(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
高い熱伝導率を有する半導体デバイス用基板であって、
上面および前記上面と反対側の底面を備えた、第１の熱伝導率を有するボディと、
前記ボディの内面によって画定されたキャビティであって、前記キャビティは少なくとも前記底面で開口しているキャビティと、
前記キャビティ内に充填された少なくとも一つの物質であって、前記少なくとも一つの物質はそれぞれ前記第１の熱伝導率より高い第２の熱伝導率を有して、前記少なくとも一つの物質は前記内面に接触している物質と、
を含み、
前記キャビティは、前記底面からのキャビティ深さが異なる段構造であって、基板の厚みより小さい第１の深さを有する第１の部分と、基板の厚みと等しい第２の深さを持つ第２の部分を含み、第１の部分と第２の部分は直角に接続される段構造を有することを特徴とする基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、減じた熱抵抗を有する半導体デバイスに関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイスの中には、動作中に発生した熱を効率よくその半導体デバイス外に逃がすことができないために性能の悪化を来すものがある。熱が逃げないために温度が上昇し、この温度上昇が半導体デバイスの性能に悪影響を及ぼす。大半の場合、温度上昇（ΔＴ）は、半導体デバイスが発生する単位時間当たりの熱（ΔＷ）に比例する。つまり、ΔＴ＝ＲΔＷの関係にある。ここで、比例係数Ｒは半導体デバイスの熱抵抗である。
【０００３】
半導体デバイスからの効率の悪い熱の流出は、多くの場合デバイス中の熱伝導率の低い部分に原因がある。半導体デバイスによっては、動作中に、熱の発生箇所から外部ヒートシンクに熱を流さなければならないものがある。ヒートシンク自体は、外気と同じ温度が保たれるように十分大きい熱容量を有している。しかしながら、ヒートシンクに到達するために、多くの場合熱流はデバイス中の熱伝導率の低い部分を通る必要がある。この場合、半導体デバイスの熱抵抗Ｒは増大する。この結果、半導体デバイスの温度はヒートシンクの温度より著しく高くなる。
【０００４】
発光ダイオードおよびレーザにおいては、熱の発生はデバイスの活性領域およびｐ接点ならびにｎ接点で生じる。通常この熱は、外部ヒートシンクに達するために基板を通って流れていく必要がある。発光ダイオードおよびレーザは、熱伝導率の悪い基板に形成される。例えば、一般に用いられる基板であるサファイアの熱伝導率（Ｋｔｈ）は室温で０．４２  Ｗ／ｃｍＫである。
【０００５】
発光デバイスの光出力強度は、その発光デバイスの動作時の温度に依存する。このような発光デバイスに定電流を流した場合、光出力強度は温度が高くなるにしたがって減少する。場合によっては、高温のためにレーザダイオード等におけるレーザ作用が阻害されることがある。互いに隣接した二つ以上の発光デバイスを有する半導体デバイスでは、第１の発光デバイスの光出力強度が隣りの発光デバイスの出力エネルギの影響を受ける。この現象が生じるのは、第１のデバイスの温度は消費されたエネルギ量に影響され、したがって隣接デバイスの発生熱量の影響を受けるためである。この効果は熱的クロストークと呼ばれる。例えばレーザ印刷などの多くの用途において、発光デバイスは個別にアドレスできて互いに完全に独立していることが望ましいため、隣接発光デバイス間のクロストークはきわめて好ましくない。
【０００６】
半導体デバイス内の温度分布計算から、サファイア基板を薄くしてそのサファイア基板をヒートシンク上に搭載することでデバイスの発熱を著しく低減できることが明らかにされている。現在、この薄化処理は、サファイア基板を約１００μｍ厚さまで裏面研磨することにより実施されている。この方法によって連続波型のデバイスが得られている。ただしデバイスの熱抵抗は４０Ｋ／Ｗより大きい状態にある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
さらに発熱を下げるためにさらに基板を薄くすることが望まれる。しかしながら、研磨などの従来方法を用いた場合は、基板を割らずにこれ以上基板の厚さを薄くすることは困難である。したがって、この種の薄化処理は発熱を低減させる上で十分なものでなかった。
【０００８】
以上示したように、III−V族窒化物成長用として一般に用いられる基板の熱伝導率はきわめて低いものである。これに対して、銅は室温で約４Ｗ／ｃｍ−Ｋの熱伝導率を有している。しかしながら銅は、その融点が上記半導体材料の成長に必要な高温度に比べると低いため、半導体成長用の基板として適していない。
【０００９】
したがって、高い熱伝導率を有してかつ厚肉基板との構造上の一体性を備えた基板が必要である。
【００１０】
以上の課題に鑑みて本発明は、高められた熱伝導率を有する基板およびその基板の形成方法を提供するものである。
【００１１】
また、本発明は、高められた熱伝導率を有し、かつ構造上の一体性の高い基板を提供する。
【００１２】
別途、本発明は、発光デバイスとして有用な半導体デバイスおよびその半導体デバイスの形成方法を提供する。
【００１３】
別途、本発明は、自熱効果に対する感度の低い、半導体レーザデバイスなどの半導体デバイスを提供する。
【００１４】
さらに本発明は、基板材料の一部を高い熱伝導率をもつ材料に置き換えた基板上に成長させた半導体デバイスを提供する。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために本発明の基板は、高い熱伝導率を有する半導体デバイス用基板であって、上面および前記上面と反対側の底面を備えた、第１の熱伝導率を有するボディと、前記ボディの内面によって画定されたキャビティであって、前記キャビティは少なくとも前記底面で開口しているキャビティと、前記キャビティ内に充填された少なくとも一つの物質であって、前記少なくとも一つの物質はそれぞれ前記第１の熱伝導率より高い第２の熱伝導率を有して、前記少なくとも一つの物質は前記内面に接触している物質と、を含み、前記キャビティは、前記底面からのキャビティ深さが異なる段構造であって、基板の厚みより小さい第１の深さを有する第１の部分と、基板の厚みと等しい第２の深さを持つ第２の部分を含み、第１の部分と第２の部分は直角に接続される段構造を有することを特徴とする。
【００１６】
本発明者らは、高い熱伝導率を有する物質で形成された領域であって、発光デバイスを外部ヒートシンクに接続する領域があれば、熱はその物質によって形成された経路に沿ってデバイス外に流出する、ということを見出した。これにより、デバイスの温度は隣接デバイスの消費エネルギに左右されにくくなる。つまり、デバイスの活性領域と外部ヒートシンクとの間に高い熱伝導率を有する物質を設けることにより、動作時の温度が低下して動作の安定性が高まる。多くの場合、例えばモノリシックに一体化された複数のレーザダイオードを用いた場合などにおいて、デバイス間の熱的クロストークも減少する。
【００１７】
本発明の基板は、サファイアなどの、半導体デバイスの形成に好適に使用される材料を含むボディを備えている。この基板ボディは、上面および上面と反対側の底面を有する。また、この基板ボディは、基板ボディの内面によって画定されたキャビティを有するものである。種々の例示的実施形態において、キャビティは少なくとも底面で開口している。種々の例示的実施形態において、キャビティは基板ボディより高い熱伝導率を有する物質を含有する。この物質がキャビティ内に配置されて、キャビティの上面から、キャビティ内および／または基板の底面もしくはその下に設置された外部ヒートシンクまで熱を移送することができるようにされる。本発明の半導体デバイスの例示的実施形態は、前述の基板および基板の上面に形成された少なくとも一つの半導体ストラクチャを含む。本発明の半導体デバイスは、前述のストラクチャ等のストラクチャ、および半導体ストラクチャに接触した少なくとも一つのｐ接点を含んでおり、この場合、キャビティ内の物質はｎ接点として機能している。
【００１８】
種々の例示的実施形態における、高められた熱伝導率を有する基板の形成方法は、基板ボディ中のキャビティの形成であってこのキャビティは少なくともボディの底面で開口しているキャビティの形成、および基板より高い熱伝導率をもつ物質のキャビティ内への充填を含む。種々の例示的実施形態における、本発明による方法はさらに、少なくとも一つの半導体ストラクチャをボディ上面に形成することを含む。
【００１９】
上記およびその他の本発明の特徴および効果は、本発明に係るシステムおよび方法の種々の例示的実施形態についての以下の詳細な記述によって説明もしくは明らかにされる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の種々の例示的実施形態、関連形態（実施形態ではない）を図面を参照して詳細に説明する。
【００２１】
本発明は、半導体ストラクチャ用の高い熱伝導率をもつ基板に関する。この基板は、基板ボディより高い熱伝導率をもつ物質を含有したキャビティを有するボディを含む。さらに本発明は、優れた熱伝導性質をもつデバイスに関する。加えて本発明は、上述のストラクチャの形成方法に関する。
【００２２】
図１に、本発明に関連する基板１００の関連形態（実施形態ではない）を示す。基板１００は、底面１１２および上面１１４を有するボディ１１０を含む。ボディの内面１１３によって画定されたキャビティ１１６が底面１１２に開口している。キャビティ１１６内には、ボディ１１０の形成に用いた物質の熱伝導率より高い熱伝導率をもつ物質１２０が配置されている。この関連形態における物質１２０は、実質的に内面１１３全体に接触している。ただし、種々の例示的実施形態、関連形態においては、キャビティ１１６として物質１２０で部分充填されたもの、または完全充填されたもののいずれもあり得る。物質１２０は、熱が物質１２０を通ってキャビティの上面から、キャビティ内および／または底面１２０の位置もしくはその下に設置された、外部ヒートシンクに流れるように配置されている。
【００２３】
基板１００のボディ１１０は、半導体基板用に適した任意の材料で形成される。例えば、ボディ形成用材料は半導体発光デバイス形成用として好適なものである。特例的に、基板１００はシリコンカーバイドまたはスピネルで形成される。種々の例示的実施形態、関連形態における基板１００のボディ１１０は、サファイアで形成される。サファイアは、後述の、III−V族窒化物などの半導体発光材料形成用のもっとも一般に用いられる基板材料である。III−V族窒化物は、シリコンカーバイドまたはスピネル上に形成されることもあり、これらは、サファイアに比べて周知の長所および短所を有している。シリコンカーバイドはエッチングが容易で、かつサファイアに優るIII−V族窒化物との格子整合を有している。しかしながら、シリコンカーバイドはサファイアに比べて高価である。スピネルは、サファイアに優るIII−V族窒化物との格子整合を有するが、熱伝導性が低い。また、スピネルは発見されにくく、サファイアより高価である。上述の種々の要因のバランスを考慮して、多くの場合サファイアが用いられる。
【００２４】
適当な半導体デバイス用基板材料、特に発光材料層を形成する基板の形成に用いる材料は、多くの場合半導体材料層と基板の反対側に配置されたヒートシンク間の熱伝導効率が悪い。種々の例示的実施形態、関連形態において、本発明は、半導体材料層を形成するボディ内にキャビティを形成することによって、熱保持のもたらす悪影響を減じている。さらに、ボディの熱伝導率より高い熱伝導率をもつ物質がキャビティ内に配置される。良好な熱伝導特性をもつ物質を基板内に配置することにより、基板１００の熱伝導率が高まる。この結果、発光デバイス、レーザデバイスなどの半導体デバイスの効率および機能が向上する。
【００２５】
物質１２０は金属であり、良好な熱伝導特性を有している。例えば、物質１２０は金または銀である。種々の例示的実施形態、関連形態において、物質１２０として銅が使用されている。これは、銅が高い熱伝導率を有すると共に、同様に良好な熱伝導特性をもつ他の金属と比べて比較的低価格であることによる。
【００２６】
前述の諸金属はボディ１１０の形成に用いられる材料よりはるかに高い熱伝導率を有している。金、銀、および銅の熱伝導率を下記の表１に示す。比較のために、半導体発光材料であるＧａＮおよびサファイアの値を併せて示す。
【表１】
【００２７】
図１に示した基板１００の関連形態では、ボディ１１０は厚さｔを有し、キャビティ１１６は厚さｔより浅い深さｄを有して、その結果キャビティ１１６は、例えば底面１１２等の、一面にのみ開口するようになっている。
【００２８】
図２に示した関連形態（実施形態ではない）などにおける基板２００は、厚さｔの基板ボディ２１０を含む。キャビティ２１６は基板ボディ２１０の厚さｔに等しい深さｄを有して、その結果キャビティ２１６は基板ボディ２１０の底面２１２と上面２１４との両方に開口するようになっている。基板ボディ２１０の上面２１４に形成された半導体材料層と物質２２０との接触により、裏面電気接点すなわち底面２１２への接点形成が可能になっている。
【００２９】
図３に示した例示的実施形態などの、種々の他の例示的実施形態における基板３００は、段構造をもつキャビティ３１６を含む。キャビティ３１６は、基板ボディ３１０の厚さｔより浅い第１の深さｄ１をもつ第１の部分３１７を含む。キャビティ３１６の第２の部分３１８は基板ボディ３１０の厚さｔに等しい第２の深さｄ２を有して、それによりキャビティ３１６が底面３１２および上面３１４の両方に開口するようになっている。必要に応じて段構造は、図３に示す例示的実施形態３００で示した一つの段部より多い段部をもつのものにすることもできる。
【００３０】
例示的実施形態に示すような段状のキャビティ構造を用いた場合、熱伝導率は、上面３１４に形成された半導体材料層とキャビティ３１６の充填に用いたキャビティ物質３２０との直接接触によって高まる。半導体材料層とキャビティ物質３２０との接触により、裏面電気接点すなわち底面３１２への接点形成が可能になる。また、段構造によって構造上の一体性が強化される。
【００３１】
図４に半導体デバイス１００′の関連形態（実施形態ではない）を示す。種々の例示的実施形態、関連形態における半導体デバイス１００′は、図１に示した関連形態による基板１００を含む。図４に示すように、半導体ストラクチャ１３０は基板１００′の上面１１４に形成される。
【００３２】
種々の例示的実施形態、関連形態における半導体ストラクチャ１３０は、例えば少なくとも一つのIII−V族窒化物材料などの発光材料を含む。III−V族窒化物は２価の化合物であると共に３価および４価のアロイにもなる。この材料は短波長の発光デバイス用として好適なものである。Ａｌ−Ｇａ−Ｉｎ−Ｎ系は、可視スペクトル全域をカバーしてさらに紫外スペクトル域にまで及ぶ幅広いバンドギャップを有している。また、III−V族窒化物は強い化学結合を有するものであり、この強い結合が、レーザの活性領域で表れる高電流や強力な光照射条件下でも、窒化物をきわめて安定かつ劣化に対して耐性のあるものにしている。本発明の半導体ストラクチャの例示的実施形態、関連形態には全てのIII−V族窒化物が含まれる。特にここでは、半導体ストラクチャ１３０はＧａＮを含む。
【００３３】
図５に示した関連形態（実施形態ではない）などの半導体デバイス２００′は、図２に示した前述の基板２００を含む。半導体ストラクチャ２３０は基板２００の上面２１４に形成される。キャビティ２１６は上面２１４および底面２１２に開口している。物質２２０は半導体ストラクチャ２３０の底面２３２に接触している。
【００３４】
図６に示した例示的実施形態などの、種々の他の例示的実施形態における半導体デバイス３００′は、図３に示した前述の段構造をもつキャビティ３１６を有した、本発明による基板３００を含む。半導体ストラクチャ３３０は上面３１４上に形成される。キャビティ３１６は上面３１４および底面３１２に開口している。物質３２０は半導体ストラクチャ３３０の底面３３２に接触している。
【００３５】
さらに、本発明に係る種々の例示的実施形態、関連形態における半導体デバイスは、少なくとも一つのｐ接点および少なくとも一つのｎ接点を含む。図７に示した、関連形態（実施形態ではない）である半導体デバイス１００″では、半導体デバイスは少なくとも一つのｐ接点１４０および少なくとも一つのｎ接点１４４を含む。ｐ接点１４０は半導体ストラクチャ１３０に接触している。ｎ接点１４４もまた半導体ストラクチャ１３０に接触している。ヒートシンク１５０は、半導体デバイス１００″の基板１００の底面１１２に接触して設置されている。この場合、熱伝導性物質１２０の底面１２２はヒートシンク１５０に接触している。
【００３６】
図８に関連形態（実施形態ではない）である半導体デバイス２００″を示す。図８に示すように、半導体デバイス２００″は、半導体２３０に接触した少なくとも一つのｐ接点２４０を含む。この関連形態の半導体デバイス２００″においては、熱伝導性物質はｎ接点として機能する。この場合、熱伝導性物質２２０は電気伝導性も備えている必要がある。熱伝導性物質２２０の上面２１４は、接点順にしたがい、半導体ストラクチャ２３０の底面２３２に接触している。
【００３７】
種々の例示的実施形態、関連形態における半導体デバイス１００′，１００″，２００′，２００″，および／または３００′は、半導体レーザデバイスなどの発光デバイスである。図９に示した半導体デバイスにおいては、キャビティ２１６は第１の長さと第１の幅を有し、一つ以上のｐ接点２４０はそれぞれ第２の長さおよび第２の幅を有している。種々の例示的実施形態、関連形態において、第１の長さは第２の長さより長くされる。同じ種々の例示的実施形態、関連形態中の一部の実施形態、関連形態および種々の他の例示的実施形態、関連形態において、第１の幅は第２の幅より広くされる。
【００３８】
本発明の半導体デバイスの例示的実施形態、関連形態における物質を充填されたキャビティの方向は、ｐ接点と一直線に並んだ向きにされる。種々の例示的実施形態、関連形態におけるIII−V族窒化物ストラクチャは、エピタキシャル層の過成長によって形成される。デュアルスポットレーザデバイス用の基板キャビティの長さおよび幅の代表的な寸法は、それぞれ約５００μｍおよび約５０μｍである。基板キャビティの長軸は、窒化物材料の結晶の＜１−１００＞方位に平行に配向している。窒化物材料の（１−１００）面のレーザファセットは劈開により形成される。通常＜１−１００＞方位に延びた、ｐ接点より若干（２０乃至５０μｍ程度）長い基板キャビティを備えることで、劈開品質を向上させることができる。
【００３９】
本発明は前述のデバイスの形成方法に関するものでもある。種々の例示的実施形態、関連形態における方法は、底面および上面を有する基板のボディにキャビティを形成することを含む。キャビティは、ボディの内面によって画定されるものであり、少なくとも底面で開口している。基板のボディより高い熱伝導率をもつ物質がキャビティ内に配置される。種々の例示的実施形態、関連形態におけるキャビティ内用の熱伝導性物質は、実質的にキャビティの内面全体に接触している。種々の他の例示的実施形態、関連形態においては、熱伝導性物質はキャビティの一部のみを充填、および／またはキャビティおよび／または半導体材料層の表面の一部のみに接触している。この構成は、キャビティが十分に充填されて、および／またはキャビティの表面および／または半導体材料層の表面への接触が十分であって、半導体材料層からキャビティ内の熱伝導性物質への熱流の量が、半導体デバイスが発生した熱の悪影響を低減する上で十分である限り成立し得る。熱伝導性物質は実質的にキャビティを充填している。半導体層はキャビティの反対側の基板上面に形成される。
【００４０】
本発明に係る例示的実施形態、関連形態の方法において、形成される半導体層は、例えば任意のIII−V族窒化物などの発光材料層である。ここではＧａＮが使用される。半導体層は任意の適当な方法によって形成される。種々の例示的実施形態、関連形態における半導体層は、エピタキシャル層の過成長によって形成される。
【００４１】
本発明に係る種々の例示的実施形態、関連形態の方法において、半導体層の形成は、ＩｎＧａＡｌＮレーザストラクチャの形成を含む。例えば、ＩｎＧａＡｌＮレーザストラクチャは有機金属化学的気相成長法（ＭＯＣＶＤ）によってＩｎＧａＡｌＮエピタキシャルストラクチャを堆積することにより形成される。ＩｎＧａＡｌＮレーザストラクチャは、有機金属化学的気相成長法によって、サファイア基板などの基板上に形成される。種々の例示的実施形態、関連形態におけるサフアイア基板は、２インチ径のサファイア基板ウェハである。サファイア基板ウェハは、ｃ面（０００１）またはａ面（１１−２０）配向のサファイアを含む。サファイア基板ウェハとして、一面にエピタキシャル研磨が施された１３ミルまたは１７ミルのウェハなどの標準仕様のもの、または他の適当な仕様のものがある。
【００４２】
図１０に、関連形態（実施形態ではない）に係る有機金属化学的気相成長法によって半導体ストラクチャ４９９が形成された基板ボディ４１０を含む、半導体デバイス４００を示す。図１０にはソリッド構造上に形成された半導体ストラクチャ４９９が示されているが、半導体ストラクチャ４９９の形成の前または後のいずれにも基板ボディ４１０内にキャビティを形成可能である。
【００４３】
図１０に示した関連形態では、半導体ストラクチャ４９９はサファイア基板ボディ４１０上に形成されていた。この例示的半導体ストラクチャ４９９は、ＧａＮ：Ｓｉ層４６６、Ｉｎ０．０３Ｇａ０．９７Ｎ：Ｓｉ層４６２、Ａｌ０．０８Ｇａ０．９２Ｎ：Ｓｉ層４６４、ＧａＮ：Ｓｉ層４６６、ＩｎＧａＮ：Ｓｉ多重量子井戸（ＭＱＷ）活性領域４６８、Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ｎ：Ｍｇ層４７０、ＧａＮ：Ｍｇ層４７２、Ａｌ０．０８Ｇａ０．９２Ｎ：Ｍｇ層４７４、およびＧａＮ：Ｍｇ層４７６を含んでいる。さらに、例示的実施形態、関連形態における半導体デバイス４００は、ｐ接点４４０、ｎ接点４４４、および誘電層４７８を含んでいる。
【００４４】
図１０に示した、関連形態などにおける各層は、サファイア基板ボディ４１０上に連続的に形成される。例えば、約５μｍ乃至約２０μｍの厚さのＧａＮ：Ｓｉ層４６０がサファイア基板４１０上に形成される。Ｉｎ０．０３Ｇａ０．９７Ｎ：Ｓｉ層４６２がＧａＮ：Ｓｉ層４６０上に約５０ｎｍ厚さに形成される。次いで、約０．５μｍ乃至約１．５μｍの厚さのＡｌ０．０８Ｇａ０．９２Ｎ：Ｓｉ層４６４がＩｎＧａＮ：Ｓｉ層４６２上に形成される。約０．１μｍの厚さのＧａＮ：Ｓｉ層４６６がＡｌ０．０８Ｇａ０．９２Ｎ：Ｓｉ層４６４上に形成される。次に、ＩｎＧａＮ  ＭＱＷ活性領域４６８がＧａＮ：Ｓｉ層４６６上に形成される。Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ｎ：Ｍｇ層４７０がＩｎＧａＮ  ＭＱＷ活性領域４６８上に約２０ｎｍ厚さに形成される。次いで、ＧａＮ：Ｍｇ層４７２がＡｌＧａＮ：Ｍｇ層４７０上に約０．１μｍ厚さに形成される。約０．５μｍ乃至約１μｍ厚さのＡｌ０．０８Ｇａ０．９２Ｎ：Ｍｇ層４７４がＧａＮ：Ｍｇ層４７２上に形成される。ＧａＮ：Ｍｇ層４７６をＡｌ０．０８Ｇａ０．９２Ｎ：Ｍｇ層４７４上に約０．１μｍ厚さに形成することにより、図１０に示した例示的半導体ストラクチャ４９９が完成する。
【００４５】
半導体ストラクチャ４９９の形成後、ｐ接点４４０、ｎ接点４４４、および誘電層４７８が付加されて半導体デバイス４００が完成される。
【００４６】
本発明の方法の例示的実施形態は、ボディより高い熱伝導率をもつ物質でキャビティを実質的に充填することを含む。種々の例示的実施形態において、キャビティは電気めっきにより充填される。特例的に、金属ペーストによってキャビティが充填されるものもある。しかしながら、少なくともキャビティの一部を充填するための、あらゆる他の周知もしくは最近開発された方法を本発明による方法に適用できることは明らかである。
【００４７】
本方法の例示的実施形態における半導体層は、キャビティ形成の前または後のいずれかに基板上に形成される。キャビティの形成後に半導体層を基板上に形成する場合は、図４に示したデバイスの第１の例示的実施形態のように、基板ボディの厚さより浅い深さをもつようにキャビティが形成されて、物質が半導体層と接触しないようにされる。半導体層の形成前にキャビティを形成することの利点は、半導体層を保護することなくキャビティを形成できることである。しかしながら、基板ボディの少なくとも一部を半導体層を形成する面として残す必要があるため、キャビティをボディの上面に開口させて形成することはできない。したがって、キャビティ形成後に半導体材料層を形成すると、熱伝導性物質を電気接点として用いることが困難になる。物質によるキャビティの充填は、半導体層の形成後にめっき法または金属ペーストを用いて行われる。
【００４８】
本方法の他の例示的実施形態における半導体材料層は、キャビティ形成前に基板上に形成される。キャビティの形成前に半導体材料層を基板上に形成する場合は、図５に示した関連形態の構造のように、キャビティは、基板ボディの厚さに等しい深さに形成されて、底面および上面の両方に開口するようにされる。この場合、熱伝導性物質は半導体材料層に接触する。このような例示的実施形態、関連形態においては、半導体層の真下の基板ボディは全て除去される。これにより、熱伝導性物質を半導体材料層との電気接点として用いることが可能になる。
【００４９】
半導体材料層をキャビティの形成前に基板上に形成した場合は、図６に示した例示的実施形態の構造のように、キャビティは、基板ボディの厚さに等しい第１の深さをもつ第１の部分と基板ボディの厚さより浅い第２の深さをもつ少なくとも一つの第２の部分とを有して、それによりキャビティが底面および上面に開口すると共に熱伝導性物質が半導体材料層に接触するようにされる。種々の例示的実施形態の方法によって創出された段構造はさらなる効果をもたらす。すなわち、より十分な半導体層の構造的支持および薄化ボディ領域の拡大である。本方法の例示的実施形態における狭範囲のボディ部は、半導体層の真下では除去され、その隣接領域では薄くされている。
【００５０】
本方法の種々の例示的実施形態におけるキャビティは、任意の適当なレーザを用いて形成される。種々の例示的実施形態における基板ボディは、ワックス、エポキシ樹脂、または熱伝導性ペースト等を用いてシリコンまたは銅などの別体の支持基板に搭載されて、キャビティ形成時の十分な熱の消散が促進されるようにされている。この熱の消散は、損傷に至る程度までデバイス温度が上昇することを防ぐ上で望ましいものである。
【００５１】
図１１に、レーザアブレーション法によってキャビティ４１６が形成された半導体デバイス４００の関連形態を示す。半導体ストラクチャ４９９は、キャビティ４１６の形成前または後に形成される。種々の例示的実施形態、関連形態におけるキャビティ４１６は、Ｎｄ：ＹＡＧレーザなどの希土類レーザを用いて形成される。Ｎｄ：ＹＡＧレーザをスキャンすることにより任意の所望の高さ、幅、および長さのキャビティを基板ボディ内に形成することができる。このようにして、大半の基板ボディ４１０の部分を残して（すなわち除去しないで）基板ボディ４１０上に形成された層を支持した状態で、該ボディの一部を薄化あるいは完全に除去して、半導体ストラクチャ４９９と接触している上面４１４にキャビティ４１６を開口させる。
【００５２】
本方法の例示的実施形態、関連形態におけるレーザは、キャビティ４１６の形成に適したスポットサイズを備えている。例えば、レーザは最小でも約２０μｍのスポットサイズを有する。詳細には、レーザは約２０μｍ乃至１００μｍのスポットサイズを有する。サファイア内のキャビティ形成に適したレーザとして、１０６ｍＪ／パルス／ｃｍ２のエネルギ密度を出力する、Ｑスイッチ式Ｎｄ：ＹＡＧレーザ（λ＝１．０６μｍ）がある。Ｑスイッチ式レーザの利点は、ピークエネルギでスイッチをオンオフできることである。上述のエネルギ密度で、大半のエネルギはサファイアの気化に費やされる。標準的なスキャン速度およびビーム径において、サファイアを周囲物質を顕著に加熱することなく除去することができる。１ｋＨｚの周波数および１００ｎｓのパルス幅におけるオン／オフ比は約１：１０，０００であり、この条件で滞留熱は全て消散させられる。レーザビームの深さ方向の解像度は、高倍率レンズに使用によって１．０μｍより高精度になっている。これらの特性をもつレーザの使用により、キャビティ４１６を半導体ストラクチャ４９９の形成の前後いずれに形成したかに係わらず、サファイアの除去量を正確に制御することができる。
【００５３】
図１２に、関連形態（実施形態ではない）に係るシード層４８０がキャビティ４１６の内面４８５に形成されたデバイス４００を示す。キャビティ４１６の形成後、キャビティ４１６は金属ペーストまたはめっきによって充填し直される。種々の例示的実施形態、関連形態において、キャビティ４１６がめっきによって充填される場合は、適当なシード層４８０がキャビティ４１６の内面４８５に形成される。例えば、薄いＴｉ／Ａｕ層（Ｔｉ層１００ｎｍ、Ａｕ層２００ｎｍ）が加熱蒸着または電子ビーム蒸着によってキャビティ４１６の内面４８５に蒸着される。Ｔｉ／Ａｕシード層４８０は、熱伝導性物質を付加してキャビティ４１６を充填するための、後続の電気めっきまたは無電解めっき工程でのシード層として機能する。
【００５４】
図１３に、関連形態（実施形態ではない）による、キャビティ４１６が銅層４９０でめっきされたデバイス４００を示す。種々の例示的実施形態、関連形態において、めっきによってキャビティ４１６を完全充填することで最大限の熱消散が達成されている。銅は、比較的安価でかつきわめて高い熱伝導率を有するために、上記目的に対して理想的に適合する。銅層４９０は、市販の標準的なめっき液を用いて電気めっきされる。例えば、Ｈ２Ｏ／Ｈ２ＳＯ４撹拌浴中で硫酸銅ペンタハイドライドを用いて銅をシード層４８０上に電気めっきすることでキャビティ４１６が充填される。電気めっきは、約３００Ａ／ｃｍ２乃至約６００Ａ／ｃｍ２の標準的な陰極電流密度で室温で行われる。めっき時間は陰極電流密度に依存するが、標準的には約１時間で約５０μｍの銅がめっきされる。
【００５５】
図１４に、本発明による、銅層４９０を充填されたキャビティ４１６がハンダ材層４９７によってヒートシンク４５０に搭載された、デバイス４００を示す。本発明による半導体デバイスの熱的性質をさらに向上させるために、デバイス４００はヒートシンク４５０上に搭載されている。ヒートシンク４５０に適した材料として、銅、アルミニウム、およびダイアモンドがある。デバイス４００は、任意の適当なストラクチャ、デバイス、または材料によってヒートシンク４５０に取り付けられる。例えば、デバイス４００は、ハンダ材層４９７によってヒートシンク４５０に接着される。ハンダ材として、限定はしないが、ＡｕＳｎ，ＰｂＳｎ、またはＩｎを一つまたは複数用いたものがある。デバイス４００をヒートシンク４５０に搭載する前に、デバイス４００をダイシングまたは劈開によって個片のデバイスにしてもよい。
【００５６】
図１５に、キャビティ５１６が上面５１４に開口し、シード層５８０および銅層５９０がデバイス５００のｎ接点として機能している、デバイス５００の関連形態を示す。キャビティ５１６が基板ボディ５１０の全厚を貫通して形成された場合は、本発明の種々の実施形態、関連形態によれば、裏面ｎ接点は銅が充填されたキャビティ５１６によって形成される。その場合、めっき工程のシード層５８０も半導体デバイス５６０に対するｎ接点として機能する。このことは、例えばＴｉ／Ａｌ／Ｔｉ／Ａｕシード層を用いて行われる。この実施形態、関連形態においては、デバイス５００に対するｎ接点は銅が充填されたキャビティ５１６によって形成されるので、さらなるｎ接点をデバイス５００に設ける必要はない。
【００５７】
図１６に、動作時の半導体デバイスの活性領域の温度上昇の値をキャビティ深さの関数としてプロットした結果を示す。計算は、０．７５Ｗのエネルギが５００μｍのキャビティ長に亘って消散されると仮定して行った。二組のポイント群は、二種類の基板ボディ厚さ値に対応している。図示のように、サファイア厚さが８０μｍの場合、サファイアボディおよびそのボディ内に銅が充填されたキャビティを有する基板を用いることによって、熱消散により、温度上昇は５３Ｋ／Ｗの熱抵抗値に対応する４０Ｋから２７Ｋ／Ｗの熱抵抗値に対応する約２０Ｋ未満まで減少する。またこのグラフは、厚めのサファイアボディを有する基板においても同様の効果が得られることを示している。
【００５８】
前述した特定の実施形態、関連形態に関連して本発明の説明を行ったが、多くの代替、組み合わせ、修正、および変形が可能なことが当業者に明らかなことは明白である。したがって、上述の本発明の好適な実施形態は例示のためのものであり、限定的なものではない。本発明の範囲内で種々の変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】  基板の一面にのみ開口したキャビティを含む、基板の関連形態の断面図である。
【図２】  基板の二つの面に開口したキャビティを含む、基板の関連形態の断面図である。
【図３】  本発明による、基板の二つの面に開口したキャビティであって、段構造を有するキャビティを含む基板の例示的実施形態の断面図である。
【図４】  物質が基板に形成された半導体デバイスと接触していない、半導体デバイスの関連形態の断面図である。
【図５】  物質が基板に形成された半導体デバイスと接触している、半導体デバイスの関連形態の断面図である。
【図６】  本発明による、物質が基板に形成された半導体デバイスと接触していて、基板中のキャビティが段構造を有している、半導体デバイスの実施形態の断面図である。
【図７】  物質が基板に形成された半導体デバイスに接触しておらず、少なくとも一つのｐ接点および少なくとも一つのｎ接点が基板に形成された半導体デバイスに接触している、半導体デバイスの関連形態の断面図である。
【図８】  物質が基板に形成された半導体デバイスに接触しており、少なくとも一つのｐ接点が基板に形成された半導体デバイスに接触していて、物質がｎ接点として機能する、半導体デバイスの関連形態の断面図である。
【図９】  半導体デバイスの上面図であって、基板に形成された半導体デバイスの真下のキャビティの長さと幅を点線で示し、劈開によって形成された平面を破線で示した上面図である。
【図１０】  関連形態のIII族窒化物系半導体レーザデバイスの断面図であって、このデバイスがさらに、基板に形成された半導体デバイスに接触している、少なくとも一つのｐ接点および少なくとも一つのｎ接点を含んだデバイスの断面図である。
【図１１】  関連形態の基板の底面に開口したキャビティを含む、III族窒化物系半導体レーザデバイスの断面図である。
【図１２】  関連形態の基板の底面に開口したキャビティを含むIII族窒化物系半導体レーザデバイスであって、金属シード層がキャビティの内面を覆っているレーザデバイスの関連形態の断面図である。
【図１３】  基板の底面に開口したキャビティを含むIII族窒化物系半導体レーザデバイスであって、金属シード層がキャビティの内面を覆っており、キャビティ内に銅が充填されたレーザデバイスの関連形態の断面図である。
【図１４】  ヒートシンクに取り付けられた、III族窒化物系半導体レーザデバイスの関連形態の断面図である。
【図１５】  基板の上面および底面に開口したキャビティおよびキャビティの内面を覆う金属シード層を有する、III族窒化物系半導体レーザデバイスの関連形態の断面図である。
【図１６】  半導体デバイスの、デバイスの動作時の温度上昇値を示すグラフであって、温度上昇をキャビティの深さの関数としてプロットしたグラフである。
【符号の説明】
１００，２００，３００  基板、１１０，２１０，３１０，４１０，５１０  ボディ、１１２，２１２，３１２  底面、１１３  内面、１１４，２１４，３１４  上面、１１６，２１６，３１６，４１６，５１６  キャビティ、１２０，２２０，３２０，４９０，５９０  物質、１５０，４５０，５５０  ヒートシンク、１００′，２００′，３００′，１００″，２００″，４００，５００  半導体デバイス、１３０，２３０，３３０，４９９，５９９  半導体ストラクチャ、１４０，２４０，４４０，５４０  ｐ接点、１４４，２４４，４４４  ｎ接点。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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