(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース基板を設ける工程と；
前記ベース基板上に前記ベース基板の少なくとも一部を露出させる所定パターンの開口が設けられたマスター層を形成する工程と；
前記マスター層と前記開口によって露出された前記ベース基板の表面を処理した後、前記開口内部に光遮断物質をジェッティングし、表面処理によって前記マスター層と前記光遮断物質の間の界面張力の差を増加させる工程と；
前記ベース基板と前記マスター層上にモールド材料層を形成し、前記モールド材料層と  前記光遮断物質を硬化させて光遮断膜が設けられたモールドを製造する工程と；
前記モールドを前記マスター層から分離した後、感光膜が形成された絶縁基板上に前記モールドを配置して相互加圧し、露光する工程と；
前記モールドを分離した後、前記感光膜を現像する工程とを含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記表面処理によって、前記ベース基板と前記光遮断物質の間の界面張力の差を、前記マスター層と前記光遮断物質の間の界面張力の差より小さくする請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記ベース基板は酸化ケイ素を含む請求項１又は２に記載の表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記ベース基板は、ベース層と、前記ベース層上に形成された無機層とを含み、
前記無機層は窒化ケイ素を含む請求項１〜３のいずれか１つに記載の表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記表面処理はＣＦ4プラズマ処理を含む請求項１〜４のいずれか１つに記載の表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記ＣＦ4プラズマ処理によって、前記マスター層は界面張力を低下させ、強い疎水性を与える請求項５に記載の表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記表面処理は、Ｏ2／ＣＦ4プラズマ処理と自己組織化単層膜処理を含む請求項１〜４のいずれか１つに記載の表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記Ｏ2／ＣＦ4プラズマ処理と前記自己組織化単層膜処理によって、前記ベース基板の界面張力の減少幅を、前記マスター層の界面張力の減少幅より大きくする請求項７に記載の表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記表面処理によって、前記ベース基板の界面張力水準を、前記光遮断物質の界面張力水準に近づける請求項７又は８に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記光遮断物質のジェッティング時に前記マスター層にジェッティングされた前記光遮断物質を、前記表面処理によって前記開口内部に流入させる請求項１〜９のいずれか１つに記載の表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記光遮断物質を、熱および光のうちの少なくともいずれか一つによって硬化させる請求項１〜１０のいずれか１つに記載の表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記モールド材料層を、熱および光のうちの少なくともいずれか一つによって硬化させる請求項１〜１１のいずれか１つに記載の表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記モールド材料層は紫外線を透過する材質からなる請求項１〜１２のいずれか１つに記載の表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記マスター層は感光性有機物質を含み、
前記開口を、所定の開口パターンが設けられたマスクを利用して露光した後、現像して形成する請求項１〜１４のいずれか１つに記載の表示装置の製造方法。
【請求項１５】
前記感光膜は有機物質を含む請求項１〜１４のいずれか１つに記載の表示装置の製造方法。
【請求項１６】
支持層と；
前記支持層の一面に設けられており、少なくとも一つ以上の突出部を有するパターン形成層と；
前記支持層の他面に設けられており、前記突出部と対応する領域に位置する光遮断膜とを含むことを特徴とするモールド。
【請求項１７】
前記支持層はポリエチレンテレフタレートおよびポリカーボネートのうちの少なくともいずれか一つを含んでなる請求項１６に記載のモールド。
【請求項１８】
前記パターン形成層と前記支持層は紫外線を透過する透明材質からなって、前記光遮断膜は紫外線を遮断する材質からなる請求項１６又は１７に記載のモールド。
【請求項１９】
前記支持層と前記光遮断膜の間に位置するバッファ層をさらに含む請求項１６〜１８のいずれか１つに記載のモールド。
【請求項２０】
前記光遮断膜を覆っているバッファ層をさらに含む請求項１６〜１９のいずれか１つに記載のモールド。
【請求項２１】
前記バッファ層は前記パターン形成層と同一の材質からなる請求項２０に記載のモールド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置の製造方法とこれに使用されるモールドに関し、より詳しくは、モールディング後に基板に残っている残膜を効果的に除去する表示装置の製造方法及びこれに使用されるモールドに関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、液晶表示装置は薄膜トランジスタが形成されている薄膜トランジスタ基板、カラーフィルターが形成されているカラーフィルター基板、およびこれらの間に液晶層が位置している液晶パネルを含む。液晶パネルは非発光素子であるため薄膜トランジスタ基板の後方には光を照射するためのバックライトユニットが位置することができる。
ここで、薄膜トランジスタ基板とカラーフィルター基板は所定のパターンに形成された複数の層を含み、従来は写真エッチング工程を利用してこのようなパターンを形成した。しかし、写真エッチング工程はパターンの再現性がぜい弱で、使用される装備が高価であるという短所がある。
そのため、最近は装備の安価と工程時間の短縮、および工程の単純化の長所があるモールドを用いたインプリントリソグラフィ（Ｉｍｐｒｉｎｔ  Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）法を利用して各層に所定のパターンを形成している（例えば、特許文献１）。
しかし、モールドは材質の特性によってパターンを形成する時、モールディング後に基板に不必要な残膜が残ることがあるという問題点がある。
【特許文献１】韓国公開公報第２００５−７５０６６号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
したがって、本発明の目的は、モールディング後に残存する残膜を効果的に除去できる表示装置の製造方法及びこれに使用されるモールドを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
前記目的は、本発明によって、ベース基板を設ける工程と；ベース基板上にベース基板の少なくとも一部を露出させる所定パターンの開口が設けられたマスター層を形成する工程と；マスター層と開口によって露出されたベース基板の表面を処理した後、開口内部に光遮断物質をジェッティングし、表面処理によってマスター層と光遮断物質の間の界面張力の差を増加させる工程と；ベース基板とマスター層上にモールド材料層を形成し、モールド材料層と光遮断物質を硬化させて光遮断膜が設けられたモールドを製造する工程と；モールドをマスター層から分離した後、感光膜が形成された絶縁基板上にモールドを配置して相互加圧し、露光する工程と；モールドを分離した後、感光膜を現像する工程とを含むことを特徴とする表示装置の製造方法によって達成される。
【０００５】
ここで、表面処理によって前記ベース基板と前記光遮断物質の間の界面張力の差はマスター層と光遮断物質の間の界面張力の差より小さいことが、マスター層上にジェッティングされた光遮断物質を開口内部に流入させるのに好ましい。
そして、ベース基板は酸化ケイ素を含むことができる。
【０００６】
また、ベース基板はベース層と、ベース層上に形成された無機層とを含み、無機層は窒化ケイ素を含むことができる。
ここで、表面処理はＣＦ4プラズマ処理を含むことができる。
【０００７】
そして、ＣＦ4プラズマ処理によって、マスター層は界面張力が低くなって、強い疎水性を有することができる。
また、表面処理は、Ｏ2／ＣＦ4プラズマ処理と自己組織化単層膜（ｓｅｌｆ  ａｓｓｅｍｂｌｙ  ｍｏｎｏｌａｙｅｒ；ＳＡＭ）処理を含むことができる。
【０００８】
ここで、Ｏ2／ＣＦ4プラズマ処理と自己組織化単層膜処理によってベース基板の界面張力の減少幅はマスター層の界面張力の減少幅より大きいことが、マスター層上にジェッティングされた光遮断物質を開口内部に流入させるのに好ましい。
【０００９】
そして、表面処理によってベース基板の界面張力水準は光遮断物質の界面張力水準に近づけることが、マスター層上にジェッティングされた光遮断物質を開口内部に流入させるのに好ましい。
ここで、光遮断物質のジェッティング時にマスター層にジェッティングされた光遮断物質は表面処理によって開口内部に流入されることができる。
【００１０】
そして、光遮断物質は熱および光のうちの少なくともいずれか一つによって硬化されることができる。
また、モールド材料層は熱および光のうちの少なくともいずれか一つによって硬化されることができる。
【００１１】
ここで、モールド材料層は紫外線を透過する材質からなることができる。
そして、マスター層は感光性有機物質を含み、開口は所定の開口パターンが設けられたマスクを利用して露光した後、現像して形成されることができる。
また、マスター層はＰＣ４１１ＢおよびＰＣ４０５Ｇのうちのいずれか一つを含むことができる。
そして、感光膜は有機物質を含むことができる。
【００１２】
本発明の他の目的は、少なくとも一つ以上の突出部を有するパターン形成層と；突出部の端部に設けられた光遮断膜とを含むことを特徴とするモールドによって達成される。
ここで、パターン形成層は紫外線を透過する透明材質からなって、光遮断膜は紫外線を遮断する材質からなることができる。
そして、パターン形成層はＰＤＭＳ（ｐｏｌｙｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｏｘａｎｅ）を含んでなることができる。
【００１３】
本発明のまた他の目的は、支持層と；支持層の一面に設けられており、少なくとも一つ以上の突出部を有するパターン形成層と；支持層の他面に設けられており、突出部と対応する領域に位置する光遮断膜とを含むことを特徴とするモールドによって達成される。
【００１４】
ここで、支持層はＰＥＴ（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ  ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）およびＰＣ（ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ）のうちの少なくともいずれか一つを含んでなることができる。
そして、パターン形成層と支持層は紫外線を透過する透明材質からなって、光遮断膜は紫外線を遮断する材質からなることができる。
また、支持層と光遮断膜の間に位置するバッファ層をさらに含むことができる。
そして、光遮断膜を覆っているバッファ層をさらに含むことができる。
ここで、バッファ層はパターン形成層と同一な材質からなることができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、モールディング後に残存する残膜を効果的に除去できる表示装置の製造方法及びこれに使用されるモールドが提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、添付図面を参照して本発明をさらに詳しく説明する。以下である膜（層）が他の膜（層）の‘上に’形成されて（設けられて）いるということは、二つの膜（層）が接している場合だけでなく二つの膜（層）の間に他の膜（層）が存在する場合も含む。そして、以下ではいろいろな平板表示装置のうちの液晶表示装置を一例にして説明するか、これに限定されずＯＬＥＤとＰＤＰなどの他の平板表示装置にも適用され得るのは当然である。
図１は本発明の一実施形態による薄膜トランジスタ基板の配置図であり、図２は図１のＩＩ−ＩＩ線による断面図である。
【００１７】
本発明の一実施形態による液晶表示装置１は、各ピクセルの動作を制御および駆動するスイッチングおよび駆動素子として薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＴＦＴ）が設けられている薄膜トランジスタ基板（以下、第１基板という）１００と、前記第１基板１００と対向接着されているカラーフィルター基板（以下、第２基板という）２００、および両基板１００、２００の間に液晶層３００が位置している液晶パネル１０を含む。
【００１８】
まず、第１基板１００について説明する。第１基板１００は第１絶縁基板１１０と、第１絶縁基板１１０上にマトリックス形態に形成された複数のゲート配線１２１、１２２、１２３および複数のデータ配線１６１、１６２、１６３、１６４と、ゲート配線１２１、１２２、１２３およびデータ配線１６１、１６２、１６３、１６４の交差点に形成されたスイッチング素子である薄膜トランジスタＴと、薄膜トランジスタＴと接続された画素電極１８０を含む。薄膜トランジスタＴを通じて、画素電極１８０と後述するカラーフィルター基板２００の共通電極２５０の間の液晶層３００に信号電圧が印加され、液晶層３００はこの信号電圧によって整列されて光透過率を定めるようになる。
【００１９】
第１絶縁基板１１０としては、ガラス、石英、セラミックまたはプラスチックなどの絶縁性材質を含んで作られた基板が使用されることができる。本発明による薄膜トランジスタＴがフレキシブル液晶表示装置１の製作に使用される場合にはプラスチック基板を使用するのが好ましい。ここで、プラスチック種類としてはポリカーボネート（ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ）、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、ＰＮＢ（ｐｏｌｙｎｏｒｂｏｒｎｅｅｎ）、ＰＥＳ、ＰＡＲ、ＰＥＮ（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎａｐｔｈａｎａｔｅ）、ＰＥＴ（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ  ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）などのうちから選択されたいずれか一つの物質を例示することができる。
【００２０】
第１絶縁基板１１０の上にはゲート配線１２１、１２２、１２３が形成されている。ゲート配線１２１、１２２、１２３は金属単一層または多重層とすることができる。ゲート配線１２１、１２２、１２３は横方向にのびているゲート線１２１およびゲート線１２１に接続されているゲート電極１２２、ゲート線１２１の端部に設けられておりゲート駆動部（図示せず）と接続されて駆動信号の伝達を受けるゲートパッド１２３を含む。
第１絶縁基板１１０の上にはシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）等からなるゲート絶縁膜１３０がゲート配線１２１、１２２、１２３を覆っている。
【００２１】
ゲート電極１２２のゲート絶縁膜１３０上部には非晶質シリコンなどの半導体からなる半導体層１４０が形成されており、半導体層１４０の上部にはシリサイドまたはｎ型不純物が高濃度にドーピングされているｎ+水素化非晶質シリコンなどの物質で作られた抵抗接触層１５０が形成されている。ソース電極１６２とドレイン電極１６３の間のチャンネル部では抵抗接触層１５０が除去されている。
【００２２】
抵抗接触層１５０およびゲート絶縁膜１３０の上にはデータ配線１６１、１６２、１６３、１６４が形成されている。データ配線１６１、１６２、１６３、１６４も金属層からなる単一層または多重層とすることができる。データ配線１６１、１６２、１６３、１６４は、縦方向に形成されゲート線１２１と交差して画素を形成するデータ線１６１、データ線１６１の分枝であり、抵抗接触層１５０の上部まで延長されているソース電極１６２、ソース電極１６２と分離されており、ソース電極１６２の反対側抵抗接触層１５０上部に形成されているドレイン電極１６３、およびデータ線１６１の端部に設けられており、データ駆動部（図示せず）と接続されて映像信号の伝達を受けるデータパッド１６４を含む。
【００２３】
データ配線１６１、１６２、１６３、１６４およびこれらが覆っていない半導体層１４０の上部には保護膜１７０が形成されている。保護膜１７０には、ドレイン電極１６３を露出させるドレイン接触孔１７１、およびゲート線１２１とデータ線１６１に駆動信号を印加するためにゲート駆動部（図示せず）及びデータ駆動部（図示せず）と接続されるためのゲートパッド接触孔１７２とデータパッド接触孔１７３が形成されている。この時、薄膜トランジスタＴの信頼性を確保するために保護膜１７０と薄膜トランジスタＴの間にシリコン窒化物のような無機絶縁膜をさらに形成することができる。
【００２４】
保護膜１７０の上部には画素電極１８０が形成されている。画素電極１８０は通常ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）またはＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）などの透明な導電物質からなる。画素電極１８０はドレイン接触孔１７１を通じてドレイン電極１６３と電気的に接続されている。そして、ゲートパッド接触孔１７２とデータパッド接触孔１７３上には接触補助部材１８１、１８２が形成されている。接触補助部材１８１、１８２も通常ＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電物質からなる。
【００２５】
続いて、カラーフィルター基板２００について説明する。
第２絶縁基板２１０の上にブラックマトリックス２２０が形成されている。ブラックマトリックス２２０は一般に赤色、緑色および青色フィルターの間を区分し、第１基板１００に位置する薄膜トランジスタＴへの直接的な光照射を遮断する役割を果たす。ブラックマトリックス２２０は通常黒色顔料が添加された感光性有機物質からなっている。前記黒色顔料としてはカーボンブラックやチタニウムオキシドなどを使用する。
【００２６】
カラーフィルター２３０はブラックマトリックス２２０を境界として、赤色、緑色および青色フィルターが繰り返されて形成される。カラーフィルター２３０はバックライトユニット（図示せず）から照射されて液晶層３００を通過した光に色を付与する役割を果たす。カラーフィルター２３０は通常感光性有機物質からなる。
【００２７】
カラーフィルター２３０とカラーフィルター２３０が覆っていないブラックマトリックス２２０の上部にはオーバーコート層２４０が形成されている。オーバーコート層２４０はカラーフィルター２３０を平坦化しながら、カラーフィルター２３０を保護する役割を果たし、通常アクリル系エポキシ材料が多く使用される。
【００２８】
オーバーコート層２４０の上部には共通電極２５０が形成されている。共通電極２５０はＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電物質からなる。共通電極２５０は第１基板１００の画素電極１８０と共に液晶層３００に直接電圧を印加する。
【００２９】
このように設けられた第１基板１００と第２基板２００の間に液晶層３００を注入し、シーラント（図示せず）によって両基板１００、２００を接合すると液晶パネル１０が完成される。
【００３０】
以下、第２基板を製造する場合を例に挙げて、本発明の第１実施形態による液晶表示装置の製造方法を説明する。
図３ａ〜図３ｌは本発明の第１実施形態によるインプリントリソグラフィ法による液晶表示装置の製造方法を説明するための断面図である。特に、本発明の第１実施形態では第２基板に形成された複数の層のうちのカラーフィルターを形成する方法を例に挙げて説明する。しかし、本発明で説明する原理はブラックマトリックスなど他の層のパターン形成に適用することもできる。
【００３１】
まず、図３ａに示されているように、ベース基板４１０、４２０を設ける。本発明の第１実施形態によるベース基板４１０、４２０は下部のベース層４１０と上部の無機層４２０とを含む。ベース層４１０はガラス、プラスチックなどを含むことができる。無機層４２０は窒化ケイ素を含む無機物層である。無機層４２０は窒化ケイ素を含むのが好ましいが、これは後述する表面処理に対応して、無機層４２０の界面張力が後述する光遮断物質４４０の界面張力に近い水準に変化させるためである。ここで、近い水準に変化させる（近づける）とは、例えば、界面張力の±２０％程度、好ましくは±１０％程度の範囲内にすることが例示される。無機膜４２０は化学気相蒸着法などを利用してベース層４１０上に形成することができる。一方、図示されてないが、ベース基板４１０、４２０は酸化ケイ素を含む単一層に形成することもできる。ここでも、後述する表面処理に対応して、ベース基板４１０、４２０の界面張力が後述する光遮断物質４４０の界面張力に近い水準に変化させるために、単層のベース基板は酸化ケイ素を含むのが好ましい。
【００３２】
次いで、図３ｂに示されているように、ベース基板４１０、４２０上に無機層４２０の少なくとも一部を露出する所定パターンの開口４３５を有するマスター層４３０を形成する。マスター層４３０はモールド４６０を製造するための型枠である。マスター層４３０は感光性の有機物質を含み、熱または光硬化剤を含む。マスター層４３０の製造過程は次の通りである。
【００３３】
まず、無機層４２０上に感光性有機物質を所定の厚さに塗布する。そして、所定の開口パターンが形成されたマスクを前記感光性有機物質上に整列配置し、露光および現像して、所定パターンの開口４３５が形成されたマスター層４３０を製造する。ここで、露光された部分が除去される感光性有機物質を使用する場合には、マスクの開口パターンは形成される開口４３５に対応して設けられ、その反対の場合には除去されない領域に対応して開口パターンが設けられたマスクを使用する。マスター層４３０に形成された開口４３５の位置と大きさはブラックマトリックス２２０の大きさと位置に対応するように形成する。これはブラックマトリックス２２０上に残存するようになるカラーフィルター２３０の残膜を除去できるモールド４６０を製造するためであり、本実施形態で使用されるカラーフィルター２３０は露光されていない部分が除去される感光性有機物質を含むためである。一方、図示されてはいないが、マスター層４３０の製造にも本発明のインプリントリソグラフィ法が使用され得るのはもちろんである。
【００３４】
次いで、図３ｃに示されているように、開口４３５によって露出された無機層４２０とマスター層４３０の表面を処理して、マスター層４３０の界面張力と後述する光遮断物質４４０の界面張力の差が大きくなるようにマスター層４３０の性質を変化させる。つまり、表面処理によって、無機層４２０と光遮断物質４４０間の界面張力の差がマスター層４３０と光遮断物質４４０間の界面張力の差より小さくなるようにする。これによって、マスター層４３０上にジェッティング（ｊｅｔｔｉｎｇ）された光遮断物質４４０を開口４３５内部に集めることができる。ここで、表面処理はＣＦ4プラズマ処理を含むことができる。ＣＦ4プラズマ処理によって、マスター層４３０は界面張力が低くなって、強い疎水性を有する膜に性質が変化する。これによって、図４に示されているように、マスター層４３０の界面張力水準は低くなって光遮断物質４４０の界面張力水準とのギャップ（ｇａｐ）が大きくなり、相対的に無機層４２０と光遮断物質４４０の間の界面張力の差は小さくなる。他の実施形態として、前記表面処理はＯ2／ＣＦ4プラズマ処理と自己組織化単層膜（ｓｅｌｆ  ａｓｓｅｍｂｌｙ  ｍｏｎｏｌａｙｅｒ；ＳＡＭ）処理を含むことができる。Ｏ2／ＣＦ4プラズマ処理と前記ＳＡＭ処理によって、図５に示されているように、無機層４２０の界面張力の減少幅はマスター層４３０の界面張力の減少幅より大きくなる。つまり、Ｏ2／ＣＦ4プラズマ処理とＳＡＭ処理によって、無機層４２０の界面張力水準は、光遮断物質４４０の界面張力水準に近づくように無機層４２０とマスター層４３０の性質を変化させる。
【００３５】
次いで、図３ｄに示されているように、ノズル５００を利用して開口４３５内部に光遮断物質４４０をジェッティングする。しかし、開口４３５の大きさが小さいためノズル５００のジェッティング位置とジェッティング量の制御が難しい。それで、ノズル５００からジェッティングされた光遮断物質４４０の一部は開口４３５内部に正確に滴下されない場合がある。つまり、図３ｄに示されているように、マスター層４３０上に光遮断物質４４０が位置することがある。マスター層４３０上に光遮断物質４４０が位置すると、カラーフィルター２３０のパターン形成工程で必要な領域のカラーフィルター２３０が除去される問題点が発生する。つまり、カラーフィルター２３０が所望のパターンに形成されずに画質不良が発生することがある。
【００３６】
しかし、前述のような表面処理を行うと、図３ｅに示されているように、光遮断物質４４０のジェッティング時にマスター層４３０上に位置するようになった光遮断物質４４０は開口４３５内部に流入されるため、カラーフィルター２３０は所望のパターンに形成することができる。つまり、ＣＦ4プラズマ処理またはＯ2／ＣＦ4プラズマ処理およびＳＡＭ処理によってマスター層４３０と光遮断物質４４０の間の界面張力のギャップが大きくなり、このような界面張力の差によってマスター層４３０上の光遮断物質４４０が開口４３５内部に流れて行くようになる。
それによって、図３ｆに示されているように、開口４３５内部に光遮断物質４４０が全て集まり、マスター層４３０上には光遮断物質４４０が存在しなくなる。
【００３７】
次に、図３ｇに示されているように、マスター層４３０と開口４３５にモールド材料層４５０を形成する。モールド材料層４５０は有機物質を含み、熱または光によって硬化される。そして、紫外線が透過する材質からなっている。モールド材料層４５０はコーティング法またはスクリーンプリンティング法によって形成することができる。モールド材料層４５０が形成されると、光または熱を加えてモールド材料層４５０と光遮断物質４４０を硬化させる。硬化過程で、モールド材料層４５０と光遮断物質４４０は互いに接着される。一方、マスター層４３０および開口４３５からモールド４６０を容易に分離するために、マスター層４３０と開口４３５に離型剤を塗布し、モールド材料層４５０を形成することもできる。
【００３８】
次いで、モールド材料層４５０と光遮断物質４４０の硬化後、マスター層４３０と開口４３５から硬化されたモールド材料層４３０と光遮断物質４４０を分離することによって、図３ｈに示されているように、光遮断膜４６５が形成されたモールド４６０が製作される。
【００３９】
以下、図３ｉ〜図３ｌを参考して、光遮断膜４６５が形成されたモールド４６０を利用してパターンを形成する方法を説明する。以下ではカラーフィルター２３０の形成工程を一例に挙げて説明する。
【００４０】
まず、図３ｉに示されているように、ブラックマトリックス２２０とカラーフィルター層２３５が形成された第２絶縁基板２１０を準備する。ブラックマトリックス２２０は第２絶縁基板２１０上に所定のパターンにパターニングされており、カラーフィルター層２３５はブラックマトリックス２２０を覆いながら第２絶縁基板２１０上に形成されている。ブラックマトリックス２２０は感光性有機物質を含み、マスクを利用した露光および現像工程によって所定のパターンに形成されている。これとは異なり、ブラックマトリックス２２０は本発明によるモールド４６０を利用して形成することもできる。カラーフィルター層２３５は感光性有機物質を含み、赤色、緑色および青色のうちのいずれか一つである。本実施形態では紫外線に照射されない部分が除去される感光物質を含むカラーフィルター層２３５を使用したが、これと反対の場合も可能である。そして、図３ｉに示されているように、カラーフィルター層２３５が設けられた第２絶縁基板２１０上に前述の方法によって製造されたモールド４６０を整列配置する。光遮断膜４６５がブラックマトリックス２２０に対応するようにモールド４６０を整列配置する。
【００４１】
次いで、図３ｊに示されているように、カラーフィルター層２３５を所定パターンに形成するために、前記所定パターンに対応する形状を有するモールド４６０を第２絶縁基板２１０方向に加圧する。しかし、モールド４６０の材質がソフトな特性のため、ブラックマトリックス２２０上のカラーフィルター層２３０は完全に除去されず、残膜が残った状態で加圧される。このような残膜が存在すれば、画質不良が発生することがある。それで、残膜除去のための別途の後続工程が必要となる。そのため、本発明では、ブラックマトリックス２２０上に残るカラーフィルター層２３５の残膜を除去するために、ブラックマトリックス２２０に対応する領域に光遮断膜４６５が設けられたモールド４６０を利用して加圧工程を行い、加圧した状態で図３ｊに示されているように露光工程を行う。光遮断膜４６５によって、ブラックマトリックス２２０上に位置するカラーフィルター層２３５は露光されず、ブラックマトリックス２２０の間の領域に位置するカラーフィルター層２３５のみが露光される。
【００４２】
その後、モールド４６０をカラーフィルター層２３５から分離すると、図３ｋに示されているように、残膜が残存する形態にカラーフィルター層２３５がパターニングされる。
次いで、図３ｌに示されているように、現像工程を行うと、ブラックマトリックス２２０上にはカラーフィルター層２３５の残膜が除去され、所望のパターンのカラーフィルター２３０が完成される。
【００４３】
その後、図示されてはいないが、公知の方法によって前記カラーフィルター２３０とブラックマトリックス２２０上にオーバーコート層２４０と共通電極２５０を形成することにより第２基板２００が完成される。
【００４４】
以下、図６を参照して本発明の第２実施形態による液晶表示装置の製造方法を説明する。図６は第１基板１００の製造方法のうちのドレイン電極１６３を画素電極１８０と接続させるためのドレイン接触孔１７１を保護膜１７０に形成する方法を説明するための図面であって、モールド４６０を保護膜１７０にモールディングした後、分離させる瞬間を示したものである。本発明の第２実施形態では反射型または半透過型液晶表示装置を製造するために、保護膜１７０上にエンボシングパターンを形成しなければならない。そのために、前記エンボシングパターンに対応する凹凸パターンが形成されたモールド４６０を保護膜１７０上に整列配置し、加圧してエンボシングパターンを形成する。これと同時に、モールド４６０に形成された突出部４６３を利用してドレイン電極１６３を露出させるドレイン接触孔１７１を形成する。しかし、モールド４６０の材質がソフトな特性のため、ドレイン接触孔１７１が完全に形成されず、下部に残膜が残るようになって接触不良が発生することがある。
【００４５】
そのため、本発明では、凹凸パターンと突出部４６３が設けられたモールド４６０を形成することにおいて、前述の方法によって突出部４６３の端部に光遮断膜４６５を形成する。光遮断膜４６５が形成されたモールド４６０を利用してモールディングおよび露光をした後、現像工程を行うことによって残膜が除去された完全なドレイン接触孔１７１が形成される。
一方、図示されてはいないが、このような方法はゲートパッド接触孔１７２とデータパッド接触孔１７３の形成にも適用することができる。
【００４６】
前述の方法によって製造されたモールドについて図７を参照して簡略に説明する。
前述の方法によって製作されたモールド４６０は少なくとも一つ以上の突出部４６３を有するパターン形成層４６１と；突出部４６３の端部に設けられた光遮断膜４６５とを含む。パターン形成層４６１は紫外線を透過する透明材質で設けられ、光遮断膜４６５は紫外線を遮断する材質で設けられるのが露光および現像工程によって残っている残膜を除去するために好ましい。パターン形成層４６１はＰＤＭＳを含んでなることができる。
【００４７】
以下、図８を参照して第３実施形態によるモールドについて簡略に説明する。第３実施形態によるモールドは、支持層４６７；支持層４６７の一面に設けられており、少なくとも一つ以上の突出部４６３を有するパターン形成層４６１；および支持層４６７の他面に設けられており、突出部４６３と対応する領域に位置する光遮断膜４６５を含む。ここで、支持層４６７はＰＥＴおよびＰＣのうちの少なくともいずれか一つを含んで形成することができる。そして、パターン形成層４６１と前記支持層４６７は紫外線を透過する透明材質で設けられ、光遮断膜４６５は紫外線を遮断する材質で設けられるのが露光および現像工程によって残っている残膜を除去するために好ましい。ここで、支持層４６７と光遮断膜４６５の間に位置するバッファ層（図示せず）をさらに含むことができ、他の実施形態として、光遮断膜４６５を覆っているバッファ層（図示せず）をさらに含むことができる。
【００４８】
ここで、バッファ層（図示せず）を追加する理由は次の通りである。パターン形成層４６７と支持層４６７は互いに異なる材質で製作されるため両層間の熱膨張率が異なり、所定温度以上でモールディングする場合にモールド４６０の形状を変形することができる。それで、パターン形成層４６１と同一な熱膨張率を有するバッファ層（図示せず）を他面の支持層４６７上に設けて、モールド４６０の変形を最少化する。パターン形成層４６１とバッファ層（図示せず）が実質的に同一の熱膨張率を有するためには同一の材質からなるのが好ましい。そして、モールドの全体的な形状を維持し、突出部４６３を支持するために、パターン形成層４６１の厚さｄ１は突出部４６３の厚さｄ２より厚いのが好ましい。しかし、光遮断膜４６５がパターン形成層４６１の他面に位置する場合、パターン形成層４６１の厚さｄ１が厚ければパターン形成層４６１を通過する紫外線が屈折され、望まない所に照射されることがあるので、パターン形成層４６１の厚さｄ１はできるだけ薄いのが好ましい。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の第１実施形態による薄膜トランジスタ基板の配置図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線による表示装置の断面図である。
【図３ａ】本発明の第１実施形態による表示装置の製造方法を順次に説明する図面である。
【図３ｂ】本発明の第１実施形態による表示装置の製造方法を順次に説明する図面である。
【図３ｃ】本発明の第１実施形態による表示装置の製造方法を順次に説明する図面である。
【図３ｄ】本発明の第１実施形態による表示装置の製造方法を順次に説明する図面である。
【図３ｅ】本発明の第１実施形態による表示装置の製造方法を順次に説明する図面である。
【図３ｆ】本発明の第１実施形態による表示装置の製造方法を順次に説明する図面である。
【図３ｇ】本発明の第１実施形態による表示装置の製造方法を順次に説明する図面である。
【図３ｈ】本発明の第１実施形態による表示装置の製造方法を順次に説明する図面である。
【図３ｉ】本発明の第１実施形態による表示装置の製造方法を順次に説明する図面である。
【図３ｊ】本発明の第１実施形態による表示装置の製造方法を順次に説明する図面である。
【図３ｋ】本発明の第１実施形態による表示装置の製造方法を順次に説明する図面である。
【図３ｌ】本発明の第１実施形態による表示装置の製造方法を順次に説明する図面である。
【図４】本発明の第１実施形態による表面処理の作用および効果を説明するためのグラフである。
【図５】本発明の第１実施形態による表面処理の作用および効果を説明するためのグラフである。
【図６】第２実施形態による表示装置の製造方法を説明するための図面である。
【図７】本発明の第１実施形態によって製造されたモールドを説明するための図面である。
【図８】本発明の第３実施形態によるモールドを説明するための図面である。
【符号の説明】
【００５０】
１      表示装置
１０      液晶パネル
１００      第１基板
１１０      第１絶縁基板
１２２      ゲート電極
１３０      ゲート絶縁膜
１４０      半導体層
１５０      抵抗接触層
１６２      ソース電極
１６３      ドレイン電極
１７０      保護膜
１８０      画素電極
２００      第２基板
２１０      第２絶縁基板
２２０      ブラックマトリックス
２３０      カラーフィルター
３００      液晶層
４１０      ベース層
４２０      無機層
４３０      マスター層
４３５      開口
４４０      光遮断物質
４５０      モールド材料層
４６０      モールド
４６５      光遮断膜
５００      ノズル
【図１】
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【図２】
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【図３ａ】
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【図３ｂ】
0004602309.tif 000005
【図３ｃ】
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【図３ｄ】
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【図３ｅ】
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【図３ｆ】
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【図３ｇ】
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【図３ｈ】
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【図３ｉ】
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【図３ｊ】
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【図３ｋ】
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【図３ｌ】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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