(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（３）で表されるポリチオフェンを含み、式中、ｎは重合度であって、５から５０００であることを特徴とする薄膜トランジスタデバイス。
【化１】
0004530613.tif 000022
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は一般的に、ポリチオフェン類とその使用に関する。より詳細には、本発明は実施の形態において、少なくとも２つの異なる種類の２，５−チエニレン単位と必要に応じて二価部分とを含むモノマーセグメントを含むポリチオフェン類に関する。このポリチオフェン類は、分子が自己組織化し、薄膜中で整列したミクロ構造を形成することが可能で、これはマイクロエレクトロニクスデバイスとしての用途に理想的といえる。ポリチオフェンの一例は、特定のチエニレン部分が長い側鎖を含むものであって、この側鎖がポリマー鎖上に位置規則性（レジオレギュラ；regioregular）に並び、これによりポリチオフェン類の分子組織化が誘発及び促進されるものである。
【０００２】
【従来の技術】
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の活性半導体材料として有用な、ある種のポリチオフェン類などの半導体ポリマーが報告されている。これらのポリマーの多くは有機溶媒に多少の溶解度を持つため、スピンコーティング、溶液キャスティング、浸漬塗布、スクリーン印刷、スタンプ印刷、ジェット印刷等の溶液処理によってＴＦＴ内の半導体チャネル層に加工することができる。通常の溶液処理によって加工できることは、水素化アモルファスシリコンＴＦＴなどのシリコンベースのデバイスに特有なコストの高い従来のフォトリソグラフ処理に比べ、その製造をより簡単かつ低コストにする。更に、ポリマーＴＦＴと呼ばれる、優れた機械的耐久性と構造可撓性とを備えた、ポリチオフェン類などのポリマー材料から作られたトランジスタが望まれている。プラスチック基板上の可撓性ＴＦＴの製造のためには、優れた機械的耐久性と構造可撓性が非常に望ましい。可撓性ＴＦＴは、構造可撓性と機械的耐久性の特性を通常必要とするエレクトロニックデバイスの設計を可能にすると考えられる。有機又はポリマートランジスタ要素と共にプラスチック基板を用いれば、従来の堅牢なシリコンＴＦＴを、機械的により頑丈で、構造可撓性のポリマーＴＦＴ設計に代えることができる。後者は、大面積画像センサ、電子ペーパー、その他の表示媒体など、大面積デバイスにとって特に価値がある。また、スマートカード、無線周波データキャリア（ＲＦＩＤ）タグ、メモリ／記憶デバイスなどの低価格のマイクロエレクトロニクス用の集積回路論理素子にポリマーＴＦＴを用いると、その機械的耐久性が大きく向上し、その使用可能寿命が長くなる。しかし半導体ポリチオフェン類の多くは、周囲の酸素によって酸化的にドープされ、導電率が増大してしまうため空気に触れると安定ではないと考えられる。この結果、これらの材料から製造したデバイスのオフ電流は大きくなり、そのため電流オン／オフ比は小さくなる。従ってこれらの材料の多くは、材料加工とデバイス製造の間に環境酸素を排除して酸化的ドーピングを起こさない、あるいは最小とするよう厳重に注意しなければならない。この予防措置は製造コストを押し上げるため、特に大面積デバイスのための、アモルファスシリコン技術に代わる経済的な技術としてのある種のポリマーＴＦＴの魅力が削がれてしまう。これら及びその他の欠点は、本発明の実施の形態において回避され、あるいは最小となる。
【０００３】
なお、薄膜トランジスタＴＦＴに用いられる有機半導体材料がいくつか例示されている（非特許文献１から非特許文献３、特許文献１から特許文献５）。
【０００４】
【非特許文献１】
Ｄ．Ｊ．Ｇｕｎｄｌａｃｈらの“Ｐｅｎｔａｃｏｎｅ  ｏｒｇａｎｉｃ  ｔｈｉｎ  ｆｉｌｍ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ−ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  ｏｒｄｏｒｉｎｇ  ａｎｄ  ｍｏｂｉｌｉｔｙ”，ＩＥＥＥ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｄｅｖｉｃｅ  Ｌｅｔｔ．  Ｖｏｌ．１８，  ｐ．８７（１９９７）
【非特許文献２】
Ｆ．Ｇａｒｎｉｅｒらの“Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ  ｏｆ  ｏｒｇａｎｉｃ  ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ：Ｄｅｓｉｇｎ  ｏｆ  ｓｅｌｆ−ａｓｓｅｍｂｌｙ  ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ  ｉｎ  ｃｏｎｊｕｇａｔｅｄ  ｔｈｉｏｐｈｅｎｅ  ｏｌｉｇｏｍｅｒｓ”，Ａｍｅｒ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，Ｖｏｌ．１１５，ｐ．８７１６（１９９３）
【非特許文献３】
Ｚ．Ｂａｏらの“Ｓｏｌｕｂｌｅ  ａｎｄ  ｐｒｏｃｅｓｓａｂｌｅｒｅｇｉｏｒｅｇｕｌａｒ  ｐｏｌｙ（３−ｈｅｘｙｌｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）ｆｏｒ  ｆｉｅｌｄ−ｅｆｆｅｃｔ  ｔｈｉｎ  ｆｉｌｍ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ  ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  ｗｉｔｈ  ｈｉｇｈ  ｍｏｂｉｌｉｔｙ”，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．Ｖｏｌ．６９，Ｐ．４１０８（１９９６）
【特許文献１】
米国特許第６，１５０，１９１号明細書
【特許文献２】
米国特許第６，１０７，１１７号明細書
【特許文献３】
米国特許第５，９６９，３７６号明細書
【特許文献４】
米国特許第５，６１９，３５７号明細書
【特許文献５】
米国特許第５，７７７，０７０号明細書
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ＴＦＴデバイスのような超小型電子装置用途に用いることができ、さらに有機溶媒に対してある程度の溶解性を有し溶液処理が可能であるポリチオフェン類などの有機半導体材料が未だ提供されていない。
【０００６】
また、酸素に対して強い対抗性を有し、比較的高い電流オン／オフ非を示すエレクトロニックデバイスが望まれている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
様々な代表的な実施の形態を図１〜図４に示す。ここでは、例えば薄膜トランジスタ構造体中のチャネル材料としてある種のポリチオフェン類を用いている。
【０００８】
本発明の特徴は、薄膜トランジスタデバイスなどの超小形エレクトロニックデバイスの用途に有用な、ポリチオフェン類などの半導体ポリマーの提供である。
【０００９】
本発明のもう一つの特徴は、一般的な被覆用有機溶媒、例えば、ジクロロメタン、テトラヒドロフラン、トルエン、キシレン、メシチレン、クロロベンゼン等に可溶であり、このため、スピンコーティング、スクリーン印刷、スタンプ印刷、浸漬塗布、溶液キャスティング、ジェット印刷等の溶液処理によって加工可能なポリチオフェン類の提供である。
【００１０】
本発明の別の特徴は、ポリチオフェンチャネル層を持ち、その層の導電率が１０-6〜約１０-9Ｓ／ｃｍ（ジーメンス／センチメートル）であるＴＦＴなどのエレクトロニックデバイスの提供である。
【００１１】
更に本発明の特徴は、合成が容易で、周囲の酸素による酸化的ドーピングに対して優れた抵抗性を持つポリチオフェン類の提供である。
【００１２】
更にまた本発明の特徴は、ポリチオフェン類とそれを用いたデバイスの提供であり、このデバイスは酸素の悪影響に対して優れた抵抗性を示し、すなわちこのデバイスは比較的高い電流オン／オフ比を示し、その性能は通常、位置規則性ポリ（３−アルキルチオフェン−２,５−ジイル）などの位置規則性ポリチオフェン類から製造したもののように急激に低下することがない。
【００１３】
また別の本発明の特徴は、特殊な構造的特徴を持ち、これにより適当な加工条件下において分子が自己配列し、またその構造的特徴がデバイス性能の安定性をも向上させるようなポリチオフェン類の提供である。適当な分子配列は、薄膜中により高次の分子構造配列の形成を可能とする。これは、効率良く電荷キャリアを移動させて電気的性能を高めるために重要である。
【００１４】
本発明の参考態様は次のとおりである。下記式の、２つの２，５−チエニレンセグメント（I）及び（II）と、必要に応じて二価セグメントＤとを含む、モノマーセグメントから誘導されたポリチオフェンを含むエレクトロニックデバイスであって、
【化２】
0004530613.tif 000002
式中、Ａは側鎖であり、Ｂは水素又は側鎖であり、Ｄは二価セグメントであり、モノマーセグメント中のＡ置換チエニレン単位（I）の数は約１〜約１０であり、Ｂ置換チエニレン単位（II）の数は０〜約５であり、二価結合基Ｄの数は０又は１である。；Ａは約５〜約２５の炭素原子を含むアルキルであり、Ｂは０〜約４の炭素原子を含むアルキルであり、Ｄは、それぞれ約６〜約４０の炭素原子を含むアリーレン又はジオキシアレーン、あるいは、それぞれ約１〜約２０の炭素原子を含むアルキレン又はジオキシアルカンであるエレクトロニックデバイス。；Ａは約６〜約１５の炭素原子を含むアルキルであり、Ｂは水素であり、Ｄは約６〜約２４の炭素原子を含むアリーレンであるエレクトロニックデバイス。；Ｄは、フェニレン、トリレン、キシリレン、ビフェニレン、置換ビフェニレン、フェナントレニレン、ジヒドロフェナントレニレン、フルオレニレン、ジベンゾチオフェンジイル、ジベンゾフランジイル、カルバゾールジイル、メチレン、ポリメチレン、ジアルキルメチレン、ジオキシアルカン、ジオキシアレーン、又はオリゴエチレンオキシドであるエレクトロニックデバイス。；Ａは、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシル、トリデシル、テトラデシル、又はペンタデシルであり、Ｂは水素であり、Ｄは、フェニレン、トリレン、キシリレン、ビフェニレン、置換ビフェニレン、フェナントレニレン、ジヒドロフェナントレニレン、フルオレニレン、ジベンゾチオフェンジイル、ジベンゾフランジイル、カルバゾールジイル、メチレン、ポリメチレン、ジアルキルメチレン、ジオキシアルカン、ジオキシアレーン、又はオリゴエチレンオキシドであるエレクトロニックデバイス。；基板と、ゲート電極と、ゲート誘電体層と、ソース電極と、ドレイン電極と、ポリチオフェンを含む半導体層と、を含む薄膜トランジスタデバイス。；Ａは約５〜約２５の炭素原子を含むアルキルであり、Ｂは水素又は短鎖アルキルであり、Ｄは、含まれる場合には、それぞれ約６〜約４０の炭素原子を含むアリーレン又はジオキシアレーン、あるいは、それぞれ約１〜約２０の炭素原子を含むアルキレン又はジオキシアルカンであり、ソース／ドレイン電極及びゲート誘電体層は半導体層と接している薄膜トランジスタデバイス。；Ａは約６〜約１５の炭素原子を含むアルキルであり、Ｂは水素であり、Ｄは約６〜約３０の炭素原子を含むアリーレンであり、ソース／ドレイン電極及びゲート誘電体層は半導体層と接している薄膜トランジスタデバイス。；Ｄは、フェニレン、トリレン、キシリレン、ビフェニレン、置換ビフェニレン、フェナントレニレン、ジヒドロフェナントレニレン、フルオレニレン、ジベンゾチオフェンジイル、ジベンゾフランジイル、カルバゾールジイル、メチレン、ポリメチレン、ジアルキルメチレン、ジオキシアルカン、ジオキシアレーン、又はオリゴエチレンオキシドであり、ソース／ドレイン電極及びゲート誘電体層は半導体層と接している薄膜トランジスタデバイス。；Ａは、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシル、トリデシル、テトラデシル、又はペンタデシルであり、Ｂは水素であり、Ｄは、フェニレン、トリレン、キシリレン、ビフェニレン、置換ビフェニレン、フェナントレニレン、ジヒドロフェナントレニレン、フルオレニレン、ジベンゾチオフェンジイル、ジベンゾフランジイル、カルバゾールジイル、メチレン、ポリメチレン、ジアルキルメチレン、ジオキシアルカン、又はジオキシアレーンであり、ソース／ドレイン電極及びゲート誘電体層は半導体層と接している薄膜トランジスタデバイス。；基板は、ポリエステル、ポリカーボネート、又はポリイミドであるプラスチックシートであり、ゲート、ソース、及びドレイン電極はそれぞれ独立して、金、ニッケル、アルミニウム、プラチナ、酸化インジウムチタン、導電性ポリマー、分散媒中に分散させた導電性粒子を含む導電性インキ又はペーストであり、ゲート誘電体層は、窒化ケイ素、酸化ケイ素、絶縁性ポリマー、無機−有機複合材料であって、絶縁性ポリマーは、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリ（メタクリレート）、ポリ（ビニルフェノール）、ポリスチレン、ポリイミド、エポキシ樹脂であり、無機−有機複合材料は、超微小金属酸化物粒子をポリマー、ポリイミド、又はエポキシ樹脂に分散させたものであり、ソース／ドレイン電極及びゲート誘電体層は半導体層と接している薄膜トランジスタデバイス。；基板は、ガラス又はプラスチックシートであり、ゲート、ソース、及びドレイン電極はそれぞれ独立して金を含み、ゲート誘電体層は、ポリ（メタクリレート）、ポリアクリレート、ポリ（ビニルフェノール）、ポリスチレン、ポリイミド、ポリカーボネート、又はポリエステルである有機ポリマーを含み、ソース／ドレイン電極及びゲート誘電体層は半導体層と接している薄膜トランジスタデバイス。；ポリチオフェン層は、スピンコーティング、スタンプ印刷、スクリーン印刷、又はジェット印刷である溶液処理により形成され、ソース／ドレイン電極及びゲート誘電体層は半導体層と接している薄膜トランジスタデバイス。；ゲート、ソース、及びドレイン電極、誘電体、及び半導体層は、スピンコーティング、溶液キャスティング、スタンプ印刷、スクリーン印刷、及びジェット印刷である溶液処理により塗布された構成要素から形成され、ソース／ドレイン電極及びゲート誘電体層は半導体層と接している薄膜トランジスタデバイス。；基板は、ポリエステル又はポリカーボネートであるプラスチックシートであり、ゲート、ソース、及びドレイン電極は、ポリスチレンスルホナートをドープしたポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）である導電性ポリマー、あるいは、銀又は金である金属をバインダー中にコロイド状に分散させた導電性インキ又はペーストを含み、ゲート誘電体層は有機ポリマー又は無機酸化物粒子−ポリマー複合材であり、ソース／ドレイン電極及びゲート誘電体層は半導体層と接している薄膜トランジスタデバイス。；基板と、ゲート電極と、ゲート誘電体層と、ソース電極と、ドレイン電極と、ソース／ドレイン電極とゲート誘電体層とに接した半導体層と、を含み、半導体層は下記構造式（III）で示されるポリチオフェンを含み、
【化３】
0004530613.tif 000003
式中、Ａは長い側鎖であり、Ｂは水素又は短い側鎖であり、Ｄは二価結合基であり、ａ及びｃはＡ置換チエニレンの数を示すものであって約１〜約６であり、ｂはＢ置換チエニレン単位の数であって０〜約６であり、ｄは０又は１であり、ｎは重合度又はポリチオフェン中のモノマーセグメントの数である薄膜トランジスタデバイス。；Ｄは、必要に応じて、飽和部分又は不飽和部分を含む二価結合基であって、飽和部分は、アルキレン、−Ｏ−Ｒ−Ｏ−、−Ｓ−Ｒ−Ｓ−、−ＮＨ−Ｒ−ＮＨ−であって、式中、Ｒはアルキレン又はアリーレンであり、不飽和部分はアリーレン又はヘテロ芳香族である薄膜トランジスタデバイス。；Ａは６〜約２５の炭素原子を含むアルキルであり、Ｂは水素又は１〜約３の炭素原子を含むアルキルであり、Ｄは、それぞれ約６〜約４０の炭素原子を含むアリーレン又はジオキシアレーン、あるいは、それぞれ約１〜約２０の炭素原子を含むアルキレン又はジオキシアルカンである薄膜トランジスタデバイス。；Ａは約８〜約１２の炭素原子を含むアルキルであり、Ｂは水素原子である薄膜トランジスタデバイス。；Ａは５〜約１５の炭素原子を含むアルキルであり、Ｂは水素原子であり、Ｄはアリーレンであり、ａ、ｂ、ｃ、及びｍはそれぞれ独立して、１、２、及び３の数から選ばれ、ｄ＝１である薄膜トランジスタデバイス。；Ａは約８〜約１２の炭素原子を含むアルキルであり、Ｂは水素原子であり、Ｄはアリーレンであり、ａ＝ｃ＝ｍ＝１、ｂ＝２、ｄ＝１である薄膜トランジスタデバイス。；ｎは約５〜約５，０００である薄膜トランジスタデバイス。；（III）の、いずれもポリスチレン標準を用いたゲル浸透クロマトグラフ法より求めた、数平均分子量（Ｍｎ）は約２，０００〜約１０万であり、重量平均分子量（Ｍｗ）は約４，０００〜約５０万である薄膜トランジスタデバイス。；（III）の、数平均分子量（Ｍｎ）は約１万〜約３万であり、重量平均分子量（Ｍｗ）は約１５，０００〜約１０万である薄膜トランジスタデバイス。；Ａは、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシル、トリデシル、テトラデシル、又はペンタデシルである薄膜トランジスタデバイス。；Ｄは、フェニレン、トリレン、キシリレン、ビフェニレン、置換ビフェニレン、フルオレニレン、フェナントレニレン、ジヒドロフェナントレニレン、及びジベンゾフランジイル、ジベンゾチオフェンジイル、カルバゾールジイルから成る群より選ばれるアリーレンである薄膜トランジスタデバイス。；Ｄは、アルキレン、ジオキシアルカン、ジオキシアレーン、及びオリゴエチレンオキシドから成る群より選ばれる飽和結合基である薄膜トランジスタデバイス。；ポリチオフェン（III）が下記化学式の（３）で表されるポリチオフェンであり、式中、ｎは重合度であって、５から５０００である薄膜トランジスタデバイス。
【００１５】
【化４】
0004530613.tif 000004
【化５】
0004530613.tif 000005
【化６】
0004530613.tif 000006
【化７】
0004530613.tif 000007
；参考態様のポリチオフェン（III）は、あるいは下記化学式で示され、式中、ｎはセグメントの数を表す薄膜トランジスタデバイス。
【００１６】
【化８】
0004530613.tif 000008
【化９】
0004530613.tif 000009
【化１０】
0004530613.tif 000010
；参考態様のポリチオフェン（III）は、あるいは下記化学式で示され、式中、ｎはセグメントの数を表す薄膜トランジスタデバイス。
【００１７】
【化１１】
0004530613.tif 000011
【化１２】
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；参考態様のポリチオフェンは、あるいは下記化学式で示される薄膜トランジスタデバイス。
【００１８】
【化１３】
0004530613.tif 000013
；基板は、ポリエステル、ポリカーボネート、又はポリイミドであるプラスチックシートであり、ゲート、ソース、及びドレイン電極はそれぞれ独立して、金、ニッケル、アルミニウム、プラチナ、又は酸化インジウムチタンを含み、ゲート誘電体層は、窒化ケイ素、酸化ケイ素、絶縁性ポリマーを含み、絶縁性ポリマーは、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリ（メタクリレート）、ポリ（ビニルフェノール）、ポリスチレン、ポリイミド、又はエポキシ樹脂である薄膜トランジスタデバイス。；基板はガラス又はプラスチックシートであり、ゲート、ソース、及びドレイン電極はそれぞれ独立して、金、又は金属をバインダ中に分散したものを含み、ゲート誘電体層は、有機ポリマー又は無機−有機複合材を含むものであって、有機ポリマーは、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリ（メタクリレート）、ポリ（ビニルフェノール）、ポリスチレン、ポリイミド、又はエポキシ樹脂であり、無機−有機複合材は、ポリエステル、ポリイミド、又はエポキシ樹脂であるポリマー中に超微小金属酸化物粒子を分散したものである、薄膜トランジスタデバイス。；基板の厚さは約１０μｍ〜約１０ｍｍであり、ゲート誘電体層の厚さは約１０ｎｍ〜約１μｍであり、ポリチオフェン半導体層の厚さは約１０ｎｍ〜約１μｍであり、ゲート電極層の厚さは約１０ｎｍ〜約１０μｍであり、ソース又はドレイン電極の厚さは約４０ｎｍ〜約１μｍである薄膜トランジスタデバイス。；ポリチオフェン層は、スピンコーティング、スタンプ又はスクリーン印刷、あるいはジェット印刷である溶液処理により形成される薄膜トランジスタデバイス。；電極（ゲート、ソース、及びドレイン）、ゲート誘電体、及び半導体層は、スピンコーティング、溶液キャスティング、スタンプ印刷、スクリーン印刷、及びジェット印刷などの溶液処理により塗布可能な材料から形成される薄膜トランジスタデバイス。；基板は、ポリエステル、ポリカーボネート、又はポリイミドであるプラスチックシートであり、ゲート、ソース、及びドレイン電極は、ポリスチレンスルホナートをドープしたポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）などの導電性ポリマー、又は、ポリマーバインダ中に銀又は金をコロイド状に分散させた導電性インキ又はペーストを含み、ゲート誘電体層は、有機ポリマー又は無機酸化物粒子−ポリマー複合材である薄膜トランジスタデバイス。；基板の厚さは約１０μｍ〜約１０ｍｍであって、望ましい厚さは、可撓性のプラスチック基板では５０〜１００μｍの範囲であり、ガラス又はシリコンなどの堅牢な基板では１〜１０ｍｍの範囲であり、ゲート誘電体層の厚さは約１０ｎｍ〜約１．０μｍであって、望ましい厚さは１００〜５００ｎｍの範囲であり、ポリチオフェン半導体層の厚さは通常１０ｎｍ〜１μｍの範囲であって、望ましい厚さは４０〜１００ｎｍの範囲であり、ゲート電極層の厚さは１０ｎｍ〜１０μｍの範囲であって、望ましい厚さは、金属薄膜では１０〜２００ｎｍの範囲であり、ポリマー導電体では１〜１０μｍの範囲であり、ソース又はドレイン電極の厚さは４０ｎｍ〜１μｍの範囲であって、望ましい厚さは１００〜４００ｎｍの範囲である薄膜トランジスタデバイス。；下記化学式の、２つの２，５−チエニレン単位（I）及び（II）と、二価結合基Ｄとを適度な比で含む、モノマーセグメントから生成したポリチオフェン類。
【００１９】
【化１４】
0004530613.tif 000014
式中、Ａは長い側鎖であって、例えば、その長さに約５〜約２５の炭素原子を含み、Ｂは、水素原子又は短い側鎖であって、例えばその長さに約５又はそれ以下、より詳細にはその長さに約１〜約３の炭素原子を含み、Ｄは、飽和部分又は不飽和部分などの二価の単位であって、飽和部分は、例えば、メチレン、エチレン、プロピレン、ブチレン、ペンチレン、等であり、不飽和部分は、例えば、アリーレン、ビアリーレン、フルオレニレン、等のアリールである。モノマーセグメント中のＡ置換チエニレン単位（I）の数は、例えば、約１〜約１０とすることができ、Ｂ置換チエニレン単位（II）の数は０〜約５とすることができ、二価セグメントＤの数は、例えば０又は１とすることができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
本発明のポリチオフェン類は、参考実施の形態において、下記構造式（III）で示すことができる。
【００２１】
【化１５】
0004530613.tif 000015
式中、Ａは長い側鎖であって、例えば、その長さに５〜２５の炭素原子を含み、Ｂは水素原子又は短い側鎖であって、例えばその長さに４又は約４より少ない炭素原子を含み、Ｄは、飽和部分又は不飽和部分などの二価セグメントであって、飽和部分は、メチレン、エチレン、プロピレン等のアルキレンなどであり、不飽和部分は、アリーレン、ビアリーレン、フルオレニレン等であり、ａ及びｃはＡ置換チエニレンの数であって、ａは、例えば約１〜約８であり、ｃは、例えば０〜約８であり、ｂはＢ置換チエニレン単位の数であって、例えば０〜約５とすることができ、ｄは、例えば０又は１であり、ｎは重合度又はポリチオフェン（III）中のモノマーセグメントの数であって、例えば、約５〜５，０００以上、より詳細には約１０〜約１，０００とすることができる。本発明のポリチオフェン類の数平均分子量（Ｍｎ）は、例えば、約２，０００〜約１０万、より詳細には約４，０００〜約５，０００とすることができ、その重量平均分子量（Ｍｗ）は約４，０００〜約５０万、より詳細には約５，０００〜約１０万とすることができる。Ｍｎ及びＭｗはいずれもポリスチレン標準を用いたゲル浸透クロマトグラフ法により求めた。
【００２２】
Ａの例としては、例えば約５〜約３０の炭素原子を含むアルキル（ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシル、トリデシル、テトラデシル、ペンタデシル、等）、アルコキシアルキル（例えば、メトキシブチル、メトキシペンチル、メトキシヘキシル、メトキシヘプチル、等）、ポリエーテル鎖（ポリエチレンオキシドなど）、パーハロアルキル（パーフルオロアルキルなど）、ポリシロキシ鎖（トリアルキルシロキシアルキル誘導体など）、等が挙げられ、Ｂの例としては、水素、ハロゲン又はハロゲン化物（塩素、フッ素、又は臭素原子など）、アルキル（メチル、エチル、プロピルなど）、アルコキシ（メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシなど）、等が挙げられる。二価結合基Ｄの例は、アルキレン（メチレン、エチレン、ジアルキルメチレン、プロピレン、等）、アリーレン（フェニレン、ビフェニレン、フェナントレニレン、ジヒドロフェナントレニレン、フルオレニレン、オリゴアリーレン、等）、ジオキシアルキレン、ジオキシアリーレン、オリゴエチレンオキシド、等である。
【００２３】
本実施の形態における薄膜トランジスタデバイスは、下記式（３）で表されるポリチオフェンを含み、式中、ｎは重合度であって、５から５０００である。具体的なポリチオフェン類としては、下記化学式のものが挙げられる。式中、ｎはセグメントの数を示す。
【００２４】
【化１６】
0004530613.tif 000016
【化１７】
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【化１８】
0004530613.tif 000018
【化１９】
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【化２０】
0004530613.tif 000020
実施の形態において本発明のポリチオフェン類は、一般的な被覆用有機溶媒に可溶であり、例えば、ジクロロメタン、１，２−ジクロロエタン、テトラヒドロフラン、トルエン、キシレン、メシチレン、クロロベンゼン等の溶媒に約０．１重量％以上、より詳細には約０．５〜約５重量％の溶解度を持つ。更に、本発明のポリチオフェン類は実施の形態において、薄膜トランジスタデバイスの半導体チャネル層に加工すると安定した導電率となり、一般的な４プローブ伝導率測定法によれば、例えば、約１０−９〜約１０−６Ｓ／ｃｍ、より詳細には約１０−８〜約１０−７Ｓ／ｃｍである。
【００２５】
本発明のポリチオフェン類の調製には、それぞれの主として所望する特定のポリチオフェン類に応じて、いくつかの合成法が適している。例えば、一般式（III）で示されるポリチオフェンの、ａ＝ｃ＝ｄ＝ｍ＝１、Ｂ＝Ｈ、Ｄ＝Ａｒ（アリーレン）の場合であるポリチオフェン（Ｖ）は、適切に組み立てられたオリゴチオフェンモノマー（IVb）と適当なアリーレンジボロナートとのスズキカップリング反応から調製できる。詳細には、（IVｂ）は、（IVa）の臭素化より得られ、（IVa）はまた、２−ブロモ−３−アルキルチオフェンと、オリゴチオフェン＝ジブロミドとの反応より得られる（スキーム１参照）。スズキカップリング重合は通常、トルエンなどの適当な溶媒に溶解した等モル当量の（IVｂ）とアリーレンジボロナートとの混合物を、約２〜約６モル％のテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウムと、１〜２Ｍの水溶液とした約２〜約４モル当量の炭酸ナトリウムなどの無機塩基と、約１〜５モル％の、テトラブチルアンモニウム＝クロリド又はトリカプリリルメチルアンモニウム＝クロリド（アリクワット（Aliquat)（登録商標）３３６）などの相間移動触媒の存在下、不活性雰囲気中、例えば、約８０〜約１００℃の温度で加熱撹拌することにより行う。重合後、（Ｖ）などのポリチオフェン生成物は、メタノールから沈殿させ、必要に応じて次に、メタノール、トルエン、クロロベンゼンなどの適当な溶媒を用いたソックスレー抽出を行って単離する。
【００２６】
【化２１】
0004530613.tif 000021
図１は、基板１６と、それに接した金属接点１８（ゲート電極）と、絶縁性誘電体層１４の層と、その上に置かれた２つの金属接点２０及び２２（ソース及びドレイン電極）とを含むＴＦＴ構造体１０の概略図である。本願に示すように、金属接点２０及び２２の上と間にはポリチオフェン半導体層１２がある。
【００２７】
図２は、基板３６と、ゲート電極３８と、ソース電極４０と、ドレイン電極４２と、絶縁性誘電体層３４と、ポリチオフェン半導体層３２とを含む、ＴＦＴ構造体３０の概略図である。
【００２８】
図３は、ゲート電極として作用する高濃度ｎ−ドープシリコンウエハ５６と、熱により生成した酸化ケイ素誘電体層５４と、ポリチオフェン半導体層５２と、その上に置かれたソース電極６０とドレイン電極６２とを含む、別のＴＦＴ構造体５０の概略図である。
【００２９】
図４は、基板７６と、ゲート電極７８と、ソース電極８０と、ドレイン電極８２と、ポリチオフェン半導体層７２と、絶縁性誘電体層７４とを含む、もう一つのＴＦＴ構造体７０の概略図である。
【００３０】
本発明の一部の実施の形態では、必要に応じて、図１〜図４の各トランジスタ構造体の上にポリマーなどの保護層を加えても良い。図４のＴＦＴ構造体では、絶縁性誘電体層７４は保護層としても機能する。
【００３１】
実施の形態において、また更に本発明とその図を参照するなら、基板層は一般に、目的とする用途に応じて、様々な適当な形のシリコンを含むシリコン材料、ガラス板、プラスチックフィルム又はシート、等である。構造可撓性のデバイスでは、例えば、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミドシート等のプラスチック基板を用いる。基板の厚さは、例えば約１０μｍ〜１０ｍｍ以上であり、詳細な厚さは、特に可撓性のプラスチック基板では約５０〜約１００μｍ、ガラス又はシリコンなどの堅牢な基板では約１〜約１０ｍｍである。
【００３２】
ゲート電極をソース及びドレイン電極と隔てることができ、半導体層に接している絶縁性誘電体層は一般に、無機材料膜、有機ポリマー膜、又は有機−無機複合材膜とすることができる。誘電体層の厚さは、例えば約１０ｎｍ〜約１μｍ、より詳細な厚さは約１００〜約５００ｎｍである。誘電体層に適した無機材料の具体例としては、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化アルミニウム、チタン酸バリウム、ジルコン酸チタン酸バリウム、等が挙げられ、誘電体層に適した有機ポリマーの具体例としては、ポリエステル類、ポリカーボネート類、ポリ（ビニルフェノール）、ポリイミド類、ポリスチレン、ポリ（メタクリレート）類、ポリ（アクリレート）類、エポキシ樹脂、等が挙げられ、無機−有機複合材料の具体例としては、ポリエステル、ポリイミド、エポキシ樹脂等のポリマー中に分散した超微小金属酸化物粒子などが挙げられる。絶縁性誘電体層の厚さは通常、使用する誘電体材料の比誘電率に応じて約５０〜約５００ｎｍである。より詳細には、誘電体材料は例えば約３以上の比誘電率を持つため、約３００ｎｍの適当な誘電体の厚さがあれば望ましい静電容量、例えば約１０-9〜約１０-7Ｆ／ｃｍ2とすることができる。
【００３３】
例えば誘電体層とソース／ドレイン電極との間に接して、本願に述べるポリチオフェン類を含む活性半導体層を置く。このとき、この層の厚さは通常、例えば約１０ｎｍ〜約１μｍ、又は約４０〜約１００ｎｍである。この層は通常、本発明のポリチオフェン類の溶液からスピンコーティング、キャスティング、スクリーン、スタンプ、又はジェット印刷などの溶液処理によって製造可能である。
【００３４】
ゲート電極は、金属薄膜、導電性ポリマー膜、導電性インキ又はペーストから作った導電性膜、あるいは基板自体（例えば、高濃度にドープしたシリコン）とすることができる。ゲート電極材料の例としては、アルミニウム、金、クロム、酸化インジウムスズ、導電性ポリマー類、導電性インキ／ペースト等が挙げられるが、これらに限るものではない。導電性ポリマーは、ポリスチレンスルホナートをドープしたポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＳＳ／ＰＥＤＯＴ）などであり、導電性インキ／ペーストは、カーボンブラック／グラファイト又はコロイド状の銀をポリマーバインダー中に分散したもの（例えば、アチソン・コロイズ社（Acheson Colloids Company）製のエレクトロダグ（ELECTRODAG））や、銀を充填した導電性熱可塑性インキ（ノエル・インダストリーズ（Noelle Industries）製）である。ゲート層は、真空蒸着、金属又は導電性金属酸化物のスパッタリング、導電性ポリマー溶液あるいは導電性インキ又は分散液のスピンコーティング、キャスティング、又は印刷による塗布によって調製可能である。ゲート電極層の厚さは、例えば約１０ｎｍ〜約１０μｍであり、詳細な厚さは例えば、金属薄膜では約１０〜約２００ｎｍ、ポリマー導電体では約１〜約１０μｍである。
【００３５】
ソース及びドレイン電極層は、半導体層に対して低抵抗オーム接触となる材料から製造することができる。ソース及びドレイン電極としての使用に適した典型的な材料は、金、ニッケル、アルミニウム、プラチナ、導電性ポリマー、導電性インキなどのゲート電極材料として挙げられたものなどである。この層の典型的な厚さは、例えば、約４０ｎｍ〜約１μｍであり、より詳細な厚さは約１００〜約４００ｎｍである。ＴＦＴデバイスは、幅Ｗ、長さＬの半導体チャネルを含む。半導体チャネル幅は例えば約１０μｍ〜約５ｍｍであり、詳細なチャネル幅は約１００μｍ〜約１ｍｍである。半導体チャネル長さは例えば約１μｍ〜約１ｍｍであり、より詳細なチャネル長さは約５〜約１００μｍである。
【００３６】
ソース電極は接地しており、通常約＋１０〜約−８０ボルトの電圧をゲート電極に印加したときに、半導体チャネルを通って移動する電荷キャリヤを集めるため、通常、約０〜約８０ボルトのバイアス電圧をドレイン電極に印加する。
【００３７】
【実施例】
ａ）デバイスの製造：
基本的な供試デバイス構造体として、図３に図示したトップコンタクト型薄膜トランジスタ構造体を用いた。
【００３８】
この供試デバイスは、ｎ−ドープシリコンウエハと、その上に熱生成させた厚さ約１１０ｎｍの酸化ケイ素層とを含む。ウエハがゲート電極として機能する一方、酸化ケイ素層はゲート誘電体として働き、その静電容量は約３２ｎＦ／ｃｍ2（ナノファラッド／平方センチメートル）であった。デバイスの製造は周囲条件で行い、周囲の酸素、湿気、又は光への材料及びデバイスの暴露を防止する対策は何ら講じなかった。シリコンウエハをまずメタノールで清浄にし、空気乾燥後、０．０１Ｍの１，１，１，３，３，３−ヘキサメチルジシラザンのジクロロメタン溶液に室温で３０分間浸した。次にこのウエハをジクロロメタンで洗い、乾燥した。次に、厚さ約３０〜約１００ｎｍの供試半導体ポリチオフェン層を、速さ１，０００ｒｐｍ、約３５秒間のスピンコーティングにより、酸化ケイ素誘電体層の上に塗布し、真空中８０℃で２０時間乾燥した。半導体層の製造に使用した溶液は、適当な溶媒に溶解した１重量％のポリチオフェンを含み、使用前に０．４５μｍのフィルタで濾過した。その後、金のソース及びドレイン電極を、半導体ポリチオフェン層の上に、様々なチャネル長さと幅のシャドウマスクを通して真空蒸着し、様々な大きさの一連のトランジスタを製作した。念のため製造後のデバイスは、評価の前後には相対湿度約３０％の乾燥雰囲気中、暗所で保存した。
【００３９】
ｂ）ＴＦＴデバイスの特性評価：
電界効果トランジスタの性能を、キースリー（Keithley）４２００ＳＣＳ半導体特性評価デバイスを用いて、暗箱中周囲条件で評価した。キャリヤ移動度（μ）は、飽和領域（ゲート電圧、ＶG＜ソース−ドレイン電圧、ＶSD）におけるデータより、下記の式（１）に従って計算した。
【００４０】
【数１】
ＩSD＝Ｃiμ（Ｗ／２Ｌ）（ＶG−ＶT）2          （１）
式中、ＩSDは飽和領域におけるドレイン電流であり、ＷとＬはそれぞれ半導体チャネルの幅と長さであり、Ｃiはゲート誘電体層の単位面積当たりの静電容量であり、ＶG及びＶTはそれぞれ、ゲート電圧及びしきい電圧である。このデバイスのＶTは、飽和領域におけるＩSDの平方根と、測定データからＩSD＝０を外挿して求めたデバイスのＶGとの関係から求めた。
【００４１】
電界効果トランジスタのもうひとつの特性は、その電流オン／オフ比である。これはゲート電圧ＶGがドレイン電圧ＶDと等しいかそれ以上であるときの飽和ソース−ドレイン電流と、ゲート電圧ＶGがゼロの時のソース−ドレイン電流との比である。
【００４２】
比較例
公知の位置規則性ポリチオフェン、一般にＰ３ＨＴとして知られるポリ（３−ヘキシルチオフェン−２，５−ジイル）を含む、一連の比較用の薄膜トランジスタを製作した。この材料はアルドリッチ・ケミカル（Aldrich Chemical）より購入し、そのクロロベンゼン溶液からメタノールへの沈殿を３回繰り返して精製した。
【００４３】
前述の手法に従い、周囲条件下でデバイスを製作した。Ｗ（幅）＝５，０００μｍ、Ｌ（長さ）＝６０μｍの大きさのトランジスタを用い、５個以上のトランジスタから得た平均特性値は次のとおりである。
【００４４】
移動度                  ：１〜１．２×１０-2ｃｍ2／Ｖ．ｓｅｃ
初期電流オン／オフ比    ：１．５〜２．１×１０3
５日後の電流オン／オフ比：５〜１０
【００４５】
観察された初期電流オン／オフ比が低いのは、ポリ（３−ヘキシルチオフェン−２，５−ジイル）が酸化的ドーピングを受け易く、すなわち環境酸素の存在下ではポリ（３−ヘキシルチオフェン−２，５−ジイル）が不安定であることを示している。僅か５日のうちに電流オン／オフ比が減少するのも、周囲条件でのポリ（３−ヘキシルチオフェン−２，５−ジイル）の機能不安定性を更に裏付けている。
【００４６】
実施例
（ａ）ポリチオフェン（３）の調製：
ポリチオフェン（３）の調製に用いる２つのモノマー、５，５’−ビス（３−ドデシル−５−ブロモ−２−チエニル）−２，２’−ジチオフェンと１，４−ベンゼンビス（ピナコールボロナート）とを次のように調製した。
【００４７】
５，５’−ビス（３−ドデシル−５−ブロモ−２−チエニル）−２，２’−ジチオフェン：
不活性アルゴン雰囲気中、１００ｍｌの丸底フラスコ中で、１０ｍｌのテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）に懸濁したマグネシウム細片（１．２６ｇ、５１．８３ｍｍｏｌ）を攪拌機で撹拌しながら、これに４０ｍｌの無水ＴＨＦに溶解した２−ブロモ−３−ドデシルチオフェン（１１．５ｇ、３４．９２ｍｍｏｌ）の溶液を、２０分間かけてゆっくりと加えた。得られた混合物を、約２２〜約２５℃の室温で２時間撹拌し、次に５０℃で２０分間加熱後室温まで放冷した。得られた混合物を、次にカニューレを用いて、不活性雰囲気中、２５０ｍｌの丸底フラスコ中の、８０ｍｌの無水ＴＨＦに溶解した５，５’−ジブロモ−２，２’−ジチオフェン（４．５ｇ、１３．８８ｍｍｏｌ）と、［１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン］ジクロロニッケル（II）（０．１８９ｇ、０．３５ｍｍｏｌ）との混合物に加え、４８時間還流した。次に、反応混合物を２００ｍｌの酢酸エチルで希釈し、水で２回洗い、５％塩酸（ＨＣｌ）水溶液で洗い、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒留去後に得られた暗茶色のシロップ状物質を、シリカゲルを用いたカラムクロマトグラフ法で精製し、メタノールとイソプロパノールとの混合物から再結晶させて更に精製し、５，５’−ビス（３−ドデシル−２−チエニル）−２，２’−ジチオフェン（収率５５％、融点５８．９℃）を得た。
【００４８】
この化合物のＮＭＲスペクトルを、室温において、ブルカ（Bruker）ＤＰＸ３００ＮＭＲスペクトロメータを用いて測定した。
【００４９】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：δ７．１８（ｄ，Ｊ＝５．４Ｈｚ，２Ｈ），７．１３（ｄ，Ｊ＝３．６Ｈｚ，２Ｈ），７．０２（ｄ，Ｊ＝３．６Ｈｚ，２Ｈ），６．９４（ｄ，Ｊ＝５．４Ｈｚ，２Ｈ），２．７８（ｔ，４Ｈ），１．６５（ｑ，１．６５Ｈｚ，４Ｈ），１．２８（ｂｓ，３６Ｈ），０．８８（ｍ，６Ｈ）
【００５０】
アルゴン雰囲気中、三つ口フラスコ中で、３５ｍｌのジクロロメタン／酢酸（３：１）に溶解した５，５’−ビス（３−ドデシル−２−チエニル）−２，２’−ジチオフェン（０．６１ｇ、０．９２２ｍｍｏｌ）の溶液に、固体のＮ−ブロモスクシンイミド（０．３４８ｇ、１．９５ｍｍｏｌ）を、１０〜２０分間かけて少しずつ加えた。２時間反応後、沈殿した固体生成物を濾過して集め、ジクロロメタンとメタノールとの混合物から再結晶させた。収率は約７９％、融点７５．６℃であった。
【００５１】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：δ６．９（ｓ，２Ｈ），７．１０（ｄ，Ｊ＝３．９Ｈｚ，２Ｈ），６．９６（ｄ，Ｊ＝４．２Ｈｚ，２Ｈ），２．７８（ｔ，４Ｈ），１．６５（ｑ，１．６５Ｈｚ，４Ｈ），１．２８（ｂｓ，３６Ｈ），０．８８（ｍ，６Ｈ）
【００５２】
１，４−ベンゼンビス（ピナコールボロナート）：
アルゴン雰囲気中、約−７５〜約−７８℃で、５００ｍｌの丸底フラスコ中の、１５０ｍｌの無水ＴＨＦに溶解した１，４−ジブロモベンゼン（１１．９ｇ、５０．４４ｍｍｏｌ）の溶液に、１．７Ｍのｔｅｒｔ−ブチルリチウムのペンタン溶液（１２１ｍｌ、２０５．７ｍｍｏｌ）をシリンジを用いて滴下して加え、２時間反応させた。次に、２−イソプロポキシ−４，４’，５，５’−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン（６５．６９ｇ、３５３．０８ｍｍｏｌ）をシリンジを用いて素早く加え、反応混合物を同じ温度で更に２時間、次いで室温で１２時間撹拌した。次に、反応混合物を１５０ｍｌのジクロロメタンで希釈し、濾過して固形物を除いた。有機相を水で３回洗い、乾燥し、蒸発乾固して上記のボロナート粗生成物を得、これをヘキサンから再結晶させて、白色固体を得た（収率約５９％、融点２４５．３℃）。
【００５３】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：δ７．８（ｓ，４Ｈ），１．３（ｓ，２４Ｈ）
【００５４】
重合：
アルゴン雰囲気中、５ｍｌのトルエンに溶解した、５，５’−ビス（３−ドデシル−５−ブロモ−２−チエニル）−２，２’−ジチオフェン（０．５ｇ、０．６１ｍｍｏｌ）と、１，４−ベンゼンビス（ピナコールボロナート）（０．２ｇ、０．６１ｍｍｏｌ）との混合物に、２ｍｌのトルエンに溶解した、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０．０１４ｇ、０．０１２ｍｍｏｌ）と、アリクワット（登録商標）３３６（０．２ｇ）との混合物を加えた。得られた混合物を加熱し、穏やかに撹拌しながら２日間還流した。その後、反応混合物をメタノール中に注ぎ、沈殿したポリチオフェン生成物を濾過して集めた。このポリチオフェンを、トルエンを用いてソックスレー抽出し、次にメタノールから沈澱させて精製し、０．４１６ｇの暗赤色固体のポリチオフェン（３）を得た。
【００５５】
ｂ）デバイスの製造と評価：
上記で調製したポリチオフェンを用い、本件に述べた一般的手法に従って周囲条件下で薄膜トランジスタデバイスを製作した。周囲の酸素又は光を排除する対策は講じなかった。Ｐ３ＨＴと同じ大きさ（Ｗ＝５，０００μｍ、Ｌ＝６０μｍ）を用いて、ＰＱＴＰ−１２について５個以上のトランジスタから得た平均特性値は次のとおりである。
【００５６】
移動度                    ： ４．３〜６．１×１０-3ｃｍ2／Ｖ．ｓｅｃ
初期電流オン／オフ比      ： ６．０〜９．５×１０5
５日後の電流オン／オフ比  ： １．８〜５．５×１０5
３０日後の電流オン／オフ比： ６．８〜８．４×１０4
【００５７】
初期電流オン／オフ比が大きく、時間経過に伴う電流オン／オフ比の低下が遅いことから、ポリチオフェン半導体層が安定であることが示された。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明によるポリチオフェン類を用いた実施の形態のＴＦＴ構造体の概略図である。
【図２】  本発明によるポリチオフェン類を用いた実施の形態の別のＴＦＴ構造体の概略図である。
【図３】  本発明によるポリチオフェン類を用いた実施の形態の別のＴＦＴ構造体の概略図である。
【図４】  本発明によるポリチオフェン類を用いた実施の形態の別のＴＦＴ構造体の概略図である。
【符号の説明】
１０  ＴＦＴ構造体、１２  ポリチオフェン半導体層、１４  絶縁性誘電体層、１６  基板、１８，２０，２２  金属接点、３０  ＴＦＴ構造体、３２  ポリチオフェン半導体層、３４  絶縁性誘電体層、３６  基板、３８  ゲート電極、４０  ソース電極、４２  ドレイン電極、５０  ＴＦＴ構造体、５２  ポリチオフェン半導体層、５４  酸化ケイ素誘電体層、５６  シリコンウエハ、６０  ソース電極、６２  ドレイン電極、７０  ＴＦＴ構造体、７２  ポリチオフェン半導体層、７４  絶縁性誘電体層、７６  基板、７８  ゲート電極、８０  ソース電極、８２  ドレイン電極。
【図１】
0004530613.tif 000023
【図２】
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【図３】
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【図４】
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