(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に導体回路と層間樹脂絶縁層とが順次積層され、これらの導体回路がバイアホールを介して接続されてなる多層プリント配線板の製造方法であって、
少なくとも下記（Ａ）〜（Ｆ）の工程を含むことを特徴とする多層プリント配線板の製造方法。
（Ａ）前記基板または前記層間樹脂絶縁層の表面に触媒を付与する工程、
（Ｂ）前記触媒の付与された前記基板または前記層間樹脂絶縁層に、０．０１〜０．２５ｍｏｌ／ｌのアルカリ性化合物、および、０．１〜０．３ｍｏｌ／ｌの還元剤を含む水溶液からなる無電解めっき用前処理液を用いて前処理を施す工程、
（Ｃ）前処理が施された前記基板または前記層間樹脂絶縁層上にアルカリ性化合物、還元剤、銅イオン、酒石酸もしくはその塩並びにニッケルイオン、コバルトイオンおよび鉄イオンからなる群から選ばれる少なくとも１種の金属イオンを含む水溶液からなる無電解めっき液を用いて無電解めっき膜を形成する工程、
（Ｄ）前記無電解めっき膜の一部にめっきレジストを形成する工程、
（Ｅ）前記めっきレジスト非形成部に電解めっき膜を形成する工程、および、
（Ｆ）前記めっきレジストを剥離した後、前記めっきレジスト下の無電解めっき膜を除去する工程。
【請求項２】
（Ｂ）の工程における前記無電解めっき用前処理液の液温度は、２０〜５０℃である請求項１に記載の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項３】
（Ｂ）の工程における前処理時間は、０．５〜５分である請求項１または２に記載の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項４】
基板上に導体回路と層間樹脂絶縁層とが順次積層され、これらの導体回路がバイアホールを介して接続されてなる多層プリント配線板の製造方法であって、
少なくとも下記（ａ）〜（ｆ）の工程を含むことを特徴とする多層プリント配線板の製造方法。
（ａ）前記基板または前記層間樹脂絶縁層の表面に触媒を付与する工程、
（ｂ）前記触媒の付与された前記基板または前記層間樹脂絶縁層に、０．０１〜０．２５ｍｏｌ／ｌのアルカリ性化合物、および、０．１〜０．３ｍｏｌ／ｌの還元剤を含む水溶液からなる無電解めっき用前処理液を用いて前処理を施す工程、
（ｃ）前処理が施された前記基板または前記層間樹脂絶縁層上にアルカリ性化合物、還元剤、銅イオン、酒石酸もしくはその塩並びにニッケルイオン、コバルトイオンおよび鉄イオンからなる群から選ばれる少なくとも１種の金属イオンを含む水溶液からなる無電解めっき液を用いて無電解めっき膜を形成する工程、
（ｄ）前記無電解めっき膜上に電解めっき膜を形成する工程、
（ｅ）前記電解めっき膜上の一部に、エッチングレジストを形成する工程、および、
（ｆ）前記エッチングレジスト非形成部下の電解めっき膜と無電解めっき膜とをエッチング処理により除去する工程。
【請求項５】
（ｂ）の工程における前記無電解めっき用前処理液の液温度は、２０〜５０℃である請求項４に記載の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項６】
（ｂ）の工程における前処理時間は、０．５〜５分である請求項４または５に記載の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項７】
前記アルカリ性化合物の濃度は、０．０２５〜０．２５ｍｏｌ／ｌであり、
前記還元剤の濃度は、０．０３〜０．１５ｍｏｌ／ｌであり、
前記銅イオンの濃度は、０．０２〜０．０６ｍｏｌ／ｌであり、
前記酒石酸もしくはその塩の濃度は、０．０５〜０．３ｍｏｌ／ｌである
無電解めっき液を用いる請求項１〜６のいずれかに記載の多層プリント配線板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、無電解めっき用前処理液、該無電解めっき用前処理液と無電解めっき液とを組み合わせた無電解めっき用処理液、および、多層プリント配線板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、多層配線基板に対する高密度化の要請から、いわゆるビルドアップ多層配線基板が注目されている。このビルドアップ多層配線基板は、例えば、特公平４−５５５５５号公報に開示されているような方法により製造される。即ち、下層導体回路が形成されたコア基板上に、感光性樹脂からなる無電解めっき用接着剤を塗布し、これを乾燥したのち露光、現像処理することにより、バイアホール用開口を有する層間樹脂絶縁層を形成する。次いで、この層間樹脂絶縁層の表面を酸化剤等による処理にて粗化した後、該感光性樹脂層に露光、現像処理を施してめっきレジストを設け、その後、めっきレジスト非形成部分に無電解めっき等を施してバイアホールを含む導体回路パターンを形成する。そして、このような工程を複数回繰り返すことにより、多層化したビルドアップ配線基板が製造されるのである。
【０００３】
また、このようなビルドアップ多層配線基板の導体回路の形成に使用される無電解めっきとしては、ＥＤＴＡを錯化剤としたものが主流であり、例えば、特開昭６３−１５８１５６号公報および特開平２−１８８９９２号公報（米国特許第５０５５３２１号明細書、米国特許第５５１９１７７号明細書) の実施例中に、このような無電解めっき液を使用して導体回路を形成した例が記載されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、このようなＥＤＴＡを錯化剤とした無電解めっき液では、析出しためっき膜に圧縮応力（拡がろうとする力）が発生し、めっき膜が樹脂絶縁層から剥離してしまうという問題が見られた。
これは、めっき膜を形成する際に、該めっき膜中に水素を取り込んでしまい、この水素が応力発生源となって圧縮応力が発生するからである。
また、直径８０μｍ以下の微細なバイアホール内には、めっきが析出しないという問題も見られた。
【０００５】
そこで、本発明者らは、錯化剤として酒石酸を用いた場合には、めっき膜への水素の取り込みが抑制され、圧縮応力の発生しにくいめっき膜を形成することができることを見出し、先に、アルカリ性化合物、還元剤、銅イオン、ならびに、酒石酸またはその塩を含む水溶液からなる無電解めっき液を提案した。
【０００６】
しかしながら、この無電解めっき液を用いて基板表面や層間樹脂絶縁層表面に無電解めっき膜を形成した場合、めっき膜の析出が不充分である部分や未析出の部分を生じることがあり、このような現象は、バイアホール用開口付近で多く見られた。
これは、無電解めっき膜を形成する際に付与した触媒の活性化が不十分であったり、触媒を付与した後、無電解めっき処理を行うまでの間に、触媒が活性を失ってしまうためではないかと考えられる。
【０００７】
また、均一で、密着性に優れる無電解めっき膜を形成するために、通常、無電解めっき処理前に、被めっき物に前処理を施すことが行われている。
このような前処理を行う技術については、例えば、ＷＯ９６／２０２９４号公報、特開平７−２７８８２３号公報、特開平６−２９９３６０号公報等に開示されている。
【０００８】
ＷＯ９６／２０２９４号公報には、ｐＨ調整剤、還元剤および錯化剤からなる無電解めっき用前処理液が開示されている。この無電解めっき用前処理液は、金属膜の表面電位を調整することによりめっき膜の析出性を安定化させるものである。
従って、金属膜上に無電解めっき膜を形成する場合には、均一で、密着性に優れる無電解めっき膜を形成することができるが、基板や層間樹脂絶縁層の樹脂表面に無電解めっき膜を形成した場合には、均一な無電解めっき膜が形成されず、上記問題を解決することができなかった。
【０００９】
また、特開平７−２７８８２３号公報には、金属の被めっき物表面をアルカリ性水溶液で処理する方法が開示されている。上記方法によれば、被めっき物表面に水酸化物の薄い被膜が形成され、これにより、めっき膜の密着性が向上するという効果が記載されている。
しかしながら、ここで開示されている前処理液を用いて、層間樹脂絶縁層等の表面を処理した後、上述したアルカリ性化合物、還元剤、銅イオン、ならびに、酒石酸またはその塩を含む水溶液からなる無電解めっき液を用いて無電解めっき膜を形成したが、やはり均一なめっき膜が形成されず、上記問題は解決することができなかった。
【００１０】
本発明は、上述した問題を解決するためになされたものであり、その主たる目的は、被めっき物の前処理に用いることにより、バイアホール用開口の壁面を含む層間樹脂絶縁層の表面等に、均一で、密着性に優れた無電解めっきを形成することができる無電解めっき用前処理液を提供することにある。
【００１１】
また、本発明の他の目的は、上記無電解めっき用前処理液を用いた無電解めっき用処理液を提供することにある。
さらに、本発明の別の他の目的は、上記無電解めっき用前処理液や無電解めっき用処理液を用いた多層プリント配線板の製造方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記目的の実現に向け鋭意検討した結果、０．０１〜０．２５ｍｏｌ／ｌのアルカリ性化合物、および、０．１〜０．３ｍｏｌ／ｌの還元剤を含む水溶液を無電解めっき用前処理液として用いることにより、その後、無電解めっき処理を行った際に、被めっき物表面に均一にめっき膜が析出し、また、形成されためっき膜は、被めっき物との密着性に優れることを見い出し、以下に示す内容を要旨構成とする発明に到達した。
【００１３】
即ち、本発明の無電解めっき用前処理液は、０．０１〜０．２５ｍｏｌ／ｌのアルカリ性化合物、および、０．１〜０．３ｍｏｌ／ｌの還元剤を含む水溶液からなることを特徴とする。
【００１４】
また、上記無電解めっき用前処理液においては、その水溶液中に、金属イオンを含まないことが望ましい。
【００１５】
また、本発明の無電解めっき用処理液は、本発明の無電解めっき用前処理液と、アルカリ性化合物、還元剤、銅イオン、および、酒石酸もしくはその塩を含む水溶液からなる無電解めっき液と
の組み合わせからなることを特徴とする。
【００１６】
上記無電解めっき用処理液において、上記無電解めっき液は、さらに、ニッケルイオン、コバルトイオンおよび鉄イオンからなる群から選ばれる少なくとも１種の金属イオンを含む水溶液であることが望ましい。
また、上記無電解めっき用処理液においては、上記アルカリ性化合物の濃度は、０．０２５〜０．２５ｍｏｌ／ｌであり、上記還元剤の濃度は、０．０３〜０．１５ｍｏｌ／ｌであり、上記銅イオンの濃度は、０．０２〜０．０６ｍｏｌ／ｌであり、上記酒石酸もしくはその塩の濃度は、０．０５〜０．３ｍｏｌ／ｌであることが望ましい。
【００１７】
また、第一の本発明の多層プリント配線板の製造方法は、基板上に導体回路と層間樹脂絶縁層とが順次積層され、これらの導体回路がバイアホールを介して接続されてなる多層プリント配線板の製造方法であって、
少なくとも下記（Ａ）〜（Ｆ）の工程を含むことを特徴とする。
（Ａ）上記基板または上記層間樹脂絶縁層の表面に触媒を付与する工程、
（Ｂ）上記触媒の付与された上記基板または上記層間樹脂絶縁層に、本発明の無電解めっき用前処理液を用いて、前処理を施す工程、
（Ｃ）上記基板または上記層間樹脂絶縁層上に無電解めっき膜を形成する工程、
（Ｄ）上記無電解めっき膜の一部にめっきレジストを形成する工程、
（Ｅ）上記めっきレジスト非形成部に電解めっき膜を形成する工程、および、
（Ｆ）上記めっきレジストを剥離した後、上記めっきレジスト下の無電解めっき膜を除去する工程。
【００１８】
第一の本発明の多層プリント配線板の製造方法の（Ｂ）の工程における上記無電解めっき用前処理液の液温度は、２０〜５０℃であることが望ましく、また、この工程における前処理時間は、０．５〜５分であることが望ましい。
【００１９】
また、第二の本発明の多層プリント配線板の製造方法は、基板上に導体回路と層間樹脂絶縁層とが順次積層され、これらの導体回路がバイアホールを介して接続されてなる多層プリント配線板の製造方法であって、
少なくとも下記（ａ）〜（ｆ）の工程を含むことを特徴とする。
（ａ）上記基板または上記層間樹脂絶縁層の表面に触媒を付与する工程、
（ｂ）上記触媒の付与された上記基板または上記層間樹脂絶縁層に、本発明の無電解めっき用前処理液を用いて、前処理を施す工程、
（ｃ）上記基板または上記層間樹脂絶縁層上に無電解めっき膜を形成する工程、
（ｄ）上記無電解めっき膜上に電解めっき膜を形成する工程、
（ｅ）上記電解めっき膜上の一部に、エッチングレジストを形成する工程、および、
（ｆ）上記エッチングレジスト非形成部下の電解めっき膜と無電解めっき膜とをエッチング処理により除去する工程。
【００２０】
第二の本発明の多層プリント配線板の製造方法の（Ｂ）の工程における上記無電解めっき用前処理液の液温度は、２０〜５０℃であることが望ましく、また、この工程における前処理時間は、０．５〜５分であることが望ましい。
【００２１】
また、第三の本発明の多層プリント配線板の製造方法は、基板上に導体回路と層間樹脂絶縁層とが順次積層され、これらの導体回路がバイアホールを介して接続されてなる多層プリント配線板の製造方法であって、
少なくとも下記（Ａ）〜（Ｅ）の工程を含むことを特徴とする。
（Ａ）上記基板または上記層間樹脂絶縁層の表面に触媒を付与する工程、
（Ｂ）上記触媒の付与された上記基板または上記層間樹脂絶縁層に、本発明の無電解めっき用処理液を用いて、前処理を施した後、上記基板または上記層間樹脂絶縁層上に無電解めっき膜を形成する工程、
（Ｃ）上記無電解めっき膜の一部にめっきレジストを形成する工程、
（Ｄ）上記めっきレジスト非形成部に電解めっき膜を形成する工程、および、
（Ｅ）上記めっきレジストを剥離した後、上記めっきレジスト下の無電解めっき膜を除去する工程。
【００２２】
第三の本発明の多層プリント配線板の製造方法の（Ｂ）の工程における上記無電解めっき用前処理液の液温度は、２０〜５０℃であることが望ましく、また、この工程における前処理時間は、０．５〜５分であることが望ましい。
【００２３】
また、第四の本発明の多層プリント配線板の製造方法は、基板上に導体回路と層間樹脂絶縁層とが順次積層され、これらの導体回路がバイアホールを介して接続されてなる多層プリント配線板の製造方法であって、
少なくとも下記（ａ）〜（ｅ）の工程を含むことを特徴とする。
（ａ）上記基板または上記層間樹脂絶縁層の表面に触媒を付与する工程、
（ｂ）上記触媒の付与された上記基板または上記層間樹脂絶縁層に、本発明の無電解めっき用処理液を用いて、前処理を施した後、上記基板または上記層間樹脂絶縁層上に無電解めっき膜を形成する工程、
（ｃ）上記無電解めっき膜上に電解めっき膜を形成する工程、
（ｄ）上記電解めっき膜上の一部に、エッチングレジストを形成する工程、および、
（ｅ）上記エッチングレジスト非形成部下の電解めっき膜と無電解めっき膜とをエッチング処理により除去する工程。
【００２４】
第四の本発明の多層プリント配線板の製造方法の（Ｂ）の工程における上記無電解めっき用前処理液の液温度は、２０〜５０℃であることが望ましく、また、この工程における前処理時間は、０．５〜５分であることが望ましい。
【００２５】
【発明の実施の形態】
本発明の無電解めっき用前処理液は、０．０１〜０．２５ｍｏｌ／ｌのアルカリ性化合物、および、０．１〜０．３ｍｏｌ／ｌの還元剤を含む水溶液からなることを特徴とする。
【００２６】
上記無電解めっき用前処理液は、０．０１〜０．２５ｍｏｌ／ｌのアルカリ性化合物、および、０．１〜０．３ｍｏｌ／ｌの還元剤を含む水溶液からなるので、この無電解めっき用前処理液を被めっき物の前処理に用いることにより、無電解めっき時に、被めっき物の表面に均一で、密着性に優れる無電解めっき膜を形成することができる。
【００２７】
通常、無電解めっき処理においては、予め、被めっき物表面に触媒を付与しておく必要があり、例えば、パラジウム金属等を触媒として被めっき物表面に析出させた後、無電解めっき処理を行うのであるが、このようにして被めっき物表面に析出させたパラジウムは、空気中または水中に放置しておくと酸化され、触媒としての活性を失ってしまう。
しかしながら、被めっき物表面に触媒を付与した後、上記無電解めっき用前処理液を用いて前処理を施すことにより、酸化されて活性を失っていた触媒を再び還元し、触媒としての活性を取り戻させることができる。
【００２８】
上記アルカリ性化合物としては、例えば、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化リチウム、水酸化カルシウム等が挙げられる。
また、これらのアルカリ性化合物の濃度が、０．０１ｍｏｌ／ｌ未満では、無電解めっき用前処理液のｐＨが低く、還元剤による還元作用が不充分な場合があり、一方、アルカリ性化合物の濃度が、０．２５ｍｏｌ／ｌを超えると、還元剤が分解してしまうことがあるため、アルカリ性化合物の濃度は上記範囲に限定される。
【００２９】
上記還元剤としては、例えば、次亜リン酸ナトリウム、アルデヒド、水素化ホウ素、ヒドラジン等が挙げられる。
また、これらの還元剤の濃度が、０．１ｍｏｌ／ｌ未満では、還元作用がほとんどなく、一方、還元剤の濃度が、０．３ｍｏｌ／ｌを超えても、その還元作用はほとんど変わらず、経済的に不利になるだけであるため、還元剤の濃度は上記範囲に限定される。
【００３０】
また、上記無電解めっき用前処理液は、その水溶液中に、金属イオンや錯化剤を含まないことが望ましい。
金属イオンや錯化剤が含まれている場合には、上記無電解めっき用前処理液を用いて被めっき物表面に前処理を施した際に、該被めっき物表面の活性化された触媒が金属イオン等と反応し、活性化が不充分な触媒が増加する。この場合、無電解めっき処理時の初期反応性が抑制され、めっき膜が均一に析出しないこととなる。
【００３１】
この理由を、触媒としてパラジウムを用いた場合を例にとって説明する。
すなわち、被めっき物を、例えば、塩化パラジウムを含む溶液中に浸漬した際には、パラジウムイオンが他の金属イオンにより還元され、被めっき物表面にパラジウム金属として析出し、このパラジウム金属が触媒としての活性を有することとなる。
ここで、パラジウム金属が酸化されると、触媒としての活性が失われてしまう。その結果、触媒としての活性を有するパラジウム金属の割合が減少し、これが、めっき時の初期反応性の低下につながるため、被めっき物表面にめっき膜が均一に析出しないこととなる。
【００３２】
本発明では、被めっき物に触媒を付与した後、本発明の無電解めっき用前処理液を用いて前処理を施すので、この前処理により触媒を充分に活性化することができ、その結果、無電解めっき処理を施すことにより、均一で、密着性に優れる無電解めっき膜を形成することができる。
【００３３】
次に、本発明の無電解めっき用処理液について説明する。
上記無電解めっき用処理液は、本発明の無電解めっき用前処理液と、アルカリ性化合物、還元剤、銅イオン、および、酒石酸もしくはその塩を含む水溶液からなる無電解めっき液との組み合わせからなることを特徴とする。
【００３４】
上記無電解めっき用処理液は、樹脂からなる被めっき物の表面に、均一で、密着性に優れた無電解めっき膜を形成する際に用いる処理液として適している。これは、上記無電解めっき用前処理液により、被めっき物表面に付与された触媒を充分に活性化することができ、上記無電解めっき液により形成されるめっき膜は、水素の取り込み量が少なく、適度な引っ張り強度を有するものだからである。
【００３５】
上記無電解めっき用処理液の無電解めっき液において、上記アルカリ性化合物としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アンモニア等が挙げられる。
また、その濃度は、０．０２５〜０．２５ｍｏｌ／ｌであることが望ましい。
アルカリ性化合物の濃度を上記範囲に調整することにより、めっき析出速度を１〜２μｍ／時間に低減させることができるため、被めっき物表面に均一な無電解めっき膜を形成することができる。特に、該被めっき物が開口径の小さい貫通孔や非貫通孔を有している場合であっても、貫通孔や非貫通孔の壁面にも均一で、密着性に優れる無電解めっき膜を形成することができる。
【００３６】
上記還元剤としては、例えば、ホルムアルデヒド、次亜リン酸ナトリウム、ＮａＢＨ4 、ヒドラジン等が挙げられる。
また、その濃度は、０．０３〜０．１５ｍｏｌ／ｌであることが望ましい。
還元剤の濃度を上記範囲に調整することより、めっき析出速度を１〜２μｍ／時間に低減させることができるからである。
【００３７】
上記銅イオンを形成するための化合物としては、例えば、硫酸銅、塩化銅等が挙げられる。
また、その濃度は、銅イオンの濃度で０．０２〜０．０６ｍｏｌ／ｌであることが望ましい。
銅イオンの濃度を上記範囲に調整することにより、被めっき物が開口径の小さい貫通孔や非貫通孔を有する場合であっても、該貫通孔や非貫通孔の壁面に均一で、密着性に優れる無電解めっき膜を形成することができる。
【００３８】
上記酒石酸の塩としては、例えば、ナトリウム塩、カリウム塩等が挙げられ、これらの塩は、２個のカルボキシル基のうち、１個のみが上記金属により置換された塩であってもよく、２個とも上記金属により置換された塩であってもよい。
また、その濃度は、０．０５〜０．３ｍｏｌ／ｌであることが望ましい。
酒石酸またはその塩の濃度を上記範囲に調整することにより、特に、被めっき物との密着性により優れる無電解めっき膜を形成することができる。
【００３９】
また、上記無電解めっき液は、さらに、ニッケルイオン、コバルトイオンおよび鉄イオンからなる群から選ばれる少なくとも１種の金属イオンを含んでいることが望ましい。
これは、水素の発生を抑制し、その結果、めっき膜に適度の引っ張り応力が発生して基材に密着するため、めっき膜の剥離が発生しにくいからである。
【００４０】
上記ニッケルイオンを形成するための化合物としては、例えば、塩化ニッケル、硫酸ニッケル等が挙げられ、上記コバルトイオンを形成するための化合物としては、例えば、塩化コバルト等が挙げられ、上記鉄イオンを形成するための化合物としては、例えば、塩化鉄等が挙げられる。
【００４１】
次に、第一の本発明の多層プリント配線板の製造方法について説明する。
第一の本発明の多層プリント配線板の製造方法は、基板上に導体回路と層間樹脂絶縁層とが順次積層され、これらの導体回路がバイアホールを介して接続されてなる多層プリント配線板の製造方法であって、
少なくとも下記（Ａ）〜（Ｆ）の工程を含むことを特徴とする。
（Ａ）上記基板または上記層間樹脂絶縁層の表面に触媒を付与する工程、
（Ｂ）上記触媒の付与された上記基板または上記層間樹脂絶縁層に、本発明の無電解めっき用前処理液を用いて、前処理を施す工程、
（Ｃ）上記基板または上記層間樹脂絶縁層上に無電解めっき膜を形成する工程、
（Ｄ）上記無電解めっき膜の一部にめっきレジストを形成する工程、
（Ｅ）上記めっきレジスト非形成部に電解めっき膜を形成する工程、および、
（Ｆ）上記めっきレジストを剥離した後、上記めっきレジスト下の無電解めっき膜を除去する工程。
【００４２】
第一の本発明の多層プリント配線板の製造方法によれば、基板や層間樹脂絶縁層の表面に本発明の無電解めっき用前処理液を用いて、前処理を施した後、無電解めっき処理、電解めっき処理等を施すことにより導体回路を形成するため、基板や層間樹脂絶縁層と導体回路との密着性が優れたものとなり、信頼性、電気特性に優れた多層プリント配線板を製造することができる。
【００４３】
ここでは、まず、上記（Ａ）〜（Ｆ）の工程、即ち、基板または層間上記絶縁層上に導体回路を形成する工程について説明することとし、多層プリント配線板を製造する全製造工程については、後述することとする。
【００４４】
第一の本発明の多層プリント配線板の製造方法においては、基板または層間樹脂絶縁層の表面に触媒を付与する。
上記触媒としては、例えば、パラジウム金属等が挙げられ、該パラジウム金属は、例えば、下記する方法により付与することができる。
なお、基板や層間樹脂絶縁層の材質等については、後に詳述する。
【００４５】
また、基板または層間樹脂絶縁層の表面には、触媒を付与する前に、予め、粗化面を形成しておくことが望ましい。後工程で形成する無電解めっき膜との密着性を向上させることができるからである。
また、粗化面を形成した場合、該粗化面上に形成される無電解めっき膜は、粗化面の凹凸をトレースして形成され、粗化面の凸部では、粗化面の凹部に比べて無電解めっき膜の厚さが相対的に厚くなっており、以下のような利点を有することとなる。
【００４６】
即ち、無電解めっき膜形成後に、めっきレジストを設け、続いて、電解めっきを行って厚いめっき膜を形成し、めっきレジストを除去してめっきレジスト下の無電解めっき膜をエッチング除去する、いわゆるセミアディティブ法では、凹部の無電解めっき膜が凸部に比べて相対的に薄いほうがエッチングし易く、このエッチングにより容易にめっき膜全体を完全に除去することができるので、エッチング残りが発生することはなく、形成した回路間の絶縁信頼性にも優れる。
【００４７】
上記触媒としてパラジウム金属を用いる場合には、例えば、下記の方法を用いて、触媒を付与することができる。
即ち、基板や、基板上に導体回路と層間樹脂絶縁層とを少なくとも一層づつ積層した配線板（以下、層間樹脂絶縁層形成配線板ともいう）を、塩化パラジウム（ＰｂＣｌ2 ）と塩化第一スズ（ＳｎＣｌ2 ）とを混合した触媒液中に浸漬し、第一スズイオンの還元力により、パラジウムイオンをパラジウム金属として基板や層間樹脂絶縁層形成配線板の表面に析出させることにより、触媒を付与することができる。
【００４８】
次に、上記触媒の付与された上記基板または上記層間樹脂絶縁層に、本発明の無電解めっき用前処理液を用いて、前処理を施す。
上記前処理は、基板や層間樹脂絶縁層形成配線板を上記無電解めっき用前処理液中に浸漬することにより行う。
【００４９】
このとき、上記無電解めっき用前処理液の温度は、２０〜５０℃であることが望ましい。
上記無電解めっき用前処理液の温度が２０℃未満では、前工程で付与した触媒を充分に還元することができず、未還元の触媒の割合が増えるため、反応性、即ち、めっき膜の析出性が不充分の場合あり、一方、上記液温度が５０℃を超えると、還元剤が劣化しやすく、また、めっき時の反応性もほとんど向上しないため、経済的に不利である。
より望ましい液温度は、２５〜４０℃である。
【００５０】
また、無電解めっき用前処理液中への浸漬時間、即ち、前処理時間は、０．５〜５分間であることが望ましい。
上記前処理時間が０．５分未満では、前工程で付与した触媒を充分に還元することができないことがあり、一方、前処理時間が５分を超えても、めっき時の反応性はほとんど向上しないからである。
【００５１】
次に、上記前処理を施した基板または層間樹脂絶層上に無電解めっき膜を形成する。
上記無電解めっき膜は、基板や層間樹脂絶縁層形成配線板を無電解めっき液中に浸漬することにより形成することができる。
ここで用いる無電解めっき液は特に限定されず、上記した無電解めっき液のほか、従来公知の無電解めっき液を用いることができる。
【００５２】
次に、上記無電解めっき膜の一部、即ち、導体回路非形成部に相当する部分にめっきレジストを形成する。
上記めっきレジストは、例えば、感光性ドライフィルムを張り付けたり、液状レジストを塗布した後、露光現像処理を施すことにより形成することができる。
【００５３】
さらに、上記めっきレジスト非形成部に、電解めっき膜を形成する。
上記電解めっき膜を形成は、既に形成した無電解めっき膜をめっきリードとして行うことができる。
具体的には、例えば、硫酸、硫酸銅および添加剤を含む電解めっき液を用いることにより電解銅めっき膜を形成することができる。
【００５４】
次に、上記めっきレジストを除去し、その後、めっきレジスト下に存在していた無電解めっき膜をエッチング処理により除去する。
ここで、無電解めっき膜の除去に用いるエッチング液としては、例えば、硫酸−過酸化水素水溶液、過硫酸アンモニウム、過硫酸カリウム等の過硫酸塩水溶液、塩化第二鉄、塩化第二銅等の水溶液、塩酸、硝酸、熱希硫酸等が挙げられる。
また、第二銅錯体と有機酸とを含有するエッチング液を用いることもできる。
【００５５】
また、必要に応じて、酸や酸化剤を用いて、基板や層間樹脂絶縁層の表面に付与した触媒を除去してもよい。触媒を除去することにより、触媒に用いたパラジウム等の金属がなくなるため、電気特性の低下を防止することができる。
【００５６】
このような工程を経ることにより、基板上や層間樹脂絶縁層上に導体回路を形成することができる。
また、第一の本発明の多層プリント配線板の製造方法では、無電解めっき膜を形成する前に、本発明の無電解めっき用前処理液を用いて、基板や層間樹脂絶縁層の表面に前処理を施しているため、基板や層間樹脂絶縁層との密着性に優れた導体回路を形成することができる。
【００５７】
次に、本発明の第一の多層プリント配線板の製造方法の全製造工程について、工程順に説明する。
（１）本発明の第一の多層プリント配線板の製造方法においては、まず、基板上に導体回路を形成する。
上記導体回路は、上述した方法で形成することができる。
上記基板としては、樹脂基板が望ましく、具体例としては、例えば、ガラスエポキシ基板、ポリエステル基板、ポリイミド基板、ビスマレイミド−トリアジン樹脂基板、熱硬化性ポリフェニレンエーテル基板、フッ素樹脂基板等が挙げられる。
なお、銅張積層板、ＲＣＣ基板等にエッチング処理により導体回路を形成したものを用いてもよい。
【００５８】
（２）また、基板を挟んだ導体回路間の接続をスルーホールにより行う場合には、まず、レーザや、ドリル等を用いて絶縁性基板にスルーホール用貫通孔を設ける。
上記レーザとしては、炭酸ガスレーザ、ＵＶレーザ、エキシマレーザ等を用いることができる。
【００５９】
次に、必要により、スルーホール用貫通孔の壁面を含む基板表面に粗化処理を施し、その後、上述した方法により上記基板表面に前処理を施し、該貫通孔の壁面および銅箔等の表面に無電解めっきを施しスルーホールを形成する。上記無電解めっきとしては銅めっきが好ましい。
【００６０】
その後、基板上の導体回路非形成部分にめっきレジストを形成し、めっきレジスト非形成部分に電解めっきを施すことにより導体回路を形成する。
なお、スルーホール用貫通孔の壁面に形成した無電解めっき膜上にも、電解めっき膜を形成してもよい。
また、基板上の導体回路の形成と、スルーホールの形成とは、同時に行うことが望ましい。工程数を少なくでき、経済的に有利だからである。
【００６１】
（３）次に、必要に応じて、スルーホールの内壁および下層導体回路の表面の粗化処理を行う。粗化処理方法としては、例えば、黒化（酸化）−還元処理、エッチング処理、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｐ針状合金めっきによる処理などが挙げられる。
【００６２】
上記黒化（酸化）−還元処理の具体的な方法としては、ＮａＯＨ（１０〜２０ｇ／ｌ）、ＮａＣｌＯ2 （４０〜５０ｇ／ｌ）、Ｎａ3 ＰＯ4 （６〜１５ｇ／ｌ）を含む水溶液を黒化浴（酸化浴）とする黒化処理、および、ＮａＯＨ（２．７〜１０ｇ／ｌ）、ＮａＢＨ4 （１．０〜６．０ｇ／ｌ）を含む水溶液を還元浴とする還元処理を行う方法等が挙げられる。
【００６３】
上記エッチング処理に用いるエッチング液としては、有機酸と第二銅錯体との混合溶液が望ましい。上記有機酸としては、例えば、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、カプロン酸、アクリル酸、クロトン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、マレイン酸、安息香酸、グリコール酸、乳酸、リンゴ酸、スルファミン酸等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種以上併用してもよい。上記エッチング液において、上記有機酸の含有量は、０．１〜３０重量％が望ましい。酸化された銅の溶解性を維持し、かつ、触媒安定性を確保することができるからである。
【００６４】
上記第二銅錯体としては、アゾール類の第二銅錯体が望ましい。このアゾール類の第二銅錯体は、金属銅等を酸化する酸化剤として作用する。アゾール類としては、例えば、ジアゾール、トリアゾール、テトラゾール等が挙げられる。これらのなかでも、イミダゾール、２−メチルイミダゾール、２−エチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾールが望ましい。上記エッチング液において、上記第二銅錯体の含有量は、１〜１５重量％が望ましい。溶解性および安定性に優れ、また、触媒核を構成するＰｄ等の貴金属をも溶解させることができるからである。
【００６５】
上記めっき処理としては、例えば、硫酸銅（１〜４０ｇ／ｌ）、硫酸ニッケル（０．１〜６．０ｇ／ｌ）、クエン酸（１０〜２０ｇ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（１０〜１００ｇ／ｌ）、ホウ酸（１０〜４０ｇ／ｌ）および界面活性剤（日信化学工業社製、サーフィノール４６５）（０．０１〜１０ｇ／ｌ）を含むｐＨ＝９の無電解めっき浴にて無電解めっきを施し、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｐ合金からなる粗化層を形成する方法等が挙げられる。
この範囲で析出するめっき被膜の結晶構造は、針状構造となるため、アンカー効果に優れるからである。上記無電解めっき浴には、上記化合物に加えて錯化剤や添加剤を加えてもよい。
【００６６】
（４）上記工程の後、スルーホールを形成した場合には、樹脂充填材をスルーホールに充填する。また、必要に応じて、絶縁性基板表面の下層導体回路が形成されていない凹部に樹脂充填材を充填し、その後、研磨等を行って絶縁性基板表面を平坦化してもよい。
【００６７】
（５）スルーホール内に樹脂充填材を充填した場合には、該樹脂充填材を、例えば、１００℃／２０分の条件で乾燥させた後、硬化させる。
硬化は、温度５０〜２５０℃の間で行うのが望ましい。その硬化条件の一例としては、１００℃で１時間加熱した後、１５０℃で１時間加熱する方法が挙げられる。必要に応じて、順次低い温度から高い温度と温度を変化させて硬化させるステップ硬化を行ってもよい。
【００６８】
研磨を行って導体層の表面を平坦化した場合には、必要に応じて、もう一度、下層導体回路の粗化処理を行ってもよい。粗化処理方法としては、例えば、黒化（酸化）−還元処理、有機酸と第二銅錯体の混合水溶液によるスプレー処理、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｐ合金めっきによる処理等が挙げられる。
【００６９】
（６）下層導体回路上に熱硬化性樹脂や樹脂複合体からなる未硬化の樹脂絶縁層を形成するか、または、熱可塑性樹脂からなる樹脂層を形成する。
上記未硬化の樹脂絶縁層は、未硬化の樹脂をロールコーター、カーテンコーター等により塗布して成形してもよく、また、未硬化（半硬化）の樹脂フィルムを熱圧着して形成してもよい。さらに、未硬化の樹脂フィルムの片面に銅箔等の金属層が形成された樹脂フィルムを貼付してもよい。
また、熱可塑性樹脂からなる樹脂層は、フィルム状に成形した樹脂成形体を熱圧着することにより形成することが望ましい。
【００７０】
上記未硬化の樹脂を塗布する場合には、樹脂を塗布した後、加熱処理を施す。
上記加熱処理を施すことにより、未硬化の樹脂を熱硬化させることができる。
なお、上記熱硬化は、後述するバイアホール用開口および貫通孔を形成した後に行ってもよい。
【００７１】
また、上記樹脂フィルムを張り付けることにより層間樹脂絶縁層を形成する場合、該層間樹脂絶縁層の形成は、真空ラミネーター等の装置を用い、減圧下または真空下で樹脂フィルムを圧着し、その後、樹脂フィルムを熱硬化することにより行う。
なお、上記熱硬化は、後述するバイアホール用開口および貫通孔を形成した後に行ってもよい。
【００７２】
また、フィルム状に成形した熱可塑性樹脂を熱圧着して導体回路上に張り付ける場合も、真空ラミネーター等の装置を用い、減圧下または真空下でフィルム状に成形した熱可塑性樹脂を圧着することが望ましい。
【００７３】
上記熱硬化性樹脂の具体例としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂等が挙げられる。
【００７４】
上記エポキシ樹脂としては、例えば、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールＦ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種以上併用してもよい。それにより、耐熱性等に優れるものとなる。
【００７５】
上記ポリオレフィン系樹脂としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリイソブチレン、ポリブタジエン、ポリイソプレン、シクロオレフィン系樹脂、これらの樹脂の共重合体等が挙げられる。
【００７６】
また、上記ポリオレフィン系樹脂の市販品としては、例えば、住友スリーエム社製の商品名：１５９２等が挙げられる。また、融点が２００℃以上の熱可塑型ポリオレフィン系樹脂の市販品としては、例えば、三井石油化学工業社製の商品名：ＴＰＸ（融点２４０℃）、出光石油化学社製の商品名：ＳＰＳ（融点２７０℃）等が挙げられる。
これらのなかでは、誘電率および誘電正接が低く、ＧＨｚ帯域の高周波信号を用いた場合でも信号遅延や信号エラーが発生しにくく、さらには、剛性等の機械的特性にも優れている点からシクロオレフィン系樹脂が望ましい。
【００７７】
上記シクロオレフィン系樹脂としては、２−ノルボルネン、５−エチリデン−２−ノルボルネンまたはこれらの誘導体からなる単量体の単独重合体または共重合体等が望ましい。上記誘導体としては、上記２−ノルボルネン等のシクロオレフィンに、架橋を形成するためのアミノ基や無水マレイン酸残基あるいはマレイン酸変性したもの等が結合したもの等が挙げられる。
上記共重合体を合成する場合の単量体としては、例えば、エチレン、プロピレン等が挙げられる。
【００７８】
上記シクロオレフィン系樹脂は、上記した樹脂の２種以上の混合物であってもよく、シクロオレフィン系樹脂以外の樹脂を含むものであってもよい。
また、上記シクロオレフィン系樹脂が共重合体である場合には、ブロック共重合体であってもよく、ランダム共重合体であってもよい。
【００７９】
また、上記シクロオレフィン系樹脂は、熱硬化性シクロオレフィン系樹脂であることが望ましい。加熱を行って架橋を形成させることにより、より剛性が高くなり、機械的特性が向上するからである。
上記シクロオレフィン系樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）は、１３０〜２００℃であることが望ましい。
【００８０】
上記シクロオレフィン系樹脂は、既に樹脂シート（フィルム）として成形されたものを使用してもよく、単量体もしくは一定の分子量を有する低分子量の重合体が、キシレン、シクロヘキサン等の溶剤に分散した未硬化溶液の状態であってもよい。
また、樹脂シートの場合には、いわゆるＲＣＣ（ＲＥＳＩＮ  ＣＯＡＴＥＤ  ＣＯＰＰＥＲ：樹脂付銅箔）を用いてもよい。
上記シクロオレフィン系樹脂は、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、リン酸エステル等の難燃剤を含むものであってもよい。
【００８１】
また、上記ポリオレフィン樹脂は、有機フィラーを含むものであってもよい。
上記有機フィラーを含むことにより、例えば、層間樹脂絶縁層にレーザ光を照射してバイアホール用開口を形成する際に、所望の形状のバイアホール用開口を良好に形成することができる。
【００８２】
即ち、炭酸ガスレーザ等の赤外線レーザを照射してバイアホール用開口等を形成する場合には、上記有機フィラーは、熱に対する緩衝剤の役割を果たし、発生した熱や導体回路より反射した熱を一部吸収する。また、上記有機フィラーは、樹脂組成物が所定の形状を維持するための機械的な強化剤の役割を果たし、その結果、周囲の樹脂の形状を維持することができ、目的の形状のバイアホール用開口等を形成することができる。
【００８３】
また、紫外線レーザを照射してバイアホール用開口等を形成する場合、有機フィラーが紫外線を吸収し、このため、紫外線レーザが照射された部分の層間樹脂絶縁層が分解、消失し、目的とする形状のバイアホール用開口等を形成することができる。
【００８４】
従って、上記レーザの照射によりバイアホール用開口を形成し、この開口に金属層を形成することによりバイアホールを形成すると、該金属層は下の導体回路に密着して剥がれにくくなり、得られる多層プリント配線板の接続性、信頼性が向上する。
【００８５】
上記有機フィラーとしては特に限定されるものではないが、例えば、メラミン、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂、ＰＰＯ、ＰＰＥ等が挙げられる。これらの化合物は、単独で用いてもよく、２種以上併用してもよい。
【００８６】
上記有機フィラーの含有量は、５〜６０重量％が好ましい。上記有機フィラーの含有量が５重量％未満であると、有機フィラーの含有量が少なすぎるため、レーザ光を照射した際に上記した役割を果たすことができず、目的とする形状のバイアホール用開口等を形成することができない場合がある。一方、有機フィラーの含有量が６０重量％を超えると、ポリオレフィン系樹脂の特性が失われ、例えば、誘電率が高くなりすぎること等があるため好ましくない。より好ましい有機フィラーの含有量は、１４〜６０重量％である。
【００８７】
上記有機フィラーの形状は特に限定されず、例えば、球状、多面形状等が挙げられるが、これらのなかでは、クラックが発生しにくく、熱や熱衝撃によって層間樹脂絶縁層に応力が発生しても、その応力が緩和されやすい点から、球状が好ましい。
【００８８】
また、上記有機フィラーの粒径は、０．０５〜０．２μｍが好ましい。上記有機フィラーの粒径が０．０５μｍ未満であると、粒径が小さすぎるため、均一に有機フィラーを配合することが困難となる場合があり、一方、上記有機フィラーの粒径が０．２μｍを超えると、有機フィラーの粒径が大きすぎるため、レーザ光を照射した際に完全に分解除去されない場合が発生する。
【００８９】
上記有機フィラーを配合する場合、その粒径が異なる２種以上の有機フィラーを配合してもよいが、余り多種類の粒径の異なる有機フィラーを配合すると、有機フィラーが凝集しやすくなり、凝集物の径が０．２μｍを超え、０．２μｍを超えるものを使用した場合と同様の不都合が発生する場合があるので、径が異なる有機フィラーを配合する場合には、２種類の配合に留めることが望ましい。
【００９０】
上記ポリフェニレンエーテル樹脂としては、例えば、下記化学式（１）で表される繰り返し単位を有する熱可塑性ポリフェニレンエーテル樹脂や下記化学式（２）で表される繰り返し単位を有する熱硬化性ポリフェニレンエーテル樹脂等が挙げられる。
【００９１】
【化１】
0004521947.tif 000002
【００９２】
（式中、ｎは、２以上の整数を表す。）
【００９３】
【化２】
0004521947.tif 000003
【００９４】
（式中、ｍは、２以上の整数を表す。また、Ｒ1 、Ｒ2 は、メチレン基、エチレン基または−ＣＨ2 −Ｏ−ＣＨ2 −を表し、両者は同一であってもよいし、異なっていてもよい。）
【００９５】
また、上記化学式（２）で表される繰り返し単位を有する熱可塑性ポリフェニレンエーテル樹脂は、ベンゼン環にメチル基が結合した構造を有しているが、本発明で用いることのできるポリフェニレンエーテル樹脂としては、上記メチル基が、エチル基等の他のアルキル基等で置換された誘導体や、メチル基の水素がフッ素で置換された誘導体等であってもよい。
【００９６】
また、上記熱可塑性樹脂としては、フェノキシ樹脂、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン等が挙げられる。
また、これらの複合体（樹脂複合体）としては、熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂とを含むものであれば特に限定されず、その具体例としては、例えば、粗化面形成用樹脂組成物等が挙げられる。
【００９７】
上記粗化面形成用樹脂組成物としては、例えば、酸、アルカリおよび酸化剤から選ばれる少なくとも１種からなる粗化液に対して難溶性の未硬化の耐熱性樹脂マトリックス中に、酸、アルカリおよび酸化剤から選ばれる少なくとも１種からなる粗化液に対して可溶性の物質が分散されたもの等が挙げられる。
なお、上記「難溶性」および「可溶性」という語は、同一の粗化液に同一時間浸漬した場合に、相対的に溶解速度の早いものを便宜上「可溶性」といい、相対的に溶解速度の遅いものを便宜上「難溶性」と呼ぶ。
【００９８】
上記耐熱性樹脂マトリックスとしては、層間樹脂絶縁層に上記粗化液を用いて粗化面を形成する際に、粗化面の形状を保持できるものが好ましく、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、これらの複合体等が挙げられる。また、感光性樹脂を用いることにより、層間樹脂絶縁層に露光、現像処理を用いてバイアホール用開口を形成してもよい。
【００９９】
上記熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。また、上記熱硬化性樹脂を感光化する場合は、メタクリル酸やアクリル酸等を用い、熱硬化基を（メタ）アクリル化反応させる。特にエポキシ樹脂の（メタ）アクリレートが望ましい。さらに、１分子中に、２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂がより望ましい。上述の粗化面を形成することができるばかりでなく、耐熱性等にも優れているため、ヒートサイクル条件下においても、導体回路に応力の集中が発生せず、導体回路と層間樹脂絶縁層との間で剥離が発生しにくい。
【０１００】
上記熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリフェニレンスルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリフェニルエーテル、ポリエーテルイミド等が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよい。
【０１０１】
上記酸、アルカリおよび酸化剤から選ばれる少なくとも１種からなる粗化液に対して可溶性の物質は、無機粒子、樹脂粒子、金属粒子、ゴム粒子、液相樹脂および液相ゴムから選ばれる少なくとも１種であることが望ましい。
【０１０２】
上記無機粒子としては、例えば、アルミニウム化合物、カルシウム化合物、カリウム化合物、マグネシウム化合物、ケイ素化合物等が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよい。
【０１０３】
上記アルミニウム化合物としては、例えば、アルミナ、水酸化アルミニウム等が挙げられ、上記カルシウム化合物としては、例えば、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム等が挙げられ、上記カリウム化合物としては、例えば、炭酸カリウム等が挙げられ、上記マグネシウム化合物としては、例えば、マグネシア、ドロマイト、塩基性炭酸マグネシウム、タルク等が挙げられ、上記ケイ素化合物としては、例えば、シリカ、ゼオライト等が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよい。
【０１０４】
上記アルミナ粒子は、ふっ酸で溶解除去することができ、炭酸カルシウムは塩酸で溶解除去することができる。また、ナトリウム含有シリカやドロマイトはアルカリ水溶液で溶解除去することができる。
【０１０５】
上記樹脂粒子としては、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等からなるものが挙げられ、酸、アルカリおよび酸化剤から選ばれる少なくとも１種からなる粗化液に浸漬した場合に、上記耐熱性樹脂マトリックスよりも溶解速度の早いものであれば特に限定されず、具体的には、例えば、アミノ樹脂（メラミン樹脂、尿素樹脂、グアナミン樹脂等）、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂等挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種以上併用してもよい。
【０１０６】
なお、上記エポキシ樹脂は、酸や酸化剤に溶解するものや、これらに難溶性のものを、オリゴマーの種類や硬化剤を選択することにより任意に製造することができる。例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂をアミン系硬化剤で硬化させた樹脂はクロム酸に非常によく溶けるが、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂をイミダゾール硬化剤で硬化させた樹脂は、クロム酸には溶解しにくい。
【０１０７】
上記樹脂粒子は予め硬化処理されていることが必要である。硬化させておかないと上記樹脂粒子が樹脂マトリックスを溶解させる溶剤に溶解してしまうため、均一に混合されてしまい、酸や酸化剤で樹脂粒子のみを選択的に溶解除去することができないからである。
【０１０８】
上記金属粒子としては、例えば、金、銀、銅、スズ、亜鉛、ステンレス、アルミニウム、ニッケル、鉄、鉛等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種以上併用してもよい。
また、上記金属粒子は、絶縁性を確保するために、表層が樹脂等により被覆されていてもよい。
【０１０９】
上記ゴム粒子としては、例えば、アクリロニトリル−ブタジエンゴム、ポリクロロプレンゴム、ポリイソプレンゴム、アクリルゴム、多硫系剛性ゴム、フッ素ゴム、ウレタンゴム、シリコーンゴム、ＡＢＳ樹脂等が挙げられる。
【０１１０】
また、上記ゴム粒子として、例えば、ポリブタジエンゴム、エポキシ変性、ウレタン変性、（メタ）アクリロニトリル変性等の各種変性ポリブタジエンゴム、カルボキシル基を含有した（メタ）アクリロニトリル・ブタジエンゴム等を使用することもできる。これらのゴム粒子を使用することにより、該ゴム粒子が酸あるいは酸化剤に溶解しやすくなる。つまり、酸を用いてゴム粒子を溶解する際には、強酸以外の酸でも溶解することができ、酸化剤を用いてゴム粒子を溶解する際には、比較的酸化力の弱い過マンガン酸でも溶解することができる。また、クロム酸を用いた場合でも、低濃度で溶解することができる。そのため、酸や酸化剤が層間樹脂絶縁層表面に残留することがなく、後述するように、粗化面形成後、塩化パラジウム等の触媒を付与する際に、触媒が付与されなたかったり、触媒が酸化されたりすることがない。これらは、単独で用いてもよく、２種以上併用してもよい。
【０１１１】
上記可溶性の物質を、２種以上混合して用いる場合、混合する２種の可溶性の物質の組み合わせとしては、樹脂粒子と無機粒子との組み合わせが望ましい。両者とも導電性が低くいため、層間樹脂絶縁層の絶縁性を確保することができるとともに、難溶性樹脂との間で熱膨張の調整が図りやすく、粗化面形成用樹脂組成物からなる層間樹脂絶縁層にクラックが発生せず、層間樹脂絶縁層と導体回路との間で剥離が発生しないからである。
【０１１２】
上記液相樹脂としては、上記熱硬化性樹脂の未硬化溶液を使用することができ、このような液相樹脂の具体例としては、例えば、未硬化のエポキシオリゴマーとアミン系硬化剤の混合液等が挙げられる。
上記液相ゴムとしては、例えば、上記したポリブタジエンゴム、エポキシ変性、ウレタン変性、（メタ）アクリロニトリル変性等の各種変性ポリブタジエンゴム、カルボキシル基を含有した（メタ）アクリロニトリル・ブタジエンゴム等の未硬化溶液等を使用することができる。
【０１１３】
上記液相樹脂や液相ゴムを用いて上記感光性樹脂組成物を調製する場合には、耐熱性樹脂マトリックスと可溶性の物質とが均一に相溶しない（つまり相分離するように）ように、これらの物質を選択する必要がある。
上記基準により選択された耐熱性樹脂マトリックスと可溶性の物質とを混合することにより、上記耐熱性樹脂マトリックスの「海」の中に液相樹脂または液相ゴムの「島」が分散している状態、または、液相樹脂または液相ゴムの「海」の中に、耐熱性樹脂マトリックスの「島」が分散している状態の感光性樹脂組成物を調製することができる。
【０１１４】
そして、このような状態の感光性樹脂組成物を硬化させた後、「海」または「島」の液相樹脂または液相ゴムを除去することにより粗化面を形成することができる。
【０１１５】
上記粗化液として用いる酸としては、例えば、リン酸、塩酸、硫酸、硝酸や、蟻酸、酢酸等の有機酸等が挙げられるが、これらのなかでは有機酸を用いることが望ましい。粗化処理した場合に、バイアホールから露出する金属導体層を腐食させにくいからである。
上記酸化剤としては、例えば、クロム酸、クロム硫酸、アルカリ性過マンガン酸塩（過マンガン酸カリウム等）の水溶液等を用いることが望ましい。
また、上記アルカリとしては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の水溶液が望ましい。
【０１１６】
上記可溶性の物質の平均粒径は、１０μｍ以下が望ましい。
また、平均粒径が２μｍ以下の平均粒径の相対的に大きな粗粒子と平均粒径が相対的に小さな微粒子とを組み合わせて使用してもよい。即ち、平均粒径が０．１〜０．５μｍの可溶性の物質と平均粒径が１〜２μｍの可溶性の物質とを組み合わせる等である。
【０１１７】
このように、平均粒子と相対的に大きな粗粒子と平均粒径が相対的に小さな微粒子とを組み合わせることにより、無電解めっき膜の溶解残渣をなくし、めっきレジスト下のパラジウム触媒量を少なくし、さらに、浅くて複雑な粗化面を形成することができる。
さらに、複雑な粗化面を形成することにより、粗化面の凹凸が小さくても実用的なピール強度を維持することができる。
上記粗粒子は平均粒径が０．８μｍを超え２．０μｍ未満であり、微粒子は平均粒径が０．１〜０．８μｍであることが望ましい。
【０１１８】
上記粗粒子と微粒子とを組み合わせることにより、浅くて複雑な粗化面を形成することができるのは、使用する粒子径が粗粒子で平均粒径２μｍ未満であると、これらの粒子が溶解除去されても形成されるアンカーは浅くなり、また、除去される粒子は、相対的に粒子径の大きな粗粒子と相対的に粒子径の小さな微粒子の混合粒子であるから、形成される粗化面が複雑になるのである。このような複雑な粗化面を形成することにより、浅い粗化面でも実用的なピール強度を維持することができる。
【０１１９】
また、この場合、使用する粒子径が、粗粒子で平均粒径２μｍ未満であると、粗化が進行しすぎて空隙を発生させることはなく、形成した層間樹脂絶縁層は層間絶縁性に優れている。
なお、上記層間面形成用樹脂組成物において、可溶性の物質の粒径とは、可溶性の物質の一番長い部分の長さである。
【０１２０】
また、粗粒子は平均粒径が０．８μｍを超え２．０μｍ未満であり、微粒子は平均粒径が０．１〜０．８μｍであると、粗化面の深さは概ねＲｍａｘ＝３μｍ程度となり、セミアディテイブ法では、無電解めっき膜をエッチング除去しやすいだけではなく、無電解めっき膜下のＰｄ触媒をも簡単に除去することができ、また、実用的なピール強度１．０〜１．３ｋｇ／ｃｍを維持することができる。
【０１２１】
上記可溶性の物質の形状は特に限定されず、球状、破砕状等が挙げられる。また、上記可溶性の物質の形状は、一様な形状であることが望ましい。均一な粗さの凹凸を有する粗化面を形成することができるからである。
【０１２２】
上記粗化面形成用樹脂組成物は基板上等に塗布することができるように有機溶剤を含有するものであってもよいし、基板上等に圧着することができるようにフィルム状に成形されたもの（以下、粗化面形成用樹脂フィルムともいう）でもよい。
上記粗化面形成用樹脂組成物が有機溶剤を含有する場合、その含有量は、１０重量％以下であることが望ましい。
【０１２３】
上記粗化面形成用樹脂フィルムにおいて、上記可溶性の物質は、上記耐熱性樹脂マトリックス中にほぼ均一に分散されていることが望ましい。均一な粗さの凹凸を有する粗化面を形成することができ、樹脂フィルムにバイアホールやスルーホールを形成しても、その上に形成する導体回路の金属層の密着性を確保することができるからである。また、上記粗化面形成用樹脂フィルムは、粗化面を形成する表層部だけに可溶性の物質を含有するよう形成されていてもよい。それによって、粗化面形成用樹脂フィルムの表層部以外は酸または酸化剤にさらされることがないため、層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の絶縁性が確実に保たれる。
【０１２４】
上記粗化面形成用樹脂フィルムにおいて、難溶性樹脂中に分散している可溶性の物質の配合量は、粗化面形成用樹脂フィルムに対して、３〜４０重量％が望ましい。可溶性の物質の配合量が３重量％未満では、所望の凹凸を有する粗化面を形成することができない場合があり、４０重量％を超えると、酸または酸化剤を用いて可溶性の物質を溶解した際に、樹脂フィルムの深部まで溶解してしまい、樹脂フィルムからなる層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の絶縁性を維持できず、短絡の原因となる場合がある。
【０１２５】
上記粗化面形成用樹脂フィルムは、上記可溶性の物質、上記耐熱性樹脂マトリックス以外に、硬化剤、その他の成分等を含有していることが望ましい。
上記硬化剤としては、例えば、イミダゾール系硬化剤、アミン系硬化剤、グアニジン系硬化剤、これらの硬化剤のエポキシアダクトやこれらの硬化剤をマイクロカプセル化したもの、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスフォニウム・テトラフェニルボレート等の有機ホスフィン系化合物等が挙げられる。
【０１２６】
上記硬化剤の含有量は、粗化面形成用樹脂フィルムに対して０．０５〜１０重量％であることが望ましい。０．０５重量％未満では、粗化面形成用樹脂フィルムの硬化が不充分であるため、酸や酸化剤が粗化面形成用樹脂フィルムに侵入する度合いが大きくなり、粗化面形成用樹脂フィルムの絶縁性が損なわれることがある。一方、１０重量％を超えると、過剰な硬化剤成分が樹脂の組成を変性させることがあり、信頼性の低下を招いたりしてしまうことがある。
【０１２７】
上記その他の成分としては、例えば、粗化面の形成に影響しない無機化合物あるいは樹脂等のフィラーが挙げられる。上記無機化合物としては、例えば、シリカ、アルミナ、ドロマイト等が挙げられ、上記樹脂としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアクリル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、メラニン樹脂、オレフィン系樹脂等が挙げられる。これらのフィラーを含有させることによって、熱膨脹係数の整合や耐熱性、耐薬品性の向上等を図りプリント配線板の性能を向上させることができる。
【０１２８】
また、上記粗化面形成用樹脂フィルムは、溶剤を含有していてもよい。上記溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテートやトルエン、キシレン等の芳香族炭化水素等が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよい。
【０１２９】
（７）次に、その材料として熱硬化性樹脂や樹脂複合体を用いた層間樹脂絶縁層を形成する場合には、未硬化の樹脂絶縁層に硬化処理を施すとともに、バイアホール用開口を形成し、層間樹脂絶縁層とする。また、この工程では、必要に応じて、貫通孔を形成してもよい。
上記バイアホール用開口は、レーザ処理により形成することが望ましい。上記レーザ処理は、上記硬化処理前に行ってもよいし、硬化処理後に行ってもよい。
また、感光性樹脂からなる層間樹脂絶縁層を形成した場合には、露光、現像処理を行うことにより、バイアホール用開口を設けてもよい。なお、この場合、露光、現像処理は、上記硬化処理前に行う。
【０１３０】
また、その材料として熱可塑性樹脂を用いた層間樹脂絶縁層を形成する場合には、熱可塑性樹脂からなる樹脂層にレーザ処理によりバイアホール用開口を形成し、層間樹脂絶縁層とすることができる。
【０１３１】
このとき、使用するレーザとしては、例えば、炭酸ガスレーザ、エキシマレーザ、ＵＶレーザ、ＹＡＧレーザ等が挙げられる。
これらのレーザは、形成するバイアホール用開口や貫通孔の形状等を考慮して使い分けてもよい。
【０１３２】
上記バイアホール用開口を形成する場合、マスクを介して、ホログラム方式のエキシマレーザによるレーザ光照射することにより、一度に多数のバイアホール用開口を形成することができる。
また、短パルスの炭酸ガスレーザを用いて、バイアホール用開口を形成すると、開口内の樹脂残りが少なく、開口周縁の樹脂に対するダメージが小さい。
【０１３３】
また、光学系レンズとマスクとを介してレーザ光を照射することにより、一度に多数のバイアホール用開口を形成することができる。
光学系レンズとマスクとを介することにより、同一強度で、かつ、照射角度が同一のレーザ光を複数の部分に同時に照射することができるからである。
【０１３４】
上記マスクに形成された貫通孔は、レーザ光のスポット形状を真円にするために、真円であることが望ましく、上記貫通孔の径は、０．１〜２ｍｍ程度が望ましい。
また、上記炭酸ガスレーザを用いる場合、そのパルス間隔は、１０-4〜１０-8秒であることが望ましい。また、開口を形成するためのレーザを照射する時間は、１０〜５００μ秒であることが望ましい。
【０１３５】
レーザ光にてバイアホール用開口を形成した場合、特に炭酸ガスレーザを用いた場合には、デスミア処理を行うことが望ましい。上記デスミア処理は、クロム酸、過マンガン酸塩等の水溶液からなる酸化剤を使用して行うことができる。また、酸素プラズマ、ＣＦ4 と酸素の混合プラズマやコロナ放電等で処理してもよい。また、低圧水銀ランプを用いて紫外線を照射することにより、表面改質することもできる。
【０１３６】
上記層間樹脂絶縁層の厚さは特に限定されないが、５〜５０μｍが望ましい。
上記厚さが５μｍ未満であると、上下に隣合う導体回路間の絶縁性が維持できない場合があり、一方、５０μｍを超えると、バイアホール用開口等を形成した際に、その底部に樹脂残りが発生したり、そのバイアホール用開口等の形状が底部に向かって先細り形状になることがある。
また、上記バイアホール用開口の開口径は特に限定されないが、通常、４０〜２００μｍが望ましい。
【０１３７】
また、層間樹脂絶縁層を形成した基板に、貫通孔を形成する場合には、直径５０〜３００μｍのドリル、レーザ光等を用いて貫通孔を形成する。
上記貫通孔を形成した場合、後述する工程において、貫通孔の内壁面に導体層を形成することにより、スルーホールとすることができ、該スルーホールを形成することにより、上記基板および上記層間樹脂絶縁層を介した導体回路間を電気的に接続することができる。
【０１３８】
（８）次に、バイアホール用開口の内壁を含む層間樹脂絶縁層の表面と上記工程で貫通孔を形成した場合には貫通孔の内壁とに、必要に応じて、酸または酸化剤を用いて粗化面を形成する。
上記酸としては、硫酸、硝酸、塩酸、リン酸、蟻酸等が挙げられ、上記酸化剤としては、クロム酸、クロム硫酸、過マンガン酸ナトリウム等の過マンガン酸塩等が挙げられる。
また、上記粗化面の形成は、プラズマ処理等を用いて行ってもよい。
【０１３９】
具体的には、層間樹脂絶縁層を粗化面形成用樹脂組成物等を用いて形成した場合には、酸や酸化剤を用いて粗化面を形成することが望ましく、ポリオレフィン系樹脂等を用いて形成した場合には、プラズマ処理等を用いて粗化面を形成することが望ましい。
【０１４０】
この粗化面は、層間樹脂絶縁層とその上に形成する無電解めっき膜との密着性を高めるために形成するものであり、上記層間樹脂絶縁層と上記無電解めっき膜との間に充分な密着性がある場合には形成しなくてもよい。
【０１４１】
その後、酸を用いて粗化面を形成した場合はアルカリ等の水溶液を用い、酸化剤を用いて粗化面を形成した場合は中和液を用いて、バイアホール用開口内や貫通孔内を中和する。この操作により酸や酸化剤を除去し、次工程に影響を与えないようにする。
【０１４２】
（９）次に、形成された粗化面に、必要により、触媒を付与する。該触媒としては、上述したように、パラジウム等が挙げられる。
このとき、触媒を確実に付与するために、酸素、窒素等のプラズマ処理やコロナ処理等のドライ処理を施すことにより、酸または酸化剤の残渣を除去するとともに層間樹脂絶縁層の表面を改質することにより、触媒を確実に付与し、無電解めっき時の金属の析出、および、無電解めっき層の層間樹脂絶縁層への密着性を向上させることができ、特に、バイアホール用開口の底面において、大きな効果が得られる。
【０１４３】
（９）次に、バイアホール用開口の内壁面を含む層間樹脂絶縁層の表面に、上記した（Ａ）〜（Ｃ）の工程を含む方法を用いて無電解めっき膜を形成する。
ここで形成する無電解めっき膜の厚さは特に限定されないが、通常、６〜１２μｍ程度が望ましい。
【０１４４】
また、上記（７）の工程で貫通孔を形成した場合には、層間樹脂絶縁層上に導体回路を形成する際に、貫通孔の壁面にも上記した方法を用いて無電解めっき膜を形成することによりスルーホールとしてもよい。
【０１４５】
上記スルーホールを形成した場合には、以下のような処理工程を行うことが望ましい。即ち、無電解めっき層表面とスルーホール内壁とを黒化（酸化）−還元処理、有機酸と第二銅錯体との混合水溶液によるスプレー処理、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｐ針状合金めっきによる処理等を用いて粗化形成処理を行う。この後、さらに、上記樹脂充填材等を充填し、ついで、樹脂充填材の表層部と無電解めっき膜表面とをバフ研磨等の研磨処理方法を用いて、平坦化する。
さらに、無電解めっきを行い、既に形成した無電解めっき膜と樹脂充填材の表層部とに無電解めっき層を形成することにより、スルーホールの上に蓋めっき層を形成する。
【０１４６】
（１１）次に、その表面に上記無電解めっき膜が形成された層間樹脂絶縁層形成配線板の上に上述した方法を用いてめっきレジストを形成する。ついで、めっきレジスト非形成部に、上述したように無電解めっき膜をめっきリードとして、電解めっき膜を形成する。
（１２）さらに、めっきレジストを強アルカリ水溶液で剥離した後にエッチングを行い、無電解めっき層を除去することにより、独立パターンの導体回路とする。
ここで用いるエッチング液としては、硫酸／過酸化水素水、塩化第二鉄、塩化第二銅、過硫酸アンモニウム等の過硫酸塩の水溶液、塩酸、硝酸、熱希硫酸等を用いることができる。また、第二銅錯体と有機酸とを含有するエッチング液を用いて、無電解めっき膜を除去するとともに、導体回路の表面に層間面を形成してもよい。
【０１４７】
（１３）次に、必要により、（５）に記載した方法と同様の方法で導体回路の粗化処理を行った後、（６）〜（１２）の工程を繰り返すことにより、導体回路と層間樹脂絶縁とが順次積層された基板を製造することができる。
【０１４８】
（１４）次に、最上層の導体回路を含む基板面にソルダーレジスト層を形成し、さらに、該ソルダーレジスト層を開口して半田パッドを形成した後、上記半田パッドに半田ペーストを充填し、リフローすることにより半田バンプを形成する。その後、外部基板接続面に、ピンを配設したり、半田ボールを形成したりすることにより、ＰＧＡ(Pin Grid Array)やＢＧＡ(Ball Grid Array) とする。
【０１４９】
上記ソルダーレジスト層は、例えば、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂、熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等からなるソルダーレジスト組成物を用いて形成することができ、これらの樹脂の具体例としては、例えば、層間樹脂絶縁層に用いた樹脂と同様の樹脂等が挙げられる。
【０１５０】
また、上記以外のソルダーレジスト組成物としては、例えば、ノボラック型エポキシ樹脂の（メタ）アクリレート、イミダゾール硬化剤、２官能性（メタ）アクリル酸エステルモノマー、分子量５００〜５０００程度の（メタ）アクリル酸エステルの重合体、ビスフェノール型エポキシ樹脂等からなる熱硬化性樹脂、多価アクリル系モノマー等の感光性モノマー、グリコールエーテル系溶剤などを含むペースト状の流動体が挙げられ、その粘度は２５℃で１〜１０Ｐａ・ｓに調整されていることが望ましい。
上記ノボラック型エポキシ樹脂の（メタ）アクリレートとしては、例えば、フェノールノボラックやクレゾールノボラックのグリシジルエーテルをアクリル酸やメタクリル酸等と反応させたエポキシ樹脂等が挙げられる。
【０１５１】
上記２官能性（メタ）アクリル酸エステルモノマーとしては特に限定されず、例えば、各種ジオール類のアクリル酸やメタクリル酸のエステル等が挙げられ、その市販品としては、日本化薬社製のＲ−６０４、ＰＭ２、ＰＭ２１等が挙げられる。
【０１５２】
また、上記ソルダーレジスト組成物は、エラストマーや無期フィラーが配合されていてもよい。
エラストマーが配合されていることにより、形成されるソルダーレジスト層は、エラスキマーの有する柔軟性および反発弾性により、ソルダーレジスト層に応力が作用した場合でも、該応力を吸収したり、緩和したりすることができ、その結果、多層プリント配線板の製造工程や製造した多層プリント配線板にＩＣチップ等の電子部品を搭載した後のソルダーレジスト層にクラックや剥離が発生することを抑制でき、さらに、クラックが発生した場合でも該クラックが大きく成長することができない。
【０１５３】
上記ソルダーレジスト層を開口する方法としては、例えば、バイアホール用開口を形成する方法と同様に、レーザ光を照射する方法等が挙げられる。
【０１５４】
また、ソルダーレジスト組成物として、感光性のソルダーレジスト組成物を使用した場合には、ソルダーレジスト層を形成した後、該ソルダーレジスト層上にフォトレジストを載置し、露光現像処理を施すことにより、ソルダーレジスト層を開口することができる。
【０１５５】
上記ソルダーレジスト層を開口することにより露出した導体回路部分は、通常、ニッケル、パラジウム、金、銀、白金等の耐食性金属により被覆することが望ましい。具体的には、ニッケル−金、ニッケル−銀、ニッケル−パラジウム、ニッケル−パラジウム−金等の金属により被覆層を形成することか望ましい。
上記被覆層は、例えば、めっき、蒸着、電着等により形成することができるが、これらのなかでは、被覆層の均一性に優れるという点からめっきが望ましい。
【０１５６】
なお、製品認識文字などを形成するための文字印刷工程やソルダーレジスト層の改質のために、酸素や四塩化炭素などのプラズマ処理を適時行ってもよい。
以上の方法は、セミアディティブ法によるものであるが、フルアディティブ法を採用してもよい。
【０１５７】
次に、第二の本発明の多層プリント配線板の製造方法について説明する。
第二の本発明の多層プリント配線板の製造方法は、基板上に導体回路と層間樹脂絶縁層とが順次積層され、これらの導体回路がバイアホールを介して接続されてなる多層プリント配線板の製造方法であって、少なくとも下記（ａ）〜（ｆ）の工程を含むことを特徴とする。
（ａ）上記基板または上記層間樹脂絶縁層の表面に触媒を付与する工程、
（ｂ）上記触媒の付与された上記基板または上記層間樹脂絶縁層に、本発明の無電解めっき用前処理液を用いて、前処理を施す工程、
（ｃ）樹脂基板または上記層間樹脂絶縁層上に無電解めっき膜を形成する工程、
（ｄ）上記無電解めっき膜上に電解めっき膜を形成する工程、
（ｅ）上記電解めっき膜上の一部に、エッチングレジストを形成する工程、および、
（ｆ）上記エッチングレジスト非形成部下の電解めっき膜と無電解めっき膜とをエッチング処理により除去する工程。
【０１５８】
第二の本発明の多層プリント配線板の製造方法によれば、基板や層間樹脂絶縁層の表面に本発明の無電解めっき用前処理液を用いて、前処理を施した後、無電解めっき処理、電解めっき処理等を施すことにより導体回路を形成するため、基板や層間樹脂絶縁層と導体回路との密着性が優れたものとなり、信頼性、電気特性に優れた多層プリント配線板を製造することができる。
【０１５９】
第二の本発明の多層プリント配線板の製造方法は、第一の本発明の多層プリント配線板の製造方法と比べて、（ａ）〜（ｆ）の工程、即ち、基板または層間樹脂絶縁層上に導体回路を形成する工程のみが異なるため、この（ａ）〜（ｆ）の工程についてのみ説明することとし、多層プリント配線板を製造する全製造工程の説明については省略することとする。
【０１６０】
第二の本発明の多層プリント配線板の製造方法においては、基板または層間樹脂絶縁層の表面に触媒を付与する。
上記触媒としては、例えば、パラジウム金属等が挙げられる。
また、第二の本発明の多層プリント配線板の製造方法においても、基板または層間樹脂絶縁層の表面には、触媒を付与する前に、予め、粗化面を形成しておくことが望ましい。
上記触媒としてパラジウム金属を用いる場合、触媒を付与する方法としては、第一の本発明の多層プリント配線板の製造方法と同様の方法を用いることができる。
【０１６１】
次に、上記触媒の付与された上記基板または上記層間樹脂絶縁層に、本発明の無電解めっき用前処理液を用いて、前処理を施す。
上記前処理は、基板や層間樹脂絶縁層形成配線板を上記無電解めっき用前処理液中に浸漬することにより行う。
【０１６２】
このとき、上記無電解めっき用前処理液の温度は、第一の本発明の多層プリント配線板の製造方法と同様、２０〜５０℃が望ましい。
また、上記無電解めっき用前処理液中ヘの浸漬時間も、第一の本発明の多層プリント配線板の製造方法と同様、０．５〜５分間であることが望ましい。
【０１６３】
次に、上記前処理を施した基板または層間樹脂絶層上に無電解めっき膜を形成する。
上記無電解めっき膜は、基板や層間樹脂絶縁層形成配線板を無電解めっき液中に浸漬することにより形成することができる。ここで、無電解めっき液としては、第一の本発明の多層プリント配線板の製造方法と同様のものを用いることができる。
【０１６４】
次に、上記無電解めっき膜上に電解めっき膜を形成する。
上記電解めっき膜を形成は、既に形成した無電解めっき膜をめっきリードとして行うことができる。
具体的には、例えば、硫酸、硫酸銅および添加剤を含む電解めっき液を用いることにより電解銅めっき膜を形成することができる。
【０１６５】
次に、上記電解めっき膜の一部、即ち、導体回路形成部分に相当する部分にエッチングレジストを形成する。
上記エッチングレジストは、例えば、感光性ドライフィルムを張り付けたり、液状レジストを塗布した後、露光現像処理を施すことにより形成することができる。
【０１６６】
次に、エッチング処理を施すことにより、導体回路非形成部の電解めっき膜、無電解めっき膜を除去し、その後、エッチングレジストを強アルカリ水溶液で剥離する。
上記エッチング処理としては、硫酸／過酸化水素水溶液、塩化第二鉄、塩化第二銅、過硫酸アンモニウムなどの過硫酸塩の水溶液等をエッチング液として用いた化学エッチング、イオンビームエッチング等による物理エッチング等が使用される。
【０１６７】
このような工程を経ることにより、基板上や層間樹脂絶縁層上に導体回路を形成することができる。
また、第二の本発明の多層プリント配線板の製造方法では、無電解めっき膜を形成する前に、本発明の無電解めっき用前処理液を用いて、基板や層間樹脂絶縁層の表面に前処理を施しているため、基板や層間樹脂絶縁層との密着性に優れた導体回路を形成することができる。
【０１６８】
次に、第三の本発明の多層プリント配線板の製造方法について説明する。
第三の本発明の多層プリント配線板の製造方法は、基板上に導体回路と層間樹脂絶縁層とが順次積層され、これらの導体回路がバイアホールを介して接続されてなる多層プリント配線板の製造方法であって、少なくとも下記（Ａ）〜（Ｅ）の工程を含むことを特徴とする。
（Ａ）上記基板または上記層間樹脂絶縁層の表面に触媒を付与する工程、
（Ｂ）上記触媒の付与された上記基板または上記層間樹脂絶縁層に、本発明の無電解めっき用処理液を用いて、前処理を施した後、上記基板または上記層間樹脂絶縁層上に無電解めっき膜を形成する工程、
（Ｃ）上記無電解めっき膜の一部にめっきレジストを形成する工程、
（Ｄ）上記めっきレジスト非形成部に電解めっき膜を形成する工程、および、
（Ｅ）上記めっきレジストを剥離した後、上記めっきレジスト下の無電解めっき膜を除去する工程。
【０１６９】
第三の本発明の多層プリント配線板の製造方法によれば、本発明の無電解めっき用処理液を用いて、基板や層間樹脂絶縁層の表面に前処理を施した後、無電解めっき処理を施し、さらに、電解めっき処理等を施すことにより導体回路を形成するため、基板や層間樹脂絶縁層と導体回路との密着性が優れたものとなり、信頼性、電気特性に優れた多層プリント配線板を製造することができる。
【０１７０】
第三の本発明の多層プリント配線板の製造方法は、第一の本発明の多層プリント配線板の製造方法と比べて、本発明の無電解めっき用処理液を用いて、基板や層間樹脂絶縁層の表面に前処理を施した後、無電解めっき処理を施すことのみが異なる。
即ち、第一の本発明の多層プリント配線板の製造方法では、無電解めっき膜を形成する際に用いる無電解めっき液は特に限定されなかったのに対し、第三の本発明の多層プリント配線板の製造方法では、「アルカリ性化合物、還元剤、銅イオン、および、酒石酸もしくはその塩を含む水溶液からなる無電解めっき液」を用いて、無電解めっき膜を形成することを特徴とする。
【０１７１】
そこで、ここでは、上記無電解めっき膜を形成する方法についてのみ説明することとする。
上記無電解めっき膜の形成は、その表面に前処理の施された基板や層間樹脂絶縁層形成配線板を、本発明の無電解めっき用処理液を構成する無電解めっき液中に浸漬することにより行う。
上記基板や層間樹脂絶縁層形成配線板を無電解めっき液中に浸漬する際の条件としては特に限定されず、無電解めっき液の組成や被めっき物の材質等を考慮して適宜選択すればよい。具体的には、例えば、２５〜３５℃の無電解めっき液中に、１０〜２０分間浸漬することにより無電解めっき膜を形成することができる。
【０１７２】
次に、第四の本発明の多層プリント配線板の製造方法について説明する。
第四の本発明の多層プリント配線板の製造方法は、基板上に導体回路と層間樹脂絶縁層とが順次積層され、これらの導体回路がバイアホールを介して接続されてなる多層プリント配線板の製造方法であって、少なくとも下記（ａ）〜（ｅ）の工程を含むことを特徴とする。
（ａ）上記基板または上記層間樹脂絶縁層の表面に触媒を付与する工程、
（ｂ）上記触媒の付与された上記基板または上記層間樹脂絶縁層に、本発明の無電解めっき用処理液を用いて、前処理を施した後、上記基板または上記層間樹脂絶縁層上に無電解めっき膜を形成する工程、
（ｃ）上記無電解めっき膜上に電解めっき膜を形成する工程、
（ｄ）上記電解めっき膜上の一部に、エッチングレジストを形成する工程、および、
（ｅ）上記エッチングレジスト非形成部下の電解めっき膜と無電解めっき膜とをエッチング処理により除去する工程。
【０１７３】
第四の本発明の多層プリント配線板の製造方法によれば、本発明の無電解めっき用処理液を用いて、基板や層間樹脂絶縁層の表面に前処理を施した後、無電解めっき処理を施し、さらに、電解めっき処理等を施すことにより導体回路を形成するため、基板や層間樹脂絶縁層と導体回路との密着性が優れたものとなり、信頼性、電気特性に優れた多層プリント配線板を製造することができる。
【０１７４】
第四の本発明の多層プリント配線板の製造方法は、第二の本発明の多層プリント配線板の製造方法と比べて、本発明の無電解めっき用処理液を用いて、基板や層間樹脂絶縁層の表面に前処理を施した後、無電解めっき処理を施すことのみが異なる。
即ち、第二の本発明の多層プリント配線板の製造方法では、無電解めっき膜を形成する際に用いる無電解めっき液は特に限定されなかったのに対し、第四の本発明の多層プリント配線板の製造方法では、「アルカリ性化合物、還元剤、銅イオン、および、酒石酸もしくはその塩を含む水溶液からなる無電解めっき液」を用いて、無電解めっき膜を形成することを特徴とする。
【０１７５】
そこで、ここでは、上記無電解めっき膜を形成する方法についてのみ説明することとする。
上記無電解めっき膜の形成は、その表面に前処理の施された基板や層間樹脂絶縁層形成配線板を、本発明の無電解めっき用処理液を構成する無電解めっき液中に浸漬することにより行う。
上記基板や層間樹脂絶縁層形成配線板を無電解めっき液中に浸漬する際の条件としては特に限定されず、無電解めっき液の組成や被めっき物の材質等を考慮して適宜選択すればよい。具体的には、例えば、２５〜３５℃の無電解めっき液中に、１０〜２０分間浸漬することにより無電解めっき膜を形成することができる。
【０１７６】
【実施例】
以下、本発明をさらに詳細に説明する。
（実施例１）
Ａ．層間樹脂絶縁層用の樹脂フィルムの作製
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量４６９、油化シェルエポキシ社製エピコート１００１）３０重量部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量２１５、大日本インキ化学工業社製  エピクロンＮ−６７３）４０重量部、トリアジン構造含有フェノールノボラック樹脂（フェノール性水酸基当量１２０、大日本インキ化学工業社製  フェノライトＫＡ−７０５２）３０重量部をエチルジグリコールアセテート２０重量部、ソルベントナフサ２０重量部に攪拌しながら加熱溶解させ、そこへ末端エポキシ化ポリブタジエンゴム（ナガセ化成工業社製  デナレックスＲ−４５ＥＰＴ）１５重量部と２−フェニル−４、５−ビス（ヒドロキシメチル）イミダゾール粉砕品１．５重量部、微粉砕シリカ２重量部、シリコン系消泡剤０．５重量部を添加しエポキシ樹脂組成物を調製した。
得られたエポキシ樹脂組成物を厚さ３８μｍのＰＥＴフィルム上に乾燥後の厚さが５０μｍとなるようにロールコーターを用いて塗布した後、８０〜１２０℃で１０分間乾燥させることにより、層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを作製した。
【０１７７】
Ｂ．樹脂充填材の調製
ビスフェノールＦ型エポキシモノマー（油化シェル社製、分子量：３１０、ＹＬ９８３Ｕ）１００重量部、表面にシランカップリング剤がコーティングされた平均粒径が１．６μｍで、最大粒子の直径が１５μｍ以下のＳｉＯ2 球状粒子（アドテック社製、ＣＲＳ  １１０１−ＣＥ）１７０重量部およびレベリング剤（サンノプコ社製  ペレノールＳ４）１．５重量部を容器にとり、攪拌混合することにより、その粘度が２３±１℃で４５〜４９Ｐａ・ｓの樹脂充填材を調製した。なお、硬化剤として、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）６．５重量部を用いた。
【０１７８】
Ｃ．多層プリント配線板の製造
（１）厚さ０．８ｍｍのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる絶縁性基板１の両面に１８μｍの銅箔８がラミネートされている銅張積層板を出発材料とした（図１（ａ）参照）。まず、この銅張積層板をドリル削孔し、無電解めっき処理を施し、パターン状にエッチングすることにより、基板の両面に下層導体回路４とスルーホール９を形成した。
【０１７９】
（２）スルーホール９および下層導体回路４を形成した基板を水洗いし、乾燥した後、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＣｌＯ2 （４０ｇ／ｌ）、Ｎａ3 ＰＯ4 （６ｇ／ｌ）を含む水溶液を黒化浴（酸化浴）とする黒化処理、および、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＢＨ4 （６ｇ／ｌ）を含む水溶液を還元浴とする還元処理を行い、そのスルーホール９を含む下層導体回路４の全表面に粗化面４ａ、９ａを形成した（図１（ｂ）参照）。
【０１８０】
（３）上記Ｂに記載した樹脂充填材を調製した後、下記の方法により調製後２４時間以内に、スルーホール９内、および、基板１の片面の導体回路非形成部と導体回路４の外縁部とに樹脂充填材１０の層を形成した。
すなわち、まず、スキージを用いてスルーホール内に樹脂充填材を押し込んだ後、１００℃、２０分の条件で乾燥させた。次に、導体回路非形成部に相当する部分が開口したマスクを基板上に載置し、スキージを用いて凹部となっている導体回路非形成部に樹脂充填材１０の層を形成し、１００℃、２０分の条件で乾燥させた（図１（ｃ）参照）。
【０１８１】
（４）上記（３）の処理を終えた基板の片面を、＃６００のベルト研磨紙（三共理化学製）を用いたベルトサンダー研磨により、内層銅パターン４の表面やスルーホール９のランド表面に樹脂充填材１０が残らないように研磨し、次いで、上記ベルトサンダー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行った。このような一連の研磨を基板の他方の面についても同様に行った。
次いで、１００℃で１時間、１５０℃で１時間の加熱処理を行って樹脂充填材１０を硬化した。
【０１８２】
このようにして、スルーホール９や導体回路非形成部に形成された樹脂充填材１０の表層部および下層導体回路４の表面を平坦化し、樹脂充填材１０と下層導体回路４の側面４ａとが粗化面を介して強固に密着し、またスルーホール９の内壁面９ａと樹脂充填材１０とが粗化面を介して強固に密着した基板を得た（図１（ｄ）参照）。即ち、この工程により、樹脂充填材１０の表面と下層導体回路４の表面とが同一平面となる。
【０１８３】
（５）上記基板を水洗、酸性脱脂した後、ソフトエッチングし、次いで、エッチング液を基板の両面にスプレイで吹きつけて、下層導体回路４の表面とスルーホール９のランド表面と内壁とをエッチングすることにより、下層導体回路４の全表面に粗化面４ａ、９ａを形成した（図２（ａ）参照）。
エッチング液としては、イミダゾール銅（ＩＩ）錯体１０重量部、グリコール酸７重量部、塩化カリウム５重量部からなるエッチング液（メック社製、メックエッチボンド）を使用した。
【０１８４】
（６）基板の両面に、Ａで作製した基板より少し大きめの層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを基板上に載置し、圧力４ｋｇｆ／ｃｍ2 、温度８０℃、圧着時間１０秒の条件で仮圧着して裁断した後、さらに、以下の方法により真空ラミネーター装置を用いて貼り付けることにより層間樹脂絶縁層を形成した（図３（ｂ）参照）。すなわち、層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを基板上に、真空度０．５Ｔｏｒｒ、圧力４ｋｇｆ／ｃｍ2 、温度８０℃、圧着時間６０秒の条件で本圧着し、その後、１７０℃で３０分間熱硬化させた。
【０１８５】
（７）次に、層間樹脂絶縁層２上に、厚さ１．２ｍｍの貫通孔が形成されたマスクを介して、波長１０．４μｍのＣＯ2 ガスレーザにて、ビーム径４．０ｍｍ、トップハットモード、パルス幅８．０μ秒、マスクの貫通孔の径１．０ｍｍ、１ショットの条件で層間樹脂絶縁層２に、直径８０μｍのバイアホール用開口６を形成した（図２（ｃ）参照）。
【０１８６】
（８）バイアホール用開口６を形成した基板を、６０ｇ／ｌの過マンガン酸を含む８０℃の溶液に１０分間浸漬し、層間樹脂絶縁層２の表面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、バイアホール用開口６の内壁を含む層間樹脂絶縁層２の表面を粗面とした（図２（ｄ）参照）。
【０１８７】
（９）次に、上記処理を終えた基板を、中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いした。
さらに、粗面化処理（粗化深さ３μｍ）した該基板の表面に、パラジウム触媒を付与することにより、層間樹脂絶縁層２の表面およびバイアホール用開口６の内壁面に触媒核を付着させた（図示せず）。すなわち、上記基板を塩化パラジウム（ＰｂＣｌ2 ）と塩化第一スズ（ＳｎＣｌ2 ）とを含む触媒液中に浸漬し、パラジウム金属を析出させることにより触媒を付与した。
【０１８８】
（１０）次に、以下の組成の無電解めっき用前処理液中に基板を浸漬することにより前処理を施した。
〔無電解めっき用前処理液〕
ＮａＯＨ              ０．１０ｍｏｌ／ｌ
ＨＣＨＯ              ０．１０ｍｏｌ／ｌ
〔前処理条件〕
浸漬温度      ３０℃
液温度          ３分
【０１８９】
（１１）次に、以下の組成の無電解銅めっき水溶液中に、前処理を施した基板を浸漬して、粗面全体に厚さ０．６〜３．０μｍの無電解銅めっき膜１２を形成し、バイアホール用開口の内壁を含む層間樹脂絶縁層の表面に無電解銅めっき膜１２が形成された基板を得た（図３（ａ）参照）。
〔無電解めっき水溶液〕
ＮｉＳＯ4                   ０．００３  ｍｏｌ／ｌ
酒石酸                      ０．２００  ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅                      ０．０３０  ｍｏｌ／ｌ
ＨＣＨＯ                    ０．０５０  ｍｏｌ／ｌ
ＮａＯＨ                    ０．１００  ｍｏｌ／ｌ
α、α′−ビピリジル            １００  ｍｇ／ｌ
ポリエチレングリコール（ＰＥＧ）  ０．１０  ｇ／ｌ
〔無電解めっき条件〕
３４℃の液温度で４０分
【０１９０】
（１２）無電解銅めっき膜１２が形成された基板に市販の感光性ドライフィルムを張り付け、マスクを載置して、１００ｍＪ／ｃｍ2 で露光し、０．８％炭酸ナトリウム水溶液で現像処理することにより、厚さ２０μｍのめっきレジスト３を設けた（図３（ｂ）参照）。
【０１９１】
（１３）ついで、基板を５０℃の水で洗浄して脱脂し、２５℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗浄してから、以下の条件で電解めっきを施し、めっきレジスト３非形成部に、厚さ２０μｍの電解銅めっき膜１３を形成した（図３（ｃ）参照）。
〔電解めっき液〕
硫酸                      ２．２４  ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅                    ０．２６  ｍｏｌ／ｌ
添加剤                    １９．５    ｍｌ／ｌ
（アトテックジャパン社製、カパラシドＧＬ）
〔電解めっき条件〕
電流密度                    １  Ａ／ｄｍ2
時間                        ６５  分
温度                        ２２±２  ℃
【０１９２】
（１４）さらに、めっきレジスト３を５％ＫＯＨで剥離除去した後、そのめっきレジスト３下の無電解めっき膜を硫酸と過酸化水素との混合液でエッチング処理して溶解除去し、独立の上層導体回路５（バイアホール７を含む）とした（図３（ｄ）参照）。
【０１９３】
（１５）ついで、上記（５）と同様の処理を行い、導体回路表面に粗化面を形成した（図４（ａ）参照）。
（１６）上記（６）〜（１５）の工程を繰り返すことにより、さらに上層の導体回路を形成し、多層配線板を得た（図４（ｂ）〜図５（ｂ）参照）。
【０１９４】
（１７）次に、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ＤＭＤＧ）に６０重量％の濃度になるように溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社製）のエポキシ基５０％をアクリル化した感光性付与のオリゴマー（分子量：４０００）４６．６７重量部、メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル社製、商品名：エピコート１００１）１５．０重量部、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、商品名：２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）１．６重量部、感光性モノマーである２官能アクリルモノマー（日本化薬社製、商品名：Ｒ６０４）４．５重量部、同じく多価アクリルモノマー（共栄化学社製、商品名：ＤＰＥ６Ａ）１．５重量部、分散系消泡剤（サンノプコ社製、Ｓ−６５）０．７１重量部を容器にとり、攪拌、混合して混合組成物を調製し、この混合組成物に対して光重合開始剤としてベンゾフェノン（関東化学社製）２．０重量部、光増感剤としてのミヒラーケトン（関東化学社製）０．２重量部、を加えることにより、粘度を２５℃で２．０Ｐａ・ｓに調整したソルダーレジスト組成物を得た。
なお、粘度測定は、Ｂ型粘度計（東京計器社製、ＤＶＬ−Ｂ型）で６０ｒｐｍの場合はローターＮｏ．４、６ｒｐｍの場合はローターＮｏ．３によった。
【０１９５】
（１８）次に、多層配線基板の両面に、上記ソルダーレジスト組成物を２０μｍの厚さで塗布し、７０℃で２０分間、７０℃で３０分間の条件で乾燥処理を行った後、ソルダーレジスト開口部のパターンが描画された厚さ５ｍｍのフォトマスクをソルダーレジスト層に密着させて１０００ｍＪ／ｃｍ2 の紫外線で露光し、ＤＭＴＧ溶液で現像処理し、２００μｍの直径の開口を形成した。
そして、さらに、８０℃で１時間、１００℃で１時間、１２０℃で１時間、１５０℃で３時間の条件でそれぞれ加熱処理を行ってソルダーレジスト層を硬化させ、開口を有し、その厚さが２０μｍのソルダーレジストパターン層１４を形成した。上記ソルダーレジスト組成物としては、市販のソルダーレジスト組成物を使用することもできる。
【０１９６】
（１９）次に、ソルダーレジスト層１４を形成した基板を、塩化ニッケル（２．３×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（２．８×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．６×１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液に２０分間浸漬して、開口部に厚さ５μｍのニッケルめっき層１５を形成した。さらに、その基板をシアン化金カリウム（７．６×１０-3ｍｏｌ／ｌ）、塩化アンモニウム（１．９×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．２×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（１．７×１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含む無電解金めっき液に８０℃の条件で７．５分間浸漬して、ニッケルめっき層１５上に、厚さ０．０３μｍの金めっき層１６を形成した。
【０１９７】
（２０）この後、基板のＩＣチップを載置する面のソルダーレジスト層１４の開口に、スズ−鉛を含有するはんだペーストを印刷し、さらに他方の面のソルダーレジスト層１４の開口にスズ−アンチモンを含有するはんだペーストを印刷した後、２００℃でリフローすることによりはんだバンプ（はんだ体）１７を形成し、はんだバンプ１７を有する多層プリント配線板を製造した（図５（ｃ）参照）。
【０１９８】
（実施例２）
無電解めっき用前処理液におけるＮａＯＨの濃度を、０．０２５ｍｏｌ／ｌにした以外は、実施例１と同様にして多層プリント配線板を製造した。
【０１９９】
（実施例３）
無電解めっき用前処理液におけるＨＣＨＯの濃度を、０．１０ｍｏｌ／ｌにした以外は、実施例１と同様にして多層プリント配線板を製造した。
【０２００】
（実施例４）
無電解めっき液において、ＮｉＳＯ4 の代わりに、ＣｏＳＯ4 （濃度：０．００２ｍｏｌ／ｌを用いた以外は、実施例１と同様にして多層プリント配線板を製造した。
【０２０１】
（実施例５）
Ａ．上層の粗化面形成用樹脂組成物の調製
（１）クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社製、分子量：２５００）の２５％アクリル化物を８０重量％の濃度でジエチレングリコールジメチルエーテル（ＤＭＤＧ）に溶解させた樹脂液４００重量部、感光性モノマー（東亜合成社製、アロニックスＭ３２５）６０重量部、消泡剤（サンノプコ社製  Ｓ−６５）５重量部およびＮ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）３５重量部を容器にとり、攪拌混合することにより混合組成物を調製した。
【０２０２】
（２）ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）８０重量部、エポキシ樹脂粒子（三洋化成社製、ポリマーポール）の平均粒径１．０μｍのもの７２重量部および平均粒径０．５μｍのもの３１重量部を別の容器にとり、攪拌混合した後、さらにＮＭＰ２５７重量部を添加し、ビーズミルで攪拌混合し、別の混合組成物を調製した。
【０２０３】
（３）イミダゾール硬化剤（四国化成社製、２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）２０重量部、光重合開始剤（ベンゾフェノン）２０重量部、光増感剤（チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製、ＥＡＢ）４重量部およびＮＭＰ１６重量部をさらに別の容器にとり、攪拌混合することにより混合組成物を調製した。
そして、（１）、（２）および（３）で調製した混合組成物を混合することにより粗化面形成用樹脂組成物を得た。
【０２０４】
Ｂ．下層の粗化面形成用樹脂組成物の調製
（１）クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社製、分子量：２５００）の２５％アクリル化物を８０重量％の濃度でジエチレングリコールジメチルエーテル（ＤＭＤＧ）に溶解させた樹脂液４００重量部、感光性モノマー（東亜合成社製、アロニックスＭ３２５）６０重量部、消泡剤（サンノプコ社製  Ｓ−６５）５重量部およびＮ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）３５重量部を容器にとり、攪拌混合することにより混合組成物を調製した。
【０２０５】
（２）ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）８０量部、および、エポキシ樹脂粒子（三洋化成社製、ポリマーポール）の平均粒径０．５μｍのもの１４５重量部を別の容器にとり、攪拌混合した後、さらにＮＭＰ２８５重量部を添加し、ビーズミルで攪拌混合し、別の混合組成物を調製した。
【０２０６】
（３）イミダゾール硬化剤（四国化成社製、２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）２０重量部、光重合開始剤（ベンゾフェノン）２０重量部、光増感剤（チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製、ＥＡＢ）４重量部およびＮＭＰ１６重量部をさらに別の容器にとり、攪拌混合することにより混合組成物を調製した。
そして、（１）、（２）および（３）で調製した混合組成物を混合することにより無電解めっき用接着剤を得た。
【０２０７】
Ｃ．樹脂充填剤の調製
実施例１と同様にして、樹脂充填材を調製した。
【０２０８】
Ｄ．プリント配線板の製造方法
（１）厚さ０．８ｍｍのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる基板１の両面に１８μｍの銅箔８がラミネートされている銅張積層板を出発材料とした（図６（ａ）参照）。まず、この銅張積層板をドリル削孔し、無電解めっき処理を施し、パターン状にエッチングすることにより、基板１の両面に下層導体回路４とスルーホール９を形成した。
【０２０９】
（２）スルーホール９および下層導体回路４を形成した基板を水洗いし、乾燥した後、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＣｌＯ2 （４０ｇ／ｌ）、Ｎａ3 ＰＯ4 （１６ｇ／ｌ）を含む水溶液を黒化浴（酸化浴）とする黒化処理、および、ＮａＯＨ（１９ｇ／ｌ）、ＮａＢＨ4 （５ｇ／ｌ）を含む水溶液を還元浴とする還元処理を行い、そのスルーホール９を含む下層導体回路４の全表面に粗化面４ａ、９ａを形成した（図６（ｂ）参照）。
【０２１０】
（３）上記Ｃに記載した樹脂充填材を調製した後、下記の方法により調製後２４時間以内に、スルーホール９内、および、基板１の片面の導体回路非形成部と導体回路４の外縁部とに樹脂充填材１０の層を形成した。
すなわち、まず、スキージを用いてスルーホール内に樹脂充填材を押し込んだ後、１００℃、２０分の条件で乾燥させた。次に、導体回路非形成部に相当する部分が開口したマスクを基板上に載置し、スキージを用いて凹部となっている導体回路非形成部に樹脂充填材１０の層を形成し、１００℃、２０分の条件で乾燥させた（図６（ｃ）参照）。
【０２１１】
（４）上記（３）の処理を終えた基板の片面を、＃６００のベルト研磨紙（三共理化学製）を用いたベルトサンダー研磨により、内層銅パターン４の表面やスルーホール９のランド表面に樹脂充填材１０が残らないように研磨し、次いで、上記ベルトサンダー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行った。このような一連の研磨を基板の他方の面についても同様に行った。
次いで、１００℃で１時間、１２０℃で３時間、１５０℃で１時間、１８０℃で７時間の加熱処理を行って樹脂充填材１０を硬化した。
【０２１２】
このようにして、スルーホール９や導体回路非形成部に形成された樹脂充填材１０の表層部および下層導体回路４の表面を平坦化し、樹脂充填材１０と下層導体回路４の側面４ａとが粗化面を介して強固に密着し、またスルーホール９の内壁面９ａと樹脂充填材１０とが粗化面を介して強固に密着した絶縁性基板を得た（図６（ｄ）参照）。この工程により、樹脂充填材１０の表面と下層導体回路４の表面が同一平面となる。
【０２１３】
（５）上記基板を水洗、酸性脱脂した後、ソフトエッチングし、次いで、エッチング液を基板の両面にスプレイで吹きつけて、下層導体回路４の表面とスルーホール９のランド表面と内壁とをエッチングすることにより、下層導体回路４の全表面に粗化面４ａ、９ａを形成した（図７（ａ）参照）。エッチング液として、イミダゾール銅（II）錯体１０重量部、グリコール酸７重量部、塩化カリウム５重量部からなるエッチング液（メック社製、メックエッチボンド）を使用した。
【０２１４】
（６）基板の両面に、上記Ｂの粗化面形成用樹脂組成物（粘度：１．５Ｐａ・ｓ）をロールコータで塗布し、水平状態で２０分間放置してから、６０℃で３０分の乾燥を行い、粗化面形成用樹脂層２ａを形成した。
さらに、この粗化面形成用樹脂層２ａの上に上記Ａの粗化面形成用樹脂組成物（粘度：７Ｐａ・ｓ）をロールコータを用いて塗布し、水平状態で２０分間放置してから、６０℃で３０分の乾燥を行い、粗化面形成用樹脂層２ｂを形成し、厚さ３５μｍの粗化面形成用樹脂層を形成した（図７（ｂ）参照）。
【０２１５】
（７）上記（６）で粗化面形成用樹脂層を形成した基板１の両面に、直径８５μｍの黒円が印刷されたフォトマスクフィルムを密着させ、超高圧水銀灯により５００ｍＪ／ｃｍ2 強度で露光した後、ＤＭＤＧ溶液でスプレー現像した。この後、さらに、この基板を超高圧水銀灯により３０００ｍＪ／ｃｍ2 強度で露光し、１００℃で１時間、１２０℃で１時間、１５０℃で３時間の加熱処理を施し、フォトマスクフィルムに相当する寸法精度に優れた直径８５μｍのバイアホール用開口６を有する厚さ３５μｍの層間樹脂絶縁層２を形成した（図７（ｃ）参照）。
【０２１６】
（８）バイアホール用開口６を形成した基板を、８００ｇ／ｌのクロム酸を含む７０℃の溶液に１９分間浸漬し、層間樹脂絶縁層２の表面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、層間樹脂絶縁層２の表面を粗面（深さ３μｍ）とした（図７（ｄ）参照）。
【０２１７】
（９）次に、上記処理を終えた基板を、中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いした。
さらに、粗面化処理した該基板の表面に、パラジウム触媒（アトテック製）を付与することにより、層間樹脂絶縁層２の表面およびバイアホール用開口６の内壁面に触媒核を付着させた（図示せず）。
【０２１８】
（１０）次に、以下の組成の無電解めっき用前処理液中に基板を浸漬することにより前処理を施した。
〔無電解めっき用前処理液〕
ＮａＯＨ              ０．１０ｍｏｌ／ｌ
ＨＣＨＯ              ０．１０ｍｏｌ／ｌ
〔前処理条件〕
浸漬温度      ３０℃
液温度          ３分
【０２１９】
（１１）次に、以下の組成の無電解銅めっき水溶液中に、前処理を施した基板を浸漬して、粗面全体に厚さ０．６〜３．０μｍの無電解銅めっき膜１２を形成し、バイアホール用開口の内壁を含む層間樹脂絶縁層の表面に無電解銅めっき膜１２が形成された基板を得た（図８（ａ）参照）。
〔無電解めっき水溶液〕
ＮｉＳＯ4                   ０．００３  ｍｏｌ／ｌ
酒石酸                      ０．２００  ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅                      ０．０３０  ｍｏｌ／ｌ
ＨＣＨＯ                    ０．０５０  ｍｏｌ／ｌ
ＮａＯＨ                    ０．１００  ｍｏｌ／ｌ
α、α′−ビピリジル            １００  ｍｇ／ｌ
ポリエチレングリコール（ＰＥＧ）  ０．１０  ｇ／ｌ
〔無電解めっき条件〕
３４℃の液温度で４０分
【０２２０】
（１２）市販の感光性ドライフィルムを無電解銅めっき層１２に貼り付け、マスクを載置して、１００ｍＪ／ｃｍ2 で露光し、０．８％炭酸ナトリウム水溶液で現像処理することにより、厚さ２５μｍのめっきレジスト３を設けた（図８（ｂ）参照）。
【０２２１】
（１３）ついで、基板を５０℃の水で洗浄して脱脂し、２５℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗浄してから、以下の条件で電解めっきを施し、めっきレジスト３非形成部に、厚さ２０μｍの電解銅めっき膜１３を形成した（図８（ｃ）参照）。
〔電解めっき液〕
硫酸                      ２．２４  ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅                    ０．２６  ｍｏｌ／ｌ
添加剤                    １９．５    ｍｌ／ｌ
（アトテックジャパン社製、カパラシドＧＬ）
〔電解めっき条件〕
電流密度                    １  Ａ／ｄｍ2
時間                        ６５  分
温度                        ２２±２  ℃
【０２２２】
（１４）さらに、めっきレジスト３を５％ＫＯＨで剥離除去した後、そのめっきレジスト３下の無電解めっき膜を硫酸と過酸化水素との混合液でエッチング処理して溶解除去し、独立の上層導体回路５（バイアホール７を含む）とした（図８（ｄ）参照）。
【０２２３】
（１５）ついで、上記（５）と同様の処理を行い、導体回路表面に粗化面を形成した（図９（ａ）参照）。
（１６）上記（６）〜（１５）の工程を繰り返すことにより、さらに上層の導体回路を形成し、多層配線板を得た（図９（ｂ）〜図１０（ｂ）参照）。
【０２２４】
（１７）次に、実施例１の（１７）〜（２０）と同様にして、はんだバンプ１７を有する多層プリント配線板を製造した（図１０（ｃ）参照）。
【０２２５】
（比較例１）
無電解めっき用前処理液として、以下の組成の無電解めっき用前処理液を用いた以外は、実施例１と同様にして多層プリント配線板を製造した。
〔無電解めっき用前処理液〕
ＮａＯＨ              ０．００５ｍｏｌ／ｌ
ＨＣＨＯ              ０．１０ｍｏｌ／ｌ
【０２２６】
（比較例２）
無電解めっき用前処理液として、以下の組成の無電解めっき用前処理液を用いた以外は、実施例１と同様にして多層プリント配線板を製造した。
〔無電解めっき用前処理液〕
ＮａＯＨ              ０．３０ｍｏｌ／ｌ
ＨＣＨＯ              ０．１０ｍｏｌ／ｌ
【０２２７】
（比較例３）
無電解めっき用前処理液として、以下の組成の無電解めっき用前処理液を用いた以外は、実施例１と同様にして多層プリント配線板を製造した。
〔無電解めっき用前処理液〕
ＮａＯＨ              ０．１０ｍｏｌ／ｌ
ＨＣＨＯ              ０．０５ｍｏｌ／ｌ
【０２２８】
実施例１〜５および比較例１〜３で得られた多層プリント配線板において、無電解めっき膜の形状、および、無電解めっき膜のピール強度について評価を行った。結果を表１に示した。なお、無電解めっき膜の形状は、下記の評価方法により評価した。
また、上記多層プリント配線板について、導通試験を行い、断線の有無を評価した。結果を表１に示した。
【０２２９】
（１）無電解めっき膜の形状
多層プリント配線板をバイアホールを含むように縦に切断し、無電解めっき膜の形状を顕微鏡により観察し、以下の評価基準で評価した。
評価基準
○．無電解めっき膜の未析出部分がなく、厚さが均一である。
×．無電解めっき膜の未析出部分が存在したり、厚さにバラツキが生じたりしている。
【０２３０】
【表１】
0004521947.tif 000004
【０２３１】
表１に示したように、本発明の無電解めっき用前処理液を用いて製造した多層プリント配線板（実施例１〜５）では、層間樹脂絶縁層の表面全体に、厚さの均一な無電解めっき膜が形成されており、この無電解めっき膜のピール強度は０．８ｋｇ／ｃｍ以上と充分に高く、また、得られた多層プリント配線板は、接続性も良好であった。
一方、比較例１〜３の多層プリント配線板は、層間樹脂絶縁層の表面全体に、厚さの均一な無電解めっき膜が形成されておらず、めっき膜の未析出部分や、厚さの不均一な部分が見られた。また、この無電解めっき膜のピール強度は０．７ｋｇ／ｃｍ以下と無電解めっき膜の密着性は充分でなく、また、得られた多層プリント配線板は一部に接続不良がみられ、その接続性は、実施例と比べて低かった。
【０２３２】
【発明の効果】
以上説明してきたように、本発明の無電解めっき用前処理液は、上述の構成からなるため、該無電解めっき用前処理液を用いて前処理を施した後、無電解めっき処理を施した際に、被めっき物の表面に均一で、密着性に優れる無電解めっき膜を形成することができる。
また、本発明の無電解めっき用処理液は、上述の構成からなるため、樹脂からなる被めっき物の表面に、均一で、密着性に優れた無電解めっき膜を形成する際に用いる処理液として適している。
【０２３３】
また、第一〜第四の本発明の多層プリント配線板の製造方法は、上述の構成からなるため、基板や層間樹脂絶縁層と導体回路との密着性が優れ、信頼性、電気特性に優れた多層プリント配線板を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の多層プリント配線板の製造方法の工程の一部を示す断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の多層プリント配線板の製造方法の工程の一部を示す断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の多層プリント配線板の製造方法の工程の一部を示す断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の多層プリント配線板の製造方法の工程の一部を示す断面図である。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の多層プリント配線板の製造方法の工程の一部を示す断面図である。
【図６】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の多層プリント配線板の製造方法の工程の一部を示す断面図である。
【図７】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の多層プリント配線板の製造方法の工程の一部を示す断面図である。
【図８】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の多層プリント配線板の製造方法の工程の一部を示す断面図である。
【図９】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の多層プリント配線板の製造方法の工程の一部を示す断面図である。
【図１０】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の多層プリント配線板の製造方法の工程の一部を示す断面図である。
【符号の説明】
１  絶縁性基板
２  層間樹脂絶縁層
３  めっきレジスト
４  下層導体回路
４ａ  粗化面
５  導体回路
６  バイアホール用開口
７  バイアホール
８  銅箔
９  スルーホール
９ａ  粗化面
１０ 樹脂充填材
１２  無電解銅めっき膜
１３  電解銅めっき膜
１４  ソルダーレジスト層
１５  ニッケルめっき膜
１６  金めっき膜
１７  はんだバンプ
１８  貫通孔
１９  はんだ
【図１】
0004521947.tif 000005
【図２】
0004521947.tif 000006
【図３】
0004521947.tif 000007
【図４】
0004521947.tif 000008
【図５】
0004521947.tif 000009
【図６】
0004521947.tif 000010
【図７】
0004521947.tif 000011
【図８】
0004521947.tif 000012
【図９】
0004521947.tif 000013
【図１０】
0004521947.tif 000014