(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一つの基板に、枠状の固定部と、前記固定部の内側に設けられ、一対の外側ばね部によって回動可能に支持された外周側可動部と、該外周側可動部の内側に設けられ、前記外側ばね部とは軸方向が互いに直交する一対の内側ばね部によって回動可能に支持された中心側可動部と、を形成し、前記中心側可動部に反射鏡を形成し、前記各可動部上に導電コイルパターンを形成して構成される光偏向素子において、
前記外周側可動部の一方の面に、外周側可動部の導電コイルパターンを形成し、前記中心側可動部は、前記外周側可動部の一方の面とは反対側の面に、中心側可動部の導電コイルパターンを形成することを特徴とする光偏向素子。
【請求項２】
ばね部と二つの可動部が基板とほぼ同一の厚さであることを特徴とする請求項１記載の光偏向素子。
【請求項３】
前記外周側可動部は、当該外周側可動部の他方の面に前記基板の反り及び歪みを抑える補助パターンを形成したことを特徴とする請求項１又は２記載の光偏向素子。
【請求項４】
一つの基板に、枠状の固定部と、前記固定部の内側に設けられ、一対の外側ばね部によって回動可能に支持された外周側可動部と、該外周側可動部の内側に設けられ、前記外側ばね部とは軸方向が互いに直交する一対の内側ばね部によって回動可能に支持された中心側可動部と、を形成し、前記中心側可動部に反射鏡を形成し、前記各可動部上に導電コイルパターンを形成する光偏向素子の製造方法において、
前記外周側可動部の一方の面に、外周側可動部の導電コイルパターンを形成し、前記外周側可動部の他方の面に、前記基板の反り及び歪みを抑える補助パターンを形成し、前記中心側可動部は、前記外周側可動部の一方の面側の面に反射鏡を形成し、前記外周側可動部の他方の面側の面に中心側可動部の導電コイルパターンを形成することを特徴とする光偏向素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は二次元の光偏向素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
一つの素子で二次元の偏向走査をできるガルバノミラーが開発されている。ガルバノミラーをばねで支持するものであり、一つの基板にエッチング加工によりばねと可動板を形成するものであり、特開昭６０−１０７０１７号公報やＷＯ９６／３９６４３（国際公開番号）で開示されている。
【０００３】
図１は本発明に関する光偏向素子の原理構造である。以下原理説明は特開昭６０−１０７０１７号公報を引用する。シリコン単結晶からなる基板１をエッチングによりジンバルバネ状に加工する。ジンバルバネはＸ方向軸５及びＹ方向軸６を中心軸として、それぞれ独立に回転振動する。ジンバルバネ２で支持された基板１の中央の可動部面上には金属蒸着やメッキ等によりガルバノミラー３と導電コイル４が形成されている。導電コイル４に一定電流を与え、Ｘ方向の磁界７及びＹ方向の磁界８をそれぞれ独立に変化させれば、素子は電磁力によって軸５及び６を中心軸としてそれぞれ独立に回転振動する。従って、素子に形成したガルバノミラー３に一定方向から光ビームを入射しておけば、ミラー３からの反射光を被検出量に応じて二次元に偏向できる。即ち、Ｘ、Ｙの２変数を持つ信号量Ｆ（Ｘ、Ｙ）の変化を一つの素子で検出し、その出力に応じた光の偏向走査ができる。
【０００４】
図２は前記原理構造を具現化した一例である。同図において、１は｛１００｝面方位をもつｎ形シリコンの単結晶基板である。基板１は通常のＩＣ技術の一つである写真食刻法及び化学的食刻法により、支点１２−１２’及び１３−１３’をもつジンバルバネ構造を形成すべく加工される。かかる食刻加工としては、例えば、ガルバノミラー３等の形成される面を耐食性樹脂等の塗布によって保護し、その裏面をＳｉＯ２膜又は感光性耐食性樹脂等を用いた写真食刻法等のパターニング処理を施した後、ＫＯＨ等のアルカリ溶液による異方性エッチングを行なう方法を用いる。この加工方法により、ガルバノ素子は固定部（基板１）と可動部１’に分離される。本構造は基板１とジンバルバネの厚さが異なる構造である。
【０００５】
可動部１’の大きさはガルバノ素子の可動性能に影響を及ぼす。即ち、可動部１’のダンピング効果を大きくする場合は、可動部１’の表面積を大きくして空気抵抗を大きくすればよい。一方、高速偏向走査を行なわせる場合は、可動部１’の質量を小さくする必要がある。従って、かかるガルバノ素子の用途に応じた設計、例えば、精密計器を指向する場合は、平衡型としてダンピング効果を重視し、ディスプレイ等を指向する場合は慣性駆動型として高速走査を重視する等の配慮が肝要である。かかる可動部の動作速度はガルバノ素子の配置される周囲の雰囲気によっても影響を受ける。例えば、可動部は真空中におかれれば、極めて高速に動作し、ある特定粘度の流体中におかれることにより、良好なダンピング特性を示す。従って、動作速度の精密な制御を要する場合に、ガルバノ素子周囲の流体の種類及び圧力を最適に調整する必要がある。
【０００６】
ガルバノミラー３は、例えば、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ等の蒸着等通常のミラーコーティング技術、または、基板１をそのままミラーポリッシュする方法等により形成される。かかるミラー形成にあたっては、特に金属蒸着法を用いる場合、熱応力によるゆがみが生じないように、例えば、基板１との熱膨張係数差の小さい材料を選択する。蒸着薄膜の厚さを最適設計する等に留意する必要がある。また、基板１をミラーポリッシュする場合は、機械歪が残らないように留意する必要がある。ガルバノミラー３自体を干渉フィルタとすれば、任意色の光を反射光として得られるため、例えば、平面ディスプレイ等に応用する場合は、カラー化が容易となる。
【０００７】
ガルバノミラー３の周囲にはこのような二次元ガルバノ素子の駆動に寄与する導電コイル４が形成される。ガルバノ素子の駆動はジンバルバネのトルクに依存し、トルクは導電コイル４の断面積に比例する。従って、導電コイル４はミラー３の外側に形成することにより、被検出量（入力）に対するジンバルバネのトルクを大きくでき高感度（偏向角／被検出力が大きい）な二次元ガルバノ素子を具現化しうる。感度をさらに向上させるためには可動部１’の面積を大きくするか、又は導電コイル４に印加する電流値を大きくする必要がある。前者の方法はジンバルバネの応答性の点で制約があり、後者の方法では導電コイル４の発熱等により制約を受ける。この条件を考慮して用途に応じた最適設計が必要である。
【０００８】
導電コイル４はＡｇ、Ａｌ、Ａｕ等の蒸着によりガルバノミラー３と同時で、且つ、同様の方法で形成されるのが望ましい。プロセスが簡略化され、歩留向上、コスト低減が図れるからである。しかし、導電コイル４は発熱を抑える観点から、抵抗を１０Ω〜１００Ωと小さくする方が良いため、蒸着膜は厚い方が良い。一方、ガルバノミラー３は前述のとおり基板１との熱膨張差による歪を抑えるために、蒸着膜は薄い方が良い。かかる状況を考慮して用途に応じた最適手法をとる必要がある。また、導電コイル４は基板１の可動部１’表面上に通常のＩＣ技術の一つである写真食刻法でパターンを形成される。この際、基板１と導電コイル４とは電気的に絶縁される必要があり、通常は図示のようにＳｉＯ２等の絶縁性膜１０を形成する。係る絶縁性膜１０もガルバノミラー３のゆがみを抑えるために、熱膨張係数、厚さ等を十分考慮する必要がある。
【０００９】
同図において、９は電極パッドであり、基板（固定部）１上に形成される。電極パッド９は、例えば、Ａｌ線等を用いたワイヤボンディング技術により外部端子と接続され、電極パッド９を通して導電コイル４に電流が印加される。電極パッド９は導電コイル４と同一の材料で同時に、例えば、蒸着等により形成されるのが望ましいが必ずしも同一又は同時にということに限定されない。
【００１０】
電極パッド９の一方は導電コイル４の最外殻端部１４と直接金属等の導体を介して接続される。なお、両者を同一材料で同時に形成する場合は、あらかじめ、写真食刻法で両者を連結したパターニングを施せばよい。また、電極パッド９の他方は導電コイル４の最内殻１５と接続される。この接続は必ず導電コイル４と交差するため、この交差部分を電気的に絶縁する必要がある。本例では図示のように、基板１の可動部１’表面上に導電コイル４の最内殻端部１５と電極パッドの端部９’とを電気的に接続する導体層１１を選択的に（この部分のみ）形成し、交差する導電コイル４との絶縁を前述したＳｉＯ２等の絶縁性膜で行なう。その他の方法には、例えば、交差する導電コイル４をまたぐように、Ａｌ等のワイヤボンディング結線してもよい。導体層１１は基板１と逆の極性をもつ不純物（例えばボロン等）を選択的に拡散することにより形成される。
【００１１】
図３、図４、図５は従来技術による二次元光偏向素子の導電コイルパターン形成を説明するための図であり、平面図と断面図または平面図である。導電コイルパターンは基板にジンバル加工する前に形成されるが、説明の都合上ジンバル加工した基板に導電コイルパターンを形成することにする。本例では導電コイルの巻数を多くするために導電コイルを２層に形成する。
【００１２】
単結晶シリコンの基板２１の表面にスパッタリング、蒸着等により金属薄膜（好ましくはアルミニウム）を形成する。金属薄膜上面にレジストを塗布し、第１層の導電コイルパターンを形成したマスクを重ねて露光する。レジストの開口部となる部分を除去し、金属薄膜をエッチングする。レジストを除去することにより、図３の第１層導電コイルパターンが形成できる。
【００１３】
第１可動部２２には第１可動部第１層導電コイル２４が形成され、第２可動部２３には第２可動部第１層導電コイル２７が形成される。第１可動部第１層導電コイル内端部２４ａは第１可動部の中央部に形成され、第１可動部第２層導電コイル内端部２９ａ（図４）が直接積層される。第１可動部第１層導電コイル外端部２４ｂは第２可動部の内端でジンバルバネ付近に形成されている。２５は第１可動部第１層導電コイル補助電極である。２６は接続用電極で第２可動部の内端でジンバルバネ付近に形成され、第２可動部第２層導電コイル外端部２９ｂが直接積層される。
【００１４】
第２可動部第１層導電コイル内端部２７ａは第２可動部の内端に形成され、第２可動部第２層導電コイル内端部３２ａ（図４）が直接積層される。第２可動部第１層導電コイル外端部２７ｂは第２可動部の外端でジンバルバネ付近に形成されている。２８は第２可動部第２層導電コイル外端部３２ｂ（図４）への接続用電極で第２可動部の内端でジンバルバネ付近に形成され、第２可動部第２層導電コイル外端部３２ｂが直接積層される。
【００１５】
次に表面に絶縁層（例えば感光性ポリイミドまたはＳｉＯ２）を形成し、第１層導電コイルと第２層導電コイルが直接積層される部分を除去する。その上に金属薄膜を形成する。金属薄膜上面にレジストを塗布し、第２層の導電コイルパターンを形成したマスクを重ねて露光する。レジストの開口部となる部分を除去し、金属薄膜をエッチングする。レジストを除去することにより、図４の第２層の導電コイルパターンが形成できる。
【００１６】
第１可動部２２には第１可動部第２層導電コイル２９が形成され、第２可動部２３には第２可動部第２層導電コイル３２が形成される。第１可動部第２層導電コイル内端部２９ａは第１可動部の中央部に形成され、第１可動部第１層導電コイル内端部２４ａに直接積層される。第１可動部第２層導電コイル外端部２９ｂは第２可動部の内端でジンバルバネ付近に形成される。３０は第１可動部第２層導電コイル補助電極である。３１は接続用電極で第２可動部２３の内端でジンバルバネ付近に形成され、第２可動部第１層導電コイル外端部２４ｂに直接積層される。なお、補助電極２５、３０はジンバルバネの強度を同じにするためのものである。
【００１７】
第２可動部第２層導電コイル内端部３２ａは第２可動部２３の内端に形成され、第２可動部第１層導電コイル内端部２７ａに直接積層される。第２可動部第２層導電コイル外端部３２ｂは第２可動部２３の外端でジンバルバネ付近に形成される。３３は第２可動部第１層導電コイル外端部２７ｂ接続用電極で第２可動部２３の外端でジンバルバネ付近に形成され、第２可動部第１層導電コイル外端部２７ｂに直接積層される。
【００１８】
次に表面に絶縁層を形成し、第２層コイルと接続電極パターンが直接積層される部分を除去する。その上に金属薄膜を形成する。金属薄膜上面にレジストを塗布し、接続電極パターンを形成したマスクを重ねて露光する。レジストの開口部となる部分を除去し、金属薄膜をエッチングする。レジストを除去することにより、図５の接続電極パターンが形成できる。３４、３５は第１可動部駆動用導電コイル接続電極であり、接続端子３４ａは接続用電極３１を介して第１可動部第１層導電コイル外端部２４ｂに接続される。接続端子３５ａは第１可動部第２層導電コイル外端部２９ｂに接続される。接続端子３４ｂ、３５ｂは第１可動部駆動電源に接続される。３６、３７は第２可動部駆動用導電コイル接続電極であり、接続端子３７ａは接続用電極３３を介して第２可動部第１層導電コイル外端部２７ｂに接続される。接続端子３６ａは第２可動部第２層導電コイル外端部３２ｂに接続される。接続端子３６ｂ、３７ｂは第２可動部駆動電源に接続される。
【００１９】
図６は完成したガルバノミラーの平面図（ａ）とＡ−Ａ側面断面の模式図（ｂ）である。図６（ｂ）に於いて第２可動部２３の右側では、基板２１上に第１層導電コイル２７、絶縁層３８、第２層導電コイル３２、絶縁層３８、接続電極３４が積層されている。さらにその上に保護膜（不図示）が形成される。図では大まかに表示されているが、実際にはそれぞれの膜厚は１μｍ程度である。導電コイルの幅は４０μｍ程度であり、コイル間は１０μm程度、巻数としては１５巻程度である。導電コイルに関してはガルバノミラーの振れ角や磁石の強度等により仕様が変わることは言うまでもない。
【００２０】
【発明が解決しようとする課題】
導電層（コイル、接続電極）が絶縁層を介して積層される構造であり、配線が複雑になっている。絶縁層は、感光性ポリイミドを塗布するか、ＳｉＯ２を蒸着する等で形成している。凹凸の密集した導電コイルパターンの上へスピンナー又はスパッタリングにより絶縁薄膜を均一に形成するのは難しく、絶縁不良が発生することがある。
【００２１】
同様に、レジストを一様に塗布するのも難しくパターン幅にばらつきが発生しやすくなっている。
【００２２】
基板の片面にのみ積層した膜が形成されるため、基板に反りが発生しやすくなり、ガルバノ素子の特性が劣化している。
【００２３】
【課題を解決するための手段】
一つの基板に、枠状の固定部と、前記固定部の内側に設けられ、一対の外側ばね部によって回動可能に支持された外周側可動部と、該外周側可動部の内側に設けられ、前記外側ばね部とは軸方向が互いに直交する一対の内側ばね部によって回動可能に支持された中心側可動部と、を形成し、前記中心側可動部に反射鏡を形成し、前記各可動部上に導電コイルパターンを形成して構成される光偏向素子において、前記外周側可動部の一方の面に、外周側可動部の導電コイルパターンを形成し、前記中心側可動部は、前記外周側可動部の一方の面とは反対側の面に、中心側可動部の導電コイルパターンを形成する光偏向素子とする。
【００２４】
ばね部と二つの可動部が基板とほぼ同一の厚さの光偏向素子とする。
【００２５】
外周側可動部は、当該外周側可動部の他方の面に前記基板の反り及び歪みを抑える補助パターンを形成した光偏向素子とする。
【００２６】
一つの基板に、枠状の固定部と、前記固定部の内側に設けられ、一対の外側ばね部によって回動可能に支持された外周側可動部と、該外周側可動部の内側に設けられ、前記外側ばね部とは軸方向が互いに直交する一対の内側ばね部によって回動可能に支持された中心側可動部と、を形成し、前記中心側可動部に反射鏡を形成し、前記各可動部上に導電コイルパターンを形成する光偏向素子の製造方法において、前記外周側可動部の一方の面に、外周側可動部の導電コイルパターンを形成し、前記外周側可動部の他方の面に、前記基板の反り及び歪みを抑える補助パターンを形成し、前記中心側可動部の他方の面側の面に中心側可動部の導電コイルパターンを形成する光偏向素子の製造方法とする。
【００２７】
【発明の実施の形態】
図７から図１０により本発明の光偏向素子の製造方法を説明する。図７は表面の第１層パターン図であり平面図と断面図、図８は第２層パターン図であり平面図である。本例でもジンバル加工した基板に導電コイルパターンを形成することにする。図９は裏面の第１層パターン図であり平面図と断面図、図１０は第２層パターン図であり平面図である。
【００２８】
単結晶シリコンの基板２１の表面にスパッタリング、蒸着等により金属薄膜（好ましくはアルミニウム）を形成する。金属薄膜上面にレジストを塗布し、第１層の導電コイルパターンを形成したマスクを重ねて露光する。レジストの開口部となる部分を除去し、金属薄膜をエッチングする。レジストを除去することにより、図７の第１層導電コイルパターンを形成する。
【００２９】
第１可動部２２には第１可動部第１層導電コイル４０が形成され、第２可動部２３には第２可動部補助パターン４１、４２が形成される。第１可動部第１層導電コイル内端部４０ａは第１可動部２２の中央部に形成され、第１可動部第２層導電コイル内端部４３ａ（図８）が直接積層される。第１可動部第１層導電コイル外端部４０ｂは第２可動部２３の補助パターン４２を経て、接続電極４６と接続されている。
【００３０】
次に表面に感光性ポリイミド又はＳｉＯ２等で絶縁層を形成し、第１層導電コイルと第２層導電コイルが直接積層される部分を除去する。その上に金属薄膜を形成する。金属薄膜上面にレジストを塗布し、第２層の導電コイルパターンを形成したマスクを重ねて露光する。レジストの開口部となる部分を除去し、金属薄膜をエッチングする。レジストを除去することにより、図８の第２層の導電コイルパターンを形成する。
【００３１】
第１可動部２２には第１可動部第２層導電コイル４３が形成され、第２可動部２３には第２可動部補助パターン４４、４５が形成される。第１可動部第２層導電コイル内端部４３ａは第１可動部２２の中央部に形成され、第１可動部第１層導電コイル内端部４０ａ（図７）に直接積層される。第１可動部第２層導電コイル外端部４３ｂは第２可動部の補助パターン４４を経て、接続電極４７と接続されている。
【００３２】
次に単結晶シリコンの基板２１の裏面にスパッタリング、蒸着等により金属薄膜（好ましくはアルミニウム）を形成する。金属薄膜上面にレジストを塗布し、第１層の導電コイルパターンを形成したマスクを重ねて露光する。レジストの開口部となる部分を除去し、金属薄膜をエッチングする。レジストを除去することにより、図９の第１層導電コイルパターンを形成する。
【００３３】
第２可動部２３には第２可動部第１層導電コイル４８を形成する。第２可動部第１層導電コイル内端部４８ａは第２可動部２３の内縁部に形成され、第２可動部第２層導電コイル内端部４９ａ（図１０）が直接積層される。他に接続用電極５０及び補助電極５１を形成するのは従来技術と同様である。第２可動部第１層導電コイル外端部は接続電極５２と接続されている。
【００３４】
次に表面に感光性ポリイミド又はＳｉＯ２等で絶縁層を形成し、第１層導電コイルと第２層導電コイルが直接積層される部分を除去する。その上に金属薄膜を形成する。金属薄膜上面にレジストを塗布し、第２層の導電コイルパターンを形成したマスクを重ねて露光する。レジストの開口部となる部分を除去し、金属薄膜をエッチングする。レジストを除去することにより、図１０の第２層の導電コイルパターンを形成する。
【００３５】
第２可動部２３には第２可動部第２層導電コイル４９が形成され、第１可動部２２には反射鏡（ガルバノミラー）５４が形成される。第２可動部第２層導電コイル内端部４９ａは第２可動部の内縁部に形成され、第２可動部第１層導電コイル内端部４８ａ（図９）に直接積層される。第２可動部第２層導電コイル外端部は、補助電極５０と接続され、さらに接続電極５３と接続されている。５５は補助電極である。本発明のように基板の表裏に導電パターンを形成する場合、基板と可動部を支えるばね部は同一厚さか、絶縁膜やレジスト膜を形成するのに支障が無い程度の差に設計するのが好ましい。
【００３６】
図１１は前述の工程により製造した光偏向素子を裏から見た平面図と断面図である。さらに表面に保護膜を形成するか否かは適宜決定する。
【００３７】
【発明の効果】
第１可動部と第２可動部に形成する導電コイルを基板の表裏に分けたので配線が容易になり、導電コイルパターン上を横切る接続電極が不要となるのでショーと不良の発生を防止できる。
【００３８】
基板と可動部を支えるばね部は同一厚さか、絶縁膜やレジスト膜を形成するのに支障が無い程度の差にすることにより、ガルバノ素子の製造が容易になる。
【００３９】
可動部の導電コイルパターンの裏面に導電コイルパタンに対抗する補助パターンを形成したことで、基板の両面にほぼ等しい膜が形成され、可動部の反り、歪みを最小限に抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に関する光偏向素子の原理構造
【図２】原理構造を具現化した一例
【図３】従来技術による２軸光偏向素子の導電コイルパターン形成を説明するための図であり、平面図と断面図
【図４】従来技術による２軸光偏向素子の導電コイルパターン形成を説明するための図であり、平面図
【図５】従来技術による２軸光偏向素子の導電コイルパターン形成を説明するための図であり、平面図
【図６】完成したガルバノミラーの平面図（ａ）とＡ−Ａ側面断面の模式図（ｂ）
【図７】表面の第１層パターン図であり平面図と断面図
【図８】第２層パターン図であり平面図
【図９】裏面の第１層パターン図であり平面図と断面図
【図１０】第２層パターン図であり平面図
【図１１】光偏向素子の平面図と断面図
【符号の説明】
１      基板（シリコン単結晶）
１’    可動部
２      ジンバルバネ
３      ガルバノミラー
４      導電コイル
５      Ｘ方向軸
６      Ｙ方向軸
７      Ｘ方向磁界
８      Ｙ方向磁界
９      電極パッド
９’    電極パッドの端部
１０    絶縁性膜
１１    導体層
１２    支点
１２’  支点
１３    支点
１３’  支点
１４    最外殻端部
１５    最内殻端部
２１    基板
２２    第１可動部
２３    第２可動部
２４    第１可動部第１層導電コイル
２４ａ  第１可動部第１層導電コイル内端部
２４ｂ  第１可動部第１層導電コイル外端部
２５    第１可動部第１層導電コイル補助電極
２６    第２層接続用電極
２７    第２可動部第１層導電コイル
２７ａ  第２可動部第１層導電コイル内端部
２７ｂ  第２可動部第１層導電コイル外端部
２８    第２可動部第１層導電コイル第２層接続用電極
２９    第１可動部第２層導電コイル
２９ａ  第１可動部第２層導電コイル内端部
２９ｂ  第１可動部第２層導電コイル外端部
３０    第１可動部第２層導電コイル補助電極
３１    第１層接続用電極
３２    第２可動部第２層導電コイル
３２ａ  第２可動部第２層導電コイル内端部
３２ｂ  第２可動部第２層導電コイル外端部
３３    第２可動部第２層導電コイル第２１接続用電極
３４    第１可動部駆動用導電コイル接続電極
３４ａ  接続端子
３４ｂ  接続端子
３５    第１可動部駆動用導電コイル接続電極
３５ａ  接続端子
３５ｂ  接続端子
３６    第２可動部駆動用導電コイル接続電極
３６ａ  接続端子
３６ｂ  接続端子
３７    第２可動部駆動用導電コイル接続電極
３７ａ  接続端子
３７ｂ  接続端子
３８    絶縁膜
４０    第１可動部第１層導電コイル
４０ａ  第１可動部第１層導電コイル内端部
４０ｂ  第１可動部第１層導電コイル外端部
４１    第２可動部補助パターン
４２    第２可動部補助パターン
４３    第１可動部第２層導電コイル
４３ａ  第１可動部第２層導電コイル内端部
４３ｂ  第１可動部第２層導電コイル内端部
４４    第２可動部補助パターン
４５    第２可動部補助パターン
４６    接続電極
４７    接続電極
４８    第２可動部第１層導電コイル
４８ａ  第２可動部第１層導電コイル内端部
４９    第２可動部第２層導電コイル
４９ａ  第２可動部第２層導電コイル内端部
５０    接続用電極
５１    補助電極
５２    接続電極
５３    接続電極
５４    反射鏡
５５    補助電極
【図１】
0004526676.tif 000002
【図２】
0004526676.tif 000003
【図３】
0004526676.tif 000004
【図４】
0004526676.tif 000005
【図５】
0004526676.tif 000006
【図６】
0004526676.tif 000007
【図７】
0004526676.tif 000008
【図８】
0004526676.tif 000009
【図９】
0004526676.tif 000010
【図１０】
0004526676.tif 000011
【図１１】
0004526676.tif 000012