(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
六フッ化硫黄ガスをアルミナ放電管内の放電部位でプラズマ化して活性種ガスを生成するプラズマ発生過程と、
上記放電部位で生成した活性種ガスをシリコンウエハ側に導くアルミナ放電管のノズル部を、シリコンウエハの相対厚部に対向させた状態で、上記活性種ガスを上記相対厚部に噴射させることにより、上記相対厚部を局部的にエッチングする噴射過程とを具備するウエハエッチング方法において、
上記六フッ化硫黄ガスに、シリコンウエハ表面の白濁発生を抑制するための水素ガスを所定の割合で混合した混合ガスを、上記アルミナ放電管内の放電部位に供給して上記活性種ガスを含む活性種混合ガスを生成し、この活性種混合ガスを上記ノズル部から噴射し、
上記水素ガスを、上記混合ガスに対して０．１％〜３０％間の割合で混合し、
上記シリコンウエハに対する上記ノズル部の相対速度を上記相対厚部の厚さに略反比例するように設定して、相対厚部上でのノズル部の相対速度を低速にすると共に、非相対厚部上でのノズル部の相対速度を高速にする、
ことを特徴とするウエハエッチング方法。
【請求項２】
請求項１に記載のウエハエッチング方法において、
上記シリコンウエハの表面を所定温度に加熱する加熱過程を設けた、
ことを特徴とするウエハエッチング方法。
【請求項３】
請求項２に記載のウエハエッチング方法において、
上記加熱過程におけるシリコンウエハの加熱温度を、６０゜Ｃ〜１７０゜Ｃの間の温度に設定した、
ことを特徴とするウエハエッチング方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、ウエハの表面に存在する相対厚部分を局部的にエッチングするウエハエッチング方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年では、シリコンウエハなどの表面上にある相対厚部に対して、局部的なエッチングを行い、ウエハを薄くしたり（シンニング）、表面を平坦化して、ＴＴＶ（Total Thickness Variation)やＬＴＶ（Local Thickness Variation)といった形状変動を改善するウエハエッチング方法が考案されている。
【０００３】
図４は、従来のウエハエッチング方法を示す概略図である。
図４において、符号１００は、プラズマ発生部であり、プラズマ発生部１００は，ＳＦ6（六フッ化硫黄）をプラズマ放電させて、Ｆ（フッ素）のイオンやラジカルなどを含む活性種ガスＧを生成し、この活性種ガスＧをノズル１０１からシリコンウエハＷの表面に噴射する。
シリコンウエハＷはステージ１２０上に固定されており、ステージ１２０を水平方向に移動させ、ノズル１０１をシリコンウエハＷ全表面に走査させることで、シリコンウエハＷの表面のうち規定厚さよりも相対的に厚い部分（以下、「相対厚部」という）Ｗａをノズル１０１の真下に導く。
これにより、活性種ガスＧをノズル１０１から凸状の相対厚部Ｗａに噴射し、相対厚部Ｗａを局部的にエッチングすることで、シリコンウエハＷの表面を平坦化する。
【０００４】
しかし、ＳＦ6ガスを用いたこのウエハエッチング方法では、図５の斜線で示すように、エッチング時に、白濁Ｂがノズル１０１の走査線Ａに沿ってシリコンウエハＷの表面に生じ、シリコンウエハＷの表面を汚すだけでなく、これらの白濁が均一なエッチングを阻害して、所望のＴＴＶやＬＴＶを低下させるおそれがある。
これに対して、ＣＦ4（四フッ化炭素）ガスをプラズマ放電させて、ウエハエッチングする方法がある。この方法を用いると、シリコンウエハＷ表面に白濁Ｂが生じることはないが、エッチング速度がＳＦ6ガスを用いた方法に比べて非常に遅い。
このため、ＳＦ6ガスを用いたウエハエッチング方法であって、白濁が生じない技術の成立が望まれていた。
このような技術の一例として、図６に示すような技術がある。
この技術は、１Ｔｏｒｒという低気圧環境内にシリコンウエハＷを配置する。そして、電極を兼ね且つＳＦ6ガスが充填された小さな放電室２００を相対厚部Ｗａに接近させた状態で、１３．５６Ｈｚの高周波でＳＦ6ガスをプラズマ放電させることにより、相対厚部Ｗａを局部エッチングする。このとき、放電室２００内のプラズマが相対厚部Ｗａに近接しているので、活性種ガスＧが相対厚部Ｗａをエッチングすると同時に、活性種ガスＧ中のイオンが相対厚部Ｗａに衝突することとなる。このため、この各種のイオンの衝撃によって白濁が消され、白濁がシリコンウエハＷの表面に残らないものと解される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図６に示した従来のウエハエッチング方法では、活性種ガスＧ中のイオンがシリコンウエハＷの表面に衝突するので、シリコンウエハＷの結晶構造が乱れたり、上記各種イオンの衝突によって生じた不純物がシリコンウエハＷ内分に侵入し、シリコンウエハＷの高品質な鏡面加工を達成することができないおそれがある。さらに、この方法では、自然光下での目視では、白濁を視認することができないが、集光灯下では白濁を視認することができ、白濁の発生を完全に防止することができない。
【０００６】
これに対して、図４に示した装置は、ＳＦ6ガスを用いしかもプラズマ放電部位がシリコンウエハＷから遠く離れており、シリコンウエハＷに噴射されるものは活性種ガスＧのみである。したがって、この装置でシリコンウエハＷをエッチングする限り、シリコンウエハＷの結晶の乱れなどは生じない。
そこで、発明者は、この装置を用い、ＳＦ6ガスにＨ2（水素）ガスを添加してシリコンウエハＷを局部エッチングした後、シリコンウエハＷ表面を目視で観察したところ、白濁は視認されなかった。これは、Ｆ（フッ素）ラジカルとＨ2との反応で生じるＨＦ（フッ化水素）の介在により白濁の発生が抑制されたものと想定される。しかも、この方法によれば、活性種ガスＧ中のイオンがシリコンウエハＷに衝突することがないので、シリコンウエハＷ表面部分の結晶構造が乱れることもない。さらに、シリコンウエハＷを所定温度に加熱することにより、シリコンウエハＷ表面の白濁発生を完全に防止することができると考えられる。
なお、図７に示すように、ＳＦ6ガスにＨ2ガスを添加してシリコンウエハＷの表面をエッチングする技術がある。
この技術は、１５００Ｔｏｒｒという高気圧環境内にシリコンウエハＷを配置する。そして、シリコンウエハＷの直径よりも長いドラム状の電極３００をシリコンウエハＷに接近させると共に、Ｈ2ガスを添加したＳＦ6ガスを電極３００とシリコンウエハＷとの僅かな間隙に介在させた状態で、１５０ＭＨｚの高周波でこのガスをプラズマ放電させることにより、シリコンウエハＷ表面をエッチングするものである。しかし、この技術もプラズマ放電部位をシリコンウエハＷに近づけているため、図６に示した技術と同様の問題が生じる。また、気圧が高いことから、ガス温度が上昇する。この結果、ウエハ温度が上がり、ウエハの反り等の問題が生じる。しかも、白濁の発生を抑えることができなかった。
【０００７】
この発明は、上記想定に基づいて上述した課題を解決するもので、水素ガスを含んだ混合ガスを六フッ化硫黄ガスに添加することにより、エッチング時におけるウエハ表面の白濁の発生を抑制すると共に高品質のウエハ鏡面加工を可能にするウエハエッチング方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、請求項１の発明は、六フッ化硫黄ガスをアルミナ放電管内の放電部位でプラズマ化して活性種ガスを生成するプラズマ発生過程と、放電部位で生成した活性種ガスをシリコンウエハ側に導くアルミナ放電管のノズル部を、シリコンウエハの相対厚部に対向させた状態で、活性種ガスを相対厚部に噴射させることにより、相対厚部を局部的にエッチングする噴射過程とを具備するウエハエッチング方法において、六フッ化硫黄ガスに、シリコンウエハ表面の白濁発生を抑制するための水素ガスを所定の割合で混合した混合ガスを、アルミナ放電管内の放電部位に供給して活性種ガスを含む活性種混合ガスを生成し、この活性種混合ガスをノズル部から噴射し、水素ガスを、混合ガスに対して０．１％〜３０％間の割合で混合し、シリコンウエハに対するノズル部の相対速度を相対厚部の厚さに略反比例するように設定して、相対厚部上でのノズル部の相対速度を低速にすると共に、非相対厚部上でのノズル部の相対速度を高速にする構成とした。
かかる構成により、プラズマ発生過程において、六フッ化硫黄ガスと水素ガスとが放電管内の放電部位でプラズマ化され、活性種ガスとフッ化水素ガスとを含む活性種混合ガスが生成される。そして、噴射過程において、放電部位で生成した活性種ガスがノズル部によりシリコンウエハ側に導かれ、シリコンウエハの相対厚部に対向したノズル部から活性種ガスが当該相対厚部に噴射されて、相対厚部が局部的にエッチングされる。このとき、六フッ化硫黄ガスに基づく活性種ガスによりウエハがエッチングされるので、そのエッチングレートは極めて大きい。また、プラズマが発生する放電部位から離れたノズル部分から活性種ガスを噴射してエッチングするので、ウエハ表面の結晶構造に乱れが生じない。さらに、当該活性種ガスに白濁発生抑制用のフッ化水素ガスを生成するための水素ガスを含んだ混合ガスが所定の割合で添加されているので、水素ガスによって生成されたフッ化水素ガスによってウエハ表面の白濁の発生が抑えられる。
【０００９】
また、請求項２の発明は、請求項１に記載のウエハエッチング方法において、シリコンウエハの表面を所定温度に加熱する加熱過程を設けた構成とする。
かかる構成により、白濁を集光灯下においても視認することができない程度まで、白濁の発生をほぼ完全に抑制することができる。
そして、ウエハ加熱温度の好例として、請求項３の発明は、請求項２に記載のウエハエッチング方法において、加熱過程におけるシリコンウエハの加熱温度を、６０゜Ｃ〜１７０゜Ｃの間の温度に設定した構成とする。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
（第１の実施形態）
図１は、この発明の第１の実施形態に係るウエハエッチング方法を実現するウエハエッチング装置の構造図である。
このウエハエッチング装置は、プラズマ発生器１と、シリコンウエハＷを収納するチャンバー６とを具備している。
【００１１】
プラズマ発生器１は、アルミナで形成された放電管２とガス供給システム３とマイクロ波発振器４と導波管５とを有してなる。
【００１２】
放電管２は、下端部でノズル部２０を兼ねた円筒体であり、上端部には、ガス供給システム３の供給パイプ３０が連結されている。
ガス供給システム３は、放電管２内にガスを供給するためのシステムであり、ＳＦ6ガスのボンベ３１とＨ2ガスのボンベ３２とを有し、ボンベ３１，３２が流量制御器３３，３４を介して供給パイプ３０に連結されている。
なお、符号３５は、バルブである。
マイクロ波発振器４は、マグネトロンであり、所定周波数のマイクロ波Ｍを発振することができる。
導波管５は、マイクロ波発振器４から発振されたマイクロ波Ｍを伝搬するためのもので、孔５０を介して放電管２に外挿されている。
このような導波管５の左側端内部には、マイクロ波Ｍを反射して定在波を形成する反射板（ショートプランジャ）５１が取り付けられている。また、導波管５の中途には、マイクロ波Ｍの位相合わせを行う３スタブチューナ５２と、マイクロ波発振器４に向かう反射マイクロ波Ｍを９０゜方向（図１の表面方向）に曲げるアイソレータ５３が取り付けられている。
【００１３】
プラズマ発生器１がかかる構成を採ることにより、ガス供給システム３から放電管２にガスを供給すると共に、マイクロ波発振器４からマイクロ波Ｍを発振すると、孔５０に対応する放電管２の部位においてプラズマ放電が行われ、プラズマ放電で生成されたガスがノズル部２０から噴射される。
ところで、このウエハエッチング装置では、マイクロ波発振器４に対する導波管５の外挿位置即ち放電部位がノズル部２０よりも遙かに上方に設定されている。したがって、当該放電部位で発生したプラズマ自体は、シリコンウエハＷのエッチングに寄与せず、プラズマ放電によって発生した活性種ガスＧのみがシリコンウエハＷのエッチングに寄与するようになっている。
【００１４】
一方、チャンバー６は、シリコンウエハＷを収納するための箱体であり、真空ポンプ６０によってその内部が真空にされるようになっている。
チャンバー６の上面中央部には、孔６１が穿設され、この孔６１を介して放電管２のノズル部２０がチャンバー６内に挿入されている。孔６１と放電管２との間にはＯ−リング６２が装着されて、孔６１と放電管２との間が気密に保持されると共に、チャンバー６全体が放電管２に対して上下に移動することができるようになっている。
そして、このような孔６１に挿入されたノズル部２０の周囲には、ダクト６３が設けられ、真空ポンプ６４の駆動によって、エッチング時の反応生成ガスをチャンバー６外部に排出するようになっている。
【００１５】
そして、このようなチャンバー６内にチャック７が配され、シリコンウエハＷがこのチャック７によって保持されている。
チャック７は、静電式のチャックであり、静電気の力でシリコンウエハＷを吸着する機構を有している。また、このチャック７内には、破線で示すように、ヒータ７０が内蔵されており、電源７１をオン状態にすることで、シリコンウエハＷを所定温度に加熱することができるようになっている。
【００１６】
チャック７は、Ｘ−Ｙ駆動機構８に支持されており、また、チャンバー６全体はＺ駆動機構９によって支持されている。
具体的には、Ｘ−Ｙ駆動機構８のＸ駆動モータ８０によってチャック７が図１の左右に移動され、Ｙ駆動モータ８１によってチャック７とＸ駆動モータ８０とが一体に図１の紙面表裏に移動されるようになっている。さらに、Ｚ駆動機構９のＺ駆動モータ９０によって、チャンバー６全体が上下に移動されるようになっている。
すなわち、Ｘ−Ｙ駆動機構８によって、ノズル部２０をシリコンウエハＷに対して相対的にＸ−Ｙ方向に移動させることができると共に、Ｚ駆動機構９によって上下方向に移動させることができる。
このようなＸ−Ｙ駆動機構８のＸ駆動モータ８０，Ｙ駆動モータ８１やＺ駆動機構９のＺ駆動モータ９０の駆動制御は、制御コンピュータ８９が所定のプログラムに基づいて行う。
【００１７】
次に、上記構成のウエハエッチング装置を用いて、この実施形態のウエハエッチング方法を実行する方法について説明する。
まず、シリコンウエハＷをチャック７に吸着させた状態で、真空ポンプ６０を駆動してチャンバー６内を０．１Ｔorr〜５．０Ｔorrの低気圧状態にすると共に、Ｚ駆動機構９を駆動させてチャンバー６全体を上昇させることにより、シリコンウエハＷをノズル部２０の下方約５ｍｍ程度迄近付ける。
【００１８】
この状態でガス供給システム３のバルブ３５を開き、ボンベ３１内のＳＦ6ガスＧ１とボンベ３２内のＨ2ガスＧ２とを流量制御器３４，３５及び供給パイプ３０を介して放電管２内に供給する。
このとき、バルブ３５の開度を調整して、ＳＦ6ガスＧ１及びＨ2ガスＧ２の圧力を所定の圧力に維持すると共に、流量制御器３３，３５によりＳＦ6ガスＧ１，Ｈ2ガスＧ２の流量を調整して、放電管２内に供給されたＳＦ6ガスＧ１とＨ2ガスＧ２との混合ガスに対するＨ2ガスＧ２の割合を０．１％〜３０％の間の値に設定する。
【００１９】
上記混合ガスの供給作業と並行して、マイクロ波発振器４を駆動させると、マイクロ波Ｍによって、放電部位に存在する混合ガスがプラズマ放電し、活性種ガスＧとＨＦガスＧ３とが生成される（プラズマ発生過程）。
すると、活性種ガスＧとＨＦガスとを有した活性種混合ガスＧ′がノズル部２０に案内されて、ノズル部２０開口からシリコンウエハＷ側に噴射される。
【００２０】
この状態で、制御コンピュータ８９によりＸ−Ｙ駆動機構８を駆動させ、シリコンウエハＷが吸着されたチャック７をＸ−Ｙ方向にジグザグ状に移動させる。
すなわち、図２に示すように、ノズル部２０をシリコンウエハＷに対して相対的にジグザグ状に走査させる。このとき、ノズル部２０のシリコンウエハＷに対する相対速度は、相対厚部の厚さに略反比例するように設定しておく。
これにより、図３に示すように、ノズル部２０が非相対厚部Ｗｂの真上を高速度で移動し、相対厚部Ｗａの上方にくると相対厚部Ｗａの厚さに応じて速度を下げる。この結果、相対厚部Ｗａに対するエッチング時間が長くなり、相対厚部Ｗａが平坦に削られることとなる（噴射過程）。
そして、このようなエッチング時に生じたガス状の反応生成物は、図１に示す真空ポンプ６４の駆動によってダクト６３からチャンバー６の外部に排出される。
【００２１】
ところで、上記エッチング時にＳＦ6ガスＧ１とＨ2ガスＧ２との混合ガスをプラズマ放電するので、Ｆラジカルを含んだ活性種ガスＧとこのＦラジカルとＨ2ガスＧ２との反応で生成されたＨＦガスとを有した活性種混合ガスＧ′がシリコンウエハＷに吹き付けられる。このため、活性種混合ガスＧ′中のＨＦガスがシリコンウエハＷ表面に化学的又は物理的に作用し、シリコンウエハＷ表面の白濁の発生を抑制すると考えられる。
また、ＳＦ6ガスＧ１のプラズマ放電で得られる活性種ガスＧでシリコンウエハＷをエッチングするので、エッチングレートが速い。
さらに、プラズマの放電部位がシリコンウエハＷよりも遙か上方に位置（例えばシリコンウエハＷ表面より１５ｃｍ上方位置）に設定されているので、放電部位で発生したプラズマ自体はシリコンウエハＷのエッチングに影響を与えない。すなわち、プラズマは活性種ガスＧの生成源として機能するだけであり、シリコンウエハＷのエッチングは活性種ガスＧによってのみ行われる。このため、図６に示した従来の技術のように、活性種ガスＧ中のイオンがシリコンウエハＷに衝突してシリコンウエハＷ表面の結晶構造を乱すこともない。
【００２２】
発明者は、上記効果を実証すべく、以下の比較実験を行った。
まず、第１の実験において、８インチのシリコンウエハＷを１Ｔorrに保持されたチャンバー６内のチャック７に吸着させ、ガス供給システム３のバルブ３５を開くと共に流量制御器３３を調整して、ボンベ３１から２００ＳＣＣＭ即ち１分間当たり２００リットルのＳＦ6ガスＧ１を放電管２に供給し、マイクロ波発振器４から出力３００Ｗのマイクロ波Ｍを発信して、ＳＦ6ガスＧ１をプラズマ放電させた。そして、図２に示すように、ノズル部２０を８ｍｍピッチでジグザク状に走査させて、シリコンウエハＷ表面全体をノズル部２０から噴射する活性種ガスＧによってエッチングした。すると、自然光下で、図５に示すような白濁Ｂがエッチング後のシリコンウエハＷ表面に走査線Ａに沿って発生していることが目視された。
次に、第２の実験を行い、バルブ３５を開くと共に流量制御器３３，３４を調整して、ボンベ３１から２００ＳＣＣＭのＳＦ6ガスＧ１を出力すると共にボンベ３２から１０ＳＣＣＭのＨ2ガスＧ２を出力して、これらの混合ガスを放電管２に供給した。なお、その他の条件は上記第１の実験の条件と同様に設定した。すると、エッチング後のシリコンウエハＷ表面には、自然光下において、白濁の発生を目視することができなかった。しかも、結晶構造の乱れ等がない良品質の鏡面を得ることができた。
【００２３】
（第２の実施形態）
上記第１の実施形態では、自然光下で目視することができない程度に、白濁の発生を押さえることができる。しかし、集光灯下でエッチング後のシリコンウエハＷ表面を目視すると、薄い白濁の残存が視認される。これは、上記したＣＦ4ガスによるウエハエッチング方法においても同じである。
この程度の白濁を有したシリコンウエハＷは製品として成立するが、さらに高品質の鏡面を得るためには、ＣＭＰ装置でシリコンウエハＷの表面をミラーポリッシング工程する必要がある。したがって、かかる場合には、ミラーポリッシング工程を必要とするので、設備コストが高く付くと共に作業処理時間が長くなってしまう。
【００２４】
かかる点に配慮し、この実施形態では、設備コストの上昇などを招くことなく、シリコンウエハＷ表面における白濁の発生をほぼ完全に防止することができる加熱過程を設けた。
具体的には、上記第１の実施形態のウエハエッチング方法と同様の方法を実行すると共に、シリコンウエハＷのエッチング時に電源７１をオン状態にしてヒータ７０を動作させ、シリコンウエハＷを６０゜Ｃ〜１７０゜Ｃの間の温度まで加熱する。
これにより、シリコンウエハＷ表面の白濁が集光灯下でも目視することができない程度まで減少する。
【００２５】
発明者は、かかる効果を実証すべく、上記第２の実験と同様の条件下でシリコンウエハＷをエッチングすると共に、さらにヒータ７０を用いて、シリコンウエハＷの温度を８０゜Ｃ迄加熱する実験を行った。
すると、シリコンウエハＷ表面の白濁の発生がほぼ完全に抑制され、集光灯下においても、白濁を目視することができなかった。
【００２６】
このように、この実施形態のウエハエッチング方法によれば、簡単な設備で上記ミラーポリッシングと同様の処理を行うことができ、設備費のコストダウンと作業処理時間の短縮化とを図ることができる。
【００２７】
なお、この発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、発明の要旨の範囲内において種々の変形や変更が可能である。
例えば、上記第１及び第２の実施形態において、プラズマ発生過程を実行する手段として、マイクロ波を発振してプラズマを発生するプラズマ発生器１を用いたが、活性種ガスを生成しうる手段であれば良く、例えば高周波によってプラズマを発生して活性種ガスを生成するプラズマ発生器など各種のプラズマ発生器を用いることができる。
また、上記第２の実施形態において、加熱過程を達成する手段として、ヒータ７０を用いたが、これに限定されるののではなく、例えば赤外線ランプなどを加熱過程実行手段として用いることができる。
【００２８】
【発明の効果】
以上詳しく説明したように、この発明に係るウエハエッチング方法によれば、六フッ化硫黄ガスに基づく活性種ガスによりウエハをエッチングするので、ウエハのエッチングレートを大きくすることができる。また、プラズマが発生する放電部位から離れたノズル部分から活性種ガスを噴射してエッチングするので、ウエハ表面の結晶構造に乱れが生じず、品質の良いウエハを提供することができる。さらに、白濁発生抑制用のフッ化水素ガスを生成するための水素ガスを含んだ混合ガスの添加によって、ウエハ表面の白濁の発生を抑えることができるので、高品質のウエハを提供することができる。
さらに、この発明に係るウエハエッチング方法によれば、白濁を集光灯下においても視認することができない程度まで、ウエハ表面の白濁の発生をほぼ完全に抑制することができるので、さらに高品質なウエハを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  この発明の第１の実施形態に係るウエハエッチング方法を実現するウエハエッチング装置の構造図である。
【図２】  ウエハの走査パターンを示す平面図である。
【図３】  相対厚部の局部エッチング状態を示す断面図である。
【図４】  従来のウエハエッチング方法を示す概略図である。
【図５】  従来のウエハエッチング方法でエッチングされたシリコンウエハ表面の白濁発生状態を示す平面図である。
【図６】  他の従来例に係るウエハエッチング方法を示す断面図である。
【図７】  ＳＦ6ガスにＨ2ガスを添加してシリコンウエハＷの表面をエッチングする従来のウエハエッチング方法を示す断面図である。
【符号の説明】
【００２９】
１…プラズマ発生器、  ２…放電管、  ３…ガス供給システム、  ４…マイクロ波発振器、  ５…導波管、  ６…チャンバー、  ７…チャック、  ８…Ｘ−Ｙ駆動機構、  ９…Ｚ駆動機構、  ２０…ノズル部、  ３１，３２…ボンベ、  Ｇ…活性種ガス、  Ｇ′…活性種混合ガス、  Ｇ１…ＳＦ6ガス、  Ｇ２…Ｈ2ガス、  Ｗ…シリコンウエハ、  Ｗａ…相対厚部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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