(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に第１金属元素を含む第１膜を乾式成膜法で被覆する第１膜被覆工程と、
前記第１膜にフォトレジスト膜を被覆するフォトレジスト膜被覆工程と、
前記フォトレジスト膜に露光部、前記露光部に接し略平行な帯状の平面形状を有する一対の非露光部、並びに、前記非露光部の内側領域及び前記非露光部の外側領域の一部である半露光部を形成するハーフトーン露光工程と、
前記露光部と、前記半露光部のうち露光されている上層部とを除去する現像工程と、
前記露光部の除去によって露出した前記第１膜をエッチングし、電極部及び配線部を形成する電極部及び配線部形成工程と、
前記上層部が除かれた前記半露光部を除去し前記電極部及び前記配線部を露出するとともに、一対の前記非露光部によって一対のバンクを形成するバンク形成工程と、
一対の前記バンクに挟まれた前記配線部と一対の前記バンクとで形成された凹部に、第２金属元素を含む処理液を液滴吐出法で塗布する処理液塗布工程と、
塗布された前記処理液を固化することによって、前記配線部上に前記第２金属元素を含む第２膜を形成し、前記配線部を厚膜化する第２膜形成工程とを有することを特徴とする基板の製造方法。
【請求項２】
アクティブマトリクス基板を備えた液晶表示装置の製造方法であって、
前記アクティブマトリクス基板に第１金属元素を含む第１膜を乾式成膜法で被覆する第１膜被覆工程と、
前記第１膜にフォトレジスト膜を被覆するフォトレジスト膜被覆工程と、
ハーフトーン露光によって、前記フォトレジスト膜に露光部、前記露光部に接し略平行な帯状の平面形状を有する一対の非露光部、並びに、前記非露光部の内側領域及び前記非露光部の外側領域の一部である半露光部を形成するハーフトーン露光工程と、
前記露光部と、前記半露光部のうち露光されている上層部とを除去する現像工程と、
前記露光部の除去によって露出した前記第１膜をエッチングし、電極部及び配線部を形成する電極部及び配線部形成工程と、
前記上層部が除かれた前記半露光部を除去し、前記電極部及び前記配線部を露出するとともに、一対の前記非露光部によって一対のバンクを形成するバンク形成工程と、
一対の前記バンクに挟まれた前記配線部と一対の前記バンクとで形成された凹部に、第２金属元素を含む処理液を液滴吐出法で塗布する処理液塗布工程と、
塗布された前記処理液を固化することによって、前記配線部上に前記第２金属元素を含む第２膜を形成し、前記配線部を厚膜化する第２膜形成工程とを有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載の液晶表示装置の製造方法において、
前記アクティブマトリクス基板が無機基板で形成され、
前記第１金属元素がＡｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａから選ばれる金属元素であり、
前記第２金属元素がＡｌ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇから選ばれる金属元素であることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の液晶表示装置の製造方法において、
前記バンク形成工程と前記処理液塗布工程との間に、一対の前記バンクに撥液膜を形成する撥液膜形成工程を有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の製造方法、アクティブマトリクス基板を有する液晶表示装置、アクティブマトリクス基板を有する液晶表示装置の製造方法、及び表示部に液晶表示装置を備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、基板の一例としてアクティブマトリクス基板を有する液晶表示装置が開示されている（例えば、特許文献１参照）。このアクティブマトリクス基板に備えられたスイッチング素子部の電極であるゲート電極（以下、ゲート電極部と呼ぶ。）、ドレイン電極（以下、ドレイン電極部と呼ぶ。）やソース電極部は、乾式成膜法であるスパッタ装置を用いて形成されている。また、アクティブマトリクス基板に備えられた配線である走査線（以下、ゲート配線部と呼ぶ。）や信号線（以下、ソース配線部と呼ぶ。）も乾式成膜法であるスパッタ装置を用いて形成されている。ゲート電極部及びゲート配線部は同時に形成されている。また、ソース電極部、ドレイン電極部及びソース配線部は同時に形成されている。
【０００３】
【特許文献１】ＷＯ９７／１３１７７（２３頁、２４頁、図１７、図１９）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、近年の液晶表示装置の大画面化に伴い、液晶表示装置に形成されるアクティブマトリクス基板などの基板が大型化している。この大型化に伴い、アクティブマトリクス基板に形成されるゲート配線部及びソース配線部の長さは、従来（大画面化以前）における長さより長くなる。ゲート配線部及びソース配線部の長さが長くなることから、ゲート配線部及びソース配線部の電気抵抗値は、従来における電気抵抗値より大きくなる。ゲート配線部及びソース配線部の電気抵抗値が大きくなることから、液晶表示装置の消費電力が大きくなる。そこで、ゲート配線部及びソース配線部の厚みを所望の厚みまで厚くし、ゲート配線部及びソース配線部の断面面積を大きくすることにより、ゲート配線部及びソース配線部の電気抵抗値を小さくし、液晶表示装置の消費電力の低減化を図ることが検討された。しかし、ゲート配線部及びソース配線部の厚みを所望の厚みまで厚くすることで、ゲート配線部及びソース配線部と同時に形成されるスイッチング素子部のゲート電極部、ドレイン電極部及びソース電極部の電極厚みも厚くなる。この電極厚みを厚くした場合、スイッチング素子部の厚みが所望の厚み以上に厚くなる。スイッチング素子部の厚みが所望の厚み以上に厚くなると、スイッチング素子部の断面形状の凸化が顕著になり、スイッチング素子部内で、電界の部分的集中が生じやすくなる。このことから、スイッチング素子部の半導体部において電気抵抗値の低下が生じやすくなる。そして、半導体部の電気抵抗値の低下により、リーク電流の発生というスイッチング素子部の性能劣化が生じる。したがって、ゲート配線部及びソース配線部の配線厚みはスイッチング素子部の性能劣化が生じない範囲内でしか厚くすることができない。よって、配線部の電気抵抗値を十分に小さくすることができないため、液晶表示装置の消費電力が大きいという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、上記の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００６】
［適用例１］本適用例にかかる基板の製造方法は、基板に第１金属元素を含む第１膜を乾式成膜法で被覆する第１膜被覆工程と、前記第１膜にフォトレジスト膜を被覆するフォトレジスト膜被覆工程と、前記フォトレジスト膜に露光部、前記露光部に接し略平行な帯状の平面形状を有する一対の非露光部、及び、前記非露光部の内側領域及び前記非露光部の外側領域の一部である半露光部を形成するハーフトーン露光工程と、前記露光部と、前記半露光部のうち露光されている上層部とを除去する現像工程と、前記露光部の除去によって露出した前記第１膜をエッチングし、電極部及び配線部を形成する電極部及び配線部形成工程と、前記上層部が除かれた前記半露光部を除去し前記電極部及び前記配線部を露出するとともに、一対の前記非露光部によって一対のバンクを形成するバンク形成工程と、一対の前記バンクに挟まれた前記配線部と一対の前記バンクとで形成された凹部に、第２金属元素を含む処理液を液滴吐出法で塗布する処理液塗布工程と、塗布された前記処理液を固化することによって、前記配線部上に前記第２金属元素を含む第２膜を形成し、前記配線部を厚膜化する第２膜形成工程とを有することを特徴とする。
【０００７】
このような構成によれば、基板上に第１膜で電極部及び配線部を形成し、配線部上に配線部を厚膜化する第２膜を形成する。このことより、厚膜化された配線部の断面面積が大きくなり、配線部の電気抵抗値は小さくなる。配線部の電気抵抗値が小さくなることによって、配線部の消費電力が小さくなる。よって、低消費電力化された基板の製造方法が実現可能になる。
【０００８】
また、液滴吐出法で塗布した処理液を固化することによって、配線部上に配線部を厚膜化する第２膜を形成する。液滴吐出法では、必要な箇所のみに比較的短時間で厚膜を形成することができる。このことから、配線部上のみに電気抵抗値が小さい状態となる厚膜の第２膜を容易に形成することができる。よって低消費電力化を低コストで達成する基板の製造方法が実現可能である。
【０００９】
また、１つの工程で形成されたフォトレジスト膜の一対の非露光部と半露光部とが、電極部及び配線部を形成するための第１膜エッチング時の耐食膜となる。そして、一対の非露光部が、第２膜を形成する処理液を保持するための一対のバンクとなる。このことにより、耐食膜と一対のバンクとの形成のため、２つの工程に分けてフォトレジスト膜を形成する必要がなくなる。このことから、基板に、電極部及び配線部を簡易的（省工程）、低材料コストで製造する基板の製造方法が実現可能である。
【００１０】
［適用例２］本適用例にかかる液晶表示装置は、アクティブマトリクス基板と、前記アクティブマトリクス基板上に形成されたスイッチング素子部及び配線部と、前記スイッチング素子部に形成された電極部とを備え、前記配線部の配線厚みが、前記電極部の電極厚みに比べ厚く形成されていることを特徴とする。
【００１１】
このような構成によれば、スイッチング素子部に形成された電極部の電極厚みに比べ、配線部の配線厚みが厚い。配線厚みが厚いことにより、配線部の断面面積が大きくなる。このことから、配線部の電気抵抗値を小さくすることが可能である。よって、アクティブマトリクス基板を有する液晶表示装置の低消費電力化が可能である。
【００１２】
［適用例３］上記適用例にかかる液晶表示装置において、前記アクティブマトリクス基板が無機基板で形成され、前記電極部及び前記配線部が、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａから選ばれる第１金属元素を含む第１膜で形成され、前記配線部上に、前記配線部を厚膜化するＡｌ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇから選ばれる第２金属元素を含む第２膜で形成されていることが好ましい。
【００１３】
このような構成によれば、電極部及び配線部が、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａから選ばれる第１金属元素を含む第１膜で形成されている。電極部及び配線部は、無機基板を下地として形成されている。上述の第１膜に含まれる第１金属元素は、無機基板を構成する金属元素または半金属元素と酸素または窒素とを介して強固に結びつく特性を有する。このことから、第１膜と無機基板との密着性を十分とすることが可能である。よって、アクティブマトリクス基板を有する液晶表示装置として耐久性を向上することが可能である。
【００１４】
また、電極部及び配線部は、スイッチング素子部の半導体部や絶縁部を下地として形成されている。半導体部はアモルファスシリコンやドープされたアモルファスシリコンなどで形成されている。絶縁部は窒化シリコンや酸化シリコンなどで形成されている。上述の第１膜に含まれる第１金属元素は、アモルファスシリコン、ドープされたアモルファスシリコン、窒化シリコン、または酸化シリコンなどを構成するシリコンと酸素または窒素とを介して強固に結びつく特性を有する。このことから、第１膜と第１膜が形成される下地との密着性を十分とすることが可能である。よって、アクティブマトリクス基板を有する液晶表示装置として耐久性をより向上することが可能である。
【００１５】
また、第１金属元素を含む第１膜で形成された配線部上に、第２金属元素を含む第２膜が形成されている。このことにより、第１膜と第２膜との界面で第１金属元素と第２金属元素とが、直接的に接触し金属間結合が生じやすくなる。このことから、第１膜と第２膜との密着性及び導通性を十分なものとすることが可能である。また、第２膜のＡｌ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇから選ばれる第２金属元素は、金属元素の中では比較的電気抵抗値が小さいという特性を有する。このことから、第２膜で厚膜化された配線部の電気抵抗値を比較的容易に小さくすることが可能である。よって、アクティブマトリクス基板を有する液晶表示装置としてより低消費電力化が可能である。
【００１６】
［適用例４］上記適用例にかかる液晶表示装置において、前記第１膜が乾式成膜法で形成され、前記第２膜が液滴吐出法で形成されていることが好ましい。
【００１７】
このような構成によれば、乾式成膜法では成膜時に、第１膜を構成すべき第１金属元素を含む粒子に高いエネルギーを与えられることから、第１膜と上述の下地との密着性をより十分とすることが可能である。よって、アクティブマトリクス基板を有する液晶表示装置として耐久性をさらに向上することが可能である。
【００１８】
また、液滴吐出法では必要な箇所のみに比較的短時間で厚膜を形成することができる。このことから、配線部上のみに電気抵抗値が小さい状態となる厚膜の第２膜を容易に形成することが可能である。よって、アクティブマトリクス基板を有する液晶表示装置として低消費電力化を低コストで実現することが可能である。
【００１９】
［適用例５］本適用例にかかる液晶表示装置の製造方法は、アクティブマトリクス基板を備えた液晶表示装置の製造方法であって、前記アクティブマトリクス基板に第１金属元素を含む第１膜を乾式成膜法で被覆する第１膜被覆工程と、前記第１膜にフォトレジスト膜を被覆するフォトレジスト膜被覆工程と、ハーフトーン露光によって、前記フォトレジスト膜に露光部、前記露光部に接し略平行な帯状の平面形状を有する一対の非露光部、及び、前記非露光部の内側領域及び前記非露光部の外側領域の一部である半露光部を形成するハーフトーン露光工程と、前記露光部と、前記半露光部のうち露光されている上層部とを除去する現像工程と、前記露光部の除去によって露出した前記第１膜をエッチングし、電極部及び配線部を形成する電極部及び配線部形成工程と、前記上層部が除かれた前記半露光部を除去し、前記電極部及び前記配線部を露出するとともに、一対の前記非露光部によって一対のバンクを形成するバンク形成工程と、一対の前記バンクに挟まれた前記配線部と一対の前記バンクとで形成された凹部に、第２金属元素を含む処理液を液滴吐出法で塗布する処理液塗布工程と、塗布された前記処理液を固化することによって、前記配線部上に前記第２金属元素を含む第２膜を形成し、前記配線部を厚膜化する第２膜形成工程とを有することを特徴とする。
【００２０】
このような構成によれば、アクティブマトリクス基板に第１膜で電極部及び配線部を形成し、配線部上に配線部を厚膜化する第２膜を形成する。このことより、厚膜化された配線部の断面面積が大きくなり、配線部の電気抵抗値は小さくなる。配線部の電気抵抗値が小さくなることによって、配線部の消費電力が小さくなる。よって、低消費電力化された液晶表示装置の製造方法が実現可能になる。
【００２１】
また、液滴吐出法で塗布した処理液を固化することによって、配線部上に配線部を厚膜化する第２膜を形成する。液滴吐出法では、必要な箇所のみに比較的短時間で厚膜を形成することができる。このことから、配線部上のみに電気抵抗値が小さい状態となる厚膜の第２膜を容易に形成することができる。よって低消費電力化を低コストで達成する液晶表示装置の製造方法が実現可能である。
【００２２】
また、１つの工程で形成されたフォトレジスト膜の非露光部と半露光部とが、電極部及び配線部を形成するための第１膜エッチング時の耐食膜となる。そして、一対の非露光部が、第２膜を形成する処理液を保持するための一対のバンクとなる。このことにより、耐食膜と一対のバンクとの形成のため、２つの工程に分けてフォトレジスト膜を形成する必要がなくなる。このことから、アクティブマトリクス基板に電極部と配線部とを、簡易的（省工程）、低材料コストで製造する液晶表示装置の製造方法が実現可能である。
【００２３】
［適用例６］上記適用例にかかる液晶表示装置の製造方法において、前記アクティブマトリクス基板が無機基板で形成され、前記第１金属元素がＡｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａから選ばれる金属元素であり、前記第２金属元素がＡｌ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇから選ばれる金属元素であることが好ましい。
【００２４】
このような構成によれば、無機基板にＡｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａから選ばれる第１金属元素を含む第１膜を形成する。第１膜に含まれる第１金属元素は、無機基板を構成する金属元素または半金属元素と酸素または窒素を介して強固に結びつく特性を有する。このことから、無機基板に密着性良く第１膜を形成することが可能である。よって、耐久性を向上させた液晶表示装置の製造方法が実現可能である。
【００２５】
また、上述の第１膜上にＡｌ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇから選ばれる第２金属元素を含む第２膜を形成する。このことにより、第１膜と第２膜との界面で第１金属元素と第２金属元素とが、直接的に接触し、金属間結合が生じやすくなる。このことから、密着性及び導通性良く第１膜上に第２膜を形成することが可能である。また、第２膜のＡｌ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇから選ばれる第２金属元素は、金属元素の中では比較的電気抵抗値が小さいという特性を有する。このことから、比較的容易に電気抵抗値が小さい第２膜を形成することが可能である。よって、より低消費電力化された液晶表示装置の製造方法が実現可能である。
【００２６】
［適用例７］上記適用例にかかる液晶表示装置の製造方法において、前記バンク形成工程と前記処理液塗布工程との間に、一対の前記バンクに撥液膜を形成する撥液膜形成工程を有することが好ましい。
【００２７】
このような構成によれば、一対のバンクに撥液膜を形成される。撥液膜は撥液性を有する被膜である。撥液性は、撥液膜自体の低い表面張力に起因する。このことにより、撥液膜の表面張力より大きい表面張力を有する処理液が、一対のバンクからはみ出ることを防止することが可能である。このことから、歩留まりの良い液晶表示装置の製造方法が実現可能である。
【００２８】
［適用例８］本適用例にかかる電子機器は、表示部を有した電子機器であって、前記表示部に、上記液晶表示装置、または上記液晶表示装置の製造方法で形成された液晶表示装置を備えていることを特徴とする。
【００２９】
このような構成によれば、電子機器の表示部に上記液晶表示装置、または、上記液晶表示装置の製造方法により形成された液晶表示装置を備える。すなわち、電子機器の表示部に、低消費電力化、耐久性の向上、または低コスト化された液晶表示装置が備えられる。または、簡易的（省工程）、低材料コストで、第１膜、第２膜が密着性良く、比較的容易に第２膜の電気抵抗値を小さく、または歩留まり良く液晶表示装置を形成する液晶表示装置の製造方法で形成された液晶表示装置が備えられる。このことから、電子機器に低消費電力化、耐久性の向上、または低コスト化を付与することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下、実施形態を図面に沿って説明する。以下の説明で参照する図は、図示の便宜上、部材ないし部分の縦横の縮尺が実際とは異なる模式図である。
【００３１】
（第１の実施形態）
第１の実施形態の基板の製造方法について説明する。図１は、第１の実施形態の基板の製造方法を示す工程図である。図１に示すように、本実施形態の基板の製造方法は、第１膜被覆工程にあたるステップＳ１０１、フォトレジスト膜被覆工程にあたるステップＳ１０２、ハーフトーン露光工程にあたるステップＳ１０３、現像工程にあたるステップＳ１０４、電極部及び配線部形成工程にあたるステップＳ１０５、バンク形成工程にあたるステップＳ１０６、撥液膜形成工程にあたるステップＳ１０７、処理液塗布工程にあたるステップＳ１０８、及び第２膜形成工程にあたるステップＳ１０９を有する。
【００３２】
図２〜図１０は、ステップＳ１０１〜ステップＳ１０９のそれぞれに対応する基板を示す図である。基板の製造方法について、図１を参照しながら、図２〜図１０に沿って説明を続ける。図２（ａ）は、ステップＳ１０１の基板を示す部分平面図であり、図２（ｂ）は、同図（ａ）のＡ１−Ａ１線断面図である。図２に示す基板には、一例として無機基板であるガラス基板１を用いている。図２に示すように、ステップＳ１０１では、ガラス基板１に第１膜としてのＴｉ膜２を被覆する。Ｔｉ膜２の被覆法にはスパッタ法を採用している。Ｔｉ膜２は、ガラス基板１を構成する半金属元素のＳｉ、及び金属元素と酸素または窒素を介して強固に結びつく特性を有する。このことから、ガラス基板１に密着性良くＴｉ膜２を形成することができる。
【００３３】
図３（ａ）は、ステップＳ１０２の基板を示す部分平面図であり、図３（ｂ）は、同図（ａ）のＡ２−Ａ２線断面図である。図３に示すように、ステップＳ１０２では、Ｔｉ膜２にフォトレジスト膜３を被覆する。被覆法にはスピン法を採用している。
【００３４】
図４（ａ）は、ステップＳ１０３の基板を示す部分平面図であり、図４（ｂ）は、同図（ａ）のＡ３−Ａ３線断面図である。図４に示すように、ステップＳ１０３では、図示しない多階調マスクを用いたハーフトーン露光を採用し、フォトレジスト膜３に露光部４、非露光部５、及び半露光部６を形成する。ここで、一対の非露光部５は、露光部４に接し、略平行な帯状の平面形状を有する。また、半露光部６は、一対の非露光部５の内側領域１８及び一対の非露光部５の外側領域１９の一部である。
【００３５】
図５（ａ）は、ステップＳ１０４の基板を示す部分平面図であり、図５（ｂ）は、同図（ａ）のＡ４−Ａ４線断面図である。図５に示すように、ステップＳ１０４では、露光部４と、半露光部６のうち露光されている上層部７とを現像液に溶解することによって除去する。
【００３６】
図６（ａ）は、ステップＳ１０５の基板を示す部分平面図であり、図６（ｂ）は、同図（ａ）のＡ５−Ａ５線断面図である。図６に示すように、ステップＳ１０５では、ステップＳ１０４で露出したＴｉ膜２をエッチングすることで、電極部１０及び配線部１５を形成する。エッチングには、フッ素元素が含まれるガスを用いた乾式のエッチング法を採用している。
【００３７】
図７（ａ）は、ステップＳ１０６の基板を示す部分平面図であり、図７（ｂ）は、同図（ａ）のＡ６−Ａ６線断面図である。図７に示すように、ステップＳ１０６では、酸素ガスを用いた異方性アッシング法によって、一対の非露光部５の表層部８を除去する。そして、上述の異方性アッシング法によって、上層部７が除かれた半露光部６を除去する。上層部７が除かれた半露光部６が除去することで、一対の非露光部５に新たな側面が出現する。上層部７が除かれた半露光部６を除去し、一対の非露光部５に新たな側面を出現させることによって、一対のバンク９を形成する。
【００３８】
図８（ａ）は、ステップＳ１０７の基板を示す部分平面図であり、図８（ｂ）は、同図（ａ）のＡ７−Ａ７線断面図である。図８に示すように、ステップＳ１０７では、フッ素元素を有するガスを用いたプラズマ処理法によって、一対のバンク９に撥液膜１１を形成する。
【００３９】
図９（ａ）は、ステップＳ１０８の基板を示す部分平面図であり、図９（ｂ）は、同図（ａ）のＡ８−Ａ８線断面図である。図９に示すように、ステップＳ１０８では、一対のバンク９に挟まれた配線部１５と一対のバンク９とで形成された凹部１２に、後述の液滴吐出法を用い、Ａｌを含む処理液１３を塗布する。処理液１３は、処理液１３の表面張力と撥液膜１１の表面張力との関係から、撥液膜１１に弾かれることで丸まった表面形状を有している。
【００４０】
図１０（ａ）は、ステップＳ１０９の基板を示す部分平面図であり、図１０（ｂ）は、同図（ａ）のＡ９−Ａ９線断面図である。図１０に示すように、ステップＳ１０９では、塗布された処理液１３に熱を加え固化する。このことによって、第２膜としてのＡｌ膜１４が配線部１５上に形成される。配線部１５のＴｉ膜２とＡｌ膜１４との界面で金属元素同士が直接的に接触し、金属元素間の結合が生じる。このことから、密着性及び導通性良く配線部１５上にＡｌ膜１４を形成することができる。また、Ａｌ膜１４のＡｌは、金属元素の中では比較的電気抵抗値が小さいという特性を有する。このことから、比較的容易に電気抵抗値が小さいＡｌ膜１４を形成することができる。以上のようにして、電極部１０と、Ａｌ膜１４で厚膜化された配線部１５とが形成される。ここで、電極厚みｄ１に比べ、配線厚みｄ２が厚くなっている。
【００４１】
次に、液滴吐出法について説明する。図１１は、液滴吐出法で用いる液滴吐出装置を示す斜視図である。図１１に示す液滴吐出装置３００は、処理液の塗布に用いられ、電気機械変換方式であるインクジェット法を採用した装置である。液滴吐出装置に関しては様々な種類の装置があるが、インクジェット法を採用した装置が好ましい。インクジェット法は微小液滴の吐出が可能であるため、微細加工に適している。図１１に示すように、液滴吐出装置３００は、液滴吐出ヘッド３０１、Ｘ方向駆動軸３０４、Ｙ方向駆動軸３０５、制御装置３０６、ステージ３０７、クリーニング機構３０８、基台３０９とヒータ３１５を備えている。ステージ３０７は、基板Ｐを支持するものであり、基板Ｐを基準位置に固定する図示しない固定機構を備えている。
【００４２】
液滴吐出ヘッド３０１は、複数の吐出ノズルを備えたマルチノズルタイプの液滴吐出ヘッドであり、長手方向とＸ方向とを一致させている。複数の吐出ノズルは、液滴吐出ヘッド３０１の下面にＸ方向に並んで一定間隔で設けられている。複数の吐出ノズルは、基板Ｐに向かい、略垂直になるように設けられている。液滴吐出ヘッド３０１の吐出ノズルから処理液の液滴が、基板Ｐに対して吐出される。
【００４３】
Ｘ方向駆動軸３０４には、Ｘ方向駆動モータ３０２が接続されている。Ｘ方向駆動モータ３０２はステッピングモータなどであり、制御装置３０６からＸ方向の駆動信号が供給されると、Ｘ方向駆動軸３０４を回転させる。Ｘ方向駆動軸３０４が回転すると、液滴吐出ヘッド３０１はＸ方向に移動する。
【００４４】
Ｙ方向駆動軸３０５は、基台３０９に対して動かないように固定されている。ステージ３０７は、Ｙ方向駆動モータ３０３を備えている。Ｙ方向駆動モータ３０３はステッピングモータなどであり、制御装置３０６からＹ方向の駆動信号が供給されると、ステージ３０７をＹ方向に移動する。
【００４５】
制御装置３０６は、液滴吐出ヘッド３０１に液滴の吐出制御用の電圧を供給する。また、Ｘ方向駆動モータ３０２に液滴吐出ヘッド３０１のＸ方向の移動を制御する駆動パルス信号を供給する。そして、Ｙ方向駆動モータ３０３にステージ３０７のＹ方向の移動を制御する駆動パルス信号を供給する。
【００４６】
クリーニング機構３０８は、液滴吐出ヘッド３０１をクリーニングするものである。クリーニング機構３０８には、図示しないＹ方向の駆動モータが備えられている。このＹ方向の駆動モータの駆動により、クリーニング機構３０８は、Ｙ方向駆動軸３０５に沿って移動する。クリーニング機構３０８の移動も制御装置３０６により制御される。
【００４７】
ヒータ３１５は、例えばランプアニールにより基板Ｐを熱処理する手段であり、基板Ｐ上に塗布された処理液に含まれる溶媒の蒸発及び乾燥を行う。このヒータ３１５の電源の投入及び遮断も制御装置３０６により制御される。
【００４８】
液滴吐出装置３００は、液滴吐出ヘッド３０１と基板Ｐを支持するステージ３０７とを相対的に走査しつつ基板Ｐに対して液滴を吐出する。ここで、Ｘ方向を操作方向、Ｘ方向と直行するＹ方向を非走査方向とする。液滴吐出ヘッド３０１の吐出ノズルは、Ｘ方向に一定間隔で並んで設けられている。図１１では、液滴吐出ヘッド３０１は基板Ｐの進行方向（Ｙ方向）に対し直角に配置されているが、液滴吐出ヘッド３０１の角度を調整し、基板Ｐの進行方向に対して交差させるようにしても良い。このようにすれば、Ｘ方向のノズル間のピッチを調整することができる。また、基板Ｐとノズル面との距離を任意に調整しても良い。
【００４９】
図１２は、液滴吐出ヘッドを示す断面図である。図１２に示すように、液滴吐出ヘッド３０１には、処理液１３を収容する液体室３２１に隣接してピエゾ素子３２２が設置されている。液体室３２１には、処理液１３を収容するタンクを含む処理液供給系３２３を介して処理液１３が供給される。ピエゾ素子３２２は駆動回路３２４に接続されており、この駆動回路３２４を介してピエゾ素子３２２に電圧を印加し、ピエゾ素子３２２を変形させる。このことにより、液体室３２１が変形し、ノズル３２５から処理液１３が吐出される。ここで、印加電圧の値を変化させることにより、ピエゾ素子３２２の歪み量が制御される。また、印加電圧の周波数を変化させることにより、ピエゾ素子３２２の歪み速度が制御される。ピエゾ素子３２２を用いた液滴吐出は、処理液１３に熱を加えないため、処理液１３に含まれる材料の組成に影響を与え難いという利点を有する。
【００５０】
上述の第１の実施形態では、以下の効果が得られる。
（１）ガラス基板１上にＴｉ膜２で電極部１０及び配線部１５を形成し、配線部１５上に配線部１５を厚膜化するＡｌ膜１４を形成する。このことより、厚膜化された配線部１５の断面面積が大きくなり、配線部１５の電気抵抗値は小さくなる。配線部１５の電気抵抗値が小さくなることによって、配線部１５の消費電力が小さくなる。よって、低消費電力化された基板の製造方法が実現できる。
【００５１】
（２）液滴吐出法で塗布した処理液１３を固化することによって、配線部１５上に配線部１５を厚膜化するＡｌ膜１４を形成する。液滴吐出法では、必要な箇所のみに比較的短時間で厚膜を形成することができる。このことから、配線部１５上のみに電気抵抗値が小さい状態となる厚膜のＡｌ膜１４を容易に形成することができる。よって低消費電力化を低コストで達成する基板の製造方法が実現できる。
【００５２】
（３）１つの工程で形成されたフォトレジスト膜３の一対の非露光部５と半露光部６とが、電極部１０及び配線部１５を形成するためのＴｉ膜２エッチング時の耐食膜となる。そして、一対の非露光部５が、Ａｌ膜１４を形成する処理液１３を保持するための一対のバンク９となる。このことにより、耐食膜と一対のバンク９との形成のため、２つの工程に分けてフォトレジスト膜３を形成する必要がなくなる。このことから、ガラス基板１に、電極部１０及び配線部１５を簡易的（省工程）、低材料コストで製造する基板の製造方法が実現できる。
【００５３】
（４）一対のバンク９にフッ素元素を有する撥液膜１１が形成されている。フッ素元素を有する撥液膜１１は、フッ素元素が起因し低い表面張力を呈する。このことにより、処理液１３の表面張力は、撥液膜１１の表面張力より大きくなる。このことから、撥液膜１１に塗布された処理液１３は丸まった表面形状になる。よって、処理液１３が一対のバンク９からはみ出ることを防止できる。したがって、歩留まりの良い基板の製造方法が実現できる。
【００５４】
（第２の実施形態）
第２の実施形態では、上述の実施形態と同じ内容については説明を省き、異なる内容を説明する。先ず、第２の実施形態の液晶表示装置について説明する。図１３（ａ）は、第２の実施形態の液晶表示装置を示す平面図であり、図１３（ｂ）は、同図（ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。図１３に示すように、液晶表示装置１００は、アクティブマトリクス基板を含むＴＦＴアレイ基板１１０と対向基板１２０とが光硬化性の封止材であるシール材１５２によって貼り合わされている。このシール材１５２によって区画された領域内に液晶１５０が封入、保持されている。
【００５５】
シール材１５２の内側の領域には、遮光性材料からなる周辺見切り１５３が形成されている。シール材１５２の外側の領域には、信号線（ソース配線部）駆動回路２０１及び実装端子２０２がＴＦＴアレイ基板１１０の１辺に沿って形成されている。この１辺に隣接する２辺に沿って走査線（ゲート配線部）駆動回路２０４が形成されている。ＴＦＴアレイ基板１１０の残る１辺には、画像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路２０４の間を接続するための複数の配線２０５が設けられている。また、対向基板１２０のコーナー部の少なくとも１箇所に、ＴＦＴアレイ基板１１０と対向基板１２０との間で電気的導通をとるための基板間導通材２０６が設けられている。
【００５６】
なお、液晶表示装置１００において、ＴＦＴアレイ基板１１０に含まれるアクティブマトリクス基板以外は公知の技術で製造されている。このことから、アクティブマトリクス基板以外についての説明は省略する。
【００５７】
次に、液晶表示装置１００のアクティブマトリクス基板について説明する。図１４は、液晶表示装置のアクティブマトリクス基板を示す部分平面図である。図１５（ａ）は、図１４のＣ−Ｃ線断面図であり、図１５（ｂ）は、図１４のＤ−Ｄ線断面図である。図１４及び図１５に示すアクティブマトリクス基板には、一例として無機基板であるガラス基板２０を用いる。図１４及び図１５に示すように、ガラス基板２０は、スイッチング素子部３０と、配線部としてのゲート配線部４０及びソース配線部４２とを備える。スイッチング素子部３０には、ゲート電極部４１、ソース電極部４３、ドレイン電極部４４、半導体部３５、絶縁部５０，５１（図１４には図示を省略する。）が形成されている。ゲート配線部４０及びソース配線部４２は格子状に形成されている。すなわち、複数のゲート配線部４０がＸ方向に沿って形成されており、複数のソース配線部４２がＹ方向に沿って形成されている。ゲート配線部４０には、ゲート電極部４１が接続されている。ゲート配線部４０及びゲート電極部４１上に絶縁部５０が形成されている。ゲート電極部４１上に絶縁部５０を介して半導体部３５（第１半導体部３５ａと第２半導体部３５ｂとを備える。）が配置されている。一方、絶縁部５０上に形成されたソース配線部４２には、絶縁部５０上に形成されたソース電極部４３が接続されている。ソース電極部４３の一端は、半導体部３５に電気的に接続されている。ゲート配線部４０とソース配線部４２とに囲まれた領域には画素電極部４５が配置され、画素電極部４５の一端は、ドレイン電極部４４を介して半導体部３５に電気的に接続されている。スイッチング素子部３０と、ゲート配線部４０及びソース配線部４２との上に絶縁部５１が形成されている。
【００５８】
次に、アクティブマトリクス基板の製造方法について説明する。図１６は、本実施形態のアクティブマトリクス基板の製造方法を示す工程図である。図１６に示すように、本実施形態のアクティブマトリクス基板の製造方法は、第１の電極部及び配線部形成工程にあたるステップＳ２０１、第１の絶縁部形成工程にあたるステップＳ２０２、半導体部形成工程にあたるステップＳ２０３、第２の電極部及び配線部形成工程にあたるステップＳ２０４、及び第２の絶縁部形成工程にあたるステップＳ２０５を有する。なお、ステップＳ２０２、ステップＳ２０３、及びステップＳ２０５は、公知の技術に基づく工程である。このことから、ステップＳ２０２、ステップＳ２０３、及びステップＳ２０５の説明は省略する。
【００５９】
ステップＳ２０１及びステップＳ２０４について説明する。図１７は、ステップＳ２０１が有する詳細な工程図である。図１７に示すように、ステップＳ２０１は、第１膜被覆工程にあたるステップＳ３０１、第１フォトレジスト膜被覆工程にあたるステップＳ３０２、第１ハーフトーン露光工程にあたるステップＳ３０３、第１現像工程にあたるステップＳ３０４、ゲート電極部及びゲート配線部形成工程にあたるステップＳ３０５、第１バンク形成工程にあたるステップＳ３０６、第１撥液膜形成工程にあたるステップＳ３０７、第１処理液塗布工程にあたるステップＳ３０８、及び第２膜形成工程にあたるステップＳ３０９を有する。
【００６０】
図１８は、ステップＳ２０４が有する詳細な工程図である。図１８に示すように、ステップＳ２０４は、第３膜被覆工程にあたるステップＳ４０１、第２フォトレジスト膜被覆工程にあたるステップＳ４０２、第２ハーフトーン露光工程にあたるステップＳ４０３、第２現像工程にあたるステップＳ４０４、ソース電極部、ドレイン電極部及びソース配線部形成工程にあたるステップＳ４０５、第２バンク形成工程にあたるステップＳ４０６、第２撥液膜形成工程にあたるステップＳ４０７、第２処理液塗布工程にあたるステップＳ４０８、及び第４膜形成工程にあたるステップＳ４０９を有する。
【００６１】
図１７、図１４及び図１５に沿って、ステップＳ３０１〜ステップＳ３０９を説明する。ステップＳ３０１〜ステップＳ３０９は、ステップＳ１０１〜ステップＳ１０９と基本的な部分は同じである。よって、同じ内容については説明を省き、異なる内容を説明する。先ず、ステップＳ１０１〜ステップＳ１０９に記載された部や部材をステップＳ３０１〜ステップＳ３０９においては、異なる部や部材に置き換える必要がある。以下に、対象の部や部材を対比し列挙する。ガラス基板１をガラス基板２０に、バンク９を第１バンク７０に、撥液膜１１を第１撥液膜７１に、電極部１０をゲート電極部４１に、配線部１５をゲート配線部４０に置き換える。上述のように置き換えたうえでステップＳ１０１〜ステップＳ１０９を実施する（ステップＳ１０１〜ステップＳ１０９は、第１の実施形態を参照。）。これによって、ステップＳ３０１〜ステップＳ３０９が実施終了となる。ステップＳ３０１〜ステップＳ３０９によって、ガラス基板２０に、第１膜としてのＴｉ膜２と第２膜としてのＡｌ膜１４とを形成する。Ｔｉ膜２でゲート電極部４１及びゲート配線部４０が形成され、ゲート配線部４０上にＡｌ膜１４が形成されている。このことから、ゲート電極部４１の電極厚みｄ３よりも、Ａｌ膜１４で厚膜化されたゲート配線部４０の配線厚みｄ４が厚く形成されている。
【００６２】
図１８、図１４及び図１５に沿って、ステップＳ４０１〜ステップＳ４０９を説明する。ステップＳ４０１〜ステップＳ４０９も、ステップＳ１０１〜ステップＳ１０９と基本的な部分は同じである。よって、同じ内容については説明を省き、異なる内容を説明する。先ず、ステップＳ１０１〜ステップＳ１０９に記載された部や部材をステップＳ４０１〜ステップＳ４０９においては、異なる部や部材に置き換える必要がある。以下に、対象の部や部材を対比し列挙する。ガラス基板１をステップＳ２０３を経たガラス基板２０に、バンク９を第２バンク７５に、撥液膜１１を第２撥液膜７６に、電極部１０をソース電極部４３及びドレイン電極部４４に、配線部１５をソース配線部４２に、第１膜としてのＴｉ膜２を第３膜としてのＴｉ膜１６に、第２膜としてのＡｌ膜１４を第４膜としてのＡｌ膜１７に置き換える。上述のように置き換えたうえでステップＳ１０１〜ステップＳ１０９を実施する（ステップＳ１０１〜ステップＳ１０９は、第１の実施形態を参照。）。これによって、ステップＳ４０１〜ステップＳ４０９が実施終了となる。ステップＳ４０１〜ステップＳ４０９によって、ステップＳ２０３を経たガラス基板２０に、第３膜としてのＴｉ膜１６と第４膜としてのＡｌ膜１７とを形成する。Ｔｉ膜１６でソース電極部４３、ドレイン電極部４４及びソース配線部４２が形成され、ソース配線部４２上にＡｌ膜１７が形成されている。このことから、ソース電極部４３及びドレイン電極部４４の電極厚みｄ５よりも、Ａｌ膜１７で厚膜化されたソース配線部４２の配線厚みｄ６が厚く形成されている。
【００６３】
上述の第２の実施形態では、以下の効果が得られる。
（５）スイッチング素子部３０に形成されたゲート電極部４１の電極厚みｄ３に比べ、Ａｌ膜１４で厚膜化されたゲート配線部４０の配線厚みｄ４が厚い。また、ソース電極部４３及びドレイン電極部４４の電極厚みｄ５に比べ、Ａｌ膜１７で厚膜化されたソース配線部４２の配線厚みｄ６が厚い。配線厚みｄ４，ｄ６が厚いことにより、ゲート配線部４０及びソース配線部４２の断面面積が大きくなる。このことから、ゲート配線部４０及びソース配線部４２の電気抵抗値を小さくすることができる。よって、液晶表示装置１００の低消費電力化ができる。
【００６４】
（６）ゲート電極部４１及びゲート配線部４０がＴｉ膜２で形成されている。ゲート電極部４１及びゲート配線部４０はガラス基板２０を下地として形成される。Ｔｉ膜２は、ガラス基板２０を構成する半金属元素のＳｉ、及び金属元素と酸素または窒素を介して強固に結びつく特性を有する。このことから、Ｔｉ膜２とガラス基板２０との密着性を十分とすることができる。よって、液晶表示装置１００として耐久性を向上することができる。
【００６５】
（７）ソース電極部４３、ドレイン電極部４４及びソース配線部４２が、Ｔｉ膜１６で形成されている。ソース電極部４３、ドレイン電極部４４及びソース配線部４２は、半導体部３５である第２半導体部３５ｂ（ドープされたアモルファスシリコン）、または絶縁部５０（窒化シリコン）を下地として形成される。Ｔｉ膜１６は、ドープされたアモルファスシリコン、窒化シリコンを構成するシリコンと酸素または窒素を介して強固に結びつく特性を有する。このことから、Ｔｉ膜１６と下地との密着性を十分とすることができる。よって、液晶表示装置１００として耐久性をより向上することができる。
【００６６】
（８）Ｔｉ膜２で形成されたゲート配線部４０上に、Ａｌ膜１４が形成されている。このことにより、Ｔｉ膜２とＡｌ膜１４とが界面で直接的に接触し、金属同士の結合が生じやすくなる。このことから、Ｔｉ膜２とＡｌ膜１４との密着性及び導通性を十分なものとすることができる。また、Ａｌ膜１４のＡｌは、金属元素の中では比較的電気抵抗値が小さいという特性を有する。このことから、Ａｌ膜１４で厚膜化されたゲート配線部４０の電気抵抗値を比較的容易に小さくすることができる。よって、液晶表示装置１００としてより低消費電力化ができる。
【００６７】
（９）Ｔｉ膜１６で形成されたソース配線部４２上に、Ａｌ膜１７が形成されている。このことにより、Ｔｉ膜１６とＡｌ膜１７とが界面で直接的に接触し、金属同士の結合が生じやすくなる。このことから、Ｔｉ膜１６とＡｌ膜１７との密着性及び導通性を十分なものとすることができる。また、Ａｌ膜１７のＡｌは、金属元素の中では比較的電気抵抗値が小さいという特性を有する。このことから、Ａｌ膜１７で厚膜化されたソース配線部４２の電気抵抗値を比較的容易に小さくすることができる。よって、液晶表示装置１００としてさらに低消費電力化ができる。
【００６８】
（１０）スパッタ法では成膜時に、Ｔｉ膜２，１６を構成すべきＴｉ粒子に高いエネルギーを与えられることから、Ｔｉ膜２と下地のガラス基板２０、及びＴｉ膜１６と下地の第２半導体部３５ｂまたは絶縁部５０との密着性をより十分とすることができる。よって、液晶表示装置１００として耐久性をさらに向上することができる。
【００６９】
（１１）液滴吐出法では必要な箇所のみに比較的短時間で厚膜を形成することができる。このことから、ゲート配線部４０上のみに電気抵抗値が小さい状態となる厚膜のＡｌ膜１４を容易に形成することができる。そして、ソース配線部４２上のみに電気抵抗値が小さい状態となる厚膜のＡｌ膜１７を容易に形成することができる。よって、液晶表示装置１００として低消費電力化を低コストで実現することができる。
【００７０】
（１２）１つの工程で形成されたフォトレジスト膜の非露光部と半露光部とが、ゲート電極部４１及びゲート配線部４０を形成するためのＴｉ膜２エッチング時の耐食膜となる。そして、一対の非露光部が、Ａｌ膜１４を形成する処理液１３を保持するための一対の第１バンク７０となる。このことにより、耐食膜と一対の第１バンク７０との形成のため、２つの工程に分けてフォトレジスト膜を形成する必要がなくなる。このことから、ガラス基板２０にゲート電極部４１とゲート配線部４０とを、簡易的（省工程）、低材料コストで製造する液晶表示装置の製造方法が実現できる。
【００７１】
（１３）Ｔｉ膜２でゲート電極部４１及びゲート配線部４０が形成され、ゲート配線部４０上にＡｌ膜１４が形成される。このことから、ゲート電極部４１の電極厚みｄ３よりも、Ａｌ膜１４で厚膜化されたゲート配線部４０の配線厚みｄ４を厚く製造する液晶表示装置の製造方法が実現できる。
【００７２】
（１４）１つの工程で形成されたフォトレジスト膜の非露光部と半露光部とが、ソース電極部４３、ドレイン電極部４４及びソース配線部４２を形成するためのＴｉ膜１６エッチング時の耐食膜となる。そして、一対の非露光部が、Ａｌ膜１７を形成する処理液１３を保持するための一対の第２バンク７５となる。このことにより、耐食膜と一対の第２バンク７５との形成のため、２つの工程に分けてフォトレジスト膜を形成する必要がなくなる。このことから、ガラス基板２０にソース電極部４３、ドレイン電極部４４及びソース配線部４２を、簡易的（省工程）、低材料コストで製造する液晶表示装置の製造方法が実現できる。
【００７３】
（１５）Ｔｉ膜１６でソース電極部４３、ドレイン電極部４４及びソース配線部４２が形成され、ソース配線部４２上にＡｌ膜１７が形成される。このことから、ソース電極部４３及びドレイン電極部４４の電極厚みｄ５よりも、Ａｌ膜１７で厚膜化されたソース配線部４２の配線厚みｄ６を厚く製造する液晶表示装置の製造方法が実現できる。
【００７４】
（１６）スイッチング素子部３０のゲート電極部４１の電極厚みｄ３に比べ、Ａｌ膜１４で厚膜化されたゲート配線部４０の配線厚みｄ４が厚く形成される。配線厚みｄ４が厚く形成されることにより、ゲート配線部４０の断面面積を大きくすることができる。このことから、電気抵抗値が小さいゲート配線部４０を形成することができる。よって、低消費電力化された液晶表示装置の製造方法が実現できる。
【００７５】
（１７）スイッチング素子部３０のソース電極部４３、ドレイン電極部４４の電極厚みｄ５に比べ、ソース配線部４２の配線厚みｄ６が厚く形成される。Ａｌ膜１７で厚膜化されたソース配線部４２の配線厚みｄ６が厚く形成されることにより、ソース配線部４２の断面面積を大きくすることができる。このことから、電気抵抗値が小さいソース配線部４２を形成することができる。よって、より低消費電力化された液晶表示装置の製造方法が実現できる。
【００７６】
（１８）一対の第１バンク７０にフッ素元素を有する第１撥液膜７１が形成されている。フッ素元素を有する第１撥液膜７１は、フッ素元素が起因し低い表面張力を呈する。このことにより、処理液の表面張力は、第１撥液膜７１の表面張力より大きくなる。このことから、第１撥液膜７１に塗布された処理液は丸まった表面形状になる。よって、処理液が一対の第１バンク７０からはみ出ることを防止できる。また、一対の第２バンク７５にフッ素元素を有する第２撥液膜７６が形成されている。フッ素元素を有する第２撥液膜７６は、フッ素元素が起因し低い表面張力を呈する。このことにより、処理液の表面張力は、第２撥液膜７６の表面張力より大きくなる。このことから、第２撥液膜７６に塗布された処理液は丸まった表面形状になる。よって、処理液が一対の第２バンク７５からはみ出ることを防止できる。したがって、歩留まりの良い液晶表示装置の製造方法が実現できる。
【００７７】
（第３の実施形態）
第３の実施形態では、上述の実施形態と同じ内容については説明を省き、異なる内容を説明する。図１９（ａ）は、第３の実施形態の電子機器としての携帯電話を示す斜視図であり、図１９（ｂ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置を示す斜視図であり、図１９（ｃ）は、腕時計型電子機器を示す斜視図である。図１９に示すように、携帯電話５００は、表示部５０１に液晶表示装置１００を備えている。また、携帯型情報処理装置６００には、キーボードなどの入力部６０１、情報処理本体６０３、表示部６０２が設けられ、この表示部６０２は液晶表示装置１００を備えている。また、腕時計型電子機器７００は、表示部７０１に液晶表示装置１００を備えている。
【００７８】
上述の第３の実施形態では、以下の効果が得られる。
（１９）電子機器としての携帯電話５００の表示部５０１、携帯型情報処理装置６００の表示部６０２、腕時計型電子機器７００の表示部７０１に液晶表示装置１００を備える。すなわち、表示部５０１，６０２，７０１に、低消費電力化、耐久性の向上、または低コスト化された液晶表示装置１００が備えられる。または、簡易的（省工程）、低材料コストで、電極厚みｄ３，ｄ５より配線厚みｄ４，ｄ６を厚く、Ｔｉ膜２，１４が密着性良く、比較的容易にＡｌ膜１４，１７の電気抵抗値を小さく、または歩留まり良く液晶表示装置１００を形成する液晶表示装置の製造方法で形成された液晶表示装置１００が備えられる。このことから、携帯電話５００、携帯型情報処理装置６００、腕時計型電子機器７００に低消費電力化、耐久性の向上、または低コスト化を付与することができる。
【００７９】
なお、実施形態は上述の内容に限定されるものではなく、その主旨を逸脱しない範囲において、上述の内容以外に種々の変更を行うことが可能である。上述の実施形態において、基板としてのガラス基板１、アクティブマトリクス基板としてのガラス基板２０を例示している。例示したガラスの基板に限定されず、石英ガラス、Ｓｉウエハ、プラスチック、金属など各種の基板を用いることができる。ここで、金属の基板の表面には絶縁性の被膜が下地層として形成されている。また、ガラス、石英ガラス、Ｓｉウエハ、プラスチックの基板の表面には無機材質である半導体膜や誘電体膜などが下地層として形成されていても良い。
【００８０】
また、Ｔｉ膜２，１６の被覆法にスパッタ法を例示している。例示した方法に限定されず、被覆法は、蒸着法、イオンプレーテイング法、ＣＶＤ（Chemical  Vapor  Deposition）法などの乾式成膜法が採用できる。
【００８１】
また、第１膜及び第３膜の材料にＴｉを例示している。例示した材料に限定されずＡｌ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａから選ばれる金属元素を含む材料であっても良い。
【００８２】
また、第２膜及び第４膜の材料にＡｌを例示している。例示した材料に限定されずＣｕ、Ｎｉ、Ａｇから選ばれる金属元素を含む材料であっても良い。
【００８３】
また、処理液１３に熱を加え固化することを例示している。例示した内容に限定されず、赤外線を照射したり、乾燥状態に放置したり、減圧状態に放置したりすることで固化しても良い。
【００８４】
また、フォトレジスト膜３の被覆法にスピン法を例示している。例示した方法に限定されず、被覆法は、ロールコート法、スリッター、液滴吐出法などが採用できる。
【００８５】
また、露出したＴｉ膜２，１６のエッチング法にフッ素元素が含まれるガスを用いた乾式のエッチング法を例示している。ガスに含まれる元素はフッ素元素に限定されず、塩素元素や臭素元素などのハロゲン元素が採用できる。
【００８６】
また、露出したＴｉ膜２，１６のエッチング法に乾式のエッチング法を例示している。例示した方法に限定されず、各種酸類などが含まれる水溶液を用いた湿式のエッチング法が採用できる。
【００８７】
また、液滴吐出法に電気機械変換方式のインクジェット法を例示している。例示の方式に限定されず、帯電制御方式、加圧振動方式、電気熱変換方式、静電吸引方式などを採用できる。
【００８８】
また、バンク９への撥液膜１１の形成法にフッ素元素を有するガスを用いたプラズマ処理法を例示している。例示の方法に限定されず、以下の方法が採用できる。例えば、フッ素元素を有する有機系のカップリング剤の溶解液を用い、液滴吐出法よって形成する方法である。または、フッ素系樹脂を混入したフォトレジスト剤を用いてフォトレジスト膜３を形成する方法である。
【００８９】
また、Ａｌ膜１４で厚膜化されたゲート配線部４０と、Ａｌ膜１７で厚膜化されたソース配線部４２とを例示している。例示の内容に限定されず、どちらか一方の配線部が厚膜化されているだけでも良い。
【図面の簡単な説明】
【００９０】
【図１】第１の実施形態の基板の製造方法を示す工程図。
【図２】第１膜被覆工程の基板を示す模式図。
【図３】フォトレジスト膜被覆工程の基板を示す模式図。
【図４】ハーフトーン露光工程の基板を示す模式図。
【図５】現像工程の基板を示す模式図。
【図６】電極部及び配線部形成工程の基板を示す模式図。
【図７】バンク形成工程の基板を示す模式図。
【図８】撥液膜形成工程の基板を示す模式図。
【図９】処理液塗布工程の基板を示す模式図。
【図１０】第２膜形成工程の基板を示す模式図。
【図１１】液滴吐出装置を示す斜視図。
【図１２】液滴吐出ヘッドを示す断面図。
【図１３】第２の実施形態の液晶表示装置を示す模式図。
【図１４】液晶表示装置のアクティブマトリクス基板を示す部分平面図。
【図１５】（ａ）は図１４のＣ−Ｃ線断面図、（ｂ）は図１４のＤ−Ｄ線断面図。
【図１６】アクティブマトリクス基板の製造方法を示す工程図。
【図１７】第１の電極部及び配線部形成工程が有する詳細な工程図。
【図１８】第２の電極部及び配線部形成工程が有する詳細な工程図。
【図１９】第３の実施形態の電子機器を示す斜視図。
【符号の説明】
【００９１】
１…基板としてのガラス基板、２…第１膜としてのＴｉ膜、３…フォトレジスト膜、４…露光部、５…非露光部、６…半露光部、７…上層部、９…バンク、１０…電極部、１１…撥液膜、１２…凹部、１３…処理液、１４…第２膜としてのＡｌ膜、１５…配線部、１８…内側領域、１９…外側領域、２０…アクティブマトリクス基板（無機基板）としてのガラス基板、３０…スイッチング素子部、ｄ１，ｄ３，ｄ５…電極厚み、ｄ２，ｄ４，ｄ６…配線厚み、１００…液晶表示装置、５００…電子機器としての携帯電話、６００…電子機器としての携帯型情報処理装置、７００…電子機器としての腕時計型電子機器、５０１，６０２，７０１…表示部。
【図１】
0004524692.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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