(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極及び該第１の電極に信号を伝達するバスラインが形成された第１の基板と、
第２の電極が設けられた第２の基板と、
前記第１の基板及び第２の基板のうちの一方の基板に設けられたドメイン規制用突起物と、
前記第１の基板及び第２の基板のうちの他方の基板の電極に設けられ、直線上に並んだ複数のドメイン規制用スリットと、
前記第１の電極を覆う第１の配向膜と、
前記第２の電極を覆う第２の配向膜と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間に封入された負の誘電率異方性を有する液晶とを有し、
前記バスラインからの横電界により液晶分子の配向が不安定となる領域の前記他方の基板側の配向膜に、ＵＶ照射又はラビング処理によるプレチルト角発現処理が施されている液晶表示装置であって、
前記プレチルト角発現処理は、前記バスライン側の端部が閉じた前記スリットのうちバスラインに最も近いスリット内の前記バスライン側の領域に施されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記一方の基板に、前記他方の基板の電極のエッジに沿って配置された補助突起物を有することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は液晶表示装置に関し、より詳しくはＭＶＡ（Multi-domain Vertical Alignment ）型液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示装置は、携帯型コンピュータのディスプレイだけでなく、ディスクトップ型コンピュータのディスプレイやテレビ、投射型プロジェクタ及び携帯端末のディスプレイなど、種々の電子機器に使用されるようになった。
一般的なＴＮ（Twisted Nematic ）型液晶表示装置では、２枚の透明基板の間に液晶を封入した構造を有している。それらの透明基板の相互に対向する２つの面のうち、一方の面側には共通電極（コモン電極）、カラーフィルタ及び配向膜等が形成され、他方の面側にはＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）、画素電極及び配向膜等が形成されている。また、各透明基板の対向面と反対側の面には、それぞれ偏光板が貼り付けられている。これらの２枚の偏光板は、例えば偏光軸が互いに直交するように配置されており、画素電極と共通電極との間に電圧をかけない状態では光が透過して明表示となり、電圧を印加した状態では遮光して暗表示となる。また、２枚の偏光板の偏光軸を互いに平行に配置した場合は、画素電極と共通電極との間に電圧をかけない状態では暗表示となり、電圧を印加した状態では明表示となる。以下、ＴＦＴ及び画素電極が形成された基板をＴＦＴ基板と呼び、カラーフィルタ及び共通電極が形成された基板を対向基板と呼ぶ。
【０００３】
ＴＮ型液晶表示装置では、視野角が狭く、解像度も十分でないという欠点がある。このような欠点を解消するものとして、ＭＶＡ（Multi-domain Vertical Alignment ）型液晶表示装置やＩＰＳ（In-Plane Switching）型液晶表示装置が開発されている。これらの液晶表示装置では、ＣＲＴと同等以上の画質が得られるようになってきた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
液晶表示装置のより一層の低消費電力化を進めていく上では、開口率を上げることが重要な課題の一つである。ＭＶＡ型液晶表示装置では、ＴＦＴ基板及び対向基板にそれぞれドメイン規制用突起物（いわゆる土手）を形成することにより配向分割（マルチドメイン）を実現し、良好な視野角特性と良好な画質を得ている。しかし、画素領域内の突起物により、開口率が低下してしまう。
【０００５】
以上から、本発明は、開口率が高く、かつ良好な視野角特性と良好な画質を得ることができる液晶表示装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明の液晶表示装置は、第１の電極及び該第１の電極に信号を伝達するバスラインが形成された第１の基板と、第２の電極が設けられた第２の基板と、前記第１の基板及び第２の基板のうちの一方の基板に設けられたドメイン規制用突起物と、前記第１の基板及び第２の基板のうちの他方の基板の電極に設けられ、直線上に並んだ複数のドメイン規制用スリットと、前記第１の電極を覆う第１の配向膜と、前記第２の電極を覆う第２の配向膜と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に封入された負の誘電率異方性を有する液晶とを有し、前記バスラインからの横電界により液晶分子の配向が不安定となる領域の前記他方の基板側の配向膜に、ＵＶ照射又はラビング処理によるプレチルト角発現処理が施されている液晶表示装置であって、前記プレチルト角発現処理は、前記バスライン側の端部が閉じた前記スリットのうちバスラインに最も近いスリット内の前記バスライン側の領域に施されていることを特徴とする。
【０００７】
本発明においては、一方の基板にドメイン規制用突起物を設け、他方の基板の電極にスリットを設けて、これらの突起物とスリットにより配向分割（マルチドメイン）を達成する。これにより、両方の基板に突起物を設ける場合に比べて開口率が向上する。
また、本発明においては、バスラインからの横電界により液晶分子の配向が不安定となる領域の配向膜に、プレチルト角発現処理が施されている。これにより、その領域の液晶分子は電荷を印加していないときに所定の方向に傾いた状態となり、バスラインからの横電界による影響を小さくすることができる。従って、良好な視野角特性が得られるとともに、良好な画質が得られる。なお、プレチルト角は、４５°以上９０°未満であればよく、８７°〜８９°の範囲内とすることが好ましい。
【０００８】
プレチルト角発現処理としては、光（主に紫外線：以下、ＵＶともいう）を照射する方法やラビング処理がある。この場合、光の照射方向や、ラビング方向、ラビング深さ、ラビング回数などにより、プレチルト角を制御することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、添付の図面を参照して説明する。
（第１の実施の形態）
図１は本発明の第１の実施の形態のＭＶＡ方式の液晶表示装置の平面図、図２は同じくその液晶表示装置の断面図である。なお、図２は図１のＡ−Ａ線の位置における断面を示している。図１は液晶表示装置の１画素を示し、図１中の２点鎖線は対向基板側に形成された突起物（ドメイン規制用突起物及び補助突起物）の位置を示している。
【００１４】
ガラス基板（ＴＦＴ基板）１１の上には複数のゲートバスライン１２が相互に平行に形成されている。また、各ゲートバスライン１２の間にはそれぞれ容量バスライン１３がゲートバスライン１２に平行に形成されている。更に、ガラス基板１１の上にはＴＦＴ１６のゲート電極１６ｇが形成されている。このゲート電極１６ｇはゲートバスライン１２に接続している。これらのゲートバスライン１２、ゲート電極１６ｇ及び容量バスライン１３は、同じ配線層（第１の配線層）に形成されている。すなわち、ゲートバスライン１２、ゲート電極１６ｇ及び容量バスライン１３は同一の導電膜をパターニングすることにより形成されたものである。また、これらのゲートバスライン１２、ゲート電極１６ｇ及び容量バスライン１３は、ガラス基板１１の上に形成された第１の絶縁膜（ゲート絶縁膜）１４に覆われている。
【００１５】
ゲート電極１６ｇの上方の第１の絶縁膜１４の上には、ＴＦＴ１６の活性領域となるシリコン膜（図示せず）が形成されている。また、絶縁膜１４の上には、複数本のドレインバスライン（データバスラインともいう）１５と、ＴＦＴ１６のソース電極１６ｓ及びドレイン電極１６ｄが形成されている。ドレインバスライン１５はゲートバスライン１２に対し直角に交差するように形成されている。ソース電極１６ｓ及びドレイン電極１６ｄは、ゲート電極１６ｇの上方のシリコン膜の両側に相互に離隔して形成されている。そして、ドレイン電極１６ｄはドレインバスライン１５に接続している。
【００１６】
ゲートバスライン１２及びドレインバスライン１５で区画された矩形の領域がそれぞれ画素領域となっている。これらのドレインバスライン１５、ソース電極１６ｓ及びドレイン電極１６ｄは同じ配線層（第２の配線層）に形成されている。ドレインバスライン１５及びＴＦＴ１６は、第１の絶縁膜１４の上に形成された第２の絶縁膜１７に覆われている。
【００１７】
第２の絶縁膜１７の上には、各画素領域毎に、画素電極１８が形成されている。この画素電極１８は例えばＩＴＯ（indium-tin oxide：インジウム酸化スズ）等の透明導電体により形成される。画素電極１８には斜め方向に延びる直線上に並んだスリット１９が設けられている。この実施の形態では、スリット１９が一つの画素電極１８内で上下対称形となるように配置されている。また、画素電極１８は、第２の絶縁膜１７に形成されたコンタクトホールを介してソース電極１６ｓに電気的に接続されている。
【００１８】
画素電極１８の上には垂直配向膜２０が形成されている。垂直配向膜２０は例えばポリイミドにより形成される。この配向膜２０には、後述するように部分的（図中網掛け線で示す部分２１）にプレチルト角が発現するような処理（プレチルト角発現処理）が施されている。プレチルト角発現処理には、例えばＵＶ照射又はラビング処理がある。プレチルト角発現処理を施すことにより、電圧無印加の状態で液晶分子が所定の方向に傾き、配向膜２０と液晶分子の長軸との角度（プレチルト角）が４５°以上９０°未満となる。なお、本実施の形態において、プレチルト角の好ましい範囲は８７〜８９°である。
【００１９】
一方、ガラス基板（対向基板）３１の下側にはブラックマトリクス３２が形成されており、このブラックマトリクス３２でＴＦＴ基板側のゲートバスライン１２、容量バスライン１３、ドレインバスライン１５及びＴＦＴ１６が形成された領域、並びに表示領域の外側の領域を遮光するようになっている。本実施の形態では、ブラックマトリクス３２はＣｒ（クロム）等の遮光性の金属膜により形成されているものとする。しかし、ブラックマトリクス３２は黒色の樹脂により形成してもよい。また、次に説明する赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）及び青色（Ｂ）のカラーフィルタのうちの少なくとも２色のカラーフィルタを積層してブラックマトリクス３２とすることもできる。
【００２０】
ガラス基板３１の下側には、各画素毎に赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）及び青色（Ｂ）のうちのいずれか１色のカラーフィルタ３３が形成されている。この実施の形態では、水平方向に赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）及び青色（Ｂ）のカラーフィルタが順番に繰り返し並び、垂直方向には同色のカラーフィルタ並んでいるものとする。
【００２１】
カラーフィルタ３３の下には、各画素共通の共通電極３４が形成されている。この共通電極３４も、ＩＴＯ等の透明導電体により形成されている。共通電極３４の下には、ドメイン規制用突起物（土手）３６が形成されている。突起物３６は、図１に示すように、ＴＦＴ基板側の画素電極１８に設けられたスリット１９の列間の中央の位置に配置されている。また、画素電極１８の水平方向の両側のエッジ部分に整合する位置、より詳しくは突起物３６が画素電極１８のエッジに対し鈍角となる部分に、補助突起物（補助土手）３６ａが形成されている。この補助突起物３６ａは、ドメイン規制用突起物３６と同一材料により同時に形成されたものである。
【００２２】
ガラス基板３１の下側には垂直配向膜３５が形成されており、この配向膜３５により共通電極３４、突起物３６及び補助突起物３６ａの表面が覆われている。配向膜３５は、 例えばポリイミドにより形成されている。
ＴＦＴ基板（ガラス基板１１）と対向基板（ガラス基板３１）との間には、負の誘電率異方性を有する液晶材料２９が封入されている。ＴＦＴ基板（ガラス基板１１）と対向基板（ガラス基板３１）との間は例えば直径が均一の球形のスペーサが配置され、ＴＦＴ基板と対向基板との間隔（セルギャップ）が一定に維持される。また、ＴＦＴ基板（ガラス基板１１）の下側及び対向基板（ガラス基板３１）の上側にはそれぞれ偏光板（図示せず）が配置されている。
【００２３】
本実施の形態では、上述の如く、ＴＦＴ基板側の配向膜２０のうち、画素電極１８の水平方向の両側のエッジ部分であって突起物３６が画素電極１８のエッジに対し鈍角となる部分（換言すると、スリット列が補助突起物３６ａに対し鋭角となる部分）と、図１で右側に隣接する画素（以下、隣接画素という）側の端部が閉じたスリット１９のうち最も隣接画素に近いスリット１９ａの内側の隣接画素側半分の領域（図１中に符号２１で示す網掛けの部分）に、プレチルト角発現処理が施されている。以下、これらの領域にプレチルト角発現処理を施すことによる効果について、図３〜図５に示す画素電極の模式図を参照して説明する。なお、図３〜図５では、液晶分子２８の黒丸の部分が共通電極側を向いていることを示している。
【００２４】
ＴＦＴ基板と対向基板との貼合わせ時の位置ずれがないとすると、図３に示すように、隣接画素側の補助突起物３６ａは、画素電極１８のエッジに整合した位置に配置される。この補助突起物３６ａの近傍では、補助突起物３６ａの傾斜面に垂直な方向に液晶分子２８が配向する。また、隣接画素側が閉じたスリットのうち最も隣接画素に近いスリット１９ａの隣接画素側半分の領域の液晶分子も、補助突起物３６ａの近傍の液晶分子２８の影響を受けて、所定の方向（図３に示す方向）に配向する。
【００２５】
補助突起物３６ａがない場合、又は図４に示すように補助突起物３６ａの位置が隣接画素側にずれた場合、画素電極１８と共通電極３４との間に電圧を印加すると、画素電極１８のエッジ近傍の液晶分子は隣接画素のドレインバスライン１５に最も近いスリット１９ｂの内側の液晶分子２８が倒れる方向（図中矢印Ｂで示す方向）に倒れようとする。しかし、この方向は隣接画素のドレインバスライン１５から発生した電界により倒れる方向と異なるので、配向が不安定になって、応答特性が低下したり配向不良が発生する。
【００２６】
図５に示すように、隣接画素のドレインバスライン１５から発生する横電界により液晶分子の配向が不安定となる部分２１、すなわちスリット１９ａの内側の隣接画素側の部分及び突起物３６が画素電極１８のエッジに対し鈍角となる部分の配向膜２０にプレチルト角発現処理を施すと、初期状態で液晶分子が所定の方向（図中矢印Ｃで示す方向）に傾くので、隣接画素のドレインバスライン１５から発生する横方向の電界の影響を受けにくくなる。これにより、配向不良が回避されるとともに、応答特性が改善される。
【００２７】
以下、本実施の形態に係る液晶表示装置の製造方法について、図１、図２を参照して説明する。
まず、ＰＶＤ（Physical Vapor Deposition ）法により、ガラス基板（ＴＦＴ基板）１１の上に導電膜として例えばＣｒを約１５０ｎｍの厚さに成膜し、フォトリソグラフィにより導電膜をパターニングして、ゲートバスライン１２、ゲート電極１６ｇ及び容量バスライン１３を形成する。
【００２８】
次に、プラズマＣＶＤ法により、ガラス基板１１の上側全面に、ＴＦＴ１６のゲート絶縁膜となる絶縁膜１４、ＴＦＴ１６の活性領域となるｎ- 型アモルファスシリコン膜及びチャネル保護膜となる絶縁膜を順次形成する。
絶縁膜１４は、例えば窒化シリコン（ＳｉＮ）又は酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）により約１００〜６００ｎｍの厚さに形成する。また、ｎ- 型アモルファスシリコン膜の厚さは約１５〜５０ｎｍとする。更に、チャネル保護膜となる絶縁膜は、例えば窒化シリコンにより約５０〜２００ｎｍの厚さに形成する。
【００２９】
次に、フォトリソグラフィにより最上層の絶縁膜をパターニングしてチャネル保護膜を形成する。その後、ＴＦＴ１６のオーミックコンタクト層となるｎ+ 型アモルファスシリコン膜を約３０ｎｍの厚さに形成し、ｎ+ 型アモルファスシリコン膜の上に、ＰＶＤ法により、Ｔｉ、Ａｌ及びＴｉを順次積層して、これらのＴｉ、Ａｌ及びＴｉの３層構造の導電膜を形成する。下層のＴｉ層の厚さは例えば２０ｎｍ、Ａｌ層の厚さは例えば７５ｎｍ、上層のＴｉ層の厚さは例えば２０ｎｍとする。なお、この導電膜は、Ａｌ、Ａｌ合金又はその他の低抵抗金属により形成してもよい。
【００３０】
次に、フォトレジストを使用して導電膜の上に所定のパターンのレジスト膜を形成する。そして、このレジスト膜をエッチングマスクとして、導電膜、ｎ+ 型アモルファスシリコン膜及びｎ- 型アモルファスシリコン膜をエッチングし、図２に示すように、ＴＦＴ１６のソース電極１６ｓ及びドレイン電極１６ｄを形成するとともに、ドレインバスライン１５を形成する。導電膜、ｎ+ 型アモルファスシリコン膜及びｎ- 型アモルファスシリコン膜のエッチングは、例えばＣｌ2 とＢＣｌ3 との混合ガスを用いたドライエッチングにより行う。その後、エッチングマスクとして使用したレジスト膜を除去する。
【００３１】
次に、ＣＶＤ法により、ガラス基板１１の上側全面に、絶縁膜（保護膜）１７として例えば窒化シリコン膜を約１００〜６００ｎｍの厚さに形成する。そして、この絶縁膜１７に、ＴＦＴ１６のソース電極１６ｓに到達するコンタクトホールを形成する。
次に、ＰＶＤ法により、ガラス基板１１の上側全面にＩＴＯ膜を約７０ｎｍの厚さに形成する。そして、フォトリソグラフィによりＩＴＯ膜をパターニングして、図１に示すようにスリット１９を有する画素電極１８を形成する。
【００３２】
次いで、ガラス基板１１の上側全面に配向膜２０を形成する。そして、この配向膜２０の所定の部分（図１中に符号２１で示す部分）にプレチルト角発現処理を施す。プレチルト角発現処理としては、例えばＵＶ照射及びラビング処理がある。ＵＶ照射によりプレチルト角を発現させる場合は、配向膜材料としてＵＶ照射によりプレチルト角が発現する材料、例えばＵＶ配向の配向膜材料であるポリイミド又はポリアミック酸を使用し、配向膜２０のうちの所定の部分２１以外の部分を遮光性マスクで覆い、基板１１に対し斜め方向、例えば図５に矢印Ｃで示す方向から偏光ＵＶを照射する。配向膜２０の材料によっては、非偏光ＵＶを照射してプレチルト角を発現することができる。
【００３３】
また、ラビング処理によりプレチルト角を発現する場合は、配向膜材料として例えばＪＳＲ株式会社製の配向膜ＪＡＬＳ６８４を使用し、配向膜２０のうち所定部分２１以外の領域をレジストマスク等により覆い、所定部分２１の配向膜２０の表面をナイロン等のブラシにより所定の方向、例えば図５に矢印Ｃで示す方向にラビングする。このとき、ブラシの回転数、ラビング深さ及びラビング回数を調整することにより、プレチルト角を変化させることができる。このようにして、ＴＦＴ基板が完成する。
【００３４】
一方、突起物３６，３６ａを有する対向基板を用意する。対向基板は公知の方法により製造することができる。すなわち、ガラス基板３１の上に、Ｃｒ等の遮光性材料により所定のパターンのブラックマトリクス３２を形成する。その後、ガラス基板３１の上に、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）及び青（Ｂ）のカラーフィルタ３３を形成し、カラーフィルタの上にＩＴＯからなる共通電極３４を形成する。次いで、共通電極３４の上に、例えばフォトレジストによりドメイン規制用の突起物３６及び補助突起物３６ａを形成した後、共通電極３４、突起物３６及び補助突起物３６ａの表面をポリイミドからなる配向膜３４で被覆する。これにより対向基板が完成する。
【００３５】
その後、ドメイン規制用突起が設けられた対向基板と、上記の方法により形成したＴＦＴ基板とを接合し、両者の間に液晶材料２９を封入する。これにより、本実施の形態の液晶表示装置が完成する。
なお、上記製造方法では突起物３６及び補助突起物は３６ａをフォトレジストにより形成するものとしたが、これに限定するものではない。例えば、突起物３６及び補助突起物３６ａをフォトレジスト以外の誘電体材料で形成してもよい。
【００３６】
（第２の実施の形態）
図６は本発明の第２の実施の形態の液晶表示装置を示す平面図である。なお、本実施の形態が第１の形態と異なる点は、画素電極に設けられたスリットの形状が異なることにあるので、第１の実施の形態と重複する部分の説明は省略する。また、図６では、補助突起物３６ａが隣接画素のドレインバスライン１５側にずれた位置に配置された場合を示している。
【００３７】
本実施の形態においては、図６に示すように、画素電極１８に設けられたスリット１９のうち隣接画素に最も近いスリット１９ｂ（隣接画素側端部が開いたスリット）の形状を、隣接画素側の端部（以下、後端側という）の幅が広く、隣接画素と反対側の端部（以下、先端側という）が幅が狭いテーパー形状としている。また、スリット１９ｂに連なるスリット１９、すなわち後端側が閉じたスリット１９のうち隣接画素に最も近いスリット１９ａの後端側の幅が広い形状としている。つまり、本実施の形態では、スリット１９ｂの先端側の幅がスリット１９ａの後端側の幅よりも広く設定している。
【００３８】
画素電極１８と共通電極３４との間に電圧を印加すると、図６に示しているように、スリット１９ｂの内側の液晶分子２８は、図中矢印Ｄに示す方向に倒れる。一方、スリット１９ａの後端側の液晶分子２８は図中矢印Ｅに示す方向に倒れようとする。このとき、スリット１９ｂの先端側の幅よりもスリット１９ａの後端側の幅が大きく、スリット１９ｂの先端側の液晶分子２８に比べてスリット１９ａの後端側の液晶分子２８の数が多いので、スリット１９ａの後端側の液晶分子２８は所定の方向（矢印Ｅで示す方向）に配向する。また、スリット１９ａの近傍の液晶分子も、スリット１９ａの内側の液晶分子２８の影響を受けて、所定の方向に配向する。これにより、配向不良が回避される。
【００３９】
なお、本実施の形態においては、上述の如く隣接画素に近いスリット１９ｂ及スリット１９ａの形状をテーパー状とすることを特徴としているが、スリット１９ａ，１９ｂの形状をテーパー状とすることに加えて、第１の実施の形態のように、配向膜の所定部分にプレチルト角発現処理を施すことにより、隣接画素のドレインバスライン１５からの横電界による配向不良をより確実に防止することができる。
【００４０】
また、第１及び第２の実施の形態では、ＴＦＴ基板側の画素電極にスリットを設け、対向基板側にドメイン規制用突起物及び補助突起物を設ける構造としたが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、ＴＦＴ基板側の画素電極の上にドメイン規制用突起物及び補助突起物を設け、対向基板側の共通画素電極にスリットを設けた液晶表示装置に適用することもできる。
【００４１】
（第３の実施の形態）
以下、本発明の第３の実施の形態について説明する。
本願と同一出願人の特開平１１−８４４１４号では、樹脂の誘電率分布を徐々に変化させて対称に配置することが提案されている。しかし、突起やスリットとの最適な組み合わせについては開示がない。
【００４２】
図７は本発明の第３の実施の形態の液晶表示装置を示す平面図、図８は同じくその模式断面図である。なお、図７，図８において、第１の実施の形態と同一物には同一符号を付している。また、図８では、ＴＦＴ基板側の絶縁膜及び配向膜、並びに対向基板側のブラックマトリクス、カラーフィルタ及び配向膜等の図示を省略している。
【００４３】
ＴＦＴ基板１１側には、第１の実施の形態と同様に、ゲートバスライン１２、ドレインバスライン１５、ＴＦＴ１６、画素電極１８及び垂直配向膜が形成されている。また、画素電極１８には、ドメイン規制用スリット１９が設けられている。これらのドメイン規制用スリット１９は、図７に示すように斜め方向に延びる直線上に並び、かつ一つの画素電極１８内で上下対称形となるように配置されている。
【００４４】
一方、対向基板３１側には、ブラックマトリクス、カラーフィルタ及び共通電極３４が形成されており、共通電極３４の下側には厚さが約２〜３μｍの誘電体膜３８が形成されている。この誘電体膜３８は、誘電率が低い部分３８ａと誘電率が高い部分３８ｂとにより構成されている。誘電率が低い部分３８ａは、ＴＦＴ基板１１側のドメイン規制用スリット１９の列間の中央に、スリット１９と平行に配置されている。また、誘電率が高い部分３８ｂは、それ以外の領域（スリット１９に対向する部分を含む）に配置されている。そして、誘電率が低い部分３８ａの比誘電率は例えば３．０、誘電率が高い部分３８ｂの比誘電率は例えば３．５となっている。
【００４５】
このように比誘電率が相互に異なる部分を有する誘電体膜３８を形成する方法として、以下の方法がある。
第１の方法として、比誘電率が異なる物質をリソグラフィによりパターニングする方法がある。具体的にはＣＶＤ法によりＳｉＮ膜を形成し、フォトリソグラフィによりＳｉＮをパターニングして、誘電率が高い部分３８ｂを形成する。その後、誘電率が低い部分３８ａの材料としてフォトレジストを塗布し、露光及び現像工程を経て誘電率が高い部分３８ｂの上のレジスト膜を除去する。これにより、誘電率が低い部分３８ａと高い部分３８ｂとを有する誘電体膜３８が形成される。なお、ＳｉＮの比誘電率は約７であり、レジストの比誘電率は約３である。
【００４６】
第２の方法として、光を誘電体膜に照射して、誘電体膜の比誘電率を部分的に変化させる方法がある。例えば、共通電極３４の上にポリビニールシンナメート又は光反応基を有するポリイミド等を塗布して誘電体膜３８を形成する。ポリビニールシンナメートの場合は、光を照射することにより架橋反応が進み、光を照射した部分の比誘電率が高くなる。また、ポリイミドのような光により断裂する材料を用いた場合は、光を照射した部分の分子量が小さくなり、誘電率が低下する。光の照射により誘電率が変化する材料としては、その他にアクリル樹脂（メタクリレート）等がある。
【００４７】
図９は、画素電極と共通電極との間に電圧を印加したときの等電位線を示す図である。この図９に示すように、画素電極１８のスリット１９の部分及び誘電体膜３８の誘電率が低い部分３８ａ（図中破線で囲んだ部分）では、等電位線が液晶層の外側に押し出された状態となる。負の誘電率異方性を有する液晶分子は、等電位線に沿って配向しようとするので、図８に示すように、スリット１９及び誘電率が低い部分３８ａのそれぞれ両側で液晶分子の配向方向が異なり、配向分割（マルチドメイン）が達成される。
【００４８】
本実施の形態では、ドメイン規制用突起部に替えて誘電率が低い部分３８ａと高い部分３８ｂとを有する誘電体膜３８により配向分割（マルチドメイン）を達成するので、開口率が向上し、明るくて解像度が高い液晶表示装置を実現することができる。また、フォトリソグラフィ又は光の照射により、誘電率が異なる部分を比較的容易に形成することができる。
【００４９】
図１０は、２種類の誘電体材料を使用して誘電体膜３８を形成し、ディスクリネーション発生の有無を調べた結果を示す図である。この図１０では、スリットに対向する位置に配置された誘電体材料を第１の誘電体とし、スリットの列間の中央に配置された誘電体材料を第２の誘電体としている。
この図１０に示すように、第２の誘電体の比誘電率が第１の誘電体の比誘電率よりも低く、その差が０．５未満の場合は、ディスクリネーションは発生しないものの、配向状態が不安定な領域が発生した。
【００５０】
また、第２の誘電体の比誘電率が第１の誘電体の比誘電率よりも０．５以上低い場合は、ディスクリネーションが発生せず、良好な表示品質が得られた。第２の誘電体の比誘電率が第１の誘電体の比誘電率と同じ又はそれよりも高い場合はディスクリネーションが発生した。
スリット１９の列間の中央に誘電率が高い部分３８ｂが配置され、スリット１９に対向する部分に誘電率が低い部分３８ａが配置された場合は、図１１に示すように誘電率が高い部分３８ｂのエッジからスリット１９までの間の不確定な位置（例えば図中破線で囲んだ位置）に配向状態の特異点としてディスクリネーションが発生し、表示輝度が暗い、応答が遅いといった問題が発生する。従って、スリット１９の列間の中央には誘電率が低い部分３８ａを配置し、スリット１９に対向する位置に誘電率が高い部分３８ｂを配置し、かつ、誘電率が高い部分３８ａと低い部分３８ｂとの比誘電率の差を０．５以上とすることが必要である。
【００５１】
図１２，図１３は本実施の形態の変形例を示している。図１２（ａ）は、誘電率が低い部分３８ａを、ゲートバスライン１２に平行に画素の中央に配置した例を示している。また、図１２（ｂ）は、比誘電率が低い部分３８ａを、ドレインバスライン１５に平行に画素の中央に配置した例を示している。いずれの場合も誘電体膜を対向基板側に形成し、誘電率が高い部分と低い部分との比誘電率の差を０．５以上としている。これにより、上記実施の形態と同様に、ディスクリネーションを防止することができる。
【００５２】
図１３は、スリット１９の列間の中央に配置された誘電率が低い部分３８ａ（比誘電率は３）とスリット１９に対向して配置された誘電率が高い部分３８ｂ（比誘電率は３．５）との間に、中間の誘電率（誘電率は３．２５）を有する部分３８ｃを設けている。この場合も、上記と同様の効果を得ることができる。
なお、上記実施の形態ではＴＦＴ基板側の画素電極にスリットを設け、対向基板側に比誘電率が異なる誘電体膜を形成した場合について説明したが、ＴＦＴ基板側に誘電体膜を設け、対向基板側の共通電極にドメイン規制用スリット又は突起物を設けても、上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。また、ＴＦＴ基板及び対向基板の両方に、誘電率が高い部分と低い部分とを有する誘電体膜を設けてもよい。この場合、ＴＦＴ基板側の誘電体膜の誘電率が高い部分に対向させて対向基板側の誘電体膜の誘電率が低い部分を配置し、ＴＦＴ基板側の誘電体膜の誘電率が低い部分に対向させて対向基板側の誘電体膜の誘電率が高い部分を配置する。
【００５３】
（付記１）第１の電極及び該第１の電極に信号を伝達するバスラインが形成された第１の基板と、第２の電極が設けられた第２の基板と、前記第１の基板及び前記第２の基板のうちの一方の基板に設けられたドメイン規制用突起物と、前記第１の基板及び前記第２の基板のうちの他方の基板の電極に設けられ、直線上に並んだ複数のドメイン規制用スリットと、前記第１の電極を覆う第１の配向膜と、前記第２の電極を覆う第２の配向膜と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に封入された負の誘電率異方性を有する液晶とを有する液晶表示装置において、前記バスラインからの横電界により液晶分子の配向が不安定となる領域の前記他方の基板側の配向膜に、プレチルト角発現処理が施されていることを特徴とする液晶表示装置。
【００５４】
（付記２）前記プレチルト角発現処理は、電圧無印加時での配向膜と液晶との界面におけるプレチルト角を４５°以上９０°未満とするものであることを特徴とする付記１に記載の液晶表示装置。
（付記３）前記一方の基板に、前記他方の基板の電極のエッジに沿って配置された補助突起物を有することを特徴とする付記１に記載の液晶表示装置。
【００５５】
（付記４）前記プレチルト角発現処理は、前記ドメイン規制用突起物と前記画素電極のエッジとのなす角度が鈍角となる領域に施されていることを特徴とする付記３に記載の液晶表示装置。
（付記５）前記プレチルト角発現処理は、前記バスライン側の端部が閉じた前記スリットのうちバスラインに最も近いスリット内の前記バスライン側の領域に施されていることを特徴とする付記１乃至４のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【００５６】
（付記６）第１の電極及び該第１の電極に信号を伝達するバスラインが形成された第１の基板と、第２の電極が設けられた第２の基板と、前記第１の基板及び前記第２の基板のうちの一方の基板に設けられたドメイン規制用突起物と、前記第１の基板及び前記第２の基板のうちの他方の基板の電極に設けられ、直線上に並んだ複数のドメイン規制用スリットと、前記第１の基板と前記第２の基板との間に封入された負の誘電率異方性を有する液晶とを有する液晶表示装置において、前記複数のスリットのうちバスラインに近い第１のスリットの前記バスラインと反対側の端部の幅が、該第１のスリットに隣接する第２のスリットの前記バスライン側の端部の幅よりも小さく設定されていることを特徴とする液晶表示装置。
【００５７】
（付記７）前記一方の基板に、前記他方の基板の電極のエッジに沿って配置された補助突起物を有することを特徴とする付記６に記載の液晶表示装置。
（付記８）第１の電極及び該第１の電極に信号を伝達するバスラインが形成された第１の基板と、第２の電極が設けられた第２の基板と、前記第１の基板及び前記第２の基板のうちの一方の基板に設けられたドメイン規制用突起物と、前記第１の基板及び前記第２の基板のうちの他方の基板の電極に設けられ、直線上に並んだ複数のドメイン規制用スリットと、前記第１の電極を覆う第１の配向膜と、前記第２の電極を覆う第２の配向膜と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に封入された負の誘電率異方性を有する液晶とを有する液晶表示装置において、前記バスラインからの横電界により液晶分子の配向が不安定となる領域の前記他方の基板側の配向膜に、プレチルト角発現処理が施され、かつ、前記複数のスリットのうち前記バスラインに近い第１のスリットの前記バスラインと反対側の端部の幅が、該第１のスリットに隣接する第２のスリットの前記バスライン側の端部の幅よりも小さく設定されていることを特徴とする液晶表示装置。
【００５８】
（付記９）電極が設けられた一対の基板間に液晶を封入した液晶表示装置において、前記一対の基板のうちの一方の基板にドメイン規制部が設けられ、前記一対の基板のうちの他方の基板に誘電率が高い部分と誘電率が低い部分とを有する誘電体膜が設けられ、前記誘電率が低い部分が前記ドメイン規制手段に対し斜め方向の位置に配置され、前記誘電率が高い部分が前記ドメイン規制手段に対向する位置に配置され、前記誘電率が高い部分と前記誘電率が低い部分との比誘電率の差が０．５以上あることを特徴とする液晶表示装置。
【００５９】
（付記１０）前記一方の基板の電極には、前記ドメイン規制部としてスリットが設けられていることを特徴とする付記９に記載の液晶表示装置。
（付記１１）前記一方の基板には、前記ドメイン規制部として突起物が設けられていることを特徴とする付記９に記載の液晶表示装置。
（付記１２）前記誘電体膜の前記誘電率が高い部分と前記誘電率が低い部分との間は、誘電率が段階的に変化していることを特徴とする付記９に記載の液晶表示装置。
【００６０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の液晶表示装置によれば、一方の基板にドメイン規制用突起物を設け、他方の基板の電極にスリットを設け、更にバスラインからの横電界により液晶分子の配向が不安定になる領域の他方の基板の配向膜にプレチルト角発現処理が施されているので、バスラインからの横電界による配向不良が回避され、開口率が高く、且つ良好な視野角特性と良好な画質を得ることができる。
【００６１】
本発明の他の液晶表示装置によれば、一方の基板にドメイン規制用突起物を設け、他方の基板の電極にスリットを設け、更に隣接画素のバスラインに最も近い第１のスリットのバスラインと反対側の端部の幅を、第１のスリットに隣接する第２のスリットのバスライン側の端部の幅よりも小さく設定しているので、隣接画素のバスラインからの横電界による配向不良が回避され、開口率が高く、且つ良好な視野角特性と良好な画質を得ることができる。
【００６２】
本発明の更に他の液晶表示装置によれば、一方の基板にドメイン規制部を設け、他方の基板に誘電率が高い部分と誘電率が低い部分とを有する誘電体膜を設けて、これらのドメイン規制部と誘電体膜により配向分割（マルチドメイン）を達成するので、開口率が高く、且つ良好な視野角特性と良好な画質を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は本発明の第１の実施の形態のＭＶＡ方式の液晶表示装置の１画素を示す平面図である。
【図２】図２は図１のＡ−Ａ線の位置における断面図である。
【図３】図３は第１の実施の形態の効果を示す図（その１）であり、補助突起物が所定の位置に配置されているときの液晶分子の配向状態を示している。
【図４】図４は第１の実施の形態の効果を示す図（その２）であり、補助突起物が所定の位置からずれて配置され、配向不良が発生している状態を示している。
【図５】図５は第１の実施の形態の効果を示す図（その３）であり、補助突起物が所定の位置からずれて配置されても、プレチルト角発現処理により配向不良が発生していない状態を示している。
【図６】図６は本発明の第２の実施の形態の液晶表示装置を示す平面図である。
【図７】図７は本発明の第３の実施の形態の液晶表示装置を示す平面図である。
【図８】図８は第３の実施の形態の液晶表示装置の模式断面図である。
【図９】図９は画素電極と共通電極との間に電圧を印加したときの等電位線を示す図である。
【図１０】図１０は２種類の誘電体材料を使用して誘電体膜を形成し、ディスクリネーション発生の有無を調べた結果を示す図である。
【図１１】図１１はスリットの列間の中央に誘電率が高い部分を配置し、スリットに対向する部分に誘電率が低い部分を配置したときの問題点を示す図である。
【図１２】図１２は第３の実施の形態の変形例（その１）を示す図である。
【図１３】図１３は第３の実施の形態の変形例（その２）を示す図である。
【符号の説明】
１１…ガラス基板（ＴＦＴ基板）、
１２…ゲートバスライン、
１３…容量バスライン、
１４，１７…絶縁膜、
１５…ドレインバスライン（データバスライン）、
１６…ＴＦＴ、
１８…画素電極、
１９…スリット、
２０，３５…垂直配向膜、
２１…プレチルト角発現処理を施した部分、
２８…液晶分子、
２９…液晶材料、
３１…ガラス基板（対向基板）、
３２…ブラックマトリクス、
３３…カラーフィルタ、
３４…共通電極（コモン電極）、
３６…ドメイン規制用突起物、
３６ａ…補助突起物、
３８…誘電体膜、
３８ａ…誘電率が低い部分、
３８ｂ…誘電率が高い部分。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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