(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子ビームが照射される成形開口板より光源側に多段のレンズと多段のブランカーを配置し、
該多段ブランカーの連動比を選択すると共に、多段レンズのレンズ強度とその比を変えて主面位置と像側焦点位置を調整し、
偏向支点を成形開口板の位置に合わせて、その状態で前記多段ブランカーにより荷電粒子ビームを偏向してブランキングを行なう
ように構成したことを特徴とする荷電粒子ビーム露光装置の調整方法。
【請求項２】
荷電粒子ビームが照射される成形開口板より光源側に配置された多段のレンズと多段のブランカーと、
該多段ブランカーの連動比を選択すると共に、多段レンズのレンズ強度とその比を変えて主面位置と像側焦点位置を調整する調整手段と、
偏向支点を成形開口板の位置に合わせて、その状態で前記多段ブランカーにより荷電粒子ビームを偏向してブランキングを行なうブランキング手段と、
を設けて構成されることを特徴とする荷電粒子ビーム露光装置。
【請求項３】
前記多段レンズの段数は少なくとも３段とし、前記成形開口板に近い方の少なくとも２段のレンズと、光源側の少なくとも１段のレンズとの間に、多段ブランカーを配置したことを特徴とする請求項２記載の荷電粒子ビーム露光装置。
【請求項４】
前記ブランカーの連動比と、前記主面位置及び像側焦点位置を調節したうえで、光源側の少なくとも１段のレンズの強度を変えて、ビームブランキング時の偏向支点を成形開口板の位置に合わせながら、かつ光源の像を最適な位置に合わせながら、被露光材料面におけるビーム収束角を変化させるように構成したことを特徴とする請求項２記載の荷電粒子ビーム露光装置。
【請求項５】
前記多段ブランカーの段数を２段とし、その連動比をｒ、２段ブランカーの偏向中心間の距離をｄ、後段ブランカーの偏向中心から物側主面位置までの距離をｂ、像側焦点距離をｆ、像側焦点位置から成形開口板までの距離をａとして表される以下の条件式
（１＋ｒ）（ｆ2＋ａｆ−ａｂ）＝ａｄ
を保つように、多段ブランカーの連動比と多段レンズの主面位置及び像側焦点位置を調節するようにしたことを特徴とする請求項２記載の荷電粒子ビーム露光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は荷電粒子ビーム露光装置の調整方法及び荷電粒子ビーム露光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
荷電粒子ビーム露光は、電子ビーム等の荷電粒子ビームを、レジスト（感光剤）を塗布した光露光用マスクやシリコンウエハ上に照射し、半導体集積回路パターン等の微細パターンを露光・描画する技術である。
【０００３】
図５は現在用いられている可変成形電子ビーム露光装置の例を示す構成図である（例えば非特許文献１参照）。先ず電子ビーム１が照射レンズ２を介して成形開口３に照射される。光源４の像５は成形開口板３の下方に形成される。次いで、成形開口板３の像が成形レンズ６により成形開口板７上に投影され、成形開口板３の像と成形開口板７の重なり（論理積）で生じた生じた図形が、縮小レンズ８と対物レンズ９を通して、レジストを塗布した材料１０の面に投影される。これにより、レジストが感光する。
【０００４】
投影図形の形状と大きさは、成形偏向器１１により成形開口板３の像を成形開口板７に対して移動させることで変えることができる。更に、対物偏向器１２を働かせることで、投影図形を所望の位置に移動させ、材料１０面上に図形を描画していくことができる。なお、像５を成形開口板３から十分離れたところに形成していれば、成形開口板３を均一に照明する（光源４のムラを反映させない）ことができる。また、像５の位置と成形レンズ６及び縮小レンズ８の位置とで像１３の位置が決まるが、像１３の位置は、成形開口板３の開口のエッジを始点とする主光線が対物レンズ９の中心を通る（その主光線が対物レンズ９の電流軸に一致する）ように決められている。このようにすることで、対物レンズ９の起磁力変動（励磁電流変動）による投影倍率変動を最小にすることができる。図では、成形開口板３以降の、実線で示された光線がその主光線を表わす。
【０００５】
電子ビーム１により常時材料１０面を露光していては、一筆書きの図形しか描画できないため、電子ビーム１の遮断制御（ブランキング）が必要となる。図５の光学系では、ブランカー１４，１５によりこの遮断制御を行なっている。実際の描画では、先ずブランカー１４，１５を働かせ、電子ビーム１を遮断してから、成形偏向器１１と対物偏向器１２を働かせ、投影する図形とその描画位置を決定した後に、ブランカー１４，１５による電子ビーム１の遮断を解除し、その図形を材料面１０上に投影している。所定の時間だけ露光を行なうと、再び電子ビーム１は遮断される。この１回分の露光をショットと呼んでいる。
【０００６】
ブランカー１４，１５による電子ビーム１の遮断の原理は次の通りである。図６に示すように、ブランカー１４，１５を働かせると、像５は移動する。像５の下方には、成形レンズ６により像１６が形成されており、像５と共に像１６も移動する。成形開口板７と縮小レンズ８の間に開口板１７（図５では像１６と同じ位置）を置くと、ブランカー１４，１５を働かせた時、図７に示すように、開口板１７より電子ビーム１が遮られる。なお、ブランキングの際に、成形開口板３，７の像が材料１０面上で移動するとそれが描画誤差となるが、図５に示すようにブランカー１４，１５を成形開口板３より上に配置することにより、そのような像の移動を防ぐことができる。
【０００７】
ブランカー１４，１５の連動比は、電子ビーム１の偏向支点が成形開口板３の位置に一致するように、即ち成形開口板３の照射領域がブランキングの際に移動しないように決められている（例えば特許文献２参照）。図５では、成形開口板３を照射レンズ２の像側焦点位置１８に置いているため、ブランカー１４，１５の連動比を１：−１（偏向角の大きさを等しく、向きを逆）とすればこの条件が満たされる。この条件を満たす目的は、ビーム照射により発熱している成形開口板３の温度分布を一定に保つことである。
【０００８】
成形ビーム露光法では、一般に描画速度を上げる目的でビーム電流密度を高くしているため、成形開口板３には無視できない程度の熱変形が生じている。成形開口板３の照射領域は、通常、成形開口板３の前段に別の開口板（図示せず）を置くことで制限しているが、成形開口板３は光源４に最も近い成形開口板であるという理由と、成形開口板３上におけるビーム電流密度分布をより均一にするという目的やビームアライメントを容易にするという目的から、成形開口板３の照射領域は大きくなっており、そこで発生している熱量は、成形開口板７で発生している熱量に比べて数十倍以上（照射面積比）大きい。
【０００９】
成形開口板３が熱平衡状態にあれば温度分布は一定に保たれているが、ブランキングの際に成形開口板３の照射領域が移動すると、平衡状態が崩れ、開口の位置や大きさが変化する。これは、材料面１０上において、投影図形の位置や大きさの変化、即ち描画誤差となって現れる。
【００１０】
なお、ブランカー１４，１５は静電偏向器となっており、非常に高速（１０ｎｓのオーダ）に遮断制御が行われる。電圧が高くなるほど、その高速制御は一般に困難となるから、偏向電圧はせいぜい数十Ｖ程度に抑えられている。偏向電圧を上げずに偏向感度をかせぐためには、電極長を長く、電極間距離を小さくするとよい。ただし、電極間距離が小さくなり過ぎると、電極表面に付着した汚染物質の帯電により電子ビーム１が偏向されやすくなるという問題が生じるため、電極間距離を小さくすることには限界がある。このため、電極長はある程度長く（数十ｍｍ）することが必要となる。図５の光学系では、クーロン効果（電子が互いに反発しあうこと）による解像性の低下を避けるため、光路長ができるだけ短かくなるように配置しながらもブランカー１４，１５を設置する余裕を確保している。
【００１１】
ところで、電子ビーム露光において、ビーム電流密度は、描画速度を決定する重要な要素である。半導体デバイスの微細化が進み、描画パターン数が増えるにつれて、描画速度の向上が求められる。描画速度を上げるためには、ビーム電流密度と露光時間（ショット時間）は反比例の関係にあることから、材料１０面上におけるビーム電流密度を上げればよい。
【００１２】
材料１０面上におけるビーム電流密度Ｊは、光源４の軸上輝度Ｂと材料１０面におけるビーム収束角（材料面における電子ビームの入射角）θ（図５中に示す）で決定される。ビーム電流密度Ｊの最大値は、加速電圧一定の下では、軸上輝度は不変であることから、光源４の軸上輝度Ｂを用いて
Ｊ＝πＢθ2
と表される。ただし、簡単のために輝度の角度分布は均一とした。ビーム電流密度Ｊは、一般的に投影図形の中心付近で最大となり、外側に向かうにつれて小さくなるが、電子ビーム描画で対象としている描画パターンは一般に微小であるため、パターンのエッジ（ボケ）を除いて電流密度はほぼ均一となる。
【００１３】
この式から分かるように、ビーム電流密度Ｊを上げるためには、光源４の輝度Ｂとビーム収束角θの値を大きくすればよい。しかしながら、光源４の輝度Ｂとビーム収束角θは、次の理由から、無制限に大きくすることはできない。
【００１４】
先ず、光源（電子銃）４の輝度Ｂはエミッタの温度及びエミッタ付近の電界強度を上げれば高くすることができるが、エミッタ温度を上げるとエミッタの寿命が短かくなる。エミッタ交換後の装置調整には多くの時間を要するため、装置の稼働率を高くするためには、寿命は少しでも長いことが要求される。成形電子ビーム描画装置の多くは生産現場で用いられているため、このことは重要である。一方、ビーム収束角θを大きくすると、収差が大きくなり、解像度が低下する。例えば、軸上色収差はビーム収束角θに比例、コマ収差はθ2に比例、球面収差はθ3に比例して大きくなる。
【００１５】
従って、光源の輝度Ｂとビーム収束角θの両面から、ビーム電流密度の最適化が必要となる。光源４の輝度Ｂを上げるには、前述のように、エミッタ温度及びエミッタ近傍の電界強度を上げればよい。光源の輝度Ｂを上げずにビーム電流密度を変化させる技術としては、照射レンズの強度を可変とし、ビーム電流密度を調節する方法が示されている（例えば特許文献２参照）。この方法においては、光源の輝度Ｂを変えないから、上式から分かるように、ビーム電流密度Ｊを変化させることは、ビーム収束角θを変化させることと等価である。従来この種の装置としては、荷電粒子ビームの遮断制御によっても、荷電粒子ビーム光路上に配置された部材の温度を一定に維持し、この部材の変化を防止した装置が知られている（例えば特許文献１参照）。
【非特許文献１】K.Komagata,Y.Nakagawa,H.Takemura,and N.Gotoh,Proc.SPIE,Vol.3096,pp.125-136（1997）.
【特許文献１】特開平１０−２３９８５０号公報（段落００２３〜００２８、図４）
【特許文献２】特開平１１−８１７６号公報（段落０００７〜０００８、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
図５の光学系において、ビーム収束角θを変えるためには、照射レンズ２の強度を変えればよい。これについては、ビーム収束角θは像１３の大きさに対応しているから、像１３の倍率が変わればビーム収束角θも変わるという説明ができる。
【００１７】
しかしながら、図５の光学系において、照射レンズ２の起磁力を変化させてレンズ強度を変えようとすると、照射レンズ２の像側焦点位置１８が成形開口板３の位置から外れるため、ブランキング時に成形開口板３の照射領域が移動してしまう。また、像５の光軸方向の位置も変わるため、像１３も移動し、その結果、対物レンズ９の起磁力変動（励磁電流変動）による投影倍率変動が抑制できなくなる。
【００１８】
ブランカー１４，１５の連動比を調節すれば、ブランキング時に成形開口板３の照射領域が動かないという条件を保ったまま、レンズ強度を変えることが可能であるが、像５の位置が変わるという問題は残る。若し、レンズ強度に応じて光源４を移動させることが可能であれば、レンズ強度によらず像５を所定の位置に保つことができるが、実際にそのようにするには、大がかりな機構が必要となる。これは、光源４は高真空中に置かれており、かつ光源４の周囲には数十ｋＶ以上の高電圧印加に耐え、放電を起こさない構造が必要であり、そのようなものを、光軸を高精度で合わせつつ、かつ光学系の真空を維持しながら移動させる必要があるためである。
【００１９】
一方、上記した特許文献２記載の光学系は、ビーム電流密度調整をねらいとしたものであり、照射レンズ（多段）により光源の像の位置を保ちながらビーム電流密度を変化させることは可能である。しかしながら、同光学系はブランカーを含んでおらず、開口板１７のようなブランキング用の開口板をどこに配置するかという問題や、ブランキング時に成形開口板の照射領域を移動させないことまで考慮して構成されてはいない。半導体デバイスの微細化・描画パターン数の増大が進み、高いビーム電流密度が必要になってくると、成形開口板の発熱は大きくなるから、成形開口板の照射領域の移動を抑えて描画精度を高めることがより重要となる。
【００２０】
本発明はこのような課題に鑑みてなされたものであって、その目的は、成形開口板の照射領域がブランキングの際に動かないという条件と、光源の像５の光軸方向の位置が動かないという条件とを満たしながら、照射レンズの強度を変えて材料面上におけるビーム収束角が調節できるように、即ちビーム電流密度が調節できるようにすることを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
（１）請求項１記載の発明は、荷電粒子ビームが照射される成形開口板より光源側に多段のレンズと多段のブランカーを配置し、該多段ブランカーの連動比を選択すると共に、多段レンズのレンズ強度とその比を変えて主面位置と像側焦点位置を調整し、偏向支点を成形開口板の位置に合わせて、その状態で前記多段ブランカーにより荷電粒子ビームを偏向してブランキングを行なうように構成したことを特徴とする。
【００２２】
（２）請求項２記載の発明は、荷電粒子ビームが照射される成形開口板より光源側に配置された多段のレンズと多段のブランカーと、該多段ブランカーの連動比を選択すると共に、多段レンズのレンズ強度とその比を変えて主面位置と像側焦点位置を調整する調整手段と、偏向支点を成形開口板の位置に合わせて、その状態で前記多段ブランカーにより荷電粒子ビームを偏向してブランキングを行なうブランキング手段と、を設けて構成されることを特徴とする。
【００２３】
（３）請求項３記載の発明は、前記多段レンズの段数は少なくとも３段とし、前記成形開口板に近い方の少なくとも２段のレンズと、光源側の少なくとも１段のレンズとの間に、多段ブランカーを配置したことを特徴とする。
【００２４】
（４）請求項４記載の発明は、前記ブランカーの連動比と、前記主面位置及び像側焦点位置を調節したうえで、光源側の少なくとも１段のレンズの強度を変えて、ビームブランキング時の偏向支点を成形開口板の位置に合わせながら、かつ光源の像を最適な位置に合わせながら、被露光材料面におけるビーム収束角を変化させるように構成したことを特徴とする請求項２記載の荷電粒子ビーム露光装置。
【００２５】
（５）請求項５記載の発明は、前記多段ブランカーの段数を２段とし、その連動比をｒ、２段ブランカーの偏向中心間の距離をｄ、後段ブランカーの偏向中心から物側主面位置までの距離をｂ、像側焦点距離をｆ、像側焦点位置から成形開口板までの距離をａとして表される以下の条件式
（１＋ｒ）（ｆ2＋ａｆ−ａｂ）＝ａｄ
を保つように、多段ブランカーの連動比と多段レンズの主面位置及び像側焦点距離位置を調節するようにしたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２６】
（１）請求項１記載の発明によれば、成形開口板の照射領域がブランキングの際に動かないという条件と、光源の像の光軸方向の位置が動かないという条件とを満たしながら、照射レンズの強度を変えて材料面上におけるビーム収束角が調節できるように、即ちビーム電流密度が調節できるようになる。
【００２７】
（２）請求項２記載の発明によれば、成形開口板の照射領域がブランキングの際に動かないという条件と、光源の像の光軸方向の位置が動かないという条件とを満たしながら、照射レンズの強度を変えて材料面上におけるビーム収束角が調節できるように、即ちビーム電流密度が調節できるようになる。
【００２８】
（３）請求項３記載の発明によれば、ブランキングの調整を正確に行なうことができる。
（４）請求項４記載の発明によれば、照射レンズの強度を変えて材料面上におけるビーム収束角が調節できるように、即ちビーム電流密度が調節できるようになる。
【００２９】
（５）請求項５記載の発明によれば、多段ブランカーの連動比と多段レンズの主面位置及び像側焦点距離位置を調節することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態例を詳細に説明する。
図１は本発明の実施の形態例を示す構成図である。図５と同一のものは、同一の符号を付して示す。図５と同一のものは、同一の符号を付して示す。図に示すように、この光学系では、３段の照射レンズ１９，２０，２１を用いている。ブランカー１４，１５は、収差レンズ２０，２１より光源側、即ち照射レンズ１９と２０の間に設けられている。このように構成された装置の動作を説明すれば、以下の通りである。
【００３１】
照射レンズ１９〜２１の強度を調節し、像５の倍率を変化させれば、材料１０面上におけるビーム収束角を変える、即ちビームの電流密度を変えることができる。この光学系において、ブランカー１４，１５を働かせ、電子ビーム１を偏向させた時の様子を図２に示す。この時、ブランカー１４，１５の連動比と、各レンズの強度及びその比とが適切に選ばれていれば、成形開口板３の照射領域がブランキング時に動かない（ブランキング時の偏向支点の位置が成形開口板３の位置に一致する）という条件と、像５の光軸方向の位置が所定の位置から動かない（ズーム動作）という条件を満足させることができる。ここでは、簡単のために図５の光学系と同様に像側焦点位置１８を成形開口板３の位置に一致させるものとして、以下に動作を説明する。
【００３２】
照射レンズ２０，２１を１つのレンズとみなすと、その主面位置と焦点位置とが定義できる。これらの位置は、照射レンズ２０，２１の強度とその比を変えることで移動させることができる。即ち、照射レンズ２０，２１は、照射レンズ２０に入ってくる電子ビーム１に対し、主面位置、焦点位置及び焦点距離（主面位置から焦点位置までの距離）が可変のレンズとして作用する。図１に示す像側焦点位置１８は、このようにして決まる像側焦点位置である。
【００３３】
これらの位置が可変であることを利用して、図３に示すように像側焦点位置１８を成形開口板３の位置に合わせつつレンズ強度を変え（像側主面位置２２を変え）、ブランカー１４，１５の連動比を１：−１とすれば、図５の光学系の場合と同様に、成形開口板３の位置を偏向支点としてブランキングを行なうことができる。更に、この状態で照射レンズ１９の強度を変えてもブランカー１４，１５で偏向された電子ビーム１の主光線はその軌道を変えないから、照射レンズ１９の強度を調節することで、ブランキング時の偏向支点の位置が成形開口板３の位置に一致するという条件を崩さずに、像５の位置を所定の位置に合わせることができる。
【００３４】
自由度の観点からこの光学系をみると、以下のような説明が可能である。ブランカー１４，１５の下にレンズが２段（照射レンズ２０，２１）あるから、ブランカー１４，１５の下で自由度が２となり、レンズ強度（焦点距離）と像面焦点位置１８を独立に選ぶことができる。即ち、ブランキング時の偏向支点の位置が成形開口板３の位置に一致するという条件を満たしながらレンズ強度を選ぶことができる。
【００３５】
更に、ブランカー１４，１５より上のレンズ（照射レンズ１９）も含めると、レンズが３段あるから自由度が３となり、像５の倍率と、像側焦点位置１８と、像５の光軸方向の位置をそれぞれ独立に選ぶことができる。即ち、ブランキング時の偏向支点の位置が成形開口板３の位置に一致するという条件を満たし、かつ像５の光軸方向の位置を所定の位置に保ちながら、ビーム電流密度を変化させることができる。
【００３６】
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、成形開口板の照射領域がブランキングの際に動かないという条件と、光源の像５の光軸方向の位置が動かないという条件を満たしながら、照射レンズの強度を変えて材料１０面上におけるビーム収束角θが調節できるように、即ちビーム電流密度が調節できるようにするなる。
【００３７】
また、本発明によれば、多段レンズの段数は少なくとも３段とし、前記成形開口板３に近い方の少なくとも２段のレンズと、光源側の少なくとも１段のレンズとの間に多段ブランカーを配置することにより、ブランキング調整を正確に行なうことができる。
【００３８】
また、本発明によれば、前記ブランカーの連動比と、前記主面位置及び像側焦点位置を調節したうえで、光源側の少なくとも１段のレンズの強度を変えて、ビームブランキング時の偏向支点を成形開口板の位置に合わせながら、かつ光源の像を最適な位置に合わせながら、被露光材料面におけるビーム収束角を変化させるように構成することで、照射レンズの強度を変えて材料１０面上におけるビーム収束角θが調節できるように、即ちビーム電流密度が調節できるようになる。
【００３９】
なお、像側焦点位置１８は必ずしも成形開口板３の位置と一致する必要はなく、その位置からずれている場合は、ブランカー１４，１５の連動比をずれの大きさに応じて適当に設定することで、ブランキング時の電子ビーム１の偏向支点を成形開口板３の位置に合わせることができる。このことを満たす条件は、ブランカー１４，１５の連動比をｒ（＝θ2／θ1、θ1及びθ2はブランカー１４，１５による偏向角）、像側焦点距離をｆ、像側焦点位置１８から成形開口板３までの距離をａ、ブランカー１４の偏向中心からブランカー１５の偏向中心までの距離をｄ、ブランカー１５の偏向中心から物側主面位置（図示せず）までの距離をｂとおくと、これらの幾何学的関係より
（１＋ｒ）（ｆ2＋ａｆ−ａｂ）＝ａｄ
と表される。図１の光学系では、ａ＝０（像側焦点位置１８が成形開口板３の位置に一致）としていることから、ｆ、ｂ、ｄの値によらず連動比ｒ＝−１となる。
【００４０】
ブランカー１４，１５の連動比は可変としてもよいが、その場合、高速（１０ｎｓオーダ）信号を十分な精度・安定性で可変とする必要がある。また、各ブランカーに１つずつ駆動アンプが必要となり、それらの立ち上がりや立ち下がりのタイミングを揃える必要がある。一方、連動比を固定とすれば、ブランカー１４，１５を１つのアンプで駆動することができ、かつ偏向電圧を可変とする必要がないという利点が生じる。なお、レンズ電流は直流電流であるから、レンズ電流を十分な精度・安定性で可変とするのは容易である。
【００４１】
次に、第２の実施の形態例について説明する。第２の実施の形態例は、図４に示すように、光源４の像２３を照射レンズ１９と２０との間に形成する。像５の位置を変えない条件で照射レンズ１９の強度を強めると、第１の実施の形態例では像５の倍率が上がる（材料１０上におけるビーム収束角が大きくなる）が、この実施の形態例では、像２３が光軸側に移動するため、像５の倍率は逆に下がる。即ち、像２３の位置によっては、図５あるいは図１の光学系におけるビーム収束角より小さなビーム収束角も得られ、ビーム収束角の可変範囲が広がるという特徴をもつ。
【００４２】
次に、第３の実施の形態例について説明する。構成は、図１の場合と同じである。そして、電子ビームの代わりにイオンビームを用いるようにしたものである。動作と効果は、第１あるいは第２の実施の形態例と同様である。
【００４３】
次に、第４の実施の形態例について説明する。構成は図１の場合と同じであるが、第２の成形開口板７と成形偏向器１１を除いて実現したものである。動作としては、実施の形態例１〜３と同様であるが、成形ビームの大きさと形状が固定される。
【００４４】
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、荷電粒子ビーム露光法において、成形開口板の照射領域がビームブランキング時に移動しないという条件と、光源の像が光軸方向に移動しないという条件とを保ちながら照射レンズの強度を変えることができる。従って、成形開口板の熱変形に起因する描画誤差の抑制と、光源の像の移動に起因する描画誤差（対物レンズ起磁力変動による投影倍率変動）の抑制と、ビーム電流密度調整という描画性能向上のための３つの要求を同時に満たすことができる。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の一実施の形態例を示す構成図である。
【図２】電子ビームを偏向させた時の様子を示す図である。
【図３】像側焦点位置の説明図である。
【図４】電子ビームを偏向させた時の様子を示す図である。
【図５】従来装置の構成例を示す構成図である。
【図６】遮断の原理を示す図である。
【図７】電子ビーム遮断の様子を示す図である
【符号の説明】
【００４６】
１    電子ビーム
３    成形開口板
４    光源
５    像
６    成形レンズ
７    成形開口板
８    縮小レンズ
９    対物レンズ
１０  材料
１１  成形偏向器
１２  対物偏向器
１３  像
１４  ブランカー
１５  ブランカー
１６  像
１７  開口板
１８  像側焦点位置
１９  照射レンズ
２０  照射レンズ
２１  照射レンズ
【図１】
0004571558.tif 000002
【図２】
0004571558.tif 000003
【図３】
0004571558.tif 000004
【図４】
0004571558.tif 000005
【図５】
0004571558.tif 000006
【図６】
0004571558.tif 000007
【図７】
0004571558.tif 000008