(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板及び第２基板の間に封止部材で囲まれた封止空間が形成され、該封止空間内に機能素子の少なくとも一部が配置された電子部品であって、
前記封止部材が、前記第１基板に形成された弾性を有するコア部と、該コア部の表面に設けられた金属膜とを有し、
前記第２基板において前記封止部材との接触領域に、前記金属膜と金属接合する接合用金属膜が形成され、
前記金属膜が、前記接合用金属膜に接合されていることを特徴とする電子部品。
【請求項２】
前記金属膜と前記接合用金属膜とが、常温接合されていることを特徴とする請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
前記金属膜と前記第２基板との接合状態を保持する保持部材を備えることを特徴とする請求項１または２に記載の電子部品。
【請求項４】
前記保持部材が、前記封止部材の外周を囲むことを特徴とする請求項３に記載の電子部品。
【請求項５】
前記機能素子は、応力または熱によってその特性が変化すると共に、前記第１及び第２基板のいずれか一方の上面に載置されていることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項６】
前記機能素子は、前記第１及び第２基板のいずれか一方の上面に直接形成されていることを特徴とする請求項５に記載の電子部品。
【請求項７】
前記機能素子は、前記第１及び第２基板のいずれか一方の上面に接合されて載置されていることを特徴とする請求項５に記載の電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば表面弾性波素子などの電子部品に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子などの機能素子を半導体素子の能動面を基板側に向けた状態で実装した電子部品が、種々の用途に用いられている。このような電子部品は、機能素子そのものを封止する空間を形成するための基板として用い、機能素子の能動面を基板側に向けて配置することで基板と機能素子との間に形成された封止空間内に能動面が位置する構成となっている。ここで、このような電子部品では、電子部品の正常な動作を確保するために封止空間内の環境を維持するための対策が採られている。例えば、機能素子と基板とを樹脂やハンダにより貼り合わせることで内部の封止空間内に能動面を封止する方法が提案されている（例えば、特許文献１〜４参照）。
【特許文献１】特開平１１−８７４０６号公報
【特許文献２】特開平１１−９７５８４号公報
【特許文献３】特開２０００−７７４５８号公報
【特許文献４】特開２００３−９２３８２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、上記従来の電子部品においても、封止空間の気密性を向上させることが望まれている。
本発明は、上記従来の問題に鑑みてなされたもので、封止空間の気密性を向上させた電子部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明は、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。すなわち、本発明にかかる電子部品は、第１及び第２基板の間に封止部材で囲まれた封止空間が形成され、該封止空間内に機能素子の少なくとも一部が配置された電子部品であって、前記封止部材が、前記第１基板に形成された弾性を有するコア部と、該コア部の表面に設けられた金属膜とを有し、該金属膜が、前記第２基板に接合されていることを特徴とする。
【０００５】
この発明では、コア部が弾性変形するため、第２基板の表面における封止部材との接触領域に凹凸形状が形成されていることや第２基板に反りが発生していることがあっても、金属膜と第２基板とが十分な接合面積で良好に接合される。したがって、封止部材による封止空間の十分な気密性が得られる。すなわち、第１及び第２基板の貼合時において封止部材を第２基板に対して相対的に押し付けた際、コア部が金属膜と共に第２基板の表面形状に倣って弾性変形する。このため、第２基板と金属膜との接触面積が増大する。したがって、金属膜と第２基板とは、十分な強度で接合される。
また、コア部が弾性変形するため、第１及び第２基板の間に熱膨張係数差があっても、金属膜と第２基板との接合状態が保持される。そして、例えば熱サイクル試験時などにおいて第１及び第２基板の間で剥離力が発生した場合であっても、コア部が弾性変形するため、封止部材が第１及び第２基板の変形に追従する。したがって、封止空間の気密性を良好に維持できる。
【０００６】
また、本発明の電子部品は、前記第２基板において前記封止部材との接触領域に、前記金属膜と金属接合する接合用金属膜が形成されていることが好ましい。
この発明では、金属膜と接合用金属膜とが金属接合することにより、第１及び第２基板が封止空間形成した状態で貼り合わされる。
【０００７】
また、本発明の電子部品は、前記金属膜と前記接合用金属膜とが、常温接合されていることが好ましい。
この発明では、金属膜と接合用金属膜とを常温接合することで、第１及び第２基板それぞれや機能素子に熱膨張が発生することを抑制できる。したがって、封止空間の気密信頼性を向上させることができる。また、常温接合することで、機能素子に熱ダメージが加わることを防止できる。
【０００８】
また、本発明の電子部品は、前記封止部材が、前記第２基板に熱圧着されていることとしてもよい。
この発明では、金属膜を第２基板に対して熱圧着することで、互いを接合する。
【０００９】
また、本発明の電子部品は、前記金属膜と前記第２基板との接合状態を保持する保持部材を備えることが好ましい。
この発明では、保持部材が金属膜と第２基板との接合状態を保持することで、封止空間の気密信頼性をさらに向上させることができる。
【００１０】
また、本発明の電子部品は、前記保持部材が、前記封止部材の外周を囲むことが好ましい。
この発明では、金属膜と第２基板との接合状態をより確実に保持することができる。また、封止部材において封止空間側の側面が汚染されにくくなり、機能素子の特性変化を抑制できる。
【００１１】
また、本発明の電子部品は、前記機能素子は、応力または熱によってその特性が変化すると共に、前記第１及び第２基板のいずれか一方の上面に載置されていることとしてもよい。
この発明では、外部応力や熱応力による機能素子の特性変化を最小限に抑えることができる。すなわち、電子部品に外部応力が加わったり、電子部品が温度変化のある環境にさらされることによって第１及び第２基板それぞれの熱膨張係数差に起因した熱応力が電子部品に加わったりしても、コア部が弾性変形することで、第１及び第２基板の反りや変形が防止される。したがって、外部応力や熱応力による機能素子の特性変化を抑制できる。
【００１２】
また、本発明の電子部品は、前記機能素子は、前記第１及び第２基板のいずれか一方の上面に直接形成されていることとしてもよい。
この発明では、機能素子が第１及び第２基板の一方からの影響をより直接に受けやすいものの、上述と同様に、電子部品に外部応力や熱応力が加わってもコア部が弾性変形することで、第１及び第２基板の反りや変形が防止される。したがって、外部応力や熱応力による機能素子の特性変化を抑制できる。
【００１３】
また、本発明の電子部品は、前記機能素子は、前記第１及び第２基板のいずれか一方の上面に接合されて載置されていることとしてもよい。
この発明では、上述と同様に、電子部品に外部応力や熱応力が加わってもコア部が弾性変形することで、第１及び第２基板の一方に接合されている機能素子が接合部分を介して変化しにくくなる。したがって、外部応力や熱応力による機能素子の特性変化を抑制できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
［第１の実施形態］
以下、本発明における電子部品の第１の実施形態を、図面に基づいて説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするために縮尺を適宜変更している。ここで、図１は電子部品を示す概略断面図、図２は図１の拡大図、図３は半導体基板を示す斜視図、図４は封止部材を示す拡大断面図、図５は封止部材と封止基板との接合工程を示す説明図である。
【００１５】
〔電子部品〕
本発明における電子部品１は、図１に示すように、ＳＡＷ（Surface Acoustic Wave：以下ＳＡＷ素子と称する）素子と半導体素子からなるＳＡＷ発振器であって、回路基板Ｐ上にバンプＢにより実装されている。そして、電子部品１は、図２に示すように、半導体基板（第１基板）２と、封止基板（第２基板）３と、表面弾性波素子（機能素子）４と、封止部材５とを備えている。
【００１６】
半導体基板２は、例えばシリコン基板で形成されている。また、半導体基板２の一面２Ａには、ＳＡＷ素子４が形成されている。そして、半導体基板２の他面２Ｂには、集積回路（図示略）と、下地層１１と、電極１２と、第１絶縁膜１３と、複数の第１配線１４と、第２絶縁膜１５と、複数の第２配線１６とバンプＢとが形成されている。
【００１７】
集積回路は、例えばトランジスタやメモリ素子などの他の電子素子を含んだ構成となっている。
下地層１１は、例えばＳｉ（シリコン）の酸化膜であるＳｉＯ２（二酸化シリコン）などの絶縁材料で形成されており、半導体基板２の他面２Ｂを被覆している。
電極１２は、例えばＴｉ（チタン）やＴｉＮ（窒化チタン）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｃｕ（銅）などの導電材料で形成されており、下地層１１の下面に形成されている。そして、電極１２は、上述した集積回路に適宜接続されている。
第１絶縁膜１３は、例えばポリイミド樹脂やシリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン変性エポキシ樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ）などの絶縁材料で形成されており、下地層１１の下面における電極１２の非形成領域に形成されている。
【００１８】
複数の第１配線１４それぞれは、例えばＣｕやＣｒ（クロム）、Ｔｉ、Ｎｉ（ニッケル）、ＴｉＷ（チタン／タングステン）、Ａｕ（金）、Ａｇ（銀）、Ａｌ、ＮｉＶ（ニッケル／バナジウム）、Ｗ、ＴｉＮ、Ｐｂ（鉛）のうち少なくとも１つを含む材料やこれらのうち少なくとも２つの材料を積層して形成される。そして、複数の第１配線１４それぞれは、第１絶縁膜１３の下面に形成されており、一部が電極１２と接続している。
第２絶縁膜１５は、例えば第１絶縁膜１３と同様の絶縁材料やＳｉＯ２、ＳｉＮ（窒化シリコン）などの絶縁材料で形成されており、第１絶縁膜１３と複数の第１配線１４の一部とを被覆している。そして、第１配線１４において第２絶縁膜１５により被覆されない領域は、ランド部１７を構成する。
【００１９】
第２配線１６は、第２絶縁膜１５の下面に形成されており、ランド部１７と接続している。
バンプＢは、例えば鉛フリーハンダや金などの導電材料で形成されており、第２配線１６と接続している。そして、バンプＢは、電子部品１の端子電極として機能しており、回路基板Ｐに形成された配線パターンＰ１に接続される。
【００２０】
また、半導体基板２には、図２及び図３に示すように、半導体基板２を貫通する一対の貫通孔２１が形成されている。そして、貫通孔２１には、貫通電極２２が充填されている。なお、半導体基板２における貫通孔２１の内周面には、第３絶縁膜２３が設けられており、貫通電極２２と半導体基板２とが電気的に絶縁されている。
一対の貫通電極２２の一方は、図３に示すように、一端がＳＡＷ素子４の後述する櫛歯電極４２に接続されると共に、他端が電極１２を介して集積回路に接続されている。また、他方の貫通電極２２は、一端がＳＡＷ素子４の後述する櫛歯電極４３に接続されると共に、他端が電極１２を介して集積回路に接続されている。したがって、ＳＡＷ素子４と集積回路とは、導通している。
【００２１】
第３絶縁膜２３は、図２に示すように、電流リークの発生や酸素及び水分などによる半導体基板２の侵食などを防止するために設けられている。ここで、第３絶縁膜２３は、ＰＥＣＶＤ（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition）を用いて形成した正珪酸四エチル（Tetra Ethyl Ortho Silicate：Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４：以下、ＴＥＯＳという）、すなわちＰＥ−ＴＥＯＳ及びオゾンＣＶＤを用いて形成したＴＥＯＳ、すなわちＯ３−ＴＥＯＳまたはＣＶＤを用いて形成したＳｉＯ２を用いることができる。なお、第３絶縁膜２３それぞれは、絶縁性を有していれば、樹脂材料など他の絶縁材料であってもよい。また、図２では、図示を容易にするため、第１絶縁膜１３上に設けられた第３絶縁膜２３の図示を省略している。
【００２２】
封止基板３は、例えばガラス基板で形成されており、半導体基板２の一面２Ａにおける外面側において半導体基板２と間隔をあけて配置されている。また、封止基板３の半導体基板２を向く一面３Ａにおいて平面視で封止部材５と重なる領域には、図２及び図４に示すように、接合用金属膜３１が形成されている。
接合用金属膜３１は、例えばＡｕなどの金属材料膜で形成されておいる。そして、接合用金属膜３１は、平面視で封止部材５の形成領域と重なる領域において、矩形の額縁状に形成されている。
そして、封止基板３は、封止部材５により半導体基板２と貼り合わされており、半導体基板２との間に封止部材５により囲まれる封止空間３２を形成する。封止空間３２内には、ＳＡＷ素子４が封止されている。なお、封止空間３２内は、ＳＡＷ素子４の表面酸化や水分子の結合を抑制するため、ドライエアもしくは窒素で置換されているか、封止空間３２外の圧力よりも低くなっていることによる、置換封止もしくは真空封止となっていることが望ましい。
【００２３】
ＳＡＷ素子４は、図２及び図３に示すように、半導体基板２の一面２Ａに形成されており、半導体基板２の一面２Ａに形成された圧電体薄膜４１と、この圧電体薄膜４１上に形成された一対の櫛歯電極４２、４３とを備えている。
圧電体薄膜４１は、例えばＺｎＯ（酸化亜鉛）やＡｌＮ（窒化アルミニウム）、ＬｉＮｂＯ３（ニオブ酸リチウム）、ＬｉＴａＯ３（タンタル酸リチウム）、ＫＮｂＯ３（ニオブ酸カリウム）などの圧電材料で形成されている。
櫛歯電極４２、４３それぞれは、例えばＡｌなどの導電材料で形成されている。そして、櫛歯電極４２、４３それぞれは、貫通電極２２それぞれの一端と導通している。
また、ＳＡＷ素子４は、ＳｉＯ２やＳｉ３Ｎ４（窒化シリコン）、ＴｉＮなどで形成された保護膜（図示略）で被覆されている。
【００２４】
封止部材５は、図２から図５に示すように、半導体基板２の一面２Ａに形成されており、封止空間３２を囲むように平面視において矩形の額縁状に形成されている。また、封止部材５は、弾性を有する樹脂材料で形成された樹脂コア（コア部）５１と、樹脂コア５１の表面に形成された金属膜５２とを備えている。
樹脂コア５１は、ポリイミド樹脂やアクリル樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂などの感光性絶縁樹脂や熱硬化性絶縁樹脂で形成されている。
また、樹脂コア５１は、図３及び図５に示すように、封止部材５を半導体基板２に接合させる前において、ほぼ蒲鉾状に形成されている。ここで、蒲鉾状とは、封止基板３の一面３Ａに接する内面（底面）が平面であると共に、非接触面である外面側が湾曲面となっている柱状形状をいう。具体的に、ほぼ蒲鉾状とは、横断面がほぼ半円状やほぼ半楕円状、ほぼ台形状であるものなどが挙げられる。
【００２５】
そして、樹脂コア５１は、図２及び図４に示すように、半導体基板２と封止基板３とが相対的に近接するように押圧されることで、その先端形状が接合用金属膜３１の表面形状に倣うように弾性変形している。
これにより、半導体基板２や封止基板３に反りやうねりがあっても、樹脂コア５１がこれに追従して良好な封止状態を保つ。また、封止箇所に多少のごみや傷があっても、同様に良好な封止状態を保つ。
さらに、半導体基板２や封止基板３が異種材料であって熱膨張係数が異なるときにおいて、封止物の温度環境が変化した際にも樹脂コア５１の弾性変形による追従によって封止部に熱応力が発生しにくく、封止空間内に熱応力がかかりにくくなる。
また、電子部品１（ＳＡＷ発信器）全体に外部からの応力が加えられた場合も、樹脂コアの弾性変形による追従によって、封止空間内に応力が伝達しにくい。そのため、封止空間内に熱や応力に敏感なディバイスを存在させても、それら外乱の影響を受けにくく、安定した電子部品（ＳＡＷ発信器）を形成することができる。
樹脂コア５１は、フォトリソグラフィ技術やエッチング技術によって形成されている。なお、樹脂コア５１の材質（硬度）や形状については、接合用金属膜３１の形状などによって適宜選択、設計される。
【００２６】
金属膜５２は、図３から図５に示すように、樹脂コア５１の表面を被覆している。また、金属膜５２は、例えばＡｕ、ＴｉＷ、Ｃｕ、Ｃｒ（クロム）、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｗ、ＮｉＶ、Ａｌ、Ｐｄ（パラジウム）、鉛フリーハンダなどの金属や合金で形成されており、これらの単層であっても、複数種を積層したものであってもよい。そして、金属膜５２は、樹脂コア３１の弾性変形することで接合用金属膜３１の表面形状に倣って変形しており、接合用金属膜３１と金属接合している。
金属膜５２は、例えばスパッタ法などによる成膜後にパターニングすることによって形成されている。また、金属膜５２は、スパッタ法や無電解メッキによって下地膜を形成した後に電解メッキにより上層膜を積層することによって形成されてもよい。ここで、金属膜５２は、後述するように、樹脂コア５１が接合用金属膜３１の形状に倣って弾性変形することから、特に展延性に優れたＡｕで形成されていることが望ましい。また、金属膜５２が積層構造を有する場合には、その最外層が安定で表面凹凸の追従性の良いＡｕで形成されていることが望ましい。なお、金属膜５２は、樹脂コア５１と同様に、接合用金属膜３１の形状などによって適宜選択、設計される。このように、樹脂コア５１の最表層は金属で覆われている構造になっているので、従来の樹脂封止構造では得られない高いガスバリア性を有している。このように、本発明は、従来の封止技術とは異なり、金属などの剛性の高い材料によるような各種応力の非吸収構造ではなく、樹脂によるガスバリア性の低い構造でもない、まったく新規の、両者の優れた特性を有する封止構造となっている。
【００２７】
〔電子部品の製造方法〕
次に、電子部品１の製造方法について、図６を参照しながら説明する。なお、本発明では、半導体基板２と封止基板３との貼合工程に特徴を有するため、この点についてのみ説明する。ここで、図６は半導体基板と封止基板との貼合工程を示す工程図である。
まず、半導体基板２上において封止空間３２の形成領域を囲むように樹脂コア５１を形成し、樹脂コア５１を金属膜５２で被覆する。一方、封止基板３の表面において封止空間３２の形成領域を囲むように接合用金属膜３１を形成する。
そして、半導体基板２に形成された金属膜５２と封止基板３に形成された接合用金属膜３１とのそれぞれの表面を、例えばプラズマの照射によって不純物を除去することで活性化させる。
【００２８】
続いて、図６に示すように、半導体基板２に設けられた封止部材５を封止基板３に形成された接合用金属膜３１に対して接触、押圧させる。このとき、金属膜５２は、樹脂コア５１が弾性変形するため、樹脂コア５１に伴って接合用金属膜３１の表面形状に倣う。このため、金属膜５２と接合用金属膜３１とが十分な面積で接触する。そして、金属膜５２と接合用金属膜３１とは、互いの表面がそれぞれ活性化されているため、表面の金属同士が相互拡散し、金属接合する。これにより、半導体基板２と封止基板３とが、図４に示すように、封止部材５によって内部にＳＡＷ素子４を封止した状態で貼り合わされる。以上のようにして、半導体基板２と封止基板３とを貼り合わせる。このように本発明では、接合界面も金属接合による封止構造になるため、ガスバリア性（気密性）は非常に高くなる。
【００２９】
ここで、貼り合せ（接合）時の周囲の雰囲気を窒素にすれば、封止空間３２内は窒素に置換された状態で保持されるし、他のガスの雰囲気にすれば、封止空間３２内を所望のガスで置換することができる。また、真空雰囲気で貼り合せれば、真空封止とすることもできる。上述したように、真空下のプラズマ照射後、そのまま真空を保ち、位置合わせした後封止をするようにすれば、貼り合せ箇所の活性度が高い状態で、低い温度でも安定した金属拡散が行われ、高い接合信頼性を得ることもできる。
その後、半導体基板２の他面２Ｂに形成されたバンプＢを介して電子部品１と配線パターンＰ１とを接続し、電子部品１と回路基板Ｐとの間に形成される空隙を封止するように樹脂５５を塗布する。
【００３０】
〔電子機器〕
そして、上述した電子部品１は、例えば図７に示すような携帯電話機１００に用いられる。ここで、図７は、携帯電話機を示す斜視図である。
この携帯電話機１００は、表示部１０１、複数の操作ボタン１０２、受話口１０３、送話口１０４及び上記表示部１０１を有する本体部を備えている。
【００３１】
以上のように、本実施形態における電子部品１によれば、樹脂コア５１が弾性変形することで、金属膜５２と接合用金属膜３１とが十分な接合面積で良好に金属接合される。したがって、封止部材５による封止空間３２の十分な気密性が得られる。
ここで、金属膜５２と接合用金属膜３１とが常温接合されているため、ＳＡＷ素子４などの他の素子の特性が変化することを防止できる。
【００３２】
なお、本実施形態では、図８に示すような構成の封止部材１１０であってもよい。この封止部材１１０は、図８（ａ）に示すように、金属膜１１１が樹脂コア５１の頂部及び封止空間３２側の内側面を覆っている。このような構成の封止部材１１０を用いて半導体基板２と封止基板３とを貼り合わせると、図８（ｂ）に示すように、封止空間３２の圧力が封止空間３２外の圧力よりも低い場合は、樹脂コア５１が封止空間３２に向けて引き込まれる。これにより、樹脂コア５１は、内側面が接合用金属膜３１に接触しやすくなる。したがって、金属膜１１１が樹脂コア５１の外側面を覆っていなくても、金属膜１１１と接合用金属膜３１との接合面積を十分に確保できる。
【００３３】
同様に、本実施形態では、図９に示すような構成の封止部材１１５であってもよい。ここで、封止空間３２の圧力は、封止空間３２外の圧力よりも高くなっている。この封止部材１１５は、図９（ａ）に示すように、金属膜１１６が樹脂コア５１の頂部及び封止空間３２から離間する側の外側面を覆っている。このような構成の封止部材１１５を用いて半導体基板２と封止基板３とを貼り合わせると、図９（ｂ）に示すように、封止空間３２の圧力が封止空間３２外の圧力よりも高いため、樹脂コア５１が封止空間３２外に向けて押し付けられる。これにより、樹脂コア５１は、外側面が接合用金属膜３１に接触しやすくなる。したがって、金属膜１１６が樹脂コア５１の内側面を覆っていなくても、金属膜１１６と接合用金属膜３１との接合面積を十分に確保できる。
【００３４】
［第２の実施形態］
次に、本発明における電子部品の第２の実施形態を、図面に基づいて説明する。ここで、図１０は電子部品を示す断面図、図１１は図１０の部分拡大図である。なお、本実施形態では、上述した第１の実施形態と半導体基板と封止基板との貼り合わせ構造が異なるため、この点を中心に説明すると共に、上記実施形態で説明した構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。
【００３５】
本実施形態における電子部品１２０は、図１０に示すように、半導体基板２と封止基板３とが封止部材５及び接着層（保持部材）１２１により貼り合わされている。
接着層１２１は、例えばエポキシ樹脂やアクリル樹脂などの接着剤で形成されている。そして、接着層１２１は、封止部材５を囲むように平面視において矩形の額縁状に形成されている。
【００３６】
以上のように、本実施形態における電子部品１２０においても、上述した第１の実施形態と同様の作用、効果を奏するが、接着層１２１により金属膜５２と接合用金属膜３１との接合状態を保持することで、封止空間３２の気密信頼性がさらに向上する。また、接着層１２１が封止部材５の外周を囲むため、ＳＡＷ素子４の特性変化を抑制できる。
【００３７】
［第３の実施形態］
次に、本発明における電子部品の第３の実施形態を、図面に基づいて説明する。ここで、図１２は電子部品を示す断面図、図１３は水晶振動子を示す斜視図である。なお、本実施形態では、上述した第１の実施形態と機能素子の構造が異なるため、この点を中心に説明すると共に、上記実施形態で説明した構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。
【００３８】
本実施形態における電子部品１３０は、図１２に示すように、機能素子として水晶振動子１３１を備えている。水晶振動子１３１は、図１３に示すように、例えば音叉型の水晶振動子であって、水晶片１３２と、水晶片を励振する一対の励振電極１３３、１３４と、バンプ電極１３５、１３６とを備えている。
水晶片１３２は、平面視でほぼＵ字状であって、基部１３２ａから２つの腕部１３２ｂ、１３２ｃが同一方向に並列して延びる音叉型の平面形状を有する板状部材である。
励振電極１３３は、水晶片１３２の一面における基部１３２ａから腕部１３２ｂにわたって形成されている。また、励振電極１３４は、水晶片１３２の一面における基部１３２ａから腕部１３２ｃにわたって形成されている。
バンプ電極１３５、１３６それぞれは、励振電極１３３、１３４それぞれと導通している。また、バンプ電極１３５は、図１２に示すように、半導体基板２の一面２Ａに形成されて一対の貫通電極２２の一方と導通する接続電極１３７に接続されている。そして、バンプ電極１３６は、半導体基板２の一面２Ａに形成されて一対の貫通電極２２の他方と導通する接続電極１３８に接続されている。
このような構成の電子部品１３０は、半導体基板２上に水晶振動子１３１を実装した後、半導体基板２と封止基板３とを貼り合わせることによって製造される。
【００３９】
以上のように、本実施形態における電子部品１３０においても、上述と同様の作用、効果を奏する。なお、上述した第２の実施形態と同様に、半導体基板２と封止基板３とを接着層１２１により貼り合わせてもよい。
また、水晶振動子１３１は、音叉型の水晶振動子に限らず、図１４に示すような水晶振動子１４０であってもよい。この水晶振動子１４０は、例えばジャイロセンサに用いられる水晶振動子であって、水晶片１４１と、水晶片１４１の一面に設けられる駆動電極１４２、１４３及び検出電極１４４、１４５と、バンプ電極１４６〜１４９とを備えている。
【００４０】
水晶片１４１は、固定部１５１と、一対の駆動腕部１５２、１５３と、一対の検出腕部１５４、１５５とを備えている。
駆動腕部１５２は、固定部１５１から突出して形成された基部１５２ａと、基部１５２ａに接続される先端部１５２ｂとを備えている。基部１５２ａの延在方向と先端部１５２ｂの延在方向とは、ほぼ直交している。また、基部１５２ａは、先端部１５２ｂのほぼ中央に接続されている。
駆動腕部１５３は、固定部１５１から突出して形成された基部１５３ａと、基部１５３ａに接続される先端部１５３ｂとを備えている。基部１５３ａの延在方向と先端部１５３ｂの延在方向とは、ほぼ直交している。したがって、先端部１５３ｂの延在方向と先端部１５２ｂの延在方向とは、ほぼ平行となっている。また、基部１５３ａの固定部１５１からの突出方向は、基部１５２ａと反対方向となっている。そして、基部１５３ａは、先端部１５３ｂのほぼ中央に接続されている。
検出腕部１５４、１５５それぞれは、固定部１５１から突出して形成されている。そして、検出腕部１５４の固定部１５１からの突出方向と検出腕部１５５と反対方向となっている。また、検出腕部１５４、１５５それぞれの延在方向は、基部１５２ａ、１５３ａそれぞれの延在方向とほぼ直交しており、先端部１５２ｂ、１５３ｂそれぞれの延在方向とほぼ平行となっている。
【００４１】
駆動電極１４２は、基部１５２ａ及び先端部１５２ｂそれぞれの一面に形成されている。また、駆動電極１４３は、基部１５３ａ及び先端部１５３ｂそれぞれの一面に形成されている。そして、検出電極１４４は検出腕部１５４の一面に形成されており、検出電極１４５は検出腕部１５５の一面に形成されている。
バンプ電極１４６〜１４９それぞれは、一対の駆動電極１４２、１４３及び一対の検出電極１４４、１４５それぞれと導通している。
【００４２】
［第４の実施形態］
次に、本発明における電子部品の第４の実施形態を、図面に基づいて説明する。ここで、図１５は電子部品を示す断面図である。なお、本実施形態では、上述した第１の実施形態と機能素子の構造が異なるため、この点を中心に説明すると共に、上記実施形態で説明した構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。
【００４３】
本実施形態における電子部品１６０は、図１５に示すように、ＳＡＷ素子４が封止基板３の一面３Ａに形成されている。そして、一対の貫通電極１６１は、上端が半導体基板２の一面２Ａから突出して形成されており、ＳＡＷ素子４と導通している。
また、封止部材５は封止基板３の一面３Ａに形成され、接合用金属膜３１は半導体基板２の一面２Ａに形成されている。
【００４４】
以上のように、本実施形態における電子部品１６０においても、上述と同様の作用、効果を奏する。なお、上述した第２の実施形態と同様に、半導体基板２と封止基板３とを接着層１２１により貼り合わせてもよい。また、ＳＡＷ素子４は、半導体基板２の一面２Ａに形成されてもよい。
【００４５】
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、金属膜と接合用金属膜とは、金属接合により接合されているが、ハンダやロウ材、熱圧着などにより接合されてもよい。また、金属膜と接合用金属膜とは、常温接合により接合しているが、温度が高い状態で接合してもよい。
また、金属膜と封止基板とは、封止基板表面に形成された接合用金属膜と金属膜とを接合することにより互いを接合しているが、接合用金属膜を用いずに接合してもよい。
【００４６】
また、封止部材は、半導体基板の一面に形成されているが、封止基板の一面に形成されてもよい。このとき、接合用金属膜は、半導体基板の一面に形成される。
そして、第２の実施形態において、接着層を平面視で矩形の額縁状に形成しているが、封止部材による金属膜と接合用金属膜との接合状態を保持できれば、矩形の額縁状に限られない。また、接着層は、封止空間内に設けられていてもよい。そして、接着層により金属膜と接合用金属膜との接合状態を保持しているが、接合状態を保持できれば、接着層に限られない。
【００４７】
また、機能素子は、ＳＡＷ素子に限らず、水晶振動子やＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）、液晶層などの他の機能素子であってもよい。ここで、上述のように、機能素子に応じて封止空間内の雰囲気を適宜選択してもよい。
同様に、第１基板は、半導体基板に限られず、他の基板であってもよく、第２基板は、ガラス基板に限られず、他の基板であってもよい。
そして、樹脂コアの表面に形成される金属膜により、第１及び第２基板間の導通を図ってもよい。
さらに、上述した実施形態では、電子部品を個別に製造しているが、半導体基板上に個片化された封止基板を貼り合せた後にダイシングなどで個別に分割することによって複数の電子部品を製造してもよく、半導体基板上に封止基板を貼り合せた後にダイシングなどで個別に分割することによって複数の電子部品を製造してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】第１の実施形態における電子部品を示す概略断面図である。
【図２】図１の拡大図である。
【図３】半導体基板を示す斜視図である。
【図４】図２の部分拡大図である。
【図５】封止部材を示す拡大断面図である。
【図６】封止部材と封止基板との接合工程を示す説明図である。
【図７】電子部品を備える携帯電話機を示す斜視図である。
【図８】本発明を適用可能な封止部材の他の構造を示す断面図である。
【図９】同じく、本発明を適用可能な封止部材の他の構造を示す断面図である。
【図１０】第２の実施形態における電子部品を示す断面図である。
【図１１】図１０の部分拡大図である。
【図１２】第３の実施形態における電子部品を示す断面図である。
【図１３】水晶振動子を示す斜視図である。
【図１４】他の水晶振動子を示す斜視図である。
【図１５】第４の実施形態における電子部品を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００４９】
１，１２０，１３０，１６０  電子部品、２  半導体基板（第１基板）、３  封止基板（第２基板）、４  ＳＡＷ素子（機能素子）、５，１１０，１１５  封止部材、３１  接合用金属膜、５１  樹脂コア（コア部）、５２，１１１，１１６  金属膜、１２１  接着層（保持部材）、１３１，１４０  水晶振動子（機能素子）
【図１】
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【図２】
0004462332.tif 000003
【図３】
0004462332.tif 000004
【図４】
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【図５】
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【図６】
0004462332.tif 000007
【図７】
0004462332.tif 000008
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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