(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（１）：
0004470940.tif 000026
式中、Ｍは、ＡｕまたはＰｔを表し、Ｌは、単座配位子または二座配位子を表し、
Ｚは、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、ア
ルコキシ基、アリールオキシ基、ニトロ基、シアノ基、又はジアルキルアミノ基を
表し、ｎは０〜６の整数であり、複数のＺはそれぞれ同一でも異なっていても良く
、Ｚが、アルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、
アリールオキシ基、又はジアルキルアミノ基の場合、隣接したこれら２つの基が結
合して環を形成しても良く、Ａ及びＢは、それぞれＣＨ又はＮを表し、Ａ又はＢが
ＣＨの場合、その水素原子はＺ又はエチニル基で置換されていても良く、ｋは１〜
４の整数である、
で示されるエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物重金属錯体。
【請求項２】
Ｍが、金であり、ｋが１である請求項１記載のエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物重金属錯体。
【請求項３】
Ｌが、下記一般式（８）又は（９）：
0004470940.tif 000027
式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、それぞれ同一或いは異なっていても良いアルキル
基、シクロアルキル基、又はアリール基を表し、Ｒ４及びＲ５は、それぞれ同一
或いは異なっていても良い水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキ
ル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ
基、ニトロ基、シアノ基、又はジアルキルアミノ基を表す、なお、Ｒ４及びＲ５が
アルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アリール
オキシ基、又はジアルキルアミノ基の場合、隣接した２つの基が結合して環を形
成しても良い、
からなる群より選択された単座配位子である請求項２記載のエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物重金属錯体。
【請求項４】
Ｍが、白金であり、ｋが２である請求項１記載のエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物重金属錯体。
【請求項５】
Ｌが、二座ホスフィン及び下記一般式（１０）〜（１２）で示される二座配位子からなる群より選ばれる二座配位子である請求項４記載のエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物重金属錯体。
0004470940.tif 000028
式中、ｍは１〜５の整数を表し、Ｒ６及びＲ７はアルキル基、シクロアルキル基
、又はアリール基を表し、それぞれ同一又は異なっていても良い。また、Ｚａ、Ｚ
ｂ、Ｚｃ、Ｚｄ、Ｚｅはそれぞれ独立に５又は６員環を形成し得る非金属原子群を
表す。なお、これら５又は６員環は縮合環を形成しても良い。
【請求項６】
Ｌが、下記一般式（１３）〜（２２）で示される二座配位子からなる群より選ばれる二座配位子である請求項４記載のエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物重金属錯体。
0004470940.tif 000029
式中、ｍ、Ｒ６、Ｒ７は前記と同義であり、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１及び
Ｒ１２は、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル
基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ニトロ基、シ
アノ基、又はジアルキルアミノ基を表し、これらの置換基は、それぞれ同一又は異
なっても良く、これらの置換基がアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、
アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、又はアリールオキシ基であり隣接する
場合、これらの置換基が結合して環を形成しても良い。
【請求項７】
Ｍが金である場合、一級及び二級アルコールを除く、有機溶媒中、下記式（２）：
0004470940.tif 000030
式中、Ｚ、ｎ、Ａ及びＢは請求項１と同義である、
で示されるエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物と、下記式（３）：
ＸｋＭＬ            （３）
式中、Ｘはハロゲン原子を表し、ｋ、Ｍ及びＬは請求項１と同義である、
で示される重金属錯体とを、塩基存在下に反応させることを特徴とする請求項１記載の式（１）で示されるエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物重金属錯体の製造法。
【請求項８】
塩基がアルカリ金属アルコキシドである請求項７記載のエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物重金属錯体の製造法。
【請求項９】
ＭがＡｕであり、有機溶媒が三級アルコール、エーテル類、ハロゲン化炭化水素及びこれらの混合物からなる群より選ばれる溶媒である請求項７記載のエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物重金属錯体の製造法。
【請求項１０】
ＭがＰｔであり、有機溶媒がアルコール類である請求項７載のエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物重金属錯体の製造法。
【請求項１１】
下記式（４）：
0004470940.tif 000031
式中、Ｘ’はフッ素原子又は塩素原子を表し、Ａ及びＢは請求項１と同義である、
で示されるエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物。
【請求項１２】
式（４）で示される化合物が、５−フルオロ−８−キノリルエチン、５−クロロ−８−キノリルエチン、５−フルオロ−８−キナゾリルエチン、５−クロロ−８−キナゾリルエチン、５−フルオロ−８−キノキサリルエチン及び５−クロロ−８−キノキサリルエチンからなる群より選択される少なくとも１種である請求項１１記載の化合物。
【請求項１３】
０価パラジウム化合物の存在下、塩基性溶媒中、下記式（５）：
0004470940.tif 000032
式中、Ｚ、ｎ、Ａ及びＢは、請求項１と同義である、
で示されるトリフルオロメタンスルホニルオキシ基置換縮合ヘテロ環化合物と下記式（６）：
0004470940.tif 000033
で示される２−メチル−３−ブチン−２−オールとを反応させて、下記式（７）：
0004470940.tif 000034
式中、Ｚ、ｎ、Ａ及びＢは前記と同義である、
で示されるジメチルヒドロキシメチル−縮合へテロ環−アセチレン化合物とした後、これを塩基と反応させることを特徴とする請求項７記載の式（２）で示されるエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物の製造法。
【請求項１４】
０価パラジウム化合物が、０価パラジウムホスフィン錯体又は０価パラジウムオレフィン錯体であることを特徴とする請求項１３記載のエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物の製造法。
【請求項１５】
塩基性溶媒がピペリジン、ピロリジン、Ｎ−アルキルピペリジンもしくはＮ−アルキルピロリジンであることを特徴とする請求項１３記載のエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物の製造法。
【請求項１６】
一対の電極間に発光層もしくは発光層を含む複数の有機化合物薄層を形成した有機エレクトロルミネッセンス素子であって、少なくとも１層の有機化合物薄層が請求項１記載の式（１）で示されるエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物重金属錯体の少なくとも１種を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本発明は電界発光素子（エレクトロルミネッセンス素子）用青色及び白色発光材料などに有用なエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物の重金属錯体、その製造法、その合成中間体及びその製造法並びにそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】  エチニル基を有する化合物の金錯体としては、例えば非特許文献１及び非特許文献２にフェニルエチニル金錯体が記載されているが、本発明のエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物重金属錯体は知られておらず、その有機エレクトロルミネッセンス素子の発光材料としての利用も知られていない。【０００３】  一方、下記式（ａ）：
0004470940.tif 000002
式中、Ｌ’は単座配位子を表し、Ｙ’はアルキル基、アリール基、アラルキル基又はヘテロ環基を表す、
で表されるエチニル基置換化合物金錯体の合成法としては、非特許文献２に、塩基の存在下にハロゲン化金錯体（下記式（ｂ））とエチニル基置換化合物（下記式（ｃ））とをエタノール中で反応させる合成法が記載されているが、一般的にハロゲン化金錯体（下記式（ｂ））は、例えば、非特許文献３に示されるように炭素−炭素３重結合に対して１級アルコールの付加反応を触媒することが知られている。
0004470940.tif 000003
式中、Ｘ’はハロゲン原子、Ｌ’及びＹ’は前記と同義である。【０００４】  従って、非特許文献３に示されている、溶媒に１級アルコールであるエタノールを用いるエチニル基置換化合物金錯体の合成法の場合には、下記式（ｄ）：
0004470940.tif 000004
式中、Ｙ’及びＬ’は前記と同義である、
で表される化合物を副生することが懸念される。【０００５】  実際に発明者らが、電界発光素子（エレクトロルミネッセンス素子）用発光材料として有用である８−キノリルエチニル（トリ−ｏ−トリルホスフィン）金（下記式（ｅ））を製造する目的で、非特許文献２の製法に従って、金錯体としてクロロ（トリ−ｏ−トリルホスフィン）金（Ｉ）、エチニル基置換化合物として８−エチニルキノリンを用いて、エタノール中、塩基存在下で反応させたところ、エタノールが付加した化合物（下記式（ｆ））が生成し、目的化合物は全く得られなかった。（比較例１）
また、同様の反応をイソプロパノール中で行うと、イソプロパノールが付加した化合物下記式（ｇ）が目的物と等モル量副生した。（比較例２）
0004470940.tif 000005
【０００６】  このため、アルコール付加化合物を生成しないエチニル基置換化合物金錯体（上記式（ａ））の製法が求められていた。【０００７】  また、エチニル基を有する化合物の白金錯体としては、例えば非特許文献４にビスフェニルエチニル（フェナントロリン）白金錯体が、非特許文献５にビスフェニルエチニル（ビスジフェニルホスフィノエタン）白金錯体が、また、非特許文献６にビスフェニルエチニル（ビピリジン）白金錯体が記載されている。更に、これらの白金錯体の有機電界発光素子（有機エレクトロルミネッセンス素子）の発光材料としての利用については、非特許文献４に、ビスフェニルエチニル（フェナントロリン）白金錯体が同発光材料として利用できることが記載されている。しかし、本発明のエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物重金属錯体は知られておらず、その有機エレクトロルミネッセンス素子の発光材料としての利用も知られていない。【０００８】  更に、下記式（１”）で示されるエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物白金錯体の合成法としては、例えば、非特許文献６に記載されているように、ヨウ化銅等の銅触媒の存在下に末端アセチレン化合物と白金錯体を反応させる合成法が挙げられるが、この方法で末端アセチレンとしてキノリルエチンを用いた場合、不純物として下記式（ｈ）や（ｉ）のような銅を含む錯体が副生してしまうため、目的の錯体の精製が非常に困難となる等の問題があった。なお、エレクトロルミネッセンス素子などデバイス関連材料において不純物が問題となる場合が多く見られ、不純物の無い製造法が求められている。
0004470940.tif 000006
式中、Ｚ、ｎ，Ｌ、Ａ及びＢは、下記で定義するとおりである。【０００９】  また、下記式（２）で示されるエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物の製造法としては、例えば、非特許文献７に、アセチル基置換縮合ヘテロ環化合物と五塩化リンとを反応させることによる製造法が記載されているが、その収率は最大でも３０％程度と低収率であった。
更に、下記式（４）で示されるエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物は、新規化合物であり、電界発光素子（有機エレクトロルミネッセンス素子）用発光材料原料として有用である事は知られていない。【００１０】
【非特許文献１】Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ．，１９９４年，４８４巻、ｐ．２０９
【非特許文献２】Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｓｏｃｉｅｔｙ，Ｄａｌｔｏｎ  Ｔｒａｎｓ．，１９８６年，ｐ．４１１
【非特許文献３】Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  ｔｈｅ  Ａｍｅｒｉｃａｎ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｓｏｃｉｒｔｙ，２００３，１２５，ｐ．１１９２５
【非特許文献４】Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  Ｅｕｒｏｐｅａｎ  Ｊｏｕｒｎａｌ．，２００１年，７巻，ｐ．４１８０
【非特許文献５】Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ．，２００１年，６２７巻，ｐ．１３
【非特許文献６】Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ．，２０００，３９巻，ｐ．４４７
【非特許文献７】Ｃｈｅｍｉｓｃｈｅ  Ｂｅｒｉｃｈｔｅ，１９６０，９３，ｐ．５９３
【非特許文献８】日本化学会編、「実験化学講座」，第４版，１８巻，丸善，１９９１年，ｐ．４５５
【非特許文献９】日本化学会編、「実験化学講座」，第４版，１８巻，丸善，１９９１年，ｐ．４１２
【非特許文献１０】Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ．，１９９６年，５２巻，ｐ．７５４７
【非特許文献１１】Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ  Ｌｅｔｔｅｒ．，１９９３年，３４巻，ｐ．１７６９
【非特許文献１２】Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  ｔｈｅ  Ａｍｅｒｉｃａｎ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｓｏｃｉｒｔｙ，１９８７，１０９，ｐ．５４７８
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】  本発明は、電圧印加により青色又は白色の発光を示す有機エレクトロルミネッセンス素子及びその有機エレクトロルミネッセンス素子に有用な化合物を提供することを課題とする。【００１２】  また、本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子用青色及び白色発光材料などに有用なエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物重金属錯体（下記式（１））を夾雑金属無く、収率良く製造する製造方法を提供することを課題とする。【００１３】  本発明は、更に、電界発光素子（有機エレクトロルミネッセンス素子）用発光材料の原料等に有用な下記式（２）で示されるエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物を収率良く製造する方法及び下記式（４）で示される新規なエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】  本発明者らは鋭意検討した結果、下記式（１）で示されるエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物重金属錯体を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子が、電圧印加により青色および白色電界発光素子用材料として有用であることを見出して本発明を完成するに至った。【００１５】  また、本発明者らは、金属アルコキシドの存在下にエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物と重金属前駆体を反応させることで収率良くエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物重金属錯体を合成できることを見出し本発明を完成するに至った。【００１６】  更に、本発明者らは、有機エレクトロルミネッセンス素子用発光材料原料等に有用な下記式（２）で示されるエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物の収率の良い製造方法を見出すと共に、有機エレクトロルミネッセンス素子用発光材料原料として有用な新規化合物であるエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物（下記式（４））を見出し、本発明を完成するに至った。【００１７】  即ち、本発明は以下の通りである。
第１の発明は、下記式（１）：
0004470940.tif 000007
式中、Ｍは、重金属元素を表し、Ｌは、単座配位子または二座配位子を表し、Ｚは、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ニトロ基、シアノ基、又はジアルキルアミノ基を表し、ｎは０〜６の整数であり、複数のＺはそれぞれ同一でも異なっていても良く、Ｚが、アルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、又はジアルキルアミノ基の場合、隣接したこれら２つの基が結合して環を形成しても良く、Ａ及びＢは、それぞれＣＨ又はＮを表し、Ａ又はＢがＣＨの場合、その水素原子はＺ又はエチニル基で置換されていても良く、ｋは１〜４の整数である、
で示されるエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物重金属錯体に関する。【００１８】  第２の発明は、Ｍが金である場合、一級及び二級アルコールを除く、有機溶媒中、下記式（２）：
0004470940.tif 000008
式中、Ｚ、ｎ、Ａ及びＢは前記と同義である、
で示されるエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物と、下記式（３）：
ＸｋＭＬ        （３）
式中、Ｘはハロゲン原子を表し、ｋ、Ｍ及びＬは前記と同義である、
で示される重金属錯体とを、塩基存在下に反応させることを特徴とする上記式（１）で示されるエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物重金属錯体の製造法に関する。【００１９】  第３の発明は、下記式（４）：
0004470940.tif 000009
式中、Ｘ’はフッ素原子又は塩素原子を表し、Ａ及びＢは前記と同義である、
で示されるエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物に関する。【００２０】  第４の発明は、０価パラジウム化合物の存在下、塩基性溶媒中、下記式（５）：
0004470940.tif 000010
式中、Ｚ、ｎ、Ａ及びＢは、前記と同義である、
で示されるトリフルオロメタンスルホニルオキシ基置換縮合ヘテロ環化合物と下記式（６）：
0004470940.tif 000011
で示される２−メチル−３−ブチン−２−オールとを反応させて、下記式（７）：
0004470940.tif 000012
式中、Ｚ、ｎ、Ａ及びＢは前記と同義である、
で示されるジメチルヒドロキシメチル−縮合ヘテロ環−アセチレン化合物とした後、これを塩基と反応させることを特徴とする上記式（２）で示されるエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物の製造法に関する。【００２１】  第５の発明は、一対の電極間に発光層もしくは発光層を含む複数の有機化合物薄層を形成した有機エレクトロルミネッセンス素子であって、少なくとも１層の有機化合物薄層が上記式（１）で示されるエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物重金属錯体の少なくとも１種を含有することを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子に関するものである。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】図１は、実施例５１記載のエレクトロルミネッセンス素子概略図である。
【図２】図２は、実施例５１記載のエレクトロルミネッセンス素子の発光スペクトルであり、縦軸は各波長における発光の強度を表す。
【図３】図３は、実施例５２記載のエレクトロルミネッセンス素子概略図である。
【図４】図４は、実施例５２記載のエレクトロルミネッセンス素子の発光スペクトルであり、縦軸は各波長における発光の強度を表す。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】  第１の発明のエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物重金属錯体は上記式（１）で示される。式（１）中、Ｍは重金属原子を表し、Ｌは単座配位子又は二座配位子を表し、Ｚは、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ニトロ基、シアノ基、又はジアルキルアミノ基を表し、ｎは０〜６の整数であり、複数のＺはそれぞれ同一でも異なっていても良い。また、Ｚが、アルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、又はジアルキルアミノ基の場合、隣接したこれら２つの基が結合して環を形成しても良い。Ｘ及びＹは、それぞれＣＨ又はＮを表す。なお、Ｘ又はＹがＣＨの場合、その水素原子がＺ又は式中の重金属と結合するエチニル基で置換されても良い。【００２４】  Ｍで示される重金属原子としては、周期律表第６周期の金属である、Ａｕ，Ｐｔ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ及びＩｒが挙げられる。ＭがＡｕである場合、ｋ＝１で、Ｌは単座配位子で１〜３個であり、Ｐｔの場合、ｋ＝２で、Ｌは二座配位子で１個、Ｏｓ又はＩｒの場合、ｋ＝２又は３で、Ｌは単座又は二座配位子であり、単座の場合２〜４個、二座の場合１〜２個の配位子を有し、Ｔａの場合、ｋ＝３で、Ｌは単座又は二座配位子であり、単座の場合２〜４個、二座の場合１〜２個の配位子を有し、Ｗの場合、ｋ＝３又は４で、Ｌは単座又は二座配位子であり、単座の場合２〜４個、二座の場合１〜２個の配位子を有し、Ｒｅの場合、ｋ＝３で、Ｌは単座配位子で２〜４個である。これらの中でも、ＭはＡｕ又はＰｔであることが好ましい。【００２５】  Ｚにおけるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
アルキル基としては、炭素数１〜２０、特に炭素数１〜１２のアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基等が挙げられる。なお、これら置換基は、その異性体も含む。【００２６】  アルケニル基としては、炭素数２〜２０、特に炭素数２〜１２のアルケニル基が好ましく、例えば、ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基、オクテニル基、ノネニル基、デセニル基、ウンデセニル基、ドデセニル基等が挙げられる。なお、これら置換基は、その異性体も含む。
アリール基としては、炭素数６〜２０、特に６〜１２のアリール基が好ましく、例えば、フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、ジメチルナフチル基、ビフェニル基等が挙げられる。なお、これら置換基は、その異性体も含む。【００２７】  アラルキル基としては、炭素数７〜２０のアラルキル基が好ましく、例えばベンジル基、ナフチルメチル基、インデニルメチル基、ビフェニルメチル基などが挙げられる。
アルコキシ基としては、特に炭素数１〜１０のアルコキシ基が好ましく、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンタノキシ基、ヘキサノキシ基、ヘプタノキシ基、オクタノキシ基、ノナノキシ基、デカノキシ基等が挙げられる。なお、これら置換基は、その異性体も含む。【００２８】  アリールオキシ基としては、特に炭素数６〜１４のアリールオキシ基が好ましく、フェノキシ基、トリロキシ基、キシリロキシ基、ナフトキシ基、ジメチルナフトキシ基等が挙げられる。なお、これら置換基は、その異性体も含む。
ジアルキルアミノ基としては、特に炭素数２〜１０のジアルキルアミノ基が好ましく、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジプロピルアミノ基等が挙げられる。なお、これら置換基は、その異性体も含む。【００２９】  Ｚが、アルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、又はジアルキルアミノ基の場合、隣接した２つの基が結合して形成する環としては、例えば、シクロペンテン環、シクロヘキセン環、シクロヘプテン環、ベンゼン環、ナフタレン環、テトラヒドロフラン環、ベンゾピラン環、Ｎ−メチルピロリジン環、Ｎ−メチルピペリジン環等が挙げられる。等が挙げられる。
なお、Ｚの任意の水素原子は、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ニトロ基、シアノ基及びジアルキルアミノ基から選択される少なくとも１の置換基で更に置換されていても良い。【００３０】  本発明において、Ｍが金（Ａｕ）である場合、上記式（１）は下記一般式（１’）：
0004470940.tif 000013
式中、Ｚ，ｎ，Ａ及びＢは前記と同義である、
で示され、Ｌ１は単座配位子を表す。このようなＬ１としては、下記一般式（８）又は（９）で示される単座配位子が挙げられる。【００３１】
0004470940.tif 000014
【００３２】    式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、それぞれ同一或いは異なっていても良いアルキル基、シクロアルキル基、又はアリール基を表し、Ｒ４及びＲ５は、それぞれ同一或いは異なっていても良い水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ニトロ基、シアノ基、又はジアルキルアミノ基を表す。なお、Ｒ４及びＲ５がアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、又はジアルキルアミノ基の場合、隣接した２つの基が結合して環を形成しても良い。【００３３】  Ｒ１、Ｒ２及びＲ３におけるアルキル基としては、炭素原子数１〜１０のアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等が挙げられる。なお、これらの置換基は、その異性体を含む。
シクロアルキル基としては、特に炭素原子数５〜８のシクロアルキル基が好ましく、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等が挙げられる。【００３４】  アリール基としては、炭素原子数６〜１２のアリール基が好ましく、例えば、フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、ジメチルナフチル基等が挙げられる。なお、これらの置換基は、その異性体を含む。【００３５】  Ｒ４及びＲ５におけるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
アルキル基としては、炭素原子数１〜１０のアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等が挙げられる。なお、これらの置換基は、その異性体を含む。【００３６】  シクロアルキル基としては、炭素数３〜７のシクロアルキル基が好ましく、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基等が挙げられる。【００３７】  アルケニル基としては、炭素原子数２〜２０、特に２〜１２のアルケニル基が好ましく、例えば、ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基、オクテニル基、ノネニル基、デセニル基、ウンデセニル基、ドデセニル基等が挙げられる。なお、これらの置換基は、その異性体を含む。
アリール基としては、炭素原子数６〜１２のアリール基が好ましく、例えば、フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、ジメチルナフチル基等が挙げられる。なお、これらの置換基は、その異性体を含む。【００３８】  アラルキル基としては、炭素数７〜２０のアラルキル基が好ましく、例えばベンジル基、ナフチルメチル基、インデニルメチル基、ビフェニルメチル基などが挙げられる。
アルコキシ基としては、特に炭素原子数１〜１０のアルコキシ基が好ましく、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンタノキシ基、ヘキサノキシ基、ヘプタノキシ基、オクタノキシ基、ノナノキシ基、デカノキシ基等が挙げられる。なお、これらの置換基は、その異性体を含む。【００３９】  アリールオキシ基としては、特に炭素原子数６〜１４のアリールオキシ基が好ましく、フェノキシ基、トリロキシ基、キシリロキシ基、ナフトキシ基、ジメチルナフトキシ基等が挙げられる。なお、これらの置換基は、その異性体を含む。
ジアルキルアミノ基としては、特に炭素原子数２〜１０のジアルキルアミノ基が好ましく、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジプロピルアミノ基等が挙げられる。なお、これらの置換基は、その異性体を含む。【００４０】  Ｒ４及びＲ５がアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、又はジアルキルアミノ基の場合、隣接した２つの基が結合して形成する環としては、たとえば，キノリン、イソキノリン、テトラヒドロキノリン、テトラヒドロイソキノリン、２，３−シクロペンテノピリジン、２，３−シクロヘプテノピリジン、２，３−シクロドデセノピリジン、７−アザインドール、ノルハルマンが挙げられる。【００４１】  前記のＲ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５で示される置換基は、その炭素原子に結合している水素原子が、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ニトロ基、シアノ基又はジアルキルアミノ基等で更に置換されていても良い。これらの置換基は、前記のＲ４及びＲ５で示される置換基と同様のものが挙げられる。【００４２】  上記式（８）で示される単座配位子の具体例としては、ビス（ペンタフルオロフェニル）フェニルホスフィン、（４−ブロモフェニル）ジフェニルホスフィン、ジアリルフェニルホスフィン、ジシクロヘキシルフェニルホスフィン、ジエチルフェニルホスフィン、４−（ジメチルアミノ）フェニルジフェニルホスフィン、ジメチルフェニルホスフィン、ジフェニル（２−メトキシフェニル）ホスフィン、ジフェニル（ペンタフルオロフェニル）ホスフィン、ジフェニルプロピルホスフィン、ジフェニル−２−ピリジルホスフィン、ジフェニル（ｐ−トリル）ホスフィン、ジフェニルビニルホスフィン、エチルジフェニルホスフィン、イソプロピルジフェニルホスフィン、メチルジフェニルホスフィン、トリベンジルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリ−ｔ−ブチルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリシクロペンチルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリ−２−フリルホスフィン、トリイソブチルホスフィン、トリイソプロピルホスフィン、トリプロピルホスフィン、トリメチルホスフィン、トリオクチルホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリス（４−クロロフェニル）ホスフィン、トリス（３−クロロフェニル）ホスフィン、トリス（２，６−ジメトキシフェニル）ホスフィン、トリス（４−フルオロフェニル）ホスフィン、トリス（３−フルオロフェニルホスフィン）、トリス（４−メトキシフェニル）ホスフィン、トリス（３−メトキシフェニル）ホスフィン、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン、トリス（４−トリフルオロメチルフェニル）ホスフィン、トリス（ペンタフルオロフェニル）ホスフィン、トリス（２，４，６−トリメトキシフェニル）ホスフィン、トリス（２，４，６−トリメチルフェニル）ホスフィン、トリ−ｍ−トリルホスフィン、トリ−ｏ−トリルホスフィン、トリ−ｐ−トリルホスフィン、ベンジルジフェニルホスフィン、ビス（２−メトキシフェニル）フェニルホスフィン、ジフェニルシクロヘキシルホスフィン、２−（ジ−ｔ−ブチルホスフィノ）ビフェニル、２−（ジシクロヘキシルホスフィノ）ビフェニル、ネオメンチルジフェニルホスフィン、ｐ−トリルジフェニルホスフィン、トリアリルホスフィン、２，４，４−トリメチルペンチルホスフィン、トリ（１−ナフチル）ホスフィン、トリス（ヒドロキシメチル）ホスフィン、トリス（ヒドロキシプロピル）ホスフィンなどが挙げられる。なお、これらは市販のものを使用することができる。【００４３】  上記式（９）で示される配位子の具体例としては、ピリジン、ピコリン、２−エチルピリジン、２−プロピルピリジン、４−プロピルピリジン、４−ブチルピリジン、４−イソブチルピリジン、ルチジン、コリジン、エチルメチルピリジン、ジエチルピリジン、２−メチル−５−ブチルピリジン、４−（５−ノニル）ピリジン、２，６−ジプロピルピリジン、４−ジメチルアミノピリジン、４−ピペリジノピリジン、４−ピロリジノピリジン、２−クロロピリジン、２，６−ジクロロピリジン、キノリン、メチルキノリン、ジメチルキノリン等が挙げられる。なお、これらはその異性体も含む。また、これらの配位子は市販のものを使用することができる。【００４４】  上記式（１’）で示されるエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物金錯体の具体例を以下に示す。【００４５】
0004470940.tif 000015
【００４６】  また、本発明において、Ｍが白金（Ｐｔ）である場合、上記式（１）は下記一般式（１”）：
0004470940.tif 000016
式中、Ｚ，ｎ，Ａ及びＢは前記と同義である、
で示され、Ｌ２は二座配位子を表す。このようなＬ２としては、二座ホスフィン及び下記一般式（１０）〜（１２）で示される二座配位子が挙げられる。【００４７】
0004470940.tif 000017
【００４８】    式中、ｍは１〜５の整数を表し、Ｒ６及びＲ７はアルキル基、シクロアルキル基、又はアリール基を表し、それぞれ同一又は異なっていても良い。また、Ｚａ、Ｚｂ、Ｚｃ、Ｚｄ、Ｚｅはそれぞれ独立に５又は６員環を形成し得る非金属原子群を表す。なお、これら５又は６員環は縮合環を形成しても良い。【００４９】  上記一般式（１０）〜（１２）で示される二座配位子において、Ｚａ、Ｚｂ、Ｚｃ、Ｚｄ及びＺｅとしては、炭素、水素、窒素、酸素、硫黄、燐、ハロゲン原子で構成されるそれぞれ独立した５又は６員環が挙げられる。なお、これら５又は６員環は縮合環を形成しても良い。【００５０】  ５員環としては、オキサゾール環、チアゾール環、イミダゾール環等が挙げられる。
６員環としては、ベンゼン環、ピリジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、ピラジン環等が挙げられる。【００５１】  これらの５又は６員環が成す縮合環としては、キノリン環、イソキノリン環、インドール環、イソインドール環等が挙げられる。
これらの５又は６員環及び縮合環の内、ナフタレン環、イソキノリン環、オキサゾール環、ピリジン環が好ましい。【００５２】  また、これらの環は、それぞれ同一又は異なっていても良いハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ニトロ基、シアノ基、又はジアルキルアミノ基等の置換基で置換されても良い。なお、これらの置換基がアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、又はアリールオキシ基であり隣接する場合、これらの置換基が結合して５又は６員環を形成しても良い。【００５３】  ここで、ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
アルキル基としては、炭素原子数１〜１０のアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等が挙げられる。なお、これらの置換基は、その異性体を含む。【００５４】  シクロアルキル基としては、特に炭素原子数５〜８のシクロアルキル基が好ましく、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等が挙げられる。【００５５】  アルケニル基としては、炭素原子数２〜２０、特に２〜１２のアルケニル基が好ましく、例えば、ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基、オクテニル基、ノネニル基、デセニル基、ウンデセニル基、ドデセニル基等が挙げられる。なお、これらの置換基は、その異性体を含む。【００５６】  アリール基としては、炭素原子数６〜１２のアリール基が好ましく、例えば、フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、ジメチルナフチル基等が挙げられる。なお、これらの置換基は、その異性体を含む。【００５７】  アラルキル基としては、炭素数７〜２０のアラルキル基が好ましく、例えばベンジル基、ナフチルメチル基、インデニルメチル基、ビフェニルメチル基などが挙げられる。【００５８】  アルコキシ基としては、特に炭素原子数１〜１０のアルコキシ基が好ましく、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンタノキシ基、ヘキサノキシ基、ヘプタノキシ基、オクタノキシ基、ノナノキシ基、デカノキシ基等が挙げられる。なお、これらの置換基は、その異性体を含む。【００５９】  アリールオキシ基としては、特に炭素原子数６〜１４のアリールオキシ基が好ましく、フェノキシ基、トリロキシ基、キシリロキシ基、ナフトキシ基、ジメチルナフトキシ基等が挙げられる。なお、これらの置換基は、その異性体を含む。【００６０】  ジアルキルアミノ基としては、特に炭素原子数２〜１０のジアルキルアミノ基が好ましく、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジプロピルアミノ基等が挙げられる。なお、これらの置換基は、その異性体を含む。【００６１】  以下、二座ホスフィン及び下記一般式（１０）〜（１２）で示される二座配位子（Ｌ２）の具体的な態様について説明する。
二座ホスフィンとしては、例えば、下記一般式（１３）〜（１８）で示される二座ホスフィンが挙げられる。【００６２】
0004470940.tif 000018
【００６３】    式中、ｍ、Ｒ６及びＲ７は前記と同義である。また、Ｒ８及びＲ９は、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ニトロ基、シアノ基、又はジアルキルアミノ基を表し、これらの置換基は、それぞれ同一又は異なっていても良い。なお、これらの置換基がアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、又はアリールオキシ基であり隣接する場合、これらの置換基が結合して環を形成しても良い。【００６４】  前記一般式（１３）で示される二座配位子としては、例えば、下記一般式（１９）及び（２０）で示される二座配位子が挙げられる。【００６５】
0004470940.tif 000019
【００６６】    式中、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８及びＲ９は前記と同義である。また、Ｒ１０、Ｒ１１及びＲ１２は、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ニトロ基、シアノ基、又はジアルキルアミノ基を表し、これらの置換基は、それぞれ同一又は異なっていても良い。なお、これらの置換基がアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、又はアリールオキシ基であり隣接する場合、これらの置換基が結合して環を形成しても良い。【００６７】  前記一般式（１４）で示される二座配位子としては、例えば、下記一般式（２１）で示される二座配位子が挙げられる。【００６８】
0004470940.tif 000020
【００６９】    式中、ｍ、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ１０、Ｒ１１及びＲ１２は前記と同義である。【００７０】  前記一般式（１５）で示される二座配位子としては、例えば、下記一般式（２２）で示される二座配位子が挙げられる。【００７１】
0004470940.tif 000021
【００７２】    式中、Ｒ８及びＲ９は前記と同義である。【００７３】  ここでＲ６及びＲ７におけるアルキル基としては、炭素原子数１〜１０のアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等が挙げられる。なお、これらの置換基は、その異性体を含む。【００７４】  シクロアルキル基としては、特に炭素原子数５〜８のシクロアルキル基が好ましく、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等が挙げられる。【００７５】  アリール基としては、炭素原子数６〜１２のアリール基が好ましく、例えば、フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、ジメチルナフチル基等が挙げられる。なお、これらの置換基は、その異性体を含む。【００７６】  Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１及びＲ１２におけるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。【００７７】  アルキル基としては、炭素原子数１〜２０、特に１〜１２のアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基等が挙げられる。なお、これらの置換基は、その異性体を含む。【００７８】  シクロアルキル基としては、特に炭素原子数３〜７のシクロアルキル基が好ましく、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基等が挙げられる。【００７９】  アルケニル基としては、炭素原子数２〜２０、特に２〜１２のアルケニル基が好ましく、例えば、ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基、オクテニル基、ノネニル基、デセニル基、ウンデセニル基、ドデセニル基等が挙げられる。なお、これらの置換基は、その異性体を含む。【００８０】  アリール基としては、炭素原子数６〜２０、特に６〜１２のアリール基が好ましく、例えば、フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、ジメチルナフチル基等が挙げられる。なお、これらの置換基は、その異性体を含む。【００８１】  アラルキル基としては、炭素数７〜２０のアラルキル基が好ましく、例えばベンジル基、ナフチルメチル基、インデニルメチル基、ビフェニルメチル基などが挙げられる。【００８２】  アルコキシ基としては、特に炭素原子数１〜１０のアルコキシ基が好ましく、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンタノキシ基、ヘキサノキシ基、ヘプタノキシ基、オクタノキシ基、ノナノキシ基、デカノキシ基等が挙げられる。なお、これらの置換基は、その異性体を含む。【００８３】  アリールオキシ基としては、特に炭素原子数６〜１４のアリールオキシ基が好ましく、フェノキシ基、トリロキシ基、キシリロキシ基、ナフトキシ基、ジメチルナフトキシ基等が挙げられる。なお、これらの置換基は、その異性体を含む。【００８４】  ジアルキルアミノ基としては、特に炭素原子数２〜１０のジアルキルアミノ基が好ましく、ジメチルアミノ��、ジエチルアミノ基、ジプロピルアミノ基等が挙げられる。なお、これらの置換基は、その異性体を含む。【００８５】  Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１及びＲ１２がアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、又はアリールオキシ基であり隣接するこれら置換基が環を形成した二座配位子としては、例えば、上記の二座配位子（１８）の場合、下記一般式（２３）、（２４）で示される二座配位子が挙げられる。【００８６】
0004470940.tif 000022
【００８７】    式中、Ｒ６及びＲ７は前記と同義である。【００８８】  前記のＲ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１及びＲ１２で表される置換基は、その炭素原子に結合している水素原子が、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ニトロ基、シアノ基又はジアルキルアミノ基等で更に置換されていても良い。これらの置換基は、前記のＲ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１及びＲ１２で表される置換基と同様のものが挙げられる。【００８９】  上記一般式（１３）〜（１８）で示される二座ホスフィン及び（１９）〜（２２）で示される二座配位子の具体的な態様としては、以下のものが挙げられる。
上記式（１３）で示される二座ホスフィンの具体的な態様としては、ｍ＝１のものとして、ビス（ジフェニルホスフィノ）メタン、ビス（メチルホスフィノ）メタン、ビス（ジシクロヘキシルホスフィノ）メタン、ビス（ジ−ｔ−ブチルホスフィノ）メタン、ｍ＝２のものとして、１，２−ビス（ジメチルホスフィノ）エタン、１，２−ビス（ジエチルホスフィノ）エタン、１，２−ビス（ジ−ｔ−ブチルホスフィノ）エタン、１，２−ビス（ジシクロヘキシルホスフィノ）エタン、１，２−ビス［（２−メトキシフェニル）フェニルホスフィノ］エタン、１，２−ビス［ジ（ペンタフルオロフェニル）ホスフィノ］エタン、１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン、１，２−ビス（ｔ−ブチルフェニルホスフィノ）エタン、１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン、ｍ＝３のものとして１，３−ビス（ジメチルホスフィノ）プロパン、１，３−ビス（ジエチルホスフィノ）プロパン、１，３−ビス（ジ−ｔ−ブチルホスフィノ）プロパン、１，３−ビス（ジシクロヘキシルホスフィノ）プロパン、１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン、ｍ＝４のものとして、１，４−ビス（ジメチルホスフィノ）ブタン、１，４−ビス（ジ−ｔ−ブチルホスフィノ）ブタン、１，４−ビス（ジシクロヘキシルホスフィノ）ブタン、１，４−ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン、ｍ＝５のものとして、１，５−ビス（ジフェニルホスフィノ）ペンタン、ｍ＝６のものとして、１，６−ビス（ジフェニルホスフィノ）ヘキサン等が挙げられる。【００９０】  上記式（１４）で示される二座ホスフィンの具体的な態様としては、１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン、２，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン、２，４−ビス（ジフェニルホスフィノ）ペンタン等が挙げられる。【００９１】  上記式（１５）で示される二座ホスフィンの具体的な態様としては、１，２−ビス（ジメチルホスフィノ）ベンゼン、１，２−ビス（ジシクロヘキシルホスフィノ）ベンゼン、１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）ベンゼン等が挙げられる。【００９２】  上記式（１６）で示される二座ホスフィンの具体的な態様としては１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン、１，１’−ビス（ジイソプロピルホスフィノ）フェロセン、１，１’−ビス（ジ−ｔ−ブチルホスフィノ）フェロセン等が挙げられる。【００９３】  上記式（１７）で示される二座ホスフィンの具体的な態様としては、２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル、２，２’−ビス（ジシクロヘキシルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル、２，２’−ビス（ジ（３，５−キシリル）ホスフィノ）−１，１’−ビフェニル、２，２’−ビス（ジ（ｐ−トリル）ホスフィノ）−１，１’−ビナフチル等が挙げられる。【００９４】  上記式（１８）で示される二座ホスフィンの具体的な態様としては、２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビフェニル、６，６’−ジメトキシ−２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビフェニル、５，５’−ジクロロ−６，６’−ジメトキシ−２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビフェニル等が挙げられる。【００９５】  上記式（１９）で示される二座配位子の具体的な態様としては、Ｒ６、Ｒ７がフェニル基であり、Ｒ８、Ｒ９が水素原子である化合物（ＱＵＩＮＡＰ）等が挙げられる。【００９６】  上記式（２０）で示される二座配位子の具体的な態様としては、Ｒ６、Ｒ７がフェニル基で、Ｒ１０がメチル基で、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１１及びＲ１２が水素原子である化合物（ＤＰＭＯ）、Ｒ６、Ｒ７がフェニル基で、Ｒ１０、Ｒ１１がメチル基で、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１２が水素原子である化合物（ＤＰＤＭＯ）、Ｒ６、Ｒ７がフェニル基で、Ｒ１０がイソプロピル基で、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１１及びＲ１２が水素原子である化合物（ＤＰＩＰＯ）、Ｒ６、Ｒ７がフェニル基で、Ｒ１０がイソブチル基で、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１１及びＲ１２が水素原子である化合物（ＤＰＩＢＯ）、Ｒ６、Ｒ７がフェニル基で、Ｒ１０がｔ−ブチル基で、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１１及びＲ１２が水素原子である化合物（ＤＰＴＢＯ）、Ｒ６、Ｒ７がフェニル基で、Ｒ１０がベンジル基で、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１１及びＲ１２が水素原子である化合物（ＤＰＢＭＯ）、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ１０がフェニル基で、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１１及びＲ１２が水素原子である化合物（ＤＰＰＯ）等が挙げられる。【００９７】  上記式（２１）で示される二座配位子の具体的な態様としては、Ｒ６、Ｒ７がフェニル基で、Ｒ１０がメチル基、Ｒ１１及びＲ１２が水素原子で、ｍ＝１である化合物（ＤＰＭＭＯ）、Ｒ６、Ｒ７がフェニル基で、Ｒ１０がイソプロピル基、Ｒ１１及びＲ１２が水素原子で、ｍ＝１である化合物（ＤＰＭＩＰＯ）、Ｒ６、Ｒ７がフェニル基で、Ｒ１０がイソブチル基、Ｒ１１及びＲ１２が水素原子で、ｍ＝１である化合物（ＤＰＭＩＢＯ）、Ｒ６、Ｒ７がフェニル基で、Ｒ１０がｔ−ブチル基、Ｒ１１及びＲ１２が水素原子で、ｍ＝１である化合物（ＤＰＭＴＢＯ）、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ１０がフェニル基で、Ｒ１１及びＲ１２が水素原子で、ｍ＝１である化合物（ＤＰＭＰＯ）、Ｒ６、Ｒ７がフェニル基で、Ｒ１０がベンジル基、Ｒ１１及びＲ１２が水素原子で、ｍ＝１である化合物（ＤＰＭＢＮＯ）等が挙げられる。【００９８】  上記式（２２）で示される二座配位子の具体的な態様としては、２，２’−ビピリジン、４，４’−ジメチル−２，２’−ビピリジン、４，４’−ジフェニル−２，２’−ビピリジン、５，５’−ジメチル−２，２’−ビピリジン、５，５’−ジ−ｔ−ブチル−２，２’−ビピリジン、１，１０−フェナントロリン、５−メチル−１，１０−フェナントロリン、５−フェニル−１，１０−フェナントロリン、４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン、３，４，７，８−テトラメチル−１，１０−フェナントロリンが挙げられる。【００９９】  上記式（１”）で示されるエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物白金錯体の具体的な態様を下記式に示す。
なお、これらの化合物名は、下記上段左より、ビス（８−キノリルエチニル）（ビスジメチルホスフィノエタン）白金（以下、Ｐｔ（ｄｍｐｅ）（８ＱＥ）２と記載。）、ビス（８−キノリルエチニル）（ビスジフェニルホスフィノエタン）白金（以下、Ｐｔ（ｄｐｐｅ）（８ＱＥ）２と記載。）、ビス（７−キノリルエチニル）（ビスジメチルホスフィノエタン）白金（以下、Ｐｔ（ｄｍｐｅ）（７ＱＥ）２と記載。）、ビス（６−キノリルエチニル）（ビスジメチルホスフィノエタン）白金（以下、Ｐｔ（ｄｍｐｅ）（６ＱＥ）２と記載。）、ビス（５−キノリルエチニル）（ビスジメチルホスフィノエタン）白金（以下、Ｐｔ（ｄｍｐｅ）（５ＱＥ）２と記載。）、ビス（４−キノリルエチニル）（ビスジメチルホスフィノエタン）白金（以下、Ｐｔ（ｄｍｐｅ）（４ＱＥ）２と記載。）、ビス（３−キノリルエチニル）（ビスジメチルホスフィノエタン）白金（以下、Ｐｔ（ｄｍｐｅ）（３ＱＥ）２と記載。）、ビス（２−キノリルエチニル）（ビスジメチルホスフィノエタン）白金（以下、Ｐｔ（ｄｍｐｅ）（２ＱＥ）２と記載。）である。【０１００】
0004470940.tif 000023
【０１０１】  ＭがＴａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒである場合の配位子としては、前記した単座配位子及び二座配位子が挙げられ、その価数に応じて前記と同様の配位構造をとることができる。【０１０２】  上記新規エチニル基置換縮合ヘテロ環化合物金錯体は、ホストとしてベンジジン型トリフェニルアミン（４，４’−ビス（カルバゾール−９−イル）ビフェニル（以下、ＣＢＰと記載する。）を用いた固体薄膜とした後、紫外線照射することによりＣＩＥ色度座標値で（０．１９，０．１７）の青色から（０．３１，０．３４）の白色の発光を示した。また、同白金錯体は、有機エレクトロルミネッセンス素子の有機化合物層に使用した場合も同様の発色光を示す。【０１０３】  第２の発明である、エチニル基置換化合物重金属錯体（上記式（１））の製造法は、上記式（２）で示されるエチニル基置換化合物と上記式（３）で示されるハロゲン化重金属錯体とを塩基の存在下、有機溶媒（ただし、ＭがＡｕである場合、一級及び二級アルコールを除く。）中で反応させることによって行われる。【０１０４】  本発明において、上記式（１）におけるＭが金である場合の式（１’）で示されるエチニル基置換化合物金錯体の製造法について説明する。エチニル基置換化合物（上記式（２））の使用量は、上記式（３）におけるＭが金である下記式（３’）：
ＸＡｕＬ１        （３’）
式中、Ｘ及びＬ１は前記と同義である、
で示されるハロゲン化金錯体１モルに対して１〜３モルであることが好ましく、より好ましくは１〜１．５モルである。
ここで、Ｘにおけるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。【０１０５】  なお、上記式（ｂ）で示されるハロゲン化金錯体は、例えば、非特許文献８に記載の方法に従って、塩化金酸をホスフィンもしくはスルフィドで還元後、適切な配位子と反応させることにより合成することができる。【０１０６】  本反応で用いられる溶媒としては、一級及び二級アルコール以外で使用する塩基と反応しないものであれば特に制限は無いが、三級アルコール類、エーテル類、ハロゲン化炭化水素類、或はこれらの混合物が好ましい。【０１０７】  ここで三級アルコール類としては、ｔ−ブチルアルコール、ｔ−アミルアルコール等が挙げられる。
エーテル類としては、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジメトキシエタン、ジエトキシエタン等が挙げられる。
ハロゲン化炭化水素類としては、ジクロロメタン、ジクロロエタン、ジクロロプロパン、クロロベンゼン等が挙げられる。【０１０８】  これらの溶媒の使用量は、ハロゲン化金錯体（上記式（１））１モルに対して、１〜３０Ｌ（リットル）が好ましく、更に好ましくは５〜２０Ｌである。【０１０９】  また、反応温度は溶媒の融点以上〜１００℃で可能であるが、低温では反応進行が遅くなるため、好ましくは１５〜５０℃である。【０１１０】  反応時間は、前記の末端アセチレン化合物の種類、溶媒の使用量、及び反応温度等によって変化するが２〜２４時間である。【０１１１】  本発明で用いられる塩基としては、アルカリ金属の水酸化物又はアルコキシドが挙げられる。
アルカリ金属の水酸化物としては、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等が挙げられる。【０１１２】  アルカリ金属のアルコキシドとしては、リチウムメトキシド、リチウムエトキシド、リチウムプロポキシド、リチウムブトキシド、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、ナトリウムプロポキシド、ナトリウムブトキシド、カリウムメトキシド、カリウムエトキシド、カリウムプロポキシド、カリウムブトキシドが挙げられる。なお、これらはその異性体も含む。【０１１３】  これらの塩基の使用量は、ハロゲン化金錯体１モルに対して１〜３モル、好ましくは１〜１．２モルである。【０１１４】  この反応は、通常、アルゴン、窒素などの不活性ガス雰囲気、或はこれらガス気流下で行われる。また、用いられる反応圧は通常、常圧である。【０１１５】  次に、本発明において、上記式（１）におけるＭが白金である場合の式（１”）で示されるエチニル基置換化合物白金錯体の製造法について説明する。
ここで白金錯体（上記式（３）においてＭがＰｔである化合物）は、例えば、非特許文献９に記載の方法に準じて、２座配位子（Ｌ）と塩化白金酸カリウム（ＩＩ）を反応させて製造したものを用いることができる。【０１１６】  ここで２座配位子（Ｌ２）としては、２座ホスフィン又は上記式（１０）〜（１２）で示される２座配位子が挙げられる。
２座ホスフィンとしては、例えば、上記式（１３）〜（１８）で示される２座ホスフィンが挙げられる。
上記式（１０）で表される２座配位子としては、例えば、上記式（１９）及び（２０）で示される２座配位子が挙げられる。
上記式（１１）で表される２座配位子としては、例えば、上記式（２１）で示される２座配位子が挙げられる。
上記式（１２）で表される２座配位子としては、例えば、上記式（２２）で示される２座配位子が挙げられる。【０１１７】  これらの２座配位子の内、上記式（１３）〜（１９）及び（２２）で示される２座配位子は市販品を用いることができる。
上記式（２０）で示される２座配位子は非特許文献１０に記載の方法に従って合成することが出来、上記式（２１）で示される２座配位子は非特許文献１１に記載の方法に従って合成することが出来る。【０１１８】  エチニル基置換化合物（上記式（２））の使用量は、上記式（３）におけるＭが白金である下記式（３”）：
ＸｋＰｔＬ２        （３”）
式中、Ｘ、ｋ及びＬ２は前記と同義である、
で示されるハロゲン化白金錯体１モルに対して２〜６モルであることが好ましく、より好ましくは２〜３モルである。【０１１９】  エチニル基置換縮合ヘテロ環化合物の白金錯体（上記式（１”））の製造に用いられる塩基としては、金属アルコキシドであり、リチウムメトキシド、リチウムエトキシド、リチウムプロポキシド、リチウムブトキシド、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、ナトリウムプロポキシド、ナトリウムブトキシド、カリウムメトキシド、カリウムエトキシド、カリウムプロポキシド、カリウムブトキシド等のアルカリ金属アルコキシドが挙げられる。なお、上記のアルカリ金属プロポキシド及びブトキシドについてはアルコキシ基の異性体も含まれる。【０１２０】  塩基の使用量は、白金錯体（上記式（１”））に対して２．０〜６．０当量が好ましく、更に好ましくは２．０〜３．０当量である。【０１２１】  溶媒としてはアルコール類が好ましく、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール等の炭素数１〜５の脂肪族アルコールが挙げられる。なお、これらのアルコールは、その異性体も含む。【０１２２】  溶媒の使用量は、上記式（１”）で示される白金錯体１モルに対して、１〜５０Ｌ（リットル）が好ましく、更に好ましくは１５〜３０Ｌである。【０１２３】  反応温度は２０〜１００℃が好ましく、更に好ましくは６０〜９０℃である。なお、２０℃以下では反応の進行が著しく低下することがある。【０１２４】  反応時間は、上記式（１”）で示される白金錯体、エチニル基置換縮合ヘテロ環化合物、溶媒の使用量、及び反応温度等によって変化するが１〜９時間であることが好ましい。【０１２５】  この反応は、通常、アルゴン、窒素等の不活性ガス雰囲気、或はこれらガス気流下で行われる。また、用いられる反応圧は通常、常圧である。【０１２６】  Ｍが金又は白金以外の重金属元素である場合、上記式（１）で示されるエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物重金属錯体の製造方法は、上記と同様に、例えば、重金属錯体１モルに対し、ｋ＝１の場合、エチニル基置換化合物を好ましくは１〜３モル、更に好ましくは１〜１．５モル使用することにより、ｋ＝２の場合、エチニル基置換化合物を好ましくは２〜６モル、更に好ましくは２〜３モル使用することにより、ｋ＝３の場合、エチニル基置換化合物を好ましくは３〜９モル、更に好ましくは３〜４．５モル使用することにより、ｋ＝４の場合、エチニル基置換化合物を好ましくは４〜１２モル、更に好ましくは４〜６モル使用して反応させることにより目的化合物を得ることができる。【０１２７】  上記の製造方法に従って製造されたエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物重金属錯体（上記式（１））は、反応終了後、抽出、濃縮、ロ過などの通常の後処理を行い、必要に応じて再結晶、各種クロマトグラフィー、昇華などの公知の手段で適宣精製することができる。【０１２８】  第３の発明の上記式（４）で示されるエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物は、上記式（１）で示されるエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物重金属錯体の製造原料として使用される化合物である。
式（４）において、Ｚ，ｎ，Ａ及びＢは前記と同義である。【０１２９】  式（４）で示されるエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物としては、例えば、５−フルオロ−８−キノリルエチン、５−クロロ−８−キノリルエチン、５−フルオロ−８−キナゾリルエチン、５−クロロ−８−キナゾリルエチン、５−フルオロ−８−キノキサリルエチン、５−クロロ−８−キノキサリルエチンが挙げられる。【０１３０】  第４の発明である上記式（２）で示されるエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物の製造法は、塩基性溶媒中、０価パラジウム化合物触媒存在下に、上記式（５）で示されるトリフルオロメタンスルホニルオキシ基置換縮合ヘテロ環化合物と上記式（６）で示される２−メチル−３−ブチン−２−オールとを反応させてジメチルヒドロキシメチル−縮合ヘテロ環−アセチレン化合物（上記式（７））とした後、これを塩基と反応させることにより行われるものである。【０１３１】  上記式（５）で示されるトリフルオロメタンスルホニルオキシ置換縮合ヘテロ環化合物において、Ｚ、ｎ、Ａ及びＢは、前記したとおりである。【０１３２】  トリフルオロメタンスルホニルオキシ置換縮合ヘテロ環化合物（上記式（５））は、例えば、非特許文献１２の記載の合成法に従い、トリエチルアミン等の有機塩基の存在下、塩化メチレン等の溶媒中にトリフルオロメタンスルホン酸無水物と目的のトリフルオロメタンスルホニルオキシ置換縮合ヘテロ環化合物に対応するヒドロキシ基置換縮合ヘテロ環化合物とを反応させることによって製造することができる。【０１３３】  ０価パラジウム化合物としては、例えば、０価パラジウムホスフィン錯体（パラジウムテトラキストリフェニルホスフィン錯体、ビスジフェニルホスフィノエタンパラジウム錯体、ビストリシクロヘキシルホスフィンパラジウム錯体等）、０価パラジウムオレフィン錯体（トリスジベンジリデンアセトンジパラジウム錯体等）等が挙げられる。これら化合物の内、０価パラジウムホスフィン錯体が好ましく、更には、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウムが好ましい。【０１３４】  これらの０価パラジウム化合物の使用量は、トリフルオロメタンスルホニルオキシ置換縮合ヘテロ環化合物（上記式（５））１モルに対して０．１〜１０モル％が好ましく、更に好ましくは０．５〜５モル％である。【０１３５】  上記式（６）で示される２−メチル−３−ブチン−２−オールは、市販のものを使用することができる。【０１３６】  ２−メチル−３−ブチン−２−オールの使用量は、トリフルオロメタンスルホニルオキシ置換縮合ヘテロ環化合物（上記式（５））１モルに対して、１．０〜２．０モルが好ましく、更に好ましくは、１．０〜１．２モルである。【０１３７】  本発明の製造法において、使用される塩基性溶媒としては、ピペリジン、ピロリジン、Ｎ−アルキルピペリジン及びＮ−アルキルピロリジンが挙げられ、これらから選択される少なくとも１種が使用される。
Ｎ−アルキルピペリジン及びＮ−アルキルピロリジンにおけるアルキル基としては、炭素数１〜１０のアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等が挙げられる。なお、これらの置換基は、その異性体を含む。【０１３８】  塩基性溶媒の使用量は、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基置換縮合ヘテロ環化合物（上記式（５））１モルに対して、１〜２０Ｌ（リットル）が好ましく、更に好ましくは１．５〜５Ｌである。【０１３９】  また、反応温度は８０〜１００℃が好ましく、更に好ましくは８０〜９０℃である。【０１４０】  反応時間は、前記の溶媒の使用量、及び反応温度等によって変化するが１〜５時間であることが好ましい。【０１４１】  この反応は、通常、アルゴン、窒素などの不活性ガス雰囲気、或はこれらガス気流下で行われる。また、用いられる反応圧は通常、常圧である。【０１４２】  上記反応によって得られるジメチルヒドロキシメチル−縮合ヘテロ環−アセチレン化合物（上記式（７））は必要に応じて蒸留、再結晶、各種クロマトグラフィーなどの公知の手段で適宣精製して次反応に用いることが出来るが、上記反応後、ロ過、濃縮等の後処理を施したのみの粗精製物を、そのまま次反応に用いることも出来る。【０１４３】  ジメチルヒドロキシメチル−縮合ヘテロ環−アセチレン化合物（上記式（７））の塩基との反応は、例えば、有機溶媒中、ジメチルヒドロキシメチル−縮合ヘテロ環−アセチレン化合物（上記式（７））とアルカリ金属の水酸化物とを加熱することで行われる。【０１４４】  ここでアルカリ金属の水酸化物としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等が挙げられる。【０１４５】  アルカリ金属の水酸化物の使用量はジメチルヒドロキシメチル−縮合ヘテロ環−アセチレン化合物（上記式（７））１モルに対して１〜５モルが好ましく、更に好ましくは１〜２モルである。【０１４６】  有機溶媒としては芳香族系の炭化水素が用いられ、トルエン、キシレンが好ましい。
有機溶媒の使用量は、ジメチルヒドロキシメチル−縮合ヘテロ環−アセチレン化合物（上記式（７））１モルに対して、１〜２０Ｌ（リットル）が好ましく、２〜５Ｌが更に好ましい。【０１４７】  この反応で使用される温度は、７０〜１２０℃が好ましく、更に好ましくは９０〜１１０℃である。また、反応時間は、前記の温度によって変化するが０．１〜２時間である。【０１４８】  この反応は、通常、アルゴン、窒素などの不活性ガス雰囲気、或はこれらガス気流下で行われる。また、反応圧は通常、常圧である。【０１４９】  上記の製造法に従って製造されたエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物（上記式（４））は、反応終了後、抽出、濃縮、ろ過等の通常の後処理を行い、必要に応じて蒸留、再結晶、各種クロマトグラフィー等の公知の手段で適宣精製することができる。【０１５０】  上記のエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物（上記式（４））の具体的な態様としては、例えば、８−キノリルエチン、７−キノリルエチン、６−キノリルエチン、５−キノリルエチン、４−キノリルエチン、３−キノリルエチン、２−キノリルエチン、８−キナゾリルエチン、７−キナゾリルエチン、６−キナゾリルエチン、５−キナゾリルエチン、８−キノキサリルエチン、７−キノキサリルエチン、６−キノキサリルエチン、５−キノキサリルエチン、５−フルオロ−８−キノリルエチン、５−クロロ−８−キノリルエチン、５−フルオロ−８−キナゾリルエチン、５−クロロ−８−キナゾリルエチン、５−フルオロ−８−キノキサリルエチン、５−クロロ−８−キノキサリルエチン、２−キノキサリルエチン等が挙げられる。【０１５１】  次に、第５の発明の有機エレクトロルミネッセンス素子について、以下に、その実施形態を示す。
第５の発明は有機電界発光素子（有機エレクトロルミネッセンス素子）用青色、青白色又は白色発光材料に有用な上記式（１）で示されるエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物重金属錯体及びそれを含有する有機エレクトロルミネッセンス素子に関するものである。【０１５２】  本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、一対の電極間に単層もしくは多層の有機化合物層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、この有機化合物層の少なくとも１層が上記式（１）で示されるエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物重金属錯体の内、少なくとも１種を含有する。ここで有機化合物層は、発光層、電子注入層、もしくは正孔輸送層である。【０１５３】  単層型の有機エレクトロルミネッセンス素子は、陽極と陰極との間に発光層を有する。発光層は、発光材料を含有し、更に、陽極から注入した正孔、もしくは陰極から注入した電子を発光材料まで輸送させるための正孔注入材料もしくは電子注入材料を含有しても良い。【０１５４】  多層型の有機エレクトロルミネッセンス素子は、例えば、（陽極／正孔注入層／発光層／陰極）、（陽極／発光層／電子注入層／陰極）、（陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極）等の多層構成で積層したものが挙げられる。【０１５５】  発光層には、上記式（１）で示されるエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物重金属錯体の他に、公知の発光材料、ドーピング材料、正孔注入材料（フタロシアニン誘導体、ナフタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、オキサゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾール、イミダゾロン、イミダゾールチオン、ピラゾリン、ピラゾロン、テトラヒドロイミダゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、ヒドラゾン、アシルヒドラゾン、ポリアリールアルカン、スチルベン、ブタジエン、ベンジジン型トリフェニルアミン、スチリルアミン型トリフェニルアミン、ジアミン型トリフェニルアミン等及びそれらの誘導体、およびポリビニルカルバゾール、ポリシラン、導電性高分子等の高分子材料等）、電子注入材料（フルオレノン、アントラキノジメタン、ジフェノキノン、チオピランジオキシド、オキサゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾール、ペリレンテトラカルボン酸、フレオレニリデンメタン、アントラキノジメタン、アントロン等及びそれらの誘導体等）を使用しても良い。【０１５６】  上記式（１）で示されるエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物重金属錯体の有機化合物層への添加量は、０．５〜１００重量％の濃度であることが好ましい。【０１５７】  この有機エレクトロルミネッセンス素子は、発光材料、他のドーピング材料、正孔注入材料や電子注入材料を組み合わせて使用することもできる。更に、正孔注入層、発光層、電子注入層は、それぞれ二層以上の層構成により形成されても良い。その際には、正孔注入層の場合、電極から正孔を注入する層を正孔注入層、正孔注入層から正孔を受け取り発光層まで正孔を輸送する層を正孔輸送層と呼ぶ。同様に、電子注入層の場合、電極から電子を注入する層を電子注入層、電子注入層から電子を受け取り発光層まで電子を輸送する層を電子輸送層と呼ぶ。これらの各層は、材料のエネルギー準位、耐熱性、有機化合物層もしくは金属電極との密着性等の各要因により選択されて使用される。【０１５８】  上記式（１）で示されるエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物重金属錯体と共に有機化合物層に使用できる発光材料又はホスト材料としては、縮合多環芳香族（アントラセン、ナフタレン、フェナントレン、ピレン、テトラセン、ペンタセン、コロネン、クリセン、フルオレセイン、ペリレン、ルブレン及びそれらの誘導体等）、芳香族ケイ素化合物（テトラフェニルシラン等）、芳香族ゲルマニウム化合物（テトラフェニルゲルマニウム等）、フタロペリレン、ナフタロペリレン、ペリノン、フタロペリノン、ナフタロペリノン、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、クマリン、オキサジアゾール、アルダジン、ビスベンゾキサゾリン、ビススチリル、ピラジン、シクロペンタジエン、キノリン金属錯体、アミノキノリン金属錯体、ベンゾキノリン金属錯体、イミン、ジフェニルエチレン、ビニルアントラセン、ジアミノカルバゾール、ピラン、チオピラン、ポリメチン、メロシアニン、イミダゾールキレート化オキシノイド化合物、キナクリドン、ルブレン、スチルベン系誘導体及び蛍光色素等が挙げられる。【０１５９】  本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子において使用できる公知の正孔注入材料の中で、更に効果的な正孔注入材料は、芳香族三級アミン誘導体もしくはフタロシアニン誘導体である。芳香族三級アミン誘導体の具体的な態様は、トリフェニルアミン、トリトリルアミン、トリルジフェニルアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（以下、ＴＰＤと記載）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−（４−メチルフェニル）−１，１’−フェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−（４−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジナフチル−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−（メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−（４−ｎ−ブチルフェニル）−フェナントレン−９，１０−ジアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（４−ジ−４−トリルアミノフェニル）−４−フェニル−シクロヘキサン等、もしくはこれらの芳香族三級アミン骨格を有したオリゴマーもしくはポリマーであるが、これらに限定されるものではない。【０１６０】  フタロシアニン（Ｐｃ）誘導体の具体的な態様は、Ｈ２Ｐｃ、ＣｕＰｃ、ＣｏＰｃ、ＮｉＰｃ、ＺｎＰｃ、ＰｄＰｃ、ＦｅＰｃ、ＭｎＰｃ、ＣｌＡｌＰｃ、ＣｌＧａＰｃ、ＣｌＩｎＰｃ、ＣｌＳｎＰｃ、Ｃｌ２  ＳｉＰｃ、（ＨＯ）ＡｌＰｃ、（ＨＯ）ＧａＰｃ、ＶＯＰｃ、ＴｉＯＰｃ、ＭｏＯＰｃ、ＧａＰｃ−Ｏ−ＧａＰｃ等のフタロシアニン誘導体およびナフタロシアニン誘導体であるが、これらに限定されるものではない。【０１６１】  本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子において、更に効果的な公知の電子注入材料は、金属錯体化合物もしくは含窒素五員環誘導体である。金属錯体化合物の具体的な態様は、８−ヒドロキシキノリナートリチウム、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）亜鉛、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）銅、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）マンガン、トリス（８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム（��下、Ａｌｑ３と記載。）、トリス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム、トリス（８−ヒドロキシキノリナート）ガリウム、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナート）ベリリウム、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナート）亜鉛、ビス（２−メチル−８−キノリナート）クロロガリウム、ビス（２−メチル−８−キノリナート）（ｏ−クレゾラート）ガリウム、ビス（２−メチル−８−キノリナート）（１−ナフトラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリナート）（２−ナフトラート）ガリウム等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。【０１６２】  また、含窒素五員誘導体は、オキサゾール、チアゾール、オキサジアゾール、チアジアゾールもしくはトリアゾール誘導体が好ましい。具体的には、２，５−ビス（１−フェニル）−１，３，４−オキサゾール、ジメチルＰＯＰＯＰ（ここでＰＯＰＯＰは１，４−ビス（５−フェニルオキサゾール−２−イル）ベンゼンを表す。）、２，５−ビス（１−フェニル）−１，３，４−チアゾール、２，５−ビス（１−フェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２−（４’−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−（４”−ビフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール、１，４−ビス［２−（５−フェニルオキサジアゾリル）］ベンゼン、１，４−ビス［２−（５−フェニルオキサジアゾリル）−４−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼン］、２−（４’−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−（４”−ビフェニル）−１，３，４−チアジアゾール、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−チアジアゾール、１，４−ビス［２−（５−フェニルチアジアゾリル）］ベンゼン、２−（４’−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−（４”−ビフェニル）−１，３，４−トリアゾール、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−トリアゾール、１，４−ビス［２−（５−フェニルトリアゾリル）］ベンゼン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。【０１６３】  本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、電荷注入性向上のために発光層と電極との間に無機化合物層を設けることもできる。【０１６４】  この無機化合物層としては、ＬｉＦ、Ｌｉ２Ｏ、ＲａＯ、ＳｒＯ、ＢａＦ２、ＳｒＦ２等の、アルカリ金属又はアルカリ土類金属のフッ化物、酸化物等を挙げられる。【０１６５】  本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の陽極に使用される導電性材料としては、４ｅＶより大きな仕事関数を持つものが適しており、炭素原子、アルミニウム、バナジウム、鉄、コバルト、ニッケル、タングステン、銀、金、白金、パラジウム及びそれらの合金、ＩＴＯ（酸化インジウムに酸化スズを５〜１０％添加した物質）基板、ＮＥＳＡ基板に使用される酸化スズ、酸化インジウム等の酸化金属、更にポリチオフェンやポリピロール等の有機導電性樹脂を用いることができる。【０１６６】  陰極に使用される導電性物質としては、４ｅＶより小さな仕事関数を持つものが適しており、マグネシウム、カルシウム、錫、鉛、チタニウム、イットリウム、リチウム、ルテニウム、マンガン、アルミニウム等およびそれらの合金を用いられる。こ���で合金とは、マグネシウム／銀、マグネシウム／インジウム、リチウム／アルミニウム等が挙げられる。合金の比率は、蒸着源の温度、雰囲気、真空度等により制御され、特に限定されない。【０１６７】  陽極および陰極は、必要があれば二層以上の層構成により形成されていても良い。【０１６８】  本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、少なくとも一方の面は素子の発光波長領域において透明であることが望ましい。また、基板も透明であることが望ましい。【０１６９】  透明電極は、前記の導電性材料を使用して、蒸着あるいはスパッタリング等の方法で所定の透光性が確保するように設定して得られる。【０１７０】  発光面の電極は、光透過率を１０％以上にすることが望ましい。【０１７１】  基板は、機械的、熱的強度を有し、透明性を有するものであれば特に限定されるものではないが、ガラス基板あるいは透明性樹脂フィルムが挙げられる。【０１７２】  透明性樹脂フィルムとしては、ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−ビニルアルコール共重合体、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリメチルメタアクリレート、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、ナイロン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリサルホン、ポリエーテルサルフォン、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体、ポリビニルフルオライド、テトラフルオロエチレン−エチレン共重合体、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリビニリデンフルオライド、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリウレタン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリイミド、ポリプロピレン等が挙げられる。【０１７３】  本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、温度、湿度、雰囲気等に対する安定性の向上のために、素子の表面に保護層を設けるか、或いは、シリコンオイル、樹脂等により素子全体を保護することもできる。【０１７４】  また、有機エレクトロルミネッセンス素子の各層の形成は、真空蒸着、スパッタリング、プラズマ、イオンプレーティング等の乾式成膜法、あるいはスピンコーティング、ディッピング、フローコーティング等の湿式成膜法のいずれかを適用することができる。膜厚は特に限定されるものではないが、通常の膜厚は５ｎｍ〜１０μｍの範囲であり、更には１０ｎｍ〜０．２μｍの範囲が好ましい。【０１７５】  湿式成膜法の場合、各層上にエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物重金属錯体（上記式（１））を、エタノール、クロロホルム、テトラヒドロフラン、ジオキサン等の溶媒に溶解又は分散させて薄膜を調製することができる。【０１７６】  乾式成膜法としては、真空蒸着が好ましく、真空蒸着装置を用い、真空度２×１０−３Ｐａ以下、基板温度を室温にして、蒸着セルに入れた本発明のエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物重金属錯体（上記式（１））を加熱し、該材料を蒸発させることにより薄膜を調製することができる。このとき、蒸着源の温度をコントロールするために、蒸着セルに接触させた熱電対や非接触の赤外線温度計等が好適に用いられる。また蒸着量をコントロールするために蒸着膜厚計が好適に用いられる。【０１７７】  蒸着膜厚計としては、蒸着源に対向して設置された水晶振動子を用い、前記水晶振動子表面に付着した蒸着膜の重量を該振動子の発振周波数の変化から計測し、この計測重量から膜厚をリアルタイムに求める形式のものが好適に用いられる。【０１７８】  ＣＢＰ等のホスト材料とエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物重金属錯体（上記式（１））の共蒸着は、それぞれに蒸着源を用い、且つ温度をそれぞれ独立に制御することによって行うことができる。【０１７９】  ここで、いずれの有機薄膜層も、成膜性向上、膜のピンホール防止等のためポリスチレン、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリエステル、ポリアミド、ポリウレタン、ポリスルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート、セルロース等の絶縁性樹脂およびそれらの共重合体、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリシラン等の光導電性樹脂、ポリチオフェン、ポリピロール等の導電性樹脂などの樹脂、あるいは酸化剤、紫外線吸収剤、可塑剤等の添加剤を使用することができる。【０１８０】発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、例えば壁掛けテレビや携帯電話のフラットパネルディスプレイ等の平面発光体、複写機、プリンター、液晶ディスプレイのバックライト、又は計器類等の光源、表示板、標識灯等に利用できる。
【実施例】
【０１８１】  以下に実施例を挙げて、本発明を具体的に説明する。なおｄｍｐｅは１，２−ビス（ジメチルホスフィノ）エタンを示す。
参考例１  ８−トリフルオロメタンスルホニルオキシキノリンの合成
８−キノリノール７．２６ｇ（５０ｍｍｏｌ）、塩化メチレン５０ｍｌ、トリエチルアミン９．１ｍｌ（６５ｍｍｏｌ）を混合した黄色溶液を氷浴で０℃にした後、トリフルオロメタンスルホン酸無水物９．３ｍｌ（５５ｍｍｏｌ）を滴下した。滴下後、ほぼ黒色に変化した反応溶液を反応温度を０℃に維持したまま１時間攪拌した。反応終了後、反応溶液に水２００ｍｌとジエチルエーテル２５０ｍｌを加えて分液し、得られた有機層を濃度１ｍｏｌ／Ｌの塩酸（１２５ｍｌ×２回）、水（１２５ｍｌ×１回）の順で洗浄し、次いで無水硫酸マグネシウムで乾燥した。ろ過後、ろ液からジエチルエーテルを減圧留去し、得られた残滓をヘキサン２５０ｍｌに７０℃で溶解して、不溶物をろ過後、ろ液を冷却することにより茶白色結晶である目的化合物を１２．６ｇ得た。（収率９１％）【０１８２】１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）δ：９．１１−９．０３（ｍ、１Ｈ）、８．３０−８．１９（ｍ、１Ｈ）、７．８９−７．８１（ｍ、１Ｈ）
７．６５−７．５０（ｍ、３Ｈ）
ＥＩ−ＭＳ（ｍ／ｅ）：２７７（Ｍ＋）、ＣＩ−ＭＳ（ｍ／ｚ）：２７８（ＭＨ＋）【０１８３】参考例２  ５−フルオロ−８−トリフルオロメタンスルホニルオキシキノリンの合成
５−フルオロ−８−キノリノール３．９１ｇ（２４ｍｍｏｌ）、塩化メチレン２４ｍｌを加えた。氷水浴で内温４℃にした後、トリエチルアミン４．３ｍｌ（３１ｍｍｏｌ）を加えた。内温が１℃まで降下してからトリフルオロメタンスルホン酸無水物４．４ｍｌ（２６．４ｍｍｏｌ）を滴下した。ほぼ黒色に変化した反応溶液を氷水浴中で１時間攪拌した。反応終了後、反応溶液を水に注ぎ、ジエチルエーテルで抽出した。抽出液を濃度１モル／Ｌ（リットル）の塩酸及び水で洗浄した後、エバポレーターで溶媒を減圧留去して褐色固体を得た。この固体を温ヘキサン（７０℃）に溶解させ、吸引ろ過を行い不溶物を除いた後、ろ液を−７８℃に冷却することで茶白色固体である目的化合物を６．２１ｇ得た。（収率８７％）【０１８４】１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：７．２０−７．２８（ｍ，１Ｈ），７．５５−７．６３（ｍ，２Ｈ），８．４７（ｄｄ，１Ｈ），９．１１（ｄｄ，１Ｈ）
ＥＩ−ＭＳ（Ｍ／ｅ）：２９５（Ｍ＋），ＣＩ−ＭＳ（Ｍ／ｅ）：２９６（ＭＨ＋）【０１８５】参考例３  ５−クロロ−８−トリフルオロメタンスルホニルオキシキノリンの合成
５−クロロ−８−ヒドロキシキノリン０．９０ｇ（５ｍｍｏｌ）、塩化メチレン１０ｍｌを加えた。氷水浴で内温４℃にした後、トリエチルアミン０．９ｍｌ（６．５ｍｍｏｌ）を加えた。内温が３℃まで降下してからトリフルオロメタンスルホン酸無水物０．９ｍｌ（５．３ｍｍｏｌ）を滴下した。ほぼ黒色に変化した反応溶液を氷水浴中で１時間攪拌した。反応終了後、反応溶液を水に注ぎ、ジエチルエーテルで抽出した。抽出液を濃度１モル／Ｌの塩酸及び水で洗浄しエバポレーターで溶媒を減圧留去して粗生成物である固体を得た。この固体を温ヘキサン（７０℃）２５ｍｌに溶解させ、吸引ろ過にて不溶物を除いた後、ろ液を−７８℃に冷却することで白色綿状固体として目的化合物を０．８８ｇ得た。
次いで、ろ液をエバポレーターで減圧濃縮し、得られた残渣を温ヘキサン（７０℃）８ｍｌで完全に溶解させ、これを−７８℃に冷却することで白茶色綿状固体として目的化合物を更に０．４０ｇ得た。（総収率８１．６％）【０１８６】１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：７．５７（ｄ，１Ｈ），７．６４−７．６８（ｍ，１Ｈ），８．６２（ｄｄ，１Ｈ），９．１１（ｄｄ，１Ｈ）
ＥＩ−ＭＳ（Ｍ／ｅ）：３１１（Ｍ＋），ＣＩ−ＭＳ（Ｍ／ｅ）：３１２（ＭＨ＋）【０１８７】参考例４  ７−トリフルオロメタンスルホニルオキシキノリンの合成
滴下ロートを備えた容量２００ｍｌの２つ口フラスコ内を窒素ガスにて置換し、ジクロロメタン５０ｍｌ、トリフルオロメタンスルホン酸無水物を２．６ｍｌ（１５．２ｍｍｏｌ）を加え、氷水浴にて内温２℃まで冷却した。滴下ロートに７−ヒドロキシキノリン２ｇ（１３．８ｍｍｏｌ）、トリエチルアミン２．５ｍｌ（１７．９ｍｍｏｌ）及びジクロロメタン２０ｍｌを加えて茶色の懸濁液とした。この懸濁液を同温度にてゆっくりと前記トリフルオロメタンスルホン酸無水物の溶液中に滴下し、滴下終了後、同温度で２時間攪拌した。反応終了後、ほぼ黒色に変化した反応溶液を水（２００ｍｌ）に注ぎ、ジエチルエーテル（２００ｍｌ×１回、５０ｍｌ×３回）で抽出し、この抽出液を濃度１モル／Ｌの塩酸（１２５ｍｌ×２回）、次いで水（２００ｍｌ×１回）で洗浄した。洗浄後、抽出液を無水硫酸マグネシウム（２ｇ）を加えて脱水し、ろ過後、ろ液をロータリーエバポレーターを用いて溶媒留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン／酢酸エチル＝１００／０〜２／１）によって精製することで黄色液体である目的化合物を３．５ｇ得た。（収率９１％）【０１８８】１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：７．４９−７．５５（ｍ，２Ｈ），７．９５（ｄ，１Ｈ），８．０６（ｄ，１Ｈ），８．２７（ｄｄ，１Ｈ），９．０２（ｄｄ，１Ｈ）
ＥＩ−ＭＳ（Ｍ／ｅ）：２７７（Ｍ＋）【０１８９】参考例５  ６−トリフルオロメタンスルホニルオキシキノリンの合成
滴下ロートを備えた容量２００ｍｌの２つ口フラスコ内を窒素ガスにて置換し、ジクロロメタン５０ｍｌ、トリフルオロメタンスルホン酸無水物６．４ｍｌ（３７．９ｍｍｏｌ）を加え、氷水浴にて内温２℃まで冷却した。滴下ロートに６−ヒドロキシキノリン５ｇ（３４．４ｍｍｏｌ）、トリエチルアミン６．３ｍｌ（４４．８ｍｍｏｌ）及びジクロロメタン２０ｍｌを加えて茶色の懸濁液とした。この懸濁液を同温度にてゆっくりと前記トリフルオロメタンスルホン酸無水物の溶液中に滴下し、滴下終了後、同温度で２時間攪拌した。反応終了後、ほぼ黒色に変化した反応溶液を水（２００ｍｌ）に注ぎ、ジエチルエーテル（２００ｍｌ×１回、５０ｍｌ×２回）で抽出し、抽出液を濃度１モル／Ｌの塩酸（１２５ｍｌ×２回）、次いで水（２００ｍｌ×１回）で洗浄した。洗浄後、抽出液を無水硫酸マグネシウム（２ｇ）を加えて脱水し、ろ過後、ろ液をロータリーエバポレーターを用いて溶媒留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン／酢酸エチル＝１００／０〜２／１）によって精製することで褐色液体である目的化合物を７．８ｇ得た。（収率８２％）【０１９０】１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：７．５４（Ｍ，１Ｈ），７．６３（ｄｄ，１Ｈ），７．７８（ｄ，１Ｈ），８．２４−８．２７（ｍ，２Ｈ），９．０１（ｄｄ，１Ｈ）
ＥＩ−ＭＳ（Ｍ／ｅ）：２７７（Ｍ＋）【０１９１】参考例６  ５−トリフルオロメタンスルホニルオキシキノリンの合成
滴下ロートを備えた容量２００ｍｌの２つ口フラスコ内を窒素ガスにて置換し、ジクロロメタン５０ｍｌ、トリフルオロメタンスルホン酸無水物６．４ｍｌ（３７．９ｍｍｏｌ）を加え、氷水浴にて内温２℃まで冷却した。滴下ロートに５−ヒドロキシキノリン５ｇ（３４．４ｍｍｏｌ）、トリエチルアミン６．３ｍｌ（４４．８ｍｍｏｌ）及びジクロロメタン２０ｍｌを加えて茶色の懸濁液とした。この懸濁液を同温度にてゆっくりと前記トリフルオロメタンスルホン酸無水物の溶液中に滴下し、滴下終了後、同温度で２時間攪拌した。反応終了後、ほぼ黒色に変化した反応溶液を水（２００ｍｌ）に注ぎ、ジエチルエーテル（２００ｍｌ×１回、５０ｍｌ×３回）で抽出し、抽出液を濃度１モル／Ｌの塩酸（１２５ｍｌ×２回）、続いて水（２００ｍｌ×１回）で洗浄した。洗浄後、抽出液を無水硫酸マグネシウム（２ｇ）を加えて脱水し、ろ過後、ろ液をロータリーエバポレーターを用いて溶媒留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン／酢酸エチル＝１００／０〜２／１）によって精製することで濃赤色液体である目的化合物を９．２ｇ得た。（収率９６％）【０１９２】１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：７．５４−７．５９（ｍ，２Ｈ），７．７３−７．７７（Ｍ，１Ｈ），８．１９（ｄｄ，１Ｈ），８．４２（ｄｄ，１Ｈ），９．０２（ｄｄ，１Ｈ）
ＥＩ−ＭＳ（Ｍ／ｅ）：２７７（Ｍ＋）【０１９３】参考例７  ４−トリフルオロメタンスルホニルオキシキノリンの合成
滴下ロートを備えた容量２００ｍｌの２つ口フラスコ内を窒素ガスにて置換し、４−ヒドロキシキノリン５ｇ（３４．４ｍｍｏｌ）、ピリジン５０ｍｌを加え、氷水浴にて内温２℃まで冷却した。滴下ロートにトリフルオロメタンスルホン酸無水物７．０ｍｌ（４１．６ｍｍｏｌ）を加え、同温度にてゆっくりと前記４−ヒドロキシキノリン溶液中に滴下した。滴下終了後、同温度にて２時間攪拌した。反応終了後、黄色に変化した反応溶液を水（２００ｍｌ）に注ぎ、ジエチルエーテル（２００ｍｌ×１回、５０ｍｌ×２回）にて抽出し、抽出液を濃度１モル／Ｌの塩酸（１２５ｍｌ×２回）、次いで水（２００ｍｌ×１回）で洗浄した。洗浄後、無水硫酸マグネシウム（２ｇ）を加えて脱水し、ろ過後、ろ液をロータリーエバポレーターを用いて溶媒留去して黄色液体を得た。この黄色液体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン／酢酸エチル＝１００／０〜１／１）によって精製することで、薄黄色液体である目的化合物を８．６ｇ得た。（収率９０％）【０１９４】１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：７．４２（ｄ，１Ｈ），７．６８−７．７２（ｍ，１Ｈ），７．８２−７．８６（ｍ，１Ｈ），８．０８（ｄｄ，１Ｈ），８．２（ｄｄ，１Ｈ），８．９７（ｄ，１Ｈ）
ＥＩ−ＭＳ（Ｍ／ｅ）：２７７（Ｍ＋）【０１９５】参考例８  ３−トリフルオロメタンスルホニルオキシキノリンの合成
滴下ロートを備えた容量２００ｍｌの２つ口フラスコ内を窒素ガスにて置換し、ジクロロメタン５０ｍｌ、トリフルオロメタンスルホン酸無水物６．４ｍｌ（３７．９ｍｍｏｌ）を加え、氷水浴にて内温２℃まで冷却した。滴下ロートに３−ヒドロキシキノリン５ｇ（３４．４ｍｍｏｌ）、トリエチルアミン６．３ｍｌ（４４．８ｍｍｏｌ）及びジクロロメタン２０ｍｌを加えて茶色の懸濁液とした。この懸濁液を同温度でゆっくりと前記トリフルオロメタンスルホン酸無水物の溶液に滴下し、滴下終了後、同温度で２時間攪拌した。反応終了後、ほぼ黒色に変化した反応溶液を水（２００ｍｌ）に注ぎ、ジエチルエーテル（２００ｍｌ×１回、５０ｍｌ×３回）で抽出し、抽出液を濃度１モル／Ｌの塩酸（１２５ｍｌ×２回）、次いで水（２００ｍｌ×１回）で洗浄した。洗浄後、抽出液を無水硫酸マグネシウム（２ｇ）を加えて脱水し、ろ過後、ろ液をロータリーエバポレーターを用いて溶媒留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン／酢酸エチル＝１００／０〜２／１）によって精製することで濃赤色液体である目的化合物を８．５ｇ得た。（収率８９％）【０１９６】１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：７．５４−７．６１（Ｍ，１Ｈ），７．７０−７．８２（ｍ，２Ｈ），８．１０（ｄｄ，１Ｈ），８．３０（Ｍ，１Ｈ），８．９５（ｄ，１Ｈ）
ＥＩ−ＭＳ（Ｍ／ｅ）：２７７（Ｍ＋）【０１９７】参考例９  ２−トリフルオロメタンスルホニルオキシキノリンの合成
滴下ロートを備えた容量２００ｍｌの２つ口フラスコ内を窒素ガスにて置換し、２−ヒドロキシキノリン５ｇ（３４．４ｍｍｏｌ）、ジクロロメタン５０ｍｌを加えた。氷水浴にて内温２℃まで冷却した後、トリエチルアミン６．３ｍｌ（４４．８ｍｍｏｌ）を加えた。同温度で滴下ロートに加えたトリフルオロメタンスルホン酸無水物６．４ｍｌ（３７．９ｍｍｏｌ）をゆっくりと前記２−ヒドロキシキノリンの溶液中に滴下した。滴下終了後、同温度で２時間攪拌した。反応終了後、ほぼ黒色に変化した反応溶液を水（２００ｍｌ）に注ぎ、ジエチルエーテル（２００ｍｌ×１回、５０ｍｌ×２回）で抽出し、抽出液を濃度１モル／Ｌの塩酸（１２５ｍｌ×２回）、次いで水（２００ｍｌ×１回）で洗浄した。洗浄後、抽出液を無水硫酸マグネシウム（２ｇ）を加えて脱水し、ろ過後、ろ液をロータリーエバポレーターを用いて溶媒留去して褐色液体を得た。この褐色液体を蒸留精製（２６．６Ｐａ（０．２ｔｏｒｒ）、８５℃）することによって薄黄色液体である目的化合物を７．７ｇ得た。（収率８１％）【０１９８】１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：７．２４（ｄ，１Ｈ），７．６１−７．６６（ｍ，１Ｈ），７．７８−７．８２（ｍ，１Ｈ），７．８９（ｄｄ，１Ｈ），８．０４（ｄｄ，１Ｈ），８．３３（ｄ，１Ｈ）
ＥＩ−ＭＳ（Ｍ／ｅ）：２７７（Ｍ＋）【０１９９】参考例１０  ２−トリフルオロメタンスルホニルキノキサリンの合成
２−ヒドロキシキノキサリン７．３１ｇ（５０ｍｍｏｌ）、塩化メチレン５０ｍｌ、トリエチルアミン９．１ｍｌ（６５ｍｍｏｌ）を混合した薄茶懸濁液を氷浴で０℃にした後、トリフルオロメタンスルホン酸無水物９．３ｍｌ（５５ｍｍｏｌ）を滴下した。滴下後、茶褐色に変化した反応溶液を反応温度を０℃に維持したまま１時間攪拌した。反応終了後、反応溶液に水２００ｍｌとジエチルエーテル３００ｍｌを加えて分液し、得られた有機層を濃度１ｍｏｌ／Ｌの塩酸２５ｍｌ、水（５０ｍｌ×３回）の順で洗浄しＰＨ６とし、次いで硫酸マグネシウムで乾燥した。ろ過後、ろ液からジエチルエーテルを減圧留去し、得られた残滓をヘキサン５０ｍｌに７０℃で溶解して、不溶物をろ過後、ろ液を冷却することにより茶白色結晶である目的化合物を得た。（１１．７ｇ、収率８４％）
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）δ：８．８４−８．７６（ｍ、１Ｈ）、８．２５−８．１９（ｍ、１Ｈ）、８．１１−８．０５（ｍ、１Ｈ）、７．９３−７．８５（ｍ、２Ｈ）
ＥＩ−ＭＳ（ｍ／ｅ）：２７８（Ｍ＋）、ＣＩ−ＭＳ（ｍ／ｚ）：２７９（ＭＨ＋）【０２００】実施例１  ８−キノリルエチンの合成
（第１工程）
２５ｍｌシュレンク管内をアルゴンガスにて置換し、８−トリフルオロメタンスルホニルオキシキノリン  １２ｇ（４５ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム５００ｍｇ（０．４４ｍｍｏｌ）、ピペリジン５０ｍｌ，２−メチル−３−ブチン−２−オール４．７５ｍｌ（４９ｍｍｏｌ）を加え、８０℃で４５分間攪拌した。
反応混合物に飽和塩化アンモニウム水溶液を加えた後、ジエチルエーテルで抽出、無水硫酸マグネシウムにて乾燥し、ろ過後、ろ液をエバポレーターを用いて溶媒留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン／酢酸エチル＝１００／０〜１／１）によって精製することで黄色油状物である目的化合物（ジメチルヒドロキシメチル−８−キノリルアセチレン）を８．５ｇ得た。（収率９０％）【０２０１】１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：１．７３（ｓ，６Ｈ），４．６４（ｓ、１Ｈ），７．３４−７．４３（ｍ，１Ｈ），７．４４−７．４９（ｍ，１Ｈ），７．７６（ｄｄ，１Ｈ），７．８５（ｄｄ，１Ｈ），８．１１−８．１５（ｄｄ，１Ｈ），９．１２−９．１４（ｄｄ，１Ｈ）
ＥＩ−ＭＳ（Ｍ／ｅ）：２１１（Ｍ＋），ＣＩ−ＭＳ（Ｍ／ｅ）：２１２（ＭＨ＋）【０２０２】（第２工程）
還流管を備えた３００ｍｌの２口フラスコに第１工程で得られたジメチルヒドロキシメチル−８−キノリルアセチレン８．５ｇ（４０ｍｍｏｌ）、水酸化ナトリウム１．８ｇ（４５ｍｍｏｌ）を加え、内部をアルゴンガスにて置換した。これにトルエン２００ｍｌを加え、１２０℃で０．５時間還流した。反応終了後、室温まで放冷し、反応混合液にジエチルエーテルを加え、飽和塩化アンモニウム水溶液にて洗浄して、無水硫酸マグネシウムにて乾燥した。ろ過後、ろ液をエバポレーターを用いて溶媒留去した。得られた残渣にヘキサン（２５０ｍｌ）を加えて７０℃に加熱し、不溶物をろ過した後、ろ液を−７８℃に冷却して生じた沈殿物をろ取し、冷ヘキサン（−７８℃，１００ｍｌ）で洗浄したのち、減圧乾燥することで黄白色固体である目的化合物（８−キノリルエチン）を４．９ｇ得た。（収率８０％）【０２０３】１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：３．６０（ｓ，１Ｈ），７．３２−７．５３（ｍ，２Ｈ），７．８３（ｄｄ，１Ｈ），７．９３（ｄｄ，１Ｈ），８．１７（ｄｄ，１Ｈ），９．０６−９．０８（ｍ，１Ｈ）
ＥＩ−ＭＳ（Ｍ／ｅ）：１５３（Ｍ＋），ＣＩ−ＭＳ（Ｍ／ｅ）：１５４（ＭＨ＋）【０２０４】実施例２  ８−キノリルエチンの合成
１００ｍＬの３つ口フラスコ内をアルゴンガスにて置換し、８−トリフルオロメタンスルホニルオキシキノリン５．５４ｇ（２０ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム２３９ｍｇ（０．２ｍｍｏｌ）、ピペリジン３５ｍｌ、２−メチル−３−ブチン−２−オール２．９ｍｌ（３０ｍｍｏｌ）を加え、８０℃で１時間攪拌した。反応終了後、反応混合物に飽和塩化アンモニウム水溶液を加えて、ジエチルエーテルにて抽出し、無水硫酸マグネシウムにて乾燥した。ろ過後、ろ液をエバポレーターを用いて溶媒留去した。得られた残渣と、水酸化ナトリウム８２９ｍｇ（２０．３ｍｍｏｌ）を還流管を備えた３００ｍｌの２口フラスコに入れ、内部をアルゴンガスにて置換した。これにトルエン１４５ｍｌを加え，１２０℃で０．５時間還流した。反応終了後、室温まで放冷し、反応混合液にジエチルエーテルを加えて、飽和塩化アンモニウム水溶液で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。ろ過後、ろ液をエバポレーターを用いて溶媒留去した。得られた残渣にヘキサン（２５０ｍｌ）を加えて７０℃に加熱し、不溶物をろ過した後、ろ液を−７８℃に冷却して生じた沈殿物をろ取し、冷ヘキサン（−７８℃，１００ｍｌ）で洗浄した後、減圧乾燥することで黄白色固体である目的化合物を２．４６ｇ得た。（収率８０％）【０２０５】実施例３  ５−フルオロ−８−キノリルエチンの合成
（第１工程）
２５ｍｌのシュレンク管内をアルゴンガスにて置換し、５−フルオロ−８−トリフルオロメタンスルホニルオキシキノリン５９２ｍｇ（２ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム４６．２ｍｇ（０．０４ｍｍｏｌ）、ピペリジン６ｍｌ、２−メチル−３−ブチン−２−オール２９０μｌ（３ｍｍｏｌ）を加え、８０℃で１時間半攪拌した。
反応終了後、反応混合物に飽和塩化アンモニウム水溶液（６０ｍｌ）を加えて、塩化メチレン（４０ｍｌ）で抽出し、抽出液をエバポレーターを用いて溶媒留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン／酢酸エチル＝１００／０〜１／１）によって精製することにより黄色油状物である目的化合物（ジメチルヒドロキシメチル−（５−フルオロ−８−キノリル）アセチレン）を０．２７ｇ得た。（収率５９％）【０２０６】１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：１．７１（ｓ，６Ｈ），３．８５（［ｓ，１Ｈ］，７．１４−７．１８（ｍ，１Ｈ），７．４４−７．４９（ｍ，１Ｈ），７．７８−７．８３（ｍ，１Ｈ），８．４２（ｄｄ，１Ｈ），９．１０−９．１２（ｍ，１Ｈ）
ＥＩ−ＭＳ（Ｍ／ｅ）：２２９（Ｍ＋），ＣＩ−ＭＳ（Ｍ／ｚ）：２３０（ＭＨ＋）【０２０７】（第２工程）
還流管を備えた５０ｍＬの２口フラスコ内をアルゴンガスにて置換し、第１工程で得られたジメチルヒドロキシメチル−（５−フルオロ−８−キノリル）アセチレン０．２７ｇ（１．１７ｍｍｏｌ）、水酸化ナトリウム５６ｍｇ（１．３７ｍｍｏｌ）を加えた。ここにトルエン９ｍｌを加え、１２０℃で０．５時間還流した。反応終了後、室温まで放冷し、反応混合液にジエチルエーテル（２０ｍｌ）を加え、飽和塩化アンモニウム水溶液（４０ｍｌ）で洗浄して、エバポレーターで溶媒を減圧留去することで黄色固体である目的化合物（５−フルオロ−８−キノリルエチン）を０．１９ｇ得た。（収率９５％）【０２０８】１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：３．５５（ｓ，１Ｈ），７．１７−７．２３（ｍ，１Ｈ），７．５１−７．５５（ｍ，１Ｈ），７．９０−７．９５（ｍ，１Ｈ），８．４４−８．４９（ｍ，１Ｈ），９．１０−９．１２（ｍ，１Ｈ）
ＥＩ−ＭＳ（Ｍ／ｅ）：１７１（Ｍ＋），ＣＩ−ＭＳ（Ｍ／ｅ）：１７２（ＭＨ＋）【０２０９】実施例４  ５−クロロ−８−キノリルエチンの合成
（第１工程）
２５ｍｌのシュレンク管内をアルゴンガスにて置換し、５−クロロ−８−トリフルオロメタンスルホニルオキシキノリン６２１ｍｇ（２ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム４６．７ｍｇ（０．０４ｍｍｏｌ）、ピペリジン６ｍｌ、２−メチル−３−ブチン−２−オール２９０μｌ（３ｍｍｏｌ）を加え、８０℃で４時間半攪拌した。反応終了後、反応混合物に飽和塩化アンモニウム水溶液（６０ｍｌ）を加えた後、塩化メチレン（４０ｍｌ）にて抽出し、抽出液をエバポレーターを用いて溶媒留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン／酢酸エチル＝１００／０〜１／１）によって精製することで、褐色油状物である目的化合物（ジメチルヒドロキシメチル−（５−クロロ−８−キノリル）アセチレン）を０．３１ｇ得た。（収率６３％）【０２１０】１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：１．７２（ｓ，６Ｈ），３．３７（ｓ，１Ｈ），７．４９−７．５９（ｍ，１Ｈ），７．７８（ｄ，１Ｈ），８．５７−８．６０（ｍ，１Ｈ），９．０６−９．０８（ｍ，１Ｈ）
ＥＩ−ＭＳ（Ｍ／ｅ）：２４５（Ｍ＋），ＣＩ−ＭＳ（Ｍ／ｅ）：２４６（ＭＨ＋）【０２１１】（第２工程）
還流管を備えた５０ｍｌの２口フラスコ内をアルゴンガスにて置換し、第１工程で得られたジメチルヒドロキシメチル−（５−クロロ−８−キノリル）アセチレン０．３０ｇ（０．９５７ｍｍｏｌ）、水酸化ナトリウム６１．９ｍｇ（１．５１ｍｍｏｌ）を加えた。
これにトルエン９ｍｌを加え、１２０℃で０．５時間還流した。反応終了後、室温まで放冷し、反応混合液にジエチルエーテル（２０ｍｌ）を加えて、飽和塩化アンモニウム水溶液（４０ｍｌ）にて洗浄し、エバポレーターを用いて溶媒を減圧留去することで淡黄白色固体である目的化合物（５−クロロ−８−キノリルエチン）を０．２１ｇ得た。【０２１２】１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：３．６３（ｓ，１Ｈ），７．５６−７．６２（ｍ，２Ｈ），７．８９（ｄ，１Ｈ），８．６２（ｄｄ，１Ｈ），９．１１（ｄｄ，１Ｈ）
ＥＩ−ＭＳ（Ｍ／ｅ）：１８７（Ｍ＋），ＣＩ−ＭＳ（Ｍ／ｅ）：１８８（ＭＨ＋）【０２１３】実施例５  ７−キノリルエチンの合成
（第１工程）
５０ｍｌのフラスコ内を窒素ガスにて置換し、７−トリフルオロメタンスルホニルオキシキノリン２．０ｇ（７．３ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム８４ｍｇ（０．０７３ｍｍｏｌ）、ピペリジン２０ｍｌ、２−メチル−３−ブチン−２−オール１．１ｍｌ（１１．０ｍｍｏｌ）を加え、８０℃で１時間攪拌した。反応終了後、反応混合物に飽和塩化アンモニウム水溶液（１００ｍｌ）を加え、ジエチルエーテル（１００ｍｌｘ１、５０ｍｌｘ３）で抽出した。抽出液に無水硫酸マグネシウム（２ｇ）を加えて脱水し、ろ過後、ろ液をロータリーエバポレーターを用いて溶媒留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン／酢酸エチル＝１００／０〜２／１）によって精製することでオレンジ色の油状物として目的化合物（ジメチルヒドロキシメチル−（７−キノリル）アセチレン）を１．３ｇ得た。（収率８３％）【０２１４】１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：１．６９（ｓ，６Ｈ），３．５４（ｓ，１Ｈ），７．４０−７．３７（ｍ，１Ｈ），７．５１（ｄｄ，１Ｈ），７．７２（ｄ，１Ｈ），８．１１（ｄｄ，１Ｈ），８．２６（ｄ，１Ｈ），８．９１（ｄｄ，１Ｈ）
ＥＩ−ＭＳ（Ｍ／ｅ）：２１１（Ｍ＋）【０２１５】（第２工程）
還流管を備えた２００ｍｌの２つ口フラスコ内を窒素ガスにて置換し、第１工程で得られたジメチルヒドロキシメチル−（７−キノリル）アセチレン１．３ｇ（６．０ｍｍｏｌ）、水酸化ナトリウム２６７ｍｇ（６．７ｍｍｏｌ）を加えた。これにトルエン５０ｍｌを加え、１２０℃で０．５時間還流した。反応終了後、室温まで放冷し、反応混合液にジエチルエーテル（１００ｍｌ）を加え、飽和塩化アンモニウム水溶液（１００ｍｌ×１回）にて洗浄した後、無水硫酸マグネシウム（２ｇ）を加えて脱水して、ろ過後、ろ液をロータリーエバポレーターを用いて溶媒留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン／酢酸エチル＝１００／０〜２／１）によって精製することで赤茶色固体である目的化合物（７−キノリルエチン）を０．８ｇ得た。（収率８５％）【０２１６】１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：３．２５（ｓ，１Ｈ），７．４２−７．３９（ｍ，１Ｈ），７．５９（ｄｄ，１Ｈ），７．７６（ｄ，１Ｈ），８．１４−８．１１（ｍ，１Ｈ），８．２６（ｓ，１Ｈ），８．９４（ｄｄ，１Ｈ）
ＥＩ−ＭＳ（Ｍ／ｅ）：１５３（Ｍ＋）【０２１７】実施例６  ６−キノリルエチンの合成
（第１工程）
１００ｍｌのフラスコ内を窒素ガスにて置換し、６−トリフルオロメタンスルホニルオキシキノリン２．４４ｇ（８．８ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム１０２ｍｇ（０．０８８ｍｍｏｌ）、ピペリジン３５ｍｌ、２−メチル−３−ブチン−２−オール１．３ｍｌ（１３．２ｍｍｏｌ）を加え、８０℃で１時間攪拌した。反応終了後、反応混合物に飽和塩化アンモニウム水溶液（１００ｍｌ）を加えた後、ジエチルエーテル（１５０ｍｌ×１回、５０ｍｌ×３回）で抽出し、抽出液に無水硫酸マグネシウム（２ｇ）を加えて脱水し、ろ過後、ろ液をロータリーエバポレーターを用いて溶媒留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン／酢酸エチル＝１００／０〜１／１）によって精製することで黄色オイルである目的化合物（ジメチルヒドロキシメチル−（６−キノリル）アセチレン）を１．５ｇ得た。（収率８１％）【０２１８】１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：１．６７（ｓ，１Ｈ），２．４７（ｓ，１Ｈ），７．３９−７．４２（ｍ，１Ｈ），７．６８（ｄｄ，１Ｈ），７．９０（ｄ，１Ｈ），８．０４（ｄ，１Ｈ），８．０９（ｄｄ，１Ｈ），８．９１（ｄｄ，１Ｈ）
ＥＩ−ＭＳ（Ｍ／ｅ）：２１１（Ｍ＋）【０２１９】（第２工程）
還流管を備えた１００ｍｌの２つ口フラスコ内を窒素ガスにて置換し、第１工程で得られたジメチルヒドロキシメチル−（６−キノリル）アセチレン１．５ｇ（７．１ｍｍｏｌ）、水酸化ナトリウム３５２ｍｇ（８．８ｍｍｏｌ）を加えた。これにトルエン５０ｍｌを加え、１２０℃で０．５時間還流した。反応終了後、室温まで放冷し、反応混合液にジエチルエーテル（１００ｍｌ）を加え、飽和塩化アンモニウム水溶液（１００ｍｌ）で洗浄した。洗浄後、無水硫酸マグネシウム（２ｇ）を加えて脱水し、ろ過後、ロータリーエバポレーターを用いて溶媒留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン／酢酸エチル＝１００／０〜１／１）によって精製することで薄黄色固体である目的化合物（６−キノリルエチン）を０．９ｇ得た。（収率８３％）【０２２０】１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：３．１９（ｓ，１Ｈ），７．４４−７．４１（ｍ，１Ｈ），７．７６（ｄｄ，２Ｈ），７．９９（ｄ，１Ｈ），８．０５（ｄ，１Ｈ），８．１１（ｄｄ，１Ｈ），８．９２（ｄｄ，１Ｈ）
ＥＩ−ＭＳ（Ｍ／ｅ）：１５３（Ｍ＋）【０２２１】実施例７  ５−キノリルエチンの合成
（第１工程）
１００ｍｌフラスコ内を窒素ガスにて置換し、５−トリフルオロメタンスルホニルオキシキノリン３．２ｇ（１１．５ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム１３３ｍｇ（０．１１５ｍｍｏｌ）、ピペリジン３５ｍｌ、２−メチル−３−ブチン−２−オール１．７ｍｌ（１７．３ｍｍｏｌ）を加え、８０℃で１時間攪拌した。反応終了後、反応混合物に飽和塩化アンモニウム水溶液（１００ｍｌ）を加えて、ジエチルエーテル（１００ｍｌ×１回、５０ｍｌ×３回）にて抽出し、抽出液に無水硫酸マグネシウムを（２ｇ）加えて脱水し、ろ過後、ろ液をロータリーエバポレーターを用いて溶媒留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル＝１００／０〜１／１）によって精製することで黄色オイルである目的化合物（ジメチルヒドロキシメチル−（５−キノリル）アセチレン）を１．７ｇ得た。（収率７０％）【０２２２】１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：１．７４（ｓ，６Ｈ），３．０６（ｓ，１Ｈ），７．４１−７．４５（ｍ，１Ｈ），７．５９−７．６７（ｍ，２Ｈ），８．１０（ｄｄ，１Ｈ），８．５４（ｄｄ，１Ｈ），８．９２−８．９４（ｍ，１Ｈ）
ＥＩ−ＭＳ（Ｍ／ｅ）：２１１（Ｍ＋）【０２２３】（第２工程）
還流管を備えた１００ｍｌの２つ口フラスコ内を窒素ガスにて置換し、第１工程で得られたジメチルヒドロキシメチル−（５−キノリル）アセチレン１．７ｇ（８．１ｍｍｏｌ）、水酸化ナトリウム４６０ｍｇ（１１．５ｍｍｏｌ）を加えた。これにトルエン５０ｍｌを加え、１２０℃で０．５時間還流した。反応終了後、室温まで放冷し、反応混合液にジエチルエーテル（１００ｍｌ）を加え、飽和塩化アンモニウム水溶液（１００ｍｌ）で洗浄した。洗浄後、無水硫酸マグネシウム（２ｇ）を加えて脱水し、ろ過後、ろ液をロータリーエバポレーターを用いて溶媒留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン／酢酸エチル＝１００／０〜１／１）によって精製することで薄黄色固体である目的化合物（５−キノリルエチン）を１．０ｇ得た。（収率８１％）【０２２４】１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：３．４９（ｓ，１Ｈ），７．５１−７．４８（ｍ，１Ｈ），７．６８−７．６４（ｍ，１Ｈ），７．７９（ｄｄ，１Ｈ），８．１３（ｄ，１Ｈ），８．６７−８．６４（ｍ，１Ｈ），８．９６（ｄｄ，１Ｈ）
ＥＩ−ＭＳ（Ｍ／ｅ）：１５３（Ｍ＋）【０２２５】実施例８  ４−キノリルエチンの合成
（第１工程）
１００ｍｌフラスコ内を窒素ガスにて置換し、４−トリフルオロメタンスルホニルオキシキノリン１．９ｇ（７．０ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム８１ｍｇ（０．０７０ｍｍｏｌ）、Ｎ−メチルピペリジン２０ｍｌ、２−メチル−３−ブチン−２−オール１．０ｍｌ（１０．５ｍｍｏｌ）を加え、９０℃で１時間攪拌した。反応終了後、反応混合物に飽和塩化アンモニウム水溶液（１００ｍｌ）を加えて、ジエチルエーテル（１００ｍｌ×１回、５０ｍｌ×２回）で抽出し、抽出液に無水硫酸マグネシウム（２ｇ）を加えて脱水し、ろ過後、ろ液をロータリーエバポレーターを用いて溶媒留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン／酢酸エチル＝１００／０〜１／１）によって精製することで黄色オイルである目的化合物（ジメチルヒドロキシメチル−（４−キノリル）アセチレン）を１．４ｇ得た。（収率９７％）【０２２６】１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：１．７４（ｓ，６Ｈ），２．６９（ｓ，１Ｈ），７．４４（ｄ，１Ｈ），７．６１−７．５７（ｍ，１Ｈ），７．７５−７．７１（ｍ，１Ｈ），８．１２（ｄ，１Ｈ），８．２０（ｄｄ，１Ｈ），８．８６（ｄ，１Ｈ）
ＥＩ−ＭＳ（Ｍ／ｚ）：２１１（Ｍ＋）【０２２７】（第２工程）
還流管を備えた２００ｍｌの２つ口フラスコ内を窒素ガスにて置換し、第１工程で得られたジメチルヒドロキシメチル−（４−キノリル）アセチレン１．４ｇ（６．８ｍｍｏｌ）、水酸化ナトリウム３０３ｍｇ（７．６ｍｍｏｌ）を加えた。これにトルエン５０ｍｌを加え、１２０℃で０．５時間還流した。反応終了後、室温まで放冷し、反応混合液にジエチルエーテル（１００ｍｌ）を加えて、飽和塩化アンモニウム水溶液（１００ｍｌ）で洗浄した。洗浄後、無水硫酸マグネシウム（２ｇ）を加えて脱水し、ろ過後、ろ液をロータリーエバポレーターを用いて溶媒留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン／酢酸エチル＝１００／０〜２／１）によって精製することで白色固体である目的化合物（４−キノリルエチン）を０．８ｇ得た。（収率７７％）【０２２８】１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：３．６７（ｓ，１Ｈ），７．５５（ｄ，１Ｈ），７．６５−７．６１（ｍ，１Ｈ），７．７８−７．７４（ｍ，１Ｈ），８．１３（ｄ，１Ｈ），８．２９（ｄｄ，１Ｈ），８．８９（ｄ，１Ｈ）
ＥＩ−ＭＳ（Ｍ／ｅ）：１５３（Ｍ＋）【０２２９】実施例９  ３−キノリルエチンの合成
（第１工程）
１００ｍｌフラスコ内を窒素ガスにて置換し、３−トリフルオロメタンスルホニルオキシキノリン４．０ｇ（１４．４ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム１６６ｍｇ（０．１４４ｍｏｌ）、ピペリジン２０ｍｌ、２−メチル−３−ブチン−２−オール２．１ｍｌ（２１．６ｍｍｏｌ）を加え、８０℃で３時間攪拌した。反応終了後、反応混合物に飽和塩化アンモニウム水溶液（１００ｍｌ）を加えて、ジエチルエーテル（１００ｍｌ×１回、５０ｍｌ×２回）で抽出し、抽出液に無水硫酸マグネシウム（２ｇ）を加えて脱水し、ろ過後、ろ液をロータリーエバポレーターを用いて溶媒留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン／酢酸エチル＝１００／０〜１／１）によって精製することで黄色固体である目的化合物（ジメチルヒドロキシメチル−（３−キノリル）アセチレン）を２．３ｇ得た。（収率７６％）【０２３０】１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：１．６８（ｓ，６Ｈ），３．７４（ｓ，１Ｈ），７．５４−７．５８（ｍ，１Ｈ），７．６９−７．７３（ｍ，１Ｈ），７．７７（ｄｄ，１Ｈ），８．１０（ｄｄ，１Ｈ），８．２１（ｄｄ，１Ｈ），９．００（ｄ，１Ｈ）
ＥＩ−ＭＳ（Ｍ／ｅ）：２１１（Ｍ＋）【０２３１】（第２工程）
還流管を備えた１００ｍｌの２つ口フラスコ内を窒素ガスにて置換し、第１工程で得られたジメチルヒドロキシメチル−（３−キノリル）アセチレン２．３ｇ（１０．９ｍｍｏｌ）、水酸化ナトリウム５７６ｍｇ（１４．４ｍｍｏｌ）を加えた。これにトルエン５０ｍｌを加え、１２０℃で０．５時間還流した。反応終了後、室温まで放冷し、反応混合液にジエチルエーテル（１００ｍｌ）を加え、飽和塩化アンモニウム水溶液（１００ｍｌ）で洗浄した。洗浄後、無水硫酸マグネシウム（２ｇ）を加えて脱水し、ろ過後、ろ液をロータリーエバポレーターを用いて溶媒留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン／酢酸エチル＝１００／０〜１／１）によって精製することで薄茶色固体である目的化合物（３−キノリルエチン）を１．１ｇ得た。（収率６６％）【０２３２】１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：３．２８（ｓ，１Ｈ），７．５９−７．５５（ｍ，１Ｈ），７．７９−７．７２（ｍ，２Ｈ），８．１０（ｄｄ，１Ｈ），８．２９（ｄ，１Ｈ），８．９５（ｄ，１Ｈ）
ＥＩ−ＭＳ（Ｍ／ｅ）：１５３（Ｍ＋）【０２３３】実施例１０  ２−キノリルエチンの合成
（第１工程）
１００ｍｌフラスコ内を窒素ガスにて置換し、２−トリフルオロメタンスルホニルオキシキノリン２．１ｇ（７．６ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム８８ｍｇ（０．０７６ｍｍｏｌ）、Ｎ−メチルピペリジン１０ｍｌ、２−メチル−３−ブチン−２−オール１．１ｍｌ（１１．４ｍｍｏｌ）を加え、８０℃で１時間攪拌した。反応終了後、反応混合物に飽和塩化アンモニウム水溶液（１００ｍｌ）を加えて、ジエチルエーテル（１００ｍｌ×１回、５０ｍｌ×２回）で抽出し、抽出液に無水硫酸マグネシウム（２ｇ）を加えて脱水し、ろ過後、ろ液をロータリーエバポレーターを用いて溶媒留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン／酢酸エチル＝１００／０〜１／１）によって精製することで黄色オイルである目的化合物（ジメチルヒドロキシメチル−（２−キノリル）アセチレン）を１．２ｇ得た。（収率７５％）【０２３４】１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：１．６９（ｓ，６Ｈ），２．４０（ｓ，１Ｈ），７．４９（ｄ，１Ｈ），７．５２−７．５６（ｍ，１Ｈ），７．７０−７．７４（ｍ，１Ｈ），７．７９（ｄｄ，１Ｈ），８．０９−８．１２（ｍ，２Ｈ）
ＥＩ−ＭＳ（Ｍ／ｅ）：２１１（Ｍ＋）【０２３５】（第２工程）
還流管を備えた１００ｍｌの２つ口フラスコ内を窒素ガスにて置換し、第１工程で得られたジメチルヒドロキシメチル−（２−キノリル）アセチレン１．２ｇ（５．７ｍｍｏｌ）、水酸化ナトリウム３００ｍｇ（７．５ｍｍｏｌ）を加えた。これにトルエン５０ｍｌを加え、１２０℃で０．５時間還流した。室温まで放冷し、反応混合液にジエチルエーテル（１００ｍｌ）を加え、飽和塩化アンモニウム水溶液（１００ｍｌ）で洗浄した。洗浄後、無水硫酸マグネシウム（２ｇ）を加えて脱水し、ろ過後、ろ液をロータリーエバポレーターを用いて溶媒留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン／酢酸エチル＝１００／０〜１／１）によって精製することで茶色固体である目的化合物（２−キノリルエチン）を０．７ｇ得た。（収率８０％）【０２３６】１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：３．２５（ｓ，１Ｈ），７．５８−７．５３（ｍ，２Ｈ），７．７６−７．７１（ｍ，１Ｈ），７．８１−７．７９（ｄｄ，１Ｈ），８．１２（ｔ，２Ｈ）
ＥＩ−ＭＳ（Ｍ／ｅ）：１５３（Ｍ＋）【０２３７】実施例１１  ２−キノキサリルエチンの合成
（第１工程）
５０ｍｌ三口フラスコをＡｒ置換し、２−トリフルオロメタンスルホニルキノキサリン４．２ｇ（１５ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム１７３ｍｇ（０．１５ｍｍｏｌ）、１−メチルピペリジン１５ｍｌ、２−メチル−３−ブチン−２−オール１．６ｍｌ（１６．５ｍｍｏｌ）を加え、８０℃で１時間攪拌した。
反応混合物に飽和塩化アンモニウム水溶液１５０ｍｌを加えた後、ジエチルエーテル２５０で抽出、水１００ｍｌで洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥ろ過後、エバポレーターで溶媒を減圧留去した。反応粗生成物をシリカゲルをもちいたカラムクロマトグラフィー（Ｈｅｘａｎｅ／ＡｃＯＥｔ＝１０／１→５／１）によって精製することで、ジメチルヒドロキシメチル−２−キノキサリルアセチレンを黄色固体として得た。収量０．５５ｇ（収率１７．３％）
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：１．７１（ｓ，６Ｈ），２．８１（ｓ，１Ｈ），７．７４−７．８２（ｍ，２Ｈ），８．０５−８．１２（ｍ，２Ｈ），８．８９（ｓ，１Ｈ）
ＥＩ−ＭＳ（ｍ／ｚ）：２１２（Ｍ＋−１），ＣＩ（ｍ／ｚ）：２１３（ＭＨ＋）
（第２工程）
還流管を備えた５０ｍｌ２口フラスコにジメチルヒドロキシメチル−２−キノキサリルアセチレン５５０ｍｇ（２．６ｍｍｏｌ）、ＮａＯＨ（キシダ化学、０．７ｍｍ粒状、９８％）１０９ｍｇ（２．７ｍｍｏｌ）を入れ、内部をＡｒ置換した。ここにトルエン１３ｍＬを加え、１２０℃で１５分還流した。反応混合液にジエチルエーテルを加え、飽和塩化アンモニウム水溶液で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥、エバポレーターで溶媒を減圧留去した。残滓にヘキサン（１５ｍｌ）を加えて７０℃に加熱し、不溶物を濾過した０℃に冷却することで、沈殿する目的化合物を濾過、冷ヘキサン（−７８℃、１５ｍｌ）で洗浄したのち、減圧乾燥することで黄褐色固体として得た。（３０８ｍｇ、収率７７％）
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：３．４５（ｓ，１Ｈ），７．７４−７．８４（ｍ，２Ｈ），８．０６−８．１４（ｍ，２Ｈ），８．９２（ｓ，１Ｈ）
ＥＩ−ＭＳ（ｍ／ｚ）：１５４（Ｍ＋−１），ＣＩ（ｍ／ｚ）：１５５（ＭＨ＋）【０２３８】実施例１２  （８−キノリルエチニル）（トリフェニルホスフィン）金［Ａｕ（ＰＰｈ３）（８ＱＥ）］の合成
アルゴン雰囲気下、２５ｍｌシュレンク管にＡｕ（ＰＰｈ３）Ｃｌ（０．２０ｇ，０．４０ｍｍｏｌ）、８−キノリルエチン（９２ｍｇ，０．６０ｍｍｏｌ）、エタノール（８ｍｌ）を加えた後、ナトリウムエトキシド（１６５μｌ，０．４２ｍｍｏｌ：濃度２．５５ｍｏｌ／Ｌ（リットル）のエタノール溶液）を滴下し、室温で１７時間攪拌した。反応後得られた白色沈殿をろ過し、エタノール（５ｍｌ×３回），水（５ｍｌ×４回）、及びエタノール（５ｍｌ×３）で順次洗浄し、真空乾燥することにより薄黄色粉末として目的化合物を０．２３ｇ得た。（収率９６％）
本錯体をクロロホルムに溶解し、励起光３３０ｎｍで励起したときの発光強度を測定し、励起光３３０ｎｍで励起したときの蛍光量子収率Φが既知（Φ＝０．５５）である濃度０．０５モル／Ｌ（リットル）の硫酸水溶液中の硫酸キニーネとの比較から、本錯体の発光の相対量子収率Φｒを測定したところΦｒ＝０．２１であった。【０２３９】１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：９．０７（ｄｄ，１Ｈ），８．１２（ｄｄ，１Ｈ），７．９９（ｄｄ，１Ｈ），７．６８（ｄｄ，１Ｈ），７．６２〜７．３６（ｍ，１７Ｈ）【０２４０】３１Ｐ−ＮＭＲ（１６０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：４２．８
（ＦＡＢ−ＭＳ）（Ｍ／ｚ）：６１２（Ｍ＋Ｈ）＋
（Ｅｍｉｓｓｉｏｎ）（ＣＨＣｌ３，７７Ｋ，Ｅｘ２５０ｎｍ）λ（ｎｍ）：３８０，５２６，５６７
（ＥＡ）観測値  Ｃ：５７．０６，Ｈ：３．４５，Ｎ：２．３３，
理論値  Ｃ：５６．９７，Ｈ：３．４６，Ｎ：２．２９【０２４１】実施例１３  （７−キノリルエチニル）（トリフェニルホスフィン）金［Ａｕ（ＰＰｈ３）（７ＱＥ）］の合成
８−キノリルエチンに替えて７−キノリルエチンを用いる他は実施例１２と同様に反応操作を行い、薄黄色粉末として目的化合物を０．１８ｇ得た。（収率７４％）【０２４２】１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：８．８９（ｄｄ，１Ｈ），８．２５（ｓ，１Ｈ），８．１０−８．０５（ｍ，１Ｈ），７．７１−７．４４（ｍ，１７Ｈ），７．３１（ｄｄ，１Ｈ）
３１Ｐ−ＮＭＲ（１６０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：４２．９
（ＦＡＢ−ＭＳ）（Ｍ／ｚ）：６１２（Ｍ＋Ｈ）＋
（Ｅｍｉｓｓｉｏｎ）（ＣＨＣｌ３，７７Ｋ，Ｅｘ２５０ｎｍ）λ（ｎｍ）：４８８，５２６
（ＥＡ）観測値  Ｃ：５７．０７，Ｈ：３．４８，Ｎ：２．４１
理論値  Ｃ：５６．９７，Ｈ：３．４６，Ｎ：２．２９【０２４３】実施例１４  （６−キノリルエチニル）（トリフェニルホスフィン）金［Ａｕ（ＰＰｈ３）（６ＱＥ）］の合成
８−キノリルエチンに替えて６−キノリルエチンを用いる他は実施例１２と同様に反応操作を行い、薄黄色粉末として目的化合物を０．２２ｇ得た。（収率９２％）【０２４４】１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：８．８５−８．８３（ｍ，１Ｈ），８．０６（ｄｄ，１Ｈ），７．９９−７．９６（ｍ，２Ｈ），７．８１（ｄｄ，１Ｈ），７．６１−７．４４（ｍ，１５Ｈ），７．３５（ｄｄ，１Ｈ）【０２４５】３１Ｐ−ＮＭＲ（１６０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：４２．９
（ＦＡＢ−ＭＳ）（Ｍ／ｚ）：６１２（Ｍ＋Ｈ）＋
（Ｅｍｉｓｓｉｏｎ）（ＣＨＣｌ３，７７Ｋ，Ｅｘ２５０ｎｍ）λ（ｎｍ）：４９５，５３３
（ＥＡ）観測値  Ｃ：５７．２３，Ｈ：３．４４，Ｎ：２．３１
理論値  Ｃ：５６．９７，Ｈ：３．４６，Ｎ：２．２９【０２４６】実施例１５  （５−キノリルエチニル）（トリフェニルホスフィン）金［Ａｕ（ＰＰｈ３）（５ＱＥ）］の合成
８−キノリルエチンに替えて５−キノリルエチンを用いる他は実施例１２と同様に反応操作を行い、薄黄色粉末として目的化合物を０．２２ｇ得た。（収率９２％）【０２４７】１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：８．９６−８．９３（ｍ，１Ｈ），８．９０（ｄｄ，１Ｈ），７．９９−７．９６（ｍ，１Ｈ），７．７６（ｄｄ，１Ｈ），７．６３−７．４２（ｍ，１７Ｈ）【０２４８】３１Ｐ−ＮＭＲ（１６０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：４２．８
（ＦＡＢ−ＭＳ）（Ｍ／ｚ）：６１２（Ｍ＋Ｈ）＋
（Ｅｍｉｓｓｉｏｎ）（ＣＨＣｌ３，７７Ｋ，Ｅｘ２５０ｎｍ）λ（ｎｍ）：３８０，５２７，５６８
（ＥＡ）観測値  Ｃ：５７．０３，Ｈ：３．５０，Ｎ：２．３２
理論値  Ｃ：５６．９７，Ｈ：３．４６，Ｎ：２．２９【０２４９】実施例１６  （４−キノリルエチニル）（トリフェニルホスフィン）金［Ａｕ［ＰＰｈ３］［４ＱＥ］の合成
８−キノリルエチンに替えて４−キノリルエチンを用いる他は実施例１２と同様に反応操作を行い、薄黄色粉末として目的化合物を０．１４ｇ得た。（収率５６％）【０２５０】１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：８．８０（ｄ，１Ｈ），８．５８−８．５５（ｍ，１Ｈ），８．０７−８．０４（ｍ，１Ｈ），７．７２−７．６６（ｍ，１Ｈ），７．６３−７．４６（ｍ，１７Ｈ）
３１Ｐ−ＮＭＲ（１６０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：４２．７
（ＦＡＢ−ＭＳ）（Ｍ／ｚ）：６１２（Ｍ＋Ｈ）＋
（Ｅｍｉｓｓｉｏｎ）（ＣＨＣｌ３，７７Ｋ，Ｅｘ２５０ｎｍ）λ（ｎｍ）：５０８，５４７
（ＥＡ）観測値  Ｃ：５７．０７，Ｈ：３．４３，Ｎ：２．４７
理論値  Ｃ：５６．９７，Ｈ：３．４６，Ｎ：２．２９【０２５１】実施例１７  （３−キノリルエチニル）（トリフェニルホスフィン）金［Ａｕ（ＰＰｈ３）（３ＱＥ）］の合成
８−キノリルエチンに替えて３−キノリルエチンを用いる他は実施例１２と同様に反応操作を行い、薄黄色粉末として目的化合物を０．２２ｇ得た。（収率８８％）【０２５２】１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：９．０１（ｄ，１Ｈ），８．２３（ｄ，１Ｈ），８．０４（ｄ，１Ｈ），７．７５−７．７１（ｍ，１Ｈ），７．６７−７．４４（ｍ，１７Ｈ）
３１Ｐ−ＮＭＲ（１６０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：４２．８
（ＦＡＢ−ＭＳ）（Ｍ／ｚ）：６１２（Ｍ＋Ｈ）＋
（Ｅｍｉｓｓｉｏｎ）（ＣＨＣｌ３，７７Ｋ，Ｅｘ２５０ｎｍ）λ（ｎｍ）：５０８，５４７
（ＥＡ）観測値  Ｃ：５７．０４，Ｈ：３．４３，Ｎ：２．３９
理論値  Ｃ：５６．９７，Ｈ：３．４６，Ｎ：２．２９【０２５３】実施例１８（２−キノリルエチニル）（トリフェニルホスフィン）金［Ａｕ（ＰＰｈ３）（２ＱＥ）］の合成
８−キノリルエチンに替えて２−キノリルエチンを用いる他は実施例１２と同様に反応操作を行い、薄黄色粉末として目的化合物を０．２０ｇ得た。（収率８２％）【０２５４】１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：８．０７（ｄ，１Ｈ），８．０２（ｄ，１Ｈ），７．７４−７．７２（ｍ，１Ｈ），７．６８−７．４３（ｍ，１８Ｈ）
３１Ｐ−ＮＭＲ（１６０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：４２．７
（ＦＡＢ−ＭＳ）（Ｍ／ｚ）：６１２（Ｍ＋Ｈ）＋
（Ｅｍｉｓｓｉｏｎ）（ＣＨＣｌ３，７７Ｋ，Ｅｘ２５０ｎｍ）λ（ｎｍ）：５０８，５４７
（ＥＡ）観測値  Ｃ：５７．０７，Ｈ：３．４３，Ｎ：２．４７
理論値  Ｃ：５６．９７，Ｈ：３．４６，Ｎ：２．２９【０２５５】実施例１９  （５−フルオロ−８−キノリルエチニル）（トリフェニルホスフィン）金［Ａｕ（ＰＰｈ３）（５Ｆ−８ＱＥ）］の合成
８−キノリルエチンに替えて５−フルオロ−８−キノリルエチンを用いる他は実施例１２と同様に反応操作を行い、薄黄色粉末として目的化合物を０．２２ｇ得た。（収率８８％）【０２５６】１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：９．１１（ｄｄ，１Ｈ），８．４０（ｄｄ，１Ｈ），７．９１（ｄｄ，１Ｈ），７．６２−７．４２（ｍ，１６Ｈ），７．１３（ｄｄ，１Ｈ）
３１Ｐ−ＮＭＲ（１６０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：４２．８
（ＦＡＢ−ＭＳ）（Ｍ／ｚ）：６３０（Ｍ＋Ｈ）＋
（Ｅｍｉｓｓｉｏｎ）（ＣＨＣｌ３，７７Ｋ，Ｅｘ２５０ｎｍ）λ（ｎｍ）：３９２，５３４
（ＥＡ）観測値  Ｃ：５５．２６，Ｈ：３．３４，Ｎ：２．３１
理論値  Ｃ：５５．３４，Ｈ：３．２０，Ｎ：２．２３【０２５７】実施例２０  （８−キノリルエチニル）（トリ−ｏ−トリルホスフィン）金［Ａｕ（Ｐ（ｏ−Ｔｏｌ）３）（８ＱＥ）］の合成
アルゴン雰囲気下、２５ｍｌシュレンク管にＡｕ（Ｐ（ｏ−Ｔｏｌ）３Ｃｌ（０．２２ｇ，０．４０ｍｍｏｌ）、８−キノリルエチン（９２ｍｇ，０．６０ｍｍｏｌ）、ナトリウム−ｔ−ブトキシド（４０ｍｇ，０．４２ｍｍｏｌ）を加えた後、ｔ−アミルアルコール（８ｍｌ）を滴下し、室温で１９時間攪拌した。反応後得られる白色沈殿をろ過し、ｔ−アミルアルコール（５ｍｍｌ×３回），温水（４０℃，５ｍｌ×３回）、およびエタノール（５ｍｌ×２回）で順次洗浄し、真空乾燥することにより薄黄色粉末として目的化合物を０．１７ｇ得た。（収率６４％）【０２５８】１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：９．０４（ｄｄ，１Ｈ），８．１０（ｄｄ，１Ｈ），７．９５（ｄｄ，１Ｈ），７．６５（ｄｄ，１Ｈ），７．５０−７．１６（ｍ，１１Ｈ），７．０２−６．９１（ｍ，３Ｈ），２．７３（ｓ，９Ｈ）
３１Ｐ−ＮＭＲ（１６０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：２５．０
（ＦＡＢ−ＭＳ）（Ｍ／ｚ）：６５４（Ｍ＋Ｈ）＋
（Ｅｍｉｓｓｉｏｎ）（ＣＨＣｌ３，７７Ｋ，Ｅｘ２５０ｎｍ）λ（ｎｍ）：３８２，５２５，５６６
（ＥＡ）観測値  Ｃ：５８．０６，Ｈ：４．００，Ｎ：２．２０
理論値  Ｃ：５８．８１，Ｈ：４．１６，Ｎ：２．１４【０２５９】実施例２１  ２−キノキサリルエチニル）（トリフェニルホスフィン）金［Ａｕ（ＰＰｈ３）（２ＱｘＥ）］の合成
アルゴン雰囲気下、２５ｍｌシュレンク管にＡｕ（ＰＰｈ３）Ｃｌ（０．２０ｇ，０．４０ｍｍｏｌ）、２−キノキサリルエチン（９３ｍｇ，０．６０ｍｍｏｌ）、エタノール（８ｍｌ）を加えた後、ナトリウムエトキシド（１６５μｌ，０．４２ｍｍｏｌ：濃度２．５５ｍｏｌ／Ｌ（リットル）のエタノール溶液）を滴下し、室温で１７時間攪拌した。反応後得られた白色沈殿をろ過し、エタノール（５ｍｌ×２回），水（５ｍｌ×４回）、及びエタノール：水＝１：１（５ｍｌ×２）で順次洗浄し、真空乾燥することにより薄茶色粉末として目的化合物を０．２１ｇ得た。（収率８７％）
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：８．９０（ｓ，１Ｈ），８．０５〜８．０１（ｍ，２Ｈ），７．７４〜７．６６（ｍ，２Ｈ），７．６０〜７．４４（ｍ，１５Ｈ）
３１Ｐ−ＮＭＲ（１６０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：４２．５
（ＦＡＢ−ＭＳ）（Ｍ／ｚ）：６１３（Ｍ＋Ｈ）＋
（Ｅｍｉｓｓｉｏｎ）（ＣＨＣｌ３，７７Ｋ，Ｅｘ２５０ｎｍ）λ（ｎｍ）：５１８
（ＥＡ）観測値  Ｃ：５３．３０，Ｈ：３．１２，Ｎ：４．３２
理論値  Ｃ：５４．９１，Ｈ：３．２９，Ｎ：４．５７【０２６０】比較例１
反応溶媒をエタノールとする他は実施例２０と同様に反応操作を行い薄黄白色粉末として下記式（ｆ）で示される生成物が０．２４ｇ得られ（収率８７％）、目的の（８−キノリルエチニル）（トリ−ｏ−トリルホスフィン）金は得られなかった。【０２６１】
0004470940.tif 000024
【０２６２】１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：７．４７−７．３５（ｍ，６Ｈ），７．２２−７．１６（ｍ，４Ｈ），７．００−６．９０（ｍ，６Ｈ），６．５９（ｄ，１Ｈ），６．４６（ｄ，１Ｈ），５．８６（ｄｄ，１Ｈ），３．２５（ｄｑ，１Ｈ），２．８４（ｓ，９Ｈ），２．５０（ｄｑ，１Ｈ），０．９１（ｔ，３Ｈ）．
３１Ｐ−ＮＭＲ（１６０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：２５．０
ＦＡＢ−ＭＳ（Ｍ／ｚ）：６９９（Ｍ＋Ｈ）＋
（ＥＡ）観測値  Ｃ：５７．９９，Ｈ：４．６８，Ｎ：２．０１
理論値  Ｃ：５８．３７，Ｈ：４．７５，Ｎ：２．００【０２６３】比較例２
反応溶媒をイソプロパノールとするほかは実施例２０と同様に反応操作を行い薄黄白色粉末として下記式（ｇ）で示される生成物と目的の（８−キノリルエチニル）（トリ−ｏ−トリルホスフィン）金がモル比１：１である混合物として０．２３ｇ得られた（収率：目的物４４％、化合物（下記式（ｇ））４４％）。【０２６４】
0004470940.tif 000025
【０２６５】式ｇの化合物の分析値
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：７．７０−６．９８（ｍ，１６Ｈ），７．００−６．５４（ｍ，３Ｈ），６．６８（ｄ，１Ｈ），６．５４（ｄ，１Ｈ），５．９２（ｄｄ，１Ｈ），３．８５（ｄｑ，１Ｈ），１．０４（ｄ，３Ｈ），０．８１（ｄ，３Ｈ）．【０２６６】実施例２２  Ａｕ（Ｐ（ｏ−Ｔｏｌ）３）（８ＱＥ）（（８−キノリルエチニル）（トリ−ｏ−トリルホスフィン）金）の合成
アルゴン雰囲気下、２５ｍｌシュレンク管にクロロ（トリ−ｏ−トリルホスフィン）金［Ａｕ（Ｐ（ｏ−Ｔｏｌ）３）Ｃｌ］（０．２２ｇ，０．４０ｍｍｏｌ）、８−キノリルエチン（９２ｍｇ，０．６０ｍｍｏｌ）、ナトリウム−ｔ−ブトキシド（４０ｍｇ，０．４２ｍｍｏｌ）を加えた後、ｔ−ブタノール（８ｍｌ）を滴下し、３０℃にて６時間攪拌した。反応終了後、生成した白色沈殿をろ取し、温水（４０℃，５ｍｌ×３回），次いでエタノール（５ｍｌ×２回）で洗浄し、真空乾燥して薄黄色粉末である目的化合物を０．１５ｇ得た。（収率５８％）【０２６７】実施例２３  Ａｕ（Ｐ（ｏ−Ｔｏｌ）３）（８ＱＥ）（（８−キノリルエチニル）（トリ−ｏ−トリルホスフィン）金）の合成
アルゴン雰囲気下、２５ｍｌシュレンク管にクロロ（トリ−ｏ−トリルホスフィン）金［Ａｕ（Ｐ（ｏ−Ｔｏｌ）３）Ｃｌ］（０．２２ｇ，０．４０ｍｍｏｌ）、８−キノリルエチン（９２ｍｇ，０．６０ｍｍｏｌ）、ナトリウム−ｔ−ブトキシド（４０ｍｇ，０．４２ｍｍｏｌ）を加えた後、テトラヒドロフラン（８ｍｌ）を滴下し、室温にて１９時間攪拌した。反応終了後、反応混合液を塩化メチレン（１５ｍｌ）で希釈した後、水（４０ｍｌ）に加えて分液した。有機層を分取した後、水層を塩化メチレン（１０ｍｌ×２回）にて抽出した。得られた抽出液を前記有機層と併せて無水硫酸マグネシウム（２ｇ）を加えて乾燥し、濾過、濃縮後、塩化メチレン−ジエチルエーテルにより再結晶を行った。生成した結晶をジエチルエーテル（１０ｍｌ）にて洗浄し、真空乾燥して白色粉末である目的化合物を０．１０ｇ得た。（収率４１％）【０２６８】実施例２４  Ａｕ（Ｐ（ｏ−Ｔｏｌ）３）（８ＱＥ）（（８−キノリルエチニル）（トリ−ｏ−トリルホスフィン）金）の合成
アルゴン雰囲気下、２５ｍｌシュレンク管にクロロ（トリ−ｏ−トリルホスフィン）金［Ａｕ（Ｐ（ｏ−Ｔｏｌ）３）Ｃｌ］（０．２２ｇ，０．４０ｍｍｏｌ）、８−キノリルエチン（９２ｍｇ，０．６０ｍｍｏｌ）、ナトリウム−ｔ−ブトキシド（４０ｍｇ，０．４２ｍｍｏｌ）を加えた後、塩化メチレン（８ｍｌ）を滴下し、室温にて１９時間攪拌した。反応終了後、反応混合液を塩化メチレン（１５ｍｌ）で希釈した後、水（４０ｍｌ）に加えて分液した。有機層を分取した後、水層を塩化メチレン（１０ｍｌ×２回）にて抽出した。得られた抽出物を前記有機層と併せて無水硫酸マグネシウム（２ｇ）を加えて乾燥し、濾過、濃縮後、塩化メチレン−ジエチルエーテルにより再結晶を行った。生成した結晶をジエチルエーテル（１０ｍｌ）にて洗浄し、真空乾燥して白色粉末である目的化合物を０．０９ｇ得た。（収率３４％）【０２６９】実施例２５  （８−キノリルエチニル）（トリス（ｐ−メトキシフェニル）ホスフィン）金［Ａｕ（Ｐ（ｐ−ＭｅＯＣ６Ｈ４））３］（８ＱＥ）］の合成
アルゴン雰囲気下、２５ｍｌシュレンク管にＡｕ（Ｐ（ｐ−ＭｅＯＣ６Ｈ４）３）Ｃｌ（０．２３ｇ，０．４０ｍｍｏｌ）、８−キノリルエチン（９２ｍｇ，０．６０ｍｍｏｌ）、ナトリウム−ｔ−ブトキシド（４０ｍｇ，０．４２ｍｍｏｌ）を加えた後、ｔ−アミルアルコール（８ｍｌ）を滴下し、室温で１９時間攪拌した。反応後、塩化メチレン（１５ｍｌ）で希釈した後、水（４０ｍｌ）に加えて分液した。塩化メチレン層を分離した後、水層より塩化メチレン（１０ｍｌ×２回）で抽出操作を行い、塩化メチレン抽出物を塩化メチレン層に合わせて無水硫酸マグネシウム（２ｇ）を加えて乾燥し、濾過、濃縮後、塩化メチレン−ジエチルエーテルより再結晶を行った。生成した結晶をジエチルエーテル（１０ｍｌ）を洗浄し、真空乾燥することにより青白色粉末として目的化合物を０．１１ｇ得た。（収率４１％）【０２７０】１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：９．０６（ｄｄ，１Ｈ），８．１１（ｄｄ，１Ｈ），７．９８（ｄｄ，１Ｈ），７．６７（ｄｄ，１Ｈ），７．５３−７．３６（ｍ，８Ｈ），６．９７−６．９１（ｍ，６Ｈ），３．８４（ｓ，９Ｈ）
３１Ｐ−ＮＭＲ（１６０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：３９．２
（ＦＡＢ−ＭＳ）（Ｍ／ｚ）：７０２（Ｍ＋Ｈ）＋
（Ｅｍｉｓｓｉｏｎ）（ＣＨＣｌ３，７７Ｋ，Ｅｘ２５０ｎｍ）λ（ｎｍ）：３８１，５２５，５６６
（ＥＡ）観測値  Ｃ：５４．８０，Ｈ：３．８８，Ｎ：２．０６
理論値  Ｃ：５４．７９，Ｈ：３．８８，Ｎ：２．００【０２７１】実施例２６  （８−キノリルエチニル）（トリメシチルホスフィン）金［Ａｕ（Ｐ（Ｍｅｓ）３）（８ＱＥ）］の合成
Ａｕ（Ｐ（ｏ−Ｔｏｌ）３）Ｃｌに替えてＡｕ（Ｐ（Ｍｅｓ）３）Ｃｌ（０．２５ｇ，０．４０ｍｍｏｌ）を用いたほかは実施例２０と同様の反応操作を行い、薄緑白色粉末として目的化合物を０．１９ｇ得た。（収率６４％）【０２７２】−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ−ｄ６）δ：８．９３−８．８９（ｍ，１Ｈ），８．３１−８．２７（ｄｄ，１Ｈ），７．７４−７．６５（ｍ，２Ｈ），７．５２−７．４２（ｍ，２Ｈ），７．００−６．６０（ｍ，６Ｈ），２．５０（ｓ（ＢＲ），９Ｈ），２．２１（ｓ（ＢＲ），９Ｈ），１．９６（ｓ（ＢＲ），９Ｈ）
３１Ｐ−ＮＭＲ（１６０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：１１．２
（ＦＡＢ−ＭＳ）（Ｍ／ｚ）：７３８（Ｍ＋Ｈ）＋
（Ｅｍｉｓｓｉｏｎ）（ＣＨＣｌ３，７７Ｋ，Ｅｘ２５０ｎｍ）λ（ｎｍ）：４９８，５３８
（ＥＡ）観測値  Ｃ：６１．０６，Ｈ：５．３５，Ｎ：２．００
理論値  Ｃ：６１．８７，Ｈ：５．３３，Ｎ：１．９０【０２７３】実施例２７  （８−キノリルエチニル）（トリシクロヘキシルホスフィン）金［Ａｕ（ＰＣｙ３）（８ＱＥ）］の合成
アルゴン雰囲気下、２５ｍｌシュレンク管にＡｕ（ＰＣｙ３）Ｃｌ（０．２０ｇ，０．４０ｍｍｏｌ），８−キノリルエチン（９２ｍｇ，０．６０ｍｍｏｌ），ナトリウム−ｔ−ブトキシド（４０ｍｇ，０．４２ｍｍｏｌ）を加えた後、ｔ−アミルアルコール（８ｍｌ）を滴下し、室温で１８時間攪拌した。反応後得られる白色沈殿をろ過し、ｔ−アミルアルコール（５ｍｌ×３回），温水（４０℃，５ｍｌ×３回）、およびエタノール：水（５０：５０（体積比），５ｍｌ×２回）で洗浄し、真空乾燥することにより薄黄白色粉末として目的化合物を０．１８ｇ得た。（収率７１％）【０２７４】１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：９．０５（ｄｄ，１Ｈ），８．１１（ｄｄ，１Ｈ），７．９７（ｄｄ，１Ｈ），７．６５（ｄｄ，１Ｈ），７．４４−７．３５（ｍ，２Ｈ），２．０３−１．２０（ｍ，３３Ｈ）
３１Ｐ−ＮＭＲ（１６０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：５６．６
（ＦＡＢ−ＭＳ）（Ｍ／ｚ）：６３０（Ｍ＋Ｈ）＋
（Ｅｍｉｓｓｉｏｎ）（ＣＨＣｌ３，７７Ｋ，Ｅｘ２５０ｎｍ）λ（ｎｍ）：３７８，５２５，５６７
（ＥＡ）観測値  Ｃ：５５．０６，Ｈ：６．１０，Ｎ：２．３４
理論値  Ｃ：５５．３３，Ｈ：６．２４，Ｎ：２．２２【０２７５】実施例２８  （８−キノリルエチニル）（トリイソプロピルホスフィン）金［Ａｕ（Ｐ（ｉ−Ｐｒ）３）（８ＱＥ）］の合成
Ａｕ（ＰＣｙ３）Ｃｌに替えてＡｕ（Ｐ（ｉ−Ｐｒ）３）Ｃｌ（０．１６ｇ，０．４０ｍｍｏｌ）を用いたほかは実施例２７と同様の反応操作を行い、白色粉末として目的化合物を０．１４ｇ得た。（収率７０％）【０２７６】１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：９．０５（ｄｄ，１Ｈ），８．１１（ｄｄ，１Ｈ），７．９７（ｄｄ，１Ｈ），７．６６（ｄｄ，１Ｈ），７．４５−７．３５（ｍ，２Ｈ），２．３６−２．２４（ｍ，３Ｈ），１．３５（ｄ，９Ｈ），１．３０（ｄ，９Ｈ）．
３１Ｐ−ＮＭＲ（１６０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：６７．５
（ＦＡＢ−ＭＳ）（Ｍ／ｚ）：５１０（Ｍ＋Ｈ）＋
（Ｅｍｉｓｓｉｏｎ）（ＣＨＣｌ３，７７Ｋ，Ｅｘ２５０ｎｍ）λ（ｎｍ）：３７９，５２５，５６５
（ＥＡ）観測値  Ｃ：４６．３４，Ｈ：５．２１，Ｎ：２．９０
理論値  Ｃ：４７．１６，Ｈ：５．３４，Ｎ：２．７５【０２７７】実施例２９  Ａｕ（ＰＰｈ３）（８ＱＥ）（（８−キノリルエチニル）（トリフェニルホスフィン）金）の合成
アルゴン雰囲気下、２５ｍｌシュレンク管にＡｕ（ＰＰｈ３）Ｃｌ（０．２０ｇ，０．４０ｍｍｏｌ）、８−キノリルエチン（９２ｍｇ，０．６０ｍｍｏｌ）、ナトリウム−ｔ−ブトキシド（４０ｍｇ，０．４２ｍｍｏｌ）を加えた後、ｔ−アミルアルコール（８ｍｌ）を滴下し、室温で１８時間攪拌した。反応後得られる白色沈殿をろ過し、ｔ−アミルアルコール（５ｍｌ×３回）、温水（４０℃，５ｍｌ×３回）、次いでエタノール（５ｍｌ×２回）で洗浄し、真空乾燥して白黄色粉末である目的化合物を０．２０ｇ得た。（収率８２％）【０２７８】１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：９．０７（ｄｄ，１Ｈ），８．１２（ｄｄ，１Ｈ），７．９９（ｄｄ，１Ｈ），７．６８（ｄｄ，１Ｈ），７．６２−７．３６（ｍ，１７Ｈ）
３１Ｐ−ＮＭＲ（１６０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：４２．８
ＦＡＢ−ＭＳ（Ｍ／ｚ）：６１２（Ｍ＋Ｈ）＋
（Ｅｍｉｓｓｉｏｎ）（ＣＨＣｌ３，７７Ｋ，Ｅｘ２５０ｎｍ）λ（ｎｍ）：３８０，５２６，５６７
（ＥＡ）観測値  Ｃ：５７．０６，Ｈ：３．４５，Ｎ：２．３３
理論値  Ｃ：５６．９７，Ｈ：３．４６，Ｎ：２．２９【０２７９】実施例３０  Ａｕ（ＰＰｈ３）（ＰＥ）（（フェニルエチニル）（トリフェニルホスフィン）金）の合成
アルゴン雰囲気下、２５ｍｌシュレンク管にクロロ（トリフェニルホスフィン）金［Ａｕ（ＰＰｈ３）Ｃｌ］（０．２０ｇ，０．４０ｍｍｏｌ）、フェニルアセチレン（６１ｍｇ，０．６０ｍｍｏｌ）、ナトリウム−ｔ−ブトキシド（４０ｍｇ，０．４２ｍｍｏｌ）を加えた後、ｔ−アミルアルコール（８ｍｌ）を滴下し、室温にて１８時間攪拌した。反応終了後、溶媒を減圧留去し、得られた残滓を塩化メチレン（２０ｍｌ）にて抽出した。得られた抽出物を減圧下に溶媒留去した後、得られた白色沈殿を塩化メチレン−ヘキサンにて再結晶して、白黄色粉末である目的化合物を０．１９ｇ得た。（収率８５％）【０２８０】１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：７．６０−７．４２（ｍ，１５Ｈ），７．２８−７．２０（ｍ，５Ｈ）
ＦＡＢ−ＭＳ（Ｍ／ｚ）：５６１（Ｍ＋Ｈ）＋
（Ｅｍｉｓｓｉｏｎ）（ＣＨＣｌ３，７７Ｋ，Ｅｘ２５０ｎｍ）λ（ｎｍ）：４１５，４３５，４４４、４５５
（ＥＡ）観測値  Ｃ：５５．２７，Ｈ：３．６０
理論値  Ｃ：５５．７３，Ｈ：３．６０【０２８１】実施例３１  （５−フルオロ−８−キノリルエチニル）（トリ−ｏ−トリルホスフィン）金［Ａｕ（Ｐ（ｏ−Ｔｏｌ）３）（５Ｆ−８ＱＥ）］の合成
８−キノリルエチンに替えて５−フルオロ−８−キノリルエチンを用いた他は実施例２０と同様に反応操作を行い、薄黄色粉末として目的化合物を０．２１ｇ得た。（収率７９％）【０２８２】１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：９．０７（ｄｄ，１Ｈ），８．３８（ｄｄ，１Ｈ），７．８７（ｄｄ，１Ｈ），７．４７−７．３２（ｍ，７Ｈ），７．２１−６．９４（ｍ，７Ｈ），２．７３（ｓ，９Ｈ）【０２８３】３１Ｐ−ＮＭＲ（１６０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：２５．０
（ＦＡＢ−ＭＳ）（ｍ／ｚ）：６７２（ｍ＋Ｈ）＋
（Ｅｍｉｓｓｉｏｎ）（ＣＨＣｌ３，７７Ｋ，Ｅｘ２５０ｎｍ）λ（ｎｍ）：３９４
（ＥＡ）観測値  Ｃ：５７．００，Ｈ：３．７９，Ｎ：２．００
理論値  Ｃ：５７．２４，Ｈ：３．９０，Ｎ：２．０９【０２８４】実施例３２  ５−フルオロ−８−キノリルエチニル）（トリシクロヘキシルホスフィン）金［Ａｕ（ＰＣｙ３）（５Ｆ−８ＱＥ）］の合成
８−キノリルエチンに替えて５−フルオロ−８−キノリルエチンを用いた他は実施例２７と同様に反応操作を行い、薄黄色粉末として目的化合物を０．１８ｇ得た。（収率７０％）【０２８５】１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：９．０９（ｄｄ，１Ｈ），８．３９（ｄｄ，１Ｈ），７．８９（ｄｄ，１Ｈ），７．４２（ｄｄ，１Ｈ），７．１０（ｄｄ，１７Ｈ），２．０３−１．１７（ｍ，３３Ｈ）【０２８６】３１Ｐ−ＮＭＲ（１６０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：５６．６
（ＦＡＢ−ＭＳ）（ｍ／ｚ）：６４８（ｍ＋Ｈ）＋
（Ｅｍｉｓｓｉｏｎ）（ＣＨＣｌ３，７７Ｋ，Ｅｘ２５０ｎｍ）λ（ｎｍ）：３９５
（ＥＡ）観測値  Ｃ：５２．６８，Ｈ：５．８０，Ｎ：２．１６
理論値  Ｃ：５３．７９，Ｈ：５．９１，Ｎ：２．１６【０２８７】実施例３３  （５−クロロ−８−キノリルエチニル）（トリフェニルホスフィン）金［Ａｕ（ＰＰｈ３）（５Ｃｌ−８ＱＥ）］の合成
８−キノリルエチンに替えて５−クロロ−８−キノリルエチンを用いた他は実施例１２と同様に反応操作を行い、薄黄色粉末として目的化合物を０．２４ｇ得た。（収率９２％）【０２８８】１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：９．１０（ｄｄ，１Ｈ），８．５５（ｄｄ，１Ｈ），７．８９（ｄ，１Ｈ），７．６２−７．２２（ｍ，１７Ｈ）【０２８９】３１Ｐ−ＮＭＲ（１６０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：４１．８
（ＦＡＢ−ＭＳ）（ｍ／ｚ）：６４６（ｍ＋Ｈ）＋
（Ｅｍｉｓｓｉｏｎ）（ＣＨＣｌ３，７７Ｋ，Ｅｘ２５０ｎｍ）λ（ｎｍ）：３９０
（ＥＡ）観測値  Ｃ：５３．８２，Ｈ：３．０８，Ｎ：２．２６
理論値  Ｃ：５３．９３，Ｈ：３．１２，Ｎ：２．１７【０２９０】実施例３４  （５−クロロ−８−キノリルエチニル）（トリ−ｏ−トリルホスフィン）金［Ａｕ（Ｐ（ｏ−Ｔｏｌ）３）（５Ｃｌ−８ＱＥ）］の合成
８−キノリルエチンに替えて５−クロロ−８−キノリルエチンを用いた他は実施例２０と同様に反応操作を行い、薄黄色粉末として目的化合物を０．１８ｇ得た。（収率６７％）【０２９１】１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：９．０７（ｄｄ，１Ｈ），８．５３（ｄｄ，１Ｈ），７．８５（ｄ，１Ｈ），７．６８（ｄｄ，１Ｈ），７．６１−６．９１（ｍ，１４Ｈ），２．７３（ｓ，９Ｈ）【０２９２】３１Ｐ−ＮＭＲ（１６０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：２３．８
（ＦＡＢ−ＭＳ）（ｍ／ｚ）：６８８（ｍ＋Ｈ）＋
（Ｅｍｉｓｓｉｏｎ）（ＣＨＣｌ３，７７Ｋ，Ｅｘ２５０ｎｍ）λ（ｎｍ）：３９３
（ＥＡ）観測値  Ｃ：５４．８７，Ｈ：３．７０，Ｎ：２．０１
理論値  Ｃ：５５．８７，Ｈ：３．８１，Ｎ：２．０４【０２９３】実施例３５  （５−クロロ−８−キノリルエチニル）（トリシクロヘキシルホスフィン）金［Ａｕ（ＰＣｙ３）（５Ｃｌ−８ＱＥ）］の合成
８−キノリルエチンに替えて５−クロロ−８−キノリルエチンを用いた他は実施例２７と同様に反応操作を行い、薄黄色粉末として目的化合物を０．２１ｇ得た。（収率７８％）【０２９４】１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：９．０９（ｄｄ，１Ｈ），８．５４（ｄｄ，１Ｈ），７．８７（ｄ，１Ｈ），７．５２−７．４６（ｍ，２Ｈ），２．０７−１．２０（ｍ，３３Ｈ）
３１Ｐ−ＮＭＲ（１６０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：５５．６
（ＦＡＢ−ＭＳ）（ｍ／ｚ）：６６４（ｍ＋１）＋
（Ｅｍｉｓｓｉｏｎ）（ＣＨＣｌ３，７７Ｋ，Ｅｘ２５０ｎｍ）λ（ｎｍ）：３９２
（ＥＡ）観測値  Ｃ：５０．８６，Ｈ：５．６０，Ｎ：２．０５
理論値  Ｃ：５２．４６，Ｈ：５．７７，Ｎ：２．１１【０２９５】実施例３６  ビス（８−キノリルエチニル）（ビスジメチルホスフィノエタン）白金（Ｐｔ（ｄｍｐｅ）（８ＱＥ）２）の合成
アルゴン雰囲気下、２５ｍｌシュレンク管にＰｔ（ｄｍｐｅ）Ｃｌ２（０．１０ｇ，０．２４ｍｍｏｌ）、８−キノリルエチン（０．２９ｇ，１．９ｍｍｏｌ）、ヨウ化銅（Ｉ）（１１ｍｇ，０．０５５ｍｍｏｌ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドとジエチルアミンの混合液（Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド：ジエチルアミン＝３：２）を１０ｍｍｌ加え、５０℃で９時間攪拌した。反応終了後、不溶物をろ過し、得られたろ液にジクロロメタン（４０ｍｌ）を加え、水洗して（５０ｍｌ×４回）、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、溶媒を減圧下留去した。得られた残渣に過剰量のジエチルエーテルを加えて析出した固体をろ取し、得られた固体をジエチルエーテルで洗浄して、真空乾燥することにより薄黄色粉末として目的化合物を０．１０ｇ得た。（収率６４％）
ホストとして４，４’−ビス（カルバゾール−９−イル）ビフェニル（ＣＢＰ）を用いて、本化合物を９重量％ドープした固体薄膜を調製した後、３１０ｎｍの紫外線照射することによりＣＩＥ色度座標値を測定したところ、（０．１９，０．１７）の青色発光が観測された。【０２９６】１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：８．８９（ｄ，２Ｈ），８．０６（ｄ，２Ｈ），７．９４（ｄ，２Ｈ），７．５８（ｍ，２Ｈ），７．４１（ｍ，２Ｈ），７．３０（ｍ，２Ｈ），１．９６（ｍ，１６Ｈ）
ＦＡＢ−ＭＳ（Ｍ／ｚ）：６５０（Ｍ＋Ｈ）＋
（Ｅｍｉｓｓｉｏｎ）（ＣＨＣｌ３，７７Ｋ，Ｅｘ  ２５０ｎｍ）λ（ｎｍ）：５４１
（ＥＡ（元素分析））観測値  Ｃ：５１．７，Ｈ：４．２２，Ｎ：４．３０
理論値  Ｃ：５１．８，Ｈ：４．３４，Ｎ：４．３１【０２９７】実施例３７  ビス（８−キノリルエチニル）（ビスジフェニルホスフィノエタン）白金（Ｐｔ（ｄｐｐｅ）（８ＱＥ）２）の合成
アルゴン雰囲気下、２５ｍｌシュレンク管にＰｔ（ｄｐｐｅ）Ｃｌ２（０．１６ｇ，０．２４ｍｍｏｌ）、８−キノリルエチン（０．２９ｇ，１．９ｍｍｏｌ）、ヨウ化銅（Ｉ）（１１ｍｇ，０．０５５ｍｍｏｌ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドとジエチルアミンの混合溶液（Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド：ジエチルアミン＝３：２）を１０ｍｌ加え、５０℃で９時間攪拌した。反応終了後、不溶物をろ過し、得られたろ液にジクロロメタン（４０ｍｌ）を加え、水洗し（５０ｍｌＸ４回）、硫酸マグネシウムで脱水した後、溶媒を減圧下濃縮した。得られた残渣に過剰量のジエチルエーテルを加えて析出した固体をろ取して、得られた固体をジエチルエーテルで洗浄し、真空乾燥することにより薄黄色粉末として目的化合物を０．１３ｇ得た。（収率５９％）
ホストとしてＣＢＰを用いて、本化合物を９重量％ドープした固体薄膜を調製した後３１０ｎｍの紫外線照射することによりＣＩＥ色度座標値を測定したところ、（０．２７，０．１９）の青白色発光が観測された。【０２９８】１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：８．７８（ｄ，２Ｈ），８．１５（ｍ，６Ｈ），８．１０（ｄ，２Ｈ），７．７０（ｍ，２Ｈ），７．６２（ｄ，２Ｈ），７．４９（ｄ，２Ｈ），７．４０−７．２０（ｍ，１６Ｈ），２．５２−２．４０（ｍ，４Ｈ）
ＦＡＢ−ＭＳ（Ｍ／ｚ）：８９８（Ｍ＋Ｈ）＋
（Ｅｍｉｓｓｉｏｎ）（ＣＨＣｌ３，７７Ｋ，Ｅｘ  ２５０ｎｍ）λ（ｎｍ）：５３６
（ＥＡ）観測値  Ｃ：６１．４７，Ｈ：３．９４，Ｎ：３．３５
理論値  Ｃ：６４．２１，Ｈ：４．０４，Ｎ：３．１２【０２９９】実施例３８  ビス（７−キノリルエチニル）（ビスジメチルホスフィノエタン）白金（Ｐｔ（ｄｍｐｅ）（７−ＱＥ）２）の合成
８−キノリルエチンに替えて７−キノリルエチンを用いる他は実施例３６と同様に反応操作を行い、薄黄色粉末として目的化合物を０．０８ｇ得た。（収率５４％）
ホストとしてＣＢＰを用いて、本化合物を９重量％ドープした固体薄膜を調製した後３１０ｎｍの紫外線照射することによりＣＩＥ色度座標値を測定したところ、（０．３１，０．４４）の白色発光が観測された。【０３００】１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：８．８３（ｄｄ，２Ｈ），８．０８（ｓ，２Ｈ），８．０６−８．０３（ｍ，２Ｈ），７．６４−７．６０（ｍ，４Ｈ），７．２８−７．２５（ｍ，２Ｈ），１．９０−１．７１（ｍ，１６Ｈ）
（ＥＡ）：観測値  Ｃ：５１．４，Ｈ：４．３，Ｎ：４．３
理論値  Ｃ：５１．８，Ｈ：４．３，Ｎ：４．３
ＦＡＢ−ＭＳ（Ｍ／ｚ）：６５０（Ｍ＋Ｈ）＋
（Ｅｍｉｓｓｉｏｎ）（ＣＨＣｌ３，７７Ｋ，Ｅｘ  ２５０ｎｍ）λ（ｎｍ）：４９８（ｍａｘ），５３８，５７７【０３０１】実施例３９  ビス（６−キノリルエチニル）（ビスジメチルホスフィノエタン）白金（Ｐｔ（ｄｍｐｅ）（６ＱＥ）２）の合成
８−キノリルエチンに替えて６−キノリルエチンを用いる他は実施例３６と同様に反応操作を行い、薄黄色粉末として目的化合物を０．１２ｇ得た。（収率７７％）
ホストとしてＣＢＰを用いて、本化合物を９重量％ドープした固体薄膜を調製した後３１０ｎｍの紫外線照射することによりＣＩＥ色度座標値を測定したところ、（０．３１，０．３４）の白色発光が観測された。【０３０２】１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：８．７８（ｄ，２Ｈ），８．０３（ｄ，２Ｈ），７．９２（ｄ，２Ｈ），７．８４（ｓ，２Ｈ），７．７５（ｄｄ，２Ｈ），７．３３−７．３０（ｍ，２Ｈ），１．８８−１．７３（ｍ，１６Ｈ）
ＦＡＢ−ＭＳ（Ｍ／ｚ）：６５０（Ｍ＋Ｈ）＋
（Ｅｍｉｓｓｉｏｎ）（ＣＨＣｌ３，７７Ｋ，Ｅｘ  ２５０ｎｍ）λ（ｎｍ）：５１１
（ＥＡ）観測値  Ｃ：５１．１，Ｈ：４．５０，Ｎ：４．７０
理論値  Ｃ：５１．８，Ｈ：４．３４，Ｎ：４．３１【０３０３】実施例４０  ビス（５−キノリルエチニル）（ビスジメチルホスフィノエタン）白金（Ｐｔ（ｄｍｐｅ）（５ＱＥ）２）の合成
８−キノリルエチンに替えて５−キノリルエチンを用いる他は実施例３６と同様に反応操作を行い、薄黄色粉末として目的化合物を０．１４ｇ得た。（収率８８％）
ホストとしてＣＢＰを用いて、本化合物を９重量％ドープした固体薄膜を調製した後３１０ｎｍの紫外線照射することによりＣＩＥ色度座標値を測定したところ、（０．２２，０．２１）の青白色発光が観測された。【０３０４】１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：９．０７（ｄｄ，２Ｈ），８．８２（ｄｄ，２Ｈ），７．９０（ｄ，２Ｈ），７．６４（ｄｄ，２Ｈ），７．６０−７．５６（ｍ，２Ｈ），７．２２−７．１９（ｍ，２Ｈ），１．８９−１．７６（ｍ，１６Ｈ）
ＦＡＢ−ＭＳ（Ｍ／ｚ）：６５０（Ｍ＋Ｈ）＋
（Ｅｍｉｓｓｉｏｎ）（ＣＨＣｌ３，７７Ｋ，Ｅｘ  ２５０ｎｍ）λ（ｎｍ）：５４０
（ＥＡ）観測値  Ｃ：５１．５，Ｈ：４．５０，Ｎ：４．５０
理論値  Ｃ：５１．８，Ｈ：４．３４，Ｎ：４．３１【０３０５】実施例４１  ビス（４−キノリルエチニル）（ビスジメチルホスフィノエタン）白金（Ｐｔ（ｄｍｐｅ）（４−ＱＥ）２の合成
８−キノリルエチンに替えて４−キノリルエチンを用いる他は実施例３６と同様に反応操作を行い、薄黄色粉末として目的化合物を０．０８ｇ得た。（収率５０％）
ホストとしてＣＢＰを用いて、本錯体を９重量％ドープした固体薄膜を調製した後３１０ｎｍの紫外線照射することによりＣＩＥ色度座標値を測定したところ、（０．３６，０．４５）の白色発光が観測された。【０３０６】１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：８．７５（ｄ，２Ｈ），８．６２（ｄｄ，２Ｈ），８．０２（ｄ，２Ｈ），７．６５−７．６１（ｍ，２Ｈ），７．４３−７．３９（ｍ，４Ｈ），１．９２−１．７４（ｍ，１６ｈ）
（ＥＡ）観測値  Ｃ：５１．８，Ｈ：４．５、Ｎ：４．２
理論値  Ｃ：５１．８，Ｈ：４．３、Ｎ：４．３
ＦＡＢ−ＭＳ（Ｍ／ｚ）：６５０（Ｍ＋ｈ）＋
（Ｅｍｉｓｓｉｏｎ）（ＣＨＣｌ３，７７Ｋ，Ｅｘ  ２５０ｎｍ）λ（ｎｍ）：５１０（ｍａｘ），５４８，５９２【０３０７】実施例４２  ビス（３−キノリルエチニル）（ビスジメチルホスフィノエタン）白金（Ｐｔ（ｄｍｐｅ）（３ＱＥ）２）の合成
８−キノリルエチンに替えて３−キノリルエチンを用いる他は実施例３６と同様に反応操作を行い、薄黄色粉末として目的化合物を０．１３ｇ得た。（収率８６％）
ホストとしてＣＢＰを用いて、本錯体を９重量％ドープした固体薄膜を調製した後３１０ｎｍの紫外線照射することによりＣＩＥ色度座標値を測定したところ、（０．２８，０．４２）の白色発光が観測された。【０３０８】１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：８．９３（ｄ，２Ｈ），８．１２（ｄ，２Ｈ），８．００（ｄ，２Ｈ），７．７０（ｄ，２Ｈ），７．６１−７．５７（ｍ，２Ｈ），７．４９−７．４５（ｍ，２Ｈ），１．９２−１．７４（ｍ，１６Ｈ）
ＦＡＢ−ＭＳ（Ｍ／ｚ）：６５０（Ｍ＋ｈ）＋
（Ｅｍｉｓｓｉｏｎ）（ＣＨＣｌ３，７７Ｋ，Ｅｘ  ２５０ｎｍ）λ（ｎｍ）：５０６
（ＥＡ）観測値  Ｃ：５０．５，Ｈ：４．４０，Ｎ：４．２０
理論値  Ｃ：５１．８，Ｈ：４．３４，Ｎ：４．３１【０３０９】実施例４３  ビス（２−キノリルエチニル）（ビスジメチルホスフィノエタン）白金（Ｐｔ（ｄｍｐｅ）（２ＱＥ）２）の合成
８−キノリルエチンに替えて２−キノリルエチンを用いる他は実施例３６と同様に反応操作を行い、薄黄色粉末として目的化合物を０．１３ｇ得た。（収率８６％）
ホストとしてＣＢＰを用いて、本錯体を９重量％ドープした固体薄膜を調製した後３１０ｎｍの紫外線照射することによりＣＩＥ色度座標値を測定したところ、（０．２７，０．３１）の白色発色が観測された。【０３１０】１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：７．９９（ｄ，２Ｈ），７．９３（ｄ，２Ｈ），７．６８（ｄｄ，２Ｈ），７．６２−７．５７（ｍ，２Ｈ），７．５１（ｄ，２Ｈ），７．４１−７．３７（ｍ，２Ｈ），１．８９−１．７６（ｍ，１６Ｈ）
ＦＡＢ−ＭＳ（Ｍ／ｚ）：６５０（Ｍ＋Ｈ）＋
（Ｅｍｉｓｓｉｏｎ）（ＣＨＣｌ３，７７Ｋ，Ｅｘ  ２５０ｎｍ）λ（ｎｍ）：４８２（ｍａｘ），５１８
（ＥＡ）観測値  Ｃ：５０．７，Ｈ：４．５０，Ｎ：４．３０
理論値  Ｃ：５１．８，Ｈ：４．３４，Ｎ：４．３１【０３１１】実施例４４  ビス（８−キノリルエチニル）（ビスジメチルホスフィノエタン）白金［Ｐｔ（ｄｍｐｅ）（８ＱＥ）２］の合成
アルゴン雰囲気下、２５ｍｌジュレンク管にＰｔ（ｄｍｐｅ）Ｃｌ２に（０．１７ｇ，０．４０ｍｍｏｌ）、８−キノリルエチン（０．１４ｇ，０．８８ｍｍｏｌ）、エタノール（１０ｍｌ）を加えた後、ナトリウムエトキシド（濃度２．５５モル／Ｌ（リットル）のエタノール溶液、３００μＬ、０．８４ｍｍｏｌ）を滴下する。反応混合物を攪拌しつつ４時間加熱還流を行った。不溶物をろ過後、反応液にジクロロメタン（４０ｍｌ）を加え、水洗する（５０ｍｌ×４回），硫酸マグネシウムで脱水した後、溶媒を減圧下濃縮した。この濃縮液に過剰量のジエチルエーテルを加えて目的化合物を析出させて濾過し、得られた固体をジエチルエーテルで洗浄し、真空乾燥することにより薄灰色粉末として目的化合物を０．２２ｇ得た。なお、本化合物は結晶溶媒として塩化メチレンを１．５当量含む。（収率７５％）
ホストとしてＣＢＰを用い、本化合物を９重量％ドープした固体薄膜とした後、３１０ｎｍの紫外線照射してＣＩＥ色度座標値を測定したところ、（０．１９，０．１７）の青色が観測された。【０３１２】１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ−ｄ６）δ：８．８９（ｄ，２Ｈ），８．０６（ｄ，２Ｈ），７．９４（ｄ，２Ｈ），７．５８（ｍ，２Ｈ），７．４１（ｍ，２Ｈ），７．３０（ｍ，２Ｈ），１．９６（ｍ，１６Ｈ）
ＦＡＢ−ＭＳ（Ｍ／ｚ）：６５０（Ｍ＋Ｈ）＋
（Ｅｍｉｓｓｉｏｎ）（ＣＨＣｌ３，７７Ｋ，Ｅｘ２５０ｎｍ）λ（ｎｍ）：５４１
（Ｅ．Ａ．）：理論値  Ｃ：４２．７８，Ｈ：４．２１，Ｎ：３．７８
観測値  Ｃ：４３．４２，Ｈ：４．２２，Ｎ：３．８１【０３１３】実施例４５  ビス（７−キノリルエチニル）（ビスジメチルホスフィノエタン）白金［Ｐｔ（ｄｍｐｅ）（７ＱＥ）２］の合成
８−キノリルエチンに替えて７−キノリルエチンを用いる他は実施例４４と同様に反応操作を行い、薄黄色粉末として目的化合物を０．１９ｇ得た。（収率７３％）
ホストとしてＣＢＰを用いて、本化合物を９重量％ドープした固体薄膜を調製した後３１０ｎｍの紫外線照射してＣＩＥ色度座標値を測定したところ、（０．３１，０．４４）の白色発光が観測された。【０３１４】１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：８．８３（ｄｄ，２Ｈ），８．０８（ｓ，２Ｈ），８．０６−８．０３（ｍ，２Ｈ），７．６４−７．６０（ｍ，４Ｈ），７．２８−７．２５（ｍ，２Ｈ），１．９０−１．７１（ｍ，１６Ｈ）
（Ｅ．Ａ．）：理論値  Ｃ：５１．８，Ｈ：４．３４，Ｎ：４．３１
観測値  Ｃ：５１．２，Ｈ：４．５１，Ｎ：４．４０
ＦＡＢ−ＭＳ（Ｍ／ｚ）：６５０（Ｍ＋Ｈ）＋
（Ｅｍｉｓｓｉｏｎ）（ＣＨＣｌ３，７７Ｋ，Ｅｘ２５０ｎｍ）λ（ｎｍ）：４９８（ｍａｘ），５３８，５７７【０３１５】実施例４６  ビス（６−キノリルエチニル）（ビスジメチルホスフィノエタン）白金［Ｐｔ（ｄｍｐｅ）（６ＱＥ）２］の合成
８−キノリルエチンに替えて６−キノリルエチンを用いる他は実施例４４と同様に反応操作を行い、薄黄色粉末として目的化合物を０．１８ｇ得た。（収率６８％）
ホストとしてＣＢＰを用い、本錯体を９重量％をドープした固体薄膜とした後、３１０ｎｍの紫外線照射してＣＩＥ色度座標値を測定したところ、（０．３１，０．３４）の白色発光が観測された。【０３１６】１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：８．７８（ｄ，２Ｈ），８．０３（ｄ，２Ｈ），７．９２（ｄ，２Ｈ），７．８４（ｓ，２Ｈ），７．７５（ｄｄ，２Ｈ），７．３３−７．３０（ｍ，２Ｈ），１．８８−１．７３（ｍ，１６Ｈ）
ＦＡＢ−ＭＳ（Ｍ／ｚ）：６５０（Ｍ＋Ｈ）＋
（Ｅｍｉｓｓｉｏｎ）（ＣＨＣｌ３，７７Ｋ，Ｅｘ２５０ｎｍ）λ（ｎｍ）：５１１
（Ｅ．Ａ．）理論値  Ｃ：５１．８，Ｈ：４．３４，Ｎ：４．３１
観測値  Ｃ：５１．２，Ｈ：４．５１，Ｎ：４．４０【０３１７】実施例４７  ビス（５−キノリルエチニル）（ビスジメチルホスフィノエタン）白金［Ｐｔ（ｄｍｐｅ）（５ＱＥ）２］の合成
８−キノリルエチンに替えて５−キノリルエチンを用いる他は実施例４４と同様に反応操作を行い、薄黄色粉末として目的化合物を０．２０ｇ得た。（収率７７％）
ホストとしてＣＢＰを用い、本錯体を９重量％ドープした固体薄膜とした後、３１０ｎｍの紫外線照射してＣＩＥ色度座標値を測定したところ、（０．２２，０．２１）の青白色発光が観測された。【０３１８】１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：９．０７（ｄｄ，２Ｈ），８．８２（ｄｄ，２Ｈ），７．９０（ｄ，２Ｈ），７．６４（ｄｄ，２Ｈ），７．６０−７．５６（ｍ，２Ｈ），７．２２−７．１９（ｍ，２Ｈ），１．８９−１．７６（ｍ，１６Ｈ）
ＦＡＢ−ＭＳ（Ｍ／ｚ）：６５０（Ｍ＋Ｈ）＋
（Ｅｍｉｓｓｉｏｎ）（ＣＨＣｌ３，７７Ｋ、Ｅｘ２５０ｎｍ）λ（ｎｍ）：５４０
（Ｅ．Ａ．）理論値  Ｃ：５１．８，Ｈ：４．３４，Ｎ：４．３１
観測値  Ｃ：５１．５，Ｈ：４．４０，Ｎ：４．３０【０３１９】実施例４８  ビス（４−キノリルエチニル）（ビスジメチルホスフィノエタン）白金［Ｐｔ（ｄｍｐｅ）（４ＱＥ）２］の合成
８−キノリルエチンに替えて４−キノリルエチンを用いる他は実施例４４と同様に反応操作を行い、薄黄色粉末として目的化合物を０．２０ｇ得た。（収率７７％）
ホストとしてＣＢＰを用いて、本錯体を９重量％ドープした固体薄膜を調製した後３１０ｎｍの紫外線照射することによりＣＩＥ色度座標値を測定したところ、（０．３６，０．４５）の白色発光が観測された。【０３２０】１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ８．７５（ｄ，２Ｈ），８．６２（ｄｄ，２Ｈ），８．０２（ｄ，２Ｈ），７．６５−７．６１（ｍ，２Ｈ），７．４３−７．３９（ｍ，４Ｈ），１．９２−１．７４（ｍ，１６Ｈ）
（Ｅ．Ａ．）：理論値  Ｃ：５１．８，Ｈ：４．３４，Ｎ：４．３１
観測値  Ｃ：５１．８，Ｈ：４．５０，Ｎ：４．２０
ＦＡＢ−ＭＳ（Ｍ／ｚ）：６５０（Ｍ＋Ｈ）＋
（Ｅｍｉｓｓｉｏｎ）（ＣＨＣｌ３，７７Ｋ，Ｅｘ２５０ｎｍ）λ（ｎｍ）：５１０（ｍａｘ），５４８，５９２【０３２１】実施例４９  ビス（３−キノリルエチニル）（ビスジメチルホスフィノエタン）白金［Ｐｔ（ｄｍｐｅ）（３ＱＥ）２］の合成
８−キノリルエチンに替えて３−キノリルエチンを用いる他は実施例４４と同様に反応操作を行い、薄黄色粉末として目的化合物を０．１９ｇ得た。（収率７２％）
ホストとしてＣＢＰを用い、本錯体を９重量％ドープした固体薄膜とした後、３１０ｎｍの紫外線照射してＣＩＥ色度座標値を測定したところ、（０．２８，０．４２）の白色発光が観測された。【０３２２】１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：８．９３（ｄ，２Ｈ），８．１２（ｄ，２Ｈ），８．００（ｄ，２Ｈ），７．７０（ｄ，２Ｈ），７．６１−７．５７（ｍ，２Ｈ），７．４９−７．４５（ｍ，２Ｈ），１．９２−１．７４（ｍ，１６Ｈ）
ＦＡＢ−ＭＳ（Ｍ／ｚ）：６５０［Ｍ＋Ｈ］＋
（Ｅｍｉｓｓｉｏｎ）（ＣＨＣｌ３，７７Ｋ，Ｅｘ２５０ｎｍ）λ［ｎｍ］：５０６
（Ｅ．Ａ．）理論値  Ｃ：５１．８，Ｈ：４．３４，Ｎ：４．３１
観測値  Ｃ：５０．９，Ｈ：４．３３，Ｎ：４．３１【０３２３】実施例５０  ビス（２−キノリルエチニル）（ビスジメチルホスフィノエタン）白金［Ｐｔ（ｄｍｐｅ）（２ＱＥ）２］の合成
８−キノリルエチンに替えて２−キノリルエチンを用いる他は実施例４４と同様に反応操作を行い、薄黄色粉末として目的化合物を０．１９ｇ得た。（収率７５％）
ホストとしてＣＢＰを用い、本錯体を９重量％ドープした固体薄膜とした後、３１０ｎｍの紫外線照射してＣＩＥ色度座標値を測定したところ、（０．２７，０．３１）の白色発光が観測された。【０３２４】１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ：７．９９（ｄ，２Ｈ），７．９３（ｄ，２Ｈ），７．６８（ｄｄ，２Ｈ），７．６２−７．５７（ｍ，２Ｈ），７．５１（ｄ，２Ｈ），７．４１−７．３７（ｍ，２Ｈ），１．８９−１．７６（ｍ，１６Ｈ）
ＦＡＢ−ＭＳ（Ｍ／ｚ）：６５０（Ｍ＋Ｈ）＋
（Ｅｍｉｓｓｉｏｎ）（ＣＨＣｌ３，７７Ｋ，Ｅｘ２５０ｎｍ）λ（ｎｍ）：４８２（ｍａｘ），５１８
（Ｅ．Ａ．）理論値  Ｃ：５１．８，Ｈ：４．３４，Ｎ：４．３１
観測値  Ｃ：５１．７，Ｈ：４．５１，Ｎ：４．３４【０３２５】実施例５１  Ａｕ（ＰＰｈ３）（８ＱＥ）を有機発光層に含むエレクトロルミネッセンス素子の作製
イーエッチシー製インジウム錫酸化物（以下、ＩＴＯと記載する。）被膜付きガラスを透明電極基板として用い、アルバック機工製真空蒸着装置を使用して、同基板上に２×１０−３Ｐａ以下の真空度で、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−（フェニル）−ベンジジン（以下、ＴＰＤと記載する。）からなるホール輸送層（３）を膜厚４０ｎｍ、ＣＢＰ中にＡｕ（ＰＰｈ３）（８ＱＥ）を９重量％含む発光層（４）を膜厚３０ｎｍ、３−（４−ビフェニルイル）−４−フェニル−５−ターシャリブチルフェニル−１，２，４−トリアゾール（以下、ＴＡＺと記載する。）からなるホールブロック層（５）を３０ｎｍ、電極（６）としてアルミニウム（Ａｌ）を膜厚１００ｎｍ、順次真空蒸着させてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。（図１参照）【０３２６】  なお、真空蒸着は、基板に対向して置かれたアルミナ製坩堝に原料を仕込み、坩堝ごと原料をタングステンフィラメントを用いて加熱することによって行った。このとき坩堝に接触させた熱電対によって坩堝の温度を測定し、Ａｕ（ＰＰｈ３）（８ＱＥ）を仕込んだ坩堝の温度は、概略３３０℃を超えない範囲に制御した。【０３２７】  前記素子のＩＴＯ電極（２）を正極、Ａｌ電極（６）を負極として通電し電極間電圧を上げていくと、＋１１Ｖ付近から素子は肉眼ではっきりと分かる程度の発光を開始し、＋１８Ｖにおいて１６ｃｄ／ｍ２で青色発光した。このとき発光に係る電流の効率を以下の式で求めた。【０３２８】  電流効率＝（単位面積当りの発光輝度）／（単位面積当りの電流密度）【０３２９】  このようにして求めた電流効率は０．０３ｃｄ／Ａであった。【０３３０】  前記素子の発光スペクトルを日本分光（株）製分光蛍光光度計ＦＰ−６３００を用いて測定した。結果を図２に示す。この素子の発光スペクトルは４０５ｎｍ付近にピークを有しており、ＣＩＥ色度座標値を求めたところ（０．１７，０．０８）であった。【０３３１】実施例５２  Ａｕ（ＰＰｈ３）（８ＱＥ）を有機発光層に含むエレクトロルミネッセンス素子の作製（２）
ホールブロック層（５）とＡｌ電極（６）の間にトリス−（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム（以下Ａｌｑと記載する。）からなる電子輸送層（７）を膜厚３０ｎｍで挿入した以外は実施例５１と同様にしてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。（図３参照）【０３３２】  前記素子のＩＴＯ電極を正極、Ａｌ電極を負極として通電し電極間電圧を上げていくと、＋１１Ｖ付近から素子は肉眼ではっきりと分かる程度の発光を開始し、＋２１Ｖにおいて６３ｃｄ／ｍ２で青色発光した。この素子の最大電流効率は＋１３Ｖにおける０．２３ｃｄ／Ａであった。【０３３３】  前記素子の発光スペクトルを実施例５０と同様にして測定した。結果を図４に示す。この素子の発光スペクトルは４００ｎｍ付近にピークを有しており、ＣＩＥ色度座標値を求めると（０．２４，０．２４）であった。【０３３４】実施例５３  Ａｕ（ＰＰｈ３）（８ＱＥ）を有機発光層に含むエレクトロルミネッセンス素子の作製（３）
発光層（４）中のＡｕ（ＰＰｈ３）（８ＱＥ）の量を６重量％とした以外は実施例５２と同様にしてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。【０３３５】  前記素子のＩＴＯ電極を正極、Ａｌ電極を負極として通電し電極間電圧を上げていくと、＋１２Ｖ付近から素子は肉眼ではっきりと分かる程度の発光を開始し、＋２２Ｖにおいて４０ｃｄ／ｍ２で青色発光した。この素子の最大電流効率は＋１４Ｖにおける０．３２ｃｄ／Ａであった。【０３３６】実施例５４  Ａｕ（ＰＰｈ３）（８ＱＥ）を有機発光層に含むエレクトロルミネッセンス素子の作製（４）
発光層（４）中のＡｕ（ＰＰｈ３）（８ＱＥ）の量を２１重量％とした以外は実施例５２と同様にしてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。【０３３７】  前記素子のＩＴＯ電極を正極、Ａｌ電極を負極として通電し電極間電圧を上げていくと、＋１２Ｖ付近から素子は肉眼ではっきりと分かる程度の発光を開始し、＋２１Ｖにおいて４５ｃｄ／ｍ２で青色発光した。この素子の最大電流効率は＋１４Ｖにおける０．２６ｃｄ／Ａであった。【０３３８】実施例５５  Ａｕ（ＰＰｈ３）（５ＱＥ）を有機発光層に含むエレクトロルミネッセンス素子の作製
発光層（４）中の錯体をＡｕ（ＰＰｈ３）（５ＱＥ）とした以外は実施例５２と同様にしてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。【０３３９】  前記素子のＩＴＯ電極を正極、Ｎ電極を負極として通電し電極間電圧を上げていくと、＋１７Ｖ付近から素子は肉眼ではっきりと分かる程度の発光を開始し、＋２５Ｖにおいて２３ｃｄ／ｍ２で青色発光した。このときの電流効率は０．１４ｃｄ／Ａであった。【０３４０】実施例５６  Ａｕ（ＰＰｈ３）（５Ｆ−８ＱＥ）錯体を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製
ＩＴＯ被膜付きガラスを透明電極基板として用い、アルバック機工製真空蒸着装置を使用して、同基板上に２×１０−３Ｐａ以下の真空度で、ＴＰＤからなるホール輸送層（３）を膜厚４０ｎｍ、４，４’−ビス（カルバゾール−９−イル）ビフェニル（以下ＣＢＰと略す）中にＡｕ（ＰＰｈ３）（５Ｆ−８ＱＥ）錯体を９重量％含む発光層（４）を膜厚３０ｎｍ、ＴＡＺからなるホールブロック層（５）を３０ｎｍ、電極（６）としてアルミニウム（Ａｌ）を１００ｎｍ、順次真空蒸着させてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。
なお、真空蒸着は、基板に対向して置かれた坩堝に原料を仕込み、坩堝ごと原料を加熱することによって行った。また５Ｆ８ＱＥの坩堝外部のヒーター温度は２３０℃を超えないように制御した。【０３４１】  前記素子のＩＴＯ電極（２）を正極、Ａｌ電極（６）を負極として通電し電極間電圧を上げていくと、＋１１Ｖ付近から素子は肉眼ではっきりと分かる程度の発光を開始し、＋２４Ｖにおいて６７ｃｄ／ｍ２で発光した。この素子の最大電流効率は＋１４Ｖで０．１５ｃｄ／Ａであった。【０３４２】実施例５７  Ａｕ（ＰＰｈ３）（５Ｆ−８ＱＥ）錯体を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製（２）
ホールブロック層（５）と電極（６）の間に、Ａｌｑからなる電子輸送層（７）を３０ｎｍ、真空蒸着した以外は実施例５６と同様にしてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。
前記素子のＩＴＯ電極（２）を正極、Ａｌ電極（６）を負極として通電し電極間電圧を上げていくと、＋１５Ｖ付近から素子は肉眼ではっきりと分かる程度の発光を開始し、＋２８Ｖにおいて３０ｃｄ／ｍ２で発光した。この素子の最大電流効率は＋１７Ｖで０．２３ｃｄ／Ａであった。【０３４３】実施例５８  Ａｕ（ＰＰｈ３）（５Ｆ−８ＱＥ）錯体を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製（３）
発光層（４）の厚みを２０ｎｍとした以外は、実施例５７と同様にしてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。
前記素子のＩＴＯ電極（２）を正極、Ａｌ電極（６）を負極として通電し電極間電圧を上げていくと、＋１１Ｖ付近から素子は肉眼ではっきりと分かる程度の発光を開始し、＋２３Ｖにおいて５２ｃｄ／ｍ２で発光した。この素子の最大電流効率は＋１５Ｖで０．２３ｃｄ／Ａであった。【０３４４】実施例５９  Ａｕ（ＰＰｈ３）（５Ｆ−８ＱＥ）錯体を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製（４）
発光層として１，３−ビスカルバゾリルベンゼン（以下ｍＣＰ）中にＡｕ（ＰＰｈ３）（５Ｆ−８ＱＥ）錯体を９重量％含んだものを用いた以外は、実施例５６と同様にしてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。
前記素子のＩＴＯ電極（２）を正極、Ａｌ電極（６）を負極として通電し電極間電圧を上げていくと、＋９Ｖ付近から素子は肉眼ではっきりと分かる程度の発光を開始し、＋２２Ｖにおいて６６ｃｄ／ｍ２で発光した。この素子の最大電流効率は＋１１Ｖで０．４３ｃｄ／Ａであった。
また、同素子の発光スペクトルを実施例５０と同様にして測定した。この素子の発光スペクトルは４００ｎｍ付近にピークを有しており、ＣＩＥ色度座標値を求めると（０．１６，０．０８）であった。【０３４５】実施例６０  Ａｕ（ＰＰｈ３）（５Ｆ−８ＱＥ）錯体を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製（５）
発光層としてｍＣＰ中にＡｕ（ＰＰｈ３）（５Ｆ−８ＱＥ）錯体を９重量％含んだものを用いた以外は、実施例５７と同様にしてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。
前記素子のＩＴＯ電極（２）を正極、Ａｌ電極（６）を負極として通電し電極間電圧を上げていくと、＋１３Ｖ付近から素子は肉眼ではっきりと分かる程度の発光を開始し、＋２４Ｖにおいて３１ｃｄ／ｍ２で発光した。この素子の最大電流効率は＋１５Ｖで０．２１ｃｄ／Ａであった。【０３４６】実施例６１  Ａｕ（ＰＰｈ３）（５Ｃｌ−８ＱＥ）錯体を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製
ＩＴＯ被膜付きガラスを透明電極基板として用い、アルバック機工製真空蒸着装置を使用して、同基板上に２×１０−３Ｐａ以下の真空度で、ＴＰＤからなるホール輸送層（３）を膜厚４０ｎｍ、ｍＣＰ中にＡｕ（ＰＰｈ３）（５Ｃｌ−８ＱＥ）錯体を９重量％含む発光層（４）を膜厚２０ｎｍ、ＴＡＺからなるホールブロック層（５）を３０ｎｍ、Ａｌ電極（６）を１００ｎｍ、順次真空蒸着させてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。
なお、真空蒸着は、基板に対向して置かれた坩堝に原料を仕込み、坩堝ごと原料を加熱することによって行った。
前記素子のＩＴＯ電極（２）を正極、Ａｌ電極（６）を負極として通電し電極間電圧を上げていくと、＋１１Ｖ付近から素子は肉眼ではっきりと分かる程度の発光を開始し、＋１９Ｖにおいて３７ｃｄ／ｍ２で発光した。このときの最大電流効率は０．０４２ｃｄ／Ａであった。【０３４７】実施例６２  Ａｕ（ＰＰｈ３）（５Ｃｌ−８ＱＥ）錯体を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製（２）
ホールブロック層（５）と電極（６）の間に、Ａｌｑからなる電子輸送層（７）を３０ｎｍ、真空蒸着した以外は実施例６１と同様にしてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。
前記素子のＩＴＯ電極（２）を正極、Ａｌ電極（６）を負極として通電し電極間電圧を上げていくと、＋１１Ｖ付近から素子は肉眼ではっきりと分かる程度の発光を開始し、＋２０Ｖにおいて３４ｃｄ／ｍ２で発光した。この素子の最大電流効率は＋１６Ｖで０．１２ｃｄ／Ａであった。【０３４８】実施例６３  Ａｕ［Ｐ（ｏ−Ｔｏｌ）３］（５Ｆ−８ＱＥ）錯体を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製
ＩＴＯ被膜付きガラスを透明電極基板として用い、アルバック機工製真空蒸着装置を使用して、同基板上に２×１０−３Ｐａ以下の真空度で、ＴＰＤからなるホール輸送層（３）を膜厚４０ｎｍ、ｍＣＰ中にＡｕ［Ｐ（ｏ−Ｔｏｌ）３］（５Ｆ−８ＱＥ）錯体を９重量％含む発光層（４）を膜厚２０ｎｍ、ＴＡＺからなるホールブロック層（５）を３０ｎｍ、Ａｌ電極（６）を１００ｎｍ、順次真空蒸着させてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。
なお、真空蒸着は、基板に対向して置かれた坩堝に原料を仕込み、坩堝ごと原料を加熱することによって行った。
前記素子のＩＴＯ電極（２）を正極、Ａｌ電極（６）を負極として通電し電極間電圧を上げていくと、＋１３Ｖ付近から素子は肉眼ではっきりと分かる程度の発光を開始し、＋１７Ｖにおいて５．３ｃｄ／ｍ２で発光した。この素子の最大電流効率は＋１６Ｖで０．０１１ｃｄ／Ａであった。【０３４９】実施例６４  Ａｕ［Ｐ（ｏ−Ｔｏｌ）３］（５Ｆ−８ＱＥ）錯体を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製（２）
ホールブロック層（５）と電極（６）の間に、Ａｌｑからなる電子輸送層（７）を３０ｎｍ、真空蒸着した以外は実施例６３と同様にしてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。
前記素子のＩＴＯ電極（２）を正極、Ａｌ電極（６）を負極として通電し電極間電圧を上げていくと、＋１０Ｖ付近から素子は肉眼ではっきりと分かる程度の発光を開始し、＋２２Ｖにおいて３９ｃｄ／ｍ２で発光した。この素子の最大電流効率は＋１４Ｖで０．１２ｃｄ／Ａであった。【０３５０】実施例６５  Ａｕ（ＰＣｙ３）（５Ｆ−８ＱＥ）錯体を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製
ＩＴＯ被膜付きガラスを透明電極基板として用い、アルバック機工製真空蒸着装置を使用して、同基板上に２×１０−３Ｐａ以下の真空度で、ＴＰＤからなるホール輸送層（３）を膜厚４０ｎｍ、ｍＣＰ中にＡｕ（ＰＣｙ３）（５Ｆ−８ＱＥ）錯体を９重量％含む発光層（４）を膜厚２０ｎｍ、ＴＡＺからなるホールブロック層（５）を３０ｎｍ、Ａｌ電極（６）を１００ｎｍ、順次真空蒸着させてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。
なお、真空蒸着は、基板に対向して置かれた坩堝に原料を仕込み、坩堝ごと原料を加熱することによって行った。
前記素子のＩＴＯ電極（２）を正極、Ａｌ電極（６）を負極として通電し電極間電圧を上げていくと、＋１０Ｖ付近から素子は肉眼ではっきりと分かる程度の発光を開始し、＋２１Ｖにおいて４０ｃｄ／ｍ２で発光した。この素子の最大電流効率は＋１９Ｖで０．０５５ｃｄ／Ａであった。【０３５１】実施例６６  Ａｕ（ＰＣｙ３）（５Ｆ−８ＱＥ）錯体を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製（２）
ホールブロック層（５）と電極（６）の間に、Ａｌｑからなる電子輸送層（７）を３０ｎｍ、真空蒸着した以外は実施例６５と同様にしてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。
前記素子のＩＴＯ電極（２）を正極、Ａｌ電極（６）を負極として通電し電極間電圧を上げていくと、＋１１Ｖ付近から素子は肉眼ではっきりと分かる程度の発光を開始し、＋２３Ｖにおいて３７ｃｄ／ｍ２で発光した。この素子の最大電流効率は＋１５Ｖで０．１７ｃｄ／Ａであった。【０３５２】実施例６７  Ａｕ［Ｐ（ｏ−Ｔｏｌ）３］（５Ｃｌ−８ＱＥ）錯体を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製
ＩＴＯ被膜付きガラスを透明電極基板として用い、アルバック機工製真空蒸着装置を使用して、同基板上に２×１０−３Ｐａ以下の真空度で、ＴＰＤからなるホール輸送層（３）を膜厚４０ｎｍ、ｍＣＰ中にＡｕ［Ｐ（ｏ−Ｔｏｌ）３］（５Ｃｌ−８ＱＥ）錯体を９重量％含む発光層（４）を膜厚２０ｎｍ、ＴＡＺからなるホールブロック層（５）を３０ｎｍ、Ａｌｑからなる電子輸送層（７）を３０ｎｍ、Ａｌ電極（６）を１００ｎｍ、順次真空蒸着させてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。
なお、真空蒸着は、基板に対向して置かれた坩堝に原料を仕込み、坩堝ごと原料を加熱することによって行った。
前記素子のＩＴＯ電極（２）を正極、Ａｌ電極（６）を負極として通電し電極間電圧を上げていくと、＋１１Ｖ付近から素子は肉眼ではっきりと分かる程度の発光を開始し、＋２２Ｖにおいて３８ｃｄ／ｍ２で発光した。この素子の最大電流効率は＋１５Ｖで０．１８ｃｄ／Ａであった。【０３５３】実施例６８  Ａｕ（ＰＣｙ３）（５Ｃｌ−８ＱＥ）錯体を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製
ＩＴＯ被膜付きガラスを透明電極基板として用い、アルバック機工製真空蒸着装置を使用して、同基板上に２×１０−３Ｐａ以下の真空度で、ＴＰＤからなるホール輸送層（３）を膜厚４０ｎｍ、ｍＣＰ中にＡｕ（ＰＣｙ３）（５Ｃｌ−８ＱＥ）錯体を９重量％含む発光層（４）を膜厚２０ｎｍ、ＴＡＺからなるホールブロック層（５）を３０ｎｍ、Ａｌ電極（６）を１００ｎｍ、順次真空蒸着させてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。
なお、真空蒸着は、基板に対向して置かれた坩堝に原料を仕込み、坩堝ごと原料を加熱することによって行った。
前記素子のＩＴＯ電極（２）を正極、Ａｌ電極（６）を負極として通電し電極間電圧を上げていくと、＋１２Ｖ付近から素子は肉眼ではっきりと分かる程度の発光を開始し、＋１８Ｖにおいて１３ｃｄ／ｍ２で発光した。このときの最大電流効率は０．０２５ｃｄ／Ａであった。【０３５４】実施例６９  Ａｕ（ＰＣｙ３）（５Ｃｌ−８ＱＥ）錯体を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製（２）
ホールブロック層（５）と電極（６）の間に、Ａｌｑからなる電子輸送層（７）を３０ｎｍ、真空蒸着した以外は実施例６８と同様にしてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。
前記素子のＩＴＯ電極（２）を正極、Ａｌ電極（６）を負極として通電し電極間電圧を上げていくと、＋１１Ｖ付近から素子は肉眼ではっきりと分かる程度の発光を開始し、＋２３Ｖにおいて３２ｃｄ／ｍ２で発光した。この素子の最大電流効率は＋１６Ｖで０．１６ｃｄ／Ａであった。【０３５５】実施例７０  Ａｕ（ＰＰｈ３）（６ＱＥ）錯体を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製
ＩＴＯ被膜付きガラスを透明電極基板として用い、アルバック機工製真空蒸着装置を使用して、同基板上に２×１０−３Ｐａ以下の真空度で、ＴＰＤからなるホール輸送層（３）を膜厚４０ｎｍ、ＣＢＰ中にＡｕ（ＰＰｈ３）（６ＱＥ）錯体を９重量％含む発光層（４）を膜厚３０ｎｍ、ＴＡＺからなるホールブロック層（５）を３０ｎｍ、電極（６）としてアルミニウム（Ａｌ）を１００ｎｍ、順次真空蒸着させてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。
前記素子のＩＴＯ電極（２）を正極、Ａｌ電極（６）を負極として通電し電極間電圧を上げていくと、＋１１Ｖ付近から素子は肉眼ではっきりと分かる程度の発光を開始し、＋２３Ｖにおいて１８ｃｄ／ｍ２で発光した。この素子の最大電流効率は＋１４Ｖにおける０．１３ｃｄ／Ａであった。【０３５６】実施例７１  Ａｕ（ＰＰｈ３）（６ＱＥ）錯体を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製（２）
ホールブロック層（５）と電極（６）の間に、Ａｌｑからなる電子輸送層（７）を３０ｎｍ、真空蒸着した以外は実施例７０と同様にしてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。
前記素子のＩＴＯ電極（２）を正極、Ａｌ電極（６）を負極として通電し電極間電圧を上げていくと、＋１４Ｖ付近から素子は肉眼ではっきりと分かる程度の発光を開始し、＋２７Ｖにおいて１９ｃｄ／ｍ２で発光した。この素子の最大電流効率は＋１８Ｖにおける０．１１ｃｄ／Ａであった。【０３５７】実施例７２  Ａｕ（ＰＰｈ３）（５ＱＥ）錯体を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製（２）
ＩＴＯ被膜付きガラスを透明電極基板として用い、同基板上に２×１０−３Ｐａ以下の真空度で、ＴＰＤからなるホール輸送層（３）を膜厚４０ｎｍ、ｍＣＰ中にＡｕ（ＰＰｈ３）（５ＱＥ）錯体を９重量％含む発光層（４）を膜厚３０ｎｍ、ＴＡＺからなるホールブロック層（５）を３０ｎｍ、電極（６）としてアルミニウム（Ａｌ）を１００ｎｍ、順次真空蒸着させてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。
前記素子のＩＴＯ電極（２）を正極、Ａｌ電極（６）を負極として通電し電極間電圧を上げていくと、＋１２Ｖ付近から素子は肉眼ではっきりと分かる程度の発光を開始し、＋２０Ｖにおいて１５ｃｄ／ｍ２で発光した。この素子の最大電流効率は＋１８Ｖにおける０．０１８ｃｄ／Ａであった。【０３５８】実施例７３  Ａｕ（ＰＰｈ３）（５ＱＥ）錯体を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製（３）
ホールブロック層（５）と電極（６）の間に、Ａｌｑからなる電子輸送層（７）を３０ｎｍ、真空蒸着した以外は実施例７２と同様にしてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。
前記素子のＩＴＯ電極（２）を正極、Ａｌ電極（６）を負極として通電し電極間電圧を上げていくと、＋１１Ｖ付近から素子は肉眼ではっきりと分かる程度の発光を開始し、＋２３Ｖにおいて５．９ｃｄ／ｍ２で発光した。この素子の最大電流効率は＋１７Ｖにおける０．０２７ｃｄ／Ａであった。【０３５９】実施例７４  Ａｕ（ＰＰｈ３）（６ＱＥ）錯体を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製（３）
ＩＴＯ被膜付きガラスを透明電極基板として用い、同基板上に２×１０−３Ｐａ以下の真空度で、ＴＰＤからなるホール輸送層（３）を膜厚４０ｎｍ、ｍＣＰ中にＡｕ（ＰＰｈ３）（６ＱＥ）錯体を９重量％含む発光層（４）を膜厚３０ｎｍ、ＴＡＺからなるホールブロック層（５）を３０ｎｍ、電極（６）としてアルミニウム（Ａｌ）を１００ｎｍ、順次真空蒸着させてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。
前記素子のＩＴＯ電極（２）を正極、Ａｌ電極（６）を負極として通電し電極間電圧を上げていくと、＋１２Ｖ付近から素子は肉眼ではっきりと分かる程度の発光を開始し、＋２０Ｖにおいて２９ｃｄ／ｍ２で発光した。この素子の最大電流効率は＋１５Ｖにおける０．０７６ｃｄ／Ａであった。【０３６０】実施例７５  Ａｕ（ＰＰｈ３）（６ＱＥ）錯体を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製（４）
ホールブロック層（５）と電極（６）の間に、Ａｌｑからなる電子輸送層（７）を３０ｎｍ、真空蒸着した以外は実施例７４と同様にしてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。
前記素子のＩＴＯ電極（２）を正極、Ａｌ電極（６）を負極として通電し電極間電圧を上げていくと、＋１２Ｖ付近から素子は肉眼ではっきりと分かる程度の発光を開始し、＋２３Ｖにおいて３９ｃｄ／ｍ２で発光した。この素子の最大電流効率は＋１７Ｖにおける０．２１ｃｄ／Ａであった。【０３６１】実施例７６  Ａｕ（ＰＰｈ３）（２ＱＥ）錯体を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製
ＩＴＯ被膜付きガラスを透明電極基板として用い、同基板上に２×１０−３Ｐａ以下の真空度で、ＴＰＤからなるホール輸送層（３）を膜厚４０ｎｍ、ｍＣＰ中にＡｕ（ＰＰｈ３）（２ＱＥ）錯体を９重量％含む発光層（４）を膜厚３０ｎｍ、ＴＡＺからなるホールブロック層（５）を３０ｎｍ、電極（６）としてアルミニウム（Ａｌ）を１００ｎｍ、順次真空蒸着させてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。
前記素子のＩＴＯ電極（２）を正極、Ａｌ電極（６）を負極として通電し電極間電圧を上げていくと、＋９Ｖ付近から素子は肉眼ではっきりと分かる程度の発光を開始し、＋２３Ｖにおいて４１ｃｄ／ｍ２で発光した。この素子の最大電流効率は＋２１Ｖにおける０．０６４ｃｄ／Ａであった。【０３６２】実施例７７  Ａｕ（ＰＰｈ３）（２ＱＥ）錯体を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製（２）
ホールブロック層（５）と電極（６）の間に、Ａｌｑからなる電子輸送層（７）を３０ｎｍ、真空蒸着した以外は実施例７６と同様にしてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。
前記素子のＩＴＯ電極（２）を正極、Ａｌ電極（６）を負極として通電し電極間電圧を上げていくと、＋９Ｖ付近から素子は肉眼ではっきりと分かる程度の発光を開始し、＋２５Ｖにおいて２５ｃｄ／ｍ２で発光した。この素子の最大電流効率は＋１５Ｖにおける０．１６ｃｄ／Ａであった。【０３６３】実施例７８  Ａｕ（ＰＰｈ３）（７ＱＥ）錯体を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製
ＩＴＯ被膜付きガラスを透明電極基板として用い、同基板上に２×１０−３Ｐａ以下の真空度で、ＴＰＤからなるホール輸送層（３）を膜厚４０ｎｍ、ｍＣＰ中にＡｕ（ＰＰｈ３）（７ＱＥ）錯体を９重量％含む発光層（４）を膜厚３０ｎｍ、ＴＡＺからなるホールブロック層（５）を３０ｎｍ、電極（６）としてアルミニウム（Ａｌ）を１００ｎｍ、順次真空蒸着させてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。
前記素子のＩＴＯ電極（２）を正極、Ａｌ電極（６）を負極として通電し電極間電圧を上げていくと、＋８Ｖ付近から素子は肉眼ではっきりと分かる程度の発光を開始し、＋１９Ｖにおいて６５ｃｄ／ｍ２で発光した。この素子の最大電流効率は＋１２Ｖにおける０．２０ｃｄ／Ａであった。
また同素子の発光スペクトルを実施例５１と同様にして測定した。この素子の発光スペクトルは４００ｎｍ付近にピークを有しており、ＣＩＥ色度座標値を求めると（０．１６，０．１２）であった。【０３６４】実施例７９  Ａｕ（ＰＰｈ３）（７ＱＥ）錯体を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製（２）
ホールブロック層（５）と電極（６）の間に、Ａｌｑからなる電子輸送層（７）を３０ｎｍ、真空蒸着した以外は実施例７８と同様にしてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。
前記素子のＩＴＯ電極（２）を正極、Ａｌ電極（６）を負極として通電し電極間電圧を上げていくと、＋１１Ｖ付近から素子は肉眼ではっきりと分かる程度の発光を開始し、＋２１Ｖにおいて４２ｃｄ／ｍ２で発光した。この素子の最大電流効率は＋１６Ｖにおける０．１７ｃｄ／Ａであった。【０３６５】実施例８０  Ａｕ（ＰＰｈ３）（４ＱＥ）錯体を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製
ＩＴＯ被膜付きガラスを透明電極基板として用い、同基板上に２×１０−３Ｐａ以下の真空度で、ＴＰＤからなるホール輸送層（３）を膜厚４０ｎｍ、ｍＣＰ中にＡｕ（ＰＰｈ３）（４ＱＥ）錯体を９重量％含む発光層（４）を膜厚３０ｎｍ、ＴＡＺからなるホールブロック層（５）を３０ｎｍ、電極（６）としてアルミニウム（Ａｌ）を１００ｎｍ、順次真空蒸着させてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。
前記素子のＩＴＯ電極（２）を正極、Ａｌ電極（６）を負極として通電し電極間電圧を上げていくと、＋９Ｖ付近から素子は肉眼ではっきりと分かる程度の発光を開始し、＋２１Ｖにおいて４４ｃｄ／ｍ２で発光した。この素子の最大電流効率は＋１３Ｖにおける０．２１ｃｄ／Ａであった。【０３６６】実施例８１  Ａｕ（ＰＰｈ３）（４ＱＥ）錯体を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製（２）
ホールブロック層（５）と電極（６）の間に、Ａｌｑからなる電子輸送層（７）を３０ｎｍ、真空蒸着した以外は実施例８０と同様にしてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。
前記素子のＩＴＯ電極（２）を正極、Ａｌ電極（６）を負極として通電し電極間電圧を上げていくと、＋１０Ｖ付近から素子は肉眼ではっきりと分かる程度の発光を開始し、＋２４Ｖにおいて３３ｃｄ／ｍ２で発光した。この素子の最大電流効率は＋１５Ｖにおける０．１７ｃｄ／Ａであった。【０３６７】実施例８２  Ａｕ［Ｐ（ｉ−Ｐｒ）３］（８ＱＥ）錯体を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製
ＩＴＯ被膜付きガラスを透明電極基板として用い、同基板上に２×１０−３Ｐａ以下の真空度で、ＴＰＤからなるホール輸送層（３）を膜厚４０ｎｍ、ＣＢＰ中にＡｕ［Ｐ（ｉ−Ｐｒ）３］（８ＱＥ）錯体を９重量％含む発光層（４）を膜厚３０ｎｍ、ＴＡＺからなるホールブロック層（５）を３０ｎｍ、電極（６）としてアルミニウム（Ａｌ）を１００ｎｍ、順次真空蒸着させてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。
前記素子のＩＴＯ電極（２）を正極、Ａｌ電極（６）を負極として通電し電極間電圧を上げていくと、＋１０Ｖ付近から素子は肉眼ではっきりと分かる程度の発光を開始し、＋２３Ｖにおいて５６ｃｄ／ｍ２で発光した。この素子の最大電流効率は＋１４Ｖにおける０．１５ｃｄ／Ａであった。【０３６８】実施例８３  Ａｕ［Ｐ（ｉ−Ｐｒ）３］（８ＱＥ）錯体を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製（２）
ホールブロック層（５）と電極（６）の間に、Ａｌｑからなる電子輸送層（７）を３０ｎｍ、真空蒸着した以外は実施例８２と同様にしてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。
前記素子のＩＴＯ電極（２）を正極、Ａｌ電極（６）を負極として通電し電極間電圧を上げていくと、＋１２Ｖ付近から素子は肉眼ではっきりと分かる程度の発光を開始し、＋２５Ｖにおいて３４ｃｄ／ｍ２で発光した。この素子の最大電流効率は＋１９Ｖにおける０．０９９ｃｄ／Ａであった。【０３６９】実施例８４  Ａｕ（ＰＣｙ３）（８ＱＥ）錯体を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製
ＩＴＯ被膜付きガラスを透明電極基板として用い、同基板上に２×１０−３Ｐａ以下の真空度で、ＴＰＤからなるホール輸送層（３）を膜厚４０ｎｍ、ＣＢＰ中にＡｕ（ＰＣｙ３）（８ＱＥ）錯体を９重量％含む発光層（４）を膜厚３０ｎｍ、ＴＡＺからなるホールブロック層（５）を３０ｎｍ、電極（６）としてアルミニウム（Ａｌ）を１００ｎｍ、順次真空蒸着させてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。
前記素子のＩＴＯ電極（２）を正極、Ａｌ電極（６）を負極として通電し電極間電圧を上げていくと、＋８Ｖ付近から素子は肉眼ではっきりと分かる程度の発光を開始し、＋２２Ｖにおいて６８ｃｄ／ｍ２で発光した。この素子の最大電流効率は＋１１Ｖにおける０．１４ｃｄ／Ａであった。【０３７０】実施例８５  Ａｕ（ＰＣｙ３）（８ＱＥ）錯体を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製（２）
ホールブロック層（５）と電極（６）の間に、Ａｌｑからなる電子輸送層（７）を３０ｎｍ、真空蒸着した以外は実施例８４と同様にしてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。
前記素子のＩＴＯ電極（２）を正極、Ａｌ電極（６）を負極として通電し電極間電圧を上げていくと、＋１０Ｖ付近から素子は肉眼ではっきりと分かる程度の発光を開始し、＋２１Ｖにおいて５０ｃｄ／ｍ２で発光した。この素子の最大電流効率は＋１８Ｖにおける０．２０ｃｄ／Ａであった。【０３７１】実施例８６  Ａｕ（Ｐ（Ｍｅｓ）３）（８ＱＥ）錯体を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製
ＩＴＯ被膜付きガラスを透明電極基板として用い、同基板上に２×１０−３Ｐａ以下の真空度で、ＴＰＤからなるホール輸送層（３）を膜厚４０ｎｍ、ＣＢＰ中にＡｕ（Ｐ（Ｍｅｓ）３）（８ＱＥ）錯体を９重量％含む発光層（４）を膜厚３０ｎｍ、ＴＡＺからなるホールブロック層（５）を３０ｎｍ、電極（６）としてアルミニウム（Ａｌ）を１００ｎｍ、順次真空蒸着させてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。
前記素子のＩＴＯ電極（２）を正極、Ａｌ電極（６）を負極として通電し電極間電圧を上げていくと、＋１０Ｖ付近から素子は肉眼ではっきりと分かる程度の発光を開始し、＋２１Ｖにおいて６１ｃｄ／ｍ２で発光した。この素子の最大電流効率は＋１４Ｖにおける０．１２ｃｄ／Ａであった。【０３７２】実施例８７  Ａｕ（Ｐ（Ｍｅｓ）３）（８ＱＥ）錯体を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製（２）
ホールブロック層（５）と電極（６）の間に、Ａｌｑからなる電子輸送層（７）を３０ｎｍ、真空蒸着した以外は実施例８６と同様にしてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。
前記素子のＩＴＯ電極（２）を正極、Ａｌ電極（６）を負極として通電し電極間電圧を上げていくと、＋１０Ｖ付近から素子は肉眼ではっきりと分かる程度の発光を開始し、＋２３Ｖにおいて５２ｃｄ／ｍ２で発光した。この素子の最大電流効率は＋１６Ｖにおける０．１６ｃｄ／Ａであった。【０３７３】実施例８８  Ａｕ（Ｐ（ｐ−ＭｅＯＣ６Ｈ４））３］（８ＱＥ）錯体を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製
ＩＴＯ被膜付きガラスを透明電極基板として用い、同基板上に２×１０−３Ｐａ以下の真空度で、ＴＰＤからなるホール輸送層（３）を膜厚４０ｎｍ、ＣＢＰ中にＡｕ（Ｐ（ｐ−ＭｅＯＣ６Ｈ４））３］（８ＱＥ）錯体を９重量％含む発光層（４）を膜厚３０ｎｍ、ＴＡＺからなるホールブロック層（５）を３０ｎｍ、電極（６）としてアルミニウム（Ａｌ）を１００ｎｍ、順次真空蒸着させてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。
前記素子のＩＴＯ電極（２）を正極、Ａｌ電極（６）を負極として通電し電極間電圧を上げていくと、＋９Ｖ付近から素子は肉眼ではっきりと分かる程度の発光を開始し、＋２２Ｖにおいて６８ｃｄ／ｍ２で発光した。この素子の最大電流効率は＋１４Ｖにおける０．１８ｃｄ／Ａであった。【０３７４】実施例８９  Ａｕ（Ｐ（ｐ−ＭｅＯＣ６Ｈ４））３］（８ＱＥ）錯体を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製（２）
ホールブロック層（５）と電極（６）の間に、Ａｌｑからなる電子輸送層（７）を３０ｎｍ、真空蒸着した以外は実施例８８と同様にしてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。
前記素子のＩＴＯ電極（２）を正極、Ａｌ電極（６）を負極として通電し電極間電圧を上げていくと、＋１２Ｖ付近から素子は肉眼ではっきりと分かる程度の発光を開始し、＋２４Ｖにおいて３９ｃｄ／ｍ２で発光した。この素子の最大電流効率は＋１７Ｖにおける０．１７ｃｄ／Ａであった。【０３７５】実施例９０  Ａｕ（Ｐ（ｏ−Ｔｏｌ）３）（８ＱＥ）錯体を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製
ＩＴＯ被膜付きガラスを透明電極基板として用い、同基板上に２×１０−３Ｐａ以下の真空度で、ＴＰＤからなるホール輸送層（３）を膜厚４０ｎｍ、ＣＢＰ中にＡｕ（Ｐ（ｏ−Ｔｏｌ）３）（８ＱＥ）錯体を９重量％含む発光層（４）を膜厚３０ｎｍ、ＴＡＺからなるホールブロック層（５）を３０ｎｍ、電極（６）としてアルミニウム（Ａｌ）を１００ｎｍ、順次真空蒸着させてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。
前記素子のＩＴＯ電極（２）を正極、Ａｌ電極（６）を負極として通電し電極間電圧を上げていくと、＋９Ｖ付近から素子は肉眼ではっきりと分かる程度の発光を開始し、＋２３Ｖにおいて１０８ｃｄ／ｍ２で発光した。この素子の最大電流効率は＋１４Ｖにおける０．３１ｃｄ／Ａであった。【０３７６】実施例９１  Ａｕ（Ｐ（ｏ−Ｔｏｌ）３）（８ＱＥ）錯体を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製（２）
ホールブロック層（５）と電極（６）の間に、Ａｌｑからなる電子輸送層（７）を３０ｎｍ、真空蒸着した以外は実施例９０と同様にしてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。
前記素子のＩＴＯ電極（２）を正極、Ａｌ電極（６）を負極として通電し電極間電圧を上げていくと、＋１２Ｖ付近から素子は肉眼ではっきりと分かる程度の発光を開始し、＋２４Ｖにおいて３８ｃｄ／ｍ２で発光した。この素子の最大電流効率は＋１８Ｖにおける０．１５ｃｄ／Ａであった。【０３７７】実施例９２  Ｐｔ（ｄｍｐｅ）（８ＱＥ）２を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製
ＩＴＯ被膜付きガラスを透明電極基板として用い、アルバック機工製真空蒸着装置を使用して、同基板上に２×１０−３Ｐａ以下の真空度で、ＴＰＤからなるホール輸送層（３）を膜厚４０ｎｍ、ＣＢＰ中にＰｔ（ｄｍｐｅ）（８ＱＥ）２を９重量％含む発光層（４）を膜厚２０ｎｍ、ＴＡＺからなるホールブロック層（５）を２０ｎｍ、電極（６）としてアルミニウム（Ａｌ）を膜厚１００ｎｍ、順次真空蒸着させて図１に示すエレクトロルミネッセンス素子を作製した。【０３７８】  なお、真空蒸着は、基板に対向して置かれたアルミナ製坩堝に原料を仕込み、坩堝ごと原料をタングステンフィラメントを用いて加熱することによって行った。このとき坩堝に接触させた熱電対によって坩堝の温度を測定し、Ｐｔ（ｄｍｐｅ）（８ＱＥ）２を仕込んだ坩堝の温度は、２８０℃を超えない範囲に制御した。【０３７９】  前記素子のＩＴＯ電極（２）を正極、Ａｌ電極（６）を負極として通電し電極間電圧を上げていくと、＋１６Ｖ付近から素子は肉眼ではっきりと分かる程度の青白色の発光を開始し、＋２１Ｖにおいて８ｃｄ／ｍ２で発光した。このとき発光に係る電流効率を前記の式で求めたところ０．０９ｃｄ／Ａであった。【０３８０】実施例９３  Ｐｔ（ｄｍｐｅ）（８ＱＥ）２を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製
発光層（４）の膜厚を３０ｎｍ、ホールブロック層（５）の膜厚を３０ｎｍとした以外は実施例９２と同様にしてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。
前記素子のＩＴＯ電極を正極、Ａｌ電極を負極として通電し電極間電圧を上げていくと、＋１２Ｖ付近から素子は肉眼ではっきりと分かる程度の青白色発光を開始し、＋２０Ｖにおいて３３ｃｄ／ｍ２で発光した。このとき電流効率は０．３７ｃｄ／Ａであった。【０３８１】実施例９４  Ｐｔ（ｄｍｐｅ）（８ＱＥ）２を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製
ホールブロック層（５）とＡｌ電極（６）の間にＡｌｑからなる電子輸送層（７）を膜厚３０ｎｍで挿入した以外は実施例９３と同様にしてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。（図２参照）
前記素子のＩＴＯ電極を正極、Ａｌ電極を負極として通電し電極間電圧を上げていくと、＋１６Ｖ付近から素子は肉眼ではっきりと分かる程度の青白色発光を開始し、＋３２Ｖにおいて２０３ｃｄ／ｍ２で発光した。このとき電流効率は６．３ｃｄ／Ａであった。【０３８２】実施例９５  Ｐｔ（ｄｐｐｅ）（８ＱＥ）２を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製
ＩＴＯ被膜付きガラスを透明電極基板として用い、アルバック機工製真空蒸着装置を使用して、同基板上に２×１０−３Ｐａ以下の真空度で、ＴＰＤからなるホール輸送層（３）を膜厚４０ｎｍ、ＣＢＰ中にＰｔ（ｄｐｐｅ）（８ＱＥ）２を９重量％含む発光層（４）を膜厚３０ｎｍ、ＴＡＺからなるホールブロック層（５）を３０ｎｍ、電極（６）としてアルミニウム（Ａｌ）を膜厚１００ｎｍ、順次真空蒸着させてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。（図２参照）
前記素子のＩＴＯ電極を正極、Ａｌ電極を負極として通電し電極間電圧を上げていくと、＋２０Ｖ付近から素子は肉眼ではっきりと分かる程度の青白色発光を開始し、＋２５Ｖにおいて１４ｃｄ／ｍ２で発光した。このとき電流効率は０．３４ｃｄ／Ａであった。【０３８３】実施例９６  Ｐｔ（ｄｐｐｅ）（８ＱＥ）２を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製
ホールブロック層（５）とＡｌ電極（６）の間にＡｌｑからなる電子輸送層（７）を膜厚３０ｎｍで挿入した以外は実施例９５と同様にしてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。
前記素子のＩＴＯ電極を正極、Ａｌ電極を負極として通電し電極間電圧を上げていくと、＋２４Ｖ付近から素子は肉眼ではっきりと分かる程度の青白色発光を開始し、＋３１Ｖにおいて３６ｃｄ／ｍ２で発光した。このとき電流効率は０．１ｃｄ／Ａであった。【０３８４】実施例９７  Ｐｔ（ｄｍｐｅ）（７ＱＥ）２を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製
ＣＢＰ中にＰｔ（ｄｍｐｅ）（７ＱＥ）２を１０重量％含む発光層（４）を用いた以外は実施例９３と同様にしてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。
前記素子のＩＴＯ電極を正極、Ａｌ電極を負極として通電し電極間電圧を上げていくと、＋１１Ｖ付近から素子は肉眼ではっきりと分かる程度の白色発光を開始し、＋２２Ｖにおいて５．４ｃｄ／ｍ２で発光した。この素子の最大電流効率は＋１４Ｖにおける０．０７ｃｄ／Ａであった。【０３８５】実施例９８  Ｐｔ（ｄｍｐｅ）（７ＱＥ）２を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製
ホールブロック層（５）とＡｌ電極（６）の間にＡｌｑからなる電子輸送層（７）を膜厚３０ｎｍで挿入した以外は実施例９７と同様にしてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。
前記素子のＩＴＯ電極を正極、Ａｌ電極を負極として通電し電極間電圧を上げていくと、＋１６Ｖ付近から素子は肉眼ではっきりと分かる程度の発光を開始し、＋２７Ｖにおいて２２ｃｄ／ｍ２で発光した。この素子の最大電流効率は＋２０Ｖにおける０．１６ｃｄ／Ａであった。【０３８６】実施例９９  Ｐｔ（ｄｍｐｅ）（６ＱＥ）２を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製
ＣＢＰ中にＰｔ（ｄｍｐｅ）（６ＱＥ）２を９重量％含む発光層（４）を用いた以外は実施例９３と同様にしてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。
前記素子のＩＴＯ電極を正極、Ａｌ電極を負極として通電し電極間電圧を上げていくと、＋１２Ｖ付近から素子は肉眼ではっきりと分かる程度の白色発光を開始し、＋２７Ｖにおいて１０ｃｄ／ｍ２で発光した。この素子の最大電流効率は＋１４Ｖにおける０．０７ｃｄ／Ａであった。【０３８７】実施例１００  Ｐｔ（ｄｍｐｅ）（６ＱＥ）２を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製
ホールブロック層（５）とＡｌ電極（６）の間にＡｌｑからなる電子輸送層（７）を膜厚３０ｎｍで挿入した以外は実施例９８と同様にしてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。
前記素子のＩＴＯ電極を正極、Ａｌ電極を負極として通電し電極間電圧を上げていくと、＋１９Ｖ付近から素子は肉眼ではっきりと分かる程度の白色発光を開始し、＋３０Ｖにおいて２８ｃｄ／ｍ２で発光した。この素子の最大電流効率は＋２２Ｖにおける０．１３ｃｄ／Ａであった。【０３８８】実施例１０１  Ｐｔ（ｄｍｐｅ）（５ＱＥ）２を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製
ＣＢＰ中にＰｔ（ｄｍｐｅ）（５ＱＥ）２を９重量％含む発光層（４）を用いた以外は実施例９２と同様にしてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。
前記素子のＩＴＯ電極を正極、Ａｌ電極を負極として通電し電極間電圧を上げていくと、＋１０Ｖ付近から素子は肉眼ではっきりと分かる程度の青白色発光を開始し、＋２１Ｖにおいて９２ｃｄ／ｍ２で発光した。このとき電流効率は０．０９ｃｄ／Ａであった。【０３８９】実施例１０２  Ｐｔ（ｄｍｐｅ）（５ＱＥ）２を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製
発光層（４）の膜厚を３０ｎｍ、ホールブロック層（５）の膜厚を３０ｎｍとした以外は実施例１００と同様にしてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。
前記素子のＩＴＯ電極を正極、Ａｌ電極を負極として通電し電極間電圧を上げていくと、＋１２Ｖ付近から素子は肉眼ではっきりと分かる程度の青白色発光を開始し、＋２４Ｖにおいて６６ｃｄ／ｍ２で発光した。このとき電流効率は０．７１ｃｄ／Ａを示した。【０３９０】実施例１０３  Ｐｔ（ｄｍｐｅ）（５ＱＥ）２を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製
ホールブロック層（５）とＡｌ電極（６）の間にＡｌｑからなる電子輸送層（７）を膜厚３０ｎｍで挿入した以外は実施例１０２と同様にしてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。
前記素子のＩＴＯ電極を正極、Ａｌ電極を負極として通電し電極間電圧を上げていくと、＋１６Ｖ付近から素子は肉眼ではっきりと分かる程度の青白色発光を開始し、＋２９Ｖにおいて５１ｃｄ／ｍ２で発光した。このとき電流効率は０．５９ｃｄ／Ａであった。【０３９１】実施例１０４  Ｐｔ（ｄｍｐｅ）（４ＱＥ）２を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製
ＣＢＰ中にＰｔ（ｄｍｐｅ）（４ＱＥ）２を９重量％含む発光層（４）を用いた以外は実施例９３と同様にしてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。
前記素子のＩＴＯ電極を正極、Ａｌ電極を負極として通電し電極間電圧を上げていくと、＋１０Ｖ付近から素子は肉眼ではっきりと分かる程度の白色発光を開始し、＋１８Ｖにおいて５７ｃｄ／ｍ２で発光した。この時の最大電流効率は０．０７５ｃｄ／Ａであった。【０３９２】実施例１０５  Ｐｔ（ｄｍｐｅ）（４ＱＥ）２を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製
ホールブロック層（５）とＡｌ電極（６）の間にＡｌｑからなる電子輸送層（７）を膜厚３０ｎｍで挿入した以外は実施例９３と同様にしてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。
前記素子のＩＴＯ電極を正極、Ａｌ電極を負極として通電し電極間電圧を上げていくと、＋１４Ｖ付近から素子は肉眼ではっきりと分かる程度の白色発光を開始し、＋２５Ｖにおいて２２ｃｄ／ｍ２で発光した。この素子の最大電流効率は＋１９Ｖにおける０．２１ｃｄ／Ａであった。【０３９３】実施例１０６  Ｐｔ（ｄｍｐｅ）（３ＱＥ）２を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製
ＣＢＰ中にＰｔ（ｄｍｐｅ）（３ＱＥ）２を９重量％含む発光層（４）を用いた以外は実施例９３と同様にしてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。
前記素子のＩＴＯ電極を正極、Ａｌ電極を負極として通電し電極間電圧を上げていくと、＋１３Ｖ付近から素子は肉眼ではっきりと分かる程度の白色発光を開始し、＋２３Ｖにおいて１４ｃｄ／ｍ２で発光した。この素子の最大電流効率は＋１４Ｖにおける０．１４ｃｄ／Ａであった。【０３９４】実施例１０７  Ｐｔ（ｄｍｐｅ）（３ＱＥ）２を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製
ホールブロック層（５）とＡｌ電極（６）の間にＡｌｑからなる電子輸送層（７）を膜厚３０ｎｍで挿入した以外は実施例１０６と同様にしてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。
前記素子のＩＴＯ電極を正極、Ａｌ電極を負極として通電し電極間電圧を上げていくと、＋１９Ｖ付近から素子は肉眼ではっきりと分かる程度の白色発光を開始し、＋３０Ｖにおいて３８ｃｄ／ｍ２で発光した。この素子の最大電流効率は＋２１Ｖにおける０．１６ｃｄ／Ａであった。【０３９５】実施例１０８  Ｐｔ（ｄｍｐｅ）（２ＱＥ）２を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製
ＣＢＰ中にＰｔ（ｄｍｐｅ）（２ＱＥ）２を９重量％含む発光層（４）を用いた以外は実施例９３と同様にしてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。
前記素子のＩＴＯ電極を正極、Ａｌ電極を負極として通電し電極間電圧を上げていくと、＋１２Ｖ付近から素子は肉眼ではっきりと分かる程度の白色発光を開始し、＋２２Ｖにおいて９ｃｄ／ｍ２で発光した。この素子の最大電流効率は＋１７Ｖにおける０．１１ｃｄ／Ａであった。【０３９６】実施例１０９  Ｐｔ（ｄｍｐｅ）（２ＱＥ）２を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製
ホールブロック層（５）とＡｌ電極（６）の間にＡｌｑからなる電子輸送層（７）を膜厚３０ｎｍで挿入した以外は実施例１０８と同様にしてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。
前記素子のＩＴＯ電極を正極、Ａｌ電極を負極として通電し電極間電圧を上げていくと、＋１９Ｖ付近から素子は肉眼ではっきりと分かる程度の白色発光を開始し、＋２６Ｖにおいて２２ｃｄ／ｍ２で発光した。この素子の最大電流効率は＋２１Ｖにおける０．１３ｃｄ／Ａであった。【０３９７】実施例１１０  Ｐｔ（ｄｍｐｅ）（８ＱＥ）２を有機発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製
ＩＴＯ被膜付きガラスを透明電極基板として用い、アルバック機工製真空蒸着装置を使用して、同基板上に２×１０−３Ｐａ以下の真空度で、ＴＰＤからなるホール輸送層（３）を膜厚４０ｎｍ、ＣＢＰ中にＰｔ（ｄｍｐｅ）（８ＱＥ）２を９重量％含む発光層（４）を膜厚３０ｎｍ、ＴＡＺからなるホールブロック層（５）を３０ｎｍ、Ａｌｑからなる電子輸送層（７）を膜厚３０ｎｍ、電極（６）としてアルミニウム（Ａｌ）を膜厚１００ｎｍ、順次真空蒸着させてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。
前記素子のＩＴＯ電極を正極、Ａｌ電極を負極として通電し電極間電圧を上げていくと、＋１６Ｖ付近から素子は肉眼ではっきりと分かる程度の青色発光を開始し、＋３２Ｖにおいて２０３ｃｄ／ｍ２で発光した。このとき電流効率は６．３ｃｄ／Ａであった。
【産業上の利用可能性】
【０３９８】  本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子用の青色又は白色発光材料に有用な上記式（１）で示されるエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物重金属錯体及び同錯体を有機化合物薄層の内、少なくとも１つに含む有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することができる。この有機エレクトロルミネッセンス素子は電圧印加により青色又は白色の発光を示す。
本発明によれば、また、副生成物を殆ど生成することなく、収率良く上記式（１）で示されるエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物重金属錯体を製造する方法を提供することができる。
本発明は、更に、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料の原料として有用であるエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物（上記式（２））を収率良く製造する方法を提供すると共に、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料の原料として有用な新規のエチニル基置換縮合ヘテロ環化合物（上記式（４））を提供することができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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