(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理部材上の少なくとも２つの保護バリアを接合する方法であって、
第１の保護バリアと第２の保護バリアとの重複部分を有する遷移領域を前記処理部材上に定めることと、
前記第１の保護バリアを前記処理部材の、前記第２の保護バリアが適用されない領域を備えており前記遷移領域を含む第１の領域に適用することと、
前記第２の保護バリアの密着性を改良するために前記処理部材の、前記第１の保護バリアが適用されない領域を備えており前記遷移領域を含む第２の領域を処理することと、
前記第１の領域および前記第２の領域の前記遷移領域でのみ前記第２の保護バリアが前記第１の保護バリアに重なるように、前記第２の保護バリアを前記第２の領域に適用することとを具備する方法。
【請求項２】
前記遷移領域は、エッジの少なくとも一部を有している請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記エッジは、少なくとも１つのエッジラジウスによって特徴づけられている請求項２に記載の方法。
【請求項４】
０．５ｍｍから５ｍｍの範囲にある１つのエッジラジウスを有する前記エッジを形成することを更に具備する請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記エッジラジウスは、０．５ｍｍから２ｍｍの範囲にある請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記第１の保護バリアおよび前記第２の保護バリアは、表面陽極酸化、プラズマ電解酸化を使用して形成されたコーティングおよびスプレーコーティングの少なくとも１つで形成されている請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記第１の保護バリアおよび前記第２の保護バリアは、アルミナ、カーボン、炭化珪素、シリコン、石英、テフロン（登録商標）、ベスペル（登録商標）およびカプトン（登録商標）の少なくとも１つで構成されている請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記第１の保護バリアおよび前記第２の保護バリアは、第ＩＩＩ族元素およびランタニド元素の少なくとも１つを含んでいる請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記第１の保護バリアおよび前記第２の保護バリアは、イットリア（Ｙ２Ｏ３）、ＳＣ２Ｏ３、Ｓｃ２Ｆ３、ＹＦ３、Ｌａ２Ｏ３、ＣｅＯ２、Ｅｕ２Ｏ３およびＤｙ２Ｏ３の少なくとも１つで構成されている請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記第１の保護バリアは、表面陽極酸化で形成され、前記第２の保護バリアは、スプレーコーティングで形成されている請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記処理することは、グリットブラストすることを含んでいる請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
プラズマ処理システムのプロセス空間に設置される処理部材であって、
前記処理部材の第１の面および第２の面が結合する円弧を含むエッジと、
前記処理部材上の、前記第１の面の少なくとも一部および前記円弧の少なくとも一部を含む第１の領域に接合された第１の保護バリアと、
前記処理部材上の、前記第２の面の少なくとも一部および前記第１の保護バリアの少なくとも一部を含む第２の領域に接合された第２の保護バリアと、
前記第１の保護バリアと前記第２の保護バリアとが互いに重なる領域によって規定され、前記円弧の少なくとも一部をカバーする遷移領域とを具備する処理部材。
【請求項１３】
前記第２の領域は、前記第２の保護バリアの密着性を改良するように粗くされた面である請求項１２に記載の処理部材。
【請求項１４】
前記粗くされた面は、グリットブラストされた面を含んでいる請求項１３に記載の処理部材。
【請求項１５】
前記遷移領域は、前記円弧の少なくとも５０％を有している請求項１２に記載の処理部材。
【請求項１６】
前記遷移領域は、前記円弧の１００％を有し、前記エッジは、少なくとも１つのエッジラジウスによって特徴づけられる請求項１５に記載の処理部材。
【請求項１７】
前記エッジは、０．５ｍｍから５ｍｍの範囲にある１つのエッジラジウスを有している請求項１６に記載の処理部材。
【請求項１８】
前記エッジラジウスは、０．５ｍｍから２ｍｍの範囲にある請求項１７に記載の処理部材。
【請求項１９】
前記第１の保護バリアおよび前記第２の保護バリアは、表面陽極酸化、プラズマ電解酸化を使用して形成されるコーティングおよびスプレーコーティングの少なくとも１つで形成される請求項１２に記載の処理部材。
【請求項２０】
前記第１の保護バリアおよび前記第２の保護バリアは、アルミナ、カーボン、炭化珪素、シリコン、石英、テフロン（登録商標）、ベスペル（登録商標）およびカプトン（登録商標）の少なくとも１つで構成される請求項１２に記載の処理部材。
【請求項２１】
前記第１の保護バリアおよび前記第２の保護バリアは、第ＩＩＩ族元素およびランタニド元素の少なくとも１つを含んでいる請求項１２に記載の処理部材。
【請求項２２】
前記第１の保護バリアおよび前記第２の保護バリアは、イットリア（Ｙ２Ｏ３）、Ｓｃ２Ｏ３、Ｓｃ２Ｆ３、ＹＦ３、Ｌａ２Ｏ３、ＣｅＯ２、Ｅｕ２Ｏ３およびＤｙ２Ｏ３の少なくとも１つで構成される請求項１２に記載の処理部材。
【請求項２３】
前記第１の保護バリアは、表面陽極酸化で形成され、前記第２の保護バリアは、スプレーコーティングで形成されている請求項１２に記載の処理部材。
【請求項２４】
前記第１および第２の保護バリアは、異なる材質で構成されている請求項１２に記載の処理部材。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本出願は、２００２年９月３０日に出願された出願係属中の米国特許出願シリアル番号第１０／２５９，７５７号と、２００２年９月３０日に出願された出願係属中の米国特許出願シリアル番号第１０／２５９，８５８号と、２００２年９月３０日に出願された出願係属中の米国特許出願シリアル番号第１０／２５９，３８２号と、２００２年９月３０日に出願された出願係属中の米国特許出願シリアル番号第１０／２５９，３８０号と、２００２年９月３０日に出願された出願係属中の米国特許出願シリアル番号第１０／２５９，３５３号と、２００２年９月３０日に出願された出願係属中の米国特許出願シリアル番号第１０／２５９，３５２号と、２００２年９月３０日に出願された出願係属中の米国特許出願シリアル番号第１０／２５９，３０６号とに関連する２００３年３月３１日に出願の米国仮出願シリアル番号第６０／４５８，４０７号に対し優先権を主張し、並びに関連するものである。これらの出願全ての内容全体は、それら全部の参照によってここに組み込まれる。
【０００２】
本発明は、保護バリア（ｐｒｏｔｅｃｔｉｖｅ  ｂａｒｒｉｅｒ）を処理部材（ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  ｅｌｅｍｅｎｔ）上に形成する方法に関し、より詳しくは、本発明は、処理部材上に隣接する保護バリアを接合する方法（ａ  ｍｅｔｈｏｄ  ｏｆ  ａｄｊｏｉｎｉｎｇ  ａｄｊａｃｅｎｔ  ｐｒｏｔｅｃｔｉｖｅ  ｂａｒｒｉｅｒｓ  ｏｎ  ａ  ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  ｅｌｅｍｅｎｔ）に関する。
【背景技術】
【０００３】
半導体産業の集積回路（ＩＣ）の製造は概して、基板から材料を除去するのに、および基板に材料を堆積するのに必要なプラズマリアクタの中での表面化学の生成、およびアシストするためにプラズマを使用する。一般に、プラズマは、供給されたプロセスガスとの衝突をイオン化することを維持するのに十分なエネルギまで、電子を加熱することによって、真空条件下のプラズマリアクタ中で形成される。さらに、加熱された電子は、解離性衝突を維持するのに十分なエネルギを有し、そしてそれゆえに、所定のコンディション（例えばチャンバ圧、ガス流量など）の下のガスの特定のセットは、チャンバ（例えば材料が基板から除去されるエッチングプロセスまたは材料が基板に加えられる堆積プロセス）の中で実行されている特定のプロセスに適している荷電種および化学的反応種の集団を生成するように選ばれる。
【０００４】
荷電種（イオンなど）および化学的反応種の集団の形成は、基板表面でのプラズマ処理システム（すなわち材料エッチング、材料堆積など）の機能を実行するために必要であるが、処理チャンバ内部の他の部品表面は、物理的に、および化学的に活性プラズマにさらされ、そしてやがて、腐食し得る。プラズマ処理システム内のさらされた部品の腐食は、プラズマ処理パーフォーマンスの段階的な低下に、そして、最後にシステムの完全故障につながり得る。
【０００５】
処理プラズマにさらされることによって被るダメージを最小化するために、処理プラズマにさらされ続けることが判っているプラズマ処理システムの部品は、保護バリアで被覆される。例えば、アルミニウムから製造された部品は、プラズマに対してより耐性を示す酸化アルミニウムの表面層を生じるように陽極酸化され得る。他の例では、消耗品可能な、または交換可能な部品、例えばシリコン、石英、アルミナ、カーボンまたは炭化珪素から作られるものは、頻繁な交換の間、より多くのコストがかかる高価な部品の表面を保護するように、処理チャンバ内に挿入され得る。さらに、不必要な汚染物質、不純物などの導入を最少化する表面材料を選ぶことは、処理プラズマに対し、そして、おそらく基板上に形成されるデバイスに対して望ましい。
【０００６】
いずれの場合においても、保護コーティングの不可避なる不良は、保護バリアの完全性または保護バリアの製造の完全性に起因するものであり、そして、交換可能な部品の消耗品としての性質は、プラズマ処理システムの頻繁なメンテナンスを要求する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
この頻繁なメンテナンスは、プラズマ処理休止時間（ｄｏｗｎ−ｔｉｍｅ）と、新しいプラズマ処理チャンバの過剰となり得る部品とに伴う費用を生じ得る。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
保護バリアを処理エレメントの上に形成する方法は、記載される。
【０００９】
処理部材上の２つ以上の保護バリアを接合する方法は、処理部材上に第１の保護バリアと第２の保護バリアとの重複部分を有する遷移領域（ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ  ｒｅｇｉｏｎ）を定めることと、第１の保護バリアを処理部材の、前記遷移領域を有している第１の領域に適用すること（ａｐｐｌｙｉｎｇ）と、第２の保護バリアの密着性を改善するために処理部材の、前記遷移領域を有している第２の領域を処理することと、第２の保護バリアをこの第２の領域に適用すること（ａｐｐｌｙｉｎｇ）と、を具備する。
【００１０】
処理システムのための処理部材は、処理部材上の第１の領域に接合された第１の保護バリアと、処理部材上の第２の領域に接合された第２の保護バリアとを具備し、ここで第１の領域と第２の領域とは、遷移領域を形成するように重なる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
プラズマ処理システム１、例えばプラズマエッチングが可能なものは、図１に記載され、処理チャンバ１０と、上部アセンブリ２０と、上部壁２４と、基板３５を支持するための基板ホルダ３０と、処理チャンバ１０内の減圧雰囲気１１を提供するための真空ポンプ（図示せず）に接続するポンピングダクト４０とを具備する。処理チャンバ１０は、例えば、基板３５に隣接するプロセス空間１２内の処理プラズマの形成を容易にする。プラズマ処理システム１は、さまざまな基板（すなわち２００ｍｍ基板、３００ｍｍ基板、またはより大きいもの）を処理するように構成され得る。
【００１２】
示された実施形態において、上部アセンブリ２０は、カバーと、ガス注入アセンブリと、上部電極インピーダンスマッチングネットワークとうちの少なくとも１つを備えることができる。例えば、上部壁２４は、例として、ラジオ周波数（ＲＦ）源に接続された電極板を有する電極を含むように構成されることができ、したがって、プラズマ処理システム１の上部電極を容易にすることができる。他の代わりの実施形態において、上部アセンブリ２０は、カバーと、上部壁２４とを備え、ここで上部壁２４は、電気的ポテンシャルが処理チャンバ１０のそれと等しい電位に維持される。例えば、処理チャンバ１０と、上部アセンブリ２０と、上部壁２４とは、接地電位（ｇｒｏｕｎｄ  ｐｏｔｅｎｔｉａｌ）に電気的に接続されることができ、そして、プラズマ処理システム１に対し、接地された壁に容易にすることができる。
【００１３】
処理チャンバ１０は、例えば、プロセス空間１２内の処理プラズマからプラズマ処理チャンバ１０を保護するための堆積シールド１４と、光学ビューポート１６とを更に具備することができる。光学ビューポート１６は、光学ウィンドウ堆積シールド１８の裏面に組み合わされる光学ウィンドウ１７と、光学ウィンドウ１７を光学ウィンドウ堆積シールド１８に組み合わされるように構成され得る光学ウィンドウフランジ１９とを含むことができる。例えばＯ−リングのようなシール部材は、光学ウィンドウフランジ１９と光学ウィンドウ１７との間で、光学ウィンドウ１７と光学ウィンドウ堆積シールド１８との間で、および光学ウィンドウ堆積シールド１８と処理チャンバ１０との間で提供され得る。光学ウィンドウ堆積シールド１８は、堆積シールド１４内で開口部７０を通って延伸することができる。光学ビューポート１６は、例えば、プロセス空間１２内の処理プラズマからの光学発光のモニタリングを可能とすることができる。
【００１４】
基板ホルダ３０は、例えば、基板ホルダ３０と処理チャンバ１０とに接続されたベローズ５２（ｂｅｌｌｏｗｓ  ５２）によって囲まれ、処理チャンバ１０内の減圧雰囲気１１からシール（ｓｅａｌ）するように構成された垂直並進デバイス５０（ｖｅｒｔｉｃａｌ  ｔｒａｎｓｌａｔｉｏｎａｌ  ｄｅｖｉｃｅ  ５０）を更に備えることができる。加えて、ベローズシールド５４は、例えば、基板ホルダ３０に接続されることができ、処理プラズマからベローズ５２を保護するように構成されることができる。基板ホルダ１０は、フォーカスリング６０と、そして任意に、シールドリング５６とに更に組み合わされることができる。さらにまた、バッフル板５８は、例えば、基板ホルダ３０の周辺のまわりに広がることができる。
【００１５】
基板３５は、例えば、ロボット基板移送システムを介して、スロットバルブ（図示せず）およびチャンバフィードスルー（図示せず）を通して処理チャンバ１０との間で移送されることができ、基板ホルダ３０内に収容された基板リフトピン（図示せず）によって受け取られて、そして、そこに収容されたデバイスによって機械的に移される。一旦、基板３５が基板移送システムから受け取られると、それは、基板ホルダ３０の上部表面へ降ろされる。
【００１６】
基板３５は、例えば、静電クランピングシステムを介して基板ホルダ３０に固定され得る。さらにまた、基板ホルダ３０は、例えば、基板ホルダ３０から熱を受け、そして熱交換器システム（図示せず）へ熱を移し、または加熱するときには、熱を熱交換器システムから基板ホルダ３０へ移す、再循環クーラントフロー（ｒｅ−ｃｉｒｃｕｌａｔｉｎｇ  ｃｏｏｌａｎｔ  ｆｌｏｗ）を含む冷却システムを更に含むことができる。さらに、ガスは、例えば、基板３５と基板ホルダ３０との間のガス空隙熱伝導（ｇａｓ−ｇａｐ  ｔｈｅｒｍａｌ  ｃｏｎｄｕｃｔａｎｃｅ）を改良するように、裏面ガスシステムを介して基板３５の裏面に分配され得る。基板の温度制御が上昇された温度、または低下された温度で必要とされるときには、このようなシステムは、利用され得る。他の実施の形態において、加熱部材、例えば抵抗加熱部材、または熱−電熱器／冷却器（ｔｈｅｒｍｏ−ｅｌｅｃｔｒｉｃ  ｈｅａｔｅｒｓ／ｃｏｏｌｅｒｓ）は、含まれることができる。
【００１７】
図１に示された実施形態において、基板ホルダ３０は、ＲＦパワーがプロセス空間１２内の処理プラズマに結合するように通過する電極を含むことができる。例えば、基板ホルダ３０は、ＲＦ発振器（図示せず）からインピーダンスマッチングネットワーク（図示せず）を介して基板ホルダ３０へのＲＦパワーの伝送を通して、ＲＦ電圧で電気的にバイアスを印加され得る。ＲＦバイアスは、プラズマを形成し、かつ維持するように電子を加熱するのに役に立ち得る。この構成において、システムは、反応性イオンエッチング（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  ｉｏｎ  ｅｔｃｈ：ＲＩＥ）リアクタとして操作でき、チャンバ、および上部ガス注入電極は、接地面として役立つ。ＲＦバイアスに対し典型的周波数は、１ＭＨｚから１００ＭＨｚまでの範囲であり、例えば１３．５６ＭＨｚであり得る。プラズマ処理のためのＲＦシステムは、当業者にとって周知である。
【００１８】
あるいは、プロセス空間１２内で形成される処理プラズマは、平行平板型、容量結合型プラズマ（ｃａｐａｃｉｔｉｖｅｌｙ  ｃｏｕｐｌｅｄ  ｐｌａｓｍａ：ＣＣＰ）源、誘導結合型プラズマ（ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ  ｃｏｕｐｌｅｄ  ｐｌａｓｍａ：ＩＣＰ）源、変成器結合型プラズマ（ｔｒａｎｓｆｏｒｍｅｒ  ｃｏｕｐｌｅｄ  ｐｌａｓｍａ：ＴＣＰ）源、それらのいかなる組合せ、そしてＤＣマグネットシステムのある場合と無い場合でも、それらを使用して形成されることができる。あるいは、プロセス空間１２内の処理プラズマは、電子サイクロトロン共鳴（ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ  ｒｅｓｏｎａｎｃｅ：ＥＣＲ）を使用して形成されることができる。さらに別の実施形態では、プロセス空間１２内の処理プラズマは、ヘリコン波のラウンチング（ｌａｕｎｃｈｉｎｇ）から形成される。さらに別の実施形態では、プロセス空間１２内の処理プラズマは、表面波（ｓｕｒｆａｃｅ  ｗａｖｅ）の伝搬から形成される。
【００１９】
まだ図１を参照して、プラズマ処理装置１は、１つ以上の処理部材を備え、それぞれは、プロセス空間１２内の処理プラズマにさらされ得るもので、それゆえに、処理中に、潜在的な腐食（ｐｏｔｅｎｔｉａｌ  ｅｒｏｓｉｏｎ）にさらされている。例えば、この１つ以上の処理部材は、電極板、堆積シールド、チャンバライナ（ｃｈａｍｂｅｒ  ｌｉｎｅｒ）、ベローズシールド、バッフル板、光学ウィンドウ堆積シールド、シールドリング、フォーカスリングなどを含むことができる。処理プラズマにさらされた処理部材の腐食と、その後の何らかの基板のコンタミネーションとを軽減するために、処理部材は、保護バリアで被覆される。
【００２０】
実施形態において、図２Ａにて示されるような処理部材１００は、遷移領域１１０を備え、ここで、第１の保護バリア１２０は、第２の保護バリア１３０と接合される。例えば、遷移領域は、第１の保護バリア１２０と、第２の保護バリア１３０との重複部分の範囲を定めることができる。図２Ａに示すように、遷移領域１１０は、エッジ（ｅｄｇｅ）を有することができ、ここで、このエッジは、少なくとも１つのエッジラジウス１１２（ｅｄｇｅ  ｒａｄｉｕｓ  １１２）によって特徴づけられることができる。さらに、この例では、遷移領域１１０は、エッジの半径方向の円弧（ｒａｄｉａｌ  ａｒｃ）の０から１００％まで広がることができる。
【００２１】
いずれの保護バリア１２０、１３０も、例えば、表面陽極酸化、プラズマ電解酸化（ｐｌａｓｍａ ｅｌｅｃｔｒｏｌｙｔｉｃ ｏｘｉｄａｔｉｏｎ）を使用して形成されたコーティング、または熱スプレーコーティング（ｔｈｅｒｍａｌ ｓｐｒａｙ ｃｏａｔｉｎｇ）のようなスプレーコーティングの１つから形成され得る。実施形態において、いずれの保護バリア１２０，１３０も、Ａｌ２Ｏ３およびＹ２Ｏ３の少なくとも１つから構成され得る。他の実施形態では、いずれの保護バリア１２０，１３０も、第ＩＩＩ族元素（ＩＩＩ−ｃｏｌｕｍｎ ｅｌｅｍｅｎｔ）（周期表の第ＩＩＩ族）およびランタニド元素（Ｌａｎｔｈａｎｏｎ ｅｌｅｍｅｎｔ）の少なくとも１つを含んでいる。他の実施形態では、このＩＩＩ族元素は、イットリウム（Ｙｔｔｒｉｕｍ）、スカンジウム（Ｓｃａｎｄｉｕｍ）およびランタン（Ｌａｎｔｈａｎｕｍ）の少なくとも１つを含んでいる。他の実施形態では、ランタニド元素は、セリウム（Ｃｅｒｉｕｍ）、ジスプロシウム（Ｄｙｓｐｒｏｓｉｕｍ）およびユウロピウム（Ｅｕｒｏｐｉｕｍ）の少なくとも１つを含んでいる。他の実施形態では、複合成形（ｃｏｍｐｏｕｎｄ ｆｏｒｍｉｎｇ）保護層は、イットリア（Ｙ２Ｏ３）、Ｓｃ２Ｏ３，Ｓｃ２Ｆ３、ＹＦ３、Ｌａ２Ｏ３、ＣｅＯ２、Ｅｕ２Ｏ３およびＤｙ２Ｏ３の少なくとも１つから形成されている。他の実施形態では、いずれの保護バリア１２０，１３０も、Ｋｅｒｏｎｉｔｅ（Ｋｅｒｏｎｉｔｅ社（Ｋｅｒｏｎｉｔｅ Ｌｉｍｉｔｅｄ， Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｓｕｒｆａｃｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ、ＰＯ Ｂｏｘ ７００， Ｇｒａｎｔａ Ｐａｒｋ， Ｇｒｅａｔ Ａｂｉｎｇｔｏｎ， Ｃａｍｂｒｉｄｇｅ ＣＢ１ ６ＺＹ，ＵＫ）から市販の表面コーティング処理）から構成され得る。他の実施形態では、いずれの保護バリア１２０，１３０も、シリコン、炭化珪素、アルミナ、テフロン（登録商標）、ベスペル（登録商標）またはカプトン（登録商標）のうちの少なくとも１つから構成され得る。例えば、第１の保護バリア１２０は、表面陽極酸化で形成されることができ、そして、第２の保護バリア１３０は、スプレーコーティングで形成されることができる。
【００２２】
図２Ａにて示したように、遷移領域１１０は、処理部材１００のエッジを有し、このエッジは、エッジラジウス１１２を有するように機械加工され得る。エッジラジウス１１２は、０．５ｍｍを上回ることができ、例えば、それは、０．５ｍｍから２ｍｍまでの範囲であり得る。あるいは、エッジラジウス１１２は、２ｍｍを上回ることができる。あるいは、エッジラジウスは、無限の半径（ｉｎｆｉｎｉｔｅ  ｒａｄｉｕｓ）（すなわち平面）に近づくことができる。図２Ｂにて示したように、第１の保護バリア１２０は、遷移領域１１０の少なくとも一部の上に広がるために、処理部材の第１の領域１４０に適用され得る。例えば、遷移領域１１０がエッジを有するとき、遷移領域１１０の上の第１の保護バリア１２０の延長部分（ｅｘｔｅｎｓｉｏｎ）は、エッジの半径方向の円弧（ａｒｃ）の少なくとも５０％を含まなければならず、望ましくは、この延長部分は、エッジの半径方向の円弧の９０％から１１０％の範囲に及ぶ。第１の保護バリアの適用は、処理部材の領域または表面をマスキングすることを含むことができ、これはこれらの領域／表面への第１の保護バリア１２０の適用を防ぐためである。さらに、第１の保護バリア１２０の適用は、更に、第１の保護コーティング１２０の適用が望ましくない処理部材１００の領域または表面の、その後の再加工（ｒｅ−ｍａｃｈｉｎｉｎｇ）を含むことができる。
【００２３】
第１の保護バリア１２０の適用後の、処理部材１００の第２の領域１４２は、第２の領域１４２の表面層を粗くするために変更され得る。第２の領域１４２を変更することは、例えば、グリットブラストすること（ｇｒｉｔ  ｂｌａｓｔｉｎｇ）を含むことができる。図２Ｃにて示したように、第２の領域１４２（太い破線によって強調されている）は、第１の領域１４０の一部を含み、処理部材の遷移領域１１０の少なくとも一部の上に広がっている。例えば、遷移領域１１０がエッジを含むとき、第２の領域１４２の延長部分は、図２Ｃに示すようにエッジの半径方向の円弧の少なくとも５０％を、含まなければならない。
【００２４】
第２の領域１４２を変更の後、第２の保護バリア１３０は、遷移領域１１０の上に広がり、部分的に第１の保護バリア１２０をカバーするために、処理部材の第３の領域１４４に適用され得る。例えば、遷移領域１１０がエッジを有するとき、遷移領域１１０の上の第２の保護バリア１３０の延長部分は、エッジの半径方向の円弧の少なくとも５０％を含まなければならず、望ましく、図２Ｄにて示したように、この延長部分は、９０から１１０％の範囲に及ぶ。第２の保護バリア１３０の適用は、処理部材の領域または表面をマスキングすることを含むことができ、これはこれらの領域／表面への第２の保護バリア１３０の適用を防ぐためである。
【００２５】
図３は、上で記載された説明に従って隣接するコーティングを接合する方法を示す。方法は、ステップ５１０で始まるフローチャート５００に示され、ここで、遷移領域は、処理部材の少なくとも１つの部分に定められる。例えば、遷移領域は、処理部材上にエッジラジウスを有するエッジの少なくとも一部を有することができる。処理部材は、例えば、機械加工（ｍａｃｈｉｎｉｎｇ）、研磨（ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）および研削（ｇｒｉｎｄｉｎｇ）の少なくとも１つを使用して製造されることができる。例えば、上で記載されている処理部材は、ミル（ｍｉｌｌ）などを含む従来の技術を用いて機械製図に記載される仕様に従って機械加工されることができる。例えば、ミルを使用して部品を機械加工する技術は、このような材料を機械加工する当業者にとって周知である。処理部材は、例えば、アルミニウムで形成され得る。
【００２６】
ステップ５２０において、第１の保護バリアは、処理部材の第１の領域の上に形成され、ここで、この第１の領域は、処理部材の遷移領域を含んでいる。第１の保護バリアは、例えば、表面陽極酸化層であり得る。マスキングまたは再加工のうちの少なくとも１つは、第１の領域への第１の保護バリアの適合性（ｃｏｎｆｏｒｍａｎｃｅ）を確保するように実行されることができる。
【００２７】
ステップ５３０において、遷移領域を占めている処理部材の第２の領域は、また、特に遷移領域の上の、第２の保護バリアの改良された密着性を促進するために変更され得る。第２の領域を変更することは、例えば、グリットブラストすることを含むことができる。
【００２８】
ステップ５４０において、第２の保護バリアは、処理部材の第２の領域の上に形成される。第２の保護バリアは、例えば、表面のスプレーコーティングで形成され得る。マスキングまたは再加工のうちの少なくとも１つは、第２の領域への第２の保護バリアの適合性を確保するように実行されることができる。
【００２９】
本発明の特定の例示的実施形態だけが上で詳細に記載されたが、当業者は、本発明の新しい教示および効果から逸脱しない範囲において、具体的な例示的実施形態に基づき多くの変更態様が可能であることを容易に理解する。したがって、全てのこのような変更態様は、本発明の範囲内に含まれるものである。
【００３０】
本発明のこれら及び他の効果は、添付の図面と共に本発明の例示的実施形態の詳細な説明から、より明らかに、より容易に理解されることとなる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明の１つの実施形態に係るプラズマ処理システムの概略ブロック図を示す図である。
【図２Ａ】図１に示すようなプラズマ処理システムの処理部材の一部の拡大された断面図を示す図である。
【図２Ｂ】図１に示すようなプラズマ処理システムの他の処理部材の一部の拡大された断面図を示す図である。
【図２Ｃ】図１に示すようなプラズマ処理システムの他の処理部材の一部の拡大された断面図を示す図である。
【図２Ｄ】図１に示すようなプラズマ処理システムの他の処理部材の一部の拡大された断面図を示す図である。
【図３】本発明の１つの実施形態に係る保護バリアをプラズマ処理システムの処理部材上に形成する方法を示す図である。
【図１】
0004597972.tif 000002
【図２Ａ】
0004597972.tif 000003
【図２Ｂ】
0004597972.tif 000004
【図２Ｃ】
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【図２Ｄ】
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【図３】
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