(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩＣチップの主面に主面電極と、ＩＣチップの裏面に裏面電極と、ＭＯＳデバイスからなる論理回路と、アンテナに誘起した電圧を整流する倍圧整流回路を有し、
前記アンテナは前記主面電極と前記裏面電極との間を挟み込むものであって、
前記倍圧整流回路は第１ダイオードと第２ダイオードとコンデンサを含むものであって、
前記コンデンサは、前記主面電極と、前記第１ダイオードのカソード及び前記第２ダイオードのアノードとの間に接続するものであって、
前記第１ダイオードのアノードは、グランドへ接続するものであって、
前記第２ダイオードのカソードは、前記論理回路の電源ラインへ接続するものであって、
前記裏面電極は、前記グランドとなる前記ＭＯＳデバイスの基板へ接続するＩＣチップ。
【請求項２】
ＩＣチップの主面に主面電極と、ＩＣチップの裏面に裏面電極と、ＭＯＳデバイスからなる論理回路と、アンテナに誘起した電圧を整流する倍圧整流回路を備えるＩＣチップと、
アンテナを有するものであって、
前記アンテナは前記主面電極と前記裏面電極との間を挟み込むものであって、
前記倍圧整流回路は第１ダイオードと第２ダイオードとコンデンサを含むものであって、
前記コンデンサは、前記主面電極と、前記第１ダイオードのカソード及び前記第２ダイオードのアノードとの間に接続するものであって、
前記第１ダイオードのアノードは、グランドへ接続するものであって、
前記第２ダイオードのカソードは、前記論理回路の電源ラインへ接続するものであって、
前記裏面電極は、前記グランドとなる前記ＭＯＳデバイスの基板へ接続する無線ＩＣタグ。
【請求項３】
請求項２に記載の無線ＩＣタグにおいて、
前記裏面電極は、前記ＩＣチップの裏面に金、アンチモン、銀の順に積層された膜である無線ＩＣタグ。
【請求項４】
請求項３に記載の無線ＩＣタグにおいて、
前記金、アンチモン、銀膜の厚さはいずれも０．１μｍから８０μｍである無線ＩＣタグ。
【請求項５】
請求項２に記載の無線ＩＣタグにおいて、
前記アンテナは、リード線である無線ＩＣタグ。
【請求項６】
請求項２に記載の無線ＩＣタグにおいて、
前記アンテナは、鉄または銅または銅メッキを施した鉄である無線ＩＣタグ。
【請求項７】
請求項２に記載の無線ＩＣタグにおいて、
前記無線ＩＣタグは、ガラスにより封止されている無線ＩＣタグ。
【請求項８】
請求項７に記載の無線ＩＣタグにおいて、
前記ガラスは、石英ガラス、硼珪酸ガラス、鉛ガラスである無線ＩＣタグ。
【請求項９】
請求項２に記載の無線ＩＣタグにおいて、
前記アンテナは、デュメットにより固定されている無線ＩＣタグ。
【請求項１０】
請求項９に記載の無線ＩＣタグにおいて、
前記デュメットは、ニッケルと鉄の合金に銅メッキを施したものである無線ＩＣタグ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、非接触で対象物を認識するＩＣタグ等の電子装置、特に無線によって認識番号を送る無体応答体（トランスポンダ）を搭載した電子装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の高周波を用いて半導体チップ内部のメモリ部に記憶された情報を外部のリーダライタと非接触で交信する半導体タグ（ＩＣタグ）の一例として、半導体チップが球形であり、当該半導体チップにダイポール型の高周波アンテナが接続された非接触型半導体タグが特開２０００−２２２５４０に開示されている。本ＩＣタグでは、球形の半導体チップにアンテナが半田により機械的に取り付けられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
前項で述べたようなダイポール型アンテナが球形の半導体に半田付けされたＩＣタグでは、次に述べるような課題のあることを見いだした。即ち、ダイポール型アンテナと球状の半導体の接続を行うとき、ダイポールアンテナの先端部分と球状の半導体の接続部との位置決めが必要であるが、球状の半導体であると、接続位置を決めるために複雑な手法が要求され、簡便にかつ経済的に位置決めを行うことが困難である。
【０００４】
又、集積回路が球形半導体の表面に形成されており、外部光の影響を受けやすい。
【０００５】
本願発明の目的は、信頼性の高い電子装置を提供することにある。
【０００６】
本願発明の他の目的は、製造が容易な電子装置の製造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要は次の通りである。
【０００８】
アンテナを介して半導体チップに設けられたメモリ内に記憶された情報が読み取られる電子装置において、前記メモリ含む集積回路は前記半導体チップ（ＩＣチップ）の主面に設けられ、前記アンテナは前記ＩＣチップの主面および裏面にそれぞれ設けられた電極に接続され、当該半導体チップ及びそれとリード線との接続部とはガラスによって封止された電子装置とする。
【０００９】
又、所定の情報を記憶するメモリ部と、表面側及び裏面側にそれぞれ設けられた第１及び第２の外部電極とを有する平板状ＩＣチップと、前記第１及び第２の外部電極にそれぞれ接続され、前記ＩＣチップへ電力を供給する第１及び第２のアンテナと、前記第１及び第２の外部端子側の前記第１及び第２のアンテナのそれぞれの一部と前記ＩＣチップとを被うように設けられたガラス封止体とを有する電子装置とする。
【００１０】
又、所定の情報を記憶するメモリ部と表面側及び裏面側にそれぞれ設けられた第１及び第２の外部電極とを有するＩＣチップを、ガラス管内において第１及び第２のアンテナで挟み込み、その後ガラス管を溶融してＩＣチップ及びそれらと第１及び第２のアンテナとの接続部を封止する電子装置の製造方法とする。
【００１１】
なお、ここで言うガラスとは、ＩＣチップを封止するために用いられる材料であり、石英ガラス、硼珪酸ガラス、鉛ガラス等を用いることができる。特に、鉛ガラス等の低融点ガラスが望ましい。
【００１２】
【発明の実施の形態】
本発明に係る電子装置の概略構成を、図１（ａ）、図１（ｂ）を用いて説明する。図１（ａ）、図１（ｂ）は、共に本発明に係る電子装置の断面を示す図である。各図においてリード線１１は台座（ジュメット）１２に接続されて一体ものとして形成されており、アンテナをとなる。アンテナから電力を得て動作するＩＣチップ（無線チップ）１４はジュメットにより挟まれた構造を有する。ガラス１３は管状であり、無線チップおよび、ジュメットの一部がガラス１３で封止されている。図１（ａ）では、無線チップ１４の対角線の長さがジュメット１２の直径よりも大きく、図１（ｂ）では小サイズ無線チップ１４ａの対角線の長さはジュメットの直径よりも小さい。ここでジュメットは無線チップ１４や小サイズ無線チップ１４ａを挟みやすくするために、リード線１１よりも大きな直径を有する先端金属部である。無線チップを板状とし、表面および裏面に電極を設けることにより、ジュメットとの接続のための位置合わせを容易に行うことができる。無線チップ１４、小サイズ無線チップ１４ａをジュメット１２で挟むことにより、ＩＣチップへの外部光の入射を低減できる。特に、小サイズ無線チップ１４ａの場合には、外部光に対する遮蔽効果が大きい。ガラスの形状は筒型や直方体等の自由形状で良いが、ＩＣチップおよびジュメットが封入できる寸法の空洞を持つ必要がある。特に、ガラス管の開放端にＩＣチップの表面及び裏面電極が面する向きでガラス管内にＩＣチップが封入できる大きさの空洞を有することが好ましい。これにより、ジュメットでＩＣチップを容易に挟み込むことができる。ガラスの外径寸法は０．１ｍｍから５ｍｍの範囲とすることにより、外部応力を受け難くく、取り扱い易い。特にタグとして使用する場合、小寸法のため荷物を取り扱うときの邪魔にならず、タグが紛失しにくい。又ガラス管の内径寸法を０．０９ｍｍから４．９ｍｍの範囲内とすることにより、機械的な強度を確保することができる。
【００１３】
次に本発明に係る無線チップの概略構成を、図２（ａ）、図２（ｂ）を用いて説明する。なお、ここでは無線チップについて説明するが、小サイズ無線チップにおいても同様の構成とすることができる。図２（ａ）は、無線チップの回路構成の概略を示す図である。本図に示すように、無線チップ表面端子２１は無線チップ内の回路に設けられた結合コンデンサ２２に接続されており、結合コンデンサ２２は整流ダイオード２３とクランプダイオード２５に接続されている。整流ダイオード２３は更に論理回路２４に接続されている。論理回路２４には、整流ダイオード２３を介して電流が供給される。クランプダイオード２５および論理回路２４は共通端子（本願明細書では共通端子のことを以下、グランドと呼ぶ。）２６に接続されている。
【００１４】
図２（ｂ）は図２（ａ）の回路を形成した無線チップの概略断面図を示している。無線チップ表面端子２１は表面デバイス層２７の上にあり、またグランド２６は無線チップ１４の裏面に存在する。グランド２６はジュメットを介して外部のリード線と接続され、同様に無線チップ表面端子２１はジュメットを介して外部のリード線と接続される。図２（ａ）の無線チップ表面端子２１とグランド２６の二つの端子は外部のアンテナと接続することにより、通信距離を確保することができる。高周波電磁波エネルギをアンテナによって得て、無線チップ内の整流回路によって直流電流を得ることができる。これにより、無線チップは電池なしで動作が可能となる。この回路のグランド端子は半導体チップの基板に接続される。無線チップの電極端子は半導体チップの表面および裏面に形成されており、電極端子の物理的面積は最大無線チップの平面サイズ（チップ全面）まで拡大される。電極端子面積が大きい程電極材料により遮蔽される領域が大きくなり、外部からの光の影響を小さくすることができる。
【００１５】
本発明に係る他の電子装置の概略構成を、図３（ａ）、図３（ｂ）を用いて説明する。図３（ａ）、図３（ｂ）は、共に本発明に係る電子装置の断面を示す図である。ここに示す符号で、図１と同じものは同じ構成を示す。なお、符号３１は、薄膜化された薄型無線チップを、又、符号３１ａは薄膜化された薄型小サイズ無線チップを表す。薄膜化することにより、無線チップの側面からの外部光の影響を低減することができる。
【００１６】
図１（ａ）、図１（ｂ）や図３（ａ）、図３（ｂ）に示した電子装置にＩＣチップが封止されていることを示す識別子を設けることにより、ガラス管内に封止されているチップがＩＣチップであることを明確化することができる。識別子として、マークをガラス表面に施すことができる。色により区別してもよい。図１（ａ）、図１（ｂ）および図３（ａ）、図３（ｂ）では無線チップのすべてまたは中心部が金属製のジュメットで表面および裏面が覆われ、金属は光を透過することが無いために、無線チップが光によって誤動作などの障害を起こすことを防ぐことができる。ジュメットに比較して無線チップがジュメットより小さい図１（ｂ）や図３（ｂ）に示した構造とすることにより光に対して十分に強い構造とすることができる。図１（ａ）、図１（ｂ）や図３（ａ）、図３（ｂ）の構造では無線チップがガラスによって機密封止され、かつ無線チップの両端が固いジュメットによって挟まれるため、耐腐食性や機械的強度に対して十分良好な信頼性を確保することができる。
【００１７】
次に、図２（ａ）で示された論理回路２４の構成例を図４を用いて説明する。メモリ回路４２はクロック抽出回路４３からのクロック信号によって動作して、出力信号はロードスイッチ４４に入力されて、負荷変動動作を行う。
【００１８】
また、平滑コンデンサ４５は整流ダイオード２３のカソードとグランド２６の間に挿入されていて、整流回路（ここでは、整流ダイオード）からの直流電流を蓄積して直流電圧を発生させている。直流電圧は０．３Ｖ程度から３０Ｖ以上まで、無線チップが得るエネルギによって上昇するが、過度な電圧であると、論理回路２４のＭＯＳデバイスのゲート破壊を引き起こすために、電圧を抑制する回路も必要に応じて付加される。
【００１９】
平滑コンデンサ４５は電源電圧の安定化のためにも必要であって、論理回路２４の動作で発生するＣＭＯＳ論理のゲート回路に流れる貫通電流を吸収することも行なわれる。メモリ回路４２はメモリ容量や読み出し専用か、書きこみ可能かなどの仕様によってさまざまな構成を得ることが出来る。クロック抽出回路４３は読み取り機からトランスポンダ（アンテナを備えた無線チップ）に送られてくる高周波の搬送波にクロック信号を変調しておき、受信したトランスポンダのクロック抽出回路が復調してもとの低周波のクロック信号を得るものである。
【００２０】
次に、無線チップについて、図５（ａ）、図５（ｂ）を用いて更に説明する。図５（ａ）は無線チップ１４の概略を示す平面図である。表面デバイス層２７に無線チップの主面側電極端子２１、それに接続された結合コンデンサ２２、それに接続されたクランプダイオード２５と整流ダイオード２３、整流ダイオード２３に接続された論理回路が設けられている。図５（ｂ）は無線チップ１４の要部断面図を示している。絶縁膜（ここではシリコン酸化膜）５１はチップ表面にあって、無線チップ表面側電極端子２１と無線チップの基板との短絡を防止する。
【００２１】
図５（ｂ）は図５（ａ）のＡとＡ‘の断面を示している。無線チップ１４のチップサイズは長辺が０．０１ｍｍから０．５ｍｍであって、小さなガラス管に入るような大きさであり、信頼性および経済性に優れる。無線チップのサイズを、シリコンダイオードと同様に０．３ｍｍ近辺とすることにより生産設備の共用化が可能となり、低コストでトランスポンダを製造することができる。図５（ｂ）で、無線チップの表面側電極端子はメッキで形成された１０μｍ程度の厚さの金属からなる。この厚さの範囲は０．１〜５０μｍが好ましい。
【００２２】
表面側電極端子２１に接続された下部電極と、クランプダイオード２５に接続された上部電極と、これらにより挟まれた絶縁膜（ここでは、シリコンの酸化膜）とにより結合コンデンサ２２が形成されている。無線チップの基板をＰ型とすることにより、Ｐ型の基板とＮ型を有する表面拡散層とでＰＮ接合ダイオードを形成することができる。このとき、基板をグランドとすることができる。またＮ型ＭＯＳによっても基板をグランドとするデバイス設計を行ったダイオードを形成することができる。基板の裏面にはグランド２６の電極を形成して、回路の端子として使用する。このように無線チップの表面および裏面を電極とする設計をすることによりガラス封止のトランスポンダを形成することが可能となる。
【００２３】
次に、図３（ａ）、図３（ｂ）で示した薄型無線チップに関連して、図６を用いて無線チップの厚さと電子装置の性能との関係について説明する。
【００２４】
図６は、無線チップの厚さを横軸にとり、縦軸にトランスポンダと読み取り機の通信距離をとったものである。ここで用いた周波数は、２．４５ＧＨｚである。無線チップの厚さとトランスポンダ回路のグランド直列抵抗は比例関係にあって、このグランド直列抵抗が小さければ通信距離は長くなり、グランド直列抵抗が大きければ回路の損失抵抗が大きくなるため、通信距離は小さくなる。チップ厚さが１００μｍ以下であれば１２００ｍｍ、チップ厚さが２００μｍのときは１５０ｍｍとなる。
【００２５】
この通信距離は回路の構成、デバイスの性能たとえばスレッショルド電圧や電流増幅率などにより異なり、また無線チップの基板濃度によっても異なる。
【００２６】
また、リード線の材料によってもことなり、材料の主体が鉄の時は通信距離は無線チップの厚さが２００μｍのとき、１５０ｍｍであるのに対して、銅にすると通信距離２５０ｍｍに伸ばすことができる。これはリード線の損失はリード線の抵抗値に依存することと、表面のメッキ状態に依存する。高周波の搬送波を利用しているトランスポンダでは、スキン効果が発生して電流が表面層に集中してリード線の表面の抵抗値に依存するものであり、鉄を中心に使用して、銅メッキを施すと、無線チップの厚さが２００μｍのとき、通信距離は２００ｍｍとなる。
【００２７】
なお、周波数が２．４５ＧＨｚの場合、銅メッキの厚さを２〜３μｍとすれば、銅そのものと同程度の通信距離が得られる。
【００２８】
次に、無線チップの電極製造工程を図７（ａ）〜図７（ｄ）を用いて説明する。図７（ａ）は、複数の無線チップのデバイスが形成された半導体ウエハの断面図を示している。図７（ａ）において、上側の面が半導体ウエハ裏面７１を示し、下側の面が半導体ウエハ主面７２を示している。ここでは半導体ウエハの厚さを１５０μｍとしたが、０．１〜３００μｍの範囲で用いることができる。主面側に複数の無線チップのデバイスが形成されている。
【００２９】
図７（ｂ）はウエハ裏面７１の上に金蒸着層７３を形成した直後の断面図を示している。先ず、オーミックコンタクトを取るために金蒸着層７３を形成した。金蒸着層７３の厚さは１０μｍとしたが、０．１μｍから８０μｍの範囲で用いることができる。０．１μｍより薄いと、接合強度が問題である。又、８０μｍより厚いと、ガラスとの熱膨張差が問題となる。引き続き、金と銀との接着性を高めるためにアンチモン蒸着層７４を形成した。
【００３０】
図７（ｃ）は金蒸着層７３の上にアンチモン蒸着層７４を形成した直後の断面図を示している。アンチモン蒸着層７４の厚さは１０μｍとしたが、０．１μｍから８０μｍの範囲で用いることができる。０．１μｍより薄いと接合強度が問題である。又、８０μｍより厚いとガラスとの熱膨張差が問題となる。次に、ジュメットとの接合性を高めるために銀蒸着層７５を形成した。
【００３１】
図７（ｄ）はアンチモン蒸着層７４の上に銀蒸着層７５を形成した直後の断面図を示している。銀蒸着層７５の厚さは１０μｍとしたが、０．１μｍから８０μｍの範囲で用いることができる。０．１μｍより薄いと接合強度が問題である。又、８０μｍより厚いとガラスとの熱膨張差が問題となる。この工程は無線チップ１４の裏面の電極を形成するために、ウエハ裏面全面にメタル層を蒸着する工程を示している。このウエハはダイシングテープに貼りつけられてチップサイズが０．３ｍｍ角程度の無線チップにダイシングしたが、０．０１ｍｍから０．５ｍｍ角の大きさの範囲でダイシングすることが可能である。０．０１ｍｍより薄いとハンドリングし難い。又、０．６ｍｍより厚いと寄生抵抗が問題となる。ダイシングテープはＰＥＴや塩化ビニールが使用されるが廃棄や焼却によて環境破壊を起こさないＰＥＴが使用することが望ましい。
【００３２】
図８（ａ）〜図８（ｄ）を用いて、電子装置の製造方法を説明する。先ず、リード線１１に接続され、垂直に立てられたジュメット１２の上端をガラス管１３の下部から挿入する（図８（ａ））。ついで、ガラス管１３に挿入されたジュメット１２の上部に無線チップ１４を載せる（図８（ｂ））。次に、ガラス管１３の上部からもう一つのジュメット１２を挿入し、無線チップ１４を挟み込む（図８（ｃ））。このときジュメット１２に印加される圧力は５〜１０ＭＰａである。これにより、無線チップの主面および裏面に設けられたそれぞれの電極とジュメットとは電気的に接続される。その後、ガラス管１３を高温で加熱し、ガラスを溶かしてジュメット１２に付着させる（図８（ｄ））。
【００３３】
上記の工程を経て、無線チップ１４はガラス管１３内に封止される。ここで、ジュメット１２はニッケル、鉄の合金に銅メッキを行ったものを用いた。ニッケルと鉄の合金を用いることにより、ジュメットやそれを組み込んだ電子装置を磁石を用いて搬送することができる。ガラスの融点はガラスの構成材料によって制御できる。ここでは、鉛ガラスを用いたので融点は約４５０℃である。
【００３４】
無線チップの配線材料として融点の低いアルミまたはアルミとの合金を用いる場合には、４５０℃程度以下の温度で溶けるガラスや、サーマルシュリンクする材料（例えば、プラスチック）を用いることが好ましい。
【００３５】
無線チップは比較的高温に耐えるように、水素アニールの水素が抜けないようにナイトライド膜を無線チップの上に蒸着したり、アルミの配線の代わり高温に耐える配線材料、たとえば銅とかタングステンとかチタンを使用することが有効である。
【００３６】
低融点のガラスを使用することにより、封止温度を低下させることができ、無線チップへの熱的影響を低減できるためトランスポンダの製造歩留まりを向上させることが可能となる。図８（ａ）〜図８（ｄ）に示した組み立て方法では、治具を超音波で揺することにより無線チップはガラス管の中に自重落下し、ジュメットとガラス管との間の位置合わせが可能であり、また複数個すなわち数千から数万個を同時組み立てることが可能であって、圧倒的な経済性のある組み立てが可能となる。なお、治具１３１の一例を図１３に示す。この治具にはガラス管が挿入される開口部１３２が多数設けられている。
【００３７】
次に、リード長さ（アンテナの長さ）の通信距離に及ぼす影響について図９を用いて説明する。この図の横軸はトランスポンダのリードの長さを示しており、縦軸はトランスポンダと読み取り機の間の通信距離を示している。リードの長さは使用する搬送波の半分の時が共振する条件として最もふさわしく（２．４５ＧＨｚでは約６ｃｍ）、通信距離が大きい。それよりリード長が小さくなるに従って通信距離は短くなるが、長くなる分には極端な通信距離の低下はみられない。リード長としては、搬送波の１／２波長から１波長程度までを用いることができる。
【００３８】
リード線の長さは全長で規定しているため、図９で示すトランスポンダのリード線の左右の長さは必ずしも等長である必要はない。また、図１４に示すようにリードを巻きたときには、リード線の最大直線距離が搬送波の１／２波長から１波長となるように設定すればよい。また、リード線の材質として磁化されやすいニッケル、鉄などを用い、磁場の在る環境において動作させたが、磁化されない材料を用いたときと比べトランスポンダの性能に影響はなかった。これは、電界エネルギによる電圧、電流がリード線で共振発生してガラス部に封止された無線チップに集中し、エネルギーが高周波で流れるためである。
【００３９】
次に、本発明に係る電子装置から記憶情報を取り出すための読み取りシステムの一例を図１０を用いて説明する。図１０において、符号１０１は電子装置（ガラス封止トランスポンダ）、符号１０４はアンテナ、符号１０６は読み取り機、符号１０５は読み取り機１０６とアンテナ１０４とを接続する同軸線、符号１０８はパーソナルコンピュータ、符号１０７はシリアルインターフェースである。ガラス封止トランスポンダ１０１は読み取り機からの電波１０２によって電磁波のエネルギを得ると、トランスポンダの無線チップが動作して応答データ１０３がアンテナ１０４へ伝えられ、アンテナは同軸線１０５を介して読み取り機１０６へ接続されている。ここで、使用周波数は２．４５ＧＨｚ、アンテナを含めた電子装置の長さは５５ｍｍ、リード線の直径は１ｍｍ、ガラス管の直径は３ｍｍである。読み取り機はシリアルインタフェース１０７を介してパソコン１０８へつなげられている。パソコンからは読み出し命令を入力する。これにより、１２８ビットデータ（ＲＯＭ）情報が読み出される。このような構成により、トランスポンダはあらゆる対象物へ付着されて、宅配便や書留便などに使用される。
【００４０】
図１１はこのトランスポンダのエアフォマット（電波の強弱の手順）を示しており、図１１のＡはアンテナ１０４からの読み取り機からの電波１０２のエアフォマットを示し、図１１のＢはトランスポンダ１０１からの応答データを示している。このデータは“０”や“１”の数字からなる。
【００４１】
図１２は本発明の無線チップの断面構造を示していて、無線チップの表面および裏面には金属製の電極をもつことを特徴とする。なお、電極２１はダイシング前に形成される。
【００４２】
【発明の効果】
平板状半導体を用いることにより、簡便に位置決めを行うことができる。また、ガラス管で封止することにより信頼性を向上できる。又、一括生産方式により行うことによって、低コストでトランスポンダを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る電子装置の断面図である。
【図２】本発明に係るＩＣチップの（ａ）回路、（ｂ）断面の概略を示す図である。
【図３】本発明に係る他の電子装置の断面図である。
【図４】本発明に係るＩＣチップに搭載の論理回路の概念図である。
【図５】ＩＣチップの（ａ）回路の概念図、（ｂ）断面図である。
【図６】本発明に係るＩＣチップの厚さと通信距離との関連を示す特性図である。
【図７】本発明に係るＩＣチップの電極形成工程を示す断面図である。
【図８】本発明に係る電子装置の組立工程を示す断面図である。
【図９】本発明に係る電子装置のリード総長と通信距離との関係を示す特性図である。
【図１０】  本発明に係る電子装置から記憶情報を取り出すための読み取りシステムの示す図である。
【図１１】本発明に係る（ａ）読み取り機から電子装置への送信データ、（ｂ）電子装置からの応答データのエアフォーマットを示す図である。
【図１２】本発明に係るＩＣチップの概略断面図である。
【図１３】本発明に係る電子装置を組み立てるための治具の平面図である。
【図１４】本発明に係る電子装置のリード線が曲線形状を有するときのアンテナ長を示すための説明図である。
【符号の説明】
１１…リード線、１２…ジュメット、１３…ガラス管、１４…無線チップ、１４a…小サイズ無線チップ、２１…無線チップ表面電極端子、２２…結合コンデンサ、２３…整流ダイオード、２４…論理回路、２５…クランプダイオード、２６…グランド、２７…表面デバイス層、３１…薄型無線チップ、３１a…小サイズ薄型無線チップ、４２…メモリ回路、４３…クロック抽出回路、４４…ロードスイッチ、４５…平滑コンデンサ、５１…酸化膜、７１…ウエハ裏面、７２…ウエハ主面、７３…金蒸着層、７４…アンチモン蒸着層、７５…銀蒸着層、１０１…ガラス封止トランスポンダ、１０２…読み取り機からの電波、１０３…応答データ、１０４…アンテナ、１０５…同軸線、１０６…読み取り機、１０７…シリアルインタフェース、１０８…パソコン。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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