(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を支持し、回転可能なスピンヘッドと、
前記スピンヘッド上に設けられ、前記スピンヘッドに支持された基板の底面に流体を供給する噴射ヘッドと、
前記噴射ヘッドに流体を供給する流体供給ユニットと、を含み、
前記噴射ヘッドは、
前記スピンヘッドに支持された基板のセンター部の下に位置し、前記流体供給ユニットから流体が供給されるボディと、
前記ボディから前記スピンヘッドに支持された基板のエッジ部に向かって延長され、前記ボディから供給された流体を前記基板の底面に噴射する噴射部材と、を含み、
前記噴射部材は、前記基板のエッジ部に流体を噴射する第１噴射口と、前記基板のセンター部とエッジ部との間に位置するミドル部に流体を噴射する第２噴射口と、前記第２噴射口より先に前記第１噴射口に前記流体を供給するように形成された流路と、を備え、
前記流路は、上部から見る時に、「Ｕ」字形状であり、
前記ボディと連結された前記噴射部材の一端から前記噴射部材の他端に向かって前記流体が流れる第１流路と、
前記第１流路から延長され、前記噴射部材の他端から前記噴射部材の一端に向かって前記流体が流れる第２流路と、を含み、
前記第２噴射口は、前記第２流路のみに形成され、前記第１噴射口は、前記第１流路に形成されることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記第１流路と前記第２流路は、互いに平行に配置されることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記第１噴射口は、前記第２噴射口より稠密な間隔で設けられることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記第１噴射口は、前記基板のセンター部から遠ざかる方向に向って傾斜するように形成されることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記ボディには、前記噴射部材から噴射された流体が前記基板のエッジ部に向かって円滑に流れるように、前記基板のセンター部にガスを噴射するガス噴射口が形成されることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記噴射部材には、前記基板のセンター部に流体を噴射する第３噴射口が形成されることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記第３噴射口は、前記基板のセンター部の方向に向かって傾斜するように形成されることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項８】
外部から流体が供給されるボディと、
前記ボディから延長され、前記ボディから供給された流体を基板の底面に噴射する噴射部材と、を含み、
前記噴射部材は、前記基板の下に配置され、前記ボディと連結された前記噴射部材の一端から前記噴射部材の他端領域に向かって流体が流れるように形成され、前記噴射部材の他端領域で流体を噴射する第１噴射口を備える第１流路と、
前記第１流路から延長され、前記噴射部材の他端領域から前記噴射部材の一端に向かって流体が流れるように形成され、前記噴射部材の一端と他端領域の間で流体を噴射する第２噴射口を備える第２流路と、を内部に備え、
前記第１流路と前記第２流路は、連通され、前記第１流路と前記第２流路は、互いに平行に配置され、前記第１流路と前記第２流路を前記基板側の上部から見るときに「Ｕ」字形状であり、前記第２噴射口は、前記第２流路のみに形成され、前記第１噴射口は、前記第１流路に形成され、
前記第２噴射口に比べて、前記第１噴射口から先に流体が噴射されるように形成されることを特徴とする噴射ヘッド。
【請求項９】
スピンヘッド上に置かれた基板の底面に流体を噴射して基板を処理する方法において、
前記基板の下に噴射部材を配置し、
前記スピンヘッドを支持して、前記基板のセンター部の下に位置し、前記流体を供給するボディを有し、前記基板のセンター部に対応する位置に配置する前記噴射部材の一端から前記スピンヘッドに支持された前記基板のエッジ部に対応する位置に配置する前記噴射部材の他端領域に向かって前記流体が流れ、前記噴射部材の他端領域で流体を噴射する第１噴射口を備える第１流路を配置し、
前記第１流路から延長され、前記基板のエッジ部に対応する位置に配置する前記噴射部材の他端領域から前記基板のセンター部に対応する位置に配置する前記噴射部材の一端に向かって流体が流れ、前記基板のセンター部とエッジ部との間におけるミドル部に対応する位置に配置する前記噴射部材の一端と他端領域の間で流体を噴射する第２噴射口を備える第２流路を形成し、
前記第１流路と前記第２流路は、連通され、前記第１流路と前記第２流路は、互いに平行に配置され、前記第１流路と前記第２流路を前記基板側の上部から見たときに「Ｕ」字形状であり、前記第２噴射口は、前記第２流路のみに形成し、前記第１噴射口は、前記第１流路に形成し、
前記第２噴射口に比べて、前記第１噴射口から先に前記流体を噴射することを特徴とする基板処理方法。
【請求項１０】
前記流体は、前記基板のエッジ部に噴射される前に、前記基板のセンター部に噴射されることを特徴とする請求項９に記載の基板処理方法。
【請求項１１】
前記噴射部材から噴射された薬液が前記基板のエッジ部に向かって円滑に流れるように、前記基板のセンター部にガスを噴射することを特徴とする請求項９に記載の基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置及び基板処理方法に関し、より詳細には、基板の底面を均一に処理することができる基板処理装置及び基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体素子の製造工程で半導体基板として使用されるウェーハ（ｗａｆｅｒ）上には、多結晶膜、酸化膜、窒化膜及び金属膜などのような複数の薄膜層が形成される。前記の膜層の上にはフォトレジスト膜がコーティングされ、露光工程によってフォトマスクに形成されたパターンは、前記フォトレジスト膜に転写される。その後、エッチング工程によって、ウェーハ上には求めるパターンが形成される。
【０００３】
一般に、半導体素子の製造工程で半導体基板として使用されるウェーハ（ｗａｆｅｒ）上には、多結晶膜、酸化膜、窒化膜及び金属膜などのような複数の薄膜層が形成される。前記の膜層の上にはフォトレジスト膜がコーティングされ、露光工程によってフォトマスクに形成されたパターンは、前記フォトレジスト膜に転写される。その後、エッチング工程によって、ウェーハ上には求めるパターンが形成される。
【０００４】
前述した工程が行われたウェーハの底面には、各種の膜やフォトレジストなどの必要のない異物が残留する。その異物は後工程でパーティクルとして作用して、設備を汚染させる。よって、ウェーハの底面に形成された必要のない膜やフォトレジストなどの異物の層をエッチングする工程が必要となる。
【０００５】
ウェーハの底面をエッチングするための基板処理装置は、回転するウェーハの底面に薬液を噴射する噴射ヘッドを備えている。噴射ヘッドは、ウェーハ下部のセンター部に位置するボディと、ボディから前記ウェーハのエッジ部に向かって延長される噴射部材を備える。噴射部材には複数の噴射口が形成され、前記噴射口を通してウェーハの底面に薬液が噴射される。ウェーハの底面に噴射された薬液は、ウェーハの回転によってウェーハのエッジ部に流れて、ウェーハの底面に形成された異物を除去する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、従来の基板処理装置には次のような問題がある。
【０００７】
噴射部材に供給された薬液は、ウェーハのセンター部に対応する噴射部材の内側部から、ウェーハのエッジ部に対応する噴射部材の外側部に向かって流れる。薬液は、まず内側部に形成された噴射口を通して噴射され始めて、それから外側部に形成された噴射口を通して噴射される。
【０００８】
ここで、噴射口を通して薬液が噴射されるため、噴射部材の内側部から噴射部材の外側部に向かうほど圧力降下が発生し、それにしたがって、外側部に形成された噴射口から噴射される薬液の流量及び噴射圧力を正確に制御することが難しい。特に、ウェーハの外側に向かうほど、被処理面積が増加するにもかかわらず、薬液の流量及び噴射圧力を正確に制御することが難しいので、ウェーハのエッジに形成された異物質膜に対してはエッチングが十分に行われず、ウェーハの底面には、エッチング均一度が低減する。
【０００９】
本発明は、上述の問題を解決するためになされたもので、その目的は、ウェーハのエッジ部を十分にエッチングすることができる噴射ヘッドを提供することにある。
【００１０】
また、本発明の他の目的は、ウェーハの底面を均一にエッチングすることができる噴射ヘッドを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記の目的を達成すべく、本発明は、基板の底面に流体を噴射して基板を処理する装置を提供する。本発明の装置は、基板を支持し、回転可能なスピンヘッドと、前記スピンヘッド上に設けられ、前記スピンヘッドに支持された基板の底面に流体を供給する噴射ヘッドと、前記噴射ヘッドに流体を供給する流体供給ユニットと、を含む。前記噴射ヘッドは、前記スピンヘッドに支持された基板のセンター部の下に位置し、前記流体供給ユニットから流体が供給されるボディと、前記ボディから前記スピンヘッドに支持された基板のエッジ部に向かって延長され、前記ボディから供給された流体を前記基板の底面に噴射する噴射部材と、を含む。前記噴射部材は、前記基板のエッジ部に流体を噴射する第１噴射口と、前記基板のセンター部とエッジ部との間に位置するミドル部に流体を噴射する第２噴射口と、前記第２噴射口より先に前記第１噴射口に前記流体を供給するように形成された流路と、を備える。
【００１２】
本発明の一実施形態によれば、前記噴射部材の内部には、前記ボディと連結された前記噴射部材の一端から前記噴射部材の他端に向かって流体が流れる第１流路と、前記第１流路から延長され、前記噴射部材の他端から前記噴射部材の一端に向かって流体が流れる第２流路とが形成され、前記第２噴射口は、前記第２流路に形成される。
【００１３】
前記第１噴射口は、前記第１流路に形成され得る。前記第１流路と前記第２流路は、互いに平行に配置され得る。前記流路は「Ｕ」字形状を有し得る。前記第１噴射口は、前記第２噴射口より稠密な間隔で提供され得る。前記第１噴射口は、前記基板のセンター部から遠ざかる方向に、上向きに傾いて形成され得る。
【００１４】
前記ボディには、前記噴射部材から噴射された流体が前記基板のエッジ部に向かって円滑に流れるように、前記基板のセンター部にガスを噴射するガス噴射口が形成され得る。前記噴射部材には、前記基板のセンター部に流体を噴射する第３噴射口が形成され得る。また、前記第３噴射口は、前記基板のセンター部の方向に傾いて形成され得る。
【００１５】
本発明によれば、噴射ヘッドは、外部から流体が供給されるボディと、前記ボディから前記ボディの一側に延長され、前記ボディから供給された流体を噴射する噴射部材と、を含み、前記噴射部材には、前記噴射部材の端部に位置する第１噴射口と、前記ボディと前記第１噴射口との間に位置する第２噴射口が形成され、前記流体は先に第１噴射口に供給され得る。
【００１６】
前記噴射部材の内部には、前記ボディと連結された前記噴射部材の一端から前記噴射部材の他端に向かって流体が流れるように形成された第１流路と、前記噴射部材の他端から前記噴射部材の一端に向かって流体が流れるように形成された第２流路が形成され、前記第２噴射口は前記第２流路に形成され得る。
【００１７】
本発明は、スピンヘッド上に置かれた基板の底面に流体を噴射して基板を処理する方法を提供する。本発明の方法によれば、前記基板の下に噴射部材を配置し、前記噴射部材には、前記基板のセンター部に対応する位置から流体を供給され、前記噴射部材は、前記基板のセンター部とエッジ部の間に位置するミドル部より先に前記基板のエッジ部に流体を噴射する。
【００１８】
前記流体は、前記基板のエッジ部に噴射される前に、前記基板のセンター部に噴射され得る。前記噴射部材から噴射された薬液が前記基板のエッジ部に向かって円滑に流れるように、前記基板のセンター部にガスを噴射し得る。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、ウェーハのエッジ部を十分にエッチングすることができ、ウェーハの底面を均一にエッチングすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、添付の図１乃至図７を参照して、本発明の好ましい実施形態をより詳しく説明する。本発明の実施形態は様々な形態に変形されることができ、後述する実施形態に本発明の範囲が限定されてはならない。本実施形態は、本発明が当業者に、本発明をより詳細に説明するために提供されるものである。したがって図面に示された各要素の形状は、より明らかな説明を強調するために誇張され得る。
【００２１】
以下では、基板の一例として便宜上ウェーハＷを説明しているが、本発明はウェーハＷ以外の多様な基板を処理する場合にも適用されることができる。図１は、本発明に係る基板処理装置１０を概略的に示す切開斜視図であり、図２は、図１の平面図である。図３は、図１の正面透視図である。
【００２２】
本発明に係る基板処理装置１０は、基板の底面を均一にエッチング処理するためのものであって、スピンヘッド１００、回転軸２００、駆動部３００及び噴射ヘッド４００を含む。
【００２３】
スピンヘッド１００は、ウェーハＷを支持した状態で回転させ、円板形状を有する。スピンヘッド１００上には、ウェーハＷの下部を支持する複数の支持ピン１２０と、回転時にウェーハＷの側面を支持する複数のチャックピン１１０が設けられる。工程進行時に、ウェーハＷは支持ピン１２０上に置かれ、ウェーハＷが回転される前にチャックピン１１０が回転する。チャックピン１１０が回転すると、ウェーハＷは、チャックピン１１０によって、その位置が整えられると同時に固定される。よって、スピンヘッド１００が回転しても、スピンヘッド１００からウェーハＷが離脱することが防止できる。
【００２４】
スピンヘッド１００に連結された回転軸２００は後述する駆動部３００によって回転され、それによって、スピンヘッド１００上に装着されたウェーハＷが回転される。回転軸２００の上端はスピンヘッド１００に連結され、回転軸２００の下端は駆動部３００に連結される。回転軸２００は、駆動部３００の回転力をスピンヘッド１００に伝達する。
【００２５】
回転軸２００は、内部が空いている中空軸（ｈａｌｌｏｗ  ｓｈａｆｔ）形態を有し、内部には、後述するリンス液供給ライン４４２、ガス供給ライン４４４、洗浄液供給ライン４４６が設けられる。ライン４４２、４４４、４４６については以後述べる。
【００２６】
駆動部３００は、駆動モータ３１０、駆動プーリ３２０、ベルト３３０を備える。駆動モータ３１０は、外部から印加された電源によって駆動力を発生させ、駆動モータ３１０に連結された駆動プーリ３２０と回転軸２００は、ベルト３３０を介して連結される。駆動モータ３１０によって発生した回転力は、ベルト３３０を通して回転軸２００に伝達され、駆動モータ３１０と回転軸２００の直径比を調節することで、回転軸２００の回転速度を調節することができる。
【００２７】
基板処理装置１０は、容器５００をさらに含む。容器５００は、工程時にスピンヘッド１００の回転によってウェーハＷから洗浄液などが外部に飛散することを防止する。洗浄液としては、酸溶液（ａｃｉｄ  ｓｏｌｕｔｉｏｎ）が用いられるため、周辺装備の保護のために、スピンヘッド１００の周囲に容器５００が設けられる。容器５００は、上端にウェーハＷの出入のための開口が形成され、スピンヘッド１００を取り囲むように配置される。
【００２８】
図４は、本発明に係る噴射ヘッド４００を示す透視図である。
【００２９】
噴射ヘッド４００は、スピンヘッド１００上に設けられ、工程時にウェーハＷの底面に流体を供給する。前述したように、露光等の工程を経たウェーハＷの底面に残留する各種の膜質やフォトレジストなどの必要のない異物の層をエッチングする工程が必要であって、スピンヘッド１００は、異物層をエッチングするためにウェーハＷの底面に流体を供給する。
【００３０】
噴射ヘッド４００は、ウェーハＷ下部のセンター部に位置するボディ４１０と、ボディ４１０からウェーハＷの半径方向に延長される第１噴射部材４２０と、ボディ４１０から第１噴射部材４２０と反対方向に延長される第２噴射部材４３０とを含む。
【００３１】
ボディ４１０は円板形状を有しており、後述するリンス液供給ライン４４２、ガス供給ライン４４４、洗浄液供給ライン４４６と連結される。よって、ボディ４１０には、リンス液供給ライン４４２を通してリンス液が供給され、ガス供給ライン４４４を通してガスが供給され、洗浄液供給ライン４４６を通して洗浄液が供給される。
【００３２】
ボディ４１０のセンターには、ガス噴射口４１２が形成される。ガス噴射口４１２は、後述するガス供給ライン４４４から供給されたガスを、ウェーハＷ底面のセンター部に噴射する。これは、ウェーハＷの底面に噴射された洗浄液などがウェーハＷのエッジ部に向かって円滑に流れるようにするために行われる。ガスとしては、窒素ガスなどの非活性ガスを使用することが好ましい。
【００３３】
図５は、本発明に係る第１噴射部材４２０を示す平面透視図である。
【００３４】
第１噴射部材４２０は、ウェーハＷの底面に洗浄液を噴射する。洗浄液はウェーハＷの底面に残留する異物を除去するために用いられる。洗浄液としてはフッ酸が用いられることができる。本実施形態では処理液の例として洗浄液を挙げているが、処理液は洗浄液に限定されず、洗浄液以外の多様な薬液及び処理ガスが用いられることができる。
【００３５】
第１噴射部材４２０の内部には、洗浄液供給ライン４４６から提供された洗浄液が流れる洗浄液流路が形成される。洗浄液流路は、ボディ４１０と連結された第１噴射部材４２０の一端から第１噴射部材４２０の他端に向かって洗浄液が流れる第１流路４２８ａと、第１噴射部材４２０の他端から第１噴射部材４２０の一端に向かって洗浄液が流れる第２流路４２８ｂとを含む。
【００３６】
図５に図示されたように、第１流路４２８ａと第２流路４２８ｂは、噴射ヘッド４００の上部に置かれたウェーハＷと平行な方向に配置され、「Ｕ」字形状を有する。また、第１流路４２８ａと第２流路４２８ｂは連通される。但し、本実施形態とは異なって、第１流路４２８ａと第２流路４２８ｂはウェーハＷと垂直な方向、すなわち、上下方向に配置され得る。
【００３７】
洗浄液供給ライン４４６は第１流路４２８ａに連結され、洗浄液は洗浄液供給ライン４４６から第１流路４２８ａに供給される。第１流路４２８ａに供給された洗浄液は、第１流路４２８ａに沿って第２流路４２８ｂまで流れる。
【００３８】
図５に図示されたように、第１噴射部材４２０の上部面には、第１噴射口４２２、第２噴射口４２４及び第３噴射口４２６が形成される。ウェーハＷは、エッジ部（ｅｄｇｅ  ｒｅｇｉｏｎ，以下「Ａ」領域と称する）、センター部（ｃｅｎｔｅｒ  ｒｅｇｉｏｎ、以下「Ｃ」領域と称する）、及びエッジ部とセンター部の間に位置するミドル部（ｍｉｄｄｌｅ  ｒｅｇｉｏｎ、以下「Ｂ」領域と称する）に分けられる。第１噴射口４２２は「Ａ」領域に洗浄液を噴射し、第２噴射口４２４は「Ｂ」領域に洗浄液を噴射し、第３噴射口４２６は「Ｃ」領域に洗浄液を噴射する。
【００３９】
「Ａ」領域、「Ｂ」領域及び「Ｃ」領域の大きさは、第１噴射口４２２、第２噴射口４２４及び第３噴射口４２６の配置によって決定され、第１噴射口４２２、第２噴射口４２４及び第３噴射口４２６の配置は、ウェーハＷに対する洗浄工程の均一度（ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）を考慮して決定することができる。
【００４０】
一方、第１及び第３噴射口４２２、４２６は第１流路４２８ａに形成され、第２噴射口４２４は第２流路４２８ｂに形成される。よって、洗浄液供給ライン４４６から第１流路４２８ａに洗浄液を供給すると、供給された洗浄液は第１流路４２８ａに沿って流れて第３噴射口４２６から先に噴射され、次に第１噴射口４２２から噴射される。洗浄液が第２流路４２８ｂに供給されると、第２噴射口４２４から最後に洗浄液が噴射される。
【００４１】
但し、図５に図示された第１噴射口４２２、第２噴射口４２４及び第３噴射口４２６の位置は、本発明の意図を充足するように多少変更され得る。本発明は、「Ｂ」領域より先に「Ａ」領域に洗浄液を供給することを意図している。よって、第３噴射口４２６は第２流路４２８ｂに形成されることが可能であって、第１噴射口４２２も第２流路４２８ｂに形成されることが可能である。このように、第１噴射口４２２及び第３噴射口４２６の位置を変更しても、本発明の目的を達成することができる。これに対する詳細な説明は後述することにする。
【００４２】
図３に図示されたように、第１噴射部材４２０は、支持ピン１２０によって、ウェーハＷの半径に相応する長さまで延長されることができない。よって、ウェーハＷの「Ａ」領域の端部には洗浄液を供給しにくい。また、ボディ４１０のセンターは、ウェーハＷのセンターに相当する。第３噴射口４２６はボディ４１０のセンターから偏心されて形成される。よって、ウェーハＷのセンターには洗浄液を供給しにくい。
【００４３】
したがって、図４に図示されたように、第１噴射口４２２は、ウェーハＷの「Ａ」領域に洗浄液を供給するために、ウェーハＷのセンター部から遠ざかる方向に向かって傾くように形成され、第３噴射口４２６は、ウェーハＷのセンターにリンス液を供給するために、ウェーハＷのセンター部に向かって傾くように形成される。
【００４４】
一方、円周の長さは半径に比例するため、ウェーハＷのセンター部から遠ざかるほど、ウェーハＷの１回転に対する被処理面積が増加して、単一噴射口に対する被処理面積は、「Ｃ」領域に比べて「Ａ」領域が大きい。よって、第１噴射口４２２は第２及び第３噴射口４２４、４２６より稠密に形成されることが好ましい。
【００４５】
第２噴射部材４３０は、ウェーハＷの底面にリンス液を噴射する。リンス液は、洗浄液を利用してウェーハＷの底面から分離した異物などを除去するために用いられる。リンス液としては、脱イオン水が用いられることができる。
【００４６】
第２噴射部材４３０の内部には、リンス液供給ライン４４２から提供されたリンス液が流れるリンス液流路４３４が形成される。リンス液流路４３４は、スピンヘッド１００のセンター部からスピンヘッド１００のエッジ部に向かって、スピンヘッド１００の半径方向に延長される。
【００４７】
第２噴射部材４３０の上部面には、リンス液流路４３４と連通する複数のリンス液噴射口４３２が形成される。本実施形態で、リンス液噴射口４３２は一定の間隔で離隔し配列されるが、ウェーハＷのエッジ部はウェーハＷのセンター部よりリンス液によって処理されるべき面積が大きいため、ウェーハＷのエッジ部に相応する部分には、リンス液噴射口４３２をより稠密に配列し得る。
【００４８】
リンス液噴射口４３２は、ウェーハＷのエッジ部にリンス液を提供する第１噴射口４３２ａと、ウェーハＷのセンター部にリンス液を提供する第２噴射口４３２ｂを含む。
【００４９】
第１噴射部材４２０と同様に第２噴射部材４３０も、支持ピン１２０によって、ウェーハＷの半径に相応する長さまで延長されることができない。よって、ウェーハＷのエッジ部にはリンス液を供給しにくい。また、ウェーハＷのセンターに相応するボディ４１０のセンターには、ガス噴射口４１２が形成され、リンス液噴射口４３２は、ボディ４１０のセンターから偏心されて形成される。よって、ウェーハＷのセンターには、リンス液を供給しにくい。
【００５０】
図４に図示されたように、第１噴射口４３２ａは、ウェーハＷのエッジ部にリンス液を供給するために、ウェーハＷのセンター部から遠ざかる方向に向かって傾くように形成され、第２噴射口４３２ｂは、ウェーハＷのセンターにリンス液を供給するために、ウェーハＷのセンター部に向かって傾くように形成される。
【００５１】
前述したように、ガス噴射口４１２にはガス供給ライン４４４が連結され、リンス液流路４３４にはリンス液供給ライン４４２が連結される。また、洗浄液流路４２８には洗浄液供給ライン４４６が連結される。リンス液供給ライン４４２、ガス供給ライン４４４及び洗浄液供給ライン４４６上には、それぞれリンス液バルブ４４２ａ、ガスバルブ４４４ａ及び洗浄液バルブ４４６ａが設けられ、各ラインの端部にはリンス液保存部４４２ｂ、ガス保存部４４４ｂ及び洗浄液保存部４４６ｂが設けられる。流体供給ユニットは、噴射ヘッド４００に液体や気体のような流体を供給する部材で構成され、本実施形態では、リンス液供給ライン４４２、洗浄液供給ライン４４６、ガス供給ライン４４４、リンス液保存部４４２ｂ、洗浄液保存部４４６ｂ、およびガス保存部４４４ｂで構成されている。
【００５２】
図６Ａ乃至図６Ｃは、本発明に係る噴射ヘッド４００を用いてウェーハＷを処理する過程を示す図面であり、図７は、本発明に係る噴射ヘッド４００を用いてウェーハＷを処理した結果を示すグラフである。なお、図６Ａ乃至図６ＣではウェーハＷは図示を省略している。
【００５３】
先に、スピンヘッド１００の上部にウェーハＷをローディングする。ローディングされたウェーハＷは、支持ピン１２０によって支持され、チャックピン１１０によってホールディングされる。
【００５４】
次に、スピンヘッド１００を用いてウェーハＷを回転させる。ウェーハＷが回転を始めると、ウェーハＷの下部に設けられた噴射ヘッド４００に洗浄液及びガスを供給する。
【００５５】
供給されたガスは、ガス噴射口４１２を通してウェーハＷの底面に噴射され、供給された洗浄液は、第１流路４２８ａに沿って流れる。
【００５６】
第１流路４２８ａに沿って流れる洗浄液は、第１流路４２８ａ上に形成された第３噴射口４２６を通して最初に噴射され始め、次に、第１噴射口４２２を通して噴射される。第３噴射口４２６及び第１噴射口４２２を通して噴射されなかった洗浄液は、第２流路４２８ｂに流入され、第２流路４２８ｂに形成された第２噴射口４２４を通して噴射され始める。一方、ウェーハＷの底面に噴射された洗浄液は、ウェーハＷのエッジに移動し、ガス噴射口４１２を通して噴射されたガスは、洗浄液の移動を助ける。
【００５７】
洗浄工程が終わると、リンス液供給ライン４４２を通して、リンス液流路４３４にリンス液を供給し、リンス液はウェーハＷの底面に残留する異物を除去する。
【００５８】
前述したように、洗浄液供給ライン４４６を通して供給される洗浄液を、ウェーハＷのエッジに形成された第１噴射口４２２から供給するため、ウェーハＷのエッジに十分な量の洗浄液を既設定された噴射圧力で提供することができ、ウェーハＷの全面に対して洗浄工程が均一に行われることができる。
【００５９】
上記は例に過ぎず、上記例に限定されず、特許請求の範囲は、本発明の意図および範囲を満たすあらゆる変形例、改良、その他の態様に及ぶ。よって、本発明の範囲は、法が許す限りにおいて特許請求の範囲の許される限り広い解釈およびその均等物により定められ、前述のものに限定されるべきではない。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】本発明に係る基板処理装置を概略的に示す切開斜視図である。
【図２】図１の平面図である。
【図３】図１の正面透視図である。
【図４】本発明に係る噴射ヘッドを示す透視図である。
【図５】本発明に係る噴射部材を示す平面透視図である。
【図６Ａ】本発明に係る噴射ヘッドを用いて基板を処理する過程を示す図面である。
【図６Ｂ】本発明に係る噴射ヘッドを用いて基板を処理する過程を示す図面である。
【図６Ｃ】本発明に係る噴射ヘッドを用いて基板を処理する過程を示す図面である。
【図７】本発明に係る噴射ヘッドを用いて基板を処理した結果を示すグラフである。
【符号の説明】
【００６１】
１００：スピンヘッド
２００：回転軸
３００：駆動部
４００：噴射ヘッド
４１０：ボディ
４２０：第１噴射部材
４２２：第１噴射口
４２４：第２噴射口
４２６：第３噴射口
４２８ａ：第１流路
４２８ｂ：第２流路
４３０：第２噴射部材
４３２：リンス液噴射口
５００：保護容器
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図７】
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