(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、アノード電極と、カソード電極と、これらの間にある有機ＥＬ層とで構成された有機ＥＬ素子が形成された表示パネルにおいて、
前記基板上にそれぞれ形成され、流れる電流の量に応じて表示状態が変化し、互いに表示面積が同じである複数の前記有機ＥＬ素子と、
前記基板上に、前記アノード電極にそれぞれ接続されるように、前記アノード電極となる材料からなり、前記アノード電極を形成するときにそれぞれ同時に形成された複数のアノード配線部を有する複数の配線と、を備え、
前記複数の配線には、前記複数のアノード配線部のうちの少なくとも一部に、前記カソード電極となる材料からなり、前記カソード電極を形成するときに同時に形成されたカソード配線部が積層され、
前記カソード配線部の積層の調整によって、前記複数の配線は、それぞれ端部から所定の電圧信号を与えたときに、対応する有機ＥＬ素子との合成抵抗が互いに等しくなるようにそれぞれ形成されていることを特徴とする表示パネル。
【請求項２】
前記複数の配線は、それぞれ端部から対応する有機ＥＬ素子までの長さに従って、その幅が決められている
ことを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
【請求項３】
前記複数の有機ＥＬ素子は、対応する配線の端部から所定の電圧信号を与えたときの抵抗値が互いに等しく、
前記複数の配線は、前記カソード配線部が積層されていない部分の抵抗値が互いに同一である
ことを特徴とする請求項１または２に記載の表示パネル。
【請求項４】
前記複数の配線は、前記カソード配線部が積層されていない部分の長さと断面積が互いに同一である
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の表示パネル。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、表示パネルに関し、特にそこに形成された表示素子の電極に信号を供給するための配線の構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、平面型表示パネルの表示方法としては、大きく分類してセグメントによるピクト表示と、複数の画素をマトリクス状に形成したドットマトリクス表示がある。また、表示パネル上に形成する表示素子としては、有機ＥＬ素子のような自発光型の表示素子と、液晶表示素子のような受動型の表示素子とがある。
【０００３】
図６は、従来のピクト表示を行うための有機ＥＬパネルの構造を、層毎に分解して示す図である。図示するように、この有機ＥＬパネルは、基板１１上に、透明のＩＴＯからなり、ピクト表示部１２ａ、１２ｂ、配線部１２ｃ、１２ｄ及び外部接続部１２ｉを含む透明電極層１２と、有機ＥＬ層１３と、Ａｌなどの金属材料からなるカソード電極１４ａとが積層されて形成されている。
【０００４】
ピクト表示部１２ａ、１２ｂは、有機ＥＬ素子のアノード電極となるもので、これに対向するカソード電極１４ａと、これらの間にある有機ＥＬ層１３とで、それぞれ有機ＥＬ素子を構成する。カソード電極１４ａは、外部接続部１２ｉを介して接地されている。配線部１２ｃ、１２ｄの端部に外部から電源電圧Ｖｄｄが供給されると、ピクト表示部１２ａ、１２ｂに対応する部分の有機ＥＬ層１３に電流が流れ、発光することによって、ピクト表示がなされる。有機ＥＬ層１３の発光輝度（ｃｄ／ｍ２）は、有機ＥＬ層１３の単位面積あたりに流れる電流、つまり電流密度に依存される。ピクト表示部１２ａ、１２ｂともに電源電圧Ｖｄｄを印加したときの、相関関係は、次の数式２で表される。
【０００５】
【数２】
Ｉ１２ａ／Ａ１２ａ＝Ｉ１２ｂ／Ａ１２ｂ
但し、Ｉ１２ａ、Ｉ１２ｂは、それぞれピクト表示部１２ａ、１２ｂの有機ＥＬ層１３を流れる電流、Ａ１２ａ、Ａ１２ｂは、それぞれピクト表示部１２ａ、１２ｂの発光面積である。
【０００６】
したがって、ピクト表示部１２ａ、１２ｂの発光面積が異なっても、ともに等しい電源電圧Ｖｄｄすれば電流密度は一致するため、発光輝度は等しくなる。
【０００７】
ところが、従来の有機ＥＬパネルでは、これら２つのピクト表示の明るさに差異が生じてしまうという問題があった。すなわち、配線部１２ｃ、１２ｄは、電源電圧Ｖｄｄが供給される端部の位置からピクト表示部１２ａ、１２ｂまでの長さが互いに異なるため、抵抗値が異なっており、ピクト表示部での有機ＥＬ層１３の電流密度は配線部の長さに応じて逓減するため、長い方の配線部に接続されたピクト表示部では、発光輝度が低くなってしまう。しかも、配線部１２ｃ、１２ｄを構成するＩＴＯは、カソード電極１４ａを構成する導電材料よりも比較的シート抵抗が大きいため、この抵抗値の違いが無視できないものとなるためである。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記従来技術の問題点を解消するためになされたものであり、異なる位置にある複数の表示素子において、同様の表示状態を得ることのできる表示パネルを提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明の第１の観点にかかる表示パネルは、
基板上に、アノード電極と、カソード電極と、これらの間にある有機ＥＬ層とで構成された有機ＥＬ素子が形成された表示パネルにおいて、
前記基板上にそれぞれ形成され、流れる電流の量に応じて表示状態が変化し、互いに表示面積が同じである複数の前記有機ＥＬ素子と、
前記基板上に、前記アノード電極にそれぞれ接続されるように、前記アノード電極となる材料からなり、前記アノード電極を形成するときにそれぞれ同時に形成された複数のアノード配線部を有する複数の配線と、を備え、
前記複数の配線には、前記複数のアノード配線部のうちの少なくとも一部に、前記カソード電極となる材料からなり、前記カソード電極を形成するときに同時に形成されたカソード配線部が積層され、
前記カソード配線部の積層の調整によって、前記複数の配線は、それぞれ端部から所定の電圧信号を与えたときに、対応する有機ＥＬ素子との合成抵抗が互いに等しくなるようにそれぞれ形成されていることを特徴とする。
【００１１】
上記第１の観点にかかる表示パネルでは、各表示素子の位置の違いによって端部からの配線の長さに応じて配線の幅を変えることにより各表示素子に流れる電流を実質的に同じにすることができる。また、複数の表示素子の各表面積が異なっても同様の効果を得ることができる。
【００１２】
上記第１の観点にかかる表示パネルにおいて、
前記複数の配線は、それぞれ端部から対応する有機ＥＬ素子までの長さに従って、その幅が決められたものであってもよい。
【００１４】
この場合において、
前記複数の有機ＥＬ素子は、対応する配線の端部から所定の電圧信号を与えたときの抵抗値が互いに等しいものであってもよく、
前記複数の配線は、前記カソード配線部が積層されていない部分の抵抗値を互いに同一にすることができる。
【００１５】
さらに、前記複数の配線は、前記カソード配線部が積層されていない部分の長さと断面積が互いに同一であってもよい。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。
【００１７】
［第１の実施の形態］
図１は、この実施の形態にかかる有機ＥＬパネルの構造を、層毎に分解して示す図である。図示するように、この有機ＥＬパネルは、透明の基板１上に、透明電極層２と、有機ＥＬ層３と、金属電極層４とが積層されて形成されている。
【００１８】
透明電極層２は、厚さが一様のＩＴＯ（Indium Tin Oxide）によって構成され、ピクト表示部２ａ、２ｂと、その端部からピクト表示部２ａ、２ｂにそれぞれ電源電圧Ｖｄｄを供給するための配線部２ｃ、２ｄと、接地された外部接続部２ｉとを含む。ピクト表示部２ａ、２ｂは、同一形状であってもなくてもなくてもよく、また、発光面積が異なっていてもよい。これらは、有機ＥＬ素子のアノード電極となり、それぞれ面積をＡａ、Ａｂとする。
【００１９】
また、配線部２ｃ、２ｄは、互いに後述するような関係を満たす幅及び長さで形成され、長さ方向における配線部２ｃの幅は一定で且つ配線部２ｃの長さ方向と直交する方向における断面積は一定であり、長さ方向における配線部２ｄの幅は一定で且つ配線部２ｄの長さ方向と直交する方向における断面積は一定である。なお、図において、配線部２ｃ、２ｄは、ピクト表示部２ａ、２ｂとの区別が付けやすいように、網掛けしているが、同一導電膜をパターニングにすることにより得られるため、材質、材質の特性及び厚さ共に変わるところはない。
【００２０】
有機ＥＬ層３は、少なくともピクト表示部２ａ、２ｂを覆い、外部接続部２ｉを覆わないように、基板１及び透明電極層２の上に形成されている。有機ＥＬ層３は、これを流れる電流の量に応じて発光するもので、例えば、透明電極層２から金属電極層４の側に向けて正孔輸送層、発光層が積層されてなる。このような有機ＥＬ層３では、正孔輸送層に注入された正孔と電子輸送層を兼ねた発光層に注入された電子とが再結合するときのエネルギーを吸収することで、発光層が発光するものである。
【００２１】
金属電極層４は、有機ＥＬ層３を介してピクト表示部２ａ、２ｂを覆うが、配線部２ａ、２ｂを覆わないように、また、有機ＥＬ層３から一部はみ出して外部接続部２ｉに接続するカソード電極部４ａを形成している。金属電極層４は、有機ＥＬ層３に電子を注入しやすいように、仕事関数の低い金属（例えばＣａ−Ａｌ合金）によって構成されている。このような金属膜で構成されるため、カソード電極部４ａのシート抵抗は十分に低い。
【００２２】
以上のような積層構造において、アノード電極となるピクト表示部２ａ、２ｂと、これに対向するカソード電極部４ａ、さらにその間の有機ＥＬ層３によって、２つのピクト表示を行う有機ＥＬ素子が構成される。これらの有機ＥＬ素子は、有機ＥＬ層３を流れる電流の量によって発光する電流駆動型の発光素子である。
【００２３】
ピクト表示部２ａとカソード電極４ａとの間に電圧Ｖｄｄが印加されるときにピクト表示部２ａとカソード電極４ａとの間を流れる電流をＩａ、ピクト表示部２ａでの有機ＥＬ層３の厚さ方向における抵抗（アノード電極２ａとカソード電極４ａとの間の抵抗）をＲＥａ、配線部２ｃとピクト表示部２ａとの合成抵抗をＲ２ａとすると、キルヒホッフの第１の法則により電圧Ｖｄｄは数式４で表される。
【００２４】
【数４】
Ｖｄｄ＝（ＲＥａ＋Ｒ２ａ）×Ｉａ
ただし、ピクト表示部２ａ（ＩＴＯ）の厚さ方向の抵抗は、抵抗ＲＥａに比べて遙かに小さいので無視してもよい。
【００２５】
同様に、ピクト表示部２ｂとカソード電極４ａとの間に電圧Ｖｄｄが印加されるときにピクト表示部２ｂとカソード電極４ａとの間を流れる電流をＩｂ、ピクト表示部２ｂでの有機ＥＬ層３の厚さ方向における抵抗（アノード電極２ｂとカソード電極４ａとの間の抵抗）をＲＥｂとすると、配線部２ｄとピクト表示部２ｂとの合成抵抗Ｒ２ｂは、次の数式５で表される。
【００２６】
【数５】
Ｒ２ｂ＝Ｖｄｄ／Ｉｂ−ＲＥｂ
ただし、ピクト表示部２ｂの厚さ方向の抵抗は、抵抗ＲＥｂに比べて遙かに小さいので無視してもよい。
【００２７】
このとき、ピクト表示部２ａ、２ｂでの発光輝度を等しくするためには、同一電圧を印加すればよいので、ピクト表示部２ｂとカソード電極４ａとの間を流れる電流をＩｂは、数式６で示すものとなる。
【数６】
Ｉｂ＝Ｉａ×ＲＥａ／ＲＥｂ
【００２８】
ここで、ピクト表示部２ａ、２ｂにおける有機ＥＬ層３の抵抗ＲＥａ、ＲＥｂは、それぞれ次の数式７で表される。
【数７】
ＲＥａ＝ρＥ×ｔＥ／Ａａ
ＲＥｂ＝ρＥ×ｔＥ／Ａｂ
但し、ρＥ、ｔＥはそれぞれ有機ＥＬ層３の抵抗率、有機ＥＬ層３の膜厚である。
【００２９】
以上の数式４〜数式７を整理すると、ピクト表示部２ｂにおける抵抗ＲＥｂは、次の数式８で表される。
【数８】
ＲＥｂ＝ＲＥａ×Ａａ／Ａｂ
【００３０】
数式５に数式６、数式８を挿入すると、次の数式９が得られる。
【数９】
Ｒ２ｂ＝（Ｖｄｄ／Ｉａ−ＲＥａ）（Ａａ／Ａｂ）
【００３１】
次に、配線部２ｃ、２ｄについて説明する。配線部２ｃ、２ｄは、これらを形成する透明電極層２が厚さ一様に形成されているため、同じ厚さであり、これをｄITOとする。また、配線部２ｃ、２ｄのピクト表示部２ａ、２ｂまでの長さをそれぞれＬ２ａ、Ｌ２ｂとするが、これらはピクト表示部２ａ、２ｂが形成された位置によって決められるものである。また、幅をそれぞれＷ２ａ、Ｗ２ｂとする。すると、配線部２ｃ、２ｄの抵抗値Ｒ２ａ、Ｒ２ｂは、次の数式１０で表される。
【００３２】
【数１０】
Ｒ２ａ＝ρITO×Ｌ２ａ／（Ｗ２ａ×ｄITO）
Ｒ２ｂ＝ρITO×Ｌ２ｂ／（Ｗ２ｂ×ｄITO）
但し、ρITOは、ＩＴＯの抵抗率である。
【００３３】
ピクト表示部２ａ、２ｂのシート抵抗は所定値Ｒｓは、Ｒｓ＝ρITO／ｄITOと設定されているので、すなわち、配線２ｄの幅Ｗ２ｂは、次の数式１１で示すものとなる。
【数１１】
Ｗ２ｂ＝Ｒｓ×Ｌ２ｂ／Ｒ２ｂ
【００３４】
数式１１より、次の数式１２の通りになる。
【数１２】
Ｗ２ｂ＝Ｒｓ×Ｌ２ｂ／（Ｖｄｄ／Ｉａ−ＲＥａ）（Ａａ／Ａｂ）
【００３５】
このように配線部２ｄの幅Ｗ２ｂは、配線部２ｃ及びピクト表示部２ａに流れる電流、ピクト表示部２ａの抵抗、印加電圧、ピクト表示部２ａ、２ｂの発光面積、配線部２ｄの配線距離が設定することにより自動的に決定することができる。
【００３６】
したがって、各配線部の長さと、各配線部に供給する電圧、各配線部に接続された表示部の発光面積と、配線部のシート抵抗、１つのピクト表示部の有機ＥＬ層の厚さ方向における抵抗値、１つのピクト表示部に流れる電流が決定されれば、残り全ての配線部の配線を、実質的に数式１２に従って設定することができる。これにより、全てのピクト表示部の発光輝度を等しくすることができる。さらに、定電圧駆動なので画素面積に応じて電圧を変えて供給する必要がなく、駆動回路をコンパクトにすることができる。
【００３７】
なお、図１に示した有機ＥＬパネルは、金属電極層４の酸化によるダークスポットの成長を防ぐため、空気及び水分に触れないよう、封止部材による封止がなされる。図２は、封止部材によって封止した有機ＥＬパネルの構造を示す断面図である。図示するように、基板１上に透明電極層２、有機ＥＬ層３及び金属電極層４を積層して形成したものを、配線部２ｃ、２ｄ及び外部接続部２ｉの端部を除いて、保護層５で覆い、さらに緩衝層６で覆っている。
【００３８】
保護層５は、各種金属の酸化物、窒化物または硫化物、もしくは各種のポリマーなどの材料（但し、いずれの場合も絶縁体で、水分や空気の侵入を防ぐことのできるものに限る）によって構成され、気相製膜法や蒸着重合法を用いて形成されてる。保護層５は、上記した材料の単層によるものであってもよく、複数の材料を積層して形成したものであってもよい。
【００３９】
緩衝層６は、水分や空気の侵入を防ぐことのできる、低粘度（１〜１００００mPa・s程度）の光硬化性樹脂によって構成され、例えば、スプレーコート、ディップコート、スピンコート、カーテンコートなどの印刷技術を用いて、０．１〜５０００μｍ程度の厚さに製膜される。緩衝層６は、外部から照射した光、或いは配線部２ｃ、２ｄから電圧信号を供給することで有機ＥＬ層３が発した光によって硬化させられている。
【００４０】
［第２の実施の形態］
図３は、この実施の形態にかかる有機ＥＬパネルの構造を、層毎に分解して示す図である。図示するように、この有機ＥＬパネルも、透明の基板１上に、透明電極層２と、有機ＥＬ層３と、金属電極層４とが積層されて形成されている。
【００４１】
透明電極層２は、厚さが一様のＩＴＯ（Indium Tin Oxide）によって構成され、ピクト表示部２ａ、２ｂと、その端部からピクト表示部２ａ、２ｂにそれぞれ電源電圧Ｖｄｄを供給するための配線部２ｅ〜２ｈと、接地された外部接続部２ｉとを含む。ピクト表示部２ａ、２ｂは、同一形状に形成されてており、有機ＥＬ素子のアノード電極となる。配線部２ｅ、２ｇは、その幅及び長さが等しい。配線部２ｆ、２ｈは、後述する配線部４ｂ、４ｃが積層される部分である。なお、図において、配線部２ｅ、２ｇは網掛けし、配線部２ｆ、２ｈは斜線を表示しているが、これは互いの区別を付けやすくするためのもので、材質及び厚さ共に変わるところはない。
【００４２】
有機ＥＬ層３は、少なくともピクト表示部２ａ、２ｂを覆い、配線部２ｆ、２ｈ及び外部接続部２ｉを覆わないように、基板１及び透明電極層２の上に形成されている。有機ＥＬ層３は、これを流れる電流の量に応じて発光するもので、第１の実施の形態と同様、例えば、透明電極層２から金属電極層４の側に向けて正孔輸送層、及び電子輸送層を兼ねた発光層の２層が積層されてなる。
【００４３】
金属電極層４、有機ＥＬ層３に電子を注入しやすいように、Ａｌなどの仕事関数の低く、シート抵抗が十分に低い金属によって構成され、カソード電極４ａと、配線部４ｂ、４ｃとを含む。カソード電極４ａは、有機ＥＬ層３を介してピクト表示部２ａ、２ｂを覆うが、配線部２ｅ〜２ｈを覆わないように、かつ外部接続部２ｉに積層されるように形成されている。配線部４ｂ、４ｃは、それぞれ配線部２ｆ、２ｈに積層されて形成される。
【００４４】
なお、この実施の形態にかかる有機ＥＬパネルも、基板１上に、透明電極層２、有機ＥＬ層３及び金属電極層４を積層して形成した後、第１の実施の形態にかかる有機ＥＬ素子と同様、保護層５及び緩衝層６で封止し、空気や水分の侵入を防いでいる。
【００４５】
図４は、図３の有機ＥＬパネルの等価回路を示す図である。図４（ａ）は、ピクト表示部２ａを含む有機ＥＬ素子を示すものである。この有機ＥＬ素子は、配線部２ｆによる抵抗Ｒ２ｆと配線部４ｂによる抵抗Ｒ４ｂが並列に接続され、さらにこれに、配線部２ｅによる抵抗Ｒ２ｅと、ピクト表示部２ｂ及び対向するカソード電極部４ａ、並びにその間の有機ＥＬ層３とから構成される有機ＥＬ素子（抵抗値ＲＥａ）とが直列に接続されたものとなる。また、Ｒ２ｅ≫Ｒ４ｂである。従って、配線部２ｅ、２ｆ、４ｂ及びピクト表示部２ａの有機ＥＬ層３の全抵抗Ｒ１は、数式１３に示すものとなり、配線部２ｅ、２ｆ、４ｂ及びピクト表示部２ａの有機ＥＬ層３を流れる電流Ｉ１は、数式１４に示すものとなる。
【００４６】
【数１３】
0004395996.tif 000002
【数１４】
Ｉ１≒Ｖｄｄ／（Ｒ４ｂ＋Ｒ２ｅ＋Ｒｅａ）
【００４７】
一方、図４（ｂ）は、ピクト表示部２ｂを含む有機ＥＬ素子を示している。この有機ＥＬ素子は、配線部２ｈによる抵抗Ｒ２ｈと配線部４ｃによる抵抗Ｒ４ｃが並列に接続され、さらにこれに、配線部２ｇによる抵抗Ｒ２ｇと、ピクト表示部２ｂ及び対向するカソード電極部４ａ、並びにその間の有機ＥＬ層３とから構成される有機ＥＬ素子（抵抗値Ｒｅｂ）とが直列に接続されたものとなる。また、Ｒ２ｇ≫Ｒ４ｃである。従って、配線部２ｈ、２ｇ、４ｃ及びピクト表示部２ｂの有機ＥＬ層３の全抵抗Ｒ２は、数式１５に示すものとなり、配線部２ｈ、２ｇ、４ｃ及びピクト表示部２ｂの有機ＥＬ層３を流れる電流Ｉ２は、数式１６に示すものとなる。
【００４８】
【数１５】
0004395996.tif 000003
【数１６】
Ｉ２≒Ｖｄｄ／（Ｒ４ｃ＋Ｒ２ｇ＋Ｒｅｂ）
【００４９】
数式１２のＩａを数式１４のＩ１又は数式１６のＩ２に置き換えることで、全配線の幅をそれぞれ設定することができる。
【００５０】
以上説明したように、この実施の形態にかかる有機ＥＬパネルでは、外部から電源電圧Ｖｄｄを供給するための配線全体の長さに応じて配線の幅を設定することにより、複数のピクト表示用の有機ＥＬ素子をほぼ同じ明るさで発光させることができる。
【００５１】
また、配線部４ｂ、４ｃは、カソード電極４ａと同じ金属電極層４に含まれるものであるため、カソード電極４ａを形成するときに同時に形成することができる。このため、有機ＥＬパネルの製造プロセスにおいて、配線部４ｂ、４ｃを形成するために、工程が増えてしまうことがない。
【００５２】
［実施の形態の変形］
本発明は、上記の第１、第２の実施の形態に限られず、種々の変形、応用が可能である。以下、本発明に適用可能な、上記の実施の形態の変形態様について説明する。
【００５３】
上記の第１、第２の実施の形態では、基板１上に形成された透明電極層２、有機ＥＬ層３及び金属電極層４を、保護層５と緩衝層６とによって封止していた。しかし、保護層５を設けずに、緩衝層６だけによる封止も可能である。また、図５に示すように、硬化した緩衝層６の上に低粘度の接着剤７を塗布し、ガラス等からなる基板８を貼り合わせてもよい。ここで、基板８の貼り合わせは、空気中で行ってもよい。
【００５４】
上記の第１の実施の形態では、透明電極層２の厚さは一様であり、配線部２ｃ、２ｄは、その幅及び長さを調整することによって、抵抗値が同じになるようにしていた。これに対して、透明電極層２の形成過程においてマスクなどを使用することにより、配線部２ｃ、２ｄの厚さを変えて、これらの抵抗値が同じになるようにしてもよい。
【００５５】
上記の第２の実施の形態では、ピクト表示部２ａ、２ｂの両方について、外部からそこまでの配線の一部を透明電極層２と金属電極層４の２層構造とするものとしていた。しかしながら、外部からピクト表示部２ａまでの配線は、ピクト表示部２ｂまでの配線より短いので、金属電極層４を重ねない１層構造としてもよい。この場合、ピクト表示部２ｂまでの配線で１層構造とする部分は、ピクト表示部２ａまでの配線と同じ幅、同じ長さにすればよい。
【００５６】
また、本発明は、有機ＥＬ素子以外の発光素子にも適用することができる。電圧駆動型の発光素子の場合には、配線の抵抗値と発光素子の抵抗値の比が同一になるように、配線の長さ及び幅を調整したり、配線に金属膜を重ねたりすることができる。これにより、複数の発光素子に分圧される電圧が互いに等しくなるからである。
【００５７】
また、本発明は、ピクト表示を行うものだけでなく、ドットマトリクス表示を行う発光素子の電極に接続する配線の構造に対しても適用することができる。さらには、液晶表示素子などの受動型の表示素子にも、上記したような配線構造を適用することができる。
【００５８】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、外部からの信号を供給するための配線の長さに関わらず、異なる位置にある表示領域において同様の表示を得ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態にかかる有機ＥＬパネルの構造を、層毎に分解して示す図である。
【図２】図１の有機ＥＬパネルを封止した状態を示す断面図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態にかかる有機ＥＬパネルの構造を、層毎に分解して示す図である。
【図４】図３の有機ＥＬパネルの等価回路を示す図である。
【図５】有機ＥＬパネルの封止状態の他の例を示す断面図である。
【図６】従来例にかかる有機ＥＬパネルの構造を、層毎に分解して示す図である。
【符号の説明】
１…基板、２…透明電極層、２ａ，２ｂ…ピクト表示部、２ｃ〜２ｈ…配線部、３…有機ＥＬ層、４…金属電極層、４ａ…カソード電極部、４ｂ、４ｃ…配線部、５…保護層、６…緩衝層、７…接着剤、８…基板
【図１】
0004395996.tif 000004
【図２】
0004395996.tif 000005
【図３】
0004395996.tif 000006
【図４】
0004395996.tif 000007
【図５】
0004395996.tif 000008
【図６】
0004395996.tif 000009