(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示電極対を構成する複数の走査電極および維持電極を有する放電セルを複数備えたプラズマディスプレイパネルと、
前記プラズマディスプレイパネルの温度状態を判別するパネル温度判別回路と、
下降する傾斜波形電圧を前記走査電極に印加する初期化期間と負の走査パルス電圧を前記走査電極に印加する書込み期間と維持期間とを有するサブフィールドを１フィールド期間内に複数設けるとともに、前記初期化期間においては前記傾斜波形電圧を発生して前記放電セルを初期化し、前記書込み期間においては前記走査パルス電圧を発生して前記走査電極を駆動する走査電極駆動回路とを備え、
前記走査電極駆動回路は、前記傾斜波形電圧における最低電圧を、第１の電圧と前記第１の電圧よりも電圧値の低い第２の電圧とで切換えて前記傾斜波形電圧を発生するとともに、前記パネル温度判別回路が前記プラズマディスプレイパネルの温度を低温と判別したときには、低温でないと判別したときよりも、最低電圧を前記第２の電圧とした前記傾斜波形電圧によって初期化を行うサブフィールドの割合を増加させることを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
【請求項２】
表示電極対を構成する複数の走査電極および維持電極を有するプラズマディスプレイパネルを、下降する傾斜波形電圧を前記走査電極に印加する初期化期間と負の走査パルス電圧を前記走査電極に印加する書込み期間と維持期間とを有するサブフィールドを１フィールド期間内に複数設けて駆動するプラズマディスプレイパネルの駆動方法であって、前記傾斜波形電圧における最低電圧を、第１の電圧と前記第１の電圧よりも電圧値の低い第２の電圧とで切換えて前記傾斜波形電圧を発生するとともに、前記プラズマディスプレイパネルの温度を低温と判別したときには、低温でないと判別したときよりも、最低電圧を前記第２の電圧とした前記傾斜波形電圧によって初期化を行うサブフィールドの割合を増加させることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、壁掛けテレビや大型モニターに用いられるプラズマディスプレイ装置およびプラズマディスプレイパネルの駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイパネル（以下、「パネル」と略記する）として代表的な交流面放電型パネルは、対向配置された前面板と背面板との間に多数の放電セルが形成されている。前面板は、１対の走査電極と維持電極とからなる表示電極対が前面ガラス基板上に互いに平行に複数対形成され、それら表示電極対を覆うように誘電体層および保護層が形成されている。背面板は、背面ガラス基板上に複数の平行なデータ電極と、それらを覆うように誘電体層と、さらにその上にデータ電極と平行に複数の隔壁とがそれぞれ形成され、誘電体層の表面と隔壁の側面とに蛍光体層が形成されている。そして、表示電極対とデータ電極とが立体交差するように前面板と背面板とが対向配置されて密封され、内部の放電空間には、例えば分圧比で５％のキセノンを含む放電ガスが封入されている。ここで表示電極対とデータ電極とが対向する部分に放電セルが形成される。このような構成のパネルにおいて、各放電セル内でガス放電により紫外線を発生させ、この紫外線で赤色、緑色および青色の各色の蛍光体を励起発光させてカラー表示を行っている。
【０００３】
パネルを駆動する方法としては、サブフィールド法、すなわち、１フィールド期間を複数のサブフィールドに分割した上で、発光させるサブフィールドの組み合わせによって階調表示を行う方法が一般に用いられている。
【０００４】
各サブフィールドは、初期化期間、書込み期間および維持期間を有する。初期化期間では初期化放電を発生し、続く書込み動作に必要な壁電荷を各電極上に形成する。初期化動作には、全ての放電セルで初期化放電を発生させる初期化動作（以下、「全セル初期化動作」と略記する）と、維持放電を行った放電セルで初期化放電を発生させる初期化動作（以下、「選択初期化動作」と略記する）とがある。
【０００５】
書込み期間では、表示を行うべき放電セルに選択的に書込みパルス電圧を印加して書込み放電を発生させ壁電荷を形成する（以下、この動作を「書込み」とも記す）。そして維持期間では、走査電極と維持電極とからなる表示電極対に交互に維持パルスを印加し、書込み放電を起こした放電セルで維持放電を発生させ、対応する放電セルの蛍光体層を発光させることにより画像表示を行う。
【０００６】
また、サブフィールド法の中でも、緩やかに変化する電圧波形を用いて初期化放電を行い、さらに維持放電を行った放電セルに対して選択的に初期化放電を行うことで、階調表示に関係しない発光を極力減らしコントラスト比を向上させた駆動方法が知らされている。
【０００７】
具体的には、複数のサブフィールドのうち、１つのサブフィールドの初期化期間において全ての放電セルを放電させる全セル初期化動作を行い、他のサブフィールドの初期化期間においては維持放電を行った放電セルのみ初期化する選択初期化動作を行う。その結果、表示に関係のない発光は全セル初期化動作の放電に伴う発光のみとなりコントラストの高い画像表示が可能となる（例えば、特許文献１参照）。
【０００８】
このように駆動することによって、画像の表示に関係のない発光に依存して変化する黒表示領域の輝度は全セル初期化動作における微弱発光だけとなり、コントラストの高い画像表示が可能となる。
【０００９】
近年においては、更なるパネルの高精細化、大画面化が進められている。例えば、パネルの高精細化のために放電セルを微細化すると、非発光領域の割合が増えて単位面積あたりの発光輝度が低下する傾向がある。発光輝度を上げるためにはキセノンの分圧比を上げることが有効であるが、そうすると書込みに必要な電圧が上昇し、書込みが不安定になるという問題があった。また、高精細化、大画面化されたパネルでは、パネル内に形成される電極の数が増えるため、書込みに要する時間が増大しないように書込みパルス電圧のパルス幅を短縮しなければならず、これにより書込みが不安定になるという問題があった。
【００１０】
そして、これらの問題により書込み不良が発生すると、表示を行うべき放電セルで書込み放電が発生せず、画像表示品質が劣化してしまう。
【特許文献１】特開２０００−２４２２２４号公報
【発明の開示】
【００１１】
本発明のプラズマディスプレイ装置は、表示電極対を構成する複数の走査電極および維持電極を有する放電セルを複数備えたパネルと、パネルの温度状態を判別するパネル温度判別回路と、下降する傾斜波形電圧を走査電極に印加する初期化期間と負の走査パルス電圧を走査電極に印加する書込み期間と維持期間とを有するサブフィールドを１フィールド期間内に複数設けるとともに、初期化期間においては傾斜波形電圧を発生して放電セルを初期化し、書込み期間においては走査パルス電圧を発生して走査電極を駆動する走査電極駆動回路とを備え、走査電極駆動回路は、傾斜波形電圧における最低電圧を、第１の電圧と第1の電圧よりも電圧値の低い第２の電圧とで切換えて傾斜波形電圧を発生するとともに、パネル温度判別回路によって判別されたパネルの温度状態にもとづき、１フィールド期間の、最低電圧を第１の電圧とした傾斜波形電圧によって初期化を行うサブフィールドと最低電圧を第２の電圧とした傾斜波形電圧によって初期化を行うサブフィールドとの割合を変更するように構成したことを特徴とする。
【００１２】
これにより、高輝度化、高精細化されたパネルであっても、書込み放電を発生させるために必要な電圧を高くすることなく、安定した書込み放電を発生させることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置について、図面を用いて説明する。
【００１４】
（実施の形態）
図１は、本発明の実施の形態におけるパネル１０の構造を示す分解斜視図である。ガラス製の前面板２１上には、走査電極２２と維持電極２３とからなる表示電極対２８が複数形成されている。そして走査電極２２と維持電極２３とを覆うように誘電体層２４が形成され、その誘電体層２４上に保護層２５が形成されている。背面板３１上にはデータ電極３２が複数形成され、データ電極３２を覆うように誘電体層３３が形成され、さらにその上に井桁状の隔壁３４が形成されている。そして、隔壁３４の側面および誘電体層３３上には赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）および青色（Ｂ）の各色に発光する蛍光体層３５が設けられている。
【００１５】
これら前面板２１と背面板３１とは、微小な放電空間を挟んで表示電極対２８とデータ電極３２とが交差するように対向配置され、その外周部をガラスフリット等の封着材によって封着されている。そして放電空間には、例えばネオンとキセノンの混合ガスが放電ガスとして封入されている。本実施の形態においては、輝度向上のためにキセノン分圧を約１０％とした放電ガスが用いられている。放電空間は隔壁３４によって複数の区画に仕切られており、表示電極対２８とデータ電極３２とが交差する部分に放電セルが形成されている。そしてこれらの放電セルが放電、発光することにより画像が表示される。
【００１６】
なお、パネル１０の構造は上述したものに限られるわけではなく、例えばストライプ状の隔壁を備えたものであってもよい。また、放電ガスの混合比率も上述したものに限られるわけではなく、その他の混合比率であってもよい。
【００１７】
図２は、本発明の実施の形態におけるパネル１０の電極配列図である。パネル１０には、行方向に長いｎ本の走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎ（図１の走査電極２２）およびｎ本の維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎ（図１の維持電極２３）が配列され、列方向に長いｍ本のデータ電極Ｄ１〜Ｄｍ（図１のデータ電極３２）が配列されている。そして、１対の走査電極ＳＣｉ（ｉ＝１〜ｎ）および維持電極ＳＵｉと１つのデータ電極Ｄｊ（ｊ＝１〜ｍ）とが交差した部分に放電セルが形成され、放電セルは放電空間内にｍ×ｎ個形成されている。
【００１８】
次に、パネル１０を駆動するための駆動電圧波形とその動作について説明する。本実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置は、サブフィールド法、すなわち１フィールド期間を複数のサブフィールドに分割し、サブフィールド毎に各放電セルの発光・非発光を制御することによって階調表示を行う。それぞれのサブフィールドは、初期化期間、書込み期間および維持期間を有する。
【００１９】
初期化期間では初期化放電を発生し、続く書込み放電に必要な壁電荷を各電極上に形成する。このときの初期化動作には、全ての放電セルで初期化放電を発生させる全セル初期化動作と、１つ前のサブフィールドで維持放電を行った放電セルで初期化放電を発生させる選択初期化動作とがある。
【００２０】
書込み期間では、後に続く維持期間において発光させるべき放電セルで選択的に書込み放電を発生し壁電荷を形成する。そして維持期間では、輝度重みに比例した数の維持パルスを表示電極対２８に交互に印加して、書込み放電を発生した放電セルで維持放電を発生させて発光させる。このときの比例定数を「輝度倍率」と呼ぶ。
【００２１】
図３は、本発明の実施の形態におけるパネル１０の各電極に印加する駆動電圧波形図である。図３には、２つのサブフィールドの駆動電圧波形、すなわち全セル初期化動作を行うサブフィールド（以下、「全セル初期化サブフィールド」と呼称する）と、選択初期化動作を行うサブフィールド（以下、「選択初期化サブフィールド」と呼称する）とを示しているが、他のサブフィールドにおける駆動電圧波形もほぼ同様である。
【００２２】
まず、全セル初期化サブフィールドである第１ＳＦについて説明する。
【００２３】
第１ＳＦの初期化期間前半部では、データ電極Ｄ１〜Ｄｍ、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎにそれぞれ０（Ｖ）を印加し、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎには、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに対して放電開始電圧以下の電圧Ｖｉ１から、放電開始電圧を超える電圧Ｖｉ２に向かって緩やかに上昇する傾斜波形電圧（以下、「上りランプ波形電圧」と呼称する）を印加する。
【００２４】
この傾斜波形電圧が上昇する間に、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎと維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎ、データ電極Ｄ１〜Ｄｍとの間でそれぞれ微弱な初期化放電が起こる。そして、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎ上部に負の壁電圧が蓄積されるとともに、データ電極Ｄ１〜Ｄｍ上部および維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎ上部には正の壁電圧が蓄積される。ここで、電極上部の壁電圧とは電極を覆う誘電体層上、保護層上、蛍光体層上等に蓄積された壁電荷により生じる電圧を表す。
【００２５】
初期化期間後半部では、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに正の電圧Ｖｅ１を印加し、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎには、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに対して放電開始電圧以下となる電圧Ｖｉ３から放電開始電圧を超える電圧Ｖｉ４に向かって緩やかに下降する傾斜波形電圧（以下、「下りランプ波形電圧」と呼称する）を印加する（以下、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに印加する下りランプ波形電圧の最小値を「初期化電圧Ｖｉ４」として引用する）。この間に、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎと維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎ、データ電極Ｄ１〜Ｄｍとの間でそれぞれ微弱な初期化放電が起こる。そして、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎ上部の負の壁電圧および維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎ上部の正の壁電圧が弱められ、データ電極Ｄ１〜Ｄｍ上部の正の壁電圧は書込み動作に適した値に調整される。以上により、全ての放電セルに対して初期化放電を行う全セル初期化動作が終了する。
【００２６】
ここで、本実施の形態においては、この初期化電圧Ｖｉ４の電圧値を２つの異なる電圧値で切換えてパネル１０を駆動する構成としている。以下、電圧値の高い方をＶｉ４Ｈと記し、電圧値の低い方をＶｉ４Ｌと記す。
【００２７】
続く書込み期間では、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに電圧Ｖｅ２を、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに電圧Ｖｃを印加する。
【００２８】
まず、１行目の走査電極ＳＣ１に負の走査パルス電圧Ｖａを印加するとともに、データ電極Ｄ１〜Ｄｍのうち１行目に発光させるべき放電セルのデータ電極Ｄｋ（ｋ＝１〜ｍ）に正の書込みパルス電圧Ｖｄを印加する。このときデータ電極Ｄｋ上と走査電極ＳＣ１上との交差部の電圧差は、外部印加電圧の差（Ｖｄ−Ｖａ）にデータ電極Ｄｋ上の壁電圧と走査電極ＳＣ１上の壁電圧との差が加算されたものとなり放電開始電圧を超える。そして、データ電極Ｄｋと走査電極ＳＣ１との間および維持電極ＳＵ１と走査電極ＳＣ１との間に書込み放電が起こり、走査電極ＳＣ１上に正の壁電圧が蓄積され、維持電極ＳＵ１上に負の壁電圧が蓄積され、データ電極Ｄｋ上にも負の壁電圧が蓄積される。
【００２９】
このようにして、１行目に発光させるべき放電セルで書込み放電を起こして各電極上に壁電圧を蓄積する書込み動作が行われる。一方、書込みパルス電圧Ｖｄを印加しなかったデータ電極Ｄ１〜Ｄｍと走査電極ＳＣ１との交差部の電圧は放電開始電圧を超えないので、書込み放電は発生しない。以上の書込み動作をｎ行目の放電セルに至るまで行い、書込み期間が終了する。
【００３０】
続く維持期間では、まず走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに正の維持パルス電圧Ｖｓを印加するとともに維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに０（Ｖ）を印加する。すると、前の書込み期間で書込み放電を起こした放電セルでは、走査電極ＳＣｉ上と維持電極ＳＵｉ上との電圧差が維持パルス電圧Ｖｓに走査電極ＳＣｉ上の壁電圧と維持電極ＳＵｉ上の壁電圧との差が加算されたものとなり放電開始電圧を超える。
【００３１】
そして、走査電極ＳＣｉと維持電極ＳＵｉとの間に維持放電が起こり、このとき発生した紫外線により蛍光体層３５が発光する。そして走査電極ＳＣｉ上に負の壁電圧が蓄積され、維持電極ＳＵｉ上に正の壁電圧が蓄積される。さらにデータ電極Ｄｋ上にも正の壁電圧が蓄積される。書込み期間において書込み放電が起きなかった放電セルでは維持放電は発生せず、初期化期間の終了時における壁電圧が保たれる。
【００３２】
続いて、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎには０（Ｖ）を、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎには維持パルス電圧Ｖｓをそれぞれ印加する。すると、維持放電を起こした放電セルでは、維持電極ＳＵｉ上と走査電極ＳＣｉ上との電圧差が放電開始電圧を超えるので再び維持電極ＳＵｉと走査電極ＳＣｉとの間に維持放電が起こり、維持電極ＳＵｉ上に負の壁電圧が蓄積され走査電極ＳＣｉ上に正の壁電圧が蓄積される。以降同様に、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎと維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎとに交互に輝度重みに輝度倍率を乗じた数の維持パルスを印加し、表示電極対の電極間に電位差を与えることにより、書込み期間において書込み放電を起こした放電セルで維持放電が継続して行われる。
【００３３】
そして、維持期間の最後には、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに電圧Ｖｓを印加してから所定時間Ｔｈ１後に維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに電圧Ｖｅ１を印加することで、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎと維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎとの間にいわゆる細幅パルス状の電圧差を与えて、データ電極Ｄｋ上の正の壁電圧を残したまま、走査電極ＳＣｉ上および維持電極ＳＵｉ上の壁電圧の一部または全部を消去している。具体的には、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎを一旦０（Ｖ）に戻した後、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに維持パルス電圧Ｖｓを印加する。すると、維持放電を起こした放電セルの維持電極ＳＵｉと走査電極ＳＣｉとの間で維持放電が起こる。そしてこの放電が収束する前、すなわち放電で発生した荷電粒子が放電空間内に十分残留している間に維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに電圧Ｖｅ１を印加する。これにより維持電極ＳＵｉと走査電極ＳＣｉとの間の電圧差が（Ｖｓ−Ｖｅ１）の程度まで弱まる。すると、データ電極Ｄｋ上の正の壁電荷を残したまま、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎ上と維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎ上との間の壁電圧はそれぞれの電極に印加した電圧の差（Ｖｓ−Ｖｅ１）の程度まで弱められる。以下、この放電を「消去放電」と呼ぶ。
【００３４】
このように、最後の維持放電、すなわち消去放電を発生させるための電圧Ｖｓを走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに印加した後、所定の時間間隔の後、表示電極対の電極間の電位差を緩和するための電圧Ｖｅ１を維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに印加する。こうして維持期間における維持動作が終了する。
【００３５】
次に、選択初期化サブフィールドである第２ＳＦの動作について説明する。
【００３６】
第２ＳＦの選択初期化期間では、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに電圧Ｖｅ１を、データ電極Ｄ１〜Ｄｍに０（Ｖ）をそれぞれ印加したまま、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに電圧Ｖｉ３’から電圧Ｖｉ４に向かって緩やかに下降する下りランプ波形電圧を印加する。
【００３７】
すると前のサブフィールドの維持期間で維持放電を起こした放電セルでは微弱な初期化放電が発生し、走査電極ＳＣｉ上および維持電極ＳＵｉ上の壁電圧が弱められる。またデータ電極Ｄｋに対しては、直前の維持放電によってデータ電極Ｄｋ上に十分な正の壁電圧が蓄積されているので、この壁電圧の過剰な部分が放電され、書込み動作に適した壁電圧に調整される。
【００３８】
一方、前のサブフィールドで維持放電を起こさなかった放電セルについては放電することはなく、前のサブフィールドの初期化期間終了時における壁電荷がそのまま保たれる。このように選択初期化動作は、直前のサブフィールドの維持期間で維持動作を行った放電セルに対して選択的に初期化放電を行う動作である。
【００３９】
そして、本実施の形態においては、選択初期化動作においても、全セル初期化動作における下りランプ波形電圧と同様に、初期化電圧Ｖｉ４を電圧値の高い方のＶｉ４Ｈと電圧値の低い方のＶｉ４Ｌとで切換える構成としている。
【００４０】
続く書込み期間の動作は全セル初期化サブフィールドの書込み期間の動作と同様であるため説明を省略する。続く維持期間の動作も維持パルスの数を除いて同様である。
【００４１】
上述したように、本実施の形態では、初期化期間において、下りランプ波形電圧の最低電圧である初期化電圧Ｖｉ４の電圧値を、２つの異なる電圧値、すなわち第１の電圧であるＶｉ４Ｈとそれよりも電圧値の低い第２の電圧であるＶｉ４Ｌとで切換えて下りランプ波形電圧を発生する構成としている。そして、後述するパネル温度判別回路によって判別されたパネル１０の温度状態に応じて、初期化電圧Ｖｉ４の電圧値をＶｉ４Ｌとした下りランプ波形電圧よって初期化を行うサブフィールドの、１フィールド期間における割合を変更するように構成している。これにより、安定した書込み放電を実現している。
【００４２】
次に、サブフィールド構成について説明する。図４、図５Ａ、図５Ｂは、本発明の実施の形態におけるサブフィールド構成を示す駆動波形の概略図である。なお、図４、図５Ａ、図５Ｂはサブフィールド法における１フィールド間の駆動波形を略式に記したもので、それぞれのサブフィールドの駆動電圧波形は図３の駆動電圧波形と同等なものである。
【００４３】
図４、図５Ａ、図５Ｂには、１フィールドを１０のサブフィールド（第１ＳＦ、第２ＳＦ、・・・、第１０ＳＦ）に分割し、各サブフィールドはそれぞれ、例えば（１、２、３、６、１１、１８、３０、４４、６０、８０）の輝度重みを持つサブフィールド構成を示している。そして、本実施の形態では、第１ＳＦの初期化期間では全セル初期化動作を行い、第２ＳＦ〜第１０ＳＦの初期化期間では選択初期化動作を行うものとする。また各サブフィールドの維持期間においては、それぞれのサブフィールドの輝度重みに所定の輝度倍率を乗じた数の維持パルスが表示電極対のそれぞれに印加される。
【００４４】
しかし、本実施の形態は、サブフィールド数や各サブフィールドの輝度重みが上記の値に限定されるものではなく、また、画像信号等にもとづいてサブフィールド構成を切換える構成であってもよい。
【００４５】
そして、上述したように、下りランプ波形電圧の初期化電圧Ｖｉ４の電圧値を２つの異なる電圧値、すなわち電圧値の高い方のＶｉ４Ｈとそれよりも電圧値の低いＶｉ４Ｌとで切換えて下りランプ波形電圧を発生させる構成としている。そして、後述するパネル温度判別回路によって判別されたパネル１０の温度状態に応じて、初期化電圧Ｖｉ４の電圧値をＶｉ４Ｌとした下りランプ波形電圧よって初期化を行うサブフィールドの、１フィールド期間における割合を変更するように構成している。
【００４６】
具体的には、パネル温度判別回路によってパネル１０の温度状態が低温ではないと判別された場合には、図５Ａに示すように、全てのサブフィールドの初期化期間において、初期化電圧Ｖｉ４をＶｉ４Ｈとした下りランプ波形電圧を発生させて初期化を行う。
【００４７】
パネル温度判別回路によってパネル１０の温度状態が低温と判別された場合には、図５Ｂに示すように、全てのサブフィールドの初期化期間において、初期化電圧Ｖｉ４をＶｉ４Ｌとした下りランプ波形電圧を発生させて初期化を行う。本実施の形態では、このような構成とすることにより、安定した書込み放電を実現している。これは、次のような理由による。
【００４８】
書込み放電に必要な壁電荷を各電極上に形成する初期化期間では、下りランプ波形電圧を走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに印加することによって初期化放電を発生させる。したがって、下りランプ波形電圧の最も低い初期化電圧Ｖｉ４の電圧値に応じて各電極上に形成される壁電荷の状態も変化し、続く書込み放電に必要な印加電圧も変化する。
【００４９】
図６は、本発明の実施の形態における初期化電圧Ｖｉ４と書込みパルス電圧との関係を示す図である。図６において、縦軸は安定した書込み放電を発生させるために必要な書込みパルス電圧Ｖｄを表し、横軸は初期化電圧Ｖｉ４を表す。
【００５０】
この図６に示すように、初期化電圧Ｖｉ４が低いほど、安定した書込み放電を発生させるために必要な書込みパルス電圧Ｖｄを低減することができる。例えば、初期化電圧Ｖｉ４が約−９０（Ｖ）のときの書込みパルス電圧Ｖｄが約６６（Ｖ）であるのに対し、初期化電圧Ｖｉ４が約−９５（Ｖ）のときの書込みパルス電圧Ｖｄは約５０（Ｖ）であり、初期化電圧Ｖｉ４を約−９０（Ｖ）から約−９５（Ｖ）にすることで、安定した書込み放電を発生させるために必要な書込みパルス電圧Ｖｄを約１６（Ｖ）低減することができる。
【００５１】
一方、初期化電圧Ｖｉ４と安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧Ｖａとには次のような関係がある。図７は、本発明の実施の形態における初期化電圧Ｖｉ４と走査パルス電圧との関係を示す図である。図７において、縦軸は安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧（振幅）を表し、横軸は初期化電圧Ｖｉ４を表す。
【００５２】
そして、この図７に示すように、初期化電圧Ｖｉ４が低いほど、安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧Ｖａは大きくなる。例えば、初期化電圧Ｖｉ４が約−９０（Ｖ）のときの走査パルス電圧の振幅が約１１０（Ｖ）であるのに対し、初期化電圧Ｖｉ４が約−９５（Ｖ）のときの走査パルス電圧の振幅は約１２０（Ｖ）であり、初期化電圧Ｖｉ４を約−９０（Ｖ）から約−９５（Ｖ）にすることで、安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧Ｖａは約１０（Ｖ）も大きくなってしまう。
【００５３】
このように、初期化電圧Ｖｉ４を低くすると、安定した書込み放電を発生させるために必要な書込みパルス電圧Ｖｄを低減できるが、それとは逆に、安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧Ｖａは大きくなってしまう。
【００５４】
一方、放電特性はパネル１０の温度に依存して変化し、放電遅れ（放電を発生させるための電圧を放電セルに印加してから実際に放電が発生するまでの時間遅れのこと）や、暗電流（放電とは無関係に放電セル内に生じる電流のこと）といった放電を不安定にする要素もパネル１０の温度に依存して変化する。また、パネル１０の温度が低温になると放電セルにおける暗電流が変化して壁電荷の消失（以下、「電荷抜け」と記す）が増加することもわかっている。したがって、安定した書込み放電を発生させるために必要な印加電圧もパネル１０の温度に依存して変化する。
【００５５】
図８は、本発明の実施の形態におけるパネルの温度と走査パルス電圧との関係を示す図である。図８において、縦軸は安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧（振幅）を表し、横軸はパネル１０の温度を表す。
【００５６】
そして、この図８に示すように、パネル１０の温度が低くなるほど、安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧Ｖａは低減される。例えば、パネル１０の温度が約７０（℃）のときの走査パルス電圧の振幅が約１０４（Ｖ）であるのに対し、パネル１０の温度が約３０（℃）のときの走査パルス電圧の振幅は約６６（Ｖ）であり、パネル１０の温度が約３０（℃）のときにはパネル１０の温度が約７０（℃）のときよりも、安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧Ｖａは約３８（Ｖ）も低くなる。
【００５７】
すなわち、パネル１０の温度が低温のときには、安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧Ｖａが低減されるため、初期化電圧Ｖｉ４を低く設定することができる。
【００５８】
そこで、本実施の形態では、パネル温度判別回路によりパネル１０の温度が低温と判別された場合には、初期化電圧Ｖｉ４をＶｉ４Ｈよりも電圧値の低いＶｉ４Ｌとする。これにより、安定した書込み放電を発生させるために必要な書込みパルス電圧Ｖｄを低減させ、データ電極Ｄ１〜Ｄｍに実際に印加される書込みパルス電圧Ｖｄを、安定した書込みを行わせるために必要な書込みパルス電圧Ｖｄに対して相対的に高め、安定した書込みを実現することができる。また、下りランプ波形電圧を走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに印加することによって発生する初期化放電はデータ電極Ｄ１〜Ｄｍ上部の壁電圧を弱める働きを有するが、初期化電圧Ｖｉ４をＶｉ４Ｌとすることで、下りランプ波形電圧を深い波形にして初期化放電の放電期間を長くすることができるので、データ電極Ｄ１〜Ｄｍ上部の壁電圧を弱める働きを強めて壁電圧を低くすることができる。こうして、選択されていない行の放電セルの壁電荷が奪われることを低減して、低温時に発生しやすい電荷抜けを防止することができる。
【００５９】
なお、この実験は表示電極対数１０８０対の５０インチのパネルを使用して行っており、上述した数値はそのパネルにもとづくものであって、本実施の形態は何らこれらの数値に限定されるものではない。
【００６０】
次に、本実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置の構成について説明する。図９は、本発明の実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置の回路ブロック図である。プラズマディスプレイ装置１は、パネル１０、画像信号処理回路５１、データ電極駆動回路５２、走査電極駆動回路５３、維持電極駆動回路５４、タイミング発生回路５５、パネル温度判別回路５８および各回路ブロックに必要な電源を供給する電源回路（図示せず）を備えている。
【００６１】
画像信号処理回路５１は、入力された画像信号ｓｉｇをサブフィールド毎の発光・非発光を示す画像データに変換する。データ電極駆動回路５２はサブフィールド毎の画像データを各データ電極Ｄ１〜Ｄｍに対応する信号に変換し各データ電極Ｄ１〜Ｄｍを駆動する。
【００６２】
パネル温度判別回路５８は、温度を検出するために用いられる熱電対等の一般に知られた素子からなる温度センサ８１を有し、温度センサ８１で検出されたパネル１０周辺の温度、すなわち筐体内部の温度からパネル１０の温度の推定値（以下、「パネル温度」と表記する）を算出する。パネル温度の算出方法としては、例えば、温度センサ８１が検出した温度にあらかじめ設定した補正値を加算する等の方法を用いることができる。そして、算出したパネル温度をあらかじめ定めた低温しきい値と比較してパネル温度が低温か否かを判断し、その判断の結果が切換わったときにそれを表す信号をタイミング発生回路５５に出力する。具体的には、パネル温度が低温から低温でない状態になったと判断したとき、すなわちパネル温度が低温しきい値未満から低温しきい値以上になったときと、パネル温度が低温でない状態から低温になったと判断したとき、すなわちパネル温度が低温しきい値以上から低温しきい値未満になったときとに、それぞれパネル温度が切換わったことを示す信号をタイミング発生回路５５に出力する。
【００６３】
なお、本実施の形態では、低温しきい値を５℃に設定しているが、何らこれらの数値に限定されるものではなく、パネルの特性やプラズマディスプレイ装置の仕様等にもとづいて最適な値に設定することが望ましい。
【００６４】
タイミング発生回路５５は水平同期信号Ｈ、垂直同期信号Ｖおよびパネル温度判別回路５８が判別したパネル１０の温度状態をもとにして各回路ブロックの動作を制御する各種のタイミング信号を発生し、それぞれの回路ブロックへ供給する。そして、上述したように、本実施の形態においては、初期化期間において走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに印加する下りランプ波形電圧の初期化電圧Ｖｉ４を、パネル温度にもとづいて制御しており、それに応じたタイミング信号を走査電極駆動回路５３に出力する。これにより、書込み動作を安定させる制御を行う。
【００６５】
走査電極駆動回路５３は、初期化期間において走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに印加する初期化波形を発生するための初期化波形発生回路、維持期間において走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに印加する維持パルスを発生するための維持パルス発生回路、書込み期間において走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに印加する走査パルス電圧を発生するための走査パルス発生回路を有し、タイミング信号にもとづいて各走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎをそれぞれ駆動する。維持電極駆動回路５４は、タイミング信号にもとづいて維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎを駆動する。
【００６６】
次に、走査電極駆動回路５３の詳細とその動作について説明する。図１０は、本発明の実施の形態における走査電極駆動回路５３の回路図である。走査電極駆動回路５３は、維持パルスを発生させる維持パルス発生回路１００、初期化波形を発生させる初期化波形発生回路３００、走査パルスを発生させる走査パルス発生回路４００を備えている。
【００６７】
維持パルス発生回路１００は、電力回収回路１１０とクランプ回路１２０とを備えている。電力回収回路１１０は、電力回収用のコンデンサＣ１００、スイッチング素子Ｑ１１１、スイッチング素子Ｑ１１２、逆流防止用のダイオードＤ１０１、ダイオードＤ１０２、共振用のインダクタＬ１００を有している。なお、電力回収用のコンデンサＣ１００は電極間容量Ｃｐに比べて十分に大きい容量を持ち、電力回収回路１１０の電源として働くように、後述する電圧値Ｖｓの半分の約Ｖｓ／２に充電されている。クランプ回路１２０は、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎを電圧Ｖｓにクランプするためのスイッチング素子Ｑ１２１、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎを０（Ｖ）にクランプするためのスイッチング素子Ｑ１２２を有している。さらに電圧源Ｖｓのインピーダンスを下げるための平滑コンデンサＣ１５０を有している。そして、タイミング発生回路５５から出力されるタイミング信号にもとづき維持パルス電圧Ｖｓを発生させる。
【００６８】
初期化波形発生回路３００は、スイッチング素子Ｑ３１１とコンデンサＣ３１０と抵抗Ｒ３１０とを有し所定の初期化電圧Ｖｉ２までランプ状に緩やかに上昇する上りランプ波形電圧を発生するミラー積分回路、スイッチング素子Ｑ３２２とコンデンサＣ３２０と抵抗Ｒ３２０とを有し電圧Ｖｉ４までランプ状に緩やかに低下する下りランプ波形電圧を発生するミラー積分回路、スイッチング素子Ｑ３１２を用いた分離回路およびスイッチング素子Ｑ３２１を用いた分離回路を備えている。そして、タイミング発生回路５５から出力されるタイミング信号にもとづき上述した初期化波形を発生させるとともに、全セル初期化動作における初期化電圧Ｖｉ２の制御を行う。なお、図１０には、ミラー積分回路のそれぞれの入力端子を入力端子ＩＮａ、入力端子ＩＮｂとして示している。
【００６９】
走査パルス発生回路４００は、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎのそれぞれに走査パルス電圧を出力するスイッチ回路ＯＵＴ１〜ＯＵＴｎと、スイッチ回路ＯＵＴ１〜ＯＵＴｎの低電圧側を電圧Ｖａにクランプするためのスイッチング素子Ｑ４０１と、スイッチ回路ＯＵＴ１〜ＯＵＴｎを制御するための制御回路ＩＣ１〜ＩＣｎと、電圧Ｖａに電圧Ｖｓｃｎを重畳した電圧Ｖｃをスイッチ回路ＯＵＴ１〜ＯＵＴｎの高電圧側に印加するためのダイオードＤ４０１およびコンデンサＣ４０１とを備えている。そしてスイッチ回路ＯＵＴ１〜ＯＵＴｎのそれぞれは、電圧Ｖｃを出力するためのスイッチング素子ＱＨ１〜ＱＨｎと電圧Ｖａを出力するためのスイッチング素子ＱＬ１〜ＱＬｎとを備えている。そして、タイミング発生回路５５から出力されるタイミング信号にもとづき、書込み期間において走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに印加する走査パルス電圧Ｖａを順次発生させる。なお、走査パルス発生回路４００は、初期化期間では初期化波形発生回路３００の電圧波形を、維持期間では維持パルス発生回路１００の電圧波形をそのまま出力する。
【００７０】
ここで、スイッチング素子Ｑ１２１、スイッチング素子Ｑ１２２、スイッチング素子Ｑ３１２、スイッチング素子Ｑ３２１には非常に大きな電流が流れるために、これらのスイッチング素子にはＦＥＴ、ＩＧＢＴ等を複数並列接続してインピーダンスを低下させている。
【００７１】
また、走査パルス発生回路４００は、論理積演算を行うアンドゲートＡＧと、２つの入力端子に入力される入力信号の大小を比較する比較器ＣＰとを備える。比較器ＣＰは、電圧Ｖａに電圧Ｖｓｅｔ２が重畳された電圧（Ｖａ＋Ｖｓｅｔ２）と駆動波形電圧とを比較し、駆動波形電圧の方が電圧（Ｖａ＋Ｖｓｅｔ２）よりも高い場合には「０」を、それ以外では「１」を出力する。アンドゲートＡＧには、２つの入力信号、すなわち比較器ＣＰの出力信号（ＣＥＬ１）と切換え信号ＣＥＬ２とが入力される。切換え信号ＣＥＬ２としては、例えば、タイミング発生回路５５から出力されるタイミング信号を用いることができる。そして、アンドゲートＡＧは、いずれの入力信号も「１」の場合には「１」を出力し、それ以外の場合には「０」を出力する。アンドゲートＡＧの出力は制御回路ＩＣ１〜ＩＣｎに入力され、アンドゲートＡＧの出力が「０」であればスイッチング素子ＱＬ１〜ＱＬｎを介して駆動波形電圧を、アンドゲートＡＧの出力が「１」であればスイッチング素子ＱＨ１〜ＱＨｎを介して電圧Ｖａに電圧Ｖｓｃｎが重畳された電圧Ｖｃを出力する。
【００７２】
なお、図示はしていないが、維持電極駆動回路５４の維持パルス発生回路は維持パルス発生回路１００と同様の構成であり、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎを駆動するときの電力を回収して再利用するための電力回収回路と、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎを電圧Ｖｓにクランプするためのスイッチング素子と、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎを０（Ｖ）にクランプするためのスイッチング素子とを有し、維持パルス電圧Ｖｓを発生させる。
【００７３】
なお、本実施の形態では、初期化波形発生回路３００として実用的であり比較的構成が簡単なＦＥＴを用いたミラー積分回路を採用しているが、何らこの構成に限定されるものではなく、上りランプ波形電圧および下りランプ波形電圧を発生することができる回路であればどのような回路であってもよい。
【００７４】
次に、初期化波形発生回路３００の動作と初期化電圧Ｖｉ４を制御する方法について、図面を用いて説明する。まず、図１１を用いて初期化電圧Ｖｉ４をＶｉ４Ｌにする場合の動作を説明し、次に、図１２を用いて初期化電圧Ｖｉ４をＶｉ４Ｈにする場合の動作を説明する。なお、図１１、図１２では全セル初期化動作時の駆動波形を例にして初期化電圧Ｖｉ４の制御方法を説明するが、選択初期化動作においても同様の制御方法により、初期化電圧Ｖｉ４を制御することができる。
【００７５】
また、図１１、図１２では、全セル初期化動作を行う駆動電圧波形を期間Ｔ１〜期間Ｔ５で示した５つの期間に分割し、それぞれの期間について説明する。また、電圧Ｖｉ１、電圧Ｖｉ３、電圧Ｖｉ３’は電圧Ｖｓに等しいものとし、電圧Ｖｉ２は電圧Ｖｒに等しいものとし、電圧Ｖｉ４Ｌは負の電圧Ｖａに等しいものとし、また、電圧Ｖｉ４Ｈは負の電圧Ｖａに電圧Ｖｓｅｔ２を重畳させた電圧（Ｖａ＋Ｖｓｅｔ２）に等しいものとして説明する。したがって、電圧Ｖｉ４Ｈは書込み期間における走査パルス電圧Ｖａよりも高い電圧値となり、電圧Ｖｉ４ＬＨは走査パルス電圧Ｖａと等しい電圧値となる。また、以下の説明においてスイッチング素子を導通させる動作をオン、遮断させる動作をオフと表記する。また、図面には、スイッチング素子をオンさせる信号を「Ｈｉ」、オフさせる信号を「Ｌｏ」と表記し、アンドゲートＡＧへの入力信号ＣＥＬ１、ＣＥＬ２も同様に、「１」を「Ｈｉ」、「０」を「Ｌｏ」と表記する。
【００７６】
図１１は、本発明の実施の形態における全セル初期化期間の走査電極駆動回路５３の動作の一例を説明するためのタイミングチャートである。なお、ここでは、初期化電圧Ｖｉ４をＶｉ４Ｌにするために、期間Ｔ１〜期間Ｔ５において切換え信号ＣＥＬ２は「０」に維持されており、走査パルス発生回路４００からは、スイッチング素子ＱＬ１〜ＱＬｎに入力される信号、すなわち初期化波形発生回路３００の電圧波形がそのまま出力される。
【００７７】
（期間Ｔ１）
まず、維持パルス発生回路１００のスイッチング素子Ｑ１１１をオンにする。すると、電極間容量ＣｐとインダクタＬ１００とが共振し、電力回収用のコンデンサＣ１００からスイッチング素子Ｑ１１１，ダイオードＤ１０１、インダクタＬ１００を通して走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎの電圧が上がり始める。
【００７８】
（期間Ｔ２）
次に、維持パルス発生回路１００のスイッチング素子Ｑ１２１をオンにする。するとスイッチング素子Ｑ１２１を介して走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに電圧Ｖｓが印加され、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎの電位は電圧Ｖｓ（本実施の形態では、電圧Ｖｉ１と等しい）となる。
【００７９】
（期間Ｔ３）
次に、上りランプ波形電圧を発生するミラー積分回路の入力端子ＩＮａを「Ｈｉ」にする。具体的には入力端子ＩＮａに、例えば電圧１５（Ｖ）を印加する。すると、抵抗Ｒ３１０からコンデンサＣ３１０に向かって一定の電流が流れ、スイッチング素子Ｑ３１１のソース電圧がランプ状に上昇し、走査電極駆動回路５３の出力電圧もランプ状に上昇し始める。そしてこの電圧上昇は、入力端子ＩＮａが「Ｈｉ」の間継続する。
【００８０】
この出力電圧が電圧Ｖｒ（本実施の形態では、電圧Ｖｉ２と等しい）まで上昇したら、その後、入力端子ＩＮａを「Ｌｏ」にする。具体的には入力端子ＩＮａに、例えば電圧０（Ｖ）を印加する。
【００８１】
このようにして、放電開始電圧以下となる電圧Ｖｓ（本実施の形態では、電圧Ｖｉ１と等しい）から、放電開始電圧を超える電圧Ｖｒ（本実施の形態では、電圧Ｖｉ２と等しい）に向かって緩やかに上昇する上りランプ波形電圧を走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに印加する。
【００８２】
（期間Ｔ４）
入力端子ＩＮａを「Ｌｏ」にすると走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎの電圧が電圧Ｖｓ（本実施の形態では、電圧Ｖｉ３と等しい）まで低下する。そしてその後スイッチング素子Ｑ１２１をオフにする。
【００８３】
（期間Ｔ５）
次に、下りランプ波形電圧を発生するミラー積分回路の入力端子ＩＮｂを「Ｈｉ」にする。具体的には入力端子ＩＮｂに、例えば電圧１５（Ｖ）を印加する。すると、抵抗Ｒ３２０からコンデンサＣ３２０に向かって一定の電流が流れ、スイッチング素子Ｑ３２２のドレイン電圧がランプ状に下降し、走査電極駆動回路５３の出力電圧もランプ状に下降し始める。そして、出力電圧が所定の負の電圧Ｖｉ４Ｌに至った後、入力端子ＩＮｂを「Ｌｏ」とする。具体的には入力端子ＩＮｂに、例えば電圧０（Ｖ）を印加する。
【００８４】
このとき、比較器ＣＰでは、この下りランプ波形電圧と、電圧Ｖａに電圧Ｖｓｅｔ２が加えられた電圧（Ｖａ＋Ｖｓｅｔ２）とが比較されており、比較器ＣＰからの出力信号は、下りランプ波形電圧が電圧（Ｖａ＋Ｖｓｅｔ２）以下となった時刻ｔ４において「０」から「１」に切換わる。しかし、期間Ｔ１〜期間Ｔ５において切換え信号ＣＥＬ２は「０」に維持されているため、アンドゲートＡＧからは「０」が出力される。したがって、走査パルス発生回路４００からは、初期化電圧Ｖｉ４を負の電圧Ｖａ、すなわちＶｉ４Ｌとした下りランプ波形電圧がそのまま出力される。
【００８５】
なお、ここではＶｉ４Ｌを負の電圧Ｖａと等しいとしたため、図１１では、下りランプ波形電圧がＶｉ４Ｌに到達した後その電圧を一定期間保持するような波形図となっているが、本実施の形態においてはなんらこの波形に限定されるものではなく、Ｖｉ４Ｌに到達した後すぐに電圧Ｖｃに切換わるような構成であってもかまわない。
【００８６】
以上のようにして、走査電極駆動回路５３は、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに対して、放電開始電圧以下となる電圧Ｖｉ１から放電開始電圧を超える電圧Ｖｉ２に向かって緩やかに上昇する上りランプ波形電圧を印加し、その後、電圧Ｖｉ３から初期化電圧Ｖｉ４Ｌに向かって緩やかに下降する下りランプ波形電圧を印加する。
【００８７】
なお、初期化期間終了後、続く書込み期間では、スイッチング素子Ｑ４０１をオンに維持したままとする。これにより、比較器ＣＰからの出力信号ＣＥＬ１は「１」に維持される。また、書込み期間では、切換え信号ＣＥＬ２を「１」にする。すると、アンドゲートＡＧの入力はともに「１」となって、アンドゲートＡＧからは「１」が出力される。これにより、走査パルス発生回路４００からは、負の電圧Ｖａに電圧Ｖｓｃｎが重畳された電圧Ｖｃが出力される。そして、ここでは図示していないが、負の走査パルス電圧を発生させるタイミングで切換え信号ＣＥＬ２を「０」にすることで、アンドゲートＡＧの出力信号は「０」となり、走査パルス発生回路４００からは負の電圧Ｖａが出力される。このようにして、書込み期間における負の走査パルス電圧を発生させることができる。
【００８８】
次に、図１２を用いて初期化電圧Ｖｉ４をＶｉ４Ｈにする場合の動作を説明する。図１２は、本発明の実施の形態における全セル初期化期間の走査電極駆動回路５３の動作の他の例を説明するためのタイミングチャートである。なお、ここでは、初期化電圧Ｖｉ４をＶｉ４Ｈにするために、期間Ｔ１〜Ｔ５’において切換え信号ＣＥＬ２を「１」にしている。また、図１２において、期間Ｔ１〜Ｔ４の動作は図１１に示した期間Ｔ１〜Ｔ４の動作と同様であるので、ここでは、図１１に示した期間Ｔ５と動作の異なる期間Ｔ５’について説明する。
【００８９】
（期間Ｔ５’）
期間Ｔ５’では、下りランプ波形電圧を発生するミラー積分回路の入力端子ＩＮｂを「Ｈｉ」にする。具体的には入力端子ＩＮｂに、例えば電圧１５（Ｖ）を印加する。すると、抵抗Ｒ３２０からコンデンサＣ３２０に向かって一定の電流が流れ、スイッチング素子Ｑ３２２のドレイン電圧がランプ状に下降し、走査電極駆動回路５３の出力電圧もランプ状に下降し始める。
【００９０】
このとき、比較器ＣＰでは、この下りランプ波形電圧と、電圧Ｖａに電圧Ｖｓｅｔ２が加えられた電圧（Ｖａ＋Ｖｓｅｔ２）とが比較されており、比較器ＣＰからの出力信号は、下りランプ波形電圧が電圧（Ｖａ＋Ｖｓｅｔ２）以下となった時刻ｔ５において「０」から「１」に切換わる。そして、このとき切換え信号ＣＥＬ２は「１」であるため、アンドゲートＡＧの入力はともに「１」となって、アンドゲートＡＧからは「１」が出力される。これにより、走査パルス発生回路４００からは、負の電圧Ｖａに電圧Ｖｓｃｎが重畳された電圧Ｖｃが出力される。したがって、この下りランプ波形電圧における最低電圧を（Ｖａ＋Ｖｓｅｔ２）、すなわちＶｉ４Ｈとすることができる。なお、入力端子ＩＮｂは、走査パルス発生回路４００からの出力が電圧Ｖｃとなってから初期化期間が終了するまでの間に「Ｌｏ」とする。
【００９１】
なお、ここでは、比較器ＣＰにおける比較結果でスイッチ回路ＯＵＴ１〜ＯＵＴｎを切換える構成としたため、図１２において、下りランプ波形電圧がＶｉ４Ｈに到達した後すぐに電圧Ｖｃに切換わるような波形図となっているが、本実施の形態においてはなんらこの波形に限定されるものではなく、Ｖｉ４Ｈに到達した後その電圧を一定期間保持するような構成であってもかまわない。
【００９２】
このように、本実施の形態では、走査電極駆動回路５３を図１０に示したような回路構成とすることで、電圧Ｖｓｅｔ２を所望の電圧値に設定するだけで、緩やかに下降する下りランプ波形電圧の最低電圧、すなわち初期化電圧Ｖｉ４の電圧値を簡単に制御することが可能になる。
【００９３】
なお、本実施の形態では全セル初期化動作における初期化電圧Ｖｉ４の制御について説明したが、選択初期化動作においては上りランプ波形電圧を発生させない点が異なるだけで下りランプ波形電圧の発生については上述と同様の動作であり、初期化電圧Ｖｉ４の制御も同様に行うことができる。
【００９４】
なお、初期化電圧Ｖｉ４を変化させるには、ここで説明した以外にも様々な方法が考えられる。例えば、電圧Ｖｉ３から電圧Ｖｉ４へ下降する傾斜の傾きを制御して電圧Ｖｉ４を高くしたり低くしたりすること等が考えられる。そして、本実施の形態においては、初期化電圧Ｖｉ４を変化させる方法は上述した方法に限定されるものではなく、それ以外の方法であってもかまわない。
【００９５】
なお、本実施の形態では、Ｖｓｅｔ２を１０（Ｖ）にすることでＶｉ４ＨをＶｉ４Ｌよりも１０（Ｖ）高い電圧としたが、何らこの電圧値に限定されるものではなく、パネルの特性やプラズマディスプレイ装置の仕様等に合わせて最適な値に設定することが望ましい。
【００９６】
以上説明したように、本実施の形態では、初期化電圧Ｖｉ４を、Ｖｉ４ＨとＶｉ４Ｈよりも電圧値の低いＶｉ４Ｌとで切換える構成とし、パネル温度に応じて初期化電圧Ｖｉ４をＶｉ４Ｌにした下りランプ波形電圧で初期化を行うサブフィールドの１フィールド期間における割合を変更する構成とする。すなわち、パネル温度判別回路５８においてパネル温度が低温と判断されたときには、全てのサブフィールドにおける下りランプ波形電圧の初期化電圧Ｖｉ４をＶｉ４Ｌとする。これにより、低温時に発生しやすい電荷抜けを防止するとともに、安定した書込みを実現する。
【００９７】
なお、本実施の形態では、パネル温度判別回路５８においてパネル温度が低温ではないと判断されたときには、全てのサブフィールドにおける下りランプ波形電圧の初期化電圧Ｖｉ４をＶｉ４Ｈとし、パネル温度が低温と判断されたときには、全てのサブフィールドにおける下りランプ波形電圧の初期化電圧Ｖｉ４をＶｉ４Ｌとする構成を説明したが、何らこの構成に限定されるものではなく、これ以外のサブフィールド構成であってもよい。
【００９８】
図１３Ａ、図１３Ｂは、本発明の実施の形態におけるサブフィールド構成の他の例を示す図である。パネル温度が低温ではない場合、所定のサブフィールド、例えば、図１３Ａに示すように、第２ＳＦ〜第４ＳＦは初期化電圧Ｖｉ４をＶｉ４Ｌにした下りランプ波形電圧で初期化を行うサブフィールドとし、それ以外のサブフィールドは初期化電圧Ｖｉ４をＶｉ４Ｈにした下りランプ波形電圧で初期化を行うサブフィールドとしてもよい。
【００９９】
また、パネル温度が低温の場合、所定のサブフィールド、例えば、図１３Ｂに示すように、第１０ＳＦは初期化電圧Ｖｉ４をＶｉ４Ｈにした下りランプ波形電圧で初期化を行うサブフィールドとし、それ以外のサブフィールドは初期化電圧Ｖｉ４をＶｉ４Ｌにした下りランプ波形電圧で初期化を行うサブフィールドとしてもよい。
【０１００】
また、パネルの温度検出を、低温、常温、高温の３つ、あるいはそれ以上に分け、温度が低くなるほど初期化電圧Ｖｉ４をＶｉ４Ｌにした下りランプ波形電圧で初期化を行うサブフィールドの数を増加させるようにしてもよい。
【０１０１】
このように、本実施の形態は、パネルの温度が低温時に、初期化電圧Ｖｉ４をＶｉ４Ｌにした下りランプ波形電圧で初期化を行うサブフィールドの１フィールド期間における割合を増加させる構成であればよく、こうすることで、安定した書込みを実現することが可能である。
【０１０２】
なお、本実施の形態は、Ｖｉ４Ｌの電圧値、Ｖｉ４Ｈの電圧値、初期化電圧Ｖｉ４を切換えるサブフィールド、サブフィールド構成等を上述した値に限定するものではなく、パネルの特性やプラズマディスプレイ装置の仕様等に合わせて最適な値に設定することが望ましい。
【０１０３】
また、パネルの温度を判別する際にヒステリシス特性を持たせると、パネル温度判別回路において検出されるパネル温度がしきい値付近にある場合に、初期化電圧Ｖｉ４の頻繁な変動を抑制できるのでさらに画像表示品質を向上させることができる。具体的には、２つの低温しきい値を設け、低温から低温でない状態へ切換えるときの低温しきい値（例えば、７℃）を、低温でない状態から低温へ切換える低温しきい値（例えば、５℃）よりも高く設定することで、ヒステリシス特性を持たせることが可能である。
【０１０４】
なお、本実施の形態では、放電ガスのキセノン分圧を１０％としたが、他のキセノン分圧であってもそのパネルに応じた駆動電圧に設定すればよい。
【０１０５】
また、本実施の形態において用いた具体的な各数値は、単に一例を挙げたに過ぎず、パネルの特性やプラズマディスプレイ装置の仕様等に合わせて、適宜最適な値に設定することが望ましい。
【０１０６】
以上説明したように、本実施の形態では、パネル温度判別回路によりパネル１０の温度が低温と判別された場合には、初期化電圧Ｖｉ４をＶｉ４Ｈよりも電圧値の低いＶｉ４Ｌとする。これにより、安定した書込み放電を発生させるために必要な書込みパルス電圧Ｖｄを低減させ、データ電極Ｄ１〜Ｄｍに実際に印加される書込みパルス電圧Ｖｄを、安定した書込みを行わせるために必要な書込みパルス電圧Ｖｄに対して相対的に高め、安定した書込みを実現することができる。また、初期化電圧Ｖｉ４をＶｉ４Ｌとすることで、下りランプ波形電圧を深い波形にして初期化放電の放電期間を長くすることができるので、データ電極Ｄ１〜Ｄｍ上部の壁電圧を弱める働きを強めて壁電圧を低くすることができる。こうして、選択されていない行の放電セルの壁電荷が奪われることを低減して、低温時に発生しやすい電荷抜けを防止することができる。
【産業上の利用可能性】
【０１０７】
本発明は、高輝度化、高精細化されたパネルであっても、書込み放電を発生させるために必要な電圧を高くすることなく、安定した書込み放電を発生させることができ、画像表示品質のよいプラズマディスプレイ装置およびパネルの駆動方法として有用である。
【図面の簡単な説明】
【０１０８】
【図１】本発明の実施の形態におけるパネルの構造を示す分解斜視図
【図２】同パネルの電極配列図
【図３】同パネルの各電極に印加する駆動電圧波形図
【図４】本発明の実施の形態におけるサブフィールド構成を示す駆動波形の概略図
【図５Ａ】本発明の実施の形態におけるサブフィールド構成を示す駆動波形の概略図
【図５Ｂ】本発明の実施の形態におけるサブフィールド構成を示す駆動波形の概略図
【図６】本発明の実施の形態における初期化電圧Ｖｉ４と書込みパルス電圧との関係を示す図
【図７】本発明の実施の形態における初期化電圧Ｖｉ４と走査パルス電圧との関係を示す図
【図８】本発明の実施の形態におけるパネルの温度と走査パルス電圧との関係を示す図
【図９】本発明の実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置の回路ブロック図
【図１０】本発明の実施の形態における走査電極駆動回路の回路図
【図１１】本発明の実施の形態における全セル初期化期間の走査電極駆動回路の動作の一例を説明するためのタイミングチャート
【図１２】本発明の実施の形態における全セル初期化期間の走査電極駆動回路の動作の他の例を説明するためのタイミングチャート
【図１３Ａ】本発明の実施の形態におけるサブフィールド構成の他の例を示す図
【図１３Ｂ】本発明の実施の形態におけるサブフィールド構成のさらに他の例を示す図
【符号の説明】
【０１０９】
１    プラズマディスプレイ装置
１０    パネル
２１    （ガラス製の）前面板
２２    走査電極
２３    維持電極
２４，３３    誘電体層
２５    保護層
２８    表示電極対
３１    背面板
３２    データ電極
３４    隔壁
３５    蛍光体層
５１    画像信号処理回路
５２    データ電極駆動回路
５３    走査電極駆動回路
５４    維持電極駆動回路
５５    タイミング発生回路
５８    パネル温度判別回路
８１    温度センサ
１００    維持パルス発生回路
１１０    電力回収回路
３００    初期化波形発生回路
４００    走査パルス発生回路
Ｑ１１１，Ｑ１１２，Ｑ１２１，Ｑ１２２，Ｑ３１１，Ｑ３１２，Ｑ３２１，Ｑ３２２，Ｑ４０１，ＱＨ１〜ＱＨｎ，ＱＬ１〜ＱＬｎ    スイッチング素子
Ｃ１００，Ｃ１５０，Ｃ３１０，Ｃ３２０，Ｃ４０１    コンデンサ
Ｒ３１０，Ｒ３２０    抵抗
ＩＮａ，ＩＮｂ    入力端子
Ｄ１０１，Ｄ１０２，Ｄ４０１    ダイオード
ＩＣ１〜ＩＣｎ    制御回路
ＣＰ    比較器
ＡＧ    アンドゲート
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３Ａ】
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【図１３Ｂ】
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