(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材フィルムと、
前記基材フィルム上に位置する光−熱変換層と、
前記光−熱変換層上に位置する第１バッファ層と、
前記第１バッファ層上に位置し、かつドーパントと発光用ホスト物質とで形成された転写層と、
前記転写層上に位置する第２バッファ層と、を備え、
前記第１バッファ層及び前記第２バッファ層は、前記転写層と同じ発光用ホスト物質で形成することを特徴とする平板表示素子用ドナー基板。
【請求項２】
前記第１バッファ層及び前記第２バッファ層は、ＣＢＰ、ＣＢＰ誘導体、ｍＣＰ、ｍＣＰ誘導体及びスピロ系誘導体よりなる群から選ばれたいずれか１つであることを特徴とする請求項１に記載の平板表示素子用ドナー基板。
【請求項３】
前記第１バッファ層及び前記第２バッファ層は、リン光発光用ホスト物質で形成することを特徴とする請求項１に記載の平板表示素子用ドナー基板。
【請求項４】
前記第１バッファ層は、スピンコーティング、ロールコーティング、ディップコーティング、グラビアコーティング及び蒸着よりなる群から選ばれたいずれか１つの方法で形成することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の平板表示素子用ドナー基板。
【請求項５】
前記第１バッファ層は、１ｎｍ−３ｎｍの厚さで形成することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の平板表示素子用ドナー基板。
【請求項６】
前記転写層は、発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層などの有機膜よりなる群から選ばれる１つの単層膜または１つ以上の多層膜で形成することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の平板表示素子用ドナー基板。
【請求項７】
前記有機膜は、各々低分子物質を含む有機膜であることを特徴とする請求項６に記載の平板表示素子用ドナー基板。
【請求項８】
前記光−熱変換層と前記第１バッファ層との間に介在された中間層をさらに備えることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の平板表示素子用ドナー基板。
【請求項９】
前記第２バッファ層は、スピンコーティング、ロールコーティング、ディップコーティング、グラビアコーティング及び蒸着よりなる群から選ばれたいずれか１つの方法で形成することを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の平板表示素子用ドナー基板。
【請求項１０】
前記第２バッファ層は、１ｎｍ−３ｎｍの厚さで形成することを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の平板表示素子用ドナー基板。
【請求項１１】
下部電極が形成された素子基板を用意し、
前記素子基板から離隔されて位置し、かつ基材フィルムと、前記基材フィルム上に光−熱変換層と、第１バッファ層と、転写層と、第２バッファ層とを順に積層して製造したドナー基板を、前記転写層が前記素子基板に対向するように配置し、
前記ドナー基板の所定領域にレーザーを照射して、前記第１バッファ層と、前記転写層及び前記第２バッファ層を前記下部電極上に転写することによって、前記下部電極上に有機膜パターンを形成することを含み、
前記第１バッファ層及び前記第２バッファ層は、前記転写層と同じ発光用ホスト物質で形成することを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。
【請求項１２】
前記有機膜パターンは、発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層などの有機膜よりなる群から選ばれる１つの単層膜または２層以上の多層膜であることを特徴とする請求項１１に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項１３】
前記有機膜は、各々低分子物質を含む有機膜であることを特徴とする請求項１２に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、平板表示素子用ドナー基板及びそれを用いた有機電界発光素子の製造方法に関し、より詳細には、レーザー熱転写法で転写層を素子基板上に転写する時、転写層の貼り付きや切れなどの問題を解決するために、適切な接着力を有するバッファ層を転写層の上部または下部に形成することによって、転写効率を向上させることができるドナー基板及びそれを用いた有機電界発光素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、平板表示素子である有機電界発光素子は、アノード電極と、カソード電極と、アノード電極とカソード電極との間に介在された有機膜と、を含む。有機膜は、少なくとも発光層を含み、発光層の他、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、及び電子注入層をさらに含むことができる。このような有機電界発光素子は、有機膜、特に、発光層を構成する物質によって高分子有機電界発光素子と低分子有機電界発光素子とに分けられる。
【０００３】
このような有機電界発光素子において、フルカラー有機電界発光素子を実現するために発光層をパターニングしなければならないが、発光層をパターニングするための方法には、低分子有機電界発光素子の場合、微細パターンマスク（ｆｉｎｅ  ｍｅｔａｌ  ｍａｓｋ）を使用する方法があり、高分子有機電界発光素子の場合、インクジェットプリンティングまたはレーザー熱転写法（Ｌａｓｅｒ  Ｉｎｄｕｃｅｄ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ｉｍａｇｉｎｇ；以下、ＬＩＴＩという）がある。これらのうち、ＬＩＴＩは、前記有機膜を微細にパターニングすることができるという長所があるだけでなく、前記インクジェットプリンティングがウェット工程であるのに対し、ＬＩＴＩは、ドライ工程であるという長所がある。
【０００４】
このようなＬＩＴＩによる高分子有機膜のパターン形成方法は、少なくとも光源と、有機電界発光素子基板、すなわち素子基板と、ドナー基板とを必要とする。ドナー基板は、基材フィルムと、光−熱変換層と、有機膜からなる転写層とで構成される。素子基板上に、ドナー基板に形成されている有機膜のパターニングは、光源から出た光がドナー基板の光−熱変換層に吸収され、熱エネルギーに変換され、その熱エネルギーにより転写層を構成する有機膜が素子基板上に転写されることによって行われる。これは、特許文献１−４に開示されている。
【０００５】
図１Ａ及び図１Ｂは、ＬＩＴＩによる一般的な有機膜の転写過程において転写メカニズムを説明する断面図である。
【０００６】
図１Ａに示すように、ドナー基板Ｓ１は、基材フィルムＳ１ａと、光−熱変換層Ｓ１ｂと、転写層とで構成されていて、ドナー基板Ｓ１には、有機膜Ｓ１ｃで形成された転写層が第１接着力Ｗｂｃにより光−熱変換層Ｓ１ｂに取り付けられている。ドナー基板Ｓ１の下部には、素子基板Ｓ２が位置する。
【０００７】
図１Ｂに示すように、基材フィルムＳ１ａ上の第２領域Ｒ２を除いた第１領域Ｒ１にレーザーによる光が照射される。基材フィルムＳ１ａを通過した光は、光−熱変換層Ｓ１ｂで熱に変換され、この熱は、第１領域Ｒ１の第１接着力Ｗｂｃに変化を誘発し、転写層Ｓ１ｃを素子基板Ｓ２に転写させる。このような転写過程において、有機膜Ｓ１ｃの転写特性を左右する因子は、第２領域Ｒ２におけるドナー基板Ｓ１の光−熱変換層Ｓ１ｂと有機膜Ｓ１ｃとの第１接着力Ｗｂｃと、有機膜Ｓ１ｃ内の粘着力Ｗｃｃ、及び有機膜Ｓ１ｃと素子基板Ｓ２との第２接着力Ｗ１２である。特に、第１接着力Ｗｂｃが小さい場合は、有機膜Ｓ１ｃがドナー基板Ｓ１から非常に容易に剥離され、レーザーにより光が照射されていない第２領域Ｒ２の有機膜Ｓ１ｃ、すなわち転写されてはならない部分の有機膜Ｓ１ｃをも転写してしまい、有機電界発光素子の不良を引き起こすという問題があった。この問題は、有機膜Ｓ１ｃが低分子物質を含む場合において更に顕著になる。
【特許文献１】大韓民国特許出願第１９９８−０５１８４４号明細書
【特許文献２】米国特許第５，９９８，０８５号明細書
【特許文献３】米国特許６，２１４，５２０号明細書
【特許文献４】米国特許６，１１４，０８８号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、前述したような従来技術の問題を解決するためになされたもので、その目的は、適切な接着力を有する第１、第２バッファ層を、有機膜で形成された転写層の上部または下部に形成することによって、ＬＩＴＩで転写層を素子基板上に転写する時に誘発し得る転写層の貼り付きや切れなどの問題を解決し、転写効率を向上させることができるドナー基板及びそれを用いた有機電界発光素子の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る平板表示素子用ドナー基板は、基材フィルムと、前記基材フィルム上に位置する光−熱変換層と、前記光−熱変換層上に位置する第１バッファ層と、前記第１バッファ層上に位置し、かつドーパントと発光用ホスト物質とで形成された転写層と、前記転写層上に位置する第２バッファ層と、を備え、前記第１バッファ層及び前記第２バッファ層は、前記転写層と同じ発光用ホスト物質で形成することを特徴とする。
【００１０】
また、本発明の他の態様に係る有機電界発光素子の製造方法は、下部電極が形成された素子基板を用意し、前記素子基板から離隔されて位置し、かつ基材フィルムと、前記基材フィルム上に光−熱変換層と、第１バッファ層と、転写層と、第２バッファ層とを順に積層して製造したドナー基板を、前記転写層が前記素子基板に対向するように配置し、前記ドナー基板の所定領域にレーザーを照射して、前記第１バッファ層と、前記転写層及び前記第２バッファ層を前記下部電極上に転写することによって、前記下部電極上に有機膜パターンを形成することを含み、前記第１バッファ層及び前記第２バッファ層は、前記転写層と同じ発光用ホスト物質で形成することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、平板表示素子用ドナー基板を製造するにあたって、光−熱変換層と転写層との間に第１バッファ層を形成し、前記転写層上に第２バッファ層を形成し、サンドウィッチタイプで全層を形成することによって、前記転写層のドナー基板及び素子基板に対する接着力を改善させることができる。結果として、前記ドナー基板を使用して基板上に前記転写層を転写させて、有機膜パターンを形成するにあたって、パターン不良のない良好なパターンを形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
本発明の上記目的と技術的構成及びそれによる作用効果に関する詳細は、本発明の好ましい実施形態を示す図面を参照とした以下の詳細な説明により明確になる。しかしながら、本発明は、以下の実施形態に限定されるものではなく、他の形態に具体化することができる。ここで紹介される実施形態は、本発明の技術内容を明らかにするものであって、当業者に本発明の思想が十分に伝達され得るようにするために一例として提示されるものである。なお、図面において、層が他の層上に、または基板上に位置すると言及される場合に、それは、他の層上に、または基板上に直接形成される場合があり、または、それらの間に第３の層が介在される場合もある。本発明の好ましい実施形態を示す図面は、明確な説明のために誇張して図示される。また、明細書全体にわたって同じ参照番号は同じ構成要素を示す。
【００１３】
以下、添付の図面を参照して、本発明に係る好ましい実施形態を詳細に説明する。
【００１４】
図２は、本発明の実施形態に係る平板表示素子用ドナー基板及びその製造方法を説明する断面図である。
【００１５】
図２に示すように、基材フィルム５０を用意し、基材フィルム５０上に光−熱変換層（Ｌｉｇｈｔ−Ｔｏ−Ｈｅａｔ  Ｃｏｎｖｅｒｓｉｏｎ  ｌａｙｅｒ；ＬＴＨＣ）５５を形成する。
【００１６】
前記基材フィルム５０は、透明性高分子からなるが、このような高分子には、ポリエチレンテレフタレートのようなポリエステル、ポリアクリル、ポリエポキシ、ポリエチレン、ポリスチレンなどを使用する。これらのうち、ポリエチレンテレフタレートフィルムを主に使用する。基材フィルム５０は、支持フィルムとしての光学的性質と機械的安定性を有しなければならない。基材フィルム５０の厚さは、１０−５００μｍであることが好ましい。
【００１７】
光−熱変換層５５は、赤外線−可視光線領域の光を吸収し、光の一部を熱に変換させる層であって、光学密度（ｏｐｔｉｃａｌ  ｄｅｎｓｉｔｙ）を有し、光吸水性物質を含む。光−熱変換層５５には、例えば、アルミニウム酸化物またはアルミニウム硫化物を光吸水性物質として含む金属膜と、カーボンブラック、黒鉛や、赤外線染料を光吸水性物質として含む高分子有機膜とがある。金属膜の場合は、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法またはスパッタリングを用いて１００−５，０００Å厚さで形成することが好ましい。また、高分子有機膜の場合は、一般的なフィルムコーティング方法であるロールコーティング（ｒｏｌｌ  ｃｏａｔｉｎｇ）、グラビア（ｇｒａｖｕｒｅ）、押出（ｅｘｔｒｕｓｉｏｎ）、スピン（ｓｐｉｎ）及びナイフ（ｋｎｉｆｅ）コーティング方法を用いて０．１−１０μｍ厚さで形成することが好ましい。
【００１８】
次に、光−熱変換層５５上に中間層（ｉｎｔｅｒｌａｙｅｒ）６０を形成する。中間層６０は、光−熱変換層５５に含まれた光吸水性物質、例えば、カーボンブラックが後続工程で形成されるべき転写層７０を汚染させることを防止する役目をする。中間層６０は、アクリル樹脂（ａｃｒｙｌｉｃ  ｒｅｓｉｎ）またはアルキド樹脂（ａｌｋｙｄ  ｒｅｓｉｎ）で形成することができる。中間層６０の形成は、溶媒コーティングなどの一般的なコーティング過程と紫外線硬化過程などの硬化過程を経て行われる。
【００１９】
次に、光−熱変換層５５上に、または、中間層６０が形成された場合は、中間層６０上に、第１バッファ層６５を形成する。
【００２０】
前記第１バッファ層６５は、下記の工程で形成される転写層７０と、転写層７０上に形成されている光−熱変換層５５または中間層６０との接着力Ｗｂｃ１を改善するために形成する。転写層７０と光−熱変換層５５または中間層６０との接着力Ｗｂｃ１が強い場合、転写層７０に形成されている有機膜が素子基板（図３の１００）上に転写される時、光−熱変換層５５または中間層６０で切れてしまうという現象が発生する。これとは反対に、接着力Ｗｂｃ１が弱い場合、転写層７０を転写する過程において、転写層７０がドナー基板８０から非常に容易に剥離され、素子基板１００上に転写されてはならない部分をも転写されてしまうパターニング不良など、有機膜が素子基板１００に貼り付けられてしまう現象を引き起こす。前述の問題を解決するために、容易に貼り付けられてしまうか、切れてしまう現象を防止できる程度の接着力Ｗｂｃ１を有する物質で、転写層７０と、光−熱変換層５５または中間層６０との間に第１バッファ層６５を形成する。第１バッファ層６５は、転写層７０に使われる物質と同じリン光発光用ホスト物質で形成する。第１バッファ層６５の物質としては、アリルアミン系、カルバゾール系及びスピロ系よりなる群から選ばれる１つの物質を含むことができる。好ましくは、リン光ホスト物質は、ＣＢＰ（４，４−Ｎ，Ｎ−ｄｉｃａｒｂａｚｏｌｅｂｉｐｈｅｎｙｌ）、ＣＢＰ誘導体、ｍＣＰ（Ｎ，Ｎ−ｄｉｃａｒｂａｚｏｌｙｌ−３，５−ｂｅｎｚｅｎｅ）、ｍＣＰ誘導体及びスピロ系誘導体よりなる群から選ばれるいずれか１つの物質である。本発明では、第１バッファ層６５の形成物質として、公知のホスト物質であるＴＭＭ００４（Ｃｏｖｉｏｎ社）を用いて形成する。結果として、第１バッファ層６５の導入により転写層７０の転写特性を改善することができる。また、第１バッファ層６５は、転写過程において、素子基板１００に対して緩衝材の役目をして、パターニング不良を低減することができる。
【００２１】
また、第１バッファ層６５は、スピンコーティング、ロールコーティング、ディップコーティング、グラビアコーティング、蒸着などのような方法で形成され、１ｎｍ−３ｎｍの厚さで形成する。第１バッファ層６５の厚さを１ｎｍ以下に形成する場合、ドナー基板８０の表面に形成される第１バッファ層６５の厚さがあまりにも薄すぎて、接着性Ｗｂｃ１が改善されず、３ｎｍ以上に形成する場合、前記第１バッファ層６５で形成される物質自体の特性が有機膜で形成された転写層７０に発現され、駆動電圧の上昇など有機電界発光素子の特性を低下させるという問題を引き起こす。
【００２２】
次に、第１バッファ層６５上に転写層７０を形成する。
【００２３】
転写層７０は、発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層などの有機膜よりなる群から選ばれる１つの単層膜または１つ以上の多層膜で形成することができる。好ましくは、有機膜は、各々低分子物質を含む有機膜である。低分子物質を含む有機膜は、一般的に接着力Ｗｃｃが良好ではないので、第１バッファ層６５の導入により転写特性改善の程度を大きくすることができる。また、低分子物質の一部は、熱的安定性が低いため、低分子物質を含む転写層７０の場合、ＬＩＴＩによる転写過程において光−熱変換層５５で発生する熱により転写層７０が損傷される現象があり得るが、第１バッファ層６５は、熱を調節できるので、このような熱損傷を防止することができる。
【００２４】
発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層などの有機膜は、一般的に使われる材料ならいずれも使用可能である。好ましくは、発光層には、赤色発光材料であるＡｌｑ３（ホスト）／ＤＣＪＴＢ（蛍光ドーパント）、Ａｌｑ３（ホスト）／ＤＣＭ（蛍光ドーパント）またはＣＢＰ（ホスト）／ＰｔＯＥＰ（リン光有機金属錯体）などの低分子物質と、ＰＦＯ系高分子、ＰＰＶ系高分子などの高分子物質とを使用することができる。また、緑色発光材料であるＡｌｑ３（ホスト）、Ａｌｑ３（ホスト）／Ｃ５４５ｔ（ドーパント）またはＣＢＰ（ホスト）／ＩｒＰＰｙ（リン光有機金属錯体）などの低分子物質と、ＰＦＯ系高分子、ＰＰＶ系高分子などの高分子物質を使用することができる。また、青色発光材料であるＤＰＶＢｉ、ＳＥＰＩＬＯ−ＤＰＶＢｉ、スピロ−６Ｐ、ジスチルベンゼン（ＤＳＢ）またはジスチリルアレン（ＤＳＡ）などの低分子物質と、ＰＦＯ系高分子、ＰＰＶ系高分子などの高分子物質とを使用することができる。前記正孔注入層には、ＣｕＰｃ、ＴＮＡＴＡ、ＴＣＴＡまたはＴＤＡＰＢのような低分子と、ＰＡＮＩ、ＰＥＤＯＴのような高分子物質を使用することができる。また、正孔輸送層には、アリルアミン系低分子、ヒドラゾン系低分子、スチルベン系低分子、スターバースト系低分子としてＮＰＢ、ＴＰＤ、ｓ−ＴＡＤまたはＭＴＡＤＡＴＡなどの低分子と、カルバゾール系高分子、アリルアミン系高分子、ペリレン系及びピロール系高分子としてＰＶＫのような高分子物質とを使用することができる。前記電子輸送層には、ＰＢＤ、ＴＡＺ、ｓｐｉｒｏ−ＰＢＤのような高分子と、Ａｌｑ３、ＢＡｌｑ、ＳＡｌｑのような低分子物質を使用することができる。また、電子注入層には、Ａｌｑ３、ガリウム混合物（Ｇａ  ｃｏｍｐｌｅｘ）、ＰＢＤのような低分子物質やオキサジアゾール系高分子物質を使用することができる。
【００２５】
転写層７０の形成は、一般的なコーティング方法である押出、スピン、ナイフコーティング方法、真空蒸着法またはＣＶＤなどの方法を用いて１００−５０，０００Å厚さでコーティングする。
【００２６】
次に、転写層７０上に第２バッファ層７５を形成する。
【００２７】
第２バッファ層７５は、第１バッファ層６５と同じ物質を使用してサンドウィッチタイプで形成する。第２バッファ層７５は、転写層７０と素子基板１００との接着力（図３のＷｂｃ２）を改善させるために形成する。転写層７０と素子基板１００との接着力が強い場合、転写層７０に形成されている有機膜が素子基板１００上に転写される時、転写層７０の有機膜が素子基板１００で切れてしまうという現象が発生する。これとは反対に、接着力が弱い場合、有機膜を転写する過程において、転写層７０に形成された有機膜が素子基板１００から非常に容易に剥離されるなどのパターニング不良などを引き起こす。前述の問題を解決するために、素子基板１００上に容易に転写できる接着力Ｗｂｃ２を有する物質で第２バッファ層７５を形成する。第２バッファ層７５は、リン光発光用ホスト物質で形成する。第２バッファ層７５を形成する物質には、アリルアミン系、カルバゾール系及びスピロ系よりなる群から選ばれる１つの物質を含むことができる。好ましくは、ホスト物質は、ＣＢＰ（４，４−Ｎ，Ｎ−ｄｉｃａｒｂａｚｏｌｅｂｉｐｈｅｎｙｌ）、ＣＢＰ誘導体、ｍＣＰ（Ｎ，Ｎ−ｄｉｃａｒｂａｚｏｌｙｌ−３，５−ｂｅｎｚｅｎｅ）、ｍＣＰ誘導体及びスピロ系誘導体よりなる群から選ばれるいずれか１つの物質である。本発明では、第２バッファ層７５を形成する物質として、公知のホスト物質であるＴＭＭ００４（Ｃｏｖｉｏｎ社）を用いて形成する。その結果として、第２バッファ層７５の導入により転写層７０の素子基板１００への転写特性を改善することができる。また、第２バッファ層７５は、転写過程において、素子基板１００に対して緩衝材の役目をして、パターニング不良を低減することができる。
【００２８】
また、第２バッファ層７５は、スピンコーティング、ロールコーティング、ディップコーティング、グラビアコーティングまたは蒸着などのような方法で形成され、１ｎｍ−３ｎｍの厚さで形成する。第２バッファ層７５の厚さを１ｎｍ以下に形成する場合、前記ドナー基板８０の表面に形成される第２バッファ層７５の厚さがあまりにも薄すぎて、接着性Ｗｂｃ２が改善されず、３ｎｍ以上に形成する場合、第２バッファ層７５で形成される物質自体の特性が有機膜に発現され、駆動電圧の上昇など有機電界発光素子の特性を低下させるという問題を引き起こす。
【００２９】
図３は、本発明の実施形態に係る有機電界発光素子の製造方法を説明する断面図である。
【００３０】
図３に示すように、下部電極１１０が形成された素子基板１００を用意する。一方、基材フィルム５０上に光−熱変換層５５、第１バッファ層６５、転写層７０及び第２バッファ層７５を順に積層し、ドナー基板８０を用意する。なお、第１バッファ層６５を積層する前に、光−熱変換層５５上に、図３に示すように中間層６０をさらに積層することができる。ドナー基板８０の製造方法は、前記実施形態に説明した通りである。
【００３１】
次に、ドナー基板８０を素子基板１００から一定の間隔をもって離隔して、転写層７０が素子基板１００に対向するように配置し、ドナー基板８０の所定の領域にレーザー９５を照射して、転写層７０ａを下部電極１１０上に転写することによって、下部電極１１０上に第１バッファ層７５ａ、転写層７０ａ及び第２バッファ層６５ａからなる有機膜パターン９０を形成する。
【００３２】
有機膜パターン９０を構成する転写層７０ａは、発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層などの有機膜よりなる群から選ばれる１つの単層膜または１つ以上の多層膜で形成されることができる。有機膜は、各々低分子物質からなることが好ましい。一方、有機膜は、前記実施形態に説明した通りである。
【００３３】
下部電極１１０は、アノード電極であり、ドナー基板８０を使用して下部電極１１０上に有機膜パターン９０、すなわち発光層を形成する場合、発光層を形成する前に、下部電極１１０上に正孔注入層及び／または正孔輸送層をスピンコーティングまたは真空蒸着を使用して形成することができる。次に、発光層上に電子輸送層及び／または電子注入層をＬＩＴＩ、真空蒸着またはスピンコーティングを使用して形成することができる。次に、電子輸送層及び／または電子注入層上にカソード電極である上部電極（図示せず）を形成することによって、有機電界発光素子を完成する。
【産業上の利用可能性】
【００３４】
本発明は、有機電界発光素子の製造に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１Ａ】ＬＩＴＩによる一般的な有機膜の転写過程において転写メカニズムを説明する断面図である。
【図１Ｂ】ＬＩＴＩによる一般的な有機膜の転写過程において転写メカニズムを説明する断面図である。
【図２】本発明の実施形態に係る平板表示素子用ドナー基板及びその製造方法を説明する断面図である。
【図３】本発明の実施形態に係る有機電界発光素子の製造方法を説明する断面図である。
【符号の説明】
【００３６】
Ｓ１、８０    ドナー基板、
Ｓ１ａ、５０    基材フィルム、
Ｓ１ｂ、５５  光−熱変換層、
Ｓ１ｃ    有機膜、
Ｓ２、１００    素子基板、
６０    中間層、
６５、６５ａ    第１バッファ層、
７０、７０ａ    転写層、
７５、７５ａ    第２バッファ層、
９０    有機膜パターン、
９５    レーザー、
１１０    下部電極。
【図１Ａ】
0004545166.tif 000002
【図１Ｂ】
0004545166.tif 000003
【図２】
0004545166.tif 000004
【図３】
0004545166.tif 000005