(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
相対向する表面と底面とを備えている電気光学材料からなる基板、この基板の前記表面側に形成されている光導波路、および前記基板の前記表面上に形成されており、前記光導波路内を伝搬する光を変調するための電極を備えている進行波形光変調器であって、
少なくとも前記光導波路の領域において前記基板の前記底面から凹んでいる凹部が設けられており、
前記基板が単結晶からなるｘ板であると共に、前記底面が設けられている厚肉部分、前記凹部に面する第一の薄肉部分および前記凹部に面する第二の薄肉部分を備えており、
前記第一の薄肉部分内に前記光導波路が設けられており、前記第一の薄肉部分が前記第二の薄肉部分よりも厚く形成してあると共に、前記第一の薄肉部分の厚みが１５μｍ以上２０μｍ以下、かつ、前記第二の薄肉部分の厚みが１２．５μｍ以下である、ことを特徴とする、進行波形光変調器。
【請求項２】
前記第一の薄肉部分の厚さｔ（ＯＰ）と前記第二の薄肉部分の厚さｔ（ｓｕｂ）との差が１μｍ以上であることを特徴とする、請求項１に記載の進行波型光変調器。
【請求項３】
前記第一の薄肉部分の幅Ｗ（ＯＰ）が、［Ｗ（ＥＬ）＋２μｍ］以上、［Ｗ（ＥＬ）＋２Ｇ］以下、（Ｗ（ＥＬ）は、前記光を変調するための中心電極の幅である。Ｇは前記電極間のギャップである）であることを特徴とする、請求項１または２に記載の進行波形光変調器。
【請求項４】
前記第一の薄肉部分内において、前記光導波路の光軸中心と前記電極との間隔が０．５μｍ以上であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一に記載の進行波形光変調器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、進行波形光変調器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
本出願人は、特開平１０−１３３１５９号公報において、進行波形光変調器の基板の光導波路の下に薄肉部分を設け、この薄肉部分の厚さを例えば１０μｍ以下に薄くすることを開示した。これによって、酸化珪素等からなるバッファ層を形成することなしに高速光変調が可能であるし、駆動電圧Ｖπと電極の長さＬとの積（Ｖπ・Ｌ）を小さくできるので、有利である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、本出願人がこのタイプの進行波型光変調器を更に具体的に検討した結果、光の結合損失が増大する傾向があることが判明した。
【０００４】
本発明の課題は、電極を伝搬するマイクロ波と光導波路を伝搬する光との間の速度整合を達成しつつ、駆動電圧Ｖπと電極の長さＬとの積（Ｖπ・Ｌ）が小さく、かつ光の結合損失の小さい進行波形光変調器を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、相対向する表面と底面とを備えている電気光学材料からなる基板、この基板の前記表面側に形成されている光導波路、および前記基板の前記表面上に形成されており、前記光導波路内を伝搬する光を変調するための電極を備えている進行波形光変調器であって、少なくとも前記光導波路の領域において前記基板の前記底面から凹んでいる凹部が設けられており、
前記基板が単結晶からなるｘ板であると共に、前記底面が設けられている厚肉部分、前記凹部に面する第一の薄肉部分および前記凹部に面する第二の薄肉部分を備えており、前記第一の薄肉部分内に前記光導波路が設けられており、前記第一の薄肉部分が前記第二の薄肉部分よりも厚く形成してあると共に、前記第一の薄肉部分の厚みが１５μｍ以上２０μｍ以下、かつ、前記第二の薄肉部分の厚みが１２．５μｍ以下であることを特徴とする。
【０００６】
「第一の薄肉部分内に光導波路が設けられている」とは、光導波路の少なくとも屈折率の中心が第一の薄肉部分内に存在することを意味している。
【０００７】
本発明者は、光導波路下に薄肉部分を設けることによってマイクロ波と光との速度整合を達成した場合に光の結合損失が増大する理由について検討し、以下の知見を得た。例えば１０ＧＨｚ以上の電気信号で動作する進行波形光変調器において速度整合を達成するためには、薄肉部分の厚さを１０μｍ程度まで薄くすることが一般的に必要である。しかし、薄肉部分の上と下とには通常は大気が接触しており、大気の屈折率は電気光学結晶の屈折率よりもはるかに低い。この結果、薄肉部分の厚さが１０μｍ近辺になると、光導波路の形態が偏平化する傾向があった。一方、進行波形光変調器と結合される外部の光ファイバー内を伝搬する光ビームの形態はほぼ真円形状である。このため、光ファイバー内を伝搬する光ビームの強度分布と進行波形光変調器内の光導波路を伝搬する光ビームの強度分布との不一致が大きくなるので、光エネルギーが有効に伝搬されず、損失となるものと思われる。
【０００８】
この問題を解決できる程度に薄肉部分の厚さを大きくすると、前述の速度整合が困難になる上、駆動電圧Ｖπと電極の長さＬとの積（Ｖπ・Ｌ）が増大する。
【０００９】
このため、本発明者は、薄肉部分を二つに分割し、第一の薄肉部分（光導波路を含む）の厚さを相対的に大きくすると共に、第二の薄肉部分を第一の薄肉部分に隣接して設けることによって、マイクロ波と光との速度整合を確保し、Ｖπ・Ｌを抑制しつつ、同時に光の結合損失を低減することを想到した。
【００１０】
以下、図面を参照しつつ、本発明を更に詳細に説明する。
【００１１】
図１は、本発明の一実施形態に係る進行波形光変調器１を概略的に示す断面図である。図１の変調器１は、２つの厚肉部分３ｄと、１つの第一の薄肉部分３ｆと、２つの第二の薄肉部分３ｅとを備えている。進行波形光変調器１は、電気光学材料、好ましくは電気光学結晶からなる基板３を備えている。基板３は、相対向する表面３ａと底面３ｂとを備えており、かつ一対の端面３ｃを備えている。また、基板３は、厚肉部分３ｄと、第一の薄肉部分３ｆと、第二の薄肉部分３ｅとを備えている。第一の薄肉部分３ｆの凹部４側には突起５が形成されている。突起５の高さの分だけ、薄肉部分３ｆの厚さｔ（ＯＰ）が薄肉部分３ｅの厚さｔ（ｓｕｂ）よりも大きくなっている。薄肉部分３ｆの表面側には一対の光導波路６Ａ、６Ｂが形成されている。
【００１２】
また、基板３の表面３ａ側には、例えば３列の電極２Ａ、２Ｂ、２Ｃが形成されている。各電極は、図示しないマイクロ波信号源に接続されている。本例では、Ｘ板またはＹ板を使用し、光導波路内にＴＥモードの光を伝搬させる。このため、各光導波路６Ａ、６Ｂは、それぞれ隣接する電極２Ａと２Ｂとの間、あるいは電極２Ｂと２Ｃとの間に挟まれている。
【００１３】
こうした進行波形光変調器においては、電極を伝搬する変調波（マイクロ波）によって生成する電界は、基板の裏面側の空気（溝ないし凹部中）にかなりリークする。この際、光導波路および中心電極２Ｂの直下の領域においてもむろん電界の空気中へのリークが発生するが、第二の薄肉部分３ｅの領域でもこうした電界のリークの寄与がある。この結果、変調波の位相速度が向上する。
【００１４】
これと同時に、突起５を設けない場合と比べて、光導波路６Ａ、６Ｂの直下の領域の厚さは若干大きくできるので、光導波路６Ａ、６Ｂを伝搬する光ビームの偏平化を防止でき、これによって光の結合損失を抑制できる。
【００１５】
なお、図１の例では、薄肉部分の凹部４側に突起５を設けることによって薄肉部分３ｆの厚さを相対的に大きくした。しかし、突起を薄肉部分の表面３ａ側に設けることもでき、突起を薄肉部分の凹部４側および表面３ａ側の両方に同時に設けることもできる。ただし、突起５を薄肉部分の凹部４側にのみ設けることによって、突起５を設けない場合と同様に、各電極から各光導波路への電圧の印加効率が向上し、これによって駆動電圧Ｖπと電極の長さＬとの積（Ｖπ・Ｌ）が減少する。
【００１６】
図１に示すような形態の溝４（つまり薄肉部分３ｆおよび３ｅ）は、エキシマレーザーを用いたレーザーアブレーション加工によって成形できる。あるいは、ダイシング加工によって成形できる。
【００１７】
基板３は、強誘電性の電気光学材料、好ましくは単結晶からなる。こうした結晶は、光の変調が可能であれば特に限定されないが、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム−タンタル酸リチウム固溶体、ニオブ酸カリウムリチウム、ＫＴＰ、ＧａＡｓ及び水晶などを例示することができる。ニオブ酸リチウム単結晶、タンタル酸リチウム単結晶およびニオブ酸リチウム−タンタル酸リチウム固溶体単結晶からなる群より選ばれた一種以上の単結晶が、特に好ましい。
【００１８】
基板３においては、特に好ましくは結晶の分極軸が基板の表面３ａと略水平である。ニオブ酸リチウム単結晶、タンタル酸リチウム単結晶、ニオブ酸リチウム−タンタル酸リチウム固溶体単結晶からなるＸ板あるいはＹ板が好ましい。
【００１９】
第一の薄肉部分３ｆの厚さｔ（ＯＰ）は、マイクロ波の実効屈折率ｎｍを顕著に低減するという観点からは、１００μｍ以下であることが好ましく、２０μｍ以下が更に好ましい。第一の薄肉部分３ｆの厚さｔ（ＯＰ）は、光導波路を伝搬する光ビームの偏平化を防止し、さらに機械強度を保持するという観点からは、１μｍ以上が好ましい。
【００２０】
第二の薄肉部分３ｅの厚さｔ（ｓｕｂ）は、マイクロ波の実効屈折率ｎｍを顕著に低減するという観点からは、第一の薄肉部分３ｆの厚さｔ（ＯＰ）未満であることが好ましく、１２．５μｍ以下が更に好ましく、１０μｍ以下であることが一層好ましい。
【００２１】
本発明の効果を奏する上では、第一の薄肉部分の厚さｔ（ＯＰ）と第二の薄肉部分の厚さｔ（ｓｕｂ）との差が大きいことが好ましく、１μｍ以上であることが特に好ましい。ただし、この差は２５μｍ以下であることが好ましい。
【００２２】
電極の厚さｔ（ＥＬ）は、１５−５０μｍとすることが好ましい。電極の厚さｔ（ＥＬ）は、マイクロ波の実効屈折率、特性インピーダンス、更には電極損失に大きく影響する。厚さｔ（ＥＬ）を小さくすると、マイクロ波の実効屈折率を低減するために、薄肉部分の厚さｔ（ｓｕｂ）を小さくする必要があり、電極損失も増加してしまう。一方、厚さｔ（ＥＬ）を大きくすることは、マイクロ波の実効屈折率の低減化と電極損失の低減には必要であるが、作製上の問題がある。実際には、特性インピーダンスの制御も含めて、電極の厚さｔ（ＥＬ）を決定する。
【００２３】
中心電極の幅Ｗ（ＥＬ）は、薄過ぎると電極損失が大きくなるため、実用上、５−５０μｍとすることが好ましい。
【００２４】
電極ギャップＧを大きくすると、駆動電圧が増大するため、実用上、２５−５５μｍとすることが好ましい。
【００２５】
第一の薄肉部分は、通常は電極ギャップの中心位置に設置される光導波路の幅ないしそれ以上の幅を有することが必要であるが、マイクロ波の屈折率を低減させ、かつ駆動電圧Ｖπと電極の長さＬとの積（Ｖπ・Ｌ）を低減させるという観点からは、第一の薄肉部分の幅Ｗ（ＯＰ）は、［Ｗ（ＥＬ）＋２Ｇ］以下とすることが好ましく、［Ｗ（ＥＬ）＋Ｇ］以下とすることが一層好ましい。
【００２６】
本発明においては、第一の薄肉部分３ｆの幅Ｗ（ＯＰ）を小さくすると、光導波路が第二の薄肉部分３ｅに接近するために、光導波路内を伝搬する光ビームが偏平化し易くなる。したがって、第一の薄肉部分の幅Ｗ（ＯＰ）は、［Ｗ（ＥＬ）＋２μｍ］以上であることが好ましい。
【００２７】
かりに第一の薄肉部分と第二の薄肉部分との間で厚さの差がない場合には、光導波路６Ａ、６Ｂを電極２Ｂに接近させたり、あるいは一対の光導波路６Ａと６Ｂとを接近させたとしても、前記のような作用効果は存在しない。
【００２８】
電極は、低抵抗でインピーダンス特性に優れる材料であれば特に限定されるものではなく、金、銀、銅などの材料から構成することができる。
【００２９】
なお、基板表面３ａと電極との間にはバッファ層を設けることができる。バッファ層は、酸化シリコン、弗化マグネシウム、窒化珪素、及びアルミナなどの公知の材料を使用することができる。
【００３０】
以上、ｘ板、ｙ板についての効果を示したが、本発明はｚ板を使用した場合にも適用できる。ただし、ｚ板を使用した場合には、光導波路は電極の直下に設ける必要があり、光の伝搬損失を低減するために、基板の表面と電極との間にはバッファ層を設けることができる。バッファ層は、酸化シリコン、フッ化マグネシウム、窒化珪素、およびアルミナなどの公知の材料を使用することができる。
【００３１】
また、電極構造については、この場合、図１に示したコプレーナ型導波路（Coplanar waveguide：ＣＰＷ電極) の他、図２に示す非対称コプレーナストリップライン（Asymmetric coplanar strip line：Ａ−ＣＰＳ電極) を適用できる。
【００３２】
なお、図２の変調器１Ａの各部分の構成は、図１に示した各部分の構成と同じである。しかし、図２においては、図１とは異なり、各電極２Ａ、２Ｂの直下に各光導波路６Ａ、６Ｂが形成されている。また、この変調器は、２つの厚肉部分３ｄと、厚肉部分３ｄに連続している２つの第一の薄肉部分３ｆと、２つの第一の薄肉部分３ｆの間に形成された１つの第二の薄肉部分３ｅとを備えている。そして、各光導波路は、それぞれ第一の薄肉部分３ｆ内に存在している。
【００３３】
【実施例】
（実験１）
前述のようにして、図１に概略的に示す進行波形光変調器を製造した。具体的には、Ｘカットした３インチウエハー（ＬｉＮｂＯ３ 単結晶）からなる基板を使用して、チタン拡散プロセスとフォトリソグラフィー法とによって、ウエハーの表面にマッハツェンダー型の光導波を形成した。光導波路のサイズは１／ｅ２で１０μｍであった。次いで、メッキプロセスにより、ＣＰＷ電極を形成した。
【００３４】
このウエハー形状の基板の表面にレジスト膜をコーティングし、マイクログラインダー加工機の定盤にセットした。基板のオリフラ面を基準にして加工位置の位置合わせを行った。基板の固定には、熱可塑性樹脂ステッキワックス（日化精工製）を使用した。砥石としては、レジン系ボンドのダイヤモンド砥石であって、粗さが♯６０００番の砥石を使用した。回転数を３００００ｒｐｍとし、砥石の送り速度を０．３ｍｍ／秒とし、基板の底面側を加工し、溝４を形成した。溝４を成形する際には、最初に一定深さまで加工し、次いで細長い溝部分４ａを成形した。溝４の入口の幅は１００μｍであり、第二の薄肉部分３ｅにおける深さは１０μｍであり、厚肉部分の幅は３０μｍであった。他の各部分の寸法は後述する。
【００３５】
また、ウエハー（基板３）の底面側に、他のニオブ酸リチウム基板をエポキシ樹脂によって接着し、補強した。この際、凹部４内には樹脂を充填しないようにした。次に、ウエハーを定盤から取り外し、有機溶剤を用いた洗浄によってステッキワックスを除去した。ウエハーをダイシングソー加工機で切断し、各進行波形光変調器に分割し、光導波路の端面を光学研磨した。
【００３６】
１．５μｍシングルモード光ファイバーを保持した単芯ファイバーアレイを作製し、これを進行波形光変調器に結合し、光ファイバーと光導波路とを調芯し、紫外線硬化型樹脂によって接着した。
【００３７】
ネットワークアナライザによって透過特性（Ｓ２１）および反射特性（Ｓ２２）を測定し、マイクロ波屈折率ｎｍ、特性インピーダンスＺｏ、電極損失αを求めた。また、電気光学特性として半波長電圧Ｖπを測定した。測定時には波長１．５５μｍの半導体レーザーを入射し、電極には１ｋＨｚのノコギリ波を印加した。更に、光ファイバーの光軸調芯後の光の結合損失を求めた。
【００３８】
第一の薄肉部分３ｆの厚さｔ（ＯＰ）を２０μｍとし、第二の薄肉部分３ｅの厚さｔ（ｓｕｂ）を１２．５μｍとし、電極２Ｂの幅Ｗ（ＥＬ）を１０μｍとし、光導波路６Ａ、６Ｂの光軸中心と電極２Ｂとの間隔Ｍを１０μｍとし、電極ギャップＧを４２μｍとし、電極の厚さｔ（ＥＬ）を３５μｍとした。そして、第一の薄肉部分３ｆの幅（突起５の幅）Ｗ（ＯＰ）を、表１に示すように変化させた。
【００３９】
【表１】
0004471520.tif 000002
【００４０】
ｔ（ＯＰ）＝２０μｍ、Ｗ（ＯＰ）＝６０μｍ以下のときにマイクロ波屈折率ｎｍを２．３以下に制御することができる。また、ｔ（ＯＰ）が１５μｍ以上、３０μｍ以下、Ｗ（ＯＰ）が３０μｍ以上、６０μｍ以下のときに、特性インピーダンスの変化は小さく、５０Ω±５Ω程度であった。また、Ｍを１０μｍにすることによって、速度整合を達成しつつ、駆動電圧Ｖπと電極の長さＬとの積（Ｖπ・Ｌ）を従来構造に比べて１Ｖ・ｃｍ程度の上昇に抑えることが可能である。
【００４１】
（実験２）
実験１と同様にして進行波形光変調器を製造し、各特性を試験した。ただし、ｔ（ＯＰ）を２０μｍとし、Ｗ（ＥＬ）を１０μｍとし、Ｍを１０μｍとし、Ｇを４２μｍとし、ｔ（ＥＬ）を３５μｍとした。そして、第二の薄肉部分３ｅの厚さｔ（ｓｕｂ）を６−１２．５μｍの間で変化させた。この結果を表２に示す。
【００４２】
【表２】
0004471520.tif 000003
【００４３】
上記のように、本例の進行波形光変調器は、低いｎｍ、高いＺｏを実現でき、かつＶπ．Ｌもｔ（ｓｕｂ）やＷ（ＯＰ）の数値の選択によって抑制でき、かつ光の結合損失も著しく低減できる。
【００４４】
（実験例３）
図１に示す進行波型光変調器に対して準ＴＥＭ解析を行い、その駆動電圧・電極長の積ＶπＬと、光導波路６Ｂの中心電極２Ｂからの距離Ｘとの関係を詳細に検討した。図３は、準ＴＥＭ解析によるシュミレーション結果を示すグラフである。なお、図３に示すシュミレーション結果は、Ｗ（ＯＰ）をパラメータとして、複数のＷ（ＯＰ）値に対し、ＶπＬとＸとの関係を求めたものである。
【００４５】
さらに、上記シュミレーションは、Ｗ（ＥＬ）が３０μｍ、Ｇが４０μｍ、ｔ（ＯＰ）が１５μｍ、ｔ（ｓｕｂ）が１０μｍ、ｔ（ＥＬ）が３０μｍなる条件にて実施した。また、光導波路６Ｂが図面横方向において３μｍ、図面縦方向において２μｍのスポット半径（電界１／ｅ）のを有する場合を想定した。
【００４６】
図３から明らかなように、Ｘ＝２２〜３２μｍにおいてＶπＬは極大を示すが、光導波路６Ｂが中心電極２Ｂに近づくにつれて、ＶπＬが減少することが分かる。すなわち、図１に示す構成の進行波型光変調器においては、光導波路を中心電極に近づけることによってＶπＬを低減できることが分かる。また、光導波路６Ｂは第一の薄肉部分３ｆに位置するようになるため、光の結合損失の低減をも同時に達成することができる。
【００４７】
一方、光導波路６Ｂを中心電極２Ｂより遠ざけることによってもＶπＬが減少する。しかしながら、この場合においては、光導波路６Ｂが第二の薄肉部分３ｅに位置するようになる。したがって、光導波路６Ｂが偏平化してしまい、光の結合損失が増大してしまう。
【００４８】
Ｔｉ熱拡散法を用いれば、スポット径が５〜１５μｍの光導波路を簡易に形成することができる。したがって、上述したシュミレーション結果に基づいて、ＶπＬ低減と光の結合損失の低減とを十分に達成することができる。また、エピタキシャル技術、プロトン交換技術を用いれば、モードフィールド直径が１μｍ程度のものを得ることができる。したがって、光導波路と中心電極との距離を１μｍ程度まで低減することができ、この結果として、ＶπＬをさらに低減できることが推察される。
【００４９】
（実験４）
本実験例においては、図１に示す進行波型光変調器の変形例である、図４に示すような進行波型光変調器に対して準ＴＥＭ解析を行い、その特性を詳細に検討した。図４に示す進行波型光変調器においては、第一の薄肉部分３ｅを中心部分に設け、第二の薄肉部分３ｆをその両側に位置するように設けている。そして、図１に示す進行波型光変調器と同様に、第二の薄肉部分３ｆにおいて光導波路６Ａ及び６Ｂを位置させている。
【００５０】
図５は、速度整合する中心電極２Ｂの高さＴｍ（μｍ）と第一の薄肉部分３ｅを構成する凹部４の半幅値ＧＬＮ（μｍ）との関係を示し、図６は、進行波型光変調器の特性インピーダンスＺ（Ω）と半幅値ＧＬＮとの関係を示すシュミレーション結果である。図７は、駆動電圧・電極長の積ＶπＬと半幅値ＧＬＮとの関係を示すシュミレーション結果である。
【００５１】
なお、Ｗ（ＥＬ）は３０μｍとし、Ｇは４０μｍとし、ｔ（ＯＰ）は１５μｍとし、進行波型光変調器の中心から光導波路６Ｂまでの距離Ｘｗを５０μｍとしてシュミレーションを実施した。
【００５２】
このシュミレーション結果より、ｔ（ｓｕｂ）＝１０μｍ、ＧＬＮ＝４５μｍの場合において、特性インピーダンスが約５０Ω近傍の値を取るようになるとともに、ＶπＬも１３Ｖｃｍ以下の値を取るようになり、高速変調可能であることが分かる。この場合においても、エピタキシャル技術、プロトン交換技術を用いることにより、モードフィールド直径が１μｍ程度のものを形成することができる。この結果、光導波路６Ｂを電極２Ｃより２μｍ程度の位置まで寄せてＸｗ値が４８μｍ程度となるように配置すれば、ＶπＬをさらに低減することができる。
【００５３】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、電極を伝搬するマイクロ波と光導波路を伝搬する光との間の速度整合を達成しつつ、駆動電圧Ｖπと電極の長さＬとの積（Ｖπ・Ｌ）が小さく、かつ光の結合損失の小さい進行波形光変調器を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係る進行波形光変調器１を概略的に示す断面図である。
【図２】本発明の他の実施形態に係る進行波形光変調器１Ａを概略的に示す断面図である。
【図３】図１に示す進行波型光変調器１における駆動電圧・電極長の積ＶπＬのシュミレーション結果を示すグラフである。
【図４】図１に示す進行波型光変調器１の変形例を概略的に示す断面図である。
【図５】図４に示す進行波型光変調器における中心電極の、速度整合する高さＴｍのシュミレーション結果を示すグラフである。
【図６】図４に示す進行波型光変調器における特性インピーダンスのシュミレーション結果を示すグラフである。
【図７】図４にしめづ進行波型光変調器における駆動電圧・電極長の積ＶπＬのシュミレーション結果を示すグラフである。
【符号の説明】
１、１Ａ  進行波形光変調器  ２Ａ、２Ｂ、２Ｃ  電極  ３  基板  ３ａ  基板３の表面  ３ｂ  基板３の底面  ３ｃ  基板３の端面  ３ｄ  基板３の厚肉部分  ３ｅ  第二の薄肉部分  ３ｆ  第一の薄肉部分  ４  凹部  ５突起  ６Ａ、６Ｂ  光導波路  Ｇ  電極ギャップ  Ｍ  光導波路の光軸の中心と中心電極との間隔  Ｗ（ＥＬ）  中心電極の幅  Ｗ（ＯＰ）  第一の薄肉部分３ｆの幅  ｔ（ＥＬ）  電極の厚さ  ｔ（ｓｕｂ）  第二の薄肉部分の厚さ
【図１】
0004471520.tif 000004
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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