(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属錯体としてＡｇトリフルオロアセチルアセトナートまたはＣｕトリフルオロアセチルアセトナートを含有した感光性熱硬化性樹脂組成物を支持基体上に塗布して感光性をもつ熱硬化性樹脂層を形成する工程と、
次いで、該感光性熱硬化性樹脂層にパターン露光及び現像を行って所要パターンを形成してから加熱硬化すると共に表面に金属を析出させて金属層を生成させる工程と、
次いで、前記金属層をシード層として無電解めっき法にてめっき厚付けして配線層を形成する工程とが含まれてなること
を特徴とする配線形成方法。
【請求項２】
前記感光性熱硬化性樹脂組成物は、
金属元素のイオン化傾向が水素より上であり、且つ、金属と配位子との分解温度が前記感光性熱硬化性樹脂の硬化温度に比較して低い金属錯体、及び、光反応開始剤、及び、有機溶剤を含むものであること
を特徴とする請求項１記載の配線形成方法。
【請求項３】
前記金属錯体の添加量は、
前記感光性熱硬化性樹脂の繰り返し単位当たりの金属原子として０．５〜１に調節して添加されること
を特徴とする請求項１記載の配線形成方法。
【請求項４】
配位子が有機配位子であって前記金属錯体が添加される前記感光性熱硬化性樹脂の硬化温度に比較して低い温度で分解且つ昇華するものであること
を特徴とする請求項２記載の配線形成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、真空装置などを用いることなく、しかも、絶縁層を腐食せず、高い密着性をもつ配線を形成する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、樹脂絶縁層上に配線を形成する場合、シード層を形成した後、めっきを行うなどして厚く形成することが知られていて、その際、シード層はスパッタリング法を適用するなど、真空装置を用いるか、若しくは、無電解めっきを行って形成している。尚、無電解めっきを実施する場合、配線と樹脂絶縁層との良好な密着性を得る為、樹脂絶縁層表面を腐食して粗面にする必要がある。
【０００３】
然しながら、取り扱う信号の高周波化に起因し、絶縁層の表面に対しては、更なる平滑化が要求されているところであり、現在、その要求に応ずるには、スパッタリング法など真空装置を用いる技法を適用しなければならず、その為、クリーン・ルームなど高価な設備が必要となり、コスト低減の要求に対して限界がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、真空装置などを必要とせず、また、絶縁層を腐食して凹凸を形成して密着性を向上させるなどの手段を必要とせず、下地に高い密着性をもった良好な配線を実現できるようにする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明では、樹脂絶縁膜上に金属配線を形成する場合、感光性樹脂のワニス組成物として、金属錯体を樹脂の繰り返し単位当たり金属原子が０．５箇〜１箇となるように添加したものを用い、それを硬化後の膜厚が１〔μｍ〕以下となるように塗布し、マスクを介して露光してから現像を行い、その後、加熱硬化することで前記樹脂膜の表面に前記金属錯体に含まれていた金属を析出させて金属層を生成させ、その金属層をめっきのシード層として用い、その上に金属をめっきして所要の膜厚をもつ配線を形成することが基本になっている。
【０００６】
因みに、樹脂膜表面を単純に金属化する方法、具体的には、ポリイミドワニスに銀錯体を添加し、加熱硬化して銀を表面に析出させる方法（要すれば、「米国特許第６，０１９，９２６号明細書」、「米国特許第５，６７７，４１８号明細書」、「米国特許第５，５２０，９６０号明細書」を参照）が既知であるが、これ等の公知発明では、ポリイミド膜表面に光反射性に優れた金属層を形成することが狙いになっている。
【０００７】
図１及び図２は本発明の原理を説明する為の工程要所に於ける配線構造体を表す要部切断側面図であり、以下、これ等の図を参照しつつ説明する。尚、ここでは単層配線を対象としている。
【０００８】
図１（Ａ）参照
（１）
絶縁層１上に金属錯体を添加した感光性樹脂ワニスを塗布・乾燥して感光性樹脂層２（ポリマーユニット／メタルｍｏｌ数＝１〜３）を形成する。
尚、金属錯体の添加量としては、感光性熱硬化性樹脂の繰り返し単位当たりの金属原子として０．５〜１の範囲で調節することが好ましく、この範囲が金属を樹脂表面に析出させるのに最も適している。若し、前記範囲より少ないと、析出量が少なくて、
【０００９】
図１（Ｂ）参照
（２）
活性光線、例えば紫外線を所要パターンをもつマスク３を介して樹脂層２に照射して露光を行う。
【００１０】
図１（Ｃ）参照
（３）
現像を行って、樹脂層２をパターニングする。これに依って、樹脂層２の未露光部が残り、露光部は除去される。
【００１１】
図２（Ａ）参照
（４）
パターン化された樹脂層２を加熱することで硬化させ、同時に、表面に金属層４を析出させる。
【００１２】
図２（Ｂ）参照
（５）
金属層４をシード層としてめっき厚付けを行って配線層５を形成する。尚、図では、簡明にする為、配線層５中に金属層４が含まれた状態に表してある。
尚、以上の説明に於いて、感光性樹脂ワニスに対する金属錯体の添加量は、感光性熱硬化性樹脂の繰り返し単位当たりの金属原子として０．５〜１の範囲で調節することが最良であり、この範囲が金属を樹脂表面に析出させるのに最も適していて、若し、その範囲より少ないと析出量が少な過ぎて、その後のめっきプロセスでシード層としての働きが不充分となり、また、その範囲より多くなると樹脂の劣化に結び付くことになる。
【００１３】
図３及び図４は本発明の原理を説明する為の工程要所に於ける配線構造体を表す要部切断側面図であり、以下、これ等の図を参照しつつ説明する。尚、ここでは多層配線を対象としていて、図では、多層配線の中間層、或いは、最上層が掲示されているものとする。
【００１４】
図３（Ａ）参照
（１）
図３（Ａ）には、例えばポリイミドからなる層間絶縁層１１に対し、通常の技法を適用して加工を施した状態、例えば、レーザ照射に依るビア・ホールの形成、そのビア・ホールを導電性ペーストで埋めてビア１２を形成した状態が表されている。
【００１５】
図では省略されているが、ビア１２が形成された層間絶縁膜１１の下地としては、ビア１２に接続された配線層が形成された絶縁膜、その絶縁膜を支持する基板などが存在する。
【００１６】
図３（Ｂ）参照
（２）
ビア１２の頂面と層間絶縁層１１の全面に金属錯体（例えばＣｕトリフルオロアセチルアセトナート）を添加した感光性樹脂ワニス（例えば感光性ポリイミドワニス）を塗布・乾燥して感光性樹脂層１３（ポリマーユニット／メタルｍｏｌ数＝１）を形成する。
【００１７】
図３（Ｃ）参照
（３）
活性光線、例えば紫外線を所要パターンをもったマスク１４を介して樹脂層１３に照射して露光を行う。
【００１８】
図４（Ａ）参照
（４）
現像を行って、樹脂層１３をパターニングする。これに依って、樹脂層１３の未露光部が残り、露光部は除去される。尚、このパターニングは、ビア１２の周縁に金属錯体が添加された樹脂層１３が掛かるように実施される。
【００１９】
図４（Ｂ）参照
（５）
パターン化された樹脂層１３を加熱することで硬化させ、同時に、表面に金属層（例えばＣｕ層）１５を析出させる。
【００２０】
図４（Ｃ）参照
（６）
金属層１５をシード層としてめっき厚付けを行って配線層１６を形成する。
尚、図では、簡明にする為、配線層１６中に金属層１５が含まれた状態に表してある。
【００２１】
本発明では、前記手段を採ることに依り、真空装置など高額な設備を必要とすることなく、また、絶縁層を腐食して凹凸を形成して密着性を向上させるなどの煩わしい手段を必要とすることなく、下地に高い密着性をもち、且つ、高周波信号伝送に良好な特性を示す配線を容易に形成することができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
本発明に於いて使用する金属錯体は、添加される樹脂の硬化温度以下の温度で分解されることが必要である。
【００２３】
また、樹脂は、その構造中に不対電子をもつ原子を含有していないものであることが望ましく、若し、不対電子が存在した場合には、加熱分解して錯体から遊離した金属ラジカルがそこにトラップされてしまい、金属層が生成され難くなってしまう。
【００２４】
シード層が形成された後、その上には電気めっき法、高速無電解めっき法などを適用して金属を厚付けして配線を形成する。
【００２５】
感光性樹脂としては、配線、その他を形成するプロセス上、加熱が繰り返されることになるので、熱硬化性樹脂であることが必要であり、そのような樹脂として、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ＢＣＢ（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）、ポリベンゾオキサゾールなどを用いることができる。
【００２６】
エポキシ樹脂の場合は、（ａ）エポキシ化合物、（ｂ）アルカリ可溶性エポキシ硬化剤、（ｃ）ラジカル重合性不飽和結合を有する化合物、（ｄ）光反応開始剤、（ｅ）金属錯体、からなるエポキシ樹脂組成物である。
【００２７】
前記エポキシ樹脂組成物に於いて、（ａ）成分のエポキシ化合物としては、フェノールノボラック型、クレゾールノボラック型、或いは、それ等のハロゲン化エポキシ樹脂（例えば東都化成製ＹＤＣＮ−７０１、ＹＤＣＮ−７０４、ＹＤＰＮ−６３８、ＹＤＰＮ−６０２、ダウ・ケミカル製ＤＥＮ−４３１、ＤＥＮ−４３９、チバ・ガイギー製ＥＰＮ−１１３８、ＥＰＮ−１２３５、ＥＰＮ−１２９９、大日本インキ工業製Ｎ−７３０、Ｎ−７７０、Ｎ−８６５、Ｎ−６６５、Ｎ−６７３、Ｎ−６９５、ＶＨ−４１５０、ＶＨ−４２４０、ＶＨ−４４４０、日本化薬製ＥＯＣＮ−１２０、ＥＯＣＮ−１０４、ＢＲＰＮ−１０２０、ＢＲＥＮ−Ｓ、旭化成工業製ＥＣＮ−２６５、ＥＣＮ−２９３、ＥＣＮ−２８５、ＥＣＮ−２９９、住友化学製ＥＳＣＮ−１９５）や、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、水添ビスフェノールＡ型、グリシジルエーテル型或いはそれ等のハロゲン化エポキシ樹脂（例えば油化シェル製エピコート８２８、エピコート８３４、エピコート１００１、エピコート１００４、エピコート１０１０、旭電化製ＥＰ−４１００、ＥＰ−５１００、大日本インキ工業製エビクロン８３０、エビクロン８４０、エビクロン８６０、エビクロン３０５０、ダウ・ケミカル製ＤＥＲ−３３０、ＤＥＲ−３３７、ＤＥＲ−３６１、住友化学製ＥＳＢ−４００）に不飽和カルボン酸を反応させてアクリル酸やメタクリル酸などの感光基を付加したものを使用することができる。
【００２８】
前記エポキシ樹脂組成物に於いて、（ｂ）成分のアルカリ可溶性エポキシ硬化剤としては、フェノール系化合物、クレゾール系化合物或いはカルボキシル基を有する化合物を使用することができ、具体例としては、ノボラック型フェノール樹脂、ノボラック型クレゾール樹脂、フタル酸などを用いることができ、また、酸無水物、アミンなどを併用しても良く、具体例としては、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、ｍ- フェニレンジアミン、４，４′−ジアミノジフェニレンスルホン、ＢＦ2 モノメチルアミン、ジシアンジアミドなどを使用することができる。
【００２９】
前記エポキシ樹脂組成物に於いて、（ｃ）成分のラジカル重合性不飽和結合を有する化合物としては、ビニル基、アクリル基、メタクリル基などを有する化合物を使用することができ、具体例としては、スチレン、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、グリセリンジメタクリレート、エチレングリコールジメタクリレート、ネオベンチルグリコールジメタクリレート、ネオベンチルグリコールジアクリレート、トリメチロールブロパントリメタクリレート、トリメチロールブロパントリアクリレートなどを単独、或いは、混合して使用することができる。
【００３０】
前記エポキシ樹脂組成物に於いて、（ｄ）成分の光反応開始剤としては、一般に知られているアクリル、メタクリル系モノマ用の多くの光反応開始剤を使用することができ（要すれば、「ＮＩＫＫＥＩ  ＮＥＷ  ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ；１９９０年４月１６日号，ｐ４３−ｐ４９．」、「材料技術；Ｖｏｌ．２，１０，（１９８４），ｐ１−ｐ１７．」、「Ｏ  ｐｌｕｓ  Ｅ；Ｎｏ．１３３，ｐ１０５−ｐ１１６（１９９０）．」、「フォトポリマハンドブック  フォトポリマ−懇話会編；工業調査会発行，初版，（１９８９），ｐ４４２−ｐ４５７．」等の記載を参照）、具体例としては、３，３′，４，４′−テトラ（ｔ−ブチルパーオキシカルボニル）ベンゾフェノン、過酸化ベンゾイル、ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）フタレート、ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）テレフタレート、ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）イソフタレート等の有機過酸化物を使用することができ、又、増感剤として、４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ビラン、３，３′−カルボニルビス（７−ジエチルアミノクマリン）、２，５−ビス−（４−ジエチルアミノベンジリデン）シクロペンタノン、２，６−ビス−（４−ジメチルアミノベンジリデン）シクロヘキサノン等を、そして、ベンゾイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、２−（ｏ−クロロフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾリル２量体、２−（ｏ−フルオロフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾリル２量体、２−（ｏ−クロロフェニル）−４，５−ビス−（ｍ−メトキシフェニル）イミダゾリル２量体、２−（ｏ−メトキシフェニル）４，５−ジフェニルイミダゾリル２量体等のイミダゾール類、及び、７−ジエチルアミノ−４−メチルクマリン、２−メルカプトベンゾチアゾール、５−クロロ−２−メルカプトベンゾチアゾール、２−メルカプトベンゾオキサゾール、ｐ−アミノベンゾフェノン、ｐ−ジエチルアミノベンゾフェノン、ｐ，ｐ′−ビス（エチルアミノ）ベンゾフェノン、ｐ，ｐ′−ビス（ジメチルアミノ）ベンゾフェノン、１Ｈ−１，２，４−トリアゾール−３−チオール、４−メチル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾール−３−チオールなどの化合物から選ばれた組み合わせの混合物を使用することができ、更に又、増感色素として、３，３′−カルボニルビス（７−ジエチルアミノクマリン）、２，６−ビス−（４−ジメチルアミノベンジリデン）シクロヘキサノン、２，５−ビス−（４−ジエチルアミノベンジリデン）シクロぺンタノン等を使用することができる。
【００３１】
前記エポキシ樹脂組成物の塗布性を向上しようとする場合、希釈剤としてエチレングリコールモノエーテル類、アセテート類、シクロヘキサノン、トルエン、キシレンなどの有機溶剤を加えると良く、又、エポキシ化合物の硬化促進の為には、トリフェニルホスフィンや２−ウンデシルイミダゾールなどの硬化促進剤を添加して良い。
【００３２】
さて、ポリイミド樹脂の場合には、（ａ）カルボン酸二無水物、（ｂ）ジアミン化合物、（ｃ）光反応開始剤、（ｄ）金属錯体、からなるポリイミド樹脂組成物である。
【００３３】
前記ポリイミド樹脂組成物に於いて、（ａ）成分のテトラカルボン酸二無水物として、具体的には、ピロメリット酸二無水物、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、３，３′−４，４′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２−ビス（３，４−ベンゼンジカルボン酸アンヒドリド）パーフルオロプロパン、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ジメチルシランアンヒドリド、１，３−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）−１，１，３，３，−テトラメチルジシロキサンアンヒドリド、２，２−ビス〔４−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル〕プロパン二無水物、１，１，３，３，−テトラメチル−１，３−ビス〔４−（１，２，３，６−テトラヒドロ無水フタル酸）〕−ジシロキサンを使用することができる。尚、テトラカルボン酸二無水物は１種を単独で、又は、２種以上を併用することもできる。
【００３４】
前記ポリイミド樹脂組成物に於いて、（ｂ）成分のジアミンとして、具体的には、ｐ−フェニレンジアミン、ｍ−フェニレンジアミン、４，４′−ジアミノジフェニルメタン、４，４′−ジアミノジフェニルエーテル、２，２′−ビス（４−アミノフェニル）プロパン、４，４′−ジアミノジフェニルスルホン、４，４′−ジアミノジフェニルスルフィド、１，４′−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４′−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４′−ビス（ｍ−アミノフェニルスルホニル）ベンゼン、１，４′−ビス（ｐ−アミノフェニルスルホニル）ベンゼン、１，４′−ビス（ｍ−アミノフェニルチオエーテル）ベンゼン、１，４′−ビス（ｐ−アミノフェニルチオエーテル）ベンゼン、２，２′−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン、２，２′−ビス〔３−メチル−４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン、２，２′−ビス〔３−クロロ−４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン、１，１′−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕エタン、１，１′−ビス〔３−メチル−４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕エタン、１，１′−ビス〔３−クロロ−４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕エタン、１，１′−ビス〔３，５−ジメチル−４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕エタン、ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕メタン、ビス〔３−メチル−４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕メタン、ビス〔３−クロロ−４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕メタン、ビス〔３，５−ジメチル−４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕メタン、ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕スルホン、２，２′−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕パーフルオロプロパンから選択される炭素数６〜３０の芳香族環含有ジアミンを使用することができる。
【００３５】
また、ケイ素原子数２〜２０のシロキサン、シルアルキレン、シルアリーレンのジアミン残基をもつジアミンなども使用することができ、これ等のジアミンは１種を単独で用いるか、或いは、２種以上を併用しても良い。
【００３６】
前記ポリイミド樹脂組成物に於いて、（ｃ）成分の光反応開始剤として、具体的には、ミヒラーズケトン、ベンゾイン、２−メチルベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、２−ｔ−ブチルアントラキノン、１，２−ベンゾ−９，１０−アントラキノン、アントラキノン、メチルアントラキノン、４−４′−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン、アセトフェノン、ベンゾフェノン、チオキサントン、１，５−アセナフテン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−メチル−〔４−（メチルチオ）フェニル〕−２−モルフォリノ−１−プロパノン、ジアセチル、ベンジル、ベンジルジメチルケタール、ベンジルジエチルケタール、ジフェニルジスルフィド、アントラセン、２−ニトロフルオレン、ジベンザルアセトン、１−ニトロビレン、１，８−ジニトロビレン、１，２−ナフトキノン、１，４−ナフトキノン、１，２−ベンズアントラキノン、３−３′−カルボニルビス（−ジエチルアミノクマリン）、Ｎ−フェニルグリシン、２，６−ジ（ｐ−アジドベンザル）−４−メチルシクロヘキサノン、２，６−ジ（ｐ−アジドベンザル）シクロヘキサノン、４−４′ジアジドカルコン、４−４′−ジアジドベンザルアセトン、４−４′−ジアジドスチルベン、４−４′−ジアジドベンゾフェノン、４−４′−ジアジドジフェニルメタン、４−４′−ジアジドジフェニルアミン等を使用することができる。
【００３７】
本発明に於ける感光性樹脂には、感光性を向上させる為、光反応性官能基をもつ化合物を添加することができる。
【００３８】
このような化合物として、例えば、ブチルアクリラート、シクロヘキシルアクリラート、ジメチルアミノエチルメタクリラート、ベンジルアクリラート、カルビトールアクリラート、２−エチルヘキシルアクリラート、２−エチルヘキシルメタクリラート、ラウリルメタクリラート、２−ヒドロキシエチルアクリラート、２−ヒドロキシエチルメタクリラート、２−ヒドロキシプロピルアクリラート、２−ヒドロキシプロピルメタクリラート、グリシジルメタクリラート、Ｎ−メチロールアクリルアミド、Ｎ−ジアセトンアクリルアミド、Ｎ，Ｎ′−メチレンビスアクリルアミド、Ｎ−ビニルピロリドン、エチレングリコールジアクリラート、ジエチレングリコールジアクリラート、トリチレングリコールジアクリラート、ブチレングリコールジアクリラート、ブチレングリコールジメタクリラート、ネオベンチルグリコールジアクリラート、ネオベンチルグリコールジメタクリラート、１；４−ブタンジオールジアクリラート、１；６−ヘキサンジオールジアクリラート、１；６−ヘキサンジオールジメタクリラート、ペンタエリスリトールジアクリラート、ペンタエリスリトールトリアクリラート、トリメチロールプロパントリアクリラート、トリメチロールプロパントリメタクリラート等を使用することができる。
【００３９】
図５乃至図８は本発明の一実施例を説明する為の工程要所に於ける配線構造体を表す要部切断側面図であり、以下、これ等の図を参照しつつ説明する。尚、この実施例では多層配線の形成を対象にしていて、ｎ番目の配線層を形成する場合について説明してある。従って、図示された層間絶縁層の下地には所要数の配線層や基板が存在している。
【００４０】
図５（Ａ）参照
（１）
通常の技法を適用することに依り、ポリイミドからなる層間絶縁層２１に選択的にレーザを照射してビア・ホールを形成し、そのビア・ホールを導電性ペーストで埋めてビア２２を形成する。
【００４１】
図では省略されているが、ビア２２が形成された層間絶縁層２１の下地としては、ビア２２と接続された配線が形成された配線層を含む複数の多層配線層が存在し、また、それ等の多層配線層を支持する基板などが存在している。
【００４２】
（２）
スピン・コート法を適用することに依って、ビア２２の頂面を含む層間絶縁層２１の全面に金属錯体の一種であるＡｇトリフルオロアセチルアセトナートをＡｇ原子：ポリイミドの繰り返し単位＝１：１〜２となるように添加した感光性ポリイミド（ＢＰＤＡ−ＯＤＡ：ポリイミドを構成する酸無水物とジアミンとの組み合わせ）前駆体を塗布・乾燥して感光性ポリイミド層２３を形成する。尚、この場合、スピン・コートの回転数は２０００〔ｒｐｍ〕〜３０００〔ｒｐｍ〕とした。
【００４３】
感光性ポリイミド前駆体に金属錯体を添加するには、ジメチルスルホキシドにトリフルオロアセチルアセトンを溶かし、その後、酢酸Ａｇを溶解したものの中にポリイミドワニスを混合し、３０〔分〕以上攪拌してから静置する。この時、硬化後の感光性ポリイミド層２３の層厚が１〔μｍ〕以下となるようにワニス濃度を調節する。
【００４４】
（３）
全体を乾燥空気中に２〔時間〕〜３〔時間〕程度放置し、感光性ポリイミド層２３に於ける溶媒を完全に放散させる。
【００４５】
図５（Ｂ）参照
（４）
所要パターンをもったマスクを介して紫外線を感光性ポリイミド層２３に照射して露光を行う。
【００４６】
図５（Ｃ）参照
（５）
現像に依ってポリイミド層２３のパターニングを行う。これに依って、ポリイミド層２３に於ける露光部は除去され、未露光部がライン幅５〔μｍ〕〜５０〔μｍ〕の配線パターンとして残る。尚、このパターニングは、ビア２２の周縁にポリイミド層２３が掛かるように実施される。
【００４７】
図６（Ａ）参照
（６）
昇温レートが０．５〔℃／分〕〜１〔℃／分〕であるように設定してパターン化されたポリイミド層２３の温度を３５０〔℃〕まで上昇させて加熱硬化を行い、同時に、表面にＡｇからなる金属層２４を析出させる。
【００４８】
図６（Ｂ）参照
（７）
析出金属層２４上に触媒（図示せず）を付与してから、無電解銅めっき（荏原ユージーライト製）で層厚が５〔μｍ〕〜２０〔μｍ〕となるようにめっき厚付けして配線層２５を形成する。尚、図では、簡明にする為、配線層２５中に析出金属層２４が含まれた状態に表してある。
【００４９】
図６（Ｃ）参照
（８）
配線層２５上に触媒３０を付与した後、窒素ガス雰囲気（１０〔ｐｐｍ〕酸素）のオーブン中で温度１１０〔℃〕、時間３０分として触媒固定化の熱処理を行う。
【００５０】
図７（Ａ）参照
（９）
リソグラフィ技術に於けるレジスト・プロセスを適用することに依り、ビア形成予定部分に開口２６Ａをもつ厚さ５〔μｍ〕〜１０〔μｍ〕のめっきレジスト層２６を形成する。
【００５１】
図７（Ｂ）参照
（１０）
無電解銅めっきを行って、開口２６Ａを埋めるビア２７を形成する。
【００５２】
図７（Ｃ）参照
（１１）
レジスト剥離液中に浸漬してレジスト層２６を除去し、この際、必要あれば触媒も除去する。
【００５３】
図８（Ａ）参照
（１２）
スピン・コート法を適用することに依り、ポリイミド（日立−デュポン  マイクロシステムズ製  Ｐ１２６１１）を塗布し、加熱硬化して厚さ５〔μｍ〕〜１０〔μｍ〕の層間絶縁膜２８を形成する。
【００５４】
図８（Ｂ）参照
（１３）
ＣＭＰ（ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）法を適用することに依り、ビア２７の頂面が表出して、且つ、平坦化されるまで全面を研磨する。
【００５５】
前記工程を経ることで、ｎ番目の配線層が完成されたが、必要あれば、前記工程（１）乃至（１３）を繰り返すことで更に多層化することができる。
【００５６】
前記説明した実施例に於いては、感光性ポリイミド前駆体にＡｇトリフルオロアセチルアセトナートを添加したが、これは他の金属錯体、例えばＣｕトリフルオロアセチルアセトナートを添加しても良く、その場合、濃度は実施例１と同様であるが、露光量は、Ｃｕ2+が紫外光を吸収する為、Ａｇの場合に比較して１０倍〜２０倍を必要とする。
【００５７】
本発明に於いては、前記説明した実施の形態を含め、多くの形態で実施することができ、以下、それを付記として例示する。
【００５８】
（付記１）
金属錯体を含有し感光性熱硬化性樹脂の組成物を支持基体上に塗布して感光性をもつ熱硬化性樹脂層を形成する工程と、
次いで、該感光性熱硬化性樹脂層にパターン露光及び現像を行って所要パターンを形成してから加熱硬化すると共に表面に金属を析出させて金属層を生成させる工程と、
次いで、前記金属層をシード層として無電解めっき法にてめっき厚付けして配線層を形成する工程とが含まれてなること
を特徴とする配線形成方法。（１）
【００５９】
（付記２）
感光性熱硬化性樹脂組成物は、
金属元素のイオン化傾向が水素より上であり、且つ、金属と配位子との分解温度が前記感光性熱硬化性樹脂の硬化温度に比較して低い金属錯体、及び、光反応開始剤、及び、有機溶剤を含むものであること
を特徴とする（付記１）記載の配線形成方法。（２）
【００６０】
（付記３）
感光性熱硬化性樹脂は、
ガラス転位点が１５０〔℃〕〜４５０〔℃〕であって耐熱性をもつエポキシ樹脂、ポリイミド、芳香性ポリアミド、ポリベンゾイミダゾール、ベンゾシクロブテン、ポリベンゾオキサゾールの何れかであること
を特徴とする（付記１）記載の配線形成方法。
【００６１】
（付記４）
金属錯体の添加量は、
感光性熱硬化性樹脂の繰り返し単位当たりの金属原子として０．５〜１に調節して添加されること
を特徴とする（付記１）記載の配線形成方法。（３）
【００６２】
（付記５）
配位子が有機配位子であって金属錯体が添加される感光性熱硬化性樹脂の硬化温度に比較して低い温度で分解且つ昇華するものであること
を特徴とする（付記２）記載の配線形成方法。（４）
【００６３】
（付記６）
配位子が有機配位子であって
【化１】
0004597431.tif 000002
に見られる構造のアセチルアセトナト化合物であること
を特徴とする（付記２）或いは（付記５）記載の配線形成方法。
【００６４】
（付記７）
支持基体上の配線、樹脂絶縁層と層間接続ビア、配線からなる構成が繰り返されてなる多層配線基板に於いて、
配線パターンをもつ熱硬化性樹脂層及び該熱硬化性樹脂層表面に析出された金属薄層及び金属薄層上に形成した無電解めっきに依る厚付け金属層からなり且つ少なくとも無電解めっきに依る厚付け金属層が下層の層間接続ビアに接触して位置する配線を備えてなること
を特徴とする多層配線基板。
【００６５】
【発明の効果】
本発明に依る配線形成方法に於いては、金属錯体を含有した感光性熱硬化性樹脂組成物を支持基体上に塗布して感光性をもつ熱硬化性樹脂層を形成し、感光性熱硬化性樹脂層にパターン露光及び現像を行って所要パターンを形成してから加熱硬化すると共に表面に金属を析出させて金属層を生成させ、金属層をシード層として無電解めっき法にてめっき厚付けして配線層を形成する。
【００６６】
前記構成を採ることに依り、真空装置など高額な設備を必要とすることなく、また、絶縁層を腐食して凹凸を形成して密着性を向上させるなどの煩わしい手段を必要とすることなく、下地に高い密着性をもち、且つ、高周波信号伝送に良好な特性を示す配線を容易に形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の原理を説明する為の工程要所に於ける配線構造体を表す要部切断側面図である。
【図２】本発明の原理を説明する為の工程要所に於ける配線構造体を表す要部切断側面図である。
【図３】本発明の原理を説明する為の工程要所に於ける配線構造体を表す要部切断側面図である。
【図４】本発明の原理を説明する為の工程要所に於ける配線構造体を表す要部切断側面図である。
【図５】本発明の一実施例を説明する為の工程要所に於ける配線構造体を表す要部切断側面図である。
【図６】本発明の一実施例を説明する為の工程要所に於ける配線構造体を表す要部切断側面図である。
【図７】本発明の一実施例を説明する為の工程要所に於ける配線構造体を表す要部切断側面図である。
【図８】本発明の一実施例を説明する為の工程要所に於ける配線構造体を表す要部切断側面図である。
【符号の説明】
１  絶縁層
２  感光性樹脂層
３  マスク
４  金属層
５  配線層
【図１】
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【図２】
0004597431.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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