(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
フレームと、
第１面、および、当該第１面とは反対の第２面を有し、当該第１および第２面によって厚さが規定される可動部と、
前記フレームと前記可動部とを連結するトーションバーと、を備え、
前記フレーム、前記可動部、及び、前記トーションバーは、同一の導電材料を含んで一体的に成形されており、
前記トーションバーは、前記フレームに接続する第１の基部及び前記可動部に接続する第２の基部を有し、
前記第１の基部及び前記第２の基部は、それぞれ前記可動部の前記第１面と同じ側にのみ曲面を有し、
前記第１の基部の前記曲面は、前記第１の基部における前記フレームの側ほど前記厚さの方向に前記第１の基部が漸次的に分厚くなるように、前記第２の基部の前記曲面は、前記第２の基部における前記可動部の側ほど前記厚さの方向に前記第２の基部が漸次的に分厚くなるように、それぞれ湾曲している、マイクロミラー素子。
【請求項２】
前記可動部には第１櫛歯電極部が設けられ、前記フレームには、前記第１櫛歯電極部との間に静電力を生じさせることによって前記可動部を変位させるための第２櫛歯電極部が設けられている、請求項１に記載のマイクロミラー素子。
【請求項３】
前記第１櫛歯電極は、前記可動部の前記厚さ以内に設けられており、前記第２櫛歯電極は、前記厚さの方向において前記フレームの寸法以内に設けられている、請求項２に記載のマイクロミラー素子。
【請求項４】
更に、前記可動部に対面するベース部材を備え、当該ベース部材には、前記可動部に対面するように平板状電極が設けられており、前記可動部の前記第２面には、前記平板状電極に対面するように平板状電極が設けられている、請求項１に記載のマイクロミラー素子。
【請求項５】
前記フレームは、前記トーションバーを介して前記可動部に連結された内フレーム部と、当該内フレーム部から離隔する外フレーム部と、当該内フレーム部および外フレーム部を連結する追加トーションバーを備え、前記追加トーションバーは、前記トーションバーの延設方向に対して交差する方向に延設されている、請求項２または３に記載のマイクロミラー素子。
【請求項６】
前記内フレーム部には第３櫛歯電極部が設けられ、前記外フレーム部には、前記第３櫛歯電極部との間に静電力を生じさせることによって前記内フレーム部を変位させるための第４櫛歯電極部が設けられている、請求項５に記載のマイクロミラー素子。
【請求項７】
前記フレームの少なくとも一部は、複数の導体層と、当該導体層間の絶縁層とからなる多層構造を有する、請求項２、３、５、６のいずれか一つに記載のマイクロミラー素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ディスクへのデータの記録・再生処理を行う光ディスク装置や、複数の光ファイバ間の光路の切り換えを行う光スイッチング装置などの、光学装置に組み込まれる素子であって、光の進路方向を変更するのに用いられるマイクロミラー素子およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
マイクロミラー素子は、光を反射するためのミラー面を備え、ミラー面の揺動により光の反射方向を変化させる素子であり、静電気力を利用してミラー面を揺動する静電駆動型のものが広く使用されている。静電駆動型のマイクロミラー素子としては種々の構造が提案されているが、これらは、その製造方法に基づいて大きく２つに類別することができる。基板上において、各構成部位に対応する材料薄膜を所望のパターンに加工し、これを順次積層することにより、支持体、ミラー面、電極部など、素子を構成する各部位や、後に除去される犠牲層を形成する、いわゆる表面マイクロマシン技術によって製造されるマイクロミラー素子と、材料基板自体をエッチングすることにより支持体やミラー形成部を所望の形状に成形し、必要に応じてミラー面や電極を薄膜形成する、いわゆるバルクマイクロマシン技術によって製造されるマイクロミラー素子である。表面マイクロマシン技術によって製造される静電駆動型マイクロミラー素子は、例えば下記の特許文献１に開示されている。一方、バルクマイクロマシン技術によって製造される静電駆動型マイクロミラー素子は、例えば下記の特許文献２〜５に開示されている。
【０００３】
【特許文献１】特開平７−２８７１７７号公報
【特許文献２】特開平９−１４６０３２号公報
【特許文献３】特開平９−１４６０３４号公報
【特許文献４】特開平１０−６２７０９号公報
【特許文献５】特開２０００−１３４４３号公報
【０００４】
マイクロミラー素子に要求される技術的事項の一つとして、光反射を担うミラー面の平面度が高いことを挙げることができるが、表面マイクロマシン技術によると、最終的に形成されるミラー面が薄いため、ミラー面が湾曲し易く、高平面度が保証されるのは、ミラー面のサイズにおいて一辺の長さが数１０μｍ程度のものに限られる。これに対して、バルクマイクロマシン技術によると、相対的に分厚い材料基板自体を削り込んでミラー形成部を構成し、このミラー形成部上にミラー面を設けるため、より広面積のミラー面であっても、その剛性を確保でき、よって、充分に高い光学的平面度を有するミラー面を構成することができる。従って、特に数１００μｍ角程度以上の面積のミラー面が必要とされるマイクロミラー素子の製造においては、バルクマイクロマシン技術が広く採用されている。
【０００５】
バルクマイクロマシン技術によって形成された従来のマイクロミラー素子の一例を図１１に示す。同図に示すマイクロミラー素子３００は、いわゆる静電駆動方式のものであり、ミラー基板３１０と電極基板３２０とが積層されたものである。ミラー基板３１０は、図１２に示すように、表面にミラー面３１１ａが形成されたミラー形成部３１１が、一対のトーションバー３１２を介してフレーム３１３に支持された構造を有している。ミラー形成部３１１の裏面には、一対の電極３１４ａ，３１４ｂが設けられている。電極基板３２０には、図１１に示すように、ミラー形成部３１１の電極３１４ａ，３１４ｂに対向する一対の電極３２１ａ，３２１ｂが設けられている。
【０００６】
このような構成によれば、例えばミラー形成部３１１の電極３１４ａ，３１４ｂを正極に帯電させた状態において、電極基板３２０の電極３２１ａを負極にすると、これらの間には静電力が発生し、ミラー形成部３１１は、一対のトーションバー３１２を捩じりながら矢印Ｎ３方向に揺動ないし回転する。また、これに代えて、電極３２１ｂを負極にすると、ミラー形成部３１１は上記とは反対方向に回転することとなる。このように、ミラー形成部３１１を回転させると、ミラー面３１１ａに向けて進行してくる光の反射方向を所定の方向に切り換えることができる。
【０００７】
従来において、上記したミラー基板３１０を製造するには、その原材料となる適当な基板（図示略）に対してその片面側からウエットエッチングを行い、上記基板に一対の空隙部３１５を上記基板に設ける工程を行なっていた。一対の空隙部３１５は、図１２に示すように、互いに向かい合った恰好のコ字状を有しており、上記基板の厚み方向に貫通している。このような手段によれば、ミラー基板３１０の各部の外形をエッチング処理のみによってかたち取ることができる。
【０００８】
しかしながら、上記従来の技術においては、次のように未だ改善すべき点があった。すなわち、マイクロミラー素子３００のミラー形成部３１１に揺動動作を行なわせる場合、このミラー形成部３１１の揺動角度は、電極間に発生する静電力と各トーションバー３１２の捩じり抵抗とが釣り合う角度となる。したがって、マイクロミラー素子３００の光の反射方向を正確に規定するためには、マイクロミラー素子３００の製造に際して、各トーションバー３１２の捩じり抵抗が予め設計された値となるように、各トーションバー３１２を正確な寸法に形成する必要がある。
【０００９】
ところが、従来の技術においては、各トーションバー３１２の厚みｔ１は、ミラー形成部３１１の厚みｔ２と同一となってしまうのが一般的であった。例えば特許文献２〜４にも、ミラー形成部３１１とは異なる厚みでトーションバー３１２を形成する方法については開示されていない。このため、従来においては、ミラー形成部３１１の厚みｔ２とは独立して、トーションバー３１２の厚みｔ１を適切に変更することによって、ミラー形成部３１１に対して各トーションバー３１２が所望の捩じり抵抗をもつようにすること、即ち、トーションバー３１２の設計に多様性をもたせて対処するといったことが困難なものとなっていた。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、このような事情のもとで考え出されたものであって、トーションバーの各部を所望の寸法に正確に仕上げることによって、トーションバーの設計仕様に多様性をもたせることができるマイクロミラー素子の製造方法およびこれによって製造されるマイクロミラー素子を提供することを課題としている。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の第１の側面によると、フレームと、ミラー形成部と、当該フレームおよびミラー形成部を連結する架橋部と、を備えるマイクロミラー素子の製造方法が提供される。この製造方法は、基板上に、フレームおよびミラー形成部へと加工される箇所をマスクするための第１のマスクパターンを形成する工程と、基板上に、架橋部へと加工される箇所をマスクするための第２のマスクパターンを形成する工程と、第１および第２のマスクパターンをマスクとして、基板に対して第１のエッチング処理を行う工程と、第２のエッチングマスクを選択的に除去する工程と、第１のマスクパターンをマスクとして、基板に対して第２のエッチング処理を行う工程と、第１のマスクパターンを除去する工程と、を含むことを特徴とする。
【００１２】
このような構成によると、バルクマイクロマシン技術によるマイクロミラー素子の製造において、基板における、第１および第２のマスクパターンでマスクされない箇所を、第２のマスクパターンでマスクしていた箇所よりも深くエッチングすることができる。その結果、第１のマスクパターンによりマスクされていたフレームとミラー形成部との間を、架橋部を残して貫通加工すること、即ち、フレームとミラー形成部との間に架橋部と空隙部とを形成することが可能となるとともに、当該架橋部を、フレームおよびミラー形成部よりも薄肉に成形することが可能となる。この架橋部には、ミラー形成部がフレームに対して揺動する際の回転軸心に又はその近傍に位置するトーションバーが含まれるが、支持梁を含ませてもよい。ここで、支持梁とは、マイクロミラー素子の製造工程中の機械的ストレスをトーションバーに集中することを防止するために形成される、フレームとミラー形成部とを連結する部位であって、後の工程において切断除去される一時的な架橋部をいう。
【００１３】
マイクロミラー素子において、トーションバーの厚みをミラー形成部よりも小さな厚みにすることができ、且つ、このトーションバーの厚みを、エッチング深さによって所望の寸法に規定することができるので、本発明によれば、トーションバーの捩じり剛性を所望の値にするための要素として、トーションバーの幅に加えて、その厚みをも要素とすることができ、したがってトーションバーが所望の捩じり剛性をもつように設計するときのトーションバーの寸法および形状に多様性をもたせることができる。そのため、マイクロミラー素子の設計において、ミラー形成部の揺動駆動に関して、きめ細かな対応が可能となる。
【００１４】
架橋部を残しつつフレームとミラー形成部との間に空隙部を形成する手段としては、第１および第２のマスクパターンをマスクとする第１のエッチング処理により、最終的に成形される架橋部の厚みに略相当する深さまで基板構成材料を除去し、第１のマスクパターンのみをマスクとする第２のエッチング処理により、フレームとミラー形成部とが架橋部のみにより連結されるように基板構成材料を除去することによって、架橋部と空隙部とを同時に完成させる方法がある。これに代えて、第１のエッチング処理により、基板において第１および第２のマスクパターンがマスクしていない箇所の基板構成材料を全て除去することによって、まず空隙部を形成し、第２のエッチング処理により、前記架橋部が成形されるまで基板構成材料を除去することによって、架橋部を完成させる方法を採用してもよい。
【００１５】
本発明の好ましい実施の形態では、第１および第２のエッチング処理のいずれか一方または両方を、ドライエッチング法により行う。ドライエッチングとしては、Ｄｅｅｐ ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）法を採用するのが好ましい。Ｄｅｅｐ ＲＩＥ法によると、エッチング速度が高いためマイクロミラー素子の製造効率を高めることができる。
【００１６】
本発明の第２の側面によると、マイクロミラー素子が提供される。このマイクロミラー素子は、フレームと、ミラー形成部と、フレームとミラー形成部とを連結する薄肉のトーションバーと、を備え、フレーム、ミラー形成部、及び、トーションバーは、同一の導電材料を含んで一体的に成形されていることを特徴とする。
【００１７】
このような構成によると、トーションバーが薄肉であることによって、トーションバーについて良好な捩じり剛性が達成され得るとともに、フレーム、ミラー形成部、及び、トーションバーが同一導電材料を含んで一体的に成形されていることよって、トーションバー表面において別途配線を形成する必要がない。
【００１８】
従来のマイクロミラー素子においては、揺動するミラー形成部に対してその駆動力となる電位を与えるために、ミラー形成部に電極を設けるとともに、当該電極と外部端子とを導通させるための配線をトーションバーの表面に形成しなければならなかった。しかしながら、良好な捩じり剛性を有するようにトーションバーを薄肉ないし小幅に成形する場合には、そのようなトーションバー表面への配線形成は困難なものとなる。これに対し、本発明の第２の側面に係るマイクロミラー素子は、トーションバー自体が導電性を有するため、トーションバー上に別途配線を形成する必要はなく、従って、薄肉形成によって良好な捩じり剛性を達成する場合においても、ミラー形成部に対して適切に電位を付与することが可能である。
【００１９】
好ましい実施の形態では、トーションバーは、フレームに接続する第１の基部とミラー形成部に接続する第２の基部とを有し、第１の基部は、フレームに接近するにつれて漸次的に分厚くなっており、第２の基部は、ミラー形成部に接近するにつれて漸次的に分厚くなっている。
【００２０】
このような構成により、トーションバーの捩じれ剛性について、更に良好に設計することができる。具体的には、トーションバーにおける、フレーム付近およびミラー形成部付近の基部に対して生じやすい応力集中を適切に低減することによって、トーションバー全体の捩じれ剛性を良好に設計することができるのである。例えば上記本発明の第１の側面に係るマイクロミラー素子の製造方法において、第２のエッチング処理をドライエッチング法、より好ましくはＤｅｅｐ ＲＩＥ法で行うことによって、このような形状のトーションバーを成形することが可能となる。
【００２１】
好ましい実施の形態では、ミラー形成部に第１櫛歯電極部を設け、フレームには、第１櫛歯電極部との間に静電力を生じさせることによってミラー形成部を変位させるための第３櫛歯電極部を設けることによって、マイクロミラー素子を櫛歯電極型として構成する。より好ましい実施の形態では、第１櫛歯電極は、ミラー形成部の肉厚以内に設けられており、第２の櫛歯電極は、フレームの肉厚以内に設けられている。これに代えて、ミラー形成部の第２の面に対面するベース部材を備え、当該ベース部材に、第２の面に対面するように平板状電極を設けることによって、マイクロミラー素子を平行平板電極型として構成してもよい。平行平板型として構成する場合には、ミラー形成部の第２の面には、ベース部材の平板状電極に対面するように平板状電極を設ける。ただし、ミラー形成部の第２の面の少なくとも１部自体が導電性材料により構成されている場合には、必ずしも第２の面に対して平板状電極を設けなくともよい。
【００２２】
好ましい実施の形態では、フレームは、トーションバーを介してミラー形成部に連結された内フレーム部と、当該内フレーム部から離隔する外フレーム部と、当該内フレーム部および外フレーム部を連結する追加トーションバーを備え、追加トーションバーは、トーションバーの延設方向に対して非平行に延設されている。こうすることによって、マイクロミラー素子を２軸型として構成してもよい。２軸型であって、櫛歯電極型として構成する場合には、上述の櫛歯電極の構成に加えて、内フレーム部には第２櫛歯電極部が設けられ、外フレーム部には、第２櫛歯電極部との間に静電力を生じさせることによって内フレーム部を変位させるための第４櫛歯電極部を設ける。
【００２３】
好ましい実施の形態では、フレーム、ミラー部、及び、トーションバーの少なくとも一部は、複数の導体層と、当該導体層間の絶縁層とからなる多層構造を有している。このような構成により、導体層による配線形成の自由度が高くなり、マイクロミラー素子について、多様に設計することが可能となる。また、好ましくは、フレームおよびミラー形成部が、絶縁膜または空隙により相互に絶縁された複数の区画を有することにより、マイクロミラー素子の内部構造において適切に絶縁設計されている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明の好ましい実施の形態について、図面を参照しつつ具体的に説明する。
【００２５】
図１は、本発明の第１の実施形態に係るマイクロミラー素子１００の分解斜視図であり、図２は、図１に示すマイクロミラー素子１００の組み立て状態の断面図である。本実施形態のマイクロミラー素子１００は、いわゆる静電駆動方式のものであり、ミラー基板１１０と電極基板１２０とが積層された構造を有している。ミラー基板１１０は、例えば、ｎ型不純物をドープすることによって導電性を付与されたシリコン製の基板を用いて、後述する製造方法により製造されたものである。ミラー基板１００は、その厚み方向に貫通する所定形状の一対の空隙部１１０ａが設けられていることにより、これら一対の空隙部１１０ａによって外周形状がかたち取られた略矩形のミラー形成部１１１と、このミラー形成部１１１を一対の空隙部１１０ａを介して囲んでいるフレーム１１３と、このフレーム１１３とミラー形成部１１１とを繋ぐ一対のトーションバー１１２とを有している。このように本実施形態では、マイクロミラー素子１００は、一対のトーションバー１１２を備えた１軸型として構成されている。
【００２６】
図２によく表れているように、ミラー形成部１１１の表面には、ミラー面１１４が設けられ、かつその裏面には、一対の電極１１５ａ，１１５ｂが設けられている。これらミラー面１１４や電極１１５ａ，１１５ｂは、金属膜を蒸着するなどして形成されている。各空隙部１１０ａの幅は、例えば１０〜２００μｍ程度であり、ミラー形成部１１１の厚みは、例えば１０〜２００μｍ程度である。ただし、ミラー基板１１０の導電性を充分に高く構成した場合には、電極１１５ａ，１１５ｂは、設けなくともよい。
【００２７】
各トーションバー１１２は、フレーム１１３の長手方向に延びる内方側面の中央付近と、ミラー形成部１１１の長手方向に延びる側面の中央付近とに一体的に接続している。トーションバー１１２の全体的な厚みは、図１におけるＩ部破断拡大斜視図によく示されているように、ミラー形成部１１１の厚みよりも小さくされており、トーションバー１１２が、ミラー基板１１０ないしミラー形成部１１１の上面から退避するように形成されている。また、トーションバー１１２の両端部付近、即ち、ミラー形成部１１１およびフレーム１１３に接続する基部は、ミラー形成部１１１およびフレーム１１３に近接するにつれて、部材厚が次第に厚肉となるように形成されている。
【００２８】
ミラー基板１１０は、フレーム１１３の裏面が電極基板１２０の外周縁の凸状段部１２１の上向き面に接合されていることにより、電極基板１２０の上に積層されている。電極基板１２０は、ミラー形成部１１１の一対の電極１１５ａ，１１５ｂに対して適当な間隔を隔てて対向する一対の電極１２２ａ，１２２ｂを具備している。すなわち、本実施形態に係るマイクロミラー素子１００は、いわゆる平行平板型として構成されている。
【００２９】
このような構成によれば、例えばミラー形成部１１１の電極１１５ａ，１１５ｂを正極に帯電させた状態において、電極基板１２０の電極１２２ａを負極にすると、これらの間には静電力が発生し、ミラー形成部１１１は、一対のトーションバー１１２を捩じりながら矢印Ｎ１方向に揺動する。また、これに代えて、電極１２２ｂを負極にすると、ミラー形成部１１１は上記とは反対方向に揺動することとなる。このように、ミラー形成部１１１を揺動させると、ミラー面１１４に向けて進行してくる光の反射方向を所定の方向に切り換えることができる。ミラー形成部１１１の電極１１５ａ，１１５ｂへの電位付与は、導電材料で構成されたフレーム１１３、トーションバー１１２、及び、ミラー形成部１１１を介して行い。電極基板１２０の電極１２２ａ、１２２ｂへの電位付与は、絶縁材料で構成された電極基板１２０に適切に形成された配線（図示略）を介して行う。
【００３０】
次に、上記構成のマイクロミラー素子１００の製造方法について、図３および図４を参照して説明する。図３は、本発明に係るマイクロミラー素子１００のミラー基板１１０の製造工程の斜視図であり、図４は、図３に示す一連の工程を、断面図で表したものである。図４（ａ）は図３（ａ）の線ＩＶ−ＩＶに沿った断面図であり、図４（ｂ）〜（ｆ）は、図４（ａ）と同一箇所の断面図である。
【００３１】
まず、図３（ａ）および図４（ａ）に示すように、ミラー基板１１０の原材料となる基板１１０’の表面（片面）に、第１のマスクパターン１０を形成する。基板１１０’としては、シリコンウエハを用いることができる。第１のマスクパターン１０は、基板１１０’の表面に第１のエッチングマスクを成膜した後、基板１１０’において最終的にミラー形成部１１１およびフレーム１１３が形成される箇所をマスクするように、第１のエッチングマスクをパターン化して形成される。
【００３２】
次に、図３（ｂ）および図４（ｂ）に示すように、基板１１０’上に、第２のマスクパターン２０を形成する。第２のマスクパターン２０は、基板１１０’上に第２のエッチングマスクを成膜した後、基板１１０’において最終的にトーションバー１１２が形成される箇所をマスクするように、第２のエッチングマスクをパターン化して形成される。後に行われるエッチングパターン除去工程において、同一条件で基板表面から除去されないように、第２のエッチングマスクは、第１のエッチングマスクとは異なるエッチング特性を示すレジスト材料から選択する。
【００３３】
次に、図３（ｃ）および図４（ｃ）に示すように、第１および第２のマスクパターン１０，２０をマスクとして、基板１１０’に対して第１のエッチング処理を施す。このエッチングは、例えばＤｅｅｐ ＲＩＥ法により行う。ただし、ＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma）エッチング法を採用してもよい。Ｄｅｅｐ ＲＩＥ法およびＩＣＰエッチング法は、半導体製造プロセスで多用されているドライエッチング法の一つであり、異方性を有し、深溝を形成するのに好適である。この第１のエッチング処理は、一定深さＬ１を達成するまで行う。この深さＬ１は、最終的に形成されるトーションバー１１２の厚みに相当する。よって、本実施形態では、第１のエッチング処理によりトーションバー１１２の厚みを調整することができる。
【００３４】
次に、図３（ｄ）および図４（ｄ）に示すように、第２のマスクパターン２０を、トーションバー形成予定箇所から除去する。このとき、第１のマスクパターン１０を基板１１０’上に残しつつ、第２のマスクパターン２０のみを除去するように、除去条件を適宜決定する。
【００３５】
次に、図３（ｅ）および図４（ｅ）に示すように、第１のマスクパターン１０をマスクとして、一定深さＬ１まで既に基板材料が除去されている基板１１０’に対して第２のエッチング処理を施す。このエッチングは、第１のエッチング処理のエッチング手段と同一であってもよいし、異なるものでもよい。この第２のエッチング処理によって、ミラー形成部１１１が空隙部１１０ａを介してフレーム１１３から離隔し、これらミラー形成部１１１とフレーム１１３とが一対のトーションバー１１２によって架橋された形態が完成する。
【００３６】
次に、図３（ｆ）および図４（ｆ）に示すように、第１のマスクパターン１０を基板１１０’から除去する。
【００３７】
上記した一連の工程によれば、図１および図２に示したマイクロミラー素子１００のミラー基板１１０の各部の外形をかたち取ることができる。ミラー面１１４や一対の電極１１５ａ，１１５ｂは、上記した一連の工程を行なう前に基板１１０に予め設けられているが、図３および図４においては描写を省略している。ただし、ミラー面１１４や一対の電極１１５ａ，１１５ｂの形成工程は、上記した一連の工程の後に行ってもよい。このようにして、ミラー基板１１０を製造し、公知のエッチング技術および成膜技術によって材料基板から別途作製した電極基板１２０に対して、当該ミラー基板１１０を積層固定することによって、マイクロミラー素子１００が製造される。
【００３８】
本実施形態によれば、トーションバー１１２を、ミラー形成部１１１上面から退避した箇所に設けることができるとともに、トーションバー１１２の幅および厚みを所望の寸法に正確に規定することができる。したがって、図１および図２に示すマイクロミラー素子１００において、電極１１５ａ，１２２ａ間、または電極１１５ｂ，１２２ｂ間に静電力を発生させることによってミラー形成部１１１を各トーションバー１１２の軸心周りに回転させるときには、各トーションバー１１２に良好な捩じり抵抗力を発揮させて、ミラー形成部１１１を所定の傾斜角度で正確に停止させることが可能となる。また、各トーションバー１１２は、ミラー形成部１１１の厚みとは異なる厚みにすることができるために、各トーションバー１１２の捩じり剛性を所定の値に設定する場合には、各トーションバー１１２の幅と厚みのそれぞれの寸法値を適宜選択することにより、きめ細かく対応することも可能となる。更に、本実施形態においては、Ｄｅｅｐ ＲＩＥ法によりエッチング処理を行うため、トーションバー１１２を形成するに際して、図４（ｅ）および図４（ｆ）によく表われているように、各トーションバー１１２の両端部を、ミラー形成部１１１およびフレーム１１３に接近するにしたがって連続的に厚みが増すように成形することができる。
【００３９】
本実施形態のマイクロミラー素子１００のミラー基板１１０では、ミラー形成部１１１、トーションバー１１２、フレーム１１３が導電性材料により一体的に構成されており、トーションバー１１２を介してミラー形成部１１１の電極１１５ａ，１１５ｂに対して適切に電位を付与することができるため、従来のマイクロミラー素子とは異なり、ミラー基板１１０の電極１１５ａ，１１５ｂに電位を付与するための配線を、トーションバー１１２上に別途形成する必要はない。
【００４０】
図５および図６は、本発明の第２の実施形態に係るマイクロミラー素子２００を表す。図５（ａ）はマイクロミラー素子２００の上面図であり、図５（ｂ）は下面図である。図６（ａ）〜（ｃ）は、各々、図５の線Ａ−Ａ、線Ｂ−Ｂ、線Ｃ−Ｃに沿った断面図である。
【００４１】
図５に示されているように、本実施形態におけるマイクロミラー素子２００は、ミラー形成部２１０、これを囲む内フレーム２２０、内フレーム２２０を囲む外フレーム２３０、ミラー形成部２１０と内フレーム２２０とを連結する一対のトーションバー２４０、内フレーム２２０と外フレーム２３０とを連結する一対のトーションバー２５０とを備える。一対のトーションバー２５０は、一対のトーションバー２４０の延設方向に対して略直角に延設されている。本実施形態のマイクロミラー素子２００は、後述するミラー面２１１および絶縁層２６０を除いて導電性材料により一体的に構成されている。導電性材料としては、Ｓｉ等の半導体にＰやＡｓなどのｎ型不純物やＢなどのｐ型不純物をドープしたものを用いる。ただし、これに代えて、Ｗ等の金属を用いてもよい。
【００４２】
ミラー形成部２１０は、図５（ａ）によく表れているように、その上面にミラー面２１１が薄膜形成されている。また、ミラー形成部２１０の相対向する２つの側面には、第１櫛歯電極２１０ａ，２１０ｂが延出成形されている。
【００４３】
内フレーム２２０は、図５（ｂ）および図６によく表れているように、内フレーム主部２２１と、一対の電極基台２２２と、これらの間の絶縁層２６０とからなる積層構造を有する。一対の電極基台２２２には、内方に延出する第２櫛歯電極２２２ａ、２２２ｂが一体的に成形されており、内フレーム主部２２１には、外方に延出する第３櫛歯電極２２１ａ、２２１ｂが一体的に成形されている。第２櫛歯電極２２２ａ，２２２ｂは、ミラー形成部２１０の第１櫛歯電極２１０ａ，２１０ｂの直下に位置しているが、ミラー形成部２１０の揺動動作時において、第１櫛歯電極２１０ａ，２１０ｂの歯と第２櫛歯電極２２２ａ，２２２ｂの歯とが当接しないように、図６（ｃ）によく表れているように互いの歯が位置ずれするように配されている。また、図６（ｂ）に示すように、一対のトーションバー２４０は、各々、ミラー形成部２１０よりも薄肉であり、内フレーム２２０の内フレーム主部２２１に接続している。
【００４４】
外フレーム２３０は、図６によく表れているように、第１外フレーム部２３１と、第２外フレーム部２３２と、これらの間の絶縁層２６０とからなる積層構造を有する。第２外フレーム部２３２には、図５（ｂ）によく表れているように、空隙を介して第１アイランド２３３、第２アイランド２３４、第３アイランド２３５、及び、第４アイランド２３６が設けられている。図６（ｂ）および図６（ｃ）によく表れているように、第１アイランド２３３および第３アイランド２３５には、各々、内方に延出する第４櫛歯電極２３２ａ、２３２ｂが一体的に成形されている。第４櫛歯電極２３２ａ，２３２ｂは、内フレーム主部２２１の第３櫛歯電極２２１ａ，２２１ｂの直下に位置しているが、内フレーム２２０の揺動動作時において、第３櫛歯電極２２１ａ，２２１ｂの歯と第４櫛歯電極２２２ａ，２２２ｂの歯とが当接しないように、互いの歯が位置ずれするように配されている。また、図６（ａ）に示されているように、一対のトーションバー２５０は、第１トーションバー部２５１と第２トーションバー部２５２と、これらの間の絶縁層２６０とからなる積層構造を有している。第１トーションバー部２５１は、内フレーム主部２２１および第１外フレーム部２３１と接続し、第２トーションバー部２５２は、電極基台２２２および第２外フレーム部２３２と接続している。
【００４５】
本実施形態では、第１外フレーム部２３１に電位を付与すると、図５（ａ）を参照するとよく理解できるように、同一の導電材料により一体的に成形されている一対の第１トーションバー部２５１、内フレーム主部２２１、一対のトーションバー２４０、およびミラー形成部２１０を介して、第１櫛歯電極２１０ａ、２１０ｂと第３櫛歯電極２２１ａ、２２１ｂとが同電位となる。この状態において、第２櫛歯電極２２２ａ，２２２ｂに所望の電位を付与し、第１櫛歯電極２１０ａ，２１０ｂと第２櫛歯電極２２２ａ，２２２ｂとの間に静電力を発生させることによって、ミラー形成部２１０を一対のトーションバー２４０の軸心周りに揺動させることができる。また、第４櫛歯電極２３２ａ，２３２ｂに所望の電位を付与し、第３櫛歯電極２２１ａ，２２１ｂと第４櫛歯電極２３２ａ，２３２ｂとの間に静電力を発生させることによって、内フレーム２２０およびミラー形成部２１０を一対のトーションバー２５０の軸心周りに揺動させることができる。
【００４６】
第２櫛歯電極２２２ａへの電位付与は、図６（ａ）を参照するとよく理解できるように、同一の導電材料で一体的に成形されている第２外フレーム部２３２の第４アイランド２３６、これに接続する第２トーションバー部２５２、および電極基台２２２を介して行う。同様に、第２櫛歯電極２２２ｂへの電位付与は、第２アイランド２３４、これに接続する第２トーションバー部２５２、および電極基台２２２を介して行う。一方、第４櫛歯電極２３２ａへの電位付与は、図６（ｂ）を参照するとよく理解できるように、第２外フレーム部２３２の第１アイランド２３３を介して行い、第４櫛歯電極２３２ｂへの電位付与は、第３アイランド２３５を介して行う。第２外フレーム部２３２における４つのアイランドが電気的に独立しているので、第２櫛歯電極２２２ａ，２２２ｂおよび第４櫛歯電極への電位付与は、選択的に行うことができる。その結果、ミラー形成部２１０ないしミラー面２１１を所望の方向へ傾斜させることができる。
【００４７】
次に図７および図８を参照して、上記構成のマイクロミラー素子２００の製造方法を説明する。図７は、図５に示すマイクロミラー素子２００の製造方法の一部の工程を、図５の線Ｅ−Ｅに沿った断面図で表したものである。図８は、図７に続く工程を、同じく図５の線Ｅ−Ｅの実線箇所に沿った断面図で表したものである。
【００４８】
図７（ａ）に示すように、マイクロミラー素子２００の製造においては、まず、Ａｓなどのｎ型の不純物をドープをすることによって導電性を付与したシリコンウエハ２００’を２枚用意する。ウエハの抵抗率は０．０１〜０．１Ω・cmの範囲とするのが望ましい。また、導電性の付与に際しては、Ｂなどのｐ型の不純物を用いてもよい。２枚のウエハ２００’には、各々、熱酸化法により、表面に５００ｎｍの二酸化ケイ素膜２６０を成長させる。
【００４９】
次いで、図７（ｂ）に示すように、二酸化ケイ素膜２６０同士を合わせて、１１００℃程度の窒素アニール処理を行うことによって、２枚のウエハ２００’を貼り合わせる。その後、ウエハ表面を研磨して、ウエハ２００’の厚みを各々１００μｍに調整する。このようにして、まず、Ｓｉ／ＳｉＯ2／Ｓｉの構成で、１００μｍ／１μｍ／１００μｍの厚み構造を有するＳＯＩ（Silicon on Insulator）ウエハ２０１’を形成する。
【００５０】
次いで、図７（ｃ）に示すように、ＳＯＩウエハ２０１’の上面に、第１のエッチングマスクとしての二酸化ケイ素膜３０’を成膜する。膜厚は、１００〜１０００ｎｍの範囲とする。このとき、下面にも二酸化ケイ素膜を成膜してもよい。ただし、エッチングマスクの成膜においては、後に行うＤｅｅｐ ＲＩＥ法によるＳｉエッチングの際に、マスク材として機能できる成膜材料、即ち、Ｓｉよりもエッチング速度が遅い成膜材料であれば、ＳｉＯ2に限らず、他の材料を使用してもよい。成膜手段としては、熱酸化法を採用してもよいし、ＣＶＤ法を採用してもよい。
【００５１】
次いで、図７（ｄ）に示すように、二酸化ケイ素膜３０’をエッチングして、第１のマスクパターン３０を形成する。このエッチングには、図９（ａ）に示す構成の第１のマスク４０を用いる。第１のマスク４０は、マイクロミラー素子２００におけるミラー形成部２１０、一対の第１櫛歯電極２１０ａ，２１０ｂ、内フレーム主部２２１、一対の第３櫛歯電極２２１ａ，２２１ｂ、第１外フレーム部２３１の平面視形態に相当する。従って、第１のマスクパターン３０も、第１のマスク４０と同一の形状となる。また、このエッチングは、ＨＦを含む溶液によるウェットエッチング法で行ってもよいし、ＣＨＦ3やＣ4Ｆ8等のガスによるドライエッチング法で行ってもよい。
【００５２】
次いで、ＳＯＩウエハ２０１’上に膜厚０．５〜５０μｍの範囲で第２のエッチングマスクとしてのフォトレジスト膜を成膜する。ただし、第２のエッチングマスクとしては、フォトレジスト膜に代えて、Ｓｉ3Ｎ4膜を成膜してもよい。成膜手段としては、熱酸化法を採用してもよいし、ＣＶＤ法を採用してもよい。そして、これをエッチングして、図７（ｅ）に示すように第２のマスクパターン５０を形成する。このエッチングには、図９（ｂ）に示す構成の第２のマスク６０を用いる。第２のマスク６０は、マイクロミラー素子２００における一対のトーションバー２４０、一対の第１トーションバー部２５１、及び、支持梁２７０の平面視形態に相当する。従って、第２のマスクパターン５０も、第２のマスク６０と同一の形状となる。支持梁とは、上述したように、マイクロミラー素子の製造工程中の機械的ストレスをトーションバーに集中することを防止するために設けられ、後の工程において切断除去される一時的な架橋部であり、本実施形態においては、内フレーム２２０とミラー形成部２１０、及び、外フレーム２３０と内フレーム２２０を連結する部位である。また、このエッチングは、フォトエッチングに代えて、可能であれば、ＨＦを含む溶液によるウェットエッチング法で行ってもよいし、ＣＨＦ3やＣ4Ｆ8等のガスによるドライエッチング法で行ってもよいが、第１のマスクパターン３０をエッチングしない条件で行う。
【００５３】
次いで、図７（ｆ）に示すように、第１のマスクパターン３０および第２のマスクパターン５０をマスクとして、ウエハ２０１’に対して第１のエッチング処理を行う。このエッチングは、ＳＦ6ガス及びＣ4Ｆ8ガスを用いたＤｅｅｐ ＲＩＥ法により、所望の深さ、５μｍまで行う。ただし、Ｄｅｅｐ ＲＩＥ法に代えて、ＫＯＨ溶液などによるウェットエッチング法を採用してもよい。
【００５４】
次いで、図７（ｇ）に示すように、第２のマスクパターン５０のみを、有機溶剤あるいは酸素プラズマにさらして除去する。このときの有機溶剤としては、第２のマスクパターン５０の構成材料に応じて、例えば、トリプロピレングリコールメチルエーテル、アミノエチルエタノールアミン、リン酸水溶液、及び、モノエタノールアミンとジメチルスルホキシドの混合液などを使用することができるが、第１のマスクパターン３０を有意に除去しない溶剤を選択する必要がある。例えば、ＳｉＯ2により第１のマスクパターン３０を構成し、Ｓｉ3Ｎ4により第２のマスクパターン５０を構成した場合には、リン酸水溶液によって、第１のマスクパターン３０を残しつつ、第２のマスクパターン５０のみを選択的に除去することができる。
【００５５】
次いで、図７（ｈ）に示すように、第１のマスクパターン３０のみをマスクとして第２のエッチング処理を行う。第２のエッチング処理は、ＳＦ6ガス及びＣ4Ｆ8ガスを用いたＤｅｅｐ ＲＩＥ法により、ウエハを構成する材料の表面から９５μｍの深さまで行う。必要であれば、製造プロセス誤差を吸収するために、更に深さ１μｍのオーバーエッチングを行う。
【００５６】
以上の工程により、絶縁層２６０の上位に、マイクロミラー素子２００におけるミラー形成部２１０、一対の第１櫛歯電極２１０ａ，２１０ｂ、内フレーム主部２２１、一対の第３櫛歯電極２２１ａ，２２１ｂ、第１外フレーム部２３１、一対のトーションバー２４０、一対の第１トーションバー部２５１、及び、支持梁２７０に相当する部位が形成される。また、本実施形態のように第２のエッチング処理をＤｅｅｐ ＲＩＥ法により行うと、図７（ｈ）に示すように、第２トーションバー部２５２の付け根部分は厚さ変化が直角でなく、曲率を有する形状を得ることが可能である。
【００５７】
次いで、以降の工程において絶縁層２６０の上位の構造が破損することを防止すべく、液状ガラスを塗布し、これをアニールすることによって、図８（ａ）に示すように犠牲膜７０を形成する。ただし、このような保護手段に代えて、ＡＺやＴＳＣＲなどのレジスト材料を塗布形成してもよいし、紫外線硬化型接着フィルムシートなどのような接着力を制御できるフィルムを張りつけることによって保護してもよい。
【００５８】
犠牲膜７０を形成した後、図７を参照して説明したのと略同様の方法により、絶縁層２６０の下位を加工する。まず、ウエハ２０１’の下面に対して、第３のエッチングマスクとしての二酸化ケイ素膜を、１００〜１０００ｎｍの範囲の膜厚で成膜し、これをエッチングして、図８（ｂ）に示すように、第３のマスクパターン３１を成膜する。このエッチングには、図１０（ａ）に示す構成の第３のマスク４１を用いる。第３のマスク４１は、マイクロミラー素子２００における一対の電極基台２２２、第２櫛歯電極２２２ａ，２２２ｂ、第２外フレーム部２３２の第１〜４アイランド２３３，２３４，２３５，２３６、及び、第４櫛歯電極２３２ａ，２３２ｂの平面視形態に相当する。従って、第３のマスクパターン３１も、第３のマスク４１と同一の形状となる。
【００５９】
次いで、ウエハ２０１’上に膜厚０．５〜５０μｍの範囲で第４のエッチングマスクとしてのフォトレジスト膜を成膜し、これをエッチングして、同じく図８（ｂ）に示すように第４のマスクパターン５１を形成する。また、このエッチングは、第３のマスクパターン３１を除去しない条件で行う。
【００６０】
次いで、図８（ｃ）に示すように、第３のマスクパターン３１および第４のマスクパターン５１をマスクとして、ウエハ２０１’に対して第１のエッチング処理を行う。このエッチングは、ＳＦ6ガス及びＣ4Ｆ8ガスを用いたＤｅｅｐ ＲＩＥ法により、所望の深さ、５μｍまで行う。ただし、Ｄｅｅｐ ＲＩＥ法に代えて、ＫＯＨ溶液などによるウェットエッチング法を採用してもよい。
【００６１】
次いで、第４のマスクパターン５１のみを、有機溶剤あるいは酸素プラズマにさらして除去した後、図８（ｄ）に示すように、第３のマスクパターン３１のみをマスクとして第２のエッチング処理を行う。第２のエッチング処理は、ＳＦ6ガス及びＣ4Ｆ8ガスを用いたＤｅｅｐ ＲＩＥ法により、ウエハを構成する材料の表面から９５μｍの深さまで行う。必要であれば、製造プロセス誤差を吸収するために、更に深さ１μｍのオーバーエッチングを行う。
【００６２】
以上の工程により、絶縁層２６０の下位において、マイクロミラー素子２００の一対の電極基台２２２、第２櫛歯電極２２２ａ，２２２ｂ、第２外フレーム部２３２、第４櫛歯電極２３２ａ，２３２ｂ、および第２トーションバー部２５２に相当する部位が形成される。また、本実施形態のように第２のエッチング処理をＤｅｅｐ ＲＩＥ法により行うと、上述したように、各トーションバーの付け根部分は厚さ変化が直角でなく、曲率を有する形状を得ることが可能である。
【００６３】
次いで、図８（ｅ）に示すように、ウエハ２０１’表面の第１のマスクパターン３０および第３のマスクパターン３１、並びに所定箇所の絶縁層２６０をウェットエッチング法などにより除去した後、ウエハからチップに切り出すことにより、支持梁２７０を伴ったマイクロミラー素子２００を完成させる。支持梁２７０は、この後の適切な段階で除去される。除去に際しては、支持梁２７０に対して、レーザによって溶断・ブローしてもよいし、電流を流してジュール熱により溶断してもよい。
【００６４】
ミラー形成部２１０のミラー面２１１は、以上の一連の工程の前に、ミラー形成部２１０が形成される箇所において、所定形状で形成する。ただし、本実施形態に関しては、ミラー面２１１の形成工程は図示しない。ミラー面２１０の形成においては、ミラー形成部２１０ないしその形成予定箇所に、例えば、チタンを５０ｎｍ成膜した後、その上に金を５００ｎｍ成膜し、これらをエッチングする。こような構成によると、ミラー面２１１は、光学反射膜として機能するだけでなく、ウエハ材料との導通をとることが可能となり、必要な場合には、ボンディングワイヤ接続することができることとなる。
【００６５】
以上の実施形態では、架橋部を残しつつフレームとミラー形成部との間に空隙部を形成する手段として、第１のエッチング処理により、最終的に成形される架橋部の厚みに略相当する深さまで基板構成材料を除去し、第１のマスクパターンのみをマスクとする第２のエッチング処理により、フレームとミラー形成部とが架橋部のみにより連結されるように基板構成材料を除去することによって、架橋部と空隙部とを同時に完成させる方法を示したが、これに代えて、第１のエッチング処理により、基板において第１および第２のマスクパターンがマスクしていない箇所の基板構成材料を全て除去することによって、まず空隙部を形成し、第２のエッチング処理により、前記架橋部が成形されるまで基板構成材料を除去することによって、架橋部を完成させる方法を採用してもよい。
【００６６】
（付記）
以上のまとめとして、本発明の構成およびそのバリエーションを以下に付記として列挙する。
【００６７】
（付記１）  フレームと、ミラー形成部と、当該フレームおよびミラー形成部を連結するトーションバーを含む架橋部と、を備えるマイクロミラー素子を製造するための方法であって、
基板上に、前記フレームおよび前記ミラー形成部へと加工される箇所をマスクするための第１のマスクパターンを形成する工程と、
前記基板上に、前記架橋部へと加工される箇所をマスクするための第２のマスクパターンを形成する工程と、
前記第１および第２のマスクパターンをマスクとして、前記基板に対して第１のエッチング処理を行う工程と、
前記第２のマスクパターンを選択的に除去する工程と、
前記第１のマスクパターンをマスクとして、前記基板に対して第２のエッチング処理を行う工程と、
前記第１のマスクパターンを除去する工程と、を含むことを特徴とする、マイクロミラー素子の製造方法。
（付記２）  前記架橋部は、前記トーションバーに加えて支持梁を含む、付記１に記載のマイクロミラー素子の製造方法。
（付記３）  前記第１のエッチング処理により、前記基板の厚み方向の途中の深さまで基板構成材料を除去し、前記第２のエッチング処理により、前記フレームと前記ミラー形成部とが前記架橋部のみにより連結されるように基板構成材料を除去する、付記１または２に記載のマイクロミラー素子の製造方法。
（付記４）  前記第１のエッチング処理により、前記基板において前記第１および第２のマスクパターンがマスクしていない箇所の基板構成材料を全て除去し、前記第２のエッチング処理により、前記架橋部が成形されるまで基板構成材料を除去する、付記１または２に記載のマイクロミラー素子の製造方法。
（付記５）  前記各工程を、前記基板の表面側と裏面側とから各々について行う、付記１から４のいずれか一つに記載のマイクロミラー素子の製造方法。
（付記６）  前記第１及び／又は第２のエッチング処理は、ドライエッチング法により行う、付記１から５のいずれか一つに記載のマイクロミラー素子の製造方法。
（付記７）  前記第１および／または第２のエッチング処理は、Ｄｅｅｐ ＲＩＥ法により行う、付記６に記載のマイクロミラー素子の製造方法。
（付記８）  フレームと、ミラー形成部と、前記フレームと前記ミラー形成部とを連結する薄肉のトーションバーと、を備え、
前記フレーム、前記ミラー形成部、及び、前記トーションバーは、同一の導電材料を含んで一体的に成形されていることを特徴とする、マイクロミラー素子。
（付記９）  前記トーションバーは、前記フレームに接続する第１の基部を有し、当該第１の基部は、前記フレームに接近するにつれて漸次的に分厚くなっている、付記８に記載のマイクロミラー素子。
（付記１０）  前記トーションバーは、前記ミラー形成部に接続する第２の基部を有し、当該第２の基部は、前記ミラー形成部に接近するにつれて漸次的に分厚くなっている、付記８または９に記載のマイクロミラー素子。
（付記１１）  前記ミラー形成部には第１櫛歯電極部が設けられ、前記フレームには、前記第１櫛歯電極部との間に静電力を生じさせることによって前記ミラー形成部を変位させるための第２櫛歯電極部が設けられている、付記８から１０のいずれか一つに記載のマイクロミラー素子。
（付記１２）  前記第１櫛歯電極は、前記ミラー形成部の肉厚以内に設けられており、前記第２の櫛歯電極は、前記フレームの肉厚以内に設けられている、付記１１に記載のマイクロミラー素子。
（付記１３）  更に、前記ミラー形成部に対面するベース部材を備え、当該ベース部材には、前記ミラー形成部に対面するように平板状電極が設けられている、付記８から１０のいずれか一つに記載のマイクロミラー素子。
（付記１４）  前記ミラー形成部の第２の面には、前記平板状電極に対面するように平板状電極が設けられている、付記１３に記載のマイクロミラー素子。
（付記１５）  前記フレームは、前記トーションバーを介して前記ミラー形成部に連結された内フレーム部と、当該内フレーム部から離隔する外フレーム部と、当該内フレーム部および外フレーム部を連結する追加トーションバーを備え、前記追加トーションバーは、前記トーションバーの延設方向に対して交差する方向に延設されている、付記８から１４のいずれか一つに記載のマイクロミラー素子。
（付記１６）  前記内フレーム部には第３櫛歯電極部が設けられ、前記外フレーム部には、前記第３櫛歯電極部との間に静電力を生じさせることによって前記内フレーム部を変位させるための第４櫛歯電極部が設けられている、付記１５に記載のマイクロミラー素子。
（付記１７）  前記フレームの少なくとも一部は、複数の導体層と、当該導体層間の絶縁層とからなる多層構造を有する、付記８から１６のいずれか一つに記載のマイクロミラー素子。
（付記１８）  前記ミラー形成部の少なくとも一部は、複数の導体層と、当該導体層間の絶縁層とからなる多層構造を有する、付記８から１７のいずれか一つに記載のマイクロミラー素子。
（付記１９）  前記トーションバーまたは前記追加トーションバーの少なくとも一部は、複数の導体層と、当該導体層間の絶縁層とからなる多層構造を有する、付記８から１８のいずれか一つに記載のマイクロミラー素子。
（付記２０）  前記フレームまたは前記ミラー形成部は、絶縁膜または空隙により相互に絶縁された複数の区画を有する、付記８から１９のいずれか一つに記載のマイクロミラー素子。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るマイクロミラー素子の分解斜視図である。
【図２】図１に示すマイクロミラー素子の組立て状態の断面図である。
【図３】本発明に係るマイクロミラー素子の製造方法の一部の斜視図である。
【図４】図３に示す一連の工程を、図３の線ＩＶ−ＩＶに沿った断面図で表したものである。
【図５】本発明の第２の実施形態に係るマイクロミラー素子の上面図および下面図である。
【図６】図５に示すマイクロミラー素子の断面図である。
【図７】図５に示すマイクロミラー素子の製造方法の一部を、図５の線Ｅ−Ｅに沿った断面図で表したものである。
【図８】図５に示すマイクロミラー素子の製造方法の一部を、図５の線Ｅ−Ｅに沿った断面図で表したものである。
【図９】図７に示す製造工程で使用されるマスクパターン形成用マスクの平面図である。
【図１０】図８に示す製造工程で使用されるマスクパターン形成用マスクの平面図である。
【図１１】従来のマイクロミラー素子の断面図である。
【図１２】図１１に示すミラー基板の斜視図である。
【符号の説明】
【００６９】
１００，２００，３００      マイクロミラー素子
１１０，３１０      ミラー基板
１１１，３１１      ミラー形成部
１１２，３１２      トーションバー
１１３，３１３      フレーム
１２０，３２０      電極基板
２１０      ミラー形成部
２１０ａ，２１０ｂ      第１櫛歯電極
２２０      内フレーム
２２１      内フレーム主部
２２１ａ，２２１ｂ      第３櫛歯電極
２２２      電極基台
２２２ａ，２２２ｂ      第２櫛歯電極
２３０      外フレーム
２３１      第１外フレーム部
２３２      第２外フレーム部
２３２ａ，２３２ｂ      第４櫛歯電極
２４０，２５０  トーションバー
２６０      絶縁層
２７０      支持梁
【図１】
0004546491.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
0004546491.tif 000007
【図７】
0004546491.tif 000008
【図８】
0004546491.tif 000009
【図９】
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【図１０】
0004546491.tif 000011
【図１１】
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【図１２】
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