(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板上に半導体レーザ素子を搭載する搭載部を有するとともに、該搭載部直下の絶縁基板内部に発熱抵抗体が埋設されており、かつ前記絶縁基板の内部または上面に測温抵抗体が形成されており、該測温抵抗体は、平面視で前記発熱抵抗体と重ならないように、前記搭載部を取り囲むように設けられていることを特徴とする半導体レーザ素子搭載用基板。
【請求項２】
請求項１記載の半導体レーザ素子搭載用基板上に半導体レーザ素子を搭載するとともに、これらを気密封止されたパッケージの内部にペルチェ素子を介して収容して成ることを特徴とする半導体レーザモジュール。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体レーザ素子を搭載するとともに温度調節機能を有する半導体レーザ素子搭載用基板、およびこれを使用した光通信用の半導体レーザモジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、光通信用の半導体レーザ（Laser Diode で、以下、ＬＤと略す）モジュールに使用されるＬＤ素子は、その発振波長や光出力等がＬＤ素子の温度により変化することが判っている。従って、ＬＤ素子を安定して作動させるためには、ＬＤ素子の温度を所定の温度に制御することが必要となる。従来より、ＬＤ素子の温度制御は、ＬＤ素子の温度を測定するための測温素子と、この測温素子が測定した温度情報を基にＬＤ素子の冷却または加熱を行なうためのペルチェ素子とにより行なわれている。そして、このような測温素子およびペルチェ素子は、ＬＤ素子とともに気密封止が可能なパッケージ内に収められてＬＤモジュールを構成する。
【０００３】
ここで、従来のＬＤモジュールを図６に断面図で示す。従来のＬＤモジュールは、基体２１と蓋体２２とから成るパッケージ２０の内部に、ペルチェ素子２３，ＬＤ素子２４および測温素子２５を気密に収容して成る。なお、ＬＤ素子２４および測温素子２５は、これらを搭載するためのＬＤ素子搭載用基板（サブキャリア）２６の上に配置されている。パッケージ２０を構成する基体２１は、酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）質焼結体等のセラミックスや銅（Ｃｕ）−タングステン（Ｗ）合金，鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金等の金属から成り、主として平板状の底板部２１ａと枠状の側壁部２１ｂとから構成され、上面が開口された箱状となっている。基体２１の底板部２１ａの上面にはペルチェ素子２３が搭載固定されており、このペルチェ素子２３の上面には、ＬＤ素子２４および測温素子２５がＬＤ素子搭載用基板２６の上に配置された状態で搭載されている。
【０００４】
また、基体２１の側壁部２１ｂには、鉄−ニッケル合金や鉄−ニッケル−コバルト合金等の金属から成る光ファイバ固定部材としてのパイプ２７が取着されており、このパイプ２７の内部には光ファイバ２８が挿通されＬＤ素子２４と光学的に結合した状態で固定されている。光ファイバ２８は、その先端の光入出射端がＬＤ素子２４と対向して配置されており、ＬＤ素子２４からのレーザ光を光ファイバ２８を介して外部に伝送できるようになっている。
【０００５】
さらに、基体２１の底板部２１ａまたは側壁部２１ｂには、リード端子２９が固定されており、このリード端子２９は、ペルチェ素子２３やＬＤ素子２４，測温素子２５と電気的に接続されている。
【０００６】
また、蓋体２２は、鉄−ニッケル−コバルト合金や鉄−ニッケル合金等の金属から成る平板状のものであり、基体２１の側壁部２１ｂの上面に例えばシーム溶接法により接合されることにより、基体２１と蓋体２２とから成るパッケージを構成し、その内部にペルチェ素子２３およびＬＤ素子２４ならびに測温素子２５を収納し、気密に封止している。
【０００７】
この従来のＬＤモジュールにおいて使用されるＬＤ素子搭載用基板（以下ＬＤ基板と略す）２６について、図７を用いてより詳細に説明する。図７は、図６のＬＤ基板２６とその上に配置されたＬＤ素子２４および測温素子２５とを示す斜視図である。ＬＤ基板２６は、例えば酸化アルミニウム質焼結体等の電気絶縁材料から成る基板３０の上面の一端側に、ＬＤ素子２４を搭載するための金属薄膜から成る搭載部３１を有している。搭載部３１を構成する金属薄膜は、例えばチタン（Ｔｉ）膜，白金（Ｐｔ）膜，金（Ａｕ）膜からなる３層構造の金属薄膜である。この搭載部３１の上に、ＬＤ素子２４が例えば金（Ａｕ）−錫（Ｓｎ）合金から成るろう材を介して固定されている。ＬＤ基板２６はまた、その裏面にも例えばチタン膜，白金膜，金膜からなる３層構造の金属薄膜（不図示）が略全面に被着されており、この裏面の金属薄膜とペルチェ素子２３とをろう付けすることによりＬＤ基板２６がペルチェ素子２３上に接合固定されている。
【０００８】
なお、測温素子２５は、例えばサーミスタから成り、基板３０の上面の光ファイバと反対側にＬＤ素子２４に隣接して搭載されている。この測温素子２５は、温度によってその電気抵抗値が変化し、その電気抵抗値の変化をリード端子２９を介して外部の制御回路に伝え、この制御回路からの指示でペルチェ素子２３を駆動することによりＬＤ素子２４を所定の温度に制御する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
上記従来のＬＤモジュールにおいては、ＬＤ素子２４は作動時には発熱して高温となり、作動停止時にはその温度が下がる。そこで、ＬＤ素子２４の作動時にはＬＤ素子２４を冷却し、逆に作動停止時には加熱しなければならない。しかしながら、ペルチェ素子２３はある程度の熱容量を有することおよびＬＤ素子２４との間にＬＤ基板２６を介していることから、ペルチェ素子２３による冷却状態と加熱状態とがすぐには切り替わらずに、例えばＬＤ素子２４の作動開始時等にＬＤ素子２４が定温状態となるまでに時間がかかり、迅速、かつ高精度なＬＤ素子２４の作動および温度制御を行なうことが困難であるという問題点を有していた。また、ＬＤ基板２６上面の光ファイバと反対側に例えばサーミスタ等から成る測温素子２５がＬＤ素子２４に隣接して搭載されており、このため、ＬＤ基板６上に搭載される部品点数が多く、モジュールの組み立てが煩雑であるという問題点を有していた。
【００１０】
本発明はかかる従来の問題点に鑑み完成されたものであり、その目的は、迅速でかつ高精度な作動および温度制御を行なうことが可能なＬＤ素子搭載用基板およびＬＤモジュールを提供することにある。また本発明の別の目的は、ＬＤ基板に搭載される部品点数を少なくし、組み立てが簡単なＬＤモジュールを提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体レーザ素子搭載用基板は、絶縁基板上に半導体レーザ素子を搭載する搭載部を有するとともに、該搭載部直下の絶縁基板内部に発熱抵抗体が埋設されており、かつ前記絶縁基板の内部または上面に測温抵抗体が形成されており、該測温抵抗体は、平面視で前記発熱抵抗体と重ならないように、前記搭載部を取り囲むように設けられていることを特徴とするものである。
【００１２】
また、本発明のＬＤモジュールは、上記の半導体レーザ素子搭載用基板上に半導体レーザ素子を搭載するとともに、これらを気密封止されたパッケージの内部にペルチェ素子を介して収容して成ることを特徴とする。
【００１３】
本発明のＬＤ基板およびＬＤモジュールによれば、ＬＤ素子が搭載されるＬＤ基板の搭載部の直下に発熱抵抗体が埋設されていることから、この発熱抵抗体により加熱することによって、作動停止時のＬＤ素子を常に作動時と同様の高温となしておくことができ、これによりＬＤ素子の作動開始時等に迅速かつ高精度な作動開始および温度制御を行なうことができる。また、ＬＤ基板の絶縁基板の内部または上面に測温抵抗体が形成されており、この測温抵抗体は、平面視で発熱抵抗体と重ならないように、搭載部を取り囲むように設けられていることから、この測温抵抗体を測温素子として利用することにより、ＬＤ基板上にサーミスタ等の測温素子を搭載する必要がなく、ＬＤ基板に搭載される部品点数を少なくしてモジュールの組み立てを容易とすることができる。また、測温抵抗体は、平面視で発熱抵抗体と重ならないように、搭載部を取り囲むように設けられていることから、ＬＤ素子からの熱を略均一に受けることができ、迅速かつ精度の高い測温が可能である。
【００１４】
【発明の実施の形態】
次に、本発明を添付の図面を基に詳細に説明する。図１は、本発明のＬＤ基板およびこれを使用したＬＤモジュールの実施形態の一例を示す断面図であり、本発明のＬＤモジュールは、基本的に、基体１と蓋体２とから成るパッケージの内部にペルチェ素子３，ＬＤ素子４，測温抵抗体５ならびにＬＤ基板６を気密に収容して成る。
【００１５】
パッケージを構成する基体１は、酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）質焼結体や窒化アルミニウム（ＡｌＮ）質焼結体，ムライト（３Ａｌ2 Ｏ3 ，２ＳｉＯ2 ）質焼結体，炭化珪素（ＳｉＣ）質焼結体，窒化珪素（Ｓｉ3 Ｎ4 ）質焼結体，ガラスセラミックス等のセラミックス材料、あるいは銅を含浸させたタングステン多孔質体や鉄−ニッケル合金，鉄−ニッケル−コバルト合金等の金属から成り、基体１の主要部は略平板状の底板部１ａと枠状の側壁部１ｂとから構成されている。なお、底板部１ａと側壁部１ｂとは同じ材料から形成されていてもよいし、互いに異なる材料から形成されていてもよい。ただし、底板部１ａと側壁部１ｂとを互いに異なる材料で形成する場合には、両者の熱膨張係数の差ができるだけ小さいものとなる組み合わせを選択することが好ましい。
【００１６】
基体１の底板部１ａの上面には、ペルチェ素子３が搭載固定される。ペルチェ素子３は、ＬＤ素子４を所定の温度に冷却するための熱ポンプとして機能し、測温抵抗体５により測定したＬＤ素子４の温度情報を基にＬＤ素子４が所定の温度となるように冷却する。そして、このペルチェ素子３の上面には、ＬＤ基板６が搭載固定されており、このＬＤ基板６上にはＬＤ素子４および測温抵抗体５が配置されている。なお、この例では測温抵抗体５は基板６の上面に被着形成されている。
【００１７】
ＬＤ基板６は、本発明の参考例を示す図２に斜視図で示すように、酸化アルミニウム質焼結体，窒化アルミニウム質焼結体，ムライト質焼結体，炭化珪素質焼結体，窒化珪素質焼結体，ガラスセラミックス等の電気絶縁性の材料から成る、長方形等の四角平板状の２層の絶縁層７ａ，７ｂを、積層一体化した絶縁基板７の上面にＬＤ素子４を搭載するための搭載部８および測温抵抗体５を有するとともに、搭載部直下で絶縁層７ａと７ｂとの間にＬＤ素子４を加熱するための発熱抵抗体９が埋設されて成る。この基板６は、下層の絶縁層７ｂの測温抵抗体５側の一端部が上層の絶縁層７ａから突出しており、この突出部の上面に発熱抵抗体９の両端部が導出している。また、絶縁基板７の下面には、ＬＤ基板６をペルチェ素子３に接合するための接合用金属層（不図示）が被着されている。なお、図２では絶縁基板７が絶縁層７ａ，７ｂを積層させた構造であるが、３層以上の絶縁層を積層させた構造としても構わない。
【００１８】
絶縁基板７は、例えば酸化アルミニウム質焼結体から成る場合、酸化アルミニウム，酸化珪素，酸化マグネシウム，酸化カルシウム等のセラミック粉末に適当な有機バインダ，溶剤を添加混合して得た泥漿状のペーストを、公知のドクタブレード法によりシート状に成形することにより、絶縁層７ａ，７ｂ用の２枚のセラミックグリーンシートを準備し、このセラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工や切断加工を施した後、上下に積層し、この成形体を約１６００℃の温度で焼成することによって製作される。
【００１９】
なお、絶縁基板７は、窒化アルミニウム質焼結体や炭化珪素質焼結体，窒化珪素質焼結体で形成すると、これらの材料はその熱伝導率が４０Ｗ／ｍ・Ｋ以上と高いため、ＬＤ基板６上に搭載されるＬＤ素子４とペルチェ素子３との間の熱伝達を良好に行なうことができ、ＬＤ素子４の温度制御を迅速に行なうことが可能となる。
【００２０】
絶縁基板７の上面に配設された搭載部８は、絶縁基板７にＬＤ素子４を接合するための下地金属として機能し、その上面にはＬＤ素子４が金−錫合金等の低融点ろう材を介して取着される。
【００２１】
この搭載部８は、例えば絶縁基板７の側からチタン膜，白金膜，金膜の順で積層された３層構造の金属薄膜から形成されている。チタン膜は、絶縁基板７に対する密着金属であり、その厚みが好ましくは１００〜２０００オングストローム（Å）程度である。チタン膜の厚みが１００オングストローム未満では、絶縁基体７に強固に密着することが困難となる傾向にあり、２０００オングストロームを超えると、成膜時に発生する内部応力によって剥離が発生しやすくなる。また、白金膜はチタン膜中のチタンが金膜に拡散するのを防止するバリア層であり、その厚みが好ましくは５００〜１００００オングストローム程度である。白金膜の厚みが５００オングストローム未満では、チタン膜中のチタンが金膜に拡散するのを十分に防止することが困難となる傾向にあり、１００００オングストロームを超えると、成膜時に発生する内部応力によって剥離が発生しやすくなる。さらに、金膜は、搭載部８にＬＤ素子４を取着する際のろう材との濡れ性を向上させるためのものであり、その厚みが好ましくは１０００〜５００００オングストローム程度である。金膜の厚みが１０００オングストローム未満では、ろう材に対する十分な濡れ性が得られなくなる傾向にあり、５００００オングストロームを超えると、成膜時に発生する内部応力によって剥離が発生しやすくなる。
【００２２】
なお、このような搭載部８用のチタン膜，白金膜，金膜は、スパッタリング法やイオンプレーティング法，蒸着法等の公知の薄膜成形技術を採用することによって、これらの金属膜を絶縁基板７の上面に被着させるとともに、公知のフォトリソグラフィ技術を用いて所定のパターンにエッチングすることによって形成される。
【００２３】
また、絶縁基板７の上面に形成された測温抵抗体５は、搭載部８に搭載されたＬＤ素子４の温度を測定するための測温素子として機能し、例えばチタン膜と白金膜とが積層された２層構造の金属薄膜からなる。チタン膜は、絶縁基板７に対する密着金属であり、その厚みが好ましくは１００〜２０００オングストローム程度である。チタン膜の厚みが１００オングストローム未満では、絶縁基体７に強固に密着することが困難となる傾向にあり、２０００オングストロームを超えると、成膜時に発生する内部応力によって剥離が発生しやすくなる。また、白金膜は主要抵抗体として機能し、その厚みが好ましくは５００〜１００００オングストローム程度である。白金膜の厚みが５００オングストローム未満では、白金膜にピンホール等の欠陥が発生しやすく、均質な測温抵抗体５を得ることが困難となる傾向にあり、１００００オングストロームを超えると、成膜時に発生する内部応力によって剥離が発生しやすくなる。この金属薄膜から成る測温抵抗体５は、その電気抵抗値が温度によって変化するので、電気抵抗値を測定することによってＬＤ素子４の温度を知ることができる。
【００２４】
そして、この本発明の参考例のＬＤ基板６においては、測温抵抗体５は線状または帯状であり、絶縁基板７の上面の搭載部８に隣接してつづら折り状のパターンに被着形成されている。このように、測温抵抗体５が絶縁基板７の上面に被着形成されているので、ＬＤ基板６の上にサーミスタ等の測温素子を搭載する必要がない。したがって、ＬＤモジュールの組み立てが極めて簡単になる。測温抵抗体５の幅は、０．０１〜１ｍｍ程度が好ましい。測温抵抗体５の幅が０．０１ｍｍ未満では、測温抵抗体５に断線が発生するおそれが高くなる。他方１ｍｍを超えると、測温抵抗体５の電気抵抗値が小さくなり過ぎて測温の精度が低下する。そして、測温抵抗体の長さは、０．５〜５０ｍｍ程度が好ましい。測温抵抗体５の長さが０．５ｍｍ未満では、測温抵抗体としての十分な電気抵抗値を得るのが困難となる傾向にあり、他方５０ｍｍを超えると、そのような長い測温抵抗体を絶縁基板７の上面に設けるために基板６が大型化してしまう。また、測温抵抗体５はその入出力用の両端部に外部の制御回路等に電気的に接続される端子電極５ａが形成されている。この端子電極５ａは、測温抵抗体５の両端部に例えば金の薄膜を被着させて成る。そして、測温抵抗体５は、例えばチタン膜と白金膜とが積層された２層構造の金属薄膜から成る場合、絶縁基板７の上面にチタン膜，白金膜，金膜をスパッタリング法やイオンプレーティング法、蒸着法等の薄膜形成技術により順次被着させるとともに、これらをフォトリソグラフィ技術により所定のパターンにエッチングすることによって搭載部８と同時に絶縁基板７の上面に形成される。
【００２５】
また、絶縁基板７の搭載部８直下に埋設された発熱抵抗体９は、ＬＤ素子４を加熱するための発熱抵抗体であり、例えばタングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍｏ），タングステン（Ｗ）−モリブデン（Ｍｏ）合金，タングステン（Ｗ）−レニウム合金（Ｒｅ），白金（Ｐｔ）等の抵抗体材料から成る。このように、ＬＤ基板６には、搭載部８の直下に発熱抵抗体９が配置されていることから、ＬＤ素子４の作動停止時に発熱抵抗体９を発熱させてＬＤ素子４を作動時と同様の高温としておくことができ、その結果ＬＤ素子４の作動開始時に迅速かつ高精度の作動開始および温度制御を行なうことができ、半導体レーザ素子４を常に安定、かつ確実に作動させることが可能となる。
【００２６】
発熱抵抗体９は、例えばタングステン−モリブデン合金から成る場合であれば、１０〜９０重量％のタングステン粉末および１０〜９０重量％のモリブデン粉末に適当な有機バインダ，溶剤を添加混合して得た抵抗体ペーストを絶縁基板７用のセラミックグリーンシートに公知のスクリーン印刷法により所定のパターンに印刷塗布するとともに、これを前記セラミックグリーンシートと同時焼成することによって絶縁基板７の搭載部８直下に埋設されるように形成される。なお、発熱抵抗体９の電気抵抗を高いものとするとともにその熱膨張係数を調整するために、前記抵抗体ペースト中に絶縁基板７用のセラミックグリーンシートに含有されるセラミック粉末を５〜３０重量％程度含有させてもよい。そして、本発明のＬＤ基板６においては、発熱抵抗体９が絶縁基板７内部で搭載部８直下に埋設されていることが重要である。
【００２７】
また、本発明の発熱抵抗体９は、本発明の参考例を示す図２に示すように線状または帯状とされ、ＬＤ素子４の裏面全体に対応するように、綴ら折り状または螺旋状に形成するのが好ましい。なお、発熱抵抗体９の発熱量は、０．１〜１０００ｍＷ程度が好ましい。０．１ｍＷ未満ではＬＤ素子４を十分に加熱することが困難となり、他方１０００ｍＷを超えると、ＬＤ素子４が高温となりすぎる危険がある。また一般に、ＬＤ素子４が駆動される温度は約２０〜８０℃であり、前記温度範囲内で温度を変化させることにより発振波長を制御することもできる。
【００２８】
発熱抵抗体９は、その入出力用の両端部を絶縁基板７の表面に導出させるようにして、搭載部８との間に好ましくは０．０１〜１ｍｍの間隔をあけて搭載部８の直下に埋設されており、これによりＬＤ素子４を短い距離で短時間に加熱することができ、迅速かつ精度の高い温度制御が可能となる。このように発熱抵抗体９は、搭載部８の直下に埋設させただけなので絶縁基板７上に大きな領域を占有することがない。その結果、ＬＤ基板６が大型化することはない。そして、発熱抵抗体９と搭載部８との間隔が０．０１ｍｍ未満の場合、発熱抵抗体９と搭載部８との間に電気的な短絡を引き起こす危険性があり、他方１ｍｍを超えると、搭載部８に搭載されるＬＤ素子４から発熱抵抗体９までの距離が大きなものとなり過ぎて、ＬＤ素子４のを迅速に加熱することが困難となる傾向にある。
【００２９】
なお、発熱抵抗体９は、その厚みが５〜５０μｍ程度が良い。発熱抵抗体９の厚みが５μｍ未満であると、発熱抵抗体９に断線が発生するおそれが高くなる。他方５０μｍを超えると、発熱抵抗体９の電気抵抗値が小さくなり過ぎて、発熱の効率が低下する。また、発熱抵抗体９の幅は、０．０５〜０．５ｍｍ程度が好ましい。発熱抵抗体９の幅が０．０５ｍｍ未満では、発熱抵抗体９に断線が発生するおそれが高くなる。他方０．５ｍｍを超えると、発熱抵抗体９の電気抵抗値が小さくなり過ぎて、発熱の効率が低下する。そして、発熱抵抗体９の長さは、０．５〜５０ｍｍ程度が好ましい。発熱抵抗体９の長さが０．５ｍｍ未満では、発熱抵抗体としての十分な電気抵抗値を得るのが困難となる傾向にあり、他方５０ｍｍを超えると、そのような長い発熱抵抗体９を絶縁基板７に設けるためにＬＤ基板６を大型化する必要ある。
【００３０】
さらに、絶縁基板７の表面に導出した発熱抵抗体９の両端部には、外部の制御回路に電気的に接続される端子電極９ａが形成されている。この端子電極９ａは、絶縁基板７の絶縁層７ｂの上面において線状の発熱抵抗体９の両端部を金属薄膜で覆うようにして形成され、例えば搭載部８を構成する金属薄膜と同じ構成の金属薄膜を被着させて成る。このような端子電極９ａは、例えば予め絶縁基板７の内部に発熱抵抗体９となる抵抗体材料を、その両端部が絶縁基板７の絶縁層７ｂの上面に露出するようにして形成するとともに、その上を覆うようにして搭載部８および端子電極９ａとなる金属薄膜を被着させ、この金属薄膜を搭載部８および端子電極９ａの部分が残るようにエッチングすることにより搭載部８と同時に形成することができる。
【００３１】
また、絶縁基板７の下面（裏面）に被着させた接合用金属層は、搭載部８を構成する金属薄膜と同じ構成の金属薄膜から形成すればよい。
【００３２】
そして、図１に示すように、基体１の側壁１ｂにはこれを貫通するようにして鉄−ニッケル合金や鉄−ニッケル−コバルト合金等の金属から成るパイプ１０が取着固定されている。パイプ１０は、パッケージに光ファイバ１１を固定するためのものであり、その内部に光ファイバ１１が挿通固定される。光ファイバ１１は、その先端がＬＤ素子４と対向するようにして配置されており、これによりＬＤ素子４から発生するレーザ光を光ファイバ１１を介して外部に伝送することができる。
【００３３】
さらに、基体１の底板部１ａまたは側壁部１ｂには、鉄−ニッケル合金や鉄−ニッケル−コバルト合金等の金属から成るリード端子１２がパッケージの外部に突出するようにして設けられる。このリード端子１２は、基体１の底板部１ａまたは側壁部１ｂを貫通するようにして設けられる、または基体１の内部から外部に導出する配線導体に接合されることにより、パッケージの内部と外部とを電気的に接続することを可能とする。そして、リード端子１２には、パッケージ内部のペルチェ素子３，ＬＤ素子４，測温抵抗体５，発熱抵抗体９が電気的に接続されている。
【００３４】
他方、蓋体２は、鉄−ニッケル合金や鉄−ニッケル−コバルト合金等の金属から成る略平板であり、基体１の側壁部１ｂの上面に例えばシーム溶接により接合される。そして、これにより基体１と蓋体２とから成る箱状のパッケージの内部にペルチェ素子３，ＬＤ素子４および測温抵抗体５等が気密に封止されている。なお、蓋体２をシーム溶接により側壁部１ｂに接合する場合であって、側壁部１ｂがセラミックス材料や銅を含浸させたタングステン多孔質体から成る場合、側壁部１ｂの上面に鉄−ニッケル合金や鉄−ニッケル−コバルト合金から成る金属枠体をシーム溶接のための下地金属部材として予め取着させておく必要がある。
【００３５】
かくして、本発明のＬＤ基板およびＬＤモジュールによれば、ＬＤ素子の作動停止時にＬＤ素子を作動時と同様の高温に加熱することにより、迅速かつ高精度の温度制御が可能となるとともにモジュールの組み立てが容易となる。
【００３６】
なお、本発明のＬＤ基板およびＬＤモジュールは上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更は可能である。例えば、上述の実施形態の一例では、ＬＤ基板６の搭載部８および測温抵抗体５は、密着金属としてチタンを、バリア層および主要抵抗体として白金を使用したが、密着金属としては、クロム（Ｃｒ），タンタル（Ｔａ），ニオブ（Ｎｂ），ニクロム（Ｎｉ−Ｃｒ），窒化タンタル（Ｔａ2 Ｎ）等を使用してもよく、またバリア層および主要抵抗体としては、パラジウム（Ｐｄ），ロジウム（Ｒｈ），ルテニウム（Ｒｕ），ニッケル（Ｎｉ），チタン（Ｔｉ）−タングステン（Ｗ）等を用いてもよい。
【００３７】
また、ＬＤ基板６の搭載部８の上面にＬＤ素子４を取着するための、例えば金−錫合金から成るろう材を、スパッタリング法等を採用して所定の厚みに被着させてもよい。この場合には、搭載部８にＬＤ素子４を搭載する際にろう材を配置する手間を省くことができる。
【００３８】
さらに、上述の参考例では、例えば測温抵抗体５を絶縁基板７の上面に搭載部８に隣接してつづら折り状に設けたが、測温抵抗体５は、本発明の実施の形態の一例を示す図３にＬＤ基板６の斜視図で示すように、絶縁基板７の上面に搭載部８との間に０．０１〜５ｍｍ程度の間隔をあけて搭載部８を取り囲むように設けられる。このことから、測温抵抗体５が絶縁基板７上に占有する領域を小さいものとして、ＬＤ基板６およびこれを収容するＬＤモジュールを小型化することができる。また、ＬＤ素子４からの熱を短い距離で略均一に受けることができ、迅速かつ精度の高い測温が可能である。このＬＤ基板６では測温抵抗体５と搭載部８との間隔が０．０１ｍｍ以下となると、測温抵抗体５と搭載部８との間に電気的な短絡を引き起こす危険性があり、他方５ｍｍを超えると、搭載部８に搭載されるＬＤ素子４から測温抵抗体５までの距離が長いものとなり、ＬＤ素子４の温度の変化に対する追従性が鈍いものとなるとともに、測温抵抗体５を設けるために大きな領域が必要となりＬＤ基板６が大型化してしまう。
【００３９】
またさらに、上述の実施の形態の例および参考例では、測温抵抗体５を絶縁基板７の上面に設けたが、測温抵抗体５は、本発明の参考例を示す図４や本発明の実施の形態の他の例を示す図５にＬＤ基板６の斜視図で示すように、絶縁基板７の搭載部８直下またはその周辺の内部に設けられても良い。この場合、測温抵抗体５は、発熱抵抗体９と同じ材料から形成され、絶縁基板７の絶縁層７ａと７ｂとの間に発熱抵抗体９と同時に設けられる。このような測温抵抗体５は、絶縁基板７上面を占有することがないので、ＬＤ基板６およびこれを収容するＬＤモジュールを小型化することができる。また、ＬＤ素子４からの熱を短い距離で略均一に受けることができ、迅速かつ精度の高い測温が可能である。このような測温抵抗体５は、発熱抵抗体９と同様にその入出力用の両端部が絶縁基板７の表面に露出しており、この両端部に端子電極５ａが形成されている。この端子電極５ａは、絶縁基板７の絶縁層７ｂの上面において測温抵抗体５の両端部を金属薄膜で覆うようにして形成され、例えば搭載部８を構成する金属薄膜と同じ構成の金属薄膜を被着させて成る。なお、このような測温抵抗体５の厚みや幅，長さ等は発熱抵抗体９に準じたものとしておけばよい。
【００４０】
【発明の効果】
本発明のＬＤ基板およびＬＤモジュールは、ＬＤ素子が搭載されるＬＤ基板の搭載部の直下に発熱抵抗体が埋設されていることから、この発熱抵抗体により加熱することによって作動停止時のＬＤ素子を作動時と同様の高温としておくことができ、これによってＬＤ素子の作動開始時等に、迅速にＬＤ素子の作動開始が行なえ、かつ即時に高精度な温度制御を行なうことができる。また、ＬＤ基板の絶縁基板の内部または上面に測温抵抗体が形成されており、この測温抵抗体は、平面視で発熱抵抗体と重ならないように、搭載部を取り囲むように設けられていることから、この測温抵抗体を測温素子として利用することにより、ＬＤ基板上にサーミスタ等の測温素子を搭載する必要がなく、ＬＤ基板に搭載される部品点数を少なくしてモジュールの組み立てが容易となる。また、測温抵抗体は、平面視で発熱抵抗体と重ならないように、搭載部を取り囲むように設けられていることから、ＬＤ素子からの熱を略均一に受けることができ、迅速かつ精度の高い測温が可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のＬＤモジュールの一実施形態の断面図である。
【図２】図１のＬＤモジュールに使用される本発明のＬＤ基板の参考例を示す斜視図である。
【図３】本発明のＬＤ基板の一実施形態の斜視図である。
【図４】本発明のＬＤ基板の参考例を示す斜視図である。
【図５】本発明のＬＤ基板の他の実施形態の斜視図である。
【図６】従来のＬＤモジュールの断面図である。
【図７】図６のＬＤモジュールに使用されるＬＤ基板の斜視図である。
【符号の説明】
１：基体
２：蓋体
３：ペルチェ素子
４：ＬＤ素子
５：測温抵抗体
６：ＬＤ基板
７：絶縁基板
８：搭載部
９：発熱抵抗体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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