(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つの光源からのビームまたは複数の光源から合成ビームを受光し、受光したビームを第１のビームと第２のビームとに分離し、再合成されたときに第１のビームと第２のビームとが位相及び振幅において回転軸周りに１８０度の対称性を有するよう第２のビームに対して第１のビームを該回転軸周りに回転し、第１及び第２のビームを再合成して再合成ビームを形成する干渉計と、
前記合成ビームまたは前記再合成ビームにおける第１及び第２の各偏光方向の光路長が実質的に等しくなるよう調整して調整ビームを形成する補正部と、
前記再合成ビームの偏光方向の一方を通過させ、または前記調整ビームの偏光方向の一方を通過させる分析部と、
を備えることを特徴とするシステム。
【請求項２】
前記干渉計により受光される前に、ビームをフィルタ処理する空間フィルタを更に備えることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記補正部は、ソレイユバビネ補償板を含むことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記干渉計は、
ビームを受光し、受光したビームを第１のビームと第２のビームとに分離するビームスプリッタと、
第１のビームを位相及び振幅において正に９０度回転させる第１のプリズムと、
第２のビームを位相及び振幅において負に９０度回転させる第２のプリズムと、
を有し、
前記ビームスプリッタは、第１のビームは第１のプリズムにより、第２のビームは第２のプリズムにより、一方のビームに対して他方のビームが位相及び振幅において１８０度の対称性を有するよう回転させられた後、２つのビームを再合成して再合成ビームを形成することを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記ビームスプリッタは、偏光ビームスプリッタであることを特徴とする請求項４に記載のシステム。
【請求項６】
アライメントマークを有する基板と、
検出部と、
を更に備え、
前記分析部からのビームは、アライメントマークで反射し、前記検出部に受光され、
前記検出部は、アライメントマークから反射されたビームを用いて基板を位置合わせすることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
前記分析部は、偏光ビームスプリッタを含むことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
対応する光源から２つ以上のビームを受光し、受光したビームを合成して合成ビームを形成する合成部を更に備えることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項９】
１つの光源からのビームまたは合成部により複数の光源から合成された合成ビームをフィルタ処理する空間フィルタと、
フィルタ処理されたビームにおける第１及び第２の各偏光方向の光路長が実質的に等しくなるよう調整する補正部と、
前記補正部により調整されたビームを第１のビームと第２のビームとに分離し、第２のビームに対して第１のビームを位相及び振幅において１８０度回転させ、第１及び第２のビームを再合成する干渉計と、
再合成されたビームの偏光方向の一方を通過させる分析部と、
を備えることを特徴とするシステム。
【請求項１０】
前記補正部は、ソレイユバビネ補償板を含むことを特徴とする請求項９に記載のシステム。
【請求項１１】
前記干渉計は、
前記合成ビームを受光し、受光したビームを第１のビームと第２のビームとに分離するビームスプリッタと、
第１のビームを位相及び振幅において正に９０度回転させる第１のプリズムと、
第２のビームを位相及び振幅において負に９０度回転させる第２のプリズムと、
を有し、
前記ビームスプリッタは、第１のビームは第１のプリズムにより、第２のビームは第２のプリズムにより、一方のビームに対して他方のビームが位相及び振幅において１８０度の対称性を有するよう回転させられた後、２つのビームを再合成して再合成ビームを形成することを特徴とする請求項９に記載のシステム。
【請求項１２】
前記ビームスプリッタは、偏光ビームスプリッタを含むことを特徴とする請求項１１に記載のシステム。
【請求項１３】
前記分析部は、偏光ビームスプリッタを含むことを特徴とする請求項９に記載のシステム。
【請求項１４】
１つの光源からのビームまたは複数の光源から合成ビームを出力し、
出力されたビームにおける第１及び第２の各偏光成分の光路長が実質的に等しくなるよう調整し、
調整されたビームを第１のビームと第２のビームとに分離し、
第２のビームに対して第１のビームを位相及び振幅において１８０度回転させ、
第１及び第２のビームを再合成し、
再合成されたビームの第１及び第２の偏光成分の一方をアライメント用照明ビームとして通過させることを特徴とする方法。
【請求項１５】
照明ビームを供給する照明系と、
前記照明ビームにパターンを付与するパターニング用デバイスと、
パターンが付与されたビームを基板に投影する投影系と、
パターンが付与されたビームを受光する前に基板を位置合わせするアライメントシステムと、
を備え、
前記アライメントシステムは、
１つの光源からのビームまたは複数の光源から合成ビームを出力する照明系と、
空間フィルタと、
補正部と、
ビームに対し位相及び振幅において１８０度の回転処理を実行する干渉計と、
分析部と、
検出部と、
を備えることを特徴とする露光装置。
【請求項１６】
前記補正部は、ソレイユバビネ補償板を含むことを特徴とする請求項１５に記載の露光装置。
【請求項１７】
ビームに対し位相及び振幅において１８０度の回転処理を実行する前記干渉計は、
ビームスプリッタと、
第１のプリズムと、
第２のプリズムと
を有することを特徴とする請求項１５に記載の露光装置。
【請求項１８】
前記ビームスプリッタは、偏光ビームスプリッタを含むことを特徴とする請求項１７に記載の露光装置。
【請求項１９】
前記分析部は、偏光ビームスプリッタを含むことを特徴とする請求項１５に記載の露光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、照明光学系、例えばリソグラフィのアライメントシステムで用いられる照明ビーム（以下、単に「アライメント用照明ビーム」という）を形成するための照明光学系に関する。
【背景技術】
【０００２】
露光装置は、所望のパターンを基板または基板の一部に転写する機械である。露光装置は、例えばフラットパネルディスプレイや集積回路（ＩＣ）、微細構造を有する他のデバイスの製造に用いられる。通常、例えばマスクまたはレチクルと称されるパターニング用デバイスを使用して、フラットパネルディスプレイ（または他のデバイス）の各層に対応した回路パターンを形成する。このパターンは、基板に塗布された照射感応材料（フォトレジスト）層への像形成により基板（例えばガラスプレート）の全体または一部に転写される。
【０００３】
パターニング用デバイスを使用して、回路パターンではなく例えばカラーフィルタのパターンやドットのマトリックス状配列などの他のパターンを形成する場合もある。パターニング用デバイスは、それぞれ個別に制御可能である素子の配列（以下「個別制御可能素子アレイ」という場合もある）を有するパターニングアレイをマスクの代わりに備えてもよい。このような方式ではマスクを使用する方式に比べて迅速かつ低コストにパターンを変更することができる。
【０００４】
フラットパネルディスプレイの基板は通常長方形である。この種の基板を露光するための露光装置は、長方形基板の幅全体またはその一部（例えば全幅の半分）をカバーする露光領域を有するように設計される。この露光領域で基板が走査されるとともに、マスク又はレチクルが、基板の走査に同期してビームにより走査される。このようにして基板にパターンが転写される。露光領域が基板の幅全体をカバーする場合には１回の走査で露光が完了する。露光領域が例えば基板の幅の半分をカバーする場合には、１回目の露光後に横方向に基板を移動させ、通常は基板の残りを露光するための走査をもう一度行う。
【０００５】
各露光の前に基板を正確に位置合わせすることは露光の解像度を上げるために非常に重要である。複数の光が合成されることにより形成された合成光であって、複数の波長を有する該合成光からアライメント用照明ビームが形成されてもよい。例えば合成光は、４つの異なる光ファイバからの光により合成されてもよい。４つの光ファイバは、波長が異なる光を出力する４つの光源にそれぞれ接続されている。この４つの光は、光マルチプレクサにより合成される。しかし、合成光は、アライメント用照明ビームとして使用するための所望の光学的な対称性を有していないことがあり、最適とはいえない。極めて厳しい公差を満たすため１８０度の位相と振幅の対称性とを有するアライメント用照明ビームが特に望まれている。この問題をマルチプレクサにより解決するのは困難である。なぜなら、マルチプレクサにより合成された合成ビームは、過度に高い空間周波数振幅、多様な位相及び波形などの問題を他の問題と共に一般的に有するからである。アライメント用照明ビームのこうした問題により、消光比は０オーダの範囲に制限される。このことは、アライメント用照明ビームを用いて基板上の不十分で浅いアライメントマークを検出する際の検出能力に影響を与える。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
必要とされているのは、１８０度の対称性を有するアライメントシステム用照明ビームを形成するシステムと方法である。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一実施形態によれば、干渉計、補正部、分析部を備えるシステムが供給される。干渉計は、（ａ）１つの光源からのビームまたは複数の光源から合成ビームを受光し、（ｂ）受光したビームを第１のビームと第２のビームとに分離し、（ｃ）第１のビームと第２のビームとが回転軸周りに１８０度の対称性を有するよう第２のビームに対して第１のビームを該回転軸周りに回転させ、（ｄ）第１及び第２のビームを再合成して再合成ビームを形成するよう構成されている。補正部は、干渉計により受光されたビームまたは再合成ビームにおける第１及び第２の各偏光方向の光路長を調整して調整ビームを形成する。よって、ビームにおける第１及び第２の各偏光方向の光路長が実質的に等しくなる。分析部は、再合成ビームの偏光方向の一方、つまり１８０度の振幅と対称性を有する位相とを備える一部のビームを通過させる。しかし、再合成ビームの偏光方向の他方、つまり１８０度の対称性を有さない一部のビームは通過させない。
【０００８】
一実施例として、合成ビームは、複数の光源から出力される複数のビームが合成部またはマルチプレクサにより合成されることで形成される。複数の光源からの複数のビームはそれぞれ異なる波長を有していてもよい。また、合成ビームは空間的にフィルタ処理されていてもよい。別の実施例として、分析部を通過したビームは、基板上のアライメントマークに照射され、検出部により検出される。アライメントシステムは検出結果に基づき、露光に向けて基板の位置合わせを実行する。
【０００９】
本発明の更なる実施形態や特徴、効果は、本発明のさまざまな実施形態の構成及び作用とともに添付図面を参照して以下に詳細に説明される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
１以上の実施形態において、例えば所望の、位相と対称性を有する振幅とを備えるアライメント用照明ビームを形成するためのシステムと方法が用いられている。アライメントシステム内に設けられ、干渉計と、分析部と、少なくとも１つの補正部とを有する対称性形成システムを用いることにより、所望の特性を有するアライメント用照明ビームが形成される。
【００１１】
以下では特定の構成について説明されるが、これは単に本発明の実施例をわかりやすく説明するためのものにすぎないと理解すべきである。当業者であれば本発明の趣旨を逸脱することなく他の構成を用いることが可能であると理解できよう。当業者であれば本発明を他の多数の分野にも適用可能であることも明らかであろう。
【００１２】
［露光装置の例］
図１は、本発明の一実施形態に係る露光装置１００を示す。露光装置１００は照明系１０２、パターニング用デバイス１０４、基板テーブル１０６、投影系１０８およびアライメントシステム１１８を備える。
【００１３】
照明系１０２は、放射ビーム１１０を調整するよう構成されている。
【００１４】
パターニング用デバイス１０４（例えばレチクル、マスク、または１つ以上の個別制御可能素子アレイ）はビーム１１０を変調する。普通はパターニング用デバイス１０４は投影系１０８に対して位置が固定される。しかし、パターニング用デバイスは、パターニング用デバイスである個別制御可能素子アレイをあるパラメタに従って正確に位置決めするポジショナに接続されていてもよい。
【００１５】
基板テーブル１０６は、基板（例えばウエハやフラットパネルディスプレイ等、レジストでコーティングされた基板）１１２を支持するよう構成されており、あるパラメタに従って基板を正確に位置決めするポジショナ（図示せず）に接続されている。
【００１６】
投影系（例えば屈折投影レンズ系、反射系、またはこれらの組合せ）１０８は、パターニング用デバイス１０４により調節された放射ビームを基板１１２のターゲット部分（例えば１つ又は複数のダイからなる）に投影するよう構成されている。
【００１７】
アライメントシステム１１８は、基板１１２上のアライメントマークを検出するためアライメント用照明ビームを用いることができる。この検出処理により制御信号が生成される。基板１１２を適切に配置し、基板１１２にパターンを転写するため、生成された制御信号を用いて基板テーブル１０６の位置が調整される。
【００１８】
照明系１０２は、屈折光学素子、反射光学素子、磁気的光学素子、電磁気的光学素子、静電的光学素子、あるいは他の種類の光学素子などの各種の光学素子、またはこれらの組合せである光学照明１１４を含み、放射ビームの向きや形状、あるいは他の特性を制御するためのものである。
【００１９】
本明細書において「パターニング用デバイス」または「コントラストデバイス」なる表現は、例えば基板のターゲット部分にパターンを生成する等、放射ビーム断面を調節するのに用い得るいかなるデバイスをも示すよう広く解釈されるべきである。これらのデバイスは静的なパターニング用デバイス（例えばマスクやレチクル）であってもよいし、動的なパターニング用デバイス（例えばプログラム可能な素子のアレイ）であってもよい。簡単のために本説明のほとんどは動的パターニング用デバイスの観点でなされているが、本発明の範囲を逸脱することなく静的パターニング用デバイスを用いることも可能であるものと理解されたい。
【００２０】
放射ビーム１１０に付与されるパターンは、例えば仮に放射ビームのパターンが位相シフトフィーチャあるいはいわゆるアシストフィーチャを含む場合には、基板１１２のターゲット部分に所望されるパターンと厳密に対応していなくてもよい。また、基板１１２に最終的に形成されるパターンは、個別制御可能素子アレイ１０４上に形成されるパターンにどの時点においても対応しないようになっていてもよい。このような事態は、基板１１２の各部に形成される最終的なパターンが所定時間または所定回数の露光の重ね合わせにより形成され、かつこの所定の露光中に個別制御可能素子アレイ１０４上のパターン及び／または基板１１２の相対位置が変化する場合に起こりうる。
【００２１】
通常、基板１１２のターゲット部分に生成されるパターンは、そのターゲット部分に生成されるデバイス、例えば集積回路やフラットパネルディスプレイの特定の機能層に対応する（例えばフラットパネルディスプレイのカラーフィルタ層や薄膜トランジスタ層）。パターニング用デバイスの例としては、レチクル、プログラマブルミラーアレイ、レーザダイオードアレイ、ＬＥＤアレイ、グレーティングライトバルブ、及びＬＣＤアレイなどがある。
【００２２】
電子的手段（例えばコンピュータ）によりパターンをプログラム可能であるパターニング用デバイス１０４は、例えば複数のプログラム可能な素子を含むパターニング用デバイス（例えば１つ前の文章に挙げたものではレチクルを除くすべてのものが該当する）であり、本明細書では総称して「コントラストデバイス」と呼ぶこととする。一実施例ではパターニング用デバイスは少なくとも１０個のプログラム可能な素子を備え、または例えば少なくとも１００個、少なくとも１，０００個、少なくとも１０，０００個、少なくとも１００，０００個、少なくとも１，０００，０００個、または少なくとも１０，０００，０００個のプログラム可能な素子を備えてもよい。
【００２３】
プログラマブルミラーアレイは、粘弾性制御層と反射表面とを有するマトリックス状にアドレス指定可能な表面を備えてもよい。この装置の基本的な原理は、例えば、反射表面のうちアドレス指定されている領域が入射光を回折光として反射する一方、アドレス指定されていない領域が入射光を非回折光として反射するというものである。適当な空間フィルタを用いることにより、反射光ビームから非回折光を取り除いて回折光だけを基板に到達させるようにすることができる。このようにして、マトリックス状のアドレス指定可能表面にアドレス指定により形成されるパターンに従ってビーム１１０にパターンが付与される。
【００２４】
なお代替例として、フィルタにより回折光を取り除いて非回折光を基板に到達させるようにしてもよい。
【００２５】
同様にして回折光学ＭＥＭＳ（微小電気機械システム）デバイスを用いることもできる。一実施例としては、回折光学ＭＥＭＳデバイスは、入射光を回折光として反射する回折格子を形成するよう変形される複数の反射性のリボン状部位を備える。
【００２６】
プログラマブルミラーアレイの他の例においては、マトリックス状の微小ミラーの配列が用いられ、各微小ミラーは局所的に電界を適宜付与されることによりまたは圧電駆動手段を使用することにより各々が独立に軸周りに傾斜しうる。繰り返しになるが、ミラーはマトリックス状にアドレス指定可能に構成されており、アドレス指定されたミラーは入射する放射ビームをアドレス指定されていないミラーとは異なる方向に反射する。このようにしてマトリックス状のアドレス指定可能なミラーにより形成されるパターンに従って反射ビームにパターンが付与されうる。必要とされるマトリックス状アドレス指定は、適宜の電子的手段を使用して実行することができる。
【００２７】
パターニング用デバイス１０４の他の例はプラグラム可能なＬＣＤアレイである。
【００２８】
露光装置１００は１つ以上のコントラストデバイス１０４を備えてもよい。例えば露光装置１００は、複数の個別制御可能素子アレイを有し、それぞれの素子が互いに独立に制御されるものであってもよい。この構成においては、個別制御可能素子アレイのうちのいくつかのアレイまたは全てのアレイが少なくとも１つの照明系（または照明系の一部）を共有していてもよい。かかるアレイは当該アレイ用の支持構造部及び／または投影系（または投影系の一部）を共有していてもよい。
【００２９】
一実施例としては、図１に示される実施形態のように基板１１２は実質的に円形状であり、周縁部にノッチ及び／または平坦部を任意的に有していてもよい。別の実施例としては、基板１１２は例えば長方形などの多角形形状でもよい。
【００３０】
基板１１２の形状が実質的に円形の場合、基板の直径は少なくとも２５ｍｍであってもよく、または例えば少なくとも５０ｍｍ、少なくとも７５ｍｍ、少なくとも１００ｍｍ、少なくとも１２５ｍｍ、少なくとも１５０ｍｍ、少なくとも１７５ｍｍ、少なくとも２００ｍｍ、少なくとも２５０ｍｍ、または少なくとも３００ｍｍであってもよい。一実施例では、基板の直径は長くても５００ｍｍ、長くても４００ｍｍ、長くても３５０ｍｍ、長くても３００ｍｍ、長くても２５０ｍｍ、長くても２００ｍｍ、長くても１５０ｍｍ、長くても１００ｍｍ、または長くても７５ｍｍである。
【００３１】
基板１１２が例えば長方形などの多角形の場合、基板の少なくとも１辺の長さ、または例えば少なくとも２辺または少なくとも３辺の長さが、少なくとも５ｃｍであってもよく、または例えば少なくとも２５ｃｍ、少なくとも５０ｃｍ、少なくとも１００ｃｍ、少なくとも１５０ｃｍ、少なくとも２００ｃｍ、または少なくとも２５０ｃｍであってもよい。
【００３２】
一実施例では、基板１１２の少なくとも１辺の長さが、長くても１０００ｃｍ、または例えば長くても７５０ｃｍ、長くても５００ｃｍ、長くても３５０ｃｍ、長くても２５０ｃｍ、長くても１５０ｃｍ、または長くても７５ｃｍである。
【００３３】
一実施例においては、基板１１２はウエハであり、例えば半導体ウエハである。一実施例ではウエハの材料は、Ｓｉ（ケイ素）、ＳｉＧｅ（シリコンゲルマニウム），ＳｉＧｅＣ（シリコンゲルマニウムカーボン）、ＳｉＣ(炭化ケイ素)、Ｇｅ（ゲルマニウム）、ＧａＡｓ(ガリウムヒ素)、ＩｎＰ（インジウムリン）、ＩｎＡｓ（インジウムヒ素）から成るグループから選択される。一実施例ではウエハはＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ウエハである。一実施例ではウエハはシリコンウエハである。一実施例では基板１１２はセラミック基板である。一実施例では基板１１２はガラス基板である。一実施例では基板はプラスチック基板である。一実施例では基板１１２は（ヒトの裸眼で）透明である。一実施例では基板１１２は有色である。一実施例では基板１１２は無色である。
【００３４】
この基板１１２の厚さは例えば基板材料及び／または基板寸法に応じてある程度変更される。一実施例では、基板の厚さは、少なくとも５０μｍであり、または例えば少なくとも１００μｍ、少なくとも２００μｍ、少なくとも３００μｍ、少なくとも４００μｍ、少なくとも５００μｍ、または少なくとも６００μｍである。一実施例では、基板の厚さは、厚くても５０００μｍ、例えば厚くても３５００μｍ、厚くても２５００μｍ、厚くても１７５０μｍ、厚くても１２５０μｍ、厚くても１０００μｍ、厚くても８００μｍ、厚くても６００μｍ、厚くても５００μｍ、厚くても４００μｍ、または厚くても３００μｍである。
【００３５】
本明細書の基板１１２は、露光前または露光後において例えばトラック（典型的にはレジスト層を基板１１２に塗布し、露光後のレジストを現像する装置）、計測装置、及び／または検査装置により処理されてもよい。一実施例ではレジスト層が基板１１２に設けられる。
【００３６】
本明細書では、「投影系」１０８という表現は、使用される露光光、あるいは液浸露光用液体や真空の利用などの他の要因に関して適切とされるいかなる投影系をも包含するよう広く解釈されるべきである。投影系には例えば屈折光学系、反射光学系、反射屈折光学系、磁気的光学系、電磁気的光学系、静電的光学系、またはこれらの任意の組み合わせなどが含まれる。以下では「投影レンズ」という表現は、より一般的な表現である投影系という表現と同義に用いられ得る。
【００３７】
投影系１０８は、個別制御可能素子アレイ１０４におけるパターンが基板１１２上にコヒーレントに形成されるように当該パターンの像を形成する。これに代えて投影系１０８は二次光源の像を形成してもよく、この場合個別制御可能素子アレイの各素子はシャッタとして動作してもよい。この場合には投影系１０８は、例えば二次光源を形成し基板上にスポット状に像形成するために、例えばマイクロレンズアレイ（ｍｉｃｒｏ  ｌｅｎｓ  ａｒｒａｙ、ＭＬＡとして知られている）やフレネルレンズアレイなどの合焦用素子のアレイを含んでもよい。一実施例では合焦用素子のアレイ（例えばＭＬＡ）は少なくとも１０個の合焦用素子を備え、または例えば少なくとも１００個、少なくとも１０００個、少なくとも１００００個、少なくとも１００，０００個、または少なくとも１，０００，０００個の合焦用素子を備えてもよい。一実施例においては、パターニング用デバイス１０４における個別制御可能素子の数と合焦用素子のアレイにおける合焦用素子の数とは等しいか、あるいは、パターニング用デバイスにおける個別制御可能素子の数が合焦用素子のアレイにおける合焦用素子の数よりも多い。一実施例では、合焦用素子のアレイにおける１つ以上（例えばたいていは各アレイにつき１０００以上）の合焦用素子は、個別制御可能素子アレイにおける１つ以上（例えば２つ以上、または３つ以上、５つ以上、１０以上、２０以上、２５以上、３５以上、または５０以上）の個別制御可能素子に光学的に連関していてもよい。一実施例では、ＭＬＡは、少なくとも基板に近づく方向及び遠ざかる方向に例えば１以上のアクチュエータを用いて移動可能である。基板に近づく方向及び遠ざかる方向にＭＬＡを移動させることができる場合には、基板を動かすことなく例えば焦点合わせをすることが可能となる。
【００３８】
図１に示されるように本装置１０４は、透過型（例えば透過型の個別制御可能素子アレイを用いる）である。本装置１０４として、反射型（例えば反射型の個別制御可能素子アレイを用いる）の装置が代替的に用いられてもよい。
【００３９】
露光装置１００は２つ以上（２つの場合にはデュアルステージと呼ばれる）の基板テーブル１０６を備えてもよい。このような多重ステージ型の装置においては追加されたテーブル１０６は並行して使用されるか、あるいは１以上のテーブル１０６で露光が行われている間に１以上の他のテーブル１０６で準備工程が実行されるようにしてもよい。
【００４０】
露光装置１００は、基板１１２の少なくとも一部が「液浸露光用の液体」で覆われるものであってもよい。この液体は比較的高い屈折率を有する例えば水などの液体であり、投影系と基板との間の空隙を満たす。液浸露光用の液体は、例えばパターニング用デバイス１０４と投影系１０８との間などの露光装置１００の他の空間に適用されるものであってもよい。液浸技術は投影系の開口数を増大させる技術として周知である。本明細書では「液浸」という表現は、基板１１２等の構造体が液体に完全に浸されているということを意味するのではなく、露光の際に投影系１０８と基板１１２との間に液体が存在するということを意味するに過ぎない。
【００４１】
図１に示されるように照明器１１４は放射源１１６から放射ビーム１１０を受け取る。一実施例では、少なくとも５ｎｍ、または例えば少なくとも１０ｎｍ、少なくとも５０ｎｍ、少なくとも１００ｎｍ、少なくとも１５０ｎｍ、少なくとも１７５ｎｍ、少なくとも２００ｎｍ、少なくとも２５０ｎｍ、少なくとも２７５ｎｍ、少なくとも３００ｎｍ、少なくとも３２５ｎｍ、少なくとも３５０ｎｍ、または少なくとも３６０ｎｍの波長を有する放射ビーム１１０が放射源１１６から供される。一実施例では、放射源１１６により生成される放射ビーム１１０は、長くても４５０ｎｍ、または例えば長くても４２５ｎｍ、長くても３７５ｎｍ、長くても３６０ｎｍ、長くても３２５ｎｍ、長くても２７５ｎｍ、長くても２５０ｎｍ、長くても２２５ｎｍ、長くても２００ｎｍ、または長くても１７５ｎｍの波長を有する。一実施例では、この放射ビーム１１０は、４３６ｎｍ、４０５ｎｍ、３６５ｎｍ、３５５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、及び／または１２６ｎｍの波長を含む。一実施例では、この放射ビーム１１０は３６５ｎｍ程度、または３５５ｎｍ程度の波長を含む。一実施例では、この放射ビーム１１０は例えば３６５ｎｍ、４０５ｎｍ、及び４３６ｎｍの波長を含む広帯域の波長を含む。３５５ｎｍの波長のレーザ光源を使用し得る。
【００４２】
例えば光源がエキシマレーザである場合には、光源１１６と露光装置１００とは別体であってもよい。この場合、光源１１６は露光装置１００の一部を構成しているとはみなされなく、放射ビーム１１０は光源１１６から照明器１１４へとビーム搬送系（図示せず）を介して受け渡される。ビーム搬送系は例えば適当な方向変更用ミラー及び／またはビームエキスパンダを含んで構成される。あるいは光源が水銀ランプである場合には、光源は露光装置に一体に構成されていてもよい。光源１１６と照明器１１４とは、またビーム搬送系が必要とされる場合にはこれも合わせて、放射系と総称される。
【００４３】
照明器１１４は放射ビーム１１０の角強度分布を調整するためのアジャスタを備えてもよい。一般にはアジャスタにより、照明器１１４の瞳面における強度分布の少なくとも半径方向外周部及び／または内周部での量（通常それぞれ「シグマ−アウタ（σ−ｏｕｔｅｒ）」、「シグマ−インナ（σ−ｉｎｎｅｒ）」と呼ばれる）が調整される。加えて照明器１１４は、インテグレータ及びコンデンサなどの他の要素を備えてもよい。照明器１１４はビーム断面における所望の均一性及び強度分布を得るべく放射ビーム１１０を調整するために用いられる。照明器１１４または追加の関連構成要素は放射ビーム１１０を複数の分割ビームに分割するように構成されていてもよい。例えば各分割ビームが個別制御可能素子アレイ１０４の１つまたは複数の個別制御可能素子に対応するように構成してもよい。放射ビーム１１０を分割ビームに分割するのに例えば二次元の回折格子を用いてもよい。本明細書においては「放射ビーム」という表現は、放射ビームがこれらの複数の分割ビームを含むという状況も包含されるが、これに限定されないものとする。
【００４４】
放射ビーム１１０は、パターニング用デバイス１０４（例えば、個別制御可能素子アレイ）に入射して、当該パターニング用デバイス１０４により変調される。放射ビーム１１０はパターニング用デバイス１０４により反射され、投影系１０８を通過する。投影系１０８はビームを基板１１２のターゲット部分に合焦させる。ポジショナとアライメントシステム１１８（例えば、ウエハパターンポジションセンサ、干渉計、リニアエンコーダ、静電容量センサなど）とにより、基板テーブル１０６を正確に移動させることができる。基板テーブルは、例えば放射ビーム１１０の露光領域に異なる複数のターゲット部分を位置決めするため正確に移動される。個別制御可能素子アレイ１０４用の位置決め手段が設けられ、例えば走査中にビーム１１０の経路に対してパターニング用デバイス１０４の位置を正確に補正するために用いられてもよい。
【００４５】
一実施例においては、ロングストロークモジュール（粗い位置決め用）及びショートストロークモジュール（精細な位置決め用）により基板テーブル１０６の移動を実現する。ロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールは図１には明示されていない。一実施例では基板テーブル１０６を移動させるためのショートストロークモジュールを省略してもよい。個別制御可能素子アレイ１０４を位置決めするためにも同様のシステムを用いることができる。必要な相対運動を実現するために、対象物テーブル及び／または個別制御可能素子アレイの位置を固定する一方、放射ビーム１１０を代替的にまたは追加的に移動可能としてもよいということも理解されよう。この構成は装置１００の大きさを小さくするのに役立ち得る。
【００４６】
例えばフラットパネルディスプレイの製造に適用可能な更なる代替例として、基板テーブル１０６及び投影系１０８を固定し、基板Ｗを基板テーブル１０６に対して移動させるように構成してもよい。例えば基板テーブル１０６は、実質的に一定の速度で基板１１２を走査させるための機構を備えてもよい。
【００４７】
図示の装置はいくつかのモードで使用することができる。
【００４８】
１．ステップモードにおいては、放射ビームに付与されたパターンの全体が１回の照射でターゲット部分に投影される間、個別制御可能素子アレイ及び基板は実質的に静止状態とされる（すなわち１回の静的な露光）。そして基板テーブルがＸ方向及び／またはＹ方向に移動されて、異なるターゲット部分が露光される。ステップモードでは露光領域の最大サイズによって、１回の静的露光で結像されるターゲット部分の寸法が制限されることになる。
【００４９】
２．スキャンモードにおいては、放射ビームに付与されたパターンがターゲット部分に投影される間、個別制御可能素子アレイ及び基板は同期して走査される（すなわち１回の動的な露光）。個別制御可能素子アレイに対する基板の速度及び方向は、投影系の拡大（縮小）特性及び像反転特性により定められる。スキャンモードでは露光領域の最大サイズが１回の動的露光でのターゲット部分の（非走査方向の）幅を制限し、走査移動距離がターゲット部分の（走査方向の）長さを決定する。
【００５０】
３．パルスモードにおいては、個別制御可能素子アレイは実質的に静止状態とされ、パルス放射源により基板のターゲット部分にパターンの全体が投影される。基板テーブルが実質的に一定の速度で移動して、ビームは基板上を線状に走査させられる。個別制御可能素子アレイ上のパターンは放射系からのパルス間に必要に応じて更新される。パルス照射のタイミングは、基板上の複数のターゲット部分が連続して露光されるように調整される。その結果、基板上の１つの短冊状領域にパターンが完全に露光されるようビームにより基板が走査されることになる。短冊状領域の露光を順次繰り返すことにより基板Ｗは完全に露光される。
【００５１】
４．連続スキャンモードにおいては、変調された放射ビームに対して基板が実質的に等速で走査され、ビームが基板上を走査して露光する際に個別制御可能素子アレイ上のパターンが更新されることを除いては基本的にパルスモードと同様である。個別制御可能素子アレイ上のパターンの更新に同期させるようにした、実質的に一定の放射源またはパルス放射源を用いることができる。
【００５２】
５．ピクセルグリッド結像モードでは、基板に形成されるパターンはスポット状の露光を連続的に行うことにより実現される。このスポット状の露光はスポット発生器により形成され、スポット発生器はパターニング用デバイスに適切に方向付けられて配置されている。スポット状の露光はそれぞれ実質的に同形状である。基板上には露光スポットにより最終的に実質的に格子が描かれる。一実施例では、このスポットの寸法は最終的に基板上に描かれる格子のピッチよりも大きいが、各露光時に露光スポットが形成する格子の大きさよりもかなり小さい。転写されるスポットの強度を変化させることによりパターンが形成される。露光照射間の露光がなされていないときに各スポットの強度分布が変更される。
【００５３】
上記で記載したモードを組み合わせて動作させてもよいし、モードに変更を加えて動作させてもよく、さらに全く別のモードで使用してもよい。
【００５４】
リソグラフィでは基板上のレジスト層にパターンが露光される。そしてレジストが現像される。続いて追加の処理工程が基板に施される。基板の各部分へのこれらの追加の処理工程の作用は、レジストへの露光の程度によって異なる。特にこの処理は、所与の線量閾値を超える照射量を受けた基板の部位が示す反応と、その閾値以下の照射量を受けた部位が示す反応とが異なるように調整されている。例えば、エッチング工程においては上記の閾値を超える照射量を受けた基板上の領域は、レジスト層が現像されることによりエッチングから保護される。一方、この閾値以下の照射量を受けたレジストは露光後の現像工程で除去され、基板上のその領域はエッチングから保護されない。このため、所望のパターンにエッチングがなされる。特に、パターニング用デバイス内の個別制御可能素子は、パターンに含まれる図形内部となる基板上の領域での露光中の照射量が線量閾値を超えるように実質的に高強度であるように設定される。基板の他の領域は、ゼロまたはかなり低い放射強度を受けるように対応の個別制御可能素子が設定されることにより、線量閾値以下の放射を受ける。
【００５５】
［アライメントシステムの例］
図２は、本発明の一実施形態に係るアライメントシステム２１８を示す。アライメントシステム２１８は、ビーム２２２をそれぞれ出力する１つ以上の光源２２０を備える。出力されたビームは、合成部２２４に受光される。合成部２２４は、合成ビーム２２６を形成するため２つ以上のビーム２２２を合成する。一実施例では、合成部２２４は光マルチプレクサ（または光デマルチプレクサ）である。光マルチプレクサは、受光した複数のビーム２２２を光学的に合成する。合成ビーム２２６は対称性形成システム２２８に受光される。対称性形成システム２２８は、対称性を有するビーム２３０を形成するため合成ビーム２２６の処理を実行する。対称性を有するビーム２３０（例えばアライメント用照明ビーム）は、ビームスプリッタ２３６により基板１１２上のアライメントマーク２３２へと向けられる。アライメントマーク２３２で反射されたビームは、ビームスプリッタ２３６により検出部２３４へと向けられる。検出部２３４は反射されたビームを分析し、露光用放射ビーム１１０に対して基板１１２の位置を最適化するため基板１１２の位置調整が必要か否かを決定する。
【００５６】
一実施例では、複数の光源ではなく、１つの光源２２０からのビーム２２２が用いられてもよい。
【００５７】
別の方法として、アライメントシステム２１８は、合成部２２４と対称性形成システム２２８との間に設けられた任意の空間フィルタ２６０を備えていてもよい。空間フィルタ２６０は、合成ビーム２２６における不要な高空間周波数成分を実質的に軽減し、除去するために用いられる。例えば、開口２６２では迷光の高周波数成分が実質的に除去される。迷光は、開口２６２を通過しない大きな角度を有するビームである。よって、合成ビーム２２６の問題点は実質的に解決され得る。稼働中、合成ビーム２２６は、光学素子２６４（例えばレンズ）を用いることにより開口２６２に向けられる。空間的にフィルタ処理された合成ビーム２２６'は、光学素子２６６（例えばレンズ）を用いることにより開口２６２から対称性形成システム２２８に向けられる。
【００５８】
光源２２０−１から２２０−ｎ（ｎは１より大きい整数）は、同一のまたは異なる波長を有するビーム２２２−１から２２２−ｎを出力する。
【００５９】
ビーム２２２−１から２２２−ｎは、例えば１つ以上の光ファイバまたは導波菅（図示せず）を用いることにより合成部２２４に送られる
【００６０】
少なくとも対称性形成システム２２８を備えず、アライメントシステム２１８と同様のアライメントシステムが、共有の米国特許第６６２８４０６号および米国特許第６８０９８２７号に、共有の米国特許出願第１０／９５９５１１号に開示されており、その全体をここに引用する。
【００６１】
［対称性形成システムの例］
図３及び図４は、本発明の各種実施形態に係る対称性形成システム２２８の構成例を示す。
【００６２】
図３において、対称性形成システム３２８は補正部３４０、干渉計３４２および分析部３４６を備える。第１および第２の実施例では、破線で示される補正部３４０は干渉計３４２の前または後ろのいずれかに設けられる。以下、干渉計３４２の前に補正部３４０が設けられている第１の実施例について説明する。
【００６３】
稼働中、補正部により調整されたビーム３４８は補正部３４０から出力され、干渉計３４２に受光される。干渉計３４２は、調整されたビーム３４８を第１のビームと第２のビーム（図示せず）とに分離し、一方のビームに対して他方のビームが１８０度となるよう第１のビームと第２のビームとを回転させる。干渉計３４２は、回転させた第１のビームと第２のビームを再合成して再合成ビーム３５０を形成する。再合成ビーム３５０は、分析部３４６に受光される。分析部３４６は、再合成ビーム３５０の偏光成分の一方のみを出力ビーム３５２として出力する。
【００６４】
干渉計３４２内では第１のビームと第２のビームとは異なる偏光を備える。例えば第１の偏光方向（または配向）は水平方向に偏光され、第２の偏光方向は垂直方向に偏光される。干渉計３４２内では第１のビームは正に９０度回転し、第２のビームは負に９０度回転する。いいかえれば干渉計３４２は、１８０度の回転処理を行う干渉計である。このことから再合成ビーム３５０は、一方のビームに対して他方のビームが１８０度になるよう回転させられた第１及び第２のビームを含むことがわかる。
【００６５】
別の実施例として、分析部３４６は、偶プロファイルを備える再合成ビーム３５０の一部のみを出力してもよい。例えば、振幅や位相において奇プロファイルを備える再合成ビーム３５０のエネルギは拒絶される（例えば反射されて、主となるビームの光路から外される、または吸収される）が、振幅や位相において偶プロファイルを備える再合成ビーム３５０のエネルギは分析部３４６を経て出力される。
【００６６】
第１の実施例では、補正部３４０の光路上の位置は干渉計３４２の前に位置している。補正部３４０は、ビーム２２６の第１及び第２の偏光方向の光路長を等しくするために用いられてもよい。これにより各偏光方向の光路長が実質的に等しくなる。また、光路長の調整量は、干渉計３４２の光学特性に基づいて調整されてもよい。例えば、干渉計３４２内における第１及び第２のビームが各ビームの偏光に基づいて形成されるときに、第１及び第２のビームの干渉計３４２内における光路差から調整量が決定されてもよい。この光路差は、補正部３４０を構成するために用いられる。補正部３４０は、２つの偏光方向の一方の光路長を調整することにより２つの偏光方向の光路長を等しくする。
【００６７】
対称性形成システム３２８が用いられることにより合成ビーム２２６は、補正部３４０、干渉計３４２、分析部３４６で処理され、アライメント用照明ビーム２３０が形成される。アライメント用照明ビーム２３０は、例えば１８０度の位相及び対称性を有する振幅などの所望の光学特性を有する。
【００６８】
図４は、本発明の他の実施形態に係る対称性形成システム４２８を示す。対称性形成システム４２８は、補正部４４０、干渉計４４２及び分析部４４６を備える。
【００６９】
補正部４４０は、ソレイユバビネ補償板を備えていてもよい。当業者にとって公知であるように、ソレイユバビネ補償板は第１の部位４６８及び第２の部位４７０を備える。各部位は、合成ビーム２２６'の異なる偏光成分または異なる偏光方向を通過させる。部位４６８及び部位４７０は、異なる偏光特性（例えば複屈折特性など）を備えるため、位相遅延が異なる第１及び第２の偏光方向のビームを通過させる。
【００７０】
また、第２の部位４７０は、一方の偏光成分の光路長を変化させるために用いられてもよい。これは第２の部位４７０が、第１のウェッジ４７０Ａ及び第２のウェッジ４７０Ｂから構成されていることによるものである。ウェッジ４７０Ａは第１の部位４６８と結合しており、ウェッジ４７０Ｂはウェッジ４７０Ａに対して垂直方向（図４の奥行き方向）に移動する。この移動により第１のウェッジ４７０Ａと第２のウェッジ４７０Ｂの相対位置が変更され、第２の部位４７０全体の厚さが厚くなったり薄くなったりするためビームの光路長が変更される。第２のウェッジ４７０Ｂが第１のウェッジ４７０Ａに対して移動することによりビームの光路長が調整され、調整ビーム４４８が形成される。
【００７１】
一実施例では、干渉計４４２により第１のビームと第２のビームとの光路差が決定される。第１のウェッジ４７０Ａに対して第２のウェッジ４７０Ｂを調整するため、または位置決めするためにこの光路差が用いられる。別の方法として、光路差が最初に決定される場合、ウェッジ４７０Ｂの位置はその決定後に一回調整されてもよいし、光路差が定期的に決定される場合、その決定後ごとに複数回ウェッジ４７０Ｂの位置が調整されてもよい。
【００７２】
干渉計４４２は、ビームスプリッタ４７４、第１のプリズム４７６及び第２のプリズム４７８を備えていてもよい。ビームスプリッタ４７４は、例えば、調整ビーム４４８を第１の偏光成分と第２の偏光成分とに分離する偏光ビームスプリッタである。インタフェース４８０において、調整ビーム４４８は第１のビーム４８２と第２のビーム４８４とに分離される（例えば、第１の偏光成分と第２の偏光成分とに分離される）。ビームスプリッタのコーティングにより分離された一方の偏光を含む第１のビーム４８２は、インタフェース４８０により上方へと反射され、ファセット４８６で更に反射され、下方のベース４８８へと向かう。ベース４８８は、第１のビーム４８２をファセット４８６に反射させ、インタフェース４８０に戻すため、ファセット４８６に戻す方向に第１のビーム４８２を反射する。この一連の処理により、第１のビーム４８２は最初の方向に対して正に９０度回転し、インタフェース４８０を通過して分析部４４６へと向かう。同様に、第２のビーム４８４はインタフェース４８０を通過してファセット４９０へと向かい、ファセット４９０からベース４９２へと下方に反射される。ベース４９２は第２のビーム４８４を上方へと反射し、反射されたビームはファセット４９０に更に反射され、インタフェース４８０へと向かう。この一連の処理により、第２のビーム４８４は負に９０度回転し、インタフェース４８０に反射され分析部４４６へと向かう。
【００７３】
第１のビーム４８２と第２のビーム４８４とは回転させられた後、再合成ビーム４５０を形成するためインタフェース４８０を介して再合成される。上述の回転処理により第１のビーム４８２と第２のビーム４８４とは、インタフェース４８０で再合成される前に、一方のビームが他方のビームに対して１８０度となるよう回転させられる。例えば、第１のビーム４８２は正に９０度回転させられるが、第２のビーム４８４は負に９０度回転させられる。そのため、２つのビームが合成され、第１のビーム４８２と第２のビーム４８４との回転量は１８０度となる。
【００７４】
同様の回転処理の機能を備える干渉計や異なる構成により回転処理を実行する干渉計について、例えば、共有の米国特許第６６２８４０６号、米国特許第６８０９８２７号および米国特許出願第１０／９５９５１１号に詳細が開示されており、その全体をここに引用する。
【００７５】
本発明の実施形態では、分析部４４６は偏光ビームスプリッタである。再合成ビーム４５０は、ビームの偏光方向または偏光配向の特性を有する。再合成ビーム４５０が、ビームスプリッタ４４６のインタフェースまたは面４９４に到達し、ビームの第１の偏光方向はインタフェース４９４を通過する。一方、ビームの第２の偏光方向はインタフェース４９４により反射される。インタフェース４９４を通過したビームはアライメント用照明ビーム４５２または２３０となる。例えばこのアライメント用照明ビーム２３０は、振幅及び位相において１８０度の対称性を有する。インタフェース４９４で反射されたビームは、不要なビーム４９６として排除される。ビーム４９６は対称性形成システム４２８から排出され、アライメント用照明ビームの光路から外れることになる。
【００７６】
別の方法として分析部４４６を物理的に９０度回転させることにより（図示せず）、インタフェース４９４が分析部４４６の左下の角から右上の角に位置することになる。これによりビーム２３０になるビームの偏光方向が変更され、ビーム４９６として反射されるビームの偏光方向も変更される。
【００７７】
［アライメントシステムの稼働の例］
図５は、本発明の一実施形態に係る方法５００を示すフローチャートである。方法５００は、例えば図３及び図４に関して上述の実施形態を用いて実行されてもよい。
【００７８】
ステップ５０２では、合成ビームを形成するために複数のビームが１つに合成される。別の方法として、上述の通り、複数ではなく１つのビームが、本発明の範囲を逸脱することなく用いられてもよい。以下、合成ビームを用いる場合について説明する。ステップ５０４では、合成ビームにおける第１及び第２の偏光成分の光路長が各光路長を考慮して調整され、第１及び第２の偏光成分の光路長が実質的に等しくなる。ステップ５０６では、ステップ５０４で調整されたビームが第１のビームと第２のビームとに分離される。ステップ５０８では、第１のビームは第２のビームに対して１８０度回転させられる。ステップ５１０では、第１のビームと第２のビームとは再合成されて再合成ビームを形成する。ステップ５１２では、アライメント用照明ビームとして用いられるため再合成ビームの偏光成分の一方が通過する。
【００７９】
本説明においては露光装置の用途を特定の装置（例えば集積回路やフラットパネルディスプレイ）の製造としているが、ここでの露光装置は他の用途にも適用することが可能であるものと理解されたい。他の用途としては、集積回路や光集積回路システム、磁区メモリ用ガイダンスおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド、微小電気機械素子（ＭＥＭＳ）、ＬＥＤなどの製造に用いることが可能であり、これらに限られない。また、例えばフラットパネルディスプレイに関しては、本発明に係る装置は、例えば薄膜トランジスタ層及び／またはカラーフィルター層などのさまざまな層の製造に用いることができる。
【００８０】
ここでは特に光リソグラフィを本発明に係る実施形態に適用したものを例として説明しているが、本発明は例えばインプリントリソグラフィなど文脈が許す限り他にも適用可能であり、光リソグラフィに限られるものではない。インプリントリソグラフィでは、パターニング用デバイスのトポグラフィが基板に生成されるパターンを決める。パターニング用デバイスのトポグラフィが基板に塗布されているレジスト層に押し付けられ、電磁放射や熱、圧力、あるいはこれらの組み合わせによってレジストが硬化される。レジストが硬化されてから、パターニング用デバイスは、パターンが生成されたレジストから外されて外部に移動される。
【００８１】
上述のように本発明の具体的な実施形態が説明されたが、本発明は上述の形式以外の形式でも実施可能であると理解されたい。例えば本発明は、上述の方法が記述された機械で読み取り可能な１以上の一連の指示を含むコンピュータプログラムの形式、またはこのようなコンピュータプログラムが記録された（半導体メモリや磁気・光ディスクなどの）データ記録媒体の形式をとってもよい。
【００８２】
［結語］
本発明の種々の実施例を上に記載したが、それらはあくまでも例示であって、それらに限定されるものではない。本発明の精神と範囲に反することなく種々に変更することができるということは、関連技術の当業者には明らかなことである。本発明の範囲と精神は上記で述べた例示に限定されるものではなく、請求項とその均等物によってのみ定義されるものである。
【００８３】
「課題を解決する手段」及び「要約書」の項ではなく「発明の詳細な説明」の項が請求項を解釈するのに使用されるように意図されている。「課題を解決する手段」及び「要約書」の欄は本発明者が考えた本発明の実施例の１つ以上を示すものであるが、すべてを説明するものではない。よって、本発明及び請求項をいかなる形にも限定するものではない。
【図面の簡単な説明】
【００８４】
【図１】本発明の一実施形態に係る露光装置を示す図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る露光装置のアライメントシステムを示す図である
【図３】本発明の各種実施形態に係るアライメントシステムの対称性形成システム示す図である。
【図４】本発明の各種実施形態に係るアライメントシステムの対称性形成システム示す図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る方法を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００８５】
１００  露光装置、  １０２  照明系、  １０４  パターニング用デバイス、  １０６  基板テーブル、  １０８  投影系、  １１２  基板、  １１４  光学照明、  １１６  放射源、  １１８  アライメントシステム、  ２１８  アライメントシステム、  ２２０  光源、  ２２４  合成部、  ２２８  対称性形成システム、  ２３２  アライメントマーク、  ２３４  検出部、  ２３６  ビームスプリッタ、  ２６０  空間フィルタ、  ２６２  開口、  ２６４  光学素子、  ２６６  光学素子、  ３２８  対称性形成システム、  ３４０  補正部、  ３４２  干渉計、  ３４６  分析部、  ４２８  対称性形成システム、  ４４０  補正部、  ４４２  干渉計、  ４４６  分析部、  ４６８  第１の部位、  ４７０  第２の部位、  ４７４  ビームスプリッタ、  ４７６  第１のプリズム、  ４７８  第２のプリズム、  ４８０  インタフェース、  ４８６  ファセット、  ４８８  ベース、  ４９０  ファセット、  ４９２  ベース、  ４９４  インタフェース。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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