(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
発振波長が３５０〜５００ｎｍの範囲にある半導体レーザーもしくは発光ダイオードを書込光源として使用する電子写真感光体であって、失活剤と、電荷輸送材料とを含有し、
該失活剤がヒドラゾン構造を有する芳香族炭化水素化合物であることを特徴とする電子写真感光体。
【請求項２】
失活剤のイオン化ポテンシャルＶ（ｉｐ）と電荷輸送材料のイオン化ポテンシャルＶ´（ｉｐ）が、下記式（１）を満たす請求項１に記載の電子写真感光体。
Ｖ´（ｉｐ）−Ｖ（ｉｐ）≦０．４ｅＶ      式（１）
【請求項３】
失活剤が下記構造式（化３３）である請求項１〜２のいずれかに記載の電子写真感光体。
【化３３】
0004566468.tif 000041
【請求項４】
該書込光源として使用する半導体レーザーもしくは発光ダイオードの発振波長が４００〜４５０ｎｍの範囲にあることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の電子写真感光体。
【請求項５】
該失活剤が電荷輸送能を有する物質であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の電子写真感光体。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の電子写真感光体、帯電手段、発振波長が３５０〜５００ｎｍの範囲にある半導体レーザーもしくは発光ダイオードを書込光源として用いた像露光手段、現像手段、及び転写手段を装着したことを特徴とする電子写真装置。
【請求項７】
該像露光手段における書込光源として使用する半導体レーザーもしくは発光ダイオードの発振波長が４００〜４５０ｎｍの範囲にあることを特徴とする請求項６記載の電子写真装置。
【請求項８】
請求項１〜５のいずれかに記載の電子写真感光体と、帯電手段、現像手段及びクリーニング手段からなる群より選ばれる少なくとも一つの手段とを一体に支持し、電子写真装置本体に脱着自在であることを特徴とするプロセスカートリッジ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子写真感光体及びそれを用いたプロセスカートリッジ、電子写真装置に関し、詳しくは、発振波長が３５０〜５００ｎｍの範囲にある半導体レーザーもしくは発光ダイオードからなる書込光源に適した高解像度、かつ高安定な電子写真感光体及びそれを用いたプロセスカートリッジ、電子写真装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、電子写真方式において使用される感光体の光導電体としては大きく分けて種々の無機及び有機光導電体が知られている。ここにいう「電子写真方式」とは一般に、光導電性の感光体をまず暗所で、例えばコロナ放電によって帯電させ、次いで像露光し、露光部のみの電荷を選択的に逸散させて静電潜像を得て、この潜像部を染料、顔料などの着色剤と高分子材料などで構成されるトナーで現像し、可視化して画像を形成するようにした、いわゆるカールソンプロセスとよばれる画像形成プロセスである。
【０００３】
有機の光導電体を用いた感光体は無機光導電体のものに比べ、感光波長域の自由度、成膜性、可撓性、膜の透明性、量産性、毒性やコスト面等において利点を持つため、現在ではほとんどの感光体には有機光導電体が用いられている。またこの電子写真方式及び類似プロセスにおいて繰り返し使用される感光体には、感度、受容電位、電位保持性、電位安定性、残留電位、分光感度特性に代表される静電特性が優れていることが要求される。
【０００４】
近年ではこの電子写真方式を用いた情報処理システム機の発展は目覚ましいものがある。特に情報をデジタル信号に変換して光によって情報記録を行うデジタル記録方式を用いたプリンターは、そのプリント品質、信頼性において向上が著しい。またこのデジタル記録方式はプリンターのみならず通常の複写機にも応用され、所謂デジタル複写機が開発されている。さらに、このデジタル複写機は、種々様々な情報処理機能が付加されるため今後その需要性が益々高まっていくと予想される。
【０００５】
このようなデジタル記録方式に対応させる書込光源としては、発振波長が約６００〜８００ｎｍの範囲にある小型で安価な信頼性の高い半導体レーザー（ＬＤ）や発光ダイオード（ＬＥＤ）が多く使われている。現在最もよく使われているＬＤの発振波長域は７８０〜８００ｎｍ付近の近赤外光領域にある。
【０００６】
現在これらの方式に用いられる電子写真感光体は、一般的には導電性支持体上に電荷発生層を形成し、その上に電荷輸送層を設けた、いわゆる機能分離型積層感光体が主流である。さらには、機械的、もしくは化学的耐久性向上のため感光体最表面に表面保護層を形成する場合もある。この機能分離型積層感光体において、表面が帯電された感光体が露光されたとき、光は電荷輸送層を透過し、電荷発生層中の電荷発生材料に吸収される。電荷発生材料はこの光を吸収して電荷担体を発生する。発生した電荷担体は電荷輸送層に注入され帯電によって生じている電界に沿って電荷輸送層を移動して感光体の表面電荷を中和する。その結果感光体の表面に静電潜像が形成される。
【０００７】
よって、機能分離型積層感光体には高感度を発現すべく、主として近赤外部から可視部に吸収を持つ電荷発生材料と、電荷発生材料への吸収光の透過を妨げない、すなわち書込光の遮蔽効果（フィルター効果）が小さくなるような黄色光域から紫外部に吸収を持つ電荷輸送材料との組み合わせが多く用いられている。
【０００８】
さらに、このような書込光を吸収しない電荷輸送層を用いることは、電子写真感光体の高感度発現のみならず疲労特性、高解像化に対しても重要なことである。すなわち、電荷輸送材料が光の吸収を伴う場合は種々の光化学反応を生ずることが知られている。
【０００９】
例えば感光層中で電荷輸送材料の４−ジエチルアミノベンズアルデヒドジフェニルヒドラゾンが光を吸収すると光環化反応によりインダゾール誘導体に変性し、これにより残留電位が増大することが報告されている｛Ｊ．Ｐａｃａｎｓｋｙ，ｅｔ ａｌ．，Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．，３，９１２（１９９１）｝。またカルバーゾルアルデヒドジフェニルヒドラゾン誘導体が光吸収するとａｎｔｉ体からｓｙｎ体への幾何異性がおこる。このａｎｔｉ体とｓｙｎ体でイオン化ポテンシャルが異なるために感度変動、残留電位の増大が起こることが報告されている｛中沢亨、大阪大学  学位論文（１９９４）｝。また、いくつかの電荷輸送材料は光を吸収した場合、光励起状態に高められ、強い蛍光を発して失活するという挙動をしめす。一般に電荷輸送材料が発する蛍光はその一部は表面から外部に散逸するが大部分は感光体の中に閉じこめられ、いずれか物質に吸収されるまで感光層内において多重反射を繰り返すことが報告されている｛Ｊａｐａｎ  Ｈａｒｄｃｏｐｙ’９１論文集ｐ１６５｝。従って蛍光は電荷発生層に完全に吸収されるまで感光層内で反射を繰り返し、結果として画像のにじみ（解像度の低下）を引き起こすということになる。
【００１０】
さらには、特開昭５５−６７７７８号公報には、電荷輸送層に吸収される波長域の光を使用すると、繰り返し使用の場合、帯電性の低下や残留電位の上昇が記載されている。
【００１１】
このように電荷輸送材料の光吸収は感度のみならず、繰り返し疲労、潜像の解像度に対して悪影響を与えることが知られている。
【００１２】
一般的に電子写真感光体に用いられる電荷輸送材料としては、トリフェニルアミン化合物（米国特許第３，１８０，７３０号）、ベンジジン化合物（米国特許第３，２６５，４９６号、特公昭５８−３２３７２号公報）、スチルベン化合物（特開昭５８−６５４４０号公報）、α−フェニルスチルベン化合物（特開昭５９−２１６８５３号公報）、アミノビフェニル化合物（特開平１−２８０７６３号公報）、１，１−ビス（ｐ−ジエチルアミノフェニル）−４，４−ジフェニル−１，３−ブタジエン化合物（特開昭６２−３０２５５号公報）、５−ベンジリデン−５Ｈ−ジベンゾ〔ａ，ｄ〕シクロヘプテン化合物（特開昭６３−２２５６６０号公報）、ヒドラゾン化合物（特開昭５８−１５９５３６号公報、特開昭５９−１５２５１号公報）、フルオレン化合物（特開平２−２３０２５５号公報）などがあるが、これらは約３５０〜５００ｎｍに吸収端を有している。したがってこれよりも長波長領域では光吸収はほとんどなく、従来からの発振波長が約６００〜８００ｎｍの範囲にあるＬＤやＬＥＤを書込光として用いた電子写真方式においては、上記の電荷輸送材料性能上の大きな問題は発生せず、高感度、高安定な材料として一般に広く使用されている。
【００１３】
しかしながら、最近、このデジタル記録方式に対応させる書込み光源として４００〜４５０ｎｍに発振波長を有する紫色から青色のＬＤ（短波長ＬＤ）及びＬＥＤが開発、上場されるにおよんでいる。
【００１４】
従来からの近赤外域ＬＤに比べて発振波長が約半分近くとなる短波長ＬＤを書込光源としてレーザースキャナヘッド方式にて用いた場合、下式（１）で示されるように、感光体上におけるレーザービームのスポット径を理論上かなり小さくできる。したがってこれら短波長ＬＤは画像の書込密度すなわち解像度を上げることに非常に有利なものである。
ｄ∝（π／４）（λｆ／Ｄ）            （１）
（式中、ｄは感光体上のスポット径、λはレーザー光の波長、ｆはｆθレンズの焦点距離、Ｄはレンズ径）
【００１５】
また光学系を含む電子写真装置のコンパクト化、電子写真方式の高速化がはかれるなどの利点があるため、これら約４００〜４５０ｎｍの光源に対応した高感度、高安定な電子写真感光体が要求されている。
【００１６】
しかし、本発明者らの検討によれば、前記の電荷輸送材料は３５０〜５００ｎｍの波長域に光吸収を有しているため、これら波長域に発振波長があるＬＤ、ＬＥＤを書込光源として用いた場合、前述のように電子写真感光体感度の低下、残留電位の上昇、解像度の低下（文字にじみ）という実使用上見逃すことのできない大きな問題がおこることがわかった。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】
すなわち、本発明は、デジタル記録方式において発振波長が３５０〜５００ｎｍ波長範囲のＬＤもしくはＬＥＤ書込光を用いた場合でも、実用上の特性が安定しており、さらには高解像な出力画像が得られる電子写真感光体及びそれを用いたプロセスカートリッジ、電子写真装置を提供することをその課題とする。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、上記課題を解決するため、発振波長が３５０〜５００ｎｍの範囲にある半導体レーザーもしくは発光ダイオードを書込光源として使用する電子写真感光体であって、失活剤を含有することを特徴とする電子写真感光体が提供される。
また、本発明によれば、上記構成において、該書込光源として使用する半導体レーザーもしくは発光ダイオードの発振波長が４００〜４５０ｎｍの範囲にあることを特徴とする電子写真感光体が提供される。
また、本発明によれば、上記構成において、該失活剤がニトロ基、カルボニル基、アゾ基又はヒドラゾン構造を有する芳香族炭化水素化合物である電子写真感光体が提供される。
また、本発明によれば、上記構成において、該失活剤が電荷輸送能を有する物質であることを特徴とする電子写真感光体が提供される。
また、本発明によれば、上記の電子写真感光体、帯電手段、発振波長が３５０〜５００ｎｍの範囲にある半導体レーザーもしくは発光ダイオードを書込光源として用いた像露光手段、現像手段、及び転写手段を装着したことを特徴とする電子写真装置が提供される。
また、本発明によれば、上記構成において、該像露光手段における書込光源として使用する半導体レーザーもしくは発光ダイオードの発振波長が４００〜４５０ｎｍの範囲にあることを特徴とする電子写真装置が提供される。
さらに、本発明によれば、上記の電子写真感光体と、帯電手段、現像手段及びクリーニング手段からなる群より選ばれる少なくとも一つの手段とを一体に支持し、電子写真装置本体に脱着自在であることを特徴とするプロセスカートリッジが提供される。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下本発明を詳細に説明する。
本発明の電子写真感光体は、発振波長が３５０〜５００ｎｍの範囲にある半導体レーザーもしくは発光ダイオードを書込光源として使用する電子写真感光体であって、失活剤を含有することを特徴とする。
本発明では、失活剤を電子写真感光体中に含有させることにより上記課題が解決される。この失活剤の感光層中での詳細な反応機構（感光材料への影響）は現在のところ明らかではないが、図１に示すエネルギーダイアグラムのように推察される。すなわち、光吸収による光励起状態の電荷輸送材料から失活剤にエネルギー移動が起こり、失活剤が無輻射失活し速やかに基底状態に戻る反応機構が考えられる。このような反応機構により、前記電荷輸送材料の光化学反応が抑えられるものと考えられる。
失活剤は電荷輸送材料の励起状態より速やかにエネルギー移動がおこり無輻射失活をおこすものであればいずれも可能であるが、失活剤自身が電荷輸送性を持っていることが感度維持のためには有利である。また電荷輸送材料に比べてイオン化ポテンシャルの小さな失活剤は電荷移動の際、トラップとなり電荷輸送特性を低下させる可能性があるため好ましくない。ただしその差が０．４ｅＶ以下ならあまり問題とならない。また、失活剤自身は無蛍光性の化合物の方が好ましい。
このような失活剤としては、一般にニトロ基、カルボニル基、ヒドラゾン構造、アゾ基の少なくともいずれか１つを構造中に置換基として持つ芳香族炭化水素化合物が好ましく使用される。
また、前記芳香族炭化水素化合物同士が直接、エチレン基、ビニレン基、エステル基、カルボニルオキシ基、フェニレン基等を介して結合した高分子化合物も無論失活剤として使用可能である。これら高分子化合物の好ましい分子量はポリスチレン換算数平均分子量で１０００〜１００００００であり、より好ましくは２０００〜５０００００である。
失活剤の添加量はあまり増えると電荷発生能、あるいはホール輸送能の低下をもたらす可能性がある。従ってこれらの添加量は、例えば、電荷輸送層に添加する場合には、０．００５〜５重量％が好ましく、また感光層に添加する場合には、１〜５０重量％が適当である。
【００２０】
次に、本発明を図面を参照にしながら、更に詳細に説明する。
図２は本発明に係わる電子写真感光体の代表例の断面図である。１は導電性支持体、２は感光層、３は電荷発生材料、４は電荷輸送層、５は電荷発生層、６は電荷輸送材料、７は失活剤である。この図１では特に電荷輸送層４中に失活剤が添加されている。
また、図２での感光層２の電荷輸送層４と電荷発生層５の積層順序は逆になっていても良い。
【００２１】
図３は、導電性支持体１上に電荷発生材料３及び電荷輸送材料６を分散せしめた感光層２が設けられたものである。この感光層２には失活剤７が含まれている。
【００２２】
図２、図３において、導電性支持体１と感光層２との間に帯電性向上、接着性向上もしくはレーザー書込光の干渉光によるモアレ画像防止などを目的として中間層が形成されていてもよく、また感光体表面の耐摩耗性、耐環境特性向上を目的として感光層２の上に保護層が形成されていてもよい。
【００２３】
以上は電荷輸送材料が光化学反応をする場合にこれを防止するため説明であるが、もちろんそれ以外の物質が感光体中に含まれているときでも、失活剤の効果は上記と同様である。
【００２４】
本発明の電荷輸送層４のバインダー樹脂としては、例えば具体的にポリスチレン、スチレン−アクリロニトリル共重合体、スチレン−ブタジエン共重合体、スチレン−無水マレイン酸共重合体、ポリエステル、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリアレート、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート、酢酸セルロース樹脂、エチルセルロース樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリビニルトルエン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂、アルキッド樹脂等の熱可塑性又は熱硬化性樹脂が挙げられる。
【００２５】
また、本発明の電荷輸送層４に用いられる電荷輸送材料６には正孔輸送材料と電子輸送材料があり、これらには以下のものが挙げられる。
【００２６】
正孔輸送材料としては、例えば、ポリ−Ｎ−カルバゾール及びその誘導体、ポリ−γ−カルバゾリルエチルグルタメート及びその誘導体、ピレン−ホルムアルデヒド縮合物及びその誘導体、ポリビニルピレン、ポリビニルフェナントレン、オキサゾール誘導体、イミダゾール誘導体、トリフェニルアミン誘導体、及び以下の一般式で示される化合物がある。
【化１】
0004566468.tif 000002
（式中、Ｒ1はメチル基、エチル基、２−ヒドロキシエチル基又は２−クロルエチル基を表し、Ｒ2はメチル基、エチル基、ベンジル基又はフェニル基を表し、Ｒ3は水素原子、塩素原子、臭素原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、ジアルキルアミノ基又はニトロ基を表す。）
【化２】
0004566468.tif 000003
（式中、Ａｒはナフタレン環、アントラセン環、ピレン環及びそれらの置換体あるいはピリジン環、フラン環、チオフェン環を表し、Ｒはアルキル基、フェニル基又はベンジル基を表す。）
【化３】
0004566468.tif 000004
（式中、Ｒ1はアルキル基、ベンジル基、フェニル基又はナフチル基を表し、Ｒ2は水素原子、炭素数１〜３のアルキル基、炭素数１〜３のアルコキシ基、ジアルキルアミノ基、ジアラルキルアミノ基又はジアリールアミノ基を表し、ｎは１〜４の整数を表し、ｎが２以上のときはＲ2は同じでも異なっていても良い。Ｒ3は水素原子又はメトキシ基を表す。）
【化４】
0004566468.tif 000005
（式中、Ｒ1は炭素数１〜１１のアルキル基、置換もしくは無置換のフェニル基又は複素環基を表し、Ｒ2、Ｒ3はそれぞれ同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、ヒドロキシアルキル基、クロルアルキル基又は置換もしくは無置換のアラルキル基を表し、また、Ｒ2とＲ3は互いに結合し窒素を含む複素環を形成していても良い。Ｒ4は同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、アルコキシ基又はハロゲン原子を表す。）
【化５】
0004566468.tif 000006
（式中、Ｒは水素原子又はハロゲン原子を表し、Ａｒは置換もしくは無置換のフェニル基、ナフチル基、アントリル基又はカルバゾリル基を表す。）
【化６】
0004566468.tif 000007
（式中、Ｒ1は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜４のアルコキシ基又は炭素数１〜４のアルキル基を表し、Ａｒは
【化７】
0004566468.tif 000008
【化８】
0004566468.tif 000009
を表し、Ｒ2は炭素数１〜４のアルキル基を表し、Ｒ3は水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基又はジアルキルアミノ基を表し、ｎは１又は２であって、ｎが２のときはＲ3は同一でも異なっていてもよく、Ｒ4、Ｒ5は水素原子、炭素数１〜４の置換もしくは無置換のアルキル基又は置換もしくは無置換のベンジル基を表す。）
【化９】
0004566468.tif 000010
（式中、Ｒはカルバゾリル基、ピリジル基、チエニル基、インドリル基、フリル基あるいはそれぞれ置換もしくは非置換のフェニル基、スチリル基、ナフチル基、又はアントリル基であって、これらの置換基がジアルキルアミノ基、アルキル基、アルコキシ基、カルボキシ基又はそのエステル、ハロゲン原子、シアノ基、アラルキルアミノ基、Ｎ−アルキル−Ｎ−アラルキルアミノ基、アミノ基、ニトロ基及びアセチルアミノ基からなる群から選ばれた基を表す。）
【化１０】
0004566468.tif 000011
（式中、Ｒ1は低級アルキル基、置換もしくは無置換のフェニル基、又はベンジル基を表し、Ｒ2は水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、アミノ基あるいは低級アルキル基又はベンジル基で置換されたアミノ基を表し、ｎは１又は２の整数を表す。）
【化１１】
0004566468.tif 000012
（式中、Ｒ1は水素原子、アルキル基、アルコキシ基又はハロゲン原子を表し、 Ｒ2及びＲ3はアルキル基、置換もしくは無置換のアラルキル基あるいは置換もしくは無置換のアリール基を表し、Ｒ4は水素原子、低級アルキル基又は置換もしくは無置換のフェニル基を表し、また、Ａｒは置換もしくは無置換のフェニル基又はナフチル基を表す。）
【化１２】
0004566468.tif 000013
（式中、ｎは０又は１の整数、Ｒ1は水素原子、アルキル基又は置換もしくは無置換のフェニル基を表し、Ａｒ1は置換もしくは未置換のアリール基を表し、Ｒ5は置換アルキル基を含むアルキル基、あるいは置換もしくは無置換のアリール基を表し、Ａは
【化１３】
0004566468.tif 000014
９−アントリル基又は置換もしくは無置換のカルバゾリル基を表し、ここでＲ2は水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子又は
【化１４】
0004566468.tif 000015
（ただし、Ｒ3及びＲ4はアルキル基、置換もしくは無置換のアラルキル基又は置換もしくは無置換のアリール基を示し、Ｒ3及びＲ4は同じでも異なっていてもよく、Ｒ4は環を形成しても良い）を表し、ｍが２以上のときはＲ2は同一でも異なっても良い。また、ｎが０のとき、ＡとＲ1は共同で環を形成しても良い。）
【化１５】
0004566468.tif 000016
（式中、Ｒ1、Ｒ2及びＲ3は水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロゲン原子又はジアルキルアミノ基を表し、ｎは０又は１を表す。）
【化１６】
0004566468.tif 000017
（式中、Ｒ1及びＲ2は置換アルキル基を含むアルキル基、又は置換もしくは未置換のアリール基を表し、Ａは置換アミノ基、置換もしくは未置換のアリール基又はアリル基を表す。）
【化１７】
0004566468.tif 000018
（式中、Ｘは水素原子、低級アルキル基又はハロゲン原子を表し、Ｒは置換アルキル基を含むアルキル基、又は置換もしくは無置換のアリール基を表し、Ａは置換アミノ基又は置換もしくは無置換のアリール基を表す。）
【化１８】
0004566468.tif 000019
（式中、Ｒ1は低級アルキル基、低級アルコキシ基又はハロゲン原子を表し、Ｒ2、Ｒ3は同じでも異なっていてもよく、水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基又はハロゲン原子を表し、ｌ、ｍ、ｎは０〜４の整数を表す。）
【化１９】
0004566468.tif 000020
（式中、Ｒ1、Ｒ3及びＲ4は水素原子、アミノ基、アルコキシ基、チオアルコキシ基、アリールオキシ基、メチレンジオキシ基、置換もしくは無置換のアルキル基、ハロゲン原子又は置換もしくは無置換のアリール基を、Ｒ2は水素原子、アルコキシ基、置換もしくは無置換のアルキル基又はハロゲン原子を表す。ただし、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4はすべて水素原子である場合は除く。また、ｋ、ｌ、ｍ及びｎは１、２、３又は４の整数であり、それぞれが２、３又は４の整数のときは、前記Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は同じでも異なっていても良い。）
【化２０】
0004566468.tif 000021
（式中、Ａｒは置換基を有してもよい炭素数１８個以下の縮合多環式炭化水素基を表し、また、Ｒ1及びＲ2は水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換のアルキル基、アルコキシ基、置換もしくは無置換のフェニル基を表し、それぞれ同じでも異なっていても良い。ｎは１もしくは２の整数を表す。）
【化２１】
0004566468.tif 000022
（式中、Ａｒは置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基を表し、Ａは
【化２２】
0004566468.tif 000023
（ただし、Ａｒ’は置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基を表し、Ｒ1及びＲ2は置換もしくは無置換のアルキル基、又は置換もしくは無置換のアリール基である。）
を表す。）
【化２３】
0004566468.tif 000024
（式中、Ａｒは置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基を、Ｒは水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基、又は置換もしくは無置換のアリール基を表す。ｎは０又は１、ｍは１又は２であって、ｎ＝０、ｍ＝１の場合、ＡｒとＲは共同で環を形成しても良い。）
【００２７】
一般式化１で表される化合物には、例えば、９−エチルカルバゾール−３−アルデヒド−１−メチル−１−フェニルヒドラゾン、９−エチルカルバゾール−３−アルデヒド−１−ベンジル−１−フェニルヒドラゾン、９−エチルカルバゾール−３−アルデヒド−１，１−ジフェニルヒドラゾンなどがある。
【００２８】
一般式化２で表される化合物には、例えば、４−ジエチルアミノスチリル−β−アルデヒド−１−メチル−１−フェニルヒドラゾン、４−メトキシナフタレン−１−アルデヒド−１−ベンジル−１−フェニルヒドラゾンなどがある。
【００２９】
一般式化３で表される化合物には、例えば、４−メトキシベンズアルデヒド−１−メチル−１−フェニルヒドラゾン、２，４−ジメトキシベンズアルデヒド−１−ベンジル−１−フェニルヒドラゾン、４−ジエチルアミノベンズアルデヒド−１，１−ジフェニルヒドラゾン、４−メトキシベンズアルデヒド−１−（４−メトキシ）フェニルヒドラゾン、４−ジフェニルアミノベンズアルデヒド−１−ベンジル−１−フェニルヒドラゾン、４−ジベンジルアミノベンズアルデヒド−１，１−ジフェニルヒドラゾンなどがある。
【００３０】
一般式化４で表される化合物には、例えば、１，１−ビス（４−ジベンジルアミノフェニル）プロパン、トリス（４−ジエチルアミノフェニル）メタン、１，１−ビス（４−ジベンジルアミノフェニル）プロパン、２，２’−ジメチル−４，４’−ビス（ジエチルアミノ）−トリフェニルメタンなどがある。
【００３１】
一般式化５で表される化合物には、例えば、９−（４−ジエチルアミノスチリル）アントラセン、９−ブロム−１０−（４−ジエチルアミノスチリル）アントラセンなどがある。
【００３２】
一般式化６で表される化合物には、例えば、９−（４−ジメチルアミノベンジリデン）フルオレン、３−（９−フルオレニリデン）−９−エチルカルバゾールなどがある。
【００３３】
一般式化９で表される化合物には、例えば、１，２−ビス（４−ジエチルアミノスチリル）ベンゼン、１，２−ビス（２，４−ジメトキシスチリル）ベンゼンなどがある。
【００３４】
一般式化１０で表される化合物には、例えば、３−スチリル−９−エチルカルバゾール、３−（４−メトキシスチリル）−９−エチルカルバゾールなどがある。
【００３５】
一般式化１１で表される化合物には、例えば、４−ジフェニルアミノスチルベン、４−ジベンジルアミノスチルベン、４−ジトリルアミノスチルベン、１−（４−ジフェニルアミノスチリル）ナフタレン、１−（４−ジエチルアミノスチリル）ナフタレンなどがある。
【００３６】
一般式化１２で表される化合物には、例えば、４’−ジフェニルアミノ−α−フェニルスチルベン、４’−ビス（４−メチルフェニル）アミノ−α−フェニルスチルベンなどがある。
【００３７】
一般式化１５で表される化合物には、例えば、１−フェニル−３−（４−ジエチルアミノスチリル）−５−（４−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリンなどがある。
【００３８】
一般式化１６で表される化合物には、例えば、２，５−ビス（４−ジエチルアミノフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２−Ｎ、Ｎ−ジフェニルアミノ−５−（４−ジエチルアミノフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２−（４−ジメチルアミノフェニル）−５−（４−ジエチルアミノフェニル）−１，３，４−オキサジアゾールなどがある。
【００３９】
一般式化１７で表される化合物には、例えば、２−Ｎ、Ｎ−ジフェニルアミノ−５−（Ｎ−エチルカルバゾール−３−イル）−１，３，４−オキサジアゾール、２−（４−ジエチルアミノフェニル）−５−（Ｎ−エチルカルバゾール−３−イル）−１，３，４−オキサジアゾールなどがある。
【００４０】
一般式化１８で表されるベンジジン化合物には、例えば、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン、３，３’−ジメチル−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミンなどがある。
【００４１】
一般式化１９で表されるビフェニリルアミン化合物には、例えば、４’−メトキシ−Ｎ，Ｎ−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４−アミン、４’−メチル−Ｎ，Ｎ−ビス（４−メチルフェニル）−［１，１’−ビフェニル］−４−アミン、４’−メトキシ−Ｎ，Ｎ−ビス（４−メチルフェニル）−［１，１’−ビフェニル］−４−アミン、Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−ジメチルフェニル）−［１，１’−ビフェニル］−４−アミンなどがある。
【００４２】
一般式化２０で表されるトリアリールアミン化合物には、例えば、１−ジフェニルアミノピレン、１−ジ（ｐ−トリルアミノ）ピレン、Ｎ，Ｎ−ジ（ｐ−トリル）−１−ナフチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジ（ｐ−トリル）−１−フェナントリルアミン、９，９−ジメチル−２−（ジ−ｐ−トリルアミノ）フルオレン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）−フェナントレン−９，１０−ジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（３−メチルフェニル）−ｍ−フェニレンジアミンなどがある。
【００４３】
一般式化２１で表されるジオレフィン芳香族化合物には、例えば、１，４−ビス（４−ジフェニルアミノスチリル）ベンゼン、１，４−ビス［４−ジ（ｐ−トリル）アミノスチリル］ベンゼンなどがある。
【００４４】
一般式化２３で表されるスチリルピレン化合物には、例えば、１−（４−ジフェニルアミノスチリル）ピレン、１−［４−ジ（ｐ−トリル）アミノスチリル］ピレンなどがある。
【００４５】
なお、電子輸送材料としては、例えば、クロルアニル、ブロムアニル、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタン、２，４，７−トリニトロ−９−フルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロ−９−フルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロキサントン、２，４，８−トリニトロチオキサントン、２，６，８−トリニトロ−インデノ４Ｈ−インデノ［１，２−ｂ］チオフェン−４−オン、１，３，７−トリニトロジベンゾチオフェン−５，５−ジオキサイドなどを挙げることができ、さらに下記化２４、２５、２６式に挙げる電子輸送物質を好適に使用することができる。
これらの電荷輸送物質は単独で又は２種類以上混合して用いられる。
【化２４】
0004566468.tif 000025
（式中Ｒ1、Ｒ2及びＲ3は水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換のアルキル基、アルコキシ基、置換もしくは無置換のフェニル基を表し、それぞれ同じでも異なっていても良い。）
【化２５】
0004566468.tif 000026
（式中Ｒ1、Ｒ2は水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のフェニル基を表し、それぞれ同じでも異なっていても良い。）
【化２６】
0004566468.tif 000027
（式中Ｒ1、Ｒ2及びＲ3は水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換のアルキル基、アルコキシ基、置換もしくは無置換のフェニル基を表し、それぞれ同じでも異なっていても良い。）
これらの電荷輸送材料は単独で又は２種類以上混合して用いられる。
【００４６】
電荷輸送材料の量はバインダー樹脂１００重量部に対し、２０〜３００重量部、好ましくは４０〜１５０重量部が適当である。また、電荷輸送層の膜厚は５〜３０μｍ程度とすることが好ましい。電荷輸送層形成で用いられる溶剤としては、テトラヒドロフラン、ジオキサン、トルエン、ジクロロメタン、モノクロロベンゼン、ジクロロエタン、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、アセトンなどが用いられる。
【００４７】
本発明において電荷輸送層４中に可塑剤やレベリング剤を添加してもよい。可塑剤としては、ジブチルフタレート、ジオクチルフタレートなど一般の樹脂の可塑剤として使用されているものがそのまま使用でき、その使用量は、結着樹脂に対して０〜３０重量％程度が適当である。レベリング剤としては、ジメチルシリコーンオイル、メチルフェニルシリコーンオイルなどのシリコーンオイル類や、側鎖にパーフルオロアルキル基を有するポリマーあるいは、オリゴマーが使用され、その使用量は結着樹脂に対して、０〜１重量％が適当である。
【００４８】
本発明において、導電性支持体１としては、アルミニウム、ニッケル、銅、チタン、金、ステンレス等の金属板、金属ドラム又は金属箔、アルミニウム、ニッケル、銅、チタン、金酸化錫、酸化インジウムなどを蒸着したプラスチックフィルム或いは導電性物質を塗布した紙、プラスチックなどのフィルム又はドラム等が挙げられる。
【００４９】
また、導電性基体上に形成させる中間層としては一般には樹脂を主成分とするが、これらの樹脂はその上に感光層を溶剤で塗布することを考えると、一般の有機溶剤に対して耐溶剤性の高い樹脂であることが望ましい。このような樹脂としては、ポリビニルアルコール、カゼイン、ポリアクリル酸ナトリウム等の水溶性樹脂、共重合ナイロン、メトキシメチル化ナイロン等のアルコール可溶性樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、フェノール樹脂、アルキッド−メラミン樹脂、エポキシ樹脂等、三次元網目構造を形成する熱あるいは光硬化型樹脂等が挙げられる。また、モアレ防止、抵抗値の最適化等のために酸化チタン、シリカ、アルミナ、酸化ジルコニウム、酸化スズ、酸化インジウム等で例示できる金属酸化物の微粉末顔料を加えてもよい。これらの中間層は適当な溶媒、塗工法を用いて形成することができる。更にシランカップリング剤、チタンカップリング剤、クロムカップリング剤等を使用することもできる。この他、本発明の中間層には、Ａｌ2Ｏ3を陽極酸化にて設けたものや、ポリパラキシリレン（パリレン）等の有機物やＳｉＯ2、ＳｎＯ2、ＴｉＯ2、ＩＴＯ、ＣｅＯ2等の無機物を真空薄膜作成法にて設けたものも良好に使用できる。このほかにも公知のものを用いることができる。中間層の膜厚は０〜５μｍが適当である。
【００５０】
電荷発生層５は、電荷発生材料と適当な溶媒に、必要に応じてバインダー樹脂を加え溶解もしくは分散し、塗布して乾燥させることにより設けることができる。
【００５１】
電荷発生層用分散液の分散方法としては、例えば、ボールミル、超音波、ホモミキサー等が挙げられ、また塗布手段としては、ディッピング塗工法、ブレード塗工法、スプレー塗工法等が挙げられる。
【００５２】
電荷発生材料を分散し、感光層を形成する場合、層中への分散性を良くするために、その電荷発生材料は２μｍ以下、好ましくは１μｍ以下の平均粒径のものが好ましい。ただし、上記の粒径があまりに小さいとかえって凝集しやすく、層の抵抗が上昇したり、結晶欠陥が増えて感度及び繰り返し特性が低下したり、或いは微細化する上で限界があるから、平均粒径の下限を０．０１μｍとするのが好ましい。電荷発生層の膜厚は、０.０１〜５μｍ程度が適当であり、好ましくは０.１〜２μｍである。
【００５３】
電荷発生材料は、例えば以下に示す様な顔料が挙げられる。有機顔料としては、例えば、シーアイピグメントブルー２５（カラーインデックスＣＩ  ２１１８０）、シーアイピグメントレッド４１（ＣＩ  ２１２００）、シーアイアシッドレッド５２（ＣＩ  ４５１００）、シーアイベーシックレッド３（ＣＩ  ４５２１０）、カルバゾール骨格を有するアゾ顔料（特開昭５３−９５０３３号公報に記載）、ジスチリルベンゼン骨格を有するアゾ顔料（特開昭５３−１３３４４５号公報）、トリフェニルアミン骨格を有するアゾ顔料（特開昭５３−１３２３４７号公報に記載）、ジベンゾチオフェン骨格を有するアゾ顔料（特開昭５４−２１７２８号公報に記載）、オキサジアゾール骨格を有するアゾ顔料（特開昭５４−１２７４２号公報に記載）、フルオレノン骨格を有するアゾ顔料（特開昭５４−２２８３４号公報に記載）、ビススチルベン骨格を有するアゾ顔料（特開昭５４−１７７３３号公報に記載）、ジスチリルオキサジアゾール骨格を有するアゾ顔料（特開昭５４−２１２９号公報に記載）、ジスチリルカルバゾール骨格を有するアゾ顔料（特開昭５４−１４９６７号公報に記載）、ベンズアントロン骨格を有するアゾ顔料などのアゾ顔料。例えば、シーアイピグメントブルー１６（ＣＩ  ７４１００）、オキソチタニウムフタロシアニン、クロロガリウムフタロシアニン、ヒドロキシガリウムフタロシアニンなどのフタロシアニン系顔料、シーアイバットブラウン５（ＣＩ  ７３４１０）、シーアイバットダイ（ＣＩ  ７３０３０）などのインジコ系顔料、アルゴスカーレットＢ（バイエル社製）、インタンスレンスカーレットＲ（バイエル社製）などのペリレン顔料などが挙げられる。なお、これらの電荷発生材料は単独で用いても、あるいは２種類以上が併用されても良い。
【００５４】
電荷発生層の分散液或いは溶液を調整する際に使用する溶媒としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、トルエン、キシレン、モノクロルベンゼン、１，２−ジクロルエタン、１，１，１−トリクロルエタン、ジクロルメタン、１，１，２−トリクロルエタン、トリクロルエチレン、テトラヒドロフラン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸エチル、酢酸ブチル、ジオキサン等を挙げることができる。
【００５５】
バインダー樹脂としては、絶縁性がよい従来から知られているバインダー樹脂であれば何でも使用でき、特に限定はない。例えば、ポリエチレン、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリスチレン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリプロピレン、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノール樹脂、ポリエステル樹脂、アルキッド樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアミド樹脂、シリコーン樹脂、メラミン樹脂等の付加重合型樹脂、重付加型樹脂、重縮合型樹脂、ならびにこれらの樹脂の繰り返し単位のうち２つ以上を含む共重合体樹脂、例えば塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、スチレン−アクリル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体樹脂等の絶縁性樹脂のほか、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール等の高分子有機半導体が挙げられる。これらのバインダーは単独で又は２種類以上の混合物として用いることが出来る。バインダー樹脂の量は、電荷発生材料１００重量部に対し０〜５００重量部、好ましくは１０〜３００重量部が適当である。
【００５６】
さらに上記感光層中には、帯電性の向上等を目的に、フェノール化合物、ハイドロキノン化合物、ヒンダードフェノール化合物、ヒンダードアミン化合物、ヒンダードアミンとヒンダードフェノールが、同一分子中に存在する化合物などを添加することが出来る。
【００５７】
更に、本発明の感光体上に機械的、化学的な耐久性向上を目的として保護層を形成しても良い。保護層は感光層２よりも上層に形成される。使用される材料としてはＡＢＳ樹脂、ＡＣＳ樹脂、オレフィン−ビニルモノマー共重合体、塩素化ポリエーテル、アリル樹脂、フェノール樹脂、ポリアセタール、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリアクリレート、ポリアリルスルホン、ポリブチレン、ポリブチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、アクリル樹脂、ポリメチルベンテン、ポリプロピレン、ポリフェニレンオキシド、ポリスルホン、ポリスチレン、ＡＳ樹脂、ブタジエン−スチレン共重合体、ポリウレタン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、エポキシ樹脂等の樹脂が挙げられる。
【００５８】
保護層にはその他、耐摩耗性を向上する目的でフィラーを添加することができる。フィラーの具体例としては、酸化チタン、酸化スズ、酸化亜鉛、酸化ジルコニウム、酸化インジウム、窒化ケイ素、酸化カルシウム、硫酸バリウム、ＩＴＯ（酸化インジウム）、シリカ、コロイダルシリカ、アルミナ、カーボンブラック、フッ素系樹脂微粉末、ポリシロキサン系樹脂微粉末、高分子電荷輸送材料微粉末の中のいずれか一種又は混合物を挙げることができる。
【００５９】
これらフィラーは、分散性向上、表面性改質などの理由から無機物、有機物で表面処理されてもよい。
【００６０】
一般に撥水性処理としてシランカップリング剤で処理したもの、フッ素系シランカップリング剤処理したもの、高級脂肪酸処理又は高分子材料などと共重合処理させたものが挙げられ、無機物処理としては、フィラー表面をアルミナ、ジルコニア、酸化スズ、シリカ処理したものなどが挙げられる。
【００６１】
フィラーは、低分子電荷輸送材料、高分子電荷輸送材料及びバインダー樹脂、分散溶媒と共に粉砕、又はそのまま分散し、感光層として塗工される。形成した電荷輸送層中のフィラー含有量は重量基準で５〜５０％で、好ましくは１０〜４０％であり、５％未満では耐摩耗性の点で十分ではなく、５０％を越えると電荷輸送層の透明性が損なわれ、感度低下を招くこととなる。平均粒径は、０．０５〜１．０μｍ、好ましくは０．０５〜０．８μｍに粉砕、分散される。粒径が大きいと表面に頭出しクリーニングブレードを傷つけ、クリーニング不良が発生し、画質が低下することとなる。
【００６２】
分散溶媒としては、メチルエチルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノンのケトン類、ジオキサン、テトラヒドロフラン、エチルセロソルブなどのエーテル類、トルエン、キシレンなどの芳香族類、クロロベンゼン、ジクロルメタンなどのハロゲン類、酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエステル類が使用される。粉砕工程を加える場合はボールミル、サンドミル、振動ミルなどを用いる。保護層の形成法としては通常の塗布法が採用される。なお保護層の厚さは０．１〜１０μｍ程度が適当である。また、以上のほかに真空薄膜作成法にて形成したａ−Ｃ、ａ−ＳｉＣなど公知の材料を保護層として用いることができる。
【００６３】
次に図面を用いて本発明の電子写真プロセスならびに電子写真装置を詳しく説明する。
図４は、本発明の電子写真プロセスカートリッジ及び電子写真装置を説明するための概略図であり、下記するような変形例も本発明の範疇に属するものである。
【００６４】
図４において、本発明の電子写真感光体１はドラム状の形状を示しているが、シート状、エンドレスベルト状のものであっても良い。帯電チャージャ３、転写前チャージャ７、転写チャージャ１０、分離チャージャ１１、クリーニング前チャージャ１３には、コロトロン、スコロトロン、固体帯電器（ソリッド・ステート・チャージャ）、帯電ローラを始めとする公知の手段が用いられる。
【００６５】
転写手段には、一般に上記の帯電器が使用できるが、図に示されるように転写チャージャと分離チャージャを併用したものが効果的である。
画像露光部５には３５０〜５００ｎｍの範囲に発振波長を有するＬＤ、ＬＥＤが用いられる。また、除電ランプ２等の光源には、蛍光灯、タングステンランプ、ハロゲンランプ、水銀灯、ナトリウム灯、発光ダイオード（ＬＥＤ）、半導体レーザー（ＬＤ）、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）などの発光物全般を用いることができる。そして、所望の波長域の光のみを照射するために、シャープカットフィルター、バンドパスフィルター、近赤外カットフィルター、ダイクロイックフィルター、干渉フィルター、色温度変換フィルターなどの各種フィルターを用いることもできる。かかる光源等は、図４に示される工程の他に光照射を併用した転写工程、除電工程、クリーニング工程、あるいは前露光などの工程を設けることにより、感光体に光が照射される。
【００６６】
現像ユニット６により感光体１上に現像されたトナーは、転写紙９に転写されるが、全部が転写されるわけではなく、感光体１上に残存するトナーも生ずる。
このようなトナーは、ファーブラシ１４及びブレード１５により、感光体より除去される。クリーニングは、クリーニングブラシだけで行なわれることもあり、クリーニングブラシにはファーブラシ、マグファーブラシを始めとする公知のものが用いられる。
【００６７】
電子写真感光体に正(負)帯電を施し、画像露光を行うと、感光体表面上には正(負)の静電潜像が形成される。
これを負(正)極性のトナー（検電微粒子）で現像すれば、ポジ画像が得られるし、また正(負)極性のトナーで現像すれば、ネガ画像が得られる。
かかる現像手段には、公知の方法が適用されるし、また、除電手段にも公知の方法が用いられる。
【００６８】
図５には、本発明による電子写真装置の別の例を示す。電子写真感光体２１は本発明の感光層を有しており、駆動ローラ２２ａ，２２ｂにより駆動され、帯電器２３による帯電、光源２４による像露光、現像（図示せず）、帯電器２５を用いる転写、光源２６によるクリーニング前露光、ブラシ２７によるクリーニング、光源２８による除電が繰返し行なわれる。図４においては、感光体２１(勿論この場合は支持体が透光性である)に支持体側よりクリーニング前露光の光照射が行なわれる。
【００６９】
以上の図示した電子写真プロセスは、本発明における実施形態を例示するものであって、もちろん他の実施形態も可能である。例えば、図５において支持体側よりクリーニング前露光を行っているが、これは感光層側から行ってもよいし、また、像露光、除電光の照射を支持体側から行ってもよい。
【００７０】
一方、光照射工程は、像露光、クリーニング前露光、除電露光が図示されているが、他に転写前露光、像露光のプレ露光、及びその他公知の光照射工程を設けて、感光体に光照射を行うこともできる。
【００７１】
以上に示すような電子写真装置は、複写装置、ファクシミリ、プリンター内に固定して組み込まれていてもよいが、プロセスカートリッジの形でそれら装置内に組み込まれてもよい。プロセスカートリッジとは、感光体を内蔵し、他に帯電手段、露光手段、現像手段、転写手段、クリーニング手段、除電手段を含んだ１つの装置（部品）である。プロセスカートリッジの形状等は多く挙げられるが、一般的な例として、図６に示すものが挙げられる。
【００７２】
【実施例】
以下、本発明を実施例を挙げて説明するが、本発明が実施例により制約を受けるものではない。なお、部はすべて重量部である。
【００７３】
参考例１
オイルフリーアルキッド樹脂（大日本インキ化学製：ベッコライトＭ６４０１）１．５部、メラミン樹脂（大日本インキ化学製：スーパーベッカミンＧ−８２１）１部、二酸化チタン〔石原産業（株）製：タイペークＣＲ−ＥＬ〕５部、２−ブタノン２２．５部の混合物をボールミルポットに取り、φ１０ｍｍのアルミナボールを使用し、４８時間ボールミリングして中間層塗布液を調製した。この塗布液をアルミシリンダー上に塗布後、１３０℃で２０分間乾燥し、厚さ約３．５μｍの中間層を形成した。次に、下記構造式（化２７）で示されるビスアゾ化合物５部及びポリビニルブチラール樹脂［ＸＹＨＬ］１部の１％メチルエチルケトン分散液５００部をボールミル中で粉砕混合し、得られた分散液を前記中間層上に塗布し自然乾燥して約０．５μｍの電荷発生層を形成した。次に、電荷輸送材料として下記構造式（化２８）で示されるアミノビフェニル化合物７部、下記構造式（化２９）の失活剤０．０７部とポリカーボネート樹脂［（株）帝人製パンライトＴＳ−２０５０］１０部をテトラヒドロフランに溶解し、この電荷輸送層塗工液を前記電荷発生層上に塗布し、８０℃で２分間、ついで１３０℃で２０分間乾燥して厚さ約１７μｍの電荷輸送層を形成し、感光体Ｎｏ．１を作成した。
【化２７】
0004566468.tif 000028
【化２８】
0004566468.tif 000029
【化２９】
0004566468.tif 000030
【００７４】
参考例２
電荷輸送材料として下記の構造式のα−フェニルスチルベン化合物（化３０）、失活剤として下記構造式（化３１）のものに変えた以外は参考例１と同様に操作して感光体Ｎｏ．２を作製した。
【化３０】
0004566468.tif 000031
【化３１】
0004566468.tif 000032
【００７５】
実施例３
電荷発生材料として下記構造式のヒドラゾン化合物（化３２）、失活剤として下記構造式（化３３）のもの０．１４部に代えた以外は参考例１と同様に操作して感光体Ｎｏ．３を作製した。
【化３２】
0004566468.tif 000033
【化３３】
0004566468.tif 000034
【００７６】
比較例１〜３
失活剤を添加しない以外はそれぞれ参考例１、２、実施例３と同様に操作して比較感光体１〜３を作製した。
【００７７】
上記で作製した電子写真感光体ドラムをリコー製イマジオＭＦ２２００（６００ｄｐｉ相当、プロセスカートリッジ）に装着した。ただし、画像露光光源を４０５ｎｍに発振波長を持つＬＤに変え、外部ＬＤ駆動装置により光量値を設定できるよう改造を行った。初期の暗部表面電位を約−７００（Ｖ）、明部表面電位を約−１００（Ｖ）に設定して連続して一万枚の印刷を行い、その時の表面電位を測定した。また画像評価は１ドット１スペース孤立ドットがコピー上に良好に解像（再現）しているかを３段階に評価した。
【００７８】
比較例４〜６
また、電荷輸送材料の光吸収域にあたる短波長光源（３５０〜５００ｎｍ）を用いた場合の感光体の問題点（比較例１〜３）を明確にする目的で、比較例１〜３で作製した感光体について光源を発振波長６５５ｎｍのＬＤに変え同様な評価を行った（比較例４〜６）。結果を表２に示す。
【００７９】
参考例４
電鋳ニッケル・ベルト上に下記組成の中間層塗工液、電荷発生層塗工液、及び電荷輸送層塗工液を、順次塗布・乾燥し、膜厚が中間層約６μｍ、電荷発生層約０．３μｍ、電荷輸送層２０μｍの積層感光体Ｎｏ．４を作製した。
中間層塗工液
二酸化チタン（ＴＡ−３００）                        ５部
共重合ポリアミド樹脂（東レ製ＣＭ−８０００）        ４部
メタノール                                          ５０部
イソプロパノール                                    ２０部
電荷発生層塗工液
Ｙ型オキソチタニウムフタロシアニン顔料粉末            ４部
ポリビニルブチラール                                  ２部
シクロヘキサノン                                    ５０部
テトラヒドロフラン                                １００部
電荷輸送層塗工液
ポリカーボネート樹脂  （パンライトＴＳ−２０５０）  １０部
化３４で示される構造式の電荷輸送材料                  ９部
【化３４】
0004566468.tif 000035
化３５で示される構造式の失活剤                  ０．２７部
【化３５】
0004566468.tif 000036
テトラヒドロフラン                                  ８０部
【００８０】
このようにして作製した電子写真感光体ベルトを図４に示す電子写真プロセス(ただし、クリーニング前露光は無し)に装着し、画像露光光源を４８８ｎｍ のＡｒレーザー(ポリゴン・ミラーによる画像書込)として、現像直前の感光体の表面電位が測定できるように表面電位計のプローブを挿入した。
【００８１】
参考例５
アルミシリンダー表面を陽極酸化処理した後封孔処理を行った。この上に、下記電荷発生層塗工液、電荷輸送層塗工液を、順次塗布・乾燥して各々膜厚０．２μｍの電荷発生層、１８μｍの電荷輸送層を形成し、本発明の感光体Ｎｏ．５を作製した。
〔電荷発生層塗工液〕
τ型無金属フタロシアニン顔料粉末                      ３部
前記構造式（２７）で示される電荷発生材料              ３部
ポリビニルブチラール樹脂（ＢＭ−Ｓ）                  １部
シクロヘキサノン                                  ２５０部
メチルエチルケトン                                  ５０部
〔電荷輸送層塗工液〕
下記構造式化３６の電荷輸送材料                        ７部
【化３６】
0004566468.tif 000037
ポリカーボネート樹脂（パンライトＴＳ−２０５０）    １０部
下記構造式化３７で示される失活剤                ０．０１部
【化３７】
0004566468.tif 000038
塩化メチレン                                          ８０部
ただし、画像露光光源を４５０ｎｍの半導体レーザーとして測定した。結果を表１、表２に示す。
【００８２】
【表１】
0004566468.tif 000039
○鮮明
△やや不鮮明
×再現せず
【００８３】
【表２】
0004566468.tif 000040
○鮮明
△やや不鮮明
×再現せず
【００８４】
表１の結果から本発明の実施例３及び参考例１、２、４、５の感光体及びそれを用いた電子写真装置は、発振波長が３５０〜５００ｎｍの書込光によっても、繰り返し使用時の電位安定性に優れており、またドットの再現性並びに安定性に優れていることがわかる。一方、失活剤を含有しない感光体を用いた比較例１〜３では暗部電位の低下、明部電位の上昇、初期からドット解像性が悪いことがわかる。また、表２の結果（比較例４〜６）と比較例１〜３との比較からも書込光の短波長化は電位安定性、解像度に悪影響を与えることは明らかである。したがって、本発明は３５０〜５００ｎｍの書込光によっても、従来からの長波長ＬＤ書込光を用いた場合（表２）の結果と同様に繰り返し使用時においても電位安定性に優れ、また高解像な出力画像が得られることがわかる。
【００８５】
【発明の効果】
本発明によれば、前記構成を採用したので、デジタル記録方式において発振波長が３５０〜５００ｎｍ波長範囲のＬＤもしくはＬＥＤ書込光を用いた場合でも、実用上の特性が安定しており、さらには高解像な出力画像が得られる電子写真感光体及びそれを用いたプロセスカートリッジ、電子写真装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【図１】失活剤の感光層中での反応機構を説明するエネルギーダイアグラムである。
【図２】本発明による電子写真感光体の代表例の断面図である。
【図３】本発明による電子写真感光体の別の代表例の断面図である。
【図４】本発明による電子写真装置の一例を示す図である。
【図５】本発明による電子写真装置の別例を示す図である。
【図６】本発明によるプロセスカートリッジの一例を示す図である。
【符号の説明】
（図２、図３）
１  導電性支持体                    ２  感光層
３  電荷発生材料                    ４  電荷輸送層
５  電荷発生層                      ６  電荷輸送材料
７  失活剤
（図４）
１  感光体                        ２  除電ランプ
３  帯電チャージャ                ４  イレーサ
５  画像露光部                    ６  現像ユニット
７  転写前チャージャ              ８  レジストローラ
９  転写紙                      １０  転写チャージャ
１１  分離チャージャ              １２  分離爪
１３  クリーニング前チャージャ    １４  ファーブラシ
１５  クリーニングブラシ
（図５）
２１  感光体                      ２２ａ、２２ｂ  駆動ローラ
２３  帯電チャージャ              ２４  像露光源
２５  転写チャージャ              ２６  クリーニング前露光
２７  クリーニングブラシ          ２８  除電光源
（図６）
１６  感光体                      １７  帯電チャージャ
１８  クリーニングブラシ          １９  画像露光部
２０  現像ローラ
【図１】
0004566468.tif 000042
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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