(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の上に形成された多層反射膜と、
前記多層反射膜の上に形成され、照射される露光光の一部を第1の反射光として放射し、前記第1の反射光と前記多層反射膜に照射される露光光が反射した第２の反射光との位相を異ならせる位相シフト機能を有する光吸収体層と、
前記光吸収体層に形成された回路パターン領域と、
前記回路パターン領域の外部に設けられた、前記回路パターン領域に位置する光吸収体層よりも照射される露光光の反射率が低い遮光領域と、
を備え、
前記遮光領域は、レーザが照射された領域、イオンが注入された領域、前記光吸収体層表面から前記多層反射膜に達するように形成された溝領域、及び前記回路パターン領域の光吸収体層よりも厚くなるように前記多層反射膜上に形成された膜形成領域の少なくとも一つの領域を含むことを特徴とする反射型マスク。
【請求項２】
前記基板と前記多層反射膜の間には導電膜が介在し、前記導電膜は前記溝領域に露出するように形成されていることを特徴とする請求項１に記載の反射型マスク。
【請求項３】
基板の上に多層反射膜を形成し、
前記多層反射膜の上に、照射される露光光の一部を第1の反射光として放射し、前記第1の反射光と前記多層反射膜に照射される露光光が反射した第２の反射光との位相を異ならせる位相シフト機能を有する光吸収体層を形成し、
前記光吸収体層に回路パターン領域を形成し、
前記回路パターン領域の外部に、前記回路パターン領域に位置する光吸収体層よりも照射される露光光の反射率が低い遮光領域を形成する、
反射型マスクの製造方法であって、
前記遮光領域を形成する工程は、レーザ照射工程、イオン注入工程、前記光吸収体層表面から前記多層反射膜に達するように溝を形成する溝形成工程、及び前記回路パターン領域の光吸収体層よりも厚くなるように前記多層反射膜上に膜を形成する膜形成工程の少なくとも一つの工程を含むことを特徴とする反射型マスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、反射型マスク及びその作製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、より微細なパターン転写を実現するため、露光光として、波長が１３．５ｎｍ近傍の極端紫外線 (ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａ  Ｖｉｏｌｅｔ)を用いたＥＵＶリソグラフィが提案されている。
【０００３】
ＥＵＶリソグラフィでは、ＥＵＶ光に対する材料間の吸収率の差が小さいことなどから、反射型のマスクが用いられる。この反射型マスクは、マスクブランクスと呼ばれる基板を元に作製される。
【０００４】
マスクブランクスは、ガラス基板の上に、多層反射膜、バッファー層、光吸収体層を順次形成したものである。この光吸収体層及びバッファー層をエッチングして所望の回路パターンが形成される。ＥＵＶ光は、光吸収体の部分では吸収され、光吸収体が除去された部分では多層反射膜により反射される。これにより、ＥＵＶ光を所望の回路パターンの像として反射する。
【０００５】
また、透過型マスクの場合と同様に、反射型マスクにおいても、位相シフト法を用いることでさらに解像度を向上させることができる。このような反射型マスクとして、例えば特開２００４−２０７５９３号公報に開示されたものがある。これは、多層膜２上に形成されたパターン１（２層膜）を構成するルテニウム（Ｒｕ）層とタンタル（Ｔａ）層の膜厚をそれぞれ最適化することで、所望の反射率と位相差を両立させ、ハーフトーン型の位相シフト露光ができるマスクを得るというものである。
【０００６】
しかし、マスクに形成されるパターンの膜厚が大きくなると、シャドーイング効果の影響が大きくなるという問題がある。
【０００７】
このシャドーイング効果は、反射型マスクを用いるリソグラフィの問題の一つとして知られている。これは、光吸収体層の凹凸に起因して反射されたパターン像が歪んでしまう現象である。即ち、露光光がマスクブランクスの垂直面に対してある角度（通常約６°）をもって入射するため、光吸収体層の影が生じる。この影の領域では露光光が反射しないため、パターンの反射像には寸法差が生じてしまう。
【０００８】
このシャドーイング効果の影響は、光吸収体層の膜厚を小さくすることで低減することができる。但し、光吸収体層を薄くした場合、遮光すべき領域、例えば、遮光枠の遮光性能の問題が新たに発生する。ここで遮光枠とは、マスクの回路パターン領域を囲むように設けられた枠であり、露光光がウエーハ上のパターン転写されるブロックに隣接する領域に漏れないようにするためのものである。この遮光枠からの反射光が大きいと隣接する領域に影響を与えるなどして歩留まり低下の原因となる。よって、遮光枠の反射率は十分に小さいことが求められる。しかるに、シャドーイング効果を低減するために光吸収体層の膜厚を小さくすると、光吸収体層からマスクの外部に放射される光が増加してしまい、遮光枠性能を十分確保することができないという問題がある。
【特許文献１】特開２００４−２０７５９３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明はシャドーイング効果が小さく、且つ位相シフト露光が可能で、十分な遮光枠性能を持つ反射型マスクを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一態様によれば、基板と、前記基板の上に形成された多層反射膜と、前記多層反射膜の上に形成され、照射される露光光の一部を第1の反射光として放射し、前記第1の反射光と前記多層反射膜に照射される露光光が反射した第２の反射光との位相を異ならせる位相シフト機能を有する光吸収体層と、前記光吸収体層に形成された回路パターン領域と、前記回路パターン領域の外部に設けられた、前記回路パターン領域に位置する光吸収体層よりも照射される露光光の反射率が低い遮光領域と、を備え、前記遮光領域は、レーザが照射された領域、イオンが注入された領域、前記光吸収体層表面から前記多層反射膜に達するように形成された溝領域、及び前記回路パターン領域の光吸収体層よりも厚くなるように前記多層反射膜上に形成された膜形成領域の少なくとも一つの領域を含むことを特徴とする反射型マスクが提供される。
【００１１】
本発明の別態様によれば、基板の上に多層反射膜を形成し、前記多層反射膜の上に、照射される露光光の一部を第1の反射光として放射し、前記第1の反射光と前記多層反射膜に照射される露光光が反射した第２の反射光との位相を異ならせる位相シフト機能を有する光吸収体層を形成し、前記光吸収体層に回路パターン領域を形成し、前記回路パターン領域の外部に、前記回路パターン領域に位置する光吸収体層よりも照射される露光光の反射率が低い遮光領域を形成する、反射型マスクの製造方法であって、前記遮光領域を形成する工程は、レーザ照射工程、イオン注入工程、前記光吸収体層表面から前記多層反射膜に達するように溝を形成する溝形成工程、及び前記回路パターン領域の光吸収体層よりも厚くなるように前記多層反射膜上に膜を形成する膜形成工程の少なくとも一つの工程を含むことを特徴とする反射型マスクの製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、シャドーイング効果が小さく、且つ位相シフト露光が可能で、十分な遮光枠性能を持つことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明に係る第１乃至第６の実施形態について、図面を参照しながら説明する。いずれの実施形態も前述のシャドーイング効果を低減し、且つハーフトーン型の位相シフト露光を可能とするために、光吸収体層を薄くしている点で共通するが、遮光枠の反射率を低下させる手法が異なる。
【００１４】
第１及び第２の実施形態では、遮光枠（遮光領域）となる部分の多層反射膜をエッチングすることで遮光枠の反射率を低下させている。第３乃至第５の実施形態では、遮光枠となる部分に吸収層又は遮光層を設けることで遮光枠の反射率を低下させている。第６の実施形態では、遮光枠となる部分にイオン注入又はフェムト秒レーザパルス光を照射することで多層反射膜の反射率を低下させている。
【００１５】
なお、同一の機能を有する構成要素には同一の符号を付し、特に断る場合を除き同じ説明を繰り返さない。
【００１６】
（第１の実施形態）
まず、本実施形態に係る反射型マスクの作製に用いるマスクブランクスの作製方法および各構成要素について説明する。図１はマスクブランクス１００の断面図を示している。
【００１７】
このマスクブランクス１００は、図１からわかるように、ガラス基板１１の上に、多層反射膜１２、キャッピング層１３、バッファー層１４、光吸収体層１５を順次形成した後、ガラス基板１１の裏面に裏面導電性膜１７を形成して作製される。次に、各構成要素について説明する。
【００１８】
ガラス基板１１は、熱膨張係数が極めて小さいガラス基板（ＬＴＥＭ）である。
【００１９】
多層反射膜１２は、モリブデン（Ｍｏ）／シリコン（Ｓｉ）の薄膜対を４０乃至５０対程度、スパッタリング法により積層したものであり、露光光であるＥＵＶ光を反射する。
【００２０】
キャッピング層１３は、多層反射膜１２の最上層のシリコン（Ｓｉ）を厚めに堆積したものであり、多層反射膜１２を保護する。このキャッピング層１３の材料として、ルテニウム（Ｒｕ）又は酸化チタン（ＴｉＯ）を用いてもよい。ルテニウムを用いた場合、後述のバッファー層１４は不要である。
【００２１】
バッファー層１４はクロム（Ｃｒ）を成膜したものである。後述の光吸収体層１５をエッチングして回路パターンを形成する際、エッチングストップ層として機能する。
【００２２】
光吸収体層１５は、ＥＵＶ光に対する吸収層として機能する吸収体１５ａと、この吸収体１５ａの上に形成された、波長２５０ｎｍ近傍の検査光に対する反射防止層（ＡＲ層）として機能する反射防止膜１５ｂとを有する。
【００２３】
この吸収体１５ａは窒化タンタル（ＴａＮ）を成膜したものである。他の材料として、タンタルを含む物質（例えば、タンタルホウ素窒化物（ＴａＢＮ）、タンタルホウ素酸化物（ＴａＢＯ））、又はクロムを含む物質（例えば、窒化クロム（ＣｒＮ）、酸化クロム（ＣｒＯｘ））でもよい。
【００２４】
この反射防止膜１５ｂは酸化タンタル（ＴａＯ）を成膜したものである。他の材料として、クロムを含む物質（例えば、酸化クロム（ＣｒＯｘ）、窒化クロム（ＣｒＮ））でもよい。
【００２５】
なお、光吸収体層１５にクロムを含む物質を用いる場合、バッファー層１４はクロム以外のエッチングストップ層として機能する材料を用いる。
【００２６】
この光吸収体層１５は、後述のプラズマプロセスにより所望の回路パターンに従ってエッチングされ、光吸収体層１５が除去された部分（開口部）と残存した部分（吸収部）で構成される。ハーフトーン型の位相シフト露光を可能とするため、吸収部において入射ＥＵＶ光に対して１％乃至２０％の反射率が得られ、且つ、吸収部からマスクの外部（図１上側）に放射される光と、開口部からマスクの外部に放射される光との位相差が、１７５°乃至１８５°（好ましくは１８０°）になるように、光吸収体層１５の材料及び膜厚が決められる。吸収体１５ａに窒化タンタル、反射防止膜１５ｂに酸化チタンを用いた場合、この光吸収体層１５の膜厚は約４４ｎｍである。
【００２７】
従来技術に係る反射型位相シフトマスクでは、光吸収体層の膜厚を約７０ｎｍとしていたが、本実施形態における反射型マスクでは、光吸収体層の膜厚を従来型マスクよりも薄くすることにより、シャドーイング効果を低減することができる。
【００２８】
裏面導電性膜１７は、ＥＵＶ露光時に静電チャックを行えるように、窒化クロム（ＣｒＮ）を成膜したものである。
【００２９】
次に、図１に示すマスクブランクス１００から図３（ｃ）に示す本実施形態に係る反射型マスク２００を作製する手順を説明する。作製工程は大きく２つに分けられる。一つは、図２（ａ）乃至図２（ｃ）に示す回路パターンの形成工程である。もう一つは、図３（ａ）乃至図３（ｃ）に示す遮光枠の形成工程である。
【００３０】
（１）まず、図２（ａ）に示すように、光吸収体層１５の上にＥＢレジスト２１を塗布する。そして、電子線描画装置を用いて、電子ビームで所望の回路パターンを描画する。
【００３１】
（２）次いで、ＰＥＢ（Ｐｏｓｔ  Ｅｘｐｏｓｕｒｅ  Ｂａｋｅ）工程、及び現像工程を行い、レジストパターンを形成する。
【００３２】
（３）次に、図２（ｂ）に示すように、プラズマプロセスにより光吸収体層１５をエッチングし、その後、ＥＢレジスト２１を除去する。
【００３３】
（４）次に、欠陥検査工程及び修正工程を行う。これにより、パターン上の欠陥が検知、除去される。
【００３４】
（５）次に、図２（ｃ）に示すように、回路パターン領域１６の開口部に位置するバッファー層１４をエッチングしてキャッピング層１３の一部を露呈させる。これにより、回路パターン領域１６が完成される。なお、バッファー層１４がクロムの場合、ドライエッチングガスとして塩素（Ｃｌ２）と酸素（Ｏ２）の混合ガスを用いる。
【００３５】
（６）次に、図３（ａ）に示すように、光吸収体層１５及び露呈したキャッピング層１３の上にフォトレジスト３１を塗布する。そして、レーザ光等によりフォトレジスト３１のパターニングを行う。ここでパターニングする部分は遮光枠となる部分である。
【００３６】
（７）次に、図３（ｂ）に示すように、レジスト現像工程を行い、遮光枠となる部分の光吸収体層１５を露呈させる。
【００３７】
（８）次に、図３（ｃ）に示すように、光吸収体層１５、バッファー層１４、キャッピング層１３及び多層反射膜１２のプラズマエッチング工程を行う。
【００３８】
より詳細には、まず、フッ素系及び塩素系ガスを用いたプラズマエッチングを行うことにより、光吸収体層１５を除去する。
【００３９】
次いで、塩素と酸素の混合ガスを用いたプラズマエッチングによりバッファー層１４を除去する。
【００４０】
その後、フッ素系又は塩素系ガスを用いたプラズマエッチングにより、多層反射膜１２を構成するＭｏ／Ｓｉ積層薄膜をエッチングして、遮光枠１８を形成する。ここで、図３（ｃ）からわかるように、多層反射膜１２を全てエッチングする必要はなく、ＥＵＶ光が照射された時の反射率が、回路パターン領域の光吸収膜よりも小さくなるように、例えば０．１％以下となる膜厚までエッチングすれば十分である。このようにして多層反射膜１２を一部（少なくともモリブデンからなる導電層）残すことにより、マスク面内の導電性を確保することが出来る。これにより、露光の際、露光領域内のチャージアップを防止することができる等の利点が得られる。
【００４１】
なお、多層反射膜１２を全てエッチングして、遮光枠１８の底部がガラス基板１１に到達するようにしてもよい。
【００４２】
図３（ｃ）は、前述のプラズマエッチング工程により遮光枠１８を形成した後、フォトレジスト３１を除去してできた反射型マスク２００の断面図を示している。
【００４３】
以上説明したように、本実施形態によれば、シャドーイング効果が小さく、且つ位相シフト露光することができ、十分な遮光枠性能を有する反射型マスクが得られる。
【００４４】
（第２の実施形態）
本実施形態では、図４に示すマスクブランクス１１０を用いる。このマスクブランクス１１０と第１の実施形態で説明したマスクブランクス１００との相違点は、ガラス基板１１と多層反射膜１２との間に導電層１９が形成されていることである。この導電層１９はタンタル（Ｔａ）又はクロム（Ｃｒ）を有する金属膜である。
【００４５】
次に、本実施形態に係る反射型マスク２１０の作製方法について説明する。
【００４６】
（１）マスクブランクス１１０に対して、第１の実施形態で説明したプロセスにより、図３（ｂ）に示す作製途中の反射型マスクを得る。
【００４７】
（２）次に、光吸収体層１５、バッファー層１４、キャッピング層１３及び多層反射膜１２のプラズマエッチング工程を、第１の実施形態で説明したように行う。但し、図５からわかるように、多層反射膜をエッチングする際、多層反射膜１２を厚さ方向に全てエッチングして除去する。
【００４８】
図５は、このようにして得られた反射型マスク２１０の断面図を示している。遮光枠１８における多層反射膜１２は全て除去されているが、導電層１９によりマスク面内の導電性は確保されている。よって、前述のように、露光の際、露光領域内のチャージアップを防止することができる。
【００４９】
第1の実施形態で多層反射膜１２を一部残すことでマスク面内の導電性を確保するのに比べて、本実施形態では、多層反射膜１２をエッチングする際、多層反射膜１２のエッチングを途中で止める必要がないため、プロセスの制御性を向上させることができるという利点がある。
【００５０】
以上説明したように、本実施形態によれば、シャドーイング効果が小さく、且つ位相シフト露光することができ、十分な遮光枠性能を有する反射型マスクが得られる。
【００５１】
（第３の実施形態）
本実施形態では、図６に示すマスクブランクス１２０を用いる。このマスクブランクス１２０と第１の実施形態で説明したマスクブランクス１００との相違点は、図６からわかるように、第１の実施形態で説明した光吸収体層１５に相当する第１の光吸収体層１５−１の上に第２の光吸収体層１５−２が形成されていることである。
【００５２】
第１の光吸収体層１５−１及び第２の光吸収体層１５−２はそれぞれ、吸収体１５ａと、この吸収体１５ａの上に形成された反射防止膜１５ｂとを有する。この光吸収体層の材料として、タンタルを含む物質（例えば、ＴａＮ、ＴａＢＮ、ＴａＢＯ）が用いられる。
【００５３】
また、第１の光吸収体層１５−１は、第１の実施形態で説明した光吸収体層１５と同様に、ハーフトーン型の位相シフト露光が可能になるように材料及び膜厚が決められる。
【００５４】
次に、上記のマスクブランクス１２０から図７（ｅ）に示す本実施形態に係る反射型マスク２２０を作製する手順を説明する。
【００５５】
（１）まず、第２の光吸収体層１５−２の上にＥＢレジスト２１を塗布する。そして、電子線描画装置を用いて、電子ビームで所望の回路パターンを描画する。
【００５６】
（２）次いで、ＰＥＢ工程及び現像工程を行い、図７（ａ）に示すように、レジストパターンを形成する。
【００５７】
（３）次に、図７（ｂ）に示すように、プラズマプロセスにより第１の光吸収体層１５−１及び第２の光吸収体層１５−２をエッチングし、バッファー層１４の一部を露呈させる。その後、ＥＢレジスト２１を除去する。
【００５８】
（４）次に、第２の光吸収体層１５−２及び露呈したバッファー層１４の上にフォトレジスト３１を塗布し、レーザ光で描画する。
【００５９】
（５）次に、レジスト現像工程を行い、図７（ｃ）に示すように、回路パターン領域１６を露呈させる。
【００６０】
（６）次に、ドライエッチングガスを用いて、回路パターン領域１６の第２の光吸収体層１５−２の反射防止膜１５ｂを選択的にエッチングする。反射防止膜１５ｂの材料としてＴａＢＯが用いられた場合、ドライエッチングガスとしてフッ素系のガス（例えば、ＣＦ４、ＳＦ６、ＣＨＦ３）が用いられる。
【００６１】
（７）次に、ドライエッチングガスを用いて、回路パターン領域１６の第２の光吸収体層１５−２の吸収体１５ａを選択的にエッチングする。吸収体１５ａの材料としてＴａＢＮが用いられた場合、ドライエッチングガスとして塩素系のガス（例えば、Ｃｌ２、ＢＣｌ３）が用いられる。その後、フォトレジスト３１を除去する。これにより、図７（ｄ）に示すように、回路パターン領域１６における第２の光吸収体層１５−２は除去される。
【００６２】
（８）次に、欠陥検査工程及び修正工程を行う。これにより、パターン上の欠陥が検知、除去される。
【００６３】
（９）次に、図７（ｅ）に示すように、回路パターン領域１６の開口部に位置するバッファー層１４をエッチングしてキャッピング層１３の一部を露呈させる。これにより、回路パターン領域１６が完成される。
【００６４】
上記の方法により本実施形態に係る反射型マスク２２０が得られる。
【００６５】
図７（ｅ）は反射型マスク２２０の断面図を示している。この図に示すように、第２の光吸収体層１５−２が残存している部分が遮光枠１８となる。この部分は、吸収体が厚いため、露光光の反射率が小さく、遮光枠性能を確保することができる。
【００６６】
以上説明したように、本実施形態によれば、シャドーイング効果が小さく、且つ位相シフト露光することができ、十分な遮光枠性能を有する反射型マスクが得られる。
【００６７】
（第４の実施形態）
本実施形態では、図８に示すマスクブランクス１３０を用いる。このマスクブランクス１３０と第３の実施形態で説明したマスクブランクス１２０との相違点は、第２の光吸収体層１５−２の材料である。即ち、この第２の光吸収体層１５−２の材料として、クロムを含む物質（例えば、Ｃｒ、ＣｒＮ、ＣｒＯｘ）が用いられる。
【００６８】
次に、上記のマスクブランクス１３０から図９（ｄ）に示す本実施形態に係る反射型マスク２３０を作製する手順を説明する。
【００６９】
（１）まず、第２の光吸収体層１５−２の上にＥＢレジスト２１を塗布する。そして、電子線描画装置を用いて、電子ビームで所望の回路パターンを描画する。
【００７０】
（２）次いで、ＰＥＢ工程及び現像工程を行い、図９（ａ）に示すように、レジストパターンを形成する。
【００７１】
（３）次に、図９（ｂ）に示すように、プラズマプロセスにより第１の光吸収体層１５−１及び第２の光吸収体層１５−２をエッチングし、バッファー層１４の一部を露呈させる。その後、ＥＢレジスト２１を除去する。
【００７２】
（４）次に、欠陥検査工程及び修正工程を行う。これにより、パターン上の欠陥が検知、除去される。
【００７３】
（５）次に、第２の光吸収体層１５−２及び露呈したバッファー層１４の上にフォトレジスト３１を塗布し、レーザ光で描画する。
【００７４】
（６）次に、レジスト現像工程を行い、図９（ｃ）に示すように、回路パターン領域１６を露呈させる。
【００７５】
（７）次に、塩素（Ｃｌ２）と酸素（Ｏ２）の混合ガスを用いたプラズマエッチングにより、回路パターン領域１６の第２の光吸収体層１５−２をエッチングする。この際、開口部に位置するバッファー層１４も同時にエッチングされる。その後、フォトレジスト３１を除去する。
【００７６】
図９（ｄ）はフォトレジスト３１を除去してできた反射型マスク２３０の断面図を示している。
【００７７】
以上、本実施形態に係る反射型マスク２３０の作製方法を説明した。上述のように、バッファー層１４もクロムから構成されるため、第２の光吸収体層１５−２をエッチングする際、バッファー層１４も同時に加工できる。これにより、プロセスを簡略化することができるという利点がある。
【００７８】
図９（ｄ）に示すように、第２の光吸収体層１５−２が残存している部分が遮光枠１８となる。この部分は、回路パターン領域よりも吸収体が厚いため、露光光の反射率が小さく、遮光枠性能を確保することができる。
【００７９】
以上説明したように、本実施形態によれば、シャドーイング効果が小さく、且つ位相シフト露光することができ、十分な遮光枠性能を有する反射型マスクが得られる。
【００８０】
（第５の実施形態）
本実施形態では、第１の実施形態と同じマスクブランクス１００を用いる。本実施形態に係る反射型マスク２４０と第１の実施形態に係る反射型マスク２００との相違点は、遮光枠１８となる部分に遮光層２０を形成し、ＥＵＶ光に対する反射率を低下させた点である。
【００８１】
以下、本実施形態に係る反射型マスク２４０の作製方法について説明する。
【００８２】
（１）第１の実施形態で説明したプロセスにより、図２（ｃ）に示す作製途中の反射型マスクを得る。
【００８３】
（２）次に、光吸収体層１５及び露呈したキャッピング層１３の上にフォトレジスト３１を塗布する。そして、レーザ光等によりフォトレジスト３１のパターニングを行う。ここでパターニングする部分は遮光枠となる部分である。
【００８４】
（３）次に、レジスト現像工程を行い、遮光枠となる部分の光吸収体層１５を露呈させる。
【００８５】
（４）次に、フォトレジスト３１及び露呈された光吸収体層１５の上に、遮光層２０を成膜する。この遮光層２０の材料として、タンタル（Ｔａ）又はクロム（Ｃｒ）が用いられる。
【００８６】
（５）次に、フォトレジスト３１を除去して、レジスト上に成膜された材料も同時に除去する（リフトオフ）。これにより、図１０からわかるように、遮光枠となる部分にのみ遮光層２０が残存することになる。
【００８７】
上記の方法により、図１０に示す本実施形態に係る反射型マスク２４０が得られる。
【００８８】
遮光層２０が露光光を吸収するため、遮光枠１８における露光光の反射率が小さく、遮光枠性能を確保することができる。
【００８９】
また、上記の説明では、遮光枠となる部分にのみ遮光層２０を形成したが、図１１に示す反射型マスク２５０のように、回路パターン領域の周辺部全体にわたって遮光層２０を形成してもよい。このようにすることにより、プロセスを簡略化することができるという利点がある。ただし、この場合、周辺部にあるアライメントマークの上にも遮光層２０が形成されているため、この遮光層２０の材料および膜厚を制御することにより、アライメント光の波長に対してコントラストが十分に得られるようにする。
【００９０】
以上説明したように、本実施形態によれば、シャドーイング効果が小さく、且つ位相シフト露光することができ、十分な遮光枠性能を有する反射型マスクが得られる。
【００９１】
（第６の実施形態）
本実施形態では、第１の実施形態と同じ図１に示すマスクブランクス１００を用いる。本実施形態に係る反射型マスク２６０は、遮光枠となる部分にイオン注入または高エネルギーのフェムト秒レーザパルス光を照射することで多層反射膜１２のＥＵＶ光に対する反射率を低下させている。
【００９２】
まず、イオン注入による作製方法について説明する。
【００９３】
（１）マスクブランクス１００に対して、第１の実施形態で説明したプロセスにより、図３（ｂ）に示す作製途中の反射型マスクを得る。
【００９４】
（２）次に、イオン注入装置により加速されたイオンを図中上側から多層反射膜１２に達するように注入する。これにより、注入されたイオンにより多層反射膜１２の結晶性が破壊され、反射率が低下する。
【００９５】
（３）フォトレジスト３１を除去する。
【００９６】
次に、フェムト秒レーザパルス光の照射による作製方法について説明する。
【００９７】
（１）マスクブランクス１００に対して、第１の実施形態で説明したプロセスにより、図２（ｃ）に示す作製途中の反射型マスクを得る。
【００９８】
（２）次に、遮光枠となる部分にフェムト秒レーザパルス光を照射し、多層反射膜１２を加熱することにより、多層反射膜１２を構成するＳｉ薄膜とＭｏ薄膜との界面にシリコンとモリブデンの化合物からなる中間層を生成する。これにより、多層反射膜の反射率は低下する。
【００９９】
以上説明したように、本実施形態によれば、シャドーイング効果が小さく、且つ位相シフト露光することができ、十分な遮光枠性能を有する反射型マスクが得られる。
【０１００】
以上、第１乃至第６の実施形態について説明した。
【０１０１】
このようにして作製された反射型マスクを用いて、ハーフピッチが２２ｎｍのデバイスパターンの転写を行ったところ、光吸収体層が従来のものより薄膜化されたことで、微細な線幅を有する回路パターン領域においてシャドーイング効果が低減された。
【０１０２】
また、ハーフトーン型の位相シフト露光が出来るため、従来の光吸収体層を持つＥＵＶ露光用反射型マスクに比べて、露光量マージン及びフォーカスマージンが拡大し、より微細なパターンの解像が可能となった。
【０１０３】
同時に、遮光枠の反射率は、入射ＥＵＶ光に対して０．１％以下を実現でき、遮光枠性能は十分であることが確認できた。これにより、半導体デバイスの製造歩留まりを格段に向上することが可能となった。
【０１０４】
なお、上述の実施形態では、遮光枠の部分のみ反射率が低下するようにしたが、他の遮光すべき領域について遮光枠となる部分と同様のプロセスを行い、十分小さな反射率を得ることも可能である。
【０１０５】
また、上述の実施形態におけるマスクブランクスは、レジスト膜を塗布する前の基板を指しているが、例えば、図２（ａ）に示すような光吸収体層１５の上にレジスト膜を塗布し、さらに露光前ベークを行った基板をマスクブランクスとすることもできる。
【０１０６】
さらに、上記各実施形態における遮光枠１８及びその形成方法を組み合わせることも可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１０７】
【図１】反射型マスクに用いるマスクブランクスの断面図である。
【図２（ａ）】第１の実施形態に係る反射型マスクの回路パターンの作製工程を示す断面図である。
【図２（ｂ）】図２（ａ）に続く、第１の実施形態に係る反射型マスクの回路パターンの作製工程を示す断面図である。
【図２（ｃ）】図２（ｂ）に続く、第１の実施形態に係る反射型マスクの回路パターンの作製工程を示す断面図である。
【図３（ａ）】第１の実施形態に係る反射型マスクの遮光枠の作製工程を示す断面図である。
【図３（ｂ）】図３（ａ）に続く、第１の実施形態に係る反射型マスクの遮光枠の作製工程を示す断面図である。
【図３（ｃ）】第１の実施形態に係る反射型マスクの断面図である。
【図４】反射型マスクに用いるマスクブランクスの断面図である。
【図５】第２の実施形態に係る反射型マスクの断面図である。
【図６】反射型マスクに用いるマスクブランクスの断面図である。
【図７（ａ）】第３の実施形態に係る反射型マスクの作製工程を示す断面図である。
【図７（ｂ）】図７（ａ）に続く、第３の実施形態に係る反射型マスクの作製工程を示す断面図である。
【図７（ｃ）】図７（ｂ）に続く、第３の実施形態に係る反射型マスクの作製工程を示す断面図である。
【図７（ｄ）】図７（ｃ）に続く、第３の実施形態に係る反射型マスクの作製工程を示す断面図である。
【図７（ｅ）】第３の実施形態に係る反射型マスクの断面図である。
【図８】反射型マスクに用いるマスクブランクスの断面図である。
【図９（ａ）】第４の実施形態に係る反射型マスクの作製工程を示す断面図である。
【図９（ｂ）】図９（ａ）に続く、第４の実施形態に係る反射型マスクの作製工程を示す断面図である。
【図９（ｃ）】図９（ｂ）に続く、第４の実施形態に係る反射型マスクの作製工程を示す断面図である。
【図９（ｄ）】第４の実施形態に係る反射型マスクの断面図である。
【図１０】第５の実施形態に係る反射型マスクの断面図である。
【図１１】第５の実施形態の変形例に係る反射型マスクの断面図である。
【図１２】第６の実施形態に係る反射型マスクの断面図である。
【符号の説明】
【０１０８】
１１・・・ガラス基板、１２・・・多層反射膜、１３・・・キャッピング層、１４・・・バッファー層、１５・・・光吸収体層、１５ａ・・・吸収体、１５ｂ・・・反射防止膜、１６・・・回路パターン領域、１７・・・裏面導電性膜、１８・・・遮光枠（遮光領域）、１９・・・導電層、２０・・・遮光層、２１・・・ＥＢレジスト、３１・・・フォトレジスト、１００，１１０，１２０，１３０・・・マスクブランクス、２００，２１０，２２０，２３０，２４０，２５０，２６０・・・反射型マスク
【図１】
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【図２（ａ）】
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【図２（ｂ）】
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【図２（ｃ）】
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【図３（ａ）】
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【図３（ｂ）】
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【図３（ｃ）】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７（ａ）】
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【図７（ｂ）】
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【図７（ｃ）】
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【図７（ｄ）】
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【図７（ｅ）】
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【図８】
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【図９（ａ）】
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【図９（ｂ）】
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【図９（ｃ）】
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【図９（ｄ）】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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