(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
イオンビームと近接する面の形状をＲ形に構成し、イオンビームと接触する面積を低減する構造を有するイオンビーム電流計測装置を備える大電流イオン注入装置。
【請求項２】
イオンビーム電流計測装置と、前記イオンビーム電流計測装置のイオンビームと近接する面を保護し、イオンビームと近接する面の形状をＲ形に構成しイオンビームと接触する面積を低減する構造のシールドとを有する大電流イオン注入装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、大電流イオン注入装置におけるイオンビーム電流計測装置（フラグファラデー）の構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、大電流イオン注入装置におけるイオンビーム電流計測装置（フラグファラデー）は以下のような構成となっていた。
【０００３】
図３は従来の大電流イオン注入装置におけるフラグファラデーの構成を示す斜視図である。
【０００４】
この図において、１は固定部、２はその固定部１に固定されるガイド板、３は駆動軸、４はその駆動軸３によってガイド板２上を移動することができるフラグファラデーである。
【０００５】
そこで、図３（ａ）に示すように、イオンビームセットアップ状態において、フラグファラデー４は、イオンビーム５を遮断し内蔵のファラデーカップセンサによりビーム電流の計測を行っている。
【０００６】
その後、インプラント処理を開始すると、フラグファラデー４は、駆動軸３の駆動により、図３（ｂ）の位置に移動し、分解アパーチャー６のスリット６ａを通り、イオンビーム５を通過させウエハ（図示なし）上に到達させる。ここで、フラグファラデー４のイオンビーム５と近接する面４Ａは平面形状となっている。
【０００７】
この動作を繰り返すうちに、フラグファラデー４のイオンビーム５と近接する面４Ａは、イオンビーム５によりその構成母材（ステンレス）をスパッタされ最悪の場合、不純物としてウエハ上へ注入もしくは付着する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
上記した発塵に対する抑制方法としては、カーボン板等を用いてイオンビームでスパッタされる部分をシールドする方法が一般的であった。しかしながら、カーボン板等によるシールド方法では、基本的なイオンビームによるスパッタ現象を抑制するものではないため、カーボン板そのものをスパッタすることによるウエハ上へのカーボン汚染やスパッタが進行するにつれて下地材料（ステンレス）がむき出しになり、ステンレス鋼の主成分であるＦｅ，Ｃｒ，Ｎｉ等の重金属汚染が発生し、ＬＳＩのトランジスタ特性等に致命的な欠陥を形成すると共に製品の歩留まりを著しく低下させてしまう危険性がある。
【０００９】
そこで、本発明は、上記問題点を除去し、フラグファラデー形状を変更し、スパッタされる部分の面積を小さくする、またはカバーとして用いるカーボン板などの形状を変更し、スパッタされる部分の面積を小さくすることができるイオンビーム電流計測装置の構造を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記目的を達成するために、
〔１〕大電流イオン注入装置において、イオンビームと近接する面の形状をＲ形に構成し、イオンビームと接触する面積を低減する構造を有するイオンビーム電流計測装置を備える。
【００１１】
〔２〕大電流イオン注入装置において、イオンビーム電流計測装置と、前記イオンビーム電流計測装置のイオンビームと近接する面を保護し、イオンビームと近接する面の形状をＲ形に構成しイオンビームと接触する面積を低減する構造のシールドとを有する。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００１３】
図１は本発明の第１実施例を示す大電流イオン注入装置におけるフラグファラデーの構成を示す斜視図である。従来例と同じ部分には同じ符号を付してその説明は省略する。
【００１４】
まず、図１（ａ）に示すように、イオンビームセットアップ状態において、フラグファラデー４は、イオンビーム５を遮断し、内蔵のファラデーカップセンサによりビーム電流の計測を行っている。
【００１５】
その後、図１（ｂ）に示すように、インプラント処理を開始すると、フラグファラデー４は、所定の位置に移動し、分解アパーチャー６のスリット６ａを通り、イオンビーム５を通過させウエハ上に到達させる。
【００１６】
従来は、この動作を繰り返すうちに、フラグファラデー４のイオンビームと近接する面４Ｂは、イオンビームにより構成母材（ステンレス）をスパッタされ、最悪の場合、不純物としてウエハ上へ注入もしくは付着していた。
【００１７】
そこで、この実施例では、このスパッタ現象を抑制し、ウエハ上への汚染を防止するために、フラグファラデー４のイオンビーム５と近接する面４ＢをＲ面形状とする。
【００１８】
このように、フラグファラデー４の形状を変更することにより、イオンビーム５と近接する面４Ｂが平面からＲをもつ形状となり、イオンビーム５と接触する面積を格段に低減させることができる。つまり、フラグファラデー４の側面がイオンビームに対して面接触であったものを線接触させることができ、接触面積の低減により、スパッタ量を低減することができ、結果として不純物汚染量の抑制が可能となる。
【００１９】
次に、本発明の第２実施例について説明する。
【００２０】
図２は本発明の第２実施例を示す大電流イオン注入装置におけるフラグファラデーの構成を示す斜視図である。従来例と同じ部分には同じ符号を付してその説明は省略する。
【００２１】
フラグファラデー４のスパッタされる面をカーボン板などでシールドする方法を取る場合においても、イオンビーム５と近接する面が平面形状である以上スパッタは進行し、シールド材料による汚染また下地母材がむき出しになるまでスパッタが進行すると母材を構成する金属汚染が発生する。
【００２２】
そこで、そのシールド板の形状においてもフラグファラデー４同様に図２に示すように、Ｒを持たせた形状にすることにより、スパッタ面積の縮小化を図る。
【００２３】
つまり、Ｒ面４Ｄを有するシールド板４Ｃをフラグファラデー４の側面に設けるように構成する。
【００２４】
このように第２実施例によれば、スパッタ面積の縮小によって、シールド板４Ｃを構成する材料（カーボン等）による汚染を軽減することができる。
【００２５】
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これらを本発明の範囲から排除するものではない。
【００２６】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、次のような効果を奏することができる。
（Ａ）フラグファラデーの側面の形状をＲ面とすることにより、イオンビームと近接する面が平面からＲをもつ形状となり、ビームと接触する面積を格段に小さくすることができる。結果として不純物汚染量の抑制が可能となる。
（Ｂ）スパッタ面積の縮小によって、シールド板を構成する材料（カーボン等）による汚染が軽減される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施例を示す大電流イオン注入装置におけるフラグファラデーの構成を示す斜視図である。
【図２】本発明の第２実施例を示す大電流イオン注入装置におけるフラグファラデーの構成を示す斜視図である。
【図３】従来の大電流イオン注入装置におけるフラグファラデーの構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
１    固定部
２    ガイド板
３    駆動軸
４    フラグファラデー
４Ｂ    イオンビームと近接する面（Ｒ面形状）
４Ｃ    シールド板
４Ｄ    Ｒ面
５    イオンビーム
【図１】
0004566352.tif 000002
【図２】
0004566352.tif 000003
【図３】
0004566352.tif 000004