(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理液によって処理する処理槽と、
処理槽の上方に配置された乾燥処理部と、
処理槽と乾燥処理部との間で基板を移動させる移動機構と、
乾燥処理部に処理ガスを供給する処理ガス供給ラインと、
乾燥処理部に不活性ガスを供給する不活性ガス供給ラインと、
乾燥処理部から押し出された雰囲気を排気する第１の排気ラインと、
第１の排気ラインに分岐して接続され、乾燥処理部を強制的に排気する第２の排気ラインと、を備え、
乾燥処理部は移動機構によって基板が処理槽内に移送されたとき、外気と連通する状態と、外気と遮断した状態とを取る構造を有し、乾燥処理部は制御部により外気と連通する状態と外気と遮断した状態とに切り換えられ、
処理槽は、薬液とリンス液によって基板を処理する構造を有し、
制御部は、処理槽内に薬液が存在するときは、乾燥処理部を外気と連通させる状態とするとともに、第２の排気ラインによって乾燥処理部を強制的に排気し、処理槽内の薬液がリンス液に置換されたときは、乾燥処理部を外気と遮断した状態に切り換え、乾燥処理部における乾燥処理の間は乾燥処理部を外気と遮断した状態にするように制御することを特徴とする、基板処理装置。
【請求項２】
処理ガス供給ラインには、加熱された不活性ガスを供給する第１の不活性ガス供給ラインが接続され、不活性ガス供給ラインは常温の不活性ガスを供給する第２の不活性ガス供給ラインからなることを特徴とする、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
乾燥処理部には、第１の排気ラインが接続された基端部と、乾燥処理部内の先端部とを有する排気ノズルが設けられ、
排気ノズルは、一列に並べて配置された複数の排気口を有し、
排気ノズルの排気口は基端部側から先端部側に向かうに従いその開口面積が大きくなることを特徴とする、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項４】
乾燥処理部は開口を有するチャンバ本体と、チャンバ本体の開口を開閉する蓋と、蓋に設けられ、基板を開口から搬入出させる搬入出位置と、蓋と開口との間に隙間を形成する処理位置と、開口を閉じる閉塞位置とに蓋を移動させる蓋昇降機とを有し、
蓋昇降機は制御部によって制御され、
制御部は蓋を搬入出位置又は処理位置に移動させることにより、前記乾燥処理部を外気と連通させる状態とし、蓋を閉塞位置に移動させることにより、乾燥処理部を外気と遮断した状態にする構成としたことを特徴とする、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項５】
乾燥処理部は開口を有するチャンバ本体と、チャンバ本体の開口を開閉する蓋とを有し、
蓋に通気口を形成するとともに、この通気口に通気口開閉部材を設け、この通気口開閉部材を制御部により制御することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項６】
第２の排気ラインに強制排気機構が設けられ、第２の排気ラインのうち第１の排気ラインと強制排気機構との間に開閉弁が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を洗浄処理等する基板処理装置、基板処理方法、記録媒体およびソフトウエアに関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば半導体デバイスの製造工程においては、半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という。）を洗浄する種々の洗浄装置が用いられている。例えば、ウェハの表面にポリシリコンの膜を形成した後、タングステンシリサイド等の膜を形成する前に行う洗浄処理の一例としては、希釈フッ酸（ＤＨＦ）等の薬液を貯留した処理槽内にウェハを浸漬させて薬液処理した後、純水によってウェハをリンス処理し、その後、ウェハにイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）の蒸気等を吹き付けて乾燥処理する工程が行われている。【０００３】
従来、このようなウェハの洗浄処理を行う装置として、薬液処理を行う処理槽の上方に、乾燥処理を行う乾燥処理部を備えたものが知られている（例えば、特許文献１参照。）。かかる装置においては、チャンバ上部に備えた蓋を開口させてウェハを搬入し、チャンバ内の乾燥処理部を通過させて処理槽内に下降させる。次に処理槽内において薬液処理、リンス処理を行った後、乾燥処理部内にウェハを引き上げながらウェハにＩＰＡ蒸気を供給して乾燥処理するようになっている。そして、ウェハを搬出する前にチャンバ内を窒素ガスによってパージした後、蓋を開いてウェハを搬出するようになっている。
特許文献１：特許第３１２６８５８号【０００４】
しかしながら、従来の基板処理装置にあっては、乾燥処理部内の気流を制御することが難しく、処理槽の薬液雰囲気が乾燥処理部に上昇して、チャンバの内面に残留する問題があった。また、ＩＰＡ蒸気がチャンバの内面に付着しやすいため、ウェハＷに効率良く供給されず、ＩＰＡ蒸気の使用量が増大する懸念や、ＩＰＡ蒸気がチャンバの内面に残留する問題があった。さらに、薬液雰囲気やＩＰＡ蒸気がウェハの表面に残留することにより、ウェハの表面にウォーターマークが発生する問題や、洗浄処理後にウェハの表面に形成する膜が正常に形成されず、半導体デバイスに電気特性の異常が発生する原因となる問題があった。
【発明の開示】
【０００５】
本発明の目的は、処理槽の上方に乾燥処理部を備えた処理装置において、乾燥処理部に薬液雰囲気が流入することを防止でき、さらに、乾燥処理部から処理ガスを確実に排気できる基板処理装置、基板処理方法、記録媒体およびソフトウエアを提供することにある。
【０００６】
本発明は、基板を処理液によって処理する処理槽と、処理槽の上方に配置された乾燥処理部と、処理槽と乾燥処理部との間で基板を移動させる移動機構と、乾燥処理部に処理ガスを供給する処理ガス供給ラインと、乾燥処理部に不活性ガスを供給する不活性ガス供給ラインと、乾燥処理部から押し出された雰囲気を排気する第１の排気ラインと、乾燥処理部を強制的に排気する第２の排気ラインと、を備えることを特徴とする、基板処理装置である。
【０００７】
本発明は、処理ガス供給ラインには、加熱された不活性ガスを供給する第１の不活性ガス供給ラインが接続され、不活性ガス供給ラインは常温の不活性ガスを供給する第２の不活性ガス供給ラインからなることを特徴とする、基板処理装置である。
【０００８】
本発明は、乾燥処理部には、第１の排気ラインが接続された基端部と、乾燥処理部内の先端部とを有する排気ノズルが設けられ、排気ノズルは、一列に並べて配置された複数の排気口を有し、排気ノズルの排気口は基端部側から先端部側に向かうに従いその開口面積が大きくなることを特徴とする、基板処理装置である。
【０００９】
本発明は、乾燥処理部は移動機構によって基板が処理槽内に移送されたとき、外気と連通する状態と、外気と遮断した状態とを取る構造を有し、乾燥処理部は制御部により外気と連通する状態と外気と遮断した状態とに切り換えられることを特徴とする、基板処理装置である。
【００１０】
本発明は、処理槽は、薬液とリンス液によって基板を処理する構造を有し、制御部は、処理槽内に薬液が存在するときは、乾燥処理部を外気と連通させる状態とし、処理槽内の薬液がリンス液に置換されたときは、乾燥処理部を外気と遮断した状態に切り換え、乾燥処理部における乾燥処理の間は乾燥処理部を外気と遮断した状態にするように制御することを特徴とする、基板処理装置である。
【００１１】
本発明は、乾燥処理部には開口を有するチャンバ本体と、チャンバ本体の開口を開閉する蓋と、蓋に設けられ、基板を開口から搬入出させる搬入出位置と、蓋と開口との間に隙間を形成する処理位置と、開口を閉じる閉塞位置とに蓋を移動させる蓋昇降機とを有し、蓋昇降機は制御部によって制御され、制御部は蓋を搬入出位置又は処理位置に移動させることにより、前記乾燥処理部を外気と連通させる状態とし、蓋を閉塞位置に移動させることにより、乾燥処理部を外気と遮断した状態にする構成としたことを特徴とする、基板処理装置である。
【００１２】
本発明は、乾燥処理部は開口を有するチャンバ本体と、チャンバ本体の開口を開閉する蓋とを有し、蓋に通気口を形成するとともに、この通気口に通気口開閉部材を設け、この通気口開閉部材を制御部により制御することを特徴とする基板処理装置である。
【００１３】
本発明は、基板を処理液によって処理する処理槽と、処理槽の上方に配置された乾燥処理部と、処理槽と乾燥処理部との間で基板を移動させる移動機構とを備え、乾燥処理部は移動機構によって基板が処理槽内に移送されたとき、外気と連通する状態と、外気と遮断した状態とを取る構造を有し、乾燥処理部は制御部により外気と連通する状態と外気と遮断した状態とに乗り換えられるとに切り換える制御部を備えることを特徴とする、基板処理装置である。
【００１４】
本発明は、処理槽は、薬液とリンス液によって基板を処理する構造を有し、制御部は、処理槽内に薬液が存在するときは、乾燥処理部を外気と連通させる状態とし、処理槽内の薬液がリンス液に置換されたときは、乾燥処理部を外気と遮断した状態に切り換え、乾燥処理部における乾燥処理の間は乾燥処理部を外気と遮断した状態にするように制御することを特徴とする、基板処理装置である。
【００１５】
本発明は、乾燥処理部は開口を有するチャンバ本体と、チャンバ本体の開口を開閉する蓋と、蓋に設けられ、基板を開口から搬入出させる搬入出位置と、蓋と開口との間に隙間を形成する処理位置と、開口を閉じる閉塞位置とに蓋を移動させる蓋昇降機とを有し、蓋昇降機は制御部によって制御され、制御部は蓋を搬入出位置又は処理位置に移動させることにより、前記乾燥処理部を外気と連通させる状態とし、蓋を閉塞位置に移動させることにより、乾燥処理部を外気と遮断した状態にする構成としたことを特徴とする、基板処理装置である。
【００１６】
本発明は、乾燥処理部は開口を有するチャンバ本体と、チャンバ本体の開口を開閉する蓋とを有し、蓋に通気口を形成するとともに、この通気口に通気口開閉部材を設け、この通気口開閉部材を制御部により制御することを特徴とする基板処理装置である。
【００１７】
本発明は、基板を処理する処理槽と、処理槽の上方に設けられた乾燥処理部とを有する装置によって基板を処理する方法であって、処理槽において基板を薬液によって処理する薬液処理工程と、処理槽内の薬液をリンス液に置換する工程と、基板を乾燥処理部において乾燥処理する工程とを備え、薬液処理工程時に乾燥処理部に外気を流入させながら乾燥処理部を排気し、処理槽内の薬液がリンス液に置換されたら、乾燥処理部に不活性ガスを供給しながら、前記薬液処理工程時より小さい排気量で乾燥処理部を排気することを特徴とする、基板処理方法である。
【００１８】
本発明は、基板を処理する処理槽と、処理槽の上方に設けられ、開口とこの開口を開閉する蓋とを含む乾燥処理部とを有する装置によって基板を処理する方法であって、蓋を開けて乾燥処理部の開口から基板を搬入して処理槽に移動させる工程と、処理槽において基板を薬液によって処理する薬液処理工程と、処理槽内の薬液をリンス液に置換する工程と、蓋により開口を閉じた状態で、乾燥処理部において基板を乾燥処理する工程とを備え、薬液処理工程時に、蓋を開いて開口を開いた状態にしながら乾燥処理部を排気し、処理槽内の薬液がリンス液に置換されたら、蓋によって前記開口を閉じ、乾燥処理部に不活性ガスを供給しながら乾燥処理部を排気することを特徴とする、基板処理方法である。
【００１９】
本発明は、前記薬液処理工程時の前記開口と蓋との間の距離は、基板を搬入するときの前記開口と蓋との間の距離より小さいことを特徴とする、基板処理方法である。
【００２０】
本発明は、処理槽内の薬液がリンス液に置換されたら、乾燥処理部を薬液処理時より小さい排気量で排気するようにことを特徴とする、記載の基板処理方法である。
【００２１】
本発明は、基板処理装置の制御コンピュータにより実行することが可能なソフトウエアが記録された記録媒体であって、当該ソフトウエアを実行することにより、制御コンピュータが基板処理装置を制御して基板処理方法を実行させるものにおいて、基板制御方法が、基板を処理する処理槽と、処理槽の上方に設けられた乾燥処理部とを有する装置によって基板を処理する方法であって、処理槽において基板を薬液によって処理する薬液処理工程と、処理槽内の薬液をリンス液に置換する工程と、基板を乾燥処理部において乾燥処理する工程とを備え、薬液処理工程時に乾燥処理部に外気を流入させながら乾燥処理部を排気し、処理槽内の薬液がリンス液に置換されたら、乾燥処理部に不活性ガスを供給しながら、前記薬液処理工程時より小さい排気量で乾燥処理部を排気することを特徴とする、記録媒体である。
【００２２】
本発明は、基板処理装置の制御コンピュータにより実行することが可能なソフトウエアであって、当該ソフトウエアを実行することにより制御コンピュータが基板処理装置を制御して基板処理方法を実行させるものにおいて、基板制御方法が、基板を処理する処理槽と、処理槽の上方に設けられた乾燥処理部とを有する装置によって基板を処理する方法であって、処理槽において基板を薬液によって処理する薬液処理工程と、処理槽内の薬液をリンス液に置換する工程と、基板を乾燥処理部において乾燥処理する工程とを備え、薬液処理工程時に乾燥処理部に外気を流入させながら乾燥処理部を排気し、処理槽内の薬液がリンス液に置換されたら、乾燥処理部に不活性ガスを供給しながら、前記薬液処理工程時より小さい排気量で乾燥処理部を排気することを特徴とする、ソフトウエアである。
【００２３】
本発明は、基板処理装置の制御コンピュータにより実行することが可能なソフトウエアが記録された記録媒体であって、当該ソフトウエアを実行することにより、制御コンピュータが基板処理装置を制御して基板処理方法を実行させるものにおいて、基板制御方法が、基板を処理する処理槽と、処理槽の上方に設けられ、開口とこの開口を開閉する蓋とを含む乾燥処理部とを有する装置によって基板を処理する方法であって、蓋を開けて乾燥処理部の開口から基板を搬入して処理槽に移動させる工程と、処理槽において基板を薬液によって処理する薬液処理工程と、処理槽内の薬液をリンス液に置換する工程と、蓋により開口を閉じた状態で、乾燥処理部において基板を乾燥処理する工程とを備え、薬液処理工程時に、蓋を開いて開口を開いた状態にしながら乾燥処理部を排気し、処理槽内の薬液がリンス液に置換されたら、蓋によって前記開口を閉じ、乾燥処理部に不活性ガスを供給しながら乾燥処理部を排気することを特徴とする、記録媒体である。
【００２４】
本発明は、基板処理装置の制御コンピュータにより実行することが可能なソフトウエアであって、当該ソフトウエアを実行することにより制御コンピュータが基板処理装置を制御して基板処理方法を実行させるものにおいて、基板制御方法が、基板を処理する処理槽と、処理槽の上方に設けられ、開口とこの開口を開閉する蓋とを含む乾燥処理部とを有する装置によって基板を処理する方法であって、蓋を開けて乾燥処理部の開口から基板を搬入して処理槽に移動させる工程と、処理槽において基板を薬液によって処理する薬液処理工程と、処理槽内の薬液をリンス液に置換する工程と、蓋により開口を閉じた状態で、乾燥処理部において基板を乾燥処理する工程とを備え、薬液処理工程時に、蓋を開いて開口を開いた状態にしながら乾燥処理部を排気し、処理槽内の薬液がリンス液に置換されたら、蓋によって前記開口を閉じ、乾燥処理部に不活性ガスを供給しながら乾燥処理部を排気することを特徴とする、ソフトウエアである。
【００２５】
本発明によれば、第２の排気ラインによって強制排気を行うことにより、乾燥処理部から薬液雰囲気や処理ガスを確実に排気させることができる。また、乾燥処理部を外気と連通させた状態にして、外気を流入させながら、第２の排気ラインによって強制排気を行うことにより、乾燥処理部内に気流を形成し、処理槽内の薬液雰囲気が乾燥処理部に上昇することを防止できる。さらに、乾燥処理部に不活性ガスを供給することによって、乾燥処理部内の雰囲気を効果的に排出することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明による基板処理装置の構成を説明する説明図である。
【図２】処理槽のトラップの断面図である。
【図３】乾燥処理部の断面図である。
【図４】処理ガス供給ノズル、およびＮ２ガス供給ノズルの斜視図である。
【図５】排気ノズルの斜視図である。
【図６】ウェハガイドの斜視図である。
【図７】ウェハを搬入する前の基板処理装置の状態を説明する説明図である。
【図８】ウェハを搬入するときの基板処理装置の状態を説明する説明図である。
【図９】ウェハを薬液処理するときの基板処理装置の状態を説明する説明図である。
【図１０】ＤＨＦを純水に置換した後の基板処理装置の状態を説明する説明図である。
【図１１】ウェハを乾燥処理するときの基板処理装置の状態を説明する説明図である。
【図１２】乾燥処理部をパージするときの基板処理装置の状態を説明する説明図である。
【図１３】蓋に開口と蓋部材が設けられた基板処理装置において、ウェハを薬液処理するときの状態を説明する説明図である。
【図１４】蓋にパイプと開閉弁が設けられた基板処理装置において、ウェハを薬液処理するときの状態を説明する説明図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、本発明の好ましい実施の形態を、例えば５０枚のウェハＷを一括して洗浄するように構成された基板処理装置に基づいて説明する。図１に示すように、本発明にかかる基板処理装置１は、ウェハＷの薬液処理とリンス処理を行う処理槽３と、処理槽３の上方に配置されたチャンバ５とを備えている。チャンバ５の内部は、ウェハＷの乾燥処理を行う乾燥処理部６となっている。さらに、処理槽３と乾燥処理部６との間で５０枚のウェハＷを一括して移動させる移動機構としてのウェハガイド８を備えている。処理槽３及び乾燥処理部６において、５０枚のウェハＷは、表面を略垂直にした姿勢で前後方向（図１において手前から後方に向かう方向）に並べた状態で、ウェハガイド８によって保持されるようになっている。また、処理槽３と乾燥処理部６の間を開閉するシャッター１０が設けられている。シャッター１０は、処理槽３とチャンバ５の間に形成されたシャッター移動部１１内で移動するようになっている。チャンバ５の上方には、クリーンエアをダウンフローさせるファンフィルターユニット（ＦＦＵ）１２が設けられている。また、処理槽３は、ボックス１３内に収納されている。【００２８】
また、基板処理装置１には、処理槽３に例えば薬液としてのＤＨＦ及びリンス液としての純水（ＤＩＷ）を処理液として供給するための処理液供給ライン２０が備えられている。さらに、乾燥処理部６に例えばＩＰＡとホットＮ２ガス（窒素ガス）からなるＩＰＡ蒸気を乾燥用の処理ガスとして供給する処理ガス供給ライン２１が備えられている。処理ガス供給ライン２１は、ＩＰＡ蒸気を発生させるＩＰＡ蒸気発生部２２に接続されており、ＩＰＡ蒸気発生部２２には、ＩＰＡを供給するＩＰＡ供給ライン２３と、常温より高温に加熱されたホットＮ２ガスを不活性ガスとして供給する第１の不活性ガス供給ラインとしてのホットＮ２ガス供給ライン２４とが接続されている。また、常温のＮ２ガスを不活性ガスとして乾燥処理部６に供給する第２の不活性ガス供給ラインとしてのＮ２ガス供給ライン２５が設けられている。さらに、乾燥処理部６内から押し出された雰囲気を排気する第１の排気ライン２６と、乾燥処理部６内を強制的に排気する第２の排気ライン２７とが設けられている。【００２９】
処理槽３は、ウェハＷを収納する内槽３０と、内槽３０の上部の開口を囲むように形成された中槽３１と、中槽３１の開口を囲むように形成された外槽３２とを備えている。【００３０】
内槽３０の上面開口は、シャッター移動部１１の底部１１ａに形成された開口部１１ｂの下方に配置されている。内槽３０の下部には、処理液供給ライン２０から供給された処理液を吐出する処理液供給ノズル３５が設けられている。また、内槽３０の下部には、内槽３０から処理液を排液するための排液管３６が接続されており、排液管３６を通じてボックス１３内に処理液を排液するようになっている。排液管３６には、開閉弁３７が介設されている。【００３１】
中槽３１は、内槽３０の上面開口からオーバーフローした処理液を受け止めるように構成されている。中槽３１には、中槽３１から処理液を排液するための排液管４１が接続されている。排液管４１は、トラップ４２に接続されている。【００３２】
図２に示すように、トラップ４２には、トラップ４２から処理液を排液する排液管４３が接続されており、排液管４３を通じてボックス１３内に処理液を排液するようになっている。トラップ４２内において、排液管４３の上流端は、排液管４１の下流端より上方に突出して設けられている。排液管４１からトラップ４２内に排出された排液は、排液管４３の上流端の高さまで貯留され、排液管４３から排液されるようになっている。トラップ４２内に貯留された排液の上方には気体が溜まっている。かかる構成においては、排液管４１の下流端が常に排液に浸漬した状態になっており、排液管４３内やボックス１３内の雰囲気が排液管４１内に流入することを防止できる。例えば、内槽３０内にＤＨＦを貯留してウェハＷの薬液処理を行った後、内槽３０内に純水を供給してウェハＷのリンス処理を行う際、ボックス１３内の排液から発生した薬液雰囲気が、排液管４１を通じて処理槽３内に混入することを防止できる。【００３３】
図１に示すように、外槽３２内には、常時純水が溜められていると共に、環状のシール板４６が設けられている。シール板４６の上縁は、外槽３２の上方を覆うように配置されたシャッター移動部１１の底部１１ａの下面に密着されており、シール板４６の下縁は、外槽３２内の純水に浸漬されている。このため、外槽３２は、純水を利用したシール機能を有し、処理槽３内の雰囲気を外部に漏らさないようになっている。【００３４】
処理液供給ライン２０は、フッ酸（ＨＦ）を供給するフッ酸供給路５１と、純水を供給する純水供給路５２とを備えている。内槽３０内にＤＨＦを供給するときは、純水供給路５２から供給された純水を内槽３０に貯留させた後、フッ酸供給路５１からＨＦを供給して、内槽３０内に所定濃度のＤＨＦを生成するようになっている。内槽３０の内部には、ＤＨＦ中のＨＦ濃度を測定するための濃度計５３が設けられている。【００３５】
図３に示すように、チャンバ５は、チャンバ本体６１と、チャンバ本体６１の上面開口６１ａを開閉する蓋６２によって構成されている。チャンバ本体６１の下面開口６１ｂは、シャッター移動部１１の上面１１ｃに形成された開口部１１ｄと連通している。上面開口６１ａは、基板処理装置１外から乾燥処理部６内にウェハＷを搬入出するための開口となっている。蓋６２によってチャンバ本体６１の上面開口６１ａを閉じた際には、上面開口６１ａと蓋６２の間は、Ｏリング６３によって密閉され、乾燥処理部６内の雰囲気が外部に漏れない構成となっている。【００３６】
蓋６２の内面は、例えば上に向かって凹状に形成された断面略半円形の曲面状に形成されている。また、蓋６２は、蓋６２を昇降させる蓋昇降機６４によって支持されている。さらに、蓋昇降機６４の駆動を制御する制御部６５が備えられている。この制御部６５により蓋昇降機６４の駆動を制御して、図３に示すように、ウェハＷをチャンバ本体６１内に搬入出させる際の搬入出位置Ｐ１と、蓋６２の下縁とチャンバ本体６１の上面開口６１ａとの間に隙間を形成する処理位置Ｐ２と、蓋６２によってチャンバ本体６１の上面開口６１ａを閉じる閉塞位置Ｐ３とに蓋６２を移動させることができる。即ち、蓋６２を搬入出位置Ｐ１又は処理位置Ｐ２に移動させることにより、乾燥処理部６を外気と連通させる状態とし、蓋６２を閉塞位置Ｐ３に移動させることにより、乾燥処理部６を外気と遮断した状態にする構成となっている。蓋６２を搬入出位置Ｐ１に配置したとき、上面開口６１ａの縁部と蓋６２の下縁部との間には、ウェハＷを搬入出させるために十分な間隙が形成される。蓋６２を処理位置Ｐ２に配置したときの、上面開口６１ａの縁部と蓋６２の下縁部との間の距離は、蓋６２を搬入出位置Ｐ１に配置したときの上面開口６１ａの縁部と蓋６２の下縁部との間の距離より小さい。【００３７】
例えば、薬液処理工程、又は、処理槽３内のＤＨＦを純水に置換する工程等、処理槽３内にＤＨＦが存在する間は、上面開口６１ａを開いて乾燥処理部６を外気と連通させる状態にする。この状態で第２の排気ライン２７によって強制排気を行うと、ＦＦＵ１２から供給されるクリーンエアを外気として乾燥処理部６内に流入させて気流を形成することができる。これにより、処理槽３内のＤＨＦ雰囲気が乾燥処理部６に上昇することを防止できる。薬液処理工程の間、及び、処理槽３内のＤＨＦを純水に置換する工程の間は、蓋６２を処理位置Ｐ２に配置することが好ましい。一方、乾燥処理部６においてＩＰＡ蒸気によって乾燥処理を行う間は、上面開口６１ａを閉じ、乾燥処理部６を外気と遮断した状態に切り換えて、ＩＰＡ蒸気が乾燥処理部６から漏れることを防止するようになっている。【００３８】
チャンバ本体６１の内部には、処理ガス供給ライン２１から供給されたＩＰＡ蒸気及びホットＮ２ガスを吐出する２本の処理ガス供給ノズル７１、７１が、チャンバ本体６１の左右にそれぞれ設けられている。また、Ｎ２ガス供給ライン２５から供給されたＮ２ガスを吐出するＮ２ガス供給ノズル７２、７２が、各処理ガス供給ノズル７１、７１の下方に設けられている。さらに、第１の排気ライン２６及び第２の排気ライン２７に接続された２本の排気ノズル７３、７３が、チャンバ本体６１下部の左右にそれぞれ設けられている。【００３９】
図４に示すように、各処理ガス供給ノズル７１、７１には、ＩＰＡ蒸気又はホットＮ２ガスを吐出する複数の吐出口８１が前後方向（図４において左右方向）に一列に並べて設けられている。また、図３に示すように、各処理ガス供給ノズル７１、７１の吐出口８１は、それぞれ吐出方向が上方に向かうように配置されており、ＩＰＡ蒸気又はホットＮ２ガスが乾燥処理部６内のウェハＷの表面に直接吐出されないようになっている。各処理ガス供給ノズル７１、７１の吐出口８１から吐出されたＩＰＡ蒸気又はホットＮ２ガスは、ウェハＷの左側又は右側を通過して、蓋６２の内周面上部に向かって上昇する。そして、蓋６２の上部中央において、左右の処理ガス供給ノズル７１、７１から供給されたＩＰＡ蒸気又はホットＮ２ガスが合流して下降し、ウェハＷ同士の間に流入して、ウェハＷの表面に沿って流下するようになっている。【００４０】
図１に示すように、各処理ガス供給ノズル７１、７１には、処理ガス供給ライン２１が接続されている。処理ガス供給ライン２１は、ＩＰＡ蒸気発生部２２に接続されている。ＩＰＡ蒸気発生部２２には、ＩＰＡを供給するＩＰＡ供給ライン２３と、ホットＮ２ガス供給ライン２４とが接続されている。ＩＰＡ供給ライン２３には、開閉弁８２が介設されている。また、ホットＮ２ガス供給ライン２４には、開閉弁８３と、流量コントローラ８４が介設されており、ホットＮ２ガスの流量を変化させることができるようになっている。【００４１】
かかる構成においては、ＩＰＡ供給ライン２３から供給されたＩＰＡと、ホットＮ２ガス供給ライン２４から供給されたホットＮ２ガスとをＩＰＡ蒸気発生部２２において混合させることにより、ＩＰＡ蒸気が生成されるようになっている。生成されたＩＰＡ蒸気は、ＩＰＡ蒸気発生部２２から処理ガス供給ライン２１を通過して各処理ガス供給ノズル７１、７１に供給され、各処理ガス供給ノズル７１、７１から吐出されて乾燥処理部６に導入される構成となっている。また、開閉弁８２を閉じ、開閉弁８３を開いた状態にすることで、ＩＰＡ供給ライン２３からＩＰＡを供給せず、ホットＮ２ガス供給ライン２４から供給されたホットＮ２ガスのみを、ＩＰＡ蒸気発生部２２、処理ガス供給ライン２１、各処理ガス供給ノズル７１、７１を介して乾燥処理部６に導入することもできる。このように処理ガス供給ライン２１内にホットＮ２ガスを通流させることにより、ＩＰＡ蒸気を通過させる前に、処理ガス供給ライン２１内の温度を昇温させることができる。【００４２】
図４に示すように、各Ｎ２ガス供給ノズル７２、７２には、処理ガス供給ノズル７１と同様に、Ｎ２ガスを吐出する複数の吐出口８５が、前後方向に並べて設けられている。また、図３に示すように、各Ｎ２ガス供給ノズル７２、７２の吐出口８５は、それぞれ吐出方向が上方に向かうように配置されており、Ｎ２ガスが乾燥処理部６内のウェハＷの表面に直接吐出されないようになっている。各Ｎ２ガス供給ノズル７２、７２の吐出口８５から吐出されたＮ２ガスは、ウェハＷの左側又は右側を通過して、蓋６２の内周面上部に向かって上昇する。そして、蓋６２の上部中央付近において、左右のＮ２ガス供給ノズル７２、７２から供給されたＮ２ガスが合流しながら下降し、ウェハＷ同士の間に流入して、ウェハＷの表面に沿って流下するようになっている。【００４３】
図１に示すように、各Ｎ２ガス供給ノズル７２、７２には、Ｎ２ガス供給ライン２５が接続されている。Ｎ２ガス供給ライン２５には、開閉弁８６が介設されている。【００４４】
図５に示すように、排気ノズル７３の内部には、円筒状の排気路９１が形成されている。排気路９１の基端部９１ａ側には第１の排気ライン２６が接続され、第１の排気ライン２６を介して第２の排気ライン２７が接続されている。排気ノズル７３の表面には、排気路９１に連通する複数個、例えば５個の排気口９２（９２ａ〜９２ｅ）が、排気路９１が向かう方向に沿ったスリット状に形成されている。排気口９２ａ、９２ｂ、９２ｃ、９２ｄ、９２ｅは、排気路９１の基端部９１ａ側から乾燥処理部６内部の先端部９１ｂ側に向かってこの順に一列に並べて設けられている。このように、各排気口９２をスリット状に形成すると、排気が各排気口９２に流入しやすく、排気が効率良く行われる。また、排気路９１の基端部９１ａ側から先端部９１ｂ側に向かうに従い、排気口９２ａ〜９２ｅの開口面積が大きくなるように形成されている。このようにすると、排気路９１内で排気が第１の排気ライン２６側に円滑に流れ、排気が効率良く行われるので、排気量を大幅に増加させることができる。図示の例では、各排気口９２ａ〜９２ｅにおける排気路９１に沿った方向の長さは、排気路９１の基端部９１ａ側から先端部９１ｂ側に向かうに従い長くなるように形成されている。即ち、排気口９２ａの長さＬａ、排気口９２ｂの長さＬｂ、排気口９２ｃの長さＬｃ、排気口９２ｄの長さＬｄ、排気口９２ｅの長さＬｅの順に長くなるように形成されている。図３に示すように、各排気ノズル７３は、排気口９２がチャンバ本体６１の前後方向に向かって並ぶように配置されており、また、排気が排気口９２に略水平方向に流入するように向けられている。【００４５】
図１に示すように、左右の排気ノズル７３、７３にそれぞれ接続された第１の排気ライン２６、２６の下流端は、ドレインボックス１０２に接続されている。ドレインボックス１０２には、ドレインボックス１０２から排気を行う排気管１０３が接続されている。排気管１０３は、工場の排気系１０５に接続されている。【００４６】
第２の排気ライン２７、２７は、左右の排気ノズル７３、７３にそれぞれ接続された第１の排気ライン２６、２６の途中にそれぞれ介設されている。各第２の排気ライン２７、２７には、それぞれ開閉弁１１８、１１８が介設されている。第２の排気ライン２７、２７は、開閉弁１１８、１１８の下流側において合流して、イジェクタ１２０に接続されている。イジェクタ１２０の下流側は、工場の排気系１０５に接続されている。【００４７】
開閉弁１１８、１１８を閉じた状態では、乾燥処理部６内にＩＰＡ蒸気、ホットＮ２ガス、又は常温のＮ２ガスが供給されることにより、乾燥処理部６内の雰囲気が排気ノズル７３の排気口９２に向かって押し出され、第１の排気ライン２６によって排気されるようになっている。一方、開閉弁１１８、１１８を開いて、イジェクタ１２０を作動させると、各排気ノズル７３、７３、各第１の排気ライン２６、２６、各第２の排気ライン２７、２７を介して、乾燥処理部６内が強制排気されるようになっている。即ち、第２の排気ライン２７によって強制排気を行うことにより、第１の排気ライン２６のみで排気を行う場合よりも排気量を増加させることができる。【００４８】
ウェハガイド８は、上下方向に昇降自在に構成されている。図６に示すように、ウェハガイド８は、ガイド部１３１と、ガイド部１３１に水平姿勢で固着された４本の平行な保持部材１３２ａ、１３２ｂ、１３２ｃ、１３２ｄとを備えている。各保持部材１３２ａ〜１３２ｄには、ウェハＷの周縁を保持する保持溝１３３が等間隔で５０個形成されている。これにより、５０枚のウェハＷを等間隔で配列させた状態で保持する構成となっている。【００４９】
ウェハガイド８はさらにガイド部１３１から上方に延びる支持棒８ａを有し、この支持棒８ａは蓋６２を貫通して延びるとともに支持棒８ａと蓋６２との間はエアグリップシール８ｂにより乾燥処理中は密封されている。そして支持棒８ａが上下方向に移動することにより、ウェハＷを処理槽３と乾燥処理部６との間で移動させることができる。【００５０】
図１に示すように、シャッター移動部１１の底部１１ａには、チャンバ本体６１の下面開口６１ｂと連通した開口部１１ｂが形成され、シャッター移動部１１の上面１１ｃには、チャンバ本体６１の上面開口６１ａと連通した開口部１１ｄが形成されている。シャッター１０の上面には、シャッター移動部１１の開口部１１ｄの周囲に密着させるシール部１３５が設けられている。シャッター１０は、図示しない駆動機構の駆動により、シャッター移動部１１において、上下方向及び水平方向に移動自在に構成されており、開口部１１ｂと開口部１１ｄの間に移動して開口部１１ｂを塞ぐ閉塞位置ＰＳ１（図１において実線）と、開口部１１ｂと開口部１１ｄの間から退避して、ウェハＷ及びウェハガイド８を処理槽３と乾燥処理部６との間で昇降可能にする待機位置ＰＳ２（図１において二点鎖線）とに移動することができる。閉塞位置ＰＳ１においては、シール部１３５が開口部１１ｄの周囲に密着させられ、乾燥処理部６内の雰囲気とシャッター移動部１１内の雰囲気を遮断することができるようになっている。【００５１】
シャッター１０の待機位置ＰＳ２の下方において、シャッター移動部１１の底部１１ａには、シャッター移動部１１内から排液及び排気を行う排出路１３６が設けられている。シャッター１０に付着してシャッター移動部１１の底部１１ａに落下した液滴や、シャッター移動部１１内のＤＨＦ雰囲気、ＩＰＡ蒸気等は、排出路１３６を通じてシャッター移動部１１から排出される。排出路１３６には、開閉弁１３７が介設されている。【００５２】
ボックス１３には、排液路１４１と、排気路１４２が設けられている。内槽３０の排液管３６、中槽３１の排液管４３、シャッター移動部１１の排出路１３６からの排液は、ボックス１３内に排出され、排液路１４１を経由して工場の排液系に排液される。【００５３】
基板処理装置の各機能要素は、基板処理装置全体の動作を自動制御する制御コンピュータ６５ａに信号ラインを介して接続されている。ここで機能要素とは、蓋昇降機６４、ウェハガイド８、シャッター移動部１１、ＩＰＡ蒸気発生部２２、インジェクタ１２０等（これらのみには限定されない）の、所定のプロセス条件を実現するために動作する全ての要素を意味している。制御コンピュータ６５ａは、典型的には、実行するソフトウエアに依存して任意の機能を実現することができる汎用コンピュータである。【００５４】
制御コンピュータ６５ａは、中央演算装置（ＣＰＵ）からなる制御部６５と、制御部６５に接続された入出力部６５ｂと、入出力部６５ｂに挿着され制御ソフトウエアを格納した記録媒体６５ｃとを有する。制御ソフトウエアを実行することにより、制御コンピュータ６５ａは、基板処理装置の各機能要素を、所定のプロセスレシピにより定義された様々なプロセス条件（蓋の開度等）が実現されるように制御する。【００５５】
記録媒体６５ｃは、制御コンピュータ６５ａに固定的に設けられるもの、或いは制御コンピュータ６５ａに設けられた読み取り装置に着脱自在に装着されて該読み取り装置により読み取り可能なものであってもよい。最も典型的な実施形態においては、記録媒体６５ｃは、基板処理装置のメーカーのサービスマンによって制御ソフトウエアがインストールされたハードディスクドライブである。他の実施の形態においては、記録媒体６５ｃは、制御ソフトウエアが書き込まれたＣＤ−ＲＯＭまたはＤＶＤ−ＲＯＭのようなリムーバブルディスクであり、このようなリムーバブルディスクは制御コンピュータ６５ａに設けられた光学的読取装置により読み取られる。記録媒体６５ｃは、ＲＡＭ（random access memory）またはＲＯＭ（read only memory）のいずれの形式のものであってもよく、また、記録媒体６５ｃは、カセット式のＲＯＭのようなものであってもよい。要するに、コンピュータの技術分野において知られている任意のものを記録媒体６５ｃとして用いることが可能である。なお、複数の基板処理装置が配置される工場においては、各基板処理装置の制御コンピュータ６５ａを統括的に制御する管理コンピュータに制御ソフトウエアが格納されていてもよい。この場合、各基板処理装置は通信回線を介して管理コンピュータにより操作され、所定のプロセスを実行する。【００５６】
次に、以上のように構成された基板処理装置１で行われる洗浄方法について説明する。【００５７】
先ず、ウェハＷを基板処理装置１に搬入する前の待機状態においては、図７に示すように、蓋６２を閉塞位置Ｐ３に配置し、シャッター１０を閉塞位置ＰＳ１に配置しておく。また、ホットＮ２ガス供給ライン２４からホットＮ２ガスを少流量で供給し、ＩＰＡ蒸気発生部２２、処理ガス供給ライン２１、各処理ガス供給ノズル７１、７１を介して乾燥処理部６に導入させる。そして、乾燥処理部６内の雰囲気を排気ノズル７３、７３を介して第１の排気ライン２６に押し出すように排気する状態にしておく。また、処理槽３内に所定濃度のＤＨＦを貯留させておく。ホットＮ２ガス供給ライン２４から供給するホットＮ２ガスの流量は、例えば１５Ｌ／ｍｉｎ．程度が良い。【００５８】
ウェハＷを基板処理装置１に搬入する際は、図８に示すように、蓋６２を搬入出位置Ｐ１に移動させ、ウェハガイド８によって保持された例えば５０枚のウェハＷを、チャンバ本体６１の上面開口６１ａからチャンバ本体６１内に搬入する。さらに、シャッター１０を待機位置ＰＳ２に移動させ、シャッター移動部１１の開口部１１ｂと開口部１１ｄの間を開放させる。また、第２の排気ライン２７、２７に備えた開閉弁１１８、１１８を開いて、イジェクタ１２０を作動させる。即ち、各排気ノズル７３、７３、各第１の排気ライン２６、２６、各第２の排気ライン２７、２７を介して、乾燥処理部６内を強制排気させる。すると、ＦＦＵ１２からのダウンフローが乾燥処理部６に流入し、上面開口６１ａから各排気ノズル７３、７３に向かうクリーンエアの流れが形成される。これにより、シャッター１０を開いても、処理槽３内に貯留されたＤＨＦ雰囲気が、乾燥処理部６に上昇することを防止できる。従って、ＤＨＦ雰囲気がチャンバ５の内面に付着したり、上面開口６１ａからチャンバ５の外部に漏れたりすることを防止できる。なお、各排気ノズル７３、７３の排気口９２ａ〜９２ｅは、強制排気を行って排気量を増加させてもスムーズに排気を吸い込むことができる。【００５９】
こうして、ウェハガイド８を乾燥処理部６から処理槽３の内槽３０内に下降させ、内槽３０に貯留されたＤＨＦにウェハＷを浸漬させ、薬液処理を行う。処理槽３においてウェハＷの薬液処理を行う間は、図９に示すように、蓋６２を処理位置Ｐ２に移動させ、蓋６２の下縁とチャンバ本体６１の上面開口６１ａとの間に隙間を形成する。また、ウェハＷをチャンバ本体６１に搬入するときと同様に、第２の排気ライン２７に設けた開閉弁１１８、１１８を開き、イジェクタ１２０を作動させたままにして、第２の排気ライン２７によって乾燥処理部６内を強制排気する。このようにすると、薬液処理を行う間も、外部雰囲気、即ち、ＦＦＵ１２からダウンフローされたクリーンエアが、蓋６２と上面開口６１ａとの間の隙間から乾燥処理部６に流入し、上面開口６１ａから各排気ノズル７３、７３に向かうクリーンエアの気流が形成される。これにより、処理槽３内に貯留されたＤＨＦ雰囲気が、乾燥処理部６に上昇することを防止できる。従って、ＤＨＦ雰囲気がチャンバ５の内面に付着したり、上面開口６１ａからチャンバ５の外部に漏れたりすることを防止できる。また、ＦＦＵ１２から供給されるクリーンエアを利用して乾燥処理部６内に気流を形成するので、経済的である。【００６０】
ＤＨＦによるウェハＷの薬液処理が終了したら、ウェハＷを内槽３０内に配置したまま、処理液供給ノズル３５から純水を供給し、内槽３０内のＤＨＦを純水に置換して、ウェハＷを純水によりリンス処理する。内槽３０からオーバーフローしたＤＨＦや純水は、中槽３１に受け止められ、排液管４１によって排液される。【００６１】
内槽３０内のＤＨＦを純水に置換する間は、ウェハＷの薬液処理を行う間と同様に、蓋６２を処理位置Ｐ２に配置したまま、第２の排気ライン２７による強制排気を継続し、乾燥処理部６内に上面開口６１ａから各排気ノズル７３、７３に向かうＦＦＵ１２からのクリーンエアの気流を形成させる。これにより、処理槽３内のＤＨＦ雰囲気が乾燥処理部６に上昇することを防止する。その後、内槽３０内のＤＨＦが純水に置換され、処理槽３内からＤＨＦが排出されたら、図１０に示すように、蓋６２を閉塞位置Ｐ３に移動させ、チャンバ本体６１の上面開口６１ａを密閉する。なお、処理槽３内のＤＨＦが純水に置換されたか否かは、濃度計５３の濃度測定値によって判断することができる。濃度計５３の濃度測定値によって、処理槽３内が完全に純水に置換されたことを確認後、蓋６２を閉塞位置Ｐ３に移動させると良い。【００６２】
また、処理槽３内のＤＨＦが純水に置換されたら、第２の排気ライン２７に備えた開閉弁１１８、１１８を閉じて、第２の排気ライン２７による強制排気を停止させる。即ち、ウェハＷを基板処理装置１に搬入して処理槽３に移動させる間、薬液処理工程時及び処理槽３内のＤＨＦを純水に置換する間の各排気量よりも小さい排気量で乾燥処理部６を排気する状態にする。さらに、ホットＮ２ガス供給ライン２４、Ｎ２ガス供給ライン２５から、それぞれホットＮ２ガス、常温のＮ２ガスを大流量で供給する。なお、濃度計５３の濃度測定値によって、処理槽３内が完全に純水に置換されたことを確認後、第２の排気ライン２７の開閉弁１１８、１１８を閉じ、ホットＮ２ガス供給ライン２４の開閉弁８３、Ｎ２ガス供給ライン２５の開閉弁８６を開くようにすると良い。ホットＮ２ガス、Ｎ２ガスは、それぞれ処理ガス供給ノズル７１、７１、Ｎ２ガス供給ノズル７２、７２から乾燥処理部６内に吐出され、蓋６２の内面上部に向かって上昇した後、乾燥処理部６内を下降するように流れる。乾燥処理部６内の雰囲気は、各排気ノズル７３、７３の排気口９２に押し出され、第１の排気ライン２６によって排気される。こうして、乾燥処理部６にホットＮ２ガス、Ｎ２ガスを供給して、乾燥処理部６内の雰囲気を第１の排気ライン２６に排出させることにより、乾燥処理部６内の雰囲気をＮ２ガス雰囲気に置換する。ホットＮ２ガス供給ライン２４から供給するホットＮ２ガスの流量は、例えば１００Ｌ／ｍｉｎ．程度が良く、Ｎ２ガス供給ライン２５から供給するＮ２ガスの流量は、例えば２００Ｌ／ｍｉｎ．程度が良い。なお、各排気ノズル７３、７３の排気口９２ａ〜９２ｅは、排気ノズル７３の先端部側に向かうに従い開口面積が大きくなるように形成されているため、ホットＮ２ガス、Ｎ２ガスの供給量を増加させても、排気が排気口９２ａ〜９２ｅに効率良く押し出されるようになっている。【００６３】
また、ホットＮ２ガス供給ライン２４から供給されたホットＮ２ガスは、ＩＰＡ蒸気発生部２２、処理ガス供給ライン２１を介して処理ガス供給ノズル７１、７１に供給される。これにより、処理ガス供給ライン２１がホットＮ２ガスによって昇温されるので、純水によるリンス処理後にＩＰＡ蒸気を供給する際、処理ガス供給ライン２１内でＩＰＡ蒸気の温度が低下することを防止できる。さらに、ホットＮ２ガスによって乾燥処理部６内が昇温され、純水によるリンス処理後にＩＰＡ蒸気を供給する際、乾燥処理部６の内面にＩＰＡ蒸気が付着することを抑制できる。従って、ＩＰＡ蒸気がウェハＷに効率良く供給され、ＩＰＡ蒸気の使用量を低減させることができる。【００６４】
なお、ウェハＷをチャンバ本体６１に搬入する間、ウェハＷの薬液処理を行う間、及び、内槽３０内のＤＨＦを純水に置換する間は、開閉弁１３７を開き、排出路１３６によってシャッター移動部１１内のＤＨＦ雰囲気が排気されるようにすると、ＦＦＵ１２からのクリーンエアが乾燥処理部６を通じてシャッター移動部１１内にも流入し、シャッター移動部１１内にＤＨＦ雰囲気が残留することを防止できる。その後、内槽３０内のＤＨＦが純水に置換され、処理槽３内からＤＨＦが排出されたら、開閉弁１３７を閉じ、排出路１３６による排気を停止させても良い。この場合、濃度計５３の濃度測定値によって、処理槽３内が完全に純水に置換されたことを確認後、開閉弁１３７を閉じるようにすると良い。【００６５】
純水によるウェハＷのリンス処理が終了したら、ウェハガイド８を内槽３０内から上昇させ、ウェハＷを内槽３０内から乾燥処理部６に移動させる。なお、ウェハＷのリンス処理が終了したら、Ｎ２ガス供給ライン２５からのＮ２ガスの供給は停止させ、ホットＮ２ガス供給ライン２４からのホットＮ２ガスの供給は、ウェハＷを移動させる間も継続して、処理ガス供給ライン２１を温めるようにすることが好ましい。このときホットＮ２ガス供給ライン２４から供給するホットＮ２ガスの流量は、少流量、例えば１５Ｌ／ｍｉｎ．
程度にすれば良く、温度は例えば２５０℃程度が好ましい。【００６６】
ウェハＷを乾燥処理部６に移動させたら、図１１に示すように、シャッター１０を閉塞位置ＰＳ１に移動させ、エアグリップシール８ｂで支持棒８ａと蓋６２の間をシールし、乾燥処理部６を密閉する。蓋６２は、引き続き閉塞位置Ｐ３に配置したままにしておく。そして、ＩＰＡ供給ライン２３からＩＰＡを供給すると共にホットＮ２ガス供給ライン２４からホットＮ２ガスを供給して、ＩＰＡ蒸気発生部２２においてＩＰＡ蒸気を発生させ、処理ガス供給ライン２１からＩＰＡ蒸気を供給する。ＩＰＡ蒸気は、処理ガス供給ノズル７１、７１から乾燥処理部６内に吐出され、ウェハＷの左側又は右側を通過して、蓋６２の内周面上部に向かって上昇した後、各ウェハＷの上部からウェハＷ同士の間に流入して、各ウェハＷの表面に沿ってウェハＷの下部まで流下する。そして、乾燥処理部６の下部において、各排気ノズル７３、７３の排気口９２に押し出され、第１の排気ライン２６によって排気される。こうして、乾燥処理部６内にＩＰＡ蒸気を供給して、ウェハＷを乾燥処理する。なお、ホットＮ２ガス供給ライン２４から供給するホットＮ２ガスの流量は、例えば１００Ｌ／ｍｉｎ．程度が良い。ホットＮ２ガスの温度は、例えば８２℃〜１１０℃程度が好ましい。【００６７】
ＩＰＡ蒸気によるウェハＷの乾燥処理が終了したら、図１２に示すように、ＩＰＡ供給ライン２３からのＩＰＡの供給を停止させて処理ガス供給ライン２１からのＩＰＡ蒸気の供給を停止させ、ホットＮ２ガス供給ライン２４、Ｎ２ガス供給ライン２５から、それぞれホットＮ２ガス、Ｎ２ガスを供給して、乾燥処理部６内をＮ２ガスでパージする。ホットＮ２ガス、Ｎ２ガスは、それぞれ処理ガス供給ノズル７１、７１、Ｎ２ガス供給ノズル７２、７２から乾燥処理部６内に吐出され、蓋６２の内面上部に向かって上昇した後、乾燥処理部６内を下降するように流れる。乾燥処理部６内の雰囲気は、各排気ノズル７３、７３の排気口９２に押し出され、第１の排気ライン２６によって排気される。こうして、乾燥処理部６内にＮ２ガスを供給して、乾燥処理部６内のＩＰＡ蒸気を第１の排気ライン２６に排出させ、乾燥処理部６内の雰囲気がＮ２ガス雰囲気に置換される。ホットＮ２ガス供給ライン２４から供給するホットＮ２ガスの流量は、例えば１００Ｌ／ｍｉｎ．程度が良く、Ｎ２ガス供給ライン２５から供給するＮ２ガスの流量は、例えば２００Ｌ／ｍｉｎ．程度が良い。【００６８】
乾燥処理部６内がＮ２ガスによってパージされたら、エアグリップシール８ｂのシールを解き、蓋６２を搬入出位置Ｐ１に移動させ、ウェハガイド８をチャンバ本体６１の上面開口６１ａから上昇させ、ウェハＷを搬出する。こうして、基板処理装置１におけるウェハＷの洗浄処理が終了する。【００６９】
かかる基板処理装置１によれば、第２の排気ライン２７によって乾燥処理部６内を強制排気できる構成としたことにより、乾燥処理部６内の排気量を増加させることができる。さらに、処理槽３内にＤＨＦが存在する間、上面開口６１ａを開口させて乾燥処理部６を外気と連通させた状態にすることにより、ＦＦＵ１２から供給されるクリーンエアを乾燥処理部６内に流入させ、気流を形成することができる。従って、処理槽３内のＤＨＦ雰囲気が乾燥処理部６に上昇することを防止できる。また、乾燥処理部６内に移動させたウェハＷにＤＨＦ雰囲気が付着することを防止でき、ウェハの表面にウォーターマークが発生することを防止できる。従って、洗浄処理後、ウェハの表面に膜が良好に形成され、半導体デバイスに電気特性の異常が発生することを防止できる。【００７０】
また、ホットＮ２ガス供給ライン２４とＮ２ガス供給ライン２５によって、乾燥処理部６内にＮ２ガスを大流量で供給することで、ＩＰＡ蒸気がチャンバ５の内面に残留することを防止できる。ウェハＷにＩＰＡが残留することを防止できる。【００７１】
以上、本発明の好ましい実施の形態の一例を示したが、本発明はここで説明した形態に限定されない。例えば、基板処理装置１はＤＨＦを薬液として供給し、純水をリンス液として供給し、ＩＰＡ蒸気を乾燥用の処理ガスとして供給することとしたが、処理液、処理ガスの種類はかかるものに限定されない。また、基板処理装置１は、洗浄以外の他の処理を基板に対して施すものであっても良い。基板は半導体ウェハに限らず、ＬＣＤ基板用ガラスやＣＤ基板、プリント基板、セラミック基板などであっても良い。【００７２】
チャンバ５には、チャンバ５の内面を昇温させるためのヒータを装着しても良い。この場合、ＩＰＡ蒸気によるウェハＷの乾燥処理の際、ヒータによってチャンバ５の内面を昇温させることで、チャンバ５の内面にＩＰＡ蒸気が付着することを効果的に抑制できる。従って、ＩＰＡ蒸気がウェハＷに効率良く供給され、ＩＰＡ蒸気の使用量を低減させることができる。また、チャンバ５の内面にＩＰＡ蒸気が残留することを防止できる。例えば、蓋６２やチャンバ本体６１の外面にラバーヒータを備えることにより、蓋６２の内面やチャンバ本体６１の内面を加熱できるようにしても良い。なお、チャンバ５の内面は、ウェハＷよりも低温になるようにすることが好ましい。チャンバ５の内面を加熱するヒータの加熱温度は、例えば８５℃程度が好ましい。【００７３】
本実施の形態では、処理槽３内に設けた濃度計５３の測定値によって、処理槽３内のＤＨＦが純水に置換されたことを確認する構成としたが、処理槽３内に比抵抗計を設け、比抵抗計の比抵抗値によって、処理槽３内が純水に置換されたことを確認する構成としても良い。【００７４】
本実施の形態では、ＩＰＡ蒸気によるウェハＷの乾燥処理後、乾燥処理部６内をＮ２ガスによってパージする際、第１の排気ライン２６によって排気を行うこととしたが、第２の排気ライン２７によって強制排気して、乾燥処理部６内を減圧するようにしても良い。この場合、乾燥処理部６内に残留したＩＰＡ蒸気が揮発しやすくなり、チャンバ５やウェハＷの表面にＩＰＡ蒸気が残留することを防止できる。【００７５】
本実施の形態では、薬液処理工程時は乾燥処理部６を第２の排気ライン２７によって強制的に排気し、処理槽３内の薬液がリンス液に置換されたら、第１の排気ライン２６によって排気する状態に切り換えて薬液処理工程時より小さい排気量で排気することとしたが、第１の排気ライン２６内が乾燥処理部６に対して十分に負圧になるように設定されており、乾燥処理部６内にクリーンエアを流入させ気流を形成するために必要な排気量を第１の排気ライン２６のみで十分にとることができる場合は、強制排気を行わなくても良く、また、第２の排気ライン２７を設けなくても良い。【００７６】
本実施の形態では、ウェハＷを基板処理装置１に搬入する前から、純水によるリンス処理後にＩＰＡ蒸気を供給するまで、ホットＮ２ガス供給ライン２４からホットＮ２ガスを供給して、処理ガス供給ライン２１をホットＮ２ガスによって温めることとしたが、ウェハＷの薬液処理時は、ホットＮ２ガス供給ライン２４からのホットＮ２ガスの供給を停止させても良い。【００７７】
本実施の形態では、乾燥処理部６内の雰囲気をＮ２ガス雰囲気に置換する際、ホットＮ２ガス供給ライン２４からホットＮ２ガスを供給し、かつ、Ｎ２ガス供給ライン２５からＮ２ガスを供給しながら、乾燥処理部６を排気することとしたが、Ｎ２ガス供給ライン２５を設けず、ホットＮ２ガス供給ライン２４のみからホットＮ２ガスを供給するようにしても良い。【００７８】
本実施の形態では、ウェハＷを乾燥処理部６に移動させて乾燥処理部６を密閉した後、乾燥処理部６にＩＰＡ蒸気を供給して乾燥処理することとしたが、ウェハＷを処理槽３から乾燥処理部６に移動させながら、処理ガス供給ライン２１からＩＰＡ蒸気を供給するようにしても良い。【００７９】
本実施の形態では、蓋６２を処理位置Ｐ２に移動させることにより、乾燥処理部６を外気と連通させる状態とし、蓋６２を閉塞位置Ｐ３に移動させることにより、乾燥処理部６２を外気と遮断した状態にする構成としたが、乾燥処理部６を外気と連通した状態と遮断させた状態とを切り替える構成は、かかるものに限定されない。例えば、図１３に示すように、蓋６２に開口（通気口）１５０を形成し、開口１５０を開閉する蓋部材１５１を設け、蓋部材１５１を昇降移動させる蓋部材昇降機１５２を設けてもよい。また、蓋部材昇降機１５２の駆動を制御する制御部１５３を設けてもよい。即ち、蓋部材昇降機１５２によって蓋部材１５１を開口１５０から上昇させ開口１５０を開くことにより、乾燥処理部６を外気と連通させる状態とし、蓋部材昇降機１５２によって蓋部材１５１を下降させ、蓋部材１５１によって開口１５０を閉じることにより、乾燥処理部６を外気と遮断した状態にする構成となっている。この基板処理装置１においては、ウェハＷを基板処理装置１に搬入する際は、排気ノズル７３、７３を介して乾燥処理部６内を強制排気させる。即ち、上面開口６１ａが開口して乾燥処理部６が外気と連通した状態になっており、ＦＦＵ１２からのダウンフローが上面開口６１ａから乾燥処理部６に流入し、上面開口６１ａから各排気ノズル７３、７３に向かうクリーンエアの流れが形成される。ウェハＷを搬入させたら、蓋６２によってチャンバ本体６１の上面開口６１ａを閉じる。そして、制御部１５３の制御により蓋部材昇降機１５２を駆動させ、蓋部材１５１を上昇させて、開口１５０を開く。薬液処理時、及び、処理槽３内のＤＨＦを純水に置換する間は、開口１５０を開いたまま、排気ノズル７３、７３を介して乾燥処理部６内を強制排気する。これにより、ＦＦＵ１２からのダウンフローが開口１５０から乾燥処理部６に流入し、開口１５０から各排気ノズル７３、７３に向かうクリーンエアの流れが形成される。内槽３０内のＤＨＦが純水に置換されたら、開口５０を閉じる。このようにして、処理槽３内にＤＨＦが存在する間、乾燥処理部６内に気流を形成し、処理槽３内のＤＨＦ雰囲気が乾燥処理部６内に上昇することを防止できる。【００８０】
また、例えば図１４に示すように、蓋６２にパイプ１６０を接続し、パイプ１６０に開閉弁１６１を設けた構成としても良い。図１４において、パイプ１６０は、略鉛直に向けられた直管状に形成されている。また、パイプ１６０の下端を蓋６２の上部の内面において開口させている。さらに、開閉弁１６１の開閉を制御する制御部１６３を設けてもよい。この基板処理装置１においては、開閉弁１６１を開くことにより、パイプ１６０を介して乾燥処理部６を外気と連通させる状態とし、開閉弁１６１を閉じることにより、乾燥処理部６を外気と遮断する状態にする構成となっている。ウェハＷを基板処理装置１に搬入する際は、排気ノズル７３、７３を介して乾燥処理部６内を強制排気させる。これにより、ＦＦＵ１２からのダウンフローが上面開口６１ａから乾燥処理部６に流入し、上面開口６１ａから各排気ノズル７３、７３に向かうクリーンエアの流れが形成される。ウェハＷを搬入させたら、蓋６２によってチャンバ本体６１の上面開口６１ａを閉じる。そして、制御部１６３の制御により開閉弁１６１を開く。薬液処理時、及び、処理槽３内のＤＨＦを純水に置換する間は、開閉弁１６１を開きながら、排気ノズル７３、７３を介して乾燥処理部６内を強制排気する。これにより、ＦＦＵ１２からのダウンフローがパイプ１６０を下降して乾燥処理部６に流入し、パイプ１６０から各排気ノズル７３、７３に向かうクリーンエアの流れが形成される。処理槽３内のＤＨＦが純水に置換されたら、開閉弁１６１を閉じる。このようにして、処理槽３内にＤＨＦが存在する間、乾燥処理部６内に気流を形成し、処理槽３内のＤＨＦ雰囲気が乾燥処理部６内に上昇することを防止できる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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