(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも以下（ａ）〜（ｆ）の工程を備えることを特徴とするプリント配線板の製造方法：
（ａ）コア基板に、コンデンサを内蔵させる工程；
（ｂ）前記コア基板に、層間樹脂絶縁層を形成する工程；
（ｃ）前記層間樹脂絶縁層を熱硬化させる工程；
（ｄ）レーザ加工装置の加工台に前記コア基板を載置し、前記層間樹脂絶縁層に、レーザを照射して前記コンデンサの端子へ至るバイアホール形成用の開口を設ける工程；
（ｅ）前記（ｄ）の工程の前後に、前記（ｄ）の工程で用いるレーザ加工装置の加工台に載置した状態で、基板にスルーホール用の貫通孔を形成する工程；
（ｆ）前記貫通孔及び前記開口に導電膜を形成し、スルーホール及びバイアホールを施す工程。
【請求項２】
少なくとも以下（ａ）〜（ｆ）の工程を備えることを特徴とするプリント配線板の製造方法：
（ａ）コア基板に、コンデンサを内蔵させる工程；
（ｂ）前記コア基板に、層間樹脂絶縁層を形成する工程；
（ｃ）前記層間樹脂絶縁層を熱硬化させる工程；
（ｄ）レーザ加工装置の加工台に前記コア基板を載置し、前記層間樹脂絶縁層に、レーザを照射して前記コンデンサの端子へ至るバイアホール形成用の開口及びスルーホール形成用の開口を設ける工程；
（ｅ）前記（ｄ）の工程で用いたレーザ加工装置の加工台に載置した状態で、前記スルーホール形成用の開口にレーザを照射し、基板にスルーホール用貫通孔を形成する工程；
（ｆ）前記貫通孔及び前記開口に導電膜を形成し、スルーホール及びバイアホールを施す工程。
【請求項３】
前記（ｄ）の工程は、レーザ加工装置の加工台に前記コア基板を載置した後、バイアホールおよびスルーホールに対応する貫通孔を有するマスクを前記層間樹脂絶縁層に載置し、該層間樹脂絶縁層にマスクを介してレーザを照射して前記コンデンサの端子へ致るバイアホール形成用の開口、及び、スルーホール形成用の開口を設ける工程であり、
前記（ｅ）の工程は、前記マスクを取り除いた後、前記（ｄ）の工程で用いたレーザ加工装置の加工台に載置した状態で、前記スルーホール形成用の開口にマスクを用いることなくレーザを照射し、コア基板にスルーホール形成用貫通孔を形成する工程である請求項２に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項４】
前記スルーホールの開口径は、１００〜２００μｍであることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか１に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項５】
前記バイアホールの開口径は、５０〜１００μｍであることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか１に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項６】
前記コンデンサは、前記コア基板に形成された１の凹部の中に複数個収容させることを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれか１に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項７】
前記層間樹脂絶縁層がオレフィン樹脂からなる請求項１〜６のいずれか１に記載のプリント配線板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、スルーホールを介して表裏が電気的接続され、上層と下層の導体回路が層間絶縁層により絶縁され、両者がバイアホールで接続されてなるプリント基板に関し、特にコンデンサを内蔵するプリント配線板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、ビルドアップ多層プリント配線板は、例えば、特開平９−１３００５０号、特開平９−１５３６８３号、特開平９−１７２２６１号、特開平９−２４６７２４号、特開平１０−１３５６３８号等に開示される方法にて製造されている。
すなわち、コア基板にドリルで貫通孔を穿設して、コア基板にスルーホールを形成する。その後、基板に層間樹脂絶縁層を積層し、層間樹脂絶縁層に露光現像処理もしくはレーザでバイアホールを形成して、回路パターンを形成する。これを繰り返すことにより、ビルドアップ多層プリント配線板が得られる。
ここで、スルーホール及びバイアホールは、コア基板に形成された位置決めマークを基に位置合わせを行い、それぞれ別々の装置で開口を行っている。
【０００３】
また、本出願人は特願平１１−２４８３１１号にて、パッケージ基板用のプリント配線板のＩＣチップへの電力の供給を円滑にする等の目的のため、コア基板に凹部を形成し、凹部にチップコンデンサを収容させる技術を提案した。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、スルーホールの形成とバイアホールの形成とを別々の装置、方法で行っているため、位置合わせの度に位置決めマークに対して誤差が生じ、スルーホールとバイアホールの間で位置ずれが生じている。
更に、位置決めマーク自体がずれてしまう問題点がある。これについて、図１０を参照して説明する。図１０（Ａ）に示すように、コア基板３３０上に導体回路３４３と位置決めマーク３４５とを配設し、該導体回路３４３上に層間樹脂絶縁層３４０を形成する。まず、位置決めマーク３４５をカメラ８０で撮影し、位置合わせを行い図示しないドリルでスルーホール用の通孔３４６を穿設する（図１０（Ｂ））。そして、デスミヤ処理により通孔３４６内に残った樹脂残さを除去した後、アニール処理をして層間樹脂絶縁層３４０を硬化させる。この際に、図１０（Ｃ）に示すように、熱収縮によって基板４３０全体が収縮し、位置決めマーク３４５がずれる。その後、ずれた位置決めマーク３４５をカメラ８０で撮像し、レーザでバイアホール用の開口３４８を形成しても、スルーホール用通孔３４６、及び、導体回路３４３に対して位置ずれを生じる（図１０（Ｃ））。
【０００５】
ここで、図１０（Ｆ１）、（Ｆ２）、（Ｆ３）は、コア基板にチップコンデンサ３２０を収容し、バイアホール３６０によりチップコンデンサの端子３２１との接続を取ろうとした状態を示している。図１０（Ｆ１）は、端子３２１に対してバイアホール３６０が正規に接続できている状態を示している。図１０（Ｄ）を参照して上述したように、バイアホールが位置ずれを生じ、図１０（Ｆ２）に示すように端子３２１に対してバイアホール３６０が接続不良となったり、或いは、図１０（Ｆ３）に示すように未接続となったりする問題があった。
【０００６】
本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、コア基板に内蔵したコンデンサの端子へバイアホールを確実に接続できるプリント配線板の製造方法を提案することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記した目的を達成するため、請求項１の発明では、少なくとも以下（ａ）〜（ｆ）の工程を備えることを技術的特徴とする：
（ａ）コア基板に、コンデンサを内蔵させる工程；
（ｂ）前記コア基板に、層間樹脂絶縁層を形成する工程；
（ｃ）前記層間樹脂絶縁層を熱硬化させる工程；
（ｄ）レーザ加工装置の加工台に前記コア基板を載置し、前記層間樹脂絶縁層に、レーザを照射して前記コンデンサの端子へ至るバイアホール形成用の開口及びスルーホール形成用の開口を設ける工程；
（ｅ）前記（ｄ）の工程で用いたレーザ加工装置の加工台に載置した状態で、前記スルーホール形成用の開口にレーザを照射し、基板にスルーホール用貫通孔を形成する工程；
（ｆ）前記貫通孔及び前記開口に導電膜を形成し、スルーホール及びバイアホールを施す工程。
【００１０】
請求項１では、コンデンサを内層したコア基板に層間樹脂絶縁層を積層し、その後、レーザでコンデンサの端子へ至るバイアホール用開口を形成する。また、バイアホール用開口形成工程の前後に、同じレーザ加工による装置でスルーホール用貫通孔を形成している。すなわち、スルーホールの形成工程とバイアホールの形成工程とで別々の装置、方法で位置合わせを行うことがないため、スルーホールの形成工程とバイアホールの形成工程とで装置、工法による位置誤差が生じない。バイアホールの位置誤差が生じないため、コア基板に収容したコンデンサの端子へバイアホールを正確に接続が正確にできる。更に、スルーホールの形成工程とバイアホールの形成工程との間で基板に熱を加えることがないため、基板の収縮や反りで位置決めマークがずれたりすることなく、基板にスルーホール及びバイアホールを形成することができる。スルーホールとバイアホールとの間の位置ずれがなくなり、配線の未接続や短絡を防ぐことが可能となる。
【００１１】
請求項３のプリント配線板の製造方法では、少なくとも以下（ａ）〜（ｆ）の工程を備えることを技術的特徴とする：
（ａ）コア基板に、コンデンサを内蔵させる工程；
（ｂ）前記コア基板に、層間樹脂絶縁層を形成する工程；
（ｃ）前記層間樹脂絶縁層を熱硬化させる工程；
（ｄ）レーザ加工装置の加工台に前記コア基板を載置し、前記層間樹脂絶縁層に、レーザを照射して前記コンデンサの端子へ至るバイアホール形成用の開口及びスルーホール形成用の開口を設ける工程；
（ｅ）前記（ｄ）の工程で用いたレーザ加工装置の加工台に載置した状態で、前記スルーホール形成用の開口にレーザを照射し、基板にスルーホール用貫通孔を形成する工程；
（ｆ）前記貫通孔及び前記開口に導電膜を形成し、スルーホール及びバイアホールを施す工程。
【００１２】
請求項２では、コンデンサを収容したコア基板の片面に層間樹脂絶縁層を積層し、その後、レーザで層間樹脂絶縁層にバイアホール用開口及びスルーホール形成用開口を形成する。そして、同じレーザ加工による装置でスルーホール形成用開口にレーザを照射して、スルーホール用貫通孔を形成している。すなわち、スルーホールの形成工程とバイアホールの形成工程とで別々の装置、方法で位置合わせを行うことがないため、スルーホールの形成工程とバイアホールの形成工程とで装置、工法による位置誤差が生じない。更に、スルーホールの形成工程とバイアホールの形成工程との間で基板に熱を加えることがないため、基板の収縮や反りで位置決めマークがずれたりすることなく、基板にスルーホール及びバイアホールを形成することができる。バイアホールの位置ずれがないため、コア基板に収容したコンデンサの端子へバイアホールを正確に接続できる。更に、バイアホール形成用の開口とスルーホール形成用の開口とを同時に形成するため、その後、当該スルーホール形成用の開口にレーザにて貫通孔を形成した際に、バイアホール用開口とスルーホール用貫通孔との位置ずれを小さくすることができる。よって、配線の未接続や短絡を防ぐことが可能となる。
【００１３】
請求項４では、スルーホールの開口径を８０〜２５０μｍとしている。８０μｍ未満だと、内壁の導体層の形成が困難となり、２５０μｍを越えると高密度化が困難になり、また、ドリル加工に対するレーザ加工の優位性が失われる。望ましい範囲は、１００〜２００μｍである。その範囲は、レーザの開口性が安定しているからである。
【００１４】
請求項５では、バイアホールの開口径を２５〜１２５μｍとしている。２５μｍ未満だと、上層の配線との接続が困難となり、１２５μｍを越えると高密度化が困難になってしまう。望ましい範囲は、５０〜１００μｍである。その範囲は、レーザの開口性が安定しているからである。
【００１５】
請求項６では、コア基板に形成された凹部の中にコンデンサを収容している。これにより、コア基板内にコンデンサを配置するため、ＩＣチップとコンデンサとの距離が短くなり、ループインダクタンスを低減することが可能となる。また、凹部に多数個のコンデンサを収容させれるため、コンデンサの高集積化が可能となる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について図を参照して説明する。
先ず、本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の構成について断面図を示す図５を参照して説明する。
プリント配線板１０は、複数個のチップコンデンサ２０を収容するコア基板３０と、コア基板３０の上面に形成されたビルドアップ配線層８０とからなる。ビルドアップ配線層８０は、導体回路５８及びバイアホール６０の形成された層間樹脂絶縁層４０と、導体回路１５８及びバイアホール１６０の形成された層間樹脂絶縁層１４０とからなる。層間樹脂絶縁層１４０の上面及びコア基板３０の下面にはソルダーレジスト層７０が形成されており、上面のソルダーレジスト７０の開口部７１Ｕを介してバイアホール１６０に半田バンプ７６Ｕが形成され、下面のソルダーレジスト７０の開口部７１Ｄを介してバイアホール１６０に半田バンプ７６Ｄが形成されている。プリント配線板の上面側の半田バンプ７６Ｕと下面の半田バンプ７６Ｄとは、コア基板３０に形成されたスルーホール６２を介して接続されている。上面側の半田バンプ７６Ｕには、ＩＣチップが載置され、下面の半田バンプ７６Ｄは、ドータボードへ接続される。
【００１７】
チップコンデンサ２０は、第１電極２１と第２電極２２と、第１、第２電極に挟まれた誘電体２３とから成り、誘電体２３には、第１電極２１側に接続された第１導電膜２４と、第２電極２２側に接続された第２導電膜２５とが複数枚対向配置されている。
【００１８】
チップコンデンサ２０の第１端子２１と第２端子２２とは、層間樹脂絶縁層４０に形成されたバイアホール６０を介して、層間樹脂絶縁層１４０に形成されたバイアホール１６０へ接続される。本実施形態では、コア基板３０内にコンデンサ２０を配置するため、上面側の半田バンプ７６Ｕへ取り付けられる図示しないＩＣチップとコンデンサ２０との距離が短くなり、ループインダクタンスを低減することが可能となる。
【００１９】
続いて、上記プリント配線板のスルーホール６２及びバイアホール６０の加工を行うレーザ加工装置について図６を参照して説明する。
レーザ発振器１８１から出た光は、基板上の焦点を鮮明にするための転写用マスク１８２を経由してガルバノヘッド１７０へ入射する。ガルバノヘッド１７０は、レーザ光をＸ方向にスキャンするガルバノミラー１７４ＸとＹ方向にスキャンするガルバノミラー１７４Ｙとの２枚で１組のガルバノミラーから構成されており、このミラー１７４Ｘ、１７４Ｙは制御用のモータ１７２Ｘ、１７２Ｙにより駆動される。モータ１７２Ｘ、１７２Ｙは図示しない制御装置からの制御指令に応じて、ミラー１７４Ｘ、１７４Ｙの角度を調整すると共に、内蔵しているエンコーダからの検出信号を該制御装置側へ送出するよう構成されている。
【００２０】
レーザ光は、ガルバノミラー１７４Ｘ、１７４Ｙを経由してそれぞれＸ−Ｙ方向にスキャンされてｆ−閘レンズ１７６を通り、マスク４４を介して多数個取りのコア基板３０にバイアホール用開口及びスルーホール用貫通孔を形成する。多数個取りの基板３０は、Ｘ−Ｙ方向に移動するＸ−Ｙテーブル９０に載置されている。該レーザ加工装置には、カメラ１８０が備えられ、基板３０の位置決めマークを撮像して位置合わせを行う。
【００２１】
次に、本発明の第１実施例のプリント配線板の製造方法に用いるＡ．層間樹脂絶縁層用樹脂フィルム、Ｂ．樹脂充填剤について説明する。
【００２２】
Ａ．層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムの作製
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量４６９、油化シェルエポキシ社製エピコート１００１）３０重量部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量２１５、大日本インキ化学工業社製  エピクロンＮ−６７３）４０重量部、トリアジン構造含有フェノールノボラック樹脂（フェノール性水酸基当量１２０、大日本インキ化学工業社製  フェノライトＫＡ−７０５２）３０重量部をエチルジグリコールアセテート２０重量部、ソルベントナフサ２０重量部に攪拌しながら加熱溶解させ、そこへ末端エポキシ化ポリブタジエンゴム（ナガセ化成工業社製  デナレックスＲ−４５ＥＰＴ）１５重量部と２−フェニル−４、５−ビス（ヒドロキシメチル）イミダゾール粉砕品１．５重量部、微粉砕シリカ２重量部、シリコン系消泡剤０．５重量部を添加しエポキシ樹脂組成物を調製する。
得られたエポキシ樹脂組成物を厚さ３８μｍのＰＥＴフィルム上に乾燥後の厚さが５０μｍとなるようにロールコーターを用いて塗布した後、８０〜１２０℃で１０分間乾燥させることにより、層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを作製する。
【００２３】
Ｂ．樹脂充填剤の調製
ビスフェノールＦ型エポキシモノマー（油化シェル社製、分子量：３１０、ＹＬ９８３Ｕ）１００重量部、表面にシランカップリング剤がコーティングされた平均粒径が１．６μｍで、最大粒子の直径が１５μｍ以下のＳｉＯ2 球状粒子（アドテック社製、ＣＲＳ  １１０１−ＣＥ）１７０重量部およびレベリング剤（サンノプコ社製  ペレノールＳ４）１．５重量部を容器にとり、攪拌混合することにより、その粘度が２３±１℃で４５〜４９Ｐａ・ｓの樹脂充填剤を調製する。なお、硬化剤として、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）６．５重量部を用いる。
【００２４】
引き続き、図５を参照して上述したプリント配線板の製造方法について、図１〜図５を参照して説明する。
【００２５】
（１）先ず、絶縁樹脂基板からなるコア基板３０を出発材料とする（図１（Ａ）参照）。なお、コア基板３０としては、ガラスクロス等の心材に樹脂を含浸させたものを用いることができ、ＢＴ、ＦＲ−４、ＦＲ−５、ＲＣＣなどを好適に用いることができる。
次に、コア基板３０の片面に、ザグリ加工でコンデンサ配設用の凹部３０ａを形成する。ここでは、ザグリ加工で凹部を設けているが、開口を形成した樹脂板と開口のない樹脂板とを張り合わせることで凹部を形成することもできる。その後、凹部３０ａに、印刷機を用いて接着材料３２を塗布する（図１（Ｂ）参照）。このとき、塗布以外にも、ポッティングなどをしてもよい。
【００２６】
（２）次に、凹部３０ａに複数個のセラミックから成るチップコンデンサ２０を接着材料３２上に載置する（図１（Ｃ）参照）。１の凹部３０ａに複数個のコンデンサ２０を載置することにより、コンデンサ２０の高集積化が可能となる。
その後、凹部３０ａ内のチップコンデンサ２０間に、熱硬化性樹脂を充填し、加熱硬化して樹脂層３４を形成する（図１（Ｄ）参照）。このとき、熱硬化性樹脂としては、エポキシ、フェノール、ポリイミド、トリアジンが好ましい。これにより、凹部３０ａ内のチップコンデンサ２０を固定することができる。
【００２７】
（３）基板３０の両面に、上記Ａで作製した基板３０より少し大きめの層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを基板３０上に載置し、圧力４ｋｇｆ／ｃｍ2 、温度８０℃、圧着時間１０秒の条件で仮圧着して裁断した後、さらに、以下の方法により真空ラミネーター装置を用いて貼り付けることにより層間樹脂絶縁層４０を形成する（図２（Ａ）参照）。すなわち、層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを基板３０上に、真空度０．５Ｔｏｒｒ、圧力４ｋｇｆ／ｃｍ2 、温度８０℃、圧着時間６０秒の条件で本圧着し、その後、１７０℃で３０分間熱硬化させる。
層間樹脂絶縁層は、塗布またはフィルムの圧着により形成する。フィルムとしては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂あるいはそれらの複合体であり、具体的な例として、エポキシ樹脂フィルム、オレフィン系フィルム、エポキシ樹脂−フェノキシ樹脂の樹脂複合体フィルムなどを用いることができる。また、前述の樹脂中には、樹脂粒子、無機粒子等が配合されていてもよい。あるいは、酸や酸化剤に難溶性である箇所と可溶性である箇所とをそれぞれに点在させてもよい（この場合の難溶性、可溶性とは同一溶液による溶解速度の差であり、相対的に遅いものを難溶性、逆に早いものを化溶性という）。
但し、層間樹脂絶縁層は、融点が３００℃以下であるため、３５０℃を越える温度を加えると、溶解、炭化してしまう。
【００２８】
（４）次に、図６を参照して上述したレーザ加工装置のＸ−Ｙテーブル９０にコア基板３０を載置し、コア基板の図示しない位置決めマークをカメラ１８０で撮像し、位置決めを行う。そして、該位置決めマークを基準として、コア基板３０の層間樹脂絶縁層４０上に、貫通孔（径１．０ｍｍ）４４ａの形成された厚さ１．２ｍｍのマスク４４を載置する。その後、レーザ発信器（波長１０．４μｍのＣＯ2 ガスレーザ）１８１からビーム径４．０ｍｍ、シングルモード、パルス幅８．０μ秒、１ショットの条件で、レーザ光を層間樹脂絶縁層４０へ照射し、チップコンデンサ２０の第１端子２１，第２端子２２へ至る直径８０μｍのバイアホール用開口４２を形成する（図２（Ｂ）参照）。なお、バイアホール用開口４２の開口径は、５０〜１００μｍが望ましい。５０μｍ以下だと、上層の配線との接続が困難となり、１００μｍ以上だと高密度化が困難になるからである。
【００２９】
（５）次いで、上述したレーザ加工装置のＸ−Ｙテーブル９０にコア基板３０を載置したまま、該コア基板の位置決めマークを基準として、貫通孔（径１．２ｍｍ）４８ａの形成された厚さ１．２ｍｍのマスク４８を載置する。レーザ発信器（波長１０．４μｍのＣＯ2 ガスレーザ）１８１からビーム径４．０ｍｍ、シングルモード、パルス幅６０．０μ秒、１２ショットの条件で、レーザ光を層間樹脂絶縁層４０へ照射し、直径１２０μｍのスルーホール用貫通孔４６を形成する（図２（Ｃ）参照）。なお、スルーホール用貫通孔４６の開口径は、１００〜２００μｍが望ましい。１００μｍ以下だと、導体層の形成が困難となり、２００μｍ以上だと高密度化が困難になり、また、ドリル加工に対するレーザ加工の優位性が失われるからである。
【００３０】
本実施形態の製造方法では、スルーホール用貫通孔４６の形成工程とバイアホール用開口４２の形成工程とで別々の装置、方法により位置合わせを行わないため、スルーホール用貫通孔４６とバイアホール用開口４２とで位置誤差が生じない。更に、スルーホール用貫通孔４６の形成工程とバイアホール用開口４２の形成工程との間で基板に熱を加えることがないため、基板の収縮や反りで位置決めマークがずれたりすることなく、基板にスルーホール用貫通孔４６及びバイアホール用開口４２を形成することができる。コア基板３０に収容したコンデンサ２０の端子２１，２２へバイアホールが正確に接続でき、信頼性を向上させることが可能となる。また、スルーホールとバイアホールとの間の位置ずれがなくなり、配線の未接続、接続不良や短絡を防ぐことができる。
【００３１】
（６）バイアホール用開口４２及びスルーホール用貫通孔４６を形成した基板３０を、６０ｇ／ｌの過マンガン酸を含む８０℃の溶液に１０分間浸漬し、層間樹脂絶縁層４０の表面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、バイアホール用開口４２の内壁を含む層間樹脂絶縁層４０の表面及びスルーホール用貫通孔４６内に、粗化面４０αを形成する（図２（Ｄ）参照）。
【００３２】
（７）次に、上記処理を終えた基板３０を、中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いする。さらに、粗面化処理（粗化深さ３μｍ）した該基板３０の表面に、パラジウム触媒を付与することにより、層間樹脂絶縁層４０の表面、バイアホール用開口４２の内壁面及びスルーホール用貫通孔４６内に触媒核を付着させる。
【００３３】
（８）次に、以下の組成の無電解銅めっき水溶液中に基板３０を浸漬して、粗化面４０α全体に厚さ０．６〜３．０μｍの無電解銅めっき膜５０を形成する（図３（Ａ）参照）。
〔無電解めっき水溶液〕
ＮｉＳＯ4                  ０．００３  ｍｏｌ／ｌ
酒石酸                      ０．２００  ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅                      ０．０３０  ｍｏｌ／ｌ
ＨＣＨＯ                    ０．０５０  ｍｏｌ／ｌ
ＮａＯＨ                    ０．１００  ｍｏｌ／ｌ
α、α′−ビピリジル                ４０  ｍｇ／ｌ
ポリエチレングリコール（ＰＥＧ）  ０．１０  ｇ／ｌ
〔無電解めっき条件〕
３５℃の液温度で４０分
【００３４】
（９）市販の感光性ドライフィルムを無電解銅めっき膜５０に貼り付け、マスクを載置して、１００ｍＪ／ｃｍ2 で露光し、０．８％炭酸ナトリウム水溶液で現像処理することにより、厚さ３０μｍのめっきレジスト５２を設ける（図３（Ｂ）参照）。
【００３５】
（１０）ついで、基板３０を５０℃の水で洗浄して脱脂し、２５℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗浄してから、以下の条件で電解銅めっきを施し、厚さ２０μｍの電解銅めっき膜５４を形成する（図３（Ｃ）参照）。
〔電解めっき水溶液〕
硫酸                  ２．２４  ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅                ０．２６  ｍｏｌ／ｌ
添加剤                １９．５  ｍｌ／ｌ
（アトテックジャパン社製、カパラシドＨＬ）
〔電解めっき条件〕
電流密度                  １  Ａ／ｄｍ2
時間                    ６５  分
温度                    ２２±２  ℃
【００３６】
（１１）めっきレジスト５２を５％ＮａＯＨで剥離除去した後、そのめっきレジスト５２下の無電解めっき膜５０を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチング処理して溶解除去し、無電解銅めっき膜５０と電解銅めっき膜５４からなる厚さ１８μｍの導体回路５８（バイアホール６０を含む）及びスルーホール６２を形成する。その後、上記基板３０を水洗、酸性脱脂した後、ソフトエッチングし、次いで、エッチング液を基板３０の両面にスプレイで吹きつけて、導体回路５８の表面とスルーホール６２のランド６２ａ表面とをエッチングすることにより、導体回路５８及びスルーホール６２の全表面に粗化面６４βを形成する（図３（Ｄ）参照）。
エッチング液としては、イミダゾール銅（ＩＩ）錯体１０重量部、グリコール酸７重量部、塩化カリウム５重量部からなるエッチング液（メック社製、メックエッチボンド）を使用する。
【００３７】
（１２）上記Ｂに記載した樹脂充填剤を調製した後、下記の方法により調製後２４時間以内に、スルーホール６２内に樹脂充填剤６６の層を形成する。すなわち、まず、スキージを用いてスルーホール６２内に樹脂充填剤６６を押し込んだ後、１００℃、２０分の条件で乾燥させる（図４（Ａ）参照）。
【００３８】
（１３）上記（３）〜（４）の工程を繰り返した後に、さらに上記（６）〜（１１）の工程を繰り返すことにより、基板の上層に、層間樹脂絶縁層１４０及び導体回路１５８（バイアホール１６０を含む）を形成する（図４（Ｂ）参照）。
【００３９】
（１４）次に、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ＤＭＤＧ）に６０重量％の濃度になるように溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社製）のエポキシ基５０％をアクリル化した感光性付与のオリゴマー（分子量：４０００）４６．６７重量部、メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル社製、商品名：エピコート１００１）１５．０重量部、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、商品名：２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）１．６重量部、感光性モノマーである２官能アクリルモノマー（日本化薬社製、商品名：Ｒ６０４）４．５重量部、同じく多価アクリルモノマー（共栄化学社製、商品名：ＤＰＥ６Ａ）１．５重量部、分散系消泡剤（サンノプコ社製、Ｓ−６５）０．７１重量部を容器にとり、攪拌、混合して混合組成物を調製し、この混合組成物に対して光重合開始剤としてベンゾフェノン（関東化学社製）２．０重量部、光増感剤としてのミヒラーケトン（関東化学社製）０．２重量部、を加えることにより、粘度を２５℃で２．０Ｐａ・ｓに調整したソルダーレジスト組成物を得る。
なお、粘度測定は、Ｂ型粘度計（東京計器社製、ＤＶＬ−Ｂ型）で６０ｒｐｍの場合はローターＮｏ．４、６ｒｐｍの場合はローターＮｏ．３によった。
【００４０】
（１５）次に、多層配線基板の両面に、上記ソルダーレジスト組成物を２０μｍの厚さで塗布し、７０℃で２０分間、７０℃で３０分間の条件で乾燥処理を行った後、ソルダーレジスト開口部のパターンが描画された厚さ５ｍｍのフォトマスクをソルダーレジスト層７０に密着させて１０００ｍＪ／ｃｍ2 の紫外線で露光し、ＤＭＴＧ溶液で現像処理し、２００μｍの直径の開口部７１Ｕ、７１Ｄを形成する。そして、さらに、８０℃で１時間、１００℃で１時間、１２０℃で１時間、１５０℃で３時間の条件でそれぞれ加熱処理を行ってソルダーレジスト層を硬化させ、開口部７１Ｕ、７１Ｄを有し、厚さが２０μｍのソルダーレジスト層７０を形成する（図４（Ｃ）参照）。上記ソルダーレジスト組成物としては、市販のソルダーレジスト組成物を使用することもできる。
【００４１】
（１６）次に、ソルダーレジスト層７０を形成した基板を、塩化ニッケル（２．３×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（２．８×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．６×１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液に２０分間浸漬して、開口部７１Ｕ、７１Ｄに厚さ５μｍのニッケルめっき層７２を形成する。さらに、その基板をシアン化金カリウム（７．６×１０-3ｍｏｌ／ｌ）、塩化アンモニウム（１．９×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．２×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（１．７×１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含む無電解金めっき液に８０℃の条件で７．５分間浸漬して、ニッケルめっき層７２上に、厚さ０．０３μｍの金めっき層７４を形成する（図４（Ｄ）参照）。
【００４２】
（１７）この後、基板のＩＣチップを載置する面のソルダーレジスト７０の開口部７１Ｕに、スズ−鉛を含有する半田ペーストを印刷し、さらに他方の面の開口部７１Ｄに、スズ−アンチモンを含有する半田ペーストを印刷する。その後、２００℃でリフローすることにより半田バンプ７６Ｕ、７６Ｄを形成し、プリント配線板１０を完成する（図５参照）。
【００４３】
（第２実施形態）
第２実施形態のプリント配線板は、第１実施形態とほぼ同様である。但し、第２実施形態では、層間樹脂絶縁層４０にバイアホール用開口４２を形成する際に、同時にスルーホール形成用開口４５も形成してある。層間樹脂絶縁層４０にスルーホール形成用開口４５を予め形成しておくことで、レーザをコア基板３０に直接照射して、スルーホール用貫通孔４６を形成できる。
なお、第２実施形態の製造工程も、（１）〜（３）までの工程は第１実施形態と同様である。（４）工程以降を図７を参照して説明する。
【００４４】
（４）第１実施形態と同様にレーザ加工装置のＸ−Ｙテーブル９０にコア基板３０を載置し、コア基板の図示しない位置決めマークをカメラ１８０で撮像して位置決めする。そして、該位置決めマークを基準として、コア基板３０の層間樹脂絶縁層４０上に、貫通孔（径１．０ｍｍ）４４ａの形成された厚さ１．２ｍｍのマスク４４を載置する。その後、レーザ発信器（波長１０．４μｍのＣＯ2 ガスレーザ）１８１からビーム径４．０ｍｍ、シングルモード、パルス幅８．０μ秒、１ショットの条件で、層間樹脂絶縁層４０に直径８０μｍのバイアホール用開口４２及びスルーホール形成用開口４５を形成する（図７（Ａ）参照）。
【００４５】
（５）次いで、上述したレーザ加工装置のＸ−Ｙテーブル９０にコア基板３０を載置したまま、上述したマスク４４を外して、レーザ発信器（波長１０．４μｍのＣＯ2 ガスレーザ）１８１からビーム径４．０mm、シングルモード、パルス幅６０．０μ秒、１２ショットの条件で、レーザ光を層間樹脂絶縁層４０のスルーホール形成用開口４５へ照射し、直径１２０μｍのスルーホール用貫通孔４６を形成する（図７（Ｂ）参照）。なお、以後の製造工程は、第１実施形態の（６）〜（１７）と同様であるため説明を省略する。
【００４６】
第２実施形態では、バイアホール形成用開口４２とスルーホール形成用開口４５とをマスク４４を用いて同時に形成する。このため、その後、当該スルーホール形成用開口４５にレーザにて貫通孔４６を形成した際に、バイアホール用開口４２とスルーホール貫通孔４５との位置ずれを、第１実施形態よりも小さくすることができる。
【００４７】
（第３実施形態）
図８は、本発明の第３実施形態に係るプリント配線板の断面図である。この第３実施形態のプリント配線板は、第１実施形態とほぼ同様である。但し、第３実施形態では、基板の両面に層間樹脂絶縁層が形成されている。
【００４８】
本発明の第３実施形態に係るプリント配線板の構成について説明する。
プリント配線板１０は、複数個のチップコンデンサ２０を収容するコア基板３０と、コア基板３０の上面に形成されたビルドアップ配線層８０Ａ、８０Ｂとからなる。ビルドアップ配線層８０Ａは、導体回路５８及びバイアホール６０の形成された層間樹脂絶縁層４０と、導体回路１５８及びバイアホール１６０の形成された層間樹脂絶縁層１４０とからなる。ビルドアップ配線層８０Ｂは、導体回路１５８及びバイアホール１６０の形成された層間樹脂絶縁層１４０からなる。ビルドアップ配線層８０Ａとビルドアップ配線層８０Ｂとは、コア基板３０に形成されたスルーホール６２を介して接続されている。層間樹脂絶縁層１４０の上にはソルダーレジスト層７０が形成されており、ソルダーレジスト７０の開口部７１Ｕ、７１Ｄを介して、導体回路１５８及びバイアホール１６０に半田バンプ７６Ｕ、７６Ｄが形成されている。
【００４９】
（第４実施形態）
第４実施形態のプリント配線板の製造方法は、第１実施形態とほぼ同様である。但し、第４実施形態では、層間樹脂絶縁層４０にエポキシ樹脂フィルムの代わりにオレフィン系樹脂フィルムを用いた。オレフィン系フィルムを用いるため、第４実施形態では、バイアホール用開口を設ける際のＣＯ2 ガスレーザの条件を、パルス幅１５．０μ秒、５ショットとする。
【００５０】
（第５実施形態）
第５実施形態のプリント配線板の製造方法は、第２実施形態とほぼ同様である。但し、第５実施形態では、層間樹脂絶縁層をエポキシ樹脂フィルムの代わりにオレフィン系樹脂フィルムを用いた。オレフィン系フィルムを用いるため、第５実施形態では、バイアホール用開口を設ける際のＣＯ2 ガスレーザの条件を、パルス幅１５．０μ秒、５ショットとする。
【００５１】
（第６実施形態）
第６実施形態のプリント配線板の製造方法は、第１実施形態とほぼ同様である。但し、第６実施形態では、層間樹脂絶縁層をエポキシ樹脂フィルムの代わりにエポキシ樹脂−フェノキシ樹脂の樹脂複合体フィルムを用いた。また、第６実施形態では、レーザとしてエキシマレーザを用い、周波数２００Ｈｚ、エネルギー１．０Ｊで、１５０ショット照射し、それぞれに開口したマスクを載置してエリア加工を行い２５μｍの極小径のバイアホール、１００μｍのスルーホールを形成した。
【００５２】
（第７実施形態）
第７実施形態のプリント配線板の製造方法は、第２実施形態とほぼ同様である。但し、第７実施形態では、層間樹脂絶縁層をエポキシ樹脂フィルムの代わりにエポキシ樹脂−フェノキシ樹脂の樹脂複合体フィルムを用いた。また、第７実施形態では、レーザとしてエキシマレーザを用い、周波数２００Ｈｚ、エネルギー１．０Ｊで、１５０ショット照射し、それぞれに開口したマスクを載置してエリア加工を行い２５μｍの極小径のバイアホール、１００μｍのスルーホールを形成した。
【００５３】
（第８実施形態）
図９は、本発明の第８実施形態に係るプリント配線板の断面図である。この第８実施形態のプリント配線板は、第１実施形態とほぼ同様である。但し、第８実施形態では、スルーホール６２の頂部に蓋めっき１６１が形成され、該蓋めっき１６１を介することで、スルーホール６２の直上にバイアホール１６０が形成されている。この第８実施形態においても、第１実施形態と同様に、層間樹脂絶縁層４０のバイアホール６０のレーザ加工と、スルーホール６２のレーザ加工とが同一工程で行われている。
【００５４】
【発明の効果】
本発明では上述したように、スルーホール及びバイアホールを同一のレーザ加工装置を用いて形成している。すなわち、スルーホールの形成工程とバイアホールの形成工程とで別々に位置合わせを行うことがないため、スルーホールの形成工程とバイアホールの形成工程とで位置誤差が生じない。更に、スルーホールの形成工程とバイアホールの形成工程との間で基板に熱を加えることがないので、基板の収縮や反りで位置決めマークがずれたりすることなく、基板にスルーホール及びバイアホールを形成することができる。バイアホールに位置ずれがないため、コア基板に収容したコンデンサの端子へバイアホールを正確に接続できる。スルーホールとバイアホールとの間の位置ずれがなくなるため、配線の未接続、接続不良や短絡を防ぐことが可能となる。また、層間樹脂絶縁層へのレーザによるダメージや劣化が低減され、上層の導電層である配線の密着性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、は、本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。
【図２】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、は、本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。
【図３】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、は、本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。
【図４】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、は、本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。
【図５】本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の断面図である。
【図６】スルーホール及びバイアホール加工に用いるレーザ加工装置の説明図である。
【図７】（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の第２実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。
【図８】本発明の第３実施形態に係るプリント配線板の断面図である。
【図９】本発明の第８実施形態に係るプリント配線板の断面図である。
【図１０】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、は、従来技術のプリント配線板の製造工程図であり、（Ｆ１）、（Ｆ２）、（Ｆ３）は、バイアホールとコンデンサ端子との接続状態の説明図である。
【符号の説明】
２０  チップコンデンサ
２１  第１端子
２２  第２端子
３０  コア基板
３０ａ  コンデンサ収容用凹部
３４  樹脂層
４０  層間樹脂絶縁層
４２  バイアホール用開口部
４５  スルーホール形成用開口
４６  スルーホール用貫通孔
５０  無電解めっき膜
５４  電解めっき膜
５８  導体回路
６０  バイアホール
６２  スルーホール
６６  樹脂充填剤
７０  ソルダーレジスト層
７１Ｕ、７１Ｄ  開口部
７２  ニッケルめっき層
７４  金めっき層
７６Ｕ、７６Ｄ  半田バンプ
８０  ビルドアップ配線層
１４４  層間樹脂絶縁層
１５８  導体回路
１６０  バイアホール
【図１】
0004521927.tif 000002
【図２】
0004521927.tif 000003
【図３】
0004521927.tif 000004
【図４】
0004521927.tif 000005
【図５】
0004521927.tif 000006
【図６】
0004521927.tif 000007
【図７】
0004521927.tif 000008
【図８】
0004521927.tif 000009
【図９】
0004521927.tif 000010
【図１０】
0004521927.tif 000011