(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
焼成収縮開始温度がそれぞれＴ１、Ｔ２（Ｔ１＜Ｔ２）からなる２種の未焼成のセラミック絶縁層の界面に、導体材料を塗布して内部導体層を形成した積層体を作製した後、一方の未焼成のセラミック絶縁層が最終焼成体積収縮量の９０％以上収縮した後、他方の未焼成のセラミック絶縁層が焼成収縮を開始するようにして前記積層体の平面方向の収縮を抑制しながら最高焼成温度Ｔ３で焼成する回路基板の製造方法において、前記導体材料として、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、ＰｄおよびＰｔの中から選ばれる少なくとも１種を主成分とする平均粒径０．８〜４μｍ、ＢＥＴ比表面積０．１５〜０．８０ｍ２／ｇの金属粉末をペースト化したものであって、Ｔ１〜Ｔ３における焼成体積収縮率が１５％以下でかつ室温からＴ１まで昇温する過程での焼成体積収縮率が１２％以下であるものを用い、前記内部導体層の焼成後の厚みを３０μｍ以下とすることを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項２】
前記内部導体層を構成する導体材料が、Ｒｈ及び／またはＲｕを含有することを特徴とする請求項１記載の回路基板の製造方法。
【請求項３】
前記積層体中に、焼成収縮挙動が異なる未焼成のセラミック絶縁層が接する界面が２箇所以上存在することを特徴とする請求項１または請求項２記載の回路基板の製造方法。
【請求項４】
焼成収縮開始温度が異なる２種のセラミック絶縁層の比誘電率が異なることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか記載の回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、内部導体層を具備する回路基板において、平面方向での焼成収縮を抑制するとともに、焼成に伴うクラックの発生を防止した回路基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来技術】
従来、セラミック回路基板は、例えば、アルミナ等のセラミック層間にＷやＭｏ等の高融点金属からなる配線導体を形成して構成されており、その表面にＬＳＩ等の半導体素子を実装した配線基板として用いられてきた。
【０００３】
近年、携帯電話をはじめとする移動体通信等の発達及び普及に伴い、通信機器や電子機器等の小型化、高機能化、低価格化、低電力化等が進められ、ＡｕやＡｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ等の低融点、低抵抗の導体材料と、ガラスセラミックス等の低温焼成セラミックスにより、共振器、コンデンサ、コイル、フィルタ等が形成されたセラミック回路基板が用いられてきている。
【０００４】
このような回路基板において、基板に形成される素子は、セラミック絶縁層上に導体材料によって形成されるラインや電極パッド等の寸法によって性能が左右される。寸法精度を劣化させる要因としては、焼成収縮率のバラツキが大きく、特に、低温焼成セラミックスの焼成収縮率は、１３〜２０％程度と大きいため、収縮率のバラツキにより、寸法精度が著しく劣化する。
【０００５】
近年においては、回路基板の積層成形体をＡｌ2Ｏ3基板等で挟持して焼成する加圧焼成法（特開昭６２−２６０７７７号公報）や、回路基板の積層成形体の表面に、この積層成形体の焼成温度では焼結しないグリーンシートを積層し、焼成後にそれを削り取る方法（特開平４−２４３９７８号公報）によって、回路基板のｘ−ｙ方向における焼成収縮率をほとんど零にし、焼成収縮率のバラツキによる寸法精度の劣化を防止する方法が採用されてきている。
【０００６】
さらに、収縮開始温度の異なる材料を同時焼成することにより、互いの材料のｘ−ｙ方向の焼成収縮率を抑制し、電極等の寸法精度の劣化を防止する方法も提案されている。この方法は、収縮開始温度の低い方の基板材料が収縮を開始し、他方の基板材料が収縮を開始してない温度領域では、ｘ−ｙ方向の収縮が抑制されｚ方向にだけ収縮し、さらに、収縮開始温度の高い方の基板材料は、収縮を開始するとき、他方の基板材料の焼結がほとんど完了しているため、その拘束を受けて、ｘ−ｙ方向の収縮が抑制されｚ方向にだけ収縮するために、全体としてｘ−ｙ方向の収縮を抑制するものである。
【０００７】
この方法は、上記２つの方法と比較して、Ａｌ2Ｏ3基板等が必要なく、また焼結しないグリーンシートを削り取る必要もないため、工程削減によるコストダウンができ、さらに、基板の表裏面に予め配線導体を形成し、同時焼成できるというメリットがある。
【０００８】
上記のようなｘ−ｙ方向の焼成収縮を抑制した回路基板において、配線導体層は、ほとんど収縮しない金属箔を基板に貼りつける方法（特開平７−８６７４３号）や、厚膜印刷法等によって形成される。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ほとんど収縮しない金属箔を用いると、基板のｚ方向の収縮により、配線導体層近傍のセラミックスに応力が発生し、焼成降温時の熱衝撃で基板にクラックが生じるという問題がある。また、基板材料と金属箔の接着性が悪いため、界面にデラミネーションが生じ、耐湿信頼性が劣化するという問題がある。
【００１０】
一方、厚膜印刷法によって形成された配線導体層は、基板材料に入り込みアンカーを形成するため、基板材料との接着性は良好である。しかしながら、焼成における収縮開始温度の異なる材料を用いた基板において、その異なる材料層間に配線導体層が形成された場合、厚膜印刷法によって形成された配線導体層は、焼成過程で大きく収縮するため、異なる基板材料層相互間のｘ−ｙ方向の焼成収縮抑制効果を阻害するという問題があった。
【００１１】
つまり、収縮開始温度の異なる基板材料層間に、基板の焼成収縮温度領域で大きく収縮する導体材料からなる配線導体層が配置されると、前述したようなｘ−ｙ方向の収縮拘束力が弱まり、配線導体層付近ではｘ−ｙ方向に収縮し、その他の部分ではｘ−ｙ方向に収縮しないため、配線導体層近傍にクラック等の欠陥が生じる、あるいは、配線導体層が配置された部分が反る、歪むといった問題があった。特に、収縮開始温度の異なる基板材料層間に配置される配線導体層の面積や体積が大きくなるほど、この傾向は大きくなっていた。
【００１２】
従って、本発明は、焼成収縮開始温度の異なるセラミック基板材料からなる絶縁層を積層してなるｘ−ｙ方向に無収縮のセラミック回路基板において、異なる絶縁層間に配線導体層を形成した場合においても、収縮抑制効果を阻害することなく、また、基板の反り、歪みを抑制でき、かつ、基板にクラックやデラミネーションの生じることがない寸法精度に優れた回路基板の製造方法を提供することを目的とするものである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明は、焼成収縮開始温度の異なるセラミック基板材料からなる絶縁層を積層してなるｘ−ｙ方向に無収縮のセラミック回路基板において、異なる絶縁層間に配置される配線導体層を焼成収縮率の小さい導体材料によって形成することによって、基板の反り、歪み、クラックおよびデラミネーションの発生を抑制した寸法精度の高い回路基板が得られることを見いだした。
【００１４】
即ち、本発明の回路基板の製造方法は、焼成収縮開始温度がそれぞれＴ１、Ｔ２（Ｔ１＜Ｔ２）からなる２種の未焼成のセラミック絶縁層の界面に、導体材料を塗布して内部導体層を形成した積層体を作製した後、一方の未焼成のセラミック絶縁層が最終焼成体積収縮量の９０％以上収縮した後、他方の未焼成のセラミック絶縁層が焼成収縮を開始するようにして前記積層体の平面方向の収縮を抑制しながら最高焼成温度Ｔ３で焼成する回路基板の製造方法において、前記導体材料として、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、ＰｄおよびＰｔの中から選ばれる少なくとも１種を主成分とする平均粒径０．８〜４μｍ、ＢＥＴ比表面積０．１５〜０．８０ｍ２／ｇの金属粉末をペースト化したものであって、Ｔ１〜Ｔ３における焼成体積収縮率が１５％以下でかつ室温からＴ１まで昇温する過程での焼成体積収縮率が１２％以下であるものを用い、前記内部導体層の焼成後の厚みを３０μｍ以下とすることを特徴とするものである。
【００１５】
内部導体層をＴ１〜Ｔ３における焼成体積収縮率が１５％以下の導体材料によって形成することによって、内部導体層が存在する部分が、内部導体層のない部分と同様に、一方の絶縁層が収縮を開始しても、ｘ−ｙ方向の収縮を抑制し、基板の反り、歪み、さらに、配線導体層近傍のクラック等の欠陥を抑制できる。
【００１６】
また、前記内部導体層を形成する導体材料の室温からＴ１まで昇温する過程での焼成体積収縮率が１０％以下であることによって、導体材料の収縮率が十分小さく、絶縁層と配線導体層の焼成収縮挙動のミスマッチが小さいため、配線導体層付近でのクラックの発生や、配線導体層と絶縁層間のデラミネーション等が生じることのない回路基板を得ることができる。
【００１７】
さらに、焼成体積収縮率を前記範囲に制御する上で、前記内部導体層を構成する導体材料の金属粉末は、平均粒径が０．５〜５μｍ、ＢＥＴ比表面積が０．１〜０．７ｍ2／ｇであることによって、微細配線や配線導体端部の印刷精度のよい内部導体層が得られ、かつ、基板のｘ−ｙ方向の収縮を抑制し、基板の反り、歪み、さらに、導体近傍のクラック等の欠陥を抑制できる。
【００１８】
また、前記内部導体層を構成する導体材料としては、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、ＰｄおよびＰｔの中から選ばれる少なくとも１種類以上の導体を主成分とすることによって、配線導体層の低抵抗化を図ることができる。また、界面内に形成された内部導体層の焼成後の厚みが３０μｍ以下であることによって、クラックや剥離の発生を抑えることができる。
【００１９】
また、前記内部導体層を構成する導体材料中に、Ｒｈ及び／またはＲｕを含有することによって、収縮開始温度や収縮率を制御できるため、基板のｘ−ｙ方向の収縮を抑制して、欠陥のない基板を得ることができる。また、前記積層体中に、焼成収縮挙動が異なる未焼成の絶縁層同士が接する界面が２箇所以上存在することが互いの絶縁層の焼成収縮を均一に抑制する上で望ましい。
【００２０】
なお、本発明の方法は、比誘電率が異なる２種以上のセラミック絶縁層を積層してなる場合等に有利である。
【００２１】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明による回路基板の一例の概略断面図を示すもので、図１において、回路基板１０は、セラミック絶縁層１ａ〜１ｇが積層されたセラミック絶縁基板１と、絶縁基板１の表裏面に形成された表面導体層２、基板１の内部に形成された内部導体層３、導体層間を接続するためのビアホール導体４を有する。
【００２２】
セラミック絶縁基板１は、焼成収縮挙動が異なる２種以上のセラミック絶縁層によって形成されており、この図１の回路基板１０では、絶縁層１ａ〜１ｇのうち、絶縁層１ａ、１ｇが、他の絶縁層１ｂ〜１ｆと収縮開始温度が異なるセラミック材料から形成されている。例えば、絶縁層１ａ、１ｇは、収縮開始温度Ｔ１のセラミック材料ａによって形成され、また他の絶縁層１ｂ〜１ｆは収縮開始温度Ｔ２のセラミック材料ｂによって形成されており、Ｔ１＜Ｔ２の関係にある。
【００２３】
本発明の上記の回路基板１０は、焼成収縮挙動が異なる、特に焼成収縮開始温度が異なる２種以上のセラミック絶縁層１ａ〜１ｇの積層構造によって、焼成収縮開始温度Ｔ１のセラミック絶縁層１ａ、１ｇがＴ１到達後に焼結収縮する時、焼成収縮開始温度Ｔ２のセラミック絶縁層１ｂ〜１ｆが平面方向の収縮を抑制し、セラミック絶縁層１ｂ〜１ｆがＴ２到達後に、最高焼成温度Ｔ３に保持されて焼成収縮する時、焼成によって収縮が完了した焼成収縮開始温度Ｔ１のセラミック絶縁層１ａ、１ｇによって平面方向の収縮が抑制される結果、回路基板全体として平面方向の収縮が抑制された高寸法精度の回路基板が得られる。
【００２４】
このような回路基板１０において、本発明によれば、焼成収縮挙動が異なる２種のセラミック絶縁層の界面、即ち、絶縁層１ａと絶縁層１ｂとの界面に存在する導体層３ａ、絶縁層１ｇと絶縁層１ｆとの界面に存在する導体層３ｂを、いずれも低い方の焼成収縮開始温度Ｔ１から最高焼成温度Ｔ３までの温度領域における焼成体積収縮率が１５％以下の導体材料によって形成することが必要である。これは、導体材料の焼成による体積収縮率が１５％を超えると、導体材料のｘ−ｙ方向の焼成収縮が大きくなりすぎ、絶縁層１ａ、１ｇと絶縁層１ｂ〜１ｆの界面におけるｘ−ｙ方向の焼成収縮の拘束力が弱くなり、内部導体層３ａ、３ｂ近傍の絶縁層にクラックが生じる、あるいは、内部導体層３ａ、３ｂ近傍の絶縁層が反る、歪むといった問題が生じるからである。とりわけ、基板の反り、歪みの観点から、導体材料の焼成による体積収縮率は１０％以下であることが望ましい。
【００２５】
また、絶縁層１ａと絶縁層１ｂに挟まれた内部導体層３ａ、絶縁層１ｆと絶縁層１ｇに挟まれた内部導体層３ｂを構成する導体材料は、室温からＴ１まで昇温する過程での焼成体積収縮率が１０％以下であることが必要である。
【００２６】
これは、導体材料がＴ１到達までに１０％を超えて体積収縮してしまうと、絶縁層１ａ、１ｇが焼成収縮を開始する前に、内部導体層３ａ、３ｂと絶縁層１ａ、１ｇの間に隙間が生じるため、ｘ−ｙ方向の拘束力が弱まる、あるいは、上記隙間が生じない場合には、絶縁層１ａ、１ｂ、１ｆ、１ｇにクラックが生じる等の問題があるからである。とりわけ、デラミネーションやクラック防止の観点から、絶縁層のＴ１以下での導体材料の焼成による体積収縮率は６％以下が望ましい。
【００２７】
さらに、この内部導体層３ａ、３ｂを構成する導体材料は、金属粉末からなり、これらに有機バインダーや溶媒を加えてペースト状にして塗布し、焼成することによって形成されるが、この導体材料に配合する金属粉末の平均粒径が０．８〜４μｍであり、またＢＥＴ比表面積が０．１〜０．７ｍ２／ｇであることが必要である。これは、平均粒径が０．８μｍ未満になると、焼成における収縮率が大きくなりすぎ、絶縁層にクラックが生じる、あるいは、基板に反り、歪みが生じるからであり、４μｍを超えると、粒径が大きすぎるため、微細配線や配線端部の印刷精度が劣化するからである。また、ＢＥＴ比表面積が０．１５ｍ２／ｇ未満になると、粉末の表面エネルギーが低くなり、焼結しにくくなるからであり、０．８０ｍ２／ｇを超えると、粉末の表面エネルギーが高くなり、焼成における収縮率が大きくなりすぎる、あるいは、焼成における収縮開始温度が低くなりすぎるからである。とりわけ、焼成における収縮率、焼結性、印刷精度の観点から、金属粉末の平均粒径は１〜３μｍ、ＢＥＴ比表面積は０．１〜０．３ｍ２／ｇが好ましい。
【００２８】
また、内部導体層３ａ、３ｂを構成する導体材料は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、ＰｄおよびＰｔの中から選ばれる少なくとも１種以上の金属であることが望ましい。これは、上記のような低抵抗の導体材料を用いることにより、低抵抗の回路が形成できるため、素子の消費電力を低減でき、また、λ／４ストリップライン共振器等の高周波回路を基板内部に形成した場合にも、挿入損失が小さい等の優れた特性の回路を得ることができるからである。とりわけ、回路特性の観点から、Ａｇ、ＡｕまたはＣｕが好ましい。
【００２９】
また、導体材料中に、Ｒｈ及び／あるいは、Ｒｕを添加含有することが望ましい。これは、ＲｈやＲｕには、上記金属粉末の収縮を抑制する効果があり、収縮開始温度や焼成体積収縮率を制御できるため、基板のｘ−ｙ方向の収縮を抑制して、欠陥のない基板を得ることができるからである。Ｒｈ、Ｒｕの供給源として、有機物、酸化物、金属等があり、これらは、導体材料中に金属換算で０．０１〜５重量％の割合で配合することが適当である。
【００３０】
また、この導体層３ａ、３ｂの厚みは３０μｍ以下、特に２５μｍ以下であることが必要である。これは、界面に存在する導体層３ａ、３ｂの厚みが厚くなりすぎると、導体層３ａ、３ｂ自体の収縮を制御することが難しくなる結果、収縮が抑制された絶縁層間で応力が発生し、導体層３ａ、３ｂの剥離や絶縁層間の剥離を引き起こすおそれがあるためである。
【００３１】
また、両絶縁層１ａ−１ｂ、１ｇ−１ｆ同士の拘束力を高める上では、界面の導体層３ａ、３ｂは、絶縁層１ａ、１ｂ、１ｇ、１ｆの周縁から０．２ｍｍ以上、特に０．５ｍｍ以上内側領域に形成することが望ましい。これは、焼成収縮挙動が異なる２つの絶縁層が周縁部で互いに結合することができるために、焼成収縮抑制効果を均一化することができるために、クラックなどの発生をさらに防止することができる。
【００３２】
なお、本発明において、上記焼成体積収縮率を制御された導体材料は、焼成収縮開始温度が異なる界面の内部導体層３ａ、３ｂのみならず、同一材料の絶縁層間、表面導体層、裏面導体層に適用することも当然可能である。
【００３３】
なお、焼成収縮挙動が異なる２種のセラミック材料ａ、ｂの積層順序は、図１の回路基板では、ａｂｂｂｂｂａにて積層したが、ａｂａｂａｂ、ａａａｂａａａ、ａａｂｂｂａａ、ａａｂａｂａａ、ａａｂｂａａａ、ａｂａａａａａのいずれでもよく、また、ａとｂとを反対に入れ換えてもよい。ただし、焼成収縮挙動の異なる絶縁層同士が接する界面が１箇所では、拘束力の偏在によって回路基板に反りが発生する場合があるために、界面が２箇所以上、特に偶数箇所に存在することが望ましい。または界面が２箇所以上存在する場合、回路基板の厚み中心に対して対称的な位置に界面が存在することが望ましい。
【００３４】
本発明における絶縁基板１を構成するセラミック材料は、絶縁体、誘電体、磁性体のいずれでも良く、焼成収縮開始温度が異なる少なくとも２種のセラミック材料は、例えば異なる組成のセラミック材料であったり、組成が全く同一であってセラミック粒子の粒度分布や比表面積の相違によって焼成収縮開始温度が異なるセラミック材料であってもよい。特に組成が異なることが最も焼成収縮開始温度の制御が容易であり、あらゆる要求特性に対応できる。なお、焼成収縮開始温度が異なる２種以上のセラミック材料は、例えば、焼結収縮開始温度の相違のみならず、目的に応じて、比誘電率が異なる、強度が異なる、誘電損失が異なるなどの他の特性が異なっていてもよい。
【００３５】
また、このセラミック材料は、前記の低抵抗の導体層と同時焼成が可能であることが望ましいために、１０５０℃以下の低温で焼成可能なセラミック材料、とりわけ、大気中で焼成できるＡｇと同時焼成が可能な９６０℃以下、特に９２０℃以下で焼成が可能なセラミック材料が良い。
【００３６】
上記のような低温焼成セラミック材料としては、ガラス粉末系、ガラス粉末とセラミック粉末との混合粉末系、酸化物粉末混合系などの周知の低温焼成セラミック材料が用いられる。なお、上記ガラスとしては、非晶質ガラス、結晶化ガラスのいずれでもよい。例えば、ガラス粉末５０〜１００重量部とセラミック粉末０〜５０重量部からなることが望ましい。
【００３７】
ガラス粉末の具体的な組成例としては、これに限られるものではないが、例えば、ＳｉＯ2２０〜７０重量部、Ａｌ2Ｏ3０．５〜３０重量部、ＭｇＯ３〜６０重量部、任意成分として、ＣａＯ０〜３５重量部、ＢａＯ０〜３０重量部、ＳｒＯ０〜３０重量部、Ｂ2Ｏ3０〜２０重量部、ＺｎＯ０〜３０重量部、ＴｉＯ2０〜１０重量部、Ｎａ2Ｏ０〜３重量部、Ｌｉ2Ｏ０〜５重量部を含むものが挙げられる。
【００３８】
また、セラミック粉末としては、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＭｇＴｉＯ3、ＣａＺｒＯ3、ＣａＴｉＯ3、Ｍｇ2ＳｉＯ4、ＢａＴｉ4Ｏ9、ＺｒＴｉＯ4、ＳｒＴｉＯ3、ＢａＴｉＯ3、ＴｉＯ2から選ばれる１種以上が挙げられる。
【００３９】
上記組成のガラス粉末とセラミック粉末との組み合わせによれば、１０００℃以下での低温焼結が可能となるとともに、導体層として、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕなどの低抵抗導体を用いて形成することが可能となり、また、低誘電率化も可能であり、高速伝送化に適している。しかも、上記の範囲で種々組成を制御することによって、焼成収縮挙動を容易に制御、変更することができる。
【００４０】
本発明の回路基板の製造方法についてより具体的に説明すると、上記焼成収縮挙動が異なる２種以上のセラミック材料、たとえば焼成収縮開始温度Ｔ１（℃）のセラミック材料ａ、焼成収縮開始温度Ｔ２（℃）のセラミック材料ｂからなり、Ｔ１＜Ｔ２の関係にあるセラミック材料を準備し、各セラミック材料を用いてグリーンシートＡ、Ｂを作製する。グリーンシートＡ、Ｂは、所定のセラミック粉末組成物と有機バインダーと有機溶剤及び必要に応じて可塑剤とを混合し、スラリー化する。このスラリーを用いてドクターブレード法などによりテープ成形を行い、所定寸法に切断しグリーンシートを作製する。
【００４１】
次に、このグリーンシートＡ、Ｂにパンチングなどによって貫通孔を形成し、その貫通孔内に導体ペーストを充填し、表面導体層や内部導体層および電極導体層を所定の導体材料を用いてペースト化したものをスクリーン印刷法などによって被着形成する。その際に、導体材料として、Ｔ１から焼成最高温度Ｔ３までの焼成体積収縮率が１５％以下となるように、導体組成、導体の粉末粒径や比表面積などを制御する。
【００４２】
このようにして得られた各グリーンシートＡ、Ｂを、所定の積層順序に応じて積層して積層成形体を形成した後、焼成する。
【００４３】
また、積層成形体の製造方法としては、所定の基板表面にセラミックペーストおよび導体ペーストを順次塗布することにより積層化したり、セラミック材料と光硬化性樹脂を含有するスリップ材を塗布乾燥し、露光、硬化、現像を行い、さらに前記スリップ材を塗布乾燥、露光、硬化、現像を繰り返して積層成形体を作成しても良い。この場合に、必要に応じて現像して絶縁層成形体に形成された貫通孔内に導電性ペーストを充填したり、絶縁層成形体表面に導体ペーストを用いて内部導体層を形成してもよい。
【００４４】
焼成にあたっては、まず、収縮開始温度が低いシートＡの収縮開始温度ＳAに到達後、徐々に昇温するか、焼成収縮開始温度ＳAよりも高く、シートＢの焼成収縮開始温度ＳBよりも低い温度で、一次的に炉内温度を保持してシートＡを焼成収縮させる。この時、シートＡは、その温度で焼成収縮しないシートＢによってｘ−ｙ方向への収縮が抑制されｚ方向に焼成収縮する。
【００４５】
その後、シートＡの焼結が進行し、望ましくは最終焼成体積収縮量の９０％以上収縮した後、シートＢの焼結開始温度ＳB以上に昇温して焼成する。この焼成によって、シートＢは、焼結がほぼ完了したシートＡによってｘ−ｙ方向への焼成収縮が抑制されｚ方向に焼成収縮する。その結果、シートＡおよびシートＢともにｘ−ｙ方向への焼成収縮が抑制されｚ方向に焼成収縮した、寸法精度の高い基板を作製することができる。
【００４６】
【実施例】
以下の方法により、図１の構造の回路基板を作製した。
まず、ＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3−ＭｇＯ−ＺｎＯ−ＢａＯ−Ｂ2Ｏ3ガラス粉末８２重量％と、平均粒径が約１μｍのＳｉＯ2粉末１８重量％からなるセラミック材料ａ（焼成収縮開始温度７６０℃、比誘電率６．５）と、モル比で０．９２ＭｇＴｉＯ3−０．０８ＣａＴｉＯ3の主成分１００重量部に対して、Ｂ2Ｏ3１４重量部、Ｌｉ2ＣＯ3７重量部、ＳｉＯ2０．０１重量部、ＢａＯ１．６重量部、Ａｌ2Ｏ3０．５重量部、ＭｎＯ2１．５重量部からなる平均粒径が約１μｍのセラミック材料ｂ（焼成収縮開始温度８５０℃、比誘電率１９）を準備した。このセラミック材料ａ、ｂに対して各々バインダー等を混練したスラリーをドクターブレード法にてグリーンシートａ、ｂに加工した。
【００４７】
層構成は、ａｂｂｂｂｂａとして、各シートに貫通孔を形成し、その貫通孔内にＡｇ粉末を含む導体ペーストを充填した。そして、各グリーンシートの表面に上記の導体ペーストを用いて表面導体層、内部導体層および裏面導体層を印刷形成した。
【００４８】
これらのグリーンシートを位置合わせした後、積層して積層成形体を作製し、これを大気中４００℃で脱バインダー処理し、さらに、大気中で９１０℃（＝Ｔ3）で焼成し、セラミック回路基板を作製した。
【００４９】
なお、ここで、各シートの厚みはすべて０．１０ｍｍとした。また、シートＡとシートＢ間に位置する内部導体層を形成する導体材料として、銀粉末を用い、有機ビヒクルと界面活性剤を添加して、銀粉末の凝集体がなくなるまで３本ロールミルで混合しペースト化した。
【００５０】
なお、導体材料中の、銀粉末の平均粒径、ＢＥＴ比表面積を表１のように変えることにより、焼成温度プロファイルに基づき、Ｔ１到達時点、Ｔ１〜Ｔ３の各焼成体積収縮率を表１のように変化させた。導体材料の焼成体積収縮率は、導体材料をフィルム上に塗布して乾燥させ、各温度で処理後の寸法から体積をもとめ、初期体積値に対する比率を焼成体積収縮率として求めた。また、各シートの導体層の形成は、各グリーンシートの周縁から０．５ｍｍ以上内側の領域に形成した。
【００５１】
作製した回路基板に対して平面方向の収縮率（ｘ方向、ｙ方向の収縮率の平均値）と、クラックの有無、反り量を評価した。
【００５２】
ここで、回路基板の側面、表面、あるいは研磨した研磨面において、金属顕微鏡あるいは走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）によって、シートＡ、シートＢ界面の剥離や界面付近でのクラックの有無を調べた。反り量は、シートＡ、Ｂ間に形成した７ｍｍ角の導体層の付近の表面を表面粗さ計を用いて表面粗さを測定して、最大、最小の差を反りとして表１に示した。
【００５３】
【表１】
0004416346.tif 000002
【００５４】
この表１から、本発明の試料は、Ｘ−Ｙ収縮率が０．３％以下と小さく、しかも異種材料絶縁層及び他の絶縁層と、導体層の間に層間剥離や内部導体層近傍の絶縁層にクラック等の発生がなく、基板反りも１００μｍ以下と小さいことがわかる。一方、内部導体層の焼成体積収縮率が１５％よりも大きいと、Ｘ−Ｙ収縮率が本発明品よりも大きく、しかも層間剥離やクラックの発生が認められるとともに、基板反りも３００μｍ以上と大きいものであった。
【００５５】
【発明の効果】
以上の通り、本発明によれば、焼成収縮挙動が異なる２種以上のセラミック絶縁層を積層してなり、その絶縁層の界面に配設される導体層の焼成収縮率を小さくすることによって、クラックや界面での剥離の発生、さらには反りの発生を防止することができる。その結果、焼成収縮挙動の相違を利用した寸法精度の高い回路基板を作製することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のセラミック回路基板の一例を示す概略断面図を示す。
【符号の説明】
１０・・・回路基板
１・・・絶縁層
２・・・表面導体層
３・・・内部導体層
４・・・ビアホール導体
【図１】
0004416346.tif 000003