(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
反射面の角度が制御可能な複数のティルトミラーを平面上に配置した第１ミラーアレイおよび第２ミラーアレイを有し、入力された光信号を前記第１ミラーアレイおよび前記第２ミラーアレイで順次反射して特定の位置から出力する光信号交換器について、前記第１ミラーアレイおよび前記第２ミラーアレイの各ティルトミラーの反射面の角度を制御する制御装置であって、
前記第２ミラーアレイで反射された光信号の一部を分岐する光分岐部と、該光分岐部からの分岐光を２次元の領域を有する受光面で受光して、前記分岐光についての位置情報を生成する位置情報生成部と、を有し、前記第２ミラーアレイで反射された光信号の出力状態を検出する出力光検出手段と、
前記位置情報生成部からの位置情報と、前記各ティルトミラーの反射面の角度の目標値に対応させて予め設定した初期位置情報とを比較することで、前記光信号の到達位置の誤差を検出する位置差分検出部と、該位置差分検出部で検出された到達位置の誤差が略零となるように、前記第１ミラーアレイの各ティルトミラーの反射面の角度のみを強制的に変化させたときの第１角度変化量、および、前記第２ミラーアレイの各ティルトミラーの反射面の角度のみを強制的に変化させたときの第２角度変化量を用いて、前記第１ミラーアレイおよび第２ミラーアレイの各ティルトミラーの反射面の角度ずれを算出して補正角度を演算する演算処理部と、該演算処理部で演算された補正角度に従って前記各ティルトミラーの反射面の角度を制御する補正制御部と、を有する角度制御手段と、を備えて構成されたことを特徴とする光信号交換器の制御装置。
【請求項２】
反射面の角度が制御可能な複数のティルトミラーを平面上に配置した第１ミラーアレイおよび第２ミラーアレイを有し、入力された光信号を前記第１ミラーアレイおよび前記第２ミラーアレイで順次反射して特定の位置から出力する光信号交換器について、前記第１ミラーアレイおよび前記第２ミラーアレイの各ティルトミラーの反射面の角度を制御する方法であって、
前記第２ミラーアレイで反射された光信号の一部を分岐し、該分岐光を２次元の領域を有する受光面で受光して位置情報を生成する出力光検出過程と、
前記出力光検出過程で生成された位置情報と、前記各ティルトミラーの反射面の角度の目標値に対応させて予め設定した初期位置情報とを比較することで、前記光信号の到達位置の誤差を検出し、該検出した到達位置の誤差が略零となるように、前記第１ミラーアレイの各ティルトミラーの反射面の角度のみを強制的に変化させたときの第１角度変化量、および、前記第２ミラーアレイの各ティルトミラーの反射面の角度のみを強制的に変化させたときの第２角度変化量を用いて、前記第１ミラーアレイおよび第２ミラーアレイの各ティルトミラーの反射面の角度ずれを算出して補正角度を演算し、該演算した補正角度に従って前記各ティルトミラーの反射面の角度を制御する角度制御過程と、を含んでなることを特徴とする光信号交換器の制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光信号交換器における切り替え制御技術に関し、特に、マイクロマシン（ＭＥＭＳ：Micro Electric Mechanical System）技術による反射型のティルトミラーを用いた光信号交換器の制御装置および制御方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、インターネット等におけるトラフィックの増加に伴って光ネットワークの需要が高まっている。このような状況において、高速・大容量のデータを光信号のままで切り替える光信号交換器の導入が注目されている。高速・大容量の光信号交換器を実現するための従来の技術としては、例えば、光ファイバをメカニカルに切り替える方式や導波路を組み合わせた方式などが主流であった。しかし、このような従来の技術においては多段構成を採用する必要があったため、光信号交換器内の光損失が非常に大きく、また、チャネル数の増大に対応することにも限界があり、数１０チャネル以上に対応した光信号交換器の実現は困難であった。
【０００３】
上記のような状況において、マイクロマシン（ＭＥＭＳ）技術を応用して作製したティルトミラー（以下、ＭＥＭＳミラーと呼ぶ）を用いた光スイッチは、小型化、波長無依存および偏波無依存などの点で他のスイッチに比べて優位性があり注目されている。特に、例えば図４５に示すように、複数のコリメータを２次元に配置した２つのコリメータアレイ１Ａ，１Ｂと、複数のＭＥＭＳミラーを２次元に配置した２つのＭＥＭＳミラーアレイ２Ａ，２Ｂを組み合わせて構成した３次元型の光信号交換器は、光損失の低減、大容量化および多チャンネル化が実現可能であるという点で期待されている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記のようなＭＥＭＳミラーアレイ２Ａ，２Ｂを用いた３次元型の光信号交換器では、ＭＥＭＳミラーの角度ずれにより、出力側のコリメータに接続された出力光ファイバに対して光信号がずれて入射してしまう可能性があり、光信号交換器内の光損失を大きくする要因になる。
【０００５】
図４６は、上記の内容を模式的に示した図であって、（Ａ）は光信号交換器内における光信号の入力点から出力点までの光路の一例を示した平面図、（Ｂ）は光信号が出力光ファイバに入射する各状態を例示した平面図である。なお、図４６では、光信号交換器内の光路の様子を分かり易く示すために、入出力コリメータの表示を省略している。
【０００６】
図４６において、出力側ＭＥＭＳミラーで反射された光線は、（Ｂ）の「ＯＫ」で示すように、出力光ファイバのコアの部分に垂直に入る必要があり、（Ｂ）の「ＮＧ１」または「ＮＧ３」で示すように、コアから外れたり、（Ｂ）の「ＮＧ２」で示すように、コアに対して斜めに入ったりしてはならない。
【０００７】
このような出力光ファイバへの光信号の結合不良は、たとえ入出力ポートが決まっていて入力側および出力側の各ＭＥＭＳミラーについての制御すべき角度がそれぞれ既知の数値であったとしても、僅かな角度ずれによって生じるものである。具体的には、ＭＥＭＳミラーの角度が０．０５°程度ずれることで数ｄＢの光損失が発生する。各ＭＥＭＳミラーの角度ずれは、各々のミラーについてその角度に対応した光信号のパワーを個別にモニタすることが不可能であるため、１組のＭＥＭＳミラーについてどちらがどれだけずれているのかを判別することが困難である。
【０００８】
上記のようなＭＥＭＳミラーの角度ずれを補正するためには、例えば、出力側のＭＥＭＳミラーからコリメータに伝搬する光信号の光線位置情報をＣＣＤイメージセンサ等を用いて検出する方法が考えられる。しかし、この方法では、前述の図４６（Ｂ）における「ＯＫ」と「ＮＧ２」の差、または、「ＮＧ１」と「ＮＧ３」の差を容易に検出できない、すなわち、光線の入射角度情報を検出しにくいという欠点がある。特に、「ＮＧ２」の状態では、正しく光線が出力されているのかどうかの判断が困難である。
【０００９】
また、ＭＥＭＳミラーの角度ずれを補正するための他の方法として、例えば、出力光ファイバに結合された光信号のパワーをモニタし、そのモニタ結果を基に各ＭＥＭＳミラーの角度をフィードバック制御する方法も考えられる。しかし、このような方法では、光信号交換器に入力される複数のチャネルについての光パワーのばらつき等によって、チャネルごとの光パワー目標値が一定に定まらないため、モニタした光パワーが予め設定した初期値になるように各ＭＥＭＳミラーの角度をフィードバック制御するといった方式を取ることができない。また、現在モニタしている光パワーが最大値であるかどうかを見極めることも困難であるので、上記のようなフィードバック制御の実現は容易ではない。
【００１０】
本発明は上記の点に着目してなされたもので、ＭＥＭＳミラーの角度ずれを自動的に補正して光損失の低減を図った光信号交換器の制御装置および制御方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記の目的を達成するため、本発明による光信号交換器の制御装置は、反射面の角度が制御可能な複数のティルトミラーを平面上に配置した第１ミラーアレイおよび第２ミラーアレイを有し、入力された光信号を第１、２ミラーアレイで順次反射して特定の位置から出力する光信号交換器について、第１、２ミラーアレイの各ティルトミラーの反射面の角度を制御する制御装置であって、出力光検出手段と、角度制御手段と、を備えて構成される。前記出力光検出手段は、前記第２ミラーアレイで反射された光信号の一部を分岐する光分岐部と、該光分岐部からの分岐光を２次元の領域を有する受光面で受光して、前記分岐光についての位置情報を生成する位置情報生成部と、を有し、前記第２ミラーアレイで反射された光信号の出力状態を検出する。前記角度制御手段は、前記位置情報生成部からの位置情報と、前記各ティルトミラーの反射面の角度の目標値に対応させて予め設定した初期位置情報とを比較することで、前記光信号の到達位置の誤差を検出する位置差分検出部と、該位置差分検出部で検出された到達位置の誤差が略零となるように、前記第１ミラーアレイの各ティルトミラーの反射面の角度のみを強制的に変化させたときの第１角度変化量、および、前記第２ミラーアレイの各ティルトミラーの反射面の角度のみを強制的に変化させたときの第２角度変化量を用いて、前記第１ミラーアレイおよび第２ミラーアレイの各ティルトミラーの反射面の角度ずれを算出して補正角度を演算する演算処理部と、該演算処理部で演算された補正角度に従って前記各ティルトミラーの反射面の角度を制御する補正制御部と、を有する。
【００１２】
かかる構成では、いわゆる３次元型の光信号交換器について、出力側に位置する第２ミラーアレイで反射された光信号の位置情報が検出され、その位置情報と予め設定した初期位置情報とを比較することにより出力光の到達位置の誤差が検出され、該誤差が略零となるように、第１、２ミラーアレイの各ティルトミラーの反射面の角度をミラーアレイ毎に強制的に変化させたときの第１、２角度変化量を用いて各ティルトミラーの反射面の角度ずれが算出されて補正角度が演算される。そして、演算した補正角度に従って各ティルトミラーの反射面の角度が制御されるようになる。
【００１３】
本発明による光信号交換器の制御方法は、反射面の角度が制御可能な複数のティルトミラーを平面上に配置した第１ミラーアレイおよび第２ミラーアレイを有し、入力された光信号を第１、２ミラーアレイで順次反射して特定の位置から出力する光信号交換器について、第１、２ミラーアレイの各ティルトミラーの反射面の角度を制御する方法であって、第２ミラーアレイで反射された光信号の一部を分岐し、該分岐光を２次元の領域を有する受光面で受光して位置情報を生成する出力光検出過程と、該出力光検出過程で生成された位置情報と、前記各ティルトミラーの反射面の角度の目標値に対応させて予め設定した初期位置情報とを比較することで、前記光信号の到達位置の誤差を検出し、該検出した到達位置の誤差が略零となるように、前記第１ミラーアレイの各ティルトミラーの反射面の角度のみを強制的に変化させたときの第１角度変化量、および、前記第２ミラーアレイの各ティルトミラーの反射面の角度のみを強制的に変化させたときの第２角度変化量を用いて、前記第１ミラーアレイおよび第２ミラーアレイの各ティルトミラーの反射面の角度ずれを算出して補正角度を演算し、該演算した補正角度に従って前記各ティルトミラーの反射面の角度を制御する角度制御過程と、を含んでなる方法である。
【発明の効果】
【００１４】
本発明にかかる光信号交換器の制御装置および制御方法によれば、第１、２ミラーアレイで順次反射された光信号についての位置情報を検出し、その位置情報と初期位置情報との比較により求めた出力光の到達位置の誤差が略零となるように、第１、２ミラーアレイの各ティルトミラーの反射面の角度をミラーアレイ毎に強制的に変化させたときの第１、２角度変化量を用いて各ティルトミラーの反射面の角度ずれが算出されて補正角度が演算されるようにしたことで、低光損失、かつ、高精度の光信号交換器を実現することができる。これにより、小型で大容量の光交換機や光スイッチの開発が可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
図１は、本発明の第１実施形態にかかる光信号交換器の制御装置の全体構成を示す概略図である。
【００１６】
図１において、第１実施形態の全体構成は、例えば、上述の図４５に示した従来の構成と同様に、複数のコリメータを２次元に配置した２つのコリメータアレイ１Ａ，１Ｂと、該各コリメータアレイ１Ａ，１Ｂの各々のコリメータに対応した複数のＭＥＭＳミラーを２次元に配置した２つのＭＥＭＳミラーアレイ２Ａ，２Ｂとを組み合わせて構成した３次元型の光信号交換器について、光分岐部としてのビームスプリッタ３と、レンズアレイ４と、位置情報生成部としてのＣＣＤイメージセンサ５と、角度制御手段としての制御回路６とを備えた制御装置を設けたものである。なお、ここでは、ＭＥＭＳミラーアレイ２Ａが第１ミラーアレイに相当し、ＭＥＭＳミラーアレイ２Ｂが第２ミラーアレイに相当する。
【００１７】
光信号交換器のコリメータアレイ１Ａには、各コリメータに対応させて複数の光ファイバを２次元に配置した入力光ファイバアレイ１０Ａが接続され、各入力光ファイバから出射された光が各々のコリメータを通過して平行光となりＭＥＭＳミラーアレイ２Ａに向けて送られる。また、コリメータアレイ１Ｂにも、各コリメータに対応させて複数の光ファイバを２次元に配置した出力光ファイバアレイ１０Ｂが接続され、ＭＥＭＳミラーアレイ２Ｂで反射された光が、各コリメータを通過して各々の出力光ファイバに結合される。
【００１８】
ＭＥＭＳミラーアレイ２Ａは、各ＭＥＭＳミラーの鏡面が配列された平面の法線方向が、コリメータアレイ１Ａから送られてくる光信号の伝搬方向（光軸方向）に対して非平行となるように傾けて配置される。また、ＭＥＭＳミラーアレイ２Ｂは、ＭＥＭＳミラーアレイ２Ａの各ＭＥＭＳミラーで反射された光を対応するＭＥＭＳミラーで再度反射してコリメータアレイ１Ｂに導く所要の位置に配置される。各ＭＥＭＳミラーアレイ２Ａ，２Ｂに配置される各々のＭＥＭＳミラーは、マイクロマシン（ＭＥＭＳ）技術を応用して作製した公知のマイクロティルトミラーであって、具体的には、例えばトーションバーにより支持され上面にミラーが形成された可動板をシリコン基板に一体に設け、該可動板を電磁力によりトーションバーを軸にして回動させることでミラーの振角を可変制御するものである。
【００１９】
制御装置のビームスプリッタ３は、ここでは、光信号交換器の出力側に位置するＭＥＭＳミラーアレイ２Ｂとコリメータアレイ１Ｂの間に挿入され、ＭＥＭＳミラーアレイ２Ｂからコリメータアレイ１Ｂに送られる光信号の一部を分岐してレンズアレイ４に送る。レンズアレイ４は、ビームスプリッタ３からの分岐光をＣＣＤイメージセンサ５の受光面に集光させる複数のレンズが２次元に配置されたものである。ＣＣＤイメージセンサ５は、レンズアレイ４を通過した光を受光して位置情報を生成し、その位置情報を制御回路６に伝える。なお、ここでは、光信号の位置情報を得る手段としてＣＣＤイメージセンサを用いるようにしたが、本発明はこれに限らず、所要の分解能で光信号の位置情報を得ることができる各種センサ（例えば、複数の受光素子を配列して構成したセンサなど）を利用することが可能である。制御回路６は、ＣＣＤイメージセンサ５からの位置情報に基づいて、入力側および出力側の各ＭＥＭＳミラーの角度ずれを算出して補正角度を演算し、その結果を各ＭＥＭＳミラーアレイ２Ａ，２Ｂの角度制御にフィードバックして補正を行う。
【００２０】
図２は、制御回路６の具体的な機能構成の一例を示すブロック図である。
図２の構成例では、ＣＣＤイメージセンサ５にてモニタされた位置情報が、位置情報記憶部６Ａに書き込まれる。位置情報記憶部６Ａの具体的な構成としては、例えば図３に示すように、後段で実行される位置情報の比較処理を考慮して、ＦＩＦＯ（First In First Out）方式のデータ処理に対応した構成とし、ここでは、各軸（Ｘ軸、Ｙ軸）ごとに位置情報を切り出して保存する方式を採用している。
【００２１】
また、初期位置情報記憶部６Ｂには、出力側の各コリメータにそれぞれ対応させて予め設定された初期位置情報が記憶されている。この初期位置情報記憶部６Ｂの具体的な構成も、例えば、上記位置情報記憶部６Ａの構成と同様にＦＩＦＯ方式のデータ処理に対応した構成とし、ここでは、各軸（Ｘ軸、Ｙ軸）ごとに初期位置情報を切り出して保存する方式を採用している。具体的な初期位置情報としては、例えば、図４に示すようなＭＥＭＳミラーアレイ２Ａ，２Ｂの配置において、すべてのＭＥＭＳミラーを非駆動状態（電気的な印加がなく傾斜角度が０度となる状態）としたときの光結合状態が初期位置情報記憶部６Ｂに記憶される。このような状態では、出力側の各ＭＥＭＳミラーで反射された光信号が、前述の図４６（Ｂ）に示した「ＯＫ」の状態で対応する出力光ファイバに結合することになる。なお、本発明における初期位置情報は、上記のような設定状態に限定されるものではなく、光信号が出力光ファイバのコアの部分に垂直に入射するような任意の状態を設定することが可能である。
【００２２】
図２に示す位置差分検出部（Ｘ軸）６Ｃは、位置情報記憶部６Ａおよび初期位置情報記憶部６Ｂに記憶されたＸ軸についての位置情報および初期位置情報をそれぞれ読み出して各々の情報を比較することで、ＣＣＤイメージセンサ５でモニタされた光信号についての初期位置に対する位置ずれＤＸを検出し、その検出結果を演算処理部６Ｊに出力する。また、これと同様にして位置差分検出部（Ｙ軸）６Ｄも、Ｙ軸についての位置情報および初期位置情報をそれぞれ読み出して比較することで位置ずれＤＹを検出して演算処理部６Ｊに出力する。
【００２３】
各軸についての位置ずれＤＸ，ＤＹを検出する具体的な方法としては、例えば図５に示すように、位置情報記憶部６Ａおよび初期位置情報記憶部６Ｂに記憶された対応する位置についての情報を同時に読み出し、位置情報記憶部６Ａからの位置情報を論理反転させて各々の情報の論理積を演算し、該演算結果のビット数をカウンタで計数することで位置ずれＤＸ，ＤＹを検出することができる。なお、図５には、Ｘ軸方向について位置ずれＤＸを検出する方法を例示したが、Ｙ軸方向についてもＸ軸方向の場合と同様にして位置ずれＤＹを検出することが可能である。また、本発明における光信号の位置ずれを検出する方法は、上記の一例に限られるものではなく、公知の画像処理技術を用いて位置ずれを検出することが可能である。
【００２４】
Ｄ／Ａ変換部（Ｘ軸）６ＥおよびＤ／Ａ変換部（Ｙ軸）６Ｆは、後述する演算処理部６Ｊからの出力信号をＤ／Ａ変換した後に、各ＭＥＭＳミラードライバ６Ｇ，６Ｈにそれぞれ出力する。ＭＥＭＳミラードライバ６Ｇは、入力側ＭＥＭＳミラーアレイ１Ａの各ＭＥＭＳミラーに対し、各Ｄ／Ａ変換部６Ｅ，６Ｆからの出力信号に応じた電圧信号を印加して、各々のＭＥＭＳミラーの角度を駆動制御する。ＭＥＭＳミラードライバ６Ｈは、出力側ＭＥＭＳミラーアレイ１Ｂの各ＭＥＭＳミラーに対し、各Ｄ／Ａ変換部６Ｅ，６Ｆからの出力信号に応じた電圧信号を印加して、各々のＭＥＭＳミラーの角度を駆動制御する。
【００２５】
印加電圧読み取り部６Ｉは、各ＭＥＭＳミラードライバ６Ｇ，６Ｈによって駆動される各ＭＥＭＳミラーアレイ１Ａ，１Ｂへの印加電圧値を、各軸方向についてそれぞれ読み取って演算処理部６Ｊに送る。演算処理部６Ｊは、位置差分検出部（Ｘ軸）６Ｃおよび位置差分検出部（Ｙ軸）６Ｄで検出された位置ずれＤＸ，ＤＹと、印加電圧読み取り部６Ｉで読み取られた印加電圧値とを基に、入力側および出力側の各ＭＥＭＳミラーについての角度ずれを算出して補正角度を演算し、その演算結果を各Ｄ／Ａ変換部６Ｅ，６Ｆを介して各々のＭＥＭＳミラードライバ６Ｇ，６Ｈにフィードバックして各ＭＥＭＳミラーの角度ずれを補正する。
【００２６】
ここで、演算処理部６Ｊで実行される演算処理について説明する。ただし、ここでは前述の図４に示したようなコリメータアレイ１Ａ，１ＢおよびＭＥＭＳミラーアレイ２Ａ，２Ｂの配置を想定し、Ｘ軸方向についての角度ずれの演算方法を具体的に説明することにする。なお、Ｙ軸方向についての角度ずれの演算方法は、Ｘ軸方向の場合と同様であるため説明を省略する。
【００２７】
まず、図６（Ａ）に示すように、入力側のコリメータアレイ１ＡからＭＥＭＳミラーアレイ２Ａに送られる光信号の入力点をＩＮとし、その入力点ＩＮからの光信号を反射する入力側のＭＥＭＳミラーを２ａとする。また、ＭＥＭＳミラー２ａからの光を再度反射する出力側のＭＥＭＳミラーを２ｂとし、このＭＥＭＳミラー２ｂで反射された光が出力光ファイバのコアの部分に垂直に入射する光結合状態を考えたときのＣＣＤイメージセンサ５上の到達点をＯＵＴとする。さらに、ＭＥＭＳミラー２ａからＭＥＭＳミラー２ｂまでの距離をＬ１とし、ＭＥＭＳミラー２ｂからＣＣＤイメージセンサ５までの距離をＬ２とする。なお、図６（Ａ）には、Ｘ軸方向（Ｙ軸に垂直な平面）について、ＣＣＤイメージセンサ５上の到達点ＯＵＴをＭＥＭＳミラー２ｂで反射された光の伝搬方向に投影した状態が示してある。また、各距離Ｌ１，Ｌ２は、各ミラーの反射面のサイズに比べて十分に長いため、各ミラーの角度が変化しても有意な誤差は生じないものとする。
【００２８】
上記のような状態において、図６（Ａ）に示すように、ＭＥＭＳミラー２ａの振角が予め設定された所定値から角度αだけずれ、また、ＭＥＭＳミラー２ｂの振角が予め設定された所定値から角度βだけずれた場合を考えると、各ＭＥＭＳミラー２ａ，２ｂで反射された光信号は、ＣＣＤイメージセンサ５上の到達点ＯＵＴから距離Ｄだけずれた位置で受光されることになる。ＭＥＭＳミラー２ａの反射点からＣＣＤイメージセンサ５上の到達点までの光信号の軌跡は、図６（Ｂ）に示す幾何学的な関係と等価であり、位置ずれＤは、距離Ｌ１，Ｌ２およびずれ角度α，βを用いて次の（１）式で表すことができる。
【００２９】
Ｄ＝Ｌ１×ｔａｎ２α＋Ｌ２×ｔａｎ２（α−β）  …（１）
ここで、各ＭＥＭＳミラー２ａ，２ｂのずれ角度α，βは、実際の使用状態を考慮すると非常に小さくなることが想定されるので（｜α｜，｜β｜≪１）、上記（１）式の関係は次の（１）’式に近似することが可能である。
【００３０】
Ｄ＝Ｌ１×２α＋Ｌ２×２（α−β）  …（１）’
上記（１）’式について、距離Ｌ１，Ｌ２は、各ＭＥＭＳミラー２ａ，２ｂの配置が決定されれば既知の値を設定することができる。従って、各ＭＥＭＳミラー２ａ，２ｂのずれ角度α，βは、上記（１）’式の関係を基に、位置差分検出部（Ｘ軸）６Ｃで検出される位置ずれＤＸの値とを用いて、次に示すような手順に従って算出することが可能になる。
【００３１】
まず始めに、ＭＥＭＳミラー２ｂの角度を調整して、光信号のＣＣＤイメージセンサ５上の到達位置が目標到達点ＯＵＴに一致するような状態をつくる。具体的には、位置差分検出部（Ｘ軸）６Ｃで検出される位置ずれＤＸの値が０となるまで、ＭＥＭＳミラー２ｂの角度を強制的にずらして行く。図７（Ａ）は上記のような状態を図６（Ａ）の場合と同様にして示したものであり、図７（Ｂ）は幾何学的に等価な関係を示したものである。このとき、ＭＥＭＳミラー２ｂについて調整した（ずらした）角度θＢは、印加電圧読み取り部６Ｉからの出力情報を基に、ＭＥＭＳミラードライバ６Ｈにおける印加電圧変化量をモニタすることで分かる。また、このような状態においては、図７（Ｂ）の幾何学的な関係より、次の（２）式が成立する。
【００３２】
Ｌ１×ｔａｎ２α＝Ｌ２×ｔａｎγ＝Ｌ２×ｔａｎ｛２θＢ−２（α−β）｝
Ｌ１：Ｌ２＝ｔａｎ｛２θＢ−２（α−β）｝：ｔａｎ２α  …（２）
ここで、｜α｜，｜β｜≪１とすると、上記（２）式の関係は次の（２）’式に近似することが可能である。
【００３３】
Ｌ１：Ｌ２＝２θＢ−２（α−β）：２α  …（２）’
次に、ＭＥＭＳミラー２ｂの角度を元の状態（角度βだけずれた状態）に戻した後、今度は、ＭＥＭＳミラー２ａの角度を調整して、光信号のＣＣＤイメージセンサ５上の到達位置が目標到達点ＯＵＴに一致するような状態をつくる。具体的には、前述したＭＥＭＳミラー２ｂの場合と同様にして、位置差分検出部（Ｘ軸）６Ｃで検出される位置ずれＤＸの値が０となるまで、ＭＥＭＳミラー２ａの角度を強制的にずらして行く。図８（Ａ）は上記のような状態を図６（Ａ）の場合と同様にして示したものであり、図８（Ｂ）は幾何学的に等価な関係を示したものである。このとき、ＭＥＭＳミラー２ａについて調整した（ずらした）角度θＡも、前述したＭＥＭＳミラー２ｂの場合と同様にして、印加電圧読み取り部６Ｉからの出力情報を基に、ＭＥＭＳミラードライバ６Ｇにおける印加電圧変化量をモニタすることで分かる。また、このような状態においては、図８（Ｂ）の幾何学的な関係より、次の（３）式が成立する。
【００３４】
Ｌ１×ｔａｎ２（α−θＡ）＝Ｌ２×ｔａｎγ’
＝Ｌ２×ｔａｎ｛２θＡ−２（α−β）｝
Ｌ１：Ｌ２＝ｔａｎ｛２θＡ−２（α−β）｝：ｔａｎ２（α−θＡ）…（３）
ここで、｜α｜，｜β｜≪１とすると、上記（３）式の関係は次の（３）’式に近似することが可能である。
【００３５】
Ｌ１：Ｌ２＝２θＡ−２（α−β）：２（α−θＡ）  …（３）’
このようにして得られた（２）’式および（３）’式の関係を基に、未知数αおよびβに関する連立方程式を解くことで、各ＭＥＭＳミラー２ａ，２ｂについてのずれ角度α，βがそれぞれ算出される。そして、ずれ角度α，βが補正されるように各ＭＥＭＳミラードライバ６Ｇ，６Ｈにおける印加電圧を決定する制御信号が生成され、該制御信号が各Ｄ／Ａ変換部６Ｅ，６Ｆを介して各々のＭＥＭＳミラードライバ６Ｇ，６Ｈに送られて、各ＭＥＭＳミラー２ａ，２ｂの角度補正が行われる。
【００３６】
上記のような一連の手順に従って、ＭＥＭＳミラーアレイ２Ａ，２Ｂの各ＭＥＭＳミラーの組み合わせごとに、Ｘ軸方向およびＹ軸方向についての角度ずれの補正を行うことで、各ＭＥＭＳミラーアレイ２Ａ，２Ｂで反射された光信号は、出力側のコリメータアレイ１Ｂを介して対応する出力光ファイバのコア部分に垂直に入射するようになる。
【００３７】
このように第１実施形態によれば、各ＭＥＭＳミラーアレイ２Ａ，２Ｂで反射された光信号についての位置情報をＣＣＤイメージセンサ５を用いて検出し、その位置情報を基に入力側および出力側の各ＭＥＭＳミラーのずれ角度を自動的に補正するようにしたことで、低光損失、かつ、高精度の光信号交換器を実現することができる。これにより、小型で大容量の光交換機や光スイッチの開発が可能になる。
【００３８】
なお、上述した第１実施形態における各ＭＥＭＳミラーのずれ角度の補正方法については、制御開始時の状態において、位置差分検出部６Ｃ，６Ｄで検出される位置ずれが発生していない（ＤＸ，ＤＹ＝０）場合には、各ＭＥＭＳミラーの角度を強制的にずらして角度θＡ，θＢを得ることが不可能であり、かつ、出力光ファイバのコアに対して光信号が垂直に入射されているのか（図４６（Ｂ）における「ＯＫ」の状態）、斜めに入射されているのか（図４６（Ｂ）における「ＮＧ２」の状態）を判別することが困難である。
【００３９】
このような場合には、例えば図９の等価図に示すように、入力側および出力側の各ＭＥＭＳミラー２ａ，２ｂの補正角度をα’，β’とし、該各補正角度α’，β’を、次の（４）式の関係を満たす任意の角度で同時に動かしてみることで、出力光ファイバへの光信号の入射状態を判別することが可能である。
【００４０】
α’：β’＝Ｌ２：Ｌ１＋Ｌ２  …（４）
すなわち、補正角度α’，β’を同時に動かしても、位置差分検出部６Ｃ，６Ｄで有意な位置ずれが検出されなければ、出力光ファイバのコアに対して光信号が垂直に入射していると判断できるため、このような場合には、各ＭＥＭＳミラー２ａ，２ｂの角度を初めの状態に戻せばよい。一方、補正角度α’，β’を同時に動かすことで、新たに位置ずれが検出されれば、出力光ファイバのコアに対して光信号が斜めに入っていると判断できるので、このような場合には、位置ずれが検出された状態を基に、上述した第１実施形態における補正方法に従って各ＭＥＭＳミラーの角度補正を行えばよい。
【００４１】
また、制御開始時の状態で位置ずれが発生していない場合の他の対処方法としては、出力側のＭＥＭＳミラーのみを動かすことでも、出力光ファイバへの光信号の入射状態を判別することが可能である。具体的には、出力光ファイバのコアに対して光信号が垂直に入射されている状態であれば、出力側ＭＥＭＳミラーの補正角度β’と、位置差分検出部で検出される位置ずれＤとの関係は、次の（５）式に従うことになる。
【００４２】
Ｄ＝Ｌ２×ｔａｎ２β’≒Ｌ２×２β’  …（５）
従って、出力側ＭＥＭＳミラーの角度を変化させたときに位置差分検出部で検出される位置ずれＤが、上記（５）式の関係に従って変化しない場合には、出力光ファイバのコアに対して光信号が斜めに入っていることになるので、このような場合には、位置ずれの生じた状態を基に、上述した第１実施形態における補正方法に従って各ＭＥＭＳミラーの角度補正を行えばよい。
【００４３】
さらに、出力光ファイバのコアに対する光信号の入射状態は、ＣＣＤイメージセンサ５で得られる画像を基に判別することも可能である。すなわち、ＣＣＤイメージセンサ５で得られる画像は、例えば図１０の下段に示すように、光信号の各入射状態（ＯＫ、ＮＧ１〜ＮＧ３）に応じて変化するので、制御開始時の状態で位置ずれが発生していない場合、ＣＣＤイメージセンサ５の画像は「ＯＫ」または「ＮＧ２」にあるように図形的な差異が生じることになる。この図形的な差異を判別することは公知の画像処理技術を適用することにより実現可能である。
【００４４】
具体的な画像処理方法としては、例えば図１１に示すように、位置情報記憶部６Ａおよび初期位置情報記憶部６Ｂに記憶された各情報をシリアルに読み出し、位置情報記憶部６Ａ側からの位置情報はシフトレジスタを介して排他的論理和回路に入力し、初期位置情報記憶部６Ｂ側からの初期位置情報はそのまま排他的論理和回路に入力する。そして、排他的論理和回路からの出力がすべてローレベルとなれば、初期位置情報で表される図形とＣＣＤイメージセンサ５で得られた画像の図形とが一致していることになる。
【００４５】
上記のような画像処理によって「ＮＧ２」の状態が判別されれば、該当するＭＥＭＳミラーの角度を変化させて位置差分検出部で有意な位置ずれが検出される状態をつくり、上述した第１実施形態における補正方法に従って各ＭＥＭＳミラーの角度補正を行えばよい。
【００４６】
加えて、ＣＣＤイメージセンサ５で得られる画像を用いて、出力光ファイバのコアに対する光信号の入射状態を判別するようにした場合には、上述した第１実施形態における補正方法の簡略化を図ることも可能になる。
【００４７】
すなわち、図１０において、出力光ファイバに対して光信号が垂直に入射している「ＯＫ」の状態と、光信号が垂直には入射しているが位置ずれを起こしている「ＮＧ１」の状態とでは、ＣＣＤイメージセンサ５の画像が図形的に同じになる。従って、位置差分検出部で有意な位置ずれが検出されていて、かつ、画像処理により垂直方向の入射が検出された場合には、「ＮＧ１」の状態を判別できる。この「ＮＧ１」の状態は、図１２に示すように、入力側のＭＥＭＳミラー２ａのずれ角度αと、出力側のＭＥＭＳミラー２ｂのずれ角度βとか略一致している（α＝β）ことになる。このα＝βの状態に着目すると、各々のＭＥＭＳミラー２ａ，２ｂを同一角度で動かしながらずれの補正を行うことが可能になる。具体的には、各ＭＥＭＳミラー２ａ，２ｂの補正角度α’＝β’は、上述の（１）’式より、位置差分検出部で検出される位置ずれＤを用いて次の（６）式で表すことができる。
【００４８】
α’＝β’＝Ｌ１／（２×Ｄ）  …（６）
これにより、上述した（２）’式および（３）’式の連立方程式を解くという処理を実行しなくても、位置差分検出部の検出結果に応じて補正角度を決定することが可能になる。
【００４９】
また、第１実施形態における各ＭＥＭＳミラーのずれ角度の補正方法の簡略化という点については、次のような応用も可能である。
例えば、各ＭＥＭＳミラーアレイ２Ａ，２ＢおよびＣＣＤイメージセンサ５の配置について、Ｌ１≪Ｌ２の関係が成り立つようであれば、上述した（１）’式に示した関係はさらに次の（１）’’式に近似することが可能である。
【００５０】
Ｄ＝２（α−β）×Ｌ２  …（１）’’
このような場合には、出力側ＭＥＭＳミラーアレイ２Ｂの各ＭＥＭＳミラーについてのみ角度ずれを補正制御することで、簡易的に光損失の低減を実現することが可能である。なお、上記の場合には、出力側ＭＥＭＳミラーの補正角度β’として、β’＝α−β＝Ｄ／（２×Ｌ２）を与えればよい。
【００５１】
また例えば、Ｌ１≪Ｌ２の関係が成り立つようであれば、上述した（１）’式に示した関係はさらに次の（１）’’’式に近似することが可能である。
Ｄ＝２×α×Ｌ１  …（１）’’’
このような場合には、入力側ＭＥＭＳミラーアレイ２Ａの各ＭＥＭＳミラーについてのみ角度ずれを補正制御することで、簡易的に光損失の低減を実現することが可能である。なお、上記の場合には、入力側ＭＥＭＳミラーの補正角度α’として、α’＝Ｄ／（２×Ｌ１）を与えればよい。
【００５２】
次に、本発明の第２実施形態にかかる光信号交換器の制御装置について説明する。
図１３は、第２実施形態かかる光信号交換器の制御装置の要部構成を示す概略図である。なお、第１実施形態の構成と同じの部分には同一の符号が付してあり、以下同様とする。
【００５３】
図１３において、第２実施形態の構成は、上述した第１実施形態の構成について、例えば、ビームスプリッタ３とコリメータアレイ１Ｂの間にビームスプリッタ３’をさらに挿入し、このビームスプリッタ３’で分岐された光をレンズアレイ４’を介してＣＣＤイメージセンサ５’で受光して、各ＭＥＭＳミラーアレイ２Ａ，２Ｂで反射された光信号についての別の位置情報を生成するようにしたものである。なお、新たに設けたビームスプリッタ３’、レンズアレイ４’およびＣＣＤイメージセンサ５’は、第１実施形態で用いたビームスプリッタ３、レンズアレイ４およびＣＣＤイメージセンサ５と同様のものである。
【００５４】
上記のような構成では、ビームスプリッタ、レンズアレイおよびＣＣＤイメージセンサを２組用いて光路長の異なる位置情報が生成され、それぞれの位置情報に基づいて各ＭＥＭＳミラーアレイ２Ａ，２Ｂのずれ角度の補正が行われる。この場合のずれ角度の補正方法は、各ＣＣＤイメージセンサ５，５’で得られる各々の位置情報に応じて検出される位置ずれＤ，Ｄ’の値によって、入力側および出力側の各ＭＥＭＳミラーの補正角度が一意に定まり、上述した第１実施形態の場合のようにＭＥＭＳミラーを強制的に動かす必要がなくなる。
【００５５】
具体的には、上述の図６などに示した場合と同様にして、入力側のＭＥＭＳミラー２ａのずれ角度をα、出力側のＭＥＭＳミラー２ｂのずれ角度をβとし、また、ＭＥＭＳミラー２ａからＭＥＭＳミラー２ｂまでの距離をＬ１、ＭＥＭＳミラー２ｂからＣＣＤイメージセンサ５までの距離をＬ２とする。さらに、ここでは、ＭＥＭＳミラー２ｂからＣＣＤイメージセンサ５’までの距離をＬ２’とする。この場合、各ＣＣＤイメージセンサ５，５’で得られる画像を用いて検出される位置ずれＤ，Ｄ’は、距離Ｌ１，Ｌ２，Ｌ２’およびずれ角度α，βを用いて次の（７）（８）式で表すことができる。
【００５６】
Ｄ＝Ｌ１×ｔａｎ２α＋Ｌ２×ｔａｎ２（α−β）  …（７）
Ｄ’＝Ｌ１×ｔａｎ２α＋Ｌ２’×ｔａｎ２（α−β）  …（８）
また、｜α｜，｜β｜≪１とすると、上記（７）（８）式の関係は次の（７）’（８）’式に近似することが可能である。
【００５７】
Ｄ＝Ｌ１×２α＋Ｌ２×２（α−β）
＝２×（Ｌ１＋Ｌ２）×α−２×Ｌ２×β  …（７）’
Ｄ’＝Ｌ１×２α＋Ｌ２’×２（α−β）
＝２×（Ｌ１＋Ｌ２’）×α−２×Ｌ２’×β  …（８）’
上記（７）’式および（８）’式の関係を基に、未知数αおよびβに関する連立方程式を解くことが可能であり、算出されたずれ角度α，βがそれぞれ補正されるように各ＭＥＭＳミラードライバの印加電圧が決定されて、各ＭＥＭＳミラー２ａ，２ｂの角度補正が行われる。
【００５８】
このように第２実施形態によれば、ビームスプリッタ、レンズアレイおよびＣＣＤイメージセンサを２組用いて光路長の異なる位置情報が得られるようにしたことで、各ＭＥＭＳミラー２ａ，２ｂの角度補正を高い精度で行うことができる。また、第１実施形態の場合のように各ＭＥＭＳミラー２ａ，２ｂの角度を強制的に動かすといった操作が不要になるため、制御速度を上げることも可能になる。
【００５９】
ここで、上記第２実施形態の応用例について説明しておく。
図１４は、第２実施形態に関連する第１の応用例の要部構成を示す概略図である。
図１４において、第１の応用例では、第２実施形態で用いたビームスプリッタ３’に代えて、ビームスプリッタ３にハーフミラー７が装着され、該ハーフミラー７で折り返された光信号の一部がレンズアレイ４’を介してＣＣＤイメージセンサ５’で受光され位置情報が生成されるようにしたものである。この場合のＭＥＭＳミラー２ｂからＣＣＤイメージセンサ５’までの距離Ｌ２’は、ＭＥＭＳミラー２ｂから、ビームスプリッタ３、ハーフミラー７、ビームスプリッタ３、ＣＣＤイメージセンサ５’までの間の距離となる。このような構成においても前述した第２実施形態の場合と同様の効果を得ることが可能である。
【００６０】
なお、図１４の構成例では、ハーフミラー７で折り返されビームスプリッタ３で分岐された光をＣＣＤイメージセンサ５’で受光するようにしたが、例えば図１５に示すように、入力側のコリメータアレイ１ＡとＭＥＭＳミラーアレイ２Ａの間にビームスプリッタ３’を配置し、ハーフミラー７で折り返され各ＭＥＭＳミラーアレイ２Ｂ，２Ａで反射された光信号をビームスプリッタ３’で分岐してＣＣＤイメージセンサ５’で受光するようにしても構わない。
【００６１】
図１６は、第２実施形態に関連する第２の応用例の要部構成を示す概略図である。
図１６において、第２の応用例では、出力側の各コリメータまたはそれに接続する出力光ファイバに別途光源８が接続され、該光源８から出射される光が出力側のコリメータからビームスプリッタ３、出力側のＭＥＭＳミラーアレイ１Ｂ、入力側のＭＥＭＳミラーアレイ１Ｂ、ビームスプリッタ３’に向けて伝搬され、該ビームスプリッタ３’で分岐された光がレンズアレイ４’を介してＣＣＤイメージセンサ５’で受光され位置情報が生成されるようにしたものである。この場合、ＣＣＤイメージセンサ５で得られる画像を用いて検出される位置ずれＤは、次の（９）式で表すことができ、また、ＣＣＤイメージセンサ５’で得られる画像を用いて検出される位置ずれＤ’は、次の（１０）式で表すことができる。
【００６２】
Ｄ＝Ｌ１×ｔａｎ２α＋Ｌ２×ｔａｎ２（α−β）
≒Ｌ１×２α＋Ｌ２×２（α−β）  …（９）
Ｄ’＝Ｌ１×ｔａｎ２β＋Ｌ３×ｔａｎ２（α−β）
≒Ｌ１×２β＋Ｌ３×２（α−β）  …（１０）
なお、入力側のＭＥＭＳミラーからＣＣＤイメージセンサ５’までの距離をＬ３としている。このような構成においても前述した第２実施形態の場合と同様の効果を得ることが可能である。
【００６３】
図１７は、第２実施形態に関連する第３の応用例の要部構成を示す概略図である。
図１７において、第３の応用例では、ビームスプリッタ３で分岐された光を受光するＣＣＤイメージセンサ５の受光面の位置が、光の伝搬方向に対して移動可能とされることで、第２実施形態で用いたビームスプリッタ３’、レンズアレイ４’およびＣＣＤイメージセンサ５’が設けられなくても、光路長の異なる位置情報が得られるようにしたものである。この場合、出力側のＭＥＭＳミラーからＣＣＤイメージセンサ５までの距離Ｌ２がＣＣＤイメージセンサ５の受光面の位置に応じて変化し、それぞれの受光面の位置で得られた画像を基に光信号の位置ずれＤ，Ｄ’が検出されることになる。
【００６４】
次に、本実施形態の第３実施形態にかかる光信号交換器の制御装置について説明する。
上述の第１、２実施形態では、ＣＣＤイメージセンサを用いて検出した光信号の位置情報を基に各ＭＥＭＳミラーアレイの角度補正を行う場合について説明した。これに対して第３実施形態では、出力光ファイバに結合された光信号のパワーをモニタし、そのモニタ結果を基に各ＭＥＭＳミラーアレイの角度補正を行う場合を説明する。
【００６５】
図１８は、第３実施形態かかる光信号交換器の制御装置の全体構成を示す概略図である。
図１８において、第３実施形態の全体構成は、例えば、上述の図４５に示した従来の構成と同様に、複数のコリメータを２次元に配置した２つのコリメータアレイ１Ａ，１Ｂと、該各コリメータアレイ１Ａ，１Ｂの各々のコリメータに対応した複数のＭＥＭＳミラーを２次元に配置した２つのＭＥＭＳミラーアレイ２Ａ，２Ｂとを組み合わせて構成した３次元型の光信号交換器について、出力側のコリメータアレイ１Ｂに接続される出力光ファイバアレイ１０Ｂの後段に設けられる光カプラアレイ１１と、該光カプラアレイ１１の各光カプラ１１で分岐された光のパワーを検出する光パワー検出部１２と、該光パワー検出部１２の検出結果を基に、出力光ファイバに対する光信号の結合状態を判別して各ＭＥＭＳミラー駆動部１４Ａ，１４Ｂを制御する比較制御部１３とを備えた制御装置を設けたものである。なお、ここでは、ＭＥＭＳミラーアレイ２Ａが第１ミラーアレイに相当し、ＭＥＭＳミラーアレイ２Ｂが第２ミラーアレイに相当し、ＭＥＭＳミラー駆動部１４Ａが第１ミラー駆動部に相当し、ＭＥＭＳミラー駆動部１４Ｂが第２ミラー駆動部に相当する。
【００６６】
光カプラアレイ１１は、出力光ファイバアレイ１０Ｂの各出力光ファイバに対応した複数の光カプラが配置されていて、各出力光ファイバを伝搬する光信号の一部が各々の光カプラで分岐されて光パワー検出部１２に送られる。
【００６７】
光パワー検出部１２は、例えば図１９の左側上部に示すように、光カプラアレイ１１の各光カプラで分岐されたモニタ光を受光してその光パワーに応じた電流信号を発生する光検出器１２Ａと、該光検出器１２Ａから出力される電流信号を電圧信号に変換するＩ／Ｖ変換器１２Ｂと、を有する。なお、図１９では１組の光検出器１２ＡおよびＩ／Ｖ変換器１２Ｂのみが示してあるが、実際には、光カプラアレイ１１の各光カプラにそれぞれ対応した、すなわち、光信号交換器の出力チャネル数に対応した光検出器１２ＡおよびＩ／Ｖ変換器１２Ｂが光パワー検出部１２に設けられているものとする。
【００６８】
比較制御部１３は、例えば図１９の中央上部に示すように、Ａ／Ｄ変換器１３Ａ、デコード回路１３Ｂ、ホールド回路１３Ｃ、比較回路１３Ｄ、カウンタ制御信号生成回路１３Ｅ、制御監視回路１３Ｆおよびセレクタ１３Ｇを有する。なお、ここでも１つの出力チャネルに対応した構成のみについて図示したが、実際の比較制御部１３は、光信号交換器の出力チャネル数に対応した同様の構成を備えているものとする。
【００６９】
Ａ／Ｄ変換器１３Ａは、光パワー検出部１２から出力されるアナログの電圧信号をデジタル信号に変換する一般的な電気回路であり、変換されたデジタルの電圧信号は、比較回路１３Ｄの一方の入力端子に送られるとともに、デコード回路１３Ｂにも送られる。デコード回路１３Ｂは、Ａ／Ｄ変換器１３Ａからのデジタル信号をデコードしてホールド回路１３Ｃに出力する。ホールド回路１３Ｃには、所要の周波数のクロック信号ＣＬＫが入力されていて、デコード回路１３Ｂからの出力信号が予め設定した一定時間だけ保持された後に、比較回路１３Ｄの他方の入力端子に送られる。このホールド回路１３Ｃにおいて信号が保持される時間は、例えば、後述するような各ＭＥＭＳミラーのフィードバック制御が１サイクル完了する時間に対応させて設定されるものとする。
【００７０】
比較回路１３Ｄは、Ａ／Ｄ変換器１３Ａおよびホールド回路１３Ｃからそれぞれ送られてくるデジタル信号で示される電圧値の大小比較を行い、その比較結果をカウンタ制御信号生成部１３Ｅおよび制御監視回路１３Ｆに伝える回路である。この比較回路１３Ｄは、具体的には、例えばＡ／Ｄ変換器１３Ａからのデジタル値（制御後の電圧値）がホールド回路１３Ｃからのデジタル値（制御前の電圧値）よりも大きければハイレベルの信号を出力し、小さければローレベルの信号を出力するようにする。
【００７１】
カウンタ制御信号生成部１３Ｅは、比較回路１３Ｄからの出力信号のレベルに応じてカウンタ制御信号を生成する。このカウンタ制御信号は、各ＭＥＭＳミラー駆動部１４Ａ，１４Ｂの後述するＵ／Ｄカウンタ２１Ｘ，２１Ｙのカウント値を制御するための信号である。ここでは、カウンタ制御信号生成部１３Ｅで生成されたカウンタ制御信号が、セレクタ１３Ｇを介して対応するＭＥＭＳミラー駆動部１４Ａ，１４Ｂに振り分けられるようにしている。
【００７２】
制御監視回路１３Ｆは、カウンタ制御信号生成部１３Ｅが比較回路１３Ｄからの出力信号のレベルに対してカウント値を増加させるカウンタ制御信号（以下、カウンタＵｐ信号とする）を与えるのか、或いは、減少させるカウンタ制御信号（以下、カウンタＤｏｗｎ信号とする）を与えるのかを決める指令を、比較回路１３Ｄからの出力信号に応じて生成し、該指令をカウンタ制御信号生成部１３Ｅおよびセレクタ１３Ｇに伝えるための回路である。このような指令をカウンタ制御信号生成部１３Ｅおよびセレクタ１３Ｇに伝える理由については後述する。
【００７３】
ＭＥＭＳミラー駆動部１４Ａは、光信号交換器の入力側のＭＥＭＳミラーアレイ２Ａを駆動制御するものである。具体的には、ＭＥＭＳミラーアレイ２Ａの各ＭＥＭＳミラーに対応させて、例えば図１９の中段部分に示すように、セレクタ２０と、Ｘ軸方向に対応したＵ／Ｄカウンタ２１ＸおよびＤ／Ａ変換器２２Ｘと、Ｙ軸方向に対応したＵ／Ｄカウンタ２１ＹおよびＤ／Ａ変換器２２Ｙと、ＭＥＭＳミラードライバ２３とを有する。また、ＭＥＭＳミラー駆動部１４Ｂは、光信号交換器の出力側のＭＥＭＳミラーアレイ２Ｂを駆動制御するものである。具体的には、ＭＥＭＳミラーアレイ２Ｂの各ＭＥＭＳミラーに対応させて、例えば図１９の下段部分に示すように、Ｘ軸方向に対応したＵ／Ｄカウンタ２１ＸおよびＤ／Ａ変換器２２Ｘと、Ｙ軸方向に対応したＵ／Ｄカウンタ２１ＹおよびＤ／Ａ変換器２２Ｙと、ＭＥＭＳミラードライバ２３と、を有する。なお、図１９の各ＭＥＭＳミラー駆動部１４Ａ，１４Ｂには、１つのＭＥＭＳミラー（１つのチャネル）に対応した構成のみがそれぞれ示してある。
【００７４】
ＭＥＭＳミラー駆動部１４Ａに設けられるセレクタ２０は、比較制御部１３からのカウンタ制御信号に応じて、ＭＥＭＳミラーアレイ２Ａに配置された複数のＭＥＭＳミラーのうちの制御対象となるＭＥＭＳミラーを選択し、そのＭＥＭＳミラーに対応した回路ブロックにカウンタ制御信号を伝えるものである。このセレクタ２０の選択動作は、光パワー検出部１２で検出される光の出力チャネルに対応した入力チャネルに関する情報が与えられることによって設定される。なお、ＭＥＭＳミラー駆動部１４Ｂには、上記のようなセレクタ２０が設けられていないが、これは、光パワー検出部１２で検出される光の出力チャネルが決まると、それに対応するＭＥＭＳミラーアレイ２ＢのＭＥＭＳミラーが１つに特定されるためである。
【００７５】
各ＭＥＭＳミラー駆動部１４Ａ，１４Ｂに設けられるＵ／Ｄカウンタ２１Ｘは、比較制御部１３からのカウンタ制御信号に従ってＭＥＭＳミラーのＸ軸方向についてのカウンタ値を増加または減少させ、そのカウンタ値をＤ／Ａ変換器２２Ｘに出力する。Ｄ／Ａ変換器２２Ｘは、Ｕ／Ｄカウンタ２１Ｘからのデジタルで表されたカウンタ値をアナログ値に変換してＭＥＭＳミラードライバに出力する。また、Ｕ／Ｄカウンタ２１Ｙは、比較制御部１３からのカウンタ制御信号に従ってＭＥＭＳミラーのＹ軸方向についてのカウンタ値を増加または減少させ、そのカウンタ値をＤ／Ａ変換器２２Ｙに出力する。Ｄ／Ａ変換器２２Ｙは、Ｕ／Ｄカウンタ２１Ｙからのデジタルで表されたカウンタ値をアナログ値に変換してＭＥＭＳミラードライバに出力する。
【００７６】
なお、各Ｕ／Ｄカウンタ２１Ｘ，２１Ｙには、ミラー調整速度の向上、すなわち、フィードバック時間を短縮させるために、入出力チャネルに応じて予め設定されたカウンタ初期値がそれぞれ与えられることが望ましい。このカウンタ初期値の具体的な設定方法については後述することにする。
【００７７】
各ＭＥＭＳミラー駆動部１４Ａ，１４Ｂに設けられるＭＥＭＳミラードライバ２３は、対応するＭＥＭＳミラーのＸ軸方向またはＹ軸方向の角度を各々の軸方向に対応したカウンタ値に従って駆動制御する信号を生成する。各ＭＥＭＳミラー駆動部１４Ａ，１４Ｂで生成された駆動制御信号は、各ＭＥＭＳミラーアレイ２Ａ，２Ｂの対応するＭＥＭＳミラーに与えられて角度ずれの補正が行われる。
【００７８】
次に、第３実施形態の動作について説明する。
まず、出力光ファイバに結合された光信号のパワーと入力側および出力側の各ＭＥＭＳミラーの角度との関係について、図２０の特性図を参照しながら概説する。
【００７９】
光信号変換器のミラー制御においては、出力光ファイバに結合される光信号のパワーが最大、すなわち、光信号変換器における光損失が最小になるように、入力側および出力側の各ＭＥＭＳミラーの角度を最適化する必要がある。ところで、上述の図４５に示したような３次元型の構成をもつ光信号変換器については、図２０（Ａ）に示すように、出力光パワーが最大になるミラー角度の最適点が、入力側および出力側の各ＭＥＭＳミラーについて出力光パワーがそれぞれ極大になる点で一致し、かつ、入力側のＭＥＭＳミラーの角度変化に対する出力光パワーの変化と、出力側のＭＥＭＳミラーの角度変化に対する出力光パワーの変化とが互いに依存することなく独立の関係になるという特性が確認されている。
【００８０】
なお、図２０には、各ＭＥＭＳミラーのＸ軸方向の角度を変化させたときの出力光パワーの変化の様子を示したが、上記の特性は各ＭＥＭＳミラーのＹ軸方向の角度を変化させたときについても同様である。また、入力側ＭＥＭＳミラーのＸ軸（Ｙ軸）方向の角度と出力側ＭＥＭＳミラーのＹ軸（Ｘ軸）方向の角度とを変化させたときの出力光パワーの変化特性も同様であり、さらには、一方の側のＭＥＭＳミラーについてＸ軸方向の角度とＹ軸方向の角度とを変化させたときに出力光パワーの変化特性も同様である。以下では、入力側および出力側の各ＭＥＭＳミラーのＸ軸方向の角度を変化（Ｙ軸方向の角度は固定）させた場合を想定して説明することにするが、上記他の組み合わせについても同様にして考えることが可能である。
【００８１】
例えば、図２０（Ａ）のＰ１点に示すような出力光パワーが得られている状態では、まず、図２０（Ｂ）に示すように、出力側ＭＥＭＳミラーの角度を固定とし入力側ＭＥＭＳミラーの角度を調整して出力光パワーが極大となるＰ２点の状態を実現する。次に、図２０（Ｃ）に示すように、入力側ＭＥＭＳミラーの角度を固定とし出力側ＭＥＭＳミラーの角度を調整して出力光パワーが極大となるＰ３点の状態を実現する。これにより、出力光パワーが最大になる（光信号変換器の光損失が最小になる）最適点に各ＭＥＭＳミラーの角度を制御することが可能になる。
【００８２】
上記のような３次元型の光信号変換器についての制御特性を考慮して、第３実施形態の制御装置では、例えば図２１に示すような具体的な回路構成を比較制御部１３のカウンタ制御信号生成回路１３Ｅおよび監視制御回路１３Ｆに適用して、各ＭＥＭＳミラーの角度ずれの補正制御が行われる。
【００８３】
図２１に示す具体例では、カウンタ制御信号生成回路１３Ｅの構成要素として極性反転回路１３Ｅ’が設けられる。また、監視制御回路１３Ｆについては、比較回路１３Ｄでの比較結果を示す信号が極性反転制御信号生成部３０およびＨ／Ｌ検出回路３１にそれぞれ入力され、極性反転信号生成部３０で生成される極性反転制御信号が極性反転回路１３Ｅ’に出力される。Ｈ／Ｌ検出回路３１では、比較回路１３Ｄからの出力信号レベルが監視され、ハイレベルからローレベルへの変化が検出されると、それを知らせる信号がセレクタ選択信号切替回路３２に出力されるとともに、極性反転回路１３Ｅ’の動作を無効にするディセーブル信号が極性反転回路１３Ｅ’に出力される。セレクタ選択信号切替回路３２では、Ｈ／Ｌ検出回路３１からの出力信号に応じて出力光パワーが極大点に達したことが判断されてセレクタ１３Ｇを切り替える選択信号が生成され、該選択信号がセレクタ１３Ｇおよび初期立上げ回路３３に送られる。初期立上げ回路３３は、角度ずれ補正制御の開始を合図する制御開始信号が入力されると、セレクタ１３Ｇに対して初期値を与えるとともに極性反転回路１３Ｅ’の動作を有効にするイネーブル信号を出力する。なお、初期立上げ回路３３から極性反転回路１３Ｅ’に与えられるイネーブル信号は、セレクタ選択信号切替回路３２からの出力信号に応じて出力状態が制御される。
【００８４】
上記のような回路構成を備えた比較制御部１３では、例えば図２２のタイミングチャートに示すように、まず、時間ｔ０において制御開始信号が初期立上げ回路３３に入力されると、初期立上げ回路３３は、例えば、カウンタ制御信号の初期値としてカウンタ値の増加を指示するカウンタＵｐ信号をセレクタ１３Ｇに与えると同時に、極性反転回路１３Ｅ’に対してイネーブル信号を与える。これにより各部の制御動作が開始される。なお、ここでは初期値としてカウンタＵｐ信号をセレクタ１３Ｇに与えるように設定したが、カウンタ値の減少を指示するカウンタＤｏｗｎ信号を初期値として与えるように設定してもよい。
【００８５】
セレクタ１３Ｇに与えられたカウンタＵｐ信号は、各ＭＥＭＳミラー駆動部１４Ａ，１４Ｂに振り分けられ、ＭＥＭＳミラー駆動部１４Ａに送られたカウンタＵｐ信号は、さらにセレクタ２０で振り分けられて角度ずれの制御対象となる入力側のＭＥＭＳミラーに対応した回路ブロックに送られる。また、ＭＥＭＳミラー駆動部１４Ｂに送られたカウンタＵｐ信号は、角度ずれの制御対象となる出力側のＭＥＭＳミラー（光パワー検出部１２で出力光パワーのモニタを行うチャネル）に対応した回路ブロックに送られる。ここでは、例えば前述の図２０に示したように、ＭＥＭＳミラーのＸ軸方向の角度ずれを入力側、出力側の順で補正制御する場合を考えることにすると、制御開始時には、比較制御部１３からのカウンタＵｐ信号が、ＭＥＭＳミラー駆動部１４ＡのＸ軸側のＵ／Ｄカウンタ２１Ｘに入力されることになる。
【００８６】
カウンタＵｐ信号の入力を受けたＵ／Ｄカウンタ２１Ｘでは、予め与えられたカウンタ初期値が増加され、該カウンタ値がＤ／Ａ変換器２２Ｘに出力されてＤ／Ａ変換される。そして、Ｄ／Ａ変換器２２Ｘの出力信号がＭＥＭＳミラードライバ２３に送られ、Ｕ／Ｄカウンタ２１Ｘのカウンタ値に応じて入力側ＭＥＭＳミラーのＸ軸方向の角度を制御する駆動制御信号が生成され、該駆動制御信号がＭＥＭＳミラーアレイ２Ａに与えられる。これにより、入力側のＭＥＭＳミラーアレイ２Ａの対応するＭＥＭＳミラーのＸ軸方向についての角度が変化し、該入力側ＭＥＭＳミラーおよびそれに対応する出力側ＭＥＭＳミラーで反射された光信号の出力光ファイバに対する結合状態が変化する。そして、出力光ファイバに結合された光信号は、その一部が光カプラ１１で分岐されて光パワー検出部１２に送られる。光パワー検出部１２では、光カプラ１１からのモニタ光が受光素子１２Ａで受光されて光パワーに応じた電流信号が発生し、Ｉ／Ｖ変換器１２Ｂで電圧信号に変換されて比較制御部１３に出力される。
【００８７】
出力光パワーのモニタ結果に応じた電圧信号は、比較制御部１３のＡ／Ｄ変換器１３Ａでデジタル信号に変換されて比較回路１３Ｄおよびデコード回路１３Ｂに送られる。比較回路１３Ｄには、入力側ＭＥＭＳミラーのＸ軸方向の角度を変化させる前の状態における出力光パワーに応じた電圧値がホールド回路１３Ｃから与えられていて、Ａ／Ｄ変換器１３Ａからの電圧値との比較が行われる。そして、入力側ＭＥＭＳミラーのＸ軸方向の角度を変化させたことにより、出力光パワーが大きくなった場合には、比較回路１３Ｄがハイレベルの出力信号を発生し、出力光パワーが小さくなった場合には、比較回路１３Ｄがローレベルの出力信号を発生する。
【００８８】
ここで、セレクタ１３Ｇに初期値として与えたカウンタＵｐ信号により、出力光パワーが増大する方向に変化した場合には、比較回路１３Ｄからのハイレベルの出力信号に対してカウンタＵｐ信号を生成し、ローレベルの出力信号に対してカウンタＤｏｗｎ信号を生成するようにカウンタ制御信号生成回路１３Ｅの動作設定を行う必要がある。また、出力光パワーが減少する方向に変化した場合には、比較回路１３Ｄからのハイレベルの出力信号に対してカウンタＤｏｗｎ信号を生成し、ローレベルの出力信号に対してカウンタＵｐ信号を生成するようにカウンタ制御信号生成回路１３Ｅの動作設定を行う必要がある。このようなカウンタ制御信号生成回路１３Ｅの動作設定を実現するために、本実施形態では、制御監視部１３Ｆに極性反転信号生成部３０が設けてあり、比較回路１３Ｄからの出力信号がローレベルであることが検出されると極性反転回路１３Ｅ’を反転動作させ、ハイレベルであることが検出されると極性反転回路１３Ｅ’を反転動作させないようにする極性反転制御信号が生成されて極性反転回路１３Ｅ’に送られる。これにより、極性反転回路１３Ｅ’が反転動作していない設定では、カウンタ制御信号生成回路１３Ｅの出力レベルが比較回路１３Ｄからの出力信号のレベル通りとなって、比較回路１３Ｄのハイレベル出力に対してハイレベルのカウンタＵｐ信号、比較回路１３Ｄのローレベル出力に対してローレベルのカウンタＤｏｗｎ信号が出力される。一方、極性反転回路１３Ｅ’が反転動作している設定では、比較回路１３Ｄのハイレベル出力に対してローレベルのカウンタＤｏｗｎ信号、比較回路１３Ｄのローレベル出力に対してハイレベルのカウンタＵｐ信号が出力されるようになる。
【００８９】
ここでは、初期値としてのカウンタＵｐ信号に対して、例えば図２２の時間ｔ１〜ｔ２に示すように、比較回路１３Ｄの出力信号がローレベルになったとすると、極性反転回路１３Ｅ’を反転動作させるハイレベルの極性反転信号が発生する。これにより、初期値としてハイレベルのカウンタＵｐ信号に設定されていたカウンタ制御信号が、時間ｔ２〜ｔ３に示すようにローレベルのカウンタＤｏｗｎ信号に切り替えられ、セレクタ１３Ｇ，２０を介してＭＥＭＳミラー駆動部１４ＡのＵ／Ｄカウンタ２１Ｘに送られる。そして、Ｕ／Ｄカウンタ２１Ｘのカウンタ値の減少により、入力側ＭＥＭＳミラーの角度が制御開始時とは逆方向に制御されて出力光パワーが増大する方向に変化するようになり、図２２の時間ｔ３〜ｔ４に示すように、比較回路１３Ｄの出力信号がハイレベルとなる。この比較回路１３Ｄのハイレベルの出力信号は、極性反転回路１３Ｅ’によって反転されてローレベルのカウンタＤｏｗｎ信号としてカウンタ制御信号生成回路１３Ｅから出力される。このようなカウンタＤｏｗｎ信号に従って、出力光パワーが極大点に達するまで（図２０（Ｂ）参照）、入力側ＭＥＭＳミラーの角度調整が繰り返される。
【００９０】
出力光パワーが極大点に達するか、または、極大点を超えると、図２２の時間ｔ５〜ｔ６に示すように、比較回路１３Ｄの出力信号がローレベルに転じる。この比較回路１３Ｄの出力レベルのハイからローへの変化は、制御監視回路１３ＦのＨ／Ｌ検出回路３１で検出され、それを知らせる信号がセレクタ選択信号切替回路３２に送られるとともに、極性反転回路１３Ｅ’に与えられていたイネーブル信号が取り消されて、その代わりにＨ／Ｌ検出回路３１から極性反転回路１３Ｅにディセーブル信号が送られる。また、このとき極性反転信号生成部３０から出力されていた極性反転信号も取り消される。そして、セレクタ選択信号切替回路３２では、Ｈ／Ｌ検出回路３１からの信号の入力により、入力側ＭＥＭＳミラーのＸ軸方向についての角度が最適な状態に制御されたことが判断されて、ここではセレクタ１３Ｇの設定を入力側ＭＥＭＳミラーのＸ軸方向から出力側ＭＥＭＳミラーのＸ軸方向に切り替える制御信号が生成されてセレクタ１３Ｇに送られる。
【００９１】
なお、ここでは比較回路１３Ｄの出力信号がローレベルに転じた時点で入力側ＭＥＭＳミラーのＸ軸方向の角度が最適化されたと判断するようにしたが、例えば、比較回路１３Ｄの出力信号がローレベルに転じた時の制御サイクルでカウンタ制御信号をカウンタＤｏｗｎ信号からカウンタＵｐ信号に切り替え、次の制御サイクルで、比較回路１３Ｄの出力信号がローレベルに転じる直前の状態となるように入力側ＭＥＭＳミラーの角度を戻すようにしてもよい。このような制御を行うか否かは、角度制御の精度等に応じて判断することになる。
【００９２】
上記のようにして入力側ＭＥＭＳミラーのＸ軸方向の角度制御が完了すると、次に、前述の図２０（Ｃ）に示したような出力側ＭＥＭＳミラーのＸ軸方向の角度制御が入力側ＭＥＭＳミラーの場合と同様にして行われ、出力光パワーが最大になる最適点に各ＭＥＭＳミラーのＸ軸方向の角度が制御される。さらに、各ＭＥＭＳミラーのＹ軸方向の角度についても、Ｘ軸方向の場合と同様にして出力光パワーが最大となるように制御を行うことで、各ＭＥＭＳミラーの角度が最適化される。これにより、光信号交換器の光損失を最小にすることが可能になる。
【００９３】
なお、上記第３実施形態では、入力側ＭＥＭＳミラーのＸ軸方向、出力側ＭＥＭＳミラーのＸ軸方向の順に角度を制御するようにしたが、出力側ＭＥＭＳミラーの角度制御を先に行うことも可能である。また、Ｘ軸方向の角度制御を行った後にＹ軸方向の角度制御を行うようにしたが、Ｙ軸方向の角度制御を先に行うようにしてもよい。さらに、一方の側のＭＥＭＳミラーについて各軸方向の角度制御を行った後に、他方の側のＭＥＭＳミラーについて各軸方向の角度制御を行うことも可能である。本発明における角度制御の順序は、前述の図２０で説明したように、出力光パワーの変化が各ＭＥＭＳミラーおよび各軸方向ごとに独立であるため、任意に設定することが可能である。
【００９４】
また、上記第３実施形態では、出力光パワーが極大点に達するまでＭＥＭＳミラーの角度制御を続けるようにしたが、例えば、出力光パワーが予め設定した値を超えた時点で制御を止めるようにすることも可能である。図２３は、上記の場合の比較制御部１３およびＭＥＭＳミラー駆動部１４Ａ，１４Ｂの構成例を示したものである。図２３の構成例では、Ａ／Ｄ変換器１３Ａから出力される電圧値を比較結果監視部１３Ｈで直接読み取り、比較回路１３Ｄにおける比較結果とは関係なく、電圧値が一定値を超えたらカウンタの動作を停止させるようにしたものである。
【００９５】
次に、本実施形態の第４実施形態にかかる光信号交換器の制御装置について説明する。
上述した第３実施形態では、各ＭＥＭＳミラーについて一方の軸方向について角度制御を行い、その制御が完了した後に、他方の軸方向の角度制御を行うようにした。第４実施形態では、入力側および出力側の各ＭＥＭＳミラーについて同一軸方向の角度を同時に制御し、処理時間の短縮を図るようにした場合を考える。
【００９６】
図２４は、第４実施形態における比較制御部１３の具体的な構成例を示すブロック図である。なお、光信号交換器および制御装置の全体構成は、上述の図１８に示した第３実施形態の場合と同様であり、また、光パワー検出部１２および各ＭＥＭＳミラー駆動部１４Ａ，１４Ｂの構成は、上述の図１９に示した具体例の場合と同様である。
【００９７】
図２４において、第４実施形態の比較制御部１３は、図１９および図２１に示した第３実施形態の構成について、カウンタ制御信号生成回路１３Ｅ内の極性反転回路１３Ｅ’に代えて、比較回路１３Ｄとカウンタ制御信号生成回路１３Ｅの間に比較信号受信回路１３Ｉが設けられる。また、制御監視回路１３Ｆについては、極性反転信号生成部３０に代えて、メモリ３４およびＣＰＵ３５が設けられる。
【００９８】
制御監視回路１３Ｆのメモリ３４は、Ａ／Ｄ変換器１３Ａから出力される電圧値を記憶し、その記憶データがＣＰＵ３５によって読み出される。ＣＰＵ３５は、後述するようにメモリ３４の記憶データ並びにＨ／Ｌ検出回路３１および初期立上げ回路からの信号に基づいて各部の動作を制御する。
【００９９】
ここで、上記のような構成を有する比較制御部１３の動作を図２５のフローチャートを参照しながら説明する。
比較制御部１３では、まず、図２５のステップ１０およびステップ２０（図中、Ｓ１０およびＳ２０で示し、以下同様とする）において、角度制御を行う軸方向を設定するためのセレクタ１３Ｇの出力選択が行われる。ここでは、最初にＸ軸方向の角度制御を行った後に、Ｙ軸方向の角度制御を行う場合を想定することにする。
【０１００】
各ＭＥＭＳミラーのＸ軸方向についての角度制御を行うためのセレクタ１３Ｇの出力選択が行われると、ステップ３０では、制御開始時の初期状態を基準に、カウンタ制御信号の初期値として、入力側ＭＥＭＳミラーに対しカウントＵｐ信号、出力側ＭＥＭＳミラーに対しカウントＵｐ信号（以下、このようなカウンタ制御信号の組み合わせを（Ｕ，Ｕ）と表記する）が初期立上げ回路３３から出力される。そして、カウンタ制御信号（Ｕ，Ｕ）は、セレクタ１３Ｇを介して各ＭＥＭＳミラー駆動部１４Ａ，１４ＢのＵ／Ｄカウンタ２１Ｘに与えられ、上述した第３実施形態の場合と同様にして、入力側および出力側の各ＭＥＭＳミラーのＸ軸方向の角度が制御されて、その時の光パワー検出部１２で検出される出力光パワーに対応した電圧値がメモリ３４に記憶される。カウンタ制御信号（Ｕ，Ｕ）に対する電圧値がメモリ３４に記録されると、各ＭＥＭＳミラーの角度が初期状態に戻され、入力側ＭＥＭＳミラーに対しカウントＤｏｗｎ信号、出力側ＭＥＭＳミラーに対しカウントＤｏｗｎ信号（以下、このようなカウンタ制御信号の組み合わせを（Ｄ，Ｄ）と表記する）が、カウンタ制御信号の初期値として与えられ、その時の出力光パワーに対応した電圧値がメモリ３４に記録される。さらに、上記の場合と同様にして、初期状態を基準にカウンタ制御信号（Ｕ，Ｄ）およびカウンタ制御信号（Ｄ，Ｕ）が順次与えられ、それぞれの場合における出力光パワーに対応した電圧値がメモリ３４に記録される。
【０１０１】
各カウンタ制御信号（Ｕ，Ｕ）（Ｄ，Ｄ）（Ｕ，Ｄ）（Ｄ，Ｕ）に対応した電圧値がメモリ３４に記憶されると、ステップ４０において、ＣＰＵ３５によりメモリ３４の記憶データが読み込まれ、出力光パワーが最も大きくなる時の電圧値の検出が行われ、そのときのカウンタ制御信号の組み合わせが判断される。ここでは、例えばカウンタ制御信号（Ｄ，Ｕ）のときに出力光パワーが最も大きくなった場合を考えることにする。
【０１０２】
そして、ステップ５０では、ＣＰＵ３５の判断結果に従って、カウンタ制御信号生成回路１３Ｅで生成されるカウンタ制御信号が（Ｄ，Ｕ）の組み合わせに設定されるとともに、比較信号受信回路１３Ｉの動作を有効にするイネーブル信号がＣＰＵ３５から出力され、前述した第３実施形態の場合と同様にして、比較回路１３Ｄからの出力信号レベルに基づく角度制御が行われる。具体的には、ステップ６０で比較回路１３Ｄからの出力信号がハイレベルであるかローレベルかの判定が行われ、ローレベルが判定される（極大検出）とステップ７０に移る。なお、ローレベルが判定されたときの状態は、入力側および出力側の各ＭＥＭＳミラーのうちの一方の角度が最適点に達したことを意味する。
【０１０３】
ステップ７０では、比較回路１３Ｄからの出力信号のハイレベルからローレベルへの変化がＨ／Ｌ検出回路３１により検出され、それを知らせる信号がＣＰＵ３５に伝えられる。Ｈ／Ｌ検出回路３１からの信号を受けたＣＰＵ３５では、比較信号受信回路１３Ｉへのイネーブル信号の出力を取り消して比較信号受信回路１３Ｉの動作を停止させるとともに、セレクタ選択信号切替回路３２を介して制御信号を送りセレクタ１３Ｇの動作を停止させる。
【０１０４】
次に、ステップ８０では、入力側および出力側の各ＭＥＭＳミラーについて、一方の側のＭＥＭＳミラーに対してカウンタＵｐ信号およびカウンタＤｏｗｎ信号を順に与え、各々の場合における出力光パワーに対応した電圧値がメモリ３４に記憶される。また、一方の側のＭＥＭＳミラーについての電圧値の記憶が完了すると、他方の側のＭＥＭＳミラーに対してカウンタＵｐ信号およびカウンタＤｏｗｎ信号を順に与え、各々の場合における出力光パワーに対応した電圧値がメモリ３４に記憶される。このような操作を行う理由は、例えば、入力側ＭＥＭＳミラーの角度が最適点に達していれば、入力側ＭＥＭＳミラーに対してカウンタＵｐ信号およびカウンタＤｏｗｎ信号を与えることで得られる出力光パワーの各値は、操作前の値よりも下回ることになる。一方、出力側ＭＥＭＳミラーに対してカウンタＵｐ信号およびカウンタＤｏｗｎ信号を与えることで得られる出力光パワーの値は、一方のカウンタ制御信号を与えたときに上回り、他方のカウンタ制御信号を与えたときに下回ることになる。従って、この差異に着目することで最適点に達していないＭＥＭＳミラーが判別可能になる。
【０１０５】
そこで、ステップ９０では、ＣＰＵ３５によりメモリ３４の記憶データが読み込まれ、出力光パワーがステップ８０の操作前の値を上回ったときのＭＥＭＳミラーおよびカウンタ制御信号が判断される。このＣＰＵ３５の判断結果に従って、ステップ１００では、比較信号受信回路１３Ｉにイネーブル信号が与えられると同時に一方の側のＭＥＭＳミラーの角度が制御され、比較回路１３Ｄからの出力信号レベルの判定がステップ１１０で行われる。比較回路１３Ｄからの出力信号がローレベルになったことが検出されると（極大検出）、前述のステップ７０と同様にしてステップ１２０で、比較信号受信回路１３Ｉおよびセレクタ１３Ｇの動作が停止される。そして、ステップ１３０では制御済みの軸方向の判別が行われ、Ｘ軸方向のみの制御が完了している場合には、ステップ２０に戻って各ＭＥＭＳミラーのＹ軸方向についての角度制御が、Ｘ軸方向の場合と同様にして行われる。
【０１０６】
上記のように第４実施形態によれば、入力側および出力側の各ＭＥＭＳミラーについて同一軸方向の角度を同時に制御するようにしたことで、各ＭＥＭＳミラーについての角度制御時間を短縮させることが可能になる。
【０１０７】
なお、上記第４実施形態では、各ＭＥＭＳミラーのＸ軸方向の角度を同時に制御して一方の側のＭＥＭＳミラーの角度が最適点に達した後は、他方の側のＭＥＭＳミラーについてのみ角度制御を行うようにしたが、一方の側の角度が最適化された後も、引き続き入力側および出力側の角度を同時に制御することも可能である。具体的には、例えば、カウンタ制御信号（Ｄ，Ｕ）により角度制御を行い、一方の側のＭＥＭＳミラーの角度が最適点に達した場合を考えると、その後のカウンタ制御信号の組み合わせとしては（Ｕ，Ｕ）または（Ｄ，Ｄ）、すなわち、これまで与えてきたカウンタ制御信号の組み合わせ（Ｄ，Ｕ）とその逆の組み合わせ（Ｕ，Ｄ）を除いたカウンタ制御信号を与えるようにする。そして、出力光パワーが大きくなる側のカウンタ制御信号の組み合わせを判別して角度制御を続け、比較回路の出力信号がローレベルに転じて再び極大点が検出されたら、一旦制御を止め、これまで与えてきたカウンタ制御信号とその逆を除いた組み合わせを与えて、上記の場合と同様の角度制御を繰り返し、最終的には、カウンタ制御信号の組み合わせを変えても出力光パワーが大きくならない極大点に達するまで角度制御を続けるようにする。このような制御方式においても、入力側および出力側の角度制御が同時に行われるため、処理時間の短縮を図ることが可能である。
【０１０８】
また、上記第４実施形態では、入力側および出力側の各ＭＥＭＳミラーについて同一軸方向の角度を同時に制御するようにしたが、本発明はこれに限らず、一方の側のＭＥＭＳミラーについてＸ軸方向およびＹ軸方向の各角度を同時に制御することも可能である。
【０１０９】
さらに、入力側および出力側の各ＭＥＭＳミラーについてＸ軸方向およびＹ軸方向の各角度をそれぞれ同時に制御し、各々の組み合わせに対応した状態で得られる出力光パワーを逐次メモリに記憶し、該メモリの記憶データから最大値を抽出し、その条件にあったカウンタ制御信号を設定して角度制御を行うようにすることも応用可能である。
【０１１０】
図２６は、上記の場合の比較制御部１３およびＭＥＭＳミラー駆動部１４Ａ，１４Ｂの構成例を示したものである。図２６の構成例では、比較制御部１３として、Ａ／Ｄ変換器１３Ａから出力される電圧値を記憶する光出力保存メモリ１３Ｊと、各ＭＥＭＳミラー駆動部１４Ａ，１４Ｂのカウント動作を制御するカウンタ制御回路１３Ｋと、光出力保存メモリ１３Ｊの記憶データを基にカウンタ制御回路１３Ｌの動作を制御するＣＰＵ１３Ｌとが設けられる。
【０１１１】
上記のような構成では、まず、制御開始時の初期状態における出力光パワーに対応した電圧値を光出力保存メモリ１３Ｊに記憶する。初期状態の電圧値の記憶が終了すると、それを知らせる信号がＣＰＵ１３Ｌに通知され、ＣＰＵ１３Ｌがカウンタ制御回路１３Ｌの動作を制御する。カウンタ制御回路１３Ｌでは、各ＭＥＭＳミラー駆動部１４Ａ，１４Ｂの各々のＵ／Ｄカウンタ２１Ｘ，２１Ｙのカウンタ値を、例えば、予め設定した範囲内で動かすような制御が行われ、１カウント動かすごとに得られる出力光パワーに対応した電圧値が光出力保存メモリ１３Ｊに逐次記憶される。各カウンタ値に対応した電圧値の記憶がすべて終了すると、ＣＵＰ１３Ｌでは、光出力保存メモリ１３Ｊの記憶データが解析され、出力光パワーが最大になるときのカウンタ値の条件が検出される。そして、その条件に従って各Ｕ／Ｄカウンタ２１Ｘ，２１Ｙのカウンタ値が設定され、入力側および出力側の各ＭＥＭＳミラーの角度が最適点に制御される。
【０１１２】
ここで、前述した第３および第４実施形態において、各ＭＥＭＳミラー駆動部１４Ａ，１４Ｂの各々のＵ／Ｄカウンタ２１Ｘ，２１Ｙにそれぞれ与えられるカウンタ初期値について詳しく説明する。
【０１１３】
前述したように、第３および第４実施形態では、入出力チャネルに応じて予め設定したカウンタ初期値を各Ｕ／Ｄカウンタ２１Ｘ，２１Ｙにそれぞれ与えて、ミラー調整速度の向上を図ることが望ましい。具体的には、例えば図２７に示すように、カウンタ初期値をメモリ４０等に格納しておき、外部から与えられる入出力チャネル情報に従って、入出力チャネルに対応した初期値をメモリ４０から読み出すような構成が可能である。また、カウンタ初期値としては、入力側のＭＥＭＳミラーおよび出力側のＭＥＭＳミラーについて実際に想定され得る傾斜角度を、入出力チャネルのあらゆる組み合わせに対応させて設定しておくことが最適である。
【０１１４】
ところで、上記のようにメモリ４０等に格納されるカウンタ初期値のデータとしては、入力チャネル情報と、出力チャネル情報と、入力側および出力側の各ＭＥＭＳミラーについての２軸の傾斜角度情報とが必要であり、そのデータの組み合わせとして｛（入力チャネル数）×（出力チャネル数）｝行数のテーブルを用意する必要がある。しかも、各軸の傾斜角度情報としては、例えば、入力チャネル数および出力チャネル数がともに６４の場合（以下、６４ｃｈ×６４ｃｈとする）、実際に想定される角度から見積もると、９〜１０ビットのデータ変換が要求される。このため、入力側および出力側の各２軸についての傾斜角度情報として４０ビット程度が必要になる。従って、６４ｃｈ×６４ｃｈの場合にカウンタ初期値を格納するためのメモリとしては、６４×６４×｛６（入力チャネル情報）＋６（入力チャネル情報）＋４０（傾斜角度情報）｝ビット、すなわち、約２１８ビットの容量が必要となる。このメモリ容量は、入出力チャネル数が倍になると、約７〜８倍が要求されるようになるため、多チャンネル化が行われることで、メモリ容量の肥大化とそれに伴う処理速度の低下が生じてしまい、ミラー調整速度に影響を及ぼす可能がある。
【０１１５】
そこで、以下では、入力側および出力側の各ＭＥＭＳミラーの光学的特性を利用することにより、カウンタ初期値を格納するメモリの構成を最適化するための技術について詳しく説明する。
【０１１６】
まず、各ＭＥＭＳミラーアレイ２Ａ，２Ｂについて、各々のＭＥＭＳミラーに対し、図２８に示すような順番で対称に番号を割り振るようにする。すなわち、３次元的に線対称となるように配置された各ＭＥＭＳミラーアレイ２Ａ，２Ｂが、それぞれ、Ｍ行Ｎ列に配列されたＭ×Ｎ個のＭＥＭＳミラーを有する場合に、その線対称の軸を基準して、入力側および出力側の各ＭＥＭＳミラーの番号が対称となるように、上段の第１行から下段の第Ｍ行まで連続番号を割り振るようにする。
【０１１７】
具体的には、入力側のＭＥＭＳミラーアレイ２Ａについては、図で左上を起点にして行番号１〜Ｍ、列番号１〜Ｎを振り、第１行・第１列のＭＥＭＳミラーを１番、第１行・第Ｎ列のＭＥＭＳミラーをＮ番、第２行・第１列のＭＥＭＳミラーをＮ＋１番、第２行・第Ｎ列のＭＥＭＳミラーを２×Ｎ番とし、以降同様にして連続番号を振り、第Ｍ行・第Ｎ列のＭＥＭＳミラーをＭ×Ｎ番とする。また、出力側のＭＥＭＳミラーアレイ２Ｂについては、図で右上を起点にして、入力側の場合と同様に各ＭＥＭＳミラーに対して１番からＭ×Ｎ番までの連続番号を振るようにする。
【０１１８】
なお、入力側の各ＭＥＭＳミラーに振られた番号および出力側の各ＭＥＭＳミラーに振られた番号は、後述する入出力チャネル情報を基に示される入力チャネル番号および出力チャネル番号にそれぞれ対応するものとする。
【０１１９】
図２９は、初期値メモリの構成を最適化するための第１の回路例を示すブロック図である。
図２９において、第１の回路例は、前述の図２７に示したカウンタ初期値を格納するメモリ４０に対して、入力Ｃｈ検出回路４１、出力Ｃｈ検出回路４２、剰余演算回路４３および差分演算回路４４によって入出力チャネル情報を基に生成したアクセス信号を与え、メモリ４０に格納する初期値データの削減を図ったものである。
【０１２０】
入力Ｃｈ検出回路４１は、外部等から与えられる入出力チャネル情報を基に、制御対象となる入力側のＭＥＭＳミラーに対応した入力チャネル番号を検出し、その検出結果を剰余演算回路４３および差分演算回路４４にそれぞれ出力する。また、出力Ｃｈ検出回路４２は、入出力チャネル情報を基に、制御対象となる出力側のＭＥＭＳミラーに対応した出力チャネル番号を検出し、その検出結果を差分演算回路４４に出力する。
【０１２１】
剰余演算回路４３は、入力Ｃｈ検出回路４１で検出された入力チャネル番号を、前述したＭＥＭＳミラーの配列における列の数Ｎで割ったときの余り（剰余）を演算し、その演算結果をアクセス信号としてメモリ４０に出力する。
【０１２２】
差分演算回路４４は、入力Ｃｈ検出回路４１で検出された入力チャネル番号と出力Ｃｈ検出回路４２で検出された出力チャネル番号との差を演算し、その演算結果をアクセス信号としてメモリ４０に出力する。
【０１２３】
上記のような回路構成では、例えば図３０に示すような入出力側の各ＭＥＭＳミラーの光学的特性を利用することによって、初期値メモリの構成の最適化が実現されることになる。なお、図３０の一例では、入出力チャネル数が６４ｃｈ×６４ｃｈの場合を考え、入出力側の各ＭＥＭＳミラーアレイ２Ａ，２Ｂが、８行８列に配列された６４個のＭＥＭＳミラーをそれぞれ有するものとする。
【０１２４】
図３０に示した各ＭＥＭＳミラーの光学的特性とは、入力チャネル番号を線対称軸に垂直な方向（行方向）に並べられたＭＥＭＳミラーの数（列の数）で割った余りと、入力チャネル番号および出力チャネル番号の差と、がそれぞれ一致するような入出力チャネルの組み合わせの場合には、入力側および出力側の各ＭＥＭＳミラーの傾斜角度が同一になるという、３次元的に線対称な各ＭＥＭＳミラーアレイ２Ａ，２Ｂの配置に基づいた光学特性である。上記のような入出力チャネルの関係は、入力チャネル番号ｉおよび出力チャネル番号ｊの２つの組み合わせを（ｉ１，ｊ１）、（ｉ２，ｊ２）とすると、次の（１１）式および（１２）式で表される。
【０１２５】
ｉ１＝ｉ２＋Ｎ×ｎ  …（１１）
ｉ１−ｊ１＝ｉ２−ｊ２  …（１２）
ただし、Ｎは列の数（図３０の例では８）であり、ｎは任意の整数である。（１１）式および（１２）式の関係を同時に満たす入出力チャネルの組み合わせは、具体的には図３０に例示したように、入力チャネル番号についての剰余が１となり、入出力チャネル番号の差分が９となる、（１，１０）、（９，１８）、…（４９，５８）などのグループを挙げることができる。外部からの入出力チャネル情報に従って上記のようなグループに該当する入出力チャネル番号が与えられた場合には、それに対応する入力側および出力側の各ＭＥＭＳミラーの傾斜角度がすべて同一となる。このため、入力チャネル番号についての剰余と、入出力チャネル番号間の差分とを基準にして関連付けを行い、メモリ４０に格納するカウンタ初期値のデータテーブルを作成することによって、メモリ構成の最適化を図ることが可能になる。
【０１２６】
次の表１は、図３０に示したような６４ｃｈ×６４ｃｈの場合に、入出力チャネル番号に関する剰余および差分を基準にして作成した、カウンタ初期値のデータテーブルの一例である。
【０１２７】
【表１】
0004549413.tif 000002
図２９に示した回路構成では、上記表１に示すようなカウンタ初期値のデータテーブルがメモリ４０に格納され、入出力チャネル情報に従って入力Ｃｈ検出回路４１および出力Ｃｈ検出回路４２で検出された入力チャネル番号および出力チャネル番号を用いて、剰余演算回路４３および差分演算回路４４により剰余および差分がそれぞれ演算され、それら演算結果に従ってメモリ４０の初期値データが読み出されるようになる。
【０１２８】
このような回路構成を適用することにより、メモリ４０に必要とされるメモリ容量は、本回路構成を適用しない図２７に示したような構成の場合に比べて、約２／Ｎ相当に軽減することが可能になる。具体的には、上記表１の一例において、メモリ４０に格納される初期値データは９６０通りとなる。一方、本回路構成を適用せずに６４ｃｈ×６４ｃｈの制御を行う場合には、４０９６通りの初期値データをメモリ４０に格納する必要が生じる。
【０１２９】
また、上記図２９に示した第１の回路例については、図３１に示すような改良を施すことによって、初期値メモリの構成をより最適化することが可能である。
図３１の改良例は、第１の回路例について０検出回路４５を設けたものである。この０検出回路４５は、差分演算回路４４の演算結果が０になる場合を検出し、その検出結果をメモリ４０に伝えるものである。
【０１３０】
差分演算回路４４の演算結果が０になる場合、すなわち、入力チャネル番号と出力チャネル番号とが同じ場合には、本光信号交換器の構成上、入力側のＭＥＭＳミラーおよび出力側のＭＥＭＳミラーの各傾斜角度が共に０となり、各々のミラーの駆動電圧もそれぞれ０となる。そこで、このような場合を０検出回路４５を用いて検出してメモリ４０に伝えるようにすることで、入出力チャネル番号が同じという条件に対してメモリ４０のテーブルをさらに簡略化することができる。これにより、６４ｃｈ×６４ｃｈの場合には、７通りの初期値データの削減が可能になり、９５３通りの初期値データをメモリ４０に格納すればよくなる。
【０１３１】
なお、図３１の回路構成では、入出力チャネル番号が同一になるときの初期値データをメモリ４０に用意しておくようにしたが、例えば図３２に示すように、０検出回路４５から各ＭＥＭＳミラー駆動部１４Ａ，１４Ｂの各々のＤ／Ａ変換器２２Ｘ，２２Ｙにリセット信号をそれぞれ与えるようにしても構わない。
【０１３２】
次に、初期値メモリの構成を最適化するための第２の回路例について説明する。
前述した第１の回路例では、入出力チャネル番号に関する剰余と差分を基準にして関連付けを行い、初期値データの削減を図るようにした。第２の回路では、３次元的に線対称な各ＭＥＭＳミラーアレイ２Ａ，２Ｂの配置において、２組の入出力チャネル番号（ｉ１，ｊ１）、（ｉ２，ｊ２）の間に、ｉ１＝ｊ２，ｉ２＝ｊ１の関係がある場合、入力側および出力側の各ＭＥＭＳミラーの傾斜角度について、次の表２に示すような関係が成り立つことを利用して関連付けを行い、メモリ構成の最適化を図るようにしたものである。
【０１３３】
【表２】
0004549413.tif 000003
表２にあるように、２組の入出力チャネル番号（ｉ１，ｊ１）、（ｉ２，ｊ２）に関して、入力側および出力側の各ＭＥＭＳミラーの各軸方向に与える傾斜角度は、４つの角度Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄの組み合わせとして考えた場合に、各傾斜角度θＡＸ，θＢＸ，θＡＹ，θＢＹとの対応関係を並べ替え、符号を反転させた（絶対値が同じ）ものとなる。このような関係を利用することによって、メモリ４０に格納する初期値データを削減することが可能になる。
【０１３４】
図３３は、第２の回路例を示すブロック図である。
図３３において、第２の回路例は、前述の図２７に示したカウンタ初期値を格納するメモリ４０に対して、入力Ｃｈ検出回路４１、出力Ｃｈ検出回路４２および大小比較／ソート回路４６によって入出力チャネル情報を基に生成したアクセス信号を与え、さらに、メモリ４０から読み出した初期値をソート／符号反転回路４７で処理して各ＭＥＭＳミラー駆動部１４Ａ，１４Ｂに送るようにしたものである。
【０１３５】
大小比較／ソート回路４６は、入力Ｃｈ検出回路４１で検出された入力チャネル番号ｉと出力Ｃｈ検出回路４２で検出された出力チャネル番号ｊとの大小比較を行い、入出力チャネル番号を示す情報としてメモリ４０に与えるアクセス信号の上位側にチャネル番号の大きい方がくるように並べ替えを行うための回路である。
【０１３６】
この大小比較／ソート回路４６は、具体的には、例えば図３４に示すように、ＥＸ−ＯＲ回路４６Ａ，ＡＮＤ回路４６Ｂおよびラッチ回路４６Ｃを組み合わせた回路によって、入力チャネル番号ｉと出力チャネル番号ｊの大小比較を行い、その比較結果に基づいて２×２マトリックススイッチ４６Ｄによりチャネル番号の並べ替えを行うようにすることが可能である。なお、ラッチ回路４６Ｃは、２×２マトリックススイッチ４６Ｄに対して、入力チャネル番号ｉが出力チャネル番号ｊより大きい場合に入出力ポートの接続をバー状態にする信号を与え、入力チャネル番号ｉが出力チャネル番号ｊより小さい場合に入出力ポートの接続をクロス状態にする信号を与える。また、ラッチ回路４６Ｃから出力される大小比較の結果を示す信号は、後段のソート／符号反転回路４７にも送られる。
【０１３７】
ソート／符号反転回路４７は、大小比較／ソート回路４６からのアクセス信号に従ってメモリ４０から読み出された初期値データ（傾斜角度）が入力され、大小比較／ソート回路４６でｉ＞ｊの大小関係が検出された場合には、メモリ４０からの初期値データをそのまま各ＭＥＭＳミラー駆動部１４Ａ，１４Ｂの各々のＵ／Ｄカウンタ２１Ｘ，２１Ｙに出力し、大小比較／ソート回路４６でｉ＜ｊの大小関係が検出された場合には、メモリ４０からの初期値データを前述の表２に示したような関係に対応させて並べ替えて符号反転した後に、各ＭＥＭＳミラー駆動部１４Ａ，１４Ｂの各々のＵ／Ｄカウンタ２１Ｘ，２１Ｙに出力する。
【０１３８】
このソート／符号反転回路４７は、具体的には、例えば図３５に示すように、メモリ４０から読み出された傾斜角度データθＡＸ，θＢＸおよびθＡＹ，θＢＹを２×２マトリックススイッチ４７Ａおよび４７Ｂでそれぞれ受け、ｉ＜ｊの大小関係が検出された場合に、各２×２マトリックススイッチ４７Ａ，４７Ｂの入出力ポートの接続をクロス状態にして、θＡＸとθＢＸの並べ替えおよびθＡＹとθＢＹの並べ替えを行う。そして、各２×２マトリックススイッチ４７Ａ，４７Ｂから出力された各傾斜角度データは、各符号反転回路４７Ｃ，４７Ｄにそれぞれ送られ、ｉ＜ｊの場合に各傾斜角度データの符号が反転される。そして、符号反転回路４７Ｃから出力される各傾斜角度データが、各ＭＥＭＳミラー駆動部１４Ａ，１４ＢのＵ／Ｄカウンタ２１Ｘにそれぞれ送られ、符号反転回路４７Ｄから出力される各傾斜角度データが、各ＭＥＭＳミラー駆動部１４Ａ，１４ＢのＵ／Ｄカウンタ２１Ｙにそれぞれ送られる。
【０１３９】
上記のような第２の回路例を適用することにより、メモリ４０に必要とされるメモリ容量を、本回路構成を適用しない図２７に示したような構成の場合に比べて半減させることが可能になる。
【０１４０】
次に、初期値メモリの構成を最適化するための第３の回路例について説明する。
第３の回路では、３次元的に線対称な各ＭＥＭＳミラーアレイ２Ａ，２Ｂの配置において、２組の入出力チャネル番号（ｉ１，ｊ１）、（ｉ２，ｊ２）の間に、次の（１３）式〜（１５）式の関係が同時に成り立つ場合、入力側および出力側の各ＭＥＭＳミラーの傾斜角度について、次の表３に示すような関係が成立することを利用して、メモリ構成の最適化を図るようにしたものである。
【０１４１】
ｉ２＝ｉ１＋Ｎ×ｎ  …（１３）
ｊ２＝ｊ１−Ｎ×ｎ  …（１４）
−Ｎ＜ｉ１−ｊ２＜Ｎ  …（１５）
ただし、Ｎは列の数、ｎは任意の整数とする。
【０１４２】
【表３】
0004549413.tif 000004
図３６は、上記表３の関係を具体的に示した例示図である。図３６では、入出力チャネル数が６４ｃｈ×６４ｃｈの場合を考え、入出力側の各ＭＥＭＳミラーアレイ２Ａ，２Ｂが、８行８列に配列された６４個のＭＥＭＳミラーをそれぞれ有するものとしたとき、上記表３の関係が成り立つ組み合わせの１つとして、例えば、（ｉ１，ｊ１）＝（１，５１）、（ｉ２，ｊ２）＝（４９，３）を想定している。このような入出力チャネルにおいては、入力側および出力側の各ＭＥＭＳミラーの傾斜角度について、絶対値が各軸方向で同じになり、その符号がＹ軸方向で反転した関係が成り立つようになる。このような関係を利用することによっても、メモリ４０に格納する初期値データを削減することが可能になる。
【０１４３】
図３７は、第３の回路例を示すブロック図である。
図３７において、第３の回路例は、前述の図２７に示したカウンタ初期値を格納するメモリ４０に対して、入力Ｃｈ検出回路４１、出力Ｃｈ検出回路４２、組み替え回路４８および大小比較回路４９によって入出力チャネル情報を基に生成したアクセス信号を与え、さらに、メモリ４０から読み出した初期値を、その一部を符号反転回路５０Ａ，５０Ｂで処理して各ＭＥＭＳミラー駆動部１４Ａ，１４Ｂに送るようにしたものである。
【０１４４】
組み替え回路４８は、大小比較回路４９によって比較される入出力チャネル番号間の大小関係に応じて、前述の（１３）式〜（１５）式の関係に従い、入力チャネル番号ｉおよび出力チャネル番号ｊの組み替えを行うものである。この組み替え回路４８は、具体的には、例えば図３８に示すように、セレクタ４８Ａ，４８Ｂ、商・剰余算出回路４８Ｃ，４８Ｄおよび演算回路４８Ｅ，４８Ｆを組み合わせて構成することが可能である。
【０１４５】
図３８の回路構成では、大小比較回路４９における比較結果がｉ＞ｊを示す場合、チャネル番号の組み替えを必要としない設定になっていて、入力Ｃｈ検出回路４１および出力Ｃｈ検出回路４２から送られてくる入力チャネル番号ｉおよび出力チャネル番号ｊが、そのまま各セレクタ４８Ａ，４８Ｂを介してメモリ４０に伝えられる。一方、大小比較回路４９における比較結果がｉ＜ｊを示す場合には、入力チャネル番号ｉおよび出力チャネル番号ｊについて、商・剰余算出回路４８Ｃ，４８Ｄで、チャネル番号を列の数Ｎで割ったときの商および剰余がそれぞれ算出される。入力チャネル番号ｉについて商・剰余算出回路４８Ｃで算出された、商は演算回路４８Ｆに出力され、剰余は演算回路４８Ｅに出力される。また、出力チャネル番号ｊについて商・剰余算出回路４８Ｄで算出された、商は演算回路４８Ｅに出力され、剰余は演算回路４８Ｆに出力される。そして、各演算回路４８Ｅ，４８Ｆでは、与えられた商および剰余を用いてチャネル番号の再計算が行われ、演算回路４８Ｅの再計算結果が組み替え後の入力チャネル番号としてセレクタ４８Ａを介してメモリ４０に送られ、演算回路４８Ｆの再計算結果が組み替え後の出力チャネル番号としてセレクタ４８Ｂを介してメモリ４０に送られる。
【０１４６】
上記のような組み替え回路４８における処理動作は、前述の図３６に例示したような６４ｃｈ×６４ｃｈの場合には、例えば図３９に示すように、組み替え前の入力チャネル番号ｉ１および出力チャネル番号ｊ１を６ビットデータで表すとき、組み替え後の入力チャネル番号ｉ２および出力チャネル番号ｊ２として、組み替え前の各データの上位３ビットを互いに入れ替えた６ビットデータを作成することになる。このようなデータ処理を実行する組み替え回路４８は、論理回路の組み合わせにより容易に実現可能である。
【０１４７】
符号反転回路５０Ａは、組み替え回路４８から出力される入出力チャネルデータに従ってメモリ４０から読み出された傾斜角度のうち、入力側のＭＥＭＳミラーのＹ軸方向に対応した傾斜角度θＡＹが入力され、大小比較回路４９における比較結果がｉ＞ｊを示す場合にはそのままの傾斜角度θＡＹを、比較結果がｉ＜ｊを示す場合には符号を反転させた傾斜角度θＡＹをＭＥＭＳミラー駆動部１４ＡのＵ／Ｄカウンタ２１Ｙに送る。また、符号反転回路５０Ｂは、組み替え回路４８から出力される入出力チャネルデータに従ってメモリ４０から読み出された傾斜角度のうち、出力側のＭＥＭＳミラーのＹ軸方向に対応した傾斜角度θＢＹが入力され、大小比較回路４９における比較結果がｉ＞ｊを示す場合にはそのままの傾斜角度θＢＹを、比較結果がｉ＜ｊを示す場合には符号を反転させた傾斜角度θＢＹをＭＥＭＳミラー駆動部１４ＢのＵ／Ｄカウンタ２１Ｙに送る。
【０１４８】
上記のような第３の回路例を適用することによって、メモリ４０に必要とされるメモリ容量を、本回路構成を適用しない図２７に示したような構成の場合に比べて半減させることが可能になる。
【０１４９】
次に、初期値メモリの構成を最適化するための第４の回路例について説明する。
上述した第１〜第３の回路例では、２組の入出力チャネル番号（ｉ１，ｊ１）、（ｉ２，ｊ２）について、対応する各ＭＥＭＳミラーの各軸方向の傾斜角度の相対関係を基にメモリ構成の最適化を図ってきた。第４の回路例では、カウンタ初期値の精度に対する要求が比較的厳しくなく、かつ、メモリ容量に制限があるような場合に、１組の入出力チャネル番号（ｉ１，ｊ１）について、ｉ１とｊ１との間の列差または行差を基準にして補正角度を考えることで、メモリ構成の最適化を図るようにしたものである。具体的には、例えばｉ１とｊ１が同じ行に位置する場合に、ｉ１とｊ１の間の列差に着目すると、次の表４および表５に示すような関係が成立することを利用したものである。
【０１５０】
【表４】
0004549413.tif 000005
【０１５１】
【表５】
0004549413.tif 000006
表４にあるように、ｉ１とｊ１が同じ行に位置する場合、入力側および出力側の各ＭＥＭＳミラーのＹ軸方向の傾斜角度θＡＹ，θＢＹは同じ値Ｂになり、Ｘ軸方向の傾斜角度θＡＸ，θＢＸは絶対値が同じで符号が異なる値Ａ，−Ａとなる。そして、Ｘ軸方向の傾斜角度θＡＸ，θＢＸの絶対値Ａは、表５にあるように、αを基準の補正角度として列差に依存した線形関係を持つようになる。
【０１５２】
図４０は、列差を基準にしたＸ軸方向の傾斜角度θＡＸ，θＢＸの関係を説明する図である。
図４０に示したように、入力側のＭＥＭＳミラーに対して出力側のＭＥＭＳミラーが同じ列に位置して列差が０となるときには、各ＭＥＭＳミラーのＸ軸方向の傾斜角度θＡＸ，θＢＸがそれぞれ０になり、列差が１となるときには、傾斜角度θＡＸ＝α、θＢＸ＝−αになり、列差がＮ−１になるときには、傾斜角度θＡＸ＝（Ｎ−１）×α、θＢＸ＝−（Ｎ−１）×αになる。
【０１５３】
上記のような関係は、ｉ１とｊ１が同じ列に位置し、ｉ１とｊ１の間の行差に着目する場合にも同様にして考えることができる。従って、このような関係を利用することによって、メモリ４０に格納する初期値データを大幅に減らすことが可能になる。
【０１５４】
図４１は、第４の回路例を示すブロック図である。
図４１において、第４の回路例は、前述の図２７に示したカウンタ初期値を格納するメモリ４０に対して、入力Ｃｈ検出回路４１、出力Ｃｈ検出回路４２および行列差演算回路５１によって入出力チャネル情報を基に生成したアクセス信号を与え、さらに、メモリ４０から読み出した初期値を、その一部を符号反転回路５２Ａ，５２Ｂで処理して各ＭＥＭＳミラー駆動部１４Ａ，１４Ｂに送るようにしたものである。
【０１５５】
行列差演算回路５１は、入力Ｃｈ検出回路４１で検出された入力チャネル番号と出力Ｃｈ検出回路４２で検出された出力チャネル番号に従って、入出力チャネル間の列差または行差を演算し、その演算結果をアクセス信号としてメモリ４０に与えるものである。この行列差演算回路５１は、具体的には、例えば図４２に示すように、商・剰余算出回路５１Ａ，５１Ｂおよび演算回路５１Ｃ，５１Ｄを組み合わせて構成することが可能である。
【０１５６】
図４２の回路構成では、商・剰余算出回路５１Ａにおいて、入力チャネル番号を列の数Ｎで割ったときの商および剰余が算出され、その商が演算回路５１Ｄに出力され、剰余が演算回路５１Ｃに出力される。また、商・剰余算出回路５１Ｂにおいては、出力チャネル番号を列の数Ｎで割ったときの商および剰余が算出され、その商が演算回路５１Ｄに出力され、剰余が演算回路５１Ｃに出力される。そして、演算回路５１Ｃでは、各商・剰余算出回路５１Ａ，５１Ｃからの剰余の値を用いて列差が演算されてメモリ４０に送られる。また、演算回路５１Ｄでは、各商・剰余算出回路５１Ａ，５１Ｃからの商の値を用いて行差が演算されてメモリ４０に送られる。
【０１５７】
メモリ４０には、前述の表５に示したような各列差に対応した補正角度の値と、各行差に対応した補正角度の値とがそれぞれ格納されていて、行列差演算回路５１から送られる列差または行差に従って該当する格納データが読み出される。なお、ここでは、列差および行差に対応した補正角度データをメモリ４０に格納しておく構成を示したが、メモリ４０に代えて、例えば図４３に示すような掛算回路４０’を設け、行列差演算回路５１から送られる列差または行差に応じて補正角度を逐次計算することも可能である。
【０１５８】
符号反転回路５２Ａは、列差に対応させてメモリ４０から読み出された補正角度データが入力され、符号を反転させた補正角度をＭＥＭＳミラー駆動部１４ＢのＵ／Ｄカウンタ２１Ｘに送る。また、符号反転回路５２Ａは、行差に対応させてメモリ４０から読み出された補正角度データが入力され、符号を反転させた補正角度をＭＥＭＳミラー駆動部１４ＢのＵ／Ｄカウンタ２１Ｙに送る。
【０１５９】
上記のような第４の回路例を適用することによって、メモリ４０に必要とされるメモリ容量を、本回路構成を適用しない図２７に示したような構成の場合に比べて大幅に削減させることが可能になる。
【０１６０】
なお、上述した第１〜第４実施形態では、３次元型の光信号交換器として、図４５に示したような構成を考えたが、本発明が適用可能な光信号交換器の構成はこれに限られるものではない。例えば、図４４に示すように、入力側および出力側の各コリメータアレイ１Ａ，１Ｂを並べて配置した入出力一体型のコリメータアレイと、入力側および出力側の各ＭＥＭＳミラーアレイ２Ａ，２Ｂを並べて配置した入出力一体型のＭＥＭＳミラーアレイと、入力側ＭＥＭＳミラーからの光をシフトさせながら折り返して出力側ＭＥＭＳミラーに戻すシフト型折り返しミラーと、を有するような３次元型の光信号交換器などに対しても本発明の制御技術を適用することが可能である。ただし、入出力一体型のＭＥＭＳミラーアレイを適用した構成について、前述した初期値メモリの構成を最適化するための第１〜第４の回路例を採用することは除かれるものとする。
【０１６１】
以上、本明細書で開示した主な発明について以下にまとめる。
（付記１）  反射面の角度が制御可能な複数のティルトミラーを平面上に配置した第１ミラーアレイおよび第２ミラーアレイを有し、入力された光信号を前記第１ミラーアレイおよび前記第２ミラーアレイで順次反射して特定の位置から出力する光信号交換器について、前記第１ミラーアレイおよび前記第２ミラーアレイの各ティルトミラーの反射面の角度を制御する制御装置であって、
前記第２ミラーアレイで反射された光信号の出力状態を検出する出力光検出手段と、
該出力光検出手段の検出結果に基づいて、前記第１ミラーアレイおよび前記第２ミラーアレイの前記光信号を反射した各ティルトミラーの反射面の角度を判断し、該各角度が予め設定した目標値に近づくように前記各ティルトミラーの反射面の角度を補正制御する角度制御手段と、を備えて構成されたことを特徴とする光信号交換器の制御装置。
【０１６２】
（付記２）  付記１に記載の制御装置であって、
前記出力光検出手段は、前記第２ミラーアレイで反射された光信号の一部を分岐する光分岐部と、該光分岐部からの分岐光を２次元の領域を有する受光面で受光して、前記分岐光についての位置情報を生成する位置情報生成部と、を有し、
前記角度制御手段は、前記位置情報生成部からの位置情報と、前記各ティルトミラーの反射面の角度の目標値に対応させて予め設定した初期位置情報とを比較することで、前記光信号の到達位置の誤差を検出する位置差分検出部と、該位置差分検出部で検出された到達位置の誤差を基に、前記各ティルトミラーの反射面の角度ずれを算出して補正角度を演算する演算処理部と、該演算処理部で演算された補正角度に従って前記各ティルトミラーの反射面の角度を制御する補正制御部と、を有することを特徴とする光信号交換器の制御装置。
【０１６３】
（付記３）  付記２に記載の制御装置であって、
前記演算処理部は、前記位置差分検出部で検出される到達位置の誤差が略零となるように、前記第１ミラーアレイ側の反射面の角度のみを強制的に変化させたときの第１角度変化量と、前記第２ミラーアレイ側の反射面の角度のみを強制的に変化させたときの第２角度変化量と、を用いて、前記各ティルトミラーの反射面の角度ずれを算出して補正角度を演算することを特徴とする光信号交換器の制御装置。
【０１６４】
（付記４）  付記３に記載の制御装置であって、
前記演算処理部は、前記位置差分検出部で有意な誤差が検出されない場合に、少なくとも前記第２ミラーアレイ側の反射面の角度を変化させたときに前記位置差分検出部で検出される誤差の変化状態に応じて、光信号の出力状態を判別するようにしたことを特徴とする光信号交換器の制御装置。
【０１６５】
（付記５）  付記３に記載の制御装置であって、
前記演算処理部は、前記位置差分検出部で有意な誤差が検出されない場合に、前記位置情報生成部で得られる画像の図形情報に基づいて、光信号の出力状態を判別するようにしたことを特徴とする光信号交換器の制御装置。
【０１６６】
（付記６）  付記２に記載の制御装置であって、
前記出力光検出手段は、前記第２ミラーアレイで反射された光信号の一部を異なる位置で分岐する少なくとも２つの光分岐部と、該各光分岐部からの分岐光を２次元の領域を有する受光面で受光して、前記各分岐光についての位置情報をそれぞれ生成する少なくとも２つの位置情報生成部と、を有し、
前記角度制御手段は、前記第１ミラーアレイおよび前記第２ミラーアレイの各反射面の角度を強制的に変化させることなく、各々の反射面の角度ずれを算出して角度補正を行うことを特徴とする光信号交換器の制御装置。
【０１６７】
（付記７）  付記２に記載の制御装置であって、
前記出力光検出手段は、前記第２ミラーアレイで反射された光信号の一部を分岐する光分岐部と、該光分岐部からの分岐光を、２次元の領域を有し、かつ、前記分岐光の伝搬方向に移動可能な受光面で受光して、前記分岐光についての少なくとも２種類の位置情報を生成する位置情報生成部と、を有し、
前記角度制御手段は、前記第１ミラーアレイおよび前記第２ミラーアレイの各反射面の角度を強制的に変化させることなく、各々の反射面の角度ずれを算出して角度補正を行うことを特徴とする光信号交換器の制御装置。
【０１６８】
（付記８）  付記１に記載の制御装置であって、
前記出力光検出手段は、前記特定の位置から出力される光信号のパワーを検出する光パワー検出部を有し、
前記角度制御手段は、前記第１ミラーアレイの各ティルトミラーの反射面の角度を一定の制御方向に段階的に変化させる第１ミラー駆動部と、前記第２ミラーアレイの各ティルトミラーの反射面の角度を一定の制御方向に段階的に変化させる第２ミラー駆動部と、前記第１ミラー駆動部および前記第２ミラー駆動部の少なくとも一方により反射面の角度を変化させた時の直前および直後に前記光パワー検出部で検出される出力光パワーの各値を比較し、該比較結果を基に前記第１ミラー駆動部および前記第２ミラー駆動部における各制御方向を決定して、前記光パワー検出部で検出される出力光パワーが増大するように前記各ティルトミラーの反射面の角度をフィードバック制御する比較制御部と、有することを特徴とする光信号交換器の制御装置。
【０１６９】
（付記９）  付記８に記載の制御装置であって、
前記比較制御部は、前記光パワー検出部で検出された出力光パワーを示す出力信号を一定の時間保持して出力するホールド回路と、前記光パワー検出部からの出力信号および前記ホールド回路からの出力信号を比較し、各出力信号で示される出力光パワーの大小関係に応じてレベルが変化する信号を出力する比較回路と、該比較回路からの出力信号のレベルに従って、前記第１ミラー駆動部および前記第２ミラー駆動部における各制御方向を決定する信号を生成する制御信号生成回路と、前記比較回路からの出力信号を監視して前記制御信号生成回路の動作設定を制御する制御監視回路と、を有することを特徴とする光信号交換器の制御装置。
【０１７０】
（付記１０）  付記８に記載の制御装置であって、
前記比較制御部は、前記第１ミラーアレイおよび前記第２ミラーアレイの各ティルトミラーについて、それぞれ、一方の軸方向の角度制御が完了した後に、他方の軸方向の角度制御が行われるように、前記第１ミラー駆動部および前記第２ミラー駆動部を制御することを特徴とする光信号交換器の制御装置。
【０１７１】
（付記１１）  付記８に記載の制御装置であって、
前記比較制御部は、前記第１ミラーアレイおよび前記第２ミラーアレイの各ティルトミラーについて、同一軸方向の角度制御が同時に行われるように前記第１ミラー駆動部および前記第２ミラー駆動部を制御することを特徴とする光信号交換器の制御装置。
【０１７２】
（付記１２）  付記８に記載の制御装置であって、
前記比較制御部は、前記第１ミラーアレイおよび前記第２ミラーアレイの各ティルトミラーについて、それぞれ、異なる軸方向の角度制御が同時に行われるように前記第１ミラー駆動部および前記第２ミラー駆動部を制御することを特徴とする光信号交換器の制御装置。
【０１７３】
（付記１３）  付記８に記載の制御装置であって、
前記比較制御部は、前記第１ミラーアレイ側のティルトミラーの異なる軸方向の角度制御および前記第２ミラーアレイ側のティルトミラーの異なる軸方向の角度制御が同時に行われるように前記第１ミラー駆動部および前記第２ミラー駆動部を制御することを特徴とする光信号交換器の制御装置。
【０１７４】
（付記１４）  付記８に記載の制御装置であって、
前記比較制御部は、前記第１ミラー駆動部および前記第２ミラー駆動に対して、制御対象となる各ティルトミラーの反射面の角度に関する初期値をそれぞれ与えることを特徴とする制御装置。
【０１７５】
（付記１５）  付記１４に記載の制御装置であって、
前記比較制御部は、入出力チャネルの組み合わせに対応した各ティルトミラーの反射面の角度に関する初期値を予め格納する記憶装置と、制御対象となる各ティルトミラーを特定するチャネル情報に従って、前記記憶装置に格納された該当する初期値を読み出して前記第１ミラー駆動部および前記第２ミラー駆動にそれぞれ与えるためのアクセス信号を生成する初期値アクセス制御回路と、を備えたことを特徴とする制御装置。
【０１７６】
（付記１６）  付記１５に記載の制御装置であって、
前記第１ティルトミラーアレイおよび前記第２ティルトミラーアレイは、３次元的に線対称となるように配置され、かつ、各々のアレイに配置された複数のティルトミラーに対して、前記線対称の軸を基準して対称になるように連続番号が割り振られ、
前記記憶装置は、前記対称に割り振られたティルトミラー番号に対応させるとともに、各ティルトミラーの光学的特性を利用して関連付けが行われた前記初期値を格納し、
前記初期値アクセス制御回路は、前記チャネル情報に基づいて特定した各ティルトミラー番号に応じて、前記記憶装置の関連付けられた初期値を読み出すための前記アクセス信号を生成することを特徴とする制御装置。
【０１７７】
（付記１７）  付記１６に記載の制御装置であって、
前記初期値アクセス制御回路は、前記チャネル情報に基づいて、前記第１ティルトミラーアレイの制御対象となるティルトミラーの第１番号と、前記第２ティルトミラーアレイの制御対象となるティルトミラーの第２番号とをそれぞれ検出し、前記第１ティルトミラーアレイの前記線対称の軸に垂直に並べられたティルトミラー数で前記第１番号を割り算したときの剰余と、前記第１番号および前記第２番号の差とをそれぞれ演算し、該演算した剰余および差の各値を前記アクセス信号として前記記憶装置に伝え、
前記記憶装置には、前記剰余および差を基準に関連付けされた前記初期値が格納されていることを特徴とする制御装置。
【０１７８】
（付記１８）  付記１７に記載の制御装置であって、
前記初期値アクセス制御回路は、前記第１番号および前記第２番号が同じであるか否かを判定し、該判定結果を含んだ前記アクセス信号を生成し、
前記記憶装置には、前記第１番号および前記第２番号が同じなるときの前記初期値が１つの固定値として格納されていることを特徴とする制御装置。
【０１７９】
（付記１９）  付記１６に記載の制御装置であって、
前記初期値アクセス制御回路は、前記チャネル情報に基づいて、前記第１ティルトミラーアレイの制御対象となるティルトミラーの第１番号と、前記第２ティルトミラーアレイの制御対象となるティルトミラーの第２番号とをそれぞれ検出し、前記第１番号および前記第２番号の大小比較を行い、大小順に並べ替えた各番号を前記アクセス信号として前記記憶装置に伝えるとともに、前記第１番号および前記第２番号の並べ替えを行ったときには、前記記憶装置から読み出された初期値について、前記第１ティルトミラーアレイのティルトミラーに対する初期値と、前記第２ティルトミラーアレイのティルトミラーに対する初期値とを入れ替えた上で符号を反転させる機能を備え、
前記記憶装置には、前記第１番号および前記第２番号の大小関係を基準に関連付けされた前記初期値が格納されていることを特徴とする制御装置。
【０１８０】
（付記２０）  付記１６に記載の制御装置であって、
前記初期値アクセス制御回路は、前記チャネル情報に基づいて、前記第１ティルトミラーアレイの制御対象となるティルトミラーの第１番号と、前記第２ティルトミラーアレイの制御対象となるティルトミラーの第２番号とをそれぞれ検出し、前記第１番号および前記第２番号の大小比較を行い、前記第１番号が前記第２番号よりも大きいときには、前記検出された第１番号および第２番号を前記アクセス信号として前記記憶装置に伝え、前記第２番号が前記第１番号よりも大きいときには、前記検出された第１番号と同一列かつ同一行に位置する第２番号と、前記検出された第２番号と同一列かつ同一行に位置する第１番号とに組み替えて前記アクセス信号として前記記憶装置に伝えるとともに、前記第１番号および前記第２番号の組み替えを行ったときには、前記記憶装置から読み出された初期値について、前記線対称の軸に平行な方向の初期値の符号を反転させる機能を備え、
前記記憶装置には、前記第１番号および前記第２番号の大小関係を基準に関連付けされた前記初期値が格納されていることを特徴とする制御装置。
【０１８１】
（付記２１）  付記１６に記載の制御装置であって、
前記初期値アクセス制御回路は、前記チャネル情報に基づいて、前記第１ティルトミラーアレイの制御対象となるティルトミラーの第１番号と、前記第２ティルトミラーアレイの制御対象となるティルトミラーの第２番号とをそれぞれ検出し、前記第１番号および前記第２番号について、前記線対称の軸に垂直な方向成分の相対差と、前記線対称の軸に平行な方向成分の相対差とを抽出し、該抽出した各相対差を前記アクセス信号として前記記憶装置に伝え、
前記記憶装置には、前記各相対差を基準にして算出した補正角度が前記初期値として格納されていることを特徴とする制御装置。
【０１８２】
（付記２２）  付記２１に記載の制御装置であって、
前記記憶装置に代えて、前記初期値アクセス制御回路から伝えられる各相対差に従って補正角度を演算する回路を設けたことを特徴とする制御装置。
【０１８３】
（付記２３）  反射面の角度が制御可能な複数のティルトミラーを平面上に配置した第１ミラーアレイおよび第２ミラーアレイを有し、入力された光信号を前記第１ミラーアレイおよび前記第２ミラーアレイで順次反射して特定の位置から出力する光信号交換器について、前記第１ミラーアレイおよび前記第２ミラーアレイの各ティルトミラーの反射面の角度を制御する方法であって、
前記第２ミラーアレイで反射された光信号の出力状態を検出する出力光検出過程と、
該出力光検出過程の検出結果に基づいて、前記第１ミラーアレイおよび前記第２ミラーアレイの前記光信号を反射した各ティルトミラーの反射面の角度を判断し、該各角度が予め設定した目標値に近づくように前記各ティルトミラーの反射面の角度を補正制御する角度制御過程と、を含んでなることを特徴とする光信号交換器の制御方法。
【０１８４】
（付記２４）  付記２３に記載の制御方法であって、
前記出力光検出過程は、前記第２ミラーアレイで反射された光信号の一部を分岐し、該分岐光を２次元の領域を有する受光面で受光して位置情報を生成し、
前記角度制御過程は、前記出力光検出過程で生成された位置情報と、前記各ティルトミラーの反射面の角度の目標値に対応させて予め設定した初期位置情報とを比較することで、前記光信号の到達位置の誤差を検出し、該検出した到達位置の誤差を基に、前記各ティルトミラーの反射面の角度ずれを算出して補正角度を演算し、該演算した補正角度に従って前記各ティルトミラーの反射面の角度を制御することを特徴とする光信号交換器の制御方法。
【０１８５】
（付記２５）  付記２３に記載の制御方法であって、
前記出力光検出過程は、前記特定の位置から出力される光信号のパワーを検出し、
前記角度制御過程は、前記第１ミラーアレイの各ティルトミラーの反射面の角度を一定の制御方向に段階的に変化させる第１ミラー駆動部および前記第２ミラーアレイの各ティルトミラーの反射面の角度を一定の制御方向に段階的に変化させる第２ミラー駆動部の少なくとも一方により反射面の角度を変化させた時の直前および直後に前記出力光検出過程で検出される出力光パワーの各値を比較し、該比較結果を基に前記第１ミラー駆動部および前記第２ミラー駆動部における各制御方向を決定して、前記出力光検出過程で検出される出力光パワーが増大するように前記各ティルトミラーの反射面の角度をフィードバック制御することを特徴とする光信号交換器の制御方法。
【０１８６】
（付記２６）  付記２５に記載の制御方法であって、
前記角度制御過程は、前記第１ミラー駆動部および前記第２ミラー駆動に対して、制御対象となる各ティルトミラーの反射面の角度に関する初期値をそれぞれ与えることを特徴とする光信号交換器の制御方法。
【０１８７】
（付記２７）  付記２６に記載の制御方法であって、
前記角度制御過程は、入出力チャネルの組み合わせに対応した各ティルトミラーの反射面の角度に関する初期値が記憶装置に予め格納され、制御対象となる各ティルトミラーを特定するチャネル情報に従って、前記記憶装置に格納された該当する初期値を読み出して前記第１ミラー駆動部および前記第２ミラー駆動にそれぞれ与えることを特徴とする光信号交換器の制御方法。
【０１８８】
（付記２８）  付記２７に記載の制御方法であって、
前記第１ティルトミラーアレイおよび前記第２ティルトミラーアレイが、３次元的に線対称となるように配置され、かつ、各々のアレイに配置された複数のティルトミラーに対して、前記線対称の軸を基準して対称になるように連続番号が割り振られ、
前記角度制御過程は、前記対称に割り振られたティルトミラー番号に対応させるとともに、各ティルトミラーの光学的特性を利用して関連付けが行われた前記初期値が前記記憶装置に格納され、前記チャネル情報に基づいて特定した各ティルトミラー番号に応じて、前記記憶装置の関連付けられた初期値を読み出すことを特徴とする光信号交換器の制御方法。
【図面の簡単な説明】
【０１８９】
【図１】本発明の第１実施形態にかかる光信号交換器の制御装置の全体構成を示す概略図である。
【図２】同上第１実施形態における制御回路の具体的な機能構成の一例を示すブロック図である。
【図３】同上第１実施形態における位置情報記憶部の具体的な構成例を示す図である。
【図４】同上第１実施形態における初期位置情報を説明するための配置図である。
【図５】同上第１実施形態において位置ずれを検出する具体的な方法を説明するための図である。
【図６】同上第１実施形態において演算処理部で実行される処理を説明する図であって、（Ａ）はＸ軸方向の光路を模式的に示し、（Ｂ）は（Ａ）の状態に関して幾何学的に等価な関係を示したものである。
【図７】図６の状態から出力側ＭＥＭＳミラーの角度を強制的にずらしたときの状態を説明する図であって、（Ａ）はＸ軸方向の光路を模式的に示し、（Ｂ）は（Ａ）の状態に関して幾何学的に等価な関係を示したものである。
【図８】図６の状態から入力側ＭＥＭＳミラーの角度を強制的にずらしたときの状態を説明する図であって、（Ａ）はＸ軸方向の光路を模式的に示し、（Ｂ）は（Ａ）の状態に関して幾何学的に等価な関係を示したものである。
【図９】本発明の第１実施形態において制御開始時に位置ずれが発生していない場合の状態に関する幾何学的に等価な関係を示した図である。
【図１０】同上第１実施形態についてＣＣＤイメージセンサで得られる画像の一例を光信号の入射状態に応じて示した図である。
【図１１】同上第１実施形態についてＣＣＤイメージセンサで得られる画像の具体的な処理方法の一例を説明する図である。
【図１２】図１１における「ＮＧ１」の状態における光路を模式的に示した図である。
【図１３】本発明の第２実施形態にかかる光信号交換器の制御装置の要部構成を示す概略図である。
【図１４】同上第２実施形態に関連する第１の応用例の要部構成を示す概略図である。
【図１５】図１４の変形例の要部構成を示す概略図である。
【図１６】本発明の第２実施形態に関連する第２の応用例の要部構成を示す概略図である。
【図１７】同上第２実施形態に関連する第３の応用例の要部構成を示す概略図である。
【図１８】本発明の第３実施形態にかかる光信号交換器の制御装置の全体構成を示す概略図である。
【図１９】同上第３実施形態における光パワー検出部、比較制御部およびＭＥＭＳミラー駆動部についての具体的な構成例を示すブロック図である。
【図２０】３次元型の光信号交換器について出力光ファイバに結合される光信号のパワーと各ＭＥＭＳミラーの角度との関係を示す図である。
【図２１】本発明の第３実施形態におけるカウンタ制御信号生成回路および監視制御回路の具体的な回路例を示すブロック図である。
【図２２】同上第３実施形態における比較制御部の動作を説明するタイミングチャートである。
【図２３】同上第３実施形態に関連する変形例の構成を示したブロック図である。
【図２４】本発明の第４実施形態における比較制御部の具体的な構成例を示すブロック図である。
【図２５】同上第４実施形態における比較制御部の動作を説明するフローチャートである。
【図２６】同上第４実施形態に関連する応用例についての比較制御部およびＭＥＭＳミラー駆動部の構成の示したブロック図である。
【図２７】本発明の第３、第４実施形態に関連して、カウンタ初期値を格納するメモリを設けた構成の一例を示すブロック図である
【図２８】図２７の初期値メモリの構成を最適化するために各ＭＥＭＳミラーに割り振る番号の規則性を説明する図である。
【図２９】初期値メモリの構成を最適化するための第１の回路例を示すブロック図である。
【図３０】図２９の第１の回路例において利用するＭＥＭＳミラーの光学特性を説明するための図である。
【図３１】図２９の第１の回路例に改良を施した一例を示すブロック図である。
【図３２】図２９の第１の回路例に改良を施した他の一例を示すブロック図である。
【図３３】初期値メモリの構成を最適化するための第２の回路例を示すブロック図である。
【図３４】図３３の第２の回路例における大小比較／ソート回路の具体的な構成例を示す回路図である。
【図３５】図３３の第２の回路例におけるソート／符号反転回路の具体的な構成例を示す回路図である。
【図３６】初期値メモリの構成を最適化するための第３の回路例において利用するＭＥＭＳミラーの光学特性を説明するための図である。
【図３７】第３の回路例を示すブロック図である。
【図３８】図３７の第３の回路例における組み替え回路の具体的な構成例を示す回路図である。
【図３９】図３８の組み替え回路における処理動作を説明するための図である。
【図４０】初期値メモリの構成を最適化するための第４の回路例において利用するＭＥＭＳミラーの光学特性を説明するための図である。
【図４１】第４の回路例を示すブロック図である。
【図４２】図４１の第４の回路例における行列差演算回路の具体的な構成例を示す回路図である。
【図４３】図４１の第４の回路例についてメモリに代わる掛算回路を例示した図である。
【図４４】本発明が適用可能な３次元型の光信号交換器についての他の構成例を示す斜視図である。
【図４５】一般的な３次元型の光信号交換器の構成例を示す斜視図である。
【図４６】図４５の光信号交換器における光信号の位置ずれを模式的に示した図である。
【符号の説明】
【０１９０】
１Ａ，１Ｂ    コリメータアレイ
２Ａ，２Ｂ    ＭＥＭＳミラーアレイ
３，３’    ビームスプリッタ
４，４’    レンズアレイ
５，５’，５’’    ＣＣＤイメージセンサ
６    制御回路
６Ａ    位置情報記憶部
６Ｂ    初期位置情報記憶部
６Ｃ，６Ｄ    位置差分検出部
６Ｇ，６Ｈ    ＭＥＭＳミラードライバ
６Ｉ    印加電圧読み取り部
６Ｊ    演算処理部
７    ハーフミラー
８    光源
１０Ａ，１０Ｂ    光ファイバアレイ
１１    光カプラアレイ
１２    光パワー検出部
１３    比較制御部
１３Ｃ    ホールド回路
１３Ｄ    比較回路
１３Ｅ    カウンタ制御信号生成回路
１３Ｆ    制御監視回路
１４Ａ，１４Ｂ  ＭＥＭＳミラー駆動部
４０    メモリ
４１    入力Ｃｈ検出回路
４２    出力Ｃｈ検出回路
４３    剰余演算回路
４４    差分演算回路
４５    ０検出回路
４６    大小比較／ソート回路
４７    ソート／符号反転回路
４８    組み替え回路
４９    大小比較回路
５０Ａ，５０Ｂ，５２Ａ，５２Ｂ    符号反転回路
５１    行列差演算回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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