(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導電金属基体と、
酸化物粒子群から構成され、かつ外部に連通する空孔を有する酸化物粒子構造体と、を備え、
前記酸化物粒子構造体は、前記第１の導電金属基体の表面に形成された酸化膜を介して前記第１の導電金属基体と接合されていることを特徴とする複合多孔体。
【請求項２】
前記酸化物粒子構造体の前記空孔に樹脂が充填されていることを特徴とする請求項１に記載の複合多孔体。
【請求項３】
前記酸化物粒子構造体の空孔率が２０〜８０％であることを特徴とする請求項１又は２に記載の複合多孔体。
【請求項４】
前記酸化物粒子は、磁性体から構成されることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の複合多孔体。
【請求項５】
前記酸化物粒子は、誘電体から構成されることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の複合多孔体。
【請求項６】
前記第１の導電金属基体が接合された前記酸化物粒子構造体の裏面側に、第２の導電金属基体が接合されることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の複合多孔体。
【請求項７】
前記第１の導電金属基体及び／又は前記第２の導電金属基体は、卑金属から構成されることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の複合多孔体。
【請求項８】
前記第１の導電金属基体及び／又は前記第２の導電金属基体は、卑金属の箔から構成されることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の複合多孔体。
【請求項９】
厚さが０．２ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の複合多孔体。
【請求項１０】
酸化物粒子とバインダ樹脂とを含む原料組成物を導電金属基体上に積層して積層体を作製する工程（ａ）と、
前記バインダ樹脂を除去するために酸化性雰囲気中で前記積層体を加熱処理する工程（ｂ）と、
加熱することにより前記酸化物粒子同士を接合して、外部に連通する空孔を有する酸化物粒子構造体を得る工程（ｃ）と、
前記酸化物粒子構造体の前記空孔に樹脂を充填する工程（ｄ）と、
を備えることを特徴とする複合多孔体の製造方法。
【請求項１１】
前記原料組成物は、樹脂粉体を含み、
前記工程（ｂ）において、前記樹脂粉体も除去されることを特徴とする請求項１０に記載の複合多孔体の製造方法。
【請求項１２】
前記工程（ｂ）は、３００〜６００℃に加熱保持することを特徴とする請求項１０又は１１に記載の複合多孔体の製造方法。
【請求項１３】
前記工程（ｃ）は、６００〜１２００℃に加熱保持することを特徴とする請求項１０〜１２のいずれかに記載の複合多孔体の製造方法。
【請求項１４】
前記工程（ｄ）は、前記酸化物粒子構造体に樹脂体を接触させた状態で、加熱しつつ加圧することにより、前記酸化物粒子構造体の前記空孔に樹脂を充填することを特徴とする請求項１０〜１３のいずれかに記載の複合多孔体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂が充填された多孔体と導電金属基体とを備えた複合多孔体及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、デジタル電子機器をはじめとする高周波を利用する電子機器の普及が進んでおり、特に準マイクロ波帯を利用する移動体通信機器の普及がめざましく、例えば携帯電話などでは、小型化・軽量化の要求が強い。それにともない電子部品も高密度実装化の方向での開発が進められている。しかし、このような高密度実装下においては、部品間・配線間における電磁結合などが、機器の正常な動作を妨げていることが少なくない。パソコン等では、高クロック化により、輻射ノイズが発生し易くなっており、このようなノイズは、周辺部品・周辺機器に対して悪影響をおよぼしやすく、対応が必要な状況にある。
【０００３】
これらの問題に対応するために磁性粉末をゴムや樹脂に分散・混合した複合磁性シートが電波吸収体として実用化されている。これらの複合磁性シートは電波吸収性能を高く得るために、いかに透磁率を高くするかがポイントであることが知られている。
これら複合磁性シートに使われる磁性材料としては、金属磁性粉末を扁平化したものがよく使われる。扁平化した磁性フィラーを使う理由としては、一定方向にフィラーを配列することにより、その方向での反磁界係数を小さくできるため透磁率を高くすることが可能になると考えられているためであり、実際そのような結果を示しているからである。金属磁性粉末である理由としては、アトライタやボールミル等により扁平処理ができることにある。フェライトのようなセラミックス粉末では、粒子が粉々に粉砕されてしまい扁平化ができない。
【０００４】
上述のような電波吸収体においても、磁性体を用いたものやカーボンを複合化した誘電体を用いたものなどがある。電波吸収体においては、透磁率と共に誘電率が電磁境界面の反射係数と吸収体内部での波長に影響するため、所望の特性を得る目的のためフェライトの誘電率を下げることが必要になる場合がある。そのような状況で比較的透磁率を下げることなく、見かけの誘電率を下げる方法として、多孔質化させた磁性材料を使用し、あるいは強度等の改善のため樹脂やガラスを含浸された材料が提案されている（例えば、特許文献１）。特許文献１は、磁性体原料と、バインダと、球状又は粉粒体状で、バインダに対する接着性を有する焼失材とを配合した磁性焼結体用の配合磁性体原料を形成し、この成形体を焼成して１０〜８０ｖｏｌ％の空孔を含む磁性焼結体を形成した後、磁性焼結体の空孔に樹脂又はガラスを充填することにより、低誘電率を実現するとともに、吸水性を低く抑え、かつ、機械的強度を確保している。
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−１４６８０１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１に開示された複合磁性体は、電波吸収体を専ら想定しており、ドクターブレード法により作製された厚さ１００μｍ程度のセラミックスグリーンシートを積層して２ｍｍ程度の厚さとした後に焼成している。この程度の厚さであれば十分に焼成することができるが、例えば１００μｍ以下と厚さの薄い複合磁性体の要求があり、この程度の厚さになると健全な多孔体を得ることが容易でない。また、仮に焼成できたとしても、可撓性が不足してハンドリングが容易でない。
本発明は、このような技術的課題に基づいてなされたもので、厚さが薄く、かつ樹脂が含浸された多孔体からなる可撓性に優れた複合多孔体を容易に製造する手法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者等は、上記目的を達成するために、金属箔上で多孔体を形成することを検討した。金属箔が、支持体となり多孔体を得ることが容易となると考えたためである。特に、金属箔上に多孔体が接合していれば、金属箔の可撓性によって、金属箔と多孔体の複合体としての可撓性を確保することができるからである。ところが、多孔体を構成するフェライト粒子と金属箔とを接合することが困難であり、多孔体が金属箔から容易に剥離することが確認された。そこで、フェライト粒子と金属箔の接合を可能とすべく、金属箔を酸化させたところ、多孔体を得るための焼成工程を経ることにより、金属箔と多孔体の接合を確保することができた。本発明は以上の知見に基づくものであり、第１の導電金属基体と、酸化物粒子群から構成され、かつ外部に連通する空孔を有する酸化物粒子構造体と、を備え、酸化物粒子構造体は、第１の導電金属基体の表面に形成された酸化膜を介して第１の導電金属基体と接合されていることを特徴とする複合多孔体である。
【０００８】
本発明の複合多孔体は、酸化物粒子構造体の空孔に樹脂が充填されていることが好ましい。複合多孔体の可撓性を向上するためである。
また本発明の複合多孔体において、酸化物粒子構造体の空孔率が２０〜８０％であることが好ましい。酸化物粒子構造体として所定の特性を具備し、かつ複合多孔体としての可撓性を具備するためである。
【０００９】
本発明の複合多孔体において、酸化物粒子としては種々の材料を用いることができ、磁性体のみならず誘電体を用いることができる。
本発明の複合多孔体において、第１の導電金属基体が接合された酸化物粒子構造体の裏面側に、第２の導電金属基体を接合することができる。なお、第１の導電金属基体及び／又は第２の導電金属基体として、Ｎｉ、Ｃｕ等の卑金属から構成することができる。卑金属は箔の形態を用いることが好ましい。本発明の複合多孔体は、厚さを０．２ｍｍ以下にすることが好ましく、このような薄い複合多孔体を作製するのに箔を用いることが好ましい。
【００１０】
本発明の複合多孔体を製造する好適な方法は、酸化物粒子とバインダ樹脂とを含む原料組成物を導電金属基体上に積層して積層体を作製する工程（ａ）と、バインダ樹脂を除去するために酸化性雰囲気中で積層体を加熱処理する工程（ｂ）と、加熱することにより酸化物粒子同士を接合して、外部に連通する空孔を有する酸化物粒子構造体を得る工程（ｃ）と、酸化物粒子構造体の空孔に樹脂を充填する工程（ｄ）と、を備えることを特徴とする。
【００１１】
本発明の原料組成物には、空孔を形成するのに有効な樹脂粉体を含ことが好ましい。この樹脂粉体は、工程（ｂ）において除去される。
本発明において、工程（ｂ）は３００〜６００℃に、工程（ｃ）は６００〜１２００℃に加熱保持することが好ましい。
また、工程（ｄ）において、酸化物粒子構造体に樹脂体を接触させた状態で、加熱しつつ加圧することにより、酸化物粒子構造体の空孔に樹脂を充填することができる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、厚さが薄く、かつ樹脂が含浸された多孔体からなる可撓性に優れた複合多孔体を容易に製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、添付図面に示す実施の形態に基づいてこの発明を詳細に説明する。
＜複合多孔体の構成＞
図１は、本実施の形態における複合多孔体１０の概略構成を示す断面図である。
図１に示すように、複合多孔体１０は、金属箔４と多孔体本体１とが積層した構造を有している。多孔体本体１は、酸化物粒子構造体２と樹脂相３とから構成されている。
【００１４】
酸化物粒子構造体２は、複数の酸化物粒子ＯＰが相互に接合した構造を有している。つまり、酸化物粒子構造体２は、酸化物粒子ＯＰが連続した経路を有している。詳しくは後述するが、酸化物粒子ＯＰ同士の接合は、所定温度に加熱保持することにより得ることができる。この加熱保持は、当該酸化物粒子ＯＰから緻密な焼結体を得る焼成に比べて軽微な条件で行われる。軽微な条件とは、加熱温度が低いか、又は保持時間が短い場合を含む。また、酸化物粒子構造体２は、外部と連通する開空孔（open pore）を有する多孔体である。ただし、微視的に見た場合、閉空孔（closed pore）の存在を否定するものではない。酸化物粒子構造体２の空孔率は、２０〜８０ｖｏｌ％（体積％）であることが好ましい。空孔率が２０ｖｏｌ％未満では空孔に充填される樹脂の量が不足して、複合多孔体１０に十分な可撓性を付与することが困難になる。また、空孔率が８０ｖｏｌ％を超えると酸化物粒子ＯＰの量が不足して、所望する物理的特性を得ることが困難になる。より好ましい空孔率は２５〜７０ｖｏｌ％、さらに好ましい空孔率は３０〜６５ｖｏｌ％である。
【００１５】
樹脂相３は、酸化物粒子構造体２の空孔に充填された樹脂材料によって構成される。樹脂材料は、酸化物粒子構造体２の空孔に含浸によって充填することができる。酸化物粒子構造体２の空孔は開空孔であるから、そこに充填される樹脂材料は酸化物粒子構造体２内において連続した経路をなしている。
【００１６】
ところで、可撓性のある複合材料として、例えば樹脂中に高透磁率の酸化物磁性粒子（フィラー）を分散させたものが知られている。この複合材料は、樹脂中に酸化物磁性粒子が分散し、ほとんどの酸化物磁性粒子間に非磁性材料である樹脂が存在してしまうため酸化物磁性粒子の透磁率が生かせず、複合材料としては、透磁率の低いものとなってしまう。このことは、高誘電体である酸化物粒子ＯＰを樹脂中に分散させた複合材料についても同様である。反磁界係数を小さくするためには、高透磁率の金属磁性粒子を使用することが考えられるが、複合材料中における絶縁性を低下させてしまい、実用上使いにくいものとなってしまう。また、酸化物磁性粒子の充填量を増やすことにより、複合材料としての透磁率を向上させることも考えられるが、材料自体が脆くなり、割れ欠け等で工程中に不具合を生じてしまう。したがって、充填量を増やすことにも限界がある。
【００１７】
以上に対して、本実施の形態による複合多孔体１０は、酸化物粒子ＯＰが接合し、連続した経路を有する酸化物粒子構造体２を備えていることから、反磁界係数を低減して高透磁率化を図ることができる。
また、酸化物粒子構造体２のみでは可撓性を出すことが困難であるが、その空孔内に樹脂を充填することにより、所定の可撓性を持たせることができる。可撓性、特に製造工程中に要求される可撓性については、第１の導電金属基体としての金属箔４上で多孔体本体１を形成することも寄与している。この点については、後述する複合多孔体１０の製造方法の説明においてさらに言及する。
【００１８】
（酸化物粒子ＯＰ）
酸化物粒子ＯＰは、磁性体又は誘電体から構成することができる。
磁性体としては、Ｎｉ−Ｚｎ系、Ｍｇ−Ｚｎ系、Ｍｎ−Ｚｎ系、Ｃｕ−Ｚｎ系、Ｃｕ−Ｚｎ−Ｍｇ系、Ｍｎ−Ｍｇ系、Ｍｎ−Ｍｇ−Ｚｎ系、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトや高周波での使用に適した六方晶系フェライト等、公知のフェライト材料から構成することができる。
また、誘電体としては、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＭｇＯ、ＭｇＯ・ＳｉＯ２、２ＭｇＯ・ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＢａＴｉＯ３、ＢａｘＳｒ１−ｘＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３、ＰｂＺｒｘＴｉ１−ｘ、Ｐｂ１−ｘＬａｙＺｒＴｉ１−ｘＯ３、ＳｒＢｉ２ＴａＯ３等のペロブスカイト構造を持つ複合酸化物やその他の強誘電体材料を用いることができる。また、ＭｇＴｉＯ３、Ｂａ（Ｍｇ１／３Ｔａ２／３）Ｏ３、Ｂａ（Ｚｎ１／３Ｔａ２／３）Ｏ３、Ｂａ（Ｎｉ１／３Ｔａ２／３）、Ｂａ（Ｃｏ１／３Ｔａ２／３）、ＢａＮｄ２Ｔｉ４Ｏ１２、Ｂａ２Ｔｉ９Ｏ２０、ＬａＡｌＯ３、ＰｒＡｌＯ３、ＳｍＡｌＯ３、ＹＡｌＯ３、ＧｄＡｌＯ３、ＤｙＡｌＯ３、ＥｒＡｌＯ３、Ｓｒ（Ｚｎ１／３Ｔａ２／３）Ｏ３、Ｓｒ（Ｎｉ１／３Ｔａ２／３）Ｏ３、Ｓｒ（Ｃｏ１／３Ｔａ２／３）Ｏ３、Ｓｒ（Ｍｇ１／３Ｔａ２／３）Ｏ３、Ｓｒ（Ｃａ１／３Ｔａ２／３）Ｏ３、Ｂａ２Ｔｉ９Ｏ２０、Ｂａ（Ｃｏ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３などを主成分とする材料から構成することができる。
以上の酸化物粒子ＯＰは、その粒径が０．１〜１０μｍの範囲内にあることが好ましく、０．３〜３μｍの範囲内にあることがさらに好ましい。また、酸化物粒子ＯＰの含有量は、後述する充填樹脂と酸化物粒子ＯＰの合計を１００ｖｏｌ％としたとき、２０〜８０ｖｏｌ％の範囲とすることが好ましく、３０〜７５ｖｏｌ％とすることがより好ましく、３５〜７０ｖｏｌ％とすることがさらに好ましい。
【００１９】
（充填樹脂）
酸化物粒子構造体２の空孔内に充填される樹脂としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂の双方が利用可能であり、具体的には、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ビニルベンジルエーテル化合物樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、シアネートエステル系樹脂、ポリイミド、ポリオレフィン系樹脂、ポリエステル、ポリフェニレンオキサイド、液晶ポリマー、シリコーン樹脂、フッ素系樹脂等があり、それら単独もしくは少なくとも１種類以上含まれたものであればよい。また、複合多孔体１０の形態として、シートやフィルムを構成する場合には、上記の材料が使用可能なことは言うまでもないが、それ以外にアクリルゴム、エチレンアクリルゴム等のゴム材料もしくはゴム成分を一部含むような樹脂材料であっても良い。また、充填する樹脂は、必ずしも液状のものである必要が無く、加熱により溶融するものであれば使用可能である。スーパーエンジニアリングプラスチックと呼ばれるような高耐熱樹脂のように溶剤に溶解しにくい樹脂も使用することができる。このように本発明によれば、充填する樹脂の選択肢が広いため、耐熱性の向上等の種々の特性に対応することができる。
【００２０】
（金属箔４）
第１の導電金属基体としての金属箔４には、銅箔、ニッケル箔、アルミ箔、金箔、これら金属元素を複数含んだ合金箔、及びこれらと他の金属とのクラッド箔を用いることができる。ここで、クラッド箔とは、異材質金属を貼り合わせた箔であり、例えば、銅箔にニッケルを貼り合わせたものがある。このクラッド箔の組み合わせ相手は貼り合わせ可能な金属であれば何でもよい。本発明は金のような貴金属からなる箔を用いることもできるが、コストの点では卑金属を用いることが好ましい。箔は、電解によって作製されたものであっても圧延により作製されたものであっても差し支えない。金属箔４の厚さは、一般に５００μｍ以下の厚さを有するが、１００μｍ以下、特に５０μｍ以下とすることが薄い複合多孔体１０を得る上で好ましい。本実施の形態による金属箔４は、その表面に酸化膜が形成されている。この酸化膜の存在により、酸化物から構成される多孔体本体１との接合力を確保することができる。この金属箔４は、複合多孔体１０が、電子部品として使用される場合に、導電経路として機能することができる。
【００２１】
複合多孔体１０において、金属箔４が配設されていない酸化物粒子構造体２の面に第２の導電金属基体を配設することができる。この第２の導電金属基体は、金属箔４を貼り付けてもよいし、めっき、スパッタリング、蒸着等の薄膜形成プロセスによる金属膜としてもよい。金属膜としては、金属箔４と同様のものを用いることができる。金属膜としては、めっき、スパッタ、蒸着、ＣＶＤ、金属ナノペーストによる焼成などにより形成される金属膜が用いられる。めっきにより形成される金属膜としては、例えば、銅、ニッケル、金、銀、錫等及びそれらを含んだ合金がある。スパッタにより形成される金属膜としては、例えば、銅、ニッケル、金、銀、アルミニウム、タングステン、モリブデン、クロム、チタン、錫等及びそれらを含んだ合金がある。蒸着により形成される金属膜としては、例えば、銅、ニッケル、金、銀、アルミニウム、タングステン、モリブデン、クロム、チタン、錫等がある。ＣＶＤにより形成される金属膜としては、例えば、銅、ニッケル、金等及びそれらを含んだ合金がある。金属ナノペーストによる焼成により形成される金属膜としては、例えば、銀、銅、金等がある。なお、この焼成は、活性度の高いナノ粒子を低温で含浸した樹脂が分解しない温度（例えば、２００℃程度）で焼成することが好ましい。
【００２２】
＜複合多孔体１０の製造方法＞
次に、以上のように構成された複合多孔体１０の製造方法について説明する。図２は、複合多孔体１０の製造工程を示す図である。
（塗料作製）
まず、酸化物粒子構造体２、バインダ樹脂及び樹脂粉体を溶媒中へ溶解及び分散させ、塗料を作製する。ここで、樹脂粉体は、後述するように、酸化物粒子構造体２に空孔を形成するためのものであり、作製すべき空孔率によって添加量、粒径が適宜決められる。ただし、本発明において樹脂粉体は必須の要素ではなく、適宜加熱条件をコントロールすることにより、樹脂粉体がなくても酸化物粒子構造体２に空孔を形成することが可能である。なお、塗料中に、分散剤、可塑剤等を添加しても差し支えない。
【００２３】
ここで、樹脂粉体は、後述する焼成時に分解可能なものであればよく、例えば、架橋ポリスチレン、架橋アクリル、架橋メタクリル酸メチル、ナイロン等から構成されている。また、樹脂粉体は、酸化物粒子ＯＰ及びバインダ樹脂を含む塗料原料中において、使用溶剤に溶解しない程度の耐溶剤性を有するものであればよい。このような樹脂粉体は中空であってもよい。
塗料の作製方法としては、一般的なセラミックス基板を作製する場合に用いるグリーンシート作製用の塗料を作る場合と同じ方法であり、塗料作製装置を使って塗料化する。塗料作製装置としては、ボールミル、ビーズミルといった一般的なものを用いることができる。
【００２４】
（塗工）
次に、ドクターブレード法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法等の公知の方法を用いて、作製した塗料を金属箔４上に塗工・乾燥させて、金属箔４上に塗膜５を成膜する。
【００２５】
（脱バインダ）
続いて、金属箔４上に塗膜５が作製されたシートに脱バインダ処理を施す。脱バインダは、塗膜５中に含まれるバインダ樹脂及び樹脂粉体を除去するために行う。本実施の形態では、この脱バインダ処理を、酸化性雰囲気で行い、金属箔４を酸化する点に特徴がある。次工程である粒子接合処理において、金属箔４と酸化物粒子構造体２との接合を促進するためである。ただし、この酸化性雰囲気は金属箔４の表層部が酸化する程度のものとするのが好ましい。金属箔４が導電層として使用されるものだからである。酸化性雰囲気としては、大気、所定分圧の酸素を含む不活性ガス等が掲げられる。脱バインダは、３００〜６００℃程度の温度に所定時間保持すればよい。なお、脱バインダは、次工程である粒子接合処理の昇温過程で実施することが好ましい。また、バインダ樹脂及び樹脂粉体が除去されることにより、酸化物粒子ＯＰ間に空孔（開空孔）が形成される。
【００２６】
（粒子接合処理）
脱バインダの後に、酸化物粒子ＯＰを接合する処理（粒子接合処理）を行う。この粒子接合処理の温度、雰囲気は、接合すべき材料に適した条件で行う。一般的な処理温度としては、６００〜１２００℃である。粒子接合処理の雰囲気は、金属箔４が酸化されない雰囲気とすることが好ましい。例えば、窒素ガス雰囲気、アルゴンガス雰囲気等の不活性ガス雰囲気とすればよい。
この粒子接合処理は、酸化物粒子ＯＰが互いにその接触領域において反応することにより、酸化物粒子構造体２が金属箔４上に形成される。この酸化物粒子構造体２は、脱バインダによって酸化物粒子ＯＰ間に形成された空孔が残存している。
【００２７】
粒子接合処理条件としては、酸化物粒子ＯＰ同士が完全に拡散、反応するような条件とすることは避けるべきであり、酸化物粒子ＯＰが連続体を形成できる程度の反応が生じればよい。すなわち、酸化物粒子ＯＰ間のネックの成長が開始した程度の条件でよい。なお、粒子接合処理を促進するためにガラス成分を添加しても良いことは言うまでもない。ガラス成分を用いることにより、粒子接合処理の温度を低くできるか、処理時間を短縮できる。ガラス成分としては、結晶化ガラスでも非晶質ガラスでも一般的なガラスであれば使用可能である。例えば、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＲＯ（Ｒは、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ）を含むものが挙げられ、具体的には、ＳｉＯ２−ＢａＯ系、ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−ＢａＯ系、ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−ＢａＯ−Ｂ２Ｏ３系、ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−ＢａＯ−ＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３系のガラスやＢｉ系のガラス及びそれらを主成分とするガラスなどが利用可能である。
【００２８】
ところで、本実施の形態では、金属箔４上で粒子接合処理を行う。この粒子接合処理の際の酸化物粒子ＯＰの挙動について、図３に基づいて説明する。
図３は、粒子接合処理前（上段）及び後（下段）の金属箔４近傍の状態を模式的に示している。金属箔４上には、多数の酸化物粒子ＯＰが存在している。金属箔４の上面（表面）には、脱バインダ処理により形成された酸化膜ＯＬが存在しており、最下層の酸化物粒子ＯＰは、酸化膜ＯＬを介して金属箔４と接触している。この状態で粒子接合処理、つまり所定温度で加熱保持すると、酸化物粒子ＯＰ同士が反応するために、その占有体積は減少する。所謂、収縮である。通常の焼成では、この収縮は等方的である。しかし、本実施の形態の場合には、金属箔４に垂直な方向（図中、矢印Ｚ）の収縮に比べて金属箔４に平行な方向（図中、矢印Ｘ）の収縮は小さい。これは、金属箔４と接触している酸化物粒子ＯＰは、所定温度での加熱保持によって、金属箔４の表面に存在する酸化膜ＯＬと接合し、金属箔４に平行な方向への収縮が制限されるためである。加熱保持の温度を高くすると、金属箔４に平行な方向へ収縮が進行するため、酸化物粒子構造体２には、クラックが入ってしまう。このクラックを防止するためにも、前述したように、粒子接合処理における加熱条件は軽微なものとする。加熱の保持時間によっても変動するが、１つの基準として、緻密な焼結体を得るための保持温度をＴ１（℃）、粒子接合処理における保持温度をＴ２（℃）とすると、Ｔ２＝（０．７〜０．９）Ｔ１とすることが好ましい。さらに好ましい粒子接合処理における保持温度Ｔ２は、Ｔ２＝（０．７５〜０．８５）Ｔ１である。
【００２９】
本実施の形態は、以上のように、粒子接合処理工程を経ることにより、酸化物粒子構造体２と金属箔４とが、金属箔４の表面に形成された酸化膜ＯＬを介して接合される。したがって、以後の製造工程における酸化物粒子構造体２の可撓性を向上し、そのハンドリング性を確保することができる。また、一般に焼成過程でクラックが入ることが多いため、薄い多孔体を焼成により作製することは困難である。しかし、本実施の形態では、金属箔４を支持体として酸化物粒子構造体２を形成し、しかも通常の焼成よりも軽微な条件で酸化物粒子ＯＰの接合を行うために、０．２ｍｍ以下、特には０．１ｍｍ以下といった薄い複合多孔体１０を作製することができる。
【００３０】
（樹脂フィルム積層）
次に、酸化物粒子構造体２へ樹脂フィルム６を積層する。この樹脂フィルム６は、酸化物粒子構造体２の空孔に含浸可能な樹脂から構成されていればよく、例えば、Ｂステージ状態（半硬化状態）の熱硬化性樹脂、又は、加熱溶融可能な熱可塑性樹脂を用いる。また、樹脂フィルム６は、少量の熱可塑性樹脂を熱硬化性樹脂に混合した樹脂であってもよく、これらの樹脂に種々の分散剤、可塑剤、難燃剤、添加剤等を配合したものであってもよい。
【００３１】
（樹脂含浸）
樹脂フィルム６を酸化物粒子構造体２に積層した状態で、樹脂フィルム６を加熱しながら加圧する。この処理により、樹脂フィルム６は溶融し、かつ酸化物粒子構造体２の空孔内に溶融した樹脂が含浸される。この処理は、例えば、加熱プレス、加熱ラミネートにより行うことができる。また、この処理は、大気中で行うことも可能ではあるが、酸化物粒子構造体２に樹脂を含浸させやすくするために真空中で行うことが好ましい。加熱条件としては、樹脂フィルム６が硬化もしくは溶融する温度で行う。樹脂フィルム６が硬化もしくは溶融する温度としては、１００〜４００℃程度の条件が考えられる。
【００３２】
以上のような工程を経ることにより、図１に示す複合多孔体１０を作製できる。このように作製された複合多孔体１０は、酸化物粒子ＯＰが連続するので、酸化物粒子ＯＰ間に低透磁率又は低誘電率材料である樹脂が存在しなくなり、高透磁率化又は高誘電率化を図ることができる。
【００３３】
複合多孔体１０の製造方法は、上記の実施の形態に限定されるものではなく、種々の方法を適用することができる。例えば、上記の実施の形態では、酸化物粒子ＯＰ、バインダ樹脂及び樹脂粉体を溶媒中へ溶解及び分散させ、塗料を作製したが、樹脂粉体を加えなくてもよい。
【００３４】
複合多孔体１０は、酸化物粒子構造体２の一方の面側にのみ金属箔４が配設された形態を有しているが、図４に示すように、酸化物粒子構造体２の表裏量面に第１の導電金属基体としての金属箔４、第２の導電金属基体としての金属箔７１を配設した複合多孔体２０とすることもできる。この複合多孔体２０は、図２に示した樹脂フィルム６の代わりに、金属箔７１に樹脂フィルム７２が接合された樹脂フィルム接合金属箔７を、酸化物粒子構造体２に積層して、上記と同様に加熱、加圧を施す樹脂含浸処理を行うことにより得ることができる。
【００３５】
また、図５に示すように、図２に示す金属箔４上に酸化物粒子構造体２が作製されたシートを２枚準備し、酸化物粒子構造体２が対向するように配置するとともに、両者の間に、Ｂステージ状態あるいは含浸可能な完全硬化前の樹脂フィルム６を配置し、加熱しながら加圧してもよい。この場合、図５に示すように、２層分の厚さを有する酸化物粒子構造体２が配置された複合多孔体３０を作製できる。
【００３６】
複合多孔体１０の酸化物粒子ＯＰが、磁性フェライトから構成される場合、酸化物粒子構造体２の空孔を樹脂で充填しているため、誘電率を下げることができる。また、その樹脂中に高誘電体からなる粒子を分散させることによって、誘電率を上げることも可能なものとなっており、充填樹脂の設計により、誘電特性を制御することができる。含浸樹脂中に添加する誘電体フィラーとしては、孔の形状以下の粒子サイズであれば良く、所望する誘電特性に沿って選ばれるものである。例えば、誘電率を高くする場合には、誘電率が高く、誘電率が１００以上となるようなＴｉＯ２、ＢａＴｉＯ３、ＢａｘＳｒ１−ｘＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３を単独又は主成分とする複合酸化物が挙げられる。また、カーボンを分散混合させたものを含浸して、誘電率コントロールこともできる。
【実施例】
【００３７】
以下本発明を具体的な実施例に基づいて説明する。
＜第１実施例＞
（実施例１）
ポリビニール樹脂（積水化学工業（株）：ＢＨ−Ｓ）、架橋アクリル粉体（綜研化学（株）製：ＭＸ−１５０，平均粒径１．５μｍ）、磁性フェライト粒子（Ｆｅ２Ｏ３＝５２．６ｍｏｌ％、ＭｎＯ＝４０．６ｍｏｌ％、ＺｎＯ＝６．８ｍｏｌ％）及びガラス粉末（旭硝子（株）製：ＬＳ−５、上記磁性フェライト粒子１００重量部に対して２重量部）を用意した。そして、架橋アクリル粉体と、磁性フェライト粒子及びガラス粉末の合計との体積比が５０：５０（樹脂粉体量：５０ｖｏｌ％）となるように秤量、混合し、エタノール、トルエン及びＤＢＰ(フタル酸ジブチル)、オレイン酸を添加して酸化物粒子構造体の原料となる塗料を作製した。この際に用いる磁性フェライト粒子は、特許第３５４２３１９号に開示された噴霧熱分解法により作製した平均粒径１．５μｍの粒子を使用した。さらに、この時の分散方法としてはボールミルを使用し約２４時間分散し塗料とした。
【００３８】
以上で得られた塗料を、電解ニッケル箔（福田金属箔粉工業（株）製）上へ約３０μｍの厚さで塗工・乾燥した後、１０ｃｍ角のシートに切り出した。このシートを大気中、４００℃で２時間保持する脱バインダ処理を行った。なお、この大気中における脱バインダ処理により、電解ニッケル箔の表面が酸化される。その後、雰囲気を窒素雰囲気に切り替え、さらに２００℃／ｈの速度で１０５０℃まで昇温し、１時間保持する粒子接合処理を行った。図６に、粒子接合処理を行って得られた磁性フェライト粒子構造体の走査型電子顕微鏡による像を示す。図６に示すように、磁性フェライト粒子構造体は、磁性フェライト粒子が相互に接合し、かつ磁性フェライト粒子が連続した経路を有していることが確認された。なお、電解ニッケル箔と磁性フェライト粒子構造体との剥離は観察されなかった（剥離：○）。
【００３９】
粒子接合処理の保持温度を、１１５０℃、１２００℃としたときの磁性フェライト粒子構造体の走査型電子顕微鏡による像を、図７及び図８に示す。図７（ａ）及び図８（ａ）に示すように、保持温度が高くなると、磁性フェライト粒子構造体にクラックが発生することがわかる。これは、前述したように、磁性フェライト粒子の収縮が電解ニッケル箔の平面方向に拘束されているにも関わらず保持温度を上げたために、電解ニッケル箔の平面から離間した位置では磁性フェライト粒子の収縮が進行して歪が生じたためと解される。また、図６（ｂ）、図７（ｂ）及び図８（ｂ）を比較すればわかるように、保持温度が高くなるにつれて、磁性フェライト粒子同士の反応が進み、焼結の状態となる。
【００４０】
Ｂステージ状態のビニルベンジル樹脂膜（昭和高分子（株）製：ＡＲＳ−０６８）が電解銅箔（古河サーキットフォイル（株）製：Ｆ２−ＷＳ（厚さ１８μｍ））上に、厚さ２０μｍで形成された樹脂膜形成金属箔を用意した。この樹脂膜形成金属箔を、ニッケル箔上に形成された磁性フェライト粒子構造体にビニルベンジル樹脂膜が対向する様にして積層した。次いで、真空プレス機によりに加熱プレス成形した。プレス条件は、圧力：３ＭＰａ、温度：１９５℃、加圧時間：３時間である。この加熱プレスにより、樹脂の磁性フェライト粒子構造体への含浸及び硬化が同時に行われる。得られた複合多孔体から、外形７ｍｍ、内径３ｍｍのトロイダル形状の試料を打抜き、金属箔をエッチングにて除去した後同軸管法にて比透磁率μｒ（１０ＭＨｚ）を測定した。結果を表１に示す。この試料中の磁性フェライト粒子の占有体積を測定したところ３８ｖｏｌ％であった。このことは、磁性フェライト粒子構造体の空孔率が６２ｖｏｌ％であることを示唆している。また、この試料の一端を固定し、たわみ量２ｍｍとなるように他方端をたわませることにより可撓性の評価を行ったが、破損することはなかった（可撓性：○）。
【００４１】
図９に、得られた複合多孔体の積層構造（断面）を走査型電子顕微鏡により観察した像を示す。図９に示すように、複合多孔体において、電解ニッケル箔と磁性フェライト粒子構造体の界面、及び電解銅箔と磁性フェライト粒子構造体の界面ともに同様の構造をなしている。このように、粒子結合処理前に接合された電解ニッケル箔と磁性フェライト粒子構造体の界面と、粒子結合処理後の樹脂含浸時に接合された電解ニッケル箔と磁性フェライト粒子構造体の界面は、ともに同等レベルの密着性が得られていることが確認された。
【００４２】
（実施例２）
架橋アクリル粉体と、磁性フェライト粒子及びガラス粉末の合計との体積比を３０：７０（樹脂粉体量：３０ｖｏｌ％）とした以外は、実施例１と同様にして試料を作製し、試料の比透磁率を実施例１と同様に測定した。結果を表１に示す。また、実施例１と同様に電解ニッケル箔と磁性フェライト粒子構造体との剥離、可撓性の評価を行った。その結果も表１に示す。
【００４３】
（実施例３）
樹脂膜形成金属箔に形成される樹脂をベンゾオキサジン樹脂（四国化成（株）製：Ｆ−ａ型）とした以外は、実施例２と同様にして試料を作製し、試料の比透磁率を実施例１と同様に測定した。結果を表１に示す。また、実施例１と同様に電解ニッケル箔と磁性フェライト粒子構造体との剥離、可撓性の評価を行った。その結果も表１に示す。
【００４４】
（実施例４）
磁性フェライト粒子の組成を、Ｆｅ２Ｏ３＝４８．７ｍｏｌ％、ＭｎＯ＝３０．３ｍｏｌ％、ＺｎＯ＝２０ｍｏｌ％、ＴｉＯ２＝１ｍｏｌ％とし、ガラス粒子を添加することなく、架橋アクリル粉体と磁性フェライト粒子の体積比を３０：７０（樹脂粉体量：３０ｖｏｌ％）とした以外は、実施例１と同様にして試料を作製し、試料の比透磁率を実施例１と同様に測定した。結果を表１に示す。また、実施例１と同様に電解ニッケル箔と磁性フェライト粒子構造体との剥離、可撓性の評価を行った。その結果も表１に示す。さらに、図１０に、粒子接合処理を行って得られた磁性フェライト粒子構造体の走査型電子顕微鏡による像を示す。図１０に示すように、磁性フェライト粒子構造体は、磁性フェライト粒子が相互に接合し、かつ磁性フェライト粒子が連続した経路を有していることが確認された。
【００４５】
（比較例１）
ビニルベンジル樹脂（昭和高分子（株）製：ＡＲＳ−０６８）に、実施例１に使用した磁性フェライト粒子（Ｆｅ２Ｏ３＝５２．６ｍｏｌ％、ＭｎＯ＝４０．６ｍｏｌ％、ＺｎＯ＝６．８ｍｏｌ％）からなるフィラーの体積が実施例１における磁性フェライト粒子の占有体積と同程度の３８ｖｏｌ％になるように配合したスラリ溶液を作製した。このスラリ溶液をボールミルにて４８時間混合、分散した。このスラリを、実施例１で用いた銅箔上に厚さ約３０μｍに塗工、乾燥した。得られた銅箔付きシートを、銅箔の粗化面を対向するように積層し、真空プレス機により実施例１と同様の条件で加熱プレスした。得られた複合体より、実施例１と同様に試料を作製し、比透磁率μｒ（１０ＭＨｚ）を測定した。結果を表１に示す。
【００４６】
（比較例２）
脱バインダを窒素雰囲気中で行った以外は実施例２と同様にして、粒子接合処理まで行った。金属箔と磁性フェライト粒子構造体と銅箔との剥離を観察した。その結果を表１に示す。
【００４７】
【表１】
0004596154.tif 000002
【００４８】
表１に示すように、磁性フェライト粒子の占有体積が同等であっても、本発明による実施例１の方が比較例１よりも高い透磁率を有している。また、脱バインダを窒素雰囲気中で行うと、電解ニッケル箔表面に酸化膜が形成されないために、磁性フェライト粒子構造体を電解ニッケル箔に十分に接合することができず、剥離が生じてしまう。また、本発明による実施例１〜４の複合多孔体は、焼結体以上の可撓性を有している。
【００４９】
＜第２実施例＞
（実施例５）
ポリビニール樹脂（積水化学工業（株）製：ＢＨ−Ｓ）と架橋アクリル粉体（綜研化学（株）製：ＭＸ−１５０）、誘電体粒子（共立マテリアル（株）製：Ｙ５Ｖ−Ｆ３、誘電体粒子Ａ）を、樹脂粉体と誘電体粒子の体積比が６０：４０（樹脂粉体量：６０ｖｏｌ％）となるように秤量し、エタノール、トルエン、ＤＢＰ（フタル酸ジブチル）及びオレイン酸を添加して酸化物粒子構造体の原料となる塗料を作製した。この時の分散方法としては、ボールミルを使用し、約２４時間分散し塗料とした。
【００５０】
以上で得られた塗料を、電解ニッケル箔（福田金属箔粉工業（株）製）上へ約２０μｍの厚さで塗工・乾燥した後、１０ｃｍ角のシートに切り出した。このシートを大気中、４００℃で２時間保持する脱バインダ処理を行った。なお、この大気中における脱バインダ処理により、電解ニッケル箔の表面が酸化される。その後、雰囲気を窒素雰囲気に切り替え、さらに２００℃／ｈの速度で１１００℃まで昇温し、１時間保持する粒子接合処理を行った。図１１に、粒子接合処理を行って得られた誘電体粒子構造体の走査型電子顕微鏡による像を示す。図１１に示すように、誘電体粒子構造体は、誘電体粒子が相互に接合し、かつ誘電体粒子が連続した経路を有していることが確認された。なお、電解ニッケル箔と誘電体粒子構造体との剥離は観察されなかった（剥離：○）。
【００５１】
Ｂステージ状態のビニルベンジル樹脂膜（昭和高分子（株）製：ＡＲＳ−０６８）が電解銅箔（古河サーキットフォイル（株）製：Ｆ２−ＷＳ（厚さ１８μｍ））上に、厚さ２０μｍで形成された樹脂膜形成金属箔を用意した。この樹脂膜形成金属箔を、ニッケル箔上に形成された誘電体粒子構造体にビニルベンジル樹脂膜が対向する様にして積層した。次いで、真空プレス機によりに加熱プレス成形した。プレス条件は、圧力：３ＭＰａ、温度：１９５℃、加圧時間：３時間である。この加熱プレスにより、樹脂の誘電体粒子構造体への含浸及び硬化が同時に行われる。得られた複合多孔体から、５ｍｍ角、誘電体層厚さ約２０μｍの単板コンデンサを作製し、容量法により容量を測定し、厚さと面積とにより誘電率を算出した。容量測定の測定器はアジレントテクノロジー４２７５Ａを用い、１ＭＨｚの測定周波数にて測定を行った。結果を表２に示す。この試料中の誘電体粒子の占有体積を測定したところ３８ｖｏｌ％であった。また、この試料の一端を固定し、たわみ量２ｍｍとなるように他方端をたわませることにより可撓性の評価を行ったが、破損することはなかった（可撓性：○）。
【００５２】
（実施例６）
架橋アクリル粉体と誘電体粒子の体積比を４０：６０（樹脂粉体量：４０ｖｏｌ％）とした以外は、実施例４と同様にして試料を作製し、誘電率を実施例５と同様に測定した。結果を表２に示す。また、実施例４と同様に電解ニッケル箔と誘電体粒子構造体との剥離、可撓性の評価を行った。その結果も表２に示す。
【００５３】
（実施例７）
架橋アクリル粉体と誘電体粒子の体積比を２０：８０（樹脂粉体量：２０ｖｏｌ％）とした以外は、実施例５と同様にして試料を作製し、誘電率を実施例５と同様に測定した。結果を表２に示す。また、実施例５と同様に電解ニッケル箔と誘電体粒子構造体との剥離、可撓性の評価を行った。その結果も表２に示す。
【００５４】
（実施例８）
架橋アクリル粉体を添加しない以外は、実施例５と同様にして試料を作製し、誘電率を実施例５と同様に測定した。結果を表２に示す。また、実施例５と同様に電解ニッケル箔と誘電体粒子構造体との剥離、可撓性の評価を行った。その結果も表２に示す。
【００５５】
（実施例９）
誘電体粒子を、シュウ酸塩法により作製されたチタン酸バリウム（平均粒径Ｄ５０＝０．９７μｍ、誘電体粒子Ｂ）とし、樹脂粉体と誘電体粒子の体積比を５０：５０（樹脂粉体量：５０ｖｏｌ％）とした以外は、実施例５と同様にして試料を作製し、誘電率を実施例５と同様に測定した。結果を表２に示す。また、実施例５と同様に電解ニッケル箔と誘電体粒子構造体との剥離、可撓性の評価を行った。その結果も表２に示す。
【００５６】
（実施例１０）
誘電体粒子を、シュウ酸塩法により作製されたチタン酸バリウム（平均粒径Ｄ５０＝０．９７μｍ、誘電体粒子Ｂ）とし、樹脂粉体と誘電体粒子の体積比を３０：７０（樹脂粉体量：３０ｖｏｌ％）とした以外は、実施例５と同様にして試料を作製し、誘電率を実施例５と同様に測定した。結果を表２に示す。また、実施例５と同様に電解ニッケル箔と誘電体粒子構造体との剥離、可撓性の評価を行った。その結果も表２に示す。
【００５７】
（実施例１１）
誘電体粒子を、シュウ酸塩法により作製されたチタン酸バリウム（平均粒径Ｄ５０＝２．６４μｍ、誘電体粒子Ｃ）とした以外は、実施例５と同様にして試料を作製し、誘電率を実施例５と同様に測定した。結果を表２に示す。また、実施例５と同様に電解ニッケル箔と誘電体粒子構造体との剥離、可撓性の評価を行った。その結果も表２に示す。
図１２に、粒子接合処理を行って得られた誘電体粒子構造体の走査型電子顕微鏡による像を示す。図１２に示すように、誘電体粒子構造体は、誘電体粒子が相互に接合し、かつ誘電体粒子が連続した経路を有していることが確認された。
【００５８】
（比較例３）
ビニルベンジル樹脂（昭和高分子（株）製：ＡＲＳ−０６８）に、実施例４で使用したものと同じ誘電体粒子Ａ（共立マテリアル（株）製：Ｙ５Ｖ−Ｆ３）を４０ｖｏｌ％（樹脂量６０ｖｏｌ％）になるように配合したスラリ溶液を作製した。このスラリ溶液をボールミルにて混合（４８時間）分散し、厚さ１８μｍの銅箔（古河サーキットフォイル（株）製：Ｆ２−ＷＳ，１８μｍ厚）上に、塗工機を用いて分散したスラリ溶液を厚さ約２０μｍに塗工し、速度０．２５ｍ／ｍ、乾燥１２０℃にて銅箔付きシートを作製した。
この銅箔付きシートを、銅箔（古河サーキットフォイル（株）製：Ｆ２−ＷＳ，１８μｍ厚）の粗化面が対向するようにセットし、真空プレス機により圧力：３ＭＰａ、温度：１９５℃、加圧時間：３時間の条件で加熱プレスを行ない、実施例５と同様に試料を作製した。誘電率を実施例４と同様に測定した。結果を表２に示す。また、実施例５と同様に可撓性の評価を行った。その結果も表２に示す。
【００５９】
（比較例４）
誘電体粒子の量を６０ｖｏｌ％（樹脂量４０ｖｏｌ％）としたこと以外は、比較例３と同様に試料を作製し、誘電率を実施例５と同様に測定した。結果を表２に示す。また、実施例５と同様に電解ニッケル箔と誘電体粒子構造体との剥離、可撓性の評価を行った。その結果も表２に示す。
（比較例５）
脱バインダ処理を窒素雰囲気中で行った以外は、実施例９と同様に試料を作製しが、表２に示すように、金属箔からの剥がれが発生したために、樹脂の含浸、誘電率の測定を行うことができなかった。
（比較例６）
脱バインダ処理を窒素雰囲気中で行った以外は、実施例１０と同様に試料を作製したが、表２に示すように、金属箔からの剥がれが発生したために、樹脂の含浸、誘電率の測定を行うことができなかった。
【００６０】
【表２】
0004596154.tif 000003
【００６１】
表２に示すように、実施例５〜実施例１１のいずれの場合も、同材質の誘電体材料を樹脂中に分散させた比較例に比べ、高い誘電率が得られることが確認できた。また、実施例５〜実施例７に示すように、樹脂粉体の量を変化させることにより誘電率のコントロールが可能であることが確認できた。実施例８に示すように、樹脂粉体を用いなくとも高い誘電率が得られることが確認できた。
また、脱バインダを窒素雰囲気中で行うと、電解ニッケル箔表面に酸化膜が形成されないために、磁性フェライト粒子構造体が電解ニッケル箔に十分に接合することができず、剥離が生じてしまう。また、本発明による実施例５〜１１の複合多孔体は、焼結体以上の可撓性を有している。
【００６２】
図１３は、実施例５〜実施例８で得られた複合多孔体の表面を透過型電子顕微鏡で観察した像を示している。図１３より、樹脂粉体を添加しなくても、白色で示される酸化物粒子構造体中に樹脂を含浸、充填できることがわかる。また、図１３より、樹脂粉体の量が多くなるほど、空孔率が大きくなり、充填される樹脂（灰色）の量が増えることがわかる。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】本実施の形態における複合多孔体の概略構成を示す断面図である。
【図２】本実施の形態における複合多孔体の製造工程を示す図である。
【図３】本実施の形態における酸化物粒子構造体の製造過程を模式的に示す図である。
【図４】本実施の形態における他の複合多孔体の概略構成を示す断面図である。
【図５】本実施の形態における他の複合多孔体の概略構成を示す断面図である。
【図６】実施例１において、１０５０℃で粒子接合処理した磁性フェライト粒子構造体の走査型電子顕微鏡による像を示す図である。
【図７】実施例１において、１１５０℃で粒子接合処理した磁性フェライト粒子構造体の走査型電子顕微鏡による像を示す図である。
【図８】実施例１において、１２００℃で粒子接合処理した磁性フェライト粒子構造体の走査型電子顕微鏡による像を示す図である。
【図９】実施例１で得られた複合多孔体断面の走査型電子顕微鏡による像を示す図である。
【図１０】実施例４で得られた磁性フェライト粒子構造体の走査型電子顕微鏡による像を示す図である。
【図１１】実施例５において粒子接合処理を行って得られた誘電体粒子構造体の走査型電子顕微鏡による像を示す。
【図１２】実施例１１において粒子接合処理を行って得られた誘電体粒子構造体の走査型電子顕微鏡による像を示す。
【図１３】実施例５〜実施例８で得られた複合多孔体の表面を透過型電子顕微鏡で観察した像を示す図である。
【符号の説明】
【００６４】
１…多孔体本体、２…酸化物粒子構造体、３…樹脂相、４…金属箔、５…塗膜、６…樹脂フィルム、７…樹脂フィルム接合金属箔、１０，２０，３０…複合多孔体、ＯＰ…酸化物粒子
【図１】
0004596154.tif 000004
【図２】
0004596154.tif 000005
【図３】
0004596154.tif 000006
【図４】
0004596154.tif 000007
【図５】
0004596154.tif 000008
【図６】
0004596154.tif 000009
【図７】
0004596154.tif 000010
【図８】
0004596154.tif 000011
【図９】
0004596154.tif 000012
【図１０】
0004596154.tif 000013
【図１１】
0004596154.tif 000014
【図１２】
0004596154.tif 000015
【図１３】
0004596154.tif 000016