(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を洗浄する装置であって，
基板を回転させるスピンチャックと，基板に接触して基板を洗浄するブラシと，洗浄液を含む液滴を噴射する二流体ノズルとを備え，
前記ブラシによる洗浄位置及び前記二流体ノズルによる洗浄位置は，いずれも基板の中心部から周縁部に向かって基板と相対的に移動する構成とし，かつ，前記二流体ノズルによる洗浄位置を基板の中心部から周縁部に向かって移動させる間，前記二流体ノズルによる洗浄位置を，前記ブラシによる洗浄位置よりも常に基板の中心側に配置する構成とし，
前記ブラシを支持するブラシ支持アームと，前記二流体ノズルを支持する二流体ノズル支持アームと，前記ブラシ支持アーム及び前記二流体ノズル支持アームの移動を制御する制御部とを備え，
前記制御部は，前記二流体ノズル支持アームおよび前記ブラシ支持アームがともに基板の中心部から周縁部に向かって移動する間のある時点における，前記二流体ノズル支持アームの移動速度が前記ブラシ支持アームの移動速度より速くなるように制御することを特徴とする，基板洗浄装置。
【請求項２】
前記制御部は，前記ブラシ支持アームの移動方向と反対方向に，前記二流体ノズル支持アームを移動させることを特徴とする，請求項１に記載の基板洗浄装置。
【請求項３】
前記制御部は，基板の周縁部においてブラシを基板から離隔させた後，前記二流体ノズルによる洗浄位置を，前記ブラシが基板から離隔する直前に接触していた部分に移動させるように制御することを特徴とする，請求項１又は２に記載の基板洗浄装置。
【請求項４】
基板を洗浄する装置であって，
基板を回転させるスピンチャックと，基板に接触して基板を洗浄するブラシと，洗浄液を含む液滴を噴射する二流体ノズルとを備え，
前記ブラシによる洗浄位置及び前記二流体ノズルによる洗浄位置は，いずれも基板の中心部から周縁部に向かって基板と相対的に移動する構成とし，かつ，前記二流体ノズルによる洗浄位置を基板の中心部から周縁部に向かって移動させる間，前記二流体ノズルによる洗浄位置を，前記ブラシによる洗浄位置よりも常に基板の中心側に配置する構成とし，
前記ブラシ及び前記二流体ノズルを支持して移動する支持アームと，前記支持アームの移動を制御する制御部とを備え，
前記支持アームにおいて，基板に対する移動方向に対して前記ブラシの後方に前記二流体ノズルを配置し，基板の回転方向に対して前記ブラシの後方に，第２の二流体ノズルを配置したことを特徴とする，基板洗浄装置。
【請求項５】
前記制御部は，前記二流体ノズルから基板に洗浄液を含む液滴を噴射させながら，基板の中心部にブラシを接触させ，
前記ブラシによる洗浄位置を基板の中心部から移動させたら，前記二流体ノズルによる洗浄位置を基板の中心部に移動させ，その後，前記二流体ノズルによる洗浄位置を基板の中心部から周縁部に向かって基板と相対的に移動させるように制御することを特徴とする，請求項１ないし４のいずれか１項に記載の基板洗浄装置。
【請求項６】
前記制御部は，基板の中心部から周縁部に向かうに従い，前記ブラシによる洗浄位置の基板に対する移動速度，及び，前記二流体ノズルによる洗浄位置の基板に対する移動速度が遅くなるように制御することを特徴とする，請求項１ないし５のいずれか１項に記載の基板洗浄装置。
【請求項７】
基板を洗浄する方法であって，
基板を回転させながら，ブラシを基板に接触させ，ブラシによる洗浄位置を基板の中心部から周縁部に向かって基板と相対的に移動させ，
二流体ノズルから洗浄液を含む液滴を基板に噴射させ，二流体ノズルによる洗浄位置を基板の中心部から周縁部に向かって基板と相対的に移動させ，
前記二流体ノズルによる洗浄位置を基板の中心部から周縁部に向かって移動させる間，前記二流体ノズルによる洗浄位置を前記ブラシによる洗浄位置より常に基板の中心側に配置し，
前記二流体ノズルおよび前記ブラシがともに基板の中心部から周縁部に向かって移動する間のある時点における，前記二流体ノズルによる洗浄位置の基板に対する移動速度が，前記ブラシによる洗浄位置の基板に対する移動速度より速くなるようにすることを特徴とする，基板洗浄方法。
【請求項８】
前記二流体ノズルから基板に洗浄液を含む液滴を噴射させながら，前記ブラシを基板の中心部に接触させ，
前記ブラシによる洗浄位置を基板の中心部から移動させたら，前記二流体ノズルによる洗浄位置を基板の中心部に移動させ，その後，前記二流体ノズルによる洗浄位置を基板の中心部から周縁部に向かって基板と相対的に移動させることを特徴とする，請求項７に記載の基板洗浄方法。
【請求項９】
基板の周縁部においてブラシを基板から離隔させた後，前記二流体ノズルによる洗浄位置を，前記ブラシが基板から離隔する直前に接触していた部分に移動させることを特徴とする，請求項７又は８に記載の基板洗浄方法。
【請求項１０】
前記ブラシによる洗浄位置の移動方向と反対方向に，前記二流体ノズルによる洗浄位置を移動させることを特徴とする，請求項７ないし９のいずれか１項に記載の基板洗浄方法。
【請求項１１】
基板の中心部から周縁部に向かうに従い，前記ブラシによる洗浄位置の基板に対する移動速度，及び，前記二流体ノズルによる洗浄位置の基板に対する移動速度が遅くなるようにすることを特徴とする，請求項７ないし１０のいずれか１項に記載の基板洗浄方法。
【請求項１２】
基板を回転させながら，ブラシを基板に接触させ，ブラシによる洗浄位置を基板の中心部から周縁部に向かって基板と相対的に移動させ、二流体ノズルから洗浄液を含む液滴を基板に噴射させ，二流体ノズルによる洗浄位置を基板の中心部から周縁部に向かって基板と相対的に移動させ、前記二流体ノズルによる洗浄位置を基板の中心部から周縁部に向かって移動させる間、前記二流体ノズルによる洗浄位置を前記ブラシによる洗浄位置より常に基板の中心側に配置する手順をコンピュータに実行させるためのプログラムを記録した媒体において、
前記プログラムは、前記二流体ノズルおよび前記ブラシがともに基板の中心部から周縁部に向かって移動する間のある時点における，前記二流体ノズルによる洗浄位置の基板に対する移動速度が、前記ブラシによる洗浄位置の基板に対する移動速度より速くなるようにする手順をコンピュータに実行させることを特徴とする媒体。
【請求項１３】
前記プログラムは、前記二流体ノズルから基板に洗浄液を含む液滴を噴射させながら、前記ブラシを基板の中心部に接触させ、前記ブラシによる洗浄位置を基板の中心部から移動させたら、前記二流体ノズルによる洗浄位置を基板の中心部に移動させ、その後、前記二流体ノズルによる洗浄位置を基板の中心部から周縁部に向かって基板と相対的に移動させる手順をコンピュータに実行させることを特徴とする請求項１２に記載の媒体。
【請求項１４】
前記プログラムは、基板の周縁部においてブラシを基板から離隔させた後、前記二流体ノズルによる洗浄位置を、前記ブラシが基板から離隔する直前に接触していた部分に移動させる手順をコンピュータに実行させることを特徴とする請求項１２又は１３に記載の媒体。
【請求項１５】
前記プログラムは、前記ブラシによる洗浄位置の移動方向と反対方向に、前記二流体ノズルによる洗浄位置を移動させる手順をコンピュータに実行させることを特徴とする請求項１２ないし１４のいずれか１項に記載の媒体。
【請求項１６】
前記プログラムは、基板の中心部から周縁部に向かうに従い、前記ブラシによる洗浄位置の基板に対する移動速度、及び、前記二流体ノズルによる洗浄位置の基板に対する移動速度が遅くなるようにする手順をコンピュータに実行させることを特徴とする請求項１２ないし１５のいずれか１項に記載の媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、例えば半導体基板等に付着している汚染物を除去する洗浄処理に使用する基板洗浄装置、基板洗浄方法及びその方法に使用するプログラムを記録した媒体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
例えば半導体デバイスの製造プロセスにおいては，半導体ウェハ（以下，「ウェハ」という。）を薬液や純水等の洗浄液によって洗浄し，ウェハに付着したパーティクル，有機汚染物，金属不純物のコンタミネーションを除去する洗浄処理が行われている。かような洗浄処理として，ブラシをウェハに接触させてウェハをスクラブ洗浄する方法が知られている（例えば，特開２００３−３３２２８７号公報参照）。ブラシによるスクラブ洗浄は，特に，デバイスが形成されないウェハの裏面を洗浄する場合に行われている。また，二流体ノズルを用いて洗浄液を液滴状にしてウェハに噴射することにより洗浄する方法が知られている（例えば，特開２００３−１９７５９７号公報参照）。【０００３】
従来の洗浄処理にあっては，ブラシによるウェハの洗浄を数多く行うと，ブラシが汚染され，ブラシに付着した汚れがウェハに転写し，ウェハを十分に洗浄できない問題があった。特に，半導体デバイスのパターンの微細化が進むと，例えばドライエッチング工程においてウェハの裏面を静電チャックによって保持した場合に，裏面に付着したパーティクルを十分に除去しないと，その後のリソグラフィ工程でデフォーカスが生じる懸念などがある。【０００４】
本発明の目的は，ブラシから汚れが転写してウェハが汚れることを防止できる基板洗浄装置、基板洗浄方法及びその方法に使用するプログラムを記録した媒体を提供することにある。
【発明の開示】
【０００５】
上記課題を解決するために，本発明によれば，基板を洗浄する装置であって，基板を回転させるスピンチャックと，基板に接触して基板を洗浄するブラシと，液滴を噴射する二流体ノズルとを備え，前記ブラシによる洗浄位置及び前記二流体ノズルによる洗浄位置は，いずれも基板の中心部から周縁部に向かって基板と相対的に移動する構成とし，かつ，前記二流体ノズルによる洗浄位置を基板の中心部から周縁部に向かって移動させる間，前記二流体ノズルによる洗浄位置を，前記ブラシによる洗浄位置よりも常に基板の中心側に配置する構成としたことを特徴とする，基板洗浄装置が提供される。かかる基板洗浄装置によれば，ブラシが接触した後の面に液滴が噴射されるので，ブラシからウェハに汚れが転写しても，転写した汚れを除去することができる。
【０００６】
この基板洗浄装置にあっては，前記ブラシを支持するブラシ支持アームと，前記二流体ノズルを支持する二流体ノズル支持アームと，前記ブラシ支持アーム及び前記二流体ノズル支持アームの移動を制御する制御部とを備えることとしても良い。前記制御部は，前記二流体ノズル支持アームの移動速度が前記ブラシ支持アームの移動速度より速くなるように制御することが好ましい。また，前記制御部は，前記ブラシ支持アームの移動方向と反対方向に，前記二流体ノズル支持アームを移動させることが好ましい。さらに，前記制御部は，基板の周縁部においてブラシを基板から離隔させた後，前記二流体ノズルによる洗浄位置を，前記ブラシが基板から離隔する直前に接触していた部分に移動させるように制御することが好ましい。
【０００７】
また，前記ブラシ及び前記二流体ノズルを支持して移動する支持アームと，前記支持アームの移動を制御する制御部とを備え，前記支持アームにおいて，基板に対する移動方向に対して前記ブラシの後方に前記二流体ノズルを配置し，基板の回転方向に対して前記ブラシの後方に，第２の二流体ノズルを配置することとしても良い。
【０００８】
前記制御部は，前記二流体ノズルから基板に液滴を噴射させながら，基板の中心部にブラシを接触させ，前記ブラシによる洗浄位置を基板の中心部から移動させたら，前記二流体ノズルによる洗浄位置を基板の中心部に移動させ，その後，前記二流体ノズルによる洗浄位置を基板の中心部から周縁部に向かって基板と相対的に移動させるように制御することとしても良い。
【０００９】
さらに，前記制御部は，基板の中心部から周縁部に向かうに従い，前記ブラシによる洗浄位置の基板に対する移動速度，及び，前記二流体ノズルによる洗浄位置の基板に対する移動速度が遅くなるように制御することが好ましい。
【００１０】
また，本発明によれば，基板を洗浄する方法であって，基板を回転させながら，ブラシを基板に接触させ，ブラシによる洗浄位置を基板の中心部から周縁部に向かって基板と相対的に移動させ，二流体ノズルから液滴を基板に噴射させ，二流体ノズルによる洗浄位置を基板の中心部から周縁部に向かって基板と相対的に移動させ，前記二流体ノズルによる洗浄位置を基板の中心部から周縁部に向かって移動させる間，前記二流体ノズルによる洗浄位置を前記ブラシによる洗浄位置より常に基板の中心側に配置することを特徴とする，基板洗浄方法が提供される。
【００１１】
この基板洗浄方法にあっては，前記二流体ノズルから基板に液滴を噴射させながら，基板の中心部にブラシを接触させ，前記ブラシによる洗浄位置を基板の中心部から移動させたら，前記二流体ノズルによる洗浄位置を基板の中心部に移動させ，その後，前記二流体ノズルによる洗浄位置を基板の中心部から周縁部に向かって基板と相対的に移動させることとしても良い。
【００１２】
また，基板の周縁部においてブラシを基板から離隔させた後，前記二流体ノズルによる洗浄位置を，前記ブラシが基板から離隔する直前に接触していた部分に移動させることが好ましい。前記ブラシによる洗浄位置の移動方向と反対方向に，前記二流体ノズルによる洗浄位置を移動させることとしても良い。
【００１３】
さらに，基板の中心部から周縁部に向かうに従い，前記ブラシによる洗浄位置の基板に対する移動速度，及び，前記二流体ノズルによる洗浄位置の基板に対する移動速度が遅くなるようにすることが好ましい。また，前記二流体ノズルによる洗浄位置の基板に対する移動速度が，前記ブラシによる洗浄位置の基板に対する移動速度より速くなるようにすることが好ましい。
【００１４】
また，本発明によれば，基板を回転させながら，ブラシを基板に接触させ，ブラシによる洗浄位置を基板の中心部から周縁部に向かって基板と相対的に移動させ、二流体ノズルから液滴を基板に噴射させ，二流体ノズルによる洗浄位置を基板の中心部から周縁部に向かって基板と相対的に移動させ、前記二流体ノズルによる洗浄位置を基板の中心部から周縁部に向かって移動させる間、前記二流体ノズルによる洗浄位置を前記ブラシによる洗浄位置より常に基板の中心側に配置する手順をコンピュータに実行させるためのプログラム及びこのプログラムが記録された媒体が提供される。
【００１５】
前記プログラムは、前記二流体ノズルから基板に液滴を噴射させながら、前記ブラシを基板の中心部に接触させ、前記ブラシによる洗浄位置を基板の中心部から移動させたら、前記二流体ノズルによる洗浄位置を基板の中心部に移動させ、その後、前記二流体ノズルによる洗浄位置を基板の中心部から周縁部に向かって基板と相対的に移動させる手順をコンピュータに実行させるようにしてもよい。
【００１６】
また、前記プログラムは、基板の周縁部においてブラシを基板から離隔させた後、前記二流体ノズルによる洗浄位置を、前記ブラシが基板から離隔する直前に接触していた部分に移動させる手順をコンピュータに実行させるようにしてもよい。
【００１７】
さらに、前記プログラムは、前記ブラシによる洗浄位置の移動方向と反対方向に、前記二流体ノズルによる洗浄位置を移動させる手順をコンピュータに実行させるようにしてもよい。
【００１８】
また、前記プログラムは、基板の中心部から周縁部に向かうに従い、前記ブラシによる洗浄位置の基板に対する移動速度、及び、前記二流体ノズルによる洗浄位置の基板に対する移動速度が遅くなるようにする手順をコンピュータに実行させるようにしてもよい。
【００１９】
さらに、前記プログラムは、前記二流体ノズルによる洗浄位置の基板に対する移動速度が、前記ブラシによる洗浄位置の基板に対する移動速度より速くなるようにする手順をコンピュータに実行させるようにしてもよい。
【００２０】
本発明によれば，ブラシと二流体ノズルを設け，基板上のブラシによる洗浄位置より中心側に二流体ノズルによって液滴を噴射することで，ブラシが接触した後の面を液滴の噴流によって洗浄できる。従って，ブラシからウェハに汚れが転写しても，転写した汚れを除去することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】は、本発明に係る基板洗浄装置の一実施の形態の基本構成を示す側面図である。
【図２】は、本実施の形態にかかる基板洗浄装置の基本構成を示す平面図である。
【図３】は、二流体ノズルの縦断面図である。
【図４】は、ブラシによる洗浄位置と二流体ノズルによる洗浄位置の移動を説明する説明図である。
【図５】は、ブラシをウェハの中心に接触させるとき二流体ノズルから液滴を噴射する実施形態を説明する説明図である。
【図６】は、図５の状態後の二流体ノズルとブラシの動きを示す説明図である。
【図７】は、本発明の他の実施の形態の基本構成を示す平面図。
【図８】は、実施例及び比較例２におけるウェハの洗浄枚数とパーティクルの除去率との関係を示すグラフである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下，本発明の好ましい実施の形態を，基板としてのウェハＷの裏面（半導体デバイスが形成されない面）を洗浄する基板洗浄装置に基づいて説明する。図１に示すように，本実施の形態にかかる基板洗浄装置１は，略円板形のウェハＷを略水平に保持するスピンチャック２と，ウェハＷの上面（裏面）に接触してウェハＷを洗浄するブラシ３と，洗浄液とガスとを混合して形成した液滴をウェハＷの上面に噴射する二流体ノズル５とを備えている。さらに，純水などの洗浄液をウェハＷの上面に供給する供給ノズル７が備えられている。スピンチャック２，ブラシ３，二流体ノズル５，供給ノズル７は，密閉構造のチャンバー８内に収納されている。また，チャンバー８内には，スピンチャック２に保持されたウェハＷの周囲を囲むインナーカップ１０，アウターカップ１１が備えられている。インナーカップ１０は，アウターカップ１１の内側において昇降可能であり，インナーカップ１０を上昇させインナーカップ１０によってウェハＷの周囲を囲む状態と，インナーカップ１０を下降させアウターカップ１１によってウェハＷの周囲を囲む状態とにすることができる。図２に示すように，チャンバー８には，ウェハＷを搬入出するための開口２０と，開口２０を開閉するシャッタ２１が設けられている。【００２３】
また，基板洗浄装置１の各部の制御は，図１及び図２に示すように、制御ソフトウエアが記録された記録媒体９１を有する制御コンピュータ９０を備えた制御部１５の命令によって行われる。ここで、記録媒体９１は、制御コンピュータ９０に固定的に設けられるもの、或いは制御コンピュータ９０に設けられた読み取り装置に着脱自在に装着されて該読み取り装置により読み取り可能なものであってもよい。最も典型的な実施形態としては、記録媒体９１は、基板洗浄装置メーカーのサービスマンによって制御ソフトウエアがインストールされたハードディスクドライブである。他の実施形態においては、記録媒体９１は、制御ソフトウエアが書き込まれたＣＤ−ＲＯＭまたはＤＶＤ−ＲＯＭのようなリムーバブルディスクであり、このようなリムーバブルディスクは制御コンピュータ９０に設けられた光学的読取装置により読み取られる。記録媒体９１は、ＲＡＭ(random access memory)またはＲＯＭ(read only memory)のいずれの形式のものであってもよく、また、記録媒体９１は、カセット式のＲＯＭ或いはメモリカードのようなものであってもよい。要するに、コンピュータの技術分野において知られている任意のものを記録媒体９１として用いることが可能である。なお、複数の基板洗浄装置が配置される工場においては、各基板洗浄装置の制御コンピュータ９０を統括的に制御する管理コンピュータに制御ソフトウエアが格納されていてもよい。この場合、各基板洗浄装置は通信回線を介して管理コンピュータにより操作され、所定の基板洗浄プロセスを実行する。【００２４】
スピンチャック２は，上部に３個の保持部材２５を備えている。これら保持部材２５をウェハＷの周縁３箇所にそれぞれ当接させ，３個の保持部材２５によってウェハＷの周縁を囲むようにして保持するようになっている。図１に示すように，スピンチャック２の下部には，スピンチャック２を垂直方向の回転中心軸を中心として回転させるモータ２６が取り付けられている。このモータ２６の駆動により，スピンチャック２を回転させ，ウェハＷの中心ＰＯを回転中心として，ウェハＷをスピンチャック２と一体的に略水平面内で回転させるようになっている。モータ２６の駆動は，制御部１５によって制御される。【００２５】
図１に示すように，スピンチャック２に支持されたウェハＷの上方には，ブラシ３を支持するブラシ支持アーム４０が配設されている。ブラシ３は，ブラシ支持アーム４０の先端下面に固定された昇降回転機構４１の下方に突出する昇降回転軸４２の下端に取り付けられている。昇降回転軸４２は，昇降回転機構４１により昇降及び回転自在になっており，これにより，ブラシ３は，任意の高さに昇降され，かつ回転させられるようになっている。昇降回転機構４１は，昇降回転軸４２に対して上下方向に推力を適宜付与することにより，ブラシ３をスピンチャック２に支持されたウェハＷの上面に任意の接触圧で押し付けることが可能である。昇降回転機構４１の駆動は，制御部１５によって制御される。【００２６】
ブラシ３は，円柱状のブラシ本体４３を備えている。ブラシ本体４３には，例えば樹脂等からなる略円柱状のスポンジや，例えば毛足の硬いナイロンブラシからなる硬質なブラシや，毛足の柔らかいモヘアブラシからなる軟質なブラシなどが，洗浄の種類に応じて適宜用いられる。【００２７】
また，スピンチャック２に支持されたウェハＷの上方には，二流体ノズル５を支持する二流体ノズル支持アーム５０が配設されている。二流体ノズル５は，二流体ノズル支持アーム５０の先端下面に固定された昇降機構５１の下方に突出する昇降軸５２の下端に取り付けられている。昇降軸５２は，昇降機構５１により昇降自在になっており，これにより，二流体ノズル５は，任意の高さに昇降されるようになっている。昇降機構５１の駆動は，制御部１５によって制御される。【００２８】
図３に示すように，二流体ノズル５は，二流体ノズル５の内部に例えば窒素（Ｎ２）等のガスを供給するガス供給路５３と，二流体ノズル５の内部に例えば純水等を洗浄液として供給する液体供給路５４と，二流体ノズル５の内部で形成した洗浄液の液滴を導出する導出路５５とを備えた，内部混合型の二流体ノズルである。ガス供給路５３から供給された窒素ガスと液体供給路５４から供給された純水は，二流体ノズル５の内部において混合される。そして，純水と窒素ガスと混合した結果，純水が無数の微粒子状の液滴となり，窒素ガスによって加速されながら導出路５５内を通過する。導出路５５は略鉛直に配置されており，導出路５５の下端から液滴を下方に向かって噴射するようになっている。ガス供給路５３，液体供給路５４には，それぞれ開閉弁５６，５７が介設されている。開閉弁５６，５７の開閉動作は，図１に示す制御部１５によってそれぞれ制御される。【００２９】
図２に示すように，ブラシ支持アーム４０の基端部と二流体ノズル支持アーム５０の基端部は，アウターカップ１１を挟んで開口２０と反対側に略水平に配置されたガイドレール６０，６１に沿ってそれぞれ移動自在に支持されている。ブラシ支持アーム４０と二流体ノズル支持アーム５０は，いずれもアウターカップ１１の上方を横切って平行移動することが可能である。【００３０】
また，ガイドレール６０に沿ってブラシ支持アーム４０を移動させる駆動機構６２と，ガイドレール６１に沿って二流体ノズル支持アーム５０を移動させる駆動機構６３とが備えられている。駆動機構６２，駆動機構６３の駆動は，制御部１５によって制御される。【００３１】
制御部１５による駆動機構６２，駆動機構６３の制御により，ブラシ支持アーム４０は，ウェハＷの上方とアウターカップ１１の右方（図２において開口２０側からみて右方）との間で移動し，二流体ノズル支持アーム５０は，ウェハＷの上方とアウターカップ１１の左方（図２において開口２０側からみて左方）との間で移動するようになっている。ブラシ支持アーム４０の移動速度や位置，また，二流体ノズル支持アーム５０の移動速度や位置は，駆動機構６２，駆動機構６３を制御することにより，それぞれ適宜変化させることができるように構成されている。【００３２】
また，ブラシ支持アーム４０と二流体ノズル支持アーム５０が移動することに伴って，ブラシ３と二流体ノズル５が，いずれもスピンチャック２に支持されたウェハＷの中心部から周縁部に向かってウェハＷと相対的に移動できるように構成されている。ブラシ３は，ウェハＷの中心部上方とアウターカップ１１の右方との間で移動し，二流体ノズル５は，ウェハＷの中心部上方とアウターカップ１１の左方との間で移動する。また，ブラシ支持アーム４０と二流体ノズル支持アーム５０の各移動速度を変化させることにより，ブラシ３と二流体ノズル５の各移動速度を適宜変化させることができるように構成されている。【００３３】
例えば，スピンチャック２にウェハＷを授受する際は，ブラシ３及びブラシ支持アーム４０をアウターカップ１１の右方に待機させ，二流体ノズル５及び二流体ノズル支持アーム５０をアウターカップ１１の左方に待機させる。ウェハＷを洗浄する際は，図４に示すように，ウェハＷをスピンチャック２によって回転させながら，ブラシ３をウェハＷに接触させつつ，ウェハＷの中心ＰＯから右方に向かって移動させる。即ち，ブラシ３による洗浄位置Ｓｂを，回転するウェハＷの中心ＰＯから右側の周縁部に向かって移動させることにより，中心ＰＯからブラシ３による洗浄位置Ｓｂまでの間の距離を半径とした略円状の領域Ａｂを万遍なくスクラブ洗浄しながら，領域Ａｂを拡大していくことができる。また，ブラシ３によって洗浄する間，二流体ノズル５から液滴を噴射させながら，二流体ノズル５をウェハＷの中心ＰＯから左方に向かって移動させる。即ち，液滴が噴射される二流体ノズル５による洗浄位置Ｓｎを，回転するウェハＷの中心ＰＯから左側の周縁部に向かって移動させることにより，中心ＰＯから二流体ノズル５による洗浄位置Ｓｎまでの間の距離を半径とした略円状の領域Ａｎに，万遍なく液滴を噴射しながら，領域Ａｎを拡大していくことができる。また，二流体ノズル５を中心ＰＯから周縁部に向かって移動させる間は，二流体ノズル５による洗浄位置Ｓｎは，ブラシ３による洗浄位置Ｓｂよりも常にウェハＷの中心ＰＯ側に配置する。このようにすると，ブラシ３が接触した後の領域Ａｂに液滴を噴射して洗浄することができる。従って，ブラシ３からウェハＷの上面に汚れが転写しても，転写した汚れを二流体ノズル５から噴射される液滴によって除去することができるので，ウェハＷから確実に汚染物を除去することができる。また，二流体ノズル５による洗浄位置ＳｎからウェハＷの周縁に向かって流れる液滴がブラシ３に供給されることにより，ブラシ３に付着した汚染物を液滴によって洗い流すこともできる。なお，二流体ノズル支持アーム５０，二流体ノズル５及び洗浄位置Ｓｎを，ブラシ支持アーム４０，ブラシ３及び洗浄位置Ｓｂの移動方向である右方と反対方向である左方に移動させるようにすると，ブラシ支持アーム４０と二流体ノズル支持アーム５０が衝突することを防止できる。【００３４】
また，ウェハＷの周縁部において，ブラシ３がスピンチャック２の保持部材２５と衝突することを避けるため，ブラシ３による洗浄はウェハＷの周縁端よりも中心ＰＯ側の位置まで行う。即ち，ブラシ３による洗浄位置Ｓｂを，ウェハＷの周縁端より若干離隔した位置Ｐ１まで移動させたら，ブラシ３をウェハＷから上昇させて離隔させるようにする。【００３５】
なお，ブラシ３による洗浄位置Ｓｂの移動速度，即ち，ウェハＷの中心ＰＯに対してブラシ３が右方に移動する速度は，ウェハＷの中心部から周縁部に向かうに従い，遅くなるようにすることが好ましい。このようにすると，ブラシ３による汚染物除去性能を向上させることができる。また，二流体ノズル５による洗浄位置Ｓｎの移動速度，即ち，ウェハＷの中心ＰＯに対して二流体ノズル５が左方に移動する速度も，ウェハＷの中心部から周縁部に向かうに従い，遅くなるようにすることが好ましい。これにより，二流体ノズル５による汚染物除去性能を向上させることができる。【００３６】
さらに，二流体ノズル５はブラシ３よりも速く移動させ，二流体ノズル５による洗浄位置Ｓｎの移動速度がブラシ３による洗浄位置Ｓｂの移動速度よりも速くなるようにすることが好ましい。これにより，ブラシ３及び二流体ノズル５によるウェハＷの洗浄のスループットを向上させることができる。即ち，二流体ノズル５による洗浄は，ブラシ３を中心ＰＯから右方に移動させた後で二流体ノズル５を中心ＰＯの上方に移動させ，中心ＰＯにおいて液滴を噴射することで開始する。そして，ブラシ３がウェハＷから離隔すると同時に，ブラシ３が離隔する直前に接触していた部分に二流体ノズル５による洗浄位置Ｓｎを移動させ，周縁部の洗浄が行われる。このように，二流体ノズル５による洗浄は，ブラシ３による洗浄より遅く開始及び終了するが，二流体ノズル５による洗浄位置Ｓｎをブラシ３による洗浄位置Ｓｂよりも速く移動させることにより，ブラシ３による洗浄終了時間と二流体ノズル５による洗浄終了時間との差を小さくすることができる。従って，ウェハＷの洗浄に要する時間を短縮することができるので，洗浄処理のスループットが向上する。【００３７】
図１に示す供給ノズル７は，図示しない駆動機構の駆動により，アウターカップ１１の外側とスピンチャック２に保持されたウェハＷの上方との間において移動自在になっている。また，供給ノズル７には，洗浄液を供給する洗浄液供給路７０が接続されている。洗浄液供給路７０には，開閉弁７１が介設されている。【００３８】
図１に示すように，モータ２６の駆動，昇降回転機構４１の駆動，昇降機構５１の駆動，開閉弁５６，５７の開閉動作，駆動機構６２，駆動機構６３の駆動，供給ノズル７の駆動機構（図示せず）の駆動，開閉弁７１の開閉動作などは，制御部１５の制御命令によってそれぞれ制御されるようになっている。【００３９】
次に，以上のように構成された基板洗浄装置１を用いたウェハＷの洗浄方法について説明する。なお、以下の動作は、図１及び図２に示すように、制御ソフトウエアを記録した記録媒体９１を有する制御コンピュータ９０を備えた制御部１５によって制御される。【００４０】
先ず，図示しない搬送アームにより未だ洗浄されていないウェハＷをチャンバー８内に搬入し，図１に示すようにウェハＷをスピンチャック２に受け渡す。このときウェハＷは表面（パターンが形成されている面）を下面として，裏面を上面とした状態でスピンチャック２に受け渡される。ウェハＷをスピンチャック２に受け渡すときは，図２において二点鎖線で示すように，ブラシ３及び二流体ノズル５をアウターカップ１１の外側に退避させておく。【００４１】
ウェハＷがスピンチャック２に受け渡されたら，図１に示したモータ２６の駆動によりスピンチャック２を回転させ，ウェハＷの回転を開始させる。また，供給ノズル７をウェハＷの上方に移動させ，純水などの洗浄液を回転するウェハＷの上面の中心ＰＯに供給し，遠心力によりウェハＷの上面全体に洗浄液を拡散させ，洗浄液の液膜を形成する。【００４２】
ウェハＷの上面に洗浄液の液膜を形成したら，ブラシ支持アーム４０をウェハＷの上方に移動させ，ブラシ３を図４に示すウェハＷの中心ＰＯの上方に移動させ，昇降回転機構４１によってブラシ３を回転させながら下降させ，ウェハＷの中心ＰＯにブラシ本体４３の下面を接触させる。こうして，ブラシ３による洗浄位置ＳｂがウェハＷの中心ＰＯに配置された状態になる。【００４３】
次に，ブラシ３を回転するウェハＷに接触させたまま，ブラシ支持アーム４０をウェハＷの右側に向かって平行移動させ，ブラシ３をウェハＷの右側に向かって移動させる。即ち，ブラシ３による洗浄位置ＳｂをウェハＷの中心ＰＯからウェハＷの右側の周縁部に向かって移動させる。こうして，ブラシ３によって洗浄した領域Ａｂを拡大しながら，ウェハＷの上面を洗浄していく。【００４４】
一方，二流体ノズル支持アーム５０をウェハＷの上方に移動させ，ブラシ３を中心ＰＯから右方に移動させた後で，二流体ノズル５を中心ＰＯの上方に移動させるようにする。そして，液滴の噴射を開始する。こうして，二流体ノズル５による洗浄位置Ｓｎが中心ＰＯに配置された状態になる。また，液滴の噴射を開始したら，供給ノズル７からの洗浄液の供給を停止させ，供給ノズル７をアウターカップ１１の外側に移動させる。そして，二流体ノズル５から回転するウェハＷに液滴を噴射させながら，二流体ノズル支持アーム５０をウェハＷの左側に向かって平行移動させ，二流体ノズル５をウェハＷの左側に向かって移動させる。即ち，二流体ノズル５による洗浄位置ＳｎをウェハＷの中心ＰＯからウェハＷの左側の周縁部に向かって移動させる。こうして，液滴を噴射した領域Ａｎを拡大しながら，ウェハＷの上面を洗浄していく。なお，二流体ノズル５から噴射された液滴や供給ノズル７から供給された洗浄液は，ウェハＷの回転に伴う遠心力によりウェハＷの周縁に向かって流れ，図１に示すアウターカップ１１によって受け止められ，アウターカップ１１内から図示しない排液路を介して排液される。【００４５】
二流体ノズル５をウェハＷの中心ＰＯ側から周縁部に向かって移動させて洗浄する間は，二流体ノズル５による洗浄位置Ｓｎをブラシ３による洗浄位置Ｓｂよりも常に中心ＰＯ側に配置し，ブラシ３が接触した後の領域Ａｂに液滴が噴射されるようにする。これにより，ブラシ３からウェハＷの上面に汚れが転写しても，転写した汚れを液滴の噴流によって除去することができる。従って，ウェハＷから確実に汚染物を除去することができる。【００４６】
また，このように二流体ノズル５による洗浄をブラシ３による洗浄と同時に行うときは，供給ノズル７からの洗浄液の供給を停止させると，洗浄液が飛び散ることを抑制して，ウェハＷの洗浄を好適に行うことができる。供給ノズル７からの洗浄液の供給を停止させても，二流体ノズル５から噴射された洗浄液の液滴がウェハＷの上面において拡散するので，洗浄液をブラシ３の洗浄位置Ｓｂに供給させながら好適にスクラブ洗浄することができる。なお，ブラシ３によってスクラブ洗浄された面が乾燥せず濡れている状態のうちに，二流体ノズル５からスクラブ洗浄された面に液滴が噴射されるようにすることが好ましい。これにより，ウェハＷから汚染物を確実に除去することができる。【００４７】
また，ブラシ３による洗浄位置Ｓｂの移動速度と二流体ノズル５による洗浄位置Ｓｎの移動速度は，ウェハＷの中心部から周縁部に向かって移動するに従い，遅くなるようにすることが好ましい。これにより，汚染物除去性能が向上する。さらに，二流体ノズル５はブラシ３よりも速く移動させ，二流体ノズル５による洗浄位置Ｓｎの移動速度がブラシ３による洗浄位置Ｓｂの移動速度よりも速くなるようにすることが好ましい。これにより，ウェハＷの洗浄時間を短縮することができる。二流体ノズル５による洗浄位置Ｓｎの移動速度をブラシ３による洗浄位置Ｓｂの移動速度よりも速くする場合，ブラシ３による洗浄位置ＳｂがウェハＷの周縁部に近づくに従い，中心ＰＯから洗浄位置Ｓｂまでの距離と，中心ＰＯから洗浄位置Ｓｎまでの距離との差が，次第に小さくなる。そして，ブラシ３を位置Ｐ１においてウェハＷから離隔させたとき，中心ＰＯから二流体ノズル５による洗浄位置Ｓｎまでの距離が，中心ＰＯから位置Ｐ１までの距離とほぼ等しくなるようにすることが好ましい。このようにすると，ブラシ３による洗浄終了後，二流体ノズル５による洗浄位置Ｓｎをブラシ３が離隔する直前に接触していた部分に速やかに移動させ，二流体ノズル５によるウェハＷの周縁部の洗浄を速やかに行うことができる。従って，ウェハＷの洗浄時間を短縮することができる。【００４８】
ブラシ３による洗浄位置Ｓｂを位置Ｐ１まで移動させたら，ブラシ３を昇降回転機構４１によって上昇させ，ウェハＷからブラシ本体４３を離隔させる。これにより，ブラシ３がスピンチャック２の保持部材２５と衝突することを防止できる。そして，ブラシ３をウェハＷから離隔させると同時に，ブラシ３が離隔する直前に接触していた部分に，二流体ノズル５による洗浄位置Ｓｎを移動させ，液滴の噴流によって周縁部を洗浄する。なお，液滴と保持部材２５とが衝突することによりウェハＷに悪影響を及ぼす懸念がある場合は，二流体ノズル５による洗浄位置Ｓｎを保持部材２５に接近させすぎないようにすることが好ましく，中心ＰＯから二流体ノズル５による洗浄位置Ｓｎまでの距離が，中心ＰＯから位置Ｐ１までの距離とほぼ等しくなる位置で，液滴の噴射を終了させることが好ましい。【００４９】
ブラシ３をウェハＷから上昇させたら，ブラシ３の回転を停止させ，ブラシ支持アーム４０をウェハＷの上方からアウターカップ１１の右方に移動させる。その後，ウェハＷの周縁部を液滴の噴流によって洗浄したら，二流体ノズル５からの液滴の供給を停止させ，二流体ノズル支持アーム５０をウェハＷの上方からアウターカップ１１の左方に移動させる。【００５０】
ウェハＷの洗浄後，ウェハＷを洗浄時より高速で回転させ，ウェハＷをスピン乾燥させる。スピン乾燥後，スピンチャック２を停止させ，図示しない搬送アームをチャンバー８内に進入させ，ウェハＷをスピンチャック２から受け取り，チャンバー８から搬出する。【００５１】
かかる基板処理装置１によれば，ブラシ３による洗浄位置Ｓｂより中心ＰＯ側に，二流体ノズル５によって液滴を噴射することで，ブラシ３が接触した後の領域Ａｂを液滴の噴流によって洗浄することができる。従って，ブラシ３からウェハＷに汚れが転写しても，転写した汚れを除去することができる。また，ウェハＷの周縁を保持するスピンチャック２の保持部材２５との衝突を避けるため，ブラシ３をウェハＷの周縁部まで接触させない場合であっても，二流体ノズル５によってウェハＷの周縁部を洗浄することができる。複数枚のウェハＷの洗浄を続けても，ブラシ３からウェハＷに汚れが転写することを防止できる。従って，ブラシ３を途中で洗浄したり交換したりすることなく，複数枚のウェハＷの洗浄を連続的に行うことができ，スループットが向上する。【００５２】
以上，本発明の好適な実施の形態の一例を示したが，本発明はここで説明した形態に限定されない。例えば，基板は半導体ウェハに限らず，その他のＬＣＤ基板用ガラスやＣＤ基板，プリント基板，セラミック基板などであっても良い。【００５３】
二流体ノズル５は純水の液滴を噴射することとしたが，二流体ノズル５から噴射される液滴は，かかるものに限定されず，例えば薬液等，純水以外の洗浄液からなるものであっても良い。二流体ノズル５内で洗浄液と混合するガスは，窒素ガス以外のガスであっても良い。また，二流体ノズル５の構造は，実施の形態に示した内部混合型のものに限定されず，例えば，洗浄液とガスを外部で混合する外部混合型の構造であっても良い。【００５４】
供給ノズル７から供給される洗浄液は，純水に限定されず，例えば薬液等の純水以外の処理液であっても良い。また，ウェハＷの中心ＰＯに洗浄液を供給することとしたが，他の箇所に供給しても良い。例えばウェハＷの中心ＰＯと周縁との間の中間の位置にも，洗浄液を供給するようにしても良い。【００５５】
また，供給ノズル７からの洗浄液の供給を行わなくても良い。この場合は，図５に示すように，二流体ノズル５からウェハＷに液滴を噴射させながら，回転するウェハＷの中心ＰＯにブラシ３を接触させて洗浄を開始すると良い。即ち，液滴を噴射することにより，液滴がウェハＷの上面全体に拡散して，ウェハＷの上面に洗浄液の液膜を形成することができる。また，ウェハＷの中心ＰＯに位置するブラシ３の洗浄位置Ｓｂにも，二流体ノズル５から噴射された液滴が拡散して供給され，スクラブ洗浄を好適に行うことができる。なお，ウェハＷの中心ＰＯにブラシ３を接触させるときの二流体ノズル５の位置は，ブラシ３による洗浄位置Ｓｂの近傍に液滴が噴射されるような位置にすることが好ましい。これにより，液滴をウェハＷの上面全体に好適に拡散させ，また，液滴を洗浄位置Ｓｂに好適に供給することができる。こうしてウェハＷの中心ＰＯにブラシ３を接触させたら，図６に示すように，ブラシ３の移動を開始し，洗浄位置ＳｂをウェハＷの中心ＰＯから右方に移動させる。そして，二流体ノズル５を右方に移動させて中心ＰＯの上方に移動させ，二流体ノズル５による洗浄位置Ｓｎを中心ＰＯに配置させる。その後，実施の形態に示した方法と同様に，ブラシ３を右方に移動させて洗浄位置ＳｂをウェハＷの周縁部に向かって移動させながら，二流体ノズル５を左方に移動させて洗浄位置ＳｎをウェハＷの中心ＰＯから周縁部に向かって移動させるようにすれば良い。【００５６】
本実施の形態では，ウェハＷの洗浄中，二流体ノズル支持アーム５０及び二流体ノズル５は，ブラシ支持アーム４０及びブラシ３の移動方向と反対方向の左方に移動するようにし，ブラシ３による洗浄位置Ｓｂの移動方向である右方と反対方向の左方に，二流体ノズル５による洗浄位置Ｓｎを移動させることとしたが，ブラシ支持アーム４０，ブラシ３及び洗浄位置Ｓｂの移動方向や，二流体ノズル支持アーム５０，二流体ノズル５及び洗浄位置Ｓｎの移動方向は，かかるものに限定されない。例えば，二流体ノズル支持アーム５０，二流体ノズル５及び洗浄位置Ｓｎは，ブラシ支持アーム４０，ブラシ３及び洗浄位置Ｓｂの移動方向と同じ方向に移動するようにしても良い。【００５７】
図７に示すように，ブラシ３及び二流体ノズル５を支持して移動する支持アーム８０を備えても良い。図７において，支持アーム８０の基端部は，ガイドレール８２に沿って移動自在に支持されている。さらに，ガイドレール８２に沿って支持アーム８０を移動させる駆動機構８３が備えられている。駆動機構８３の駆動は，制御部１５によって制御され，支持アーム８０の移動速度や位置は，駆動機構８３を制御することにより変化させることができる。この支持アーム８０には，ブラシ３による洗浄中のウェハＷに対するブラシ３の移動方向に対して，ブラシ３の後方に二流体ノズル５を配置して支持するようにする。例えば，ブラシ３による洗浄中，支持アーム８０及びブラシ３を右方に移動させる場合は，ブラシ３の左方に二流体ノズル５を設ける。これにより，ブラシ３による洗浄位置Ｓｂの左側，即ち中心ＰＯ側に，二流体ノズル５による洗浄位置Ｓｎを配置することができる。さらに，支持アーム８０には，ウェハＷの回転方向に対してブラシ３の後方に，第２の二流体ノズル８５を配置することが好ましい。このようにすると，ブラシ３によってウェハＷの周縁部を洗浄した後，ブラシ３の後方で瞬時に第２の二流体ノズル８５から液滴を噴射して洗浄することができ，ブラシ３を離隔させる際には，第２の二流体ノズル８５による洗浄も終了させることができる。即ち，ブラシ３による洗浄後，支持アーム８０を移動させることなく，すぐにウェハＷの周縁部に液滴を噴射できるので，効率的に洗浄することができ，スループットが向上する。また，１本の支持アーム８０で構成することができ，構造や制御の簡略化が可能である。【００５８】
上記動作も、制御ソフトウエアを記録した記録媒体９１を有する制御コンピュータ９０を備えた制御部１５によって行われる。なお、記録媒体９１の具体的な態様については、図１及び図２に示す記録媒体９１について説明したものと同様であるためその説明を省略する。【００５９】
二流体ノズル５及び洗浄位置Ｓｎの移動方向と，ブラシ３及び洗浄位置Ｓｎの移動方向は，同一直線上にある形態に限定されず，例えば互いに角度を有する配置にしても良い。また，二流体ノズル５及び二流体ノズルによる洗浄位置Ｓｎの移動方向と，ブラシ３及びブラシ３による洗浄位置Ｓｂの移動方向は，直線方向でなくても良い。二流体ノズル５やブラシ３の移動手段は，ブラシ支持アーム４０，二流体ノズル支持アーム５０及びガイドレール６０，６１によるものに限定されない。例えば，ブラシ３を支持してウェハＷの上方で回動するアームを設け，ブラシ３による洗浄位置ＳｂをウェハＷの上面で中心ＰＯから周縁部に向かって回動させるように移動させても良い。また，二流体ノズル５を支持してウェハＷの上方で回動するアームを設け，二流体ノズル５による洗浄位置ＳｎをウェハＷの上面で中心ＰＯから周縁部に向かって回動させるように移動させても良い。ブラシ３及び二流体ノズル５を支持してウェハＷの上方で回動するアームを設け，ブラシ３による洗浄中のウェハＷに対するブラシ３の移動方向に対して，ブラシ３の後方に二流体ノズル５を配置して支持するようにし，ブラシ３による洗浄位置Ｓｂ及び二流体ノズル５による洗浄位置ＳｎをウェハＷの上面で中心ＰＯから周縁部に向かって回動させるように移動させても良い。【００６０】
本実施の形態では，ブラシ３をウェハＷの中心ＰＯに接触させ，ブラシ３による洗浄位置Ｓｂの移動をウェハＷの中心ＰＯから開始することとしたが，ブラシ３の移動方向においてウェハＷの中心ＰＯより後方からオーバースキャンさせるようにしても良い。即ち，ブラシ３による洗浄位置Ｓｂの移動を，洗浄位置Ｓｂの移動方向において中心ＰＯより後方から開始させるようにしても良い。また，本実施の形態では，二流体ノズル５の噴射をウェハＷの中心ＰＯにおいて開始させ，二流体ノズル５による洗浄位置Ｓｎの移動をウェハＷの中心ＰＯから開始することとしたが，二流体ノズル５の移動方向においてウェハＷの中心ＰＯより後方からオーバースキャンさせるようにしても良い。即ち，二流体ノズル５による洗浄位置Ｓｎの移動を，洗浄位置Ｓｎの移動方向において中心ＰＯより後方から開始させるようにしても良い。これにより，ウェハＷの中心ＰＯを確実に洗浄することができる。【００６１】
本実施の形態では，ブラシ３による洗浄位置ＳｂはウェハＷの周縁端より中心ＰＯ側まで移動させることとして，スピンチャック２の保持部材２５とブラシ３が衝突することを防止することとしたが，例えばスピンチャックがウェハＷの下面を吸着保持する構成である場合など，スピンチャック２の保持部材２５とブラシ３が衝突する懸念がない場合は，ブラシ３による洗浄位置ＳｂをウェハＷの周縁まで移動させ，ウェハＷの上面全体をスクラブ洗浄するようにしても良い。【００６２】
実施の形態に示した洗浄方法を行い，ウェハＷの洗浄効果を確認する実験を行った。５枚のウェハＷの裏面洗浄を連続して行い，５枚目のウェハＷの裏面に付着したパーティクルの個数を，洗浄前と洗浄後に計測した。そして，パーティクルの除去率を調べた。ウェハＷは，ドライエッチングを行うエッチング装置内の静電チャックによって裏面を下面にして保持し，裏面全体にパーティクルが付着した状態のものを使用した。その結果，表１に示すように，パーティクルの除去率は約９５．１％であり，ウェハＷの裏面全体から汚染物を良好に除去できることが確認された。【００６３】
（比較例１）
ウェハＷの裏面をブラシのみによってスクラブ洗浄し，その後，高圧ジェットノズルによって洗浄液として純水を噴射して，ウェハＷの裏面全体を洗浄する実験を行った。この洗浄方法によってウェハＷを５枚連続して洗浄し，５枚目のウェハＷの裏面に付着したパーティクルの個数を，洗浄前と洗浄後に計測し，パーティクルの除去率を調べた。ウェハＷは，実施例と同様に，ドライエッチングを行うエッチング装置内の静電チャックによって裏面を保持し，裏面全体にパーティクルが付着した状態のものを使用した。また，ブラシの回転速度，移動速度，ブラシによるスクラブ洗浄の処理時間などは，実施例におけるブラシによる洗浄と同じ条件とした。以上の実験の結果，表１に示すように，パーティクルの除去率は約８８．０％であり，本実施の形態に示した洗浄方法と比較して汚染物除去性能が低いことが確認された。特に，ウェハＷの中心部にパーティクルが多く残りやすいことがわかった。【００６４】
（比較例２）
ウェハＷの裏面をブラシのみによってスクラブ洗浄する実験を行った。この洗浄方法によってウェハＷを５枚連続して洗浄し，５枚目のウェハＷの裏面に付着したパーティクルの個数を，洗浄前と洗浄後に計測し，パーティクルの除去率を調べた。ウェハＷは，実施例及び比較例１と同様に，ドライエッチングを行うエッチング装置内の静電チャックによって裏面を保持し，裏面全体にパーティクルが付着した状態のものを使用した。また，ブラシの回転速度，移動速度，ブラシによるスクラブ洗浄の処理時間などは，実施例及び比較例１におけるブラシによる洗浄と同じ条件とした。以上の実験の結果，表１に示すように，パーティクルの除去率は約８５．５％であり，本実施の形態に示した洗浄方法や比較例１に示した洗浄方法と比較して，汚染物除去性能が低いことが確認された。特に，ウェハＷの中心部にパーティクルが多く残りやすいことがわかった。
【表１】
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【００６５】
また，実施例及び比較例２に示した洗浄方法によって，それぞれ２５枚のウェハＷの裏面洗浄を連続して行い，パーティクルの除去率の変化を調べた。その結果，図８に示すように，実施例の洗浄方法は，比較例２の洗浄方法と比較して除去率が高いことがわかった。特に，比較例２の洗浄方法では，ウェハＷの洗浄枚数が増加するに従い除去率が低下したが，実施例の洗浄方法では，ウェハＷの洗浄枚数が増加しても除去率が殆ど変わらなかった。即ち，本発明によれば，ウェハＷの洗浄を繰り返しても，洗浄性能の低下を防止できることが確認された。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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