(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
高温域においてオーステナイト相を呈する金属粉末を、該オーステナイト相が形成される温度域まで加熱し、この温度域にて気相反応により該金属粉末の表層部にSiを濃化させることを特徴とする圧粉磁心用金属粉末の製造方法。
【請求項２】
請求項１において、前記金属粉末が、純度99％以上の純鉄粉であることを特徴とする圧粉磁心用金属粉末の製造方法。
【請求項３】
請求項１において、前記金属粉末が、Siを１mass％以下で含有するFe−Si合金粉であることを特徴とする圧粉磁心用金属粉末の製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかにおいて、表層部にSiを濃化させた金属粉末の表面に、さらに絶縁被覆処理を施すことを特徴とする圧粉磁心用金属粉末の製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載の方法により製造した絶縁被覆処理済みの金属粉末を、加圧成形することを特徴とする圧粉磁心の製造方法。
【請求項６】
請求項４に記載の方法により製造した絶縁被覆処理済みの金属粉末を、加圧成形後、600℃以上 1000℃以下の温度域にて熱処理を施すことを特徴とする圧粉磁心の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、モータやトランスの磁心およびインダクタの素材として好適な圧粉磁心用の金属粉末および該金属粉末を用いた圧粉磁心の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
粉末冶金技術の進歩により、高寸法精度の複雑な形状の部品をニアネット形状に製造することができるようになり、粉末冶金技術を利用した製品が各種分野で利用されている。
粉末冶金技術では、金属粉末に、必要に応じて潤滑剤粉末や合金用粉末を混合した後、金型で加圧成形して成形体として、ついで焼結さらには熱処理を行って、所望の寸法形状および特性を有する焼結部品としている。また、粉末冶金技術では、金属粉末に、樹脂等の結合剤を混合したのち、金型で加圧成形して成形体とし、部品とする場合もある。
【０００３】
このような粉末冶金技術を利用して、優れた磁気特性や高強度を有する部品を製造する場合には、一定の成形圧力で加圧成形した際に高密度の成形体が得られるように、使用する金属粉末には高圧縮性を具備することが要求される。
また、優れた磁気特性を得るために、圧粉磁心の鉄損（渦電流損やヒステリシス損）を低くすることが要求される。渦電流損を低減するためには、金属粉末を絶縁被覆し、圧粉磁心の比抵抗を大きくする必要がある。また、ヒステリシス損を低減するためには、加圧成形時に圧粉体に蓄積される歪みを除去する必要がある。
【０００４】
このような要求に対し、例えば特許文献１には、粉末の表面から深さ0.2μmまでの部分の平均Si含有量が少なくとも0.5重量％である軟磁性金属の粉末を、リン酸、ホウ酸、 またはリン酸もしくはホウ酸のNa，Ｋ，Ca，Mg，Al，Si，MnもしくはZnの塩の溶液で絶縁処理したもの、あるいはシリコーン樹脂で絶縁処理したものを、圧縮成形により磁心形状に成形後、500℃以上での歪み取り焼鈍により残留歪みを除去することによって、保磁力が低く、高い電気抵抗を有する圧粉磁心を製造する方法が提案されている。
【０００５】
また、特許文献２には、絶縁皮膜で被覆された、鉄（Fe）およびケイ素（Si）を主成分とする磁性粉末を加圧成形してなる圧粉磁心において、前記磁性粉末中のSi含有量（Ｘ：質量％) と、該磁性粉末の真密度（ρ0）に対する前記圧粉磁心の嵩密度（ρ）の比である密度比（ρ／ρ0：％）とが、ρ／ρ0≧94−Ｘ（％）を満たすことを特徴とする圧粉磁心が開示されている。この技術によれば、従来、高密度化が困難と考えられていたFe−Si系磁性粉末を用いた場合でも、金型潤滑温間加圧成形法を用いることにより、従来になく高密度の圧粉磁心を得ることができ、絶縁皮膜で被覆されたFe−Si系磁性粉末の圧粉磁心により、優れた磁気特性が得られるとしている。
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−１４２３１０号
【特許文献２】特開２００３−２９７６２４号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、前掲特許文献１に記載された軟磁性金属の粉末は、粉末自体が、Fe−Si合金、Fe−Si−AlおよびFe−Si−Co合金といった硬い合金からなる粉末であり、圧縮性が悪いため、これらを用いて高密度の圧粉体を得るのは難しく、また高い磁束密度を得ることも困難と考えられる。
【０００８】
また、前掲特許文献２では、Fe−Si合金粉末であっても高い圧粉密度が得られるものの、この技術は特殊な成形技術を必要とし、非常に高い圧力で成形する必要があるだけでなく、実施例によれば得られる圧粉体の密度は真密度の95％が上限である。
【０００９】
本発明は、上記したような従来技術の問題を有利に解決するもので、粉末の表層部のみにSiを均一に濃化させることにより、飽和磁束密度の低下や圧縮性の劣化を招くことなしに、絶縁材料と粒子間の結合力を高めた、電気絶縁性に優れた圧粉磁心用金属粉末の有利な製造方法を提案することを目的とする。
また、本発明は、上記の圧粉磁心用金属粉末を素材とすることにより、圧粉密度が真密度の95％以上という高い密度を得ることができる圧粉磁心の製造方法を提案することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前述したとおり、金属粉末の表層部に適量のSiが存在すると絶縁処理効果が高まり、その結果、高い電気抵抗を有する圧粉磁心が得られるが、特許文献１のように粉末全体がFe−Si合金であると、高い圧粉密度および高い磁束密度を得ることは難しい。
しかしながら、粉体の表層部のみにSiを濃化させることができれば、上記の絶縁処理効果を確保した上で、高い圧粉密度および高い磁束密度が得られると考えられる。
そこで、発明者らは、金属粉末の表層部のみにSi濃化層を形成する方法について検討を重ねた。
【００１１】
ところで、従来から、気相反応法により低Si含有の鋼板に浸珪処理を施して、高珪素鋼板を製造する方法が知られている。この方法は、たとえば圧延が容易なSi含有量が４mass％未満の鋼板をSiCl4と1000〜1200℃程度の温度で反応させることにより、SiCl4＋５Fe→Fe3Si＋２FeCl2の反応により、鋼板表面にFe3Siを形成し、さらに板厚方向にSiを拡散させることにより、磁気特性および磁歪特性に優れた高Si濃度の鋼板を得る方法である。
【００１２】
そこで、発明者らは、この方法を、本発明で対象とする圧粉磁心用の金属粉末に対して適用したところ、金属粉末では短時間のうちに粉末の内部までSiが拡散し、粉末の表層部のみに安定してSiを濃化させることは極めて難しいことが判明した。
この理由は、粉末は、鋼板に比べて比表面積が大きく反応性が高いため、容易に中心部までSiが浸透するためであることが判明した。粉末全体にわたってSi濃度が高まると、高Si濃度の鋼板の圧延が困難であることと同様に、粒子が硬くなり、後工程である成形工程において圧縮性が低下して成形体密度が低下し、その結果、高い飽和磁束密度が得られなくなる。
【００１３】
そこで、発明者らは、さらに研究を進めた結果、上記の浸珪処理でSiが短時間のうちに粉末の内部まで浸透する理由は、鋼組織がフェライト相であることに起因すると考えられた。すなわち、フェライト相ではSiの拡散速度が極めて速い。この点、鋼組織がオーステナイト相の場合は、フェライト相に比べて拡散速度は格段に遅い。
【００１４】
そこで、次に、発明者らは、高温域においてオーステナイト相を呈する組成の材料、すなわち純鉄や低Si含有鋼の粉末について、オーステナイト相が形成される温度域において、気相反応法によりSiの蒸着を試みたところ、鋼中におけるSiの拡散速度が格段に抑制されて、粉末の表層部のみに効果的にSi濃化層を形成できることの知見を得た。
本発明は、上記の知見に立脚するものである。
【００１５】
すなわち、本発明の要旨構成は次のとおりである。
（１）高温域においてオーステナイト相を呈する金属粉末を、該オーステナイト相が形成される温度域まで加熱し、この温度域にて気相反応により該金属粉末の表層部にSiを濃化させることを特徴とする圧粉磁心用金属粉末の製造方法。
【００１６】
（２）上記（１）において、前記金属粉末が、純度99％以上の純鉄粉であることを特徴とする圧粉磁心用金属粉末の製造方法。
【００１７】
（３）上記（１）において、前記金属粉末が、Siを１mass％以下で含有するFe−Si合金粉であることを特徴とする圧粉磁心用金属粉末の製造方法。
【００１８】
（４）上記（１）〜（３）のいずれかにおいて、表層部にSiを濃化させた金属粉末の表面に、さらに絶縁被覆処理を施すことを特徴とする圧粉磁心用金属粉末の製造方法。
【００１９】
（５）上記（４）に記載の方法により製造した絶縁被覆処理済みの金属粉末を、加圧成形することを特徴とする圧粉磁心の製造方法。
【００２０】
（６）上記（４）に記載の方法により製造した絶縁被覆処理済みの金属粉末を、加圧成形後、600℃以上 1000℃以下の温度域にて熱処理を施すことを特徴とする圧粉磁心の製造方法。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、絶縁処理性に優れ、かつ飽和磁束密度の高い圧粉磁心用金属粉末を得ることができる。
また、上記の圧粉磁心用金属粉末を素材として加圧成形することにより、電気抵抗が高く、かつ成形密度が高い圧粉磁心を得ることができる。
従って、上記の圧粉磁心を利用することにより、優れた磁気特性を有するモータおよびトランス、さらにはインダクタ素子等を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明を具体的に説明する。
本発明で対象とする軟磁性金属材料は、高温域においてオーステナイト相を呈する材料であり、代表的なものとしては、純鉄および低Si濃度のFe−Si合金が挙げられる。ここに、純鉄とはFe濃度が99mass％以上のものを指し、高純度で軟質あるが故に、高い飽和磁束密度と優れた圧縮性を得ることができる。また、低Si濃度のFe−Si合金とはSi濃度が１mass％以下のものを指し、少量とはいえSiを含有するが故に、比抵抗の増大ひいては渦電流損の低減を図ることができる。また、Si含有量が１mass％以下と少ないので、圧縮性や飽和磁束密度に及ぼす悪影響はほとんどない。
【００２３】
本発明は、これらの純鉄あるいはFe−Si合金の粉末を、所定の温度域に加熱したのち、気相反応により粉末の表層部にSiを濃化させ、ついで粒子表面に絶縁被覆処理を施してから、加圧成形により所望の磁心形状に加工し、さらに歪み取りのための熱処理を行うという一連のプロセスからなる。
【００２４】
本発明で使用する純鉄粉としては、アトマイズ鉄粉、還元鉄粉、電解鉄粉などが使用でき、特に限定されることはないが、なかでも溶湯を水アトマイズして得られる水アトマイズ鉄粉が高密度化の観点から好ましい。
以下、水アトマイズ法を適用する場合を例に、好ましい製造方法を説明するが、これに限定されないことは言うまでもない。
通常の純鉄組成の溶湯を、水アトマイズ法で噴霧、急冷・凝固させるとともに高圧水で解砕して、水アトマイズ製鉄粉（生粉）とする。ついで、この生粉に、脱水・乾燥処理、さらに還元処理を施して、粒子表面の酸化皮膜を除去した製品（純鉄粉）とする。
また、Fe−Si合金粉についても、同様に、アトマイズ法や粉砕法を利用して製造することができる。
【００２５】
かかる純鉄粉およびFe−Si合金粉（以下、単に金属粉末という）の粒径は、高密度化の観点から、500μm以下とすることがが好ましいが、特に限定されるものではない。また、粒径の下限は１μm 程度とすることが好ましい。というのは、微細な粉末は反応性が高いため、次に述べる気相反応工程に供した場合に、気相反応が開始する前に焼結が始まり粒子同士が固着するおそれがあるからである。
【００２６】
次に、気相反応によって金属粉末の表層部にSiを濃化させる方法について説明する。
前述したとおり、気相反応法により低Si含有の鋼板に浸珪処理を施して、高珪素鋼板を製造する方法が知られている。この方法は、例えば、圧延が容易なSi含有量：４mass％未満の鋼板をSiCl4と1000〜1200℃程度の温度で反応させることにより、鋼板表面にSiCl4＋５Fe→Fe3Si＋２FeCl2の反応により、鋼板表面にFe3Siを形成し、さらに板厚方向にSiを拡散させることにより、磁気特性および磁歪特性に優れた高Si濃度の鋼板を得る方法である。
【００２７】
しかしながら、この浸珪法を、本発明で対象とする圧粉磁心用の金属粉末に対して適用した場合、粉末は鋼板に比べて比表面積が大きく反応性が高いため、短時間のうちに粉末の内部までSiが浸透・拡散し、粉末の表層部のみに安定してSiを濃化させることができなかった。粉末内部全体にわたってSi濃度が高まると、高Si濃度の鋼板の圧延が困難であることと同様に、粒子が硬くなり、後工程である成形工程において圧縮性が低下して成形体密度が低下し、その結果、高い飽和磁束密度が得られなくなる。
【００２８】
そこで、発明者らは、この点を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、気相反応によってSiを粉末表面に蒸着させる場合に、反応温度さらには反応時間を的確に制御することにより、Siの粉末内部への浸透・拡散を効果的に抑制して、粉末の表層部のみに安定してSiを濃化できることを究明したのである。
【００２９】
Fe−Si２元系状態図では、鋼温域においてオーステナイト相が存在する。純Feでは910〜1400℃の範囲であるが、Si濃度の増加に伴いこの温度範囲は次第に狭くなり、１％Si−Feではおおよそ1000〜1350℃となり、２％Si−Feでは、ほぼ全温度範囲でオーステナイト相とフェライト相の共存相となる。
フェライト相ではSiの拡散速度がオーステナイト相に比べて格段に速い。このため、気相反応処理を施す鋼板のSi濃度が３〜４mass％であれば、フェライト相になっているため、厚み方向にSiを十分浸透させることが可能である。一方、本発明が対象としている粉末の場合は、同様の粉末組成に対して、気相反応処理を同条件で施すと、鋼板に比べて比表面積が大きく反応性が高いため、Siが浸透し易く、かつ拡散により速やかに粉末中心部までSi濃度が高くなってしまう。
【００３０】
一方、オーステナイト相は、フェライト相に比べるとSiの拡散速度は格段に遅い。
そこで、発明者らは、このSiの拡散速度が遅いオーステナイト相となる温度域で気相反応を行えば、粉体内部までのSiの浸透・拡散が効果的に抑制されて表層部のみにSi濃化層を形成できるのではないかと考え、実験を行った結果、所期した目的の達成に関し、望外の成果が得られ、本発明を完成させるに至ったのである。
【００３１】
以下、SiCl4ガスおよび純鉄粉を用いる場合を例に、好ましいSi濃化方法について説明するが、これに限定されないことは言うまでな無い。
石英製の容器内に、粒径が10〜200μmの鉄粉を、厚さ：５mm以下より好ましくは３mm以下に載積し、非酸化性雰囲気中にて910℃以上、1400℃以下、より好ましくは910℃以上、1200℃以下に加熱する。次に、SiCl4ガスを0.01〜10NL/min/kg導入する。
かくすることにより、鉄粉の表層部のみに安定してSiを濃化させることができた。
【００３２】
なお、鉄粉の載積厚みが５mmを超えると、SiCl4ガスが粉末全体にいきわたらず、全ての粉末表面に均一にSiが蒸着されない。従って、大量に処理を行う場合には、粉末を撹拌しながら処理する方法等により、不均一な気相反応を抑制することが好ましい。粉末を撹拌する方法としては、粉末を入れた容器自体を回転させる方法、撹拌羽根を用いて撹拌する方法、容器内に非酸化性ガスとSiCl4ガスの混合ガスを導入して粉末を流動させる方法等が挙げられる。
なお、SiCl4ガスの流量は、効果ならびに経済性の観点から、0.01 〜10NL/min/kg程度とすることが好ましい。
【００３３】
気相処理温度は、オーステナイト相が形成される温度域とすることが重要である。というのは、オーステナイト相は、フェライト相に比べるとSiの拡散速度は格段に遅いため、このオーステナイト相となる温度域で気相反応を行えば、粉体内部までのSiの浸透・拡散が効果的に抑制されて表層部のみにSi濃化層を形成できるからである。
ここに、金属粉末が純鉄粉の場合のオーステナイト相温度域は910〜1400℃である。より好ましい処理温度は910〜1200℃の範囲である。
また、金属粉末がFe−Si合金粉の場合、Si量が0.5mass％のときのオーステナイト相温度域はおよそ950〜1370℃、Si量が１mass％のときのオーステナイト相温度域はおよそ1000〜1350℃である。
【００３４】
また、反応時間すなわちSiCl4ガスと接触させる時間は、加熱処理温度に合わせ、適宜調整すればよいが、効果ならびに経済性の観点からは１分ないし60分程度とするのが好ましい。
【００３５】
なお、気相反応後は、反応によって生じる塩化鉄が付着し易いため、数分から１時間程度不活性ガスを流して反応温度と同じかあるいはそれ以上の温度で保持することが望ましい。また、反応を行う系を減圧にすることも有利である。
また、これらの気相反応後、酸素を微量含むガスを系内に導入することにより、粉末粒子の表面を酸化してSiO2を形成することができる。これは、特に５μm以下の粒径の粉末 が大気に曝された瞬間に急激に酸化されて発熱し、さらに酸化が進行することを防ぐ効果がある。さらに、絶縁被覆処理において、粒子と絶縁被膜材料との密着性を高める点でも効果がある。
【００３６】
本発明において、金属粉末の表層部に形成するSi濃化層の厚みは、0.01〜10μm 程度とすることが好ましい。というのは、Si濃化層の厚みが0.01μmに満たないと、本発明で意図する絶縁処理効果の向上が望めず、一方10μmを超えるとSi濃化層が粉末内部まで浸透しすぎる結果、圧縮性の低下および飽和磁束密度の低下を招くからである。
また、本発明では、上記したSi濃化層の厚み範囲内において、該Si濃化層の厚みを粉末粒径（半径）の１/２以下とすることが重要である。というのは、Si濃化層の厚みが粉末粒径の１/２超では、Si濃化層が粉末内部まで浸透しすぎ、やはり飽和磁束密度の低下および圧縮性の低下を招くからである。より好ましいSi濃化層の厚みは粉末粒径の１/５以下である。
【００３７】
さらに、本発明では、上記したSi濃化層における平均Si濃度は0.5〜32mass％程度とするのが好ましい。というのは、このSi濃度が0.5mass％に満たないと、本発明で所期したほど良好な絶縁処理効果が得られず、一方32mass％を超えるとSi濃化層が剥がれ易くなり、絶縁効果が低下するためである。
【００３８】
次に、Siを表層部に濃化させた粉末の絶縁被覆処理について説明する。
本発明の金属粉末を、圧粉磁心のような磁性部品に適用する際には、粉末粒子に絶縁被覆処理を施し、粒子表面を層状に覆う被膜構造の絶縁層を形成して圧粉体の電気抵抗を高め、渦電流損失を低減することにより、磁気特性を高める必要がある。
ここに、絶縁被覆用の材料としては、金属粉末を加圧成形し所望の形状に成形した後でも要求される絶縁性を保持できるものであればよく、とくに限定されない。かような材料としては、Al，Si，Mg，Ca，Mn，Zn，Ni，Fe，Ti，Ｖ，Bi，Ｂ，Mo，Ｗ，Na，Ｋ等の酸化物等が挙げられる。また、スピネル型フェライトのような磁性酸化物、水ガラスに代表される非晶質材を使用することもできる。さらに、リン酸塩化成処理被膜やクロム酸塩化成処理被膜なども用いることができる。リン酸塩化成処理被膜にはホウ酸やMgを含むこともできる。その他、絶縁材料として、リン酸アルミニウム、リン酸亜鉛、リン酸カルシウムおよびリン酸鉄等のリン酸化合物を用いることもできる。また、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂等の有機樹脂を用いてもよい。
さらに、特開2003−303711号公報に記載された絶縁被覆用材料、例えばシリコーン樹脂と、金属酸化物、金属窒化物、金属炭化物、鉱物およびガラス等の顔料との混合物などをを用いても何ら問題はない。
【００３９】
なお、絶縁材料の金属粒子表面への付着力を高める目的、あるいは絶縁層の均一性を高める目的で、界面活性剤やシランカップリング剤を添加してもよい。この場合、界面活性剤やシランカップリング剤の添加量は、絶縁層全量に対し0.001〜１mass％程度とすることが好ましい。
【００４０】
絶縁被覆処理により形成される絶縁層の厚さは、粉末の粒径にもよるが、10〜10000nm 程度とすることが好ましい。10nm未満では、絶縁効果が十分でなく、一方10000nmを超えると圧粉体の密度が低下し、高い磁束密度が得られなくなる。
【００４１】
金属粉末の表面に絶縁層を形成する方法については、特に制限はなく、従来から公知の被膜形成方法（コーティング方法）いずれもが有利に適合する。代表的なコーティング方法としては、流動層法、浸漬法、噴霧法などが挙げられる。なお、いずれの方法においても、被覆工程の後あるいは被覆工程と同時に、絶縁材料を溶解または分散させる溶媒を乾燥する工程が必要となる。また、絶縁層が加圧成形時に剥離することを防止するために、絶縁層と粉末粒子表面との間に反応層を形成してもよい。反応層の形成は、化成処理を施すことによるのが好ましい。
【００４２】
次に、加圧成形方法について説明する。
上記したような絶縁被覆処理を施し、粒子表面に絶縁層を形成した金属粉末（絶縁被覆粉）を、加圧成形して圧粉磁心とする。なお、この加圧成形に先立ち、粉末には必要に応じて金属石鹸やアミド系ワックス等の潤滑剤を配合することもできる。潤滑剤の配合量は、粉末：100質量部に対し0.5質量部以下程度とすることが好ましい。潤滑剤の配合量が多くなると圧粉磁心の密度が低下するためである。
【００４３】
加圧成形法としては、従来公知の方法がいずれも適用できる。例えば、一軸プレスを用いて常温で加圧成形する金型成形工法、温間で加圧成形する温間成形工法、金型を潤滑して加圧成形する金型潤滑工法、それを温間で行う温間金型潤滑工法、さらには高圧で成形する高圧成形工法、静水圧プレス法などである。
【００４４】
次に、歪み取りのための熱処理について説明する。
圧粉体は、成形時に歪みが加わっているため、ヒステリシス損失が大きくなっている。従って、この歪みを取り除いて本来の磁気特性を発現させために、歪み取り熱処理が必要である。この処理温度は、600℃以上 1000℃以下程度とすることが好ましい。この処理温度が高すぎると、歪み取り効果は増加するものの絶縁被覆が結晶化や分解するために絶縁効果を失い、電気抵抗が著しく低下する。また、熱処理時間も長い方が歪み取りには好ましいが、長すぎると同様に電気抵抗が著しく低下する。従って、熱処理時間は効果ならびに経済性の観点から５〜300分、より好ましくは10〜120分程度とするのが好適である。
【実施例１】
【００４５】
金属粉末として、JFEスチール(株)製の純鉄粉 「JIP-304AS」（Fe濃度：99.8mass％、平均粒径：90μm）と、これにSiを0.1〜３mass％の範囲で含有させた各種Fe−Si合金粉（いずれも平均粒径は90μm ）を用いた。なお、粉末の粒子径は、レーザー散乱回折式粒度分布測定装置により測定し、平均値を求めた。
これらの粉末を、石英容器内に載積厚み：３〜10mmで充填し、アルゴンガス中にて880〜1420℃で５分間加熱後、塩化珪素ガスを１Nl/min/kgの流量で１〜30分間流しながら所定の温度に保持し、さらにアルゴンガスに置換後３〜60分間加熱処理する、気相反応処理を施した。
表１に、金属粉末の加熱温度、SiCl4ガス中での加熱時間およびArガス中での加熱時間を示す。また、表１には、気相反応処理後の金属粉末のSi濃化層厚みおよび該濃化層中の平均Si濃度について調べた結果も示す。
【００４６】
ついで、得られた粉末粒子の表面に、以下の方法によりシリコーン樹脂を被覆した。シリコーン樹脂として、東レダウコーニング社の「SR2400」を用いた。樹脂分で５mass％となるようにキシレンで調整した被覆液を、転動流動層型被覆装置にて装置容器内で流動化させたSi濃化粉末に、スプレーを用いて表１に示す樹脂固形分となるように噴霧した。噴霧終了後、20分間流動状態を維持して乾燥した。ついで、大気中にて250℃，60分間の加熱処理を行い、シリコーン樹脂を加熱硬化させて被覆粉末とした。
【００４７】
ついで、得られた被覆粉末を、加圧成形して測定用のリング状の圧粉磁心（外径：38mm、内径：25mm、高さ：6.2mm）を作製した。なお、成形前に金型内にステアリン酸亜鉛の５mass％アルコール懸濁液を塗布して金型潤滑を行い、成形圧力：980MPaで成形した。
その後、得られた圧粉体に、窒素雰囲気中にて800℃，60分間の熱処理を施した。
かくして得られた圧粉磁心の圧粉密度、磁束密度および電気抵抗について調べた結果を表１に併記する。
なお、表１には、比較のため、本発明に従うSiの濃化処理を施さなかった２％Si−Fe合金粉（比較例３）および３％Si−Fe合金粉（比較例４）についても、同様の調査を行った結果を示す。
【００４８】
なお、圧粉密度は、圧粉磁心の寸法と重量を測定し、計算により求めた。
また、磁束密度は、圧粉磁心に１次側：100ターン、２次側：20ターンを巻き、直流磁化特性測定装置を用いて10kA/mの磁化での磁束密度（Ｂ10k）を測定した。
さらに、電気抵抗は四端子法により通電電流１Ａで測定した。
【００４９】
【表１】
0004539585.tif 000002
【００５０】
表１に示したとおり、本発明の条件で気相反応処理を行った金属粉末はいずれも、表層部に適正厚みでかつ適正濃度のSi濃化層が形成されていた。また、かかる金属粉末を用いて製造した圧粉磁心はいずれも、真密度の95％以上という優れた圧粉密度を得ることができ、また磁束密度および電気抵抗にも優れていた。
これに対し、比較例１，２は、気相反応処理温度が本発明の適正温度域を外れた場合であり、高い比抵抗は得られたものの、圧粉密度、磁束密度は低かった。これは、フェライト相が生成する温度域で加熱処理を行っているため、鉄粉の内部まで深くSiの浸透が進み、鉄粉が硬化したためと考えられる。
比較例３，４は、Siを表面濃化した鉄粉の代わりに、単にFe−Si合金粉を用いた場合であるが、粉末自体の硬度が高いため、圧粉密度が上がらず、比抵抗は高いものの、高い磁束密度を得ることはできなかった。
【産業上の利用可能性】
【００５１】
本発明によれば、気相反応により粉末粒子表面にSiを蒸着させるに際し、粉体表面にオーステナイト相が形成される条件下で行うことによって、Siの拡散を遅らせ、表層部のみに適量のSiを濃化させた金属粉末を得ることができる。さらに、この粉末に絶縁被覆処理を施した後、加圧成形し、600℃以上 1000℃以下で熱処理をすることにより、高い圧粉密度と高い磁束密度および比抵抗を有する圧粉磁心を得ることができる。その結果、優れた磁気特性を有するモータ、トランスおよびインダクタ用の圧粉磁心を、低コストで得ることが可能となる。