(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
リードフレーム用素材を用いて、ホトメトリック手法により凹状部と凹状部以外とにメッキエリアを有するリードフレームを製造する方法において、
(1)リードフレーム用素材の表面にレジスト層を設け、
(2)エッチングする部分を開口するためのパターンを有する第１マスクを用いて、前記レジスト層を露光し、
(3)前記第１のマスクを取り外して、メッキを施す領域を形成するための第２マスクを用いて、前記レジスト層を再度露光して、
(4)前記第２のマスクを取り外して、前記２回の露光後のレジスト層に対して、第１回目の現像をすることにより、該レジスト層のうち前記第１のマスクを用いて露光したパターンを開口して、エッチング用マスクを形成し、
(5)前記第１回目の現像後に露出したリードフレーム用素材をエッチングして凹部形状を形成し、
(6)前記エッチング用マスクに対して、第２回目の現像を行い、該エッチング用マスクのうち前記第２のマスクを用いて露光したパターンを開口して、メッキ用マスクを形成し、
(7)前記メッキ用マスクを用いて、前記第２回目の現像後に露出したリードフレーム用素材の表面の所望部位にメッキを施す、
工程を主要工程として含むことを特徴とするリードフレームの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、エッチングされた部分と、エッチングされない部分の両方にメッキを施す必要のあるリードフレームの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体素子搭載用部品の一つとしてリードフレームがある。リードフレームは、主として半導体素子を搭載するダイ部と、半導体素子表面に設けられた電極部と電気的に結合するためのインナーリード部と実装後に半導体装置と回路基板との接合に供せられるアウターリード部とから構成される。
【０００３】
昨今の電子機器小型化の影響はこうしたリードフレームにもおよび、リードやリード間隔が極めて狭い高密度のリードフレームが要求されるようになってきている。こうした高密度のリードフレームを得る方法としては、加工精度の問題よりエッチング法が多用されている。
【０００４】
例えば、リードフレーム用素材表面に感光性レジスト層を設け、このレジスト層に所望のパターンを有するマスクを密接し、露光し、現像してエッチング用マスクを得、次いで露出した素材部分をエッチングし、その後残存するエッチングレジスト層を除去し、必要とされる部分にメッキを施してリードフレームを得る。この際に施されるメッキは良好なワイヤボンディング性等を得るべく考慮して、例えば、素材が銅の場合には、ニッケルメッキ、パラジウムメッキ、金メッキがこの順に施される。
【０００５】
ところで、こうしたリードフレームの一つにＢＣＣ用リードフレームがある。このＢＣＣ用リードフレームは、例えばリードフレーム用素材に、上記したようなエッチング法で電極部とダイ部を形成するための凹部を設け、次いでこれらの凹部を含む必要部位にリードフレーム素材と溶解特性の異なるメッキ層を設けたものである。このＢＣＣ用リードフレームの使用に際しては、例えば、凹状ダイ部内に半導体素子を搭載し、半導体素子表面の電極と凹状電極の凹状内面とをワイヤボンディングし、その後樹脂封止し、次いでリードフレーム素材を溶解除去する。よって、ＢＣＣ用リードフレームを用いたパッケージは、他のパッケージと比較しパッケージサイズを小さくすることが可能となる。
【０００６】
このようなＢＣＣ用リードフレームで、ダイ部に凹状部と平坦部を共有する場合にはとりわけ、凹状部以外の平坦部にもメッキを施す場合がある。こうした場合、エッチング用マスクとして用いたレジスト層をそのままメッキ用マスクとして用いることができず、このレジスト層を一旦剥離した後に、再度、レジストを設けて所望のマスクを用いて露光し、現像してメッキ用マスクを得、これを用いてメッキし、その後メッキ用マスクを除去してＢＣＣ用リードフレームを得る。このため、このようなＢＣＣ用リードフレームは、他のパッケージと比較して、より割高なものとならざるを得ず、パッケージサイズにメリットがありながら広範囲に使用されがたいものとなっている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明はこうした問題点を解消し、より安価に凹状部と凹状部以外とにメッキエリアを有するリードフレームを得ることのできる方法の提供を目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するための本発明は、リードフレーム用素材を用いて、ホトメトリック手法により凹状部と凹状部以外とにメッキエリアを有するリードフレームを製造する方法において、以下の工程を主要工程として含むものである。
(1)リードフレーム用素材の表面にレジスト層を設ける。
(2)エッチングする部分を開口するためのパターンを有する第１マスクを用いて、前記レジスト層を露光する。
(3)前記第１のマスクを取り外して、メッキを施す領域を形成するための第２マスクを用いて、前記レジスト層を再度露光する。
(4)前記第２のマスクを取り外して、前記２回の露光後のレジスト層に対して、第１回目の現像をすることにより、該レジスト層のうち前記第１のマスクを用いて露光したパターンを開口してエッチングマスクを形成する。
(5)前記第１回目の現像後に露出したリードフレーム用素材をエッチングして凹部形状を形成する。
(6)前記エッチング用マスクに対して、第２回目の現像を行い、該エッチング用マスクのうち前記第２のマスクを用いて露光したパターンを開口して、メッキ用マスクを形成する。
(7)前記メッキ用マスクを用いて、前記第２回目の現像に露出したリードフレーム用素材の表面の所望部位にメッキを施す。
【０００９】
【発明の実施の形態】
本発明では、リードフレーム用素材の表面に感光性レジスト層を設け、まず所望のエッチングパターンを有するマスクを用いて露光し、更にメッキパターンを有するマスクを用いて露光する。この結果、エッチング部に対応するレジスト層は緩やかな現像条件で容易に開口され、エッチング部に対応せずメッキ部に対応するレジスト層はより強い現像条件で開口することになる。本発明の本質はこれを利用したものである。
【００１０】
具体的な露光条件や現像条件は、用いるレジスト材料により決定されるため、特に限定はしない。必要であれば、実施に先立ち条件を求めておくことが好ましい。
【００１１】
むろん、使用しうるレジストとしては、感光性レジストでも、感熱性レジストでも良く、その形態もフィルム状、液状を問わない。
【００１２】
【実施例】
次に実施例を用いて本発明をさらに説明する。
（実施例）
リードフレーム材として厚さ０．１２５ｍｍ、幅３５ｍｍ、長さ１５０ｍｍの銅製シートの表面にレジスト層（旭化成社製  商品名  ＡＱ−２５５８）を設け、該シート表面に一辺が２０ｍｍの凹状グランド部と、凹状グランド部の両側に均等に配置された直径０．０７５ｍｍ、総計２２５個の凹状電極パッド部用開口部を有するパターンが４つ設けられた第１マスクを密接し、３０ｍＪの紫外線を照射した。
【００１３】
次に第１マスクを除去し、シート表面に一辺が２２ｍｍの凹状グランド部と、凹状グランド部の両側に均等に配置された直径０．０８０ｍｍ、総計２２５個の凹状電極パッド部メッキ用開口部を有するパターンが４つ設けられた第２マスクをレジスト層表面に位置あわせして密接し、１０ｍＪの紫外線を照射した。
【００１４】
次に、第２マスクを除去し、炭酸ナトリウム溶液に４０秒間浸漬してレジスト層を現像し、エッチング用マスクを作製した。その後、露出している銅表面部をハーフエッチングして凹状グランド部と凹状パッド部とを作製した。
【００１５】
次に、これを炭酸ナトリウム溶液に８０秒間浸漬してレジスト層を再現像し、メッキ用マスクを得た。その後、このメッキ用マスクを用いて必要メッキ部に金ストライクメッキを施し、次に、その上に厚さ１μｍのパラジウムメッキ層を設け、次いで厚さ６μｍのニッケルメッキ層を設け、最表層として平均厚さ１μｍのパラジウムメッキ層を設けた。このようにしてＢＣＣ用リードフレーム材を形成した。なお、本例ではリードフレームを作成するのに５時間が必要とされた。
【００１６】
次に、このようにして得られたＢＣＣ用リードフレーム材を用いて半導体素子を実装し、ＢＣＣを５００個作成した。なお、リードフレーム素材部は溶解して除去した。得られたＢＣＣをプリント配線板に半田リフローにより搭載し、導通テストを行った。その結果、導通不良はみられなかった。
【００１７】
（従来例）
リードフレーム材として厚さ０．１２５ｍｍ、幅３５ｍｍ、長さ１５０ｍｍの銅製シートの表面にレジスト層（旭化成社製  商品名  ＡＱ−２５５８）を設け、該シート表面に一辺が２０ｍｍの凹状グランド部と、凹状グランド部の両側に均等に配置された直径０．０７５ｍｍ、総計２２５個の凹状電極パッド部用開口部を有するパターンが４つ設けられた第１マスクを密接し、８０ｍＪの紫外線を照射した。
【００１８】
次に、第１マスクを除去し、炭酸ナトリウム溶液に４０秒間浸漬してレジスト層を現像し、エッチング用マスクを作製した。その後、露出している銅表面部をハーフエッチングして凹状グランド部と凹状パッド部とを作製した。
【００１９】
次に、エッチング用マスクを除去し、リードフレーム材表面にレジスト層（旭化成社製  商品名  ＡＱ−２５５８）を設け、シート表面に一辺が２２ｍｍの凹状グランド部と、凹状グランド部の両側に均等に配置された直径０．０８０ｍｍ、総計２２５個の凹状電極パッド部メッキ用開口部を有するパターンが４つ設けられた第２マスクをレジスト層表面に位置あわせして密接し、８０ｍＪの紫外線を照射した。
【００２０】
次に、第２マスクを除去し、炭酸ナトリウム溶液に４０秒間浸漬してレジスト層を現像し、メッキマスクを作製した。その後、このメッキマスクを用いて必要メッキ部に金ストライクメッキを施し、次に、その上に厚さ１μｍのパラジウムメッキ層を設け、次いで厚さ６μｍのニッケルメッキ層を設け、最表層として平均厚さ１μｍのパラジウムメッキ層を設けた。このようにしてＢＣＣ用リードフレーム材を形成した。なお、本例でリードフレームを得るのに８時間が必要とされた。
【００２１】
次に、このようにして得られたＢＣＣ用リードフレーム材を用いて半導体素子を実装し、ＢＣＣを５００個作成した。なお、リードフレーム素材部は溶解して除去した。得られたＢＣＣをプリント配線板に半田リフローにより搭載し、導通テストを行った。その結果、導通不良はみられなかった。
【００２２】
【発明の効果】
本発明では、レジスト層をエッチング用マスク及びメッキ用マスクとして共通して使用できるため、操業資材の節約ができる。また、工程も短縮可能なため、従来法より安価にリードフレームを提供することができる。