(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の光学部品の個片領域を区画するダイシングラインを有する光学基板ウェハであっ
て、
前記ダイシングラインは、前記光学部品の個片領域上に光学薄膜を成膜する際に同材料
によって形成され、
前記ダイシングラインを構成する光学薄膜を、非連続的に配列された複数の短尺光学薄
膜から構成したことを特徴とする光学基板ウェハ。
【請求項２】
前記ダイシングラインは、
切断中心ラインに沿って配列された非連続的な中心線と、
該中心線の幅方向両側に夫々所定の基板露出部を隔てて配置された非連続的な外側線と
、
を備えていることを特徴とする請求項１に記載の光学基板ウェハ。
【請求項３】
前記ダイシングラインは、
切断中心ラインに沿って配列された非連続的な中心線と、
該中心線の幅方向両側に夫々所定の基板露出部を隔てて、互いに対向配置されたＥ字状
の非連続的な外側線と、
を備えていることを特徴とする請求項１に記載の光学基板ウェハ。
【請求項４】
前記光学部品の個片領域内の外周縁に沿った適所には、
前記光学部品の方向を示す基板露出面としてのオリフラが形成されていることを特徴と
する請求項１乃至３の何れか一項に記載の光学基板ウェハ。
【請求項５】
前記光学部品は、
前記光学部品の個片領域上に成膜され、且つ第１の波長帯域の光を通過させる第１の光
学薄膜領域と、
該第１の光学薄膜領域の外周を包囲した状態で前記光学部品の個片領域上に成膜され、
且つ前記第１の波長帯域の光と前記第１の波長帯域と異なる第２の波長帯域の光とを通過
させる第２の光学薄膜領域と、
を備えた開口フィルタであることを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載の光学
基板ウェハ。
【請求項６】
請求項５に記載の光学基板ウェハを前記ダイシングラインに沿って切断、分割すること
によって、前記光学部品を得る光学部品の製造方法であって、
前記光学基板ウェハの面上にネガ型の第１のフォトレジスト膜を成膜する第１のレジス
ト成膜工程と、
前記第１のフォトレジスト膜を所定のフォトマスクを用いて選択的に露光することによ
り前記第１の光学薄膜領域を除いた前記第２の光学薄膜領域と前記ダイシングライン領域
を露光する第１の露光工程と、
前記第１のフォトレジスト膜の非露光部分を除去して露光部分のみを第１の現像膜とし
て残存させる第１の現像工程と、
前記第１の現像膜を含む光学基板ウェハ面上に第１の光学薄膜を成膜する第１の光学薄
膜成膜工程と、
前記第１の現像膜、及び該第１の現像膜上の第１の光学薄膜を除去することにより、前
記光学基板ウェハ面上の第１の光学薄膜だけを残存させる第１の現像膜除去工程と、
前記第１の光学薄膜を含む光学基板ウェハ面上にネガ型の第２のフォトレジスト膜を成
膜する第２のレジスト成膜工程と、
前記第２のフォトレジスト膜をポストベーキングせずに所定のフォトマスクを用いて選
択的に露光することにより、前記第１の光学薄膜上の第２のフォトレジスト全体と、前記
ダイシングライン領域の一部を露光する第２の露光工程と、
前記第２のフォトレジスト膜の非露光部分を除去して露光部分のみを第２の現像膜とし
て残存させる第２の現像工程と、
前記第２の現像膜を含む光学基板ウェハ面上に第２の光学薄膜を成膜する第２の光学薄
膜成膜工程と、
前記第２の現像膜、及び該第２の現像膜上の前記第２の光学薄膜を除去することにより
、光学基板ウェハ面上に第２の光学薄膜を残存させて、前記第１の光学薄膜領域と前記第
２の光学薄膜領域とを有する各光学部品の個片領域と、前記ダイシングライン領域と、を
形成する第２の現像膜除去工程と、
前記第２の光学薄膜から成るダイシングラインに沿って切断することにより光学部品個
片に分割する分割工程と、
からなることを特徴とする光学部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はガラス基板ウェハ等の大面積の光学基板ウェハを用いて光学部品を量産する工程において光学基板ウェハ面上に形成するダイシングラインの膜構造、及び光学部品の製造方法の改良に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、ガラス基板等の光学基板面上に光学薄膜を形成した構造の光学部品を量産する場合には、例えば図４（ａ）に示すガラス基板ウェハ１００の全体図のように、大面積のガラス基板ウェハ１００の片面に線状のダイシングライン１０１を格子状に形成するとともに、ダイシングライン１０１によって画成される各光学部品個片領域１０２の面上に光学薄膜を成膜し、ダイシングラインに沿って光学基板ウェハを切断して個片に分割する手順が行われていた。
【０００３】
図４（ｂ）は（ａ）に示したガラス基板ウェハの一部拡大図であり、光学部品個片としての開口フィルタ１０５がダイシングライン１０１を介して連結された状態を示している。この開口フィルタ１０５は、光学部品個片領域１０２の面上に性質の異なる第１の光学薄膜１０６、及び第２の光学薄膜１０７を成膜した構成を備えている。例えば、中心部に位置する円形の第１の光学薄膜１０６はＤＶＤ記録再生用の６６０ｎｍ帯域のレーザ光を透過させる性質を備え、第１の光学薄膜１０６の外径側に位置する第２の光学薄膜１０７は６６０ｎｍ帯域、及びＣＤ記録再生用の７８０ｎｍ帯域のレーザ光を共に透過させる性質を備えている。
図４（ｃ）は（ｂ）に示したダイシングライン１０１の一部拡大図であり、ダイシングライン１０１を構成する膜は、第２の光学薄膜１０７を形成する際に同時に形成されるため、第２の光学薄膜を構成する光学薄膜と同材質である。
【０００４】
このダイシングライン１０１を構成する第２の光学薄膜は、図示しないダイシングブレードによって切断する際の切断幅の中心線に沿って形成された細い中心線１０１ａと、中心線１０１ａの両サイドに夫々所定の間隔を隔てて平行に配置された太い外側線１０１ｂと、から構成されている。中心線１０１ａと各外側線１０１ｂとの間、及び外側線の外側にはガラス基板面が線状に露出した基板露出部１０１ｃが残されている。
各ダイシングライン１０１を構成する中心線１０１ａ、及び外側線１０１ｂは、何れも寸断することなく連続形成されている。
【０００５】
一方、光学部品個片領域１０２内には、光学部品としての開口フィルタ１０５の方向を示すための目印としてオリフラ（基板露出面）１０３が形成されている。例えば、最終的に個片に分割された開口フィルタ１０５を運搬用のトレイ等に収納する際には、このオリフラ１０３を目印にして全ての開口フィルタを同一方向に向けた状態でトレイ内に収納することが可能となる。光学装置のアッセンブリメーカーサイドにおいて自動マウンタを用いて実機に光学部品を自動搭載する際には、カメラによってオリフラの位置を確認しながら正しい組付け方向を確認する作業が行われる。従って、オリフラ面にフォトレジスト膜等の残渣が僅かでも残っていると、光学部品の方向を確認できないため不良品として廃棄されることがある。
【０００６】
即ち、ダイシングライン１０１、及び各光学薄膜１０６、１０７は、後述するフォトリソグラフィ技術によって形成される。このフォトリソグラフィ技術による光学薄膜の成膜工程中は、基板露出部１０１ｃやオリフラ１０３に相当する部分は、フォトレジスト膜によりマスクされた状態にあり、成膜完了後にリムーバ（溶剤）によってフォトレジスト膜は除去されるが、上記従来例に係るダイシングラインのように中心線１０１ａ、及び外側線１０１ｂが連続した構造であると、換言すればフォトレジストの使用量が多いと、フォトレジスト膜をリムーバ液によって除去する際の除去効率が極めて悪くなり、余程長時間（例えば、１５〜２４時間）リムーバにウェハを浸漬し続けない限り、フォトレジストの一部が除去し切れずに残留するという問題があった。
特に、成膜されたフォトレジスト膜がポストベイクされている場合には、フォトレジスト膜が凝固した状態となるため、リムーバ液に浸漬することによる除去に要する時間は更に長時間化して生産性が大幅に低下する。更にリムーバ液が早期に汚れてしまい、短時間で寿命が到来する。
【０００７】
次に、図５（ａ）乃至（ｊ）は、図４に示したガラス基板ウェハ上に複数の開口フィルタとダイシングラインを形成する手順を示す説明図である。
まず、図５（ａ）の第１のレジスト成膜工程では、光学基板ウェハ１００の片面上にネガ型の第１のフォトレジスト膜１１１を成膜する。
図５（ｂ）の第１の露光工程では、第１のフォトレジスト膜１１１をプレベーキングした後で、所定のフォトマスク１１２を用いて選択的に露光することにより第１の光学薄膜領域１０６となる範囲を除いた第２の光学薄膜領域１０７とダイシングライン領域１０１を露光する。この際、第２の光学薄膜領域１０７とダイシングライン領域１０１との間に位置する図示しないオリフラ形成領域も露光する。
【０００８】
図５（ｃ）の第１の現像工程では、第１のフォトレジスト膜１１１の非露光部分を除去して露光部分のみを第１の現像膜１１３として残存させる。（ｄ）の第１の光学薄膜成膜工程では、第１の現像膜１１３を含む光学基板ウェハ面上に第１の光学薄膜１１４を成膜する。（ｅ）の第１の現像膜除去工程では、第１の現像膜１１３、及び第１の現像膜上の第１の光学薄膜１１４を除去することにより、光学基板ウェハ面１００上の第１の光学薄膜１１４だけを残存させる。（ｆ）の第２のレジスト膜成膜工程では、第１の光学薄膜１１４を含む光学基板ウェハ面１００上にネガ型の第２のフォトレジスト膜１１５を成膜する。この工程では、第２のフォトレジスト膜１１５をプレベーキング、及びポストベーキングする。
【０００９】
図５（ｇ）の第２の露光工程では、所定のフォトマスク１１６を用いて選択的に露光することにより、第１の光学薄膜１１４上の第２のフォトレジスト膜１１５全体（第１の光学薄膜１０６に相当する領域）と、中心線１０１ａと外側線１０１ｂ間、及び外側線の外側に位置する基板露出部１０１ｃとなる線状の領域を部分的に露光する。（ｈ）の第２の現像工程では、第２のフォトレジスト膜１１５の非露光部分を除去して露光部分のみを第２の現像膜１１７として残存させる。（ｉ）の第２の光学薄膜成膜工程では、第２の現像膜１１７を含む光学基板ウェハ面１００上に第２の光学薄膜１１８を成膜する。
【００１０】
図５（ｊ）の第２の現像膜除去工程では、第２の現像膜１１７（第２のフォトレジスト膜１１５）を除去するためのリムーバ液（溶剤）により第２の現像膜１１７、及び第２の現像膜１１７上の第２の光学薄膜１１８を除去（リフトオフ）することにより、光学基板ウェハ面１００上に直接成膜された第２の光学薄膜１１８を残存させる。この処理の結果として、光学部品個片領域内には第１及び第２の光学薄膜１１７、１１８、オリフラ１０３が夫々の適正な位置に配置された状態となる。
【００１１】
基板露出面としてのオリフラ１０３については、図５（ｊ）中に示されていないが、ダイシングライン領域１０１を構成する一方の外側線１０１ｂの更に外側位置（光学部品個片領域１０２内）に、ダイシングライン領域内の露出部１０１ｃと同様の手法により形成される。
上記各工程を実施した結果、各個片領域１０２内には、夫々第１の光学薄膜１１４（１０６）、第２の光学薄膜１１８（１０７）、及びオリフラ（基板露出面）１０３を備えた開口フィルタ１０５が形成される。
ダイシングライン領域１０１は、図４（ｃ）に示した中心線１０１ａ、外側線１０１ｂ、及び基板露出部１０１ｃとから構成されており、中心線１０１ａ、及び外側線１０１ｂは夫々連続的な（寸断のない）帯状線として構成されている。
【００１２】
しかし、上記従来の製造方法にあっては、第２のレジスト膜成膜工程（ｆ）において第２のフォトレジスト膜１１５をポストベーキングして第２の現像膜１１７とするため、（ｇ）の露光工程、（ｈ）の現像後にウェハ面上に第２の現像膜１１７が収縮して強く固着した状態となっている。従って、第２の現像膜除去工程（ｊ）においてリムーバ液（溶剤）によって第２の現像膜１１７（第２のフォトレジスト膜１１５）を簡単に除去することが不可能となり、オリフラ１０３の形成領域と、基板露出部１０１ｃの面上に夫々第２の現像膜（第２のフォトレジスト膜）１１７の残渣が残り易くなる。オリフラ１０３の形成領域にレジスト残渣が付着した状態の光学部品個片がアッセンブリメーカに供給されると、自動マウンタによってオリフラの位置や形状を自動認識しながら光学部品個片を実機に搭載する際にオリフラを認識することができず、その結果不良品として廃棄される可能性が高まる。
【００１３】
更に、従来のダイシングラインは、所定のギャップを隔てて平行に離間配置された中心線１０１ａと２本の外側線１０１ｂが長手方向に連続した構造（非寸断構造）であるため、工程（ｊ）においてリムーバ液をダイシングライン内のみならずオリフラ形成領域にまで十分に循環させることが不可能となり、その結果、第２の現像膜１１７を効率的に除去することが困難となる。つまり、大半のリムーバ液は基板露出部１０１ｃに相当する細長い凹所内に沿って流動するだけとなり、外側線１０１ｂを乗り越えてオリフラ形成領域側へ流動しにくい構造であるため、上記不具合が発生する。
このため、オリフラ形成領域上のレジスト残渣を完全に除去するために光学基板ウェハ全体をリムーバ液中に長時間浸漬し続けなければならなくなり、生産性が低下するという不具合が発生する。
【００１４】
特許文献１には、半導体ウェハ上のダイシングラインの交差点の角部や段差の影響により溶剤の塗布ムラが発生することを防止するためにダミーパターンを形成する技術が開示されているが、光学薄膜によってダイシングラインを形成する場合に、基板露出部分にフォトリソグラフィ工程中に形成したレジスト膜が残渣として残る不具合を解決する手法については一切開示されていない。
【特許文献１】特開平５−５５３７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
以上のように光学薄膜を光学基板面に成膜した構造の光学部品を量産する際に、大面積の光学基板ウェハ上にダイシングラインと、ダイシングラインによって区画された光学部品個片領域（オリフラを含む）を形成すると共に、ダイシングラインを構成する膜材として光学個片領域に成膜された光学薄膜を使用した場合に、ダイシングライン完成直前の段階で基板面に形成されているポストベイク済みのフォトレジスト膜が長手方向に連続形成されていると、リムーバ液中に浸漬したとしてもダイシングライン領域上、及びオリフラ面上の各フォトレジスト膜を効率的に除去することができなくなるという問題があった。
【００１６】
本発明は上記に鑑みてなされたものであり、光学基板ウェハ面上に、光学薄膜を備えた複数の光学部品個片領域と、各個片領域間を区画するダイシングラインをフォトリソグラフィ技術によって製造する際に、光学薄膜から成るダイシングラインを形成する過程でウェハ面上に成膜されるフォトレジスト膜が長手方向に連続形成されていること、或いは／及び、該フォトレジスト膜がポストベーキングによって硬化していることに起因して、レジスト膜除去用のリムーバ液によって除去するのに長時間を要する（リムーバ液の汚れが短時間で発生して寿命が低下する）という不具合と、リムーバ液によるレジスト膜除去が十分に遂行されない結果としてフォトレジストの残渣がオリフラ面に残された場合には当該光学部品の不良品率が増大するという不具合を解決することができるダイシングラインの膜構造、及び光学部品の製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
上記目的を達成するため、本発明に係る光学基板ウェハは、複数の光学部品の個片領域
を区画するダイシングラインを有する光学基板ウェハであって、前記ダイシングラインは
、前記光学部品の個片領域上に光学薄膜を成膜する際に同材料によって形成され、前記ダ
イシングラインを構成する光学薄膜を、非連続的に配列された複数の短尺光学薄膜から構
成したことを特徴とする。
ダイシングラインを光学部品個片領域上の光学薄膜と同材料によって構成する場合、フ
ォトリソグラフィによる成膜工程中において、ダイシングラインや光学薄膜領域以外の基
板露出面、特にオリフラ面にフォトレジスト膜の残渣が残っていると、光学部品の不良品
率が高まる虞がある。本発明では、ダイシングラインを連続した線とせずに、短尺光学薄
膜を非連続的に配列するようにしたので、上記の如き不具合を一挙に解決することが可能
となる。個々の短尺光学薄膜間に露出した基板面があるため、フォトリソグラフィ工程に
おいて短尺光学薄膜間にあるフォトレジスト膜をリムーバ液によって除去する際に液の流
動性、特に光学部品個片領域への流動性を高めることが可能となる。このため、オリフラ
領域上のフォトレジストを残渣なく短時間で除去することが可能となる。具体的には従来
レジスト膜除去に１５〜２４時間を要していたのが、２時間で完了することが可能となる
。
【００１８】
また、本発明に係る光学基板ウェハは、前記ダイシングラインは、切断中心ラインに沿
って配列された非連続的な中心線と、該中心線の幅方向両側に夫々所定の基板露出部を隔
てて配置された非連続的な外側線と、を備えていることを特徴とする。
また、本発明に係る光学基板ウェハは、前記ダイシングラインは、切断中心ラインに沿
って配列された非連続的な中心線と、該中心線の幅方向両側に夫々所定の基板露出部を隔
てて、互いに対向配置されたＥ字状の非連続的な外側線と、を備えている。
本発明を適用することができるダイシングラインのパターンには制限はないが、２本の
平行な線から構成されるダイシングラインに本発明を適用した場合には、個々の線を短尺
光学薄膜から構成することとなる。
【００１９】
本発明に係る光学基板ウェハは、前記光学部品の個片領域内の外周縁に沿った適所には
、前記光学部品の方向を示す基板露出面としてのオリフラが形成されていることを特徴と
する。
【００２０】
本発明に係る光学基板ウェハでは、前記光学部品は、前記光学部品の個片領域上に成膜
され、且つ第１の波長帯域の光を通過させる第１の光学薄膜領域と、該第１の光学薄膜領
域の外周を包囲した状態で前記光学部品の個片領域上に成膜され、且つ前記第１の波長帯
域の光と前記第１の波長帯域と異なる第２の波長帯域の光とを通過させる第２の光学薄膜
領域と、を備えた開口フィルタであることを特徴とする。
【００２１】
本発明に係る光学部品の製造方法は、請求項５に記載の光学基板ウェハを前記ダイシン
グラインに沿って切断、分割することによって、前記光学部品を得る光学部品の製造方法
であって、前記光学基板ウェハの面上にネガ型の第１のフォトレジスト膜を成膜する第１
のレジスト成膜工程と、前記第１のフォトレジスト膜を所定のフォトマスクを用いて選択
的に露光することにより前記第１の光学薄膜領域を除いた前記第２の光学薄膜領域と前記
ダイシングライン領域を露光する第１の露光工程と、前記第１のフォトレジスト膜の非露
光部分を除去して露光部分のみを第１の現像膜として残存させる第１の現像工程と、前記
第１の現像膜を含む光学基板ウェハ面上に第１の光学薄膜を成膜する第１の光学薄膜成膜
工程と、前記第１の現像膜、及び該第１の現像膜上の第１の光学薄膜を除去することによ
り、前記光学基板ウェハ面上の第１の光学薄膜だけを残存させる第１の現像膜除去工程と
、前記第１の光学薄膜を含む光学基板ウェハ面上にネガ型の第２のフォトレジスト膜を成
膜する第２のレジスト成膜工程と、前記第２のフォトレジスト膜をポストベーキングせず
に所定のフォトマスクを用いて選択的に露光することにより、前記第１の光学薄膜上の第
２のフォトレジスト全体と、前記ダイシングライン領域の一部を露光する第２の露光工程
と、前記第２のフォトレジスト膜の非露光部分を除去して露光部分のみを第２の現像膜と
して残存させる第２の現像工程と、前記第２の現像膜を含む光学基板ウェハ面上に第２の
光学薄膜を成膜する第２の光学薄膜成膜工程と、前記第２の現像膜、及び該第２の現像膜
上の前記第２の光学薄膜を除去することにより、光学基板ウェハ面上に第２の光学薄膜を
残存させて、前記第１の光学薄膜領域と前記第２の光学薄膜領域とを有する各光学部品の
個片領域と、前記ダイシングライン領域と、を形成する第２の現像膜除去工程と、前記第
２の光学薄膜から成るダイシングラインに沿って切断することにより光学部品個片に分割
する分割工程と、からなることを特徴とする。
【００２２】
第２のフォトレジスト膜をポストベーキングすると、収縮して硬くなり、基板面上にこびり付き残渣となる。残渣をなくするためには残渣が完全に除去されるまでリムーバ液に浸漬しておかねばならないが、長時間（１５〜２４時間）を要し、生産性が著しく低下する。また、長時間浸漬していると、レジストによってリムーバが汚れてしまう。本発明では、このような不具合を解消することができる。また、ダイシングラインをベタで作らず（長手方向への連続線とせず）、長手方向に沿って間隔（基板露出面）を形成した非連続構造としたので、リムーバ液の流動性が高まり、残渣を除去するのに要する時間が短縮化（２時間）する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明を図面に示した実施の形態により詳細に説明する。
図１（ａ）（ｂ）及び（ｃ）は本発明の一実施形態に係るダイシングラインの膜構造を備えた光学基板ウェハ（ガラス基板ウェハ）の構成例を示す全体図、この光学基板ウェハの要部拡大図、及びダイシングラインの一部拡大図である。
図１（ａ）に示すガラス基板ウェハＷの片面には線状のダイシングライン１が格子状に形成されるとともに、ダイシングライン１によって画成される各光学部品個片領域２の面上には第１及び第２の光学薄膜領域６、７が成膜されている。矩形の第２の光学薄膜領域７の一つの角隅部を直線状に面取りすることにより基板面が露出した三角形状のオリフラ３がダイシングラインとの間に形成されている。ダイシングライン１に沿って光学基板ウェハＷを切断することにより光学部品個片としての開口フィルタ５を得る。
【００２４】
図１（ｂ）は（ａ）に示したガラス基板ウェハの一部拡大図であり、光学部品個片としての開口フィルタ５がダイシングライン１を介して連結された状態を示している。この開口フィルタ５は、光学部品個片領域２の面上に性質の異なる第１の光学薄膜領域６、及び第２の光学薄膜領域７を成膜した構成を備えている。例えば、中心部に位置する円形の第１の光学薄膜６はＤＶＤ記録再生用の６６０ｎｍ帯域のレーザ光を透過させる性質を備え、第１の光学薄膜６の外径側に位置する第２の光学薄膜７は６６０ｎｍ帯域、及びＣＤ記録再生用の７８０ｎｍ帯域のレーザ光を共に透過させる性質を備えている。
図１（ｃ）は（ｂ）に示したダイシングライン１の一部拡大図であり、ダイシングライン１を構成する膜は、第２の光学薄膜７を形成する際に同時に形成されるため、第２の光学薄膜を構成する光学薄膜と同材質である。
【００２５】
本発明のダイシングライン１の特徴的な構成は、ダイシングラインを構成する第２の光学薄膜を非連続的（断続的）に、即ちミシン目の如く断続的に配列した点にある。即ち、本発明のダイシングライン１は、光学部品個片領域２上に光学薄膜を成膜する際に同材料によって同時に形成されると共に、ダイシングラインを構成する光学薄膜を、非連続的に配列された複数の短尺光学薄膜２０から構成した点が特徴的である。一つのダイシングラインを構成する各短尺光学薄膜２０間には基板面２１が露出している。
このダイシングライン１を構成する第２の光学薄膜は、図示しないダイシングブレードによって切断する際の切断幅の中心線に沿って形成された細い中心線１ａと、中心線１ａの両サイドに夫々所定の間隔を隔てて平行に配置された太い外側線１ｂと、から構成されている。中心線１ａと各外側線１ｂとの間、及び外側線１ｂの外側にはガラス基板面が線状に露出した基板露出部１ｃが残されている。
【００２６】
各ダイシングライン１を構成する中心線１ａ、及び外側線１ｂは、何れもミシン目状に寸断されており、非連続的に形成されている。個々の短尺光学薄膜２０の形状、寸法と、短尺光学薄膜２０間に露出した基板面２１の寸法（短尺光学薄膜の形成ピッチ）は任意に設定可能である。但し、後述するようにフォトレジスト膜をリムーバ液に浸漬したときの液の循環性（光学部品個片領域２内のオリフラ３への循環性）を考慮すると、各線１ａ、１ｂに夫々形成する露出した各基板面２１は図示のように同じ位置関係にあるように構成（幅方向に沿って直線状に配列）することが好ましい。
また、ダイシングラインを形成するのに要するフォトレジスト膜材料の使用量が全体として減少する結果として、リムーバ液によって除去されるレジスト膜の量が減少して、リムーバ液の寿命を延ばすことが出来る。
なお、この例ではダイシングラインを三本の線１ａ、１ｂ、１ｂにより構成した例を示したが、本数や各線の太さが限定されるものではない。従って例えば図２（ａ）に示したように一本のダイシングライン１をミシン目状に非連続に構成してもよい。
【００２７】
また、図１（ｃ）に示した短尺光学薄膜２０の形状は線状、帯状、或いは矩形ブロック
状であるが、個々の短尺光学薄膜の形状に制限はない。例えば、図２（ｃ）に示したダイ
シングライン構造の変形例のように、外側線１ｂを構成する短尺光学薄膜２０をＥ字状、
その他の任意の形状に構成してもよい。このダイシングラインにあっても個々の短尺光学
薄膜間には露出した基板面２１が位置しているため、フォトレジスト膜除去用のリムーバ
液の基板面に沿った循環性、流動性が向上し、オリフラ領域３上のレジストを効率良く除
去することが可能となる。更に、リムーバ液によって除去されるレジスト膜材料の量が減
少する結果として、リムーバ液の寿命を延ばすことが出来る。
【００２８】
第２の光学薄膜７と同材料により構成されるダイシングライン１（１ａ、１ｂ）を非連続的な構成とした場合には、ダイシングライン１を形成する直前の工程において基板露出部１ｃ、及びオリフラ形成領域３上にフォトレジスト膜が形成されている。このフォトレジスト膜を除去するためにリムーバ液中にガラス基板ウェハＷ全体を浸漬させた際に、図１（ｃ）中に矢印で示すように短尺光学薄膜２０間の露出した基板面２１を介してリムーバ液がダイシングライン内外は勿論、光学部品個片領域２内にも十分に循環して供給される。このため、ダイシングライン領域内、及びオリフラ領域内のフォトレジスト膜を短時間で効率的に除去することが可能となる。
【００２９】
前述の如く、オリフラ面にフォトレジスト膜等の残渣が僅かでも残っていると、光学部品を自動マウンタによって実機に組み付ける際に、光学部品の方向を確認できないため不良品として廃棄されることとなるが、本発明によればこのような不良品率の発生を大幅に減少することができる。
特に、成膜されたフォトレジスト膜がポストベイクされている場合には、フォトレジスト膜が凝固した状態となるため、リムーバ液に浸漬することによるレジスト除去に要する時間は更に長時間化して生産性が大幅に低下したり、リムーバ液が汚れて寿命が短くなるが、後述するように本発明ではポストベイクしない方法を採用するため、このような不具合を解消できる。
【００３０】
次に、図２（ｂ）に示すようにダイシングラインを構成する光学薄膜を連続した帯状膜
２５から構成すると共に、帯状膜２５の幅内に穴状の基板露出部（非膜部）２６を断続的
に形成した構成であってもよい。この実施形態に係るダイシングラインは帯状膜２５の幅
内に基板露出部２６を有しているために成膜過程でマスクとして使用されるフォトレジス
ト膜の使用量を減少させることができ、その結果リムーバ液によってダイシングライン領
域上のレジスト膜を除去するのに要する時間を短縮することができる。更に、リムーバ液
によって除去されるレジスト膜材料の量が減少する結果として、リムーバ液の寿命を延ば
すことが出来る。なお、各基板露出部２６を包囲する帯状膜２５の一部に切欠きを設けて
基板露出部２６を帯状膜外部と連通させることによりリムーバ液の循環性を高めることが
可能である。
【００３１】
次に、図３（ａ）乃至（ｊ）はガラス基板ウェハ上に複数の開口フィルタとダイシングラインを形成する手順（光学部品としての開口フィルタの製造方法）を示す工程図である。
まず、図３（ａ）の第１のレジスト成膜工程では、光学基板ウェハＷの片面上にネガ型の第１のフォトレジスト膜１１を成膜する。（ｂ）の第１の露光工程では、第１のフォトレジスト膜１１をプレベーキング、及びポストベーキングした後で、所定の開口パターンを備えたフォトマスク１２を用いて選択的に露光することにより第１の光学薄膜領域６となる範囲を除いた第２の光学薄膜領域７とダイシングライン領域１を露光する。この際、第２の光学薄膜領域７とダイシングライン領域１との間に位置する図示しないオリフラ形成領域も露光する。
【００３２】
図３（ｃ）の第１の現像工程では、第１のフォトレジスト膜１１の非露光部分を除去して露光部分のみを第１の現像膜１３として残存させる。この時点で、ガラス基板ウェハＷの他の面上は、第１の現像膜１３の形成範囲を除けば露出した状態にある。（ｄ）の第１の光学薄膜成膜工程では、第１の現像膜１３の上面を含む光学基板ウェハ面全体に第１の光学薄膜１４を成膜する。（ｅ）の第１の現像膜除去工程では、第１の現像膜１３、及び第１の現像膜上の第１の光学薄膜１４を除去することにより、光学基板ウェハＷ面上に第１の光学薄膜１４だけを残存させる。つまり、工程（ｃ）において露出した基板面上のみに光学薄膜１４が成膜された状態となる。
【００３３】
図３（ｆ）の第２のレジスト膜成膜工程では、第１の光学薄膜１４の上面を含む光学基板ウェハＷ面上にネガ型の第２のフォトレジスト膜１５を成膜する。この工程では、第２のフォトレジスト膜１５をプレベーキングするが、ポストベーキングしない点が特徴的である。プレベーキングするだけで第２のフォトレジスト膜１５の保形性を十分に維持できるからである。つまり、この工程では、後述するリムーバ液によって第２のフォトレジスト膜を容易に除去できる程度に硬化させれば十分である。（ｇ）の第２の露光工程では、所定の開口パターンを備えたフォトマスク１６を用いて選択的に露光することにより、第１の光学薄膜１４上の第２のフォトレジスト膜１５全体（第１の光学薄膜６に相当する領域）と、ダイシングライン１ａ、１ｂ間の基板露出部１ｃとなる線状の領域と、短尺光学薄膜２０間の露出した基板面２１、及び図示しないオリフラ領域３を露光する。
【００３４】
図３（ｈ）の第２の現像工程では、第２のフォトレジスト膜１５の非露光部分を除去して露光部分のみを第２の現像膜１７として残存させる。（ｉ）の第２の光学薄膜成膜工程では、第２の現像膜１７の上面と、第２の現像膜１７によって覆われていない光学基板ウェハ面上に第２の光学薄膜１８を成膜する。（ｊ）の第２の現像膜除去工程では、第２の現像膜１７（第２のフォトレジスト膜１５）を除去するためのリムーバ液（溶剤）により第２の現像膜１７、及び第２の現像膜１７上の第２の光学薄膜１８を除去（リフトオフ）することにより、光学基板ウェハＷ面上に直接成膜された第２の光学薄膜１８を残存させる。
【００３５】
図１（ｂ）（ｃ）に示した基板露出面としてのオリフラ３については、図３（ｊ）中に示されていないが、ダイシングライン領域１を構成する一方の外側線１ｂの更に外側位置（光学部品個片領域２内）に、ダイシングライン領域内の露出部１ｃと同様の手法により形成される。
上記各工程を実施した結果、各個片領域２内には、夫々第１の光学薄膜１４（６）、第２の光学薄膜１８（７）、及びオリフラ（基板露出面）３を備えた開口フィルタ５が形成される。
ダイシングライン領域１は、図１（ｃ）に示した中心線１ａ、外側線１ｂ、及び基板露出部１ｃと、個々の中心線１ａ及び外側線１ｂを構成する短尺光学薄膜２０及び露出した基板面２１と、から構成されている。中心線１ａ、及び外側線１ｂは夫々非連続的な構成を有している。
【００３６】
本発明の製造方法にあっては、第２のレジスト膜成膜工程（ｆ）において第２のフォトレジスト膜１５をポストベーキングしないで第２の現像膜１７とするため、（ｇ）の露光工程、（ｈ）の現像後にウェハ面上に第２の現像膜１７が収縮して強く固着した状態となることがない。従って、第２の現像膜除去工程（ｊ）においてリムーバ液（溶剤）によって第２の現像膜１７（第２のフォトレジスト膜１５）を簡単、且つ短時間（約２時間）で除去することができ、オリフラ３の形成領域と、基板露出部１ｃの面上に夫々第２の現像膜（第２のフォトレジスト膜）１７の残渣が残ることがなくなる。
このため、オリフラ３の形成領域にレジスト残渣が付着した状態の光学部品個片がアッセンブリメーカに供給されることがなくなるため、不良品として廃棄される可能性が大幅に低下する。
【００３７】
更に、本発明のダイシングラインは、短尺光学薄膜２０を露出した基板面２１を介して断続的に配列した構成を備えているので、工程（ｊ）においてリムーバ液をダイシングライン内のみならずオリフラ３の形成領域にまで十分に循環させることが可能となり、その結果、第２の現像膜１７を効率的に除去することができる。つまり、リムーバ液は短尺光学薄膜２０間の基板面２１を介してオリフラ形成領域側へ流動して同領域上の第２の現像膜１７を残渣なく除去することが可能となる。
上記製造手順は、図２（ａ）（ｂ）及び（ｃ）に夫々例示した他の形態例に係るダイシングラインの膜構造の製造に際しても適用することができることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】（ａ）（ｂ）及び（ｃ）は本発明の一実施形態に係るダイシングラインの膜構造を備えた光学基板ウェハ（ガラス基板ウェハ）の構成例を示す全体図、この光学基板ウェハの要部拡大図、及びダイシングラインの一部拡大図である。
【図２】（ａ）（ｂ）及び（ｃ）は本発明の他の実施形態に係るダイシングラインの膜構造を示す図である。
【図３】（ａ）乃至（ｊ）はガラス基板ウェハ上に複数の開口フィルタとダイシングラインを形成する手順を示す工程図である。
【図４】（ａ）はガラス基板ウェハの全体図、（ｂ）はこのガラス基板ウェハの一部拡大図、（ｃ）は（ｂ）に示したダイシングラインの一部の更なる拡大図である。
【図５】（ａ）乃至（ｊ）は図４に示したガラス基板ウェハ上に複数の開口フィルタとダイシングラインを形成する手順を示す説明図である。
【符号の説明】
【００３９】
１…ダイシングライン（領域）、１ａ…中心線、１ｂ…外側線、１ｃ…基板露出部、２…個片領域、３…オリフラ（形成領域）、５…開口フィルタ、６…第１の光学薄膜（形成領域）、７…第２の光学薄膜（形成領域）、１２…フォトマスク、１３…現像膜、１４…第１の光学薄膜、１５…フォトレジスト膜、１６…フォトマスク、１７…現像膜、１８…第２の光学薄膜、２０…短尺光学薄膜、２１…露出した基板面、２５…帯状膜、２６…基板露出部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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