(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルミナ若しくはガラスセラミック等からなる基板に３層以上の配線層を設けて成る配線基板において、
前記基板内に縦方向に積み重なるように設けられた複数のホール部と、
前記複数のホール部に充填されたコンデンサ用の充填体と、
前記３層以上の配線層に、前記複数のホール部の各開口部を閉塞すると共に前記充填体に接触するように設けられた３層以上の導体とを備え、
前記充填体を、微小な金属粒子の表面を誘電体層で覆った粒子で構成したことを特徴とする配線基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、アルミナ若しくはガラスセラミック等からなる基板に少なくとも２層の配線層を設けて構成された配線基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ハイブリッドＩＣ等に使用されるセラミック基板には、図８に示すように、複数例えば４層の配線層１ａ〜１ｄが設けられていると共に、これら配線層１ａ〜１ｄの間を接続するためにスルーホールやビヤホール等からなる接続部２が設けられている。また、配線層１ａ〜１ｄには、層状の抵抗体３が適宜設けられている。これにより、セラミック基板４には、導体機能や、抵抗体機能が内蔵される構成となっている。そして、コンデンサや半導体素子等からなるチップ部品５は、セラミック基板４の上面（配線層１ａ上）に例えば半田付けされて実装されている。
【０００３】
コンデンサを構成するチップ部品５は、通常のコンデンサに比べれば、かなり小形の部品であるが、セラミック基板４全体の中では、かなり大きい部品の１つであった。このため、セラミック基板４全体をより一層小形化するためには、コンデンサを構成するチップ部品５を使用することをやめて、コンデンサ機能をセラミック基板４に内蔵するように構成する必要があった。
【０００４】
ここで、コンデンサ機能をセラミック基板４に内蔵する構成の従来技術として、図９に示す構成や図１０に示す構成などがある。図９に示す構成では、セラミック基板４の上面に、２層の導体層６ａ、６ｂを設けると共に、これら導体層６ａ、６ｂの間に誘電体層７を設けている。また、図１０に示す構成では、セラミック基板（セラミック多層基板）４を構成する複数の基板のうちの１つの基板４ａに貫通口８を設け、この貫通口８内に誘電体９を充填し、貫通口８の上下の開口部を閉塞すると共に誘電体９に接触するように層状の電極１０ａ、１０ｂを設けている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
上記図９及び図１０に示す構成のコンデンサ構造の電気容量Ｃは、次の式で求められる。
【０００６】
【数１】
0004433583.tif 000002
但し、εｒは誘電体の比誘電率、ε０は真空の誘電率、Ｓは導体（電極）の面積、ｄは導体（電極）の対向する距離である。
【０００７】
ここで、上記コンデンサ構造の電気容量Ｃを大きくするためには、比誘電率εｒが大きい材料からなる誘電体を用いれば良いが、このような比誘電率εｒが大きい誘電体は、現在のところ、安定した性能を得ることができないという問題があるので、実際には上記誘電体を用いることができない。即ち、現在は、安定した性能を得るために、比誘電率εｒが小さい誘電体を使用しなければならなかった。
【０００８】
これに対して、上記コンデンサ構造の電気容量Ｃを大きくするための他の構成として、面積Ｓを大きくする構成が考えられる。しかし、面積Ｓを大きくするためには、セラミック基板の面積を大きくする必要が生ずるので、小形化という制約がある点で、上記構成も採用することができない。
【０００９】
次に、上記コンデンサ構造の電気容量Ｃを大きくするための他の構成として、距離ｄを小さくする構成が考えられる。しかし、距離ｄを小さくするには、誘電体の厚み寸法を薄くしなければならず、誘電体の厚み寸法を薄くすると、異物の混入や欠けなどの欠陥が発生し易くなり、均一な誘電体層を形成することが非常に困難になり、性能の低下が避けられないという問題点があった。更に、上記距離ｄを小さくするには、セラミック基板（セラミック多層基板）を構成する１つの基板の厚み寸法を薄くしなければならず、基板割れ等が発生するおそれが高くなるという問題点があった。従って、実際には、上記距離ｄを小さくことは非常に困難であり、実現性がほとんどなかった。
【００１０】
そこで、本発明の目的は、コンデンサ機能をセラミック基板に内蔵する構成としながら、その電気容量を大きくする構成を実現することができる配線基板を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明においては、アルミナ若しくはガラスセラミック等からなる基板に３層以上の配線層を設けて成る配線基板において、前記基板内に縦方向に積み重なるように設けられた複数のホール部と、前記複数のホール部に充填されたコンデンサ用の充填体と、前記３層以上の配線層に、前記複数のホール部の各開口部を閉塞すると共に前記充填体に接触するように設けられた３層以上の導体とを備え、前記充填体を、微小な金属粒子の表面を誘電体層で覆った粒子で構成した。この構成によれば、２つの導体の間に充填された誘電体の実質的な厚み寸法を小さくすることができるので、コンデンサ機能を配線基板に内蔵する構成としながら、その電気容量を大きくすることができる。そして、上記構成の場合、誘電体の材料としては比誘電率の小さいものを使用でき、ホール部の開口部の面積を大きくする必要もなく、また、配線基板を構成する１つの基板の厚み寸法を薄くする必要もない。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を例えばアルミナ多層基板に適用した第１の実施例について、図１ないし図５を参照しながら説明する。まず、図３は、本実施例のアルミナ多層基板（配線基板）１１の縦断面図である。この図３に示すように、アルミナ多層基板１１は、例えば３枚のアルミナ製の基板１２、１３、１４を重ねて構成されている。上記アルミナ多層基板１１には、その上面（基板１２の上面）に配線層１５が設けられ、内部に３枚のアルミナ基板１２、１３、１４の各間に位置して２層の配線層１６、１７が設けられ、下面（基板１４の下面）に配線層１８が設けられている。
【００１６】
上記各配線層１５〜１８は、所要のパターン形状の導体パターン（配線パターン）から構成されている。そして、上記各導体パターンは、例えばＷやＭｏ等の導体で構成されている。
【００１７】
また、アルミナ多層基板１１における各配線層１５〜１８の導体パターンの対向する部位には、複数のビアホール（ホール部）１９が適宜設けられている。これらビアホール１９のうちの所望の１つのビアホース１９ａは、コンデンサ機能をアルミナ多層基板１１内に設けるためのものであり、このビアホース１９ａ内には、コンデンサ用の充填体２０が充填されている。尚、この充填体２０の製造方法については、後述する。また、コンデンサ用の充填体２０を充填するビアホール１９を２個以上設けても良い。
【００１８】
一方、上記複数のビアホール１９のうちのビアホース１９ａ以外のビアホール１９ｂ、１９ｃ、………の内部には、導体２１が充填されている。これら導体２１により各配線層１５〜１９の導体パターンが接続されている。尚、上記導体２１は、例えばＷやＭｏ等の導体で構成されている。
【００１９】
また、このような構成のアルミナ多層基板１１の上面には、抵抗体膜（図示しない）が例えば印刷及び焼き付けすることにより設けられていると共に、ＩＣやベアチップ等の電子部品（図示しない）が例えば半田付け或いは導電性接着剤により取り付けられている。
【００２０】
次に、上記構成のアルミナ多層基板１１を製造する工程について簡単に説明する。まず、図４に示すように、３枚のアルミナの基板１２、１３、１４に対応する３枚のアルミナシート（アルミナのグリーンシート）２２、２３、２４を用意し、これら３枚のアルミナシート２２、２３、２４の所定の位置にビアホール１９（１９ａ、１９ｂ、………）を形成する。尚、上記アルミナシート２２、２３、２４の１枚の厚み寸法は、例えば０．１〜０．４ｍｍ程度である。
【００２１】
続いて、ＷやＭｏ等からなる導体ペースト２５をアルミナシート２２、２３、２４のビアホール１９（１９ｂ、１９ｃ、………）内に、周知の方法（例えばスクリーン印刷）により充填する。これと共に、コンデンサ用の充填体２０を構成する粉をバインダ（溶剤）によりペースト状の材料とした充填体ペースト２６をアルミナシート２２のビアホール１９（１９ａ）内に、周知の方法（例えばスクリーン印刷）により充填する。上記充填体２０を構成する粉は、図２に示すように、微小な金属粒子（銅やニッケル等の微小粒子）２７の表面を誘電体層（Ｂａ、Ｔｉ等からなるガラス）２８で覆った粒子２９で構成されている。この粒子２９及び上記充填体ペースト２６の製造方法については、後述する。
【００２２】
次に、各アルミナシート２２、２３、２４の表面に、ＷやＭｏ等からなる導体ペーストをスクリーン印刷することにより、配線層１５〜１８の導体パターンに対応する印刷パターン４１〜４４を形成する。この後、上記３枚のアルミナシート２２、２３、２４を重ねると共に、重ねた状態で加圧して圧着する。
【００２３】
続いて、上記３枚のアルミナシート２２、２３、２４を圧着したものを、還元雰囲気中で例えば１６００℃程度の温度で焼成する。これにより、図３に示すようなアルミナ多層基板１１が製造される。この構成の場合、配線層１５〜１８、充填体２０、導体２１及び基板１１は同時焼成されるように構成されている。
【００２４】
次に、上記コンデンサ用の充填体２０を構成する材料（粒子２９）及びその製造方法について、図２を参照して説明する。上記充填体２０は、図２に示すように、微小な金属粒子２７の表面を誘電体層２８で覆った粒子２９で構成されている。この場合、金属粒子（金属粉）２７としては、例えばＣｕ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｗなどの比較的融点の高い金属の粒子が好ましい。そして、金属粒子２７の粒径は、例えばアルミナシート２２、２３、２４の厚み寸法（例えば０．１〜０．４ｍｍ程度）の１／１０程度であることが好ましい。勿論、金属粒子２７の粒径をもっと微細にしても良い。
【００２５】
また、誘電体層２８を構成する誘電体材料としては、例えば蒸気圧の低いＳｉ、Ｂａ、Ｔｉ等を主成分とするガラス成分が好ましく、これ以外の材料としては、Ａｌ、Ｃａ、Ｂ、Ｍｇ、Ｎａ、Ｋ等のいずれかを主成分とするガラス成分等を用いるように構成しても良い。
【００２６】
さて、上記粒子２９を製造する具体的方法としては、次の４つの製造方法がある。まず、第１の製造方法について説明する。この方法では、最初に、例えばメタノール等の溶剤中に微細な金属粒子２７と誘電体材料とを入れ、均一に分散されるまで混練し、乾燥させる。そして、この乾燥させたものに熱を加えることにより、誘電体材料の軟化温度以上となるように加熱する。これにより、均一に分散された金属粒子２７の表面全体を誘電体材料が覆うようになった誘電体材料の固まりが生成される。
【００２７】
続いて、上記固まりを粉砕させ、ボールミル等にて更に細かく粉砕させることにより、充填体２０を構成する材料（粉）、即ち、所望の大きさの前記粒子２９を生成することができる。この製造方法の場合、粉砕条件（時間・圧力）、並びに、金属粒子２７と誘電体材料との配合比により、金属粒子２７を覆う誘電体層２８の膜厚を制御することができる。
【００２８】
尚、上記製造方法においては、加熱温度よりも軟化温度が高い金属粒子２７を使用する必要がある。加熱温度よりも軟化温度が低い金属粒子２７を使用すると、加熱処理のときに、金属粒子２７が軟化し、金属粒子２７の粒径及び形状にばらつきが生ずるため、安定した特性の充填体を得ることができなくなり、コンデンサ機能の再現性に問題を生ずる。
【００２９】
次に、第２の製造方法について説明する。この方法では、誘電体材料を例えばスパッタ法や蒸着等によって金属粒子２７の表面に付着生成させることにより、前記粒子２９を生成する。この製造方法の場合、金属粒子２７を覆う誘電体層２８の膜厚は、スパッタ法や蒸着における処理時間等の各種条件を調整することにより容易に制御することができる。
【００３０】
また、上記第２の製造方法の場合、一般的に知られているように、金属粒子２７の表面に形成された誘電体層２８と、金属粒子２７との機械的な接合が弱い。このため、誘電体層２８を付着生成した後、金属粒子２７の軟化温度よりも低い温度にて加熱処理を行うことが好ましい。この加熱処理を行うことにより、誘電体材料が軟化し、誘電体層２８と金属粒子２７との接合性を十分に確保することができる。尚、セラミック基板を製造する場合、必ず焼成工程を実行するので、この焼成工程によって上記加熱処理を実行する構成としても良い。
【００３１】
一方、第３の製造方法として、金属粒子２７を高温下に放置することにより、金属粒子２７の表面を酸化させて該表面に酸化膜を形成する方法がある。この酸化膜は、絶縁性を有するため、誘電体材料とほぼ同様な機能（特性）を得ることができる。また、酸化膜の膜厚は、金属粒子２７の材質と加熱温度と加熱時間とを調整することにより容易に制御することができる。
【００３２】
次に、第４の製造方法について説明する。この方法では、金属粒子２７と誘電体材料とをイオン溶液中に入れて温度を加えることにより熱分解させ、その後、霧吹き用のノズルにて大気中に噴射させる。これにより、噴射された金属成分は、液状の誘電体成分内にて、金属成分自身の表面張力により球形状となる。この後、誘電体成分が冷え固まることで、薄い誘電体層に覆われた微細な金属粉末（即ち、前記粒子２９）を得ることができる。この方法の場合、金属成分と誘電体成分との比率を変えることにより、金属粒子を覆う誘電体層の膜厚を調整することができる。
【００３３】
さて、上記した各製造方法で製造された粒子２９をペースト状に加工して、スクリーン印刷用の充填体ペースト２６を製造する。この場合、誘電体層２８を有する粒子２９と、約１６００℃前後の焼成後において燃焼せずビアホール１９内にて金属粒子間の隙間に残存するものであってアルミナシートに含まれるガラス成分に類似するガラスフリットと、一般的に厚膜材料に用いられ印刷に必要な粘性を得るためのエチルセルローズ等の溶剤・樹脂成分とを一緒に分散・混練させることにより、ペースト状に加工するように構成している。
【００３４】
このような構成の本実施例によれば、図１及び図３に示すように、アルミナ多層基板１１内に設けられたビアホール１９ａ内にコンデンサ用の充填体２０を充填し、配線層１５に上記ビアホール１９ａの一方の開口部を閉塞すると共に充填体２０に接触するように一方の導体１５ａを設け、配線層１６にビアホール１９ａの他方の開口部を閉塞すると共に充填体２０に接触するように他方の導体１６ａを設け、そして、前記充填体２０を、微小な金属粒子２７の表面を誘電体層２８で覆った粒子２９で構成した。
【００３５】
この構成の場合、２つの導体１５ａ、１６ａと充填体２０（誘電体）とからコンデンサが構成される。そして、２つの導体１５ａ、１６ａの間に充填された誘電体の実質的な厚み寸法を小さくすることができるので、コンデンサ機能をアルミナ多層基板１１に内蔵する構成としながら、その電気容量を大きくすることができる。
【００３６】
この構成の場合、２つの導体１５ａ、１６ａの間に充填された誘電体の厚み寸法が小さくなる理由は、図２に示すように、２つの導体１５ａ、１６ａの間に存在する誘電体の厚みｄは、２つの導体１５ａ、１６ａの間に存在する金属粒子２７の表面を覆う誘電体層２８の膜厚ｄαの総和となるためである。この場合、導体１５ａ、１６ａの間に存在する金属粒子２７の個数をＮとすると、
ｄ＝ｄα×Ｎ
となる。
【００３７】
そして、本実施例においては、誘電体の材料として比誘電率の小さいもの（即ち、特性が安定したもの）を使用することができ、ビアホール１９ａの開口部の面積を大きくする必要もなく、また、アルミナ多層基板１１を構成する１つの基板１２の厚み寸法を薄くする必要もない（即ち、いずれも従来構成（図１０参照）と同じ程度で良い）。
【００３８】
ここで、本実施例のアルミナ多層基板１１の内部に作成された上記コンデンサの電気容量を実際に測定した結果（点Ａ１と点Ａ２）と、従来技術（図１０参照）のコンデンサの電気容量を実際に測定した結果（点Ｂ１）とを図５に示す。
【００３９】
この図５において、本実施例の点Ａ１及び点Ａ２の測定値は、次の通りの作成条件で作成されたアルミナ多層基板１１の内部のコンデンサを測定した結果である。即ち、平均粒径が１０μｍのタンタル（Ｔａ）の粒子に酸化処理を行うことにより、タンタル粒子の表面に酸化タンタル層（Ｔａ２ｏ５層、即ち、誘電体層）を形成した粒子をペースト状に加工して、アルミナ多層基板１１のビアホール１９ａ内に充填した。このとき、上記酸化タンタル層の膜厚は、点Ａ１の場合が約０．１５μｍであり、点Ａ２の場合が約０．３μｍである。そして、ビアホール１９ａの直径寸法は０．２ｍｍであり、ビアホール１９ａの深さ寸法、即ち、アルミナシートの厚み寸法は、０．２５ｍｍである。
【００４０】
これに対して、従来技術の点Ｂ１の測定値は、次の通りの作成条件で作成されたアルミナ多層基板１１の内部のコンデンサを測定した結果である。即ち、酸化タンタルの粉末をペースト状に加工して、アルミナ多層基板１１のビアホール１９ａ内に充填した。そして、ビアホール１９ａの直径寸法は０．２ｍｍであり、ビアホール１９ａの深さ寸法、即ち、アルミナシートの厚み寸法は、０．２５ｍｍである。従って、上記ビアホール内に充填された酸化タンタル層の厚み寸法は、２５０μｍである。
【００４１】
そして、図５から、点Ａ１の電気容量は約１２０００μＦであり、点Ａ２の電気容量は約８０００μＦであり、点Ｂ１の電気容量は約１２００μＦであることがわかる。従って、本実施例のセラミック多層基板１１の内部に作成されたコンデンサは、従来構成のものに比べて、電気容量をかなり大きくできたことが明確にわかる。
【００４２】
また、上記第１の実施例の場合、アルミナ多層基板１１内に作成したコンデンサの特性は、充填体ペースト２６中の粒子２９（即ち、表面に誘電体層２８が形成された金属粒子２７）の配合量を変えることで容易に制御することが可能である。
【００４３】
更に、上記第１の実施例において、充填体２０（充填体ペースト２６）に配合するガラスフリットは、次のような条件に適合するものが用いられている。即ち、アルミナ多層基板１１の焼成時におけるアルミナシートの熱収縮を緩和して、クラック等の発生を回避するために、充填体２０の熱膨張係数とアルミナシート２２の熱膨張係数のほぼ中間の熱膨張係数を有するガラスフリットを用いることが好ましい。
【００４４】
また、上記熱収縮を緩和する構成として、充填体２０の内部に多数の気孔を形成するように構成しても良い。この場合、上記多数の気孔を形成する方法としては、高温下で気化する有機ビーズ等を予め充填体ペースト２６（充填体２０）中に配合させておくことにより、アルミナ多層基板１１の焼成工程時において上記有機ビーズ等が気化し、その部分が気孔となるのである。
【００４５】
更に、上記第１の実施例においては、充填体２０を挟むように形成された導体（電極）１５ａ、１６ａは、一般的にアルミナシートに含まれるガラス成分によって接合性を得ている。このため、充填体２０（充填体ペースト２６）に配合するガラスフリットは、アルミナシートに含まれるガラス成分に類似するものを用いることが好ましい。この場合、充填体２０に配合するガラスフリットとして、アルミナシートに含まれるガラス成分に類似するものを用いると、ビアホール１９ａの内周面と充填体２０との接合性を十分に確保することができる。
【００４６】
尚、いろいろな制約により、アルミナシートに含まれるガラス成分に類似するガラスフリットを用いることができない場合には、アルミナシートに含まれるガラス成分の中に含まれる少なくとも１つ以上の元素を含むガラスフリットを用いることが好ましい。
【００４７】
また、上記第１の実施例において、充填体２０の中の多数の粒子２９の隙間に残存するもの（具体的には、ガラスフリット）としては、絶縁性を有する物質であれば良い。
【００４８】
尚、上記第１の実施例では、アルミナ製の多層基板１１に適用したが、これに限られるものではなく、例えばガラスセラミック製の多層基板に適用しても良い。このガラスセラミック多層基板は、低温焼成基板であり、例えば８５０〜９００℃程度で同時焼成することにより製造することができる。
【００４９】
図６は、本発明の第２の実施例を示すものである。尚、第１の実施例と同一部分には同一符号を付している。上記第２の実施例では、基板１２内に複数個である例えば３個のビアホール（ホール部）３０ａ、３０ｂ、３０ｃを横方向に並べて設け、これら３個のビアホール３０ａ、３０ｂ、３０ｃ内に充填体２０を充填している。そして、配線層１５に、一方の導体１５ｂを、上記３個のビアホール３０ａ、３０ｂ、３０ｃの一方の開口部を閉塞すると共に充填体２０に接触するように設けた。また、配線層１６に、他方の導体１６ｂを、上記３個のビアホール３０ａ、３０ｂ、３０ｃの他方の開口部を閉塞すると共に充填体２０に接触するように設けた。
【００５０】
尚、上述した以外の第２の実施例の構成は、第１の実施例の構成と同じ構成となっている。従って、この第２の実施例においても、第１の実施例とほぼ同じ作用効果を得ることができる。特に、第２の実施例によれば、アルミナ多層基板１１の内部に作成されたコンデンサの電気容量を、より一層大きくすることができる。
【００５１】
図７は、本発明の第３の実施例を示すものである。尚、第１の実施例と同一部分には同一符号を付している。上記第３の実施例では、アルミナ多層基板１１内に３層以上である例えば４層の配線層１５〜１８を設け、アルミナ多層基板１１内に複数個である例えば３個のビアホール（ホール部）３１ａ、３１ｂ、３１ｃを縦方向に積み重なるように設けた。そして、上記３個のビアホール３１ａ、３１ｂ、３１ｃ内に充填体２０を充填した。更に、４層の配線層１５〜１８に、上記３個のビアホール３１ａ、３１ｂ、３１ｃの各開口部を閉塞すると共に充填体２０に接触するように４層以上の導体１５ｃ〜１８ｃを設けた。
【００５２】
また、上記第３の実施例では、４層以上の導体１５ｃ〜１８ｃを、１つおきに接続するように、即ち、導体１５ｃと導体１７ｃを接続して一方の導体とし、且つ、導体１６ｃと導体１８ｃを接続して他方の導体とするように構成した。これにより、アルミナ多層基板１１の内部に作成されたコンデンサの構造は、いわゆるセラミック積層コンデンサの構造と類似した構造となる。
【００５３】
尚、上述した以外の第３の実施例の構成は、第１の実施例の構成と同じ構成となっている。従って、この第３の実施例においても、第１の実施例とほぼ同じ作用効果を得ることができる。特に、第３の実施例によれば、アルミナ多層基板１１の内部に作成されたコンデンサの電気容量を、より一層大きくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例を示すものであり、アルミナ多層基板の内部に作成されたコンデンサ部分を示す縦断面図
【図２】充填体及び導体を拡大して示す縦断面図
【図３】アルミナ多層基板の縦断面図
【図４】積層する前の状態のアルミナシートの縦断面図
【図５】本実施例のアルミナ多層基板の内部に作成されたコンデンサの電気容量を測定した結果（点Ａ１と点Ａ２）と、従来技術（図１０参照）のコンデンサの電気容量を測定した結果（点Ｂ１）とを示す特性図
【図６】本発明の第２の実施例を示す図３相当図
【図７】本発明の第３の実施例を示す図３相当図
【図８】従来構成を示す図３相当図
【図９】他の従来構成を示すコンデンサ部分の縦断面図
【図１０】他の従来構成を示す図１相当図
【符号の説明】
１１はアルミナ多層基板（配線基板）、１２、１３、１４は基板、１５、１６、１７、１８は配線層、１９はビアホール（ホール部）、２０はコンデンサ用の充填体、２１は導体、２２、２３、２４はアルミナシート、２６は充填体ペースト、２７は金属粒子、２８は誘電体層、２９は粒子、３０はビアホール（ホール部）、３１はビアホール（ホール部）を示す。
【図１】
0004433583.tif 000003
【図２】
0004433583.tif 000004
【図３】
0004433583.tif 000005
【図４】
0004433583.tif 000006
【図５】
0004433583.tif 000007
【図６】
0004433583.tif 000008
【図７】
0004433583.tif 000009
【図８】
0004433583.tif 000010
【図９】
0004433583.tif 000011
【図１０】
0004433583.tif 000012