(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に設けられた弾性波素子と、
前記基板上に設けられ、前記弾性波素子と電気的に接続された端子と、
前記端子の少なくとも一部と重なる位置に第１開口部を有するように前記基板上に設けられた第１絶縁層と、
前記第１開口部の少なくとも一部と重なる位置に第２開口部を有し、前記弾性波素子の上部に空洞部が形成されるように、前記第１絶縁層及び前記弾性波素子上に設けられた第２絶縁層と、
前記第１開口部と前記第２開口部とが重なった部分を含む第３開口部を有し、前記第２絶縁層上に設けられた第３絶縁層と、
前記端子と電気的に接続され、前記第１開口部、前記第２開口部及び前記第３開口部に設けられたメタルポストと、
前記メタルポスト上に設けられた半田ボールと、を具備し、
前記第３開口部と前記第２開口部とが重なる領域の前記空洞部側の端部から前記第３開口部の前記空洞部側の端部までの長さが、前記第３開口部と前記第２開口部とが重なる領域の前記空洞部側とは反対側の端部から前記第３開口部の前記空洞部側とは反対側の端部までの長さよりも大きいことを特徴とする弾性波デバイス。
【請求項２】
前記基板から前記メタルポストの上面までの高さは、前記基板から前記第３絶縁層の上面までの高さより低いことを特徴とする請求項１記載の弾性波デバイス。
【請求項３】
前記第３開口部の開口長は、前記端子の長さよりも大きいことを特徴とする請求項１または２記載の弾性波デバイス。
【請求項４】
前記第１開口部と前記第２開口部とは、開口長が等しいことを特徴とする請求項１から３いずれか一項記載の弾性波デバイス。
【請求項５】
前記第１開口部と前記第２開口部とは、一致していることを特徴とする請求項４記載の弾性波デバイス。
【請求項６】
前記第１絶縁層、前記第２絶縁層及び前記第３絶縁層は、感光性樹脂で形成されていることを特徴とする請求項１から５いずれか一項記載の弾性波デバイス。
【請求項７】
前記弾性波素子は、弾性表面波素子または圧電薄膜共振器であることを特徴とする請求項１から６いずれか一項記載の弾性波デバイス。
【請求項８】
基板上に弾性波素子を設ける工程と、
前記弾性波素子と電気的に接続されるように、前記基板上に端子を設ける工程と、
前記弾性波素子が露出し、前記端子の少なくとも一部と重なる位置に第１開口部を有するように、前記基板上に第１絶縁層を設ける工程と、
前記弾性波素子の上部に空洞部が形成され、前記第1開口部の少なくとも一部と重なる位置に第２開口部を有するように、前記基板上及び前記第１絶縁層上に第２絶縁層を設ける工程と、
前記第１開口部と前記第２開口部とが重なる部分を含む第３開口部を有するように、前記第２絶縁層上に第３絶縁層を設ける工程と、
前記第１開口部、前記第２開口部及び前記第３開口部に、前記端子と電気的に接続されるようにメタルポストを設ける工程と、
前記メタルポスト上に半田ボールを設ける工程と、を有し、
前記第２絶縁層を設ける工程及び前記第３絶縁層を設ける工程は、前記第３開口部と前記第２開口部とが重なる領域の前記空洞部側の端部から前記第３開口部の前記空洞部側の端部までの長さが、前記第３開口部と前記第２開口部とが重なる領域の前記空洞部側とは反対側の端部から前記第３開口部の前記空洞部側とは反対側の端部までの長さよりも大きくなるような工程であることを特徴とする弾性波デバイスの製造方法。
【請求項９】
前記メタルポストを設ける工程は、前記基板から前記メタルポストの上面までの高さが、前記基板から前記第３絶縁層の上面までの高さより低くなるように、前記メタルポストを設ける工程であることを特徴とする請求項８記載の弾性波デバイスの製造方法。
【請求項１０】
前記メタルポストを設ける工程は、メッキ法により前記メタルポストを設ける工程であることを特徴とする請求項８または９記載の弾性波デバイスの製造方法。
【請求項１１】
前記空洞部、前記第１開口部、前記第２開口部及び前記第３開口部は、各々フォトリソグラフィ法により形成されることを特徴とする請求項８から１０いずれか一項記載の弾性波デバイスの製造方法。
【請求項１２】
前記弾性波素子を設ける工程は、弾性表面波素子または圧電薄膜共振器を設ける工程であることを特徴とする請求項８から１１いずれか一項記載の弾性波デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性波デバイス及びその製造方法に関し、特に絶縁層を有した弾性波デバイス及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板上に弾性波素子を設けた弾性波デバイスは、移動体通信機器のデュプレクサや、フィルタとして広く用いられている。
【０００３】
弾性波を利用した弾性波デバイスの１つには、弾性波素子として、圧電性基板の表面に形成したＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌ  Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）、及び反射器からなる弾性表面波素子を備え、この弾性表面波素子に電力を印加することで励振した弾性波を用いる弾性表面波デバイスがある。この弾性表面波デバイスは、例えば４５ＭＨｚ〜２ＧＨｚの周波数帯域における無線信号を処理する各種回路、例えば送信用バンドパスフィルタ、受信用バンドパスフィルタやアンテナ共用器等に広く用いられている。
【０００４】
また、最近では、弾性波素子として、圧電薄膜の表裏に一対の電極を形成しその厚み振動を利用する圧電薄膜共振器（ＦＢＡＲ：Ｆｉｌｍ  Ｂｕｌｋ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｒｅｓｏｎａｔｏｒ）を用いた弾性波デバイスも開発されている。圧電薄膜共振器を用いた弾性波デバイスは特に高周波数帯域での特性が良好であることから、例えば１ＧＨｚ〜１０ＧＨｚの周波数帯域で用いられている。
【０００５】
弾性表面波素子やＦＢＡＲを用いる場合、弾性波素子の上部に、弾性波素子が振動するための空洞部を設ける必要がある。
【０００６】
近年、移動体通信分野の発展に伴い、弾性波デバイスには小型化が要求されている。こうした要求に応える技術として、デバイスのパッケージサイズを、弾性波素子のサイズまで小型化したＷＬＣＳＰ（ウェハ・レベル・チップ・サイズ・パッケージ）技術がある。
【０００７】
特許文献1には、圧電基板上に設けられた弾性波素子の周囲に空洞部が形成されるように絶縁層を設置し、絶縁層に設けられた開口部を介して端子と接続された半田ボールを設置する技術が開示されている。
【特許文献１】特開２００６−３５２４３０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、特許文献１の弾性波デバイスは、小型化可能ではあるが、工程及び設備の面で量産性に優れているとはいえない。
【０００９】
本発明は、上記課題に鑑み、小型化可能で、より量産性に優れた弾性波デバイスを提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、基板と、前記基板上に設けられた弾性波素子と、前記基板上に設けられ、前記弾性波素子と電気的に接続された端子と、前記端子の少なくとも一部と重なる位置に第１開口部をするように前記基板上に設けられた第１絶縁層と、前記第１開口部の少なくとも一部と重なる位置に第２開口部を有し、前記弾性波素子の上部に空洞部が形成されるように、前記第１絶縁層及び前記弾性波素子上に設けられた第２絶縁層と、前記第１開口部と前記第２開口部とが重なった部分を含む第３開口部を有し、前記第２絶縁層上に設けられた第３絶縁層と、前記端子と電気的に接続され、前記第１開口部、前記第２開口部及び前記第３開口部に設けられたメタルポストと、前記メタルポスト上に設けられた半田ボールと、を具備し、前記第３開口部と前記第２開口部とが重なる領域の前記空洞部側の端部から前記第３開口部の前記空洞部側の端部までの長さが、前記第３開口部と前記第２開口部とが重なる領域の前記空洞部側とは反対側の端部から前記第３開口部の前記空洞部側とは反対側の端部までの長さよりも大きいことを特徴とする弾性波デバイスである。本発明によれば、半田ボールの径は、空洞部及び弾性波素子の設置領域による制限を受けない。このため、弾性波デバイスの小型化が可能となる。また、メタルポストの形状の制御が容易になるため、量産性の向上が可能となる。
【００１２】
上記構成において、前記基板から前記メタルポストの上面までの高さは、前記基板から前記第３絶縁層の上面までの高さより低い構成とすることができる。この構成によれば、ボール型の半田をメタルポスト上に設置し、リフローすることで半田ボールを設けることができ、工程を簡略化できる。また、メタルポストを設ける工程において、メタルポストの形状の制御が容易になるため、量産性の向上が可能となる。
【００１３】
上記構成において、前記第３開口部の開口長は、前記端子の長さよりも大きい構成とすることができる。この構成によれば、弾性波デバイスの小型化が可能となる。
【００１４】
上記構成において、前記第１開口部と前記第２開口部とは、開口長が等しい構成とすることができる。
【００１５】
上記構成において、前記第１開口部と前記第２開口部とは、一致している構成とすることができる。この構成によれば、一度の工程でメタルポストを設けることができ、工程を簡略化できるため、量産性の向上が可能となる。
【００１６】
上記構成において、前記第１絶縁層、前記第２絶縁層及び前記第３絶縁層は、感光性樹脂とすることができる。この構成によれば、空洞部、第１開口部、第２開口部及び第３開口部を精度よく形成することができる。また、設備及び工程を簡略化できるため、量産性の向上が可能となる。
【００１７】
上記構成において、前記弾性波素子は弾性表面波素子または圧電薄膜共振器である構成とすることができる。
【００１８】
本発明は、基板上に弾性波素子を設ける工程と、前記弾性波素子と電気的に接続されるように、前記基板上に端子を設ける工程と、前記弾性波素子が露出し、前記端子の少なくとも一部と重なる位置に第１開口部を有するように、前記基板上に第１絶縁層を設ける工程と、前記弾性波素子の上部に空洞部が形成され、前記第1開口部の少なくとも一部と重なる位置に第２開口部を有するように、前記基板上及び前記第１絶縁層上に第２絶縁層を設ける工程と、前記第１開口部と前記第２開口部とが重なる部分を含む第３開口部を有するように、前記第２絶縁層上に第３絶縁層を設ける工程と、前記第１開口部、前記第２開口部及び前記第３開口部に、前記端子と電気的に接続されるようにメタルポストを設ける工程と、前記メタルポスト上に半田ボールを設ける工程と、を有し、前記第２絶縁層を設ける工程及び前記第３絶縁層を設ける工程は、前記第３開口部と前記第２開口部とが重なる領域の前記空洞部側の端部から前記第３開口部の前記空洞部側の端部までの長さが、前記第３開口部と前記第２開口部とが重なる領域の前記空洞部側とは反対側の端部から前記第３開口部の前記空洞部側とは反対側の端部までの長さよりも大きくなるような工程である弾性波デバイスの製造方法である。本発明によれば、半田ボールの径は、空洞部や弾性波素子の設置領域による制限を受けない。このため、弾性波デバイスの小型化が可能となる。また、メタルポストの形状の制御が容易になるため、量産性の向上が可能となる。
【００１９】
上記構成において、前記メタルポストを設ける工程は、前記基板から前記メタルポストの上面までの高さが、前記基板から前記第３絶縁層の上面までの高さより低くなるように、前記メタルポストを設ける工程とすることができる。この構成によれば、ボール型の半田をメタルポスト上に設置し、リフローすることで半田ボールを設けることができ、工程を簡略化できる。また、メタルポストを設ける工程において、メタルポストの形状の制御が容易になるため、量産性の向上が可能となる。
【００２０】
上記構成において、前記メタルポストを設ける工程は、メッキ法により前記メタルポストを設ける工程とすることができる。この構成によれば、メタルポストを容易に設けることができるため、量産性の向上が可能となる。
【００２１】
上記構成において、前記空洞部、前記第１開口部、前記第２開口部及び前記第３開口部は、各々フォトリソグラフィ法により形成される構成とすることができる。この構成によれば、空洞部、第１開口部、第２開口部及び第３開口部を精度よく形成することができる。また、設備及び工程を簡略化できるため、量産性の向上が可能となる。
【００２２】
上記構成において、前記弾性波素子を設ける工程は弾性表面波素子または圧電薄膜共振器を設ける工程とすることができる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、小型化可能で、かつ量産性に優れた弾性波デバイスを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、図面を用い、本発明が解決する課題について説明する。
【００２５】
図１は比較例１に係る弾性表面波デバイスの断面図である。例えばＬｉＴａＯ３（タンタル酸リチウム）やＬｉＮｂＯ３（ニオブ酸リチウム）からなる圧電基板２上に、弾性波素子として例えばＡｌ−Ｃｕ（アルミニウム−銅）で形成されたＩＤＴ及び反射器からなる弾性表面波素子４と、弾性表面波素子４と電気的に接続された配線８とが設けられている。弾性表面波素子４及び配線８の一部は、例えばＳｉＯ２（二酸化ケイ素）やＳｉＮ（窒化ケイ素）等のケイ素化合物からなる保護膜６で覆われている。配線８の保護膜６で覆われていない部分の上には、端子９が設けられ、配線８を通して弾性表面波素子４と電気的に接続されている。圧電基板２及び保護膜６上には、弾性表面波素子４と重ならないように、例えば厚さ３０μｍの第１絶縁層１０が設けられている。また、第１絶縁層１０の端子９と重なる位置には第１開口部１２が設けられている。第１絶縁層１０及び保護膜６上には、弾性表面波素子４の上部に空洞部３が形成されるように、例えば厚さ３０μｍの第２絶縁層２０が設けられている。第２絶縁層２０の第１開口部１２と重なる部分には第２開口部２２が設けられている。従って、端子９の径、第１開口部１２の開口長Ｌ１及び第２開口部２２の開口長Ｌ２は等しくなる。第１絶縁層１０及び第２絶縁層２０は、例えばエポキシ系ネガ型レジストのような感光性樹脂からなる。第１開口部１２及び第２開口部２２には、端子９と電気的に接続されたメタルポスト４０が設けられ、メタルポスト４０上には半田ボール５０が設けられている。半田ボール５０は弾性表面波デバイスと外部との接続端子として機能する。
【００２６】
図２（ａ）から図３（ｄ）を用いて、比較例１に係る弾性表面波デバイスの製造方法について説明する。
【００２７】
図２（ａ）は圧電基板２を示した断面図である。図２（ｂ）は圧電基板２上に弾性表面波素子４、配線８、保護膜６及び端子９が設けられた様子を示す断面図である。
【００２８】
図２（ｃ）は圧電基板２上に第１絶縁層１０を設ける工程を示した断面図である。図２（ｃ）に示すように、圧電基板２上に例えばエポキシ系ネガ型レジストをスピンコート法により塗布し、第１絶縁層１０が設けられる。図２（ｄ）はフォトリソグラフィの工程を示した断面図である。フォトリソグラフィを行うことにより、第１絶縁層１０の弾性表面波素子４と重なる部分は除去される。また、端子９と重なる部分が除去され、第１開口部１２が設けられる。
【００２９】
図３（ａ）は第２絶縁層２０を設ける工程を示した断面図である。保護膜６、端子９及び第１絶縁層１０の上に、例えば厚さ３０μｍの例えばフィルム状のエポキシ系ネガ型レジストをテンティング法により貼り付けることで、第２絶縁層２０が設けられる。図３（ｂ）は第２開口部２２を設ける工程を示した断面図である。フォトリソグラフィ法を行うことにより、第２絶縁層２０の第１開口部１２と重なる部分が除去され、第２開口部２２が設けられる。また、弾性表面波素子４の上部には、第１絶縁層１０と第２絶縁層２０とに囲まれた空洞部３が形成される。
【００３０】
図３（ｃ）はメタルポスト４０を設ける工程を示した断面図である。メタルポスト４０は、電解メッキ法により端子９から第２開口部２２まで金属を成長させることで、第１開口部１２及び第２開口部２２に設けられる。図３（ｄ）は半田ボール５０を設ける工程を示した断面図である。半田ボール５０は、メタルポスト４０上に例えばＳｎＡｇＣｕからなる半田を印刷した後、リフローを行うことにより設けられる。以上の工程により、比較例１に係る弾性表面波デバイスが完成する。
【００３１】
図１に示すように、弾性表面波デバイスを小型化すると、端子９の径が小さくなり、第１開口部１２の開口長Ｌ１及び第２開口部２２の開口長Ｌ２も小さくなる。半田ボール５０の径が小さくなると外部との接続を良好に行えない恐れがある。良好な接続を行うためには、半田ボール５０の径を大きな状態に保つことが必要である。径の大きな半田ボール５０を容易に設けるには、開口長Ｌ２を大きくすればよい。しかし、比較例１に係る弾性表面波デバイスでは、弾性表面波素子４が設置されているため、第１開口部１２の開口長Ｌ１及び第２開口部２２の開口長Ｌ２は制限を受ける。このことは、半田ボール５０の径の大きさを保ったまま、弾性表面波デバイスの小型化することの障害となる。これについて、図面を用い、比較例１の変形例を参照しながら説明する。
【００３２】
図４（ａ）は比較例１の第１の変形例を示す断面図である。図４（ａ）に示すように、第１の変形例は、第２開口部２２の開口長Ｌ２を第１開口部１２の開口長Ｌ１より大きくし、かつ弾性表面波デバイスを小型化しようとする例である。このとき、弾性表面波素子４上に空洞部３を確保する必要があるため、第１絶縁層１０と第２絶縁層２０との接触部１４が残存していなければならない。このため、第２開口部２２の開口長Ｌ２は制限を受ける。従って、半田ボール５０の径を大きな状態に保ったまま弾性表面波デバイスの小型化することが困難となる。
【００３３】
また、図４（ｂ）は比較例１の第２の変形例を示す断面図である。図４（ｂ）に示すように、第２の変形例は、第１開口部１２の開口長Ｌ１及び第２開口部２２の開口長Ｌ２が互いに等しく、また各々を大きくし、弾性表面波デバイスを小型化しようとする例である。このとき、２つの第１開口部１２の間には弾性表面波素子４が設けられているため、第１開口部１２の開口長Ｌ１は弾性表面波素子４の設置領域の外側に制限される。このため、半田ボール５０の径を大きな状態に保ったまま弾性表面波デバイスの小型化することが困難となる。
【００３４】
比較例２として、特許文献１の弾性表面波デバイスについて説明する。
【００３５】
図５は比較例２に係る弾性表面波デバイスを示した断面図である。図５に示すように、第２絶縁層２０上に金属膜４２が設けられ、メタルポスト４０は端子９上から金属膜４２上まで設けられている。圧電基板２上に、第１絶縁層１０、第２絶縁層２０、金属膜４２及びメタルポスト４０を包み込むように外郭樹脂６０が設けられている。外郭樹脂６０の、メタルポスト４０と重なる部分の一部には、開口部６２が設けられている。開口部６２はアンダーバンプメタル４４が充填され、その上には半田ボール５０が設けられている。
【００３６】
比較例２によれば、開口部６２の位置及び開口長Ｌを変えることで、半田ボール５０を任意の位置に、径を変えて設置することができる。しかし、メタルポスト４０を設けるメッキ工程では、第２絶縁層２０より上にはメタルポスト４０の形状を画定するマスクがないため、メタルポスト４０の形状を制御するのが困難である。また、第１絶縁層１０は感光性樹脂であるため、フォトリソグラフィ法により空洞部３を設けることができる。それに対し、第２絶縁層２０は非感光性樹脂のため、レーザー又はドライエッチング加工により第２開口部２２が形成される。従って、フォトリソグラフィ法とレーザー又はドライエッチング、両方を行うための設備が必要となる。以上のように、比較例２に係る弾性表面波デバイスは、工程及び設備の面において、量産性に優れているとはいえない。
【００３７】
以下、図面を用い、上記課題を解決するための実施例について説明する。
【実施例１】
【００３８】
図６は実施例１に係る弾性表面波デバイスの断面図であり、後述する図８（ａ）のＢ−Ｂ１に沿った断面図である。図６に示すように、第２絶縁層２０の上に、例えば厚さ３０μｍの例えばエポキシ系ネガ型レジストに代表される感光性樹脂からなる第３絶縁層３０が設けられている。第３絶縁層３０には、第１開口部１２と第２開口部２２とが重なる部分を含む、開口長Ｌ３の第３開口部３２が設けられている。メタルポスト４０は第１開口部１２、第２開口部２２及び第３開口部３２に設けられ、圧電基板２からメタルポスト４０の上面までの高さは、圧電基板２から第３絶縁層３０の上面までの高さより低くなっている。メタルポスト４０上には、一部が第３開口部３２に埋め込まれるような形状で、半田ボール５０が設けられている。
【００３９】
次に、実施例１に係る弾性表面波デバイスの製造方法について説明する。図７（ａ）から図７（ｄ）は実施例１に係る弾性表面波デバイスの製造工程を示した断面図である。第２開口部２２を設けるまでの工程は、比較例１と同様なので説明を省略する（図２（ａ）から図３（ｂ）参照）。
【００４０】
図７（ａ）は第３絶縁層３０を設ける工程を示した断面図である。第２絶縁層２０上に、例えばフィルム状のエポキシ系ネガ型レジスト等の感光性樹脂をテンティング法により貼り付け、第３絶縁層３０を設ける。
【００４１】
図７（ｂ）は第３開口部３２を設ける工程を示した断面図である。フォトリソグラフィ法により、第３絶縁層３０に第１開口部１２と第２開口部２２とが重なった部分を含む第３開口部３２が設けられる。
【００４２】
図７（ｃ）はメタルポスト４０を設ける工程を示した断面図である。メタルポスト４０は、電解メッキ法により端子９から第３開口部３２まで金属を成長させることで、第１開口部１２、第２開口部２２及び第３開口部３２に設けられる。このとき、圧電基板２からメタルポスト４０の上面までの高さは、圧電基板２から第３絶縁層３０の上面までの高さより低くなるように、メタルポスト４０を設ける。
【００４３】
図７（ｄ）は半田ボール５０を設ける工程を示した断面図である。半田ボール５０は、メタルポスト４０上にボール型の半田を設置した後、リフローを行うことにより設けられる。以上の工程により、実施例１に係る弾性表面波デバイスが完成する。
【００４４】
図８（ａ）は実施例１に係る弾性表面波デバイスの全体を示した上面図であり、図８（ｂ）はＡ−Ａ１に沿った断面図である（弾性表面波素子４、保護膜６、配線８は不図示）。実施例１によれば、図８（ａ）及び図８（ｂ）に示すように、第３開口部３２は、第１開口部１２と第２開口部２２とが重なった部分を含んでいる。また、図７（ｃ）に示すように、第１開口部１２、第２開口部２２及び第３開口部３２にはメタルポスト４０が設けられる。メタルポスト４０の形状は、第３開口部３２によって決められるため、メッキ工程におけるメタルポスト４０の形状の制御が、比較例２の場合よりも容易になる。従って、量産性の向上が可能となる。
【００４５】
図６に示すように、第１絶縁層１０と第２絶縁層２０とで空洞部３を形成するため、第３開口部３２の開口長Ｌ３は、空洞部３及び弾性表面波素子４の設置領域の制限を受けない。このため、第１絶縁層１０と第２絶縁層２０との接触部１４を残存させたまま、第３開口部３２の開口長Ｌ３を大きくすることができる。従って、図９の実施例１の変形例に示すように、第３開口部３２を空洞部３及び弾性表面波素子４の設置領域の上部に設けることができる。このことにより、半田ボール５０の径を大きな状態に保つことができ、同時に空洞部３及び弾性表面波素子４の設置領域を確保することができる。従って、半田ボール５０の径を大きな状態に保ったまま、弾性表面波デバイスの小型化が可能となる。
【００４６】
また、図８（ｂ）に示すように、第３開口部３２と第２開口部２２とが重なる領域から、第３開口部３２の空洞部３側の端部までの長さＬ５が、第３開口部３２と第２開口部２２とが重なる領域から第３開口部３２の反対側の端部までの長さＬ４よりも大きくなっている。このため、長さＬ５を大きくすることで開口長Ｌ３を大きくし、それに伴い半田ボール５０を大きくすることができ、同時に長さＬ４を小さくすることで弾性表面波デバイスを小型化することができる。
【００４７】
図６に示すように、圧電基板２からメタルポスト４０の上面までの高さは、圧電基板２から第３絶縁層３０の上面までの高さより低くなっている。このため、開口長Ｌ３によって半田ボール５０の径を任意に決めることができる。また、ボール型の半田を設置した後、リフローを行うことで半田ボール５０を設置できる。実施例１においても、比較例１と同様に、メタルポスト４０上に半田を印刷する工程により、半田ボール５０を設けてもよい。しかしながら、工程をより簡略化でき量産性が向上するため、ボール型の半田を設置してリフローを行う工程が好ましい。
【００４８】
第１絶縁層１０、第２絶縁層２０及び第３絶縁層３０は、例えばエポキシ系ネガ型レジストに代表される感光性樹脂で形成されている。このため、上記の全ての絶縁層がフォトリソグラフィ法で加工が可能である。これにより、空洞部３、第１開口部１２、第２開口部２２及び第３開口部３２を精度よく形成することができる。また、設備及び工程の簡略化をすることができ、量産性の向上が可能となる。
【００４９】
第３開口部３２が第１開口部１２及び第２開口部２２を含んでいるため、一度のメッキ工程でメタルポスト４０を形成することができ、量産性の向上が可能となる。また、メタルポスト４０は、電解メッキ法により設けるとしたが、無電解メッキ法により設けてもよい。
【００５０】
実施例１においては、第１開口部１２は端子９の少なくとも一部と重なっていればよい。また、第１開口部１２と第２開口部２２とは、一致しているとしたが、少なくとも一部が重なっていればよい。しかし、金属ポスト４０の形成が容易にできるため、端子９と第１開口部１２と第２開口部２２とは一致していることが好ましい。
【００５１】
実施例１では、圧電基板２の上に弾性波素子として弾性表面波素子４を設けた弾性表面波デバイスの例を示したが、圧電薄膜共振器（ＦＢＡＲ）を用いた弾性波デバイスでもよい。ＦＢＡＲを用いる場合、基板は圧電基板ではなく、例えばシリコン基板やガラス基板であり、その上に圧電薄膜を用いてＦＢＡＲが形成される。
【００５２】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】図１は比較例１に係る弾性表面波デバイスの断面図である。
【図２】図２（ａ）から図２（ｄ）は、比較例１に係る弾性表面波デバイスの製造方法を示す断面図である。
【図３】図３（ａ）から図３（ｄ）は、比較例１に係る弾性表面波デバイスの製造方法を示す断面図である。
【図４】図４（ａ）及び図４（ｂ）は、比較例１の変形例の断面図である。
【図５】図５は比較例２に係る圧電デバイスの断面図である。
【図６】図６は実施例１に係る弾性表面波デバイスの断面図である。
【図７】図７（ａ）から図７（ｄ）は、実施例１に係る弾性表面波デバイスの製造方法を示す断面図である。
【図８】図８（ａ）は実施例１に係る弾性表面波デバイスの上面図であり、図８（ｂ）はＡ−Ａ１に沿った断面図である。
【図９】図９は実施例１の変形例に係る弾性表面波デバイスの断面図である。
【符号の説明】
【００５４】
２      圧電基板
３      空洞部
４      弾性表面波素子
６      保護膜
９      端子
１０    第１絶縁層
１２    第１開口部
１４    接触部
２０    第２絶縁層
２２    第２開口部
３０    第３絶縁層
３２    第３開口部
４０    メタルポスト
５０    半田ボール
【図１】
0004468456.tif 000002
【図２】
0004468456.tif 000003
【図３】
0004468456.tif 000004
【図４】
0004468456.tif 000005
【図５】
0004468456.tif 000006
【図６】
0004468456.tif 000007
【図７】
0004468456.tif 000008
【図８】
0004468456.tif 000009
【図９】
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