(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
はんだテープが供給され、複数の半導体素子が作り込まれている半導体ウエハの前記複数の半導体素子の配置および形状に対応して前記はんだテープをプレスし、前記複数の半導体素子の配置および形状に対応した配置および形状の複数のはんだ材をプレス形成する第１工程と、
第１工程で得られた配置および形状の複数のはんだ材に対して、キャリアフィルムを対向させ、この配置および形状のままの状態で前記複数のはんだ材を前記キャリアフィルムに転写する第２工程と、
複数の半導体素子が作り込まれている前記半導体ウエハの裏面メタル部側と、前記複数のはんだ材がその配置および形状のままの状態で転写されている前記キャリアフィルムとを対向させ位置合わせを行った上で、真空圧着装置の金型部を閉じて真空引きを行い、真空引きの終了後に前記はんだ材の融点以下の温度で圧着を行う第３工程とを、
順次行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
はんだテープとキャリアフィルムとが供給され、ラミネータにより接合し、はんだ及びキャリアフィルムからなる積層テープを形成する第１工程と、
この積層テープに対して、複数の半導体素子が作り込まれている半導体ウエハの前記複数の半導体素子の配置および形状に対応して形成されているマスクを介して紫外線を照射し、不要となるはんだ部とキャリアフィルムとの接着力を低下させる第２工程と、
この紫外線が選択的に照射された積層テープを、前記複数の半導体素子の配置および形状に対応して形成されている金型を用いてはんだプレス加工を行う第３工程と、
このはんだプレス加工された積層テープを、キャリアフィルムとはんだテープに分離し、分離されたキャリアテープ上に前記複数の半導体素子の配置および形状に対応して形成されているはんだ材を形成する第４工程と、
複数の半導体素子が作り込まれている前記半導体ウエハの裏面メタル部側と、前記複数のはんだ材がその配置および形状のままの状態で転写されている前記キャリアフィルムとを対向させ位置合わせを行った上で、真空圧着装置の金型部を閉じて真空引きを行い、真空引きの終了後に前記はんだ材の融点以下の温度で圧着を行う第５工程とを、
順次行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、パワートランジスタ、パワーＩＣのようなはんだダイボンディングを行うのに適した構造の半導体装置および半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
パワートランジスタ、パワーＩＣなどの半導体チップをリードフレームに固定する手段として、リードフレームのダイパッドにはんだを設け、その上に半導体チップをダイボンディングすることが行われている。
【０００３】
図６は、従来行われているはんだを用いたダイボンディング工程を示す図である。先ず、図６（ａ）のように、リードフレーム６１のダイパッド６２にはんだワイヤ６３を溶解して供給するか、或いは、図６（ｂ）のように、はんだリボン６４をある一定長にカットし、リードフレーム６１のダイパッド６２に置いて溶解供給する。
【０００４】
次に、図６（ｃ）のように、ダイパッド６２上に溶解供給されたはんだＳを、プレスピン（或いは攪拌ピン）６５によってプリフォームし、その大きさを拡げる。
【０００５】
続いて、図６（ｄ）のように半導体チップ６６をコレット６７で吸着して、ダイパッド６２上の拡げられたはんだＳの上に載置して、図６（ｅ）のようにリードフレーム６１に接合する。
【０００６】
従来の半導体チップ６６のリードフレーム６１へのダイボンディングは、以上のように行われる。この時、プレスピン（或いは攪拌ピン）６５によっておこなわれるはんだＳのプリフォームによる拡大は、ダイパッド６２やチップ６６の形状である正方形や長方形に広がりにくく、円形、楕円形に近い歪んだ形状となってしまうことが多い。
【０００７】
一方、ダイボンディングできる半導体チップ６６のサイズは、ダイパッド６２のサイズによって決まるのではなく、プリフォームにより拡げられたはんだＳの面積の大きさによって、ダイボンディングすることができる半導体チップ６６の最大のチップサイズが定まる。
【０００８】
これは半導体チップ６６の裏面全面がダイパッド６２にはんだＳによって接合されていることが、半導体チップ６６の放熱対策上等から必要とされるからである。
【０００９】
しかし、はんだＳのプリフォームによる拡大は、上述のように正方形や長方形に広がりにくく、ダイパッド６２の面積に比して小さいサイズのチップしか搭載することができないと言う問題があった。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
そこで、本発明では、はんだＳのプリフォーム工程をなくすとともに、リードフレームのダイパッドサイズとほぼ同等のサイズのチップをダイボンディングするに適した構造の半導体装置および半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
請求項１の半導体装置の製造方法は、はんだテープが供給され、複数の半導体素子が作り込まれている半導体ウエハの前記複数の半導体素子の配置および形状に対応して前記はんだテープをプレスし、前記複数の半導体素子の配置および形状に対応した配置および形状の複数のはんだ材をプレス形成する第１工程と、第１工程で得られた配置および形状の複数のはんだ材に対して、キャリアフィルムを対向させ、この配置および形状のままの状態で前記複数のはんだ材を前記キャリアフィルムに転写する第２工程と、複数の半導体素子が作り込まれている前記半導体ウエハの裏面メタル部側と、前記複数のはんだ材がその配置および形状のままの状態で転写されている前記キャリアフィルムとを対向させ位置合わせを行った上で、真空圧着装置の金型部を閉じて真空引きを行い、真空引きの終了後に前記はんだ材の融点以下の温度で圧着を行う第３工程とを、順次行うことを特徴とする。
【００１５】
この請求項１の半導体装置の製造方法では、複数の半導体素子が作り込まれている半導体ウエハの前記複数の半導体素子の配置および形状に対応したはんだ材を一括してプレス形成する。プレス成形されたままの配置および形状の状態で、キャリアフィルムに転写する。そして、ウエハに作り込まれている複数の半導体素子の裏面メタル部にはんだ材の融点以下の温度で一括して圧着を行う。
【００１６】
これにより、半導体ウエハに多数作り込まれている半導体素子の配置とか寸法に適合したはんだ材が一度に形成することができる。また、半導体ウエハの裏面のメタル部側に配置されたはんだ材は同時に同一の工程で設けられるから、半導体ウエハに多数設けられているそれぞれの半導体素子にはんだ材が等しく圧着され安定した性能が得られる。
【００１７】
また、その圧着に際して、はんだ材の融点以下の温度で熱圧着するので、はんだ材に影響を与えることが少なく、半導体素子単位にダイシングして形成される半導体チップは、半導体素子の裏面メタル部に該半導体素子とほぼ同一寸法或いは若干小さい寸法のはんだ層を支障無く形成できる。
【００１８】
請求項２の半導体装置の製造方法は、はんだテープとキャリアフィルムとが供給され、ラミネータにより接合し、はんだ及びキャリアフィルムからなる積層テープを形成する第１工程と、この積層テープに対して、複数の半導体素子が作り込まれている半導体ウエハの前記複数の半導体素子の配置および形状に対応して形成されているマスクを介して紫外線を照射し、不要となるはんだ部とキャリアフィルムとの接着力を低下させる第２工程と、この紫外線が選択的に照射された積層テープを、前記複数の半導体素子の配置および形状に対応して形成されている金型を用いてはんだプレス加工を行う第３工程と、このはんだプレス加工された積層テープを、キャリアフィルムとはんだテープに分離し、分離されたキャリアテープ上に前記複数の半導体素子の配置および形状に対応して形成されているはんだ材を形成する第４工程と、複数の半導体素子が作り込まれている前記半導体ウエハの裏面メタル部側と、前記複数のはんだ材がその配置および形状のままの状態で転写されている前記キャリアフィルムとを対向させ位置合わせを行った上で、真空圧着装置の金型部を閉じて真空引きを行い、真空引きの終了後に前記はんだ材の融点以下の温度で圧着を行う第５工程とを、順次行うことを特徴とする。
【００１９】
この請求項２の半導体装置では、はんだテープ及びキャリアフィルムからなる積層テープに対して、半導体ウエハに作り込まれている複数の半導体素子の配置および形状に対応してマスクを介して紫外線を照射し、不要となるはんだ部のキャリアフィルムとの接着力を低下させる。この紫外線が選択的に照射された積層テープを、複数の半導体素子の配置および形状に対応して形成されている金型を用いてはんだプレス加工し、分離されたキャリアテープ上に複数の半導体素子の配置および形状に対応して形成されているはんだ材を形成する。そして、ウエハに作り込まれている複数の半導体素子の裏面メタル部にはんだ材の融点以下の温度で一括して圧着を行う。
【００２０】
これにより、半導体ウエハに多数作り込まれている半導体素子の配置とか寸法に適合したはんだ材を一度に形成することができる。また、半導体ウエハの裏面のメタル部側に配置されたはんだ材は同時に同一の工程で設けられるから、半導体ウエハに多数設けられているそれぞれの半導体素子にはんだ材が等しく圧着され安定した性能が得られる。
【００２１】
また、その圧着に際して、はんだ材の融点以下の温度で熱圧着するので、はんだ材に影響を与えることが無く、半導体素子単位にダイシングして形成される半導体チップは、半導体素子の裏面メタル部に該半導体素子とほぼ同一寸法或いは若干小さい寸法のはんだ層を支障無く形成できる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して、順次説明する。
【００２３】
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る、半導体装置を示す図である。
【００２４】
図１（ａ）（ｂ）において、円形の半導体ウエハ１１には多数の半導体素子１２が作り込まれており、その裏面にはメタル部１１ａが形成されている。この半導体ウエハ１１の裏面のメタル部１１ａであって各半導体素子１２部分毎に、それぞれ個別にはんだ材１３が接合されている。
【００２５】
このはんだ材１３は、各半導体素子１２部分に比べて、ほぼ同一の寸法とされるか、或いは若干小さい寸法に設定されている。
【００２６】
この各半導体素子１２部分毎にはんだ材１３がそれぞれ個別に接合されている半導体ウエハ１１を、この半導体ウエハ１１に作り込まれている半導体素子１２単位にダイシングすることで、同図（ｃ）に示されるように、半導体素子１２の裏面メタル部１１ａにこの半導体素子１２とほぼ同一寸法或いは若干小さい寸法で同様な形状（例、正方形或いは長方形）のはんだ１３材が設けられている半導体チップが形成される。
【００２７】
そして、図２のように、半導体素子２１にほぼ同一寸法或いは若干小さい寸法で同様な正方形或いは長方形などの形状のはんだ層２２が設けられている半導体チップ２０を、リードフレーム２４のダイパッド２３にはんだ層２２を溶融させることで、全面的に接合させることができる。
【００２８】
したがって、この半導体チップ２０を用いることで、リードフレーム２４のダイパッド２３に従来より大きな寸法の半導体チップ２０を搭載しダイボンディングすることができる。また、従来と同じ寸法の半導体チップ２０で良ければ、小さいサイズのダイパッド２３で済むから、半導体装置としてのパッケージの小型化を図ることができる。
【００２９】
以上のことから、本発明の半導体装置に依れば、リードフレーム２４のダイパッド２３にはんだを溶かし込んだり、拡げたりする機構が不要になり、生産性が向上し、設備の一部が簡略化できる。
【００３０】
さらに、ダイパッド２３のサイズとほぼ同サイズの半導体チップ２０がダイボンディングできるので、半導体装置の電気的特性、例えばトランジスタの低オン抵抗化、大電流化、低飽和電圧化等、の向上が可能になる。
【００３１】
また、ダイボンディング設備停止時に従来は溶かし込んだはんだが徐々に酸化して半導体チップをおいたときにボイドが多発したり、これを避けるために酸化したはんだ部には半導体チップをダイボンディングしないようにしていた。これに対して、本発明では、リードフレーム上にはんだを供給しないので品質歩留まりの低下を防止することができる。
【００３２】
図３は、図１のような半導体装置を製造するための第１の製造方法を示す図であり、図４はその製造方法の一部詳細を示す図である。この第１の製造方法は主に、はんだテープを所定の形に打ち抜く第１工程と、打ち抜かれたはんだをキャリアフィルムに転写する第２工程と、半導体ウエハの各半導体素子にはんだを個別に圧着する第３工程とからなる。
【００３３】
図３において、はんだプレス装置の上金型３０３と下金型３０４との間に、はんだテープ３０５が供給される。これは、はんだ供給ロール３０１とはんだ巻き取りロール３０２との間で移送される。また、はんだテープは、３０５は、Ｓｎ／Ｓｂ系のもの、或いはＰｂ／Ｓｎ／Ａｇ系等のはんだが用いられる。
【００３４】
次に、はんだテープ３０５がはんだプレス装置の上金型３０３と下金型３０４とでプレスされる。このプレスされた状態は、図４（ａ）に示されているように、対象とする半導体ウエハに作り込まれている多数の半導体素子の配置および形状に対応してはんだテープ３０５をプレスする。このプレスにより、はんだプレス装置の下金型３０４上に、前記多数の半導体素子の配置および形状に対応した多数のはんだ材３０６が形成される。なお、プレス抜きされた３０５には、はんだ材３０６に対応した孔３０６´が空いている。
【００３５】
次に、多数のはんだ材３０６が乗っている下金型３０６は、図中右方向にはんだ転写装置まで移動させられる。このはんだ転写装置はこの下金型と上金型３１３との間に、ＰＥＴやＰＩ等の材料で形成されたキャリアフィルム３１７が供給されるようになっている。なお、このキャリアフィルム３１７は、キャリアフィルム供給ロール３１１から引き出され、引き続く真空圧着装置の上金型３１４と下金型３１５との間にも連続して供給され、そしてキャリアフィルム巻き取りロール３１２に巻き取られる。
【００３６】
多数のはんだ材３０６を載せたままで、はんだ転写装置まで移動された下金型３０４は、はんだ転写装置の上金型３１３に、はんだ材３０６とキャリアフィルム３１７とを挟んで配置される。この配置状況は、図４（ｂ）に示されているようになっており、この状態から上金型３１３と下金型３０６とが押圧される。これにより、はんだ材３０６はキャリアフィルム３１７に転写され、この状態で次の工程である真空圧着装置へ移送される。なお、はんだ材３０６がキャリアテープ３１７に転写された下金型３０４は次のサイクルに備えて、はんだプレス装置の所へ戻される。
【００３７】
次に、複数の半導体素子１２が作り込まれている半導体ウエハ１１の裏面メタル部１１ａ側を、複数のはんだ材３０６をその配置および形状のままの状態で転写されているキャリアフィルム３１７とを対向させ、複数のはんだ材３０６がそれぞれ複数の半導体素子１２の中心に合うように正確に位置合わせを行う。この対向状態は、図４（ｃ）に示されているようになっている。なお、３１５ｂはシリコンパッキングである。
【００３８】
この位置合わせを行った上で、真空圧着装置の上金型３１４，下金型３１５からなる金型部を閉じて真空引きを行う。この時の真空到達度は例えば５Ｔｏｒｒ以下とすることが好ましい。
【００３９】
なお、キャリアフィルム３１７の上にはんだ材３０６に圧力を均一に掛けるためのシリコンゴムなどのシートを配置して、真空圧着しても良い。
【００４０】
次に、真空引きが終了したら、圧着部の熱ヘッドを接触させ、はんだの融点温度以下の温度、例えば１５０℃以下の温度、所定の圧力、例えば２００Ｋｇｆ／ｃｍ2以下の圧力で、多数のはんだ材３０６を半導体ウエハ３１６の裏面メタル部に、半導体素子単位で一度に熱圧着する。
【００４１】
この熱圧着された状態は前述の図１（ａ）、（ｂ）に示されるように、円形の半導体ウエハ１１の裏面メタル部１１ａ側に、各半導体素子１２形成領域毎に多数のはんだ材３０６が接合された状態となる。
【００４２】
この半導体装置の製造方法では、複数の半導体素子が作り込まれている半導体ウエハ３１６の複数の半導体素子の配置および形状に対応したはんだ材３０６を、はんだプレス装置の上金型３０３、下金型３０４ではんだテープ３０５から一括してプレス形成する。プレス成形されたままの配置および形状の状態で下金型３０４に載せたまま、はんだ転写装置へ移送し、はんだ転写装置の上金型３１３の押圧によりキャリアフィルム３１７に転写する。そして、半導体ウエハ３１６に作り込まれている複数の半導体素子の裏面メタル部にはんだ材３０６の融点以下の温度で一括して圧着を行う。
【００４３】
これにより、半導体ウエハ３１６に多数作り込まれている半導体素子の配置とか寸法に適合したはんだ材３０６を一度に形成することができる。また、半導体ウエハ３１６の裏面のメタル部側に配置されたはんだ材３０６は同時に同一の工程で設けられるから、半導体ウエハ３１６に多数設けられているそれぞれの半導体素子にはんだ材３０６が等しく圧着され安定した性能が得られる。
【００４４】
また、その圧着に際して、はんだ材３０６の融点以下の温度で熱圧着するので、はんだ材に影響を与えることが少なく、半導体素子単位にダイシングして形成される半導体チップは、半導体素子の裏面メタル部にこれとほぼ同一寸法或いは若干小さい寸法のはんだ層を支障無く形成できる。
【００４５】
また、半導体ウエハ３１６の裏面のメタル部側に配置されたはんだ材３０６に、シリコンゴムシートにより均一に圧力が加えられるから、半導体ウエハ３１６に多数設けられているそれぞれの半導体素子にはんだテープ材３０６が等しく圧着され安定した性能が得られる。
【００４６】
また、その圧着に際して、はんだ材３０６の融点以下の温度で熱圧着するので、はんだに影響を与えることが少なく、半導体素子単位にダイシングして形成される半導体チップは、その裏面にダイボンディング用のはんだ層を支障無く形成できる。
【００４７】
図５は、図１のような半導体装置を製造するための第２の製造方法を示す図である。この第２の製造方法は主に、はんだテープとキャリアフィルムとをラミネートする第１工程と、ラミネートされたものにマスクを介して紫外線を照射し選択的に接着力を低下させる第２工程と、所定の形状の金型によりはんだプレスを行う第３工程と、はんだプレス加工された積層テープからはんだ材付キャリアテープを分離する第４工程と、半導体ウエハの各半導体素子にはんだを個別に圧着する第５工程とからなる。
【００４８】
図５において、キャリアテープ供給ローラ５０１から供給されるキャリアフィルムは例えばＰＥＴ、ＰＩ等で形成され、はんだテープ供給ローラ５０４から供給されるはんだテープ５０６はＳｎ／Ｓｂ系、Ｐｂ／Ｓｎ／Ａｇ系等の材料で形成される。
【００４９】
このはんだテープ５０６とキャリアフィルム５０３とがラミネータ５０７により接着されラミネートされる。
【００５０】
次に、このラミネートされたはんだテープ５０６とキャリアフィルム５０３が紫外線（以下、ＵＶ）照射炉５０８に供給される。ＵＶ照射炉５０８では、半導体ウエハ５１５に作り込まれている複数の半導体素子の配置および形状に対応して形成されているマスク５１０を介して光源５０９からの紫外線をラミネートされたはんだテープ５０６とキャリアフィルム５０３に選択的に照射する。この選択的ＵＶ照射により、半導体ウエハ５１５に作り込まれている複数の半導体素子に接合させるべき箇所の接着力は維持したまま、それ以外の不要となるはんだ部のキャリアフィルムへの接着力を低下させる。
【００５１】
次に、このＵＶを選択的に照射された積層テープを、はんだプレス装置の上金型５１１と下金型５１２との間に移送し、前工程でＵＶ照射された積層テープ上の位置と上金型・下金型５１１・５１２の位置とを正確に位置合わせした上で、はんだプレスを行う。これによりキャリアフィルム５０３への接着力を維持している半導体素子に接合させるべきはんだテープ５０６上の箇所と、それ以外のキャリアフィルム５０３への接着力を低下させているはんだテープ５０６上の箇所とがプレスにより区別された状態となる。
【００５２】
次に、はんだプレスされた積層テープからはんだテープ巻き取りロール５０５ではんだテープを巻き取る。この時、キャリアフィルム５０３への接着力を低下させているはんだテープ５０６上の箇所は、はんだテープ巻き取りロール５０５に巻き取られる。一方、キャリアフィルム５０３への接着力を維持している半導体素子に接合させるべきはんだテープ５０６上の箇所、即ちはんだ材５１６は、キャリアテープに接着されたまま、次の真空プレス工程に移送される。なお、キャリアテープ５０３は最終的には、真空プレス工程の終了後に、キャリアテープ巻き取りテープ５０２に巻き取られる。
【００５３】
次に、複数の半導体素子が作り込まれている半導体ウエハ５１５の裏面メタル部側を、複数のはんだ材５１６をその配置および形状のままの状態で接着されているキャリアフィルム５０３とを対向させ、複数のはんだ材５１６がそれぞれ複数の半導体素子の中心に合うように正確に位置合わせを行う。
【００５４】
次に、この位置合わせを行った上で、真空圧着装置の上金型５１３，下金型５１４からなる金型部を閉じて真空引きを行う。この時の真空到達度は例えば５Ｔｏｒｒ以下とすることが好ましい。
【００５５】
なお、キャリアフィルム５１３の上に多数のはんだ材５１６に圧力を均一に掛けるためのシリコンゴムなどのシートを配置して、真空圧着しても良い。
【００５６】
次に、真空引きが終了したら、圧着部の熱ヘッドを接触させ、はんだの融点温度以下の温度、例えば１５０℃以下の温度、所定の圧力、例えば２００Ｋｇｆ／ｃｍ2以下の圧力で、多数のはんだ材３０６を半導体ウエハ３１６の裏面メタル部に、半導体素子単位で一度に熱圧着する。
【００５７】
この熱圧着された状態は前述の図１（ａ）、（ｂ）に示されるように、円形の半導体ウエハ１１の裏面メタル部１１ａ側に、各半導体素子１２形成領域毎に多数のはんだ材３０６が接合された状態となる。
【００５８】
この半導体装置の製造方法では、はんだテープ５０６及びキャリアフィルム５０３からなる積層テープに対して、半導体ウエハ５１６に作り込まれている複数の半導体素子の配置および形状に対応してマスクを介して選択的にＵＶを照射する。これにより、半導体ウエハ５１５の複数の半導体素子の接合させるべき箇所のはんだは接着力を維持したまま、その他の不要となるはんだ部のキャリアフィルムとの接着力を低下させる。このＵＶを選択的に照射された積層テープを、複数の半導体素子の配置および形状に対応して形成されている金型５１１，５１２を用いてはんだプレス加工する。そして、分離されたキャリアテープ５１６上に複数の半導体素子の配置および形状に対応して形成されているはんだ材５１６を形成する。そして、半導体ウエハ５１５に作り込まれている複数の半導体素子の裏面メタル部にはんだ材５１６の融点以下の温度で一括して圧着を行う。
【００５９】
これにより、半導体ウエハ５１５に多数作り込まれている半導体素子の配置とか寸法に適合したはんだ材５１６を一度に形成することができる。また、半導体ウエハ５１５の裏面のメタル部側に配置されたはんだ材５１６は同時に同一の工程で設けられるから、半導体ウエハ５１５に多数設けられているそれぞれの半導体素子にはんだ材５１６が等しく圧着され安定した性能が得られる。
【００６０】
また、その圧着に際して、はんだ材５１６の融点以下の温度で熱圧着するので、はんだ材に影響を与えることが少なく、半導体素子単位にダイシングして形成される半導体チップは、半導体素子の裏面メタル部に該半導体素子とほぼ同一寸法或いは若干小さい寸法のはんだ層を支障無く形成できる。
【００６１】
【発明の効果】
本発明の半導体装置では、各半導体素子部分毎にはんだ材がそれぞれ個別に接合されている半導体ウエハを、この半導体ウエハに作り込まれている半導体素子単位にダイシングすることで、半導体素子の裏面メタル部に該半導体素子とほぼ同一寸法或いは若干小さい寸法のはんだ層が設けられている半導体チップが形成される。
【００６２】
したがって、この半導体チップを用いることで、リードフレームのダイパッドに従来より大きな寸法の半導体チップを搭載しダイボンディングすることができる。また、従来と同じ寸法の半導体チップで良ければ、小さいサイズのダイパッドで済むから、半導体装置としてのパッケージの小型化を図ることができる。
【００６３】
本発明の半導体装置の製造方法では、複数の半導体素子が作り込まれている半導体ウエハの前記複数の半導体素子の配置および形状に対応したはんだ材を一括してプレス形成する。プレス成形されたままの配置および形状の状態で、キャリアフィルムに転写する。そして、ウエハに作り込まれている複数の半導体素子の裏面メタル部にはんだ材の融点以下の温度で一括して圧着を行う。
【００６４】
また、はんだテープ及びキャリアフィルムからなる積層テープに対して、半導体ウエハに作り込まれている複数の半導体素子の配置および形状に対応してマスクを介して紫外線を照射し、不要となるはんだ部のキャリアフィルムとの接着力を低下させる。この紫外線を選択的に照射された積層テープを、複数の半導体素子の配置および形状に対応して形成されている金型を用いてはんだプレス加工し、分離されたキャリアテープ上に複数の半導体素子の配置および形状に対応して形成されているはんだ材を形成する。そして、ウエハに作り込まれている複数の半導体素子の裏面メタル部にはんだ材の融点以下の温度で一括して圧着を行う。
【００６５】
これにより、半導体ウエハに多数作り込まれている半導体素子の配置とか寸法に適合したはんだ材が一度に形成することができる。また、半導体ウエハの裏面のメタル部側に配置されたはんだ材は同時に同一の工程で設けられるから、半導体ウエハに多数設けられているそれぞれの半導体素子にはんだ材が等しく圧着され安定した性能が得られる。
【００６６】
また、その圧着に際して、はんだ材の融点以下の温度で熱圧着するので、はんだ材に影響を与えることが無く、半導体素子単位にダイシングして形成される半導体チップは、半導体素子の裏面メタル部に該半導体素子とほぼ同一寸法或いは若干小さい寸法のはんだ層を支障無く形成できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置を示す図。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の適用状態を示す図。
【図３】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の第１の製造方法を示す図。
【図４】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の第１の製造方法の一部詳細を示す図。
【図５】本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の第２の製造方法を示す図。
【図６】従来の半導体装置の製造方法を示す図。
【符号の説明】
１１  半導体ウエハ
１２、２１  半導体素子
１３、２２  はんだ層
２３  ダイパッド
２４  リードフレーム
３０３  はんだプレス装置の上金型
３０４  はんだプレス装置の下金型
３０５  はんだテープ
３０６  はんだ材
３１３  はんだ転写装置の上金型
３１４  真空圧着装置の上金型
３１５  真空圧着装置の下金型
３１６  半導体ウエハ
３１７  キャリアフィルム
５０３  キャリアフィルム
５０６  はんだテープ
５０７  ラミネータ
５０８  ＵＶ炉
５０９  光源
５１０  マスク
５１１  はんだプレス装置の上金型
５１２  はんだプレス装置の下金型
５１３  真空圧着装置の上金型
５１４  真空圧着装置の下金型
５１５  半導体ウエハ
５１６  はんだ材
【図１】
0004544676.tif 000002
【図２】
0004544676.tif 000003
【図３】
0004544676.tif 000004
【図４】
0004544676.tif 000005
【図５】
0004544676.tif 000006
【図６】
0004544676.tif 000007