(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（ｂ）で表される１，２，４−トリアジン化合物と下記一般式（Ｉ）または（II）で表されるカルボン酸ビニルエステル類を反応させることを特徴とする下記一般式（ａ）で表されるピリジン誘導体の製造方法。
【化１】
0004603648.tif 000015
式中、Ｒは、炭素数３以上のアルキル基、置換あるいは未置換のアリール基、または置換あるいは未置換のヘテロ環残基を表し、ｎは、０〜１８の整数を表す。Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、同一でも異なってもよく、水素原子、アルキル基、アリール基、ヘテロ環残基、アルキルチオ基、アルキルスルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルフィニル基、アリールスルホニル基、アルコキシ基、フェノキシ基、アルコキシカルボニル基、またはフェノキシカルボニル基を表す。また、Ｒ２とＲ３は、互いに結合して環を形成していてもよい。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、医薬品、農薬、触媒配位子、ハロゲン化銀感光材料、液晶、電子写真や有機エレクトロルミネッセンス素子等の分野に用いられる有機感光体や染料等の製造において重要な中間体となるピリジン誘導体を、低コスト、高収率かつ高純度で得ることができるピリジン誘導体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
置換ピリジン類の製造方法は種々報告されている。例えば白金添加Ｐｄ−Ｃ存在下ピリジン化合物とピリジン化合物のＮ−オキシドを加熱縮合させる方法（Ｙａｋｕｇａｋｕ Ｚａｓｓｈｉ，９９（１２），pp.１１７６、１１８１（１９７９））が報告されているが、低収率である。また、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応を利用したクロスカップリング反応（特開昭６４−００３１６９号）が報告されているが、ピリジン類の Ｇｒｉｇｎａｒｄ試薬を得るために必要なヨウ化ピリジン化合物の入手及び合成が困難であること、特別な設備が必要であること等の問題があった。
【０００３】
更に、ハロゲン化ピリジン化合物同士のウルマン縮合反応（Kｈｉｍ．Ｇｅｏｌ．Ｎａｕｋ．，pp.１１４（１９７０））や、Ｐｄ触媒存在下ハロゲン化ピリジン化合物を種々の金属誘導体とクロスカップリングさせる方法が提案されている。例えば、ボラン誘導体とクロスカップリングさせる方法（Ｃｈｅｍ．Ｐｈａｒｍ．Ｂｕｌｌ．，３３（１１），pp.４７５５（１９８５）、Ｈｅｔｅｒｏｃｙｃｌｅｓ，２３（９），pp.２３７５（１９８５））、アルキルスズ誘導体とクロスカップリングさせる方法（Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔ．，３３，pp.２１９９（１９９２））、Ｎｉ触媒存在下ハロゲン化ピリジン化合物をクロスカップリングさせる方法（ＷＯ９８５２９２２号）等が報告されている。
しかし、いずれも使用する触媒や試薬が高価であったり、生じる金属廃液は特別な処理が必要であるなど、大量生産するには問題点が多い。またこれらの反応は副生成物が多く分離が非常に困難で、医薬品や電子材料等の中間体として使用するのに耐えうる高純度なものは得られていなかった。
【０００４】
一方、１，２，４−トリアジン化合物から２，５−ノルボルナジエンを使用してピリジン誘導体を合成する方法は古くから知られている（例えば、Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔ．，３９，pp.８８１７、８８２１、８８２５（１９９８））。
しかし、２，５−ノルボルナジエンは、基質に対し１０当量以上の大過剰量が必要であること、反応が長時間に及ぶこと、高価であること、わずかでも吸引すると頭痛を引き起こすほど有毒であること、及び工業的な規模での安定供給性に問題があること等、大量生産の場合は問題点が多かった。
【０００５】
また、１，２，４−トリアジンと酢酸ビニルによりピリジン化合物を得る方法（ Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔ．，５９，pp.５１７１（１９６９））が報告されているが、収率が低く、また１，２，４−トリアジンの３，５，６位にアルコキシカルボニル基を有する高活性な基質に適用が限られていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、医薬品や農薬、液晶等の中間体として有用なピリジン誘導体を、高純度、高収率、低コストで取得でき、しかも公害問題を生ぜずに、工業的規模で実施し得る該ピリジン誘導体の製造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、下記のピリジン誘導体の製造方法が提供されて、本発明の上記目的が達成される。
下記一般式（ｂ）で表される１，２，４−トリアジン化合物と下記一般式（Ｉ）または（II）で表されるカルボン酸ビニルエステル類を反応させることを特徴とする下記一般式（ａ）で表されるピリジン誘導体の製造方法。
【０００８】
【化２】
0004603648.tif 000002
【０００９】
式中、Ｒは、炭素数３以上のアルキル基、置換あるいは未置換のアリール基、または置換あるいは未置換のヘテロ環残基を表し、ｎは、０〜１８の整数を表す。Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、同一でも異なってもよく、水素原子、アルキル基、アリール基、ヘテロ環残基、アルキルチオ基、アルキルスルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルフィニル基、アリールスルホニル基、アルコキシ基、フェノキシ基、アルコキシカルボニル基、またはフェノキシカルボニル基を表す。また、Ｒ２とＲ３は、互いに結合して環を形成していてもよい。
【００１０】
【発明の実施形態】
以下に本発明を更に詳しく説明する。
上記一般式（Ｉ）又は（II）で表されるカルボン酸ビニルエステル類中のＲは、直鎖状、分岐状または環状の炭素数３以上のアルキル基、置換または未置換のアリール基、置換または未置換のヘテロ環残基を表す。アリール基、ヘテロ環残基に置換する基としては、ハメットの置換基定数σｍが−０．２１〜０．３９の範囲にある置換基が挙げられ、一置換でも多置換でもよく、多置換の場合は各々の置換基は同一でも異なってもよい。ここで、ハメットのσｍ値が−０．２１〜０．３９の範囲にある置換基として具体的には、例えばメチル、ｔ−ブチル等のアルキル基、シクロペンチル、シクロヘキシル等のシクロアルキル基、フェニル、ナフチル等のアリール基、メトキシ、エトキシ等のアルコキシ基、アミノ、ジメチルアミノ等のアミノ基、ニトロ基、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子等が挙げられる。
【００１１】
Ｒにおける、直鎖状、分岐状または環状の炭素数３以上、好ましくは炭素数５以上、より好ましくは炭素数７〜１７のアルキル基としては、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、シクロペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔ−ペンチル基、１−メチルブチル基、２−メチルブチル基、１−エチルプロピル基、１，２−ジメチルプロピル基、２，２−ジメチルプロピル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、１−メチルペンチル基、２−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、４−メチルペンチル基、１−エチルブチル基、２−エチルブチル基、１，２−ジメチルブチル基、１，３−ジメチルブチル基、２，３−ジメチルブチル基、１，１−ジメチルブチル基、２，２−ジメチルブチル基、３，３−ジメチルブチル基、１−エチル−２−メチル−プロピル基、ヘプチル基、１−メチルヘキシル基、２−メチルヘキシル基、３−メチルヘキシル基、４−メチルヘキシル基、５−メチルヘキシル基、１−エチルペンチル基、２−エチルペンチル基、３−エチルペンチル基、１，２−ジメチルペンチル基、１，３−ジメチルペンチル基、１，４−ジメチルペンチル基、２，３−ジメチルペンチル基、２，４−ジメチルペンチル基、３，４−ジメチルペンチル基、１，１−ジメチルペンチル基、２，２−ジメチルペンチル基、３，３−ジメチルペンチル基、４，４−ジメチルペンチル基、２−エチル−１−メチル−ブチル基、１−エチル−２−メチル−ブチル基、１−エチル−３−メチルブチル基、１−エチル−３−メチルブチル基、２−エチル−３−メチルブチル基、１−エチル−１−メチルブチル基、２−エチル−２−メチルブチル基、１，２，３−トリメチルブチル、１，１，２−トリメチルブチル、１，２，２−トリメチルブチル、１，１，３−トリメチルブチル、１，３，３−トリメチルブチル、２，２，３−トリメチルブチル、２，３，３−トリメチルブチル、１−イソプロピル−２−メチルプロピル基、オクチル基、１−メチルヘプチル基、２−メチルヘプチル基、３−メチルヘプチル基、４−メチルヘプチル基、５−メチルヘプチル基、６−メチルヘプチル基、１−エチルヘキシル基、２−エチルヘキシル基、３−エチルヘキシル基、４−エチルヘキシル基、１−プロピルペンチル基、２−プロピルペンチル基、１−ブチルブチル基、１，２−ジメチルヘキシル基、１，３−ジメチルヘキシル基、１，４−ジメチルヘキシル基、１，５−ジメチルヘキシル基、２，３−ジメチルヘキシル基、２，４−ジメチルヘキシル基、２，５−ジメチルヘキシル基、３，４−ジメチルヘキシル基、３，５−ジメチルヘキシル基、４，５−ジメチルヘキシル基、１，１−ジメチルヘキシル基、２，２−ジメチルヘキシル基、３，３−ジメチルヘキシル基、４，４−ジメチルヘキシル基、５，５−ジメチルヘキシル基、１，２，３−トリメチルペンチル基、１，２，４−トリメチルペンチル基、２，３，４−トリメチルペンチル基、２−エチル−１−メチルペンチル基、３−エチル−１−メチルペンチル基、１−エチル−２−メチルペンチル基、３−エチル−２−メチルペンチル基、１−エチル−３−メチルペンチル基、２−エチル−３−メチルペンチル基、１−エチル−４−メチルペンチル基、２−エチル−１−メチルペンチル基、１−エチル−１−メチルペンチル基、２−エチル−２−メチルペンチル基、３−エチル−３−メチルペンチル基、１，２−ジエチルブチル基、１，１−ジエチルブチル基、２，２−ジエチルブチル基、ノニル基、イソノニル基、ｓ−ノニル基、ｔ−ノニル基、ネオノニル基、デシル基、イソデシル基、ｓ−デシル基、ｔ−デシル基、ネオデシル基、ウンデシル基、イソウンデシル基、ｓ−ウンデシル基、ｔ−ウンデシル基、ネオウンデシル基、ドデカン基、イソドデカン基、ｓ−ドデカン基、ｔ−ドデカン基、ネオドデカン基、トリデシル基、イソトリデシル基、ｓ−トリデシル基、ｔ−トリデシル基、ネオトリデシル基、テトラデシル基、イソテトラデシル基、ｓ−テトラデシル基、ｔ−テトラデシル基、ネオテトラデシル基、ペンタデシル基、イソペンタデシル基、ｓ−ペンタデシル基、ｔ−ペンタデシル基、ネオペンタデシル基、ヘキサデシル基、イソヘキサデシル基、ｓ−ヘキサデシル基、ｔ−ヘキサデシル基、ネオヘキサデシル基、ヘプタデシル基、イソヘプタデシル基、ｓ−ヘプタデシル基、ｔ−ヘプタデシル基、ネオヘプタデシル基、オクタデシル基、イソオクタデシル基、ｓ−オクタデシル基、ｔ−オクタデシル基、ネオオクタデシル基、ノナデシル基、イソノナデシル基、ｓ−ノナデシル基、ｔ−ノナデシル基、ネオノナデシル基等が挙げられる。
【００１２】
Ｒにおけるアリール基としては、フェニル基、ナフチル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ジメチルアミノフェニル基、ジフェニルアミノフェニル基、メトキシフェニル基、フェノキシフェニル基、シクロヘキシルフェニル基、ニトロフェニル基、クロロフェニル基、ブロモフェニル基、フルオロフェニル基、ヨードフェニル基、トリフルオロフェニル基、ヒドロキシフェニル基、カルボキシフェニル基、メチルオキシカルボニルフェニル基、シアノフェニル基等が挙げられる。
【００１３】
Ｒにおけるヘテロ環残基としては、ピリジル基、ピラジニル基、ピリミジル基、キノリル基、イソキノリル基、ピロリル基、ピラゾリル基、イミダゾリル基、チエニル基、フリール基、チアゾリル基、イソチアゾリル基、オキサゾリル基、イソオキサゾリル基、メチルピリジル基、フェニルピリジル基、ニトロピリジル基、クロロピリジル基、ブロモピリジル基、メトキシピリジル基、ジフェニルアミノピリジル基、メチルピラジニル基、フェニルピラジニル基、ニトロピラジニル基、クロロピラジニル基、ブロモピラジニル基、メトキシピラジニル基、ジフェニルアミノピラジニル基等が挙げられる。
一般式（II）のｎは、０〜１８、好ましくは３〜１２の整数である。
【００１４】
なお、上記一般式（Ｉ）で、Ｒが炭素数１または２のアルキル基であると、１，２，４−トリアジン化合物とカルボン酸ビニルエステル類との反応の進行が著しく遅く、ピリジン誘導体を工業的に生産するのには不適当である。
【００１５】
Ｒの好ましいものとしては、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、シクロペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔ−ペンチル基、１−メチルブチル基、２−メチルブチル基、１−エチルプロピル基、１，２−ジメチルプロピル基、２，２−ジメチルプロピル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、１−メチルペンチル基、２−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、４−メチルペンチル基、１−エチルブチル基、２−エチルブチル基、１，２−ジメチルブチル基、１，３−ジメチルブチル基、２，３−ジメチルブチル基、１，１−ジメチルブチル基、２，２−ジメチルブチル基、３，３−ジメチルブチル基、ヘプチル基、１−メチルヘキシル基、２−メチルヘキシル基、３−メチルヘキシル基、４−メチルヘキシル基、５−メチルヘキシル基、１−エチルペンチル基、２−エチルペンチル基、３−エチルペンチル基、１，２−ジメチルペンチル基、１，３−ジメチルペンチル基、１，４−ジメチルペンチル基、２，３−ジメチルペンチル基、２，４−ジメチルペンチル基、３，４−ジメチルペンチル基、１，１−ジメチルペンチル基、２，２−ジメチルペンチル基、３，３−ジメチルペンチル基、４，４−ジメチルペンチル基、オクチル基、１−メチルヘプチル基、２−メチルヘプチル基、３−メチルヘプチル基、４−メチルヘプチル基、５−メチルヘプチル基、６−メチルヘプチル基、１−エチルヘキシル基、２−エチルヘキシル基、３−エチルヘキシル基、４−エチルヘキシル基、１−プロピルペンチル基、２−プロピルペンチル基、１−ブチルブチル基、１，２−ジメチルヘキシル基、１，３−ジメチルヘキシル基、１，４−ジメチルヘキシル基、１，５−ジメチルヘキシル基、２，３−ジメチルヘキシル基、２，４−ジメチルヘキシル基、２，５−ジメチルヘキシル基、３，４−ジメチルヘキシル基、３，５−ジメチルヘキシル基、４，５−ジメチルヘキシル基、１，１−ジメチルヘキシル基、２，２−ジメチルヘキシル基、３，３−ジメチルヘキシル基、４，４−ジメチルヘキシル基、５，５−ジメチルヘキシル基、１，２−ジエチルブチル基、１，１−ジエチルブチル基、２，２−ジエチルブチル基、ノニル基、イソノニル基、ｓ−ノニル基、ｔ−ノニル基、ネオノニル基、デシル基、イソデシル基、ｓ−デシル基、ｔ−デシル基、ネオデシル基、フェニル基、ナフチル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ニトロフェニル基、クロロフェニル基、ブロモフェニル基、フルオロフェニル基、ヨードフェニル基、トリフルオロフェニル基、シアノフェニル基、ピリジル基、ピラジニル基、ピリミジル基、キノリル基、イソキノリル基、ピロリル基、ピラゾリル基、イミダゾリル基、チエニル基、フリール基等が挙げられる。
【００１６】
まず、本発明の方法をより詳しく説明するために、１，２，４−トリアジン化合物とカルボン酸ビニルエステル類を反応させる一態様を詳述するが、本発明の範囲は決してこれに限定されるものではない。
１，２，４−トリアジン化合物（ｂ）とカルボン酸ビニルエステル類との反応は、下記式に従って進み、ピリジン誘導体（ａ）が生成する。
【００１７】
【化３】
0004603648.tif 000003
【００１８】
式中、Ｒは前記と同義である。ｎは、０〜１８の整数、好ましくは３〜１２の整数である。
また、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、同一でも異なってもよく、水素原子、アルキル基、アリール基、ヘテロ環残基、アルキルチオ基、アルキルスルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルフィニル基、アリールスルホニル基、アルコキシ基、フェノキシ基、アルコキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基を表す。また、Ｒ２とＲ３は、互いに結合して環を形成していてもよい。
【００１９】
上記一般式（ａ）及び（ｂ）中のＲ１、Ｒ２、Ｒ３について詳述する。
アルキル基としては炭素数１〜１８の直鎖状または分岐状のアルキル基が挙げられる。好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等の炭素数１〜４個のアルキル基であり、より好ましくは炭素数１〜４個のアルキル基であり、特に好ましくはカルボン酸やアルデヒドに誘導可能なメチル基である。また、Ｒ２とＲ３が同一の炭素数１〜４のアルキル基であることが好ましい。
【００２０】
アリール基としては、具体的に置換または未置換のフェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基等が挙げられる。好ましくは、置換または未置換のフェニル基、ナフチル基であり、より好ましくは置換または未置換のフェニル基である。
置換基を有するアリール基の該置換基として、ハメットの置換基定数σｍが−０．２１〜０．３９の範囲にある置換基が挙げられ、一置換でも多置換でもよく、多置換の場合は各々の置換基は同一でも異なってもよい。ここで、ハメットのσｍ値が−０．２１〜０．３９の範囲にある置換基として具体的には、例えばメチル、ｔ−ブチル等のアルキル基、シクロペンチル、シクロヘキシル等のシクロアルキル基、フェニル、ナフチル等のアリール基、メトキシ、エトキシ等のアルコキシ基、アミノ、ジメチルアミノ等のアミノ基、ニトロ基、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子等が挙げられる。
【００２１】
ヘテロ環残基としては、具体的に置換または未置換のピリジル基、ピラジニル基、ピリミジル基、キノリル基、イソキノリル基、ピロリル基、ピラゾリル基、イミダゾリル基、チエニル基、フリール基、チアゾリル基、イソチアゾリル基、オキサゾリル基、イソオキサゾリル基が挙げられる。好ましくは置換または未置換のピリジル基、ピラジニル基、ピリミジル基、キノリル基、イソキノリル基、ピロリル基、ピラゾリル基であり、より好ましくは、置換または未置換のピリジル基、ピラジニル基、ピリミジル基、キノリル基、イソキノリル基である。
置換基を有するヘテロ環残基の該置換基として、ハメットの置換基定数σｍが−０．２１〜０．３９の範囲にある置換基が挙げられ、一置換でも多置換でもよく、多置換の場合は各々の置換基は同一でも異なってもよい。ここで、ハメットのσｍ値が−０．２１〜０．３９の範囲にある置換基として具体的には、例えばメチル、ｔ−ブチル等のアルキル基、シクロペンチル、シクロヘキシル等のシクロアルキル基、フェニル、ナフチル等のアリール基、メトキシ、エトキシ等のアルコキシ基、アミノ、ジメチルアミノ等のアミノ基、ニトロ基、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子等が挙げられる。
【００２２】
アルキルチオ基としては、具体的に炭素数１〜１８の直鎖状または分岐状のアルキルチオ基が挙げられ、好ましくはメチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、イソプロピルチオ基、ブチルチオ基、ｓｅｃ−ブチルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチルチオ基等の炭素数１〜４個のアルキルチオ基であり、より好ましくはメチルチオ基、エチルチオ基である。
【００２３】
アルキルスルフィニル基（−ＳＯＲ）及びアルキルスルホニル基（−ＳＯ2Ｒ）としては、アルキルチオ基と同様のアルキル基を有するアルキルスルフィニル基あるいはアルキルスルホニル基が挙げられる。好ましくは、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基である。
【００２４】
アリールスルフィニル基（−ＳＯＡｒ）としては、置換または非置換のアリール基を有するものが挙げられ、好ましくはベンゼンスルフィニル基、トルエンスルフィニル基である。
置換基を有するアリールスルフィニル基の該置換基として、ハメットの置換基定数σｍが−０．２１〜０．３９の範囲にある置換基が挙げられ、一置換でも多置換でもよく、多置換の場合は各々の置換基は同一でも異なってもよい。ここで、ハメットのσｍ値が−０．２１〜０．３９の範囲にある置換基として具体的には、例えばメチル、ｔ−ブチル等のアルキル基、シクロペンチル、シクロヘキシル等のシクロアルキル基、フェニル、ナフチル等のアリール基、メトキシ、エトキシ等のアルコキシ基、アミノ、ジメチルアミノ等のアミノ基、ニトロ基、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子等が挙げられる。
【００２５】
アリールスルホニル基（−ＳＯ2Ａｒ）としては、置換または未置換のアリール基を有するものが挙げられ、好ましくはベンゼンスルホニル基、トルエンスルホニル基である。
置換基を有するアリールスルホニル基の該置換基として、ハメットの置換基定数σｍが−０．２１〜０．３９の範囲にある置換基が挙げられ、一置換でも多置換でもよく、多置換の場合は各々の置換基は同一でも異なってもよい。ここで、ハメットのσｍ値が−０．２１〜０．３９の範囲にある置換基として具体的には、例えばメチル、ｔ−ブチル等のアルキル基、シクロペンチル、シクロヘキシル等のシクロアルキル基、フェニル、ナフチル等のアリール基、メトキシ、エトキシ等のアルコキシ基、アミノ、ジメチルアミノ等のアミノ基、ニトロ基、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子等が挙げられる。
【００２６】
アルコキシ基としては、具体的に炭素数１〜１８の直鎖状または分岐状のアルコキシ基が挙げられる。好ましくは、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基等の炭素数１〜４のアルコキシ基であり、より好ましくはメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等の直鎖状の炭素数１〜４のアルコキシ基である。
【００２７】
アルコキシカルボニル基（−ＣＯＯＲ）としては、上記のアルコキシ基を有するアルコキシカルボニル基が挙げられる。好ましくはメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基である。
【００２８】
本発明の出発物質である１，２，４−トリアジン化合物は、次のような（１）〜（４）の方法により製造することができる。
（１）シアノ複素環化合物とヒドラジンとを反応させアミドラゾンへと誘導し、更にジケトン類を反応させて、１，２，４−トリアジン化合物を得る方法（Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔ．，３９，pp.８８１７、８８２１、８８２５（１９９８））。また、この反応系に水を添加する１，２，４−トリアジン化合物の製造方法も見出されている（特願平１１−１６７３０８号）。その一態様を下記に示す。
【００２９】
【化４】
0004603648.tif 000004
【００３０】
（２）シアノ複素環化合物からカルバメート及びアミドラゾンを経由し、１，２，４−トリアジン化合物を得る方法（Ｊ．Ｋｏｒｅａｎ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，３９（９），pp.７５５（１９９５））。その一態様を下記に示す。
【００３１】
【化５】
0004603648.tif 000005
【００３２】
（３）酸ヒドラジド及びジケトンを酢酸溶媒中、酢酸アンモニウムと反応させて１，２，４−トリアジン化合物を得る方法（Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ，１，pp.１０３（１９５７））。その一態様を下記に示す。
【００３３】
【化６】
0004603648.tif 000006
【００３４】
（４）α−ハロケトン及び酸ヒドラジドとを反応させて、１，２，４−トリアジン化合物を得る方法（Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ，３３，pp.１０４３（１９７７））。その一態様を下記に示す。
【００３５】
【化７】
0004603648.tif 000007
【００３６】
本発明で用いられる一般式（Ｉ）又は（II）で表されるカルボン酸ビニルエステル類は、炭素数３以上のアルキル基、置換または未置換のアリール基、置換または無置換のヘテロ環残基を含有するカルボン酸から以下に記載の方法で容易に製造することができるが、これらの方法に限定されない。また、これらのカルボン酸ビニルエステルは多種市販されており、容易に入手可能であり、そのまま用いることもできる。
上記カルボン酸ビニルエステル類の製造方法として、例えば直接ビニル化法（Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，６９，pp.２４３９（１９４７）、Ｊ．Ｐｏｌｙｍｅｒ．Ｓｃｉ．，１，pp.２０７（１９５１）、Ｔｒａｎｓ．Ｆａｒａｄａｙ Ｓｏｃ．，４９，pp.１１０８（１９５３）、 ＵＳＰａｔ．２，９９２，２４６号（１９６１）、Ｅｕｒｏｐｅａｎ Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｊ．，４，pp.３７３（１９６８））、ビニル交換法（Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，２５，pp.６２３（１９６０）、Ｍａｋｒｏｍｏｌ．Ｃｈｅｍ．，７３，pp.１７３（１９６４））、Ｍａｋｒｏｍｏｌ．Ｃｈｅｍ．，２９，pp.１１９（１９５９）、Ｊ．Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｓｃｉ．，２７，pp.２６９（１９５８）、高分子化学，１７，pp.２２７（１９６０）、Ｊ．Ｓｃｉ．Ｅｎｇ．Ｒｅｓ．Ｉｎｄｉａｎ Ｉｎｓｔ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．Ｋｈａｒａｇｐｕｒ，４，pp.２６５（１９６０））、ハルコン法（Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，８１，pp.２５５２（１９５９））等が挙げられる。
【００３７】
カルボン酸ビニルエステル類は具体的に、酪酸ビニル、ヘキサン酸ビニル、オクタン酸ビニル、デカン酸ビニル、ラウリン酸ビニル、ミリスチン酸ビニル、パルミチン酸ビニル、ステアリン酸ビニル、シクロヘキサンカルボン酸ビニル、ピバリン酸ビニル、オクチル酸ビニル、モノクロロ酢酸ビニル、アジピン酸ジビニル、メタクリル酸ビニル、クロトン酸ビニル、ソルビン酸ビニル、安息香酸ビニル、桂皮酸ビニル、ネオデカン酸ビニル、ネオノナン酸ビニル、４−ｔ−ブチル安息香酸ビニル、トリフルオロ酢酸ビニル、ビニル２−ピリジンカルボキシレート、ビニルニコチネート、ビニルイソニコチネート、ビニル２−フロエート、ビニル２−チオフェンカルボキシレート、アジピン酸ジビニルが挙げられる。
好ましくは酪酸ビニル、ヘキサン酸ビニル、オクタン酸ビニル、デカン酸ビニル、ラウリン酸ビニル、ミリスチン酸ビニル、パルミチン酸ビニル、シクロヘキサンカルボン酸ビニル、ピバリン酸ビニル、オクチル酸ビニル、安息香酸ビニル、ネオデカン酸ビニル、ネオノナン酸ビニル、トリフルオロ酢酸ビニル、アジピン酸ジビニルであり、特に好ましくは反応終了後分離が容易な、炭素数の多いヘキサン酸ビニル、オクタン酸ビニル、デカン酸ビニル、ラウリン酸ビニル、シクロヘキサンカルボン酸ビニル、オクチル酸ビニル、安息香酸ビニル、ネオデカン酸ビニル、ネオノナン酸ビニル、アジピン酸ジビニルである。
【００３８】
カルボン酸ビニルエステル類の使用量は、１，２，４−トリアジンに対し等ｍｏｌ以上であれば制限はないが、一般式（Ｉ）のカルボン酸ビニルエステル類の場合は１，２，４−トリアジン（１ｍｏｌ）に対し通常１．０１〜２０ｍｏｌの範囲内で用いられ、好ましくは１．２〜１０．０ｍｏｌ、より好ましくは１．５〜５．０ｍｏｌである。一般式（II）のカルボン酸ビニルエステル類の場合は分子内に反応部位が２箇所存在するので、（Ｉ）の場合の半分量で反応が進行する。
【００３９】
本発明において、反応溶媒は使用しなくても使用してもよい。好ましい反応溶媒は、沸点が１００℃以上の溶媒であり、より好ましくは１３０〜３００℃の溶媒、さらに好ましくは１８０〜２５０℃の溶媒である。
また、反応溶媒として、芳香族化合物が好ましい。
【００４０】
反応溶媒として用いることができる沸点が１００℃以上の芳香族化合物として以下のものを挙げることができる。
（ｉ）芳香族炭化水素化合物
トルエン、キシレン、ジエチルベンゼン、ジイソプロピルベンゼン、エチルベンゼン、プロピルベンゼン、ブチルベンゼン、１−フェニルヘキサン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン、ブロモベンゼン、ジブロモベンゼン、メトキシベンゼン、メトキシフェノール、ジメトキシベンゼン、ニトロベンゼン、１，４−シクロヘキシルベンゼン、ジフェニルメタン、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン等。
（ii）芳香族複素環式化合物
２，４−ジクロロピリミジン、２，３，５−トリクロロピリジン、キノリン、キナゾリン、１，４−ベンゾジオキサン等。
（iii）水素化芳香族複素環式化合物
１，２，３，４−テトラヒドロキノリン、５，６，７，８−テトラヒドロキノリン、１，２，３，４−テトラヒドロイソキノリン、５，６，７，８−テトラヒドロイソキノリン、１−フェニルピペリジン、１−フェニルピペラジン、インドリン、ジュロリジン等。
【００４１】
また、反応溶媒として用いることができる沸点が１００℃以上の脂肪族化合物としては、以下のものを挙げることができる。
（iv）飽和脂肪族化合物、
オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン、エチルシクロヘキサン、２−メチルドデカン、４−エチルウンデカン、テトラデカン、ペンタデカン、３，３−ジメチルトリデカン、ヘキサデカン、ヘプタデカン、２−メチル−４−エチルテトラデカン等。
（v）飽和環式脂肪族化合物
ジシクロヘキシル、デカヒドロナフタレン、ドデカヒドロフルオレン等。
（vi）飽和複素環式脂肪族化合物
１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ）、１，４，７−トリチアシクロノナン、１，４，７−トリチアシクロデカン、１，４，７，１０−テトラオキサシクロドデカン、１，４，７，１０、１３−ペンタオキサシクロペンタデカン、１，４，７−トリアザシクロノナン、１，４，７，１０−テトラアザシクロドデカン。
【００４２】
これら溶媒は、１種単独でまたは２種以上を組み合わせて反応溶媒として使用することもできる。
上記の反応溶媒のなかでも、ジエチルベンゼン、ジイソプロピルベンゼン、キノリン、ニトロベンゼン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ）が好ましく、特に好ましくはジイソプロピルベンゼン、ジエチルベンゼンである。これらの溶媒を用いることにより、反応が短時間で終了し、高収率で目的物が得られる。
反応溶媒の使用量は、１，２，４−トリアジン０．１ｍｏｌに対し通常１〜１０００ｍｌの範囲内で用いられ、好ましくは５〜５００ｍｌ、より好ましくは１０〜２００ｍｌである。
【００４３】
反応温度は、通常８０〜３５０℃の範囲内で行われ、好ましくは１２０〜３００℃、より好ましくは１８０〜２５０℃の範囲内で行われる。反応時間は通常３〜６時間で１，２，４−トリアジン化合物の消失が確認される。
反応終了後、希塩酸を添加して目的物を水層へ移動し分液して、更に水層を塩基性にした後酢酸エチルやトルエン等の溶媒により抽出し、溶媒を減圧濃縮しアルコールやヘキサン等を添加して晶析することにより、高純度なピリジン誘導体を得ることができる。また、蒸留により精製してもよい。
【００４４】
本発明によって得られるピリジン誘導体の好ましい具体例を下記（Ａ−１）〜（Ｄ−１１）に示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００４５】
【化８】
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【００４６】
【化９】
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【００４７】
【化１０】
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【００４８】
【化１１】
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【００４９】
【実施例】
次に本発明を実施例により更に具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、純度の評価は高速液体クロマトグラフィー（以下「ＨＰＬＣ」と略記する）によった。
なお、以下で、「ＨＰＬＣ分析」と記載したものは、下記条件で測定したものであり、条件を変えた場合にはその条件を詳しく記載する。
（ＨＰＬＣ分析による測定条件）
カラム：ＹＭＣ−Ａ−３１２
検出ＵＶ波長：２５４ｎｍ
溶離液：アセトニトリル／水＝２５／７５、バッファ−として酢酸及びトリエチルアミンを各々０．２質量％含有
溶離液流量：１．０ｍｌ／ｍｉｎ
【００５０】
合成例１（出発原料３−（４−ピリジル）−１，２，４−トリアジンの合成）
２０００ｍｌの四つ口フラスコに、水２００ｍｌ、４−シアノピリジン２００．０ｇ（１．９２ｍｏｌ）、ヒドラジン一水和物１９２．０ｇ（３．８４ｍｏｌ）を仕込み、撹拌下５０℃で４時間反応した。ＨＰＬＣ分析で原料消失を確認した後、トルエン４００ｍｌを添加して過剰のヒドラジン一水和物を留去し、更にこの操作をもう1度行った。水８００ｍｌ、次いで４０％グリオキサール水溶液２７８．４ｇ（１．９２ｍｏｌ）を加え、外温１００℃で2時間反応した。反応終了後、５℃に冷却し、淡黄色結晶として目的物を２２２．４ｇ（収率８５．２％）得た。
【００５１】
実施例１（２，４'−ジピリジル（Ａ−１）の合成）
次に、５００ｍｌの四つ口フラスコに、ジイソプロピルベンゼン４５ｍｌ、合成例１で合成した３−（４−ピリジル）−１，２，４−トリアジン２５．０ｇ（０．１５８ｍｏｌ）、ｎ−デカン酸ビニル６０．１ｇ（０．３１６ｍｏｌ）を仕込み、撹拌下２１０℃で２時間反応した。ＨＰＬＣ分析で原料消失を確認した後、トルエン１００ｍｌで希釈し、１ｍｏｌ／ｌ塩酸１８０ｍｌにて酸性にした後分液した。得られた水層をトルエン９０ｍｌにて洗浄し、この操作をもう一度繰り返した。水層を９ｍｏｌ／ｌ水酸化ナトリウム水溶液５０ｍｌを用いて塩基性にした後、トルエン１２０ｍｌで抽出した。減圧下溶媒を留去し、ヘキサンから晶析して淡黄色結晶として目的物２２．４ｇ（収率９０．７％）を得た。ＨＰＬＣ分析の結果、純度は９９．３％であった。融点６０〜６２℃。
【００５２】
実施例２〜７
実施例１においてｎ−デカン酸ビニルの代わりに、下記表１で示されるカルボン酸ビニルエステルを用いた以外は、実施例１と同様に操作して２，４'−ジピリジル（Ａ−１）を合成し、収率及びＨＰＬＣによる純度を評価した。
【００５３】
比較例１〜２
実施例１において、ｎ−デカン酸ビニルの代わりに表１に記載されたものを用いた以外は、実施例１と同様に合成した。
【００５４】
比較例３
５００ｍｌの四つ口フラスコに、キシレン１４５ｍｌ、３−（４−ピリジル）−１，２，４−トリアジン２５．０ｇ（０．１５８ｍｏｌ）、２，５−ノルボルナジエン１４６ｇ（１．５８ｍｏｌ）を仕込み、還流下４時間反応した。反応終了後、過剰の２，５−ノルボルナジエン及びキシレンを減圧下留去し、ヘキサンから晶析して淡黄色結晶として目的物１９．８ｇ（収率８０．０％）を得た。ＨＰＬＣ分析の結果、純度は９９．２％であった。
【００５５】
比較例４、５
オートクレーブに、ジイソプロピルベンゼン４５ｍｌ、３−（４−ピリジル）−１，２，４−トリアジン２５．０ｇ（０．１５８ｍｏｌ）、酢酸ビニル６０．１ｇ（０．３１６ｍｏｌ）を仕込み、撹拌下、２１０℃、で各々１０時間（比較例４）、７２時間（比較例５）反応した。この時内圧は１０１０ｋＰａまで上昇した。以上の結果を表１に表す。
【００５６】
【表１】
0004603648.tif 000012
【００５７】
表１に示された結果から以下のことが明らかである。
本発明の方法では（実施例１〜１０）、高純度、高収率で２，４'−ジピリジル（Ａ−１）を合成することができる。
比較例１、２は、一般式（Ｉ）で示されるカルボン酸ビニルエステルのＲの炭素数が１または２と少ない場合であり、反応が完結しない。反応が完結しないことは、オートクレーブを用いて加圧下で反応を行った比較例４、５の場合でも同じである。なお、反応完結しないまま後処理を行っても、酸・塩基を利用した分離が困難であり、収率及び純度は低下した。
比較例３は、従来行われている方法、即ち１，２，４−トリアジン化合物と２，５−ノルボルナジエンを反応させる方法である。この場合、２，５−ノルボルナジエンは、３−（４−ピリジル）−１，２，４−トリアジンに対して１０当量以上を必要とする。しかも２，５−ノルボルナジエンは高価なので、本発明方法と比べて非常にコスト高となる。
【００５８】
実施例１１〜２０
実施例１において、３−（４−ピリジル）−１，２，４−トリアジンの代わりに下記表２、３に記載されるトリアジン誘導体を用い、実施例１と同様の操作でピリジン誘導体を合成した。実施例１５、１６、１９は３時間、それ以外は２時間反応を行い、それぞれの収率及びＨＰＬＣより純度を評価した。
【００５９】
【表２】
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【００６０】
【表３】
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【００６１】
上記表２、３をみると明らかなように、本発明の方法では、高純度、高収率でピリジン誘導体を合成することができる。
【００６２】
【発明の効果】
本発明の方法によれば、医薬品、農薬、触媒配位子、ハロゲン化銀感光材料、液晶、電子写真や有機エレクトロルミネッセンス素子等の分野における有機感光体や染料等の中間体に有用なピリジン誘導体を、高純度、高収率、低コストで製造することができると共に、有機金属などを使用していないので公害の問題が生じない。従って、本発明のピリジン誘導体の製造方法は、工業的に極めて高い実用性を有するものである。