(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のラインを有し、１ライン毎に時間をずらしながら電荷の蓄積と読み出しとを順次行う撮像素子と、
前記撮像素子による電荷の蓄積を開始してから終了するまでの間に複数回のプリ発光を行うように発光手段を制御する発光制御手段と、
前記撮像素子の複数のラインから測光に用いる複数の測光領域を設定する設定手段と、を有し、
前記発光制御手段は、前記複数の測光領域の電荷蓄積期間中に前記発光手段によるプリ発光がそれぞれ１度だけ行われるように前記発光手段を制御することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記設定手段は、外光輝度に基づいて前記測光領域を設定することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
被写体領域を検出する被写体検出手段を有し、
前記設定手段は、前記被写体検出手段の検出結果に基づいて前記測光領域を設定することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記発光制御手段は、前記設定手段により設定された測光領域に応じてプリ発光の回数を変更することを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記発光手段は、前記撮像装置に着脱可能な発光装置であることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項６】
複数のラインを有し、１ライン毎に時間をずらしながら電荷の蓄積と読み出しとを順次行う撮像素子を有する撮像装置の制御方法であって、
前記撮像素子による電荷の蓄積を開始してから終了するまでの間に複数回のプリ発光を行うように発光手段を制御する発光制御ステップと、
前記撮像素子の複数のラインから測光に用いる複数の測光領域を設定する設定ステップと、を有し、
前記発光制御ステップは、前記複数の測光領域の電荷蓄積期間中に前記発光手段によるプリ発光がそれぞれ１度だけ行われるように前記発光手段を制御することを特徴とする撮像装置の制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は撮像装置及びその制御方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＣＭＯＳセンサの信号電荷蓄積方法において、走査ライン毎に電荷のリセット動作（電荷蓄積開始動作）を行い、その後走査ライン毎に所定の時間を経過してから電荷の信号読み出しの走査を行うことで、信号電荷蓄積を行う手法が知られている。また、ＣＭＯＳセンサにおいて信号電荷を蓄積する場合、走査ライン毎の信号電荷の蓄積開始時間にずれが生じるため、撮像面上部と撮像面下部では信号電荷蓄積開始時間にずれが生じる。
【０００３】
一方で、ストロボ発光をともなう撮影において、本発光を行う前に本発光量よりも発光量の小さい発光（これよりプリ発光という）を被写界に対して行い、プリ発光の反射成分に基づき本発光量を演算することで正確な本発光量を求めるという手法が知られている。
【０００４】
上記したＣＭＯＳセンサを備える撮像装置においてプリ発光をともなう撮影を行う際に、本発光時、プリ発光時の撮影ともにフォーカルプレーンシャッターを用いれば、信号蓄積時間を長くしたとしても、メカ的に遮光することができる。つまり、信号蓄積時間が長くても、遮光時間を短時間にできるので、外光の影響を受けることなく、得られる測光値も精度の高いものになる。
【０００５】
しかし、プリ発光時の撮影の際にフォーカルプレーンシャッターにて遮光を行うと、その後に本発光時の撮影用にフォーカルプレーンシャッターを再チャージする必要が生じる。再チャージするとプリ発光時の撮影から本発光時の撮影までのタイムラグが大きくなり、プリ発光時と本発光時の被写体の状況に変化が生じる可能性がある。すると、プリ発光の反射成分に基づき演算した本発光量が正確なものでなくなる可能性が高くなる。そのため、演算した本発光量の精度を高める為には、プリ発光と本発光との間隔を短くする必要があり、プリ発光ではフォーカルプレーンシャッターによる遮光は行わないことが好ましい。そのために、ＣＭＯＳセンサを備える撮像装置において、プリ発光をともなう撮影を行う際は、一般的に、本発光時はフォーカルプレーンシャッター、プリ発光時は電子シャッターを用いている。
【０００６】
図５は、ＣＭＯＳセンサの局部ブロックのプリ発光によるＣＭＯＳセンサにおける信号電荷の蓄積タイミングを示す図である。ＣＭＯＳセンサは受けた信号電荷を蓄積する場合、各走査ラインｎ、ｎ＋１、ｎ＋２、ｎ＋３、といった順で信号電荷の蓄積を開始する。また、プリ発光動作の光強度は時間を横軸として図５に示したように変化する。この際、ｎ〜ｎ＋２ラインの間に関しては、信号電荷蓄積時間中にプリ発光が行われるので、正確なプリ発光量が測定可能である。
【０００７】
しかし、ｎ＋３ラインでは蓄積開始タイミングがプリ発光の途中となるため、そのタイミングのずれによって、ｎ＋３ラインで得られるプリ発光量とｎ〜ｎ＋２ラインで得られるプリ発光量とは異なることになる。したがって、正確なプリ発光量の測定はできない。
【０００８】
次に、図６を用いて従来例の説明を行う。
【０００９】
なお、図６は従来のＣＭＯＳセンサにおけるプリ発光量演算の説明図である。
【００１０】
図６において、横軸は時間軸で、ａ１のタイミングがＣＭＯＳセンサの撮像面上部の信号電荷蓄積開始時間、ｂ１のタイミングが信号電荷蓄積終了時間を示している。同様に、ａ２のタイミングがＣＭＯＳセンサの撮像面下部の信号電荷蓄積開始時間、ｂ２のタイミングが信号電荷蓄積終了時間を示している。
【００１１】
図６（ａ）は、ＣＭＯＳセンサの信号電荷の蓄積時間を長く設定することで、全撮像エリアに対してプリ発光を行うことが可能となる様子を示している。しかし、外光の蓄積時間も長くなるため、ＣＭＯＳセンサが早く飽和してしまう。また、全てのエリアでの電荷蓄積が開始されてから、プリ発光し、その後に全てのエリアでの蓄積した電荷の読み出しを行うためにプリ発光量演算に要する時間が長くなってしまう。
【００１２】
図６（ｂ）は、ＣＭＯＳセンサの信号電荷の蓄積時間を短く設定して、外光の影響を少なくしたものである（特許文献１）。
【００１３】
図６（ｂ）において、Ｖ３からＶ４の間のエリアは、画像に照射されるプリ発光量を示している。しかし、Ｖ３からＶ１の間のエリアは蓄積終了タイミングがプリ発光の途中、Ｖ２からＶ４の間のエリアは蓄積開始タイミングがプリ発光の途中、であるため正確なプリ発光量の測定ができない。したがって、正確なプリ発光量を測定するにはＶ１からＶ２の間のエリアをストロボ測光エリアとして設定する必要がある。しかし、このようにストロボ測光エリアを設定した場合、蓄積時間を短く設定している為、図６（ａ）比べて外光の影響は少なくなるが、調光可能範囲自体は狭くなってしまう。その為、撮像エリア中央の一部分であるＶ１からＶ２のエリアまでしかストロボ測光を行うことができない。したがって、撮像エリア中央に被写体が存在しない場合などは調光精度が低下する。
なお、調光とは主にストロボの発光量をコントロールすることをいう。
【００１４】
図６（ｃ）は、ＣＭＯＳセンサの信号電荷の蓄積時間を短くして、ストロボをフラット発光させた場合を示している。なお、フラット発光とは一定光量を保ったまま一定時間発光しつづける発光方法のことである。この場合、撮像エリア全体を測光することが可能であるが、発光時間が非常に長くなるため、発光時間に比例して消費電力が大きくなり現実的ではない。
【特許文献１】特開２０００−１９６９５１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
上記の従来例では、撮像面の幅広いエリアに対して調光を行っていても、例えば信号電荷蓄積の時間を長く設定し発光を行う日中シンクロなどの外光が高輝度の場合の調光は、内蔵又は外付けストロボなどの一般的なストロボで簡単に行うことはできなかった。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記課題を解決し、目的を達成するために、本発明の撮像装置は、複数のラインを有し、１ライン毎に時間をずらしながら電荷の蓄積と読み出しとを順次行う撮像素子と、前記撮像素子による電荷の蓄積を開始してから終了するまでの間に複数回のプリ発光を行うように発光手段を制御する発光制御手段と、前記撮像素子の複数のラインから測光に用いる複数の測光領域を設定する設定手段と、を有し、前記発光制御手段は、前記複数の測光領域の電荷蓄積期間中に前記発光手段によるプリ発光がそれぞれ１度だけ行われるように前記発光手段を制御することを特徴とする。
【００１７】
上記課題を解決し、目的を達成するために、本発明の撮像装置の制御方法は、複数のラインを有し、１ライン毎に時間をずらしながら電荷の蓄積と読み出しとを順次行う撮像素子を有する撮像装置の制御方法であって、前記撮像素子による電荷の蓄積を開始してから終了するまでの間に複数回のプリ発光を行うように発光手段を制御する発光制御ステップと、前記撮像素子の複数のラインから測光に用いる複数の測光領域を設定する設定ステップと、を有し、前記発光制御ステップは、前記複数の測光領域の電荷蓄積期間中に前記発光手段によるプリ発光がそれぞれ１度だけ行われるように前記発光手段を制御することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明では、必要とする調光エリアに応じて、発光制御することで、適切な調光演算を行うことが可能なストロボ撮影システムを提供する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の好適な実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【００２０】
（第１の実施形態）
図１に第１の実施形態における撮像装置及びストロボ装置のブロック図を示す。
【００２１】
１１００は撮像装置本体である。
【００２２】
１００１は、図示しない撮影レンズ、ＣＭＯＳセンサ及びその駆動回路、ゲイン回路等からなり、撮影レンズにより結像する光学像をＣＭＯＳセンサにより電気信号に変換する撮像部である。１００２は、撮像部１００１から出力されるアナログ信号をデジタル信号に変換する、Ａ／Ｄ変換器である。１００３は、撮像部１００１、Ａ／Ｄ変換器１００２等にクロック制御信号や制御信号を供給するものであり、メモリコントローラ１００４により制御されるタイミング発生回路である。１００５は、撮像装置１１００で扱われる、様々なデータを一時記憶するバッファメモリである。１００４は、Ａ／Ｄ変換器１００２、タイミング発生回路１００３、バッファメモリ１００５、後述の画像処理部１００８を制御するメモリコントローラである。Ａ／Ｄ変換器１００２でデジタル信号に変換されたデータは、メモリコントローラ１００４を介して、バッファメモリ１００５に書き込まれる。画像処理部１００８は、メモリコントローラ１００４から出力されるデータやバッファメモリ１００５に一時記憶されているデータに対して、公知のホワイトバランス調整、画素補間処理、階調処理、色変換処理などを施す。
【００２３】
１００７は、メモリカードやハードディスクなどの外部記録媒体である。バッファメモリ１００５に蓄えられたデータは、メモリコントローラ１００４、外部記録媒体１００７との媒介になるインターフェース部１００６を介して、外部記録媒体１００７に書き込まれる。１００９は後述のストロボ装置２００１の発光量の演算制御を行う調光制御回路である。１０２２は撮像装置全体を制御するものであり、図示しないＡＥ、ＡＦ等のカメラ制御を行うシステム制御回路である。２００１は、撮像装置１１００内のシステム制御回路１０２２から発光制御信号が送信されてメイン発光や、発光量の演算を行うためのプリ発光を行うストロボ装置である。
【００２４】
なお、本発明においてストロボ装置２００１は、撮像装置内蔵のストロボ装置であっても、着脱可能な外付け型のストロボ装置であっても構わない。
【００２５】
図２は本発明のＣＭＯＳセンサにおけるプリ発光量演算についての説明図である。
【００２６】
また、図４は図２に比較して蓄積時間が長い場合の、ＣＭＯＳセンサにおけるプリ発光量演算についての説明図である。
【００２７】
これより図２について説明する。
【００２８】
図２において、横軸は時間軸で、撮像面上部においてａ１のタイミングがＣＭＯＳセンサの信号電荷のリセットタイミングつまり蓄積開始時間、ｂ１のタイミングがＣＭＯＳセンサの信号読み出し開始タイミングつまり蓄積終了時間を示している。
【００２９】
そして、ＣＭＯＳセンサの走査ライン毎に信号電荷の蓄積開始時間にずれが生じるため、撮像面下部のＣＭＯＳセンサの信号電荷蓄積開始時間はａ２、蓄積終了時間はｂ２のタイミングとなる。
【００３０】
本発明ではストロボ装置２００１は、複数回のプリ発光を行うが、１回目のプリ発光の開始タイミングはｃ１、終了タイミングはｃ２、で表されている。また、２回目のプリ発光の開始タイミングはｄ１、終了タイミングがｄ２、３回目のプリ発光の開始タイミングはｅ１、終了タイミングがｅ２、で表されている。
【００３１】
また、図２では、ＣＭＯＳセンサの撮像面に照射されるプリ発光のうち撮像面上部から撮像面下部にかけてのストロボ光の受光エリアの分布を示している。
【００３２】
位置Ｖ１１−Ｖ１２の間が１回目のプリ発光の照射対象となるエリア、位置Ｖ２１−Ｖ２２の間が２回目のプリ発光の照射対象となるエリア、位置Ｖ３１−Ｖ３２の間が３回目のプリ発光の照射対象となるエリアを示している。
【００３３】
図３は、例として図２における１回目のプリ発光により得られる信号電荷の蓄積タイミングを示している。
【００３４】
これより図３について説明する。
【００３５】
ＣＭＯＳセンサが被写界から得た光束を光電変換し、光電変換された信号電荷を蓄積する場合、各走査ラインＶ１１−Ｖ１２の間の蓄積タイミングはそれぞれずれる。
【００３６】
また、ストロボ装置２００１がプリ発光する場合のストロボ光の光強度は、時間を横軸として図のように変化し、ストロボ装置２００１が発光することによって得られる光束をＣＭＯＳセンサにて光電変換し、ＣＭＯＳセンサに信号電荷として蓄積する。
【００３７】
ＣＭＯＳセンサは、Ｖ１１−Ｖ１２間の信号電荷蓄積時間中は、ストロボ装置２００１から発光された全ての光束を受け取ることができる。
【００３８】
そのため、Ｖ１１−Ｖ１２間のエリアでは、信号電荷の蓄積開始タイミングがずれていてもプリ発光によって得られる信号に基づき、調光制御回路１００９は正確な調光を行うことが可能となる。
【００３９】
一方、ＣＭＯＳセンサは、Ｖ１１より上部のエリアでは少なくともプリ発光の後半の信号の一部を受け取ることができない。また、ＣＭＯＳセンサは、Ｖ１２より下のエリアでは少なくともプリ発光の前半の信号の一部を受け取ることができない。
【００４０】
つまり、ＣＭＯＳセンサは、Ｖ１１より上部のエリアとＶ１２より下部のエリアでは、プリ発光によって得られる信号に基づき、調光制御回路１００９は正確な測光を行うことができない。
【００４１】
したがって、プリ発光によって得られる信号に基づき正確な調光を行うためには、ＣＭＯＳセンサの信号電荷蓄積時間内にプリ発光が行われるようなエリアを設定する必要がある。
【００４２】
ここで、図２の説明に戻る。
【００４３】
１回目のプリ発光では、ストロボ装置２００１は、ｃ１のタイミングでプリ発光を開始し、ｃ２のタイミングでプリ発光を終了する。そして、ＣＭＯＳセンサ上の測光エリアを、プリ発光を行うことによって得られる光束を全て受け取ることができるようにＶ１１−Ｖ１２のエリアに設定する。
【００４４】
２回目のプリ発光では、ストロボ装置２００１は、ｃ２よりも後のｄ１のタイミングでプリ発光を開始し、ｄ２のタイミングでプリ発光を終了し、ＣＭＯＳセンサ上の測光エリアをＶ２１−Ｖ２２のエリアに設定する。
【００４５】
この際、システム制御回路１０２２は、Ｖ２１の信号電荷の蓄積を開始するタイミングが、ｃ２のプリ発光終了のタイミングよりも遅くなり、かつ、プリ発光を行うことによって得られる光束を全て受け取ることができるように、Ｖ２１の位置を決定する。
【００４６】
こうすることで、ストロボ装置２００１は、Ｖ２１−Ｖ２２間では１回目のプリ発光により照射される光束の影響を受けることなく調光を行うことができる。
【００４７】
また、システム制御回路１０２２は、Ｖ２２の信号電荷の蓄積を終了するタイミングが、後述のｅ１のプリ発光開始のタイミングよりも早くなり、かつプリ発光を行うことによって得られる光束を全て受け取ることができるように、Ｖ２２の位置を決定する。
【００４８】
こうすることで、ストロボ装置２００１は、Ｖ２１−Ｖ２２間では３回目のプリ発光により照射される光束の影響を受けることなく調光を行うことができる。
【００４９】
そのため、システム制御回路１０２２は２回目のプリ発光により照射される光束のみを正確に受け取ることができる。
【００５０】
同様に３回目のプリ発光においても、ストロボ装置２００１はｅ１のタイミングでプリ発光を開始し、ｅ２のタイミングでプリ発光を終了し、ＣＭＯＳセンサ上の測光エリアをＶ３１−Ｖ３２のエリアに設定する。
【００５１】
この際、システム制御回路１０２２は、Ｖ３１の信号電荷の蓄積を開始するタイミングが、ｄ２のプリ発光終了のタイミングよりも遅くなり、かつ、プリ発光を行うことによって得られる光束を全て受け取ることができるように、Ｖ３１の位置を決定する。
【００５２】
また、システム制御回路１０２２は、Ｖ３２の信号電荷の蓄積を終了するタイミングが、プリ発光を行うことによって得られる光束を全て受け取ることができるように、Ｖ３２の位置を決定する。
【００５３】
こうすることで、ストロボ装置２００１はＶ３１−Ｖ３２間では２回目のプリ発光により照射される光束の影響を受けることなく、３回目のプリ発光により照射される光束のみを正確に受け取ることができる。
【００５４】
なお、外光輝度が低い場合には、図４に示すように、通常より長く蓄積時間を設定することで適正な調光演算を行うことが可能である。
【００５５】
図４において、１回目のプリ発光の開始タイミングはｃ３、終了タイミングはｃ４、２回目のプリ発光の開始タイミングはｄ３、終了タイミングはｄ４、３回目のプリ発光の開始タイミングはｅ３、終了タイミングはｅ４で表されている。
【００５６】
また、図４では、ＣＭＯＳセンサの撮像面に照射されるプリ発光量のうちストロボ測光エリアのプリ発光量の垂直方向の断面図も示している。
【００５７】
位置Ｖ１３−Ｖ１４の間が１回目のプリ発光の照射対象となるエリア、位置Ｖ２３−Ｖ２４の間が２回目のプリ発光の照射対象となるエリア、位置Ｖ３３−Ｖ３４の間が３回目のプリ発光の照射対象となるエリアを示している。
【００５８】
詳細な説明は図２と同様であるため省略する。
【００５９】
上述したように、１フレーム分の信号電荷を蓄積する間に３回のプリ発光を行い、各プリ発光に対応した測光エリアを設定する。
【００６０】
その測光エリアは、各プリ発光を行うことによって得られる光束を全て受け取ることのできるエリアであるとともに、そのプリ発光以外のプリ発光による光束の影響を受けることのないエリアに設定する。
【００６１】
こうすることで、撮像素子の信号電荷の蓄積時間を短くすることができるので外光の影響をうけにくく、日中シンクロ時などの外光が高輝度な状態でも調光を行うことが可能となる。
【００６２】
プリ発光時に撮像部１００１から読み出された信号は、各走査ラインごとにＡ／Ｄ変換器１００２を介して、バッファメモリ１００５に一時的に保存される。
【００６３】
バッファメモリ１００５に保存されたデータのうち、図２におけるＣＭＯＳセンサから読み出された走査ラインＶ１１〜Ｖ１２、走査ラインＶ２１〜Ｖ２２、走査ラインＶ３１〜Ｖ３２に相当するデータがそれぞれ、調光制御回路１００９に入力される。
【００６４】
そして、調光制御回路１００９にて、本撮影用のストロボ調光の演算が行われる。
【００６５】
なお、ここではシステム制御回路１０２２は、全画像エリアの信号をバッファメモリ１００５に保存するようにメモリコントローラ１００４を制御しているが、調光演算を行うエリアの信号のみを保存するようにしてもよい。
【００６６】
本実施形態では、ストロボ装置２００１は、１フレーム分の信号電荷を蓄積する間に３回のプリ発光を行っているが、調光エリアの広さに応じてプリ発光の回数を変更しても良い。
【００６７】
また、バッファメモリ１００５に保存された信号の露出データが大幅にアンダーであったり、オーバーであったりした場合は、撮像部１００１はゲイン設定を変更し、適正に調光演算が行うことができるデータとなるまでプリ発光の演算を繰り返し行う。
【００６８】
また、本実施形態では、中心のエリアから３分割したエリアを、調光演算を行うエリアとして使用している。
【００６９】
しかし、調光対象となるエリアが、各プリ発光に対応したストロボの発する全ての光束を受け取ることのできるエリアかつ、別のプリ発光の影響を受けることのないエリアであれば、本実施形態において設定したエリアに限られるものではない。
【００７０】
以上のように本実施形態では、複数回プリ発光が行われる際に、それぞれのプリ発光により照射される光束のみを正確に受け取ることができるエリアを、調光対象となるエリアとして設定することで精度の高い調光を行うことが可能となる。
【００７１】
（第２の実施形態）
本実施形態の動作を図面を参照して詳細に説明する。
【００７２】
本実施形態においては、被写体が存在すると判断されたエリアを調光エリアとして設定する点が第１の実施形態と異なる点である。
【００７３】
図７を用いて本実施形態のＣＭＯＳセンサにおけるプリ発光量演算の説明を行う。
【００７４】
図７において、横軸は時間軸で、撮像面上部においてａ５のタイミングがＣＭＯＳセンサの信号電荷のリセットタイミングつまり蓄積開始時間、ｂ５のタイミングがＣＭＯＳセンサの読み出し開始時間つまり蓄積終了時間を示している。
【００７５】
ＣＭＯＳセンサの走査ライン毎に信号電荷の蓄積開始を行う時間にずれが生じるため、撮像面下部のＣＭＯＳセンサの信号電荷蓄積開始時間はａ６、蓄積終了時間はｂ６のタイミングとなる。
【００７６】
また、同図において、黒太線で囲まれた四角形内部が被写体が存在すると判断されたエリアである。
【００７７】
なお、被写体が存在するエリアを判断するための手法としては、距離情報から被写体エリアを特定する手法や、公知の被写体検出技術を用いて被写体エリアを特定する手法等が考えられる。
【００７８】
そして、１００９の調光制御回路は被写体が存在すると判断されたエリアを調光エリアに設定し、調光を行う。
【００７９】
プリ発光動作に関しては、第１の実施形態と同様に、１回目のプリ発光の開始タイミングがｃ５、終了タイミングがｃ６、２回目のプリ発光の開始タイミングがｄ５、終了タイミングがｄ６、で表されている。
【００８０】
また、図７では、ＣＭＯＳセンサの撮像面に照射されるプリ発光量のうちストロボ測光エリアのプリ発光量の垂直方向の断面図も示している。
【００８１】
位置Ｖ１５−Ｖ１６の間が１回目のプリ発光が照射されるエリアで、位置Ｖ２５−Ｖ２６の間が２回目のプリ発光が照射されるエリアを示している。
【００８２】
１回目のプリ発光では、ｃ５のタイミングでプリ発光を開始し、ｃ６のタイミングでプリ発光を終了する。
【００８３】
このときのＣＭＯＳセンサ上の測光エリアは、信号電荷蓄積時間中に１回目のプリ発光が照射されるＶ１５−Ｖ１６のエリアに設定する。
【００８４】
２回目のプリ発光はｄ５のタイミングでプリ発光を開始し、ｄ６のタイミングでプリ発光を終了する。
【００８５】
このときのＣＭＯＳセンサ上の測光エリアは、信号電荷蓄積時間中に２回目のプリ発光が照射されるＶ２５−Ｖ２６間に設定される。
【００８６】
この際、Ｖ２５の信号電荷の蓄積を開始するタイミングが、ｃ６のタイミングよりも遅くなり、かつプリ発光を行うことによって得られる光束を全て受け取ることができるように、Ｖ２５の位置を決定する。
【００８７】
また、システム制御回路１０２２は、Ｖ２６の信号電荷の蓄積を終了するタイミングが、プリ発光を行うことによって得られる光束を全て受け取ることができるように、Ｖ２６の位置を決定する。
【００８８】
こうすることで、Ｖ２５−Ｖ２６間では１回目のプリ発光の照射による光束の影響を受けることがない。
【００８９】
上記説明したように、調光制御回路１００９が調光エリアに設定したエリア内で２回のプリ発光を行い、各プリ発光に対応した測光エリアを設定する。
【００９０】
その測光エリアは、測光エリアに対応したプリ発光の光束を全て受け取ることのできるエリアであるとともに、別のプリ発光の影響を受けることのないエリアに設定する。
【００９１】
本実施形態では、２回のプリ発光を行ったが、調光エリアの広さに応じて回数を変更しても良い。
【００９２】
また、バッファメモリ１００５に保存されたデータが大幅にアンダーであったり、オーバーであったりした場合は、撮像部１００１はゲイン設定を変更し、適正に調光演算が行われるデータとなるまでプリ発光の演算を繰り返し行う。
【００９３】
本実施形態においては、被写体が存在すると判断されたエリアを調光エリアとしているが、外光輝度の分布から背景を判断することで、背景以外のエリアを調光の対象となるエリアとしてもよい。
【００９４】
そうすることで、逆光状態のように輝度値が全体的に高くなってしまっているような状況においても精度の高い調光を行うことが可能であとなる。
【００９５】
以上のように本実施形態では、被写体が存在すると判断されたエリア、かつ、プリ発光によって照射される光束同士が干渉しあわないエリアを、調光の対象となる測光エリアとして設定することで、より精度の高い調光を行うことが可能となる。
【００９６】
また、上記実施形態では撮像素子としてＣＭＯＳセンサを例にあげて説明をしたが、これに限定されるものではない。画素毎に又はライン毎に画素をリセット走査し、その後、一画素又はライン毎にそれぞれ所定の時間を経過してから信号読み出しの走査を行ういわゆるＸＹアドレス型の走査方法を採る増幅型撮像素子であればよい。
【図面の簡単な説明】
【００９７】
【図１】本発明の実施形態における撮像装置及びストロボ装置のブロック図である。
【図２】第１の実施形態のＣＭＯＳセンサにおけるプリ発光量演算の説明図である。
【図３】図２における１回目のＣＭＯＳセンサにおける信号電荷の蓄積タイミングを示す図である。
【図４】第１の実施形態における蓄積時間が長い場合の、ＣＭＯＳセンサにおけるプリ発光量演算の説明図である。
【図５】従来例のＣＭＯＳセンサにおける信号電荷の蓄積タイミングを示す図である。
【図６】従来の、ＣＭＯＳセンサにおけるプリ発光量演算の説明図である。
【図７】第２の実施形態のＣＭＯＳセンサにおけるプリ発光量演算の説明図である。
【符号の説明】
【００９８】
１００１  撮像部
１００２  Ａ／Ｄ変換器
１００３  タイミング発生回路
１００４  メモリコントローラ
１００５  バッファメモリ
１００６  インターフェース部
１００７  外部記録媒体
１００８  画像処理部
１００９  調光制御回路
１０２２  システム制御回路
１１００  撮像装置
２００１  ストロボ装置
【図１】
0004590349.tif 000002
【図２】
0004590349.tif 000003
【図３】
0004590349.tif 000004
【図４】
0004590349.tif 000005
【図５】
0004590349.tif 000006
【図６】
0004590349.tif 000007
【図７】
0004590349.tif 000008