(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記の式１で示されるスルホネートホスホニウム塩、下記の式２で示されるスルホネート無機塩及び下記の有機リン化合物から成ることを特徴とするポリカーボネート用帯電防止剤。
【式１】
0004462716.tif 000023
【式２】
0004462716.tif 000024
（式１，式２において、
Ａ1，Ａ2：炭素数１〜２４のアルキル基、炭素数４〜２４のアルケニル基、フェニル基、置換基として炭素数１〜１８のアルキル基を有する置換フェニル基、ナフチル基又は置換基として炭素数１〜１８のアルキル基を有する置換ナフチル基
Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3，Ｒ4：炭素数１〜１８の脂肪族若しくは芳香族炭化水素基又は置換基として水酸基若しくはシアノ基を有する炭素数１〜１８の置換炭化水素基Ｍn+：ｎ＝１の場合はアルカリ金属カチオン、ｎ＝２の場合はアルカリ土類金属カチオン
ｎ：１又は２）
有機リン化合物：下記の式３で示される有機リン化合物及び下記の式４で示される有機リン化合物から選ばれる一つ又は二つ以上
【式３】
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【式４】
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（式３，式４において、
Ｒ5，Ｒ6，Ｒ7，Ｒ8：炭素数３〜２２の脂肪族炭化水素基又は芳香族炭化水素基
Ｔ1：炭素数３〜２２の脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基又は２〜４価のヒドロキシ化合物から全ての水酸基を除いた残基
Ｔ2：炭素数３〜２２の脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基、２価の脂肪族炭化水素基又は２価の芳香族炭化水素基
ｑ：１〜４の整数、但しＴ1が脂肪族炭化水素基又は芳香族炭化水素基の場合はｑ＝１、Ｔ1がヒドロキシ化合物の残基の場合はｑ＝除かれた水酸基の数
ｒ：１又は２、但しＴ2が脂肪族炭化水素基又は芳香族炭化水素基の場合はｒ＝１、Ｔ2が２価の脂肪族炭化水素基又は２価の芳香族炭化水素基の場合はｒ＝２）
【請求項２】
請求項１記載の式１で示されるスルホネートホスホニウム塩、式２で示されるスルホネート無機塩及び下記の有機リン化合物と、更に下記の式５で示されるポリオキシアルキレン化合物とから成ることを特徴とするポリカーボネート用帯電防止剤。
有機リン化合物：請求項１記載の式３で示される有機リン化合物及び式４で示される有機リン化合物から選ばれる一つ又は二つ以上
【式５】
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（式５において、
Ａ3：水素、炭素数１〜２４の脂肪族炭化水素基、炭素数２〜２４のアシル基又は芳香族炭化水素基
Ｂ：水素、１〜４価のヒドロキシ化合物から全ての水酸基を除いた残基又は１〜４価のカルボン酸から全ての水酸基を除いた残基
ｍ：１〜４の整数、但しＢが水素の場合はｍ＝１、Ｂがヒドロキシ化合物の残基又はカルボン酸の残基の場合はｍ＝除かれた水酸基の数
Ｘ：４〜１００個のオキシエチレン単位又は合計４〜１００個のオキシエチレン単位とオキシプロピレン単位とで構成されたポリオキシアルキレン基）
【請求項３】
式１で示されるスルホネートホスホニウム塩と式２で示されるスルホネート無機塩との合計／有機リン化合物＝９９／１〜１０／９０（重量比）の割合である請求項１又は２記載のポリカーボネート用帯電防止剤。
【請求項４】
式１で示されるスルホネートホスホニウム塩と式２で示されるスルホネート無機塩と有機リン化合物との合計／ポリオキシアルキレン化合物＝９９／１〜１０／９０（重量比）の割合である請求項２又は３記載のポリカーボネート用帯電防止剤。
【請求項５】
式１で示されるスルホネートホスホニウム塩が、式１中のＡ1が炭素数６〜２２のアルキル基、置換基として炭素数２〜１２のアルキル基を有する置換フェニル基又は置換基として炭素数２〜１２のアルキル基を有する置換ナフチル基であり、且つＲ1，Ｒ2，Ｒ3，Ｒ4がブチル基である場合のものであって、また式２で示されるスルホネート無機塩が、式２中のＡ2が炭素数６〜２２のアルキル基、置換基として炭素数２〜１２のアルキル基を有する置換フェニル基又は置換基として炭素数２〜１２のアルキル基を有する置換ナフチル基であり、且つＭn+がアルカリ金属カチオンである場合のものである請求項１、２、３又は４記載のポリカーボネート用帯電防止剤。
【請求項６】
式３で示される有機リン化合物が、式３中のＴ1がフェニレン基又はビスフェノールＡから全ての水酸基を除いた残基、Ｒ5，Ｒ6がフェニル基又はアルキル基で置換したフェニル基である場合のものであって、また式４で示される有機リン化合物が、式４中のＴ2がビフェニレン基、Ｒ7，Ｒ8がフェニル基又はアルキル基で置換したフェニル基、ｒが２である場合のものである請求項１、２、３、４又は５記載のポリカーボネート用帯電防止剤。
【請求項７】
帯電防止剤成分を添加してポリカーボネートに帯電防止性を付与する方法において、帯電防止剤成分として請求項１記載の式１で示されるスルホネートホスホニウム塩、式２で示されるスルホネート無機塩及び下記の有機リン化合物を添加することを特徴とするポリカーボネートに帯電防止性を付与する方法。
有機リン化合物：請求項１記載の式３で示される有機リン化合物及び式４で示される有機リン化合物から選ばれる一つ又は二つ以上
【請求項８】
帯電防止剤成分を添加してポリカーボネートに帯電防止性を付与する方法において、帯電防止剤成分として請求項１記載の式１で示されるスルホネートホスホニウム塩、式２で示されるスルホネート無機塩及び下記の有機リン化合物と、更に請求項２記載の式５で示されるポリオキシアルキレン化合物とを添加することを特徴とするポリカーボネートに帯電防止性を付与する方法。
有機リン化合物：請求項１記載の式３で示される有機リン化合物及び式４で示される有機リン化合物から選ばれる一つ又は二つ以上
【請求項９】
式１で示されるスルホネートホスホニウム塩と式２で示されるスルホネート無機塩との合計／有機リン化合物＝９９／１〜１０／９０（重量比）の割合となるように添加する請求項７又は８記載のポリカーボネートに帯電防止性を付与する方法。
【請求項１０】
式１で示されるスルホネートホスホニウム塩と式２で示されるスルホネート無機塩と有機リン化合物との合計／式５で示されるポリオキシアルキレン化合物＝９９／１〜１０／９０（重量比）の割合となるように添加する請求項８又は９記載のポリカーボネートに帯電防止性を付与する方法。
【請求項１１】
式１で示されるスルホネートホスホニウム塩が、式１中のＡ1が炭素数６〜２２のアルキル基、置換基として炭素数２〜１２のアルキル基を有する置換フェニル基又は置換基として炭素数２〜１２のアルキル基を有する置換ナフチル基であり、且つＲ1，Ｒ2，Ｒ3，Ｒ4がブチル基である場合のものであって、また式２で示されるスルホネート無機塩が、式２中のＡ2が炭素数６〜２２のアルキル基、置換基として炭素数２〜１２のアルキル基を有する置換フェニル基又は置換基として炭素数２〜１２のアルキル基を有する置換ナフチル基であり、且つＭn+がアルカリ金属カチオンである場合のものである請求項７、８、９又は１０記載のポリカーボネートに帯電防止性を付与する方法。
【請求項１２】
式３で示される有機リン化合物が、式３中のＴ1がフェニレン基又はビスフェノールＡから全ての水酸基を除いた残基、Ｒ5，Ｒ6がフェニル基又はアルキル基で置換したフェニル基である場合のものであって、また式４で示される有機リン化合物が、式４中のＴ2がビフェニレン基、Ｒ7，Ｒ8がフェニル基又はアルキル基で置換したフェニル基、ｒが２である場合のものである請求項７、８、９、１０又は１１記載のポリカーボネートに帯電防止性を付与する方法。
【請求項１３】
ポリカーボネート１００重量部当たり帯電防止剤成分をその合計量として０．１〜１０重量部の割合となるように添加する請求項７、８、９、１０、１１又は１２記載のポリカーボネートに帯電防止性を付与する方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はポリカーボネート用帯電防止剤及びポリカーボネートに帯電防止性を付与する方法に関する。ポリカーボネートは、疎水性が大きく、その結果として帯電し易い特性を有し、かかる特性はポリカーボネートの製造工程やその製品使用上の大きな障害となっている。本発明は上記のような障害を取り除くためのポリカーボネート用帯電防止剤及びポリカーボネートに帯電防止性を付与する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、合成高分子用帯電防止剤として、カーボンや導電性金属粉末等の導電剤或は界面活性剤が使用されている。これらは合成高分子に結果として添加されたり或はその表面へ塗布されている。しかし、導電剤は、相応の効果を得るために必要な使用量が多く、またその添加方法が難しく、更に透明なものが得難く、しかも導電剤それ自体が高価であること等から、実際には使用できる範囲がかなり限定されてしまうという問題がある。対して界面活性剤は、その多くの種類の中から適宣選定され、多くの場合に応用されている。これらのうちでポリカーボネートへ添加するものについては多くの提案がある。しかし、界面活性剤を帯電防止剤として添加する場合、アニオン性界面活性剤には、相溶性が悪く、また均一分散が難しかったり或は加熱時に分解劣化を生じたりして、ポリカーボネートの本来的な色相や透明性を低下させるため、使用し難いという問題がある。また第四級窒素を分子内に有するカチオン性界面活性剤及び両性界面活性剤には、帯電防止性は良好なるも、耐熱性が非常に悪く、実際のところ極く限定された範囲でしか使用できないという問題がある。更に非イオン性界面活性剤には、前記したイオン性界面活性剤に比べてポリカーボネートへの相溶性に優れるが、帯電防止性が弱く、しかもその効果が常温や高温で経時的に消失し易いという問題がある。そこで、これら界面活性剤の欠点を改善するものとして、有機スルホン酸のホスホニウム塩が提案されている（特開昭６２−２３０８３５、特開昭６３−１１７０６１、特開平１−１４２６７、特開平１−６２３３６、特開平１−９２４７４、ＵＳＰ４９４３３８０）。ところが、従来提案されている有機スルホン酸のホスホニウム塩には、ポリカーボネートの本来的な色相や透明性を低下させる傾向があり、その使用量が制限されるため、低湿下における帯電防止性が不充分という問題がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明が解決しようとする課題は、良好な耐熱性及びポリカーボネートに対する相溶性を示し、したがってポリカーボネートの本来的な色相や透明性を低下させることなく、低湿下においてもポリカーボネートに充分な帯電防止性を付与できるポリカーボネート用帯電防止剤及びポリカーボネートに帯電防止性を付与する方法を提供する処にある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
しかして本発明者らは、上記課題を解決するべく研究した結果、ポリカーボネートの帯電防止には、特定のスルホネートホスホニウム塩、特定のスルホネート無機塩及び特定の有機リン化合物を併用することが正しく好適であることを見出した。
【０００５】
すなわち本発明は、下記の式１で示されるスルホネートホスホニウム塩、下記の式２で示されるスルホネート無機塩及び下記の有機リン化合物から成ることを特徴とするポリカーボネート用帯電防止剤に係る。
また本発明は、下記の式１で示されるスルホネートホスホニウム塩、下記の式２で示されるスルホネート無機塩及び下記の有機リン化合物と、更に下記の式５で示されるポリオキシアルキレン化合物とから成ることを特徴とするポリカーボネート用帯電防止剤に係る。
更に本発明は、帯電防止剤成分を添加してポリカーボネートに帯電防止性を付与する方法において、帯電防止剤成分として下記の式１で示されるスルホネートホスホニウム塩、下記の式２で示されるスルホネート無機塩及び下記の有機リン化合物を添加することを特徴とするポリカーボネートに帯電防止性を付与する方法に係る。
更にまた本発明は、帯電防止剤成分を添加してポリカーボネートに帯電防止性を付与する方法において、帯電防止剤成分として下記の式１で示されるスルホネートホスホニウム塩、下記の式２で示されるスルホネート無機塩及び下記の有機リン化合物、更に下記の式５で示されるポリオキシアルキレン化合物とを添加することを特徴とするポリカーボネートに帯電防止性を付与する方法に係る。
【０００６】
【式１】
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【式２】
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【０００７】
式１，式２において、
Ａ1，Ａ2：炭素数１〜２４のアルキル基、炭素数４〜２４のアルケニル基、フェニル基、置換基として炭素数１〜１８のアルキル基を有する置換フェニル基、ナフチル基又は置換基として炭素数１〜１８のアルキル基を有する置換ナフチル基
Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3，Ｒ4：炭素数１〜１８の脂肪族若しくは芳香族炭化水素基又は置換基として水酸基若しくはシアノ基を有する炭素数１〜１８の置換炭化水素基Ｍn+：ｎ＝１の場合はアルカリ金属カチオン、ｎ＝２の場合はアルカリ土類金属カチオン
ｎ：１又は２
【０００８】
有機リン化合物：下記の式３で示される有機リン化合物及び下記の式４で示される有機リン化合物から選ばれる一つ又は二つ以上
【０００９】
【式３】
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【式４】
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【００１０】
式３，式４において、
Ｒ5，Ｒ6，Ｒ7，Ｒ8：炭素数３〜２２の脂肪族炭化水素基又は芳香族炭化水素基
Ｔ1：炭素数３〜２２の脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基又は２〜４価のヒドロキシ化合物から全ての水酸基を除いた残基
Ｔ2：炭素数３〜２２の脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基、２価の脂肪族炭化水素基又は２価の芳香族炭化水素基
ｑ：１〜４の整数、但しＴ1が脂肪族炭化水素基又は芳香族炭化水素基の場合はｑ＝１、Ｔ1がヒドロキシ化合物の残基の場合はｑ＝除かれた水酸基の数
ｒ：１又は２、但しＴ2が脂肪族炭化水素基又は芳香族炭化水素基の場合はｒ＝１、Ｔ2が２価の脂肪族炭化水素基又は２価の芳香族炭化水素基の場合はｒ＝２
【００１１】
【式５】
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【００１２】
式５において、
Ａ3：水素、炭素数１〜２４の脂肪族炭化水素基、炭素数２〜２４のアシル基又は芳香族炭化水素基
Ｂ：水素、１〜４価のヒドロキシ化合物から全ての水酸基を除いた残基又は１〜４価のカルボン酸から全ての水酸基を除いた残基
ｍ：１〜４の整数、但しＢが水素の場合はｍ＝１、Ｂがヒドロキシ化合物の残基又はカルボン酸の残基の場合はｍ＝除かれた水酸基の数
Ｘ：４〜１００個のオキシエチレン単位又は合計４〜１００個のオキシエチレン単位とオキシプロピレン単位とで構成されたポリオキシアルキレン基
【００１３】
式１で示されるスルホネートホスホニウム塩は有機スルホネートアニオンと有機ホスホニウムカチオンとからなるものである。かかる有機スルホネートアニオンとしては、１）メチルスルホネート、エチルスルホネート、プロピルスルホネート、ブチルスルホネート、オクチルスルホネート、ドデシルスルホネート、テトラデシルスルホネート、ステアリルスルホネート、テトラコシルスルホネート、２−エチルヘキシルスルホネート等の、炭素数１〜２４のアルキル基を有する有機スルホネートアニオン、２）ブテニルスルホネート、オクテニルスルホネート、ドデセニルスルホネート、テトラデセニルスルホネート、オクタデセニルスルホネート等の、炭素数４〜２４のアルケニル基を有する有機スルホネートアニオン、３）フェニルスルホネート、４）メチルフェニルスルホネート、ブチルフェニルスルホネート、オクチルフェニルスルホネート、ドデシルフェニルスルホネート、ジブチルフェニルスルホネート、ジノニルフェニルスルホネート等の、炭素数１〜１８のアルキル基で置換したフェニル基を有する有機スルホネートアニオン、５）ナフチルスルホネート、６）ジイソプロピルナフチルスルホネート、ジブチルナフチルスルホネート等の、炭素数１〜１８のアルキル基で置換したナフチル基を有する有機スルホネートアニオン等が挙げられる。なかでも炭素数６〜２２のアルキル基を有する有機スルホネートアニオン、炭素数２〜１２のアルキル基で置換したフェニル基を有する有機スルホネートアニオン、炭素数２〜１２のアルキル基で置換したナフチル基を有する有機スルホネートアニオンが好ましく、ドデシルベンゼンスルホネートアニオンが特に好ましい。
【００１４】
また前記有機ホスホニウムカチオンとしては、１）テトラメチルホスホニウム、テトラエチルホスホニウム、テトラブチルホスホニウム、トリエチルメチルホスホニウム、トリブチルメチルホスホニウム、ジエチルジヘキシルホスホニウム、ジオクチルジメチルホスホニウム、トリメチルブチルホスホニウム、トリメチルオクチルホスホニウム、トリメチルラウリルホスホニウム、トリメチルステアリルホスホニウム、トリエチルオクチルホスホニウム、トリブチルオクチルホスホニウム等の、式１中のＲ1〜Ｒ4が炭素数１〜１８の脂肪族炭化水素基である場合の有機ホスホニウムカチオン、２）テトラフェニルホスホニウム、トリフェニルメチルホスホニウム、トリフェニルエチルホスホニウム、トリフェニルベンジルホスホニウム、トリブチルベンジルホスホニウム等の、式１中のＲ1〜Ｒ4のうちで少なくとも一つが芳香族炭化水素基である場合の有機ホスホニウムカチオン、３）テトラメチロールホスホニウム、トリ（２−シアノエチル）メチルホスホニウム、トリ（２−シアノエチル）エチルホスホニウム、トリ（２−シアノエチル）ベンジルホスホニウム、トリ（３−ヒドロキシプロピル）メチルホスホニウム、トリ（３−ヒドロキシプロピル）ベンジルホスホニウム、トリメチル（２−ヒドロキシエチル）ホスホニウム、トリ（２−ヒドロキシエチル）メチルホスホニウム等の、式１中のＲ1〜Ｒ4のうちで少なくとも一つが置換基として水酸基若しくはシアノ基を有する炭化水素基である場合の有機ホスホニウムカチオン等が挙げられる。なかでも式１中のＲ1〜Ｒ4が炭素数１〜８の脂肪族炭化水素基である場合の有機ホスホニウムカチオンが好ましく、テトラブチルホスホニウムカチオンが特に好ましい。
【００１５】
本発明に供するスルホネートホスホニウム塩は以上例示したような有機スルホネートアニオンと有機ホスホニウムカチオンとの任意の組合わせにより構成されるが、本発明はその組合わせを特に制限するものではない。かかるスルホネートホスホニウム塩は、それぞれ相当する有機スルホネートの金属塩又はアンモニウム塩と四級ホスホニウム塩とを溶媒中で混合し、副生する無機塩を水洗分離するか、又はメタノールやイソプロパノール更にはアセトンの如き有機溶媒にてスルホネートホスホニウム塩を抽出することにより得ることができる。
【００１６】
式２で示されるスルホネート無機塩は、式１で示されるスルホネートホスホニウム塩について前記した有機スルホネートアニオンと同様の有機スルホネートアニオンを用いてアルカリ金属塩又はアルカリ土類金属塩としたものである。なかでもアルカリ金属塩が好ましく、リチウム塩、ナトリウム塩、カリウム塩が特に好ましい。
【００１７】
本発明に供する有機リン化合物には、１）式３で示される有機リン化合物、２）式４で示される有機リン化合物、３）これらの混合物が包含される。
【００１８】
式３で示される有機リン化合物には、１）ｑが１である場合の分子中にリン原子を１個有する有機リン化合物、２）ｑが２〜４である場合の分子中にリン原子を２〜４個有する有機リン化合物が包含される。式３中のＲ5，Ｒ6としては、１）プロピル基、ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、ラウリル基、パルミチル基、ステアリル基、ベヘニル基、２−エチル−ヘキシル基等の炭素数３〜２２の脂肪族炭化水素基、２）フェニル基、ナフチル基、ベンジル基、クレジル基、キシレニル基等の芳香族炭化水素基が挙げられる。なかでもフェニル基又はアルキル基で置換したフェニル基が好ましい。また式３中のＴ1には、１）プロピル基、ブチル基、ヘキシル基、ラウリル基、ステアリル基等の炭素数３〜２２の脂肪族炭化水素基、２）フェニル基、ナフチル基、ベンジル基、クレジル基、キシレニル基等の芳香族炭化水素基、３）エチレングリコール、プロピレングリコール、ブチレングリコール、トリメチロールプロパン、ペンタエリスリトール、１，３−ジヒドロキシベンゼン、１，４−ジヒドロキシベンゼン、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＳ等の２価〜４価のヒドロキシ化合物から全ての水酸基を除いた残基が挙げられる。なかでもフェニレン基又はビスフェノールＡから全ての水酸基を除いた残基が好ましい。
【００１９】
式３で示される有機リン化合物の具体例としては、１）トリプロピルホスフェート、トリブチルホスフェート、トリ（２−エチルヘキシル）ホスフェート、トリステアリルホスフェート、トリフェニルホスフェート、トリクレジルホスフェート、トリキシレニルホスフェート、トリ（ブチルフェニル）ホスフェート、トリ（ノニルフェニル）ホスフェート、ジフェニルブチルホスフェート、クレジルジフェニルホスフェート等の、式３中のｑが１である場合の有機リン化合物、２）１，２−エチレン−ビス（ジブチルホスフェート）、１，２−エチレン−ビス（ジフェニルホスフェート）、１，２−エチレン−ビス（ジクレジルホスフェート）、１，４−ブチレン−ビス（ジキシレニルホスフェート）、トリメチロールプロパントリス（ジフェニルホスフェート）、ペンタエリスリトールテトラキス（ジフェニルホスフェート）、１，３−フェニレン−ビス（ジブチルホスフェート）、１，３−フェニレン−ビス（ジフェニルホスフェート）、１，３−フェニレン−ビス（ジクレジルホスフェート）、１，３−フェニレン−ビス（ジキシレニルホスフェート）、１，４−フェニレン−ビス（ジフェニルホスフェート）、１，４−フェニレン−ビス（ジクレジルホスフェート）、ビスフェノールＡビス（ジブチルホスフェート）、ビスフェノールＡビス（ジフェニルホスフェート）、ビスフェノールＡビス（ジクレジルホスフェート）、ビスフェノールＡビス（ジキシレニルホスフェート）、ビスフェノールＳビス（ジフェニルホスフェート）、ビスフェノールＳビス（ジクレジルホスフェート）等の、式３中のｑが２〜４である場合の有機リン化合物が挙げられる。なかでもトリクレジルホスフェート、トリキシレニルホスフェート、１，３−フェニレン−ビス（ジフェニルホスフェート）、１，４−フェニレン−ビス（ジフェニルホスフェート）、１，３−フェニレン−ビス（ジキシレニルホスフェート）、ビスフェノールＡビス（ジフェニルホスフェート）が特に好ましい。
【００２０】
式４で示される有機リン化合物には、１）ｒが１である場合の分子中にリン原子を１個有する有機リン化合物、２）ｒが２である場合の分子中にリン原子を２個有する有機リン化合物が包含される。式４中のＲ7，Ｒ8としては、１）プロピル基、ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、ラウリル基、パルミチル基、ステアリル基、ベヘニル基、２−エチル−ヘキシル基等の炭素数３〜２２の脂肪族炭化水素基、２）フェニル基、ナフチル基、ベンジル基、クレジル基、キシレニル基、２，６−ジ−ｔ−ブチルフェニル基、２，４−ジ−ｔ−ブチル−５−メチルフェニル基、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチルフェニル基等の芳香族炭化水素基が挙げられる。なかでもフェニル基又はアルキル基で置換したフェニル基が好ましい。また式４中のＴ2としては、１）プロピル基、ブチル基、ヘキシル基、ラウリル基、ステアリル基等の炭素数３〜２２の脂肪族炭化水素基、２）フェニル基、ナフチル基、ベンジル基、クレジル基、キシレニル基、２，６−ジ−ｔ−ブチルフェニル基、２，４−ジ−ｔ−ブチル−５−メチルフェニル基、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチルフェニル基等の芳香族炭化水素基、３）エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、イソブチレン基、ネオペンチレン基、へキシレン基等の２価の脂肪族炭化水素基、４）フェニレン基、ナフチレン基、ビフェニレン基等の２価の芳香族炭化水素基が挙げられる。なかでもビフェニレン基が好ましい。
【００２１】
式４で示される有機リン化合物の具体例としては、１）ジブチルブチルホスホナイト、ジオクチルブチルホスホナイト、ジオクチルフェニルホスホナイト、ジフェニルブチルホスホナイト、ジフェニルフェニルホスホナイト、ジ（ｔ−ブチルフェニル）フェニルホスホナイト、ビス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）フェニルホスホナイト、オクチルフェニルベンジルホスホナイト、ジフェニルベンジルホスホナイト、ビス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ベンジルホスホナイト等の、式４中のｒが１である場合の有機リン化合物、２）テトラフェニル−１，４−ブチレン−ジ−ホスホナイト、テトラキス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）−１，４−ブチレン−ジ−ホスホナイト、テトラフェニル−１，４−フェニレン−ジ−ホスホナイト、テトキス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）−１，４−フェニレン−ジ−ホスホナイト、テトキス（２，４−ジ−ｔ−ブチル−５−メチルフェニル）−１，４−フェニレン−ジ−ホスホナイト、テトラフェニル−４，４’−ビフェニレン−ジ−ホスホナイト、テトラキス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）−４，４’−ビフェニレン−ジ−ホスホナイト、テトラキス（２，４−ジ−ｔ−ブチル−５−メチルフェニル）−４，４’−ビフェニレン−ジ−ホスホナイト、テトラキス（２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチルフェニル）−４，４’−ビフェニレン−ジ−ホスホナイト、テトラキス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）−２，６−ナフチレン−ジ−ホスホナイト、テトラキス（２，４−ジ−ｔ−ブチル−５−メチルフェニル）−２，６−ナフチレン−ジ−ホスホナイト等の、式４中のｒが２である場合の有機リン化合物が挙げられる。なかでもビス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）フェニルホスホナイト、ジフェニルフェニルホスホナイト、ビス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ベンジルホスホナイト、テトラキス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）−４，４’−ビフェニレン−ジ−ホスホナイト、テトラキス（２，４−ジ−ｔ−ブチル−５−メチルフェニル）−４，４’−ビフェニレン−ジ−ホスホナイトが特に好ましい。
【００２２】
本発明に供する式５で示されるポリオキシアルキレン化合物には、１）４〜１００個のオキシエチレン単位で構成されたポリオキシエチレン基を有するポリオキシアルキレン化合物、２）合計４〜１００個のオキシエチレン単位とオキシプロピレン単位とで構成されたポリオキシアルキレン基を有するポリオキシアルキレン化合物が包含される。かかるポリオキシアルキレン化合物には、ａ）１〜４価のヒドロキシ化合物にアルキレンオキサイドを付加して得られるポリオキシアルキレン化合物、ｂ）前記ａ）のポリオキシアルキレン化合物のヒドロキシル基を１価の有機カルボン酸又は有機カルボン酸形成性化合物で部分エステル化又は完全エステル化して得られるポリオキシアルキレン化合物、ｃ）前記ａ）のポリオキシアルキレン化合物のヒドロキシル基をアルコキシ化剤で部分アルコキシ化又は完全アルコキシ化して得られるポリオキシアルキレン化合物、ｄ）１〜４価の有機カルボン酸にアルキレンオキサイドを付加して得られるポリオキシアルキレン化合物、ｅ）前記ｄ）のポリオキシアルキレン化合物のヒドロキシル基を１価の有機カルボン酸又はカルボン酸形成性化合物で部分エステル化又は完全エステル化して得られるポリオキシアルキレン化合物、ｆ）１〜４価の有機カルボン酸を片末端封鎖ポリオキシアルキレングリコールにより完全エステル化して得られるポリオキシアルキレン化合物が挙げられる。
【００２３】
前記ａ）のポリオキシアルキレン化合物を得るのに用いられる１〜４価のヒドロキシ化合物としては、１）メタノール、エタノール、ブタノール、２−エチルヘキサノール、ラウリルアルコール、ステアリルアルコール等の１価の脂肪族ヒドロキシ化合物、２）ベンジルアルコール、フェノール、２−ヒドロキシナフタレン、オクチルフェノール、ノニルフェノール等の１価の芳香族ヒドロキシ化合物、３）エチレングリコール、プロピレングリコール、ブタンジオール、ヘキサンジオール、グリセリン、トリメチロールプロパン、ソルビトール、ペンタエリスリトール等の２〜４価の脂肪族ヒドロキシ化合物、４）ハイドロキノン、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＳ、１，３，５−トリヒドロキシベンゼン、１，２，３，４−テトラヒドロキシベンゼン等の２〜４価の芳香族ヒドロキシ化合物が挙げられる。なかでも２〜３価の芳香族ヒドロキシ化合物が好ましく、ビスフェノールＡが特に好ましい。本発明は、前記ａ）のポリオキシアルキレン化合物の合成方法を特に制限するものではなく、これには公知の方法が適用できる。例えば、以上説明したヒドロキシ化合物に、水酸化ナトリウムや水酸化カリウム等の塩基触媒存在下で、エチレンオキサイド或はエチレンオキサイドとプロピレンオキサイドとを付加反応する方法が挙げられる。
【００２４】
前記ｂ）のポリオキシアルキレン化合物を得るのに用いられる有機カルボン酸又は有機カルボン酸形成性化合物としては、１）酢酸、酪酸、カプロン酸、カプリル酸、カプリン酸、ウンデカン酸、ラウリン酸、トリデカン酸、ミリスチン酸、ペンタデカン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、ノナデカン酸、アラキジン酸、ベヘニン酸、リグノセリン酸、パルミトレイン酸、オレイン酸、エライジン酸、バクセン酸、リノール酸、リノレン酸、アラキドン酸、酢酸メチル、酪酸メチル、カプロン酸メチル、カプリル酸メチル、カプリン酸メチル、ウンデカン酸メチル、ラウリン酸メチル、トリデカン酸メチル、ミリスチン酸メチル、ペンタデカン酸メチル、パルミチン酸メチル、ステアリン酸メチル、ノナデカン酸メチル、アラキジン酸メチル、ベヘニン酸メチル、リグノセリン酸メチル、パルミトレイン酸メチル、オレイン酸メチル、エライジン酸メチル、バクセン酸メチル、リノール酸メチル、リノレン酸メチル、アラキドン酸メチル等の、脂肪族カルボン酸又は脂肪族有機カルボン酸形成性化合物、２）安息香酸、ナフトエ酸、トルイル酸、安息香酸メチル、ナフトエ酸メチル、トルイル酸メチル等の、芳香族有機カルボン酸又は芳香族有機カルボン酸形成性化合物、３）グルコール酸、乳酸、リンゴ酸、ヒドロキシ酪酸、ヒドロキシステアリン酸、酒石酸、テトラヒドロキシ琥珀酸、グルコン酸、リシノール酸、α−オキシリノレン酸等の、分子中にヒドロキシ基を有する有機カルボン酸が挙げられる。なかでも芳香族有機カルボン酸又は芳香族有機カルボン酸形成性化合物が好ましく、特に安息香酸、安息香酸メチルが好ましい。本発明は、前記ｂ）のポリオキシアルキレン化合物の合成方法を特に制限するものではなく、これには公知の方法が適用できる。例えば、前記したａ）のポリオキシアルキレン化合物と以上説明した有機カルボン酸とを、硫酸やｐ−トルエンスルホン酸等の酸触媒存在下で、エステル化反応する方法が挙げられる。ここで、原料の仕込み条件を、前記ａ）のポリオキシアルキレン化合物のモル数×該ポリオキシアルキレン化合物のヒドロキシ基数／有機カルボン酸のモル数＞１として、エステル化反応することで部分エステル化物が得られる。また前記ａ）のポリオキシアルキレン化合物のモル数×該ポリオキシアルキレン化合物のヒドロキシ基数／有機カルボン酸のモル数＝１として、エステル化反応することで完全エステル化物が得られる。
【００２５】
前記ｃ）のポリオキシアルキレン化合物を得るのに用いられるアルコキシ化剤としては、１）メチルクロライド、エチルクロライド、プロピルクロライド、オクチルクロライド、ラウリルクロライド、ステアリルクロライド、メチルブロマイド、エチルブロマイド、プロピルブロマイド、オクチルブロマイド、ラウリルブロマイド、ステアリルブロマイド、メチルアイオダイド、エチルアイオダイド、プロピルアイオダイド、オクチルアイオダイド、ラウリルアイオダイド、ステアリルアイオダイド等の脂肪族モノハロゲン化物、２）ベンジルクロライド、ベンジルブロマイド、ベンジルアイオダイド、モクロルベンゼン、ブロムベンゼン、ヨードベンゼン等の芳香族モノハロゲン化物が挙げられる。なかでも芳香族モノハロゲン化物が好ましい。本発明は、前記ｃ）のポリオキシアルキレン化合物の合成方法を特に制限するものではなく、これには公知の方法が適用できる。例えば、前記したａ）のポリオキシアルキレン化合物をナトリウムアルコラートとした後、以上説明したモノハロゲン化物とエーテル化反応する方法が挙げられる。ここで、原料の仕込み条件を、前記ａ）のポリオキシアルキレン化合物のヒドロキシ基数／モノハロゲン化物のハロゲン原子の数＞１として、エーテル化反応することで部分エーテル化物が得られる。また前記ａ）のポリオキシアルキレン化合物のヒドロキシ基数／モノハロゲン化物のハロゲン原子の数＝１として、エーテル化反応することで完全エーテル化物が得られる。
【００２６】
前記ｄ）のポリオキシアルキレン化合物を得るのに用いられる１〜４価の有機カルボン酸としては、１）酢酸、酪酸、カプロン酸、カプリル酸、カプリン酸、ウンデカン酸、ラウリン酸、トリデカン酸、ミリスチン酸、ペンタデカン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、ノナデカン酸、アラキジン酸、ベヘニン酸、パルミトレイン酸、オレイン酸、エライジン酸、バクセン酸、リノール酸、リノレン酸、アラキドン酸等の１価の脂肪族カルボン酸、２）安息香酸、ナフトエ酸、トルイル酸等の１価の芳香族有機カルボン酸、３）琥珀酸、グルタル酸、アジピン酸、アゼライン酸、セバシン酸、２，３，５−ヘキサントリカルボン酸、１，２，３−ブタントリカルボン酸、２−（３−カルボキシプロピル）−１，１，５，６−ヘプタンテトラカルボン酸、マレイン酸、シトラコン酸等の２〜４価の脂肪族カルボン酸、３）フタル酸、１，４−ジカルボキシナフタレン、トリメリット酸、ピロメリット酸等の２〜４価の芳香族カルボン酸が挙げられるが、なかでも２〜３価の芳香族カルボン酸が好ましい。本発明は、前記ｄ）のポリオキシアルキレン化合物の合成方法を特に制限するものではなく、これには公知の方法が適用できる。例えば、前記した１〜４価のカルボン酸に、水酸化ナトリウムや水酸化カリウム等の塩基触媒存在下で、エチレンオキサイド或はエチレンオキサイドとプロピレンオキサイドとを付加反応する方法が挙げられる。
【００２７】
前記ｅ）のポリオキシアルキレン化合物は、前記ｄ）のポリオキシアルキレン化合物と１価の有機カルボン酸又は有機カルボン酸形成性化合物とのエステル化反応により得られる。かかる１価の有機カルボン酸又は有機カルボン酸形成性化合物は、前記ｂ）のポリオキシアルキレン化合物の場合と同じである。本発明は、前記ｅ）のポリオキシアルキレン化合物の合成方法を特に制限するものではなく、これには公知の方法が適用できる。例えば、前記したｄ）のポリオキシアルキレン化合物と上記した１価の有機カルボン酸又は有機カルボン酸形成性化合物とを、硫酸やｐ−トルエンスルホン酸等の酸触媒存在下で、エステル化反応する方法が挙げられる。ここで、原料の仕込み条件を、前記ｄ）の（ポリオキシアルキレン化合物のモル数×該ポリオキシアルキレン化合物のヒドロキシ基数）／１価の有機カルボン酸のモル数＞１として、エステル化反応することで部分エステル化物が得られる。また前記ｄ）の（ポリオキシアルキレン化合物のモル数×該ポリオキシアルキレン化合物のヒドロキシ基数）／１価の有機カルボン酸のモル数＝１として、エステル化反応することで完全エステル化物が得られる。
【００２８】
前記ｆ）のポリオキシアルキレン化合物は、１〜４価の有機カルボン酸と片末端封鎖ポリアルキレングリコールとのエステル化反応により得られる。かかる１〜４価の有機カルボン酸は、前記ｄ）のポリオキシアルキレン化合物の場合と同じである。また片末端封鎖ポリアルキレングリコールとしては、メタノール、エタノール、ブタノール、２−エチルヘキサノール、ラウリルアルコール、ステアリルアルコール、ベンジルアルコール、フェノール、ナフトール、オクチルフェノール、ノニルフェノール等の１価のヒドロキシ化合物１モルにエチレンオキサイド又はエチレンオキサイドとプロピレンオキサイドとを付加反応して得られるものであって、付加モル数は合計４〜１００モルである。前記ｆ）のポリオキシアルキレン化合物において、２〜４価の有機カルボン酸と片末端封鎖ポリアルキレングリコールとのエステル化反応により得られるポリオキシアルキレン化合物としては、有機カルボン酸の全てのカルボキシ基がエステル化されたポリオキシアルキレン化合物である。本発明は、前記ｆ）のポリオキシアルキレン化合物の合成方法を特に制限するものではなく、これには公知の方法が適用できる。例えば、１〜４価の有機カルボン酸と片末端封鎖ポリアルキレングリコールとを、硫酸やｐ−トルエンスルホン酸等の酸触媒存在下で、エステル化反応する方法が挙げられる。
【００２９】
本発明の帯電防止剤はその調製方法を特に制限されない。かかる調製方法には例えば、１）式１で示されるスルホネートホスホニウム塩と式２で示されるスルホネート無機塩とを別々に合成しておき、これらと式３又は式４で示される有機リン化合物とを混合して調製する方法、２）それぞれ相当するスルホネート無機塩とホスホニウムハライドとを、スルホネート無機塩／ホスホニウムハライド＞１（モル比）の条件で反応させて、式１で示されるスルホネートホスホニウム塩と式２で示されるスルホネート無機塩との混合物を調製し、そこへ式３又は式４で示される有機リン化合物を混合して調製する方法、３）相当する有機スルホン酸に対し、アルカリ金属酸化物、アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属炭酸水素塩、アルカリ土類金属酸化物、アルカリ土類金属炭酸塩、アルカリ土類金属炭酸水素塩等のアルカリ化合物と、相当するホスホニウムハイドロオキサイドとを用いて中和反応により式１で示されるスルホネートホスホニウム塩と式２で示されるスルホネート無機塩との混合物を調製し、そこへ式３又は式４で示される有機リン化合物を混合して調製する方法、４）以上の１）〜３）の混合物に更に式５で示されるポリオキシアルキレン化合物を混合して調製する方法等が挙げられる。
【００３０】
本発明の帯電防止剤は、前記したように、１）式１で示されるスルホネートホスホニウム塩、式２で示されるスルホネート無機塩及び式３又は式４で示される有機リン化合物との３成分系から成るもの、２）これらの３成分系と、更に式５で示されるポリオキシアルキレン化合物との４成分系から成るものである。本発明は各成分の割合を特に制限するものではないが、式１で示されるスルホネートホスホニウム塩と式２で示されるスルホネート無機塩との合計／式３又は式４で示される有機リン化合物＝９９／１〜１０／９０（重量比）の割合とするのが好ましく、９８／２〜２０／８０（重量比）の割合とするのがより好ましく、９５／５〜２５／７５（重量比）の割合とするのが特に好ましい。また、式１で示されるスルホネートホスホニウム塩と式２で示されるスルホネート無機塩と式３又は式４で示される有機リン化合物との合計／式５で示されるポリオキシアルキレン化合物＝９９／１〜１０／９０（重量比）の割合とするのが好ましく、９８／２〜２０／８０（重量比）の割合とするのがより好ましく、９５／５〜３０／７０（重量比）の割合とするのが特に好ましい。上記のような各成分の割合の範囲内にて、本発明の帯電防止剤は、低湿下においても、より優れた帯電防止性を発揮する。
【００３１】
次に本発明のポリカーボネートに帯電防止性を付与する方法について説明する。本発明の帯電防止性付与方法は、１）式１で示されるスルホネートホスホニウム塩、式２で示されるスルホネート無機塩及び式３又は式４で示される有機リン化合物の３成分を帯電防止剤成分として添加する方法、２）これらの３成分と、更に式５で示されるポリオキシアルキレン化合物との４成分を帯電防止剤成分として添加する方法である。帯電防止剤成分として添加するこれらの各成分の内容については前記した通りであり、またそれらの好ましい例についても前記した通りである。本発明は帯電防止剤成分として添加するこれらの各成分の割合を特に制限するものではないが、式１で示されるスルホネートホスホニウム塩と式２で示されるスルホネート無機塩との合計／式３又は式４で示される有機リン化合物＝９９／１〜１０／９０（重量比）の割合となるように添加するのが好ましく、９８／２〜２０／８０（重量比）の割合となるように添加するのがより好ましく、９５／５〜２５／７５の割合となるように添加するのが特に好ましい。また式１で示されるスルホネートホスホニウム塩と式２で示されるスルホネート無機塩と式３又は式４で示される有機リン化合物との合計／式５で示されるポリオキシアルキレン化合物＝９９／１〜１０／９０（重量比）の割合となるように添加するのが好ましく、９８／２〜２０／８０（重量比）の割合となるように添加するのがより好ましく、９５／５〜３０／７０の割合となるように添加するのが特に好ましい。上記のような各成分の添加割合の範囲内にて、本発明の帯電防止性付与方法は、低湿下においても、ポリカーボネートに対してより優れた帯電防止性を付与できる。
【００３２】
本発明はポリカーボネートに対して帯電防止剤成分を添加する方法を特に制限するものではない。かかる添加方法には例えば、１）式１で示されるスルホネートホスホニウム塩、式２で示されるスルホネート無機塩及び式３又は式４で示される有機リン化合物を、或は更に式５で示されるポリオキシアルキレン化合物をも、前もって混合物としておき、該混合物をポリカーボネートに添加する方法、２）式１で示されるスルホネートホスホニウム塩、式２で示されるスルホネート無機塩、式３又は式４で示される有機リン化合物、式５で示されるポリオキシアルキレン化合物を別々に、ポリカーボネートに添加する方法等がある。上記２）の場合、各帯電防止剤成分をポリカーボネートへ添加する順序は任意である。各帯電防止剤成分を添加する方法には、１）ポリカーボネートの重合工程で各帯電防止剤成分を添加する方法、２）ポリカーボネートの成形加工時に各帯電防止剤成分を添加する方法等がある。
【００３３】
本発明は各帯電防止剤成分の添加量を特に制限するものではないが、ポリカーボネート１００重量部当たり、各帯電防止剤成分をその合計量として、０．１〜１０重量部の割合となるように添加するのが好ましく、０．２〜４重量部の割合となるように添加するのがより好ましい。なかでも、ポリカーボネート１００重量部当たり、式１で示されるスルホネートホスホニウム塩を０．５〜２．０重量部、式２で示されるスルホネート無機塩を０．０２〜０．１重量部、式３で示される有機リン化合物を０．２〜２．０重量部、式４で示される有機リン化合物を０．０２〜０．５重量部、式５で示されるポリオキシアルキレン化合物を０．１〜２．０重量部の割合となるように添加するのが特に好ましい。ポリカーボネートの本来的な透明性を低下させることなく、該ポリカーボネートに、低湿下においても、より優れた帯電防止性を付与できるからである。
【００３４】
本発明の帯電防止剤及び帯電防止性付与方法では、合目的的に他の剤を併用することができる。かかる他の剤としては、滑剤、抗酸化剤、紫外線吸収剤等が挙げられる。
【００３５】
【発明の実施の形態】
本発明の帯電防止剤の実施形態としては、次の１）〜１８）が挙げられる。
１）ステアリルスルホネートテトラブチルホスホニウム塩、ドデシルフェニルスルホネートリチウム塩及び１，３−フェニレン−ビス（ジフェニルホスフェート）から成り、ステアリルスルホネートテトラブチルホスホニウム塩とドデシルフェニルスルホネートリチウム塩との合計／１，３−フェニレン−ビス（ジフェニルホスフェート）＝４３／５７（重量比）の割合から成る帯電防止剤。
【００３６】
２）ステアリルスルホネートテトラブチルホスホニウム塩、ドデシルフェニルスルホネートリチウム塩及びビス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ベンジルホスホナイトから成り、ステアリルテトラブチルホスホニウム塩とドデシルフェニルスルホネートリチウム塩との合計／ビス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ベンジルホスホナイト＝６５／３５（重量比）の割合から成る帯電防止剤。
【００３７】
３）ドデシルフェニルスルホネートテトラブチルホスホニウム塩、ドデシルフェニルスルホネートナトリウム塩及び１，３−フェニレン−ビス（ジフェニルホスフェート）から成り、ドデシルフェニルスルホネートテトラブチルホスホニウム塩とドデシルフェニルスルホネートナトリウム塩との合計／１，３−フェニレン−ビス（ジフェニルホスフェート）＝５０／５０（重量比）の割合から成る帯電防止剤。
【００３８】
４）ドデシルフェニルスルホネートテトラブチルホスホニウム塩、ドデシルフェニルスルホネートナトリウム塩及びテトラキス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）−４，４’−ビフェニレン−ジ−ホスホナイトから成り、ドデシルフェニルスルホネートテトラブチルホスホニウム塩とドデシルフェニルスルホネートナトリウム塩との合計／テトラキス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）−４，４’−ビフェニレン−ジ−ホスホナイト＝８３／１７（重量比）の割合から成る帯電防止剤。
【００３９】
５）ジイソプロピルナフチルスルホネートジエチルジヘキシルホスホニウム塩、ジイソプロピルナフチルスルホネートナトリウム塩及び１，３−フェニレン−ビス（ジキシレニルホスフェート）から成り、ジイソプロピルナフチルスルホネートジエチルジヘキシルホスホニウム塩とジイソプロピルナフチルスルホネートナトリウム塩との合計／１，３−フェニレン−ビス（ジキシレニルホスフェート）＝７９／２１（重量比）の割合から成る帯電防止剤。
【００４０】
６）ジイソプロピルナフチルスルホネートジエチルジヘキシルホスホニウム塩、ジイソプロピルナフチルスルホネートナトリウム塩及びテトラキス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）−４，４’−ビフェニレン−ジ−ホスホナイトから成り、ジイソプロピルナフチルスルホネートジエチルジヘキシルホスホニウム塩とジイソプロピルナフチルスルホネートナトリウム塩との合計／テトラキス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）−４，４’−ビフェニレン−ジ−ホスホナイト＝８８／１２（重量比）の割合から成る帯電防止剤。
【００４１】
７）ステアリルスルホネートテトラブチルホスホニウム塩、ドデシルフェニルスルホネートリチウム塩、１，３−フェニレン−ビス（ジフェニルホスフェート）及びテトラキス（２，４−ジ−ｔ−ブチル−５−メチルフェニル）−４，４’−ビフェニレン−ジ−ホスホナイトから成り、ステアリルテトラブチルホスホニウム塩とドデシルフェニルスルホネートリチウム塩との合計／１，３−フェニレン−ビス（ジフェニルホスフェート）とテトラキス（２，４−ジ−ｔ−ブチル−５−メチルフェニル）−４，４’−ビフェニレン−ジ−ホスホナイトとの合計＝３３／６７（重量比）の割合から成る帯電防止剤。
【００４２】
８）ドデシルフェニルスルホネートテトラブチルホスホニウム塩、ドデシルフェニルスルホネートナトリウム塩、ビスフェノールＡビス（ジフェニルホスフェート）及びテトラキス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）−４，４’−ビフェニレン−ジ−ホスホナイトから成り、ドデシルフェニルスルホネートテトラブチルホスホニウム塩とドデシルフェニルスルホネートナトリウム塩との合計／ビスフェノールＡビス（ジフェニルホスフェート）とテトラキス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）−４，４’−ビフェニレン−ジ−ホスホナイトの合計＝５６／４４（重量比）の割合から成る帯電防止剤。
【００４３】
９）ジイソプロピルナフチルスルホネートジエチルジヘキシルホスホニウム塩、ジイソプロピルナフチルスルホネートナトリウム塩、ビスフェノールＡビス（ジフェニルホスフェート）及びテトラキス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル−５−メチルフェニル）−４，４’−ビフェニレン−ジ−ホスホナイトから成り、ジイソプロピルナフチルスルホネートジエチルジヘキシルホスホニウム塩とジイソプロピルナフチルスルホネートナトリウム塩との合計／ビスフェノールＡビス（ジフェニルホスフェート）とテトラキス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル−５−メチルフェニル）−４，４’−ビフェニレン−ジ−ホスホナイト＝６４／３６（重量比）の割合から成る帯電防止剤。
【００４４】
１０）ステアリルスルホネートテトラブチルホスホニウム塩、ドデシルフェニルスルホネートリチウム塩及び１，３−フェニレン−ビス（ジフェニルホスフェート）と、ポリオキシアルキレン化合物（式５において、Ｂがペンタエリスリトール残基、ｍが４、Ｘが１０個のオキシエチレン基で構成されたポリオキシエチレン基、Ａ3が水素である場合のポリオキシアルキレン化合物）とから成り、ステアリルスルホネートテトラブチルホスホニウム塩とドデシルフェニルスルホネートリチウム塩と１，３−フェニレン−ビス（ジフェニルホスフェート）との合計／該ポリオキシアルキレン化合物＝７８／２２（重量比）の割合から成る帯電防止剤。
【００４５】
１１）ステアリルスルホネートテトラブチルホスホニウム塩、ドデシルフェニルスルホネートリチウム塩及びビス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ベンジルホスホナイトと、ポリオキシアルキレン化合物（式５において、ＢがビスフェノールＡ残基、ｍが２、Ｘが２０個のオキシエチレン基で構成されたポリオキシエチレン基、Ａ3がベンゾイル基である場合のポリオキシアルキレン化合物）とから成り、ステアリルスルホネートテトラブチルホスホニウム塩とドデシルフェニルスルホネートリチウム塩とビス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ベンジルホスホナイトとの合計／該ポリオキシアルキレン化合物＝５８／４２（重量比）の割合から成る帯電防止剤。
【００４６】
１２）ドデシルフェニルスルホネートテトラブチルホスホニウム塩、ドデシルフェニルスルホネートナトリウム塩及び１，３−フェニレン−ビス（ジフェニルホスフェート）と、ポリオキシアルキレン化合物（式５において、Ｂがテレフタル酸残基、ｍが２、Ｘが１０個のオキシエチレン基で構成されたポリオキシエチレン基、Ａ3が水素である場合のポリオキシアルキレン化合物）とから成り、ドデシルフェニルスルホネートテトラブチルホスホニウム塩とドデシルフェニルスルホネートナトリウム塩と１，３−フェニレン−ビス（ジフェニルホスフェート）との合計／該ポリオキシアルキレン化合物＝８０／２０（重量比）の割合から成る帯電防止剤。
【００４７】
１３）ドデシルフェニルスルホネートテトラブチルホスホニウム塩、ドデシルフェニルスルホネートナトリウム塩及びテトラキス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）−４，４’−ビフェニレン−ジ−ホスホナイトと、ポリオキシアルキレン化合物（式５において、Ｂがトリメリット酸残基、ｍが３、Ｘが１０個のオキシエチレン基で構成されたポリオキシエチレン基、Ａ3が水素である場合のポリオキシアルキレン化合物）とから成り、ドデシルフェニルスルホネートテトラブチルホスホニウム塩とドデシルフェニルスルホネートナトリウム塩とテトラキス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）−４，４’−ビフェニレン−ジ−ホスホナイトとの合計／該ポリオキシアルキレン化合物＝６０／４０（重量比）の割合から成る帯電防止剤。
【００４８】
１４）ジイソプロピルナフチルスルホネートジエチルジヘキシルホスホニウム塩、ジイソプロピルナフチルスルホネートナトリウム塩及び１，３−フェニレン−ビス（ジキシレニルホスフェート）と、ポリオキシアルキレン化合物（式５において、Ｂがトリメリット酸残基、ｍが３、Ｘが１０個のオキシエチレン基で構成されたポリオキシエチレン基、Ａ3がベンゾイル基である場合のポリオキシアルキレン化合物）とから成り、ジイソプロピルナフチルスルホネートジエチルジヘキシルホスホニウム塩とジイソプロピルナフチルスルホネートナトリウム塩と１，３−フェニレン−ビス（ジキシレニルホスフェート）との合計／該ポリオキシアルキレン化合物＝７６／２４（重量比）の割合から成る帯電防止剤。
【００４９】
１５）ジイソプロピルナフチルスルホネートジエチルジヘキシルホスホニウム塩、ジイソプロピルナフチルスルホネートナトリウム塩及びビス（フェニル）フェニルホスホナイトと、ポリオキシアルキレン化合物（式５において、Ｂがオクタノイル残基、ｍが１、Ｘが１０個のオキシエチレン基と５個のオキシプロピレン基とで構成されたポリオキシアルキレン基、Ａ3がオクチル基である場合のポリオキシアルキレン化合物）とから成り、ジイソプロピルナフチルスルホネートジエチルジヘキシルホスホニウム塩とジイソプロピルナフチルスルホネートナトリウム塩とビス（フェニル）フェニルホスホナイトとの合計／該ポリオキシアルキレン化合物＝５９／４１（重量比）の割合から成る帯電防止剤。
【００５０】
１６）ステアリルスルホネートテトラブチルホスホニウム塩、ドデシルフェニルスルホネートリチウム塩、１，３−フェニレン−ビス（ジフェニルホスフェート）及びテトラキス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル−５−メチルフェニル）−４，４’−ビフェニレン−ジ−ホスホナイトと、ポリオキシアルキレン化合物（式５において、Ｂがナフタレンジカルボン酸残基、ｍが２、Ｘが２０個のオキシエチレン基で構成されたポリオキシエチレン基、Ａ3が水素である場合のポリオキシアルキレン化合物）とから成り、ステアリルテトラブチルホスホニウム塩とドデシルフェニルスルホネートリチウム塩と１，３−フェニレン−ビス（ジフェニルホスフェート）とテトラキス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル−５−メチルフェニル）−４，４’−ビフェニレン−ジ−ホスホナイトとの合計／該ポリオキシアルキレン化合物＝７５／２５（重量比）の割合から成る帯電防止剤。
【００５１】
１７）ドデシルフェニルスルホネートテトラブチルホスホニウム塩、ドデシルフェニルスルホネートナトリウム塩、ビスフェノールＡビス（ジフェニルホスフェート）及びテトラキス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）−４，４’−ビフェニレン−ジ−ホスホナイトと、ポリオキシアルキレン化合物（式５において、ＢがビスフェノールＡ残基、ｍが２、Ｘが２０個のオキシエチレン基で構成されたポリオキシエチレン基、Ａ3が水素である場合のポリオキシアルキレン化合物）とから成り、ドデシルフェニルスルホネートテトラブチルホスホニウム塩とドデシルフェニルスルホネートナトリウム塩とビスフェノールＡビス（ジフェニルホスフェート）とテトラキス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）−４，４’−ビフェニレン−ジ−ホスホナイトとの合計／該ポリオキシアルキレン化合物＝７８／２２（重量比）の割合から成る帯電防止剤。
【００５２】
１８）ジイソプロピルナフチルスルホネートジエチルジヘキシルホスホニウム塩、ジイソプロピルナフチルスルホネートナトリウム塩、ビスフェノールＡビス（ジフェニルホスフェート）及びテトラキス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル−５−メチルフェニル）−４，４’−ビフェニレン−ジ−ホスホナイトと、ポリオキシアルキレン化合物（式５において、ＢがビスフェノールＡ残基、ｍが２、Ｘが２０個のオキシエチレン基で構成されたポリオキシエチレン基、Ａ3がベンゾイル基である場合のポリオキシアルキレン化合物）とから成り、ジイソプロピルナフチルスルホネートジエチルジヘキシルホスホニウム塩とジイソプロピルナフチルスルホネートナトリウム塩とビスフェノールＡビス（ジフェニルホスフェート）とテトラキス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル−５−メチルフェニル）−４，４’−ビフェニレン−ジ−ホスホナイトの合計／該ポリオキシアルキレン化合物＝９２／８（重量比）の割合から成る帯電防止剤。
【００５３】
また本発明の帯電防止性付与方法の実施形態としては、次の１９）が挙げられる。
１９）ポリカーボネートに前記１）〜１８）の帯電防止剤を構成する各帯電防止剤成分をこれらの合計で、ポリカーボネート１００重量部当たり１．０〜４．０重量部の割合となるように添加する方法。
【００５４】
以下、本発明の構成及び結果をより具体的にするため実施例等を挙げるが、本発明がこれらの実施例に限定されるというものではない。尚、以下の実施例及び比較例において、部は重量部を、また％は重量％を意味する。
【００５５】
【実施例】
試験区分１（帯電防止剤成分の合成）
・式１で示されるスルホネートホスホニウム塩の合成｛帯電防止剤成分（Ｑ−１）〜（Ｑ−１５）の合成｝
特開平２−１８８５９３号公報に記載の方法にしたがって、セチルスルホン酸ナトリウム塩３２８部（１．０モル）にジオクチルジメチルホスホニウムクロライド３２３部（１．０モル）を溶媒中で混合して、副生した塩化ナトリウムを水洗除去した後、溶媒を留去して、セチルスルホン酸ジオクチルジメチルホスホニウム塩５６３部（０．９５モル）を得た。これを帯電防止剤成分（Ｑ−１）とした。帯電防止剤成分（Ｑ−１）と同様にして帯電防止剤成分（Ｑ−２）〜（Ｑ−１５）を得た。これらの内容を表１にまとめて示した。
【００５６】
【表１】
0004462716.tif 000007
【００５７】
・式２で示されるスルホネート無機塩の合成｛帯電防止剤成分（Ｎ−１）〜（Ｎ−６）及び（Ｎ−１３）〜（Ｎ−１８）の合成｝
常法によりラウリルスルホン酸２５０部（１．０モル）を水酸化リチウム・１水和物４２部（１．０モル）で中和してラウリルスルホン酸リチウム塩２５３部（０．９９モル）を得た。これを帯電防止剤成分（Ｎ−１）とした。帯電防止剤成分（Ｎ−１）と同様にして帯電防止剤成分（Ｎ−２）〜（Ｎ−６）及び（Ｎ−１３）〜（Ｎ−１８）を得た。
【００５８】
・式２で示されるスルホネート無機塩の合成｛帯電防止剤成分（Ｎ−７）〜（Ｎ−１２）及び（Ｎ−１９）〜（Ｎ−２２）の合成｝
常法によりラウリルスルホン酸５００部（２．０モル）を水酸化カルシウム７４部（１．０モル）で中和してラウリルスルホン酸カルシウム塩５３３部（０．９９モル）を得た。これを帯電防止剤成分（Ｎ−７）とした。帯電防止剤成分（Ｎ−７）と同様にして帯電防止剤成分（Ｎ−８）〜（Ｎ−１２）を得た。以上の内容を表２にまとめて示した。
【００５９】
【表２】
0004462716.tif 000008
【００６０】
・式３で示される有機リン化合物の合成｛有機リン化合物（Ｈ−１）〜（Ｈ−５）の合成｝
フラスコに１リットルの無水エーテルを入れ、次いでオキシ塩化リン２３０ｇ（１．５モル）を添加し、−２０℃に冷却した後、クレゾール３２４ｇ（３モル）と無水ピリジン２３７ｇ（３モル）の混合液を滴下した。この間、フラスコ内を−１５℃前後に維持した。滴下終了後、同温度で３時間熟成を行ない、反応させた。反応系からピリジン塩酸塩を濾別し、残留エーテル溶液を水１リットルで洗浄した後、エーテルを減圧留去して生成物を得た。得られた生成物を分析したところ、式３中のＲ5、Ｒ6、Ｔ1がクレジル基であって、ｑが１である場合の有機リン化合物（Ｈ−１）であった。有機リン化合物（Ｈ−１）と同様にして、有機リン化合物（Ｈ−２）〜（Ｈ−５）を得た。これらの内容を表３にまとめて示した。
【００６１】
【表３】
0004462716.tif 000009
【００６２】
・式４で示される有機リン化合物の合成｛有機リン化合物（Ｊ−１）〜（Ｊ−５）の合成｝
フラスコに１リットルの無水エーテルを入れ、次いでジメチルアニリン２６７ｇ（２．２モル）とフェノール１８８ｇ（２モル）とを加えて、撹拌混合しながら−５℃に冷却した後、ジクロロ（フェニル）ホスフィン１７９ｇ（１モル）を滴下した。この際、反応系を２０〜３０℃に維持した。滴下終了後、室温で５時間熟成を行ない、反応させた。反応系からジメチルアニリン塩酸塩を濾別した後、残留濾液からエーテルを減圧留去して、生成物を得た。得られた生成物をエーテルで再結晶した後、これを分析したところ、式４中のＲ7、Ｒ8、Ｔ2がフェニル基であって、ｒが１である場合の有機リン化合物（Ｊ−１）であった。有機リン化合物（Ｊ−１）と同様にして、有機リン化合物（Ｊ−２）〜（Ｊ−５）を得た。これらの内容を表４にまとめて示した。
【００６３】
【表４】
0004462716.tif 000010
【００６４】
・有機リン化合物の混合物（Ｋ−１）〜（Ｋ−１０）の調製
有機リン化合物（Ｈ−１）２５部と有機リン化合物（Ｊ−１）７５部とを混合して、有機リン化合物の混合物（Ｋ−１）１００部を調製した。有機リン化合物の混合物（Ｋ−１）と同様にして、有機リン化合物の混合物（Ｋ−２）〜（Ｋ−１０）を調製した。これらの内容を表５にまとめて示した。
【００６５】
【表５】
0004462716.tif 000011
【００６６】
・式５で示されるポリオキシアルキレン化合物の合成｛帯電防止剤成分（Ｅ−１）〜（Ｅ−５）及び（Ｅ−１２）の合成｝
フェノール９４部（１モル）及び水酸化カリウム２部をオートクレーブに仕込み、窒素ガスでパ−ジ後、１２０〜１４０℃に温度を保ちながらエチレンオキサイド１７６０部（４０モル）を圧入した。１時間の熟成反応後、触媒を除去して反応物を得た。得られた反応物を分析したところ、フェノールの水酸基１個にオキシエチレン単位が４０個付加した帯電防止剤成分（Ｅ−１）であった。帯電防止剤成分（Ｅ−１）と同様にして、帯電防止剤成分（Ｅ−２）〜（Ｅ−５）及び（Ｅ−１２）を得た。
【００６７】
・式５で示されるポリオキシアルキレン化合物の合成｛帯電防止剤成分（Ｅ−６）〜（Ｅ−８）の合成｝
ビスフェノールＡ２２８部（１モル）及び水酸化カリウム２部をオートクレーブに仕込み、窒素ガスでパージ後、１２０〜１４０℃に温度を保ちながらエチレンオキサイド８８０部（２０モル）を圧入した。１時間の熟成反応後、触媒を除去して反応物を得た。得られた反応物を分析したところ、ビスフェノールＡの水酸基１個当たりオキシエチレン単位が１０個付加したポリエーテル化合物であった。このポリエ−テル化合物５５４部（０．５モル）、安息香酸１３４部（１．１モル）及びパラトルエンスルホン酸・１水和物３ｇをフラスコに仕込み、窒素ガス気流下で撹拌しながら１２０〜１３０℃に加温した。同温度で生成する水を減圧下に除去しながら２時間反応を続けて生成物を得た。得られた生成物を分析したところ、ポリエ−テル化合物の末端水酸基２個にそれぞれ１個のベンゾイル基が導入された帯電防止剤成分（Ｅ−６）であった。帯電防止剤成分（Ｅ−６）と同様にして、帯電防止剤成分（Ｅ−７）及び（Ｅ−８）を得た。
【００６８】
・式３で示されるポリオキシアルキレン化合物の合成｛帯電防止剤成分（Ｅ−９）〜（Ｅ−１１）の合成｝
２８％ソジウムメチラート２１２部（１．１モル）及び前記の帯電防止剤成分（Ｅ−１）１８５４部（１モル）をフラスコに仕込み、減圧下でメタノールを留去した後、ベンジルブロマイド１７１部（１モル）を徐々に加えた。７０〜８０℃で２時間反応を続けて生成物を得た。得られた生成物を分析したところ、帯電防止剤成分（Ｅ−１）の末端水酸基１個にベンジル基が導入された帯電防止剤成分（Ｅ−９）であった。帯電防止剤成分（Ｅ−９）と同様にして、帯電防止剤成分（Ｅ−１０）及び（Ｅ−１１）を得た。
【００６９】
・式５で示されるポリオキシアルキレン化合物の合成｛帯電防止剤成分（Ｅ−１３）〜（Ｅ−１５）、（Ｅ−１８）及び（Ｅ−２４）の合成｝
テレフタル酸１６６部（１モル）、キシレン２００部及び水酸化カリウム２部をオートクレーブに仕込み、窒素ガスでパージ後、１６０〜１８０℃に温度を保ちながらエチレンオキサイド８８０部（２０モル）を圧入した。１時間の熟成反応後、触媒と溶媒を除去して反応物を得た。得られた反応物を分析したところ、テレフタル酸のカルボン酸基１個当たりオキシエチレン単位が１０個付加した帯電防止剤成分（Ｅ−１３）であった。帯電防止剤成分（Ｅ−１３）と同様にして、帯電防止剤成分（Ｅ−１４）、（Ｅ−１５）、（Ｅ−１８）及び（Ｅ−２４）を得た。
【００７０】
・式５で示されるポリオキシアルキレン化合物の合成｛帯電防止剤成分（Ｅ−１６）、（Ｅ−１７）、（Ｅ−１９）及び（Ｅ−２２）の合成｝
ポリエチレングリコールモノベンゾエート（オキシエチレン単位の繰り返し数５）３４２部（１モル）、安息香酸１３４部（１．１モル）及びパラトルエンスルホン酸・１水和物３ｇをフラスコに仕込み、窒素ガス気流下で撹拌しながら１２０〜１３０℃に加温した。同温度で生成する水を減圧下に除去しながら２時間反応を続けて生成物を得た。得られた生成物を分析したところ、ポリエチレングリコールの末端水酸基２個にそれぞれ１個づつのベンゾイル基が導入された帯電防止剤成分（Ｅ−１６）であった。帯電防止剤成分（Ｅ−１６）と同様にして、帯電防止剤成分（Ｅ−１７）、（Ｅ−１９）及び（Ｅ−２２）を得た。
【００７１】
・式５で示されるポリオキシアルキレン化合物の合成｛帯電防止剤成分（Ｅ−２０）、（Ｅ−２１）及び（Ｅ−２３）の合成｝
帯電防止剤成分（Ｅ−１）と同様にして得たポリオキシアルキレン化合物（式３において、Ｂがオクチル基、ｍが１、Ｘが１５個のオキシエチレン基と５個のオキシプロピレン基とで構成されたポリオキシアルキレン基、Ａ3が水素の場合）１０８部（０．１モル）及びトリエチルアミン３５部（０．３５モル）をトルエン１リットルに加え、加温して溶解させた。これにオクタン酸クロライド５４部（０．３３モル）を徐々に加えて反応させ、反応系を５０〜６０℃に２時間保持して反応を終了した。反応終了後、析出したトリエチルアミン塩酸塩を濾別し、得られた濾液からトルエンを減圧下に留去して生成物を得た。得られた生成物を分析したところ、片末端がオクチル基で封鎖されたポリオキシアルキレン化合物がオクタン酸とエステル化反応した帯電防止剤成分（Ｅ−２０）であった。帯電防止剤成分（Ｅ−２０）と同様にして、帯電防止剤成分（Ｅ−２１）及び（Ｅ−２３）を得た。以上で合成した帯電防止剤成分（Ｅ−１）〜（Ｅ−２４）の内容を表６にまとめて示した。
【００７２】
【表６】
0004462716.tif 000012
【００７３】
表６において、
ビスフェノールＡ残基：ビスフェノールＡから全ての水酸基を除いた残基
ペンタエリスリトール残基：ペンタエリスリトールから全ての水酸基を除いた残基
トリメチロールプロパン残基：トリメチロールプロパンから全ての水酸基を除いた残基
テレフタル酸残基：テレフタル酸から全ての水酸基を除いた残基
トリメリット酸残基：トリメリット酸から全ての水酸基を除いた残基
ピロメリット酸残基：ピロメリット酸から全ての水酸基を除いた残基
ナフタレンジカルボン酸残基：ナフタレンジカルボン酸から全ての水酸基を除いた残基
【００７４】
試験区分２（帯電防止剤成分の混合物の調製）
・帯電防止剤成分の混合物（Ｐ−１）〜（Ｐ−４）、（Ｐ−８）及び（Ｐ−１１）〜（Ｐ−１６）の調製
試験区分１で得た帯電防止剤成分（Ｑ−８）９９部と帯電防止剤成分（Ｎ−４）１部とを混合して、帯電防止剤成分の混合物（Ｐ−１）１００部を調製した。帯電防止剤成分の混合物（Ｐ−１）と同様にして帯電防止剤成分の混合物（Ｐ−２）〜（Ｐ−４）、（Ｐ−８）及び（Ｐ−１１）〜（Ｐ−１６）を調製した。
【００７５】
・帯電防止剤成分の混合物（Ｐ−５）〜（Ｐ−７）の調製
特開平２−１８８５９３号公報に記載の方法にしたがって、試験区分１で得た帯電防止剤成分（Ｎ−２）１８９部（０．５１モル）とトリフェニルメチルホスホニウムクロライド１６部（０．０５モル）とを混合し、副生する塩化ナトリウムを除去して、帯電防止剤成分の混合物（Ｐ−５）１８７部を調製した。帯電防止剤成分の混合物（Ｐ−５）と同様にして帯電防止剤成分の混合物（Ｐ−６）及び（Ｐ−７）を調製した。
【００７６】
・帯電防止剤成分の混合物（Ｐ−９）及び（Ｐ−１０）の調製
特公昭４７−２２３４号公報に記載の方法にしたがって、ナフチルスルホン酸１５５部（０．７２モル）、炭酸ナトリウム３０部（０．２８モル）及びトリシアノエチルメチルホスホニウムハイドロオキサイド３４部（０．１５モル）を混合し、中和して、帯電防止剤成分の混合物（Ｐ−９）１８２部を調製した。帯電防止剤成分の混合物（Ｐ−９）と同様にして帯電防止剤成分の混合物（Ｐ−１０）を調製した。以上の内容を表７及び表８にまとめて示した。
【００７７】
【表７】
0004462716.tif 000013
【００７８】
【表８】
0004462716.tif 000014
【００７９】
試験区分３（帯電防止剤の調製）
・帯電防止剤（Ｓ−１）〜（Ｓ−２６）及び（Ｔ−１），（Ｔ−２），（Ｔ−４），（Ｔ−５），（Ｔ−７），（Ｔ−８），（Ｔ−１０），（Ｔ−１１），（Ｔ−１３），（Ｔ−１４）の調製
帯電防止剤成分の混合物（Ｐ−１）６７部と有機リン化合物（Ｈ−１）３３部とを混合して、帯電防止剤（Ｓ−１）１００部を調製した。帯電防止剤（Ｓ−１）と同様にして帯電防止剤（Ｓ−２）〜（Ｓ−２６）及び（Ｔ−１），（Ｔ−２），（Ｔ−４），（Ｔ−５），（Ｔ−７），（Ｔ−８），（Ｔ−１０），（Ｔ−１１），（Ｔ−１３），（Ｔ−１４）を調製した。
【００８０】
帯電防止剤（Ｓ−２７）〜（Ｓ−３６）及び（Ｔ−３），（Ｔ−６），（Ｔ−９），（Ｔ−１２），（Ｔ−１５）〜（Ｔ−２０）の調製
帯電防止剤成分の混合物（Ｐ−３）８２部と有機リン化合物の混合物（Ｋ−１）１８部とを混合して、帯電防止剤（Ｓ−２７）１００部を調製した。帯電防止剤（Ｓ−２７）と同様にして帯電防止剤（Ｓ−２８）〜（Ｓ−３６）及び（Ｔ−３），（Ｔ−６），（Ｔ−９），（Ｔ−１２），（Ｔ−１５）〜（Ｔ−２０）を調製した。
【００８１】
・帯電防止剤（Ｓ−３７）〜（Ｓ−６２）及び（Ｔ−２１）〜（Ｔ−４０）の調製
帯電防止剤成分の混合物（Ｐ−１）６６．４部と有機リン化合物（Ｈ−１）１６．６部と帯電防止剤成分（Ｅ−１）１７部とを混合して、帯電防止剤（Ｓ−３７）１００部を調製した。帯電防止剤（Ｓ−３７）と同様にして帯電防止剤（Ｓ−３８）〜（Ｓ−６２）及び（Ｔ−２１）〜（Ｔ−４０）を調製した。
【００８２】
・帯電防止剤（Ｓ−６３）〜（Ｓ−７２）の調製
帯電防止剤成分の混合物（Ｐ−３）６９．７部と有機リン化合物の混合物（Ｋ−１）１５．３部と帯電防止剤成分（Ｅ−６）１５部とを混合して、帯電防止剤（Ｓ−６３）１００部を調製した。帯電防止剤（Ｓ−６３）と同様にして帯電防止剤（Ｓ−６４）〜（Ｓ−７２）を調製した。以上の内容を表９〜表１２にまとめて示した。
【００８３】
試験区分４（評価その１）
・実施例１〜７２及び比較例１〜４０
ポリカーボネート１００部と帯電防止剤（Ｓ−１）３．０部とをラボプラストミル（東洋精機社製）に投入し、２８０℃で５分間混練して、樹脂組成物を得た。得られた樹脂組成物をホットプレス（東洋精機社製）にて２８０℃で成型し、厚さ５mmのシートを作製した。得られたシートについて表面固有抵抗率を下記の条件で測定し、下記の基準で評価した。また着色性と透明性を観察して、下記の基準で評価した。これを実施例１とした。実施例１と同様にして実施例２〜７２及び比較例１〜４０を行なった。結果を表９〜表１４にまとめて示した。
【００８４】
・表面固有抵抗率の測定及びその評価
作製したシートを２０℃×４５％ＲＨの恒温恒湿室にて２４時間調湿後、同雰囲気にて超絶縁抵抗計（東亜電波工業社製のＳＭ−８２１０型）を用い、ＪＩＳ−Ｋ６９１１に準拠して表面固有抵抗率を測定し、下記の基準で評価した。
評価基準
ＡＡＡ：表面固有抵抗率が５×１０12Ω未満であり、優れている。
ＡＡ：表面固有抵抗率が５×１０12Ω以上５×１０13Ω未満であり、良好。
Ａ：表面固有抵抗率が５×１０13Ω以上５×１０14Ω未満であり、やや良好。
Ｂ：表面固有抵抗率が５×１０14Ω以上１×１０16Ω未満であり、やや不良。
Ｃ：表面固有抵抗率が１×１０16Ω以上であり、不良。
【００８５】
・着色性の評価
表面固有抵抗率を測定したシートを肉眼観察し、下記の基準で評価した。
ＡＡ：帯電防止剤を用いないこと以外は同様に作製したブランクと同程度の色相を有する。
Ａ：ブランクより僅かに着色している。
Ｂ：ブランクより幾分着色している。
Ｃ：ブランクより著しく着色している。
【００８６】
・透明性の評価
表面固有抵抗率を測定したシートを肉眼観察し、下記の基準で評価した。
ＡＡ：帯電防止剤を用いないこと以外は同様に作製したブランクと同程度の透明性を有する。
Ａ：ブランクより僅かに濁りがある。
Ｂ：ブランクより明らかに濁りがある。
Ｃ：ブランクより著しく濁りがある。
【００８７】
【表９】
0004462716.tif 000015
【００８８】
【表１０】
0004462716.tif 000016
【００８９】
【表１１】
0004462716.tif 000017
【００９０】
【表１２】
0004462716.tif 000018
【００９１】
【表１３】
0004462716.tif 000019
【００９２】
【表１４】
0004462716.tif 000020
【００９３】
表９〜表１４において、
帯電防止剤成分の混合物（Ｐ）：式１で示されるスルホネートホスホニウム塩と式２で示されるスルホネート無機塩との混合物
有機リン化合物又はその混合物（Ｄ）：式３若しくは式４で示される有機リン化合物又はその混合物
帯電防止剤成分（Ｅ）：式５で示されるポリオキシアルキレン化合物
Ｑ−１〜Ｑ−７：式１で示されるスルホネートホスホニウム塩
Ｎ−１、Ｎ−２、Ｎ−６、Ｎ−７、Ｎ−１０、Ｎ−１２：式２で示されるスルホネート無機塩
使用量：樹脂１００部に対する帯電防止剤の添加部数
＊１：｛帯電防止剤成分の混合物（Ｐ）＋有機リン化合物又はその混合物（Ｄ）｝／帯電防止剤成分（Ｅ）
これらは以下同じ
【００９４】
・試験区分５（評価その２）
・実施例７３〜８８
ポリカーボネート１００部と帯電防止剤成分の混合物（Ｐ−３）２．０部と有機リン化合物（Ｈ−３）１．５部とをラボプラストミル（東洋精機社製）に投入し、２８０℃で５分間混練して、樹脂組成物を得た。得られた樹脂組成物から実施例１と同様にしてシートを作製し、実施例１と同様に帯電防止性と透明性とを評価した。これを実施例７３とした。実施例７３と同様にして実施例７４〜８８を行なった。結果を表１５及び表１６にまとめて示した。
【００９５】
【表１５】
0004462716.tif 000021
【００９６】
【表１６】
0004462716.tif 000022
【００９７】
表１５，表１６において、
添加方法イ：ポリカーボネートと、帯電防止剤成分の混合物（Ｐ）と、有機リン化合物又はその混合物（Ｄ）とを同時にミキサーに投入して、混練した。
添加方法ロ：ポリカーボネートと、有機リン化合物又はその混合物（Ｄ）とを同時にミキサーに投入して混練した後、帯電防止剤成分の混合物（Ｐ）を投入して更に混練した。
添加方法ハ：ポリカーボネートと、帯電防止剤成分の混合物（Ｐ）と、有機リン化合物又はその混合物（Ｄ）と、帯電防止剤成分（Ｅ）とを同時にミキサーに投入して、混練した。
添加方法ニ：ポリカーボネートと帯電防止剤成分（Ｅ）とを同時にミキサーに投入して混練した後、帯電防止剤成分の混合物（Ｐ）と有機リン化合物又はその混合物（Ｄ）とを投入して更に混練した。
【００９８】
【発明の効果】
既に明らかなように、以上説明した本発明には、ポリカーボネートの本来的な色相や透明性を低下させることなく、該ポリカーボネートに低湿下においても優れた帯電防止性を付与できるという効果がある。