(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
情報記録媒体に対し、所定のライトストラテジを用いて記録符号を記録する情報記録方法において、
前記情報記録媒体に、複数の奇数長マークと複数の偶数長マークとがランダムに配置されて構成されたランダム信号を記録し、
当該ランダム信号の再生信号を、前記奇数長マークに対応する再生信号と前記偶数長マークに対応する再生信号とに弁別し、
当該弁別された再生信号をもとに、前記ライトストラテジを構成する記録パルスの位置条件を設定することを特徴とする情報記録方法。
【請求項２】
請求項１に記載の情報記録方法において、
前記奇数長マークに対応する再生信号を用いて、前記ライトストラテジを構成する記録パルスのうち、奇数長マークを記録する際に使用する記録パルスの位置条件を設定し、
前記偶数長マークに対応する再生信号を用いて、前記ライトストラテジを構成する記録パルスのうち、偶数長マークを記録する際に使用する記録パルスの位置条件を設定することを特徴とする情報記録方法。
【請求項３】
請求項２に記載の情報記録方法において、
前記設定された偶数長マーク用の記録パルスの始端パルス照射開始位置と、奇数長マーク用の記録パルスの始端パルス照射開始位置とを更に調整することを特徴とする情報記録方法。
【請求項４】
請求項１に記載の情報記録方法において、
前記ライトストラテジとして、ｎを自然数、検出窓幅をＴとしてｎＴ系ライトストラテジと表現されるライトストラテジを用い、
前記ランダム信号の再生信号を、前記ｎを２以上の整数で除算した剰余と前記Ｔの積で表現されるマーク長のマークに対する再生信号毎に弁別し、
当該弁別された再生信号をもとに、前記剰余と前記Ｔの積で表現されるマーク長のマークを記録するために使用される記録パルスの位置条件を設定することを特徴とする情報記録方法。
【請求項５】
請求項４に記載の情報記録方法において、
前記ｎＴ系ライトストラテジとして、３Ｔ系ライトストラテジまたは４Ｔ系ライトストラテジを用いることを特徴とする情報記録方法。
【請求項６】
情報記録媒体に対し、所定のライトストラテジを用いて記録符号を記録する際の記録条件を設定するための試し書き方法であって、
前記情報記録媒体に、複数の奇数長マークと複数の偶数長マークとがランダムに配置されて構成されたランダム信号を記録し、
当該ランダム信号の再生信号を、前記奇数長マークに対応する再生信号と前記偶数長マークに対応する再生信号とに弁別し、
当該弁別された再生信号をもとに、前記ライトストラテジを構成する記録パルスの位置条件を設定することを特徴とする試し書き方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、記録媒体にエネルギーを注入して未記録部とは異なるマークを形成すること
によって情報を記録するための試し書き方法、情報記録方法及び記録装置に関するもので
ある。
【背景技術】
【０００２】
光ディスクに精度良く情報を記録するために，試し書きが行われている。試し書きとは
，より良い品質の記録マークを形成するため，そのときの環境温度やドライブに搭載され
ているレーザの特性等に応じて，最適記録パラメータを求める動作を指す。ＤＶＤ−ＲＷ
，ＤＶＤ＋ＲＷ，ＢＤ−ＲＥなどの光ディスクは，記録膜にいわゆる共晶系と呼ばれる組
成の材料を用いている。現在製品化されている記録装置では，通常，これらの光ディスク
に試し書きを行う場合，まず光ディスクに予め書かれた記録条件を読み出し，その後レー
ザパワーの調整を行う。ここでいう記録条件とは，例えば，高レーザパワーである記録パ
ワーレベル（Ｐｗ）と中間パワーである消去パワーレベル（Ｐｅ），バイアスパワーレベ
ル（Ｐｂ）で表されるレーザパワー設定値や，マルチパルス波形を構成している始端パル
スと後続する複数個の中間パルス及び後端パルスの各パルス幅などである。
【０００３】
実際の試し書きでは，これらの記録条件を元に，光ディスクに予め書き込まれたＰ０と
Ｐｅの比を固定し，レーザパワーをパラメータとして記録最適条件を求める手法を採用し
ている。この方法をＯｐｔｉｍｕｍ  Ｐｏｗｅｒ  Ｃｏｎｔｒｏｌ（ＯＰＣ）という。Ｂ
Ｄ１倍速あるいはＤＶＤ−ＲＷ２．４倍速など，比較的低速での記録では，このようなＰ
ｗ／Ｐｅ一定でのレーザパワーのみを変化させた試し書きをすることで良好な記録品質を
得ることができた。
【０００４】
これらの光ディスクにおける高速記録再生技術の研究開発が進んでいる。例えば，Opti
cal Data Storage 2003, Proceedings of SPIE Vol.5069(2003),p130（非特許文献１）に
は，ＢＤ6倍速に相当する記録速度２１６Ｍｂｐｓでの記録技術が述べられている。記録
速度の高速化に伴い，高速化に適した記録波形，いわゆる２T系ストラタジの研究も進め
られてきている。２T系ストラタジとは、隣り合った１対の偶数長マークと奇数長マーク
の記録パルス数を同じにした記録波形をいう。具体的には，図２に示すように，例えば最
短マーク長が２Tマークの場合，２Tマークと３Tマークでは１つの矩形パルスを発生し，
４Tマークと５Tマークでは始端パルスと後端パルスの２つのパルスを発生する。６Tマー
クと７Tマークは始端パルス，１個の中間パルス，後端パルスの計３個のパルスを発生す
る。
【０００５】
この２T系ストラタジの例として、特開平９−１３４５２５号公報（対応USP5,732,062
、特許文献１）には、始端パルスと後続する複数個の中間パルス及び後端パルスからなる
マルチパルス記録方式において，記録チャンネルクロック周期に対する偶数長と奇数長の
いずれか一方のマーク長を記録する場合に，始端パルスと後端パルスのパルス幅を記録チ
ャンネルクロック周期と略同一とすることが記載されている。
【０００６】
また、特開平１１−１７５９７６号公報（対応USP6,256,277、特許文献２）では，マル
チパルス中の最短パルス幅を検出窓幅の１/２倍より長くなるように記録波形を組むとい
う手法が提案されている。これにより，記録媒体の冷却時間が十分確保できるようになり
，あるいはレーザ駆動電流の周波数成分が低減されるので，高転送速度時でもマークを十
分な精度で形成することができることが述べられている。
【０００７】
更に、特開２００３−３０８３３号公報（特許文献３）では，特開平１１−１７５９７
６号公報と同様に中間パルス列の周期を記録チャンネルクロック周期よりも長くするだけ
でなく，先行するスペースや後続のスペースに依存して始端パルスと後端パルスのエッジ
位置を変化させて記録する手法をとっている。本方法により，高密度・高転送レートで記
録する場合に問題となるトラック方向の熱干渉によるエッジシフトを極力抑制することが
できるため，高精度の記録制御を実現することができることが記載されている。
【０００８】
また、特開２００１−３３１９３６号（対応US2001/053115A1、特許文献４）には、偶
数符号列と奇数符号列で基準クロックをずらし、また，偶数用と奇数用の記録パルス波形
について，始端パルス及び後端パルスのデューティー比を奇数用と偶数用でそれぞれ変え
て生成することが記載されている。
なお、高転送レート記録時における２T系ストラテジの記録マーク形状制御効果は，例え
ば，Optical Data Storage 2000, Proceedings of SPIE Vol.4090(2000),p135（非特許文
献２）に詳述されている。
【０００９】
【特許文献１】特開平９−１３４５２５号
【００１０】
【特許文献２】特開平１１−１７５９７６号
【特許文献３】特開２００３−３０８３３号
【特許文献４】特開２００１−３３１９３６号
【非特許文献１】Optical Data Storage 2003, Proceedings of SPIE Vol.5069(2003),p130
【非特許文献２】Optical Data Storage 2000, Proceedings of SPIE Vol.4090(2000),p135
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
上記従来技術の試し書き方式，いわゆるＯＰＣ方式では，Ｐｗ／Ｐｅを一定としたレー
ザパワーの最適化を行い，その中で最良の品質の記録条件を求めていた。しかしながら，
本発明者らの検討の結果、新たに、ＢＤ４倍速，あるいはＤＶＤ±ＲＷ８倍速以上の記録
速度を達成しようとすると，Ｐｗ／Ｐｅ固定のレーザパワーをパラメータにするＯＰＣ方
式では，十分良好なマーク品質を得ることが困難となることがわかった。それは以下の理
由による。ＢＤ1倍速やＤＶＤ±ＲＷ２．４倍速のような低速記録の場合，上記始端パル
スを照射してから次のパルス（中間パルスあるいは後端パルス）を照射するまでの時間が
十分あるために，次のパルス照射時には，記録膜は十分に冷却される。しかしながら，高
速記録では，始端パルスを照射後次のパルスを照射するまでの時間が短くなるため，記録
膜の冷却速度が相対的に不十分となり，始端パルスで形成した前エッジ部分が十分冷えな
いという問題が生じる。前エッジ部分が十分冷却していない状態で次のパルスを照射する
と，前エッジ部分で結晶化が起こり，エッジゆらぎやエッジシフトが発生してしまう。こ
れはマーク品質が低下することに等しく，高速化によって記録性能が劣化するという問題
が発生した。
【００１２】
また，記録高速化に伴い，市販のドライブに搭載されているレーザ特性の個体ばらつき
も無視できなくなる。例えばＢＤ４倍速での記録チャンネルクロック周期Ｔは約３．８ｎ
ｓとなり，１ｎｓ以下でレーザ波形を制御する必要が生じる。しかしながら，現在のレー
ザの立ち上がり，立下り時間は１〜２ｎｓ程度であるので，１ｎｓの波形制御は物理限界
に近く，レーザの立ち上がり，立下りの個体差が記録マーク形状に大きく影響するように
なる。さらに，スポット径のドライブ間ばらつき等で発光波形がドライブ間で異なる場合
等，低速記録では媒体で装置の個体差を吸収できた問題が，高速記録では表面化してしま
うという問題が生じた。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
そこで、本発明では、以下の構成とする。
（１）記録符号列中のマーク長を、検出窓幅の自然数ｎ倍長のマークに対して、ｎを２以
上の整数定数で除算した剰余にしたがって分類される記録パターンを、それぞれ記録して
再生を行い、その再生結果を基に、最適記録パルス波形を設定する。これにより、剰余に
従って分類される記録パターン毎に、パルス調整量を揃えることができるので、高速に対
応可能な最適パルスを効率的に求めることができる。
【００１４】
即ち、２T系ストラタジの場合は、以下のようになる。基準クロック周期の偶数倍に対
応する長さの記録マークで構成された偶数長記録パターンと，奇数倍に対応する長さの記
録マークで構成された奇数長記録パターンとを，各々記録して再生を行い、その再生結果
を基に、偶数長の最適記録パルス波形と、奇数長の最適記録パルス波形を設定する。言い
換えると、一つの記録マークの時間的な長さをｎＴとし（Ｔは基準クロック周期，ｎは２
以上の自然数），Ｌ個のパルスからなる記録用レーザビームを用いて試し書き用の記録波
形を形成する場合，記録パターンは，（Ａ）ｎＴ＝２ＬＴなるマーク，すなわち前記基準
クロック周期の偶数倍に対応する長さの記録マークで形成された偶数長記録パターンと，
（Ｂ）ｎＴ＝（２Ｌ＋１）Ｔなるマーク，すなわち奇数倍に対応する長さの記録マークで
形成された奇数長記録パターンとし、（Ａ）偶数長記録パターンと（Ｂ）奇数長パターン
とを各々記録する。そして、これら記録パターンの再生を行い，その結果をもとに最適記
録パルス条件を設定する過程で，各々求めた偶数長記録パルス波形と奇数長記録パルス波
形をもとに最適記録パルス波形を設定する。
【００１５】
続いて、３T系ストラタジの場合は、以下のようになる。ｎＴ＝３ＬＴ系の場合には、
（Ａ）ｎＴ＝３ＬＴなるマークで形成された記録パターンと，（Ｂ）ｎＴ＝（３Ｌ−２）
Ｔなるマークで形成された記録パターンと，（Ｃ）ｎＴ＝（３Ｌ−１）Ｔなるマークで形
成された記録パターンとを用い，これらを各々記録し，その後各々求めた３セットの記録
パルス波形をもとに最適記録パルス波形を設定する。
【００１６】
また、４T系ストラタジの場合は、以下のようになる。ｎＴ＝４ＬＴの場合は、（Ａ）
ｎＴ＝４ＬＴのマークで形成された記録パターンと、（Ｂ）ｎＴ＝（４Ｌ−２）Ｔなるマ
ークで形成された記録パターンと，（Ｃ）ｎＴ＝（４Ｌ−１）Ｔなるマークで形成された
記録パターンと，（Ｄ）ｎＴ＝（４Ｌ＋１）Ｔなるマークで形成された記録パターンとを
用い、これらを各々記録し，その後各々求めた４セットの記録パルス波形をもとに最適記
録パルス波形を設定する。
【００１７】
（２）また、最適パルス波形の設定について、剰余に応じて分類された記録パルス波形
の始端パルス照射開始位置同士の相対的位置関係を調整することにより最適記録パルス波
形を設定する。これにより、簡便な構成で、最適記録波形を得ることができる。
（３）また、試し書き時のパラメータをＰｗ／Ｐｅを一定としたレーザパワーとせず，Ｐ
ｗ，Ｐｅを各々独立に可変とし，また，パルス幅，パルス開始位置を可変とすることによ
り，レーザの立ち上がり，立下りの装置間ばらつきや，装置によるスポット形状差を吸収
できる。また，このようなパラメータにすることで，媒体の冷却時間を考慮した発光波形
を設定することができるため，エッジ揺らぎやエッジシフトを極力抑えることが可能とな
る。これらのパラメータは全て変えながら試し書きをしてもいいし，あるパラメータを固
定値とし，残りのパラメータを変えて最適波形を求めてもよい。
このとき，２Ｔ系ストラテジでは，偶数長マークと奇数長マークを別々に試し書きするこ
とが有効である。
【００１８】
このような方法は，記録膜が1層あるタイプの光ディスクだけでなく，記録層が複数層
ある種類の光ディスクにも特に有効である。例えば，記録層が２層存在する光ディスクの
場合，各記録層での記録マージンが，記録層が単層のディスクのそれよりも狭くなってし
まうという課題が発生するが，本発明のように，レーザパワーの制御だけでなく記録パワ
ーＰｗ，消去パワーＰｅを各々設定したり，パルス幅を可変にすることで，記録マージン
を広げることが可能となる。
これらは、特に，ＤＶＤ−ＲＷ，ＤＶＤ＋ＲＷ，ＢＤ−ＲＥなど，共晶系記録膜を用いた
書換可能タイプの媒体を用いたときの試し書きで有効である。
【００１９】
これらの試し書きを行うことにより，従来よりも試し書きに多少時間がかかる場合が生
じるが，ＤＶＤ±ＲＷやＢＤ−ＲＥのような，記録に“焼く”という言葉を用いる媒体の
場合，試し書きに要する時間は２〜３秒であり，“焼く”(記録する)作業に要する時間(
例えば１０分)のほうが圧倒的に長いため，試し書き所要時間が５倍に増えたとしても，
ユーザを待たせる時間はほとんど変わらず，光ディスクの使い勝手が悪くなることはなく
，またユーザのデメリットになることはない。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、試し書きの精度を高めることができるので，より記録品質の良好な高
速対応光ディスクを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
【実施例１】
【００２２】
まず，本実施例で用いる記録方式について述べる。光ディスクにデータを書き込む場合
にマルチパルスによるマークエッジ記録方式を用い，データをマークとスペースの長さ情
報としてディスクに書き込む。また，マークの長さが３Ｔから１４Ｔ，スペースの長さが
３Ｔから１４Ｔの整数値の組み合わせである変調方式を用いた。図３に、本発明で用いた
記録波形の一例を示す。本実施例では，２Ｔ系ストラテジを用いた。３Ｔマークは単一パ
ルスから形成され，４Ｔマーク及び５Ｔマークは始端パルスと後端パルスの２つのパルス
から形成される。６Ｔマーク及び７Ｔマークは始端パルスと後端パルス，及び1つの中間
パルスの計３つのパルスから構成され，８Ｔマークと９Ｔマークは始端パルスと後端パル
ス，及び２つの中間パルスの計４つの記録パルスからなる。以降，マーク長が長くなるに
従って中間パルス数が増える。ここで，記録マークをｎＴ（Ｔは基準クロック周期，ｎは
２以上の自然数）とすると，４Ｔ，６Ｔマークなどの偶数長マークはｎＴ＝２ＬＴで表さ
れ，３Ｔ，５Ｔマークなどの奇数長マークはｎＴ＝（２Ｌ＋１）Ｔで表すことができる。
このとき，Ｌは自然数で，記録パルス数を表す。
ディスクには，１２倍速記録が可能な書換型ＤＶＤ（赤色光源対応相変化ディスク）を用
い，線速度は約４１．９ ｍ／ｓとした。図３でのクロック周期Ｔは約３．２ｎｓである
。
【００２３】
本実施例での試し書き方法の動作を説明するフローチャートを図１に示し，これにした
がって本発明を説明する。まず，第１のステップ（Ｓ１０１）として，ディスクに記録し
てある推奨記録パワー，パルス幅等の記録条件を読み出し，レーザパワーとして記録パワ
ー（Ｐｗ）１３０ｍＷ，消去パワー（Ｐｅ）６ｍＷ，バイアスパワー（Ｐｂ）０．５ｍＷ
を得た。第２のステップ（Ｓ１０２）としてこの付近のレーザパワー条件を設定し，第３
のステップ（Ｓ１０３）としてディスク上に試し書きを行った。レーザパワー条件は，Ｐ
ｂの値は固定し，Ｐｗ／Ｐｅを固定値とせず，Ｐｗを１１６ｍＷから１４４ｍＷの間を２
ｍＷ刻みで，Ｐｅを５．５ｍＷから６．５ｍＷの間を０．５ｍＷ刻みで変化させた。第３
のステップ（Ｓ１０３）での試し書きの結果，第４のステップ（Ｓ１０４）として，Ｐｗ
が１３４ｍＷ，Ｐｅが６ｍＷで最小ジッター６．２％が得られた。最適記録パワーを選択
するための，第３のステップで用いる試し書き用記録パターンは，全てのマーク長とスペ
ース長が入り組んだ，いわゆるランダム信号でないことが好ましい。高速記録の場合，記
録パルス幅等記録波形が最適化されていない状態でランダム信号を記録すると，本来最適
記録パワー付近でもジッターが下がらない場合がある。これは，不適当な記録波形を用い
て記録していることが原因で，その結果，本来最適パワーとなるレーザパワーを選択でき
ないという問題が発生する。従って，第３のステップで用いる試し書き用記録パターンは
，単一マークとスペースの繰り返し記録パターン，あるいは，数種類のマークと長いスペ
ースを用いた記録パターンなど，マーク間の熱干渉が生じないような，簡単な記録パター
ンが好ましい。
【００２４】
第４のステップにおいて選択した最適記録パワーを用いて，次に，第５及び第６のステ
ップ（Ｓ１０５及びＳ１０６）として，記録マークの記録パルス幅及び記録パルス開始位
置の最適条件を求めるための記録を行った。このとき，図１に示したように，偶数長マー
クのみで構成された試し書きパターンと，奇数長マークのみで構成された試し書き用記録
パターンをそれぞれ用いて記録することが重要である。本実施例では，偶数長マークのみ
から成る偶数長マーク用試し書きパターンには，４Ｔ，６Ｔ，８Ｔ，１０Ｔ，１２Ｔ，１
４Ｔの偶数長マーク６種類と３〜１４Ｔの１２種類の長さのスペースがランダムに配置さ
れている。同様に，奇数長マークのみから成る奇数長マーク用マーク試し書きパターンに
は，３Ｔ，５Ｔ，７Ｔ，９Ｔ，１１Ｔ，１３Ｔの奇数長マーク６種類と３〜１４Ｔの１２
種類の長さのスペースがランダムに配置されている。ここでは，これらの記録パターン中
のスペース長として，偶数長と奇数長を混在させたものを用いた。スペース長に関しては
，例えば偶数長用試し書きパターンに偶数長スペースだけ設けるなどの限定を設ける必要
はない。
【００２５】
２Ｔ系ストラテジでは，隣り合う1対の偶数長マークと奇数長マークの記録パルス数が
等しい。例えば，図３をみるとわかるように，４Ｔマークと５Ｔマークは各々２つの記録
パルスから構成されており，６Ｔマークと７Ｔマークは３つの記録パルスから成り立って
いる。ここで特徴的なのは，４Ｔマークの始端パルス照射後のＰｂレベルパルス幅（Ｗ１
）と６Ｔマークのそれ（Ｗ１）とはほぼ同じ長さであり，同様に，５Ｔマークの始端パル
ス照射後のＰｂレベルパルス幅（Ｗ２）と７Ｔマークのそれ（Ｗ２）とはほぼ同じ長さと
なることである。始端パルスが形成する記録マークの前エッジ位置は，始端パルスの次に
くる記録パルスの開始位置に影響される。例えば，始端パルスの次にくる記録パルスが始
端パルスから遠くなると，記録膜が溶融した後に再結晶化してしまう領域が少なくなるた
め，前エッジ位置のシュリンクが少なく，溶融領域前端に近い位置に固定される。反対に
，始端パルスの次にくる記録パルスが始端パルスから近くなると，記録膜が溶融した後に
再結晶化してしまう領域が広くなるため，前エッジ位置のシュリンクが激しく，溶融領域
よりも後方に前エッジ位置が固定される。
【００２６】
４Ｔマークと６Ｔマーク，５Ｔマークと７Ｔマークはそれぞれ，始端パルスの次にくる
記録パルス（中間パルスあるいは後端パルス）照射による前エッジ位置への影響が各々ほ
ぼ同じであると考えられる。図３のように（図２には記載していないが），８Ｔマークは
４Ｔおよび６Ｔマークと類似した前エッジ位置となる。このような，類似の熱的特性をも
つマークのみで構成した試し書き用記録パターンを用いることで，複数種類の記録パルス
形状から生じるエッジ位置変動分によるジッタ増大が見えにくくなるため，正確かつ効率
的に最適記録パルス幅を求めることができる。
【００２７】
第７及び第８のステップ（Ｓ１０７及びＳ１０８）にて求めた最適条件を満たす記録パ
ルスのパルス幅及び位置に設定した各記録マークの記録波形を用い，第９のステップ（Ｓ
１０９）である試し書きを行った。具体的には，Ｓ１０７及びＳ１０８で求めた偶数長マ
ークの始端パルス開始位置と奇数長マークのそれとの相対位置をパラメータとして，図３
に記載のΔＴを求めた。第９のステップ（Ｓ１０９）での試し書きの結果，第１０のステ
ップ（Ｓ１１０）にて，最適ΔＴは０．０７Ｔｗ，最適ジッターは６．４％を得た。
本実施例での中間パルス幅は偶数長マークと奇数長マークで同一幅としたが，それぞれの
中間パルスの幅や中間パルスのデューティーを各々設定することにより，より良好な記録
条件を求めることができる。
【００２８】
本実施例では，図３に示したように，単一パルスで形成される３Ｔマークに関しては，
始端パルス位置を含む記録パルス条件を独立に設定した。３Ｔマークは単一パルスから成
るために，他の複数の記録パルスから構成されるマークとは，前エッジ位置が決まるプロ
セスが異なるからである。本実施例では，ステップＳ１０９の試し書きにて，第１０のス
テップ（Ｓ１１０）でΔＴを求めると同時に，３Ｔマークの記録パルス条件も求めた。
また，本実施例では，４Tマークと５Tマークが同じ記録パルス数となるような，ｎＴ＝２
ＬＴとｎＴ＝（２Ｌ＋１）Ｔの記録パルスが等しい場合としたが，５Ｔと６Ｔが同じパル
ス数となるような，ｎＴ＝２ＬＴとｎＴ＝（２Ｌ−１）Ｔの記録パルスが等しい場合も，
本発明の効果は変わらない。
【００２９】
さらに，本実施例では，個々の記録マークの始端パルス開始位置を個別パラメータとし
て試し書きを行った。具体的には，各マークの始端パルス開始位置，始端パルス幅，中間
パルス列開始位置及びパルス幅，後端パルス開始位置及び後端パルス幅を求めた。結果と
して，図３にあるように，４Ｔマーク以上の長さの偶数長マーク間でクロックに対する始
端パルス開始位置は同一であり，５Ｔマーク以上の長さの奇数長マーク間でも同様に同一
の始端パルス開始位置を得た。このように，結果として，偶数長マーク間，奇数長マーク
間で，最適始端パルス開始位置が各々同一の場合になることがある。したがって，実際の
量産ドライブでの試し書きでは，Ｓ１０５とＳ１０６のステップで行われる各々の試し書
き用記録パターン内で，始端パルス開始位置を予め同一として設定しておくことにより，
試し書きに要する時間が短縮でき，さらに試し書きに必要なエリアの使用を少なくするこ
とができる。
また，本実施例では，再生特性の評価要素としてジッターを用いたが，評価要素の種類を
変えたとしても，本発明の効果に変わりはない。例えば再生性能評価にＰＲＭＬなどを用
いてもよい。
【００３０】
さらに，本実施例では，記録パワーＰｗ，消去パワーＰｅを可変としたが，ディスクに
記録してある推奨記録パワーを固定値とし，パルス幅を可変とすることにより，最適記録
条件を求めることも可能である。この試し書き方式では，レーザパワーを固定値とするた
め試し書き時のパラメータ数が減るので，試し書きに要する時間を短縮でき，また，試し
書き領域の使用エリアを少なくするという利点がある。
実際のユーザデータの記録は、これら試し書きの結果、得られた記録波形を用いて行われ
る。
【実施例２】
【００３１】
実施例１においては，試し書き用記録パターンを，ｎＴ＝２ＬＴで表される偶数長マー
クと，ｎＴ＝（２Ｌ＋１）Ｔで表される奇数長マークとに分けて，各々記録し，最適記録
波形を得た。すなわち，実施例１では図６に示すように，偶数長マークの最適記録波形を
決めるための試し書きに，例えば１トラック用いたとすると，同様に奇数長マークの最適
記録波形を決めるための試し書きに，さらに１トラック必要となる。
本実施例では，１つの試し書き用記録パターンの中に，偶数長マークのみで構成された記
録パターン領域と奇数長マークのみで構成された記録パターン領域を設け（図９，１），
夫々の再生特性を別々に測定することにより，試し書きの効率向上を実現した例を述べる
。即ち、偶数長マークで構成された記録パターンと奇数長マークで構成された記録パター
ンとを連続して形成する。
【００３２】
ディスクには，６倍速記録が可能な青色光源対応相変化ディスクを用いた。線速度は約
３１．７ｍ／ｓとした。本実施例での試し書き方法の動作を説明するフローチャートを図
４に示す。まず，第１のステップ（Ｓ２０１）として，ディスクに記録してある推奨記録
パワー等記録条件を読み出し，記録パワー（Ｐｗ）１８ｍＷ，消去パワー（Ｐｅ）３．４
ｍＷ，バイアスパワー（Ｐｂ）０．２５ｍＷを得た。第２のステップ（Ｓ２０２）として
この付近のレーザパワー条件を設定し，第３のステップ（Ｓ２０３）としてディスク上に
試し書きを行った。レーザパワー条件は，Ｐｂの値は固定し，Ｐｗを１６ｍＷから２０ｍ
Ｗの間を０．２ｍＷ刻みで，Ｐｅを３．１ｍＷから３．７ｍＷの間を０．２ｍＷ刻みで変
化させた。第３のステップ（Ｓ２０３）での試し書きの結果，第４のステップ（Ｓ２０４
）として，Ｐｗが１８．２ｍＷ，Ｐｅが３．２ｍＷで最小ジッター４．５％が得られた。
【００３３】
第４のステップ（Ｓ２０４）において選択した最適記録パワーを用いて，次に，第５の
ステップ（Ｓ２０５）として，記録マークの記録パルス幅及び記録パルス開始位置の最適
条件を求めるための記録を行った。このとき，１つの試し書き用記録パターンの中に，偶
数長マーク（ｎＴ＝２ＬＴ）のみで構成された記録パターン領域と奇数長マーク（ｎＴ＝
（２Ｌ＋１）Ｔ）のみで構成された記録パターン領域を設け，これらの記録パターン領域
での再生信号を別々に測定評価することにより，偶数長，奇数長マーク各々の最適記録パ
ルス条件を求めた。パルス幅は，１／１６Ｔ刻みで変化させた。この結果，偶数長マーク
の始端パルス幅は設定値０．８１Ｔに対して，０．８８Ｔのパルス幅が得られた。また，
奇数長マークの始端パルス幅は設定値０．８８Ｔに対して，０．９４Ｔのパルス幅が得ら
れた。ここでは，始端パルス幅について述べたが，後端パルス幅や後端パルス照射後のク
ーリングレベルの下向きパルス幅も最適化している。
【００３４】
第６及び第７のステップ（Ｓ２０６及びＳ２０７）にて求めた最適条件を満たす記録パ
ルスのパルス幅及び位置に設定した各記録マークの記録波形を用い，第８のステップ（Ｓ
２０８）である試し書きを行った。具体的には，Ｓ２０６及びＳ２０７で求めた偶数長マ
ークの始端パルス開始位置と奇数長マークのそれとの相対位置をパラメータとして，図２
に記載のΔＴを求めた。第８のステップ（Ｓ２０８）での試し書きの結果，第９のステッ
プ（Ｓ２０９）にて，最適ΔＴは０．１Ｔ，最適ジッターは５．０％を得た。
【００３５】
２Ｔマーク及び３Ｔマークのように単一パルスで形成されるマークに関しては，実施例
１と同様，始端パルス位置を含む記録パルス条件を独立に設定した。２Ｔ及び３Ｔマーク
は単一パルスから成るために，他の複数の記録パルスから構成されるマークとは，前エッ
ジ位置が決まるプロセスが異なるからである。本実施例では，ステップＳ２０８の試し書
きにて，第９のステップ（Ｓ２０９）でΔＴを求めると同時に，２Ｔマーク及び３Ｔマー
クの記録パルス条件も求めた。
【００３６】
最後に，ステップＳ２０４にて求めた最適記録パワーの微調整を行った（Ｓ２１０）。
ステップＳ２０４では，Ｐｗが１８．２ｍＷ，Ｐｅが３．２ｍＷで最小ジッターが得られ
たが，ステップＳ２１０では，Ｐｗが１８．５ｍＷにて最小ジッターを得た。Ｐｅは３．
２ｍＷで変わらなかった。このように，記録パワーを定め，その記録パワーを用いて記録
パルス条件を設定したあとで，再び記録パワーを微調整することで，より適正な記録条件
を求めることができる。
実際の記録は、この試し書き記録により決定された記録波形を用いて行われる。
【実施例３】
【００３７】
実施例２では，１つの試し書き用記録パターンの中に，偶数長マークのみで構成された
記録パターン領域と奇数長マークのみで構成された記録パターン領域を設けた。本実施例
では，試し書き用記録パターンに，全てのマーク長とスペース長が入り組んだいわゆるラ
ンダム信号を用い，再生時に偶数長と奇数長に分けて読み込んで，偶数長マークと奇数長
マークの最適記録条件を求める試し書き方式とした。本方式では，１つの記録パターンか
ら，偶数長，奇数長マークの再生特性を別々に測定するため，特別な試し書き用記録パタ
ーンを用意する必要がない。従って，現状からの変更点が少なくて済み，また，偶数奇数
別々に記録パターンを持つ試し書き方式と比較して，試し書きに必要な時間及び領域が短
くなる，という利点がある。
【００３８】
本実施例で用いたディスクは実施例２のディスクと同一であり，線速度も同じく約３１
．７ｍ／ｓとした。図１１に，本実施例での試し書き方法の動作を説明するフローチャー
トを示す。第１のステップ（Ｓ３０１）から第４のステップ（Ｓ３０４）までは，実施例
２に記載した動作（図４のＳ２０１からＳ２０４）と同一のため，ここでは説明を省略す
る。
【００３９】
第４のステップ（Ｓ３０４）において選択した最適記録パワー（Ｐｗ１８．２ｍＷ，Ｐ
ｅ３．２ｍＷ）を用いて，次に，第５のステップ（Ｓ３０５）として，記録マークの記録
パルス幅及び記録パルス開始位置の最適条件を求めるための記録を行った。本実施例では
，試し書き用記録パターンとしてランダム信号を用いた。第６及び第７のステップ（Ｓ３
０６及びＳ３０７）にて，ランダムに配置された偶数長マークと奇数長マークの再生信号
を同時測定し，それを偶数長と奇数長に分けて評価し，第８及び第９のステップ（Ｓ３０
８及びＳ３０９）にて偶数長，奇数長マーク各々の最適記録パルス条件を求めた。
【００４０】
第８及び第９のステップにて求めた最適条件を満たす記録パルスのパルス幅及び位置に
設定した各記録マークの記録波形を用い，第１０のステップ（Ｓ３１０）である試し書き
を行った。具体的には，Ｓ３０８及びＳ３０９で求めた偶数長マークの始端パルス開始位
置と奇数長マークのそれとの相対位置をパラメータとして，図２に記載のΔＴを求めた。
第１０のステップ（Ｓ３１０）での試し書きの結果，第１１のステップ（Ｓ３１１）にて
，最適ΔＴは０．１Ｔ，最適ジッターは５．１％と，実施例２と同等の性能を得ることが
できた。
２Ｔマーク及び３Ｔマークのように単一パルスで形成されるマークに関しては，実施例２
と同様の扱いとした。最適記録パワーの微調整（Ｓ３１２）の結果，実施例２と同じＰｗ
１８．５ｍＷ，Ｐｅ３．２ｍＷが得られた。
【００４１】
このような方法は，記録膜が1層あるタイプの光ディスクだけでなく，記録膜が複数層
ある種類の光ディスクの試し書き方法として，特に有効である。記録層が２層存在するＢ
Ｄ−ＲＥ４倍速対応光ディスクの場合，単層４倍速ＢＤ−ＲＥディスクでの記録マージン
と比較して，各記録層の記録マージンが２〜５ポイント程度狭くなってしまうが，本発明
のように，レーザパワーの制御だけでなく記録パワーＰｗ，消去パワーＰｅを各々設定し
たり，パルス幅を可変にすることで，記録マージンを単層ＢＤと同程度まで広げることが
可能となる。
【実施例４】
【００４２】
実施例２では２Ｔ系ストラテジを用いたため，試し書き用記録パターンを偶数長マーク
と奇数長マークに分けた。本実施例では、３Ｔ系ストラテジの例を示す。３Ｔ系ストラテ
ジとは，ｎＴ＝３ＬＴ，ｎＴ＝（３Ｌ−２）Ｔ，ｎＴ＝（３Ｌ−１）Ｔで表されるマーク
の記録パルス数を同一にした記録系である。例えば、４Ｔ〜６Ｔマークは２つの記録パル
スで構成され、７Ｔ〜９Ｔマークは３つの記録パルスで構成される。このような３Ｔ系ス
トラタジを図５に示す。
【００４３】
本実施例では、実施例２で用いたディスク及びテスタを用い，３の倍数で表されるマー
ク長と，３の倍数から１を引いた数となるマーク長，及び３の倍数から２を引いた数とな
るマーク長から構成される３種類の試し書き用記録パターンを記録した。具体的には，ｎ
Ｔ＝３ＬＴマーク用試し書きパターンには，６Ｔ，９Ｔマーク２種類と３〜１４Ｔの１２
種類の長さのスペースがランダムに配置されている。同様に，ｎＴ＝（３Ｌ−１）Ｔマー
ク用試し書きパターンには，５Ｔ，８Ｔマーク２種類と３〜１４Ｔの１２種類の長さのス
ペースがランダムに配置されており，ｎＴ＝（３Ｌ−２）Ｔマーク用試し書きパターンに
は，４Ｔ，７Ｔマーク２種類と３〜１４Ｔの１２種類の長さのスペースがランダムに配置
されている。
【００４４】
そして、上記実施例１，２と同様，各パルス幅及び各パルス開始位置を求め，その後，
図５に示したｎＴ＝（３Ｌ−１）ＴマークとｎＴ＝（３Ｌ−２）Ｔマークのパルス開始位
置の差であるΔＴ１（例えば４Ｔと５Ｔの間隔，７Ｔと８Ｔの間隔）をパラメータとして
求めた。また、ｎＴ＝（３Ｌ−１）ＴマークとｎＴ＝３ＬＴマークのパルス開始位置の差
であるΔＴ２（例えば５Ｔと６Ｔの間隔、８Ｔと９Ｔの間隔）、つまりｎＴ＝（３Ｌ−１
）ＴマークとｎＴ＝３ＬＴマークの始端パルス相対位置をパラメータとして求めた。その
結果、ΔＴ１，ΔＴ２ともに，０．０７Ｔが得られた。
【実施例５】
【００４５】
本実施例では，８倍速記録が可能な青色光源対応相変化ディスクを用いて，より高速化
に適応した４Ｔ系ストラテジの例を示す。４Ｔ系ストラテジとは、隣接する４つのマーク
長を構成する記録パルス数を同一にした系である。例えば，ｎＴ＝４ＬＴ，ｎＴ＝（４Ｌ
−２）Ｔ，ｎＴ＝（４Ｌ−１）Ｔ，ｎＴ＝（４Ｌ＋１）Ｔで表されるマークの記録パルス
数を同一にする。
【００４６】
この試し書き用記録パターンの一例を図１０に示す。５Ｔ〜８Ｔマークは２つの記録パ
ルスで構成され、９Ｔ〜１２Ｔマークは３つの記録パルス，１３Ｔ〜１４Ｔマークは４つ
の記録パルスで構成される。この４Ｔ系ストラテジを用いて，試し書き記録を行った。本
実施例では，実施例３と同様，試し書き用記録パターンに，全てのマーク長とスペース長
が入り組んだランダム信号を用いた。再生時に４パターンのグループに分けて読み込んで
，各グループの最適記録条件を求める試し書き方式とした。上記４パターンのグループと
は，具体的に，５，９，１３Ｔマークのグループ，６，１０，１４Ｔマークのグループ，
７，１１Ｔマークのグループ，そして，８，１２Ｔマークのグループである。そして、上
記実施例と同様、各パルス幅及び各パルス開始位置を求め，その後，これら４グループの
始端パルス開始位置の相対的な位置調整を行った。ここでは，３Ｔマークと４Ｔマークの
記録パルスは独立に設定した。
【００４７】
上記実施例と同様に試し書きを行った結果，図１０に示したｎＴ＝（４Ｌ−２）Ｔマー
クとｎＴ＝（４Ｌ−１）Ｔマークのパルス開始位置の差であるΔＴ１，ｎＴ＝（４Ｌ−１
）ＴマークとｎＴ＝４ＬＴマークのパルス開始位置の差であるΔＴ２、ｎＴ＝４ＬＴマー
クとｎＴ＝（４Ｌ＋１）Ｔマークのパルス開始位置の差であるΔＴ３をパラメータとして
求めた。その結果、ΔＴ１，ΔＴ３の値として０．０５Ｔ，ΔＴ２の値として０．０６Ｔ
が得られた。また，始端パルス幅は，ｎＴ＝（４Ｌ＋１）Ｔで表されるマーク，すなわち
５，９，１３Ｔマークのグループのみ設定値と異なるパルス幅となり，１／１６Ｔだけ短
いパルス幅となった。
また、これら実施例１〜５は、特に、高密度，高転送レートでの記録条件を精度良く求め
ることに適している。
【実施例６】
【００４８】
実施例１から５では，記録パルス幅及びパルス位置を変えることにより最適記録パルス
波形を求めた。本実施例では，実施例２で用いたディスクを使って，偶数長マークと奇数
長マークでパルス開始位置を一定とし，記録パワーを変えて最適記録波形を求める試し書
き方法を用いた。具体的には，図１２に示すように，図２でのΔＴを０とし，偶数長マー
クの記録パワーをＰｗ１，奇数長マークの記録パワーをＰｗ２とし，これらのＰｗ１，Ｐ
ｗ２を各々設定することにより，ジッターが最小となるＰｗ１，Ｐｗ２を求めた。その結
果，Ｐｗ１が１８．５ｍＷ，Ｐｗ２が１８．２ｍＷにて最小ジッターを得た。
【００４９】
本実施例では，始端パルスの記録パワーを変化させたが，始端パルスだけでなく，中間
パルスや後端パルスの記録パワーを変えても良い。これらのパルスの記録パワーを各々設
定することにより，レーザパワーレベルが増えて記録波形は複雑になるが，最適な記録条
件を求めることができるという利点がある。
なお、ここでは、パワーレベルを変える実施例を記載したが、より複雑にはなるが、パワ
ーだけでなく、パルス幅も同時に変化させて最適記録条件を求めることも可能である。
【実施例７】
【００５０】
本実施例では，２Ｔ系ストラテジにおいて，ある所定の条件を満たした場合，偶数長マ
ークと奇数長マークの始端パルス開始位置を合わせた試し書き方式について説明する。
本実施例では，実施例２と同一のディスクを用い，線速度も実施例２と同じく約３１．７
ｍ／ｓとした。本実施例での試し書き方法の動作を説明するフローチャートを図１３に示
す。まず，第１のステップ（Ｓ４０１）として，ディスクに記録してある推奨記録パワー
を読み出し，記録パワー（Ｐｗ）１８ｍＷ，消去パワー（Ｐｅ）３．４ｍＷ，バイアスパ
ワー（Ｐｂ）０．２５ｍＷを得た。第２のステップ（Ｓ４０２）としてこの付近のレーザ
パワー条件を設定し，第３のステップ（Ｓ４０３）としてディスク上に試し書きを行った
。レーザパワー条件は，Ｐｂの値は固定し，Ｐｗを１６ｍＷから２０ｍＷの間を０．２ｍ
Ｗ刻みで，Ｐｅを３．１ｍＷから３．７ｍＷの間を０．２ｍＷ刻みで変化させた。第３の
ステップ（Ｓ４０３）での試し書きの結果，第４のステップ（Ｓ４０４）として，Ｐｗが
１８．２ｍＷ，Ｐｅが３．２ｍＷで最小ジッター４．５％が得られた。ここまでは，実施
例２と同様である。
【００５１】
第４のステップ（Ｓ４０４）において選択した最適記録パワーを用いて，次に，第５の
ステップ（Ｓ４０５）として，記録マークの記録パルス幅及び記録パルス開始位置の最適
条件を求めるための記録を行った。本実施例では，実施例３と同様，試し書き用記録パタ
ーンとしてランダム信号を用いた。Ｓ４０６からＳ４１１までのフローは実施例３と略同
一のため，説明を省く。試し書きの結果，第１１のステップ（Ｓ４１１）にて，最適ΔＴ
（図２に記載）は０．１Ｔ，最適ジッターは５．１％を得た。
【００５２】
次に，第１２のステップ（ステップ４１２）として，偶数長マークの始端パルス開始位
置Ｔ１と奇数長マークの始端パルス開始位置Ｔ２のほぼ中間位置Ｔ０を算出した。図７に
始端パルス開始位置Ｔ１，Ｔ２とその中間位置Ｔ０と，ジッターとの関係の一例を示す。
本実施例では，所定値をジッター５．８％とした。偶数長マークの始端パルス開始位置を
Ｔ０としたときのジッターσ１を測定（ステップ４１３），同じく，奇数長マークの始端
パルス開始位置をＴ０としたときのジッターσ２を測定（ステップ４１４），σ１及びσ
２が所定値よりも低いか否かをステップ４１５にて判定した。本実施例でのσ１は５．７
％，σ２は５．３％であり，所定値以下の値が得られたため，ステップＳ４１６にて偶数
長マークと奇数長マークの始端パルス開始位置をＴ０に決定した。このように，偶数長マ
ークと奇数長マークの始端パルス開始位置をそろえることにより，再生特性は多少悪くな
ってしまうが，記録波形が簡素化するため，実際の記録時に高速化できるという利点があ
る。
【００５３】
本実施例では，中間点をとるパラメータとして始端パルス開始位置を用いたが，実施例
６のように，パラメータとして記録パワーを用いても良い。この場合，実施例６で示した
Ｐｗ１とＰｗ２の中間パワー（Ｐｗ１＋Ｐｗ２）／２が設定パワーとなる。
また、ここでは、特性評価手段として、ジッタを用いたが、PRMLに適用されるレベルジッ
タなどを用いても同様である。
【実施例８】
【００５４】
本実施例は、上記実施例で行った試し書きや実際の記録を行う上での装置を説明する。
ここでは、装置の一例として、実施例２のような２T系ストラタジの装置の例を示す。装
置の全体図を図８及び図１４に示す。記録データは、符号化回路で記録符号語に変換され
、同期信号発生回路で発生した同期信号と合成回路で合成され、パルス変換回路に入力さ
れる。引き続き、パルス変換回路でパルスデータに変換され、記録パルス整形回路でパル
ス状に整形され、光源を駆動させる。ここまでは，図８及び図１４で共通している。
【００５５】
偶数長マークと奇数長マークを分類して記録パターンを発生させる，偶奇分類試し書き
パターン発生回路を具備した装置を図８に示す。偶奇分類試し書きパターン発生回路は，
偶数長マークから成る試し書き用記録パターンと奇数長マークから成る試し書き用記録パ
ターンを各々発生しディスクに記録する。記録された信号は，検出回路にて検出され，再
生回路にて再生性能を評価，パルス波形決定回路で次のパルス波形を決定，調整量記憶手
段をへて記録パルス整形回路に戻る。パルス波形決定回路では，中間パルスのデューティ
ー比，始端パルス幅，後端パルス幅，後端パルス照射後のクーリングレベルの下向きパル
ス幅，各記録パワー値，始端パルス開始位置などのパルス形状を変えることができる。な
お、図８では、偶奇分類試し書きパターン発生回路について説明したが、検出窓幅の自然
数ｎ倍長のマークに対して、ｎを２以上の整数定数で除算した剰余にしたがって分類され
た試し書きパターン発生回路であれば良い。
【００５６】
図１４は，偶数長と奇数長で試し書き用記録パターンを分けずに，ランダム信号を利用
したときの装置の構成図（一例）を示している。試し書きにて記録されたランダム信号は
，検出回路にて検出され，その後，偶奇分類回路で，偶数長マークと奇数長マークに分類
される。図１４では，偶数長マーク，奇数長マークそれぞれ専用の再生回路，パルス波形
決定回路，調整量記憶手段，記録パルス整形回路を具備していることが特徴である。これ
らの回路は，１つの回路の中に容易に実現でき，また，２個以上の複数個に増やすことも
容易である。また、図１４では、偶奇分類回路について説明したが、検出窓幅の自然数ｎ
倍長のマークに対して、ｎを２以上の整数定数で除算した剰余にしたがって分類する分類
回路でも、同様に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明の一実施例にかかる試し書き方式の処理フロー図。
【図２】本発明で用いた記録パルス波形の一例。
【図３】本発明で用いた記録パルス波形の一例。
【図４】本発明の一実施例にかかる試し書き方式の処理フロー図。
【図５】本発明で用いた記録パルス波形の一例。
【図６】偶数長マークと奇数長マークの試し書き用記録パターンを用いた場合に用いる試し書き領域の一例。
【図７】始端パルス開始位置とその中間位置，及びジッターとの関係の一例。
【図８】本発明に用いた装置の一例。
【図９】本発明で用いた試し書き用記録パターンの一例。
【図１０】本発明で用いた記録パルス波形の一例。
【図１１】本発明の一実施例にかかる試し書き方式の処理フロー図。
【図１２】本発明で用いた記録パルス波形の一例。
【図１３】本発明の一実施例にかかる試し書き方式の処理フロー図。
【図１４】本発明に用いた装置の一例。
【符号の説明】
【００５８】
１．試し書きエリア。
【図１】
0004530090.tif 000002
【図２】
0004530090.tif 000003
【図３】
0004530090.tif 000004
【図４】
0004530090.tif 000005
【図５】
0004530090.tif 000006
【図６】
0004530090.tif 000007
【図７】
0004530090.tif 000008
【図８】
0004530090.tif 000009
【図９】
0004530090.tif 000010
【図１０】
0004530090.tif 000011
【図１１】
0004530090.tif 000012
【図１２】
0004530090.tif 000013
【図１３】
0004530090.tif 000014
【図１４】
0004530090.tif 000015