(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路素子を内包する電子部品であって、
前記回路素子と電気的に接続されて外表面に露出した露出部を有する第１電極と、前記第１電極の電極幅より長い電極幅で前記外表面に露出した露出部を有し、前記第１電極の上面から側面を介して前記基板に達するように前記第１電極直上に前記第１電極の前記露出部を覆って形成されて前記第１電極と電気的に接続された第２電極とを備えた取出電極を有することを特徴とする電子部品。
【請求項２】
請求項１記載の電子部品であって、
前記取出電極の上層に形成されて前記取出電極及び前記回路素子を保護する保護層をさらに有することを特徴とする電子部品。
【請求項３】
請求項２記載の電子部品であって、
前記保護層は、酸化物材料で形成されていること
を特徴とする電子部品。
【請求項４】
請求項３記載の電子部品であって、
前記保護層は、アルミナで形成されていること
を特徴とする電子部品。
【請求項５】
請求項２記載の電子部品であって、
前記保護層は、樹脂材料で形成されていること
を特徴とする電子部品。
【請求項６】
請求項５記載の電子部品であって、
前記保護層は、ポリイミド樹脂で形成されていること
を特徴とする電子部品。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか１項に記載の電子部品であって、
前記第１電極と同層に形成された第１導体層と、
前記第２電極と同層に形成された第２導体層と、
前記外表面に露出しないで前記第１及び第２導体層間に形成された絶縁層と
をさらに有することを特徴とする電子部品。
【請求項８】
請求項７記載の電子部品であって、
前記絶縁層は、有機材料で形成されていること
を特徴とする電子部品。
【請求項９】
請求項７記載の電子部品であって、
前記絶縁層は、無機材料で形成されていること
を特徴とする電子部品。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか１項に記載の電子部品であって、
前記取出電極と電気的に接続されて前記外表面上に形成された外部電極をさらに有することを特徴とする電子部品。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の電子部品であって、
前記第２電極は、前記第１電極の上面及び対向する両側面を覆って前記基板に接触しており、
前記第１電極上に第２電極が重なることによる最大の電極厚さは、前記第２電極の前記基板に接触する部分における前記第２電極の厚さより厚いこと
を特徴とする電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリント回路基板やハイブリッドＩＣ（ＨＩＣ）上に実装される表面実装型の電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
パーソナルコンピュータや携帯電話機等の電子機器の内部回路には、表面実装型の多種類の電子部品が実装されている。表面実装型の電子部品として、薄膜形成技術を用いて形成された薄膜型の電子部品が知られている。薄膜型の電子部品は、実装面と異なる外表面に露出する取出電極と、当該取出電極に電気的に接続されて当該外表面に形成された外部電極とを有している。取出電極は当該外表面に露出した露出部を介して外部電極に電気的に接続されている。取出電極と外部電極との電気的接続を十分に確保するために、取出電極は複数の金属薄膜が積層されて当該露出部の面積が大きく形成されている。
【０００３】
例えば従来の薄膜型の電子部品の製造方法では、積層構造の取出電極、回路素子を構成する複数の金属薄膜及び当該複数の金属薄膜間を絶縁する絶縁膜等が薄膜形成技術を用いてウエハ上に多数形成され、次いで、ウエハの全面に、取出電極、金属薄膜及び絶縁膜を保護する保護層を形成して薄膜形成工程が終了する。次いで、ウエハは個々のチップ形状に切断分離される。次いで、切断面に露出した取出電極に電気的に接続された外部電極を形成して電子部品は完成する。特許文献１には、このような薄膜型の電子部品の製造方法によって形成されたコモンモードチョークコイルが開示されている。
【特許文献１】特開２００５−７９３２３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
図５は、チップ形状に切断分離した直後の従来の薄膜型の電子部品２１の切断面であって、取出電極２５近傍を模式的に示している。図５に示すように、取出電極２５は基板３上に形成されている。取出電極２５は、外表面（電子部品２１の側面）に露出した露出部を有する第１電極２５ａと、第１電極２５ａの電極幅とほぼ同じ電極幅で当該側面に露出した露出部を備え、第１電極２５ａ直上に形成されて第１電極２５ａと電気的に接続された第２電極２５ｂとを有している。ここで、電極幅とは、第１電極２５ａと第２電極２５ｂとの接触面に平行な方向の第１及び第２電極２５ａ、２５ｂの露出部のそれぞれの長さをいう。アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）で形成された保護層９は、取出電極２５を保護するためにウエハの全面に形成される。従って、ウエハをチップ形状に切断した後にも保護層９は取出電極２５直上に形成されている必要がある。ところが、チップ形状に切断分離すると、図５に破線で示すように、取出電極２５直上の保護層９’が完全に剥離してしまうことがある。また、取出電極２５直上の保護層９’が完全に剥離しないが、保護層９’の一部が剥離したり欠損したりすることもある。
【０００５】
保護層９は電子部品２１の耐熱や耐圧等に対する信頼性を向上させるために形成されている。このため、取出電極２５直上の保護層９’が剥離してしまうと、電子部品２１の信頼性が著しく低下するので所定の製品規格を満たさなくなる。従って、電子部品２１の製造歩留まりが低下して製造コスト及び電子部品自体のコストが高コスト化してしまうという問題が生じる。
【０００６】
本発明の目的は、耐熱や耐圧等に対する信頼性が高く、低コストの電子部品を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的は、回路素子を内包する電子部品であって、前記回路素子と電気的に接続されて外表面に露出した露出部を有する第１電極と、前記第１電極の電極幅と異なる電極幅で前記外表面に露出した露出部を有し、前記第１電極直上に形成されて前記第１電極と電気的に接続された第２電極とを備えた取出電極を有することを特徴とする電子部品によって達成される。
【０００８】
上記本発明の電子部品であって、前記第１電極は、前記第２電極より前記露出部の前記電極幅が長く形成されていることを特徴とする。
【０００９】
上記本発明の電子部品であって、前記第１電極は、前記第２電極より前記露出部の前記電極幅が短く形成されていることを特徴とする。
【００１０】
上記本発明の電子部品であって、前記第２電極の前記露出部は、前記第１電極の前記露出部を覆って形成されていることを特徴とする。
【００１１】
上記本発明の電子部品であって、前記取出電極上層に形成されて前記取出電極及び前記回路素子を保護する保護層をさらに有することを特徴とする。
【００１２】
上記本発明の電子部品であって、前記保護層は、酸化物材料で形成されていることを特徴とする。
【００１３】
上記本発明の電子部品であって、前記保護層は、アルミナで形成されていることを特徴とする。
【００１４】
上記本発明の電子部品であって、前記保護層は、樹脂材料で形成されていることを特徴とする。
【００１５】
上記本発明の電子部品であって、前記保護層は、ポリイミド樹脂で形成されていることを特徴とする。
【００１６】
上記本発明の電子部品であって、前記第１電極と同層に形成された第１導体層と、前記第２電極と同層に形成された第２導体層と、前記外表面に露出しないで前記第１及び第２導体層間に形成された絶縁層とをさらに有することを特徴とする。
【００１７】
上記本発明の電子部品であって、前記絶縁層は、有機材料で形成されていることを特徴とする。
【００１８】
上記本発明の電子部品であって、前記絶縁層は、無機材料で形成されていることを特徴とする。
【００１９】
上記本発明の電子部品であって、前記取出電極と電気的に接続されて前記外表面上に形成された外部電極をさらに有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、耐熱や耐圧等に対する信頼性が高く、低コストの電子部品が実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
本発明の一実施の形態による電子部品について図１乃至図４を用いて説明する。まず、取出電極直上の保護層の剥離の原因について図１を用いて説明する。図１は、図５に示した従来の電子部品２１の製造工程において、ウエハをチップ形状に切断分離した直後のチップ断面を模式的に示している。
【００２２】
図１に示すように、第１及び第２電極２５ａ、２５ｂは、例えば８μｍの膜厚にそれぞれ形成されている。取出電極２５の膜厚は約１６μｍになるので、基板３に対する取出電極２５の露出部の端部の段差が相対的に大きくなる。ここで、基板に対する取出電極の露出部の端部の段差とは、基板面から当該基板面に最も隣接した取出電極の平坦面までの高さをいう。図１の取出電極２５では、当該段差は取出電極２５が形成された基板３の素子形成面（基板面）から保護層９に接触する第２電極２５ｂの平坦面までの高さに相当し、取出電極２５の膜厚に等しくなる。
【００２３】
取出電極２５は、基板３に対する当該段差が相対的に大きく且つ基板３に対して屹立して形成されているので、スパッタリング法を用いて保護層９を形成すると、当該端部における保護層９の段差被覆性が低下し易くなる。さらに、取出電極２５の露出部は、基板３側の電極幅より保護層９側の電極幅の方が長い、逆台形形状に形成されている。このため、基板３の素子形成面には、第２電極２５ｂ側から見て、第１及び第２電極２５ａ、２５ｂの各端部の影になる領域αが存在する。取出電極２５端部の段差は相対的に大きいので、領域αも相対的に大きくなる。基板３はアルミナで形成されたターゲット材料に第２電極２５ｂ側を対向させてスパッタリング装置内に配置される。ターゲット材料から放出されたアルミナ分子は、第２電極２５ｂ側から降り注がれるので、第２電極２５ｂ直上に比べて領域αにはアルミナが堆積し難くなる。
【００２４】
取出電極２５の端部での段差被覆性の低下と、領域αでのアルミナの堆積困難性とにより、取出電極２５の端部近傍の保護層９には異相２３が発生する。異相２３は、保護層９の傾斜面と基板３直上の保護層９の平坦面との境界近傍と、領域αとを結ぶように発生する。異相２３は、保護層９の段差被覆性の低下やアルミナの堆積困難性により、取出電極２５端部の段差部近傍に十分な量のアルミナが堆積されないために発生する。保護層９は異相２３が発生すると不連続膜になるため、ウエハ切断時の衝撃に対する保護層９と取出電極２５との密着強度が得られ難くなる。このため、ウエハを切断すると、図１に示すように、異相２３を境にして取出電極２５直上の保護層９の一部に欠損や剥離が生じる。あるいは、図５に示すように、異相２３を境にして取出電極２５直上の保護層９の全てが剥離してしまう。
【００２５】
そこで本実施の形態による電子部品では、第１及び第２電極の露出部の電極幅を異ならせることにより、基板に対する取出電極端部の段差を相対的に小さくして、取出電極の端部での保護層の異相の発生を防止して保護層の剥離を防止する点に特徴を有している。
【００２６】
次に、回路素子を内包する電子部品として、インダクタを例にとって説明する。図２は、インダクタ１の外観斜視図である。図２（ａ）では理解を容易にするため、外部電極１１で覆われて本来視認できない取出電極５並びに基板３及び保護層９の一部を透過的に示している。図２（ｂ）は、図２（ａ）の図中に示す矢印Ａの方向に見た取出電極５近傍を示している。
【００２７】
図２（ａ）に示すように、インダクタ１は、例えばアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）で形成された基板３上に形成されて積層構造の取出電極５と、取出電極５に電気的に接続されたコイル導体（不図示）と、コイル導体を含む回路素子及び取出電極５を保護する保護層９とを薄膜形成技術で形成した全体として直方体状の外形を有している。取出電極５が形成された基板３の素子形成面にほぼ平行な保護層９表面は、例えばインダクタ１を不図示のプリント回路基板（ＰＣＢ）に実装する際に当該ＰＣＢに対面させる実装面となる。インダクタ１は基板３をＰＣＢに対面させて実装することも可能である。この場合には、保護層９の実装面に対向する基板３表面が実装面として機能する。
【００２８】
図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、取出電極５は、コイル導体と電気的に接続されて外表面（インダクタ１の側面）に露出した露出部を備えた第１電極５ａと、第１電極５ａの電極幅と異なる電極幅で外表面に露出した露出部を備えて、第１電極５ａ直上に形成されて第１電極５ａと電気的に接続された第２電極５ｂとを有している。ここで、電極幅とは、第１電極５ａと第２電極５ｂとの接触面に平行な方向の第１及び第２電極５ａ、５ｂの露出部のそれぞれの長さをいう。第１電極５ａは、第２電極５ｂより露出部の電極幅が長く形成されている。例えば、第１電極５ａの露出部の電極幅は約２５０μｍであり、第２電極５ｂの露出部の電極幅は約２３２μｍである。第１及び第２電極５ａ、５ｂは、例えば銅（Ｃｕ）を用いて約８μｍの厚さにそれぞれ形成されている。取出電極５に電気的に接続されたコイル導体も同様に、例えば銅（Ｃｕ）を用いて約８μｍの厚さに形成されている。第１及び第２電極５ａ、５ｂ並びにコイル導体の膜厚をそれぞれ厚く形成することにより、インダクタ１の直流抵抗の低抵抗化が図られている。
【００２９】
インダクタ１の実装面及び側面には、取出電極５を覆って外部電極１１が形成されている。取出電極５は第１及び第２電極５ａ、５ｂからなる２層構造を有しているので、１層構造の取出電極に対して、露出部の面積を大きくできる。これにより、取出電極５と外部電極１１との電気的接続が十分に確保される。取出電極５が露出する側面に対向する対向側面にも、取出電極５とほぼ同じ形状に形成された取出電極（不図示）が露出して形成されている。外部電極１１とほぼ同じ形状の外部電極１２は、対向側面に露出した取出電極を覆って形成されて、当該取出電極と電気的に接続されている。
【００３０】
取出電極５の上層を覆う保護層９は基板３の素子形成面の全面に形成されている。保護層９の形成材料としては、耐熱や耐圧等に対するインダクタ１の信頼性を向上させるため、相対的に硬くて気密性の高い酸化物材料が好適である。本実施の形態では、保護層９は、アルミナを用いて約３０μｍの膜厚に形成されている。
【００３１】
取出電極５直上の保護層９は、取出電極５の厚さ分だけ突出して形成されている。第２電極５ｂの露出部は第１電極５ａの露出部より電極幅が短く形成されているので、取出電極５の端部は階段状に形成される。このため、インダクタ１では、基板３の素子形成面に最も隣接する取出電極５の平坦面は、第１及び第２電極５ａ、５ｂの接触面に相当する。従って、本実施の形態のインダクタ１では、取出電極５の端部の段差は第１電極５ａの膜厚に等しく、約８μｍになり、図１に示す従来の当該段差（約１６μｍ）より小さくなる。このように、本実施の形態のインダクタ１は、従来に比べて基板３に対する取出電極５の段差がほぼ半分になる。これにより、取出電極５近傍の保護層９の段差被覆性が向上する。
【００３２】
また、本実施の形態では、第１及び第２電極５ａ、５ｂは基板３側の電極幅より保護層９側の電極幅の方が長い、逆台形形状にそれぞれ形成されている。取出電極５の端部により影となる基板３の領域は、第２電極５ｂ側から見て、第１電極５ａ端部のみにより生じる。第１電極５ａの膜厚は従来の取出電極２５の膜厚のほぼ半分なので、第１電極２５ａ端部の影になる基板３の領域は、従来の領域αのほぼ半分になる。このため、スパッタリング法を用いて保護層９を形成する場合に、第１電極５ａ端部の影となる基板３の領域に、ターゲット材料から放出されたアルミナが堆積され易くなる。また、第１及び第２電極５ａ、５ｂの膜厚はほぼ等しいので、第２電極５ｂ端部により影となる第１電極５ａの領域は、第２電極５ｂ側から見て、第１電極５ａ端部により影となる基板３の領域にほぼ等しい。このため、第２電極５ｂ端部により影となる第１電極５ａの領域にも、ターゲット材料から放出されたアルミナが堆積され易い。
【００３３】
このように、本実施の形態のインダクタ１は従来と比べて、保護層９の段差被覆性が向上され且つアルミナの堆積困難性が低減される。従って、取出電極５の端部近傍の保護層９には異相が発生し難くなり、異相が発生したとしても、極めて小さい領域にしか発生しない。このため、ウエハ切断時の衝撃に対する保護層９と取出電極５との密着強度が十分に確保されるので、取出電極５直上の保護層９の剥離が防止される。これにより、インダクタ１の製造歩留まりが向上し、インダクタ１の製造コストの低コスト化及びインダクタ１自体の低コスト化を図ることができる。また、本実施の形態では、取出電極５は２層構造を有し、露出部の面積を大きくできるので、外部電極１１との電気的接続を十分に確保することができる。
【００３４】
次に、本実施の形態による電子部品の製造方法についてインダクタ１を例にとって図３を用いて説明する。インダクタ１はウエハ上に同時に多数形成されるが、図３は、１個のインダクタ１の素子形成領域の積層構造を分解して斜めから視た状態を示している。
【００３５】
まず、図３に示すように、例えばアルミナで形成された基板３上に、真空成膜法（蒸着法、スパッタリング法等）又はめっき法により全面に不図示の金属層（例えばＣｕ層）を形成し、フォトリソグラフィを用いたエッチング法若しくはアディティブ法又はパターンめっき法等により当該Ｃｕ層をパターニングし、基板３の素子形成領域の一端辺に露出部が位置する第１電極５ａと、当該一端辺に対向する他端辺に露出部が位置して第１電極５ａに対向配置された第１電極７ａとを形成する。第１電極５ａ、７ａと同層に同時に、第１電極５ａに接続されたリード線（第１導体層）１３を形成する。第１電極５ａ、７ａは、例えば薄板直方体形状に形成される。第１電極５ａ、７ａの露出部の電極幅は、例えば約２５０μｍの長さにそれぞれ形成される。また、第１電極５ａ、７ａ及びリード線１３は、例えば約８μｍの厚さに形成される。後程説明するＣｕ層の形成及びパターニングは、第１電極５ａ、７ａ及びリード線１３と同様の方法が用いられる。なお、金属層の形成材料はＣｕに限られず金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）又はアルミニウム（Ａｌ）でもよい。
【００３６】
次に、素子形成領域の内側に有機材料として、例えばポリイミド樹脂を塗布してパターニングし、第１電極５ａ、７ａ上面をそれぞれ露出させた開口６、８と、第１電極５ａに接続されていない側のリード線１３の端部を露出させたコンタクトホール１０とを有する絶縁層２を形成する。絶縁層２は、ウエハを切断分離した際に切断面に露出しないように素子形成領域の内側に、例えば約５μｍの厚さに形成される。ウエハ全体として見ると、絶縁層２はウエハの切断線によって区切られた複数の島状に形成される。絶縁層２はスピンコート法、ディップ法、スプレー法又は印刷法等により形成される。絶縁層２の形成材料として無機材料が用いられてもよい。
【００３７】
次に、全面にＣｕ層（不図示）を形成し、第１電極５ａ、７ａと電気的にそれぞれ接続される第２電極５ｂ、７ｂを第１電極５ａ、７ａ上にそれぞれ形成し、第２電極５ｂ、７ｂと同層に同時に、スパイラル状にパターニングしたコイル導体（第２導体層）１５を絶縁層２上に形成する。第２電極５ｂ、７ｂは、例えば薄板直方体形状に形成される。第２電極５ｂの露出部は第１電極５ａの露出部と同一平面内に含まれ、第２電極７ｂの露出部は第１電極７ａの露出部に含まれて形成される。第２電極５ｂ、７ｂの露出部の電極幅は、例えば約２３２μｍの長さにそれぞれ形成される。第１電極５ａ及び第２電極５ｂのそれぞれの露出部は、素子形成領域の一端辺を含んで素子形成領域に直交する平面内に形成され、第１電極７ａ及び第２電極７ｂのそれぞれの露出部は、素子形成領域の他端辺を含んで素子形成領域に直交する平面内に形成される。第２電極５ｂ、７ｂの露出部以外の外周囲端部は、第１電極５ａ、７ａの外周囲端部の内側にそれぞれ形成される。これにより、第１及び第２電極５ａ、５ｂの２層構造を有し、基板３に対する露出部端部の段差が相対的に小さい取出電極５と、第１及び第２電極７ａ、７ｂの２層構造を有し、基板３に対する露出部端部の段差が相対的に小さい取出電極７とが形成される。
【００３８】
コイル導体１５は、一端子がコンタクトホール１０に露出しているリード線１３端部に接続され、他端子が第２電極７ｂに接続されて絶縁層２上に形成される。これにより、コイル導体１５を介して取出電極５及び取出電極７が電気的に接続される。リード線１３とコイル導体１５との間には絶縁層２が形成されているので、基板３をコイル導体１５側から見て、リード線１３とコイル導体１５との交差部は、コンタクトホール１０を介して接続された接続部を除いて絶縁層２により絶縁される。
【００３９】
次に、全面にスパッタリング法を用いてアルミナで形成された保護層９を形成する。保護層９は、例えば約３０μｍの厚さに形成される。取出電極５、７は従来の取出電極２５と比較して、基板３に対する端部の段差が小さいので、当該端部近傍の保護層９での異相の発生を防止できる。保護層９の成膜方法として、化学気相成長法（ＣＶＤ法）やスピンコート法等を用いることもできるが、スパッタリング法は、基板等に対して高い付着性を有する所定膜を成膜できること、成膜速度が速いこと及び低温で成膜できること等の利点を有しており、保護層９の成膜方法として好適である。また、取出電極５、７の露出部の端部の段差が小さいので、保護層９の平坦性が向上し、保護層９上にさらに所定膜を所定形状にパターニングする際に、フォトリソグラフィ工程の容易化を図ることができる。
【００４０】
次に、所定の切断線に沿ってウエハを切断し、ウエハ上に形成された複数のインダクタ素子を素子形成領域毎にチップ状に分離する。異相の生じていない保護層９と取出電極５とは所定の密着強度を有するので、ウエハ切断時の衝撃による取出電極５、７直上の保護層９の剥離が防止される。取出電極５、７は素子形成領域の一端辺及び他端辺にそれぞれ位置して形成されているので、ウエハの切断面である側面に露出する。一方、絶縁層２は素子形成領域の内側に形成されているので、当該側面に露出しない。次に、取出電極５、７と電気的にそれぞれ接続され、側面に露出した取出電極５、７を覆う外部電極１１、１２を形成する（図２参照）。次いで、必要に応じて角部の面取りを行い、図２（ａ）に示すインダクタ１が完成する。
【００４１】
以上説明したように、本実施の形態によれば、ウエハ切断時の衝撃による取出電極５、７直上の保護層９の剥離が防止されるので、インダクタ１の製造歩留まりが向上し、製造コスト及びインダクタ１自体の低コスト化を図ることができる。
【００４２】
次に、本実施の形態の変形例によるインダクタ１について図４を用いて説明する。図４は、本変形例のインダクタ１の取出電極５の近傍を模式的に示している。図４に示すように、本変形例のインダクタ１は、第１電極５ａの電極幅が第２電極５ｂの電極幅より小さく形成されている点に特徴を有している。
【００４３】
図４に示すように、第２電極５ｂは第１電極５ａを覆って形成されている。例えば、第１電極５ａの露出部の電極幅は約２１８μｍであり、第２電極５ｂの露出部の電極幅（両端部間の長さ）は約２５０μｍである。また、第１及び第２電極５ａ、５ｂは約８μｍの厚さにそれぞれ形成されている。取出電極５は第１及び第２電極５ａ、５ｂの２層構造であるため、最大の電極厚さは約１６μｍになる。しかし、基板３の素子形成面に最も隣接する取出電極５の平坦面までの高さは、第２電極５ｂの厚さ分に相当する。従って、基板３に対する取出電極５の段差は約８μｍである。本変形例のインダクタ１では、図２に示すインダクタ１と同様に、基板３に対する取出電極５の端部の段差は、従来の当該段差に比べて小さくなる。さらに、第２電極５ｂが第１電極５ａを覆って形成されることにより、第１電極５ａ端部上の第２電極５ｂは、基板３の素子形成面に対する傾斜角度が小さくなる。これにより、本変形例のインダクタ１では、保護層９の段差被覆性が向上する。さらに、基板３に対する取出電極５の端部の段差が相対的に低いので、アルミナの堆積困難性が低減される。これにより、本変形例のインダクタ１では、保護層９での異相の発生が防止され、図２に示すインダクタ１と同様の効果が得られる。
【００４４】
本発明は、上記実施の形態に限らず種々の変形が可能である。
【００４５】
上記実施の形態では、回路素子を内包する電子部品としてインダクタ１を例に説明したが、本発明はこれに限られない。取出電極が電子部品の側面に露出し、当該取出電極の上層に形成された保護層を有する電子部品、例えばコンデンサ、抵抗器、低域通過フィルタ、帯域通過フィルタ、ダイプレクサ及びアンテナスイッチングモジュール等であっても上記実施の形態と同様の効果が得られる。
【００４６】
また、上記実施の形態では、電子部品の一側面に１つの取出電極が形成されているが、本発明はこれに限られない。例えば、コモンモードチョークコイルのように一側面に２以上の取出電極を有する電子部品であっても上記実施の形態と同様の効果が得られる。
【００４７】
また、低域通過フィルタ等のフィルタ部品のように、対向する一対の側面に通電用の取出電極が露出し、他の対向する一対の側面にシールド（グランド）用の取出電極が露出している電子部品であっても上記実施の形態と同様の効果が得られる。
【００４８】
上記実施の形態では、保護層９の形成材料としてアルミナが用いられているが、本発明はこれに限られない。保護層９の形成材料はポリイミド樹脂等の樹脂材料であってもよい。基板に対する取出電極の端部の段差が相対的に大きいと、例えばスピンコート法を用いて基板上に樹脂材料を形成する際に、当該端部への樹脂材料の回り込み不足が生じて、取出電極端部近傍（取出電極の脇）の保護層に気泡が生じる可能性がある。保護層に気泡が生じると、電子部品の耐圧等に対する信頼性が劣化してしまう。しかし、上記実施の形態では、基板３に対する取出電極５の端部の段差が相対的に小さいので、当該端部への樹脂材料の回り込み不足が防止され、保護層への気泡の発生を防止することができる。これにより、インダクタ１等の電子部品の耐圧等に対する信頼性が向上し、上記実施の形態と同様の効果が得られる。
【００４９】
また、上記実施の形態では、第１及び第２電極５ａ、５ｂの露出部は逆台形形状にそれぞれ形成されているが、本発明はこれに限られない。第１及び第２電極５ａ、５ｂの露出部は基板３側の電極幅より保護層９側の電極幅の方が短く形成された台形形状又は長方形形状に形成されていてもよい。第１及び第２電極５ａ、５ｂの露出部が台形形状や長方形形状であっても、当該露出部の電極幅を異なる長さに形成することにより、保護層９の段差被覆性は向上する。また、第１及び第２電極５ａ、５ｂの露出部が台形形状や長方形形状に形成されていると、第１及び第２電極５ａ、５ｂのそれぞれの端部の影になる領域が基板３及び第１電極５ａに生じない。このため、アルミナの堆積困難性という問題は殆ど生じない。従って、第１及び第２電極５ａ、５ｂの露出部が台形形状や長方形形状に形成されていても、上記実施の形態と同様の効果が得られる。
【００５０】
本発明は、第１及び第２電極５ａ、５ｂの露出部の形状にかかわらず適用可能である。しかし、上記の通り本発明は、アルミナの堆積困難性を低減することができるので、逆台形形状のように、基板３等に影となる領域を生じさせてしまう形状の取出電極を有する電子部品に対して特に有効である。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】従来の電子部品２１の保護層９の剥離の原因について説明するための図である。
【図２】本発明の一実施の形態による電子部品としてのインダクタ１の外観斜視図である。
【図３】本発明の一実施の形態による電子部品としてのインダクタ１の製造方法を説明するための分解斜視図である。
【図４】本発明の一実施の形態の電子部品の変形例であって、インダクタ１の取出電極５近傍を示す図である。
【図５】従来の電子部品２１の取出電極２５近傍を示す図である。
【符号の説明】
【００５２】
１  インダクタ
２  絶縁層
３  基板
５、７、２５  取出電極
５ａ、７ａ、２５ａ  第１電極
５ｂ、７ｂ、２５ｂ  第２電極
６、８  開口
９  保護層
１０  コンタクトホール
１１、１２  外部電極
１３  リード線
２１  電子部品
２３  異相
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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