(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ペレット（５）に接続される第１リード（３）と第２リード（４）とを有し、該半導体ペレット（５）及び前記第１リード（３）の内方端（３ｃ）ならびに第２リード（４）の内方端（４ｃ）の周囲を樹脂にて封止し、樹脂封止部（２）を形成した樹脂封止型半導体装置において、
上記第１リード（３）の外方端（３ａ）の下面は、上記樹脂封止部（２）の下面と同一平面とし、上記第１リード（３）の外方端（３ａ）に連らなる立上り部（３ｂ）は、上記樹脂封止部（２）内に埋設され、該第１リード（３）の立上り部（３ｂ）に連ねて水平方向に形成された内方端（３ｃ）と前記半導体ペレット（５）とが電気的に接続され、前記内方端（４ｃ）と連なる外方端（４ａ）を前記第２リード（４）が有し、前記第２リード（４）の外方端（４ａ）は、上記樹脂封止部（２）から一部が露出され、かつ、該第２リード（４）の下面全体が上記樹脂封止部（２）の下面と同一平面となるように形成し、
前記第２リード（４）の内方端（４ｃ）の先端部（４ｄ）を折り曲げて上方へ偏位させ、前記第１リード（３）と第２リード（４）と間の沿面距離を長くし、
前記第２リード（４）の内方端（４ｃ）のうち、上方へ偏位せしめられている先端部（４ｄ）以外の部分の上面に半導体ペレット（５）を固着させたことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項２】
前記第１リード（３）の内方端（３ｃ）と、前記第２リード（４）の内方端（３ｃ）の上面に固着された半導体ペレット（５）の上面とは、平板状の導体からなる内部リード（１３）により電気的に接続したことを特徴とする請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置。
【請求項３】
前記第１リード（３）の内方端（３ｃ）と前記内部リード（１３）の外方端との接続部は、一方が凸部で他方が凹部の相補形状を備え、互いの位置決めをなすことを特徴とする請求項２に記載の樹脂封止型半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
本発明は、電子回路基板等に面実装のできる樹脂封止型半導体装置の改良構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
樹脂封止型半導体装置の従来の構造例を図４及び図５を参照して説明する。まず、図５の樹脂封止型半導体装置１は、樹脂封止部２の下面と同一面となるように折り曲げ形成した平坦な外方端３ａ，４ａを有する第１リード３と第２リード４を備えている。
【０００３】
上記外方端３ａ，４ａと連ねて形成されたクランク状の立上り部３ｂ，４ｂは樹脂封止部２より外部に露出し、これらの立上り部３ｂ，４ｂに連なる内方端３ｃ，４ｃは、樹脂封止部２内に埋設されている。第１リード３の内方端３ｃ上には半導体ペレット５が半田固着され、この半導体ペレット５の表面電極（図示せず）と第２リード４の内方端４ｃとがボンディングワイヤ６にて結線されている。
【０００４】
上記図５に示した樹脂封止型半導体装置１を製作するには、例えば図４に示すようなリードフレーム７を使用する。
すなわち、リードフレーム７の幅方向に対向して設けたタイバ部８，９から内方に延びる第１リード部１０及び第２リード部１１が形成され、いずれか一方、この図では第１リード部１０の先端部に半導体ペレット５が搭載・固着される。半導体ペレット５の表面電極（図示せず）と第２リード１１の先端部とはボンディングワイヤ６にて結線される。
なお、上記のリードフレーム７は対抗するタイバ部８，９間が補強等のため連結部７ａにより連結されている。
【０００５】
上記のリードフレーム７を図示しない金型内に収納し、封止用樹脂を該金型内に注入して、トラスファーモールド法等により二点鎖線で示した部分に樹脂封止部２を形成する。
金型内から取り出したリードフレーム７は、タイバ部８，９、連結部１１がプレス等により切り離され、また、図５の樹脂封止型半導体装置１ではクランク状の立上り部３ｂ，４ｂ及びそれに連なる平坦な外方端３ａ，４ａをプレス等により折り曲げ形成する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
従来の樹脂封止型半導体装置は上記のように構成されているので、次のような解決すべき課題があった。
（１）半導体ペレット５の表面電極と第２リード４の内方端４ｃとがボンディングワイヤ６で結線されているために、該半導体ペレット５の上面からの放熱が悪く、半導体ペレット５に流せる電流を大きくできないという解決すべき課題があった。
（２）上記樹脂封止部２の側面から外部に露出したリードのフォーミング加工の際に半導体ペレット５に機械的ストレスが加わり、半導体装置の電気的特性を劣化させるおそれがあることや樹脂封止部２にクラックを生じさせ、耐湿性を損ねかねないという解決すべき課題があった。
【０００７】
【発明の目的】
本発明は上記のような課題を解決すためになされたもので、▲１▼半導体ペレットからの発熱を効率良く放熱できる構造とし、大電流を流せるようにするとともに、▲２▼リードのフォーミング加工をなくし、半導体ペレット及び樹脂封止部に機械的ストレスを与えない樹脂封止型半導体装置を提供することを目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明によれば、半導体ペレット（５）に接続される第１リード（３）と第２リード（４）とを有し、該半導体ペレット（５）及び前記第１リード（３）の内方端（３ｃ）ならびに第２リード（４）の内方端（４ｃ）の周囲を樹脂にて封止し、樹脂封止部（２）を形成した樹脂封止型半導体装置において、
上記第１リード（３）の外方端（３ａ）の下面は、上記樹脂封止部（２）の下面と同一平面とし、上記第１リード（３）の外方端（３ａ）に連らなる立上り部（３ｂ）は、上記樹脂封止部（２）内に埋設され、該第１リード（３）の立上り部（３ｂ）に連ねて水平方向に形成された内方端（３ｃ）と前記半導体ペレット（５）とが電気的に接続され、前記内方端（４ｃ）と連なる外方端（４ａ）を前記第２リード（４）が有し、前記第２リード（４）の外方端（４ａ）は、上記樹脂封止部（２）から一部が露出され、かつ、該第２リード（４）の下面全体が上記樹脂封止部（２）の下面と同一平面となるように形成し、
前記第２リード（４）の内方端（４ｃ）の先端部（４ｄ）を折り曲げて上方へ偏位させ、前記第１リード（３）と第２リード（４）と間の沿面距離を長くし、
前記第２リード（４）の内方端（４ｃ）のうち、上方へ偏位せしめられている先端部（４ｄ）以外の部分の上面に半導体ペレット（５）を固着させたことを特徴とする樹脂封止型半導体装置が提供される。
【００１０】
請求項２に記載の発明によれば、前記第１リード（３）の内方端（３ｃ）と、前記第２リード（４）の内方端（３ｃ）の上面に固着された半導体ペレット（５）の上面とは、平板状の導体からなる内部リード（１３）により電気的に接続したことを特徴とする請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置が提供される。
【００１１】
請求項３に記載の発明によれば、前記第１リード（３）の内方端（３ｃ）と前記内部リード（１３）の外方端との接続部は、一方が凸部で他方が凹部の相補形状を備え、互いの位置決めをなすことを特徴とする請求項２に記載の樹脂封止型半導体装置が提供される。
【００１２】
【実施例】
以下に、本発明の実施例を、図１ないし図３を参照して説明する。図１は本発明の樹脂封止型半導体装置の縦断面図あり、図において樹脂封止型半導体装置１は、第１リード３を有し、この第１リード３は、従来と同様に外方端３ａの一部が樹脂封止部２の側面から外部に露出している。
【００１３】
上記第１リード３の外方端３ａに連ねて延在する立上り部３ｂ及びそれに連なる水平方向の内方端３ｃは樹脂封止部２内に埋設されている。
そして、上記外方端３ａの先端から立上り部３ｂまでの下面が樹脂封止部２から露出し、かつ、該樹脂封止部２の下面と同一面となるように形成されている。
【００１４】
上記樹脂封止型半導体装置１には、第１リード３に対向して第２リード４が配置されている。すなわち、第２リード４は板材により平板状に形成され、その外方端４ａの一部が樹脂封止部２から外部に露出している。そして第２リード４の内方端４ｃは樹脂封止部２内に埋設されるが、該内方端４ｃから外方端４ａまでの第２リード４の下面は樹脂封止部２より外部に露出し、かつ、該樹脂封止部２の下面と同一面となるように形成されている。
【００１５】
上記第２リード４の内方端４ｃの上面には半導体ペレット５が半田１２より固着され、この半導体ペレット５の表面電極（図示せず）と前記第１リード３の内方端３ｃとが電気的に接続されている。
すなわち、この実施例では平板状の導体からなる内部リード１３を用いて接続している。この内部リード１３の一方の端部には凸部１３ａが形成され、この凸部１３ａが半導体ペレット５の表面電極と半田１２を介して固着される。また、内部リード１３の他方の端部にもプレス等で打ち出し加工された突起１３ｂを有し、この突起１３ｂと相補形状をなす凹部３ｄが第１リード３の内方端３ｃ上に形成されている。
【００１６】
したがって、上記の凹部３ｄに内部リード１３の突起１３ｂを嵌め合わせることにより両者の相対的な位置決めがなされるようになる。
なお、上記の嵌め合わせ部分も半田により固着される。
【００１７】
次に、上記樹脂封止型半導体装置１を製作する方法の概略を、図２を参照して説明する。
図において、１４はリードフレーム全体を示し、このリードフレーム１４は、その長手方向に連続するタイバ部１５ａ，１５ｂを有している。この互いに対向するタイバ部１５ａ，１５ｂから内方に向かって第１リード３及び第２リード４が形成されている。また、第１リード３には、リードフレーム１４の状態でプレス等により予め折り曲げ形成された立上り部３ｂ及びこれに連なる内方端３ｃを有している。
なお、リードフレーム１４のタイバ部１５ａ，１５ｂ間は、補強等のため、必要に応じて連結部１６が設けられている。
【００１８】
上記リードフレーム１４の第２リード４上には、図示のように半導体ペレット５が半田固着され、第１リード３の内方端３ｃと半導体ペレット４の表面電極との間が内部リード１３により接続される。この状態のリードフレーム１４を図示を省略した金型内に収納して封止用樹脂を注入し、従来と同様にトランスファーモールド法等により二点鎖線で示した部分に樹脂封止部２を形成する。
最後に、タイバ部１５ａ，１５ｂ及び連結部１６をリードフレーム１４から切り離して図１に示したような樹脂封止型半導体装置１を得る。
【００１９】
上記のようにして得られた樹脂封止型半導体装置１は、一方のリード３のみに立上り部３ｂを形成するようにしているので、両方のリード３，４の下面を樹脂封止部２の下面と面一に設けるものに比べ、両リード３，４間の沿面距離Ｌを長くすることができ、逆電圧を高くすることができる。
【００２０】
また、半導体ペレット５の表面電極と第１リード３との接続は、細線のボンディングワイヤを使用することなく、平板状の内部リード１３を使用しているので、半導体ペレット５からの発熱を効率良く放熱でき、大電流を流せる。さらに、樹脂封止部２の形成後にリードのフォーミング加工をすることがないので、半導体ペレット５及び樹脂封止部２に機械的ストレスを与えず、電気的特性の劣化及び樹脂封止部２にクラックを発生させることがなく、耐湿性を損ねることもない。
【００２１】
なお、上記の実施例では、内部リード１３側に突起１３ｂを形成したが、これを逆にして第１リード３側に突起、内部リード１３側に該凹部を形成するようにしても良い。
【００２２】
次に、本発明の詳細な点を、図３を参照して説明する。図３は、第２リード４の内方端４ｃを図示した拡大図である。この図から明らかなように、本実施例では上記内方端４ｃの先端部４ｄを上方に偏位させ、図１に示した沿面距離Ｌをさらに長くしたものである。この沿面距離Ｌを寸法的には僅かに長くするものであっても、前述したようにこの種の樹脂封止型半導体装置は全長が僅か４ｍｍ程度であり、そのため相対的には大きな効果となって現れるものである。なお、上記第２リード４の先端部４ｄの加工はリードフレーム１４の状態の時に、プレス等により加工しておけば良い。
【００２３】
【発明の効果】
以上説明したように本発明は、左右非対称のリードを使用し、また、一方のリードと半導体ペレットの表面電極との接続に細線のボンディングワイヤを使用することなく、平板状の内部リードを使用して接続するようにしたので概略次のような効果がある。
（１）半導体ペレットからの発熱を効率良く放熱できる構造となり、大電流を流せる。
（２）リードの樹脂封止後のフォーミング加工がなく半導体ペレット及び樹脂封止部に機械的ストレスを与えないので、電気的特性に悪影響を与えることもなく、また、樹脂封止部にクラックを発生させず、耐湿性を損ねることもない。
（３）第２リードの先端部を上方に偏位させる場合には沿面距離の増加とともに、樹脂封止部との付着面積が増加し、付着強度が大きくなり耐湿性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の樹脂封止型半導体装置の縦断面図である。
【図２】本発明に使用するリードフレーム等の斜視図である。
【図３】本発明の実施例を詳細に示す拡大図である。
【図４】従来の樹脂封止型半導体装置に使用するリードフレーム等の斜視図である。
【図５】従来の樹脂封止型半導体装置の構造例を示す縦断面図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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