(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空引き可能になされた処理容器内に設置した載置台上に被処理体を載置し、前記処理容器内に腐食性の成膜ガスを導入して成膜処理を施すようにした成膜装置において、
前記処理容器内に設けた部品の材料はアモルファスカーボンであり、前記アモルファスカーボンは、ブラスト処理により平均表面粗さが３．０〜７．４μｍの範囲内に設定された後に、酸素存在下のプラズマエッチング処理が施されていることを特徴とする成膜装置。
【請求項２】
前記部品は、前記載置台であることを特徴とする請求項１記載の成膜装置。
【請求項３】
前記処理容器内には、前記載置台の周囲を囲むようにしてシールドリングが設けられており、前記部品は、前記シールドリングであることを特徴とする請求項１記載の成膜装置。
【請求項４】
真空引き可能になされた処理容器内に設置した載置台上に被処理体を載置し、前記処理容器内に成膜ガスを導入して成膜処理を施す際に腐食性のガスを発生する成膜装置において、
前記処理容器内に設けた部品の材料はアモルファスカーボンであり、前記アモルファスカーボンは、ブラスト処理により平均表面粗さが３．０〜７．４μｍの範囲内に設定された後に、酸素存在下のプラズマエッチング処理が施されていることを特徴とする成膜装置。
【請求項５】
前記部品は、前記載置台であることを特徴とする請求項４記載の成膜装置。
【請求項６】
前記処理容器内には、前記載置台の周囲を囲むようにしてシールドリングが設けられており、前記部品は、前記シールドリングであることを特徴とする請求項４記載の成膜装置。
【請求項７】
真空引き可能になされた処理容器内に設置した載置台上に被処理体を載置し、前記処理容器内に成膜ガスを導入して成膜処理を施すようにすると共に、クリーニングにおいて腐食性ガスを用いるようにした成膜装置において、
前記処理容器内に設けた部品の材料はアモルファスカーボンであり、前記アモルファスカーボンは、ブラスト処理により平均表面粗さが３．０〜７．４μｍの範囲内に設定された後に、酸素存在下のプラズマエッチング処理が施されていることを特徴とする成膜装置。
【請求項８】
前記部品は、前記載置台であることを特徴とする請求項７記載の成膜装置。
【請求項９】
前記処理容器内には、前記載置台の周囲を囲むようにしてシールドリングが設けられており、前記部品は、前記シールドリングであることを特徴とする請求項７記載の成膜装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハ等に成膜処理を施すための成膜装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、半導体集積回路の製造工程においては、被処理体である半導体ウエハ表面に配線パターンを形成するために或いは配線間等の凹部を埋め込むためにＷ（タングステン）、ＷＳｉ（タングステンシリサイド）、Ｔｉ（チタン）、ＴｉＮ（チタンナイトライド）、ＴｉＳｉ（チタンシリサイド）等の金属或いは金属化合物を堆積させて薄膜を形成することが行なわれている。
これらの成膜を行なうには、ＷＦ6 、ＴｉＣｌ4 、ＳｉＨ2 Ｃｌ2 等のハロゲン化合物よりなる腐食性の強いガスが用いられ、また、使用するガス種によってはＨＣｌ等の腐食性ガスが発生する。
【０００３】
また、同一成膜装置内である程度の枚数のウエハに対して成膜処理を行なうと、剥がれるとパーティクルの原因となる不要な膜が内部に付着するので、この不要な膜を除去するために、定期的に、或いは不定期的にクリーニング操作が行なわれる。このクリーニング操作もＣｌＦ系ガスやＨＦ系ガスなどの腐食性の強いガスが用いられる。例えばＷＦ6 （六フッ化タングステン）やＳｉＨ2 Ｃｌ2 （ジクロルシラン）を用いてタングステンシリサイド（ＷＳｉｘ）を成膜するにはプロセスは５００〜６００℃程度の高温域で行なわれ、また、不要なタングステンシリサイド膜を除去するには、クリーニングガスとしてＣｌＦ3 ガスを用い、２００〜２５０℃程度の温度域でクリーニングを行なう。この際、不要なタングステンシリサイド膜はＣｌＦ3 ガスと発熱反応して除去されて行く。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上述のように腐食性の強いガスは、成膜装置内の各種の部品にも作用し、この表面を腐食させて寿命を短くするという問題があった。この腐食反応は、部品の温度が高い程進行が早いので、その分、部品の短寿命化が加速されてしまう。この点について、図８を参照して説明する。
図８は従来の一般的な成膜装置を示す概略構成図である。この成膜装置は、真空引き可能になされた処理容器２を有している。この処理容器２内には、円筒状のリフレクタ４に支持された、例えばアモルファスカーボン製の載置台６が設置されており、この上面に半導体ウエハＷを載置するようになっている。この載置台６の下方の容器底部には、例えば石英ガラス製の透過窓８が設けられており、更に下方に回転可能に配置された複数の加熱ランプ１０からの熱線を透過して載置台６及び半導体ウエハＷを加熱するようになっている。
【０００５】
また、上記載置台６の外側には、整流孔１２を有する例えばアルミニウム製或いは石英製のリング状のアタッチメント部材１４が容器内周壁との間で設けられている。そして、載置台６の周縁部の段部と上記アタッチメント部材１４の内周側の段部との間を掛け渡すようにして例えばアモルファスカーボン製のシールドリング１６が設置されており、このシールドリング１６の作用により、ウエハ表面上に厚さが均一な膜を堆積させるようになっている。そして、この載置台６に対向する容器天井部には、処理容器２内へ必要な成膜ガスを導入するために、例えばアルミニウム製或いはニッケル製のシャワーヘッド部１８が設けられている。
このような成膜装置において、主として処理容器２内の部品、特に、高温状態に晒される部品、例えば載置台６やその外周のシールドリング１６やシャワーヘッド部１８等の表面が強く腐食される、という問題があった。
本発明は、以上のような問題点に着目し、これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明の目的は、処理容器内の部品の表面粗さを大きくすることにより、耐腐食性を向上させて長寿命化を図ることができる成膜装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
請求項１に規定する発明は、真空引き可能になされた処理容器内に設置した載置台上に被処理体を載置し、前記処理容器内に腐食性の成膜ガスを導入して成膜処理を施すようにした成膜装置において、前記処理容器内に設けた部品の材料はアモルファスカーボンであり、前記アモルファスカーボンは、ブラスト処理により平均表面粗さが３．０〜７．４μｍの範囲内に設定された後に、酸素存在下のプラズマエッチング処理が施されていることを特徴とする成膜装置である。
このように、処理容器内に設けた部品の材料はアモルファスカーボンであり、アモルファスカーボンは、ブラスト処理により平均表面粗さが３．０〜７．４μｍの範囲内に設定された後に、酸素存在下のプラズマエッチング処理が施されていることにより、表面粗さが大きくなり、この結果、単位面積当たりの不要な膜の成膜量が少なくなって、クリーニング時にその部分の発熱量が少なくなり、或いは表面温度が低くなり、この結果、耐腐食性を向上させることが可能となる。
このような部品は、例えば載置台やシールドリングである。
【０００７】
請求項４に係る発明は、真空引き可能になされた処理容器内に設置した載置台上に被処理体を載置し、前記処理容器内に成膜ガスを導入して成膜処理を施す際に腐食性のガスを発生する成膜装置において、前記処理容器内に設けた部品の材料はアモルファスカーボンであり、前記アモルファスカーボンは、ブラスト処理により平均表面粗さが３．０〜７．４μｍの範囲内に設定された後に、酸素存在下のプラズマエッチング処理が施されていることを特徴とする成膜装置である。
請求項７に係る発明は、真空引き可能になされた処理容器内に設置した載置台上に被処理体を載置し、前記処理容器内に成膜ガスを導入して成膜処理を施すようにすると共に、クリーニングにおいて腐食性ガスを用いるようにした成膜装置において、前記処理容器内に設けた部品の材料はアモルファスカーボンであり、前記アモルファスカーボンは、ブラスト処理により平均表面粗さが３．０〜７．４μｍの範囲内に設定された後に、酸素存在下のプラズマエッチング処理が施されていることを特徴とする成膜装置である。
【０００８】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明に係る成膜装置の一実施例を添付図面に基づいて詳述する。
図１は本発明に係る成膜装置を示す断面構成図、図２は図１中の載置台とその周辺部分を示す部分拡大図、図３は図１中のＡ部を示す拡大図である。この成膜装置２０は、例えばアルミニウム等により円筒状或いは箱状に成形された処理容器２２を有しており、この処理容器２２内には、処理容器底部より起立させた円筒状のアルミニウム製のリフレクタ２４上に、被処理体としての半導体ウエハＷを載置するための載置台２６が設けられている。
【０００９】
この載置台２６の下方には、複数本、例えば３本（図示例では２本のみ記す）のリフタピン２８が支持部材３０に対して上方へ起立させて設けられており、この支持部材３０を処理容器底部に貫通して設けられた押し上げ棒３２により上下動させることにより、上記リフタピン２８を載置台２６に貫通させて設けたリフタピン穴３４に挿通させてウエハＷを持ち上げ得るようになっている。
上記押し上げ棒３２の下端は、処理容器２２において内部の気密状態を保持するために伸縮可能なベローズ３６を介してアクチュエータ３８に接続されている。
【００１０】
また、載置台２６の直下の処理容器底部には、石英ガラス等の熱線透過材料よりなる透過窓４０が気密に設けられており、この下方には、透過窓４０を囲むように箱状の加熱室４２が設けられている。この加熱室４２内には加熱手段として複数個の加熱ランプ４４が反射鏡も兼ねる回転台４６に取り付けられており、この回転台４６は、回転軸を介して加熱室４２の底部に設けた回転モータ４８により回転される。従って、この加熱ランプ４４より放出された熱線は、透過窓４０を透過して載置台２６の下面を照射してこれを加熱し得るようになっている。尚、加熱手段として加熱ランプ４４に替えて、抵抗加熱ヒータを載置台２６内に埋め込むようにして設けるようにしてもよい。
【００１１】
また、載置台２６の外周側には、多数の整流孔５０を有する例えばアルミニウム製のリング状のアタッチメント部材５２が、支持コラム５４により支持させて設けられている。
そして、上記載置台２６は、例えば厚さが２ｍｍ程度の円板状の例えばアモルファスカーボンよりなり、その周縁部は角部をリング状に削り取ることにより成形された段部５６が形成されている。また、この外周に隣接されたアタッチメント部材５２の内周部にもリング状に削り取られた段部５９が形成されている。そして、これら段部５６、５９間に掛け渡されるようにしてリング状のシールドリング５８が設けられており、この作用によりウエハＷの表面に堆積する膜の厚さの面内均一性を向上し得るようになっている。このシールドリング５８の材料は、上記載置台２６と同様に、例えば  アモルファスカーボンよりなる。尚、載置台２６やシールドリング５８の材料としては、上記アモルファスカーボンの他に、ＡｌＮ、Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＣ、ＳｉＯ2 、Ｓｉ3 Ｎ4 等も用いることができる。
【００１２】
また、上記アタッチメント部材５２の下方の底部には排気口６０が設けられ、この排気口６０には図示しない真空ポンプに接続された排気路６２が接続されており、処理容器２２内を所定の真空度に維持し得るようになっている。また、処理容器２２の側壁には、ウエハを搬出入する際に開閉されるゲートバルブ６４が設けられる。
【００１３】
一方、上記載置台２６と対向する処理容器天井部には、処理ガス等を処理容器２２内へ導入するためのシャワーヘッド部６６が設けられている。具体的には、このシャワーヘッド部６６は、例えばアルミニウム等により円形箱状に成形されたヘッド本体６８を有し、この天井部にはガス導入口７０が設けられている。
このガス導入口７０には、図示しないガス通路を介して成膜に必要なガス、例えばＷＦ6 、ＳｉＣｌ2 Ｈ2、Ｈ2 、Ｎ2 、Ａｒ等のガス源が接続されており、 流量制御可能に供給できるようになっている。
上記ヘッド本体６８の下部には、ヘッド本体６８内へ供給されたガスを処理空間Ｓへ放出するための多数のガス噴射孔７４が面内の略全体に配置されており、ウエハ表面に亘ってガスを放出するようになっている。
【００１４】
また、ヘッド本体６８内には、多数のガス分散孔７６を有する拡散板７８が配設されており、ウエハ面に、より均等にガスを供給するようになっている。
そして、本発明では、上記処理容器２２内の部品の表面粗さを、この部品が標準的に用いられていた時の表面粗さよりも大きく設定されている。具体的には、本実施例では図２に示すように、載置台２６の上面（載置面）２６Ａ及びシールドリング５８の表面５８Ａは、その表面粗さが通常の標準的に用いられる時の表面粗さよりも大きくなされて凹凸８０、８２が形成されている。同様に、図３に示すように、シャワーヘッド部６６の下面（噴射面）６６Ａは、その表面粗さが通常の標準的に用いられる時の表面粗さよりも大きくなされて凹凸８４が形成されている。尚、シャワーヘッド部６６の下面のみならず、側面の表面粗さも大きくするようにしてもよい。このように表面粗さを大きくすることにより、後述するように耐腐食性を向上させることが可能となる。図４は、上記各部品２６、５８、６６の表面の凹凸８０、８２、８４の状態を模式的に示した拡大図であり、表面粗さが大きく設定されている。
【００１５】
上記載置台２６やシールドリング５８やシャワーヘッド部６６等の各部品の表面粗さを大きくするには、例えば所定の粒径のアルミナ系粒子を用いて表面をブラスト処理すればよい。また、表面粗さをコントロールするには、用いるアルミナ系粒子の粒径を選択すればよい。
この場合、例えば材料としてアモルファスカーボンを載置台２６やシールドリング５８として用いた時には、標準品の表面粗さは１．７μｍ前後なので、ここではその表面粗さは３．０〜１０．０程度の範囲内に設定する。
また、例えば材料としてアルミニウムをシャワーヘッド部６６として用いた場合には、標準品の表面粗さは０．４μｍ程度なので、ここではその表面粗さは０．７〜２．４μｍ程度の範囲内に設定する。
【００１６】
次に、以上のように構成された装置を用いて行なわれる成膜処理について説明する。
まず、クリーニング処理後の成膜装置、或いは装置組み立て直後の成膜装置内では、各種の部材の材料が剥き出し状態になっているので、この状態では直接ウエハ表面に成膜処理を行なわず、処理容器２２内の部品表面に成膜材料と同じ薄膜を施すプリコート処理を行なう。このプリコート処理では、載置台２６上にはウエハＷを載置しない状態にしてプロセス時と同様なガス種を流し、プロセス圧力及びプロセス温度等の各種のプロセス条件を、例えば実際の成膜時と同じプロセス条件として、処理容器２２の内壁面、載置台２６、シールドリング５８及びシャワーヘッド部６６等の表面に、ここでは例えばタングステンシリサイド（ＷＳｉｘ）の薄膜をプリコートして、処理容器２２の内部環境を整えて再現性を高く維持する。このようにして、プリコート処理を行なったならば、次に、半導体ウエハＷの表面に実際に膜を堆積させる成膜処理を行なう。
まず、処理容器２２の側壁に設けたゲートバルブ６４を開いて搬送アームにより処理容器２２内にウエハＷを搬入し、リフタピン２８を押し上げることによりウエハＷをリフタピン２８側に受け渡す。そして、押し上げ棒３２を下げることによってリフタピン２８を降下させ、ウエハＷを載置台２６上に載置する。
【００１７】
次に、図示しない処理ガス源から処理ガスとしてＷＦ6 ，ＳｉＨ2 Ｃｌ2 等の成膜に必要なガスをシャワーヘッド部６６へ所定量ずつ供給して混合し、これをヘッド本体６８の下面のガス噴射孔７４から処理容器２２内へ略均等に供給する。これと同時に、排気口６０から内部雰囲気を吸引排気することにより処理容器２２内を所定の真空度に設定し、且つ載置台２６の下方に位置する加熱ランプ４４を回転させなが駆動し、熱エネルギを放射する。
放射された熱線は、透過窓４０を透過した後、載置台２６の裏面を照射してこれを加熱する。この載置台２６は非常に薄いことから迅速に加熱され、従って、この上に載置してあるウエハＷを迅速に所定の温度まで加熱することができる。供給された混合ガスは所定の化学反応を生じ、成膜条件に応じて例えばタングステンシリサイド（ＷＳｉｘ）の膜がウエハ表面に堆積し、形成されることになる。
【００１８】
この成膜処理時のプロセス条件に関しては、プロセス圧力が例えば０．１〜５Ｔｏｒｒ程度、プロセス温度が５００〜６００℃程度である。
このような成膜処理を、多数枚、例えば２５枚のウエハに対して連続的に行なうが、この連続処理の間に、処理容器２２内の各部品の表面にも剥がれるとパーティクル等の原因となる不要な膜が付着するので、これを除去するために、次にクリーニング処理を行なう。
このクリーニング処理においては、クリーニングガスとして例えばＣｌＦ3 ガスをシャワーヘッド部６６から処理容器２２内へ流して、各部品の表面に堆積している不要なタングステンシリサイド膜を、クリーニングガスとの発熱反応により気化させて除去する。このクリーニング処理時には、載置台２６の温度をクリーニングに最適な、例えば２００〜２５０℃程度の温度に維持する。
【００１９】
そして、このクリーニング処理が完了したならば、再度、前述したプリコート処理を行なった後に、半導体ウエハへの成膜処理を行なう。以下は上述した各工程を繰り返し行なうことになる。
さて、このような一連の処理において、処理容器２２内の各部品は腐食性ガスに晒されて、その表面が腐食される傾向にある。例えば成膜中においては、各部品は成膜反応によって生じたＨＣｌガスやＣｌガス等の腐食性の強い腐食性ガスに晒され、また、クリーニング処理時には腐食性の強いクリーニングガス（ＣｌＦ3 ）自体に晒されて、損傷を受け易くなっている。
しかしながら、本実施例においては、載置台２６、シールドリング５８及びシャワーヘッド部６６等の各部品は、その表面粗さが標準的に用いられていた時の表面粗さよりも大きく設定されているので、耐食され難くなって耐腐食性が大幅に向上しており、その長寿命化を図ることが可能となる。
【００２０】
このように、表面粗さを大きくすることにより、表面が腐食され難くなる理由は、表面粗さが小さい場合には単位面積当たりの成膜量が多くて、クリーニング時にその反応に伴う発熱量も多くなって腐食し易くなるのに対して、表面粗さが大きい場合には、単位面積当たりの成膜量が小さくなってその反応に伴う発熱量も少なくなって腐食し難くなる、と推測される。
また、他の理由としては、特に、クリーニング処理時には、各部品の表面のアモルファスカーボンがＣｌＦ3 ガスと反応してフッ化カーボンが生成されるが、この時の熱応力が小さくなくなるからであると推測される。すなわち、クリーニング処理中に発生するフッ素ガスと載置台２６、シールドリング５８等からのカーボンとが反応してフッ化カーボンを作り、このフッ化カーボンが各部品の表面に生成されて、このフッ化カーボンと下地であるアモルファスカーボンとの熱膨張係数が異なるために応力歪みを生ずるが、上述のように表面粗さが大きいと表面積が大きくなって熱の分散が起こってその表面温度が低くなってここに生成されるフッ化カーボンの量も少なくなり、その結果、応力歪みも小さくなるからであると推測される。また、このように表面粗さが大きいと、応力歪みを緩衝する効果も大きくなると推測される。
【００２１】
また、特に、載置台２６の表面粗さを大きくすることにより、これとウエハ裏面との接触面積がその分低減できるので、ウエハ裏面に付着するパーティクルの量もその分少なくすることが可能となる。
上記実施例では、各部品２６、５８、６６の表面に単にブラスト処理等を施すことにより表面粗さを大きく設定した場合を例にとって説明したが、この表面にプラズマエッチング処理、例えばＯ2 存在下のプラズマエッチング処理を施すことにより、図５に示すように、各部品２６、５８、６６の凹凸表面の凸部の頂上部をある程度削り取るようにしてもよい。これによれば、表面の耐腐食性を一層向上させることが可能となる。
【００２２】
次に、平均表面粗さが種々異なるテストピースを用いて実施例１〜５及び比較例１、２について実際に耐腐食性に対する評価を行なったので、その結果について説明する。
図６はその評価結果を示す図である。図中において、テストピースの材料は全てアモルファスカーボンを用いており、実施例１〜５において、その平均表面粗さＲａを３．０〜７．４まで種々変更している。また、実施例５は、実施例１で用いたテストピースの表面にＯ２ プラズマエッチング処理を施している。比較例１の平均表面粗さＲａは１．７μｍであって、この値はアモルファスカーボン製部品（載置台、シールドリング等）の従来の一般的な平均表面粗さであり、いわゆる標準品である。また、比較例２の平均表面粗さＲａは０．５μｍであり、略鏡面状態に仕上げられている。評価については、プリコート処理＋２５枚のウエハ成膜処理＋ＣｌＦ３ クリーニング処理を１サイクルとして行ない、何サイクルでテストピースの表面にダメージが生じたかを目視により観察して行なった。
【００２３】
また、テストピースの表面にカーボンテープを接着してこれを剥がすことによりパウダ状の粒子の発生の有無を評価した。
図示するように、比較例１で示す平均表面粗さが１．７μｍの標準品の場合には、耐久サイクル数は１６回であり、また、パウダ粒子の剥がれも存在して好ましくなかった。また、比較例２で示す平均表面粗さが０．５μｍ（略鏡面状態）の場合には、耐久サイクル数はたった４回で表面荒れが生じており、また、パウダ粒子の剥がれも存在して耐腐食性は劣化しており、更に好ましくなかった。
これに対して、平均表面粗さを３．０以上とした実施例１〜５の場合には、耐久サイクル数は比較例１、２よりも大きくなって１９〜４０回まで上昇しており、耐腐食性が向上して好ましいことが判明する。ここで実施例２〜４については、耐久サイクル数は４０回となっているが、耐久性に関してはこの回数で十分なので、これ以上の回数のテストを中止しているためであり、実際には耐久サイクル数は更に大きくなると思われる。
【００２４】
また、実施例１では、パウダ粒子の剥がれがあり、実施例２、３では、パウダ粒子の剥がれが若干であり、更に、実施例４ではパウダ粒子の剥がれがなくなっており、従って、平均表面粗さが大きい程、耐腐食性が向上している。ただし、平均表面粗さが１０．０μｍを超えるとテストピースの凹凸表面の凸部の頂点に堆積している膜が剥離してパーティクル発生原因となるので、平均表面粗さの上限は１０．０μｍ程度である。従って、部品の材料としてアモルファスカーボンを用いた場合には、その平均表面粗さは３．０〜１０．０μｍの範囲内が好ましいことが判明した。この平均表面粗さの範囲は、アモルファスカーボン以外の他の材料にも適用でき、標準品の平均表面粗さの１．７６（＝３．０／１．７）〜５．８８（＝１０．０／１．７）倍の範囲内の平均表面粗さの部品を用いればよいことになる。
【００２５】
また、実施例１と実施例５とを比較すると明らかなように、同じ平均表面粗さでも、実施例５のようにその表面にプラズマエッチング処理を施すことにり、耐久サイクル数は１９回から２３回まで延び、更に、パウダ粒子の表面剥がれもなくなっており、耐腐食性をより向上できることが判明した。
図７（Ａ）は平均表面粗さが４．３μｍの実施例２の表面の実験前後の電子顕微鏡写真を示すが、これによれば、実験後には表面全体に細かなカーボン片が見られて剥がれ落ちていない様子が観察できた。これに対して、図７（Ｂ）は平均表面粗さが１．７μｍの比較例１の表面の実験前後の電子顕微鏡写真を示すが、これによれば、実験後には、表面でカーボンが抜け落ちたように凹凸が広がっている様子が観察できた。
尚、上記実施例では成膜ガスとしてＷＦ６ やＳｉＨ２ Ｃｌ２ を用い、クリーニングガスとしてＣｌＦ３ ガスを用いた場合を例にとって説明したが、これらのガスに限定されるものではない。また、被処理体としても半導体ウエハに限定されず、ＬＣＤ基板、ガラス基板等にも本発明装置を適用することができる。
【００２６】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の成膜装置によれば、次のように優れた作用効果を発揮することができる。
処理容器内に設けた部品の材料はアモルファスカーボンであり、アモルファスカーボンは、ブラスト処理により平均表面粗さが３．０〜７．４μｍの範囲内に設定された後に、酸素存在下のプラズマエッチング処理が施されていることにより、表面粗さが大きくなり、この結果、単位面積当たりの不要な膜の成膜量が少なくなって、クリーニング時にその部分の発熱量が少なくなり、或いは表面温度が低くなり、この結果、耐腐食性を向上させることができる。
また、更に表面にプラズマエッチング処理を施すことにより、耐腐食性を一層向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る成膜装置を示す断面構成図である。
【図２】図１中の載置台とその周辺部分を示す部分拡大図である。
【図３】図１中のＡ部を示す拡大図である。
【図４】処理容器内の各部品の表面の凹凸の状態を模式的に示した拡大図である。
【図５】プラズマエッチング処理により部品の凹凸表面の凸部の頂上部を削り取った状態を示す拡大図である。
【図６】本発明の実施例と比較例の耐腐食性の評価結果を示す図である。
【図７】本発明の実施例と比較例の部品の表面の電子顕微鏡写真を示す図である。
【図８】従来の一般的な成膜装置を示す概略構成図である。
【符号の説明】
２０  成膜装置
２２  処理容器
２６  載置台（部品）
４０  透過窓
４４  加熱ランプ
５８  シールドリング（部品）
６６  シャワーヘッド部（部品）
６８  ヘッド本体
７４  ガス噴射孔
Ｗ  半導体ウエハ（被処理体）
【図１】
0004461507.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
0004461507.tif 000009