(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｐ型炭化珪素からなる半導体の表面に形成されたｐ型珪素層と、該ｐ型珪素層の表面に形成された金属珪化物層と、を有するオーミック電極である炭化珪素半導体用電極の製造方法であって、上記ｐ型珪素層及び上記金属珪化物層の少なくとも該金属珪化物層をレーザアブレーション法により形成し、
上記金属珪化物層をレーザアブレーション法により形成した後、レーザ照射及び熱処理の少なくとも一方を行うことを特徴とする炭化珪素半導体用電極の製造方法。
【請求項２】
上記金属珪化物層をレーザアブレーション法により形成した後、レーザ照射及び熱処理の少なくとも一方を行い、次いで、該金属珪化物層の表面にレーザアブレーション法により更に金属珪化物を堆積する請求項１記載の炭化珪素半導体用電極の製造方法。
【請求項３】
上記ｐ型珪素層が、上記ｐ型炭化珪素と同程度若しくはそれ以上のキャリア濃度を有するｐ型珪素からなる請求項１又は２に記載の炭化珪素半導体用電極の製造方法。
【請求項４】
上記金属珪化物層が、白金族元素、ＩＶａ族元素、Ｖａ族元素、ＶＩａ族元素及びＶＩＩＩ族元素から選ばれる少なくとも１種の金属元素を含む請求項１乃至３のいずれか１項に記載の炭化珪素半導体用電極の製造方法。
【請求項５】
ｐ型炭化珪素からなる半導体の表面に形成されたｐ型珪素層と、該ｐ型珪素層の表面に形成された金属珪化物層と、を有するオーミック電極である炭化珪素半導体用電極を備える炭化珪素半導体素子の製造方法であって、
上記ｐ型珪素層及び上記金属珪化物層の少なくとも該金属珪化物層をレーザアブレーション法により形成し、
上記金属珪化物層をレーザアブレーション法により形成した後、レーザ照射及び熱処理の少なくとも一方を行うことを特徴とする炭化珪素半導体素子の製造方法。
【請求項６】
上記金属珪化物層をレーザアブレーション法により形成した後、レーザ照射及び熱処理の少なくとも一方を行い、次いで、該金属珪化物層の表面にレーザアブレーション法により更に金属珪化物を堆積する請求項５記載の炭化珪素半導体素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高温環境においても安定に動作可能な炭化珪素半導体用電極、より具体的にはｐ型炭化珪素半導体用オーミック電極の製造方法、及び炭化珪素半導体用電極を備える炭化珪素半導体素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
炭化珪素（ＳｉＣ）は、バンドギャップが２．３〜３ｅＶ程度（３Ｃ−ＳｉＣでは２．２３ｅＶ、６Ｈ−ＳｉＣでは３．０３ｅＶ、４Ｈ−ＳｉＣでは３．２６ｅＶである。但し、Ｃは立方晶（ｃｕｂｉｃ）を、Ｈは六方晶（ｈｅｘａｇｏｎａ１）を表わす。尚、Ｃ及びＨに付された３、４、６といった数値は、結晶構造の繰り返し周期を表わす。）と大きい。そのため、６００℃前後の高温においても半導体特性が維持され、高温環境でも動作可能な半導体素子への応用が期待されている。
【０００３】
このようなＳｉＣを用いた耐熱性を有する半導体素子を作製するうえで、重要なのはｎ及びｐ両型における安定なオーミック電極の形成である。この電極の形成について、例えば、特開平８−１３９０５１号公報には、炭化珪素結晶からなる基板表面に形成した金属を炭化し、熱処理することによってオーミック電極を形成する方法が開示されている。
【０００４】
また、Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣ  ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ（Ｖｏｌ．２９，Ｎｏ．３，３９１−３９７，２０００）には、ｐ型ＳｉＣ層にｐ−Ｓｉ／Ｔａを堆積し、１１００℃で５分、Ｈ2−Ａｒガス雰囲気において熱処理することにより、ＴａがＳｉと反応してＴａＳｉ2になり、界面付近にＳｉを多く含むｐ型ＳｉＣが生じ、オーミック電極が形成されたという実験結果が報告されている。
【０００５】
更に、ＡＰＰＬＩＥＤ  ＰＨＹＳＩＣＳ  ＬＥＴＴＥＲＳ（Ｖｏｌ．７３，Ｎｏ．１４，２００９−２０１１，１９９８）には、ｐ型４Ｈ−ＳｉＣ層にＳｉ／Ｐｔを堆積し、１０００℃以上の温度で熱処理することによってオーミック電極を形成した実験結果が記載されている。そして、１１００℃で熱処理することにより、ＰｔとＳｉＣが反応してＰｔとＳｉとＣの混合層が生成していることが、オージェ電子分光法により確認され、また、その混合層は表面荒れを生じていたことが報告されている。
【０００６】
このようなオーミック電極の形成において、ｎ型結晶の場合は、ｎ型半導体より仕事関数が小さい金属等を選択すれば、オーム性の接合を有するオーミック電極を形成することができる。この金属等としては、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ、ＮｉＳｉｘ（珪化ニッケル）、ＴａＳｉｘ（珪化タンタル）及びＷＳｉｘ（珪化タングステン）等の金属単体、合金、化合物の他、これらの混合物などを使用することができる。これらはいずれも融点が高く、耐熱性に優れており、６００℃程度の高温環境においても安定して使用し得ることが知られている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
一方、ｐ型結晶においては、ｐ型半導体より仕事関数が大きい金属等を選択すれば、オーム性の接合を有するオーミック電極を形成することができるが、そのような金属等はこれまで知られていない。そのため、Ａｌの他、Ｔｉ／Ａｌ（ここで、「Ｔｉ／Ａｌ」とは、半導体の表面からＴｉ、Ａ１がこの順に積層された電極であることを意味する。以下も同様である。）、Ａｌ／Ｔｉ、Ａｌ／Ｎｉ等のｐ型ドーパントであるＡｌの拡散を利用したものが用いられている。また、ＰｔＳｉｘ（珪化白金）、ＴａＳｉｘ（珪化タンタル）等の金属珪化物と、基板のＳｉとの反応を利用したものが使用されている。しかし、Ａｌを含有するものはＡ１の融点が６６０℃と低いため、高温環境において安定して使用することができない。
【０００８】
更に、金属珪化物を電極に使用する場合は、一般に、熱処理等により金属珪化物とＳｉＣとを反応させてオーミック電極を形成する。しかし、この方法では、ＳｉＣ層の表面のＳｉが金属珪化物の側に吸収され、ＳｉＣ層の表面にＳｉ欠乏層、言い換えればＣ偏析層が生ずる。一方、金属珪化物は、Ｓｉと反応した部分と、反応していない部分とを生じ、電極の厚さがばらついたりすることもある。
尚、珪化物を形成する金属を単体として電極に用いた場合も、同様な問題が発生することが、容易に推測される。
【０００９】
本発明は、上記の従来技術に鑑みてなされたものであり、オーミック電極を形成する際の熱処理等における金属の珪化による炭化珪素半導体（ＳｉＣ半導体）との反応を、抵抗の低い珪素層（Ｓｉ層）を介在させることにより減少させ、熱的に安定なオーミック電極からなる炭化珪素半導体用電極の製造方法を提供することを目的とする。また、本発明は、この炭化珪素半導体用電極を備える炭化珪素半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明の製造方法によって製造される炭化珪素半導体用電極では、ｐ型ＳｉＣ半導体と金属珪化物層との間にｐ型Ｓｉ層を介在させることにより、珪化の際のＳｉＣ半導体の表層におけるＳｉの欠乏が回避される構造となっている。また、このＳｉ層を、ＳｉＣと同程度若しくはそれ以上のキャリア濃度を有するＳｉを用いて形成することにより、ＳｉＣ半導体とＳｉ層との接触抵抗を低下させ、オーミック電極としての特性を向上させる構造となっている。尚、上記ｐ型ＳｉＣ半導体は、ｎ型ＳｉＣからなる半導体にドーピングにより形成されたｐ型ＳｉＣ半導体領域であってもよい。
【００１１】
ＳｉＣには、３Ｃ−ＳｉＣ、４Ｈ−ＳｉＣ、６Ｈ−ＳｉＣ等の多くのポリタイプがあるが、本発明ではいずれの結晶構造のものも使用することができる。また、Ｓｉ層は、ＳｉＣと同じ伝導型を有するＳｉにより形成され、上記のようにＳｉのキャリア濃度が使用されるＳｉＣと同程度若しくはそれ以上であることが好ましい。
【００１２】
Ｓｉの堆積は、電子ビーム蒸着法、化学気相堆積法、スパッタリング法、レーザアブレーション法等の従来の方法により行うことができ、特に限定はされないが、レーザアブレーション法により堆積することが好ましい。一方、金属珪化物はレーザアブレーション法により堆積され、金属珪化物層が形成される。また、金属珪化物層の組成ずれを防止し、良好なオーミック性を確保する観点から、レーザアブレーション法により金属珪化物を堆積させた後、レーザ照射及び／又は熱処理を行って、オーミック性を向上させるとともに、ＳｉＣ半導体とＳｉ層及び金属珪化物層との密着性を高める。
【００１３】
更に、電極の厚さが、例えば、１００ｎｍ以上と比較的厚い場合は、レーザアブレーション法により金属珪化物を一部堆積させた後、レーザ照射及び／又は熱処理を行って、オーミック性を向上させるとともに、ＳｉＣ半導体とＳｉ層及び金属珪化物層との密着性を高め、その後、金属珪化物を更に堆積させて所定厚さの電極とすることが好ましい。これにより、確実にオーミック化することができ、且つＳｉＣ半導体と電極とを十分に密着させることができる。
【００１４】
このオーミック化と密着性の向上は、レーザ照射及び熱処理のいずれの方法で行ってもよいが、オーミック化にともなう電極材のＳｉＣ半導体への拡散をより浅くするためには、レーザ照射により行うことが好ましい。レーザ照射の場合は、例えば、ＫｒＦエキシマレーザ（λ＝２４８ｎｍ、τｐ＝２０ｎｓ）をエネルギー密度１〜２Ｊ／ｃｍ2で５０〜２００パルス照射することにより、十分にオーミック化することができるとともに密着性も向上する。一方、熱処理の場合は、８００〜１２００℃で１分〜１時間程度加熱することにより、同様にオーミック化させ、密着性を向上させることができる。
【００１５】
金属珪化物層を形成するための金属珪化物としては、白金族元素、ＩＶａ族元素、Ｖａ族元素、ＶＩａ族元素及びＶＩＩＩ族元素から選ばれる少なくとも１種の金属元素の珪化物を使用することができる。これらのうちでは、白金族元素、特にＰｔが多用され、その他では、Ｔａ、Ｎｉ、Ｗ等が用いられる。
【００１６】
Ｓｉ層及びオーミック化する前の金属珪化物層の各々の厚さは特に限定されないが、レーザ照射によりオーミック化する場合は、レーザ光がＳｉＣ半導体層の表面に到達し得る程度の厚さにする必要がある。そのため、レーザ照射前のＳｉ層と金属珪化物層との合計厚さを、１〜１００ｎｍ、特に５〜７０ｎｍ、更には１０〜４０ｎｍとすることが好ましい。この合計厚さが１ｎｍ未満であると、レーザ光を照射した際にアブレーションされてしまって堆積されたＳｉ及び金属珪化物が消失してしまうことがある。一方、１００ｎｍを越えて厚いと、レーザ光がＳｉＣ半導体の表面に到達できず、十分にオーミック化されないことがある。
尚、レーザ照射前のＳｉ層と金属珪化物層との厚さの比は特に限定されないが、Ｓｉ層が金属珪化物層より薄いほうが好ましい。また、オーミック化の後、更に金属珪化物が堆積されて形成される電極の全厚さも限定はされない。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、実施例により本発明を更に詳しく説明する。
比較例１（Ｓｉ層が介在していない電極）
真空度３×１０-6Ｔｏｒｒに減圧にした真空チャンバー内にターゲットとウェハを配設し、レーザアブレーション法によってＰｔＳｉ電極を作製した。
ＰｔＳｉ（株式会社高純度化学研究所製、純度９９．９％、元素モル比；Ｐｔ／Ｓｉ＝１／１）をターゲットとして使用し、ＫｒＦエキシマレーザ（λ＝２４８ｎｍ、τｐ＝２０ｎｓ）をエネルギー密度２．５Ｊ／ｃｍ2で５００パルス照射した。これにより、ターゲット表面から約３ｃｍ離れた位置に配設してあるｐ型６Ｈ−ＳｉＣウェハ（Ａ１ドープ量；２．０１×１０18／ｃｍ3）の所定の部位にＰｔＳｉを約１３ｎｍの厚さに堆積させた。その後、このＰｔＳｉ層に上記レーザをエネルギー密度１．２Ｊ／ｃｍ2で１００パルス照射し、ＰｔＳｉ層とＳｉＣ半導体ウェハとの密着性を高めた。
【００１８】
次いで、上記ＰｔＳｉをターゲットとして、再び上記レーザをエネルギー密度２．５Ｊ／ｃｍ2で３０００パルス照射し、ＰｔＳｉを約７５ｎｍの厚さに堆積させて、合計厚さ約９０ｎｍのＰｔＳｉ電極を作製した。このようにして作製した電極間の電流（Ｉ）−電圧（Ｖ）特性を図１に破線で示す。
【００１９】
実施例１（Ｓｉ層を介在させた本発明のｐ型ＳｉＣ半導体用オーミック電極）
真空度３×１０-6Ｔｏｒｒに減圧にした真空チャンバー内にターゲットとウェハを配設し、レーザアブレーション法によってｐ型ＳｉＣ半導体ウェハとＰｔＳｉ層との間にｐ型Ｓｉ層を介在させたオーミック電極を作製した。
ｐ型Ｓｉ（Ｂドープ量；１×１０19／ｃｍ3）をターゲットとして使用し、上記レーザをエネルギー密度２．５Ｊ／ｃｍ2で５００パルス照射した。これにより、ターゲット表面から約３ｃｍ離れた位置に配設してあるｐ型６Ｈ−ＳｉＣウェハ（Ａｌドープ量；２，０１×１０18／ｃｍ3）の所定の部位にＳｉを約１０ｎｍの厚さに堆積させた。その後、ターゲットを上記ＰｔＳｉに取り替え、上記レーザをエネルギー密度２．５Ｊ／ｃｍ2で５００パルス照射し、ｐ型Ｓｉ層の表面にＰｔＳｉを約１３ｎｍの厚さに堆積させ、ＰｔＳｉ層を形成した。次いで、Ｓｉ層とＰｔＳｉ層との積層体に、上記レーザをエネルギー密度１．２Ｊ／ｃｍ2で１００パルス照射し、オーミック化するとともに、積層体とＳｉＣ半導体ウェハとの密着性を高めた。
【００２０】
その後、ＰｔＳｉターゲットに、再び上記レーザをエネルギー密度２．５Ｊ／ｃｍ2で３０００パルス照射し、ＰｔＳｉを約７５ｎｍの厚さに堆積させて、合計厚さ約１００ｎｍのＰｔＳｉオーミック電極を作製した。このようにして作製した電極間のＩ−Ｖ特性を図１に実線で示す。
図１における破線と実線とを比較してみれば、ｐ型Ｓｉ層を介在させることにより、Ｉ−Ｖ特性の直線性が増し、オーミック電極としての特性が向上していることが分かる。
【００２１】
実施例１において作製した電極の電気特性を、ＩＥＥＥ  ＥＬＥＣＴＲＯＮ  ＤＥＶＩＣＥ  ＬＥＴＴＥＲＳ（Ｖｏｌ．ＥＤＬ−３，Ｎｏ．５，１１１−１１３，１９８２）に記載されたｌｉｎｅａｒ  ＴＬＭ（ＴｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎＬｉｎｅ  Ｍｏｄｅｌ）法により算出した接触抵抗率によって評価した。
図２に示す電極間距離［Ｌ（ｃｍ）］と合計抵抗値［ＲT（Ω）］の関係を測定した結果から近似的に得られる直線は、下記の式により表わされる。
ＲT＝１７０．０２×Ｌ＋２．１６３
この直線とｘ軸との交点［ＬX（ｃｍ）］の絶対値から伝導長［ＬT（ｃｍ）
］は、ＬT＝ＬX／２＝６．３６×１０-3ｃｍ、ｙ軸との交点［ＲY（Ω）］から接触抵抗［ＲC（Ω）］は、ＲC＝ＲY／２＝１．０８１５Ωと求められ、電極幅（Ｗ）が０．２ｃｍであるから、接触抵抗率（ρ）は、
ρ＝ＬT・Ｗ・ＲC＝１．３８×１０-3Ω・ｃｍ2
となる。この接触抵抗率は、基板のキャリア濃度や、表面状態に関係しているが、今回用いた基板のキャリア濃度に対しては、十分満足できる値である。
【００２２】
図３は、この実施例１において作製したｐ−Ｓｉ／ＰｔＳｉオーミック電極１の構造を示すものであり、ｐ型ＳｉＣ半導体ウェハ２の表面に、ｐ型Ｓｉ層１１が形成され、このｐ型Ｓｉ層１１の表面に金属珪化物層であるＰｔＳｉ層１２が形成されている。尚、この図３は模式図であり、各々の層の寸法比等を正確に表わすものではない。
【００２３】
実験例１
ＰｔＳｉを、レーザアブレーション法により堆積させた場合と、真空蒸着法により堆積させた場合の、形成される堆積層の組成を比較した。
実験例１−１（真空蒸着法により形成した堆積層）
到達真空度２×１０-6Ｔｏｒｒにおいて、タングステンバスケットに約０．１ｇのＰｔＳｉを載せ、２０Ａの電流を流して抵抗線を加熱し、上記ＳｉＣ半導体ウェハの所定の部位に堆積させて厚さ約３０ｎｍの堆積層を形成した。
【００２４】
この堆積層及び原料のＰｔＳｉについてオージェ電子分光法により元素分析を行った。オージェ電子分光分析のチャートを図４に示す。この図４によれば、原料のＰｔＳｉにはＰｔ、Ｓｉ、Ｏ及びＣのピークがみられるが、堆積層に形成した後はＳｉ、Ｏ及びＣのピークしかなく、この堆積層にはＰｔ成分が含まれていないことが分かる。
【００２５】
実験例１−２［レーザアブレーション法により形成した堆積層（ＰｔＳｉ層）］上記ＰｔＳｉをターゲットとして使用し、上記レーザをエネルギー密度２．５Ｊ／ｃｍ2で３０００パルス照射し、ターゲット表面から約３ｃｍ離れた位置に配設してある上記ＳｉＣ半導体ウェハの所定の部位に堆積させて厚さ約７５ｎｍの堆積層（ＰｔＳｉ層）を形成した。
【００２６】
この堆積層についてオージェ電子分光法により元素分析を行った。オージェ電子分光分析のチャートを図５に示す。この図５によれば、この堆積層にはＰｔ、Ｓｉ、Ｏ及びＣのピークがみられ、ＰｔＳｉ層が形成されていることが分かる。
【００２７】
このように、実験例１は、金属珪化物をレーザアブレーション法によって堆積させて形成した場合に、目的とするオーミック電極がより確実に形成されることを裏付けるものである。
【００２８】
比較例２（Ａｌを含む耐熱性の低いオーミック電極）
（１）電極の作製
従来よりｐ型ＳｉＣ半導体ウェハのオーミック電極として用いられているＴｉ／Ａ１積層電極を真空蒸着法により作製した。
到達真空度３×１０-6Ｔｏｒｒにおいて、タングステンバスケットに約０．０５ｇのＴｉを載せ、１３Ａの電流を流して抵抗線を加熱し、上記ＳｉＣ半導体ウェハの所定の部位に約１０ｎｍの厚さに堆積させた。その後、タングステンバスケットに約０．５ｇのＡｌを載せ、１４Ａの電流を流して抵抗線を加熱し、Ｔｉ層の表面に約２０ｎｍの厚さに堆積させた。次いで、このようにして形成されたＴｉとＡｌとの積層体に、上記レーザをエネルギー密度１．０Ｊ／ｃｍ2で１００パルス照射し、オーミック化するとともに、積層体とＳｉＣ半導体ウェハとの密着性を高めた。
【００２９】
その後、Ａｌを載せたタングステンバスケットに１４Ａの電流を流し、Ａｌを更に堆積させ、合計厚さ約１７０ｎｍのオーミック電極を作製した。このようにして作製した電極間のＩ−Ｖ特性を図６に示す。図６によれば、このＴｉ／Ａ１積層電極はｐ型ＳｉＣ半導体ウェハに対してオーミック接触となっていることが分かる。
【００３０】
（２）Ｔｉ／Ａ１積層電極の耐熱性の評価
（１）において作製したＴｉ／Ａ１積層型オーミック電極の耐熱性を評価するため、赤外線ランプにより、これらの電極を、大気雰囲気下、６００℃で１時間加熱した。加熱後の電極間のＩ−Ｖ特性を図７に示す。
【００３１】
このＴｉ／Ａ１積層型オーミック電極では、電流値が図６の加熱前に比べて図７の加熱後では４桁程度も低下し、電極の厚さも約１７０ｎｍであったものが約１０ｎｍにまで薄くなり、電極として機能しなくなっていた。これにより、融点が６６０℃と低いＡｌを主体とした電極は、６００℃程度の高温環境における電極としては、不安定、且つ信頼性の低いものであることが分かる。
【００３２】
図８に、素子例としてｐｎ接合ダイオードを示す。ｎ型６Ｈ−ＳｉＣウェハにイオン注入法によりＡｌ等のｐ型ドーパントを注入し、後アニールをすることによって活性化させ、ｐ型層を形成してｐｎ接合ダイオードを作製した。ｎ型ＳｉＣ側のオーミック電極としてはＴａを使用し、その表面をＰｔからなる耐熱性キャップにより覆った。一方、ｐ型層のオーミック電極としては、本発明におけるｐ−Ｓｉ／ＰｔＳｉ積層電極を用い、同様にしてＰｔからなる耐熱性キャップにより覆った。
尚、これは素子の一例として示しただけであり、その他の素子でもよく、また、ドーピング方法は従来の方法でよく、電極材等の種類も特に限定されない。この図８も模式図であり、各々の層の寸法比等を正確に表わすものではない。
【００３３】
【発明の効果】
本発明の製造方法によって製造される炭化珪素半導体用のオーミック電極は、耐熱性が高く、熱処理等による影響を受け難く、信頼性が高い。また、このオーミック電極を備える炭化珪素半導体素子は、高温環境において安定して動作可能である。本発明の方法によれば、これら優れた特性を有する電極及び素子を、容易に、且つ確実に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】ｐ型６Ｈ−ＳｉＣ半導体ウェハの一面に形成されたｐ−Ｓｉ／Ｐｔ電極と、ＰｔＳｉ電極とのＩ−Ｖ特性の比較を示すグラフである。
【図２】ｐ型６Ｈ−ＳｉＣ半導体ウェハの一面に形成されたｐ−Ｓｉ／ＰｔＳｉ電極において、接触抵抗率を算出するため電極間距離と合計抵抗値とを測定したグラフである。
【図３】ｐ型６Ｈ−ＳｉＣ半導体ウェハ、及びその一面に形成されたｐ−Ｓｉ／ＰｔＳｉオーミック電極の縦断面を示す模式図である。
【図４】ＰｔＳｉを真空蒸着法により堆積してなる堆積層のオージェ電子分光法による元素分析の結果を示すチャートである。
【図５】ＰｔＳｉをレーザアブレーション法により堆積してなる堆積層（ＰｔＳｉ層）のオージェ電子分光法による元素分析の結果を示すチャートである。
【図６】ｐ型６Ｈ−ＳｉＣ半導体ウェハの一面に形成されたＴｉ／Ａｌ積層電極のＩ−Ｖ特性を示すグラフである。
【図７】ｐ型６Ｈ−ＳｉＣ半導体ウェハの一面に形成されたＴｉ／Ａｌ積層電極の耐熱性を評価するため６００℃で加熱した後のＩ−Ｖ特性を示すグラフである。
【図８】素子例としてｐｎ接合ダイオードの縦断面を示す模式図である。
【符号の説明】
１；ｐ−Ｓｉ／ＰｔＳｉオーミック電極、１１；ｐ型Ｓｉ層、１２；ＰｔＳｉ層、２；ｐ型ＳｉＣ半導体ウェハ、３；耐熱用Ｐｔキャップ層、４；ｐ型イオン注入層、５；ｎ型ＳｉＣ半導体ウェハ、５１；バルク層、５２；ｎ型エピタキシャル層、６；Ｔａオーミック電極。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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