(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
リソグラフィ装置であって、
基板を支持する基板テーブル、
基板を基板テーブルに対して動かし、露光前および後に基板を基板テーブルに積込みおよび基板テーブルから卸すようになっている基板ハンドラ、および
基板がある少なくとも一つの場所に清浄ガスを供給する清浄ガス供給システムを含み、該清浄ガス供給システムが可動に取付けてあり、
上記清浄ガス供給システムが上記基板ハンドラの下側に取付けてあり、および清浄ガスを、上記基板がある上記基板テーブル（ＷＴ）上の場所の方へ向ける装置。
【請求項２】
請求項１に記載されたリソグラフィ装置に於いて、前記基板ハンドラが積込みテーブル（ＬＴ）と荷卸しテーブル（ＵＴ）の少なくとも一つを含む装置。
【請求項３】
請求項２に記載されたリソグラフィ装置に於いて、上記清浄ガス供給システムが上記基板ハンドラの上側に取付けてあり、および清浄ガスを、上記基板がある上記積込みテーブルと上記荷卸しテーブルの少なくとも一つの上の場所の方へ向ける装置。
【請求項４】
請求項１に記載されたリソグラフィ装置であって、更に、前記清浄ガス供給システムを前記基板ハンドラ上に支持できるように取付ける支持体を含む装置。
【請求項５】
請求項４に記載されたリソグラフィ装置に於いて、前記支持体が前記清浄ガス供給システムを前記積込みテーブルと前記荷卸しテーブルの少なくとも一つの上に支持できるように取付ける装置。
【請求項６】
請求項１に記載されたリソグラフィ装置に於いて、前記清浄ガス供給システムが、
ガス入口および清浄ガス出口を含むフィルタユニットを含み、該フィルタユニットが前記基板ハンドラ上に可動に取付けてある装置。
【請求項７】
請求項６に記載されたリソグラフィ装置に於いて、前記フィルタユニットが粒子フィルタユニットと化学フィルタユニットの少なくとも一つである装置。
【請求項８】
請求項１に記載されたリソグラフィ装置に於いて、前記基板ハンドラは、前記基板が前記場所に配置してある平面と実質的に垂直方向に可動である装置。
【請求項９】
請求項２に記載されたリソグラフィ装置に於いて、前記基板ハンドラが、
前記積込みテーブルと前記荷卸しテーブルの少なくとも一つの上にまたはそこから、それぞれ、前記基板の配置と除去の少なくとも一方をするためのロボットアームを含む装置。
【請求項１０】
請求項９に記載されたリソグラフィ装置であって、更に、
前記積込みテーブルと前記荷卸しテーブルの少なくとも一つと前記ロボットアームの間に設けられた弁であって、前記弁が開位置にあるときには前記ロボットアームは前記積込みテーブルと前記荷卸しテーブルの少なくとも一つにアクセス可能であり、前記弁が閉位置にあるときには前記ロボットアームに対し前記積込みテーブルと前記荷卸しテーブルの少なくとも一つを閉鎖する弁を含む装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載されたリソグラフィ装置であって、更に、
前記弁が閉位置にあるときに前記積込みテーブルと前記荷卸しテーブルの少なくとも一つと前記弁の間に形成され、且つ内部に前記基板が配置してある環境内を外部環境から封止するシールを含む装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載されたリソグラフィ装置に於いて、前記清浄ガス供給システムＦＵが前記内部に前記基板が配置してある環境にガスを供給する装置。
【請求項１３】
請求項１２に記載されたリソグラフィ装置に於いて、前記シールが清浄ガスを前記内部に前記基板が配置してある環境から漏れさせ、且つ前記外部環境からのガスを前記内部に前記基板が配置してある環境に入れさせない装置。
【請求項１４】
請求項１３に記載されたリソグラフィ装置に於いて、前記シールを前記環境に外部環境に関する過剰圧力を創ることによって形成する装置。
【請求項１５】
請求項１３に記載されたリソグラフィ装置に於いて、前記シールが隙間を含み、それは、前記内部に前記基板が配置してある前記環境内の前記ガスがこの隙間で層流になるような寸法になっている装置。
【請求項１６】
請求項１に記載されたリソグラフィ装置に於いて、前記基板テーブル上に配置した前記基板の前縁と前記清浄ガス供給システムとの間に前記基板テーブルの走査運動中に可動シールが形成される装置。
【請求項１７】
請求項１１に記載されたリソグラフィ装置に於いて、前記清浄ガス供給システムを前記基板ハンドラ上に支持する支持体に形成された隙間として構成されているシールを更に含む装置。
【請求項１８】
請求項１に記載されたリソグラフィ装置に於いて、前記清浄ガス供給システムが、ガスを濾過するためのフィルタユニット、ガスを熱的に状態調節するための熱交換器、ガスの流れを決めるためのファンユニット、およびガスを化学的に濾過するための化学フィルタの少なくとも一つを含む装置。
【請求項１９】
請求項１８に記載されたリソグラフィ装置に於いて、前記熱交換器、前記ファンユニットおよび前記化学フィルタの少なくとも一つを前記フィルタユニットに関して遠く離して位置付ける装置。
【請求項２０】
請求項１９に記載されたリソグラフィ装置に於いて、前記熱交換器、前記ファンユニットおよび前記化学フィルタの少なくとも一つを前記リソグラフィ装置内に位置付ける装置。
【請求項２１】
請求項１から２０のいずれかに記載されたリソグラフィ装置に於いて、更に、
放射線ビームを調節する照明システム、
放射線ビームを変調するパターニング装置、および
この変調した放射線ビームを前記基板の目標部分上に投影する投影システムを含むリソグラフィ装置。
【請求項２２】
リソグラフィ装置であって、
未露光基板、および
清浄ガスを未露光基板へ供給する清浄ガス供給システムを含み、
該清浄ガス供給システムが可動支持体上にあるように構成してあり、且つ清浄ガスを未露光基板がある少なくとも一つの場所へ供給するように構成してあり、更に、
少なくとも一つの未露光基板または少なくとも一つの他の基板を支持するように構成した基板テーブル、および
少なくとも一つの未露光基板または少なくとも一つの他の基板を基板テーブルに対して動かし、露光前および後にこの少なくとも一つの未露光基板または少なくとも一つの他の基板（Ｗ）を基板テーブルに積込みおよび少なくとも一つの未露光基板または少なくとも一つの他の基板をこの基板テーブルから卸すようになっている基板ハンドラを含み、該基板ハンドラが積込みテーブルと荷卸しテーブルの少なくとも一つを含み、
前記清浄ガス供給システムが、前記基板テーブル上の前記未露光基板の走査および露光の少なくとも一つ中に前記未露光基板へ前記清浄ガスを供給するために、前記荷卸しテーブルの下に配置してある装置。
【請求項２３】
請求項２２に記載されたリソグラフィ装置に於いて、前記清浄ガス供給システムが、未露光基板の熱予備調節中に前記未露光基板へ前記清浄ガスを供給するために前記積込みテーブルの上に配置してある装置。
【請求項２４】
請求項２２に記載されたリソグラフィ装置に於いて、前記清浄ガス供給システムが前記基板の周りに清浄ガス環境を提供するフィルタおよび弁を含む装置。
【請求項２５】
請求項２４に記載されたリソグラフィ装置に於いて、前記弁が、前記積込みテーブルの上に取付けた前記清浄ガス供給システムからのガスを前記荷卸しテーブル上に配置した少なくとも一つの未露光基板または少なくとも一つの他の基板の方へ向けさせるように構成してある装置。
【請求項２６】
請求項２５に記載されたリソグラフィ装置に於いて、前記弁が、前記積込みテーブルの周りを通して前記ガスを前記荷卸しテーブルへ向けるために前記ガスが通る窪みを含み、前記窪みは前記弁と前記積込みテーブルとの間に前記ガスの流路を形成する装置。
【請求項２７】
デバイス製造方法であって、
基板を基板テーブル上に支持する工程、
基板ハンドラを使用して、この基板を基板テーブルに対して動かす工程であり、露光前および後に基板を基板テーブルに積込む工程と基板テーブルから卸す工程とを含む工程、および
これら基板の一つがある少なくとも一つの場所に清浄ガス供給を供給する工程を含み、この清浄ガスを可動に取付けた清浄ガスシステムによって供給し、
上記清浄ガスシステムが上記基板ハンドラの下側に取付けてあり、および清浄ガスを、上記基板がある上記基板テーブル上の場所の方へ向ける方法。
【請求項２８】
リソグラフィ装置であって、
基板を支持する基板テーブル、
基板を基板テーブルに対して動かし、露光前および後に基板を基板テーブルに積込みおよび基板テーブルから卸すようになっている基板ハンドラ、および
基板がある少なくとも一つの場所に清浄ガスを供給する清浄ガス供給システムを含み、該清浄ガス供給システムが可動に取付けてあり、
前記基板ハンドラが積込みテーブルと荷卸しテーブルの少なくとも一つを含み、
前記基板ハンドラが、前記積込みテーブルと前記荷卸しテーブルの少なくとも一つの上にまたはそこから、それぞれ、前記基板の配置と除去の少なくとも一方をするためのロボットアームを含み、更に、
前記積込みテーブルと前記荷卸しテーブルの少なくとも一つと前記ロボットアームの間に設けられた弁であって、前記弁が開位置にあるときには前記ロボットアームは前記積込みテーブルと前記荷卸しテーブルの少なくとも一つにアクセス可能であり、前記弁が閉位置にあるときには前記ロボットアームに対し前記積込みテーブルと前記荷卸しテーブルの少なくとも一つを閉鎖する弁を含む装置。
【請求項２９】
デバイス製造方法であって、
基板を基板テーブル上に支持する工程、
基板ハンドラを使用して、この基板を基板テーブルに対して動かす工程であり、露光前および後に基板を基板テーブルに積込む工程と基板テーブルから卸す工程とを含む工程、および
これら基板の一つがある少なくとも一つの場所に清浄ガス供給を供給する工程を含み、この清浄ガスを可動に取付けた清浄ガスシステムによって供給し、
前記基板ハンドラが積込みテーブルと荷卸しテーブルの少なくとも一つを含み、
前記基板ハンドラが、前記積込みテーブルと前記荷卸しテーブルの少なくとも一つの上にまたはそこから、それぞれ、前記基板の配置と除去の少なくとも一方をするためのロボットアームを含み、更に、
前記積込みテーブルと前記荷卸しテーブルの少なくとも一つと前記ロボットアームの間に設けられた弁であって、前記弁が開位置にあるときには前記ロボットアームは前記積込みテーブルと前記荷卸しテーブルの少なくとも一つにアクセス可能であり、前記弁が閉位置にあるときには前記ロボットアームに対し前記積込みテーブルと前記荷卸しテーブルの少なくとも一つを閉鎖する弁を含む方法。
【請求項３０】
リソグラフィ装置であって、
未露光基板、および
清浄ガスを未露光基板へ供給する清浄ガス供給システムを含み、
該清浄ガス供給システムが可動支持体上にあるように構成してあり、且つ清浄ガスを未露光基板がある少なくとも一つの場所へ供給するように構成してあり、更に、
少なくとも一つの未露光基板または少なくとも一つの他の基板を支持するように構成した基板テーブル、および
少なくとも一つの未露光基板または少なくとも一つの他の基板を基板テーブルに対して動かし、露光前および後にこの少なくとも一つの未露光基板または少なくとも一つの他の基板（Ｗ）を基板テーブルに積込みおよび少なくとも一つの未露光基板または少なくとも一つの他の基板をこの基板テーブルから卸すようになっている基板ハンドラを含み、該基板ハンドラが積込みテーブルと荷卸しテーブルの少なくとも一つを含み、
前記清浄ガス供給システムが前記基板の周りに清浄ガス環境を提供するフィルタおよび弁を含み、
前記弁が、前記積込みテーブルの周りを通して前記ガスを前記荷卸しテーブルへ向けるために前記ガスが通る窪みを含み、前記窪みは前記弁と前記積込みテーブルとの間に前記ガスの流路を形成する装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リソグラフィ装置およびデバイスを製造するための方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
リソグラフィ装置は、基板または基板の一部上に、所望のパターンを付ける機械である。リソグラフィ装置は、例えば、フラットパネルディスプレイ、集積回路（ＩＣ）および微細構造を伴うその他のデバイスの製造に使うことができる。従来の装置では、マスクまたはレチクルとも呼べる、パターニング装置を使ってフラットパネルディスプレイ（またはその他のデバイス）の個々の層に対応する回路パターンを創成することができる。このパターンを、例えば、基板上に設けた放射線感応材料（レジスト）の層上への結像によって、この基板（例えば、ガラス板）に転写することができる。
【０００３】
回路パターンではなくて、このパターニング手段を他のパターン、例えば、カラーフィルタパターンまたはドットのマトリックスを創成するために使うことができる。マスクではなく、このパターニング装置は、個々に制御可能な素子のアレイを含む、パターニングアレイを含むことができる。このパターンは、そのようなシステムでマスクベースのシステムに比べてより迅速に且つより低コストで変更できる。
【０００４】
フラットパネルディスプレイ基板は、形状が長方形でもよい。この種の基板を露光するために設計したリソグラフィ装置は、この長方形基板の全幅に亘る、またはこの幅の一部（例えば、この幅の半分）を包含する露光範囲を提供することができる。このマスクまたはレチクルを投影ビームで同期して走査しながら、この基板をこの露光範囲の下で走査することができる。この様にして、パターンを基板に転写する。もし、この露光範囲が基板の全幅に及ぶなら、露光を単一走査で終えることができる。もし、この露光範囲が、例えば、基板の幅の半分に及ぶなら、基板を最初の捜査後に横に動かすことができ、典型的には更なる走査を行って基板の残りを露光する。
【０００５】
一般的に、単一基板が、順次露光する隣接目標部分のネットワークを含む。この基板は、走査工程中、基板露光テーブルまたはステージ上に配置する。未露光基板、即ち、まだ露光されていない基板は、保管装置またはシステムに保管する。ロボットがこれらの未露光基板を露光テーブルへ装填し、そこでそれらを後で露光する。露光後、露光した基板をこのロボットによって保管場所へ戻す。
【０００６】
リソグラフィ装置は、清浄空気をこのリソグラフィ装置の中へ分配する清浄空気供給源を含む。装置内の汚染は結像誤差に繋がるので、この装置内の清浄環境を維持するためにこの清浄空気を提供する。これらのリソグラフィ装置では、この装置内に置ける、清浄空気供給ユニットによって清浄空気の下降流を提供する。
【０００７】
ある用途では、例えば、フラットパネルディスプレイの製造に使用する基板は比較的大きい。例えば、それらは、面積が１ｍ２を超えることがある。像域が比較的大きいので、粒子汚染が問題であることが分った。これは、未露光基板に特に問題である。上述のように、清浄空気は、上から導く。基板テーブルの構成とそのロボットとの相互作用のために、この清浄空気が露光前の未露光基板に効率良く達しないことが分った。これは、結像誤差に繋がる。更に、基板および基板テーブルが比較的大きい用途でのもう一つの結果は、基板を積卸しする際のこの装置の限られたスペース内のこれらのテーブルの運動がポンプとして作用し、それが汚染粒子を未露光基板上に“送込む”事があることである。更に、この動作ロボットが後流効果をもたらし、それで未露光基板の上の圧力の掛る区域も汚染のリスクを構成する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
従って、必要なものは、リソグラフィ装置内の汚染のリスクを軽減するためのシステムおよび方法である。例えば、未露光基板の汚染のリスクを軽減することが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一実施例では、リソグラフィ装置であって、基板を支持する基板テーブルおよびこの基板をこの基板テーブルに対して動かす基板ハンドラを含む装置が提供される。この基板ハンドラは、露光前および後に基板をこの基板テーブルに積込みおよび基板テーブルから卸すようにようになっている。また、清浄ガス供給システムがこの基板がある少なくとも一つの場所に清浄ガスを供給する。この清浄ガス供給システムは、可動に取付けてある。
【００１０】
本発明の別の実施例によれば、リソグラフィ装置で、清浄ガスをこのリソグラフィ装置の中の未露光基板へ供給する清浄ガス供給システムを含む装置が提供される。この清浄ガス供給システムは、可動支持体上に位置し、清浄ガスを未露光基板がある少なくとも一つの場所へ供給する。
【００１１】
本発明の更なる実施例によれば、次の工程を含むデバイス製造方法が提供される。放射線のパターン化したビームを基板上に投影する工程。放射線ビームを調節する工程。この放射線ビームの断面を変調する工程。この変調した放射線ビームをこの基板の目標部分上に投影する工程。基板を基板テーブル上に支持する工程。この基板をこの基板テーブルに対して動かす工程で、露光前および後に基板をこの基板テーブルに積込む工程および基板テーブルから卸す工程を含む工程。これら基板の一つがある少なくとも一つの場所に清浄ガス供給を供給する工程で、この清浄ガスを可動に取付けた清浄ガスシステムによって供給する工程。
【００１２】
本発明の種々の実施例の構造および作用と共に、本発明の更なる実施例、特徴、および利点を以下に添付の図面を参照して詳細に説明する。
【００１３】
ここに包含し且つこの明細書の一部を構成する、添付の図面は、本発明の一つ以上の実施例を示し、この説明と共に本発明の原理を説明し且つ当業者に本発明を利用できるようにするのに更に役立つ。
【００１４】
次にこの発明を添付の図面を参照して説明する。それらの図面で、類似の参照番号は同じまたは機能的に類似の要素を示すことができる。その上、参照番号の最左桁は、その参照番号が最初に現れる図面を特定することができる。
【００１５】
特定の構成および配置を議論するが、これは、例示目的だけで行うことを理解すべきである。当業者は、本発明の精神および範囲から逸脱することなく、他の構成および配置を使える事を認識するだろう。当業者には、この発明を種々の他の用途にも使えることが明白だろう。
【実施例】
【００１６】
図１は、本発明の一実施例のリソグラフィ装置を概略的に描く。この装置は、照明システムＩＬ、パターニング装置ＰＤ、基板テーブルＷＴ、および投影システムＰＳを含む。この照明システム（照明器）ＩＬは、放射線ビームＢ（例えば、ＵＶ放射線）を調整するように構成してある。
【００１７】
このパターニング装置ＰＤ（例えば、レチクルまたはマスクまたは個々に制御可能な素子のアレイ）は、投影ビームを変調する。一般的に、個々に制御可能な素子のアレイの位置は、投影システムＰＳに対して固定であろう。しかし、それをそうではなくこの個々に制御可能な素子のアレイをあるパラメータに従って正確に位置決めするように構成した位置決め装置に結合してもよい。
【００１８】
この基板テーブルＷＴは、基板（例えば、レジストを塗被した基板）Ｗを支持し、且つこの基板をあるパラメータに従って正確に位置決めするように構成した位置決め装置ＰＷに結合してある。
【００１９】
この投影システム（例えば、屈折性投影レンズシステム）ＰＳは、個々に制御可能な素子のアレイによって変調した放射線ビームを基板Ｗの目標部分Ｃ（例えば、一つ以上のダイを含む）上に投影するように構成してある。
【００２０】
この照明システムは、放射線を指向し、成形し、または制御するための、屈折式、反射式、磁気式、電磁式、静電式若しくはその他の種類の光学部品、またはその任意の組合せのような、種々の型式の光学部品も包含してよい。
【００２１】
ここで使う“パターニング装置”または“コントラスト装置”という用語は、この基板の目標部分のパターンを創るためのように、放射線ビームの断面を変調するために使えるあらゆる手段を指すと広く解釈すべきである。この装置は、静的パターニング装置（例えば、マスクまたはレチクル）でもまたは動的（例えば、プログラム可能素子のアレイ）パターニング装置でもよい。簡潔さのために、この明細書の大部分は、動的パターニング装置によるが、静的パターニング装置も本発明の範囲から逸脱することなく使えることを理解すべきである。
【００２２】
この放射線ビームに与えたパターンは、例えば、もしこのパターンが位相シフト形態または所謂補助形態を含むならば、基板の目標部分の所望のパターンと厳密には対応しないかも知れないことに注目すべきである。同様に、結局基板上に創成するパターンは、個々に制御可能な素子のアレイ上に何れかの一瞬に作るパターンと一致しないかも知れない。これは、基板の各部分上に結局作るパターンを、個々に制御可能な素子のアレイ上のパターンおよび／または基板の相対位置が変る、与えられた期間または与えられた露光数に亘って蓄積する装置の場合に有り得る。
【００２３】
一般的に、基板の目標部分上に創ったパターンは、集積回路またはフラットパネルディスプレイのような、この目標部分に創るデバイスの特別の機能層（例えば、フラットパネルディスプレイのカラーフィルタ層またはフラットパネルディスプレイの薄膜トランジスタ層）に対応するだろう。そのようなパターニング装置の例には、例えば、レチクル、プログラム可能ミラーアレイ、レーザダイオードアレイ、発光ダイオード、格子光バルブ、およびＬＣＤアレイがある。
【００２４】
例えば、複数のプログラム可能素子を含むパターニング装置のような、そのパターンが電子手段（例えば、コンピュータ）を使ってプログラム可能なパターニング装置（例えば、レチクルを除いて前の文章で述べた全ての装置）は、ここではまとめて“コントラスト装置”と呼ぶ。一例で、このパターニング装置は、少なくとも１０のプログラム可能素子、例えば、少なくとも１００、少なくとも１０００、少なくとも１００００、少なくとも１０００００、少なくとも１００００００、または少なくとも１０００００００のプログラム可能素子を含む。
【００２５】
プログラム可能ミラーアレイは、粘弾性制御層および反射面を有するマトリックスアドレス可能面を含むことができる。そのような装置の背後の基本原理は、例えば、この反射面のアドレス指定された領域が入射光を回折光として反射し、一方アドレス指定されない領域が入射光を未回折光として反射するということである。適当な空間フィルタを使って、未回折光を反射ビームから濾過して取除き、回折光だけを基板に達するように後に残すことができる。この様にして、このビームがマトリックスアドレス可能面のアドレス指定パターンに従ってパターン化されるようになる。
【００２６】
代案として、このフィルタが回折光を濾過して取除き、未回折光を基板に達するように残せることが分るだろう。
【００２７】
回折光学式ＭＥＭＳ装置（マイクロ電気機械システム装置）も対応する方法で使うことができる。一例で、回折光学式ＭＥＭＳ装置は、互いに対して変形して入射光を回折光として反射する格子を形成することができる複数の反射リボンを含む。
【００２８】
プログラム可能ミラーアレイの更なる代替例は、極小ミラーのマトリックス配置を使用し、適当な局部電界を印加することにより、または圧電作動装置を使うことにより、それらの各々を軸線周りに個々に傾斜することができる。やはり、これらのミラーは、マトリックスアドレス可能で、アドレス指定したミラーが入射放射線ビームをアドレス指定されないミラーと異なる方向に反射し；この様にして、反射ビームをこれらのマトリックスアドレス可能ミラーのアドレス指定パターンに従ってパターン化できる。必要なマトリックスアドレス指定は、適当な電子手段を使って行える。
もう一つのＰＤ例は、プログラム可能ＬＣＤアレイである。
【００２９】
このリソグラフィ装置は、一つ以上のコントラスト装置を含むことができる。例えば、それは、各々互いに独立に制御する、個々に制御可能な素子の複数のアレイを持つことができる。そのような装置で、個々に制御可能な素子のアレイの幾つかまたは全てが少なくとも一つの共通照明システム（または照明システムの一部）、個々に制御可能な素子のアレイ用の共通の支持構造体、および／または共通の投影システム（または投影システムの一部）を持つことができる。
【００３０】
図１に描く実施例のような、一例では、基板Ｗが実質的に円形で、任意にその周囲の一部に沿って切欠きおよび／または平らにした縁を備える。一例で、この基板は、多角形、例えば、長方形である。
【００３１】
基板が実質的に円形である例には、基板の直径が少なくとも２５ｍｍ、例えば少なくとも５０ｍｍ、少なくとも７５ｍｍ、少なくとも１００ｍｍ、少なくとも１２５ｍｍ、少なくとも１５０ｍｍ、少なくとも１７５ｍｍ、少なくとも２００ｍｍ、少なくとも２５０ｍｍ、少なくとも３００ｍｍの例がある。一実施例で、この基板の直径は、せいぜい５００ｍｍ、せいぜい４００ｍｍ、せいぜい３５０ｍｍ、せいぜい３００ｍｍ、せいぜい２５０ｍｍ、せいぜい２００ｍｍ、せいぜい１５０ｍｍ、せいぜい１００ｍｍ、またはせいぜい７５ｍｍである。
【００３２】
基板が多角形、例えば、長方形である例には、この基板の少なくとも１辺、例えば、少なくとも２辺または少なくとも３辺が少なくとも５ｃｍ、例えば、少なくとも２５ｃｍ、少なくとも５０ｃｍ、少なくとも１００ｃｍ、少なくとも１５０ｃｍ、少なくとも２００ｃｍ、または少なくとも２５０ｃｍの長さを有する例がある。
【００３３】
一例では、この基板の少なくとも１辺の長さがせいぜい１０００ｃｍ、例えば、せいぜい７５０ｍ、せいぜい５００ｃｍ、せいぜい３５０ｃｍ、せいぜい２５０ｃｍ、せいぜい１５０ｃｍ、またはせいぜい７５ｃｍである。
【００３４】
一例では、この基板Ｗがウエハ、例えば半導体ウエハである。一例で、このウエハ材料は、Ｓｉ、ＳｉＧｅ、ＳｉＧｅＣ、ＳｉＣ、Ｇｅ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、およびＩｎＡｓから成るグループから選択してある。一例で、このウエハは、III／Ｖ族化合物半導体ウエハである。一例で、このウエハは、シリコンウエハである。一実施例で、この基板は、セラミック基板である。一例で、この基板は、ガラス基板である。一例で、この基板は、プラスチック基板である。一例で、この基板は、透明である（人間の肉眼に対して）。一例で、この基板は、着色している。一例で、この基板は、無色である。
【００３５】
この基板の厚さは、変ることができ、および、或る程度、例えば、基板材料および／または基板寸法に依存できる。一例で、この厚さは、少なくとも５０μｍ、例えば、少なくとも１００μｍ、少なくとも２００μｍ、少なくとも３００μｍ、少なくとも４００μｍ、少なくとも５００μｍ、少なくとも６００μｍである。一例で、この基板の厚さは、せいぜい５０００μｍ、例えば、せいぜい３５００μｍ、せいぜい２５００μｍ、せいぜい１７５０μｍ、せいぜい１２５０μｍ、せいぜい１０００μｍ、せいぜい８００μｍ、せいぜい６００μｍ、せいぜい５００μｍ、せいぜい４００μｍ、またはせいぜい３００μｍである。
【００３６】
ここで言及する基板は、露光の前または後に、例えば、トラック（典型的には基板にレジストの層を付け且つ露光したレジストを現像する器具）、計測器具および／または検査器具で処理してもよい。一例では、レジスト層がこの基板上に設けてある。
【００３７】
ここで使う“投影システム”という用語は、使用する露出放射線に対して、または浸漬液の使用若しくは真空の使用のような他の要因に対して適宜、屈折式、反射式、反射屈折式、磁気式、電磁式および静電式光学システム、またはその任意の組合せを含む、あらゆる型式の投影システムを包含するように広く解釈すべきである。ここで使う“投影レンズ”という用語のどれも、より一般的な用語“投影システム”と同義と考えてもよい。
【００３８】
この投影システムは、基板上にパターンをまとめて作るように、このパターンを個々に制御可能な素子のアレイ上に結像することができる。その代りに、この投影システムは、この個々に制御可能な素子のアレイの素子がシャッタとして作用して作る二次線源を結像することができる。この点で、この投影システムは、例えば、これらの二次線源を作るため、および基板上にスポットを結像するために、マイクロレンズアレイ（ＭＬＡとして知られる）またはフレネルレンズアレイのような収束素子のアレイを含むことができる。一例で、この収束素子のアレイ（例えば、ＭＬＡ）は、少なくとも１０の収束素子、例えば少なくとも１００の収束素子、少なくとも１０００の収束素子、少なくとも１００００の収束素子、少なくとも１０００００の収束素子、または少なくとも１００００００の収束素子を含む。一例で、このパターニング装置の個々に制御可能な素子の数は、この収束素子のアレイの収束素子の数以上である。一例で、この収束素子のアレイの収束素子の一つ以上（例えば、１０００以上、過半数、またはほぼ各々）をこの個々に制御可能な素子のアレイの一つ以上の個々に制御可能な素子と、例えば、この個々に制御可能な素子のアレイの、３以上、５以上、１０以上、２０以上、２５以上、３５以上、または５０以上のような、２以上の個々に制御可能な素子と光学的に関連付けることができる。一例で、このＭＬＡは、少なくとも基板に近接・離隔する方向に、例えば、一つ以上のアクチュエータを使って可動である。このＭＬＡが基板に近接・離隔して動き得ることは、例えば、基板を動かす必要なく焦点調節を可能にする。
【００３９】
図１および図２に描くように、この装置は、反射型（例えば、個々に制御可能な素子の反射性アレイを使用する）である。その代りに、この装置は、透過型（例えば、個々に制御可能な素子の透過性アレイを使用する）でもよい。
【００４０】
このリソグラフィ装置は、二つ（例えば、二段）以上の基板テーブル（を有する型式でもよい。そのような“多段”機械では、追加のテーブルを並列に使うことができ、または準備工程を一つ以上のテーブルで行い、一方他の一つ以上のテーブルを露出用に使うことができる。
【００４１】
このリソグラフィ装置は、投影システムと基板の間のスペースを埋めるように、この基板の少なくとも一部を比較的屈折率の高い液体、例えば水によって覆える型式でもよい。浸漬液をこのリソグラフィ装置の他のスペース、例えば、パターニング装置と投影システムの間にも加えてよい。浸漬法は、投影システムの開口数を増すためにこの技術でよく知られている。ここで使う“浸漬”という用語は、基板のような、構造体を液体の中に沈めなければならないことを意味するのではなく、それどころか露光中に投影システムと基板の間に液体があることを意味するだけである。
【００４２】
再び図１を参照して、照明器ＩＬは、放射線源ＳＯから放射線ビームを受ける。一例で、この放射線源は、少なくとも５ｎｍ、例えば、少なくとも１０ｎｍ、少なくとも５０ｎｍ、少なくとも１００ｎｍ、少なくとも１５０ｎｍ、少なくとも１７５ｎｍ、少なくとも２００ｎｍ、少なくとも２５０ｎｍ、少なくとも２７５ｎｍ、少なくとも３００ｎｍ、少なくとも３２５ｎｍ、少なくとも３５０ｎｍ、または少なくとも３６０ｎｍの波長を有する放射線を提供する。一例で、放射線源ＳＯが提供する放射線は、せいぜい４５０ｎｍ、例えば、せいぜい４２５ｎｍ、せいぜい３７５ｎｍ、せいぜい３６０ｎｍ、せいぜい３２５ｎｍ、せいぜい２７５ｎｍ、せいぜい２５０ｎｍ、せいぜい２２５ｎｍ、せいぜい２００ｎｍ、またはせいぜい１７５ｎｍの波長を有する。一例で、この放射線は、４３６ｎｍ、４０５ｎｍ、３６５ｎｍ、３５５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、および／または１２６ｎｍを含む波長を有する。一例で、この放射線は、約３６５ｎｍまたは約３５５ｎｍの波長を含む。一例で、この放射線は、例えば３６５、４０５、および４３６ｎｍを包含する、広帯域の波長を含む。この線源とリソグラフィ装置は、例えば、線源がエキシマレーザであるとき、別々の存在であってもよい。そのような場合、この線源がリソグラフィ装置の一部を形成するとは考えられず、放射線は、線源ＳＯから、例えば適当な指向ミラーおよび／またはビーム拡大器を含むビーム送出システムＢＤを使って、照明器ＩＬへ送られる。他の場合、例えば、線源が水銀灯であるとき、線源がこの装置の一部分であってもよい。この線源ＳＯと照明器ＩＬは、もし必要ならビーム送出システムＢＤと共に、放射線システムと呼んでもよい。
【００４３】
照明器ＩＬは、放射線ビームの角強度分布を調整するための調整装置ＡＤを含んでもよい。一般的に、この照明器の瞳面での強度分布の少なくとも外側および／または内側半径方向範囲（普通、それぞれ、σ外側およびσ内側と呼ぶ）を調整できる。その上、照明器ＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯのような、種々の他の部品を含んでもよい。この照明器は、その断面に所望の均一性および強度分布を有するように、この放射線ビームを調節するために使ってもよい。この照明器ＩＬ、またはそれに関連する追加の部品は、この放射線ビームを、例えば、各々この個々に制御可能な素子のアレイの一つ以上の個々に制御可能な素子と関連付けられる、複数のサブビームに分割するようにも構成できる。例えば、二次元回折格子を使ってこの放射線ビームをサブビームに分割してもよい。本明細書では、“放射線のビーム”および“放射線ビーム”という用語は、ビームが複数のそのような放射線のサブビームを含む状況を包含するが、それに限定されない。
【００４４】
放射線ビームＢは、パターニング装置ＰＤ（例えば、個々に制御可能な素子のアレイ）に入射し、このパターニング装置によって変調される。パターニング装置ＰＤによって反射されてから、放射線ビームＢは、投影システムＰＳを通過し、それがこのビームを基板Ｗの目標部分Ｃ上に集束する。位置決め装置ＰＷおよび位置センサＩＦ（例えば、干渉計測装置、線形エンコーダ、容量式センサ等）を使って、基板テーブルＷＴを、例えば、異なる目標部分Ｃを放射線ビームＢの経路に配置するように、正確に動かすことができる。使う場合、この個々に制御可能な素子のアレイ用の位置決め手段は、例えば、走査中に、ビームＢに関するパターニング装置ＰＤの位置を正確に補正するために使うことができる。
【００４５】
一例で、基板テーブルＷＴの移動は、図１にはっきりとは示さない、長ストロークモジュール（粗位置決め）および短ストロークモジュール（微細位置決め）を使って実現する。一例で、この装置は、少なくとも基板テーブルＷＴを動かすための短ストロークモジュールがない。類似のシステムをこの個々に制御可能な素子のアレイを位置決めするためにも使うことができる。その代りに／それに加えて、この物体テーブルおよび／またはこの個々に制御可能な素子のアレイが必要な相対運動をもたらすために固定位置をとれ、一方投影ビームＢを動かし得ることが分るだろう。そのような構成は、この装置の大きさを制限するのを助けることができる。例えば、フラットパネルディスプレイの製造に適用できる、更なる代案として、基板テーブルＷＴおよび投影システムＰＳの位置を固定でき、および基板Ｗをこの基板テーブルＷＴに対して動かすように構成できる。例えば、基板テーブルＷＴは、実質的に一定の速度でそれを横切って基板Ｗを走査するためのシステムを備えることができる。
【００４６】
図１に示すように、放射線ビームＢを、この放射線を最初ビームスプリッタＢＳによって反射してパターニング装置ＰＤへ向けるように構成したビームスプリッタによってこのパターニング装置ＰＤへ向けることができる。この放射線ビームＢをビームスプリッタを使わずにこのパターニング装置にも向けられることを理解すべきである。一例で、この放射線ビームをこのパターニング装置に０と９０°の間、例えば、５と８５°の間、１５と７５°の間、２５と６５°の間、または３５と５５°の間の角度で向ける（図１に示す実施例は、９０°の角度である）。パターニング装置ＰＤは、放射線ビームＢを変調してそれをビームスプリッタＢＳへ反射し戻し、それがこの変調したビームを投影システムＰＳへ伝達する。しかし、代替装置を使って放射線ビームＢをパターニング装置ＰＤへ向け、次に投影システムＰＳへ向けられることが分るだろう。特に、もし、透過性パターニング装置を使うなら、図１に示すような装置は必要ないかも知れない。
【００４７】
図示する装置は、幾つかのモードで使うことができる。
１．ステップモードでは、放射線ビームに与えた全パターンを目標部分Ｃ上に一度に投影（即ち、単一静的露光）する間、個々に制御可能な素子のアレイおよび基板テーブルＷＴを本質的に固定して保持する。次に基板テーブルＷＴをＸおよび／またはＹ方向に移動して異なる目標部分Ｃを露光できるようにする。ステップモードでは、露光領域の最大サイズが単一静的露光で結像する目標部分Ｃのサイズを制限する。
２．走査モードでは、放射線ビームの与えたパターンを目標部分Ｃ上に投影（即ち、単一動的露光）しながら、個々に制御可能な素子のアレイおよび基板を同期して走査する。個々に制御可能な素子のアレイに対する基板の速度および方向は、投影システムＰＳの（縮）倍率および像反転特性によって決る。走査モードでは、露光領域の最大サイズが単一動的露光での目標部分の幅（非走査方向の）を制限し、一方走査運動の長さが目標部分の高さ（走査方向の）を決める。
【００４８】
３．パルスモードでは、個々に制御可能な素子のアレイを本質的に固定して保持し、パルス化した放射線源を使って全パターンを基板Ｗの目標部分Ｃ上に投影する。投影ビームＢに基板Ｗを横切るラインを走査させるように、基板テーブルＷＴを本質的に一定の速度で動かす。この個々に制御可能な素子のアレイ上のパターンは、放射線システムのパルスの間に必要に応じて更新し、これらのパルスは、連続する目標部分Ｃを基板Ｗ上の必要な位置で露光するように時間調節してある。従って、投影ビームＢは、この基板のストリップのための全パターンを露光するために基板Ｗを横切って走査できる。このプロセスを１ラインずつ基板Ｗ全部を露光してしまうまで繰返す。
４．連続走査モードでは、基板Ｗを変調した放射線ビームＢに対して実質的に一定速度で走査しおよびこの個々に制御可能な素子のアレイ上のパターンを投影ビームＢが基板Ｗを横切って走査してそれを露光するときに更新することを除いて、本質的にパルスモードと同じである。実質的に一定の放射線源、またはこの個々に制御可能な素子のアレイ上のパターンの更新に同期した、パルス化した放射線源を使うことができる。
５．図２のリソグラフィ装置を使って実施できる、画素グリッド結像モードでは、基板Ｗ上に作るパターンを、スポット発生器によって作った、パターニング装置ＰＤ上へ向けたスポットを後に露光することによって実現する。露光したスポットは、実質的に同じ形状を有する。基板Ｗ上に、これらのスポットを実質的にグリッドでプリントする。一例で、スポットサイズは、プリントした画素グリッドのピッチより大きいが、露光スポットグリッドより遥かに小さい。プリントするスポットの強度を変えることによって、パターンを実現する。露光フラッシュの間に、スポットの強度分布を変える。
上に説明した使用モードの組合せおよび／または変形または全く異なった使用モードも使ってよい。
【００４９】
リソグラフィでは、パターンを基板上のレジストの層の上に露光する。次に、このレジストを現像する。続いて、追加の処理工程をこの基板に実行する。基板の各部上のこれらの後続処理工程の効果は、レジストの露光に依存する。特に、これらの処理は、所与の線量閾値を超える放射線量を受ける基板の部分が線量閾値以下の放射線量を受ける基板の部分と異なって反応するように調整してある。例えば、エッチングプロセスで、閾値を超える放射線量を受ける基板の領域は、現像したレジストの層によってエッチングから保護される。しかし、後露光現像で、閾値以下の放射線量を受けるレジストの部分は除去され、それでこれらの領域はエッチングから保護されない。従って、所望のパターンをエッチングできる。特に、パターニング装置の個々に制御可能な素子は、パターン形態内の基板上の領域へ伝達される放射線が十分に高い強度であってこの領域がこの露光中に線量閾値を超える線量を受けるように設定してある。この基板上の残りの領域は、対応する個々に制御可能な素子にゼロまたはかなり低い強度の放射線を出させることによって、線量閾値以下の放射線量を受ける。
【００５０】
実際に、パターン形態の縁での放射線量は、個々に制御可能な素子にこの形態境界の片側で最大の放射線強度を、および反対側で最小の放射線強度を出させても、与えられた最大線量からゼロ線量へ突然には変らない。そうではなく、回折効果のために、放射線量のレベルが遷移帯を横切って低下する。終局的に現像したレジストによって作られる、このパターン形態の境界の位置は、受けた線量がこの放射線量閾値以下に低下する位置によって決る。この遷移帯を横切る放射線量の落下特性、従ってこのパターン形態の境界の正確な位置は、このパターン形態の境界上またはその近くにある基板上の点に放射線を出す個々に制御可能な素子を最大または最小強度レベルにだけでなく、この最大と最小の強度レベルの間の強度レベルにも設定することによってより正確に制御できる。これを普通“グレースケーリング”と呼ぶ。
【００５１】
グレースケーリングは、パターン形態の境界の位置の制御を、与えられた個々に制御可能な素子によって基板にもたらされる放射線強度を２値（即ち、最大値と最小値だけ）にしか設定できないリソグラフィシステムで可能なより勝れたものにする。ある実施例では、少なくとも３の異なる放射線強度値、例えば、少なくとも４の放射線強度値、少なくとも８の放射線強度値、少なくとも１６の放射線強度値、少なくとも３２の放射線強度値、少なくとも６４の放射線強度値、少なくとも１２８の放射線強度値、または少なくとも２５６の放射線強度値を基板上に投影できる。
【００５２】
グレースケーリングは、上に述べたのに付け加えるまたは代る目的に使えることを理解すべきである。例えば、露光後の基板の処理を、受けた放射線レベルに依って、基板の領域に２を超える反応があるように調整できる。例えば、第１閾値以下の放射線量を受ける基板の部分は、第１方法で反応し、この第１閾値を超えるが第２閾値以下の放射線量を受ける基板の部分は、第２方法で反応し、およびこの第２閾値を超える放射線量を受ける基板の部分は、第３方法で反応する。従って、グレースケーリングを使って二つを超える所望の放射線レベルを有する基板の全域に亘る放射線量分布を提供することができる。ある実施例では、放射線量分布が少なくとも２の所望の放射線レベル、例えば、少なくとも３の所望の放射線レベル、少なくとも４の所望の放射線レベル、少なくとも６の所望の放射線レベル、または少なくとも８の所望の放射線レベルを有する。
【００５３】
更に、この放射線量分布は、上に説明したように、単に基板上の各点で受ける放射線の強度を制御すること以外の方法によって制御できることを理解すべきである。例えば、その代りにまたはそれに加えて、この点の露光継続時間を制御することによって基板上の各点で受ける放射線量を制御できる。更なる例として、基板上の各点が複数の連続露光で放射線を受けられる可能性がある。従って、各点が受ける放射線量を、その代りにまたはそれに加えて、複数の連続露光の選択した部分集合を使ってこの点を露光することによって制御することができる。
【００５４】
基板上に必要なパターンを作るためには、パターニング装置の個々に制御可能な素子の各々をこの露光工程の各段階で必須状態に設定することが必要である。従って、これらの必須状態を表す、制御信号を個々に制御可能な素子の各々に伝達しなければならない。一例で、このリソグラフィ装置は、これらの制御信号を発生する制御装置を含む。基板上に作るべきパターンは、ＧＤＳIIのような、ベクトル定義フォーマットでリソグラフィ装置へ提供することができる。設計情報を各個々に制御可能な素子用の制御信号に変換するために、この制御装置は、各々このパターンを表すデータストリームの処理ステップを実行するように構成した、一つ以上のデータ操作デバイスを含む。これらのデータ操作デバイスをまとめて“データパス”と呼ぶことができる。
【００５５】
このデータパスのデータ操作デバイスは、以下の機能の一つ以上を実行するように構成することができる：ベクトルベースの設計情報のビットマップパターンへの変換；ビットマップパターンデータの必要な放射線量マップ（即ち、この基板全域に亘る必要な放射線量分布）への変換；必要な放射線量マップの各個々に制御可能な素子用の必要な放射線強度値への変換；およびこれらの各個々に制御可能な素子用の必要な放射線強度値の対応する制御信号への変換。
【００５６】
図２は、例えば、フラットパネルディスプレイの製造に使える、本発明による装置の構成を示す。図１に示すものに対応する部品は、同じ参照番号で示す。また、種々の実施例、例えば、基板の種々の構成、コントラスト装置、ＭＬＡ、放射線ビーム等の上記説明は、適用できることをとどめている。
【００５７】
図２に示すように、投影システムＰＳは、二つのレンズＬ１、Ｌ２を含む、ビーム拡大器を含む。この第１レンズＬ１は、変調した放射線ビームＢを受け、それを開口絞りＡＳの開口を通して集束するように配置してある。更なるレンズＡＬをこの開口に設置することができる。次にこの放射線ビームＢは、発散し、第２レンズＬ２（例えば、視野レンズ）によって集束する。
【００５８】
投影システムＰＳは、更に、拡大した変調放射線Ｂを受けるようにレンズのアレイＭＬＡを含む。パターニング装置ＰＤの一つ以上の個々に制御可能な素子に対応する、変調した放射線ビームＢの異なる部分は、レンズのアレイＭＬＡのそれぞれの異なるレンズを通過する。各レンズは、変調した放射線ビームＢのそれぞれの部分を基板Ｗ上にある点に集束する。この様にして放射線スポットＳのアレイを基板Ｗ上に並べる。例示する１４のレンズのアレイの八つのレンズしか示さないが、このレンズアレイは、数千のレンズを含めることが分るだろう（パターニング装置ＰＤとして使う個々に制御可能な素子のアレイにも同じことが当てはまる）。
【００５９】
図３は、本発明の一実施例に従って、図２のシステムを使って基板Ｗ上にパターンを発生する方法を概略的に示す。黒丸は、投影システムＰＳのレンズアレイＭＬＡによって基板Ｗ上に投影したスポットＳのアレイを表す。基板Ｗ上に一連の露光をするとき、基板Ｗを投影システムＰＳに対してＹ方向に動かす。白丸は、先に基板Ｗ上に露光したスポット露光ＳＥを表す。図示するように、投影システムＰＳ内のレンズのアレイによって基板上に投影した各スポットは、この基板Ｗ上にスポット露光の列Ｒを露光する。基板のための完全なパターンは、スポットＳの各々によって露光したスポット露光ＳＥの列Ｒの全ての和によって創成する。上に議論した、そのような処理を普通“画素グリッド結像”と呼ぶ。
【００６０】
放射線スポットＳのアレイは、基板Ｗに対して角度θで配列してあることが分る（この基板の縁は、ＸおよびＹ方向に平行である）。これは、基板を走査方向（Ｙ方向）に動かすとき、各放射線スポットがこの基板の異なる領域上を通過し、それによって全基板を放射線スポットＳのアレイによってカバーさせるようにする。一例で、この角度θは、せいぜい２０°、１０°、例えば、せいぜい５°、せいぜい３°、せいぜい１°、せいぜい０．５°、せいぜい０．２５°、せいぜい０．１０°、せいぜい０．０５°、またはせいぜい０．０１°である。一例で、この角度θは、少なくとも０．００１°である。
【００６１】
図４は、本発明の一実施例に従って、複数の光学エンジンを使って単一走査で全フラットパネルディスプレイ基板Ｗを露光できる方法を概略的に示す。図示する例では、放射線スポットＳの八つのアレイ３１が、放射線スポットＳの一つのアレイの縁が放射線スポットＳの隣接するアレイの縁と僅かに重なるように（走査方向Ｙに）、“チェス盤”構造に二列３２、３３に配列した、放射線スポットＳの八つのアレイ３１が八つの光学エンジン（図示せず）によって作ってある。一例で、これらの光学エンジンは、少なくとも３列、例えば４列または５列に配列してある。この様にして、放射線の帯が基板Ｗの幅を横切って伸び、全基板の露光を単一走査でできるようにする。適当などんな数の光学エンジン出も使えることが分るだろう。一例で、この光学エンジンの数は、少なくとも１、例えば、少なくとも２、少なくとも４、少なくとも８、少なくとも１０、少なくとも１２、少なくとも１４、または少なくとも１７である。一例で、この光学エンジンの数は、４０未満、例えば、３０未満または２０未満である。
【００６２】
各光学エンジンは、上に説明したように別々の照明システムＩＬ、パターニング装置ＰＤおよび投影システムＰＳを含むことができる。しかし、二つ以上の光学エンジンが一つ以上の照明システム、パターニング装置および投影システムの少なくとも一部を共有できることを理解すべきである。
【００６３】
このデータパスは、各光学エンジンにその光学エンジンが露光すべき求められる線量パターンの部分を作るために適した一連の制御データを提供するように構成してある。制御データの各シーケンスは、ユーザが決める求められる線量パターンの部分から導出する。この導出プロセスは、典型的にはラスタ化ステップ（例えば、パターンのベクトルベースの定義のビットマップ表現への変換）および／または圧縮解除ステップを伴い、その何れかまたは両方を、基板を露光しながら、オンラインで（即ち、実質的にリアルタイムで）実行することを必要とすることがある。全ての求められる線量パターンの生（即ち、非圧縮）ビットマップ表現から直接制御データを作ることは、この表現が大き過ぎて容易にアクセスでき且つ費用効果が高い方法で全てを記憶することはできないので、通常可能ではない。
【００６４】
従って、このリソグラフィ装置の性能は、これらのデータ操作デバイスがそれらそれぞれの計算（例えば、ラスタ化、圧縮解除等）を実行できる速度に依存する。このため、および典型的線量パターンに必要な計算の規模のために、一例では、データ操作デバイスを関係する計算の形式に最適化した、専門の計算用ハードウェアから作る。例えば、フィールド・プログラマブル・ゲート・アレイを含む大規模並列処理システムを使うことができる。
【００６５】
求められる線量パターンの複雑さは、パターンの領域毎にかなり変り、一般的に事前には分らない。実際、リソグラフィ装置のユーザが線量パターンを選ぶとき、完全に自由であるのが当然であることが望ましい。一例で、パターンの選択は、このリソグラフィプロセスの速度に影響すべきでない。
【００６６】
上述のように、一例では、パターニング処理を複数の光学エンジンで分けることができる。データ操作デバイスは、各光学エンジン用に設けて、制御データのシーケンスを各光学エンジン用に並列に作ることができる。
【００６７】
図５は、本発明の実施例のリソグラフィ装置用清浄ガス供給システムの側面図を描く。一実施例によれば、基板Ｗ、ＵＷ、ＥＷへ清浄ガスを供給するために清浄ガス供給システムＦＵ、ＩＰ、ＯＰが設けてある。この供給した清浄ガスは、空気または窒素を含むことができるが、それに限らない。基板Ｗは、露光した基板ＥＷ、未露光基板ＵＷ、または一部露光した基板のどれか一つでよい。
【００６８】
全図を通じて、基板の露光した部分は、垂直ストリップで表し、基板の未露光部分は、ジグザグストリップで表す。
【００６９】
一例で、清浄ガス供給システムＦＵ、ＩＰ、ＯＰは、可動支持体ＬＴ、ＵＴ上に位置するように構成してあり、且つ清浄ガスＧを基板Ｗ、ＵＷ、ＥＷがある少なくとも一つの場所へ供給するように構成してある。この様にして、この装置内の清浄ガスを改善する。特に、清浄ガスを、従来の装置では供給不十分な領域に供給する。
【００７０】
図５は、上に基板テーブルＷＴが配置してあるフレームＳＦ、ＷＴとＳＦの間の、例えば、空気軸受ＡＢ構成を示す。更に、レンズを含む投影システムを包含する計測フレーム（図示せず）が設けてある。この計測フレームは、ステージフレームＳＦ上に取付けてある。振動がベースフレームＢＦを通して基板テーブルＷＴへ伝えられるのを防ぐために、振動絶縁システムＶＩＳがフレームＳＦとベースフレームＢＦ、基板テーブルＷＴの間に配置してある。基板Ｗを配置できる場所Ｌは、基板テーブルＷＴ上および基板ハンドラＬＴ、ＵＴ内の場所を含む。この基板ハンドラＬＴ、ＵＴは、基板Ｗ、ＵＷ、ＥＷを基板テーブルＷＴに対して動かすように構成してあり、基板ハンドラＬＴ、ＵＴは、露光前後に基板を基板テーブルＷＴに積み（ＬＴ）卸し（ＵＬ）するようになっている。
【００７１】
基板ハンドラＬＴ、ＵＴは、積込みテーブルＬＴおよび荷卸しテーブルＵＴの少なくとも一つを含む。この基板ハンドラは、それぞれ、基板をこの積込みおよび荷卸しテーブルから出し入れする輸送を容易にするために搬送装置を含むこともできる。この基板ハンドラは、基板を荷卸しおよび積込みテーブル、それぞれ、ＵＴ、ＬＴ上に基板を支持するために、ｅピンＥＰを含むこともできる。
【００７２】
一例では、清浄ガス供給システムＦＵ、ＩＰ、ＯＰが、未露光基板の熱予備調節中にこの未露光基板へ清浄ガスを供給するために積込みテーブルＬＴの上に配置してある。
【００７３】
更なる例では、図５に示すように、清浄ガス供給システムＦＵが、基板テーブルＷＴ上の基板ＵＷの走査および露光の少なくとも一つ中に未露光基板ＵＷへ清浄ガスを供給するために、荷卸しテーブルＵＴの下に配置してある。この様にして、過剰圧力を創り、それが、浮流粒子が、特に、未露光基板ＵＷに達するのを防ぐ。これは、商品のコストへの影響が比較的少なくて達成できる。更に、状態調節した環境が、この装置内で基板Ｗ、ＵＷ、ＥＷを配置する場所にできる。この状態調節した環境の場所は、この装置内で清浄ガスを利用する効率を改善するために制御することができる。この様にして、ある特定の領域、例えば、未露光基板を処理する環境を効果的方法で状態調節することができる。この様にして、改良した特別な汚染性能を達成し、それが顧客収率を改善し、所有コストを改善する結果となる。これは、フラットパネルディスプレイのような、像面積の大きいデバイスを作るように構成した装置で特に望ましい。フラットパネルディスプレイ製造では、フラットパネルディスプレイ対集積回路（ＦＰＤ／ＩＣ）比が約（５００×４００ｍｍ２）（２６×３２ｍｍ２）で、それは約２４０に等しい。しかし、この比は、約０．１から１０００位まで変動し得る。
【００７４】
上述のように、清浄ガス供給システムＦＵ、ＩＰ、ＯＰは、清浄ガスＧを基板がある少なくとも一つの場所Ｌへ供給するように構成してある。この清浄ガス供給システムの更なる詳細を図１０に示し且つそれを参照して説明する。
【００７５】
一例で、清浄ガス供給システムＦＵ、ＩＰ、ＯＰは、可動に取付けてある。一例で、清浄ガス供給システムＦＵ、ＩＰ、ＯＰは、基板ハンドラＬＴ、ＵＴの上に取付けてある。更に、この清浄ガス供給システムＦＵ、ＩＰ、ＯＰは、基板ハンドラＬＴ、ＵＴと共に動くことができる。この基板ハンドラは、積込みテーブルＬＴおよび荷卸しテーブルＵＴの少なくとも一つを含むことができる。
【００７６】
一例で、清浄ガス供給システムＦＵ、ＩＰ、ＯＰは、基板ハンドラＬＴの上側ＵＳに取付けてある。特に、積込みテーブルＬＴの上側ＵＳに。
【００７７】
この清浄ガス供給システムは、清浄ガスＧを基板を置ける積込みおよび荷卸しテーブルＵＴの少なくとも一つの上の場所Ｌの方へ向けるように構成してある。図５に示す実施例では、積込みテーブルＬＴの上の場所Ｌに基板が示してない。しかし、このサイクル中の図６ａないし図６ｇの例示シーケンスを参照して説明するように、基板を基板テーブルＷＴへ装填するためにこの場所に持って来る。積込みテーブルＬＴは、基板を基板テーブルＷＴへ装填するように構成してある。荷卸しテーブルＵＴは、基板テーブルＷＴから基板を卸すように構成してある。
【００７８】
更なる例では、清浄ガス供給システムＦＵ、ＩＰ、ＯＰが基板ハンドラＵＴの下側ＵＮＳに取付けてある。特に、荷卸しテーブルＵＴの下側ＵＮＳに取付けてあり、且つ清浄ガスを基板ＵＷがある基板テーブルＷＴ上の場所の方へ向けるように構成してある。
【００７９】
一例では、清浄ガス供給システムＦＵ、ＩＰ、ＯＰを基板ハンドラＬＴ、ＵＴ上に支持できるように取付けるために、支持体ＳＵを設けることができる。この支持体は、この清浄ガス供給システムを支持するのに適したどんな材料で作ってもよい。例えば、それは、金属構造、例えば、鋼でもよい。特に、この支持体は、この清浄ガス供給システムを積込みテーブルＬＴおよび荷卸しテーブルＵＴの少なくとも一つの上に支持可能に取付けるように構成してある。
【００８０】
図５に示す実施例では、フィルタユニットＦＵ用の支持体ＳＵが積込みテーブル上に配置してある。更に、第２フィルタユニットが荷卸しテーブルの下側ＵＮＳに配置してある。この清浄ガス供給システムは、従来のシステムである。それは、フィルタユニットＦＵを含むことができる。このフィルタユニットは、ガス入口および清浄ガス出口を含む。このフィルタユニットＦＵは、ガスを取入れ、それを濾過する。この濾過したガスは、典型的に温度が約２３°Ｃ＋／−０．２°Ｃである。この濾過したガスを出口から清浄ガスとして出す。この清浄ガスは、粒子を濾過した空気である。一例で、フラットパネルディスプレイ製造のために危険な粒子は、約０．５μｍ以上である。一例で、フラットパネルディスプレイ製造の清浄空気は、ＩＳＯ１４６４４クラス２である。
【００８１】
一例で、この入口から取入れたガスは、外部環境から取入れてもよい。その代りに、それをリサイクルしてもよい。フィルタユニットＦＵは、基板ハンドラ上に可動に取付けてある。図６ないし図１０で更に詳しく分るように、この基板ハンドラは、基板がこの場所で配置してある平面と実質的に垂直な方向に可動である。
【００８２】
従来のリソグラフィ装置では、典型的には約４５秒の露光中に、荷下ろし装置と基板テーブル上の基板の下の容積に一つの特別問題領域ができることが分った。荷卸しテーブルＵＴの下側は、典型的には基板の表面から約４０ｍｍであることができる。従来のリソグラフィ装置では、この荷卸しテーブルの下に配置された未露光基板の上に直接清浄空気がもたらされることはない。上述のような、この問題は、本発明の少なくとも一つの実施例が、荷卸しテーブルＵＴの下側に清浄ガス供給システムを設けることによって対応する。この構成は、未露光基板の汚染を軽減し、従って結像品質を上げることが分った。
【００８３】
従来のリソグラフィ装置で、更なる特別問題領域は、積込みテーブルＬＴ上の未露光基板の上の領域である。この基板ハンドラがＺ方向に動くために、この積込みテーブル上の未露光基板の上の容積が増減、即ち変動する。このＺ方向の移動のために、この装置内に空気流が作り出され、浮遊粒子の汚染リスクを生じる。この汚染リスクは、基板テーブルの移動によって更に増す。これらの問題は、基板、基板テーブルおよび基板ハンドラのサイズが比較的大きい、フラットパネルディスプレイを製造するための装置で更に悪化する。この更なる問題は、本発明の実施例により、積込みテーブルの上に清浄ガスシステムを設け、それを更に基板ハンドラと共に動くように構成することによって対応する。
【００８４】
図６ａないし図６ｇは、本発明の一実施例による、清浄ガス供給シーケンスの側面図を描く。図５および図６ａないし図６ｇに示す実施例では、積込みか荷下ろしのどちらかの特定機能に専用の積込みテーブルＬＴおよび荷卸しテーブルＵＴを設けることができる。しかし、代替実施例では、非専用テーブルを使うことができる。例えば、このシーケンスの段階に依って、積込みテーブルおよび荷卸しテーブルがどちらであるかを説明する。それで、このシーケンスのある段階では、図５および図６ａないし図６ｇで最も上に示すテーブルを積込みテーブルと呼ぶことができ、このシーケンスの更なる段階では、同じテーブルを荷卸しテーブルと呼ぶことができる。図示するそのような実施例では、このシーケンスの特定の段階でテーブルの機能によって表して述べるように、この積込みと荷卸しテーブルの構造が実質的に同じである。図６ａないし図６ｇによって描くこのシーケンスで、この装置部品は、図５に示し且つそれを参照して説明したものに対応する。図６ａ、６ｂでは、投影システムＰＳにランプを示して、このシーケンスのこれらの部分中に露光が行われていることを示す。
【００８５】
図６ａは、このシーケンスの段階１を示す。図６ａは、スキャナのような、投影システムＰＳの下の未露光基板ＵＷ１を支持する出発位置にある基板テーブルＷＴを示す。基板テーブルＷＴは、このスキャナの下を矢印Ａで示す方向に動き、それによって基板Ｗを照射する。走査が行われている間、先に露光した基板ＥＷを今度はロボット（図示せず）によって矢印Ｂで示す方向に卸す。この未露光基板の露光が行われている間、フィルタユニットＦＵ２が清浄空気をこの基板上に向ける。
【００８６】
図６ｂは、このシーケンスの段階２を示す。図６ｂは、基板ＵＷ１が走査され続けるように、矢印Ａで示す方向に動き続ける基板テーブルＷＴを示す。走査を続ける間、更なる未露光基板ＵＷ２をロボット（図示せず）によって積込みテーブルＬＴ上に積込む。積込み中および一旦積込むと、フィルタユニットＦＵ１は、清浄空気をこの更なる未露光基板ＵＷ２の方へ向ける。それで、未露光ウエハの汚染のリスクを軽減する。図６ａおよび６ｂでは、ｅピン機構が基板を積込みおよび荷卸しテーブルへ、それぞれ、積込みおよび荷卸しするのを容易にするのを助ける。
【００８７】
図６ｃは、このシーケンスの段階３を示す。図６ｃは、基板ＵＷ１の全表面を完全に走査してしまうように、その最大“端”位置にある基板テーブルＷＴを示す。未露光基板ＵＷ１が今度は露光した基板ＥＷ１として表してあることに気付くだろう。これは、上に清浄ガス供給システムＦＵ１、ＦＵ２が配置してある基板ハンドラＬＴ、ＬＵを走査レベルまで矢印Ｃで示す方向に下げるに十分な場所を空ける。
【００８８】
図６ｄは、このシーケンスの段階４を示す。図６ｄは、荷卸しテーブルが上に露光した基板ＥＷ１が配置してある基板テーブルＷＴの上面と実質的に同じ高さであるようにそれを下げた位置の、基板ハンドラＬＴ、ＬＵを示す。一旦この位置にして、露光した基板ＥＷ１を基板テーブルＷＴから矢印Ｄで示す方向に荷卸しテーブルＵＴの上へ卸す。
【００８９】
図６ｅは、このシーケンスの段階５を示す。一旦露光した基板ＥＷ１を荷卸しテーブルＵＴに載せて、この基板ハンドラを、積込みテーブルＬＴの上面が基板テーブルＷＴの上面と実質的に同じ高さになるまで、矢印Ｅで示す方向に更に下方に動かす。一旦これらの上面が実質的に同じ高さになると、段階２で積込みテーブルＬＴの上に積込んだ第２未露光基板ＵＷ２を基板テーブルＷＴ上に積込み、そこでそれを後に露光する。荷卸しテーブルＵＴは、第２未露光基板ＵＷ２を矢印Ｆで示す方向に動かすように配置してある。
【００９０】
図６ｆは、このシーケンスの段階６を示す。一旦未露光基板ＵＷ２を基板テーブルＷＴ上に積込んでしまうと、この基板テーブルＷＴは、基板ハンドラが矢印Ｈで示すように上方に動く間、交換位置で待つ。第２未露光基板ＵＷ２の汚染のリスクを軽減するために、この基板を交換位置に保持する間および基板ハンドラを上方に動かす間、フィルタユニットＦＵ３が清浄空気をこの未露光基板の表面上に向けるように構成してある。この基板ハンドラは、荷卸しテーブルＵＴの下側に配置したフィルタユニットＦＵ２が清浄空気を、一旦露光位置へ動かされた、この未露光基板の上に向けられる位置になるまで上方に動かす。
【００９１】
図６ｇは、このシーケンスの段階７を示す。一旦基板ハンドラを、図６ｆに示すように、上げてしまうと、基板テーブルＷＴを矢印Ｉの方向に動かすことによって基板テーブルＷＴを露光位置へ動かす。まだ未露光基板ＵＷ２の汚染のリスクを更に軽減するために、この基板テーブルが露光位置へ動く間、フィルタユニットＦＵ２が清浄空気をこの基板の上へ向けるように構成してある。この様にして、汚染のリスクを更に軽減する。段階７の後、このシーケンスは、図６ａに示すように、段階１へ戻る。このシーケンスを繰返す。
【００９２】
図７は、本発明の更なる実施例による、リソグラフィ装置用清浄ガス供給システムの側面図を描く。特に、図７は、積込みテーブルＬＴを含む基板ハンドラの詳細を示す。この基板ハンドラは、更に、積込みおよび荷卸しテーブルの少なくとも一つの上にまたはから、それぞれ、基板の配置および除去の少なくとも一つをするためにロボットアームＲＯを含む。このロボットアームＲＯは、制御装置回路ＣＯによって制御する。
【００９３】
図７で、ロボットアームＲＯは、基板Ｗを積込みテーブルＬＴ上に配置するように構成してある。この基板の周りに清浄環境を維持するために、弁ＶＡを積込みおよび荷卸しテーブルＬＴ、ＵＴの少なくとも一つとロボットアームＲＯの間に設けることができる。この弁ＶＡは、このロボットアームに積込みおよび荷卸しテーブルの少なくとも一つに選択的にアクセスさせるように構成してある。図７で、弁ＶＡは、閉位置にある。ロボットアームＲＯに積込みテーブルにアクセスさせるためには、弁ＶＡを、例えば、上方または下方に動かす。言換えれば、積込みおよび荷卸しテーブルＬＴ、ＵＴを弁ＶＡで閉鎖できる箱と考えることができる。この弁は、このリソグラフィ装置をクリーンルームから孤立させる更なる弁、即ち、基板処理トラックとのインタフェースと組合わせることができる。一実施例で、フィルタユニットＦＵ１、ＦＵ２および弁ＶＡは、この基板の周りに清浄ガス環境を提供するように構成してある。
【００９４】
このリソグラフィ装置の基板付近の環境１０の清浄度は、少なくとも一つのシールＳＥによって更に改善できる。シールＳＥを積込みおよび荷卸しテーブルＬＴ、ＵＴの少なくとも一つと弁ＶＡの間に配置することができる。このシールは、内部に基板が配置してある環境を外部環境から封止するようの構成してある。これは、中に基板がある環境内に外部環境に関する過剰圧力を創り出すことによって行うことができる。このシールＳＥは、フィルタユニットＦＵ１と弁ＶＡの間の隙間によって作ることができる。更なるシールを積込みテーブルＬＴと上にこのフィルタユニットＦＵ１が取付けてある支持体ＳＵの間に設けることができる。例えば、このシールは、清浄ガス供給システムをこの基板ハンドラの上に支持する支持体ＳＵに作った隙間を含むことができる。
【００９５】
この清浄ガス供給システムは、中に基板が配置してある環境にガスを供給するように構成してある。図７で、このガスは、フィルタユニットＦＵ１によって供給する。このガスは、矢印Ｇで示すように流れる。この隙間は、この環境１０から外部２０へガスの制御した漏れが起るような寸法にしてある。ある量のガスをこの環境から逃すことによって、外部２０から、汚染しているかも知れない、ガスがこの環境１０に入るのを防ぐ。
【００９６】
一実施例で、このシールは、中に基板が配置してある環境から清浄なガスを漏れさせ、および外部環境からのガスが中に基板が配置してあるこの環境に入るのを防ぐように構成してある。例えば、このシールは、中に基板が配置してある環境内のガスがこの隙間で層流になるのが好ましいような寸法の隙間を含むことができる。層流に関して、レイノルズ数が形状寸法に依存する臨界値を超えないかも知れない。このレイノルズ数は、式（１）を使って従来の方法で計算する：
【００９７】
【数１】
0004526516.tif 000002
【００９８】
但し、Ｒｅはレイノルズ数、ρは流体密度、Ｄは代表距離、Ｖは流体速度およびμは流体粘度である。この隙間での空気の速度は、約１.５ｍ／secである。この隙間で層流を実現するためには、この隙間が約１５ｍｍでなければならない。もし、この流れが遅過ぎるなら、ガスが外部から漏れて入ってもよい。更に、もし、この流れが速過ぎるなら、この隙間での流れが乱流になることがあり、それも汚染したガスがこの環境１０に入るリスクを増す。
【００９９】
図７に、二つのシールが示してある。一実施例で、これらのシールは、同じ隙間寸法を有する。この様にして、均質な流れを実現する。代替実施例では、これらの隙間の寸法が異なってもよい。式（１）から、もしこの隙間の大きさを増すと、層流を維持するためにフィルタユニットＦＵを出る空気の速度が増すという結果になる。
【０１００】
図８は、本発明のその上更なる実施例による、リソグラフィ装置用清浄ガス供給システムの側面図を描く。特に、図８は、上にその下側にフィルタユニットＦＵ２が取付けてある荷卸しテーブルＵＴを含む、基板ハンドラの詳細を示す。この荷卸しテーブルＵＴは、フィルタユニットＦＵ２に堅く安定な取付け場所を提供する。
【０１０１】
図８に示すように、この基板テーブルは、矢印Ａで示す方向に走査運動するように構成してある。図８に示す実施例で、このシールは、基板テーブルＷＴが投影レンズＰＳの下を動くと動く。この可動シールは、フィルタユニットＦＵ２をこの基板に比較的近く、例えば、基板から約１５〜２５ｍｍに基板テーブルＷＴ上に配置することによって作る。特に、基板テーブルＷＴに関するシールＳＥの位置は動く。基板テーブルＷＴが走査方向に動くと、基板テーブルＷＴに関するこの可動シールＳＥは、この基板テーブル上に配置した基板の前縁３２および清浄ガス供給システムＦＵによって形成される。フィルタユニットＦＵ２の下前縁３０もこの環境１０のシールの維持に更に貢献するために形作ることができる。
【０１０２】
一例で、図８に示す実施例のこの隙間の大きさは、約１５〜２５ｍｍである。基板テーブルＷＴの速度に依って、フィルタユニットＦＵ２からのガス流Ｇは、適応するだろう。基板テーブルＷＴは、それが操作中に動くかまたは遊び行程中に動くかによって異なる速度で動く。この走査速度は、比較的遅く、例えば、毎秒約５０〜１００ｍｍである。しかし、この遊び行程速度は、比較的速く、例えば、毎秒約１ｍである。例えば、この遊び行程中、このシールを維持するための、この隙間での層流ガス流は、この遊び行程速度より速い。
【０１０３】
図９は、本発明の尚その上更なる実施例による、リソグラフィ装置用清浄ガス供給システムの側面図を描く。特に、図９は、上にフィルタユニットＦＵ１が取付けてある積込みテーブルＬＴ、荷卸しテーブルＵＴ、およびフィルタユニットＦＵ１から出た清浄ガスをこの荷卸しテーブルＵＴ上に配置した露光済基板ＥＷの方へ向けさせるように構成した、弁を含む基板ハンドラの詳細を示す。この様に、この実施例では、露光済基板ＥＷの周りに特別に能動的ミニ環境が設けてないが、この弁は、フィルタユニットＦＵ１からの清浄なガスを露光済基板ＥＷの上へ運ぶために使う。この弁ＶＡは、図７を参照して説明したように作動できる。しかし、その上、この弁は、フィルタユニットＦＵ１を出る濾過したガスＧが積込みテーブルＬＴの周りを通過してそれで露光済基板ＥＷへアクセスできるように、窪み４０を備える。一例で、この弁は、積込みテーブルＬＴの上に取付けたフィルタユニットＦＵ１からのガスを荷卸しテーブル上に配置した基板ＥＷの方へ向けさせるように構成できる。更に、この弁ＶＡは、ガスを荷卸しテーブルへ向けるために、積込みテーブルの周りを通すために、このガスが通る窪み４０を含むことができる。
【０１０４】
複数のシールＳＥ１、ＳＥ２、ＳＥ３が環境１０を取囲むために設けてある。第１シールＳＥ１は、フィルタユニットＦＵ１と弁ＶＡの間に設けてある。第２シールＳＥ２は、積込みテーブルＬＴと上にこのフィルタユニットＦＵ１が取付けてある支持体ＳＵの間に設けてある。第３シールＳＥ３は、荷卸しテーブルＵＴとこの基板ハンドラの壁部ＷＡの間に設けてある。これらのシールは、図７を参照して上に説明した方法で作ることができる。これらのシールは、均質な流れを確立するためには全て同じでよい。しかし、これは、必要ではない。
【０１０５】
図１０は、本発明の一実施例による、清浄ガス供給システムの詳細を示す。この清浄ガス供給システムは、ガスを濾過するためのフィルタユニットＦＵ、濾過すべきガスを熱的に状態調節するための熱交換器ＨＥ、このガスの流量を制御するためのファンユニットＦＡおよびこのガスを化学的に濾過するための化学フィルタＣＦの少なくとも一つを含むことができる。ガスは、例えば、外部環境から入口弁ＩＮへ取入れる。このガスは、最初ファンユニットＦＡを通過する前に化学的の濾過され得る。それは、ファンユニットＦＡを通過する前に熱的に状態調節されてもよい。このガスを濾過し、熱的に状態調節し、およびファンを通す順序は、状況に依って変ってもよい。一例で、この熱交換器ＨＥは、フィルタユニットＦＵの上流か下流に配置することができる。
【０１０６】
図１０に示す実施例では、この清浄ガス供給システムのユニットＦＵ、ＨＥ、ＦＡ、ＣＦが全て可動ユニットとして積込みテーブルＬＴの上に取付けた支持体ＳＵの上に取付けてある。代替実施例では、熱交換器ＨＥ、ファンユニットＦＡおよび化学フィルタＣＦの少なくとも一つをこのフィルタユニットに関して遠く離して位置付けることができる。例えば、このリソグラフィ装置の何処か他の場所に。
【０１０７】
一実施例で、フィルタユニットＦＵは、積込みテーブル上に可動に取付けてあるが、一方熱交換器ＨＥ、ファンユニットＦＡおよび化学フィルタＣＦは、何処か他の場所にある。更なる実施例では、フィルタユニットＦＵおよび熱交換器ＨＥが積込みテーブルＬＴ上に可動に取付けてあるが、一方ファンユニットＦＡおよび化学フィルタＣＦは、何処か他の場所にある。その上更なる実施例では、フィルタユニットＦＵ、熱交換器ＨＥおよびファンユニットＦＡが積込みテーブルＬＴ上に可動に取付けてあるが、一方化学フィルタＣＦは、何処か他の場所にある。これらのユニットの少なくとも一つが何処か他の場所にある実施例では、遠く離れたユニットから可動に取付けたユニットへガスを供給するために、供給要素が設けてある。清浄ガス供給システムのユニットを可動積込みテーブルＬＴ上に配置するかまたはこの装置内の何処かに配置するかによって、このリソグラフィ装置の限られたスペースを利用できる効率を各特定の装置に依って最適化する。
【産業上の利用可能性】
【０１０８】
この本文では、特定のデバイス（例えば、集積回路またはフラットパネルディスプレイ）の製造でリソグラフィ装置を使用することを具体的に参照できるが、ここで説明するリソグラフィ装置は、他の用途があることを理解すべきである。これらの用途には、集積回路、集積光学システム、磁区メモリ用誘導検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド、マイクロ電気機械デバイス（ＭＥＭＳ）等の製造があるが、それらに限らない。また、例えばフラットパネルディスプレイでは、本装置を多種多様な層、例えば、薄膜トランジスタ層および／またはカラーフィルタ層の創成を支援するために使うことができる。
【０１０９】
上では光リソグラフィの文脈で本発明の実施例を使用することを特に参照できたが、本発明は、他の用途、例えば、印写リソグラフィで使うことができ、その場合事情が許せば、光リソグラフィに限定されないことが分るだろう。印写リソグラフィでは、パターニング装置の表面微細構造が基板上に創るパターンを決める。このパターニング装置の表面微細構造を基板に加えたレジストの層に押付けることができ、その場合このレジストを電磁放射線、熱、圧力またはその組合せを加えて硬化する。このパターニング装置をレジストが硬化してからこのレジストから移動し、パターンを残す。
【０１１０】
本発明の特定の実施例を上に説明したが、本発明を説明したのと別の方法で実施してもよいことが分るだろう。例えば、本発明は、上に開示した方法を記述する機械可読命令の一つ以上のシーケンスを含むコンピュータプログラム、またはそのようなコンピュータプログラムを記憶したデータ記憶媒体（例えば、半導体メモリ、磁気若しくは光ディスク）の形を採ってもよい。
【０１１１】
（結論）
本発明の種々の実施例を上に説明したが、それらは、例として呈示したに過ぎず、限定ではないことを理解すべきである。当業者には、それに本発明の精神および範囲から逸脱することなく形および詳細の点で種々の変更を加えることができることが明白だろう。それで、本発明の幅および範囲は、上に説明した実施例のどれによっても限定されるべきでなく、以下の請求項およびその等価物に従ってのみ定義されるべきである。
【０１１２】
この“実施例”の部分は、請求項を解釈するために使われることを意図するが、“課題を解決するための手段”および“要約書”の部分は、それに使われることを意図しないことを理解すべきである。この“課題を解決するための手段”および“要約書”の部分は、発明者が意図する通りの本発明の模範的な実施例を一つ以上示せるが、全ては示せず、それで、本発明および添付の請求項をいずれにしても制限することを意図しない。
【図面の簡単な説明】
【０１１３】
【図１】本発明の実施例による、リソグラフィ装置を示す。
【図２】本発明の実施例による、リソグラフィ装置を示す。
【図３】図２に示す本発明の実施例を使って基板にパターンを転写するモードを示す。
【図４】本発明の一実施例による、光学エンジンの構成を示す。
【図５】本発明の実施例による、リソグラフィ装置用清浄ガス供給システムの側面図を示す。
【図６ａ】本発明の実施例による、リソグラフィ装置用清浄ガス供給システムの側面図を示す。
【図６ｂ】本発明の実施例による、リソグラフィ装置用清浄ガス供給システムの側面図を示す。
【図６ｃ】本発明の実施例による、リソグラフィ装置用清浄ガス供給システムの側面図を示す。
【図６ｄ】本発明の実施例による、リソグラフィ装置用清浄ガス供給システムの側面図を示す。
【図６ｅ】本発明の実施例による、リソグラフィ装置用清浄ガス供給システムの側面図を示す。
【図６ｆ】本発明の実施例による、リソグラフィ装置用清浄ガス供給システムの側面図を示す。
【図６ｇ】本発明の実施例による、リソグラフィ装置用清浄ガス供給システムの側面図を示す。
【図７】本発明の実施例による、リソグラフィ装置用清浄ガス供給システムの側面図を示す。
【図８】本発明の実施例による、リソグラフィ装置用清浄ガス供給システムの側面図を示す。
【図９】本発明の実施例による、リソグラフィ装置用清浄ガス供給システムの側面図を示す。
【図１０】本発明の一実施例による、清浄ガス供給システムの詳細を示す。
【符号の説明】
【０１１４】
３２  前縁
４０  窪み
Ｃ  目標部分
ＣＦ  化学フィルタユニット
ＦＡ  ファンユニット
ＦＵ  フィルタユニット
ＦＵ１  フィルタユニット１
ＦＵ２  フィルタユニット２
Ｇ  清浄ガス
ＨＥ  熱交換器
ＩＬ  照明システム
ＩＰ  入口
Ｌ  基板がある場所
ＬＴ  基板ハンドラ、積込みテーブル
ＯＰ  出口
ＰＤ  パターニング装置
ＰＳ  投影システム
ＲＯ  ロボットアーム
ＳＥ  シール
ＳＵ  支持体
ＵＮＳ  基板ハンドラの下側
ＵＳ  基板ハンドラの上側
ＵＴ  基板ハンドラ、荷卸しテーブル
ＵＷ  未露光基板
ＶＡ  弁
Ｗ  基板
ＷＴ  基板テーブル
【図１】
0004526516.tif 000003
【図２】
0004526516.tif 000004
【図３】
0004526516.tif 000005
【図４】
0004526516.tif 000006
【図５】
0004526516.tif 000007
【図６ａ】
0004526516.tif 000008
【図６ｂ】
0004526516.tif 000009
【図６ｃ】
0004526516.tif 000010
【図６ｄ】
0004526516.tif 000011
【図６ｅ】
0004526516.tif 000012
【図６ｆ】
0004526516.tif 000013
【図６ｇ】
0004526516.tif 000014
【図７】
0004526516.tif 000015
【図８】
0004526516.tif 000016
【図９】
0004526516.tif 000017
【図１０】
0004526516.tif 000018