(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）第１の面及びこの第１の面の反対面となる第２の面を有する四角形枠からなる補強枠を準備する工程、
（ｂ）前記補強枠の第２の面に枠全体を塞ぐようにテープを貼り付ける工程、
（ｃ）第１の面及びこの第１の面の反対面となる第２の面に複数の配線を有し、前記第１及び第２の面の前記配線は前記第１の面及び第２の面間を貫通する配線で接続されてなる製品形成部を縦横に整列配置した配線母基板を、前記補強枠の第１の面側の前記テープ表面に第２の面を重ねて貼り付ける工程、
（ｄ）前記配線母基板の各製品形成部の第１の面に半導体チップを固定し、かつ前記半導体チップの電極と前記第１の面の前記配線を接続手段で電気的に接続する工程、
（ｅ）前記半導体チップ及び前記接続手段を覆うように前記第１の面側の前記補強枠内全域に絶縁性樹脂からなる一定厚さの樹脂層を形成する工程、
（ｆ）前記テープを剥離する工程、
（ｇ）前記配線母基板と前記配線母基板に重なる前記樹脂層を前記製品形成部の境界線で切断して前記製品形成部を個片化する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記工程（ｇ）の個片化においては、前記補強枠の第１の面及び前記樹脂層にテープを貼り付けた後、ダイシングブレードで前記テープの表面または中層に至る深さまで縦横に切断して前記配線母基板及び前記樹脂層を切断し、その後前記テープを剥離することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記工程（ｆ）の次に、
（ｈ）前記配線母基板の第２の面の前記配線にバンプ電極を形成する工程を有し、
その後前記工程（ｇ）の個片化を行うことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記工程（ｄ）では、前記接続手段として導電性のワイヤを用いることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記工程（ｄ）では、前記接続手段として導電性の接着剤を用い、前記半導体チップの前記電極を前記配線母基板の第１の面の前記配線に前記接着剤を介して重ねて接続することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記補強枠は厚さ０．２５ｍｍ〜１．０ｍｍのガラス・エポキシ樹脂で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記樹脂層は厚さ０．２ｍｍ〜０．９５ｍｍに形成することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記配線母基板は厚さ０．２ｍｍ以下のＢＴレジン基板であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は樹脂封止型半導体装置の製造方法に係わり、特に、配線母基板を使用して一括モールド方式を採用する半導体装置の製造方法に適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
樹脂封止型半導体装置の製造方法の一つとして、いわゆる一括モールド方式を採用する半導体装置の製造方法が知られている。この方法は、一つの半導体装置が形成される製品形成部を整列配置した配線母基板（配線基板）を使用する。半導体装置の製造においては、最初に、配線母基板の各製品形成部に、半導体チップを固定するとともに、半導体チップの電極と配線を導電性のワイヤで接続する。つぎに、配線母基板の一面に絶縁性樹脂からなる樹脂層を形成して各半導体チップ及びワイヤを覆う。つぎに、配線母基板の裏面に外部電極端子を形成し、その後、配線母基板を樹脂層共々縦横に切断して複数の半導体装置を製造する。
【０００３】
また、配線母基板を四角形状枠の枠体で接着支持させ、配線母基板の各製品形成部に半導体チップを固定した後各加工処理を行い、その後配線母基板を縦横に切断して１個の半導体チップを含む個片の半導体装置を製造する方法が知られている（例えば、特許文献１）。
【０００４】
特許文献１には、以下のような方法で半導体装置を製造する方法が記載されている。即ち、フレキシブルなテープ状基板を剛性が高いフレームの下面に接着固定し、フレームの開口部内に露出した基板の上面に複数個の半導体チップを搭載する。その後、フレーム上に補強された状態で、半導体チップを樹脂封止し、外部接続用ＢＧＡボールを搭載した後、基板を切断することにより１個の半導体チップを含む個片の半導体装置に分離する。
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−２６０８１４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
半導体装置はより小型化、薄型化が要請されている。一括モールド方式を採用する半導体装置の製造方法において用いる配線母基板は、１個の半導体装置を形成する製品形成部が多くなればなるほど大型化する。生産性を高めるためにはより大型の配線母基板が使用される。
【０００７】
一方、半導体装置の薄型化のため、配線母基板もより一層薄型化の傾向にある。配線母基板が薄くなることによって、反り易くなり、このため生産性が低下したり、あるいは壊れ易い等の弊害が発生する。また、薄型の配線母基板の大型化は、さらにこれらの弊害を増大し、歩留り低下や品質低下を来しやすくなる。
【０００８】
本発明の目的は、配線母基板の薄型・大型化によっても生産性を低下させず、かつ品質の良好な半導体装置を製造する方法を提供することにある。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
【００１０】
（１）半導体装置は、
（ａ）第１の面及びこの第１の面の反対面となる第２の面を有する四角形枠からなる補強枠を準備する工程、
（ｂ）前記補強枠の第２の面に枠全体を塞ぐようにテープを貼り付ける工程、
（ｃ）第１の面及びこの第１の面の反対面となる第２の面に複数の配線を有し、前記第１及び第２の面の前記配線は前記第１の面及び第２の面間を貫通する配線で接続されてなる製品形成部を縦横に整列配置した配線母基板を、前記補強枠の第１の面側の前記テープ表面に第２の面を重ねて貼り付ける工程、
（ｄ）前記配線母基板の各製品形成部の第１の面に半導体チップを固定し、かつ前記半導体チップの電極と前記第１の面の前記配線を接続手段で電気的に接続する工程、
（ｅ）前記半導体チップ及び前記接続手段を覆うように前記第１の面側の前記補強枠内全域に絶縁性樹脂からなる一定厚さの樹脂層を形成する工程、
（ｆ）前記テープを剥離する工程、
（ｇ）前記配線母基板と前記配線母基板に重なる前記樹脂層を前記製品形成部の境界線で切断して前記製品形成部を個片化する工程によって製造される。
【００１１】
また、前記工程（ｇ）の個片化においては、前記補強枠の第１の面及び前記樹脂層にテープを貼り付けた後、ダイシングブレードで前記テープの表面または中層に至る深さまで縦横に切断して前記配線母基板及び前記樹脂層を切断し、その後前記テープを剥離する。前記工程（ｆ）の次に、（ｈ）前記配線母基板の第２の面の前記配線にバンプ電極を形成する工程を有し、その後前記工程（ｇ）の個片化を行う。前記工程（ｄ）では前記接続手段として導電性のワイヤを用いる。前記補強枠は厚さ０．２５ｍｍ〜１．０ｍｍのガラス・エポキシ樹脂で形成されている。前記樹脂層は厚さ０．２ｍｍ〜０．９５ｍｍに形成する。前記配線母基板は厚さ０．２ｍｍ以下ＢＴレジン基板である。
【発明の効果】
【００１２】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
前記（１）の手段によれば、（ａ）配線母基板を補強枠に貼り付けたテープに貼り付けて半導体チップの固定及びワイヤの接続を行うことから、配線母基板が薄くともテープ及び補強枠に補強されるため、配線母基板の反りや損傷は発生し難い。
【００１３】
（ｂ）また、ワイヤ接続後に補強枠内に樹脂層が形成されることから、配線母基板はこの樹脂層に強固に保持されるため、その後のバンプ電極形成工程でも反りや損傷が発生し難くなる。
【００１４】
（ｃ）さらに、配線母基板と樹脂層の切断時には、樹脂層及び補強枠に貼り付けられたテープで補強されることから、確実な切断（個片化）が行える。また、切断は、テープの表面から中層までの深さの切断であることから、切断によって個片化した部分が飛散しなくなり、個片である半導体装置の損傷も防止できる。
【００１５】
（ｄ）上記（ａ）〜（ｃ）により、各製造工程において、配線母基板の反りによる搬送不良が発生しなくなる。
【００１６】
（ｅ）上記（ａ）〜（ｃ）により、ハンドリング時の配線母基板の反りによる不良発生を低減することができる。
【００１７】
（ｆ）上記（ａ）〜（ｅ）により、配線母基板の反りが発生しないことから、配線母基板の薄型化が図れ、薄型の半導体装置を製造することができる。
【００１８】
（ｇ）上記（ａ）〜（ｅ）により、配線母基板の反りが発生しないことから、大型の配線母基板を使用した半導体装置の製造が可能になり、半導体装置の製造コストの低減が達成できる。
【００１９】
（ｈ）前記樹脂層は補強枠内に一定厚さに形成されるため、配線母基板及び樹脂層を縦横に切断した後の樹脂層による封止体は半導体チップ及びワイヤを確実に封止し、耐湿性の高い半導体装置を製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。なお、発明の実施の形態を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
【実施例１】
【００２１】
本実施例１ではＢＧＡ（Ball Grid Array ）型の半導体装置の製造方法に本発明を適用した例について説明する。図１乃至図９は本発明の実施例１の半導体装置の製造方法に係わる図である。
【００２２】
本実施例１の半導体装置１は、外観及びその内部構造は図１及び図２に示すようになっている。図１は半導体装置の外観を示す斜視図であり、図２は図１のＡ−Ａ線に沿う拡大断面図である。
【００２３】
半導体装置１は、四角形の配線基板２を有している。この配線基板２は、例えば、厚さ０．２ｍｍ以下のＢＴレジン配線基板からなり、図２に示すように、第１の面２ａ（図１及び図２では上面）及び第１の面２ａの反対面となる第２の面２ｂ（図１及び図２では下面）に所定パターンに複数の配線３，４を有している。これら配線３，４は、図２に示すように、配線基板２の上下面間を貫通する配線５で接続されている。また、配線基板２の上下面は配線３，４を除いて絶縁膜（ソルダーレジスト膜）６，７で覆われている。
【００２４】
配線基板２の第１の面２ａの中央には、図２に示すように、接着剤１０によって半導体チップ１１が固定されている。そして、半導体チップ１１の第１の面１１ａに設けられた電極１２と配線３は、接続手段として導電性のワイヤ１３によって電気的に接続されている。
【００２５】
また、配線基板２の第１の面２ａ全体には、絶縁性樹脂からなる封止体１４が形成されている。この封止体１４は、半導体チップ１１及びワイヤ１３を覆っている。封止体１４は一定の厚さになっている。封止体１４は、例えば、エポキシ樹脂で形成されている。
【００２６】
他方、配線基板２の第２の面２ｂの配線４にはバンプ電極１５が重ねて形成されている。このバンプ電極１５は、半導体装置１の外部電極端子となる。バンプ電極１５は、例えば、半田ボールで形成されている。バンプ電極１５は、例えば四角形枠状に三重に配列されている。
【００２７】
ここで、半導体装置１の一部の寸法の一例を挙げると、配線基板２の厚さは０．１３ｍｍ、半導体チップ１１の厚さは０．１ｍｍ、封止体１４の厚さは０．３ｍｍである。バンプ電極１５は直径２５０μｍのＰｂＳｎ半田ボールから形成され、バンプ電極１５の配列ピッチは０．５ｍｍである。
【００２８】
つぎに、本実施例１の半導体装置１の製造方法について図３乃至図９を参照して説明する。半導体装置１は、図３のフローチャートで示すように、補強枠準備（Ｓ０１）、テープ貼り付け（Ｓ０２）、配線母基板（配線基板）固定（Ｓ０３）、チップボンディング（半導体チップ固定：Ｓ０４）、ワイヤボンディング（ワイヤ接続：Ｓ０５）、樹脂層形成（Ｓ０６）、テープ剥離（Ｓ０７）、バンプ電極形成（Ｓ０８）、個片化（Ｓ０９）の各工程を経て製造される。
【００２９】
半導体装置１の製造においては、図４（ａ）に示すように、四角形枠からなる補強枠２０を準備する（Ｓ０１）。図４（ａ）〜（ｃ）、図５（ａ）〜（ｃ）及び図６（ａ）〜（ｃ）は、本実施例１の半導体装置の製造方法における各製造工程での配線母基板等を示す模式図である。図（ａ）〜図（ｃ）にはそれぞれ並列して二つの図が示されている。左側の図は補強枠または配線母基板を示す平面図であり、右側の図は断面図である。
【００３０】
図４（ａ）は補強枠２０の第１の面２０ａを示す平面図と断面図を示すものである。補強枠２０は、厚さ０．３ｍｍのガラス・エポキシ樹脂で形成されている。図７は補強枠２０を裏返して第１の面２０ａの反対面となる第２の面２０ｂを表した斜視図である。図７に示すように、補強枠２０の第２の面２０ｂにおいて、枠を構成する各辺（長辺２０ｃ，短辺２０ｄ）には、後述する切断において、ダイシングブレードの位置（切断位置）の目安となる線状のダイシングターゲット２１が設けられている。ダイシングターゲット２１は、当然のことながら一対の長辺２０ｃ同士、及び一対の短辺２０ｄ同士では対面している。
【００３１】
また、補強枠２０は、後述するテープと共に配線母基板を支持する枠体となり、強度及び熱に対する反りを少なくする為、母基板より厚い例えば、０．２５ｍｍ〜１．０ｍｍの厚さが選択される。また、コストＵＰを少なくするため、例えばガラス・エポキシ樹脂を選択される。
【００３２】
つぎに、図４（ｂ）に示すように、補強枠２０の第２の面２０ｂにテープ２２を貼り付ける（Ｓ０２）。テープ２２は一面が粘着面となるアクリル樹脂からなる粘着テープとなっていて、この粘着面が補強枠２０の第２の面２０ｂに緊張状態で貼り付けられる。テープ２２は、配線母基板を支持するテープとなることから、例えば、厚さ２００μｍのテープが使用される。
【００３３】
つぎに、図４（ｃ）に示すように、補強枠２０の第１の面２０ａ側のテープ２２の表面に配線母基板２５を固定する（Ｓ０３）。配線母基板２５はテープ２２の粘着面に貼り付けられて固定される。配線母基板２５は最終的に縦横にダイシングブレードによって切断される。この際、ダイシングブレードで補強枠２０を切断しないようにするため、配線母基板２５の４辺と補強枠２０の対応する４辺との間に所定の空き寸法を設定する。
【００３４】
配線母基板２５は、１個の半導体装置１を製造するための製品形成部２６を縦横に配置した構造になっている。従って、一度に多数の半導体装置１を製造する場合には、その外形寸法は大きくなる。一例を挙げるならば、配線母基板２５の寸法は、幅６５ｍｍ、長さ１５０ｍｍである。
【００３５】
図４（ｃ）では、説明の便宜上、３列８行、合計２４個の製品形成部２６を配列した配線母基板２５を示す。縦横に描いた点線によって囲まれる四角形部分が製品形成部２６である。図８は製品形成部２６を示す配線母基板２５の一部の拡大断面図である。２本の二点鎖線間が製品形成部２６を構成する。四角形の製品形成部２６の周囲を切断することによって、図２に示す配線基板２となる。従って、製品形成部２６の詳しい説明は省略する。配線母基板２５において、配線母基板２５の第１の面２５ａの製品形成部２６に配線３を有し、第１の面２５ａの反対面となる第２の面２５ｂに配線４を有する(図５（ｂ）参照)。また、配線３と配線４は配線５によって電気的に接続されている。第２の面２５ｂは、例えば、厚さ０．１３ｍｍのＢＴレジン基板からなっている。
【００３６】
つぎに、図示しないチップボンディング装置によって、配線母基板２５の第１の面２５ａの各製品形成部２６の中央に、図５（ａ）に示すように、半導体チップ１１を固定（チップボンディング）する（Ｓ０４）。図９は配線母基板２５の第１の面２５ａの製品形成部２６上に接着剤１０によって半導体チップ１１を固定した状態を示す。半導体チップ１１は配線母基板２５の絶縁膜（ソルダーレジスト膜）６上に接着剤１０を介して固定される。半導体チップ１１の電極１２が設けられる第１の面１１ａは上面となり、露出している。
【００３７】
つぎに、図示しないワイヤボンディング装置によって、図５（ｂ）に示すように、半導体チップ１１の第１の面１１ａの電極１２と、配線３を導電性のワイヤ１３で電気的に接続する（ワイヤボンディング：Ｓ０５）。図５（ｂ）の左側の平面図では、半導体チップ１１及びワイヤ１３等の符号は不明瞭となることから省略する。右側の断面図は製品形成部２６を示す拡大図として、ワイヤ１３の接続状態を示す。また、これ以降の工程断面図では製品形成部２６の部分を拡大して示すことにする。
【００３８】
つぎに、図５（ｃ）に示すように、補強枠２０の第１の面２０ａ側のテープ２２の表面、配線母基板２５の第１の面２５ａ、半導体チップ１１の第１の面１１ａ等を覆うように絶縁性の溶融した樹脂を所定量入れて樹脂層３０を形成する（Ｓ０６）。この樹脂層３０の形成においては、補強枠２０内に溶融した樹脂を入れ、溶融した樹脂が安定し、表面が平坦になった状態で樹脂をキュアーして硬化させ、一定の厚さの樹脂層３０を形成する。樹脂層３０は、例えば、エポキシ樹脂で形成し、厚さは０．３ｍｍとなる。補強枠２０の厚さを厚くしておけば、樹脂層３０を厚く形成できる。樹脂層３０を薄くする程半導体装置１の薄型化が図れる。樹脂層３０と配線母基板２５は一体化する。
【００３９】
つぎに、図６（ａ）に示すように、補強枠２０及び製品形成部２６からテープ２２を剥離する（Ｓ０７）。
つぎに、図６（ｂ）に示すように、補強枠２０を裏返して第２の面２０ｂを上面とした状態で配線母基板２５の第２の面２５ｂの配線４上にバンプ電極１５を形成する（Ｓ０８）。図６（ｂ）の左側の平面図では、バンプ電極１５を四角形枠状に一列配置した図としてある。バンプ電極１５等の符号は省略する。右側の断面図に配線４に重ねて形成されたバンプ電極１５を示す。
【００４０】
つぎに、図６（ｃ）に示すように、補強枠２０の図示しない第１の面２０ａ及び樹脂層３０の表面に一枚のテープ３５を貼り付け、配線母基板２５の第２の面２５ｂ側から配線母基板２５及び樹脂層３０を縦横に図示しないダイシングブレードで切断して配線母基板２５及び樹脂層３０を個片化する（Ｓ０９）。図６（ｃ）の左側の平面図には、ダイシングブレードによって切断した切断線を点線で示してある。また、図６（ｃ）の右側の断面図には、ダイシングブレードによって切断した切断溝３６を示してある。切断溝３６は配線母基板２５及び樹脂層３０を切断し、テープ３５の途中深さまで設けられている。樹脂層３０を完全に切断するため、ダイシングブレードの先端はテープ３５の表面乃至途中深さまで到達させる必要がある。テープ３５は一面が粘着面となるアクリル樹脂からなる粘着テープとなっていて、この粘着面が補強枠２０の第１の面２０ａ及び樹脂層３０の表面に貼り付けられる。テープ３５は、樹脂層３０を支持するテープとなることから、例えば、厚さ２００μｍのテープが使用される。また、このダイシングにおいて、補強枠２０を構成する各辺（長辺２０ｃ，短辺２０ｄ）に設けられたダイシングターゲット２１をダイシングブレードの切断位置の目安として利用する。この切断による個片化によって、配線母基板２５は配線基板２になり、樹脂層３０は封止体１４になる。個片となった各部は、そのままテープ３５に保持されている。そこで、テープ３５を各個片から相対的に剥離することによって、図１及び図２に示す半導体装置１を複数製造することができる。
【００４１】
なお、本実施例１においては、ダイシングターゲット２１を補強枠２０に設けたが、必ずしも補強枠２０に設ける必要はなく、例えば、配線母基板２５に設けても良い。
【００４２】
本実施例１の半導体装置の製造技術によれば、以下の効果を有する。
（１）配線母基板２５を補強枠２０に貼り付けたテープ２２に貼り付けて半導体チップ１１の固定及びワイヤ１３の接続を行うことから、配線母基板２５が薄くともテープ２２及び補強枠２０に補強されるため、配線母基板２５の反りや損傷は発生し難い。
【００４３】
（２）また、ワイヤ接続後に補強枠２０内に樹脂層３０が形成されることから、配線母基板２５はこの樹脂層３０に強固に保持されるため、その後のバンプ電極形成工程でも反りや損傷が発生し難くなる。
【００４４】
（３）さらに、配線母基板２５と樹脂層３０の切断時には、樹脂層３０及び補強枠２０に貼り付けられたテープ３５で補強されることから、確実な切断（個片化）が行える。また、切断は、テープ３５の表面から中層までの深さの切断であることから、切断によって個片化した部分が飛散しなくなり、個片である半導体装置１の損傷も防止できる。
【００４５】
（４）上記（１）〜（３）により、各製造工程において、配線母基板２５の反りによる搬送不良が発生しなくなる。
【００４６】
（５）上記（１）〜（３）により、ハンドリング時の配線母基板２５の反りによる不良発生を低減することができる。
【００４７】
（６）上記（１）〜（５）により、配線母基板２５の反りが発生しないことから、配線母基板２５の薄型化が図れ、薄型の半導体装置１を製造することができる。
【００４８】
（７）上記（１）〜（５）により、配線母基板２５の反りが発生しないことから、大型の配線母基板２５を使用した半導体装置１の製造が可能になり、半導体装置１の製造コストの低減が達成できる。
【００４９】
（８）前記樹脂層３０は補強枠２０内に一定厚さに形成されるため、配線母基板２５及び樹脂層３０を縦横に切断した後の樹脂層による封止体１４は半導体チップ１１及びワイヤ１３を確実に封止し、耐湿性の高い半導体装置１を製造することができる。
【実施例２】
【００５０】
図１０は本発明の実施例２である半導体装置の製造方法によって製造されたＬＧＡ型の半導体装置の断面図である。本実施例２の半導体装置の製造方法は、実施例１の半導体装置の製造方法において、テープ剥離工程（Ｓ０７）の後、バンプ電極形成を行わずに個片化を行うことによって、平坦な外部電極端子を有するＬＧＡ（Land Grid Array）型の半導体装置を製造することができる。平坦な外部電極端子は配線４で形成される。
本実施例２においても薄型の半導体装置１を高歩留りで製造することができ、半導体装置１のコストの低減を図ることができる。
【実施例３】
【００５１】
図１１は本発明の実施例３である半導体装置の製造方法によって製造されたフリップ・チップ接続構造の半導体装置の断面図である。
【００５２】
実施例１では半導体チップの電極と配線との接続手段はワイヤである。これに対して、本実施例３の半導体装置の製造方法によって製造される半導体装置１は、図１１に示すように、接続手段はフリップ・チップ接続である。即ち、配線基板２の第１の面２ａの配線３に半導体チップ１１の第１の面１１ａに形成されたバンプ電極１２ａを電気的に接続する構造になっている。このフリップ・チップ接続では、例えば、バンプ電極１２ａを図示しない電極１２上にＰｂＳｎ半田で形成しておくことによって、リフロー（一次的加熱）によってフリップ・チップ接続が可能になる。この場合、配線４と半導体チップ１１の電極１２を導電性接着剤であるバンプ電極１２ａで接続したことになる。また、導電性接着剤を配線４の表面に形成しておき、その後半導体チップ１１の電極１２を配線４に重ね、リフローによってフリップ・チップ接続するようにしてもよい。なお、本実施例３の半導体装置１は、半導体チップ１１と配線基板２との隙間に絶縁性のアンダーフィル樹脂３７を充填して隙間を埋め、耐湿性をさらに高める構造としてある。
【００５３】
本実施例３の例では、実施例１の場合と同様な効果を得ることができるが、半導体チップ１１の電極１２と配線４の接続として背（ループ）が高くなるワイヤを使用しなくなることから、封止体１４を薄くでき、さらに半導体装置１の薄型化を図ることができる。
【００５４】
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の実施例１である半導体装置の外観を示す斜視図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿う拡大断面図である。
【図３】本実施例１の半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。
【図４】本実施例１の半導体装置の製造方法において、補強枠準備工程から配線母基板固定工程までを示す模式図である。
【図５】本実施例１の半導体装置の製造方法において、チップボンディング工程から樹脂層形成工程までを示す模式図である。
【図６】本実施例１の半導体装置の製造方法において、テープ剥離工程から個片化工程までを示す模式図である。
【図７】本実施例１の半導体装置の製造方法において使用するテープを貼り付けた補強枠を示す斜視図である。
【図８】本実施例１の半導体装置の製造方法において使用する配線母基板の製品形成部を示す拡大断面図である。
【図９】本実施例１の半導体装置の製造方法において、半導体チップを固定した製品形成部の拡大断面図である。
【図１０】本発明の実施例２である半導体装置の製造方法によって製造されたＬＧＡ型の半導体装置の断面図である。
【図１１】本発明の実施例３である半導体装置の製造方法によって製造されたフリップ・チップ接続構造の半導体装置の断面図である。
【符号の説明】
【００５６】
１…半導体装置、２…配線基板、２ａ…第１の面、２ｂ…第２の面、３，４…配線、５…配線、６，７…絶縁膜（ソルダーレジスト膜）、１０…接着剤、１１…半導体チップ、１１ａ…第１の面、１２…電極、１２ａ…バンプ電極、１３…ワイヤ、１４…封止体、１５…バンプ電極、２０…補強枠、２０ａ…第１の面、２０ｂ…第２の面、２０ｃ…長辺、２０ｄ…短辺、２１…ダイシングターゲット、２２…テープ、２５…配線母基板、２５ａ…第１の面、２５ｂ…第２の面、２６…製品形成部、３０…樹脂層、３５…テープ、３６…切断溝、３７…アンダーフィル樹脂。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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