(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にゲート電極（３３）及びゲートライン（４１）を形成する段階と、
前記基板の上にゲート絶縁膜（３９）を形成する段階と、
前記ゲート絶縁膜（３９）の上に第１半導体層（４５）を形成する段階と、
前記第１半導体層（４５）の上に第２半導体層（４７）を形成する段階と、
前記第２半導体層（４７）の上にモリブデン（Ｍｏ）またはチタニウム（Ｔｉ）で形成される第１金属層（３６ａ）を形成する段階と、
前記ゲート電極（３３）に対応する領域に、前記第１半導体層（４５）、第２半導体層（４７）及び第１金属層（３６ａ）を同時に同一のパターンにパターンニングする段階と、
前記第１金属層（３６ａ）及びゲート絶縁膜（３９）上にアルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金、銅（Ｃｕ）または銅合金で形成される第２金属層（３６ｂ）を形成する段階と、
前記第２金属層（３６ｂ）を湿式蝕刻によってパターンニングして、前記ゲート電極（３３）に対応する領域に所定の間隔に離隔されるソース電極（３５）及びドレイン電極（３７）を形成し、前記ゲートライン（４１）に対応する領域にストレージ電極（５５）を形成する段階と、
前記第１金属層（３６ａ）と前記第２半導体層（４７）を、前記第１半導体層（４５）の一部が露出されるように、前記第２金属層をマスクとして利用して、前記湿式蝕刻と同一のパターンに乾式蝕刻によってパターンニングする段階と、
前記ソース電極（３５）、ドレイン電極（３７）及びストレージ電極（５５）を囲むように、保護層（５１）を形成する段階であって、前記保護層（５１）は、前記ドレイン電極（３７）の表面の一部とストレージ電極（５５）の表面の一部が露出するようにパターニングされる、段階と、
前記保護層（５１）の上に画素電極（５３）を形成する段階であって、前記画素電極（５３）は、前記露出したドレイン電極（３７）の表面の一部とストレージ電極（５５）の表面の一部とに電気的に接続される、段階と
を含むことを特徴とする２層構造のソース電極及びドレイン電極並びにストレージ電極を有する液晶表示素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は液晶表示素子に関するもので、特に画質を向上させることができる２層構造のソース電極及びドレイン電極を有する液晶表示素子及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
通常の液晶表示素子は電界を利用して液晶の光透過率を調節することで画像を表示する。このために、液晶表示素子は液晶セルなどがマトリックス形態で配列された液晶パネルと、液晶パネルを駆動するための駆動回路とを具備する。液晶パネルには液晶セルなどそれぞれに電界を印加するための画素電極などと共通電極が設けられる。通常、画素電極は下部基板上に液晶セル別に形成される反面、共通電極は上部基板の全面に一体化されて形成される。画素電極などそれぞれはスイッチ素子として使用される薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：以下、″ＴＦＴ″という）に接続される。画素電極は薄膜トランジスタを通して供給されるデータ信号により共通電極と共に液晶セルを駆動する。
【０００３】
図１及び図２を参照すると、液晶表示素子の下部基板（１）は、データライン（１３）とゲートライン（１１）の交差部に位置するＴＦＴ（Ｔ）と、ＴＦＴ（Ｔ）のドレイン電極（７）に接続される画素電極（２３）と、画素電極（２３）と以前段のゲートライン（１１）との重畳部分に位置するストレージ・キャパシティ（Ｓ）とを具備する。
【０００４】
ＴＦＴ（Ｔ）は、ゲートライン（１１）に接続されたゲート電極（３）、データライン（１３）に接続されたソース電極（５）及びドレイン接触ホール（１９ａ）を通して画素電極（２３）に接続されたドレイン電極（７）とを具備する。また、ＴＦＴ（Ｔ）はゲート電極（３）に供給されるゲート電圧によりソース電極（５）及びドレイン電極（７）間にチャンネルを形成するための半導体層（１５、１７）とを更に具備する。このようなＴＦＴ（Ｔ）はゲートライン（１１）からのゲート信号に応答してデータライン（１３）からのデータ信号を選択的に画素電極（２３）に供給する。
【０００５】
画素電極（２３）は、データライン（１３）とゲートライン（１１）により分割されたセル領域に位置して光透過率が高い透明電導性物質からなる。この画素電極（２３）は、ドレイン接触ホール（１９ａ）を経由して供給されるデータ信号により上部基板（図示しない）に形成される共通電極（図示しない）と電位差を発生させるようになる。この電位差により下部基板（１）と上部基板（図示しない）の間に位置する液晶は誘電率異方性により回転するようになる。これにより、光源から画素電極（２３）を経由して供給される光が上部基板側に透過されるようにする。
【０００６】
ストレージ・キャパシティ（Ｓ）は以前段ゲートライン（１１）にゲートハイ電圧が印加される期間に電圧を充電して、画素電極（２３）にデータ信号が供給される期間に充電された電圧を放電して画素電極（２３）の電圧変動を防止する役割をする。このようなストレージ・キャパシティ（Ｓ）はゲートライン（１１）と、ゲート絶縁膜（９）を間に置いてそのゲートライン（１１）と重畳的に形成された保護膜（２１）に形成されたストレージ接触ホール（１９ｂ）を通して、画素電極（２３）と電気的に接続されるストレージ電極（２５）により形成されている。
【０００７】
このような構成を有する液晶表示素子の下部基板（１）の製造方法を見ると次のようである。
【０００８】
先に、下部基板（１）上にゲート金属層を蒸着した後、パターンニングすることで図３Ａに図示されたようにゲートライン（１１）とゲート電極（３）が形成される。ゲートライン（１１）及びゲート電極（３）を囲むように下部基板（１）上に絶縁膜（９）が形成される。ゲート絶縁膜（９）上に第１及び第２半導体物質を順次的に蒸着した後にパターンニングすることで活性層（１５）とオーミック接触層（１７）が形成される。続いて、ゲート絶縁膜（９）上にデータ金属層を蒸着した後にパターンニングすることで図３Ｃに図示されたようにストレージ電極（２５）、ソース電極（５）及びドレイン電極（７）が形成される。その次に、ゲート絶縁膜（９）上に保護膜（２１）を形成した後にパターンニングすることで図３Ｄに図示されたようにドレイン電極（７）及びストレージ電極（２５）が露出されるようにドレイン接触ホール（１９ａ）及びストレージ接触ホール（１９ｂ）が形成される。以後、保護膜（２１）上に透明電導性物質を蒸着した後にパターンニングすることで図３Ｅに図示したようにドレイン電極（７）及びストレージ電極（２５）と電気的に接続される画素電極（２３）が形成される。
【０００９】
このような液晶表示素子の下部基板（１）上に形成されるソース電極（５）及びドレイン電極（７）はデータ金属層であるクロム（Ｃｒ）またはモリブデン（Ｍｏ）などを利用して断層に形成される。このようなデータ金属層は液晶表示素子が高精細化されていくほど図４Ａに図示されたように２層構造である第１及び第２金属層（６ａ、６ｂ）に形成される。この中、第１金属層（６ａ）はモリブデン（Ｍｏ）またはチタニウム（Ｔｉ）で形成されて、第２金属層（６ｂ）はアルミニウム（Ａｌ）またはアルミニウム合金で形成される。この２層構造のデータ金属層を湿式蝕刻でパターンニングの際、データ金属層がフォトレジストパターン（２７）より所定領域（Ｄ１）程度過蝕刻される場合がある。このフォトレジストパターン（２７）を利用してゲート電極（３）と対応する部分のオーミック接触層（１７）を乾式蝕刻にパターンニングすると、図４Ｂに図示されたように活性層（１５）が露出される。これにより、過蝕刻されるデータ金属層によりゲート金属層とデータ金属層の間の寄生容量（Ｃｇｄ）にＤ２程度の偏差が発生するようになり均一な画質が得られにくい問題点がある。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
従って、本発明の目的は、画質を向上させることができる２層構造のソース電極及びドレイン電極を有する液晶表示素子及びその製造方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するために、本発明による２層構造のソース電極及びドレイン電極を有する液晶表示装置は、基板上に形成されるゲート電極と、前記基板の上部に形成される第１半導体層と、前記第１半導体層の上部に所定の間隔に離隔されるように形成されて、同一のパターンの第１及び第２金属層に形成されるソース及びドレイン電極とを具備する。
【００１２】
前記基板と第１半導体層の間の前記ゲート電極を覆うように形成されるゲート絶縁膜と、前記第１半導体層と第１金属層の間に形成されて、前記第１及び第２金属層と同一のパターンに所定間隔に離隔されるように形成される第２半導体層と、前記ソース及びドレイン電極を覆うように形成される保護層と、前記保護層の上に形成される画素電極を更に具備することを特徴とする。
【００１３】
前記第１金属層はモリブデン（Ｍｏ）またはチタニウム（Ｔｉ）などで形成されることを特徴とする。
【００１４】
前記データ金属層はアルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金、銅（Ｃｕ）または銅合金で形成されることを特徴とする。
【００１５】
前記目的を達成するために、本発明による２層構造のソース電極及びドレイン電極を有する液晶表示素子は基板上に形成されるゲート電極と、前記ゲート電極の上部に形成される第１半導体層と、前記第１半導体層の上に所定間隔に離隔されるように形成されて、第１及び第２金属層に形成されるソース及びドレイン電極と、前記第１金属層の下部に前記第１金属層と同一のパターンに形成される第２半導体層とを具備する。
【００１６】
前記ゲート電極を覆うように形成されるゲート絶縁膜と、前記ソース及びドレイン電極を覆うように形成される保護層と、前記保護層の上に形成される画素電極を更に具備することを特徴とする。
【００１７】
前記第１金属層はモリブデン（Ｍｏ）またはチタニウム（Ｔｉ）などで形成されることを特徴とする。
【００１８】
前記第２金属層はアルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金、銅（Ｃｕ）または銅合金で形成されることを特徴とする。
【００１９】
前記目的を達成するために、本発明による２層構造のソース電極及びドレイン電極を有する液晶表示素子の製造方法は、基板上にゲート電極を形成する段階と、前記基板の上にゲート絶縁膜を形成する段階と、前記ゲート絶縁膜の上に第１半導体層を形成する段階と、前記第１半導体層の上に第１金属層と、前記第１金属層の上に第２金属層を形成する段階と、前記第１金属層と第２金属層をパターンニングして所定の間隔に離隔されるソース及びドレイン電極を形成する段階と、前記第１金属層と前記第１半導体層を同一のパターンにパターンニングする段階を含む。
【００２０】
前記ゲート絶縁膜と第１半導体層の間に第２半導体層を形成して、前記ゲート電極と対応する領域の第２半導体層の一部が露出されるように前記第１半導体層をパターンニングする段階と、前記ソース及びドレイン電極の上に保護層を形成する段階と、前記保護層の上に画素電極を形成する段階を含むことを特徴とする。
【００２１】
前記第１半導体層と第１金属層は乾式蝕刻にパターンニングして形成されることを特徴とする。
【００２２】
前記ソース及びドレイン電極は第２金属層を湿式蝕刻でパターンニングして形成されて、前記第１半導体層と前記第１金属層は湿式蝕刻の際に利用されたマスクを利用して乾式蝕刻でパターンニングして形成されることを特徴とする。
【００２３】
前記第１半導体層と前記第１金属層は前記第２金属層をマスクで利用してパターンニングすることを特徴とする。
【００２４】
前記第１金属層はモリブデン（Ｍｏ）またはチタニウム（Ｔｉ）などで形成されることを特徴とする。
【００２５】
前記第２金属層はアルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金、銅（Ｃｕ）または銅合金で形成されることを特徴とする。
【００２６】
前記目的を達成するために、本発明による２層構造のソース電極及びドレイン電極を有する液晶表示素子の製造方法は基板上にゲート電極を形成する段階と、前記基板の上にゲート絶縁膜を形成する段階と、前記ゲート絶縁膜の上に第１半導体層を形成する段階と、前記第１半導体層の上に第１金属層と、第１金属層の上に第２金属層を形成する段階と、所定間隔を間に置いて同一のパターンに形成されるように第１及び第２金属層をパターンニングしてソース及びドレイン電極を形成する段階を含む。
【００２７】
前記ソース及びドレイン電極を形成する段階は前記第２金属層を湿式蝕刻した後、前記第１金属層を乾式蝕刻することを特徴とする。
【００２８】
前記ゲート絶縁膜と第１半導体層の間に第２半導体層を形成する段階と、前記ゲート絶縁膜の上に保護層を形成する段階と、前記保護層の上に画素電極を形成する段階を含むことを特徴とする。
【００２９】
前記第１金属層はモリブデン（Ｍｏ）またはチタニウム（Ｔｉ）などで形成されることを特徴とする。
【００３０】
前記第２金属層はアルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金、銅（Ｃｕ）または銅合金で形成されることを特徴とする。
【００３１】
【作用】
本発明による液晶表示素子及びその製造方法は基板上に形成されるゲート電極と、基板上部に形成される第１半導体層と、第１半導体層の上部に所定間隔に離隔されるように形成されて、同一のパターンの第１及び第２金属層に形成されるソース及びドレイン電極とを具備する。これにより、ＴＦＴの寄生容量の分布が均一になり、フリッカ及びクロストークが減少されて均一な画質が得られる。
【００３２】
【発明の実施態様】
以下、本発明の実施例を添付した図５乃至図８を参照して詳細に説明する。
【００３３】
図５は本発明の第１実施例による液晶表示素子の下部基板（５１）を図示した断面図として、特に薄膜トランジスタ（ＴＰ）とストレージ・キャパシティ（ＳＰ）を図示したものである。
【００３４】
薄膜トランジスタ（ＴＰ）はゲート電極（３３）とゲート電極（３３）とゲート絶縁膜（３９）を間に置いて積層された活性層（４５）及びオーミック接触層（４７）と、オーミック接触層（４７）と同一のパターンに形成されるバッファ金属層（３６ａ）と、バッファ金属層（３６ａ）上に分離されて形成されるデータ金属層（３６ｂ）となったソース電極（３５）及びドレイン電極（３７）で構成される。
【００３５】
ソース及びドレイン電極（３５、３７）のそれぞれはバッファ金属層（３６ａ１、３６ａ２）の上に分離されて形成されるデータ金属層（３６ｂ１、３６ｂ２）を含む。
【００３６】
バッファ金属層（３６ａ１、３６ａ２）はオーミック接触層（４７）と同一のパターンに形成される。データ金属層（３６ｂ１、３６ｂ２）はゲート絶縁膜（３９）と各バッファ金属層（３６ａ１、３６ａ２）の上に形成される。バッファ金属層（３６ａ１、３６ａ２）はモリブデン（Ｍｏ）またはチタニウム（Ｔｉ）などで形成されて、データ金属層（３６ｂ１、３６ｂ２）はアルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金、銅（Ｃｕ）または銅合金で形成される。
【００３７】
このような薄膜トランジスタ（ＴＰ）を保護するための保護層（５１）が形成される。この保護層（５１）上には保護層（５１）を貫通するドレイン接触ホール（４９ａ）を通してドレイン電極（３７）と接触する画素電極（５３）が形成される。
【００３８】
画素電極（５３）はドレイン接触ホール（４９ａ）を経由して供給されるデータ信号により上部基板（図示しない）に形成される共通電極（図示しない）と電位差を発生させるようになる。この電位差により下部基板（３１）と上部基板（図示しない）の間に位置する液晶は誘電率異方性により回転するようになる。これにより、光源から画素電極（５３）を経由して供給される光が上部基板側に透過されるようにする。
【００３９】
ストレージ・キャパシティ部（ＳＰ）は以前段ゲートライン（４１）にゲートハイ電圧が印加される期間に電圧を充電して、画素電極（５３）にデータ信号が供給される期間に充電された電圧を放電して画素電極（５３）の電圧変動を防止する役割をするようになる。
【００４０】
ストレージ・キャパシティ部（ＳＰ）はゲートライン（４１）と、ゲート絶縁膜（３９）を間に置いてそのゲートライン（４１）と重畳されるストレージ電極（５５）により形成される。ストレージ電極（５５）はデータ金属層（３６ｂ）に形成される。このストレージ電極（５５）は保護膜（５１）を貫通するストレージ接触ホール（４９ｂ）を通して画素電極（５３）と電気的に接続される。
【００４１】
図６Ａ乃至図６Ｅは図５に図示された液晶表示素子の下部基板（３１）の製造方法を段階的に図示したものである。
【００４２】
図６Ａを参照すると、下部基板（３１）上にゲートライン（４１）及びゲート電極（３３）が形成される。
【００４３】
ゲートライン（４１）及びゲート電極（３３）はスパッタリング（sputtering）などの蒸着方法にアルミニウム（Ａｌ）または銅（Ｃｕ）などを蒸着した後にパターンニングすることで形成される。
【００４４】
図６Ｂを参照すると、ゲート絶縁膜（３９）上に活性層（４５）、オーミック接触層（４７）及びバッファ金属層（３６ａ）が形成される。
【００４５】
ゲート絶縁膜（３９）はゲートライン（４１）及びゲート電極（３３）を囲むように下部基板（３１）上に絶縁物質をＰＥＣＶＤ（Plasma  Enhanced  Chemical  Vapor  Deposition）方式に全面蒸着して形成される。活性層（４５）、オーミック接触層（４７）及びバッファ金属層（３６ａ）はゲート絶縁膜（３９）上に第１及び第２半導体層とバッファ金属を蒸着した後に同時に同一のパターンにパターンニングして形成される。
【００４６】
ゲート絶縁膜（３９）は窒化シリコン（ＳｉＮｘ）または酸化シリコン（ＳｉＯｘ）などの絶縁物質に形成される。活性層（４５）は第１半導体層である不純物がドーピングされない非晶質シリコンに形成される。オーミック接触層（４７）は第２半導体層であるＮ型またはＰ型の不純物がドーピングされた非晶質シリコンに形成される。バッファ金属層（３６ａ）はバッファ金属であるモリブデン（Ｍｏ）またはチタニウム（Ｔｉ）などで形成される。
【００４７】
図６Ｃを参照すると、ゲート絶縁膜（３９）上にストレージ電極（５５）、データ金属層（３６ｂ１、３６ｂ２）のソース電極（３５）及びドレイン電極（３７）が形成される。
【００４８】
ストレージ電極（５５）、ソース電極（３５）及びドレイン電極（３７）を形成するデータ金属層（３６ｂ１、３６ｂ２）はＣＶＤ方法またはスパッタリング（sputtering）方法で蒸着される。以後、湿式蝕刻を利用してソース及びドレイン電極（３５、３７）のデータ金属層（３６ｂ１、３６ｂ２）をパターンニングして分離領域を形成する。パターンニングの際に分離領域がゲート電極（３３）と対応される領域に形成されるようにする。分離領域の間のゲート電極（３３）と対応するバッファ金属層（３６ａ１、３６ａ２）とオーミック接触層（４７）を活性層（４５）が露出されるように乾式蝕刻を利用してパターンニングする。乾式蝕刻はデータ金属層（３６ｂ、３６ｂ２）の湿式蝕刻の際に使用されたマスクまたはデータ金属層をマスクに利用して実行する。活性層（４５）でソース及びドレイン電極（３５、３７）の間のゲート電極（３３）と対応する部分はチャンネルになる。
【００４９】
ストレージ電極（５５）、ソース電極（３５）及びドレイン電極（３７）はアルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金、銅（Ｃｕ）または銅合金などで形成される。
【００５０】
図６Ｄを参照すると、ゲート絶縁膜（３９）上に保護層（５１）が形成される。
【００５１】
保護層（５１）はストレージ電極（５５）、ソース電極（３５）及びドレイン電極（３７）を囲むようにゲート絶縁膜（３９）上に蒸着した後にパターンニングすることで形成される。保護層（５１）を貫通してドレイン電極（３７）とストレージ電極（５５）の表面が一部露出されるようにドレイン接触ホール（４９ａ）とストレージ接触ホール（４９ｂ）が形成される。
【００５２】
保護層（５１）は窒化シリコン（ＳｉＮｘ）または酸化シリコン（ＳｉＯｘ）などの無機絶縁物質またはアクリル系（acryl）有機化合物、ＢＣＢ（benzocyclobutene）、フルオロ樹脂（fluoro resin）またはＰＦＣＢ（perfiuorocyclobutane）などの有機絶縁物で形成される。
【００５３】
図６Ｅを参照すると、保護層（５１）上に画素電極（５３）が形成される。
【００５４】
画素電極（５３）は保護層（５１）上に透明電導性物質を蒸着した後にパターンニングすることで形成される。
【００５５】
画素電極（５３）はドレイン接触ホール（４９ａ）を通してドレイン電極（３７）と電気的に接触されて、ストレージ接触ホール（４９ｂ）を通してストレージ電極（５５）と電気的に接続される。
【００５６】
画素電極（５３）は透明電導性物質であるインジウム−スズ−オキサイド（Indium−Tin−Oxide：以下″ＩＴＯ″という）、インジウム−亜鉛−オキサイド（Indium−Zinc−Oxide：以下″ＩＺＯ″という）、またはインジウム−スズ−亜鉛−オキサイド（Indium−Tin−Zinc−Oxide：以下″ＩＴＺＯ″という）の中のいずれか一つに形成される。
【００５７】
上述したように、ソース及びドレイン電極（３５、３７）はデータ金属層（３６ｂ１、３６ｂ２）を湿式蝕刻を利用してパターンニングすることにより形成される。その後、ゲート電極（３３）と対応される領域のオーミック接触層（４７）とバッファ金属層（３６ａ１、３６ａ２）は乾式蝕刻を利用することで形成される。結局、従来の湿式蝕刻だけでパターンニングすることで発生される過蝕刻を防ぐことができる。これはＴＦＴのゲート端子とドレイン端子の寄生容量（Cgd）の位相偏差を防ぐことができる。
【００５８】
図７は本発明の第２実施例による液晶表示素子の下部基板を図示した断面図として、特に薄膜トランジスタ（ＴＰ）とストレージ・キャパシティ部（ＳＰ）を図示したものである。
【００５９】
図７に図示された液晶表示素子は図５に図示された液晶表示素子と比較してストリッジ（５５）が２層構造で形成されて、ソース及びドレイン電極（３５、３７）が２層の相互に異なる金属層を同一パターンに形成されることを除いては同一の構成要素を有する。この構造は、データ金属層を湿式蝕刻でパターンニングした後、データ金属層（３６ｂ）をマスクとしてバッファ金属層（３６ａ）とオーミック接触層（４７）を乾式蝕刻でパターンニングすることを除いては同一の要素を有する。
【００６０】
即ち、ソース及びドレイン電極（３５、３７）をなすデータ金属層（３６ｂ１、３６ｂ２）とバッファ金属層（３６ａ１、３６ａ２）は同一のパターンで形成される。また、チャンネル領域でデータ金属層（３６ｂ１、３６ｂ２）とバッファ金属層（３６ａ１、３６ａ２）の一番縁側の領域（ａ、ｂ）は同一の長さを有するようになる。それだけではなく、データ金属層（３６ｂ１、３６ｂ２）とバッファ金属層（３６ａ１、３６ａ２）は活性層（４５）より幅が相対的に伸張されて形成される。
【００６１】
図８Ａ乃至図８Ｆは図７に図示された液晶表示素子の下部基板（３１）の製造方法を段階的に図示したものである。
【００６２】
図８Ａを参照すると、下部基板（３１）上にゲートライン（４１）及びゲート電極（３３）が形成される。
【００６３】
ゲートライン（４１）及びゲート電極（３３）はスパッタリング（sputtering）などの蒸着方法にアルミニウム（Ａｌ）または銅（Ｃｕ）などを蒸着した後にパターンニングすることで形成される。
【００６４】
図８Ｂを参照すると、ゲート絶縁膜（３９）上に活性層（４５）、オーミック接触層（４７）が形成される。
【００６５】
ゲート絶縁膜（３９）はゲートライン（４１）及びゲート電極（３３）を囲むように下部基板（３１）上に絶縁物質をＰＥＣＶＤ（Plasma  Enhanced  Chemical  Vapor  Deposition）方式で全面蒸着して形成される。活性層（４５）、オーミック接触層（４７）はゲート絶縁膜（３９）上に第１及び第２半導体層とバッファ金属を蒸着した後にパターンにパターンニングして形成される。
【００６６】
ゲート絶縁膜（３９）は窒化シリコン（ＳｉＮｘ）または酸化シリコン（ＳｉＯｘ）などの絶縁物質で形成される。活性層（４５）は第１半導体層である不純物がドーピングされない非晶質シリコンに形成される。オーミック接触層（４７）は第２半導体層であるＮ型またはＰ型の不純物がドーピングされた非晶質シリコンに形成される。バッファ金属層（３６ａ）はバッファ金属である
モリブデン（Ｍｏ）またはチタニウム（Ｔｉ）などで形成される。
【００６７】
図８Ｃを参照すると、ゲート絶縁膜（３９）の上にバッファ金属物質（３６ａ）及びデータ金属物質を順次的に全面蒸着する。ここで、バッファ金属層（３６ａ）はモリブデン（Ｍｏ）またはチタニウム（Ｔｉ）などで形成される。データ金属物質はアルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金、銅（Ｃｕ）または層合金で形成される。以後、データ金属物質を湿式蝕刻を利用してパターンニングすることでデータ金属層（３６ｂ１、３６ｂ２、３６ｂ３）が形成される。
【００６８】
図８Ｄを参照すると、ゲート絶縁膜（３９）の上にストレージ電極（５５）、ソース電極（３５）及びドレイン電極（３７）が形成される。
【００６９】
ストレージ電極（５５）、ソース電極（３５）及びドレイン電極（３７）はデータ金属層（３６ｂ１、３６ｂ２、３６ｂ３）と、データ金属層（３６ｂ１、３６ｂ２、３６ｂ３）をマスクにして乾式蝕刻にパターンニングされるバッファ金属層（３６ａ１、３６ａ２、３６ａ３）に形成される。この際、データ金属層（３６ｂ１、３６ｂ２、３６ｂ３）とバッファ金属層（３６ａ１、３６ａ２、３６ａ３）は同一のパターンに形成されて、ゲート電極（３３）と対応される部分のオーミック接触層（４７）も乾式蝕刻にパターンニングされることにより活性層（４５）が露出される。活性層（４５）でソース及びドレイン電極（３５、３７）の間のゲート電極（３３）と対応する部分はチャンネルになる。
【００７０】
図８Ｅを参照すると、ゲート絶縁膜（３９）上に保護層（５１）が形成される。
【００７１】
保護層（５１）はストレージ電極（５５）、ソース電極（３５）及びドレイン電極（３７）を囲むようにゲート絶縁膜（３９）上に蒸着した後にパターンニングすることで形成される。保護層（５１）を貫通してドレイン電極（３７）とストレージ電極（５５）の表面が一部露出されるようにドレイン接触ホール（４９ａ）とストレージ接触ホール（４９ｂ）が形成される。
【００７２】
保護層（５１）は窒化シリコン（ＳｉＮｘ）または酸化シリコン（ＳｉＯｘ）などの無機絶縁物質またはアクリル系（acryl）有機化合物、テフロン（Teflon）、ＢＣＢ（benzocyclobutene）、フロオル樹脂（fluoro resin）またはＰＦＣＢ（perfiuorocyclobutane）などの有機絶縁物で形成される。
【００７３】
図６Ｆを参照すると、保護層（５１）上に画素電極（５３）が形成される。
【００７４】
画素電極（５３）は保護層（５１）上に透明電導性物質を蒸着した後にパターンニングすることで形成される。
【００７５】
画素電極（５３）はドレイン接触ホール（４９ａ）を通してドレイン電極（３７）と電気的に接触されて、ストレージ接触ホール（４９ｂ）を通してストレージ電極（５５）と電気的に接続される。
【００７６】
画素電極（５３）は透明電導性物質であるＩＴＯ、ＩＺＯまたはＩＴＺＯに形成される。
【００７７】
上述したように、本発明による液晶表示素子及びその製造方法はソース及びドレイン電極（３５、３７）をバッファ金属層（３６ａ１、３６ａ２）とデータ金属層（３６ｂ１、３６ｂ２）で形成する。本発明による液晶表示装置及びその製造方法はデータ金属層（３６ｂ１、３６ｂ２）を湿式蝕刻でパターンニングした後、バッファ金属層（３６ａ１、３６ａ２）とオーミック接触層（４７）を湿式蝕刻際に使用したマスクで乾式蝕刻してパターンニングすることでソース電及びドレイン電極（３５、３７）を形成する。これにより、バッファ金属層（３６ａ１、３６ａ２）はデータ金属層（３６ｂ１、３６ｂ２）と同一のパターンに形成されて、ゲート電極（３３）と対応される領域のオーミック接触層（４７）は活性層（４５）が露出されるように乾式蝕刻にパターンニングされる。結局、従来の湿式蝕刻だけでパターンニングすることにより発生する過蝕刻を防ぐことができる。
【００７８】
【発明の効果】
上述したように、本発明による液晶表示素子及びその製造方法は、２層構造のソース電極及びドレイン電極のパターンニングの際に第２金属層を湿式蝕刻にパターンニングした後に第１金属層とオーミック接触層を乾式蝕刻する。
【００７９】
従って、本発明による液晶表示素子及びその製造方法はＴＦＴの寄生容量の分布が均一になる。これによりプリッカ及びクロストークが減少されて均一な画質が得られる。
【００８０】
以上説明した内容を通して当業者であれば本発明の技術思想を逸脱しない範囲で多様な変更及び修正の可能であることが分かる。従って、本発明の技術的な範囲は明細書の詳細な説明に記載された内容に限らず特許請求の範囲によって定めなければならない。
【図面の簡単な説明】
【図１】  従来の技術による液晶表示素子の下部基板を表す平面図である。
【図２】図１で線Ａ−Ａ′により切り取った液晶表示素子の下部基板を表した断面図である。
【図３Ａ】図２に図示された液晶表示素子の下部基板の製造方法を表した断面図である。
【図３Ｂ】図２に図示された液晶表示素子の下部基板の製造方法を表した断面図である。
【図３Ｃ】図２に図示された液晶表示素子の下部基板の製造方法を表した断面図である。
【図３Ｄ】図２に図示された液晶表示素子の下部基板の製造方法を表した断面図である。
【図３Ｅ】図２に図示された液晶表示素子の下部基板の製造方法を表した断面図である。
【図４Ａ】ソース及びドレイン電極の形成過程を表した断面図である。
【図４Ｂ】ソース及びドレイン電極の形成過程を表した断面図である。
【図５】本発明の第１実施例による液晶表示素子の下部基板を表した断面図である。
【図６Ａ】図２に図示された液晶表示素子の下部基板の製造方法を表した断面図である。
【図６Ｂ】図２に図示された液晶表示素子の下部基板の製造方法を表した断面図である。
【図６Ｃ】図２に図示された液晶表示素子の下部基板の製造方法を表した断面図である。
【図６Ｄ】図２に図示された液晶表示素子の下部基板の製造方法を表した断面図である。
【図６Ｅ】図２に図示された液晶表示素子の下部基板の製造方法を表した断面図である。
【図７】本発明の第２実施例による液晶表示素子の下部基板を表した断面図である。
【図８Ａ】図７に図示された液晶表示素子の下部基板の製造方法を表した断面図である。
【図８Ｂ】図７に図示された液晶表示素子の下部基板の製造方法を表した断面図である。
【図８Ｃ】図７に図示された液晶表示素子の下部基板の製造方法を表した断面図である。
【図８Ｄ】図７に図示された液晶表示素子の下部基板の製造方法を表した断面図である。
【図８Ｅ】図７に図示された液晶表示素子の下部基板の製造方法を表した断面図である。
【図８Ｆ】図７に図示された液晶表示素子の下部基板の製造方法を表した断面図である。
【符号の説明】
１、３１：下部基板
３、３３：ゲート電極
５、３５：ソース電極
６ａ：第１金属層
６ｂ：第２金属層
７、３７：ドレイン電極
９、３９：ゲート絶縁膜
１１、４１：ゲートライン
１３、４３：データライン
１５、４５：活性層
１７、４７：オーミック接触層
１９ａ：ドレイン接触ホール
１９ｂ：ストレージ接触ホール
２１：保護膜
２３、５３：画素電極
２５、５５：ストレージ電極
３６ａ：バッファ金属層
３６ｂ：データ金属層
４９ａ：ドレイン接触ホール
５１：保護層
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
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【図３Ｅ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図６Ｄ】
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【図６Ｅ】
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【図７】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図８Ｃ】
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【図８Ｄ】
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【図８Ｅ】
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【図８Ｆ】
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