(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
バンプ電極を有する電子部品を、端子を有する基板上に実装してなる電子部品の実装構造であって、
前記バンプ電極は、接着性を有する下地樹脂と、該下地樹脂の表面の一部を覆う導電膜と、を含み、
前記導電膜が前記端子に接触し、かつ、前記導電膜に覆われていない前記下地樹脂の少なくとも一部が前記基板に接触するように、前記下地樹脂が、前記電子部品と前記基板との間に配置され、
前記下地樹脂と前記基板とが接触することにより、前記電子部品が前記基板に保持されていることを特徴とする電子部品の実装構造。
【請求項２】
前記バンプ電極と前記端子とはそれぞれ複数設けられ、かつ、該バンプ電極と端子とは互いに対応するものどうしが接合され、
前記複数の端子は、前記バンプ電極に接合する上面の高さが異なる少なくとも二つの端子を含み、
前記バンプ電極は、接合する端子の高さに対応してそれぞれの下地樹脂が弾性変形することにより、それぞれ端子に接合していることを特徴とする請求項１記載の電子部品の実装構造。
【請求項３】
前記バンプ電極と前記端子とはそれぞれ複数設けられ、かつ、該バンプ電極と端子とは互いに対応するものどうしが接合されてなり、
前記複数のバンプ電極は、前記端子に接合する接合部の高さが異なる少なくとも二つのバンプ電極を含み、
前記複数のバンプ電極は、それぞれの接合部の高さに対応してそれぞれの下地樹脂が弾性変形することにより、それぞれ前記端子に接合していることを特徴とする請求項１記載の電子部品の実装構造。
【請求項４】
前記下地樹脂は、横断面を略半円形状、略半楕円形状、または略台形状とする略蒲鉾状に形成され、前記導電膜は、前記下地樹脂の前記横断面方向に沿って前記下地樹脂表面の一部に帯状に設けられていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の電子部品の実装構造。
【請求項５】
前記電極端子は前記電子部品に設けられており、前記下地樹脂は、前記電極端子を囲んで形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の電子部品の実装構造。
【請求項６】
前記導電膜は、前記電極端子に導通し、かつ該電極端子を囲んだ状態で前記下地樹脂上の内側に設けられていることを特徴とする請求項５記載の電子部品の実装構造。
【請求項７】
前記導電膜は、前記下地樹脂を覆う部分が前記電極端子を中心にして放射状に延びる複数の延出片からなることを特徴とする請求項６記載の電子部品の実装構造。
【請求項８】
前記下地樹脂が、前記電極端子に対応する箇所を除いて、前記電子部品の能動面全体をほぼ覆った状態に設けられていることを特徴とする請求項５〜７のいずれか一項に記載の電子部品の実装構造。
【請求項９】
前記電子部品は、水晶振動子であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の電子部品の実装構造。
【請求項１０】
前記電子部品は、半導体素子であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の電子部品の実装構造。
【請求項１１】
前記下地樹脂は、熱可塑性を有することを特徴とする請求項１〜１０のいずれか一項に記載の電子部品の実装構造。
【請求項１２】
前記端子は、上面と側面とを有するように前記電子部品に向かって凸状に形成され、
前記導電膜は、前記上面と前記側面と前記基板とに接触していることを特徴とする請求項１１記載の電子部品の実装構造。
【請求項１３】
バンプ電極を有する電子部品を、端子を有する基板上に実装する電子部品の実装方法であって、
前記バンプ電極は、接着性を有する下地樹脂と、該下地樹脂の表面の一部を覆う導電膜と、を含み、
前記電子部品を前記基板に対して加圧するとともに加熱することにより、前記導電膜を前記端子に接触させ、かつ、前記導電膜に覆われていない前記下地樹脂の少なくとも一部を前記基板に接触させることを特徴とする電子部品の実装方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品の実装構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、各種の電子機器に搭載される回路基板や液晶表示装置などにおいては、半導体ＩＣなどの電子部品を基板上に実装する技術が用いられている。例えば液晶表示装置には、液晶パネルを駆動するための液晶駆動用ＩＣチップが実装される。この液晶駆動用ＩＣチップは、液晶パネルを構成するガラス基板に直接実装される場合もあり、また、液晶パネルに実装されるフレキシブル基板（ＦＰＣ）上に実装される場合もある。前者による実装構造はＣＯＧ（Chip On Glass）構造と呼ばれ、後者はＣＯＦ(Chip On FPC)構造と呼ばれている。なお、これら実装構造以外にも、例えばガラエポ基板などにＩＣチップを実装するＣＯＢ（Chip On board）構造も知られている。
【０００３】
このような実装構造に用いられる基板には、配線パターンに接続するランド（端子）が形成されており、一方、電子部品には、電気的接続を得るためのバンプ電極が形成されている。そして、前記ランドにバンプ電極を接続させた状態で、前記基板上に電子部品を実装することにより、電子部品の実装構造が形成されている。
【０００４】
ところで、前記の実装構造においては、基板上に電子部品がより強固にかつ確実に接続していることが望まれている。特に、ランドやバンプ電極がそれぞれ複数ずつあり、複数のランド−バンプ電極間をそれぞれ接続させる場合には、全てのランド−バンプ電極間が良好に接続していることが、信頼性を確保するうえで重要となっている。
ところが、一般にランドやバンプ電極は金属によって形成されており、したがって接合時に合わせずれが生じたり、あるいはランドやバンプ電極の位置精度が悪いことによってこれらの間で位置ずれが生じた場合に、これらランドとバンプ電極との間で十分な接合強度が得られず、接触不良（導電不良）を起こしてしまうおそれがあった。
また、基板やＩＣなどの電子部品の反りや、ランドとバンプ電極などの形成高さのばらつきによって、ランドとバンプ電極間の距離が一定でなくなり、これらランドとバンプ電極との間で十分な接合強度が得られず、接触不良（導電不良）を起こしてしまうおそれがあった。
【０００５】
このような不都合を防止するため、従来、台形状断面を有する導体パターンを有し、この導体パターン上に金属導電層を形成するとともに、この金属導電層の表面に多数の凹凸を付与したプリント配線板が提供されている（例えば、特許文献１参照）。
このプリント配線板によれば、前記の金属導電層表面の凹凸によるアンカー効果により、部品実装時に圧力がかかっても、部品（電子部品）の接続電極が基板の電極上を滑ったり、ずれ落ちて傾いたりしないため、実装歩留まりが向上するとされている。
【特許文献１】特開２００２−２６１４０７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、前記のプリント配線板にあっては、金属導電層表面の凹凸によるアンカー効果により、この金属導電層上に配置される接続電極（バンプ電極）が滑り落ちたりずれ落ちて傾いたりしないようになっているものの、これらの間の接合強度を高め、さらには複数の電極間での接合強度をも高める構造とはなっていない。したがって、接合時に合わせずれが生じたり、電極間（ランドとバンプ電極との間）の位置精度が悪いことに起因してこれらの間で位置ずれが生じた場合には、これら電極間で十分な接合強度が得られず、依然として接触不良（導電不良）を起こしてしまうおそれがある。また、接続電極（バンプ電極）が金属でできていたため、接続電極は接続時に塑性変形を起こし、前記のようにランドとバンプ電極間の距離が一定でなくなった場合に弾性変形による距離変化の吸収能力が低いため、これら電極間で十分な接合強度が得られず、依然として接触不良（導電不良）を起こしてしまうおそれもある。
さらに、このような金属導電層を有するプリント配線板と接続電極を有する部品との接合構造（実装構造）においては、プリント配線板に部品を実装し固定するためにアンダーフィル材などの接着材が必要となっており、これが実装に要するコストの低減化を妨げる一因となっている。
【０００７】
本発明は前記事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、バンプ電極と基板側端子との間の接合強度を高めて導電接続状態の信頼性を向上し、さらに、実装コストの低減化をも可能にした、電子部品の実装構造を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の電子部品の実装構造は、バンプ電極を有する電子部品を、端子を有する基板上に実装してなる電子部品の実装構造であって、
前記バンプ電極は、前記電子部品の能動面に設けられた下地樹脂と、該下地樹脂の表面の一部を覆い残部を露出させるとともに、電極端子に導通する導電膜と、を有してなり、
前記バンプ電極の導電膜は、前記端子に直接導電接触し、
前記バンプ電極の下地樹脂は、弾性変形していることにより、前記導電膜に覆われることなく露出している露出部の少なくとも一部が、前記基板に直接接着し、
前記基板と前記電子部品とは、前記下地樹脂の露出部の基板に対する接着力により、前記バンプ電極が前記端子に導電接触している状態が保持されていることを特徴としている。
【０００９】
この電子部品の実装構造によれば、バンプ電極は下地樹脂とこれの表面の一部を覆う導電膜とを有してなるので、基板上の端子に対して加圧されることにより、容易に押圧されて下地樹脂が弾性変形（圧縮変形）状態となる。すると、バンプ電極はその下地樹脂の弾性変形によって基板の端子に対し弾性復元力（反発力）を生じることから、バンプ電極と端子との間の接合強度がより高くなり、導電接続状態の信頼性が向上する。
また、このように下地樹脂が弾性変形し、その露出部の少なくとも一部が基板に直接接着しているので、この露出部の基板に対する接着力によってバンプ電極が端子に導電接触している状態が保持され、これによって基板と電子部品との間に、アンダーフィル材などの接着材を配する必要がなくなる。したがって、アンダーフィル材などの接着材に要する材料コストが低減され、また、このような接着材を配する工程も不要になって生産コストが低減されることにより、実装コストの低減化が図られる。
【００１０】
また、前記電子部品の実装構造においては、前記バンプ電極と前記端子とはそれぞれ複数設けられ、かつ、該バンプ電極と端子とは互いに対応するものどうしが接合されてなり、前記複数の端子は、前記バンプ電極に接合する上面の高さが異なる少なくとも二つの端子を含み、前記バンプ電極は、接合する端子の高さに対応してそれぞれの下地樹脂が弾性変形することにより、前記端子の高さのバラツキを吸収した状態で、それぞれ端子に接合していてもよい。
基板上に端子が複数形成されていると、基板の凹凸や反り、端子自体の製造バラツキなどによって、各端子の上面（接合面）の高さ（レベル）にバラツキが生じていることがある。すると、高さバラツキのある端子間では、それぞれの上面の、前記バンプ電極に対する距離が異なることになる。
そして、このように端子間で高さバラツキがある基板と、バンプ電極を有する電子部品とを、複数のバンプ電極−端子間でそれぞれ接続させようとすると、これらバンプ電極と端子とは接合前においてその間の距離にバラツキがあることから、全てのバンプ電極−端子間を良好な強度で接続するのが難しくなる。
【００１１】
しかし、この実装構造では、バンプ電極が、接合する端子の高さに対応して、すなわち、該端子の上面との間の距離に対応して、それぞれ異なる度合いで弾性変形しているので、これらバンプ電極と端子との間の距離のバラツキがバンプ電極の弾性変形によって吸収される。したがって、バンプ電極が、前記端子の高さのバラツキを吸収した状態で、それぞれ端子に接合したものとなり、これによって基板と電子部品とは、端子に高さ（レベル）バラツキがあるにも拘わらず、これら端子とバンプ電極との間がそれぞれ良好な導電接続状態となる。したがって、この実装構造によれば、各接点（接続部）における導電接続状態の信頼性が向上するとともに、基板に対する電子部品の実装強度も向上したものとなる。
さらに、従来であれば、基板内部に配線等を形成するのは基板面に段差が形成されてしまい、これが端子の高さバラツキの原因となってしまうことで避けられていたが、この実装構造では、前述のように端子の高さのバラツキが吸収されるので、基板面に段差があっても支障がなく、したがって、基板についての設計自由度が高くなる。
【００１２】
また、前記電子部品の実装構造においては、前記バンプ電極と前記端子とはそれぞれ複数設けられ、かつ、該バンプ電極と端子とは互いに対応するものどうしが接合されてなり、前記複数のバンプ電極は、前記端子に接合する接合部の高さが異なる少なくとも二つのバンプ電極を含み、前記複数のバンプ電極は、それぞれの接合部の高さに対応してそれぞれの下地樹脂が弾性変形することにより、前記接合部の高さのバラツキを吸収した状態で、それぞれ前記端子に接合していてもよい。
電子部品上にバンプ電極が複数形成されていると、電子部品のバンプ電極形成面に凹凸や反りがあったり、バンプ電極自体に製造バラツキがあることなどで、各バンプ電極の、端子に接合する接合部の高さ（レベル）にバラツキが生じていることがある。すると、高さバラツキのあるバンプ電極間では、それぞれの接合部の、前記端子に対する距離が異なることになる。
そして、このようにバンプ電極間で高さバラツキがある電子部品と、端子を有する基板とを、複数のバンプ電極−端子間でそれぞれ接続させようとすると、これらバンプ電極と端子とは接合前においてその間の距離にバラツキがあることから、全てのバンプ電極−端子間を良好な強度で接続するのが難しくなる。
【００１３】
しかし、この実装構造では、バンプ電極が、それぞれの接合部の高さに対応して、すなわち、該接合部と端子との間の距離に対応してそれぞれ異なる度合いで弾性変形しているので、これらバンプ電極と端子との間の距離のバラツキがバンプ電極の弾性変形によって吸収される。したがって、バンプ電極が、その接合部の高さのバラツキを吸収した状態で、それぞれ端子に接合したものとなり、これによって基板と電子部品とは、バンプ電極に高さ（レベル）バラツキがあるにも拘わらず、これらバンプ電極と端子との間がそれぞれ良好な導電接続状態となる。したがって、この実装構造によれば、各接点（接続部）における導電接続状態の信頼性が向上するとともに、基板に対する電子部品の実装強度も向上したものとなる。
さらに、従来であれば、バンプ電極に高さバラツキが生じないよう、バンプ電極の形成面については段差等がない平坦面となるように、電子部品を設計していたが、この実装構造では、前述のようにバンプ電極の高さのバラツキが吸収されるので、バンプ電極形成面に段差があっても支障がなく、したがって、電子部品についての設計自由度が高くなる。
【００１４】
また、前記電子部品の実装構造においては、前記下地樹脂は、横断面を略半円形状、略半楕円形状、または略台形状とする略蒲鉾状に形成され、前記導電膜は、前記下地樹脂の前記横断面方向に沿ってその上面部上の一部に帯状に設けられていてもよい。
このようにすれば、下地樹脂の上面上に間隔をおいて導電膜を複数設けることにより、複数のバンプ電極を形成することができ、製造が容易になる。
【００１５】
また、前記電子部品の実装構造においては、前記電極端子は前記電子部品に設けられており、前記下地樹脂は、前記電極端子を囲んで形成されていてもよい。
このようにすれば、下地樹脂上における導電膜の面積を大きくすることが可能となり、したがって端子との間の接続面積を十分に大きく確保することにより、電気的接続の信頼性を高くすることができる。
【００１６】
また、この電子部品の実装構造においては、導電膜が、電極端子に導通し、かつ該電極端子を囲んだ状態で前記下地樹脂上の内側に設けられているのが好ましい。
このようにすれば、導電膜の外側にこれを囲んで状態で下地樹脂の露出部が形成されるので、例えばこの露出部が導電膜を囲んだ環状の状態で基板に直接接着することにより、導電膜と端子との間の導電接触状態がより良好に保持される。
【００１７】
また、この電子部品の実装構造においては、前記導電膜は、前記下地樹脂を覆う部分が前記電極端子を中心にして放射状に延びる複数の延出片からなっていてもよい。
このようにすれば、下地樹脂上に設けられた延出片が端子に接合してその状態で加圧された際、延出片間で応力が分散することにより、導電膜にクラックや剥離などが生じることが防止される。
【００１８】
また、前記電子部品の実装構造においては、前記下地樹脂が、前記電極端子に対応する箇所を除いて、前記電子部品の能動面全体をほぼ覆った状態に設けられていてもよい。
このようにすれば、下地樹脂の露出部の面積をより大きくすることが可能となり、基板に対する電子部品の接着力を高めることが可能になる。
【００１９】
また、前記電子部品の実装構造においては、前記電子部品が、水晶振動子であってもよい。
電子部品として水晶振動子を適用した場合、この水晶振動子の節（接点）をバンプ電極とすることにより、水晶振動子はこの節の点で基板に確実に固定されるようになる。
【００２０】
また、前記電子部品の実装構造においては、前記電子部品が、半導体素子であってもよい。
電子部品として半導体素子を適用した場合、半導体素子をその下地樹脂を介して基板に接続できるので、半導体素子への応力伝達を抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の電子部品の実装構造を詳しく説明する。
図１は本発明に係る電子部品の実装構造を適用した液晶表示装置を示す模式図である。まず、図１を用いて本発明に係る電子部品の実装構造の適用例を説明する。
図１において符号１００は液晶表示装置であり、この液晶表示装置１００は、液晶パネル１１０と、電子部品（液晶駆動用ＩＣチップ）１２１とを有して構成されている。なお、この液晶表示装置１００には、図示しないものの、偏光板、反射シート、バックライト等の付帯部材が、必要に応じて適宜設けられるものとする。
【００２２】
液晶パネル１１０は、ガラスや合成樹脂からなる基板１１１及び１１２を備えて構成されたものである。基板１１１と基板１１２とは、相互に対向配置され、図示しないシール材などによって相互に貼り合わされている。基板１１１と基板１１２の間には、電気光学物質である液晶（図示せず）が封入されている。基板１１１の内面上には、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電材料からなる電極１１１ａが形成され、基板１１２の内面上には前記電極１１１ａに対向配置される電極１１２ａが形成されている。
【００２３】
電極１１１ａは、同じ材質で一体に形成された配線１１１ｂに接続されて、基板１１１に設けられた基板張出部１１１Ｔの内面上に引き出されている。基板張出部１１１Ｔは、基板１１１の端部において基板１１２の外形よりも外側に張り出された部分である。配線１１１ｂの一端側は、端子１１１ｂｘとなっている。電極１１２ａも、同じ材質で一体に形成された配線１１２ｂに接続されて、図示しない上下導通部を介して基板１１１上の配線１１１ｃに導電接続されている。この配線１１１ｃも、ＩＴＯで形成されている。配線１１１ｃは基板張出部１１１Ｔ上に引き出され、その一端側は端子１１１ｃｘとなっている。基板張出部１１１Ｔの端縁近傍には入力配線１１１ｄが形成されており、その一端側は端子１１１ｄｘとなっている。該端子１１１ｄｘは、前記端子１１１ｂｘ及び１１１ｃｘと対向配置されている。また、入力配線１１１ｄの他端側は、入力端子１１１ｄｙとなっている。
【００２４】
基板張出部１１１Ｔ上には、ＮＣＰ（Non-Conductive Paste）やＮＣＦ（Non-Conductive Film）を介在させることなく、本発明に係る電子部品１２１が直接実装されている。この電子部品１２１は、例えば液晶パネル１１０を駆動する液晶駆動用ＩＣチップである。電子部品１２１の下面には、本発明に係る多数のバンプ電極（図示せず）が形成されており、これらのバンプ電極は、基板張出部１１１Ｔ上の端子１１１ｂｘ，１１１ｃｘ，１１１ｄｘにそれぞれ導電接続されている。これにより、基板１１１上に電子部品１２１が実装されてなる、本発明の実装構造が形成されている。
【００２５】
また、基板張出部１１１Ｔ上の前記入力端子１１１ｄｙの配列領域には、異方性導電膜１２４を介してフレキシブル配線基板１２３が実装されている。入力端子１１１ｄｙは、フレキシブル配線基板１２３に設けられた、それぞれに対応する配線（図示せず）に導電接続されている。そして、このフレキシブル配線基板１２３を介して外部から制御信号、映像信号、電源電位などが、入力端子１１１ｄｙに供給されるようになっている。入力端子１１１ｄｙに供給された制御信号、映像信号、電源電位などは、電子部品１２１に入力され、ここで液晶駆動用の駆動信号が生成されて液晶パネル１１０に供給されるようになっている。フレキシブル基板は、ポリイミドや液晶ポリマー等可撓性を有する有機基板であり、その基板上に銅やアルミニウムで回路パターンおよび端子が形成されていることが多く好ましいが、必ずしもその限りではない。端子部には表面に金メッキが施されていると接続抵抗が安定するので、なお良い。
【００２６】
以上のように構成された液晶表示装置１００によれば、電子部品１２１を介して電極１１１ａと電極１１２ａとの間に適宜の電圧が印加されることにより、両電極１１１ａ，１１２ａが対向配置される部分に構成される各画素毎に独立して光を変調させることができ、これによって液晶パネル１１０の表示領域に所望の画像を形成することができる。
【００２７】
次に、前記液晶表示装置１００に適用された、本発明の電子部品の実装構造の実施形態について説明する。
図２（ａ）は、前記液晶表示装置１００における電子部品１２１の実装構造の第１実施形態を拡大して示す要部拡大斜視図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）におけるＡ−Ａ線矢視断面図である。図２（ａ）（ｂ）において符号１１Ｐは基板１１１上に設けられた配線パターン、すなわち、前記配線１１１ｂ、１１１ｃ、１１１ｄのいずれかを表しており、符号１１はこれら配線に設けられた端子、すなわち、前記した端子１１１ｂｘ、１１１ｃｘ，１１１ｄｘのいずれかを表している。なお、本実施形態では、端子１１は比較的膜厚が厚く、したがって高く形成されており、また、その横断面が略台形状になっている。また、符号１２は電子部品１２１に設けられたバンプ電極である。
【００２８】
バンプ電極１２は、本実施形態では、図２（ａ）及び図３（ａ）（ｂ）の側断面図に示すように、電子部品１２１の能動面１２１ａに設けられた略蒲鉾状の下地樹脂１３と、該下地樹脂１３の表面の一部を覆い残部を露出させた導電膜１４と、からなるものである。なお、下地樹脂１３の、導電膜１４に覆われることなく露出している部分は、本発明における露出部１３ａとなっている。
【００２９】
導電膜１４は、図３（ａ）（ｂ）に示すように、電子部品１２１の表面部において絶縁膜１５の開口部内に露出した電極端子１６に接続・導通し、下地樹脂１３上に引き回されたものである。このような構成によって下地樹脂１３の表面を覆う導電膜１４は、前記電極端子１６に導通し、したがって実質的に電子部品１２１の電極として機能するものとなっている。なお、本実施形態では、図２（ａ）に示したように下地樹脂１３の表面に帯状の導電膜１４が複数設けられており、これら導電膜１４はそれぞれ独立して電子部品１２１の電極端子１６に接続・導通している。したがって、これら導電膜１４は、その内側に位置する下地樹脂１３とともに、それぞれが独立して、本発明におけるバンプ電極１２として機能するようになっている。
【００３０】
ここで、前記の略蒲鉾状とは、電子部品１２１に接する内面（底面）が平面であり、接しない外面側が湾曲面になっている柱状形状をいう。具体的には、図３（ａ）に示したように横断面が略半円形状であったり、図示しないものの略半楕円形状であるものや、図３（ｂ）に示したように横断面が略台形状であるものが好適に用いられる。なお、図３（ｂ）に示した横断面が略台形状のものは、この横断面形状において少なくともその上面と側面との間の肩部が湾曲しており、これによって前記したように、電子部品１２１に接しない外面側が湾曲面となっている。
【００３１】
下地樹脂１３は、電子部品１２１を基板１１１に実装した際、この電子部品１２１が基板１１１に対して加圧され圧着されつつ、加熱されることにより、接着性を発揮する、熱接着性を有する絶縁性のものである。具体的には、ポリイミド樹脂やＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）、液晶ポリマー、各種の熱可塑性樹脂等が用いられ、さらには、熱可塑性成分を有する感光性絶縁樹脂や熱硬化性絶縁樹脂も使用可能である。すなわち、ポリイミド等の熱硬化性樹脂（熱可塑性成分を含有させておく）の場合、バンプ電極１２の形成時において下地樹脂１３を全硬化させることなく半硬化状態にとどめるように加熱処理し、その後、電子部品１２１を実装した際、その一部を基板１１１に当接させこれに圧着させた状態で加熱し、全硬化させる。すると、半硬化状態で接着性を有していた下地樹脂１３は、加圧加熱されて硬化する過程で基板１１１に接着し、そのまま硬化することでこの接着状態を保持するようになる。
【００３２】
また、熱可塑性樹脂（必要に応じて熱硬化成分を含有させておいてもよい）の場合、バンプ電極１２の形成時に下地樹脂１３を全硬化させておく。次に、電子部品１２１を実装した際、その一部を基板１１１に当接させこれに圧着させた状態で加熱する。すると、下地樹脂１３は一部溶融し軟化することで接着性を発揮するようになる。その後、冷却することで下地樹脂１３を再度硬化させる。これによって下地樹脂１３は、溶融・軟化し、さらに冷却され硬化する過程で基板１１１に接着し、そのまま硬化することでこの接着状態を保持するようになる。なお、このように熱可塑性樹脂によって下地樹脂１３を形成した場合、この下地樹脂１３の接着力を用いて電子部品１２１を基板１１１上に実装した後、例えば合わせずれ等の不具合があったとき、再度加熱し下地樹脂１３を軟化させることで、基板１１１から電子部品１２１を容易に取り外すことができる。
このような樹脂からなる下地樹脂１３は、公知のリソグラーフィー技術やエッチング技術により、前記した略蒲鉾状に形成されている。なお、樹脂の材質（硬度）や略蒲鉾状についての細部における形状（高さや幅）等については、端子１１の形状や大きさ等によって適宜に選択・設計される。
【００３３】
導電膜１４は、Ａｕ、ＴｉＷ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｗ、ＮｉＶ、Ａｌ、Ｐｄ、鉛フリーハンダ等の金属や合金からなるもので、これら金属（合金）の単層であっても、複数種を積層したものであってもよい。また、このような導電膜１４は、スパッタ法等の公知の成膜法で成膜し、その後帯状にパターニングしたものであってもよく、無電解メッキによって選択的に形成したものであってもよい。または、スパッタ法や無電解メッキによって下地膜を形成し、その後電解メッキによって下地膜上に上層膜を形成し、これら下地膜と上層膜とからなる積層膜により、導電膜１４を形成してもよい。なお、金属（合金）の種類や層構造、膜厚、幅等については、前記下地樹脂１３の場合と同様に、端子１１の形状や大きさ等によって適宜に選択・設計される。ただし、導電膜１４は、下地樹脂１３の弾性変形に伴って該導電膜１４自体も弾性変形することから、特に展延性に優れた金（Ａｕ）を用いるのが好ましい。また、積層膜によって導電膜１４を形成する場合には、その最外層に金を用いるのが好ましい。さらに、導電膜１４の幅については、接合する端子１１の幅よりも十分に広く形成しておくのが好ましい。
【００３４】
図４（ａ）は電子部品１２１を基板１１１に実装する前の状態を示す図であり、図２（ｂ）の要部に対応する要部拡大断面図である。なお、下地樹脂１３については、前述したように熱硬化性樹脂の場合には半硬化状態とされ、熱可塑性樹脂の場合には全硬化状態とされ、これによって熱接着性を有する状態とされている。
基板１１１と電子部品１２１とは、互いの端子１１とバンプ電極１２とが対向するように位置決めされ、その状態で互いに接合する方向に加圧されることにより、図４（ｂ）（ｃ）に示したようにバンプ電極１２の導電膜１４が端子１１に接合され導電接触させられる。また、この加圧時には、加熱処理も同時に行われる。なお、加熱温度については、下地樹脂１３の種類等に応じて適宜に設定される。
【００３５】
そして、このように導電膜１４と端子１１とが導電接触した状態で、さらにこの加圧力が高められてバンプ電極１２が基板１１１に圧着されることにより、図４（ｄ）に示すように下地樹脂１３がさらに圧縮変形する。すると、下地樹脂１３は、導電膜１４に覆われることなく露出している露出部１３ａの一部が、前記基板１１１に直接接合（接着）するようになる。そして、さらにこの加圧力が高められると、図２（ｂ）に示したようにバンプ電極１２と下地樹脂１３の露出部１３ａとは、そのほぼ全面が基板１１１に直接接合（接着）するようになる。そして、この状態で前述したように下地樹脂１３が硬化（全硬化）させられることにより、この下地樹脂１３の露出部１３ａは基板１１１に対して良好に接着するようになる。これにより、電子部品１２１は下地樹脂１３の露出部１３ａの基板１１１に対する接着によって基板１１１に実装され、また、バンプ電極１２の端子１１に対する導電接触状態も、露出部１３ａの接着力によって保持されるようになり、本発明の第１実施形態となる実装構造１０が得られる。
【００３６】
このようにして形成された本発明の第１実施形態となる実装構造１０は、電子部品１２１が基板１１１側に相対的に加圧され、これによってバンプ電極１２が端子１１に当接させられ、さらにその状態で加圧されることにより、バンプ電極１２の下地樹脂１３がさらに弾性変形（圧縮変形）し、その下地樹脂１３の露出部１３ａのほぼ全面が基板１１１に接着している。すると、バンプ電極１２はその下地樹脂１３の弾性変形によって基板１１１の端子１１に対し弾性復元力（反発力）を生じることから、バンプ電極１２と端子１１との間の接合強度がより高くなり、導電接続状態の信頼性が向上する。
【００３７】
また、下地樹脂１３の露出部１３ａの基板１１１に対する接着力により、バンプ電極１２が端子１１に導電接触している状態が保持されているので、基板１１１と電子部品１２１との間に、ＮＣＰ等のアンダーフィル材（接着材）を充填する（配する）必要がなくなる。したがって、接着材に要する材料コストが低減され、また、このような接着材を配する工程も不要になって生産コストが低減されることにより、実装コストの低減化を図ることが可能になる。
さらに、導電膜１４間に位置する下地樹脂１３の露出部１３ａが基板１１１の表面に直接当接しているので、この露出部１３ａを挟んで隣り合う端子１１、１１間においては、電流のリーク（マイグレーション）が絶縁性の下地樹脂１３によって抑制される。
【００３８】
なお、前記第１実施形態の実装構造１０では、図２（ｂ）に示したように下地樹脂１３の露出部１３ａのほぼ全面が基板１１１に直接接合（接着）するように、電子部品１２１を基板１１１に実装したが、下地樹脂１３の接着力が十分に大きい場合には、図４（ｄ）に示したように、露出部１３ａの一部のみが前記基板１１１に直接接合（接着）している状態で、下地樹脂１３を全硬化させるようにしてもよい。このようにしても、露出部１３ａの接着力によってバンプ電極１２と端子１１との導電接触状態が良好に保持されるので、基板１１１と電子部品１２１との間にアンダーフィル材（接着材）を充填する（配する）必要がなくなる。
【００３９】
図５（ａ）（ｂ）は本発明の電子部品の実装構造の第２実施形態を示す図であり、図５（ａ）（ｂ）中符号２０は実装構造である。なお、図５（ａ）は、実装構造の要部拡大斜視図であり、図５（ｂ）は、図５（ａ）におけるＢ−Ｂ線矢視断面図である。この第２実施形態の実装構造２０が図２（ａ）（ｂ）に示した第１実施形態の実装構造１０と異なるところは、基板１１１に形成された複数の端子１１のうちの少なくとも二つが、前記バンプ電極１２に接合する上面（接合面）の高さが異なって形成されている点である。すなわち、本実施形態の実装構造２０にあっては、複数の端子１１が、互いに高さが異なる二つの端子１１ａと端子１１ｂとを少なくとも含んでいる。ここで、このような端子１１の高さの違い（高さのバラツキ）は、基板１１１自体の凹凸や反りなどの基板１１１に起因する場合と、端子１１自体の製造バラツキなどに起因する場合とがあるが、本発明における端子１１の高さのバラツキは、いずれに起因する場合も、また両方に起因する場合をも含むものとする。
【００４０】
なお、図５（ａ）（ｂ）に示した本実施形態では、端子１１自体の製造バラツキに起因して、端子１１ａ、１１ｂ間に高さバラツキが生じているものとする。ここで、端子１１はアディテイブ法（めっき成長法）で形成されていることにより、比較的膜厚が厚く、したがって高く形成されており、また、その横断面が略台形状になっているものとする。ただし、端子１１としては、図６（ａ）に示すようにエッチング法で形成された横断面が矩形状のものであっても、図６（ｂ）に示すようにスパッタ法で形成された薄膜状のものであっても、さらに、図６（ｃ）に示すように印刷法で形成された略蒲鉾形状のものであってもよい。
【００４１】
そして、このような高さの異なる端子１１ａ、１１ｂに対し、前記バンプ電極１２は、前記端子１１ａ、１１ｂの高さバラツキ（違い）を吸収した状態で、それぞれ端子１１ａ、１１ｂに接合し、さらにその状態で下地樹脂１３の露出部１３ａが、基板１１１に直接接着している。
図７（ａ）は電子部品１２１を基板１１１に実装する前の状態を示す図であり、図５（ｂ）に対応する要部断面図である。基板１１１と電子部品１２１とは、互いの端子１１ａ、１１ｂとバンプ電極１２とがそれぞれ対向するように位置決めされる。その際、端子１１ａ、１１ｂには高さバラツキがあるので、これら端子１１ａ、１１ｂとバンプ電極１２との間においては、それぞれの接合面間の距離Ｌ１、Ｌ２が異なっており、すなわちバラツキが生じており、したがって全てのバンプ電極１２−端子１１間を良好な強度で接続するのが難しくなっている。
【００４２】
しかして、本実施形態ではこのような状態のもとで、電子部品１２１と基板１１１とが互いに接合する方向に加圧されることにより、図７（ｂ）に示すようにバンプ電極１２の導電膜１４が対応する端子１１ａ（１１ｂ）に接合し、導電接触する。そして、さらに加圧力が高められることにより、図５（ｂ）に示したようにバンプ電極１２の下地樹脂１３がさらに弾性変形（圧縮変形）し、その下地樹脂１３の露出部１３ａのほぼ全面が基板１１１に接着する。
【００４３】
すると、バンプ電極１２は加圧力に応じてその内部樹脂１３が容易に弾性変形（圧縮変形）するので、接合する端子１１ａ（１１ｂ）の高さに対応してそれぞれ弾性変形（圧縮変形）する。すなわち、端子１１ａ（１１ｂ）の上面とバンプ電極の接合面との間の距離に対応して、それぞれ異なる度合いで弾性変形する。これにより、端子１１ａ、１１ｂ間に高さバラツキがあり、バンプ電極１２と端子１１ａ、１１ｂとの間の距離にバラツキがあっても、バンプ電極１２がそれぞれに対応して弾性変形することで、前記のバラツキが吸収される。
【００４４】
したがって、この実装構造２０にあっては、端子１１ａ、１１ｂに高さ（レベル）バラツキがあるにも拘わらず、これら端子１１ａ、１１ｂとバンプ電極１２との間がそれぞれ良好な導電接続状態となり、したがって、各接点（接続部）における導電接続状態の信頼性が向上するとともに、基板１１１に対する電子部品１２１の実装強度も向上したものとなる。
また、第１実施形態の実装構造１０と同様に、露出部１３ａの接着力によってバンプ電極１２が端子１１に導電接触している状態が保持されているので、実装コストの低減化を図ることが可能になる。
【００４５】
なお、この第２実施形態においても、前記第１実施形態と同様に、下地樹脂１３の接着力が十分に大きい場合には、露出部１３ａの一部のみを前記基板１１１に直接接合（接着）させ、その状態で下地樹脂１３を全硬化させるようにしてもよい。
また、この第２実施形態では、端子１１自体の製造バラツキに起因して、端子１１ａ、１１ｂ間に高さバラツキが生じているものとしたが、端子１１ａ、１１ｂ間の高さバラツキは、例えば基板１１１の内部に配線等が形成されていることにより、設計上必然的に形成されたものであってもよい。このような場合にも、本実施形態からなる実装構造にあっては、前述のように端子１１ａ、１１ｂ間の高さのバラツキが吸収される。よって、従来であれば避けられていた基板面の段差が、本実施形態では支障がなくなり、したがって、基板１１１についての設計自由度が高くなる。
【００４６】
図８は本発明の電子部品の実装構造の第３実施形態を示す要部側断面図であり、図８中符号３０は実装構造である。この第３実施形態の実装構造３０が図２（ａ）（ｂ）に示した第１実施形態の実装構造１０と異なるところは、電子部品１２１に形成された複数のバンプ電極１２のうちの少なくとも二つが、前記端子１１に接合する接合部の高さが異なって形成されている点である。すなわち、本実施形態の実装構造３０にあっては、複数のバンプ電極１２が、互いに高さが異なる二つのバンプ電極１２ａ、１２ｂを少なくとも含んでいる。ここで、このようなバンプ１２の高さの違い（高さのバラツキ）は、電子部品１２１のバンプ電極形成面に凹凸や反りなどある場合、つまり電子部品１２１に起因する場合と、バンプ電極１２自体の製造バラツキなどに起因する場合とがある。本実施形態では、バンプ電極１２の高さのバラツキが、いずれに起因する場合も、また両方に起因する場合をも含むものとする。
【００４７】
なお、図８に示した本実施形態では、電子部品１２１の能動面側の表層部に内部配線２５が形成されており、これによって電子部品１２１の能動面には内部配線２５が形成されている領域２６ａと形成されていない領域２６ｂとの間で段差２７が形成されていることにより、バンプ電極１２ａ、１２ｂ間に設計上（構造上）必然的に高さバラツキが生じているものとする。すなわち、このような段差２７を挟んだ一方の領域２６ａと他方の領域２６ｂとにそれぞれバンプ電極１２が形成されている場合、これらバンプ電極１２間に製造バラツキが無くても、電子部品１２１側に凹凸（段差２７）があることから、結果的に領域２６ａ上に形成されたバンプ電極１２ａと領域２６ｂ上に形成されたバンプ電極１２ｂとは、その最頂部（接合部）の高さ（レベル）が異なることとなる。つまり、バンプ電極１２ａ、１２ｂ間には、結果的に高さバラツキが生じていることになる。
【００４８】
本実施形態の実装構造３０では、このような高さの異なるバンプ電極１２ａ、１２ｂが、その接合部の高さバラツキ（違い）を自ら吸収した状態で、それぞれ端子１１に接合し、さらにその状態で下地樹脂１３の露出部１３ａが、基板１１１に直接接着している。
図９（ａ）は電子部品１２１を基板１１１に実装する前の状態を示す図であり、図８に対応する要部断面図である。電子部品１２１と基板１１１とは、互いのバンプ電極１２ａ、１２ｂと端子１１、１１とがそれぞれ対向するように位置決めされる。その際、バンプ電極１２ａ、１２ｂには高さバラツキがあるので、これらバンプ電極１２ａ、１２ｂと端子１１との間においては、それぞれの接合部間の距離Ｌ１、Ｌ２が異なっており、すなわちバラツキが生じており、したがって全てのバンプ電極１２−端子１１間を良好な強度で接続するのが難しくなっている。
【００４９】
しかして、本実施形態ではこのような状態のもとで、電子部品１２１と基板１１１とが互いに接合する方向に加圧されることにより、図９（ｂ）に示すようにバンプ電極１２ａ、１２ｂの導電膜１４がそれぞれ対応する端子１１に接合し、導電接触する。そして、さらに加圧力が高められることにより、図８に示したようにバンプ電極１２の下地樹脂１３がさらに弾性変形（圧縮変形）し、その下地樹脂１３の露出部１３ａのほぼ全面が基板１１１に接着する。
【００５０】
すると、バンプ電極１２は加圧力に応じてその内部樹脂１３が容易に弾性変形（圧縮変形）するので、接合する端子１１の高さに対応してそれぞれ弾性変形（圧縮変形）する。すなわち、端子１１の上面とバンプ電極１２ａ（１２ｂ）の接合面との間の距離に対応して、それぞれ異なる度合いで弾性変形する。これにより、バンプ電極１２ａ、１２ｂ間に高さバラツキがあり、これらバンプ電極１２ａ、１２ｂと端子１１との間の距離にバラツキがあっても、バンプ電極１２ａ、１２ｂがそれぞれの距離に対応して弾性変形することで、前記のバラツキが吸収される。
【００５１】
したがって、この実装構造３０にあっては、バンプ電極１２ａ、１２ｂに高さ（レベル）バラツキがあるにも拘わらず、これらバンプ電極１２ａ、１２ｂと端子１１との間がそれぞれ良好な導電接続状態となり、したがって、各接点（接続部）における導電接続状態の信頼性が向上するとともに、基板１１１に対する電子部品１２１の実装強度も向上したものとなる。
また、第１実施形態の実装構造１０と同様に、露出部１３ａの接着力によってバンプ電極１２が端子１１に導電接触している状態が保持されているので、実装コストの低減化を図ることが可能になる。
【００５２】
また、従来であれば、バンプ電極１２に高さバラツキが生じないよう、バンプ電極１２の形成面については段差等がない平坦面となるように、電子部品を設計していたが、この実装構造３０では、前述のようにバンプ電極１２ａ、１２ｂ間の高さバラツキが吸収されるので、バンプ電極形成面に段差があっても支障がなく、したがって、電子部品１２１についての設計自由度が高くなる。
なお、この第３実施形態においても、前記第１実施形態と同様に、下地樹脂１３の接着力が十分に大きい場合には、露出部１３ａの一部のみを前記基板１１１に直接接合（接着）させ、その状態で下地樹脂１３を全硬化させるようにしてもよい。
【００５３】
図１０（ａ）、（ｂ）は、本発明の電子部品の実装構造の第４実施形態を説明するための図であり、図１０（ａ）は電子部品１２１の能動面１２１ａ側の平面図、図１０（ｂ）は図１０（ａ）におけるＣ−Ｃ線矢視断面図である。この第４実施形態の実装構造が図２（ａ）（ｂ）に示した第１実施形態の実装構造１０と異なるところは、バンプ電極における下地樹脂が、電子部品１２１の能動面側に設けられた電極端子１６を囲んで形成されている点である。
【００５４】
すなわち、この実装構造のバンプ電極４２において下地樹脂４３は、電子部品１２１の矩形の能動面１２１ａ上にて四角錐台状または四角板状に形成されており、この下地樹脂４３の内側において前記電極端子１６に対応する箇所に開口部４３ｂを形成している。この開口部４３内に露出した電極端子１６には、帯状の導電膜４４の一端側が接合（導通）しており、この導電膜４４は、その他端側が下地樹脂４３上に引き出されて下地樹脂４３の一部を覆った状態に設けられている。なお、図１０（ａ）に示した例では一つの下地樹脂４３内に二つの電極端子１６が配置され、これら二つの電極端子１６に対してそれぞれに開口部４３ｂを形成しているが、二つの電極端子１６に対して共通の一つの開口部を形成するように下地樹脂４３をパターニングしてもよい。また、下地樹脂４３内の電極端子１６の数については、一つでも三つ以上であってもよい。
【００５５】
このような構成のバンプ電極４２にあっては、図１０（ａ）において下地樹脂４３上を覆っている部分の導電膜４４が、電極として実質的に機能する部分となっている。したがって、先の実施形態における略蒲鉾状の下地樹脂１３に対し、本実施形態の下地樹脂４３は十分に広い面積を有しているので、下地樹脂４３上における導電膜４４の面積を先の実施形態に比べて大きくすることができる。よって、電極として実質的に機能する部分を広く（大きく）し、基板１１１の端子１１との間の接続面積を十分に大きく確保することにより、電気的接続の信頼性を高くすることができる。
また、先の略蒲鉾状の下地樹脂１３に比べ、本実施形態の下地樹脂４３は導電膜４４に覆われない部分も広く（大きく）なることから、基板１１１に直接接着する面積を増やすことができ、したがって基板１１１への電子部品１２１の実装強度を高めることができる。
【００５６】
図１１は本発明の電子部品の実装構造の第５実施形態を説明するための図であり、電子部品の能動面側の平面図である。この第５実施形態の実装構造は、特に、前記電子部品に水晶振動子を適用した場合の例である。
図１１において符号７０は音叉型の水晶振動子である。この水晶振動子７０は、一対の振動片７０ａ、７０ａを有したもので、これら振動片７０ａ、７０ａを、本発明における電子部品の電極端子としたものである。この水晶振動子７０の一方の面には、その基端部側にバンプ電極７２が形成されている。
【００５７】
バンプ電極７２は、平面視矩形板状の下地樹脂７３と、前記振動片７０ａ、７０ａのそれぞれの表面に接続され、さらにその一端部が下地樹脂７３上に乗り上げた状態で該下地樹脂７３の一部を覆う二つの帯状の導電膜７４、７４とを、備えて構成されたものである。したがって、この水晶振動子７０には、実質的に二つのバンプ電極７２が形成されている。なお、下地樹脂７３はその側面がテーパ状に形成されており、これによって導電膜７４が下地樹脂７３上に乗り上げた際、その段部において断線（段切れ）が起こるのが防止されている。
【００５８】
前記バンプ電極７２は、基板（図示せず）側の端子に接続するもので、その際、下地樹脂７３の露出部７３ａが基板に直接接着するように構成されたものである。したがって、この水晶振動子７０にあっては、バンプ電極７２がその節（接点）となることにより、この節の点で基板に確実に固定されるようになる。よって、この水晶振動子７０を基板に実装してなる実装構造によれば、水晶振動子７０の振動動作性を損なうことなく、この水晶振動子７０を基板に良好に実装したものとなる。
【００５９】
図１２は本発明の電子部品の実装構造の第６実施形態を説明するための図であり、電子部品の能動面側の平面図である。この第６実施形態の実装構造が図１０（ａ）（ｂ）に示した第４実施形態の実装構造と異なるところは、導電膜５４が、電極端子１６に導通し、かつ該電極端子１６を囲んだ状態で下地樹脂４３上の内側に設けられている点である。
【００６０】
すなわち、この実装構造のバンプ電極５２において導電膜５４は、図１２中ドットを付して示すように平面視円形状に形成されており、その中心部において開口部４３内に露出した電極端子１６に接合（導通）している。したがって、その外周側は下地樹脂４３上に引き出されて下地樹脂４３の一部を覆った状態になっており、電極として実質的に機能する部分は、電極端子１６を略円環状に囲んだ状態となっている。
【００６１】
したがって、このバンプ電極５２にあっては、導電膜５４の外側にこれを囲んで状態で下地樹脂４３の露出部４３ａが形成されるので、この露出部４３ａが電極として実質的に機能する部分の導電膜５４を囲んだ環状の状態で基板１１１に直接接着することにより、導電膜５４と端子１１との間の導電接触状態をより良好に保持するようになる。よって、バンプ電極５２と端子１１との間の電気的接続の信頼性をより高くすることができる。
なお、図１０、図１２に示した実施形態では、電極端子１６を露出させる下地樹脂４３の開口部４３ｂの形状を矩形状にしたが、この開口部の形状については、矩形状に限らず、円形等種々の形状を採用することができる。
【００６２】
図１３は本発明の電子部品の実装構造の第７実施形態を説明するための図であり、電子部品の能動面側の平面図である。この第７実施形態の実装構造が図１２に示した第６実施形態の実装構造と異なるところは、下地樹脂４３における開口部４３ｂの形状と、導電膜６４の平面視形状にある。
すなわち、この実装構造のバンプ電極６２において下地樹脂４３の開口部４３ｂは、電極端子１６を中心とする円形状に形成されている。そして、導電膜６４は、図１３中ドットを付して示すように、その中心部においては開口部４３内に露出した電極端子１６に接合（導通）しているものの、下地樹脂４３上に引き出されて下地樹脂４３の一部を覆う外周側、すなわち電極として実質的に機能する部分は、前記電極端子１６を中心にして放射状に延びる複数の延出片６４ａからなっている。
【００６３】
したがって、このバンプ電極６２にあっては、電極として実質的に機能する下地樹脂４３上の延出片６４ａが端子１１に接合し、その状態で加圧された際、延出片６４ａ間で応力が分散することにより、導電膜６４にクラックや剥離などが生じることが防止される。よって、バンプ電極６２と端子１１との間の電気的接続の信頼性をより高くすることができる。
【００６４】
なお、本発明は前記実施形態に限定されることなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。例えば、バンプ電極における下地樹脂の形状としては、電子部品１２１の能動面１２１ａにおいて部分的に設けられるのでなく、電極端子に対応する箇所を除いて、電子部品１２１の能動面１２１ａ全体をほぼ覆った状態に設けられていてもよい。このようにすれば、電極として実質的に機能する下地樹脂上の導電膜の面積を大きくすることができ、これによって端子１１との間の電気的接続の信頼性を高くすることができる。また、下地樹脂は導電膜に覆われない部分も広く（大きく）なることから、基板に直接接着する面積を増やすことができ、したがって基板１１１への電子部品１２１の実装強度を高めることができる
【００６５】
また、このように能動面１２１ａ全体をほぼ覆った状態で下地樹脂を形成する場合、図１４に示すように、一つの下地樹脂８３に多数の開口部８３ｂを形成し、これら開口部８３ｂ内に露出する電極端子１６に導通するようにしてそれぞれ導電膜８４を形成し、多数のバンプ電極８２を形成してもよい。このようにしても、下地樹脂８３は導電膜８４に覆われない部分が広く（大きく）なる。したがって、基板に直接接着する面積を増やすことができ、基板への電子部品１２１の実装強度を高めることができる。すなわち、このように能動面１２１ａ全体をほぼ覆った状態で下地樹脂を形成する実施形態は、特に電子部品として、二辺や四辺、もしくは全面に電極を有するような半導体素子に適用された場合に、より有効となる。
【００６６】
また、前記の基板１１１については、前記したガラスや合成樹脂からなる基板以外に、リジット基板やシリコン基板、薄厚のセラミックス基板など種々のものが使用可能である。さらに、電子部品としては、液晶駆動用ＩＣチップ以外に各種のＩＣや、ダイオード、トランジスター、発光ダイオード、レーザーダイオード、発信子、コンデンサなどの受動部品など前述したような接続電極（バンプ電極）を有する電子部品であればなんでも構わない。
【００６７】
また、本発明の電子部品の実装構造が適用される装置としては、前記した液晶表示装置だけではなく、有機エレクトロルミネッセンス装置（有機ＥＬ装置）や、プラズマディスプレイ装置、電気泳動ディスプレイ装置、電子放出素子を用いた装置（Field Emission Display 及び Surface-Conduction Electron-Emitter Display 等）など、各種の電気光学装置や各種の電子モジュールに適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】本発明が適用された液晶表示装置の構造を模式的に示す概略斜視図である。
【図２】（ａ）（ｂ）は本発明の実装構造の第１実施形態の要部拡大図である。
【図３】（ａ）（ｂ）はバンプ電極の概略構成を示す側断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｄ）は第１実施形態の実装構造を説明するための図である。
【図５】（ａ）（ｂ）は本発明の実装構造の第２実施形態の要部拡大図である。
【図６】（ａ）〜（ｃ）は端子の形状を説明するための斜視断面図である。
【図７】（ａ）（ｂ）は本発明の実装構造の第２実施形態の説明図である。
【図８】本発明の実装構造の第３実施形態の要部側断面図である。
【図９】（ａ）（ｂ）は第３実施形態の実装構造を説明するための図である。
【図１０】（ａ）、（ｂ）は本発明の実装構造の第４実施形態の説明図である。
【図１１】本発明の実装構造の第５実施形態の説明図である。
【図１２】本発明の実装構造の第６実施形態の説明図である。
【図１３】本発明の実装構造の第７実施形態の説明図である。
【図１４】本発明の実装構造の変形例の説明図である。
【符号の説明】
【００６９】
１０、２０、３０…実装構造（電子部品の実装構造）、１１…端子、１２、４２、５２、６２、７２、８２…バンプ電極、１３、４３、７３、８３…下地樹脂、１３ａ、４３ａ…露出部、１４、４４、５４、６４、７４、８４…導電膜、１６…電極端子、４３ｂ、８３ｂ…開口部、６４ａ…延出片、７０…水晶振動子、７０ａ…振動片、１００…液晶表示装置、１１０…液晶パネル、１１１…基板、１１１ａ，１１２ａ…電極、１１１ｂ、１１２ｂ、１１１ｃ…配線、１１１ｄ…入力配線、１１１ｂｘ、１１１ｃｘ、１１１ｄｘ…端子、１２１…電子部品（ＩＣチップ）、１２１ａ…能動面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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