(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
１，２−ビス（ビニルフェニル）エタンを架橋成分として、樹脂成分の総量を１００重量部としたとき５０〜９５重量部含み、かつ、難燃剤として、１０−（２，５−ジヒドロキシフェニル）−１０Ｈ−９−オキサ−１０−ホスファフェナントレン−１０−オキシドまたは１，３フェニレンビス（ジ２，６キシレニルホスフェート）の何れかを含み、高分子量体としてポリ−２，６−ジメチル−１，４−フェニレンオキシドを含むことを特徴とする低誘電正接樹脂組成物。
【請求項２】
前記低誘電正接樹脂組成物がスチレン基を重合し得る硬化触媒またはスチレン基の重合を抑制し得る重合禁止剤を含有する請求項１に記載の低誘電正接樹脂組成物。
【請求項３】
前記樹脂組成物中の樹脂成分の総量を１００重量部とし、燐原子の含有量が１.５〜５重量部となるように前記難燃剤を添加することを特徴とする請求項１または２に記載の低誘電正接樹脂組成物。
【請求項４】
前記低誘電正接樹脂組成物中の樹脂成分の総量を１００重量部として、硬化触媒の添加量が０.０００５〜１０重量部、重合禁止剤が０.０００５〜５重量部である請求項２又は３に記載の低誘電正接樹脂組成物。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載の低誘電正接樹脂組成物を、有機，無機のクロスまたは不織布に含浸，乾燥させたことを特徴とするプリプレグ。
【請求項６】
請求項５に記載のプリプレグまたはその硬化物の少なくとも片面に導体層が設けられていることを特徴とする積層板。
【請求項７】
請求項６に記載の積層板の導体層に配線加工を施した後、プリプレグを介して前記積層板を積層接着したことを特徴とする多層プリント基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高周波信号に対応するため低誘電損失で難燃性の低誘電正接樹脂組成物、および、該樹脂組成物を用いたプリプレグ，導体層付き積層板並びに多層プリント基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ＰＨＳ、携帯電話等の情報通信機器の信号帯域、コンピューターのＣＰＵクロックタイムはＧＨｚ帯に達し、高周波数化が進行している。
【０００３】
電気信号の誘電損失は、回路を形成する絶縁体の比誘電率の平方根、誘電正接および使用される信号の周波数の積に比例する。そのため、使用される信号の周波数が高いほど誘電損失が大きくなる。
【０００４】
誘電損失は、電気信号を減衰させて信号の信頼性を損なうので、これを抑制するため絶縁体には、誘電率および誘電正接の小さな材料を選定する必要がある。絶縁体の低誘電率化および低誘電正接化には、分子構造中の極性基の除去が有効であり、フッ素樹脂，硬化性ポリオレフィン，シアネートエステル系樹脂，硬化性ポリフェニレンオキサイド，アリル変性ポリフェニレンエーテル，ジビニルベンゼンまたはジビニルナフタレンで変性したポリエーテルイミド等が提案されている。
【０００５】
例えば、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）に代表されるフッ素樹脂は、誘電率および誘電正接が共に低く、高周波信号を扱う基板材料に使用されている。
【０００６】
これに対し、有機溶剤に可溶で取り扱い易い、非フッ素系の低誘電率，低誘電正接の樹脂も種々検討されてきた。例えば、特開平８−２０８８５６号公報記載のポリブタジエン等のジエン系ポリマーを、ガラスクロスに含浸して過酸化物で硬化した例がある。
【０００７】
また、特開平１０−１５８３３７号公報記載のノルボルネン系付加型重合体にエポキシ基を導入し、硬化性を付与した環状ポリオレフィンの例がある。特開平１１−１２４４９１号公報記載のシアネートエステル，ジエン系ポリマーおよびエポキシ樹脂を加熱してＢステージ化した例がある。
【０００８】
また、特開平９−１１８７５９号公報記載のポリフェニレンオキサイド、ジエン系ポリマーおよびトリアリルイソシアネートからなる変性樹脂の例、特開平９−２４６４２９号公報記載のアリル化ポリフェニレンエーテルおよびトリアリルイソシアネート等からなる樹脂組成物の例がある。
【０００９】
また、特開平５−１５６１５９号公報記載のポリエーテルイミドとスチレン、ジビニルベンゼンまたはジビニルナフタレンとをアロイ化した例がある。特開平５−７８５５２号公報記載のジヒドロキシ化合物とクロロメチルスチレンからウイリアムソン反応で合成した、例えば、ヒドロキノンビス（ビニルベンジル）エーテルとノボラックフェノール樹脂からなる樹脂組成物など多数が挙げられる。
【００１０】
一方、前記の絶縁材料には、適用製品の安全性の観点から難燃化が必須である。従来、赤燐，燐酸エステル，含窒素化合物，ハロゲン化物，金属水和物，金属酸化物等の難燃剤の添加が検討されてきた。例えば、メラミン等の窒素化合物，ポリオールおよび有機燐酸エステルを複合して用いる特開平４−１１７４４２号公報記載の例がある。
【００１１】
また、金属酸化物を用いた特開平９−１０４８２１号公報記載の例、金属水和物とチタン酸カリウムを用いた例、燐化合物と含窒素化合物を用いた特開２０００−２６５５３号公報の例、赤燐と金属水和物を用いた特開２０００−１０６０４１号公報の例、ハロゲン化物を用いた特開平６−１０６６７６号公報など多数の例が挙げられる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
上記のような低誘電率，低誘電正接材を用いて難燃化を図った材料でも、近年の高周波機器に対応するためには、誘電特性が十分ではない。
【００１３】
本発明の目的は、従来材に比べて優れた誘電特性を有する多官能スチレン化合物を含有する低誘電正接樹脂組成物の低誘電率，低誘電正接性を損なうことなく、難燃化を図った有機燐化合物含有樹脂組成物を提供することにある。
【００１４】
また、本発明の他の目的は、前記樹脂組成物を用いたプリプレグ，積層板および多層プリント基板を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
多官能スチレン化合物の硬化物は、極めて低い誘電率と誘電正接を有し、その値は測定周波数１０ＧＨｚにおいて、誘電率が約２.５，誘電正接が０.００２未満である。
【００１６】
本特性を損なわずに樹脂組成物の硬化物に、難燃性を付与する難燃剤を種々検討した結果、樹脂組成物中に有機燐化合物を添加した場合に、必要とする難燃性が発現することを確認した。特に、常温で固形の有機燐化合物を添加することによって、誘電正接の増加を抑制し、かつ、十分な難燃性を付与することができる。
【００１７】
また、本発明の有機燐化合物含有樹脂組成物はプリプレグ，積層板，多層プリント基板に加工することができる。
【００１８】
本発明の有機燐化合物含有樹脂組成物およびその硬化物について説明する。
【００１９】
本発明の樹脂組成物は、式１
【００２０】
【化２】
0004499345.tif 000002
（式中、Ｒは置換基を有していてもよい炭化水素骨格を、Ｒ2，Ｒ3，Ｒ4は異なってもよい水素原子または炭素数１〜６の炭化水素基を、Ｒ5，Ｒ6，Ｒ7，Ｒ8は異なってもよい水素原子または炭素数１から２０の炭化水素基を、ｎは２以上の整数を表す）で示される多官能のスチレン基を有し、重量平均分子量１０００以下の架橋成分を含有する有機燐化合物含有樹脂組成物である。
【００２１】
本発明に用いられる有機燐化合物は、特に制限はなく、例えば、トリフェニルフォスフェート，トリクレジルホスフェート，トリキシレニルホスフェート等の燐酸エステル，縮合燐酸エステルである。こうした市販品としては、大八化学製のＰＸ−２００，ＰＸ−２０１，ＰＸ−２０２，ＣＲ−７４１Ｃ等が使用できる。各種有機燐化合物の中でも、特に、常温で固体の有機燐化合物を用いることが好ましい。これにより誘電正接の増加を抑制することができる。
【００２２】
有機隣化合物の添加量は、樹脂組成物中の樹脂成分の総量を１００重量部とし、燐成分（燐原子）の添加量が１.５〜５重量部となるように添加することが好ましい。本範囲で十分な難燃性を得ることができる。
【００２３】
有機燐化合物の添加量が上記の範囲より低いと十分な難燃性が得られない場合があり、また、多過ぎると機械強度の低下を招く場合がある。
【００２４】
本発明の有機燐化合物含有樹脂組成物では、更に、高分子量体を添加することによって該樹脂組成物に成膜性，強度，伸び，接着性を付与することができる。
【００２５】
こうした高分子量体の例としてはブタジエン，イソプレン，スチレン，メチルスチレン，エチルスチレン，ジビニルベンゼン，アクリル酸エステル，アクリロニトリル，Ｎ−フェニルマレイミドおよびＮ−ビニルフェニルマレイミドの少なくとも一種からなる重合体、置換基を有していてもよいポリフェニレンオキサイド、並びに、脂環式構造を有するポリオレフィン等が挙げられる。
【００２６】
上記高分子量体の添加量には特に制限はないが、架橋成分が５〜９５重量部，高分子量体が９５〜５重量部の範囲で添加するのが好ましい。上記の範囲内で強度、伸び，接着力の向上等、目的に応じて樹脂組成を調整することができる。特に、好ましい範囲としては架橋成分が５０〜８０重量部、高分子量体が５０〜２０重量部の範囲で、これにより高分子量体が架橋性の官能基を有していない場合にも耐溶剤性を保持することができる。
【００２７】
更に、本発明の有機燐化合物含有樹脂組成物には、スチレン基を重合し得る硬化触媒、または、スチレン基の重合を抑制し得る重合禁止剤を添加することにより硬化性の向上、保存安定性の向上を図ることができる。
【００２８】
本発明に用いられる多官能スチレン化合物は、硬化触媒を添加しなくとも硬化することができるが、硬化触媒を添加することによって、多官能スチレン化合物の硬化を促進することができる。これにより低温での硬化が可能となる。その添加量は誘電率，誘電正接に影響を与えない範囲に設定することが好ましく、樹脂組成物中の樹脂成分の総量を１００重量部として０.０００５〜１０重量部とすることが望ましい。
【００２９】
スチレン基の重合を開始し得るカチオンまたはラジカル活性種を、熱または光によって生成する硬化触媒の例を以下に示す。
【００３０】
カチオン重合開始剤としては、ＢＦ4、ＰＦ6、ＡｓＦ6、ＳｂＦ6を対アニオンとするジアリルヨードニウム塩，トリアリルスルホニウム塩および脂肪族スルホニウム塩が挙げられ、こうした市販品としては旭電化工業製ＳＰ−７０，１７２，ＣＰ−６６、日本曹達製ＣＩ−２８５５，２８２３、三新化学工業製ＳＩ−１００ＬおよびＳＩ−１５０Ｌ等を使用することができる。
【００３１】
ラジカル重合開始剤としては、ベンゾインまたはベンゾインメチルのようなベンゾイン系化合物、アセトフェノンまたは２,２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノンのようなアセトフェノン系化合物、チオキサントンまたは２,４−ジエチルチオキサントンのようなチオキサンソン系化合物、４,４'−ジアジドカルコン、２,６−ビス（４'−アジドベンザル）シクロヘキサノンまたは４,４'−ジアジドベンゾフェノンのようなビスアジド化合物、アゾビスイソブチルニトリル、２、２−アゾビスプロパン、ｍ,ｍ'−アゾキシスチレンまたはヒドラゾンのようなアゾ化合物、並びに、２,５−ジメチル−２,５−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサンまたは２,５−ジメチル−２,５−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキシン−３、ジクミルパーオキシドのような有機過酸化物等が挙げられる。
【００３２】
特に、官能基を持たない化合物の水素引き抜きを生じさせ、架橋成分と高分子量体間の架橋をもたらし得る有機過酸化物またはビスアジド化合物を添加することが望ましい。
【００３３】
前記の重合禁止剤は、本発明の有機燐化合物含有樹脂組成物の保存安定性を増す作用を有するものである。その添加量は誘電特性、硬化時の反応性を著しく阻害しない範囲が好ましく、樹脂組成物中の樹脂成分の総量１００重量部に対し、０.０００５〜５重量部とすることが望ましい。重合禁止剤を前記範囲で添加すると、保存時の余計な架橋反応を抑制することができ、また、硬化時に著しい硬化障害をもたらすこともない。
【００３４】
かかる重合禁止剤としてはハイドロキノン，ｐ−ベンゾキノン，クロラニル，トリメチルキノン，４−ｔ−ブチルピロカテコール等のキノン類および芳香族ジオール類が挙げられる。
【００３５】
本発明の有機燐化合物含有樹脂組成物は、有機または無機のクロスまたは不織布基材に含浸，乾燥させることによりプリプレグとして用いる。なお、プリプレグの基材については特に制限はなく、各種ガラスクロス，ガラス不織布，アラミド不織布または多孔質ＰＴＦＥフィルム等を用いることができる。プリプレグは、樹脂組成物を用いて作製したワニスに、基材となるクロスまたは不織布を浸し、次いでこれを乾燥することにより作製できる。含浸後の乾燥条件は用いる樹脂組成物によるが、例えば、溶媒としてトルエンを使用した場合は８０〜１３０℃で３０〜９０分程度乾燥するのが好ましい。
【００３６】
本発明のプリプレグに電解銅箔等の導体箔を重ね、加熱プレス加工することによって、表面に導体層を有する積層板を作製することができる。銅箔の厚さは、１２〜３６μｍ程度が好ましい。加圧プレス加工の条件は、使用する樹脂組成物にもよるが、例えば、高分子量体としてポリフェニレンエーテルを使用した場合には１５０〜２４０℃，１〜５ＭＰａで１〜３時間成形するのが好ましい。
【００３７】
上記の積層板の導体層を通常のエッチング法によって配線加工し、これを前記プリプレグを介して複数積層し、加熱プレス加工することによって多層プリント基板を作製する。こうして得られた多層プリント基板は誘電率，誘電正接が低く、難燃性を有する。即ち、伝送特性と安全性に優れた多層プリント基板となる。
【００３８】
【発明の実施の形態】
以下に実施例および比較例を示して本発明を具体的に説明する。なお、以下の説明中に部とあるのは、特に断りのない限り重量部を指す。表１，２に本発明の実施例と比較例の組成とその特性を示す。
【００３９】
以下に実施例および比較例に使用した試薬の名称、合成方法、ワニスの調製法および硬化物の評価方法を説明する。
【００４０】
（１）  １,２−ビス（ビニルフェニル）エタン（以下、ＢＶＰＥと呼ぶ）の合成
５００ｍｌの三つ口フラスコにグリニャール反応用粒状マグネシウム（関東化学製）５.３６ｇ（２２０ｍｍｏｌ）を採り、滴下ロート、窒素導入管およびセプタムキャップを取り付けた。窒素気流下、スターラによってマグネシウム粒を攪拌しながら、系全体をドライヤーで加熱脱水した。
【００４１】
次ぎに、乾燥テトラヒドロフラン３００ｍｌをシリンジに採り、セプタムキャップを通じて注入した。溶液を−５℃に冷却後、滴下ロートを用いてビニルベンジルクロライド（ＶＢＣ、東京化成製）３０.５ｇ（２００ｍｍｏｌ）を約４時間かけて滴下した。滴下終了後、０℃で２０時間攪拌を続けた。反応終了後、反応溶液をろ過して残存マグネシウムを除き、エバポレーターで濃縮した。
【００４２】
濃縮溶液をヘキサンで希釈し、３.６％塩酸水溶液で１回、純水で３回洗浄し、次いで硫酸マグネシウムで脱水した。
【００４３】
脱水溶液をシリカゲル（和光純薬製ワコーゲルＣ３００）／ヘキサンのショートカラムに通して精製し、真空乾燥してＢＶＰＥを得た。得られたＢＶＰＥはｍ−ｍ体（液状）、ｍ−ｐ体（液状）、ｐ−ｐ体（結晶）の混合物であり、収率は９０％であった。
【００４４】
1Ｈ−ＮＭＲによってその構造を調べたところ、その値は文献値と一致した（６Ｈ−ビニル：α−２Ｈ、６.７ｐｐｍ、β−４Ｈ、５.７〜５.２ｐｐｍ、８Ｈ−アロマティック：７.１〜７.３５ｐｐｍ、４Ｈ−メチレン：２.９ｐｐｍ）。このＢＶＰＥを架橋成分として用いた。
【００４５】
（２）  その他の試薬
高分子量体：アルドリッチ製、ポリー２，６−ジメチルー１，４−フェニレンオキシド（ＰＰＥ）
難燃剤ＰＸ−２００：大八化学工業(株）製１，３フェニレンビス（ジ２，６キシレニルホスフェート）
ＨＣＡ−ＨＱ：三光（株）製１０−（２，５−ジヒドロキシフェニル）−１０Ｈ−９−オキサー１０−ホスホフェナントレン−１０−オキシド
硬化触媒：２５Ｂ：日本油脂製、２，５−ジメチルー２，５−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキシン−３
（３）  ワニスの調整法
所定量の高分子量体、架橋成分、クロロホルムおよび有機燐化合物をボールミルにて約８時間攪拌して溶解、分散して、樹脂組成物のワニスを作製した。
【００４６】
（４）  樹脂板の作製
上記ワニスをＰＥＴフィルムに塗布して乾燥した後、これを剥離してポリテトラフルオロエチレン製のスペーサ内に所定量入れ、ポリイミドフィルムおよび鏡板を介し、真空下で、加熱，加圧して硬化して樹脂板を得た。加熱条件は、１２０℃／３０分、１５０℃／３０分、１８０℃／１００分で、プレス圧力１.５ＭＰａの多段階加熱とした。樹脂板の大きさは７０ｍｍ×７０ｍｍ×１.５ｍｍとした。
【００４７】
（５）  プリプレグの作製
各実施例において作製したプリプレグは、当該ワニスをガラスクロス（日東紡製＃２１１６）に含浸し、室温で約１時間、９０℃で６０分間乾燥することにより作製した。
【００４８】
（６）  プリプレグ硬化物の作製
積層板とした際の特性を知るため、前記で作製したプリプレグを１０枚重ねて真空下で加熱，加圧して模擬基板を作製した。加熱条件は１２０℃／３０分、１５０℃／３０分、１８０℃／１００分、プレス圧力１.５ＭＰａの多段階加熱とした。模擬基板は７０ｍｍ×７０ｍｍ×１.５ｍｍとした。
【００４９】
（７）  誘電率および誘電正接の測定
誘電率，誘電正接は、空胴共振器摂動法（アジレントテクノロジー製８７２２ＥＳ型ネットワークアナライザー、関東電子応用開発製空胴共振器）によって、１０ＧＨｚでの値を測定した。
【００５０】
（８）  難燃性
難燃性は、サンプルサイズ７０ｍｍ×３ｍｍ×１.５ｍｍの試料を用いてＵＬ−９４規格に基づき評価し、平均燃焼時間と最大燃焼時間を測定した。
【００５１】
〔比較例１〕
比較例１は、有機燐化合物を添加していない樹脂組成物から作製した樹脂板である。誘電特性は優れているものの、難燃剤を含んでいないため難燃性を有していなかった。
【００５２】
〔実施例１〜３〕
実施例１〜３は、比較例１の樹脂組成物に、有機燐化合物として常温で固形のＰＸ−２００を添加量を変えて添加した例である。その評価結果を表１に示した。
【００５３】
燐成分の含有率が増すに伴い燃焼時間が短くなり、有機燐化合物の添加により難燃性が増すことが確認された。燐含有率が１.５ｗｔ％を超えると、ほぼＶ−０相当の難燃性が達成された。この時、誘電率は２.５０から２.５２に僅かに増加したものの、誘電正接の値は０.００２２から０.００１９に低下した。これにより優れた誘電特性を有する難燃性樹脂組成物が得られた。
【００５４】
【表１】
0004499345.tif 000003
〔実施例４〜６〕
実施例４〜６は比較例１の樹脂組成物に、有機燐化合物として常温で固形のＨＣＡ-ＨＱを添加量を変えて添加したものである。その評価結果を表２に示した。
【００５５】
燐成分の含有率が増すに伴い燃焼時間が短くなり、有機燐化合物の添加により難燃性が増すことが確認された。燐含有率が１.６ｗｔ％を超えると、ほぼＶ−０が達成された。この時、誘電率は２.５０から２.５８に僅かに増加したものの、誘電正接の値は０.００２２であり変化しなかった。これにより優れた誘電特性を有する難燃性樹脂組成物が得られた。
【００５６】
【表２】
0004499345.tif 000004
〔実施例７〕
実施例３の組成のワニスを用いてプリプレグを作製した。作製したプリプレグはタックフリー性を有していた。本プリプレグを１０枚重ね合わせて真空下、加熱，加圧してプリプレグ硬化物を作製した。該プリプレグ硬化物の樹脂含有量は３６ｗｔ％で、難燃性試験を実施したところ平均燃焼時間は０.２秒、最大燃焼時間は０.３秒と、ほぼＶ−０相当の難燃性を達成した。また、誘電率は３.１０、誘電正接は０.００４であった。
【００５７】
該プリプレグに用いた樹脂組成物は優れた溶融流動性を有し、多層プリント基板の層間接着剤として好適に用いることができる。
【００５８】
〔実施例８〕
実施例７で作製したプリプレグの両面に電解銅箔の粗面を張り付け、真空下で、加圧，加熱して両面銅張積層板を作製した。加熱条件は１２０℃／３０分、１５０℃／３０分、１８０℃／１００分、プレス圧力１.５ＭＰａとした。銅箔とプリプレグは良好な接着性を示し、これにより低誘電損失の多層プリント基板の作製が可能となった。
【００５９】
〔実施例９〕
図１は、本発明の多層プリント基板の作成工程の一例示す模式断面図である。
【００６０】
（Ａ）では、実施例８と同様にして得た樹脂基板1の両面に銅箔2を有する両面銅張積層板の片面に、フォトレジスト３（日立化成製  ＨＳ４２５）をラミネートして全面に露光した。次いで、フォトレジスト３を貼っていない方の面にフォトレジスト３（日立化成製  ＨＳ４２５）をラミネートしてテストパターンを露光し、未露光部分のフォトレジストを１％炭酸ナトリウム液で現像した。
【００６１】
（Ｂ）では、硫酸５％，過酸化水素５％のエッチング液で露出した銅箔をエッチング除去して、両面銅張積層板の片面に導体配線を形成した。
【００６２】
（Ｃ）では、３％水酸化ナトリウム溶液で残存するフォトレジスト３を除去し、片面に配線を有する配線基板を得た。同様にして２枚の配線基板を作製した。
【００６３】
（Ｄ）では、二枚の配線基板の配線側の面に実施例７のプリプレグ４を挟み、真空下、加熱，加圧して多層化した。加熱条件は１２０℃／３０分、１５０℃／３０分、１８０℃／１００分、プレス圧力１.５ＭＰａの多段階加熱とした。
【００６４】
（Ｅ）では、作製した多層板の両面の外装銅にフォトレジスト３（日立化成製ＨＳ４２５）をラミネートしてテストパターンを露光し、未露光部分のフォトレジストを１％炭酸ナトリウム液で現像した。
【００６５】
（Ｆ）では、硫酸５％，過酸化水素５％のエッチング液で露出した銅箔をエッチング除去し、３％水酸化ナトリウム溶液で残存するフォトレジストを除去して外装配線６を形成した。
【００６６】
（Ｇ）では、内層配線５と外装配線６を接続するスルーホール７をドリル加工で形成した。
【００６７】
（Ｈ）では、配線基板をめっき触媒のコロイド溶液に浸して、スルーホール７内、および、基板表面に触媒８を付与した。
【００６８】
（Ｉ）では、めっき触媒８を活性化処理の後、無電解めっき液（日立化成製  ＣＵＳＴ２０００）により、約１μｍの種膜９を設けた。
【００６９】
（Ｊ）では、フォトレジスト（日立化成製  ＨＮ９２０）を配線基板の両面にラミネートした。
【００７０】
（Ｋ）では、スルーホール7部分および配線基板の端部をマスクして露光後、３％炭酸ナトリウムで現像して開孔部１０を設けた。
【００７１】
（Ｌ）では、配線基板の端部に電極１１を設け、電解めっきによってスルーホール7部分にめっき銅１２を約１８μｍ形成した。
【００７２】
（Ｍ）では、電極１１の部分を切断除去し、残存するフォトレジストを５％水酸化ナトリウム水溶液で除去した。
【００７３】
（Ｎ）では、硫酸５％，過酸化水素５％のエッチング液に配線基板を浸し、約１μｍエッチングして種膜を除去して多層配線板を作製した。得られた多層配線板は低誘電率，低誘電正接で、かつ、高い難燃性を示した。
【００７４】
【発明の効果】
本発明によれば、誘電率、誘電正接が低く、難燃性の硬化物を与える樹脂組成物が得られる。
【００７５】
本樹脂組成物は、高周波用電気部品の絶縁材料に好適であり、高周波信号用多層プリント基板へ応用した場合、低誘電損失と難燃性を両立できると云う効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の多層配線板の作製工程を示す模式断面図である。
【符号の説明】
１…樹脂基板、２…電解銅箔、３…フォトレジスト、４…プリプレグ、５…内層配線、６…外層配線、７…スルーホール、８…めっき触媒、９…種膜、１０…開孔部、１１…電極、１２…めっき銅。
【図１】
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