(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁界を発生する磁気記録素子、光を供給する光源と、前記光源の温度を測定する温度センサと、スライダ基板と、前記スライダ基板の媒体対向面とは反対側の面に固定された光源支持基板とを備え、
前記スライダ基板における前記媒体対向面の側面には、前記磁気記録素子、及び、媒体対向面とは反対側から光を受け入れて媒体対向面側に導く導波路が設けられ、
前記光源は、前記光源支持基板の側面に固定されて前記導波路に対して光を供給し、
前記温度センサは、前記光源支持基板と前記光源との間に設けられた絶縁層中に設けられ、
前記絶縁層上には電極パッドが設けられ、前記電極パッド上に前記光源が設けられ、
前記電極パッドは前記絶縁層中に設けられたビアホールにより前記光源支持基板と電気的に接続されている熱アシスト磁気ヘッド。
【請求項２】
前記温度センサは、測温抵抗体である請求項１記載の熱アシスト磁気ヘッド。
【請求項３】
請求項１又は２記載の熱アシスト磁気ヘッドと、
前記熱アシスト磁気ヘッドを支持するサスペンションと、を備えたヘッドジンバルアセンブリ。
【請求項４】
請求項３に記載のヘッドジンバルアセンブリと、
前記温度センサからの情報に基づいて前記光源の光出力を制御する光源制御部と、
を備えたハードディスク装置。
【請求項５】
光源支持基板と、
前記光源支持基板の側面に固定された光源と、
前記光源の温度を測定する温度センサと、を備え、
前記温度センサは、前記光源支持基板と前記光源との間に設けられた絶縁層中に設けられ、
前記絶縁層上には電極パッドが設けられ、前記電極パッド上に前記光源が設けられ、
前記電極パッドは前記絶縁層中に設けられたビアホールにより前記光源支持基板と電気的に接続されている熱アシスト磁気ヘッド用光源ユニット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、熱アシスト磁気記録方式により信号の書き込みを行う熱アシスト磁気ヘッド、この熱アシスト磁気ヘッドを備えたヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ）及びこのＨＧＡを備えたハードディスク装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスク装置の高記録密度化に伴い、薄膜磁気ヘッドのさらなる性能の向上が要求されている。薄膜磁気ヘッドとしては、磁気抵抗（ＭＲ）効果素子等の磁気検出素子と電磁コイル素子等の磁気記録素子とを積層した構造である複合型薄膜磁気ヘッドが広く用いられており、これらの素子によって磁気記録媒体である磁気ディスクにデータ信号が読み書きされる。
【０００３】
一般に、磁気記録媒体は、いわば磁性微粒子が集合した不連続体であり、それぞれの磁性微粒子は単磁区構造となっている。ここで、１つの記録ビットは、複数の磁性微粒子から構成されている。従って、記録密度を高めるためには、磁性微粒子を小さくして、記録ビットの境界の凹凸を減少させなければならない。しかし、磁性微粒子を小さくすると、体積減少に伴う磁化の熱安定性の低下が問題となる。
【０００４】
磁化の熱安定性の目安は、ＫＵＶ／ｋＢＴで与えられる。ここで、ＫＵは磁性微粒子の磁気異方性エネルギー、Ｖは１つの磁性微粒子の体積、ｋＢはボルツマン定数、Ｔは絶対温度である。磁性微粒子を小さくするということは、まさにＶを小さくすることであり、そのままではＫＵＶ／ｋＢＴが小さくなって熱安定性が損なわれる。この問題への対策として、同時にＫＵを大きくすることが考えられるが、このＫＵの増加は、記録媒体の保磁力の増加をもたらす。これに対して、磁気ヘッドによる書き込み磁界強度は、ヘッド内の磁極を構成する軟磁性材料の飽和磁束密度でほぼ決定されてしまう。従って、保磁力が、この書き込み磁界強度の限界から決まる許容値を超えると書き込みが不可能となってしまう。
【０００５】
このような磁化の熱安定性の問題を解決する方法として、ＫＵの大きな磁性材料を用いる一方で、書き込み磁界印加を印加する際に、光源からの光の照射によって記録媒体の一部に熱を加え、保磁力を小さくして磁気記録素子による書き込みを行う、いわゆる熱アシスト磁気記録方式が提案されている（例えば特許文献１〜５参照）。
【特許文献１】特開平１０−１６２４４４号公報
【特許文献２】特開２００１−２５５２５４号公報
【特許文献３】特開２００４−１５８０６７号公報
【特許文献４】IEEE Trans. Magn. Vol. 41, p2817(2005)
【特許文献５】特開２００６−１８５５４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、レーザダイオード等の光源は、同じ電力を投入してもその温度によって出力光の強度が大きく異なってしまう。出力光の強度がばらつくと、十分に記録媒体を加熱できずに書き込みが十分に行えなくなったり、記録媒体が加熱されすぎて意図しない部分にまで書き込みがなされたりして好ましくない。この場合、レーザダイオード等の光源から出力される光の強度を、フォトダイオード等の受光素子により直接モニタして制御することも考えられるが、構成が複雑化して好ましくない。
【０００７】
本発明は、このような課題に鑑みてなされたものであり、光源からの光の強度を安定化可能な熱アシスト磁気ヘッド、この熱アシスト磁気ヘッドを備えたＨＧＡ及びこのＨＧＡを備えたハードディスク装置、及び熱アシスト磁気ヘッド用光源ユニットを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る熱アシスト磁気ヘッドは、磁界を発生する磁気記録素子、光を供給する光源と、光源の温度を測定する温度センサと、スライダ基板と、前記スライダ基板の媒体対向面とは反対側の面に固定された光源支持基板とを備える。そして、スライダ基板における媒体対向面の側面には、磁気記録素子、及び、媒体対向面とは反対側から光を受け入れて媒体対向面側に導く導波路が設けられている。光源は、光源支持基板の側面に固定されて前記導波路に対して光を供給する。温度センサは、光源支持基板と光源との間に設けられた絶縁層中に設けられている。絶縁層上には電極パッドが設けられ、電極パッド上に前記光源が設けられている。さらに、電極パッドは絶縁層中に設けられたビアホールにより前記光源支持基板と電気的に接続されている。
【０００９】
本発明によれば、光源の温度を測定する温度センサを有するので、温度センサからの温度情報に基づいて光源からの光出力を温度によらず一定にすることが容易となる。
【００１１】
このような形態の熱アシストヘッドは、磁気記録素子及び導波路がスライダ基板に固定されたスライダと、光源を光源支持基板に固定された光源ユニットとを別々に製造できるので、磁気記録素子及び導波路の検査及び、光源の取り付け状況の検査を別々に行うことができ、良品同士を組み合わせることにより、全体としての歩留まりの向上を図ることができる。また、光源を固定する光源支持基板に温度センサが固定されているので、この温度センサにより光源の温度を精度よく測定できる。
【００１２】
また、光源と温度センサとをより近く容易に配置することができ、より精度よく光源の温度を測定できる。また、製造も容易である。
【００１３】
また、温度センサが測温抵抗体であることが好ましい。これによれば、小型化、薄膜化が容易であり、熱アシスト磁気ヘッドに特に適する。また、温度センサが薄膜であることも好ましい。
【００１４】
本発明にかかるヘッドジンバルアセンブリは、上述の熱アシスト磁気ヘッドと、熱アシスト磁気ヘッドを支持するサスペンションと、を備えたヘッドジンバルアセンブリである。
【００１５】
また、本発明に係るハードディスク装置は、上述のヘッドジンバルアセンブリと、温度センサからの情報に基づいて光源からの光出力を制御する光源制御部と、を備えたハードディスク装置である。
【００１６】
本発明に係る熱アシスト磁気ヘッド用光源ユニットは、光源支持基板と、光源支持基板に固定された光源と、光源の温度を測定する温度センサと、スライダ基板と、前記スライダ基板の媒体対向面とは反対側の面に固定された光源支持基板とを備える。そして、スライダ基板における媒体対向面の側面には、磁気記録素子、及び、媒体対向面とは反対側から光を受け入れて媒体対向面側に導く導波路が設けられている。光源は、光源支持基板の側面に固定されて前記導波路に対して光を供給する。温度センサは、光源支持基板と光源との間に設けられた絶縁層中に設けられている。絶縁層上には電極パッドが設けられ、電極パッド上に前記光源が設けられている。さらに、電極パッドは絶縁層中に設けられたビアホールにより前記光源支持基板と電気的に接続されている。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、光源からの光の強度を安定化可能な熱アシスト磁気ヘッド、この熱アシスト磁気ヘッドを備えたＨＧＡ及びこのＨＧＡを備えたハードディスク装置、及び熱アシスト磁気ヘッド用光源ユニットを提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下に、本発明を実施するための形態について、添付図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図面において、同一の要素は、同一の参照番号を用いて示されている。また、図面中の構成要素内及び構成要素間の寸法比は、図面の見易さのため、それぞれ任意となっている。
【００１９】
（ハードディスク装置）
図１は、実施の形態に係るハードディスク装置の斜視図である。
【００２０】
ハードディスク装置１は、スピンドルモータ１１の回転軸の回りを回転する複数の磁気記録媒体である磁気ディスク１０、熱アシスト磁気ヘッド２１をトラック上に位置決めするためのアセンブリキャリッジ装置１２、この熱アシスト磁気ヘッド２１のライト及びリード動作を制御し、さらに後に詳述する熱アシスト磁気記録用のレーザ光を発生させる光源であるレーザダイオードを制御するためのリードライト制御回路１３を備えている。
【００２１】
アセンブリキャリッジ装置１２には、複数の駆動アーム１４が設けられている。これらの駆動アーム１４は、ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）１５によってピボットベアリング軸１６を中心にして揺動可能であり、この軸１６に沿った方向に積層されている。各駆動アーム１４の先端部には、ヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ）１７が取り付けられている。各ＨＧＡ１７には、熱アシスト磁気ヘッド２１が、各磁気ディスク１０の表面に対向するように設けられている。磁気ディスク１０の表面に対向する面が熱アシスト磁気ヘッド２１の媒体対向面Ｓ（エアベアリング面とも呼ばれる）である。なお、磁気ディスク１０、駆動アーム１４、ＨＧＡ１７及び熱アシスト磁気ヘッド２１は、単数であってもよい。（ＨＧＡ）
【００２２】
図２は、ＨＧＡ１７の斜視図である。同図は、ＨＧＡ１７の媒体対向面Ｓを上にして示してある。
【００２３】
ＨＧＡ１７は、サスペンション２０の先端部に、熱アシスト磁気ヘッド２１を固着し、さらにその熱アシスト磁気ヘッド２１の端子電極に配線部材２０３の一端を電気的に接続して構成される。サスペンション２０は、ロードビーム２００と、このロードビーム２００上に固着され支持された弾性を有するフレクシャ２０１と、フレックシャの先端に板ばね状に形成されたタング部２０４と、ロードビーム２００の基部に設けられたベースプレート２０２と、フレクシャ２０１上に設けられておりリード導体及びその両端に電気的に接続された接続パッドからなる配線部材２０３とから主として構成されている。
【００２４】
なお、ＨＧＡ１７におけるサスペンションの構造は、以上述べた構造に限定されるものではないことは明らかである。なお、図示されていないが、サスペンション２０の途中にヘッド駆動用ＩＣチップを装着してもよい。
【００２５】
（熱アシスト磁気ヘッド）
図３は、図１に示した熱アシスト磁気ヘッド２１の近傍の拡大斜視図である。図４は、図３のＩＶ−ＩＶ断面図である。
【００２６】
熱アシスト磁気ヘッド２１は、スライダ２２と、光源支持基板２３０及び熱アシスト磁気記録用の光源となるレーザダイオード４０を備えた光源ユニット２３とが、スライダ基板２２０の背面２２０１及び光源支持基板２３０の接着面２３００を接面させて接着、固定された構成を有している。ここで、スライダ基板２２０の背面２２０１は、スライダ２２の媒体対向面Ｓとは反対側の面である。また、光源支持基板２３０の底面２３０１がフレクシャ２０１のタング部２０４に、例えば、エポキシ樹脂等の接着剤により接着されている。
【００２７】
スライダ２２は、スライダ基板２２０及びデータ信号の書き込み及び読み出しを行う磁気ヘッド部３２を備えている。
【００２８】
スライダ基板２２０は、板状を呈し、適切な浮上量を得るように加工された媒体対向面Ｓを有する。スライダ基板２２０は導電性のアルティック（Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ）等から形成されている。
【００２９】
磁気ヘッド部３２は、図３及び図４に示すように、スライダ基板２２０の媒体対向面Ｓに対して略垂直な側面である集積面２２０２に形成されている。磁気ヘッド部３２は、磁気情報を検出する磁気検出素子としてのＭＲ効果素子３３、磁界の生成により磁気情報を書き込む垂直（面内でも良い）磁気記録素子としての電磁コイル素子３４、ＭＲ効果素子３３及び電磁コイル素子３４の間を通して設けられている平面導波路としての導波路３５、磁気ディスクの記録層部分を加熱するための近接場光を発生させる近接場光発生部（プラズモン・プローブとも呼ばれる）３６、及び、これらＭＲ効果素子３３、電磁コイル素子３４、導波路３５及び近接場光発生部３６を覆うように集積面２２０２上に形成されたクラッドとして機能する絶縁層３８とを備えている。
【００３０】
更に、磁気ヘッド部３２は、図３に示すように、絶縁層３８の露出面上に形成され、ＭＲ効果素子３３の入出力端子にそれぞれ接続された一対の信号端子用の電極パッド３７１、３７１、電磁コイル素子３４の両端にそれぞれ接続された一対の信号端子用の電極パッド３７３、３７３、及び、スライダ基板２２０と電気的に接続されたグランド用の電極パッド３７５を備えている。図４に示すように、ビアホール３７５ａを介して、スライダ基板２２０と電気的に接続された電極パッド３７５は、フレクシャ２０１の電極パッド２４７と、ボンディングワイヤにより接続されており、スライダ基板２２０の電位は電極パッド２４７により、例えばグラウンド電位に制御されている。
【００３１】
ＭＲ効果素子３３、電磁コイル素子３４、及び近接場光発生部３６の各端面は、媒体対向面Ｓ上に露出している。
【００３２】
ＭＲ効果素子３３は、図４に示すように、ＭＲ積層体３３２と、このＭＲ積層体３３２を挟む位置に配置されている下部シールド層３３０及び上部シールド層３３４とを含む。下部シールド層３３０及び上部シールド層３３４は、例えば、フレームめっき法を含むパターンめっき法等によって形成された厚さ０．５〜３μｍ程度のＮｉＦｅ、ＣｏＦｅＮｉ、ＣｏＦｅ、ＦｅＮ若しくはＦｅＺｒＮ等の磁性材料で構成することができる。上下部シールド層３３４及び３３０は、ＭＲ積層体３３２が雑音となる外部磁界の影響を受けることを防止する。
【００３３】
ＭＲ積層体３３２は、面内通電型（ＣＩＰ（Ｃｕｒｒｅｎｔ  Ｉｎ  Ｐｌａｎｅ））巨大磁気抵抗（ＧＭＲ（Ｇｉａｎｔ  Ｍａｇｎｅｔｏ  Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ））多層膜、垂直通電型（ＣＰＰ（Ｃｕｒｒｅｎｔ  Ｐｅｒｐｅｎｄｉｃｕｌａｒ  ｔｏ  Ｐｌａｎｅ））ＧＭＲ多層膜、又はトンネル磁気抵抗（ＴＭＲ（Ｔｕｎｎｅｌ  Ｍａｇｎｅｔｏ  Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ））多層膜等の磁気抵抗効果膜を含み、非常に高い感度で磁気ディスクからの信号磁界を感受する。
【００３４】
ＭＲ積層体３３２は、例えば、ＴＭＲ効果多層膜を含む場合、ＩｒＭｎ、ＰｔＭｎ、ＮｉＭｎ、ＲｕＲｈＭｎ等からなる厚さ５〜１５ｎｍ程度の反強磁性層と、例えば強磁性材料であるＣｏＦｅ等、又はＲｕ等の非磁性金属層を挟んだ２層のＣｏＦｅ等から構成されており反強磁性層によって磁化方向が固定されている磁化固定層と、例えばＡｌ、ＡｌＣｕ等からなる厚さ０．５〜１ｎｍ程度の金属膜が真空装置内に導入された酸素によって又は自然酸化によって酸化された非磁性誘電材料からなるトンネルバリア層と、例えば強磁性材料である厚さ１ｎｍ程度のＣｏＦｅ等と厚さ３〜４ｎｍ程度のＮｉＦｅ等との２層膜から構成されておりトンネルバリア層を介して磁化固定層との間でトンネル交換結合をなす磁化自由層とが、順次積層された構造を有している。
【００３５】
ＭＲ効果素子３３と導波路３５との間には、下部シールド層３３０と同様の材料からなる素子間シールド層１４８が形成されている。素子間シールド層１４８は、ＭＲ効果素子３３を、電磁コイル素子３４より発生する磁界から遮断して読み出しの際の外来ノイズを防止する役割を果たす。
【００３６】
ＭＲ積層体３３２の媒体対向面Ｓとは反対側のシールド層３３０、３３４間、シールド層３３０、３３４、１４８の媒体対向面Ｓとは反対側、下部シールド層３３０とスライダ基板２２０との間、及び、素子間シールド層１４８と導波路３５との間にはアルミナ等から形成された絶縁層３８が形成されている。
【００３７】
なお、ＭＲ積層体３３２がＣＩＰ−ＧＭＲ多層膜を含む場合、上下部シールド層３３４及び３３０の各々とＭＲ積層体３３２との間に、アルミナ等により形成されたアルミナ等の絶縁用の上下部シールドギャップ層がそれぞれ設けられる。さらに、図示は省略するが、ＭＲ積層体３３２にセンス電流を供給して再生出力を取り出すためのＭＲリード導体層が形成される。一方、ＭＲ積層体３３２がＣＰＰ−ＧＭＲ多層膜又はＴＭＲ多層膜を含む場合、上下部シールド層３３４及び３３０はそれぞれ上下部の電極層としても機能する。この場合、上下部シールドギャップ層とＭＲリード導体層とは不要であって省略される。
【００３８】
ＭＲ積層体３３２のトラック幅方向の両側には、磁区の安定化用の縦バイアス磁界を印加するための、ＣｏＴａ，ＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＰｔ等の強磁性材料からなるハードバイアス層（不図示）が形成される。
【００３９】
電磁コイル素子３４は、垂直磁気記録用が好ましく、図４に示すように、主磁極層３４０、ギャップ層３４１ａ、コイル絶縁層３４１ｂ、コイル層３４２、及び補助磁極層３４４を備えている。
【００４０】
主磁極層３４０は、コイル層３４２によって誘導された磁束を、書き込みがなされる磁気ディスク（媒体）の記録層まで収束させながら導くための導磁路である。ここで、主磁極層３４０の媒体対向面Ｓ側の端部のトラック幅方向（図４の紙面奥行き方向）の幅及び積層方向（図４の左右方向）の厚みは、他の部分に比べて小さくすることが好ましい。この結果、高記録密度化に対応した微細で強い書き込み磁界を発生可能となる。
【００４１】
主磁極層３４０に磁気的に結合した補助磁極層３４４の媒体対向面Ｓ側の端部は、補助磁極層３４４の他の部分よりも層断面が広いトレーリングシールド部を形成している。補助磁極層３４４は、主磁極層３４０の媒体対向面Ｓ側の端部とアルミナ等の絶縁材料により形成されたギャップ層（クラッド）３４１ａ，コイル絶縁層３４１ｂを介して対向している。
【００４２】
補助磁極層３４４は、例えば、厚さ約０．５〜約５μｍの、例えばフレームめっき法、スパッタリング法等を用いて形成されたＮｉ、Ｆｅ及びＣｏのうちいずれか２つ若しくは３つからなる合金、又はこれらを主成分として所定の元素が添加された合金等から構成されている。
【００４３】
ギャップ層３４１ａは、コイル層３４２と主磁極層３４０とを離間しており、例えば、厚さ約０．０１〜約０．５μｍの、例えばスパッタリング法、ＣＶＤ法等を用いて形成されたＡｌ２Ｏ３又はＤＬＣ等から構成されている。
【００４４】
コイル層３４２は、例えば、厚さ約０．５〜約３μｍの、例えばフレームめっき法等を用いて形成されたＣｕ等から構成されている。主磁極層３４０の後端と補助磁極層３４４の媒体対向面Ｓから離れた部分とが結合され、コイル層３４２はこの結合部分を取り囲むように形成されている。
【００４５】
コイル絶縁層３４１ｂは、コイル層３４２と、補助磁極層３４４とを離間し、例えば、厚さ約０．１〜約５μｍの熱硬化されたアルミナやレジスト層等の電気絶縁材料から構成されている。
【００４６】
図５は、媒体対向面側から見た磁気ヘッド主要部の平面図である。
【００４７】
リーディング側すなわちスライダ基板２２０側の辺の長さがトレーリング側の辺の長さよりも短い逆台形となるように、媒体対向面Ｓ側の主磁極層３４０の先端は、先細り形状にされている。
【００４８】
主磁極層３４０の媒体対向面側の端面には、ロータリーアクチュエータでの駆動により発生するスキュー角の影響によって隣接トラックに不要な書き込み等を及ぼさないように、ベベル角θが付けられている。ベベル角θの大きさは、例えば、１５°程度である。実際に、書き込み磁界が主に発生するのは、トレーリング側の長辺近傍であり、磁気ドミナントの場合には、この長辺の長さによって書き込みトラックの幅が決定される。
【００４９】
ここで、主磁極層３４０は、例えば、媒体対向面Ｓ側の端部での全厚が約０．０１〜約０．５μｍであって、この端部以外での全厚が約０．５〜約３．０μｍの、例えばフレームめっき法、スパッタリング法等を用いて形成されたＮｉ、Ｆｅ及びＣｏのうちいずれか２つ若しくは３つからなる合金、又はこれらを主成分として所定の元素が添加された合金等から構成されていることが好ましい。また、トラック幅は、例えば、１００ｎｍとすることができる。
【００５０】
導波路３５は、図４に示すように、ＭＲ効果素子３３と電磁コイル素子３４との間に位置していて集積面２２０２と平行に延びており、磁気ヘッド部３２の媒体対向面Ｓから、磁気ヘッド部３２の媒体対向面Ｓとは反対側の面３２ａまで延びており、本例では矩形の板状のものである。図５に示すように、導波路３５の、トラック幅方向において対向する２つの側面３５１ａ，３５１ｂ、及び、集積面２２０２と平行な２つの側面３５２ａ、側面３５２ｂは、導波路３５よりも屈折率が小さくコアとしての導波路３５に対するクラッドとして機能する絶縁層３８と接している。
【００５１】
図４に戻って、導波路３５の厚み方向をＸ軸、幅方向をＹ軸、長手方向をＺ軸とした場合、レーザダイオード４０の発光面からＺ軸に沿って出射された光は、光入射面３５４に入射する。導波路３５は、光入射面３５４から入射した光を、その側面で反射させつつ、媒体対向面Ｓ側の端面である光出射面３５３に導くことが可能となっている。図５に示す、導波路３５のトラック幅方向の幅Ｗ３５は例えば、１〜２００μｍとすることができ、厚みＴ３５は例えば２〜１０μｍとすることができ、図４に示す高さＨ３５は１０〜３００μｍとすることができる。
【００５２】
導波路３５は、何れの部分においても、絶縁層３８を形成する材料よりも高い屈折率ｎを有する、例えばスパッタリング法等を用いて形成された誘電材料から構成されている。例えば、クラッドとしての絶縁層３８が、ＳｉＯ２（ｎ＝１．５）から形成されている場合、導波路３５は、Ａｌ２Ｏ３（ｎ＝１．６３）から形成されていてもよい。さらに、絶縁層３８が、Ａｌ２Ｏ３（ｎ＝１．６３）から形成されている場合、導波路３５は、Ｔａ２Ｏ５（ｎ＝２．１６）、Ｎｂ２Ｏ５（ｎ＝２．３３）、ＴｉＯ（ｎ＝２．３〜２．５５）又はＴｉＯ２（ｎ＝２．３〜２．５５）から形成されていてもよい。導波路３５をこのような材料で構成することによって、材料そのものが有する良好な光学特性によるだけではなく、界面での全反射条件が整うことによって、レーザ光の伝播損失が小さくなり、近接場光の発生効率が向上する。
【００５３】
近接場光発生部３６は、図５に示すように、導波路３５の光出射面３５３に配置されている板状部材である。近接場光発生部３６は、図４に示すように、その端面が媒体対向面Ｓに露出するように導波路３５の光出射面３５３に埋設されている。近接場光発生部３６は、図５に示すように、媒体対向面Ｓから見て三角形状を呈し、導電材料により形成されている。導電材料としては、Ａｕ等の金属や合金等が挙げられる。
【００５４】
三角形の底辺３６ｄがスライダ基板２２０の集積面２２０２と平行すなわちトラック幅方向と平行に配置され、底辺３６ｄと向き合う尖った尖端部３６ｃが底辺３６ｄよりも電磁コイル素子３４の主磁極層３４０側に配置されており、具体的には、尖端部３６ｃが主磁極層３４０のリーディング側エッジと対向するように配置されている。近接場光発生板３６の好ましい形態は、底辺３６ｄの両端の２つの底角がいずれも同じとされた二等辺三角形である。
【００５５】
近接場光発生部３６の三角形の高さＨ３６は、入射されるレーザ光の波長よりも十分に小さく、２０〜４００ｎｍとすることが好ましい。底辺３６ｄの幅Ｗ３６は、入射されるレーザ光の波長よりも十分に小さく、２０〜４００ｎｍとすることが好ましい。先端３６ｃを与える頂点の角度は例えば６０度である。
【００５６】
近接場光発生部３６の厚みは１０〜１００ｎｍとすることが好ましい。このような導波路３５、近接場光発生部３６等は、リフトオフ法等のフォトリソグラフィー技術等を用いて容易に形成できる。
【００５７】
そして、レーザダイオード４０からの光が近接場光発生部３６に照射されることで主として尖端部３６ｃから近接場光が発生する。これは、近接場光発生部３６に光を照射すると、近接場光発生部３６を構成する金属内の電子がプラズマ振動し、その先端部において電界の集中が生じるためと考えられる。
【００５８】
このような近接場光発生部３６から発生する近接場光は、入射されるレーザ光の波長及び導波路３５の形状にも依存するが、一般に、媒体対向面Ｓから見て近接場光発生部３６の境界で最も強い強度を有する。特に、本実施形態では、近接場光発生部３６に到達する光の電界ベクトルは、レーザダイオード４０の積層方向（Ｘ方向）となる。したがって、先端３６ｃ近傍にて最も強い近接場光の放射が起こる。すなわち、磁気ディスクの記録層部分を光により加熱する熱アシスト作用において、この先端３６ｃ近傍と対向する部分が、主要な加熱作用部分となる。
【００５９】
この近接場光の電界強度は、入射光に比べて桁違いに強く、この非常に強力な近接場光が、磁気ディスク表面の対向する局所部分を急速に加熱する。これにより、この局所部分の保磁力が、書き込み磁界による書き込みが可能な大きさまでに低下するので、高密度記録用の高保磁力の磁気ディスクを使用しても、電磁コイル素子３４による書き込みが可能となる。なお、近接場光は、媒体対向面Ｓから磁気ディスクの表面に向かって、１０〜３０ｎｍ程度の深さまで到達する。従って、１０ｎｍ又はそれ以下の浮上量である現状において、近接場光は、十分に記録層部分に到達することができる。また、このように発生する近接場光のトラック幅方向の幅や媒体移動方向の幅は、上述の近接場光の到達深さと同程度であって、また、この近接場光の電界強度は、距離が離れるに従って指数関数的に減衰するので、非常に局所的に磁気ディスクの記録層部分を加熱することができる。光ドミナントの場合には、この近接場光の径によって書き込みトラックの幅が決定される。
【００６０】
なお、近接場光発生部３６の形状は、上述のものに限定されず、様々な変形が可能である。
【００６１】
（光源ユニット）
次いで、図３、図４及び図６を参照して、熱アシスト磁気ヘッド２１の光源ユニット２３の構成要素について説明する。
【００６２】
光源ユニット２３は、光源支持基板２３０、外形形状が板状のレーザダイオード（光源）４０、及び、測温抵抗体（温度センサ）２６０を主として備えている。
【００６３】
光源支持基板２３０はアルティック（Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ）等からなる基板であり、図４に示すように、スライダ基板２２０の背面２２０１に接着している接着面２３００を有している。接着面２３００にはアルミナ等の断熱層２３０ａが形成されている。この接着面２３００を底面とした際の一つの側面である素子形成面２３０２上に、絶縁材料から形成された絶縁層４１が設けられており、この絶縁層４１の上に、図３に示すように、電極パッド４７、４８、２６５、２６５が形成され、電極パッド４７上にレーザダイオード４０が固定されている。
【００６４】
絶縁層４１は、図４及び図６に示すように、下絶縁層４１ａ及び上絶縁層４１ｂを備えている。下絶縁層４１ａ及び上絶縁層４１ｂの間に、測温抵抗体２６０が配置されている。絶縁層４１の材料は、特に限定されないが、熱伝導性が高い電気絶縁材料であることが好ましく、例えば、ＡｌＮ，ダイアモンドライクカーボン、ＳｉＣ等が挙げられる。また、絶縁層４１の厚みは特に限定されないが、上絶縁層４１ｂの厚みは、熱伝導性と電気絶縁性とのバランスから、５０〜５００ｎｍとすることが好ましい。
【００６５】
測温抵抗体２６０は、図６に示すように、薄膜抵抗体からなる線状のパターンであり、レーザダイオード４０と光源支持基板２３０との間に配置され、より具体的には、下絶縁層４１ａ上に形成され、上絶縁層４１ｂに覆われ絶縁層４１内に埋設されている。
【００６６】
測温抵抗体２６０の材質は特に限定されず、銀、銅、金、ニッケル、鉄、アルミニウム、タンタル、白金等の金属導体や、シリコン等の半導体を用いることができるが、特に、温度に対する抵抗値変化の直線性に優れた白金やその合金を使用することが好ましい。膜状の測温抵抗体３６０の厚みは特に限定されないが、厚すぎると抵抗値が低くなりすぎ、薄すぎると欠陥が生じる恐れがあることから、１０〜１００ｎｍ程度が好ましい。また、測温抵抗体３６０は、蛇行して配置されることによりある程度の長さ、例えば、１５０〜６００μｍを有することが好ましい。線幅は、例えば、１〜１０μｍとすることができる。測温抵抗体２６０は、レーザダイオード４０と対向する位置に埋設されている。
【００６７】
測温抵抗体２６０の両端には、測温抵抗体２６０よりも抵抗率の低い金等からなるリード線２６１がそれぞれ配置され、リード線２６１の端部には、電極パッド２６３がそれぞれ形成されている。ここれらリード線２６１、電極パッド２６３も、下絶縁層４１ａ上に形成され、上絶縁層４１ｂで覆われ、絶縁層４１中に埋設されている。このような、測温抵抗体２６０及びリード線２６１、電極パッド２６３等は、フォトリソグラフィー法等を用いて容易に形成できる。
【００６８】
上絶縁層４１ｂの表面、すなわち、絶縁層４１の表面であって媒体対向面Ｓと交差する面４１１、言い換えると、スライダ基板２２０の集積面２２０２と平行な面４１１上には、一対の電極パッド２６５が形成されており、埋設された電極パッド２６３とそれぞれ対向している。電極パッド２６３と電極パッド２６５とはそれぞれ上絶縁層４１ｂを貫通するビアホール２６７により電気的に接続されている。
【００６９】
電極パッド４７は、図４に示すように、絶縁層４１内に設けられたビアホール４７ａにより光源支持基板２３０と電気的に接続されている。また、電極パッド４７は、レーザダイオード４０駆動時の熱をビアホール４７ａを介して光源支持基板２３０側へ逃がすためのヒートシンクとしても機能する。また、電極パッド４７は光源支持基板２３０と電気的に接続されているため、電極パッド２４７により光源支持基板２３０の電位を例えばグラウンド電位に制御することが可能となっている。
【００７０】
電極パッド４７は、図６に示すように、絶縁層４１の面４１１の中央部にトラック幅方向に延びて形成されている。一方、電極パッド４８は、電極パッド４７からトラック幅方向に離間した位置に形成されている。各電極パッド４７、４８は、半田リフローによるフレクシャ２０１との接続のために、さらに、図３に示すように、フレクシャ２０１側に向かって延びている。
【００７１】
電極パッド４７、４８、２６３、２６５は、例えば、厚さ１０ｎｍ程度のＴａ、Ｔｉ等からなる下地層を介して形成された、厚さ１〜３μｍ程度の、例えば真空蒸着法やスパッタリング法等を用いて形成されたＡｕ、Ｃｕ等の層から形成することができ。
【００７２】
そして、レーザダイオード４０は、電極パッド４７の上にＡｕ−Ｓｎ等の導電性の半田材料からなる半田層４２（図４参照）により電気的に接続されている。このとき、レーザダイオード４０は、電極パッド４７の一部のみを覆うように電極パッド４７に対して配置されている。すなわち、レーザダイオード４０は、図６に示すように、測温抵抗体２６０の上に配置される。
【００７３】
図７は、レーザダイオード４０の斜視図である。
【００７４】
レーザダイオード４０は、通常、光学系ディスクストレージに使用されるものと同じ構造を有していてよく、例えば、ｎ電極４０ａと、ｎ−ＧａＡｓ基板４０ｂと、ｎ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層４０ｃと、第１のＩｎＧａＡｌＰガイド層４０ｄと、多重量子井戸（ＩｎＧａＰ／ＩｎＧａＡｌＰ）等からなる活性層４０ｅと、第２のＩｎＧａＡｌＰガイド層４０ｆと、ｐ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層４０ｇと、＊ｎ−ＧａＡｓ電流阻止層４０ｈと、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層４０ｉと、ｐ電極４０ｊとが順次積層された構造を有する。これらの多層構造の劈開面の前後には、全反射による発振を励起するためのＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３等からなる反射膜５０及び５１が成膜されており、レーザ光が放射される出光端４００には、一方の反射膜５０における活性層４０ｅの位置に開口が設けられている。このようなレーザダイオード４０は、膜厚方向に電圧が印加されることにより、出光端４００からレーザ光を出射する。
【００７５】
放射されるレーザ光の波長λＬに関しては、上述のように近接場光発生部３６の形状及び金属材料、及び導波路３５を構成する材料の屈折率ｎを考慮して、適当な波長λＬのレーザ光を出射するレーザダイオードを選択する。
【００７６】
レーザダイオード４０の大きさは、上述したように、例えば、幅（Ｗ４０）が２００〜３５０μｍ、長さ（奥行き、Ｌ４０）が２５０〜６００μｍ、厚み（Ｔ４０）が６０〜２００μｍ程度である。ここで、レーザダイオード４０の幅Ｗ４０は、電流阻止層４０ｈの対向端の間隔を下限として、例えば、１００μｍ程度までに小さくすることができる。ただし、レーザダイオード４０の長さは、電流密度と関係する量であり、それほど小さくすることはできない。いずれにしても、レーザダイオード４０に関しては、搭載の際のハンドリングを考慮して、相当の大きさが確保されることが好ましい。
【００７７】
また、このレーザダイオード４０の駆動においては、ハードディスク装置内の電源が使用可能である。実際、ハードディスク装置は、通常、例えば２Ｖ程度の電源を備えており、レーザ発振動作には十分の電圧を有している。また、レーザダイオード４０の消費電力も、例えば、数十ｍＷ程度であり、ハードディスク装置内の電源で十分に賄うことができる。
【００７８】
レーザダイオード４０のｎ電極４０ａが電極パッド４７にＡｕＳｎ等の半田層４２（図４参照）により固定されている。ここで、レーザダイオード４０の出光端（光出射面）４００が図４の下向き（−Ｚ方向）、すなわち出光端４００が接着面２３００と平行になるようにレーザダイオード４０が光源支持基板２３０に固定されており、出光端４００はスライダ２２の導波路３５の光入射面３５４と対向可能となっている。実際のレーザダイオード４０の固定においては、例えば、電極パッド４７の表面に厚さ０．７〜１μｍ程度のＡｕＳｎ合金の蒸着膜を成膜し、レーザダイオード４０を乗せた後、熱風ブロア下でホットプレート等による２００〜３００℃程度までの加熱を行って固定すればよい。
【００７９】
また、電極パッド４８と、レーザダイオード４０のｐ電極４０ｊと、がボンディングワイヤにより電気的に接続されている。なお、ボンディングワイヤを使用せず、絶縁層４１に段差を設けて電極パッド４８とレーザダイオード４０のｐ電極４０ｊとの距離を近づけ、これらをＡｕＳｎ等の半田で電気的に接続してもよい。また、電極パッド４７と接続される電極は、ｎ電極４０ａでなくｐ電極４０ｊでもかまわず、この場合、ｎ電極４０ａが電極パッド４８とボンディングワイヤ等により接続される。
【００８０】
ここで、上述したＡｕＳｎ合金による半田付けをする場合、光源ユニットを例えば３００℃前後の高温に加熱することになるが、本実施形態によれば、この光源ユニット２３がスライダ２２とは別に製造されるため、スライダ内の磁気ヘッド部がこの高温の悪影響を受けずに済む。また、磁気ヘッド部３２と光源ユニット２３が分離されているので、磁気ヘッドの検査及び、光源ユニットのレーザダイオードの取り付け状況の検査を別々に行うことができ、良品同士を組み合わせることにより、全体としての歩留まりの向上も図ることができる。
【００８１】
そして、上述のスライダ２２の背面２２０１と光源ユニット２３の接着面２３００とが、例えば、ＵＶ硬化型接着剤等の接着剤層４４（図４参照）により接着されており、レーザダイオード４０の出光端４００が導波路３５の光入射面３５４と対向するように配置されている。
【００８２】
なお、レーザダイオード４０及び電極パッドの構成は、当然に、上述した実施形態に限定されるものではなく、例えば、レーザダイオード４０は、ＧａＡｌＡｓ系等、他の半導体材料を用いた他の構成のものであってもよい。さらに、レーザダイオード４０と電極との半田付けに、他のろう材を用いて行うことも可能である。さらにまた、レーザダイオード４０を、ユニット基板上に直接、半導体材料をエピタキシャル成長させることによって形成してもよい。
【００８３】
なお、スライダ２２及び光源ユニット２３の大きさは任意であるが、例えば、スライダ２２は、トラック幅方向の幅７００μｍ×長さ（奥行き）８５０μｍ×厚み２３０μｍの、いわゆるフェムトスライダであってもよい。この場合、光源ユニット２３は、これとほぼ同じ幅及び長さを有することができる。実際、例えば、通常用いられるレーザダイオードの典型的な大きさは、幅２５０μｍ×長さ（奥行き）３５０μｍ×厚み６５μｍ程度であり、例えば、この大きさの光源支持基板２３０の側面にこの大きさのレーザダイオード４０を設置することが、十分に可能となっている。なお、光源支持基板２３０の底面に溝を設け、この溝内にレーザダイオード４０を設けることも可能である。
【００８４】
また、導波路３５の光入射面３５４に達したレーザ光の遠視野像（ファーフィールドパターン）のスポットにおいて、トラック幅方向の径を、例えば０．５〜１．０μｍ程度とし、この径に直交する径を、例えば１〜５μｍ程度とすることができる。これに対応して、このレーザ光を受け取る導波路３５の厚みＴ３５を、例えばスポットよりも大きな２〜１０μｍ程度とし、導波路３５のトラック幅方向の幅（Ｗ３５）を、例えば１〜２００μｍ程度とすることが好ましい。
【００８５】
（熱アシスト磁気ヘッドとフレクシャとの電気的接続関係）
図３に示すように、配線部材２０３を構成する配線の１つは電極パッド２４７に接続され、電極パッド２４７は光源ユニット２３の電極パッド４７とリフロー半田Ｒを介して接続されている。また、別の配線は電極パッド２４８に接続され、電極パッド２４８は電極パッド４８とリフロー半田Ｒにより接続されている。電極パッド２４７，２４８間に駆動電流を供給するとレーザダイオード４０が発光する。
【００８６】
配線部材２０３を構成する別の一対の配線はそれぞれ電極パッド２４９に接続され、電極パッド２４９はそれぞれリフロー半田Ｒを介して電極パッド２６５と電気的に接続されている。これにより、測温抵抗体２６０の両端に電圧を印加可能となっている。
【００８７】
配線部材２０３を構成する別の一対の配線は、電極パッド２３７及びボンディングワイヤを介して電極パッド３７１に接続されており、電磁コイル素子３４（図４等参照）の両端に電圧の印加が可能となっている。一対の電極パッド３７１間に電圧を印加すると、磁気記録素子としての電磁コイル素子３４に通電が行われ、書き込み磁界が発生する。
【００８８】
配線部材２０３を構成する別の一対の配線は、電極パッド２３８及びボンディングワイヤを介して電極パッド３７３に接続されており、ＭＲ効果素子３３（図４参照）の両端に電圧を印加可能となっている。一対の電極パッド３７３に電圧を印加するとＭＲ効果素子３３にセンス電流が流れる。記録媒体に書き込まれた情報は、ＭＲ効果素子３３にセンス電流を流すことで読み出すことができる。
【００８９】
（リードライト制御回路）
続いて、リードライト制御回路１３及びその周辺の機能ブロック図について、図８を参照して説明する。リードライト制御回路１３は、主として、リード制御部１３ａ、ライト制御部１３ｂ、レーザダイオード制御部（光源制御部）１３ｃ、抵抗測定部１３ｄを主として備えており、コンピュータ等によりこれらの機能が実現される。リード制御部１３ａはＭＲ効果素子３３と接続されており、適切なセンス電流を流して磁気記録媒体からのＭＲ信号を受け取る。
【００９０】
抵抗測定部１３ｄは、測温抵抗体２６０と接続されており、例えば、定電圧を印加して電流値を検出することにより、測温抵抗体２６０の抵抗値を取得する。また、抵抗測定部１３ｄは、測温抵抗体２６０の抵抗値を、温度に換算してもよい。
【００９１】
ライト制御部１３ｂは、電磁コイル素子３４のコイル層３４２の両端と接続されており、所定のタイミングでコイル層３４２に電流を流し、記録媒体に対して主磁極から書き込み用の磁界を与える。また、ライト制御部１３ｂは、レーザダイオード制御部１３ｃと接続されており、所定のタイミングで、レーザダイオード４０からのレーザ光を発生させる。
【００９２】
レーザダイオード制御部１３ｃは、ライト制御部１３ｂからの要求に応じて、所定のタイミングで所定の電力をレーザダイオードに与え、レーザ光を発生させる。また、レーザダイオード制御部１３ｃは、抵抗測定部１３ｄとも接続されており、抵抗測定部１３ｄから取得した測温抵抗体２６０の抵抗値や温度に基づいてレーザダイオード４０から出射する光の強さが一定となるように、レーザダイオードに供給する電流等を制御する。
【００９３】
すなわち、レーザダイオード４０からのレーザ光の出力はレーザダイオードの温度に大きく依存し、同じ電流を印加したとしてもその温度が異なると光の出力は異なってしまう。そこで、抵抗測定部１３ｄから取得した抵抗値や温度に基づいて、レーザ光の出力が一定となるようにレーザダイオード４０に供給する電流を調節するのである。具体的には、例えば、測温抵抗体２６０の抵抗値又はレーザダイオード４０の温度と、レーザ光の出力を一定にするために必要な供給電流値との対応関係を示したデータテーブルに基づいて電流値を調節してもよいし、レーザ光の出力を一定とするために必要な供給電流値についての抵抗値又は温度を変数とする関数を予め作成し、この関数に基づいて電流値を調節してもよい。
このようなレーザ光の電力制御を、レーザ光照射毎に、或いは、所定の時間間隔毎に行うことが好ましい。
【００９４】
（作用）
続いて、本実施形態にかかる熱アシスト磁気ヘッド２１の作用について説明する。
【００９５】
書き込み又は読み出し動作時には、熱アシスト磁気ヘッド２１は、回転する磁気ディスク（媒体）１０の表面上において流体力学的に所定の浮上量をもって浮上する。この際、ＭＲ効果素子３３及び電磁コイル素子３４の媒体対向面Ｓ側の端が磁気ディスク１０と微小なスペーシングを介して対向することによって、データ信号磁界の感受による読み出しとデータ信号磁界の印加による書き込みとが行われる。
【００９６】
ここで、データ信号の書き込みの際、光源ユニット２３から導波路３５を通って伝播してきたレーザ光が近接場光発生部３６に到達し、近接場光発生部３６から近接場光が発生する。したがって、媒体対向面に対向する磁気記録媒体の所定の記録領域の温度が上昇し、記録領域の保磁力が一時的に低下する。この保磁力の低下期間内に電磁コイル素子３４に通電を行い、書き込み磁界を発生させることで、記録領域に情報を書き込むことができる。
【００９７】
熱アシスト磁気記録方式を採用することにより、高保磁力の磁気ディスクに垂直磁気記録用の薄膜磁気ヘッドを用いて書き込みを行い、記録ビットを極微細化することによって、例えば、１Ｔｂｉｔｓ／ｉｎ２級の記録密度を達成することも可能となり得る。
【００９８】
そして、本実施形態では、光源ユニット２３を用いることによって、スライダ２２の導波路３５の光入射面（端面）３５４に、導波路３５の層面に平行な方向に伝播するレーザ光を入射させることができる。すなわち、集積面２２０２と媒体対向面Ｓとが垂直である構成を有する熱アシスト磁気ヘッド２１において、適切な大きさ及び方向を有するレーザ光が、確実に供給可能となる。その結果、磁気ディスクの記録層の加熱効率が高い熱アシスト磁気記録を実現可能とする。
【００９９】
そして、本実施形態によれば、レーザダイオード４０の温度を測定する測温抵抗体２６０を有するので、測温抵抗体２６０からの温度情報に基づいてレーザダイオード４０からの光出力をレーザダイオード４０の温度によらず一定にすることが容易となる。特に、レーザダイオード６０を固定している光源ユニット２３自体が測温抵抗体２６０を有するので、この測温抵抗体２６０によりレーザダイオード４０の温度を精度よく測定でき、高精度な温度補償が可能となる。特に、レーザダイオードは通電時に発熱しやすく温度が変動しやすいものであると共に、温度に応じて光出力が大きく変動するので、高精度な温度補償による出力の安定化は、信頼性の向上に不可欠である。
【０１００】
また、光源ユニット２３の測温抵抗体２６０が、光源支持基板２３０とレーザダイオード４０との間に配置されており、レーザダイオード４０と測温抵抗体２６０と近く配置することが容易となり、極めて精度よくレーザダイオード４０の温度を測定できる。また、このような構成は、製造も容易であり、コストの増加も少ない。
【０１０１】
さらに、温度センサとして測温抵抗体２６０を用いているので、小型化、薄膜化が容易であり、微細化が必要とされる熱アシスト磁気ヘッドに特に適する。
【０１０２】
本発明は上記実施形態に限定されずに様々な変形態様が可能である。
例えば、光源はレーザダイオードに限定されず、ＬＥＤ等の他の発光素子でも実施可能である。
【０１０３】
また、温度センサは、測温抵抗体に限られず、熱電対等の他の温度センサでも実施は可能である。
【０１０４】
また、レーザダイオード４０に近接した測温抵抗体２６０とは別に、レーザダイオード４０から離れた場所に他の測温抵抗体等の温度センサを設け、これらの温度センサの抵抗値等の差分によって、レーザダイオード４０の光出力の制御を行っても良い。例えば、絶縁層４１中のトラック幅方向の中央部でなく端部に他の温度センサを配置することができる。
【０１０５】
さらに、温度センサである測温抵抗体２６０の位置も、温度センサが光源ユニット２３に設けられていれば、レーザダイオード４０と光源支持基板２３０との間でなくても実施は可能であり、例えば、光源支持基板２３０のトラック幅方向の両側の側面に設けることができる。この場合は、光源支持基板として、ＡｌＮ等のスライダよりも熱伝導性のよい基板を使用すると、温度を精度よく測定できる。
【０１０６】
すなわち、上記実施形態では、スライダ基板２２０と光源支持基板２３０とには、同じアルティック製の基板を採用しているが、異なる材料の基板を用いることも可能である。この場合、スライダ基板２２０の熱伝導率をλｓ、光源支持基板２３０の熱伝導率をλｌとすると、λｓ≦λｌを満たすようにすることが好ましい。これにより、レーザダイオード４０が発生する熱を、なるべくスライダ基板２２０に伝わらないようにしつつ光源支持基板２３０を通して外部に逃がすことも容易となる。
【０１０７】
また、電磁コイル素子３４が、長手磁気記録用であってもかまわない。この場合、主磁極層３４０及び補助磁極層３４４の代わりに、下部磁極層及び上部磁極層が設けられ、さらに、下部磁極層及び上部磁極層の媒体対向面Ｓ側の端部に挟持された書き込みギャップ層が設けられる。この書き込みギャップ層位置からの漏洩磁界によって書き込みが行われる。
【０１０８】
また、近接光発生部は、三角形状または台形状の板を、その頂点同士または短辺同士が所定距離離間して対向するように一対配置した、いわゆる「蝶ネクタイ型」構造でも実施可能である。また、近接場光発生部として、板に替えて微小開口にしてもよく、近接場光発生部を設けずに直接レーザ光を記録媒体に当てる形態でも実施は可能である。
【０１０９】
また、コイル層３４２は、図４等において１層であるが、２層以上又はヘリカルコイルでもよい。
【０１１０】
また、断熱層２３０ａは、スライダ基板２２０の背面２２０１に形成されていてもよく、全く設けなくても実施は可能である。
【０１１１】
また、光源ユニット２３とスライダ２２との接着に、ＵＶ硬化型接着剤以外の接着剤例えば、レーザダイオード４０と電極パッド４７との接着に用いたＡｕＳｎ等の半田層を用いても実施は可能である。
【０１１２】
また、上述の例では、導波路３５の形状として直線導波路を用いたが、これはＹＺ平面内における外形形状が放物線を描くパラボラ型の導波路とし、その焦点位置に近接場光発生部を配置してもよく、また、ＹＺ平面内における外形形状を楕円形状などとしてもよく、媒体に近い側の先端が先細となるテーパ形状でもよい。なお、上記熱アシスト磁気ヘッド及びＨＧＡを備えたハードディスク装置では、書き込み動作中記録媒体の加熱不足による書き込み不良の発生が十分に防止され、また、サイドイレーズの発生が十分に防止される。
【０１１３】
また、上記実施形態では、スライダと光源ユニットと有する熱アシスト磁気ヘッドであるが、１つのスライダに、磁気記録素子、導波路、光源、及び温度センサを組み込んだ熱アシスト磁気ヘッドであっても実施は可能である。
【０１１４】
以上述べた実施形態は全て本発明を例示的に示すものであって限定的に示すものではなく、本発明は他の種々の変形態様及び変更態様で実施することができる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均等範囲によってのみ規定されるものである。
【図面の簡単な説明】
【０１１５】
【図１】実施の形態に係るハードディスク装置の斜視図である。
【図２】ＨＧＡ１７の斜視図である。
【図３】図１に示した熱アシスト磁気ヘッド２１の近傍の拡大斜視図である。
【図４】図３に示した熱アシスト磁気ヘッド２１のＩＶ−ＩＶ矢印断面図である。
【図５】媒体対向面側から見た磁気ヘッド主要部の平面図である。
【図６】熱アシスト磁気ヘッド２１の主要部の一部破断斜視図である。
【図７】レーザダイオード４０の斜視図である。
【図８】リードライト制御部及びその周辺の機能ブロック図である。
【符号の説明】
【０１１６】
１…ハードディスク装置、１０…磁気ディスク（記録媒体）、１７…ヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ）、２０…サスペンション、２１…熱アシスト磁気ヘッド、２２…スライダ、２２０…スライダ基板、２２０２…集積面、２３…光源ユニット、２３０…光源支持基板、３２…磁気ヘッド部、３３…ＭＲ効果素子（磁気検出素子）、３４…電磁コイル素子（磁気記録素子）、３５…導波路、３５３…光出射面、３５４…光入射面（端面）、３６…近接場光発生部、４０…レーザダイオード（光源）、２６０…測温抵抗体（温度センサ）、４００…出光端、Ｓ…媒体対向面。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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