(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｘ元素２〜３０原子％、残部が実質的にＲｕであって、
前記Ｘ元素は、Ｈｆ，Ｖ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｏｓ，Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ａｌ，ＧａおよびＩｎから選ばれる少なくとも１種の元素であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項２】
前記Ｘ元素は、Ｒｈ，Ｐｄ，ＣｕおよびＡｇから選ばれる少なくとも１種の元素であることを特徴とする請求項１記載のスパッタリングターゲット。
【請求項３】
不純物元素としてのナトリウム、カリウム、カルシウム、マグネシウム、ウランおよびトリウムの各元素の合計含有量が５００ｐｐｍ以下であることを特徴とする請求項１または２記載のスパッタリングターゲット。
【請求項４】
Ｃｕ、Ａｌもしくはこれらの合金材のバッキングプレートが拡散接合もしくはソルダー接合されていることを特徴とする請求項１ないし３いずれか記載のスパッタリングターゲット。
【請求項５】
請求項１ないし４いずれか１項記載のスパッタリングターゲットを用いて形成されたことを特徴とする薄膜。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＬＳＩや液晶、ＰＤＰ等のエレクトロニクス分野、磁気記録分野の膜形成に用いられるスパッタリングターゲットおよびこのスパッタリングターゲットを用いて形成された薄膜に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ＤＲＡＭ等の半導体メモリ開発においてペロブスカイト構造を有するＢａＴｉ複合酸化物薄膜、ＳｒＴｉ複合酸化物薄膜、ＢａＳｒＴｉ複合酸化物やＴａＯｘなどの薄膜をメモリのキャパシタとして使用する研究が進んでいる。
【０００３】
上述したような複合酸化物薄膜を半導体メモリのキャパシタと使用する場合、上部および下部の電極はＲｕからなるターゲットを用いてＡｒやＡｒとＯ2との混合ガス雰囲気中で成膜したＲｕもしくはＲｕ酸化物の薄膜を使用することが検討されている。
【０００４】
一方、前述した方法により形成されるキャパシタは、下部に形成された電極や配線とコンタクトすることにより半導体素子として機能する。一般的には、配線材料は、Ａｌ−Ｃｕ合金やＣｕ、Ｃｕ合金、Ａｇが使用されている。また、配線とのコンタクト部、つまりプラグ材料はＷやＡｌ、もしくはＣｕが用いられている。また、このプラグと電極との間にはバリアメタルが形成される場合もある。バリアメタルの材料は、ＴｉやＴｉＮ、Ｔａ、ＴａＮ、ＴｉＡｌもしくはＴｉＡｌＮが用いられる。
【０００５】
このようなことから、前記キャパシタはプラグ上もしくはバリアメタル上に前述した方法によりＲｕもしくはＲｕ酸化物の下部電極を形成した後、キャパシタ材料を形成し、その上にさらに上部電極を形成した構造を有する。
【０００６】
近年、ＲｕやＲｕ酸化物を形成するために使用されてきたＲｕターゲットは、半導体デバイスヘの信頼性を向上させるため、ＮａやＫに代表されるアルカリ金属の低減化や、Ｕ、Ｔｈなどの放射線元素から放出されるα線によるソフトエラーを防ぐ目的で更なる放射性元素の低減化など極力不純物を低減化する方向へ進んでいる。
【０００７】
例えば、特開平１１−５０１６３号公報にはアルカリ金属元素各１ｐｐｍ未満、アルカリ土類金属各１ｐｐｍ未満、遷移金属元素各１ｐｐｍ未満、放射性元素各１０ｐｐｂ未満、炭素およびガス成分の合計が５００ｐｐｍ未満、ガス成分を除いた純度が９９．９９５％以上であるＲｕターゲットが開示されている。
【０００８】
また、特開平８−１９９３５０号公報にはＮａ、Ｋ、Ｃａ、Ｍｇの合計が５ｐｐｍ以下でありかつＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏのうち１種または２種以上の合計が０．５〜５０ｐｐｍ含有し、Ｕ、Ｔｈならびに放射性同位元素の含有量を５ｐｐｂ以下にした、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏを除く元素で９９．９９９％以上の純度を特徴とするＲｕターゲットが開示されている。
【０００９】
このような高純度であるＲｕターゲットを用いて電極となるＲｕもしくはＲｕ酸化物をＷ、Ａｌ−Ｃｕ、ＣｕまたはＡｇからなるプラグ上もしくはＴｉ、ＴｉＮ、Ｔａ、ＴａＮ、ＴｉＡｌまたはＴｉＡｌＮからなるバリアメタル上に形成した場合、１０ｎｍを超える厚さにすると、下地（プラグまたはバリアメタル）と電極との密着力が弱いため、剥がれるという問題が生じてしまう。このような剥がれが生じると、半導体デバイスは全く駆動せず、不良品として廃棄しなければならない。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、プラグやバリアメタルのような下地に対する密着力が高く、かつ電極として用いた場合、比抵抗が小さいＲｕ膜あるいはＲｕ酸化物の薄膜をスパッタリングにより成膜することが可能なスパッタリングターゲットを提供しようとするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明に係るスパッタリングターゲットはＸ元素２〜３０原子％、残部が実質的にＲｕであって、
前記Ｘ元素は、Ｈｆ，Ｖ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｏｓ，Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ａｌ，ＧａおよびＩｎから選ばれる少なくとも１種の元素であることを特徴とするものである。
本発明に係る薄膜は、前記スパッタリングターゲットを用いて形成されたことを特徴とするものである。
【００１２】
このようなターゲットをスパッタリングしてＷ、Ａｌ−Ｃｕ、ＣｕまたはＡｇからなるプラグ上もしくはＴｉ、ＴｉＮ、Ｔａ、ＴａＮ、ＴｉＡｌまたはＴｉＡｌＮからなるバリアメタル上に成膜することによって、前記プラグ材またはバリアメタルに対して高い密着力を有し、かつ電極に適用した場合、十分に小さい比抵抗を有するＲｕまたはＲｕ酸化物の薄膜を得ることが可能になる。
【００１３】
すなわち、従来の高純度Ｒｕターゲットを用いてスパッタリングした場合、成膜条件を問わず、膜厚が例えば１０ｎｍを超えると剥がれが生じる。これは、プラグやバリアメタル上にＲｕもしくはＲｕＯxがマイグレーションを起こさずに成膜されるため、高い内部応力を保持した状態で、後工程から受ける熱影響、例えば絶縁膜やキャパシタを形成するＣＶＤ処理時における加熱等によって膜の内部応力が開放されクラック、割れが生じることに起因する。
【００１４】
このようなことから、本発明者らは電極の比抵抗に悪影響を及ぼさず、かつ下地材料とＲｕもしくはＲｕ酸化物とのマイグレーション効果について種々検討した結果、Ｘ元素１〜５０原子％、残部が実質的にＲｕである組成、ここでＸ元素は［Ｘ元素の原子量÷Ｒｕの原子量（１０１．０７）］＝０．２〜２の範囲で、かつ比抵抗が６０μΩｃｍ以下のIVａ族、Ｖａ族、VIａ族、VIII族、Ｉｂ族、IIｂ族およびIIIｂ族の元素から選ばれる少なくとも１種の元素、からなるスパッタリングターゲットを用いることによって、電極の比抵抗に悪影響を及ぼさず、かつスパッタリングによってはじき出される粒子に大きなエネルギーを付加させて、下地材料上でマイグレーション効果が大きくなリ、その結果前記下地に対して高い密着力を有し、例えば厚さを１０ｎｍ以上に厚くして剥離を生じないＲｕもしくはＲｕ酸化物の薄膜を成膜できることを見出した。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を詳細に説明する。
【００１６】
本発明のスパッタリングターゲットは、Ｘ元素１〜５０原子％、残部が実質的にＲｕからなる組成を有する。このＸ元素は、［Ｘ元素の原子量÷Ｒｕの原子量（１０１．０７）］＝０．２〜２の範囲で、かつ比抵抗が６０μΩｃｍ以下のIVａ族、Ｖａ族、VIａ族、VIII族、Ｉｂ族、IIｂ族およびIIIｂ族の元素から選ばれる少なくとも１種の元素からなる。
【００１７】
（Ｘ元素の原子量÷Ｒｕの原子量）の値が０．２未満のＸ元素では、Ｒｕの原子量に対して原子量が小さいため下地材料上でマイグレーションを十分に起こさすことが困難になる。一方、（Ｘ元素の原子量÷Ｒｕの原子量）の値が２を超えるＸ元素ではＲｕの原子量に対して大きいため、スパッタリングすると下地膜中に打ち込まれて、下地材料の特性に悪影響を及ぼす虞がある。より好ましい（Ｘ元素の原子量÷Ｒｕの原子量）の値は、０．４〜１．６、最も好ましい前記値は０．６〜１．２である。
【００１８】
前記Ｘ元素の比抵抗が６０μΩｃｍを超えると、得られたターゲットをスパッタリングして成膜されたＲｕもしくはＲｕ酸化物の薄膜の比抵抗が極端に大きな値を示し、電極として用いることが困難になる。
【００１９】
前記（Ｘ元素の原子量÷Ｒｕの原子量）の値と比抵抗を満たすＸ元素を以下に具体的に例示する。
【００２０】
IVａ族元素；Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ、
Ｖａ族元素；Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ、
VIａ族元素；Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ、
VIII族元素；Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ、
Ｉｂ族元素；Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ、
IIｂ族元素；Ｚｎ，Ｃｄ、
IIIｂ族；Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ。
【００２１】
前記Ｘ元素は、特にＲｈ，Ｐｄ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕが好ましい。これらの元素は、イオン加工率が高く、マイグレーションを起こし易くなるために好適である。
【００２２】
前記Ｘ元素の量を１原子％未満にすると、下地膜上へのスパッタリング時においてマイグレーションが殆ど起きず、成膜されたＲｕ，Ｒｕ酸化物の薄膜が剥離し易くなる虞がある。一方、前記Ｘ元素の量が５０原子％を超えると、スパッタリングにより成膜された薄膜の格子歪が増大する、つまり内部応力が増大して薄膜が剥離し易くなる虞がある。より好ましい前記Ｘ元素の量は、２〜３０原子％、最も好ましいＸ元素の量は３〜１０原子％である。
【００２３】
本発明に係るスパッタリングターゲットは、通常の高純度金属材料と同程度の不純物を含むことを許容する。ただし、不純物元素があまりにも多いと、例えばリーク電流が増大したり、比抵抗が高くなるなど特性の低下したりする虞がある。したがって、本発明に係るスパッタリングターゲットは不純物元素としてのＮａ、Ｋ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｕ、Ｔｈの合計含有量が５００ｐｐｍ以下の高純度Ｒｕ合金で構成することが好ましい。換言すれば、Ｎａ、Ｋ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｕ、Ｔｈの各含有量（重量％）の合計量を１００％から引いた値［１００−（Ｎａ＋Ｋ＋Ｃａ＋Ｍｇ＋Ｕ＋Ｔｈ）が９９．９５％以上の高純度Ｒｕ合金を用いることが好ましい。
【００２４】
本発明に係るスパッタリングターゲットは、例えば以下のような方法により製造することができる。
【００２５】
例えば、市販されているＲｕ粉末と所定量の添加元素（Ｘ元素）の粉末を、ボールミルやアトライタなどに代表されるメカニカルアロインクなどの混合を施した粉末やプラズマ溶融法により合金化した粉末を、ターゲットサイズにあわせたカーボン型などに充填し、ホットプレス、熱間静水圧プレスもしくはプラズマ放電焼結により加圧焼結する。
【００２６】
前記ホットプレスでは、例えば６００℃〜９００℃の温度で最低１時間以上脱ガス処理を施すことが好ましい。これは、ホットプレス温度を６００℃未満にすると脱ガスが困難になる。一方、前記ホットプレス温度が９００℃を超えると焼結が進行し、内部にガスが残留し、この残留ガスが脱ガスされ難くなる。前記プラズマ放電焼結では、例えば６００℃〜９００℃の温度で最低５分間以上脱ガス処理を施すことが好ましい。これは、原料粉末に付着している吸着酸素や他の不純物元素を除去するためである。雰囲気は、真空中（１Ｐａ以下）、もしくは水素雰囲気中が好ましい。
【００２７】
前記脱ガス処理を実施した後に、ホットプレスでは加圧しながら１３００℃〜１７００℃の焼結温度の範囲で最低３時間以上、プラズマ放電焼結では同温度で最低１０分以上保持することが好ましい。
【００２８】
前記焼結工程を実施した後に、例えば加圧を解除し、冷却速度１０℃／ｍｉｎ以上で冷却することが好ましい。また、加圧焼結された焼結体をＨＩＰ処理してもよい。ＨＩＰ処理温度は、１３００℃〜１７００℃、加圧力は１５０ＭＰａ以上とすることが好ましい。このようなＨＩＰ処理を行うことによって、より一層緻密な焼結体を得ることが可能となる。
【００２９】
次いで、前記加圧焼結工程によって得られたターゲット材料を機械加工し、これにＣｕ、Ａｌ、もしくはそれらの合金からなるバッキングプレートと接合する。バッキングプレートの接合は、ソルダー接合や拡散接合などが適用される。ソルダー接合は、公知のＩｎ系やＳｎ系の接合材を使用して実施する。拡散接合時の温度は、６００℃以下にすることが好ましい。これは、バッキングプレートの材料であるＡｌの融点が６６０℃であるためである。得られたターゲット素材を所定サイズに機械加工することによって、スパッタリングターゲットを製造する。
【００３０】
本発明に係るスパッタリングターゲットをスパッタリングして成膜され、パターニングされたＲｕもしくはＲｕ酸化物の下部電極、上部電極を有するキャパシタを備えた半導体装置を以下に図１を参照して説明する。
【００３１】
ｎ型（１００）シリコン基板１表面には、ｐウェル２が形成されている。ＢＯＸ(buried oxide)法等により形成された素子分離用酸化膜３は、前記ｐウェル２に形成され、隣接するセル間を分離している。ｎ+型ソース、ドレイン領域４，５は、前記素子分離用酸化膜３で囲まれた前記ｐウェル２表面に互いに電気的に分離して形成されている。ワード線を兼ねたゲート電極６は、前記ｎ+型ソース、ドレイン領域４，５間のチャンネル領域を含む前記ｐウェル２表面にゲート絶縁膜７を介して形成されている。
【００３２】
第１層間絶縁膜８は、前記ゲート電極６を含む前記ｐウェル２上に形成されている。コンタクトホール９1，９2は、前記ｎ+型ソース、ドレイン領域４，５に位置する前記第１層間絶縁膜８部分にそれぞれ開口されている。例えばＷからなるプラグ１０1，１０2は、前記コンタクトホール９1，９2にそれぞれ埋込まれ、かつ前記ドレイン領域５と接続されるプラグ１０2上には例えばＰｔからなるバリア層１１が形成されている。
【００３３】
第２層間絶縁膜１２は、前記プラグ１０1および前記バリア層１１を含む前記第１層間絶縁膜８上に形成されている。コンタクトホール１３は、前記バリア層１１が位置する前記第２層間絶縁膜１２部分に開口されている。下部電極１４は、前記コンタクトホール１３の内面に形成され、前記バリア層１１と接続されている。この下部電極１４は、本発明に係るスパッタリングターゲットをスパッタリングして例えばＲｕ酸化物薄膜を成膜した後、この薄膜をパターニングすることにより形成される。例えばＢａ0.5Ｓｒ0.5ＴｉＯ3のようなペロブスカイト型高誘電体からなるキャパシタ絶縁膜１５は、前記下部電極１４を含む前記第２層間絶縁膜１２上に形成されている。上部電極１６は、後述するビット線用の配線が埋込まれるコンタクトホールおよびその周囲を除く前記キャパシタ絶縁膜１６上に形成されている。この上部電極１６は、本発明に係るスパッタリングターゲットをスパッタリングして例えばＲｕ酸化物薄膜を成膜した後、この薄膜をパターニングすることにより形成される。
【００３４】
第３層間絶縁膜１７は、前記上部電極１６を含む前記キャパシタ絶縁膜１５上に形成されている。コンタクトホール１８は、前記プラグ１０1上に位置する前記第２層間絶縁膜１２，前記キャパシタ絶縁膜１５および前記第３層間絶縁膜１７を貫通して開口されている。ビット線用の配線１９は、前記コンタクトホール１８内を含む前記第３層間絶縁膜１７上に形成され、前記コンタクトホール１８の埋込み部で前記プラグ１０1と電気的に接続されている。
【００３５】
このような構成において、前記下部電極１４はＸ元素１〜５０原子％、残部が実質的にＲｕである組成（ここでＸ元素はＸ元素の原子量÷Ｒｕの原子量（１０１．０７）＝０．２〜２の範囲で、かつ比抵抗が６０μΩｃｍ以下のIVａ族、Ｖａ族、VIａ族、VIII族、Ｉｂ族、IIｂ族およびIIIｂ族の元素から選ばれる少なくとも１種の元素）からなるスパッタリングターゲットをスパッタリングしてＲｕまたはＲｕ酸化物の薄膜を成膜し、この薄膜をパターニングすることにより形成され、前記プラグ１０2上のバリア層１１に対して高い密着力を有し、かつ十分に小さい比抵抗を有するため、高信頼性のキャパシタを備えた半導体装置を実現することが可能になる。
【００３６】
なお、本発明に係るスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングして成膜した被膜の適用例として、この被膜を有するキャパシタを備えた半導体装置を説明したが、図１に示す構成に限らず、バリア層１１を有さない構造など、各所構造にに対して本発明のスパッタリングターゲットを適用することができる。
【００３７】
【実施例】
以下、本発明の好ましい実施例を詳細に説明する。
【００３８】
（実施例１）
(1-1)まず、純度３ＮのＲｕ粉末をカーボン型内に充填してホットプレス装置にセットし、１Ｐａ以下の真空雰囲気中にて６００℃、保持時間３時間の脱ガス処理を行った。つづいて、同様な真空雰囲気中で２５ＭＰａの圧力を加えつつ、昇温速度１０℃／ｍｉｎ、１４００℃で５時間保持して焼結体を作製した。焼結後の冷却は雰囲気をＡｒで置換し、かつ１０℃／ｍｉｎの冷却速度で行った。ひきつづき、得られた焼結体を直径１２７ｍｍ、厚さ５ｍｍに機械加工した後、Ｃｕ製バッキングプレートにろう付け接合することによって、Ｒｕターゲットを製造した。
【００３９】
(1-2)まず、純度３ＮのＲｕ粉末と所定量の純度４ＮのＴｉ粉末をＲｕ−０．１原子％Ｔｉ、Ｒｕ−５原子％Ｔｉ、Ｒｕ−２０原子％Ｔｉ、Ｒｕ−４０原子％Ｔｉ、Ｒｕ−７０原子％Ｔｉになるように配合し、これらの粉末をＡｒ雰囲気中ボールミルで１０時間混合した。これらの粉末をカーボン型内にそれぞれ充填し、ホットプレス装置にセットし、１Ｐａ以下の真空雰囲気中にて６００℃、保持時間３時間の脱ガス処理を実施した。つづいて、同様な真空雰囲気中で２５ＭＰａの圧力を加えつつ、昇温違度１０℃／ｍｉｎ、１４００℃で５時間保持することにより５種の焼結体を作製した。焼結後の冷却は、雰囲気をＡｒで置換し、かつ１０℃／ｍｉｎの冷却速度で実施した。ひきつづき、得られた各焼結体を直径１２７ｍｍ、厚さ５ｍｍに機械加工した後、Ｃｕ製バッキングプレートにろう付け接合することによって、５種類のＲｕＴｉターゲットを製造した。
【００４０】
(1-3)まず、純度３ＮのＲｕ粉末と純度５ＮのＷ粉末をＲｕ−０．５原子％Ｗ、Ｒｕ−１０原子％Ｗ、Ｒｕ−３０原子％Ｗ、Ｒｕ−５５原子％Ｗ、Ｒｕ−８０原子％Ｗになるように配合した。この粉末をアトライタで１０時間混合した。これらの粉末をカーボン型内にそれぞれ充填してホットプレス装置にセットし、１Ｐａ以下の真空雰囲気中にて９００℃、保持時間３時間の脱ガス処理を行った。つづいて、同様な真空雰囲気中で２５ＭＰａの圧力を加えつつ、昇温速度１０℃／ｍｉｎ、１６５０℃で５時間保持して５種の焼結体を作製した。焼結後の冷却は、雰囲気をＡｒで置換し、かつ１０℃／ｍｉｎの冷却速度で実施した。ひきつづき、得られた各焼結体を直径１２７ｍｍ、厚さ５ｍｍに機械加工した後、Ｃｕ製バッキングプレートにろう付け接合することによって、５種類のＲｕＷターゲットを製造した。
【００４１】
(1-4)まず、純度３ＮのＲｕ粉末と純度３ＮのＹ粉末をＲｕ−０．２ａｔ％Ｙ、Ｒｕ−５ａｔ％Ｙ、Ｒｕ−２２ａｔ％Ｙ、Ｒｕ−４９ａｔ％Ｙ、Ｒｕ−７５ａｔ％Ｙになるように配合した。この粉末をＡｒ雰囲気中ボールミルで１０時間混合した。これら粉末をカーボン型内にそれぞれ充填し、プラズマ放量焼結装置にセットし、１Ｐａ以下の真空雰囲気中にて９００℃、保持時間１０分の脱ガス処理を行った。つづいて、同様な真空雰囲気中で２５ＭＰａの圧力を加えつつ、昇温速度３０℃／ｍｉｎ、１３００℃で５時間保持して５種の焼結体を作製した。焼結後の冷却は、雰囲気をＡｒで置換し、かつ１０℃／ｍｉｎの冷却速度で実施した。ひきつづき、得られた各焼結体を直径１２７ｍｍ、厚さ５ｍｍに機械加工した後、Ｃｕ製バッキングプレートにろう付け接合することによって、５種類のＲｕＹターゲットを製造した。
【００４２】
前記(1-2)〜(1-4)で製造したＲｕ合金ターゲット中の各元素の含有量について、ＩＣＰ−ＭＡＳＳ（セイコーインスツルメント社製商品名；ＳＰＱ９０００）を用いて測定した。その結果を下記表１に示す。
【００４３】
また、前記(1-1)で製造したＲｕターゲトおよび前記(1-2)〜(1-4)で製造したＲｕ合金ターゲットを予めＷ膜が被覆された５枚の直径４インチのＳｉウェハ上（Ｗ膜上）にそれぞれ下記条件でスパッタし、１０ｎｍの厚さのＲｕ薄膜、Ｒｕ合金薄膜を成膜した。
【００４４】
＜スパッタ条件＞
スパッタ方式：マグネトロンスパッタ、
背圧：１×ｌ０-5（Ｐａ）、
出力ＤＣ：２（ｋＷ）、
Ａｒ：０．５Ｐａ。
【００４５】
得られた各ウェハを真空中、４５０℃×３０ｍｉｎの熱処理を施した後、ウェハの中央部、端部および中央部と端部の間から３０ｍｍ角のサンプルを合計５個取出し、比抵抗測定および膜剥がれの状態を調べた。
【００４６】
前記比抵抗は、四端針装置（ナブソン社製商品名；抵抗率測定器ＲＴ−８Ａ）を用い、前記サンプルを測定針の直下に設置し、その上で針を直接サンプルに接触させる。この装置は、自動的にサンプルの比抵抗値が得られる。なお、比抵抗値はウェハ５枚でサンプル各５個の合計２５個のサンプルの平均値として算出した。
【００４７】
前記膜剥がれの測定は、前記３０ｍｍ角のサンプルの薄膜上に５ｍｍ角の升目をダイヤモンドペンで切り込み、この薄膜上にカプトンテープを直接貼着し、テープ側から２〜３回擦って薄膜とテープの密着させた後、テープを剥がす。剥がしたテープを透過する方眼紙に付着させ、画像処理により３０ｍｍ角内に確認される薄膜の付着量から以下の式に従って剥がれ量を算出する。
【００４８】
剥がれ量（％）＝（付着膜面積／３０ｍｍ角）×１００
このような剥がれ量の算出を前述した５枚のウェハの５箇所から切出したサンプル全てに行い、それらの平均値から次のように評価した。
【００４９】
Ａ：全く剥がれなし、
Ｂ：０を超え、５％以下の剥がれあり、
Ｃ：５％を超え、３０％以下の剥がれあり、
Ｄ：３０％を超える剥がれあり。
【００５０】
これらの結果を下記表１に示す。
【００５１】
【表１】
0004503817.tif 000002
【００５２】
前記表１から明らかのようにＸ元素１〜５０原子％、残部が実質的にＲｕである組成（ここで、Ｘ元素はＸ元素の原子量÷Ｒｕの原子量＝０．２〜２の範囲で、かつ比抵抗が６０μΩｃｍ以下のIVａ族、Ｖａ族、VIａ族、VIII族、Ｉｂ族、IIｂ族およびIIIｂ族の元素から選ばれる少なくとも１種の元素、つまりＴｉ，Ｗ）からなるＮｏ．３〜Ｎｏ．５，Ｎｏ．８〜Ｎｏ．１０のスパッタリングターゲットをスパッタリングすることにより成膜されたＲｕ合金薄膜は、下地膜であるＷ膜に対して高い密着力を有することがわかる。
【００５３】
（実施例２）
(2-1)まず、純度３ＮのＲｕ粉末と所定量の純度３ＮのＰｔ粉末をＲｕ−０．６ａｔ％Ｐｔ、Ｒｕ−８ａｔ％Ｐｔ、Ｒｕ−１９ａｔ％Ｐｔ、Ｒｕ−４８ａｔ％Ｐｔ、Ｒｕ−９０ａｔ％Ｐｔになるように配合した。これらの粉末をプラズマ溶融法により合金化した粉末を作製した。これら合金粉末をカーボン型内に充填してプラズマ焼結装置にセットし、１Ｐａ以下の真空雰囲気中にて６００℃、保持時間１５分の脱ガス処理を行った。つづいて、同様な真空雰囲気中で２５ＭＰａの圧力を加えつつ、昇温速度２５℃／ｍｉｎ、１５００℃で５時間保持することにより５種の焼結体を作製した。焼結後の冷却は、雰囲気をＡｒで置換し、かつ１０℃／ｍｉｎの冷却速度で実施した。ひきつづき、得られた各焼結体を直径１２７ｍｍ、厚さ５ｍｍに機械加工した後、Ｃｕ製バッキングプレートにろう付け接合することによって、５種類のＲｕＰｔターゲットを製造した。
【００５４】
(2-2)まず、純度３ＮのＲｕ粉末と純度３ＮのＮｂ粉末をＲｕ−０．１ａｔ％Ｎｂ、Ｒｕ−３ａｔ％Ｎｂ、Ｒｕ−２５ａｔ％Ｎｂ、Ｒｕ−４０ａｔ％Ｎｂ、Ｒｕ−６５ａｔ％Ｎｂになるように配合した。これらの粉末をアトライタ法で１０時間混合した。これらの粉末をカーボン型内に充填してホットプレス装置にセットし、１Ｐａ以下の真空雰囲気中にて９００℃、保持時間３時間の脱ガス処理を行った。つづいて、同様な真空雰囲気中で２５ＭＰａの圧力を加えつつ、昇温速度１０℃／ｍｉｎ、１６５０℃で５時間保持することにより５種の焼結体を作製した。焼結後の冷却は雰囲気をＡｒで置換し、かつ１０℃／ｍｉｎの冷却速度で実施した。ひきつづき、得られた各焼結体を直径１２７ｍｍ、厚さ５ｍｍに機械加工した後、Ｃｕ製バッキングプレートにろう付け接合することによって、５種類のＲｕＮｂターゲットを製造した。
【００５５】
(2-3)まず、純度３ＮのＲｕ粉末と純度３ＮのＳｃ粉末をＲｕ−０．３ａｔ％Ｓｃ、Ｒｕ−５ａｔ％Ｓｃ、Ｒｕ−３０ａｔ％Ｓｃ、Ｒｕ−４６ａｔ％Ｓｃ、Ｒｕ−８５ａｔ％Ｓｃになるように配合した。これらの粉末をプラズマ溶融法により合金化させた粉末を作製した。これらの合金粉末をカーボン型内に充填してホットプレス装置にセットし、１Ｐａ以下の真空雰囲気中にて６００℃、保持時間３時間の脱ガス処理を行った。つづいて、同様な真空雰囲気中で２５ＭＰａの圧力を加えつつ、昇温速度１０℃／ｍｉｎ、１０００℃で５時間保持することにより５種の焼結体を作製した。焼結後の冷却は、雰囲気をＡｒで置換し、かつ１０℃／ｍｉｎの冷却速度で実施した。ひきつづき、得られた各焼結体を直径１２７ｍｍ、厚さ５ｍｍに機械加工した後、Ｃｕ製バッキングプレートにろう付け接合することによって、５種類のＲｕＳｃターゲットを製造した。
【００５６】
前記(2-1)〜(2-3)で製造したＲｕ合金ターゲット中の各元素の含有量について、ＩＣＰ−ＭＡＳＳ（セイコーインスツルメント社製商品名；ＳＰＱ９０００）を用いて測定した。その結果を下記表２に示す。
【００５７】
また、実施例１の(1-1)で製造したＲｕターゲットおよび前記(2-1)〜(2-3)で製造したＲｕ合金ターゲットを予めＡｌ−０．５ｗｔ％Ｃｕ膜が被覆された５枚の直径４インチのＳｉウェハ上（Ａｌ−０．５ｗｔ％Ｃｕ膜上）にそれぞれ実施例１と同様な条件でスパッタし、１０ｎｍの厚さのＲｕ薄膜、Ｒｕ合金薄膜を成膜した。
【００５８】
得られた各ウェハを真空中、４５０℃×３０ｍｉｎの熱処理を施した後、ウェハの中央部、端部および中央部と端部の間から３０ｍｍ角のサンプルを取出し、実施例１と同様の方法により比抵抗測定および膜剥がれの状態を調べた。これらの結果を下記表２に示す。
【００５９】
【表２】
0004503817.tif 000003
【００６０】
前記表２から明らかのようにＸ元素１〜５０原子％、残部が実質的にＲｕである組成（ここで、Ｘ元素はＸ元素の原子量÷Ｒｕの原子量＝０．２〜２の範囲で、かつ比抵抗が６０μΩｃｍ以下のIVａ族、Ｖａ族、VIａ族、VIII族、Ｉｂ族、IIｂ族およびIIIｂ族の元素から選ばれる少なくとも１種の元素、つまりＰｔ，Ｎｂ）からなるＮｏ．３〜Ｎｏ．５，Ｎｏ．８〜Ｎｏ．１０のスパッタリングターゲットをスパッタリングすることにより成膜されたＲｕ合金薄膜は、下地膜であるＡｌ−０．５ｗｔ％Ｃｕ膜に対して高い密着力を有することがわかる。
【００６１】
（実施例３）
(3-1)まず、純度３ＮのＲｕ粉末と所定量の純度４ＮのＡｇ粉末をＲｕ−０．４ａｔ％Ａｇ、Ｒｕ−１０ａｔ％Ａｇ、Ｒｕ−２５ａｔ％Ａｇ、Ｒｕ−３８ａｔ％Ａｇ、Ｒｕ−５９ａｔ％Ａｇになるように配合した。これらの粉末をＡｒ雰囲気中ボールミルで１０時間混合した。これらの粉末をカーボン型内に充填してホットプレス装置にセットし、１Ｐａ以下の真空雰囲気中にて６００℃、保持時間３時間の脱ガス処理を行った。つづいて、同様な真空雰囲気中で２５ＭＰａの圧力を加えつつ、昇温速度１０℃／ｍｉｎ、９００℃で５時間保持することにより５種の焼結体を作製した。焼結後の冷却は、雰囲気をＡｒで置換し、かつ１０℃／ｍｉｎの冷却速度で実施した。ひきつづき、得られた各焼結体を直径１２７ｍｍ、厚さ５ｍｍに機械加工した後、Ｃｕ製バッキングプレートにろう付け接合することによって、５種類のＲｕＡｇターゲットを製造した。
【００６２】
(3-2)まず、純度３ＮのＲｕ粉末と純度５ＮのＣｏ粉末をＲｕ−０．３ａｔ％Ｃｏ、Ｒｕ−４ａｔ％Ｃｏ、Ｒｕ−２２ａｔ％Ｃｏ、Ｒｕ−４７ａｔ％Ｃｏ、Ｒｕ−６９ａｔ％Ｃｏになるように配合した。これらの粉末をＡｒ雰囲気中ボールミルで１０時間混合した。得られた各粉末をカーボン型内に充填してホットプレス装置にセットし、１Ｐａ以下の真空雰囲気中にて９００℃、保持時間３時間の脱ガス処理を行った。つづいて、同様な真空雰囲気中で２５ＭＰａの圧力を加えつつ、昇温速度１０℃／ｍｉｎ、１３００℃で５時間保持することにより５種の焼結体を作製した。焼結後の冷却は、雰囲気をＡｒで置換し、かつ１０℃／ｍｉｎの冷却速度で実施した。ひきつづき、得られた各焼結体を直径１２７ｍｍ、厚さ５ｍｍに機械加工した後、Ｃｕ製バッキングプレートにろう付け接合することによって、５種類のＲｕＣｏターゲットを製造した。
【００６３】
(3-3)まず、純度３ＮのＲｕ粉末と純度４ＮのＣ粉末をＲｕ−０．０１ａｔ％Ｃ、Ｒｕ−１０ａｔ％Ｃ、Ｒｕ−３０ａｔ％Ｃ、Ｒｕ−４７ａｔ％Ｃ、Ｒｕ−８５ａｔ％Ｃになるように配合した。これらの粉末をアトライタ法で１０時間混合し、得られた各粉末をカーボン型内に充填してプラズマ放電焼結装置にセットし、１Ｐａ以下の真空雰囲気中にて９００℃、保持時間８分の脱ガス処理を行った。つづいて、同様な真空雰囲気中で２５ＭＰａの圧力を加えつつ、昇温速度２０℃／ｍｉｎ、１７５０℃で５時間保持することにより５種の焼結体を作製した。焼結後の冷却は、雰囲気をＡｒで置換し、かつ１０℃／ｍｉｎの冷却速度で実施した。ひきつづき、得られた各焼結体を直径１２７ｍｍ、厚さ５ｍｍに機械加工した後、Ｃｕ製バッキングプレートにろう付け接合することによって、５種類のＲｕＣターゲットを製造した。
【００６４】
前記(3-1)〜(3-3)で製造したＲｕ合金ターゲット中の各元素の含有量について、ＩＣＰ−ＭＡＳＳ（セイコーインスツルメント社製商品名；ＳＰＱ９０００）を用いて測定した。その結果を下記表３に示す。
【００６５】
また、実施例１の(1-1)で製造したＲｕターゲトおよび前記(3-1)〜(3-3)で製造したＲｕ合金ターゲットを予めＴｉＮ膜が被覆された５枚の直径４インチのＳｉウェハ上（ＴｉＮ膜上）にそれぞれ実施例１と同様な条件でスパッタし、１０ｎｍの厚さのＲｕ薄膜、Ｒｕ合金薄膜を成膜した。
【００６６】
得られた各ウェハを真空中、４５０℃×３０ｍｉｎの熱処理を施した後、ウェハの中央部、端部および中央部と端部の間から３０ｍｍ角のサンプルを取出し、実施例１と同様の方法により比抵抗測定および膜剥がれの状態を調べた。これらの結果を下記表３に示す。
【００６７】
【表３】
0004503817.tif 000004
【００６８】
前記表３から明らかのようにＸ元素１〜５０原子％、残部が実質的にＲｕである組成（ここで、Ｘ元素はＸ元素の原子量÷Ｒｕの原子量＝０．２〜２の範囲で、かつ比抵抗が６０μΩｃｍ以下のIVａ族、Ｖａ族、VIａ族、VIII族、Ｉｂ族、IIｂ族およびIIIｂ族の元素から選ばれる少なくとも１種の元素、つまりＡｇ，Ｃｏ）からなるＮｏ．３〜Ｎｏ．５，Ｎｏ．８〜Ｎｏ．１０のスパッタリングターゲットをスパッタリングすることにより成膜されたＲｕ合金薄膜は、下地膜であるＴｉＮに対して高い密着力を有することがわかる。
【００６９】
（実施例４）
(4-1)まず、純度３ＮのＲｕ粉末と所定量の純度４ＮのＰｄ粉末をＲｕ−０．１ａｔ％Ｐｄ、Ｒｕ−５ａｔ％Ｐｄ、Ｒｕ−３０ａｔ％Ｐｄ、Ｒｕ−４５ａｔ％Ｐｄ、Ｒｕ−６０ａｔ％Ｐｄになるように配合した。これらの粉末をＡｒ雰囲気中ボールミルで１０時間混合した。得られた各粉末をカーボン型内に充填してホットプレス装置にセットし、１Ｐａ以下の真空雰囲気中にて６００℃、保持時間３時間の脱ガス処理を行った。つづいて、同様な真空雰囲気中で２５ＭＰａの圧力を加えつつ、昇温速度１０℃／ｍｉｎ、１４５０℃で５時間保持することにより５種の焼結体を作製した。焼結後の冷却は、雰囲気をＡｒで置換し、かつ１０℃／ｍｉｎの冷却速度で実施した。ひきつづき、得られた各焼結体を直径１２７ｍｍ、厚さ５ｍｍに機械加工した後、Ｃｕ製バッキングプレートにろう付け接合することによって、５種類のＲｕＰｄターゲットを製造した。
【００７０】
(4-2)まず、純度３ＮのＲｕ粉末と純度５ＮのＡｕ粉末をＲｕ−０．７ａｔ％Ａｕ、Ｒｕ−１０ａｔ％Ａｕ、Ｒｕ−３０ａｔ％Ａｕ、Ｒｕ−４５ａｔ％Ａｕ、Ｒｕ−６５ａｔ％Ａｕになるように配合した。この粉末をプラズマ溶融法により合金化させた粉末を作製した。得られた各粉末をカーボン型内に充填してホットプレス装置にセットし、１Ｐａ以下の真空雰囲気中にて９００℃、保持時間３時間の脱ガス処理を行った。つづいて、同様な真空雰囲気中で２５ＭＰａの圧力を加えつつ、昇温速度１０℃／ｍｉｎ、１６５０℃で５時間保持することにより５種の焼結体を作製した。焼結後の冷却は、雰囲気をＡｒで置換し、かつ１０℃／ｍｉｎの冷却速度で実施した。ひきつづき、得られた各焼結体を直径１２７ｍｍ、厚さ５ｍｍに機械加工した後、Ｃｕ製バッキングプレートにろう付け接合することによって、５種類のＲｕＡｕターゲットを製造した。
【００７１】
(4-3)まず、純度３ＮのＲｕ粉末と純度３ＮのＭｎ粉末をＲｕ−０．０１ａｔ％Ｍｎ、Ｒｕ−２ａｔ％Ｍｎ、Ｒｕ−２８ａｔ％Ｍｎ、Ｒｕ−４２ａｔ％Ｍｎ、Ｒｕ−７２ａｔ％Ｍｎになるように配合した。これらの粉末をＡｒ雰囲気中ボールミルで１０時間混合した。得られた各粉末をカーボン型内に充填してホットプレス装置にセットし、１Ｐａ以下の真空雰囲気中にて１６５０℃、保持時間３時間の脱ガス処理を行った。つづいて、同様な真空雰囲気中で２５ＭＰａの圧力を加えつつ、昇温速度１０℃／ｍｉｎ、１３００℃で５時間保持することにより５種の焼結体を作製した。焼結後の冷却は、雰囲気をＡｒで置換し、かつ１０℃／ｍｉｎの冷却速度で実施した。ひきつづき、得られた各焼結体を直径１２７ｍｍ、厚さ５ｍｍに機械加工した後、Ｃｕ製バッキングプレートにろう付け接合することによって、５種類のＲｕＭｎターゲットを製造した。
【００７２】
前記(4-1)〜(4-3)で製造したＲｕ合金ターゲット中の各元素の含有量について、ＩＣＰ−ＭＡＳＳ（セイコーインスツルメント社製商品名；ＳＰＱ９０００）を用いて測定した。その結果を下記表４に示す。
【００７３】
また、実施例１の前記(1-1)で製造したＲｕターゲトおよび前記(4-1)〜(4-3)で製造したＲｕ合金ターゲットを予めＴｉＡｌＮ膜が被覆された５枚の直径４インチのＳｉウェハ上（ＴｉＡｌＮ膜上）にそれぞれ下記条件でスパッタし、１０ｎｍの厚さのＲｕ酸化物薄膜、Ｒｕ合金酸化物薄膜を成膜した。
【００７４】
１０ｎｍの厚さに成膜した。
【００７５】
＜スパッタ条件＞
スパッタ方式：マグネトロンスパッタ、
背圧：１×ｌ０-5（Ｐａ）、
出力ＤＣ：２（ｋＷ）、
Ａｒ：０．５Ｐａ、
Ｏ2：０．５Ｐａ。
【００７６】
得られた各ウェハを真空中、４５０℃×３０ｍｉｎの熱処理を施した後、ウェハの中央部、端部および中央部と端部の間から３０ｍｍ角のサンプルを取出し、実施例１と同様な方法により比抵抗測定および膜剥がれの状態を調べた。その結果を下記表４に示す。
【００７７】
【表４】
0004503817.tif 000005
【００７８】
前記表４から明らかのようにＸ元素１〜５０原子％、残部が実質的にＲｕである組成（ここで、Ｘ元素はＸ元素の原子量÷Ｒｕの原子量＝０．２〜２の範囲で、かつ比抵抗が６０μΩｃｍ以下のIVａ族、Ｖａ族、VIａ族、VIII族、Ｉｂ族、IIｂ族およびIIIｂ族の元素から選ばれる少なくとも１種の元素、つまりＰｄ，Ａｕ）からなるＮｏ．３〜Ｎｏ．５，Ｎｏ．８〜Ｎｏ．１０のスパッタリングターゲットをスパッタリングすることにより成膜されたＲｕ合金酸化物薄膜は、下地膜であるＴｉＡｌＮ膜に対して高い密着力を有することがわかる。
【００７９】
（実施例５）
(5-1)まず、純度３ＮのＲｕ粉末と所定量の純度４ＮのＡｌ粉末をＲｕ−０．４ａｔ％Ａｌ、Ｒｕ−３ａｔ％Ａｌ、Ｒｕ−２６ａｔ％Ａｌ、Ｒｕ−４０ａｔ％Ａｌ、Ｒｕ−７０ａｔ％Ａｌになるように配合した。これらの粉末をＡｒ雰囲気中ボールミルで１０時間混合した。得られた各粉末をカーボン型内に充填してホットプレス装置にセットし、１Ｐａ以下の真空雰囲気中にて３００℃、保持時間３時間の脱ガス処理を行った。つづいて、同様な真空雰囲気中で２５ＭＰａの圧力を加えつつ、昇温速度１０℃／ｍｉｎ、８５０℃で５時間保持することにより５種の焼結体を作製した。焼結後の冷却は、雰囲気をＡｒで置換し、かつ１０℃／ｍｉｎの冷却速度で実施した。ひきつづき、得られた各焼結体を直径１２７ｍｍ、厚さ５ｍｍに機械加工した後、Ｃｕ製バッキングプレートにろう付け接合することによって、５種類のＲｕＡｌターゲットを製造した。
【００８０】
(5-2)まず、純度３ＮのＲｕ粉末と純度４ＮのＴａ粉末をＲｕ−０．１ａｔ％Ｔａ、Ｒｕ−５ａｔ％Ｔａ、Ｒｕ−１８ａｔ％Ｔａ、Ｒｕ−４３ａｔ％Ｔａ、Ｒｕ−５４ａｔ％Ｔａになるように配合した。これらの粉末をプラズマ溶融法により合金化させた粉末を作製した。得られた各粉末をカーボン型内に充填してホットプレス装置にセットし、１Ｐａ以下の真空雰囲気中にて９００℃、保持時間３時間の脱ガス処理を行った。つづいて、同様な真空雰囲気中で２５ＭＰａの圧力を加えつつ、昇温速度１０℃／ｍｉｎ、１８５０℃で５時間保持することによ５種の焼結体を作製した。焼結後の冷却は、雰囲気をＡｒで置換し、かつ１０℃／ｍｉｎの冷却速度で実施した。ひきつづき、得られた各焼結体を直径１２７ｍｍ、厚さ５ｍｍに機械加工した後、Ｃｕ製バッキングプレートにろう付け接合することによって、５種類のＲｕＴａターゲットを製造した。
【００８１】
(5-3)まず、純度３ＮのＲｕ粉末と純度３ＮのＴｈ粉末をＲｕ−０．８ａｔ％Ｔｈ、Ｒｕ−６ａｔ％Ｔｈ、Ｒｕ−２９ａｔ％Ｔｈ、Ｒｕ−３８ａｔ％Ｔｈ、Ｒｕ−７１ａｔ％Ｔｈになるように配合した。これらの粉末をＡｒ雰囲気中ボールミルで１０時間混合した。得られた各粉末をカーボン型内に充填してプラズマ放電焼結装１にセットし、１Ｐａ以下の真空雰囲気中にて９００℃、保持時間１０分の脱ガス処理を行った。つづいて、同様な真空雰囲気中で２５ＭＰａの圧力を加えつつ、昇温速度４０℃／ｍｉｎ、１７００℃で５時間保持することにより５種の焼結体を作製した。ひきつづき、得られた各焼結体を直径１２７ｍｍ、厚さ５ｍｍに機械加工した後、Ｃｕ製バッキングプレートにろう付け接合することによって、５種類のＲｕＴｈターゲットを製造した。
【００８２】
前記(5-1)〜(5-3)で製造したＲｕ合金ターゲット中の各元素の含有量について、ＩＣＰ−ＭＡＳＳ（セイコーインスツルメント社製商品名；ＳＰＱ９０００）を用いて測定した。その結果を下記表５に示す。
【００８３】
また、実施例１の(1-1)で製造したＲｕターゲトおよび前記(5-1)〜(5-3)で製造したＲｕ合金ターゲットを予めＣｕＮ膜が被覆された５枚の直径４インチのＳｉウェハ上（Ｃｕ膜上）にそれぞれ実施例４と同様な条件でスパッタし、１０ｎｍの厚さのＲｕ酸化物薄膜、Ｒｕ合金酸化物薄膜を成膜した。
【００８４】
得られた各ウェハを真空中、４５０℃×３０ｍｉｎの熱処理を施した後、ウェハの中央部、端部および中央部と端部の間から３０ｍｍ角のサンプルを取出し、実施例１と同様の方法により比抵抗測定および膜剥がれの状態を調べた。これらの結果を下記表５に示す。
【００８５】
【表５】
0004503817.tif 000006
【００８６】
前記表５から明らかのようにＸ元素１〜５０原子％、残部が実質的にＲｕである組成（ここで、Ｘ元素はＸ元素の原子量÷Ｒｕの原子量＝０．２〜２の範囲で、かつ比抵抗が６０μΩｃｍ以下のIVａ族、Ｖａ族、VIａ族、VIII族、Ｉｂ族、IIｂ族およびIIIｂ族の元素から選ばれる少なくとも１種の元素、つまりＡｌ，Ｔａ）からなるＮｏ．３〜Ｎｏ．５，Ｎｏ．８〜Ｎｏ．１０のスパッタリングターゲットをスパッタリングすることにより成膜されたＲｕ合金酸化物薄膜は、下地膜であるＣｕ膜に対して高い密着力を有することがわかる。
【００８７】
また、前述した図１の半導体装置において前記実施例１〜４のＮｏ．３〜Ｎｏ．５，Ｎｏ．６〜Ｎｏ．１０のスパッタリングターゲットおよび実施例５のＮｏ．３〜Ｎｏ．５，Ｎｏ．８〜Ｎｏ．１０のスパッタリングターゲットをスパッタリングしてＲｕ合金薄膜またはＲｕ合金酸化物薄膜を成膜し、これら薄膜をパターニングすることによって、プラグ１０2上のバリア層１１に対して高い密着力を有し、かつ小さい比抵抗を有する下部電極１４を形成することができた。
【００８８】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明によればプラグやバリアメタルのような下地に対する密着力が高く、膜剥がれを防止でき、かつ電極として用いた場合、比抵抗が小さいＲｕ膜あるいはＲｕ酸化物の薄膜をスパッタリングにより成膜することが可能なスパッタリングターゲットを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るスパッタリングターゲットをスパッタし、パターニングすることにより形成された下部電極（キャパシタの下部電極）を備えた半導体装置を示す断面図。
【符号の説明】
１…ｎ型シリコン基板、
２…ｐウェル、
４…ｎ+型ソース領域、
５…ｎ+型ドレイン領域、
６…ゲート電極、
１０1，１０2…プラグ、
１１…バリア層、
１４…下部電極、
１５…キャパシタ絶縁膜、
１６…上部電極。
【図１】
0004503817.tif 000007