(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一の内部電極及び第二の内部電極を誘電体層を介して交互に積層した容量形成部と、該容量形成部の外側に積層された補強層とからなるコンデンサ本体と、該コンデンサ本体の少なくとも一方の主面に設けられた電源回路用外部端子及び接地回路用外部端子と、前記補強層を貫通するように設けられ前記第一の内部電極と前記電源回路用外部端子とを電気的に接続する第一のビアホール導体と、前記補強層を貫通するように設けられ前記第二の内部電極と前記接地回路用外部端子とを電気的に接続する第二のビアホール導体と、を含んでなる積層コンデンサであって、
前記補強層における前記第一のビアホール導体及び前記第二のビアホール導体の横断面の面積が、前記容量形成部における前記第一のビアホール導体及び前記第二のビアホール導体の横断面の面積よりも大きいことを特徴とする積層コンデンサ。
【請求項２】
前記第一のビアホール導体及び前記第二のビアホール導体を平面視したときの形状が円形状であるとともに、前記補強層における前記第一のビアホール導体及び前記第二のビアホール導体の横断面の径が、前記容量形成部における前記第一のビアホール導体及び前記第二のビアホール導体の横断面の径よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の積層コンデンサ。
【請求項３】
前記補強層が、前記容量形成部の前記誘電体層よりも高強度のセラミックスからなることを特徴とする請求項１又は２に記載の積層コンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、少なくとも一方の主面に設けられた外部電極と、内部電極とをビアホール導体により電気的に接続するようにした積層コンデンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来からある典型的な積層コンデンサは、図６に示すように、複数の第一の内部電極４１及び第二の内部電極４２がセラミック誘電体層４３を介して互いに対向しながら交互に配置されて積層構造を形成し、複数のコンデンサユニットを形成している。
【０００３】
近年、高容量且つ低インダクタンスのコンデンサの需要が高まり、誘電体層４３の薄層化が進むと共に、コンデンサ本体の少なくとも一方の主面に複数の第一の外部端子電極（電源回路用電極）５１及び第二の外部端子電極（接地回路用電極）５２を備え、この第一の外部端子電極と上記第一の内部電極４１及び第二の外部端子電極と上記第二の内部電極４２とをそれぞれビアホール導体６１，６２によって電気的に接続する構造が採用されている（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平７−３２６５３６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このようなコンデンサにおいては、その強度を補強するために、一般に容量形成部４の上下に誘電体層４３と同種、若しくは、より高強度のセラミックスからなる補強層７が積層されている。この補強層７の厚みは、例えば容量形成部４の厚み７００〜１０００μｍに対し、通常７０〜１００μｍの厚みとなっている。したがって、上記の構造では、外部端子電極５１，５２から内部電極４１，４２までのビアホール導体の長さが補強層の分だけ長くなってしまうので、コンデンサ全体のインダクタンスが増加してしまう。
【０００５】
つまり、容量形成部４の中の内部電極４１，４２は入出力端子間に並列に接続される形になっている為、積層数を増やす程、容量形成部４全体のインダクタンスは小さくなる。その結果、コンデンサ全体のインダクタンスに対して補強層７のインダクタンスが占める割合が多くなるので、コンデンサの等価直列インダクタンスの主要成分はビアホール導体の補強層７領域におけるインダクタンスとなる。
【０００６】
ここで、インダクタンスが増加すると、給電経路に於いて応答の遅れが起こり、スイッチングノイズが発生してしまうという問題がある。
【０００７】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、積層コンデンサの誘電体層の薄層化によって、容量形成部の上下に強度補強層を形成する必要がある場合に、容量を確保したまま、ビアホール導体の伸長によるインダクタンスの増加を抑える構造を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者は、鋭意検討の結果、補強層における第一のビアホール導体及び第二のビアホール導体の横断面の面積を、容量形成部における第一のビアホール導体及び第二のビアホール導体の横断面の面積よりも大きくすることにより、上記目的を達成することを見出し、本発明に到達した。
【０００９】
すなわち本発明は、第一の内部電極及び第二の内部電極を誘電体層を介して交互に積層した容量形成部と、該容量形成部の外側に積層された補強層とからなるコンデンサ本体と、該コンデンサ本体の少なくとも一方の主面に設けられた電源回路用外部端子及び接地回路用外部端子と、前記補強層を貫通するように設けられ前記第一の内部電極と前記電源回路用外部端子とを電気的に接続する第一のビアホール導体と、前記補強層を貫通するように設けられ前記第二の内部電極と前記接地回路用外部端子とを電気的に接続する第二のビアホール導体と、を含んでなる積層コンデンサであって、前記補強層における前記第一のビアホール導体及び前記第二のビアホール導体の横断面の面積が、前記容量形成部における前記第一のビアホール導体及び前記第二のビアホール導体の横断面の面積よりも大きいことを特徴とする積層コンデンサである。コンデンサの等価直列インダクタンスの主要成分はビアホール導体の補強層領域におけるインダクタンスとなるので、補強層における第一のビアホール導体及び第二のビアホール導体の横断面の面積を、第一のビアホール導体及び第二のビアホール導体の容量形成部における横断面の面積よりも大きくすることにより、積層コンデンサ全体のインダクタンスを低減させることができる。
【００１０】
ここで、第一のビアホール導体及び第二のビアホール導体を平面視したときの形状が円形状であるとともに、補強層における第一のビアホール導体及び第二のビアホール導体の横断面の径を、容量形成部における第一のビアホール導体及び第二のビアホール導体の横断面の径よりも大きくしたものが採用できる。
【００１２】
尚、補強層が容量形成部の誘電体層よりも高強度のセラミックスからなるのが好ましい。これにより、第一のビアホール導体及び第二のビアホール導体の補強層に位置する領域の第一のビアホール導体及び第二のビアホール導体の横断面の面積が、容量形成部における第一のビアホール導体及び第二のビアホール導体の横断面の面積よりも大きいことによる強度低下を解消することができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、ビアホール導体の容量形成部に位置する領域の横断面の断面積はそのままで、補強層に位置する領域の横断面の断面積を増やすことができるので、容量を減らすことなくインダクタンスを低減させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
図１は、本発明に係る積層コンデンサを示す断面模式図である。
【００１５】
図１に示す積層コンデンサは、第一の内部電極１１１と第二の内部電極１１２が誘電体層１１３を介して交互に積層されてなる容量形成部１１と、この容量形成部１１の外側に積層された補強層１２とからなるコンデンサ本体１を有している。そして、コンデンサ本体１の一方の主面には、電源回路用外部端子２１と接地回路用外部端子２２が設けられており、この電源回路用外部端子２１と第一の内部電極１１１は第一のビアホール導体３１（電源回路用）により電気的に接続されるとともに、接地回路用外部端子２２と第二の内部電極１１２は第二のビアホール導体３２（接地回路用）により電気的に接続されている。このとき、第一のビアホール導体３１と第二のビアホール導体３２は補強層を貫通するように設けられている。そして、第一のビアホール導体３１及び第二のビアホール導体３２の補強層１２における、それぞれのビアホール導体の横断面の面積が容量形成部の面積より大きくなっている。
【００１６】
第一の内部電極１１１と第二の内部電極１１２は、例えばＰｄ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｐｂ及びそれらの合金等の材料からなり、これらの厚みは通常１〜３μｍ程度である。そして、これらが誘電体層１１３を介して交互に積層されることにより複数のコンデンサユニットが直列に配置された容量形成部１１となる。言い換えると、容量形成部１１は、第一の内部電極１１１、誘電体層１１３、第二の内部電極１１２、誘電体層１１３、第一の内部電極１１１の順で積層された構造になっている。ここで、誘電体層１１３の材質としては、例えばＢａＴｉＯ3、ＬａＴｉＯ3、ＣａＴｉＯ3、ＮｄＴｉＯ3、ＭｇＴｉＯ3、ＳｒＴｉＯ3、ＣａＺｒＯ3、ＳｒＳｎＯ3、ＢａＴｉＯ3にＮｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5、ＺｎＯ、ＣｏＯ等を添加した組成物、ＢａＴｉＯ3の構成原子であるＢａをＣａで、ＴｉをＺｒやＳｎで部分的に置換した固溶体等のチタン酸バリウム系材料や、Ｐｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3、Ｐｂ（Ｆｅ，Ｎｄ，Ｎｂ）Ｏ3系ペロブスカイト型構造化合物、Ｐｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3−ＰｂＴｉＯ3等の２成分系組成物、Ｐｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3−ＰｂＴｉＯ3−Ｐｂ（Ｍｇ1/2Ｗ1/2）Ｏ3、Ｐｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3−Ｐｂ（Ｚｎ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3−ＰｂＴｉＯ3、Ｐｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3−Ｐｂ（Ｚｎ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3−Ｐｂ（Ｓｍ1/2Ｎｂ1/2）Ｏ3等の３成分系組成物、あるいはそれらにＭｎＯ、ＭｎＯ2、ＣｕＯ、ＢａＴｉＯ3等を添加したもの等の鉛系リラクサー材料などが挙げられる。また、この誘電体層１１３の厚みや積層数は目的とする容量値によって適宜設定されるが、通常、３〜４μｍの厚みであり、２００層程度積層される。
【００１７】
容量形成部１１の外側には、誘電体層１１３と同材質または誘電体層１１３よりも高強度のセラミックスからなる補強層１２が積層されており、これによりコンデンサ本体１の製造時及び使用時の強度が維持されている。ここで、補強層１２は、第一のビアホール導体３１及び第二のビアホール導体３２の補強層１２における、それぞれのビアホール導体の横断面の面積が容量形成部の面積より大きいことによる強度低下を考慮すると誘電体層１１３よりも高強度のセラミックスであるのが望ましいが、選択される材質は熱膨脹係数差を考慮して適宜決定される。この補強層１２の厚みは、図面上は容量形成部１１と同じ程度の厚みで表されているが、実際は少なくとも容量形成部１１を構成する誘電体層１１３の厚みよりはかなり厚いが、容量形成部１１（第一の内部電極１１１と第二の内部電極１１２と誘電体層１１３の厚みの和）よりもかなり薄く形成されており、通常７０〜１００μｍ程度になっている。
【００１８】
コンデンサ本体１の一方の主面には、半田バンプ等からなる電源回路用外部端子２１と接地回路用外部端子２２が設けられており、この電源回路用外部端子２１と第一の内部電極１１１は第一のビアホール導体３１により電気的に接続されるとともに、接地回路用外部端子２２と第二の内部電極１１２は第二のビアホール導体３２により電気的に接続されている。このとき、第一のビアホール導体３１が第一の内部電極１１１のみと接続されて第二の内部電極１１２と接触しないように、第二の内部電極１１２の第一のビアホール導体３１が貫く部位周辺には導体非形成領域１１１１が設けられている。また、第一の内部電極１１１の第二のビアホール導体３２が貫く部位周辺にも同様に導体非形成領域１１１１が設けられている。尚、ビアホール導体の材質としては、一般に内部電極と同様の材料が採用されるが、特に限定はない。
【００１９】
そして、図１に示す積層コンデンサは、補強層における第一のビアホール導体３１及び
第二のビアホール導体３２の横断面の面積が、容量形成部１１における横断面の面積よりも大きくなっており、具体的には、補強層１２における第一のビアホール導体３１及び第二のビアホール導体３２の横断面の径が、容量形成部１１における横断面の径よりも大きくなっている。このように、容量形成部１１における第一のビアホール導体３１ａ及び第二のビアホール導体３２ａの横断面の面積をそのままに維持するとともに、補強層１２における第一のビアホール導体３１ｂ及び第二のビアホール導体３２ｂの横断面の面積を大きくすることにより、静電容量は保ちながらインダクタンスを低減させることができる。尚、補強層１２におけるビアホール導体の横断面の径は、補強層１２の強度を保てる範囲であれば特に限定はないが、後述のようにそれぞれのビアホール導体が接触しないように配置する必要がある。
【００２０】
ここで、第一のビアホール導体３１と第二のビアホール導体３２は、これらを流れる電流によって誘起される磁界を互いに相殺するように隣り合うように設けられるのが好ましい。これらのビアホール導体の配置については、例えば第一のビアホール導体３１及び第二のビアホール導体３２を一列あるいは二列に交互に配置することができる。このとき、第一のビアホール導体３１と第二のビアホール導体３２を極めて近接あるいは隣接して配置すると、図２に示すように、補強層１２において第一のビアホール導体３１ｂと第二のビアホール導体３２ｂが重なってしまうこととなる。尚、図２は第一の内部電極に沿って切断した切断面の一例を示しており、図中の点線は、この切断面から外部端子方向を見たときの補強層１２における第一のビアホール導体３１ｂと第二のビアホール導体３２ｂの外周の位置を示すものである。したがって、第一のビアホール導体３１と第二のビアホール導体３２の間にはある程度の間隔をあけるのがよいが、図３に示すように、容量形成部１１におけるビアホール導体３１ａ，３２ａの中心軸と補強層１２におけるビアホール導体３１ｂ，３２ｂの中心軸とをずらすことにより、容量形成部１１におけるビアホール導体３１ａ，３２ａの間隔をそのままにすることもできる。これにより、ビアホール導体３１ａとビアホール導体３２ａの間隔をそれほど広げなくてもいいので、磁界を互いに相殺する効果を維持することができる。
【００２１】
また、図４に示すように、横断面略正方形のコンデンサ本体１のそれぞれの角部に近接して第一のビアホール導体３１と第二のビアホール導体３２を二本ずつ配置してもよい。具体的には、最も角部に近接する位置に第一のビアホール導体３１を配置したときは、この位置から図面上縦方向及び横方向に隣り合う部位には第二のビアホール導体３２を配置し、斜め方向に隣り合う部位には第一のビアホール導体３１を配置している。このような配置とすることによっても、第一のビアホール導体３１と第二のビアホール導体３２を流れる電流が反対方向に流れるので、誘起される磁界を互いに相殺し、積層コンデンサに生じるインダクタンスを低減することができる。しかしながら、図４においても上述のように第一のビアホール導体３１と第二のビアホール導体３２を極めて近接あるいは隣接して配置すると、図中の点線で示すように、補強層１２において第一のビアホール導体３１と第二のビアホール導体３２が重なってしまうこととなる。したがって、ある程度の間隔をあけるのもよいが、図５に示すように、ビアホール導体の容量形成部における中心軸と補強層における中心軸をずらすことにより、容量形成部を貫くビアホール導体の間隔をそのままにすることができる。尚、上述のように容量形成部における中心軸と補強層における中心軸をずらした場合であっても、容量形成部の横断面が補強層の横断面に含まれるような範囲内でずれるのが望ましい。
【００２８】
このような積層コンデンサの形成に際しては、誘電体粉末をバインダーと十分に混合したスリップからセラミックグリーンシートに成形したものを使用する。そして、内部電極の形成にあたっては、このような電極材料粉末をバインダーと混合粉砕してペースト状にした導電性ペーストが用いられる。この導電性ペーストを、スクリーン印刷法などによってセラミックグリーンシート上に内部電極パターンとして印刷して、積層、圧着、焼成することにより、所望の内部電極を形成する。この内部電極形成の際、レーザーの照射や、マイクロドリル又はパンチングを用いた打ち抜き法などにより加工された穴に導電性ペーストが充填されてビアホール導体が形成される。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明に係る積層コンデンサの一実施例を示す断面模式図である。
【図２】図１に示す積層コンデンサのビアホール導体の一配置例の説明図である。
【図３】図１に示す積層コンデンサのビアホール導体の一配置例の説明図である。
【図４】図１に示す積層コンデンサのビアホール導体の他の一配置例の説明図である。
【図５】図１に示す積層コンデンサのビアホール導体の他の一配置例の説明図である。
【図６】従来の積層コンデンサを示す断面模式図である。
【符号の説明】
【００３８】
１：コンデンサ本体
１１：容量形成部
１１１：第一の内部電極
１１２：第二の内部電極
１１３：誘電体層
１１１１：導体非形成領域
１２：補強層
１２３，１２４：導体層
１２５：導体パターン
２１：電源回路用外部端子
２２：接地回路用外部端子
３１：第一のビアホール導体
３１ａ：容量形成部における第一のビアホール導体
３１ｂ：補強層における第一のビアホール導体
３１１：第一のバイパス状ビアホール導体
３２：第二のビアホール導体
３２ａ：容量形成部における第二のビアホール導体
３２ｂ：補強層における第二のビアホール導体
３２１：第二のバイパス状ビアホール導体
３２２：筒状ビアホール導体
３２３：切り欠き
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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