(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板に絶縁層を介して実装された半導体レーザと、
前記半導体レーザから出射され光記憶媒体によって反射されたレーザビームを受光し、受光した前記レーザビームの光量に応じた電流信号を出力する受光素子と、
前記電流信号を電圧信号に変換する電流電圧変換回路とを備え、
前記半導体レーザにおいて、前記絶縁層に近接する面を第１の面としたとき、
前記半導体レーザには、前記光記憶媒体で反射された前記レーザビームが前記半導体レーザに入射することによって前記半導体レーザの出力が変動することを防止するための高周波信号が前記第１の面から入力され、前記受光素子と前記電流電圧変換回路とが前記半導体基板上にモノリシックに形成されている光ピックアップヘッド。
【請求項２】
前記半導体基板がｐ形である請求項１に記載の光ピックアップヘッド。
【請求項３】
前記半導体レーザは、基板と前記基板の上方に形成された活性層とを含み、且つ前記基板よりも前記活性層の方が前記半導体基板に近くなるように前記半導体基板に実装されている請求項１または２に記載の光ピックアップヘッド。
【請求項４】
前記電流電圧変換回路の利得が−３ｄＢとなる周波数ｆ１と前記高周波信号の周波数ｆ２とが、ｆ２／ｆ１≦５の関係を満たす請求項１ないし３のいずれかに記載の光ピックアップヘッド。
【請求項５】
光記憶媒体に対して、少なくとも情報の再生を行う情報記録再生装置であって、
請求項１ないし４のいずれかに記載の光ピックアップヘッドと、
前記光記憶媒体と前記光ピックアップヘッドとの相対的な位置を変化させる駆動手段と、
前記光ピックアップヘッドから出力される信号を用いて前記光記憶媒体に記録された情報を得る信号処理回路とを備える情報記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光ピックアップヘッドおよび情報記録再生装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
高密度・大容量の記憶媒体としてピット状パターンを有する光ディスクを用いる光メモリ技術が実用化されている。この光メモリ技術は、ディジタルオーディオディスク、ビデオディスク、およびデータファイルディスクとして用いられている。近年、普及し始めたデジタルバーサタイルディスク(ＤＶＤ)は、波長６５０ｎｍの半導体レーザを光源とした高密度光ディスクである。ＤＶＤでは、再生専用のＤＶＤ−ＲＯＭ、１度だけ記録可能なＤＶＤ−Ｒ、何度も記録可能なＤＶＤ−ＲＡＭといった様々な媒体が規格化されている。
【０００３】
このような光ディスクに対して情報の記録および／または再生を行う光ピックアップヘッドについては、従来から様々なものが報告されている。従来の光ピックアップヘッドの一例として、特許第２６７５９７７号に開示されている集積型光ピックアップヘッド１００の構成を、図８（ハッチングは省略する）に模式的に示す。
【０００４】
図８を参照して、光ピックアップヘッド１００は、半導体基板１０１と、レーザダイオード１０２とを備える。半導体基板１０１上には、フォトダイオード１０３が形成されている。
【０００５】
半導体基板１０１はｎ形であり、凹部が形成されている。レーザダイオード１０２は、単一モード発振のレーザである。レーザダイオード１０２は、絶縁層１０４を介して半導体基板１０１の凹部内に実装されている。フォトダイオード１０３は凹部の側面に形成されており、レーザダイオード１０２の出力に依存した電流を出力する。フォトダイオード１０３からの電流は抵抗１０５によって電圧信号に変換され、その電圧信号が端子１０６から出力される。この電圧信号は、端子１０６からパワー制御回路に入力される。パワー制御回路は、レーザダイオード１０２の出力が所望の値になるように、レーザダイオード１０２に流れる動作電流を制御する。半導体基板１０１には、フォトダイオード１０３に逆バイアス電圧を与えるために、端子１０７から＋５Ｖの電圧が印加される。レーザダイオード１０２の絶縁層１０４に接している側には端子１０８が接続され、その反対側には端子１０９が接続されている。端子１０９には、ｎｐｎトランジスタ１１０から、レーザダイオード１０２の出力を変調するために数百ＭＨｚの高周波信号が印加される。光ピックアップヘッド１００では、レーザダイオード１０２の出力を変調することによって、光記憶媒体で反射されたレーザビームがレーザダイオード１０２に入射してレーザダイオード１０２の出力が変動することを防止している。
【０００６】
光ピックアップヘッド１００は、光記憶媒体で反射されたレーザビームを検出する受光素子を備える。そのような受光素子を半導体基板１０１上に形成することによって、光ピックアップヘッドの小型化が可能になり、また、製造が容易になる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記受光素子を半導体基板１０１上に形成する場合には、その受光素子が高周波信号の影響を受けてフォーカス誤差信号やトラッキング誤差信号にオフセットが生じるという問題があった。これは、レーザダイオード１０２に印加した高周波信号が、絶縁層１０４を介して半導体基板１０１にも印加されるためである。
【０００８】
上記問題を解決するため、本発明は、半導体レーザに高周波信号を印加する光ピックアップヘッドにおいて、フォーカス誤差信号およびトラッキング誤差信号にオフセットが生じにくい光ピックアップヘッド、およびこれを用いた情報記録再生装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明の光ピックアップヘッドは、半導体基板と、前記半導体基板に絶縁層を介して実装された半導体レーザと、前記半導体レーザから出射され光記憶媒体によって反射されたレーザビームを受光し、受光した前記レーザビームの光量に応じた電流信号を出力する受光素子と、前記電流信号を電圧信号に変換する電流電圧変換回路とを備え、前記半導体レーザにおいて、前記絶縁層に近接する面を第１の面としたとき、  前記半導体レーザには、前記光記憶媒体で反射された前記レーザビームが前記半導体レーザに入射することによって前記半導体レーザの出力が変動することを防止するための高周波信号が前記第１の面から入力され、前記受光素子と前記電流電圧変換回路とが前記半導体基板上にモノリシックに形成されている。上記光ピックアップヘッドでは、光記憶媒体によって反射されたレーザビームを受光する受光素子が、半導体レーザが実装されている半導体基板上に形成されているため、特性の経時変化が少ない光ピックアップヘッドが得られる。また、上記光ピックアップヘッドでは、半導体レーザに高周波が印加されるため、半導体レーザの出力が安定している。また、上記光ピックアップヘッドでは、受光素子と電流電圧変換回路とが、半導体レーザが実装されている半導体基板上に形成されるため、半導体レーザに入力される高周波信号の影響を受けにくい。このため、フォーカス誤差信号およびトラッキング誤差信号にオフセットが生じにくい光ピックアップヘッドが得られる。
【００１０】
上記光ピックアップヘッドでは、前記半導体基板がｐ形であってもよい。上記構成によれば、半導体基板を接地できるため、半導体基板の電位が安定して高周波信号の影響を特に小さくできる。
【００１１】
上記光ピックアップヘッドでは、前記半導体レーザは、基板と前記基板の上方に形成された活性層とを含み、且つ前記基板よりも前記活性層の方が前記半導体基板に近くなるように前記半導体基板に実装されていてもよい。上記構成によれば、半導体レーザで発生する熱が半導体基板に速やかに放熱されるため、信頼性が特に高い光ピックアップが得られる。
【００１２】
上記光ピックアップヘッドでは、前記電流電圧変換回路の利得が−３ｄＢとなる周波数ｆ１と前記高周波信号の周波数ｆ２とが、ｆ２／ｆ１≦５の関係を満たしてもよい。上記構成によれば、情報を高速に再生可能であり、しかも不要輻射の少ない光ピックアップヘッドが得られる。
【００１３】
また、本発明の情報記録再生装置は、光記憶媒体に対して、少なくとも情報の再生を行う情報記録再生装置であって、上記本発明の光ピックアップヘッドと、前記光記憶媒体と前記光ピックアップヘッドとの相対的な位置を変化させる駆動手段と、前記光ピックアップヘッドから出力される信号を用いて前記光記憶媒体に記録された情報を得る信号処理回路とを備える。上記情報記録再生装置では、本発明の光ピックアップヘッドを用いているため、電流電圧変換回路から出力される信号にオフセットが生じなくなるので、信頼性の高い情報記録再生装置を実現できる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について図面（ハッチングは省略する）を参照しながら説明する。なお、以下の実施形態は、本発明の一例であり、本発明は以下の実施形態に限定されない。
【００１５】
（実施形態１）
実施形態１では、本発明の光ピックアップについて一例を説明する。実施形態１の光ピックアップヘッド１０の構成を、図１に模式的に示す。また、半導体基板１１の上面図を図２に模式的に示す。
【００１６】
光ピックアップヘッド１０は、半導体基板１１と、半導体基板１１に実装された半導体レーザ１２と、半導体基板１１上に形成された第１の受光素子１３、第２の受光素子１４および電流電圧変換回路１５と、光学系１６とを備える。光学系１６は、ホログラム素子１７、コリメートレンズ１８、対物レンズ１９、およびアパーチャ２０を備える。さらに、光ピックアップヘッド１０は、対物レンズ１９を駆動するためのアクチュエータ２１ａおよび２１ｂ（以下、両者をまとめてアクチュエータ２１という場合がある）を備える。
【００１７】
半導体基板１１は、ｐ形のシリコン基板である。半導体基板１１は、パッケージ２２の中に配置されている。半導体基板１１には、凹部１１ａが形成されている。凹部１１ａの部分の拡大図を図３に示す。凹部１１ａの側面は、開口部に向かって広がった傾斜面となっている。凹部１１ａの側面の一部には、レーザビームを反射するための反射面１１ｂが形成されている。反射面１１ｂは、異方性エッチングによって形成できる。反射面１１ｂに対向する側面には、第２の受光素子１４が形成されている。
【００１８】
半導体レーザ１２は、単一モード発振の半導体レーザであり、具体的には、ＧａＩｎＰからなる活性層とｐ形ＡｌＧａＩｎＰからなるクラッド層を用いたレーザを用いることができる。図３に示すように、半導体レーザ１２は、ｎ形のＧａＡｓ基板１２ａと、ＧａＡｓ基板１２ａ上に形成された半導体層１２ｂとを含む。半導体層１２ｂには活性層が含まれる。半導体基板１１の凹部１１ａ上には、絶縁層３２が形成されている。半導体レーザ１２は、絶縁層３２上に形成された電極３３上に実装される。このとき、半導体レーザ１２は、アノード（半導体層１２ｂの表面）が半導体基板１１側になるように、絶縁層３２を介して半導体基板１１に実装される。すなわち、半導体レーザ１２は、ＧａＡｓ基板１２ａよりも活性層の方が半導体基板１１に近くなるように半導体基板１１に実装されている。このように、半導体レーザ１２の活性層に近い面が半導体基板１１側になるように半導体レーザ１２を実装することによって、活性層と半導体基板１１との間の熱伝導をよくすることができる。図６に示すように、半導体レーザ１２のカソード（ＧａＡｓ基板１２ａ）は接地される。
【００１９】
半導体レーザ１２には、駆動用の信号（電流）とともに、高周波信号ＨＦ（高周波電流）が重畳して印加される。高周波信号ＨＦは、光記憶媒体４０によって反射されたレーザビームが半導体レーザ１２に帰還して半導体レーザ１２の出力が変動することを防止するために印加される。
【００２０】
図３に示すように、半導体レーザ１２は、直線偏光の発散レーザビーム３０および３１を出射する。レーザビーム３０および３１の波長は、たとえば６５０ｎｍである。レーザビーム３０は、反射面１１ｂによって反射される。レーザビーム３１は、凹部１１ａの斜面に形成された第２の受光素子１４に入射する。
【００２１】
図２に示すように、第１の受光素子１３は、４つの受光素子１３ａ〜１３ｄを含む。受光素子１３ａ〜１３ｄと第２の受光素子１４とは、フォトダイオードであり、それぞれ、半導体基板１１に不純物を注入することによって形成されたｐｎ接合を含む。第１の受光素子１３は、光記憶媒体４０によって反射されホログラム素子１７によって分岐されたレーザビーム３０（回折光３０ａ〜３０ｃ）を受光し、受光したレーザビーム３０（回折光３０ａ〜３０ｃ）の光量に応じた電流信号を出力する。第２の受光素子１４は、半導体レーザ１２から出射されたレーザビーム３１を直接受光し、レーザビーム３１の光量に応じた電流信号を出力する。
【００２２】
図２に示すように、電流電圧変換回路１５は、半導体基板１１にモノリシックに形成された４つの電流電圧変換回路１５ａ〜１５ｄを含む。各電流電圧変換回路１５ａ〜１５ｄは、それぞれ、配線２３によって受光素子１３ａ〜１３ｄに接続されている。配線２３は、たとえばアルミニウムによって形成される。電流電圧変換回路１５ａ〜１５ｄは、受光素子１３ａ〜１３ｄから出力された電流信号に応じた電圧信号を出力する。電流電圧変換回路１５ａ〜１５ｄには、特開平８−４５０９８号公報などに開示されている回路など、一般的な回路を用いることができる。電流電圧変換回路１５ａの一例を図５に示す。図５の電流電圧変換回路１５ａは、電流電圧変換回路１５ｂ〜１５ｄにも適用可能である。図５の電流電圧変換回路１５ａは、オペアンプ５１と抵抗５２とコンデンサ５３とを含む。このような電流電圧回路は、通常の半導体プロセスで製造できる。
【００２３】
ホログラム素子１７は、半導体レーザ１２から出射されたレーザビーム３０を透過させる。また、ホログラム素子１７は、光記憶媒体４０によって反射されたレーザビーム３０を分岐する。なお、ホログラム素子１７の代わりに、レーザビーム３０を他の分岐手段（分岐素子）を用いてもよい。コリメートレンズ１８には、たとえば、焦点距離が２０ｍｍのレンズを用いることができる。対物レンズ１９には、たとえば、焦点距離が３ｍｍのレンズを用いることができる。対物レンズ１９の開口は、アパーチャ２０によって制限され、その開口数ＮＡは、たとえば０．６である。
【００２４】
半導体レーザ１２から出射されたレーザビーム３０は、反射面１１ｂによって反射されホログラム素子１７を透過したのち、コリメートレンズ１８によって平行光に変換される。平行光に変換されたレーザビーム３０は、対物レンズ１９で集光されて光記憶媒体４０の透明基板４０ａを透過し、情報記録面４０ｂに集光される。透明基板４０ａの厚さは、たとえば、０．６ｍｍである。
【００２５】
情報記録面４０ｂで反射されたレーザビーム３０は、対物レンズ１９およびコリメートレンズ１８を透過したのち、ホログラム素子１７によって回折光３０ａ〜３０ｃに分岐される。ホログラム素子１７は、図４に示すように３つの領域１７ａ〜１７ｃ（ハッチングで示す）を有し、ビーム３０を受けて、領域１７ａから回折光３０ａを、領域１７ｂから回折光３０ｂを、領域１７ｃから回折光３０ｃをそれぞれ生成する。軸１７ｄは、領域１７ｂと領域１７ｃとの境界線と平行であり、ホログラム素子１７は、軸１７ｄがレーザビーム３０における情報記録面４０ｂの写像と平行になるように配置される。
【００２６】
回折光３０ａ〜３０ｃは、受光素子１３ａ〜１３ｄによって受光される。具体的には、受光素子１３ａおよび１３ｂは回折光３０ａを、受光素子１３ｃは回折光３０ｂを、受光素子１３ｄは回折光３０ｃをそれぞれ受光する。そして、受光素子１３ａ〜１３ｄは、受光した光量に応じた電流信号を出力する。
【００２７】
受光素子１３ａ〜１３ｄから出力された電流信号は、それぞれ、配線２３を介して電流電圧変換回路１５ａ〜１５ｄに入力される。電流電圧変換回路１５ａ〜１５ｄは、入力された電流信号に応じた電圧信号を外部へ出力する。
【００２８】
レーザビーム３０のフォーカス誤差信号は、よく知られたフーコー法によって得られる。すなわち、フォーカス誤差信号は、受光素子１３ａおよび１３ｂから出力された信号を演算することによって得られる。また、トラッキング誤差信号は、媒体がＤＶＤ−ＲＯＭのときは位相差法によって得られ、媒体がＤＶＤ−ＲＡＭのときは、プッシュプル法によって得られる。具体的には、トラッキング誤差信号は、受光素子１３ｃおよび１３ｄから出力された信号を演算することによって得られる。なお、トラッキング誤差信号の検出に、ファーフィールドパターンであるレーザビーム３０の半分、すなわち回折光３０ｂおよび３０ｃしか用いていないが、ファーフィールドパターンを全面用いるときと同様にトラッキング誤差信号を得ることができる。
【００２９】
図６は、半導体レーザ１２に重畳される高周波信号ＨＦと半導体基板１１との関係を示している。
【００３０】
第２の受光素子１４から出力される電流信号は、半導体レーザ１２の出力を制御する出力制御回路６１に入力される。出力制御回路６１から出力される駆動信号はレーザ駆動用のトランジスタ６２のベースに入力され、これによって半導体レーザ１２の動作電流が制御される。端子６３には、＋５Ｖの電圧が印加される。トランジスタ６２と端子６３との間には、過電流に対する保護を行うための抵抗６４が接続される。また、トランジスタ６２に接続されたインダクタ６５は、高周波信号ＨＦによって生じる電磁波障害を防止するためのフィルタである。なお、図６には、インダクタ６５しか示していないが、インダクタとコンデンサとを併用したローパスフィルタを用いてもよい。
【００３１】
高周波信号ＨＦは、発振器６６からカップリングコンデンサ６７を介して交流結合され、半導体レーザ１２に供給される。発振器６６から出力される信号の周波数は、たとえば３００ＭＨｚ〜６００ＭＨｚの範囲内であり、たとえば５００ＭＨｚである。高周波信号ＨＦは、電極３３を介して半導体レーザ１２に印加される。ここで、電極３３と半導体基板１１とは絶縁層３２を挟んで対向しており、電極３３と半導体基板１１とは、通常、数ｐＦ〜数十ｐＦの静電容量で結合している。そのため、高周波信号ＨＦは、半導体レーザ１２に対してだけではなく、半導体基板１１を介して、第１の受光素子１３、配線２３、および電流電圧変換回路１５にも入力される。
【００３２】
第１の受光素子１３および第２の受光素子１４は、ｐ形の半導体基板１１と半導体基板１１内に形成されたｎ形領域とによって構成されるｐｎ接合からなる。半導体基板１１はｐ形であるため、一般的な集積回路と同様に、半導体基板１１は接地されている。電流電圧変換回路１５には、電源として＋５Ｖ（基準は接地電位）の電圧が端子６８から印加され、基準電圧として＋２．５Ｖ（基準は接地電位）の電圧が端子６９から印加される。
【００３３】
光ピックアップヘッド１０では、半導体レーザ１２に入力される高周波信号ＨＦが、電極３３から絶縁層３２と半導体基板１１とを介して、第１の受光素子１３、配線２３を経て電流電圧変換回路１５に入力される。しかしながら、光ピックアップヘッド１０では、電流電圧変換回路１５の接地される側１５ｇにも同様の電圧が印加されるため、電流電圧変換回路１５において高周波信号ＨＦが相殺される。そのため、電流電圧変換回路１５から出力される信号にオフセットが生じにくくなり、信頼性が高い情報記録再生装置を実現することができる。特に、第１の受光素子１３と電流電圧変換回路１５との間の距離が短いほど、オフセットを小さくすることができる。この距離は、１０ｍｍ以下であることが好ましい。一方、電流電圧変換回路１５を半導体基板１１上に形成しない場合には、高周波信号ＨＦの混入レベルが、第１の受光素子１３と電流電圧変換回路１５とで異なってしまい、信号のオフセットが大きくなってしまう。
【００３４】
光ピックアップヘッド１０を用いることによって、特開平８−４５０９８号公報や特開平７−２８７８５７号公報に開示された発明とは異なり、受光素子と電流電圧変換回路との間に帯域制限手段を設ける必要がない。また、特開平６−２９０４７５号公報に開示された発明とは異なり、高周波信号に対する遮蔽手段を設けなくても、フォーカス誤差信号やトラッキング誤差信号にオフセットが生じることを防止できる。また、光ピックアップヘッド１０を用いることによって、半導体レーザ１２の出力も安定するため、光ピックアップヘッド１０を用いた情報記録再生装置は、光記憶媒体に記録された情報を忠実に読み出すことができる。
【００３５】
光ピックアップヘッド１０では、ｎ形のＧａＡｓ基板１２ａ上に半導体層１２ｂを形成した半導体レーザ１２を用い、カソード側を接地している。このような使用方法は、一般的なものであるため、広く普及しているレーザ駆動回路や高周波発振回路を利用することができ、光ピックアップヘッド１０を安価に製造できる。また、＋５Ｖの生成にスイッチング電源を用いた場合でも、半導体レーザ１２のカソードが接地され、さらに＋５Ｖの端子６３と半導体レーザ１２のアノードとの間には、トラジスタ６２が介在するため、スイッチング電源からのスイッチングノイズの影響を受けることが少なく、レーザ出力を安定させることができる。また、＋５Ｖの端子６３から混入する突発的なサージに対する半導体レーザ１２の耐圧が増加する。
【００３６】
半導体レーザ１２は固有の遮断周波数を有していること、および、高周波信号ＨＦの周波数ｆ２を高くするほど不要輻射の問題が大きくなることから、高周波信号ＨＦの周波数は、一般に３００〜６００ＭＨｚに設定される。その際、ＤＶＤ−ＲＯＭを１６倍速で読み出す場合には、電流電圧変換回路１５の利得が−３ｄＢとなる周波数ｆ１を１５０ＭＨｚ程度まで高める必要がある。本発明の光ピックアップヘッドでは、電流電圧変換回路の帯域を広くしても、高周波信号の影響は極めて受けにくいので、情報を高速に読み出すことができる情報記録再生装置が得られる。
【００３７】
従来の情報記録再生装置であれば、高周波信号ＨＦの周波数と電流電圧変換回路の周波数との比を１０倍程度以上にする必要があったため、電流電圧変換回路の周波数帯域を１５０ＭＨｚにまで広げようとすると、高周波信号の周波数を１ＧＨｚ以上にしなければならなかった。その結果、従来の装置では、高周波信号の不要輻射が大きくなって対策が困難になったり、高周波信号の周波数がレーザの有する遮断周波数よりも高くなってレーザに変調がかからなくなってしまうという問題があった。これに対して、本発明の光ピックアップを用いることによって、ｆ２／ｆ１≦５の関係を満たすことが可能となるため、そのような問題を回避できる。
【００３８】
光ピックアップヘッド１０では、半導体レーザ１２を接続する電極３３と半導体基板１１との間には絶縁層３２しか存在していない。しかし、本発明の光ピックアップヘッドは、サブマウントに実装した半導体レーザ１２を、絶縁層３２上に実装してもよい。これによって、サブマウントの抵抗が電極３３と半導体基板１１との間に存在することによって、第１の受光素子１３や電流電圧変換回路１５に高周波信号ＨＦが漏れ込むことが減少し、高周波信号ＨＦの影響がさらに少なくなる。この場合、サブマウントの比抵抗は、大きいほど好ましい。
【００３９】
また、本発明の光ピックアップでは、電流電圧変換回路１５に、帰還型の差動アンプを用いてもよい。この場合、差動アンプのマイナス入力に第１の受光素子１３からの電流信号を入力し、差動アンプのプラス入力に基準電圧を入力し、さらにプラス入力とＧＮＤとの間に数ｐＦ以上のコンデンサを設けることが好ましい。この構成によって、半導体基板１１を介した高周波信号ＨＦの電流電圧変換回路１５への混入は、差動アンプに対して同相信号として入力されることになり、高周波信号の影響がさらに小さくなる。帰還型の差動アンプとしては、たとえば、特開平８−４５０９８号公報の第１図に開示されているような構成が適用できる。
【００４０】
また、実施形態１では、受光素子が単純なｐｎ構造のものである場合を示したが、受光素子はどのような構造であってもよく、たとえば、エピタキシャル成長によって形成されたｐｉｎ構造の受光素子を用いてもよい。
【００４１】
また、本実施形態１では、第１の受光素子１３から出力される電流信号を出力制御回路６１に入力する場合を示したが、出力を高速で制御する場合には、第１の受光素子１３から出力される電流信号を電圧信号に変換する電流電圧変換回路を半導体基板１１上に形成してもよい。この構成によれば、半導体レーザ１２の出力が安定するため、高周波信号ＨＦの影響を受けにくい光ピックアップヘッドを実現できる。
【００４２】
また、実施形態１では、フーコー法を用いてフォーカス誤差信号を算出する場合について示したが、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で様々な構成に変更できる。
【００４３】
また、実施形態１では、半導体基板１１がｐ形である場合に基づく光ピックアップヘッドを示したが、半導体基板１１はｎ形であってもよい。また、半導体基板１１は、どのような半導体で形成されていてもよい。また、半導体レーザの構造や波長にも特に制約はない。
【００４４】
また、電源電圧の＋５Ｖおよび基準電圧の＋２．５Ｖは一例であり、所望の電圧に設計することが可能である。
【００４５】
（実施形態２）
実施形態２では、本発明の情報記録再生装置について一例を説明する。なお、実施形態１で説明した部分については、同一の符号を付して重複する説明を省略する。
【００４６】
実施形態２の情報記録再生装置について、構成を図７に模式的に示す。実施形態２の情報記録再生装置は、光記憶媒体に対して少なくとも情報の再生を行う装置であり、さらに情報の記録を行ってもよい。
【００４７】
図７を参照して、実施形態２の情報記録再生装置は、実施形態１で説明した光ピックアップヘッド１０と、駆動手段７１と、電気回路７２と、電源部７３とを備える。
【００４８】
駆動手段７１は、光記憶媒体４０と光ピックアップヘッド１０との相対的な位置を変化させる。駆動手段７１は、モータ７１ａと、駆動部７１ｂとを含む。モータ７１ａは、光記憶媒体４０を回転させる。駆動部７１ｂは、光ピックアップヘッド１０を移動させる。駆動部７１ｂとしては、具体的には、リニアモータやラックオピニオンなどを用いたトラバースメカニズムを用いることができる。
【００４９】
電気回路７２は、光ピックアップヘッド１０から出力される信号を用いて光記憶媒体４０に記録された情報を得るための信号処理回路を含む。すなわち、電気回路７２では、光記憶媒体４０に記録された情報の復調を行う。また、電気回路７２には、光記憶媒体４０の位置に関する信号が光ピックアップヘッド１０から入力される。電気回路７２は、この信号を増幅もしくは演算して、光ピックアップヘッド１０または光ピックアップヘッド１０内の対物レンズ１９を移動させる。対物レンズ１９は、アクチュエータ２１によって駆動される。電気回路７２には、情報記録再生装置に一般的に用いられているものを使用できる。実施形態２の情報記録再生装置は、上記信号と駆動部７１ｂまたはアクチュエータ２１とによって、光記憶媒体４０に対してフォーカスサーボおよびトラッキングサーボを行い、光記憶媒体４０に対して情報の読み出しまたは書き込み若しくは消去を行う。
【００５０】
電源部７３は、電源、または外部電源との接続部である。駆動手段７１、電気回路７２、およびアクチュエータ２１には、電源部７３から電気が供給される。なお、電源または外部電源との接続端子は、各駆動回路にそれぞれ設けられていてもよい。
【００５１】
以上、本発明の実施の形態について例を挙げて説明したが、本発明は、上記実施の形態に限定されず本発明の技術的思想に基づき他の実施形態に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の光ピックアップヘッドについて一例の構成を模式的に示す図である。
【図２】  図１に示した光ピックアップヘッドの半導体基板の上面図である。
【図３】  図１に示した光ピックアップヘッドの半導体基板の一部を模式的に示す拡大図である。
【図４】  図１に示した光ピックアップヘッドのホログラム素子を模式的に示す図である。
【図５】  図１に示した光ピックアップヘッドに用いることができる電流電圧変換回路の一例を示す図である。
【図６】  本発明の光ピックアップヘッドの機能を模式的に示す図である。
【図７】  本発明の情報記録再生装置について一例を模式的に示す図である。
【図８】  従来の光ピックアップヘッドの半導体基板について一例を示す図である。
【符号の説明】
１０  光ピックアップヘッド
１１  半導体基板
１１ａ  凹部
１１ｂ  反射面
１２  半導体レーザ
１２ａ  ＧａＡｓ基板
１２ｂ  半導体層
１３  第１の受光素子
１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄ  受光素子
１４  第２の受光素子
１５、１５ａ、１５ｂ、１５ｃ、１５ｄ、５１  電流電圧変換回路
１６  光学系
１７  ホログラム素子
１７ａ、１７ｂ、１７ｃ  領域
１７ｄ  軸
１８  コリメートレンズ
１９  対物レンズ
２０  アパーチャ
２１ａ、２１ｂ  アクチュエータ
２２  パッケージ
２３  配線
３０、３１  レーザビーム
３０ａ、３０ｂ、３０ｃ  回折光
３２  絶縁層
３３  電極
４０ａ  透明基板
４０ｂ  情報記録面
５１  オペアンプ
５２  抵抗
５３  コンデンサ
６１  出力制御回路
６２  トランジスタ
６３、６８、６９  端子
６４  抵抗
６５  インダクタ
６６  発振器
６７  カップリングコンデンサ
７１  駆動手段
７１ａ  モータ
７１ｂ  駆動部
７２  電気回路
７３  電源部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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