(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空チャンバ内で被処理物の保持部と絶縁体又は半導体の壁とがプラズマ処理空間を挟んで対向するプラズマ処理装置において、
前記壁が、前記保持部と直に向き合うものであって、前記壁の対向面に線状の突出部が形成され、前記突出部の内部に高周波電力を印加の可能なコイルが納められており、
前記壁に対し前記対向面の裏面側から高周波電力を印加可能な導電体が展着されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
前記導電体又は前記導電体と前記壁との接合部にガス流路が形成されており、前記真空チャンバの外から前記プラズマ処理空間に至るガス供給路の途中に前記ガス流路が組み入れられていることを特徴とする請求項１に記載されたプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記壁が高周波電力を印加の可能な半導体からなることを特徴とする請求項１に記載されたプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記保持部が高周波電力を印加の可能なものであることを特徴とする請求項１乃至請求項３の何れかに記載されたプラズマ処理装置。
【請求項５】
複数の前記線状の突出部および前記コイルが環状かつ同心状に配置されており、前記複数のコイルへの高周波電力の分配を可変する手段が付設されていることを特徴とする請求項１乃至請求項４の何れかに記載されたプラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、プラズマエッチャーや，プラズマＣＶＤ，プラズマアッシャー等のプラズマ処理装置に関し、詳しくは、ＩＣやＬＣＤなど高精度の製造工程においてプラズマ処理を効率よく行うのに好適なプラズマ処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図６に基本的な２例を示したプラズマ処理装置は、何れも、真空チャンバ内でプラズマ処理空間を挟んで被処理物の保持部と誘電体の壁とを対向させ、その壁を介して外側から内側のプラズマ処理空間へプラズマ励起エネルギーを投入するものである。そのために、内部にプラズマ処理空間３ａの形成されたチャンバ本体３に対して開閉可能なチャンバ上蓋１が組み合わせられた真空チャンバと、チャンバ本体３の内底に設けられサポート５ａ等で支持されていて処理対象の被処理物４を保持する保持部５と、チャンバ上蓋１とチャンバ本体３との間に来るように通常はチャンバ上蓋１側に装着して設けられチャンバ上蓋１を閉めた状態でプラズマ処理空間３ａを挟んで保持部５の被処理物保持面と対向する絶縁体の対向壁２とを備えている。
【０００３】
保持部５は、被処理物４を乗載させて又は／及び付勢させて保持するために、上面等の保持面が被処理物４に適合して例えば平坦に仕上げられ、必要であればそこに静電チャック等も付設される。また、チャンバ本体３の底壁や側壁の適宜なところには、真空チャンバ内のプラズマ処理空間３ａを真空にするために、排気口３ｂが貫通形成され、そこには可変バルブ６ａや真空ポンプ６が連結される。さらに、ＲＦ電源８からプラズマ励起用の高周波を導入するためのＲＦケーブル９ａや、図示しないガス供給ユニットからプラズマ処理用のガスを供給するためのガス配管、被処理物４を搬入搬出するための図示しない開閉ゲート等も設けられている。そして、マイクロプロセッサシステム等の電子回路からなる図示しないコントローラの制御の下、プラズマ処理の手順や内容を規定した所謂レシピに則って、プラズマ７の形成に適した真空圧力制御やガス流量制御などが自動で遂行されるようになっている。
【０００４】
それら２例のうち図６（ａ）のものは容量結合方式の基本装置であり、この場合、対向壁２の上面すなわち対向壁２の表裏面のうちで保持部５と対向しない裏面には、導電板９ｚが展着されるとともに、それにＲＦケーブル９ａが接続されている。
これに対し、図６（ｂ）のものは誘導結合方式の基本装置であり、この場合、対向壁２の上面には、コイル９が引き回されるとともに、それにＲＦケーブル９ａが接続されている。
【０００５】
また、図７に示したプラズマ処理装置は、特開平１０−２９４３０７号公報等に開示されたものであるが、プラズマ発生空間２１とプラズマ処理空間３ａとが隣接状態で分離しており、プラズマ発生空間２１は彫り込み等にて対向壁２０に形成されて分散等したものとなっている。対向壁２０の上面側・裏面側には、コイル９に加えて、電子を封じるための磁石２２が付設され、プラズマ用ガス供給路２３も形成されている。また、対向壁２０の下面側・対向面側には、処理ガス供給口１１やプラズマ噴出口１２の形成された導電板１０が付設されている。そして、プラズマ発生空間２１内でプラズマ７を発生させ、それを多数の小さなプラズマ噴出口１２からプラズマ処理空間３ａへ送り込むようになっている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、このような従来のプラズマ処理装置は、それぞれに一長一短がある。すなわち、図６（ａ）の容量結合タイプの装置には、広範囲で均一なプラズマが得やすいという長所がある一方、エネルギー投入に限界があってプラズマ密度を高め難いという短所がある。また、図６（ｂ）の誘導結合タイプの装置には、高周波電力を強化すればプラズマ密度が高まるという長所がある一方、エネルギー投入量を増やすとプラズマの均一性が損なわれてしまうという短所がある。これに対し、図７の分離分散タイプの装置には、それらの短所は無く、双方の長所が具わっている。具体的には、プラズマ密度を低密度から高密度まで広範囲に可変制御できるばかりか、そのようにしてもプラズマの均一性が確保されるものとなっている。
【０００７】
しかしながら、その分離分散タイプの装置にも、エネルギーの利用効率を良くするのが難しいという未解決の課題がある。すなわち、発生させたプラズマが直ちにプラズマ処理に供されるようにはなっていないため、高密度プラズマのうち可成り大きな割合のものがプラズマ発生空間の壁面等で消費されてしまうので、それを補うべく高周波電源に大出力のものを採用しなければならなかった。
【０００８】
そこで、プラズマの均一性を損なうことなく高密度のプラズマを供給できるうえエネルギー効率も良くなるよう、装置構造等に工夫を凝らすことが技術的な課題となる。
この発明は、このような課題を解決するためになされたものであり、良質なプラズマを効率よく供給できるプラズマ処理装置を実現することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
このような課題を解決するために発明された第１乃至第３の解決手段について、その構成および作用効果を以下に説明する。
【００１０】
［第１の解決手段］
第１の解決手段のプラズマ処理装置は、出願当初の請求項１に記載の如く、内部にプラズマ処理空間が形成された真空チャンバと、この真空チャンバ内に設けられ又は形成されていて被処理物を保持する保持部と、前記真空チャンバに付加して又は組み込んで設けられ前記プラズマ処理空間を挟んで前記保持部と対向する絶縁体の又は半導体の壁とを備えたプラズマ処理装置において、前記プラズマ処理空間やその中のプラズマ等の気体は別として及びプラズマ処理のため動的に搬入される被処理物も別としてその他の固体を介在させること無く直に前記壁が前記保持部と向き合うものであり、前記壁のうち少なくとも前記保持部との対向面には前記プラズマ処理空間に突き出た突出部が分散等して形成されており、前記突出部には第１高周波電源による高周波印加の可能なコイルが納められている、というものである。
【００１１】
ここで、上記の「分散等」とは、点状に分かれて散在しているという文字通りの分散の他、密接とは言えない程度に離れるように分割されている場合や、線状，破線状，直・曲線状などで複数の又はそれらの混在するものが分布している場合、さらには環状，円状，多角形状、スパイラル状のものが同心で若しくは非同心で多数が列設され又は単独で広く形成されている場合も該当する意味である。ただし、あくまでも突き出しているのであるから、突き出していない基底部・基底面の総面積を突出部の総面積が上回ることは無い。
また、上記の「対向する」は、真空チャンバがプラズマ形成に必要な真空雰囲気を確立するときに対向していれば良く、プラズマ処理を行っていないとき例えば保守作業時や被処理物搬入搬出時には対向していてもしていなくても良い。
【００１２】
このような第１の解決手段のプラズマ処理装置にあっては、コイルに印可された高周波が壁のうちの突出部を経てプラズマ処理空間等へ放射されるが、その突出部と共にコイルがプラズマ処理空間に填り込んだかの如き状態で設けられているので、高周波の放射エネルギーが高い割合でプラズマ処理空間に投入される。また、一般に、突出部だけ局所的に薄くしても、壁全体の強度や剛性は大して失われないうえ、裏当て等にて容易に補強することも可能なので、突出部を薄くすることで更にエネルギー効率を向上させることができる。
【００１３】
これにより、高密度プラズマを効率良くプラズマ処理空間に形成することが可能となる。
また、そのようにしても、突出部と共にコイルが分散等した状態で保持部ひいては被処理物と対向するところに設置されているので、突出部の設計等に際してエネルギー投入の分布状態が均一になるよう留意する等のことで、被処理物の処理対象面が広くてもその全範囲に亘ってプラズマ密度は十分均質になる。
したがって、この発明によれば、良質なプラズマを効率よく供給できるプラズマ処理装置を実現することができる。
【００１４】
［第２の解決手段］
第２の解決手段のプラズマ処理装置は、出願当初の請求項２に記載の如く、上記の第１の解決手段のプラズマ処理装置であって、前記壁に対し前記対向面の裏面側すなわち前記プラズマ処理空間とは接しない方の面のところに、第２高周波電源による高周波印加の可能な導電体が、展開状態で取着されている、というものである。
または、出願当初の請求項４に記載の如く、上記の第１の解決手段のプラズマ処理装置であって、前記壁が半導体でできていて而も第２高周波電源による高周波を印加可能になっている、というものである。
【００１５】
このような第２の解決手段のプラズマ処理装置にあっては、コイルを介した誘導結合によるエネルギー投入に加えて、導電体や壁を介した容量結合によるエネルギー投入も利用できる。容量結合方式ではエネルギー投入量に限りがあるものの均一性を得やすいので、これを付加することにより、均一性を損なうことなくプラズマ密度を更に高めることが可能となる。
したがって、この発明によれば、より良質なプラズマを効率よく供給できるプラズマ処理装置を実現することができる。
【００１６】
［第３の解決手段］
第３の解決手段のプラズマ処理装置は、出願当初の請求項３に記載の如く、上記の第２の解決手段のプラズマ処理装置であって、前記導電体に又はそれと前記壁との接合部にガス流路が分散等して形成されており、前記真空チャンバの外から前記プラズマ処理空間へのガス供給路の途中に前記ガス流路が組み入れられている、というものである。
【００１７】
このような第３の解決手段のプラズマ処理装置にあっては、壁に導電体が付設されているのを利用してガス流路が形成されているので、ガス流路を分散等させても、壁の構造が複雑になるのを回避することができる。しかも、脆いものの多い絶縁体や半導体からなる壁は複雑な加工がし辛いのに対し、金属等からなる導電体は一般に加工し易い。
これにより、プラズマ密度の分布に加えてそれに向けた処理ガスの供給も均一な分布でなされるよう、ガス流路を分散等させても、複雑なガス配管や加工は不要となる又は少なくて済む。
したがって、この発明によれば、より良質なプラズマを効率よく供給できるプラズマ処理装置を簡便に実現することができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
このような解決手段で達成された本発明のプラズマ処理装置について、これを実施するための幾つかの形態を説明する。
【００１９】
本発明の第１の実施形態は、出願当初の請求項５に記載の如く、上述した解決手段のプラズマ処理装置であって、前記保持部が第３高周波電源による高周波を印加可能になっている、というものである。
これにより、プラズマ処理に適度な異方性を付与することができる。
【００２０】
本発明の第２の実施形態は、出願当初の請求項６に記載の如く、上述した解決手段および実施形態のプラズマ処理装置であって、前記コイルが複数に分割されて同心状に配置されており、それらへの高周波の分配を可変する分配可変手段が付設されている、というものである。
これにより、エネルギー投入の分布状態を動的に調整することが可能となり、プラズマ密度の均一性を一層良くすることができる。
【００２１】
このような解決手段や実施形態で達成された本発明のプラズマ処理装置について、これを実施するための具体的な形態を、以下の第１，第２実施例により説明する。
図１〜図４に示した第１実施例は、上述した第１〜第３の解決手段および第１〜第２の実施形態を総て具現化したものであり、図５に示した第２実施例は、その変形例である。
なお、それらの図示に際し従来と同様の構成要素には同一の符号を付して示したので、重複する再度の説明は割愛し、以下、従来との相違点を中心に説明する。
【００２２】
【第１実施例】
本発明のプラズマ処理装置の第１実施例について、その具体的な構成を、図面を引用して説明する。図１は、その全体構造を示すブロック図であり、図２は、そのうち壁および保持部を含む要部すなわちプラズマ処理空間周辺部の縦断面図であり、図３は、壁のうち保持部との対向面を示し、図４は、分配可変手段の一例を示している。
【００２３】
このプラズマ処理装置が従来例のものと相違するのは、対向壁２や対向壁２０に代えて対向壁３０が導入されている点と、高周波印可のためコイル９に加えて導電体４０も導入されている点と、ＲＦケーブル９ａに分配可変手段９０が介挿接続されている点である。
【００２４】
対向壁３０は、絶縁体の板にフライス加工や穿孔等を施して作られるが、プラズマ処理空間３ａ側の表面すなわち保持部５との対向面には、同心円状に配置された幾つかの線状突出部３１が形成される。また、それらの突出部３１を避けて多数の貫通小孔６３が貫通形成されており、それを介してプラズマ処理空間３ａへ供給されるプラズマ処理用ガスやその励起にて発生したプラズマ７が閉じ込められることの無いよう、内外の突出部３１間の距離は、十分広く採られて、突出部３１の幅よりも広くなっている。このような対向壁３０は、対向面が凹凸になっている点で対向壁２と相違し、突出部３１が分散等している点で凹み側のプラズマ発生空間２１が分散等している対向壁２０と相違する。対向面に導電板１０が付設されておらず対向面が直に保持部５の被処理物保持面と向き合う点でも相違するものとなっている。
【００２５】
対向壁３０の上面・裏面には、コイル９を収納可能な溝３２が突出部３１に対応して同心円状に形成されている。溝３２は、突出部３１の内部にまで深く彫り込まれていて、コイル９が突出部３１の内側に納まるようになっている。また、突出部３１の壁厚が対向壁３０の板厚より可成り薄くされて、コイル９とプラズマ処理空間３ａとの距離が従来より各段に短縮されている。なお、溝３２の形成にて低下した対向壁３０の強度や剛性を補強すべく溝３２に詰め物を入れても良いが、この例では、導電体４０を対向壁３０の上面・裏面に展開状態で固着させることで、対向壁３０が真空圧力に耐えるのに十分な強度や剛性を具備したものとなっている。
【００２６】
導電体４０は、従来例の導電板９ｚと同様に良導体からなり、高周波の印可を可能とするために、真空チャンバ外のＲＦ電源４２（第２高周波電源）から延びたＲＦケーブル４１が接続されている。また、各種のプラズマ処理用ガスを供給するために真空チャンバ外のガス供給ユニット６０から延びたガス配管６１が接続されている点や、ガス流路６２が形成されている点でも、導電板９ｚとは異なる。ガス流路６２は、加工の容易な溝で形成されており、導電体４０を対向壁３０に装着した状態でガス配管６１と貫通小孔６３とをもれなく連通させるため、同心円状や網状に張り巡らされている。このようなガス流路６２は、導電体４０と対向壁３０との接合部に分散等して形成され、真空チャンバの外からプラズマ処理空間３ａへのガス供給路の途中に組み込まれたものとなっている。
【００２７】
各コイル９も、アンテナ役を果たせる良導体からなり、高周波の印可を可能とするために真空チャンバ外のＲＦ電源８（第１高周波電源）やマッチャー８ａから延びたＲＦケーブル９ａが接続されているが、そのＲＦケーブル９ａが分岐して各コイル９に至るところには、分配可変手段９０が介挿されている。分配可変手段９０は、コイル９と同数か、それより一つだけ少なく、設けられる。コントローラの制御に従ってインピーダンスを変えられるものであれば良く、例えば、ＲＦケーブル９ａの途中に直列接続された空芯コイル部９１に磁性体の芯９２を出し（図４（ａ）参照）入れ（図４（ｂ）参照）するインダクタンス可変方式のもの等が採用される。
【００２８】
保持部５にも、プラズマ処理に異方性を付与する高周波の印可を可能とするために、真空チャンバ外のＲＦ電源５１（第３高周波電源）から延びたＲＦケーブル５ｂが接続され、被処理物保持面に張り付けた静電チャック５ｆを機能させるために、真空チャンバ外の高圧電源５２から延びた静電圧印可用ケーブル５ｃが接続され、プラズマ処理に伴う被処理物４の過熱を防ぐ放熱のために、真空チャンバ外の冷却装置５３から延びた冷却液循環用の配管５ｄが接続され、被処理物４と保持部５との熱伝達を良くするために、真空チャンバの外に在ってヘリウム等の熱伝達用媒体を供給するガス供給ユニット５４から延びた細管５ｅが接続されている。
【００２９】
この第１実施例のプラズマ処理装置の使用態様及び動作を説明する。被処理物４の搬入搬出（特開平１０−３２９０６１号公報など参照）や、そのチャッキング（特開２０００−３９５３号公報など参照）、分配可変手段９０を用いた高周波電力の分配（特開２０００−５８２９６号公報など参照）、レシピに則ったプラズマプロセスの制御たとえば真空圧力の制御・ガス供給の制御・ＲＦ電源５１から保持部５への印可電圧の制御（特開平１０−２９４３０７号公報など参照）等は、説明を割愛し、以下、プラズマ励起エネルギーが投入されるところを中心に説明する。
【００３０】
ＲＦ電源８からＲＦケーブル９ａを介してコイル９に高周波が印可されると、コイル９から電磁波等が放射されて、プラズマ処理空間３ａ内のプラズマ７やガスとコイル９との誘導結合が成り立つので、コイル９からプラズマ処理空間３ａへ電力が送給される。その際、介在する突出部３１の壁が従来より薄くなっているうえ、突出部３１そしてコイル９の周りを囲むプラズマ処理空間３ａも三方に来ていて従来より広角な範囲を占めているので、プラズマ励起エネルギーの投入が従来より効率良く行われる。しかも、突出部３１及びコイル９が同心円状に分割・分散して設けられているうえ、各コイル９への電力分配が分配可変手段９０を利用して動的に調整されるので、プラズマ７は高密度であっても被処理物４の上面全域に亘って均一に分布する。
【００３１】
また、ＲＦ電源４２からＲＦケーブル４１を介して導電体４０に高周波が印可されると、導電体４０とプラズマ処理空間３ａ内のプラズマ７やガスとの間で容量結合が成立して、対向壁３０を介して変位電流が流れるので、導電体４０からもプラズマ処理空間３ａへ電力が送給される。導電体４０は対向壁３０の上面に広く展開しているので、容量結合による電力送給は、プラズマ密度の均一性を損なうことなく、プラズマ７の密度を更に高める。
こうして、このプラズマ処理装置にあっては、単独でも効率の良い誘導結合でのエネルギー投入に加えて、容量結合でのエネルギー投入も行われるので、プラズマ処理空間内でプラズマを発生・形成させるものであっても、従来より密度の高いプラズマを供給することができる。しかも、プラズマの均一性も確保されるので、良質なプラズマが効率よく供給される。
【００３２】
【第２実施例】
図５に対向壁３０の対向面を示した本発明のプラズマ処理装置が上述した第１実施例のものと相違するのは、突出部３１及びコイル９が概ね長方形になっている点である。
被処理物４が円板状のシリコンウエハ等の場合に上述の丸い対向壁３０が適しているのに対し、この四角い対向壁３０は、被処理物４が角形の液晶パネル等の場合に適している。
また、基板の大形化に伴って、同心状に分割配置された突出部３１やコイル９の個数が２個から４個に増え、貫通小孔６３の個数も増えている。
【００３３】
【その他】
なお、上記の各実施例では、対向壁３０にアルミナや窒化アルミ等の絶縁体が採用されていたが、対向壁３０は、シリコンやＳｉＣ等の半導体からなるものであっても良い。その電気抵抗率は２Ωｃｍ以上が望ましい。また、対向壁３０が半導体からなる場合には、導電体４０を省いても良く、あるいは導電体４０と同形の半導体を対向壁３０に展着させても良く、その場合、ＲＦケーブル４１を対向壁３０に接続するようにしても良い。
【００３４】
さらに、保持部５と対向壁３０とは、被処理物が平坦な基板の場合には上述したような一対の平行平板形のもので良いが、被処理物が平坦で無い場合には、その形状に基づいて適宜変形される。例えば被処理物が湾曲している場合には、その裏面形状等に対応して保持部５の被処理物保持面は曲面に仕上げられる。これに対し、対向壁３０は、プロセス条件等にも依るが、同様に湾曲していても良く、それより緩やかな曲面になっていても良く、平板のままでも良い。
【００３５】
また、対向壁３０の突出部３１に限らず導電体４０も、線状等に分散させても良く、同心状等に分割しても良い。分割数も任意である。
可変バルブ６ａに代えて特開平１０−２９４３０７号公報や特開２０００−５８２９８号公報に示したような可動壁体を利用して圧力制御を行うようにしても良い。
エッチングを行う場合には上述したように冷却装置５３を用いて保持部５を冷却するのが良いが、成膜（ＣＶＤ）を行う場合には加熱装置を用いて温度調節するのが良い。
貫通小孔６３の直径は、通常０．５ｍｍ〜１ｍｍ程度であるが、これに限られる訳でなく、キリ穴や丸穴に限られるものでも無い。
【００３６】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明の第１の解決手段のプラズマ処理装置にあっては、プラズマ処理空間にプラズマ励起エネルギーを投入するコイルを填め込み状態で分散等させたことにより、良質なプラズマを効率よく供給するプラズマ処理装置を実現することができたという有利な効果が有る。
【００３７】
また、本発明の第２の解決手段のプラズマ処理装置にあっては、容量結合方式によるエネルギー投入も付加されるようにしたことにより、より良質なプラズマを効率よく供給できるプラズマ処理装置を実現することができたという有利な効果を奏する。
【００３８】
さらに、本発明の第３の解決手段のプラズマ処理装置にあっては、導電体を利用してガス流路を形成したことにより、ガス流路を分散等させても複雑なガス配管や加工は回避でき、その結果、より良質なプラズマを効率よく供給できるプラズマ処理装置を簡便に実現することができたという有利な効果が有る。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明のプラズマ処理装置の第１実施例について、全体構造を示すブロック図である。
【図２】      壁および保持部を含む要部の縦断面図である。
【図３】      壁のうち保持部と対向する面である。
【図４】      分配可変手段の一例である。
【図５】  本発明のプラズマ処理装置の第２実施例について、壁のうち保持部と対向する面である。
【図６】  従来のプラズマ処理装置の全体構造を示し、（ａ）が容量結合形式の基本的なもの、（ｂ）が誘導結合形の基本的なものである。
【図７】  従来のプラズマ処理装置を改良した既存装置の構造を示し、（ａ）がチャンバ部の縦断面図、（ｂ）がプラズマ発生空間部の拡大図である。
【符号の説明】
１    チャンバ上蓋（真空チャンバ）
２    対向壁（真空チャンバ）
３    チャンバ本体（真空チャンバ）
３ａ      プラズマ処理空間
３ｂ      排気口（吸出口）
４    被処理物（基板、シリコンウエハ、プラスチックフィルム）
５    保持部（真空チャンバ内の電極兼用サセプタ）
５ａ      サポート
５ｂ      ＲＦケーブル（第３高周波電源に至る高周波印加可能手段）
５ｃ      ケーブル（静電チャックへの高電圧印可を可能とする手段）
５ｄ      配管（冷却液の供給路・帰還路）
５ｅ      細管（伝熱用ガスの供給路・帰還路）
５ｆ      静電チャック（被処理物を保持する手段）
６    真空ポンプ
６ａ  可変バルブ（可変絞り、圧力制御機構、圧力制御手段）
７    プラズマ
８    ＲＦ電源（第１高周波電源）
８ａ      マッチャー
９    コイル（アンテナコイル、誘導結合手段）
９ａ      ＲＦケーブル（第１高周波電源に至る高周波印加可能手段）
９ｚ  導電板（容量結合手段）
１０  導電板（プラズマ処理空間とプラズマ発生空間との仕切）
１１      処理ガス供給口
１２      プラズマ噴出口
２０  対向壁（プラズマ発生機構部、真空チャンバ）
２１      プラズマ発生空間
２２      磁石（電子封止手段）
２３      プラズマ用ガス供給路
３０  対向壁（直に向き合う絶縁体の又は半導体の壁、真空チャンバ）
３１      突出部
３２      溝（コイル格納空間）
４０  導電体（容量結合手段）
４１      ＲＦケーブル（第２高周波電源に至る高周波印加可能手段）
４２      ＲＦ電源（第２高周波電源）
５１  ＲＦ電源（第３高周波電源）
５２  高圧電源（静電チャック用電源）
５３  冷却装置（チラー、液冷装置）
５４  ガス供給ユニット（伝熱用ガスの微量供給手段）
６０  ガス供給ユニット（プラズマ処理用ガス供給源）
６１      ガス配管（プラズマ処理用ガス供給路）
６２      ガス流路（プラズマ処理用ガス供給路）
６３      貫通小孔（プラズマ処理用ガス供給路）
９０  分配可変手段（インピーダンス分布の調整部）
【図１】
0004471514.tif 000002
【図２】
0004471514.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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