(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で示されるクオーターフェニレン誘導体。
【化１】
0004587703.tif 000018
〔式中、Ｒ１〜Ｒ５のいずれか１つは下記〔化２〕で表される基であり、それ以外のＲ１〜Ｒ５およびＲ６〜Ｒ１３は水素、炭素数１〜４のアルキル基、アルコキシ基（アルキル部分の炭素数１〜４）、炭素数６〜２０のアリール基、アリーロキシ基（アリール部分の炭素数６〜２０）、ヘテロアリーロキシ基（ヘテロアリール部分は５〜１９個の炭素および窒素からなる）、アルコキシカルボニル基（アルキル部分の炭素数１〜４）、アリーロキシカルボニル基（アリール部分の炭素数６〜２０）、ヘテロアリーロキシカルボニル基（ヘテロアリール部分は５〜１９個の炭素および窒素からなる）、およびフッ素よりなる群からそれぞれ独立して選ばれた基である。〕
【化２】
0004587703.tif 000019
（式中、Ａｒ１とＡｒ２はそれぞれ独立に、炭素数６〜２０のアリール基、または５〜１９個の炭素および窒素からなるヘテロアリール基である。）
【請求項２】
３．０ｅＶよりも広いエネルギーギャップを有するものである請求項１記載のクオーターフェニレン誘導体。
【請求項３】
請求項１または２記載のクオーターフェニレン誘導体を用いたことを特徴とする有機ＥＬ素子。
【請求項４】
発光材料として燐光材料を用いた請求項３記載の有機ＥＬ素子。
【請求項５】
その発光ピーク波長が４８０ｎｍよりも短波長の青色発光を示す燐光材料を発光材料として用いた請求項４記載の有機ＥＬ素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、新規なクオーターフェニレン誘導体、およびそれを用いた有機ＥＬ素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬにおいて従来の検討は、蛍光材料を用いて行われてきた。その先駆けになったものが１９８７年、ＫｏｄａｋのＣ．Ｗ．ＴａｎｇらがＡｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔで発表したトリス（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウム（Ａｌｑ３）を用いた素子であり、これはこの当時１．０Ｖ以下の直流電流で、およそ１０００ｃｄ／ｍ２以上の明るさを示すもので有機ＥＬが注目される大きな技術革新であった。
その後多くの研究機関、企業等が研究に参加し、駆動電圧の低下や輝度、寿命の向上と言った高効率化についての研究が積極的に行われるようになった。
蛍光材料の発光については、電極から注入されたホールと電子の再結合によって生成した一重項励起子が関与しており、その生成率は２５％と見積もられている。また光の取り出し効率を考えると、その割合は２０％となるので外部量子効率は最大でも５％となり高効率化には限界があった。
それに対して、１９９９年Ｐｒｉｎｃｅｔｏｎ大学のＳ．Ｒ．Ｆｏｒｒｅｓｔらは非特許文献１においてリン光材料が有機ＥＬに使用できることを初めて発見し報告した。これによればリン光材料の場合、再結合で生成する一重項励起子のほかこの時同時に生成する三重項励起子も発光に寄与することで、蛍光材料に比べてより効率の高い素子の作成が可能になる。すなわち再結合で生成した励起子が１００％発光に関係するため、取り出し効率を考えても外部量子効率が最大で２０％になり有機ＥＬのメリットが最大に発揮できる。実際にこの時の素子では、３１１ｍ／Ｗの電力効率で８％の外部量子効率を示す緑色の発光を与えた。
前記素子の特徴は、リン光物質をゲスト材料としこれにエネルギーを与えるホスト材料を組み合わせたものである。この時使用されたホスト材料は、アミン系の材料の４，４′−Ｎ，Ｎ′−ジカルバゾール−ビフェニル（ＣＢＰ）であった。その後、この材料をホスト材料に使用し多くのリン光材料が開発された。ホスト材料に重要なことはリン光材料に十分なエネルギーを与えることができる能力を持つかでありこの割合を見積もるために、ホスト材料のもつＨＯＭＯとＬＵＭＯの間のバンドギャップ値が目安にされる。
この値によると、４，４′−Ｎ，Ｎ′−ジカルバゾール−ビフェニル（ＣＢＰ）では比較的長波長の緑から赤にかけては十分な機能をするが、エネルギーレベルの高い青色系のリン光材料にとってはこれを機能させるには十分なエネルギーは持ち合わせておらず、ホスト材料のワイド（バンド）ギャップ化が重要であった。リン光材料でフルカラー化するには、これに対応できるホスト材料の開発が重要である。
ところが従来、リン光材料に用いるエネルギーギャップの大きいホスト材料はほとんど知られておらず、このようなホスト材料の提供が強く求められているのが実情である。
そこで、本発明者らは、化学構造式上、ねじれ構造をもつ化合物が前記目的にかなう化合物となる可能性を考え、請求項１の化合物を開発したが、この基本的構造またはそれに近い化合物である下記２つの化合物について、ケミカルアブストラクト検索を行なったが、該当化合物に関する文献は発見できなかった。
【化３】
0004587703.tif 000002
【０００３】
【非特許文献１】Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，７５（１）４（１９９９）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、燐光素子において高効率化を実現するため、広いエネルギーギャップを有する材料を開発し、それを用いて高性能の有機ＥＬ素子を提供する点にある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の第一は、下記一般式（１）で示されるクオーターフェニレン誘導体に関する。
【化４】
0004587703.tif 000003
〔式中、Ｒ１〜Ｒ５のいずれか１つは下記〔化２〕で表される基であり、それ以外のＲ１〜Ｒ５およびＲ６〜Ｒ１３は水素、炭素数１〜４のアルキル基、アルコキシ基（アルキル部分の炭素数１〜４）、炭素数６〜２０のアリール基、アリーロキシ基（アリール部分の炭素数６〜２０）、ヘテロアリーロキシ基（ヘテロアリール部分は５〜１９個の炭素および窒素からなる）、アルコキシカルボニル基（アルキル部分の炭素数１〜４）、アリーロキシカルボニル基（アリール部分の炭素数６〜２０）、ヘテロアリーロキシカルボニル基（ヘテロアリール部分は５〜１９個の炭素および窒素からなる）、およびフッ素よりなる群からそれぞれ独立して選ばれた基である。〕
【化５】
0004587703.tif 000004
（式中、Ａｒ１とＡｒ２はそれぞれ独立に、炭素数６〜２０のアリール基、または５〜１９個の炭素および窒素からなるヘテロアリール基である。）
本発明の第２は、３．０ｅＶよりも広いエネルギーギャップを有するものである請求項１記載のクオーターフェニレン誘導体に関する。
本発明の第３は、請求項１または２記載のクオーターフェニレン誘導体を用いたことを特徴とする有機ＥＬ素子に関する。
本発明の第４は、発光材料として燐光材料を用いた請求項３記載の有機ＥＬ素子に関する。
本発明の第５は、その発光ピーク波長が４８０ｎｍよりも短波長の青色発光を示す燐光材料を発光材料として用いた請求項４記載の有機ＥＬ素子に関する。
【０００６】
前記、Ａｒ１、Ａｒ２、Ｒ１〜Ｒ１３におけるアリール基としては、置換基を有することもある１環または多環構造のいずれのものであってもよい。具体例を挙げるとフェニル、ビフェニル、ターフェニル、クオーターフェニル、クウィンクフェニル、セスキフェニル、セプチフェニル、オクチフェニル、ノビフェニル、デシフェニル、ナフチル、アズレニル、アントラニル、フェナンソレニル、ナフタセニル、クリセニル、ペンタレニル、インデニル、アズレニル、ヘプタデニル、ビフェニレル、ａｓ−インダセニル、ｓ−インダセニル、アセナフチレニル、フルオレニル、フェナレニル、フルオラセニル、アセフェナンソラレニル、アセアンソリレニル、トリフェニレル、ピレニル、プレイアデニル、ピセニル、ペリレニル、ペンタフェニル、ペンタセニル、テトラフェニレニル、ヘキサフェニル、ヘキサアセニル、ルビセニル、コロネリル、トリナフチレニル、ヘキサフェニル、ヘキサアセニル、ルビセニル、コロネリル、トリナフテレニル、ヘプタフェニル、ヘプタセニル、ピランセニル、オバレニルなどを挙げることができる。
【０００７】
前記、Ａｒ１、Ａｒ２、Ｒ１〜Ｒ１３におけるヘテロアリール基としては、置換基を有することもある各種へテロアリール基であり、１環または多環構造のいずれのものであってもよい。具体例を挙げると、フラニル、ピロロニル、３−ピロロニル、ピラゾリル、イミダゾリル、オキサゾリル、チアゾリル、１，２，３−オキサジアゾリル、トリアゾリル、ピラニル、ピリジニル、ピリダジニル、ピリミジニル、ピラジニル、１,３，５−トリアジニル、ベンゾフラニル、インドリル、ベンゾ〔ｂ〕チオフェニル、ベンゾイミダゾリル、ベンゾチアゾリル、プリニル、キノリニル、イソキノリニル、シンノリニル、キノキサリニル、カルバゾリル、アクリジニル、１，１０−フェントレニルなどを挙げることができる。
【０００８】
前記Ｒ１〜Ｒ１３におけるアルキル基としては、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシル、トリデシル、テトラデシル、ペンタデシル、ヘキサデシル、ヘプタデシル、オクタデシル、ノナデシル、エイコシルなどを挙げることができる。これらについては直鎖でも枝分かれでも構わない。
【０００９】
前記Ｒ１〜Ｒ１３におけるアルコキシ基としては、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペントキシ、ヘキシロキシ、ヘプチロキシ、オクトキシ、ノニロキシ、デシロキシ、フンデシロシキシ、ドデシロキシ、トリデシロキシ、テトラデシロキシ、ペンタデシロキシ、ヘキサデシロキシ、ヘプタデシロキシ、オクタデシロキシ、ノナデシロキシ、エイコシロキシなどを挙げることができる。これらについては直鎖でも枝分かれでも構わない。アルコキシカルボニル基におけるアルコキシ部分は前記アルコキシ基と同様である。
前記Ｒ１〜Ｒ１３におけるハロゲンとしては、いずれのハロゲンでもよい。
【００１０】
前記アリールオキシ基、アリーロキシカルボニル基におけるアリール部分は前記アリール基と同様であり、ヘテロアリーロキシ基、ヘテロアリーロキシカルボニル基におけるヘテロアリール部分はヘテロアリール基と同様であり、アリール基、アリーロキシ基、ヘテロアリール基、ヘテロアリーロキシ基、アリーロキシカルボニル基、ヘテロアリーロキシカルボニル基における置換基としては、アルキル基、アルコキシル基、アルコキシカルボニル基、アリーロキシカルボニル基およびハロゲンをあげることができ、アルキル基やアルコキシ基としては前述のものを例示することができ、アルコキシカルボニル基につくアルキルグループやアリーロキシカルボニル基につくアリールグループについても同様に前述のものを例示することができる。
また、アルキル基やアルコキシ基における置換基としては、エステル基やハロゲンを挙げることができる。
【００１１】
本発明化合物の代表的な合成方法の一例を下記に示す。Ｒ１〜Ｒ１３およびＡｒ１、Ａｒ２は前記のとおりである。
【化６】
0004587703.tif 000005
【００１２】
本発明の具体的化合物を以下に列記する。
【化７】
0004587703.tif 000006
【００１３】
【化８】
0004587703.tif 000007
【００１４】
【化９】
0004587703.tif 000008
【００１５】
本発明のクオーターフェニレン誘導体は、有機ＥＬ素子用の有機化合物として使用することが好ましい。
【００１６】
本発明の有機ＥＬ素子における正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層は、それぞれ二層以上の層構成により形成されてもよい。その際、正孔注入層の場合、陽極から正孔を注入する層を正孔注入層、正孔注入層から正孔を受け取り、発光層まで正孔を輸送する層を正孔輸送層と呼ぶ。同様に電子注入層の場合、陰極から電子を注入する層を電子注入層、電子注入層から電子を受け取り、発光層まで電子を輸送する層を電子輸送層と呼ぶ。これらの各層は、材料のエネルギー準位、耐熱性、有機薄膜層もしくは金属電極との密着性等の各要因により選択されて使用される。
【００１７】
本発明の有機ＥＬ素子は、前記したように陽極と陰極間に一層または複数層の有機薄膜層を形成した素子である。一層型の場合、本発明のクオーターフェニレン誘導体を含む発光層を含有し、それに加えて陽極から注入した正孔もしくは陰極から注入した電子を本発明のクオーターフェニレン誘導体を含む発光材料まで輸送させるために、正孔注入あるいは電子注入材料類を含んでいてもかまわない。またゲストに使用される発光材料は、極めて高い量子効率を示し、均一な薄膜形成をすることが好ましい。複数層型の有機ＥＬ素子としては、（陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極）、（陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極）、（陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極）、（陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極）などの複数層構成で積層したものなどが挙げられる。
【００１８】
本発明の有機ＥＬ素子におけるゲストの発光材料には、リン光を発するような公知の化合物を用いることができる。これらについては特に制限されることなく、公知の化合物の中から選ぶことができるが、例えば青色ではＦＩｒｐｉｃなどが、緑ではトリス（２−フェニルピリジン）イリジウム〔ｔｒｉｓ（２−ｐｈｅｎｙｌｐｙｒｉｄｉｎｅ）ｉｒｉｄｉｕｍ〕、イリジウム（III）ビス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２）アセチルアセトン〔Ｉｒｉｄｉｕｍ（III）ｂｉｓ（２−ｐｈｅｎｙｌｐｙｒｉｄｉｎａｔｏ−Ｎ，Ｃ２）（ａｃｅｔｙｌ  ａｃｅｔｏｎｅ）〕などが、赤色ではトリス｛２−（２−ベンゾ〔ｂ〕チオフェニルピリジン）｝イリジウム〔ｔｒｉｓ｛２−（２−ｂｅｎｚｏ〔ｂ〕ｔｈｉｏｐｈｅｎｙｌｐｙｒｉｄｉｎｅ）｝ｉｒｉｄｉｕｍ〕、（２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクトエチルポルフィリン）プラチニウム〔（２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−Ｏｃｔｅｔｈｙｌｐｏｒｐｈｙｒｉｎ）ｐｌａｔｉｎｕｍ〕などのイリジウム錯体や白金錯体などが使用できる。
【００１９】
正孔注入材料または正孔輸送材料としては、正孔を輸送する能力を持ち、陽極からの正孔注入効果、発光層または発光材料に対して優れた正孔輸送効果を有し、発光層で生じた励起子の電子輸送層又は電子輸送材料への移動を防止し、かつ薄膜形成能力の優れた化合物が好ましい。具体的には、フタロシアニン誘導体、ナフタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、オキサゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾール、イミダゾロン、イミダゾールチオン、ピラゾリン、ピラゾロン、テトラヒドロイミダゾール、ヒドラゾン、アシルヒドラゾン、ポリアリールアルカン、スチルベン、ベンジジン型トリフェニルアミン、スチリルアミン型トリフェニルアミン、ジアミン型トリフェニルアミン等やこれらにルイス酸を組み合せたもの、およびポリビニルカルバゾール、ポリシランあるいはポリアニリンのような導電性高分子等の高分子材料やこれらにルイス酸を組み合せたものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００２０】
これらの正孔注入材料または正孔輸送材料の中で、さらに効果的な正孔注入材料または正孔輸送材料は、芳香族三級アミン誘導体又はフタロシアニン誘導体である。芳香族三級アミン誘導体の具体例としては、トリフェニルアミン、トリトリルアミン、トリジフェニルアミン、Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−（３−メチルフェニル）−１，１′−ビフェニル−４，４′−ジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−（４−メチルフェニル）−１，１′−フェニル−４，４′−ジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−（４−メチルフェニル）−１，１′−ビフェニル−４，４′−ジアミン、Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ジナフチル−１，１′−ビフェニル−４，４′−ジアミン、Ｎ，Ｎ′−（メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ′−（４−ｎ−ブチルフェニル）−フェナントレン−９，１０−ジアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（４−ジ−４−トリルアミノフェニル）−４−フェニル−シクロヘキサン等、又はこれらの芳香族三級アミン骨格を有したオリゴマーもしくはポリマーであるが、これらに限定されるものではない。フタロシアニン（Ｐｃ）誘導体の具体例は、Ｈ２ＰＣ、ＣｕＰｃ、ＣｏＰｃ、ＮｉＰｃ、ＺｎＰｃ、ＰｄＰｃ、ＦｅＰｃ、ＭｎＰｃ、ＣｌＡｌＰｃ、ＣｌＧａＰｃ、ＣｌＩｎＰｃ、ＣｌＳｎＰｃ、Ｃｌ２ＳｉＰｃ、（ＨＯ）ＡｌＰｃ、（ＨＯ）ＧａＰｃ、ＶＯＰｃ、ＴｉＯＰｃ、ＭｏＯＰｃ等のフタロシアニン誘導体及びナフタロシアニン誘導体である。また、導電性高分子としては、ポリアニリン誘導体やポリチオフェン誘導体などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００２１】
電子輸送材料として用いる化合物は、電子を輸送する能力を持ち、陰極からの電子注入効果、発光層または発光材料に対して、優れた電子輸送効果を有し、発光層で生成した励起子の正孔注入層への移動を防止し、かつ薄膜形成性に優れた化合物が好ましい。電子輸送材料としては金属錯体化合物、含窒素化合物などが知られている。金属錯体化合物としてはトリス（８−キノリナート）リチウム、トリス（８−キノリナート）亜鉛、トリス（８−キノリナート）銅、トリス（８−キノリナート）マンガン、トリス（８−キノリナート）アルミニウム、トリス（２−メチル−８−キノリナート）アルミニウム、トリス（４−メチル−８−キノリナート）アルミニウム、トリス（４−プロピル−８−キノリナート）アルミニウムなどが挙げられる。含窒素化合物としては、オキサゾール誘導体、チアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、チアジアゾール誘導体及びフェナントロリン誘導体などが知られている。特に、フェナントロリン誘導体としては、４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン、４，７−ジ−ｍ−トリル−１，１０−フェナントロリン、４，７−ジ−ｐ−トリル−１，１０−フェナントロリン、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン、２，９−ジメチル−４，７−ジ−ｐ−トリル−１，１０−フェナントロリン、２，９−ジメチル−４，７−ジ−ｍ−トリル−１，１０−フェナントロリン、２，９−ジエチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリンなどが挙げられる。
【００２２】
本発明においては電子輸送材料としては、フッ化リチウムのようなアルカリ金属のハロゲン化物や８−ヒドロキシキノリン誘導体のアルカリ金属錯体、アルカリ土類金属錯体やフェナントロリン誘導体のアルカリ金属錯体、アルカリ土類金属錯体などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００２３】
有機エレクトロルミネッセンス素子の陽極に使用される導電性材料としては、４ｅＶより大きな仕事関数を持つものが適しており、炭素、アルミニウム、バナジウム、鉄、コバルト、ニッケル、タングステン、銀、金、白金、パラジウムなど、およびそれらの合金、ＩＴＯ基板、ＮＥＳＡ基板に使用される酸化錫、酸化インジウムなどの酸化金属、さらにはポリチオフェンやポリピロールなどの有機導電性樹脂が用いられる。陰極に用いられる導電性材料としては、４ｅＶより小さな仕事関数を持つものが適しており、マグネシウム、カルシウム、錫、鉛、チタニウム、イットリウム、リチウム、ルテニウム、マンガンなどおよびこれらの合金が用いられるが、これらに限定されるものではない。合金としては、マグネシウム／銀、マグネシウム／インジウム、リチウム／アルミニウムなどが代表例として挙げられるが、これらに限定されるものではない。合金の比率は、蒸着源の温度、雰囲気、真空度などにより、適切に制御することができる。陽極、陰極は必要に応じて二層以上の層に構成されてもよい。
【００２４】
本発明の有機ＥＬ素子で用いる透明電極の支持基板は、効率よく発光させるために、十分透明であることが望ましい。透明電極は、上記の導電性材料を用いて、蒸着やスパッタリング等の方法で所定の透光性が確保できるように設定する。発光面の電極は、光透過率を１０％以上にすることが望ましい。基板は、機械的、熱的強度を有し、透明性を有するものであれば限定されるものではないが、ガラス基板や透明性樹脂のフィルムおよびシートが挙げられる。フィルムやシートに用いる透明性樹脂としては、ポリエチレン、ポリエチレン共重合体、ポリプロピレン、ポリプロピレン共重合体、ポリスチレン、ポリスチレン共重合体、シンジオタクチックポリスチレン、ポリメチルメタアクリレート、ナイロン、ポリエーテルサルホン、ポリサルホン、ポリカーボネート、ポリカーボネート共重合体、ポリアリレート、ポリエーテルイミド、テトラフルオロエチレン−エチレン共重合体、ポリビニリデンフルオライド、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレートなどが挙げられる。
【００２５】
本発明における有機エレクトロルミネッセンス素子の各層の形成は、真空蒸着、スパッタリング、プラズマ、イオンプレーティングなどの乾式成膜法や、スピンコーティング、ディッピング、フローコーティングなどの湿式成膜法、いずれの方法も用いることができる。陽極、陰極間に挟持される有機薄膜層の各層の膜厚は特に限定されるものではないが、適切な膜厚に設定する必要がある。通常の膜厚は０．２ｎｍから５００ｎｍの範囲で適宜選ぶのが好ましい。
【００２６】
本発明のクオーターフェニレン誘導体を含む有機ＥＬ素子を作成する場合、乾式成膜法、湿式成膜法のいずれも用いることができるが高性能の素子を作成する場合には真空蒸着、スパッタリングなどの乾式成膜法を用いることが望ましい。
【発明の効果】
【００２７】
（１）本発明により、新規なクオーターフェニレン誘導体を提供できた。
（２）本発明により、広いエネルギーギャップ（例えば３．５ｅＶ）を有する新規な材料を提供できた。
（３）本発明の化合物を有機ＥＬ素子に用いることによって、青色燐光素子や緑色燐光素子を提供できた。
【実施例】
【００２８】
以下に合成例、実施例を挙げて本発明を説明するが、本発明はこれにより何ら限定されるものではない。
【００２９】
合成例１〔２，２′−ビフェニルジホウ酸（２ＢＰＤＢＡ）の合成例１〕
【化１０】
0004587703.tif 000009
３００ｍｌ四つ口フラスコに窒素気流下、ｎ−ＢｕＬｉヘキサン溶液（１．６Ｍ）  １８０ｍｌ（２９６ｍｍｏｌ）を入れ、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラメチルエチレンジアミン（ＴＭＥＤＡ）（テトラエチルエチレンジアミンのようなテトラアルキルエチレンジアミン類を溶媒として用いてもよい）４４ｍｌ（２９６ｍｍｏｌ）を加えた。しばらく室温で撹拌した後、ビフェニル  １８．８ｇ（１２２ｍｍｏｌ）を加え、４日間撹拌した。得られた赤褐色の溶液をアセトン／ドライアイスバスにて−２０℃に冷却し、析出した黄色結晶をデカンテーションにより単離し、ジエチルエーテル２００ｍｌを加えて懸濁液とした。これを−４０℃に冷却し、トリメトキシボラン（トリエトキシボランなどの他のアルコキシボランでもよい）５０ｍｌ（４４０ｍｍｏｌ）をゆっくりと加えた。その後徐々に室温に戻して一晩撹拌後、スラリー状の析出物をテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）２００ｍｌを加えて溶解させ、１時間撹拌した。反応液を５％塩酸４００ｍｌに加え６時間撹拌後、有機溶媒を濃縮し、ジクロロメタンで抽出（２００ｍｌ×３）、乾燥、溶媒留去してトルエン／リグロインで再結晶し白色固体の目的物を得た〔収量１．５０ｇ（６．２０ｍｍｏｌ）、収率５．１％〕。
【００３０】
合成例２〔２，２′−ビフェニルジホウ酸（２ＢＰＤＢＡ）の合成例２〕
３００ｍｌ四つ口フラスコに窒素気流下、ｎ−ＢｕＬｉヘキサン溶液（１．６Ｍ）  ４５ｍｌ（７４ｍｍｏｌ）を入れ、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラメチルエチレンジアミン（ＴＭＥＤＡ）１１ｍｌ（７４ｍｍｏｌ）を加えた。しばらく室温で撹拌した後、ビフェニル  ４．７ｇ（３０．５ｍｍｏｌ）を加え室温で１時間、６０℃で２時間撹拌した。生じた赤褐色の溶液をメタノール／ドライアイスバスにて−４０℃に冷却し、ジエチルエーテル３０ｍｌを加えて懸濁液とした。さらに−４０℃にてトリメトキシボラン１８ｍｌ（１４１ｍｍｏｌ）をゆっくりと加えた。その後徐々に室温に戻して一晩撹拌後、スラリー状の析出物をＴＨＦ  ６０ｍｌを加えて溶解させ１時間撹拌した。反応液を５％塩酸８０ｍｌに加え４時間撹拌後、有機溶媒を濃縮し、ジクロロメタンで抽出（１００ｍｌ×３）、乾燥、溶媒留去してｎ−へキサンにて再沈殿することにより白色固体の目的物を得た〔収量２．８０ｇ（１１．７ｍｍｏｌ）、収率３８％〕。
【００３１】
合成例３〔４−ブロモフェニル−ジ−（ｐ−トリル）−アミン（４ＢＰＤＴＡ）の合成〕
【化１１】
0004587703.tif 000010
２００ｍｌ四つ口フラスコに、１−ブロモ−４−アイオドベンゼン  ７．２４ｇ（２５．６ｍｍｏｌ）、ｐ，ｐ′−ジ−ｐ−トルイルアミン５．０５ｇ（２５．６ｍｍｏｌ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）２９２ｍｇ（０．３２ｍｍｏｌ）、２，２′−ビナフトール（ＢＩＮＡＰ）０．８０ｇ（１．２８ｍｍｏｌ）、ｔ−ブタン酸ナトリウム  ４．９２ｇ（５１．２ｍｍｏｌ）、トルエン１００ｍｌを加え、窒素気流下、２４時間還流した。室温に冷却後、反応液を濃縮しクロロホルムに溶解させ不溶物を濾過、ろ液を脱イオン水、飽和食塩水で洗浄した。有機層を硫酸マグネシウムにて乾燥し、溶媒留去後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：クロロホルム／ｎ−へキサン＝１：３）にて精製し、薄褐色固体の目的物を得た〔収量４．０８ｇ（１１．６ｍｍｏｌ）、収率４５％〕。
【００３２】
合成例４{ｐ，ｐ′−〔Ｎ−（３−ブロモフェニル）〕ジトルイルアミン（３ＢＰＤＴＡ）の合成}
【化１２】
0004587703.tif 000011
２００ｍｌ四つ口フラスコに、１−ブロモ−３−アイオドベンゼン  ８．００ｇ（２８．３ｍｍｏｌ）、ｐ，ｐ′−ジ−ｐ−トルイルアミン  ７．２６ｇ（３６．８ｍｍｏｌ）、Ｃｕ粉末６．０ｇ（９．４ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム１１．７ｇ（８４．９ｍｍｏｌ）、ｏ−ジクロロベンゼン３０ｍｌを加え、窒素気流下１８０℃で６時間撹拌した。反応液を濾過し、ろ液を濃縮後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ｎ−へキサン）にて精製し、無色固体の目的物を得た〔収量４．２１ｇ（１２．０ｍｍｏｌ）、収率４２％〕。
【００３３】
実施例１{２，２′−ビス〔４″−（Ｎ，Ｎ′−ジトルイルアミノ）フェニル〕ビフェニル（４ＤＴＡＰＢＰ）の合成）}
【化１３】
0004587703.tif 000012
１００ｍｌ四つ口フラスコに２，２′−ビフェニルジホウ酸（２ＢＰＤＢＡ）１．５０ｇ（６．２０ｍｍｏｌ）、４−ブロモフェニル−ジ−（ｐ−トリル）−アミン（４ＢＰＤＴＡ）４．００ｇ（１１．４ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）  ３４ｍｇ（０．０２９ｍｍｏｌ）、トルエン  ３０ｍｌ、テトラブチルアンモニウムヒドロキシドのメタノール溶液（１．０Ｍ）１９ｍｌを加え、窒素気流下４８時間還流した。室温に冷却後、反応液を濃縮し、クロロホルムに溶解させ不溶物を濾過、ろ液を５％塩酸、飽和食塩水で洗浄した。有機層を硫酸マグネシウムにて乾燥し、溶媒留去後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：クロロホルム／ｎ−へキサン＝１：３）にて精製し白色固体の目的物を得た〔収量０．９３ｇ（１．３３ｍｍｏｌ）、収率２２％〕。この熱特性および電気化学特性を表１に示す。
【００３４】
実施例２{２，２′−ビス〔３″−（Ｎ，Ｎ′−ジトルイルアミノ）フェニル〕ビフェニル（３ＤＴＡＰＢＰ）の合成）}
【化１４】
0004587703.tif 000013
１００ｍｌ四つ口フラスコに２，２′−ビフェニルジホウ酸（２ＢＰＤＢＡ）２．００ｇ（８．３０ｍｍｏｌ）、３−ブロモフェニル−ジ−（ｐ−トリル）−アミン（３ＢＰＤＴＡ）５．３２ｇ（１５．１ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）  ４５ｍｇ（０．０４ｍｍｏｌ）、トルエン  ３０ｍｌ、テトラブチルアンモニウムヒドロキシドのメタノール溶液（１．０Ｍ）２５ｍｌを加え、窒素気流下４８時間還流した。室温に冷却後、反応液を濃縮し、クロロホルムに溶解させ不溶物を濾過、ろ液を５％塩酸、飽和食塩水で洗浄した。有機層を硫酸マグネシウムにて乾燥し、溶媒留去後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：クロロホルム／ｎ−へキサン＝１：３）にて精製し白色固体の目的物を得た〔収量１．４２ｇ（２．０４ｍｍｏｌ）、収率２５％〕。この熱特性および電気化学特性を表１に示す。
【００３５】
実施例３{２，２′−ビス〔３″−（Ｎ，Ｎ′−ジフェニルアミノ）フェニル〕ビフェニル（３ＤＰＡＰＢＰ）の合成）}
【化１５】
0004587703.tif 000014
１００ｍｌ四つ口フラスコに２，２′−ビフェニルジホウ酸（２ＢＰＤＢＡ）２．００ｇ（８．３ｍｍｏｌ）、３−ブロモフェニル−ジフェニル−アミン（３ＢＴＰＡ）４．８９ｇ（１５．１ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）  ４５ｍｇ（０．０４ｍｍｏｌ）、トルエン  ３０ｍｌ、テトラブチルアンモニウムヒドロキシドのメタノール溶液（１．０Ｍ）２５ｍｌを加え、窒素気流下４８時間還流した。室温に冷却後、反応液を濃縮し、クロロホルムに溶解させ不溶物を濾過、ろ液を５％塩酸、飽和食塩水で洗浄した。有機層を硫酸マグネシウムにて乾燥し、溶媒留去後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：クロロホルム／ｎ−へキサン＝１：３）にて精製し白色固体の目的物を得た〔収量１．９７ｇ（３．０７ｍｍｏｌ）、収率３７％〕。この熱特性および電気化学特性を表１に示す。
【００３６】
【表１】
0004587703.tif 000015
【００３７】
参考応用例〔ホール輸送材料としてα−ＮＰＤを用い、リン光材料であるＦＩｒｐｉｃのホスト材料として、下記〔化１６〕で示される、２，２′−ビス（４−カルバゾリルフェニル）ビフェニル（４ＣｚＰＢＰ）を用いた青白色発光ＥＬ素子〕
ＥＬ素子の構成：
ＩＴＯ／α−ＮＰＤ（４００Å）／７ｗｔ％ＦＩｒｐｉｃ  ｄｏｐｅｄ  ４ＣｚＰＢＰ（３００Å）／ｔ−ＢｕＴＡＺ（３００Å）／ＬｉＦ（５Å）／Ａｌ（１０００Å）
素子の特性を表２に示す。
【化１６】
0004587703.tif 000016
【００３８】
応用例（ホール輸送材料として４ＤＴＡＰＢＰを用い、リン光材料のホスト材料として、４ＣｚＰＢＰを用いたＥＬ素子）
ＥＬ素子の構成：
ＩＴＯ／４ＤＴＡＰＢＰ（４００Å）／７ｗｔ％ＦＩｒｐｉｃ  ｄｏｐｅｄ  ４ＣｚＰＢＰ（３００Å）／ｔ−ＢｕＴＡＺ（３００Å）／ＬｉＦ（５Å）／Ａｌ（１０００Å）
素子の特性を表２および図１〜６に示す。
【表２】
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４ＣｚＰＢＰをホストとするリン光素子において、ホール輸送材料としてα−ＮＰＤを用いるよりも、本発明の４ＤＴＡＰＢＰを用いた方が一層、各データが向上していることが判る。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】応用例と参考応用例に示すＥＬ素子のＥＬスペクトルを示すグラフである。
【図２】応用例と参考応用例に示す本発明ＥＬ素子の電流密度−電圧特性を示すグラフである。
【図３】応用例と参考応用例に示すＥＬ素子の輝度−電圧特性を示すグラフである。
【図４】応用例と参考応用例に示すＥＬ素子の輝度−電流密度特性を示すグラフである。
【図５】応用例と参考応用例に示すＥＬ素子の視感効率−電圧特性を示すグラフである。
【図６】応用例と参考応用例に示すＥＬ素子の電流効率−電圧特性を示すグラフである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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