(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）ウェハ工程の処理が完了したシリコンウェハをダイシング装置内に設けられ、半透明または遮光性のカバーで覆われたダイシング処理部内のダイシングステージ上に配置する工程と、
（ｂ）相互に側面が対向するように保持された第１および第２のダイシングブレードにより、アルミニウムを主成分とする電極を有する半導体装置が形成された前記シリコンウェハの第１主面に水または水を主成分とする薬液を供給しながら、前記第１主面側からスクライブ領域を２段階切削する工程と、
を有し、
前記（ｂ）工程は、前記第１主面のいずれの位置においても、前記ダイシング装置内に設けられた照明から光が照射されながら行われ、
前記照明から照射される前記光は、シリコンのバンドギャップ以上のエネルギーを有する半導体装置の製造方法。
【請求項２】
（ａ）ウェハ工程の処理が完了したシリコンウェハをダイシング装置内に設けられ、半透明または遮光性のカバーで覆われたダイシング処理部内のダイシングステージ上に配置する工程と、
（ｂ）相互に側面が対向するように保持された第１および第２のダイシングブレードにより、アルミニウムを主成分とする電極を有する半導体装置が形成された前記シリコンウェハの第１主面に水または水を主成分とする薬液を供給しながら、前記第１主面側からスクライブ領域を２段階切削する工程と、
を有し、
前記（ｂ）工程は、前記第１主面のいずれの位置においても、前記ダイシング装置内に設けられた複数の照明から光が照射されながら行われ、
前記照明から照射される前記光は、シリコンのバンドギャップ以上のエネルギーを有する半導体装置の製造方法。
【請求項３】
（ａ）ウェハ工程の処理が完了したシリコンウェハをダイシング装置内に設けられ、ダイシング処理部内のダイシングステージ上に配置する工程と、
（ｂ）同一面に属するように保持された第１および第２のダイシングブレードにより、アルミニウムを主成分とする電極を有する半導体装置が形成された前記シリコンウェハの第１主面に水または水を主成分とする薬液を供給しながら、前記第１主面側からスクライブ領域を２段階切削する工程と、
を有し、
前記（ｂ）工程は、前記第１主面のいずれの位置においても、前記ダイシング装置内に設けられた照明から光が照射されながら行われ、
前記照明から照射される前記光は、シリコンのバンドギャップ以上のエネルギーを有する半導体装置の製造方法。
【請求項４】
（ａ）ウェハ工程の処理が完了したシリコンウェハをダイシング装置内に設けられ、ダイシング処理部内のダイシングステージ上に配置する工程と、
（ｂ）同一面に属するように保持された第１および第２のダイシングブレードにより、アルミニウムを主成分とする電極を有する半導体装置が形成された前記シリコンウェハの第１主面に水または水を主成分とする薬液を供給しながら、前記第１主面側からスクライブ領域を２段階切削する工程と、
を有し、
前記（ｂ）工程は、前記第１主面のいずれの位置においても、前記ダイシング装置内に設けられた複数の照明から光が照射されながら行われ、
前記照明から照射される前記光は、シリコンのバンドギャップ以上のエネルギーを有する半導体装置の製造方法。
【請求項５】
（ａ）ウェハ工程の処理が完了したシリコンウェハをダイシング装置内に設けられ、ダイシング処理部内のダイシングステージ上に配置する工程と、
（ｂ）ダイシングブレードにより、アルミニウムを主成分とする電極を有する半導体装置が形成された前記シリコンウェハの第１主面に水または水を主成分とする薬液を供給しながら、前記第１主面側からスクライブ領域を切削する工程と、
を有し、
前記（ｂ）工程は、前記第１主面のいずれの位置においても、前記ダイシング装置内に設けられた照明から光が照射されながら行われ、
前記照明から照射される前記光は、シリコンのバンドギャップ以上のエネルギーを有する半導体装置の製造方法。
【請求項６】
（ａ）ウェハ工程の処理が完了したシリコンウェハをダイシング装置内に設けられ、ダイシング処理部内のダイシングステージ上に配置する工程と、
（ｂ）ダイシングブレードにより、アルミニウムを主成分とする電極を有する半導体装置が形成された前記シリコンウェハの第１主面に水または水を主成分とする薬液を供給しながら、前記第１主面側からスクライブ領域を切削する工程と、
を有し、
前記（ｂ）工程は、前記第１主面のいずれの位置においても、前記ダイシング装置内に設けられた複数の照明から光が照射されながら行われ、
前記照明から照射される前記光は、シリコンのバンドギャップ以上のエネルギーを有する半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｂ）工程の処理時間は３０分以上である。
【請求項８】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法において、前記照明から照射される前記光の波長は１．１μｍ以下である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】  本発明は、半導体装置の製造技術に関し、特に、ダイシングにより半導体ウェハ（以下、単にウェハという）を個々のチップに個片化する工程に適用して有効な技術に関する。
【背景技術】  日本特開２００１−２１１０４４号公報には、ダイシング中に吹きつける水のイオンとウェハに形成された電極とが反応して電極が腐食することを防止するため、ダイシング待機中のウェハに軟Ｘ線を照射し、ウェハの除電をしてからウェハのダイシングを行う技術が記載されている。
日本特開平０５−２５９２７５号公報には、以下に示す技術が記載されている。すなわち、ダイシング工程におけるウェハの割れや欠けによって生じた破片がウェハの表面（素子形成面）に付着することを防止するため、ウェハの表面に仮止シート材を貼る。そして、仮止シート材を貼ったウェハの表面側を下側にし、下側から赤外線ランプにより赤外線を照射する。次に、ウェハの裏面側に設けられた赤外線カメラによりウェハを透過した赤外線を検知して、半導体素子のパターンを認識した後、ウェハの裏面にダイヤモンドカッターでスクラブラインを形成する技術が記載されている。
日本特開平０９−０１７７５２号公報（対応米国特許公報第５９７２１５４号）には、ブレードの前方に紫外線照射装置を配設し、この紫外線照射装置から照射する紫外線によってダイシングテープとウェハとの接着力を低下させた後、接着力の低下した領域をブレードによりダイシングする技術が記載されている。
日本特開平０６−２３２２５５号公報には、ウェハの表面（素子形成面）を下側にしてウェハの裏面側（上側）から赤外線を照射し、照射した赤外線を赤外線カメラで検出することにより、ウェハの表面上に形成された回路パターンを認識してアライメントを行い、その後ダイシングする技術が記載されている。
日本特開平１１−２９７６４４号公報には、粘着テープに貼り付けたウェハをブレードによりダイシングする方法において、ダイシング時にブレードに対して紫外線を照射することにより、ブレードに付着した付着糊の粘性を低下させて、付着糊をブレードから剥離しやすくする技術が記載されている。
日本特開平１１−２７４１１４号公報（対応米国特許公報第６１５３０４３号）には、特に、化学的機械的研磨（ＣＭＰ；Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）法を使用した研磨工程において、半導体素子を光にさらすことによって生じる金属導体の溶解または腐食をなくす技術が記載されている。つまり、光電効果を引き起こす光から半導体素子を遮蔽し、それによって金属導体の電気化学的溶解を防止する技術が記載されている。
【発明の開示】
半導体装置の製造工程では、通常ウェハ上に半導体素子および多層配線が形成され、最上層にボンディングパッド（電極）が形成される。ボンディングパッドは、例えば、アルミニウム、アルミニウムシリコン（ＡｌＳｉ）、アルミニウム銅シリコン（ＡｌＣｕＳｉ）などのアルミニウムを主要な成分として含む材料を使用して形成された外部引出し用電極であり、例えばＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）の入・出力端子用、電源用およびグランド用などがある。
ボンディングパッドを形成したウェハはダイシングにより個々のチップへ個片化される。本発明者らは、ウェハを個々のチップに個片化するダイシングについて検討しており、この検討過程において以下に示す課題を見出した。すなわち、ダイシングは、冷却水をかけながらブレードと呼ばれる切断刃を回転させることによりウェハを個々のチップに個片化している。このとき、ウェハを切断した際に生じるシリコン片がウェハ上に多数付着する。ダイシングは、通常ウェハの素子形成面を上にして行われるため、ボンディングパッド上にシリコン片が付着する。ボンディングパッドは、上述したように、アルミニウムを主要な成分として含む材料から形成されているため、ダイシングによりアルミニウムとシリコン片が接触することになる、このようにアルミニウムとシリコン片が接触すると、アルミニウムからシリコンへ電子が放出され、アルミニウム自体はイオン化して冷却水に溶け出す、いわゆるガルバニック腐食が生じる。このため、アルミニウムを主要な成分として含む材料から形成されているボンディングパッドが腐食（消失）する問題点が発生する。
ここで、ボンディングパッドの腐食を防止する対策として、ダイシングのスピードを向上させるか、あるいはウェハを１／４にカットした後にダイシングすることにより、アルミニウムとシリコン片との間の電気化学反応を起すのに必要な時間を与えないようにすることが考えられる。
しかし、近年ではチップの微細化が進んでおり、１枚のウェハから取得されるチップの数が増加している。したがって、ダイシングするラインが増加するため、１枚のウェハをすべてダイシングするまでの時間を速くすることは困難である。また、ウェハを１／４にカットした後にダイシングする場合は、ウェハを１／４にカットする工程が新たに必要となり効率が悪い。
本願に開示されたひとつの発明の目的は、半導体ウェハをダイシングする際、アルミニウムを主要な成分として含む電極にシリコン片が付着することで生じる電極の腐食を抑制することができる技術を提供することにある。
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
本願に開示されたひとつの発明は、（ａ）半導体ウェハ上にアルミニウムを主要な成分として含む電極を形成する工程と、（ｂ）前記半導体ウェハに冷却水をかけながらダイシングすることにより、前記半導体ウェハを個々のチップに個片化する工程とを備え、前記（ｂ）工程は、前記電極が腐食しないように前記半導体ウェハの素子形成面の全面に光を照射しながら前記半導体ウェハをダイシングするものである。
本願において開示されるその他の発明の概要を箇条書きにするとすれば、以下のごとくである。
１．以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）ウェハ工程の処理が完了したウェハをダイシング装置内（回転ブレードによるウェハのペレタイズに用いられる装置）に設けられ、半透明（５０％以上遮蔽）または遮光性（９０％以上遮蔽）のカバーで覆われたダイシング処理部内のダイシングステージ上に配置（一般に粘着シートを介してフレームに固定されたものをステージに保持する）する工程、
（ｂ）相互に側面が対向するように保持された第１および第２のダイシングブレードにより、前記ウェハのアルミニウムを主成分とする電極を有する半導体装置が形成された第１の主面に水または水を主成分とする薬液（純水等）を供給しながら、前記第１の主面側からスクライブ領域を２段階切削（完全切削、ほぼ完全切削、半分または相当部分を残してもよい）する工程（ウェハあたりの切削時間は、たとえば、特に限定されないが２０分以上、特に３０分以上のものに有効である。更に、４０分以上では、ほぼ必須となる）、
ここで、前記工程（ｂ）において、前記第１の主面は７０ルクス以上の平均照度（ウェハの第１主面上のマクロ的な照度を第１主面全面及び（ｂ）工程の処理時間で平均をとったものである。ここで、マクロ的照度とは、たとえば１ｃｍ角程度の領域で平均を取ったもので、ミクロンオーダーの領域のミクロ的照度とは異なる）に保持されている。
２．前記項１の半導体装置の製造方法において、前記（ｂ）工程中、前記第１の主面のいずれの位置においても、照度が７０ルクス未満にならないように、第１主面上最低照度（ウェハの第１主面上のマクロ的な照度を（ｂ）工程の処理時間で平均をとったもののうち最小の照度である）を保持する。
３．前記項１または２の半導体装置の製造方法において、前記（ｂ）工程中における照度は、前記ダイシング装置内に設けられた照明により保持される。
４．前記項１から３のいずれかひとつに記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｂ）工程中における照度は、前記ダイシング装置内に設けられた複数の照明により保持される。
５．前記項１から４のいずれかひとつに記載の半導体装置の製造方法において、前記平均照度は７０ルクス以上２０００ルクス未満である。
６．前記項１から４のいずれかひとつに記載の半導体装置の製造方法において、前記平均照度は８０ルクス以上１５００ルクス未満である。
７．前記項１から４のいずれかひとつに記載の半導体装置の製造方法において、前記平均照度は９０ルクス以上１３００ルクス未満である。
８．前記項１から４のいずれかひとつに記載の半導体装置の製造方法において、前記平均照度は１００ルクス以上１２００ルクス未満である。
９．前記項１から４のいずれかひとつに記載の半導体装置の製造方法において、前記平均照度は８０ルクス以上５００ルクス未満である。
１０．前記項１から４のいずれかひとつに記載の半導体装置の製造方法において、前記平均照度は９０ルクス以上３００ルクス未満である。
１１．以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）ウェハ工程の処理が完了したウェハをダイシング装置内に設けられ、ダイシング処理部内のダイシングステージ上に配置する工程、
（ｂ）実質的に同一面に属するように保持された第１および第２のダイシングブレードにより、前記ウェハのアルミニウムを主成分とする電極を有する半導体装置が形成された第１の主面に水または水を主成分とする薬液を供給しながら、前記第１の主面側からスクライブ領域を２段階切削する工程、
ここで、前記（ｂ）工程において、前記第１の主面は７０ルクス以上の平均照度に保持され、且つ、前記第１の主面のいずれの位置においても、照度が７０ルクス未満にならないように第１主面上最低照度が保持されている。
１２．前記項１１の半導体装置の製造方法において、前記平均照度および前記第１主面上最低照度は７０ルクス以上２０００ルクス未満である。
１３．前記項１１の半導体装置の製造方法において、前記平均照度および前記第１主面上最低照度は８０ルクス以上１５００ルクス未満である。
１４．前記項１１の半導体装置の製造方法において、前記平均照度および前記第１主面上最低照度は９０ルクス以上１３００ルクス未満である。
１５．前記項１１の半導体装置の製造方法において、前記平均照度および前記第１主面上最低照度は１００ルクス以上１２００ルクス未満である。
１６．前記項１１の半導体装置の製造方法において、前記平均照度および前記第１主面上最低照度は８０ルクス以上である。
１７．前記項１１から１６のいずれかひとつに記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｂ）工程中における照度は、前記ダイシング装置内に設けられた照明により保持される。
１８．前記項１１から１７のいずれかひとつに記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｂ）工程中における照度は、前記ダイシング装置内に設けられた複数の照明により保持される。
１９．以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）ウェハ工程の処理が完了したウェハをダイシング装置内に設けられ、ダイシング処理部内のダイシングステージ上に配置する工程、
（ｂ）ダイシングブレードにより、前記ウェハのアルミニウムを主成分とする電極を有する半導体装置が形成された第１の主面に水または水を主成分とする薬液を供給しながら、前記第１の主面側からスクライブ領域を切削する工程、
ここで、前記（ｂ）工程において、前記第１の主面は７０ルクス以上の平均照度に保持されている。
２０．前記項１９の半導体装置の製造方法において、前記（ｂ）工程の処理時間は３０分以上である。
本願において開示される更にその他の発明の概要を箇条書きにするとすれば、以下のごとくである。
１．（ａ）半導体ウェハ上にアルミニウムを主要な成分として含む電極を形成する工程と、（ｂ）前記半導体ウェハに冷却水をかけながらダイシングすることにより、前記半導体ウェハを個々のチップに個片化する工程とを備え、前記（ｂ）工程は、前記電極が腐食しないように前記半導体ウェハの素子形成面の全面に光を照射しながら前記半導体ウェハをダイシングする半導体装置の製造方法。
２．前記項１記載の半導体装置の製造方法であって、前記（ｂ）工程で使用するダイシング装置は、切断方向に交差する方向に並んで配置された一対のブレードを使用して前記半導体ウェハをダイシングする半導体装置の製造方法。
３．前記項２記載の半導体装置の製造方法であって、前記半導体ウェハのダイシング中に、前記半導体ウェハの素子形成面に光のあたらない領域ができないように照明機器が配置されている半導体装置装置の製造方法。
４．前記項３記載の半導体装置の製造方法であって、前記ダイシング装置には、前記半導体ウェハをダイシングする処理室を覆うカバーが設けられており、前記照明機器は前記カバーの内部に設けられている半導体装置の製造方法。
５．前記項３記載の半導体装置の製造方法であって、前記ダイシング装置には、前記半導体ウェハをダイシングする処理室を覆い、透過性を有するカバーが設けられており、前記照明機器は前記カバーの外部に設けられている半導体装置の製造方法。
６．前記項３記載の半導体装置の製造方法であって、前記ダイシング装置には、複数の前記照明機器が設けられている半導体装置の製造方法。
７．前記項３記載の半導体装置の製造方法であって、前記照明機器は、前記ダイシング装置の内部に設けられている半導体装置の製造方法。
８．前記項１記載の半導体装置の製造方法であって、前記（ｂ）工程で使用するダイシング装置は、切断方向に並んで配置された一対のブレードを使用して前記半導体ウェハをダイシングする半導体装置の製造方法。
９．前記項８記載の半導体装置の製造方法であって、前記半導体ウェハのダイシング中に、前記半導体ウェハの素子形成面に光のあたらない領域ができないように照明機器が配置されている半導体装置装置の製造方法。
１０．前記項９記載の半導体装置の製造方法であって、前記ダイシング装置には、前記半導体ウェハをダイシングする処理室を覆うカバーが設けられており、前記照明機器は前記カバーの内部に設けられている半導体装置の製造方法。
１１．前記項９記載の半導体装置の製造方法であって、前記ダイシング装置には、複数の前記照明機器が設けられている半導体装置の製造方法。
１２．前記項１記載の半導体装置の製造方法であって、前記（ｂ）工程は、前記半導体ウェハの素子形成面の全面に７０ルクス以上２０００ルクス未満の光を照射する半導体装置の製造方法。
１３．前記項１２記載の半導体装置の製造方法であって、前記（ｂ）工程は、前記半導体ウェハの素子形成面の全面に１００ルクス以上２００ルクス未満の光を照射する半導体装置の製造方法。
１４．前記項１２記載の半導体装置の製造方法であって、前記（ｂ）工程は、前記半導体ウェハの素子形成面の全面に８０ルクス以上３００ルクス未満の光を照射する半導体装置の製造方法。
１５．前記項１２記載の半導体装置の製造方法であって、前記（ｂ）工程は、前記半導体ウェハの素子形成面の全面に７０ルクス以上５００ルクス未満の光を照射する半導体装置の製造方法。
１６．前記項１記載の半導体装置の製造方法であって、前記（ｂ）工程は、前記半導体ウェハの素子形成面の全面に７０ルクス以上の光を照射する半導体装置の製造方法。
１７．前記項１６記載の半導体装置の製造方法であって、前記（ｂ）工程は、前記半導体ウェハの素子形成面の全面に８０ルクス以上の光を照射する半導体装置の製造方法。
１８．前記項１７記載の半導体装置の製造方法であって、前記（ｂ）工程は、前記半導体ウェハの素子形成面の全面に１００ルクス以上の光を照射する半導体装置の製造方法。
１９．前記項１記載の半導体装置の製造方法であって、前記（ｂ）工程で照射する光は、半導体材料のバンドギャップのエネルギーよりも大きなエネルギーを有している半導体装置の製造方法。
２０．前記項１記載の半導体装置の製造方法であって、前記（ｂ）工程で照射する光の波長は、１．１μｍ以下である半導体装置の製造方法。
【図面の簡単な説明】  図１は、実施の形態１におけるダイシング装置を示した図である。
図２は、実施の形態１におけるダイシング装置のダイシング動作を説明した図である。
図３は、図２のＡ−Ａ線で切断した部分断面図である。
図４は、実施の形態１におけるダイシング装置のダイシング動作を説明した図である。
図５は、ウェハのダイシングを終了して個々のチップに切り分けられた状態を示す断面図である。
図６は、ダイシング中のウェハの動きを示した図である。
図７は、ダイシング中のウェハの動きを示した図である。
図８は、電極の腐食のメカニズムを説明した図である。
図９は、シリコンと水の化学反応式およびアルミニウムのイオン化を示す化学反応式を記載した図である。
図１０は、光を照射した場合に電極の腐食が防止できるメカニズムを示した図である。
図１１は、アルミニウムとシリコンのバンド構造を示した図である。
図１２は、アルミニウムとシリコンとを接触させた場合のバンド構造を示した図であって、シリコンからアルミニウムへ電子が移動することを説明した図である。
図１３は、実施の形態１の変形例を示した図である。
図１４は、実施の形態１における半導体装置の製造工程を示した断面図である。
図１５は、図１４に続く半導体装置の製造工程を示した断面図である。
図１６は、図１５に続く半導体装置の製造工程を示した断面図である。
図１７は、図１６に続く半導体装置の製造工程を示した断面図である。
図１８は、図１７に続く半導体装置の製造工程を示した断面図である。
図１９は、図１８に続く半導体装置の製造工程を示した断面図であって、ダイシングテープにウェハを貼り付ける工程を示した図である。
図２０は、図１９に続く半導体装置の製造工程を示した断面図であって、光を照射しながらダイシングする工程を示した図である。
図２１は、図２０に続く半導体装置の製造工程を示した断面図である。
図２２は、図２１に続く半導体装置の製造工程を示した断面図である。
図２３は、実施の形態２における半導体装置の製造工程を示した断面図である。
図２４は、図２３に続く半導体装置の製造工程を示した断面図である。
図２５は、図２４に続く半導体装置の製造工程を示した断面図である。
図２６は、図２５に続く半導体装置の製造工程を示した断面図である。
図２７は、図２６に続く半導体装置の製造工程を示した断面図である。
図２８は、半導体装置の製造工程を示したフローチャートである。
図２９は、実施の形態３における半導体装置の製造工程を示した断面図である。
図３０は、図２９に続く半導体装置の製造工程を示した断面図である。
図３１は、図３０に続く半導体装置の製造工程を示した断面図である。
図３２は、半導体装置の製造工程を示したフローチャートである。
図３３は、実施の形態４におけるダイシング装置を示した図である。
図３４は、ダイシング動作を説明した図である。
図３５は、ダイシング動作を説明した図である。
図３６は、ダイシング中のウェハの動きを示した図である。
図３７は、ダイシング中のウェハの動きを示した図である。
図３８は、実施の形態４の変形例を示した図である。
【発明を実施するための最良の形態】  本願発明を詳細に説明する前に、本願における用語の意味を説明すると次の通りである。
ウェハとは、集積回路の製造に用いるシリコン単結晶基板（一般にほぼ平面円形状）、サファイア基板、ガラス基板、その他の絶縁、反絶縁または半導体基板等並びにそれらの複合的基板を言う。また、本願において半導体装置というときは、シリコンウェハやサファイア基板等の半導体または絶縁体基板上に作られるものだけでなく、特に、そうでない旨明示された場合を除き、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ−Ｆｉｌｍ−Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）およびＳＴＮ（Ｓｕｐｅｒ−Ｔｗｉｓｔｅｄ−Ｎｅｍａｔｉｃ）液晶等のようなガラス等の他の絶縁基板上に作られるもの等も含むものとする。
ダイシングとは、多数の半導体装置が作り込まれたウェハを切断して、ウェハを個々のチップに分離することをいう。
照明機器とは光を発する機器をいい、本明細書では可視光だけでなく波長が１．１μｍ以下の光を発する機器を含むものとする。
以下の実施の形態においては便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明等の関係にある。
また、以下の実施の形態において、要素の数等（個数、数値、量、範囲等を含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でもよい。
さらに、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。
同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうではないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。
また、実施の形態を説明するための全図において、同一の部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
以下、実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
（実施の形態１）
図１は、本実施の形態１におけるダイシング装置１を示した斜視図である。図１において、本実施の形態１におけるダイシング装置１は、ウェハカセット室２、処理室（ダイシング処理部）３、ダイシングステージ３ａ、ブレード４ａ、スピンドル５、洗浄ステージ６、照明機器７ａ、７ｂおよびカバー８を有している。
ウェハカセット室２は、ウェハの入ったカセットをダイシング装置１に搬入、搬出するために設けられている。また、処理室３はウェハをダイシングするために設けられており、内部にダイシングステージ３ａ、ブレード４ａおよびスピンドル５などを有している。
ダイシングステージ３ａは、ウェハを配置してダイシングを行うためのステージとなるものである。
ブレード（第１のダイシングブレード）４ａは、例えばダイヤモンド粒を貼り付けた切断刃の一種から構成され、ダイシングステージ３ａに置かれたウェハを切断することができるようになっている。図１には図示していないが、ブレード４ａの対向する面にはブレード（第２のダイシングブレード）４ｂが設けられている。すなわち、ブレード４ａとブレード４ｂは相互に側面が対向するように保持されている。
スピンドル５は、ブレード４ａを回転するように構成されている。このスピンドル５によってブレード４ａを高速回転させることにより、ウェハを切断することができる。また、スピンドル５は、ブレード４ａの位置を調整することができるようになっている。
洗浄ステージ６は、ダイシングすることによりウェハに付着したシリコン片などの屑を洗浄するために設けられている。
照明機器７ａ、７ｂは、ダイシングステージ３ａ上に置かれたウェハの素子形成面（第１主面）の全面に光を照射するように配置されており、ダイシング動作中もウェハの素子形成面の全面に光があたるようになっている。つまり、ダイシング動作中において、ウェハ上に光のあたらない領域が形成されないようになっている。このように本願に開示されたひとつの発明の一つの特徴は、ウェハの素子形成面の全面に光を照射しながらダイシングを行うことにある。すなわち、ウェハの素子形成面の全面に光を照射しながらダイシングすることにより、後述するようにアルミニウムを主要な成分として含むボンディングパッド（電極）の腐食を防止することができる。
照明機器７ａ、７ｂはそれぞれ、例えばダイシング装置１の処理室３を覆うカバー８のうち、前面にあるカバー８の内部と背面にあるカバー８の内部に設けられている。このように複数の照明機器７ａ、７ｂをダイシング装置１の異なる場所に設けることにより、ウェハ上に光のあたらない領域ができないようにしている。なお、カバー８が透過性を有する部材から構成されている場合は、カバー８の内部ではなく、カバー８の外部に照明機器７ａ、７ｂを設けてもよい。カバー８は、例えば半透明（５０％以上遮蔽）または遮光性（９０％以上遮蔽）を有する部材から構成されている。
この照明機器７ａ、７ｂの照度は、ダイシング中のボンディングパッドの腐食を抑制できる観点から定められており、例えばダイシングステージ３ａ上に配置されたウェハ上で光の平均照度が７０ルクス以上になるように調整されている。ここで、平均照度とは、ウェハの素子形成面（第１主面）上のマクロ的照度を素子形成面全面およびダイシング工程（ウェハを切削する工程）の処理時間で平均を取ったものである。マクロ的照度とは、例えば１ｃｍ角程度の領域で平均を取ったもので、ミクロンオーダーの領域のミクロ的照度とは異なる。また、ダイシング工程中において、ウェハの素子形成面上にあるいずれの位置においても、照度が７０ルクス未満にならないようにすることが望ましい。すなわち、ウェハの素子形成面上にあるいずれの位置においても、第１主面上最低照度以上の照度を保持することが望ましい。ここで、第１主面上最低照度とは、ウェハの素子形成面上のマクロ的照度をダイシング工程の処理時間で平均を取ったもののうち最小の照度をいう。
ウェハ上での光の平均照度が７０ルクス以上であればボンディングパッドの腐食を抑制することができる一方、ボンディングパッドの腐食を抑制する観点からは上限値はないが、現実的には２０００ルクス未満である。特に、ウェハ上での平均照度が８０ルクス以上１５００ルクス未満で行ってもボンディングパッドの腐食を抑制することができる。さらに、ボンディングパッドの腐食を抑制する観点からは、ウェハ上での光の平均照度が９０ルクス以上１３００未満であることが望ましく、特にウェハ上での光の平均照度が１００ルクス以上１２００ルクス以下であるとさらに望ましい。すなわち、ウェハ上での光の平均照度が１００ルクス以上であるとボンディングパッドの腐食を効果的に抑制することができる。
平均照度の下限値はボンディングパッドの腐食を抑制するために必要であるが、平均照度の上限値はあまり問題とならない。このため、例えばウェハ上での平均照度が８０ルクス以上５００ルクス未満でもよく、さらには、ウェハ上での平均照度が９０ルクス以上３００ルクス未満や１００ルクス以上２００ルクス未満であってもよい。
照射機器７ａ、７ｂから照射される光は、後述するように波長が１．１μｍより短い光であればよく、例えば可視光でもよい。したがって、照明機器７ａ、７ｂは、例えば蛍光管や白熱電球から構成することができる。このため、照明機器７ａ、７ｂとして特殊な機器を使用しなくてもよく、コストの低減を図ることができる利点がある。
本実施の形態１におけるダイシング装置１は上記のように構成されており、以下にダイシング装置１の動作について説明する。図２は、本実施の形態１におけるダイシング装置１でウェハＷをダイシングする動作を示した図である。図２において、まず、粘着性のあるダイシングテープ９にフレーム１０を貼り付けた後、このダイシングテープ９の中央部にウェハＷを貼り付ける。このとき、ウェハＷは素子形成面を上側にしてダイシングテープ９に貼り付けられている。続いて、ダイシングテープ９を貼り付けたウェハＷは図１に示すダイシングステージ３ａに配置される。そして、図示しない純水または水を主成分とする薬液を吹きつけながらブレード４ａ、４ｂによってウェハＷをダイシングする。このとき、ウェハＷの素子形成面の全面には、図１に示す照明機器７ａ、７ｂにより光が照射されている。
ブレード４ａ、４ｂは図２に示すように、ウェハＷの切断方向（Ｘ方向）と交差する方向（Ｙ方向）に並んで配置されており、ウェハＷはこの一対のブレード４ａ、４ｂによりダイシングされる。すなわち、相互に側面が対向するように保持された一対のブレード４ａ、４ｂによりウェハＷはダイシングされる。図２のＡ−Ａ線で切断した断面を図３に示す。図３に示すように、ブレード４ａの切断刃面は、ブレード４ｂの切断刃面に比べて厚くなっており、ウェハＷはまずブレード４ａによってウェハＷの厚みの半分程度まで切り込みが入れられる。そして次に、ブレード４ｂによってウェハＷが切断される。このように、ウェハＷは一対のブレード４ａ、４ｂによって、切断されることがわかる。つまり、ウェハＷの素子形成面に水あるいは水を主成分とする薬液を供給しながら、一対のブレード４ａ、４ｂによって素子形成面側からスクライブ領域を２段階切削している。ここでは、一対のブレード４ａ、４ｂによって完全に切断している例を示しているが、これに限らず、ほぼ完全に切断してもよいし、半分あるいは相当部分を残すように切削してもよい。
続いて、図４に示すように、ウェハＷを９０度回転させた後、同様にしてウェハＷをダイシングする。このようにして、図５に示すように、ウェハＷを個々のチップＣＰに切り分けることができる。ウェハＷを個々のチップＣＰに切り分ける切削時間は、特に限定されないが２０分以上、特に３０分以上のものに有効である。すなわち、切削時間が長くなればなるほど、ウェハＷの素子形成面に形成されたボンディングパッドからアルミニウムが溶け出しやすくなる。したがって、ウェハＷの切削時間が３０分以上かかる場合、ウェハＷの素子形成面の全面に図１に示す照明機器７ａ、７ｂにより光を照射することで、アルミニウムの腐食を抑制できる。さらに、切削時間が４０分以上の場合は、照明機器７ａ、７ｂにより光を照射する必要がある。
次に、ダイシング中のウェハＷの動きについて図６および図７を参照しながら説明する。図６は、一対のブレード４ａ、４ｂを使用してウェハＷをダイシングする様子を上面から見た図である。図６に示すように、ウェハＷはオリエンテーションフラットが左側（Ｙ軸方向に平行）になるようにして配置されている。まず、ステップ１に示すように、ウェハＷをＹ軸方向の上側から下側に動かすことにより、ダイシングする。このとき、ウェハＷはブレード４ａに接続されているスピンドル５に隠れるように移動し、ステップ２では、ウェハＷはほとんど右側のスピンドル５に隠れる。続いて、ダイシングするラインを変えるため、ウェハＷを左方向へわずかに移動した後、ステップ３に示すように、ウェハＷをＹ軸方向の下側から上側に動かしてダイシングする。このとき、ウェハＷは、右側のスピンドル５から除々に露出するがウェハＷの全面が露出することはない。
次に、ダイシングするラインを変えるため、ウェハＷを左方向（Ｘ軸の負方向）へわずかに移動した後、ステップ４に示すように、ウェハＷをＹ軸の上側から下側に動かしてダイシングする。このとき、ウェハＷのほとんどは、左右両方のスピンドル５に隠れる。続いて、ダイシングするラインを変えるため、ウェハＷを左方向（Ｘ軸の負方向）へわずかに移動した後、ステップ５に示すように、ウェハＷをＹ軸の下側から上側に動かしてダイシングする。このとき、ウェハＷは、左側のスピンドル５から除々に露出するがウェハＷの全面が露出することはない。このような動作を繰り返すことにより、一方向のダイシングが終了するが、上述したようにダイシング動作中、ウェハＷはスピンドル５との相対的位置関係を変化するように動く。しかし、ウェハＷがスピンドル５から完全に露出することはない。したがって、図６に示すように、ウェハＷには、スピンドル５から露出しない領域ＳＲ１が存在することがわかる。この領域ＳＲ１は、ダイシングの際にスピンドル５から露出しないため、光があたらない遮光領域となる。つまり、本実施の形態１におけるダイシング装置１のように照明機器７ａ、７ｂを設けた場合には、スピンドル５に隠れた領域であっても光が照射されるため、領域ＳＲ１は遮光領域とならないが、照明機器７ａ、７ｂを設けない従来のダイシング装置では領域ＳＲ１は遮光領域となる。
続いて、図７に示すようにウェハＷを９０度回転させてダイシングを行う。すなわち、ウェハＷのオリエンテーションフラットがＸ軸に平行になるように配置した状態でダイシングする。この場合も図６に説明したのと同様に、図７のステップ１からステップ５までの動作を行うが、図７の場合もウェハＷには、スピンドル５から露出しない領域ＳＲ２が存在する。このように照明機器７ａ、７ｂを有さない従来のダイシング装置では遮光領域となる領域ＳＲ１および領域ＳＲ２が存在することになる。特に、領域ＳＲ１と領域ＳＲ２の重なり合う領域ＳＲ３は、互いに直交する２方向のダイシングにおいて、いずれの場合もスピンドル５に隠れているため、光があたらない。
従来のダイシング装置では遮光領域となる領域ＳＲ１、ＳＲ２でボンディングパッドが腐食する現象が発生した。特に、領域ＳＲ３においては腐食度合いが顕著である。以下に、ボンディングパッドが腐食するメカニズムについて説明する。
図８は、ダイシング中のウェハＷ内にあるボンディングパッド（電極）１１の近傍を示した断面図である。図８に示すように、例えばアルミニウムよりなるボンディングパッド１１は、例えば窒化シリコン膜よりなる表面保護膜１２から露出している。このボンディングパッド１１上にはダイシング工程で使用される純水１３が流れている。また、ウェハＷをダイシングすることにより発生したシリコン片１４がボンディングパッド１１に付着している。ボンディングパッド１１は、遮光領域となる領域ＳＲ３に形成されているとし、光Ｌを遮光する遮光部材１５は例えば図６および図７に示すスピンドル５である。
ここで、ボンディングパッド１１上にシリコン片１４が付着すると、ボンディングパッド１１を構成するアルミニウムからシリコン片１４を構成するシリコンに向かって電子が移動する。これにより、アルミニウムは陽イオンとなり、純水中に溶け出す。したがって、ボンディングパッド１１の腐食が生じることになる。アルミニウムが溶け出すメカニズムは、以下のように考えることができる。図９はシリコンと純水との間の化学反応（１）とアルミニウムのイオン化を示した化学反応（２）を表している。
二種類の物質が溶液中で接触した場合に起こる腐食の一般的な解釈は、酸化還元電位の低い物質から酸化還元電位の高い物質に電子が移動し、酸化還元電位の低い物質が陽イオンとなって溶液中に溶け出すというものである。図９を見てわかるように、シリコンの化学反応（１）の酸化還元電位は−０．８６Ｖである。一方、アルミニウムの化学反応（２）の酸化還元電位は−１．６６Ｖである。したがって、アルミニウムの酸化還元電位の方がシリコンの酸化還元電位よりも低いので、アルミニウムからシリコンに対して電子が放出される。このため、アルミニウムは電子を放出して陽イオンとなり、純水中に溶け出すことがわかる。
このように、光を遮光される領域ＳＲ１，ＳＲ２、特に全く光りが遮断される領域ＳＲ３では上記したメカニズムによってボンディングパッド１１の腐食が生じる。
そこで、本実施の形態１では、ダイシング装置１に照明機器７ａ、７ｂを設けることにより、ウェハＷの素子形成面の全面に光を照射して光のあたらない領域を形成しないようにしている。以下に、ウェハＷに光を照射した場合、ボンディングパッドの腐食が生じないメカニズムについて説明する。
図１０は、ダイシング中のウェハＷ内にあるボンディングパッド１１の近傍を示した断面図であり、図８とほぼ同様であるが、ボンディングパッド１１形成領域に光Ｌが照射されている点が図８と異なる。図１０において、シリコン片１４と接触しているボンディングパッド１１に光Ｌが照射されている場合、ボンディングパッド１１を構成するアルミニウムからシリコン片１４を構成するシリコンに向かって電子が放出されるのではなく、逆に、シリコンからアルミニウムに向かって電子が放出される。したがって、アルミニウムは電子を放出しないため、陽イオンとなって溶け出すことがなく、ボンディングパッド１１の腐食を抑制することができる。
このようにシリコンからアルミニウムに向かって電子が放出されるメカニズムは以下に示すように考えることができる。図１１はリンやヒ素などのｎ型不純物を導入したシリコンとアルミニウムの孤立したバンド構造を示したものである。アルミニウムは真空準位ＶＬから４．１０ｅＶのエネルギー準位にフェルミ準位εＦがある。つまり、アルミニウムの仕事関数φＡ１は、４．１０ｅＶである。一方、ｎ型不純物を一定量（例えば、１×１０１８個／ｃｍ３）導入したｎ型シリコンは、真空準位から４．１４ｅＶのエネルギー準位にフェルミ準位εＦがあり、その仕事関数φＳ＝４．１４ｅＶである。また、シリコンの価電子帯と伝導帯との間のバンドギャプのエネルギーは１．１２ｅＶである。
上述したバンド構造を有するアルミニウムとｎ型シリコンとを接触させるとそのバンド構造は図１２に示すようになる。すなわち、アルミニウムのフェルミ準位εＦとｎ型シリコンのフェルミ準位εＦが一致するようにバンドが曲がる。このとき、図１２に示すように、アルミニウムのフェルミ準位εＦは、シリコンの伝導帯のエネルギー準位より低くなる。
ここで、シリコンのバンドギャップ以上のエネルギーを有する光がシリコンに入射すると、光電効果により価電子帯にある電子が伝導帯へ励起されて、一対の正孔・電子が生成される。価電子帯に励起された電子は、よりエネルギー準位の低いアルミニウムへ移動する。したがって、ｎ型シリコンからアルミニウムに向かって電子が放出されることになり、アルミニウムのイオン化が抑制されるため、ボンディングパッドの腐食を抑制することができることがわかる。
このことから本実施の形態１では、ウェハＷの素子形成面の全面に光を照射しながらダイシングを行うことにより、アルミニウムよりなるボンディングパッド１１の腐食を抑制している。
ウェハＷの素子形成面に照射する光は、光電効果により一対の正孔・電子対を生成できればよいため、シリコンのバンドギャップ以上のエネルギーを有すればよい。したがって、例えば波長が１．１μｍ以下の光を使用すればよい。なお、シリコン以外の半導体材料を使用する場合には、その半導体材料のバンドギャップ以上のエネルギーを有する光を使用すればよい。
また、ウェハＷの素子形成面における光の平均照度は概ね７０ルクス以上であれば、ボンディングパッド１１の腐食を防止する効果が得られる。特に、ボンディングパッド１１の腐食を効果的に防止する観点からは、光の平均照度を８０ルクス以上、さらには１００ルクス以上の照度にすれば顕著な効果を得ることができる、ボンディングパッドの腐食を防止する観点からは、ウェハＷの素子形成面に照射する光の照度の上限値はないが、現実的には２０００ルクス未満になる。さらに、例えばダイシング装置１の消費電力を低減して製造コストを低く抑える観点からは平均照度は効果の得られる最小限度にすることが望ましく、１５００ルクス未満や１３００ルクス未満、さらには１２００ルクス未満にすることが望ましい。また、５００ルクス未満、３００ルクス未満あるいは２００ルクス未満であってもボンディングパッドの腐食を防止する効果が得られる。
本実施の形態１では、ボンディングパッド１１をアルミニウムから形成する例を示したが、これに限らず、例えばアルミニウムシリコン（ＡｌＳｉ）、アルミニウム銅シリコン（ＡｌＣｕＳｉ）などのアルミニウムを主要な成分として含む材料を使用する場合にも効果がある。
また、本実施の形態１では、図１に示すようにカバー８に照明機器７ａ、７ｂを取り付けた例について説明したが、照明機器の配置はこれに限定されるものではなく、例えば図１３に示すように、ダイシング装置１の内部に複数の照明機器２０ａ〜２０ｄを配置するようにしてもよいし、図２０に示すように、ダイシング装置１に複数の照明機器３７ａ〜３７ｃを配置してもよい。
図１３は、ダイシングステージ３ａの近傍を拡大した図である。図１３において、照明機器２０ａ〜２０ｄはウェハＷを載置するダイシングステージ３ａの近傍の周囲を囲むように設けられている。したがって、ダイシング工程において、スピンドル５に隠れる領域がウェハＷにあっても、その領域に光をあてることが容易になる利点がある。つまり、ウェハＷの近傍に複数の照明機器２０ａ〜２０ｄを設けているので、ウェハＷの素子形成面の全面に光を照射することが容易となる。
次に、本実施の形態１におけるダイシング装置を使用した半導体装置の製造方法について説明する。本実施の形態１では、半導体装置としてダイオードを例にとって説明する。
まず、図１４に示すように、例えばアンチモン（Ｓｂ）などｎ型不純物が高濃度に導入されたシリコンよりなるウェハ３０を用意する。このウェハ３０に導入されたｎ型不純物の濃度は、例えば１×１０１９個／ｃｍ３〜１×１０２０個／ｃｍ３程度である。
次に、ウェハ３０の主面（素子形成面）上に例えばリン（Ｐ）などのｎ型不純物が導入されたシリコン層をエピタキシャル成長させることにより、エピタキシャル層３１を形成する。このエピタキシャル層３１に導入されたｎ型不純物の濃度は、例えば１×１０１６個／ｃｍ３〜１×１０１９個／ｃｍ３程度である。
続いて、ウェハ３０に熱処理を施すことにより、エピタキシャル層３１上に酸化シリコン膜３２を形成する。そして、この酸化シリコン膜３２上にフォトレジスト膜（図示せず）を形成した後、露光・現像することによりフォトレジスト膜をパターニングする。パターニングはｐ型半導体領域を形成する領域を開口するように行われる。
次に、パターニングしたフォトレジスト膜をマスクにして酸化シリコン膜３２をエッチングすることにより、ｐ型半導体領域を形成するための開口部３２ａを選択的に形成する。そして、フォトレジスト膜を除去した後、開口部３２ａを含むエピタキシャル領域３１上に、例えばＰＢＦ（Ｐｏｌｙ  Ｂｏｒｏｎ  Ｆｉｌｍ）を形成する。
続いて、約９００℃の雰囲気中でウェハ３０をアニールすることにより、ＰＢＦ内のホウ素（Ｂ）をｎ型半導体領域であるエピタキシャル層３１に拡散させて、ｐ型半導体領域３３を形成する。その後、窒素（Ｎ２）雰囲気中でウェハ３０に約１０００℃程度の熱処理を施すことにより、エピタキシャル層３１とｐ型半導体領域３３との境界にｐｎ接合を形成する。これにより、ダイオード素子を形成することができる。
次に、図１５に示すように、ウェハ３０の主面上に、例えばスパッタリング法を使用してアルミニウム（Ａｌ）とシリコン（Ｓｉ）よりなる膜を形成する。そして、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を使用することにより、アルミニウムとシリコンよりなる膜をパターニングして、電極３４を形成する。
続いて、図１６に示すように、ウェハ３０の主面上に例えばＣＶＤ法を使用して窒化シリコン膜を形成することにより、窒化シリコン膜よりなる表面保護膜３５を形成することができる。その後、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を使用して表面保護膜３５をパターニングする。パターニングは、電極３４の表面が露出するように行われる。
次に、図１７に示すように、ウェハ３０の裏面を研削してウェハ３０の厚さを薄くする。続いて、ウェハ３０を洗浄した後、図１８に示すように例えば蒸着法などによりウェハ３０の裏面に例えば金（Ａｕ）膜の裏面電極３６を形成する。このようにして、ウェハ３０上に複数のダイオードを形成することができる。
次に、図１９に示すように、複数のダイオードを形成したウェハ３０を、ダイシングテープ９を貼り付けたフレーム１０の中央部に配置する。このとき、ウェハ３０は粘着性あるダイシングテープ９に貼り付けられる。
続いて、図２０に示すように、ウェハ３０のダイシングを行う。すなわち、スピンドル５に取り付けられて高速回転するブレード４ａ、４ｂにウェハを接触させることにより、ウェハ３０を個々のチップに切断する。このとき、ブレード４ａ、４ｂとウェハ３０の接触部分には冷却水（図示せず）がかけられている。
ウェハ３０のダイシング中は、図２０に示すように、例えば照明機器３７ａ〜３７ｃよってウェハ３０上に光が照射されている。したがって、ダイシングにより発生したシリコン片がウェハ上に形成された電極（ボンディングパッド）３４に付着したとしても、そこから生じる電極３４の腐食を防止することができる。つまり、一般にウェハ３０のダイシング中には、スピンドル５などによってウェハ３０上に影となる領域が形成され、この影となった領域においてシリコン片が電極３４に付着するとガルバニック腐食により電極が腐食する。しかし、本実施の形態１においては、照明機器３７ａ〜３７ｃを設けることにより、スピンドル５などによって影が形成される領域にも光を照射している。つまり、ダイシング工程において、ウェハ３０の素子形成面の全面に光を照射しているので影となる領域が形成されない。このため、アルミニウムを主要な成分として含む電極３４にシリコン片が付着しても電極３４の腐食を防止することができる。
なお、本実施の形態１におけるダイシング装置１では、図１に示すように照明機器７ａ、７ｂによって光を照射する例を示していたが、図２０においては、ウェハＷの素子形成面の全面に光を照射していることをわかりやすくするために、照明機器３７ａ〜３７ｃを設けて説明している。したがって、図１に示すように照明機器７ａ、７ｂを配置した場合もウェハＷの素子形成面の全面に光を照射することができることはいうまでもない。
次に、図２１に示すように、ダイシングによりウェハ３０を個々のチップＣＰに分離した後、ダイシングテープ９の下面（ウェハ３０を貼り付けていない面）から紫外線を照射する。これにより、ダイシングテープ９の粘着性が低下してチップＣＰをピックアップしやすくなる。
続いて、チップをピックアップした後、図２２に示すように、このチップＣＰの裏面電極３６を一対のリード３８ａ、３８ｂのうちリード３８ｂ上に接続する。そして、チップＣＰ上に形成されている電極３４ともう一方のリード３８ａとを、例えば金線（ワイヤ）３９を使用して接続する。
次に、リード３８ａ、３８ｂの内端部、チップＣＰおよび金線３９を樹脂４０により封止してダイオードパッケージを形成することができる。このように本実施の形態１における半導体装置の製造方法によれば、ダイシング装置１に照明機器３７ａ〜３７ｃを設けることにより、ダイシング中にウェハ３０の素子形成面の全面に光を照射しているので、シリコン片と電極３４との接触で生じる電極３４の腐食を防止できる。したがって、電極３４が腐食あるいは消失した不良品の製造を防止でき、製品の歩留まり向上を図ることができる。
（実施の形態２）
前記実施の形態１ではダイオードの製造方法を例に挙げて本願に開示されたひとつの発明のダイシングについて説明したが本実施の形態２ではバイポーラトランジスタの製造方法を例にあげて本願に開示されたひとつの発明のダイシングについて説明する。
まず、図２３示すように、ホウ素（Ｂ）などのｐ型不純物を導入したウェハ５０を用意する。そして、ウェハ５０の主面（素子形成面）上に、例えばホウ素などのｐ型不純物を導入したエピタキシャル層５１を形成する。エピタキシャル層５１は、例えばエピタキシャル成長法を使用して形成することができる。
続いて、エピタキシャル層５１内にｎ型半導体領域５２を形成する。このｎ型半導体領域５２は、フォトリソグラフィ技術およびイオン注入法を使用して形成することができる。すなわち、フォトリソグラフィ技術によりフォトレジスト膜をパターニングし、パターニングしたフォトレジスト膜をマスクにして、リンやヒ素などのｎ型不純物をウェハ３０内に導入することによりｎ型半導体領域５２を形成する。
次に、ｎ型半導体領域５２内にｐ型半導体領域５３を形成する。ｐ型半導体領域５３は、フォトリソグラフィ技術およびイオン注入法を使用して形成することができる。このようにして、エピタキシャル層５１、ｎ型半導体領域５２およびｐ型半導体領域５３を形成することによりｐｎｐ構造を形成することができる。
続いて、ウェハ５０の主面上に酸化シリコン膜５４を形成する。そして、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を使用することにより、酸化シリコン膜５４をパターニングする。パターニングは、電極形成領域を開口するように行われる。
次に、ウェハ５０上に、例えばスパッタリング法を使用することにより、アルミニウムとシリコンよりなる膜を形成する。そして、図２４に示すように、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を使用することにより、アルミニウムとシリコンよりなる膜をパターニングして、エミッタ電極５５およびベース電極５６を形成する。
続いて、ウェハ５０上に例えばＣＶＤ法を使用して窒化シリコン膜を形成することにより、窒化シリコン膜よりなる表面保護膜５７を形成する。そして、図２５に示すように、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を使用して表面保護膜５７をパターニングする。パターニングは、エミッタ電極５５およびベース電極５６が露出するように行われる。
次に、図２６に示すように、ウェハ５０の裏面を研削してウェハ５０の厚さを薄くする。そして、ウェハ５０を洗浄した後、図２７に示すように例えば蒸着法などにより、ウェハ５０の裏面に例えば金（Ａｕ）膜の裏面電極５８を形成する。このようにして、ウェハ５０上に複数のバイポーラトランジスタを形成することができる。
続いて、複数のバイポーラトランジスタを形成したウェハ５０のダイシングを行う。ダイシングは前記実施の形態１で説明した図１９〜図２１と同様の工程で行われる。すなわち、図１９に示すように、ウェハ５０（図１９〜図２１ではウェハ３０と記載されている）の裏面にダイシングテープ９を貼り付けた後、図２０に示すように、ウェハ５０の素子形成面の全面に光を照射しながらウェハ５０を個々のチップＣＰに切り分ける。これにより、ダイシング工程においてウェハ５０上に影となる領域が形成されないので、エミッタ電極５５およびベース電極５６にシリコン片が付着することによる腐食を防止できる。
次に、図２８に示すように、光照射ダイシングを行った後（Ｓ１０１）、切り分けたチップＣＰをリードフレーム上にマウントする（Ｓ１０２）。そして、マウントしたチップＣＰ上に形成されているエミッタ電極５５やベース電極５６とリードフレーム上のリードとをそれぞれ金線により接続する（Ｓ１０３）。
続いて、チップＣＰを樹脂で封止した後（Ｓ１０４）、パッケージに成形する（Ｓ１０５）。そして、パッケージ化された半導体装置に選別処理を施した後（Ｓ１０６）、検査を行い（Ｓ１０７）、良品と判断された製品が出荷される（Ｓ１０８）。
本実施の形態２によれば、前記実施の形態１と同様の効果が得られる。すなわち、ダイシング装置１に照明機器３７ａ〜３７ｃを設けることにより、ダイシング中にウェハ５０の素子形成面の全面に光を照射しているので、エミッタ電極５５あるいはベース電極５６とシリコン片との接触で生じる腐食を防止できる。したがって、エミッタ電極５５あるいはベース電極５６が腐食あるいは消失した不良品の製造を防止でき、製品の歩留まり向上を図ることができる。
（実施の形態３）
前記実施の形態２ではバイポーラトランジスタの製造方法を例にあげて本願に開示されたひとつの発明のダイシングについて説明したが、本実施の形態３ではＩＣインレットの製造方法を例にあげて本願に開示されたひとつの発明のダイシングについて説明する。
ＩＣインレットとは、マスクＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）（読み出し専用メモリ）等やＥＥＰＲＯＭ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ  Ｅｒａｓａｂｌｅ  Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）（電気的書き換え可能な読み出し専用メモリ）等の情報記憶集積回路素子とそれに接続されたアンテナを含むメモリとアンテナの集合体である。このＩＣインレットは、マイクロ波などの電磁波をＩＣインレットに照射し、ＩＣインレットから出てきた電磁波を受信することにより、ＩＣインレットの内部に書き込まれた情報を読み取ることができ、読み取った情報により商品の出所、生産者、品質などを識別できるようになっている。
以下に、ＩＣインレットの製造方法について説明する。まず、周知の技術を使用して図２９に示すような構造を形成する。すなわち、ウェハ６０にｎ型不純物を導入したｎ型ウェル６１とｐ型不純物を導入したｐ型半導体領域６２、６３を形成する。そして、ウェハ６０上に、例えばＣＶＤ法を使用して酸化シリコン膜６４を形成した後、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を使用して、この酸化シリコン膜６４にｐ型半導体領域６３へ貫通する接続孔を形成する。
続いて、接続孔を埋め込むように導体膜を酸化シリコン膜６４上に形成する。そして、接続孔内に導体膜を残す一方ＣＭＰ法を使用して酸化シリコン膜６４上に形成された不要な導体膜を除去することにより、プラグを形成する。
次に、プラグを形成した酸化シリコン膜６４上に例えばアルミニウム膜を形成する。このアルミニウム膜は例えばスパッタリング法を使用して形成することができる。そして、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を使用してアルミニウム膜をパターニングすることにより、配線６５を形成する。
同様にして、配線６５上に酸化シリコン膜６６を形成した後、この酸化シリコン膜６６に配線６５へ接続するプラグを形成する。そして、このプラグに接続する配線６７を酸化シリコン膜６６上に形成する。配線６７は、例えばアルミニウム膜から形成されている。
次に、配線６７上に酸化シリコン膜６８を形成した後、この酸化シリコン膜６８に配線６７へ接続するプラグを形成する。そして、このプラグに接続する電極６９を酸化シリコン膜６８上に形成する。電極６９は、例えばアルミニウム膜から形成されている。
続いて、図３０に示すように、ウェハ６０の主面上に例えばＣＶＤ法を使用して窒化シリコン膜を形成し、この窒化シリコン膜よりなる表面保護膜７０を形成する。キして、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を使用して表面保護膜７０をパターニングする。パターニングは、電極６９が露出するように行われる。
次に、図３１に示すように、ウェハ６０の裏面を研削してウェハ６０の厚さを薄くする。このようにして、図３２に示すウェハプロセスが実施される（Ｓ２０１）。続いて、ウェハ６０の光照射ダイシングを行う（Ｓ２０２）。ダイシングは前記実施の形態１で説明した図１９〜図２１と同様の工程で行われる。すなわち、図１９に示すように、ウェハ６０（図１９〜図２１ではウェハ３０と記載されている）の裏面にダイシングテープ９を貼り付けた後、図２０に示すように、ウェハ６０の素子形成面の全面に光を照射しながらウェハ６０を個々のチップＣＰに切り分ける。これにより、ダイシング工程においてウェハ６０上に影となる領域が形成されないので、電極６９にシリコン片が付着することによる腐食を防止できる。
一方、絶縁フィルムにアンテナを形成してアンテナ付き絶縁フィルムを別工程で形成する（Ｓ２０３）。
次に、絶縁フィルムに形成されたアンテナにチップＣＰを接続する（Ｓ２０４）。そして、チップＣＰを樹脂封止することにより、ＩＣインレットを形成する（Ｓ２０５）。その後、ＩＣインレットの検査を行い（Ｓ２０６）、良品と判断されたＩＣインレットが出荷される（Ｓ２０７）。
本実施の形態３によれば、前記実施の形態１と同様の効果が得られる。すなわち、ダイシング装置１に照明機器３７ａ〜３７ｃを設けることにより、ダイシング中にウェハ６０の素子形成面の全面に光を照射しているので、電極６９とシリコン片との接触で生じる腐食を防止できる。したがって、電極６９が腐食あるいは消失した不良品の製造を防止でき、製品の歩留まり向上を図ることができる。
（実施の形態４）
本実施の形態４では前記実施の形態１で説明したダイシング装置と異なる構成のダイシング装置に本願に開示されたひとつの発明を適用した例について説明する。
図３３は、本実施の形態４におけるダイシング装置８０を示した図である。図３３において、本実施の形態４におけるダイシング装置８０は、ウェハカセット室８１、アライメント室８２、ダイシング室（ダイシング処理部）８３、ダイシングステージ８４、ブレード８５ａ、８５ｂ、スピンドル８６、カバー８７、照明機器８７ａを有している。
これらの構成要素のうち、前記実施の形態１と異なる構成要素について説明する。本実施の形態４におけるダイシング装置８０ではアライメント室８２が設けられている。このアライメント室８２は、ウェハをダイシングする位置を調整するために設けられており、図示しないアライメントカメラによってダイシングするラインを調整している。前記実施の形態１ではこのアライメントはスピンドル５によって行われているため、アライメント室が別に設けられていない。
照明機器８７ａは、ダイシング装置８０の前面に設けられたカバー８７の内部に設けられている点で、ダイシング装置１の前面および背面のカバー８に設けられている前記実施の形態１と相違する。これは、ダイシング装置のレイアウト構成が異なるからであるが、どちらの装置においてもダイシング中、ウェハの素子形成面の全面に光が照射される点では同じである。なお、照明機器８７ａはカバーの内部に設けられているとしたが、カバーが透過性を有する場合にはカバーの外部に照明機器８７ａを配置してもよい。
また、ダイシング装置８０と前記実施の形態１におけるダイシング装置１との大きな相違点は、ウェハの切断に使用するブレード（第１のダイシングブレード）８５ａおよびブレード（第２のダイシングブレード）８５ｂの配置位置が異なる点である。すなわち、前記実施の形態１では、図２に示すように、ダイシングする方向と交差する方向にブレード４ａ、４ｂが並んで配置されていた。これに対し、本実施の形態４におけるダイシング装置８０では、ダイシングする方向にブレード８５ａ、８５ｂが並んで配置されている。すなわち、実質的に同一面に属するようにブレード８５ａ、８５ｂがスピンドル８６によって保持されている。したがって、前記実施の形態１におけるダイシング装置１と本実施の形態４におけるダイシング装置８０で、ダイシング動作が異なる。
以下に、本実施の形態４におけるダイシング装置８０のダイシング動作について図３４および図３５を使用して説明する。
図３４は、ダイシング装置８０でのダイシングしている様子を示した図である。図３４において、ウェハＷはダイシングテープ９を貼り付けたフレーム１０の中央部に配置されており、ダイシングテープ９に貼り付けられている。このウェハＷをダイシング装置８０でダイシングする際、ブレード８５ａ、８５ｂはダイシング方向（Ｙ方向）に並んで配置されている。したがって、一本のダイシングラインを同時にブレード８５ａ、８５ｂでダイシングするようになっている。この点で、ブレード４ａとブレード４ｂとがダイシングする方向と交差（直交）する方向に並んで配置されて、ブレード４ａでダイシングしているラインとブレード４ｂでダイシングしているラインが異なるダイシング装置１とは相違する。
ブレード８５ａは、ブレード８５ｂに比べて切断刃面が厚くなっており、まず、この相対的に切断刃面が厚いブレード８５ａによってウェハＷは約半分の深さまで切り込みが入れられる。そして次に、相対的に切断刃面の薄いブレード８５ｂによってウェハＷは完全に切断される。このようにして、所定方向のダイシングがすべて終了すると、図３５に示すようにウェハＷを９０度回転させてダイシングを行い、最終的にウェハＷを個々のチップに切断する。なお、ここでは、一対のブレード８５ａ、８５ｂによって完全に切断している例を示しているが、これに限らず、ほぼ完全に切断してもよいし、半分あるいは相当部分を残すように切削してもよい。
次に、ダイシング中のウェハＷの動きについて図３６および図３７を参照しながら説明する。図３６は、一対のブレード８５ａ、８５ｂを使用してウェハＷをダイシングする様子を上面から見た図である。図３６に示すように、ウェハＷはオリエンテーションフラットがＸ軸に平行になるようにして配置されている。まず、ステップ１に示すように、アライメントカメラ８８でウェハＷの位置を調整した後、ウェハＷをＸ軸方向の負方向（右側から左側）に動かすことにより、ダイシングする。このとき、ウェハＷはアライメントカメラ８８およびスピンドル８６の下を横切り、ステップ２に示す状態になる。続いて、ダイシングするラインを変えるため、アライメントカメラ８８でウェハＷの位置を調整してウェハＷをＹ軸の負方向へわずかに移動する。その後、ステップ２からステップ３に示すように、ウェハＷをＸ軸の正方向（左側から右側）に動かしてダイシングする。このときも、ウェハＷは、スピンドル８６およびアライメントカメラ８８の下を通過することになる。
続いて、ステップ４に示すように、ウェハＷをＹ軸の負方向へわずかに移動させた後、ステップ４からステップ５に示すようにウェハＷをＸ軸の負方向（右側から左側）に移動させてダイシングを行う。このようにして、所定方向のダイシングが行われる。
図６に示す前記実施の形態１では、所定方向のダイシングの際、ウェハＷの領域の中にスピンドル５に隠れたままの領域ＳＲ１が存在した。これに対し、図３６に示す本実施の形態４では、ウェハＷの領域の中に、所定方向のダイシングのすべての時間にわたって、スピンドル８６に隠れたままの領域は存在しない。しかし、ウェハＷはダイシング中にスピンドル８６およびアライメントカメラ８８の下を一時的に通過する。したがって、ダイシング装置８０に照明機器８７ａが存在しない場合、スピンドル８６あるいはアライメントカメラ８８の下を通過しているウェハＷの領域は影となる。このため、スピンドル８６あるいはアライメントカメラ８８の下を通過する時間が多い領域は、照明機器８７ａが存在しない場合、相対的に光があたっていない時間が多くなることになる。本実施の形態４のダイシング動作では、相対的に光のあたっていない時間が多い領域は図３６に示す領域ＳＲ４である。
次に、図３６に示すダイシング動作が終了した後、図３７に示すようにウェハＷを９０度回転させてダイシングを行う。この場合も図３６に説明したのと同様に、図３７のステップ１からステップ５までの動作を行うが、図３７の場合もウェハＷには、スピンドル８６あるいはアライメントカメラ８８の下を通過する時間が相対的に多い領域ＳＲ５が存在する。このように、照明機器８７ａを有さないダイシング装置では相対的に光のあたらない領域ＳＲ４および領域ＳＲ５が存在することになる。特に、領域ＳＲ４と領域ＳＲ５の重なり合う領域ＳＲ６は、互いに直交する２方向のダイシングにおいて、いずれの場合もスピンドル８６あるいはアライメントカメラ８８の下を通過する時間が多いため、最も光があたらない。
ここで、本実施の形態４におけるダイシング装置８０には、図３５に示したように照明機器８７ａを有している。この照明機器８７ａはダイシング動作中、ウェハＷの素子形成面の全面に光を照射するように配置されている。したがって、ウェハＷがスピンドル８６あるいはアライメントカメラ８８の下を通過している場合にもウェハＷの全面に光が照射されている。つまり、本実施の形態４におけるダイシング装置８０では、照明機器８７ａを設けたので、上述した相対的に光のあたらない領域ＳＲ４〜ＳＲ６は存在しないことになる。
このことから、本実施の形態４におけるダイシング装置を使用した半導体装置の製造方法によれば、ダイシング中にウェハＷの素子形成面の全面に光を照射するように照明機器８７ａを配置したので、ウェハＷ上に形成された電極と、ダイシングの際生じるシリコン片との接触で生じる腐食を防止できる。このため、電極が腐食あるいは消失した不良品の製造を防止でき、製品の歩留まり向上を図ることができる。
つまり、本実施の形態４によれば、実質的に同一面に属するように保持されたブレード８５ａおよびブレード８５ｂにより、アルミニウムを主成分とする電極を有する半導体装置が形成された前記ウェハＷの第１主面に、水または水を主成分とする薬液を供給しながら、第１主面側からスクライブ領域を２段階切削する工程において、第１主面は７０ルクス以上の平均照度に保持され、かつ第１主面のいずれの位置においても照度が７０ルクス未満にならないように第１主面上最低照度が保持されている。したがって、ウェハＷ上に形成された電極と、ダイシングの際生じるシリコン片との接触で生じる腐食を防止できる。
本実施の形態４においても、ウェハＷの素子形成面における光の平均照度および第１主面上最低照度は概ね７０ルクス以上であれば、ボンディングパッド１１の腐食を防止する効果が得られる。特に、ボンディングパッド１１の腐食を効果的に防止する観点からは、光の平均照度および第１主面上最低照度を８０ルクス以上、さらには１００ルクス以上の照度にすれば顕著な効果を得ることができる。ボンディングパッドの腐食を防止する観点からは、ウェハＷの素子形成面に照射する光の平均照度および第１主面上最低照度の上限値はないが、現実的には２０００ルクス未満になる。さらに、例えばダイシング装置１の消費電力を低減して製造コストを低く抑える観点からは照度は効果の得られる最小限度にすることが望ましく、１５００ルクス未満や１３００ルクス未満、さらには１２００ルクス未満にすることが望ましい。
なお、図３５に示すダイシング装置８０は、カバー８７に照明機器８７ａを設けていたが、例えば図３８示すように、ダイシングステージ８４の周辺を囲むように照明機器８９ａ〜８９ｅを設けてもよい。このように照明機器８９ａ〜８９ｅを配置することで、ダイシング中のウェハＷの全面に光を照射することができる。
以上、本発明者によってなされた発明を発明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
前記実施の形態におけるダイシング装置では照明機器を設けたがその配置および照明光の種類は前記実施の形態で説明したものに限定されない。つまり、照明光はウェハがシリコンよりなる場合は１．１μｍ以下の波長の光であればよく、また、照明機器の配置は、ダイシング動作中にウェハの素子形成面の全面に光が照射されるような配置であればよい。
前記実施の形態では、製造する半導体装置の一例としてダイオード、バイポーラトランジスタおよびＩＣインレットについて説明したが、これに限らず、幅広く半導体装置の製造に適用することができる。
前記実施の形態では、一対のブレードを使用してウェハの切削をする例について説明したが、これに限らず、一つのブレードを使用してウェハの切削をする場合にも前記実施の形態で説明した半導体装置の製造方法を適用することができる。
【産業上の利用可能性】  本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。
ウェハをダイシングする際、照明機器を使用してウェハ上に光を照射しているので、アルミニウムを主要な成分として含む電極にシリコン片が付着することで生じる電極の腐食を抑制することができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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