール（６ml）、[{RuCl ((R)−SEGPHOS)}2(μ−Cl)3] [Et2NH2]  (６.６mg：０.００７８ミリモル )を入れ、水素 (3.0 MPa) を圧入して５０℃に加熱して１５時間撹拌し、不斉水素化反応を行い、（R）−３−ヒドロキシテトラデカン酸メチルを得た。
反応液を室温まで冷却した後、HPLC（CHＩRALCEL OD−H 4.6 mm x 250 mm；ヘキサン／イソプロピルアルコール＝９８／２；流速 １.０ml／分；検出波長  UV−２１０nm）を用いて不斉収率を測定したところ９７.０％であった。
【００３９】
実施例４
６−メチル−３−オキソヘプタン酸メチルの不斉水素化
１００mlオートクレーブに６−メチル−３−オキソヘプタン酸メチル（２.０g：１１.６ミリモル）、メタノール（２ml）、[{RuCl ((R)−SEGPHOS)}2 (μ−Cl)3] [Me2NH2] (９.５mg：０.０１１６ミリモル )を入れ、水素 (5.0 MPa) を圧入して５０℃に加熱して１５時間撹拌し、不斉水素化反応を行い、（R）−６−メチル−３−ヒドロキシヘプタン酸メチルを得た。
反応液を室温まで冷却した後、HPLC（CHＩRALCEL OB 4.6 mm x 250 mm；ヘキサン／イソプロピルアルコール＝１９９９／１；流速 ０.７ml／分；検出波長  UV−２１０nm）を用いて不斉収率を測定したところ９８.５％であった。
【００４０】
実施例５
４−フェニル−３−オキソブタン酸メチルの不斉水素化
１００mlオートクレーブに４−フェニル−３−オキソブタン酸メチル（２.０g：１０.4ミリモル）、メタノール（２ml）、[{RuCl ((R)−SEGPHOS)}2 (μ−Cl)3] [Me2NH2]  (８.５mg：０.０１０４ミリモル )を入れ、水素 (5.0 MPa) を圧入して５０℃に加熱して１５時間撹拌し、不斉水素化反応を行い、（S）−４−フェニル−３−ヒドロキシブタン酸メチルを得た。
反応液を室温まで冷却した後、HPLC（CHＩRALCEL OB 4.6 mm x 250 mm；ヘキサン／イソプロピルアルコール＝１９９９／１；流速 ０.７ml／分；検出波長  UV−２１０nm）を用いて不斉収率を測定したところ９７.９％であった。
【００４１】
実施例６
４−クロルアセト酢酸エチルの不斉水素化
５００mlオートクレーブに[{RuCl ((R)−SEGPHOS)}2 (μ−Cl)3] [Me2NH2] （１２２mg：０.１４９ミリモル）を入れ、窒素置換した後、蒸留したエタノール１８３ml、４−クロルアセト酢酸エチル（６０.９g：０.３７モル）を加える。オートクレーブを内温が９０℃になるまで加熱し、水素（3.0MPa）を圧入し２時間反応させた。反応中の水素圧は3.0Mpaを保った。反応終了後、溶媒を除去し、減圧蒸留を行って（S）−４−クロル−３−ヒドロキシブタン酸エチル（５４.６g：収率８８.５%）を得た。
ガスクロマトグラフィー（Chiraldex G−TA 0.25 mmI.D. x 30 m x 0.125μm；Initial Temp.:８０℃、Final Temp.:１１０℃、Rate: 1.0℃/min、Injection Temp.:２００℃、Detector Temp.:２００℃）にて不斉収率を測定したところ９８.５％であった。
【００４２】
実施例７
4−ベンジルオキシアセト酢酸エチルの不斉水素化
１００mlオートクレーブに4−ベンジルオキシアセト酢酸エチル（３.０g：１２.７ミリモル）、エタノール（３ml）、[{RuCl ((R)−SEGPHOS)}2 (μ−Cl)3] [Me2NH2] (１.５mg：０.００１８ミリモル )、水（０.０３ml）を入れ、９５℃に加熱した後、水素 (３MPa) を圧入して１時間撹拌し、不斉水素化反応を行い、（S）−4−ベンジルオキシ−３−ヒドロキシブタン酸メチルを得た。
反応液を室温まで冷却した後、HPLC（Chiralpak AD−RH 4.6 mm x 250 mm；アセトニトリル／水＝３５／６５；流速 ０.５ml／分；検出波長  UV−２２０nm）を用いて不斉収率を測定したところ９９.４％であった。
【００４３】
実施例８
4−アミノ−3−オキソブタン酸メチルエステル塩酸塩の不斉水素化
１００mlオートクレーブに4−アミノ−3−オキソブタン酸メチルエステル塩酸塩（１.７g：１１ミリモル）、メタノール（５.１ml）、[{RuCl ((R)−SEGPHOS)}2 (μ−Cl)3] [Me2NH2]  (９.１mg：０.０１１ミリモル )を入れ、水素 (３MPa) を圧入して５０℃に加熱して１７時間撹拌し、不斉水素化反応を行い、（S）−4−アミノ−３−ヒドロキシオクタデカン酸メチル塩酸塩を得た。
不斉水素化物の不斉収率を知るため以下の操作を行った。反応液を室温まで冷却した後、メタノール（３.５ml）と２８％ナトリウムメチラートメタノール溶液（１.８g）を加え、反応温度４０℃で５時間反応させて４−ヒドロキシ２−ピロリドンとし、反応液をHPLC（Chiralpak AD 4.6 mm x 250 mm；ヘキサン／エタノール／メタノール＝９５／５／３；流速 ０.８ml／分；検出波長  UV−２１５nm）を用いて不斉収率を測定したところ９１.８％であった。
【００４４】
実施例９
3−オキソオクタンジオン酸ジメチルの不斉水素化
１００mlオートクレーブに3−オキソオクタンジオン酸ジメチル（２.２g：１０.２ミリモル)、メタノール（６.６ml）、[Ru2Cl4((R)−SEGPHOS)2 ] (NEt3) (３.７mg：０.００３ミリモル )を入れ、水素 (３.0 MPa) を圧入して７０℃に加熱して７時間撹拌し、不斉水素化反応を行い、（R）−３−ヒドロキシオクタンジオン酸ジメチルを得た。
反応液を室温まで冷却した後、HPLC（CHＩRALCEL OD−H 4.6 mm x 250 mm；ヘキサン／イソプロピルアルコール＝９０／１０；流速 ０.５ml／分；検出波長  UV−２２０nm）を用いて不斉収率を測定したところ９８.５％であった。また、ガスクロマトグラフィ（Neutrabond−1   0.25 mmI.D. x 30 m x 0.125 μm; Initial Temp. 100 ℃、 Final Temp. 250 ℃、 Rate 5.0 ℃/min.、Injection Temp. 220 ℃、Detector Temp. 250 ℃）を用いて選択性を測定したところ６８％であった。
【００４５】
実施例１０
3−オキソオクタンジオン酸ジメチルの不斉水素化
１００mlオートクレーブに3−オキソオクタンジオン酸ジメチル（２.２g：１０.２ミリモル)、メタノール（６.６ml）、[Ru2Cl4((R)−SEGPHOS)2 ] (NEt3) (３.４mg：０.００２ミリモル )、p−トルエンスルホン酸１水和物（３.８mg：０.０２ミリモル）を入れ、水素 (３.0 MPa) を圧入して８０℃に加熱して６時間撹拌し、不斉水素化反応を行い、（R）−３−ヒドロキシオクタンジオン酸ジメチルを得た。
反応液を室温まで冷却した後、HPLC（CHＩRALCEL OD−H 4.6 mm x 250 mm；ヘキサン／イソプロピルアルコール＝９０／１０；流速 ０.５ml／分；検出波長  UV−２２０nm）を用いて不斉収率を測定したところ９９.２％であった。また、ガスクロマトグラフィ（Neutrabond−1   0.25 mmI.D. x 30 m x 0.125 μm; Initial Temp. 100 ℃、 Final Temp. 250 ℃、 Rate 5.0 ℃/min.、Injection Temp. 220 ℃、Detector Temp. 250 ℃）を用いて選択性を測定したところ９９％であった。