(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子の電気的特性を表す素子モデルの記述規定と該記述規定を逸脱する場合の修正案との対応関係を表す記述規定テーブルに基づいて、前記素子モデルの記述規定チェックを実行させる記述規定チェック工程と、
前記素子モデルの正規の電気的特性と該電気的特性を逸脱する場合の修正案との対応関係を表す電気的特性テーブルに基づいて、前記素子モデルにおける電気的特性を表現するデータのチェックを実行させる電気的特性データチェック工程と、
前記記述規定チェック工程で前記記述規定を逸脱する記述が有る場合、該当する修正案に従って前記素子モデルを修正させ、前記電気的特性データチェック工程で前記電気的特性を逸脱するデータが有る場合、素子モデルに含まれるデータを補間させることにより、該当する修正案に従って前記素子モデルを修正させる修正工程と、
をコンピュータに実行させるための素子モデル自動修正プログラム。
【請求項２】
前記修正工程では、オペレータが修正承認をした修正案に基づいて、当該素子モデルを修正させることを特徴とする請求項１に記載の素子モデル自動修正プログラム。
【請求項３】
修正前の素子モデルと修正後の素子モデルとを比較表示させる素子モデル表示工程を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の素子モデル自動修正プログラム。
【請求項４】
修正前の素子モデルの電気的特性と修正後の素子モデルの電気的特性とをグラフィックにより比較表示させる電気的特性表示工程を含むことを特徴とする請求項１、２又は３に記載の素子モデル自動修正プログラム。
【請求項５】
半導体素子の電気的特性を表す素子モデルの記述規定と該記述規定を逸脱する場合の修正案との対応関係を表す記述規定テーブルに基づいて、前記素子モデルの記述規定チェックを実行する記述規定チェック手段と、
前記素子モデルの正規の電気的特性と該電気的特性を逸脱する場合の修正案との対応関係を表す電気的特性テーブルに基づいて、前記素子モデルにおける電気的特性を表現するデータのチェックを実行する電気的特性データチェック手段と、
前記記述規定チェック手段により前記記述規定を逸脱する記述がチェックされた場合、該当する修正案に従って前記素子モデルを修正し、前記電気的特性データチェック手段で前記電気的特性を逸脱するデータが有る場合、素子モデルに含まれるデータを補間することにより、該当する修正案に従って前記素子モデルを修正する修正手段と、
を備えたことを特徴とする素子モデル自動修正装置。
【請求項６】
半導体素子の電気的特性を表し、記憶部に格納された素子モデルデータの記述規定と該記述規定を逸脱する場合の修正案との対応関係を表し、前記記憶部に格納された記述規定テーブルに基づいて、前記素子モデルデータの記述規定チェックを実行する記述規定チェック工程と、
前記素子モデルデータの正規の電気的特性と該電気的特性を逸脱する場合の修正案との対応関係を表し、前記記憶部に格納された電気的特性テーブルに基づいて、前記素子モデルデータにおける電気的特性を表現するデータのチェックを実行する電気的特性データチェック工程と、
前記記述規定チェック工程により前記記述規定を逸脱する記述がチェックされた場合、該当する修正案に従って前記素子モデルデータを修正し、前記電気的特性データチェック工程で前記電気的特性を逸脱するデータが有る場合、素子モデルに含まれるデータを補間することにより、該当する修正案に従って前記素子モデルデータを修正する修正工程と、
をコンピュータに実行させることを特徴とする素子モデル自動修正方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プリント基板上の伝送シミュレーションに用いられる素子モデルのチェック、自動修正に用いて好適な素子モデル自動修正プログラム、素子モデル自動修正装置および素子モデル自動修正方法に関するものである。
【０００２】
近時、多くの電子機器メーカでは、半導体ベンダから、半導体素子（デバイス）および該半導体素子がモデル化された素子モデルの提供を受けて、電子機器に実装されるプリント基板の回路設計、伝送シミュレーションを行っている。また、素子モデルとしては、ｓｐｉｃｅモデルおよびＩＢＩＳ（Input/output Buffer Information Specification）モデルが周知であるが、後者のＩＢＩＳモデルが主流を占めている。
【０００３】
従って、殆どの電子機器メーカでは、半導体ベンダから提供される上記ＩＢＩＳモデルに基づいて、半導体素子を用いたプリント基板の回路設計、伝送シミュレーションを行っている。しかしながら、半導体ベンダのチェックが甘い場合には、記述文法や各種パラメータに誤りが多く存在するＩＢＩＳモデルが電子機器メーカに提供されるため、回路設計や伝送シミュレーションで問題が無くても、実機としての当該プリント基板で障害が発生するという問題が発生する。従って、従来より、かかる問題を効果的に解決するための手段、方法が切望されていた。
【０００４】
【従来の技術】
前述した素子モデルとしてのｓｐｉｃｅモデルは、実際のプリント基板の回路を作成しなくても回路動作をコンピュータ上で模擬し、回路動作を設計者に示すためのものであり、回路のプロセスパラメータや回路構成を表すものである。従って、ｓｐｉｃｅモデルを電子機器メーカに提供した場合には、半導体ベンダの企業秘密に該当する回路のプロセスパタメータや回路構成を社外に公開することになり、半導体ベンダにとって好ましくない状況が発生する。
【０００５】
これに対して、ＩＢＩＳモデルは、半導体素子の入力／出力特性を表したものであり、半導体素子のパッケージ特性、Ｖ／Ｉ（電圧／電流）特性、スイッチング特性をテーブル形式で記述されたものである。
【０００６】
従って、ＩＢＩＳモデルを電子機器メーカに提供した場合には、半導体ベンダの企業秘密に該当する回路のプロセスパラメータや回路構成が社外に公開されず、しかも回路設計や伝送シミュレーションに必要な情報が電子機器メーカ側で得られるというメリットがある。このことから、従来では、半導体ベンダから電子機器メーカに提供される素子モデルとしてＩＢＩＳモデルが主流を占めているのである。
【０００７】
図２９および図３０は、上述したＩＢＩＳモデルを表すＩＢＩＳファイルＦ０の一例を示す図である。この図に示したように、ＩＢＩＳファイルＦ０は、ヘッダデータおよび部品データから構成されている。また、部品データには、ピンモデルデータが含まれている。
【０００８】
ヘッダデータには、ＩＢＩＳファイルＦ０に関するファイル名、日付、バーション等のデータが含まれている。具体的には、図２９に示したヘッダデータにおいて、［IBIS Ver］には、ＩＢＩＳのバーションが記述され、［Comment Char］には、コメント文字が記述される。［File Name］には、ＩＢＩＳファイルＦ０のファイル名が記述され、［File Rev］には、ＩＢＩＳファイルＦ０の改訂レベルが記述される。［Date］には、ＩＢＩＳファイルＦ０の作成日が記述される。
【０００９】
［Source］には、ＩＢＩＳファイルＦ０の作成元ソース情報が記述され、［Notes］には、ＩＢＩＳファイルＦ０に関する特記事項が記述される。［Disclaimer］には、権利の放棄に関する情報が記述され、［Copyright］には、コピーライトに関する情報が記述される。
【００１０】
また、図２９に示した部品データにおいて、［Component］には、当該半導体素子の正式型名が記述され、［Manufacturer］には、当該半導体素子の製造元に関する情報が記述される。［Package］には、半導体素子におけるパッケージ部分のデフォルトのＲＬＣ（抵抗値、インダクタンス、キャパシタンス）等価値が記述され、［Pin］には、Ｉ／Ｏモデルと外部ピン、信号名の関連付けに関する情報が記述される。
【００１１】
また、ピンモデルデータにおいて、［Model］には、ピンのモデルの定義が記述されている。この定義は、［Model］から始まり、つぎの［Model］（図示略）または［End］（図３０参照）までで記述される。［Model_type］は、ピンのモデルタイプに関する情報が記述され、［Polarity］には、電気的極性に関する情報（Non-Inverting（非反転）またはInverting（反転））が記述される。
【００１２】
［Enable］には、アクティブハイまたはアクティブローを指定するための情報（Active-HighまたはActive-Low）が記述される。［Vinl］には、入力ローレベル電圧の上限値が記述され、［Vinh］には、入力ハイレベル電圧の下限値が記述される。［Vmeas］には、半導体素子の伝播遅延や出力スイッチング時間を測定する際の測定基準電圧値が記述されている。
【００１３】
［Cref］、［Rref］および［Vref］には、半導体素子の伝播遅延や出力スイッチング時間を測定する際の回路構成情報（キャパシタンス値、抵抗値、電圧値）が記述される。［C_comp］には、シリコンダイの容量値が記述される。［Temperature Range］には、半導体素子の動作温度が記述される。［Voltage range］には、後述する［Pullup］および［Power clamp］（図３０参照）を測定するための供給電圧値が記述される。
【００１４】
図３０に示した［Pulldowm］には、プルダウンされた出力バッファのＶ／Ｉ（電圧／電流）特性が記述され、［Pullup］には、プルアップされた出力バッファのＶ／Ｉ（電圧／電流）特性が記述される。［GND_clamp］には、グランド接続されたクランプダイオードのＶ／Ｉ特性が記述される。［Power_clamp］には、電源接続されたクランプダイオードのＶ／Ｉ特性が記述される。
【００１５】
［Ramp］には、出力ピン電圧の立ち上がり時間（dV/dt_r）および立ち下がり時間（dV/dt_f）が記述される。dVは、出力ピン電圧の振幅の２０％〜８０％であり、dtは、該２０％〜８０％にかかる時間である。［End］は、当該ＩＢＩＳファイルの最後に記述される。
【００１６】
半導体ベンダでは、変換ツールを使って前述したｓｐｉｃｅモデルから上述したＩＢＩＳモデルに変換し、このＩＢＩＳモデルに対応するＩＢＩＳファイルＦ０を電子機器メーカに提供している。一方、電子機器メーカでは、ＩＢＩＳファイルＦ０を用いて回路設計、伝送シミュレーションを実行する。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、前述したように、従来では、半導体ベンダにより、ｓｐｉｃｅモデルからＩＢＩＳモデルに変換する際の変換ツールの設定ミスや、チェック漏れに起因して、不具合情報を含むＩＢＩＳモデルが電子機器メーカに提供される場合がある。
【００１８】
この場合、電子機器メーカにおいては、不具合情報を含むＩＢＩＳモデルを用いて、回路設計、伝送シミュレーションが実行されるため、実機としてのプリント基板で障害が発生するという重大な問題があった。
【００１９】
ここで、かかる問題を解決するためには、電子機器メーカ側で、ＩＢＩＳモデルの不具合をチェックし、不具合情報を修正することが考えられる。しかしながら、当該チェックや不具合情報の修正には、ＩＢＩＳモデルに精通した高度なユーザスキルが要求される。
【００２０】
従って、かかるユーザスキルを有する人材が不足している電子機器メーカでは、実質的にチェックおよび不具合情報の修正を行うことが難しく、実機としてのプリント基板で障害が発生して初めて不具合に気づき、半導体ベンダに対してＩＢＩＳモデルの不具合箇所の特定および修正を依頼するという事後対応にならざるを得えない。このことから、従来では、短期間でプリント基板を設計するというニーズに十分に応えることが難しい状況がある。
【００２１】
本発明は、上記に鑑みてなされたもので、ユーザスキルに依存することなく素子モデルのチェックおよび不具合箇所の修正を迅速かつ正確に行うことができる素子モデル自動修正プログラム、素子モデル自動修正装置および素子モデル自動修正方法を提供することを目的とする。
【００２２】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は、半導体素子の電気的特性を表す素子モデルの記述規定と該記述規定を逸脱する場合の修正案との対応関係を表す記述規定テーブルに基づいて、前記素子モデルの記述規定チェックを実行させる記述規定チェック工程と、前記素子モデルの正規の電気的特性と該電気的特性を逸脱する場合の修正案との対応関係を表す電気的特性テーブルに基づいて、前記素子モデルにおける電気的特性を表現するデータのチェックを実行させる電気的特性データチェック工程と、前記記述規定チェック工程で前記記述規定を逸脱する記述が有る場合、該当する修正案に従って前記素子モデルを修正させ、前記電気的特性データチェック工程で前記電気的特性を逸脱するデータが有る場合、素子モデルに含まれるデータを補間させることにより、該当する修正案に従って前記素子モデルを修正させる修正工程とをコンピュータに実行させるための素子モデル自動修正プログラムである。
【００２３】
また、本発明は、半導体素子の電気的特性を表す素子モデルの記述規定と該記述規定を逸脱する場合の修正案との対応関係を表す記述規定テーブルに基づいて、前記素子モデルの記述規定チェックを実行する記述規定チェック手段と、前記素子モデルの正規の電気的特性と該電気的特性を逸脱する場合の修正案との対応関係を表す電気的特性テーブルに基づいて、前記素子モデルにおける電気的特性を表現するデータのチェックを実行する電気的特性データチェック手段と、前記記述規定チェック手段により前記記述規定を逸脱する記述がチェックされた場合、該当する修正案に従って前記素子モデルを修正し、前記電気的特性データチェック手段で前記電気的特性を逸脱するデータが有る場合、素子モデルに含まれるデータを補間することにより、該当する修正案に従って前記素子モデルを修正する修正手段とを備えたことを特徴とする。
【００２４】
また、本発明は、半導体素子の電気的特性を表し、記憶部に格納された素子モデルデータの記述規定と該記述規定を逸脱する場合の修正案との対応関係を表し、前記記憶部に格納された記述規定テーブルに基づいて、前記素子モデルデータの記述規定チェックを実行する記述規定チェック工程と、前記素子モデルデータの正規の電気的特性と該電気的特性を逸脱する場合の修正案との対応関係を表し、前記記憶部に格納された電気的特性テーブルに基づいて、前記素子モデルデータにおける電気的特性を表現するデータのチェックを実行する電気的特性データチェック工程と、前記記述規定チェック工程により前記記述規定を逸脱する記述がチェックされた場合、該当する修正案に従って前記素子モデルデータを修正し、前記電気的特性データチェック工程で前記電気的特性を逸脱するデータが有る場合、素子モデルに含まれるデータを補間することにより、該当する修正案に従って前記素子モデルデータを修正する修正工程とをコンピュータに実行させることを特徴とする。
【００２５】
かかる発明によれば、素子モデルの記述規定と記述規定を逸脱する場合の修正案との対応関係を表す記述規定テーブルに基づいて素子モデルの記述規定チェックを行い、素子モデルの正規の電気的特性と該電気的特性を逸脱する場合の修正案との対応関係を表す電気的特性テーブルに基づいて素子モデルにおける電気的特性を表現するデータのチェックを行い、上記記述規定を逸脱する記述がチェックされた場合に修正案に従って素子モデルを修正し、上記電気的特性を逸脱するデータが有る場合に素子モデルに含まれるデータを補間することにより該当する修正案に従って素子モデルを修正するようにしたので、ユーザスキルに依存することなく素子モデルの記述規定チェックおよび該当する不具合箇所の修正を迅速かつ正確に行うことができる。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明にかかる素子モデル自動修正プログラム、素子モデル自動修正装置および素子モデル自動修正方法の一実施の形態について詳細に説明する。
【００２７】
図１は、本発明にかかる一実施の形態の構成を示すブロック図である。この図には、素子モデル自動修正プログラムおよび素子モデル自動修正方法を実行するための素子モデル自動修正装置の構成が図示されている。この素子モデル自動修正装置は、電子機器メーカ側に設置されている。
【００２８】
同図において、ＩＢＩＳ入力部１０は、前述したＩＢＩＳファイルＦ０（図２９および図３０参照）と同一のフォーマットのＩＢＩＳファイルを入力するためのものである。このＩＢＩＳファイルは、半導体ベンダから電子機器メーカへ提供され、前述したＩＢＩＳモデルに対応するファイルである。制御部２０は、素子モデル自動修正装置の各部を制御するものである。
【００２９】
記憶部３０は、ハードディスク、光ディスク等の大容量記録媒体を備えており、制御部２０の制御により、修正前の上記ＩＢＩＳファイル、チェックテーブル２００（図５参照）、チェックテーブル２１０（図６参照）、チェックテーブル２２０（図９参照）、チェックテーブル２３０（図１９参照）や修正後のＩＢＩＳファイル等を記憶する。
【００３０】
図５に示したチェックテーブル２００は、ＩＢＩＳファイル（ＩＢＩＳモデル）におけるキーワードの出現回数が規定回数であるか否かのキーワード出現回数チェック、キーワード出現回数チェック結果＝ＮＧの場合の修正案作成に用いられるテーブルであり、「Ｎｏ．」、「キーワード」、「サブパラメータ」、「規格上の許容回数」、「エラー番号」、「未定義時の対応」および「規定を超える回数定義時の対応」というフィールドを備えている。
【００３１】
「キーワード」は、ＩＢＩＳファイルにおけるキーワード出現回数チェック対象の用語であり、例えば、［Model］（図２９参照）である。「サブパラメータ」には、［Model］を定義するためのサブパラメータ（Model_type、Polarity、・・・、Vref、上記以外）が記述されている。
【００３２】
「規格上の許容回数」には、ＩＢＩＳファイルにおける規格上のサブパラメータの許容（定義）回数が記述されている。「エラー番号」は、ＩＢＩＳファイルにおけるサブパラメータが許容回数を超えた場合のエラー番号が記述されている。「未定義時の対応」には、ＩＢＩＳファイルに定義されるべきサブパラメータが未定義である場合の対応について記述されている。「規定を超える回数定義時の対応」には、ＩＢＩＳファイルにおけるサブパラメータが許容回数を超えた場合の対応について記述されている。
【００３３】
図６に示したチェックテーブル２１０は、ＩＢＩＳファイル（ＩＢＩＳモデル）における文法および特性値が、規定の文法および特性値であるか否かのチェック、チェック結果＝ＮＧの場合の修正案作成に用いられるテーブルであり、「検査仕様」、「エラー番号」および「修正仕様」というフィールドを備えている。
【００３４】
「検査仕様」には、ＩＢＩＳファイルにおけるキーワード（＝［Model］（図２９参照））に対応するサブパラメータ（例えば、Model_type、Polarity、・・・、Vref（図２９および図３０参照））に関する規定の文法および特性値について記述されている。「エラー番号」には、ＩＢＩＳファイルにおける文法チェック結果＝ＮＧの場合のエラー番号が記述されている。「修正仕様」には、チェック結果＝ＮＧの場合の修正案について記述されている。
【００３５】
図９に示したチェックテーブル２２０は、キーワード（＝［Pulldown］（図３０参照））に関する文法および特性値が、規定の文法および特性値であるか否かのチェック、チェック結果＝ＮＧの場合の修正案の作成に用いられるテーブルであり、「検査仕様」、「エラー番号」および「修正仕様」というフィールドを備えている。
【００３６】
「検査仕様」には、ＩＢＩＳファイルにおけるキーワード（＝［Pulldown］）に関する規定の文法および特性値について記述されている。「エラー番号」には、ＩＢＩＳファイルにおける文法チェック結果＝ＮＧの場合のエラー番号が記述されている。「修正仕様」には、チェック結果＝ＮＧの場合の修正案について記述されている。
【００３７】
図１９に示したチェックテーブル２３０は、キーワード（＝［GND_clamp］（図３０参照））に関する文法および特性値が、規定の文法および特性値であるか否かのチェック、チェック結果＝ＮＧの場合の修正案の作成に用いられるテーブルであり、「検査仕様」、「エラー番号」および「修正仕様」というフィールドを備えている。
【００３８】
「検査仕様」には、ＩＢＩＳファイルにおけるキーワード（例えば、［GNG_clamp］に関する規定の文法および特性値について記述されている。「エラー番号」には、ＩＢＩＳファイルにおける文法チェック結果＝ＮＧの場合のエラー番号が記述されている。「修正仕様」には、チェック結果＝ＮＧの場合の修正案について記述されている。なお、記憶部３０には、他のキーワード（［Temperature Range］、［Voltage range］等）に対応するチェックテーブル（図示略）も記憶されている。
【００３９】
図１に戻り、キーワード出現回数チェック部４０は、チェックテーブル２００、２１０等に基づいて、ＩＢＩＳファイルにおける前述したキーワード出現回数チェックを実行する。出現回数エラー修正案作成部５０は、キーワード出現回数チェック結果＝ＮＧである場合、チェックテーブル２００、２１０等に基づいて修正案を作成する。
【００４０】
文法チェック部６０は、チェックテーブル２００、２１０等に基づいて、ＩＢＩＳファイルにおける前述した文法チェックを実行する。文法エラー修正案作成部７０は、文法チェック結果＝ＮＧである場合、チェックテーブル２００、２１０等に基づいて修正案を作成する。特性値チェック部８０は、チェックテーブル２００、２１０等に基づいて、ＩＢＩＳファイルにおける前述した特性値チェックを実行する。特性値エラー修正案作成部９０は、特性値チェック結果＝ＮＧである場合、チェックテーブル２００、２１０等に基づいて、修正案を作成する。
【００４１】
表示部１００は、ＣＲＴ（Cathode-Ray Tube）、ＬＣＤ（Liquid Crystal Display）等であり、図２５〜図２７にそれぞれ示した画面３００、３１０、３２０および３３０を表示する。これらの画面３００、３１０等には、ＩＢＩＳファイルのチェック結果や、各種テキスト、各種グラフ等が表示されている。これらの画面３００、３１０等の詳細については後述する。
【００４２】
チェック結果表示制御部１１０は、表示部１００にＩＢＩＳファイルのチェック結果を表示するための制御を実行する。テキスト表示制御部１２０は、表示部１００に各種テキストを表示するための制御を実行する。グラフ表示制御部１３０は、表示部１００に各種グラフを表示するための制御を実行する。
【００４３】
修正案採否決定処理部１４０は、出現回数エラー修正案作成部５０、文法エラー修正案作成部７０および特性値エラー修正案作成部９０によりそれぞれ作成された修正案の採否をオペレータに決定させるための処理を実行する。最終修正ＩＢＩＳ出力部１５０は、最終的に修正されたＩＢＩＳファイルを出力するためのものである。バス１６０は、各部を接続するものである。
【００４４】
つぎに、上述した一実施の形態の動作について、図２に示したフローチャートを参照しつつ説明する。ステップＳＡ１では、ＩＢＩＳ入力部１０は、半導体ベンダから電子機器メーカへ提供されたＩＢＩＳファイルを入力する。このＩＢＩＳファイルは、記憶部３０に格納される。ステップＳＡ２では、キーワード出現回数チェック部４０は、記憶部３０からＩＢＩＳファイルを１行づつ読み込み、図５に示したチェックテーブル２００に基づいて、前述したキーワード出現回数チェック処理を実行する。
【００４５】
以下では、ステップＳＡ１で図３に示したＩＢＩＳファイルＦ０１が読み込まれた場合のキーワード出現回数チェック処理について詳述する。キーワード出現回数チェック部４０は、ＩＢＩＳファイルＦ０１を１行つづ読み込み、キーワード（＝［Model］）の出現をチェックする。
【００４６】
そして、キーワード（＝［Model］）が出現すると、キーワード出現回数チェック部４０は、上記キーワード（＝［Model］）およびサブパラメータ（＝Model_type、Polarity、・・・）のそれぞれの出現回数を、つぎのキーワード（＝［Model］）が出現するまでチェックする。また、キーワード出現回数チェック部４０は、ＩＢＩＳファイルＦ０１で未定義のサブパラメータが有るかをチェックする。
【００４７】
また、キーワード出現回数チェック部４０は、図３に示したサブパラメータ（＝Model_type（＝I/O））を記憶部３０に格納する。そして、つぎのキーワード（＝［Model］）が出現すると、キーワード出現回数チェック部４０は、チェック済みのサブパラメータのそれぞれの出現回数が、図５に示したチェックテーブル２００の「サブパラメータ」に対応する「規格上の許容回数」を超えているか否かを判断する。
【００４８】
この場合には、図３に示したＩＢＩＳファイルＦ０１でサブパラメータ（＝Vmeas）の出現回数が２回であるのに対して、図５に示したＮｏ．８の「サブパラメータ」（＝Vmeas）の許容回数が０回または１回であるため、２回目に出現したサブパラメータ（＝Vmeas＝１．２Ｖ）が過剰定義（エラー）である。
【００４９】
また、図３に示したＩＢＩＳファイルＦ０１においては、図５に示したＮｏ．７のサブパラメータ（＝C_comp）が必須であるにもかかわらず、未定義（エラー）である。
【００５０】
ステップＳＡ３では、出現回数エラー修正案作成部５０は、ステップＳＡ２でエラーが有るか否かを判断する。この判断結果が「Ｎｏ」である場合、ステップＳＡ５の処理が実行される。この場合、ステップＳＡ２で上述した過剰定義エラーおよび未定義エラーが発生しているため、出現回数エラー修正案作成部５０は、ステップＳＡ３の判断結果を「Ｙｅｓ」とする。
【００５１】
ステップＳＡ４では、出現回数エラー修正案作成部５０は、過剰定義エラーに関して、図５に示したチェックテーブル２００におけるＮｏ．８の「規定を超える回数定義時の対応」に従って、上記過剰定義のサブパラメータ（＝Vmeas＝１．２Ｖ）を削除するという修正案を、図４に示した仮修正のためのＩＢＩＳファイルＦ０１ａに適用（同図では「コメントアウト」：削除）する。このＩＢＩＳファイルＦ０１ａは、記憶部３０に格納される。
【００５２】
つぎに、出現回数エラー修正案作成部５０は、未定義エラーに関して、ＩＢＩＳファイルＦ０１におけるエラー発生行番号（この場合、Vmeas＝１．２Ｖの行番号）、これに対応するＩＢＩＳファイルＦ０１ａにおける仮修正行番号、図示しないエラーコード表から得られるエラーコードの情報をエラーログとして記憶部３０に格納する。このエラーコードは、過剰定義エラーであることを表すコードである。
【００５３】
つぎに、出現回数エラー修正案作成部５０は、チェックテーブル２００のＮｏ．７の「未定義時の対応」に従って、ＩＢＩＳファイルＦ０１にサブパラメータ（＝C_comp）を代表値で追加するという修正案を、図４に示した仮修正のためのＩＢＩＳファイルＦ０１ａに適用する（同図では「代表値で追加」）。
【００５４】
つぎに、出現回数エラー修正案作成部５０は、ＩＢＩＳファイルＦ０１におけるエラー発生行番号（この場合、variableと［Temperature Range］との間の行番号）、これに対応するＩＢＩＳファイルＦ０１ａにおける仮修正行番号、エラーコードの情報をエラーログとして記憶部３０に格納する。このエラーコードは、未定義エラーであることを表すコードである。
【００５５】
ステップＳＡ５では、文法チェック部６０は、記憶部３０からＩＢＩＳファイルを１行づつ読み込み、図５に示したチェックテーブル２００に基づいて、キーワード（例えば、［Model］）毎に前述したキーワード別文法チェック処理を実行する。
【００５６】
以下では、ステップＳＡ１で図７に示したＩＢＩＳファイルＦ０２が読み込まれた場合のキーワード別文法チェック処理について詳述する。文法チェック部６０は、ＩＢＩＳファイルＦ０２を１行つづ読み込む。キーワード（＝［Model］）が出現すると、文法チェック部６０は、図６に示したチェックテーブル２１０（キーワード（＝［Model］）用）に基づいて、キーワード（＝［Model］）およびサブパラメータ（＝Model_type、Polarity、・・・）の文法をチェックする。
【００５７】
この場合、図６に示した項７の「検査仕様」では、Vinl、Vinhが数値であることが規定の文法とされているのに対して、図７に示したＩＢＩＳファイルＦ０２におけるサブパラメータ（＝Vinl＝Ｏ．７Ｖ）は、アルファベットＯが含まれているため文法エラーである。
【００５８】
また、図６に示した項９の「検査仕様」では、C_compのtyp値が数値であることが規定の文法とされているのに対して、図７に示したＩＢＩＳファイルＦ０２におけるサブパラメータ（＝C_comp＝ＮＡ）は、文字列ＮＡとされているため文法エラーである。
【００５９】
ステップＳＡ６では、文法エラー修正案作成部７０は、ステップＳＡ５でエラーが有るか否かを判断する。この判断結果が「Ｎｏ」である場合、ステップＳＡ８の処理が実行される。この場合、ステップＳＡ６で上述した文法エラーが発生しているため、文法エラー修正案作成部７０は、ステップＳＡ６の判断結果を「Ｙｅｓ」とする。
【００６０】
ステップＳＡ７では、文法エラー修正案作成部７０は、図７に示したサブパラメータ（＝Vinl＝Ｏ．７Ｖ）にアルファベットＯが含まれているという文法エラーに関して、図６に示したチェックテーブル２１０における７項の「修正仕様」に従って、上記サブパラメータ（＝Vinl＝Ｏ．７Ｖ）を削除するという修正案を、図８に示した仮修正のためのＩＢＩＳファイルＦ０２ａに適用（同図では「コメントアウト」：削除）する。このＩＢＩＳファイルＦ０２ａは、記憶部３０に格納される。
【００６１】
つぎに、文法エラー修正案作成部７０は、上記文法エラーに関して、ＩＢＩＳファイルＦ０２における文法エラー発生行番号（この場合、Vinl＝Ｏ．７Ｖの行番号）、これに対応するＩＢＩＳファイルＦ０２ａにおける仮修正行番号、エラーコードの情報をエラーログとして記憶部３０に格納する。このエラーコードは、当該文法エラーを表すコードである。
【００６２】
つぎに、文法エラー修正案作成部７０は、C_compのtyp値が文字列ＮＡであるという文法エラーに関して、図６に示したチェックテーブル２１０の９項の「修正仕様」に従って、サブパラメータ（＝C_comp）の文字列ＮＡを代表値に変更するという修正案を、図８に示した仮修正のためのＩＢＩＳファイルＦ０２ａに適用する（同図では「typ値を代表値に変更」）。
【００６３】
つぎに、文法エラー修正案作成部７０は、ＩＢＩＳファイルＦ０２におけるエラー発生行番号（この場合、C_compの行番号）、これに対応するＩＢＩＳファイルＦ０２ａにおける仮修正行番号、エラーコードの情報をエラーログとして記憶部３０に格納する。このエラーコードは、上記文法エラーを表すコードである。
【００６４】
また、別の文法チェックの例として、ステップＳＡ１で図１０に示したＩＢＩＳファイルＦ０３が読み込まれた場合の文法チェック処理について詳述する。文法チェック部６０は、ＩＢＩＳファイルＦ０３を１行づつ読み込む。キーワード（＝［Model］）が出現すると、文法チェック部６０は、図９に示したチェックテーブル２２０（キーワード（＝［Pulldown］）用）に基づいて、キーワード（＝［Pulldown］）に関する文法をチェックする。
【００６５】
この場合、図９に示した項９の「検査仕様」では、キーワード（＝［Pulldown］）に関する文字列ＮＡ以外の数値データ（typ）数が２組以上１００組以下であることが規定の文法とされているのに対して、図１０に示したＩＢＩＳファイルＦ０３におけるキーワード（＝［Pulldown］）に関する数値データの組が１０２組とされているため文法エラーである。つまり、図１０に示した例では、数値データが２組超過している。
【００６６】
ステップＳＡ６では、文法エラー修正案作成部７０は、ステップＳＡ５でエラーが有るか否かを判断し、この場合、判断結果を「ＹＥＳ」とする。ステップＳＡ７では、文法エラー修正案作成部７０は、上記文法エラーに関して、図９に示したチェックテーブル２２０における９項の「修正仕様」に従って、図１１に示した下から１行目の数値データの組（0.201506、0.121221および0.307612）、下から3行目の数値データの組（0.201063、0.120931および0.306966）を文字列ＮＡに変更するという修正案を、図１１に示した仮修正のためのＩＢＩＳファイルＦ０３ａに適用する。このＩＢＩＳファイルＦ０３ａは、記憶部３０に格納される。
【００６７】
つぎに、文法エラー修正案作成部７０は、上記文法エラーに関して、ＩＢＩＳファイルＦ０３における文法エラー発生行番号（下から１行目の行番号および３行目の行番号）、これらに対応するＩＢＩＳファイルＦ０３ａにおける仮修正行番号、それぞれのエラーコードの情報をエラーログとして記憶部３０に格納する。エラーコードは、それぞれの当該文法エラーを表すコードである。
【００６８】
図２に示したステップＳＡ８では、特性値チェック部８０は、ＩＢＩＳファイルのキーワード別の特性値をチェックするキーワード別特性値チェック処理を実行する。具体的には、図１２に示したステップＳＢ１では、特性値チェック部８０は、記憶部３０からＩＢＩＳファイルを１行づつ読み込み、チェックテーブルに基づいて、キーワード毎に特性値の大小関係が正しく定義されているか否かをチェックする。
【００６９】
以下では、キーワードとして［Model］、特性値として［C_comp］のtyp値、min値、max値（図２９参照）が、min値≦typ値≦max値なる大小関係となっているか否かのチェックについて詳述する。この場合、［C_comp］には、以下の特性値が定義されているものとする。
0004499938.tif 000002
【００７０】
この場合、特性値チェック部８０は、図６に示したチェックテーブル２１０の項１１に基づいて、typ値（＝１０）＜min値（＝１５）であるため大小関係エラーとする。ステップＳＢ２では、特性値エラー修正案作成部９０は、ステップＳＢ１のチェック結果がＯＫであるか否かを判断する。この判断結果が「Ｙｅｓ」である場合、ステップＳＢ４の処理が実行される。この場合、特性値エラー修正案作成部９０は、ステップＳＢ２の判断結果を「Ｎｏ」とする。
【００７１】
ステップＳＢ３では、特性値エラー修正案作成部９０は、［C_comp］のtyp値（＝１０）とmin値（＝１５）とを以下のように正規の順に入れ替えるという修正案を、仮修正のためのＩＢＩＳファイル（図示略）に適用する。
0004499938.tif 000003
【００７２】
つぎに、特性値エラー修正案作成部９０は、上記大小関係エラーに関して、ＩＢＩＳファイルにおける大小関係エラー発生行番号、これに対応す仮修正のためのＩＢＩＳファイルにおける仮修正行番号、エラーコードの情報をエラーログとして記憶部３０に格納する。エラーコードは、当該大小関係エラーを表すコードである。
【００７３】
ステップＳＢ４では、特性値チェック部８０は、記憶部３０からＩＢＩＳファイルを１行づつ読み込み、チェックテーブルに基づいて、ステップＳＢ３で修正された特性値としてのtyp値が所定数値範囲内であるか否かをチェックする。
【００７４】
この場合、特性値チェック部８０は、図６に示したチェックテーブル２１０の項１２に基づいて、修正後の前述したtyp値（＝１５）が所定数値範囲（例えば、０〜１０）外であるためtyp値エラーとする。ステップＳＢ５では、特性値エラー修正案作成部９０は、ステップＳＢ４のチェック結果がＯＫであるか否かを判断する。この判断結果が「Ｙｅｓ」である場合、ステップＳＢ７の処理が実行される。この場合、特性値エラー修正案作成部９０は、ステップＳＢ５の判断結果を「Ｎｏ」とする。
【００７５】
ステップＳＢ６では、特性値エラー修正案作成部９０は、以下のように［C_comp］のtyp値（＝１５）を予め定義された代表値（例えば、５）に変更するとともに、min値およびmax値を文字列ＮＡに変更するという修正案を、仮修正のためのＩＢＩＳファイル（図示略）に適用する。
0004499938.tif 000004
【００７６】
つぎに、特性値エラー修正案作成部９０は、上記typ値エラーに関して、ＩＢＩＳファイルにおけるtyp値エラー発生行番号、これに対応する仮修正のためのＩＢＩＳファイルにおける仮修正行番号、エラーコードの情報をエラーログとして記憶部３０に格納する。エラーコードは、当該typ値エラーを表すコードである。
【００７７】
ステップＳＢ７では、特性値チェック部８０は、記憶部３０からＩＢＩＳファイルを１行づつ読み込み、チェックテーブルに基づいて、［C_comp］の特性値としてのmin値およびmax値がそれぞれ所定数値範囲内であるか否かをチェックする。
【００７８】
この場合、［C_comp］には、以下の特性値が定義されているものとする。
0004499938.tif 000005
【００７９】
特性値チェック部８０は、図６に示したチェックテーブル２１０の項１３に基づいて、max値（＝２０）が所定数値範囲（例えば、０〜１０）外であるためmax値エラーとする。ステップＳＢ８では、特性値エラー修正案作成部９０は、ステップＳＢ７のチェック結果がＯＫであるか否かを判断する。この判断結果が「Ｙｅｓ」である場合、ステップＳＢ８の処理が実行される。この場合、特性値エラー修正案作成部９０は、ステップＳＢ８の判断結果を「Ｎｏ」とする。
【００８０】
ステップＳＢ９では、特性値エラー修正案作成部９０は、以下のようにチェック結果＝ＮＧとなった値（この場合、max値）を文字列ＮＡに変更するという修正案を、仮修正のためのＩＢＩＳファイル（図示略）に適用する。
0004499938.tif 000006
【００８１】
つぎに、特性値エラー修正案作成部９０は、上記エラーに関して、ＩＢＩＳファイルにおけるmax値エラー発生行番号、これに対応する仮修正のためのＩＢＩＳファイルにおける仮修正行番号、エラーコードの情報をエラーログとして記憶部３０に格納する。エラーコードは、当該max値エラーを表すコードである。
【００８２】
また、別の例として、キーワードとして［Ramp］（図３０参照）、特性値としてdV/dt_fのtyp値をチェックする場合について図１３およ図１４を参照して説明する。この場合、ステップＳＢ４では、特性値チェック部８０は、記憶部３０から図１３に示したＩＢＩＳファイルＦ０４を１行づつ読み込み、以下のチェックテーブルに基づいて、ステップＳＢ３で修正された特性値としてのtyp値が所定数値範囲内であるか否かをチェックする。
【００８３】
0004499938.tif 000007
【００８４】
この場合、特性値チェック部８０は、上記チェックテーブルの項６に基づいて、図１３のキーワード（＝［ramp］）のdV/dt_fのtyp値（dV）が0.0000E+00であるため、typ値エラーとする。ステップＳＢ５では、特性値エラー修正案作成部９０は、判断結果が「Ｎｏ」とする。
【００８５】
ステップＳＢ６では、特性値エラー修正案作成部９０は、図１３に示した［Pulldown］におけるＶ／Ｉ特性、すなわち、VoltageおよびＩ（typ）を図１５に示したようにプロットする。図１５においては、横軸が上記Voltageに、縦軸がＩ（typ）に対応している。つぎに特性値エラー修正案作成部９０は、図１５に示したグラフにおいて、図１３に示した［Voltage Range］＝３．３Ｖから負荷R_load（ＩＢＩＳファイルに定義が無い場合には、５０Ω）の直線を引き、交点の電圧（＝０．６Ｖ）と上記［Voltage Range］＝３．３Ｖとの差を電圧振幅（＝２．７Ｖ）として求める。
【００８６】
つぎに、特性値エラー修正案作成部９０は、図１３に示した［dV/dt_f］のtyp値（dt）を、上記電圧振幅の６０％の値（２．７×０．６＝１．６２Ｖ）に変更するという修正案を、仮修正のための図１４に示したＩＢＩＳファイルＦ０４ａに適用する。
【００８７】
つぎに、特性値エラー修正案作成部９０は、上記typ値エラーに関して、ＩＢＩＳファイルＦ０４におけるtyp値エラー発生行番号、これに対応する仮修正のためのＩＢＩＳファイルＦ０４ａにおける仮修正行番号、エラーコードの情報をエラーログとして記憶部３０に格納する。エラーコードは、当該typ値エラーを表すコードである。
【００８８】
ステップＳＢ７では、特性値チェック部８０は、記憶部３０から図１３に示したＩＢＩＳファイルＦ０４を１行づつ読み込み、上述した［ramp］に関するチェックテーブルに基づいて、［ramp］の特性値としてのmin値およびmax値をチェックする。
【００８９】
この場合、特性値チェック部８０は、［ramp］に関するチェックテーブルの項７に基づいて、min値およびmax値の各dVが0.0000E+00であるためmin値、max値エラーとする。ステップＳＢ８では、特性値エラー修正案作成部９０は、判断結果を「Ｎｏ」とする。
【００９０】
ステップＳＢ９では、特性値エラー修正案作成部９０は、図１３に示した［dV/dt_f］のmin値およびmax値を文字列ＮＡに変更するという修正案を、仮修正のための図１４に示したＩＢＩＳファイルＦ０４ａに適用する。
【００９１】
つぎに、特性値エラー修正案作成部９０は、上記min値、max値エラーに関して、ＩＢＩＳファイルＦ０４におけるmin値、max値エラー発生行番号、これに対応する仮修正のためのＩＢＩＳファイルＦ０４ａにおける仮修正行番号、エラーコードの情報をエラーログとして記憶部３０に格納する。エラーコードは、当該min値、max値エラーを表すコードである。
【００９２】
図１２に示したＳＢ１０では、特性値チェック部８０は、記憶部３０からＩＢＩＳファイルを１行づつ読み込み、チェックテーブルに基づいて、特性値のデータ範囲が適正に定義されているか否かをチェックする。以下では、図１６に示した［GND_clamp］の場合について詳述する。
【００９３】
この場合、特性値チェック部８０は、図１９に示したチェックテーブル２３０（［GND_clamp］用）の項５および６で電圧が例えば３．３Ｖ以上、例えば−３．３Ｖ以下と定義されているのに対して、図１６に示した［GND_clamp］の電圧（＝Voltage）の範囲が−０．６Ｖ〜３．３Ｖであるため、データ範囲エラーとする。すなわち、図１６に示した例では、−３．３Ｖ〜−０．６Ｖまでの電圧が未定義である。
【００９４】
ステップＳＢ１１では、特性値エラー修正案作成部９０は、ステップＳＢ１０のチェック結果がＯＫであるか否かを判断する。この判断結果が「Ｙｅｓ」である場合、ステップＳＢ１３の処理が実行される。この場合、特性値エラー修正案作成部９０は、ステップＳＢ１１の判断結果を「Ｎｏ」とする。
【００９５】
ステップＳＢ１２では、特性値エラー修正案作成部９０は、図１６に示したVoltage＝−０．６Ｖおよび−０．５Ｖにそれぞれ対応する電流Ｉ（typ）、電流Ｉ（min）および電流Ｉ（max）の２点間の傾きをそれぞれ求める。つぎに、特性値エラー修正案作成部９０は、図１８に示したように、電流Ｉ（typ）、電流Ｉ（min）および電流Ｉ（max）のそれぞれを傾きに基づいて延長し、電圧＝−３．３Ｖに対応する電流Ｉ（typ）、電流Ｉ（min）および電流Ｉ（max）をそれぞれ求め、これらを補間データとする修正案を仮修正のための図１７に示したＩＢＩＳファイルＦ０５ａに適用する。
【００９６】
つぎに、特性値エラー修正案作成部９０は、上記データ範囲エラーに関して、ＩＢＩＳファイルＦ０５におけるエラー発生行番号、これに対応する仮修正のためのＩＢＩＳファイルＦ０５ａにおける仮修正行番号、エラーコードの情報をエラーログとして記憶部３０に格納する。エラーコードは、当該データ範囲エラーを表すコードである。
【００９７】
ステップＳＢ１３では、特性値チェック部８０は、記憶部３０からＩＢＩＳファイルを１行づつ読み込み、チェックテーブルに基づいて、特性値が単調増減しているか否かをチェックする。以下では、図２０に示した［GND_clamp］の場合について詳述する。
【００９８】
この場合、特性値チェック部８０は、図１９に示したチェックテーブル２３０（［GND_clamp］用）の項１１に基づいて、単調増減チェックを実行する。具体的には、特性値チェック部８０は、図２０に示したＶ／Ｉ特性、すなわち、VoltageおよびＩ（typ）の両端データから全体の増減方向を判断する。
0004499938.tif 000008
【００９９】
上記の例では、特性値チェック部８０は、電圧、電流の双方が減少方向であると判断する。つぎに、特性値チェック部８０は、図２２に示したように、電圧が０Ｖに最も近い点を起点として、起点から両側に向かって単調増減となっているかをチェックする。
【０１００】
つぎに、特性値チェック部８０は、図２２に示したように、上記起点から電圧が増加する方向に向かって単調増減となっているか否かをチェックする。ここで、着目点とつぎの点との電流増減方向が前述した全体の増減方向と逆である場合、特性値チェック部８０は、単調増減チェック結果＝ＮＧとする。
【０１０１】
ステップＳＢ１４では、特性値エラー修正案作成部９０は、ステップＳＢ１３のチェック結果がＯＫであるか否かを判断する。この判断結果が「Ｙｅｓ」である場合、特性値エラー修正案作成部９０は、ステップＳＢ１６の処理を実行する。
【０１０２】
一方、ステップＳＢ１４の判断結果が「Ｎｏ」である場合、ステップＳＢ１５では、特性値エラー修正案作成部９０は、以下の条件１および２に従って、エラーを修正する処理を実行する。なお、図２２に示した起点が最初の着目点となるが、前の点との電流変化量は０とする。
（条件１）着目点と前の点との電流変化量＜着目点とつぎの点との電流変化量→つぎの点の電流値を着目点の電流値に修正
（条件２）着目点と前の点との電流変化量＞着目点とつぎの点との電流変化量→着目点の電流値をつぎの電流値に修正
【０１０３】
例えば、起点から電圧が増加する方向に向かってチェックした場合には、以下のように（条件１）に該当するため、５行目の電流Ｉ（typ）がつぎのように修正される。
0004499938.tif 000009
【０１０４】
そして、特性値エラー修正案作成部９０は、単調増減となるようにデータを修正するという修正案を、仮修正のための図２１に示したＩＢＩＳファイルＦ０６ａに適用する。つぎに、特性値エラー修正案作成部９０は、上記単調増減エラーに関して、ＩＢＩＳファイルＦ０６におけるエラー発生行番号、これに対応する仮修正のためのＩＢＩＳファイルＦ０６ａにおける仮修正行番号、エラーコードの情報をエラーログとして記憶部３０に格納する。エラーコードは、当該単調増減エラーを表すコードである。
【０１０５】
ステップＳＢ１６では、特性値チェック部８０は、記憶部３０からＩＢＩＳファイルを１行づつ読み込み、チェックテーブルに基づいて、電流値が基準点である０Ａをクロスしているか否かをチェックする。以下では、図２３に示した［GND_clamp］の場合について詳述する。
【０１０６】
この場合、特性値チェック部８０は、図１９に示したチェックテーブル２３０（［GND_clamp］用）の項１３に基づいて、基準点クロスチェック処理を実行する。具体的には、特性値チェック部８０は、図２３に示した電流Ｉ（typ）、電流Ｉ（min）および電流Ｉ（max）のそれぞれについて、最小電圧から最大電圧の方向に順次チェックし、０Ａ（基準点）をクロスするか否かをチェックする。
【０１０７】
この場合、電流Ｉ（typ）、電流Ｉ（min）および電流Ｉ（max）の全てがマイナスであるため、基準点クロスチェック結果＝ＮＧとなる。ステップＳＢ１７では、特性値エラー修正案作成部９０は、ステップＳＢ１６のチェック結果＝ＯＫであるか否かを判断し、この場合、判断結果を「Ｎｏ」とする。
【０１０８】
ステップＳＢ１８では、特性値エラー修正案作成部９０は、図２３に示した電流値のうち、最も０Ａに近いＩ（typ）＝−１５．５９６９ｅ−６が０となるように、全ての電流値を平行移動させるという修正案を、仮修正のための図２４に示したＩＢＩＳファイルＦ０７ａに適用する。つぎに、特性値エラー修正案作成部９０は、上記基準点クロスエラーに関して、ＩＢＩＳファイルＦ０７におけるエラー発生行番号、これに対応する仮修正のためのＩＢＩＳファイルＦ０７ａにおける仮修正行番号、エラーコードの情報をエラーログとして記憶部３０に格納する。エラーコードは、当該基準点クロスエラーを表すコードである。
【０１０９】
図２に戻り、ステップＳＡ９では、制御部２０は、記憶部３０からチェック結果ファイルとして、仮修正のためのＩＢＩＳファイル、エラーログ、修正前のＩＢＩＳファイルをチェック結果表示制御部１１０、テキスト表示制御部１２０およびグラフ表示制御部１３０へ出力する。
【０１１０】
ステップＳＡ１０では、チェック結果表示制御部１１０およびテキスト表示制御部１２０の制御により、図２５に示した画面３１０（チェック結果）が表示部１００に表示される。この画面３１０には、前述した各種チェック結果が表示される。ステップＳＡ１１では、修正案採否決定処理部１４０は、オペレータに対して、装置側の修正案を採用する場合に画面３１０のチェックボックスにチェックさせることにより、修正案の採否決定処理を実行する。
【０１１１】
ステップＳＡ１２では、最終修正ＩＢＩＳ出力部１５０は、ステップＳＡ１１でオペレータによりチェックされた修正案をＩＢＩＳファイルに最終的に反映した後、この修正後のＩＢＩＳファイルを出力する。これにより、表示部１００には、図２５に示した最終の修正結果を表す画面３００が表示される。また、オペレータの操作により、表示部１００には、図２６に示した画面３２０も表示される。
【０１１２】
画面３２０では、修正前のＩＢＩＳファイルと、修正後のＩＢＩＳファイルとが並列的に表示され、両者を比較することができる。さらに、オペレータの操作により、表示部１００には、図２７に示した画面３３０も表示される。この画面３３０には、修正前のＩＢＩＳファイルのグラフと修正後のＩＢＩＳファイルのグラフとが表示されている。
【０１１３】
以上説明したように、一実施の形態によれば、素子モデルの記述規定（文法やキーワード出現回数）と該記述規定を逸脱する場合の修正案との対応関係を表すチェックテーブル２００、２１０等に基づいて素子モデルのチェックを行い、上記記述規定を逸脱する記述がチェックされた場合に修正案に従って素子モデルを修正するようにしたので、ユーザスキルに依存することなく素子モデルの記述規定チェックおよび該当する不具合箇所の修正を迅速かつ正確に行うことができる。
【０１１４】
また、一実施の形態によれば、素子モデルの正規の電気的特性（特性値）と該電気的特性を逸脱する場合の修正案との対応関係を表す電気的特性テーブル２１０、２２０等に基づいて、素子モデルにおける電気的特性を表現するデータのチェックを実行させ、電気的特性を逸脱するデータが有る場合、該当する修正案に従って素子モデルを修正させるようにしたので、素子モデルの電気的特性に関するデータのチェックおよび該当する不具合箇所の修正を迅速かつ正確に行うことができる。
【０１１５】
また、一実施の形態によれば、図１８に示したように電気的特性（特性値）を逸脱するデータが有る場合、素子モデルに含まれるデータを補間させることにより、当該素子モデルを修正させるようにしたので、既存のデータを有効に活用して修正を行うことができる。
【０１１６】
また、一実施の形態によれば、電気的特性（特性値）を逸脱するデータが有る場合、当該データを削除させることにより、当該素子モデルを修正させるようにしたので、極めて簡便な手法で修正を行うことができる。
【０１１７】
また、一実施の形態によれば、図２５に示した画面３１０を用いてオペレータが修正承認をした修正案に基づいて、当該素子モデルを修正させるようにしたので、完全自動修正に比べて、修正精度を高めることができる。
【０１１８】
また、一実施の形態によれば、図２６に示した画面３２０により、修正前の素子モデルと修正後の素子モデルとを比較表示させるようにしたので、オペレータ側で修正個所を明確に把握することができる。
【０１１９】
また、一実施の形態によれば、図２７に示した画面３３０により、修正前の素子モデルの電気的特性（特性値）と修正後の素子モデルの電気的特性（特性値）とをグラフィックにより比較表示させるようにしたので、オペレータ側で視覚的に修正個所を明確に把握することができる。
【０１２０】
以上本発明にかかる一実施の形態について図面を参照して詳述してきたが、具体的な構成例はこの一実施の形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等があっても本発明に含まれる。
【０１２１】
例えば、前述した一実施の形態においては、前述した素子モデル自動修正装置の機能を実現するための素子モデル自動修正プログラムを図２８に示したコンピュータ読み取り可能な記録媒体５００に記録して、この記録媒体５００に記録された素子モデル自動修正プログラムを同図に示したコンピュータ４００に読み込ませ、実行することにより、素子モデルの自動修正に関する一連の処理を実行するようにしてもよい。
【０１２２】
図２８に示したコンピュータ４００は、上記素子モデル自動修正プログラムを実行するＣＰＵ４１０と、キーボード、マウス等の入力装置４２０と、各種データを記憶するＲＯＭ（Read Only Memory）４３０と、演算パラメータ等を記憶するＲＡＭ（Random Access Memory）４４０と、記録媒体５００から素子モデル自動修正プログラムを読み取る読取装置４５０と、ディスプレイ、プリンタ等の出力装置４６０と、各部を接続するバスＢＵとから構成されている。
【０１２３】
ＣＰＵ４１０は、読取装置４５０を経由して記録媒体５００に記録されている素子モデル自動修正プログラムを読み込んだ後、素子モデル自動修正プログラムを実行することにより、前述した、素子モデルの自動修正に関する一連の処理を実行する。なお、記録媒体５００には、光ディスク、フロッピーディスク、ハードディスク等の可搬型の記録媒体が含まれることはもとより、ネットワークのようにデータを一時的に記録保持するような伝送媒体も含まれる。
【０１２４】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、素子モデルの記述規定と記述規定を逸脱する場合の修正案との対応関係を表す記述規定テーブルに基づいて素子モデルの記述規定チェックを行い、上記記述規定を逸脱する記述がチェックされた場合に修正案に従って素子モデルを修正するようにしたので、ユーザスキルに依存することなく素子モデルの記述規定チェックおよび該当する不具合箇所の修正を迅速かつ正確に行うことができるという効果を奏する。
【０１２５】
また、本発明によれば、素子モデルの正規の電気的特性と該電気的特性を逸脱する場合の修正案との対応関係を表す電気的特性テーブルに基づいて、素子モデルにおける電気的特性を表現するデータのチェックを実行させ、電気的特性を逸脱するデータが有る場合、該当する修正案に従って素子モデルを修正させるようにしたので、素子モデルの電気的特性に関するデータのチェックおよび該当する不具合箇所の修正を迅速かつ正確に行うことができるという効果を奏する。
【０１２６】
また、本発明によれば、電気的特性データチェック工程で電気的特性を逸脱するデータが有る場合、素子モデルに含まれるデータを補間させることにより、当該素子モデルを修正させるようにしたので、既存のデータを有効に活用して修正を行うことができるという効果を奏する。
【０１２７】
また、本発明によれば、電気的特性データチェック工程で電気的特性を逸脱するデータが有る場合、当該データを削除させることにより、当該素子モデルを修正させるようにしたので、極めて簡便な手法で修正を行うことができるという効果を奏する。
【０１２８】
また、本発明によれば、オペレータが修正承認をした修正案に基づいて、当該素子モデルを修正させるようにしたので、完全自動修正に比べて、修正精度を高めることができるという効果を奏する。
【０１２９】
また、本発明によれば、修正前の素子モデルと修正後の素子モデルとを比較表示させるようにしたので、オペレータ側で修正個所を明確に把握することができるという効果を奏する。
【０１３０】
また、本発明によれば、修正前の素子モデルの電気的特性と修正後の素子モデルの電気的特性とをグラフィックにより比較表示させるようにしたので、オペレータ側で視覚的に修正個所を明確に把握することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明にかかる一実施の形態の構成を示すブロック図である。
【図２】同一実施の形態の動作を説明するフローチャートである。
【図３】同一実施の形態におけるＩＢＩＳファイルＦ０１の一例を示す図である。
【図４】同一実施の形態におけるＩＢＩＳファイルＦ０１ａの一例を示す図である。
【図５】同一実施の形態におけるチェックテーブル２００の一例を示す図である。
【図６】同一実施の形態におけるチェックテーブル２１０の一例を示す図である。
【図７】同一実施の形態におけるＩＢＩＳファイルＦ０２の一例を示す図である。
【図８】同一実施の形態におけるＩＢＩＳファイルＦ０２ａの一例を示す図である。
【図９】同一実施の形態におけるチェックテーブル２２０の一例を示す図である。
【図１０】同一実施の形態におけるＩＢＩＳファイルＦ０３の一例を示す図である。
【図１１】同一実施の形態におけるＩＢＩＳファイルＦ０３ａの一例を示す図である。
【図１２】図２に示したキーワード別特性値チェック処理を説明するフローチャートである。
【図１３】同一実施の形態におけるＩＢＩＳファイルＦ０４の一例を示す図である。
【図１４】同一実施の形態におけるＩＢＩＳファイルＦ０４ａの一例を示す図である。
【図１５】図２に示したキーワード別特性値チェック処理を説明する図である。
【図１６】同一実施の形態におけるＩＢＩＳファイルＦ０５の一例を示す図である。
【図１７】同一実施の形態におけるＩＢＩＳファイルＦ０５ａの一例を示す図である。
【図１８】図１２に示したデータ範囲チェック処理を説明する図である。
【図１９】同一実施の形態におけるチェックテーブル２３０の一例を示す図である。
【図２０】同一実施の形態におけるＩＢＩＳファイルＦ０６の一例を示す図である。
【図２１】同一実施の形態におけるＩＢＩＳファイルＦ０６ａの一例を示す図である。
【図２２】図１２に示した単調増減チェック処理を説明する図である。
【図２３】同一実施の形態におけるＩＢＩＳファイルＦ０７の一例を示す図である。
【図２４】同一実施の形態におけるＩＢＩＳファイルＦ０７ａの一例を示す図である。
【図２５】同一実施の形態における画面３００および３１０の一例を示す図である。
【図２６】同一実施の形態における画面３２０の一例を示す図である。
【図２７】同一実施の形態における画面３３０の一例を示す図である。
【図２８】同一実施の形態の変形例を示すブロック図である。
【図２９】ＩＢＩＳファイルＦ０の一例を示す図である。
【図３０】ＩＢＩＳファイルＦ０の一例を示す図である。
【符号の説明】
２０  制御部
３０  記憶部
４０  キーワード出現回数チェック部
５０  出現回数エラー修正案作成部
６０  文法チェック部
７０  文法エラー修正案作成部
８０  特性値チェック部
９０  特性値エラー修正案作成部
１１０  チェック結果表示制御部
１２０  テキスト表示制御部
１３０  グラフ表示制御部
１４０  修正案採否決定処理部
１５０  最終修正ＩＢＩＳ出力部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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