(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の特徴を備えるパターンをプリントするために光を照射されるマスクを作製する方法であって、
基板をエッチングしてメサを形成し、その後、当該メサの全上面にπ位相シフトに対応し、所定パーセントの透過率を有する光透過性位相シフト材料層を設けることで、結像される前記複数の特徴の少なくとも１つを形成するステップを含み、
前記メサが２π位相シフトに対応する高さを持ち、
前記メサの側面から前記光が入射し、さらに前記メサに入射した前記光の一部が前記所定パーセントの透過率を有する光透過性位相シフト材料層で遮光されるよう配置される前記マスクを作製する方法。
【請求項２】
前記光透過性位相シフト材料層が、ＭｏＳｉ，ＴａＳｉ，ＣｒＯＮ又はＡｌからなる、請求項１に記載のマスクを作製する方法。
【請求項３】
複数の特徴を持つパターンをプリントするために光を照射されるマスクを表すファイルを生成するようコンピュータを制御するためのコンピュータプログラムであって、
前記複数の特徴を表すデータを取得するステップと、
基板をエッチングしてメサを形成し、その後、当該メサの全上面にπ位相シフトに対応し、所定パーセントの透過率を有する光透過性位相シフト材料層を設けることで、結像される前記複数の特徴の少なくとも１つを規定するステップとを含み、
前記メサが２π位相シフトに対応する高さを持ち、
前記メサの側面から前記光が入射し、さらに前記メサに入射した前記光の一部が前記所定パーセントの透過率を有する光透過性位相シフト材料層で遮光されるよう配置される前記マスクを表すファイルを生成するためのコンピュータプログラム。
【請求項４】
デバイス製造方法であって、
（ａ）放射線感応性材料層で少なくとも部分的に覆われた基板を提供するステップと、
（ｂ）結像システムを用いて放射の投影ビームを提供するステップと、
（ｃ）断面内にパターンを持つ前記投影ビームを与えるために用いられるマスクを生成するステップと、
（ｄ）前記パターンを形成された前記投影ビームを前記放射線感応性材料層のターゲット部分に投影するステップとを含み、
ステップ（ｃ）において、前記マスクが、
前記複数の特徴を表すデータを取得するステップと、
マスク基板をエッチングしてメサを形成し、その後、当該メサの全上面にπ位相シフトに対応し、所定パーセントの透過率を有する光透過性位相シフト材料層を設けることで、結像される前記複数の特徴の少なくとも１つを規定するステップと
を含む方法により形成され、
前記メサが２π位相シフトに対応する高さを持ち、
前記メサの側面から前記投影ビームが入射し、さらに前記メサに入射した前記投影ビームの一部が前記所定パーセントの透過率を有する光透過性位相シフト材料層で遮光されるよう前記マスクが配置される、デバイス製造方法。
【請求項５】
前記光透過性位相シフト材料層が、ＭｏＳｉ，ＴａＳｉ，ＣｒＯＮ又はＡｌからなる、請求項４に記載のデバイス製造方法。
【請求項６】
複数の特徴を備えるパターンをプリントするために光を照射されるマスクであって、
メサが設けられた基板と、
前記メサの全上面に設けられた、π位相シフトに対応し、所定パーセントの透過率を有する光透過性位相シフト材料層と、
を備え、
前記メサが２π位相シフトに対応する高さを持ち、
前記メサ及び前記光透過性位相シフト材料層が、結像される前記複数の特徴の少なくとも１つをなし、
前記メサの側面から前記光が入射し、さらに前記メサに入射した前記光の一部が前記所定パーセントの透過率を有する光透過性位相シフト材料層で遮光されるよう配置される、前記マスク。
【請求項７】
前記光透過性位相シフト材料層が、ＭｏＳｉ，ＴａＳｉ，ＣｒＯＮ又はＡｌからなる、請求項６に記載のマスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本出願は、２００５年８月１２日に出願された米国特許出願第６０／７０７，５５７号に対する優先権を主張するものであり、この米国出願は参照によりその全体が本明細書に援用される。
【０００２】
本発明は、概して、クロムレス位相リソグラフィ(chromeless phase lithography:ＣＰＬ)技術とともに用いるためのマスクパターン作製、さらに詳しくは、最小特徴(critical feature)の結像を行うことのできるマスクを作製するために必要なマスク作製プロセスの複雑さを減少させると同時にこの最小特徴の結像を改良するための方法および技術に関する。
【背景技術】
【０００３】
リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。この場合、マスクは、ＩＣの個々の層に対応する回路パターンを含み、このパターンを放射線感応性材料（レジスト）層でコーティングされた基板（シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、１つ又はそれ以上のダイを含む）に結像することができる。一般に、単一のウェーハは、投影システムを介して連続して照射される隣接するターゲット部分の全ネットワークを、一度に１つ含む。あるタイプのリソグラフィ投影装置では、１操作でマスクパターン全体をターゲット部分に露出させることで、各ターゲット部分が照射される。このような装置は一般にウェーハステッパと呼ばれる。ステップアンドスキャン装置と通常呼ばれる他の装置においては、マスクパターンを投影ビームの下で所定の基準方向（「走査」方向）にプログレッシブ走査するとともに、これに同期させて基板テーブルを基準方向に平行または逆平行に走査することによって、各ターゲット部分が照射される。一般に、投影システムは倍率Ｍ（一般に＜１）を持つので、基板テーブルが走査される速度Ｖはマスクテーブルが走査される速度のＭ倍になる。ここで説明されたリソグラフィ装置に関するさらなる情報については、例えば、米国特許第６，０４６，７９２号で得ることができ、参照によりここに援用される。
【０００４】
リソグラフィ投影装置を用いる製造プロセスにおいては、放射線感応性材料（レジスト）層で少なくとも部分的に覆われる基板上に、マスクパターンが結像される。この結像ステップの前においては、基板は、プライミング(下塗り)、レジストコーティング、ソフトベークといった、種々の処理が施される。露光後には、基板は、ポストベーク（post-exposure bake:ＰＥＢ）、現像、ハードベーク、結像された特徴の測定／検査といった、他の処理が施される。この一連の処理は、例えばＩＣといったデバイスにおける個々の層のパターン形成を行うための基礎として用いられる。このようなパターン形成された層はさらに、エッチング、イオン注入（ドーピング）、メタライゼーション、酸化、化学機械的研磨等の種々のプロセスが施される。これらは全て個々の層の仕上げを意図したものである。複数の層が必要な場合には、全処理あるいはその別系を、各新しい層に対して繰り返す必要がある。最終的に、デバイスの列が基板（ウェーハ）上に出来上がる。これらのデバイスは、その後、ダイシング(dicing)あるいはソーイング（sawing)といった技術によってお互いに分離され、そして、キャリアの上に取り付ける、ピンに接続するといったことが可能になる。
【０００５】
簡略化のため、以下、投影システムを「レンズ」と呼ぶこととするが、この用語は、例えば屈折光学素子、反射光学素子、反射屈折光学系を含む種々のタイプの投影システムを包含するものとして広く解釈されるべきである。また、放射システムは、放射の投影ビームを誘導、成形、又は制御するこれら設計タイプのいずれにも従って動作する構成要素を含み、このような構成要素も、以下、集合的に又は単一的に、「レンズ」と呼ぶこととする。さらに、リソグラフィ装置は、２つ以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスクテーブル）を持つタイプとすることができる。このような「マルチステージ」装置においては、追加のテーブルを平行して用いることができ、あるいは１つ又はそれ以上の別のテーブルを露光に用いながら１つ又はそれ以上のテーブルに対して準備ステップを施すことができる。ツインステージ(twin stage)リソグラフィ装置は、例えば、米国特許第５，９６９，４４１号で説明されており、参照によりここに援用される。
【０００６】
上述したフォトリソグラフィマスクは、シリコンウェハに集積される回路構成要素に対応する幾何学的パターンを備える。このようなマスクを作り出すために用いられるパターンはＣＡＤ（computer-aided design）プログラムを用いて生成され、このプロセスはＥＤＡ（electronic design automation）としばしば呼ばれる。大部分のＣＡＤプログラムは、機能マスクを作製するために、所定の設計ルールのセットに従う。これらのルールは、プロセスおよび設計上の制限によって設定される。例えば、設計ルールは、回路デバイス（ゲート、コンデンサ等）間あるいは相互接続ライン間のスペース許容範囲を規定して、回路デバイスまたはラインが不適切に相互作用することを確実に回避するようにしている。設計ルール上の制限は、通常「最小寸法」（critical dimension:ＣＤ）と呼ばれる。回路の最小寸法は、ラインもしくは穴の最小幅、あるいは２つのラインもしくは２つの穴の間の最小スペースとして規定できる。従って、ＣＤは、設計された回路の全体的な大きさおよび密度を決める。
【０００７】
当然ながら、集積回路製作における目標の１つは、当初の回路設計を（マスクを介して）ウェーハ上に忠実に再現することである。リソグラフィ機器の解像度／プリント能力をさらに改善するために現在リソグラフィの関係者たちから注目を集めいている技術の１つは、クロムレス位相リソグラフィ「ＣＰＬ」と呼ばれるものである。知られているように、ＣＰＬ技術を利用する場合、得られるマスクパターンは、典型的には、クロムを用いる構造と同様に、クロムの使用を必要としない（すなわち特徴が位相シフト技術によってプリントされる）構造（ウェーハ上にプリントされる特徴に対応する構造）を含む。このようなＣＰＬマスクは、米国特許公開公報第２００４／０１１５５３９号（‘５３９文献）に開示されており、その全てが参照によりここに援用される。
【０００８】
‘５３９文献で論じられているように、実際の製造目的のために、マスク設計特徴を「３つのゾーン」に分類することが有益であることが見出されている。図ｌ（ａ）を参照すると、ゾーン１(Zone 1)の特徴は、２つの位相エッジ(phase edge)（左右）が緊密に作用し、単一の空間像を形成する範囲における最小寸法を持つことである。図１（ｃ）に示されているとおり、２つの位相エッジがさらに離れると（すなわち特徴ＣＤが大きくなると）、左右の位相エッジのおのおのがそれ自体の空間像を形成し、これら２つは互いに作用しない。このタイプの特徴はゾーン３(Zone 3)として分類される。この場合、ゾーン３の特徴が２つの別個のラインパターンとしてプリントされることを防ぐために、図１（ｃ）に示されているとおり、一片のダーククロムが基板の最上部に設けられ、ゾーン３の特徴が１つの空間像を形成する。換言すると、ゾーン３の特徴は、本質的に「クロム」マスク特徴になる。
【０００９】
図１（ｂ）に示されているとおり、２つの位相エッジが部分的に作用するようなＣＤ寸法である場合、これらの特徴はゾーン２の特徴として分類される。しかしながら、部分的な位相エッジ相互作用により形成される空間像は質がかなり悪いため、利用できない。 ‘５３９文献は、クロムパッチを用いてパーセント透過率(percent transmission)を調節することで、このような特徴に対して高忠実度の空間像を得ることができることを開示している。したがって、ランダムに設計されたマスク特徴を３つの結像ゾーンに分類し、さらに、それに応じて光近接効果補正（optical proximity correction:ＯＰＣ）を適用することで、ＣＰＬマスクを用いて大量のＩＣ製造を行うことが可能である。
【００１０】
図２（ａ）および２（ｂ）は、ゾーン２に対する（「ゼブラ」(“zebra”)技術と呼ばれる）クロムパッチの適用と標準的なalternating位相シフトマスク（alternating phase-shift mask:Ａｌｔ−ＰＳＭ）の適用をそれぞれ図示するとともに、ＣＰＬゼブラ技術とＡｌｔ−ＰＳＭ技術との性能比較を図示したものである。図２ａを参照すると、ゾーン２の特徴（この例では３つの平行ライン）について、水晶基板２０をエッチングして、３組の隣接したπ位相エッジを形成し、その後、エッチングで形成された特徴２４の最上部にクロムパッチ２２を設けて、クロムのストリップ／パッチ（つまりゼブラパターン）を形成する。「ゼブラ」パターンのデューティ比は、「ゼブラ」が本質的にディジタル的にハーフトーンになるように、結像ツールでは分解不可能なものになる必要がある。言い換えると、ゾーン２の特徴は、結像ツールの視点から、「影付きの」位相パターン(“shaded” phase pattern)である。影(shade)の量（つまりパーセンテージ透過率）は、クロムパッチ（ダーク）の大きさとオープンエリア（クリア）の大きさの比によって決まる。これらのパッチを利用することにより、ゾーン２のマスク特徴に対するパーセンテージ透過率を制御し、高忠実度のパターン形成を行うことが可能になる。
【００１１】
実際上、図２（ａ）に示されているとおり、「ゼブラ」特徴は、図２（ｂ）に図示す標準的なalternating ＰＳＭ（ＡｌｔＰＳＭ）マスク２６に関連した結像性能と良好に匹敵し、図２（ａ）のマスクで画像形成されるように同一の３つの平行ラインパターンを結像している。図示されているように、得られる空間像は両方とも良好な最小空間像（Ｉ−ｍｉｎ）と良好な画像コントラストを示しており、この理由は、Ｉ−ｍｉｎがより小さいということが、高忠実度ラインパターンをより良好に形成できる「暗い(dark)」画像であるということを意味しているためである。しかしながら、ゼブラＣＰＬ技術を用いて結像されたゾーン２の特徴については、得られる空間像は、本質的に、グループラインパターンの外側の近くではるかに対称性が高い。これは、さらに実用的なＯＰＣ処理が実行可能であることから、ゼブラＣＰＬ技術を用いる大きな利点の１つである。マスクにおいてゾーン２の特徴を実装するためにゼブラ技術を用いる際の１つの課題は、ゼブラマスク特徴が電子ビームまたは高解像度マスク作製プロセスの利用を必要とすることである。ぎりぎりの品質(borderline quality)のゼブラマスクパターンは、パターニング中の透過率制御の効率を減少させてしまう。ゼブラパターンはまた、マスクに欠陥がないことを確実ならしめるために必要なレチクル検査を困難なものにする。しかしながら、最先端のリソグラフィ製造にとって、良質なＣＰＬゼブラマスクが提供可能であれば、ゼブラ特徴は最良の選択である。
【００１２】
上述した観点から、ゾーン２特徴に対するゼブラパターンの利用を最小限にしながら、満足がいくプリント性能を達成することができるＣＰＬマスクを持つことが望ましい。さらに、メモリコアと外周パターンエリアとの関係といった種々のＩＣ設計スタイルの理由から、例えばゾーン２特徴の結像を行うために、ゼブラマスク設計を必ずしも利用することなく、必要なプリント性能を満たすさらに柔軟性の高い改良型ＣＰＬマスク設計が望まれる。
【００１３】
したがって、本発明の目的は、‘５３９文献に開示されているゼブラパターン形成技術に対する代替技術を提供して、ゼブラパターン形成技術の利用に関連した上記課題を解消するＣＰＬマスクを提供することにある。
【００１４】
【特許文献１】米国特許第６，０４６，７９２号
【特許文献２】米国特許第５，９６９，４４１号
【特許文献３】米国特許公開公報第２００４／０１１５５３９号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
上述のとおり、本発明の１つの目的は、ゼブラパターン形成技術を用いる必要のない、例えばゾーン１あるいはゾーン２特徴に対応する最小寸法を持つ特徴を結像できる、マスクパターンを作製する方法および技術を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
より具体的には、１つの例となる実施形態において、本発明は、複数の特徴を含むパターンをプリントするためのマスクを作製する方法に関する。この方法は、複数の特徴を表すデータを取得するステップと、基板をエッチングしてメサを形成し、当該メサの全上面にクロム層を設けることで、複数の特徴の少なくとも１つを形成させるステップとを含み、前記メサが所定高さを持つ。
【００１７】
第２の例となる実施形態において、本発明は、複数の特徴を備えるパターンをプリントするためのマスクを作製する方法であって、複数の特徴を表すデータを取得するステップと、基板をエッチングしてメサを形成し、当該メサの全上面に光透過性の位相シフト材料を設けることで、前記複数の特徴の少なくとも１つを形成させるステップとを含み、前記メサが所定高さを持つ方法に関する。
【００１８】
本発明は従来技術よりも重要な利点を提供する。最も重要なものとして、本発明はゼブラパターン形成技術を実施する必要性をなくし、マスク作製プロセスの複雑さを大幅に減少させる。さらに、本発明は、例えば、単一照明で周囲にある特徴とコア特徴の結像が可能になるように、回路デザインのコアの稠密エリアにある特徴に対して回路デザインの周囲エリアにある特徴を調節するための単純なプロセスを提供する。本発明の他の利点は、回路デザイン内の遷移領域(transition region)での位相エッジプリントに関係する問題を最小化するということである。本発明のさらに他の利点は、以下に詳細を示す「リーキークロム(leaky chrome)」を用いることで、マスク上で６％ａｔｔＣＰＬおよびピュア位相(pure phase)ＣＰＬ特徴の両方を用いることが可能になり、これによりゾーン２およびゾーン３の特徴を含む特徴と関連して６％π位相シフト光を用いることができ、よって結像性能が改善されるというものである。
【００１９】
本発明のさらなる利点は、本発明の一例となる実施形態に関する以下の詳細な説明から、当業者にとって明らかとなる。
【００２０】
ここではＩＣ製造における本発明の利用について具体的に言及しているが、本発明には他に多くの適用可能なアプリケーションがあることを明確に理解されたい。例えば、本発明は、集積光学システムや、磁気ドメインメモリのガイダンスや検出パターン、液晶ディスプレイパネル、薄膜磁気ヘッド等の製造において使用することも可能である。当業者であれば、このような他のアプリケーションに関して、ここで使用した「レチクル」、「ウェーハ」、「ダイ」といった用語がそれぞれ「マスク」、「基板」、「ターゲット部分」といったより一般的な用語によって置き換えて考察されるべきであることを、理解するであろう。
本発明自体は、さらなる目的や利点とともに、以下の詳細な説明および添付図面を参照することでさらによく理解できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下でさらに詳細に説明するとおり、本発明に従ってマスクおよびマスクを作製する方法は、特徴の全上面に沿って設けられたクロムまたはＭｏＳｉを持つ位相メサ(phase mesa)を利用した特徴を実施することで、従来のゼブラ技術で必要とされたゼブラパターン形成の必要性をなくす。このマスク形成技術は、ゾーン２の特徴（すなわち、隣接する位相エッジを用いてマスク内に特徴が実施される場合に、２つの位相エッジが部分的に相互作用するが、この相互作用は特徴の結像を良好に行うには十分ではないというもの）に対応するＣＤ寸法を持つ特徴に対して、特に適用可能である。しかしながら、この技術はまた、ゾーン１およびゾーン３タイプの特徴といった、ゾーン２の分類外となる特徴を実施するためにも用いることができる。
【００２２】
図２（ａ）に示されるとおり、ＣＰＬマスク特徴は本来的に三次元である。換言すると、ＣＰＬマスクトポロジー(CPL mask topology)は、エッチングされた位相特徴２４の最上部に堆積されたクロム２２の層厚がある特徴２４と、それがない特徴を含む。三次元マスク特徴の利用により、得られる像がよくなることが見出された。これは図３（ａ）−３（ｄ）に示される。図３（ａ）は、ＣＰＬライン特徴３０の各側に堆積されたＯＰＣ散乱バー(scattering bar:ＳＢ)３２を持って結像されるＣＰＬライン特徴３０を図示している。図３（ａ）の切断ラインは、ＳＢ特徴３２とＣＰＬ特徴ライン３０の両方に対する空間像をサンプリングする。図３（ｂ）は、ＳＢ特徴３２がその全上面に堆積されたクロム層３６を持つ三次元マスクトポロジーを図示している。図３（ａ）のマスクに対する二次元マスクトポロジーは、ＳＢ特徴３２の最上部にはクロムが堆積されていないという点が違う以外は、図３（ｂ）に示されたものと同じである。図３（ｃ）および３（ｄ）は、二次元トポロジーおよび三次元トポロジーそれぞれの空間像を図示している。図３（ｃ）および３（ｄ）の比較からわかるように、得られる空間像は、二次元トポロジーに基づく空間像に比べて三次元マスクトポロジーの方が改善されている。与えられた例のＣＰＬ特徴ライン３０（位相のみ）については、実際のＩ−ｍｉｎは、三次元マスクトポロジーでは０．２５、二次元マスクトポロジーでは０．３５に近づいている。ＳＢ特徴３２に関しては、二次元マスクトポロジーに対して三次元マスクトポロジーの方がさらに顕著で、「暗く」(darker)見える。
【００２３】
図３（ｃ）および３（ｄ）から、三次元マスクトポロジーにより影響を受けるＳＢ特徴３２の空間像は、二次元マスクトポロジーにより影響を受けるＳＢ特徴３２よりもコントラストが高いことは明白である。そのようなものとして、三次元マスクトポロジー効果により、ＳＢ特徴３２の「サブ解像」(sub-resolution)を維持することが難しくなる。ゼブラパターン形成技術を用いる必要性に頼ることなくＣＰＬマスク特徴のプリント性能を高めるために本発明が用いるのは、この三次元マスクトポロジー効果である。
【００２４】
本発明によれば、第１の実施形態において、結像されるＣＰＬ特徴は、クロム・オン・メサ位相特徴（chrome-on-mesa phase feature)を持つマスクで形成される。さらに詳細には、クロム層は、基板にエッチングされたメサ位相特徴の全上面に堆積される。以下さらに詳細に説明するとおり、クロム層は光透過を行わないため、光にいかなる位相シフトももたらさない。出願人によって最も良く理解されるとおり、より高められた結像効果は、導波効果(waveguide-effect)から得られる。この導波効果では、照明光が、位相メサの側壁を通って水晶内に引き込まれると、まず結像情報をピックアップし、次に、水晶内に形成された位相メサの側壁に引き込まれたこの光が位相メサの最上部に堆積されたクロムでブロックされると、さらなる結像情報がピックアップされる（結像プロセスにおいて、照明光は、まず水晶基板に接触し、次いで基板にエッチングされた位相メサに接触し、さらに位相メサの最上部に堆積されたクロム層に接触する）。このように、本実施形態において、位相メサの最上部に堆積されたクロム層は光透過を行わないため、透過光に対していかなる位相シフトももたらさない。結像が改善されたのは、クロム・オン・位相メサ構造（chrome-on-phase mesa structure)を用いた結果である。
【００２５】
図４（ａ）および４（ｂ）は本発明の第１の実施形態の２つのバリエーションを図示したものである。より具体的には、図４（ａ）は、エッチングされたπ位相メサ４２を持つ水晶基板４０と、π位相メサ４２の最上部に堆積されたクロム層４４とを含むＣＰＬマスク特徴の断面を示す。クロム層４４は、位相メサ４２の全上面に形成されている（これにより、従来のゼブラパターンの作製に関する問題が解消する）。図４（ｂ）は、エッチングされた２π位相メサ４６を持つ水晶基板４０と、２π位相メサ４６の最上部に堆積されたクロム層４４とを含むＣＰＬマスク特徴の断面を示す。前と同じように、クロム層が位相メサ４６の全上面に形成されている。図４（ｃ）は、クロム層４７が水晶基板４０の表面に直接堆積される従来のマスク特徴を示す。
【００２６】
図４（ｄ）は、図４（ａ）−４（ｃ）に示したＣＰＬ特徴に関連する空間性能を示すものである。図４（ａ）−４（ｃ）の特徴例は、０．８ＮＡ及び０．８５／０．５５設定のクェーサー照明(quasar illumination)の露光条件下で結像された３６０ｎｍピッチの８０ｎｍライン特徴に対応している。図４（ｄ）に示したとおり、図４（ａ）のクロム・オン・π位相メサ構造から得られる空間像４３と、図４（ｂ）のクロム・オン・２π位相メサ構造から得られる空間像４５とは実質的に同一であり、図４（ｃ）の非位相シフトクロム・オン・水晶特徴から得られる空間像４７よりもＩ−ｍｉｎ値が小さい（すなわち、「より暗い」(darker））。知られているとおり、Ｉ−ｍｉｎ値が小さいことで、ラインプリントに対する結像性能がより良好になる。図４（ｄ）はまた、空間像幅がクロム・オン・位相メサ構造ではより広いことを示している。しかしながら、適切なＯＰＣ技術を適用することで、これは相殺できる。
【００２７】
このように、図４（ａ）のクロム・オン・π位相メサ構造（chrome on π-phase mesa structure)と、図４（ｂ）のクロム・オン・２π位相メサ構造（chrome on 2π-phase mesa structure)との間には顕著な空間像性能の違いはない。しかしながら、２π位相メサを用いる１つの利点は、エッチングされた範囲が２倍大きいことから、許容範囲をより大きくできるということである。さらに、クロム・オン・メサ構造に関して、クロムが光を透過せず、光に関する位相シフトがないため、πまたは２π位相シフトに対応する高さ以外の高さに基板をエッチングすることが可能である。本発明の第１実施形態の構造は、上で明確にしたように、マスクデザインにてゾーン２の特徴を実施する上で特に有用である。これにより、ＣＰＬのフルチップ処置を行い、結像される特徴をゾーンｌ、ゾーン２、ゾーン３の区分のいずれかに分類する場合、前述のクロム・オン・メサ位相特徴を用いてマスクデザインにてゾーン２特徴を実施でき、これによりゾーン２特徴に対してゼブラ技術を実施する必要性がなくなる。上述したように、クロムはゾーン２特徴のおのおのの全上面に堆積される。
【００２８】
本発明の第２の実施形態では、基板にエッチングされた位相メサの全面にクロム層が堆積されることと対照的に、あるパーセント透過率の物質が位相メサの全上面に堆積される。例えば、６％の光透過率を示すＭｏＳｉの層を、マスク設計にてＣＰＬ特徴を実施するために、位相メサ上に堆積できる。本発明は、ＭｏＳｉ、あるいは６％光透過率の他の物質を用いることに限定されるものではなく、他の材料や異なる光透過率％を用いてもよい。本発明の第１の実施形態と同様に、ＭｏＳｉ層と位相メサの組合せは、上述した導波効果に起因して、得られる結像性能を向上させるよう機能する。さらに、光透過層はまた、透過光に位相シフトを与える。第１の実施形態と同じく、本発明の第２の実施形態もまた、マスク設計においてゾーン２の特徴を実施するために用いられる。ＭｏＳｉの使用に加えて、他の材料として、ＴａＳｉ、ＣｒＯＮおよびＡｌが可能であるが、これらに限定されるものではない。光透過に関して利用可能な範囲は、典型的には、約５−３０％である。
【００２９】
さらに、全位相メサ構造上に堆積された光透過層を持つ本発明の第２実施形態の構造を用いて、回路デザインの周囲に設けられた特徴（例えば、ゾーン１またはゾーン２タイプの特徴）を持つ回路デザインのコア部分を露光するために必要な露光エネルギーに一致するよう支援することができる。例えば、メモリデバイスを考えると、メモリデバイスのコアエリアは、６％ａｔｔＰＳＭといった既存のマスクプロセスで最適化できる。これは、６％ａｔｔＰＳＭが強い(aggressive) ｋ１（すなわち、＜０．３１）の下で非常に密なエリアに対して良好に機能するという事実による。これにより、マスクにおいて非常に密なコア特徴を実施するために６％ａｔｔＰＳＭを用いることが、非常に密なメモリコアにとって好ましい。しかしながら、密度の低い（メモリコアでない）パターンエリアに対しては、６％ａｔｔＰＳＭの結像性能は低い。このように、ＣＰＬ技術は好ましい選択肢である。
【００３０】
しかしながら、外周エリアに位置するゾーン１といった１００％透過ＣＰＬ特徴に対して６％ａｔｔＰＳＭを一致させようとする場合、各エリアを照明するために必要な露光エネルギーが不一致となる可能性が高い。実際、最適露光エネルギーは、ゾーン１のＣＰＬ特徴の最適なプリントに対するものに比べて、６％ａｔｔＰＳＭに対するものと大きく異なっている。したがって、ある与えられたマスクについて特定の誤り許容範囲内でコアおよび周囲の両方を確実にプリントするためには、周囲エリアにて特徴を結像できるようにＣＰＬマスク特徴の透過％を調整する必要がある。周囲エリアでの特徴の透過％を調整する１つの方法は、ＣＰＬマスク特徴を実施するように従来のゼブラ技術を用いることである。ここでクロムパッチおよびオープンエリア(open area)の大きさは、透過率調整を行うことにあわせて調節できる。しかしながら、これは、ゼブラパターン形成技術を実施することに関連する複雑さや潜在的な困難さのために望ましくない。
【００３１】
ゼブラ技術の代替法は、本発明の第２の実施形態における透過層・オン・位相メサ構造(transmissive layer on phase mesa structure)を用いることである。図５（ａ）は、透過層・オン・位相メサ構造が上記調整にどのように用いられるかを示すとともに、第２実施形態に従った透過層・オン・位相メサ構造の基本構造を示す。図５（ａ）を参照すると、同図はマスクデザインのコアエリア５１と周囲エリア５２を例示している。この一例において、コアエリア５１は、基板５０に堆積された６％ａｔｔＰＳＭ物質を用いて実施される稠密な特徴を含んでいる。周囲エリア５２はゾーン１の特徴を含み、これは第２実施形態の構造を用いて実施される。特に、ゾーン１の特徴５７は、基板５０に２π位相メサ５４を形成／エッチングし、その後、２π位相メサ５４の全上面にＭｏＳｉ層５５を堆積させることで実施される。なお、ＭｏＳｉがπシフトを予めもっていることから、位相メサ５４に対して２πエッチングされた深さを用いることが必要である。これは、周囲エリアに形成された位相メサ特徴５７上のＭｏＳｉ層５５と６％ａｔｔＰＳＭ特徴５３の両方について同一の位相シフトを維持する上で必要となる。しかしながら、位相メサ特徴５４が２πエッチング深さとなっているので、コアおよび周囲エリアの間の遷移エリアに形成された１つの位相エッジ５９は、位相シフトされていないためにプリントされない。したがって、位相メサ構造５４上のＭｏＳｉ層５５により、単一照明でコアエリアおよび周囲エリアの両方を結像できるように両エリア間の透過調整が可能になり、且つ遷移エリアでの単一位相エッジの結像を防ぐことが可能になる。
【００３２】
図５（ｂ）は、従来のゾーン１ＣＰＬ技術を用いる一例を示したものであり、２つの隣接する位相エッジを用いて周囲特徴の結像を行う。図示したように、位相エッジは、基板を深さπまでエッチングすることで形成される。これにより、上述したとおり、深さπのエッチングを持つ遷移エリアが生じて、基板の位相エッジの不必要な結像が行われてしまう。
【００３３】
したがって、コアに６％ａｔｔＰＳＭが用いられ且つ周囲にＣＰＬあるいはゼブラＣＰＬがあると、遷移エリアで単一位相エッジプリントが生じ得る。これに対し、第２実施形態のＭｏＳｉ・オン・位相メサ構造(MoSi-on-phase mesa structure)は２πのエッチング深さを持つので、位相シフトしない。その結果、コアから周囲エリアへの遷移における単一位相エッジのプリント問題（２πエッジはプリント不能であること）を最小限にできる。図５（ｃ）に示した空間像シミュレーションから、第２実施形態のＭｏＳｉ・オン・位相メサ構造が６％ａｔｔＰＳＭ特徴に匹敵する結像性能を持つことを確認できる。
【００３４】
第２実施形態のバリエーションとしては、例えば、図６（ａ）に示したようなＣＰＬ特徴の全上面に堆積された「リーキー(leaky)」クロムを用いることが可能である。図５（ａ）と同様に、図６（ａ）は、６％ａｔｔＰＳＭ特徴を用いたマスクで実施される回路のコア部分と、本実施形態の「リーキー」クロム構造を用いたＣＰＬ特徴が実施される周囲部分とを示している。ここで「リーキー」とは、特定の光透過％を可能にしながら、位相シフトがゼロになるよう設計されたクロムである。これは、例えば、クロムの組成物、またはＣＰＬ特徴の最上部に堆積されるクロム層の厚さを制御することで達成できる。もちろんこれに限定されはしない。図６（ａ）を参照すると、例えば、ゾーン１またはゾーン２タイプの特徴であるＣＰＬ特徴６０は、その全上面に堆積された「リーキー」クロム６２層を持つ。堆積されたリーキークロムを持つＣＰＬ特徴に隣接するバックグラウンドエリアをπエッチング深さまでエッチングすることで、この構造を用いて「効果的(effective)ＰＳＭ」を作り出すことができる。その理由は、バックグラウンドエリアを通過する光が、リーキークロムを通過する光に対してπ位相シフトするためである。したがって、堆積されたリーキークロムを持つＣＰＬの特徴は、制御可能な透過を持つ効果的ＰＳＭをもたらし、よって、コアエリアの特徴と周囲エリアの特徴が許容可能な誤り基準内で単一照明により結像できるようマスクデザインの周囲エリアの特徴を調整することに、この特徴を用いることもできる。
【００３５】
他の例として、クロムは、実質的にＣＰＬ特徴の全上面に堆積され、且つクロムが実質的に６％透過を示すような十分に薄い厚さを持つ。π位相深さまでエッチングされた基板と組み合わされる６％透過クロムは、マスクのゾーン２特徴を形成する。上記技術を用いることで、複数のクロムストリップを各ゾーン２特徴に関連して用いる必要がないため、マスク作製プロセスを実質的に減少させることができる。また、ゾーン３特徴についてリーキークロムを用いることも可能である。
【００３６】
図６（ｂ）に示した他のバリエーションでは、ＣＰＬ特徴６０がリーキークロムを持つように形成されているのに加えて、コアエリア特徴にもリーキークロムが形成される。図６（ｂ）を参照すると、リーキークロム６２は、図６（ａ）に示した減衰型ＰＳＭ材料(attenuated PSM material)５３の代わりに基板５０に堆積されて、マスクパターンのコアエリアに稠密な特徴を形成する。しかしながら、リーキークロムを用いてコアエリアの特徴を結像する場合、コアエリアにて、π位相エッチ深さまで基板のバックグランド部分をエッチングする必要がある。
【００３７】
上述したとおり、本発明は従来技術よりも重要な利点を提供する。最も重要なものとして、本発明はゼブラパターン形成技術を実施する必要性をなくし、マスク作製プロセスの複雑さを大幅に減らす。さらに、本発明は、例えば、単一照明を用いて周囲にある特徴とコア特徴の結像が可能となるように、回路デザインのコアの稠密エリアにある特徴に対して回路デザインの周囲エリアにある特徴を調節する単純なプロセスを提供する。さらに本発明の他の利点として、回路デザイン内の遷移領域での位相エッジプリントに関係する問題を最小化できる。
【００３８】
図７は、上で説明した照明最適化を実行可能なコンピュータシステム１００を示すブロック図である。コンピュータシステム１００は、情報伝達のためのバス１０２または他のコミュニケーション機構と、情報を処理するためのバス１０２と接続されたプロセッサ１０４とを備える。コンピュータシステム１００はまた、情報およびプロセッサ１０４で実行される命令を保存するためのバスに結合されたランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）や他の動的記憶装置といったメインメモリ１０６を備える。メインメモリ１０６はまた、プロセッサ１０４による命令の実行中に一時変数あるいは他の中間情報を保存するために用いられる。コンピュータシステム１００はさらに、静的情報およびプロセッサ１０４に対する命令を保存するためのバス１０２と接続された読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）１０８あるいは他の静的記憶装置を備える。磁気ディスクあるいは光ディスクといった記憶装置（ストレージデバイス）１１０は、情報および命令を保存するために設けられ、バス１０２に接続される。
【００３９】
コンピュータシステム１００は、情報をコンピュータユーザに表示するために、ブラウン管（ＣＲＴ）または平面ディスプレイまたはタッチパネルディスプレイといったディスプレイ１１２に対してバス１０２経由で接続される。文字数字キーや他のキーを含む入力装置１１４は、バス１０２に結合されて、情報およびコマンド選択をプロセッサ１０４に伝送する。他のタイプのユーザ入力装置としては、方向情報やコマンド選択をプロセッサ１０４に伝送し、ディスプレイ１１２上のカーソルの動きを制御する、マウス、トラックボール、又はカーソル方向キーといったカーソル制御１１６がある。この入力装置は、典型的には、装置画面上の位置を特定できる第１軸（例えばｘ軸）および第２軸（例えばｙ軸）という２つの軸で２つの自由度を持つ。タッチパネル（画面）表示も入力装置として用いることができる。
【００４０】
本発明の１つの実施形態によれば、色付けプロセスは、メインメモリ１０６に記憶されている１つ又はそれ以上の命令の１つ又はそれ以上のシーケンスをプロセッサ１０４が実行することに応じて、コンピュータシステム１００により実施される。このような命令は、記憶装置１１０といった他のコンピュータ読み取り可能媒体からメインメモリ１０６に読み込むことができる。メインメモリ１０６に記憶されている命令シーケンスの実行により、プロセッサ１０４がここで説明された処理ステップを実行する。メインメモリ１０６に記憶されている命令シーケンスを実行するため、多重処理構成の１つ又はそれ以上のプロセッサを用いる場合もある。他の実施形態としては、本発明を実施するソフトウェア命令の代わりに、あるいはこれと組み合わせたハード・ワーヤード回路を用いてもよい。このように、本発明の実施形態は、ハードウェア回路とソフトウェアの特定の組合せには限定されない。
【００４１】
ここで用いられる「コンピュータ読み取り可能媒体」という用語は、プロセッサ１０４に実行させる命令を与えることに関わる媒体を指す。このような媒体は、不揮発性媒体、揮発性媒体、伝送媒体を含む多数の形態をとりうるが、もちろんこれらに限定されるものではない。不揮発性媒体は、例えば、記憶装置１１０といった光ディスクまたは磁気ディスクを含む。揮発性媒体は、メインメモリ１０６といった動的メモリを含む。伝送媒体は、バス１０２を備える配線を含む、同軸ケーブル、銅線、光ファイバを含む。伝送媒体はまた、無線（ＲＦ）や赤外線（ＩＲ）データ通信中に発生される音波または光波の形態をとりうる。コンピュータ読み取り可能媒体の一般的な形態は、例えば、フロッピー（登録商標）ディスク、フレキシブルディスク、ハードディスク、磁気テープ、他の磁気媒体、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ、他の光学媒体、パンチカード、紙テープ、穴パターンを持つ他の物理的媒体、ＲＡＭ、ＰＲＯＭ、ＥＰＲＯＭ、フラッシュＥＰＲＯＭ、他のメモリチップまたはカートリッジ、以下で説明される搬送波、コンピュータ読み取り可能な他の媒体を含む。
【００４２】
コンピュータ読み取り可能媒体のさまざまな形態は、プロセッサ１０４に実行させる１つ又はそれ以上の命令の１つ又はそれ以上のシーケンスを搬送することに関わる。例えば、命令は、最初は、リモートコンピュータの磁気ディスクに記憶されている場合もある。リモートコンピュータは、その動的メモリに命令をロードし、モデムを用いて電話回線上で命令を送ることができる。コンピュータシステム１００のローカルモデムは、データを電話回線で受け取り、赤外線送信機を用いて赤外線信号に変換できる。バス１０２に接続された赤外線検出器は、赤外線信号で搬送されたデータを受信し、バス１０２上に置くことができる。バス１０２は、データをメインメモリ１０６に搬送し、ここからプロセッサ１０４が命令を取り出して実行する。メインメモリ１０６が受信した命令は、プロセッサ１０４による実行の前または後に記憶装置１１０に任意に保存される。
【００４３】
コンピュータシステム１００はまた、バス１０２に接続された通信インターフェイス１１８を含むことが好ましい。通信インターフェイス１１８は、ローカルネットワーク１２２に接続されるネットワークリンク１２０に接続されている双方向データ通信をもたらす。例えば、通信インターフェイス１１８は、対応するタイプの電話回線にデータ通信接続を行うＩＳＤＮ(integrated services digital network)カードまたはモデムとすることができる。他の例としては、通信インターフェイス１１８は、互換性のあるＬＡＮ(local area network)へデータ通信接続を行うＬＡＮカードとすることもできる。無線リンクも用いることができる。これら実施形態のいずれにおいても、通信インターフェイス１１８は、さまざまなタイプの情報を表すデジタルデータストリームを搬送する電気信号、電磁気信号、光信号を送受信する。
【００４４】
ネットワークリンク１２０は、典型的には、１つ又はそれ以上のネットワークを通して他のデータサービスに対してデータ通信を行う。例えば、ネットワークリンク１２０は、ローカルネットワーク１２２経由で、ホストコンピュータ１２４、またはインターネットサービスプロバイダ（internet service provider ＩＳＰ）１２６により運営されるデータ機器に接続される。ＩＳＰは代わりに、現在一般に「インターネット」１２８と呼ばれるワールドワイドパケットデータ通信ネットワークを通してデータ通信サービスをもたらす。ローカルネットワーク１２２およびインターネット１２８は両方とも、デジタルデータストリームを搬送する電気信号、電磁気信号または光信号を用いる。さまざまなネットワークを通る信号や、ネットワークリンク１２０上のまたは通信インターフェイス１１８を通る信号は、デジタルデータをコンピュータシステム１１０にまたはそこから搬送するものであり、情報を伝える搬送波の代表的な形態である。
【００４５】
コンピュータシステム１００は、ネットワーク、ネットワークリンク１２０、通信インターフェイス１１８を通してメッセージを送り、プログラムコードを含むデータを受信する。インターネットの例において、サーバ１３０は、インターネット１２８、ＩＳＰ１２６、ローカルネットワーク１２２、通信インターフェイス１１８を通してアプリケーションプログラムに対する要求コードを伝送する。本発明に従い、そのようにダウンロードされたアプリケーションは、例えば、本実施形態の照明最適化を行う。受信されたコードは、プロセッサ１０４により受信されて実行される、および／または、記憶装置１１０もしくは他の不揮発性記憶装置に保存されて後で実行される。この方式では、コンピュータシステム１００は搬送波の形態でアプリケーションコードを取得できる。
【００４６】
図８は、本発明により設計されたマスクとの利用に適したリソグラフィ投影装置を概略的に示したものである。この装置は次のものを含む。
−放射の投影ビームＰＢを供給するための放射システムＥｘ，ＩＬ。この特定のケースでは、放射システムは放射源ＬＡをも備えている。
−マスクＭＡ（例えばレチクル）を保持するためのマスクホルダを備え、アイテムＰＬに対してマスクを正確に位置決めするための第１位置決め手段に接続された第１オブジェクトテーブル（マスクテーブル）ＭＴ。
−基板Ｗ（例えばレジストコートシリコンウェーハ）を保持するための基板ホルダを備え、アイテムＰＬに対して基板を正確に位置決めするための第２位置決め手段に接続された第２オブジェクトテーブル（基板テーブル）ＷＴ。
−マスクＭＡの照射部分を基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つ又はそれ以上のダイを備える）に結像するための投影システム（「レンズ」）ＰＬ（例えば、屈折、反射、または反射屈折光学システム）。
【００４７】
ここで示したとおり、本装置は透過タイプ（つまり透過マスクを持つ）のものである。しかし、一般的に例えば、（反射マスクを持つ）反射タイプのものであってもよい。あるいは、本装置は、マスクを使用する代わりに、他の種類のパターン形成手段を使用することもでき、例としてプログラマブル・ミラーアレイまたはＬＣＤマトリクスがある。
【００４８】
ソースＬＡ（例えば水銀ランプまたはエキシマレーザ）は放射ビームを生成する。このビームは、直接に、または、例えばビームエクスパンダーＥｘといったコンディショニング手段を通った後に、照明システム（イルミネータ）ＩＬに供給される。イルミネータＩＬは、ビームの強度分布の外側および／または内側半径範囲（一般にそれぞれσ-outer、σ-innerと呼ばれる）を設定するための調整手段ＡＭを備える。加えて、このイルミネータは一般に、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯといった様々な他の構成要素を備える。このようにして、マスクＭＡに入射するビームＰＢは、その断面内に所望の均一性及び強度分布を持つ。
【００４９】
図８に関して、ソースＬＡは、リソグラフィ投影装置のハウジング内に設けることができる（これは例えば、ソースＬＡが水銀灯である場合に多い）が、リソグラフィ投影装置から離れたところにあってもよい。この場合、生成される放射ビームは（例えば、適切な方向付けミラーの助けで）装置内に導かれる。この後者のシナリオは、ソースＬＡがエキシマレーザ（例えば、ＫｒＦ、ＡｒＦまたはＦ２レージング）の場合に多い。本発明はこれらのシナリオを両方とも包含する。
【００５０】
ビームＰＢはその後、マスクテーブルＭＴ上に保持されているマスクＭＡをさえぎる。マスクＭＡを通り抜けたビームＰＢは、レンズＰＬを通過する。このレンズは、ビームＰＢの焦点を基板Ｗのターゲット部分Ｃに合わせる。第２位置決め手段（および干渉型計測手段interferometric measuring means：ＩＦ）の助けで、基板テーブルＷＴは、例えばビームＰＢの経路内に異なるターゲット部分Ｃの位置を合わせるように、正確に移動される。同様に、第１位置決め手段を用いて、例えばマスクＭＡをマスクライブラリから機械的に取り外した後、または走査中に、ビームＰＢの経路に対してマスクＭＡを正確に位置合わせすることができる。一般に、オブジェクトテーブルＭＴ，ＷＴの動きは、ロングストロークモジュール（粗調整ポジショニング）およびショートストロークモジュール（微調整ポジショニング）を用いて実現される。これらのモジュールは図８には明確に示していない。しかし、ウェーハステッパの場合（ステップアンドスキャンツールとは対照的に）、マスクテーブルＭＴは、ショートストロークアクチュエータに接続されるだけか、もしくは固定されるだけである。
【００５１】
ここに示したツールは、次の異なる２つのモードで用いることができる。
−ステップモードでは、マスクテーブルＭＴは実質的に静止状態に保たれ、全マスクイメージが一度に（すなわち一回の「フラッシュ」で）ターゲット部分Ｃに投影される。基板テーブルＷＴはその後、異なるターゲット部分ＣがビームＰＢで照射されるようにｘ方向および／またはｙ方向に移動される。
−スキャンモードでは、あるターゲット部分Ｃが１回の「フラッシュ」で露光されない点を除いて、実質的に同じシナリオが適用される。その代わりに、マスクテーブルＭＴは、速度νで所定方向（いわゆる「走査方向」、例えばｙ方向）に移動可能であり、投影ビームＰＢは、マスクイメージ上を走査する。同時に、基板テーブルＷＴは、速度Ｖ＝Ｍνで同一または逆方向に同時に移動される。ここで、ＭはレンズＰＬの倍率である（通常はＭ＝１／４または１／５）。この方式において、解像度を妥協することなく、比較的大きなターゲット部分Ｃを露出することが可能となる。
【００５２】
ソフトウェアが、ここで開示された概念を実施する、または助けることができる。コンピュータシステムのソフトウェア機能は、実行コードを含むプログラミングを伴い、上述の結像モデルの実施に用いることができる。ソフトウェアコードは汎用コンピュータにより実行可能である。実行中、コードおよび場合によっては関連するデータレコードは、汎用コンピュータプラットフォーム内に保存される。他の場合には、ソフトウェアは、他の場所に保存される、および／または、適切な汎用コンピュータシステムにロードするために転送される。したがって、上述した実施形態は、少なくとも１つの機械読み取り可能媒体で搬送されるコードの１つ又はそれ以上のモジュールの形態を持つ１つ又はそれ以上のソフトウェア製品を含む。コンピュータシステムのプロセッサによるそのようなコードの実行によって、実質的にここで論じられて例示された実施形態によって実施される方式で、プラットフォームがカタログおよび／またはソフトウェアダウンロード機能を実施できるようになる。
【００５３】
ここで用いられるとおり、コンピュータあるいは機械「読み取り可能」媒体といった用語は、プロセッサに実行させる命令を提供することに関係するなんらかの媒体のことを指す。このような媒体は、不揮発性媒体、揮発性媒体、伝送媒体を含む多数の形態をとりうるが、これらに限定されるものではない。不揮発性媒体は、例えば、上述したサーバプラットフォームの１つとして動作する任意のコンピュータのさまざまな記憶装置（ストレージデバイス）といった、例えば、光ディスクまたは磁気ディスクを含む。揮発性媒体は、そのようなコンピュータプラットフォームのメインメモリといった動的メモリを含む。物理的伝送媒体は、コンピュータシステム内のバスを成す配線を含む同軸ケーブル、銅線、光ファイバを含む。搬送波伝送媒体は、無線（ＲＦ）や赤外線（ＩＲ）データ通信中に発生される電気もしくは電磁気信号、または音波もしくは光波の形態をとりうる。したがって、コンピュータ読み取り可能媒体の一般的な形態は、例えば、フロッピー（登録商標）ディスク、フレキシブルディスク、ハードディスク、磁気テープ、他の磁気媒体、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ、他の光学媒体、さらにパンチカード、紙テープ、穴パターンを持つ他の物理的媒体といったあまり一般的に用いられていない媒体、ＲＡＭ、ＰＲＯＭ、ＥＰＲＯＭ、フラッシュＥＰＲＯＭ、他のメモリチップまたはカートリッジ、データまたは命令を運ぶ搬送波、そのような搬送波を運ぶケーブルまたはリンク、あるいはコンピュータがプログラムコードおよび／またはデータを読み取ることができる他の媒体を含む。コンピュータ読み取り可能媒体のこれらのさまざまな形態は、プロセッサに実行させる１つ又はそれ以上の命令の１つ又はそれ以上のシーケンスを搬送することも含む。
【００５４】
本発明が詳細に説明、図示されたが、これは図示および例として示されただけであって、限定的なものとしてとらえるべきではなく、本発明の範囲は添付の請求項の用語によってのみ限定されるべきであるということを明確に理解すべきである。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】（ａ）−（ｃ）は、ＣＰＬマスクを用いて異なるＣＤ寸法の特徴を実施する公知技術と各技術の結像性能を図示したものである。
【図２】（ａ）は、特徴結像にＣＰＬゼブラ技術を用いて３つの平行ラインを結像する公知のＣＰＬマスクとその結像性能を図示したもの、（ｂ）は、図２（ａ）のマスクと同じ３つのライン特徴を結像する標準的なＡｌｔ−ＰＳＭマスク設計とその結像性能を図示したものである。
【図３】（ａ）は、各エッジに隣接するＳＢ(scattering bar)を持つＣＰＬライン特徴の一例を図示したもの、（ｂ）は、図３（ａ）のＳＢ特徴がその全上面に堆積されたクロム層を持つ、三次元マスクトポロジーを図示したもの、（ｃ）（ｄ）は、二次元トポロジーおよび三次元トポロジーについて得られる空間像を図示したものである。
【図４】（ａ）は、基板にエッチングされたπ位相メサ上に堆積されたクロム層を用いて実施される本発明によるＣＰＬマスク特徴の断面を図示したもの、（ｂ）は、基板にエッチングされた２π位相メサ上に堆積されたクロム層を用いて実施される本発明によるＣＰＬマスク特徴の断面を図示したもの、（ｃ）は、基板上に堆積されたクロム層を用いて実施される本発明による従来のバイナリマスク特徴の断面を図示したもの、（ｄ）は、図４（ａ）−４（ｃ）のＣＰＬ特徴およびバイナリ特徴に関する空間像性能を図示したものである。
【図５】（ａ）は、第２実施形態により形成され、６％ＡｔｔＰＳＭを用いて特徴が実施されるコア部分を持つ回路の周囲エリアに堆積されるＣＰＬマスク特徴を図示したもの、（ｂ）は、６％ＡｔｔＰＳＭおよびバイナリ特徴を持つマスクの従来技術の実施方法を図示したもの（ｃ）は、６％ＡｔｔＰＳＭを用いて実施される、回路のコア部分の特徴に対する図５（ａ）のＣＰＬマスク特徴の空間像性能を図示したものである。
【図６】（ａ）は、ＣＰＬ特徴が「リーキー」クロム構造を用いて実施される、第２実施形態のバリエーションを図示したもの、（ｂ）は、コアエリアの特徴が「リーキー」クロムを用いて同様に形成される、第２実施形態の他のバリエーションを図示したものである。
【図７】本発明の実施形態による照明最適化を実施できるコンピュータシステムを示すブロック図であるである。
【図８】ここに開示された概念を用いて設計されたマスクとの利用に適したリソグラフィ投影装置の一例を概略的に示したものである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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