(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスク描画データに基づいて、実パターンに相当する等価パターンを生成し、上記等価パターンのデータに基づいて、マスクの吸収体となる膜の応力によるマスクの変形状態を事前に評価して、膜応力が原因とするパターンの位置ずれ精度が所定の許容範囲に納まる膜応力を、最適な膜応力として求める等価パターン計算手段と、
上記等価パターン計算手段において得られた最適な膜応力を有する膜を生成してブランクを作製するブランク作製手段と、
上記等価パターン計算手段において予測されたブランクの変形状態予測結果に基づいて描画誤差の補正を行いながら、上記ブランク上に原画パターンを描画する描画手段と、
上記描画手段において描画された原画パターンを用いてエッチングを行い、上記マスク上にパターンを形成するエッチング手段と、
上記エッチング手段によるパターン形成後の位置ずれの検査を行うパターン測定検査手段と
を備え、
上記等価パターン計算手段において計算される上記等価パターンは、実パターンと同じ体積を有し、パターンの被膜率に応じて膜の厚みが調整された等価パターンである
ことを特徴とするマスク製造システム。
【請求項２】
マスク描画データに基づいて、実パターンに相当する等価パターンを生成し、上記等価パターンのデータに基づいて、マスクの吸収体となる膜の応力によるマスクの変形状態を事前に評価して、膜応力が原因とするパターンの位置ずれ精度が所定の許容範囲に納まる膜応力を、最適な膜応力として求める等価パターン計算ステップと、
上記等価パターン計算ステップにおいて得られた最適な膜応力を有する膜を生成してブランクを作製するブランク作製ステップと、
上記等価パターン計算ステップにおいて予測されたブランクの変形状態予測結果に基づいて描画誤差の補正を行いながら、上記ブランク上に原画パターンを描画する描画ステップと、
上記描画ステップにおいて描画された原画パターンを用いてエッチングを行い、上記マスク上にパターンを形成するエッチングステップと、
上記エッチングステップによるパターン形成後の位置ずれの検査を行うパターン測定検査ステップと
を備え、
上記等価パターン計算ステップにおいて計算される上記等価パターンは、実パターンと同じ体積を有し、パターンの被膜率に応じて膜の厚みが調整された等価パターンである
ことを特徴とするマスク製造方法。
【請求項３】
マスク描画データに基づいて、実パターンに相当する等価パターンを生成し、上記等価パターンのデータに基づいて、マスクの吸収体となる膜の応力によるマスクの変形状態を事前に評価して、膜応力が原因とするパターンの位置ずれ精度が所定の許容範囲に納まる膜応力を、最適な膜応力として求める等価パターン計算ステップと、
上記等価パターン計算ステップにおいて得られた最適な膜応力を有する膜を生成してブランクを作製するブランク作製ステップと、
上記等価パターン計算ステップにおいて予測されたブランクの変形状態予測結果に基づいて描画誤差の補正を行いながら、上記ブランク上に原画パターンを描画する描画ステップと、
上記描画ステップにおいて描画された原画パターンを用いてエッチングを行い、上記マスク上にパターンを形成するエッチングステップと、
上記エッチングステップによるパターン形成後の位置ずれの検査を行うパターン測定検査ステップと
を備え、
上記等価パターン計算ステップにおいて計算される上記等価パターンは、実パターンと同じ体積を有し、パターンの被膜率に応じて膜の厚みが調整された等価パターンである
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、マスク製造システムに関し、特に、半導体集積回路を製造する転写（写真製版）技術のプロセスで用いるマスクの製造システム、マスクの製造方法、及び、それを用いた半導体製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体集積回路の性能を向上させるために転写技術に用いられる光の波長を短くすることが必要である。波長２４８ｎｍを用いたＫｒＦエキシマレーザ、１５７ｎｍのＡｒＦエキシマレーザ、１５７ｎｍのＦ２エキシマレーザ、１２６ｎｍのＡｒ２エキシマレーザ、さらに１３ｎｍの極端紫外線（ＥＵＶ）を用いた転写技術が検討されている。この他、メンブレンの基板をマスクとして用いる電子ビームプロジェクション転写（ＥＰＬ）技術が検討されている。転写技術に用いられるマスクも性能向上が要求されている。
【０００３】
従来、マスクの吸収体となる膜の応力にはあまり注意が払われていなかった。しかしながら、半導体の微細化が進むに従って、膜応力によるマスクパターンの位置ずれが、転写精度に影響を与える領域に接近してきた。生産現場に供給されるマスクのフラットネス（平坦化）も３００ｎｍから５００ｎｍの要求が求められている。そのため、マスクパターンの膜応力の制御が今後の重要な技術課題となりつつある。
【０００４】
図１（ｂ）は、従来のマスク製造システムの主幹をなすプロセスの概略を示している。図１（ｂ）においては省略されているが、実際にはマスク洗浄、欠陥検査、欠陥修正、レジスト除去などの各種重要プロセスが挿入されている。マスクの製造は、図１（ｂ）に示すように、まず、ステップＳ１０１のブランク作製から始まる。ここで重要なことは基板に異物が存在しないことであり、そのために基板の洗浄技術が必要不可欠となる。ブランク作製は、マスク基板上に吸収体となる膜の形成が目的である。通常、膜の形成はスパッタリングで行われる。しかしながら、極端に大きな内部応力の形成条件は避けられているが、微妙な応力制御は曖昧となっている。吸収体成膜の観点は、基板からの剥がれ、異物などの付着、その他異常などが現れないようにすることである。従って、ブランクは膜の応力により撓（たわ）んでいるのが現状である。しかも、膜の応力が同一でも、吸収体パターンの形状と配置によって、マスクの変形が異なる。ステップＳ１０１においてブランクを作製したら、次に、レジスト塗布後、ステップＳ１０３においてＥＢ描画（ＥＢ：電子ビーム）、現像処理を行い、その後、ステップＳ１０４において吸収体のエッチングを行う。
【０００５】
図１（ｂ）のステップＳ１０４のエッチングによるパターン形成後の位置ずれ精度がどの程度発生するか、上述のブランクの撓み（変形）からはその予測がなされていない。そのために、エッチング後のステップＳ１０５のパターン測定検査で不合格となるマスクが発生する。不合格となった原因が膜の応力でなく、ＥＢ描画で発生したものと現状においては考えられている。そのために、再び、ステップＳ１０１に戻り、ブランク作りから始めなければならない。しかしながら、実際は膜応力が大きな原因の一つであるが、そのことがまだ理解されていない。不合格となったその結果を、プロセスへフィードバックさせるということも考えられるが、このようなフィードバックを伴うプロセスは方法論としては有効であるが、フィードバックの回数が多いので労力と時間だけが浪費されていく。これが、マスクのコスト上昇の要因の一つとなっている。
【０００６】
このような要因に至る理由としては、マスクの構造に用いられる膜の応力とパターンの位置ずれの定量的な関係が確立されていないことが考えられる。理論的には、膜の応力とパターンの位置ずれは予測可能である。しかしながら、マスクパターンの位置ずれを予測するためには、弾性理論に基づいた厳密で複雑な偏微分方程式を解かなければならない。さらに、ラインとスペース（Ｌ＆Ｓ）の複雑な組み合わせからなる実パターンを計算機上で厳密に発生させて、吸収体パターンの膜応力のパターン位置ずれに及ぼす影響を計算することは事実上不可能に近い。計算機でパターン位置ずれを予測できない主な原因は後者の理由が一番大きい。
【０００７】
今後のマスクは転写精度と解像力を高めるために、マスク基板と吸収体との中間に入射光の位相や反射率などを制御するための機能性を有した膜が挿入される。例えば、ＫｒＦエキシマレーザを用いた転写技術では位相シフトマスクとして基板と吸収体との間にシフタが形成されている。ＥＵＶ転写技術で用いられるマスクには基板と吸収体との間にＭｏ／Ｓｉの多層膜が形成されている。ＥＰＬ転写技術ではＳｉメンブレン上にＷ（タングステン）などの重金属が電子ビームの散乱吸収体パターンとして形成される。これらの薄膜はいずれもスパッタリングよる成膜技術を用いて形成される。スパッタリングによる成膜技術が用いられる大きな理由はガス圧力などの調整で薄膜の応力制御が可能となる点である。これらの機能性の膜には吸収体としての高いパターン位置精度が要求されるので、内部応力の制御が一層重要となる。
【０００８】
このように、次々世代のマスクは基板と吸収体の構造から機能性の膜が付加された多層構造あるいはメンブレン構造になることが予想される。多層膜から構成される先端マスクを、要求される精度で供給するためには、マスクを構成する各種膜に発生する内部応力の最適化が必要である。すなわち、膜の応力制御は緊急を要する重要課題である。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように、現状においては、マスクの吸収体となる膜の応力とパターンの位置ずれの関係が理解されていないため、ブランクの変形からどの程度のパターンの位置ずれが発生するか予測できないため、要求される精度でのマスクの製造が困難であり、エッチング後のパターン測定検査で不合格となるマスクが多く発生してしまうという問題点があった。
【００１０】
また、不合格となった原因が、膜の応力でなく、ＥＢ描画で発生したものと考えられているため、再び同じ膜応力でブランク作製から始めてしまうため、歩留まりを効率よく向上させることが出来ないまま、労力と時間だけを浪費してしまい、その結果、マスクのコストが高くなってしまうという問題点があった。
【００１１】
この発明はかかる問題点を解決するためになされたものであり、最適な膜応力でブランクを作製し、短時間、低コストで、高精度なマスクを製造することを可能にするマスク製造システム、マスク製造方法、及び、それを用いた半導体装置の製造方法を得ることを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
この発明は、マスク描画データに基づいて、実パターンに相当する等価パターンを生成し、上記等価パターンのデータに基づいて、マスクの吸収体となる膜の応力によるマスクの変形状態を事前に評価して、膜応力が原因とするパターンの位置ずれ精度が所定の許容範囲に納まる膜応力を、最適な膜応力として求める等価パターン計算手段と、上記等価パターン計算手段において得られた最適な膜応力を有する膜を生成してブランクを作製するブランク作製手段と、上記等価パターン計算手段において予測されたブランクの変形状態予測結果に基づいて描画誤差の補正を行いながら、上記ブランク上に原画パターンを描画する描画手段と、上記描画手段において描画された原画パターンを用いてエッチングを行い、上記マスク上にパターンを形成するエッチング手段と、上記エッチング手段によるパターン形成後の位置ずれの検査を行うパターン測定検査手段とを備え、上記等価パターン計算手段において計算される上記等価パターンは、実パターンと同じ体積を有し、パターンの被膜率に応じて膜の厚みが調整された等価パターンであることを特徴とするマスク製造システムである。
【００１４】
また、この発明は、マスク描画データに基づいて、実パターンに相当する等価パターンを生成し、上記等価パターンのデータに基づいて、マスクの吸収体となる膜の応力によるマスクの変形状態を事前に評価して、膜応力が原因とするパターンの位置ずれ精度が所定の許容範囲に納まる膜応力を、最適な膜応力として求める等価パターン計算ステップと、上記等価パターン計算ステップにおいて得られた最適な膜応力を有する膜を生成してブランクを作製するブランク作製ステップと、上記等価パターン計算ステップにおいて予測されたブランクの変形状態予測結果に基づいて描画誤差の補正を行いながら、上記ブランク上に原画パターンを描画する描画ステップと、上記描画ステップにおいて描画された原画パターンを用いてエッチングを行い、上記マスク上にパターンを形成するエッチングステップと、上記エッチングステップによるパターン形成後の位置ずれの検査を行うパターン測定検査ステップとを備え、上記等価パターン計算ステップにおいて計算される上記等価パターンは、実パターンと同じ体積を有し、パターンの被膜率に応じて膜の厚みが調整された等価パターンであることを特徴とするマスク製造方法である。
【００１６】
また、この発明は、マスク描画データに基づいて、実パターンに相当する等価パターンを生成し、上記等価パターンのデータに基づいて、マスクの吸収体となる膜の応力によるマスクの変形状態を事前に評価して、膜応力が原因とするパターンの位置ずれ精度が所定の許容範囲に納まる膜応力を、最適な膜応力として求める等価パターン計算ステップと、上記等価パターン計算ステップにおいて得られた最適な膜応力を有する膜を生成してブランクを作製するブランク作製ステップと、上記等価パターン計算ステップにおいて予測されたブランクの変形状態予測結果に基づいて描画誤差の補正を行いながら、上記ブランク上に原画パターンを描画する描画ステップと、上記描画ステップにおいて描画された原画パターンを用いてエッチングを行い、上記マスク上にパターンを形成するエッチングステップと、上記エッチングステップによるパターン形成後の位置ずれの検査を行うパターン測定検査ステップとを備え、上記等価パターン計算ステップにおいて計算される上記等価パターンは、実パターンと同じ体積を有し、パターンの被膜率に応じて膜の厚みが調整された等価パターンであることを特徴とする半導体装置の製造方法である。
【００１８】
【発明の実施の形態】
実施の形態１．
図１（ａ）は、本発明のマスク製造システムの処理の流れ（すなわち、本発明のマスク製造方法）を示した流れ図である。図において、ステップＳ１は、マスクブランク作製のために、マスク描画データに基づいて実際のマスクの複雑な実パターンの集合に相当する等価でかつ簡単な等価パターンを生成し、等価パターンのデータに基づいて、マスクの吸収体となる膜の応力によるマスクの変形状態を事前に評価して、最適な膜応力を求める等価パターン計算ステップである。なお、等価パターン計算ステップにおいて計算される等価パターンは、実パターンと同じ体積を有し、パターンの被膜率に応じて膜の厚みが調整された等価パターンである。ステップＳ２は、上記等価パターン計算ステップにおいて得られた最適な膜応力を有する膜を生成してブランクを作製するブランク作製ステップである。ステップＳ３は、上記等価パターン計算ステップにおいて予測されたブランクの変形状態予測結果に基づいて描画誤差の補正を行いながら、上記ブランク上に原画パターンを描画する描画ステップである。ステップＳ４は、上記描画ステップにおいて描画された原画パターンを用いてエッチングを行ってマスク上にパターンを形成するエッチングステップである。ステップＳ５は、上記エッチングステップによるパターン形成後の位置ずれの検査を行うパターン測定検査ステップである。
【００１９】
膜応力によるマスクの変形のシミュレーションプログラムは市販の有限要素法を用いたソフトとして入手可能である。ここでは、実施の形態として、ＥＵＶ転写技術で用いられるマスクの膜応力による変形に関して有限差分法を用いたシミュレーションプログラムを開発した。Ｍｏ／Ｓｉ多層膜と吸収体の内部応力でマスク基板は曲げモーメントを受けて撓みとパターン位置ずれ誤差を生じる。実マスク上の実際のパターン配置はＬ＆Ｓの複雑な組み合わせである。Ｌ＆Ｓを計算機上で厳密に再現することは不可能ではないが、計算機の能力すなわち処理時間の問題となる。
【００２０】
本発明では、図１のステップＳ１の等価パターン計算ステップにおいて、実際のＬ＆Ｓを一つのブロックパターンと仮定して、体積が同じになるようにブロックパターンの膜厚を調整する。この等価パターン計算ステップでは、吸収体や機能性膜などの膜応力によるマスクの変形を計算する特長がある。Ｌ＆Ｓパターンを厳密に再現したシミュレーションとブロックパターンをベースとしたシミュレーションをマスク面内のパターン位置ずれ誤差として、それの二乗平均（ｒｍｓ）、最大値（ｍａｘ）、平均値（average）、及び、撓みの最大値で比較した。
【００２１】
図２はＬ＆Ｓの厳密モデル（実モデル）とブロックモデル（等価モデル）の比較を示している。縦軸の相対誤差は厳密モデルとブロックモデルとの差（誤差）の絶対値を厳密モデルで割った１００分率で定義される。この比較結果から明らかなように、Ｌ＆Ｓの厳密モデルとブロックモデルの計算結果の誤差は５％以下に納まっている。これは、体積が同じになるように吸収体パターン膜の厚みを調整したブロックモデルがＬ＆Ｓモデルの等価モデルとして有効であることを示している。
【００２２】
コンタクトホール系のパターンに対しても同じような比較を行った。図３はコンタクトホールの厳密モデル（実モデル）とブロックモデル（等価モデル）の比較結果を示している。計算結果から明らかなようにブロックモデルは５％以下の誤差で厳密モデルと同じ結果を示している。これはブロックモデルは等価モデルとして有効であることを示している。
【００２３】
これらの計算結果より本発明の主幹を成す等価パターン計算の基本となっている弾性計算のモデルは厳密なＬ＆Ｓや多くのホールをＣＡＤ上で発生しなくても等価パターンで精度よく計算できることを証明している。
【００２４】
このモデルを用いればＬ＆Ｓとコンタクトホール系の組み合わさったマスクパターンの膜応力の最適化に応用できる。厳密なモデルではマスク平面上の単位分割サイズは少なくとも最小線幅及び最小ホールの寸法と同じでなければならない。これは計算するポイントの増加を意味しており、その数に比例する連立代数方程式を解くことを意味している。すなわち、厳密モデルでは非常に多くの連立方程式を解くために、膨大な計算時間を必要とする。これは、処理終了までの待ち時間を考えると、実験においては最適化を行う方が、比較的に早く結果が得られる。これではシミュレーションの存在意義が全く失われる。
【００２５】
一方、本発明の等価パターンを用いたシミュレーションでは厳密なモデルに比べて単位分割サイズを大きくできるので、合理的な計算時間の範囲で結果を示すことができる。これはマスクの膜応力の最適化が迅速に行える利点があることを意味している。
【００２６】
次にこの等価パターン計算を適用した膜応力の最適化システムの説明をする。図１（ａ）は、本発明のマスク製造システムの動作の概略を示している。マスク描画データにはＬ＆Ｓやコンタクトホールなどの描画に関する基本情報が含まれている。この情報に基づいて、ステップＳ１において、等価パターンの大きさや膜の厚みを求め、求められた等価パターンのデータに基づいて、要求されるパターンの位置ずれ精度が満たされる膜応力、すなわち、パターンの位置ずれ精度が許容範囲に納まる膜応力を求める。ステップＳ１の等価パターン計算では、被膜率１００％の状態と吸収体がエッチングされてパターンが形成された状態のそれぞれの変形状態が判明することになり、膜応力とマスク変形の定量的関係が明らかになる。機能性膜や吸収体の厚みあるいは内部応力を与えることで様々な状況におけるマスクの変形状態が予測できる。要求されるマスクの精度が満たされる機能性膜や吸収体の各内部応力がこのように求められる。等価パターン計算で各膜の最適応力が求められたら、ステップＳ２において、成膜装置によりマスク基板上に最適応力を目標として各膜を形成して、ブランクを作製する。
【００２７】
ここで、図１（ａ）においては図示されていないが、ブランクに機能性膜を形成する前に必然的に基板の洗浄が必要不可欠となる。洗浄後は基板に所要の内部応力を有する機能成膜を形成する。ブランクにレジスト塗布（図示省略）後、ステップＳ３のＥＢ描画、現像処理（図示省略）を行い、その後、ステップＳ４の吸収体のエッチングを行う。ＥＢ描画される時のブランクの変形状態は、予め、ステップＳ１の等価パターン計算で予測されていることなので、描画誤差の補正が容易となる。吸収体のエッチングに関しては、事前に最適なエッチング条件が確立されていることを前提とする。
【００２８】
したがって、本発明においては膜応力が原因とする位置ずれ誤差が許容範囲に納まっているように膜応力の制御が行われているので、ステップＳ５のパターン測定検査では１００％合格となる。これは従来のフィードバックプロセスを不要とするので、マスク製造の時間短縮とコスト削減に大きく貢献する。さらには、不合格となるマスクが製造されないことが保証されているので、本発明のシステムにおけるステップＳ５のパターン測定検査も不要とすることができる。これはマスク製造の時間短縮とコスト削減にさらに大きく寄与する。
【００２９】
ただし、本発明のシステムが１００％機能するためには、少なくとも、成膜装置における応力制御が可能となるために、成膜条件と各膜の内部応力との関係を明確に確立してデータベースとして構築する必要がある。
【００３０】
以上のように、本発明のマスク製造システムにおいては、マスクを構成する各種膜の応力による変形状態を予測する計算プログラムから、要求されるマスクのパターン位置精度を満たすことのできる膜応力が計算機上で明らかになるので、その最適な膜応力を目標としてマスクブランクを製造することにより、マスクのパターン位置精度を許容範囲に納めることができるので、実験による苦労が軽減され、作業環境が改善されるとともに、短時間、低コストで、高精度のマスクを製造することができ、歩留まりを大幅に向上させることができる。
【００３１】
また、複雑な実パターンを等価パターンに置き換えたモデルを用いて、各種膜の応力によるマスクの変形状態を予測するようにしたので、計算機における計算時間を短くすることができ、低コストかつ迅速に結果が得られるので、マスクの開発が促進される。
【００３２】
また、最先端マスクが短時間、低コストで製造が可能となることから半導体チップのコストも下げられるので、高度情報化社会の実現に大きく寄与できる。
【００３３】
実施の形態２．
図４は、本発明の半導体装置の製造方法を示す説明図である。本発明の半導体装置の製造方法は、図４に示すように、上述した実施の形態１で説明した本発明のマスク製造システム及びマスク製造方法を用いて製造したマスク１を、所定の露光装置２に搭載して行う。照射装置３から出射した電子ビーム４は、マスク１に照射され、マスク１を透過した電子ビーム５は露光装置２を介して電子ビーム６となり、例えばシリコンウエハ等から構成されるウエハ７に対して、マスク１に形成されたパターンの像を結像する。これにより、ウエハ７に塗布されているレジスト（図示せず）が感光され、微細な回路パターンが生成される。
【００３４】
以上のように、本実施の形態における半導体装置の製造方法においては、実施の形態１で示した製造システム及び製造方法により製造されたマスクを用いて半導体装置を生成するので、短時間、低コストで、高精度の半導体装置を製造することができ、歩留まりを大幅に向上させることができる。
【００３５】
【発明の効果】
この発明は、マスク描画データに基づいて、実パターンに相当する等価パターンを生成し、上記等価パターンのデータに基づいて、マスクの吸収体となる膜の応力によるマスクの変形状態を事前に評価して、膜応力が原因とするパターンの位置ずれ精度が所定の許容範囲に納まる膜応力を、最適な膜応力として求める等価パターン計算手段と、上記等価パターン計算手段において得られた最適な膜応力を有する膜を生成してブランクを作製するブランク作製手段と、上記等価パターン計算手段において予測されたブランクの変形状態予測結果に基づいて描画誤差の補正を行いながら、上記ブランク上に原画パターンを描画する描画手段と、上記描画手段において描画された原画パターンを用いてエッチングを行い、上記マスク上にパターンを形成するエッチング手段と、上記エッチング手段によるパターン形成後の位置ずれの検査を行うパターン測定検査手段とを備え、上記等価パターン計算手段において計算される上記等価パターンは、実パターンと同じ体積を有し、パターンの被膜率に応じて膜の厚みが調整された等価パターンであることを特徴とするマスク製造システムであるので、最適な膜応力でブランクを作製し、短時間、低コストで、高精度のマスクを製造することを可能にする。また、等価パターン計算手段において計算される等価パターンは、実パターンと同じ体積を有し、パターンの被膜率に応じて膜の厚みが調整された等価パターンであるので、計算時間を短くすることができるので、低コスト、かつ、迅速に結果が得られる。
【００３７】
また、この発明は、マスク描画データに基づいて、実パターンに相当する等価パターンを生成し、上記等価パターンのデータに基づいて、マスクの吸収体となる膜の応力によるマスクの変形状態を事前に評価して、膜応力が原因とするパターンの位置ずれ精度が所定の許容範囲に納まる膜応力を、最適な膜応力として求める等価パターン計算ステップと、上記等価パターン計算ステップにおいて得られた最適な膜応力を有する膜を生成してブランクを作製するブランク作製ステップと、上記等価パターン計算ステップにおいて予測されたブランクの変形状態予測結果に基づいて描画誤差の補正を行いながら、上記ブランク上に原画パターンを描画する描画ステップと、上記描画ステップにおいて描画された原画パターンを用いてエッチングを行い、上記マスク上にパターンを形成するエッチングステップと、上記エッチングステップによるパターン形成後の位置ずれの検査を行うパターン測定検査ステップとを備え、上記等価パターン計算ステップにおいて計算される上記等価パターンは、実パターンと同じ体積を有し、パターンの被膜率に応じて膜の厚みが調整された等価パターンであることを特徴とするマスク製造システム及び半導体装置の製造方法であるので、最適な膜応力でブランクを作製し、短時間、低コストで、高精度なマスク及び半導体装置を製造することを可能にする。また、等価パターン計算手段において計算される等価パターンは、実パターンと同じ体積を有し、パターンの被膜率に応じて膜の厚みが調整された等価パターンであるので、計算時間を短くすることができるので、低コスト、かつ、迅速に結果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明のマスク製造システムと従来のマスク製造システムの処理の流れをそれぞれ示した流れ図である。
【図２】  Ｌ＆Ｓパターンにおける厳密モデルと本発明の等価モデルの相対誤差のグラフを示した説明図である。
【図３】  ホールパターンにおける厳密モデルと本発明の等価モデルの相対誤差のグラフを示した説明図である。
【図４】  本発明の半導体装置の製造方法を示した説明図である。
【符号の説明】
１  マスク、２  露光装置、３  照射装置、４，５，６  電子ビーム、７  ウエハ、Ｓ１  等価パターン計算、Ｓ２，Ｓ１０１  ブランク作製、Ｓ３，Ｓ１０３  ＥＢ描画、Ｓ４，Ｓ１０４  エッチング、Ｓ５，Ｓ１０５  測定検査、Ｓ１０２  マスク描画データ。
【図１】
0004510328.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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