(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
遮光膜の膜厚を変えて透過光量を制御する露光量制御用フォトマスクの製造方法において、
マスク基板上に遮光膜を堆積する工程と、
前記遮光膜上にレジストを堆積する工程と、
前記レジストに対し場所ごとに電子線照射量を変えて照射する工程と、
前記電子線照射量に応じた３次元面構造を有するレジストの形状に現像する工程と、
前記レジストと下地の遮光膜材料をエッチバックを行い、前記レジストの形状を下地の遮光膜に転写する工程と、
からなることを特徴とする露光量制御用フォトマスクの製造方法。
【請求項２】
遮光膜の膜厚を変えて透過光量を制御する露光量制御用フォトマスクの製造方法において、
マスク基板上に透明材料を堆積する工程と、
前記透明材料の膜上にレジストを堆積する工程と、
前記レジストに対し場所ごとに電子線照射量を変えて照射する工程と、
前記電子線照射量に応じた３次元面構造を有するレジストの形状に現像する工程と、
前記レジストと下地の透明絶縁材料をエッチバックを行い、前記レジストの形状を下地の透明材料に転写する工程と、
前記透明材料の溝の領域に遮光膜を堆積する工程と、
からなることを特徴とする露光量制御用フォトマスクの製造方法。
【請求項３】
遮光膜の膜厚を変えて透過光量を制御する露光量制御用フォトマスクの製造方法において、
マスク基板上に導電性透明材料を堆積する工程と、
前記導電性透明材料の膜上に絶縁性透明材料を堆積する工程と、
前記絶縁性透明材料の膜上にレジストを堆積する工程と、
前記レジストに対し場所ごとに電子線照射量を変えて照射する工程と、
前記電子線照射量に応じた３次元面構造を有するレジストの形状に現像する工程と、
前記レジストと下地の絶縁性透明材料をエッチバックを行い、前記レジストの形状を下地の絶縁性透明材料に転写する工程と、
前記絶縁性透明材料の溝の領域に、電解めっき法で遮光膜を堆積する工程と、からなることを特徴とする露光量制御用フォトマスクの製造方法。
【請求項４】
請求項１から３のいずれかの項に記載において、現像後のレジストの形状が傾斜面形状であることを特徴とする露光量制御用フォトマスクの製造方法。
【請求項５】
請求項１から３のいずれかの項に記載において、現像後のレジストの形状が凹凸曲面形状であることを特徴とする露光量制御用フォトマスクの製造方法。
【請求項６】
請求項２および請求項３の記載において、絶縁性透明材料が光硬化樹脂であることを特徴とする露光量制御用フォトマスクの製造方法。
【請求項７】
請求項１に記載された露光量制御用フォトマスク製造方法を用いて、前記マスク基板上に３次元面構造の遮光膜のある領域と前記遮光膜の無い領域が構成されていることを特徴とする露光量制御用フォトマスク。
【請求項８】
請求項３に記載された露光量制御用フォトマスク製造方法を用いて、前記マスク基板上に導電性透明材料、絶縁性透明材料の順に堆積させた膜が設けられ、前記絶縁性透明材料の膜上に３次元面構造の遮光膜のある領域と前記遮光膜の無い領域が構成され、前記絶縁性透明材料の溝に堆積された遮光膜を有することを特徴とする露光量制御用フォトマスク。
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、マイクロレンズ、マイクロマシン、マイクロギア、光集積回路、反射型液晶表示装置およびマイクロコイルなど３次元の面構造体を製造する際に使用される露光量制御用フォトマスクおよびその製造方法に関する。
背景技術
従来、例えば特許公報第３１３２７２７号に記載されているマイクロコイルのような３次元の面構造体を形成する技術にフォトリソグラフィー技術がある。該フォトリソグラフィー技術では、透過光の光量を連続的に制御できる露光量制御用フォトマスクが用いられる。該露光量制御用フォトマスクには次のようなものがある。
第１の露光量制御用フォトマスクは、特開平６−２７６３６公報、特開平１１−２３７６２５公報の従来技術に記載されている図１３に示すような遮光膜を階段状に積層して、透過光の光量を制御するマスクである。第２の露光量制御用フォトマスクは、特開平９−７１１５公報、特開平５−１４７２５公報に記載されている図１４に示すような遮光膜に選択的に描画したドットパターン（もしくは穴）で、遮光領域の開口率を調節して、透過光の光量を制御するマスクである。第３の露光量制御用フォトマスクは、特開平１１−２３７６２５公報に報告されているように曲面状凹凸部を有する型面が備えられた転写型を用意し、マスク基板上の光透過量を調整する樹脂層に押し付け、該樹脂層上に曲面状凹凸部を転写・形成し、次に紫外線等を照射して該樹脂層を硬化する。このようにして形成した該樹脂層の曲面状凹凸部の膜厚によって、透過光の光量が制御されるマスクである。
しかしながら、第１の露光量制御用フォトマスクは、表面の凹凸部の形状が階段状であり、従って、該露光量制御用フォトマスクを作製する際には凹凸部の段部を一段ずつ形成しているため、感光性樹脂を塗布、露光、現像するフォトリソグラフィーを繰り返し行う必要があり、コストが高くなってしまう。また、表面の凹凸部が階段状であるので、このままの状態で転写しようとする基板上の感光性樹脂も階段状凹凸部になってしまう。曲面状凹凸部にするには、感光性樹脂の表面にオーバーコート剤を塗布、焼成し、オーバーコート層を形成しなければならない。しかしながら、塗布、焼成工程では感光性樹脂層を曲面状凹凸部の形状に制御することは困難であった。
第２の露光量制御用フォトマスクにおいては、透過光の光量がドットパターン（もしくは穴）のサイズに律速されてしまい、感光性樹脂の横方向の寸法制御および膜厚制御が困難であった。
第３の露光量制御用フォトマスクにおいては、第１および第２の露光量制御用フォトマスクに比べて、なめらかな曲面状凹凸部を有しているので、感光材にもなめらかな曲面状凹凸部の転写が可能である。
特開平１１−２３７６２５公報によれば、凸部の頂部間のピッチは、曲面状凹凸部の高さの１倍ないし１００倍程度、好ましくは２５倍程度であり、例えば、曲面状凹凸部の高さが１．２ミクロンのとき、凸部の頂部間のピッチは３０ミクロン程度と書かれている。機械的に押し付けて型を転写する方法では、よりピッチの狭い凹凸形状を安定して形成することは難しい。
次に、従来のマイクロレンズの形成方法について説明する。
マイクロレンズは、固体撮像素子として、各画素毎に設けられ、各画素に入った光を有効に受光素子に集光するようにして感度を高めるために用いられる。
従来のマイクロレンズの形成方法を図１５（１）〜（４）の工程に従って説明する。
固体撮像素子のパッシベーション膜１１の上に形成された平坦化膜１２上にレンズ材膜１３を堆積する。その後、レジスト膜１４を全面的に堆積する（図１５（１））。続いて、レジスト膜１４を露光、現像して、各画素毎に分離独立したパターンを形成する。具体的には、各レジスト膜１４が受光素子１５上に位置するようにパターニングする（図１５（２））。次に、加熱溶融処理（リフロー）によりレジスト膜１４を凸曲面形状（凸レンズ）に整形する（図１５（３））。更に、酸素と堆積性を有するガスとの混合ガスによりレジスト膜１４及びレンズ材膜１３をエッチバックし、上記凸曲面形状をレンズ材膜１３に転写することによりマイクロレンズ１６が形成される（図１５（４））。
なお、図１５に示している他の符号について説明する。１５は受光素子、１７は半導体基板、１８は多結晶シリコンからなる垂直転送電極、１９はアルミニウムからなる遮光膜である。
ところで、前述した従来のマイクロレンズの形成方法には、レジストをレンズ形状に形成するのに加熱溶融させて整形しているが、加熱温度および加熱時間だけでは形成できるレンズ形状に制約があり、そして細かな曲面状凹凸部を制御するのは難しい。
本発明は、前記従来技術の問題に鑑みてなされたもので、その目的は非接触で、露光量制御用フォトマスク上の遮光膜がよりなめらかな曲面状凹凸部に形成できて、凸部の頂部間のピッチをより狭いピッチに形成することが可能な露光量制御用フォトマスクとその製造方法を提供することにある。
本発明の他の目的は、前記露光量制御用フォトマスクを用いて、一旦レジストにレンズ形状を転写し、次に該レジストとともに下地材料をエッチバックして、下地材料にレンズ形状を転写する形成方法を提供することにある。
本発明の他の目的は、上記露光量制御用フォトマスクを用いて露光量を制御した光を、光硬化樹脂に照射して形成したレンズおよびその形成方法を提供することにある。
発明の開示
本発明は、露光量制御用フォトマスク上の遮光膜２の断面が図１や図２のような傾斜面形状に形成するものである。すなわち、電子線描画装置において、遮光膜を堆積したフォトマスク基板３にレジストを塗布し、レジストの場所ごとに電子線照射量を変えて照射を行い、その後現像してレジスト６を電子線照射量に応じた３次元面構造に形成する。その後、エッチング工程において、レジストに形成された３次元面構造を下地の材料に転写エッチングを行い、下地材料を３次元面構造に形成する。
本発明は、上記の３次元面構造は、第１図や第２図に示した傾斜面形状に限定されるものでなく、凹曲面や凸曲面からなる曲面状凹凸部を含む。上記電子線照射量の制御は、電子線の照射強度を変えるか、もしくは照射強度を一定にして照射回数や照射時間を変えることで実現できる。以下の例示の説明においては、発明を理解し易くするため、３次元面構造のうちの曲面状凹凸部の形成について説明する。
第１図は前記した方法で作成された露光量制御用フォトマスク（Ａ）の断面を示しており、入射光１および該露光量制御用フォトマスクを通過した後の光の明暗４を表した模式図である。ここで２は遮光膜、３はガラス基板である。
図２は前記の製造方法とは異なる方法で形成された露光量制御用フォトマスク（Ｂ）の断面を示しており、入射光および透過後の光の明暗を表した模式図である。その方法とはガラス基板３の上に例えば透明な有機樹脂や酸化物などの材料５を堆積した後にレジストを積層する。その後、上述した電子線フォトリソグラフィでレジストを曲面状凹凸部に形成し、さらに転写エッチングで下地の透明材料５を曲面状凹凸部に形成する。次に遮光膜材料２を全面堆積する。この後、全面エッチングまたは研磨などの方法で適当な厚さに形成する。
図１の露光量制御用フォトマスク（Ａ）は遮光膜に曲面状凹凸部が形成されるが、図２の露光量制御用フォトマスク（Ｂ）は透明材料に曲面状凹凸部が形成される。該遮光膜を堆積する方法にはいくつかの方法がある。遮光膜の材料が有機材料ならば塗布やＣＶＤなどの方法、クロムなどの金属ならば蒸着、スパッタリング法およびめっき法がある。めっき法の一種、電解めっき法でクロムなどの金属を堆積する時には、あらかじめガラス基板の上に光を透過させる導電性金属、例えばＩＴＯ（インジウム−錫酸化物）などの透明導電性金属を堆積しておくと緻密なめっきが可能である。
次に、図２の露光量制御用フォトマスクと同じく前記導電性金属の上に透明な絶縁体材料５を面形状に形成する。この後、電解めっきを行い金属を堆積する。電解めっきでは、電極（ＩＴＯ）からの距離に応じて電界の強さが異なり、めっきの成長速度が変わる。電極（ＩＴＯ）に近い所、すなわち絶縁体材料が薄い所ほど速く、遠い所、すなわち絶縁体材料が厚い所ほど遅くなる。めっきの厚みが適当な厚さになるように電圧および電流を制御することで、均一な厚みの遮光膜を形成できる。
本発明の露光量制御用フォトマスクを用いれば、光硬化型樹脂に直接電子線を描画して曲面状凹凸部が形成でき、前記したレジストに描画する工程を省くことができる。
本発明の露光量制御用フォトマスクを用いてレンズを形成する方法では、基板に塗布したレジスト膜を、露光量制御露光法により露光光量を場所毎に変えて露光し、現像後のレジストの膜厚を制御することで、曲面状凹凸部としてレジストをレンズ形状に整形する。
本発明の露光量制御用フォトマスクを用いてレンズを形成する方法では、透明な基板に堆積させた光硬化樹脂を、透明な基板側または上面から露光することで、光硬化樹脂をレンズ形状に形成する。
発明を実施するための最良の形態
本発明の実施例を添付の図面に従ってより詳細に説述する。図１は露光量制御用フォトマスク（Ａ）、図２は露光量制御用フォトマスク（Ｂ）の各々の断面図を示している。
両フォトマスク共、透過光量を制御する性能は同じだが、遮光膜の材料により作成方法が異なる。遮光膜とレジストのエッチング比率が比較的等しい場合は、図１の露光量制御用フォトマスク（Ａ）を作成できるが、エッチング比率が大きく異なる場合は、難しい。この時、遮光膜とレジストの間にエッチング比率が遮光膜とレジスト各々に近い値の第３の膜を置き、順次エッチバックして下地の材料に転写・形成することもできる。必要に応じて、さらに第４、第５の膜を追加しても良い。しかし、遮光膜とレジストの間に他の膜を置くと、エッチバック工程が増え、加工精度も下がってしまう。そこで露光量制御用フォトマスク（Ａ）と同じ性能を有する図２の露光量制御用フォトマスク（Ｂ）を作成すると良い。
先ずガラス基板の上に遮光膜が形成された構造の露光量制御用フォトマスク（Ａ）について説明する。
（実施例１）
実施例１は、図１に示す露光量制御用フォトマスク（Ａ）およびその製造方法に関するものである。図３（１）〜（５）は実施例１の露光量制御用フォトマスク（Ａ）を製造する工程の説明図である。
図３（１）に示すマスク基板３上に遮光膜２を堆積し（図３（２））、更にレジスト６を堆積する（図３（３））。このレジスト６に対し場所ごとに照射強度を変える、もしくは照射強度を一定にして照射回数や照射時間を変え、照射量を制御して照射を行い、その後現像してレジスト６を曲面状凹凸部に形成する（図３（４））。次に、前記レジスト６と下地の材料（遮光膜）のエッチング比率を同じにしてエッチバックを行い、レジスト６の曲面状凹凸部の形状を下地の遮光膜２に転写する（図３（５））。
ここではレジストと下地材料の膜厚を等しくして、各々のエッチング速度を同じになる条件で転写エッチングを行っているが、必ずしも同じ膜厚、同じエッチング速度になる条件でなくとも良い。最終的に所望の曲面状凹凸部が下地材料に形成できる条件であれば良い。
（実施例２）
実施例２は、図２に示す露光量制御用フォトマスク（Ｂ）およびその製造方法について説明する。
マスク基板３上に酸化膜などの透明材料５を堆積する。次にレジストを堆積する。該レジストに対し場所ごとに照射強度を変える、もしくは照射強度を一定にして照射回数や照射時間を変え、照射量を制御して照射を行い、その後現像してレジストの厚みを曲面状凹凸部に形成する。前記レジストと下地の絶縁体材料のエッチング比率を同じにして、エッチバックを行い、レジストの形状を下地の絶縁体材料５に転写する。前記絶縁体材料の上に遮光膜２を堆積させた後、所望の膜厚まで全面エッチングもしくは研磨する。
上記実施例において、マスク基板自体を曲面状凹凸部に形成することで、酸化膜などの透明材料をマスク基板上に堆積する工程を省略することもできる。マスク基板の材料には、ソーダガラス、石英ガラスがある。遮光膜の材料には、クロムなどの金属、酸化クロムなどの金属酸化膜、染料や顔料などの光吸収材料を分散させた樹脂（光吸収性樹脂）があり、前記材料の単独もしくは複数の積層構造である。クロムの堆積にはスパッタ法、蒸着法、めっき法など、樹脂の堆積には塗布法などがある。前記材料以外にも、露光に用いる光の波長に応じた他のマスク基板材料や遮光膜材料を用いることができる。
次に露光量制御用マスク（Ｂ）の一部変更した例を図４（１）〜（８）に従って説明する。
ＩＴＯなどの透明な導電性材料を電極として用いて電解めっき法を行って曲面形状を作成する露光量制御用フォトマスク（Ｂ）の作成工程の説明図である。図４（１）に示すマスク基板３上にＩＴＯなどの透明な導電性材料７を堆積し（図４（２））、その後に酸化膜などの透明絶縁膜５を堆積する（図４（３））。更にレジスト６を堆積する（図４（４））。該レジスト６に対し場所ごとに電子線照射量を変えて照射を行い、その後現像してレジスト６の厚みを曲面状凹凸部に形成する（図４（５））。前記レジスト６と下地の絶縁体材料のエッチング比率を同じにして、エッチバックを行い、レジスト６の形状を下地の絶縁体材料５に転写する（図４（６））。図４（２）で堆積した透明導電膜７を電極にして、電解めっき法でクロムなどの金属遮光膜材料２を堆積させた後（図４（７））、所望の膜厚まで全面エッチングもしくは研磨する（図４（８））。なお、前記電解めっき法でめっき成長の膜厚が十分に制御できるならば、前記全面エッチングもしくは研磨の工程は省略できる。
前記実施例２の工程を一部変更、すなわち電解めっきを用いないで図２の露光量制御用フォトマスク（Ｂ）を製造する方法を説明する。
マスク基板３上に酸化膜などの透明絶縁膜５を堆積する。次にレジスト６を堆積する。該レジスト６に対し場所ごとに電子線照射量を変えて照射を行い、その後現像して該レジスト６を曲面状凹凸部に形成する。該レジスト６と下地の絶縁体材料のエッチング比率を同じにして、エッチバックを行い、該レジスト６の形状を下地の絶縁体材料５に転写エッチングして曲面状凹凸部を形成する。次に、遮光膜の材料を堆積する。その後、所望の膜厚まで全面エッチングもしくは研磨して完成する。
実施例（２）の工程を一部変更した製造方法において、該透明絶縁膜を酸化膜の代わりに光硬化樹脂を用いると、電子線露光で直接光硬化樹脂に曲面状凹凸部を形成することができるので、レジストへ描画する工程および転写エッチング工程を省くことができる。また、レーザーやイオンビームを用いて直接遮光膜に曲面状凹凸部を形成することもできる。また、遮光膜の材料となる元素をビームを利用して基板に打ち込んで、濃度を調節する方法もある。
本発明の実施態様として、露光量制御用フォトマスクは投影露光装置に適用されるだけでなく、反射型露光装置のフォトマスクにも適用される。すなわち、反射型ミラーマスク基板上の遮光膜を曲面状凹凸部に形成し、遮光膜の膜厚に比例して光の反射する光量が制御されるフォトマスクである。また露光装置で用いられる光の種類は、紫外線、近紫外線、Ｘ線、軟Ｘ線などがある。
次に本発明の露光量制御用フォトマスクを用いたレンズの製造について説明する。
マイクロレンズの形成時において、レンズ材膜の上にレジスト膜を形成し、該レジスト膜を露光量制御露光法で露光し、これを現像することで、レジストをレンズ形状に整形する。この整形には下地材料をレンズ材膜にして直接レンズ形状を形成する方法と、下地材料を型枠に用いてその上にレンズ材膜を堆積し、間接的にレンズ形状を形成する方法がある。上記露光量制御露光法は、マスクを用いた露光装置において、レジストへの露光量を場所毎に変えることにより、現像後のレジストの膜厚を制御する方法である。
また、レジストもしくはレンズ材膜の代わりに、光硬化型樹脂を代用することもできる。すなわち、レジストの代用として用いると、直接光を露光量制御した光を照射するだけでレンズ形状に形成できる。レンズ材膜の代用として用いると、たとえばレンズ形状の型枠に光硬化樹脂を満たし、その後全面に光を照射することで、レンズ型枠内の光硬化樹脂がレンズ形状に形成される。
以下、本発明のマイクロレンズの形成方法を図示実施例に従って詳細に説明する。
（具体例１）
図７（１）〜（３）は本発明マイクロレンズの形成方法の一例を工程順に示す断面図である。
固体撮像素子のパッシベーション膜１１の上に形成された平坦化膜１２上にレンズ材膜１３を形成する。その後、該レジスト膜１４を全面的に形成する（図７（１））。レジスト膜１４を露光量制御露光法により露光し現像することで、各画素毎に分離独立するようにパターニングするとともに、各画素の形状が凸レンズ形状になる（図７（２））。その後、酸素と堆積性を有するガスとの混合ガスによりレジスト膜１４及びレンズ材膜１３をエッチバックして、前記凸レンズ形状をレンズ材膜１３に転写することによりマイクロレンズ１６が形成される。
１７は半導体基板、１８は多結晶シリコンからなる垂直転送電極、１９はアルミニウムからなる遮光膜、２０は開口である。
図８は、凸状のマイクロレンズを形成する為、凸レンズ露光量制御用フォトマスクで露光・現像した後の凸レンズ形状のレジストと露光量制御用フォトマスクの関係を示す概観図である。また、図９は、凹状のマイクロレンズを形成する為、凹レンズ露光量制御用フォトマスクで露光・現像した後の凹レンズ形状のレジストと露光量制御用フォトマスクの関係を示す概観図である。
（具体例２）
層内レンズの形成方法を図示実施例に従って詳細に説明する。図１０（１）〜（４）は層内レンズの形成方法の一例を工程順に示す断面図である。
固体撮像素子のパッシベーション膜１１の上に、該レジスト１４を全面的に形成する（図１０（１））。レジスト膜１４を露光量制御露光法を用いて露光、現像することにより、パターニングされたレジストの形状を凹レンズ形状に形成する（図１０（２））。その後、酸素と堆積性を有するガスとの混合ガスによりレジスト膜１４及びパッシベーション膜１１をエッチバックして前記凹曲面形状をパッシベーション膜１１に転写する（図１０（３））。最後に、レンズ材膜（ここでは平坦化膜）を堆積させて、層内レンズ１１が完成する（図１０（４））。
本例では、図１０（４）に示すようにパッシベーション膜１１を凹レンズ形状に形成しているが、必ずしもパッシベーション膜１１でなくても良い。すなわちその上の平坦化膜をレンズ形状に整形しても良いし、さらにその上にレンズ材膜となる材料を堆積させ、その材料にレンズ形状を形成しても良い。この図では、上部のマイクロレンズである凸レンズ、下部の層内レンズである凹レンズが離れて形成されているが、上下のレンズを接続して両凸レンズに形成することもできる。
また、レジストの代わりに光硬化樹脂を用いて、直接レンズ形状を形成することもできる。すなわち、ガラス基板やプラスティック基板などの透明な基板に光硬化樹脂を堆積させ、露光量制御露光法でガラス基板側または上部から露光することで、ガラス基板上に凸レンズ形状および凹レンズ形状の光硬化樹脂を硬化・整形できる。
図１１および図１２は光軸が基板面に対して水平なレンズを形成するための露光量制御用フォトマスクとこのマスクを用いて露光・現像した後のレジスト形状を示した概観図である。
上記露光量制御用フォトマスクを用いて、図７のマイクロレンズおよび図１０の層内レンズの形成方法で形成し、上下に積層すれば基板面に対して光軸が水平な一つの平凸レンズを形成できる。その他にも、両凸レンズ、両凹レンズ、凸メニスカスレンズ、凹メニスカスレンズ、非球面レンズ、フレネルレンズ、回折格子など様々な形状のレンズも形成できる。また、基板面に対して光軸が任意の角度を持ったレンズも形成できる。すなわち、最初にレンズの下面となる部分の形状の型枠を形成し、次にレンズ材を堆積、さらにレンズの上面となる部分の形状を形成して完成する。
産業上の利用可能性
以上のように、本発明の露光量制御用フォトマスクを用いることで、より小さくて、緻密な３次元面構造の立体形状を形成できるので、マイクロコイル、マイクロ歯車、マイクロマシンの超精密部品などの製造が可能である。
また、マイクロレンズ、反射型液晶表示装置、光集積回路の部品などの製造が可能である。例えば、マイクロレンズの製造に本発明の露光量制御用フォトマスクを用いることで、従来の加熱溶融方法では形成不可能な形状のレンズ（例えば、光軸が基板面に対して水平なレンズや傾斜したレンズ）、サイズの小さなレンズを高精度に形成することができる。しかも加熱溶融工程を省略できる。
【図面の簡単な説明】
第１図は、入射光、露光量制御用フォトマスク（Ａ）および透過光の関係を示す図である。
第２図は、入射光、露光量制御用フォトマスク（Ｂ）および透過光の関係を示す図である。
第３図は、露光量制御用フォトマスク（Ａ）の作成工程図である。
第４図は、透明な導電性材料を電極に用いて電解めっき法で作成する露光量制御用フォトマスク（Ｂ）の作成工程図である。
第５図は、露光量制御用フォトマスクとこのマスクで露光・現像した後のレジストの形状と透過光の明暗の関係を示す概観図である。
第６図は、露光量制御用フォトマスクとこのマスクで露光・現像した後のレジストの形状と透過光の明暗の関係を示す概観図である。
第７図は、本発明の露光量制御用フォトマスクを用いたマイクロレンズの形成方法を工程順に示す断面図である。
第８図は、露光量制御用フォトマスクおよび現像後のレジストの凸レンズ形状の関係を示す概観図である。
第９図は、露光量制御用フォトマスクおよび現像後のレジストの凹レンズ形状の関係を示す概観図である。
第１０図は、本発明の露光量制御用フォトマスクを用いた層内レンズの形成方法の工程順を示す断面図である。
第１１図は、基板面に対して光軸が水平なレンズの上半分を形成するための、露光量制御用フォトマスクと現像後のレジストの形状の関係を示した概観図である。
第１２図は、基板面に対して光軸が水平なレンズの下半分を形成するための、露光量制御用フォトマスクと現像後のレジストの形状の関係を示した概観図である。
第１３図は、従来の階段型マスクによる入射光および透過光の関係を示す図である。
第１４図は、従来のドットパターン（もしくは穴）型マスクによる入射光および透過光の関係を示す図である。
第１５図は、従来のマイクロレンズの形成方法を工程順に示す断面図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
0004557242.tif 000014
【図１４】
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【図１５】
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