(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に取付け可能なベースを有し、該ベースは少なくとも１つの導波管ポートを含み且つ集積回路に電気的に接続される少なくとも１つの相互接続部を有し、前記ベース上に更に少なくとも１つの突出構造を有し、該突出構造が前記導波管ポートを形成し、前記ベースが前記基板に取り付けられる際、該突出構造が前記基板を支持するプレートの開口に挿入されることを特徴とするパッケージされた集積回路を基板に取り付けてなる実装体。
【請求項２】
前記突出構造が前記ベースと一体であることを特徴とする請求項１記載の実装体。
【請求項３】
前記集積回路が、ガラス基板に搭載されたミリメータ波回路を有することを特徴とする請求項１記載の実装体。
【請求項４】
前記ベースが前記基板に取り付けられる際、前記基板上の導電トレースに前記集積回路を電気的に相互接続するよう構成されたポリイミドコネクタを前記相互接続部が有することを特徴とする請求項１記載の実装体。
【請求項５】
前記ポリイミドコネクタは、複数の導電トレースを有する導電層の両側にポリイミド誘電体絶縁層を有することを特徴とする請求項４記載の実装体。
【請求項６】
前記ポリイミドコネクタが、前記ベースの端縁に接着されていることを特徴とする請求項４記載の実装体。
【請求項７】
前記ベースの両端に接着された１対のポリイミドコネクタを、更に有することを特徴とする請求項４記載の実装体。
【請求項８】
前記ベースと係合するカバーを更に含み、それにより実装体内に集積回路を収容することを特徴とする請求項１記載の実装体。
【請求項９】
前記集積回路が、誘電体共振器を含むことを特徴とする請求項８記載の実装体。
【請求項１０】
前記カバーが前記ベースと接触するとき、前記カバーは遮蔽領域を形成する少なくとも１つの壁を含むことを特徴とする請求項９記載の実装体。
【請求項１１】
前記基板の少なくとも１つと係合可能な圧力クリップと、前記基板を支持する支持板であって、前記パッケージされた集積回路の前記カバーと係合可能な支持板とを更に有し、これにより前記パッケージされた集積回路を取り付けることを特徴とする請求項８記載の実装体。
【請求項１２】
前記圧力クリップ及び前記相互接続部が、前記パッケージされた集積回路が取り付けられたとき、前記圧力クリップが前記相互接続部と接触して前記相互接続部を押圧して前記基板と電気的に接触するように形成されていることを特徴とする請求項１１記載の実装体。
【請求項１３】
前記ベースが、前記圧力クリップを前記相互接続部に対して位置決めするための少なくとも１つの位置決め構造を含むことを特徴とする請求項１２記載の実装体。
【請求項１４】
前記カバー及び前記ベースが、金属からなることを特徴とする請求項８記載の実装体。
【請求項１５】
前記カバー及び前記ベースが、粉末金属押出鋳込工程により成形されてなることを特徴とする請求項８記載の実装体。
【請求項１６】
前記パッケージされた集積回路が取り付けられるとき、該パッケージされた集積回路を位置決めするための少なくとも１つのボスを前記ベース上に有することを特徴とする請求項１記載の実装体。
【請求項１７】
前記突出構造が、少なくとも１つの導波管ポートを含むことを特徴とする請求項１記載の実装体。
【請求項１８】
誘電体共振器を含むミリメータ波回路と、
基板に取付け可能なベースであって、該ベースは前記ミリメータ波回路をその上に有し、該ベースは、少なくとも１つの導波管ポート、及び前記ミリメータ波回路に電気的に接続されると共に、該ベースが取り付けられたときに前記基板に電気的に接続可能な複数の相互接続部を有し、前記導波管ポートが、前記ベースが取り付けられたときに前記基板及び前記基板を支持する支持板の少なくとも１つの開口に挿入されるよう構成され、前記各相互接続部が、前記ベースの一端縁に配置されるとともにポリイミド絶縁層間に配置された導電層を含んでなるベースと、
前記ベースと接触し、前記誘電体共振器を遮蔽する領域を形成する少なくとも１つの壁を含むカバーと、
を有することを特徴とするパッケージされた集積回路を基板に取り付けてなる実装体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は一般的にはパッケージされた集積回路に関し、特に１つ以上の導波管ポートを含むパッケージされた集積回路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ひとつの既知の集積回路パッケージは、伝送層、絶縁層、基層を含む層になったリード構造を有する。基層は銅製の比較的厚い層である。絶縁層は基層に積層（ラミネート）されたポリイミド誘電体層である。伝送層は絶縁層上に形成された多数の銅箔導電トレースからなっている。このような積層された構造物はKOOL-BASEの登録商標で三井東圧化学（株）から市販されている。
【０００３】
層になったリード構造物はその周縁部では湾曲した終端となるように押圧形成されている。このリード構造はその強度によって形状を維持し、銅基層のメモリを保有する。ICが中央に載置され伝送層の導電トレースにワイヤボンディングされる。次に押込部に成形材料が充填されてパッケージが完成する。この形式のパッケージはインテグレーテッドリードレスチップキャリヤ(ILCC)と称され、このパッケージはリード構造の湾曲部を、この湾曲部に接する線に沿ってプリント配線板の表面と接触させてプリント配線板に取付けることができる。このプリント配線板への取付は従来のはんだ付による表面実装技法を用いて行うことができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、前述のILCCパッケージは、モールドによりパッケージし、プリント配線板組立体に表面実装により取付けているため、周波数の制約によりミリメータ波の集積回路には適さない。加えて、ILCCパッケージは熱除去能力が十分ではなく、中にパッケージされたミリメータ波回路に相補熱膨張率(CTE)を付与しない。
【０００５】
従って、本発明の一般的な目的は、効果的な熱の発散ができ、パッケージされたミリメータ波回路に相補熱膨張率を付与することができ、RF（無線周波数）エネルギーを効果的に伝送する少なくとも１つの導波管ポートを設けた、パッケージされた集積回路を提供することにある。
【０００６】
本発明の他の目的は、誘電体基板、金属化された回路及び半導体コンポーネントからなるミリメータ波回路を中に閉じこめるパッケージを提供することにある。
【０００７】
更に本発明の他の目的は、導波管ポートがプリント配線板を支持するプレートを貫通するように延びて、支持板の他側にRFポートを形成するようにプリント配線板と支持板に取付けることができる、パッケージされた集積回路を提供することにある。
【０００８】
上記により、端的に言うと本発明は、少なくとも１つの導波管ポート及び中にパッケージされた集積回路に電気的に相互接続される少なくとも１つの相互接続部を含む、パッケージされた集積回路を提供するものである。好適には、それは中にパッケージされたミリメータ波集積回路である。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明のパッケージされた集積回路は、基板に取付け可能なベースを有し、該ベースは少なくとも１つの導波管ポートを含み且つ集積回路に電気的に接続される少なくとも１つの相互接続部を有することを特徴とするものである。
【００１０】
また、前記ベース上に更に少なくとも１つの突出構造を有し、前記ベースが前記基板に取付けられる際、前記導波管ポートと位置合わせされて開口に挿入されることができる。
【００１１】
前記突出構造が前記ベースと一体であり、且つ前記導波管ポートを形成することができる。
【００１２】
前記ベースが前記基板に取付けられる際、前記導波管ポートが前記基板を支持するプレートの開口に挿入されるよう構成されることができる。
【００１３】
前記集積回路が、ガラス基板に搭載されたミリメータ波回路を有してもよい。
【００１４】
前記ベースが前記基板に取付けられる際、前記基板上の導電トレースに前記集積回路を電気的に相互接続するよう構成されたポリイミドコネクタを前記相互接続部が有することができる。
【００１５】
前記ポリイミドコネクタは、複数の導電トレースを有する導電層の両側にポリイミド誘電体絶縁層を有することができる。
【００１６】
前記ポリイミドコネクタが、前記ベースの端縁に接着されてもよい。
【００１７】
前記ベースの両端に接着された１対のポリイミドコネクタを有してもよい。
【００１８】
前記ベースと係合するカバーを更に含み、それによりパッケージされた集積回路内に集積回路を収容することができる。
【００１９】
前記集積回路が、誘電体共振器を含むことができる。
【００２０】
前記カバーが前記ベースと接触するとき、前記カバーは遮蔽領域を形成する少なくとも１つの壁を含むことができる。
【００２１】
前記基板の少なくとも１つと係合可能な圧力クリップと、前記基板を支持し前記パッケージされた集積回路の前記カバーと係合可能な支持板とを更に有し、これにより前記パッケージされた集積回路を取付けることができる。
【００２２】
前記圧力クリップ及び前記相互接続部が、前記パッケージされた集積回路が取り付けられたとき、前記圧力クリップが前記相互接続部と接触して前記相互接続部を押圧して前記基板と電気的に接触するように形成されてもよい。
【００２３】
前記ベースが、前記圧力クリップを前記相互接続部に対して位置決めするための少なくとも１つの位置決め構造を含むことができる。
【００２４】
前記カバー及び前記ベースが、金属からなることができる。
【００２５】
前記カバー及び前記ベースが、粉末金属からなることができる。
【００２６】
前記パッケージされた集積回路が取り付けられるとき、該パッケージされた集積回路を位置決めするための少なくとも１つのボスを前記ベース上に有することができる。
【００２７】
前記突出構造が、少なくとも１つの導波管ポートを含むことができる。
【００２８】
更に、本発明のパッケージされた集積回路は、誘電体共振器を含むミリメータ波回路と、該ミリメータ波回路、少なくとも１つの導波管ポート及び前記ベースに取付けられたときに前記ミリメータ波回路に電気的に接続されると共に前記基板に電気的に接続可能な複数の相互接続部を有し、前記ベースが取付けられたとき前記導波管ポートが前記基板及び前記基板を支持する支持板の少なくとも１つの開口に挿入されるよう構成され、各前記相互接続部が前記ベースの一端縁に配置され且つポリイミド絶縁層間に配置された導電層を含む、前記基板に取付可能なベースと、前記誘電体共振器を遮蔽する領域を形成する少なくとも１つの壁を含む、前記ベースと接触するカバーと、を有することを特徴とするものである。
【００２９】
【発明の効果】
本発明のパッケージされた集積回路は、基板に取付け可能なベースを有し、このベースは少なくとも１つの導波管ポートを含み且つ集積回路に電気的に接続される少なくとも１つの相互接続部を有するので、次の効果を奏する。
【００３０】
即ち、ベースが集積回路のヒートシンクとして働くので、効果的な熱の発散ができ、パッケージされたミリメータ波回路に相補熱膨張率を付与することができ、RF（無線周波数）エネルギーを効果的に伝送することができる。
【００３１】
更に、本発明のパッケージされた集積回路は、誘電体共振器を含むミリメータ波回路と、ミリメータ波回路、少なくとも１つの導波管ポート及びベースに取付けられたときにミリメータ波回路に電気的に接続されると共に基板に電気的に接続可能な複数の相互接続部を有し、ベースが取付けられたとき導波管ポートが基板及び基板を支持する支持板の少なくとも１つの開口に挿入されるよう構成され、各相互接続部がベースの一端縁に配置され且つポリイミド絶縁層間に配置された導電層を含む、基板に取付可能なベースと、誘電体共振器を遮蔽する領域を形成する少なくとも１つの壁を含む、ベースと接触するカバーと、を有するので、次の効果を奏する。
【００３２】
即ち、ベースが集積回路のヒートシンクとして働くので、効果的な熱の発散ができ、パッケージされたミリメータ波回路に相補熱膨張率を付与することができ、RF（無線周波数）エネルギーを効果的に伝送することができる。また、カバーの壁により誘電体共振器が効果的に遮蔽される。
【００３３】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の好適な実施の形態について添付図を参照して詳細に説明する。
本発明の構成の詳細及び作用について、添付図を参照して更なる目的と効果と共に説明した以下の記載により最も良く理解できよう。
【００３４】
図１は、本発明の好ましい実施の形態によるパッケージされた集積回路の斜視図である。
【００３５】
図２は、図１に示すパッケージされた集積回路の分解斜視図である。
【００３６】
図３は、図１に示すパッケージされた集積回路の斜視図であり、プリント配線板に取付けられた集積回路を示す。
【００３７】
図４は、取付けられた、パッケージされた集積回路を、支持板の下側から見た、図３と同様の斜視図である。
【００３８】
図５は、図１に示すパッケージされた集積回路の斜視図であり、ばねクリップがベースから取り外され、カバーが剥がされてパッケージされた集積回路の露出した内部のコンポーネント（部品）を示す。
【００３９】
図６は、図１に示すパッケージされた集積回路のベースの上部の斜視図である。
【００４０】
図７は、図１のパッケージされた集積回路のベースの底部の斜視図である。
【００４１】
図８は、図１に示すパッケージされた集積回路の相互接続部の、図５の８−８線に沿う断面図である。
【００４２】
図９は、本発明の別の実施形態によるパッケージされた集積回路の斜視図であり、取付けられた、パッケージされた集積回路を示す。
【００４３】
図１０は、支持板の下側から見た、取付けられた、パッケージされた集積回路の、図９と同様な斜視図である。
【００４４】
図１１は、図９に示すパッケージされた集積回路の斜視図であり、ベースからばねクリップと、カバーを取り外し、パッケージされた集積回路の内部コンポーネントを示す。
【００４５】
図１２は、図９に示すパッケージされた集積回路の底部の斜視図である。
【００４６】
図１３は、本発明の他の実施形態による、取付けられた、パッケージされた集積回路の斜視図である。
【００４７】
図１４は、図１３に示すパッケージされた集積回路の斜視図であり、ばねクリップとカバーがベースから外され、パッケージされた集積回路の内部の露出した部品を示す。
【００４８】
図１５は、図１３に示すパッケージされた集積回路の底部の斜視図である。
【００４９】
本発明は異なる形状の実施形態が可能であり、ここに図示し詳細に説明するが、開示した特定形状の実施形態は本発明の原理を例示したものと考えるべきであって、これらの発明に限定することを意図するものではない。
【００５０】
図１は、本発明の好ましい実施形態によるパッケージされた集積回路２０を示し、図９及び図１３は本発明の他の実施形態によるパッケージされた集積回路２０a、２０bを示す。パッケージされた集積回路２０、２０a、２０bは、以下、単にパッケージという。本発明の好適な実施形態による、図１に示すパッケージ２０について説明する。図１乃至図８がパッケージ２０に関係する。
【００５１】
図１乃至図３に示す如く、本発明の好適な実施形態によるパッケージ２０はベース２２、カバー２４、１対の相互接続部２６、及びばねクリップ（圧力クリップ）２８を含む。図１及び図３に示すように、ベース２２及びカバー２４が互いに係合してハウジングが形成される。このハウジング内には、図２及び図５に示すようにガラス基板３４上に取り付けられたミリメータ波回路３２の如き集積回路３０がある。特に、ベース２２及びカバー２４で形成されたハウジング内で、集積回路３０はベース２２に取付けられる。従って、パッケージ２０はベース２２、集積回路３０、１対の相互接続部２６、カバー２４及びばねクリップ２８から成るということができる。
【００５２】
図３に示すように、パッケージ２０はプリント配線板３６或いは導電トレース３８を有するプリント板の如き基板に取付けることができる。例えば、パッケージ２０はＦＲ４プリント配線板に取付けることができる。パッケージ２０はプリント配線板３６の表面に取付けることができ、或いは図示する如く切欠いた領域、即ち開口４１にプリント配線板３６を配置することにより、プリント配線板３６を支持する支持板（金属プレート）４０に直接取付けることができる。両方の場合において、パッケージ２０の集積回路３０がベース２２の相互接続部２６を介して、プリント配線板３６の導電トレース３８に電気的に接続されるように、パッケージ２０をプリント配線板３６に取付けることが好ましい。この取付及びその結果の電気的接続については、更に詳細に後述する。
【００５３】
パッケージ２０のベース２２は、燒結銅モリブデン(CuMo)冶金により製造され、粉末金属押出鋳込工程(powdered Metal-Injection-Molding process)により成形されることが好ましい。ベース２２は電解ニッケル下地めっきをして金めっきをされることが好ましい。或いは、ベース２２は銅タングステン(CuW)冶金により製造されてもよい。ベース２２がどのような材料から作られているかに拘わらず、ベース２２は集積回路３０と適合性の良い材料から形成されることが好ましい。特に、集積回路３０は既にに述べたようにベース２２に取付けられるので、ベース２２は集積回路３０に合致した熱膨張率（ＣＴＥ）を有することが好ましい。換言すると、ベース２２と集積回路３０は熱的に略一致することが好ましい。
【００５４】
図６に示す如く、ベース２２は略平坦な頂面４２を含み、ベース２２を貫通してベース２２の頂面４２から底面４６に延びる複数の導波管ポート４４を有する(図７参照)。導波管ポート４４は、ベース２２の底面４６の突出構造４８を貫通して頂面４２から延びる実質的な貫通孔である。図４に示す如く、突出構造４８は突起部として形成され、この突起部が支持板４０の反対側に突出するように、支持板４０の開口５０に受容され（そしてパッケージ２０が直接プリント配線板３６に取付けられるときは、プリント配線板３６の開口内にも受容され）ることが好ましい。図３に示す如く、パッケージ２０が直接支持板４０に取付けられる場合は、開口５０を貫通して突出構造４８が支持板４０の他側に延びるほど、突出構造４８はベース２２の底面４６から大きくはなれて突出する必要はない。逆に、パッケージ２０がプリント配線板３６に直接取付けられるよう構成される場合は、突出構造４８が支持板４０の開口及びプリント配線板３６の対応する開口を通過して支持板４０の他側に延びるようにベース２２の底面４６から一層大きな距離だけ突出する必要がある。
【００５５】
図５に示すように、パッケージ２０のベース２２の頂面４２に取付けられたガラス基板３４（集積回路３０）のミリメータ波回路３２に導波管ポート４４が電気的に接続されるのが好ましい。ベース２２は集積回路３０のヒートシンクとして機能する。導波管ポート４４は、ミリメータ波集積回路３２とパッケージ２０の外部との間でエネルギーを送受信する。パッケージ２０の導波管ポート４４は、アンテナ構造内の同じ場所に位置し、これによって送信機の機能と受信機の機能が付与されることが好ましい。導波管ポート４４はパッケージ２０のベース２２の一部であることが好ましいが、この導波管ポート４４によりパッケージ２０の熱発散能力が増大される。
【００５６】
図６及び図７に示す如く、ボスのような位置決め構造５２はベース２２の周縁に位置する。特に、ベース２２の両側に２個のボスを設けてもよい。図３に示す如く、ばねクリップ２８を相互接続部２６に押圧してプリント配線板３６と接触させるように、位置決め構造５２により、ばねクリップ２８がパッケージ２０の相互接続部２６に対し、位置決め及び整列される。ばねクリップ２８は前述したように、相互接続部２６を押圧してプリント配線板３６の導電トレース３８と電気的接触をすることが好ましい。加えて、図７に示すように位置決めボスのような１個以上の位置決め構造５４を、パッケージ２２の位置決めをする為にベース２２の底面４６に設けることが好ましい。この目的のために、図３に示すようにパッケージ２０が支持板４０に直接取付けられる場合は、位置決め構造５４はケース内の支持板４０の開口５６（図４に示す）に受容される。プリント配線板３６の表面にパッケージ２０が直接取付けられる場合は、各位置決め構造５４はプリント配線板３６の対応する開口内にも受容され、或いはプリント配線板３６の１個の開口のみに受容されて支持板４０の開口には受容されないようにすることもできる。
【００５７】
図５に示すように、相互接続部２６はベース２２の周縁部の位置決め構造５２に隣接するベース２２上に設けられる。相互接続部２６はベース２２の両側に設けられることが好ましい。相互接続部２６はベース２２の頂面４２にエポキシにより接着されてもよく、夫々の相互接続部２６はベース２２の頂面４２に取付けられた集積回路３０にワイヤボンディング等により電気的に接続される。集積回路３０は相互接続部２６に電気的に接続されるので、相互接続部２６と、プリント板３６或いは他の基板の導電トレース３８との間の電気的接続は、パッケージ２０が取付けられたときパッケージ２０内の集積回路３０が導電トレース３８と電気的に接続される。
【００５８】
相互接続部２６の好ましい構造について図８を参照して以下に説明する。各相互接続部２６は複数の層５８、６０、６２に形成された金属化されたポリイミドフィルムであることが好ましい。特に、導電層５８は２つの絶縁層６０、６２の間に配置される。ベースとなる絶縁層６０は２５乃至４５ミクロンの範囲の厚さを有するポリイミド誘電体であることが好ましい。導電層５８は２０乃至４５ミクロンの厚さを有する銅であり、絶縁層６０に積層或いは接着されることが好ましい。導電層５８は、銅から形成されるパターン化された導電トレース５９を有する。頂部の絶縁層６２は２０乃至４５ミクロンの厚さを有するポリイミド誘電体であり、絶縁層６０及び導電層５８に積層或いは接着されることが好ましい。
【００５９】
前述したように、また、図３に示す如くパッケージ２０がプリント配線板３６或いは他の基板に取付けられたとき、ばねクリップ２８が相互接続部２６を押圧して、相互接続部２６がプリント配線板３６或いは他の基板に接続される。特に、各相互接続部２６の導電層５８は、プリント配線板３６と接触し、また、その上の導電トレース３８に電気的に接続されることが好ましい。即ちポリイミドコネクタとなることが好ましい。従って、相互接続部２６はパッケージ２０内の集積回路３０と電気的に接続されるので、プリント配線板３６或いは他の基板の導電トレース３８は、パッケージ２０の相互接続部２６を介して集積回路３０に電気的に接続される。
【００６０】
既に述べたように、又、図１及び図３に示すようにカバー２４はベース２２と係合してハウジングを形成する。特に、カバー２４はハウジングを形成するためにベース２２にエポキシにより接着されることが好ましい。カバー２４はニッケル−鉄(NiFe)合金から形成され、粉末金属押出鋳込工程を用いて形成されることが好ましい。カバー２４は電解ニッケルの下地メッキをして金メッキをすることが好ましい。カバー２４がどのような材料で製造されているかに拘わらず、カバー２４はベース２２と相性の良い材料で製造されるのが好ましい。ベース２２とカバー２４は熱的にある程度整合し、同様な熱膨張率(CTE)を有するのが好ましい。図１及び図５に示すように、集積回路３０は、集積回路３０にエポキシにより接着されたDRパックの如き誘電体共振器６４を含み、また、図５に示すようにカバー２４は、カバー２４がベース２２と接触したときに、誘電体共振器６４のためのシールド（遮蔽）領域６８を形成する壁６６を含むことが好ましい。当然、他の実施形態は誘電体共振器６４を含まなくてもよい。
【００６１】
ばねクリップ２８がプリント配線板３６に係合することにより、或いは図示するように支持板４０に直接係合して、パッケージ２０がプリント配線板３６に固定される。ばねクリップ２８について以下に説明する。図１及び図２に示すように、ばねクリップ２８は舌部７２を有する複数の脚７０を有する。図３及び図４に示す如く、パッケージ２０が取付けられると、図３及び図４に示すように支持板４０に対し脚７０の舌部７２が係合するように、ばねクリップ２８の脚７０が支持板４０の開口７４に受容されて、図４に示す如くパッケージ２０がプリント配線板３６の所定位置に固定されることが好ましい。支持板４０ではなくプリント配線板３６の表面にパッケージ２０が直接取付けられる場合は、ばねクリップ２８の脚７０は支持板４０とプリント配線板３６の両方の開口に受容されることとなろう。それに拘わらず、図示する如くばねクリップ２８は、また、相互接続部２６を押圧して図３に示すようにプリント配線板３６と接触させ、好ましくはその導電トレース３８と電気的に接触する２つの外側に延びる部分（延長部）７６を含む。外側に延びる各延長部７６は、指の如き複数の押圧接触部材７８を有することが好ましい。
【００６２】
パッケージ２０の組立について、以下に説明する。最初に相互接続部２６はベース２２に取付けられる。これは当業者であれば理解できるであろうが、ホットバーＢステージエポキシ接着工程（hot-bar B-stage epoxy attachment process）を使用して実施される。次に、組立の際、整列させるための光学的なコントラスト用として、ベース２２の基準となる凹所７９に暗色のエポキシインクが付着される。次に当業者であれば理解できるであろうが、スクリーン印刷工程或いはパッド印刷工程を用いて導電率の低いエポキシ樹脂が、ベース２２の頂面４２に形成される。集積回路３０がベース２２に取付けられる領域に、エポキシ樹脂が所望の形状に形成されることが好ましい。次に、集積回路３０がベース２２の頂面４２に位置決めされ、導電率の低いエポキシ樹脂が硬化する。次に、超音波併用熱圧着ワイヤボンディング(thermosonic wire bonding)或いは、フリップチップ取付工程を用いて、半導体のダイ（細片）が集積回路３０に取付けられ、また相互接続部２６が集積回路３０に接続される。次に、DRパックの如き誘電体共振器６４が集積回路３０に設けられる場合は、集積回路３０の、誘電体共振器６４が望まれる位置にエポキシ樹脂が形成される。次に誘電体共振器６４がエポキシ上に載置され、エポキシ樹脂が硬化される。次に、エポキシのシールリングがカバー２４のシールエッジに設けられ、カバー２４がベース２２に取付けられてエポキシシールリングが硬化される。パッケージ２０が図３に示す如くプリント配線板３６、或いは他の基板に取付けられる前に、パッケージ２０について、引き続き電気的な試験を行なうことが好ましい。
【００６３】
パッケージ２０の基板への取付について以下に説明する。特に、パッケージ２０を支持板４０に直接係合させることにより、組み立てられたパッケージ２０をプリント配線板３６に取付けることについて以下に説明する。この場合プリント配線板３６は、パッケージ２０が支持板４０に直接取付けられる位置に切欠き即ち逃げ４１を有する。しかし、当業者であればプリント配線板３６に逃げ４１が全くない場合でも、プリント配線板３６の表面に直接取付けるようパッケージを構成することは容易であることが理解できよう。この場合、パッケージ２０の底面４６に設けられた突出構造４８及び位置決め構造５４と同様に、ばねクリップ２８の脚７０を受容する為にプリント配線板３６に開口を設けることになろう。説明した如く。また、図３に示す如く、パッケージ２０が直接支持板４０に取付けられる場合は、プリント配線板３６はパッケージ２０が支持板４０に着座することができるように開口即ち逃げ４１を含む。加えて、図４に示す如く、ばねクリップ２８の脚７０を受容するのと同様に、パッケージ２０の底面４６に設けた各位置決め構造５４及び突出構造４８を受容するために、支持板４０に開口５６、７４が設けられ、ばねクリップ２８の脚７０が受容されたときに、ばねクリップ２８の脚７０の舌部７２が支持板４０と係合してパッケージ２０を所定の位置に固定する。パッケージ２０が所定の位置に固定されると、ばねクリップ２８の延長部７６はパッケージ２０の相互接続部２６を押圧して、図３に示すようにプリント配線板３６と接触させる。説明したように、各相互接続部２６の導電層５８が押圧されてプリント配線板３６の導電トレース３８と電気的接触をし、これにより導電トレース３８は、パッケージ２０の相互接続部２６を介して集積回路３０に電気的に接続されることが好ましい。
【００６４】
図４に示す如く、パッケージ２０が取付けられると、ベース２２の導波管ポート４４である突出構造４８が、支持板４０の開口５０を通過して延びることが好ましい。これによってマイクロウェーブのようなRF(高周波)エネルギーが除去でき、導波管ポート４４に受容されたミリメータ波集積回路３２の各回路構成に効率的に印加される。
【００６５】
パッケージ２０がプリント配線板３６に取付けられ、或いは支持板４０に直接取付けられるよう構成されているか否かに拘わらず、パッケージ２０の相互接続部２６がプリント配線板３６或いは他の基板の導体と電気的に接続し、導波管ポート４４が反対側に延びるようにパッケージ２０がプリント配線板３６或いは他の基板に取付けられることが好ましい。
【００６６】
図９及び図１３に示す、本発明の別の実施形態によるパッケージ２０a、２０bについて以下に説明する。図９及び図１３に示すパッケージ２０a、２０bは、パッケージ２０と同様な部品を有し、同様な部品を識別するためには同様な参照符号が用いられ、パッケージ２０の記載を参照することにより理解できるときは詳細な説明は省略する。特に、図９に示すパッケージ２０aに関連しては接尾辞"a"が用いられ、図１３に示すパッケージ２０bに関連しては接尾辞"b"が用いられる。
【００６７】
図９に示すパッケージ２０aについて、図８と同様に関連する図９乃至図１３を参照して説明する。図９に示すように、パッケージ２０と同様なパッケージ２０aは、ベース２２aとベース２２aに接着されてハウジングを形成するカバー２４aとを有する。図１２に示す如く、ベース２２aの底面４６aは突出構造４８aを有し、この突出構造４８aは集積回路３０aの導波管を受容するよう形成された３つの導波管ポート４４aを有する。図１１に示す如く、集積回路３０aはベース２２aの頂面４２aに取付けられ、DRパックの如き誘電体共振器６４aを含むことが好ましい。この誘電体共振器６４aは、カバー２４aがベース２２aと接触したとき、カバー２４aの壁６６aによって形成される領域６８aによりシールド(遮蔽)される。図１に示すパッケージ２０のように、パッケージ２０aのベース２２aに取付けられた集積回路３０aは、ガラス基板３４aに取付けられたミリメータ波回路３２aであることが好ましい。
【００６８】
図９に示すパッケージ２０aと、図１に示すパッケージ２０との実質的に大きな相違は、図９に示すパッケージ２０aの相互接続部２６aがベース２２aの端縁からベース２２aの底面４６aに巻回されており、ベース２２aの周縁から外方へ延びていないという点である。これは、図１１に最も良く示されている。結果的に、パッケージ２０aを取付けるのに使用されるばねクリップ２８aは、パッケージ２０aが取付けられたときに、相互接続部２６aを押圧して導電トレース３８と接触させるための外側に延びる延長部を含まない。図１に示すパッケージ２０と同様に、パッケージ２０aのベース２２a上の突出構造４８aは、図１０に示すように支持板４０の他側に延びることが好ましい。  図９に示すパッケージ２０aはプリント配線板３６の表面に取付けられるように構成されている。しかし、パッケージ２０aがプリント配線板３６の開口内で、支持板４０に直接取付けるよう構成することができることは当業者には理解できよう。
【００６９】
図９及び図１０に示す如く、パッケージ２０aが取付けられると突出構造４８aは、支持板４０及びプリント配線板３６の開口５０に受容されて（パッケージ２０aが支持板４０の表面に直接取付けられる場合は、突出構造４８aは支持板４０の開口にのみ受容される）、図１１に示す如く、プリント配線板３６に対してパッケージ２０aが位置決めされる。図９に示す如く、パッケージ２０aが取付けられると、プリント配線板３６の開口８０及び対応する支持板４０の開口７４（図１０参照）に、ばねクリップ２８aの脚７０aが受容される(１つのみ示す)。（パッケージ２０aが支持板４０の表面に直接取付けられる場合は、舌部７２aは支持板４０の開口に受容されるだけである。）
加えて、図１２に示すようにパッケージ２０aのベース２２aの底面４６aに、位置決めボス５４aを設けることが好ましい。この位置決めボス５４aはプリント配線板３６と支持板４０の開口５６に受容されて(図１０参照)、図９に示すようにプリント配線板３６に対してパッケージ２０aを位置決めすることが好ましい。図９に示すパッケージ２０aの部品は、図１に示すパッケージ２０の対応する部品と同じ材料で形成されるのが好ましい。例えば、パッケージ２０aの相互接続部２６aは、パッケージ２０の相互接続部２６と同じ材料で形成されることが好ましい。
【００７０】
図１３に示す如く、パッケージ２０bもまた、ベース２２bと、ベース２２bに接着されてハウジングを形成するカバー２４bとを有する。図１５に示す如く、ベース２２bの底面４６bは、導波管ポート４４bが配置された２つの突出構造４８bを含む。これらの突出構造４８bは、１個以上の導波管ポート４４bを含むことができ、内包する集積回路３０bの所望の機能を果たすことを容易にしている(図１４参照)。前述のパッケージ２０、２０aのように、集積回路３０bはベース２２bに取付けられ、集積回路３０bはガラス基板３４bに取付けられたミリメータ波回路３２bであることが好ましい。
【００７１】
図１４に示すように、パッケージ２０bは図９に示すパッケージ２０aのように、ベース２２bから底面４６bへと巻回する１つの相互接続部２６bを含む。これ故に、プリント配線板３６或いは他の基板にパッケージ２０bを取付けるために、パッケージ２０bに図示しないばねクリップを用いるならば、パッケージ２０bが取付けられたときに、ばねクリップは相互接続部を押圧して導電トレースと接触する外側に延びる部分即ち延長部を含む必要がない。
【００７２】
前述したパッケージ２０、２０aと同様に、図１３に示す如くパッケージ２０bが直接プリント配線板３６に取付けられる場合は、このプリント配線板３６と同様に（もし、設けられるならば）支持板の開口にも受容される突出構造４８bを設け、これによりパッケージ２０bの所望の位置決めがなされ、また突出構造４８bが他側に延びる。既述した如く、パッケージ２０bが支持板に直接取付けられる場合は、突出構造４８bは、それがプリント配線板及び支持板或いはそのいずれか一方の他側に延びるように、パッケージ２０bの底面４６bからそれほど突出する必要がない。
【００７３】
説明した他のパッケージと同じように、図１５に示すパッケージ２０bのベース２２bの底面４６bに位置決めボス５４bを設け、パッケージ２０bが取付けられたときに位置決めボス５４bが対応する開口に受容されてパッケージ２０bの位置決めをすることが好ましい。図１２乃至図１５に示すパッケージ２０bの部品は前述のパッケージ２０、２０aの対応する部品と同じ材料で形成されることが好ましい。例えば、相互接続部２６bは相互接続部２６及び２６aと同じ材料から形成されるのが好ましい。
【００７４】
図９及び図１３に示すパッケージ２０a及び２０bの組立及び取付に関しては、図１のパッケージ２０に関連して説明したのと実質的に同じ組立及び取付工程が採用される。
【００７５】
説明したように、本発明によるパッケージは本発明の範囲から逸脱することなく、プリント配線板の表面に、また支持板或いは実質的に他のどんな基板にも直接取付けるように構成することができる。
【００７６】
本発明の実施形態について図示して説明したが、添付の請求の範囲の精神から逸脱することなく、当業者にとって種々の変形変更が可能であることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の好ましい実施の形態によるパッケージされた集積回路の斜視図
【図２】図１に示すパッケージされた集積回路の分解斜視図
【図３】図１に示すパッケージされた集積回路の斜視図であり、プリント配線板に取付けられた集積回路を示す
【図４】取付けられたパッケージされた集積回路を、支持板の下側から見た、図３と同様の斜視図
【図５】図１に示すパッケージされた集積回路の斜視図であり、ばねクリップ及びカバーを取り外して、パッケージされた集積回路の内部の露出した部品を示す
【図６】図１に示すパッケージされた集積回路のベースの上部の斜視図
【図７】図１のパッケージされた集積回路のベースの底部の斜視図
【図８】図１に示す、パッケージされた集積回路の相互接続部の、図５の８−８線に沿う断面図
【図９】本発明の別の実施形態による、パッケージされた集積回路の斜視図
【図１０】支持板の下側から見た、取付けられた、パッケージされた集積回路の、図９と同様な斜視図
【図１１】図９に示すパッケージされた集積回路の斜視図であり、ベースからばねクリップと、カバーを取り外した、パッケージされた集積回路の内部の露出した部品を示す
【図１２】図９に示すパッケージされた集積回路の底部の斜視図
【図１３】本発明の他の実施形態による、取付けられた、パッケージされた集積回路の斜視図
【図１４】図１３に示すパッケージされた集積回路の斜視図であり、ばねクリップとカバーがベースから外され、パッケージされた集積回路の内部の露出した部品を示す
【図１５】図１３に示すパッケージされた集積回路の底部の斜視図
【符号の説明】
２０、２０a、２０b    パッケージされた集積回路
２２、２２a、２２b    ベース
２４、２４a、２４b    カバー
２６、２６a、２６b    相互接続部
２８、２８a    ばねクリップ（圧力クリップ）
３２、３２a、３２b    集積回路
３８    導電トレース
４０    支持板
４４、４４a、４４b    導波管ポート
４８、４８a    突出構造
５０    開口
５２    位置決め構造
５４、５４a、５４b    位置決めボス
５８    導電層
６０、６２    絶縁層
６４    誘電体共振器
６６、６６a    壁
６８    遮蔽領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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