(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空に保持可能な処理容器内に酸化膜が形成された被処理体を設置するとともに、処理容器内にエッチングガスのプラズマを生成し、その中で被処理体の酸化膜をエッチングする酸化膜エッチング方法であって、
エッチングガスはＣ４Ｆ６ガスとＯ２ガスとを含み、Ｃ４Ｆ６ガスとＯ２ガスとの比Ｃ４Ｆ６／Ｏ２の値が１．０〜１．５であり、
エッチングの際の被処理体温度を８０℃以上とし、
前記プラズマを生成する機構が、相対向する一対の電極間に高周波電界を形成してプラズマを生成する容量結合型、かつ、前記被処理体が載置される電極にプラズマ生成用の高周波が印加されるＲＩＥタイプであり、複数の異方性セグメント磁石を前記処理容器の周囲にリング状に配置し、前記各異方性セグメント磁石の磁化の方向が、前記電極間に一様な一方向磁場が形成されるように設定されたダイポールリング磁石を有する磁場形成手段により、前記電極間に電界と直交する、３０００μＴ以上の磁場を形成しながらエッチングを行うことを特徴とする酸化膜エッチング方法。
【請求項２】
前記エッチングガスは、不活性ガスを含むことを特徴とする請求項１に記載の酸化膜エッチング方法。
【請求項３】
エッチングの際の処理容器内のガス圧力を１．３〜２６Ｐａ（１０〜２００ｍＴｏｒｒ）とすることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の酸化膜エッチング方法。
【請求項４】
エッチングの際の処理容器内へのＣ４Ｆ６ガスおよびＯ２ガスの流量を合計で０．０１〜０．０４Ｌ／ｍｉｎとすることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の酸化膜エッチング方法。
【請求項５】
エッチングの際のプラズマ密度が３×１０１０／ｃｍ３以上１×１０１１／ｃｍ３未満であることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の酸化膜エッチング方法。
【請求項６】
レジスト膜のエッチング部位のショルダー部分に対する酸化膜のエッチング選択比が５以上であることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の酸化膜エッチング方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハのような被処理体に形成された酸化膜をエッチングする酸化膜エッチング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近時、半導体デバイスは一層の高集積化が求められており、そのため、より微細なパターンを形成することが要求されている。このような要求を満たすべく、フォトリソグラフィー工程においては、微細パターンに対応して高解像度を得るために、ドライエッチングによるパターン形成の際に半導体ウエハ上に形成されるレジスト膜を薄く形成する必要がある。
【０００３】
一方、酸化シリコン膜のエッチングに際しては、Ｃ４Ｆ８ガスやＣ５Ｆ８ガスを主体とするエッチングガスのプラズマが用いられているが、これらのガスを用いたプラズマでは、レジストに対する酸化シリコン膜のエッチング選択比、つまりレジストのエッチング速度に対する酸化シリコンのエッチング速度の比が小さく、ドライエッチングの際に、特にコンタクトホールのショルダー部分でレジスト膜も相当量エッチングされてしまう。
【０００４】
したがって、微細化のためにレジスト膜を薄く形成している現状では、酸化シリコン膜のエッチングの際に、レジスト膜が十分にエッチングマスクとして機能しなくなるおそれがあり、高精度のパターン形成が困難となる場合が生じる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、酸化膜をドライエッチングする際に、レジストに対するエッチング選択比を高くすることができる酸化膜エッチング方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記課題を解決すべく研究を重ねた結果、酸化シリコン膜に代表される酸化膜のエッチングの際にＣ４Ｆ６ガスおよびＯ２ガスを用い、これらの比率を最適化することにより、レジストに対する酸化膜のエッチング選択比を従来よりも格段に向上させることができることを見出した。
【０００７】
本発明は、このような知見に基づいてなされたものであり、真空に保持可能な処理容器内に酸化膜が形成された被処理体を設置するとともに、処理容器内にエッチングガスのプラズマを生成し、その中で被処理体の酸化膜をエッチングする酸化膜エッチング方法であって、エッチングの際の被処理体温度を８０℃以上とし、前記プラズマを生成する機構が、相対向する一対の電極間に高周波電界を形成してプラズマを生成する容量結合型、かつ、前記被処理体が載置される電極にプラズマ生成用の高周波が印加されるＲＩＥタイプであり、複数の異方性セグメント磁石を前記処理容器の周囲にリング状に配置し、前記各異方性セグメント磁石の磁化の方向が、前記電極間に一様な一方向磁場が形成されるように設定されたダイポールリング磁石を有する磁場形成手段により、前記電極間に電界と直交する、３０００μＴ以上の磁場を形成しながらエッチングを行うことを特徴とする酸化膜エッチング方法を提供する。
【０００８】
この場合に、前記エッチングガスは、Ｃ４Ｆ６ガスとＯ２ガスの他にＡｒ等の不活性ガスを含むことが好ましい。また、エッチングの際の処理容器内のガス圧力は１．３〜２６Ｐａ（１０〜２００ｍＴｏｒｒ）とすることが好ましい。エッチングの際の処理容器内へのＣ４Ｆ６ガスおよびＯ２ガスの流量を合計で０．０１〜０．０４Ｌ／ｍｉｎとすることが好ましい。エッチングの際のプラズマ密度は３×１０１０／ｃｍ３以上１×１０１１／ｃｍ３未満であることが好ましい。
【００１０】
そして、本発明では、レジスト膜のエッチング部位のショルダー部分に対する酸化膜のエッチング選択比を５以上とすることができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。
ここでは、マグネトロンＲＩＥプラズマエッチング装置を用いて本発明の方法を実施する例について説明する。図１は、本発明に係る方法を実施するためのマグネトロンＲＩＥプラズマエッチング装置を示す断面図である。このエッチング装置は、気密に構成され、小径の上部１ａと大径の下部１ｂとからなる段つき円筒状をなし、壁部が例えばアルミニウム製のチャンバー（処理容器）１を有している。
【００１２】
このチャンバー１内には、被処理体である半導体ウエハＷを水平に支持する支持テーブル２が設けられている。支持テーブル２は例えばアルミニウムで構成されており、絶縁板３を介して導体の支持台４に支持されている。また、支持テーブル２の上方の外周には導電性材料、例えば単結晶シリコンで形成されたフォーカスリング５が設けられている。上記支持テーブル２と支持台４は、ボールねじ７を含むボールねじ機構により昇降可能となっており、支持台４の下方の駆動部分は、ステンレス鋼（ＳＵＳ）製のベローズ８で覆われている。ベローズ８の外側にはベローズカバー９が設けられている。なお、上記フォーカスリング５の外側にはバッフル板１０が設けられており、このバッフル板１０、支持台４、ベローズ８を通してチャンバー１と導通している。チャンバー１は接地されている。
【００１３】
チャンバー１の下部１ｂの側壁には、排気ポート１１が形成されており、この排気ポート１１には排気系１２が接続されている。そして排気系１２の真空ポンプを作動させることによりチャンバー１内を所定の真空度まで減圧することができるようになっている。一方、チャンバー１の下部１ｂの側壁上側には、半導体ウエハＷの搬入出口を開閉するゲートバルブ１３が設けられている。
【００１４】
支持テーブル２には、整合器１４を介してプラズマ形成用の高周波電源１５が接続されており、この高周波電源１５から所定の周波数、例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電力が支持テーブル２に供給されるようになっている。一方、支持テーブル２に対向してその上方には後で詳細に説明するシャワーヘッド２０が互いに平行に設けられており、このシャワーヘッド２０は接地されている。したがって、支持テーブル２およびシャワーヘッド２０は一対の電極として機能する。
【００１５】
支持テーブル２の表面上には半導体ウエハＷを静電吸着して保持するための静電チャック６が設けられている。この静電チャック６は絶縁体６ｂの間に電極６ａが介在されて構成されており、電極６ａには直流電源１６が接続されている。そして電極６ａに電源１６から電圧が印加されることにより、静電力例えばクーロン力によって半導体ウエハＷが吸着される。
【００１６】
支持テーブル２の内部には、冷媒室１７が設けられており、この冷媒室１７には、冷媒が冷媒導入管１７ａを介して導入され冷媒排出管１７ｂから排出されて循環し、その冷熱が支持テーブル２を介して半導体ウエハＷに対して伝熱され、これにより半導体ウエハＷの処理面が所望の温度に制御される。
【００１７】
また、チャンバー１が排気系１２により排気されて真空に保持されていても、冷媒室１７に循環される冷媒により半導体ウエハＷを有効に冷却可能なように、冷却ガスが、ガス導入機構１８によりそのガス供給ライン１９を介して静電チャック６の表面と半導体ウエハＷの裏面との間に導入される。このように冷却ガスを導入することにより、冷媒の冷熱が半導体ウエハＷに有効に伝達され、半導体ウエハＷの冷却効率を高くすることができる。
【００１８】
上記シャワーヘッド２０は、チャンバー１の天壁部分に支持テーブル２に対向するように設けられている。このシャワーヘッド２０は、その下面に多数のガス吐出孔２２が設けられており、かつその上部にガス導入部２０ａを有している。そして、その内部には空間２１が形成されている。ガス導入部２０ａにはガス供給配管２３ａが接続されており、このガス供給配管２３ａの他端には、エッチングガスを供給するエッチングガス供給系２３が接続されている。エッチングガス供給系２３は、Ｃ４Ｆ６ガス源２４、Ｏ２ガス源２５、Ａｒガス源２６を有しており、これらガス源からの配管には、マスフローコントローラ２７およびバルブ２８が設けられている。
【００１９】
そして、エッチングガスとしてのＣ４Ｆ６ガス、Ｏ２ガス、Ａｒガスが、エッチングガス供給系２３のそれぞれのガス供給源からガス供給配管２３ａ、ガス導入部２０ａを介してシャワーヘッド２０の空間２１に至り、ガス吐出孔２２から吐出される。
【００２０】
一方、チャンバー１の上部１ａの周囲には、同心状に、ダイポールリング磁石３０が配置されている。ダイポールリング磁石３０は、図２の水平断面図に示すように、複数の異方性セグメント柱状磁石３１がリング状の磁性体のケーシング３２に取り付けられて構成されている。この例では、円柱状をなす１６個の異方性セグメント柱状磁石３１がリング状に配置されている。図２中、異方性セグメント柱状磁石３１の中に示す矢印は磁化の方向を示すものであり、この図に示すように、複数の異方性セグメント柱状磁石３１の磁化の方向を少しずつずらして全体として一方向に向かう一様な水平磁界Ｂが形成されるようになっている。
【００２１】
したがって、支持テーブル２とシャワーヘッド２０との間の空間には、図３に模式的に示すように、高周波電源１５により鉛直方向の電界Ｅが形成され、かつダイポールリング磁石３０により水平磁界Ｂが形成され、このように形成された直交電磁界によりマグネトロン放電が生成される。これによって高エネルギー状態のエッチングガスのプラズマが形成され、半導体ウエハＷ上の酸化膜がエッチングされる。
【００２２】
次に、このように構成されるマグネトロンＲＩＥプラズマエッチング装置を用いて半導体ウエハ上の酸化シリコン膜に代表される酸化膜をエッチングする方法について説明する。
【００２３】
まず、ゲートバルブ１３を開にして半導体ウエハＷをチャンバー１内に搬入し、支持テーブル２に載置した後、支持テーブル２を図示の位置まで上昇させ、排気系１２の真空ポンプにより排気ポート１１を介してチャンバー１内を排気する。
【００２４】
そしてエッチングガス供給系２３からエッチングガスとしてＣ４Ｆ６ガス、Ｏ２ガスがチャンバー１内に導入される。また、必要に応じてＡｒガスも導入される。そして、Ｃ４Ｆ６ガスとＯ２ガスとの比Ｃ４Ｆ６／Ｏ２の値を１．０〜１．５としてエッチングを行う。これによりレジスト膜に対する酸化膜のエッチング選択比を上昇させることができる。
【００２５】
この際のチャンバー１内のガス圧力は特に限定されないが、好ましい範囲として１．３〜２６Ｐａ（１０〜２００ｍＴｏｒｒ）を採用することができる。また、Ｃ４Ｆ６ガスおよびＯ２ガスの流量も特に限定されるものではないが、合計で０．０１〜０．０４Ｌ／ｍｉｎであることが好ましい。Ａｒガスの流量も特に限定されないが、０〜１Ｌ／ｍｉｎの範囲が好ましい。なお、Ａｒガスの代わりに、他の不活性ガスを用いてもよい。
【００２６】
チャンバー１内をこのようなガス雰囲気とした状態で、高周波電源１５から支持テーブル２に所定の高周波電力を供給する。この際に、半導体ウエハＷは、直流電源１６から静電チャック６の電極６ａに所定の電圧が印加されることにより例えばクーロン力により静電チャック６に吸着保持されるとともに、上部電極であるシャワーヘッド２０と下部電極である支持テーブル２との間に高周波電界が形成される。シャワーヘッド２０と支持テーブル２との間にはダイポールリング磁石３０により水平磁界Ｂが形成されているので、半導体ウエハＷが存在する電極間の処理空間には直交電磁界が形成され、これによって生じた電子のドリフトによりマグネトロン放電が生成される。そしてこのマグネトロン放電により形成されたエッチングガスのプラズマにより半導体ウエハＷがエッチングされる。
【００２７】
このエッチングの際のプラズマ密度は、３×１０１０／ｃｍ３以上１×１０１１／ｃｍ３未満であることが好ましい。この範囲で高いエッチング選択比を得ることができる。プラズマ密度は高周波電源１５からの高周波電力により調整することが可能である。
【００２８】
また、エッチングの際にはプラズマの作用により半導体ウエハＷの温度が上昇するが、冷媒室１７を通流する冷媒により半導体ウエハＷの温度が所定の温度に制御される。通常、レジスト膜に対して高エッチング選択比を得るためには、温度が低いほうが有利であるが、加工形状など酸化膜のエッチング特性は温度が高いほうが良好な場合もある。本実施形態ではレジストに対する酸化膜のエッチング選択比を高くすることができるので、エッチング形状などを良好にする観点からエッチングの際の半導体ウエハ温度は５０℃以上とすることが好ましい。さらに好ましくは８０℃以上である。
【００２９】
ダイポールリング磁石３０は、半導体ウエハＷの直上のプラズマ密度を高くするために、対向電極である支持テーブル２およびシャワーヘッド２０の間の処理空間に磁場を印加するが、その効果を有効に発揮させるためには処理空間に３０００μＴ（３０Gauss）以上の磁場を形成するような強度の磁石であることが好ましい。
【００３０】
以上のように、エッチングの際のエッチングガスとしてＣ４Ｆ６ガスおよびＯ２ガスを含むものを用い、Ｃ４Ｆ６ガスとＯ２ガスとの比Ｃ４Ｆ６／Ｏ２の値を１．０〜１．５とすることにより、レジストに対する酸化膜のエッチング選択比を上昇させることができる。具体的には、レジスト膜のコンタクトホールのショルダー部における酸化膜のエッチング選択比が従来は高々４程度であったものを５以上とすることが可能となる。
【００３１】
また、チャンバー内圧力、Ｃ４Ｆ６ガスおよびＯ２ガスの流量、Ａｒガスの流量、プラズマ密度等を上記好ましい範囲とすることにより、エッチング選択比をさらに上昇させることが可能となる。
【００３２】
次に、本発明の効果を確認した実験について説明する。
エッチングガスとしてＣ４Ｆ６ガス、Ｏ２ガス、Ａｒガスを用い、Ａｒガス流量を０．５Ｌ／ｍｉｎと一定にしてＣ４Ｆ６ガスおよびＯ２ガスのトータルの流量およびこれらの比率を変化させて半導体ウエハ上に形成された酸化シリコンのエッチングを行った。ここでは、チャンバー内圧力は５．３２Ｐａ（４０ｍＴｏｒｒ）とし、サセプタに１３．５６ＭＨｚで１５００Ｗの高周波電力を印加するとともにダイポールリング磁石により半導体ウエハの存在空間に１２０００μＴ（１２０Gauss）の磁場を印加してプラズマを形成した。
【００３３】
このエッチングによる酸化シリコンのレジスト膜に対するエッチング選択比を求めた。エッチング選択比は、図４の（ａ）に示すように酸化シリコン膜４１の上のレジスト膜４２におけるコンタクトホール４３のショルダー部分４４のエッチングレートを基準にしたものと、図４の（ｂ）に示すようにレジスト膜４２における平坦部分４５を基準にしたものとについて求めた。その結果を図５の（ａ），（ｂ）に示す。図５の（ａ），（ｂ）は、いずれも横軸にはＣ４Ｆ６ガスおよびＯ２ガスの合計流量をとり、縦軸にはＣ４Ｆ６ガスとＯ２ガスとの比Ｃ４Ｆ６／Ｏ２の値をとって、これらとレジスト膜に対するエッチング選択比との関係を示すグラフであり、（ａ）がレジスト膜のショルダー部分を基準とした値を示し、（ｂ）がレジスト膜の平坦部分を基準とした値を示す。
【００３４】
図５の（ａ）に示すように、最もレジスト膜がエッチングされやすいショルダー部分を基準にした場合に、Ｃ４Ｆ６ガスとＯ２ガスとの比Ｃ４Ｆ６／Ｏ２の値が１．０〜１．５のときに、レジスト膜に対する酸化シリコン膜のエッチング選択比をほぼ５以上とすることができることが確認された。
【００３５】
また、Ｃ４Ｆ６ガスおよびＯ２ガスの合計流量は０．０１Ｌ／ｍｉｎ以上で良好な選択比が得られることが確認された。しかし、Ｃ４Ｆ６ガスおよびＯ２ガスの合計流量が０．０４Ｌ／ｍｉｎを超えるとエッチング選択比は高いが、膜の堆積（デポ）が多くなり、エッチングレートが小さくなった。したがって、Ｃ４Ｆ６ガスおよびＯ２ガスの合計流量は０．０１〜０．０４Ｌ／ｍｉｎの範囲が好ましいことが確認された。ただし、ガス流量の適正な範囲は、チャンバーの大きさ等の他の条件によって多少異なる。
【００３６】
図５の（ｂ）に示すように、レジスト膜の平坦部分を基準とした場合に、Ｃ４Ｆ６ガスとＯ２ガスとの比Ｃ４Ｆ６／Ｏ２の値が１．０〜１．５において、十分に大きいエッチング選択比が得られることが確認された。
【００３７】
比較のため、Ｃ４Ｆ６ガスに代えてＣ５Ｆ８ガスを用い、他は全く同様の条件でエッチングを行い、レジスト膜のショルダー部分および平坦部分に対する酸化シリコン膜のエッチング選択比を求めた。その結果を図６の（ａ），（ｂ）に示す。これらに示すように、ショルダー部分を基準とした場合および平坦部分を基準とした場合とも、Ｃ４Ｆ６ガスを用いた場合よりもレジスト膜に対する酸化シリコン膜のエッチング選択比が低くなっていることがわかる。
【００３８】
次に、上記Ｃ４Ｆ６ガスおよびＯ２ガスのトータルの流量およびこれらの比率を変化させて半導体ウエハ上に形成された酸化シリコンのエッチングを行った実験におけるプラズマ密度を求めた。その結果を図７に示す、図７は、横軸にＣ４Ｆ６ガスおよびＯ２ガスの合計流量をとり、縦軸にはＣ４Ｆ６ガスとＯ２ガスとの比Ｃ４Ｆ６／Ｏ２の値をとって、これらとプラズマ密度の関係を示すグラフである。この図から、Ｃ４Ｆ６ガスおよびＯ２ガスの良好なエッチング選択比が得られる範囲において、プラズマ密度が１０１０/ｃｍ３オーダーであることがわかる。
【００３９】
次に、Ｃ４Ｆ６ガス、Ｏ２ガス、Ａｒガスの流量を、それぞれ０．０１７Ｌ／ｍｉｎ、０．０１３Ｌ／ｍｉｎ、０．５Ｌ／ｍｉｎとして、高周波電力とチャンバー内ガス圧力とを変化させ、他は上記試験と同様にエッチングを行った。その際のプラズマ密度を図８に示す。図８は、横軸にチャンバー内のガス圧力をとり、縦軸に高周波電力をとって、これらとプラズマ密度との関係を示すグラフである。この図からプラズマ密度は高周波電力の上昇によって高まることがわかる。
【００４０】
この図８のラインＡおよびラインＢについて、レジスト膜のショルダー部分に対する酸化シリコン膜のエッチング選択比を求めた。その結果を図９の（ａ），（ｂ）に示す。すなわち、図９の（ａ）はガス圧力を５．６７Ｐａに固定して高周波電力とエッチング選択比との関係を示すものであり、（ｂ）は高周波電力を１７００Ｗに固定してガス圧力とエッチング選択比との関係を示すものである。図９の（ａ）に示すように、エッチング選択比は高周波電力が１７００Ｗでピークを示し、それよりも高周波電力が高くなってもかえってエッチング選択比が低下した。図８を参照してこの現象をプラズマ密度に置き換えると、プラズマ密度が約５．５×１０１０/ｃｍ３以上となってもエッチング選択比がかえって低下することを示している。このことから、エッチング選択比を向上させるためにはプラズマ密度が１０１０/ｃｍ３オーダーで十分なことが理解される。また、図９の（ｂ）に示すように、ガス圧力が５．６７Ｐａにおいてエッチング選択比のピークが見られた。
【００４１】
なお、本発明は上記実施形態に限定されることなく、種々変形可能である。例えば、上記実施形態ではマグネトロンＲＩＥプラズマエッチング装置の磁場形成手段としてダイポールリング磁石を用いたが、これに限るものではなく、磁場の形成も必須なものではない。また、本発明のエッチングガス比率を満たせば装置は問わず、ＲＩＥタイプに限らず他の容量結合型の装置や誘導結合型等の種々のプラズマエッチング装置を用いることができる。ただし、適度なプラズマ密度で高いエッチング選択比を得る観点から容量結合型のものが好ましい。また、Ｃ４Ｆ６ガスおよびＯ２ガスの他にＡｒガスを用いたが、これに限らず他の不活性ガスを用いてもよい。さらに、上記実施形態では酸化シリコン膜のエッチングについて説明したが、低誘電率膜など他の酸化膜であってもよい。
【００４２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、酸化膜をエッチングするにあたり、エッチングガスのＣ４Ｆ６ガスとＯ２ガスとの比Ｃ４Ｆ６／Ｏ２の値を１．０〜１．５とすることにより、レジストに対する酸化膜のエッチング選択比を従来よりも格段に向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る方法を実施するためのマグネトロンＲＩＥプラズマエッチング装置を示す断面図。
【図２】図１の装置のチャンバーの周囲に配置された状態のダイポールリング磁石を模式的に示す水平断面図。
【図３】チャンバー内に形成される電界および磁界を説明するための模式図。
【図４】エッチング選択比の求め方を説明するための図。
【図５】Ｃ４Ｆ６ガスとＯ２ガスとの比Ｃ４Ｆ６／Ｏ２の値およびＣ４Ｆ６ガスとＯ２ガスの合計流量とレジスト膜に対するエッチング選択比との関係を示すグラフ。
【図６】Ｃ５Ｆ８ガスとＯ２ガスとの比Ｃ５Ｆ８／Ｏ２の値およびＣ５Ｆ８ガスとＯ２ガスの合計流量と、レジスト膜に対するエッチング選択比との関係を示すグラフ。
【図７】Ｃ４Ｆ６ガスとＯ２ガスとの比Ｃ４Ｆ６／Ｏ２の値およびＣ４Ｆ６ガスとＯ２ガスの合計流量と、プラズマ密度との関係を示す図。
【図８】ガス圧力および高周波電力とプラズマ密度との関係を示す図。
【図９】高周波電力とレジスト膜に対するエッチング選択比との関係、およびガス圧力とレジスト膜に対するエッチング選択比との関係を示す図。
【符号の説明】
１；チャンバー（処理容器）
２；支持テーブル（電極）
１２；排気系
１５；高周波電源
１７；冷媒室
１８；ガス導入機構
２０；シャワーヘッド（電極）
２３；エッチングガス供給系
２４；Ｃ４Ｆ６ガス供給源
２５；Ｏ２ガス供給源
３０；ダイポールリング磁石
Ｗ；半導体ウエハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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