(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
１，２−ビス（ビニルフェニル）エタンを架橋成分として、樹脂成分の総量を１００重量部としたとき５０〜９５重量部含み、かつ難燃剤として１，２−ビス（ペンタブロモフェニル）エタン、または、１，２−ビス（テトラブロモフタルイミド）エタンを含有し、高分子量体としてポリ−２，６−ジメチル−１，４−フェニレンオキシドを含むことを特徴とする低誘電正接樹脂組成物。
【請求項２】
前記低誘電正接樹脂組成物がアンチモン化合物を含有する請求項１記載の低誘電正接樹脂組成物。
【請求項３】
前記アンチモン化合物が三酸化アンチモン、四酸化アンチモン、五酸化アンチモンまたはアンチモン酸ソーダである請求項２に記載の低誘電正接樹脂組成物。
【請求項４】
前記低誘電正接樹脂組成物が、スチレン基を重合し得る硬化触媒またはスチレン基の重合を抑制し得る重合禁止剤を含有する請求項１〜３のいずれかに記載の低誘電正接樹脂組成物。
【請求項５】
前記低誘電正接樹脂組成物中の樹脂成分の総量を１００重量部として、前記難燃剤の添加量が１〜３０重量部、アンチモン化合物の添加量が０．１〜１０重量部、硬化触媒の添加量が０．０００５〜１０重量部であり、重合禁止剤の添加量が０．０００５〜５重量部である請求項４に記載の低誘電正接樹脂組成物。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の低誘電正接樹脂組成物を、有機又は無機のクロス又は不織布に含浸、乾燥してなることを特徴とするプリプレグ。
【請求項７】
請求項６に記載のプリプレグまたはその硬化物の少なくとも片面に導体層が設けられていることを特徴とする積層板。
【請求項８】
請求項７に記載の積層板の導体層に配線加工を施した後、プリプレグを介して該積層板を２枚以上積層、接着したことを特徴とする多層プリント回路板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は高周波信号に対応するための誘電損失の小さな多層プリント回路板、導体付積層板、プリプレグ、並びに、これらに用いる難燃性で低誘電正接の樹脂組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ＰＨＳ，携帯電話等の情報通信機器の信号帯域，コンピュータのＣＰＵクロックタイムはＧＨｚ帯に達し、高周波数化が進行している。
【０００３】
電気信号の誘電損失は、回路を形成する絶縁体の比誘電率の平方根，誘電正接および使用される信号の周波数の積に比例する。そのため、使用される信号の周波数が高いほど誘電損失が大きくなる。
【０００４】
誘電損失は、電気信号を減衰させて信号の信頼性を損なうので、これを抑制するために絶縁体には誘電率，誘電正接の小さな材料を選定する必要がある。絶縁体の低誘電率化および低誘電正接化には、分子構造中の極性基の除去が有効である。こうしたものとしては、フッ素樹脂，硬化性ポリオレフィン，シアネートエステル系樹脂，硬化性ポリフェニレンオキサイド，アリル変性ポリフェニレンエーテル，ジビニルベンゼンまたはジビニルナフタレンで変性したポリエーテルイミド等が提案されている。
【０００５】
例えば、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）に代表されるフッ素樹脂は、誘電率，誘電正接共に低く、高周波信号を扱う基板材料に使用されている。これに対して、有機溶剤に可溶で取り扱い易い、非フッ素系の低誘電率で低誘電正接の樹脂も種々検討されてきた。
【０００６】
例えば、特開平８−２０８８５６号公報のポリブタジエン等のジエン系ポリマーをガラスクロスに含浸して過酸化物で硬化した例、特開平１０−１５８３３７号公報のノルボルネン系付加型重合体にエポキシ基を導入し、硬化性を付与した環状ポリオレフィンの例がある。
【０００７】
また、特開平１１−１２４４９１号公報のシアネートエステル，ジエン系ポリマーおよびエポキシ樹脂を加熱してＢステージ化した例、特開平９−１１８７５９号公報のポリフェニレンオキサイド，ジエン系ポリマーおよびトリアリルイソシアネートからなる変性樹脂の例がある。
【０００８】
また、特開平９−２４６４２９号公報のアリル化ポリフェニレンエーテルおよびトリアリルイソシアネート等からなる樹脂組成物の例がある。
【０００９】
さらに、特開平５−１５６１５９号公報のポリエーテルイミドとスチレン，ジビニルベンゼンまたはジビニルナフタレンとをアロイ化した例がある。さらにまた、特開平５−７８５５２号記載のジヒドロキシ化合物とクロロメチルスチレンからウイリアムソン反応で合成した例えばヒドロキノンビス（ビニルベンジル）エーテルとノボラックフェノール樹脂からなる樹脂組成物の例等が挙げられる。
【００１０】
一方、前述の絶縁材料には、適用製品の安全性の観点から難燃化が必須の事項である。従来から赤燐，燐酸エステル，含窒素化合物，ハロゲン化物，金属水和物，金属酸化物等の難燃剤の添加が検討されてきた。例えば、メラミン等の窒素化合物，ポリオールおよび有機リン酸エステルを複合して用いる特開平４−１１７４４２号公報の例がある。
【００１１】
金属酸化物を用いた特開平９−１０４８２１号公報や、金属水和物とチタン酸カリウムを用いた例、リン化合物と含窒素化合物を用いた特開２０００−２６５５３号公報、赤燐と金属水和物を用いた特開２０００−１０６０４１号公報がある。
【００１２】
また、ハロゲン化物を用いた特開平６−１０６６７６号公報など多数の例が挙げられる。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
上記のような低誘電率，低誘電正接材を用いて難燃化を図った材料においても、今後の高周波機器に対応するためには誘電特性が十分ではない。
【００１４】
本発明の目的は、従来材に比べて優れた誘電特性を有する多官能スチレン化合物を含む低誘電正接の樹脂組成物の低誘電率および低誘電正接性を損なうことなく、難燃化を図った難燃性の樹脂組成物を提供することにある。
【００１５】
また、上記樹脂組成物を用いたプリプレグ，積層板および多層プリント回路板を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
多官能スチレン化合物の硬化物は極めて低い誘電率と誘電正接を有し、その値は測定周波数１０ＧＨｚにおいて誘電率が約２.５、誘電正接が０.００２未満である。
【００１７】
上記特性を損なわずに樹脂組成物の硬化物に、難燃性を付与する難燃剤を種々検討した結果、組成物中にブロム化合物を添加した場合、難燃性が付与できることを確認した。特に、１,２−ビス（ペンタブロモフェニル）エタン、１,２−ビス（テトラブロモフタルイミド）エタンは、構造中に極性基を持たないこと、および、Ｂｒ含有率が高いことから、その添加量が少なくても難燃効果が高く、誘電率への影響が少ない。
【００１８】
さらにアンチモン系化合物を添加することによって、ブロム化合物の添加量を一層低減することができる。なお、本発明の樹脂組成物はプリプレグ，積層板，多層プリント回路板に加工することができる。
【００１９】
次ぎに本発明の樹脂組成物およびその硬化物について説明する。本発明の樹脂組成物は、式〔１〕
【００２０】
【化２】
0004499344.tif 000002
（式中、Ｒは置換基を有していてもよい炭化水素を、Ｒ2，Ｒ3，Ｒ4は互いに異なってもよい水素原子または炭素数１〜６の炭化水素基を、Ｒ5，Ｒ6，Ｒ7，Ｒ8は異なってもよい水素原子または炭素数１〜２０の炭化水素基を、ｎは２以上の整数を表す）で示される多官能のスチレン基を有する重量平均分子量１０００以下の架橋成分を含み、かつ、ブロム化合物を含有することを特徴とする樹脂組成物である。
【００２１】
上記ブロム化合物は特に制限はないが、ブロム含有率が高く難燃効果が高い１,２−ビス（ペンタブロモフェニル）エタン、１,２−ビス（テトラブロモフタルイミド）エタンが好ましい。その添加量は、組成物中の樹脂成分を１００重量部として１〜３０重量部とすることが望ましく、本範囲で十分な難燃性を得ることができる。
【００２２】
上記範囲よりもブロム化合物の添加量が少ない場合は、十分な難燃効果が得られない場合があり、また、上記範囲よりも添加量が多いと誘電特性の低下、耐熱性の低下等の問題を生じる場合がある。
【００２３】
また、難燃助剤としてアンチモン化合物を添加することによって、ブロム化合物の添加量を低減することができる。アンチモン化合物としては、三酸化アンチモン，四酸化アンチモン，五酸化アンチモン，アンチモン酸ソーダが挙げられる。その添加量は０．１〜１０重量部の範囲が好ましい。この範囲よりも添加量が少ないと難燃性の向上が認められない場合があり、逆に多いと誘電特性が低下する場合がある。
【００２４】
本発明の組成物では、さらに高分子量体を添加することによって、樹脂組成物に成膜性，強度，伸び，接着性を付与することができる。
【００２５】
該高分子量体としてはブタジエン，イソプレン，スチレン，メチルスチレン，エチルスチレン，ジビニルベンゼン，アクリル酸エステル，アクリロニトリル，Ｎ−フェニルマレイミドおよびＮ−ビニルフェニルマレイミドの少なくとも一種からなる重合体，置換基を有していてもよいポリフェニレンオキサイド，並びに脂環式構造を有するポリオレフィン等が挙げられる。
【００２６】
上記高分子量体の添加量には特に制限はないが、架橋成分が５〜９５重量部，高分子量体が９５〜５重量部の範囲が好ましい。この範囲内で強度，伸び，接着力の向上等目的に応じて組成を調整できる。特に好ましい範囲としては架橋成分が５０〜８０重量部、高分子量体が５０〜２０重量部の範囲で、これにより高分子量体が架橋性の官能基を有していない場合でも耐溶剤性が保たれる。
【００２７】
さらに、本発明の樹脂組成物にはスチレン基を重合し得る硬化触媒、または、スチレン基の重合を抑制し得る重合禁止剤を添加することによって、熱硬化効率の向上，保存安定性の向上を図ることができる。
【００２８】
本発明に用いられる多官能スチレン化合物は硬化触媒を添加しなくとも硬化することができるが、硬化触媒を添加することによって、多官能スチレン化合物の硬化を促進することができる。これにより低温での硬化が可能となる。
【００２９】
その添加量としては誘電率，誘電正接に影響を与えない範囲に設定することが好ましく、組成物中の樹脂成分の総量を１００重量部に対し０.０００５〜１０重量部とすることが望ましい。
【００３０】
スチレン基の重合を開始し得るカチオンまたはラジカル活性種を、熱または光によって生成する硬化触媒を以下に示す。
【００３１】
カチオン重合開始剤としてはＢＦ4、ＰＦ4、ＡｓＦ6、ＳｂＦ6を対アニオンとするジアリルヨードニウム塩，トリアリルスルホニウム塩および脂肪族スルホニウム塩が挙げられる。こうしたものとして旭電化工業製ＳＰ−７０、１７２、ＣＰ−６６、日本曹達製ＣＩ−２８５５、２８２３、三新化学工業製ＳＩ−１００ＬおよびＳＩ−１５０Ｌ等の市販品を使用することができる。
【００３２】
ラジカル重合開始剤としては、ベンゾインおよびベンゾインメチルのようなベンゾイン系化合物，アセトフェノンおよび２,２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノンのようなアセトフェノン系化合物，チオキサントンおよび２,４−ジエチルチオキサントンのようなチオキサンソン系化合物，４,４'−ジアジドカルコン，２,６−ビス（４'−アジドベンザル）シクロヘキサノンおよび４,４'−ジアジドベンゾフェノンのようなビスアジド化合物、アゾビスイソブチルニトリル、２,２−アゾビスプロパン、ｍ,ｍ'−アゾキシスチレンおよびヒドラゾンのようなアゾ化合物、並びに、２,５−ジメチル−２,５−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサンおよび２,５−ジメチル−２,５−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキシン−３、ジクミルパーオキシドのような有機過酸化物等が挙げられる。
【００３３】
特に、官能基を持たない化合物の水素引き抜きを生じ、架橋成分と高分子量体間の架橋をもたらし得る有機過酸化物またはビスアジド化合物を添加することが望ましい。
【００３４】
重合禁止剤は、本発明の組成物の保存安定性を増す働きをするもので、その添加量は誘電特性、硬化時の反応性を著しく阻害しないような範囲であることが好ましい。組成物中の樹脂成分の合計１００重量部に対して、０.０００５〜５重量部とすることが望ましい。重合禁止剤を前記範囲で添加すると、保存時の余計な架橋反応を抑制でき、また、硬化時に著しい硬化障害をもたらすこともない。
【００３５】
こうした重合禁止剤としては、ハイドロキノン，ｐ−ベンゾキノン，クロラニル，トリメチルキノン，４−ｔ−ブチルピロカテコール等のキノン類および芳香族ジオール類が挙げられる。
【００３６】
本発明の組成物は、有機または無機のクロスまたは不織布に含浸し、乾燥させることによりプリプレグとして用いる。プリプレグの基材については特に制限はなく、各種ガラスクロス，ガラス不織布，アラミド不織布および多孔質ＰＴＦＥ等を用いることができる。
【００３７】
プリプレグは、樹脂組成物を用いて作製したワニスに、基材となるクロスまたは不織布を浸漬することで含浸し、これを乾燥することにより作製される。含浸後の乾燥条件は樹脂組成物にもよるが、例えば、溶媒としてトルエンを使用した場合は、８０〜１３０℃，３０〜９０分程度乾燥することが好ましい。
【００３８】
本発明のプリプレグに電解銅箔等の導体箔を重ね、加熱プレス加工することによって、表面に導体層を有する積層板を作製する。銅箔の厚さは１２〜３６μｍ程度が好ましい。プレス加工の条件は用いる樹脂組成物によるが、例えば、高分子量体としてポリフェニレンエーテルを使用した場合には、１５０〜２４０℃、１〜５ＭＰａで１〜３時間成形するのが好ましい。
【００３９】
上記積層板の導体層を通常のエッチング法によって配線加工し、これを前記プリプレグを介して複数積層し、加熱プレス加工によって多層化し、多層プリント回路板を作製する。このようにして得られた多層プリント回路板は誘電率，誘電正接が低く，難燃性を有する。即ち、伝送特性と安全性に優れた多層プリント回路板となる。
【００４０】
【発明の実施の形態】
以下に本発明を実施例、並びに、比較例を示して説明する。なお、説明中に部とあるのは、特に断りのない限り重量部を指す。
【００４１】
表１，２に本発明の実施例と比較例の組成およびその特性を示す。
【００４２】
【表１】
0004499344.tif 000003
【表２】
0004499344.tif 000004
以下に実施例および比較例に使用した試薬の名称，合成方法，ワニスの調製法および硬化物の評価方法を説明する。
【００４３】
（１）  １,２−ビス（ビニルフェニル）エタン（ＢＶＰＥと呼ぶ）の合成
ＢＶＰＥは、以下に示す公知の方法で合成した。５００ｍｌの３つ口フラスコにグリニャール反応用粒状マグネシウム（関東化学製）５.３６ｇ（２２０ｍｍｏｌ）を採り、滴下ロート、窒素導入管およびセプタムキャップを取り付けた。窒素気流下、スターラによってマグネシウム粒を攪拌しながら、系全体をドライヤーで加熱脱水した。
【００４４】
乾燥テトラヒドロフラン３００ｍｌをシリンジに採り、セプタムキャップを通じて注入した。溶液を−５℃に冷却後、滴下ロートを用いてビニルベンジルクロライド（ＶＢＣ、東京化成製）３０.５ｇ（２００ｍｍｏｌ）を、約４時間かけて滴下した。滴下終了後、０℃／２０時間攪拌を続けた。反応終了後、反応溶液をろ過して残存マグネシウムを除き、エバポレータで濃縮した。
【００４５】
該濃縮溶液をヘキサンで希釈し、３.６％塩酸水溶液で１回、純水で３回洗浄し、次いで硫酸マグネシウムで脱水した。
【００４６】
脱水溶液をシリカゲル（和光純薬製ワコーゲルＣ３００）／ヘキサンのショートカラムに通して精製し、真空乾燥してＢＶＰＥを得た。得られたＢＶＰＥはｍ−ｍ体（液状）、ｍ−ｐ体（液状）、ｐ−ｐ体（結晶）の混合物であり、収率は９０％であった。1Ｈ−ＮＭＲによって構造を調べたところ、その値は文献値と一致した（６Ｈ−ビニル：α−２Ｈ、６.７ｐｐｍ、β−４Ｈ：５.７、５.２ｐｐｍ、８Ｈ−アロマティック：７.１〜７.３５ｐｐｍ、４Ｈ−メチレン：２.９ｐｐｍ）。このＢＶＰＥを架橋成分として用いた。
【００４７】
（２）  その他の試薬
▲１▼  高分子量体；ＰＰＥ：アルドリッチ製、ポリ−２,６−ジメチル−１,４−フェニレンオキシド
▲２▼  難燃剤；
ＳＡＹＴＥＸ８０１０：アルべマール浅野（株）製、１,２−ビス（ペンタブロモフェニル）エタン
ＳＡＹＴＥＸ  ＢＴ−９３：アルベマール浅野（株）製、１,２−ビス（テトラブロモフタルイミド）エタン
▲３▼  難燃助剤；三酸化アンチモン：関東化学製
▲４▼  硬化触媒；２５Ｂ：日本油脂製、２,５−ジメチル−２,５−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキシン−３
（３）  ワニスの調製法
所定量の高分子量体，架橋成分およびブロム化合物，三酸化アンチモン，クロロホルムをボールミルにて約８時間攪拌して溶解，分散することによって樹脂組成物のワニスを調製した。
【００４８】
（４）  樹脂板の作製
前記ワニスをＰＥＴフィルムに塗布して乾燥後、これを剥離してポリテトラフロロエチレン製のスペーサ内に所定量入れ、ポリイミドフィルムおよび鏡板を介し、真空下で加熱，加圧して硬化物の樹脂板を得た。加熱条件は１２０℃／３０分、１５０℃／３０分、１８０℃／１００分で、プレス圧力１.５ＭＰａの多段階加熱とした。樹脂板の大きさは７０ｍｍ×７０ｍｍ×１.５ｍｍとした。
【００４９】
（５）  プリプレグの作製
プリプレグは、前記ワニスをガラスクロス（日東紡製＃２１１６）に含浸し、室温にて約１時間、９０℃で６０分間乾燥することにより作製した。
【００５０】
（６）  プリプレグ硬化物の作製
積層板とした際の特性を知るため、前記のプリプレグを１０枚重ねて真空下、加熱および加圧して模擬基板を作製した。加熱条件は１２０℃／３０分、１５０℃／３０分、１８０℃／１００分、プレス圧力１.５ＭＰａの多段階加熱とした。模擬基板は７０ｍｍ×７０ｍｍ×１.５ｍｍとした。
【００５１】
（７）  誘電率および誘電正接の測定
誘電率、誘電正接の測定は、空胴共振器摂動法（アジレントテクノロジー製、８７２２ＥＳ型ネットワークアナライザー、関東電子応用開発製空胴共振器）によって、１０ＧＨｚでの値を観測した。
【００５２】
（８）  難燃性
難燃性は、サンプルサイズ７０ｍｍ×３ｍｍ×１.５ｍｍの試料を用いてＵＬ−９４規格に基づき実施し、平均燃焼時間と最大燃焼時間を観測した。
【００５３】
〔比較例１〕
比較例１は、ブロム化合物を添加していない樹脂組成物から作製した樹脂板である。誘電特性は優れているものの、難燃剤を含んでいないため難燃性を有していなかった。
【００５４】
〔実施例１〜３〕
実施例１〜３は、所定の組成物に種々の配合比でブロム化合物を添加した。ブロム化合物であるＳＡＹＴＥＸ８０１０を添加したことによって、比較例１に比べて燃焼時間が短くなることが分かった。この時、誘電率は２.５１〜２.５３、誘電正接は０.００２８〜０.００３と低い値を示した。これにより優れた誘電特性を有する難燃性の樹脂組成物が得られることが分かった。
【００５５】
〔実施例４〜６〕
実施例４〜６は、比較例１の樹脂組成物にブロム化合物を種々の量添加した組成物から樹脂板を作製した。ブロム化合物であるＳＡＹＴＥＸＢＴ−９３を添加することにより難燃性が向上することが確認された。この時、誘電率は２.５２〜２.５５、誘電正接は０.００２６〜０.００３２と低い値であった。これにより、優れた誘電特性を有する難燃性樹脂組成物が得られることが分かった。
【００５６】
〔実施例７〕
実施例１のワニスを用いてプリプレグを作製した。作製したプリプレグはタックフリー性を有していた。本プリプレグを１０枚重ね合わせて真空下、加熱，加圧してプリプレグ硬化物を作製した。
【００５７】
本プリプレグ硬化物の樹脂含有量は３５ｗｔ％であった。ＵＬ−９４規格に従って難燃性試験を実施したところ、平均燃焼時間は０.３秒、最大燃焼時間は０.４秒とＶ−０相当の難燃性を得られることが分かった。また、誘電率は３.１２，誘電正接は０.００４１であった。
【００５８】
本プリプレグに用いた樹脂組成物は優れた溶融流動性を有し、多層プリント回路板の層間接着剤として好適に用いることができる。
【００５９】
〔実施例８〕
実施例７のプリプレグの両面に電解銅箔の粗面を張り付け、真空下で加圧，加熱して両面銅張積層板を作製した。加熱条件は１２０℃／３０分、１５０℃／３０分、２４０℃／１００分、プレス圧力１.５ＭＰａとした。
【００６０】
銅箔とプリプレグは良好な接着性を示した。これにより低誘電損失の多層プリント回路板の作製が可能となった。
【００６１】
〔実施例９〕
図１は、本発明の多層プリント回路板の作成工程の一例を示す模式断面図である。
【００６２】
工程（Ａ）では、実施例８と同様にして得た樹脂基板１の両面に電解銅箔２を張り付けた両面銅張積層板の片面にフォトレジスト３（日立化成工業製  ＨＳ４２５）をラミネートしてフォトレジスト３の全面に露光した。
【００６３】
次いで、フォトレジスト３を貼っていない一方の面にフォトレジスト３（日立化成工業製  ＨＳ４２５）をラミネートしてテストパターンを露光し、未露光部分のフォトレジストを１％炭酸ナトリウム液で現像した。
【００６４】
工程（Ｂ）では、硫酸５％，過酸化水素５％のエッチング液により、露出した銅箔をエッチング除去して、両面銅張積層板の片面に導体配線を形成した。
【００６５】
工程（Ｃ）では，３％水酸化ナトリウム溶液で残存するフォトレジスト３を除去し、片面に配線を有する配線基板を得た。同様にして２枚の配線基板を作製した。
【００６６】
工程（Ｄ）では、二枚の配線基板の配線側の面に実施例８のプリプレグ４を挟み、真空下、加熱，加圧して多層化した。加熱条件は１２０℃／３０分、１５０℃／３０分、２４０℃／１００分、プレス圧力１.５ＭＰａの多段階加熱とした。
【００６７】
工程（Ｅ）では、作製した多層板の両面の外装銅にフォトレジスト３（日立化成製ＨＳ４２５）をラミネートしてテストパターンを露光し、未露光部分のフォトレジストを１％炭酸ナトリウム液で現像した。
【００６８】
工程（Ｆ）では、硫酸５％、過酸化水素５％のエッチング液により露出した銅箔をエッチング除去し、３％水酸化ナトリウム溶液で残存するフォトレジストを除去して外装配線６を形成した。
【００６９】
工程（Ｇ）では、内層配線５と外装配線６を接続するスルーホール７をドリル加工で形成した。
【００７０】
工程（Ｈ）では、配線基板をめっき触媒のコロイド溶液に浸して、スルーホール7内および基板表面にめっき触媒８を付着形成した。
【００７１】
工程（Ｉ）では、めっき触媒８を活性化処理後、無電解めっき（日立化成工業製  ＣＵＳＴ２０００）により、約１μｍの種膜９を設けた。
【００７２】
工程（Ｊ）では、フォトレジスト（日立化成工業製  ＨＮ９２０）を配線基板の両面にラミネートした。
【００７３】
工程（Ｋ）では、スルーホール７部分および配線基板の端部をマスクして露光後、３％炭酸ナトリウムで現像して開孔部１０を設けた。
【００７４】
工程（Ｌ）では、配線基板の端部に電極１１を設け、電解めっきによりスルーホール７部分にめっき銅１２を約１８μｍ形成した。
【００７５】
工程（Ｍ）では、電極部分１１を切断除去し、残存するフォトレジストを５％水酸化ナトリウム水溶液で除去した。
【００７６】
工程（Ｎ）では、硫酸５％、過酸化水素５％のエッチング液に配線基板を浸して約１μｍエッチングし、種膜９を除去することで多層プリント回路板を得た。得られた多層プリント回路板は低誘電率，低誘電正接で、かつ、高い難燃性を示した。
【００７７】
【発明の効果】
本発明によれば、誘電率、誘電正接が低く、難燃性の硬化物を与える樹脂組成物が得られる。本樹脂組成物は、高周波用電気部品の絶縁材料に好適であり、高周波信号用多層プリント回路板用のプリプレグ，積層板へ用いた場合、低誘電損失と難燃性とが両立できると云う優れた効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の多層プリント回路板の作製工程の一例を示す模式断面図である。
【符号の説明】
１…樹脂基板、２…電解銅箔、３…フォトレジスト、４…プリプレグ、５…内層配線、６…外層配線、７…スルーホール、８…めっき触媒、９…種膜、１０…開孔部、１１…電極、１２…めっき銅。
【図１】
0004499344.tif 000005