(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光入射側から順次に配設される第１及び第２の記録層を備え、該第１及び第２の記録層上でデータの記録・再生を行う光記録媒体であって、
前記第１の記録層と前記第２の記録層との間に、光入射側から順次に配設される反射層、第１の誘電体層、第２の誘電体層、及び、第３の誘電体層を備え、
前記第１〜第３の誘電体層の屈折率ｎ１〜ｎ３は、ｎ１＞ｎ２＜ｎ３の関係を満たすことを特徴とする光記録媒体。
【請求項２】
光入射側から見て前記第２の記録層に後続して配設される第３の記録層を更に備え、
前記第２の記録層と前記第３の記録層との間に、光入射側から順次に配設される別の反射層、第４の誘電体層、第５の誘電体層、及び、第６の誘電体層を備え、
前記第４〜第６の誘電体層の屈折率ｎ４〜ｎ６は、ｎ４＞ｎ５＜ｎ６の関係を満たす、請求項１に記載の光記録媒体。
【請求項３】
光入射側から順次に配設される第１及び第２の記録層を備え、該第１及び第２の記録層上でデータの記録・再生を行う光記録媒体であって、
前記第１の記録層と前記第２の記録層との間に、光入射側から順次に配設される反射層と、奇数（Ｎ≧３）層の誘電体層とを備え、
前記Ｎ層の誘電体層が、光入射側から順次に配設される第１〜第Ｎ誘電体層を含み、該第１〜第Ｎ誘電体層のそれぞれの屈折率ｎ１〜ｎＮは、ｎ１＞ｎ２＜ｎ３＞．．．．ｎＮ−１＜ｎＮの関係を満たすことを特徴とする光記録媒体。
【請求項４】
光入射側から見て前記第２の記録層に後続して配設される第３の記録層を更に備え、
前記第２の記録層と前記第３の記録層との間に、光入射側から順次に配設される反射層と、奇数（Ｍ≧３）層の誘電体層とを備え、
前記Ｍ層の誘電体層が、光入射側から順次に配設される第（Ｎ＋１）〜第（Ｎ＋Ｍ）誘電体層を含み、該第（Ｎ＋１）〜第（Ｎ＋Ｍ）誘電体層のそれぞれの屈折率ｎＮ＋１〜ｎＮ＋Ｍは、ｎＮ＋１＞ｎＮ＋２＜ｎＮ＋３＞．．．．ｎＮ＋Ｍ−１＜ｎＮ＋Ｍの関係を満たす、請求項３に記載の光記録媒体。
【請求項５】
隣接する２つの記録層の間に配設される誘電体層の合計膜厚が、１３０ｎｍ以下である、請求項１〜４の何れか一に記載の光記録媒体。
【請求項６】
前記反射層が金属層である、請求項１〜５の何れか一に記載の光記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光記録媒体に関し、更に詳細には、光入射側から順次に配設される複数の記録層を備え、これら複数の記録層上でデータの記録・再生を行う光記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
光ディスクとして、レーザ光を照射することによって記録マークの形成又は消去を可逆的に行い、記録マークの形成時と消去時との間で光学特性が異なる相変化型光ディスクが知られている。相変化型光ディスクでは、データ再生時には再生用レーザ光を照射し、反射光の強度や位相等を読み取ることでデータを判別する。相変化型光ディスクでは、記録容量を増加させる手法の一環として、光ディスクの厚み方向に複数の記録層を備え、一方向からの光照射によって記録再生を行う２層光ディスクが知られている。２層光ディスクは、原理的に、１層の記録層を備える単層光ディスクの２倍近くの容量を確保できる可能性を有している。
【０００３】
図４に、２層光ディスクの構成の一例を示す。２層光ディスク５０は、光源側から順次に積層された、第１ディスク部５１、光学分離層５２、及び、第２ディスク部５３を備える。第１ディスク部５１は、基板５５と、基板５５の光源から遠い側の面上に積層された、記録層５６及び反射層５７を備える。第２ディスク部５３は、基板５８と、基板５８の光源に近い側の面上に積層された、反射層５９及び記録層６０を備える。符号５４は、光源から出射されたレーザ光の進行方向を示している。
【０００４】
記録層５６，６０は、結晶相と非晶質相との間で可逆的な相変化を生じる材料から成り、各相において透過率が異なる。従って、記録層５６，６０の近傍に焦点を結ぶようにレーザ光を照射し、対応する反射層５７，５９によって反射された反射光の強度を再生信号として検知することによって、情報の再生を行うことが出来る。
【０００５】
ところで、２層光ディスクでは、第２ディスク部から充分な強度の再生信号を得るには、第１ディスク部が大きな透過率を有する必要がある。つまり、第２ディスク部からの再生信号は、入射及び出射に際して、第１ディスク部を２回通過するため、第１ディスク部の透過率をＴ０、第２ディスク部の単体の反射率をＲ１とすると、第２ディスク部からの実効的な反射率はＴ０２×Ｒ１にまで低下するからである。ここで、第２ディスク部からの実効的な反射率を確保するには、第１ディスク部の透過率を５０％以上にする必要がある。
【０００６】
第２ディスク部からの再生信号の強度を上げるため、従来の２層光ディスクでは、第１ディスク部の反射層を薄く形成し、この反射層で生じる反射を低減している。第１ディスク部の透過率を５０％以上にするために、第１ディスク部の記録層の膜厚を小さくすることによって、透過率の不足分を補うことも考えられる。しかし、相変化型の記録層では、記録層の膜厚が小さくなると、記録層の結晶化が困難になり、記録マークを形成又は消去する性能が低下する問題が新たに生じる。
【０００７】
第１ディスク部の透過率を高める手法として、特許文献１は、第１ディスク部の反射層の光源から遠い側の面に、高い屈折率を有する単層の誘電体層を配設することを提案している。
【特許文献１】特開２００４−３１０９９２号公報（段落００９６〜００９９）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
特許文献１によれば、第１ディスク部の反射層上に屈折率が２．０以上の単層の誘電体層を配設することによって、この誘電体層を配設しない場合に比して、透過率を２〜１０％程度向上できるものとしている。しかし、本発明者の研究によれば、同文献の方法を用いても、第１ディスク部の透過率を５０％以上にすることが容易でないことが判った。
【０００９】
本発明は、上記に鑑み、光入射側から順次に配設される複数の記録層を備え、これら複数の記録層上でデータの記録・再生を行う光記録媒体であって、光源に近い側の記録層が充分に大きな膜厚を有し、且つ、光源に近い側の層構造の透過率を高めることによって、光源から遠い側の記録層から大きな強度の反射光を得ることが出来る光記録媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明の第１の視点に係る光記録媒体は、光入射側から順次に配設される第１及び第２の記録層を備え、該第１及び第２の記録層上でデータの記録・再生を行う光記録媒体であって、
前記第１の記録層と前記第２の記録層との間に、光入射側から順次に配設される反射層、第１の誘電体層、第２の誘電体層、及び、第３の誘電体層を備え、
前記第１〜第３の誘電体層の屈折率ｎ１〜ｎ３は、ｎ１＞ｎ２＜ｎ３の関係を満たすことを特徴とする。
【００１１】
本発明の第２の視点に係る光記録媒体は、光入射側から順次に配設される第１及び第２の記録層を備え、該第１及び第２の記録層上でデータの記録・再生を行う光記録媒体であって、
前記第１の記録層と前記第２の記録層との間に、光入射側から順次に配設される反射層と、奇数（Ｎ≧３）層の誘電体層とを備え、
前記Ｎ層の誘電体層が、光入射側から順次に配設される第１〜第Ｎ誘電体層を含み、該第１〜第Ｎ誘電体層のそれぞれの屈折率ｎ１〜ｎＮは、ｎ１＞ｎ２＜ｎ３＞．．．．ｎＮ−１＜ｎＮの関係を満たすことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の第１及び第２の視点に係る光記録媒体によれば、上記第１〜第３（Ｎ）誘電体層を備えることによって、第１の記録層、反射層、及び、３（Ｎ）層の誘電体層を含む層構造の透過率を向上させ、第２の記録層からの反射光の強度を大きくすることが出来る。
【００１３】
本発明の第１の視点に係る光記録媒体の好適な実施態様では、光入射側から見て前記第２の記録層に後続して配設される第３の記録層を更に備え、
前記第２の記録層と前記第３の記録層との間に、光入射側から順次に配設される別の反射層、第４の誘電体層、第５の誘電体層、及び、第６の誘電体層を備え、
前記第４〜第６の誘電体層の屈折率ｎ４〜ｎ６は、ｎ４＞ｎ５＜ｎ６の関係を満たす。第２の記録層、反射層、及び、第４〜６の誘電体層を含む層構造の透過率を向上させ、第３の記録層からの反射光の強度を大きくすることが出来る。
【００１４】
本発明の第２の視点に係る光記録媒体の好適な実施態様では、光入射側から見て前記第２の記録層に後続して配設される第３の記録層を更に備え、
前記第２の記録層と前記第３の記録層との間に、光入射側から順次に配設される反射層と、奇数（Ｍ≧３）層の誘電体層とを備え、
前記Ｍ層の誘電体層が、光入射側から順次に配設される第（Ｎ＋１）〜第（Ｎ＋Ｍ）誘電体層を含み、該第（Ｎ＋１）〜第（Ｎ＋Ｍ）誘電体層のそれぞれの屈折率ｎＮ＋１〜ｎＮ＋Ｍは、ｎＮ＋１＞ｎＮ＋２＜ｎＮ＋３＞．．．．ｎＮ＋Ｍ−１＜ｎＮ＋Ｍの関係を満たす。第２の記録層、反射層、及び第（Ｎ＋１）〜（Ｎ＋Ｍ）の誘電体層を含む層構造の透過率を向上させ、第３の記録層からの反射光の強度を大きくすることが出来る。
【００１５】
本発明の好適な実施態様では、隣接する２つの記録層の間に配設される誘電体層の合計膜厚が、１３０ｎｍ以下である。この場合、誘電体層の剥離を抑制し、情報の保存安定性を充分に高めることが出来る。また、前記反射層が金属層であることも好ましい。誘電体層によって透過率を向上させる効果を確実に得ることが出来ると共に、高い熱伝導率を有する金属層で反射層を構成することによって、光記録媒体の冷却を効率的に行い、光記録媒体の温度上昇を効果的に抑制できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下に、図面を参照し、本発明の実施形態に基づいて本発明を更に詳細に説明する。図１は、本発明の一実施形態に係る光記録媒体の構成を示す断面図である。光記録媒体１０は、２層光ディスクとして構成され、光源側から順次に配設された、第１ディスク部１１、光学分離層１２、及び、第２ディスク部１３を備える。符号１４は、光源から出射されたレーザ光の進行方向を示している。
【００１７】
第１ディスク部１１及び第２ディスク部１３はそれぞれ、透明な基板２１，３１と、基板２１，３１上に積層された情報記録多層膜２２，３２とを備える。基板２１，３１は、光記録媒体１０の厚み方向の双方の端部に配設され、それぞれの情報記録多層膜２２，３２の表面が光学分離層１２に接している。基板２１，３１の表面には案内溝２３，３３がそれぞれ形成されている。
【００１８】
基板２１，３１には、ポリカーボネート（ＰＣ）のようなプラスチック、又は、ガラス等の材料を用いることができ、本実施形態では、厚みが０．６μｍのＰＣで構成する。光学分離層１２は、２つのディスク部１１，１３を接合すると共に、それらの間の間隔を規定している。本実施形態では、膜厚が２５μｍの紫外線硬化樹脂で構成する。案内溝２３，３３はそれぞれ、３０ｎｍの深さで、ピッチが０．４μｍになるように形成されている。
【００１９】
図２に、図１の第１ディスク部の層構造を示す。第１ディスク部の情報記録多層膜２２は、基板２１の光源から遠い側の面上に順次に積層された、誘電体層２４、結晶化促進層２５、記録層２６、結晶化促進層２７、誘電体層２８、反射層２９、及び、透過率調整層４０から成る。記録層２６は、図１に示した案内溝２３に沿って配設されている。
【００２０】
誘電体層２４，２８には、ＺｎＳ−ＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＳｉＮ、又は、ＳｉＯ２等の材料を用いることが出来る。基板２１に近い側の誘電体層２４の膜厚は、２０ｎｍより小さいと基板２１に対する熱負荷が高くなることによって、基板２１の変形が生じ、記録再生の繰返し特性が低下する。従って、２０ｎｍ以上が好ましい。本実施形態では、基板２１に近い側の誘電体層２４を、膜厚が３５ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２層で構成する。
【００２１】
基板２１から遠い側の誘電体層２８の膜厚は、１０ｎｍより小さいと膜質が劣化し易く、３０ｎｍより大きいと隣接する反射層２９への熱拡散が遅くなるため、１０〜３０ｎｍの範囲が好ましい。本実施形態では、基板２１から遠い側の誘電体層２８を、膜厚が１５ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２層で構成する。
【００２２】
記録層２６には、所定の強度を有するレーザ光の照射によって、結晶相と非晶質相との間で可逆的な相変化を生じる材料、例えば、ＧｅＳｂＴｅ、又は、ＡｇＩｎＳｂＴｅを用いることが出来る。また、消去性能の低下を抑制するため、７ｎｍ以上の膜厚を有することが好ましい。本実施形態では、記録層２６を、膜厚が７ｎｍのＧｅＳｂＴｅ層で構成する。記録層２６の非晶質化によって情報の記録を、結晶化によって情報の消去をそれぞれ行う。
【００２３】
反射層２９には、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌ、又は、Ｔｉ等の金属材料を用いることが出来る。反射層２９の膜厚は、５ｎｍよりも小さいと良好な熱拡散がなされず、１５ｎｍよりも大きいと第１ディスク部１１の透過率を充分に高く出来ないため、５〜１５ｎｍの範囲が好ましい。本実施形態では、反射層２９を、膜厚が１０ｎｍのＡｇを主成分とする金属材料層で構成する。
【００２４】
なお、反射層２９に代えて、複数の誘電体層を配設することによって反射機能を持たせることも出来る。しかし、反射層２９は誘電体層に比して高い熱伝導性を有するため、反射層２９を配設することによって、第１ディスク部１１の冷却を効率的に行い、高い記録密度を有するディスク部の記録再生特性を向上させると共に、繰返し特性を向上させることが出来る。
【００２５】
結晶化促進層２５，２７は、記録層２６と誘電体層２４，２８との間にそれぞれ配設され、記録層２６の結晶化を促進させることによって、記録層２６の消去性能を向上させる機能を有する。結晶化促進層２５，２７は、Ｇｅを主成分とする窒化物材料、又は、Ｃｒを主成分とする酸化物材料、若しくは、それらの混合物で構成することが出来る。結晶化促進層２５，２７の膜厚は、良好な膜質、及び、記録層２６に対する結晶化促進作用を確保する観点から３〜７ｎｍの範囲が好ましい。本実施形態では、結晶化促進層２５，２７の双方を、膜厚が５ｎｍのＧｅＣｒＮ層で構成する。なお、結晶化促進層２５，２７の膜厚の変動によって、第１ディスク部１１の光学特性は殆ど変化しない。結晶化促進層２５，２７は、省略することも出来る。
【００２６】
透過率調整層４０は、第１ディスク部１１の透過率を向上させるために配設され、反射層２９上に順次に積層された、第１〜第３の誘電体層４１〜４３から成る。誘電体層４１〜４３の屈折率をそれぞれｎ１、ｎ２、ｎ３とすると、これらの間にはｎ１＞ｎ２，ｎ３＞ｎ２の関係が成立している。第１の誘電体層４１及び第３の誘電体層４３は、ＺｎＳ−ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＳｉＮ、Ｔａ２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ５、又は、ＺｒＯ２等の材料で構成することが好ましく、第２の誘電体層４２は、ＳｉＯ２、ＳｉＯＮ、ＳｉＯＣ等の材料で構成することが好ましい。第１の誘電体層４１及び第３の誘電体層４３は、相互に異なる材料で構成しても構わない。
【００２７】
第１の誘電体層４１の膜厚は、１０ｎｍより小さいと劣化し易く、３０ｎｍより大きいと反射層２９への熱拡散が遅くなるため、１０〜３０ｎｍの範囲が好ましい。本実施形態では、第１の誘電体層４１を、膜厚が３０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２層で、第２の誘電体層４２を、膜厚が４０ｎｍのＳｉＯ２層で、第３の誘電体層４３を、膜厚が５０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２層それぞれ構成する。第１〜第３の誘電体層４１〜４３の合計の膜厚は、１２０ｎｍである。なお、透過率調整層４０によって第１ディスク部１１の透過率を向上させる効果を得るためには、反射層２９の存在が必須である。また、反射層２９を金属材料で構成し、且つ、膜厚を５ｎｍ以上とすることによって、そのような効果を確実に得ることが出来る。
【００２８】
図３に、図１の第２ディスク部の層構造を示す。第２ディスク部の情報記録多層膜３２は、基板３１の光源に近い側の面上に順次に積層された、反射層３４、誘電体層３５、記録層３６、及び、誘電体層３７から成る。記録層３６は、図１に示した案内溝３３に沿って配設されている。
【００２９】
本実施形態では、反射層３４を、膜厚が１００ｎｍの、Ａｇを主成分とする金属材料層で、基板３１に近い側の誘電体層３５を、膜厚が１５ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２層で、記録層３６を、膜厚が１５ｎｍのＧｅＳｂＴｅ層で、基板３１から遠い側の誘電体層３７を、膜厚が５０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２層でそれぞれ構成する。記録層３６の非晶質化によって情報の記録を、結晶化によって情報の消去をそれぞれ行う。
【００３０】
光記録媒体１０の各層を構成する、ＺｎＳ−ＳｉＯ２、ＳｉＯ２、ＧｅＣｒＮ、ＧｅＳｂＴｅ、及び、Ａｇの各材料について、波長が４０５ｎｍの光に対する反射率及び透過率を、表１にそれぞれ示す。記録層２６，３６を構成するＧｅＳｂＴｅについては、結晶相及び非晶質相の値についてそれぞれ示す。
【００３１】
【表１】
0004415271.tif 000002
【００３２】
本実施形態の光記録媒体の製造に際して、基板２１上に情報記録多層膜２２を積層することによって、第１ディスク部１１を形成する。また、基板３１上に情報記録多層膜３２を積層することによって、第２ディスク部１３を形成する。第１ディスク部１１及び第２ディスク部１３の双方の情報記録多層膜２２，３２の表面を対向させ、紫外線硬化樹脂を介して仮固定する。更に、紫外線照射を行い、紫外線硬化樹脂を硬化させて光学分離層１２とすることによって製造できる。
【００３３】
本実施形態の光記録媒体１０によれば、第１ディスク部の反射層２９の表面に、屈性率ｎ１，ｎ２，ｎ３の間でｎ１＞ｎ２，ｎ３＞ｎ２の関係を有する３層の誘電体層４１〜４３から成る透過率調整層４０を備えることによって、第１ディスク部１１の透過率を効果的に高めることが出来る。これによって、第１ディスク部の記録層２６が７ｎｍ以上の膜厚を有し、且つ、第１ディスク部１１の透過率を５０％以上にすることが出来る。従って、第１ディスク部の記録層２６の記録マークの消去性能の低下を抑制しつつ、第２ディスク部１３からの反射率を充分に確保できる。
【００３４】
本実施形態の光記録媒体１０によれば、また、透過率調整層４０の膜厚が１３０ｎｍ以下に設定されているので、透過率調整層４０等の剥離を充分に抑制し、情報の保存安定性を充分に高めることが出来る。なお、第１ディスク部１１の透過率は、逆に高くなり過ぎると、第１ディスク部１１の反射率が低下し、第１ディスク部１１からの反射光の強度が小さくなる。従って、２層光ディスクでは、第１ディスク部１１の透過率は５０％程度が好ましい。
【実施例１】
【００３５】
上記実施形態の効果を確認するため、図２に示した第１ディスク部１１、及び、従来の第１ディスク部について、透過率を比較する光学的なシミュレーションを行った。このシミュレーションでは、図２に示した第１ディスク部１１を実施例１のディスク部とし、また、従来の第１ディスク部として、図２に示した第１ディスク部１１において、透過率調整層が単層の誘電体層から成る第１ディスク部を想定し、比較例１、２のディスク部とした。比較例１のディスク部では、透過率調整層が膜厚が２５ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２層で、比較例２のディスク部では、透過率調整層が膜厚が１５ｎｍのＴｉＯ２層でそれぞれ構成されるものとした。
【００３６】
シミュレーションでは、実施例１、及び、比較例１、２のディスク部について、情報記録多層膜２２の各層の膜厚を変化させて、ディスク部の反射率Ｒ及び透過率Ｔを求め、透過率Ｔが最も大きくなる各層の膜厚の組合せを求めた。反射率Ｒについては、記録層２６が結晶相の状態の反射率Ｒｃ、及び、非晶質相の状態の反射率Ｒａをそれぞれ算出し、透過率Ｔについては、記録層２６が結晶相の状態の値を算出した。シミュレーションでは、マトリクス法を用い、レーザ光の波長を４０５ｎｍとした。
【００３７】
シミュレーションに際して、また、反射率Ｒｃと反射率Ｒａとの差が４％程度で、且つ、反射率Ｒｃが７％程度とした。反射率Ｒｃと反射率Ｒａとの差を４％程度とするのは、記録時と非記録時との間の信号振幅を確保するためであり、反射率Ｒｃを７％程度とするのは、サーボ機能の安定性を確保するためである。
【００３８】
情報記録多層膜２２の各層の膜厚の範囲は、下記のように設定した。基板２１に近い側の誘電体層２４の膜厚は、２０〜１１０ｎｍの範囲とした。基板２１から遠い側の誘電体層２８の膜厚は、１０〜３０ｎｍの範囲とした。記録層２６の膜厚は、７ｎｍに固定した。反射層２９の膜厚は、１０ｎｍに固定した。結晶化促進層２５，２７の膜厚は、５ｎｍに固定した。なお、基板２１に近い側の誘電体層２４の膜厚を１１０ｎｍ以下としたのは、ＺｎＳ−ＳｉＯ２の屈折率が２．３なので、この範囲とすることによって、光学的な１周期分をカバーできるからである。
【００３９】
実施例１のディスク部で、透過率調整層４０における第１〜第３の誘電体層４１〜４３の膜厚を何れも２０〜６０ｎｍの範囲とした。なお、より広い膜厚の範囲とすることも可能である。比較例１、２のディスク部で、単層の透過率調整層の膜厚を何れも１０〜１００ｎｍの範囲とした。これは、ＺｎＳ−ＳｉＯ２、及び、ＴｉＯ２の屈折率がそれぞれ２．３、及び２．６であるので、この範囲とすることによって、光学的な１周期分をカバーできるからである。なお、シミュレーションでは、表１に示した、各層の反射率及び透過率の値を用いた。
【００４０】
シミュレーションの結果、比較例１、２のディスク部では、透過率Ｔの最大値は４６〜４８％程度であり、５０％以上の透過率Ｔを有する各層の膜厚の組合せが存在しなかった。これに対して、実施例１のディスク部では５０％以上の透過率Ｔを達成する各層の膜厚の組合せが多数存在した。シミュレーションで得られた構成の一例について、各層の膜厚を表２に、表２に対応する反射率Ｒａ，Ｒｃ及び透過率Ｔを表３にそれぞれ示す。
【００４１】
【表２】
0004415271.tif 000003
【００４２】
【表３】
0004415271.tif 000004
【００４３】
実施例１のディスク部では、比較例１、２のディスク部に比して、透過率Ｔが１０％程度大きい。従って、第２ディスク部からの再生信号の強度を２０％程度増加でき、第２ディスク部からの再生信号の品質を高めることが出来る。また、第２ディスク部に対して記録を行う際の出力を２０％程度低減できる。
【００４４】
比較例１、２のディスク部では、記録層２６の膜厚を６ｎｍ以下に設定しなければ、第１ディスク部の透過率Ｔを５０％以上に維持できないのに対して、実施例１のディスク部では、記録層２６の膜厚を７ｎｍ以上に設定しても、第１ディスク部の透過率Ｔを５０％以上に維持することが出来る。なお、更なる検討によれば、実施例１のディスク部では、反射層２９の膜厚を８ｎｍに低減することによって、６０％以上の透過率Ｔを達成できることが判った。
【００４５】
表２に示した膜厚に基づいて、図１に示した光記録媒体１０を実際に製造し、実施例１の光記録媒体の第１ディスク部及び第２ディスク部のそれぞれに対して情報の記録を行った後、記録された情報の再生を行い、ビットエラーレートを求めた。
【００４６】
光ヘッドは、波長が４０５ｎｍで、ＮＡ（開口数）が０．６５とし、記録密度は１５０ｎｍ／ｂｉｔとした。情報の記録及び再生に際して、クロック周波数を６４．８ＭＨｚ、変調方式を（１−７）変調、回転速度を線速で６．６ｍ／ｓとした。結果を表４に示す。
【００４７】
【表４】
0004415271.tif 000005
【００４８】
表４より、第１ディスク部１１及び第２ディスク部１３の双方で、充分に小さなビットエラーレートが得られた。これによって、上記実施形態の光記録媒体１０で、記録及び再生が良好に行われることが確認できた。
【実施例２】
【００４９】
上記実施形態の効果を確認するため、図１に示した光記録媒体で、透過率調整層４０の膜厚を様々な値に変化させた実施例２〜５の光記録媒体を製造し、加速試験後のビットエラーレートを調べた。実施例２〜５の光記録媒体として、透過率調整層４０の膜厚を、１００ｎｍ、１２０ｎｍ、１３０ｎｍ、及び、１４０ｎｍに設定したものをそれぞれ製造した。また、加速試験の条件は、温度が８５℃、湿度が９０％の雰囲気下で１０００時間放置するものとした。光ヘッド、記録密度、及び、記録再生の条件は、第２の検討の条件と同一とした。結果を表５に示す。
【００５０】
【表５】
0004415271.tif 000006
【００５１】
表５より、透過率調整層４０の膜厚が１３０ｎｍよりも大きい実施例４、５の光記録媒体で、加速試験後のビットエラーレートが、加速試験前に比して大幅に増加していることが判る。これは、透過率調整層４０の膜厚が大きくなると、その応力に起因して透過率調整層４０等の剥離が生じ易くなるためと考えられる。従って、透過率調整層４０の膜厚を１３０ｎｍ以下に設定することによって、経年的なビットエラーレートの上昇を抑制し、情報の保存安定性を充分に高めることが出来る。
【００５２】
なお、上記実施形態では、透過率調整層が３層の誘電体層から構成されるものとしたが、５層以上の奇数の誘電体層で構成することも出来る。Ｎ層の誘電体層で構成した場合には、各層の屈折率を反射層２９側から順に、ｎ１、ｎ２、ｎ３、ｎ４、．．．．、ｎN-1、及び、ｎNとし、ｎ１＞ｎ２＜ｎ３＞ｎ４＜．．．．＞ｎN-1＜ｎＮの関係を満たすように構成することによって、上記実施形態と同様の効果を得ることが出来る。例えば、５層の誘電体層で構成した場合には、ｎ１＞ｎ２＜ｎ３＞ｎ４＜ｎ５の関係を満たすように構成する。
【００５３】
また、本発明では、光記録媒体を３層のディスク部から構成することも可能である。光記録媒体を３層のディスク部で構成する場合には、例えば、光源に近い第１層及び第２層のディスク部を上記実施形態の第１ディスク部１１と同様に、第３層のディスク部を上記実施形態の第２ディスク部１３と同様に構成する。第１ディスク部では、上記実施形態の第２ディスク部１３のように、基板が情報記録多層膜よりも光源から遠い側に配設されることがあるが、この場合でも、反射層の光源から遠い側の面に透過率調整層を配設することによって、第１ディスク部の透過率を効果的に高めることが出来る。
【００５４】
以上、本発明をその好適な実施形態に基づいて説明したが、本発明に係る光記録媒体は、上記実施形態の構成にのみ限定されるものではなく、上記実施形態の構成から種々の修正及び変更を施した光記録媒体も、本発明の範囲に含まれる。例えば、本発明は、相変化型の光記録媒体に限らず、他の型の光記録媒体にも適用することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の一実施形態に係る光記録媒体の構成を示す断面図である。
【図２】図１の第１ディスク部の層構造を示す断面図である。
【図３】図１の第２ディスク部の層構造を示す断面図である。
【図４】従来の光記録媒体の一例の構成を示す断面図である。
【符号の説明】
【００５６】
１０：光記録媒体
１１：第１ディスク部
１２：光学分離層
１３：第２ディスク部
１４：レーザ光の入射方向
２１：基板
２２：情報記録多層膜
２３：案内溝
２４：誘電体層
２５：結晶化促進層
２６：記録層
２７：結晶化促進層
２８：誘電体層
２９：反射層
３１：基板
３２：情報記録多層膜
３３：案内溝
３４：反射層
３５：誘電体層
３６：記録層
３７：誘電体層
４０：透過率調整層
４１：第１の誘電体層
４２：第２の誘電体層
４３：第３の誘電体層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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