(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理物（３３，４３）によってエネルギ源の特定の電磁放射線（３４，４４）を吸収して、エネルギ量を受容し、かつ少なくとも１つの別の被処理物（４３，３３）によって別のエネルギ源の少なくとも１つの別の特定の電磁放射線（４４，３４）を吸収して、少なくとも１つの別のエネルギ量を受容することによって、複数の被処理物（３３，４３）を特定のガス雰囲気（５０）内で熱処理する装置において、
被処理物の少なくとも１つが、エネルギ源の特定の電磁放射線の少なくとも一部を所定に吸収する少なくとも１つの層を備えた多層体であり、
前記装置は、
ガス雰囲気を生ぜしめる少なくとも１つの装置（１１）と、
電磁放射線（３４）を生ぜしめる少なくとも１つのエネルギ源（３２）を備えた熱処理ユニット（３）と、
別の電磁放射線（４４）を生ぜしめる少なくとも１つの別のエネルギ源を備えた少なくとも１つの別の熱処理ユニット（４）とを有し、
熱処理ユニット（３）と別の熱処理ユニット（４）とは次のように互いに積層されて積層熱処理ユニット（２）を形成する、つまり、積層熱処理ユニット（２）の所定の積層方向（２２）において、熱処理ユニット（３）に属するエネルギ源（３２）と別の熱処理ユニット（４）に属する別のエネルギ源（４２）との間に被処理物（３３）が、かつ該被処理物（３３）と別の被処理物（４３）との間に別のエネルギ源（４２）が配置されていて、被処理物（３３）は、エネルギ源（３２）と別のエネルギ源（４２）の電磁放射線（３４，４４）を吸収し得るように、互いに積層されて積層熱処理ユニット（２）を形成しており、
前記各エネルギ源は複数の棒形の加熱手段（６１）から成り、個々の棒形の加熱手段（６１）はそれぞれ包囲体（６０）内に配置されており、この包囲体は前記各エネルギ源の電磁放射線に対して少なくとも部分的に透明であり、前記各エネルギ源（３２，４２）の少なくとも１つが、放射線照射野を備えた特定の電磁放射線（３４，４４）を放出し、少なくとも１つの熱処理ユニット（３）が少なくとも１つの透明体を有しており、この透明体は、電磁放射線（３４，４４）の一部分を吸収しかつ透過させるものであって、熱処理ユニット（３）に隣接する別の熱処理ユニット（４）に属する別のエネルギ源（４２）の電磁放射線の放射線照射野内で当該別のエネルギ源（４２）と熱処理ユニット（３）の被処理物（３３）との間に配置されており、前記透明体（８）は、被処理物（３３）が熱処理時に前記透明体（８）上に接触するように、前記各エネルギ源（３２，４２）に対して間隔を保って配置されている、
ことを特徴とする、複数の被処理物を熱処理する装置。
【請求項２】
熱処理ユニット（３）の少なくとも１つが、付加的なエネルギ量を生ぜしめるため、及び付加的なエネルギ量を熱処理ユニットの被処理物によって受容させるために、少なくとも１つの付加的なエネルギ源（７）を有している、請求項１記載の装置。
【請求項３】
熱処理ユニットの少なくとも１つが、電磁放射線の少なくとも１つの放射線照射野を形成する少なくとも１つの反射体（５）を有しており、該反射体（５）によって、エネルギ源の電磁放射線が被処理物に向けられる、請求項１又は２記載の装置。
【請求項４】
反射体（５）が、電磁放射線の少なくとも１つに対して部分透過性である、請求項３記載の装置。
【請求項５】
熱処理ユニットの少なくとも１つが、被処理物の冷却のための少なくとも１つの手段（６２）を有している、請求項１から４までのいずれか１項記載の装置。
【請求項６】
エネルギ源の包囲体（６０）が冷却のための手段（６２）を有している、請求項１記載の装置。
【請求項７】
エネルギ源の包囲体（６０）が反射体（５２）を有している、請求項１から６までのいずれか１項記載の装置。
【請求項８】
熱処理ユニットの少なくとも１つが、熱処理ユニットの被処理物を保持するために、容器壁を備えた熱処理容器（１０）を有している、請求項１から７までのいずれか１項記載の装置。
【請求項９】
積層熱処理ユニット（２）が、積層体壁（２１）を有している、請求項１から８までのいずれか１項記載の装置。
【請求項１０】
積層熱処理ユニット（２）が、室壁を備えた熱処理室（３１）内に配置されている、請求項１から９までのいずれか１項記載の装置。
【請求項１１】
積層体壁及び又は熱処理室が熱処理されるようになっている、請求項９又は１０記載の装置。
【請求項１２】
熱処理室（３１）が気密のドア（３１１）を備えており、このドアにおいて、熱処理室（３１）の内部に積層体壁（２１）のドア（２０１）が配置されており、このドアは熱処理室（３１）のドア（３１１）とは無関係に開閉することができる、請求項１０又は１１記載の装置。
【請求項１３】
請求項８記載の容器壁を備えた熱処理容器（１０）と、請求項９記載の積層体壁（２１）と、請求項１０記載の室壁を備えた熱処理室（３１）とを備えており、容器壁、積層体壁及び室壁が、ガス雰囲気（５０）を生ぜしめる装置（１１）を有している、請求項８から１２までのいずれか１項記載の装置。
【請求項１４】
装置（１１）が、熱処理容器、積層熱処理ユニット及び又は熱処理室をガスで排気及び又は充てんするための、少なくとも１つのガスのためのガス開口（３５，３６，４５，４６）を含む、請求項１３記載の装置。
【請求項１５】
前記ガス開口によって、被処理物及び別の被処理物の各熱処理容器（１０）を互いに接続させることができる、請求項１４記載の装置。
【請求項１６】
請求項８記載の熱処理容器（１０）と、請求項９記載の積層体壁（２１）と、請求項１０記載の熱処理室（３１）と、請求項３記載の反射体（５）とを有しており、エネルギ源、熱処理容器、積層体壁、熱処理室、透明体及び包囲体の反射体が、ガス（１２）に対して不活性である材料を有している、請求項１から１５までのいずれか１項記載の装置。
【請求項１７】
被処理物及び別の被処理物を、請求項１から１６までのいずれか１項記載の装置を使用して、熱処理する方法において、太陽電池及び又はソーラモジュールの光電池のカルコパイライト吸収層を製作するために、
次の方法ステップ、すなわち、
ａ）被処理物を備えた熱処理ユニット及び別の被処理物を備えた別の熱処理ユニットを積層に配置し、この場合、被処理物のうちの１つを透明体上に接触させ、
ｂ）被処理物及び別の被処理物を熱処理する、方法ステップで行うことを特徴とする、複数の被処理物を熱処理する方法。
【請求項１８】
被処理物及び又は別の被処理物を少なくとも１つのプロセスガスと接触させる、請求項１７記載の方法。
【請求項１９】
前記方法ステップａ）、ｂ）に加えて、次の方法ステップ、すなわち、
ｃ）積層熱処理ユニットを積層体壁（２１）の内側の中空室（３０１）内に配置し、
ｄ）積層体壁（２１）を熱処理室（３１）内で、熱処理室（３１）に対して間隔（３０３）をおいて配置して、積層体壁と熱処理室との間に中間室（３０２）が生じるようにし、
ｅ）洗浄ガスのガス圧力を中間室内に生ぜしめる、方法ステップを行う、請求項１７又は１８記載の方法。
【請求項２０】
中間室（３０２）内で、熱処理室と積層体壁との間に、洗浄ガスのガス圧力を生ぜしめ、このガス圧力が積層体壁の中空室のガス圧力よりも大きいようにする、請求項１９記載の方法。
【請求項２１】
開口によって、中間室（３０２）と中空室（３０１）との間の接続を生ぜしめて、中空室と中間室との間の圧力勾配を調整できるようにする、請求項２０記載の方法。
【請求項２２】
被処理物及び又は別の被処理物として、１つの層及び少なくとも１つの別の層を備えた多層体を使用する、請求項１７から２１までのいずれか１項記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
本発明は、プロセス化物若しくは被処理物を熱処理する装置に関する。このような装置は例えばヨーロッパ特許第０６６２２４７号明細書から公知である。装置のほかに、被処理物の熱処理する方法も紹介されている。
【０００２】
ヨーロッパ特許第０６６２２４７号明細書から公知の被処理物は多層体であって、支持層（基板）上に機能層が取り付けられて、製作される。機能層及び又は支持層が所望の物理的（電気的、機械的、その他）及び又は化学的な特性を有しているようにするために、被処理物若しくは層及び又は支持層の処理つまりプロセス化が行われる。プロセス化はガス（プロセスガス）の存在下での被処理物の熱処理を含む。
【０００３】
熱処理のために、被処理物は黒鉛より成る閉じられた熱処理容器内に配置される。熱処理中、被処理物はガス形のセレンを備えたプロセスガスにさらされる。熱処理の際に被処理物はエネルギ量を受容し、その際各層にはエネルギ量の部分量が供給される。熱処理は例えば１０°Ｃ／ｓの加熱率で行われる。エネルギ量のエネルギ源としては、ハロゲンランプが利用される。ハロゲンランプにより、黒鉛より成る熱処理容器は電磁放射線で照射され、これにより熱処理容器が加熱される。黒鉛はハロゲンランプのスペクトル範囲で電磁放射に対して高い吸収能を有している。黒鉛によって吸収されたエネルギ量は熱放射及び又は熱伝導によって被処理物に供給される。熱処理容器は二次的なエネルギ源として、若しくはエネルギ伝達器として、機能する。
【０００４】
黒鉛は高い放出能力及び高い熱伝達能力を有している。被処理物を熱処理容器の底上におく場合に、エネルギ量の供給は被処理物の下面上に大体において熱伝導によって行われる。被処理物の表面には、エネルギ量は熱放射、熱伝導及び対流によって供給される。
【０００５】
被処理物が大きい（大面である）ほど、それだけ被処理物に使用される材料が異なっていることになり（例えば強く異なる熱膨張係数、エネルギ量に対する異なった吸収能など）、かつ熱処理率が高いほど、それだけ被処理物内の温度の均一性若しくは温度の不均一性を制御するのが困難になる。温度の不均一性は被処理物内の機械的応力ひいては被処理物の破損をもたらす。この理由から、熱処理容器を備えた公知の装置はまず第一にただ１つの被処理物の熱処理に適している。
【０００６】
本発明の課題は、ただ１つの装置により、被処理物のそれぞれ内の温度の均一性若しくは温度の不均一性を制御して、複数の被処理物を同時に熱処理する方策を開示することである。
【０００７】
この課題を解決するために、特定のガス雰囲気中で複数の被処理物を熱処理する装置が提供されており、この装置は、被処理物によってエネルギ源の特定の電磁放射線を吸収して、エネルギ量を受容し、かつ少なくとも１つの別の被処理物によって別のエネルギ源の少なくとも１つの別の特定の電磁放射線を吸収して、少なくとも１つの別のエネルギ量を受容することによって、複数の被処理物を特定のガス雰囲気内で熱処理する装置において、被処理物の少なくとも１つが、エネルギ源の特定の電磁放射線の少なくとも一部を所定に吸収する少なくとも１つの層を備えた多層体であり、前記装置は、ガス雰囲気を生ぜしめる少なくとも１つの装置と、電磁放射線を生ぜしめる少なくとも１つのエネルギ源を備えた熱処理ユニットと、別の電磁放射線を生ぜしめる少なくとも１つの別のエネルギ源を備えた少なくとも１つの別の熱処理ユニットとを有し、熱処理ユニットと別の熱処理ユニットとは次のように互いに積層されて積層熱処理ユニットを形成する、つまり、積層熱処理ユニットの所定の積層方向において、熱処理ユニットに属するエネルギ源と別の熱処理ユニットに属する別のエネルギ源との間に被処理物が、かつ該被処理物と別の被処理物との間に別のエネルギ源が配置されていて、被処理物は、エネルギ源と別のエネルギ源の電磁放射線を吸収し得るように、互いに積層されて積層熱処理ユニットを形成しており、前記各エネルギ源は複数の棒形の加熱手段から成り、個々の棒形の加熱手段はそれぞれ包囲体内に配置されており、この包囲体は前記各エネルギ源の電磁放射線に対して少なくとも部分的に透明であり、前記各エネルギ源の少なくとも１つが、放射線照射野を備えた特定の電磁放射線を放出し、少なくとも１つの熱処理ユニットが少なくとも１つの透明体を有しており、この透明体は、電磁放射線の一部分を吸収しかつ透過させるものであって、熱処理ユニットに隣接する別の熱処理ユニットに属する別のエネルギ源の電磁放射線の放射線照射野内で当該別のエネルギ源と熱処理ユニットの被処理物との間に配置されており、前記透明体は、被処理物が熱処理時に前記透明体上に接触するように、前記各エネルギ源に対して間隔を保って配置されている。
【０００８】
エネルギ源は、例えば加熱アレイにより形成される加熱平面である。加熱アレイは例えば互いに平行に配置された棒形のハロゲンランプあるいは加熱棒から成っている。積層熱処理ユニットにおいては、例えば加熱平面の間に被処理物が配置されている。このような配置によって、装置は特に、同時に多数の被処理物を熱処理するのに適している。熱処理ユニットは鉛直にも、又水平にも、配置しておくことができる。各被処理物には少なくとも１つのエネルギ源が所属せしめられており、その際、被処理物は熱処理の際にその都度の電磁放射線の放射線照射野内に配置されている。その都度のエネルギ量を受容するために、被処理物は電磁放射線の相応する吸収を行う。各被処理物が熱処理のために必要なエネルギ密度を供給されることが保証されている。積層熱処理ユニット内での被処理物の相互の重なりひいては被処理物の電磁放射線による不均一な照射は生じない。調整可能なガス雰囲気は例えばガスあるいはガス混合物（例えば空気）の規定された分圧によって表される。ガス雰囲気が真空であることも考えられる。
【０００９】
特定の構成では、熱処理ユニットの少なくとも１つは、付加的なエネルギ量を受容するため及び付加的なエネルギ量を熱処理ユニットの被処理物によって受容させるための少なくとも１つの付加的なエネルギ源を有している。付加的なエネルギ源により、被処理物の前面及び背面からの種々異なる赤外線吸収を考慮することができ、ひいては熱処理中に被処理物の熱処理均一性を改善することができる。更に、付加的なエネルギ源によって、加熱率を高めることができる。
【００１０】
付加的なエネルギ量の受容は、大体において熱伝導、熱放射及び又は対流によって行うことができる。熱伝導の際には、被処理物はエネルギ源と接触する。熱放射は、少なくとも部分的に、加熱エレメントのスペクトル範囲内のその吸収スペクトルにより、被処理物及びプロセス化容器により吸収される。対流においては、例えば、プロセスガスであることもできるガスが被処理物のそばを導かれる。この場合、エネルギ量をガスと被処理物との間で交換することができる。
【００１１】
特定の構成では、付加的なエネルギ源は、付加的な電磁放射線を生ぜしめるエネルギ源であり、付加的なエネルギ源の受容は付加的な電磁放射線の吸収である。別の構成では、熱処理ユニットの被処理物は熱処理ユニットのエネルギ源と熱処理ユニットの付加的なエネルギ源との間に配置されている。これによって、被処理物の種々の側、例えば扁平な被処理物の上面及び下面、を種々に加熱することが可能である。このことは、特に、被処理物が、層が種々の材料を有している多層体であるときに、有利である。層は例えば種々の吸収能を、同じ熱膨張率でエネルギ源の電磁放射線に対して、有している。熱処理不均一性を多層体の厚さ方向で回避するために、層は例えば種々のエネルギ密度（単位面積当たりのエネルギ）の電磁放射線で放射される。
【００１２】
特定の構成では、エネルギ源、別のエネルギ源及び又は付加的なエネルギ源は互いに無関係に制御可能である。被処理物若しくは被処理物の種々の層に供給されるエネルギ量は個別的に調整若しくは制御することができる。例えば２つの隣接する熱処理ユニットは光学的に互いに分離されており、換言すれば熱処理ユニットの電磁放射線は隣接する熱処理ユニットに放射されない。このことは例えば、電磁放射線に対して乳白色の、あるいは部分透明な部体を熱処理ユニットの間に設けることによって、可能である。この部体は例えば反射体である（後述）。被処理物はエネルギ源と付加的なエネルギ源との間にあり、これによりこれらのエネルギ源だけが被処理物の熱処理に役立つ。被処理物に「アッパヒート」及び「アンダヒート」の形で供給されるエネルギ量はこの形式で、個々の被処理物の個々の層に対して、個々に調整することができる。
【００１３】
特定の構成では、電磁放射線、別の電磁放射線及び又は付加的な電磁放射線は赤外線放射線（熱放射）である。１μｍ〜２μmの波長で強度最大値を備えた熱放射のエネルギ源が考えられる。このような熱源は例えばハロゲンランプである。熱放射線を放射する抵抗加熱エレメントの形のエネルギ源も考えられる。このようなエレメントは例えば黒鉛、炭化ケイ素及び又はニッケル−クロームのような合金を有している。更に、被処理物の加熱をもたらす電磁放射線（マイクロ波、紫外線）が考えられる。
【００１４】
特定の構成では、熱処理ユニットの少なくとも１つは、少なくとも１つの反射体を、電磁放射線の少なくとも１つの放射線照射野の形成のために、有している。反射体によって、電磁放射線の磁束密度が被処理物に制御される。磁束密度はこの場合被処理物を集中する。反射体は例えば、エネルギ源の電磁放射線を少なくとも部分的に反射する材料を有している。反射体が次のように、すなわち、反射せしめられた電磁放射線が被処理物に向けられているように、配置することができる。熱処理ユニットの反射体は例えば隣接する熱処理ユニットに向かって配置されている。これにより、反射体はいわば２つの熱処理ユニットの間にある。反射体が直接にエネルギ源に配置されていることも、考えられる。この場合例えば、放射線照射野の特定の開き角度を調整することができる。
【００１５】
反射体はエネルギ源の電磁放射線に対して乳白色若しくはほとんど乳白色であることができる。このために反射体は例えば高い反射能力を、同時に低い伝達能力で、有している。特に反射体は、少なくとも電磁放射線の１つの対して部分透過性である。このことは、熱処理ユニットのそれぞれがその都度単に１つのエネルギ源を、例えば加熱平面の形で、有しているときに、有利である。反射体によって、熱処理ユニットの電磁放射線は隣接の熱処理ユニット内に達し、かつこれにより隣接の熱処理ユニットの被処理物の熱処理に寄与することができる。反射体の材料及び厚さは次のように、すなわち、伝達スペクトル及び反射スペクトルが所属のエネルギ源の電磁放射の波長の範囲内に位置するように、選ばれている。同様にここで被処理物の吸収能及び放出能力が考慮される。被処理物の異なった側の伝達能力及び反射能力及び吸収能及び放出能力は互いに調和せしめられ、これにより熱処理中に被処理物内に許容し得ない温度勾配（例えば被処理物の厚さ方向に）が生ずることはない。温度の均一性は熱処理中に保証されている。反射体の材料は次のように、すなわち、反射体の吸収能又は反射能力のような光学的な特性が熱処理中に大体において同じにとどまるように、選ばれている。反射体としては、所望の反射スペクトルに相応して、広く使用されている反射体材料が使用される。有利にはセラミックあるいは石英体より成る反射体である。これらの材料は多数のプロセスガスに対して不活性である。反射体は、ガラスセラミックあるいは石英ガラスの支持体上に硫酸バリウムあるいは酸化アルミニウムのような反射性の、化学的に反応の緩慢な被覆を有することもできる。また、例えば被覆を有しているハロゲンランプ被覆も考えられる。金属被覆を備えた反射体も想像可能である。
【００１６】
本発明の別の構成では、熱処理ユニットの少なくとも１つは、被処理物を冷却する少なくとも１つの手段を有している。これにより、被処理物が種々の方法ステップを包含して、少なくとも１つの加熱位相と冷却位相とを同じ装置で行うことができるという利点が得られる。冷却する手段は特に冷却ガス及び又は冷却液体である。冷却は冷却ガスによって対流で行われ、その際例えば被処理物と比較してより低温の冷却ガスが被処理物に沿って導かれる。冷却は熱伝導によっても行うことができ、その際被処理物は、相応する熱伝導係数を備えた冷却体を接触せしめられる。冷却体が熱処理ユニット及び又は積層熱処理ユニットの外とう部で中空室を備え、この中空室を通って冷却ガス又は冷却液体が導かれることが、考えられる。
【００１７】
別の構成では、エネルギ源の少なくとも１つが、包囲体内に配置されており、この包囲体はエネルギ源の電磁放射線に対して少なくとも部分的に透明である。例えば包囲体は石英ガラスから成っている。有利には包囲体は真空密である。包囲体によって、エネルギ源がプロセスガスとの接触を阻止することができる。この構成の別の利点は簡単にエネルギ源を交換し得ることである。
【００１８】
特定の構成では、エネルギ源の包囲体はエネルギ源の電磁放射線に対して、光学的なフィルタを有している。これにより、包囲体の光学的な特性（吸収能及び伝達能力）に狙って影響を及ぼすことができる。
【００１９】
特定の構成では、エネルギ源の包囲体は冷却の手段を有している。特にこの場合冷却の手段はエネルギ源の包囲体内に配置されている。この場合、例えば単に被処理物だけではなしに、エネルギ源も冷却される。このことは、エネルギ源から放射されたエネルギ密度の迅速な減少、ひいては被処理物の効果的な冷却をもたらす。特に、高いエネルギ密度及び高い温度の一様性が要求される場合に、エネルギ源、特にハロゲンランプ、は被処理物に対して単にわずかな間隔で配置され、これにより高い放射強度のほかに、高い冷却仕事も得られる。エネルギ源の間隔が大きくて、エネルギ源の間の冷却仕事が高く要求される場合には、エネルギ源の間に付加的な冷却エレメントを配置しておくことができる。このような冷却エレメントは、例えば冷却ガス又は冷却液体を導く管である。例えば包囲体を外とう部で囲って、この外とう部を通して冷却のための冷却液体を流すことが考えられる。又冷却ガスと冷却液体との組み合わせも考えられる。温度ショックを回避するために、まず外とう部とエネルギ源との間の中間室を通して冷却ガスを導く。別のステップで、効果的な冷却のために、冷却液体を外とう部を通してポンピングする。別の構成では、エネルギ源の包囲体は反射体を有している。特にこの場合、反射体はエネルギ源の包囲体内に配置されている。この形式で、反射体の材料の、プロセスガスに対する反応性に関して、何らの制限もない。ただ１つ重要なことは反射体の光学的な特性である。
【００２０】
別の構成では、エネルギ源の包囲体は、エネルギ源の熱放射線のために光学的なフィルタを有している。特にこの場合、光学的なフィルタはエネルギ源の包囲体内に配置されている。この形式で光学的フィルタの材料の、プロセスガスに対する反応性に関して何らの制限もない。ただ１つ重要なことは、フィルタの光学的特性である。光学的なフィルタはその場合、エネルギ源の所望のスペクトルが達成されるように、選ぶことができる。
【００２１】
特定の構成では、熱処理ユニットの少なくとも１つは、容器壁を有している熱処理容器を、熱処理ユニットの被処理物の保持のために、有している。熱処理容器はこの場合、被処理物を電磁放射線の放射線照射野内に配置するのに役立つ。容器壁自体が電磁放射線のエネルギ源を有していることが考えられる。例えば壁は、熱処理中に電流を流される黒鉛から成っている。
【００２２】
被処理物のための支持面として機能する容器壁がエネルギ量を被処理物に熱伝導によって与えることを可能にすると、特に有利である。このために容器壁は相応する熱伝導係数を有している。このことは特に、被処理物がエネルギ源のスペクトルにおいてわずかな吸収を有している場合に、有利である。支持面はその場合、エネルギ源のスペクトルにおいて高い吸収を有している材料から成っている。
【００２３】
別の構成では、積層熱処理ユニットが積層体壁を有している。容器は例えば熱処理ユニットのための保持に、かつ又は熱放射のための反射体として、かつ又は積層熱処理ユニットを包囲する絶縁体として、役立つ。特定の構成では、積層体壁は熱処理可能である。これによって、被処理物の熱処理率は付加的に影響させることができる。積層体壁は例えばその都度１つの熱処理ユニット、１つのエネルギ源、１つの被処理物及び又は１つの被処理物の支持面のための押し込み平面若しくは押し込みレールを備えたフレームである。
【００２４】
積層体壁は有利には中空室を有しており、この中空室は排気可能で、かつプロセスガスを充填可能である。この中空室内で、熱処理ユニットが積層熱処理ユニットを形成するように配置されている。積層体壁の壁体が熱処理容器の容器壁を有していることも、考えられる。これによって、例えば積層体壁は大体において熱処理容器の容器壁により形成されている。熱処理容器は互いに上下に重ねられて積層体壁を形成する。この場合熱処理容器は、穴及び切り欠きによって、熱処理容器の共通の中空室が存在しているように、形成されていることができる。
【００２５】
排気可能なかつプロセスガスを充填可能な積層体壁によって、共通なプロセスガス雰囲気を、すべての、熱処理容器内に配置されている被処理物のために作ることができる。この構成は、多量のプロセスガスが可及的にわずかなガス流で必要な場合に、有利である。
【００２６】
別の構成では、積層熱処理ユニットが、室壁を備えた熱処理室内に配置されている。熱処理室は別の構成では排気可能でかつプロセスガスを充填可能である。例えば熱処理室は閉鎖可能なドアを有しており、このドアによって熱処理室内にある熱処理容器がプロセスガスを充填可能である。ドアによって積層体壁が熱処理室内に挿入可能であることも、考えられる。同様に熱処理ユニットは直接に熱処理室内で適合するレールにおいて押し込むことができる。熱処理室は熱処理ユニットを保持する。
【００２７】
特に熱処理室は真空密なドアを備えており、このドアにおいて熱処理室の内部内に積層体壁のドアが配置されており、このドアは熱処理室のドアとは無関係に開閉することができる。これによって、積層体壁若しくは熱処理室内のガス雰囲気を簡単に制御することができ、その場合熱処理室を開く必要はない。
【００２８】
特に熱処理室及び又は積層体壁は熱処理可能である。このことは特に、熱処理の際に積層体壁及び又は熱処理室の表面に被処理物の抽出物及び又は生産物が凝縮する場合に、有利である。更に、熱処理室の内部のガス圧力を制御することができる。その都度の電磁放射線の仕事密度を増大させるために、積層体壁及び又は熱処理室は反射体若しくは反射被覆を有していることができる。
【００２９】
本発明の特定の構成では、積層体壁及び室壁が、ガス雰囲気を製作する装置を有している。この装置は特に、熱処理容器、積層体壁及び又は熱処理室を排気及び又はガスで充填するためのガス開口を含む。ガスは特にプロセスガス及び又は洗浄ガスである。プロセスガスとしては、すべての、考えることのできる、腐食性及び非腐食性のガスが使用される。このための例は酸素あるいは分子ハロゲンのような酸化性のガス及び水素、硫化水素、ドーピングガスあるいは類似のもののような還元性のガスである。例えば、熱処理中に第１の熱処理ステップにおいて第１のプロセスガスが必要とされ、これに対し別の熱処理ステップにおいては別のプロセスガスが必要とされることが、考えられる。また、１つの熱処理ステップにおいてプロセスガスを後充填しなければならないことも、考えられる。洗浄ガスとしては、例えば窒素あるいはその他の不活性ガスが使用される。洗浄ガスは熱処理容器、積層体壁及び又は熱処理室の浄化に役立つ。更に、浄化及び又はプロセス化若しくは熱処理のために真空を作用させることができる。
【００３０】
別の構成では、ガス開口によって被処理物及び別の被処理物の各熱処理容器を互いに接続させることができる。例えば熱処理容器のガス出口は別の熱処理容器のガス入口を接続されている。これによって、両方の熱処理容器内には共通のガス雰囲気が生じる。例えば両方の被処理物と同じガス流と接触させることができる。しかしまた、各熱処理容器のために固有のガス入口及びガス出口を準備することも可能である。
【００３１】
熱処理容器、積層体壁及び又は熱処理室を排気及び充填する可能性は、有毒のかつ又は腐食性のプロセスガスを使用する場合に有利である。特に安全性の理由から、このようなガスを使用する場合にその都度のプロセスガス雰囲気のコントロール及び容器の浄化が重要である。
【００３２】
別の構成では、被処理物の少なくとも１つが、少なくとも１つの層を備えた多層体であり、この層は電磁放射線の少なくとも１つを特別に吸収する。
【００３３】
特定の構成では、熱処理ユニットの少なくとも１つは少なくとも１つの伝達体を有しており、これは電磁放射線の少なくとも１つを特別に吸収し、かつ特別に伝達し、かつ電磁放射線の放射線照射野内で電磁放射線と被処理物の１つとの間に配置されている。伝達体の所定の利点は、特に多層体の熱処理の際に、熱処理ユニットの構成に関連して後述する。
【００３４】
特定の構成では、伝達体及び又は反射体のエネルギ源、熱処理容器、積層体壁、熱処理室はガスに対して不活性の材料を有している。特に材料は、ガラス、石英ガラス、石英体、セラミック、ガラスセラミック及び又は金属の群から選ばれる。これらの材料は多数の被処理物に対して不活性であり、換言すれば反応が緩慢である。さらに石英ガラスあるいはガラスセラミックのような若干の材料は低い温度膨張係数を有している。このことは、種々の材料から構成されている装置の場合に特に重要である。許容し得る公差内で、構造部分の寸法を変化させることができる。このことは、装置が熱処理中に機械的な応力によって破損しないこと、換言すればそのままであることを保証する。更にこれによってガス雰囲気のコントロールが容易に可能である。装置の構成部分あるいは構成部分の間の可能なギャップは、その構成部分の低い熱膨張係数によって熱処理中にほとんど変化しない。付加的な利点は、機械加工可能な材料（例えば機械加工可能なセラミック、ガラスセラミックあるいは機械加工可能な石英体）を使用することによって生ずる。
【００３５】
以下においては、熱処理ユニットの種々の構成によって、大面の被処理物、特に非対称的な層順を備えた多層体、を、被処理物の温度均一性を制御して、どのようにして熱処理し得るかを説明する。
【００３６】
熱処理ユニットの被処理物は例えば多層体であって、第１の層及び少なくとも１つの第２の層を有している。熱処理は、エネルギ量の第１の部分量を第１の層によって受容し、かつ第２の層によってエネルギ量の第２の部分量を受容することによって、多層体によってエネルギ量を受容することによって行われる。エネルギ量の少なくとも１つのエネルギ源を有している熱処理ユニットは、第１の層が第１のエネルギ源と第２の層との間に、かつ第２の層が第２のエネルギ源と第１の層との間に位置せしめられていることを、特徴としている。エネルギ源の少なくとも１つは、放射線照射野を備えた特定の電磁放射線を放出し、層の少なくとも１つは、この電磁放射線の特定の吸収をし、放射線照射野内に配置されている。更に、放射線照射野内で、放射線照射野を備えたエネルギ源と、電磁放射線を吸収し、放射線照射野内に配置されている層との間に、少なくとも１つの伝達体が配置されており、これは電磁放射線の特定の伝達をし、かつ特定の吸収をする。
【００３７】
伝達体によって、多層体の層を個々に加熱し、換言すれば１つの層が受容するエネルギ量の部分量、を狙って制御し、調節し、かつ又は前調整することができる。例えばエネルギ量は熱処理中に調節回路によって定められる（後述）。エネルギ源の前調整（例えばエネルギ密度、エネルギの形式など）は付加的な調節回路なしでも充分である。多層体の層の個別的な加熱は、１°Ｃ／ｓから例えば１００°Ｃ／ｓ以上の極めて高い加熱率でも可能である。個々の加熱によって、熱処理中に機械的な応力及び場合により生ずる多層体の変形を可及的に小さく保つことができる。
【００３８】
このためのベースは、光学的に部分透明（半透明）である伝達体である。例えば０.１と０.9との間に位置する特定の波長の場合に、伝達体によって、上述の電磁放射線は伝達体を通って層に達する。層は、直接にエネルギ源から送られる、相応するエネルギ量若しくはエネルギ量の部分量を受容することができる。
【００３９】
伝達体は電磁放射線をある程度吸収する。これにより受容されたエネルギは熱放射の形及び又は熱伝導の形で周囲に与えられることができる。特定の構成では、装置は多層体の熱処理のために伝達体を有しており、これは電磁放射線の吸収によって熱放射及び又は熱伝導を多層体の方向に行う。これにより、層を熱放射及び又は熱伝導によって熱処理することができる。
【００４０】
熱放射線のために伝達を行う、多層体の第２の層が大体において単に熱伝導だけによって熱処理されるのに対し、この多層体の第２の層は同一の伝達体の熱放射によって大体において熱処理されることも、考えられる。相応する伝達を備えた第１の層は例えばガラスから成る層である。エネルギ源及び又は伝達体の電磁放射線がガラス体に当たると、放射線のわずかな部分（ほぼ４％）が反射される。大部分（＞９０％）は程度の差こそあれ妨げられずにガラスを通過し、次いで多層体の第２の層に当たる。そこでこの放射線は吸収され、この第２の層によるエネルギ量の受容をもたらす。ガラス層は放射線若しくは熱放射線によって、極めて高い加熱率の場合に、充分に迅速に熱処理されることができない。これに対し、伝達体がエネルギ量の部分量を受容し、かつガラス層上に伝達することができる場合には、熱伝導による比較的に迅速な熱処理が可能である。
【００４１】
伝達体自体が多層体の１つの層である場合も考えられる。伝達体は電磁放射線の一部の吸収によって、エネルギ量の部分量を受容することができ、かつ伝達によって、エネルギ量の別の部分量を受容のために別の層を通過させることができる。
【００４２】
熱処理ユニットの特定の構成では、多層体の１つの層は多層体の少なくとも１つの別の層のための支持層である。多層体は特に非対称的な層順を有している。例えば多層体は片面を被覆された支持層から成っている。多層体の個々の層は互いに並んで配置することもできる。
【００４３】
特定の構成では、多層体の層は、ガラス、ガラスセラミック、セラミック、金属及び又はプラスチックの群から選ばれた材料を有している。プラスチックとしては特に、テフロンのような、温度に耐えるプラスチックが使用される。１つの層は例えば金属フォイルである。金属フォイルは支持層としても機能することができる。
【００４４】
１つの層により受容される、エネルギ量の部分量は、例えば層の吸収能、放出能力及び又は反射能力に関連している。しかしこの部分量は、エネルギ源の形式にも関連しており、かつエネルギ量が多層体若しくは多層体の層に伝達される形式に関連している。
【００４５】
熱処理ユニットのエネルギ源の１つは、例えば熱エネルギのためのエネルギ源である。この場合、層に、熱エネルギが直接に供給される。ここで熱放射、熱伝導及び又は対流が行われる。熱放射の場合には、エネルギ源自体が熱放射の源であることができる。熱放射は例えば、0.7と4.5μmとの間の波長範囲の電磁放射線である。相応する層はエネルギ源の放射線照射野内に配置されている。層はエネルギ源の電磁放射線により当てられ、かつ少なくとも部分的に電磁放射線を吸収する。
【００４６】
しかしまた、１つの層に任意のエネルギが供給され、層内で熱エネルギに変換せしめられることも可能である。例えば層が高エネルギのUV−光で照射され、これを層が吸収する。高エネルギの光量子の吸収によって、層の分子あるいは全層が電子的に励起された状態に達する。この場合受容されるエネルギは熱エネルギに変換されることができる。
【００４７】
熱放射及び熱伝導のほかに、対流による層若しくは全体の部体の熱処理も可能である。この場合、特定のエネルギを備えたガスが層のそばを導かれ、そのさいガスがエネルギを層に与える。そばを滑動せしめられるガスは、同時にプロセスガスとして機能する。
【００４８】
熱伝導及び又は対流によって、更に、１つの層を冷却することもできる。この場合、層は負の熱エネルギを供給される。この形式で、エネルギ量若しくはエネルギ量の部分量を制御し、かつ例えば多層体内の機械的な応力に付加的な影響を及ぼすことも可能である。
【００４９】
特定の構成では、エネルギ量を多層体に伝達するためのエネルギ伝達体が存在している。エネルギ伝達体は二次的なエネルギ源として機能する。エネルギ伝達体は例えば一次のエネルギ源、例えばハロゲンランプ、の電磁放射線を高エネルギ範囲から吸収し、この電磁放射線を、層により吸収される熱放射線に変換する。
【００５０】
エネルギ伝達体として、熱処理中の多層体の間接的及び又は直接的な周囲が機能する。エネルギ伝達体が、熱処理すべき多層体を熱処理容器の内室内に配置されていることが、考えられる。エネルギ伝達体は熱処理容器の外方で、例えば熱処理容器の壁上に、あるいは熱処理容器から間隔をおいて、配置されていることもできる。エネルギ伝達体が熱処理容器の被覆であることが考えられる。エネルギ伝達体は例えば黒鉛フォイルである。熱処理容器はそれ自体、エネルギ伝達体の機能を行うことができる。このような機能は、例えば黒鉛から成る場合に、与えられている。最後に、伝達体はエネルギ伝達体以外の何者でもない。同様にガスは対流によるエネルギ伝達の場合にエネルギ伝達体として機能する。
【００５１】
多層体が受容するエネルギ量は、単に層から層へだけでなしに、１つの層の内部で異なっていることができる。例えば熱処理中に、縁効果が多層体若しくは多層体の層内に生ずる。層の縁範囲は、層の内部範囲とは異なった温度を有している。熱処理中に、側方の温度勾配が生ずる。これは、例えば、エネルギ源の放射線照射野が不均一である場合に、生ずる。この場合、放射線照射野のエネルギ密度は、放射線により放射される面上でどこでも同じではない。側方の温度不均一性は、均一な放射線照射野においても、層の縁において単位体積当たりの吸収面が大きいことに基づいて、単位体積当たり多量のエネルギ量を吸収する場合に、生ずる。温度差を補償するために、例えば多数の副ユニットから成っているエネルギ源を使用することができる。各副ユニットは別個に制御することができ、このようにして、副ユニットから層に供給されるエネルギ量を別個に調整することができる。このようなエネルギ源は、例えば個々の加熱エレメントから成るアレイ又はマトリックスである。加熱エレメントは例えばハロゲンランプである。アレイ又はマトリックスは、層内に側方の温度勾配を生ぜしめるために、利用することもできる。これによって、例えば層体の永久的なあるいは変動する変形を達成することができる。特に、層が互いに並んで位置している多層体の熱処理のためには、アレイ又はマトリックスが大きな利点である。
【００５２】
エネルギ源に関しては、単数又は複数のエネルギ源が連続的な運転で働くのが、有利である。しかし、エネルギ源がサイクル運転で及び又はパルス運転でエネルギ量若しくはエネルギ量の部分量を層に供給することも、考えられる。このようなエネルギ源は例えばパルス化された電磁放射線を備えたエネルギ源である。この形式で、層に、同じ時間あるいは時間的な順序で（例えば交番に）エネルギ量を供給することができる。
【００５３】
以下の、電磁放射線のためのエネルギ源の特性は特に有利である：
・  エネルギ源が均質な放射線照射野を有している。
【００５４】
・  エネルギ源のスペクトルの強度分配が、部分的に、層、伝達体及び又は場合により存在する熱処理容器（後述）のスペクトルの吸収と重なり合っている。
【００５５】
・  プロセスガスの存在で、エネルギ源が腐食に耐え、かつ又は腐食を保護されている。
【００５６】
・  エネルギ源が高いエネルギ密度を有しており、多層体の質量（及び場合により熱処理容器の質量）を１°C／s以上の加熱率で加熱するのに充分である。
【００５７】
特定の構成では、装置の伝達体が、側方の均質なエネルギ量を多層体によって受容するために、少なくとも１つのスペーサを有しており、これに多層体が接触している。例えば、それを介して多層体が伝達体若しくはスペーサに接触している層はまず第一に均質な熱放射線によって熱処理される。この形式でスペーサは有利には、電磁放射線に対してわずかな吸収を有している材料を有している。スペーサは例えば伝達体の表面から数μｍ〜ｍｍ突出している。
【００５８】
スペーサ上に接触している層はまず第一に熱伝導によって熱処理されることができる。このためにスペーサは例えば、相応する熱処理のために必要な、導熱能力を有している。スペーサが、熱伝導によるエネルギ伝達のために、エネルギ源の電磁放射線に対する高い吸収を有しており、その際電磁放射線が効果的に熱エネルギに変換せしめられることも、考えられる。
【００５９】
特に伝達体は多数のスペーサを有している。一様に多層体の層と伝達体との間で接触して配置されている多数のスペーサが設けられている場合には、付加的に側方の温度分布の均質化を達成することができる。
【００６０】
特定の構成では、伝達体及び又はスペーサは、ガラス及び又はガラスセラミックの群から選ばれた材料を有している。ガラスセラミックは種々の利点を有している：
・  例えば０°Ｃ〜例えば７００°Ｃの広い温度範囲で熱処理のための使用することができる。ガラスセラミックは例えば該温度範囲よりも上の軟化点を有している。
【００６１】
・  極めて低い温度膨張係数を有している。温度ショックに耐え、熱処理の該温度範囲内で耐えることができる。
【００６２】
・  多数の化学物質に対して化学的に不活性であり、これらの化学物質に対してわずかな透過性を有している。このような化学物質は、層及び又は多層体全体が熱処理中にさらされる、例えばプロセスガスである。
【００６３】
・  電磁放射線のための多数のエネルギ源のスペクトル範囲内で、特にエネルギ源の放射線密度が高い波長範囲において、光学的に部分透過性である。このような放射線源は例えば0.1と4.5μmとの間の高い放射線密度を有するハロゲンランプである。
【００６４】
ガラス、特に石英ガラス、は伝達体のための材料として、やはり考えることができる。これが有利なのは、１２００°Ｃまでの高い使用温度である。この材料はハロゲンランプの形のエネルギ源のスペクトル範囲内で高い伝達とわずかな吸収とを有している。光は大体において妨げられることなしに、この伝達体を貫通し、電磁放射線のための相応する吸収を備えた層に達し、その際層はエネルギ量を受容して、加熱される。伝達体は放射線によってほとんど加熱されない。
【００６５】
プロセス処理において、加熱された層の材料が蒸発し、比較的に低温の伝達体の表面に分離することが、可能である。このことを回避するために、伝達体が熱処理中に必要な温度に加熱されるようにすることができる。このことは、エネルギ量を、熱伝導及び又は対流によって、伝達体に伝達することによって行われる。伝達体が吸収する電磁放射線も考えることができる。伝達体が被覆を有しており、この被覆が電磁放射線の特定の部分を吸収することが考えられる。これによって受容されたエネルギはガラス又は石英ガラスから成る伝達体に導かれることができる。この形で、被覆を備えたガラス体から成る伝達体は光学的に部分透過性であり、熱放射によるエネルギ伝達のためにも、また熱伝導による多層体へのエネルギ伝達のためにも、使用することができる。
【００６６】
特定の構成では、多層体の少なくとも１つの層はプロセスガスと接触している。多層体全体がプロセスガス内にさらされていることも考えることができる。プロセスガスとしては、例えば不活性ガス（分子の窒素あるいは希ガス）が使用される。プロセスガスは層の材料と反応しない。しかし、層の材料と反応するプロセスガスも考えられる。プロセスガスの作用の下で、機能的な層が形成される。例えばプロセスガスは層の材料に対して酸化あるいは還元作用を行う。このための可能なプロセスガスは、酸素、塩素、水素、元素セレン、イオウあるいは水素化物である。HCLあるいは類似のもののような腐食性のプロセスガスであることもできる。プロセスガスのための別の例はH２S及びH２Seであり、これらは薄膜太陽電池の製作の際に使用される（後述）。最後に、相応する形式で層の材料と反応するすべてのガスあるいはまたガス混合物が考えられる。
【００６７】
層が規定されたプロセスガス雰囲気にさらされると有利である。規定されたプロセスガス雰囲気は例えば熱処理中のプロセスガスの分圧を有している。例えば、層又は多層体が熱処理のために真空と接触していることも考えられる。
【００６８】
規定されたプロセスガス雰囲気は例えば、プロセスガスが特定の速度で層のそばを導かれることによって、達成することができる。この場合、種々の分圧を備えたプロセスガスは熱処理の経過中に層に作用する。順次に種々のプロセスガスが層体の層と接触することも考えられる。
【００６９】
有利には、少なくとも、プロセスガスと接触している層が取り囲まれている。このことは、例えば層を包囲することによって行われ、その際包囲体は支持層に固定しておくことができる。包囲体はプロセスガスで、あるいは熱処理中にプロセスガスで充填されている。プロセスガスはこの場合、その特性をプロセスガスにより制御しようとする層の表面上に集中せしめられる。この形式で、周囲がプロセスガスにより汚染されることが、回避される。このことは、特に腐食性の及び又は有毒のプロセスガスの場合に重要である。更に、層の転換のために必要な、プロセスガスの化学量論的な量をもって加工することができる。プロセスガスが不必要に消費されることはない。
【００７０】
本発明の特定の構成では、多層体は熱処理容器内に配置されている。この場合、熱処理容器の、少なくとも容器壁は伝達体を有している。熱処理容器は、それが自動的に層若しくは多層体全体の包囲体を形成するという利点を有している。包囲体は多層体に固定しておく必要はない。閉鎖可能な熱処理容器において、プロセスガス雰囲気は狙ってかつ容易に調整することができる。例えば熱処理容器は充分に大きな容積を、熱処理中に必要なプロセスガスのために提供する。熱処理が、均質なかつ再生可能な、層に対するプロセスガスの分配を必要とする場合には、狙って、熱処理容器からのガス出口を調整することができる。このことは例えば、極めて高い加熱率で熱処理を行う場合に、必要である。この場合、プロセスガスが膨張する。熱処理容器がこの場合生ずるガス圧力に耐えない場合には、熱処理容器の変形あるいはそれどころか熱処理容器の破損が生じる。しかし、変形は例えば、多層体が熱処理容器の底上に支えられている場合に、阻止しなければならない。熱処理容器の変形は多層体における側方の温度不均一性をもたらす。
【００７１】
熱処理容器は更に熱処理の際の多層体の搬送手段であることができる。熱処理容器は、熱処理中に例えば、ガラスより成る層（支持層若しくは基板）の損傷が回避できないところ、このような基板の破損の場合に、破損された材料を容易に熱処理ユニット若しくは熱処理装置から取り除くことができるという利点を有している。このことは、熱処理のプロセス安定化に寄与する。
【００７２】
特定の構成では、熱処理容器の、伝達体を有している容器壁は、熱処理容器のカバー及び又は底である。例えば多層体は層をもって直接に底の伝達体上に接触している。伝達体は、上述のように、スペーサを有していることができる。カバーはやはり伝達体を有しており、これは例えば多層体若しくは多層体の層と接触していない。この形式で、多層体の、底上に接触している層は、熱伝導によって、カバーに面した層は熱放射によって、加熱される。カバーに面した層は容易にプロセスガスにさらされることができる。
【００７３】
別の構成では、熱処理容器の底及び又はカバーはその都度少なくとも１つの多層体によって形成されている。この場合、例えばプロセスガスと接触させようとする多層体の層は熱処理容器の内室内に向けられている。この解決策は、多層体若しくは多層体の層が低い温度膨張係数を有しているか、かつ又は熱処理率がわずかである場合に、可能である。高い熱処理率にためには、多層体は有利には高い熱伝導係数を備えた支持層を有している。支持層は外方に向けられている。例えばここでは支持層は上述の伝達体である。
【００７４】
特定の構成では、熱処理容器、伝達体及び又はエネルギ伝達体は、プロセスガスに対して不活性である材料を有している。更に、有利なのは、熱処理のプロセス周囲全体が使用されるプロセスガスに対して不活性であることである。プロセス周囲には、例えばエネルギ源（一次のエネルギ源）も含まれる。
【００７５】
材料はプロセスガスに関連して選ばれる。例えばガラス、ガラスセラミック及びセラミックが考えられる。炭素繊維で補強された黒鉛のような繊維で補強された材料を同様に使用することができる。また高い熱伝導係数を有しているSiCのような材料も考えることができる。熱処理容器は金属あるいは合金から成ることができる。同様に、特定の温度までに耐えるプラスチックが可能である。
【００７６】
プロセスガスに対する化学的な不活性さのほかに、熱処理材料の次のような特性が有利である：
・  熱処理容器の材料は温度の条件の下で、破損しない。更に、温度ショックに耐える。このことは、特に、それがわずかな温度膨張係数を有している場合である。
【００７７】
・  熱処理容器の材料の熱的な軟化点は熱処理の最大の温度よりも上に位置している。
【００７８】
・  熱処理容器はプロセスガスに対してわずかな若しくは規定された透過性を有している。
【００７９】
特定の構成では、少なくとも、装置及び又は熱処理ユニットの温度に関連する物理的なパラメータの程度を検出するための装置が、エネルギ量の第１及び第２の部分量を制御するために、存在している。
【００８０】
考えることのできるパラメータは、層の吸収特性、伝達特性及び又は反射特性である。パラメータの程度はパラメータの値である。例えば吸収最大値の波長は温度に関連している。パラメータの程度はこの場合相応する波長である。
【００８１】
特に、パラメータは多層体の温度である。この場合、程度は温度の値である。多層体の層の温度、伝達体の温度及び又は熱処理容器の温度若しくは熱処理容器の容器壁の温度の値も考えられる。熱処理中に連続的に多層体のパラメータ及び又は層のパラメータが検出される。例えば、層の検出された温度に基づいて、層により受容されるエネルギ量の部分量が高められあるいは低められる。これによって多層体の厚さ方向の温度不均一性若しくは温度勾配が回避される。この温度不均一性はまた、必要な場合には、高めることもできる。
【００８２】
例えば温度を検出する装置は、層上に向けられたパイロメータである。パイロメータは例えば、層から出る熱放射線を検出する。熱放射線に基づいて、層の温度を推論することができる。層と結合されていて、熱伝導によって熱処理される温度検出器も考えられる。
【００８３】
層の温度又は多層体の温度を直接に測定しないで、間接的に測定することも想像できる。例えばパイロメータが、その中において多層体が熱処理される熱処理容器上に向けられる。熱処理容器の温度は多層体の温度によって影響を及ぼすことができる。熱処理容器の温度に基づいて、多層体の層の温度を推論することができる。エネルギ量若しくはエネルギ量の部分量が、熱処理容器の測定された温度に基づいて、制御される。このために、例えば熱処理の前に一種の「計量検定」を行うことができ、これにより測定された熱処理容器の温度と層若しくは層体の実際の温度との関係が示される。「計量検定」は温度の目標値を示す。現在値は検出される。目標値と現在値との比較はエネルギ量の制御のための制御大きさを与える。
【００８４】
検出（及び又エネルギ量の部分量の制御）は特に多層体の厚さ方向での局所的な解明をもって、かつ熱処理の時間的な枠内の時間的な解明をもって、行われる。例えば２５°Ｃ／ｓの熱処理率で多層体が加熱される。この場合エネルギ量の部分量の検出も、制御も、迅速に行われ、多層体の層の間の温度差が熱処理中に例えば所定の最大値以下にとどまる。
【００８５】
厚さ方向の温度不均一性は、多層体の変動性の変形と結合して、多層体内の側方の温度不均一性をもたらす。側方とは、例えば多層体の１つの層の内部において厚さ方向に対して垂直の方向を表す。例えば、多層体は黒鉛より成る底上に接触している。多層体の、底上に接触している層によるエネルギ量の供給若しくは受容は熱伝導によって行われる。厚さ方向に温度不均一性によって、多層体の変動性の変形は多層体の曲げの形で生ずる。この場合熱伝導に必要な多層体と熱処理容器の底との接触は部分的に解離される。これに基づいて、接触している層若しくは多層体の側方の温度不均一性がもたらされる。したがって特に有利なのは、パラメータの検出のために（及びエネルギ量の制御のために）単に厚さ方向だけではなしに、側方にも局所的な解明があることである。
【００８６】
特定の構成では、パラメータは多層体の変形である。生ずる温度不均一性に基づいて、変形を生ずることがある。例えば、多層体は凹面に湾曲せしめられる。多層体は例えば熱処理容器の底上に位置している。凹面の変形によって、多層体の縁範囲内に、支持面と多層体との間に間隔が生ずる。このような変形の程度は、例えばレーザ干渉計あるいはレーザ光線反射装置によって検出することができる。程度に基づいて、エネルギ量の制御が行われる。程度が変形の早期の段階で認識され、かつ迅速に対応することができれば、有利である。
【００８７】
程度の検出を、熱処理に関連するパラメータを光学的な装置（例えばレーザ）によって調べて行うこのような装置のために、検査される層が光学的な装置の光にとってアプローチ可能であり、かつ検出信号が明確に検出すべきパラメータに所属せしめられていると、有利である。レーザの波長が例えば充分に多層体の熱放射線と異なっているようにする。装置が熱処理容器を備えている場合には、透明体がレーザの光のために充分に透過性であるのが、有利である。
【００８８】
この装置によって、多層体の所望の変形を達成することも、可能である。このために、熱処理中の変形を上述のように追跡することも有意義である。例えば湾曲した薄膜太陽電池を製作することができる。狙った変形のために、例えば多層体が相応する型若しくはマスク上に置かれる。型若しくはマスクは直接にエネルギ源であることができる。多層体は支持層の軟化点以上に加熱される。その結果、多層体はマスク若しくは型の形状になる。マスクは例えば熱処理容器の底に一体化されている。マスクが例えば透明体であることができる。
【００８９】
課題の解決のために、装置のほかに、被処理物及び少なくとも１つの別の被処理物を、上記の装置を使用して、熱処理する方法が開示される。この方法は次の方法ステップを有している：ａ）被処理物を備えた熱処理ユニット及び別の被処理物を備えた別の熱処理ユニットを積層熱処理ユニットに配置する方法ステップ、及びｂ）被処理物及び別の被処理物を熱処理する方法ステップ。
【００９０】
特に熱処理は、被処理物及び又は別の被処理物を少なくとも加熱すること、及び又は少なくとも冷却することを含んでいる。例えば、熱処理の際に複数の加熱位相及び複数の冷却位相を行わせることが考えられる。
【００９１】
この方法は特に、被処理物をプロセスガス雰囲気の下で実施するのに適している。このために、第１及び又は別の被処理物を少なくとも１つのプロセスガスと接触させる。接触させることは、熱処理の前、中、あるいは後に行うことができる。被処理物はこの場合、同時に複数のプロセスガス（ガス混合物）と接触させることができる。被処理物が順次に種々のプロセスガス及び又は洗浄ガスと接触せしめられることも、考えることができる。そこで可変のプロセスガスプロフィール（単数又は複数のプロセスガスの種々の分圧の時間的な順序）が可能である。この形式で、例えば、酸化性の、並びに還元性のプロセスガスを使用することあるいは狙ってドーピング物質を被処理物内に入れることが可能である。
【００９２】
特定の構成では、次の方法ステップが設けられている：ｃ）積層熱処理ユニットを積層体壁の中空室内に配置する方法ステップ、ｄ）積層体壁を熱処理室内で、熱処理室に対して間隔をおいて配置して、積層体壁と熱処理室との間に中間室が生じるようにする方法ステップ、及びｅ）洗浄ガスのガス圧力を中間室内に生ぜしめる方法ステップ。これらの方法ステップは熱処理の前に行われる。洗浄ガスを備えた中間室はクッションとして機能し、これにより中空室内にあるプロセスガスは、熱処理室に達しないか、あるいは単に薄められて達する。熱処理室の汚損若しくは腐食は抑制することができる。熱処理室の材料の選択は、ほとんどプロセスガスと無関係である。中間室は一度洗浄ガスで充填しておくことができる。中間室を通して連続的な洗浄ガス流を導き、この洗浄ガス流が場合により積層体壁から出るプロセスガスを中間室から取り除くようにすることも、考えられる。出るプロセスガスを取り除くことは、積層体壁の中空室から中間室に圧力落差を生ぜしめることによっても、行うことができる。
【００９３】
特定の構成では、熱処理室と積層体壁との間の中間室内に洗浄ガスのガス圧力を生ぜしめて、これが積層体壁のガス圧力よりも大きいようにする。有利にはこのために、積層体壁内にガス出口開口を取り付け、これが例えば集合管導管を介して中間室及び熱処理室を通って外方に導かれ、そこで例えばガス廃棄ユニット内に導かれるようにする。これにより、積層体壁の中空室内には、ほぼ、ガス廃棄ユニット内に存在している圧力（例えば大気圧）が支配している。この配置の作用はギャップ向流洗浄と呼ぶことができ、これは積層体壁を貫通するギャップ、例えばエネルギ源の包囲体、あるいは積層体壁の構造部分の継ぎ目ギャップにおいて、不活性ガス流を拡散するプロセスガス流に対して向流させ、プロセスガスの熱処理室壁への凝縮あるいは熱処理室壁の腐食を阻止する。熱処理室壁の腐食は、それはそうと、熱処理室壁の適当な被覆によって達成することもできる。
【００９４】
ギャップ向流洗浄は次の原理に従って行われる：
積層体壁内に、プロセスガスを充填された熱処理容器が配置されている。プロセスガスが積層体壁の中空室内に達することを防ぐことはできない。小さなギャップ又は開口によって、積層体壁の中空室と、積層体壁と熱処理室との間の中間室とは接続している。ガス圧力を選択することによって、中間室から積層体壁の中空室への圧力勾配が形成される。このことは、例えば中空室の洗浄ガスを救出することによって、及び又は洗浄ガスを中間室内に導入し、これによって中空室の圧力に対して圧力を形成し、この圧力が前述のように熱処理装置の周囲と接触しているようにすることによって、行われる。これによって、中間室から中空室への洗浄ガス流が生じる。プロセスガスは熱処理室の室壁には達しない。熱処理中、この場合特に熱処理室の温度、中空室のガス圧力及び又は中間室のガス圧力が調整される。
【００９５】
特定の構成では、被処理物及び又は別の被処理物として、１つの層及び又は少なくとも１つの別の層を備えた多層体が使用される。
【００９６】
この場合、熱処理は、エネルギ量の第１の部分量を第１の層によって受容し、エネルギ量の第２の部分量を第２の層によって受容して、多層体によってエネルギ量を受容することによって行われ、その際少なくとも１つのエネルギ量が、エネルギ量を多層体に供給するために、使用される。この場合特に、前述の装置が使用される。方法ステップは：多層体を第１のエネルギ源と少なくとも１つの第２のエネルギ源との間に配置し、これにより第１の層が第１のエネルギ源と第２のエネルギ源との間に、かつ第２の層が第２のエネルギ源と第１の層との間の配置されており、その際エネルギ源として放射線照射野を備えた特定の電磁放射線のためのエネルギ源が使用され、かつ層の少なくとも１つが電磁放射線を吸収し、かつエネルギ源の放射線照射野内に配置され、かつ透明体をエネルギ源の放射線照射野内で、エネルギ源と、エネルギ源の放射線照射野内に位置し、特定の電磁放射線を吸収する層との間に配置し、かつ多層体を熱処理することである。
【００９７】
特定の構成では、透明体は特定のエネルギ量を吸収し、エネルギ量を層に供給する。別の構成では、熱処理中に、多層体の物理的なパラメータの、温度に関連する程度の検出が、エネルギ量の第１及び第２の部分量の熱処理及び制御中のエネルギ量の受容の制御のために、行われる。特定の構成では、透明体は層にエネルギ量を熱伝導及び又は熱放射によって供給する。
【００９８】
特定の構成では、銅、インジウム、ガリウム及び又はセレンを有している層を備えた多層体が使用される。特にガラス及び又は金属より成る支持層を備えた多層体が使用される。支持層自体は、被覆（例えばガラス板上の金属層）を有していることができる。プロセスガスとしては、H２S、F２Se、H２、He及びＮ２の群から選ばれたガスが使用される。この方法は、特に太陽電池及び又はソーラモジュールの光電池のカルコパイライト（chalcopyite;黄銅鉱）吸収層の製作に役立つ。ソーラモジュールにおいては、多数の直列に接続された個々の太陽電池が存在している。ガラスは有利にはソーダ石灰ガラスである。相応する層は支持層として機能する。支持層上には、モリブデン層が電極として、かつモリブデン層上には機能層、すなわち銅・インジウム・ガリウム・スルフォ・セレニド（CIHSSe）半導体層が取り付けられる。ガラス体及び半導体層より成る層体の厚さは典型的には２〜４mmであり、モリブデン層が約0.5μｍ及び半導体層が約3μmである。多層体の厚さのこの範囲は専ら使用されるものではない。制限する因子は可及的に平らな、これにより前述の装置若しくは前述の方法で多層体に加工することのできる、大きな基板を製作する能力である。
【００９９】
約言すれば、本発明により次の利点が生ずる：
・  同時に複数の被処理物を、変化するプロセスガス雰囲気の下で熱処理することができる。この場合、熱処理の加熱プロフィール及び又は冷却プロフィールを可変にすることができる。
【０１００】
・  非対称の層構造を備えた大面の層体の形の被処理物（例えば支持層上にただ１つの層を備えている多層体）を１°Ｃ／ｓ以上の高い熱処理率で熱処理することができる。
【０１０１】
・  多層体の層はこの場合著しく異なった熱伝導係数及び又は著しく異なった放出能力を有していることができる。
【０１０２】
・  温度に関連するパラメータの程度の検出及び制御の時間的及び局所的な解明によって、特に確実な熱処理を行うことができる。例えば被処理物の特性（例えば放出又は吸収能力）の変化に、熱処理中に反応し、プロセスパラメータ（圧力、温度、エネルギ密度など）を次いで調整することができる。
【０１０３】
・  支持層の軟化点の近くまでの熱処理が可能である。
【０１０４】
・  １°Ｃ／ｓから１００°Ｃ／ｓまでの迅速な熱処理が可能である。この場合、温度は例えば１１００°Ｃまで達することができる。
【０１０５】
・  支持層の軟化点を超える熱処理の際に、多層体の永久変形が可能である。
【０１０６】
・  規定されたプロセスガス雰囲気を備えた規定された熱処理周囲を作ることができる。種々の分圧プロフィールを備えた種々のプロセスガスを同時にあるいは順次に、プロセス化の前、中及び又は後に調整することができる。特に有害の及び又は腐食性のプロセスガスを使用することができる。プロセス物質の室壁への凝縮は回避することができる。
【０１０７】
・  プロセス化に必要なすべての方法ステップはただ１つの装置によって行うことができる。
【０１０８】
複数の実施例及び所属の図面によって、被処理物を熱処理する装置及びそのための相応する方法を紹介する。図面は概略的なもので、実寸を示していない。
【０１０９】
出発点は複数の被処理物３３及び４３を熱処理する装置１である（図１）。この装置は複数の、互いに上下に、積層熱処理ユニット２に配置された熱処理ユニット３及び４から成っている。熱処理ユニット３若しくは４はエネルギ源３２若しくは４２を有している。被処理物を熱処理するために、エネルギ源及び被処理物は互いに次のように配置されている。すなわち、積層熱処理ユニット２の特定の積層方向２２において、エネルギ源３２と別のエネルギ源４２との間に被処理物３３が、かつ被処理物３３と別の被処理物４３との間に別のエネルギ源４２が配置されている。
【０１１０】
エネルギ源３２若しくは４２は実施例では棒形のハロゲンランプ６１であり、これはアレイ６４の形に配置されている（図６）。ハロゲンランプ６１のそれぞれは、石英ガラスより成る包囲体６０内に配置されている。包囲体６０とハロゲンランプ６１との間の中間室は液状又はガス形の冷却剤６２により流過されている。ハロゲンランプ６１は熱処理の際に、赤外線放射線の形の電磁放射線３４若しくは４４を出し、これは被処理物３３若しくは４３により、相応するエネルギ量の受容のために、吸収される。このために被処理物３３及び４３はエネルギ源３２若しくは４２の放射線照射野内に配置されている。第１の実施形では、熱処理ユニット３３の被処理物３３は単に熱処理ユニット３の放射線照射野３４にさらされているに過ぎない（図２Ａ）。別の実施形では、被処理物３３は付加的に隣接の熱処理ユニット４のエネルギ源４２の放射線照射野４４内に配置されている（図１）。次の実施形では、反射体５が、放射線照射野を形成するために、配置されている（図２Ｂ）。反射体５は、ガラスセラミックより成る支持体５０２上の酸化アルミニウム被覆５０１から成っている（図７Ａ）。反射体５は酸化アルミニウム被覆５０１上に当たった電磁放射線３４１を相応する被処理物３３の方向に反射させる。
【０１１１】
図７Ｂ及び７Ｃにおいては、反射体５の構成のための２つの別の解決策が示されている。反射体５２は図７Ｂによればエネルギ源６１の包囲体６０の一部である。図７Ｃによれば、反射体５３は直接に、ハロゲンランプ６１の石英ガラス包囲体に配置されている。別の実施形では、反射体５は、電磁放射線３４に対して部分透過性であり、これにより、隣接の中空室内で、放射線３４２の一部が放射される（図２Ｂ）。
【０１１２】
実施形では、包囲体６０は両側が開いている（図６Ｂ）。冷却のために冷却剤６２が冷却ガスの形で包囲体６０を通してポンピングされる。別の実施形では、包囲体６０は外とう部６６によって補足されている（図６Ｃ）。これによって生じた、外とう部６６と包囲体６０との間の中間室は、供給部及び排出部６７を備えていて、冷却のために冷却液体６５によって貫流される。
【０１１３】
図２Ｃによれば、熱処理ユニットは、付加的な電磁放射線７１を備えて付加的なエネルギ源７を有している。図２Ｄによれば、エネルギ源３２及び付加的なエネルギ源７の放射線照射野内にそれぞれ１つの透明体８及び９が配置されている。透明体８及び９はガラスセラミックプレートであって、これらは電磁放射線３４及び付加的な電磁放射線７１に対して半透明である。透明体８上には被処理物３３が接触している。電磁放射線７１の一部分はこの透明体８により吸収され、熱導体８１の形で引き続き導かれる。
【０１１４】
別の実施形は図２Ｅ及び２Ｆにおいて見ることができる。図２Ｅによれば、熱処理ユニット３は開いた熱処理容器１０を有しており、この中に被処理物３３が配置されている。熱処理容器１０の容器壁１０１は透明体８を有している。容器壁１０１は熱処理容器１０の底である。熱処理容器１０は図２Ｆに示した実施形によれば、閉鎖可能である。熱処理容器１０にプロセスガスを排気しかつ充填するために、熱処理容器１０は閉鎖可能な開口（ガス開口）１１を有しており、これは弁として構成されている。これに対して代替的に、弁は自動的に閉じるようにすることができる（逆止め弁）。
【０１１５】
図３は、２つの熱処理ユニット３及び４の熱処理容器１０がプロセスガス１２で一緒に負荷することができることを示している。この場合、熱処理容器１０はガス入口及びガス出口３５，３６，４５，４６を介して互いに接続されている。別の実施形では、各熱処理容器１０は別個にプロセスガス１２を充填される。
【０１１６】
図４は積層熱処理ユニット２を示し、その積層熱処理ユニット壁は部分的に積層体壁２１により形成されている。付加的な壁は反射プレートの形の反射体５によって与えられている。この積層熱処理ユニット２は、別の実施形では、排気可能な熱処理室３１内で、間隔３０３をもって配置されている（図５）。
【０１１７】
所定の実施形は図８〜１０に示されている。積層熱処理ユニット２の熱処理ユニット３及び４のそれぞれは、図２Ｄに示されているように、構成されており、その際熱処理ユニット３及び４のいずれも付加的なエネルギ源７を有していない。エネルギ源３２及び４２は棒形のハロゲンランプ６１のアレイ６４である。積層熱処理ユニット２の上方及び下方の閉鎖部を、それぞれ１つのプレート形の反射体５が、積層熱処理ユニット２の方向に配置された、エネルギ源としてのハロゲンランプ６１のアレイ６４をもって、形成している。ガラスセラミックプレートの形の透明体８，９は積層体壁２１の溝内に押し込まれている。
【０１１８】
その都度１つの熱処理容器１０が２つの透明体８及び９及び積層体壁２１から形成されている。熱処理容器１０は開口１１を、熱処理容器３および４内に特定のガス雰囲気を製作するために、有している。
【０１１９】
図１２は図８の一部を、ギャップ向流洗浄を明らかにするために、示している。矢印によって圧力勾配若しくはそれから生ずるガス流１３が示されている。熱処理中に熱処理容器１０の容器内室１０２内に、特定のガス圧力１０３を備えたプロセスガス１２のガス雰囲気５０が支配している。熱処理容器１０のギャップ１０４を通してプロセスガス１２が積層体壁２１の中空室３０１内に出ることができる。熱処理室３１内の内部の室壁がプロセスガス１２によって汚損されるのを防止するために、中空室３０１が周囲１４と接続されており、この周囲においては、熱処理室３１の容器内室１０２内のガス圧力よりも小さいガス圧力１４１が支配している。同時に、熱処理室３１の室壁と積層体壁２１との間の中間室３０２内にガス圧力３０４が支配し、これが、熱処理容器１０の容器内室１０２に支配しているガス圧力１０３とほぼ相応しているように、される。このガス圧力は幾分か大きく、これによりプロセスガス１２は、積層体壁２１のギャップ２０２を通って、中間室３０２内には達しない。周囲１４内で圧力１０３及び３０４と比較して小さいガス圧力１４１が支配していることによって、場合により積層体壁２１の中空室３０１内に出るプロセスガス１２は、支配している圧力勾配に基づいて、周囲１４の方向に搬送される。有毒のプロセスガスあるいは蒸気の場合には、これらは、湿式洗浄器あるいは冷却トラップのような中間に接続された廃棄ユニットによって、廃棄される。周囲１４内では、この場合、例えば単に心配のない支持体ガスが出されるに過ぎない。積層体壁２１は熱処理室３１内で使用される。積層体壁２１はドア２０１を有しており、これは熱処理室３１のドア３１１と無関係に開くことができる。このドアは同時に熱処理容器の容器を形成する。
【０１２０】
熱処理の方法の次の経過が例えば示される：
−  積層体壁に被処理物（１１１）が充填される。
【０１２１】
−  熱処理室を閉鎖する。
【０１２２】
−  積層体壁を開いて、熱処理容器に不活性ガスを何回も吸出し、かつ充填する。
【０１２３】
―  積層体壁を閉じ、ひいては熱処理容器を閉鎖する。
【０１２４】
−  洗浄ガス入口及び出口を、ギャップ向流洗浄のために、開く。
【０１２５】
−  熱処理容器内へのプロセスガス入口及び出口を開き、所望のプロセスガス分圧プロフィールを実施する。
【０１２６】
−  エネルギ源の包囲体を通るわずかな冷却空気流を調整する。
【０１２７】
−  熱処理（１１２）： エネルギ源の接続及び所望の温度プロフィールによる加熱器アレイの制御。制御入力値は、１つの実施形では熱処理容器１０に取り付けられている熱エレメントの信号である。
【０１２８】
−  エネルギ源３２，４２及び７の接続及び降下制御及び冷却空気流の制御による冷却プロフィールの制御。
【０１２９】
−  洗浄ガスのプロセスガス入口への入れ。
【０１３０】
−  積層体壁の開放及び不活性ガスの何回ものポンプ出し及び充填。
【０１３１】
−  熱処理室の開放及び被処理物の取り出し。
【０１３２】
１つの実施形では、熱処理の際に、被処理物のアッパヒート及びアンダヒートが別個に制御される。このことはしかし、それらの間に被処理物があるエネルギ源を別個に制御可能である場合にのみ、可能である。次の代替的な解決策が、積層体壁内に被処理物のためのそれぞれ１つのエネルギ源が設けられており、かつ熱処理中にアップヒートとアンダヒートとの不動に調整された比が許容可能である場合に、ある：
−  熱処理容器１０の底及びカバーが種々の赤外線を透過させる材料から成っている。カバーは赤外線を部分吸収するガラスセラミックから成っている。底は黒鉛を有している。別の実施形では、カバーは石英ガラスから、底はセラミックから、成っている。
【０１３３】
−  熱処理容器の底及びカバーは同じ材料から成っており、しかし赤外線放射線に関して異なった光学的密度を有しており、かつ底及びカバーの厚さが異なっている。
【０１３４】
−  エネルギ源は半側を赤外線部分反射器で被覆されている。
【０１３５】
−  包囲体は半側を赤外線部分反射器で被覆されている。
【０１３６】
−  熱処理ユニットの間で反射体を使用する。
【図面の簡単な説明】
【図１】  少なくとも１つの被処理物を熱処理する装置を側方から見た横断面図を示す。
【図２Ａ】  熱処理ユニットの可能な構成を示す。
【図２Ｂ】  熱処理ユニットの可能な構成を示す。
【図２Ｃ】  熱処理ユニットの可能な構成を示す。
【図２Ｄ】  熱処理ユニットの可能な構成を示す。
【図２Ｅ】  熱処理ユニットの可能な構成を示す。
【図２Ｆ】  熱処理ユニットの可能な構成を示す。
【図３】  ２つの熱処理ユニットの被処理物が貫通開口を介して互いに接続されている積層体壁の一部を示す。
【図４】  閉じた、排気可能なかつガスを充てん可能な積層体壁を示す。
【図５】  排気可能な熱処理室内に配置されている積層体壁を示す。
【図６Ａ】  包囲体内に配置されているエネルギ源を示す。
【図６Ｂ】  包囲体内に配置されているエネルギ源を示す。
【図６Ｃ】  包囲体内に配置されているエネルギ源を示す。
【図７Ａ】  反射体の実施形を示す。
【図７Ｂ】  反射体の実施形を示す。
【図７Ｃ】  反射体の実施形を示す。
【図８】  熱処理する特定の装置の横断面図を示す。
【図９】  熱処理する特定の装置の縦断面図を示す。
【図１０】  熱処理する特定の装置の縦断面図の一部を示す。
【図１１】  複数の被処理物を熱処理する方法を示す。
【図１２】  ガス向流洗浄の原理を明らかにした、複数の被処理物をプロセス化する実施形の横断面図を示す。
【符号の説明】
１  熱処理装置、  ２  積層熱処理ユニット、  ３  熱処理ユニット、  ４  熱処理ユニット、  ５  反射体、  ７  付加的なエネルギ源、  ８  透明体、  ９  透明体、  １０  熱処理容器、  １１  閉鎖可能な開口、  １２  プロセスガス、  １３  ガス流、  １４  周囲、  ２１  積層体壁、  ２２  積層方向、  ３１  熱処理室、  ３２  エネルギ源、  ３３  被処理物、  ３４  放射線、  ３５  ガス入口、  ３６  ガス出口、  ４２  エネルギ源、  ４３  被処理物、  ４４  放射線、  ４５  ガス入口、  ４６  ガス出口、  ５０  ガス雰囲気、  ５２  反射体、  ５３  反射体、  ６０  包囲体、  ６１  ハロゲンランプ、  ６２  冷却剤、  ６４  アレイ、  ６５  冷却液体、  ６６  外とう部、  ６７  供給部、排出部、  ７１  付加的な電磁放射線、  ８１  熱導体、  １０１  容器壁、  １０２  容器内室、  １０３  ガス圧力、  １０４  ギャップ、  １１１  被処理物、  １１２  熱処理、  １４１  ガス圧力、  ２０１  ドア、  ２０２  ギャップ、  ３０１  中空室、  ３０２  中間室、  ３０３  間隔、  ３０４  ガス圧力、  ３１１  ドア、  ３４１  放射線、  ３４２  放射線、  ５０１  酸化アルミニウム被覆、  ５０２  支持体
【図１】
0004524438.tif 000002
【図２Ａ】
0004524438.tif 000003
【図２Ｂ】
0004524438.tif 000004
【図２Ｃ】
0004524438.tif 000005
【図２Ｄ】
0004524438.tif 000006
【図２Ｅ】
0004524438.tif 000007
【図２Ｆ】
0004524438.tif 000008
【図３】
0004524438.tif 000009
【図４】
0004524438.tif 000010
【図５】
0004524438.tif 000011
【図６Ａ】
0004524438.tif 000012
【図６Ｂ】
0004524438.tif 000013
【図６Ｃ】
0004524438.tif 000014
【図７Ａ】
0004524438.tif 000015
【図７Ｂ】
0004524438.tif 000016
【図７Ｃ】
0004524438.tif 000017
【図８】
0004524438.tif 000018
【図９】
0004524438.tif 000019
【図１０】
0004524438.tif 000020
【図１１】
0004524438.tif 000021
【図１２】
0004524438.tif 000022