(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に、少なくとも、下部ＤＢＲと、第１スペーサ層と、活性層と、第２スペーサ層と、上部ＤＢＲとが順次に積層されており、第１スペーサ層，第２スペーサ層を構成する半導体層のＶ族元素がＡｓであり、発振波長が１．１μｍ以上である面発光型半導体レーザにおいて、選択酸化されて電流狭窄部として機能する層が上部ＤＢＲ中に設けられており、
メサ形状にエッチングする際のエッチングストップ層としてＩｎとＰを含む層が、前記上部ＤＢＲ中であって前記第２スペーサ層とは隣接せず、かつ、電流狭窄部として機能する層よりも半導体基板側の位置に設けられていることを特徴とする面発光型半導体レーザ。
【請求項２】
請求項１記載の面発光型半導体レーザにおいて、前記エッチングストップ層は、ＧａＩｎＰ、ＡｌＩｎＰ、ＧａＩｎＡｓＰ、ＡｌＩｎＡｓＰ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＡｌＧａＩｎＡｓＰのいずれかであることを特徴とする面発光型半導体レーザ。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の面発光型半導体レーザにおいて、電流狭窄部として機能する層とエッチングストップ層とは、０．５μｍ以上の間隔を隔てていることを特徴とする面発光型半導体レーザ。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の面発光型半導体レーザにおいて、活性層には、ＧａＩｎＮＡｓ系材料が用いられることを特徴とする面発光型半導体レーザ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、面発光型半導体レーザに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、ＶＣＳＥＬ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ｃａｖｉｔｙ  Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｌａｓｅｒ），すなわち面発光型半導体レーザにおいては、電流狭窄部を形成する方法として、結晶成長時にスペーサ層上部にＡｌＡｓ層を形成し、メサ形状にエッチングした後、水蒸気による選択酸化によってメサの側面からＡｌxＯyへの酸化を行ない電流狭窄部を形成する方法が知られている（文献「電子情報通信学会論文誌  2000/9 Vol. J83-C No.9 pp.1-4」を参照）。
【０００３】
また、特開平１１−１４５５６０号には、エッチングストップ層を用いてＶＣＳＥＬを作製する技術が示されている。図１はこの技術を説明するための図である。なお、図１において、符号５１は半導体基板、符号５２は下部ＤＢＲ（分布ブラック反射器）、符号５３はスペーサ層、符号５４は活性層、符号５５はスペーサ層、符号５６は被選択酸化層（ＡｌＡｓ層）、符号５７は被選択酸化層（ＡｌＡｓ層）５６が側面から選択酸化されて形成された電流狭窄部、符号５８はエッチングストップ層、符号５９は上部ＤＢＲ、符号６０は絶縁膜、符号６１はポリイミド保護膜である。
【０００４】
図１を参照すると、この技術では、上部ＤＢＲ５９をＡｌＡｓ／ＧａＡｓ積層構造とし、また、被選択酸化層となるＡｌＡｓ層５６と上部ＤＢＲ５９との間にエッチングストップ層５８を入れた層構成とし、その後、メサ形状をエッチングストップ層５８までウェットエッチングして形成し、その後、形成されたメサの表面を絶縁膜６０で保護し、しかる後に、メサ形状にさらに深くウェットエッチングを行い、被選択酸化層となるＡｌＡｓ層５６の側面を露出させ、選択酸化を行ない、電流狭窄部５７を作製するようになっている。
【０００５】
この技術では、上部ＤＢＲ５９を絶縁膜６０で覆うことで選択酸化の際に上部ＤＢＲ５９のＡｌＡｓ層が酸化されるのを防止し、上部ＤＢＲ５９の特性が劣化することを防ぐことができる。このとき、ＡｌＡｓ層５６の直上のＧａＡｓ層でウェットエッチングを停止するために、エッチングストップ層５８としてＧａＩｎＰを利用している。
【０００６】
上記のような面発光型半導体レーザの作製方法では、メサ構造のエッチングを２回行わなければならず、どうしても工程が長くなりコスト増加の原因となる。また、素子分離を行うために活性層５４の下部までエッチングしなければならないが、長波長のＶＣＳＥＬは、以下のような点でメサの高さをあまり高くしてしまうのは好ましくない。
【０００７】
図２はこのことを説明するためのＶＣＳＥＬ（面発光型半導体レーザ）の概略構成例を示す図である。なお、図２において、符号７１はｎ−ＧａＡｓ基板、符号７２は下部ＤＢＲ、７３はスペーサ層、７４は活性層、７５はスペーサ層、７６は被選択酸化層（ＡｌＡｓ層）、７７はＡｌxＯy電流狭窄部、７８は上部ＤＢＲ、７９はポリイミド保護膜、８０は上部電極、８１は下部電極である。また、ｈはメサ（上部ＤＢＲ７８からスペーサ層７３までのポスト状（柱状）積層構造）の高さ（ポリイミド保護膜７９の厚さ）である。
【０００８】
図２のような構造のＶＣＳＥＬ（面発光型半導体レーザ）においては、メサの高さｈをあまり高くしてしまうと、上部電極８０を形成する金属膜を成膜してパターンニングなどを行うとき、ポリイミド保護膜７９の立ち上がり部分（図２において、Ａ部）で金属膜が頻繁に切れるようになる。これは、メサの高さｈが高いため、ポリイミド保護膜７９の形成においてメサの側面のポリイミドによるカバー性が悪くなり、メサ側面のポリイミド保護膜７９の立ち上がりが急勾配なるためである。また、ポリイミド保護膜７９の厚さｈが厚くなるために、ポリイミド保護膜７９とメサとの熱膨張係数の差による応力などにより、メサとポリイミドとの界面での剥がれや、クラックなども起き易くなる。さらに、メサの高さｈにばらつきが生じると、ポリイミド塗布のプロセス時に均一にポリイミド保護膜７９を形成しにくくなり、結果として、歩留まりが低下する一因にもなる。特に比較的長波（１．１μｍ以上）のＶＣＳＥＬでは、上部ＤＢＲ７８の厚さがどうしてもある程度厚くなってしまうため、メサの高さｈは４〜５μｍ程度の大きなものになってしまう。そのため、ＡｌＡｓ層７６をメサの側面に面した位置するように、かつメサの高さｈを不必要に高くしないことが望まれる。
【０００９】
また、エッチングストップ層はウェットエッチングのためだけに用いられるものではない。すなわち、メサ形状のエッチングの際にはメサの高さを制御性良く形成するためにエッチング手法に則したエッチストップ層を好ましい位置に設け、エッチングを停止することが一般に良く行われている。たとえばＣｌ2ガスを用いたＥＣＲエッチングにおいては、ＧａＩｎＰなどがエッチングストップ層として良く用いられる。Ｃｌ2ガスを用いるドライエッチングでは、組成にＩｎ、Ｐが含まれるようなＡｌＩｎＰ、ＧａＩｎＡｓＰ、ＡｌＩｎＡｓＰ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＡｌＧａＩｎＡｓＰがエッチングストップ層として利用できる。
【００１０】
しかしながら、スペーサ層に隣接させてＰを含むエッチングストップ層を設ける場合、スペーサ層に含まれるＶ族元素がＡｓである場合には、スペーサ層とエッチングストップ層との界面でＶ族元素のＡｓとＰが接し、相互に置換や拡散することで、スペーサ層とエッチングストップ層との界面におけるバンド構造が乱され、半導体レーザの発光効率が低下する。
【００１１】
図３（ａ），（ｂ）はスペーサ層とエッチングストップ層との界面におけるバンド構造の乱れを説明するための図である。図３（ａ）はスペーサ層にＤＢＲが隣接しているが、スペーサ層に隣接してはエッチングストップ層が設けられていない場合のバンド構造の一例を示す図である。これに対し、図３（ｂ）はスペーサ層に隣接してエッチングストップ層を設けた場合のバンド構造の一例を示す図である。図３（ｂ）から、スペーサ層に隣接してエッチングストップ層を設けた場合には、スペーサ層とエッチングストップ層との界面におけるバンド構造が乱される。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、ＧａＡｓ基板などの半導体基板上に形成された面発光型半導体レーザにおいて、ウェットエッチングのためだけではなく、メサの高さを制御性良く形成するためのエッチングストップ層が設けられる場合にも、スペーサ層近傍においてバンド構造の乱れを生じさせない構造の面発光型半導体レーザを提供することを目的としている。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、請求項１記載の発明は、半導体基板上に、少なくとも、下部ＤＢＲと、第１スペーサ層と、活性層と、第２スペーサ層と、上部ＤＢＲとが順次に積層されており、第１スペーサ層，第２スペーサ層を構成する半導体層のＶ族元素がＡｓであり、発振波長が１．１μｍ以上である面発光型半導体レーザにおいて、選択酸化されて電流狭窄部として機能する層が上部ＤＢＲ中に設けられており、
メサ形状にエッチングする際のエッチングストップ層としてＩｎとＰを含む層が、前記上部ＤＢＲ中であって前記第２スペーサ層とは隣接せず、かつ、電流狭窄部として機能する層よりも半導体基板側の位置に設けられていることを特徴としている。
【００１７】
また、請求項２記載の発明は、請求項１記載の面発光型半導体レーザにおいて、前記エッチングストップ層は、ＧａＩｎＰ、ＡｌＩｎＰ、ＧａＩｎＡｓＰ、ＡｌＩｎＡｓＰ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＡｌＧａＩｎＡｓＰのいずれかであることを特徴としている。
【００１８】
また、請求項３記載の発明は、請求項１または請求項２に記載の面発光型半導体レーザにおいて、電流狭窄部として機能する層とエッチングストップ層とは、０．５μｍ以上の間隔を隔てていることを特徴としている。
【００１９】
また、請求項４記載の発明は、請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の面発光型半導体レーザにおいて、活性層には、ＧａＩｎＮＡｓ系材料が用いられることを特徴としている。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
【００２１】
本発明は、半導体基板（例えばＧａＡｓ基板）と、スペーサ層および活性層を含む活性領域と、ＤＢＲ（分布ブラック反射器）とを少なくとも備えた面発光型半導体レーザにおいて、スペーサ層近傍においてバンド構造の乱れを生じさせないようにするため、メサ形状にエッチングする際のエッチングストップ層としてのＰを含む層を、Ａｓを含むスペーサ層（例えばＧａＡｓからなるスペーサ層）に隣接させず、かつ、選択酸化されて電流狭窄部として機能する層よりも半導体基板側に設けることを特徴としている。
【００２２】
すなわち、選択酸化がなされることによって電流狭窄構造が形成される被選択酸化層（例えば、Ａｌ，Ａｓを主成分としたＡｌＡｓ層）に対して選択酸化を行う際に、酸化膜などで保護しなくても酸化されない材料でＤＢＲの各層を構成すれば、一回のエッチングによりメサの形状を作成することでプロセスを短縮することができる。しかし、選択酸化のために被選択酸化層の側面はきちんとエッチングで切らなければならないが、無駄にエッチング深さを深くすればメサ上部に電極を形成したりする時の困難さが増す。
【００２３】
本発明では、メサの高さを最小に抑え、かつ必要な位置まで正確にエッチングを行うために、エッチングストップ層を被選択酸化層よりも下方の位置に設ける。すなわち、完成された面発光型半導体レーザでは、選択酸化されて電流狭窄部として機能する層よりも下方にエッチングストップ層が設けられていることになる。これにより、エッチングをストップさせた時の制御性が向上し、無駄にエッチングを深く行わなくても良くなる。また、このエッチングストップ層は、Ｉｎが含まれることで異方性の良いエッチング手段であるＣｌ2ガスによるＥＣＲなどのドライエッチングのエッチングストップ層として利用できる。さらに、Ｐを含むエッチングストップ層をＡｓを含むスペーサ層に隣接させないことで、ＰとＡｓの相互置換および拡散による界面のバンドの乱れで発光効率が落ちることを回避できる。すなわち、Ｐを含むエッチングストップ層がＡｓを含むスペーサ層に隣接していなければ、スペーサ層を含む活性領域以外の部分でバンド構造がエッチングストップ層によって乱れても発光効率にほとんど影響が無い。
【００２４】
なお、上記本発明の面発光型半導体レーザにおいて、エッチングストップ層は、ＧａＩｎＰ、ＡｌＩｎＰ、ＧａＩｎＡｓＰ、ＡｌＩｎＡｓＰ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＡｌＧａＩｎＡｓＰのいずれかにすることができる。
【００２５】
また、上記本発明の面発光型半導体レーザにおいて、被選択酸化層（完成された面発光型半導体レーザでは、選択酸化されて電流狭窄部として機能する層）とエッチングストップ層とは、０．５μｍ以上の間隔を隔てているのが良い。
【００２６】
すなわち、比較的異方性の高いドライエッチングであるＥＣＲを用いても、メサの一番下の部分にスロープができることがある。図４には、エッチングの深さ（メサの高さ）とスロープ４０の高さｄとの関係についての実験結果が示されている。前述のように長波長のＶＣＳＥＬではＤＢＲが厚くなるため、エッチング深さは４μｍ以上必要である。被選択酸化層がスロープにかかると選択酸化の際の電流狭窄径の制御が難しくなる。そのため、エッチングストップ層でエッチングを停止した際に、被選択酸化層にスロープがかからないようにするため、図４の実験結果から、被選択酸化層（完成された面発光型半導体レーザでは、選択酸化されて電流狭窄部として機能する層）とエッチングストップ層とは、０．５μｍ以上の間隔を隔てているのが望ましい。
【００２７】
また、上記本発明の面発光型半導体レーザにおいて、活性層には、ＧａＩｎＮＡｓ系材料を用いることができる。
【００２８】
すなわち、ＧａＩｎＮＡｓ系を１．３μｍ帯の半導体レーザ材料として利用するときには、低消費電力で温度特性の優れたＶＣＳＥＬを作ることができる。
【００２９】
第１の実施形態
図５は本発明に係る面発光型半導体レーザの第１の実施形態の構成例を示す図である。図５を参照すると、この面発光型半導体レーザは、半導体基板（例えばＧａＡｓ基板）１上に、少なくとも、下部ＤＢＲ２と、第１スペーサ層３と、活性層４と、第２スペーサ層５と、上部ＤＢＲ６とが順次に積層されており、第１スペーサ層３，第２スペーサ層５を構成する半導体層のＶ族元素がＡｓであり、発振波長が１．１μｍ以上のものとなっている。
【００３０】
ここで、下部ＤＢＲ２は、その上部において、ＧａＩｎＰなどからなる１／４λの厚さの低屈折率層（エッチングストップ層）２ａと、１／４λの厚さの高屈折率層２ｂと、Ｐを含まない１／４λの厚さの低屈折率層２ｃとが順次に積層されたものとなっている。
【００３１】
また、上部ＤＢＲ６は、その下部において、ＡｌＧａＡｓ層６ａと、電流狭窄層６ｂ（選択酸化がなされる前は、被選択酸化層（ＡｌＡｓ層））と、ＡｌＧａＡｓ層６ｃとが順次に積層されたものとなっており、このＡｌＧａＡｓ層６ａ，ＡｌＡｓ層６ｂ，ＡｌＧａＡｓ層６ｃの３つの層は、３／４λ厚の低屈折率層になるように厚さが調節されている。
【００３２】
このように、第１の実施形態の面発光型半導体レーザにおいては、選択酸化されて電流狭窄部として機能する層６ｂが、上部ＤＢＲ６中に設けられ、また、下部ＤＢＲ２中の第１スペーサ層３とは隣接しない位置に、メサ形状にエッチングする際のエッチングストップ層２ａとしてＩｎとＰを含む層が設けられている。
【００３３】
図５の面発光型半導体レーザは例えば次のようにして作製される。すなわち、先ず、半導体基板（例えばＧａＡｓ基板）１上に下部ＤＢＲ２を成長させる。この下部ＤＢＲ２の作製工程の最後の工程において、エッチングストップ層２ａ（例えばＧａＩｎＰ層）をレーザの発振波長λの１／４の厚さで低屈折率層として成長させ、次いで、１／４λの厚さの高屈折率層２ｂを成長させ、次いで、Ｐを含まない層（例えばＡｌＧａＡｓ低屈折率層）２ｃを１／４λの厚さとなるように成長させる。
【００３４】
しかる後、第１スペーサ層３、活性層４、第２スペーサ層５を順次成長させる。このとき、第１スペーサ層３と活性層４と第２スペーサ層５とで構成される活性領域の厚さは、発振波長λに合わせる。
【００３５】
その後、上部ＤＢＲ６を成長させる。この上部ＤＢＲ６の作製工程の最初の工程において、先ず、ＡｌＧａＡｓ層６ａを成長させ、次いで、被選択酸化層（ＡｌＡｓ層）６ｂ（最終的には選択酸化されて電流狭窄部として機能する層）を成長させ、次いで、ＡｌＧａＡｓ層６ｃを成長させる。このＡｌＧａＡｓ層６ａ，ＡｌＡｓ層６ｂ，ＡｌＧａＡｓ層６ｃの３つの層は、３／４λ厚の低屈折率層になるように厚さが調節されている。次いで、この３つの層６ａ，６ｂ，６ｃの上に、上部ＤＢＲ６の残りの層を順次成長させる。
【００３６】
このようにして、半導体基板（ＧａＡｓ基板）１上に、下部ＤＢＲ６（エッチングストップ層２ａを含む），活性領域３，４，５，上部ＤＢＲ６（被選択酸化層６ｂを含む）を順次に積層した後、上部ＤＢＲ６から下部ＤＢＲ６中のエッチングストップ層２ａのところまでをドライエッチングでメサ形状に切り出して、図５のようなメサ構造（ポスト状（柱状）積層構造）を得ることができる。
【００３７】
このとき、上部ＤＢＲ６，下部ＤＢＲ２は、例えばある程度以上のＧａを含み、組成を相違させることで屈折率の異なるＡｌＧａＡｓ層を交互に積層して作製すれば、選択酸化の際にも、上部ＤＢＲ６，下部ＤＢＲ２の部分の酸化はほとんど起きないので、上部ＤＢＲ６，下部ＤＢＲ２の特性劣化が生じることはない。
【００３８】
なお、図５の例では，選択酸化されて電流狭窄部として機能する層６ｂが、上部ＤＢＲ６中に設けられているが、第２スペーサ層５と上部ＤＢＲ６との間に設けられても良い。
【００３９】
第２の実施形態
図６は本発明に係る面発光型半導体レーザの第２の実施形態の構成例を示す図である。図６を参照すると、この面発光型半導体レーザは、半導体基板（例えばＧａＡｓ基板）１１上に、少なくとも、下部ＤＢＲ１２と、第１スペーサ層１３と、活性層１４と、第２スペーサ層１５と、上部ＤＢＲ１６とが順次に積層されており、第１スペーサ層１３，第２スペーサ層１５を構成する半導体層のＶ族元素がＡｓであり、発振波長が１．１μｍ以上のものとなっている。
【００４０】
ここで、下部ＤＢＲ１２は、その最上部において、ＡｌＧａＡｓ等のＰを含まない層１２ａが積層されたものとなっている。
【００４１】
また、上部ＤＢＲ１６は、その下部において、ＡｌＧａＡｓ等のＰを含まない層１６ａと、ＧａＩｎＰなどからなるエッチングストップ層１６ｂと、電流狭窄層１６ｃ（選択酸化がなされる前は、被選択酸化層（ＡｌＡｓ層））とが順次に積層されたものとなっており、この３つの層１６ａ，１６ｂ，１６ｃは、合計厚さがレーザ発振波長の３／４λの低屈折率層となるようにしている。
【００４２】
このように、第２の実施形態の面発光型半導体レーザにおいては、選択酸化されて電流狭窄部として機能する層１６ｃが、上部ＤＢＲ１６中に設けられ、また、上部ＤＢＲ１６中の第２スペーサ層１５とは隣接しない位置であって、かつ、電流狭窄部として機能する層１６ｃよりも半導体基板１１側の位置に、メサ形状にエッチングする際のエッチングストップ層１６ｂとしてＩｎとＰを含む層が設けられている。
【００４３】
図６の面発光型半導体レーザは例えば次のようにして作製される。すなわち、先ず、半導体基板（例えばＧａＡｓ基板）１１上に下部ＤＢＲ１２を成長させる。下部ＤＢＲ１２の作製工程の最後に、下部ＤＢＲの一部としてＰを含まない層（例えばＡｌＧａＡｓ層）１２ａを１／４λの厚さで成長させる。
【００４４】
しかる後、第１スペーサ層１３、活性層１４、第２スペーサ層１５を順次成長させる。このとき、第１スペーサ層１３と活性層１４と第２スペーサ層１５とで構成される活性領域の厚さは発振波長λに合わせる。
【００４５】
その後、上部ＤＢＲ１６を成長させる。この上部ＤＢＲ１６の作製工程の最初の工程において、先ず、Ｐを含まない層（例えばＡｌＧａＡｓ層）１６ａを成長させ、次いで、エッチングストップ層（例えばＧａＩｎＰ層）１６ｂを成長させ、次いで、被選択酸化層（ＡｌＡｓ層）１６ｃを成長させる。このとき、ＡｌＧａＡｓ層１６ａとＧａＩｎＰ層１６ｂと被選択酸化層（ＡｌＡｓ層）１６ｃは、合計厚さがレーザ発振波長の３／４λの低屈折率層となるようにしている。そして、最後に、上部ＤＢＲ１６の残りの層を成長させる。
【００４６】
このようにして、半導体基板（例えばＧａＡｓ基板）１１上に、下部ＤＢＲ１２，活性領域１３，１４，１５，上部ＤＢＲ１６（エッチングストップ層１６ｂ，被選択酸化層１６ｃを含む）を順次に積層した後、上部ＤＢＲ１６中のエッチングストップ層１６ｂのところまでをドライエッチングでメサ形状に切り出して、図６のようなメサ構造（ポスト状（柱状）積層構造）を得ることができる。
【００４７】
第３の実施形態
図７は本発明に係る面発光型半導体レーザの第３の実施形態の構成例を示す図である。図７を参照すると、この面発光型半導体レーザは、、半導体基板（例えばＧａＡｓ基板）２１上に、少なくとも、下部ＤＢＲ２２と、第１スペーサ層２３と、活性層２４と、第２スペーサ層２５と、上部ＤＢＲ２６とが順次に積層されており、第１スペーサ層２３，第２スペーサ層２５を構成する半導体層のＶ族元素がＡｓであり、発振波長が１．１μｍ以上のものとなっている。
【００４８】
ここで、下部ＤＢＲ２２は、その上部において、ＧａＩｎＰなどからなるエッチングストップ２２ａと、電流狭窄層２２ｂ（選択酸化がなされる前は、被選択酸化層（ＡｌＡｓ層））と、ＡｌＧａＡｓ等のＰを含まない層２２ｃとが順次に積層されたものとなっている。
【００４９】
このように、第３の実施形態の面発光型半導体レーザにおいては、選択酸化されて電流狭窄部として機能する層２２ｂが、下部ＤＢＲ２２中に設けられ、また、下部ＤＢＲ２２中において電流狭窄部として機能する層２２ｂよりも、半導体基板２１側の位置に、メサ形状にエッチングする際のエッチングストップ層２２ａとしてＩｎとＰを含む層が設けられている。
【００５０】
図７の面発光型半導体レーザは例えば次のようにして作製される。すなわち、先ず、半導体基板（例えばＧａＡｓ基板）２１上に下部ＤＢＲ２２を成長させる。この下部ＤＢＲ２２の作製工程の最終の工程において、エッチングストップ層（例えばＧａＩｎＰ層）２２ａを成長させ、次いで、被選択酸化層（ＡｌＡｓ層）２２ｂを成長させ、次いで、Ｐを含まない層（例えばＡｌＧａＡｓ層）２２ｃを成長させる。このとき、この３つの層２２ａ，２２ｂ，２２ｃは、合計厚さが３／４λの低屈折率層になるように成長させる。
【００５１】
しかる後、第１スペーサ層２３、活性層２４、第２スペーサ層２５を順次成長させる。このとき、第１スペーサ層２３と活性層２４と第２スペーサ層２５とで構成される活性領域の厚さは、発振波長λに合わせるようにする。その後、上部ＤＢＲ２６を成長させる。
【００５２】
このようにして、ＧａＡｓ基板２１上に、下部ＤＢＲ２２（エッチングストップ層２２ａ，被選択酸化層２２ｂを含む），活性領域２３，２４，２５，上部ＤＢＲ２６を順次に積層した後、上部ＤＢＲ２６から下部ＤＢＲ２２中のエッチングストップ層２２ａのところまでをドライエッチングでメサ形状に切り出して、図７のようなメサ構造（ポスト状（柱状）積層構造）を得ることができる。
【００５３】
【発明の効果】
以上に説明したように、請求項１乃至請求項４記載の発明によれば、半導体基板上に、少なくとも、下部ＤＢＲと、第１スペーサ層と、活性層と、第２スペーサ層と、上部ＤＢＲとが順次に積層されており、第１スペーサ層，第２スペーサ層を構成する半導体層のＶ族元素がＡｓであり、発振波長が１．１μｍ以上である面発光型半導体レーザにおいて、選択酸化されて電流狭窄部として機能する層が上部ＤＢＲ中に設けられており、
メサ形状にエッチングする際のエッチングストップ層としてＩｎとＰを含む層が、前記上部ＤＢＲ中であって前記第２スペーサ層とは隣接せず、かつ、電流狭窄部として機能する層よりも半導体基板側の位置に設けられているので、ＧａＡｓ基板などの半導体基板上に形成された面発光型半導体レーザにおいて、ウェットエッチングのためだけではなく、メサの高さを制御性良く形成するためのエッチングストップ層が設けられる場合にも、スペーサ層近傍においてバンド構造の乱れを生じさせない構造の面発光型半導体レーザを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】エッチングストップ層を用いてＶＣＳＥＬを作製する従来の技術を説明するための図である。
【図２】在来のＶＣＳＥＬ（面発光型半導体レーザ）の概略構成例を示す図である。
【図３】スペーサ層とエッチングストップ層との界面におけるバンド構造の乱れを説明するための図である。
【図４】エッチングの深さ（メサの高さ）とスロープの高さｄとの関係についての実験結果を示す図である。
【図５】本発明に係る面発光型半導体レーザの第１の実施形態の構成例を示す図である。
【図６】本発明に係る面発光型半導体レーザの第２の実施形態の構成例を示す図である。
【図７】本発明に係る面発光型半導体レーザの第３の実施形態の構成例を示す図である。
【符号の説明】
１          半導体基板
２          下部ＤＢＲ
３          第１スペーサ層
４          活性層
５          第２スペーサ層
６          上部ＤＢＲ
２ａ        エッチングストップ層
６ｂ        電流狭窄部として機能する層
１１        半導体基板
１２        下部ＤＢＲ
１３        第１スペーサ層
１４        活性層
１５        第２スペーサ層
１６        上部ＤＢＲ
１６ｂ      エッチングストップ層
１６ｃ      電流狭窄部として機能する層
２１        半導体基板
２２        下部ＤＢＲ
２３        第１スペーサ層
２４        活性層
２５        第２スペーサ層
２６        上部ＤＢＲ
２２ａ      エッチングストップ層
２２ｂ      電流狭窄部として機能する層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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