(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子を埋め込み、収容又は収納された芯材を有する樹脂コア基板上に芯材を有さない層間絶縁層と導体層とが繰り返し形成され、前記層間絶縁層には、バイアホールが形成され、前記バイアホールを介して電気的接続される多層プリント配線板において、
最上層の前記層間絶縁層上に芯材を有する樹脂基板を載置して、
前記芯材を有する樹脂基板に外部基板と接続するための外部接続端子を配設したことを特徴とする多層プリント配線板。
【請求項２】
前記半導体素子のパッド部分には、最下層の前記層間絶縁層に形成された前記バイアホールと接続するためのトランジション層を形成したことを特徴とする請求項１に記載の多層プリント配線板。
【請求項３】
少なくとも以下（ａ）〜（ｅ）の工程を備えることを特徴とする多層プリント配線板の製造方法：
（ａ）芯材を有する樹脂コア基板に半導体素子を埋め込む工程；
（ｂ）前記半導体素子を収容または収納した前記コア基板上に、バイアホールを備える芯材を有さない層間絶縁層と導体層とを繰り返し形成する工程；
（ｃ）芯材を有する樹脂基板に上下を貫通する導体回路を形成する工程；
（ｄ）前記コア基板の最上層の前記層間絶縁層上に前記樹脂基板を、該層間絶縁層のバイアホールと前記樹脂基板の導体回路とが接続するように取り付ける工程；
（ｅ）前記樹脂基板上に、該樹脂基板を貫通する前記導体回路と接続するように外部接続端子を形成する工程。
【請求項４】
前記コア基板の層間絶縁層上への前記樹脂基板の取付を、接着剤により行うことを特徴とする請求項３の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項５】
前記芯材を有する樹脂基板に上下を貫通する導体回路を形成する工程において、
片面銅貼り積層板に、銅箔の張られていない側からレーザで銅箔に至る貫通孔を穿設し、
前記銅箔を介して電流を流し電解めっきを析出させることで前記貫通孔に前記導体回路を形成することを特徴とする請求項３又は請求項４の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項６】
前記芯材を有する樹脂基板に上下を貫通する導体回路を形成する工程において、
両面銅貼り積層板の一方の銅箔に、エッチングにより開口を設け、
前記銅箔の開口をコンフォーマルマスクとして用いレーザを照射して、開口の設けられていない側の銅箔に至る貫通孔を穿設し、
前記貫通孔にめっきにより前記導体回路を形成することを特徴とする請求項３又は請求項４の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項７】
前記貫通孔に前記導体回路を形成する際に、該導体回路を前記貫通孔から突出させることを特徴とする請求項４の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項８】
前記半導体素子のパッド部分はアルミニウムから成り、
最下層の前記層間絶縁層に形成された前記バイアホールは銅から成り、
前記トランジション層は、２層以上の金属層から成り、最上層の金属層は銅からなることを特徴とする請求項２に記載の多層プリント配線板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ビルドアップ多層プリント配線板に関し、特にＩＣチップなどの電子部品を内蔵する多層プリント配線板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ＩＣチップは、ワイヤーボンディング、ＴＡＢ、フリップチップなどの実装方法によって、プリント配線板との電気的接続を取っていた。
ワイヤーボンディングは、プリント配線板にＩＣチップを接着剤によりダイボンディングさせて、該プリント配線板のパッドとＩＣチップのパッドとを金線などのワイヤーで接続させた後、ＩＣチップ並びにワイヤーを守るために熱硬化性樹脂あるいは熱可塑性樹脂などの封止樹脂を施していた。
ＴＡＢは、ＩＣチップのバンプとプリント配線板のパッドとをリードと呼ばれる線を半田などによって一括して接続させた後、樹脂による封止を行っていた。
フリップチップは、ＩＣチップとプリント配線板のパッド部とをバンプを介して接続させて、バンプとの隙間に樹脂を充填させることによって行っていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、それぞれの実装方法は、ＩＣチップとプリント配線板の間に接続用のリード部品（ワイヤー、リード、バンプ）を介して電気的接続を行っている。それらの各リード部品は、切断、腐食し易く、これにより、ＩＣチップとの接続が途絶えたり、誤作動の原因となることがあった。
また、それぞれの実装方法は、ＩＣチップを保護するためにエポキシ樹脂等の熱可塑性樹脂によって封止を行っているが、その樹脂を充填する際に気泡を含有すると、気泡が起点となって、リード部品の破壊やＩＣパッドの腐食、信頼性の低下を招いてしまう。熱可塑性樹脂による封止は、それぞれの部品に合わせて樹脂装填用プランジャー、金型を作成する必要が有り、また、熱硬化性樹脂であってもリード部品、ソルダーレジストなどの材質などを考慮した樹脂を選定しなくては成らないために、それぞれにおいてコスト的にも高くなる原因にもなった。
【０００４】
このため基板内に半導体素子を埋め込む技術が種々提案されている。基板に半導体素子を埋め込んで、その上層にビルドアップ層を形成させることにより電気的接続を取る技術としては、特開平９−３２１４０８号（ＵＳＰ５８７５１００）、特開平１０−２５６４２９号、特開平１１−１２６９７８号、などが提案されている。
【０００５】
特開平９−３２１４０８号（ＵＳＰ５８７５１００）では、ダイパッド上にスタッドバンプを形成した半導体素子をプリント配線板に内蔵して、スタッドバンプ上に配線を形成して電気的接続を取っていた。しかし、このスタッドバンプの高さのばらつきが大きいため、接続性に問題があった。また、このスタッドバンプをボンディングにより一つ一つ植設しており、生産性にも問題があった。
【０００６】
特開平１０−２５６４２９号では、セラミック基板に半導体素子を内蔵して、フリップチップ形態により電気的接続を取っていた。しかし、セラミックは外形加工性が悪く、半導体素子の納まりがよくない。また、該バンプの高さのばらつきが大きいため、接続性に問題があった。
【０００７】
特開平１１−１２６９７８号では、バイアホールを介して積蔵された多層プリント配線板の空隙の収容部に半導体素子を内蔵して、導体回路と接続を取っていた。しかし、収容部が空隙であるため、位置ずれを引き起こしやすく、接続性に問題があった。また、ダイパッドと導体回路とを直接接続させているため、ダイパッドに酸化被膜ができやすく、絶縁抵抗が上昇する問題もあった。
【０００８】
一方、半導体素子を埋め込み、収容、収納された基板で構成された多層プリント配線板をパッケージ基板、チップセットなどとして用いる場合には、外部基板（いわゆるマザーボード、ドータボードと呼ばれるもの）と電気接続させることによって、機能を発揮することができる。そのため、この多層プリント配線板の表層のソルダーレジスト層に半田バンプを配設することによって外部基板と接続させていた。
【０００９】
しかしながら、半導体素子を埋め込んだ基板で表層に半田バンプを配設して、外部基板と電気的に接続させて機能試験や信頼性試験を行うと、層間絶縁層、ソルダーレジスト層、層間樹脂絶縁層やソルダーレジスト、半田バンプおよび半田バンプの周囲（半田層や耐食金属などを意図する）にクラック、剥離が発生して、半田バンプの脱落や位置ずれが確認された。この半田バンプが破壊される理由は、半導体素子を埋め込んだコア基板、外部基板はガラスクロス等の芯材を内蔵するため熱膨張による伸びが小さく、芯材を内蔵しない層間樹脂絶縁層は熱膨張による伸びが大きい。つまり、半導体素子を埋め込んだコア基板、外部基板と、層間樹脂絶縁層との熱膨張の差が大きいことによって、外部基板と層間樹脂絶縁層との間にある半田バンプに応力が集中するためである。したがって、半導体素子を内蔵する多層プリント配線板においては、半田バンプと導体回路との電気的接続性や信頼性の低下が明らかになった。
【００１０】
本発明は上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、電気的接続性や信頼性の高い半導体素子が内蔵された多層プリント配線板を提案することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記した目的を達成するため、請求項１に記載の多層プリント配線板では、半導体素子を埋め込み、収容又は収納された芯材を有する樹脂コア基板上に芯材を有さない層間絶縁層と導体層とが繰り返し形成され、前記層間絶縁層には、バイアホールが形成され、前記バイアホールを介して電気的接続される多層プリント配線板において、
最上層の前記層間絶縁層上に芯材を有する樹脂基板を載置して、
前記芯材を有する樹脂基板に外部基板と接続するための外部接続端子を配設したことを技術的特徴とする。
【００１２】
請求項１の発明では、多層プリント配線板の層間樹脂絶縁層上に芯材を有する樹脂基板を載置して、この樹脂基板上にある外部接続端子を介して、外部基板と接続する。外部接続端子とは、ＢＧＡ／ＰＧＡ（導電性接続ピン）を意味する。
つまり、熱膨張の大きい層間樹脂絶縁層上に熱膨張の小さい樹脂基板を載置することによって、芯材を備え熱膨張率の小さな樹脂基板とドータボード等の外部基板との間に外部接続端子を配置することになるので、外部接続端子の周囲などに発生する剥離、クラックを防止でき、外部接続端子の脱落や位置ずれを防止して、電気的接続性や信頼性を向上させることができる。
【００１３】
請求項２の発明では、請求項１に記載の多層プリント配線板において、前記半導体素子のパッド部分には、最下層の前記層間絶縁層に形成された前記バイアホールと接続するためのトランジション層を形成したことを技術的特徴とする。
【００１４】
請求項２の発明では、半導体素子のパッドを覆うようにしてトランジション層を形成させている。ＩＣチップのダイパッドにトランジション層を設ける理由は、次の通りである。ＩＣチップのダイパッドは一般的にアルミニウムなどで製造されている。トランジション層を形成させていないダイパッドのままで、フォトエッチングにより層間絶縁層のバイアホールを形成させた時、ダイパッドのままであれば露光、現像後にダイパッドの表層に樹脂が残りやすかった。それに、現像液の付着によりダイパッドの変色を引き起こした。一方、レーザの場合、ビア径がダイパッド径より大きいときには、ダイパッド及びパシベーション（ＩＣの保護膜）がレーザによって破壊される。また、後工程に、酸や酸化剤あるいはエッチング液に浸漬させたり、種々のアニール工程を経ると、ＩＣチップのダイパッドの変色、溶解が発生した。更に、ＩＣチップのダイパッドは、２０〜６０μｍ程度の径で作られており、バイアホールはそれより大きいので位置ずれの際に未接続が発生しやすい。
【００１５】
これに対して、ダイパッド上に銅等からなるトランジション層を設けることで、溶剤の使用が可能となりダイパッド上の樹脂残りを防ぐことができる。また、後工程の際に酸や酸化剤あるいはエッチング液に浸漬させたり、種々のアニール工程を経てもダイパッドの変色、溶解が発生しない。ダイパッドの酸化皮膜の形成を防げる。これにより、ダイパッドとバイアホールとの接続性や信頼性を向上させる。更に、ＩＣチップのダイパッド上に２０μｍよりも大きな径のトランジション層を介在させることで、バイアホールを確実に接続させることができる。望ましいのは、トランジション層は、バイアホール径と同等以上のものがよい。
【００１６】
また、パッドより大きいトランジション層を形成させることによって、検査用プローブピンが接触しやすくなり、検査を容易に行える。即ち、半導体素子を基板に内蔵する前もしくはその後に検査を行えるため、予め製品の可否を判定することができる。したがって、生産性の向上やコストの低減が可能となる。つまり、トランジション層を備える半導体素子は、プリント配線板の埋め込み、収容、収納するための半導体素子であるといえる。
【００１７】
本発明で定義されているトランジション層について説明する。
トランジション層は、半導体素子であるＩＣチップとプリント配線板とを直接に接続を取るため、設けられた中間の仲介層を意味する。その特徴として、ダイパッド上に薄膜層を形成し、その上に厚付け層が形成されてなる、少なくとも２層以上の金属層で形成されている。そして、半導体素子であるＩＣチップのダイパッドよりも大きくさせる。それによって、電気的接続や位置合わせ性を向上させるものであり、かつ、ダイパッドにダメージを与えることなくレーザやフォトエッチングによるバイアホール加工を可能にするものである。そのため、ＩＣチップのプリント配線板への埋め込み、収容、収納や接続を確実にすることができる。また、トランジション層には、直接、プリント配線板の導体回路である金属を形成することを可能にする。その導体回路の一例としては、層間絶縁層のバイアホールや基板上のスルーホールなどがある。
【００１８】
トランジション層は、次のように形成される。ＩＣチップの全面に蒸着、スパッタリングなどを行い、全面に導電性の金属膜（第１薄膜層）を形成させる。その金属としては、ニッケル、亜鉛、クロム、コバルト、チタン、金、スズ、鉄などがよい。厚みとしては、０．００１〜２．０μｍの間で形成させるのがよい。０．００１μｍ未満では、全面に均一に積層できない。２．０μｍを越えるものを形成させることは困難であり、効果が高まるのもでもなかった。クロムの場合には０．１μｍの厚みが望ましい。０．０１〜１．０μｍがより望ましい。
【００１９】
第１薄膜層により、ダイパッドの被覆を行い、トランジション層とＩＣチップにダイパッドとの界面の密着性を高めることができる。また、これら金属でダイパッドを被覆することで、界面への湿分の侵入を防ぎ、ダイパッドの溶解、腐食を防止し、信頼性を高めることができる。また、この第１薄膜層によって、リードのない実装方法によりＩＣチップとの接続を取ることができる。ここで、クロム、ニッケル、チタンを用いることが、界面への湿分の侵入を防ぐために望ましい。
【００２０】
第１薄膜層上に、スパッタ、蒸着、又は、無電解めっきにより第２薄膜層を形成させる。その金属としてはニッケル、銅、金、銀などがある。電気特性、経済性、また、後程で形成される厚付け層は主に銅であることから、銅を用いるとよい。
【００２１】
ここで第２薄膜層を設ける理由は、第１薄膜層では、後述する厚付け層を形成するための電解めっき用のリードを取ることができないためである。第２薄膜層３６は、厚付けのリードとして用いられる。その厚みは０．０１〜５μｍの範囲で行うのがよい。０．０１μｍ未満では、リードとしての役割を果たし得ず、５μｍを越えると、エッチングの際、下層の第１薄膜層がより多く削れて隙間ができてしまい、湿分が侵入し易くなり、信頼性が低下するからである。クロム−銅、クロム−ニッケル、チタン−銅、チタン−ニッケルの組み合わせがよい。金属との接合性や電気伝達性という点で他の組み合わせよりも優れる。
【００２２】
第２薄膜層上に、無電解あるいは電解めっきにより厚付けさせる。形成される金属の種類としては銅、ニッケル、金、銀、亜鉛、鉄などがある。電気特性、経済性、トランジション層としての強度や構造上の耐性、また、後程で形成されるビルドアップである導体層は主に銅であることから、銅を用い電解めっきで形成するのが望ましい。その厚みは１〜２０μｍの範囲で行うのがよい。１μｍより薄いと、上層のバイアホールとの接続信頼性が低下し、２０μｍよりも厚くなると、エッチングの際にアンダーカットが起こってしまい、形成されるトランジション層とバイアホールと界面に隙間が発生するからである。また、場合によっては、第１薄膜層上に直接厚付けめっきしても、さらに、多層に積層してもよい。
【００２３】
その後、エッチングレジストを形成して、露光、現像してトランジション層以外の部分の金属を露出させてエッチングを行い、ＩＣチップのダイパッド上に第１薄膜層、第２薄膜層、厚付け層からなるトランジション層を形成させる。
【００２４】
また、上記トランジション層の製造方法以外にも、ＩＣチップ上に形成した金属膜上に電解めっきによって厚付けした後、ドライフィルムレジストを形成してトランジション層に該当する以外の部分を除去させて、ダイパッド上にトランジション層を形成させることもできる。更に、ＩＣチップをコア基板に取り付けた後に、同様にしてＩＣチップのダイパッド上にトランジション層を形成させることもできる。
【００２５】
本発明で定義されるトランジション層について説明する。
トランジション層は、従来のＩＣチップ実装技術を用いることなく、半導体素子であるＩＣチップとプリント配線板と直接接続を取るために設けられた中間の仲介層を意味する。特徴としては、２層以上の金属層で形成され、半導体素子であるＩＣチップのダイパッドよりも大きくさせることにある。それによって、電気的接続や位置合わせ性を向上させるものであり、かつ、ダイパッドにダメージを与えることなくレーザやフォトエッチングによるバイアホール加工を可能にするものである。そのため、プリント配線板へのＩＣチップの埋め込み、収容、収納や接続を確実にすることができる。また、トランジション層上には、直接、プリント配線板の導体層である金属を形成することを可能にする。その導体層の一例としては、層間樹脂絶縁層のバイアホールや基板上のスルーホールなどがある。
【００２６】
請求項３の多層プリント配線板の製造方法は、少なくとも以下（ａ）〜（ｅ）の工程を備えることを技術的特徴とする：
（ａ）芯材を有する樹脂コア基板に半導体素子を埋め込む工程；
（ｂ）前記半導体素子を収容または収納した前記コア基板上に、バイアホールを備える芯材を有さない層間絶縁層と導体層とを繰り返し形成する工程；
（ｃ）芯材を有する樹脂基板に上下を貫通する導体回路を形成する工程；
（ｄ）前記コア基板の最上層の前記層間絶縁層上に前記樹脂基板を、該層間絶縁層のバイアホールと前記樹脂基板の導体回路とが接続するように取り付ける工程；
（ｅ）前記樹脂基板上に、該樹脂基板を貫通する前記導体回路と接続するように外部接続端子を形成する工程。
【００２７】
請求項３では、熱膨張の大きい層間樹脂絶縁層上に熱膨張の小さい樹脂基板を載置することによって、芯材を備え熱膨張率の小さな樹脂基板とドータボード等の外部基板との間に外部接続端子を配置することになるので、外部接続端子の周囲などに発生する剥離、クラックを防止でき、外部接続端子の脱落や位置ずれを防止して、電気的接続性や信頼性を向上させることができる。
【００２８】
請求項４は、コア基板の層間絶縁層上への前記樹脂基板の取付を、接着剤により行うため、層間絶縁層に樹脂基板を強固に取り付けることができる。
【００２９】
請求項５は、芯材を有する樹脂基板に上下を貫通する導体回路を形成する工程において、片面銅貼り積層板に、銅箔の張られていない側からレーザで銅箔に至る貫通孔を穿設し、前記銅箔を介して電流を流し電解めっきを析出させることで前記貫通孔に前記導体回路を形成する。このため、微細な導体回路を高い信頼性で形成することができる。
【００３０】
請求項６では、芯材を有する樹脂基板に上下を貫通する導体回路を形成する工程において、両面銅貼り積層板の一方の銅箔に、エッチングにより開口を設け、前記銅箔の開口をコンフォーマルマスクとして用いレーザを照射して、開口の設けられていない側の銅箔に至る貫通孔を穿設し、前記貫通孔にめっきにより前記導体回路を形成する。このため、微細な導体回路を高い信頼性で形成することができる。
【００３１】
請求項７では、前記貫通孔に前記導体回路を形成する際に、該導体回路を前記貫通孔から突出させる。このため、接着剤を介在させて、導体回路と層間絶縁層のバイアホール又は導体回路とを適切に接続させることができる。
【００３２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について図を参照して説明する。
[第１実施形態]
先ず、本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の構成について、多層プリント配線板１０の断面を示す図１６、図１７を参照して説明する。
【００３３】
図１６に示すように多層プリント配線板１０は、ＩＣチップ２０を収容するコア基板３０と、層間樹脂絶縁層５０、層間樹脂絶縁層１５０とからなる。層間樹脂絶縁層５０には、バイアホール６０および導体回路５８が形成され、層間樹脂絶縁層１５０には、バイアホール１６０および導体回路１５８が形成されている。
【００３４】
層間樹脂絶縁層１５０の上には、接着剤層１３４を介して芯材を有する樹脂基板１３０が載置されている。この樹脂基板１３０には、多層プリント配線板１０のパッド７５と接続するための導電柱１３３が設けられている。導電柱１３３上には導体回路３０Ａが設けられ、導体回路３０Ａ上には、ドータボード２３０等の外部基板と接続するための半田バンプ７６が設けられている。
【００３５】
プリント配線板１０に実装されたＩＣチップ２０には、ＩＣチップ２０を保護するパッシベーション膜２４が被覆され、該パッシベーション膜２４の開口内に入出力端子を構成するダイパッド２２が配設されている。パッド２２の上には、主として銅からなるトランジション層３８が形成されている。
【００３６】
図１７は、図１６に示すプリント配線板１０がドータボード２３０に取り付けられた状態を示している。ドータボード２３０のパッド２３２は、プリント配線板の半田バンプ７６を介してプリント配線板１０側と接続されている。
【００３７】
本実施形態の多層プリント配線板１０では、最外層の層間樹脂絶縁層１５０の上に樹脂基板１３０を載置して、この樹脂基板１３０に半田バンプ７６を配設させている。つまり、コア基板３０にＩＣチップ２０を収容し、ＩＣチップ２０の直上に数十μｍの層間樹脂絶縁層を介して半田バンプを形成すると、コア基板３０と異なりＩＣチップ２０は可撓性を有しないため、膨張率の大きな層間樹脂絶縁層に発生する応力がコア基板側に逃げることができず、半田バンプ７６の剥離の原因になった。これに対して本実施形態では、芯材を有し剛性の高い樹脂基板１３０上に半田バンプを形成するため、係る層間樹脂絶縁層に発生する応力による半田バンプの剥離を防ぐことができる。図１６では、半田バンプ、ＢＧＡを形成する例を挙げたが、図２５に示すように導電性接続ピン９６を配設するＰＧＡにおいても、樹脂基板１３０を載置することで、層間樹脂絶縁層に発生する応力による導電性接続ピン９６の剥離を防ぐことができる。
【００３８】
特に、ドータボード２３０は、一般にガラスエポキシからなり、ガラスの芯材を内蔵するため熱膨張率が小さく、一方、芯材を備えない層間樹脂絶縁層５０、１５０は、熱膨張率が大きく、直接、層間樹脂絶縁層１５０上に半田バンプを配置すると、該ドータボード２３０と層間樹脂絶縁層１５０との熱膨張率差によって、半田バンプ７６の剥離の原因となっていた。これに対して本実施形態では、芯材を備え熱膨張率の小さな樹脂基板１３０とドータボード２３０との間に半田バンプを配置することになるので、半田バンプ７６の周囲などに発生する剥離、クラックを防止でき、半田パンプ７６の脱落や位置ずれを防止して、電気的接続性や信頼性を向上させることができる。
【００３９】
また、本実施例の多層プリント配線板１０では、コア基板３０にＩＣチップ２０を内蔵させて、該ＩＣチップ２０のパッド２２にはトランジション層３８を配設させている。このため、リード部品や封止樹脂を用いず、ＩＣチップと多層プリント配線板（パッケージ基板）との電気的接続を取ることができる。また、ＩＣチップ部分にトランジション層３８が形成されていることから、ＩＣチップ部分には平坦化されるので、上層の層間樹脂絶縁層５０も平坦化されて、膜厚みも均一になる。更に、トランジション層によって、上層のバイアホール６０を形成する際も形状の安定性を保つことができる。
【００４０】
更に、ダイパッド２２上に銅製のトランジション層３８を設けることで、パッド２２上の樹脂残りを防ぐことができ、また、後工程の際に酸や酸化剤あるいはエッチング液に浸漬させたり、種々のアニール工程を経てもパッド２２の変色、溶解が発生しない。これにより、ＩＣチップのパッドとバイアホールとの接続性や信頼性を向上させる。更に、４０μｍ径パッド２２上に６０μｍ径以上のトランジション層３８を介在させることで、６０μｍ径のバイアホールを確実に接続させることができる。
【００４１】
ＩＣチップ２０と、基板３０の凹部３２内との間には、樹脂材料である接着材料３４が充填されている。接着材料３４によって、ＩＣチップ２０は基板３０の凹部内で固定されている。この樹脂充填材料３４は、熱膨張によって発生した応力を緩和するため、コア基板３０のクラック、層間樹脂絶縁層５０、１５０及び接着剤層１３４のうねりを防止することが可能となる。このため、半田バンプ７６の周囲などに発生する剥離、クラックを防止できる。したがって、半田パンプ７６の脱落や位置ずれを防止できるため、電気的接続性や信頼性を向上させることが可能となる。
【００４２】
Ａ．半導体素子
先ず、多層プリント配線板１０に収容、収納又は埋め込む半導体素子（ＩＣチップ）の構成について、半導体素子２０の断面を示す図３（Ｂ）、及び、平面図を示す図４（Ｂ）を参照して説明する。
【００４３】
図３（Ｂ）に示すように半導体素子２０の上面には、ダイパッド２２及び配線（図示せず）が配設されており、該ダイパッド２２及び配線の上に、パッシベーション膜２４が被覆され、該ダイパッド２２には、パッシベーション膜２４の開口が形成されている。ダイパッド２２の上には、主として銅からなるトランジション層３８が形成されている。トランジション層３８は、薄膜層３３と電解めっき膜（厚付け膜）３７とからなる。言い換えると、２層以上の金属膜で形成されている。
【００４４】
[第１の製造方法]
引き続き、図３（Ｂ）を参照して上述した半導体素子の第１の製造方法について、図１〜図４を参照して説明する。
【００４５】
（１）先ず、図１（Ａ）に示すシリコンウエハー２０Ａに、常法により配線２１及びダイパッド２２を形成する（図１（Ｂ）及び図１（Ｂ）の平面図を示す図４（Ａ）参照、なお、図１（Ｂ）は、図４（Ａ）のＢ−Ｂ断面を表している）。
（２）次に、ダイパッド２２及び配線２１の上に、パッシベーション膜２４を形成し、ダイパッド２２上に開口２４ａを設ける（図１（Ｃ））。
【００４６】
（３）シリコンウエハー２０Ａに蒸着、スパッタリングなどの物理的な蒸着を行い、全面に導電性の金属膜（薄膜層）３３を形成させる（図２（Ａ））。その厚みは、０．００１〜２μｍの範囲で形成させるのがよい。その範囲よりも下の場合は、全面に薄膜層を形成することができない。その範囲よりも上の場合は、形成される膜に厚みのバラツキが生じてしまう。最適な範囲は０．０１〜１．０μｍである。形成する金属としては、スズ、クロム、チタン、ニッケル、亜鉛、コバルト、金、銅の中から、選ばれるものを用いることがよい。それらの金属は、ダイパッドの保護膜となり、かつ、電気特性を劣化させることがない。第１の製造方法では、薄膜層３３は、スパッタを用いてクロムにより形成される。また、クロム薄膜層３３の上に銅薄膜層をスパッタを用いて形成してもよい。クロム、銅の２層を真空チャンバー内で連続して形成することもできる。このとき、クロム０．０５μｍ−０．１μｍ、銅０．５μｍ程度の厚みである。
【００４７】
（４）その後、液状レジスト、感光性レジスト、ドライフィルムのいずれかのレジスト層を薄膜層３３上に形成させる。トランジション層３８を形成する部分が描画されたマスク（図示せず）を該レジスト層上に、載置して、露光、現像を経て、レジスト３５に非形成部３５ａを形成させる。電解メッキを施してレジスト層の非形成部３５ａに厚付け層（電解めっき膜）３７を設ける（図２（Ｂ））。形成されるメッキの種類としては銅、ニッケル、金、銀、亜鉛、鉄などがある。
電気特性、経済性、また、後程で形成されるビルドアップである導体層は主に銅であることから、銅を用いるとよく、第１の製造方法では、銅を用いる。その厚みは１〜２０μｍの範囲で行うのがよい。
【００４８】
（５）メッキレジスト３５をアルカリ溶液等で除去した後、メッキレジスト３５下の金属膜３３を硫酸−過酸化水素水、塩化第二鉄、塩化第二銅、第二銅錯体−有機酸塩等のエッチング液によって除去することで、ＩＣチップのパッド２２上にトランジション層３８を形成する（図２（Ｃ））。
【００４９】
（６）次に、基板にエッチング液をスプレイで吹きつけ、トランジション層３８の表面をエッチングすることにより粗化面３８αを形成する（図３（Ａ）参照）。
【００５０】
（７）最後に、トランジション層３８が形成されたシリコンウエハー２０Ａを、ダイシングなどによって個片に分割して半導体素子２０を形成する（図３（Ｂ）及び図３（Ｂ）の平面図である図４（Ｂ）参照）。その後、必要に応じて、分割された半導体素子２０の動作確認や電気検査を行なってもよい。半導体素子２０は、ダイパッド２２よりも大きなトランジション層３８が形成されているので、プローブピンが当てやすく、検査の精度が高くなっている。
【００５１】
[第２の製造方法]
第２の製造方法に係る半導体素子２０の製造方法について図５及び図６を参照して説明する。
（１）第１の製造方法で図２（Ｂ）を参照して上述したように、シリコンウエハー２０Ａに蒸着、スパッタリングなどの物理的な蒸着を行い、全面に導電性の金属膜（第１薄膜層）３３を形成させる（図５（Ａ））。その厚みは、０．００１〜２μｍの範囲がよい。その範囲よりも下の場合は、全面に薄膜層を形成することができない。その範囲よりも上の場合は、形成される膜に厚みのバラツキが生じてしまう。最適な範囲は０．０１〜１．０μｍで形成されることがよい。形成する金属としては、スズ、クロム、チタン、ニッケル、亜鉛、コバルト、金、銅の中から、選ばれるものを用いることがよい。それらの金属は、ダイパッドの保護膜となり、かつ、電気特性を劣化させることがない。第２の製造方法では、薄膜層３３は、クロムにより形成される。
【００５２】
（２）第１薄膜層３３の上に、スパッタ、蒸着、無電解めっきによって第２薄膜層３６を積層する（図５（Ｂ））。この厚みは、０．０１〜５μｍがよく、特に、０．１〜３μｍが望ましい。その場合積層できる金属は、ニッケル、銅、金、銀の中から選ばれるものがよい。特に、銅、ニッケルのいずれかで形成させることがよい。銅は、廉価であることと電気伝達性がよいからである。ニッケルは、薄膜との密着性がよく、剥離やクラックを引き起こし難い。第２の製造方法では、第２薄膜層３６を無電解銅めっきにより形成する。
なお、望ましい第１薄膜層と第２薄膜層との組み合わせは、クロム−銅、クロム−ニッケル、チタン−銅、チタン−ニッケルである。金属との接合性や電気伝達性という点で他の組み合わせよりも優れる。
【００５３】
（３）その後、レジスト層を厚付け層上に形成させる。トランジション層３８を形成する部分が描画されたマスク（図示せず）を該レジスト層上に、載置して、露光、現像を経て、レジスト３５に非形成部３５ａを形成させる。電解メッキを施してレジスト層の非形成部３５ａに厚付け層（電解めっき膜）３７を設ける（図５（Ｃ））。形成されるメッキの種類としては銅、ニッケル、金、銀、亜鉛、鉄などがある。電気特性、経済性、また、後程で形成されるビルドアップである導体層は主に銅であることから、銅を用いるとよく、第２の製造方法では、銅を用いる。その厚みは１〜２０μｍの範囲で行うのがよい。
【００５４】
（４）メッキレジスト３５をアルカリ溶液等で除去した後、メッキレジスト３５下の金属膜３３、金属膜３６を硫酸−過酸化水素水、塩化第二鉄、塩化第二銅、第二銅錯体−有機酸塩等のエッチング液によって除去することで、ＩＣチップのパッド２２上にトランジション層３８を形成する（図６）。
【００５５】
（５）次に、基板にエッチング液をスプレイで吹きつけ、トランジション層３８の表面をエッチングすることにより粗化面を形成する。無電解めっきや酸化還元処理を用いて粗化面を形成することもできる。以降の工程は、第１の製造方法と同様であるため説明を省略する。
【００５６】
[第３の製造方法]
第３の製造方法に係る半導体素子２０の製造方法について図７及び図８を参照して説明する。第３の製造方法の半導体素子の構成は、図３（Ｂ）を参照して上述した第１の製造方法とほぼ同様である。但し、第１の製造方法では、セミアディテブ工程を用い、レジスト非形成部に厚付け層３７を形成することでトランジション層３８を形成した。これに対して、第３の製造方法では、フルアディテブ工程を用い、厚付け層３７を均一に形成した後、レジストを設け、レジスト非形成部をエッチングで除去することでトランジション層３８を形成する。
【００５７】
この第３の製造方法の製造方法について参照して説明する。
（１）第１の製造方法で図２（Ｂ）を参照して上述したように、シリコンウエハー２０Ａに蒸着、スパッタリングなどの物理的な蒸着を行い、全面に導電性の金属膜３３を形成させる（図７（Ａ））。その厚みは、０．００１〜２．０μｍの範囲がよい。その範囲よりも下の場合は、全面に薄膜層を形成することができない。その範囲よりも上の場合は、形成される膜に厚みのバラツキが生じてしまう。最適な範囲は０．０１〜１．０μｍで形成されることがよい。形成する金属としては、スズ、クロム、チタン、ニッケル、亜鉛、コバルト、金、銅の中から、選ばれるものを用いることがよい。それらの金属は、ダイパッドの保護膜となり、かつ、電気特性を劣化させることがない。第３の製造方法では、薄膜層３３は、クロムにより形成される。さらに、その上に、薄膜層を積層してもよい。その場合積層できる金属は、ニッケル、銅、金、銀の中から選ばれるものがよい。特に、銅、ニッケルのいずれかで形成させるとことがよい。銅は、廉価であることと電気伝達性がよいからである。ニッケルは、薄膜との密着性がよく、剥離やクラックを引き起こし難い。
なお、望ましい第２薄膜層との組み合わせは、クロム−銅、クロム−ニッケル、チタン−銅、チタン−ニッケルである。金属との接合性や電気伝達性という点で他の組み合わせよりも優れる。また、薄膜の形成には、スパッタ、蒸着、無電解めっきによって行うことができる。
【００５８】
ＩＣチップ２０Ａの全面に蒸着、スパッタリングなどの物理的な蒸着を行い、全面に導電性の金属膜３６を形成させる（図７（Ｂ））。その金属としては、スズ、クロム、チタン、ニッケル、亜鉛、コバルト、金、銅などの金属を１層以上形成させるものがよい。厚みとしては、０．０１〜５．０μｍの間で形成させるのがよい。特に、０．１〜３．０μｍが望ましい。
【００５９】
該金属膜３６の上に、更に無電解めっき等により金属膜を設けることもできる。上側の金属膜は、ニッケル、銅、金、銀などの金属を１層以上形成させるものがよい。
【００６０】
その金属膜３６上に、無電解あるいは電解めっきにより、厚付けしめっき膜３７を形成させる（図７（Ｃ））。形成されるめっきの種類としてはニッケル、銅、金、銀などがある。電気特性、経済性、また、後程で形成されるビルドアップである導体層は主に銅であることから、銅を用いることがよい。その厚みは１〜２０μｍの範囲で行うのがよい。それより厚くなると、エッチングの際にアンダーカットが起こってしまい、形成されるトランジション層とバイアホールと界面に隙間が発生することがある。その後、エッチングレジストを形成して、露光、現像してトランジション層以外の部分の金属を露出させてエッチングを行い、ＩＣチップのパッド上にトランジション層を形成させる。
【００６１】
（３）その後、レジスト層３５を厚付け層３７上に形成させる（図８（Ａ））。
【００６２】
（４）レジスト３５の非形成部の金属膜３３及び厚付け層３７を硫酸−過酸化水素水、塩化第二鉄、塩化第二銅、第二銅錯体−有機酸塩等のエッチング液によって除去した後、レジスト３５を剥離することで、ＩＣチップのパッド２２上にトランジション層３８を形成する（図８（Ｂ））。以降の工程は、第１の製造方法と同様であるため説明を省略する。
【００６３】
Ｂ．芯材を有する樹脂基板
引き続き、第１実施形態で使用される芯材を有する樹脂基板１３０の製造工程について図９を参照して説明する。
（１）ガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビスマレイイミドトリアジン）樹脂からなる樹脂基板１３０の片面に１８μｍの銅箔３０Ａがラミネートされてなる片面銅張積層板を出発材料として用いる（図９（Ａ）参照）。
【００６４】
樹脂基板１３０に形成される銅箔３０Ａは密着改善のため、マット処理されていてもよい。片面銅張積層板は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ビスマレイイミド−トリアジン樹脂などの熱硬化性樹脂をガラスクロスに含浸させてＢステージとしたプリプレグと銅箔を積層して加熱加圧プレスことにより得られる基板である。片面銅張積層板は、リジッドな基板であり、扱いやすくコスト的にも有利である。
【００６５】
樹脂基板１３０の厚さは１０〜４００μｍ、好ましくは５０〜３００μｍであり、７５〜２００μｍが最適である。これらの範囲より薄くなると強度が低下して取扱が難しくなり、逆に厚すぎるとめっきによる貫通孔の充填が難しくなるからである。
一方、銅箔３０Ａの厚さは、５〜３５μｍ、好ましくは８〜３０μｍであり、１２〜２５μｍが最適である。これは、後述するようにレーザ加工にて孔明けした際に、薄すぎると貫通してしまうからであり、逆に厚すぎるとエッチングにより、ファインパターンを形成し難いからである。
【００６６】
（２）次いで、レーザ加工により、樹脂基板１３０に貫通孔１３０ａを形成する（図９（Ｂ）参照）。レーザ加工機としては、炭酸ガスレーザ加工機、ＵＶレーザ加工機、エキシマレーザ加工機などを使用できる。また、孔径は２０〜１５０μｍがよい。炭酸ガスレーザ加工機は、加工速度が速く、安価に加工できるため工業的に用いるには最も適している。ここで、炭酸ガスレーザ加工機を用いた場合には、貫通孔１３０ａ内の銅箔３０Ａの表面にわずかながら溶融した樹脂が残りやすいため、デスミア処理をすることが、接続信頼性を確保するため望ましい。
【００６７】
（３）次いで、銅箔３０Ａにめっきが析出しないように、保護フィルム１３２を貼付する（図９（Ｃ）参照）。そして、貫通孔１３０ａを電解めっきで充填し、導電柱１３３を形成する（図１０（Ａ）参照）。電解めっきとしては、例えば、銀、銅、金、ニッケル、半田を使用できるが、特に、電解銅めっきが最適である。
【００６８】
電解めっきにより充填する場合は、樹脂基板１３０に形成された銅箔３０Ａをめっきリードとして電解めっきを行う。この銅箔３０Ａは、樹脂基板１３０上の全面に形成されているため、電解密度が均一になり、貫通孔１３０ａを電解めっきにて均一な高さで充填することができる。ここで、電解めっき前に、貫通孔１３０ａ内の銅箔３０Ａの表面を酸などで活性化処理しておくとよい。
【００６９】
（４）電解めっきした後、導電柱１３３を樹脂基板１３０よりも若干高くなるように残しておく（図１０（Ａ）参照）。ここで、導電柱１３３を若干高く形成させておくことで、後述する樹脂基板１３０の導電柱１３３と層間樹脂絶縁層上のパッド７５との接続性を向上させる。
【００７０】
（５）続いて、所定パターンのマスクを被覆した後、銅箔３０Ａをエッチングして導体回路を形成する（図１０（Ｂ）参照）。ここでは、先ず、感光性ドライフィルムを貼付するか、液状感光性レジストを塗布した後、所定の回路パターンに沿って露光、現像処理してエッチングレジストを形成した後、エッチングレジスト非形成部分の金属層をエッチングして導体パターンを形成する。エッチングは、硫酸−過酸化水素、過硫酸塩、塩化第２銅、塩化第２鉄の水溶液から選ばれる少なくとも１種がよい。
【００７１】
なお、図１０（Ｃ）に示すように、貫通孔１３０ａを半分程度電解めっきで充填し、導電柱１３３を形成した後、半田ペースト、銀ペースト等の導電性ペーストで突起部１３３αを形成することも可能である。また、めっきを用いることなく、導電性ペーストで貫通孔１３０ａを全て充填することもできる。
【００７２】
Ｃ．多層プリント配線板
引き続き、図１６を参照して上述した多層プリント配線板の製造方法について、図１１〜図１５を参照して説明する。
【００７３】
（１）先ず、ガラスクロス等の芯材にエポキシ等の樹脂を含浸させたプリプレグを積層した絶縁樹脂基板（コア基板）３０を出発材料として用意する（図１１（Ａ）参照）。次に、コア基板３０の片面に、ザグリ加工でＩＣチップ収容用の凹部３２を形成する（図１１（Ｂ）参照）。ここでは、ザグリ加工により凹部を設けているが、開口を設けた絶縁樹脂基板と開口を設けない樹脂絶縁基板とを張り合わせることで、収容部を備えるコア基板を形成できる。
【００７４】
ＩＣチップなどの電子部品を内蔵させる樹脂製基板としては、エポキシ樹脂、ＢＴ樹脂、フェノール樹脂などにガラスエポキシ樹脂などの補強材や芯材を含浸させた樹脂、エポキシ樹脂を含浸させたプリプレグを積層させたものなどが用いられるが、一般的にプリント配線板で使用されるものを用いることができる。それ以外にも両面銅張積層板、片面板、金属膜を有しない樹脂板、樹脂フィルムを用いることができる。ただし、３５０℃以上の温度を加えると樹脂は、溶解、炭化をしてしまう。
【００７５】
（２）その後、凹部３２に、印刷機を用いて接着材料３４を塗布する。このとき、塗布以外にも、ポッティングなどをしてもよい。次に、図１〜図８を参照して上述した製造方法に係るＩＣチップ２０を接着材料３４上に載置する（図１１（Ｃ）参照）。接着材料３４は、コア基板３０よりも熱膨張係数の大きな樹脂を用いる。これにより、ＩＣチップ２０とコア基板３０との熱膨張差を吸収させる。
【００７６】
（３）そして、ＩＣチップ２０の上面を押す、もしくは叩いて凹部３２内に完全に収容させる（図１１（Ｄ）参照）。これにより、コア基板３０を平滑にすることができる。この際に、接着材料３４がＩＣチップ２０の上面にかかることがあるが、後述するようにＩＣチップ２０の上面の樹脂層を設けてからレーザでバイアホール用の開口を設けるため、トランジション層とバイアホールとの接続に影響を与えることがない。
【００７７】
（４）上記工程を経た基板３０に、厚さ５０μｍの熱硬化型樹脂シートを温度５０〜１５０℃まで昇温しながら圧力５ｋｇ／ｃｍ2で真空圧着ラミネートし、層間樹脂絶縁層５０を設ける（図１２（Ａ）参照）。真空圧着時の真空度は、１０ｍｍＨｇである。
【００７８】
層間樹脂絶縁層としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、感光性樹脂、熱硬化性樹脂の一部を感光基で置換した樹脂、熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂との樹脂複合体、感光性樹脂と熱可塑性樹脂との複合体などを用いることができる。
熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。熱可塑性樹脂としては、ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド、フェノキシ樹脂などを用いることができる。またそれらの樹脂複合体として用いた時でも、各１種類以上の樹脂を混合して用いてもよい。例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、フェノキシ樹脂といった組み合わせがある。
【００７９】
また、層間樹脂絶縁層５０は、上述したように、半硬化状態にした樹脂をフィルム状にして加熱圧着する代わりに、予め粘度を調整した樹脂組成物を、ロールコータやカーテンコータなどによって塗布することで形成することもできる。
【００８０】
（５）次に、波長１０．４μｍのＣＯ2ガスレーザにて、ビーム径５ｍｍ、トップハットモード、パルス幅５．０μ秒、マスクの穴径０．５ｍｍ、１ショットの条件で、層間樹脂絶縁層５０に直径６０μｍのバイアホール用開口４８を設ける（図１２（Ｂ）参照）。６０℃の過マンガン酸を用いて、開口４８内の樹脂残りを除去する。ダイパッド２２上に銅製のトランジション層３８を設けることで、パッド２２上の樹脂残りを防ぐことができ、これにより、パッド２２と後述するバイアホール６０との接続性や信頼性を向上させる。更に、４０μｍ径パッド２２上に６０μｍ以上の径のトランジション層３８を介在させることで、６０μｍ径のバイアホール用開口４８を確実に接続させることができる。なお、ここでは、過マンガン酸を用いて樹脂残さを除去したが、酸素プラズマを用いてデスミア処理を行うことも可能である。
【００８１】
（６）次に、クロム酸、過マンガン酸塩などの酸化剤等に浸漬させることによって、層間樹脂絶縁層５０の粗化面５０αを設ける（図１２（Ｃ）参照）。該粗化面５０αは、０．０５〜５μｍの範囲で形成されることがよい。その一例として、過マンガン酸ナトリウム溶液５０ｇ／ｌ、温度６０℃中に５〜２５分間浸漬させることによって、２〜３μｍの粗化面５０αを設ける。上記以外には、日本真空技術株式会社製のＳＶ−４５４０を用いてプラズマ処理を行い、層間樹脂絶縁層５０の表面に粗化面５０αを形成することもできる。この際、不活性ガスとしてはアルゴンガスを使用し、電力２００Ｗ、ガス圧０．６Ｐａ、温度７０℃の条件で、２分間プラズマ処理を実施する。
【００８２】
（７）粗化面５０αが形成された層間樹脂絶縁層５０上に、金属層５２を設ける（図１２（Ｄ）参照）。金属層５２は、無電解めっきによって形成させる。予め層間樹脂絶縁層５０の表層にパラジウムなどの触媒を付与させて、無電解めっき液に５〜６０分間浸漬させることにより、０．１〜５μｍの範囲でめっき膜である金属層５２を設ける。その一例として、
〔無電解めっき水溶液〕
ＮｉＳＯ4                 ０．００３  ｍｏｌ／ｌ
酒石酸                    ０．２００  ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅                    ０．０３０  ｍｏｌ／ｌ
ＨＣＨＯ                  ０．０５０  ｍｏｌ／ｌ
ＮａＯＨ                  ０．１００  ｍｏｌ／ｌ
α、α′−ビピルジル          １００  ｍｇ／ｌ
ポリエチレングリコール（ＰＥＧ）      ０．１０  ｇ／ｌ
３４℃の液温度で４０分間浸漬させた。
上記以外でも上述したプラズマ処理と同じ装置を用い、内部のアルゴンガスを交換した後、Ｎｉ及びＣｕをターゲットにしたスパッタリングを、気圧０．６Ｐａ、温度８０℃、電力２００Ｗ、時間５分間の条件で行い、Ｎｉ／Ｃｕ金属層５２を層間樹脂絶縁層５０の表面に形成することもできる。このとき、形成されるＮｉ／Ｃｕ金属層５２の厚さは０．２μｍである。また、スパッタの代わりに、蒸着、電着等で金属膜を形成することもできる。更に、スパッタ、蒸着、電着などの物理的な方法で薄付け層を形成した後、無電解めっきを施すことも可能である。
【００８３】
（８）上記処理を終えた基板３０に、市販の感光性ドライフィルムを貼り付け、フォトマスクフィルムを載置して、１００ｍＪ／ｃｍ2で露光した後、０．８％炭酸ナトリウムで現像処理し、厚さ１５μｍのめっきレジスト５４を設ける（図１３（Ａ）参照）。次に、以下の条件で電解めっきを施して、厚さ１５μｍの電解めっき膜５６を形成する（図１３（Ｂ）参照）。なお、電解めっき水溶液中の添加剤は、アトテックジャパン社製のカパラシドＨＬである。
【００８４】
〔電解めっき水溶液〕
硫酸                ２．２４  ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅              ０．２６  ｍｏｌ／ｌ
添加剤（アトテックジャパン製、カパラシドＨＬ）
１９．５  ｍｌ／ｌ
〔電解めっき条件〕
電流密度              １Ａ／dm２  
時間                  ６５分
温度              ２２±２℃
【００８５】
（９）めっきレジスト５４を５％ＮａＯＨで剥離除去した後、そのめっきレジスト下の金属層５２を硝酸および硫酸と過酸化水素の混合液を用いるエッチングにて溶解除去し、金属層５２と電解めっき膜５６からなる厚さ１６μｍの導体回路５８及びバイアホール６０を形成する（図１３（Ｃ）参照）。エッチング液としては、塩化第二銅、塩化第二鉄、過酸塩類、過酸化水素／硫酸、アルカリチャントなどを用いることができる。続いて、第二銅錯体と有機酸とを含有するエッチング液によって、粗化面５８α、６０αを形成する（図１３（Ｄ）参照）。
【００８６】
（１０）次いで、上記（７）〜（１２）の工程を、繰り返すことにより、層間樹脂絶縁層５０の上層に層間樹脂絶縁層１５０及び導体回路１５８（バイアホール１６０を含む）を形成する（図１４（Ａ）参照）。
【００８７】
（１１）続いて、液状レジスト、感光性レジスト、ドライフィルムのいずれかのレジスト層を層間樹脂絶縁層１５０上に形成させる。パッド７５を形成する部分が描画されたマスク（図示せず）を該レジスト層上に載置して、露光、現像を経て、レジスト８５に非形成部８５ａを形成させる（図１４（Ｂ）参照）。
【００８８】
（１２）その後、ニッケルめっきを施して、レジスト層の非形成部８５ａにニッケルめっき層７２を形成してから、金めっきを施してニッケルめっき層７２の上に金めっき層７４を設ける（図１４（Ｃ）参照）。
【００８９】
（１３）レジスト８５をアルカリ溶液等で除去しパッド７５を形成する（図１５（Ａ）参照）。なお、本実施形態では、ニッケルめっき層７２及び金めっき層７４によりパッド７５を形成したが、ニッケルめっき層及び金めっき層を省くことも可能である。
【００９０】
（１４）続いて、図１０（Ｂ）を参照して上述した第１実施形態の樹脂基板１３０の上面に導電性の接着剤層１３４を形成した後、樹脂基板１３０の上下を反転させて（図１５（Ｂ））、樹脂基板１３０に設けられた導電柱１３３を導体回路１５８上にあるパッド７５に対応させて載置し、上側から圧力を加え、接着剤層１３４を貫通して導電柱１３３をパッド７５に当接させる（図１５（Ｃ）参照）。この樹脂基板１３０を載置させる際、導電柱１３３を樹脂基板１３０よりも若干高くなるように形成させているためプリント配線板のパッド７５との接続性がよい。なお、ここでは、導電柱１３３をパッド７５に当接させたが、接着剤層１３０として、異方向導電フィルムを用いることで、導電柱１３３をパッド７５とを非接触で電気接続させることもできる。
【００９１】
導電性の接着剤層１３４は、有機系接着剤からなることが望ましく、有機系接着剤としては、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、熱硬化型ポリフェノレンエーテル（ＰＰＥ）、エポキシ樹脂と熱硬化型樹脂との複合樹脂、エポキシ樹脂とシリコーン樹脂との複合樹脂、ＢＴレジンから選ばれる少なくとも１種の樹脂であることが望ましい。ここで、有機系接着剤の溶剤としては、ＮＭＰ、ＤＭＦ、アセトン、エタノールを用いることができる。
【００９２】
有機系接着剤である未硬化樹脂の塗布方法は、カーテンコータ、スピンコータ、ロールコータ、スプレーコート、スクリーン印刷などを使用できる。また、樹脂の塗布後、減圧・脱法を行い、接着剤層１３４の気泡を完全に除去することも可能である。なお、接着剤層１３４の形成は、接着剤シートをラミネートすることによってもできる。接着剤層の厚さは、５〜５０μｍが望ましい。接着剤層は、取扱が容易になるため、予備硬化（プレキュア）しておくことが好ましい。
【００９３】
（１５）次いで、導電柱１３３上にある導体回路３０Ａに半田ペーストを印刷する。この半田ペーストには、Ｓｎ／Ｐｂ、Ｓｎ／Ｓｂ、Ｓｎ／Ａｇ、Ｓｎ／Ａｇ／Ｃｕなどを用いることができる。また、低α線タイプの半田ペーストを用いてもよい。続いて、２００℃でリフローすることにより、半田バンプ７６を形成する（図１６参照）。これにより、ＩＣチップ２０を内蔵し、樹脂基板１３０上に半田バンプ７６を有する多層プリント配線板１０を得ることができる。
【００９４】
プリント配線板１０の表層に熱膨張の影響が小さい樹脂基板１３０を載置して、この樹脂基板１３０上に半田バンプ７６を設ける。したがって、半田バンプ７６には熱膨張の影響による応力が集中しないため、半田パンプ７６の脱落や位置ずれを防止できる。
【００９５】
上述した実施形態では、層間樹脂絶縁層５０、１５０に熱硬化型樹脂シートを用いた。この熱硬化型樹脂シート樹脂には、難溶性樹脂、可溶性粒子、硬化剤、その他の成分が含有されている。それぞれについて以下に説明する。
【００９６】
第１実施形態の製造方法において使用する熱硬化型樹脂シートは、酸または酸化剤に可溶性の粒子（以下、可溶性粒子という）が酸または酸化剤に難溶性の樹脂（以下、難溶性樹脂という）中に分散したものである。
なお、第１実施形態で使用する「難溶性」「可溶性」という語は、同一の酸または酸化剤からなる溶液に同一時間浸漬した場合に、相対的に溶解速度の早いものを便宜上「可溶性」と呼び、相対的に溶解速度の遅いものを便宜上「難溶性」と呼ぶ。
【００９７】
上記可溶性粒子としては、例えば、酸または酸化剤に可溶性の樹脂粒子（以下、可溶性樹脂粒子）、酸または酸化剤に可溶性の無機粒子（以下、可溶性無機粒子）、酸または酸化剤に可溶性の金属粒子（以下、可溶性金属粒子）等が挙げられる。これらの可溶性粒子は、単独で用いても良いし、２種以上併用してもよい。
【００９８】
上記可溶性粒子の形状は特に限定されず、球状、破砕状等が挙げられる。また、上記可溶性粒子の形状は、一様な形状であることが望ましい。均一な粗さの凹凸を有する粗化面を形成することができるからである。
【００９９】
上記可溶性粒子の平均粒径としては、０．１〜１０μｍが望ましい。この粒径の範囲であれば、２種類以上の異なる粒径のものを含有してもよい。すなわち、平均粒径が０．１〜０．５μｍの可溶性粒子と平均粒径が１〜３μｍの可溶性粒子とを含有する等である。これにより、より複雑な粗化面を形成することができ、導体回路との密着性にも優れる。なお、第１実施形態において、可溶性粒子の粒径とは、可溶性粒子の一番長い部分の長さである。
【０１００】
上記可溶性樹脂粒子としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等からなるものが挙げられ、酸あるいは酸化剤からなる溶液に浸漬した場合に、上記難溶性樹脂よりも溶解速度が速いものであれば特に限定されない。
上記可溶性樹脂粒子の具体例としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂等からなるものが挙げられ、これらの樹脂の一種からなるものであってもよいし、２種以上の樹脂の混合物からなるものであってもよい。
【０１０１】
また、上記可溶性樹脂粒子としては、ゴムからなる樹脂粒子を用いることもできる。上記ゴムとしては、例えば、ポリブタジエンゴム、エポキシ変性、ウレタン変性、（メタ）アクリロニトリル変性等の各種変性ポリブタジエンゴム、カルボキシル基を含有した（メタ）アクリロニトリル・ブタジエンゴム等が挙げられる。これらのゴムを使用することにより、可溶性樹脂粒子が酸あるいは酸化剤に溶解しやすくなる。つまり、酸を用いて可溶性樹脂粒子を溶解する際には、強酸以外の酸でも溶解することができ、酸化剤を用いて可溶性樹脂粒子を溶解する際には、比較的酸化力の弱い過マンガン酸塩でも溶解することができる。また、クロム酸を用いた場合でも、低濃度で溶解することができる。そのため、酸や酸化剤が樹脂表面に残留することがなく、後述するように、粗化面形成後、塩化パラジウム等の触媒を付与する際に、触媒が付与されなたかったり、触媒が酸化されたりすることがない。
【０１０２】
上記可溶性無機粒子としては、例えば、アルミニウム化合物、カルシウム化合物、カリウム化合物、マグネシウム化合物およびケイ素化合物からなる群より選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げられる。
【０１０３】
上記アルミニウム化合物としては、例えば、アルミナ、水酸化アルミニウム等が挙げられ、上記カルシウム化合物としては、例えば、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム等が挙げられ、上記カリウム化合物としては、炭酸カリウム等が挙げられ、上記マグネシウム化合物としては、マグネシア、ドロマイト、塩基性炭酸マグネシウム等が挙げられ、上記ケイ素化合物としては、シリカ、ゼオライト等が挙げられる。これらは単独で用いても良いし、２種以上併用してもよい。
【０１０４】
上記可溶性金属粒子としては、例えば、銅、ニッケル、鉄、亜鉛、鉛、金、銀、アルミニウム、マグネシウム、カルシウムおよびケイ素からなる群より選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げられる。また、これらの可溶性金属粒子は、絶縁性を確保するために、表層が樹脂等により被覆されていてもよい。
【０１０５】
上記可溶性粒子を、２種以上混合して用いる場合、混合する２種の可溶性粒子の組み合わせとしては、樹脂粒子と無機粒子との組み合わせが望ましい。両者とも導電性が低くいため樹脂フィルムの絶縁性を確保することができるとともに、難溶性樹脂との間で熱膨張の調整が図りやすく、樹脂フィルムからなる層間樹脂絶縁層にクラックが発生せず、層間樹脂絶縁層と導体回路との間で剥離が発生しないからである。
【０１０６】
上記難溶性樹脂としては、層間樹脂絶縁層に酸または酸化剤を用いて粗化面を形成する際に、粗化面の形状を保持できるものであれば特に限定されず、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、これらの複合体等が挙げられる。また、これらの樹脂に感光性を付与した感光性樹脂であってもよい。感光性樹脂を用いることにより、層間樹脂絶縁層に露光、現像処理を用いてバイアホール用開口を形成することできる。
これらのなかでは、熱硬化性樹脂を含有しているものが望ましい。それにより、めっき液あるいは種々の加熱処理によっても粗化面の形状を保持することができるからである。
【０１０７】
上記難溶性樹脂の具体例としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
さらには、１分子中に、２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂がより望ましい。前述の粗化面を形成することができるばかりでなく、耐熱性等にも優れてるため、ヒートサイクル条件下においても、金属層に応力の集中が発生せず、金属層の剥離などが起きにくいからである。
【０１０８】
上記エポキシ樹脂としては、例えば、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールＦ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。それにより、耐熱性等に優れるものとなる。
【０１０９】
第１実施形態で用いる樹脂フィルムにおいて、上記可溶性粒子は、上記難溶性樹脂中にほぼ均一に分散されていることが望ましい。均一な粗さの凹凸を有する粗化面を形成することができ、樹脂フィルムにバイアホールやスルーホールを形成しても、その上に形成する導体回路の金属層の密着性を確保することができるからである。また、粗化面を形成する表層部だけに可溶性粒子を含有する樹脂フィルムを用いてもよい。それによって、樹脂フィルムの表層部以外は酸または酸化剤にさらされることがないため、層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の絶縁性が確実に保たれる。
【０１１０】
上記樹脂フィルムにおいて、難溶性樹脂中に分散している可溶性粒子の配合量は、樹脂フィルムに対して、３〜４０重量％が望ましい。可溶性粒子の配合量が３重量％未満では、所望の凹凸を有する粗化面を形成することができない場合があり、４０重量％を超えると、酸または酸化剤を用いて可溶性粒子を溶解した際に、樹脂フィルムの深部まで溶解してしまい、樹脂フィルムからなる層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の絶縁性を維持できず、短絡の原因となる場合がある。
【０１１１】
上記樹脂フィルムは、上記可溶性粒子、上記難溶性樹脂以外に、硬化剤、その他の成分等を含有していることが望ましい。
上記硬化剤としては、例えば、イミダゾール系硬化剤、アミン系硬化剤、グアニジン系硬化剤、これらの硬化剤のエポキシアダクトやこれらの硬化剤をマイクロカプセル化したもの、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスフォニウム・テトラフェニルボレート等の有機ホスフィン系化合物等が挙げられる。
【０１１２】
上記硬化剤の含有量は、樹脂フィルムに対して０．０５〜１０重量％であることが望ましい。０．０５重量％未満では、樹脂フィルムの硬化が不十分であるため、酸や酸化剤が樹脂フィルムに侵入する度合いが大きくなり、樹脂フィルムの絶縁性が損なわれることがある。一方、１０重量％を超えると、過剰な硬化剤成分が樹脂の組成を変性させることがあり、信頼性の低下を招いたりしてしまうことがある。
【０１１３】
上記その他の成分としては、例えば、粗化面の形成に影響しない無機化合物あるいは樹脂等のフィラーが挙げられる。上記無機化合物としては、例えば、シリカ、アルミナ、ドロマイト等が挙げられ、上記樹脂としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアクリル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、メラニン樹脂、オレフィン系樹脂等が挙げられる。これらのフィラーを含有させることによって、熱膨脹係数の整合や耐熱性、耐薬品性の向上などを図り多層プリント配線板の性能を向上させることができる。
【０１１４】
また、上記樹脂フィルムは、溶剤を含有していてもよい。上記溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテートやトルエン、キシレン等の芳香族炭化水素等が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種類以上併用してもよい。ただし、これらの層間樹脂絶縁層は、３５０℃以上の温度を加えると溶解、炭化をしてしまう。
【０１１５】
[第１実施形態の改変例]
引き続き、第１実施形態の改変例に係るプリント配線板について図１８を参照して説明する。
上述した第１実施形態では、図１７に示すように基板３０にＩＣチップ２０を内蔵して、樹脂基板１３０上にある外部基板２３０と接続していた。これに対して、第１実施形態の改変例では、図１８に示すように基板３０にチップコンデンサ１２０を内蔵して、樹脂基板１３０上にＩＣチップ２０を載置して接続している。
【０１１６】
[第２実施形態]
次に、本発明の第２実施形態に係る多層プリント配線板の構成について、多層プリント配線板１１０の断面を示す図１９、図２０を参照して説明する。
上述した第１実施形態では、図１６、図１７に示すように層間絶縁層１５０上に載置された樹脂基板１３０は、半田バンプ７６と対応するように導電柱１３３を充填して導体回路を形成することにより、半田バンプ７６と接続していた。これに対して、第２実施形態では、図１９、図２０に示すように樹脂基板１３０にバイアホール１３８を形成することにより、半田バンプ７６と接続している。
【０１１７】
第２実施形態で使用される芯材を有する樹脂基板１３０の製造工程について図２１〜２３を参照して説明する。
（１）厚さ１ｍｍのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビスマレイイミドトリアジン）樹脂からなる樹脂基板１３０の両面に１８μｍの銅箔３０Ａ、３０Ｂがラミネートされてなる両面銅張積層板を出発材料として用いる（図２１（Ａ）参照）。
【０１１８】
（２）市販の感光性ドライフィルムを銅箔３０Ｂに貼り付け、マスクを載置して、１００ｍＪ／ｃｍ2で露光、０．８％炭酸ナトリウムで現像処理し、開口１４０ａを有する厚さ１５μｍのエッチングレジスト１４０を設ける（図２１（Ｂ）参照）。
【０１１９】
（３）その後、硫酸−過酸化水溶液によりエッチングを行い、開口部１４０ａに対応させて銅箔３０Ｂを除去し開口３１を形成する。次いで、水酸化ナトリウム水溶液でレジスト１４０を剥離する（図２１（Ｃ）参照）。
【０１２０】
（４）炭酸ガスレーザにて、銅箔３０Ｂの開口３１から露出する樹脂基板１３０を除去して、貫通孔１３０ａを設ける（図２２（Ａ）参照）。即ち、銅箔３０Ｂをコンフォーマルマスクとして用いて、レーザにより貫通孔１３０ａを穿設する。ここで、炭酸ガスレーザの照射は、銅箔３０Ｂの開口３１に向けて、照射することも、あるいは、プリント配線板全体を走査するようにレーザを照射して、銅箔３０Ｂの開口３１下の樹脂基板１３０を除去することも可能である。
また、ビーム径は、開口径の１．３倍以上がよい。更に、開口３１を形成した後、残さ除去を行ってもよい。例えば、クロム酸、過マンガン酸、カリウムの水溶液に浸漬したり、Ｏ2プラズマ、ＣＦ4プラズマ、もしくは、Ｏ2とＣＦ4混合ガスのプラズマを使用して、樹脂残さを除去できる。
【０１２１】
（５）続いて、銅箔３０Ａにめっきが析出しないように、保護フィルム１３２を貼付する（図２２（Ｂ）参照）。次いで、以下の組成の無電解めっき浴中に樹脂基板１３０を浸漬して、厚さ１．６μｍの無電解銅めっき膜１３６を形成する（図２２（Ｃ）参照）。
無電解めっき液
ＥＤＴＡ            １５０  ｇ／ｌ
硫酸銅                ２０  ｇ／ｌ
ＨＣＨＯ              ３０ｍｌ／ｌ
ＮａＯＨ              ４０  ｇ／ｌ
α、α′−ビピリジル  ８０ｍｇ／ｌ
ＰＥＧ                ０．１ｇ／ｌ
無電解めっき条件
７０℃の液温度で３０分
【０１２２】
（６）市販の感光性ドライフィルムを無電解銅めっき膜１３６に貼り付け、マスクを載置して、１００ｍＪ／ｃｍ2で露光する。その後、０．８％炭酸ナトリウムで現像処理して非露光部分を除去して、厚さ２０μｍのめっきレジスト１４２を設ける（図２３（Ａ）参照）。
【０１２３】
（７）次いで、以下の条件で電解めっきを施し、厚さ２０μｍの電解めっき膜１３７をめっきレジスト１４２の非形成部に形成する（図２３（Ｂ）参照）。
電解めっき液
硫酸              １８０  ｇ／ｌ
硫酸銅              ８０  ｇ／ｌ
添加剤（アトテックジャパン製  商品名カパラシドＧＬ）１ｍｌ／ｌ
電解めっき条件
電流密度              １  Ａ／ｄｍ2
時間                ３０分
温度                室温
【０１２４】
めっきレジスト１４２を５％ＫＯＨで剥離除去して、その後、硫酸と過酸化水素混合液でエッチングを行い、めっきレジスト１４２の下側にあった銅箔３０Ｂ、無電解銅めっき膜１３６を溶解除去して銅箔３０Ｂ、無電解銅めっき膜１３６と電解めっき膜１３７からなる厚さ１８μｍのバイアホール１３８を形成する。そして、裏面側の銅箔をパターンエッチングして導体回路３０Ａを形成する（図２３（Ｃ）参照）。
【０１２５】
次に、図１９、図２０に示される第２実施形態に係る多層プリント配線板１１０の製造方法について説明する。なお、（１）〜（１３）の工程は、第１実施形態と同様であるため説明を省略する。
【０１２６】
（１４）第１実施形態と同様に、上記（１）〜（１３）の工程を経た後、上述した第２実施形態の樹脂基板１３０の下面に導電性の接着剤層１３４を形成した後（図２４（Ａ））、樹脂基板１３０に設けられた導体回路３０Ａを導体回路１５８上にあるパッド７５に対応させて載置する（図２４（Ｂ）参照）。以降の工程は、上述した第１実施形態と同様の工程であるため説明を省略する。
【０１２７】
【発明の効果】
以上記述したように本発明の多層プリント配線板では、最外層の層間樹脂絶縁層の上に樹脂基板を載置して、この樹脂基板に外部接続端子（ＢＧＡ、半田バンプ、ＰＧＡ）を配設させている。本発明では、芯材を有し剛性の高い樹脂基板上に外部接続端子を形成するため、層間樹脂絶縁層に発生する応力による外部接続端子の剥離を防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、本発明の第１実施形態に係るＩＣチップの第１の製造方法の工程図である。
【図２】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、第１実施形態に係るＩＣチップの第１の製造方法の工程図である。
【図３】（Ａ）、（Ｂ）は、第１実施形態に係るＩＣチップの第１の製造方法の工程図である。
【図４】（Ａ）は、第１実施形態に係るシリコンウエハーの平面図であり、（Ｂ）は、個片化されたＩＣチップの平面図である。
【図５】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、第１実施形態に係るＩＣチップの第２の製造方法の工程図である。
【図６】第１実施形態に係るＩＣチップの第２の製造方法の工程図である。
【図７】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、第１実施形態に係るＩＣチップの第３の製造方法の工程図である。
【図８】（Ａ）、（Ｂ）は、第１実施形態に係るＩＣチップの第３の製造方法の工程図である。
【図９】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、第１実施形態に係る多層プリント配線板に使用される芯材を有する樹脂基板の製造工程図である。
【図１０】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、第１実施形態に係る多層プリント配線板に使用される芯材を有する樹脂基板の製造工程図である。
【図１１】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図１２】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図１３】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図１４】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図１５】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図１６】第１実施形態に係る多層プリント配線板の断面図である。
【図１７】ドータボードと接続した第１実施形態に係る多層プリント配線板の断面図である。
【図１８】第１実施形態の改変例に係る多層プリント配線板の断面図である。
【図１９】第２実施形態に係る多層プリント配線板の断面図である。
【図２０】ドータボードと接続した第２実施形態に係る多層プリント配線板の断面図である。
【図２１】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、第２実施形態に係る多層プリント配線板に使用される芯材を有する樹脂基板の製造工程図である。
【図２２】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、第２実施形態に係る多層プリント配線板に使用される芯材を有する樹脂基板の製造工程図である。
【図２３】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、第２実施形態に係る多層プリント配線板に使用される芯材を有する樹脂基板の製造工程図である。
【図２４】（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の第２実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図２５】第１実施形態に係る多層プリント配線板の断面図である。
【符号の説明】
２０  ＩＣチップ
２２  パッド
２４  パッシベーション膜
３０  コア基板
３０Ａ、３０Ｂ  銅箔（導体回路）
３１  開口部
３２  凹部
３３  金属膜
３４  接着材料
３６  めっき膜
３７  無電解めっき膜
３８  トランジション層
３８α  粗化面
５０  層間樹脂絶縁層
５０α  粗化面
５２  金属層
５４  めっきレジスト
５６  電解めっき膜
５８  導体回路
５８α  粗化面
６０  バイアホール
６０α  粗化面
７２  ニッケルめっき
７４  金めっき
７５  パッド
７６  半田バンプ
８５  レジスト
９６  導電性接続ピン
１２０  チップコンデンサ
１３０  樹脂基板
１３０ａ  貫通孔
１３２  保護フィルム
１３３  導電柱（導体回路）
１３４  接着剤層
１３６  無電解銅めっき膜
１３７  電解めっき膜
１４０  レジスト
１４０ａ  レジスト開口部
１４２  めっきレジスト
１５０  層間樹脂絶縁層
１５８  導体回路
１６０  バイアホール
２３０  ドータボード
【図１】
0004601158.tif 000002
【図２】
0004601158.tif 000003
【図３】
0004601158.tif 000004
【図４】
0004601158.tif 000005
【図５】
0004601158.tif 000006
【図６】
0004601158.tif 000007
【図７】
0004601158.tif 000008
【図８】
0004601158.tif 000009
【図９】
0004601158.tif 000010
【図１０】
0004601158.tif 000011
【図１１】
0004601158.tif 000012
【図１２】
0004601158.tif 000013
【図１３】
0004601158.tif 000014
【図１４】
0004601158.tif 000015
【図１５】
0004601158.tif 000016
【図１６】
0004601158.tif 000017
【図１７】
0004601158.tif 000018
【図１８】
0004601158.tif 000019
【図１９】
0004601158.tif 000020
【図２０】
0004601158.tif 000021
【図２１】
0004601158.tif 000022
【図２２】
0004601158.tif 000023
【図２３】
0004601158.tif 000024
【図２４】
0004601158.tif 000025
【図２５】
0004601158.tif 000026