(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
キルンを使って石膏廃材から再生石膏を製造する再生石膏の製造方法において、
その内壁に、流動化した石膏廃材の移動を抑制する螺旋形状をした抑制部材が設けられた炉を使用し、
前記キルンを構成する炉内のガスを前記炉内から炉外へ吸引しながら、前記炉を回転させて、前記炉内に投入した石膏廃材を加熱することにより、脱水・焼成して、再生石膏を製造することを特徴とする再生石膏の製造方法。
【請求項２】
前記炉内のガスを前記炉内から炉外へ吸引して、炉内圧を炉外圧よりも低く維持して前記脱水・焼成を行うことを特徴とする請求項１記載の再生石膏の製造方法。
【請求項３】
前記炉内の熱源近くの温度を６００〜８５０℃の範囲内に設定することを特徴とする請求項１又は請求項２記載の再生石膏の製造方法。
【請求項４】
キルンを使って石膏廃材から再生石膏を製造する再生石膏の製造方法において、
前記キルンを構成する炉内の熱源近くの温度を６００〜８５０℃の範囲内に設定し、
炉内圧を炉外圧よりも低く維持するように誘引ファンの誘引力を調整して、前記炉内のガスを前記炉内から炉外へ吸引しながら、
前記炉内に投入した石膏廃材を加熱することにより、脱水・焼成して、再生石膏を製造することを特徴とする再生石膏の製造方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかの項に記載の再生石膏の製造方法により製造され、嵩比重が１．２以上であることを特徴とする再生石膏。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は再生石膏の製造方法、及び再生石膏に関し、より詳細には、石膏廃材からII型
無水石膏（天然の無水石膏と同様）の含有度の高い再生石膏を製造するための方法、及び
石膏廃材から製造された再生石膏に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、石膏ボードなどの石膏製品の需要が高まり、その結果として、石膏廃材が多量に
発生している。石膏廃材の多くは埋め立てることによって処分されているが、石膏廃材の
埋め立ては、簡易な安定型ではなく、管理型で行わなければならないため、処理コストが
増大するといった問題がある。
また、埋め立て処分では、処分場の確保が難しいといった問題があり、石膏廃材の再利
用が期待されている。そして石膏廃材の再利用について種々提案されている（例えば、下
記の特許文献１〜７参照）。
【０００３】
石膏廃材は二水石膏（ＣａＳＯ4・２Ｈ2Ｏ）であり、これを加熱して脱水し、３／４
の結晶水が失われると、半水石膏（ＣａＳＯ4・０．５Ｈ2Ｏ）となり、さらに脱水が進
み、残りの１／４の結晶水が失われると、III 型無水石膏（III ＣａＳＯ4、可溶性無水
石膏）となる。
III 型無水石膏を加熱して焼成すると、結晶転移を起こし、II型無水石膏（IIＣａＳＯ
4、不溶性無水石膏）となり、さらに高温で加熱して焼成すると、Ｉ型無水石膏（ＩＣａ
ＳＯ4、高温型無水石膏）となる。
【０００４】
特許文献１には、ロータリーキルンによる焼成において、炉内の焼点温度（ロータリー
キルンの出口付近に設置されたバーナーの還元炎の温度）を５００〜１２００℃、及び窒
内温度（ロータリーキルンの入口付近の温度）を３００〜９５０℃に制御して石膏廃材を
３０〜６０分焼成することにより、II型無水石膏の含有量が８０重量％以上の再生石膏を
製造する方法について記載されている。
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載された再生石膏の製造方法では、II型無水石膏の含有
度の高い再生石膏を製造することはできない。その理由の一つは、石膏廃材（二水石膏）
からII型無水石膏へ変化させるまでの加熱脱水（乾燥）に全く注目されていないからであ
る。
【０００６】
石膏廃材からII型無水石膏を製造するには、上記したように、脱水及び焼成が必要とな
る。脱水して石膏廃材から水分を奪うと、水蒸気が発生する。石膏廃材に含まれる水分量
は約２０重量％であり、例えば、石膏廃材１ｔあたり約２００ｋｇ（０．２ｍ3）の水が
存在することになる。
【０００７】
水が水蒸気に気化すると、その体積は約１７００倍となるので、石膏廃材１ｔに含まれ
る水がすべて蒸発すると、３４０ｍ3（＝０．２×１７００）の水蒸気が発生することに
なる。特許文献１に記載された再生石膏の製造方法では、内径４ｍ、長さ６２ｍの回転炉
、つまり容積が約７８０ｍ3（≒２2×円周率×６２）の大型のロータリーキルン（特許
文献１の段落［００２０］参照）による焼成が想定されているが、３４０ｍ3の水蒸気は
この炉内の半分近くを占める量である。
【０００８】
水蒸気雰囲気中では、十分な脱水は期待できない。そのため、大量の水蒸気が炉内に存
在すると、脱水不足や脱水の遅延を招く。脱水の遅延は焼成不足を招くことになる。これ
では、II型無水石膏の含有度の高い再生石膏を得ることはできない。
また、大量の水蒸気が炉内に存在すると、熱源から発生される熱が伝わりにくくなるの
で、熱源から離れた炉内入口（材料である石膏廃材を炉内へ投入する投入口）付近の温度
は下がる。入口付近の温度を必要な温度まで上げようとすれば、熱源の温度を上げる必要
がある。熱源の温度を上げれば、燃料消費量が多くなるといった問題が生じる。また、熱
源の温度を上げれば、熱源近くの出口（製造された再生石膏を炉内から排出する排出口）
付近の温度が過度に上昇し、II型無水石膏がＩ型無水石膏になったり、石膏が熱分解を起
こすおそれがある。
【０００９】
また、II型無水石膏の含有度の低い再生石膏（すなわち、脱水不足や焼成不足の再生石
膏）は嵩比重が小さくなる。これは、II型無水石膏の嵩比重が１．５〜１．７であるのに
対し、二水石膏の嵩比重は０．５〜０．７、半水石膏の嵩比重は０．７前後、III 型無水
石膏の比重は０．７前後と、II型無水石膏に比べて、二水石膏、半水石膏、III 型無水石
膏の嵩比重が小さいからである。
【００１０】
嵩比重が小さいと、輸送等のコストが上がる。そのため、品質面だけでなく、コストの
観点からも、再生石膏としてはII型無水石膏の含有度の高いものが望ましい。
また、換言すれば、嵩比重を測定することによって、II型無水石膏の含有度が高いか否
かを判断することもできる。
【特許文献１】特開２００１−１４６４２０号公報
【特許文献２】特開２００５−１５２６３号公報
【特許文献３】特開２００２−８７８１６号公報
【特許文献４】特開２００２−８６０９８号公報
【特許文献５】特開２００１−３１４６４号公報
【特許文献６】特開平１０−３６１４９号公報
【特許文献７】特開平６−１４２６３３号公報
【発明の開示】
【課題を解決するための手段及びその効果】
【００１１】
本発明は上記課題に鑑みなされたものであって、石膏廃材の脱水そして焼成を確実に行
い、II型無水石膏の含有度の高い再生石膏を得るための再生石膏の製造方法、及び再生石
膏を提供することを目的としている。
【００１２】
上記目的を達成するために本発明に係る再生石膏の製造方法（１）は、キルンを使って石膏廃材から再生石膏を製造する再生石膏の製造方法において、その内壁に、流動化した石膏廃材の移動を抑制する螺旋形状をした抑制部材が設けられた炉を使用し、前記キルンを構成する炉内のガスを前記炉内から炉外へ吸引しながら、前記炉を回転させて、前記炉内に投入した石膏廃材を加熱することにより、脱水・焼成して、再生石膏を製造することを特徴としている。
【００１３】
上記再生石膏の製造方法（１）によれば、前記炉内のガスを前記炉内から炉外へ吸引するので、石膏廃材を加熱して脱水することにより発生した水蒸気を前記炉内から炉外へ吸い出し、前記炉内に大量の水蒸気が滞留するのを防止することができる。
これにより、水蒸気による脱水不足や焼成不足を解消することができる。
また、石膏廃材は温度が上り、水分が少なくなると流動化をはじめ、液体のように流れ出して炉内の移動速度が増すおそれがある。移動速度が速くなると、想定されている時間よりも短い時間で前記炉の出口へ到達してしまう。すなわち、石膏廃材の前記炉内での加熱される時間が短くなる。
加熱時間が短くなると、脱水不足や焼成不足を招くおそれがある。脱水不足や焼成不足が生じると、II型無水石膏の含有度の高い再生石膏を得ることはできない。
上記再生石膏の製造方法（１）によれば、その内壁に、流動化した石膏廃材の移動を抑制する螺旋形状をした抑制部材が設けられた炉を使用するので、石膏廃材が流動化し、流体のように流れ出したとしても、移動速度が増大するのを抑制することができるので、脱水不足や焼成不足が生じるのを防止することができる。
従って、石膏廃材の脱水そして焼成を確実に行い、II型無水石膏の含有度の高い再生石膏を得ることができる。
【００１４】
また、本発明に係る再生石膏の製造方法（２）は、上記再生石膏の製造方法（１）にお
いて、前記炉内のガスを前記炉内から炉外へ吸引して、炉内圧を炉外圧よりも低く維持し
て前記脱水・焼成を行うことを特徴としている。
【００１５】
例えば、ロータリーキルンを構成する円筒の回転炉は完全に密閉されているわけではな
く、隙間があるので、前記回転炉内に水蒸気が滞留するとその隙間から水蒸気が漏れるこ
とがある。これは、熱源（例えば、バーナー）によって前記回転炉内で発生する燃焼ガス
のために、炉内圧が炉外圧よりも高くなるためである。
換言すれば、前記回転炉内の隙間から水蒸気が漏れている場合、炉内圧が炉外圧よりも
高いことが分かり、前記回転炉内の隙間から水蒸気が漏れていない場合、炉内圧が炉外圧
よりも低いことが分かる。
【００１６】
上記再生石膏の製造方法（２）によれば、炉内圧が炉外圧よりも低く維持するように、
前記炉内のガスを前記炉内から炉外へ強い力で吸い出すので、前記炉内に滞留する水蒸気
を大幅に少なくすることができる。また、炉内圧が炉外圧よりも低くなっているか否かは
、上記したように、例えば、水蒸気の漏れ具合から簡単に判断することができる。
【００１７】
前記炉内のガスを前記炉内から炉外へ吸い出すと、水蒸気だけでなく、熱源によって発
生する高温の燃焼ガスやそれに含まれる粉塵（これらは石膏廃材の加熱源となる）も前記
炉内から炉外へ吸い出されることになるが、炉内圧が炉外圧よりも低くなると、熱源から
発生される熱が前記炉内を伝わりやすくなるので、熱源から離れた前記炉入口付近の温度
を熱源近くの温度（前記炉出口付近の温度）に近いものにすることができる。
これにより、燃料消費量を抑えることができる。また、石膏廃材を入口付近でしっかり
と加熱し脱水することができるので、脱水時間（脱水距離）が短くなり、焼成時間（焼成
距離）が長くなる。
【００１８】
また、熱源は常に燃焼して酸素を消費しているが、炉内圧を炉内圧よりも低く維持する
ことによって、前記炉内に新鮮な空気を積極的に引き込むことができるので、前記炉内が
酸素欠損状態になるのを防ぐことができる。これにより、不完全燃焼が生じるのを抑制す
ることができる。従って、石膏廃材の脱水そして焼成をより一層確実に行い、II型無水石
膏の含有度の非常に高い再生石膏を得ることができる。
【００１９】
また、本発明に係る再生石膏の製造方法（３）は、上記再生石膏の製造方法（１）又は
（２）において、前記炉内の熱源近くの温度を６００〜８５０℃の範囲内に設定すること
を特徴としている。
【００２０】
石膏ボードには接着剤等の有機物質が含まれている。そのため、脱水工程（乾燥工程）
で不完全燃焼を起こして炭素が生成されるおそれがある。この生成された炭素を焼却しな
ければ、炭素含有度の高い再生石膏（すなわち、II型無水石膏の含有度の低い再生石膏）
が製造されてしまう。
【００２１】
上記再生石膏の製造方法（３）によれば、前記炉内の熱源近くの温度を６００℃以上に
設定するので、前記炉内に投入した石膏廃材を６００℃以上で加熱することができ、炭素
の焼却割合を高めることができる。６００℃未満では、炭素焼却には不十分である。これ
により、脱水工程で炭素が生成されたとしても、II型無水石膏の含有度の高い再生石膏を
製造することができる。
【００２２】
また、前記炉内の熱源近くの温度を８５０℃以下に設定するので、前記炉内に投入した
石膏廃材の加熱温度を８５０℃以下に抑えることができ、石膏廃材に含まれている混和剤
のナフタレンスルホン酸基が分解して、硫黄酸化物（ＳＯX）が発生するのを防止するこ
とができる。ナフタレンスルホン酸基は、石膏ボードの製造時に混和剤として配合され、
その分解温度は８５０℃である。
【００２３】
また、本発明に係る再生石膏の製造方法（４）は、キルンを使って石膏廃材から再生石膏を製造する再生石膏の製造方法において、前記キルンを構成する炉内の熱源近くの温度を６００〜８５０℃の範囲内に設定し、炉内圧を炉外圧よりも低く維持するように誘引ファンの誘引力を調整して、前記炉内のガスを前記炉内から炉外へ吸引しながら、前記炉内に投入した石膏廃材を加熱することにより、脱水・焼成して、再生石膏を製造することを特徴としている。
【００２５】
上記再生石膏の製造方法（４）によれば、上記再生石膏の製造方法（１）〜（３）で奏する効果を得ることができ、II型無水石膏の含有度の非常に高い再生石膏を得ることができる。
【００２６】
また、本発明に係る再生石膏（１）は、上記再生石膏の製造方法（１）〜（４）のいず
れかにより製造され、嵩比重が１．２以上であることを特徴としている。
「背景技術」の項目でも説明したように、II型無水石膏の含有度の低い再生石膏は嵩比
重が小さくなり、II型無水石膏の含有度の高い再生石膏は嵩比重が高くなる。従って、嵩
比重を測定することによって、II型無水石膏の含有度が高いか否かを判断することができ
る。
【００２７】
上記再生石膏（１）によれば、嵩比重が１．２以上であり（すなわち、II型無水石膏の
含有度が高く）、天然の無水石膏（嵩比重１．５〜１．７）に非常に近いので、使用範囲
を広くすることができる。また、例えば、嵩比重が０．９のものと嵩比重が１．２のもの
とを比較すれば、トラック１台につき運搬できる量は３３％増しとなる。従って、輸送コ
ストを下げることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、本発明に係る再生石膏の製造方法、及び再生石膏の実施の形態を図面に基づいて
説明する。図１は、実施の形態（１）に係る再生石膏の製造方法を実現するための製造シ
ステムの要部を概略的に示した図である。図中１はロータリーキルンであり、ロータリー
キルン１は水平（水平ラインＨＬ）から少し傾けられた回転炉２と、回転炉２の上端（入
口２ａ）側に設けられた、材料である（粉砕された）石膏廃材Ｓを投入するための投入筒
３と、回転炉２の下端（出口２ｂ）側に設けられた、燃料（例えば、重油）を回転炉２内
で燃焼させるバーナー４とを含んで構成されている。投入筒３より投入された石膏廃材Ｓ
は回転炉２の回転に伴って徐々に下方へ移動し、バーナー４による燃焼熱で加熱されて、
脱水され焼成されることになる。
【００２９】
誘引ファン５は、回転炉２内に発生した水蒸気などのガスＧを回転炉２内から回転炉２
外へ吸い出すものである。誘引ファン５によって吸い出されたガスＧはバグフィルタ６を
介して、誘引ファン５から大気へと放出されるようになっている。バグフィルタ６を介し
ているのは、ガスＧに含まれる粉塵を集めるためと、高温のガスＧを冷ますためである。
【００３０】
実施の形態（１）に係る再生石膏の製造方法について説明する。
ステップＳ１．バーナー４へ燃料を供給して、回転炉２内で都市ガスを燃焼させる。
ステップＳ２．誘引ファン５を稼動させる。
ステップＳ３．回転炉２内のバーナー４近くの温度が６００〜８５０℃の範囲内となる
ように、バーナー４への燃料の供給量を調整する。
ステップＳ４．粉砕した石膏廃材（石膏粉）Ｓを投入筒３を介して回転炉２内へ投入す
る。
石膏廃材Ｓを投入した後も、回転炉２内のバーナー４近くの温度が６００〜８５０℃の
範囲内で維持されるように、バーナー４への燃料の供給量を調整する。
【００３１】
回転炉２内に投入された石膏廃材Ｓは、バーナー４による燃焼熱によって加熱されて、
脱水され焼成される。すなわち、石膏廃材Ｓは水分が奪われて、III 型無水石膏になり、
III 型無水石膏が焼成されて、天然の無水石膏と同様のII型無水石膏へと結晶転移を起こ
す。
【００３２】
上記実施の形態（１）に係る再生石膏の製造方法によれば、誘引ファン５を使って、回
転炉２内のガスＧを回転炉２内から回転炉２外へ吸引するので、石膏廃材Ｓを加熱して脱
水することにより発生した水蒸気を回転炉２内から回転炉２外へ吸い出し、回転炉２内に
大量の水蒸気が滞留するのを防止することができる。
これにより、水蒸気による脱水不足や焼成不足を解消することができる。従って、石膏
廃材Ｓの脱水そして焼成を確実に行い、II型無水石膏の含有度の高い再生石膏を得ること
ができる。
【００３３】
また、回転炉２内に投入した石膏廃材Ｓを６００℃以上で加熱することができるので、
炭素を十分に焼却することができる。６００℃未満では、炭素焼却には不十分である。ま
た、回転炉２内に投入した石膏廃材Ｓの加熱温度を８５０℃以下に抑えるので、石膏廃材
Ｓに含まれている混和剤のナフタレンスルホン酸基が分解して、硫黄酸化物（ＳＯX）が
発生するのを防止することができる。
【００３４】
次に、実施の形態（２）に係る再生石膏の製造方法について説明する。この再生石膏の
製造方法は、上記実施の形態（１）に係る再生石膏の製造方法と同様に、図１に示した製
造システムを使用することによってを実現することができる。
ステップＳ１．バーナー４へ燃料を供給して、回転炉２内で都市ガスを燃焼させる。
ステップＳ２．誘引ファン５を稼動させる。
ステップＳ３．回転炉２内のバーナー４近くの温度が６００〜８５０℃の範囲内となる
ように、バーナー４への燃料の供給量を調整する。
ステップＳ４．粉砕した石膏廃材（石膏粉）Ｓを投入筒３を介して回転炉２内へ投入す
る。
石膏廃材Ｓを投入した後も、回転炉２内のバーナー４近くの温度が６００〜８５０℃の
範囲内で維持されるように、バーナー４への燃料の供給量を調整する。
ステップＳ５．回転炉２の隙間から水蒸気が漏れないように、誘引ファン５の誘引力を
調整する。
【００３５】
回転炉２内に投入された石膏廃材Ｓは、バーナー４による燃焼熱によって加熱されて、
脱水され焼成される。すなわち、石膏廃材Ｓは水分が奪われて、III 型無水石膏になり、
III 型無水石膏が焼成されて、天然の無水石膏と同様のII型無水石膏へと結晶転移を起こ
す。
【００３６】
上記実施の形態（２）に係る再生石膏の製造方法によれば、誘引ファン５を使って、回
転炉２の隙間から水蒸気が漏れないように（すなわち、回転炉２の内圧が外圧よりも低く
維持されるように）、回転炉２内のガスＧを回転炉２内から回転炉２外へ吸い出すので、
回転炉２内に滞留する水蒸気を大幅に少なくすることができる。
【００３７】
回転炉２内のガスＧを回転炉２内から回転炉２外へ吸い出すと、水蒸気だけでなく、バ
ーナー４によって発生する高温の燃焼ガスやそれに含まれる粉塵（これらは石膏廃材Ｓの
加熱源となる）も回転炉２内から回転炉２外へ吸い出されることになるが、回転炉２の内
圧が外圧よりも低くなると、バーナー４から発生される燃焼熱が回転炉２内を伝わりやす
くなるので、バーナー４から離れた入口２ａ付近の温度をバーナー４近くの出口２ｂ付近
の温度に近いものにすることができる。
これにより、燃料消費量を抑えることができる。また、石膏廃材Ｓを入口２ａ付近でし
っかりと加熱し脱水することができるので、脱水時間（脱水距離）が短くなり、焼成時間
（焼成距離）が長くなる。
【００３８】
また、バーナー４は常に燃焼して酸素を消費しているが、回転炉２の内圧を外圧よりも
低く維持することによって、回転炉２内に新鮮な空気を積極的に引き込むことができるの
で、回転炉２内が酸素欠損状態になるのを防ぐことができる。これにより、不完全燃焼が
生じるのを抑制することができる。従って、石膏廃材Ｓの脱水そして焼成をより一層確実
に行い、II型無水石膏の含有度の非常に高い再生石膏を得ることができる。
【００３９】
ところで、石膏廃材Ｓは温度が上り、水分が少なくなると流動化をはじめ、流体のよう
に流れ出して移動速度が増すおそれがある。移動速度が速くなると、想定されている時間
よりも短い時間で出口２ｂへ到達してしまう。すなわち、石膏廃材Ｓの回転炉２内で加熱
される時間が短くなる。
加熱時間が短くなると、脱水不足や焼成不足を招くおそれがある。脱水不足や焼成不足
が生じると、II型無水石膏の含有度の高い再生石膏を得ることはできない。
【００４０】
そこで、実施の形態（３）に係る再生石膏の製造方法では、例えば、図２に示したよう
に、流動化した石膏廃材Ｓの移動を抑制する螺旋形状をした抑制部材７がその内壁に設け
られた回転炉２Ａを使って、石膏廃材Ｓを加熱して、脱水し焼成するようにしても良い。
図２は、抑制部材７がその内壁に設けられた回転炉２Ａを示した部分断面側面図である。
これにより、石膏廃材Ｓが流動化し、流体のように流れ出したとしても、移動速度が増
大するのを抑制することができるので、脱水不足や焼成不足が生じるのを防止することが
できる。なお、抑制部材７としては、螺旋形状をしたものに限定されない。
【実施例１】
【００４１】
次に、本発明に係る再生石膏の製造方法の実施例について説明する。実施例１に係る再
生石膏の製造方法は、図１に示した製造システムを使用することによって実現することが
できる。
バーナー４への燃料の供給量を調整して、回転炉２（内径０．９ｍ、長さ７ｍ）の入口
２ａ付近の温度を４００℃又は４８０℃に設定する。誘引ファン５の誘引力を調整して、
回転炉２の内圧を調整する。例えば、回転炉２の内圧が外圧よりも低くなるように調整す
る。そして、粉砕した石膏廃材（石膏粉）Ｓを投入筒３を介して回転炉２内へ投入する。
【００４２】
図３、図４は、石膏廃材Ｓを回転炉２内へ投入してからの回転炉２の入口２ａ付近の温
度変化を示した表である。図３は、回転炉２の入口２ａ付近の温度を４００℃に設定した
場合を示し、図４は、回転炉２の入口２ａ付近の温度を４８０℃に設定した場合を示して
いる。
【００４３】
図３、図４のいずれも、上から順に、回転炉２の内圧が外圧よりも低くなるように調整
されている場合（炉内圧（−））、内圧が外圧とほぼ等しくなるように調整されている場
合（炉内圧（０））、内圧が外圧よりも高くなるように調整されている場合（炉内圧（＋
））の温度変化を示している。
【００４４】
図３、図４から、回転炉２の内圧が外圧よりも低く調整されている場合、温度の低下が
あまりなく、４００℃、４８０℃付近で維持されていることが分かる。従って、誘引ファ
ン５で回転炉２内に発生した水蒸気などのガスを回転炉２内から回転炉２外へ吸い出し、
回転炉２の内圧が外圧よりも低く維持されるように調整し、所望の温度を維持することに
よって、石膏廃材Ｓに対する脱水・焼成を確実に行うことができる。
【実施例２】
【００４５】
実施例２に係る再生石膏の製造方法は、実施例１に係る再生石膏の製造方法と同様に、
図１に示した製造システムを使用することによって実現することができる。
バーナー４への燃料の供給量を調整して、回転炉２（内径０．９ｍ、長さ７ｍ）の出口
２ｂ付近の温度を４５０℃〜８５０℃に設定する。誘引ファン５の誘引力を調整して、回
転炉２の内圧が外圧よりも低く維持されるように調整する。そして、粉砕した石膏廃材（
石膏粉）Ｓを投入筒２を介して回転炉２内へ投入する。
【００４６】
回転炉２内で加熱することによって、脱水・焼成して製造された再生石膏のサンプルを
３個採取して、その嵩比重を測定した。図５は、設定温度別（４５０℃、５００℃、５５
０℃、６００℃、６５０℃、７００℃、７５０℃、８００℃、８５０℃）に採取された３
個のサンプルの嵩比重を示した表である。
【００４７】
図５から、設定温度が６００℃以上になると、嵩比重が１．２以上になり、天然の無水
石膏の嵩比重（１．５〜１．７）に大きく近づいていることが分かる。また、温度が高く
なるにつれて、嵩比重も高くなっていくことが分かる。なお、嵩比重が高くなった一つの
理由は、炭素の焼却割合が高くなり、炭素含有度が低くなったためである。従って、設定
温度を６００℃以上にすることによって、炭素含有度を低くし、II型無水石膏の含有度を
高くすることができる。また、設定温度が６００℃以上の場合、石膏廃材Ｓが燃焼するこ
とによって発生する火炎を目視で確認することができた。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明の実施の形態（１）に係る再生石膏の製造方法を実現するための製造システムの要部を概略的に示した図である。
【図２】実施の形態（３）に係る再生石膏の製造方法を実現するために使用する回転炉を示した部分断面側面図である。
【図３】石膏廃材を回転炉内へ投入してからの回転炉の入口付近の温度変化を示した表である。
【図４】石膏廃材を回転炉内へ投入してからの回転炉の入口付近の温度変化を示した表である。
【図５】設定温度別に採取された３個のサンプルの嵩比重を示した表である。
【符号の説明】
【００４９】
１  ロータリーキルン
２、２Ａ  回転炉
３  投入筒
４  バーナー
５  誘引ファン
６  バグフィルタ
７  抑制部材
Ｇ  ガス
ＨＬ  水平ライン
Ｓ  石膏廃材
【図１】
0004590447.tif 000002
【図２】
0004590447.tif 000003
【図３】
0004590447.tif 000004
【図４】
0004590447.tif 000005
【図５】
0004590447.tif 000006