(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
８００℃から１０５０℃で焼成可能なガラス−セラミック材料からなる絶縁層を積層してなる多層回路基板の各絶縁層間に、Ａｇ系の内部配線パターン及びランド電極を形成するとともに、前記多層回路基板の端面に、半円形状の凹部を形成し、該凹部の内壁に前記ランド電極の一部を露出させて成る多層回路基板において、前記各絶縁層間にランド電極と内部配線パターンとを接続する接続パターンを形成するとともに、該各接続パターンを平面視した時、積層厚み方向に隣接する絶縁層間で交互に形成されていることを特徴とする多層回路基板。
【請求項２】
前記ランド電極は、基板端面から１００μｍ以上内部側に前記ランド電極の両端部が配置されていることを特徴とする請求項１記載の多層回路基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ガラス−セラミックの基板材料を絶縁層に、銀などの導体材料を内部配線パターンに用いた多層回路基板の端面端子電極の構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、焼成温度を８００〜１０５０℃と比較的低い温度で焼成可能な材料を用いた多層回路基板が提案されている。
【０００３】
このような多層回路基板の典型的な構造は、複数の絶縁層からなる積層基板の各層間に内部配線パターンを有し、同時に、積層基板の厚み方向に所定内部配線パターンを接続するビアホール導体を有し、さらに積層基板の表面に、ＩＣチップや各種チップ状電子部品を搭載するための表面配線パターンが形成されていた。
【０００４】
このような多層回路基板では、配線パターンの材料に、銀などの低抵抗材料を用いることができるため、所定回路網の導電率を高めことができる。これにより、回路動作の高速化、高周波動作の対応が比較的容易となる。
【０００５】
通常、多層回路基板は、プリント配線基板上に実装された、所定配線(外部回路)に接続されていた。具体的には、多層回路基板の接合底面に入出力端子電極を形成したり、また、多層回路基板の端面に平面状の平面状端子電極を形成し、半田などを介して接続されていた。さらに、多層回路基板の表面に入出力端子電極を形成し、プリント配線基板に機械的な接合(実装)した後、この表面側の入出力端子電極とプリント配線基板の所定配線との間をボンディングワイヤなどを介して接続していた。
【０００６】
近年、多層回路基板の小型化の要求が増大し、これに伴い外部プリント配線基板との接合構造を、多層回路基板の端面に、厚み方向に延びる半円形状の凹部を形成し、この半円形状凹部の内壁面に、内部配線パターンに接続するランド電極と導通する内壁導体膜を形成していた。このような構造を、以下、単に半円形状端子電極とう。
【０００７】
そして、この多層回路基板とプリント配線基板との接合を、この半円形状の端子電極を対して半田接合して、機械的且つ電気的に接合する（特開平９−３３０９９１号）。これより、多層回路基板とプリント配線基板とが半田を介して接合された場合、半田のはい上がり部（メニスカス）は、多層回路基板の端面から内部側に凹んだ半円形状端子電極内に形成されることになり、プリント配線基板上に実装専有面積が小さい多層回路基板が達成される。
【０００８】
図４は、従来の多層回路基板の円形状端子電極部分の斜視図である。
【０００９】
図4において、１は多層回路基板であり、１ａ〜１ｅは絶縁層であり、６１は半円形状端子電極であり、７１ａ〜７１ｆはランド電極であり、８１ａ〜８１ｆは所定配線パターンと接続する接続部である。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上述の多層回路基板１の半円形状端子電極６１は、その凹部６１ａの内面に、導体膜６１ｂが形成されているものの、同時に、多層回路基板１の端面部分にランド電極７１ａ〜７１ｆの両端部が露出するようになっていた。
【００１１】
そして、多層回路基板１の端面に、複数の半円形状端子電極６１が配置される場合、隣接する端子電極６１で、ランド電極７１ａ〜７１ｆの両端部の露出部分が互いに近接することになる。これにより、プリント配線基板上に半田接合すると、この露出部分間でマイグレーションが発生してしまうという問題があった。
【００１２】
さらに、ランド電極と内部配線パターンとを接続する接続パターンが、絶縁層を介して対向することになり、その間で浮遊容量成分が発生して、特に、高周波動作する回路において高周波特性に悪影響を及ぼすことがあった。
【００１３】
本発明は、上述の問題に鑑みて案出されたものであり、その目的は、半円形状端子電極間でマイグレーションを防止できるとともに、浮遊容量による高周波特性劣化の少ない端子電極構造を有する回路基板を提供するものである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明は、８００℃から１０５０℃で焼成可能なガラス−セラミック材料からなる絶縁層を積層してなる多層回路基板の各絶縁層間に、Ａｇ系の内部配線パターン及びランド電極を形成するとともに、前記多層回路基板の端面に、半円形状の凹部を形成し、該凹部の内壁に前記ランド電極の一部を露出させて成る多層回路基板において、前記各絶縁層間にランド電極と内部配線パターンとを接続する接続パターンを形成するとともに、該各接続パターンを平面視した時、積層厚み方向に隣接する絶縁層間で交互に形成されていることを特徴とする多層回路基板である。
【００１５】
また、好ましくは、前記ランド電極は、多層回路基板の端面から少なくとも１００μｍ以上、内部側に前記ランド電極の両端部が配置されている多層回路基板である。
【作用】
本発明の多層回路基板は、各ランド電極と内部配線パターンとの接続パターンの形成位置が、積層厚み方向で隣接する絶縁層間で交互になっている。このため、積層厚み方向で隣接しあう接続パターン間で発生する浮遊容量成分を抑えることができる。
【００１６】
これにより、高周波動作を行う回路において、高周波特性の変動を防止でき、安定した回路動作が可能になる。
【００１７】
また、半円形状端子電極を構成するランド電極の両端部が、基板の端面から内側に位置するように配置されている。即ち、ランド電極は、半円形状の凹部内に露出しているものの、その両端部は、積層基板の端面から露出することが一切ない。
【００１８】
従って、多層回路基板の隣接しあう半円形状端子電極において、その間でマイグレーションが発生することがない。このマイグレーションを完全に防止するためには、積層位置ずれなどを考慮して、その両端部が積層基板の端面から内部側に１００μｍ以上、逃がすことが重要になる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の多層回路基板を図面に基づいて説明する。
【００２０】
図１は、本発明に係る多層回路基板の断面図であり、図２は、半円形状端子電極部分の斜視図である。
【００２１】
図１において、１は多層回路基板であり、１０は積層基板であり、１ａ〜１fは絶縁層であり、６は半円形状端子電極であり、７ａ〜７ｆはランド電極であり、８ａ〜８ｆは所定配線パターンと接続する接続パターン（接続部）である。２は内部配線パターンであり、３はビアホール導体、４は積層基板１０の表面に形成した表面配線パターンであり、５は電子部品素子である。
【００２２】
多層回路基板１を構成する積層基板１０は、ガラス−セラミック材料からなる絶縁層１ａ〜１ｅと、絶縁層１ａ〜１ｅの各層間には、所定回路網を達成するや容量成分を発生するための内部配線パターン２が配置されている。また、絶縁層１ａ〜１ｅには、その層の厚み方向を貫くビアホール導体３が形成されている。
【００２３】
絶縁層１ａ〜１ｅは、例えば８５０〜１０５０℃前後の比較的低い温度で焼成可能にするガラス−セラミック材料からなる。具体的なセラミック材料としては、クリストバライト、石英、コランダム（αアルミナ）、ムライト、コージライト、などが例示できる。また、ガラス材料として複数の金属酸化物を含むガラスフリットを焼成処理することによって、コージェライト、ムライト、アノーサイト、セルジアン、スピネル、ガーナイト、ウイレマイト、ドロマイト、ペタライトやその置換誘導体の結晶を少なくとも１種類を析出するものである。この絶縁層１ａ〜１ｅの厚みは、例えば１００〜３００μｍ程度である。
【００２４】
内部配線パターン２、ビアホール導体３は、銀系材料（銀単体または、Ａｇ−Ｐｄなどの銀合金）を主成分とする導体膜（導体）からなる。例えば、内部配線パターン２は、その厚みが８〜１５μｍ程度であり、ビアホール導体３は、その直径を任意な値とすることができるが、例えば８０〜２５０μｍである。
【００２５】
また、積層基板１０の表面には、表面配線パターン４が形成されている。この表面配線パターン４は、例えば、銀系材料を主成分とする導体材料から構成されている。この表面配線パターン４は、所定回路網を形成するとともに、半田を介して接合される電子部品素子５を接合する接続パッドであったり、また、厚膜抵抗膜、厚膜コンデンサ素子の端子電極であったり、ビアホール導体３との接続をおこなったりする。また、積層基板１０の表面に実装したＩＣチップなどの電子部品素子5とボンディング細線によって接続される接続パッドであったりする。
【００２６】
このような積層基板１０の表面に、ＩＣチップや各チップ部品の電子部品素子５が配置されている。
【００２７】
また、積層基板１０の端面には、半円形状端子電極６が形成されている。この半円形状端子電極６は、積層基板１０の端面に形成された半円筒上の凹部６ａと、該凹部６ａの内壁面に被着形成された導体膜６ｂとから構成されている。
【００２８】
尚、半円形状端子電極６の導体膜６ｂと配線パターン２、４との接続は、図２に示すように、凹部６ａの周囲に形成されたランド電極７ａ〜７ｆと該配線パターン２、４とを接続する接続パターン８ａ〜８ｆから構成されている。
【００２９】
ここで、ランド電極７ａ〜７ｆの両端部は、積層基板１０の端面から内部に１００μｍ以上入り込んで配置されており、積層基板１０の端面からは、一切露出していない。
【００３０】
また、半円形状端子電極６を構成する半円筒状の凹部６ａは、開口幅が１００μｍ以上となっている。
【００３１】
ここで、半円形状端子電極６を構成するランド電極７ａは、積層基板１０の表面に形成されたランド電極であり、また、接続パターン８ａは、表面配線パターン４と接続するものである。
【００３２】
また、ランド電極７ｂは、積層基板１０を構成する絶縁層１ａと１ｂとの層間に形成されたランド電極であり、また、接続パターン８ｂは、この層間に形成された内部配線パターン２と接続するものである。
【００３３】
さらに、ランド電極７ｃは、積層基板１０を構成する絶縁層１ｂと１ｃとの層間に形成されたランド電極であり、また、接続パターン８ｃは、この層間に形成された内部配線パターン２と接続するものである。
【００３４】
同様に、ランド電極７ｄ、７ｅは、積層基板１０を構成する絶縁層１ｃと１ｄとの層間、絶縁層１ｄと１ｅとの層間に形成された各々ランド電極であり、また、接続パターン８ｄ、８ｅは、この層間に形成された内部配線パターン２と接続するものである。
【００３５】
このようなランド電極７ａ、７ｆ及び接続パターン８ａ、８ｆは、表面配線パターン４と実質的に同一の構造で、同一工程で形成される。
また、ランド電極７ｂ〜７ｅ及び接続パターン８ｂ〜８たは、各絶縁層１ａ〜１ｆの層間に配置される内部配線パターン２と実質的に同一の構造で、同一工程で形成される。
【００３６】
ここで、本発明の多層回路基板では、ランド電極７ｂ〜７ｅと対応する各絶縁層間に配置される内部配線パターン２とを接続する接続パターン８ｂ〜８ｅ（実質的には、内部配線パターン２の一部）の形成位置が、隣接する絶縁層１ａと１ｂ、１ｂと１ｃ、１ｃと１ｄ・・との間で交互に形成されている。
【００３７】
好ましくは、隣接しあう接続パターン８ｂ〜８ｅは、絶縁層の厚み方向で、図２に示すように、全く対向しないようにすることが理想である。
【００３８】
さらに、上述したように、積層基板１０の内部及び表面に形成されたランド電極７ａ〜７ｆの両端は、積層基板１０の端面から内部側に１００μｍ以上入り込んで配置されている。
【００３９】
まず、厚み方向に配置される接続パターン８ｂ〜８ｅが互いに変位していることとにより、隣接する接続パターン８ｂ〜８ｅの厚み方向に発生する浮遊容量の発生を小さくできる。
【００４０】
これは、特に高周波動作する回路を構成する配線パターンにおいて、その先端部分が同一電位に接続されるものの、その間で容量が同一電位部分から離れれば、離れる程、高周波動作の特性が大きく変動する。
【００４１】
なお、以上の説明では、積層基板１０の表面に形成された接続パターン８ａ、８ｆについては詳述していないが、表面に接続パターン８ａ、８ｆを形成する必要がある場合、図２に示す例のように、接続パターン８ａと８ｂとを、また接続パターン８ｅと８ｆとを交互に形成することが重要となる。
【００４２】
このようにランド電極７ａ〜７ｆが凹部６ａに露出する一部は、導体膜６ｂによって被覆されているため、ランド電極７ａ〜７ｆの積層厚み方向で対向しても、この部分で発生する浮遊容量成分は、高周波特性上、大きな影響はない。
【００４３】
尚、ランド電極７ａ〜７ｆにおける電極幅（凹部６ａから内部に入り込んだ距離）は、不要容量の影響を少なくするため、実質的に１００μｍ以下とすることが重要である。尚、この値以上の電極幅になると、接続部分から離れるようになり、高周波回路において浮遊容量成分が無視できなくなる。
【００４４】
このような多層回路基板の製造方法について説明する。
【００４５】
まず、ガラス−セラミック材料からなる絶縁層１ａ〜１ｅとなるグリーンシートを形成する。具体的には、セラミック粉末、低融点ガラス成分のフリット、有機バインダ、有機溶剤を均質混練したスラリーを、ドクターブレード法によって所定厚みにテープ成形して、所定大きさに切断してシートを作成する。
【００４６】
セラミック粉末は、クリストバライト、石英、コランダム（αアルミナ）、ムライト、コージライトなどの絶縁セラミック材料、ＢａＴｉＯ3、Ｐｂ4Ｆｅ2ＮｂＯ12、ＴｉＯ2などの誘電体セラミック材料、Ｎｉ−Ｚｎフェライト、Ｍｎ−Ｚｎフェライト（広義の意味でセラミックという）などの磁性体セラミック材料などが挙げられ、その平均粒径１．０〜６．０μｍ、好ましくは１．５〜４．０μｍに粉砕したものを用いる。尚、セラミック材料は２種以上混合して用いられてもよい。特に、コランダムを用いた場合、コスト的に有利となる。
【００４７】
低融点ガラス成分のフリットは、焼成処理することによってコージェライト、ムライト、アノーサイト、セルジアン、スピネル、ガーナイト、ウイレマイト、ドロマイト、ペタライトやその置換誘導体の結晶やスピネル構造の結晶相を析出するものであればよく、例えば、Ｂ2Ｏ3、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＺｎＯ、アルカリ土類酸化物を含むガラスフリットが挙げられる。
【００４８】
この様なガラスフリットは、ガラス化範囲が広く、また屈伏点が６００〜８００℃付近にあるため、８５０〜１０５０℃程度の低温焼成に適し、Ａｇ系内部配線パターン２、Ａｇ系表面配線パターン４となる導体膜との焼結挙動が近似している。尚、このガラスフリットの平均粒径は、１．０〜６．０μｍ、１．５〜３．５μｍである。
【００４９】
上述のセラミック材料とガラス材料との構成比率は、８５０〜１０５０℃の比較的低温で焼成するために、セラミック材料が１０〜６０ｗｔ％、好ましくは３０〜５０ｗｔ％であり、ガラス材料が９０〜４０ｗｔ％、好ましくは７０〜５０ｗｔ％である。
【００５０】
有機バインダは、固形分（セラミック粉末、低融点ガラス成分のフリット）との濡れ性も重視する必要があり、比較的低温で且つ短時間の焼成工程で焼失できるように熱分解性に優れたものが好ましく、アクリル酸もしくはメタクリル酸系重合体のようなカルボキシル基、アルコール性水酸基を備えたエチレン性不飽和化合物が好ましい。
【００５１】
溶剤として、有機系溶剤、水系溶剤を用いることができる。例えば、有機溶剤の場合には、２.２.４-トリメチル-１.３-ペンタンジオールモノイソベンチートなどが用いられ、水系溶剤の場合には、水溶性である必要があり、モノマー及びバインダには、親水性の官能基、例えばカルボキシル基が付加されている。
その付加量は酸価で表せば２〜３００であり、好ましくは５〜１００である。付加量が少ない場合は水への溶解性、固定成分の粉末の分散性が悪くなり、多い場合は熱分解性が悪くなるため、付加量は、水への溶解性、分散性、熱分解性を考慮して、上述の範囲で適宜付加される。
【００５２】
次に、絶縁層１ａ〜１ｅとなるグリーンシートには、各層のビアホール導体３の形成位置に対応して、所定径の貫通穴をパンチングによって形成する。また、同時に、積層基板１０の端面に位置する部分に、端子電極６凹部６ａを形成するための貫通穴を形成する。
【００５３】
次に、絶縁層１ａ〜１ｅとなるグリーンシートのビアホール導体３となる貫通穴の内部に、ビアホール導体３となる導体をＡｇ系導電性ペーストの印刷・充填で形成する。さらに、絶縁層１ａ〜１ｅの表面に、内部配線パターン２となる導体、表面配線パターン４となる導体膜をＡｇ系導電性ペーストの印刷で形成する。この内部配線パターン２及び表面配線パターン４となる導体膜を形成するにあたり、端子電極６の凹部６ａとなる貫通穴に接するようにランド電極７ａ〜７ｆとなる導体膜及びこのランド電極７ａ〜７ｅと配線パターン２、４との接続を行う接続パターン８ａ〜８ｅとなる導体膜を、Ａｇ系導電性ペーストの印刷により形成する。尚、このランド電極７ａ〜７ｅとなる導体膜を形成する際、貫通穴の内壁面の一部にも導電性ペーストが塗布されるように、印刷製版を制御する。
【００５４】
ここで、ビアホール導体３、内部配線パターン２、ランド電極７ａ〜７ｅ、接続パターン８ａ〜８ｅとなる導体膜を形成するＡｇ系導電性ペーストは、Ａｇ系（Ａｇ単体、Ａｇ−ＰｄなどのＡｇ合金）粉末、ホウ珪酸系低融点ガラスフリット、エチルセルロースなどの有機バインダー、溶剤を均質混合したものが用いられる。
【００５５】
また、表面配線パターン４となる導体膜を形成するＡｇ系導電性ペーストは、Ａｇ粉末を主成分として、Ｐｔ粉末、低融点ガラスフリット、有機バインダー、溶剤を均質混合したものが用いられる。尚、その他に、Ｖ2Ｏ5粉末を各金属成分に対して０．２〜１．０ｗｔ％の添加すると、積層基板１０との接着強度が向上して望ましい。
次に、絶縁層１ａ〜１ｅとなるグリーンシートを、積層基板１０の積層順に応じて積層一体化する。
【００５６】
次に、未焼成状態の積層基板１０の下部側の表面に、必要応じて、表面配線パターン４となる導体膜、ランド電極７ｆ、接続パターン８ｆを、上述のように導電性ペーストの印刷により形成する。
【００５７】
次に、端子電極６となる貫通穴の内壁面に、導体膜６ｂとなる導体膜を、Ａｇ系材料を主成分とする導電性ペーストでもって印刷・塗布する。
【００５８】
次に、この未焼成状態の積層体を、端子電極６となる貫通穴を跨ぐように分割溝を形成する。
【００５９】
次に、未焼成の積層体を、酸化性雰囲気または大気雰囲気で焼成処理する。焼成処理は脱バインダ過程と焼結過程からなる。
【００６０】
脱バインダ過程は、絶縁層１ａ〜１ｅとなるグリーンシート、内部配線パターン２となる導体膜、ビアホール導体３となる導体、表面配線パターン４となる導体膜、ランド電極７ａ〜７ｆとなる導体膜、接続パターン８ａ〜８ｆとなる導体膜、導体膜６ｂとなる導体膜に含まれる有機成分を焼失するためのものであり、例えば６００℃以下の温度領域で行われる。
【００６１】
また、焼結過程は、ガラス−セラミックのグリーンシートのガラス成分を結晶化させると同時にセラミック粉末の粒界に均一に分散させ、積層体に一定強度を与え、内部配線パターン２となる導体膜、ビアホール導体３となる導体、表面配線パターン４となる導体膜、ランド電極７ａ〜７ｆとなる導体膜、接続パターン８ａ〜８ｆとなる導体膜、導体膜６ｂとなる導体膜の金属粉末、Ａｇ系粉末を、粒成長させることにより、各導体を低抵抗化させ、絶縁層1ａ〜１ｅと一体化させるものである。これは、ピーク温度８５０〜１０５０℃に達するまでに行われる。
【００６２】
この工程で、内部に内部配線パターン２、ビアホール導体３が形成され、且つ表面に表面配線パターン４が形成された積層基板１０が達成されることになる。
【００６３】
その後、必要に応じて、表面配線パターン４に接続する厚膜抵抗膜や所定形状の絶縁保護膜を形成して、さらに、各種電子部品素子５を接合・実装する。各種電子部品素子５によって、その接合構造が相違する。例えば、チップ状電子部品では、表面配線パターン４と半田による接合である。また、ＩＣチップでは、表面配線パターン４との間でＡｌまたはＡｕのボンディング細線を用いたワイヤボンディング接合である。
【００６４】
その後、各積層基板１０に形成した分割溝にそって、分割・切断処理を行う。これにより、図１に示す多層回路基板が達成することになる。尚、ＩＣチップと表面配線パターン４とのボンディング細線を用いた接合は、分割処理の後に行っても構わない。
【００６５】
また、半円形状端子電極６となる貫通穴は、内部配線パターン２となる導体膜、ランド電極７ａ〜７ｆとなる導体膜、接続パターン８ａ〜８ｆとなる導体膜を形成した各グリーンシートに形成し、その後、各積層処理しても構わない。
【００６６】
尚、上述のランド電極７ａ〜７ｆ（総じて単に符号７を付与する）及び接続パターン８ａ〜８ｆ（総じて単に符号８を付与する）の形状は、他の例を図に示す。
【００６７】
図３（ａ）〜（ｅ）の各図において、中央の円は、夫々分割処理により、半円形状端子電極６の凹部６ａとなる貫通穴であり、この貫通穴を通る中心線は分割される線を示す。
【００６８】
そして、点線は、積層厚み方向に隣接するランド電極７及び接続パターン８の形状を示す。
【００６９】
ランド電極７の形状は、図３（ａ）のように、概略Ｃ字状を基調にした形状、図３（ｂ）〜（ｃ）のように、概略三角形状を基調した形状、図３（ｄ）〜（ｅ）のように、概略四角形状を基調とした形状などが例示でる。この場合、各ランド電極７は、貫通穴の内壁面に接しているいるものの、実線でしめす分割線には到達されていない。この間隔は、Ａｇのマイグレーション及び印刷のずれを考慮して、位置ずれが発生していない状態で、少なくとも１００μｍの間隔を有している。
【００７０】
また、接続パターン８は、積層方向で隣接する接続パターン８とが対向していない。これにより、内部配線パターン２に近い側での不要の浮遊容量を低減できることになる。
【００７１】
尚、上述の製造方法では、グリーンシート多層による、表面配線パターン及び端子電極の導体膜を、積層基板と一体的に焼成する旨説明しているが、表面配線パターン及び端子電極の導体膜を、焼成された積層基板に別に焼き付け処理しても構わない。
【００７２】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、８００℃から１０５０℃で焼成可能なガラス−セラミック材料からなる絶縁層を積層した積層基板に、表層配線パターン及び内部配線パターンとなるＡｇ系導体膜を一体的に形成し、積層体基板の端面に、端子電極を設けた多層回路基板である。
【００７３】
そして、ランド電極と内部配線パターンとを接続する接続パターンの形成位置は、積層厚み方向で隣接しあう接続パターンどうしが、交互になっている。即ち、この隣接しあう層間の接続パターンどうしは対向していない。このため、接続パターン間で生じる浮遊容量を有効に抑えることができ、高周波回路を多層基板に形成しても、高周波特性の変動が少ない多層回路基板となる。
【００７４】
また、端子電極を構成するランド電極の両端部が、積層基板の端面から内部に位置されている。このため、基板の端面にランド電極が露出しないため、隣接する端子電極間でＡｇのマイグレーションによる短絡が有効に防止できるため、隣接する端子電極間の間隔を狭くすることができ、もって、小型の多層回路基板が達成できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る多層回路基板の断面図である。
【図２】本発明の多層回路基板における端面部分の斜視図である。
【図３】（a）〜(e)は、ランド電極、接続パターンの形状及び積層方向に隣接する接続パターンとの関係を示す部分平面図である。
【図４】従来の多層回路基板における端面部分の斜視図である。
【符号の説明】
１０  ・・・・・積層基板
１ａ〜１ｅ・・・  絶縁層
２    ・・・・・  内部配線パターン
３    ・・・・・  ビアホール導体
４    ・・・・・  表面配線パターン
５    ・・・・・  電子部品素子
６    ・・・・・  半円形状端子電極
７、７ａ〜７ｆ・・・・・ランド電極
８、８ａ〜８ｆ・・・・・  接続パターン
【図１】
0004493140.tif 000002
【図２】
0004493140.tif 000003
【図３】
0004493140.tif 000004
【図４】
0004493140.tif 000005