(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面のうねりが測定され、周期が第１の周期以上のうねりを除去したうねりの大きさが検査された半導体基板を準備する工程と、
前記半導体基板の表面に溝を形成する工程と、
前記溝を誘電体からなる薄膜で埋め込む工程と、
前記溝内に前記薄膜が残り、前記溝の形成されていない領域上の前記薄膜が除去されるように、前記薄膜を研磨する工程と
を有する半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記研磨工程が、第１の研磨布を用いて研磨する第１回目の研磨工程と、前記第１回目の研磨工程の後、前記第１の研磨布よりも柔らかい研磨布を用いて研磨する第２回目の研磨工程とを含む請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記半導体基板を準備する工程が、
検査前半導体基板の表面のうねりを測定する工程と、
前記第１の周期以上のうねりを除去した波形の標準偏差を求める工程と、
求められた標準偏差を、標準偏差の基準値と比較し、前記検査前半導体基板の合否を判断する工程と、
合格と判断された前記検査前半導体基板を、前記半導体基板として準備する工程と
を含む請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記合否を判断する工程において、前記第１の周期が、７ｍｍ以上２０ｍｍ以下であり、求められた標準偏差をσ（μｍ）とし、前記第１の周期をｘ（ｍｍ）としたとき、σが０．０００５２ｘ以下である前記検査前半導体基板を合格とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記半導体基板を準備する工程が、
検査前半導体基板の表面を、最小２乗法を用いて１つの仮想平面もしくは１つの仮想直線で代表させる工程と、
前記仮想平面もしくは仮想直線を基準とした前記検査前半導体基板の表面の起伏波形を周波数解析する工程と、
周波数解析の結果に基づいて、前記検査前半導体基板の合否を判断する工程と、
合格と判断された前記検査前半導体基板を、前記半導体基板として準備する工程と
を含む請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に半導体基板を研磨する工程を含む半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年の半導体装置の微細化に伴い、シリコン局所酸化（ＬＯＣＯＳ）法を用いた素子分離に代わり、シャロートレンチを用いた素子分離が注目されている。以下、シャロートレンチを用いた素子分離について簡単に説明する。
【０００３】
シリコン基板の表面のうち素子形成領域を、酸化シリコン膜と窒化シリコン膜との２層構造を有するマスクパターンで覆う。このマスクパターンをエッチングマスクとして、シリコン基板の表面に浅い溝を形成する。シリコン基板上に酸化シリコン膜を形成して浅い溝を埋め込む。このとき、幅の広い溝内が酸化シリコン膜で埋め込まれる条件で埋め込みを行うと、酸化シリコン膜は、広い素子形成領域上において厚くなり、狭い素子形成領域上において薄くなる傾向にある。
【０００４】
酸化シリコン膜を研磨して、マスクパターンの窒化シリコン膜を露出させるとともに、溝内に酸化シリコン膜を残す。マスクパターンを除去し、シリコン基板の素子形成領域を露出させる。ここまでの工程で、浅い溝に埋め込まれた酸化シリコンにより、複数の素子形成領域が電気的に分離される。この方法では、酸化シリコン膜の厚さにばらつきが生じているため、研磨後に酸化シリコン膜の厚い部分が残りやすい。
【０００５】
酸化シリコン膜の厚い部分が完全に除去されるまで十分な研磨を行うと、浅い溝内に埋め込まれた酸化シリコン膜の上面が下方に湾曲し、いわゆるディッシングが発生してしまう。
【０００６】
酸化シリコン膜の研磨残りを防止するために、研磨の前に酸化シリコン膜の厚い部分を一部除去する方法が知られている。酸化シリコン膜の部分的な除去は、厚い部分以外をレジストパターンで覆い、酸化シリコン膜の厚い部分をドライエッチングすることにより行うことができる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
研磨の前に酸化シリコン膜の厚い部分を除去する方法では、酸化シリコン膜を部分的に除去するために、フォトリソグラフィ工程とドライエッチング工程が新たに追加される。このため、製造コストの上昇につながる。
【０００８】
本発明の目的は、フォトリソグラフィ工程の増加を伴うことなく、かつ研磨残りの生じにくい研磨方法を用いて半導体装置を製造する方法を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明の一観点によると、
表面のうねりが測定され、周期が第１の周期以上のうねりを除去したうねりの大きさが検査された半導体基板を準備する工程と、
前記半導体基板の表面に溝を形成する工程と、
前記溝を誘電体からなる薄膜で埋め込む工程と、
前記溝内に前記薄膜が残り、前記溝の形成されていない領域上の前記薄膜が除去されるように、前記薄膜を研磨する工程と
を有する半導体装置の製造方法が提供される。
【００１０】
うねり検査工程で合格となった基板を用いると、薄膜を研磨した後の膜厚の面内のうねりを少なくすることができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】
シリコン基板の表面上に形成した酸化シリコン膜を、ある厚さだけ研磨した後の酸化シリコン膜の表面の凹凸が、下地のシリコン基板の表面の凹凸の影響を受けることが報告されている（C. Shan Xu et al., "Effect of Silicon Front Surface Topography on Silicon Oxide Chemical Planarization", ECS Letters, 1 (4) pp.181-183, 1998）。本願発明者らは、シリコン基板の表面のうねりが、研磨後の酸化シリコン膜の膜厚に影響を及ぼしているのではないかと考えた。シリコン基板の表面のうねりと、研磨後の酸化シリコン膜の膜厚のばらつきとの関係を明確にするために評価実験を行った。本発明の実施例を説明する前に、本願発明者らの行った評価実験について説明する。
【００１２】
まず、異なる製造会社から入手した２種類のシリコン基板Ｗ１とＷ２を準備し、両者の表面の凹凸を、光学式平坦度測定法により測定した。ここでは、シリコン基板の表面に測定光を照射し、シリコン基板を前後左右にチルトさせた時の反射光量の変動から基板表面の傾斜を検出する方法を用いた。測定は、シリコン基板表面のひとつの直径上の４２０点について行った。
【００１３】
このようにして測定した基板表面のうねりのうち、ある周期（評価対象うねり周期の上限値）以上のうねりを除去して得られたうねりの標準偏差の６倍（６σ）により、うねりの大きさを評価した。６σでうねりの大きさを評価することとしたのは、６σがうねりの最大振幅にほぼ対応すると考えられるからである。
【００１４】
図１（Ａ）に、うねりの６σを、評価対象うねり周期の上限値の関数として示す。横軸は評価対象うねり周期の上限値を単位「ｍｍ」で表し、縦軸はうねりの６σを単位「μｍ」で表す。図中の黒丸記号及び白丸記号は、それぞれシリコン基板Ｗ１及びＷ２のうねりの６σを示す。なお、シリコン基板の縁から５ｍｍまでの外周近傍領域は、評価対象から除いた。
【００１５】
評価対象うねり周期の上限値をｘ（ｍｍ）とし、うねりの６σをｙ（μｍ）とすると、シリコン基板Ｗ１のうねりの６σは、ほぼｙ＝０．００３１ｘの直線に沿う。また、シリコン基板Ｗ２のうねりの６σは、ほぼｙ＝０．００８４ｘの直線に沿う。
【００１６】
シリコン基板Ｗ１及びＷ２の表面上に、プラズマ励起型化学気相成長（ＰＥ−ＣＶＤ）により厚さ１μｍの酸化シリコン膜を形成した。この酸化シリコン膜を６０秒間研磨し、表面を平坦化した。このときの平均研磨量は３５０ｎｍであった。
【００１７】
研磨後の酸化シリコン膜の膜厚を、光干渉式膜厚測定法によって測定した。測定個所は、シリコン基板のうねりを測定した個所とほぼ同一である。
【００１８】
図１（Ｂ）に、酸化シリコン膜の膜厚のうねりの６σを、評価対象うねり周期の上限値の関数として示す。横軸は、評価対象うねり周期の上限値を単位「ｍｍ」で表し、縦軸は、膜厚のうねりの６σを単位「μｍ」で表す。
【００１９】
シリコン基板Ｗ１の表面上に形成した酸化シリコン膜の膜厚の、周期５〜２０ｍｍのうねりが、シリコン基板Ｗ２のそれに比べて小さい。この結果から、シリコン基板表面のうねりのうち周期が５〜２０ｍｍのものが、研磨後の酸化シリコンの膜厚のうねりに影響を及ぼしていると考えることができる。
【００２０】
図１（Ａ）では、シリコン基板の表面内のひとつの直径に沿った方向に関するうねりについてのみ評価した。次に、ひとつの直径に沿った方向に関するうねりが、基板全面のうねりの様子を代表していると考えられる根拠を示す。
【００２１】
シリコン基板の面内のうねりを測定し、うねり周期が２０ｍｍ以上のうねりを除去した。基板面内を一定の大きさの複数のサイトに分割し、サイトの各々について、表面の高さの最高値と最低値との差の最大値（以下、うねりの最大振幅と呼ぶ）を求めた。このサイトの大きさを種々変化させて、サイトの大きさごとに最大振幅を求めた。
【００２２】
図２は、サイトごとに求めた最大振幅のうち最も大きな最大振幅を、サイトの直径の関数としてプロットしたグラフである。図中の黒丸記号及び白丸記号は、それぞれシリコン基板Ｗ１及びＷ２に関する測定値である。図２に示すように、シリコン基板Ｗ１のうねりの最大振幅の最大値が、シリコン基板Ｗ２のそれよりも小さい。これは、シリコン基板の表面内のひとつの直径に沿った方向に関して測定したうねりの結果と対応する。すなわち、ひとつの直径に沿った方向に関するうねりを測定することにより、面内のうねりの様子を推測することができる。
【００２３】
次に、シリコン基板Ｗ１及びＷ２を用いて、シャロートレンチ型の素子分離構造を形成した結果について説明する。まず、図３〜図５を参照して、シャロートレンチ型の素子分離構造の形成方法について説明する。
【００２４】
図３（Ａ）に示すように、直径８インチ（約２０ｃｍ）のシリコン基板１の表面内に、複数の広い素子形成領域４及び複数の狭い素子形成領域５が画定されている。広い素子分形成域４同士は、広い素子分離領域６により分離され、狭い素子形成領域５同士は、狭い素子分離領域７によって分離されている。
【００２５】
シリコン基板１の表面上に、厚さ約１０ｎｍの酸化シリコン（ＳｉＯ2）膜２及び厚さ約１００〜２５０ｎｍの窒化シリコン（ＳｉＮ）膜３を成長させる。なお、窒化シリコン膜３の代わりに、酸化窒化シリコン（ＳｉＯＮ）膜を用いてもよい。
【００２６】
図３（Ｂ）に示すように、素子分離領域６及び７上の酸化シリコン膜２及び窒化シリコン膜３を除去する。
【００２７】
図３（Ｃ）に示すように、窒化シリコン膜３をエッチングマスクとして、シリコン基板１の表面層をエッチングし、深さが０．２〜０．５μｍの溝６ａ及び７ａを形成する。
【００２８】
図３（Ｄ）に示すように、溝６ａ及び７ａの内面に露出したシリコン基板１の表面を熱酸化し、厚さ１０ｎｍの酸化シリコン膜１０を形成する。基板の全面を覆うように、厚さ７３０ｎｍ程度の酸化シリコン膜１１を堆積する。酸化シリコン膜１１の堆積は、誘導結合あるいは電子サイクロトロン共鳴により生ずる高密度プラズマを用いたＣＶＤにより行われる。原料ガスとして、例えばシラン（ＳｉＨ4）と酸素（Ｏ2）とをヘリウム（Ｈｅ）で希釈したガスが用いられる。このとき、シランの流量を１５０ｓｃｃｍ、酸素の流量を３００ｓｃｃｍ、ヘリウムの流量を４００ｓｃｃｍとする。溝６ａ及び７ａ内が、酸化シリコン膜１１で埋め込まれる。酸化シリコン膜１１を、フォスフォシリケートガラス（ＰＳＧ）やボロフォスフォシリケートガラス（ＢＰＳＧ）やボロシリケートガラス（ＢＳＧ）等で形成してもよい。
【００２９】
酸化シリコン膜１１の表面に、凹凸が現れる。広い素子形成領域４の上の酸化シリコン膜１１の膜厚が、狭い素子形成領域５の上の酸化シリコン膜１１の膜厚よりも厚くなる。また、狭い溝７ａ内の酸化シリコン膜１１の厚さｔ2は、広い溝６ａ内の酸化シリコン膜１１の厚さｔ1よりも厚くなる。例えば、溝の深さが０．４μｍ、狭い溝７ａの幅が０．２５μｍ、広い素子形成領域４の上の酸化シリコン膜１１の膜厚が７３０ｎｍである場合、厚さｔ2がｔ1の約１．１倍になる。
【００３０】
図４（Ｅ）に示すように、第１回目の研磨を行い、酸化シリコン膜１１の表面を平坦化する。１回目の研磨では、比較的硬い研磨布、例えばロデール社製のＩＣ−１０００を用いる。研磨布ＩＣ−１０００の圧縮荷重に対する圧縮歪みの量は、湿潤状態で約０．０２μｍ・ｃｍ2／ｇである。また、スラリーとして、水酸基を有する分散剤もしくはアミン系の分散剤中に、シリカ系物質もしくは酸化セシウムからなる砥粒を含むものを用いることができる。このようなスラリーとして、例えばフジミ社製のＰＬＡＮＥＲＬＩＴＥ−６１０３、キャボット社製のＳＳ−２５、あるいはロデール社製のロデール２３７１が挙げられる。ＰＬＡＮＥＲＬＩＴＥ−６１０３、あるいはＳＳ−２５を用いる場合には、これらを純水で希釈して用いる。
【００３１】
図５に、研磨装置の概略断面図を示す。基台２５の上面に研磨布２４が貼り付けられている。基板保持台２１の下面に弾性部材２０が取り付けられ、その下面に被研磨基板１が、被研磨面を下に向けるようにして保持されている。基板保持台２１は、基台２５の支持軸２６からずれた位置に配置される。基板保持台２１の支持軸２７は、基台２５の支持軸２６と平行である。
【００３２】
基台２５及び基板保持台２１を、それぞれ支持軸２６及び２７を中心として回転させ、スラリー供給口３０から研磨布２４の上にスラリーを供給する。スラリーの供給量は、例えば３５０ｃｃ／分である。基板保持台２１を下降させて被研磨基板１を研磨布２４に押しつけ、研磨を行う。弾性部材２０は、被研磨面に加わる圧力を基板面内で一様に分布させる。弾性部材２０のヤング率の好適な範囲は、１×１０4Ｎ／ｍ2〜１×１０10Ｎ／ｍ2であり、より好適な範囲は、１×１０5Ｎ／ｍ2〜１×１０7Ｎ／ｍ2である。
【００３３】
第１回目の研磨工程では、比較的硬い研磨布を用いているため、広い素子形成領域４の上の厚い酸化シリコン膜１１に加わる研磨圧が大きくなり、その部分が優先的に研磨される。なお、研磨布として、圧縮荷重に対する圧縮歪み量の比が０．０６μｍ・ｃｍ2／ｇ以下のものを用いることが好ましい。
【００３４】
図４（Ｆ）に示すように、第１回目の研磨で用いた研磨布よりも柔らかい研磨布、例えばロデール社製のＩＣ−１４００を用いて第２回目の研磨を行う。スラリーとして、例えばキャボット社製のＳＳ−２５を純水で１：１に薄めたものを用いることができる。スラリーの供給量は、例えば３００ｃｃ／分とする。窒化シリコン膜３が露出した時点で研磨を停止する。
【００３５】
第２回目の研磨では、柔らかい研磨布を使用するため、凸部に加わる圧力と凹部に加わる圧力との差が小さくなる。このため、凸部の研磨速度と凹部の研磨速度との差が小さくなる。
【００３６】
素子形成領域４及び５上に残った酸化シリコン膜２及び窒化シリコン膜３を除去し、シリコン基板１の表面を露出させる。このようにして、シャロートレンチ型素子分離構造が形成される。
【００３７】
シリコン基板Ｗ１及びＷ２の表面上に、図３及び図４に示した方法でシャロートレンチ型素子分離構造を形成した。図４（Ｆ）に示す窒化シリコン膜３の除去工程を行った後、窒化シリコン膜３が残っているか否かを検査し、窒化シリコン膜３が残っている基板を不合格とした。シリコン基板Ｗ１を用いた場合には、不良率が０％であったのに対し、シリコン基板Ｗ２を用いた場合には、不良率が３５％であった。
【００３８】
シリコン基板Ｗ２を用いた場合には、図３（Ｄ）に示した酸化シリコン膜１１の厚い部分のうち、基板表面のうねりにより低くなっている部分に位置するものが研磨されにくい。特に、第１回目の研磨は、硬い研磨布を用いて行われるため、低い部分に位置する酸化シリコン膜１１が研磨されにくい。
【００３９】
第２回目の研磨は、柔らかい研磨布を用いて行われるため、第１回目の研磨で残された素子形成領域４上の酸化シリコン膜１１の厚い部分は、完全には除去されない。素子形成領域４の上に酸化シリコン膜１１が残ると、その下の窒化シリコン膜３が除去されず、最後まで残ってしまう。
【００４０】
シリコン基板Ｗ１は、表面のうねりが小さいため、第１回目の研磨において、酸化シリコン膜１１の厚い部分の研磨不足が発生しにくい。このため、シリコン基板１１を用いた場合には、不良率が少ないと考えられる。
【００４１】
従来の方法では、図３（Ｄ）に示す状態から、フォトリソグラフィ技術を用いて、酸化シリコン膜１１の厚い部分を予め除去しておく。図３及び図４で説明した方法では、このフォトリソグラフィ工程が不要であるため、工程数の削減を図ることが可能になる。
【００４２】
次に、本発明の実施例による半導体装置の製造方法について説明する。まず、ウエハプロセスに入る前に、シリコン基板の表面のうねりを検査する。シリコン基板の製造者と半導体装置の製造者とが異なる場合には、うねりの検査は、いずれの製造者が行ってもよい。うねりがある基準値を超えているシリコン基板を不合格とし、うねりが基準値以下のものを合格とする。不合格のシリコン基板を除き、合格のシリコン基板の表面に、図３及び図４で説明した方法によりシャロートレンチ型の素子分離構造を形成する。予めうねりの大きなシリコン基板を除いているため、シャロートレンチ型素子分離構造の不良発生率を少なくすることができる。
【００４３】
例えば、うねりを検査する工程において、評価対象うねり周期の上限値をｘ（ｍｍ）とし、うねりの６σをｙ（μｍ）としたとき、評価対象うねり周期の上限値が５ｍｍ〜２０ｍｍの範囲において、ｙ≦０．００３１ｘを満たすものを合格とし、満たさないものを不合格とすればよい。これは、うねりの標準偏差σ（μｍ）が、評価対象うねり周期の上限値５ｍｍ〜２０ｍｍの範囲において、０．０００５２ｘ以下であることと等価である。この基準を用いると、上述のシリコン基板Ｗ１が合格となり、シリコン基板Ｗ２が不合格となる。
【００４４】
なお、実施例では、５ｍｍ〜２０ｍｍの範囲内の複数ポイントにおいて、うねりを評価したが、図１（Ａ）を見ると、評価対象うねり周期の上限値が７ｍｍ〜２０ｍｍの範囲内の一つのポイントでうねりを評価しても、シリコン基板Ｗ１とＷ２とを区別することが可能であることがわかる。なお、標準偏差σの合否の判定基準は、０．０００５２ｘに限らず、その後の工程で歩留まりが低下しない程度の基準としてもよい。
【００４５】
また、うねりを検査する工程において、図２で説明したように、基板面内を複数のサイトに分割し、各サイトごとにうねりの最大振幅を求め、求められた最大振幅の最大値を、基準値と比較してもよい。
【００４６】
次に、図６を参照して、うねりの検査工程における他の合否判断手法について説明する。
【００４７】
図６（Ａ）は、上述のシリコン基板Ｗ１の表面のうねりの６σを、評価対象うねり周期の上限値の関数として示す。図中の三角記号、丸記号、及び四角記号は、それぞれ基板の縁から５ｍｍ、３０ｍｍ、及び５０ｍｍまでの外周近傍領域を評価対象外とした場合のうねりの６σを示す。評価対象うねり周期の上限値が２０ｍｍ〜４０ｍｍの範囲において、うねりの６σに差が生じていることがわかる。
【００４８】
図６（Ｂ）は、シリコン基板Ｗ１の表面に形成した酸化シリコン膜の研磨後の膜厚のうねりの６σを、評価対象うねり周期の上限値の関数として示す。図中の三角記号、丸記号、及び四角記号は、それぞれ基板の縁から５ｍｍ、３０ｍｍ、及び５０ｍｍまでの外周近傍領域を評価対象外とした場合のうねりの６σを示す。外周から３０ｍｍ及び５０ｍｍまでの領域を除外した場合に、評価対象うねり周期の上限値が２５ｍｍ近傍で６σが極大値を示しているが、これは、周波数解析による見かけ上の問題と思われる。
【００４９】
評価対象うねり周期の上限値が２０ｍｍ〜４０ｍｍの範囲において、評価対象から除外した領域の幅が異なると、うねりの６σも大きく異なっている。これは、もとのシリコン基板の外周近傍に、周期２０〜４０ｍｍのうねりが存在するためと考えられる。
【００５０】
この結果から、うねり周期が２０ｍｍ〜４０ｍｍの範囲のうねりも、シリコン基板表面に形成された酸化シリコン膜の研磨後の膜厚のうねりに影響を与えていると考えられる。本願発明者らの実験結果によると、評価対象うねり周期の上限値が２０ｍｍ〜４０ｍｍの範囲において、表面のうねりの６σの好適値が０．１μｍ以下であることが確認された。すなわち、評価対象うねり周期の上限値が２０ｍｍ〜４０ｍｍの範囲において、表面のうねりの６σの好適値が０．１μｍ以下のものを合格とすればよい。これは、うねりの標準偏差σが０．０１７μｍ以下であることと等価である。
【００５１】
上記実施例では、評価対象うねり周期の上限値を２０ｍｍ〜４０ｍｍの範囲内で変化させて６σを求めたが、評価対象うねり周期の上限値を、２０ｍｍ〜４０ｍｍの範囲内でひとつに定めてもよい。この場合には、定められた評価対象うねり周期の上限値以上の周期のうねりを除去した波形の標準偏差を求める。求められた標準偏差が、０．０１７μｍ以下であれば、半導体基板を合格とすればよい。なお、標準偏差の基準は、０．０１７μｍに限らず、その後の工程で歩留まりが低下しない程度の基準を定めてもよい。
【００５２】
上記実施例では、シリコン基板の表面にシャロートレンチ型の素子分離構造を形成する場合を例にとって実施例を説明したが、シリコン以外の半導体基板を用いた場合にも同様の効果が期待される。また、シャロートレンチ型の素子分離構造を形成する場合のみならず、半導体基板の表面上に誘電体膜、半導体膜、あるいは導体膜を堆積し、その堆積した膜を研磨する場合に、予め基板表面のうねりを検査しておくことにより、堆積された後、研磨された膜の膜厚のうねりを少なくすることができる。
【００５３】
上記実施例を、下記のように、より一般化させてもよい。まず、半導体基板の表面を、最小２乗法を用いて１つの仮想平面で代表させる。この仮想平面を基準とした半導体基板の表面の起伏波形を周波数解析する。この周波数解析結果から、半導体基板の合否を判定することができる。また、うねりが２次元的である場合には、基板表面を、最小２乗法を用いて１つの仮想直線で代表させ、この仮想直線を基準として表面の起伏波形を求めてもよい。
【００５４】
以上実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。
【００５５】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、うねりの少ない基板を用いることになる。これにより、製品の歩留まりを向上させることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】シリコン基板の表面のうねりの６σ、及びその基板上に形成し研磨した酸化シリコン膜の膜厚のうねりの６σを表すグラフである。
【図２】シリコン基板の表面のうねりの、サイトごとの最大振幅の最大値を示すグラフである。
【図３】実施例で用いられるシャロートレンチ型素子分離構造の形成方法を説明するための基板の断面図（その１）である。
【図４】実施例で用いられるシャロートレンチ型素子分離構造の形成方法を説明するための基板の断面図（その２）である。
【図５】研磨装置の概略断面図である。
【図６】シリコン基板の表面のうねりの６σ、及びその基板上に形成し研磨した酸化シリコン膜の膜厚のうねりの６σを表すグラフである。
【符号の説明】
１  シリコン基板
２  酸化シリコン膜
３  窒化シリコン膜
４  広い素子形成領域
５  狭い素子形成領域
６  広い素子分離領域
７  狭い素子分離領域
１０、１１  酸化シリコン膜
２０  弾性部材
２１  基板保持台
２４  研磨布
２５  基台
２６、２７  支持軸
３０  スラリー供給口
【図１】
0004580488.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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