(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面にフォトレジストからなる凸型体を形成する工程Ａと、前記凸型体の表面に金属製のシード膜を形成する工程Ｂと、前記シード膜の表面にフォトレジスト膜を形成する工程Ｃと、前記フォトレジスト膜にフォトリソグラフィによって螺旋形状のパターン溝を形成する工程Ｄと、前記パターン溝から露出した前記シード膜上に金属製のスパイラル接触子をメッキ形成する工程Ｅと、前記フォトレジスト膜を除去する工程Ｆと、前記工程Ｆの後、露出状態にある前記シード膜を前記凸型体の表面から除去する工程Ｇと、前記凸型体を除去する工程Ｈと、を有することを特徴とするスパイラル接触子の製造方法。
【請求項２】
前記工程Ａが、前記フォトレジストと露光マスクとの間の相対距離を変化させながら前記露光マスクを通して前記フォトレジストの表面に露光を行う工程と、前記フォトレジストを現像し、前記フォトレジストを部分的に除去することにより所定の凸型体を形成する工程と、を有することを特徴とする請求項１項に記載のスパイラル接触子の製造方法。
【請求項３】
前記工程Ｄが、所定のマスクを用いて前記フォトレジスト膜に螺旋形状を露光する工程と、前記フォトレジスト膜を現像して不用なフォトレジスト膜を除去する工程と、を含むことを特徴とする請求項１または２に記載のスパイラル接触子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば半導体の外部電極に接触することにより電気的な接続を確保するスパイラル接触子の製造方法に係わり、特に簡単かつ高精度に凸型に立体成形できるようにしたスパイラル接触子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１では、表面３０ａに複数の凸型条部（凸型体）３１が形成された基板３０上に接触子をメッキ形成することにより、前記凸型条部３１上にスパイラル接触子を形成すると同時に立体成形できるようにしたスパイラル接触子の製造方法が記載されている。
【特許文献１】特開２００５−５０５９８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかし、特許文献１には、凸型条部の製造については、基板３０を電鋳あるいは鍛造で形成することにより、基板３０上に複数の凸型条部３１を容易且つ均一な形状で形成することができること、前記凸型条部３１を円錐形状で形成することが好ましいことなどの記載はあるが、その具体的な方法については一切記載されていない。また電鋳あるいは鍛造で形成する場合にあっっては、微細な凸型条部を高精度に形成することが難しいという問題がある。
【０００４】
またレジスト層に所定の形状からなるパターン溝を形成し、そのパターン溝内でメッキを成長させる構成であるため、スパイラル接触子の弾性腕の断面で見たときにエッジの鋭いスパイラル接触子が形成されやすく、エッジに丸みを持たせたスパイラル接触子の形成が難しい。
【０００５】
本発明は上記従来の課題を解決するためのものであり、簡単且つ高精度に接触子の立体成形することを可能とする凸型体の製造をも含めたスパイラル接触子の製造方法を提供することを目的としている。
【０００６】
また本発明はエッジに丸みを持たせたスパイラル接触子の製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、基板の表面にフォトレジストからなる凸型体を形成する工程Ａと、前記凸型体の表面に金属製のシード膜を形成する工程Ｂと、前記シード膜の表面にフォトレジスト膜を形成する工程Ｃと、前記フォトレジスト膜にフォトリソグラフィによって螺旋形状のパターン溝を形成する工程Ｄと、前記パターン溝から露出した前記シード膜上に金属製のスパイラル接触子をメッキ形成する工程Ｅと、前記フォトレジスト膜を除去する工程Ｆと、前記工程Ｆの後、露出状態にある前記シード膜を前記凸型体の表面から除去する工程Ｇと、前記凸型体を除去する工程Ｈと、を有することを特徴とするものである。
【０００８】
本発明では、凸型体をフォトリソグラフィ技術を用いたレジストで形成することができるため、多数の凸型体のそれぞれの高さ寸法や形状を高精度で形成することができる。そして、このような凸型体と、簡単なフォトリソグラフィ技術及びメッキ処理技術とを用いることにより、高精度に凸型に立体成形されたスパイラル接触子を形成することができる。
【００１５】
上記において、前記工程Ａが、前記フォトレジストと露光マスクとの間の相対距離を変化させながら前記露光マスクを通して前記フォトレジストの表面に露光を行う工程と、前記フォトレジストを現像し、前記フォトレジストを部分的に除去することにより所定の凸型体を形成する工程と、を有することが好ましい。
【００１６】
上記手段では、スパイラル接触子を形成するときの基台となる凸型体を、基板上に高精度で形成することができる。
【００１７】
また前記工程Ｄが、所定のマスクを用いて前記フォトレジスト膜に螺旋形状を露光する工程と、前記フォトレジスト膜を現像して不用なフォトレジスト膜を除去する工程と、を含むことが好ましい。
【００１８】
上記手段では、凸型体の上にスパイラル接触子を形成するためのパターン溝を高精度で形成することができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明のスパイラル接触子の製造方法では、凸型に立体成形されたスパイラル接触子をその土台となる凸型体を含めて高精度に製造することができる。
【００２０】
また弾性腕の断面形状が、全体的に丸型形状となるようなスパイラル接触子を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
まず本発明のスパイラル接触子の製造方法に用いる凸型体を有する基板について説明する。
【００２２】
図１は本発明で形成されるスパイラル接触子を示す斜視図、図２は凸型体を有する基板の一例を示す斜視図である。
【００２３】
図１に示すように、後述の製造方法を用いて製造されるスパイラル接触子５０は螺旋状の弾性腕５１を有している。すなわち、弾性腕５１は、外周側に設けられた基部５２から中心側の先端部５３に向かって螺旋状に延びており、先端部５３が基部５２よりも図示Ｚ１方向に突出するようにフォーミングされている。先端部５３を図示Ｚ２方向に加圧すると、弾性腕５１全体を弾性変形させることが可能とされており、また加圧力を開放すると前記弾性腕５１は元の形状に復元する。前記スパイラル接触子５０の縦横方向の長さ寸法は約５０μｍ×５０μｍ、基部５２と先端部５３との間の高さ寸法は約２０〜３０μｍ、弾性腕５１の幅寸法は約１０μｍと微細である。
【００２４】
前記スパイラル接触子５０の製造は、例えば図２に示すように、複数の凸型体１がマトリックス状（碁盤の目状、格子状ともいう）に配置された基板１０を用いて行われる。前記凸型体１の形状としては、図２に示すような円錐形又は略円錐形状からなる凸型体１ａ、あるいは円墳形状からなる凸型体１ｂを用いることができる。
【００２５】
以下、凸型体を用いたスパイラル接触子の製造方法について以下の工程図を基に説明する。
【００２６】
図３ないし図６は本発明における第１の実施の形態としてのスパイラル接触子の製造方法を示す工程図である。
【００２７】
最初の工程Ａでは、上記図２に示すような基板１０の表面に複数の凸型体１を形成する。なお、基板１０の表面に複数の凸型体１を形成する方法の詳細については後述する。
【００２８】
次に、図３に示す工程Ｂでは、上記工程Ａで形成された凸型体１の表面にスパッタ、あるいはメッキ等の手段を用いることによりシード膜４１を形成する。前記シード膜４１としては、メッキが析出しやすい金属が好ましく、例えばＴｉ（５０μｍ）／Ｃｕ（１００ｎｍ）などを用いることができる。
【００２９】
次に図４に示す工程Ｃでは、前記シード膜４１の上にフォトレジスト液をスピンコート等して塗布することによりフォトレジスト膜４２を形成する。
【００３０】
次の図５に示す工程Ｄでは、前記フォトレジスト膜４２にスパイラル接触子５０を構成する螺旋形状パターンを図示しないマスクを用いて露光し、且つ現像処理を施すことにより螺旋形状のパターン溝６１を前記凸型体１の上に形成する。これにより前記パターン溝６１内から前記シード膜４１を露出させることができる。
【００３１】
次に図６に示す工程Ｅでは、前記螺旋形状のパターン溝６１内から露出したシード膜４１の上に、スパイラル接触子５０の弾性腕５１を形成する金属層４４をメッキ形成する。
【００３２】
前記金属層４４は、例えば前記シード膜４１の上に、最下層にＣｕメッキを形成し、その上にＮｉ又はＮｉ合金メッキを形成し、さらにその上の最上層にＡｕ、Ｐｔ又はＰｄメッキのいずれかをメッキ形成する。すなわち最下層に導電率の良いＣｕメッキを形成し、弾性変形しやすいＮｉメッキ層を弾性腕５１の芯材とし、最上層に軟らかく接触抵抗の低いＡｕ、Ｐｔ又はＰdのいずれかで覆うことでスパイラル接触子５０を形成する。尚、スパイラル接触子に大電流を流す場合には、最上層にＲｕ等の高融点材料を用いても良い。
【００３３】
次に図７に示す工程Ｆでは、アルカリ水溶液を用いて前記フォトレジスト膜４２を除去し、各スパイラル接触子５０の形状を前記シード膜４１に露出させる。なお、凸型体１はシード膜４１に覆われ保護されているため、前記フォトレジスト膜４と一緒に除去されにくくなっている。
【００３４】
そして図８の工程Ｇでは、凸型体１の表面に露出している前記Ｔｉ／Ｃｕで形成されたシード膜４１をエッチングにより除去する。
【００３５】
最後の図９に示す工程Ｈにおいて、前記凸型体１をアルカリ水溶液を用いて除去することにより、上記図１に示すようなスパイラル接触子５０を形成することができる。
【００３６】
なお、前記工程Ｇと工程Ｈとの間に、基板１０上に形成されている複数のスパイラル接触子５０の基部５２どうしを例えばポリイミドなど絶縁性を有する接着シートを用いて互いに接合する工程を設けることが好ましい。このような接着シートを用いて各スパイラル接触子５０を固定しておくと、前記工程Ｈの後において複数のスパイラル接触子５０がばらばらになることを防止することができる。
【００３７】
またスパイラル接触子の製造方法の第１の参考例を説明する。
【００３８】
最初の工程Ａでは、上記第１の実施の形態同様に基板１０の表面に複数の凸型体１を形成する。
【００３９】
次に工程Ｂでは、上記工程Ａで形成された凸型体１の表面にスパッタ、あるいはメッキ等の手段を用いることによりシード膜４１を形成する（図３参照）。
【００４０】
次の工程Ｃでは、前記シード膜４１の上にフォトレジスト液をスピンコート等して塗布することによりフォトレジスト膜４２を形成する（図４参照）。
【００４１】
次の工程Ｄでは、図１０に示すように、前記フォトレジスト膜４２にスパイラル接触子５０を構成する螺旋形状パターンを図示しないマスクを用いて露光し、且つ現像処理を施すことにより螺旋形状のパターン溝６２を形成する。なお、第１の実施の形態とは凹凸が逆の関係にある。これにより前記パターン溝６２内から前記シード膜４１を露出させることができる。
【００４２】
次の図１１に示す工程Ｉでは、前記パターン溝６２内に露出しているシード膜４１を除去し、凸型体１の表面を部分的に露出させる。
【００４３】
図１２に示す工程Ｊでは、前記フォトレジスト膜４２を全て除去し、凸型体１の表面に螺旋状に形成されたシード膜４１のみを残す。
【００４４】
図１３に示す工程Ｋでは、前記螺旋形状からなるシード膜４１の上に、スパイラル接触子５０を形成する金属層４４をメッキ形成する。ここでの金属層４４も、上記第１の実施の形態同様に、下層は、導電率に優れたＣｕメッキとし、弾性変形しやすいＮｉメッキ層を弾性腕５１の芯材とし、最上層に接触抵抗の低いＡｕＰｔ又はＰｄのいずれかで覆われる。
【００４５】
前記メッキは、Ｔｉ／Ｃｕで形成されたシード膜４１の表面にのみ析出され、フォトレジスト材料で形成された凸型体１の表面に析出されることはない。このため、前記メッキを成長させると、例えば図１３に示すように茸傘状の金属層４４、すなわち弾性腕５１を形成することができる。
【００４６】
そして、最後の図１４Ａに示す工程Ｈでは、上記同様に凸型体１をアルカリ水溶液を用いて除去することにより、上記図１に示すようなスパイラル接触子５０を形成することができる。
【００４７】
なお、図１４Ｂの工程Ｈに示すように、前記シード膜４１の幅寸法Ｗを狭く形成しておくと、メッキ成長した弾性腕５１の全体的な断面形状を丸型形状とすることが可能となる。
【００４８】
また第１の参考例においても、前記工程Ｋと工程Ｈとの間にスパイラル接触子５０の基部５２どうしを例えばポリイミドなど絶縁性を有する接着シートを用いて互いに接合する工程を設けることが好ましい。
【００４９】
さらには以下の第２の参考例の製造方法を用いることによってもスパイラル接触子５０を形成することができる。
【００５０】
まず、最初の工程Ａでは、上記第１の実施の形態と同様に基板１０の表面に複数の凸型体１を形成する。
【００５１】
次に図１５に示す工程Ｌでは、上記工程Ａで形成された凸型体１の表面に例えばＳｉＯ２などの無機絶縁体からなる保護膜４６を形成する。
【００５２】
次の図１６に示す工程Ｂでは、前記工程Ｌで形成された保護膜４６の表面にＴｉ／Ｃｕをスパッタ、あるいはメッキ等の手段を用いてシード膜４１を形成する。
【００５３】
次の図１７に示す工程Ｃでは、前記シード膜４１の上にフォトレジスト液をスピンコート等して塗布することによりフォトレジスト膜４２を形成する。
【００５４】
次の図１８に示す工程Ｄでは、前記フォトレジスト膜４２にスパイラル接触子５０を構成する螺旋形状パターンを図示しないマスクを用いて露光し、且つ現像処理を施すことにより螺旋形状のパターン溝６２を形成する。このとき、前記パターン溝６２内には前記シード膜４１が露出される。
【００５５】
次の図１９に示す工程Ｉでは、前記パターン溝６２内に露出している前記シード膜４１を除去し、前記パターン溝６２内に前記保護膜４６を露出させる。
【００５６】
図２０に示す工程Ｊでは、前記フォトレジスト膜４２を全て除去し、凸型体１の上に前記保護膜４６と、その上に螺旋状に形成されたシード膜４１を残す。
【００５７】
図２１に示す工程Ｋでは、メッキ処理を施し、前記螺旋形状からなるシード膜４１の上に前記スパイラル接触子５０を形成する金属層４４を積層する。
【００５８】
なお、ここでの金属層４４も、上記第１の実施の形態同様に、最下層に導電率の良いＣｕメッキを形成し、弾性変形しやすいＮｉメッキ層を芯材とし、最上層に接触抵抗の低いＡｕ、Ｐｔ又はＰｄで覆うことにより弾性腕５１を形成することが好ましい。
【００５９】
また保護膜４６はＳｉＯ２などからなる無機絶縁体で形成されている。このため、前記メッキをＴｉ／Ｃｕで形成されたシード膜４１の表面にのみ析出されることができ、前記保護膜４６の表面に析出されることを防止できる。このため、前記メッキを成長させると、弾性腕５１を例えば図２２に示すような茸傘状とすることができる。
【００６０】
そして、最後の図２２に示す工程Ｍにおいて、前記保護膜４６をエッジングによって除去することにより、スパイラル接触子５０を凸型体１の表面から分離させる。
【００６１】
なお、工程Ｍにおいて、前記保護膜４６が完全に除去されずパイラル接触子５０を凸型体１の表面から分離させることができない場合には、前記工程Ｍの後にアルカリ水溶液を用いて凸型体１を除去（工程Ｈ）することにより、保護膜４６と凸型体１を分離し、その後に再度工程Ｍを行って残っている前記保護膜４６を除去するようにしてもよい。
【００６２】
また前記シード膜４１の幅寸法Ｗを狭く形成しておくと、上記図１４Ｂに示す工程Ｈと同様に、メッキ成長した弾性腕５１の全体的な断面形状を丸型形状とすることが可能である。
【００６３】
また第２の参考例においても、前記工程Ｋと工程Ｍとの間にスパイラル接触子５０の基部５２どうしを例えばポリイミドなど絶縁性を有する接着シートを用いて互いに接合する工程を設けることにより、分離後のスパイラル接触子５０がばらばらになることを防止することが好ましい。
【００６５】
次に、上記工程Ａについて、すなわち凸型体１を形成する方法について説明する。
【００６６】
図２３ないし図２５は、凸型体の第１の製造方法を示す工程図であり、図２３は凸型体の第１の製造方法における第１工程を示す工程図、図２４は図２３に続く第２工程を示す工程図、図２５は図２４に続く第３工程を示す工程図、図２６は凸型体の第１の製造方法におけるレジスト膜内の露光エネルギー総和を示すグラフである。なお、図２６では横軸が座標位置を、縦軸が露光エネルギーを示している。
【００６７】
図２３Ａ，Ｂに示す第１工程では、用意した基板１０の表面にフォトレジスト層１１を形成する。すなわち、基板１０の表面に、液状の感光性樹脂材料を塗布機(コータ)で薄く塗布することにより均一なフォトレジスト層１１を形成する。なお、前記フォトレジスト層１１は、光が照射された部分のパターンが残るネガ型タイプと、照射された部分が後の現像処理によって除去されるポジ型タイプとが存在するが、本発明ではポジ型タイプを用いる。
【００６８】
図２４Ａに示すように、第２工程では、フォトレジスト層１１の表面に所定の露光マスク１２Ａを載置した状態で、露光マスク１２Ａの上部（Ｚ１側）に設けられた光源９から光（紫外線）を照射する。
【００６９】
前記露光マスク１２Ａは所定の位置に光不透過部１２ａと光透過部１２ｂとを有しており、前記光不透過部１２ａは前記凸型体１を形成したい位置に対向して形成されている。前記光不透過部１２ａの直径は、上記のように５０μｍ×５０μｍ寸法のスパイラル接触子５０の場合には、約６０μｍ（≒５０μｍ×（√２））程度が好ましい。
【００７０】
図２４Ａないし図２４Ｄに示すように、前記第２工程の露光中に、前記フォトレジスト層１１と露光マスク１２Ａとの間の相対距離Ｌが徐々に広げられる。すなわち、光源９と前記フォトレジスト層１１との距離は一定に維持しながら、露光マスク１２Ａのみを、前記フォトレジスト層１１の表面から遠ざかる方向（光源９に近づくＺ１方向）に、例えば連続的に等速移動させるようにする。
【００７１】
図２４Ａに示す相対距離Ｌ＝０の位置（露光マスク１２Ａが前記フォトレジスト層１１に密着している状態）では、前記フォトレジスト層１１のうち、前記光透過部１２ｂに対向する領域は露光されるが、前記光不透過部１２ａに対向する領域は影となって露光されない。ただし、前記フォトレジスト層１１の図示Ｚ２方向の底面付近では、幾分かの光は回り込んで前記光不透過部１２ａに対向する領域に達している。
【００７２】
そして、図２４Ｂ、図２４Ｃ及び図２４Ｄに示すように、露光マスク１２Ａの前記相対距離ＬをＬ＝Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３（０＜Ｌ１＜Ｌ２＜Ｌ３）と徐々に広げて行くと、これに伴い前記フォトレジスト層１１内における光の回り込み量が徐々に多くすることができる。
【００７３】
すなわち、図２４Ａから図２４Ｄに示すように、露光マスク１２Ａを前記フォトレジスト層１１の表面から徐々に遠ざけていくと、前記フォトレジスト層１１内で露光を受けない領域１１ａが徐々に減少していくが、図２４Ｄに示す相対距離Ｌ＝Ｌ３の位置に達すると前記フォトレジスト層１１全体が露光されるようになる。
【００７４】
そして、前記図２４Ｄに状態、すなわち露光マスク１２Ａと前記フォトレジスト層１１の相対距離ＬがＬ＝Ｌ３に達したときに前記露光は停止させられる。
【００７５】
次に、第３工程では、図２５Ａに示すように、前記フォトレジスト層１１を有する基板１０全体を現像液１３に浸すことによる現像処理が行われる。前記フォトレジスト層１１はポジ型の感光性樹脂材料で形成されているため、前記現像処理では露光エネルギーの総和が多い順にフォトレジストが除去され、露光エネルギーの総和が少ないほど残留する。
【００７６】
ここで、前記露光エネルギーの総和は光強度と露光時間の積で決定されるが、上記図２４Ａないし図２４Ｄに従う露光を行った場合における前記フォトレジスト層１１に対する露光エネルギーの総和は図２６に示す山なりの曲線のようになる。すなわち、露光エネルギーの総和の最少部分は、前記フォトレジスト層１１の表面で、且つ前記光不透過部１２ａと対向する頂点ａである。そして、前記頂点ａの近傍では、頂点ａから周囲に広がるに連れて徐々に露光エネルギーの総和が少なくなるとともに、前記フォトレジスト層１１の表面から底面に向かうほど露光エネルギーの総和は少なくなる傾向がある。
【００７７】
なお、前記光透過部１２ｂと対向する領域（頂点ａの近傍を除く領域）は常に露光されているため、フォトレジスト層１１の表面であるか底面であるかに拘らず前記露光エネルギーの総和は最大である。
【００７８】
このため、前記第３工程において不要なフォトレジスト層１１を除去することにより、図２５Ｂに示すような略円錐形状からなる凸型体１を基板１０上に形成することができる。
【００７９】
なお、前記露光マスク１２Ａの下面にシート状の光拡散部材を設けておくと、光透過部１２ｂを通過した光を拡散させることができ、拡散光で前記フォトレジスト層１１を露光することができる点で好ましい。前記拡散光を用いると、光の回り込み量を多くすることができるため、通常は光不透過部１２ａの影となって光が届かない領域にも拡散光を導くことができる。よって、光不透過部１２ａの影となる領域に対しても、より積極的な露光を行うことが可能である。よって、光拡散部材の利用の仕方によっては、上記のような円錐状、あるいは円墳形状からなる凸型体１を形成することが可能となる。
【００８０】
前記光拡散部材としては、例えばガラスシートや、プラスチックシートをすりガラスのような粗面で形成することにより光拡散機能を持たせたもの、あるいはプラスチック、アクリル又はポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）などの光透過性に優れた樹脂に乳白色の顔料を含有させたシート状の乳白色の合成樹脂で形成することが可能である。
【００８１】
次に、凸型体の第２の製造方法を説明する。
凸型体の第２の製造方法は、複数の露光マスクを用いる点で上記凸型体の第１の製造方法と異なっている。
【００８２】
図２７は凸型体の第２の製造方法に用いる露光マスクのそれぞれに形成されている光透過部（貫通穴）を示す平面図、図２８は凸型体の第２の製造方法における第２工程を示す工程図、図２９は第２の製造方法で形成される凸型体を拡大して示す断面図ある。
【００８３】
図２７に示すように、凸型体の第２の製造方法では、例えば符号２１，２２，２３，２４，２５，２６，２７および２８で示すような８種類の露光マスクが用意される。各露光マスク２１〜２８には、直径Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５，Ｒ６，Ｒ７，Ｒ８からなるピンホール状の光透過部（貫通穴）１２ｂがそれぞれ形成されている。前記光透過部１２ｂの直径Ｒ１〜Ｒ８の大きさは、Ｒ１＜Ｒ２＜Ｒ３＜Ｒ４＜Ｒ５＜Ｒ６＜Ｒ７＜Ｒ８の順である。
【００８４】
第１工程は、上記凸型体の第１の製造方法と同様であり、用意した基板１０の表面にフォトレジスト層１１が形成される（図２３参照）。なお、以下の説明においてはフォトレジスト層１１を形成する感光性樹脂材料は照射された露光エネルギーが多い順に残るネガ型タイプとする。
【００８５】
図２８Ａないし図２８Ｄに示すように、第２工程では、前記フォトレジスト層１１の表面に露光マスク２１ないし２８をこの順番で交換するとともに、交換するたびに露光を行う。ただし、露光マスクの枚数をｎ（本実施の形態ではｎ＝８）とすると、１回当たりの露光エネルギーは全ての露光を一度に完了する場合に比較して１／ｎである。
【００８６】
第２工程では、図２８Ａに示すように最も直径Ｒ１の小さな露光マスク２１をフォトレジスト層１１上の所定の位置に位置決めして１／８の露光エネルギーで露光を行う。なお、露光エネルギーの調整は、光量または露光時間などを変えることにより行うことができる。
【００８７】
次に、前記露光マスク２１を取り外すとともに、図２８Ｂでは次に直径の小さな露光マスク２２（直径＝Ｒ１）をフォトレジスト層１１上の所定の位置に位置決めし、１／８の露光エネルギーで露光を行う。同様に図２８Ｃでは前記露光マスク２２を外すとともに、新たな露光マスク２３を載置し、１／８の露光エネルギーで露光を行う。そして、このような処理が図２８Ｄに示す最大直径Ｒ８を有する露光マスク２８になるまで繰り返し行われる。
【００８８】
上記第２工程における露光エネルギー総和の変化状態の概略を図示すると、図２８Ａ〜２８Ｄのフォトレジスト層１１内に示すものとして表すことができる。なお、図２８Ａ〜２８Ｄでは、縦軸上方が露光エネルギーの総和が最も高く、縦軸下方が最も低い状態を示している。
【００８９】
よって、第３工程として、基板１０全体を現像液１３に浸すと、露光エネルギーの総和の多い部分が残り、少ない部分が除去されるため、基板１０上に階段状の凸型体１を形成することができる（図２９参照）。
【００９０】
上記第３工程においては、各露光マスクに形成する光透過部１２ｂの径寸法、露光時間、フォトレジスト層１１の肉厚寸法などを適度に調整することにより、様々な大きさ及び形状からなる凸型体１を形成することが可能である。また露光マスク上における光透過部１２ｂの形成位置を適宜選択することにより、基板１０上の任意の位置に凸型体１を形成することが可能である。
【００９１】
そして、以上のような凸型体１を、工程Ａに用いることにより、簡単且つ高精度のスパイラル接触子５０を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００９２】
【図１】本発明で形成されるスパイラル接触子を示す斜視図、
【図２】凸型体を有する基板の一例を示す斜視図、
【図３】本発明における第１の実施の工程としてのスパイラル接触子の製造方法の一工程図（工程Ｂ）、
【図４】図３の次に行われる一工程図（工程Ｃ）、
【図５】図４の次に行われる一工程図（工程Ｄ）、
【図６】図５の次に行われる一工程図（工程Ｅ）、
【図７】図６の次に行われる一工程図（工程Ｆ）、
【図８】図７の次に行われる一工程図（工程Ｇ）、
【図９】図８の次に行われる一工程図（工程Ｈ）、
【図１０】第１の参考例としてのスパイラル接触子の製造方法の一工程図（工程Ｄ）、
【図１１】図１０の次に行われる一工程図（工程Ｉ）、
【図１２】図１１の次に行われる一工程図（工程Ｊ）、
【図１３】図１２の次に行われる一工程図（工程Ｋ）、
【図１４】Ａは図１３の次に行われる一工程図（工程Ｈ）、Ｂは工程Ｈの他の形態を示す図、
【図１５】第２の参考例としてのスパイラル接触子の製造方法の一工程図（工程Ｌ）、
【図１６】図１５の次に行われる一工程図（工程Ｂ）、
【図１７】図１６の次に行われる一工程図（工程Ｃ）、
【図１８】図１７の次に行われる一工程図（工程Ｄ）、
【図１９】図１８の次に行われる一工程図（工程Ｉ）、
【図２０】図１９の次に行われる一工程図（工程Ｊ）、
【図２１】図２０の次に行われる一工程図（工程Ｋ）、
【図２２】図２１の次に行われる一工程図（工程Ｍ）、
【図２３】凸型体の第１の製造方法における第１工程を示す工程図、
【図２４】図２３に続く第２工程を示す工程図、
【図２５】図２４に続く第３工程を示す工程図、
【図２６】フォトレジスト層内の露光エネルギー総和を示すグラフ、
【図２７】凸型体の第２の製造方法に用いる露光マスクのそれぞれに形成されている光透過部（貫通穴）を示す平面図、
【図２８】凸型体の第２の製造方法における第２工程を示す工程図、
【図２９】凸型体の第２の製造方法で形成される凸型体を拡大して示す断面図、
【符号の説明】
【００９３】
１  凸型体
９  光源
１０  基板
１１  フォトレジスト層
１２Ａ，１２Ｂ  露光マスク
１２ａ  光不透過部
１２ｂ  光透過部（貫通穴）
１３  現像液
２１，２２，２３，２４，２５，２６，２７，２８  露光マスク
４１  シード膜
４２  フォトレジスト膜
４４  金属層
４６  保護膜
５０  スパイラル接触子
５１  弾性腕
５２  基部
５３  先端部
６１，６２  パターン溝
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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