(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、この基板の一主面に形成した一対の上面電極と、この一対の上面電極と電気的に接続されるように設けた抵抗体と、少なくとも前記抵抗体を覆うように設けられた保護層と、前記基板の端縁に前記一対の上面電極と電気的に接続されるように設けられた略コ字型の一対の側面電極とを備え、前記側面電極を、基板の端縁側に位置し、かつ基板への付着性の良いＣｒ薄膜、Ｔｉ薄膜、Ｃｒ系合金薄膜、Ｔｉ系合金薄膜のいずれかからなる第１の薄膜と、この第１の薄膜と電気的に接続されるＣｕ系の合金薄膜からなる第２の薄膜と、少なくとも前記第２の薄膜を覆うニッケルめっきからなる第１のめっき膜と、少なくとも前記第１のめっき膜を覆う第２のめっき膜の複層構造により構成した抵抗器。
【請求項２】
側面電極を構成する第２の薄膜を、ＣｕにＮｉを１．６重量％以上含有させたＣｕ−Ｎｉ合金薄膜で構成した請求項１記載の抵抗器。
【請求項３】
側面電極を構成する第１の薄膜および第２の薄膜を、基板の裏面から側面にかけて略Ｌ字型に構成した請求項１記載の抵抗器。
【請求項４】
シート状の基板の上面に複数対の上面電極層を設ける工程と、前記複数対の上面電極層と電気的に接続される複数の抵抗体を設ける工程と、少なくとも前記複数の抵抗体を覆うように複数の保護層を設ける工程と、前記複数の抵抗体における前記複数対の上面電極層間の抵抗値を修正するためにトリミングを行う工程と、前記シート状の基板に、前記複数対の上面電極層を分離して複数の短冊状基板に分割するためのスリット状の第１の分割部を複数形成する工程と、前記スリット状の第１の分割部が複数形成された状態のシート状の基板の裏面側から薄膜技術により複数のスリット状の第１の分割部の内面における基板の側面と前記上面電極層の側面に側面電極を形成する工程と、前記シート状の基板における複数の短冊状基板に、前記複数の抵抗体が個々に分離されて個片状基板に分割されるように前記スリット状の第１の分割部と直交する方向に複数の第２の分割部を形成する工程とを備えた抵抗器の製造方法。
【請求項５】
複数のスリット状の第１の分割部をダイシングにより形成した請求項４記載の抵抗器の製造方法。
【請求項６】
複数の第２の分割部をダイシングにより形成した請求項４記載の抵抗器の製造方法。
【請求項７】
複数の第２の分割部をレーザーにより形成し、その後、この第２の分割部を分割して個片状基板に分割するようにした請求項４記載の抵抗器の製造方法。
【請求項８】
シート状の基板の端部に不要領域部を形成し、かつ複数のスリット状の第１の分割部は複数の短冊状基板が前記不要領域部につながった状態となるようにシート状の基板に形成した請求項４記載の抵抗器の製造方法。
【請求項９】
シート状の基板の上面に複数対の上面電極層を設ける工程と、前記複数対の上面電極層と、電気的に接続される複数の抵抗体を設ける工程と、前記複数の抵抗体を覆うようにガラスを主成分とする複数の第１の保護層を設ける工程と、前記複数の抵抗体における前記複数対の上面電極層間の抵抗値を修正するためにトリミングを行う工程と、少なくとも前記ガラスを主成分とする複数の第１の保護層を覆うように樹脂層からなる複数の第２の保護層を設ける工程と、前記シート状の基板に、前記複数対の上面電極層を分離して複数の短冊状基板に分割するためのスリット状の第１の分割部を複数形成する工程と、前記スリット状の第１の分割部が複数形成された状態のシート状の基板の裏面側から薄膜技術により複数のスリット状の第１の分割部の内面における基板の側面と前記上面電極層の側面に側面電極を形成する工程と、前記シート状の基板における複数の短冊状基板に、前記複数の抵抗体が個々に分離されて個片状基板に分割されるように前記スリット状の第１の分割部と直交する方向に複数の第２の分割部を形成する工程とを備えた抵抗器の製造方法。
【請求項１０】
側面電極を、基板の端縁側に位置し、かつ基板への付着性が良いＣｒ薄膜、Ｔｉ薄膜、Ｃｒ系合金薄膜、Ｔｉ系合金薄膜のいずれかからなる第１の薄膜と、この第１の薄膜と電気的に接続されるＣｕ系の合金薄膜からなる第２の薄膜と、少なくとも前記第２の薄膜を覆うニッケルめっきからなる第１のめっき膜と、少なくとも前記第１のめっき膜を覆う第２のめっき膜の複層構造により構成し、かつ前記第１の薄膜と第２の薄膜は、スリット状の第１の分割部が複数形成された状態のシート状の基板の裏面側から薄膜技術により複数のスリット状の第１の分割部の内面における基板の側面と上面電極層の側面に形成し、さらに前記第１のめっき膜と第２のめっき膜は、第２の分割部により分割された個片状基板における前記第２の薄膜を覆うように設けた請求項９記載の抵抗器の製造方法。
【請求項１１】
複数のスリット状の第１の分割部をダイシングにより形成した請求項９記載の抵抗器の製造方法。
【請求項１２】
複数の第２の分割部をダイシングにより形成した請求項９記載の抵抗器の製造方法。
【請求項１３】
複数の第２の分割部をレーザーにより形成し、その後、この第２の分割部において個片状基板に分割するようにした請求項９記載の抵抗器の製造方法。
【請求項１４】
シート状の基板の端部に不要領域部を形成し、かつ複数のスリット状の第１の分割部は複数の短冊状基板が前記不要領域部につながった状態となるようにシート状の基板に形成した請求項９記載の抵抗器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は抵抗器およびその製造方法に関するものであり、特に微細な抵抗器およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来のこの種の抵抗器としては、特開平３−８０５０１号公報に開示された「側面電極を４層構造とした抵抗器」が知られている。
【０００３】
この抵抗器は、図２１に示すように、基板１の上面の両端部に位置して基板１の端面より内側に設けた一対の上面電極膜２を跨ぐように抵抗層３を設けるとともに、前記基板１の端面に一対の上面電極膜２と電気的に接続される一対のコ字型の側面電極４を設けている。そして前記側面電極４は、最下層に上面電極膜２と電気的に接続されるＮｉＣｒ薄膜、Ｔｉ薄膜またはＣｒ薄膜からなるコ字型の第１の金属薄膜５と、この第１の金属薄膜５に重畳する低抵抗のＣｕ薄膜からなる第２の金属薄膜６と、この第２の金属薄膜６に重畳するＮｉめっき膜からなる第１の金属めっき膜７と、さらにこの第１の金属めっき膜７に重畳するＰｂ−Ｓｎめっき膜またはＳｎめっき膜からなる第２の金属めっき膜８の４層構造となっていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記した従来の抵抗器においては、側面電極４における第２の金属薄膜６を低抵抗のＣｕ薄膜で構成しているため、この抵抗器を湿度の高い雰囲気中に放置すると、第２の金属薄膜６であるＣｕ薄膜とその下層である第１の金属薄膜５との界面において、第１の金属薄膜５と第２の金属薄膜６とが固溶しづらいため、水分等がこの界面に吸着されると、第１の金属薄膜５から第２の金属薄膜６が剥離しやすくなるという課題を有していた。
【０００５】
本発明は上記従来の課題を解決するもので、側面電極を構成する第１の薄膜と第２の薄膜との間の密着力が向上し、高い信頼性を有する抵抗器およびその製造方法を提供することを目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明は、以下の構成を有するものである。
【０００７】
本発明の請求項１に記載の発明は、基板と、この基板の一主面に形成した一対の上面電極と、この一対の上面電極と電気的に接続されるように設けた抵抗体と、少なくとも前記抵抗体を覆うように設けられた保護層と、前記基板の端縁に前記一対の上面電極と電気的に接続されるように設けられた略コ字型の一対の側面電極とを備え、前記側面電極を、基板の端縁側に位置し、かつ基板への付着性の良いＣｒ薄膜、Ｔｉ薄膜、Ｃｒ系合金薄膜、Ｔｉ系合金薄膜のいずれかからなる第１の薄膜と、この第１の薄膜と電気的に接続されるＣｕ系の合金薄膜からなる第２の薄膜と、少なくとも前記第２の薄膜を覆うニッケルめっきからなる第１のめっき膜と、少なくとも前記第１のめっき膜を覆う第２のめっき膜の複層構造により構成したもので、この構成によれば、基板の端縁に一対の上面電極と電気的に接続されるように設けられた略コ字型の一対の側面電極を、第１の薄膜と、第２の薄膜と、第１のめっき膜と、第２のめっき膜の複数構造により構成し、かつ第１の薄膜と電気的に接続される第２の薄膜をＣｕ系の合金薄膜により構成しているため、第１の薄膜と第２の薄膜との界面においては、Ｃｕ系の合金薄膜を構成する添加金属と第１の薄膜の構成金属とが全率固溶体を構成することになり、これにより、第１の薄膜と第２の薄膜との間の密着力が向上して信頼性を高めることができるという作用を有するものである。
【０００８】
請求項２に記載の発明は、特に、側面電極を構成する第２の薄膜を、ＣｕにＮｉを１．６重量％以上含有させたＣｕ−Ｎｉ合金薄膜で構成したもので、この構成によれば、第１の薄膜と第２の薄膜との界面において、Ｃｕ−Ｎｉ合金薄膜の第２の薄膜との間の密着力が向上して信頼性を高めることができるという作用を有するものである。
【０００９】
請求項３に記載の発明は、特に、側面電極を構成する第１の薄膜および第２の薄膜を、基板の裏面から側面にかけて略Ｌ字型に構成したもので、この構成によれば、基板の端縁に設けられ、かつ上面電極に電気的に接続される側面電極のうち、第１の薄膜と第２の薄膜を薄膜技術により形成する場合、基板の一方の面である裏面側のみから容易に形成できるため、生産性の向上が図れるという作用を有するものである。
【００１０】
請求項４に記載の発明は、  シート状の基板の上面に複数対の上面電極層を設ける工程と、前記複数対の上面電極層と電気的に接続される複数の抵抗体を設ける工程と、少なくとも前記複数の抵抗体を覆うように複数の保護層を設ける工程と、前記複数の抵抗体における前記複数対の上面電極層間の抵抗値を修正するためにトリミングを行う工程と、前記シート状の基板に、前記複数対の上面電極層を分離して複数の短冊状基板に分割するためのスリット状の第１の分割部を複数形成する工程と、前記スリット状の第１の分割部が複数形成された状態のシート状の基板の裏面側から薄膜技術により複数のスリット状の第１の分割部の内面における基板の側面と前記上面電極層の側面に側面電極を形成する工程と、前記シート状の基板における複数の短冊状基板に、前記複数の抵抗体が個々に分離されて個片状基板に分割されるように前記スリット状の第１の分割部と直交する方向に複数の第２の分割部を形成する工程とを備えたもので、この製造方法によれば、スリット状の第１の分割部が複数形成された状態のシート状の基板の裏面側から薄膜技術により複数のスリット状の第１の分割部の内面における基板の側面と上面電極層の側面に側面電極を形成するようにしているため、この側面電極は複数の短冊状基板毎に形成することなく、シート状の基板の状態で一括して形成することができるという作用を有するものである。
【００１１】
請求項５に記載の発明は、特に、複数のスリット状の第１の分割部をダイシングにより形成したもので、この製造方法によれば、個片状基板の寸法分類が不要であるため、工程の煩雑さをなくすることができるとともに、ダイシングも半導体等で一般的なダイシング設備を用いて容易に行うことができるという作用を有するものである。
【００１２】
請求項６に記載の発明は、特に、複数の第２の分割部をダイシングにより形成したもので、この製造方法によれば、個片状基板の寸法分類が不要であるため、工程の煩雑さをなくすることができるとともに、ダイシングも半導体等で一般的なダイシング設備を用いて容易に行うことができるという作用を有するものである。
【００１３】
請求項７に記載の発明は、特に、複数の第２の分割部をレーザーにより形成し、その後、この第２の分割部を分割して個片状基板に分割するようにしたもので、この製造方法によれば、第２の分割部を形成する毎に個片化されるのではなく、２段階で個片化されるという作用を有するとともに、個片状基板の分割はチップ抵抗器で一般的な分割設備を用いて行うことができるという作用を有するものである。
【００１４】
請求項８に記載の発明は、特に、シート状の基板の端部に不要領域部を形成し、かつ複数のスリット状の第１の分割部は複数の短冊状基板が前記不要領域部につながった状態となるようにシート状の基板に形成したもので、この製造方法によれば、複数のスリット状の第１の分割部を形成した後も複数の短冊状基板は不要領域部につながっているため、シート状の基板が複数の短冊状基板に細かく分類されるということはなく、したがって、複数のスリット状の第１の分割部を形成した後も、不要領域部を有するシート状の基板の状態で後工程を行うことができるため、工法設計が簡略化できるという作用を有するものである。
【００１５】
請求項９に記載の発明は、シート状の基板の上面に複数対の上面電極層を設ける工程と、前記複数対の上面電極層と電気的に接続される複数の抵抗体を設ける工程と、前記複数の抵抗体を覆うようにガラスを主成分とする複数の第１の保護層を設ける工程と、前記複数の抵抗体における前記複数対の上面電極層間の抵抗値を修正するためにトリミングを行う工程と、少なくとも前記ガラスを主成分とする複数の第１の保護層を覆うように樹脂層からなる複数の第２の保護層を設ける工程と、前記シート状の基板に、前記複数対の上面電極層を分離して複数の短冊状基板に分割するためのスリット状の第１の分割部を複数形成する工程と、前記スリット状の第１の分割部が複数形成された状態のシート状の基板の裏面側から薄膜技術により複数のスリット状の第１の分割部の内面における基板の側面と前記上面電極層の側面に側面電極を形成する工程と、前記シート状の基板における複数の短冊状基板に、前記複数の抵抗体が個々に分離されて個片状基板に分割されるように前記スリット状の第１の分割部と直交する方向に複数の第２の分割部を形成する工程とを備えたもので、この製造方法によれば、スリット状の第１の分割部が複数形成された状態のシート状の基板の裏面側から薄膜技術により複数のスリット状の第１の分割部の内面における基板の側面と上面電極層の側面に側面電極を形成するようにしているため、この側面電極は複数の短冊状基板毎に形成することなく、シート状の基板の状態で一括して形成することができる。また複数の抵抗体を覆うようにガラスを主成分とする複数の第１の保護層を設ける工程と、少なくとも前記ガラスを主成分とする複数の第１の保護層を覆うように樹脂層からなる複数の第２の保護膜を設ける工程とを備えているため、ガラスを主成分とする第１の保護層でレーザートリミング時のクラックの発生を防止することができ、これにより、電流雑音を小さくできるとともに、樹脂層からなる第２の保護層で抵抗体全体が覆われることにより、耐湿特性に優れた抵抗特性を確保できるという作用を有するものである。
【００１６】
請求項１０に記載の発明は、特に、側面電極を、基板の端縁側に位置し、かつ基板への付着性が良いＣｒ薄膜、Ｔｉ薄膜、Ｃｒ系合金薄膜、Ｔｉ系合金薄膜のいずれかからなる第１の薄膜と、この第１の薄膜と電気的に接続されるＣｕ系の合金薄膜からなる第２の薄膜と、少なくとも前記第２の薄膜を覆うニッケルめっきからなる第１のめっき膜と、少なくとも前記第１のめっき膜を覆う第２のめっき膜の複層構造により構成し、かつ前記第１の薄膜と第２の薄膜は、スリット状の第１の分割部が複数形成された状態のシート状の基板の裏面側から薄膜技術により複数のスリット状の第１の分割部の内面における基板の側面と上面電極層の側面に形成し、さらに前記第１のめっき膜と第２のめっき膜は、第２の分割部により分割された個片状基板における前記第２の薄膜を覆うように設けたもので、この製造方法によれば、第１の薄膜と電気的に接続される第２の薄膜をＣｕ系の合金薄膜により構成しているため、第１の薄膜と第２の薄膜との界面においては、Ｃｕ系の合金薄膜を構成する添加金属と第１の薄膜の構成金属とが全率固溶体を構成することになり、これにより、第１の薄膜と第２の薄膜との密着力が向上して信頼性を高めることができる。また第１のめっき膜と第２のめっき膜は、第２の分割部により分割された個片状基板における第２の薄膜を覆うように設けているため、めっき膜の形成もバレルめっき等により確実に形成することができるという作用を有するものである。
【００１７】
請求項１１に記載の発明は、特に、複数のスリット状の第１の分割部をダイシングにより形成したもので、この製造方法によれば、個片状基板の寸法分類が不要であるため、工程の煩雑さをなくすることができるとともに、ダイシングも半導体等で一般的なダイシング設備を用いて容易に行うことができるという作用を有するものである。
【００１８】
請求項１２に記載の発明は、特に、複数の第２の分割部をダイシングにより形成したもので、この製造方法によれば、個片状基板の寸法分類が不要であるため、工程の煩雑さをなくすることができるとともに、ダイシングも半導体等で一般的なダイシング設備を用いて容易に行うことができるという作用を有するものである。
【００１９】
請求項１３に記載の発明は、特に、複数の第２の分割部をレーザーにより形成し、その後、この第２の分割部を分割して個片状基板に分割するようにしたもので、この製造方法によれば、第２の分割部を形成する毎に個片化されるのではなく、２段階で個片化されるという作用を有するとともに、個片状基板の分割はチップ抵抗器で一般的な分割設備を用いて行うことができるという作用を有するものである。
【００２０】
請求項１４に記載の発明は、特に、シート状の基板の端部に不要領域部を形成し、かつ複数のスリット状の第１の分割部は複数の短冊状基板が前記不要領域部につながった状態となるようにシート状の基板に形成したもので、この製造方法によれば、複数のスリット状の第１の分割部を形成した後も複数の短冊状基板は不要領域部につながっているため、シート状の基板が複数の短冊状基板に細かく分類されるということはなく、したがって、複数のスリット状の第１の分割部を形成した後も、不要領域部を有するシート状の基板の状態で後工程を行うことができるため、工法設計が簡略化できるという作用を有するものである。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施の形態における抵抗器について、図面を参照しながら説明する。
【００２２】
図１は本発明の一実施の形態における抵抗器の断面図である。
【００２３】
図１に示すように本発明の一実施の形態における抵抗器は、基板１１と、この基板１１の上面に設けられた一対の上面電極１２と、この一対の上面電極１２間に設けられた抵抗体１３と、前記基板１１の端縁に設けられ、かつ略コ字型に囲む一対の側面電極１４とにより構成される。
【００２４】
上記抵抗体１３は、その抵抗値を所望の抵抗値に修正するために、抵抗体１３の上面にガラス等からなる第１の保護層１５を設け、そしてこの第１の保護層１５および抵抗体１３にレーザー等によりトリミング溝１６を設けて抵抗値を修正する。その後、少なくとも前記抵抗体１３を、好ましくは一対の上面電極１２間を重畳して跨ぐ抵抗体１３と、第１の保護層１５およびトリミング溝１６を覆うように樹脂またはガラス等からなる第２の保護層１７を備える。
【００２５】
また、前記一対の側面電極１４は、基板１１の端縁を上面電極１２と電気的に接続されるように略コ字型に囲んでいるもので、この側面電極１４は、基板１１の端縁側から順次形成される第１の薄膜１８と、第２の薄膜１９と、第１のめっき膜２０および第２のめっき膜２１の複層構造により構成される。第１の薄膜１８は、基板１１の裏面から側面にかけて略Ｌ字型に、基板１１への付着性の良いＣｒ，Ｃｒ系合金薄膜、Ｔｉ，Ｔｉ系合金薄膜またはＮｉＣｒ合金薄膜のいずれかをスパッタ、真空蒸着、イオンプレーティング、Ｐ−ＣＶＤ等の薄膜技術により形成する。第２の薄膜１９は、基板１１の裏面から側面にかけて略Ｌ字型に、かつ、第１の薄膜１８と重畳して電気的に接続されるＣｕ系の合金薄膜をスパッタ、真空蒸着、イオンプレーティング、Ｐ−ＣＶＤ等の薄膜技術により形成する。
【００２６】
第１のめっき膜２０は、露出する上面電極１２および第２の薄膜１９を覆うようにはんだの拡散防止または耐熱性に優れるＮｉめっき膜により形成する。さらに、第２のめっき膜２１は、第１のめっき膜２０を覆うようにはんだ付着性の良いＰｂ−Ｓｎめっき膜またはＳｎめっき膜により形成する。
【００２７】
以上のように構成された本発明の一実施の形態における抵抗器について、次にその製造方法を図面を参照しながら説明する。
【００２８】
図２は本発明の一実施の形態における抵抗器を製造する場合に用いられるシート状の基板の全周囲の端部に不要領域部を形成した上面図、図３（ａ）（ｂ）、図５（ａ）（ｂ）、図７（ａ）（ｂ）、図９（ａ）（ｂ）、図１１（ａ）（ｂ）および図１３（ａ）（ｂ）は本発明の一実施の形態における抵抗器の製造工程を示す断面図、図４（ａ）（ｂ）、図６（ａ）（ｂ）、図８（ａ）（ｂ）、図１０（ａ）（ｂ）、図１２（ａ）（ｂ）および図１４（ａ）（ｂ）は本発明の一実施の形態における抵抗器の製造工程を示す上面図である。
【００２９】
まず、図２、図３（ａ）、図４（ａ）に示すように、焼成済みの９６％純度のアルミナからなる厚み０．２ｍｍの絶縁性を有するシート状の基板３１を準備する。この場合、シート状の基板３１は、図２に示すように、全周囲の端部に最終的には製品とならない不要領域部３１ａを有しており、かつこの不要領域部３１ａは略ロ字状に構成されているものである。
【００３０】
そして、このシート状の基板３１の上面にスクリーン印刷工法により銀を主成分とする複数対の上面電極層３２を形成し、ピーク温度８５０℃の焼成プロファイルで焼成することにより、上面電極層３２を安定な膜とした。
【００３１】
次に、図２、図３（ｂ）、図４（ｂ）に示すように、複数対の上面電極層３２を跨ぐように、スクリーン印刷工法により酸化ルテニウム系の複数の抵抗体３３を形成し、ピーク温度８５０℃の焼成プロファイルで焼成することにより、抵抗体３３を安定な膜とした。
【００３２】
次に、図５（ａ）、図６（ａ）に示すように、複数対の抵抗体３３の一部を覆うように、スクリーン印刷工法によりガラスを主成分とする複数の第１の保護層３４を形成し、ピーク温度６００℃の焼成プロファイルで焼成することにより、ガラスを主成分とする第１の保護層３４を安定な膜とした。
【００３３】
次に、図５（ｂ）、図６（ｂ）に示すように、複数対の上面電極層３２間の抵抗体３３の抵抗値を一定の値に修正するために、レーザートリミング工法によりトリミングを行い、複数のトリミング溝３５を形成した。
【００３４】
次に、図７（ａ）、図８（ａ）に示すように、図面上の縦方向に並ぶガラスを主成分とする複数の第１の保護層３４の全部を覆うとともに、抵抗体３３の一部および上面電極層３２の一部を覆うように、スクリーン印刷工法により樹脂を主成分とする複数の第２の保護層３６を形成し、ピーク温度２００℃の硬化プロファイルで硬化することにより、第２の保護層３６を安定な膜とした。
【００３５】
次に、図２、図７（ｂ）、図８（ｂ）に示すように、第２の保護層３６を形成したシート状の基板３１の全周囲の端部に形成された不要領域部３１ａを除いて、複数対の上面電極層３２を分離して複数の短冊状基板３１ｂに分割するためのスリット状の第１の分割部３７をダイシング工法により複数形成する。この場合、複数のスリット状の第１の分割部３７は７００μｍピッチで形成されており、かつこのスリット状の第１の分割部３７の幅は１２０μｍ幅となっている。また前記複数のスリット状の第１の分割部３７は、シート状の基板３１を上下方向に貫通する貫通孔で形成されているものである。そしてまた前記シート状の基板３１は、不要領域部３１ａを除いてダイシング工法により複数のスリット状の第１の分割部３７を形成しているため、スリット状の第１の分割部３７を形成した後も複数の短冊状基板３１ｂは不要領域部３１ａにつながっているため、シート状態を呈しているものである。
【００３６】
次に、図９（ａ）、図１０（ａ）に示すように、マスク（図示せず）を用いたスパッタ工法により、シート状の基板３１の裏面側から、基板３１の裏面の一部と複数のスリット状の第１の分割部３７の内面における基板３１の端面、上面電極層３２の端面に、側面電極３８の一部を構成する基板３１への付着性が良いＣｒ薄膜からなる複数対の第１の薄膜３９を略Ｌ字型に形成する。
【００３７】
次に、図９（ｂ）、図１０（ｂ）に示すように、マスク（図示せず）を用いたスパッタ工法により、シート状の基板３１の裏面側から、複数対の第１の薄膜３９に重なるように、側面電極３８の一部を構成するＣｕ−Ｎｉ合金薄膜からなる複数対の第２の薄膜４０を略Ｌ字型に形成する。
【００３８】
次に、図２、図１１（ａ）（ｂ）、図１２（ａ）（ｂ）に示すように、シート状の基板３１の全周囲の端部に形成された不要領域部３１ａを除いて、シート状の基板３１における複数の短冊状基板３１ｂに、複数の抵抗体３３が個々に分離されて個片状基板３１ｃに分割されるようにスリット状の第１の分割部３７と直交する方向に複数の第２の分割部４１を形成する。この場合、複数の第２の分割部４１は４００μｍピッチで形成されるため、第２の分割部４１の幅は１００μｍ幅となっている。またこの複数の第２の分割部４１はレーザースクライブにより形成しているもので、まず、図１１（ａ）、図１２（ａ）に示すようにレーザーにより分割溝を形成し、その後、図１１（ｂ）、図１２（ｂ）に示すように一般的な分割設備により分割溝の部分を分割して個片状基板３１ｃに分割するようにしている。すなわち、この分割方法は、第２の分割部４１を形成する毎に個片化されるのではなく、２段階で個片化されるという作用を有するものである。そしてまたこの複数の第２の分割部４１は不要領域部３１ａを除いて複数の短冊状基板３１ｂにレーザースクライブにより形成するようにしているため、この複数の第２の分割部４１を形成する毎に個片状基板３１ｃに分割され、そしてこの個片状基板３１ｃは不要領域部３１ａから分離されるものである。
【００３９】
次に、図１３（ａ）、図１４（ａ）に示すように、電気めっき工法を用いて、側面電極３８の一部を構成する第２の薄膜４０を覆うとともに、露出している上面電極層３２の上面を覆うように厚みが約２〜６μｍで、かつはんだの拡散防止または耐熱性に優れるニッケルめっきからなる第１のめっき膜４２を形成する。
【００４０】
最後に、図１３（ｂ）、図１４（ｂ）に示すように、電気めっき工法を用いて、ニッケルめっきからなる第１のめっき膜４２を覆うように、厚みが約３〜８μｍで、かつはんだ付着性の良いスズめっきからなる第２のめっき膜４３を形成する。
【００４１】
以上の製造工程により、本発明の一実施の形態における抵抗器は製造されるものである。
【００４２】
なお、上記製造工程においては、第２のめっき膜４３をスズめっきで構成しているが、これに限定されるものではなく、スズ合金系の材料、例えば、はんだ等からなるめっきでもよく、これらの材料で構成した場合は、リフローはんだ付け時に安定したはんだ付けができるものである。
【００４３】
また上記製造工程においては、抵抗体３３等を覆う保護層を、抵抗体３３を覆うガラスを主成分とする第１の保護層３４と、この第１の保護層３４を覆うとともにトリミング溝３５を覆う樹脂を主成分とする第２の保護層３６の２層で構成しているため、前記第１の保護層３４でレーザートリミング時のクラックの発生を防止して電流雑音を小さくできるとともに、前記樹脂を主成分とする第２の保護層３６で抵抗体３３全体が覆われるため、耐湿性に優れた抵抗特性を確保できるものである。
【００４４】
そしてまた上記製造工程により製造した抵抗器は、ダイシング工法により形成されたスリット状の第１の分割部３７およびレーザースクライブにより形成された第２の分割部４１の間隔が正確（±０．００５ｍｍ以内）であるとともに、側面電極３８を構成する第１の薄膜３９、第２の薄膜４０の厚みおよび第１のめっき膜４２、第２のめっき膜４３の厚みも正確であるため、製品である抵抗器の全長および全幅は、正確に長さ０．６ｍｍ×幅０．３ｍｍとなるものである。また上面電極層３２および抵抗体３３のパターン精度も個片状基板の寸法ランク分類が不要であるとともに同一の個片状基板の寸法ランク内での寸法バラツキを考慮する必要がないため、抵抗体３３の有効面積も従来品に比べて大きくとることができるものである。すなわち、従来品における抵抗体は長さ約０．２０ｍｍ×幅０．１９ｍｍであったのに対し、本発明の一実施の形態における抵抗器の抵抗体３３は長さ約０．２５ｍｍ×幅０．２４ｍｍとなって面積では約１．６倍以上となるものである。
【００４５】
さらに上記製造工程においては、複数のスリット状の第１の分割部３７をダイシング工法を用いて形成するとともに、個片状基板の寸法分類が不要なシート状の基板３１を用いているため、従来のような個片状基板の寸法分類は不要となり、これにより工程の煩雑さをなくすることができるとともに、ダイシングも半導体等で一般的なダイシング設備を用いて容易に行うことができるものである。
【００４６】
さらにまた上記製造工程においては、シート状の基板３１は全周囲の端部に最終的には製品とならない不要領域部３１ａを形成し、かつ複数のスリット状の第１の分割部３７は複数の短冊状基板３１ｂが前記不要領域部３１ａにつながった状態となるようにシート状の基板３１に形成しているため、複数のスリット状の第１の分割部３７を形成した後も複数の短冊状基板３１ｂは不要領域部３１ａにつながっており、そのため、シート状の基板３１が複数の短冊状基板３１ｂに細かく分離されるということはなく、したがって、複数のスリット状の第１の分割部３７を形成した後も、不要領域部３１ａを有するシート状の基板３１の状態で後工程を行うことができるため、工法設計が簡略化できるものである。
【００４７】
また上記製造工程においては、側面電極３８を構成する第１の薄膜３９と第２の薄膜４０をマスク（図示せず）を用いたスパッタ工法により形成しているが、これに限定されるものではなく、上記マスク（図示せず）を用いずに、シート状の基板の裏面全体にも薄膜を形成しておき、その後、裏面全体に形成された薄膜の不要部分、すなわち裏面の略中央部分をレーザー照射により剥離除去して側面電極３８における裏面部分を形成するようにしてもよいものである。
【００４８】
次に、上記製造工程における側面電極３８の一部を構成する第２の薄膜４０について詳述する。
【００４９】
第２の薄膜４０の材料はＣｕ系の合金薄膜のうち、特にＣｕ−Ｎｉ合金薄膜が好ましい。
【００５０】
Ｃｕ−Ｎｉ合金薄膜は、添加材料のＮｉが合金薄膜主元素のＣｕおよび第１の薄膜３９に対してＣｕの全組成比率（範囲）においてＮｉが均一に溶け合うという「全率固溶体」を構成する。そのため、Ｃｕ−Ｎｉ合金薄膜からなる第２の薄膜４０と第１の薄膜３９との界面にはＮｉが拡散することになって強固な密着層を形成することになり、これにより、密着性の向上が図れる。また、第２の薄膜４０の最表面に存在するＮｉは、第１のめっき膜４２に用いられるニッケルめっきを形成するためのめっき浴で第２の薄膜４０の表面に対して防食性を高める効果があるため、第１のめっき膜４２と第２の薄膜４０の界面における密着性についても向上が図れる。
【００５１】
ここで、本発明の一実施の形態における「全率固溶体」とは、図１５に示す第２の薄膜を構成するＣｕ−Ｎｉ合金薄膜の平衡状態図の通りである。図１５において、横軸にＮｉ金属の添加量を、縦軸に温度をとると、実線で示す液相線より高い温度では液相状態であり、点線で示す固相線より低い温度では固相状態であり、これらの実線および点線で囲まれた領域は固相と液相とが混じり合った状態、つまり「全率固溶体」である。すなわち、本発明の一実施の形態におけるＣｕ−Ｎｉ合金薄膜からなる第２の薄膜４０は、母体金属である面心立方格子のＣｕ金属中に、同じ面心立方格子の結晶構造を有するＮｉ金属原子が溶け込んで一つの相である面心立方格子構造の置換型固溶体を全組織範囲に亘って形成するものである。
【００５２】
また、図１６はＣｒ薄膜からなる第１の薄膜３９とＣｕ−Ｎｉ合金薄膜からなる第２の薄膜４０のＳＩＭＳによる組成分析結果を示したものである。この時の第２の薄膜４０のＮｉ添加量は６．２ｗｔ％である。図１６は横軸にＣｕ−Ｎｉ合金薄膜の表面からの膜厚をスパッタリング時間で示し、かつ縦軸は各層でのＣｕ，Ｎｉ，Ｃｒ等の原子数を示したものである。この図１６から明らかなように、Ｃｕ−Ｎｉ合金薄膜層とＣｒ薄膜層との界面にはＣｕ，ＮｉおよびＣｒが各々存在する拡散層があるものの、Ｃｕ−Ｎｉ合金薄膜層の表面からＣｒ薄膜層との界面までの間においては、Ｃｕ金属中にＮｉ金属が均一に存在しているものである。これは、Ｃｕ−Ｎｉ合金薄膜からなる第２の薄膜４０が、Ｃｕ金属中にＮｉ金属が完全に溶け込んで一つの相を形成する「全固溶体」であることを示しているものである。またこの図１６では、Ｎｉ添加量を６．２ｗｔ％としたが、Ｎｉ添加量は全組成範囲において図１６に示したものと同一の結果が得られるものである。
【００５３】
次に、上記のように構成された本発明の一実施の形態における抵抗器において、Ｃｕ−Ｎｉ合金薄膜を第２の薄膜４０として用いた特性について説明する。
【００５４】
特性を説明する試験方法としては、「めっきの密着性試験方法／ＪＩＳ  Ｈ８５０４Ｃ」に規定された方法により実施し、試験用テープには図１７（ａ）（ｂ）に示すように、「セロハン粘着テープ／ＪＩＳ  Ｚ  １５２２」に規定された幅１８ｍｍの粘着テープ４４を使用した。この時、粘着テープ４４の引き剥がし方向は、「ＪＩＳ  Ｈ  ８５０４」に記載の図１７（ａ）（ｂ）に示すように、アルミナ基板４５に対して垂直方向または傾斜する方向とした。
【００５５】
すなわち、この試験方法は、試験片としてアルミナ基板４５を用い、このアルミナ基板４５の側面部分に第１の薄膜３９としてＣｒ薄膜をスパッタ工法で形成し、次に、この第１の薄膜３９の上に第２の薄膜４０としてＣｕ−Ｎｉ合金薄膜を第１の薄膜３９と同様、スパッタ工法で構成する。その後、レーザーを用いてパターン幅０．３ｍｍのパターンを形成する。
【００５６】
その後、温度６５℃で湿度９５％の条件における加速試験を行い、次に、第２の薄膜４０の表面に粘着テープ４４を密着させた後、この粘着テープ４４を一気に引き剥がし、全パターン数に対して第２の薄膜４０が剥離したパターン数の比率を求め、密着性の評価を行った。
【００５７】
また第１のめっき膜４２と第２の薄膜４０の界面の密着性の評価用試験片については、第２の薄膜４０を形成した後、第１のめっき膜４２としてニッケルめっきを、さらに第２のめっき膜４３としてはんだめっきを電解めっきで形成したものを用いた。
【００５８】
評価は、Ｃｕ−Ｎｉ合金薄膜中のＮｉ添加量が「１．６ｗｔ％」「６．２ｗｔ％」「１２．６ｗｔ％」であるものと、Ｎｉ添加量が「０ｗｔ％」であるものについて行った。
【００５９】
（表１）は、加速試験５００時間後の第２の薄膜４０と第１の薄膜３９の界面における剥離率の評価結果を示したものである。
【００６０】
【表１】
0004415502.tif 000002
【００６１】
（表１）から明らかなように、Ｃｕ薄膜中にＮｉを添加することにより、第２の薄膜４０と第１の薄膜３９の界面における密着性が大幅に向上するものである。
【００６２】
（表２）は、加速試験５００時間後の第１のめっき膜４２と第２の薄膜４０の界面における剥離率の評価結果を示したものである。
【００６３】
【表２】
0004415502.tif 000003
【００６４】
（表２）から明らかなように、Ｃｕ薄膜中にＮｉを添加することにより、第１のめっき膜４２と第２の薄膜４０の界面における密着性が大幅に向上するものである。
【００６５】
なお、上記本発明の一実施の形態においては、第１の薄膜３９と第２の薄膜４０をスパッタ工法を用いて形成したものについて説明したが、このスパッタ工法に限定されるものではなく、その他の工法である真空蒸着法、イオンプレーティング法、Ｐ−ＣＶＤ等の薄膜技術により第１の薄膜３９と第２の薄膜４０を形成した場合においても、本発明の一実施の形態と同様の効果が得られるものである。
【００６６】
また上記本発明の一実施の形態においては、第１の薄膜３９をＣｒ薄膜で形成したものについて説明したが、このＣｒ薄膜に限定されるものではなく、基板への付着性が良いその他のＣｒ−Ｓｉ合金薄膜、Ｎｉ−Ｃｒ合金薄膜、Ｔｉ薄膜、Ｔｉ系合金薄膜等の材料で第１の薄膜３９を形成した場合においても、本発明の一実施の形態と同様の効果が得られるものである。
【００６７】
そしてまた上記本発明の一実施の形態においては、最終的には製品とならない不要領域部３１ａをシート状の基板３１の全周囲の端部に形成して略ロ字状に構成したものについて説明したが、この不要領域部３１ａはシート状の基板３１の全周囲の端部に必ずしも形成する必要はなく、例えば、図１８に示すようにシート状の基板３１の一端部に不要領域部３１ｄを形成した場合、図１９に示すようにシート状の基板３１の両端部に不要領域部３１ｅを形成した場合、図２０に示すようにシート状の基板３１の３つの端部に不要領域部３１ｆを形成した場合においても、上記本発明の一実施の形態と同様の効果が得られるものである。
【００６８】
さらに上記本発明の一実施の形態においては、複数の第２の分割部４１をレーザースクライブにより形成したものについて説明したが、この第２の分割部４１は、スリット状の第１の分割部３７と同様にダイシング工法を用いて形成するようにしてもよいものである。この場合、ダイシングは半導体等で一般的なダイシング設備を用いて容易に行うことができるものである。
【００６９】
上記したように本発明の一実施の形態においては、図１に示すように、基板１１と、この基板１１の一主面（上面）に設けられた抵抗体１３と、少なくともこの抵抗体１３を覆うように設けられた第１の保護膜１５および第２の保護膜１７とを備え、前記基板１１の一主面（上面）に一対の上面電極１２を設けるとともに、この一対の上面電極１２間に抵抗体１３を設け、さらに前記基板１１の端縁に前記上面電極１２と電気的に接続されるように略コ字型に囲む一対の側面電極１４を設け、かつこの側面電極１４は、基板１１の端縁側から順次形成される基板１１への付着性の良いＣｒ薄膜、Ｔｉ薄膜、Ｃｒ系合金薄膜、Ｔｉ系合金薄膜またはＮｉＣｒ合金薄膜からなる第１の薄膜１８と、この第１の薄膜１８と電気的に接続されるＣｕ系の合金薄膜からなる第２の薄膜１９と、少なくともこの第２の薄膜１９を覆うＮｉめっきからなる第１のめっき膜２０と、少なくともこの第１のめっき膜２０を覆う第２のめっき膜２１の複層構造により構成しているため、Ｃｕ系の合金薄膜を構成する添加金属と第１の薄膜１８の構成金属とは第１の薄膜１８を第２の薄膜１９との界面において全率固溶体を構成することになり、これにより、第１の薄膜１８と第２の薄膜１９の密着力が向上するという効果が得られるものである。
【００７０】
また側面電極１４を構成する第２の薄膜１９は、ＣｕにＮｉを１．６重量％以上含有させたＣｕ−Ｎｉ合金薄膜で構成しているため、Ｃｕ−Ｎｉ合金薄膜のＮｉ成分と第１の薄膜１８の構成金属とが全率固溶体を構成することになり、これにより、第１の薄膜１８と第２の薄膜１９との間の密着力が向上するという効果が得られるものである。
【００７１】
そしてまた側面電極１４を構成する第１の薄膜１８および第２の薄膜１９は、基板１１の裏面から側面にかけて略Ｌ字型に構成しているため、第１の薄膜１８と第２の薄膜１９を薄膜技術により形成する場合、基板１１の裏面側のみから基板１１の上面側に向けて容易に形成することができ、これにより、生産性が向上するという効果が得られるものである。
【００７２】
【発明の効果】
以上のように本発明の抵抗器は、基板の端縁に一対の上面電極と電気的に接続されるように設けられた略コ字型の一対の側面電極を、第１の薄膜と、第２の薄膜と、第１のめっき膜と、第２のめっき膜の複層構造により構成し、かつ第１の薄膜と電気的に接続される第２の薄膜をＣｕ系の合金薄膜により構成しているため、第１の薄膜と第２の薄膜との界面においては、Ｃｕ系の合金薄膜を構成する添加金属と第１の薄膜の構成金属とが全率固溶体を構成することになり、これにより、第１の薄膜と第２の薄膜との間の密着力が向上して信頼性を高めることができるという効果を有するものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態における抵抗器の断面図
【図２】同抵抗器を製造する場合に用いられるシート状の基板の全周囲の端部に不要領域部を形成した状態を示す上面図
【図３】（ａ）（ｂ）同抵抗器の製造工程を示す断面図
【図４】（ａ）（ｂ）同抵抗器の製造工程を示す平面図
【図５】（ａ）（ｂ）同抵抗器の製造工程を示す断面図
【図６】（ａ）（ｂ）同抵抗器の製造工程を示す平面図
【図７】（ａ）（ｂ）同抵抗器の製造工程を示す断面図
【図８】（ａ）（ｂ）同抵抗器の製造工程を示す平面図
【図９】（ａ）（ｂ）同抵抗器の製造工程を示す断面図
【図１０】（ａ）（ｂ）同抵抗器の製造工程を示す平面図
【図１１】（ａ）（ｂ）同抵抗器の製造工程を示す断面図
【図１２】（ａ）（ｂ）同抵抗器の製造工程を示す平面図
【図１３】（ａ）（ｂ）同抵抗器の製造工程を示す断面図
【図１４】（ａ）（ｂ）同抵抗器の製造工程を示す平面図
【図１５】同抵抗器の第２の薄膜を構成するＣｕ−Ｎｉ合金薄膜の平衡状態図
【図１６】同抵抗器の第１の薄膜と第２の薄膜のＳＩＭＳによる組成分析結果の説明図
【図１７】（ａ）（ｂ）特性を説明する試験方法を示す図
【図１８】同抵抗器を製造する場合に用いられるシート状の基板の一端部に不要領域部を形成した状態を示す上面図
【図１９】同抵抗器を製造する場合に用いられるシート状の基板の両端部に不要領域部を形成した状態を示す上面図
【図２０】同抵抗器を製造する場合に用いられるシート状の基板の３つの端部に不要領域部を形成した状態を示す上面図
【図２１】従来の抵抗器の断面図
【符号の説明】
１１  基板
１２  上面電極
１３  抵抗体
１４  側面電極
１５  第１の保護層
１６  トリミング溝
１７  第２の保護層
１８  第１の薄膜
１９  第２の薄膜
２０  第１のめっき膜
２１  第２のめっき膜
３１  シート状の基板
３１ａ，３１ｄ〜３１ｆ  不要領域部
３１ｂ  短冊状基板
３１ｃ  個片状基板
３２  上面電極層
３３  抵抗体
３４  第１の保護層
３５  トリミング溝
３６  第２の保護層
３７  第１の分割部
３８  側面電極
３９  第１の薄膜
４０  第２の薄膜
４１  第２の分割部
４２  第１のめっき膜
４３  第２のめっき膜
【図１】
0004415502.tif 000004
【図２】
0004415502.tif 000005
【図３】
0004415502.tif 000006
【図４】
0004415502.tif 000007
【図５】
0004415502.tif 000008
【図６】
0004415502.tif 000009
【図７】
0004415502.tif 000010
【図８】
0004415502.tif 000011
【図９】
0004415502.tif 000012
【図１０】
0004415502.tif 000013
【図１１】
0004415502.tif 000014
【図１２】
0004415502.tif 000015
【図１３】
0004415502.tif 000016
【図１４】
0004415502.tif 000017
【図１５】
0004415502.tif 000018
【図１６】
0004415502.tif 000019
【図１７】
0004415502.tif 000020
【図１８】
0004415502.tif 000021
【図１９】
0004415502.tif 000022
【図２０】
0004415502.tif 000023
【図２１】
0004415502.tif 000024