(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板及び／又はウエーハの処理装置のためのサセプタ・システムであって、
基板及び／又はウエーハが挿入される方向に直交する断面において、上側、下側、右側及び左側の４つの壁により上下左右の範囲を定められた処理チャンバー（１）、及び、少なくとも１個の加熱用ソレノイド（９）を備え、
外面により範囲を定められ、少なくとも上下に対向して配置される２個のサセプタ要素（２、３）を含み、そのうちの少なくとも１個のサセプタ要素は電磁誘導により加熱するのに適した材料から作られたサセプタ要素（２、３）を含み、
その少なくとも１個のサセプタ要素（２、３）が基板及び／又はウエーハが挿入される長手方向に伸びた少なくとも１個の貫通穴を有するように中空であり、該少なくとも１個の中空のサセプタ要素（２）の外面の第一の部分と、該少なくとも１個の中空のサセプタ要素（２）に対向して配置されるサセプタ要素（３）の外面の第一の部分は、それぞれ、処理チャンバー（１）の少なくとも上側の壁と下側の壁を構成し、かつ、少なくとも１個の中空のサセプタ要素（２）の外面の第二の部分と、該少なくとも１個の中空のサセプタ要素（２）に対向して配置されるサセプタ要素（３）の外面の第二の部分は、加熱用ソレノイド（９）に近接して配置され、
処理チャンバー（１）は、前記長手方向に伸びていて、その断面形状は、前記長手方向に一定であることを特徴とするサセプタ・システム。
【請求項２】
少なくとも１個のサセプタ要素（２、３）には少なくともその外面の第１の部分に熱的及び化学的防護部を設けてあることを特徴とする請求項１に基づくサセプタ・システム。
【請求項３】
その防護部は、少なくとも１個のサセプタ要素（２、３）の内側の不活性及び耐熱性の材料による少なくとも一層の表面層により構成されることを特徴とする請求項２に基づくサセプタ・システム。
【請求項４】
その防護部は、少なくとも１個のサセプタ要素（２、３）の外面に隣接した不活性及び耐熱性の材料による少なくとも１枚の板により構成されることを特徴とする請求項２に基づくサセプタ・システム。
【請求項５】
その防護部は、少なくとも１個のサセプタ要素（２、３）の内側の不活性及び耐熱性の材料による少なくとも一層の表面層及び少なくとも１個のサセプタ要素（２、３）の外面に隣接した不活性及び耐熱性の材料による少なくとも１枚の板の組み合わせにより構成されることを特徴とする請求項２に基づくサセプタ・システム。
【請求項６】
不活性及び耐熱性の材料が電気的絶縁性も有していることを特徴とする請求項３から５のいずれかに基づくサセプタ・システム。
【請求項７】
上下に対向して配置される２個のサセプタ要素（２、３）は、いずれも、中空のサセプタ要素であることを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに基づくサセプタ・システム。
【請求項８】
さらに、電気的に絶縁性で、かつ、不活性及び耐熱性でもある材料で作られていて、かつ、それぞれ、処理チャンバー（１）の右側の壁及び左側の壁として構成されるサセプタ要素（４、５）を含んでいることを特徴とする請求項７に基づくサセプタ・システム。
【請求項９】
導電性材料で作られ、かつ、それぞれ、処理チャンバー（１）の右側の壁及び左側の壁として機能するサセプタ要素（４、５）を含んでいることを特徴とする請求項７に基づくサセプタ・システム。
【請求項１０】
右側の壁及び左側の壁として構成されるサセプタ要素（４、５）には、少なくとも、処理チャンバー（１）に隣接した表面の部分上に熱的及び化学的防護部を設けていることを特徴とする請求項９に基づくサセプタ・システム。
【請求項１１】
右側の壁及び左側の壁として構成されるサセプタ要素（４、５）が中空でないことを特徴とする請求項８、９、１０のいずれかに基づくサセプタ・システム。
【請求項１２】
中空のサセプタ要素（２、３）の少なくとも１個が前記長手方向に一定形状で伸びていて、円形又は楕円形の外形を有する断面を有することを特徴とする請求項７から１１のいずれかに基づくサセプタ・システム。
【請求項１３】
中空でないサセプタ要素（４、５）の少なくとも１個が前記長手方向に一定形状で伸びていて、長方形又は台形の外形をしている断面を有していることを特徴とする請求項１１または１２に基づくサセプタ・システム。
【請求項１４】
４つの壁により範囲を定められた処理チャンバー（１）を備えている基板及び／又はウエーハを処理する装置であって、処理チャンバー（１）、及び、サセプタ要素（２、３、４、５）と処理チャンバー（１）の回りに巻かれて、電磁誘導によりサセプタ要素（２、３、４、５）を加熱する少なくとも１個のソレノイド（９）に隣接する請求項１から１３のいずれかに基づくサセプタ・システムを含むことを特徴とする装置。
【請求項１５】
サセプタ・システムが前記長手方向に伸びていて、サセプタ・システムの断面の外形が実質的に前記長手方向に一定で、円形又は楕円形であることを特徴とする請求項１４に基づく装置。
【請求項１６】
処理チャンバー（１）及びサセプタ要素（２、３、４、５）を囲んでいて、かつ、前記長手方向に伸びている耐熱性及び断熱性の材料の管により構成された第一の構造体（７）を含み、かつ、ソレノイド（９）がその第１の構造体（７）の回りに巻かれていることを特徴とする請求項１４又は１５に記載の装置。
【請求項１７】
その第一の構造体（７）を囲む第二の密封性構造体（８）を含み、かつ、ソレノイド（９）が第二の構造体も囲んで巻かれていることを特徴とする請求項１６に基づく装置。
【請求項１８】
サセプタ要素（２、３、４、５）の少なくとも１個の貫通穴（２１、３１）に少なくとも１系統のガス流を流すための手段を含むことを特徴とする請求項１４から１７のいずれかに基づく装置。
【請求項１９】
処理チャンバー（１）内に取付けられ、また、少なくとも１枚の基板又は少なくとも１枚のウエーハを保持するスライド（６）を含み、そのスライド（６）が前記長手方向に案内されながら滑ることができることを特徴とする請求項１４から１８のいずれかに基づく装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は基板及び／又はウエーハ（ｗａｆｅｒ）の処理装置のためのサセプタ・システム（ｓｕｓｃｅｐｔｏｒ  ｓｙｓｔｅｍ）及び該サセプタ・システムを含む装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
集積回路を製造するために、基板及び／又はウエーハを処理することが必要である。これらは、単一材料（半導体又は絶縁体）又はいくつかの材料（導電体、半導体及び絶縁体）から作られる。用語「基板」及び用語「ウエーハ」は実際には多くの場合同じものを意味する。即ち、極めて多くの場合、ディスク（ｄｉｓｃ）形状の薄い要素である。前者の用語「基板」は、その要素が通常半導体材料を保持する層又は構造にのみ基本的に使用されるときに用いられる。後者の用語「ウエーハ」は通常他の全ての場合で用いられている。
【０００３】
純粋な熱処理及び加熱を含む化学的・物理的処理がある。
【０００４】
一般に、半導体材料（Ｓｉ，Ｇｅ，ＳｉＧｅ，ＧａＡｓ，ＡｌＮ，ＧａＮ，ＳｉＣ，・・・）を基板上にエピタキシャル（ｅｐｉｔａｘｉａｌ）成長させるためには、その成長した材料の質がマイクロエレクトロニクス（ｍｉｃｒｏ  ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ）の用途に適するようにする場合、高い温度を必要とする。シリコン（ｓｉｌｉｃｏｎ）のような半導体材料の場合、典型的に１０００℃から１１００℃の温度が用いられる。炭化シリコンのような半導体材料の場合、それより高い温度が必要になる場合がある。特に１５００℃から２０００℃の温度が一般的に用いられる。
【０００５】
それゆえ、炭化シリコン又は同様の材料のエピタキシャル成長用反応装置は、他の事項と共に、熱を発生して、反応チャンバー（ｃｈａｍｂｅｒ）内でこれらの温度を実現できるシステムを必要とする。当然、システムが効果的だけでなく、効率的に熱を発生することが望ましい。これらの理由で、この種の反応装置内では、高温壁を持つ反応チャンバーを用いている。
【０００６】
反応チャンバーの壁を加熱するのに最も適当な方法のひとつは電磁誘導に基づく方法である。導電材料から作られた要素、誘導装置、（典型的に２ｋＨｚから２０ＫＨｚの周波数を有する）交流電流が提供される。その電流を誘導装置に流して、可変磁界を発生させる。要素は可変磁界に囲まれるように配置される。可変磁界により要素内に生じた電流がジュール（Ｊｏｕｌｅ）効果により要素の加熱を生じる。この種の加熱要素はサセプタ（ｓｕｓｃｅｐｔｏｒ）として知られ、適当な材料を用いている場合には反応チャンバーの壁として直接使用しうる。
【０００７】
炭化シリコン又は同様の材料のエピタキシャル成長用反応装置は、反応チャンバーを外部環境から十分に断熱して、特に熱損失を制限し、又、一方で、外部環境を汚染する反応ガスの放散を防止し、他方で、外部環境から反応環境を汚染するガスの流入を防止するために十分な密封をすることも必要である。
【０００８】
炭化シリコンの成長のために反応装置内で使用するのに適当な公知のサセプタの一部は以下の特許文献に簡単に示されている。
【０００９】
米国の特許文献１には（円形断面の）筒形サセプタを示している。それは、長手方向に伸びていて、実質的に長方形断面を持つ（反応チャンバーとして機能する）内部空間を有している。このサセプタは粉末状態の炭化シリコンで全体が作られ、そのサセプタを囲み、無線周波数の電界を放射する手段により加熱を行なっている。
【００１０】
米国の特許文献２は、（反応チャンバーとして機能する）２個の内部空間を有する（実質的に楕円形断面の）筒形サセプタを示している。２個の内部空間は長手方向に伸びていて、同じで、かつ、実質的に長方形の断面を有している。このサセプタは単一部品として、又は、それぞれが内部空間を有する２個の同一部品として形成しうる。サセプタの部品はグラファイト（ｇｒａｐｈｉｔｅ）から製作して、炭化シリコンの層で被覆する。２部品型サセプタの場合、部品をグラファイトねじにより機械的に結合し、特に炭化シリコンの層により、お互いに電気的に絶縁する。そのサセプタを囲む手段による電磁誘導で加熱が行なわれる。グラファイト内で生じた電流が各空間の全周を流れる。
【００１１】
米国の特許文献３は（反応チャンバーとして機能する）内部空間を有する（六角形断面の）プリズム（ｐｒｉｓｍａｔｉｃ）形サセプタを示している。内部空間は長手方向に伸びていて、長方形の断面を有している。このサセプタは４個の部品で作られている。サセプタの部品はグラファイトから製作して、炭化シリコンの層で被覆する。部品をグラファイトねじにより機械的に結合する。２枚の炭化シリコンの板がサセプタの上側と下側の部品をカバーして、上側と下側の部品をサイド（ｓｉｄｅ）の部品と分離するようにしている。そのサセプタを囲む手段による電磁誘導で加熱が行なわれる。グラファイト内で生じた電流が空間を囲む各部品内を流れる。
【特許文献１】米国特許第５，８７９，４６２号明細書
【特許文献２】米国特許第５，６７４，３２０号明細書
【特許文献３】米国特許第５，６９５，５６７号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明の目的は、基板及び／又はウエーハの処理装置のためのサセプタ・システム及び該サセプタ・システムを含む装置を提供することである。これはソレノイド（ｓｏｌｅｎｏｉｄ）による電磁誘導で加熱するのに適合している。処理チャンバーを均一に、効果的に、かつ、効率的に加熱する。特に、熱慣性が低く、加熱能力が良好である。構造も単純である。
【００１３】
この目的は独立請求項１に示された特徴を有するサセプタ・システムにより実現する。
【００１４】
本発明の根拠となるコンセプト（ｃｏｎｃｅｐｔ）は、中空で、かつ、その一部が（良好な伝熱のために）基板及び／又はウエーハの処理チャンバーに近接して配置され、かつ、その一部が（良好な磁気結合のために）ソレノイドに近接して配置される形状のサセプタ要素を用いることである。
【００１５】
本発明に基づくサセプタ・システムの有利な特徴は請求項１に直接的・間接的に従属している請求項に示されている。
【００１６】
別の側面に基づくと、本発明は、請求項１４に示す特徴を有する基板及び／又はウエーハの処理装置にも関係している。
【００１７】
本発明に基づく装置の有利な特徴は請求項１４に直接的・間接的に従属している請求項に示されている。
【００１８】
本発明は添付図面と一緒に検討することにより以下の説明から明らかになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
本発明は図面に示された実施例を参照して以下に説明されているが、これらの実施例に限定されない。
【００２０】
本発明に基づくサセプタ・システムは、基板及び／又はウエーハの処理装置のために特に設計されていて、少なくとも２枚の壁により範囲を定められた処理チャンバーと少なくとも１個の加熱用ソレノイドが設けられている。それは、外面により範囲を定められ、電磁誘導により加熱するのに適当な導電材料で作られたという特徴を有する少なくとも１個のサセプタ要素を含んでいる。これらの特徴を有する１以上のサセプタ要素が中空であり、その外面の第一の部分は処理チャンバーの壁として機能するのに適当であり、その外面の第二の部分は加熱用ソレノイドに近接して配置するのに適当である。
【実施例１】
【００２１】
図１を参照すると、処理チャンバーは１として示され、ソレノイドは９として示されている。図１の実施例では、２個の中空のサセプタ要素が導電材料で作られ、２及び３として示されている。又、２個の非中空のサセプタ要素は４及び５として示されている。サセプタ要素２、３、４、５のそれぞれが処理チャンバー１の壁として機能するのに適当な外面の第一の部分を有し、又、加熱用ソレノイド９に近接して配置するのに適当な外面の第二の部分を有している。
【００２２】
この配置により、サセプタ要素の形状を、その一部が処理チャンバーに近接して配置されて、良好な伝熱を生じ、かつ、その一部がソレノイドに近接して配置されて、良好な磁気結合を生じるようにしうる。電気的観点からは、中空のサセプタ要素が実質的にメッシュ（ｍｅｓｈ）になっていて、非常に重要なことに、（加熱を生じる）誘発電流のほぼ全てが処理チャンバーの直近を流れる。サセプタ要素が中空であるという事実により、その質量が著しく低く、かつ結果的に、その熱慣性が著しく低くなる。
【００２３】
処理チャンバーの壁として機能するサセプタ要素の外面の部分が処理チャンバーの高温及び浸食性の環境に耐えるようにしなければならない。この機能を容易にするために、サセプタ要素には、少なくともこの領域では熱的及び化学的防護部を都合良く設けられる。
【００２４】
この防護部はサセプタ要素の内側に不活性かつ耐熱性の材料の少なくとも一層の表面層を設けることにより実現しうる。これは図２及び図３の実施例の中空サセプタ要素２及び３に適用しうる。両方の実施例で、その層は処理チャンバーの限界を越えて伸びている。
【００２５】
代替策として、この防護部をサセプタ要素の外面に隣接した不活性及び耐熱性の材料から作られた少なくとも一枚の板により実現しうる。これは図４及び図５の中空サセプタ要素２及び３に適用しうる。両方の実施例で、板は処理チャンバーの限界を越えて伸びている。さらに、その防護部は代替的にサセプタ要素の内側にある少なくとも一層の表面層になる不活性及び耐火性の材料とサセプタ要素の外面に隣接した不活性及び耐火性の材料で作られた少なくも一枚の板の組合わせによっても実現しうる。
【００２６】
（ソレノイドにより誘発された）電流がサセプタ要素を通って流れるので、ある場合に処理チャンバー内での電気火花及び／又は漏電を防止するために、不活性及び耐火性の材料の層及び／又は板を電気的にも絶縁することが有利なことがある。
【００２７】
導電材料から作られたサセプタ要素を製造するのに特に適当な物質はグラファイトである。しかしながら、グラファイトは処理チャンバーの典型的環境に耐えられないので、化学的及び耐熱的観点から耐久性が高い材料により防護しなければならない。グラファイトの防護は厳密にはチャンバーに隣接した領域でのみ必要であるが、ある場合には、全体的防護又は少なくとも必要最小限の部分を越えて防護する方が便利であり及び／又は有利である。
【００２８】
防護用の層及び／又は板を作成するのに適当な化合物は炭化シリコンである。しかしながら、そのチャンバーが炭化シリコンのエピタキシャル成長にも使用される場合、他の物質と並んで、炭化ニオビウム、炭化ホウ素又は炭化タンタルのような耐久性の高い化合物を用いるのが望ましい。後の方の２物質は導電性も有している。
【００２９】
防護用の層及び／又は板を作るのに使用しうる他の化合物には、いくつかの窒化物がある。その中で、窒化シリコン、窒化アルミニウム、特に、窒化ホウ素を指摘しうる。例えば、炭化シリコンをチャンバー内で処理する場合、窒化物の使用には十分注意すべきである。事実、窒素原子が被覆層から離れると、窒化シリコンに吸収される。
【００３０】
層及び／又は板が導電性材料で作られる場合、例えば、炭化タンタル又は炭化ホウ素を使用しうる。
【００３１】
上記の化学物質はその同素形に、又、製造工程にも依存する物理的特性を有していることを説明すべきである。例えば、炭素、炭化シリコン及び窒化ホウ素は１種類を超える安定していて、極めて異なる物理特性を有する同素形を有している。この場合も、例えば、グラファイトを用いて、熱と電気の伝導性が良い物質と熱と電気の伝導性が悪い物質を製造することが可能である。最後になるが、化学物質をある材料に添加することでその物理的特性の一部を変更できる。
【００３２】
防護層は基本的に２種類の方法で製造しうる：化学的反応による、又は、物理的手法による。例えば、炭化物で作る層は一般にグラファイトの部品の上に化学反応により容易に生じうる。そのような層を専門的に作成する会社がある。
【００３３】
防護層の厚みに関しては、炭化シリコンの場合は例えば１００ｍであり、炭化タンタルの場合は例えば２０ｍである。用いられる厚みは他の条件もあるが、材料特性及び必要な機能による。
【００３４】
有利なことに、サセプタ要素は長手方向に伸びた少なくとも１個の穴、好ましくは貫通穴を持つように中空にしている。それゆえ、誘発した電流は必然的に周辺領域に閉じ込められて、それゆえ、必然的に処理チャンバーに非常に近接して流れる。これは、図面に示された全ての実施例が該当する。図面では、サセプタ要素２は貫通穴２１を有し、サセプタ要素３は貫通穴３１を有している。実際には、各サセプタ要素に対する貫通穴の数が１より多くて良いが、その効果は実質的に変化しない。
【００３５】
図面に示された全ての実施例が２個の中空サセプタ要素２、３を含んでいる。２個のサセプタ要素の一方の外面の第一の部分及び２個のサセプタ要素の他方の外面の第一の部分は、それぞれ、処理チャンバー１の上側壁と下側壁として機能するのに適している。２個のサセプタ要素の一方の外面の第二の部分及び２個のサセプタ要素の他方の外面の第二の部分は、加熱用ソレノイド９に近接して配置するのに適している。それゆえ、その利益は量的に２倍になる。
【００３６】
２枚の壁が適切な形状であれば、（上側と下側で）処理チャンバーの範囲を完全に定められるのに十分である。しかしながら、図面に示された全ての実施例で、それぞれ処理チャンバー１の右側の壁と左側の壁として機能するのに適当な２個のサセプタ要素４、５をさらに含めるのが望ましい。
【００３７】
本発明に基づくサセプタ・システムが４個のサセプタ要素から成っている場合でさえ、図面に示された全ての実施例と同様に、その構造は非常に簡単である。事実、図１に示すように、壁をお互いに近接して配置して、適当な区画内に挿入することが簡単にできる。しかしながら、要素の相互結合のために単純な長手方向のリブ（ｒｉｂｓ）及び／又は溝によりサセプタ・システムの構造を強化できる。
【００３８】
これらのサイドのサセプタ要素は、電気的絶縁性に加えて不活性及び耐熱性の材料から作りうる。それにより、処理チャンバーの高温及び浸食性環境に耐えることができ、同時に、中空サセプタ内を流れる電流の漏電を防止し、かつ、電気的火花の可能性を低減できる。
【００３９】
サイドのサセプタ要素の製作に特に適当な化合物は炭化シリコンである。さらに、この場合、それらは熱を良く伝えるので、良好な受動加熱を実現する。
【００４０】
サイドのサセプタ要素を製作するのに特に適当な他の化合物は窒化ホウ素である。この場合も、熱を良く伝えるので、良好な受動加熱を実現する。事実、この化合物は、グラファイトに類似した物理特性を持つ六角形の同素形と、ダイアモンドに類似した物理特性を持つ立方体の同素形を有している。製造工程により一方又は他方の同素形を製造しうる。
【００４１】
代替的に、サイドのサセプタ要素を導電材料で製作して、処理チャンバーの加熱に積極的に貢献しうる。この場合でも、処理チャンバーに近接した表面の部分が、処理チャンバーの高温と浸食性環境に耐えられるようにしなければならない。この機能を容易にするために、これらのサセプタ要素には、少なくともこの領域で熱的及び化学的防護部を有利に設けられる。
【００４２】
図３及び図４の実施例で、サイドのサセプタ要素４及び５には、サセプタ要素の内側に不活性及び耐熱性の材料の少なくとも一層の表面層による防護部が設けられる。
【００４３】
図５の実施例では、サイドのサセプタ要素４及び５には、サセプタ要素の表面に隣接した不活性及び耐熱性材料の少なくとも１枚の板による防護部が設けられる。
【００４４】
サセプタ２及び３の製作方法に基づいて、サイドのサセプタ要素の防護部を導電材料又は電気絶縁材料から作ることができる。
【００４５】
サイドのサセプタ要素を処理チャンバーの主要加熱源として使用しない場合、中空でなければ、単純になり、それゆえ、有利である。この場合、サイドのサセプタ要素は上側及び下側のサセプタ要素よりずっと小さい。このことは、図面に示された全ての実施例に適用される。
【００４６】
図面に示された全ての実施例に共通する最適の形状案は、長手方向に実質的に一定に伸びていて、断面が実質的に円形又は楕円形の一部となる外形を有している中空のサセプタ要素、及び、長手方向に実質的に一定に伸びていて、断面が実質的に長方形又は台形である非中空のサセプタ要素から成っている。
【００４７】
この種のサセプタ・システムは典型的に基板及び／又はウエーハを処理するのに適したタイプの装置で使用しうる。このことは本発明の別の側面である。
【００４８】
本発明に基づく装置について図１をそれに限定しないで参照しながら以下に示す。
【００４９】
本発明に基づく装置には、少なくとも２枚の壁により範囲を定められた処理チャンバーが設けられ、基本的に、処理チャンバーに隣接した中空のサセプタ要素を持つサセプタ・システム、サセプタ・システムの回りに巻付けられた少なくとも１個のソレノイド、及び、処理チャンバーから成っていて、電磁誘導によりサセプタ・システムを加熱するのに適当である。
【００５０】
図１では、処理チャンバーを１として示している。サセプタ・システムは２、３、４、５と示した４個のサセプタ要素から成っていて、その内、要素２及び３として示された２個は中空である。ソレノイドは９と示されている。
【００５１】
有利なことに、サセプタ・システムが装置内を長手方向に伸びていて、本発明に基づくサセプタ・システムの断面の外形は長手方向に実質的に一定であり、実質的に円形又は実質的に楕円形である。それゆえ、サセプタ・システムは実際に作りやすく、その加熱用ソレノイドとの組合わせも容易である。
【００５２】
有利なことに、装置の処理チャンバーの断面形状も長手方向で実質的に一定であり、事実、実際の実施も簡単である。
【００５３】
公知の反応装置内では、前駆体の低濃度を補償するために、チャンバーの断面が長手方向に縮小する。代わりに、本発明では、基板又はウエーハを回転させ、かつ、大流量の反応ガスを用いることによりこの問題を解決している。この大流量のガスは反応チャンバーから固体粒子を効果的かつ迅速に除去するのにも有利である。
【００５４】
処理チャンバーの平均幅は、処理チャンバーの平均高さの少なくとも３倍が好ましく、さらに好ましくは少なくとも５倍である。それゆえ、実際に、処理チャンバーの加熱は中空のサセプタ要素の壁に大幅に依存している。
【００５５】
本発明に基づく装置は、処理チャンバー１及びサセプタ・システム２、３、４、５を囲み、かつ、長手方向に伸びている耐熱性で断熱性の材料による管から実質的に成っている第一の構造体７を有利に含んでいる。この場合、ソレノイド９が第一の構造体７の回りに巻かれている。
【００５６】
本発明に基づく装置は、第一の構造体７を囲むのに適している第二の密封性構造体８も有利に含んでいる。この場合、さらに、ソレノイド９が第二の構造体８の回りに巻かれている。
【００５７】
これらの構造体は単一の部品又はお互いに結合するのに適した数個の部品として形成しうる。
【００５８】
装置のサセプタ・システムが図面内に示した実施例のように貫通穴が設けられている場合、装置は、少なくとも１個の穴の中を少なくとも１系統のガス流を流すのに適当な手段を有利に含んでいる。ガス流は穴の内壁から離れた粒子を除去するのに役立つ。さらに、ガス流はサセプタ・システムの温度を僅かに修正するのにも役立つ。前者の機能にはアルゴン又はより一般的に不活性ガスが特に適当である。後者の機能特に冷却するのに例えば水素が適当である。
【００５９】
本発明に基づく装置は、図６Ａに６と示されていて、処理チャンバー内に取付けられ、少なくとも１枚の基板又は少なくとも１枚のウエーハを保持するのに適したスライドを有利に含んでいる。そのスライドは長手方向に案内されるように滑ることができる。それゆえ、基板又はウエーハを挿入し、又、取出す作業が容易になる。事実、基板又はウエーハが処理チャンバーの外部で操作され、スライドの動きにより挿入され、又、取出される。      
【００６０】
実際に、ガイドを持つことはサセプタ・システム（図６の実施例で、下部サセプタ要素３）用に配置するのに便利である。そのガイドは図６Ｂで３２と示され、図６Ａで６と示したスライドを受けるのに適していて、スライドがガイドに沿って滑ることができるように長手方向に伸びている。図６の実施例で、ガイド３２は全体がサセプタ要素３内に形成される。又、スライド６はサセプタ要素３の平坦な上面と実質的に位置合わせされた平坦な上面を有している。それゆえ、処理チャンバー１の有効断面は（スライド６が設けられていない場合のように）実質的に長方形で、一定である。
【００６１】
基板又はウエーハのより均一な処理を達成するために、スライドは、少なくとも１枚の基板又は少なくとも１枚のウエーハを保持するのに適した少なくとも１枚のディスクを含み、そのディスクを回転可能に収容するための凹部が設けられる。図６の実施例で、スライド６は図６Ａに６１として示された一枚のディスクを含み、それを収容するために図６Ａに６２と示されている対応する凹部が設けられている。
【００６２】
本発明に基づく装置は、基板上に炭化シリコン又は同様の材料にエピタキシャル成長をするための反応装置のような別の要素を追加して使用できる。
【００６３】
炭化シリコンは非常に有望であるが、取扱いが非常に困難でもある半導体材料である。上記の特徴の多くは特にこの用途のために、又、この材料のために設計されている。
【００６４】
本発明に基づく装置は、ウエーハの高温熱処理用装置のような別の要素を追加しても使用できる。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】本発明に基づくサセプタ・システムに若干の追加要素を付けた概略の不等角投影図である。
【図２】本発明に基づくサセプタ・システムの第一の実施例を断面で示す略図である。
【図３】本発明に基づくサセプタ・システムの第二の実施例を断面で示す略図である。
【図４】本発明に基づくサセプタ・システムの第三の実施例を断面で示す略図である。
【図５】本発明に基づくサセプタ・システムの第四の実施例を断面で示す略図である。
【図６Ａ−Ｂ】本発明に基づくサセプタ・システムの下側の壁にスライドを設けて、それぞれがそのスライドを完全に挿入した場合と、スライドを取り外した場合の概略の不等角投影図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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