(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
疎水膜形成物質ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）を充満させる複数の部屋と、
該複数の部屋を接続し、前記疎水膜形成物質を流通させる配管と、
該配管による前記疎水膜形成物質の流通を制御するバルブと、
を有し、
前記複数の部屋は、静電アクチュエータの相対変位可能な対向部材の対向表面に疎水膜を形成するための複数の処理室と、
前記複数の処理室と直列または並列に連結される疎水膜形成物質の濃度を測定するための測定室と、
を有することを特徴とする疎水膜形成装置。
【請求項２】
（ａ）複数の部屋に疎水膜形成物質ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）を充満させて対象物に疎水膜を形成する工程と、
（ｂ）前記工程（ａ）の後に、前記複数の部屋の間の、前記疎水膜形成物質の流通を遮断する工程と、
（ｃ）前記工程（ｂ）の後に、前記複数の部屋の一の部屋の前記疎水膜形成物質の濃度を測定する工程と、
（ｄ）前記工程（ｃ）の後に、前記複数の部屋の一の部屋から前記工程（ａ）において疎水膜の形成された前記対象物を取り出す工程と、
を有することを特徴とする疎水膜形成方法。
【請求項３】
対向配置された一対の部材の間に静電気力を発生させて当該部材を相対変位させる静電アクチュエータの製造方法であって、
（ａ）複数の部屋に疎水膜形成物質ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）を充満させて、前記部材の少なくとも一方の対向表面に疎水膜を形成する工程と、
（ｂ）前記工程（ａ）の後に、前記複数の部屋の間の、前記疎水膜形成物質の流通を遮断する工程と、
（C）前記工程（ｂ）の後に、前記複数の部屋の一の部屋の前記疎水膜形成物質の濃度を測定する工程と、
（ｄ）前記工程（C）の後に、前記複数の部屋の一の部屋から前記工程（ａ）において疎水膜の形成された前記部材を取り出す工程と、
（ｅ）前記工程（ｄ）の後に、前記一対の部材によって形成される空間を封止する工程と、
を有することを特徴とする静電アクチュエータの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、対象物に疎水膜を形成する装置及び疎水膜形成方法に関し、特に同時に多数の対象物に疎水膜を形成する装置及び方法に関する。  本発明は、対向電極間に電圧を印加することにより発生する静電気力を駆動源として利用している静電アクチュエータ、更に詳しくは、静電気力により相対変位する部材の表面に疎水膜が形成された静電アクチュエータの製造方法に用いて好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】
インクジェットプリンタのインクジェットヘッド等には、半導体の微細加工技術を用いて形成された微小構造のアクチュエータが用いられている。この微小構造のアクチュエータとしては、その駆動源として静電気力を利用した静電駆動方式のものが知られている。例えば、出願人によって、静電気力を利用してインク液滴を吐出するタイプのインクジェットヘッドが特開平５−５０６０１号、同６−７１８８２号公報に開示されている。
【０００３】
この形式のインクジェットヘッドは、インクノズルに連通しているインク室の底面が弾性変形可能な振動板として形成されている。この振動板には、一定の間隔で基板が対向配置されている。これらの振動板および基板には、それぞれ対向電極が配置され、これらの対向電極の間の空間は封止された状態となっている。対向電極間に電圧を印加すると、これらの間に発生する静電気力によってインク室の底面（振動板）が基板の側に静電吸引あるいは静電反発されて振動する。このインク室の底面の振動に伴って発生するインク室の内圧変動によりインクノズルからインク液滴が吐出される。対向電極間に印加する電圧を制御することにより、記録に必要な時にのみインク液滴を吐出する、所謂インク・オン・デマンド方式が実現される。
【０００４】
ここで、対向電極間に繰り返し電圧を印加してインクジェットヘッドの駆動を繰り返していると、対向電極の表面、すなわち、対向しているインク室底面および基板の表面に水分が付着する。水分が付着すると、これらの極性分子の帯電によって、静電吸引特性あるいは静電反発特性が低下する恐れがある。また、基板の表面に吸着した極性分子が相互に裾結合して、インク室底面が基板側に貼り付いたままの状態となり、動作不能となる恐れがある。
【０００５】
このような弊害を回避するために、インク室底面および基板表面に疎水化処理を施すことが考えられる。例えば、パーフルオロデカン酸（ＰＦＤＡ）の配向単分子層をこれらの表面に形成することにより、これらの表面を疎水化することが考えられる。
【０００６】
ＰＦＤＡを用いて疎水化処理が施された静電アクチュエータの例は、例えば、特開平７−１３００７号公報に開示されている。この公報に記載された発明においては、静電アクチュエータであるマイクロメカニカル装置における対向電極の表面にＰＦＤＡの配向単分子層を形成することにより、これらが駆動中に膠着状態に陥ることなどを防止するようにしている。
【０００７】
その他の例として、 ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）を用いて、ＰＦＤＡ同様に、疎水層を形成することができる。
以下、ＨＭＤＳを用いて疎水層を形成する場合の層形成方法の例を以下に示す。
まず、インクジェットヘッド１を構成しているキャビティープレート２、ノズルプレート３、ガラス基板４をそれぞれウエハから加工して製造する。次に、それらの３部材を相互に組み立てて（ＡＢ接合して）インクジェットヘッドを形成する。すなわち、間隔Ｇが形成されるように、キャビティープレート２の底面側にガラス基板４を組み付ける。この状態では、共通電極である振動板５１の底面、およびセグメント電極部１０の表面のいずれにも疎水膜は形成されていない。
【０００８】
次に、ＨＭＤＳ付着工程において、共通電極である振動板５１の底面、およびセグメント電極部１０の表面に、それぞれＨＭＤＳからなる疎水膜５３、１５を形成する。例えば、容器内にインクジェットヘッド１及びＨＭＤＳを入れた後、常温、常湿で雰囲気圧力を大気圧として、この状態をＨＭＤＳが拡散により十分隙間Ｇに侵入するまで維持する。この結果、共通電極である振動板５１の底面およびセグメント電極部１０表面にはＨＭＤＳからなる疎水膜５３，１５が形成される。
【０００９】
次に、気密封止工程において、インクジェットヘッド１を容器から取り出すか、または取り出さずに容器内で振動板５１とセグメント電極部１０との間の空間を気密封止し、隙間Ｇを形成する。
【００１０】
しかしながら、容器内で気密封止を行う場合、例えばグローブの装着された処理槽などで行う場合、グローブをはめた状態での作業であり作業性が非常に悪く封止剤が過剰にはみ出し不良を多発させてしまう。更に、気密封止する際の容器内は引火点が１７℃であるＨＭＤＳが蒸発しかつ飽和している状態であり、この容器内で気密封止作業をすることは危険性が高いという問題もあった。また、容器からインクジェットヘッド１を取り出して気密封止をする場合、気密封止するまでの時間が経過すればするほど耐久性がばらつくことから、容器からインクジェットヘッド１を取り出して速やかに気密封止をしなければならず、速やかに気密封止を終了させるためにはインクジェットヘッド１の数を少なくしなければならなくなってしまう。つまり、気密封止終了までの時間を短くしなければいけないという時間的制約によって一度に気密封止できる処理枚数が非常に少なくなってしまう。更に、処理終了後にインクジェットヘッド１を容器から取り出すと容器内の処理濃度の測定ができなくなってしまい処理が完了したのかどうかの判断ができないという問題も発生する。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
そこで、本発明の目的は、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）を用いて対向部材表面に疎水化処理を施した後当該隙間を気密封止する疎水膜の形成装置において、気密封止作業での安全性を向上させるとともに、処理数量の向上、更には疎水化処理における処理容器間の処理濃度のばらつきの抑制、処理終了時の処理濃度を正確に測定することなどを可能とする疎水膜形成装置を提案することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するため、本発明では、一定の間隔で対向配置され相対変位可能な対向部材と、これら対向部材の間に静電気力を発生させて当該対向部材を相対変位させる駆動手段と、前記対向部材のうちの少なくとも一方の部材における他方の部材との対向表面に形成された疎水膜とを有する静電アクチュエータ製造方法において、前記対向表面にＨＭＤＳからなる前記疎水膜を疎水膜形成装置を用いて形成する付着工程と、前記静電アクチュエータを疎水膜形成装置から取り出した後、各対向部材の対向表面の隙間に当該隙間を気密封止する封止工程とを行うようにしている。
【００１３】
詳細に説明すると、本発明者等は、対向表面にＨＭＤＳからなる疎水膜を付着した直後から外部（大気中）に放置した場合における疎水膜の耐久性を調べたところ、図６に示すように、放置した直後から急激に低下して数分後に所定のレベルにおちつき、その後、さらに数日間放置すると、耐久性は再び徐々に回復することが分かった。また、疎水膜の耐久性は放置した直後が最も高いことも確認された。
【００１４】
本発明の製造装置では、かかる知見に基づき、本発明の疎水膜形成装置の処理容器内で対向表面にＨＭＤＳからなる疎水膜を形成した後、静電アクチュエータを大気中に取り出し、隙間のＨＭＤＳ濃度が所定値以上に保たれた状態のまま当該隙間を短時間に気密封止している。このため、対向表面に形成された疎水膜の耐久性を、当該疎水膜が形成された直後のものと同等あるいはそれに近いものにできる。また、疎水膜形成装置は複数の処理容器と濃度測定用容器を管及びバルブを介して直列または並列に連結させた構造をしている。 対向表面にＨＭＤＳからなる疎水膜を形成する際は、各処理容器及び濃度測定用容器各々にＨＭＤＳを滴下した後、各処理容器及び濃度測定用容器間のバルブを開けた状態で規定時間ＨＭＤＳを蒸発させる。各処理容器及び濃度測定用容器間のバルブを開けているためにＨＭＤＳは各処理容器及び濃度測定用容器均一に拡散し各処理容器及び濃度測定用容器のＨＭＤＳ濃度を一定にすることができる。そして、静電アクチュエータを取り出す際は、まず各処理容器及び濃度測定用容器間のバルブを閉め各々独立させた後濃度測定用容器の処理濃度を測定する。この濃度測定により静電アクチュエータが入っている処理容器に影響を与えることなくＨＭＤＳが充分拡散し疎水化処理が完了していることを確認することができる。そして、各処理容器より静電アクチュエータを取り出し気密封止を行う。この結果、疎水化処理が完了していることを確認した後処理容器毎に静電アクチュエータを気密封止することができるので、処理容器から静電アクチュエータを取り出してから気密封止するまでの時間管理を処理容器毎行うことができる。静電アクチュエータを取り出してから気密封止するまでの時間は耐久性を向上させるためには短時間にする必要があり、短時間に気密封止を終了させるためには静電アクチュエータの数は必然的に減らさなければならない。しかし、本発明では連結する処理容器の数を増やすことで処理枚数を向上することができ、また処理容器毎短時間に気密封止することもできるため、耐久性を維持した状態で処理能力を向上させることができる。
【００１５】
ここで、本発明者等の実験によれば、ＨＭＤＳ濃度が０．３％以上の状態で隙間を気密封止すれば、疎水膜の耐久性を実用上支障のない程度に高められることが確認された。また、ＨＭＤＳ濃度が０．８％以上の状態で隙間を気密封止すれば、疎水膜の耐久性を実用上十分なものにできることが確認された。
【００１６】
更には、封止工程を、常温および常圧の下で行えばよいことも確認された。
【００１７】
また、付着工程では、常圧中で、予め定められた濃度となるようにＨＭＤＳを気化させた雰囲気中に対向部材を放置すれば良い。この場合には、ＨＭＤＳからなる疎水膜が形成された後は、対向部材をＨＭＤＳ雰囲気中から取り出してから短時間に気密封止すれば良い。なお、本発明の疎水膜形成装置を用いた静電アクチュエータ製造工程においては、前記封止工程に先立って、前記対向表面の水分を除去する乾燥工程を行えば、ＨＭＤＳの付着状況の安定化を図ることができ、封止工程におけるＨＭＤＳの付着状態のばらつきを回避できる。
【００１８】
本発明の疎水膜形成装置によって製造された静電アクチュエータは、インクジェットプリンタに用いるインクジェットヘッドに適用可能である。この場合には、静電アクチュエータを、前記対向部材の相対変位によって圧力変動するインク室と、当該インク室に連通しているインクノズルと、当該インク室に連通しているインクノズルとを有する構成とする。また、前記駆動手段を、前記対向部材の各々に形成した対向電極と、これらの対向電極に電圧パルスを印加する電圧印加手段とを備えた構成とする。さらに、前記電圧パルスの印加に応じて前記インクノズルからインク液滴が吐出されるようにすれば良い。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下に、図面を参照して、本発明の疎水膜形成装置及び本発明による疎水膜形成装置を適用して製造した静電アクチュエータであるインクジェットヘッドの適用事例の説明をする。
【００２０】
（全体構成）
図１は本発明を適用した静電アクチュエータとしてのインクジェットヘッドの断面図であり、図２はその平面図であり、図３はその部分断面図である。
【００２１】
これらの図に示すように、インクジェッドヘッド１は、シリコン基板２を挟み、上側に同じくシリコン製のノズルプレート３、下側にシリコンと熱膨張率が近いホウ珪酸ガラス基板４がそれぞれ積層された３層構造となっている。中央のシリコン基板２には、その表面からエッチングを施すことにより、独立した５つのインク室５と、１つの共通インク室６と、この共通インク室６を各インク室５に連通しているインク供給路７としてそれぞれ機能する溝が加工されている。これらの溝がノズルプレート３によって塞がれて、各部分５、６、７が区画形成されている。
【００２２】
ノズルプレート３には、各インク室５の先端側の部分に対応する位置に、インクノズル１１が形成されており、これらが各インク室５に連通している。また、共通インク室６が位置しているノズルプレート３の部分には、これに連通するインク供給口１２（図２参照）が形成されている。インクは、外部の図示しないインクタンクから、インク供給口１２を通って共通インク室６に供給される。共通インク室６に供給されたインクは、各インク供給路７を通って、独立した各インク室５に供給される。
【００２３】
独立した各インク室５は、その底壁５１が薄肉とされて、面外方向、すなわち、図１において上下方向に弾性変位可能な振動板として機能するように設定されている。したがって、この底壁５１の部分を、以後の説明の都合上、振動板と称して説明することもある。
【００２４】
次に、シリコン基板２の下側に位置しているガラス基板４において、その上面であるシリコン基板２との接合面には、シリコン基板２の各インク室５に対応した位置に、浅くエッチングされた凹部９が形成されている。この隙間Ｇは、封止剤９３によって封止されている。
【００２５】
ここで、各インク室５の底壁５１は、各インク室側の共通電極として機能する。この底壁５１の表面にはヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）からなる疎水膜５３が形成されている。この共通電極としての底壁５１に対峙するように、ガラス基板４の凹部表面には、ＩＴＯからなるセグメント電極１０が形成されている。各セグメント電極１０の表面にも、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）からなる疎水膜１５が形成されている。隙間Ｇを挟み、共通電極である各インク室底壁５１と、対応する各セグメント電極１０とが対向電極を形成している。
【００２６】
図２に示すように、これらの対向電極の間に駆動電圧を印加するための電圧印加手段２１は、図示していない外部からの印字信号に応じて、これらの対向電極間に駆動電圧を印加する。電圧印加手段２１の一方の出力は個々のセグメント電極１０に接続され、他方の出力はシリコン基板２に形成された共通電極端子２２に接続されている。シリコン基板２自体は導電性をもつため、この共通電極端子２２から底壁５１の共通電極に電圧を供給することができる。また、より低い電気抵抗で共通電極に電圧を供給する必要がある場合には、例えば、シリコン基板の一方の面に金等の導電性材料の薄膜を蒸着やスパッタリングで形成すればよい。本実施例では、シリコン基板２とガラス基板４との接続に陽極接合を用いているので、シリコン基板２の流路形成面側に導電膜を形成してある。
【００２７】
ここで、このように構成したインクジェットヘッド１においては、電圧印加手段２１からの駆動電圧が対向電極間に印加されると、対向電極間に充電された電荷によるクーロン力が発生し、底壁（振動板）５１はセグメント電極１０の側へ撓み、インク室５の容積が拡大する。次に、電圧印加手段２１からの駆動電圧を解除して対向電極間の電荷を放電すると、振動板５１はその弾性復帰力によって復帰し、インク室５の容積が急激に収縮する。この時発生するインク圧力により、インク室５を満たすインクの一部が、このインク室に連通しているインクノズル１１からインク滴として吐出する。
【００２８】
なお、インクジェットヘッド１で使用されるインクとしては、水、アルコール、トルエン等の主溶媒にエチレングリコール等の界面活性剤と、染料または顔料とを溶解または分散させることにより調製される。さらに、インクジェットヘッド１にヒータを設けておけば、ホットメルトインクも使用できる。
【００２９】
（製造方法）
図４に上記構成のインクジェットヘッド１の疎水膜５３及び疎水膜１５を形成するための疎水膜形成装置を示してある。この図に示すように、疎水膜形成装置は、処理容器１０１、窒素導入口１０２、窒素導入バルブ１０３、ＨＭＤＳ導入口１０４、ＨＭＤＳ導入バルブ１０５、ＨＭＤＳ受け皿１０６、排気口１０７、排気バルブ１０８で独立した処理槽を構成している。また、この独立した処理槽は、処理槽連結管１０９及び処理槽連結バルブ１１０で複数個連結させた構成をしている。更に、これらの独立した処理槽の内少なくとも一つの処理槽にＨＭＤＳ濃度測定ポート１１１を具備している。以下に、上記構成の疎水膜形成装置を用いて製造したインクジェットヘッド１の製造方法の具体例を示す。
【００３０】
図５には上記構成のインクジェットヘッド１の製造工程の概略フローチャートを示してある。この図に示すように、まず、ステップＳＴ１において、インクジェットヘッド１を構成しているキャビティープレート２、ノズルプレート３、ガラス基板４をそれぞれウエハから加工して製造する。次に、ステップＳＴ２において、それらの３部材を相互に組み立てて（ＡＢ接合して）インクジェットヘッドを形成する。すなわち、間隔Ｇが形成されるように、キャビティープレート２の底面側にガラス基板４を組み付ける。この状態では、共通電極である振動板５１の底面、およびセグメント電極部１０の表面のいずれにも疎水膜は形成されていない。
【００３１】
次に、ステップＳＴ３の前処理（乾燥）工程において、インクジェットヘッド１を図４に示すような処理槽１０１に入れる。但し、ＨＭＤＳ処理後の濃度を測定するためにＨＭＤＳ濃度測定ポート１１１を具備した処理槽はＨＭＤＳ処理後にＨＭＤＳ濃度を測定するためインクジェットヘッド１は入れない。次に、インクジェットヘッド１に対して前処理を施し、その表面に付着している水分を除去する。例えば、窒素導入バルブを開けて窒素導入口より窒素を処理槽内に供給すると同時に排気バルブを開けて処理槽内を窒素に置換し、この処理槽内にインクジェットヘッド１を放置すれば良い。この際ＨＭＤＳ濃度測定ポート１１１を具備した処理槽も同様に窒素置換を行う。このような前処理工程を行うと、ＨＭＤＳの付着状況の安定化を図ることができる。すなわち、振動板５１の底面、およびセグメント電極部１０の表面から余分な付着水分を除去して、ＨＭＤＳの付着状況の安定化を図り、次の工程におけるＨＭＤＳの付着状態にばらつきが発生するのを回避できる。
【００３２】
次に、ステップＳＴ４のＨＭＤＳ付着工程において、共通電極である振動板５１の底面、およびセグメント電極部１０の表面に、それぞれＨＭＤＳからなる疎水膜１５、５３を形成する。
【００３３】
例えば、各処理槽１０１及びＨＭＤＳ濃度測定ポート１１１を具備した処理槽の各ＨＭＤＳ導入バルブ１０５を開けてＨＭＤＳ導入口１０２よりＨＭＤＳを各処理槽１０１に規定量ずつ同量滴下した後、窒素導入バルブ１０３を閉めて窒素の供給を止める。そして、常温、常湿で雰囲気圧力を大気圧としこの状態をＨＭＤＳが拡散により十分隙間Ｇに侵入するまで（本形態では約２０時間程度）維持する。この際、処理槽連結バルブ１１０を開けた状態にしておくことで、ＨＭＤＳは各処理槽均一に拡散しＨＭＤＳ濃度は一定となる。つまり処理槽間のＨＭＤＳの付着のばらつきを抑えることができる。
【００３４】
この結果、共通電極である振動板５１の底面およびセグメント電極部１０の表面にはＨＭＤＳからなる疎水膜１５、５３が形成される。この時の処理槽内のＨＭＤＳ濃度は約０．３％以上にすれば良い。
【００３５】
次に、ステップＳＴ５の窒素置換工程において、各処理槽間の全ての処理槽連結バルブ１１０を閉め、各処理槽１０１を独立させる。次に、ＨＭＤＳ濃度測定ポート１１１のバルブを開けて濃度測定器を処理槽に差込み処理槽のＨＭＤＳ濃度を測定する。この際、ＨＭＤＳ濃度測定ポート１１１を具備した処理槽はバルブを開けることにより水分が侵入するとともにＨＭＤＳ濃度が次第に低下していくが各処理槽間のバルブが閉じてあるためインクジェットヘッド１が入った他の処理槽は水分の侵入及びＨＭＤＳ濃度の低下を抑制することができる。つまり、インクジェットヘッド１のＨＭＤＳ処理に影響を与えることなくＨＭＤＳ処理濃度を測定することができる。
【００３６】
次に、インクジェットヘッド１の入ったいずれか一つの処理槽の窒素導入バルブ１０３を開けるとともに排気バルブ１０８を開け窒素導入口１０２より窒素を処理槽１０１内に導入し、処理槽１０１内を窒素置換する。次に、ステップＳＴ６の気密封止工程において、窒素置換した処理槽１０１内からインクジェットヘッド１を取り出して、振動板５１とセグメント電極部１０との間の空間を気密封止し、隙間Ｇを形成する。この時、気密封止された隙間ＧのＨＭＤＳ濃度はステップＳＴ５の窒素置換工程の窒素置換開始から気密封止終了までの時間に依存し、この時間が長ければ長いほど隙間ＧのＨＭＤＳ濃度は下がるため極力短時間で行う必要がある。例えば、図６は疎水膜１５、５３を形成した直後にインクジェットヘッドを外部に放置した場合における放置時間と疎水膜１５、５３の耐久性の相関関係のグラフである。なお、このグラフは、ＨＭＤＳ付着工程における処理槽内のＨＭＤＳ濃度が０．３％以上になるようにした場合に得られたものである。また、耐久性は、振動板５１の１回の振動を１サイクルとして測定したものである。
【００３７】
このグラフから分かるように、ＨＭＤＳからなる疎水膜１５、５３を形成した後に、その状態のまま封止せずに処理槽内から取り出して、大気中に放置しておくと、疎水膜１５、５３の耐久性は処理槽内から取り出した直後（右下がり領域Ａ）に急激に低下する。そして、数分後に所定の耐久性レベルに安定する。（安定領域Ｂ）。その後、さらに放置しておくと、数日後には耐久性が再び徐々に回復する。（右上がり領域Ｃ）。また、右上がり領域Ｃの耐久性は、疎水膜１５、５３を形成した直後（右下がり領域Ａ）の耐久性に比べれば低いレベルである。このグラフより処理槽から取り出して短時間で気密封止する必要があることがわかる。例えば、図６の例では約３分以内に気密封止すれば良い。
【００３８】
ここで、本発明による疎水膜形成装置によれば、ステップＳＴ５及びステップＳＴ６の工程において、処理槽連結バルブ１１０を閉め各処理槽独立させることにより、極力短時間で行う必要のあるステップＳＴ５の窒素置換工程の窒素置換開始からステップＳＴ６の気密封止までの作業を各々単独で実施することができる。つまり、短時間での気密封止を実現するとともに気密封止の時間を各処理槽毎個別に管理することができる。更に、窒素置換した後インクジェットヘッド１を外に取り出し気密封止するので安全性が向上するとともに作業性も向上する。
【００３９】
また、本発明による疎水膜形成装置によれば、処理槽間の処理槽連結管１０９及び処理槽連結バルブ１１０によって処理槽を数珠つなぎ状に更に増やせば、ステップＳＴ４のＨＭＤＳ付着工程の処理条件を変更することなく処理槽の数を増やした分だけ処理能力を向上させることが可能となる。
【００４０】
本例の製造方法では、隙間ＧのＨＭＤＳ濃度が約０．３％以上の状態を保持した後処理槽からインクジェットヘッド１を取り出して、当該隙間Ｇを短時間に気密封止している。従って、実質的にＨＭＤＳからなる疎水膜１５、５３を形成した直後に隙間Ｇが気密封止されることになる。すなわち、図６の右下がり領域Ａで隙間Ｇを気密封止したことになる。このため、振動板５１の表面およびセグメント電極部１０の表面に形成された疎水膜１５、５３の耐久性としては、疎水膜１５、５３が形成された直後あるいはそれに近いものになる。図６から明らかなように、疎水膜１５、５３を形成した後、数日間放置して得られる耐久性は１億サイクル以下の程度でしかないが、疎水膜１５、５３を形成した後、隙間ＧのＨＭＤＳ濃度が約０．３％以上のまま気密封止すれば、数千万〜数十億サイクル程度の耐久性が得られる。
【００４１】
以上説明したように、本例の疎水膜形成装置によれば、ＨＭＤＳからなる疎水膜１５、５３の耐久性を充分なものとするために、疎水膜形成後に数日間に渡って放置する必要がない。このため、充分な耐久性を備えたＨＭＤＳからなる疎水膜を備えたインクジェットヘッドを短時間で製造できる。また、得られる疎水膜の耐久性も極めて優れている。
【００４２】
［その他の実施の形態］
なお、前述した疎水膜形成装置は、インクジェットヘッドに対して本発明を適用した例であるが、本発明はインクジェットヘッド以外の静電アクチュエータの疎水膜形成に対しても同様に適用できる。
【００４３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の疎水膜形成装置では、静電アクチュエータなど相対変位可能な対向部材の対向表面にヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）からなる疎水膜を形成する際、処理槽を連結させることで連結させた処理槽の数だけ処理数量を増やすことができる。更に、ＨＭＤＳからなる疎水膜を形成した後、疎水膜を形成した静電アクチュエータに影響を与えることなくＨＭＤＳ濃度を測定し疎水化処理の完了を見極めることができる。更に、処理槽毎気密封止ができるので気密封止における時間的制約による処理能力低下を回避することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を適用したインクジェットヘッドの概略縦断面図である。
【図２】図１のインクジェットヘッドの平面図である。
【図３】図１のインクジェットヘッドの一部を示す概略横断面図である。
【図４】本発明における疎水膜形成装置の概略構成図である。
【図５】図１のインクジェットヘッドの製造工程を示す概略フローチャートである。
【図６】疎水膜を形成した直後にインクジェットヘッドを外部に放置した場合における放置時間と疎水膜の耐久性の相関関係のグラフである。
【符号の説明】
１      インクジェットヘッド
２      キャビティープレート
３      ノズルプレート
４      ガラス基板
５      インク室
５１    インク室の底壁（共通電極）
５３    ＨＭＤＳの疎水層
６      共通インク室
７      インク供給路
９      凹部
１１    インクノズル
１２    インク供給口
１０    セグメント電極
１５    ＨＭＤＳの疎水層
２１    電圧印加手段
２２    共通電極端子
１０１  処理容器
１０２  窒素導入口
１０３  窒素導入バルブ
１０４  ＨＭＤＳ導入口
１０５  ＨＭＤＳ導入バルブ
１０６  ＨＭＤＳ受け皿
１０７  排気口
１０８  排気バルブ
１０９  処理槽連結管
１１０  処理槽連結バルブ
１１１  ＨＭＤＳ濃度測定ポート
Ｇ      振動板と対向壁の隙間
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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