(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
抵抗率が０．９×１０−３〜１０×１０−３Ω・ｃｍの高抵抗透明導電膜を形成するための高抵抗透明導電膜用スパッタリングターゲットであって、酸化インジウムと必要に応じて酸化錫を含有すると共に酸化珪素を含有し、相対密度が１００％以上であり、且つＦｅ濃度が１５ｐｐｍ以下であり、Ａｌ及びＺｒがそれぞれ１０ｐｐｍ以上含有されていることを特徴とする高抵抗透明導電膜用スパッタリングターゲット。
【請求項２】
請求項１記載の高抵抗透明導電膜用スパッタリングターゲットにおいて、前記酸化珪素が４〜７質量％含有されていることを特徴とする高抵抗透明導電膜用スパッタリングターゲット。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の高抵抗透明導電膜用スパッタリングターゲットにおいて、錫（Ｓｎ）がインジウム１モルに対して０〜０．３モル含有されていることを特徴とする高抵抗透明導電膜用スパッタリングターゲット。
【請求項４】
酸化インジウムと必要に応じて酸化錫を含有すると共に酸化珪素を含有し、抵抗率が０．９×１０−３〜１０×１０−３Ω・ｃｍであり、Ｆｅ濃度が１５ｐｐｍ以下であり、Ａｌ及びＺｒがそれぞれ１０ｐｐｍ以上含有されていることを特徴とする高抵抗透明導電膜。
【請求項５】
請求項４記載の高抵抗透明導電膜において、前記酸化珪素が４〜７質量％含有されていることを特徴とする高抵抗透明導電膜。
【請求項６】
請求項４又は５に記載の高抵抗透明導電膜において、錫（Ｓｎ）がインジウム１モルに対して０〜０．３モル含有されていることを特徴とする高抵抗透明導電膜。
【請求項７】
請求項４〜６の何れかに記載の高抵抗透明導電膜において、最適酸素分圧で成膜した、１２００Åの膜の波長５５０ｎｍの光透過率が９５％以上と同等の光透過率を有する膜であることを特徴とする高抵抗透明導電膜。
【請求項８】
酸化インジウムと必要に応じて酸化錫を含有すると共に酸化珪素を含有し、相対密度が１００％以上であり、且つＦｅ濃度が１５ｐｐｍ以下であり、Ａｌ及びＺｒがそれぞれ１０ｐｐｍ以上含有されている酸化インジウム系スパッタリングターゲットを用い、０．９×１０−３〜１０×１０−３Ω・ｃｍの高抵抗透明導電膜を形成することを特徴とする高抵抗透明導電膜の製造方法。
【請求項９】
請求項８記載の高抵抗透明導電膜の製造方法において、前記スパッタリングターゲットに前記酸化珪素が４〜７質量％含有されていることを特徴とする高抵抗透明導電膜の製造方法。
【請求項１０】
請求項８又は９に記載の高抵抗透明導電膜の製造方法において、前記スパッタリングターゲットに錫（Ｓｎ）がインジウム１モルに対して０〜０．３モル含有されていることを特徴とする高抵抗透明導電膜の製造方法。
【請求項１１】
請求項８〜１０の何れかに記載の高抵抗透明導電膜の製造方法において、最適酸素分圧で成膜した、１２００Åの膜の波長５５０ｎｍの光透過率が９５％以上と同等の光透過率を有する膜を製造することを特徴とする高抵抗透明導電膜の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、抵抗率が０．９×１０−３〜１０×１０−３Ω・ｃｍの高抵抗透明導電膜を形成するときに用いられる高抵抗透明導電膜用スパッタリングターゲット及びそれを用いた高抵抗透明導電膜並びにその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
酸化インジウム−酸化錫（Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２の複合酸化物、以下、「ＩＴＯ」という）膜は、可視光透過性が高く、かつ導電性が高いので透明導電膜として液晶表示装置やガラスの結露防止用発熱膜、赤外線反射膜等に幅広く用いられている。
【０００３】
例えば、フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）に使われる透明導電膜は、低抵抗（抵抗率２×１０−４Ω・ｃｍ程度）のものが選択される。
【０００４】
一方、このようなＦＰＤ等に取り付けて使われる抵抗式タッチパネル用透明導電膜は、その原理上、高抵抗なもの（シート抵抗７００〜１０００Ω程度）が要求特性として求められている。
【０００５】
しかしながら、従来、ＦＰＤ用に使用されているＩＴＯを用いると、非常に薄い膜としなければならず、タッチパネルとしての強度が確保できないという問題がある。
【０００６】
このような状況下、酸化インジウムを主成分として、これに酸化スズと酸化ケイ素または／および酸化アルミニウムとがドーピングされた透明導電膜が、高抵抗でかつ良好な透明性を有するものとして提案されている（特許文献１参照）。
【０００７】
しかしながら、かかる公報の実施例によると、透明導電膜を形成するスパッタリングターゲットは焼結体でなく圧粉体であり、高周波マグネトロンスパッタリング装置にて透明導電膜を形成している。すなわち、スパッタリングターゲットが高抵抗でＤＣマグネトロンが使用できないものである。また、形成された透明導電膜は、抵抗率が１．７×１０−３〜３．４×１０−３Ω・ｃｍと高抵抗ではあるが、光透過率が８２〜８３％と非常に低いものである。
【０００８】
一方、本出願人は、先に、ＤＣマグネトロンスパッタリング装置で使用できる程度のバルク抵抗を有するが、形成される透明導電膜が高抵抗で且つ光透過率が高いスパッタリングターゲットとして、酸化珪素などの絶縁性酸化物を添加した高抵抗透明導電膜用スパッタリングターゲットを開発した（特許文献２参照）。
【０００９】
かかるスパッタリングターゲットによると、ＤＣマグネトロンスパッタリング装置で高抵抗透明導電膜を形成することができ、光透過率も最高で９４％と高いものが得られる。
【００１０】
しかしながら、その後の研究により、形成される高抵抗透明導電膜の光透過率にばらつきがあり、安定して高光透過率の膜を得るのが困難であることがわかった。よって、近年における技術革新に基づいて開発される小型且つ省エネルギー化を図った装置に対応するためには、高抵抗で且つ高光透過率の高抵抗透明導電膜が確実に且つ安定して得られる技術が待望されている。
【００１１】
なお、酸化珪素を含有するスパッタリングターゲットは古くから知られているが（特許文献３、４参照）、これら公報に開示された発明はスパッタリングターゲットを使用して形成した膜の膜欠陥の解消や導電率の向上を目指したものであり、酸化珪素の含有量は０．１重量％程度と微量である。
【００１２】
また、酸化珪素を含有させることにより、低抵抗で且つ非結晶の膜を得る技術が提案されている（特許文献５、６参照）。さらに、酸化珪素を含有するが高抵抗物質の酸化シリコン相が存在しないスパッタリングターゲットにより低抵抗を成膜する技術も提案されている（特許文献７参照）。
【００１３】
しかしながら、特許文献５に開示されたシリコン含有膜は、比抵抗が８．８×１０−４Ω・ｃｍ以下であり、光透過率が８５〜９０％のものである。また、特許文献６には酸化珪素の添加率が大きくなると膜の抵抗率が上昇し、酸化珪素含有量が５重量％で比抵抗が１．７×１０−３Ω・ｃｍ程度、含有量が１０重量％で比抵抗が２１×１０−３Ω・ｃｍ程度と高抵抗の膜が開示されているが、光透過率についての検討はされていない。また、特許文献７に開示された膜の比抵抗は５．６×１０−４Ω・ｃｍ以下であり、光透過率の検討はされていない。
【００１４】
【特許文献１】特開平４−２０６４０３号公報（課題を解決するための手段など）
【特許文献２】特開２００３−１０５５３２号公報（課題を解決するための手段など）
【特許文献３】特開昭６１−１３６９５４号公報（発明の効果など）
【特許文献４】特開昭６２−２０２４１５号公報（発明の効果など）
【特許文献５】特開２００４−８７４５１号公報（特許請求の範囲、実施例など）
【特許文献６】特開２００５−１３５６４９号公報（特許請求の範囲、実施例など）
【特許文献７】特開２００４−１２３４７９号公報（発明の実施の形態など）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
本発明は、このような事情に鑑み、基本的にはＤＣマグネトロンスパッタリング装置で使用でき、高抵抗で光透過率が非常に高い膜を確実に且つ安定して成膜できる高抵抗透明導電膜用スパッタリングターゲット及びそれを用いた高抵抗透明導電膜並びにその製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
前記課題を解決する本発明の第１の態様は、抵抗率が０．９×１０−３〜１０×１０−３Ω・ｃｍの高抵抗透明導電膜を形成するための高抵抗透明導電膜用スパッタリングターゲットであって、酸化インジウムと必要に応じて酸化錫を含有すると共に酸化珪素を含有し、相対密度が１００％以上であり、且つＦｅ濃度が１５ｐｐｍ以下であり、Ａｌ及びＺｒがそれぞれ１０ｐｐｍ以上含有されていることを特徴とする高抵抗透明導電膜用スパッタリングターゲットにある。
【００１７】
かかる第１の態様では、不純物として混入する可能性のあるＡｌ及びＺｒがそれぞれ１０ｐｐｍ以上含有されていても、Ｆｅ濃度を１５ｐｐｍ以下とすることにより、抵抗率が０．９×１０−３〜１０×１０−３Ω・ｃｍの高抵抗で光透過率が高い透明導電膜が安定し且つ確実に得られる高抵抗透明導電膜用スパッタリングターゲットを提供できる。
【００２０】
本発明の第２の態様は、第１記載の高抵抗透明導電膜用スパッタリングターゲットにおいて、前記酸化珪素が４〜７質量％含有されていることを特徴とする高抵抗透明導電膜用スパッタリングターゲットにある。
【００２１】
かかる第２の態様では、酸化珪素が４〜７質量％含有されているので、抵抗率が０．９×１０−３〜１０×１０−３Ω・ｃｍの高抵抗で光透過率が高い透明導電膜がさらに安定し且つ確実に得られる。
【００２２】
本発明の第３の態様は、第１又は２の態様に記載の高抵抗透明導電膜用スパッタリングターゲットにおいて、錫（Ｓｎ）がインジウム１モルに対して０〜０．３モル含有されていることを特徴とする高抵抗透明導電膜用スパッタリングターゲットにある。
【００２３】
かかる第３の態様では、酸化インジウムを主体とし、酸化錫を所定量含有する酸化インジウム系透明導電膜となる。
【００２６】
本発明の第４の態様は、酸化インジウムと必要に応じて酸化錫を含有すると共に酸化珪素を含有し、抵抗率が０．９×１０−３〜１０×１０−３Ω・ｃｍであり、Ｆｅ濃度が１５ｐｐｍ以下であり、Ａｌ及びＺｒがそれぞれ１０ｐｐｍ以上含有されていることを特徴とする高抵抗透明導電膜にある。
【００２７】
かかる第４の態様では、不純物として混入する可能性のあるＡｌ及びＺｒがそれぞれ１０ｐｐｍ以上含有されていても、Ｆｅ濃度を１５ｐｐｍ以下とすることにより、確実に且つ安定し抵抗率が０．９×１０−３〜１０×１０−３Ω・ｃｍの高抵抗で光透過率が高い透明導電膜となる。
【００３０】
本発明の第５の態様は、第４の態様に記載の高抵抗透明導電膜において、前記酸化珪素が４〜７質量％含有されていることを特徴とする高抵抗透明導電膜にある。
【００３１】
かかる第５の態様では、酸化珪素が４〜７質量％含有されているので、さらに確実に且つ安定して抵抗率が０．９×１０−３〜１０×１０−３Ω・ｃｍの高抵抗で光透過率が高い透明導電膜となる。
【００３２】
本発明の第６の態様は、第４又は５の態様に記載の高抵抗透明導電膜において、錫（Ｓｎ）がインジウム１モルに対して０〜０．３モル含有されていることを特徴とする高抵抗透明導電膜にある。
【００３３】
かかる第６の態様では、酸化インジウムを主体とし、酸化錫を所定量含有する酸化インジウム系透明導電膜となる。
【００３４】
本発明の第７の態様は、第４〜６の何れかの態様に記載の高抵抗透明導電膜において、最適酸素分圧で成膜した、１２００Åの膜の波長５５０ｎｍの光透過率が９５％以上と同等の光透過率を有する膜であることを特徴とする高抵抗透明導電膜にある。
【００３５】
かかる第７の態様では、最適酸素分圧で成膜した、１２００Åの膜の波長５５０ｎｍの光透過率が９５％以上と同等の光透過率を有する透明導電膜となり、省エネルギー化を図った装置に適用することができる。
【００３６】
本発明の第８の態様は、酸化インジウムと必要に応じて酸化錫を含有すると共に酸化珪素を含有し、相対密度が１００％以上であり、且つＦｅ濃度が１５ｐｐｍ以下であり、Ａｌ及びＺｒがそれぞれ１０ｐｐｍ以上含有されている酸化インジウム系スパッタリングターゲットを用い、０．９×１０−３〜１０×１０−３Ω・ｃｍの高抵抗透明導電膜を形成することを特徴とする高抵抗透明導電膜の製造方法にある。
【００３７】
かかる第８の態様では、不純物として混入する可能性のあるＡｌ及びＺｒがそれぞれ１０ｐｐｍ以上含有されていても、Ｆｅ濃度を１５ｐｐｍ以下とすることにより、確実に且つ安定し抵抗率が０．９×１０−３〜１０×１０−３Ω・ｃｍの高抵抗で光透過率が高い透明導電膜を得ることができる。
【００４０】
本発明の第９の態様は、第８の態様に記載の高抵抗透明導電膜の製造方法において、前記スパッタリングターゲットに前記酸化珪素が４〜７質量％含有されていることを特徴とする高抵抗透明導電膜の製造方法にある。
【００４１】
かかる第９の態様では、酸化珪素が４〜７質量％含有されているので、さらに確実に且つ安定して抵抗率が０．９×１０−３〜１０×１０−３Ω・ｃｍの高抵抗で光透過率が高い透明導電膜を得ることができる。
【００４２】
本発明の第１０の態様は、第８又は９の態様に記載の高抵抗透明導電膜の製造方法において、前記スパッタリングターゲットに錫（Ｓｎ）がインジウム１モルに対して０〜０．３モル含有されていることを特徴とする高抵抗透明導電膜の製造方法にある。
【００４３】
かかる第１０の態様では、酸化インジウムを主体とし、酸化錫を所定量含有する酸化インジウム系透明導電膜を得ることができる。
【００４４】
本発明の第１１の態様は、第８〜１０の何れかの態様に記載の高抵抗透明導電膜の製造方法において、最適酸素分圧で成膜した、１２００Åの膜の波長５５０ｎｍの光透過率が９５％以上と同等の光透過率を有する膜を製造することを特徴とする高抵抗透明導電膜の製造方法にある。
【００４５】
かかる第１１の態様では、最適酸素分圧で成膜した、１２００Åの膜の波長５５０ｎｍの光透過率が９５％以上と同等の光透過率を有する透明導電膜を得ることができ、省エネルギー化を図った装置に適用することができる。
【発明の効果】
【００４６】
以上説明したように、本発明によれば、基本的にはＤＣマグネトロンスパッタリング装置で使用でき、高抵抗で光透過率が非常に高い膜を確実に且つ安定して成膜できる高抵抗透明導電膜用スパッタリングターゲット及びそれを用いた高抵抗透明導電膜及びその製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４７】
本発明の高抵抗透明導電膜用スパッタリングターゲットは抵抗率が０．９×１０−３〜１０×１０−３Ω・ｃｍの高抵抗透明導電膜を形成するための高抵抗透明導電膜用酸化インジウム系スパッタリングターゲットであり、酸化インジウムを主体とし、必要に応じて酸化錫を含有すると共に酸化珪素を含有し、相対密度が１００％以上であり、且つＦｅ濃度が１５ｐｐｍ以下、好ましくは１０ｐｐｍ以下である酸化物焼結体であり、各々の酸化物は、その酸化物のまま、あるいは複合酸化物として、あるいは固溶体として存在していればよく、特に限定されない。
【００４８】
本発明は、酸化インジウムを主体とし、必要に応じて酸化錫を含有すると共に酸化珪素を含有するスパッタリングターゲットにおいては、酸化珪素とＦｅとの相互作用によるためか、Ｆｅの含有率が得られる透明導電膜の光透過性に大きく影響するという知見に基づいて完成されたものである。すなわち、このようなスパッタリングターゲットを製造する際には、原料となる酸化珪素と共にＦｅ（酸化鉄）が混入する虞が増大し、このように混入するＦｅの量により光透過性が大きく変動することを知見し、本発明を完成させたものである。なお、このように酸化珪素と共に混入して光透過率に影響を与えるのはＦｅであり、他の不純物であるＡｌ及びＺｒなどは光透過性に影響を与えることがないことも判明した。よって、ＡｌやＺｒはそれぞれ１０ｐｐｍ以上含有されていてもよい。
【００４９】
この点をさらに詳言すると、本発明者らは、ＩＴＯ−ＳｉＯ２膜の光透過率のばらつきの原因を探るために、原料、特にＳｉＯ２の原料粉の検討、原料の解砕方法等を検討した。一般に、粉を解砕するには、ボールミルを使用するがそのボールには、アルミナ製やジルコニア製のものが存在する。これらを検討した結果、特にボールミルのボールに起因するＡｌやＺｒの不純物よりも、Ｆｅの不純物量が透過率については顕著に影響を及ぼすことが分かった。すなわち、Ｆｅ不純物濃度を抑えることによって、透過率が向上し、ばらつきも抑えられることが分かった。ここで、不純物とは通常の工程において混入する不純物であり、原料中に混入する不純物、製造過程で混入する不純物をいう。
【００５０】
本発明のスパッタリングターゲットにおいて、酸化珪素はスパッタリングターゲットである焼結体のバルク抵抗は高くしないが、製造する透明導電膜の抵抗を高めるために用いられるもので、この目的で使用できる範囲であれば、特に限定されないが、多量に含有されると、得られる透明導電膜の光透過性が低下する傾向がある。したがって、高抵抗で且つ高光透過性の透明導電膜を得るためには、酸化珪素を４〜７質量％、好ましくは４〜６質量％含有させて焼結体とするのが好ましい。これより少ないと高抵抗の透明導電膜が得られず、一方、これより多くなると光透過率が低下するからである。
【００５１】
なお、ここで、スパッタリングターゲットから透明導電膜を製造するとは、最適酸素分圧下での成膜をいい、最適酸素分圧とは、酸素分圧を変化させた場合の抵抗率が最も下がる点の酸素分圧をいう。このように最適酸素分圧での成膜と規定するのは、一般的に、ＩＴＯ系の膜においては、スパッタ中に導入する酸素ガスの分圧によって抵抗率、透過率が変化し、最適酸素分圧より酸素が少なくなると膜が茶色くなる傾向になり透過率が悪化し、抵抗率も上昇するが、最適酸素分圧より酸素が多くなると透過率はほぼ維持されるが、抵抗率が大きくなる、というように、条件によって透過率や抵抗率が変化してしまうからである。
【００５２】
また、本発明のスパッタリングターゲットは、相対密度を１００％以上とする必要がある。相対密度が小さいと、得られる透明導電膜の光透過率が低下する傾向にあるからである。なお、ここで、相対密度とは、理論密度に対して相対的に算出した密度であり、焼結により間化合物等が生成することにより理論組成と異なる組成となり、１００％を越えることもある。
【００５３】
ここで、理論密度の算出の一例を示す。各原料であるＩｎ２Ｏ３の密度を７．１７９ｇ／ｃｍ３、ＳｎＯ２の密度を６．９５０ｇ／ｃｍ３、ＳｉＯ２の密度を２．２００ｇ／ｃｍ３とし、加重平均より算出した密度が理論密度であり、これを１００％とする。例えば、８５ｗｔ％Ｉｎ２Ｏ３−１０ｗｔ％ＳｎＯ２−５ｗｔ％ＳｉＯ２の場合の理論密度は６．４３ｇ／ｃｍ３であり、その組成で相対密度１００％の場合の実際の密度は６．４３ｇ／ｃｍ３となる。
【００５４】
本発明のスパッタリングターゲットにおいては、必要に応じて、錫（Ｓｎ）が含有されている。錫が含有される場合には、インジウム１モルに対して０．００１〜０．３モル、好ましくは、０．０１〜０．１５モル、より好ましくは０．０５〜０．１モルの範囲で含有されるのが望ましい。この範囲内であれば、スパッタリングターゲットのキャリア電子の密度並びに移動度を適切にコントロールして導電性を良好な範囲に保つことができる。また、この範囲を越えて添加すると、スパッタリングターゲットのキャリア電子の移動度を低下させると共に導電性を劣化させる方向に働くので好ましくない。
【００５５】
かかる本発明の高抵抗透明導電膜用スパッタリングターゲットは、ＤＣマグネトロンスパッタリングでスパッタリング可能な程度の抵抗値、例えば、１０−４Ω・ｃｍ台の抵抗率を有しているが、抵抗率が０．９×１０−３〜１０×１０−３Ω・ｃｍの高抵抗透明導電膜を形成することができる。
【００５６】
なお、勿論、高周波マグネトロンスパッタリング装置を用いて抵抗率が０．９×１０−３〜１０×１０−３Ω・ｃｍの高抵抗透明導電膜を形成してもよい。
【００５７】
また、本発明のスパッタリングターゲットによると、最適酸素分圧で成膜した１２００Åの膜の波長５５０ｎｍの光透過率が９５％以上であるという高光透過率の透明導電膜を確実に且つ安定して得ることができ、省エネルギー化を図った装置に適用することができる。
【００５８】
次に、本発明のスパッタリングターゲットの製造方法について説明するが、これは単に例示したものであり、製造方法は特に限定されるものではない。
【００５９】
まず、本発明のスパッタリングターゲットを構成する出発原料としては、一般的にＩｎ２Ｏ３、ＳｎＯ２、ＳｉＯ２の粉末である。さらに、これらの単体、化合物、複合酸化物等を原料としてもよい。単体、化合物を使う場合はあらかじめ酸化物にするようなプロセスを通すようにする。なお、ここで、重要なのは、不純物であるＦｅ濃度がスパッタリングターゲットにおいて１５ｐｐｍ以下となるような原料を用いることである。
【００６０】
これらの原料粉を、所望の配合率で混合し、成形する方法は特に限定されず、従来から公知の各種湿式法又は乾式法を用いることができる。
【００６１】
乾式法としては、コールドプレス（Ｃｏｌｄ  Ｐｒｅｓｓ）法やホットプレス（Ｈｏｔ  Ｐｒｅｓｓ）法等を挙げることができる。コールドプレス法では、混合粉を成形型に充填して成形体を作製し、大気雰囲気下または酸素雰囲気下で焼成・焼結させる。ホットプレス法では、混合粉を成形型内で直接焼結させる。
【００６２】
湿式法としては、例えば、濾過式成形法（特開平１１−２８６００２号公報参照）を用いるのが好ましい。この濾過式成形法は、セラミックス原料スラリーから水分を減圧排水して成形体を得るための非水溶性材料からなる濾過式成形型であって、１個以上の水抜き孔を有する成形用下型と、この成形用下型の上に載置した通水性を有するフィルターと、このフィルターをシールするためのシール材を介して上面側から挟持する成形用型枠からなり、前記成形用下型、成形用型枠、シール材、およびフィルターが各々分解できるように組立てられており、該フィルター面側からのみスラリー中の水分を減圧排水する濾過式成形型を用い、混合粉、イオン交換水と有機添加剤からなるスラリーを調製し、このスラリーを濾過式成形型に注入し、該フィルター面側からのみスラリー中の水分を減圧排水して成形体を作製し、得られたセラミックス成形体を乾燥脱脂後、焼成する。
【００６３】
各方法において、焼成温度は１３００〜１６００℃が好ましく、さらに好ましくは、１３００〜１４５０℃である。その後、所定寸法に成形・加工のための機械加工を施しターゲットとする。
【００６４】
以下、本発明を実施例に基づいて説明するが、これに限定されるものではない。なお、以下の各実施例及び各比較例においては、ＳｉＯ２粉として種々の純度のものを用いてこれによりＦｅ不純物濃度を変化させ、また、原料粉の解砕工程において、アルミナボールを使用したボールミルの時間及びジルコニアボールを使用したボールミルの時間を変更することにより、Ａｌ不純物濃度及びＺｒ不純物濃度を変化させた。
【００６５】
（実施例１）
純度＞９９．９９％のＩｎ２Ｏ３粉およびＳｎＯ２粉、さらに純度＞９９．０％のＳｉＯ２粉を用意した。この粉末を、ＳｎＯ２  １０ｗｔ％、ＳｉＯ２  ４ｗｔ％、Ｉｎ２Ｏ３  ８６ｗｔ％の比率で全量で約１．５Ｋｇ用意し、これを樹脂製ポットに投入し、ジルコニアボール・アルミナボールでそれぞれ所定の時間、乾式ボールミル、湿式ボールミルを行い、得られたスラリーを濾過式形成法によって成形体を得た。この成形体を大気雰囲気にて、室温から１４００℃まで４００℃／ｈで昇温し、１４５０℃にて８ｈ保持し、３００℃／ｈで常温まで降温した。この焼結体を直径６ｉｎｃｈ×厚さ６ｍｍに加工し、無酸素銅製のバッキングプレートにメタルボンディングしてスパッタリングターゲットを得た。加工の際、スパッタリング面は＃１７０砥石により平面研削を行った。このターゲットのバルク抵抗率は２．０×１０−４Ω・ｃｍであった。また、このターゲット中のＦｅ濃度は１０ｐｐｍ、Ａｌ濃度は２５ｐｐｍ、Ｚｒ濃度は６５ｐｐｍであった。
【００６６】
なお、ターゲット中の不純物濃度はＩＣＰ分析によって求めた。
【００６７】
（実施例２）
純度＞９９．９％のＳｉＯ２粉を用いた以外は実施例１と同様にして焼結体を得た。その後、この焼成体を大気中で１４５０℃にて８時間焼成・焼結させた。この焼結体を加工し、理論密度に対する相対密度１００％のターゲットを得た。このターゲットのバルク抵抗率は２．０×１０−４Ω・ｃｍであった。また、このターゲット中のＦｅ濃度は５ｐｐｍ未満、Ａｌ濃度は２５ｐｐｍ、Ｚｒ濃度は３０ｐｐｍであった。
【００６８】
なお、ターゲット中の不純物濃度はＩＣＰ分析によって求めた。
【００６９】
（実施例３）
純度＞９９．９９％のＩｎ２Ｏ３粉およびＳｎＯ２粉、さらに純度＞９９．０％のＳｉＯ２粉を、ＳｎＯ２  １０ｗｔ％、ＳｉＯ２  ５ｗｔ％、Ｉｎ２Ｏ３  ８５ｗｔ％の比率で用いた以外は実施例１と同様にして焼結体を得た。その後、この焼成体を大気中で１４５０℃にて８時間焼成・焼結させた。この焼結体を加工し、理論密度に対する相対密度１００％のターゲットを得た。このターゲットのバルク抵抗率は２．２×１０−４Ω・ｃｍであった。また、このターゲット中のＦｅ濃度は１０ｐｐｍ、Ａｌ濃度は１５ｐｐｍ、Ｚｒ濃度は６０ｐｐｍであった。
【００７０】
なお、ターゲット中の不純物濃度はＩＣＰ分析によって求めた。
【００７１】
（実施例４）
純度＞９９．９％のＳｉＯ２粉を用いた以外は実施例３と同様にして焼結体を得た。その後、この焼成体を大気中で１４５０℃にて８時間焼成・焼結させた。この焼結体を加工し、理論密度に対する相対密度１００％のターゲットを得た。このターゲットのバルク抵抗率は２．２×１０−４Ω・ｃｍであった。また、このターゲット中のＦｅ濃度は５ｐｐｍ未満、Ａｌ濃度は３０ｐｐｍ、Ｚｒ濃度は５０ｐｐｍであった。
【００７２】
なお、ターゲット中の不純物濃度はＩＣＰ分析によって求めた。
【００７３】
（実施例５）
純度＞９９．９９％のＩｎ２Ｏ３粉およびＳｎＯ２粉、さらに純度＞９９．９％のＳｉＯ２粉を、ＳｎＯ２  ５ｗｔ％、ＳｉＯ２  ５ｗｔ％、Ｉｎ２Ｏ３  ９０ｗｔ％の比率で用いた以外は実施例１と同様にして焼結体を得た。その後、この焼成体を大気中で１４５０℃にて８時間焼成・焼結させた。この焼結体を加工し、理論密度に対する相対密度１００％のターゲットを得た。このターゲットのバルク抵抗率は２．３×１０−４Ω・ｃｍであった。また、このターゲット中のＦｅ濃度は５ｐｐｍ以下、Ａｌ濃度は２５ｐｐｍ、Ｚｒ濃度は７５ｐｐｍであった。
【００７４】
なお、ターゲット中の不純物濃度はＩＣＰ分析によって求めた。
【００７５】
（実施例６）
純度＞９９．９９％のＩｎ２Ｏ３粉およびＳｎＯ２粉、さらに純度＞９９．９％のＳｉＯ２粉を、ＳｎＯ２  １５ｗｔ％、ＳｉＯ２  ５ｗｔ％、Ｉｎ２Ｏ３  ８０ｗｔ％の比率で用いた以外は実施例１と同様にして焼結体を得た。その後、この焼成体を大気中で１４５０℃にて８時間焼成・焼結させた。この焼結体を加工し、理論密度に対する相対密度１００％のターゲットを得た。このターゲットのバルク抵抗率は２．７×１０−４Ω・ｃｍであった。また、このターゲット中のＦｅ濃度は５ｐｐｍ未満、Ａｌ濃度は１５ｐｐｍ、Ｚｒ濃度は４０ｐｐｍであった。
【００７６】
なお、ターゲット中の不純物濃度はＩＣＰ分析によって求めた。
【００７７】
（実施例７）
純度＞９９．９９％のＩｎ２Ｏ３粉およびＳｎＯ２粉、さらに純度＞９９．０％のＳｉＯ２粉を、ＳｎＯ２  １０ｗｔ％、ＳｉＯ２  ６ｗｔ％、Ｉｎ２Ｏ３  ８４ｗｔ％の比率で用いた以外は実施例１と同様にして焼結体を得た。その後、この焼成体を大気中で１４５０℃にて８時間焼成・焼結させた。この焼結体を加工し、理論密度に対する相対密度１００％のターゲットを得た。このターゲットのバルク抵抗率は２．５×１０−４Ω・ｃｍであった。また、このターゲット中のＦｅ濃度は１０ｐｐｍ、Ａｌ濃度は２０ｐｐｍ、Ｚｒ濃度は８０ｐｐｍであった。
【００７８】
なお、ターゲット中の不純物濃度はＩＣＰ分析によって求めた。
【００７９】
（実施例８）
純度＞９９．９％のＳｉＯ２粉を用いた以外は実施例７と同様にして焼結体を得た。その後、この焼成体を大気中で１４５０℃にて８時間焼成・焼結させた。この焼結体を加工し、理論密度に対する相対密度１００％のターゲットを得た。このターゲットのバルク抵抗率は２．５×１０−４Ω・ｃｍであった。また、このターゲット中のＦｅ濃度は５ｐｐｍ未満、Ａｌ濃度は２０ｐｐｍ、Ｚｒ濃度は６０ｐｐｍであった。
【００８０】
なお、ターゲット中の不純物濃度はＩＣＰ分析によって求めた。
【００８１】
（実施例９）
純度＞９９．９９％のＩｎ２Ｏ３粉およびＳｎＯ２粉、さらに純度＞９９．０％のＳｉＯ２粉を、ＳｎＯ２  １０ｗｔ％、ＳｉＯ２  ７ｗｔ％、Ｉｎ２Ｏ３  ８３ｗｔ％の比率で用いた以外は実施例１と同様にして焼結体を得た。その後、この焼成体を大気中で１４５０℃にて８時間焼成・焼結させた。この焼結体を加工し、理論密度に対する相対密度１００％のターゲットを得た。このターゲットのバルク抵抗率は２．８×１０−４Ω・ｃｍであった。また、このターゲット中のＦｅ濃度は１５ｐｐｍ、Ａｌ濃度は２０ｐｐｍ、Ｚｒ濃度は７０ｐｐｍであった。
【００８２】
なお、ターゲット中の不純物濃度はＩＣＰ分析によって求めた。
【００８３】
（実施例１０）
純度＞９９．９％のＳｉＯ２粉を用いた以外は実施例９と同様にして焼結体を得た。その後、この焼成体を酸素雰囲気下で１５５０℃にて８時間焼成・焼結させた。この焼結体を加工し、理論密度に対する相対密度１００％のターゲットを得た。このターゲットのバルク抵抗率は２．７×１０−４Ω・ｃｍであった。また、このターゲット中のＦｅ濃度は５ｐｐｍ未満、Ａｌ濃度は３０ｐｐｍ、Ｚｒ濃度は５０ｐｐｍであった。
【００８４】
なお、ターゲット中の不純物濃度はＩＣＰ分析によって求めた。
【００８５】
（比較例１）
純度＞９９．９９％のＩｎ２Ｏ３粉およびＳｎＯ２粉、さらに純度不明のＳｉＯ２粉（デンカ製Ｙ−７４）を用意した。この粉末を、ＳｎＯ２  １０ｗｔ％、ＳｉＯ２  ４ｗｔ％、Ｉｎ２Ｏ３  ８６ｗｔ％の比率で全量で約１．５Ｋｇ用意し、濾過式成形法によって成形体を得た。その後、この焼成体を大気中で１４５０℃にて８時間焼成・焼結させた。この焼結体を加工し、理論密度に対する相対密度１００％のターゲットを得た。このターゲットのバルク抵抗率は２．０×１０−４Ω・ｃｍであった。また、このターゲット中のＦｅ濃度は７０ｐｐｍ、Ａｌ濃度は２０ｐｐｍ、Ｚｒ濃度は８０ｐｐｍであった。
【００８６】
なお、ターゲット中の不純物濃度はＩＣＰ分析によって求めた。
【００８７】
（比較例２）
純度不明のＳｉＯ２粉（デンカ製Ｙ−１０５）を用いた以外は比較例１と同様にして焼結体を得た。その後、この焼成体を大気中で１４５０℃にて８時間焼成・焼結させた。この焼結体を加工し、理論密度に対する相対密度１００％のターゲットを得た。このターゲットのバルク抵抗率は２．０×１０−４Ω・ｃｍであった。また、このターゲット中のＦｅ濃度は３０ｐｐｍ、Ａｌ濃度は１５ｐｐｍ、Ｚｒ濃度は５５ｐｐｍであった。
【００８８】
なお、ターゲット中の不純物濃度はＩＣＰ分析によって求めた。
【００８９】
（比較例３）
純度不明のＳｉＯ２粉（デンカ製Ｌ−４４）を用いた以外は比較例１と同様にして焼結体を得た。その後、この焼成体を大気中で１４５０℃にて８時間焼成・焼結させた。この焼結体を加工し、理論密度に対する相対密度１００％のターゲットを得た。このターゲットのバルク抵抗率は２．１×１０−４Ω・ｃｍであった。また、このターゲット中のＦｅ濃度は２０ｐｐｍ、Ａｌ濃度は３０ｐｐｍ、Ｚｒ濃度は５０ｐｐｍであった。
【００９０】
なお、ターゲット中の不純物濃度はＩＣＰ分析によって求めた。
【００９１】
（比較例４）
純度＞９９．９９％のＩｎ２Ｏ３粉およびＳｎＯ２粉、さらに純度不明のＳｉＯ２粉（デンカ製Ｙ−７４）を、ＳｎＯ２  １０ｗｔ％、ＳｉＯ２  ５ｗｔ％、Ｉｎ２Ｏ３  ８５ｗｔ％の比率で全量で約１．５Ｋｇ用意し、濾過式成形法によって成形体を得た。その後、この焼成体を大気中で１４５０℃にて８時間焼成・焼結させた。この焼結体を加工し、理論密度に対する相対密度１００％のターゲットを得た。このターゲットのバルク抵抗率は２．２×１０−４Ω・ｃｍであった。また、このターゲット中のＦｅ濃度は９０ｐｐｍ、Ａｌ濃度は１０ｐｐｍ、Ｚｒ濃度は５０ｐｐｍであった。
【００９２】
なお、ターゲット中の不純物濃度はＩＣＰ分析によって求めた。
【００９３】
（比較例５）
純度不明のＳｉＯ２粉（デンカ製Ｙ−１０５）を用いた以外は比較例４と同様にして焼結体を得た。その後、この焼成体を大気中で１４５０℃にて８時間焼成・焼結させた。この焼結体を加工し、理論密度に対する相対密度１００％のターゲットを得た。このターゲットのバルク抵抗率は２．２×１０−４Ω・ｃｍであった。また、このターゲット中のＦｅ濃度は４０ｐｐｍ、Ａｌ濃度は３０ｐｐｍ、Ｚｒ濃度は４５ｐｐｍであった。
【００９４】
なお、ターゲット中の不純物濃度はＩＣＰ分析によって求めた。
【００９５】
（比較例６）
純度不明のＳｉＯ２粉（デンカ製Ｌ−４４）を用いた以外は比較例４と同様にして焼結体を得た。その後、この焼成体を大気中で１４５０℃にて８時間焼成・焼結させた。この焼結体を加工し、理論密度に対する相対密度１００％のターゲットを得た。このターゲットのバルク抵抗率は２．１×１０−４Ω・ｃｍであった。また、このターゲット中のＦｅ濃度は２０ｐｐｍ、Ａｌ濃度は１５ｐｐｍ、Ｚｒ濃度は７０ｐｐｍであった。
【００９６】
なお、ターゲット中の不純物濃度はＩＣＰ分析によって求めた。
【００９７】
（比較例７）
純度＞９９．９９％のＩｎ２Ｏ３粉およびＳｎＯ２粉、さらに純度不明のＳｉＯ２粉（デンカ製Ｙ−７４）を、ＳｎＯ２  １０ｗｔ％、ＳｉＯ２  ６ｗｔ％、Ｉｎ２Ｏ３  ８４ｗｔ％の比率で全量で約１．５Ｋｇ用意し、濾過式成形法によって成形体を得た。その後、この焼成体を大気中で１４５０℃にて８時間焼成・焼結させた。この焼結体を加工し、理論密度に対する相対密度１００％のターゲットを得た。このターゲットのバルク抵抗率は２．５×１０−４Ω・ｃｍであった。また、このターゲット中のＦｅ濃度は１００ｐｐｍ、Ａｌ濃度は１５ｐｐｍ、Ｚｒ濃度は４０ｐｐｍであった。
【００９８】
なお、ターゲット中の不純物濃度はＩＣＰ分析によって求めた。
【００９９】
（比較例８）
純度不明のＳｉＯ２粉（デンカ製Ｙ−１０５）を用いた以外は比較例７と同様にして焼結体を得た。その後、この焼成体を大気中で１４５０℃にて８時間焼成・焼結させた。この焼結体を加工し、理論密度に対する相対密度１００％のターゲットを得た。このターゲットのバルク抵抗率は２．５×１０−４Ω・ｃｍであった。また、このターゲット中のＦｅ濃度は４０ｐｐｍ、Ａｌ濃度は１０ｐｐｍ、Ｚｒ濃度は５０ｐｐｍであった。
【０１００】
なお、ターゲット中の不純物濃度はＩＣＰ分析によって求めた。
【０１０１】
（比較例９）
純度不明のＳｉＯ２粉（デンカ製Ｌ−４４）を用いた以外は比較例７と同様にして焼結体を得た。その後、この焼成体を大気中で１４５０℃にて８時間焼成・焼結させた。この焼結体を加工し、理論密度に対する相対密度１００％のターゲットを得た。このターゲットのバルク抵抗率は２．４×１０−４Ω・ｃｍであった。また、このターゲット中のＦｅ濃度は２５ｐｐｍ、Ａｌ濃度は２５ｐｐｍ、Ｚｒ濃度は３０ｐｐｍであった。
【０１０２】
なお、ターゲット中の不純物濃度はＩＣＰ分析によって求めた。
【０１０３】
（比較例１０）
純度＞９９．９９％のＩｎ２Ｏ３粉およびＳｎＯ２粉、さらに純度不明のＳｉＯ２粉（デンカ製Ｙ−７４）を、ＳｎＯ２  １０ｗｔ％、ＳｉＯ２  ７ｗｔ％、Ｉｎ２Ｏ３  ８３ｗｔ％の比率で全量で約１．５Ｋｇ用意し、濾過式成形法によって成形体を得た。その後、この焼成体を大気中で１４５０℃にて８時間焼成・焼結させた。この焼結体を加工し、理論密度に対する相対密度１００％のターゲットを得た。このターゲットのバルク抵抗率は２．９×１０−４Ω・ｃｍであった。また、このターゲット中のＦｅ濃度は１２０ｐｐｍ、Ａｌ濃度は１０ｐｐｍ、Ｚｒ濃度は６０ｐｐｍであった。
【０１０４】
なお、ターゲット中の不純物濃度はＩＣＰ分析によって求めた。
【０１０５】
（比較例１１）
純度不明のＳｉＯ２粉（デンカ製Ｙ−１０５）を用いた以外は比較例１０と同様にして焼結体を得た。その後、この焼成体を大気中で１４５０℃にて８時間焼成・焼結させた。この焼結体を加工し、理論密度に対する相対密度１００％のターゲットを得た。このターゲットのバルク抵抗率は２．８×１０−４Ω・ｃｍであった。また、このターゲット中のＦｅ濃度は５０ｐｐｍ、Ａｌ濃度は２０ｐｐｍ、Ｚｒ濃度は３０ｐｐｍであった。
【０１０６】
なお、ターゲット中の不純物濃度はＩＣＰ分析によって求めた。
【０１０７】
（比較例１２）
純度不明のＳｉＯ２粉（デンカ製Ｌ−４４）を用いた以外は比較例１０と同様にして焼結体を得た。その後、この焼成体を大気中で１４５０℃にて８時間焼成・焼結させた。この焼結体を加工し、理論密度に対する相対密度１００％のターゲットを得た。このターゲットのバルク抵抗率は２．８×１０−４Ω・ｃｍであった。また、このターゲット中のＦｅ濃度は３０ｐｐｍ、Ａｌ濃度は１０ｐｐｍ、Ｚｒ濃度は４０ｐｐｍであった。
【０１０８】
なお、ターゲット中の不純物濃度はＩＣＰ分析によって求めた。
【０１０９】
（比較例１３）
純度＞９９．９９％のＩｎ２Ｏ３粉およびＳｎＯ２粉、さらに純度不明のＳｉＯ２粉（デンカ製Ｙ−７４）を、ＳｎＯ２  １０ｗｔ％、ＳｉＯ２  ３ｗｔ％、Ｉｎ２Ｏ３  ８７ｗｔ％の比率で全量で約１．５Ｋｇ用意し、濾過式成形法によって成形体を得た。その後、この焼成体を大気中で１４５０℃にて８時間焼成・焼結させた。この焼結体を加工し、理論密度に対する相対密度１００％のターゲットを得た。このターゲットのバルク抵抗率は１．８×１０−４Ω・ｃｍであった。また、このターゲット中のＦｅ濃度は５０ｐｐｍ、Ａｌ濃度は１５ｐｐｍ、Ｚｒ濃度は４５ｐｐｍであった。
【０１１０】
なお、ターゲット中の不純物濃度はＩＣＰ分析によって求めた。
【０１１１】
（比較例１４）
純度不明のＳｉＯ２粉（デンカ製Ｙ−１０５）を用いた以外は比較例１３と同様にして焼結体を得た。その後、この焼成体を大気中で１４５０℃にて８時間焼成・焼結させた。この焼結体を加工し、理論密度に対する相対密度１００％のターゲットを得た。このターゲットのバルク抵抗率は１．７×１０−４Ω・ｃｍであった。また、このターゲット中のＦｅ濃度は２０ｐｐｍ、Ａｌ濃度は１０ｐｐｍ、Ｚｒ濃度は７０ｐｐｍであった。
【０１１２】
なお、ターゲット中の不純物濃度はＩＣＰ分析によって求めた。
【０１１３】
（比較例１５）
純度不明のＳｉＯ２粉（デンカ製Ｌ−４４）を用いた以外は比較例１３と同様にして焼結体を得た。その後、この焼成体を大気中で１４５０℃にて８時間焼成・焼結させた。この焼結体を加工し、理論密度に対する相対密度１００％のターゲットを得た。このターゲットのバルク抵抗率は１．８×１０−４Ω・ｃｍであった。また、このターゲット中のＦｅ濃度は１０ｐｐｍ、Ａｌ濃度は１５ｐｐｍ、Ｚｒ濃度は３０ｐｐｍであった。
【０１１４】
なお、ターゲット中の不純物濃度はＩＣＰ分析によって求めた。
【０１１５】
（比較例１６）
純度＞９９．０％のＳｉＯ２粉を用いた以外は比較例１３と同様にして焼結体を得た。その後、この焼成体を大気中で１４５０℃にて８時間焼成・焼結させた。この焼結体を加工し、理論密度に対する相対密度１００％のターゲットを得た。このターゲットのバルク抵抗率は１．８×１０−４Ω・ｃｍであった。また、このターゲット中のＦｅ濃度は５ｐｐｍ、Ａｌ濃度は２０ｐｐｍ、Ｚｒ濃度は２５ｐｐｍであった。
【０１１６】
なお、ターゲット中の不純物濃度はＩＣＰ分析によって求めた。
【０１１７】
（比較例１７）
純度＞９９．９％のＳｉＯ２粉を用いた以外は比較例１３と同様にして焼結体を得た。その後、この焼成体を大気中で１４５０℃にて８時間焼成・焼結させた。この焼結体を加工し、理論密度に対する相対密度１００％のターゲットを得た。このターゲットのバルク抵抗率は１．８×１０−４Ω・ｃｍであった。また、このターゲット中のＦｅ濃度は５ｐｐｍ未満、Ａｌ濃度は３０ｐｐｍ、Ｚｒ濃度は７０ｐｐｍであった。
【０１１８】
なお、ターゲット中の不純物濃度はＩＣＰ分析によって求めた。
【０１１９】
（参考例１）
純度＞９９．９９％のＩｎ２Ｏ３粉およびＳｎＯ２粉、さらに純度不明のＳｉＯ２粉（デンカ製Ｙ−７４）を、ＳｎＯ２  １０ｗｔ％、ＳｉＯ２  １０ｗｔ％、Ｉｎ２Ｏ３  ８０ｗｔ％の比率で全量で約１．５Ｋｇ用意し、濾過式成形法によって成形体を得た。その後、この焼成体を大気中で１４５０℃にて８時間焼成・焼結させた。この焼結体を加工し、理論密度に対する相対密度１００％のターゲットを得た。このターゲットのバルク抵抗率は４．０×１０−４Ω・ｃｍであった。また、このターゲット中のＦｅ濃度は１７０ｐｐｍ、Ａｌ濃度は１５ｐｐｍ、Ｚｒ濃度は３０ｐｐｍであった。
【０１２０】
なお、ターゲット中の不純物濃度はＩＣＰ分析によって求めた。
【０１２１】
（参考例２）
純度不明のＳｉＯ２粉（デンカ製Ｙ−１０５）を用いた以外は参考例１と同様にして焼結体を得た。その後、この焼成体を大気中で１４５０℃にて８時間焼成・焼結させた。この焼結体を加工し、理論密度に対する相対密度１００％のターゲットを得た。このターゲットのバルク抵抗率は４．１×１０−４Ω・ｃｍであった。また、このターゲット中のＦｅ濃度は７０ｐｐｍ、Ａｌ濃度は１０ｐｐｍ、Ｚｒ濃度は６０ｐｐｍであった。
【０１２２】
なお、ターゲット中の不純物濃度はＩＣＰ分析によって求めた。
【０１２３】
（参考例３）
純度不明のＳｉＯ２粉（デンカ製Ｌ−４４）を用いた以外は参考例１と同様にして焼結体を得た。その後、この焼成体を大気中で１４５０℃にて８時間焼成・焼結させた。この焼結体を加工し、理論密度に対する相対密度１００％のターゲットを得た。このターゲットのバルク抵抗率は４．０×１０−４Ω・ｃｍであった。また、このターゲット中のＦｅ濃度は４０ｐｐｍ、Ａｌ濃度は２０ｐｐｍ、Ｚｒ濃度は４０ｐｐｍであった。
【０１２４】
なお、ターゲット中の不純物濃度はＩＣＰ分析によって求めた。
【０１２５】
（参考例４）
純度＞９９．０％のＳｉＯ２粉を用いた以外は参考例１と同様にして焼結体を得た。その後、この焼成体を大気中で１４５０℃にて８時間焼成・焼結させた。この焼結体を加工し、理論密度に対する相対密度１００％のターゲットを得た。このターゲットのバルク抵抗率は４．０×１０−４Ω・ｃｍであった。また、このターゲット中のＦｅ濃度は１５ｐｐｍ、Ａｌ濃度は２０ｐｐｍ、Ｚｒ濃度は７０ｐｐｍであった。
【０１２６】
なお、ターゲット中の不純物濃度はＩＣＰ分析によって求めた。
【０１２７】
（参考例５）
純度＞９９．９％のＳｉＯ２粉を用いた以外は参考例１と同様にして焼結体を得た。その後、この焼成体を大気中で１４５０℃にて８時間焼成・焼結させた。この焼結体を加工し、理論密度に対する相対密度１００％のターゲットを得た。このターゲットのバルク抵抗率は４．０×１０−４Ω・ｃｍであった。また、このターゲット中のＦｅ濃度は５ｐｐｍ未満、Ａｌ濃度は１５ｐｐｍ、Ｚｒ濃度は５０ｐｐｍであった。
【０１２８】
なお、ターゲット中の不純物濃度はＩＣＰ分析によって求めた。
【０１２９】
（成膜実施例）
各実施例及び各比較例のスパッタリングターゲットを用いて、以下のような条件にてＤＣマグネトロンスパッタによってガラス基板上に成膜し、厚さ１２００Åの膜を得た。この膜の波長５５０ｎｍの透過率と、抵抗率を測定した。この結果を表１に示す。また、膜中のＦｅ、Ａｌ、Ｚｒ濃度も併せて示す。なお、これらの濃度は、各実施例及び各比較例の透明導電膜をガラス基板毎に複数枚溶かし、ＩＣＰ分析により測定した。
【０１３０】
ターゲット寸法  ：φ＝６ｉｎ．  ｔ＝６ｍｍ
スパッタ方式  ：ＤＣマグネトロンスパッタ
排気装置  ：ロータリーポンプ＋クライオポンプ
到達真空度  ：４．０×１０−６［Ｔｏｒｒ］
Ａｒ圧力  ：３．０×１０−３［Ｔｏｒｒ］
酸素圧力  ：１〜１０×１０−５［Ｔｏｒｒ］
基板温度  ：２００℃
スパッタ電力  ：３００Ｗ  （電力密度１．６Ｗ／ｃｍ２）
使用基板  ：テンパックス（液晶ディスプレイ用ガラス）  ｔ＝１．８ｍｍ
【０１３１】
表１の結果から、Ｆｅ濃度が１５ｐｐｍ以下、特に１０ｐｐｍ以下の実施例においては、高抵抗で且つ高光透過率という特性が両立した導電膜を得ることができ、また、ＡｌやＺｒの不純物の含有量には影響されないことがわかった。
【０１３２】
一方、Ｆｅ濃度が１５ｐｐｍを越えるスパッタリングターゲットの比較例では、光透過率が低下し、省エネルギー装置には最適なものではないことがわかった。
【０１３３】
また、酸化珪素含有量が３％のものでは各比較例共に、抵抗率が０．８×１０−３Ω・ｃｍと小さく、目的とする高抵抗は得られないことがわかった。
【０１３４】
なお、参考例１〜５に示すように、酸化珪素含有量が１０％と多くなると、２０×１０−３Ω・ｃｍを越える抵抗を有すると共に透過率が低下するが、Ｆｅ濃度が１５ｐｐｍ以下である参考例４，５では、従来の高抵抗薄膜と比較すると優位な光透過率を有するので、高抵抗用途での使用は可能であることがわかった。
【０１３５】
【表１】
0004481239.tif 000002