(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
低温焼成セラミック配線基板を形成するための原料粉末を含有するグリーンシートの両面に、前記低温焼成セラミック配線基板を形成する原料粉末の焼成温度では焼結しないセラミック粉末とガラス粉末とを含有する第１の拘束シートを積層した積層体の両面に、前記低温焼成セラミック配線基板を形成する原料粉末の焼成温度では焼結しないセラミック粉末を含有するとともに、ガラス粉末を実質的に含まない第２の拘束シートを積層して複合シート積層体を作製し、該複合シート積層体を焼成した後、前記第１および第２の拘束シートを除去することを特徴とする低温焼成セラミック配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記第１の拘束シート中のガラス粉末の含有量を、前記第１の拘束シート中の無機物成分の０．５〜１５体積％とすることを特徴とする請求項１記載の低温焼成セラミック配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記第１の拘束シートの厚み（ｔ１）に対する前記第２の拘束シートの厚み（ｔ２）の比（ｔ２／ｔ１）を０．４〜５とすることを特徴とする請求項１または２記載の低温焼成セラミック配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記低温焼成セラミック配線基板を構成するグリーンシートの厚さ（Ｔ）に対する前記第１および第２の拘束シートの片面での総厚み（ｔ３）の比（ｔ３／Ｔ）を、０．１以上とすることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか記載の低温焼成セラミック配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記第１の拘束シート中のガラス粉末として、軟化点が、前記低温焼成セラミック配線基板を形成する原料粉末の焼成温度以下であるとともに、前記グリーンシート中に添加する有機バインダの揮発温度よりも高いものを用いることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか記載の低温焼成セラミック配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記低温焼成セラミック配線基板を形成するグリーンシートの表面に、金属箔からなる配線回路層を形成するとともに、前記金属箔のうち前記第１の拘束シートに接する前記金属の断面形状を前記低温焼成セラミック配線基板の内側の辺が短い台形形状とすることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか記載の低温焼成セラミック配線基板の
製造方法。
【請求項７】
製造される前記低温焼成セラミック配線基板が略直方体形状であり、その少なくとも一辺の長さが７０ｍｍ以上であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか記載の低温焼成セラミック配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記低温焼成セラミック配線基板を形成するグリーンシートの両面に前記第１および第２の拘束シートを順次積層した複合シート積層体を、さらに複数個積層した状態で焼成することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか記載の低温焼成セラミック配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、多層配線基板や半導体素子収納用パッケージなどに適した低温焼成セラミック配線基板の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来技術】
近年、半導体素子などのチップ部品は小型化、軽量化が進んでおり、これらを実装する配線基板も小型化、軽量化が望まれている。このような要求に対して、基板内に内部配線回路層を形成したセラミック多層配線基板は、高密度配線化が可能であり、且つ薄型化が可能であることから、今日のエレクトロニクス業界において重要視されている。
【０００３】
従来より、半導体素子を収納するパッケージなどに使用されるセラミック多層配線基板としては、アルミナなどのセラミック絶縁基板の表面や内部にＷやＭｏ等の金属からなる配線回路層が形成されたもので、この絶縁基板の一部にキャビティが形成され、このキャビティ内に半導体素子が収納され、蓋体によってキャビティを気密に封止されるものである。
【０００４】
近年、高集積化が進むＩＣやＬＳＩ等の半導体素子を搭載する半導体素子収納用パッケージや、各種電子部品が搭載される混成集積回路装置等に適用される配線基板においては、高密度化、低抵抗化、小型軽量化が要求されており、従来のアルミナ系セラミック材料に比較して低い誘電率が得られ、配線回路層としてＣｕなどの低抵抗金属を用いることができることから、焼成温度が１０００℃以下のいわゆる低温焼成セラミック材料を絶縁基板とした低温焼成セラミック配線基板が一層注目されている。
【０００５】
このような低温焼成セラミック配線基板、特にガラスとセラミックフィラー成分とを含有するガラスセラミック配線基板において、特開平７−８６７４３号では、グリーンシート積層体の両面に、グリーンシートの焼成温度では焼結しない難焼結性のセラミック材料からなるセラミックシート（以下、拘束シートと称す）を積層して焼成することにより、焼成によるグリーンシートの平面方向の収縮を抑制して、金属箔からなる配線回路層と同時焼成する手法が提案されている。
【０００６】
しかし、かかる方法においては、拘束シート中の無機質成分としてアルミナなどの基板シートの焼成温度では焼結しない成分のみを添加し、拘束シートは焼成過程でほとんど液相が生成されることなく多孔質体として存在することから、同時焼成される基板シート中に焼結過程で生じたガラスあるいは液相成分が拘束シート側に拡散してしまう結果、焼成後の基板表面がポーラスになり、基板強度が低下したり、基板表面の配線回路層にメッキを施した場合にメッキ広がりが発生するなどの問題があった。
【０００７】
さらには、上記液相成分の拘束シート側への拡散は、低温焼成セラミックの成分により不均一に拡散するため、拘束シートと低温焼成セラミック間の結合力にムラが生じ、部分的に基板用グリーシートと拘束シートとの間に剥離が発生して基板の寸法精度が低下したり、反りや変形が発生する等の問題があった。
【０００８】
そこで、特願平１１−３６６８７０号では、拘束シート中にガラスを含有させることにより、低温焼成セラミック表面での焼結不足の問題を解決しつつ、より寸法精度の高いガラスセラミック配線基板を得る方法が提案されている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記ガラス粉末を添加した拘束シート１層のみにて基板シートを拘束する方法では、拘束シートの拘束力がガラス粉末の存在によって若干低下するために、基板シートが大面積となったり厚みが厚くなったりして大きな拘束力が要求される場合には、基板シートの焼成時の収縮抑制効果が不十分となる恐れがあった。
【００１０】
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、その目的は、大面積あるいは厚みの厚い配線基板を作製する場合でも、基板シートの良好な表面性状を維持しつつ、焼成収縮を良好に抑制できる低温焼成セラミック配線基板を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は、上記課題に対し、拘束シートの構成について検討した結果、基板シートの両面にガラス粉末を含有する第１の拘束シートを、さらに、その両面に前記第１の拘束シートと密着して、ガラス粉末を含有しない第２の拘束シートを順次積層することによって、基板の表面をポーラスにすることなく良好な表面性状を維持しつつ、拘束シートの拘束力を大きくすることができることを知見した。
【００１２】
すなわち、本発明の低温焼成セラミック配線基板の製造方法は、低温焼成セラミック配線基板を形成するための原料粉末を含有するグリーンシートの両面に、前記低温焼成セラミック配線基板を形成する原料粉末の焼成温度では焼結しないセラミック粉末とガラス粉末を含有する第１の拘束シートを積層した積層体の両面に、前記低温焼成セラミック配線基板を形成する原料粉末の焼成温度では焼結しないセラミック粉末を含有するとともに、ガラス粉末を実質的に含まない第２の拘束シートを積層して複合シート積層体を作製し、該複合シート積層体を焼成した後、前記第１および第２の拘束シートを除去することを特徴とするものである。
【００１３】
ここで、前記第１の拘束シート中のガラス粉末の含有量を、前記第１の拘束シート中の無機物成分の０．５〜１５体積％とすることが望ましい。
【００１４】
また、前記第１の拘束シートの厚み（ｔ１）に対する前記第２の拘束シートの厚み（ｔ２）の比（ｔ２／ｔ１）を０．４〜５とすること、前記低温焼成セラミック配線基板を構成するグリーンシートの厚さ（Ｔ）に対する前記第１および第２の拘束シートの片面での総厚み（ｔ３）の比（ｔ３／Ｔ）を、０．１以上とすることが望ましい。
【００１５】
さらに、前記第１の拘束シート中のガラス粉末として、軟化点が前記低温焼成セラミック配線基板を形成する原料粉末の焼成温度以下であるとともに、前記グリーンシート中に添加される有機バインダの揮発温度よりも高いものを用いることが望ましい。
【００１６】
また、前記低温焼成セラミック配線基板を形成するグリーンシートの表面に、金属箔からなる配線回路層を形成するとともに、前記金属箔のうち前記第１の拘束シートに接する前記金属の断面形状を前記低温焼成セラミック配線基板の内側の辺が短い台形形状とすることが望ましい。
【００１７】
さらに、製造される前記低温焼成セラミック配線基板が略直方体形状であり、その少なくとも一辺の長さが７０ｍｍ以上であることが望ましい。
【００１８】
また、前記低温焼成セラミック配線基板を形成するグリーンシートの両面に前記第１および第２の拘束シートを順次積層した複合シート積層体を、さらに複数個積層した状態で焼成する場合にも効率よく低温焼成セラミック配線基板を作製することができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
本発明の低温焼成セラミック配線基板の製造方法の一例についての工程図を図１に示す。図１によれば、まず、セラミック配線基板を形成するための原料粉末、例えば、セラミック粉末および／またはガラス粉末に対し、所望により焼結助剤をなすセラミック粉末を添加、混合した混合物に有機バインダ、可塑剤、有機溶剤等を加えてスラリーを調製した後、ドクターブレード法、圧延法、プレス法等の成形法によりシート状に成形して厚さ５０〜５００μｍのセラミック配線基板をなすグリーンシート（以下、基板シートと称す）１を作製する。
【００２０】
なお、前記ガラス粉末としては、ＳｉＯ2、Ｂ2Ｏ3、Ａｌ2Ｏ3、ＺｎＯ、ＰｂＯ、Ｂｉ2Ｏ3、ＺｒＯ2、ＴｉＯ2、アルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物、希土類酸化物の群から少なくとも一種を含有するガラスが望ましく、特に上記成分を３種類以上含有する多成分系ガラスであることが、ガラスの軟化点や後述する絶縁基板１２の特性の制御の点で望ましい。
【００２１】
また、前記セラミック粉末としては、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＺｒＯ2、ＴｉＯ2、ＺｎＯ、ＭｇＯ、ＭｇＡｌ2Ｏ4、ＺｎＡｌ2Ｏ4、ＭｇＳｉＯ3、Ｍｇ2ＳｉＯ4、Ｚｎ2ＳｉＯ4、Ｚｎ2ＴｉＯ4、ＳｒＴｉＯ3、ＣａＴｉＯ3、ＭｇＴｉＯ3、ＢａＴｉＯ3、ＣａＭｇＳｉ2Ｏ6、ＳｒＡｌ2Ｓｉ2Ｏ8、ＢａＡｌ2Ｓｉ2Ｏ8、ＣａＡｌ2Ｓｉ2Ｏ8、Ｍｇ2Ａｌ4Ｓｉ5Ｏ18、Ｚｎ2Ａｌ4Ｓｉ5Ｏ18、ＡｌＮ、Ｓｉ3Ｎ4、ＳｉＣ、ムライト等が挙げられ、用途に合わせて選択することができる。
【００２２】
また、前記助剤成分しては、Ｂ2Ｏ3、ＺｎＯ、ＭｎＯ2、アルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物、希土類金属酸化物等が挙げられ、用途に合わせて選択することができる。
【００２３】
さらに、有機バインダとしては、従来よりセラミックグリーンシートに使用されているものが使用可能であり、例えば、アクリル系（アクリル酸、メタクリル酸またはそれらのエステルの単独重合体または共重合体、具体的にはアクリル酸エステル共重合体、メタクリル酸エステル共重合体、アクリル酸エステル−メタクリル酸エステル共重合体等）、ポリビニルブチラール系、ポリビニルアルコール系、アクリル−スチレン系、ポリプロピレンカーボネート系、セルロール系等の単独重合体または共重合体が挙げられる。
【００２４】
そして、基板シート１にレーザーやマイクロドリル、パンチングなどにより、直径８０〜２００μｍのビアホール（貫通孔）２を形成し、その内部に導体ペーストを充填することにより、ビアホール導体３を形成する。
【００２５】
なお、導体ペーストとしては、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、ＰｄおよびＰｔの群から選ばれる少なくとも１種を主成分とする金属粉末に、アクリル樹脂等からなる有機バインダ、およびトルエン、イソプロピルアルコール、アセトン、テオピネオール等の有機溶剤を混合したものが好適に使用できる。有機バインダは、金属成分１００重量部に対して、０．５〜１５．０重量部、有機溶剤は、固形成分及び有機バインダ１００重量部に対して、５〜１００重量部の割合で混合されることが望ましい。なお、この導体ペースト中には若干のガラス粉末や酸化物粉末等の無機成分を添加してもよい。
【００２６】
続いて、このビアホール導体３を形成した基板シート１の表面に配線パターン４を印刷法および／あるいは転写法により形成し、ビアホール導体３および配線パターン４が形成された基板シート１を作製する（図１（１）参照）。
印刷法による配線パターン４の形成方法としては、スクリーン印刷法や、グラビア印刷法等の公知の印刷手法を用いて導体ペーストを基板シート１の表面に形成する。なお、該導体ペーストは、上記ビアホール導体３用の導体ペーストと同様の手法により作製され、必要に応じて成分や配合比率を変更することにより作製する。なお、上記印刷法により形成した配線パターン４を焼成した配線回路層１３は、金属焼結体からなる。
【００２７】
一方、転写法による配線パターン４の形成方法としては、まず、高分子材料等からなる転写フィルム上に高純度金属導体、特に金属箔を接着した後、この金属導体の表面に鏡像のレジストを回路パターン状に塗布した後、エッチング処理およびレジスト除去を行って鏡像の配線パターン４を形成し、鏡像の配線パターン４を形成した転写フィルムを前記ビアホール導体３が形成された基板シート１の表面に位置合わせして積層圧着した後、転写フィルムを剥がすことにより、ビアホール導体３と接続した配線パターン４を具備する基板シート１を形成することができる。なお、上記転写法により形成した配線パターン４を焼成した配線回路層１３は金属の含有量が９０重量％以上の高純度金属導体からなる。
【００２８】
ここで、本発明によれば、配線回路層１３として、転写法等により金属箔を用いて配線回路層１３を形成することにより、高精度の回路パターンを形成することができることから、配線幅８０μｍ以下、配線ピッチ８０μｍ以下の微細配線化が可能である。
【００２９】
なお、上記印刷法と転写法による配線パターン４は、いずれか一方のみでも、両者が混在していても差し支えない。特に、グランド層などの面積の大きい配線パターンは焼成前の脱脂工程を容易に行うために印刷法で形成することが望ましい。
【００３０】
さらに、上記配線パターン４は、いずれの形成法においても、パターン形成後に導体形成面に対して圧力を印加することにより、基板シート１表面内に埋設すること、特により埋設されるように配線パターン４の形状が逆台形形状であることが望ましい。これは、特に金属箔などの剛性の高い配線パターンの厚み分によって、配線パターン４の端部において第１の拘束シート８と基板シート積層体６表面との間に隙間が発生しやすくなり、このような隙間が生じると、その部分における第１の拘束シート８と基板シート積層体６との接着力が低下し、配線パターン４付近における第１の拘束シート８による拘束力が不均一となってしまう結果、焼成時に配線パターン４の端部が剥がれたり、収縮バラツキが大きくなるおそれがあるためである。なお、上記逆台形形状の配線パターン４は転写フィルム上に形成した金属箔をエッチング処理によってパターンを形成する際に、エッチング条件をコントロールして金属箔の厚み方向にしたがってエッチング速度に差をつけることよって形成することができる。
【００３１】
また、配線パターン４を埋設するには、１０ＭＰａ以上の圧力を印加することが望ましい。この圧力によって配線パターン４を強制的に埋設することができる。なお、上記圧力の印加は、基板シート積層体６上に拘束シート積層体７を積層する際に一括で行うこともできる。
【００３２】
次に、上記工程（１）と同様にして得られた基板シート１を所望により複数層積層して基板シート積層体６を形成する（図１（２）参照）。
【００３３】
（第１の拘束シート）
一方、基板シート１の焼結温度、すなわち前記配線基板を形成する原料粉末の焼成温度では焼結しない難焼結性材料のセラミック粉末に所定量のガラス粉末を添加し、基板シート１と同様の方法に有機物成分を添加、混合した後、シート状に成形してガラス粉末を含有する第１の拘束シート８を作製する。
【００３４】
ここで、第１の拘束シート８中におけるガラスの含有量は、前記基板シート積層体６の焼成時に、第１の拘束シート８と基板シート積層体６との密着力を高め、絶縁基板１２表面のボイドの発生を抑制しつつ、焼成後に配線基板表面から拘束シートを容易に除去することができ、かつ第１の拘束シート８の収縮を極力抑制する点で、第１の拘束シート８中の全無機成分に対して０．５〜１５体積％、特に１〜１３体積％、最適には２〜１０体積％であることが望ましい。
【００３５】
また、前記難焼結性材料の例としては、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＭｇＯ、ＺｒＯ2、ＴｉＯ2、ＭｇＡｌ2Ｏ4、ＺｎＡｌ2Ｏ4、Ｍｇ2ＳｉＯ4の群から選ばれる少なくとも１種、特に第１の拘束シート８と基板シート積層体６との密着性を高める上で、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＭｇＯ、ＺｒＯ2、Ｍｇ2ＳｉＯ4を主体とすることが望ましい。
【００３６】
また、前記第１の拘束シート８中に含まれるガラス成分としては、基板シート積層体６内に存在する有機バインダ等の有機物成分を効率よく、かつ完全に脱バインダ処理することができるとともに、拘束シート８の拘束力を高めるために、ガラス粉末の軟化点が基板シート積層体６の焼結温度以下であり、かつ基板シート積層体６中の有機成分の分解揮散温度よりも高いことが望ましい。具体的には、前記第１の拘束シート８中のガラスの軟化点は４５０〜１１００℃、特に５５０〜１０００℃、最適には６５０〜９００℃程度であることが好ましい。
【００３７】
なお、前記第１の拘束シート８中に含まれるガラス成分は、前述した基板シート１中に含まれるガラス成分と異なるものであってもよいが、基板シート１中のガラスの拡散を防止するためには、同一であることが望ましい。
【００３８】
（第２の拘束シート）
他方、基板シート１の焼結温度では焼結しない難焼結性材料のセラミック粉末に、基板シート１と同様の方法に有機物成分を添加、混合した後シート状に成形してガラス粉末を含有しない第２の拘束シート９を作製する。
【００３９】
ここで、前記難焼結性材料の例としては、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＭｇＯ、ＺｒＯ2、ＴｉＯ2、ＭｇＡｌ2Ｏ4、ＺｎＡｌ2Ｏ4、Ｍｇ2ＳｉＯ4の群から選ばれる少なくとも１種、特に、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＭｇＯ、ＺｒＯ2、Ｍｇ2ＳｉＯ4を主体とすることが望ましい。さらに、より高い寸法精度を得るため、および量産効果によるコストダウンのためには、第１の拘束シート８中のセラミック材料と同じであることが望ましい。
【００４０】
また、熱膨張挙動の見地からは、焼結後の絶縁基板１２表面に圧縮応力を生ぜしめて絶縁基板１２の機械的強度を高めて絶縁基板１２にクラックが発生するのを抑制するためには、焼成後の第１の拘束シート８と第２の拘束シート９の熱膨張係数が絶縁基板１２の熱膨張係数よりも高いことが望ましい。さらに、絶縁基板１２の熱膨張係数と焼成後の第２の拘束シート９の熱膨張係数に大きな差がある場合、焼成後の第１の拘束シート８の熱膨張係数は両者の間の値であることが望ましい。
【００４１】
そして、基板シート積層体６の両面に第１の拘束シート８および第２の拘束シート９を順次積層し、熱と圧力を加えて熱圧着する方法や、有機ビヒクル等からなる接着剤をシート間に塗布して熱圧着する方法により積層体のシート間を密着させて、基板シート１と拘束シート８、９とが積層された積層体（以下、複合シート積層体と略す。）１１を得る（図１（３）参照）。
【００４２】
なお、積層の方法としては、第１の拘束シート８と第２の拘束シート９とを予め加圧積層したものを基板シート積層体６表面に載置して再度加圧積層してもよいし、先に加圧積層した基板シート積層体６の両面に第１の拘束シート８および第２の拘束シート９を載置した後、加圧積層する方法も適応可能である。
【００４３】
本発明においては、前記のように、基板シート積層体６の両面にガラス粉末を含有する第１の拘束シート８とガラスを含有しない第２の拘束シート９を順次積層することが大きな特徴であり、これによって、焼成後の基板シート積層体６（絶縁基板１２）の表面をポーラスにすることなく良好な表面性状を維持しつつ、拘束シートの拘束力を大きくすることができる。
【００４４】
また、基板シート積層体６に積層される第１の拘束シート８および第２の拘束シート９を合わせた拘束シートの総厚み（ｔ3、ただし、ｔ3＝ｔ1＋ｔ2）は、複合シート積層体１１の拘束力を高め、複合シート積層体１１中の有機物成分の揮散を容易にするとともに製造コスト低減のために、片面だけで基板シート積層体６の厚さ（Ｔ）に対して０．１以上、特に０．２〜２、最適には０．２５〜１であるのが好ましい。また、有機成分の揮散を容易にし、かつ絶縁基板１２から拘束シート８、９を容易に除去するためには、拘束シートの総厚み（ｔ）は８００μｍ以下、特に６００μｍ以下、最適には４００μｍ以下であることが望ましい。
【００４５】
また、複合シート積層体１１の拘束力を高めるためには、前記第１の拘束シート８の厚み（ｔ1）に対する第２の拘束シート９の厚み（ｔ2）の比（ｔ2／ｔ1）が０．４〜５、特に０．５〜４、さらに０．７５〜３であることが望ましい。
【００４６】
さらに、本発明によれば、拘束シートとしては、第１の拘束シート８および第２の拘束シート９を複数枚づつ用いることもでき、また、第１の拘束シート８と第２の拘束シート９との間にガラス粉末の添加量が第１の拘束シート８のそれよりも少ない、または第１の拘束シート８と第２の拘束シート９との間の熱膨張係数を有する第３の（他の）拘束シートを用いることも可能である。
【００４７】
（焼成）
続いて、この複合シート積層体１１を２００〜８００℃、特に４００〜７５０℃、さらには７００〜７５０℃で加熱処理して複合シート積層体１１中の有機成分を分解除去した後、８００〜１１００℃、特に８５０〜１０００℃で０．５〜５時間、特に１〜２時間同時焼成する。このとき、配線パターン４およびビアホール導体３中にＣｕ等の焼成によって酸化する金属を主成分とした場合には非酸化性雰囲気中で焼成する必要があり、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔを主成分とした場合には、大気等の酸化性焼成雰囲気中で行うことができる。
【００４８】
かかる焼成による収縮は、Ｘ−Ｙ方向の収縮は１．０％以下、Ｚ方向の収縮は３５〜７５％程度となる。また、本発明によれば、基板シート積層体６は第１の拘束シート８によって全面にわたって均一にかつ確実に結合されることにより、基板シート積層体６表面のガラス成分が第１の拘束シート８側に拡散するのを防止することができるために、絶縁基板１２表面の気孔率を５％以下、特に４％以下、さらに３％以下と低減することができるために、絶縁基板１２表面の配線パターン４をも同時焼成によって形成することが可能である。なお、上記絶縁基板１２の気孔率とは、絶縁基板１２表面のＳＥＭ写真から気孔（ボイド）の面積をルーゼックス画像解析によって求めたボイド面積占有率の意である。
【００４９】
ここで、複合シート積層体１１の各シート間の熱膨張差に基づくシート間の剥離を防止するとともに、基板シート積層体６表面の成分変動を極力抑制するためには、焼成中の昇温速度は１０〜５００℃／時間、特に５０〜４００℃／時間であることが望ましく、絶縁基板１２と配線パターン４との熱膨張差によるクラックが発生を防止するためには、焼成後の冷却速度は、４００℃／ｈｒ以下であることが望ましい。
【００５０】
また、本発明によれば、焼成時には反りを防止し、さらなる拘束力を得るために、複合シート積層体１１上面に重しを載せて荷重をかけてもよいが、複合シート積層体１１の表面がガラス粉末を含有せず、無機質成分として難焼結性材料にて構成される第１の拘束シート８からなるために、複合シート積層体１１と重しとが焼結することなく、焼成後重しを容易にはずすことができる。なお、荷重は５０Ｐａ〜１ＭＰａが適当である。
【００５１】
さらに、本発明によれば、複合シート積層体１１の表面は焼成によっても焼結しない難焼結性セラミック粉末にて構成されているために、特に、複合シート積層体１１をさらに複数個、多段積みして（積層して）焼成する、多段積み焼成を行った場合でも、複合シート積層体１１間が固着することなく、焼成後、各複合シート積層体を容易に１つづつ取り出すことができることができる。
【００５２】
そして、第２の拘束シート９および第１の拘束シート８を除去する（図１（４）参照）。
除去の方法としては、超音波洗浄、研磨、ウオータージェット、ケミカルブラスト、サンドブラスト、ウエットブラスト（砥粒と水を噴射させる方法）等が挙げられる。
【００５３】
本発明によれば、大面積や厚みの厚い基板、特に一辺の長さが７０ｍｍ以上、特に１００ｍｍ以上、さらに、１５０ｍｍ以上の矩形形状の表面を有する基板等の大きな拘束力が要求される得られる低温焼成セラミック配線基板について特に有効である。
【００５４】
【実施例】
先ず、表１に示すように、焼結後の非晶質成分の含有量を調整するために、ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−Ａｌ2Ｏ3系結晶化ガラス、またはＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−ＢａＯ系の非結晶化ガラスと、セラミックフィラー成分としてＡｌ2Ｏ3、ＺｒＯ2、ＳｉＯ2を秤量し、表１の低温焼成セラミック組成物Ａ〜Ｆを作製した。
【００５５】
【表１】
0004557417.tif 000002
【００５６】
表１の低温焼成セラミック組成物１００重量部にアクリル樹脂１２重量部、フタル酸系可塑材６重量部、溶剤としてトルエン３０重量部を加え、ボールミルで混合してスラリーを調製した。このスラリーをドクターブレード法によって厚さ３００μｍの低温焼成セラミックグリーンシートを成形し、表３の矩形形状にカットした。
【００５７】
次に、平均粒径が５μｍのＣｕ単体それに有機バインダとしてアクリル樹脂を、溶媒としてジブチルフタレートを添加混練し、ペースト状の導体用ペースト試料を作製した。尚、前記導体ペースト試料中の有機バインダ量は、主成分１００重量部に対して２．０重量部であり、有機バインダに対して７５重量部の割合で溶剤を加えた。そして前記グリーンシートの所定個所にビアホールを形成し、そのビアホール内に先の導体ペーストを充填し、ビアホール導体とした。
【００５８】
次に、高分子フィルム表面に純度９９．９％以上のＣｕ箔を接着し、エッチングを行った後、断面が台形形状の配線パターンを形成した。配線幅０．０５ｍｍ、配線ピッチ０．０５ｍｍの非常に微細な配線パターンを形成することができた。
【００５９】
そして、ビアホール導体を形成したグリーンシートにビアホールの位置あわせを行いながら転写シートを積層し、６０℃、１５ＭＰａで熱圧着した。その後、転写シートを剥がすことにより、ビアホール導体を接続した配線回路層を具備する一単位の配線層を形成することができた。また、同様にして５枚の配線層を形成し、これらを積層し基板シート積層体を形成した。
【００６０】
一方、拘束シートとして、純度９９．９９％の表２に示す難焼結性材料、および純度９９．９９％の難焼結材料と前記グリーンシート中のガラス成分と同じガラスを用いて添加して、厚さ１５０μｍの拘束シートを作製した。なお、シート作製時の有機バインダ、可塑材、溶剤などは基板シートと全く同様にした。
【００６１】
【表２】
0004557417.tif 000003
【００６２】
得られた拘束シートを、表３に示す種類および枚数の第１の拘束シート、第２の拘束シートの順に、上記基板シート積層体の両面に載置し、６０℃、圧力２０ＭＰａで圧着して複合シート積層体を得た。
【００６３】
次いで、この積層体を、Ａｌ2Ｏ3セッター上に載置して、有機バインダ等の有機成分を分解除去するために、窒素雰囲気中、７００℃で脱バインダ処理し、次に窒素雰囲気中、９００℃で１時間焼成を行った。なお、焼成時の昇降温速度はいずれも２００℃／ｈｒとした。その後、拘束シートをブラスト処理で除去し、配線基板を作製した。
【００６４】
得られた配線基板について、絶縁基板の焼成前後の外辺をマイクロメータで測定し、収縮率を算出した。また、配線基板表面状態の走査電子顕微鏡写真による観察を行い、ボイド面積占有率（表ではボイド比率）をルーゼックス画像解析によって求めた。
【００６５】
また、上記試料を２００個作製して配線基板の外観観察を行い、変形／付着の有無を確認し、さらに、外辺をマイクロメーターにて測定し、寸法バラツキを測定し、バラツキが±０．１％以下を良品として良品率を算出し、良品率９５％以上を合格とした。
【００６６】
【表３】
0004557417.tif 000004
【００６７】
表３より明らかなように、本発明に従い、ガラス粉末を含有する第１の拘束シートとガラス粉末を含有しない第２の拘束シートとを順次積層して焼成した試料Ｎｏ．１〜１８では、収縮率１％以下、絶縁基板表面のボイド比率５％以下、良品率９５％以上と、非常に寸法精度の良い配線基板を歩留まり良く製造することができ、さらには、基板が大型化しても高い寸法精度を維持することができた。
【００６８】
これに対して、拘束シートとしてガラス粉末を含有する（第１の）拘束シートのみを用いた試料Ｎｏ．２０、２２では、絶縁基板の収縮率が１％を越え、逆に、ガラス粉末を含有しない（第２の）拘束シートのみを用いた試料Ｎｏ．１９、２１では、基板シート積層体と拘束シートとの間に部分的な剥離が生じて絶縁基板の収縮率が１％を超え、さらにボイド比率も５％を超えるものとなった。さらに、拘束シートを一切用いない試料Ｎｏ．２３では、絶縁基板の収縮率が１６．０％となり、絶縁基板の収縮率が１％を越えた試料では、いずれも一部の配線回路層およびビアホール導体、またはその間に断線がみられた。
【００６９】
【発明の効果】
以上詳述したとおり、本発明によれば、大面積あるいは厚みの厚い低温焼成セラミック配線基板を作製する場合でも、低温焼成セラミック配線基板を形成するための原料粉末を含有するグリーンシートの両面に、前記低温焼成セラミック配線基板を形成する原料粉末の焼成温度では焼結しないセラミック粉末とガラス粉末とを含有する第１の拘束シートを積層した積層体の両面に、前記低温焼成セラミック配線基板を形成する原料粉末の焼成温度では焼結しないセラミック粉末を含有するとともに、ガラス粉末を実質的に含まない第２の拘束シートを積層して複合シート積層体を作製し、該複合シート積層体を焼成した後、前記第１および第２の拘束シートを除去することにより、低温焼成セラミック配線基板の表面性状を良好に維持しつつ、焼成収縮を良好に抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の低温焼成セラミック配線基板の製造方法の一例を説明するための工程図である。
【符号の説明】
１    低温焼成セラミックグリーンシート（基板シート）
２    ビアホール
３    ビアホール導体
４    配線パターン
６    低温焼成セラミックグリーンシート積層体（基板シート積層体）
８    第１の拘束シート
９    第２の拘束シート
１１  低温焼成セラミックグリーンシートと第１、第２の拘束シートの積層体（複合シート積層体）
１２  絶縁基板
１３  配線回路層
【図１】
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