(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ボディ本体内に形成された流体を流通させるための流体流路と、該流体流路内に配置された少なくとも一以上のフッ素樹脂からなるダイヤフラムとを備えた半導体製造に用いる流体機器において、
前記ダイヤフラムの外周部に耐蝕性を有する導電性部材が前記流体流路側に前記外周部を貫通して設置され、前記ボディ本体には前記導電性部材をアースするアース手段が設けられていることを特徴とする流体機器の絶縁破壊防止構造。
【請求項２】
前記流体流路内に形成された弁室内に配置され、該弁室内の弁座をシールする弁部を有する弁機構体と前記ダイヤフラムとが一体に形成されている請求項１に記載の流体機器の絶縁破壊防止構造。
【請求項３】
前記導電性部材が前記ダイヤフラムの外周部に圧入によって設置されている請求項１又は２に記載の流体機器の絶縁破壊防止構造。
【請求項４】
前記導電性部材が環状封止部材によって前記ダイヤフラムの外周部に固定されている請求項３に記載の流体機器の絶縁破壊防止構造。
【請求項５】
前記導電性部材がシリコンカーバイドからなる請求項１ないし４の何れか１項に記載の流体機器の絶縁破壊防止構造。
【請求項６】
前記導電性部材がジルコニアからなる請求項１ないし４の何れか１項に記載の流体機器の絶縁破壊防止構造。
【請求項７】
前記導電性部材がガラス状カーボンからなる請求項１ないし４の何れか１項に記載の流体機器の絶縁破壊防止構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造に用いる流体機器の絶縁破壊防止構造に関し、特に、ダイヤフラムの絶縁破壊を防止することができる流体機器の絶縁破壊防止構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体製造等の分野において、例えば、半導体製造装置の洗浄を行うに際し、薬液や超音波等の物理作用を用いることなく、浸透性の高い超純水のスチームをウエハーと付着物との間に浸透させ、それらの結合力を弱めて付着物をウエハーから剥がすスチーム洗浄を応用した剥離装置又は洗浄装置が好適に使用される。このように、超純水のスチームを利用して付着物の剥離や洗浄を行った場合、ランニングコストや環境負荷等を削減する利点がある。
【０００３】
しかしながら、上記の如く超純水のスチームを移送する際には、半導体製造装置の流路内で前記超純水のスチームとの摩擦によって静電気が発生することがある。特に、調節弁や制御弁等に用いられる樹脂製のダイヤフラム弁は、弁室内の弁座をシールする弁部と薄肉の膜部を有するダイヤフラムとを備えた弁機構体が頻繁に作動するので、前記スチームとの摩擦が多く、静電気の発生箇所になりやすく、前記弁機構体が過剰に帯電するおそれがある。そのため、弁機構体におけるダイヤフラムの薄肉の膜部では、静電気が過剰に帯電することによって絶縁破壊が起こってしまう。
【０００４】
上記の静電気によるダイヤフラムの膜部の絶縁破壊は、図７に示すように、ダイヤフラム弁内で発生した静電気の電圧が上昇（約５０００Ｖ〜１００００Ｖ以上）した際に放電Ｅが起こり（図７（ａ）参照）、この放電Ｅが繰り返されることによってダイヤフラム弁内（ダイヤフラムの膜部３４１）の表面が浸食（３４１Ａ）されて（図７（ｂ）参照）、局部的に浸食（３４１Ａ）によるくぼみ３４１Ｂ（ピット）が形成され（図７（ｃ）参照）、このくぼみ３４１Ｂに放電Ｅが集中することによって局部的に破壊されてツリー状の裂傷３４１Ｃとして進行して発生する（図７（ｄ）参照）。この裂傷３４１Ｃは、数百マイクロメートル程度の微細な中空の管状に形成されるものであり、ダイヤフラムの膜部３４１で発生した場合には、流体が外部へ漏洩する要因となることが懸念されている。
【０００５】
ところで、従来では、樹脂製の部材の帯電を防止するものとして、例えば、樹脂製のチューブ本体の外周面（流体との非接触面）に所定の間隔で導電性物質が含有された導電性部材を形成した帯電防止チューブが知られている（例えば、特許文献１参照）。しかしながら、樹脂製のダイヤフラム弁においては、ダイヤフラムの膜部は薄肉に形成されて屈曲作動可能に構成される必要があるため、前記帯電防止チューブの如く、ダイヤフラムの膜部裏面（流体との非接触面）側に導電性物質が含有された導電性部材を配置するには適していない。すなわち、導電性部材をダイヤフラムの膜部裏面に配置することにより、前記膜部の屈曲作動に必要な柔軟性等が失われて正常な作動の妨げとなり、さらに、ダイヤフラムの膜部は頻繁に屈曲作動するものであるから、長期間使用すると屈曲疲労等によって前記膜部が損傷し流体が漏洩する危険が避けられず、その際に前記導電部と漏洩した流体とが接触して導電性物質の金属イオンが溶出し、流路やウエハー等を汚染するおそれがある。
【０００６】
上記の如く、樹脂製のダイヤフラム弁では、ダイヤフラムの性質上、過剰に帯電した際に発生する絶縁破壊を有効的に防ぐことが困難であった。また、このようなダイヤフラムの絶縁破壊は、前述のダイヤフラム弁のみならず、流量センサやインジェクター等のダイヤフラムを有する流体機器全般で発生することが懸念される。そこで、近年では、ダイヤフラムの特性を妨げることなく簡易な構成によって、有効的にダイヤフラムの膜部の絶縁破壊を防止することができる流体機器が切望されている。
【特許文献１】特開２００３−４１７６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は前記の点に鑑みなされたものであり、フッ素樹脂からなるダイヤフラムの特性を妨げることなく簡易な構成によってダイヤフラムの膜部の絶縁破壊を防止することができる新規な半導体製造に用いる流体機器の絶縁破壊防止構造を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
すなわち、請求項１の発明は、ボディ本体内に形成された流体を流通させるための流体流路と、該流体流路内に配置された少なくとも一以上のフッ素樹脂からなるダイヤフラムとを備えた半導体製造に用いる流体機器において、前記ダイヤフラムの外周部に耐蝕性を有する導電性部材が前記流体流路側に前記外周部を貫通して設置され、前記ボディ本体には前記導電性部材をアースするアース手段が設けられていることを特徴とする流体機器の絶縁破壊防止構造に係る。
【０００９】
請求項２の発明は、前記流体流路内に形成された弁室内に配置され、該弁室内の弁座をシールする弁部を有する弁機構体と前記ダイヤフラムとが一体に形成されている請求項１に記載の流体機器の絶縁破壊防止構造に係る。
【００１０】
請求項３の発明は、前記導電性部材が前記ダイヤフラムの外周部に圧入によって設置されている請求項１又は２に記載の流体機器の絶縁破壊防止構造に係る
【００１１】
請求項４の発明は、前記導電性部材が環状封止部材によって前記ダイヤフラムの外周部に固定されている請求項３に記載の流体機器の絶縁破壊防止構造に係る。
【００１２】
請求項５の発明は、前記導電性部材がシリコンカーバイドからなる請求項１ないし４の何れか１項に記載の流体機器の絶縁破壊防止構造に係る。
【００１３】
請求項６の発明は、前記導電性部材がジルコニアからなる請求項１ないし４の何れか１項に記載の流体機器の絶縁破壊防止構造に係る。
【００１４】
請求項７の発明は、前記導電性部材がガラス状カーボンからなる請求項１ないし４の何れか１項に記載の流体機器の絶縁破壊防止構造に係る。
【発明の効果】
【００１５】
請求項１の発明に係る流体機器の絶縁破壊防止構造によれば、ボディ本体内に形成された流体を流通させるための流体流路と、該流体流路内に配置された少なくとも一以上のフッ素樹脂からなるダイヤフラムとを備えた半導体製造に用いる流体機器において、前記ダイヤフラムの外周部に耐蝕性を有する導電性部材が前記流体流路側に前記外周部を貫通して設置され、前記ボディ本体には前記導電性部材をアースするアース手段が設けられているため、ダイヤフラムの膜部の屈曲作動等を妨げることがなく正常に作動させることができるとともに、導電性部材と流体との接触によって金属イオンの溶出を抑制し、極めて簡易な構成によってダイヤフラムの膜部の絶縁破壊を防止することができる。また、極めて簡易な構成で前記膜部の屈曲作動を妨げずに導電性部材をダイヤフラムに配置することができる。
【００１６】
請求項２によれば、請求項１において、前記流体流路内に形成された弁室内に配置され、該弁室内の弁座をシールする弁部を有する弁機構体と前記ダイヤフラムとが一体に形成されているため、ダイヤフラムの膜部が頻繁に屈曲作動するダイヤフラム弁に極めて好適に適用することができる。
【００１７】
請求項３によれば、請求項１又は２において、前記導電性部材が前記ダイヤフラムの外周部に圧入によって設置されているため、前記ダイヤフラムに導電性部材を容易に固定することができ、パーティクルの発生を防止するとともに、弁室内を流通する流体が前記弁室外に漏洩することを防止することができる。
【００１８】
請求項４によれば、請求項３において、前記導電性部材が環状封止部材によって前記ダイヤフラムの外周部に固定されているため、より確実に流体の漏洩を防止することができる。
【００１９】
請求項５によれば、請求項１ないし４において、前記導電性部材がシリコンカーバイドからなるため、半導体製造等に使用される流体と接触しても金属イオンの溶出を抑制し、優れた導電性を発揮することができ、当該流体機器の導電性部材として極めて有効的に用いることができる。
【００２０】
請求項６によれば、請求項１ないし４において、前記導電性部材がジルコニアからなるため、半導体製造等に使用される流体と接触しても金属イオンの溶出を抑制し、優れた導電性を発揮することができ、当該流体機器の導電性部材として極めて有効的に用いることができる。
【００２１】
請求項７によれば、請求項１ないし４において、前記導電性部材がガラス状カーボンからなるため、半導体製造等に使用される流体と接触しても金属イオンの溶出を抑制し、優れた導電性を発揮することができ、当該流体機器の導電性部材として極めて有効的に用いることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下添付の図面に従ってこの発明を詳細に説明する。
図１は本発明の一実施例に係る流体機器の要部断面図、図２は図１の流体機器のダイヤフラム外周部近傍の拡大断面図、図３は第二実施例に係る流体機器のダイヤフラム外周部近傍の拡大断面図、図４は第三実施例に係る流体機器のダイヤフラム外周部近傍の拡大断面図、図５は本発明の絶縁破壊防止構造を備えた流量センサの断面図、図６は本発明の絶縁破壊構造を備えたインジェクターの断面図である。
【００２３】
図１に示す流体機器１０は、ボディ本体１１内に形成された流体を流通させるための流体流路２０と、該流体流路２０内に配置されたダイヤフラム４０，５０とを備える。実施例の流体機器１０は、流体流路２０内に形成された弁室２３内に配置され該弁室２３内の弁座２５をシールする弁部３５を有する弁機構体３０に、前記ダイヤフラム４０，５０が一体に形成されたダイヤフラム弁である。図において、符号４４はダイヤフラム４０をボディ本体１１にシールするためのフッ素樹脂ゴムからなる環状弾性部材、５４はダイヤフラム５０をボディ本体１１にシールするためのフッ素樹脂ゴムからなる環状弾性部材、６０は加圧空気によって弁機構体３０を進退させる加圧手段、６１はその加圧室、６５はバネ等によって弁機構体３０を流体流路２０側に常時付勢する加圧手段、６６はその加圧室、６７は加圧室６６内の空気の出入りを行う呼吸口である。
【００２４】
ボディ本体１１は、フッ素樹脂等の耐蝕性及び耐薬品性の高い樹脂からなる本体部１２と、本体部１２の上部に配置された金属製の上カバー部１３と、本体部１２の下部に配置された金属製の下カバー部１４とからなる。該ボディ本体１１では、上カバー部１３に前記本体部１２を貫通して下カバー部１４まで到達し、前記上カバー部１３及び下カバー部１４を本体部１２に一体に固定する複数の金属ボルト１５が設けられている。また、下カバー部１４には、アース線１７によって接地されたアース部材１６が設けられている。なお、前記上カバー部１３及び下カバー部１４は、金属製の他、導電性の樹脂等の導電性を有する適宜の材料によって構成してもよい。
【００２５】
流体流路２０は、ボディ本体１１の本体部１２内に形成され、流体の流出入のための第１開口２１及び第２開口２２が弁座２５を有する弁室２３を介して設けられている。図中の符号２３Ａは第１開口側の弁室、２３Ｂは第２開口側の弁室である。
【００２６】
弁機構体３０は、フッ素樹脂等の耐蝕性及び耐薬品性の高い樹脂からなり、弁室２３内に配置され、弁座２５をシールする弁部３５と、第１開口２１側に配されたダイヤフラム４０と、第２開口２２側に配されたダイヤフラム５０とを一体に有する。図において、符号３１はダイヤフラム４０側の弁軸、３２はダイヤフラム５０側の弁軸、３３は弁機構体３０と一体に形成されたバネによる加圧手段６５のホルダーを表す。
【００２７】
ダイヤフラム４０は、フッ素樹脂等の耐蝕性及び耐薬品性の高い樹脂からなり、図１及び図２に示すように、弁機構体３０の弁軸３１に一体に形成され、前記弁機構体３０が進退する際に屈曲作動する薄肉の膜部４１と、ボディ本体１１に固定される外周部４２とを有し、前記膜部４１近傍に耐蝕性を有する導電性部材４５が流体流路２０（第１開口側の弁室２３Ａ）側に貫通して設置されている。図２において、符号１２ａはボディ本体１１の本体部１２に形成されたダイヤフラム４０を押圧保持するための突部である。
【００２８】
このダイヤフラム４０では、膜部４１の屈曲作動を妨げないために、導電性部材４５が前記膜部４１に直接設置されない構成とされ、特に、図示しかつ請求項１の発明として規定したように、導電性部材４５をダイヤフラム４０の外周部４２に設置することによって、極めて簡易な構成で前記膜部４１の屈曲作動を妨げずに導電性部材４５をダイヤフラム４０に配置することができる。
【００２９】
また、このダイヤフラム４０には、外周部４２に導電性部材４５を設置するための貫通穴４３が形成されていて、前記貫通穴４３に導電性部材４５が嵌挿されるように構成される。実施例では、導電性部材４５がダイヤフラム４０の流体接触面４１Ａと面一となるように設置されているが、前記導電性部材４５が流体流路２０（第１開口側弁室２３Ａ）内を流通する流体と接触可能であればよく、例えば、前記液体接触面４１Ａから突出しても構わない。さらに、この実施例では、前記貫通穴４３が導電性部材４５より小径に形成されていて、請求項３の発明として規定したように、導電性部材４５がダイヤフラム４０に圧入によって設置されるように構成される。このように、導電性部材４５をダイヤフラム４０に圧入することにより、前記ダイヤフラム４０に導電性部材４５を容易に固定することができ、パーティクルの発生を防止するとともに、流体が前記貫通穴４３から流体流路２０（第１開口側弁室２３Ａ）外に漏洩することを防止することができる。特に、図示しかつ請求項４の発明として規定したように、導電性部材４５を環状封止部材４６によってダイヤフラム４０に固定すれば、より確実に流体の漏洩を防止することができる。なお、環状封止部材４６は、耐蝕性の観点からフッ素樹脂ゴムによって形成される。
【００３０】
一方、耐蝕性を有する導電性部材４５としては、請求項５の発明として規定したように、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）によって構成することが好ましく勧められる。シリコンカーバイドは、高い耐蝕性を有することに加え、近年、半導体として好適に使用されるシリコン（Ｓｉ）の物性値の限界を超える低い電力損失や、高速スイッチ、高温動作等が注目されている。このシリコンカーバイドは、真性半導体もしくは導電性を向上させた不純物半導体として使用される。このように、シリコンカーバイドは半導体としての機能を有するので、流体機器１０内に高電圧の静電気が発生した場合に導体として機能し、前記静電気を極めて効果的に流体機器１０外へ放電することができる。したがって、半導体製造等に使用される流体と接触しても金属イオンの溶出を抑制し、優れた導電性を発揮することができ、当該流体機器１０の導電性部材４５として極めて有効的に用いることができる。なお、前記導電性部材４５としては、シリコンカーバイドの他、ジルコニアまたはガラス状カーボンを用いた場合であっても、高い耐蝕性を有し、優れた導電性を発揮することができるので、当該流体機器１０内を流通させる流体に応じて、適宜有効的に選択して使用することができる。
【００３１】
また、ダイヤフラム５０は、図１に示すように、弁機構体３０の弁軸３２に一体に形成され、前記弁機構体３０が進退する際に屈曲作動する薄肉の膜部５１と、ボディ本体１１に固定される外周部５２とを有し、前記膜部５１近傍に耐蝕性を有する導電性部材５５が流体流路２０（第２開口側の弁室２３Ｂ）側に貫通して設置されている。このダイヤフラム５０は、前記ダイヤフラム４０とほぼ同様に構成されたものであって、図中の符号５３は導電性部材５５が圧入される貫通穴、５６は導電性部材５５をダイヤフラム５０に固定する環状封止部材である。なお、導電性部材５５としては、前記導電性部材４５と同様に、シリコンカーバイドの他、ジルコニアまたはガラス状カーボンが好適に使用されるのはいうまでもない。
【００３２】
次に、当該流体機器１０の作用について説明する。この流体機器１０では、超純水のスチーム等の流体との摩擦によって弁機構体３０で静電気が発生した際に、ダイヤフラム４０の膜部４１近傍に流体流路２０（第１開口側弁室２３Ａ）側に貫通して配置された導電性部材４５が前記流体と接触することによって、前記静電気が導電性部材４５を介して流体機器１０外に放電される。その際、導電性部材４５がボディ本体１１の金属からなる上カバー部１３と接しているため、静電気は、上カバー部１３から金属ボルト１５及び金属製の下カバー部１４を経て、アース部材１６に接続されたアース線１７を介してアースされるように構成される。
【００３３】
また、同様に、ダイヤフラム５０の膜部５１近傍に流体流路２０（第２開口側の弁室２３Ｂ）側に貫通して配置された導電性部材５５が前記流体と接触することによって、静電気が導電性部材５５から金属製の下カバー部１４を経て、アース部材１６に接続されたアース線１７を介してアースされるように構成される。なお、この実施例にあっては、金属製の上カバー部１３及び下カバー部１４、金属ボルト１５、アース部材１６及びアース線１７がアース手段として機能する。
【００３４】
上記の如く構成された流体機器１０にあっては、フッ素樹脂からなるダイヤフラム４０，５０の膜部４１，５１近傍となるダイヤフラムの外周部において耐蝕性を有する導電性部材４５，５５が前記流体流路２０側に貫通して設置され、前記ボディ本体１１には前記導電性部材４５，５５をアースするアース手段（この例では、上カバー部１３，下カバー部１４，金属ボルト１５，アース部材１６，アース線１７）が設けられているため、ダイヤフラム４０，５０の膜部４１，５１の屈曲作動等を妨げることがなく正常に作動させることができるとともに、導電性部材４５，５５と流体との接触によって金属イオンの溶出を抑制し、極めて簡易な構成によってダイヤフラム４０，５０の膜部４１，５１の絶縁破壊を防止することができる。
【００３５】
なお、本発明の流体機器の絶縁破壊防止構造は、前述の実施例のみに限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲において構成の一部を適宜に変更して実施することができる。例えば、実施例では、ダイヤフラムを２枚形成したが、１枚あるいはそれ以上であっても構わない。
【００３６】
また、実施例では、導電性部材４５を金属製の上カバー部１３に接触させて放電するように構成したが、図３に示すように、導電性部材４５と上カバー部１３との間にわずかな隙間Ｓを設けて配置するように構成しても構わない。この隙間Ｓは、ダイヤフラム４０の膜部４１と上カバー部１３との距離より小さく、空中放電可能な距離であれば、導電性部材４５を金属製の上カバー部１３に接触させた状態と同様に放電することができる。
【００３７】
さらに、実施例では、上カバー部１３を金属によって構成したが、図４に示すように、本体部１２と同様に樹脂製の上カバー部１３Ａとして構成してもよく、その場合は、導電性部材４５と樹脂製の上カバー部１３Ａとの間に導電性を有する金属板や導電性の樹脂等の導電性を有する適宜の材料からなるアース部材１６Ａを設け、アース線１７と接続して接地することにより、アースを行うようにしてもよい。
【００３８】
また、図３及び図４の実施例では、一のダイヤフラム４０を用いて説明したが、他のダイヤフラム５０においても同様に構成することができる。
【００３９】
なお、前述の各実施例では、流体機器としてダイヤフラム弁を用いて説明したが、これに限らず、流量センサやインジェクター等のダイヤフラムを有する適宜の流体機器にも適用することができる。
【００４０】
例えば、図５に図示の流量センサ１００は、ボディ本体１１１内に形成された流体流路１２０のチャンバ１２３内に、フッ素樹脂からなるダイヤフラム１４０，１５０が対向配置されて前記チャンバ１２３を第１チャンバ１２３Ａ，第２チャンバ１２３Ｂに区画するとともに、前記ダイヤフラム１４０，１５０間に荷重差センサ１６０が当接配置されている。当該流量センサ１００では、図示したことからよく理解されるように、ダイヤフラム１４０の外周部１４２に導電性部材１４５が圧入されるとともに、ダイヤフラム１５０の外周部１５２に導電性部材１５５が圧入されている。そして、前記チャンバ１２３内に固定配置された荷重差センサ１６０の導電性を有する（例えば、金属製）外周枠部材１６１をダイヤフラム１４０，１５０の各外周部１４２，１５２に当接させ、該外周枠部材１６１にアース線１１７によって接地されたアース部材１１６を設けるように構成される。このように、流量センサ１００のダイヤフラム１４０，１５０に導電性部材１４５，１５５を配置した場合であっても、前述のダイヤフラム弁からなる流量器機１０と同様に、極めて効果的にダイヤフラムの絶縁破壊を防止することができる。
【００４１】
図５において、符号１１３はボディ本体１１１の第１カバー体、１１４は同じく第２カバー体、１２１は第１開口、１２２は第２開口、１２４は第１チャンバ１２３Ａと第２チャンバ１２３Ｂを接続する接続流路、１２５はオリフィス部、１３１，１３２は受圧部、１４１はダイヤフラム１４０の膜部、１４６は導電性部材１４５のための環状封止部材、１５１はダイヤフラム１５０の膜部、１５６は導電性部材１５５のための環状封止部材、１６２は荷重差センサ１６０の中心部材、１６３，１６４は荷重差センサ１６０の結合凸部、１６６はダイヤフラム１４０の変位制限部材、１６７はダイヤフラム１５０の変位制限部材を表す。
【００４２】
また、図６に示すインジェクター２００は、ボディ本体２１１内に形成された流体流路２２０のチャンバ２２３内に、フッ素樹脂からなるダイヤフラム２４０，２５０が連結部材２３３によって一体動自在に連結されている与圧機構体２３０が配置されている。このインジェクター２００では、図示のように、ダイヤフラム２４０の外周部２４２に導電性部材２４５が圧入されるとともに、ダイヤフラム２５０の外周部２５２に導電性部材２５５が圧入されている。そして、ボディ本体２１１の本体部２１２には、ダイヤフラム１４０，１５０の各外周部１４２，１５２に当接する導電性を有する板状アース部材２１６Ａ，２１６Ｂが設けられていて、アース線２１７Ａ，２１７Ｂと接続して接地することによりアースされるように構成される。当該インジェクター２００も前記ダイヤフラム弁からなる流体機器１０と同様に、極めて効果的にダイヤフラムの絶縁破壊を防止することができる。
【００４３】
図６において、符号２１３はボディ本体２１１の第１カバー体、２１４は同じく第２カバー体、２２１は第１開口、２２２は第２開口、２２３Ａは本体部２１３によって区画されたチャンバ２２３の第１チャンバ、２２３Ｂは同じく第２チャンバ、２２４Ａは第１開口２２１及び第２チャンバ２２３Ｂと連通する流入流路、２２４Ｂは第２開口２２２及び第２チャンバ２２３Ｂと連通する流出流路、２２５ａは第１チャンバ２２３Ａの吸込部、２２５ｂは第２チャンバの吸込部、２２６ａは第１チャンバ２２３Ａの吐出部、２２６ｂは第２チャンバ２２３Ｂの吐出部、２３１はダイヤフラム２４０と一体に形成された与圧機構体２３０の膨出部、２３２はダイヤフラム２５０と一体に形成された与圧機構体２３０の膨出部、２４１はダイヤフラム２４０の膜部、２４６は導電性部材２４５のための環状封止部材、２５１はダイヤフラム２５０の膜部、２５６は導電性部材２５５のための環状封止部材、２６１，２６２は与圧機構体２３０を作動させる作動流体のための流出入部、２７０ａ，２７０ｂ，２７０ｃ，２７０ｄは逆止弁を表す。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明の一実施例に係る流体機器の要部断面図である。
【図２】図１の流体機器のダイヤフラム外周部近傍の拡大断面図である。
【図３】第二実施例に係る流体機器のダイヤフラム外周部近傍の拡大断面図である。
【図４】第三実施例に係る流体機器のダイヤフラム外周部近傍の拡大断面図である。
【図５】本発明の絶縁破壊防止構造を備えた流量センサの断面図である。
【図６】本発明の絶縁破壊構造を備えたインジェクターの断面図である。
【図７】ダイヤフラムの膜部で絶縁破壊が発生する過程を表した模式図である。
【符号の説明】
【００４５】
１０  流体機器
１１  ボディ本体
１２  本体部
１３  上カバー部
１４  下カバー部
１５  金属ボルト
１６  アース部材
１７  アース線
２０  流体流路
２３  弁室
２５  弁座
３０  弁機構体
３５  弁部
４０  ダイヤフラム
４１  ダイヤフラムの膜部
４２  ダイヤフラムの外周部
４５  導電性部材
５０  ダイヤフラム
５１  ダイヤフラムの膜部
５２  ダイヤフラムの外周部
５５  導電性部材
【図１】
0004461087.tif 000002
【図２】
0004461087.tif 000003
【図３】
0004461087.tif 000004
【図４】
0004461087.tif 000005
【図５】
0004461087.tif 000006
【図６】
0004461087.tif 000007
【図７】
0004461087.tif 000008