(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
各画素回路において有機エレクトロルミネッセンス素子を発光素子として用いるとともに、各画素回路では、上記有機エレクトロルミネッセンス素子が、入力される表示データ信号に基づく信号値電圧と、信号振幅基準電圧の電圧差に応じた輝度で発光するように駆動される表示パネル部と、
上記表示パネル部の温度情報を検出するパネル温度検出部と、
上記パネル温度検出部で検出された温度情報に応じて電圧変化量を決定する電圧変化量決定部と、
上記電圧変化量決定部で決定された電圧変化量に基づいて、上記表示パネル部の各画素回路に供給する上記信号振幅基準電圧の電圧値を変化させる信号振幅基準電圧可変部と、
上記表示パネル部で上記表示データ信号に基づく信号値電圧を生成する際の基準となる信号値基準電圧を生成するとともに、上記信号値基準電圧を、上記電圧変化量決定部で決定された電圧変化量に基づいて電圧値を変化させて上記表示パネル部に供給する信号値基準電圧生成部と、
を備え、
上記電圧変化量決定部は、上記有機エレクトロルミネッセンス素子の発光開始時におけるアノード電位の上昇量についての、温度に応じた変動と同量かつ同方向に、上記信号振幅基準電圧と上記信号値基準電圧を変化させるように、上記パネル温度検出部で検出された温度情報に応じて電圧変化量を決定する表示装置。
【請求項２】
上記電圧変化量決定部には、上記信号振幅基準電圧の上限値の情報が与えられ、上記上限値を超えない範囲で電圧変化量を決定する請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
各画素回路において有機エレクトロルミネッセンス素子を発光素子として用いるとともに、各画素回路では、上記有機エレクトロルミネッセンス素子が、入力される表示データ信号に基づく信号値電圧と、信号振幅基準電圧の電圧差に応じた輝度で発光するように駆動される表示パネル部を備えた表示装置の表示駆動方法として、
上記表示パネル部の温度情報を検出するステップと、
検出された温度情報に応じて電圧変化量を決定するステップと、
決定された電圧変化量に基づいて、上記表示パネル部の各画素回路に供給する上記信号振幅基準電圧の電圧値を変化させるステップと、
上記表示パネル部で上記表示データ信号に基づく信号値電圧を生成する際の基準となる信号値基準電圧を生成するとともに、上記信号値基準電圧を、決定された電圧変化量に基づいて電圧値を変化させて上記表示パネル部に供給するステップと、
を備え、
上記電圧変化量を決定するステップでは、上記有機エレクトロルミネッセンス素子の発光開始時におけるアノード電位の上昇量についての、温度に応じた変動と同量かつ同方向に、上記信号振幅基準電圧と上記信号値基準電圧を変化させるように、上記パネル温度検出部で検出された温度情報に応じて電圧変化量を決定する表示駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子として有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）を用いた表示装置と、その表示駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
【特許文献１】特開２００５−２６５９３７号公報
【特許文献２】特開２００３−３３０４１９号公報
【０００３】
フラットパネルディスプレイは、コンピュータディスプレイ、携帯端末、テレビジョン受像器などの製品で広く普及している。現在、主には液晶ディスプレイパネルが多く採用されているが、依然、視野角の狭さや、応答速度の遅さが指摘され続けている。一方、自発光素子で形成された有機エレクトロルミネッセンス（Electroluminescence：以下、ＥＬ）ディスプレイは、前記の視野角や応答性の課題を克服できるのに加え、バックライト不要の薄い形態、高輝度、高コントラストを達成できるため、液晶ディスプレイに代わる次世代表示装置として期待されている。
【０００４】
有機ＥＬディスプレイにおいては、液晶ディスプレイと同様、その駆動方式としてパッシブマトリクス方式とアクティブマトリクス方式とがある。前者は構造が単純であるものの、大型且つ高精細のディスプレイの実現が難しいなどの問題がある為、現在はアクティブマトリクス方式の開発が盛んに行なわれている。このアクティブマトリクス方式は、各画素回路内部の発光素子に流れる電流を、画素回路内部に設けた能動素子（一般には薄膜トランジスタ：ＴＦＴ）によって制御するものである。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
有機ＥＬ素子は、印加された電流に応じた輝度で発光する。そして、有機ＥＬ素子に流す電流を、映像信号としての信号値に応じて制御することで、所望の発光輝度を得ることができる。そのためには上記の能動素子（ＴＦＴ）が、映像信号の信号値に応じた定電流源として機能すればよい。具体的には、飽和領域動作により定電流源として機能するＴＦＴ（駆動トランジスタ）のゲート・ソース間電圧として信号値電圧を書き込み、このゲート・ソース間電圧に応じた電流を有機ＥＬ素子に流すようにする。
【０００６】
ここで、有機ＥＬ素子のＩ−Ｖ特性（電流−電圧特性）は、温度によって変動することが知られている。
このため、信号値に応じた定電流駆動を行うとしても、温度によって有機ＥＬ素子の両端電圧（アノード・カソード間電圧）の変動特性に起因して、上記ゲート・ソース間電圧の変動が発生し、これが電流量の変動、即ち発光輝度の変動として表れる。
このように有機ＥＬ素子を用いた表示装置では、温度によって輝度の変動が発生するという問題があった。
【０００７】
このような問題に対する手法としては、上記特許文献１，２等に挙げられるような技術が存在する。
上記特許文献１には、有機ＥＬ素子の使用環境温度の変化や駆動電源電圧の変動によって電流値が変化した場合にあっても、電流値と発光期間の積を一定に保つことで、平均発光輝度の変動を抑える技術が記載されている。これは、輝度変動を、駆動トランジスタに与えるパルスデューティによって補正しようとするものである。
ところが有機ＥＬディスプレイにとって、パルスデューティというのは、階調成分を作成したり、または応答速度を変化させられたりと、簡易に輝度をコントロールできることから、様々な処理に使用されることが多いパラメータである。このパラメータを欠点補正に割いてしまうことは、それらの制御の使用を制限してしまうことにつながってしまうという課題が残されている。
【０００８】
特許文献２では、検出した周囲の温度から、適正な輝度になるように表示データを補正することで、パネルの輝度を調整できるようにしたものが記載されている。
この場合、輝度のみで考えれば、適正に補正することが可能になるが、補正に表示データの階調成分を使用してしまっており、映像の階調成分が減り、高画質を維持することが困難になってしまうという課題が残されている。
【０００９】
このように従来は、温度による輝度変動特性を補正しようとする場合、その発生原因を根本対策するようなものではなく、パルスデューティや映像信号といった、他の輝度を変化させられるパラメータの一部を占有して補正動作を行う手法が提案されており、画質や機能などの付加価値の成分を低減せざるを得なかったという課題が存在していた。
【００１０】
そこで本発明では、画素回路の動作に焦点をあて、基本動作を補正することで、他の画質に関わるパラメータを一切使用せずに、高画質を維持しながら、容易に、温度による輝度変動を補正できるようにする手法を提案する。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の表示装置は、各画素回路において有機エレクトロルミネッセンス素子を発光素子として用いるとともに、各画素回路では、上記有機エレクトロルミネッセンス素子が、入力される表示データ信号に基づく信号値電圧と信号振幅基準電圧の電圧差に応じた輝度で発光するように駆動される表示パネル部と、上記表示パネル部の温度情報を検出するパネル温度検出部と、上記パネル温度検出部で検出された温度情報に応じて電圧変化量を決定する電圧変化量決定部と、上記電圧変化量決定部で決定された電圧変化量に基づいて、上記表示パネル部の各画素回路に供給する上記信号振幅基準電圧の電圧値を変化させる信号振幅基準電圧可変部と、上記表示パネル部で上記表示データ信号に基づく信号値電圧を生成する際の基準となる信号値基準電圧を生成するとともに、上記信号値基準電圧を、上記電圧変化量決定部で決定された電圧変化量に基づいて電圧値を変化させて上記表示パネル部に供給する信号値基準電圧生成部とを備える。そして上記電圧変化量決定部は、上記有機エレクトロルミネッセンス素子の発光開始時におけるアノード電位の上昇量についての、温度に応じた変動と同量かつ同方向に、上記信号振幅基準電圧と上記信号値基準電圧を変化させるように、上記パネル温度検出部で検出された温度情報に応じて電圧変化量を決定する。
【００１２】
また上記電圧変化量決定部には、上記信号振幅基準電圧の上限値の情報が与えられ、上記上限値を超えない範囲で電圧変化量を決定する。
【００１３】
本発明の表示駆動方法は、各画素回路において有機エレクトロルミネッセンス素子を発光素子として用いるとともに、各画素回路では、上記有機エレクトロルミネッセンス素子が、入力される表示データ信号に基づく信号値電圧と、信号振幅基準電圧の電圧差に応じた輝度で発光するように駆動される表示パネル部を備えた表示装置の表示駆動方法として、上記表示パネル部の温度情報を検出するステップと、検出された温度情報に応じて電圧変化量を決定するステップと、決定された電圧変化量に基づいて、上記表示パネル部の各画素回路に供給する上記信号振幅基準電圧の電圧値を変化させるステップと、上記表示パネル部で上記表示データ信号に基づく信号値電圧を生成する際の基準となる信号値基準電圧を生成するとともに、上記信号値基準電圧を、決定された電圧変化量に基づいて電圧値を変化させて上記表示パネル部に供給するステップとを備える。そして上記電圧変化量を決定するステップでは、上記有機エレクトロルミネッセンス素子の発光開始時におけるアノード電位の上昇量についての、温度に応じた変動と同量かつ同方向に、上記信号振幅基準電圧と上記信号値基準電圧を変化させるように、上記パネル温度検出部で検出された温度情報に応じて電圧変化量を決定する。
【００１４】
このような本発明は、温度状況に応じて、信号振幅基準電圧（映像信号振幅のうちの黒レベルを決定するＶｏｆｓ電圧）と、画素回路に与える信号値の振幅を決めるための信号値基準電圧（γ基準電圧）を変動させる。
即ち映像信号（表示データ信号）や、パルスデューティには一切手を加えずに、信号振幅基準電圧（Ｖｏｆｓ電圧）と、信号値基準電圧（γ基準電圧）とを、初期の電位関係を保ったまま、上下に連動コントロールすることだけで、画素回路の発光表示性能を維持しながら、温度による輝度変動特性をキャンセルできるようにするものである。
【００１５】
有機ＥＬ素子の両端電圧は、電流印加により発光開始直後から上昇するが、有機ＥＬ素子のＩ−Ｖ特性の温度依存性により、その電流印加時の両端電圧の上昇の程度（ブートストラップの量）は、温度によって変動してしまう。ここで信号振幅基準電圧（Ｖｏｆｓ電圧）と信号値基準電圧（γ基準電圧）とを連動コントロールするのは、発光時の有機ＥＬ素子の両端電圧の上昇について温度による変動があっても、有機ＥＬ素子に電流を与える定電流源としての駆動トランジスタのゲート・ソース間電圧を一定に保つようにすることを意図するものである。駆動トランジスタのゲート・ソース間電圧が一定に保たれるようにすることで、有機ＥＬ素子に流れる電流量を一定にすることができる。即ち温度による発光輝度の変動を解消できる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、温度を検出し、温度によって変動する有機ＥＬ素子の両端電圧を把握しながら、信号振幅基準電圧（Ｖｏｆｓ電圧）と信号値基準電圧（γ基準電圧）をコントロールすることで、発光開始時に駆動トランジスタのゲート・ソース間電圧を温度にかかわらず一定に制御でき、従って、映像信号やパルスデューティに一切手を加えずに画質性能を維持したまま、輝度の温度特性補正を実現することが可能になるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の表示装置、表示駆動方法の実施の形態を説明する。
図１に実施の形態の表示装置の構成を示す。本例の表示装置は、有機ＥＬ素子を発光素子として用いる有機ＥＬディスプレイパネルモジュール１と、パネル温度検出部２と、γ基準電圧生成部３と、γ基準電圧情報格納メモリ４と、電圧変化量決定部５と、振幅基準電圧可変部６を備える。
【００１８】
まず図２、図３、図４を参照して有機ＥＬディスプレイパネルモジュール１について述べる。
図２に有機ＥＬディスプレイパネルモジュール１の構成の一例を示す。この有機ＥＬディスプレイパネルモジュール１は、有機ＥＬ素子を発光素子とし、アクティブマトリクス方式で発光駆動を行う画素回路１０を含むものである。
図２に示すように、有機ＥＬディスプレイパネルモジュール１は、画素回路１０が列方向と行方向にマトリクス状に配列された画素アレイ部２０と、データドライバ１１と、ゲートドライバ１２，１３，１４，１５を備える。
またデータドライバ１１により選択され、供給される表示データ信号に応じた信号値Ｖｓｉｇを画素回路１０に対する入力信号として供給する信号線ＤＴＬ１、ＤＴＬ２・・・が、画素アレイ部２０に対して列方向に配されている。信号線ＤＴＬ１、ＤＴＬ２・・・は、画素アレイ部２０においてマトリクス配置された画素回路１０の列数分だけ配される。
【００１９】
また画素アレイ部２０に対して、行方向に走査線ＷＳＬ１，ＷＳＬ２・・・、走査線ＤＳＬ１，ＤＳＬ２・・・、走査線ＡＺ１Ｌ１，ＡＺ１Ｌ２・・・、走査線ＡＺ２Ｌ１，ＡＺ２Ｌ２・・・が配されている。これらの走査線ＷＳＬ、ＤＳＬ，ＡＺ１Ｌ、ＡＺ２Ｌは、それぞれ、画素アレイ部２０においてマトリクス配置された画素回路１０の行数分だけ配される。
走査線ＷＳＬ（ＷＳＬ１，ＷＳＬ２・・・）は、画素回路１０への信号値Ｖｓｉｇの書込（ライトスキャン）を行うための走査線であり、ゲートドライバ１２により駆動される。ゲートドライバ１２は、設定された所定のタイミングで、行状に配設された各走査線ＷＳＬ１，ＷＳＬ２・・・に順次、走査パルスＷＳを供給して、画素回路１０を行単位で線順次走査する。
走査線ＤＳＬ（ＤＳＬ１，ＤＳＬ２・・・）はゲートドライバ１３により駆動される。ゲートドライバ１３は、有機ＥＬ素子の発光駆動のための走査パルスＤＳを、行状に配設された各電源線ＤＳＬ１，ＤＳＬ２・・・にそれぞれ所定タイミングで供給する。
走査線ＡＺ１Ｌ（ＡＺ１Ｌ１，ＡＺ１Ｌ２・・・）はゲートドライバ１４により駆動される。ゲートドライバ１４は、画素回路１０のリセット電圧（Ｖｒｓ）の供給のための走査パルスＡＺ１を、行状に配設された各走査線ＡＺ１Ｌ１，ＡＺ１Ｌ２・・・にそれぞれ所定タイミングで供給する。
走査線ＡＺ２Ｌ（ＡＺ２Ｌ１，ＡＺ２Ｌ２・・・）はゲートドライバ１５により駆動される。ゲートドライバ１４は、画素回路１０に対して信号振幅基準電圧（Ｖｏｆｓ）の供給のための走査パルスＡＺ２を、行状に配設された各走査線ＡＺ２Ｌ１，ＡＺ２Ｌ２・・・にそれぞれ所定タイミングで供給する。
【００２０】
データドライバ１１は、ゲートドライバ１２による線順次走査に合わせて、列方向に配された信号線ＤＴＬ１、ＤＴＬ２・・・に対して、画素回路１０に対する入力信号としての信号値（Ｖｓｉｇ）を供給する。
データドライバ１１は通常、階調に応じた出力電圧レベル（信号値Ｖｓｉｇのレベル）を決定するための基準電圧を外部からもらって、Ｄ／Ａ変換を行う手法が一般的であり、この基準電圧をγ基準電圧と呼んでいる。
汎用的には、各単色ごとに、０％階調時と１００％階調時の出力電圧を決定する最低２種類のアナログ電圧が入力され、中間階調は、ある特性（有機ＥＬ表示装置の場合は一般的にリニアな特性）で補間される。
図２の例では、γ基準電圧ＶｔR、ＶｂR、ＶｔG、ＶｂG、ＶｔB、ＶｂBがデータドライバ１１に入力され、これらのγ基準電圧ＶｔR、ＶｂR、ＶｔG、ＶｂG、ＶｔB、ＶｂBにより、ＲＧＢ各色ごとに１００％階調時の出力電圧Ｖｔ（ＶｔR、ＶｔG、ＶｔB）と０％階調時の出力電圧Ｖｂ（ＶｂR、ＶｂG、ＶｂB）が決定されることを示している。
データドライバ１１は、このようにγ基準電圧によって各色の１００％階調時の出力電圧Ｖｔと０％階調時の出力電圧Ｖｂが決定され、その出力電圧Ｖｔ〜Ｖｂの範囲で、入力される表示データ信号によって示されるＲ、Ｇ、Ｂ各色の階調値に応じた電圧値としての信号値Ｖｓｉｇを出力することになる。
なお、ある程度自由なγ特性補正を形成するために、１００％階調時と０％階調時の２点だけではなく、中間に数点の入力を持っているものも比較的多く存在するが、原理は同じで、入力される２点間の階調はリニアな特性などで補間される。
【００２１】
図３に画素回路１０の構成を示している。この画素回路１０が、図２の構成における画素回路１０のようにマトリクス配置される。なお、図３では簡略化のため、信号線ＤＴＬと走査線ＷＳＬ、ＤＳＬ、ＡＺ１Ｌ、ＡＺ２Ｌが交差する部分に配される１つの画素回路１０のみを示している。
実施の形態として採用できる画素回路１０の構成は多様に考えられるが、この例では、画素回路１０は、発光素子である有機ＥＬ素子３０と、１個の保持容量Ｃｓと、サンプリングトランジスタＴｒ１、駆動トランジスタＴｒ２、スイッチングトランジスタＴｒ３、リセット用トランジスタＴｒ４、振幅基準設定用トランジスタＴｒ５としての５個の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）とで構成されている。各トランジスタＴｒ１、Ｔｒ２、Ｔｒ３、Ｔｒ４、Ｔｒ５はｎチャネルＴＦＴとされている。
【００２２】
保持容量Ｃｓは、一方の端子が駆動トランジスタＴｒ２のソースに接続され、他方の端子が同じく駆動トランジスタＴｒ２のゲートに接続されている。
画素回路１０の発光素子は例えばダイオード構造の有機ＥＬ素子３０とされ、アノードとカソードを備えている。有機ＥＬ素子１のアノードは駆動トランジスタＴｒ２のソースに接続され、カソードは所定の接地配線（カソード電位Ｖcath）に接続されている。
サンプリングトランジスタＴｒ１は、そのドレインとソースの一端が信号線ＤＴＬに接続され、他端が駆動トランジスタＴｒ２のゲートに接続される。またサンプリングトランジスタのゲートは走査線ＷＳＬに接続されている。
スイッチングトランジスタＴｒ３は、そのドレインとソースの一端が電源電圧Ｖｃｃに接続され、他端が駆動トランジスタＴｒ２のドレインに接続される。またスイッチングトランジスタＴｒ３のゲートは走査線ＤＳＬに接続されている。
リセット用トランジスタＴｒ４は、そのドレインとソースの一端が駆動トランジスタＴｒ２のソースに接続され、他端が所定のリセット電位Ｖｒｓに接続される。またリセット用トランジスタＴｒ４のゲートは走査線ＡＺ１Ｌに接続されている。
振幅基準設定用トランジスタＴｒ５は、そのドレインとソースの一端が駆動トランジスタＴｒ２のゲートに接続され、他端が信号振幅基準電圧Ｖｏｆｓの供給ラインに接続される。また振幅基準設定用トランジスタＴｒ５のゲートは走査線ＡＺ２Ｌに接続されている。
【００２３】
このような画素回路１０の動作を図４を参照して簡単に説明する。図４（ａ）は信号線ＤＴＬに与えられる信号値Ｖｓｉｇ、図４（ｂ）は水平同期信号ＨＳ、図４（ｃ）は走査線ＷＳＬからサンプリングトランジスタＴｒ１のゲートに与えられる走査パルスＷＳ、図４（ｄ）は走査線ＡＺ１Ｌからリセット用トランジスタＴｒ４のゲートに与えられる走査パルスＡＺ１、図４（ｅ）は走査線ＡＺ２Ｌから振幅基準設定用トランジスタＴｒ５のゲートに与えられる走査パルスＡＺ２、図４（ｆ）は駆動トランジスタＴｒ２のゲート電圧Ｖｇ、図４（ｇ）は駆動トランジスタＴｒ２のソース電圧Ｖｓ、図４（ｈ）は走査線ＤＳＬからスイッチングトランジスタＴｒ３のゲートに与えられる走査パルスＤＳを、それぞれ示している。
【００２４】
水平同期信号ＨＳによって水平走査の開始時点が決められる。そして図における書込準備期間では、走査パルスＡＺ１，ＡＺ２によってリセット用トランジスタＴｒ４と振幅基準設定用トランジスタＴｒ５が導通される状態となり、これによって駆動トランジスタＴｒ２のゲート電圧Ｖｇ＝信号振幅基準電圧Ｖｏｆｓ、駆動トランジスタＴｒ２のソース電圧Ｖｓ＝リセット電圧Ｖｒｓとされる。この信号振幅基準電圧Ｖｏｆｓとリセット電圧Ｖｒｓの電位差は、駆動トランジスタＴｒ２の閾値電圧Ｖｔｈより十分に大きくなるように設定される。
続いて所定タイミングで、走査パルスＡＺ１がＬレベルとされ、また走査パルスＤＳがＨレベルとされる。即ちリセット用トランジスタＴｒ４がオフ、スイッチングトランジスタＴｒ３がオンとされる。これによって駆動トランジスタＴｒ２のドレインに電源電圧Ｖｃｃが印加されるとともに、駆動トランジスタＴｒ２のソースがリセット電圧Ｖｒｓから切り離される。このとき、駆動トランジスタＴｒ２のドレインーソース間に電流が流れ、駆動トランジスタＴｒ２のソース電圧Ｖｓが次第に上昇していく。そして駆動トランジスタＴｒ２のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓが閾値電圧Ｖｔｈに達した時点でドレインーソース間に流れていた電流が止まり（カットオフ状態）、以後、ソース電圧Ｖｓは、ゲート・ソース間電圧Ｖｇｓが閾値電圧Ｖｔｈとなる状態を維持する電位となる。
このようにゲート・ソース間電圧Ｖｇｓ＝閾値電圧Ｖｔｈとされるのは、素子毎の閾値電圧Ｖｔｈのバラツキの影響をキャンセルするためである。
【００２５】
その後、書込期間として、データドライバ１１によって信号線ＤＴＬに信号値Ｖｓｉｇが印加され、信号値Ｖｓｉｇの画素回路１０への書込が行われる。
この書込期間においては、走査パルスＤＳがＬレベルとされて電源電圧Ｖｃｃ印加が停止される。また走査パルスＡＺ２がＬレベルとされ、ゲート電位の信号振幅基準電圧Ｖｏｆｓでの固定が解除される。そして、走査パルスＷＳによってサンプリングトランジスタＴｒ１が導通されることで、信号線ＤＴＬからの信号値Ｖｓｉｇが保持容量Ｃｓに書き込まれる。
この書込期間では、駆動トランジスタＴｒ２のゲート電圧は、保持容量Ｃｓへの信号値Ｖｓｉｇの書込に応じて上昇する。結局、駆動トランジスタＴｒ２のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓは、Ｖｔｈ＋（Ｖｓｉｇ−Ｖｏｆｓ）となる。
【００２６】
書込期間に続いて発光期間としての動作が行われる。発光期間では、走査パルスＷＳがＬレベルとされてサンプリングトランジスタＴｒ１がオフとされ、一方、走査パルスＤＳによってスイッチングトランジスタＴｒ３が導通される。これによって駆動電源電圧Ｖｃｃからの電流供給により、駆動トランジスタＴｒ２が保持容量Ｃｓに保持された信号電位（即ち駆動トランジスタＴｒ２のゲート・ソース間電圧）に応じた電流を有機ＥＬ素子３０に流し、有機ＥＬ素子３０を発光させる。駆動トランジスタＴｒ２は飽和領域で動作し、有機ＥＬ素子３０に対して、信号値Ｖｓｉｇに応じた駆動電流を与える定電流源として機能する。
なお、有機ＥＬ素子３０に電流が流れることで有機ＥＬ素子３０の両端電圧ＶELが上昇するため、発光期間当初は、これに伴って駆動トランジスタＴｒ２のゲート電圧Ｖｇとソース電圧Ｖｓが上昇する（ブートストラップ現象）。即ち、ソース電圧Ｖｓは、Ｖcath＋ＶELの電位まで上昇し、ゲート電圧Ｖgは、そのソース電圧ＶｓからＶｔｈ＋（Ｖｓｉｇ−Ｖｏｆｓ）の電位差を保ちながら上昇する。
以上のような動作により画素回路１０の発光駆動が行われる。
【００２７】
図１に戻って、本例の構成を説明する。
表示データ信号は、有機ＥＬディスプレイパネルモジュール１に供給される。有機ＥＬディスプレイパネルモジュール１では、上記構成により、供給された表示データ信号に基づいて各画素の発光駆動が行われる。
【００２８】
パネル温度検出部２においては、温度情報としてパネル温度に相当するパラメータを検出し、電圧変化量決定部５に出力する。
温度情報として検出する温度に関するパラメータとしては、周囲温度または有機ＥＬディスプレイパネルモジュール１の温度の実測値でもよいし、他に上記した画素回路１０の有機ＥＬ素子３０のアノード電圧検出値などでもよい。即ち、温度状況を直接的又は間接的に示すパラメータであればよい。
【００２９】
電圧変化量決定部５は、入力される温度情報に応じて、信号振幅基準電圧Ｖｏｆｓ及びγ基準電圧ＶｔR、ＶｂR、ＶｔG、ＶｂG、ＶｔB、ＶｂBの電圧変化量を決定する。
なお、信号振幅基準電圧Ｖｏｆｓとγ基準電圧については、その変化量及び変化方向（電圧増加方向か低下方向か）は同一とする。つまり、温度情報に応じて１つの電圧変化量情報を決定する。
また、その電圧変化量（変化方向も含む）は、有機ＥＬ素子３０の発光開始時におけるアノード電位の上昇量（即ち上述した駆動トランジスタＴｒ２のソース電圧Ｖｓのブートストラップ量）についての、温度に応じた変動と同量かつ同方向として決定する。そして、このように決定した変化量の情報を、振幅基準電圧決定部５及びγ基準電圧生成部３に供給する。
但し、電圧変化量決定部５には、Ｖｏｆｓ上限値情報が入力され、電圧変化量決定部５は、あくまでも信号振幅基準電圧Ｖｏｆｓが、このＶｏｆｓ上限値情報の値を超えないようにする範囲で電圧変化量を決定する。
即ち、温度に応じて算出した電圧変化量の情報と、Ｖｏｆｓ上限値情報に対応する電圧変化量の情報のうちの小さい方を選択して、振幅基準電圧決定部５及びγ基準電圧生成部３に出力する。
【００３０】
振幅基準電圧可変部６は、所定の初期電圧値（Ｖｏｆｓ_default）として設定されている信号振幅基準電圧Ｖｏｆｓについて、電圧値（Ｖｏｆｓ_out）に電圧値変換を行って有機ＥＬディスプレイパネルモジュール１に供給する。この振幅基準電圧可変部６から出力される信号振幅基準電圧Ｖｏｆｓ（Ｖｏｆｓ_out）は、有機ＥＬディスプレイパネルモジュール１の全ての画素回路１０に共通に供給される。
この駆動電圧可変部６は、入力される初期電圧値（Ｖｏｆｓ_default）を、電圧変化量決定部５で決定された電圧変化量の情報に応じて電圧変換（電圧値の加減算）を行い、変換した電圧値（Ｖｏｆｓ_out）を信号振幅基準電圧Ｖｏｆｓとして有機ＥＬディスプレイパネルモジュール１に供給することになる。
【００３１】
図５は、振幅基準電圧可変部６の構成の一例を示している。例えば図のように電源可変コントロール部５１，デジタルポテンショメータ５２、抵抗Ｒ１を備えた構成とされる。
電源可変コントロール部５１は、入力電圧Ｖｉｎについて電圧可変した出力電圧Ｖｏｕｔを得る。
一般的な、電源可変コントロール回路は、スイッチングレギュレータとシリーズレギュレータに大別されるが、出力電圧Ｖｏｕｔを可変コントロールする手法は基本的に同一である。電圧可変量を比較的多く取りたい場合は、効率の関係上スイッチングレギュレータが選択されることがほとんどである。
電源可変コントロール部５１には、出力電圧をある電位でフィードバックさせるためのＦＢ端子が設けられており、この電位をある一定値に保とうとする動作で出力電圧を安定化させる。ＦＢ電位は一般的に１〜３Ｖ程度であるため、出力電圧を抵抗分圧し、ＦＢ端子に接続する構成により、電圧可変制御が可能となる。
即ちＦＢ電位はある値（例えば２Ｖ）で決められているため、出力電圧を可変させるためには抵抗分圧の比を変えてやれば良い。
このために一方を固定抵抗Ｒ１、もう一方を抵抗値可変のディジタル制御が可能なディジタルポテンショメータ５２を使用する。電圧変化量決定部５が算出した電圧変化量の情報をデジタルポテンショメータ５２に供給し、抵抗値を可変制御することで、初期電圧値（Ｖｏｆｓ_default）から電圧変化量を加減算した出力電圧Ｖｏｕｔとして、電圧値Ｖｏｆｓ_outの信号振幅基準電圧Ｖｏｆｓが得られ、これが有機ＥＬディスプレイパネルモジュール１の各画素回路１０に供給される。
【００３２】
γ基準電圧生成部３は、上述したγ基準電圧ＶｔR、ＶｂR、ＶｔG、ＶｂG、ＶｔB、ＶｂBを生成し、有機ＥＬディスプレイパネルモジュール１（データドライバ１１）に供給する。γ基準電圧生成部３は、基本的には、γ基準電圧情報格納メモリ４に格納されている情報（例えばγ基準電圧ＶｔR、ＶｂR、ＶｔG、ＶｂG、ＶｔB、ＶｂBとしての初期設定値）に基づいた電圧値としてのγ基準電圧ＶｔR、ＶｂR、ＶｔG、ＶｂG、ＶｔB、ＶｂBを生成する。
但し上記のように、γ基準電圧生成部３には、電圧変化量決定部５から電圧変化量の情報が供給される。γ基準電圧生成部３は、γ基準電圧情報格納メモリ４に格納されている情報に基づいて生成したデフォルトのγ基準電圧ＶｔR、ＶｂR、ＶｔG、ＶｂG、ＶｔB、ＶｂBのそれぞれについて、電圧変化量決定部５からの電圧変化量を加減算した電圧値を、実際に有機ＥＬディスプレイパネルモジュール１に供給するγ基準電圧ＶｔR、ＶｂR、ＶｔG、ＶｂG、ＶｔB、ＶｂBとすることになる。
【００３３】
一般にγ基準電圧は、汎用のＩＣなどで生成される。一般的には、ディジタルコントロールできるＤ／Ａ変換器を複数チャンネル出力でパッケージングしたもので、例えばパネル毎に最適値に調整されたガンマ基準電圧情報をＮＶＭ（不揮発性メモリ）などに格納しておき、その情報を吸い上げ、γ基準電圧生成ＩＣにデジタル値でコントロールするようにできる。このような汎用ＩＣが図１のγ基準電圧生成部３に相当し、ＮＶＭがγ基準電圧情報格納メモリ４に相当する。
従って、外部から、そのデジタル値を可変コントロールできるようにすることで、γ基準電圧をコントロールすることが可能になる。本例の場合、電圧変化量決定部５の変化量情報として、デジタル値を可変することで、γ基準電圧生成部３から出力されるγ基準電圧ＶｔR、ＶｂR、ＶｔG、ＶｂG、ＶｔB、ＶｂBを可変制御するものである。
そしてγ基準電圧ＶｔR、ＶｂR、ＶｔG、ＶｂG、ＶｔB、ＶｂBを可変制御することは、有機ＥＬディスプレイパネルモジュール１のデータドライバ１１が出力する信号値Ｖｓｉｇを可変させることになる。
【００３４】
以上のような本例の表示装置の動作について説明していく。
図６は、有機ＥＬ素子３０のＩ−Ｖ特性の温度による変動を示している。ここでは高温（６０℃）、常温（２５℃）、低温（−１０℃）のそれぞれにおいて、有機ＥＬ素子に流れる電流Ｉｄｓと有機ＥＬ素子３０の両端電圧ＶELの特性を示している。
このように有機ＥＬ素子３０のＩ−Ｖ特性は、温度が高くなるに連れて低電圧側へ、温度が低くなるに連れて高電圧側へと、電流に対する電圧の特性が変化していることがわかる。
例えば電流Ｉｄｓ＝ａの際の両端電圧ＶEL（アノード・カソード間電圧）は、温度によって図の電圧Ｖａ１，Ｖａ２、Ｖａ３のように異なるものとなる。
【００３５】
図７には、図６の特性から、横軸のパラメータを温度としたときの、有機ＥＬ素子３０の両端電圧ＶELの特性例として示したものである。なお縦軸の両端電圧ＶELは、２５°Ｃの際の両端電圧ＶEL＝１として規格化した値としている。
この図からは、温度に対し、ほぼ直線的な特性で両端電圧ＶELが変化していることがわかる。
このような特性から、温度によって発光時のＥＬ両端電圧が変動してしまうことは、一般的事実として知られており、画素回路の構成によっては、このことが原因して悪影響が発生する一例が輝度変動である。この発生メカニズムを次に説明する。
【００３６】
図８は、有機ＥＬ素子３０の両端電圧ＶELの温度変動が、輝度変動を引き起こしてしまうことを説明するための図である。
この図８では、駆動トランジスタＴｒ２のゲート電圧Ｖｇとソース電圧Ｖｓの変動を示している。これは図４で述べた動作において書込期間から発光期間に推移した際の電圧変動である。
ここで実線は、有機ＥＬ素子３０の温度が低い場合の電位の変化を示す。一方、破線は、有機ＥＬ素子３０の温度が高い場合の電位の変化を示す。
【００３７】
図示するように、有機ＥＬ素子３０の発光が開始するのに伴い、駆動電流に応じた電圧ＶELが有機ＥＬ素子３０の両極間に発生し、ソース電位Ｖｓの上昇が開始される。このとき、ゲート電位Ｖｇも、上昇するソース電位Ｖｓに押し上げられるように上昇を開始する。（ブートストラップ現象）
ただし、ソース電位Ｖｓの上昇には、電位ロスが不可避的に発生する。原因は、ゲート・ソース間電圧Ｖｇｓ間の保持容量Ｃｓの周りに存在する寄生容量の影響である。すなわち、信号電圧Ｖｓｉｇを保持容量Ｃｓに保持したまま変化しようとしても、保持容量Ｃｓに保持されている電荷の一部が寄生容量に逃げてしまう。
このため発光期間開始時点の（つまり書込期間で設定された）ゲート・ソース間電圧Ｖｇｓに対して、ブートストラップによりソース電圧Ｖｓとゲート電圧Ｖｇが押し上げられた後のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓ’は小さくなってしまう。
【００３８】
このゲート・ソース間電圧Ｖｇｓの変化は、発光時における電位上昇時に保持容量Ｃｓに維持できる電位量をゲインＧb （＜１）で表すと次式で表すことができる。
Ｖｇｓ’＝Ｖｇｓ−（１−Ｇb ）・ａ
なお、変数ａは、電位上昇時におけるソース電位Ｖｓの上昇電圧を意味する。つまり有機ＥＬ素子３０の両端電圧ＶELに応じた値である。
【００３９】
上記式より、ソース電位Ｖｓの上昇電圧（変数ａ）が小さいほど、発光の開始前後でゲート・ソース間電圧Ｖｇｓの変化が小さく済むことが分かる。
また上記式より、ソース電位Ｖｓの上昇電圧（変数ａ）が温度によらず一定であれば、画面輝度に温度特性が現れないことが分かる。
【００４０】
ところが図６、図７で述べたように、有機ＥＬ素子３０の両極間に発生する両端電圧ＶELは、駆動電流Ｉｄが同じでも温度が異なると大きく変化する。即ち温度が高いほど両端電圧ＶELは小さくなる。
そして有機ＥＬ素子３０の陰極端子（カソード）に印加されるカソード電位Ｖｃａｔは固定されているため、温度が異なると、図８に示すように、ソース電位Ｖｓの上昇電圧を与える変数ａが変化する現象が発生する。
すなわち実線で示す電圧変化の場合の変数ａとしての「ａ１」と、破線で示す電圧変化の場合の変数ａとしての「ａ２」が異なる値となる。この結果、実線で示す電圧変化の場合（低温時）のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓ’と、破線で示す電圧変化の場合（高温時）のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓ’’を比較すると、Ｖｇｓ’’＞Ｖｇｓ’となる。
有機ＥＬ素子３０には、駆動トランジスタＴｒ２のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓに応じた電流が印加されることで所定の輝度での発光を行うものである。
従って、同じ画素データに対応する信号電圧Ｖｓｉｇを保持容量Ｃｓを書き込んだとしても、温度に応じて発光輝度が変化する現象が発生する。
【００４１】
このような現象によって温度による輝度変化が生じることを解消するため、本実施の形態においては、検出されるパネル温度に相当するパラメータに応じて、信号振幅基準電圧Ｖｏｆｓ及びγ基準電圧を、有機ＥＬ素子３０の両端電圧ＶELの温度特性に基づく、ブートストラップ量の変動と同じ変化量（及び変化方向）で上下に連動コントロールするものである。
特には、上記の輝度変化は、温度に応じた変数ａの変動によるものであり、この変数ａの変動は即ち有機ＥＬ素子３０の両端電圧ＶELの変動である。
そこで本例では、信号振幅基準電圧Ｖｏｆｓ及びγ基準電圧の変化量は、有機ＥＬ素子３０の両端電圧ＶELの温度特性に関連して、発光を開始してからアノード電位が上昇する量を一定にコントロールし、発光時の駆動トランジスタＴｒ２のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓが、温度によって常に同量になるようにコントロールするものである。
いかなる温度状態においても発光時の駆動トランジスタＴｒ２のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓを一定に保てるようになることで、有機ＥＬ素子３０に流れる電流量を一定にすることができるようにする。
【００４２】
このような動作を図９で説明する。
図９は、両端電圧ＶELの温度変動に対し、同量／同方向に信号振幅基準電圧Ｖｏｆｓ及びγ基準電圧を変化させた場合に、最終的にゲート・ソース間電圧Ｖｇｓとして保持される電位について示したものである。
実線は、ある温度（仮に常温とする）での、駆動トランジスタＴｒ２のゲート電圧Ｖｇ、ソース電圧Ｖｓの変化を示したものである。
【００４３】
実線の電圧変動については図４を用いても説明したが、再度簡単に述べると、以下のようになる。
書込準備期間では、最初に、駆動トランジスタＴｒ２のゲート（Ｖｇ）に信号振幅基準電圧Ｖｏｆｓが供給され、ソース（Ｖｓ）にリセット電圧Ｖｒｓが供給されている状態からスタートする。
駆動トランジスタＴｒ２のソース（Ｖｓ）へのリセット電圧Ｖｒｓの供給を止め、駆動トランジスタＴｒ２のドレインに電源電圧Ｖｃｃが供給される状態にすると、ソース電圧Ｖｓが次第に電位上昇を始め、ゲート・ソース間電圧Ｖｇｓが閾値電圧Ｖｔｈの電位状態になったところで、ドレイン−ソース間電流の流れが止まり（カットオフ状態）、以後、ゲート・ソース間電圧Ｖｇｓとして閾値電圧Ｖｔｈが保持される。
【００４４】
書込期間では、駆動トランジスタＴｒ２のゲート（Ｖｇ）への信号振幅基準電圧Ｖｏｆｓの供給を止め、信号値Ｖｓｉｇ供給に切替えることで、ゲート・ソース間電圧Ｖｇｓには、今までの閾値電圧Ｖｔｈに加え、「Ｖｓｉｇ−Ｖｏｆｓ」電位が加算されることになる。
そして発光期間が開始され、その当初は、有機ＥＬ素子３０の両端電圧ＶELの発生と共にブートストラップ現象を伴うが、最終的にゲート・ソース間電圧Ｖｇｓには「Ｖｔｈ＋（Ｖｓｉｇ−Ｖｏｆｓ）」の電圧が書込まれることになる。このときソース電位がブートストラップする量をａ１と定義する。
【００４５】
ここで、温度が上昇する方向へ変化したとする。
温度上昇によって有機ＥＬ素子３０の両端電圧ＶELが低くなったことに伴い、発光期間の当初にソース電位Ｖｓのブートストラップする量が、図のａ２になったとする。
このとき、従来どおり何もしなければ、上述した図８の説明の通り、輝度上昇を招くことになってしまう。つまり、発光期間の当初に、ソース電圧Ｖｓが一点鎖線で示すように上昇することになり、結果としてゲート・ソース間電圧Ｖｇｓが増大して発光輝度が上昇してしまう。
【００４６】
このような輝度変動を避けるために本例では、温度が上昇した場合は、それに応じて信号振幅基準電圧Ｖｏｆｓとγ基準電圧を連動的に変化させる。
温度上昇時のゲート電圧Ｖｇとソース電圧Ｖｓの変動を破線で示している。
電圧変化量を「α」とし、この電圧変化量α＝ａ１−ａ２とする。そして信号振幅基準電圧Ｖｏｆｓを、Ｖｏｆｓ−αに、さらにγ基準電圧の制御により、信号値ＶｓｉｇをＶｓｉｇ−αに変化させた場合の状態が、破線で示すものである。
【００４７】
この破線の場合、信号振幅基準電圧Ｖｏｆｓが「Ｖｏｆｓ−α」に低下されるが、このため書込準備期間におけるソース電圧Ｖｓも実線の場合に比べて低下している。これはゲート電圧Ｖｇ＝Ｖｏｆｓ−αとされていると共に、書込準備期間では、ゲート・ソース間電圧Ｖｇｓ＝閾値電圧Ｖｔｈとなった時点でソース電圧Ｖｓが安定するためである。
そして書込期間では、駆動トランジスタＴｒ２のゲート（Ｖｇ）への信号振幅基準電圧Ｖｏｆｓ−αの供給を止め、信号値Ｖｓｉｇ（この場合Ｖｓｉｇ−α）の供給に切替えることで、ゲート・ソース間電圧Ｖｇｓには、今までの閾値電圧Ｖｔｈに加え、「（Ｖｓｉｇ−α）−（Ｖｏｆｓ−α）」電位が加算されることになる。即ち「Ｖｓｉｇ−Ｖｏｆｓ」電位である。
発光が開始されると、その当初の有機ＥＬ素子３０の両端電圧ＶELの発生と共にブートストラップ現象を伴うが、この場合のソース電位がブートストラップする量は、図のａ１’となる。この場合、ａ１’＝ａ１である。
結局、最終的にゲート・ソース間電圧Ｖｇｓには「Ｖｔｈ＋（Ｖｓｉｇ−Ｖｏｆｓ）」の電圧が書込まれることになる。
【００４８】
つまり、温度による有機ＥＬ素子３０の両端電圧ＶELの変動に起因するブートストラップ量の変化分（ａ１−ａ２）を、その変化方向を合わせて信号振幅基準電圧Ｖｏｆｓ及びγ基準電圧に反映させることで、ソース電位の最終ブートストラップ量を温度変動前のａ１と同量に戻すことができるようになる。このため、発光時にゲート・ソース間電圧Ｖｇｓに保持される電圧を「Ｖｔｈ＋Ｖｓｉｇ−Ｖｏｆｓ」に一定化コントロールすることが出来るようになる。
なお図９の破線の例としては、温度が上昇した場合を述べたが、温度が低下した場合は、逆にブートストラップ量の変化分（ａ１−ａ２）だけ、信号振幅基準電圧Ｖｏｆｓ及びγ基準電圧を上昇させればよい。
【００４９】
以上のような動作を可能にするため、信号振幅基準電圧Ｖｏｆｓならびにγ基準電圧は、両端電圧ＶELの温度による変化量と同量を同方向へ変化させてやれば良い。このことを図１１に示した。
図１１では、例えば温度２５°Ｃの場合の電圧値を「１」として規格化した電圧値を示しているが、電圧変化量決定部５が、温度情報に応じて、このように信号振幅基準電圧Ｖｏｆｓ及びγ基準電圧を制御する電圧変化量を算出することで、上記動作が実現される。つまり上述した電圧変化量αの情報を、振幅基準電圧可変部６及びγ基準電圧生成部３に与え、信号振幅基準電圧Ｖｏｆｓ及びγ基準電圧ＶｔR、ＶｂR、ＶｔG、ＶｂG、ＶｔB、ＶｂBの制御を行えばよい。
【００５０】
なお、ここで注意が必要なのは、信号振幅基準電圧Ｖｏｆｓの上げすぎである。画素動作の中で、書込準備期間におけるＶｔｈ特性キャンセル動作中に、有機ＥＬ素子３０のアノード電極には、Ｖｏｆｓ−Ｖｔｈの電位がかかることになる。この状態で、有機ＥＬ素子に電流が流れてしまうと、正しいＶｔｈ特性キャンセル動作に支障をきたすようになるため、この状態で、有機ＥＬ素子の発光開始電圧を超えないように注意する必要がある、
図１０には有機ＥＬ素子３０のＩ−Ｖ特性を示しているが、有機ＥＬ素子３０の両端電圧ＶELとして発光開始電圧Ｖｔを越えると、有機ＥＬ素子３０に電流が流れ始める。
このため、信号振幅基準電圧Ｖｏｆｓは、上限として、Ｖｏｆｓ−Ｖｔｈが有機ＥＬ素子の発光開始電圧Ｖｔを超えないようにする必要がある。そこで上述したように、電圧変化量決定部５には、この点を考慮したＶｏｆｓ上限値情報が設定され、この上限値を超えない範囲で、信号振幅基準電圧Ｖｏｆｓが可変（上昇）されるようにしているものである。
【００５１】
以上のように本実施の形態によれば、温度を検出し、温度によって変動する有機ＥＬ素子の両端電圧を把握しながら、信号振幅基準電圧Ｖｏｆｓと信号値基準電圧（γ基準電圧）をコントロールすることで、発光開始時に駆動トランジスタＴｒ２のソース電位のブートストラップ量を温度に対し一定値に制御できるようなり、結果、駆動トランジスタのゲート・ソース間電圧を温度にかかわらず一定に制御できる。従って、映像信号やパルスデューティに一切手を加えずに画質性能を維持したまま、輝度の温度特性補正を実現することが可能になるという効果がある。
また、γ基準電圧の制御を、信号振幅基準電圧Ｖｏｆｓの制御と連動させるわけであるが、映像信号（表示データ信号の階調値）自体には何らの補正を加えず、γ基準電圧によりデータドライバ１１の出力電圧（信号値Ｖｓｉｇ）を可変させることで輝度をコントロールすることは、階調再現性を１００％確保できる非常に有用な手法と言える。
【００５２】
また、ブートストラップ量を温度によらず一定にするためには、有機ＥＬ素子３０のカソード電圧を上下させるということも考えられるが、その場合、カソード電源のような大容量電源のコントロールが必要である。それに比較して本例の場合は、回路の小規模化を可能にし、簡易に実現できるという利点がある。
【００５３】
実施の形態としては、多様な変形例が考えられる。
有機ＥＬディスプレイパネルモジュール１における画素回路構成を図３に示したが、本発明は、図３以外の画素回路構成を採用する場合も適用できる。特にアクティブマトリクス方式で画素駆動を行う表示装置に好適である。
特に言えば、駆動トランジスタのＶｔｈ特性キャンセル動作を行った後に、駆動トランジスタのゲートに信号振幅基準電圧Ｖｏｆｓの電位、ソースにＶｏｆｓ−Ｖｔｈの電位が再現され、その後、信号値Ｖｓｉｇの電位をゲート電位に供給することで、ゲート・ソース間電圧Ｖｇｓとして「Ｖｔｈ＋（Ｖｓｉｇ−Ｖｏｆｓ）」の電位を書込むような動作をする画素回路であれば、全て本発明は適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の実施の形態の表示装置の構成のブロック図である。
【図２】実施の形態の有機ＥＬディスプレイパネルモジュールの説明図である。
【図３】実施の形態に画素回路の説明図である。
【図４】実施の形態の画素回路の動作の説明図である。
【図５】実施の形態の振幅基準電圧可変部の説明図である。
【図６】有機ＥＬ素子のＩ−Ｖ特性の説明図である。
【図７】有機ＥＬ素子の両端電圧特性の説明図である。
【図８】温度によるブートストラップ量の変動によるゲート・ソース間電圧変動の説明図である。
【図９】実施の形態の温度変化によらずゲート・ソース間電圧を維持する動作の説明図である。
【図１０】有機ＥＬ素子の発光開始電圧の説明図である。
【図１１】実施の形態の電圧制御例の説明図である。
【符号の説明】
【００５５】
１  有機ＥＬディスプレイパネルモジュール、２  パネル温度検出部、３  γ基準電圧生成部、４  γ基準電圧情報格納メモリ、５  電圧変化量決定部、６  振幅基準電圧可変部、１０  画素回路、１１  データドライバ、１２，１３，１４，１５  ゲートドライバ、２０  画素アレイ部、３０  有機ＥＬ素子、Ｃｓ  保持容量、Ｔｒ１  サンプリングトランジスタ、Ｔｒ２  駆動トランジスタ、Ｔｒ３  スイッチングトランジスタ、Ｔｒ４  リセット用トランジスタ、Ｔｒ５  振幅基準設定用トランジスタ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
0004530017.tif 000008
【図８】
0004530017.tif 000009
【図９】
0004530017.tif 000010
【図１０】
0004530017.tif 000011
【図１１】
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