(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理体にプラズマ処理を施すプラズマ処理システムであって、
処理室と、
処理ガスを前記処理室に供給するガス供給システムと、
前記処理室内を排気し、かつ圧力制御を行う排出システムと、
前記処理室内に配置され、前記被処理体を支持する載置面を有するサセプタと、
誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）発生源と、を備え、
前記ＩＣＰ発生源は、前記プラズマ処理中に前記処理室内でプラズマを生じさせる分岐ＲＦアンテナ及びＲＦ発生源で構成され、
前記分岐ＲＦアンテナは、放射状に外へ伸びる複数の主(major)分岐及び該主分岐から分岐する複数の副(minor)分岐を含み、それぞれの前記主分岐は、複数の個別の分岐からなり、前記副分岐を形成するために、前記個別の分岐が前記分岐ＲＦアンテナの中心エリアから分岐点まで同じ方向で進み、該分岐点で異なる方向に個別に分割されるプラズマ処理システム。
【請求項２】
前記ＩＣＰ発生源がさらに、前記ＲＦ発生源及び前記分岐ＲＦアンテナに結合された整合回路網を含む請求項１記載のプラズマ処理システム。
【請求項３】
副分岐の第１の端部が主分岐に結合され、かつ前記副分岐の第２の端部が他の副分岐に結合される請求項１記載のプラズマ処理システム。
【請求項４】
少なくとも１つの主分岐が分岐点を含み、かつ少なくとも２つの副分岐が各分岐点に結合される請求項１記載のプラズマ処理システム。
【請求項５】
少なくとも１つの主分岐が直線形状で、かつ少なくとも１つの副分岐が直線形状である請求項４記載のプラズマ処理システム。
【請求項６】
少なくとも１つの主分岐が曲線形状で、かつ少なくとも１つの副分岐が直線形状である請求項４記載のプラズマ処理システム。
【請求項７】
少なくとも１つの主分岐が直線形状で、かつ少なくとも１つの副分岐が曲線形状である請求項４記載のプラズマ処理システム。
【請求項８】
少なくとも１つの主分岐が曲線形状で、かつ少なくとも１つの副分岐が曲線形状である請求項４記載のプラズマ処理システム。
【請求項９】
前記複数の主分岐が、同じ平面上にある請求項１記載のプラズマ処理システム。
【請求項１０】
前記複数の副分岐が、同じ平面上にある請求項１記載のプラズマ処理システム。
【請求項１１】
前記複数の主分岐及び前記複数の副分岐が、同じ平面上にある請求項１記載のプラズマ処理システム。
【請求項１２】
前記複数の主分岐が、非同一面上にある請求項１記載のプラズマ処理システム。
【請求項１３】
前記複数の副分岐が、非同一面上にある請求項１記載のプラズマ処理システム。
【請求項１４】
前記複数の主分岐及び前記複数の副分岐が、非同一面上にある請求項１記載のプラズマ処理システム。
【請求項１５】
前記分岐ＲＦアンテナは、さらに、前記ＲＦ発生源に結合された中央フィード素子を含み、かつ前記少なくとも１つの主分岐が、前記中央フィード素子に結合され、少なくとも１つの副分岐が接地される請求項４記載のプラズマ処理システム。
【請求項１６】
前記分岐ＲＦアンテナは、さらに、接地された中央フィード素子を含み、かつ前記少なくとも１つの主分岐が、前記中央フィード素子に結合され、かつ少なくとも１つの副分岐が、前記ＲＦ発生源に結合される請求項４記載のプラズマ処理システム。
【請求項１７】
前記分岐ＲＦアンテナは、さらに、前記ＲＦ発生源に結合された中央フィード素子を含み、かつ前記少なくとも１つの主分岐が前記中央フィード素子に結合され、かつ前記少なくとも１つの副分岐が、コンデンサを経て接地される請求項４記載のプラズマ処理システム。
【請求項１８】
さらに、第２のＲＦ発生源を含み、
第１の主分岐が、前記ＲＦ発生源に結合され、かつ第２の主分岐が、前記第２のＲＦ発生源に結合され、
前記第１の主分岐が第１の分岐点を含み、前記第２の主分岐が第２の分岐点を含み、少なくとも２つの副分岐が前記第１の分岐点に結合され、かつ少なくとも２つの副分岐が、前記第２の分岐点に結合される請求項１記載のプラズマ処理システム。
【請求項１９】
前記主分岐が、互いに電磁的結合された複数個の前記個別の分岐で構成される請求項１記載のプラズマ処理システム。
【請求項２０】
前記主分岐が、互いに電気的結合された複数個の前記個別の分岐を構成される請求項１記載のプラズマ処理システム。
【請求項２１】
前記ＲＦ分岐アンテナが、複数の素子を含み、各素子が、主分岐及び前記主分岐に結合された少なくとも２つの副分岐を含み、前記複数の素子が等しい電気負荷を供給する請求項１記載のプラズマ処理システム。
【請求項２２】
前記ＲＦ分岐アンテナが、複数の素子を含み、各素子が、主分岐及び前記主分岐に結合された少なくとも２つの副分岐を含み、前記複数の素子が異なる電気負荷を供給する請求項１記載のプラズマ処理システム。
【請求項２３】
前記ＲＦ分岐アンテナがさらに、ＲＦ電力を少なくとも２つの主分岐に独立して供給するために適合された中央フィード素子を含む請求項１記載のプラズマ処理システム。
【請求項２４】
前記複数の主分岐及び前記複数の副分岐が冷却通路を含む請求項１記載のプラズマ処理システム。
【請求項２５】
少なくとも１つの副分岐が、前記ＲＦ発生源に結合された第１の端部と、接地された第２の端部を有する請求項１記載のプラズマ処理システム。
【請求項２６】
少なくとも１つの副分岐が、主分岐に結合された第１の端部と、接地された第２の端部を有する請求項１記載のプラズマ処理システム。
【請求項２７】
主分岐と副分岐との間の結合角が９０°よりも小さい請求項４記載のプラズマ処理システム。
【請求項２８】
主分岐と副分岐との間の結合角が９０°に等しい請求項４記載のプラズマ処理システム。
【請求項２９】
主分岐と副分岐との間の結合角が９０°よりも大きい請求項４記載のプラズマ処理システム。
【請求項３０】
前記ＩＣＰ発生源がさらに、前記分岐ＲＦアンテナと前記プラズマとの間にあるファラデーシールドを含む請求項１記載のプラズマ処理システム。
【請求項３１】
前記分岐ＲＦアンテナと前記プラズマとの間にある誘電性窓をさらに含む請求項１記載のプラズマ処理システム。
【請求項３２】
前記分岐ＲＦアンテナが、少なくとも１つの平坦な面上に形成される請求項１記載のプラズマ処理システム。
【請求項３３】
前記分岐ＲＦアンテナが、少なくとも１つの曲面上に形成される請求項１記載のプラズマ処理システム。
【請求項３４】
前記サセプタに結合された第２のＲＦ発生源をさらに含む請求項１記載のプラズマ処理システム。
【請求項３５】
前記ＩＣＰ発生源に結合されたコントローラをさらに含む請求項１記載のプラズマ処理システム。
【請求項３６】
被処理体にプラズマ処理を施すプラズマ処理システムであって、
プラズマを含む処理室と、
前記処理室内を排気し、かつ圧力制御を行う排出システムと、
前記処理室内に配置され、前記被処理体を支持する載置面を有するサセプタと、
前記処理室の前記処理ガスを励起し、かつイオン化するためのＲＦ電界を発生して前記処理ガスを前記プラズマに変換し、中央フィード素子から放射状に外へ伸びる複数の主分岐及び該主分岐から分岐する複数の副分岐を含み、それぞれの前記主分岐は、複数の個別の分岐からなり、前記副分岐を形成するために、前記個別の分岐が前記分岐ＲＦアンテナの中心エリアから分岐点まで同じ方向で進み、該分岐点で異なる方向に個別に分割される分岐ＲＦアンテナと、
前記中央フィード素子に結合され、ＲＦ電力を前記分岐ＲＦアンテナに供給するＲＦ電源と、
分岐ＲＦアンテナと前記プラズマとの間に配置される誘電性窓と、
分岐ＲＦアンテナと前記プラズマとの間に配置されるファラデーシールドと、
前記ファラデーシールドに結合されたガス供給システムと、
を具備し、前記処理室に前記処理ガスを供給するためのプラズマ処理システム。
【請求項３７】
被処理体にプラズマ処理を施すプラズマ処理システムであって、
処理室と、
前記処理室に処理ガスを供給するガス供給システムと、
前記処理室内を排気し、かつ圧力制御する排出システムと、
前記処理室内に配置され、前記被処理体を支持する載置面を有するサセプタと、
誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）発生源と、を具備し、
前記ＩＣＰ発生源が、前記プラズマ処理中前記処理室でプラズマを生じさせる分岐ＲＦアンテナ及びＲＦ発生源を含み、
前記分岐ＲＦアンテナが、複数の主分岐及び、該主分岐から分岐する複数の副(minor)分岐を含み、それぞれの前記主分岐は、複数の個別の分岐からなり、前記副分岐を形成するために、前記個別の分岐が前記分岐ＲＦアンテナの中心エリアから分岐点まで同じ方向で進み、該分岐点で異なる方向に個別に分割されるパターンで配置された複数の副分岐を含むプラズマ処理システム。
【請求項３８】
前記パターンが、中央フィード素子から分岐点に放射状に延びる少なくとも１つの主分岐及び前記分岐点から延びる少なくとも２つの副分岐を含む請求項３７記載のプラズマ処理システム。
【請求項３９】
主分岐が直線的に前記中央フィード素子から前記分岐点に放射状に延び、かつ副分岐が直線的に前記分岐点から終端へ延びる請求項３８記載のプラズマ処理システム。
【請求項４０】
主分岐が直線的に前記中央フィード素子から前記分岐点に放射状に延び、かつ副分岐が曲線に前記分岐点から終端へ延びる請求項３８記載のプラズマ処理システム。
【請求項４１】
主分岐が曲線的に前記中央フィード素子から前記分岐点に放射状に延び、かつ副分岐が直線的に前記分岐点から終端へ延びる請求項３８記載のプラズマ処理システム。
【請求項４２】
主分岐が曲線的に前記中央フィード素子から前記分岐点に放射状に延び、かつ副分岐が曲線的に前記分岐点から終端へ延びる請求項３８記載のプラズマ処理システム。
【請求項４３】
前記パターンが、中央フィード素子から分岐点に螺旋状に延びる少なくとも１つの主分岐及び、第１の終端から第２の終端へ前記中央フィード素子の周りに螺旋状に延びる少なくとも２つの副分岐を含む請求項３７記載のプラズマ処理システム。
【請求項４４】
被処理体にプラズマ処理を施すプラズマ処理システムであって、
処理室と、
前記処理室内処理ガスを供給するガス供給システムと、
前記処理室内を排気し、かつ圧力制御する排出システムと、
前記処理室に配置され、前記被処理体を支持する載置面を有するサセプタと、
誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）発生源と、を具備し、
前記ＩＣＰ発生源が、前記プラズマ処理中前記処理室でプラズマを生じさせる分岐ＲＦアンテナ及びＲＦ発生源を含み、
前記分岐ＲＦアンテナが、複数の素子を含み、各素子が主分岐及び前記主分岐に結合された複数の副分岐で構成され、それぞれの前記主分岐は、複数の個別の分岐からなり、前記副分岐を形成するために、前記個別の分岐が前記分岐ＲＦアンテナの中心エリアから分岐点まで同じ方向で進み、該分岐点で異なる方向に個別に分割されるプラズマ処理システム。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、一般にプラズマ材料処理装置、より詳細には誘導プラズマが電磁エネルギーを分岐ＲＦアンテナに供給することによって励起される誘導結合形のプラズマ発生のための装置及び方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
多数の種類のプラズマ材料処理方法は、スパッタエッチング、プラズマ化学エッチング、反応イオンエッチング、プラズマ蒸着、イオン化スパッタ蒸着及びマグネトロン型プラズマエッチングを含む半導体製造及びプラズマ生成のために広く普及している。異なる種類の周知のプラズマ発生源は、容量結合プラズマ（ＣＣＰ）発生源、マイクロ波プラズマ発生源（プラズマ内で堆積能力の効率を向上させるためのＥＣＲ（電子−サイクロトロン共鳴）の利用を含む）、表面波プラズマ発生源、及びヘリコンプラズマ発生源を含む他のものと同様に、一般的な誘導プラズマ（ＩＣＰ）発生源といったこれらの処理に用いられている。多数の発生源では、無線周波数（ＲＦ）電力は、プラズマ発生源空間に供給される処理ガスが励起され、分離され、かつイオン化されるようにＲＦアンテナへ供給できる。この励起は、プラズマを発生するアンテナのＲＦ電流によって形成される無線周波数電磁界により生じる。
【０００３】
誘導結合プラズマ発生源及びアンテナ形状寸法は、処理室内の処理の均一性及びプラズマ決定の重要な要素である。益々大きくなるウェハあるいはＬＣＤ（液晶ディスプレイ）基板を処理し、益々高度のプラズマ均一性を与える増大する要求は、最新のＩＣＰ形アンテナ設計に挑み、発生源の開発を推進する。
【０００４】
【特許文献１】
米国特許出願番号第６０／３２５，１９９号、２００１年９月２８日出願
【０００５】
【特許文献２】
米国特許出願番号第６０／３２５，１８８号、２００１年９月２８日出願
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
従来の螺旋状ＲＦアンテナは、より大きいウェハあるいはＬＣＤ基板に対してあまりにも長くなり、均一プラズマを発生できない。さらに、このようなＲＦアンテナは、平坦な形状寸法及びドーム状形状寸法の両方において必要とされるプラズマ均質性をもたらすことができない。ＲＦアンテナに関する問題が、電磁波に対してアンテナ素子を長くするため、及び定在波の影響のために生じる。定在波の影響は、増加されたウェハあるいは基板サイズの増加された周波数操作中より強くなり、ＲＦアンテナの用途範囲を制限し、均一性を減らす。
【０００７】
さらに、放射状に延長されたＲＦアンテナは、基板上の全プラズマ処理領域を均一にカバーすることができないために非効率になる。エリアカバレージは、アンテナの中心により近くで十分なカバレージがあるが、アンテナの任意の２つの放射状に延びる「アーム」間に不十分なカバレージがあるように終端から外側に減らす。
【０００８】
ドーム形アンテナは、同様にプラズマ領域及び基板の増大するサイズを適切に与えることを実行できない。
【０００９】
最後に、真空室の側面の周りに配線されたアンテナは、プラズマ容積の内部半分に適切なＲＦ電界を与えることができないために非効率になる。
【００１０】
必要とされるものは、より大きい領域の上により均一のプラズマカバレージを発生するための再設計されたＲＦアンテナ装置及び方法である。
【００１１】
本発明は、誘導プラズマ励起が電力をＲＦアンテナに加えることによって形成されるＲＦ誘導結合形の従来のプラズマ材料処理で生じる前述された問題の検討で行われる。
【００１２】
従って、本発明の目的は、プラズマ材料処理動作で使用するための新規の分岐ＲＦアンテナを提供することにある。本発明の他の目的は、プラズマ生成の均一性を改良することにある。本発明のもう一つの目的は、改良されたプラズマ材料処理に対する定在波の影響を減らすことにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、ＲＦ電源に結合され、処理室の処理ガスを励起し、処理ガスをプラズマに変換する電磁界を形成する分岐無線周波数（ＲＦ）アンテナと、それを通して電磁界がプラズマ反応器を突き通ることができる窓とを含む、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）発生源を使用して均一のプラズマを発生するプラズマ反応器が提供される。
【００１４】
さらに、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）発生源を使用して均一プラズマを発生する方法も提供され、この方法は、サンプルを載置面に置く工程と、減圧状態までプラズマ反応器を継続して排気する工程と、ガスをプラズマ反応器に導入する工程と、ＲＦ電力を分岐ＲＦアンテナに加える工程とを含み、分岐ＲＦアンテナが、均一プラズマが発生される処理室内のガスに均一電界を与える。
【００１５】
本発明の第１の態様では、分岐ＲＦアンテナは、中央フィード素子から延びる埋め込まれた冷却通路を有する複数の主分岐及び複数の副分岐を含む。この好ましい実施形態は、より均質なプラズマ生成を与え、プラズマ領域のより均一のカバレージを与える。
【００１６】
被処理体にプラズマ処理を施すプラズマ処理システムは、プロセス容器内に形成される処理室と、処理ガスをプロセス容器に供給するガス供給システムと、処理室を排気し、かつ圧力制御する排出システムと、処理室に配置され、被処理体を支持する載置面を有するサセプタと、プロセス処理中に大きな均一プラズマを保持する分岐アンテナを有するＩＣＰ  ＲＦ発生源とを含む。
【００１７】
本発明の付加的目的及び長所は、下記の説明で詳述され、一部がこの説明から明らかであり、あるいは本発明の実施によって習得されてもよい。本発明の目的及び長所は、下記に詳細に指摘される手段及び組合せによって実現され、得られてもよい。
【００１８】
【発明の実施の形態】
この明細書の一部に組み込まれ、この明細書の一部を構成する添付図面は、本発明のこの好ましい実施形態を示し、上記に示された一般的な説明及び下記に示された好ましい実施形態の詳細な説明とともに、本発明の原理を説明するのに役立つ。
【００１９】
本発明の実施形態は、添付図面を参照して以下に説明する。以下の説明においては、実質的に同じ機能及び装置を有する構成要素は、同じ参照番号を付して、重複する説明は必要な時のみに行う。
【００２０】
図１Ａは、本発明の好ましい実施形態によるプラズマエッチングシステム１００を示す概略図である。プラズマエッチングシステム１００は、分岐アンテナを有するＩＣＰ発生源を含む。
【００２１】
プラズマエッチングシステム１００の気密な処理室１０２は、ほぼ円筒状のプロセス容器１０４及び上部プレート１０６によって構成される。プロセス容器１０４及び上部プレート１０６は、ステンレス鋼等の導電材料で形成され、アース線１０８を通して接地される。
【００２２】
ファラデーシールド１４０は、プロセス容器１０４の側壁に電気的に結合される。
【００２３】
図示された実施形態では、ファラデーシールド１４０は、第１のパターンで配置された多数の導電素子１４５及び空間１４７で構成される。導電素子１４５は、接地手段１４８を介してプロセス容器１０４に接続される。このように、導電素子１４５は電気的に接地される。交互に、少なくとも２つの層の導電素子からなる双対ファラデーシールド１４０を使用することができる。
【００２４】
本発明の他の実施形態では、分岐ＲＦアンテナは、ファラデーシールドなしに使用でき、誘電性窓の上あるいは誘電性窓の下に配置するか、あるいは非誘電性窓であっても全く利用することができ、そのように分岐ＲＦアンテナは処理室内に配置される。望ましくは、導電素子は同じサイズである。交互に、導電素子１４５は異なるサイズを有し得る。さらに、ファラデーシールド１４０もまた、ＤＣバイアスできるかあるいはＲＦ電力を印加することができる。
【００２５】
誘電性窓１５５は、プロセス容器１０４に結合され、処理室１０２のための天井を備えている。望ましいことには、誘電性窓１５５は、誘電性材料を含み、アンテナ１１０のための誘電性窓を備えている。
【００２６】
好ましい実施形態では、ガス供給ライン１３３は、処理室１０２に結合され、処理ガスを供給する。ガス供給ライン１３３は、少なくとも１つの開閉弁（図示せず）及び少なくとも１つの流量制御弁（図示せず）を通してガス発生源装置１３４に連結される。このガス発生源装置１３４は、処理室１０２に供給される複数の異なるガス、例えばＣＦ４、Ｃ４Ｆ８、ＣＯ、Ｏ２、Ａｒ、及びＮ２のためのガス発生源を有する。
【００２７】
実施形態の変形例では、ガス供給ライン１３３は、処理ガスを処理室１０２に供給するために使用されるファラデーシールド１４０に連結される。
【００２８】
分岐ＲＦアンテナ１１０は、ファラデーシールド１４０の上に配置される。好ましい実施形態では、分岐ＲＦアンテナは、複数の主分岐及び副分岐で構成される。
【００２９】
好ましくは、分岐される分岐ＲＦアンテナは、ＲＦ電源及び簡易な設計ので優位になるように均一的に配置される。特に各々の主分岐がプラズマ領域のｎ個の部分をカバーするときに、ｎ個の主分岐の例で等しい負荷を保持することが望ましい。しかしながら、等しい負荷の原理は、本発明を制限するものではない。他の例では、異なる負荷を使用でき、他のアンテナ形状を使用することができる。
【００３０】
分岐ＲＦアンテナ１１０は、整合装置１１２及び伝送線１１３を通してＲＦ電源１１４に接続される。望ましいことには、ＲＦ電源１１４は、プラズマ発生ＲＦ電力を分岐ＲＦアンテナ１１０に出力し、１０〜１０００ＭＨｚのＲＦ周波数範囲で作動する。交互に、異なる数の整合装置及び／または伝送線を使用できる。
【００３１】
他の実施形態では、分岐ＲＦアンテナ１１０は、少なくとも１つの他のＲＦ電源（図示せず）に接続できるので、異なる分岐は、異なるＲＦ電源、あるいは異なる周波数によって供給できる。
【００３２】
サセプタ１１６は、導電性材料で構成され、処理室１０２の下部に配置されている。サセプタは、ＲＦ電力が（図１Ｂにおけるように）印加されていないときの状態では、接地あるいは電気絶縁することができる。しかしながら、好ましい実施形態（図１Ａ）では、サセプタは、対応する整合回路１２４を通して第２のＲＦ電源１２６によって供給されるＲＦ電位以下になる。第２のＲＦ電源１２６のＲＦ周波数は、５００ｋＨｚ〜１０ＭＨｚの範囲にある。これは、付加バイアス電位をウェハＷに与え、プラズマ（図示せず）からウェハＷへ進む荷電分子束の方向性を改善する。
【００３３】
サセプタ１１６の上部表面は、ウェハ保持面として機能し、例えばポリイミドで形成される絶縁層１１５がその上部表面に装着される。絶縁層１１５上には、導電性の静電チャック電極１１７及び抵抗性層１２１が配置される。このチャック電極は、銀膜あるいはパラジウム膜を抵抗性層の下面に形成することによって作ることができる。絶縁ケーブルによって被覆される導電性ライン（図示せず）は、サセプタに備えられ、チャック電極１１７に接続される。他方、この導電性ラインは、スイッチ（図示せず）によって直流電源に接続される。
【００３４】
ガス供給通路（図示せず）は、ヘリウムのような熱伝導性ガスを供給するために抵抗性層１２１を通してウェハＷの後部表面に与えられる。さらに、ウェハを抵抗性層の最上面に対して上下に移動させる複数のプッシャーピン、例えば、３つのプッシャーピンが設けられる。
【００３５】
サセプタは、液体窒素のような循環冷却剤を有する管を支えるアルミニウムのような熱導電性材料で作られている冷却ブロック１１９上に取り付けられる。この冷却ブロック１１９は、絶縁部材１１８によって処理室の底部に連結される。
【００３６】
上下移動シャフト１２０は、上下移動機構（図示せず）によって垂直方向に移動可能である。このシャフトは、サセプタ１１６、静電チャック１１７、冷却ブロック１１９、ならびにウェハＷを含む載置台１２３の全部を垂直方向に移動するように設計されているので、ウェハＷと分岐ＲＦアンテナ１１０との間の距離が適切に調整できる。
【００３７】
ベローズ１２２は、気密部材で構成される。ベローズ１２２は、絶縁部材１１８に連結され、上下移動シャフト１２０を囲み、処理室１０２の底部表面に連結される。したがって、たとえサセプタ１１６が垂直方向に移動されるとしても、処理室１０２の気密性は損なわれない。
【００３８】
処理室１０２は、排出システムの排気ライン１３６に連結される。排気ライン１３６は、開閉弁及び流量制御弁（図示せず）を通して排気ポンプ１３８に接続されている。排気ポンプ１３８は、例えば、１０mTorr
から１００mTorrまでの真空度に処理室１０２を排気し、処理室１０２を設定することができる。
【００３９】
好ましい実施形態では、コントローラ１７０は、第１のＲＦ電源１１４、整合回路１１２、ガス発生源１３４、排気ポンプ１３８、第２のＲＦ電源１２６、及び第２の整合回路１２４に結合される。コントローラ１７０は、第１のＲＦ電源１１４、整合回路１１２、第２のＲＦ電源１２６、及び第２の整合回路網１２４、ガス発生源１３４、及び排気ポンプ１３８の動作を制御するハードウェア及びソフトウェアを含む。例えば、コントローラ１７０は、ＲＦ電源によって供給される信号の周波数、位相、振幅、及びバイアスを制御できる。さらに、コントローラ１７０は、処理室１０２の処理ガス及び流量を制御できる。さらに、コントローラ１７０は、冷却通路（図示せず）を通る流体の流れを制御することによってファラデーシールド１４０、分岐ＲＦアンテナ１１０、及びウェハＷの温度を制御できる。
【００４０】
図１Ａに示されたプラズマエッチングシステムでは、処理が下記のように実行される。先ず第一に、ウェハＷは、処理室１０２に配置され載置台（ワークテーブル）１２３上に配置されている。その後、処理室１０２は、処理室１０２に接続された排気系によって排気され、それによって処理室１０２の全内部を所定の減圧雰囲気に設定する。
【００４１】
ウェハＷが載置された載置台１２３は、作業位置まで垂直方向に移動されるので、ウェハＷと分岐ＲＦアンテナとの間の距離はこの処理によって規定される所定の値に設定される。
【００４２】
処理室１０２は継続して排気されるが、処理ガスは、処理ガス供給システム１３４から処理室１０２に供給される。好ましい実施形態では、処理ガスは、ガス供給システムから少なくとも１つのガス供給パイプヘ、かつ少なくとも１つのガス供給パイプから処理室１０２へ供給される。他の実施形態では、処理ガスはファラデーシールドに供給される。次に、処理ガスは、ファラデーシールド１４０からガス供給穴（図１に図示せず）を通って処理室１０２に入る。
【００４３】
この状態では、プラズマ発生ＲＦ電力は、分岐ＲＦアンテナ１１０に供給されるので、処理室１０２に供給される処理ガスは、励起され、分離され、イオン化され、それによって均一の広範囲のプラズマを発生する。
【００４４】
ファラデーシールド１４０が誘導加熱されることを防止し、プラズマを発生する分岐ＲＦアンテナ１１０からの入力エネルギーを有効的に使用するためには、電流通路は、ＲＦ電界の方向と同方向に形成されるべきでない。例えば、分岐ＲＦアンテナ１１０は、素子がほぼ放射状（半径方向に拡がる）の形状を成し、ウェハＷの中心と一体的になる幾何学的中心を有するように配置されてもよい。このような場合、分岐ＲＦアンテナ１１０によって発生されるＲＦ電界は、多くは放射状にもある電界方向を有する。このため、対応するファラデーシールド１４０には、多数のスロットが設けられ、同心円状に配置されるため、ファラデーシールドにおける導電要素は、主に方位角方向を有する。換言すると、スロット１４７は、分岐ＲＦアンテナ１１０によって発生されたＲＦ電界の方向にほぼ垂直となる方向に延びる。この配置の場合、分岐ＲＦアンテナ１１０によって発生される電磁界は、遮断されないで処理室１０２に透過されるので、ＲＦ電界は、容量性成分がかなり減少される限り、処理室１０２で発生される。結果として、分岐ＲＦアンテナ１１０からの入力エネルギーは、プラズマを発生するために有効に利用される。
【００４５】
他の実施形態では、上部プレート１０６は必要ない。例えば、処理室は、誘電性窓、絶縁層、分岐ＲＦアンテナ、及び／またはガス配分装置を用いて形成可能である。
【００４６】
図１Ｂは、本発明の他の実施形態によるプラズマエッチングシステムを示す概略図である。図１Ｂは、ＲＦ電源系がサセプタに結合されないプラズマエッチングシステムを示す。
【００４７】
図１Ｃは、本発明の実施形態の変形例によるプラズマエッチングシステムを示す概略図である。図１Ｃは、図１Ａの装置のために示される全形体を含む。しかしながら、図１Ｃは、分岐ＲＦアンテナのための異なる幾何学的形状を示し、図示された実施形態では、誘電性窓及びファラデーシールドの幾何学的形状は、平坦でなく、曲がっている。ＲＦアンテナの湾曲及び形状は、一様なプラズマがウェハＷの表面に供給されるように設計される。
【００４８】
図２は、本発明の好ましい実施形態による分岐ＲＦアンテナの簡略図を示す。図２Ａは、本発明の好ましい実施形態による全分岐に冷却通路を有する分岐ＲＦアンテナを示す。図２Ｂは、本発明の実施形態の変形例によるいくつかの分岐に冷却通路を有する分岐ＲＦアンテナを示す。
【００４９】
分岐ＲＦアンテナ２００は、複数の主分岐２０８及び複数の副分岐２１０を含む。各々の主分岐は、分岐点２１４とほぼ同じ方向に中央フィード素子２０２から放射状に延びる第１の多数の分岐を含む。望ましいことには、主分岐の各分岐は異なる平面にあるが、主分岐の分岐の全ては、基板に平行な平面上に同じ突出部を有する。例えば、主分岐の分岐は、互いに電磁結合及び／または電気結合されるが物理的に互いに結合されていない。
【００５０】
分岐点２１４で、少なくとも１つの副分岐２１０は各々の主分岐に結合される。各々の副分岐は、分岐点２１４から異なる方向に延びる。望ましいことは、各々の副分岐のかなりの部分が同じ平面にある。図２に示されるように、３つの副分岐は、分岐点で各々の主分岐に結合されるが、これは本発明のために必要でない。他の実施形態では、少なくとも２つの副分岐は、１つあるいはそれ以上の分岐点で各々の主分岐に結合される。
【００５１】
好ましい実施形態では、図２Ａの分岐アンテナは、中心２０２で整合回路１１２を通してＲＦ電源１１４（図１）によって電力を供給され、アンテナ周辺上の出力点２０６で接地される。これは、主分岐２０８及び副分岐２１０を通してＲＦ電流を供給する。望ましいことは、主分岐の各分岐は中央フィード素子２０２に個別に結合される。
【００５２】
他の実施形態では、外部点２０６は、コンデンサ（図示せず）を通して接地される。
【００５３】
主分岐２０８は、アンテナチューニングを著しく簡単し、より均質なプラズマ生成を保障するための対称幾何学的形状及び装荷を有する。各々の主分岐２０８は異なる方位角領域をカバーする。
【００５４】
他の実施形態では、異なる数の主分岐２０８及び／または異なる数の副分岐を使用できる。
【００５５】
好ましい実施形態では、アンテナ２００は、全てのその分岐を通って延びる冷却経路２１２を有する。高ＲＦ電力の場合、冷却経路２１２は、主分岐及び副分岐２０８及び２１０の両方に設けることができる。しかしながら、いくつかの副分岐２１０（図２Ｂ）に冷却経路２１２がないことは、アンテナ２００の金属部の高熱伝導度及び他の冷却分岐に副分岐２１０が近接することにより冷却する副分岐２１０により、中ぐらいのＲＦ電力を使用する場合、許容できる。
【００５６】
他の実施形態では、分岐ＲＦアンテナ２００は、ドーム状表面あるいは他の平坦でない表面上に配置できる。ドーム状表面の場合、全ての分岐の共通の中心は、ドームの中心（対称の中心）にある。階段状の表面の場合、全ての主分岐の共通の中心は最上部階段の中心にある。
【００５７】
他の実施形態では、いかなる分岐ＲＦアンテナの分岐も、アンテナ周辺で電力が供給され、共通の中心で接地できる。しかしながら、この実施形態は、電源への接続を必要する増加された地点数により構造を複雑にし得る。
【００５８】
他の実施形態では、主分岐は、異なるＲＦ発生源によって電力が供給できる。さらに、主分岐は、異なる位相及び／または異なる周波数を有する無線周波数によって電力が供給できる。
【００５９】
主分岐及び副分岐は、陽極酸化処理されたアルミニウムのような金属を使用して製造される。例えば、アンテナ分岐は、陽極酸化処理されたアルミニウムのような金属を使用して製造できる単一導電性表面を有し得る。アンテナ分岐２０８、２１０は、異なるアンテナ形状のために異なって製造できる。
【００６０】
図２に示されるように、副分岐と主分岐との間の結合角は、９０°よりも小さいが、これは本発明のために必要ない。他の実施形態では、これらの結合角は、９０°に等しい及び／または９０°よりも大きいことも有り得る。
【００６１】
図２に示されるように、各々の主分岐は、１つの分岐点を含むが、これは、本発明のために必要ない。他の実施形態では、少なくとも１つの主分岐は、２つ以上の分岐点で構成される。
【００６２】
図３は、本発明の他の実施形態による第２の形式の分岐ＲＦアンテナの簡略図を示す。図３は、本発明の好ましい実施形態による分岐ＲＦアンテナを示す簡略図である。図３は、全分岐に冷却通路を有する分岐ＲＦアンテナを示す。
【００６３】
分岐ＲＦアンテナ３００は、複数の主分岐３０８及び複数の湾曲の副分岐３１０を含む。各々の主分岐は、ほぼ同じ方向に中央フィード素子３０２から分岐点３１４に放射状に延びる第１の分岐数を含む。望ましいことには、主分岐の各分岐は同じ平面にあるが、主分岐の分岐の全ては、基板に平行な平面上に同じ突出部を有する。例えば、主分岐の分岐は、互いに電磁結合及び／または電気結合されるが、互いに物理的に連結できない。
【００６４】
分岐点３１４で、少なくとも２つの曲がった副分岐３１０は、各々の主分岐に連結される。各々の曲がった副分岐は、分岐点３１４から異なる方向に延びる。望ましいことには、各々の曲がった副分岐３１０のかなりの部分は同じ平面にあるが、曲がった副分岐３１０は、基板に平行な平面上に同じ突出部を有する。図３に示されるように、２つの曲がった副分岐３１０は、各分岐点３１４で各々の主分岐３０８に連結されるが、これは本発明のために必要ない。他の実施形態では、少なくとも２つの副分岐は、１つあるいはそれ以上の分岐点で主分岐の各分岐に連結されている。
【００６５】
望ましいことには、分岐ＲＦアンテナ３００は、中央分岐３０８で整合回路１１２を通してＲＦ電源１１４（図１）によって電力が供給され、出力点３０６でアースされる。これは、主分岐３０８及び副分岐３１０を通してＲＦ電流を供給する。主分岐の各々の分岐は、中央フィード素子３０２に別個に連結できる。他の実施形態では、出力点３０６は、コンデンサ（図示せず）を通してアースに接続される。
【００６６】
主分岐３０８は、アンテナチューニングを著しく簡単し、より均質のプラズマ生成を保証するための対称幾何学的形状及び装荷を有する。各々の主分岐３０８は異なる方位角領域をカバーする。
【００６７】
他の実施形態では、異なる数の主分岐３０８及び／または異なる数の副分岐を使用できる。
【００６８】
好ましい実施形態では、アンテナ３００は、全てのその分岐を通って延びる冷却経路３１２を有する。高ＲＦ電力の場合、冷却経路３１２は、主分岐及び副分岐３０８及び３１０の両方に設けることができる。しかしながら、いくつかの副分岐３１０（図４）に冷却経路３１２がないことは、アンテナ３００の金属部の高熱伝導度及び他の冷却分岐に副分岐３１０が近接することにより冷却する副分岐３１０により、中ぐらいのＲＦ電力を使用する場合であれば許容できる。
【００６９】
他の実施形態では、分岐ＲＦアンテナ３００は、ドーム状表面あるいは他の平坦でない表面上に配置できる。ドーム状表面の場合、全ての分岐の共通の中心は、ドームの中心（対称の中心）にある。階段状の表面の場合、全ての主分岐の共通の中心は最上部階段の中心にあり得る。
【００７０】
他の実施形態では、主分岐は、異なるＲＦ発生源によって電力が供給できる。さらに、主分岐は、異なる位相及び／または異なる周波数を有する無線周波数によって電力が供給できる。
【００７１】
他の実施形態では、分岐ＲＦアンテナ３００は、中央フィード素子３０２から放射状に延びる複数の同じ平面にある主分岐３０８及び複数の曲がった副分岐３１０を含む。本例では、分岐は、分岐ＲＦアンテナ３００の平面にあるいは同じ表面上に生じる。
【００７２】
減少された終端３０６はアンテナ３００の構造を簡単にする。好ましくは、全ての曲がった分岐素子３１０は、アンテナチューニングを著しく簡単にし、より均質のプラズマ生成を保障する対称的幾何学的形状及び装荷を有する。しかし、他の実施形態においては対称性は要求されない。
【００７３】
他の実施形態では、図２の分岐アンテナの説明と同様に、中心点３０２が接地される限り、終端３０６に進むＲＦ電力フィードを配置できる。さらにもう一つの他の実施形態において、接地はコンデンサ（図示せず）を介して配置することができる。
【００７４】
図３に示されたＲＦアンテナ３００は、ドーム状表面あるいは他の非平坦な表面まで調整できる。
【００７５】
図４は、本発明の他の実施形態による第３の分岐ＲＦアンテナの簡略図を示している。
【００７６】
分岐ＲＦアンテナ４００は、複数の主分岐４０８及び複数の副分岐４１０で構成される。主分岐４０８は、同一平面で中央フィード素子４０２から放射状に延びる。各々の主分岐４０８は分岐点４１４を含む。多数の副分岐４１０は、各々の主分岐４０８の分岐点４１４に結合される。さらに、中央フィード素子４０２は、伝送線１１３（図１）にも結合できる。
【００７７】
図示された実施形態では、分岐ＲＦアンテナ４００は、共通の幾何学的中心を与える８つの主要分岐４０８を有する。各々の主要な分岐４０８は、中央フィード素子４０２から始まり、放射方向に延びる。分岐点４１４は、中央フィード素子４０２から第１の長さ４２４にある。主分岐４０８は、アンテナチューニングを著しく簡単にし、より均質のプラズマ生成を保障する対称的幾何学的形状及び装荷を有する。各々の主分岐４０８は、異なる方位角領域をカバーする。
【００７８】
図示された実施形態では、３つの副分岐４１０は、各々の分岐点４１４から延びる。副分岐長４２６は、分岐点４１４からアンテナ周辺４０４上のアースされた外部点４０６までの距離である。アンテナ周辺４０４に沿って、各々の副分岐４１０は個別の終端４０６を有する。副分岐４１０の幾何学的形状及び装荷の適度な差は、本実施形態では許容できる。
【００７９】
他の代替実施形態では、異なる数の主分岐４０８及び／または異なる数の副分岐を使用できる。
【００８０】
さらに、分岐ＲＦアンテナ４００は、１つあるいはそれ以上の主分岐４０８を通して延びることができる冷却通路４１２を含み得る。高ＲＦ電力の場合、冷却経路４１２は、主分岐及び副分岐４０８及び４１０の両方に設けることができる。
【００８１】
図示された実施形態では、平坦な同じ平面にある分岐ＲＦアンテナ４００は、より大きい領域のより均一なカバーリングを行うので、より大きい基板のために必要に応じてより均質なプラズマ生成を行う。
【００８２】
しかしながら、他の代替実施形態では、分岐ＲＦアンテナ４００は、好ましい平坦な表面よりもむしろドーム状表面あるいは他の非平坦な表面上に配置できる。ドーム状の場合、全ての主分岐の共通中心は、ドームの中心（対称性の中心）にある。階段状表面の場合、全ての主分岐の共通中心は、最上部階段の中心にある。
【００８３】
図５は、本発明の他の実施形態による第４の形式の分岐ＲＦアンテナの簡略図を示す。
【００８４】
分岐ＲＦアンテナ５００は、複数の主分岐５０８及び複数の副分岐５１０を含む。主分岐５０８は、同じ平面にあり、中央フィードから放射状に延びる。各々の主分岐５０８は分岐点５１４を含む。多数の副分岐５１０は、各々の主分岐５０８の分岐点５１４に連結される。中央フィード素子５０２は、伝送線１１３（図１）に連結され、周辺上の端部５０６はアースされる。
【００８５】
図示された実施形態では、分岐ＲＦアンテナ５００は、共通の幾何学的中心を与える３つの主分岐５０８を有する。各主分岐５０８は、中央フィード素子５０２を始点として主として放射状に延びる。主分岐５０８は、アンテナチューニングを著しく簡単にし、より均質なプラズマ生成を保障する対称的装荷を有する。各主分岐５０８は異なる方位角領域をカバーする。
【００８６】
図示された実施形態では、３つの副分岐５１０は、各々の分岐点５１４から延びる。アンテナ周辺５０４に沿って、各々の副分岐５１０は別個の終端５０６を有する。副分岐５１０の幾何学的形状及び装荷の適度な差は本実施形態では許容できる。
【００８７】
他の代替実施形態では、異なる数の主分岐５０８及び／または異なる数の副分岐を使用できる。
【００８８】
さらに、分岐ＲＦアンテナ５００は、主分岐５０８及び副分岐５１０のいくつかを通して延び得る冷却経路を含む。高ＲＦ電力の場合、冷却経路は、主分岐及び副分岐５０８及び５１０の両方に設けることができる。
【００８９】
図示された実施形態では、平坦な同じ平面にある分岐ＲＦアンテナ５００は、より大きい領域のより均一なカバリングを行うので、より大きい基板のために必要に応じてより均質なプラズマ生成を行う。
【００９０】
しかしながら、他の代替実施形態では、分岐ＲＦアンテナ５００は、好ましい平坦な表面よりもむしろドーム状表面あるいは他の非平坦な表面上に配置できる。ドーム状表面の場合、全ての主分岐の共通の中心がドームの中心（対称の中心）にある。階段状の表面の場合、全ての主分岐の共通の中心が最上部階段の中心にある。
【００９１】
図６は、本発明の他の実施形態による第４の形式の分岐ＲＦアンテナのための他の形状を示している。図示されるように、主分岐と副分岐との間に示される可視ブレークポイントがなく、ウェハ平面上の突出部は、結合されなくて単一の分岐になるが、さらに著しい分岐のグループ化がある。
【００９２】
共通の中心６０２の近くで、アンテナ分岐は著しくグループ化される（図６に示された場合、図５の主分岐５０８に対応する３つのグループ６０８の分岐がある）。外部領域では、アンテナ分岐６１０は、図５の副分岐５１０と同様に互いからさらに遠くに進む。
【００９３】
全分岐は、中心６０２に集められ、周辺６０４の終端６０６で接地される。交互に、アンテナ分岐は、終端６０６に提供され、共通の中心６０２で接地できる。さらに交互に、コンデンサ（図示せず）を通して接地される。冷却経路（図示せず）は、アンテナ分岐を通過される。
【００９４】
図示された実施形態では、平たい同じ平面にある分岐ＲＦアンテナ６００は、より大きい領域のより均一なカバーリングを行うので、より大きい基板のために必要に応じてより均質なプラズマ生成を行う。
【００９５】
しかしながら、実施形態の変形例では、分岐ＲＦアンテナ６００は、好ましい平坦な表面よりもむしろドーム状の表面あるいは他の非平坦な表面上に配置できる。ドーム状表面の場合、全部の主分岐の共通の中心は、ドームの中心（対称の中心）にある。階段状表面の場合、全ての主分岐の共通の中心は、最上部階段の中心にある。
【００９６】
図７は、本発明の好ましい実施形態による第１の形式の分岐の簡略図を示す。各々の主分岐７０８は、ウェハ表面上に同じ（あるいは同じものに近い）突出部を有する数分岐からなる。分岐点７１４で、この分岐は互いに分割するので、複数の副分岐７１０を形成する。冷却経路７１２は、アンテナのための受容できる温度状況を保障するためにアンテナ分岐を通過できる。
【００９７】
本発明によって、いくつかの形式のアンテナ分岐が考察できる。主分岐のように見えるウェハの平面上のアンテナの電界の突出部が分岐している場合（すなわち、副分岐が主分岐を裂く場合）、好ましい形式の分岐は、この場合（図７）に相当する。実際に、各々の主分岐は、数分岐からなる（図７を参照）。すなわち、この分岐は、ほとんど主分岐であるように見えるウェハ平面上の分岐の突出部である。これは、ウェハ上により均一な電磁（ＥＭ）電界を生じ、かつそれぞれウェハ中心の近く及びその周辺により接近している両方のウェハの全面積の全部により均一なプラズマ生成を生じる。
【００９８】
アンテナの主分岐及び副分岐が実質的に同じ平面にある場合、他の形式の分岐は同じ平面にある分岐である。
【００９９】
さらに、分岐原理の修正は可能である。例えば、ウェハ平面上の突出部が、正確に連結されなくて、単一の主分岐になるが、なお、かなりの分岐のグループ化（図５と比較して図６を参照せよ）がある場合、本発明の下でもまたカバーされる。
【０１００】
他の種類の分岐が図８に示される。この場合、（例えば、平坦な螺旋状アンテナのような）アンテナの全長は、数分岐に分割されるので、各分岐の電気長は、定在波の影響を避けるために十分短い。アンテナチューニング及び均一なプラズマ生成は最も容易に維持されるので、各分岐の等しい（あるいは等しいに近い）電気負荷の原理は、最も普通の状況で有益であり、好ましい実施形態として選択される。
【０１０１】
さらに、非均一なプラズマ生成（例えば、ウェハ周辺でより高いプラズマ生成速度）のほうをとる場合があり得る。この場合、分岐のための等しい負荷の原理は適用できないかもしれない。
【０１０２】
図８は、本発明の実施形態による、第１の形式の分岐ＲＦアンテナ及び図２〜図６に示された分岐とは著しく異なる第２の形式の分岐の簡略図を示す。分岐ＲＦアンテナ８００は、複数の分岐８１０、８２０及び８３０を含み、各分岐は平面螺旋の一部である。各分岐８１０、８２０及び８３０は異なる放射状領域を有する。分岐８１０、８２０及び８３０は、第１の端部、すなわち８１２、８２２及び８３２のそれぞれに提供されるのに対して、他の端部、８１４、８２４及び８３４は電気的にアースされる。さらに、単一ＲＦ電力発生器は全分岐に電力を供給できるかあるいは異なるＲＦ電力発生器（同じかあるいは異なるＲＦ周波数、位相あるいは振幅を有する）は異なる分岐に電力を供給できる。電源端及びアース端を交換する各分岐の電源端及びアース端をスイッチできる。
【０１０３】
図示された実施形態では、外部分岐８３０は、単一巻を含み、中間分岐８２０は、約１回半巻を含み、内部分岐８１０は、約２回巻を含む。１巻は負あるいは正の方向の単一回転である。一方、分岐８１０、８２０及び８３０は、異なる巻数を有し得る。外部分岐８３０は、第１の端部８３２及び第２の端部８３４を有する。中間分岐８２０は、第１の端部８２２及び第２の端部８２４を有する。内部分岐８１０は、第１の端部８１２及び第２の端部８１４を有する。等しい負荷を得るために、アンテナ８００のための好ましい形状は、各分岐に対して異なる巻数を有するべきであり、内部分岐８１０は最大巻数を有する。
【０１０４】
さらに、この分岐のための負荷がプラズマ及びガス拡散の速度と同様に半径方向（放射状）のある種の処理の信頼性により異なる場合、異なる整合回路網及び／またはＲＦ発生源は異なる分岐を駆動できる。アンテナ分岐パラメータの特定のチューニングは、半径方向の処理の信頼性を補償する必要があるので、半径方向の独自のプラズマ密度プロフィールを提供する。放射状の非均一なプラズマの生成が特別の状況で必要である場合、図８に示された実施形態は便宜的に用いることができる。
【０１０５】
図８に示された分岐ＲＦアンテナ８００の表面は、平坦で有り得るが、このようなアンテナはドーム状表面あるいは他の非平坦な表面にも調整できる。
【０１０６】
本発明は、エッチング装置のようなプラズマ処理装置に有効に応用できる。本発明は、エッチング装置、例えば膜形成装置あるいは灰化装置以外のプラズマ処理装置にも応用できる。本発明は、半導体ウェハ、例えばＬＣＤガラス基板以外の被処理体のためのプラズマ処理装置にも応用できる。付加的長所及び修正は容易に当業者の心に浮かぶ。したがって、その広い態様の本発明は、特定の詳細及び図示され、ここに説明された代表的な実施形態に限定されない。したがって、いろいろな修正は、添付された特許請求の範囲及びその均等物によって規定されるような一般的な発明概念の精神あるいは範囲を逸脱しないで行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１Ａ】本発明の好ましい実施形態によるプラズマエッチングシステムを示す概略図である。
【図１Ｂ】本発明の実施形態の変形例によるプラズマエッチングシステムを示す概略図である。
【図１Ｃ】本発明の実施形態の変形例によるプラズマエッチングシステムを示す概略図である。
【図２Ａ】本発明の好ましい実施形態による分岐ＲＦアンテナの概略図を示している。
【図２Ｂ】本発明の実施形態の変形例による分岐ＲＦアンテナの概略図を示している。
【図３】本発明の実施形態の変形例による第２の形式の分岐ＲＦアンテナの簡略図を示す。
【図４】本発明の実施形態の変形例による第３の形式の分岐ＲＦアンテナの簡略図を示す。
【図５】本発明の実施形態の変形例による第４の形式の分岐ＲＦアンテナの簡略図を示す。
【図６】本発明の実施形態の変形例による第４の形式の分岐ＲＦアンテナのための代替構成の簡略図を示す。
【図７】本発明の好ましい実施形態による第１の形式の分岐の簡略図を示す。
【図８】本発明の実施形態の変形例による第５の形式の分岐ＲＦアンテナの簡略図を示す。
【符号の説明】
１００・・・プラズマ処理システム
１０２・・・気密処理室
１０４・・・プロセス容器
１０６・・・上部プレート
１０８・・・アース線
１１０・・・分岐ＲＦアンテナ
１１２・・・整合装置
１１３・・・伝送線
１１４・・・ＲＦ電源
１１５・・・絶縁層
１１６・・・サセプタ
１１７・・・チャック電極
１２２・・・ベローズ
１２３・・・載置台
１２４・・・第２の整合回路網
１３３・・・ガス供給線
１３４・・・ガス発生源装置
１３６・・・排気ポンプ
１４０・・・ファラデーシールド
【図１Ａ】
0004447829.tif 000002
【図１Ｂ】
0004447829.tif 000003
【図１Ｃ】
0004447829.tif 000004
【図２Ａ】
0004447829.tif 000005
【図２Ｂ】
0004447829.tif 000006
【図３】
0004447829.tif 000007
【図４】
0004447829.tif 000008
【図５】
0004447829.tif 000009
【図６】
0004447829.tif 000010
【図７】
0004447829.tif 000011
【図８】
0004447829.tif 000012