(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザービームを用いて光記録媒体に情報を記録するための記録条件を設定する記録条件設定方法であって、
始端パルスの立ち上がりタイミング又は該始端パルスの前に挿入される冷却パルスの長さを、多段階で変化させながら、２Ｔ長さの記録マークが規則的に含まれている２Ｔエラー誘発用パターンと、３Ｔ長さの記録マークが規則的に含まれている３Ｔエラー誘発用パターンの双方を、前記光記録媒体の試し書き領域に記録するステップと、
記録された前記特定パターンの再生信号をＰＲＭＬ識別方式で復号するステップと、
前記ＰＲＭＬ識別方式による復号化データの品質に基づいて、前記記録マークを形成するための記録パルス波形を調整するステップと、
を有することを特徴とする光記録媒体の記録条件設定方法。
【請求項２】
前記情報記録層の試し書き領域に記録する２Ｔマーク長が１２５ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の光記録媒体の記録条件設定方法。
【請求項３】
前記記録パルス波形を調整することによって得られる前記始端パルスの立ち上がりタイミング、又は該始端パルスの前に挿入される前記冷却パルスの長さを、前記３Ｔ長さよりも長い記録マークの記録パルス波形に適用することを特徴とする請求項１又は２に記載の光記録媒体の記録条件設定方法。
【請求項４】
前記記録パルスの波形調整を行う前に、
前記試し書き領域にパワー設定用パターンを記録するステップ、及び前記パワー設定用パターンの再生信号の品質に基づいて、前記レーザービームの記録パワーを調整するステップを備えることを特徴とする請求項１、２又は３記載の光記録媒体の記録条件設定方法。
【請求項５】
前記パワー設定用パターンの再生信号の品質が基準値を満たさない場合に限り、前記記録パルス波形を調整することを特徴とする請求項４記載の光記録媒体の記録条件設定方法。
【請求項６】
前記ＰＲＭＬ識別方式の参照クラスが拘束長５（１，２，２，２，１）であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか記載の光記録媒体の記録条件設定方法。
【請求項７】
前記レーザービームの波長が４００〜４１０ｎｍ、前記レーザービームを集光する対物レンズの開口数ＮＡが０．７０〜０．９０に設定されることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか記載の光記録媒体の記録条件設定方法。
【請求項８】
前記特定パターンの再生品質の判断にエラーレートを用いることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか記載の光記録媒体の記録条件設定方法。
【請求項９】
前記特定パターンの再生品質の判断にＳＡＭ値を利用することを特徴とする請求項１乃至８のいずれか記載の光記録媒体の記録条件設定方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光記録媒体の記録条件を設定する方法に関するものであり、特に、特に光記録媒体に試し書きを行う事で最適な記録条件を決定する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、利用者によって情報記録可能な光記録媒体としては、ＣＤ−Ｒ／ＲＷやＤＶＤ−Ｒ／ＲＷ等の各種規格が普及している。一方、この種の光記録媒体に要求される記録容量は年々増大してきており、その要求に対応する為に、ブルーレイ・ディスク（ＢＤ）等の新たな規格も提案されている。このブルーレイ・ディスク規格では、光ディスク装置におけるデータの記録・再生用レーザー光のビームスポット径を小さく絞り込んでいる。具体的には、レーザー光を集束する対物レンズの開口数（ＮＡ）を大きくするとともに、レーザー光の波長λを短くする。この結果、ブルーレイ・ディスクの情報記録層には２５ＧＢの情報が記録できる。
【０００３】
情報の書き換えが可能な書換型の光記録媒体の場合、通常、記録膜に共晶系の材料が用いられる。具体的には、レーザー照射によって記録膜を加熱すると共に、その冷却速度を適宜制御することで、アモルファス領域と結晶領域を自在に形成し、これらの反射率の違いによって情報を記録する。この際、レーザーには、最も高いエネルギーを有する記録パワー（Ｐｗ）と、中間エネルギーとなる消去パワー（Ｐｅ）、低いエネルギーとなるバイアスパワー（Ｐｂ）等の記録条件が必要となる。なお、これらの記録条件は、光記録媒体に予め記録されているのが一般的である。
【０００４】
記録再生装置における記録精度を向上させることを目的として、ＯＰＣ（Ｏｐｔｉｍｕｍ  Ｐｏｗｅｒ  Ｃｏｎｔｒｏｌ）が行われている。このＯＰＣは、光記録媒体の試し書き領域にランダムデータを記録し、この記録状況を分析することによって、レーザーの記録パワーレベル（Ｐｗ）、消去パワーレベル（Ｐｅ）を最適化する。従って、ＯＰＣを採用することで、温度等の使用環境や、ドライブに搭載されているレーザーの個体差、光記録媒体の経時劣化等を考慮して、記録直前にレーザーパワーを最適化することが可能となるので、記録精度を高めることが出来る。
【０００５】
記録密度を向上させながらも記録速度を高めようとすると、記録マークのエッジシフトという問題が生じる。例えば、記録マークの始端（前エッジ）において、バイアスパワーレベルから記録パワーレベルにパワーを増大させる時、パルスの立ち上がり速度が遅いと、前エッジの位置がずれてしまう。これは、記録マークの後端（後エッジ）でも同様である。また、４Ｔ、６Ｔ等の長い記録マークを複数の記録パルスを用いて形成する場合、記録速度が速すぎると、記録パルス間の冷却時間が十分に確保できないことになる。この結果、始端パルスや後端パルスが冷却不良となって再結晶化し、これもエッジシフトの原因となる。従って、高速記録に対応するためには、レーザーパワーだけでなく、レーザーパルスも高度に調整する必要があり、様々な開発が為されている。
【０００６】
特許文献１では、ＯＰＣの試し書き領域に、全偶数長マークや全奇数長マークをそれぞれ試し書きし、その記録状況を検出することで、記録マーク毎に最適なパルス調整を行う手法が提案されている。
【特許文献１】特開２００６−４０４９３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記特許文献１では、全種類（全長さ）の記録マークについて試し書きを行う必要があるため、試し書きの時間が長くなると共に、試し書き領域を大きく確保しなければならないという問題があった。
【０００８】
また、今後更に記録容量が増大すると、情報記録層の記録密度が増大して再生信号の品質が悪化しやすくなり、スライス検出によってビットを判定する事が困難になる。そこで、信号再生にＰＲＭＬ識別方式を採用することが考えられるが、ＰＲＭＬ識別方式を採用する場合、連続する複数のマーク長・スペース長の相関によっても再生品質が変わってくるので、従来のように、全てのマーク長を単純に試し書きするだけでは、十分なパルス波形調整ができないという問題があった。
【０００９】
本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、試し書き領域を利用して最適なパルス調整を効率的に行い、記録精度を高めることを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者は鋭意研究により、高速・高密度記録等であっても、記録パルス波形を効率的に調整できることを明らかにした。即ち、上記目的は、本研究者らの鋭意研究によりなされた以下の手段により達成される。
【００１１】
（１）レーザービームを用いて光記録媒体に情報を記録するための記録条件を設定する記録条件設定方法であって、始端パルスの立ち上がりタイミング又は該始端パルスの前に挿入される冷却パルスの長さを、多段階で変化させながら、２Ｔ長さの記録マークが規則的に含まれている２Ｔエラー誘発用パターンと、３Ｔ長さの記録マークが規則的に含まれている３Ｔエラー誘発用パターンの双方を、前記光記録媒体の試し書き領域に記録するステップと、記録された前記特定パターンの再生信号をＰＲＭＬ識別方式で復号するステップと、前記ＰＲＭＬ識別方式による復号化データの品質に基づいて、前記記録マークを形成するための記録パルス波形を調整するステップと、を有することを特徴とする光記録媒体の記録条件設定方法。
【００１２】
（２）前記情報記録層の試し書き領域に記録する２Ｔマーク長が１２５ｎｍ以下であることを特徴とする上記（１）に記載の光記録媒体の記録条件設定方法。
【００１３】
（３）前記記録パルス波形を調整することによって得られる前記始端パルスの立ち上がりタイミング、又は該始端パルスの前に挿入される前記冷却パルスの長さを、前記３Ｔ長さよりも長い記録マークの記録パルス波形に適用することを特徴とする上記（１）又は（２）に記載の光記録媒体の記録条件設定方法。
【００１４】
（４）前記記録パルスの波形調整を行う前に、前記試し書き領域にパワー設定用パターンを記録するステップ、及び前記パワー設定用パターンの再生信号の品質に基づいて、前記レーザービームの記録パワーを調整するステップを備えることを特徴とする上記（１）、（２）又は（３）記載の光記録媒体の記録条件設定方法。
【００１５】
（５）前記パワー設定用パターンの再生信号の品質が基準値を満たさない場合に限り、前記記録パルス波形を調整することを特徴とする上記（４）記載の光記録媒体の記録条件設定方法。
【００１６】
（６）前記ＰＲＭＬ識別方式の参照クラスが拘束長５（１，２，２，２，１）であることを特徴とする上記（１）乃至（５）のいずれか記載の光記録媒体の記録条件設定方法。
【００１７】
（７）前記レーザービームの波長が４００〜４１０ｎｍ、前記レーザービームを集光する対物レンズの開口数ＮＡが０．７０〜０．９０に設定されることを特徴とする上記（１）乃至（６）のいずれか記載の光記録媒体の記録条件設定方法。
【００１８】
（８）前記特定パターンの再生品質の判断にエラーレートを用いることを特徴とする上記（１）乃至（７）のいずれか記載の光記録媒体の記録条件設定方法。
【００１９】
（９）前記特定パターンの再生品質の判断にＳＡＭ値を利用することを特徴とする上記（１）乃至（８）のいずれか記載の光記録媒体の記録条件設定方法。
【発明の効果】
【００２１】
上記発明によれば、スライスレベルによって２値の判定ができないような高密度記録を行う際にも、効率的に記録パルス波形の調整を行うことが可能となるという優れた効果を奏し得る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
次に、図面を参照して、本発明の実施の形態の例について詳細に説明する。
【００２３】
図１には、本発明の実施の形態に係る記録条件設定方法を実現する記録再生装置１００が示されている。この記録再生装置１００は、記録・再生に利用するレーザー光Ｚを発生させるレーザー光源１０２、レーザー光源１０２を制御するレーザーコントローラ１０４、レーザー光Ｚを光記録媒体１に導く光学機構１０６、再生時におけるレーザー光Ｚの反射光を検出する光検出装置１０８、この光検出装置１０８の検出情報を、ＰＲＭＬ識別方式で復号するＰＲＭＬ処理装置１１０、光記録媒体１を回転させるスピンドルモータ１１２、スピンドルモータ１１２を回転制御するスピンドルドライバ１１４、特に図示しないＣＰＵ（中央演算装置）との間で復号後の再生データのやり取りを行う信号処理装置１１６、ＰＲＭＬ処理装置１１０の復号過程で得られる情報に基づいて再生データの品質を評価する品質判定手段１１８、この品質判定手段の結果に基づいてレーザーコントローラ１０４の記録パワーの調整を行う記録パワー調整手段１２０Ａ、レーザーコントローラ１０４の記録パルスの波形調整を行う記録パルス調整手段１２０Ｂ、光記録媒体１の試し書き領域に対して試し書きを実行するＯＰＣ制御手段１２１を備える。
【００２４】
レーザー光源１０２は半導体レーザーであり、レーザーコントローラ１０４によって制御されてレーザー光Ｚを発生させる。光学機構１０６は、対物レンズ１０６Ａやハーフミラー１０６Ｂを備え、レーザー光Ｚの焦点を情報記録層に適宜合わせることが可能となっている。なお、ハーフミラー１０６Ｂは、情報記録層の反射光を取り出して光検出装置１０８に導く。光検出装置１０８はフォトディテクタであり、レーザー光Ｚの反射光を受光して、この受光を電気信号に変換して再生信号としてＰＲＭＬ処理装置１１０に出力する。ＰＲＭＬ処理装置１１０では、この再生信号を復号化し、復号化された２値のデジタル信号を再生データとして信号処理装置１１６に出力する。
【００２５】
更にこの記録再生装置１００では、レーザー光Ｚの波長が４００〜４１０ｎｍに設定されている。また、光学機構１０６における対物レンズ１０６Ｂの開口数ＮＡは０．７０〜０．９０に設定されている。光記録媒体１の情報を再生するには、初期再生パワーによってレーザー光源１０２からレーザー光Ｚを発生させ、このレーザー光Ｚを光記録媒体１の情報記録層に照射して再生を開始する。レーザー光Ｚは情報記録層で反射されて、光学機構１０６を介して取り出されて光検出装置１０８で電気信号となる。この電気信号はＰＲＭＬ処理装置１１０及び信号処理装置１１６経てデジタル信号となり、ＣＰＵに提供される。
【００２６】
次に、この記録再生装置１００の再生に用いられる光記録媒体１について説明する。図２（Ａ）に示されるように、この光記録媒体１は外径が約１２０ｍｍ、厚みが約１．２ｍｍとなる円盤状の媒体である。図２（Ｂ）に拡大して示されるように、光記録媒体１は、基板１０と、情報記録層２０と、カバー層３０と、ハードコート層３５がこの順に積層されて構成される。
【００２７】
カバー層３０及びハードコート層３５は光透過性を有しており、外部から入射されるレーザー光Ｚを透過するようになっている。従って、光入射面３５Ａから入射されるレーザー光Ｚは、ハードコート層３５とカバー層３０をこの順に透過して情報記録層２０に到達し、情報記録層２０に対する情報の記録・再生を行う。
【００２８】
基板１０は、厚さ約１．１ｍｍとなる円盤状の部材であり、その素材としてガラス、セラミックス、樹脂等の種々の材料を用いることができるが、ここではポリカーボネート樹脂を用いている。なお、樹脂としてはポリカーボネート樹脂以外にも、オレフィン樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン樹脂、フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂等を採用することも出来る。中でも加工や成型の容易性から、ポリカーボネート樹脂やオレフィン樹脂が好ましい。また、基板１０における情報記録層側の面には、用途に応じて、グルーブ、ランド、ピット列等が形成される。
【００２９】
カバー層３０の材料は様々なものを用いることが出来るが、既に述べたように、レーザー光Ｚを透過させる為に光透過性材料を用いる必要がある。例えば、紫外線硬化性アクリル樹脂を用いることも好ましい。又この光記録媒体１では、カバー層３０の厚みが９８μｍに設定され、ハードコート層３５の厚みが２μｍに設定されている。従って、光入射面３５Ａから情報記録層２０までの距離が約１００μｍとなっている。光記録媒体１は、記録容量（本出願時の現状は２５ＧＢ）を除いて、現状のブルーレイ・ディスク（Ｂｌｕ−ｒａｙ  Ｄｉｓｃ）の規格に整合していることになる。
【００３０】
情報記録層２０はデータを保持する層であるが、利用者によるデータ書き込みが可能な記録型となっている。また、データの保持形態としては、一旦データを書き込んだエリアに再度データの書き込みが出来ない追記型と、データを書き込んだエリアに対してデータを消去し、再度書き込みが可能な書換型がある。本実施形態では、書換型を採用している。
【００３１】
また情報記録層２０には、図３に示されるように、基板１０の表面に螺旋状のグルーブ４２（ランド４４）が形成される。この情報記録層２０には、レーザー光Ｚのエネルギーによって記録マーク４６を形成可能な記録膜が形成される。グルーブ４２は、データ記録時におけるレーザー光Ｚのガイドトラックとしての役割を果たし、このグルーブ４２に沿ってレーザー光Ｚを進行させ、レーザー光Ｚのエネルギー強度（パワー）を変調させる事で、グルーブ４２上の情報記録層２０に記録マーク４６を形成する。ここでは、データ保持態様が書換型であるので、記録マーク４６が可逆的に形成されており、消去及び再形成可能となっている。なお、ここではグルーブ４２上に記録マーク４６を形成する場合を示したが、ランド４４上に形成しても良く、グルーブ４２とランド４４の双方に形成することも可能である。
【００３２】
情報記録層２０の記録容量は、記録領域（面積）の大きさと、記録密度の組み合わせによって決定される。記録領域には物理的な限界があるので、本実施形態では、図３に示されるように、各記録マーク４６の線密度、即ち単位記録マーク４６の螺旋方向長さを小さくすることによって記録密度を大きくする。ここではクロック周期をＴとした場合に、最短記録マーク長（及び最短スペース長）が２Ｔとなるように制御される。従って、クロック周期Ｔを小さくすれば、情報記録層２０に形成する記録マーク４６の螺旋方向の最短マーク長２Ｔが短くなり、記録容量が大きくなる。本実施形態では、この最短マーク長２Ｔを１２４．３ｎｍ〜１０６．５ｎｍに設定しており、具体的には１１１．９ｎｍに設定している。なお、最短マーク長２Ｔを１２４．３ｎｍにした場合には、情報記録層２０に３０ＧＢの情報を保持させることが可能となり、又最短マーク長２Ｔを１０６．５ｎｍにした場合には、情報記録層２０に３５ＧＢの情報を記録することができる。
【００３３】
本実施形態における情報記録層２０に対する情報記録は、２Ｔ周期記録ストラテジが採用されている。例えば、最短記録マーク長が２Ｔであり、最長記録マーク長が９Ｔであるとすると、図４に示されるように、２Ｔマークと３Ｔマークは１つの矩形パルス波形（始端パルスＴｔｏｐのみ）で記録を行い、４Ｔマークと５Ｔマークは２つの矩形パルス波形（始端パルスＴｔｏｐと後端パルスＴｌｐ）によって記録を行い、６Ｔマークと７Ｔマークは３つの矩形パルス波形（始端パルスＴｔｏｐと中間パルスＴｍｐと後端パルスＴｌｐ）によって記録される。８Ｔマークと９Ｔマークは４つの矩形パルス波形（始端パルスＴｔｏｐと２個の中間パルスＴｍｐと後端パルスＴｌｐ）によって記録される。また、これらの記録パルスは全て記録パワーＰｗに設定されている。始端パルスＴｔｏｐの立ち上がりタイミングは、クロック周期の正規タイミングからｄＴｔｏｐだけ遅らせるようにし、記録マークの始端側エッジが過剰に加熱されないようにしている。記録マーク中のこれらの矩形パルス以外の領域は、バイアスパワーＰｂに設定された冷却パルスＴｃｌが挿入されている。なお、記録マーク前後のスペース領域は、消去パワーＰｅに設定される。
【００３４】
次に、ＰＲＭＬ処理装置１１０におけるＰＲＭＬ（Ｐａｒｔｉａｌ  Ｒｅｓｐｏｎｓｅ  Ｍａｘｉｍｕｍ  Ｌｉｋｅｌｉｈｏｏｄ）識別方式について説明する。このＰＲＭＬ識別方式は、光検出装置１０８で検出された電気的なアナログ信号に基づいて、情報記録層２０に記録されている２値データを推測するものである。このＰＲＭＬ識別方式では、再生特性に応じたＰＲ（Ｐａｒｔｉａｌ  Ｒｅｓｐｏｎｓｅ）の参照クラス特性を適宜選択する必要があるが、ここではＰＲの参照クラス特性として拘束長５（１，２，２，２，１）特性を選択している。拘束長５（１，２，２，２，１）の特性とは、符号ビット「１」に対する再生応答が５ビットを拘束すると共に、この再生応答波形が系列「１２２２１」で表現できることを意味している。実際に記録されている各種符号ビットの再生応答は、この系列「１２２２１」の畳込み演算によって形成されると推定する。例えば、符号ビット系列００１０００００に対する応答は００１２２２１０となる。同様に符号ビット系列０００１００００に対する応答は０００１２２２１となる。従って、符号ビット系列００１１００００の応答は、上記２つの応答の畳み込み演算となり、００１３４４３１となる。符号ビット系列００１１１００００の応答は００１３５６５３１となる。従って、畳み込み演算では、ビット毎にスライスレベルを判定するのではなく、隣接するビット間の影響を考慮して、再生信号を復号化しなければならない。つまり、各ビットを個々に検出することができないのが前提となっている。
【００３５】
なお、このＰＲのクラス特性によって得られる応答は理想的な状態を仮定したものである。この意味で上記応答は理想応答と呼ばれている。勿論、実際の応答には雑音が含まれているので、この理想応答に対してずれが生じる。従って、雑音を含む実際の応答と、予め想定されている理想応答を比較して、その差（距離）が最も小さくなるような理想応答を選択し、これを復号化信号とする。これをＭＬ（Ｍａｘｉｍｕｍ Ｌｉｋｅｌｉｈｏｏｄ）識別という。記録されている符合ビット「１」を再生すると「１２２２１」に近似するような再生信号が得られる場合、拘束長５（１，２，２，２，１）のＰＲＭＬ識別処理を行えば、再生信号→理想応答「１２２２１」→復号後信号「１」として再生できることになる。
【００３６】
ＭＬ識別では、理想応答と実際の応答の差を算出するものとしてユークリッド距離を用いる。例えば、実際の再生応答系列Ａ（＝Ａ０，Ａ１，・・・，Ａｎ）と理想応答系列Ｂ（＝Ｂ０，Ｂ１，・・・，Ｂｎ）間のユークリッド距離Ｅは、Ｅ ＝ √｛Σ（Ａｉ − Ｂｉ）２｝で定義される。従って、実際の応答と、予め想定された複数種類の理想応答を、このユークリッド距離を用いて比較して順位付けし、最も小さいユークリッド距離となる理想応答（最尤理想応答）を選択して復号化を行う。
【００３７】
次に、品質判定手段１１８、記録パワー調整手段１２０Ａ、記録パルス調整手段１２０Ｂ及びＯＰＣ制御手段１２１について説明する。品質判定手段１１８は、ＰＲＭＬ処理装置１１０におけるＰＲＭＬ識別方式の復号過程のデータを受け取り、このデータを利用してエラーレートやＳＡＭ（Ｓｅｑｕｅｎｃｅｄ  Ａｍｐｌｉｔｕｄｅ  Ｍａｒｇｉｎ）値を検出して再生データの品質を評価する。ここでＳＡＭ値とは、最尤理想応答のユークリッド距離と、その次の順位となる第２理想応答のユークリッド距離の差である。従って、品質判定手段１１８では、エラーレートやＳＡＭ値を利用した評価結果が一定の基準を満たしているか否か、又は訂正不能エラーが発生したか否かによって再生データの品質を判定し、その判定結果をＯＰＣ制御手段１２１等に提供する。なお、ここでは基準値としてエラーレートやＳＡＭ値を例示したが、本発明はそれに限定されず、他の手法を用いて信号品質を判断しても良い。
【００３８】
記録パワー調整手段１２０Ａは、レーザーコントローラ１０４における記録パワーＰｗ、消去パワーＰｅ、バイアスパワーＰｂを設定する。記録パルス調整手段１２０Ｂは、レーザーコントローラ１０４における記録パルス波形を、記録マーク毎に調整する。なお、これらの記録条件の具体的な値は、後述するＯＰＣ制御手段１２１によって決定される。
【００３９】
ＯＰＣ制御手段１２１は、実データの書き込みを行う前に、光記録媒体１の試し書き領域に対してデータの試し書きを行う。具体的にまず、ランダムデータ又は特定のデータの繰り返しとなる簡易データからなるパワー設定用パターンを利用し、段階的にレーザーパワーを変化させながら書き込みを実行する。その後、記録されたパワー設定用パターンの再生を行って品質判定手段１１８によって信号品質を判定し、エラーレート又はＳＡＭ値が最小となる記録パワーを選定し、これを実際の記録パワーＰｗとするように記録パワー調整手段１２０Ａに指示する。
【００４０】
又、ＯＰＣ制御手段１２１では、再調整された記録パワーＰｗに基づいて、特定パターンを試し書き領域に記録する。なお、特定パターンとは、その都度異なるランダムデータではなく、予め設定されたパターンを意味する。また、本実施形態では、特定パターンとしてエラー誘発用パターンを利用し、このエラー誘発用パターンを、パルス波形を段階的に変化させながら記録する。その後、エラー誘発用パターンの再生を行って品質判定手段１１８によって信号品質を判定し、エラーレート又はＳＡＭ値が最小となるパルス波形を選択して、これを実際の記録パルス波形とするように記録パルス調整手段１２０Ｂに指示する。これにより、記録パワーと記録パルスの最適化が達成されることになる。なお、エラー誘発用パターンとは、記録マーク群の中でエラーを誘発し易い特定記録マークを主として含むエラー誘発用パターンであり、ここでは、ＰＲＭＬ信号処理でエラーが発生し易いとされる２Ｔマーク又は３Ｔマークを主として含むエラー誘発用パターンを利用している。従って、パルス波形の調整は、上記特定記録マーク（２Ｔマークまたは３Ｔマーク）についてのみ調整すればよいことになる。
【００４１】
次に、図５のフローチャート等を参照して、この記録再生装置１００による記録条件設定方法について更に詳細に説明する。
【００４２】
ステップ３００において、まず、ＯＰＣ制御手段１２１によって、光記録媒体１のＤＩ（Ｄｉｓｃ  Ｉｎｆｏｍａｔｉｏｎ）領域を再生して、光記録媒体１の基本特性情報を読み取る。このＤＩ領域には、媒体の種類（追記型か書換型等）、記録スピード（１Ｘ、２Ｘ等）、記録ストラテジのほか、レーザービームの推奨記録パワーＰＫも記録される。従って、この推奨記録パワーＰＫを初期の記録条件として設定する（ステップ３０２）。
【００４３】
次に、ステップ３０４において、光記録媒体１の試し書き領域に対してパワー設定用パターン（ここではランダムパターン）を記録する。この場合、図６に示されるように、実際に記録する記録パワーに関して、推奨記録パワーＰＫを基準として強弱双方側に多段階（ＰＫ＋１、ＰＫ＋２、ＰＫ＋３、ＰＫ−１、ＰＫ−２、ＰＫ−３）で変化させて、記録パワー毎にパワー設定用パターンの書き込み作業を実行する。その後、ステップ３０６において、記録されたパワー設定用パターンをＰＲＭＬ処理装置１１０を利用して再生し、ステップ３０８において、品質判定手段１１８によりエラーレート又はＳＡＭ値を利用して再生信号の品質を評価する。評価結果に基づいて、ＯＰＣ制御手段１２１が、最高品質の記録が行われた記録パワーを選定し、これを実際の記録パワーＰｗとするように記録パワー調整手段１２０Ａに指示する（ステップ３１０）。
【００４４】
次に、ステップ３１２において、選定された記録パワーＰｗで記録されたパワー設定用パターンの再生信号の品質が、実際のデータ記録に耐えられる程度の基準値をクリアしているか否かを判断する。基準値をクリアしている場合は、記録条件の初期設定が完了したと判断して、記録条件設定作業を終了する（ステップ３２２）。一方、基準値をクリアしていない場合は、更に記録パルス波形の調整も必要であると判断し、ステップ３１４に進んで、試し書き領域にエラー誘発用パターンを記録する。このエラー誘発用パターンは、図７に示されるように、ここでは２Ｔマークと２Ｔスペースが頻繁に繰り返されるような２Ｔエラー誘発用パターンＡと、３Ｔマークと他の長さのマーク又はスペースの組合せとなるような３Ｔエラー誘発用パターンＢを利用する。つまり、２Ｔ又は３Ｔマークが規則的に含まれるようなパターンを利用する。また、エラー誘発用パターンの記録に際しては、図８に示されるように、２Ｔマーク又は３Ｔマークの始端パルスＴｔｏｐの波形を多段階に変化させながら記録していく。具体的には、２Ｔマーク又は３Ｔマークの記録パルスにおける記録開始タイミング（始端パルスＴｔｏｐの立ち上がりタイミング）ｄＴｔｏｐを、クロック周期Ｔの正規タイミングから多段階で遅らせたり、始端パルスＴｔｏｐ照射前において、エッジシフトを回避するための低パワーの冷却パルスＴｆｃｌを、多段階の長さで挿入したりすることで試し書きを行う。
【００４５】
その後、ステップ３１６において、エラー誘発用パターンをＰＲＭＬ信号処理によって再生し、ステップ３１８によってその再生信号の品質を評価する。この結果、ステップ３２０において、図８で示したような複数種類のパルス波形の中から、信号品質が最良となる記録パルス波形を選定し、記録条件設定作業を終了させる（ステップ３２２）。この後、実際のデータの記録作業に移行する。
【００４６】
本記録再生装置１００によれば、光記録媒体１の情報の記録作業を行う毎に、記録パルスの条件が設定されるようになっているので、記録精度を高める事が可能となっている。特に、光記録媒体１の試し書き領域に対して、特定パターンを積極的に記録し、ＰＲＭＬ識別方式により再生する事で、効率的にパルス調整ができるようになる。例えば、ＰＲＭＬ識別方式による再生では、ビット列が畳み込み演算されることを前提としているので、各記録マークの長さだけではなく、記録マークやスペースの組合せによって、再生信号の品質が変動する。従って、全ての記録マーク長の配列組合せを試し書きするのは、その組合せパターンが膨大になり現実的でない。そこで本記録再生装置１００のように、記録エラーが発生し易いエラー誘発用パターンに限って試し書きを実行すれば、ＰＲＭＬ識別標識における評価手法を利用して短時間でパルス調整が可能となる。
【００４７】
また、スライスレベルによるビット（２値）判定ができないような高密度記録を行う場合でも、ＰＲＭＬ識別方式による信号品質評価を利用すれば、記録パルスの調整が可能となる。具体的には、レーザービームの波長を４００〜４１０ｎｍ、レーザービームを集光する対物レンズの開口数ＮＡが０．７０〜０．９０、最短マーク長となる２Ｔマークの長さが１２５ｎｍ以下となるような極めて高密度記録となる場合でも、記録精度を大幅に高める事が可能となっている。
【００４８】
特に、ＰＲＭＬ識別方式では、２Ｔマークが連続するパターンＡや、３Ｔマークと他の長さの記録マークの組合せとなるパターンＢの際にエラーが頻発しやすいという特徴がある。従って、このパターンＡ、Ｂにおいて十分な記録精度を確保する事ができれば、他の記録パターンでも十分な記録精度を得ることが担保されるので、効率的なパルス波形調整が可能となる。この２Ｔ〜３Ｔマークのエラーの発生は、ＰＲＭＬ識別方式の参照クラスが拘束長５である場合に顕著となる。
【００４９】
なお、本実施形態では、エラー誘発用パターンとして、図７のパターンＡ、パターンＢを例示したが、パターンや繰り返し回数等はこれに限定されない。例えば、図９の再生波形に示されるように、８Ｔマーク（８ｍ）と８Ｔスペース（８ｓ）を３回繰り返し、その後、３Ｔマーク（３ｍ）と３Ｔスペース（３ｓ）を８回繰り返し、次に、３Ｔマーク（３ｍ）・２Ｔスペース（２ｓ）・２Ｔマーク（２ｍ）・３Ｔスペース（３ｓ）を１セットとして１２回繰り返し、その後、３Ｔマーク（３ｍ）と３Ｔスペース（３ｓ）を４回繰り返すような特定パターンを利用することが可能である。このように、３Ｔマークや２Ｔマークが、規則的に含まれるようなパターンを利用すれば、パルス波形調整を効率化できる。
【００５０】
また、本記録再生装置１００では、記録パルスの調整を行う前に、パワー設定用パターンの試し書きによって、記録パワーの調整を行うようになっている。また、記録パワーの調整段階で十分な記録精度が確保できている場合には、記録パルスの調整を行わないことで不必要な調整作業を回避して、記録条件の設定時間を短くしている。
【００５１】
なお、本実施形態では、パワー調整用パターンの試し書きを行って、記録パワーの調整が完了した後に、エラー誘発用パターンを試し書きする場合に限って示したが、本発明はそれに限定されない。例えば、図１０に示されるように、パワー調整用パターンＰとエラー誘発用パターンＥを同時に試し書きしてもよい。この場合、多段階の記録パワーの全てにおいて、複数種類のパルス波形によるエラー誘発用パターンの試し書きを実行する。このようにすることで、１度の試し書きで、記録パワーと記録パルスの調整を纏めて実行する事が可能となる。
【００５２】
以上、本実施形態では、光記録媒体における情報記録層が単層の場合に限って示したが、本発明はそれに限定されず、多層構造にも適用可能である。多層構造の場合、各情報記録層において試し書きを行うようにしてもよい。
【００５３】
なお、本発明の記録条件設定方法は、上記した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。
【産業上の利用可能性】
【００５４】
本発明によれば、光記録媒体の記録容量又は記録密度を増大させても、最適な記録条件を設定することが可能となり、記録精度を向上させる事が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の実施の形態の例に係る光記録媒体の記録再生装置を示すブロック図
【図２】同光記録媒体の構造を示す斜視図及び拡大断面図
【図３】同光記録媒体の情報記録層におけるデータ保持形態を示す拡大斜視図
【図４】同記録再生装置による記録ストラテジに基づくパルス波形を示すタイミングチャート
【図５】同記録再生装置による記録条件設定手順を示すフローチャート
【図６】同記録再生装置によるパワー設定用パターンの記録パワーを示すグラフ図
【図７】同記録再生装置によるエラー誘発用パターンの一例を示すタイミングチャート
【図８】同記録再生装置による試し書き用のパルス波形の一例を示すタイミングチャート
【図９】同記録再生装置による特定パターンの他の例を示すタイミングチャート
【図１０】同記録再生装置による他の試し書き手法を示すタイミングチャート
【符号の説明】
【００５６】
１        ・・・        光記録媒体
１０        ・・・        基板
２０        ・・・        情報記録層
３０        ・・・        カバー層
３５        ・・・        ハードコート層
３５Ａ    ・・・        光入射面
１００    ・・・        再生装置
１０２    ・・・        レーザー光源
１０４    ・・・        レーザーコントローラ
１０６    ・・・        光学機構
１０８    ・・・        光検出装置
１１０    ・・・        ＰＲＭＬ処理装置
１１２    ・・・        スピンドルモータ
１１４    ・・・        スピンドルドライバ
１１６    ・・・        信号処理装置
１１８    ・・・        品質判定手段
１２０Ａ    ・・・        記録パワー調整手段
１２０Ｂ    ・・・        記録パルス調整手段
１２１    ・・・        ＯＰＣ制御手段
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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