(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面研削により変質したウェハの研削面を研磨する研磨装置に備えられ，前記ウェハを吸着部により吸着保持して，前記ウェハを保持するチャックテーブルから前記ウェハを洗浄する洗浄手段へ搬送するウェハ搬送装置であって，
前記吸着部は，アルミナを主成分とした材料から形成され，気孔率が３４〜４０％であり，
前記吸着部の表面における気孔以外の部分の表面粗さＲｙは，５μｍ以下であることを特徴とする，ウェハ搬送装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，ウェハ搬送装置に関し，より詳細には，ウェハを吸引保持して搬送するウェハ搬送装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
研削装置等に搭載され，ウェハを保持して搬送する従来のウェハ搬送装置は，例えば，特許文献１に記載されている構成となっている。
【０００３】
従来のウェハ搬送装置は，例えば，保持部と，吸着パッドと，通気路と，接続口と，アームとを有して構成される。ウェハを吸引する保持部には，ウェハと接触して吸引保持する，例えばポーラス部材からなる吸着パッドを有している。この吸着パッドは，通気路，接続口を介して吸引源に連通している。このようなウェハ搬送装置は，ウェハを上方から吸着してアームを旋回動させることにより，所定の場所にウェハを搬送する。ウェハを搬送するときは，吸引源から吸引作用が施されて，ウェハは保持部により吸引保持される。一方，ウェハの搬送後は，吸引源からの吸引作用を解除してウェハを離脱し，所定の場所に載置する。
【０００４】
【特許文献１】特開平８−５５８９６号公報
【特許文献２】特開２００１−３５１９６１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ウェハの搬送時に，ウェハに衝撃を与えないようにするため，特許文献１には，ウェハ搬送装置にコイルばねなどの緩衝材を使用することが記載されている。これにより，ウェハを吸着するときのウェハの破損を未然に防止することができる。
【０００６】
しかし，このようなウェハと吸着パッドとを接触させる接触方式のウェハ搬送装置では，ウェハは，搬送時にポーラス部材からなる吸着パッドと接触する。このため，ウェハをチップ状に分割した後，その抗折強度を測定すると，ウェハ搬送装置により搬送されたウェハから分割されたチップは，吸着パッドに接触していない搬送前のウェハから分割されたチップと比較して抗折強度が低下してしまうことが判明した。
【０００７】
特に，表面研削により変質したウェハの加工面を除去するストレスリリーフを行う研磨装置では，研削と研磨とによってウェハの厚さが極めて薄くなる。このため，研磨加工終了のウェハは，洗浄手段へ移動させる搬送手段により全面的に吸着されることによって，かかるウェハから分割されたチップの抗折強度は一層低下することが判明した。
【０００８】
これを回避するために，例えば，ベルヌーイの原理を利用した非接触搬送装置を使用することが考えられる。ところが，チャックテーブルは多孔性を有するポーラス部材のため，その孔に加工時に生じた屑が入り込んでしまう。この屑を取り除くために，チャックテーブルのポーラス部材の下側（ウェハの載置面と反対側）から水が噴出されて洗浄される。このため，チャックテーブル上には水が残留しており，その上にウェハが載置されると，表面張力によってウェハがチャックテーブルから剥離され難い状態となる。したがって，研削装置のチャックテーブルからウェハを搬送するために非接触搬送装置を使用する場合には，非接触搬送装置の吸引力が表面張力の働くウェハを剥離できるほど十分な吸引力を有していないので，非接触搬送装置を使用することができない。
【０００９】
また，ウェハと吸着パッドとの接触力を弱めるために，ポーラス部材からなる吸着パッドの材質を，アルミナや炭化ケイ素などの硬い物質から，柔らかい物質に変更することも検討した。しかし，吸着パッドの材質を柔らかくすると，研削によってウェハの一部が破損した場合，その破片が吸着パッドに食い込んでしまい，容易に除去することができなくなる。このような場合，吸着パッドを交換しなければ，かかる装置を使用することができないという問題があった。
【００１０】
このような問題に対して，吸着パッドのウェハ吸着時の真空圧力を弱めて，ウェハを搬送するウェハ搬送装置が検討された。かかるウェハ搬送装置では，ウェハの抗折強度の低下は抑制されるが，真空圧力が弱いためにウェハが落下され易い状態となり，異常事態が発生するとすぐにウェハを破損させてしまう可能性が高い。
【００１１】
そこで，本発明は，このような問題に鑑みてなされたもので，その目的は，吸着パッドのウェハ吸着時の真空圧力を弱めることなく，ウェハの抗折強度の低下を抑制することの可能な，新規かつ改良されたウェハ搬送装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するために，本発明のある観点によれば，ウェハを吸着部により吸着保持して搬送するウェハ搬送装置が提供される。吸着部は，アルミナを主成分とした材料から形成され，気孔率が３４〜４０％である。吸着部の表面における気孔以外の部分の表面粗さＲｙは，５μｍ以下であることを特徴とする。
【００１３】
表面粗さＲｙとは，凹凸の最小値と最大値との差によって表される値である。本発明では，表面粗さＲｙを５μｍ以下とすることにより，吸着部のウェハとの接触面の凹凸を小さくし，吸着部によりウェハを吸着したときに，吸着部の接触面の凸部によってウェハに与えるダメージを低減させることができる。
【００１４】
かかるウェハ搬送装置は，例えば，表面研削により変質したウェハの研削面を研磨する研磨装置に備えることができる。また，ウェハを，ウェハを保持するチャックテーブルから，ウェハを洗浄する洗浄手段へ搬送するために使用することもできる。
【発明の効果】
【００１５】
以上説明したように本発明によれば，吸着パッドのウェハ吸着時の真空圧力を弱めることなく，ウェハの抗折強度の低下を抑制することの可能な，ウェハ搬送装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
（第１の実施形態）
まず，本発明の第１の実施形態にかかる研磨装置について説明する。なお，図１は，本実施形態にかかる研磨装置１の全体構成を示す斜視図である。
【００１７】
図１に示すように，本実施形態にかかる研磨装置１は，例えば，搬送ユニットと，チャック手段２０と，研磨ユニット３０と，を有して構成される。この研磨装置１は，例えば，本実施形態にかかる被研磨物であるウェハＷの被研磨面（例えば裏面）を研磨加工して，当該被研磨面を高精度で平坦化することが可能な装置である。
【００１８】
搬送ユニットは，例えば，搬入カセット１０２と，搬出カセット１０４と，搬送機構１０６と，仮受手段１０８と，搬入アーム１１０と，搬送アーム１１２と，洗浄手段１１４と，を有して構成される。搬送ユニットは，ウェハＷを搬入してチャック手段２０上に供給するとともに，研磨加工されたウェハＷを回収して搬出するための装置群である。
【００１９】
搬入カセット１０２および搬出カセット１０４は，複数のウェハＷを収容して持ち運ぶことが可能な収容ケースである。被研磨物であるウェハＷは，例えば，かかる搬入カセット１０２に収容された状態で研磨装置１に搬入され，搬出カセット１０４に収容された状態で研磨装置１から搬出される。
【００２０】
このウェハＷは，例えば，略円盤形状を有する８インチのシリコンウェハなどであり，その表面には複数の回路（半導体素子）が形成されている。かかるウェハＷは，その裏面（回路が形成されていない側の面）側を上向きにした状態で，例えば，その表面側に貼り付けられた表面保護テープ（図示せず。）を介してフレーム（図示せず。）上に固着されている。なお，ウェハＷは，裏面側を上向きにした状態で，例えばサブストレート（図示せず。）等の支持基材上に粘着剤等で直接固着されていてもよい。
【００２１】
かかるウェハＷは，例えば，研磨装置１による研磨工程の前工程である裏面研削工程において，グラインダー等によって，裏面側から平面研削加工されている。この裏面研削加工により，ウェハＷを例えば数十μｍ程度の厚さにまで薄型化することができるが，この結果，ウェハＷ裏面には加工歪が生じている。本実施形態では，このようなウェハＷの裏面の加工歪みを除去するべく，ウェハＷの裏面を被研磨面として研磨加工する例について説明する。なお，被研磨物はかかるウェハＷの例に限定されるものではない。
【００２２】
ウェハＷを収容した搬入カセット１０２は，研磨装置１に例えば手動で搬入され，所定領域に載置される。搬送機構１０６は，例えば，この搬入カセット１０２からウェハＷを１枚ずつ取り出して，搬送し，仮受手段１０８上に載置する。搬入カセット１０２に収容されていたウェハＷが全て搬出されると，空の搬入カセット１０２に替えて新しい搬入カセット１０２が載置される。
【００２３】
搬入アーム１１０および搬送アーム１１２は，例えば，回転動作および昇降動作が可能な搬送用のアームであり，その先端に，対象物を真空吸着可能な保持部１１１，１１３を備えている。この搬入アーム１１０および搬送アーム１１２は，保持部１１１，１１３を用いてウェハＷを吸着して，搬送することができる。具体的には，搬入アーム１１０は，仮受手段１０８上に載置されたウェハＷを吸着して搬送し，チャック手段２０上に載置することができる。このようにチャック手段２０上に載置されたウェハＷは，研磨ユニット３０によって研磨加工される（詳細は詳述する）。一方，搬送アーム１１２は，研磨加工されたウェハＷを吸着して，洗浄手段１１４に搬送することができる。
【００２４】
洗浄手段１１４は，例えば，スピンナ洗浄装置等で構成されている。かかる洗浄手段１１４は，高速回転させたウェハＷに対して純水等の洗浄液を噴射することによって，ウェハＷ裏面を洗浄して，乾燥させることができる。
【００２５】
このように洗浄されたウェハＷは，再び搬送機構１０６によって搬送され，搬出カセット１０４に収容される。搬出カセット１０４に所定枚数のウェハＷが収容されると，かかる搬出カセット１０４に替えて，新しい空の搬出カセット１０４が載置される。
【００２６】
次に，チャック手段２０について説明する。チャック手段２０は，例えば，チャックテーブル２０２と，ハウジング２０４と，を有して構成される。チャック手段２０は，載置されたウェハＷを吸着保持して，回転させることができる。
【００２７】
チャックテーブル２０２は，例えば，上面に平滑な水平面を有する略円盤形状のテーブル（下盤）であり，ハウジング２０４によって支持されている。このチャックテーブル２０２は，例えば，少なくともその上面が多孔性セラミックス等の多孔質材料で形成されており，ハウジング２０４内部等に形成された連通路（図示せず。）を介して，真空ポンプ（図示せず。）等に連通されている。このため，この真空ポンプを動作させて負圧を加えることで，チャックテーブル２０２は，例えば，その上面に載置されたウェハＷを真空吸着して，保持することができる。このとき，ウェハＷは，例えば，被研磨面である裏面を上向きにして，チャックテーブル２０２上に載置される。また，搬送アーム１１２によってウェハＷを搬出する際には，チャックテーブル２０２による真空吸着を解除することにより，ウェハＷを容易にピックアップすることができる。
【００２８】
また，このチャックテーブル２０２は，例えばハウジング２０４内等に設けられた回転用モータ（図示せず。）によって，所定の回転速度（例えば５０〜５００ｒｐｍ）で水平方向に回転することができる。これにより，チャックテーブル２０２は，研磨加工中に，保持したウェハＷを回転させて，被研磨面であるウェハＷ裏面が均等に研磨されるようにすることができる。
【００２９】
ハウジング２０４は，上記チャックテーブル２０２を支持するとともに，内部に回転用モータ等を収容するための筐体である。このハウジング２０４は，例えば，移動用モータ等で構成されるチャック手段移動機構（図示せず。）によって，搬送アーム１１０，１１２と研磨ユニット３０との間で水平方向（Ｘ軸方向）に移動可能である。具体的には，ウェハＷをチャックテーブル２０２に載置または回収するときには，ハウジング２０４は搬送ユニット側に移動される。一方，ウェハＷ裏面を研磨加工するときには，ハウジング２０４は研磨ユニット３０の下方に移動される。
【００３０】
次に，研磨ユニット３０について説明する。研磨ユニット３０は，例えば，研磨手段３００と，回転軸３１０と，回転機構３２０と，移動機構３３０と，を有して構成される。
【００３１】
研磨手段３００は，上記チャック手段２０の上方に配置された略円盤形状の部材（上盤）であり，その下面（チャックテーブル２０２と対向する面）には，研磨砥粒を含んだ研磨パッドである研磨砥石が備えられている。すなわち，研磨砥石は，その表面（被研磨面に作用する研磨面）が下向きとなるような状態で配設され，チャック手段２０上のウェハＷ裏面と対面している。
【００３２】
回転軸３１０は，例えば，略棒状のスピンドルである。この回転軸３１０の下端には，上記研磨手段３００が上記チャック手段２０と対向するように装着される。また，回転軸３１０の上部は，回転機構３２０内に収容されている。
【００３３】
回転機構３２０は，例えば，内部に備えた電動モータ等によって，回転軸３１０を回転させることができる。この回転機構３２０によって，研磨加工時に，回転軸３１０を介して研磨手段３００を水平方向に回転させることができる。この回転速度は，例えば，５０〜５００ｒｐｍなどである。
【００３４】
移動機構３３０は，例えば，電動モータ等によって，研磨ユニット３０を垂直方向（Ｚ軸方向）に移動させることができる。この移動機構３３０によって，研磨手段３００をチャック手段２０に対して昇降させることができる。これにより，研磨加工時には，下降させた研磨手段３００を，チャックテーブル２０２上に保持されたウェハＷ裏面に押圧することができる。この押圧力（即ち，研磨圧）は，例えば５０〜５００ｇ／ｃｍ２である。
【００３５】
このような構成の研磨ユニット３０は，チャック手段２０に保持されているウェハＷの裏面に対して，研磨手段３００を回転させながら押圧して，ウェハＷ裏面を研磨加工することができる。
【００３６】
以上，本実施形態にかかる研磨装置１の全体構成について説明した。次に，図２に基づいて，本実施形態の特徴的部分である，ウェハ搬送装置１２０について説明する。ここで，図２は，本実施形態にかかるウェハ搬送装置１２０の断面図である。なお，図２は，図１において，研磨加工されたウェハＷを吸着して洗浄手段１１４に搬送するウェハ搬送装置１２０を示したが，仮受手段１０８上に載置されたウェハＷをチャック手段２０上へ搬送するウェハ搬送装置も同様の構成とすることができる。
【００３７】
本実施形態にかかるウェハ搬送装置は，図２に示すように，保持部１１３と，吸着パッド１２２と，通気路１２３と，接続口１２４と，搬送アーム１１２とを有して構成される。ウェハＷを吸着する保持部１１３は，ウェハＷと接触して吸引保持する，例えばポーラス部材からなる吸着パッド１２２が備えられている。この吸着パッド１２２は，通気路１２３，接続口１２４を介して吸引源（図示せず。）に連通している。
【００３８】
保持部１１３は，例えば，軸部１２１ａと，固定部１２１ｂと，円盤部１２１ｃとを有して構成される。搬送アーム１１２には，保持部１１３を取付するための取付部１１２ａが，例えば搬送アーム１１２の先端付近に形成されている。この取付部１１２ａに軸部１２１ａが挿通され，軸部１２１ａの上端（ウェハ保持面と反対側）を固定部１２１ｂにより固定することによって，保持部１１３は搬送アーム１１２に取付される。
【００３９】
また，円盤部１２１ｃは，円盤部１２１ｃの開口する部分（ウェハＷを吸着する側）に，吸着部を備える。吸着部としては，例えば，ポーラス部材からなる吸着パッド１２２が用いられる。このような多孔質材料からなる吸着パッド１２２を使用することにより，ウェハＷの全面を均等に吸引することができる。また，取付部１１２ａに，軸部１２１ａと同心に形成された凹溝１１２ｂが形成され，凹溝１１２ｂと円盤部１２１ｃの上面との間に，例えばコイルばね等の緩衝材１２５が介在される。緩衝材１２５により，ウェハＷと吸着パッド１２２とが接触するときの衝撃が吸収されて，接触時にウェハＷが損傷することを防止できる。
【００４０】
このようなウェハ搬送装置１２０は，ウェハＷを上方から吸着して搬送アーム１１２を旋回動させることにより，所定の場所にウェハＷを搬送する。ウェハＷを搬送するときは，吸引源から吸引作用が施されて，ウェハＷは保持部１１３により吸引保持される。一方，ウェハＷの搬送後は，吸引源からの吸引作用を解除してウェハＷを離脱し，所定の場所に載置する。
【００４１】
以上，本実施形態にかかるウェハ搬送装置１２０について説明した。ここで，ウェハＷの薄層化が進むにつれ，ウェハＷがチップ状に分割されたときに，十分な抗折強度を有していることが重要視されるようになった。そこで，本願発明者らは，研磨装置１についてもウェハＷの抗折強度を低下させる要因を検証した。この結果，ウェハＷが保持部により吸引保持されるときに，ウェハＷが保持部に接触するため，ウェハＷの抗折強度が低下してしまうことが判明した。
【００４２】
ウェハＷの抗折強度の低下を軽減するための最も望ましい搬送は，ウェハＷと保持部１１３とが接触しない非接触方式による搬送である。しかし，非接触方式の搬送装置では，上述したように，チャックテーブル上に残留した水の表面張力のため，チャックテーブル上に載置されたウェハＷを剥離するのは困難である。このような理由から，非接触方式の搬送装置を使用することはできないため，本願発明者は，接触方式を使用して抗折強度の低下を抑制できる方法を検討した。
【００４３】
接触方式では，ウェハＷを吸着する真空圧力を弱めることにより，抗折強度の低下を抑制することが検討された。しかし，真空圧力が弱いためにウェハＷが落下されやすく，ウェハＷが破損する可能性が高まった。
【００４４】
かかる理由から，真空圧力を弱めることなく抗折強度を低下させないために，ウェハＷと吸着パッド１２２との接触面積を減少させることを考えた。すなわち，吸着パッド１２２の気孔率を増加させることにより，ウェハＷと吸着パッド１２２との接触面積を減少させることを検討した。
【００４５】
しかし，一般的に使用される市販の吸着パッド１２２の種類は，性能上の理由から気孔率を大きく変化させていない。このため，吸着パッド１２２の種類を変更することによって気孔率を変えて，ウェハＷと吸着パッド１２２との接触面積を大きく減少させることは困難である。念のため，吸着パッド１２２の孔の大きさが，抗折強度の低下の度合いに影響しているか検証した。例えば，市販の吸着パッド（京セラ社製ポーラスセラミックの＃２４〜＃８００，気孔率３４〜４０％，平均細孔径６μｍ〜８５μｍ）について，抗折強度を測定したところ，吸着パッド１２２の孔の大きさによらず，ほぼ同じようにウェハＷの抗折強度が低下した。すなわち，吸着パッド１２２の孔の大きさは，ウェハＷの抗折強度の低下には影響しないことが判明した。
【００４６】
このような理由から，本願発明者らは，ウェハＷと吸着パッド１２２との接触面積ではなく，吸着パッド１２２の孔以外の部分の表面形状に着目した。そこで，吸着パッド１２２の表面形状の凹凸について検討した結果，吸着パッド１２２の孔以外の部分の表面形状の凹凸を小さくすることによって，ウェハＷの抗折強度の低下を抑制できることが判明した。以下，図３および図４に基づいて，本実施形態にかかる吸着パッド１２２の特徴について，詳細に説明する。なお，図３は，吸着パッドの平均表面粗さとウェハＷのチップの抗折強度の平均値との関係を示すグラフである。また，図４（ａ）は，従来の吸着パッド１２２の，ウェハＷとの接触面１２２ａを一部拡大して示した断面図であり，図４（ｂ）は，本実施形態にかかる吸着パッド１２２の，ウェハＷとの接触面１２２ａを一部拡大して示した断面図である。
【００４７】
まず，吸着パッド１２２について説明する。本実施形態にかかる吸着パッド１２２は，例えば，アルミナ（Ａｌ２Ｏ３；酸化アルミニウム）を材料とする物質からなる。アルミナは，緻密で，硬質の物質であり，物質の硬さの尺度であるモース硬度は９と，ダイヤモンド（モース硬度１０）の次ぐ硬度を有する。このように，アルミナは硬度が高いため，耐摩耗性に優れている。また，本実施形態にかかる吸着パッド１２２の気孔率は，約３４〜４０％である。吸着パッド１２２は，上述したように市販の吸着パッドの仕様により，その気孔率は，３４〜４０％である。本実施形態では，例えば，気孔率約３７％で平均細孔径８５μｍの吸着パッドや，気孔率約３８％で平均細孔径５０μｍの吸着パッドを使用することができる。
【００４８】
アルミナ等の硬度の高い物質からなる吸着パッド１２２は，吸着パッド１２２のウェハＷとの接触面１２２ａの僅かな凹凸によっても，特に薄くなったウェハＷに対しては接触により大きな衝撃を与える。そこで，かかる吸着パッド１２２のウェハＷとの接触面１２２ａの，気孔以外の部分の表面粗さＲｙ（すなわち，凹凸の最小値と最大値との差）を約５μｍ以下として，ウェハＷの抗折強度の低下を抑制する。
【００４９】
表面粗さＲｙは，凹凸の最小値と最大値との差によって定められる値である。吸着パッド１２２によりウェハＷを吸着しているときには，ウェハＷを吸着パッド１２２に押し付けられる力が働いているため，吸着パッド１２２の凸部が凹部より相対的に高い方が，ウェハＷにより大きな力が加わると考えられる。この考えに基づき，本発明では，表面粗さＲｙを評価の指標とした。
【００５０】
吸着パッド１２２のウェハＷとの接触面１２２ａの，気孔以外の部分の表面粗さＲｙを５μｍ以下とする理由は，吸着パッド１２２の表面粗さＲｙとかかる吸着パッド１２２により搬送されたウェハＷの抗折強度との関係による。以下に，吸着パッド１２２の表面粗さＲｙを変化させたとき，それぞれの吸着パッド１２２により搬送されたウェハＷの抗折強度を測定した結果を示す。
【００５１】
なお，従来のアルミナ製の吸着パッドの表面粗さＲｙの平均値は約８μｍであったため，本測定では，吸着パッド１２２の平均表面粗さＲｙを８μｍから１μｍずつ小さくし，各吸着パッド１２２を使用して搬送されたウェハＷの平均抗折強度をそれぞれ測定した。この結果を，図３および表１に示す。
【００５２】
【表１】
0004526449.tif 000002
【００５３】
図３および表１に示すように，吸着パッド１２２の平均表面粗さＲｙの値が小さくなるにつれ，吸着パッド１２２による搬送後のウェハＷの抗折強度は高くなる。ウェハＷの抗折強度は，用途によっても異なるが，通常，平均抗折強度は約２０００ＭＰａ以上であることが必要とされている。図３および表１より，平均表面粗さＲｙが約５μｍのとき，平均抗折強度が約２０００ＭＰａであるから，吸着パッドの平均表面粗さＲｙを５μｍ以下とすることにより，ウェハＷの抗折強度の低下を抑制する，十分な効果を得ることができるとした。
【００５４】
この結果は，吸着パッドの平均表面粗さＲｙを５μｍ以下とすることにより，吸着パッド１２２の表面の凹凸が小さくなることによるものと考えられる。すなわち，従来の吸着パッド１２２の表面１２２ａは，図４（ａ）に示すように，凹凸が大きく，かつ尖った形状となっている。このため，吸着パッド１２２がウェハＷに接触したときに，凸部により力が局所的に集中して加わるため，ウェハＷに与えるダメージは大きい。一方，図４（ａ）の状態から吸着パッド１２２の平均表面粗さＲｙを小さくしていくと，図４（ｂ）に示すように，凹凸の高低差が小さくなる。このため，吸着パッド１２２の凸部の平坦面とウェハＷとが接触したときに，凸部によってウェハＷに加わる力が低下してダメージが低減される。しがたって，ウェハＷの抗折強度の低下を抑制できるものと考えられる。
【００５５】
以上，第１の実施形態にかかるウェハ搬送装置１２０について説明した。このように，ウェハＷを吸着する吸着パッド１２２の平均表面粗さＲｙを約５μｍ以下とすることにより，ウェハＷの抗折強度の低下が抑制される。かかるウェハ搬送装置１２０では，接触方式での搬送において，真空圧力を弱めることなく，ウェハＷの抗折強度の低下を抑制することができ，また，搬送中にウェハＷを落下させてしまうという危険性も低減させることができる。
【００５６】
（実施例）
次に，実施例として，従来のウェハ搬送装置と，本発明のウェハ搬送装置とについて，それぞれのウェハ搬送装置により搬送されたウェハＷの抗折強度を測定し，その比較結果を示す。
【００５７】
本実施例では，それぞれ従来のウェハ搬送装置，本発明のウェハ搬送装置ともにアルミナ製の吸着パッドを使用し，各吸着パッドの任意の５領域（領域Ａ〜Ｅ）における表面粗さＲｙを測定した。次いで，各ウェハ搬送装置を，研磨装置のチャックテーブルから洗浄装置までの移動手段として使用し，搬送されたウェハＷをチップに分割したときの，チップの平均抗折強度を測定した。このとき，研磨装置の研磨手段の回転速度を約３０００ｒｐｍ，チャックテーブルの回転速度を約２００ｒｐｍとした。また，ウェハＷを吸引する真空圧力は，約−９０ｋＰａ（ゲージ圧）とした。
【００５８】
吸着パッドの表面粗さＲｙの測定には，非接触式であるレーザ顕微鏡を使用し，顕微鏡倍率４００倍（対物レンズは２０倍），カットオフ０．２５ｍｍとした。測定位置は，ポーラスのセラミック部のみとし，空洞部は除いた。レーザ顕微鏡では，光の反射によって像を読み取るため，光を反射しない孔の部分は黒く表示され，孔以外の部分を観察することができる。このとき，単位面積当たりの凹凸の最小値と最大値との差を測定した。
【００５９】
また，ウェハＷとして，厚さ約２００μｍの１２インチのシリコンウェハを用いた。本実施例では，それぞれ４枚のシリコンウェハを各ウェハ搬送装置によって搬送し，搬送されたシリコンウェハを，１枚当たり４５チップ（チップサイズ２０×２０ｍｍ）に分割した。そして，分割された各チップの抗折強度を，球抗折によって測定した。球抗折とは，図５に示すように，ウェハＷを分割して形成されたチップＣを，基台４０２上に，一対の端部のみを載置させた状態で，チップＣの中央を，先端が略半球状の押圧部材４０４により接触点４０５で点押圧したときの抗折強度を測定する方法である。かかる方法はチップＣの中央面のみの抗折強度を測定するものであり，面の抗折強度を測定する際に使用される測定方法である。
【００６０】
このような条件において測定した各吸着パッドの表面粗さＲｙと，各ウェハ搬送装置を用いて搬送されたウェハＷから分割されたチップＣの平均抗折強度とを，表２に示す。
【００６１】
【表２】
0004526449.tif 000003
【００６２】
表２に示すように，従来のウェハ搬送装置の吸着パッドの平均表面粗さＲｙは，約８．２７μｍであり，かかるウェハ搬送装置使用時のウェハの平均抗折強度は，約１０７３ＭＰａであった。一方，本発明のウェハ搬送装置の吸着パッドの平均表面粗さＲｙは，約３．６３μｍであり，かかるウェハ搬送装置使用時のウェハの平均抗折強度は，約３０４３ＭＰａであった。これより，本発明のウェハ搬送装置により搬送されたウェハＷの抗折強度は，２０００ＭＰａ以上の十分な抗折強度があり，従来のウェハ搬送装置を使用した場合と比較して，約２．８４倍向上していることがわかる。
【００６３】
さらに，上記実施例と同じ条件で，ウェハ搬送装置による搬送なしのウェハＷの抗折強度と，ウェハ吸着時の真空圧力を約５０ｋＰａと弱くして，ウェハ搬送装置により搬送されたウェハＷの抗折強度とについても測定した。この測定結果を，図６および表３に示す。ここで，図６は，ウェハ搬送装置による搬送なしのウェハＷ（搬送なし）と，本発明のウェハ搬送装置により搬送されたウェハＷ（本願パッド）と，真空圧力を弱めて搬送されたウェハＷ（ソフトバキューム）と，従来のウェハ搬送装置により搬送されたウェハＷ（従来パッド）とについての抗折強度を示したグラフである。また，表３に，各抗折強度の最大値，最小値，平均値を示す。
【００６４】
【表３】
0004526449.tif 000004
【００６５】
図６および表３に示すように，ウェハ搬送装置による搬送なしのウェハＷ（搬送なし）の平均抗折強度は約３９５２ＭＰａ，本発明のウェハ搬送装置使用時のウェハＷの平均抗折強度は約３０３４ＭＰａ，ソフトバキューム時のウェハＷの平均抗折強度は約２９１１ＭＰａ，従来のウェハ搬送装置使用時のウェハＷの平均抗折強度は約１０７３ＭＰａであった。これより，ウェハ搬送装置を使用した場合，本発明のウェハ搬送装置使用時が最も高い平均抗折強度を示しており，ウェハＷの抗折強度の低下を抑制する効果が高いことがわかる。また，本発明のウェハ搬送装置使用時と，ソフトバキュームによる搬送時とを比較した場合，本発明のウェハ搬送装置使用時の方が平均抗折強度は高く，さらに，ウェハＷの真空吸着力も強いため，ウェハＷの落下による破損の危険性も低減される点で優れているといえる。
【００６６】
以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【００６７】
例えば，上記実施形態では，ウェハ搬送装置を研磨装置に適用したが，本願発明はかかる例に限定されず，加工装置全般に適用することも可能である。
【産業上の利用可能性】
【００６８】
本発明は，ウェハ搬送装置に適用可能であり，特に，ウェハを吸引保持して搬送するウェハ搬送装置に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】本発明の第１の実施形態にかかる研磨装置を示す斜視図である。
【図２】同実施形態にかかるウェハ搬送装置の断面図である。
【図３】吸着パッドの平均表面粗さとウェハのチップの平均抗折強度との関係を示すグラフである。
【図４】（ａ）は，従来の吸着パッドの一部を拡大して示した断面図であり，（ｂ）は，本発明の吸着パッドの一部を拡大して示した断面図である。
【図５】球抗折による抗折強度測定方法を説明するために示す，断面図（ａ）と，上面図（ｂ）である。
【図６】搬送なしのウェハと，本発明のウェハ搬送装置により搬送されたウェハと，真空圧力を弱めて搬送されたウェハと，従来のウェハ搬送装置により搬送されたウェハとについて，各ウェハから分割されたチップの平均抗折強度を示したグラフである。
【符号の説明】
【００７０】
１              研磨装置
１１０，１１２  搬送アーム
１１１，１１３  保持部
１２０          ウェハ搬送装置
１２２          吸着パッド
Ｗ              ウェハ
Ｃ              チップ
【図１】
0004526449.tif 000005
【図２】
0004526449.tif 000006
【図３】
0004526449.tif 000007
【図４】
0004526449.tif 000008
【図５】
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【図６】
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