(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザの発光部を備え、前記レーザの発光部の形状に合わせた開口部を持つ電極層と、開口部を持たない電極層と、を積層して構成された電極を具備し、前記開口部を持たない電極層が、前記開口部を持つ電極層よりもエッチング速度が大きい材料で構成された半導体レーザ装置の検査方法であって、
前記レーザの発光部の上に形成された前記レーザの発光部の形状に合わせた開口部を持つ電極層をエッチングマスクとして、前記レーザの発光部と前記開口部を持つ電極層との間に形成された前記開口部を持たない電極層のうち前記開口部に露出した部分を選択エッチングすることにより前記レーザの発光部上の前記開口部を持たない電極層のうち前記開口部に露出した部分を除去して前記レーザの発光部を露出させて、前記レーザーの発光部を検査することを特徴とする半導体レーザ装置の検査方法。
【請求項２】
前記電極は、前記開口部を持たない電極層及び前記開口部を持つ電極層の少なくとも一方を、複数層積層して構成された電極であることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ装置の検査方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光通信機器や光情報再生機器に使用される半導体レーザ装置に関し、特に、検査工程を容易にするためのレーザダイオードチップの電極構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の半導体レーザ装置に使用されているレーザダイオードチップの構成を、図４の斜視図、及びそのＢ−Ｂ’部断面図である図５に示す。図において、１は異種材料を用いた層構造で形成された電極、２はレーザダイオードチップ内部の発光（発振器）部、３はレーザダイオードチップ、４，５はレーザダイオードチップのアノード面またはカソード面、６はパッケージステムまたはフォトダイオード、７はＡｕワイヤ、８はレーザ光が放出される発光端面である。
【０００３】
レーザダイオードチップ３は、アノード面またはカソード面４，５のいずれかの面をパッケージステムまたはフォトダイオード６に接合し、もう一方の面には電極材１が全面に形成されている。この電極１にはＡｕワイヤ７が接合され、外部との電気的なコンタクトをとる構成となっている。
【０００４】
このような構成となっているレーザダイオードチップのＡｕワイヤ７とパッケージステムまたはフォトダイオード６間に電源をつなぎ、レーザダイオードチップに電流を流す事により、発光（共振器）部２で光の発振が起こり、８の発光端面からレーザ光が得られる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来例では、図４に示すようにレーザダイオードチップの電極１がレーザダイオードチップアノード面４またはカソード面５全面に形成されているため、レーザダイオードチップの上面方向から光学顕微鏡や電子顕微鏡を使用してレーザダイオードチップ内部の発光（共振器）部２の状態を観察することは不可能であった。
【０００６】
半導体レーザ装置は、外部からの静電気やサージ等の電気的なストレスによってレーザダイオードチップの発光（共振器）部に結晶の破壊が生じたり、また、レーザダイオードチップには電流の印加時間に応じて発光出力が減少する寿命劣化により発光（共振器）部結晶の異常が生じる事が一般に知られている。
【０００７】
このようにレーザダイオードチップの発光（共振器）部に破壊もしくは異常が発生し、発光出力が低下した場合、レーザダイオードチップ内部の発光（共振器）部の観察を直接行うことが、発光出力低下原因の究明のための有効な手段となる。
【０００８】
しかしながら、内部の発光（共振器）部の観察を実際に行う場合、従来技術では、電極材を薬品で全面除去し、レーザダイオードチップのアノード面またはカソード面を露出した後、レーザダイオードチップ内部の発光（共振器）部観察に支障の無い位置に再度電極を形成し、電気的なコンタクトをとらなければ発光状態が観察できないという欠点があった。
【０００９】
［発明の目的］
本発明の目的は、レーザダイオードチップの内部観察を簡便に行えるチップ電極構造を持つ半導体レーザ装置を得ることにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての検査方法は、レーザの発光部を備え、前記レーザの発光部の形状に合わせた開口部を持つ電極層と、開口部を持たない電極層と、を積層して構成された電極を具備し、前記開口部を持たない電極層が、前記開口部を持つ電極層よりもエッチング速度が大きい材料で構成された半導体レーザ装置の検査方法であって、前記レーザの発光部の上に形成された前記レーザの発光部の形状に合わせた開口部を持つ電極層をエッチングマスクとして、前記レーザの発光部と前記開口部を持つ電極層との間に形成された前記開口部を持たない電極層のうち前記開口部に露出した部分を選択エッチングすることにより前記レーザの発光部上の前記開口部を持たない電極層のうち前記開口部に露出した部分を除去して前記レーザの発光部を露出させて、前記レーザーの発光部を検査することを特徴とする。
【００１２】
【発明の実施の形態】
［実施形態１］
本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。図１は、本発明のレーザダイオードチップの電極構造を用いた半導体レーザ装置の斜視図であり、図２は、図１の構造を説明するためのＡ−Ａ’部の断面図である。
【００１３】
レーザダイオードチップ３の電極１０，１１は、図１、図２に示すように、レーザダイオードチップのアノード面またはカソード面４，５に形成され、一方の面にＡｕワイヤ７により電気的なコンタクトをとり、他方の面をパッケージステムまたはフォトダイオード６に接合することにより電流を流し、レーザ光を得ている。レーザ光はレーザダイオードチップ内部の共振器２にて発振し、発光端面８から照射している。
【００１４】
従来のレーザダイオードの電極１は、図４、図５に示すように、片面全面に導電性材料を用いて形成されているが、本発明の電極１０，１１は、レーザダイオードチップ３のアノード面またはカソード面４，５に導電性材料を用いて電極を形成する際に、電極形成をレーザダイオードチップ内部の発光（共振器）部２が観察できる事を目的として、電極材料を２層とする構造を持ち、レーザダイオードチップ内部の発光（共振器）部の形状に合わせた開口部を持つ第２の電極層１１（例えばＡｕ)と、開口部を持たない第１の電極層１０（例えばＡｌ)で構成されている。
【００１５】
これら電極材は、化学的な耐性が大きく異なるものをそれぞれの電極層として使用することにより、選択エッチングを可能とする材料の組み合わせを選ぶ。また、開口部を持たない電極層のエッチング速度が、開口部を持つ電極層のエッチング速度よりも大きくなる材料をそれぞれの電極層として用いて構成する。ここに図１に示す第１の実施形態の構成が完成する。
【００１６】
このような本実施形態の半導体レーザ装置を検査する場合は、例えばリン酸をエッチング液として選択エッチングを行なう。このとき、開口部を有する上層電極１１がマスクとなり、開口部の電極層１０を選択的に除去し、その周辺の電極材はエッチングされることはない。そのため開口部周辺の電極およびＡｕワイヤ７は電気的なコンタクトを保ったまま、レーザダイオードチップが発光（共振器）部２に沿って露出した構造となり、上面よりレーザダイオードの観察が可能となる。
【００１７】
［実施形態２］
次に、本発明の実施形態２として、図３に示すように、前記した電極層の構成を３層またはそれ以上の層構造にしたものを示す。図３において、１１は開口部を持つ電極層、１２及び１０は、その下に積層された、開口部を持たない電極層である。
【００１８】
本実施形態の場合、開口部を持つ電極層１１と、開口部を持たない電極層１２、１０の層数は特に問わず、それぞれ複数層から構成されても良いし、どちらかの電極層が一層、他方の電極層が複数層であっても良い。開口部を持つ複数の電極層と開口部を持たない複数の電極層の２種類の電極層が組み合わされた構造とし、かつ化学的な耐性の異なる材料を、それぞれの電極層として組み合わせることにより、選択的に開口部分をエッチングできる構造とした。
【００１９】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、半導体レーザ装置の要であるレーザダイオードチップの電極を多層電極とし、多層電極の１つの層に開口部を設け、他の層に開口部を設けない層構造をとることにより、通常使用状態では電極面はレーザダイオードチップ表面全体に設けることができる。そのため動作時には動作電流をレーザダイオードチップ表面全体に均一に流すことができ、かつ、選択性のある電極材を使用しているため、化学エッチング等による選択エッチングを行うことにより、開口部のみをエッチングし、レーザダイオードチップ発光（共振器）部を露出し観察することが、従来例のように、再度、電極を作成することなく、容易に行えるようになる。
【００２０】
このような観察を行うことにより、半導体レーザ装置の発光出力低下等の異常の原因が、レーザダイオードチップ内部にある場合、原因を究明するもっとも有効な手段であるレーザダイオードチップ発光（共振器）部の直接観察を、容易に実施する事ができ、正確な不具合原因の究明が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態の半導体レーザ装置の斜視図である。
【図２】図１の本発明の第１の実施形態の断面図である。
【図３】本発明の第２の実施形態の半導体レーザ装置の斜視図である。
【図４】従来例の半導体レーザ装置の斜視図である。
【図５】図４の従来例の半導体レーザ装置の断面図である。
【符号の説明】
１  電極
２  発光（共振器）部
３  レーザダイオードチップ
４  アノード面またはカソード面
５  アノード面またはカソード面
６  ステムまたはフォトダイオード
７  Ａｕワイヤ
８  発光端面
９  開口部
１０  開口部を持たない第１の電極層
１１  開口部を持つ第２の電極層
１２  開口部を持たない第３の電極層
【図１】
0004438024.tif 000002
【図２】
0004438024.tif 000003
【図３】
0004438024.tif 000004
【図４】
0004438024.tif 000005
【図５】
0004438024.tif 000006