(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
インダクタ部品がＩＣへの電源ライン又はＩＣからの出力ラインに挿入されたインダクタ部品の実装構造であって、
前記インダクタ部品は、
電極部と、
導体が３ターン以上巻回された巻回部と、
前記巻回部の両端に位置すると共に、前記巻回部と前記電極部とを接続する引き出し部と、を備え、
前記巻回部における各ターンの巻線間隔は、前記巻回部の一端から他端に向かって単調減少しており、
前記巻回部の前記一端に前記引き出し部を通して接続される前記電極部が前記ＩＣに接続されることにより、前記電源ライン又は出力ラインに挿入されていることを特徴とするインダクタ部品の実装構造。
【請求項２】
前記インダクタ部品は、巻芯を有するコアを更に備え、
前記巻回部は、導線が前記巻芯に巻回されることにより構成されていることを特徴とする請求項１に記載のインダクタ部品の実装構造。
【請求項３】
前記巻回部は、互いに磁気結合するように所定の線間距離を置いて巻回された複数本の導体を含み、
前記複数本の導体の巻線間隔が、前記巻回部の一端から他端に向かって単調減少していることを特徴とする請求項１に記載のインダクタ部品の実装構造。
【請求項４】
前記インダクタ部品は、複数の絶縁体が積層された積層体と、前記積層体内に前記絶縁体の積層方向に併設された複数の導体と、を備えており、
前記巻回部は、前記積層方向に隣り合う前記導体同士が電気的に接続されることにより構成され、
前記複数の導体間の前記積層方向での間隔が、前記積層方向に向かって単調減少していることを特徴とする請求項１に記載のインダクタ部品の実装構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インダクタ部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
インダクタ部品として、電極部と、導体が３ターン以上巻回された巻回部と、巻回部の端に位置すると共に、巻回部と電極部とを接続する引き出し部と、を備えているものが知られている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１に記載されたインダクタ部品では、巻回部における各ターンの巻線間隔は等間隔である。
【特許文献１】特開平１０−３１２９２２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
上記特許文献１に記載されたインダクタ部品には、以下の問題点が存在する。特許文献１に記載されたインダクタ部品では、巻回部における各ターンの巻線間隔が等間隔であるため、隣り合うターン間での磁気的な条件（例えば、磁気結合等）は同じとなる。すなわち、巻回部が隣り合う２つのターンで構成されるコイル（インダクタ）の集合体であるとすると、当該コイルの磁路長は巻回部全体にわたって変化することはない。このため、巻回部により形成される磁路内において巻回部を構成する導体のインピーダンスが変化することはない。
【０００４】
これに対し、以下の理由により、巻回部の端（巻き始め及び巻き終わり）では、導体のインピーダンスが大きく変化してしまう。巻回部は導体が巻回された形状を呈しているのに対し、引き出し部は巻回部から電極部に向けて伸びる形状を呈しており、巻回部と引き出し部とでは構造上異なっている。したがって、巻回部の端において構造上の変化が生じる。この構造上の変化は巻回部の端での磁気的な条件の変化をもたすこととなるため、巻回部の端では、導体のインピーダンスが大きく変化することとなる。例えば、巻回部の一端でインピーダンスが大きくなり、また、巻回部の他端でインピーダンスが更に大きくなってしまう。このように、導体の途中においてインピーダンスが変化すると、インピーダンスが変化する箇所において導体を伝わる信号が反射し、信号の減衰が生じる懼れがある。また、反射によって不要な輻射が生じ、ノイズの原因となってしまう懼れもある。
【０００５】
本発明の目的は、インピーダンスの変化を抑制して、信号の反射の発生が少ないインダクタ部品を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係るインダクタ部品は、電極部と、導体が３ターン以上巻回された巻回部と、巻回部の両端に位置すると共に、巻回部及び電極部に接続される引き出し部と、を備え、巻回部における各ターンの巻線間隔は、巻回部の一端から他端に向かって単調減少していることを特徴とする。
【０００７】
本発明に係るインダクタ部品では、巻回部における各ターンの巻線間隔が巻回部の一端から他端に向かって単調減少しているので、隣り合うターン間での磁気的な条件が異なる。すなわち、巻回部が隣り合う２つのターンで構成されるコイル（インダクタ）の集合体であるとすると、当該コイルの磁路長は巻回部の一端側から他端側に向かって短くなる。このため、巻回部により形成される磁路内において巻回部を構成する導体のインピーダンスは、巻回部の一端側から他端側に向かって大きくなる。この結果、巻回部の一端でのインピーダンスの変化は回避し難いものの、巻回部の他端でのインピーダンスの急激な変化が抑制されることとなる。このように、本発明によれば、特に、巻回部の他端でのインピーダンスの急激な変化を抑制して、当該箇所での信号の反射の発生を少なくすることができる。
【０００８】
ここで、「単調減少している」とは増加傾向とならないことを意味し、広義の単調減少を意味する。
【０００９】
好ましくは、巻芯を有するコアを更に備え、巻回部は、導線が巻芯に巻回されることにより構成されている。
【００１０】
好ましくは、巻回部は、互いに磁気結合するように所定の線間距離を置いて巻回された複数本の導体を含み、複数本の導体の巻線間隔が、巻回部の一端から他端に向かって単調減少している。
【００１１】
好ましくは、複数の絶縁体が積層された積層体と、積層体内に絶縁体の積層方向に併設された複数の導体と、を備えており、巻回部は、積層方向に隣り合う導体同士が電気的に接続されることにより構成され、複数の導体間の積層方向での間隔が、積層方向に向かって単調減少している。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、インピーダンスの変化を抑制して、信号の反射の発生が少ないインダクタ部品を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。
【００１４】
（第１実施形態）
図１及び図２を参照して、第１実施形態に係るインダクタ部品１の構成を説明する。図１は、第１実施形態に係るインダクタ部品の斜視図である。図２は、第１実施形態に係るインダクタ部品の平面図である。
【００１５】
インダクタ部品１は、図１に示されるように、コア１０と、電極部２０，２１と、巻線３０と、を備えている。
【００１６】
コア１０は、磁性体（例えば、フェライト等）又は非磁性体（例えば、セラミック等）からなる。コア１０は、いわゆるドラムコアであって、巻芯部１２と、当該巻芯部１２の軸方向の両端に形成された一対の鍔部１３，１４とを有している。巻芯部１２は、四角柱形状を呈している。各鍔部１３，１４は、直方体形状を呈している。巻芯部１２と鍔部１３，１４とは、一体的に形成されている。コア１０は、その巻芯部１２の軸心方向に平行な断面での形状がＨ字状を呈している。
【００１７】
電極部２０は鍔部１３に位置し、電極部２１は鍔部１４に位置している。電極部２０，２１は、鍔部１３，１４の側面に金属材料（例えば、銀等）を主成分とする導電ペーストを転写した後に所定温度（例えば、７００℃程度）にて焼き付け、更に金属めっきを施すことにより、形成される。金属めっきには、ＮｉとＳｎ、ＣｕとＮｉとＳｎ、ＮｉとＡｕ、ＮｉとＰｄとＡｕ、ＮｉとＰｄとＡｇ、又は、ＮｉとＡｇ等を用いることができる。電極部２０，２１は、金属製の板材を鍔部１３，１４の対応する位置に装着することにより構成してもよい。金属製の板材には、例えば金属めっき（ＮｉとＳｎ）を施した燐青銅等を用いることができる。また、電極部２０，２１は、鍔部１３，１４にめっき法により直接形成してもよい。
【００１８】
巻線３０は、絶縁被膜銅線等の導体線からなり、巻芯部１２に３ターン以上巻回された巻回部３２と、巻回部３２の両端３２ａ，３２ｂに位置する引き出し部３４，３５と、を含んでいる。図１及び２では、巻線３０の絶縁被膜の図示は省略しており、導体としての芯線を図示している。
【００１９】
巻回部３２と引き出し部３４，３５とは連続しており、引き出し部３４は巻回部３２の端３２ａ，３２ｂに接続されることとなる。引き出し部３４は、その端が電極部２０に継線されることにより、電極部２０に物理的且つ電気的に接続されている。引き出し部３５は、その端が電極部２１に継線されることにより、電極部２１に物理的且つ電気的に接続されている。これらにより、引き出し部３４，３５は、巻回部３２と電極部２０，２１とを接続する。引き出し部３４と電極部２０，２１との接続（継線）は、熱圧着、溶接、あるいは、半田付け等により行われる。
【００２０】
巻回部３２における各ターンの巻線間隔Ｄｎ（ｎ＝１〜４）は、図２に示されるように、巻回部３２の一端３２ａから他端３２ｂに向かって単調減少している。ここで、各ターンの巻線間隔Ｄｎとは、各ターンにおける上記芯線同士の間隔である。本実施形態では、各巻線間隔Ｄｎ（ｎ＝１〜４）の関係は、下記（１）式を満たしており、いわゆる狭義の単調減少となっている。
Ｄ１＞Ｄ２＞Ｄ３＞Ｄ４      …      （１）
【００２１】
以上のように、本実施形態においては、巻回部３２における各ターンの巻線間隔Ｄｎが巻回部３２の一端３２ａから他端３２ｂに向かって単調減少しているので、隣り合うターン間での磁気的な条件が異なる。すなわち、巻回部３２が隣り合う２つのターンで構成されるコイル（インダクタ）の集合体であるとすると、当該コイルの磁路長は巻回部３２の一端３２ａ側から他端３２ｂ側に向かって短くなる。このため、巻回部３２により形成される磁路内において巻回部３２を構成する導体線のインピーダンスは、巻回部３２の一端３２ａ側から他端３２ｂ側に向かって大きくなる。この結果、巻回部３２の一端３２ａでのインピーダンスの変化は回避し難いものの、巻回部３２の他端３２ｂでのインピーダンスの急激な変化が抑制されることとなる。このように、インダクタ部品１では、巻回部３２の他端３２ｂでのインピーダンスの急激な変化を抑制して、当該箇所での信号の反射の発生を少なくすることができる。
【００２２】
（第２実施形態）
図３及び図４を参照して、第２実施形態に係るインダクタ部品２の構成を説明する。図３は、第２実施形態に係るインダクタ部品の斜視図である。図４は、第２実施形態に係るインダクタ部品の平面図である。
【００２３】
インダクタ部品２は、図３に示されるように、コア１０と、電極部２３〜２６と、２本の巻線４０，４５と、を備えている。インダクタ部品２は、いわゆるコモンモードチョークコイルを構成している。
【００２４】
電極部２３，２４は鍔部１３に位置し、電極部２５，２６は鍔部１４に位置している。電極部２３〜２６は、第１実施形態における電極部２０，２１と同様に形成される。
【００２５】
巻線４０，４５は、第１実施形態における巻線３０と同じく絶縁被膜銅線等の導体線からなる。図３及び４では、巻線４０，４５の絶縁被膜の図示は省略しており、導体としての芯線を図示している。巻線４０，４５は、巻芯部１２に３ターン以上巻回された巻回部４２，４７と、巻回部４２，４７の両端４２ａ，４２ｂ，４７ａ，４７ｂに位置する引き出し部４４ａ，４４ｂ，４９ａ，４９ｂと、を含んでいる。巻回部４２，４７と引き出し部４４ａ，４４ｂ，４９ａ，４９ｂとは連続しており、引き出し部４４ａ，４４ｂ，４９ａ，４９ｂは巻回部４２，４７の端４２ａ，４２ｂ，４７ａ，４７ｂに接続されることとなる。
【００２６】
引き出し部４４ａ，４４ｂ，４９ａ，４９ｂは、電極部２３〜２６にも接続されている。引き出し部４４ａは、その端が電極部２３に継線されることにより、電極部２３に物理的且つ電気的に接続されている。引き出し部４４ｂは、その端が電極部２５に継線されることにより、電極部２５に物理的且つ電気的に接続されている。これらにより、引き出し部４４ａ，４４ｂは、巻回部４２と電極部２３，２５とを接続する。引き出し部４９ａは、その端が電極部２４に継線されることにより、電極部２４に物理的且つ電気的に接続されている。引き出し部４９ｂは、その端が電極部２６に継線されることにより、電極部２６に物理的且つ電気的に接続されている。これらにより、引き出し部４９ａ，４９ｂは、巻回部４７と電極部２４，２６とを接続する。引き出し部４４ａ，４４ｂ，４９ａ，４９ｂと電極部２３〜２６との接続（継線）は、熱圧着、溶接、あるいは、半田付け等により行われる。
【００２７】
巻回部４２，４７では、図４に示されるように、２本の上記導体線が互いに磁気結合するように所定の線間距離（ＤＬ）を置いて巻回されている。そして、巻回部４２，４７における各ターンの巻線間隔Ｄｎ（ｎ＝１〜４）は、巻回部４２，４７の一端４２ａ，４７ａから他端４２ｂ，４７ｂに向かって単調減少（狭義の単調減少）している。すなわち、各巻線間隔Ｄｎ（ｎ＝１〜４）の関係は、上記（１）式を満たしている。ここでも、各ターンの巻線間隔Ｄｎとは、各ターンにおける上記芯線同士の間隔である。
【００２８】
以上のように、本実施形態においては、巻回部４２，４７における各ターンの巻線間隔Ｄｎが巻回部４２，４７の一端４２ａ，４７ａから他端４２ｂ，４７ｂに向かって単調減少しているので、隣り合うターン間での磁気的な条件が異なる。すなわち、各巻回部４２，４７が隣り合う２つのターンで構成されるコイル（インダクタ）の集合体であるとすると、当該コイルの磁路長は巻回部４２，４７の一端４２ａ，４７ａ側から他端４２ｂ，４７ｂ側に向かって短くなる。このため、各巻回部４２，４７により形成される磁路内において巻回部４２，４７を構成する導体線のインピーダンスは、巻回部４２，４７の一端４２ａ，４７ａ側から他端４２ｂ，４７ｂ側に向かって大きくなる。この結果、巻回部４２，４７の一端４２ａ，４７ａでのインピーダンスの変化は回避し難いものの、巻回部４２，４７の他端４２ｂ，４７ｂでのインピーダンスの急激な変化が抑制されることとなる。このように、インダクタ部品２では、巻回部４２，４７の他端４２ｂ，４７ｂでのインピーダンスの急激な変化を抑制して、当該箇所での信号の反射の発生を少なくすることができる。
【００２９】
（第３実施形態）
図５〜図７を参照して、第３実施形態に係るインダクタ部品３の構成を説明する。図５は、第３実施形態に係るインダクタ部品の斜視図である。図６は、第３実施形態に係るインダクタ部品に含まれる素子の断面構成を説明する図である。図７は、第３実施形態に係るインダクタ部品に含まれる素子を示す分解斜視図である。
【００３０】
インダクタ部品３は、図５に示されるように、直方体形状の素子５０と、一対の電極部（端子電極）６０，６２とを備えている。インダクタ部品３は、いわゆる積層型インダクタを構成している。
【００３１】
素子５０は、図６及び図７に示されるように、コイル部７０と、外装部８０とを有している。コイル部７０は、コイル状導体７１と、当該コイル状導体７１の両端に位置する引き出し導体７３，７４を含んでいる。外装部８０は、積層される複数の絶縁体層８１〜８６を含んでいる。各絶縁体層８１〜８６は、例えば、磁性体（例えば、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト等）を含むセラミックグリーンシートの焼結体、又は、非磁性体（例えば、Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト）等の非磁性体を含むセラミックグリーンシートの焼結体から構成される。なお、実際のインダクタ部品３では、各絶縁体層８１〜８６は、互いの間の境界が視認できない程度に一体化されている。
【００３２】
各電極部６０，６２は、素子５０の外側面に配置されている。各電極部６０，６２は、例えば導電性金属粉末及びガラスフリットを含む導電性ペーストを素子５０の外表面の付与し、焼き付けることによって形成される。必要に応じて、焼き付けにより形成された電極部分上にめっき層が形成されることもある。
【００３３】
コイル状導体７１は、絶縁体層８１〜８５に形成された導体パターン７１ａ〜７１ｅにより構成される。また、引き出し導体７３，７４は、絶縁体層８１，８５に形成された導体パターン７３ａ，７４ａにより構成される。本実施形態においては、導体パターン７１ａと導体パターン７３ａとが一体に連続して形成され、導体パターン７１ｅと導体パターン７４ａとが一体に連続して形成されている。導体パターン７１ａ〜７１ｅ，７３ａ，７４ａは、導電性材料（例えば、Ａｇ、Ｐｄ、又は、これらの合金等）からなる。導体パターン７１ａ〜７１ｅ，７３ａ，７４ａは、上記導電性材料を含む導電性ペーストの焼結体として構成される。
【００３４】
導体パターン７１ａは、コイル状導体７１の略１／２ターン分に相当し、絶縁体層８１上で略Ｌ字状に伸びている。導体パターン７１ｂは、コイル状導体７１の略３／４ターン分に相当し、絶縁体層８２上で略Ｕ字状に伸びている。導体パターン７１ｃは、コイル状導体７１の略３／４ターン分に相当し、絶縁体層８３上で略Ｃ字状に伸びている。導体パターン７１ｄは、コイル状導体７１の略３／４ターン分に相当し、絶縁体層８４上で略Ｕ字状に伸びている。導体パターン７１ｅは、コイル状導体７１の略１／２ターン分に相当し、絶縁体層８５上で略Ｌ字状に伸びている。導体パターン７１ａ〜７１ｅは、絶縁体層８１〜８６の積層方向に併置されることとなる。
【００３５】
導体パターン７１ａ〜７１ｅは、その端部同士が絶縁体層８１〜８４，８６にそれぞれ形成された貫通電極７５ａ〜７５ｄにより電気的に接続される。導体パターン７１ａ〜７１ｅは、絶縁体層８１〜８６の積層方向に隣り合う導体パターン７１ａ〜７１ｅ同士が相互に電気的に接続されることで、コイル状導体７１を構成することとなり、コイル状導体７１では、導体が３ターン以上巻回されることとなる。
【００３６】
引き出し導体７３ａは、絶縁体層８１上で、導体パターン７１ａの一端から連続して略Ｉ字状に伸びている。導体パターン７３ａの一端は、素子５０の外表面に露出している。導体パターン７３ａは、電極部６０に物理的且つ電気的に接続される。導体パターン７４ａは、絶縁体層８５上で、導体パターン７１ｄの他端から連続して略Ｉ字状に伸びている。導体パターン７４ａの他端は、素子５０の外表面に露出している。導体パターン７３ａは、電極部６２に物理的且つ電気的に接続される。
【００３７】
絶縁体層８１と絶縁体層８２との間には、導体パターンが形成されていない絶縁体層８６が３層存在している。絶縁体層８２と絶縁体層８３との間には、導体パターンが形成されていない絶縁体層８６が２層存在している。絶縁体層８３と絶縁体層８４との間には、導体パターンが形成されていない絶縁体層８６が１層存在している。これにより、絶縁体層８１〜８６の積層方向での導体パターン７１ａ〜７１ｅの間隔が調整されている。
【００３８】
コイル状導体７１における各ターン（導体パターン７１ａ〜７１ｅ）の巻線間隔は、絶縁体層８１〜８６の積層方向での導体パターン７１ａ〜７１ｅの間隔Ｄｎ（ｎ＝１〜４）に相当する。絶縁体層８１〜８６の積層方向での導体パターン７１ａ〜７１ｅの間隔Ｄｎ（ｎ＝１〜４）は、図６に示されるように、コイル状導体７１の一端から他端に向かって単調減少している。すなわち、各巻線間隔Ｄｎ（ｎ＝１〜４）の関係は、上記（１）式を満たしている。
【００３９】
以上のように、本実施形態においては、コイル状導体７１における各ターンの巻線間隔Ｄｎがコイル状導体７１の一端から他端に向かって単調減少しているので、隣り合うターン間での磁気的な条件が異なる。すなわち、コイル状導体７１が隣り合う２つのターンで構成されるコイル（インダクタ）の集合体であるとすると、当該コイルの磁路長はコイル状導体７１の一端側から他端側に向かって短くなる。このため、コイル状導体７１により形成される磁路内においてコイル状導体７１を構成する導体のインピーダンスは、コイル状導体７１の一端側から他端側に向かって大きくなる。この結果、コイル状導体７１の一端でのインピーダンスの変化は回避し難いものの、コイル状導体７１の他端でのインピーダンスの急激な変化が抑制されることとなる。このように、インダクタ部品３では、コイル状導体７１の他端でのインピーダンスの急激な変化を抑制して、当該箇所での信号の反射の発生を少なくすることができる。
【００４０】
続いて、本実施形態によって、インピーダンスの変化を抑制し、信号の反射を少なくできることを、具体的に示す。ここでは、インダクタ部品のインピーダンスをＴＤＲ（Time Domain Reflectometry）法により測定する。ＴＤＲ法とは、伝送線路にステップパルスを送出し、の特性インピーダンスの不連続箇所にて反射されたパルスを測定することにより、伝送線路の特性インピーダンスを計測する測定法である。
【００４１】
まず、図８に基づいて、ＴＤＲ法による測定環境を説明する。図８に示される各測定環境では、高速オシロスコープ９０とレシーバＩＣ９２とが、伝送路９４を介して接続されている。伝送路９４は、ケーブル９６とインダクタ部品９８とを有している。高速オシロスコープ９０は、ＴＤＲモジュール９１を有している。高速オシロスコープ９０は、ＴＤＲモジュール９１を通してケーブル９６と接続され、ケーブル９６の他端はインダクタ部品９８と接続される。インダクタ部品９８の他端にはレシーバＩＣ９２が接続される。
【００４２】
高速オシロスコープ９０としては、アジレント・テクノロジー社（Agilent Technologies, Inc.）製のＡｇｉｌｅｎｔ８６１００広帯域オシロスコープを用いる。ＴＤＲモジュール９１としては、アジレント・テクノロジー社製の５４７５４差動ＴＤＲプラグイン・モジュールを用いる。レシーバＩＣ９２は、電源がオフのときに無限大の入力インピーダンスを有し、高速オシロスコープ９０からの信号を１００％反射させる。伝送路９４は、５０Ωの特性インピーダンスを有する。
【００４３】
次に、図８及び図９に基づいて、ＴＤＲ法による測定方法について説明する。まず、高速オシロスコープ９０が入射電圧ステップＥｉを発生させ、この入射電圧ステップＥｉを伝送路９４に出力する。伝送路９４上で特性インピーダンスの不連続点が存在しない場合には、入射電圧ステップＥｉがレシーバＩＣ９２でそのまま反射され、高速オシロスコープ９０には、図９（ａ）に示すように、入射電圧ステップＥｉのみが表示される。
【００４４】
一方、伝送路９４の特性インピーダンスに不連続箇所が存在する場合には、その不連続箇所で入射電圧ステップの一部が反射される。この場合、高速オシロスコープ９０には、図９（ｂ）に示すように、反射波Ｅｒが入射電圧ステップＥｉに代数的に追加されて表示される。この結果より、インピーダンスの不連続箇所の位置と特性インピーダンスの値を求めることができる。すなわち、反射波Ｅｒが測定されるまでの時間Ｔによりインピーダンスの不連続箇所の位置を求めることができると共に、反射波Ｅｒの値により不連続箇所でのインピーダンスを求めることができる。
【００４５】
測定結果を図１０に示す。インダクタ部品９８として、従来の技術のインダクタ部品、すなわち巻回部における各ターンの巻線間隔は等間隔であるインダクタ部品と、上述した第１実施形態に係るインダクタ部品１とを用いた。従来の技術のインダクタ部品の構成と、インダクタ部品１との構成とは、巻回部における各ターンの巻線間隔の点を除いて、同じ構成とした。従来の技術のインダクタ部品では、各ターンの巻線間隔を０．１ｍｍとした。インダクタ部品１では、上記巻線間隔Ｄ１を２．０ｍｍとし、巻線間隔を０．６ｍｍずつ減少させた。ここでも、各ターンの巻線間隔とは、各ターンにおける上記芯線同士の間隔である。
【００４６】
特性Ｉ１は、インダクタ部品９８が、従来の技術のインダクタ部品である場合の測定結果である。特性Ｉ１から分かるように、巻回部の一端（図１０中、「ＴＳ」で示される位置）でインピーダンスが変化すると共に、巻回部の他端（図１０中、「ＴＥ」で示される位置）でもインピーダンスが大きく変化している。
【００４７】
特性Ｉ２は、インダクタ部品９８が、上述した第１実施形態に係るインダクタ部品１であり、電極部２０をケーブル９６と接続し、電極部２１をレシーバＩＣ９２に接続した場合の測定結果である。特性Ｉ２から分かるように、巻回部３２の一端３２ａ（図１０中、「ＴＳ」で示される位置）でのインピーダンスの変化は回避し難いものの、巻回部３２の他端３２ｂ（図１０中、「ＴＥ」で示される位置）でのインピーダンスの急激な変化が抑制されている。また、特性Ｉ２から、巻回部３２においてインピーダンスが徐々に大きくなっていることが分かる。
【００４８】
特性Ｉ３は、インダクタ部品９８が、上述した第１実施形態に係るインダクタ部品１であり、電極部２１をケーブル９６と接続し、電極部２０をレシーバＩＣ９２に接続した場合の測定結果である。特性Ｉ３から分かるように、従来の技術のインダクタ部品と同様に、巻回部の一端（図１０中、「ＴＳ」で示される位置）でインピーダンスが変化すると共に、巻回部の他端（図１０中、「ＴＥ」で示される位置）でもインピーダンスが急激に変化している。
【００４９】
次に、図１１を参照して、本実施形態に係るインダクタ部品の実装構造について、説明する。図１１は、本実施形態に係るインダクタ部品の実装構造を説明するための回路図である。ここでは、実装するインダクタ部品として第１実施形態に係るインダクタ部品１を用いて説明するが、他の実施形態に係るインダクタ部品２，３も、同様に実装することができる。
【００５０】
図１１に示されているように、インダクタ部品１は、ＩＣ１００への電源ライン１０２やＩＣ１００からの出力ライン（例えば、クロックラインや信号ライン等）１０４に挿入されている。電源ライン１０２に挿入されたインダクタ部品１は、コンデンサ１０６と共にＬＣフィルタを構成している。
【００５１】
電源ライン１０２に挿入されたインダクタ部品１では、電極部２０がＩＣ１００に接続されている。出力ライン１０４に挿入されたインダクタ部品１も、電極部２０がＩＣ１００に接続されている。
【００５２】
ＩＣ１００では、その内部において高速でスイッチングが行なわれており、電源ライン１０２や出力ライン１０４等にノイズが重畳しやすい。しかしながら、上述したようにインダクタ部品１での反射が少なくなることから、ＩＣ１００にて発生したノイズの重畳が少なくなる。従来の技術のインダクタ部品では、インダクタ部品での反射が大きいことから、ＩＣ１００にて発生したノイズの重畳が大きくなる。また、上記測定結果から推測されるように、電極部２１をＩＣ１００に接続した場合も、インダクタ部品１での反射が大きいことから、ＩＣ１００にて発生したノイズの重畳が大きくなる。
【００５３】
以上、本発明の好適な実施形態について説明してきたが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。
【００５４】
第１及び第２実施形態では、コア１０としてドラムコアを採用しているが、これに限られることなく、トロイダルコアを採用してもよい。また、コア１０は必ずしも必要ではなく、巻芯が存在しない空芯型のインダクタ部品としてもよい。空芯型のインダクタ部品として構成した場合、当該インダクタ部品は高周波コイルとして好適である。第１実施形態のインダクタ部品１は、コア１０が磁性体からなる場合、チョークコイル、信号整流用コイル、又はアンテナコイル等として好適である。コア１０が非磁性体からなる場合、インダクタ部品１は、高周波コイルとして好適である。
【００５５】
巻回部３２，４２，４７やコイル状導体７１におけるターン数は、上述した実施形態に限られず、３ターン以上であればよい。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】第１実施形態に係るインダクタ部品の斜視図である。
【図２】第１実施形態に係るインダクタ部品の平面図である。
【図３】第２実施形態に係るインダクタ部品の斜視図である。
【図４】第２実施形態に係るインダクタ部品の平面図である。
【図５】第３実施形態に係るインダクタ部品の斜視図である。
【図６】第３実施形態に係るインダクタ部品に含まれる素子の断面構成を説明する図である。
【図７】第３実施形態に係るインダクタ部品に含まれる素子を示す分解斜視図である。
【図８】ＴＤＲ法による測定環境を説明するための図である。
【図９】ＴＤＲ法による測定方法を説明するための図である。
【図１０】ＴＤＲ法による測定結果を示す線図である。
【図１１】本実施形態に係るインダクタ部品の実装構造を説明するための回路図である。
【符号の説明】
【００５７】
１〜３…インダクタ部品、２０，２１，２３〜２６…電極部、３０，４０，４５…巻線、３２，４２，４７…巻回部、３２ａ，４２ａ，４７ａ…巻回部の一端、３２ｂ，４２ｂ，４７ｂ…巻回部の他端、３４，４４，４９…引き出し部、５０…素子、６０，６２…電極部、７１…コイル状導体、７３，７４…引き出し導体。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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