(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板と、センサ素子を有し且つ前記支持基板上に絶縁層を介して接合された素子基板と、前記センサ素子の領域を覆い且つ前記素子基板に接合されたガラスキャップと、前記センサ素子へ電気的に接続された貫通配線とを備えた物理量センサの製造方法において、
シリコン基板で構成された前記支持基板と前記センサ素子を有するシリコン基板で構成された前記素子基板とを前記絶縁層を挟持して接合してＳＯＩ基板を作製する工程と、
前記ＳＯＩ基板に前記貫通配線を形成するための貫通孔を形成する工程と、
前記貫通配線を前記ＳＯＩ基板の貫通孔内を貫通するように形成する工程と、
前記ガラスキャップにおける前記貫通配線の領域を覆った部分を前記素子基板に陽極接合する工程とを有する
ことを特徴とする物理量センサの製造方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記貫通孔を形成する工程は、前記ＳＯＩ基板の反素子基板側から前記支持基板に大径の孔を形成する工程と、前記ＳＯＩ基板の反支持基板側から前記素子基板に小径の孔を形成する工程と、前記大径の孔の内面に絶縁膜を形成する工程とを有する
ことを特徴とする物理量センサの製造方法。
【請求項３】
支持基板と、
センサ素子を有し且つ前記支持基板上に絶縁層を介して接合された素子基板と、
前記センサ素子の領域を覆い且つ前記素子基板に接合されたガラスキャップと、
前記センサ素子へ電気的に接続された貫通配線と、を備えた物理量センサにおいて、
前記貫通配線は前記素子基板、前記絶縁層及び前記支持基板を貫通する貫通孔内を貫通して形成され、
前記ガラスキャップにおける前記貫通配線の領域を覆った部分と前記素子基板とは陽極接合されており、
前記支持基板に固定される前記センサ素子の電極部分は前記絶縁層及び前記ガラスキャップで絶縁した電極部分で形成され、
前記素子基板を貫通する貫通孔は前記センサ素子の電極部分を貫通するように形成され、
前記貫通配線は、前記素子基板の電極部分の貫通孔を除くガラスキャップ側表面と前記ガラスキャップの表面との間に設けられた多結晶シリコン膜を介して電気的に導通するように形成され、且つ、前記センサ素子の電極部分の貫通孔内及びこのセンサ素子の電極部分の貫通孔に対応する前記支持基板の貫通孔内で絶縁膜を介して形成され、
前記センサ素子の電極部分の貫通孔内は低抵抗の多結晶シリコン膜で充填されている
ことを特徴とする物理量センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、物理量センサ及びその製造方法に係り、特に圧力センサ、加速度センサ及び角速度センサなどの物理量センサ及びその製造方法に好適なものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の物理量センサとしては、特開２００４−２５５５６２号公報（特許文献１）に示された圧力センサ、加速度センサ及び角速度センサなどに用いられるものがある。この物理量センサは、半導体基板と、この半導体基板の上に形成された絶縁膜と、この絶縁膜の上に形成された構造層と、この構造層の構造物を保護する真空室を形成しつつこの構造層の上に陽極接合されるガラス基板と、構造層のアンダーバンプメタルに相当する位置に形成されたガラス基板のビア孔と、このビア孔に配されアンダーバンプメタルと結合して検出信号を取り出すソルダボールとを備えている。
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−２５５５６２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述した特許文献１の物理量センサでは、ガラス基板にビア孔が形成されている。ガラス基板への加工の方法は、大きく分けて三つある。一つ目は化学反応を用いた加工であり、二つ目はレーザー加工であり、三つ目は機械加工である。
【０００５】
まず、一つ目の加工方法である化学反応を用いた加工について述べる。これは、溶剤を用いたウェットエッチングや、ガスを用いたドライエッチングが当てはまる。これらの加工ではマスクさえ形成してしまえば一括にパターンが形成できるという利点がある。しかし、ガラスの加工の場合、結晶方位の差によるウェットエッチングレートの差を用いることが困難なため孔が広がる。また、ドライエッチングの場合、条件さえ選定すれば狭ギャップでの孔加工は可能だが、この工程にかかる時間は他の加工方法の数倍〜数十倍であり加工に時間がかかる。
【０００６】
二つ目のレーザー加工には、エキシマレーザー加工やＣＯ２レーザー加工などがある。レーザー加工の孔径は基本的にレーザーのスポット径で決まるため、狭ギャップでの加工は可能である。しかし、レーザー加工は孔を一つずつ加工していくため、孔の数が多くなると加工に時間がかかる。特に、昨今ウェハレベルパッケージが主流になってきており、且つ、ウェハの大口径化が進み一枚のウェハに必要な加工孔数は多くなる傾向がある。
【０００７】
最後に、三つ目の加工方法である機械加工にっいて述べる。機械加工にはドリル加工やサンドブラスト加工などが挙げられる。ドリル加工はウェハ面に対し垂直な孔を形成することが可能であるが、前述したレーザー加工と同様に孔を個別に加工していく必要があるため時間がかかる。サンドブラスト加工はウェハ内の孔を同時に加工が可能である。ただし、サンドブラスト加工では、加工壁にテーパが発生する、加工抜け側面にチッピングが発生する、加工面にクラックが発生し易いなどの問題があり狭ギャップ孔加工は不可能である。
【０００８】
以上より、ガラス基板への加工は時間のかからない狭ギャップ加工は困難であり、物理量センサの小型化、高密度化を図ることの障害となっていた。
【０００９】
本発明の目的は、長期信頼性を確保しつつ、小型化、高密度化を図ることができる物理量センサ及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の第１の態様は、支持基板と、センサ素子を有し且つ前記支持基板上に絶縁層を介して接合された素子基板と、前記センサ素子の領域を覆い且つ前記素子基板に接合されたガラスキャップと、前記センサ素子へ電気的に接続された貫通配線とを備えた物理量センサの製造方法において、シリコン基板で構成された前記支持基板と前記センサ素子を有するシリコン基板で構成された前記素子基板とを前記絶縁層を挟持して接合してＳＯＩ基板を作製する工程と、前記ＳＯＩ基板に前記貫通配線を形成するための貫通孔を形成する工程と、前記貫通配線を前記ＳＯＩ基板の貫通孔内を貫通するように形成する工程と、
前記ガラスキャップにおける前記貫通配線の領域を覆った部分を前記素子基板に陽極接合する工程とを有することにある。
【００１３】
係る本発明の第１の態様におけるより好ましい具体的構成例は次の通りである。
（１）前記貫通孔を形成する工程は、前記ＳＯＩ基板の反素子基板側から前記支持基板に大径の孔を形成する工程と、前記ＳＯＩ基板の反支持基板側から前記素子基板に小径の孔を形成する工程と、前記大径の孔の内面に絶縁膜を形成する工程とを有すること。
また、本発明の第２の態様は、支持基板と、センサ素子を有し且つ前記支持基板上に絶縁層を介して接合された素子基板と、前記センサ素子の領域を覆い且つ前記素子基板に接合されたガラスキャップと、前記センサ素子へ電気的に接続された貫通配線と、を備えた物理量センサにおいて、前記貫通配線は前記素子基板、前記絶縁層及び前記支持基板を貫通する貫通孔内を貫通して形成され、前記ガラスキャップにおける前記貫通配線の領域を覆った部分と前記素子基板とは陽極接合されており、前記支持基板に固定される前記センサ素子の電極部分は前記絶縁層及び前記ガラスキャップで絶縁した電極部分で形成され、前記素子基板を貫通する貫通孔は前記センサ素子の電極部分を貫通するように形成され、前記貫通配線は、前記素子基板の電極部分の貫通孔を除くガラスキャップ側表面と前記ガラスキャップの表面との間に設けられた多結晶シリコン膜を介して電気的に導通するように形成され、且つ、前記センサ素子の電極部分の貫通孔内及びこのセンサ素子の電極部分の貫通孔に対応する前記支持基板の貫通孔内で絶縁膜を介して形成され、前記センサ素子の電極部分の貫通孔内は低抵抗の多結晶シリコン膜で充填されていることにある。
【発明の効果】
【００１４】
係る本発明の物理量センサ及びその製造方法によれば、長期信頼性を確保しつつ、小型化、高密度化を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の複数の実施形態について図を用いて説明する。各実施形態の図における同一符号は同一物または相当物を示す。なお、本発明は、それぞれの実施形態を適宜に組み合わせることにより、さらに効果的なものとすることを含む。
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態の物理量センサ５０及びその製造方法を、図１から図４を用いて説明する。
【００１６】
まず、図１から図３を参照しながら物理量センサ５０を説明する。図１はガラスキャップ１２を外した状態で示す本実施形態の物理量センサ５０の斜視図、図２はガラスキャップ１２を省略した状態における図１の物理量センサ５０の平面図、図３は図１のＡ−Ａ断面図である。
【００１７】
本実施形態の物理量センサ５０は、角速度センサと加速度センサとの複合センサである。この物理量センサ５０は、支持基板２と、センサ素子３０を有し且つ支持基板２上に絶縁層３を介して接合された素子基板１と、センサ素子３０の領域を覆い且つ素子基板１に接合されたガラスキャップ１２と、素子基板１、絶縁層３及び支持基板２を貫通する貫通孔に形成され且つセンサ素子３０へ電気的に接続された貫通配線１０と、を備えて構成されている。貫通配線１０は後述する各１０ａ〜１０ｌを共通的に称する場合に用いる。
【００１８】
支持基板２は、矩形状に形成され、低抵抗の単結晶シリコン材料からなるシリコン基板で構成されている。素子基板１は、支持基板２の外形と同じ外形の矩形状に形成され、低抵抗の単結晶シリコン材料からなり、外周に形成された枠部１４とこの枠部１４の内部に形成されたセンサ素子３０とから構成されている。絶縁層３は、素子基板１と支持基板２との絶縁を図るものであり、シリコン酸化膜で形成されている。本実施形態では、このように素子基板１と支持基板２との間に絶縁層３を挟んだ状態の貼りあわせ基板（ＳＯＩ基板：Silicon On Insulator基板）が使用されているので、これらの各構成要素を容易に製作することができる。
【００１９】
枠部１４は、支持基板２に絶縁層３を介して接合されると共に、ガラスキャップ１２に陽極接合され、支持基板２とガラスキャップ１２との間に挟持されている。この枠部１４は、全周にわたってガス吸着剤１３を有しており、内側枠部１４ａと外側枠部１４ｂとに分離されている。ガス吸着剤１３は、その上面がガラスキャップ１２に接し下面が絶縁層３に接して、気密封止部１５の外周を取り囲むように設けられている。
【００２０】
センサ素子３０は、枠部１４、絶縁層３、支持基板２及びガラスキャップ１２で囲まれた気密封止部１５の内部に配置されている。このセンサ素子３０は、複数の振動体４ａ、４ｂ、複数の梁５ａ〜５ｄ、振動体４ａ、４ｂの支持部である複数のアンカー６ａ〜６ｄ、複数の可動電極７ａ〜７ｈ、複数の固定電極１１ａ〜１１ｈを備えている。
【００２１】
振動体４ａ、４ｂ、梁５ａ〜５ｄ、及び可動電極７ａ〜７ｈは、支持基板２から絶縁層３の厚さの分だけ浮いた構造となっている。アンカー６ａ〜６ｄ及び固定電極１１ａ〜１１ｈは絶縁層３を介して支持基板２に固定されている。
【００２２】
振動体４ａ、４ｂは、梁５ａ〜５ｄを介して面内方向に振動可能な状態でアンカー６ａ〜６ｄに支持され、加えられた加速度または角速度によって振動される。また、２つの振動体４ａ、４ｂは互いにメカニカルリンク８ａ、８ｂにより繋がっている。振動体４ａ、４ｂ間ではメカニカルリンク８ａ、８ｂを通じて双方の振動エネルギーのやり取りが行われる。
【００２３】
梁５ａ〜５ｄは、面内方向の加速度または角速度を受けた場合に、質量を持った振動体４ａ、４ｂに発生する慣性力を利用することで当該方向に振動体４ａ、４ｂを変位させる機能とともに、加速度または角速度の印加終了とともに振動体４ａ、４ｂを元の状態へと復元させるばね機能を備える。アンカー６ａ〜６ｄは、振動体４ａ、４ｂの周囲４箇所に配置され、振動体４ａ、４ｂを周囲から吊るように支持している。
【００２４】
可動電極７ａ〜７ｈは、振動体４ａ、４ｂの振動方向と直交した方向に延びる櫛歯部を有しており、振動体４ａ、４ｂと連動して振動される。固定電極１１ａ〜１１ｈは可動電極７ａ〜７ｈと対向するように櫛歯部を有しており、加速度または角速度が加わった時、可動電極７ａ〜７ｈの櫛歯部と固定電極１１ａ〜１１ｈの櫛歯部との間に発生する静電容量の変化を検出する。
【００２５】
振動体４ａ、４ｂには、絶縁層３を犠牲層エッチングする際に使用するトレンチ孔９が複数設けられている。これは、本実施形態のように振動体４ａ、４ｂがアンカー６ａ〜６ｄよりも大きな場合、絶縁層３の犠牲層エッチングを行う際に、振動体４ａ、４ｂの下部の絶縁層３よりも支持基板２に固定されているべきアンカー６ａ〜６ｄの下部の絶縁層３が先にエッチングされてしまい、アンカー６ａ〜６ｄが浮いてしまうこと防ぐためである。換言すれば、トレンチ孔９を形成することで、振動体４ａ、４ｂの側面側からの犠牲層エッチングだけでなく、トレンチ孔側からも犠牲層エッチングして、犠牲層エッチングするのに必要な時間を少なくするためである。なお、トレンチ孔９の形状は本実施形態では正方形としている。
【００２６】
貫通配線１０ａ〜１０ｌは、素子基板１、絶縁層３及び支持基板２を貫通して形成されたセンサ素子３０の信号検出用配線であり、可動電極側の貫通配線１０ａ〜１０ｄと固定電極側の貫通配線１０ｅ〜１０ｌとから構成されている。
【００２７】
可動電極側の貫通配線１０ａ〜１０ｄは、素子基板１のアンカー６ａ〜６ｄの貫通孔とそれに対応する部分に設けられた絶縁層３及び支持基板２の貫通孔を貫通するように形成され、梁５ａ〜５ｄ及び振動体４ａ、４ｂを通して可動電極７ａ〜７ｈと電気的に接続されている。
【００２８】
固定電極側の貫通配線１０ｅ〜１０ｌは、素子基板１の固定電極１１ａ〜１１ｈの基部の貫通孔とそれに対応する部分に設けられた絶縁層３及び支持基板２の貫通孔を貫通するように形成され、固定電極１１ａ〜１１ｈに電気的に接続されている。
【００２９】
ここで、素子基板１、絶縁層３及び支持基板２の貫通孔はリソグラフィやエッチングなどにより成形され、素子基板１及び支持基板２の貫通孔はアスペクト比１以上の高アスペクト比で形成されている。係る構成によって、これらの貫通孔を狭ピッチで加工することができ、物理量センサ５０の小型化、高密度化を図ることができる。
【００３０】
貫通配線１０ａ〜１０ｌは、低抵抗のシリコンで形成されたアンカー６ａ〜６ｄ及び固定電極１１ａ〜１１ｈの貫通孔内に絶縁膜を介することなく充填され、アンカー６ａ〜６ｄ及び固定電極１１ａ〜１１ｈと電気的に接続されている。貫通配線１０ａ〜１０ｌはアンカー６ａ〜６ｄ及び固定電極１１ａ〜１１ｈとのみ導通しており、支持基板２とは絶縁膜１８を介しているために導通していない。
【００３１】
係る構成によって、貫通配線１０ａ〜１０ｌをアンカー６ａ〜６ｄ及び固定電極１１ａ〜１１ｈに簡単にしかも確実に電気的に接続できる。
【００３２】
ガラスキャップ１２は、センサ素子３０の全体を覆って気密封止部１５を形成するように、素子基板１に被せて接合し、気密封止部１５と外部との気体のやり取りを制限している。ガラスキャップ１２と素子基板１の枠部１４とは全周にわたって陽極接合されている。陽極接合方法とは、接合したい部分のシリコンに正、ガラスに負の電極を接続し、電圧を印加することで接合面界面にＯＨ−が集まり帯電させ、シリコンとガラス間で静電力を発生させる接合方法である。
【００３３】
貫通配線１０ａ〜１０ｌの材料として例えばメッキを用いた場合、メッキ埋め込み時の不良による巣や、支持基板２との線膨張係数の差による剥離などが原因で、外部からガスや水分が流入する恐れがある。また、貫通配線１０ａ〜１０ｌの材料として例えば多結晶シリコンを用いた場合、支持基板２との線膨張係数の差による剥離などが抑止できるが、充填不良の恐れは残る。そこで、本実施形態では、ガラスキャップ１２は、貫通配線１０ａ〜１０ｌの領域の上面を覆い、貫通配線１０ａ〜１０ｌの周囲をアンカー６ａ〜６ｄ及び固定電極１１ａ〜１１ｈと陽極接合している。これによって、貫通配線１０ａ〜１０ｌが充填不良などを起こした際も、貫通配線部が外部と気密封止部１５との気体や水分の経路になることを防ぐことができ、長期信頼性を確保できる。
【００３４】
ガラスキャップ１２を素子基板１に陽極接合する際の電圧の印加により、振動体４ａ、４ｂの変位を引き起こし、振動体４ａ、４ｂがガラス１２に当接して固着してしまうことを防ぐため、振動体４ａ、４ｂの変位を許容する衝突防止用凹部１９が形成されている。凹部１９の形成は、サンドブラスト加工で行われる。
【００３５】
本実施形態では、気密封止部の内部に気体を封止するか、または気密封止部の内部に存在するほぼ全ての気体を排出して高真空にすることにより、センシング性能の向上または安定を図っている。この気体の封止または高真空を維持するために、貫通配線部を通して外部と気密封止部１５との気体や水分の経路になることを防ぐことが重要である。
【００３６】
係る構成の物理量センサ５０に加速度が印加されると、２つの振動体４ａ、４ｂは、１つの振動モードで打ち消しあう方向に変位しつつ、慣性力により同一の方向にも変位する。また、物理量センサ５０にｚ軸周りの角速度が印加されると、２つの振動体４ａ、４ｂは、１つの振動モードでｘ軸方向に互いに打ち消しあうように変位しつつ、コリオリ力によりｙ軸方向にも互いに打ち消しあうように変位する。以上の変位方向の差異を利用することによって、加速度と角速度の信号を分離することができる。
【００３７】
次に、図４を参照しながら、貫通配線１０ｆ、１０ｇの製造工程を説明する。図４は図１の物理量センサ５０の貫通配線１０ｆ、１０ｇの製造工程を示す断面図である。なお、他の貫通配線の製造工程も全て同一のため、貫通配線１０ｆ、１０ｇを代表して説明する。
【００３８】
素子基板１と支持基板２の２枚の単結晶シリコン基板の間にシリコン酸化膜からなる絶縁層３を挟んで接合したＳＯＩ基板（Silicon On Insulator）２０を作製する。ＳＯＩ基板２０の素子基板１と支持基板２は共に低抵抗の単結晶シリコン材料で作製されている。
【００３９】
素子基板１に振動体４を形成するためのドライエッチング用マスクとするため、図４（ａ）に示すように、熱酸化によりＳＯＩ基板２０の全面に酸化膜２１を形成する。次いで、酸化膜２１をフォトリソグラフィとエッチング技術を利用しパターニングすることにより支持基板２にドライエッチング用マスクを形成する。次いで、前記工程で形成した酸化膜２１をマスクとしてドライエッチングを行い、支持基板層２に孔２１ｆ２、２１ｇ２を形成する。
【００４０】
次いで、支持基板層２と貫通配線１０ｆ、１０ｇとを絶縁するために、図４（ｂ）に示すように、熱酸化で孔２１ｆ２、２１ｇ２の内面に酸化膜１８を形成する。次いで、酸化膜２１をフォトリソグラフィとエッチング技術を利用しパターニングすることにより素子基板１にドライエッチング用マスクを形成する。その際、素子基板１に形成するパターンは、支持基板２に形成したパターンの真上に来るように形成する。前記工程で形成した酸化膜２１をマスクとしてドライエッチングを行い、素子基板１に孔２１ｆ１、２１ｇ１を形成する。孔２１ｆ１、２１ｇ１は、孔２１ｆ２、２１ｇ２の径よりも小さく、酸化膜１８の内径と同一の径で形成する。次いで、素子基板側からドライエッチングにて絶縁層３を除去して孔２１ｆ３、２１ｇ３を形成する。
【００４１】
次いで、図４（ｃ）に示すように、素子基板１、絶縁層及び支持基板２に形成された孔２１ｆ１、２１ｆ３、２１ｆ２及び２１ｇ１、２１ｇ３、２１ｇ２に多結晶シリコンを充填する。この多結晶シリコンにより、素子基板１とは導通しているが、支持基板２とは酸化膜１８を介しているために絶縁された貫通電極１０ｆ、１０ｇが形成される。
【００４２】
係る製造工程により、素子基板１とは導通しているが、支持基板２とは酸化膜１８を介している貫通配線１０ｆ、１０ｇが製作できる。
【００４３】
以上説明したように、本実施形態によれば、貫通配線１０ａ〜１０ｌを素子基板１、絶縁層３及び支持基板２を貫通する貫通孔に形成するようにしたので、これらの貫通孔を狭ピッチで加工することが可能となり、物理量センサ５０の小型化、高密度化を図ることができる。また、ガラスキャップ１２における貫通配線１０ａ〜１０ｌの領域を覆った部分を素子基板１に陽極接合しているので、貫通配線部外部と気密封止部１５との気体や水分の経路になることを防ぐことができ、長期信頼性を確保できる。
【００４４】
第２実施形態では、貫通配線１０ａ〜１０ｌは、導電性金属または低抵抗多結晶シリコンを、素子基板１、絶縁層３及び支持基板２を貫通する貫通孔の内面に薄膜で形成するのみであり、貫通孔を完全に満たすように充填していない（図５には貫通配線１０ｆ、１０ｇのみを示す）。これにより、貫通配線１０ａ〜１０ｌの形成時間が大幅に減少でき、コストの低下が期待できる。ここで、貫通配線１０ａ〜１０ｌを覆うようにガラスキャップ１２と素子基板１とが陽極接合されていることから、外部からのガスあるいは水分の流入を防ぐことができる。
【００４５】
第３実施形態では、貫通配線用の孔は、素子基板１では狭く、支持基板２に形成された部分では広くなっている。貫通配線１０は導電性金属または低抵抗多結晶シリコンで形成されており、素子基板１には充填するが、支持基板２には薄膜で形成するのみで充填されていない。これにより、貫通配線１０ａ〜１０ｌの形成時間を減少できると共に、途中の製造工程における貫通配線１０ａ〜１０ｌの内部空間を通してガスが流出してしまう不都合を解消できる。
【００４６】
第４実施形態では、枠部１４の内側に絶縁物１６で埋め込んでいる。これによって、ガスあるいは水分の経路となりうる箇所の距離が長くなるため、より外部からのガスあるいは水分の流入を防ぐことができる。
（第５実施形態）
第５実施形態を図８に示す。第５実施形態では、素子基板１を貫通する貫通孔の表面に、シリコンの熱酸化膜に代表される絶縁膜１８が形成されている。具体的には、図８では、固定電極１１ｃと１１ａとに設けられた貫通孔を指す。さらに、この孔は、貫通配線１０ｈ、１０ｅを構成する低抵抗多結晶シリコンまたは導電性金属によって、充填されている。また、素子基板１の表面には接合用低抵抗多結晶シリコン６０が形成されている。つまり、図８のように、振動体４ａ、可動電極７ａ、７ｃ、固定電極１１ａ、１１ｃ、枠部１４の表面にも接合用低抵抗多結晶シリコン６０が形成されている。この接合用低抵抗多結晶シリコン６０を介して、ガラスキャップ１２と可動電極７ａ、７ｃ及び枠１４とが陽極接合によって接合され、センサ素子３０が封止されている。
【００４７】
接合用低抵抗多結晶シリコン６０が、固定電極１１ａ、１１ｃ上に形成されているので、その固定電極１１ａ、１１ｃの貫通孔に絶縁膜１８が形成されていても、固定電極１１ａ、１１ｃと貫通配線１０ｈ、１０ｅとはそれぞれ電気的に接続される。したがって、貫通配線として機能できる。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明の第１実施形態の物理量センサの斜視図である。
【図２】ガラスキャップを省略した状態における図１の物理量センサの平面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ断面図である。
【図４】図１の物理量センサの貫通配線を製造する工程を示す断面図である。
【図５】本発明の第２実施形態の物理量センサの断面図である。
【図６】本発明の第３実施形態の物理量センサの断面図である。
【図７】本発明の第４実施形態の物理量センサの断面図である。
【図８】本発明の第５実施形態の物理量センサの断面図である。
【符号の説明】
【００４９】
１…素子基板、２…支持基板、３…絶縁層、４ａ、４ｂ…振動体、５ａ〜５ｄ…梁、６ａ〜６ｄ…アンカー、７ａ〜７ｈ…可動電極、８ａ〜８ｂ…メカニカルリンク、９…トレンチ孔、１０ａ〜１０ｌ…貫通配線、１１ａ〜１１ｈ…固定電極、１２…ガラスキャップ、１３…ガス吸着剤、１４…枠部、１４ａ…内側枠部、１４ｂ…外側枠部、１５…気密封止部、１６…絶縁物、１８…絶縁膜、１９…凹部、２０…ＳＯＩ基板、３０…センサ素子、５０…物理量センサ、６０…接合用低抵抗多結晶シリコン。
【図１】
0004481323.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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