(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミックス基板と、このセラミックス基板上に接合した金属回路板とを備え、前記金属回路板上に融点が５００〜７８０℃であるろう材から成るろう材層を介して金属端子が一体に接合されており、
前記ろう材層は、ＡｇおよびＡｌの少なくとも１種の金属を主成分とし、
前記ろう材層の厚さが１０〜１００μｍである一方、
前記金属端子はＣｕおよびＡｌの少なくとも１種の金属材料から成り、
前記金属回路板が銅板であることを特徴とする端子付きセラミックス回路基板。
【請求項２】
前記セラミックス基板と前記金属回路板とが、直接接合法，活性金属接合法およびろう付け法のいずれかの方法を用いて接合されていることを特徴とする請求項１記載の端子付きセラミックス回路基板。
【請求項３】
前記金属端子と前記金属回路板との接合面積が、２５ｍｍ２以上であることを特徴とする請求項１または２記載の端子付きセラミックス回路基板。
【請求項４】
前記ろう材層の成分が、前記セラミックス基板と前記金属回路板とを接合するろう材成分の主成分と同一であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の端子付きセラミックス回路基板。
【請求項５】
前記セラミックス基板は窒化けい素焼結体および窒化アルミニウム焼結体のいずれかの非酸化物系セラミックス焼結体から成ることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の端子付きセラミックス回路基板。
【請求項６】
前記ろう材層の厚さが５０〜８０μｍであることを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の端子付きセラミックス回路基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、大電流が要求される電気自動車，車輌およびその他の車載用半導体素子に搭載される端子付きセラミックス回路基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置は、セラミックス回路基板上に半田等のろう材により半導体素子を接合して形成される。
【０００３】
上記セラミックス回路基板は、通常、セラミックス基板の表裏面にＣｕ板およびＡｌ板の少なくとも１種の金属薄板を接合して一体に形成され、例えば、直接接合法により作製されたＤＢＣ接合回路基板、活性金属を含有したろう材を接合材として作製された活性金属接合回路基板、Ａｌ等のろう材により接合されたろう材接合回路基板などが存在する。
【０００４】
近年、半導体装置の大容量化に伴い、回路に大電流を流した場合にも対応し得るセラミックス回路基板が要求されている。しかし、前述のセラミックス回路基板では、金属薄板をセラミックス基板上に配置したため、大電流を流した場合に金属板が薄すぎるため、発熱のためろう材が軟化して端子の接合強度が低下するなどの現象が生じる問題点があり、従来の回路基板では半導体装置の大容量化に十分対応できない現状であった。
【０００５】
上記問題を解決するため、例えば、セラミックス回路基板上に断面積が大きい金属端子を直接接合して、金属薄板と金属端子との接合面積を増大させた端子付きセラミックス回路基板が開発実用化されている。なお、金属端子の接合方法は、従来、超音波溶着法および半田接合法などが用いられていた。
【０００６】
しかし、セラミックス回路基板上に断面積が大きな金属端子を配置した形態とすると、大電流を流すことが可能であるが、接合面積が過大になるため、セラミックス回路基板と金属端子との十分な接合強度を得ることができなかった。
【０００７】
また、半田接合法により半田付けを行うと、半田材の融点が２５０〜３５０℃程度であり、１６０℃のような高温度での耐熱サイクル性を要求される厳しい使用条件下にある電気自動車または電車などの分野で半田が溶融して流れてしまうという問題が発生し、優れた耐熱サイクル特性を発揮することができなかった。
【０００８】
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、セラミックス回路基板と端子との接合強度を向上させて、かつ、優れた耐熱サイクル特性を有し、大電流に対応可能な端子付きセラミックス回路基板を得ることを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記目的を達成すべく鋭意研究を行った結果、金属回路板と金属端子とを接合するろう材の融点を５００〜７８０℃の範囲とすることで、金属回路板と端子との接合強度を向上させるとともに、優れた耐熱サイクル特性を得られ、大電流に対応可能な端子付きセラミックス回路基板を得られることを見い出し、この知見に基づいて本発明を完成するに至ったものである。
【００１０】
すなわち、本発明に係る端子付きセラミックス回路基板は、セラミックス基板と、このセラミックス基板上に接合した金属回路板とを備え、前記金属回路板上に融点が５００〜７８０℃であるろう材から成るろう材層を介して金属端子が一体に接合されており、前記ろう材層は、ＡｇおよびＡｌの少なくとも１種の金属を主成分とし、前記ろう材層の厚さが１０〜１００μｍである一方、前記金属端子はＣｕおよびＡｌの少なくとも１種の金属材料から成り、前記金属回路板が銅板であることを特徴とする。
【００１１】
また、上記端子付きセラミックス回路基板において、セラミックス基板と金属回路板とが、直接接合法，活性金属接合法およびろう付け法のいずれかの方法を用いて接合されていることが好ましい。
【００１２】
さらに、上記端子付きセラミックス回路基板において、金属端子と金属回路板との接合面積が、２５ｍｍ２以上であることが望ましい。
【００１３】
また、上記端子付きセラミックス回路基板において、ろう材層の成分が、セラミックス基板と金属回路板とを接合するろう材成分の主成分と同一であることが好ましく、本ろう材層は、ＡｇおよびＡｌの少なくとも１種の金属を主成分として構成すると良い。
【００１４】
上記端子付きセラミックス回路基板において、ろう材層の厚さが１０〜１００μｍであることが好ましい。
【００１５】
また、上記端子付きセラミックス回路基板において、セラミックス基板は窒化けい素焼結体および窒化アルミニウム焼結体のいずれかの非酸化物系セラミックス焼結体から成ることが好ましい。
【００１６】
さらに、上記端子付きセラミックス回路基板において、金属端子はＣｕおよびＡｌの少なくとも１種の金属材料から成ることが好ましい。
【００１７】
以下、本発明の端子付きセラミックス回路基板について説明する。
【００１８】
本発明における端子付きセラミックス回路基板は、セラミックス基板上に金属回路板を接合した後、金属回路板上に金属端子を融点が５００〜７８０℃であるろう材を介して金属回路板に接合して、端子を備えたセラミックス回路基板としたものである。
【００１９】
まず、セラミックス基板と金属回路板との接合法および金属回路板と金属端子との接合法に関しては、十分な接合強度が得られる限り特に限定されないが、以下に示す直接接合法（ＤＢＣ、ＤＢＡ）、Ｔｉ，Ｈｆ，Ｚｒ等の活性金属を含有したろう材層を用いた活性金属接合法またはＡｌ，Ａｇ系などのろう材を用いたろう付け法が適用可能である。
【００２０】
直接接合法は、金属回路板とセラミックス基板とを接触させて、加熱によりろう材層を使用せずに接合する方法である。例えば、金属回路板として銅板を用いる場合、酸素を１００〜１０００ｐｐｍ程度含有した銅板を用い１０５０〜１０８０℃程度で加熱すると、酸素とセラミックスとが共晶反応を起こし直接接合が可能となる。なお、セラミックス基板が酸化物系であれば容易に接合しやすく、非酸化物系の場合には表面に酸化膜等を設けることにより接合可能である。また、金属回路板としてＡｌ板やＡｌ−Ｓｉ合金板なども加熱により直接接合可能である。
【００２１】
活性金属接合法は、Ｔｉ，Ｈｆ，Ｚｒ等の活性金属を所定量含有させたろう材を塗布した後、７８０〜８５０℃の温度でろう付け接合するものである。ろう材は、前述した活性金属が含有されていれば特に限定されるものではないが、Ａｇ，Ａｇ−Ｃｕ，Ａｇ−Ｉｎ，Ａｇ−Ｃｕ−Ｉｎ，Ａｇ−Ｃｕ−ＳｎおよびＣｕ系ろう材に活性金属を含有したものを用いると良い。なお、ろう材中の活性金属の含有量は１０ｗｔ％以下とすることが好ましい。
【００２２】
さらに、ろう付け法は、ＡｌまたはＡｇ系ろう材を用いて、必要に応じてＳｉ，Ｉｎ，Ｓｎ等の添加物を３０ｗｔ％以下含有させたろう材を使用して７８０〜８５０℃の温度で金属回路板等をろう付けする方法である。Ａｌ，Ａｇ系ろう材は、ＡｌおよびＡｇの少なくとも一種の金属を主成分とし、その他の成分として、Ｓｎ，Ｉｎ等を含有させるとさらに接合強度を向上させることが可能である。
【００２３】
上記方法の中でも、特に、耐熱サイクル特性に優れる活性金属接合法またはろう付け法を用いることが好ましい。なお、活性金属接合法およびろう付け法に用いるろう材は、７５０℃を超える融点を有するものであれば特に問題はないが、７８０〜８５０℃の範囲のろう材を使用することがさらに好ましい。
【００２４】
一方、セラミックス基板の材質は特に限定されるものではなく、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）焼結体、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）焼結体、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）焼結体、炭化けい素（ＳｉＣ）焼結体などの各種セラミックスを適用することが可能である。本発明のように、金属回路板上に金属端子を接合する構造では、熱膨張時にセラミックス基板に応力が作用し易い。このため、強度が低い酸化アルミニウム焼結体を基板として適用した場合、金属回路板と金属端子との接合部に亀裂が発生し易い。従って、セラミックス基板としては、窒化アルミニウム基板や窒化アルミニウム基板と比較して強度がより高い窒化けい素基板を用いることにより、ＴＣＴ特性をより改善できる。特に、強度が６００ＭＰａ以上であり、熱伝導率が６０Ｗ／ｍ・ｋ以上である窒化けい素基板を適用することにより、強度および放熱性を向上させることができる。
【００２５】
上記方法によりセラミックス回路基板を形成した後、金属回路板上に融点が５００〜７８０℃であるろう材により金属端子をろう付け接合して本発明に係る端子付きセラミックス回路基板が形成される。
【００２６】
このときろう材として融点が５００〜７８０℃のものを用いる。融点が５００℃未満であると、例えば１６０℃程度の高い温度での耐熱サイクル特性（ＴＣＴ特性）を要求される回路基板ではろう材の一部が溶け出すような現象が発生するため、接合強度が低下するとともに耐熱サイクル特性も劣化してしまう。逆に、７８０℃を超える融点を有するろう材は金属回路板とセラミックス基板とを接合するろう材と融点が近似するためろう材に悪影響を与えてしまうためである。
【００２７】
なお、融点が５００〜７８０℃の範囲にあるろう材か否かの見分け方は、公知の融点測定方法であってもよいし、簡易的には融点よりも１００〜１５０℃高い温度まで加熱して、ろう材が溶け出す温度で判別可能である。
【００２８】
また、ろう付けする金属端子の材質は高い導電性を有する限り、特に限定されるものではないが、例えば、Ｃｕ，Ａｌなどの電気導電率が高い材料が好ましく、金属回路板と同様の材質とすることにより、回路基板の耐熱サイクル特性の向上を図ることができる。
【００２９】
さらに、金属端子と金属回路板との接合面積は２５ｍｍ２以上、さらには３０ｍｍ２以上が好ましい。接合面積が２５ｍｍ２未満であると、通電容量が低くなることから大電流を流しにくく金属端子をろう付けする効果が得られなくなってしまうためである。
【００３０】
融点が５００〜７８０℃のろう材自体は融点が５００〜７８０℃の範囲であれば特に限定されるものではないが、好ましくは上記範囲の温度で共晶現象を起こすろう材であることが望ましい。ろう材は、ＡｇまたはＡｌを主成分としたものが採用でき、例えば、Ａｇ−Ｃｕ系，Ａｌ−Ｓｉ系，Ａｌ−Ｉｎ系，Ａｇ−Ｓｎ系のろう材があり、さらに、Ｔｉ等の活性金属を１０ｗｔ％以下含有させたろう材も効果的である。
【００３１】
一方、端子を接合する際のろう材は、セラミックス基板と金属回路板とを接合する際に用いたろう材と一致させると良い。本発明の端子付きセラミックス回路基板は大容量化された半導体装置に使用されるため、特に温度昇降の激しい過酷な耐熱サイクル特性条件下で使用される。このとき、セラミックス基板と金属回路板とを接合するろう材と、金属端子と金属回路板とを接合するろう材とを同一の材質にすることにより、ＴＣＴ試験における各材質の熱膨張の差が減少するためＴＣＴ特性が向上する。この観点からすると、前述のように各ろう材の主成分を同様の材質とすること、さらには金属回路板および金属端子の材質の成分を同様とすることにより、各構成材の熱膨張の差を実質的に解消することが可能であり、さらにＴＣＴ特性の向上を図ることができる。
【００３２】
ろう材層の厚さは特に限定されるものではないが、所定の接合強度を得るために１０〜１００μｍの範囲、好ましくは５０〜８０μｍの範囲に設定することが肝要である。ろう材層の厚さが１０μｍ未満であると接合強度が不十分である一方、逆に１００μｍを超えるとろう材層の厚さが過大になるため、セラミックス回路基板としての熱抵抗を増大してしまうためである。また、１００μｍを超えるとろう材層自体の熱膨張が大きくなり金属回路板に不要な応力を与えてしまうことからセラミックス基板へのクラック発生と言った問題も生じてしまう。
【００３３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について、図１および表１〜表６を用いて説明する。
【００３４】
第１実施形態（図１、表１〜表２）
本実施形態では、直接接合（ＤＢＣ）法により接合されたセラミックス回路基板上に、金属端子を形成して端子付きセラミックス回路基板とした。
【００３５】
実施例（試料Ｎｏ．１〜試料Ｎｏ．５）
まず、セラミックス基板として、表１に示すように、厚さが０．６５ｍｍである窒化けい素（Ｓｉ３Ｎ４）基板または窒化アルミニウム（ＡｌＮ）基板を用い、Ｓｉ３Ｎ４基板およびＡｌＮ基板を酸化雰囲気中で熱処理することにより全表面に厚さ１μｍの酸化物層（ＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３）を形成した。
【００３６】
次に、金属回路板として酸素を１００〜１０００ｐｐｍ含有したタフピッチ銅からなるＣｕ板を準備した。Ｃｕ板の厚さは、それぞれ０．３ｍｍ、０．２５ｍｍとした。
【００３７】
セラミックス基板の表面側に厚さ０．３ｍｍのＣｕ板を接触配置する一方、背面側に厚さ０．２５ｍｍのＣｕ板を裏当て材として接触配置した後、１０７０℃の温度で加熱してセラミックス基板の表裏面にＣｕ板を直接接合したセラミックス回路基板を得た。
【００３８】
上記セラミックス回路基板上に、融点が５００〜７８０℃であるろう材を用いて高さが１５ｍｍである銅製の金属端子を接合して端子付きセラミックス回路基板を形成した。なお、セラミックス回路基板と金属端子との接合面積は３０ｍｍ２（５ｍｍ×６ｍｍ）とした。これを図１に示す。
【００３９】
図１に示すように、端子付きセラミックス回路基板１は、セラミックス基板２の表裏面に金属回路板３を一体として接合されており、金属回路板３上にろう材層４を介して金属端子５が形成される。これを試料Ｎｏ．１とした。
【００４０】
また、表１に示すように、試料Ｎｏ．２はろう材の種類を変え、試料Ｎｏ．３はろう材の融点を変化させて試料Ｎｏ．１とほぼ同様に端子付きセラミックス回路基板を形成した。試料Ｎｏ．４および試料Ｎｏ．５はセラミックス基板を窒化アルミニウム（ＡｌＮ）基板として、端子付きセラミックス回路基板を形成した。
【００４１】
【表１】
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【００４２】
比較例（試料Ｎｏ．６〜試料Ｎｏ．１１）
本比較例では、試料Ｎｏ．６〜試料Ｎｏ．１１を用い、以下に示すものを本発明の範囲外とした。また、試料Ｎｏ．６はろう材の融点を１８３℃と低くし、試料Ｎｏ．７は金属端子と金属回路板との接合面積を２０ｍｍ２とした。さらに、試料Ｎｏ．８として、融点が３００℃のろう材により銅製の端子を接合し、試料Ｎｏ．９および試料Ｎｏ．１０はろう材の厚さをそれぞれ１５０μｍ、８μｍとした。また、Ｎｏ．１１はセラミックス基板としてＡｌ２Ｏ３基板を適用し、実施例と同様の方法を用いて、端子付きセラミックス回路基板を形成して同様の試験を行った。
【００４３】
上記実施例および比較例により得られた端子付きセラミックス回路基板に対して、端子の接合強度を測定するとともに、耐熱サイクル性を評価した。なお、端子の接合強度は、端子を上方に向けて垂直に引っ張った際の荷重を単位面積で割った値により評価したものである。また、耐熱サイクル性の評価としてはＴＣＴ試験を行い、−５５℃×３０ｍｉｎ→Ｒ．Ｔ．×１０ｍｉｎ→１６０℃×３０ｍｉｎ→Ｒ．Ｔ．×１０ｍｉｎを１サイクルとして、２００サイクル実施後における端子の剥離の有無を評価したものである。その結果を表２に示す。
【００４４】
【表２】
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【００４５】
表２に示すように、本発明の範囲内とした実施例では、比較例に比べて端子の接合強度が高く、また、ＴＣＴ試験後における端子の剥離が生じなかったが、比較例では、接合強度が低下して金属端子の剥離が生じた。なお、比較例９においては金属端子の剥離は生じなかったが、セラミックス基板にはクラックが生じていた。これはろう材層が１００μｍを超えて厚いためにろう材層の熱膨張が激しくなり金属回路板に不要な応力を与えてしまったためであると考えられる。
【００４６】
第２実施形態（表３、表４）
本実施形態では、活性金属接合法を用いて接合されたセラミックス回路基板上に、金属端子を形成して端子付きセラミックス回路基板とした。
【００４７】
実施例（試料Ｎｏ．２０〜試料Ｎｏ．３１）
まず、セラミックス基板として、表３に示すように、厚さが０．６３５ｍｍである窒化けい素（Ｓｉ３Ｎ４）基板または窒化アルミニウム（ＡｌＮ）基板を用いた。また、金属回路板として酸素を１０〜３０ｐｐｍとごく少量とした無酸素銅からなるＣｕ板を準備した。
【００４８】
【表３】
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【００４９】
次に、Ａｇ，ＣｕおよびＴｉを主成分とした金属粉末に有機化合物等のバインダおよび溶媒を混合したペーストをセラミックス基板の表裏面にパターン印刷し、セラミックス基板上にＣｕ板をパターンに沿って配置して、不活性雰囲気または真空中、８５０℃の温度で加熱接合してセラミックス回路基板を得た。なお、Ｃｕ板の表側の厚さを０．３ｍｍとし、裏側の厚さを０．２５ｍｍとした。
【００５０】
上記セラミックス回路基板の銅回路板上に、融点が７３０℃のろう材を用いて高さ１５ｍｍの銅製の金属端子を接合して端子付きセラミックス回路基板を形成した。これを試料Ｎｏ．２０とした。
【００５１】
また、表３に示すように、活性金属接合法のろう材の種類およびその組成比、金属端子の接合ろう材の種類、その組成、融点および厚さを種々変えて、試料Ｎｏ．２１〜試料Ｎｏ．３１の端子付きセラミックス回路基板を形成した。なお、試料Ｎｏ．２２〜試料Ｎｏ．３１は、Ａｇ，ＣｕおよびＴｉを主成分とし、これにＩｎ，ＳｎおよびＣから選択される１種以上を添加したろう材を活性金属接合法のろう材として用いたものである。
【００５２】
比較例（試料Ｎｏ．３２〜試料Ｎｏ．３５）
本比較例では、上述した実施例とほぼ同様の方法を用い、試料Ｎｏ．３２〜試料Ｎｏ．３５の端子付きセラミックス回路基板を形成した。表３に示すように、試料Ｎｏ．３２は金属端子の接合ろう材の厚さを２００μｍとし、試料Ｎｏ．３３および試料Ｎｏ．３４は金属端子の接合ろう材の融点が各々３００℃、９００℃としたものを適用した。さらに、試料Ｎｏ．３５は、金属回路板と金属端子との接合面積を２３ｍｍ２として端子付きセラミックス回路基板を作製したものである。
【００５３】
上記実施例および比較例の金属端子を形成したセラミックス回路基板に対して、端子の接合強度を測定するとともに、耐熱サイクル性（ＴＣＴ）試験を施した。なお、試験条件は第１実施形態と同様とした。その結果を表４に示す。
【００５４】
【表４】
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【００５５】
表４に示すように、本発明の範囲内の融点とした金属端子の接合ろう材を適用した試料Ｎｏ．２０〜試料Ｎｏ．３１は、いずれも金属端子の接合強度が４０ｋｇｆ／ｃｍ２以上であり、ＴＣＴ試験後の端子の剥離が生じなかった。一方、比較例の試料Ｎｏ．３３ないし試料Ｎｏ．３５は、端子の接合強度が低下してＴＣＴ試験後の端子の剥離も生じた。
【００５６】
第３実施形態（表５、表６）
本実施形態では、セラミックス基板と金属回路板を接合するろう材が、金属回路板と金属端子を接合するろう材と同一の成分を有するものを用意した。
【００５７】
実施例（試料Ｎｏ．５０〜試料Ｎｏ．５２）
まず、セラミックス基板として、表５に示すように厚さが０．６３５ｍｍである窒化珪素基板または窒化アルミニウム基板を用いた。金属回路板として無酸素銅からなるＣｕ板を準備した。
【００５８】
【表５】
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【００５９】
また、表５に示す成分組成を有するろう材を用いた。
【００６０】
次に、セラミックス基板の表裏面にろう材を塗布した後、Ｃｕ板を配置して加熱し、セラミックス基板の表裏面にＣｕ板を接合したセラミックス回路基板を得た。
【００６１】
上記セラミックス回路基板上に金属回路板を接合したろう材と同じものを用いて高さ１５ｍｍの銅製の金属端子を接合して端子付きセラミックス回路基板を形成した。
【００６２】
また、試料Ｎｏ．５２はセラミックス基板上にろう材層を塗布し金属回路板を配置し、さらにその上にろう材層を塗布し金属端子を配置し、一度の熱処理によりセラミックス基板と金属回路板、金属回路板と金属端子を接合した。
【００６３】
このような各試料に対し、実施例２３と同様の条件で耐熱サイクル試験を２００サイクルおよび４００サイクル行った後における金属端子の剥離の有無を検討した。
【００６４】
また、本実施形態との比較をする為に、第２実施形態における実施例の試料Ｎｏ．２３の端子付きセラミックス回路基板についても同様の試験を行った。その結果を表６に示す。
【００６５】
【表６】
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【００６６】
表６から分かる通り、２００サイクルでは金属端子の剥離は確認されなかったが、セラミックス基板と金属回路板の接合ろう材と、金属回路板と金属端子の接合ろう材の組成が異なる試料Ｎｏ．２３は４００サイクルでは剥離が起きてしまった。これはろう材組成が異なることから、温度昇降がより激しい環境下においては各ろう材層の組成が異なることによる熱膨張の差が影響するものであると言える。
【００６７】
それに対し、各ろう材層の組成を同一にした試料Ｎｏ．５０〜試料Ｎｏ．５２のものについては４００サイクル後であっても金属端子の剥離は確認されなかった。また、同一のろう材を使用することから試料Ｎｏ．５２のように一度の熱処理によりセラミックス基板と金属回路板および金属回路板と金属端子の接合を行うことも可能であり製造性も向上させることができる。
【００６８】
なお、各ろう材層の組成が同一か否かはろう材層全体を分析することが最も好ましいが、ろう材を構成する成分が同じであるならばろう材層における任意の３ヶ所の組成比率を分析してその平均値により実質的に同一であるか否かを判定しても問題ない。
【００６９】
以上説明したように、本発明の実施形態によれば、５００〜７８０℃の融点を有するろう材から成るろう材層を介して金属端子を一体形成することで、金属端子と金属回路板との接合強度および耐熱サイクル特性の向上を図ることができるが、特に、セラミックス回路基板の作製方法として、第２実施形態および第３実施形態に示す耐熱サイクル特性に優れた活性金属接合法またはろう付け法を用いることで、一層、接合強度および耐熱サイクル特性の向上を図れる。
【００７０】
【発明の効果】
以上説明の通り、本発明によれば、セラミックス回路基板と端子とを接合するろう材の改良により、優れた接合強度および耐熱サイクル特性を得られ、大電流に対応可能な端子付きセラミックス回路基板を得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態における、端子付きセラミックス回路基板を示す断面図。
【符号の説明】
１  端子付きセラミックス回路基板
２  セラミックス基板
３  金属回路板
４  ろう材層
５  金属端子
【図１】
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