(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱アシスト磁気ヘッドにおいて、
媒体対向面上で離隔して配置された第１及び第２の近接場光発生部と、
前記第１及び第２の近接場光発生部の間に少なくとも一部分が位置する主磁極と、
前記第１の近接場光発生部と前記第２の近接場光発生部との間の領域に、エネルギー線を照射する発光素子と、
前記第１及び第２の近接場光発生部が先端面に設けられるコアと、
前記コアの周囲に設けられたクラッドと、
を備え、
前記主磁極は、前記コアに最深部が位置する溝内に設けられ、
前記溝の両側面に隣接して前記第１及び第２の近接場光発生部がそれぞれ位置する、
ことを特徴とする熱アシスト磁気ヘッド。
【請求項２】
前記主磁極内に磁束を通すための情報書き込み用コイルを更に備えることを特徴とする請求項１に記載の熱アシスト磁気ヘッド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高密度記録が可能な熱アシスト磁気ヘッドに関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスク装置の高記録密度化に伴い、薄膜磁気ヘッドのさらなる性能の向上が要求されている。薄膜磁気ヘッドとしては、磁気抵抗（ＭＲ）効果素子等の磁気検出素子と電磁コイル素子等の磁気記録素子とを積層した構造である複合型薄膜磁気ヘッドが広く用いられており、これらの素子によって磁気記録媒体である磁気ディスクにデータ信号が読み書きされる。
【０００３】
一般に、磁気記録媒体は、いわば磁性微粒子が集合した不連続体であり、それぞれの磁性微粒子は単磁区構造となっている。ここで、１つの記録ビットは、複数の磁性微粒子から構成されている。従って、記録密度を高めるためには、磁性微粒子を小さくして、記録ビットの境界の凹凸を減少させなければならない。しかし、磁性微粒子を小さくすると、体積減少に伴う磁化の熱安定性の低下が問題となる。
【０００４】
磁化の熱安定性の目安は、ＫＵＶ／ｋＢＴで与えられる。ここで、ＫＵは磁性微粒子の磁気異方性エネルギー、Ｖは１つの磁性微粒子の体積、ｋＢはボルツマン定数、Ｔは絶対温度である。磁性微粒子を小さくするということは、まさにＶを小さくすることであり、そのままではＫＵＶ／ｋＢＴが小さくなって熱安定性が損なわれる。この問題への対策として、同時にＫＵを大きくすることが考えられるが、このＫＵの増加は、記録媒体の保磁力の増加をもたらす。これに対して、磁気ヘッドによる書き込み磁界強度は、ヘッド内の磁極を構成する軟磁性材料の飽和磁束密度でほぼ決定されてしまう。従って、保磁力が、この書き込み磁界強度の限界から決まる許容値を超えると書き込みが不可能となってしまう。
【０００５】
このような磁化の熱安定性の問題を解決する方法として、ＫＵの大きな磁性材料を用いる一方で、書き込み磁界印加の直前に記録媒体に熱を加えることによって、保磁力を小さくして書き込みを行う、いわゆる熱アシスト磁気記録方式が提案されている。この方式は、磁気ドミネント記録方式と光ドミネント記録方式とに大別される。磁気ドミネント記録方式においては、書き込みの主体は電磁コイル素子であり、光の放射径はトラック幅（記録幅）に比べて大きくなっている。一方、光ドミネント記録方式においては、書き込みの主体は光放射部であり、光の放射径はトラック幅（記録幅）とほぼ同じとなっている。すなわち、磁気ドミネント記録方式は、空間分解能を磁界に持たせているのに対し、光ドミネント記録方式は、空間分解能を光に持たせている。
【０００６】
下記特許文献１は、固体イマージョンレンズを用いた磁気ヘッドを利用し、光磁気ディスクに超微細な光ビームスポットで超微細な磁区信号を記録する技術を開示している。下記非特許文献１には、水晶のスライダー上に形成されたＵ字型の近接場プローブを用いてエバネッセント光と磁界を発生させ、７０ｎｍ程度の記録パターンを形成する技術が開示されている。
【０００７】
特許文献２〜４には、媒体対向面に導電性の板状の近接場光発生部を配置し、これに対して媒体側とは反対の側から光を照射することにより近接場光を発生させる熱アシスト磁気ヘッドが開示されている。近接場光発生部の一端には尖った先端部が形成されており、近接場光は主としてこの先端部から放射される。
【０００８】
特許文献５には、近接場プローブを構成する散乱体を、記録媒体に垂直となるように、垂直磁気記録用単磁極書き込みヘッドの主磁極に接して形成する技術が開示されている。この従来技術では、近接場光の発生素子と、垂直磁気記録用単磁極書き込みヘッドの主磁極との距離が線記録方向に離れている。それと同時に、主磁極が近接場光発生素子よりも基板側に位置した構造となっている（光照射部は磁極のトレーリング側に位置している）。この場合には、従来までのハードディスクドライブにおけるディスク回転方向を採用した場合、媒体を加熱した後に、加熱部がディスク上を約１回転した後に磁界が印加される事になる。これは、媒体の冷却効率を相当に悪くしないと実現しない使い方であり、書き込み速度を勘案すると非現実的な構造である。なお、特許文献５の構造では印加できる磁界の大きさは十分ではなく、特に、非特許文献２にあるような２段階の保磁力の温度特性を有するような記録媒体には、このヘッドを適用することは困難である。
【０００９】
特許文献６には、記録磁極のトレーリング側終端近傍に光照射部が設けられている。この技術では、記録磁界勾配等を改良することで加熱部に磁界が印加可能となるが、その設計マージンは決して大きくなく実現は容易ではない。
【００１０】
近接場光発生素子が主磁極よりも基板側に位置している場合、媒体が加熱された後に磁極からの記録磁界が与えられるので好ましいが、２つの素子があまりに距離を隔てていると、加熱の効果が消失してしまう。また、近接場光発生素子が主磁極よりも基板側に位置した構造とする為には、光の通り道、すなわち光導波路も垂直磁気記録用単磁極書き込みヘッドの下側（基板側）に設ける必要がある。このような構造は、例えば、下記特許文献７に示されている。
【００１１】
特許文献８には、垂直磁気記録用単磁極書き込みヘッドの主磁極の中に光導波路を埋め込むという技術が開示されているが、記録密度が１Ｔｂｉｔｓ／ｉｎ２で２０ｎｍ以下となる磁極幅の中にそのような光素子を形成するというのは非常に困難であり、光利用効率という点からも好ましくない。
【特許文献１】特開平１０−１６２４４４号公報
【特許文献２】特開２００１−２５５２５４号公報
【特許文献３】特開２００３−１１４１８４号公報
【特許文献４】特開２００６−１８５５４８号公報
【特許文献５】特開２００４−１５８０６７号公報
【特許文献６】特開２００５−４９０１号公報
【特許文献７】特開２００５−１９０６５５号公報
【特許文献８】特開２００６−１８５５４号公報
【非特許文献１】Ｍｉｙａｎｉｓｈｉ，Ｓ．ｅｔ  ａｌ．「Ｎｅａｒ−ｆｉｅｌｄ  ａｓｓｉｓｔｅｄ  ｍａｇｎｅｔｉｃ  ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ」、ＩＥＥＥ  Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ  ｏｎ  Ｍａｇｎｅｔｉｃｓ、２００５、Ｖｏｌ．４１、ｐｐ．２８１７−２８２１
【非特許文献２】Ｊａｎ−Ｕｌｒｉｃｈ  Ｔｈｉｅｌｅ  ｅｔ  ａｌ．「Ｍａｇｎｅｔｉｃ  ａｎｄ  ｓｔｒｕｃｔｕｒａｌ  ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ  ｏｆ  ＦｅＰｔ／ＦｅＲｈ  ｅｘｃｈａｎｇｅ  ｓｐｒｉｎｇ  ｆｉｌｍｓ  ｆｏｒ  ｔｈｅｒｍａｌｌｙ  ａｓｓｉｓｔｅｄ  ｍａｇｎｅｔｉｃ  ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ  ｍｅｄｉａ」、ＩＥＥＥ  Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ  ｏｎ  Ｍａｇｎｅｔｉｃｓ、２００４、Ｖｏｌ．４０、Ｎｏ．４、ｐｐ．２５３７−２５４２
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
上述のように、複数の技術が知られているものの、現実的に高密度記録を行うことが可能な熱アシスト磁気ヘッドは得られていない。そこで、近接場光発生部（プラズモン・プローブ）にレーザ光を照射する構造について考えると、レーザ光が伝播する光導波路のコアの先端面に、近接場光発光部を設けることが好ましいと考えられる。光導波路は、屈折率の高い領域（コア）をそれより屈折率の低い領域（クラッド）で包む事により形成されている。ここで、それぞれの領域の厚みは、光導波路としての機能を持たせる為には、使用する光の波長と同程度かそれ以上に設計する必要がある。
【００１３】
したがって、高密度光記録に使用されている例えば青色レーザを光源として用いる場合には、コアおよびクラッドの厚みは４００ｎｍ程度かそれ以上とする事が要求され、この場合には、近接場光発生部と主磁極とが大きく離隔することとなり、加熱された媒体領域に効果的に磁界を与えることが出来ないという問題が生じる。
【００１４】
本発明は、このような課題に鑑みてなされたものであり、高密度記録が可能な熱アシスト磁気ヘッドを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上述の課題を解決するため、本発明に係る熱アシスト磁気ヘッドは、媒体対向面上で離隔して配置された第１及び第２の近接場光発生部と、第１及び第２の近接場光発生部の間に少なくとも一部分が位置する主磁極と、前記第１の近接場光発生部と前記第２の近接場光発生部との間の領域に、エネルギー線を照射する発光素子と、前記第１及び第２の近接場光発生部が先端面に設けられるコアと、前記コアの周囲に設けられたクラッドとを備え、前記主磁極は、前記コアに最深部が位置する溝内に設けられ、前記溝の両側面に隣接して前記第１及び第２の近接場光発生部がそれぞれ位置することを特徴とする。
【００１６】
この熱アシスト磁気ヘッドでは、第１及び第２の近接場光発生部にレーザ光などのエネルギー線が照射されると、双方の近接場光発生部の先端で近接場光が発生する。発生した近接場光によって、媒体対向面に対向する磁気記録媒体が加熱され、磁気記録媒体の保持力が低下する。主磁極の少なくとも一部が第１及び第２の近接場光発生部の間の領域に位置しているので、双方の近接場光発生部の先端と主磁極は極めて近接することになる。すなわち、加熱された磁気記録媒体の記録領域と主磁極とが極めて近接する。したがって、加熱された状態の記録領域の冷却前に主磁極から十分な磁界を与えることができるため、記録領域内の磁性微粒子が小さくても情報の書き込みを行うことができ、高密度の記録が可能となる。
【００１７】
また、上述のように、本発明に係る熱アシスト磁気ヘッドは、第１近接場光発生部と第２の近接場光発生部との間の領域に、レーザ光などのエネルギー線を照射する発光素子を更に備えている。すなわち、エネルギー線の照射により近接場光発生部において十分な近接場光を発生させることができる。
【００１８】
また、上述のように、本発明に係る熱アシスト磁気ヘッドは、第１及び第２の近接場光発生部が先端面に設けられるコアと、コアの周囲に設けられたクラッドとを備え、主磁極は、コア内に最深部が位置する溝内に設けられ、溝の両側面に隣接して第１及び第２の近接場光発生部がそれぞれ位置している。
【００１９】
コア内の伝播するエネルギー線は周囲のクラッドによって反射されながらその端面まで進行する。端面には第１及び第２の近接場光発生部が設けられているので、これらへのエネルギー線の照射に呼応して、近接場光が発生する。従来の構造では、近接場光発生部と主磁極とを近づけることができなかったが、本発明では、コア内に最深部が位置する溝が設けられており、その内部に主磁極が設けられているため、第１及び第２の近接場光発生部と主磁極とを近づけることができ、しかも、製造時の溝の位置決め機能により、これらの位置決め精度が極めて高くなるという利点がある。
【００２０】
また、本発明に係る熱アシスト磁気ヘッドは、主磁極内に磁束を通すための情報書き込み用コイルを更に備えることを特徴とする。情報書き込み用コイルの位置は特に限定されない。すなわち、コイルに通電すると、内部に磁束が発生するが、これが適当なコア材としての磁性材料内部を通って、主磁極の先端から外部に流れるようにすればよい。コイルに流れる電流の量と向きを制御することで、所望の情報を磁気記録媒体に書き込むことができる。
【００２１】
上述の如く精密な位置決めを行いつつ、主磁極と近接場光発生部を近づけることができる製造方法は、本願発明者らによって初めて見出された。
【００２２】
本発明に係る熱アシスト磁気ヘッドの製造方法は、クラッド上にコアを形成する工程と、コア上に金属層を形成する工程と、金属層上にスリットパターンを有するマスクを形成する工程と、マスクを介して、スリットパターン直下のコア内に到達するまで、金属層及びコアをエッチングする工程と、エッチングによって形成された溝内に絶縁層を形成する工程と、溝内の絶縁層上に主磁極となる磁性材料を形成する工程とを備えることを特徴とする。
【００２３】
このエッチングによって、金属層はマスク直下の領域で分断され、第１及び第２の近接場光発生部が形成される。絶縁層の厚みは高精度に制御できるため、溝内に位置する主磁極と第１及び第２近接場光発生部の距離は極めて精密に近接させることができ、しかも、これらはエッチングよる溝を用いた自己整合によって、精密に位置決めされることとなる。
【発明の効果】
【００２４】
本発明に係る熱アシスト磁気ヘッドによれば高密度記録が可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、実施の形態に係る近接場光発生素子、熱アシスト磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ及びハードディスク装置について説明する。同一要素には同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。
【００２６】
図１は、実施の形態に係るハードディスク装置の斜視図である。
【００２７】
ハードディスク装置１００は、スピンドルモータ１１の回転軸の回りを回転する複数の磁気記録媒体である磁気ディスク１０、熱アシスト磁気ヘッド２１をトラック上に位置決めするためのアセンブリキャリッジ装置１２、この熱アシスト磁気ヘッド２１の書き込み及び読み出し動作を制御し、さらに後に詳述する熱アシスト磁気記録用のレーザ光を発生させる光源であるレーザダイオードを制御するための記録再生及び発光制御回路（制御回路）１３を備えている。
【００２８】
アセンブリキャリッジ装置１２には、複数の駆動アーム１４が設けられている。これらの駆動アーム１４は、ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）１５によってピボットベアリング軸１６を中心にして揺動可能であり、この軸１６に沿った方向に積層されている。各駆動アーム１４の先端部には、ヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ）１７が取り付けられている。各ＨＧＡ１７には、熱アシスト磁気ヘッド２１が、各磁気ディスク１０の表面に対向するように設けられている。磁気ディスク１０の表面に対向する面が熱アシスト磁気ヘッド２１の媒体対向面Ｓ（エアベアリング面とも呼ばれる）である。なお、磁気ディスク１０、駆動アーム１４、ＨＧＡ１７及び熱アシスト磁気ヘッド２１は、単数であってもよい。
【００２９】
図２は、ＨＧＡ１７の斜視図である。同図は、ＨＧＡ１７の媒体対向面Ｓを上にして示してある。
【００３０】
ＨＧＡ１７は、サスペンション２０の先端部に、熱アシスト磁気ヘッド２１を固着し、さらにその熱アシスト磁気ヘッド２１の端子電極に配線部材２０３の一端を電気的に接続して構成される。サスペンション２０は、ロードビーム２００と、このロードビーム２００上に固着され支持された弾性を有するフレクシャ２０１と、フレックシャの先端に板ばね状に形成されたタング部２０４と、ロードビーム２００の基部に設けられたベースプレート２０２と、フレクシャ２０１上に設けられておりリード導体及びその両端に電気的に接続された接続パッドからなる配線部材２０３とから主として構成されている。
【００３１】
なお、ＨＧＡ１７におけるサスペンションの構造は、以上述べた構造に限定されるものではないことは明らかである。なお、図示されていないが、サスペンション２０の途中にヘッド駆動用ＩＣチップを装着してもよい。
【００３２】
図３は、図１に示した熱アシスト磁気ヘッド２１の近傍の拡大斜視図である。
【００３３】
サスペンション２０の先端部に熱アシスト磁気ヘッド２１が取り付けられている。熱アシスト磁気ヘッド２１は、スライダー１と光源ユニット２とを貼りあわせてなる。スライダー１は、スライダー基板１ＡのＹＺ平面上に形成された磁気ヘッド部１Ｂを備えている。磁気ヘッド部１Ｂの−Ｚ方向のＸＹ平面は媒体対向面Ｓを成している。一方、光源ユニット２は、光源支持基板２ＡのＹＺ平面上に絶縁層２Ｂを備えており、絶縁層２ＢのＹＺ平面上に発光素子３が固定されている。
【００３４】
磁気ヘッド部１Ｂは、絶縁体内に埋設された複数の素子を備えている。これらの素子は、電流の供給によって磁界を発生する螺旋状のコイル５と、情報書き込み用のコイル５において発生した磁束を媒体対向面Ｓまで導くようにコイル中心から延びた主磁極６Ａと、媒体対向面Ｓ上に露出した磁気感応面を有する磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）７と、周囲の絶縁体をクラッドとしてＺ軸方向に沿って延びる導波路のコア４である。
【００３５】
コア４は屈折率の異なる複数の誘電体層を積層して形成することもでき、この場合、単位厚み当りの平均屈折率が高い方へ、内部を伝播する光が屈折する。なお、コアは全体の平均屈折率がクラッドよりも高屈折率の誘電体層からなり、クラッドはコア全体よりも低屈折率の誘電体層からなる。コアが多層の誘電体層からなる場合、複数の誘電体層の厚みと屈折率は、内部を伝播する光が近接場光発生部に近づくように設定される。すなわち、近接場光発生部に近づくほどコア４内の単位厚み当りの平均屈折率が高くなる。
【００３６】
なお、主磁極６Ａは媒体対向面Ｓ上に露出しているが、主磁極６Ａは磁気ディスク１０の表面にある記録領域Ｒに磁界を与えることができる位置であれば、媒体対向面Ｓ上に露出している必要はない。また、主磁極６Ａの近傍には必要に応じて副磁極が設けられ、主磁極６Ａからの磁力線（磁束）ＭＦが記録領域Ｒを介して副磁極に流れるようにしてもよい（図５参照）。
【００３７】
コア４は、発光素子３からの光が入射する光入射面４ＡをＺ軸の正方向のＸＹ平面上に有しており、負方向のＸＹ平面、すなわち媒体対向面Ｓ上に光出射面４Ｂを備えている。発光素子３は、本例では端面発光型のレーザダイオードであり、ＸＹ平面に平行な端面から出射されたレーザ光は、光入射面４Ａを介してコア４内に入り、光出射面４Ｂ上に形成された近接場光発生素子８（近接場光発生部８Ａ，８Ｂ）に照射される。なお、一対の近接場光発生部８Ａ，８Ｂは、Ｙ軸に沿って離隔している（図６参照）。
【００３８】
近接場光発生素子８は、入射光に共鳴して近接場光を発生し、この近接場光によって記録領域Ｒが加熱される。加熱された記録領域Ｒに主磁極６Ａの先端からの磁力線が入ると、記録領域Ｒに情報が書き込まれる。
【００３９】
磁気ヘッド部１ＢのＸ軸の負方向のＹＺ平面上には、複数の電極パッドからなる電極パッド群Ｇ１が形成されている。それぞれの電極パッドは、コイル５の両端、ＭＲ素子７の上下の電極に接続されている。ＭＲ素子７は、磁化の向きが固定された固定層と、周辺の磁界に応じて磁化の向きが偏向するフリー層を積層してなり、フリー層と固定層の磁化の向きの相違に応じて、磁気抵抗が変化する。すなわち、記録領域Ｒの周囲に発生する磁界に感応して、ＭＲ素子７の磁気抵抗が変化し、電極パッド群Ｇ１の中の一対の電極パッド間を流れる電流が変化する。なお、フリー層のＹ軸方向両端にはハードマグネットが配置されている。
【００４０】
書き込み時には、電極パッド群Ｇ１の中の別の一対の電極パッド間に電流を流し、コイル５の両端間を電流が流れるようにする。なお、磁気記録素子は垂直磁気記録型のものが好ましい。電極パッド群Ｇ１内の電極パッドは、サスペンション２０上に形成された第２の電極パッド群Ｇ２に電気的に接続され、配線部材２０３を介して外部に接続されている。なお、配線部材２０３に接続される第２の電極パッド群Ｇ２には、発光素子３に駆動電流を供給するための一対の電極パッドも含まれており、この電極パッド間に駆動電流を流すことで、発光素子３は発光し、エネルギー線としてのレーザ光が出射される。
【００４１】
なお、コア４の形状としては様々ものが挙げられるが、本例ではＺ軸に沿って直線的に延びている。なお、説明の明確化のため、コア４は発光素子３からの光ＬＢ（図４参照）の光路と同一符号で示している。
【００４２】
スライダー基板１Ａ及び光源支持基板２Ａは、例えばアルティック（Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ）から構成されている。これらの基板１Ａ，２Ａに熱伝導性が高い基板を使用した場合には、基板が放熱機能を有することになる。光源支持基板２ＡのＺ軸の正方向側のＸＹ面は、サスペンション２０の裏面に貼り付けられている。
【００４３】
磁気ヘッド部１ＢはＭＲ素子７、クラッド、コア４、コイル５及び主磁極６ＡをＸ軸に沿って積層してなるが、この積層方向はトラック内の記録領域Ｒの配列方向に沿っており、トラック幅はＹ軸に平行である。
【００４４】
図４は、図３に示した熱アシスト磁気ヘッドのＩＶ−ＩＶ矢印断面図である。
【００４５】
絶縁層２Ｂ上には、発光素子３が接着・固定されており、発光素子３から−Ｚ方向に出射されたエネルギー線がコア４の光入射面４Ａを介してコア４の内部に入射し、コア４の光出射面４Ｂに設けられた近接場光発生素子８に照射される。
【００４６】
近接場光発生素子８のＹ軸方向の隣には、主磁極６Ａの先端が隣接している。主磁極６Ａは、磁束伝達用の磁性材料層６Ｃに物理的に連続しており、磁性材料層６Ｃは、これよりも大きな体積の上部磁性材料層６Ｄに物理的に連続している。上部磁性材料層６Ｄは、貫通磁性材料６Ｅを介して、副磁極を構成する下部磁性材料層６Ｂに物理的に連続している。貫通磁性材料６Ｅは、コア４を埋設するクラッドとしての絶縁層１Ｂ２内をＸ軸方向に沿って貫通するスルーホール内に、設けられている。なお、クラッドとしての絶縁層１Ｂ２は、コア４の周囲を囲んでいる。
【００４７】
上部磁性材料層６Ｄ上には、絶縁材料からなるオーバーコート層１Ｂ３が設けられている。下部磁性材料層６Ｂと基板１Ａとの間には下部絶縁体層１Ｂ１が介在している。下部絶縁体層１Ｂ１内には、ＭＲ素子７が埋設されている。ＭＲ素子７は、上部シールド電極７ａ、下部シールド電極７ｃ、及び、上部シールド電極７ａと下部シールド電極７ｃとの間に介在するＭＲ素子層７ｂからなる。ＭＲ素子層７ｂは、フリー層及び固定層をトンネル障壁層を介して積層してなる。本例の絶縁体層１Ｂ１，１Ｂ２，１Ｂ３は、低屈折率のＡｌ２Ｏ３からなり、コア４は高屈折率のタンタル酸化物（ＴａＯＸ）からなる。磁極の材料はＮｉ、Ｆｅ及びＣｏのうちいずれか２つ若しくは３つからなる合金、又はこれらを主成分として所定の元素が添加された合金等から構成されている。
【００４８】
図５は、熱アシスト磁気ヘッドの電気的接続を示す図である。
【００４９】
発光素子３、コイル５、ＭＲ素子７の両端は、それぞれ配線部材２０３に接続されている。配線部材２０３を介して発光素子３及びコイル５に通電が行われ、ＭＲ素子７からの出力は配線部材２０３を介して読み出される。
【００５０】
発光素子３に通電を行うと、エネルギー線ＬＢが、近接場光発生素子８に照射され、これに近接する磁気ディスク１０の記録領域Ｒが加熱される。磁気ディスク１０は、図の矢印ＡＲの方向に移動するので、加熱の直後、主磁極６Ａの先端が加熱された記録領域Ｒ上に位置する。このとき、コイル５に通電すると、磁性材料６Ｅ内を通る磁束が、磁性材料６Ｄを介して主磁極６Ａの先端に至り、主磁極６Ａの先端から出る磁力線ＭＦが磁気ディスク１０を通って、副磁極６Ｂ及び貫通磁性材料６Ｅに帰還する。したがって、磁気ディスク１０の記録領域Ｒ内に情報が書き込まれる。
【００５１】
このように、熱アシスト磁気ヘッドは、第１近接場光発生部８Ａと第２の近接場光発生部８Ｂとの間の領域に、レーザ光などのエネルギー線を照射する発光素子３を更に備えており、エネルギー線ＬＢの照射により近接場光発生部８Ａ，８Ｂにおいて十分な近接場光を発生させることができる。
【００５２】
情報の書き込まれた記録領域ＲがＭＲ素子７に対向した場合には、記録領域Ｒからの磁界に感応してＭＲ素子７内のフリー層の磁化の向きが変化し、ＭＲ素子７の磁気抵抗が変化する。したがって、記録領域Ｒ内に書き込まれた情報を読み出すことができる。
【００５３】
図６は、近接場光発生素子８の近傍の斜視図である。
【００５４】
近接場光素子８は、媒体対向面上で離隔して配置された第１の近接場光発生部８Ａ及び第２の近接場光発生部８Ｂを備えている。主磁極６Ａの先端は、第１の近接場光発生部８Ａと第２の近接場光発生部８Ｂとの間に位置している。主磁極６Ａの先端の全てが、第１の近接場光発生部８Ａと第２の近接場光発生部８Ｂとの間に位置してもよい。主磁極６Ａの先端のＸＹ平面内における形状は略三角形であり、その底辺から頂点に向かう方向がＸ軸に一致している。略三角形とは、三角形の角部が丸くなったものや五角形の角部が丸くなった図形である。
【００５５】
主磁極６Ａの上部に位置する磁気ヨークとしての磁性材料層６Ｃは、概ね直方体のものが図示されているが、その形状は主磁極６Ａよりも体積が大きければ特に限定されない。なお、磁性材料層６Ｃの媒体対向面（ＸＹ平面）からの最短距離は、媒体対向面から主磁極６Ａの先端の位置までの距離（略零）よりも大きい。エネルギー線ＬＢとしてのレーザ光は、コア内を通って近接場光発生部８Ａ、８Ｂの対向部８Ａ１、８Ｂ１に照射される。コアの光出射面における光のスポット領域ＬＳ内に、対向部８Ａ１、８Ｂ１が位置する。対向部８Ａ１、８Ｂ１は、ＸＹ平面内において尖った形状をしており、これらの先細り部の先細りの方向が共に主磁極６Ａの先端へと向いている。
【００５６】
なお、エネルギー線ＬＢがレーザ光である場合、そのファーフィールドパターンの短軸径はＹ軸方向に一致しており、これはＴＥ偏波の向きとなる。また、Ａｕなどの金属体からなる近接場光発生部８Ａ，８Ｂに光を照射すると、近接場光発生部８Ａ，８Ｂを構成する金属内の電子がプラズマ振動し、その先端部において電界の集中が生じる。近接場光のそれぞれの拡がりは、それぞれの対向部（先端部）８Ａ１、８Ｂ１の半径程度となるため、それぞれの対向部８Ａ１、８Ｂ１の半径をトラック幅以下とし、対向部８Ａ１、８Ｂ１の離隔距離をトラック幅以下とすれば、擬似的に出射光が回折限界以下にまで絞り込まれた効果を奏する。なお、説明の便宜上、各要素の寸法は実際のものとは異なって記載されている。
【００５７】
なお、コイル５に通電した場合には、磁性材料６Ｅ，６Ｄ，６Ｃ，６Ａ，６Ｂを順次介する磁気回路が構成され、主磁極６Ａの先端から延びる磁力線ＭＦの通り道のＸＹ平面への投影像は、スポット領域ＬＳと重複している。
【００５８】
以上、説明したように、上述の熱アシスト磁気ヘッドでは、第１及び第２の近接場光発生部８Ａ，８Ｂにレーザ光などのエネルギー線ＬＢが照射されると、双方の近接場光発生部８Ａ，８Ｂの先端で近接場光が発生する。発生した近接場光によって、媒体対向面に対向する磁気記録媒体が加熱され、磁気記録媒体の保持力が低下する。主磁極６Ａの少なくとも一部が第１及び第２の近接場光発生部８Ａ，８Ｂの間の領域を含むスポット領域ＬＳ内に位置しているので、双方の近接場光発生部８Ａ，８Ｂの先端と主磁極６Ａは極めて近接することになる。すなわち、加熱された磁気記録媒体の記録領域と主磁極６Ａとが極めて近接する。したがって、加熱された状態の記録領域の冷却前に主磁極６Ａから十分な磁界を与えることができるため、記録領域内の磁性微粒子が小さくても情報の書き込みを行うことができ、高密度の記録が可能となる。
【００５９】
なお、主磁極６Ａの先端部のＺ軸方向の長さＺ０（主磁極６ＡのＺ方向の露出した先端から、磁気ヨークを構成する磁性材料層６ＣまでのＺ方向に沿った最短距離：図４参照）は、０μｍ以上０．５μｍ以下とすることで、十分な光強度と磁界強度を得ることが出来る。また、近接場光発生部８Ａ，８Ｂと主磁極６ＡのＹ軸方向の離隔距離Ｙ０（図６参照）の最小値は、０．００１μｍ以上０．１μｍ以下とする。これらは接触しない。これにより、近接場光発生部８Ａ，８Ｂを効果的に機能させつつ、加熱された媒体領域に効果的に磁界を与える事が出来るようになる。これにより、１Ｔｂｉｔｓ／ｉｎ２以上の記録密度を実現することが期待できる。
【００６０】
次に、上述の熱アシスト磁気ヘッドの製造方法について説明する。
【００６１】
図７〜図１０は、熱アシスト磁気ヘッドの製造方法を説明するための熱アシスト磁気ヘッド中間体の斜視図である。なお、斜視図で示される素子の周辺にも他の要素が存在するが、同図中では特徴部の明確化のため、その記載を省略している。
【００６２】
図７（Ａ）に示すように、副磁極（補助磁極）６Ｂ上に、低屈折率材料からなる絶縁層（クラッド）１Ｂ２、低屈折率材料からなるコア層４Ｘ、近接場光発生部形成用の金属層８（説明の簡略化のため近接場光発生素子８と同一符号で示す）、研磨停止層５０を順次形成する。本例ではコア層４ＸとしてＴａＯＸ、金属層８としてＡｕ、研磨停止層５０としてＴａを用いることとする。これらの層の形成法としてはスパッタ法を用いることができる。
【００６３】
次に、図７（Ｂ）に示すように、エッチング液に対する溶解度が異なる２層のレジストＲＥ１，ＲＥ２を順次積層し、所望のパターンでこれを露光し、現像処理を行うことで、パターニングされたレジストＲＥ１，ＲＥ２を研磨停止層５０上に形成する。なお、下方のレジストＲＥ１のエッチング液に対する溶解度は、上方のレジストＲＥ２の溶解度よりも高く、現像時にレジストＲＥ１がレジストＲＥ２よりも多く侵食され、２層のレジストの下部が括れることとなる。このような２層のレジストは剥離が容易という利点がある。
【００６４】
レジストＲＥ１，ＲＥ２に形成されるパターンは、概略五角形の基部パターンＰ１の一端に連続したスリットパターンＰ２を有している。スリットパターンＰ２は、後述のラッピング後に媒体対向面となる積層体の端面に対して垂直に延びている。レジストＲＥ１，ＲＥ２は、ドライエッチング用のマスクとして用いる。
【００６５】
次に、図７（Ｃ）に示すように、２層のレジストＲＥ１，ＲＥ２をマスクとして研磨グ停止層５０、金属層８、コア層４Ｘに反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を施す。ＲＩＥのエッチングガスとしてはCF4を用いることができる。これらの層は、レジストＲＥ１，ＲＥ２に形成されたパターンをトレースしながらエッチングされ、それぞれの層が基部パターンＰ１の一端に連続したスリットパターンＰ２を有することとなる。
【００６６】
このエッチングは、コア層４Ｘに到達するまで進行し、スリットパターンＰ２の直下にはＶ型の溝ＧＲが形成され、溝ＧＲの最深部がコア層４Ｘ内に位置することとなる。溝ＧＲの形成によって金属層８の端面の中央部は分断される。
【００６７】
次に、レジストＲＥ１，ＲＥ２からなるマスクをアセトン等の有機溶剤で剥離する。
【００６８】
次に、図８（Ａ）に示すように、ＣＶＤ（化学的気相成長）法で絶縁層５１を溝ＧＲの内面及び研磨停止層５０の上に堆積し、続いて、磁極を構成する磁性材料を絶縁層５１上に堆積し、その露出表面が研磨停止層５０に到達するまで化学機械研磨（ＣＭＰ）を実行する。なお、研磨停止層５０は、磁極を構成する磁性材料及び絶縁層５１よりも高硬度の材料からなる。
【００６９】
基部パターンＰ１内及びスリットパターンＰ２内に絶縁層５１が残留し、絶縁層５１上に磁性材料が形成されると、スリットパターンＰ２の直下の溝ＧＲ内には主磁極６Ａが形成されることとなる。
【００７０】
次に、図８（Ｂ）に示すように、レジストＲＥ３を研磨停止層５０及び主磁極６Ａ上に塗布した後、レジストＲＥ３をパターニングし、レジストＲＥ３がスリットパターンＰ２を覆うようにこれを研磨停止層５０及び主磁極６Ａ上に残留させる。
【００７１】
次に、図８（Ｃ）に示すように、レジストＲＥ３をマスクとして、周囲の研磨停止層５０、金属層８及び磁性材料を、コア層４Ｘに到達するまでＡｒスパッタによるミリングなどを用いてエッチングすることで、金属層８から近接場光発生部８Ａ，８Ｂを切り出す。次に、ここでエッチングされた領域上にコア層４Ｙを堆積し、続いて、有機溶剤を用いてレジストＲＥ３を除去する。なお、完成品においては、図８（Ｃ）に示すように、エネルギー線ＬＢがコア層４Ｘ，４Ｙ内を通って主磁極６Ａの方向へ伝播するが、後述の製造の最終工程では図示の研磨ラインＬＰまで素子は研磨される。研磨ラインＬＰは主磁極６ＡのスリットパターンＰ２と基部パターンＰ２との間の境界部位に近くエネルギー線ＬＢの進行方向と垂直、すなわち媒体対向面に平行となるように設定される。
【００７２】
次に、図９（Ａ）に示すように、コア層４Ｙ及び研磨停止層５０を含む基板露出表面上にレジストＲＥ４を塗布し、スリットパターンＰ２の基部パターンＰ１側が開口するようにレジストＲＥ４のパターニングを行い、開口ＯＰを形成する。次に、図９（Ｂ）に示すように、レジストＲＥ４をマスクとして、この上に磁性材料を堆積し、レジストＲＥ４を剥離すると、磁気ヨークとなる磁性材料層６Ｃが主磁極６Ａに一部で物理的に接触した状態で形成される。
【００７３】
次に、図９（Ｃ）に示すように、磁性材料層６Ｃ及びコア層４Ｙを含む基板の露出表面上にコア層４Ｚを更にスパッタ法で堆積し、コア層４Ｚの露出表面を磁性材料層６Ｃが露出するまで化学機械研磨する。しかる後、導波路を形成するため、光伝播経路から横方向に所定距離離隔した領域のコア層４Ｚ、４Ｙ、４Ｘを、クラッドとしての絶縁層１Ｂ２に到達するまでエッチングする。エッチングしない領域には、レジストパターンを形成しておく。このエッチングには、上述のＲＩＥを用いることができる。
【００７４】
しかる後、コア層４Ｚ、４Ｙ、４Ｘからなるコア４の周囲に、クラッドとなる絶縁層１Ｂ４を堆積し、再び、その露出表面を磁性材料層６Ｃが露出するまで化学機械研磨する。このようにして平坦化された磁性材料層６Ｃ及び絶縁層１Ｂ４上に、上部磁性材料層６Ｄを形成し（図１０参照）、しかる後、その上にクラッドとなる絶縁層１Ｂ３を堆積する（図４参照）。
【００７５】
なお、上部磁性材料層６Ｄの形成に先立って、絶縁層１Ｂ４に副磁極を構成する下部磁性材料層６Ｂに到達するコンタクトホールを形成し、貫通磁性材料６Ｅをコンタクトホール内に形成しておき、貫通磁性材料６Ｅと下部磁性材料層６Ｂとも物理的に接触させておく。したがって、上部磁性材料層６Ｄを絶縁層１Ｂ４上に堆積すると、貫通磁性材料６Ｅと上部磁性材料層６Ｄとが物理的に接触し、下部磁性材料層６Ｂ、貫通磁性材料６Ｅ及び上部磁性材料層６Ｄが磁気的に結合する。なお、貫通磁性材料６Ｅは、螺旋状に巻かれた平面コイル５の渦巻きの中心に配置される。なお、各磁性材料層は、メッキ法によって形成することができる。
【００７６】
最後に、媒体対向面を図１０の矢印の方向にラッピング（研磨）して、図３に示した磁気ヘッド部１Ｂがスライダー基板１Ａ上に形成される。図３に示したように、スライダー１に、光源ユニット２を貼り合せると、熱アシスト磁気ヘッドが完成する。
【００７７】
図１１は、上述の熱アシスト磁気ヘッドの主磁極６Ａ近傍の媒体対向面の平面図である。
【００７８】
この熱アシスト磁気ヘッドは、第１の近接場光発生部８Ａ及び第２の近接場光発生部８Ｂが先端面に設けられるコア４と、コア４の周囲に設けられたクラッド（絶縁層１Ｂ２，１Ｂ４，１Ｂ３）とを備え、主磁極６Ａはコア４内に最深部が位置する溝ＧＲ内に設けられ、溝ＧＲの両側面に隣接して第１の近接場光発生部８Ａ及び第２の近接場光発生部８Ｂがそれぞれ位置している。
【００７９】
コア４内の伝播するエネルギー線は周囲のクラッド（絶縁層１Ｂ２，１Ｂ４，１Ｂ３）によって反射されながらその端面（媒体対向面）まで進行する。この端面には第１及び第２の近接場光発生部８Ａ，８Ｂが設けられているので、これらへのエネルギー線の照射に呼応して、近接場光が発生する。従来の構造では、近接場光発生部と主磁極とを近づけることができなかったが、本例では、コア４内に最深部が位置する溝ＧＲが設けられており、その内部に主磁極６Ａが設けられているため、第１及び第２の近接場光発生部８Ａ，８Ｂと主磁極６Ａとを近づけることができ、しかも、製造時の溝ＧＲの位置決め機能により、これらの位置決め精度が極めて高くなるという利点がある。なお、絶縁層５１はＡｌ２Ｏ３からなるが、これはスペーサーとして機能している。
【００８０】
以上、説明したように、上述の実施の形態に係る熱アシスト磁気ヘッドの製造方法は、クラッド（絶縁層１Ｂ２）上にコア（コア層４Ｘ）を形成する工程と、コア（コア層４Ｘ）上に金属層８を形成する工程と、金属層８上にスリットパターンＰ２を有するマスクを形成する工程と、マスクを介して、スリットパターンＰ２直下のコア（コア層４Ｘ）内に到達するまで、金属層８及びコア（コア層４Ｘ）をエッチングする工程と、エッチングによって形成された溝ＧＲ内に絶縁層５１を形成する工程と、溝ＧＲ内の絶縁層５１上に主磁極６Ａとなる磁性材料を形成する工程とを備えている。
【００８１】
この際のエッチングによって、金属層８はマスク直下の領域で分断され、第１及び第２の近接場光発生部８Ａ，８Ｂが形成される。スパッタ法なで形成される絶縁層５１の厚みは高精度に制御できるため、溝ＧＲ内に位置する主磁極６Ａと第１及び第２近接場光発生部８Ａ，８Ｂの距離は極めて精密に近接させることができ、しかも、これらはエッチングよる溝ＧＲを用いた自己整合によって、精密に位置決めされることとなる。
【００８２】
次に、溝ＧＲが上部のクラッドからコア内部にまで延びている例について説明する。
【００８３】
図１２は、この場合の熱アシスト磁気ヘッドの主磁極６Ａ近傍の媒体対向面の平面図である。
【００８４】
下部クラッドとなる絶縁層１Ｂ２上にはコア層４Ｘが位置し、コア層４Ｘ上には、近接場光発生部８Ａ，８Ｂが位置しており、その上にはコア層４Ｘ２が位置し、コア層４Ｘ２上には上部クラッドとなる絶縁層５２が位置している。絶縁層５２上には研磨停止層５０が形成されている。
【００８５】
また、コア４を構成するコア層４Ｘ，４Ｘ２の両側にはコアとなる別の絶縁層４０Ｙが位置しており、絶縁層４０Ｙの上にはクラッド４１Ｙが位置している。すなわち、絶縁層４１Ｙ，１Ｂ４、１Ｂ２から構成されるクラッド内に、コア層４Ｘ、４０Ｙ、４Ｘ２からなるコア４が位置しており、エネルギー線はコア４内を伝播し、近接場光発生部８Ａ，８Ｂの少なくとも対向部８Ａ１，８Ｂ１に照射される。エネルギー線は、近接場光発生部８Ａ，８Ｂの全体に照射されてもよい。コア材料はＴａＯＸ、クラッド材料はＡｌ２Ｏ３からなる。
【００８６】
次に、図１２に示した熱アシスト磁気ヘッドの製造方法について説明する。
【００８７】
図１３〜図１６は、熱アシスト磁気ヘッドの製造方法を説明するための熱アシスト磁気ヘッド中間体の斜視図である。なお、斜視図で示される素子の周辺にも他の要素が存在するが、同図中では特徴部の明確化のため、その記載を省略している。
【００８８】
まず、図１３（Ａ）に示すように、副磁極（補助磁極）６Ｂ上に、低屈折率材料からなる絶縁層（クラッド）１Ｂ２、低屈折率材料からなるコア層４Ｘ、近接場光発生部形成用の金属層８（説明の簡略化のため近接場光発生素子８と同一符号で示す）、コア層４Ｘ２、クラッドとなる絶縁層５２、研磨停止層５０を順次形成する。本例ではコア層４Ｘ、４Ｘ２としてＴａＯＸ、金属層８としてＡｕ、研磨停止層５０としてＴａを用いることとする。これらの層の形成法としてはスパッタ法を用いることができる。
【００８９】
次に、図１３（Ｂ）に示すように、エッチング液に対する溶解度が異なる２層のレジストＲＥ１，ＲＥ２を順次積層し、所望のパターンでこれを露光し、現像処理を行うことで、パターニングされたレジストＲＥ１，ＲＥ２を研磨停止層５０上に形成する。これらのレジスト材料の特性、レジストＲＥ１，ＲＥ２に形成されるパターンは、上述のものと同一である。
【００９０】
次に、図１３（Ｃ）に示すように、２層のレジストＲＥ１，ＲＥ２をマスクとして研磨グ停止層５０、絶縁層５２、コア層４Ｘ２、金属層８、コア層４Ｘに反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を施す。ＲＩＥのエッチングガスの材料としてはＣＦ４を用いることができる。これらの層は、レジストＲＥ１，ＲＥ２に形成されたパターンをトレースしながらエッチングされ、それぞれの層が基部パターンＰ１の一端に連続したスリットパターンＰ２を有することとなる。
【００９１】
このエッチングは、コア層４Ｘに到達するまで進行し、スリットパターンＰ２の直下にはＶ型の溝ＧＲが形成され、溝ＧＲの最深部がコア層４Ｘ内に位置することとなる。溝ＧＲの形成によって金属層８の端面の中央部は分断される。
【００９２】
次に、レジストＲＥ１，ＲＥ２からなるマスクをアセトン等の有機溶剤で剥離する。
【００９３】
次に、図１４（Ａ）に示すように、ＣＶＤ法で絶縁層５１を溝ＧＲの内面及び研磨停止層５０の上に堆積し、続いて、磁極を構成する磁性材料を絶縁層５１上に堆積し、その露出表面が研磨停止層５０に到達するまで化学機械研磨（ＣＭＰ）を実行する。なお、研磨停止層５０は、磁極を構成する磁性材料及び絶縁層５１よりも高硬度の材料からなる。
【００９４】
基部パターンＰ１内及びスリットパターンＰ２内に絶縁層５１が残留し、絶縁層５１上に磁性材料が形成されると、スリットパターンＰ２の直下の溝ＧＲ内には主磁極６Ａが形成されることとなる。
【００９５】
次に、図１４（Ｂ）に示すように、レジストＲＥ３を研磨停止層５０及び主磁極６Ａ上に塗布した後、レジストＲＥ３をパターニングし、レジストＲＥ３がスリットパターンＰ２を覆うようにこれを研磨停止層５０及び主磁極６Ａ上に残留させる。
【００９６】
次に、図１４（Ｃ）に示すように、レジストＲＥ３をマスクとして、周囲の研磨停止層５０、クラッドとなる絶縁層５２、コア層４Ｘ２、金属層８、磁性材料及びコア層４Ｘを、絶縁層１Ｂ２に到達するまでＡｒスパッタによるミリングなどを用いてエッチングすることで、金属層８から近接場光発生部８Ａ，８Ｂを切り出す。次に、ここでエッチングされた領域上にコア層４０Ｙ、絶縁層４１Ｙを順次堆積し、続いて、有機溶剤を用いてレジストＲＥ３を除去する。なお、完成品においては、図１４（Ｃ）に示すように、エネルギー線ＬＢがコア層４Ｘ，４Ｘ２，４０Ｙ内を通って主磁極６Ａの方向へ伝播するが、後述の製造の最終工程では図示の研磨ラインＬＰまで素子は研磨される。研磨ラインＬＰは上述の如く設定される。
【００９７】
次に、図１５（Ａ）に示すように、クラッドとなる絶縁層４１Ｙ及び研磨停止層５０を含む基板露出表面上にレジストＲＥ４を塗布し、スリットパターンＰ２の基部パターンＰ１側が開口するようにレジストＲＥ４のパターニングを行い、開口ＯＰを形成する。次に、図１５（Ｂ）に示すように、レジストＲＥ４をマスクとして、この上に磁性材料を堆積し、レジストＲＥ４を剥離すると、磁気ヨークとなる磁性材料層６Ｃが主磁極６Ａに一部で物理的に接触した状態で形成される。
【００９８】
次に、図１５（Ｃ）に示すように、磁性材料層６Ｃ及び絶縁層４１Ｙを含む基板の露出表面上にコア層４Ｚを更にスパッタ法で堆積し、コア層４Ｚの露出表面を磁性材料層６Ｃが露出するまで化学機械研磨する。しかる後、導波路を形成するため、光伝播経路から横方向に所定距離離隔した領域のコア層４Ｚ、絶縁層４１Ｙ、コア層４０Ｙを、クラッドとしての絶縁層１Ｂ２に到達するまでエッチングする。エッチングしない領域には、レジストパターンを形成しておく。このエッチングには、上述のＲＩＥを用いることができる。
【００９９】
しかる後、コア層４Ｚ、４Ｘ２、コア層４０Ｙを含むコア４の周囲に、クラッドとなる絶縁層１Ｂ４を堆積し、再び、その露出表面を磁性材料層６Ｃが露出するまで化学機械研磨する。このようにして平坦化された磁性材料層６Ｃ及び絶縁層１Ｂ４上に、上部磁性材料層６Ｄを形成し（図１６参照）、しかる後、その上にクラッドとなる絶縁層１Ｂ３を堆積する（図４参照）。
【０１００】
なお、図１６に示す貫通磁性材料６Ｅの製造方法は上述のものと同一である。なお、各磁性材料層は、メッキ法によって形成することができる。
【０１０１】
最後に、媒体対向面を図１６の矢印の方向にラッピング（研磨）して、図３に示した磁気ヘッド部１Ｂがスライダー基板１Ａ上に形成される。図３に示したように、スライダー１に、光源ユニット２を貼り合せると、熱アシスト磁気ヘッドが完成する。
【０１０２】
図１７は、変形例に係る熱アシスト磁気ヘッドの主磁極６Ａ近傍の媒体対向面の平面図である。
【０１０３】
上述の近接場光発生部８Ａ，８Ｂの平面形状は四角形であったが、これは同図に示すように、三角形であってもよい。この場合、近接場光発生部８Ａ，８Ｂとコア層４０Ｙとの間に適当なコア層４Ｘ３を介在させることができる。なお、上述のコア４は、屈折率の異なる複数の誘電体層からなることとしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１０４】
【図１】実施の形態に係るハードディスク装置の斜視図である。
【図２】ＨＧＡ１７の斜視図である。
【図３】図１に示した熱アシスト磁気ヘッド２１の近傍の拡大斜視図である。
【図４】図３に示した熱アシスト磁気ヘッドのＩＶ−ＩＶ矢印断面図である。
【図５】熱アシスト磁気ヘッドの電気的接続を示す図である。
【図６】近接場光発生素子８の近傍の斜視図である。
【図７】熱アシスト磁気ヘッドの製造方法を説明するための熱アシスト磁気ヘッド中間体の斜視図である。
【図８】熱アシスト磁気ヘッドの製造方法を説明するための熱アシスト磁気ヘッド中間体の斜視図である。
【図９】熱アシスト磁気ヘッドの製造方法を説明するための熱アシスト磁気ヘッド中間体の斜視図である。
【図１０】熱アシスト磁気ヘッドの製造方法を説明するための熱アシスト磁気ヘッド中間体の斜視図である。
【図１１】熱アシスト磁気ヘッドの主磁極６Ａ近傍の媒体対向面の平面図である。
【図１２】熱アシスト磁気ヘッドの主磁極６Ａ近傍の媒体対向面の平面図である。
【図１３】熱アシスト磁気ヘッドの製造方法を説明するための熱アシスト磁気ヘッド中間体の斜視図である。
【図１４】熱アシスト磁気ヘッドの製造方法を説明するための熱アシスト磁気ヘッド中間体の斜視図である。
【図１５】熱アシスト磁気ヘッドの製造方法を説明するための熱アシスト磁気ヘッド中間体の斜視図である。
【図１６】熱アシスト磁気ヘッドの製造方法を説明するための熱アシスト磁気ヘッド中間体の斜視図である。
【図１７】変形例に係る熱アシスト磁気ヘッドの主磁極６Ａ近傍の媒体対向面の平面図である。
【符号の説明】
【０１０５】
８Ａ，８Ｂ・・・近接場光発生部、６Ａ・・・主磁極、４・・・コア、５・・・コイル。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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