(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
内層回路を有する内層回路板の上に、樹脂層を形成し、内層に達する穴をあけ、穴内壁を金属化し、外層回路を形成するプリント配線板の製造方法において、樹脂層の表面に無電解銅めっきにより下地銅めっきを形成し、下地銅めっき表面にめっきレジストを形成して電気銅めっきにより回路の形状に導体を形成し、めっきレジストを除去してそのめっきレジストの下にあった下地銅めっきを、蟻酸を主成分とするエッチング液によりエッチング除去して外層回路を形成すると共に、その表面を粗化し、ベンゾトリアゾール水溶液にプリント配線板を浸漬し、さらに前記外層回路表面に樹脂層を形成するプリント配線板の製造方法。
【請求項２】
請求項１の方法で製造されたプリント配線板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プリント配線板の製造方法とその方法によって製造されたプリント配線板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子機器の軽薄短小化、多機能化及び高速化が進むと共に、ビルドアップ配線板が使用されてきており、バイアホールの微小化が進んでいる。このようなビルドアップ配線板の製造には、内層配線板に絶縁樹脂層を形成した後、炭酸ガスレーザを照射してバイアホールの穴あけを行い、デスミア処理後、無電解めっき等によってその層間接続用の穴内壁と絶縁樹脂層の表面の金属化を行った後、絶縁樹脂層の表面にめっきレジストを形成し、パターン電気めっきして回路導体を形成した後、めっきレジストを剥離しクイックエッチングにより、無電解めっきをエッチング除去することにより、回路を形成する方法がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
このビルドアップ多層配線板は、回路を形成するために無電解めっきをエッチング除去する時に回路となるパターンも同時にエッチング液によって削られる。
また、その上にさらに、回路が形成された基板を内層回路板として多層回路を形成するために熱硬化性樹脂との密着を促進するために、銅表面を酸化／還元する処理が一般的に行われている。この酸化／還元処理の前処理として過硫酸アンモニウム等の化学エッチング液で銅表面を薄くエッチング除去して酸化／還元処理を行っている。
この２回のエッチング処理により導体回路がエッチング除去され、配線の細りや断線等の歩留りが低下するという課題があり、また、断線が起きなかった場合でも、回路銅箔の厚さが薄くなるため、熱サイクル試験等の接続信頼性が低下するという課題があった。
【０００４】
本発明は、生産性に優れ、かつ接続信頼性の低下しない微細配線に適したプリント配線板の製造方法とその方法によって製造されたプリント配線板を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
発明は、以下のことを特徴とする。
（１）内層回路を有する内層回路板の上に、樹脂層を形成し、内層に達する穴をあけ、穴内壁を金属化し、外層回路を形成するプリント配線板の製造方法において、樹脂層の表面に無電解銅めっきにより下地銅めっきを形成し、下地銅めっき表面にめっきレジストを形成して電気銅めっきにより回路の形状に導体を形成し、めっきレジストを除去してそのめっきレジストの下にあった下地銅めっきを、蟻酸を主成分とするエッチング液によりエッチング除去して外層回路を形成すると共に、その表面を粗化し、ベンゾトリアゾール水溶液にプリント配線板を浸漬し、さらに前記外層回路表面に樹脂層を形成するプリント配線板の製造方法。
（２）（１）の方法で製造されたプリント配線板。
【０００６】
【発明の実施の形態】
本発明において、使用される樹脂は、熱硬化性樹脂を用いることが好ましく、中でもエポキシ樹脂であることがより好ましい。このようなエポキシ樹脂は、エポキシ樹脂及び硬化剤を含む熱硬化性樹脂組成物からなり、この熱硬化性樹脂組成物には、さらに、必要に応じて硬化促進剤、触媒、エラストマ、難燃剤などを加えてもよい。
【０００７】
エポキシ樹脂は、分子内にエポキシ基を有するものであればどのようなものでもよく、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、脂肪族鎖状エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールのジグリシジリエーテル化物、ナフタレンジオールのジグリシジリエーテル化物、フェノール類のジグリシジリエーテル化物、アルコール類のジグリシジルエーテル化物、及びこれらのアルキル置換体、ハロゲン化物、水素添加物などがある。これらは併用してもよく、エポキシ樹脂以外の成分が不純物として含まれていてもよい。
【０００８】
本発明で使用するエポキシ樹脂用硬化剤は、エポキシ樹脂を硬化させるものであれば、限定することなく使用でき、例えば、多官能フェノール類、アミン類、イミダゾール化合物、酸無水物、有機リン化合物およびこれらのハロゲン化物などがある。
【０００９】
多官能フェノール類の例として、単環二官能フェノールであるヒドロキノン、レゾルシノール、カテコール,多環二官能フェノールであるビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ナフタレンジオール類、ビフェノール類、及びこれらのハロゲン化物、アルキル基置換体などがある。更に、これらのフェノール類とアルデヒド類との重縮合物であるノボラック、レゾールがある。
【００１０】
アミン類の例としては、脂肪族あるいは芳香族の第一級アミン、第二級アミン、第三級アミン、第四級アンモニウム塩及び脂肪族環状アミン類、グアニジン類、尿素誘導体等がある。
【００１１】
これらの化合物の一例としては、Ｎ、Ｎ−ベンジルジメチルアミン、２−（ジメチルアミノメチル）フェノール、２、４、６−トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、テトラメチルグアニジン、トリエタノールアミン、Ｎ、Ｎ’−ジメチルピペラジン、１、４−ジアザビシクロ［２、２、２］オクタン、１、８−ジアザビシクロ［５、４、０］−７−ウンデセン、１、５−ジアザビシクロ［４、４、０］−５−ノネン、ヘキサメチレンテトラミン、ピリジン、ピコリン、ピペリジン、ピロリジン、ジメチルシクロヘキシルアミン、ジメチルヘキシルアミン、シクロヘキシルアミン、ジイソブチルアミン、ジ−ｎ−ブチルアミン、ジフェニルアミン、Ｎ−メチルアニリン、トリ−ｎ−プロピルアミン、トリ−ｎ−オクチルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、トリフェニルアミン、テトラメチルアンモニウムクロライド、テトラメチルアンモニウムブロマイド、テトラメチルアンモニウムアイオダイド、トリエチレンテトラミン、ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジフェニルエーテル、ジシアンジアミド、トリルビグアニド、グアニル尿素、ジメチル尿素等がある。
【００１２】
イミダゾール化合物の例としては、イミダゾール、２−エチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、４、５−ジフェニルイミダゾール、２−メチルイミダゾリン、２−フェニルイミダゾリン、２−ウンデシルイミダゾリン、２−ヘプタデシルイミダゾリン、２−イソプロピルイミダゾール、２、４−ジメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−エチルイミダゾリン、２−フェニル−４−メチルイミダゾリン、ベンズイミダゾール、１−シアノエチルイミダゾールなどがある。
【００１３】
酸無水物の例としては、無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、ピロメリット酸二無水物、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物等がある。
【００１４】
有機リン化合物としては、有機基を有するリン化合物であれば特に限定せれずに使用でき、例えば、ヘキサメチルリン酸トリアミド、リン酸トリ（ジクロロプロピル）、リン酸トリ（クロロプロピル）、亜リン酸トリフェニル、リン酸トリメチル、フェニルフォスフォン酸、トリフェニルフォスフィン、トリ−ｎ−ブチルフォスフィン、ジフェニルフォスフィンなどがある。
【００１５】
これらの硬化剤は、単独、あるいは、組み合わせて用いることもできる。
これらエポキシ樹脂用硬化剤の配合量は、エポキシ基の硬化反応を進行させることができれば、特に限定することなく使用できるが、好ましくは、エポキシ基１モルに対して、０．０１〜５．０当量の範囲で、特に好ましくは０．８〜１．２当量の範囲で使用する。
【００１６】
また、本発明の熱硬化性エポキシ樹脂組成物には、必要に応じて硬化促進剤を配合してもよい。代表的な硬化促進剤として、第三級アミン、イミダゾール類、第四級アンモニウム塩等があるが、これに限定されるものではない。
【００１７】
本発明の配線板用樹脂組成物には、さらに、セラミック系ウイスカーを加えることができる。このようなセラミック系ウィスカーは、弾性率が２００ＧＰａ以上であることが好ましく、２００ＧＰａ未満では、配線板材料あるいは配線板として用いたときに十分な剛性が得られない。
このようなものとして、例えば、硼酸アルミニウム、ウォラストナイト、チタン酸カリウム、塩基性硫酸マグネシウム、窒化けい素、及びα−アルミナの中から選ばれた１以上のものを用いることができる。なかでも、硼酸アルミニウムウィスカーと、チタン酸カリウムウィスカーは、モース硬度が、一般的なプリプレグ基材に用いるＥガラスとほぼ同等であり、従来のプリプレグと同様のドリル加工性を得ることができる。硼酸アルミニウムウィスカーは、弾性率がほぼ４００ＧＰａと高く、樹脂ワニスと混合し易く、さらに好ましい。
【００１８】
このウィスカーの平均直径は、０．３μｍ〜３μｍであることが好ましく、さらには、０．５μｍ〜１μｍの範囲がさらに好ましい。このウィスカーの平均直径が、０．３μｍ以下であると、樹脂ワニスへの混合が困難となり、３μｍを越えると、微視的な樹脂への分散が十分でなく、表面の凹凸が大きくなり好ましくない。
また、この平均直径と平均長さの比は、１０以上であることが、さらに剛性を高めることができ、好ましい、さらに好ましくは、２０以上である。この比が１０未満であると、繊維としての補強効果が小さくなる。この平均長さの上限は、１００μｍであり、さらに好ましくは５０μｍである。この上限を越えると、樹脂ワニス中への分散が困難となる他、２つの導体回路に１つのウィスカーが接触する確率が高くなり、ウィスカーの繊維に沿って銅イオンのマイグレーションが発生する確率が高くなる。
【００１９】
また、多層プリント配線板の、剛性、耐熱性及び耐湿性を高めるために、樹脂との濡れ性や結合性に優れたカップリング剤で表面処理した電気絶縁性のウィスカーを使用することが好ましく、このようなカップリング剤として、シリコン系カップリング剤、チタン系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤、ジルコニウム系カップリング剤、ジルコアルミニウム系カップリング剤、クロム系カップリング剤、ボロン系カップリング剤、リン系カップリング剤、アミノ酸系カップリング剤等から選択して使用することができる。
【００２０】
熱硬化性樹脂とセラミック系ウィスカーの割合は、硬化した樹脂中のウィスカーの体積分率が５％〜５０％の範囲となるように調整することが好ましい。硬化した樹脂中のウィスカーの体積分率が５％未満であると、銅箔付プリプレグ（銅箔／熱硬化性樹脂層）が切断時に樹脂が細かく砕けて飛散するなど、取扱が著しく困難であり、配線板としたときに剛性が低くなる。一方ウィスカーの体積分率が５０％を越えると、加熱加圧成形時の穴や回路間隙への埋め込みが不十分となり、成形後にボイドやかすれを発生し、絶縁性が低下する。また、樹脂とウィスカーの割合は、硬化した樹脂中のウィスカーの体積分率は、２０〜４０％であることが、さらに好ましい。
【００２１】
また、本発明の樹脂と金属層からなる積層板は、上記の樹脂組成物を、メチルエチルケトンやイソプロピルアルコールなどのような溶剤に溶解して樹脂ワニスとしたものをガラス布に含浸したプリプレグとし、加熱・乾燥して半硬化状にしたものと銅箔やアルミニウム箔などの金属箔と重ね、加熱・加圧して積層一体化したものや、金属箔にその樹脂ワニスをブレードコータ、ロッドコータ、ナイフコータ、スクイズコータ、リバースロールコータ、トランスファロールコータ等によって、均一な厚さに塗布し、加熱・乾燥して半硬化状にしたもの、あるいは、そのような金属箔付樹脂層を、内層回路板の上に重ね、加熱・加圧して積層一体化したもの、上記のプリプレグを加熱硬化した樹脂板の上にめっきしたもの、内層回路板の上に、その樹脂ワニスをブレードコータ、ロッドコータ、ナイフコータ、スクイズコータ、リバースロールコータ、トランスファロールコータ等によって、均一な厚さに塗布し、加熱・乾燥して硬化したものの表面にめっきしたもの、あるいは、金属箔付樹脂層を、内層回路板の上に重ね、加熱・加圧して積層一体化したものから金属箔をエッチング除去した後にその表面にめっきをしたものなどがある。
【００２２】
内層回路を形成した内層回路板には、通常のプリント配線板に用いる内層回路板を用いることができ、プリント配線板用銅張り積層板の不要な銅箔をエッチング除去して回路を形成したもの、あるいは必要に応じて、プリント配線板用両面銅張り積層板に穴をあけ、無電解めっきを行って穴内壁にめっき金属を形成し、さらに必要ならば電解めっきを行って回路導体に必要な厚さとし、不要な銅箔とめっき金属をエッチング除去して回路を形成したものが使用できる。
【００２３】
内層回路を形成した内層回路板の上に、上記の金属箔付樹脂層を、重ね、加熱・加圧して積層一体化した後に、内層回路に達する穴を、この金属箔の上から、レーザを照射してあけることができる。また、金属箔の厚さが厚い場合には、一旦金属箔をエッチング除去して、めっきによって金属層を形成した後に、その金属層の上からレーザを照射してバイアホールをあけることができる。このときには、めっきの前に樹脂層を粗化しておくことが好ましく、一般的な酸性の酸化性粗化液やアルカリ性の酸化性粗化液を用いることができる。例えば、酸性の酸化性粗化液としては、クロム／硫酸粗化液があり、アルカリ性の酸化性粗化液は過マンガン酸カリウム粗化液等を用いることができる。
樹脂層を酸化性の粗化液で粗化した後は、絶縁樹脂表面の酸化性粗化液を化学的に中和する必用があるが、これも一般的な手法を取り入れることができる。
例えば、クロム／硫酸粗化液を用いたときには、亜硫酸水素ナトリウム１０ｇ／ｌを用いて室温で５分間処理し、また、過マンガン酸カリウム粗化液を用いたときには、硫酸１５０ｍｌ／ｌと過酸化水素水１５ｍｌ／ｌの水溶液に室温で５分間浸漬して中和を完了させるなどである。
【００２４】
レーザ照射によるあなあけに用いるレーザ加工機のレーザの種類については、炭酸ガスレーザ、ＵＶ−ＹＡＧレーザ等、特に制限されない。穴あけ条件は、金属箔の厚さと樹脂の種類及び樹脂の厚さにより調整しなければならず、実験的に求めるのが好ましく、エネルギー量としては、０．００１Ｗ〜１Ｗの範囲内であって、レーザ発振用の電源をパルス状に印加し、一度に大量のエネルギーが集中しないよう制御しなければならない。この穴あけ条件の調整は、内層回路板の内層回路に達する穴があけられることと、穴径をできるだけ小さくするために、レーザ発振用の電源を駆動するパルス波形デューティー比で１／１０００〜１／１０の範囲で、１〜２０ショット（パルス）であることが好ましい。波形デューティー比が１／１０００未満であると穴をあけるのに時間がかかりすぎ効率的でなく、１／１０を越えると照射エネルギーが大きすぎて穴径が１ｍｍ以上に大きくなり実用的でない。ショット（パルス）数は、穴内の接着剤が内層回路に達するところまで蒸発できるようにする数を実験的に求めればよく、１ショット未満では穴があけられず、２０ショットを越えると、１ショットのパルスの波形デューティー比が１／１０００近くであっても穴径が大きくなり実用的でない。
また、金属層の表面は、あまりに平滑であると、レーザ光を反射してしまい蒸散しないこともあるので、適当に粗化してあることが好ましい。粗化の程度は、レーザ光を吸収できる程度の色相を呈すればよく、例えば、塩化第二銅と塩酸からなる化学エッチング液や過硫酸アンモニウム溶液などで表面の金属色が曇る程度でよい。
【００２５】
バイアホールを形成した後に、バイアホール内の接着剤のかすを除去するためのにデスミア処理を行うことが好ましく、このデスミア処理は、一般的な酸性の酸化性粗化液やアルカリ性の酸化性粗化液を用いることができる。例えば、酸性の酸化性粗化液としては、クロム／硫酸粗化液があり、アルカリ性の酸化粗化液は過マンガン酸カリウム粗化液等を用いることができる。
樹脂層を酸化性の粗化液で粗化した後は、絶縁樹脂表面の酸化性粗化液を化学的に中和する必用があるが、これも一般的な手法を取り入れることができる。
例えば、クロム／硫酸粗化液を用いたときには、亜硫酸水素ナトリウム１０ｇ／ｌを用いて室温で５分間処理し、また、過マンガン酸カリウム粗化液を用いたときには、硫酸１５０ｍｌ／ｌと過酸化水素水１５ｍｌ／ｌの水溶液に室温で５分間浸漬して中和を完了させるなどである。
【００２６】
このようにした後に外層回路としての導体を形成するために行う銅めっきは、無電解めっきと同じ方法でもよいし、薄く無電解めっきした後に、たとえば、硫酸銅浴やピロリン酸銅浴のような電解めっきを行って回路導体に必要な厚さとすることができる。このときに重要なのは、形成したバイアホールの内壁に無電解めっきをし、内層回路導体と外層回路とを接続するめっき銅を形成することである。その後に、回路導体の厚さが１〜１５μｍ位の厚さならば無電解めっきでも形成できるし、１５μｍを越えるようならば電解めっきを併用することもできる。好ましくは、精密な配線を形成するには、無電解めっきで形成するのが表面が平坦になり好ましい。また、めっきの前にめっきレジストを形成し、回路の形状にのみめっきを行うことによって回路を形成する。
このようにして銅めっきした後、めっきレジストを剥離除去し、その下にあった薄い銅めっきをエッチング除去して回路を形成する。
【００２７】
導体回路の表面処理液としては、種々のものが使用できるが、エッチング速度及び表面の凹凸の形成性等の点から蟻酸を主成分とするエッチング液が好ましい。
【００２８】
【実施例】
実施例１
図１（ａ）に示すように、厚さ０．４ｍｍのガラス布−エポキシ樹脂含浸両面銅張り積層板であるＭＣＬ−６７９（日立化成工業株式会社製、商品名）を使用し、穴あけ、無電解銅めっきを行い、スルーホール１０１に穴埋め材として熱硬化性樹脂Ｍ−６５０ＴＨ（製、商品名）を印刷穴埋めし加熱・硬化させ通常のサブトラクト法によって穴埋めしたスルーホール１０１を有する内層回路１を形成した内層板を作製した。その後に、熱風乾燥機を用い１３０℃、３０分間加熱乾燥した。
図１（ｂ）に示すように、熱硬化性樹脂層４としてビルドアップフィルムＡＳ−９０００Ｅ（日立化成工業株式会社製、商品名）と内層板とを重ね１７０℃で、６０分間、２．５ＭＰａの圧力で、加熱・加圧して積層一体化した。
図１（ｃ）に示すように、前記硬化した熱硬化性樹脂層４を、炭酸ガスレーザによって、エネルギー密度２０Ｊ／ｃｍ2、発振時間５μｓｅｃ、発振周波数５００Ｈｚ、４パルスの条件で、照射することにより、前記内層板の内層回路１が露出するまで除去して、ＩＶＨ５を形成した。
前記硬化した熱硬化性樹脂層４の基板表面とＩＶＨ５の壁面を、粗化剤である７％のアルカリ過マンガン酸水溶液を用いて、液温７０℃、時間１０分間の条件で粗化した。
前記粗化を施した基板の表面及びバイアホール壁面に無電解銅めっき触媒付与処理液であるＨＳ−２０２Ｂ（日立化成工業株式会社製、商品名）に、室温で１０分間基板を接触させ基板表面及びバイアホール壁面に触媒を付与した。
図１（ｄ）に示すように、前記触媒を付与した基板の表面及びバイアホールの壁面に、無電解銅めっき液であるＣＵＳＴ−２０１（日立化成工業株式会社製、商品名）に、基板を浸漬し無電解銅めっき６を０．３μｍの厚さに行った。めっき膜厚の測定は、ＳＦＴ８０００（セイコー電子株式会社製、商品名）を使用した。
前記無電解銅めっき６の表面に、ドライフィルムであるフォテックＲＹ３０２５（日立化成工業株式会社製、商品名）をラミネートし、間隙となる部分にめっきレジスト７を形成した。
図１（ｅ）に示すように、前記めっきレジスト７を形成した基板を、硫酸銅めっき液を用いて導体回路の厚さが１５μｍとなるように電気めっきを行った。
前記電気めっきを行った基板を、剥離液ＲＳ−２０００（アトテック製、商品名）を用いて、５０℃、スプレイ圧２．０ｋｇ／ｃｍ2、１分間の条件で一般的なスプレー式剥離機を用いてめっきレジストを剥離した。
図１（ｆ）に示すように、無電解銅めっき６の上にパターンめっきが施された基板の、下地銅の除去と導体回路の表面に凹凸を形成する液として、ＣＺ−８１００（メック株式会社製、商品名）を用いて下地銅と導体回路表面の粗化を同時に行った。エッチング量は、３μｍの設定で行った。
熱処理を１５０℃、６０分間の条件で一般的な熱風乾燥機を用いて行った。
前記下地銅が除去された基板の樹脂表面が露出した部分のめっき触媒を除去するために、粗化剤である７％のアルカリ過マンガン酸水溶液を用いて、液温７０℃、時間５分間の条件で処理した。
工程ｎ．
銅表面の酸化防止のため、ベンゾトリアゾール１ｗｔ％水溶液に基板を浸漬した。
工程ｂ〜ｎまでの工程を繰り返し、２層ビルドアップ基板を作製した。
【００２９】
参考例１
実施例１のエッチング液に変えて、ＮＢＤ（荏原電産株式会社製、商品名）を使用した以外は、実施例１と同様にして作製した。
【００３０】
参考例２
実施例１のエッチング液に変えて、ＣＰＥ−９００（三菱瓦斯化学製、商品名）を使用した以外は、実施例１と同様にして作製した。
【００３１】
比較例１
実施例１のエッチング液に変えて、過硫酸アンモニウムを無電解めっき銅のエッチング液として使用した。
【００３２】
比較例２
実施例１のエッチング液に変えて、塩化第二銅エッチング液を無電解めっき銅のエッチング液として使用した。
【００３３】
比較例３
実施例１のエッチング液に変えて、塩化第二鉄エッチング液を無電解めっき銅のエッチング液として使用した。
【００３４】
以上のように作製した基板に、以下の試験を行った。結果を表１に示す。
（試験）
・気相熱衝撃試験：熱衝撃試験器サーマショックチャンバーＴＳＲ−１０３（ＴＡＢＡＩ製、商品名）を用い−６５℃、３０分⇔１２５℃、３０分の条件を１サイクルとし、接続抵抗の変化を測定した。接続抵抗の測定には、ヒューレットパッカード製マルチメータ３４５７Ａを用いて測定した。
【００３５】
【表１】
0004478844.tif 000002
（微細配線形成性）
・×：Ｌ／Ｓ＝５０μｍ／５０μｍ      配線形成不可
・○：Ｌ／Ｓ＝３０μｍ／３０μｍ      配線形成可能
・◎：Ｌ／Ｓ＝２０μｍ／２０μｍ      配線形成可能
（気相熱衝撃試験）
・×：５００サイクル未満で導通抵抗変化率１０％以上
・○：５００サイクル以上１０００サイクル未満で導通抵抗変化率１０％以上
・◎：１０００サイクル以上で導通抵抗変化率１０％未満
【００３６】
【発明の効果】
以上に説明したとおり、本発明によって、層間の薄型化、配線の微細化、また、ＩＶＨの接続信頼性に優れ、生産性に優れた多層プリント配線板の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）〜（ｆ）は、それぞれ本発明の一実施例を説明するための各工程を示す断面図である。
【符号の説明】
１．内層回路                          ２．穴埋め材
３．内層回路板                        ４．熱硬化性樹脂
５．ＩＶＨ                            ６．無電解銅めっき
７．めっきレジスト                    ８．無電解めっき銅エッチング
９．ビルドアップ基板
【図１】
0004478844.tif 000003