(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｃａ、Ｔｉ、Ｍ１（Ｍ１はＺｎ及びＭｇのうちの少なくとも一種）、Ｍ２（Ｍ２はＮｂ及びＴａのうちの少なくとも一種）、Ｌｎ(ＬｎはＹ、Ｌａ、Ｎｄ、Ｓｍ及びＰｒのうちの少なくとも一種)、及びＡｌを含み、
組成式：（１−ｙ）ｘＣａＴｉａＯ1＋２ａ−（１−ｙ）（１−ｘ）Ｃａ（Ｍ１ｚ／３Ｍ２２／３）ｂＯ1＋２ｂ−ｙＬｎＡｌｃＯ(３＋３ｃ)／２（但し、ｘ、ｙはモル比）で表される組成を有し、α＝（１−ｙ）ｘとした時、
上記組成式におけるｘ、ｙ、ｚ、ａ、ｂ、ｃ及びαが、それぞれ
０．５６≦ｘ≦０．８、
０．０８≦ｙ≦０．１８、
０．９８０≦ｚ＜１．０００、
α≦０．６５、
０．９８５≦ａ≦１．０５、
０．９≦ｂ≦１．０２、
０．９≦ｃ≦１．０５
の範囲内にある主成分１００重量部に対して、Ｂ化合物である副成分をＢ２Ｏ３に換算して０．００５〜０．３００重量部含有する
ことを特徴とする高周波用誘電体磁器組成物。
【請求項２】
誘電体磁器が入出力端子に電磁界結合して作動するものである誘電体共振器であって、上記誘電体磁器は、請求項１に記載の高周波用誘電体磁器組成物からなることを特徴とする誘電体共振器。
【請求項３】
請求項２に記載の誘電体共振器と、上記誘電体共振器の入出力端子に接続される外部結合手段とを備えたことを特徴とする誘電体フィルタ。
【請求項４】
少なくとも２つの誘電体フィルタと、上記誘電体フィルタのそれぞれに接続される入出力接続手段と、上記各誘電体フィルタそれぞれに共通に接続されるアンテナ接続手段とを備える誘電体デュプレクサであって、上記誘電体フィルタの少なくとも一つが請求項３に記載の誘電体フィルタであることを特徴とする誘電体デュプレクサ。
【請求項５】
請求項４に記載の誘電体デュプレクサと、上記誘電体デュプレクサの少なくとも一つの入出力接続手段に接続される送信用回路と、上記送信用回路に接続される上記入出力手段とは異なる少なくとも一つの入出力接続手段に接続される受信用回路と、上記誘電体デュプレクサのアンテナ接続手段に接続されるアンテナとを備えたことを特徴とする通信機装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、マイクロ波やミリ波等の高周波領域において利用される高周波用誘電体磁器組成物、並びにそれを用いて構成される誘電体共振器、誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサ、及び通信機装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
マイクロ波やミリ波等の高周波領域において、誘電体共振器や回路基板等を構成する材料として、誘電体磁器が広く利用されている。【０００３】
このような高周波用誘電体磁器が、特に誘電体共振器や誘電体フィルタ等の用途に向けられる場合、要求される誘電特性としては、（１）誘電体中では電磁波の波長が１／（εｒ１／２）に短縮されるので、小型化の要求への対応として比誘電率（εｒ）が高いこと、（２）誘電損失が小さい、即ちＱ値が高いこと、（３）共振周波数の温度安定性が優れていること、即ち共振周波数の温度係数（τｆ）が０ｐｐｍ／℃付近であること等が挙げられる。【０００４】
ここでτｆは、２５℃における共振周波数（ｆ２５）と、５５℃における共振周波数（ｆ５５）の値とを用いて、共振周波数温度曲線を直線近似したときの傾き（１次微係数）を表わすものであり、その値はτｆ＝（ｆ５５−ｆ２５）／[ｆ２５・（５５℃−２５℃）]の式によって求められる。【０００５】
従来、上述したような要求を満たし得る高周波用誘電体磁器組成物として、例えば特許文献１に記載のＣａＴｉＯ３−Ｃａ｛Ｍｇ１／３（Ｎｂ、Ｔａ）２／３｝Ｏ５−ＬｎＡｌＯ３系（但し、Ｌｎは希土類元素）や特許文献２に記載のＣａＴｉＯ３−Ｃａ｛（Ｚｎ、Ｍｇ）１／３（Ｎｂ、Ｔａ）２／３｝Ｏ５−ＬｎＡｌＯ３系（但し、Ｌｎは希土類元素）等の磁器組成物が、既に多数提案されている。
【特許文献１】特開２００１−１６３６６５
【特許文献２】特開２００１−１９２２６５
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
近年、通信機及び基地局の分野においては、高性能化及び世界的な低価格化競争が進んでいることを受けて、それらに用いられる高周波用誘電体磁器としては、誘電特性がより優れたものであること、即ち高周波領域で使用しても、高いεｒ、高いＱ値、及び高い温度安定性（τｆが０ｐｐｍ／℃付近）を併せ持つことに加えて、そのような優れた誘電体特性を維持しつつ、製造工程にかかるコストを低減することも必要不可欠になっている。【０００７】
高周波用誘電体磁器の製造に関する各工程にかかるコストを比較すると、とりわけ焼成工程にかかるエネルギーコストの占める割合が大きいことから、製造工程のコストダウンを進めるための方策としては、低温焼成による焼成工程のエネルギーコスト削減を挙げることができる。【０００８】
特に、製造コストの高い共振周波数が２ＧＨｚ近傍にある大型の基地局用誘電体共振器に用いる高周波用誘電体磁器においては、磁器の表面近傍と中心部とで焼結度のむらがなく、全体として十分焼結した良好な誘電体特性を有する磁器を得るためには、１５００℃以上の高温で焼成する必要があり、誘電特性の維持と低温焼成の両立が重要な課題となっている。【０００９】
一方、従来用いられてきた特許文献１及び特許文献２に記載された組成系を有する誘電体磁器組成物は、εｒが４０〜６０と高く、Ｑ値（１ＧＨｚ）が３００００以上と高く、また、共振周波数の温度係数τｆの絶対値が３０ｐｐｍ／℃以下に制御でき、高い温度安定性を有する、誘電特性に優れた誘電体磁器組成物であるが、最適焼成温度が１５５０℃と高いため、焼成工程におけるエネルギーコストが非常に高く、製品の全体的なコストを増大させていた。【００１０】
焼成温度を低下させる手段として、特許文献１及び特許文献２には、例えばＳｉＯ２、ＭｎＣＯ３、Ｂ２Ｏ３、ＮｉＯ、ＣｕＯ、Ｌｉ２ＣＯ３、Ｐｂ３Ｏ４、Ｂｉ２Ｏ３、Ｖ２Ｏ５及びＷＯ３等を、０．０１〜１．０ｗｔ％の範囲内でその種類に応じた量を添加することが開示されているが、この手段を用いたとしても焼成温度は高々２０〜３０℃程度しか低下させることができず、また、上記の焼結温度を低下させるための成分を添加することにより、Ｑ値（１ＧＨｚ）が３００００未満に低下してしまうため、高周波用誘電体磁器組成物として必要な高い誘電特性の確保と、低コスト化を両立させることができていなかった。【００１１】
そこで、この発明の目的は、上記課題を解決し得る高周波用誘電体磁器組成物、即ち、マイクロ波やミリ波等の高周波領域で使用しても、εr及びＱ値が高く、またτfの絶対値が小さいといった、優れた誘電体特性を有することに加え、従来より十分に低い１４００℃以下の温度での焼成が可能である、高周波用誘電体磁器組成物を提供することにある。また、この発明は、この高周波用誘電体磁器組成物を用いた誘電体共振器、誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサ、及び通信機装置を併せて提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
この発明の請求項１に記載の高周波用誘電体磁器組成物は、Ｃａ、Ｔｉ、Ｍ１（Ｍ１はＺｎ及びＭｇのうちの少なくとも一種）、Ｍ２（Ｍ２はＮｂ及びＴａのうちの少なくとも一種）、Ｌｎ(ＬｎはＹ、Ｌａ、Ｎｄ、Ｓｍ及びＰｒのうちの少なくとも一種)、及びＡｌを含み、組成式：（１−ｙ）ｘＣａＴｉａＯ1＋２ａ−（１−ｙ）（１−ｘ）Ｃａ（Ｍ１ｚ／３Ｍ２２／３）ｂＯ1＋２ｂ−ｙＬｎＡｌｃＯ(３＋３ｃ)／２（但し、ｘ、ｙはモル比）で表される組成を有し、α＝（１−ｙ）ｘとした時、上記組成式におけるｘ、ｙ、ｚ、ａ、ｂ、ｃ及びαが、それぞれ０．５６≦ｘ≦０．８、０．０８≦ｙ≦０．１８、０．９８０≦ｚ＜１．０００、α≦０．６５、０．９８５≦ａ≦１．０５、０．９≦ｂ≦１．０２、０．９≦ｃ≦１．０５の範囲内にある主成分１００重量部に対して、Ｂ化合物である副成分をＢ２Ｏ３に換算して０．００５〜０．３００重量部含有することを特徴とするものである。【００１３】
また、この発明の請求項２に記載の誘電体共振器は、誘電体磁器が入出力端子に電磁界結合して作動するものである誘電体共振器であって、上記誘電体磁器は、請求項１に記載の高周波用誘電体磁器組成物からなることを特徴とするものである。【００１４】
また、この発明の請求項３に記載の誘電体フィルタは、請求項２に記載の誘電体共振器と、上記誘電体共振器の入出力端子に接続される外部結合手段とを備えたことを特徴とするものである。【００１５】
また、この発明の請求項４に記載の誘電体デュプレクサは、少なくとも２つの誘電体フィルタと、上記誘電体フィルタのそれぞれに接続される入出力接続手段と、上記各誘電体フィルタそれぞれに共通に接続されるアンテナ接続手段とを備える誘電体デュプレクサであって、上記誘電体フィルタの少なくとも一つが請求項３に記載の誘電体フィルタであることを特徴とするものである。【００１６】
更に、この発明の請求項５に記載の通信機装置は、請求項４に記載の誘電体デュプレクサと、上記誘電体デュプレクサの少なくとも一つの入出力接続手段に接続される送信用回路と、上記送信用回路に接続される上記入出力手段とは異なる少なくとも一つの入出力接続手段に接続される受信用回路と、上記誘電体デュプレクサのアンテナ接続手段に接続されるアンテナとを備えたことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１７】
この発明の高周波用誘電体磁器組成物は、Ｃａ、Ｔｉ、Ｍ１（Ｍ１はＺｎ及びＭｇのうちの少なくとも一種）、Ｍ２（Ｍ２はＮｂ及びＴａのうちの少なくとも一種）、Ｌｎ(ＬｎはＹ、Ｌａ、Ｎｄ、Ｓｍ及びＰｒのうちの少なくとも一種)、及びＡｌを含み、組成式：（１−ｙ）ｘＣａＴｉａＯ1＋２ａ−（１−ｙ）（１−ｘ）Ｃａ（Ｍ１ｚ／３Ｍ２２／３）ｂＯ1＋２ｂ−ｙＬｎＡｌｃＯ(３＋３ｃ)／２（但し、ｘ、ｙはモル比）で表される組成を有し、α＝（１−ｙ）ｘとした時、上記組成式におけるｘ、ｙ、ｚ、ａ、ｂ、ｃ及びαが、それぞれ０．５６≦ｘ≦０．８、０．０８≦ｙ≦０．１８、０．９８０≦ｚ＜１．０００、α≦０．６５、０．９８５≦ａ≦１．０５、０．９≦ｂ≦１．０２、０．９≦ｃ≦１．０５の範囲内にある主成分１００重量部に対して、Ｂ化合物である副成分をＢ２Ｏ３に換算して０．００５〜０．３００重量部含有するようにしているので、εrが４１〜５６と高く、Ｑ値（１ＧＨｚ）が３０７００〜３７３００と高く、またτfの絶対値が３０ｐｐｍ／℃以内と小さい、優れた誘電特性を有する高周波用誘電体磁器組成物を、従来より低い１３００〜１４００℃という焼成温度で得ることができる。【００１８】
この顕著な低温焼結効果は、副成分としてＢ２Ｏ３を含有させることと、上記主成分を表す組成式のｚ、即ちＭ１の含有比率（ｚ／３）をストイキオメトリーである１／３より小さくすることの相乗効果によるものであり、また、ｚを１より小さくすることが、Ｂ２Ｏ３を含有させることのみでは悪化してしまうＱ値を高い値に維持する効果をもたらしていると考えられる。【００１９】
尚、一般的に誘電体磁器組成物の焼成工程における最高温度が１４００℃を超えると、ＭｏＳｉ２（珪化モリブデン）を発熱体として使用した焼成炉により焼成を行うことが必要になり、ＭｏＳｉ２発熱体が高価であること、またＭｏＳｉ２発熱体を使用した焼成炉は容積が小さく、生産性が低いばかりでなく、高温まで昇温するために消費電力が多いこと等から、コストの増大を招く傾向がある。これに対して、焼成工程における最高温度が１４００℃以下である場合は、安価なＳｉＣ（炭化珪素）を発熱体として使用した大容積の焼成炉により、効率良く焼成を行うことが可能になり、コストの低減を図ることができる。【００２０】
この発明の誘電体磁器組成物は、上記のような優れた誘電体特性を有し、また製造工程にかかるコストを大幅に削減することができるため、例えば携帯電話、パーソナル無線機、衛星放送受信機等の通信機装置用の小型誘電体フィルタ及び誘電体デュプレクサのみならず、基地局用の大型誘電体フィルタ及び誘電体デュプレクサに搭載される誘電体共振器を、優れた誘電特性を維持しつつ、従来より低価格で提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】この発明の高周波用誘電体磁器組成物を用いて構成される誘電体共振器の基本的構造を図解的に示す断面図である。
【図２】図１に示した誘電体共振器を用いて構成される通信機装置の一例を示すブロック図である。
【符号の説明】
【００２２】
１  誘電体共振器
２  金属ケース
３  支持台
４  誘電体磁器
５、６  結合ループ
７、８  同軸ケーブル
１０  通信機装置
１２  誘電体デュプレクサ
１４  送信用回路
１６  受信用回路
１８  アンテナ
２０  入力接続手段
２２  出力接続手段
２４  アンテナ接続手段
２６、２８  誘電体フィルタ
３０  外部結合手段
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
まず、この発明の高周波用誘電体磁器組成物が適用される本発明の誘電体共振器、誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサ、及び通信機装置の一実施形態について説明する。【００２４】
図１は、この発明の高周波用誘電体磁器組成物を用いて構成される本実施形態の誘電体共振器の基本的構造を図解的に示す断面図である。【００２５】
誘電体共振器１は、例えば図１に示すように金属ケース２を備え、金属ケース２内の空間には、支持台３によって支持された柱状の誘電体磁器４が配置されている。そして、同軸ケーブル７の中心導体と外導体との間に結合ループ５を形成して入力端子とする。また、同軸ケーブル８の中心導体と外導体との間に結合ループ６を形成して出力端子とする。それぞれの端子は、外導体と金属ケース２とが電気的に接合された状態で、金属ケース２によって保持されている。【００２６】
誘電体磁器４は、入力端子及び出力端子に電磁界結合して作動するもので、入力端子から入力された所定の周波数の信号だけが出力端子から出力される。【００２７】
このような誘電体共振器１に備える誘電体磁器４が、この発明の高周波用誘電体磁器組成物から構成されている。【００２８】
尚、図１に示した誘電体共振器１は、基地局等で用いられるＴＥ０１δモード共振器であるが、この発明の高周波用誘電体磁器組成物は、他のＴＥモード、ＴＭモード、及びＴＥＭモードなどを利用する誘電体共振器にも同様に適用することができる。【００２９】
図２は、上述した誘電体共振器１を用いて構成される通信機装置の一例を示すブロック図である。【００３０】
図２に示した通信機装置１０は、誘電体デュプレクサ１２、送信用回路１４、受信用回路１６及びアンテナ１８を含む。【００３１】
送信用回路１４は、誘電体デュプレクサ１２の入力接続手段２０に接続され、受信用回路１６は、誘電体デュプレクサ１２の出力接続手段２２に接続されている。【００３２】
また、アンテナ１８は、誘電体デュプレクサ１２のアンテナ接続手段２４に接続されている。【００３３】
この誘電体デュプレクサ１２は、２つの誘電体フィルタ２６、２８を含む。誘電体フィルタ２６、２８は、この発明の誘電体共振器に外部結合手段を接続して構成されるものである。本実施形態では、例えば図１に示した誘電体共振器１の入出力端子にそれぞれ外部結合手段３０を接続して、誘電体フィルタ２６、２８のそれぞれが構成されている。そして、一方の誘電体フィルタ２６は、入力接続手段２０と他方の誘電体フィルタ２８との間に接続され、他方の誘電体フィルタ２８は、一方の誘電体フィルタ２６と出力接続手段２２との間に接続されている。【００３４】
次に、図１に示した誘電体共振器１に備える誘電体磁器４のように、高周波領域において有利に用いられる、この発明の高周波用誘電体磁器組成物について説明する。【００３５】
この発明の高周波用誘電体磁器組成物は、Ｃａ、Ｔｉ、Ｍ１（Ｍ１はＺｎ及びＭｇのうちの少なくとも一種）、Ｍ２（Ｍ２はＮｂ及びＴａのうちの少なくとも一種）、Ｌｎ(ＬｎはＹ、Ｌａ、Ｎｄ、Ｓｍ及びＰｒのうちの少なくとも一種)、及びＡｌを含み、組成式：（１−ｙ）ｘＣａＴｉａＯ1＋２ａ−（１−ｙ）（１−ｘ）Ｃａ（Ｍ１ｚ／３Ｍ２２／３）ｂＯ1＋２ｂ−ｙＬｎＡｌｃＯ(３＋３ｃ)／２（但し、ｘ、ｙはモル比）で表される組成を有し、α＝（１−ｙ）ｘとした時、上記組成式におけるｘ、ｙ、ｚ、ａ、ｂ、ｃ及びαが、それぞれ０．５６≦ｘ≦０．８、０．０８≦ｙ≦０．１８、０．９８０≦ｚ＜１．０００、α≦０．６５、０．９８５≦ａ≦１．０５、０．９≦ｂ≦１．０２、０．９≦ｃ≦１．０５の範囲内にある主成分１００重量部に対して、Ｂ化合物である副成分をＢ２Ｏ３に換算して０．００５〜０．３００重量部含有している。【００３６】
この発明において、上述のような特定的な組成を選んだ根拠となる実施例について、以下に説明する。
【実施例１】
【００３７】
出発原料として、高純度の炭酸カルシウム（ＣａＣＯ３）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）、酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）、各希土類（Ｌｎ）酸化物（Ｎｄ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ３、Ｓｍ２Ｏ３及びＰｒ４Ｏ１１）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、及び酸化ホウ素（Ｂ２Ｏ３）の各粉末を準備した。【００３８】
次に、表１に示すｘ、ｙ、ｚ、α、ａ、ｂ及びｃ（但し、α＝（１−ｙ）ｘ）にそれぞれ選ばれた、組成式：（１−ｙ）ｘＣａＴｉａＯ1＋２ａ−（１−ｙ）（１−ｘ）Ｃａ（Ｍ１ｚ／３Ｍ２２／３）ｂＯ1＋２ｂ−ｙＮｄＡｌｃＯ(３＋３ｃ)／２（但し、Ｍ１はＺｎ及びＭｇのうちの少なくとも一種、Ｍ２はＮｂ及びＴａのうちの少なくとも一種、）で表わされる主成分１００重量部に対し、Ｂ２Ｏ３を０．０２５重量部含有した誘電体磁器組成物と、表２に示す各希土類Ｌｎ及びｚにそれぞれ選ばれた、組成式：０．５５３ＣａＴｉＯ３−０．２９７Ｃａ（Ｚｎｚ／３Ｎｂ２／３）Ｏ３−０．１５０ＬｎＡｌＯ３で表される主成分１００重量部に対し、Ｂ２Ｏ３を０．０２５重量部含有した誘電体磁器組成物と、表３に示すβに選ばれた、組成式：０．５５３ＣａＴｉＯ３−０．２９７Ｃａ（Ｚｎ０．９９６／３Ｎｂ２／３）Ｏ３−０．１５０ＮｄＡｌＯ３で表される主成分１００重量部に対し、Ｂ２Ｏ３をβ重量部含有した誘電体磁器組成物と、が得られるように、上記の各出発原料粉末を調合した。【００３９】
次に、この調合粉末を、ボールミルを用いて１６時間湿式混合し、均一に分散させた後、脱水及び乾燥処理を施して調整粉末を得た。【００４０】
次に、この調整粉末を、１０００〜１３００℃の温度で３時間仮焼し、得られた仮焼粉末に適量のバインダを加えて、再びボールミルを用いて１６時間湿式粉砕することにより、焼成用粉末を得た。【００４１】
そして、この焼成用粉末を、１．４７×１０２〜２．４５×１０２ＭＰａの圧力で円板状にプレス成形した後、１３５０℃で４時間、大気中において焼成し、直径２７ｍｍ、厚さ１４ｍｍの円板状の焼結体を得た。【００４２】
得られた各試料に係る焼結体について、測定周波数ｆが１．８〜２．２ＧＨｚにおけるεｒとＱ値を、ＴＥ０１１モードによる両端短絡型誘電体共振器法にて測定し、Ｑ×ｆ値（周波数）＝一定の式に基づき、Ｑ値（１ＧＨｚ）に換算した。また、ＴＥ０１δモードによるキャビティ法にて共振周波数を測定し、２５〜５５℃の温度範囲でのτｆを測定した。【００４３】
上述のようにして測定した、試料組成に対応したεｒ、Ｑ値（１ＧＨｚ）、及びτｆを、表１〜表３にそれぞれ示した。【００４４】
【表１】
0004596004.tif 000002
【００４５】
【表２】
0004596004.tif 000003
【００４６】
【表３】
0004596004.tif 000004
【００４７】
表１〜表３において、試料Ｎｏ.に＊を付したものは、この発明の範囲外の試料である。【００４８】
表１〜表３に示すように、この発明の範囲内にある試料Ｎｏ.８、１０、１２〜１６、１９、２３、２５、２７、３３、４１、４３、４９、５１、５７、５９、６３、６５、６７、６９、７１、７３、７５、７７、７９、８１、８３、８５、８７、８９、９１、９３、９５、９７及び９９〜１０３に係る誘電体磁器組成物では、１３５０℃という従来よりも約２００℃低い温度の焼成で、比誘電率εｒが４１〜５６と大きく、Ｑ値（１ＧＨｚ）が３０７００〜３７３００と高く、τｆの絶対値が３０ｐｐｍ／℃以内と小さい、優れた高周波誘電特性が得られた。【００４９】
次に、この発明の範囲外にある試料について考察する。【００５０】
まず、ｘ＜０．５６の場合は、表１の試料Ｎｏ.３０、３１に示すようにＱ値（１ＧＨｚ）が３００００未満となる。他方、ｘ＞０.８の場合は、表１の試料Ｎｏ.２０、２１に示すようにτｆの絶対値が３０ｐｐｍ／℃を超える。【００５１】
次に、ｙ＜０.０８の場合は、表１の試料Ｎｏ.３６、３７に示すようにＱ値（１ＧＨｚ）が３００００未満となり、またτｆの絶対値が３０ｐｐｍ／℃を超える。他方、ｙ＞０．１８の場合は、表１の試料Ｎｏ.３、４に示すようにＱ値（１ＧＨｚ）が３００００未満となる。【００５２】
次に、ｚ＜０.９８０の場合は、表１の試料Ｎｏ.１７に示すようにＱ値（１ＧＨｚ）が３００００未満となる。他方、ｚ＝１の場合は、表１の試料Ｎｏ.７、９、１１、１８、２２、２４、２６、３２、４０、４２、４８、５０、５６、５８、６２、６４、６６、６８、７０、７２、７４、７６、７８及び８０と、表２の試料Ｎｏ.８２、８４、８６、８８、９０、９２、９４及び９６に示すようにＱ値（１ＧＨｚ）が３００００未満となる。【００５３】
次に、α＞０．６５の場合は、表１の試料Ｎｏ.２９に示すようにＱ値（１ＧＨｚ）が３００００未満となり、また、τｆの絶対値が３０ｐｐｍ／℃を超える。【００５４】
次に、ａ＜０．９８５、またはａ＞１．０５の場合は、それぞれ表１の試料Ｎｏ.３９、４５に示すようにＱ値（１ＧＨｚ）が３００００未満となる。【００５５】
次に、ｂ＜０．９、またはｂ＞１．０２の場合は、それぞれ表１の試料Ｎｏ.４７、５３に示すようにＱ値（１ＧＨｚ）が３００００未満となる。【００５６】
次に、ｃ＜０．９、またはｃ＞１．０５の場合は、それぞれ表１の試料Ｎｏ.５５、６１に示すようにＱ値（１ＧＨｚ）が３００００未満となる。【００５７】
次に、β＜０．００５の場合は、表３の試料Ｎｏ.９８に示すように比誘電率εｒが４０未満となり、またＱ値（１ＧＨｚ）が３００００未満となる。他方、β＞０．３００の場合は、表３の試料Ｎｏ.１０４に示すようにＱ値（１ＧＨｚ）が３００００未満となる。【００５８】
尚、この発明は上記実施例に限定されるものではなく、微量添加物の添加の有無、焼成条件等に関し、この発明の範囲内において、種々の応用並びに変形を加えることができる。【００５９】
例えば、上記の実施例では副成分であるＢ化合物としてＢ２Ｏ３を用いたが、Ｂ４Ｃ等の酸化物以外のＢ化合物を用いても上記に実施例と同様の効果が得られることが確認されている。【００６０】
更に、この発明の高周波用誘電体磁器組成物は、この発明の目的を損なわない範囲内で、僅かな添加物を加えても良い。即ち、Ｖ２Ｏ５、Ｃｒ２Ｏ３、ＭｎＯ２、Ｆｅ２Ｏ３、ＮｉＯ、ＣｕＯ、ＳｉＯ２、Ｌｉ２Ｏ、Ｐｂ３Ｏ４、Ｂｉ２Ｏ３、ＺｒＯ２、及びＷＯ３等を０．０１〜１．００重量部添加することで、誘電体磁器の特性を劣化させることなく、焼成温度を更に２０〜３０℃低下させることができる。また、ＢａＣＯ３、ＳｒＣＯ３等を１．００〜３．００重量部添加することで、εｒとτｆの微調整が可能となり、優れた高周波誘電特性を得ることができる。
【図１】
0004596004.tif 000005
【図２】
0004596004.tif 000006