(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップの電極パッド側に、第１の絶縁層と導体回路層と第２の絶縁層が順に積層されてなり、
前記第１の絶縁層は、半導体チップの電極パッドと導体回路層を電気的に接続するインナービアが形成されており、
前記第２の絶縁層は、軟質絶縁層であって、導体回路層に至る非貫通孔が設けられてなり、その非貫通孔には銅めっきによりフィルドビアが形成され、
前記インナービアは、前記電極パッドにニッケルと銅の複合めっき層を介して銅めっきが形成されてなることを特徴とする半導体チップ。
【請求項２】
前記第２の絶縁層は、弾性率が１．０〜３．５ＧＰａの樹脂絶縁層であることを特徴とする請求項１記載の半導体チップ。
【請求項３】
前記第２の絶縁層は、厚さが１５〜２００μｍ、前記フィルドビアは、直径が２０〜１００μｍであることを特徴とする請求項１記載の半導体チップ。
【請求項４】
前記半導体チップの電極パッドは、ジンケート処理されたアルミニウム電極であり、前記インナービアは、前記電極パッドにニッケルと銅の複合めっき層を介して銅めっきが形成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体チップ。
【請求項５】
前記ニッケルと銅の複合めっき層は、０．０１〜５μｍの厚さで、該複合めっき層の銅めっき側表面は、ニッケルを１〜７０重量％含有していることを特徴とする請求項４記載の半導体チップ。
【請求項６】
以下の（１）〜（６）の工程を少なくとも含むことを特徴とする半導体チップの製造方法：
（１）半導体チップのアルミニウム電極パッド側の表面に第１の絶縁層を形成し、次いで前記アルミニウム電極パッドに至る非貫通孔を形成する工程、
（２）前記非貫通孔の底部のアルミニウム電極パッドにジンケート処理を施した後、ニッケルと銅の複合めっき層を形成する工程、
（３）前記非貫通孔内および第１の絶縁層の表面に銅めっきして、インナービアと導体回路層を形成する工程、
（４）前記第１の絶縁層および導体回路層を軟質の樹脂で被覆して第２の絶縁層を形成する工程、
（５）前記第２の絶縁層に導体回路層に至る非貫通孔を形成する工程、
（６）前記非貫通孔に銅めっきを充填し、フィルドビアを形成する工程。
【請求項７】
以下の（１）〜（６）の工程を少なくとも含むことを特徴とする半導体チップの製造方法：
（１）半導体チップのアルミニウム電極パッドの表面にジンケート処理を施した後、ニッケルと銅の複合めっき層を形成する工程、
（２）前記半導体チップのアルミニウム電極パッド側の表面に第１の絶縁層を形成し、次いで前記ニッケルと銅の複合めっき層に至る非貫通孔を形成する工程、
（３）前記非貫通孔内および第１の絶縁層の表面に銅めっきして、インナービアと導体回路層を形成する工程、
（４）前記第１の絶縁層および導体回路層を軟質の樹脂で被覆して第２の絶縁層を形成する工程、
（５）前記第２の絶縁層に導体回路層に至る非貫通孔を形成する工程、
（６）前記非貫通孔に銅めっきを充填し、フィルドビアを形成する工程。
【請求項８】
前記第２の絶縁層は、弾性率が１．０〜３．５ＧＰａの樹脂絶縁層であることを特徴とする請求項６あるいは７記載の半導体チップの製造方法。
【請求項９】
前記第１の絶縁層は、感光性樹脂であり、露光現像して非貫通孔を形成することを特徴とする請求項６あるいは７記載の半導体チップの製造方法。
【請求項１０】
前記インナービアは、無電解銅めっきによって形成されてなることを特徴とする請求項６あるいは７記載の半導体チップの製造方法。
【請求項１１】
前記第２の絶縁層の非貫通孔は、レーザにより形成することを特徴とする請求項６あるいは７記載の半導体チップの製造方法。
【請求項１２】
前記ニッケルと銅の複合めっき層を０．０１〜５μｍの厚さに形成し、該複合めっき層の銅めっき側表面のニッケル含有量を１〜７０重量％とすることを特徴とする請求項６あるいは７記載の半導体チップの製造方法。
【請求項１３】
前記第２の層間絶縁層を１５〜２００μｍの厚さに形成し、直径が２０〜１００μｍの非貫通孔を形成することを特徴とする請求項６あるいは７記載の半導体チップの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体チップ及びその製造方法に関し、特に接続信頼性の高い半導体チップ及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図１１に従来技術に係る半導体チップ３３０及びその実装形態を示す。半導体チップ３３０のアルミニウム電極パッド３３２には、ニッケルめっき層３３４及び金めっき層３３８を介して、バンプ３１０を形成するハンダ３４４が設けられている。ここで、半導体チップ３３０は、該バンプ３１０を介して、パッケージ３５０側の電極パッド３５２に電気的に接続されている。
【０００３】
ところで、半導体チップ３３０とパッケージ３５０とは、熱膨張率が異なるため、両者の間に発生する応力を緩和することが必要であり、上記図１１に示した実装形態においては、半導体チップ３３０とパッケージ３５０との間にアンダーフィル３３６を配設し、両者を固着させることにより、電気的接続部に応力を集中させないようにすることで、電気的接続部に破断が発生しないように構成されている。
【０００４】
しかしながら、近年の半導体チップの高集積化に伴い、半導体チップのバンプが小型化され、上述した実装形態によっても、半導体チップ３３０とパッケージ３５０との間の応力により、小型化された電気的接続部が破断することがあった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
このような問題点に対し、前記アルミニウム電極パッド３３２上に形成されたバリアメタル膜を介して柔軟性のある銅ポストを形成し、半導体チップ３３０とパッケージとの間に発生する応力を銅ポストにより吸収することが提案されているが、バリアメタル膜は、生産性に劣るばかりでなく、残留応力を有しており、アルミニウム電極パッド付近の半導体チップ機能に悪影響を及ぼすため、エリアパッド方式のアルミニウム電極パッドが形成された半導体チップに適用することが困難であった。
【０００６】
本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、高い信頼性で実装することのできる半導体チップ及び該半導体チップの製造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
請求項１の半導体チップは、上記目的を達成するため、半導体チップの電極パッド側に、第１の絶縁層と導体回路層と第２の絶縁層が順に積層されてなり、
前記第１の絶縁層は、半導体チップの電極パッドと導体回路層を電気的に接続するインナービアが形成されており、
前記第２の絶縁層は、軟質絶縁層であって、導体回路層に至る非貫通孔が設けられてなり、その非貫通孔には銅めっきによりフィルドビアが形成され、
前記インナービアは、前記電極パッドにニッケルと銅の複合めっき層を介して銅めっきが形成されてなることを技術的特徴とする。
【０００８】
請求項６の半導体チップの製造方法では、以下の（１）〜（６）の工程を少なくとも含むことを技術的特徴とする：
（１）半導体チップのアルミニウム電極パッド側の表面に第１の絶縁層を形成し、次いで前記アルミニウム電極パッドに至る非貫通孔を形成する工程、
（２）前記非貫通孔の底部のアルミニウム電極パッドにジンケート処理を施した後、ニッケルと銅の複合めっき層を形成する工程、
（３）前記非貫通孔内および第１の絶縁層の表面に銅めっきして、インナービアと導体回路層を形成する工程、
（４）前記第１の絶縁層および導体回路層を軟質の樹脂で被覆して第２の絶縁層を形成する工程、
（５）前記第２の絶縁層に導体回路層に至る非貫通孔を形成する工程、
（６）前記非貫通孔に銅めっきを充填し、フィルドビアを形成する工程。
【０００９】
請求項７の半導体チップの製造方法では、以下の（１）〜（６）の工程を少なくとも含むことを技術的特徴とする：
（１）半導体チップのアルミニウム電極パッドの表面にジンケート処理を施した後、ニッケルと銅の複合めっき層を形成する工程、
（２）前記半導体チップのアルミニウム電極パッド側の表面に第１の絶縁層を形成し、次いで前記ニッケルと銅の複合めっき層に至る非貫通孔を形成する工程、
（３）前記非貫通孔内および第１の絶縁層の表面に銅めっきして、インナービアと導体回路層を形成する工程、
（４）前記第１の絶縁層および導体回路層を軟質の樹脂で被覆して第２の絶縁層を形成する工程、
（５）前記第２の絶縁層に導体回路層に至る非貫通孔を形成する工程、
（６）前記非貫通孔に銅めっきを充填し、フィルドビアを形成する工程。
【００１０】
請求項１の半導体チップ及び請求項６，７の半導体チップの製造方法では、軟質樹脂で構成された第２の絶縁層に非貫通孔が形成され、該非貫通孔には銅めっきにより、フィルドビアが形成されており、半導体チップと基板との熱膨張差により発生する応力が小さく、しかも集中しないため、電気接続部にクラックを発生させることがなく、半導体チップを高い接続信頼性でもって基板に実装することができる。
【００１１】
請求項２、８では、前記第２の絶縁層は、弾性率が１．０〜３．５ＧＰａの樹脂絶縁層であり、半導体チップと基板との熱膨張差によりフィルドビアに発生する応力をより好適に吸収する。
【００１２】
請求項３、請求項１３の半導体チップでは、前記第２の絶縁層は、厚さが１５〜２００μｍ、非貫通孔は、直径が２０〜１００μｍであり、フィルドビアが柔軟性に優れるため、半導体チップと基板との熱膨張差により発生する応力をより小さくできる。
【００１３】
請求項４、５、１２では、ジンケート処理されたアルミニウム電極パッドの表面に、ニッケルと銅との複合めっき層を形成させるため、該複合めっき層の上に銅めっきでインナービアを形成することができる。ここで、複合めっき層は、０．０１〜５μｍの厚さで、該めっき層の銅めっき側表面は、ニッケルの含有量を１〜７０重量％とし、残部が実質的に銅とすることにより、銅めっきによるインナービアをより好適に形成することができる。
【００１４】
請求項９では、第１の絶縁層は、感光性樹脂であり、露光現像して非貫通孔を形成できるため、レーザと異なり電極パッドの表面を変質させることがない。
【００１５】
請求項１０では、インナービアが無電解めっきからなるため、電流を流す必要がなく、半導体チップを損傷させる危険性がない。
【００１６】
請求項１１では、第２の絶縁層にレーザにより非貫通孔を設けるため、厚みのある第２の絶縁層に小径の非貫通孔を穿設することができる。なお、本願明細書で説明する弾性率は、いずれも引張弾性率である。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態に係る半導体チップ及び半導体チップの製造方法について図を参照して説明する。
図１は、本発明の第１実施形態に係る半導体チップを示している。
半導体チップ３０の下面には、パッシベーション膜３４の開口にジンケート処理されたアルミニウム電極パッド３２が形成されている。本実施形態では、パッシベーション膜３４の下面に第１の絶縁層１３６が配設され、該第１の絶縁層１３６には、該アルミニウム電極パッドに至る非貫通孔１３６ａが形成されている。そして、該非貫通孔１３６ａには、ニッケルと銅の複合めっき層４０を介して、銅めっきによるインナービア１４２が前記アルミニウム電極パッド３２に電気的に接続して形成されており、該第１の絶縁層１３６の表面の導体回路層１４３に電気的に接続している。
本発明において、前記第１の絶縁層としては、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等を使用することができる。
【００１８】
該第１の絶縁層１３６及び導体回路層１４３は、第２の絶縁層で被覆され、該第２の絶縁層２３６には、前記導体回路層１４３に至る非貫通孔が設けられてなり、その非貫通孔に形成された銅めっきからなるフィルドビアが形成されている。そして、該フィルドビアには、半田等の低融点金属からなる突起状導体（バンプ）４４が配設されている。該半導体チップ３０は、バンプ４４を介して基板５０のパッド５２へ接続される。
本発明において、前記低融点金属としては、Ｐｂ−Ｓｎ系半田、Ａｇ−Ｓｎ系半田、インジウム半田等を使用することができる。
【００１９】
ここで、第２の絶縁層２３６は、弾性率が１．０〜３．５ＧＰａの軟質樹脂で厚さが１５〜２００μｍに形成されており、第２の絶縁層２３６に設けられる非貫通孔の直径を２０〜１００μｍとすることにより、フィルドビアが柔軟性に優れ、半導体チップと基板との熱膨張差により発生する応力をより好適に吸収できるため、電気接続部にクラックを発生させることがなく、半導体チップを高い接続信頼性で持って基板に実装することができる。
本発明において、前記第２の絶縁層としては、熱硬化性のエポキシ樹脂、ポリオレフィン樹脂等を使用することができる。
【００２０】
前記ニッケルと銅の複合めっき層４０は、０．０１〜５μｍの厚さで、該複合めっき層の銅めっき側表面のニッケル含有量を１〜７０重量％とし、残部が実質的に銅とすることにより、銅めっきによるインナービア１４２をより好適に形成することができる。
【００２１】
引き続き、図２〜図４を参照して第１実施形態に係る半導体チップ３０の製造方法について説明する。
図２の工程（Ａ）に示すパッシベーション膜３４の開口にアルミニウム電極パッド３２が形成された半導体チップ３０に対して後述する工程でバンプを形成する。
【００２２】
ここでは、先ず、図２の工程（Ｂ）に示すように、アルミニウム電極パッド３２の表面にニッケルめっき層或いはニッケルと銅との複合めっき層の析出を容易ならしめるジンケート処理を施す。このジンケート処理としては、例えば、半導体チップ３０を常温で１０〜３０秒間、金属塩である酸化亜鉛と還元剤としての水酸化ナトリウムの混合液中に浸漬することにより行うことができる。
【００２３】
引き続き、図２の工程（Ｃ）に示すように、半導体チップ３０を無電解ニッケルめっき液中に浸けて、アルミニウム電極パッド３２の表面にニッケルめっき層３８を析出させる。なお、このニッケルめっき層を形成する工程は後述する複合めっき層を速やかかつより強固に形成することを目的とするものであり、省略して複合めっき層をアルミニウム電極パッド３２に直接形成することも可能である。
【００２４】
そして、図２の工程（Ｄ）に示すように、該半導体チップ３０を、ニッケルと銅の無電解複合めっき液に浸漬し、ニッケルと銅の複合めっき層４０を形成する。この場合、複合めっき層を０．０１μｍ〜５μｍの厚さで、表面のニッケル含有量が、１〜７０重量％の範囲とし、残部を実質的に銅からなる組成とすることにより、その後のインナービア１４２を形成する際の銅めっきを形成することが可能となる。
前記ニッケルと銅の複合めっき液としては、例えば、硫酸ニッケル、硫酸銅及び次亜燐酸ナトリウムの水溶液を使用することができる。
【００２５】
図３の工程（Ｅ）に示すように絶縁樹脂を塗布する。この絶縁樹脂としては、感光性のエポキシ樹脂やポリイミド樹脂を使用することができる。樹脂を塗布する代わりに、ドライフィルムを貼り付けて形成することもできる。次に、図３の工程（Ｆ）に示すように露光・現像処理により非貫通孔１３６ａを形成する。第１の絶縁層として感光性樹脂を用い、露光現像して非貫通孔を形成できるため、レーザと異なり電極パッド３２の表面を変質させたり、半導体チップを損傷させる危険性が少ない。そしてさらに、加熱処理してアルミニウム電極パッド３２に至る非貫通孔１３６ａを有する第１の絶縁層１３６を形成する。
【００２６】
次に、図３の工程（Ｇ）に示すように、非貫通孔１３６ａ内に無電解銅めっきを充填してインナービア１４２を形成すると共に、第１の絶縁層１３６上に導体回路１４３を形成する。無電解めっきは、電流を流す必要がなく、半導体チップを損傷させる危険性がない。
【００２７】
次に、第２の絶縁層を構成する感光性のレジスト２３６を塗布する（工程（Ｊ））。
【００２８】
引き続き、工程（Ｋ）に示すように、乾燥処理を行った後、現像処理する。これにより、導体回路１４３に至る非貫通孔１３６ａを有する第２の絶縁層２３６を形成する。なお、ここでは化学処理により非貫通孔を形成したが、レーザを用いることも可能である。
【００２９】
次に、図５の工程（Ｌ）に示すように、非貫通孔１３６ａ内に銅めっき（ビア）２３９を形成する。この銅めっきは、電解めっき、あるいは無電解めっきにより行うことができる。ここでは、非貫通孔１３６ａから突出しないように銅めっきを形成しているが、非貫通孔１３６から盛り上がるように銅めっき２３９を形成してから、表面を研磨などで除去して、平坦化することもできる。
【００３０】
引き続き、工程（Ｍ）にて、銅めっき２３９の表面にバンプ（突起状導体）４４を形成する。バンプ４４は、例えば、導電性ペーストを所定位置に開口の設けられたメタルマスクを用いてスクリーン印刷する方法、低融点金属である半田ペーストを印刷する方法、半田めっきを行う方法、あるいは半田溶融液に浸漬する方法により形成することができる。このバンプの高さとしては、３〜６０μｍが望ましい。この理由は、３μｍ未満では、バンプの変形により、バンプの高さのばらつきを許容することができず、また、６０μｍを越えると、バンプが溶融した際に横方向に拡がってショートの原因となる。
【００３１】
半導体チップ３０のバンプ４４と基板５０のパッド５２が対応するよう半導体チップ３０を載置させて、リフローすることにより、図１に示すように半導体チップ３０を基板５０に取り付ける。
【００３２】
この第１実施形態では、バンプ４４をリフローすることにより基板への取り付けを行っているが、接着剤を介して、基板へ取り付けることもできる。
【００３３】
引き続き、本発明の第２実施形態に係る半導体チップ及び半導体チップの製造方法について説明する。
図６は本発明の第２実施形態に係る半導体チップを示している。
半導体チップ３０の下面には、パッシベーション膜３４の開口にジンケート処理されたアルミニウム電極パッド３２が形成されている。本実施形態では、パッシベーション膜３４の下面に第１の絶縁層１３６が配設され、該第１の絶縁層１３６には、該アルミニウム電極パッド３２に至る非貫通孔１３６ａが形成されている。そして、該非貫通孔１３６ａの底部のアルミニウム電極パッド３２には、ニッケルめっき層３８，ニッケルと銅との複合めっき層４０を介在させて、銅めっきを充填してなるインナービア１４２が形成されている。
【００３４】
該第１の絶縁層１３６の上には、銅めっき２３９の形成された第２の絶縁層２３６が配設されている。銅めっき２３９にはランド２４５が形成され、、該ランド２４５には、半田等の低融点金属からなる突起状導体（バンプ）４４が配設されている。該半導体チップ３０は、突起状導体（バンプ）４４を介して基板５０側のパッド５２への接続されている。
【００３５】
引き続き、図７〜図１０を参照して第２実施形態に係る半導体チップ３０の製造方法について説明する。
ここでは、図７の工程（Ａ）に示すパッシベーション膜３４の開口にアルミニウム電極パッド３２が形成された半導体チップ３０に対して、以下の工程で銅めっきおよびバンプを形成する。先ず、図７の工程（Ｂ）に示すようにジンケート処理を施す。
【００３６】
引き続き、図７の工程（Ｃ）に示すように、半導体チップ３０を無電解ニッケルめっき液中に浸けて、アルミニウム電極パッド３２の表面にニッケルめっき層３８を析出させる。なお、このニッケルめっき層を形成する工程は省略しても後述する複合めっき層をアルミニウム電極パッド３２に直接形成することも可能である。
【００３７】
そして、図７の工程（Ｄ）に示すように、該半導体チップ３０を、ニッケル−銅の無電解複合めっき液に浸漬し、ニッケルめっき層３８の上に０．０１〜５μｍのニッケル−銅の複合めっき層４０を形成する。
【００３８】
次に、図８の工程（Ｅ）に示すように絶縁樹脂を塗布する。この絶縁樹脂としては、感光性のエポキシ樹脂やポリイミド樹脂を使用することができる。次に、図８の工程（Ｆ）に示すように、露光・現像処理により第１の非貫通孔１３６ａを形成する。そしてさらに、加熱処理してアルミニウム電極パッド３２に至る非貫通孔１３６ａを有する第１の絶縁層１３６を形成する。なお、上述した第１の絶縁層３６は、表層部が半導体チップ側に比較して軟質になるようにすることが好ましい。
【００３９】
次に、図８の工程（Ｇ）に示すように、第１の非貫通孔１３６ａ内に銅めっきを充填してインナービア１４２を形成すると共に、第１の絶縁層１３６上に導体回路１４３を形成する。無電解めっきは、電流を流す必要がなく、半導体チップを損傷させる危険性がない。
【００４０】
次に、図９の工程（Ｈ）に示すように熱硬化性のエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂を塗布してから、乾燥処理を行った後、図９の工程（Ｉ）に示すようにＵＶレーザにより導体回路１４３へ至る非貫通孔（直径２０〜１００μｍ）を穿設し、表面の粗化処理を行った後に、加熱することで第２の非貫通孔２３６ａを有する第２の絶縁層２３６を形成する。第２の絶縁層２３６は、ＵＶレーザにより非貫通孔２３６ａを設けるため、厚みのある第２の絶縁層に小径の非貫通孔を穿設することができる。
【００４１】
次に、図９の工程（Ｊ）に示すように、パラジウム触媒（アトテック製）を付与することにより、無電解めっき膜２４３にＰｂの触媒核を付与した後、半導体チップ３０を無電解めっき液に浸漬し、第２の絶縁層２３６の表面に均一に無電解銅めっき膜２４３を形成する。
【００４２】
図９の工程（Ｋ）に示すようにＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレイト）フィルム２４４αを無電解めっき膜２４３の上に貼り付ける。そして、レーザにより該ＰＥＴフィルム２４４αに第２の非貫通孔２３６ａを開放する開口を設け、図９の工程（Ｍ）に示すように開口２４４ａを備えるレジスト２４４を形成する。本実施形態では、ＰＥＴフィルムを用い、レーザで開口２４４ａを穿設するため、廉価にレジスト２４４を形成することができる。
【００４３】
半導体チップ３０を電解銅めっき液に浸漬し、無電解銅めっき膜２４３を介して電流を流すことで、図１０の工程（Ｎ）に示すように第２の非貫通孔２３６ａ内に銅を充填して銅めっき（ビア）２３９を形成する。この銅めっきを第２の非貫通孔２３６ａ内に電解銅めっきにて銅を充填して形成するため、高さの高い銅めっきを廉価に構成することができる。また、電解銅めっきを用いるため、無電解めっきと比較して半導体チップを強アルカリの無電解めっき液に漬ける時間が短くなり、半導体チップ上の回路を破損する危険性が低下する。
【００４４】
次に、図１０の工程（Ｏ）に示すように、銅めっき２３９の上に半田をめっきにより析出し、半田バンプ４４を形成する。本実施形態では、ＰＥＴフィルム（レジスト）２４４を用いるため、半田バンプを廉価に形成することができる。ここでは、半田めっきを用いたが、この代わりに半田印刷を用いることもできる。
【００４５】
最後に、図１０工程（Ｐ）に示すようにレジスト２４４を除去した後、レジスト下の無電解銅めっき膜２４３をライトエッチングにより剥離することでバンプ形成を完了する。
【００４６】
半導体チップ３０のバンプ４４と基板５０のパッド５２が対応するように、半導体チップ３０を載置させて、リフローすることにより、図６に示すように半導体チップ３０を基板５０に取り付ける。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態に係る半導体チップの断面図である。
【図２】本発明の第１実施形態に係る半導体チップの製造工程図である。
【図３】本発明の第１実施形態に係る半導体チップの製造工程図である。
【図４】本発明の第１実施形態に係る半導体チップの製造工程図である。
【図５】本発明の第１実施形態に係る半導体チップの製造工程図である。
【図６】本発明の第２実施形態に係る半導体チップの断面図である。
【図７】本発明の第２実施形態に係る半導体チップの製造工程図である。
【図８】本発明の第２実施形態に係る半導体チップの製造工程図である。
【図９】本発明の第２実施形態に係る半導体チップの製造工程図である。
【図１０】本発明の第２実施形態に係る半導体チップの製造工程図である。
【図１１】従来技術に係る半導体チップの断面図である。
【符号の説明】
３０  半導体チップ
３２  アルミニウム電極パッド
３４  パッシベーション膜
３８  ニッケルめっき層
４０  複合めっき層
４２  銅めっき
４４  突起状導体（バンプ）
５０  基板
５２  パッド
１３６  第１の絶縁層
１４２  インナービア
１４３  導体回路
２３６  第２の絶縁層
２３９  銅めっき（フィルドビア）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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