(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
順に積層された第１誘電体層，再生層，再生補助層，非磁性層，記録層，第２誘電体層および熱拡散層を有し、前記記録層に情報を記録すると共に、その記録した情報を前記記録層から前記再生層に転写して再生する光磁気ディスクであって、
前記第１誘電体層は、９０ｎｍの厚みを有すると共にケイ素（Ｓｉ）の窒化物からなり、
前記再生層は、２０ｎｍの厚みを有すると共にＧｄ31 Ｆｅ54 Ｃｏ15 のアモルファス膜からなり、
前記再生補助層は、１０ｎｍの厚みを有すると共にＧｄ11Ｆｅ89のアモルファス膜からなり、
前記非磁性層は、２．５ｎｍの厚みを有すると共にケイ素の窒化物膜からなり、
前記記録層は、４０ｎｍの厚みを有すると共にＴｂ19 Ｆｅ66 Ｃｏ15 のアモルファス膜からなり、
前記第２誘電体層は、ケイ素（Ｓｉ）の窒化物からなり、
前記熱拡散層は、チタン含有率が１．５質量％のＡｌＴｉからなり、
前記第２誘電体層の厚みをｘ［ｎｍ］、前記熱拡散層の厚みｙ［ｎｍ］とすると、
前記第２誘電体層の厚みｘは２６．５ｎｍ以上５０．０ｎｍ以下であり、
前記熱拡散層の厚みｙは５ｎｍ以上２４．５ｎｍ以下であり、
前記第２誘電体層の厚みｘが３５ｎｍ以上の場合には、前記熱拡散層の厚みｙはｙ≦０．３ｘ＋９．５の範囲内であり、
前記第２誘電体層の厚みｘが３０．５ｎｍ以上３５ｎｍ未満の場合には、前記熱拡散層の厚みｙはｙ≦０．７８ｘ−７．２２の範囲内であり、
前記第２誘電体層の厚みｘが２６．５ｎｍ以上３０．５ｎｍ未満の場合には、前記熱拡散層の厚みｙは−１．２５ｘ＋４３．１≦ｙ≦１．６３ｘ−３３．１の範囲内である
ことを特徴とする光磁気ディスク。
【請求項２】
前記第２誘電体層の厚みｘは３２ｎｍ以上であり、
前記第２誘電体層の厚みｘが４０ｎｍ以上の場合には、前記熱拡散層の厚みｙはｙ≦０．３３ｘ＋３．３３の範囲内であり、
前記第２誘電体層の厚みｘが３５ｎｍ以上４０ｎｍ未満の場合には、前記熱拡散層の厚みｙは−０．６２５ｘ＋３０．０≦ｙ≦０．３３ｘ＋３．３３の範囲内であり、
前記第２誘電体層の厚みｘが３２ｎｍ以上３５ｎｍ未満の場合には、前記熱拡散層の厚みｙは−０．６２５ｘ＋３０．０≦ｙ≦１．６７ｘ−４３．３３の範囲内である
ことを特徴とする請求項１記載の光磁気ディスク。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光磁気記録により情報の書き込みおよび読み出しが行われる光磁気ディスクに係り、特に、磁気超解像（Magnetically induced Super Resolusion ；ＭＳＲ）技術により記録密度の高密度化が図られた光磁気ディスクに関する。
【０００２】
【従来の技術】
情報の書き換えが可能な記録媒体として、光磁気記録により情報の書き込みおよび読み出しが行われる光磁気ディスクが実用化されている。この光磁気ディスクにおいては、近年、ＭＳＲと呼ばれる技術により、情報の再生に使用する光ビームのスポット径よりも小さな記録マークから情報を読み出す方式が提案され、記録密度の高密度化を実現させる手法として注目されている。
【０００３】
このＭＳＲは、情報の再生に使用する光ビームのスポット内に温度分布が生じることを利用し、このスポット内の低温領域または高温領域をマスクすることで、光ビームのスポット径よりも小さな記録マークから情報を読み出すことを可能にしたものである。このようなＭＳＲの一例として、中央開口検出（Center Aperture Detection ；ＣＡＤ）方式と呼ばれるものが特開平５−８１７１７号公報に開示されている。
【０００４】
このＣＡＤ方式では、室温においては面内磁気異方性が優位な面内磁化状態であり、温度上昇に伴い垂直磁気異方性が優位な垂直磁化状態となる再生層と、情報を記録する記録層とを備え、再生層と記録層との間にそれらの交換結合を防ぐ非磁性層が設けられた光磁気ディスクを用い、次のようにして情報の記録および再生を行う。まず、この光磁気ディスクの記録層に、再生に使用する光ビームのスポット径よりも小さな記録マークで情報を記録する。
【０００５】
次いで、再生の際には、再生層に光ビームを照射する。再生層はこの光ビームにより加熱され温度上昇するが、照射する光ビームは集光レンズにより回折限界まで絞り込まれているので、光強度分布はガウス分布となり、再生層における温度分布もガウス分布となる。よって、再生層の光ビームが照射された部分のうち中央部分のみが磁気補償温度付近まで昇温され、この部分が垂直磁化状態となる。この垂直磁化状態となった部分には、記録層からの洩れ磁界が印加され、記録層に記録された記録マークが転写される。再生層のそれ以外の部分は面内磁化状態のままであるので、記録層の磁化をマスクすることになる。この結果、光ビームのスポット径よりも小さい記録マークから情報を読み出すことが可能となる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
このようなＣＡＤ方式は、再生時に初期化のための外部磁界を印加する必要がないという利点を有し、非常に優れた技術である。しかしながら、ＣＡＤ方式では、記録層からの洩れ磁界を利用して再生層に記録マークを転写しているので、記録層に記録された磁区の大きさの誤差または読み出し時に照射されるレーザーパワーの誤差によって洩れ磁界が大きく揺さぶられ、安定して読み出すのが比較的難しいという問題があった。
【０００７】
この読み出し安定性を評価する方法として一般的なのは、記録パワーおよび再生パワーを変化させてエラーレートを測定し、エラーレートが十分に低下する記録パワーおよび再生パワーの範囲を求めるものである。この読み出し可能な記録パワーの範囲は記録パワーマージンと呼ばれ、２０％を下回ると読み出し安定性に欠け、３０％以上有れば十分といえる。しかし、ＣＡＤ方式では、上述したように安定性が低く、記録パワーマージンがしばしば２０％を下回ってしまう。
【０００８】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、記録パワーマージンを３０％以上とすることができる光磁気ディスクを提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明による光磁気ディスクは、順に積層された第１誘電体層，再生層，再生補助層，非磁性層，記録層，第２誘電体層および熱拡散層を有し、記録層に情報を記録すると共に、その記録した情報を記録層から再生層に転写して再生するものである。ここで第１誘電体層は９０ｎｍの厚みを有すると共にケイ素の窒化物からなり、再生層は２０ｎｍの厚みを有すると共にＧｄ31 Ｆｅ54 Ｃｏ15 のアモルファス膜からなり、再生補助層は１０ｎｍの厚みを有すると共にＧｄ11Ｆｅ89のアモルファス膜からなり、非磁性層は２．５ｎｍの厚みを有すると共にケイ素の窒化物膜からなり、記録層は４０ｎｍの厚みを有すると共にＴｂ19 Ｆｅ66 Ｃｏ15 のアモルファス膜からなり、記録層は４０ｎｍの厚みを有すると共にＴｂ19 Ｆｅ66 Ｃｏ15 のアモルファス膜からなり、第２誘電体層はケイ素の窒化物からなり、熱拡散層は、チタン含有率が１．５質量％のＡｌＴｉからなる。第２誘電体層の厚みｘは２６．５ｎｍ以上５０．０ｎｍ以下であり、熱拡散層の厚みｙは５ｎｍ以上２４．５ｎｍ以下である。第２誘電体層の厚みｘが３５ｎｍ以上の場合には熱拡散層の厚みｙはｙ≦０．３ｘ＋９．５の範囲内であり、第２誘電体層の厚みｘが３０．５ｎｍ以上３５ｎｍ未満の場合には熱拡散層の厚みｙはｙ≦０．７８ｘ−７．２２の範囲内であり、第２誘電体層の厚みｘが２６．５ｎｍ以上３０．５ｎｍ未満の場合には熱拡散層の厚みｙは−１．２５ｘ＋４３．１≦ｙ≦１．６３ｘ−３３．１の範囲内である。
【００１１】
本発明による光磁気ディスクによれば、第２誘電体層の厚みおよび熱拡散層の厚みが上述した範囲内とされているので、再生時の温度分布が改善され、記録パワーマージンが向上する。なお、本発明において、図１に斜線で示した範囲内にはその範囲を囲む実線上も含む。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【００１３】
図２は本発明の一実施の形態に係る光磁気ディスクの構成を表すものである。この光磁気ディスクは、いわゆるＣＡＤ方式のＭＳＲにより再生用の光ビームのスポット径よりも小さい記録マークから情報を読み出すことが可能とされたものであり、基板１の上に、第１誘電体層２、再生層３、再生補助層４、非磁性層５、記録層６、第２誘電体層７および熱拡散層８が順に積層されている。
【００１４】
基板１は、例えば、積層方向の厚み（以下、単に厚みと言う）が０．１ｍｍ〜１．２ｍｍであり、ポリカーボネートなどの再生に用いる光に対して十分な透過率を有する材料により構成されている。この基板１には、必要に応じて、トラッキング制御を容易に行えるようにするためのグルーブと呼ばれる案内溝や、あるいはアドレス情報などを示すエンボスピットが形成されている。
【００１５】
第１誘電体層２は、例えば、厚みが５０ｎｍ〜９０ｎｍであり、ケイ素の窒化物などの再生に用いる光に対して十分な透過率を有する透明誘電体材料により構成されている。なお、本明細書においてケイ素の窒化物というのは、組成がＳｉ3 Ｎ4 であるものに限らず、ケイ素と窒素との化合物を広く含むものである。
【００１６】
再生層３は、記録層６に記録されている情報を再生時に転写するものである。再生層３は、例えば、厚みが１５ｎｍ〜４０ｎｍであり、ガドリニウム・鉄・コバルト系合金（ＧｄＦｅＣｏ系合金）などの希土類元素と遷移元素との合金により構成されている。再生層３における希土類元素の含有量は室温の補償組成よりも多くなっている。これにより、再生層３は、室温では面内磁気異方性が優位な面内磁化状態であり、温度が上昇すると垂直磁気異方性が優位な垂直磁化状態となる。すなわち、室温においては高い飽和磁化にのために形状異方性が大きく、磁化方向が面内に倒れている面内磁化状態であるが、温度上昇に伴って飽和磁化が小さくなり、磁気補償温度付近になると形状異方性が小さくなって垂直磁気異方性が優位な垂直磁化状態になる。
【００１７】
再生補助層４は、再生層３が面内磁化状態から垂直磁化状態へと変化する温度において、再生層３の状態変化を急峻とし、光磁気ディスクの更なる高密度化を図るためのものである。再生補助層４は、例えば、厚みが５ｎｍ〜２０ｎｍであり、ガドリニウム・鉄系合金（ＧｄＦｅ系合金）などの希土類元素と遷移元素との合金により構成されている。
【００１８】
非磁性層５は、再生層３および再生補助層４と、記録層６とが交換結合しないようにそれらの磁気的結合を遮断するためのものである。非磁性層５は、例えば、厚みが１ｎｍ〜５ｎｍであり、ケイ素の窒化物などの記録に用いる光に対して十分な透過率を有する透明非磁性材料により構成されている。
【００１９】
記録層６は、情報を記録するものである。記録層６は、例えば、厚みが２０ｎｍ〜５０ｎｍであり、テルビウム・鉄・コバルト合金（ＴｂＦｅＣｏ合金）などの希土類元素と遷移元素との合金により構成されている。
【００２０】
第２誘電体層７は、例えば、ケイ素の窒化物などの誘電体材料により構成されている。熱拡散層８は、冷却時における再生層３と記録層６との温度変化の差を大きくするためのものであり、例えば、アルミニウム・チタン合金（ＡｌＴｉ合金）あるいはアルミニウム・タングステン合金（ＡｌＷ合金）などのアルミニウムを含む合金により構成されている。
【００２１】
第２誘電体層７の厚みおよび熱拡散層８の厚みは、通常、第２誘電体層７については生産能率を上げるために３５ｎｍ以下とされ、熱拡散層８については成膜のしやすさから２０ｎｍ以上とされることが多い。但し、これらの厚みは記録パワーマージンと密接な関係があり、次に示すような範囲内とされることが好ましい。これらの厚みを調整することにより、再生時に光ビームを照射した際の光磁気ディスク内の温度分布を改善することができる。記録パワーマージンを３０％以上と高くすることができるからである。
【００２２】
図３は第２誘電体層７の厚みと熱拡散層８の厚みとの関係を示すものである。第２誘電体層７の厚みをｘ［ｎｍ］、前記熱拡散層８の厚みｙ［ｎｍ］とすると、第２誘電体層７の厚みｘおよび熱拡散層８の厚みｙは図３において左下斜線で示した範囲内、または第２誘電体層７の厚みｘは３０ｎｍ以上、熱拡散層８の厚みｙは５ｎｍ以下の範囲内、または第２誘電体層７の厚みｘは５０ｎｍ以上、熱拡散層８の厚みｙはｙ≦０．３ｘ＋９．５の範囲内であることが好ましい。なお、図３において左下斜線で示した範囲内には、その範囲を囲む実線上も含む。
【００２３】
具体的に近似した数式で示すと、第２誘電体層７の厚みｘは２６．５ｎｍ以上であり、第２誘電体層７の厚みｘが３５ｎｍ以上の場合には、熱拡散層８の厚みｙはｙ≦０．３ｘ＋９．５の範囲内、第２誘電体層７の厚みｘが３０．５ｎｍ以上３５ｎｍ未満の場合には、熱拡散層８の厚みｙはｙ≦０．７８ｘ−７．２２の範囲内、第２誘電体層７の厚みｘが２６．５ｎｍ以上３０．５ｎｍ未満の場合には、熱拡散層８の厚みｙは−１．２５ｘ＋４３．１≦ｙ≦１．６３ｘ−３３．１の範囲内であることが好ましい。
【００２４】
また、第２誘電体層７の厚みｘおよび熱拡散層８の厚みｙを次に示すような範囲内とすれば、記録パワーマージンをより大きくすることができるのでより好ましい。例えば、図３において右下斜め２点破線で示した範囲内、または第２誘電体層７の厚みｘが４０ｎｍ以上、熱拡散層８の厚みｙが５ｎｍ以下の範囲内、または第２誘電体層７の厚みｘが５０ｎｍ以上、熱拡散層８の厚みｙがｙ≦０．３３ｘ＋３．３３の範囲内であればより好ましい。なお、図３において右下斜め２点破線で示した範囲内には、その範囲を囲む２点破線上も含む。
【００２５】
具体的に近似した数式で示すと、第２誘電体層７の厚みｘは３２ｎｍ以上であり、第２誘電体層７の厚みｘが４０ｎｍ以上の場合には、熱拡散層８の厚みｙはｙ≦０．３３ｘ＋３．３３の範囲内、第２誘電体層７の厚みｘが３５ｎｍ以上４０ｎｍ未満の場合には、熱拡散層８の厚みｙは−０．６２５ｘ＋３０．０≦ｙ≦０．３３ｘ＋３．３３の範囲内、第２誘電体層７の厚みｘが３２ｎｍ以上３５ｎｍ未満の場合には、熱拡散層８の厚みｙは−０．６２５ｘ＋３０．０≦ｙ≦１．６７ｘ−４３．３３の範囲内であればより好ましい。
【００２６】
なお、第２誘電体層７の厚みｘは、２００ｎｍ以下とすることが好ましく、１００ｎｍ以下とすればより好ましい。あまり厚すぎると膜に割れなどが生じてしまうからである。
【００２７】
このような構成を有する光磁気ディスクは、例えば次のようにして製造することができる。
【００２８】
まず、例えば、射出成形により基板１を作製する。その際、必要に応じて、スタンパなどを用い、基板１の表面に案内溝あるいはエンボスピットを形成する。次いで、基板１の上に、例えばスパッタリングにより、第１誘電体層２，再生層３，再生補助層４，非磁性層５，記録層６，第２誘電体層７および熱拡散層８を順に積層する。このうち、ケイ素の窒化物などの誘電体材料あるいは非磁性材料により形成する第１誘電体層２，非磁性層５および第２誘電体層７には例えば高周波スパッタリングを用い、合金により形成する再生層３，再生補助層４，記録層６および熱拡散層８には例えば直流スパッタリングを用いる。その際、第２誘電体層７の厚みｘおよび熱拡散層８の厚みｙが上述した範囲内となるように調整する。これにより、図２に示した光磁気ディスクが形成される。
【００２９】
この光磁気ディスクは、次のようにして情報の書き込みおよび読み出しが行われる。
【００３０】
情報の書き込みは、再生に使用する光ビームよりもスポット径が小さい光ビームを基板１の側から記録層６に照射することにより行う。記録層６は、再生用の光ビームのスポット径よりも小さな記録マークで情報を記録する。
【００３１】
情報の読み出しは、再生用の光ビームを基板１の側から再生層３に照射することにより行う。再生層３は、光ビームが照射された部分のうち中央部分のみが磁気補償温度付近まで昇温し、中央部分のみが垂直磁化状態となる。これにより、この中央部分に記録層６からの洩れ磁界が印加され、記録層６に記録された記録マークが転写される。再生層３のそれ以外の部分は面内磁化状態であり、記録層６の磁化をマスクする。
【００３２】
本実施の形態では、第２誘電体層７の厚みｘおよび熱拡散層８の厚みｙが上述した所定の範囲内とされているので、光磁気ディスク内の温度分布が改善される。よって、記録層６に記録された磁区の大きさの誤差または読み出し時に照射される光ビームのパワーの誤差などにより記録層６からの洩れ磁界が変動しても、記録パワーマージンは大きく、情報を安定して読み出せる。
【００３３】
このように本実施の形態に係る光磁気ディスクによれば、第２誘電体層７の厚みｘおよび熱拡散層８の厚みｙを上述した所定の範囲内とするようにしたので、記録パワーマージンを３０％以上とすることができ、情報の読み出し安定性を向上させることができる。また、製造条件がばらついても、記録パワーマージンの絶対必要量である２０％を余裕で確保することができるので、製造稼働率および歩留りを向上させることができ、製造コストを削減することができる。
【００３４】
特に、第２誘電体層７の厚みｘを２００ｎｍ以下とするようにすれば、膜の割れなどを防止することができ、高い特性を得ることができる。
【００３５】
【実施例】
更に、本発明の具体的な実施例について、詳細に説明する。
【００３６】
第２誘電体層７の厚みｘおよび熱拡散層８の厚みｙを変化させて図１に示した光磁気ディスクを複数作製した。ここでは図１を参照し、図１と同一の符号を用いて説明する。
【００３７】
まず、ポリカーボネートを射出成形して厚み１．２ｍｍのディスク状の基板１を作製した。その際、スタンパにより、基板１の表面にスパイラル状のグルーブを形成した。次いで、基板１の表面に、高周波スパッタリングにより厚み９０ｎｍのケイ素の窒化物膜を形成し、第１誘電体層２とした。続いて、第１誘電体層２の上に、直流スパッタリングにより、厚み２０ｎｍのＧｄ31Ｆｅ54Ｃｏ15のアモルファス膜を形成して再生層３とし、更に、厚み１０ｎｍのＧｄ11Ｆｅ89のアモルファス膜を形成して再生補助層４とした。そののち、再生補助層４の上に、高周波スパッタリングにより厚み２．５ｎｍのケイ素の窒化物膜を形成し、非磁性層５とした。次いで、非磁性層５の上に、直流スパッタリングにより厚み４０ｎｍのＴｂ19Ｆｅ66Ｃｏ15のアモルファス膜を形成し、記録層６とした。続いて、記録層６上に、高周波スパッタリングにより厚み１５ｎｍ〜５０ｎｍのケイ素の窒化物膜を形成し、第２誘電体層７とした。最後に、第２誘電体層７の上に、直流スパッタリングにより厚み５ｎｍ〜４０ｎｍのＡｌＴｉ合金膜（チタンの含有量１．５質量％）を形成し、熱拡散層８とした。
【００３８】
これにより、第２誘電体層７の厚みｘを１５ｎｍ〜５０ｎｍの範囲内で、熱拡散層８の厚みｙを５ｎｍ〜４０ｎｍの範囲内でそれぞれ変化させた複数の光磁気ディスクを得た。この光磁気ディスクは、トラックピッチが０．６５μｍであり、グルーブが形成された部分と、隣接するグルーブ間のランド部分との双方に情報が書き込まれるランドグルーブ基板に対応したものである。
【００３９】
得られた各光磁気ディスクについて、記録再生特性を評価した。まず、光磁気ディスクを線速度が９．５ｍ／ｓとなるように回転操作し、−２４ｋＡ／ｍの記録磁界を印加した状態で、記録パワーを変化させながら、ランドの部分に最短ピット長０．４μｍとなる（２−７）ＲＬＬ変調化したランダムパターンを記録した。次いで、光磁気ディスクを同様の線速度で回転操作し、＋８ｋＡ／ｍの再生磁界を印加した状態で、再生パワーを変化させながら記録された信号を再生し、バイトエラーレートを測定した。図４に、１つの光磁気ディスクについて得られたエラーバイトの測定結果を代表して示す。
【００４０】
図４において、横軸は記録パワー、縦軸は再生パワーである。バイトエラーレートについては、値の等しいところを線で結ぶ等高式で表しており、右下斜め細線で示した領域は１×１０-4未満、左下斜め細線で示した領域は１×１０-4以上１×１０-3未満、右下斜め太線で示した領域は１×１０-3以上１×１０-2未満、左下斜め太線で示した領域は１×１０-2以上１×１０-1未満、右下斜め破線で示した領域は１×１０-1以上である。
【００４１】
次いで、各光磁気ディスクについて、バイトエラレートの測定結果に基づき記録パワーマージンを求めた。記録パワーマージンは、バイトエラーレートが１×１０-4未満の領域で記録パワーが最大となる再生パワーを最適再生パワーとし、最適再生パワーにおいてバイトエラーレートが１×１０-4未満となる下限記録パワーＬ［ｍＷ］と、上限記録パワーＨ［ｍＷ］とから、数１により算出した。
【００４２】
【数１】
0004471060.tif 000002
【００４３】
図４に基づいて具体的に説明すると、図４の場合には下限記録パワーＬが７．５ｍＷ、上限記録パワーＨが１０．０ｍＷであるので、数１により記録パワーマージンは２８．６％となる。
【００４４】
図５に、各光磁気ディスクについて得られた記録パワーマージンの結果を示す。図５において、横軸は第２誘電体層７の厚みｘ、縦軸は熱拡散層８の厚みｙである。記録パワーマージンについては、値の等しいところを線で結ぶ等高式で表しており、左下斜め１点細線で示した領域は３４％以上３６％未満、右下斜め２点細線で示した領域は３２％以上３４％未満、左下斜め細線で示した領域は３０％以上３２％未満、右下斜め破細線で示した領域は２８％以上３０％未満、左下斜め１点太線で示した領域は２６％以上２８％未満、右下斜め２点太線で示した領域は２４％以上３６％未満、左下斜め太線で示した領域は２２％以上２４％未満、右下斜め破太線で示した領域は２０％以上３２％未満である。
【００４５】
この結果から、第２誘電体層７の厚みｘおよび熱拡散層８の厚みｙは記録パワーマージンと密接な関係があり、これらの厚みｘ，ｙを、左下斜め細線，右下斜め２点破細線および左下斜め１点破細線で示した範囲内とすれば、記録パワーマージンを３０％以上とできることが分かった。
【００４６】
この範囲を数式で近似して表せば、第２誘電体層７の厚みｘは２６．５ｎｍ以上であり、第２誘電体層７の厚みｘが３５ｎｍ以上の場合には、熱拡散層８の厚みｙはｙ≦０．３ｘ＋９．５の範囲内、第２誘電体層７の厚みｘが３０．５ｎｍ以上３５ｎｍ未満の場合には、熱拡散層８の厚みｙはｙ≦０．７８ｘ−７．２２の範囲内、第２誘電体層７の厚みｘが２６．５ｎｍ以上３０．５ｎｍ未満の場合には、熱拡散層８の厚みｙは−１．２５ｘ＋４３．１≦ｙ≦１．６３ｘ−３３．１の範囲内である。
【００４７】
また、第２誘電体層７の厚みｘおよび熱拡散層８の厚みｙを、右下斜め２点破細線で示した範囲内、更には、左下斜め１点破細線で示した範囲内とすれば、記録パワーマージンをより大きくできることが分かった。
【００４８】
これらについても数式で近似して表せば、より好ましいのは、第２誘電体層７の厚みｘが３２ｎｍ以上であり、第２誘電体層７の厚みｘが４０ｎｍ以上の場合には、熱拡散層８の厚みｙはｙ≦０．３３ｘ＋３．３３の範囲内、第２誘電体層７の厚みｘが３５ｎｍ以上４０ｎｍ未満の場合には、熱拡散層８の厚みｙは−０．６２５ｘ＋３０．０≦ｙ≦０．３３ｘ＋３．３３の範囲内、第２誘電体層７の厚みｘが３２ｎｍ以上３５ｎｍ未満の場合には、熱拡散層８の厚みｙは−０．６２５ｘ＋３０．０≦ｙ≦１．６７ｘ−４３．３３の範囲内である。
【００５０】
以上、実施の形態および実施例を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態および実施例に限定されるものではなく、種々変形可能である。例えば、上記実施の形態および実施例では、光磁気ディスクの構成について具体的に説明したが、本発明は、第１誘電体層，再生層，記録層，第２誘電体層および熱拡散層を備えた光磁気ディスクについて広く適用することができ、上記実施の形態で説明した他の層を備えていなくてもよく、または説明した以外の他の層を備えていてもよい。
【００５１】
また、上記実施の形態および実施例では、ＣＡＤ方式のＭＳＲにより情報を読み出す光磁気ディスクについて説明したが、本発明は、再生時における光磁気ディスク内の内温度分布を改善するものであるので、温度分布を利用して読み出しを行う他の方式、例えば後方開口検出（Rear Aperture Detection ；ＲＡＤ）方式のＭＳＲ、または磁壁移動検出（Domain Wall Displacement Detection；ＤＷＤＤ）方式により情報を読み出す光磁気ディスクにも適用することができる。但し、本発明はＣＡＤ方式において高い効果が得られるので好ましい。
【００５２】
【発明の効果】
以上説明したように本発明の光磁気ディスクによれば、第２誘電体層の厚みおよび熱拡散層の厚みを所定の範囲内とするようにしたので、記録パワーマージンを３０％以上とすることができ、情報の読み出し安定性を向上させることができる。また、製造条件がばらついても、記録パワーマージンの絶対必要量である２０％を余裕で確保することができるので、製造稼働率および歩留りを向上させることができ、製造コストを削減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の光磁気ディスクにおける第２誘電体層の厚みおよび熱拡散層の厚みの範囲を表す関係図である。
【図２】本発明の一実施の形態に係る光磁気ディスクの構成を表す部分断面図である。
【図３】図１に示した光磁気ディスクにおける第２誘電体層の厚みおよび熱拡散層の厚みの好ましい範囲を表す関係図である。
【図４】本発明の実施例に関する再生パワーと記録パワーとバイトエラーレートとの関係を表す特性図である。
【図５】本発明の実施例に関する第２誘電体層の厚みと熱拡散層の厚みと記録パワーマージンとの関係を表す特性図である。
【符号の説明】
１…基板、２…第１誘電体層、３…再生層、４…再生補助層、５…非磁性層、６…記録層、７…第２誘電体層、８…熱拡散層
【図１】
0004471060.tif 000003
【図２】
0004471060.tif 000004
【図３】
0004471060.tif 000005
【図４】
0004471060.tif 000006
【図５】
0004471060.tif 000007