(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ディスク原盤製造装置において、ディスク原盤とレーザ照射位置との相対位置関係をディスク原盤の径方向に移動させる移送機構が原点位置にあるときのレーザ照射位置が、ディスク原盤の回転中心に、所定の調整精度の範囲内で一致させるようにする芯出し調整に用いる基準原盤として、
基板上に無機レジスト層が形成されているとともに、レーザ光による上記無機レジスト層の露光により、回転中心から上記調整精度に基づいて半径が決められた基準リングとしてのパターンが記録されていることを特徴とする基準原盤。
【請求項２】
上記基準リングの半径は２０μｍ〜６５μｍの範囲内とされていることを特徴とする請求項１に記載の基準原盤。
【請求項３】
上記基準リングは、同心円状の複数のリングパターンとして記録されていることを特徴とする請求項１に記載の基準原盤。
【請求項４】
さらに、上記基準リングの外周側となる特定の半径位置から、同心円状の複数トラックもしくはらせん状の連続トラックとして露光されたリング状領域が、１又は複数単位形成されていることを特徴とする請求項１に記載の基準原盤。
【請求項５】
上記移送機構の移送方向がｘ方向、上記ｘ方向と水平面上で直交する方向がｙ方向とし、上記芯出し調整は、上記ｘ方向と上記ｙ方向の調整を行う場合、
上記リング状領域は、上記ｙ方向の調整可能範囲長に相当する半径範囲内に形成されていることを特徴とする請求項４に記載の基準原盤。
【請求項６】
上記リング状領域が複数形成される場合、各リング状領域は互いに異なるトラックピッチのトラックにより形成されていることを特徴とする請求項４に記載の基準原盤。
【請求項７】
上記リング状領域の外周側もしくは内周側の一方に隣接して、上記リング状領域のトラックピッチとは異なるトラックピッチの２トラック以上の識別用リングパターンが露光形成されていることを特徴とする請求項４に記載の基準原盤。
【請求項８】
上記無機レジスト層にレーザ光による露光が行われた後、エッチング処理が行われたものであることを特徴とする請求項１、請求項２、請求項３、請求項４、請求項５、請求項６、又は請求項７に記載の基準原盤。
【請求項９】
上記無機レジスト層にレーザ光による露光が行われた後、エッチング処理が行われ、さらに表面に反射膜が成膜されたことを特徴とする請求項１、請求項２、請求項３、請求項４、請求項５、請求項６、又は請求項７に記載の基準原盤。
【請求項１０】
光ディスク原盤製造装置において、ディスク原盤とレーザ照射位置との相対位置関係をディスク原盤の径方向に移動させる移送機構が原点位置にあるときのレーザ照射位置が、ディスク原盤の回転中心に、所定の調整精度の範囲内で一致させるようにする芯出し調整方法として、
基板上に無機レジスト層が形成されているとともに、レーザ光による上記無機レジスト層の露光により、回転中心から上記調整精度に基づいて半径が決められた基準リングとしてのパターンが記録されている基準原盤に対して、上記無機レジスト層の記録感度に満たない非記録レーザパワーでのレーザ光の照射を行うとともに、
上記レーザ光の戻り光を観測して、上記レーザ光の照射位置が上記基準リング内となるようにすること特徴とする芯出し調整方法。
【請求項１１】
上記移送機構の移送方向がｘ方向、上記ｘ方向と水平面上で直交する方向がｙ方向とし、
上記芯出し調整は、
上記ｘ方向における上記移送機構の原点位置を調整するとともに、
上記レーザ光を出力するピックアップヘッドの取付位置としてｙ方向の位置の調整を行うことで、上記レーザ光の照射位置が上記基準リング内となるようにすることを特徴とする請求項１０に記載の芯出し調整方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ディスクの製造に用いる光ディスク原盤の製造装置において、いわゆる芯出し調整を行うために用いる基準原盤と、その基準原盤を用いた芯出し調整方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
【特許文献１】国際公開第２００４／０３４３９１号パンフレット
【０００３】
いわゆるエンボスピットによるピット列が形成された再生専用光ディスクの製造のためには、その製造工程において、まずピット列に相当する凹凸パターンが形成された光ディスク原盤が製造される。そして光ディスク原盤からスタンパが形成され、スタンパを用いて光ディスクが大量生産される。
また、相変化記録方式や色素変化記録方式でユーザーデータが記録再生可能な記録可能型の光ディスク（いわゆるリライタブルディスクやライトワンスディスク）については、記録トラックを形作るグルーブ（溝）が形成されているが、このような光ディスクを製造するためには、その製造工程において、まずグルーブに相当する凹凸パターンが形成された光ディスク原盤が製造される。そして光ディスク原盤からスタンパが形成され、スタンパを用いて光ディスクが大量生産される。
【０００４】
上記の光ディスク原盤の製造には、いわゆるカッティング装置或いはマスタリング装置と呼ばれる原盤製造装置が用いられる。
原盤製造装置は、レジスト層が形成された原盤基板上を回転させると共に、対物レンズで集光したレーザ光を照射する。このとき、レーザ光は、その焦点深度内にレジスト原盤表面上に追従するようにフォーカス制御される。この動作により、所定のトラックピッチにて、原盤上のレジスト材料を感光させることで、ピット列あるいはグルーブを記録する。
一般的にはこの後に現像（エッチング）工程を行い、レジスト材料の段差によりピット列あるいはグルーブを形成する。
【０００５】
原盤上のピット列あるいはグルーブの寸法の精度は、水平面内において、半径方向の移送機構の精度と、原盤上のビーム位置の精度に依存する。水平面内にて半径方向に直線的に動くような半径方向の移送機構（スライダと呼ぶ）の移動方向をｘ方向、これと水平面内で垂直な方向をｙ方向とする。
理想的には、スライダの位置をｘ＝０、つまりスライダの移送の原点位置としたときに、レーザ光の照射位置が回転機構（スピンドルモータと呼ぶ）の回転中心位置に一致するのが望ましい。これはスライダによるスライド設定位置が、原盤上の半径位置と一致させる状態となるためである。
実際には誤差が生ずることになるのだが、そのときのｘ方向の誤差は、スライダの原点校正により補正できる。
【０００６】
一方、ｙ方向の誤差は、スライダでは補正することができず、レーザ光の位置そのものをｙ方向に動かして補正する必要がある。そのためには、レーザ光の出力端である対物レンズを含む光学系全体を動かすか、スピンドルモータを動かすか、いずれかを行わなければならない。ピックアップヘッド型光学系と呼ばれるような、半導体レーザ光源、対物レンズ、戻り光フォトディテクタなどを含む各種光学系一式をコンパクトに集積したユニットを利用する場合には、スピンドルモータを動かさずとも、ピックアップヘッドそのものをｙ方向に移動させることでｙ方向の調整を行うことができる。
【０００７】
このように、原盤製造装置において、スライダが原点位置にあるときに、レーザ光の照射位置がスピンドル回転中心に一致するように、スライダの原点位置調整（ｘ方向調整）や、光学系の位置調整（ｙ方向調整）を行うことを、芯出し調整（以下、単に「芯出し」という）と呼ぶ。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
従来、芯出しの精度を追い込むには、通称「０点カット」という作業によりズレ量を確認して調整を行っていた。これは、レジスト層を形成した原盤にリングパターンを記録し、記録されたリングの直径を実測してその値から補正量を求めて、スライダのｘ方向の原点校正と、ピックアップヘッドのｙ方向位置調整を行うものである。
【０００９】
「０点カット」の方法は以下のようになる。
まずピックアップヘッドを原盤製造装置（カッティングマシン）に装着する。
また表面にレジスト層を形成した原盤（通常のカッティングに使う原盤と同様のもの）を原盤製造装置にセットする。
そして所定の回転速度、例えば６００ｒｐｍで原盤を回転させる。またレーザパワー設定として通常のカッティングに用いる記録レーザーパワー条件を適用する。
【００１０】
そしてまず、スライダを原点位置とする。つまりスライダの半径位置設定としてｘ＝０．０００ｍｍに位置させ、その状態で回転されている原盤に対して記録レーザパワーでレーザ照射を行う。レーザ照射は、ピット列又はグルーブを形成するための出力パターンとする。
本来、理想的には、スライダが原点位置にあるときは、レーザ照射位置はスピンドル回転中心（つまり原盤の回転中心）に一致しているはずであるため、このように、スライダが原点位置とされた状態で原盤にレーザ照射を行っても、レーザによる露光部分は点になるだけであるはずだが、芯出し前のずれがあることにより、原盤上にはリング状のパターン（ピット列又はグルーブのパターン）が露光形成されることになる。
そして上記のようにスライダ半径位置ｘ＝０．０００ｍｍ、つまりスライダ原点位置でのレーザ照射により、回転されている原盤には、図１９に示す小円Ｃ１が形成されることになる。
【００１１】
次に、スライダの半径位置設定ｘ1＝０．１００ｍｍにて、同様に所定のレーザパワーにてピット列またはグルーブを同心円状に記録する。すると、回転されている原盤には、図１９に示す大円Ｃ２が形成されることになる。
次にスピンドル回転を停止させて、スピンドル角度位置設定θ＝0.0degにて固定し、所定の記録レーザパワーでレーザ照射を行いながら、スライダ半径位置をｘ＝−０．０２０ｍｍからｘ＝０．２００ｍｍまで移動させる。すると、原盤には例えば図２０（ａ）における直線Ｌ１が露光記録される。
さらに、スピンドル回転を停止させたまま、スピンドル角度位置設定θ＝15.0degにて固定し、所定の記録レーザパワーでレーザ照射を行いながら、スライダ半径位置をｘ＝−０．０２０ｍｍからｘ＝０．２００ｍｍまで移動させる。すると、原盤には例えば図２０（ａ）における直線Ｌ２が露光記録される。
【００１２】
ここで図１９を参照する。
図１９は、原盤上における相対的なレーザ照射位置とレーザ照射位置の軌跡として描かれたリング状の小円Ｃ１、大円Ｃ２をｘｙ平面状にあらわしたものである。このｘｙ平面では、スライド進行方向をｘ軸、ｘに垂直な方向をｙ軸、スライドの半径設定値をプラスに設定したときのレーザ光照射位置をｘ軸上プラス方向と定義する。このｘｙ平面の各記号は以下のとおりである。
Ｏ：スライダ原点位置でのレーザ光照射位置（＝小円Ｃ１描画時のスライダ設定位置）
Ｐ：スピンドル回転中心
Ｈ：スピンドル回転中心Ｐからｘ軸への垂線の足（回転中心Ｐのｘ座標値）
|a|＝ＯＨ：ｘ軸方向の芯ずれ
|b|＝ＰＨ：ｘ軸に垂直な方向（ｙ軸方向）の芯ずれ
ｒ0＝ＰＯ：小円Ｃ１の半径
ｒ1：大円Ｃ２の半径
ｘ1：大円Ｃ２の描画時のスライダ設定位置
【００１３】
上記のように小円Ｃ１、大円Ｃ２、直線Ｌ１、Ｌ２を露光記録したら、次のようにしてｘ方向、ｙ方向の補正量を求める。
まず２つのリングとして小円Ｃ１、大円Ｃ２を記録した原盤をレーザ顕微鏡にて観察して、２個のリングの半径を測定する。即ち小円Ｃ１の半径ｒ0と、大円Ｃ２の半径ｒ1を実測する。
この小円Ｃ１の半径ｒ0、大円Ｃ２の半径ｒ1、大円描画時のスライダ設定値ｘ1の関係は、図１９のように表され、次の関係式が成り立つ。
ｒ02＝ａ2＋ｂ2
ｒ12＝（ｘ1−ａ）2＋ｂ2
【００１４】
そして、ｘ軸方向の芯ずれａとｙ軸方向の芯ずれ|b|について、次のように解が求められる。
ａ＝｛（ｒ12−ｒ02）／２ｘ1｝−（ｘ1／２）
|b|＝√（ｒ02−ａ2）
ここで、ｙ軸方向での芯ずれの方向、即ち上記の「ｂ」の正負は、直線Ｌ１，Ｌ２で判別できる。
即ち小円Ｃ１、大円Ｃ２、直線Ｌ１，Ｌ２の関係が図２０（ａ）のようであれば、ｂ＞０である。一方、小円Ｃ１、大円Ｃ２、直線Ｌ１，Ｌ２の関係が図２０（ｂ）のようであれば、ｂ＜０である。
【００１５】
以上の結果に基づいて芯出しのための調整を行う。
まず上記「ａ」を補正するようにスライドの原点位置を補正する。例えば、スライド原点位置が120.500[mm]であったとしたら、これを120.500−ａ [mm]に置き換える。
また上記「ｂ」を補正するようにピックアップヘッドの取付位置を補正する。例えばｂ＝−１５０μｍであったとしたら、ピックアップヘッドの位置をｙ軸＋方向に１５０μｍ動かす。
このように調整した後、再び上記のように動作（小円Ｃ１、大円Ｃ２、直線Ｌ１，Ｌ２の描画と観測・ａ、ｂ算出）を行ってずれ量を確認し、所定の許容量に収まれば芯出しＯＫとする。ａ値、ｂ値がいまだ許容範囲に収まっていなければ、さらに同様の動作を繰り返すことになる。
【００１６】
芯出しは、以上のように行っていたがが、ｘ方向の補正は[μｍ]程度の精度が確実に得られるのに対し、ｙ方向の補正はピックアップヘッドの位置調整によるから、これを[μｍ]単位で調整するのは非常に困難であった。ピックアップヘッドの交換と取り付けを容易にするため、ピックアップヘッドのｙ方向位置調整にはプッシュ・プル方式の２本のネジにて行う方法を採用しているためでもある。
ピックテストでｙ方向移動量を計測しながら行う調整にて正確に補正を行うには相当の熟練が必要である。またピックアップヘッドを固定するネジのネジ穴のｘ方向の遊び分だけｘ方向にずれるリスクがあり、０点カットの結果のみをもとにしてｘ方向とｙ方向を同時に追い込むことは非常に困難であった。
【００１７】
このため、上記のような芯出し調整、即ちずれ量としてのａ値、ｂ値を算出し、それに基づいてピックアップヘッドの位置調整を行うと、実際には上記調整動作を何度も繰り返し実行して追い込んで行かなければならず、調整を行うスタッフの熟練度にもよるが、芯出し調整に数時間程度かかるという現状があった。
そこで本発明は、より短時間で精度の良い芯出し調整を実現できるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明の基準原盤は、光ディスク原盤製造装置において、ディスク原盤とレーザ照射位置との相対位置関係をディスク原盤の径方向に移動させる移送機構（スライダ）が原点位置にあるときのレーザ照射位置が、ディスク原盤の回転中心に、所定の調整精度の範囲内で一致させるようにする芯出し調整に用いる基準原盤である。そしてこの基準原盤は、基板上に無機レジスト層が形成されているとともに、レーザ光による上記無機レジスト層の露光により、回転中心から上記調整精度に基づいて半径が決められた基準リングとしてのパターンが記録されている。
また上記基準リングの半径は２０μｍ〜６５μｍの範囲内とされている。
また上記基準リングは、同心円状の複数のリングパターンとして記録されている。
また、さらに上記基準リングの外周側となる特定の半径位置から、同心円状の複数トラックもしくはらせん状の連続トラックとして露光されたリング状領域が、１又は複数単位形成されている。
また、上記移送機構の移送方向がｘ方向、上記ｘ方向と水平面上で直交する方向がｙ方向とし、上記芯出し調整は、上記ｘ方向と上記ｙ方向の調整を行う場合、上記リング状領域は、上記ｙ方向の調整可能範囲長に相当する半径範囲内に形成されている。
また上記リング状領域が複数形成される場合、各リング状領域は互いに異なるトラックピッチのトラックにより形成されている。
また上記リング状領域の外周側もしくは内周側の一方に隣接して、上記リング状領域のトラックピッチとは異なるトラックピッチの２トラック以上の識別用リングパターンが露光形成されている。
また、基準原盤は、上記無機レジスト層にレーザ光による露光が行われた後、エッチング処理が行われたものであるとする。
また、基準原盤は、上記無機レジスト層にレーザ光による露光が行われた後、エッチング処理が行われ、さらに表面に反射膜が成膜されたものとする。
【００１９】
本発明の芯出し調整方法は、基板上に無機レジスト層が形成されているとともに、レーザ光による上記無機レジスト層の露光により、回転中心から上記調整精度に基づいて半径が決められた基準リングとしてのパターンが記録されている基準原盤に対して、上記無機レジスト層の記録感度に満たない非記録レーザパワーでのレーザ光の照射を行うとともに、上記レーザ光の戻り光を観測して、上記レーザ光の照射位置が上記基準リング内となるようにするものである。
また上記移送機構の移送方向がｘ方向、上記ｘ方向と水平面上で直交する方向がｙ方向とし、上記芯出し調整は、上記ｘ方向における上記移送機構の原点位置を調整するとともに、上記レーザ光を出力するピックアップヘッドの取付位置としてｙ方向の位置の調整を行うことで、上記レーザ光の照射位置が上記基準リング内となるようにする。
【００２０】
このような本発明では、原盤製造装置において、上記基準リングとして小さなリングを有する基準原盤を用いて、レーザ光の戻り光をモニタしながらレーザ光照射位置を、少なくとも基準リングの半径ｒ0より内側に位置するように調整する。
レーザ光の戻り光の波形を観測することで、レーザ光照射位置を直接確認できる。具体的には基準リングとレーザ光照射位置の関係が確認できる。
これはスライダやピックアップヘッドの調整によって、レーザ光照射位置が基準リング内となったことを直接確認できることを意味する。
即ち、レーザ光照射位置が戻り光波形から確実にフィードバックされ、レーザ光照射位置が基準リング内にあれば、芯出し調整精度は、必ず基準リングの半径ｒ0未満となる。
また計算によりずれ量を見積もることができ、従来必要であったずれ量確認のための「０点カット」も不要である。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、基準原盤に対して照射したレーザ光の戻り光波形から、基準リングに対するレーザ光照射位置を確実に把握して、これを調整にいかすことができる。つまり戻り光波形をもってレーザ光照射位置調整にフィードバック可能である。これは調整が容易であることを意味する。
そしてレーザ光照射位置が半径ｒ0の基準リングの内側となるように調整するだけで、芯出し調整精度を少なくともｒ0未満に抑えることができる。
また幾何学的な計算により、レーザ光照射位置と原盤回転中心位置とのずれ量を見積もることが出来る。この見積もられたずれ量は、いわゆる「０点カット」から得られるずれ量の測定値に十分近い値を示す。つまり「０点カット」の手間を省いてずれ量を正確に見積もることが可能である。
これらのことから、本発明の基準原盤を用い、本発明の芯出し調整方法を実行することで、芯出しに要する時間を劇的に短縮することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の実施の形態について次の順序で説明する。
［１．ディスク製造工程］
［２．原盤製造装置の構成］
［３．基準原盤の作成］
［４．基準原盤を用いた芯出し調整］
【００２３】
［１．ディスク製造工程］
まず図１７を参照して、光ディスクの製造工程を述べる。
図１７（ａ）はディスク原盤を構成する原盤形成基板１００を示している。先ず、この原盤形成基板１００の上に、スパッタリング法により無機系のレジスト材料からなるレジスト層１０２を均一に成膜する（レジスト層形成工程、図１７（ｂ））。本例では、ディスク原盤を製造するマスタリング工程として、無機系のレジスト材料を用いたＰＴＭマスタリングを行うが、この場合、レジスト層１０２に提供される材料としては、遷移金属の不完全酸化物が用いられ、具体的な遷移金属としては、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｂ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ、Ｚｒ、Ｒｕ、Ａｇ等が挙げられる。
なお、レジスト層１０２の露光感度の改善のために基板１００とレジスト層１０２との間に所定の中間層１０１を形成しても良く、図１７（ｂ）ではその状態を示している。レジスト層１０２の膜厚は任意に設定可能であるが、１０ｎｍ〜８０ｎｍの範囲内が好ましい。
【００２４】
次に、後述する原盤製造装置を利用してレジスト層１０２に信号パターンとしてのピット列もしくはグルーブに対応した選択的な露光を施し感光させる（レジスト層露光工程、図１７（ｃ））。そしてレジスト層１０２を現像（エッチング）することによって所定の凹凸パターン（ピット列やグルーブ）が形成されたディスク原盤１０３が生成される（レジスト層現像工程、図１７（ｄ））。
続いて、上記のように生成したディスク原盤１０３の凹凸パターン面上に金属ニッケル膜を析出させ（図１７（ｅ））、これをディスク原盤１０３から剥離させた後に所定の加工を施し、ディスク原盤１０３の凹凸パターンが転写された成型用のスタンパ１０４を得る（図１７（ｆ））。
そのスタンパ１０４を用いて射出成型法によって熱可塑性樹脂であるポリカーボネートからなる樹脂製ディスク基板１０５を成形する（図１７（ｇ））。
その後、スタンパ１０４を剥離し（図１７（ｈ））、その樹脂製ディスク基板の凹凸面にＡｇ合金などの反射膜１０６（図１７（ｉ））と、膜厚０．１ｍｍ程度の保護膜１０７とを成膜することにより光ディスクを得る（図１７（ｊ））。即ちピット列が形成された再生専用ディスクや、グルーブが形成された記録可能型のディスクが製造される。
【００２５】
このような製造工程において、ディスク原盤１０３の製造に用いられるレジスト層１０２に適用されるレジスト材料は、遷移金属の不完全酸化物である。ここで、遷移金属の不完全酸化物は、遷移金属のとりうる価数に応じた化学量論組成より酸素含有量が少ない方向にずれた化合物のこと、すなわち遷移金属の不完全酸化物における酸素の含有量が、上記遷移金属のとりうる価数に応じた化学量論組成の酸素含有量より小さい化合物のことと定義する。
例えば、遷移金属の酸化物として化学式ＭｏＯ3を例に挙げて説明する。化学式ＭｏＯ3の酸化状態を組成状態を組成割合Ｍｏ1-xＯxに換算すると、ｘ＝０．７５の場合が完全酸化物であるのに対して、０＜ｘ＜０．７５で表される場合に化学量論組成より酸素含有量が不足した不完全酸化物であるといえる。
また、遷移金属では１つの元素が価数の異なる酸化物を形成可能なものがあるが、この場合には、遷移金属のとりうる価数に応じた化学量論組成より実際の酸素含有量が不足している場合とする。例えばＭｏは、先に述べた３価の酸化物（ＭｏＯ3）が最も安定であるが、その他に１価の酸化物（ＭｏＯ）も存在する。この場合には組成割合Ｍｏ1-xＯxに換算すると、０＜ｘ＜０．５の範囲内であるとき化学量論組成より酸素含有量が不足した不完全酸化物であるといえる。なお、遷移金属酸化物の価数は、市販の分析装置で分析可能である。
このような遷移金属の不完全酸化物は、紫外線又は可視光に対して吸収を示し、紫外線又は可視光を照射されることでその化学的性質が変化する。この結果、無機レジストでありながら現像工程において露光部と未露光部とでエッチング速度に差が生じる、いわゆる選択比が得られる。また、遷移金属の不完全酸化物からなるレジスト材料は、膜材料の微粒子サイズが小さいために未露光部と露光部との境界部のパターンが明瞭なものとなり、分解能を高めることができる。
【００２６】
ところで、遷移金属の不完全酸化物は、酸化の度合いによってそのレジスト材料としての特性が変化するので、適宜最適な酸化の度合いを選択する。例えば、遷移金属の完全酸化物の化学量論組成より大幅に酸素含有量が少ない不完全酸化物では、露光工程で大きな照射パワーを要したり、現像処理に長時間を有したりする等の不都合を伴う。このため、遷移金属の完全酸化物の化学量論組成より僅かに酸素含有量が少ない不完全酸化物であることが好ましい。
上述のようにレジスト材料を構成する具体的な遷移金属としては、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｂ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ、Ｚｒ、Ｒｕ、Ａｇ等が挙げられる。この中でも、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｂを用いることが好ましく、紫外線又は可視光により大きな化学的変化を得られるといった見地から特にＭｏ、Ｗを用いることが好ましい。
【００２７】
このような光ディスク製造工程において、本例では、図１７（ｃ）（ｄ）の原盤製造工程（マスタリング工程）でディスク原盤１０３が製造される。なお本例のマスタリング工程は、後述する原盤製造装置によりＰＴＭ(Phase Transition Mastering)方式が用いられる。ＰＴＭ方式について簡単に説明しておく。
【００２８】
例えばＣＤ（Compact Disc）方式やＤＶＤ(Digital Versatile Disc)方式などのディスクを製造する際には、まずフォトレジストを塗布したディスク原盤を用意し、マスタリング装置（原盤製造装置）によってディスク原盤上にガスレーザ等の光源からレーザーを照射し、ピットに応じた露光パターンを形成していった。この場合、連続発振レーザーであるレーザ光源からのレーザ光を、例えばＡＯＭ（Acousto-Optical Modulator）で光強度変調し、強度変調されたレーザ光を光学系によってディスク原盤に導き、露光する。即ち、ＡＯＭにはピット変調信号である例えばＮＲＺ(Non Return to Zero)変調信号を与え、このＡＯＭによってレーザ光がピットパターンに対応した強度変調を受けることで、原盤上ではピット部分のみが露光されていく。
例えば図１８（ｂ）には１つのピット形状を示しているが、ＡＯＭで変調されたレーザ発光強度は図１８（ｃ）のようになる。原盤上のフォトレジストの露光はいわゆる光記録であるため、図１８のようなレーザにより露光された部分が、そのままピットとなる。
【００２９】
一方、ＰＴＭ方式では、無機レジストを塗布したディスク原盤に対して、半導体レーザからのレーザ光を照射し、熱記録としての露光を行う。
この場合、レーザ照射による熱の蓄積を抑圧してピット幅の均一化を計るために、通常図１８（ａ）に示すようなパルス光で露光する。即ちこの場合には、一般にクロックに同期したＮＲＺ変調信号が、そのＨレベルの長さに応じてクロック周期より短い時間幅のパルス信号へ変換され、変換されたパルス変調信号に同期して直接変調可能な半導体レーザーへ電力供給される。これによって図１８（ａ）のような与熱用のパルス発光Ｐｐと、ピット長に応じた加熱用のパルス発光Ｐ１〜Ｐｎとしてのレーザ出力が行われる。
【００３０】
［２．原盤製造装置の構成］
ＰＴＭ方式でマスタリングを行う本例の原盤製造装置の構成例を図１に示す。この原盤製造装置は、上記図１７（ｃ）（ｄ）のマスタリング工程において、無機レジストを塗布したディスク原盤１０３に対してレーザ照射による熱記録動作により、ピットパターンやグルーブパターンの露光を行う。
また、この原盤製造装置は、後述する基準原盤１０３Ｒの作成も行う。基準原盤１０３Ｒは、芯出しに用いる原盤である。芯出しとは、この原盤製造装置において、スライダ４５が原点位置にあるときに、レーザ光の照射位置がスピンドル回転中心に一致するように、スライダの原点位置調整（ｘ方向調整）や、光学系（ピックアップヘッド１０）の位置調整（ｙ方向調整）を行うことである。
図１７で説明したマスタリング工程に先立って、基準原盤１０３Ｒを用いて原盤製造装置で芯出し調整が行われることで、その後原盤製造装置により適切な精度のディスク原盤１０３が製造できることになる。
なお、図１ではマスタリング工程においてピット列としての凹凸パターンを形成する原盤製造装置の構成例を説明する。
【００３１】
原盤製造装置には、ピックアップヘッド１０が取り付けられる。ピックアップヘッド１０は破線部として示す構成を備える。
ピックアップヘッド１０内において、半導体レーザとしてのレーザ光源１１は、例えば波長４０５ｎｍのレーザーを出力するものとされる。このレーザ光源１１には、例えばＲＬＬ（１−７）ｐｐ等のＮＲＺ変調信号が図１８（ａ）のようにパルス変調信号に変換されたレーザ駆動信号ＤLが供給され、このレーザ駆動信号ＤLに則って発光する。
レーザ光源１１から出射したレーザ光は、コリメータレンズ１２で平行光とされた後、アナモルフィックプリズム１３でスポット形状が例えば円形に変形され、偏光ビームスプリッタ１４に導かれる。
そして偏光ビームスプリッタ１４を透過した偏光成分は、λ／４波長板１４，ビームエキスパンダ１６を介して対物レンズ２６に導かれ、この対物レンズ２６で集光されてディスク原盤１０３（無機レジスト層１０２が形成された原盤形成基板１００）上に照射される。
なお、基準原盤１０３Ｒを作成する際や、芯出し調整を行う際には、対物レンズ２６で集光されたレーザ光は基準原盤１０３Ｒ上に照射されることになる。
【００３２】
上記のように対物レンズ２６を介してディスク原盤１０３（又は基準原盤１０３Ｒ）に照射される波長４０５ｎｍのレーザ光源１１からのレーザ光は、ディスク原盤１０３上で焦点を結ぶことになる。ディスク原盤１０３はシリコンウェハ上に金属酸化物からなる無機レジストを成膜したもので、４０５ｎｍのレーザービームを吸収することで、照射部の特に中心付近の高温に加熱された部分が多結晶化する。
即ち、対物レンズ２６で集光されたレーザ光スポットによる熱記録で、ピット列としての露光パターンがディスク原盤１０３上に形成されていく。
なお、図１７（ｄ）で述べたように、露光されたディスク原盤１０３をＮＭＤ３等のアルカリ現像液で現像することにより、露光した部分のみが溶出し、所望のピット形状としての凹凸パターンが形成されるものである。
【００３３】
偏光ビームスプリッタ１４において反射された偏光成分は、モニタディテクタ１７（レーザパワーモニタ用のフォトディテクタ）に照射される。モニタディテクタ１７は、受光した光量レベル（光強度）に応じた光強度モニタ信号ＳMを出力する。
【００３４】
一方、ディスク原盤１０３（又は基準原盤１０３Ｒ）に照射されたレーザ光の戻り光は、対物レンズ２６，ビームエキスパンダ１６、λ／４波長板１４を通過して偏光ビームスプリッタ１４に達する。この場合、λ／４波長板１４を往路と復路で２回通過していることで偏光面が９０°回転されており、偏光ビームスプリッタ１４で反射されることになる。偏光ビームスプリッタ１４で反射された戻り光は集光レンズ１８，シリンドリカルレンズ１９を介してフォトディテクタ２０の受光面に受光される。
フォトディテクタ２０の受光面は、例えば４分割受光面を備え、非点収差によるフォーカスエラー信号を得ることができるようにされている。
フォトディテクタ２０の各受光面では、受光光量に応じた電流信号を出力して反射光演算回路２１に供給する。
反射光演算回路２１は、４分割の各受光面からの電流信号を電圧信号に変換すると共に、非点収差法としての演算処理を行ってフォーカスエラー信号ＦＥを生成し、そのフォーカスエラー信号ＦＥをフォーカス制御回路２２に供給する。
フォーカス制御回路２２は、フォーカスエラー信号ＦＥに基づいて、対物レンズ２６をフォーカス方向に移動可能に保持しているアクチュエータ２９のサーボ駆動信号ＦＳを生成する。そしてアクチュエータ２９がサーボ駆動信号ＦＳに基づいて、対物レンズ２６を原盤１０３（又は基準原盤１０３Ｒ）に対して接離する方向に駆動することで、フォーカスサーボが実行される。
【００３５】
また反射光演算回路２１は、４分割の各受光面の受光光量の電圧信号を加算して、反射光レベルを示す反射光量検出信号を生成し、これを接続された外部のオシロスコープ２００に供給する。オシロスコープ２００は、基準原盤１０３Ｒを用いた芯出しを行う際に作業者が戻り光波形を観測するために接続されるものである。
【００３６】
レーザ光源１１に対するレーザ駆動信号ＤLは、記録データ生成部４３，レーザ駆動パルス発生部４２、レーザドライバ４１により生成される。
記録データ生成部４３は、ディスク原盤１０３にピット露光パターンとして記録するデータＤＴを出力する。例えば主データとして映像信号や音声信号、さらには物理情報、管理情報等のデータを出力する。
データＤＴは、レーザ駆動パスル発生部４２に供給される。レーザ駆動パスル発生部４２は、データＤＴに基づいて、実際にレーザ光源１１をパルス発光駆動するためのレーザ駆動パルスを生成する。即ち図１８（ａ）に示したように、形成するピット長に応じて、予熱用パルスＰｐとパルスＰ１〜Ｐｎとしてのタイミング及び光強度でレーザ発光が行われるようにするためのパルス波形を生成する。
このレーザ駆動パルスはレーザドライバ４１に供給される。レーザドライバ４１は、レーザ駆動パスルに基づいてレーザ光源１１としての半導体レーザに対して駆動電流を印加する。これによって、レーザ駆動パルスに応じた発光強度でのレーザのパルス発光が行われることになる。
またモニタディテクタ１７から得られた光強度モニタ信号ＳMは、レーザドライバ４１に供給される。レーザドライバ４１は、光強度モニタ信号ＳMを基準値と比較することでレーザ発光強度を所定レベルに保つ制御を行う。
なお、レーザドライバ４１は、例えば０．０１ｍＷ間隔で、レーザーパワーを可変できるものとされている。
ディスク原盤１０３にマスタリング記録を行う場合や、基準原盤１０３Ｒを作成する際には、コントローラ４０はレーザドライバ４１に対して記録パワー（例えば９〜１０ｍＷ程度）のレーザ出力を実行させる。また基準原盤１０３Ｒを用いて芯出しを行う際には、コントローラ４０はレーザドライバ４１に対して再生パワー（例えば０．５ｍＷ程度）のレーザ出力を実行させる。
【００３７】
ディスク原盤１０３（基準原盤１０３Ｒ）は、スピンドルモータ４４によって回転駆動される。スピンドルモータ４４は、スピンドルサーボ／ドライバ４７によって回転速度が制御されながら回転駆動される。これによってディスク原盤１０３は例えば一定線速度で回転される。
スライダ４５は、スライドドライバ４８によって駆動され、ディスク原盤１０３が積載された、スピンドル機構を含む基台全体を移動させる。即ち、スピンドルモータ４４で回転されている状態のディスク原盤１０３は、スライダ４５で半径方向に移動されながら上記光学系によって露光されていくことで、露光されるピット列によるトラックがスパイラル状に形成されていくことになる。
スライダ４５による移動位置、即ちディスク原盤１０３の露光位置（ディスク半径位置：スライダ半径位置）はセンサ４６によって検出される。センサ４６による位置検出情報ＳＳはコントローラ４０に供給される。
【００３８】
コントローラ４０は、この原盤製造装置の全体を制御する。即ち、記録データ生成部４３からのデータ発生動作の指示、レーザ駆動パルス発生部４２での処理の制御、レーザドライバ４１に対してのレーザパワー設定、スピンドルサーボ／ドライバ４７によるスピンドル回転動作制御、スライドドライバ４８によるスライダ４５の移動動作の制御等を行う。
メモリ４９は、コントローラ４０において実行されるプログラムコードを格納したり、実行中の作業データを一時保管するために使用される。この図の場合、メモリ４９は、例えばプログラムを格納するＲＯＭ（Read Only Memory）、演算ワーク領域や各種一時記憶のためのＲＡＭ（Random Access Memory）、ＥＥＰ−ＲＯＭ（Electrically Erasable and Programmable Read Only Memory）等の不揮発性メモリを含むものとして示している。
【００３９】
図２は、原盤製造装置におけるピックアップヘッド１０、スライダ４５、スピンドルモータ４４の配置を示している。
原盤製造装置では、基台部６０に対してピックアップヘッド１０が取り付けられる。基台部６０に取り付けられたピックアップヘッド１０の下方には、スピンドルテーブル６１に積載されたディスク原盤１０３（又は基準原盤１０３Ｒ）が位置する。
このスピンドルテーブル６１がスピンドルモータ４４によって回転されることでディスク原盤１０３（又は基準原盤１０３Ｒ）が回転される。
スピンドルテーブル６１及びスピンドルモータ４４は、スライダ４５に搭載された状態となっている。このスライダ４５がスライド軸６２に沿って原盤の半径方向に移動されることで、スピンドルモータ４４及び原盤配置部６１が移送され、ピックアップヘッド１０とディスク原盤１０３（基準原盤１０３Ｒ）の相対位置が半径方向に移動される。
このスライダ４５の移動方向をｘ方向とする。
芯出しの際のｘ方向の調整は、スライダ４５の移動の原点位置を調整するものとなる。換言すれば、スライダ４５が原点位置にあるときに、ピックアップヘッド１０からのレーザ光の照射位置としてのｘ方向の位置が、スピンドルモータ４４の回転中心に一致するように調整する。
【００４０】
一方、芯出しの際のｙ方向（原盤平面上でｘ方向と直交する方向）の調整は、ピックアップヘッド１０の取付位置の調整によって行う。
基台部６０とピックアップヘッド１０を図３，図４に示している。
図３に示すように、ピックアップヘッド１０の筐体は、上部筐体１０ａ、下部筐体１０ｂ及び取付部１０ｃを有して成る。図１の対物レンズ２６やアクチュエータ２９は下部筐体１０ｂ内に配置されている。
取付部１０ｃには、その４隅に取付ネジ５２の挿通孔５１が形成されている。この挿通孔５１は、ｙ方向に長孔とされる。例えばｙ方向に１ｍｍの範囲でピックアップヘッド１０の基台部６０に折り付ける位置を可変調整できるようにする長孔である。
また下部筐体１０ｂの側面にはネジ孔５３が形成されている。
【００４１】
基台部６０は中央に、ピックアップヘッド１０の下部筐体１０ｂが挿通できる中央孔６１が形成され、また４隅に、取付ネジ５２に対応するネジ孔６２が形成されている。
また基台部６０の下面側には板状部６３が形成され、この板状部６３にはプッシュネジ６６に対するネジ孔６４と、プルネジ６７に対する挿通孔６５が形成されている。
【００４２】
図４（ａ）は、基台部６０にピックアップヘッド１０が取り付けられた状態を示している。ピックアップヘッド１０の下部筐体１０ｂが基台部６０の中央孔６１に挿通され、取付部１０ｃが基台部６０の上面に積載される状態で、取付ネジ５２が挿通孔５１を介して基台部６０のネジ孔６２に噛合することで、ピックアップヘッド１０が取り付けられる。
上記のように取付部１０ｃの挿通孔５１は、ｙ方向の径が長い長孔とされていることで、ピックアップヘッド１０の取付位置は、ｙ方向に調整可能である。
ｙ方向の微調整はプッシュネジ６６とプルネジ６７を用いて行うことができる。
図４（ｂ）はプッシュネジ６６とプルネジ６７の状態を示している。プッシュネジ６６は、ネジ孔６４に噛合した状態で、その先端がピックアップヘッド１０の下部筐体１０ｂの側面に当接するものとされる。プルネジ６７は、挿通孔５１を挿通して下部筐体１０ｂに設けられているネジ孔５３に噛合する。
従って、プッシュネジ６６によってピックアップヘッド１０をｙ方向に押し、プルネジ６７によってｙ方向に引く動作が行われるものとなり、プッシュネジ６６とプッシュネジ６６の調整によって、ピックアップヘッド１０のｙ方向位置を微調整できる。
後述する芯出しの際のｙ方向の調整は、プッシュネジ６６とプルネジ６７によって、ピックアップヘッド１０からのレーザ光の照射位置としてのｙ方向の位置が、スピンドルモータ４４の回転中心に一致するように調整するものとなる。
プッシュネジ６６とプルネジ６７で調整した状態で、取付ネジ５２をしめることで、ピックアップヘッド１０は調整位置に固定される。
なお、プッシュネジ６６とプルネジ６７は、例えば１回転あたり７４０μｍのものなどを用いればよい。
【００４３】
［３．基準原盤の作成］
例えば上記図１と同様の構成の原盤製造装置を用いて、芯出しに使用する基準原盤１０３Ｒを作成する。基準原盤１０３Ｒの作成について図５〜図１０を参照して説明する。
図５は基準原盤１０３Ｒの作成手順を示している。
基準原盤１０３Ｒの作成に用いる原盤製造装置の芯ずれ量は予め測定されており、例えば上述した図１９で示したｘ方向のズレ量ａ＝０μｍ、ｙ方向のズレ量|b|＝１８μmであることがわかっているとする。
また基準原盤１０３Ｒの作成に用いる原盤製造装置ではピックアップヘッド１０のセンタリング精度を、ｘ方向誤差：±２μｍ以内、ｙ方向誤差：±２５μｍ以内にする。基準原盤１０３Ｒは芯出し用のジグであり、高精度が要求されるため、ｘ方向およびｙ方向の誤差は小さいほど望ましい。
【００４４】
図５のステップＦ１０１として、まず基準原盤１０３Ｒとする原盤を生成する。即ち無機レジスト膜が形成された原盤を用意する。
基準原盤の基板は、例えばシリコンで、厚みを0.725ｍｍ、形状を直径２００ｍｍの円形とする。例えばこのシリコン基板上に、７０ｎｍ厚のシリコンをスパッタし、さらに７０ｎｍ厚のレジスト材料をスパッタする。レジスト材料はタングステンとモリブデンを含む不完全酸化物である。
【００４５】
ステップＦ１０２では、原盤上に基準リングのカッティング（露光記録）を行う。
以下、記録条件はいずれも直流（ＤＣ）発光レーザにより、原盤上での対物レンズ出射パワー＝６ｍＷ、スピンドル回転はＣＡＶ（一定角速度）で６００ｒｐｍとする。
図６に基準リング９１を示している。
本例では、上記記録条件により、基準リング９１として、半径ｒ0＝約２５μｍの３本のリングを記録する。
基準リング９１としての３本の各リングは次のように記録する。
・１番目のリング：スライダ４５の設定位置ｘを、ｘ＝√（24.52−|b|2）[μm]に固定してレーザ光を照射し、円形のトラック１周だけ記録する。
・２番目のリング：スライダ４５の設定位置ｘを、ｘ＝√（25.02−|b|2）[μm]に固定してレーザ光を照射し、円形のトラック１周だけ記録する。
・３番目のリング：スライダ４５の設定位置ｘを、ｘ＝√（25.52−|b|2）[μm]に固定してレーザ光を照射し、円形のトラック１周だけ記録する。
【００４６】
これにより、図６に示すように半径が約２５μｍの３本のリングとして基準リング９１が記録される。上記のスライダ４５の位置設定により、３つの基準リング９１のトラックピッチＴＰ＝０．５μｍとなる。
ここで|b|は現状のピックアップヘッド１０からのレーザ光照射位置のｙ方向誤差の絶対値である。
そして半径約２５μｍの円を描くのであるが、レーザ光照射位置が原盤回転中心Ｐから|b|だけずれているから、スライダ４５の設定位置ｘは、上記式でもとめられることになる。
【００４７】
なお、基準リング９１を３本の同心円状のリングとしたが、基準リング９１は最小限１本あればよい。複数本（３本には限らないが）とするのは、後述する芯出しの際に基準リング９１を発見しやすくするためであるが、基準リング９１を１本としても、芯出しができなくなるわけではない。
また、ここでは基準リング９１を半径ｒ0＝２５μｍ前後としているが、基準リング９１の半径は、２０μｍ〜６５μｍの範囲内で設定することが適切である。
【００４８】
ステップＦ１０３では、次に基準リング９１の外周側に、特定の半径位置から、同心円状の複数トラックもしくはらせん状の連続トラックとして露光されたリング状領域を形成する。このようなリング状領域を、説明上「ドーナツリング」と呼ぶ。
本例では基準原盤１０３Ｒに３つのドーナツリングを形成するものであり、ステップＦ１０３では、最も小さい径のドーナツリングとして小ドーナツリングを形成する。
図７に基準リング９１の周囲に形成された小ドーナツリング９２を示している。
この小ドーナツリング９２は、半径ｒ1〜ｒ2までの区間の、連続した同心円トラックにより形成される。
半径ｒ1＝５０μｍ、半径ｒ2＝７５μｍとすると、小ドーナツリングを記録する際には、まずスライダ４５の設定位置ｘを、ｘ＝√（50.02−|b|2）[μm]に固定してレーザ光を照射し、円形のトラック１周を記録する。
以降、スライダ４５の位置を＋１μｍ移動して１周記録するという動作を２５回繰り返す。これにより、半径５０μｍ〜半径７５μｍの間に、トラックピッチＴＰ＝１μｍで２６本の同心円状のトラックが記録され、小ドーナツリング９２が形成される。
【００４９】
また、小ドーナツリング９２の外周に隣接しては、２本の識別用リングパターン９３を形成する。即ち小ドーナツリングとしての２６本のトラックを記録した直後、スライダ４５の位置を＋２μｍ移動して１周記録するという動作を２回行う。
これによって、図７に示すようにトラックピッチＴＰ＝２μｍの２本の識別用リングパターン９３が、小ドーナツリング９２の外周側に隣接して形成される。
【００５０】
ステップＦ１０４では、さらに基準リング９１及び小ドーナツリング９３の外周側に、図８に示すように特定の半径位置から、同心円状の複数トラックもしくはらせん状の連続トラックとして露光されたリング状領域として中ドーナツリング９４を形成する。
図８の例では、中ドーナツリング９４として、半径０．１５ｍｍ〜０．３ｍｍまでの区間に、連続したスパイラル状のトラックを形成している。中ドーナツリング９４のトラックはトラックピッチＴＰ＝２μｍとする。
また、中ドーナツリング９４の外周に隣接しては、２本の識別用リングパターン９５を形成する。識別用リングパターン９５のトラックピッチＴＰ＝４μｍとする。
【００５１】
このステップＦ１０４では、中ドーナツリング９４及び識別用リングパターン９５を次のようにして記録する。
半径０．１５ｍｍ〜０．３０ｍｍの中ドーナツリング９４のトラックの露光を行うために、まずレーザ光源１１から出力するレーザパワーを再生パワー（０．５ｍＷ）としてフォーカスオンとする。スピンドルモータ４４は６００ｒｐｍの角速度一定（ＣＡＶ）で回転させる。
スライダ４５は、最初に半径位置ｘ＝０．１０ｍｍに移動させ、スライド移動速度＝２０μｍ／ｓｅｃに設定する。そして、半径位置ｘ＝０．３５ｍｍを移動先目標値にセットしてスライド移動を開始させる。
コントローラ４０は、センサ４６からの半径位置情報ＳＳによりスライダ４５の半径位置を監視して、スライダ４５が半径位置ｘ＝０．１５ｍｍに到達するタイミングで、レーザドライバ４１を制御して、レーザ光源１１からのレーザ出力パワーを６ｍＷに切り換えさせる。これによって、半径位置０．１５ｍｍからスパイラル状のトラックが記録されていく。６００ｒｐｍで回転されている基準原盤１０３Ｒが、スライド移動速度＝２０μｍ／ｓｅｃで移送されることで、スパイラル状のトラックのトラックピッチＴＰ＝２μｍとなる。
その後コントローラ４０は、スライダ４５が半径位置ｘ＝０．３０ｍｍに到達するタイミングで、レーザドライバ４１を制御して、レーザ光源１１からのレーザ出力パワーを再生パワー（０．５ｍＷ）に切り換えさせる。
続いて半径位置ｘ＝０．３０ｍｍの近辺で、スパイラルトラックが終了している半径を１μｍ単位の分解能で探す。そしてその半径位置より、スライダ４５を＋４μｍ移動させ、１トラック記録し、さらにスライダ４５を＋４μｍ移動させ、１トラック記録する。
以上の動作により、約０．１５ｍｍ幅にわたるトラックピッチＴＰ＝２μｍの中ドーナツリング９４と、その外周側にトラックピッチＴＰ＝４μｍの２本の同心円状の識別用リングパターン９５が記録されたことになる。
【００５２】
ステップＦ１０５では、さらに中ドーナツリング９５の外周側に、図８に示すように特定の半径位置から、同心円状の複数トラックもしくはらせん状の連続トラックとして露光されたリング状領域として大ドーナツリング９６を形成する。
図８の例では、大ドーナツリング９６を、半径０．６ｍｍ〜０．９ｍｍまでの区間に、連続したスパイラル状のトラックとして形成している。大ドーナツリング９６のトラックはトラックピッチＴＰ＝４μｍとする。
また、大ドーナツリング９６の外周に隣接しては、２本の識別用リングパターン９７を形成する。識別用リングパターン９７のトラックピッチＴＰ＝８μｍとする。
【００５３】
このステップＦ１０５では、大ドーナツリング９６及び識別用リングパターン９７を次のようにして記録する。
半径０．６ｍｍ〜０．９ｍｍの大ドーナツリング９６のトラックの露光を行うために、まずレーザ光源１１から出力するレーザパワーを再生パワー（０．５ｍＷ）としてフォーカスオンとする。スピンドルモータ４４は６００ｒｐｍの角速度一定（ＣＡＶ）で回転させる。
スライダ４５は、最初に半径位置ｘ＝０．４０ｍｍに移動させ、スライド移動速度＝４０μｍ／ｓｅｃに設定する。そして、半径位置ｘ＝１．１ｍｍを移動先目標値にセットしてスライド移動を開始させる。
コントローラ４０は、センサ４６からの半径位置情報ＳＳによりスライダ４５の半径位置を監視して、スライダ４５が半径位置ｘ＝０．６ｍｍに到達するタイミングで、レーザドライバ４１を制御して、レーザ光源１１からのレーザ出力パワーを６ｍＷに切り換えさせる。これによって、半径位置０．６ｍｍからスパイラル状のトラックが記録されていく。６００ｒｐｍで回転されている基準原盤１０３Ｒが、スライド移動速度＝４０μｍ／ｓｅｃで移送されることで、スパイラル状のトラックのトラックピッチＴＰ＝４μｍとなる。
その後コントローラ４０は、スライダ４５が半径位置ｘ＝０．９ｍｍに到達するタイミングで、レーザドライバ４１を制御して、レーザ光源１１からのレーザ出力パワーを再生パワー（０．５ｍＷ）に切り換えさせる。
続いて半径位置ｘ＝０．９ｍｍの近辺で、スパイラルトラックが終了している半径を１μｍ単位の分解能で探す。そしてその半径位置より、スライダ４５を＋８μｍ移動させ、１トラック記録し、さらにスライダ４５を＋８μｍ移動させ、１トラック記録する。
以上の動作により、約０．３ｍｍ幅にわたるトラックピッチＴＰ＝４μｍの大ドーナツリング９６と、その外周側にトラックピッチＴＰ＝８μｍの２本の同心円状の識別用リングパターン９７が記録されたことになる。
【００５４】
以上の処理で、図８のように基準リング９１、小ドーナツリング９２及び識別用リングパターン９３、中ドーナツリング９４及び識別用のリングパターン９５、大ドーナツリング９６及び識別用リングパターン９７が露光記録された基準原盤１０３Ｒが形成される。
【００５５】
このような基準原盤１０３Ｒは、後述する芯出しの際に図１の原盤製造装置にセットして使用するものであり、特には、芯出しの際には、スライダ４５が半径位置ｘ＝０．００ｍｍ、つまり原点位置にあるときに、レーザ光照射位置が基準リング９１内となるように、スライダ原点構成（ｘ方向補正）及びピックアップヘッド１０の取付位置補正（ｙ方向補正）を行うものである。
【００５６】
この基準原盤１０３Ｒについては、各リングをレーザ顕微鏡で観察して各半径ｒ0、ｒ1、ｒ2を[μｍ]単位の精度で測定して値を記録しておく。
上記のようにもっとも小さいリングである基準リング９１の半径は２５μｍとした。
芯出しに使用する基準原盤１０３Ｒにおける基準リング９１の半径は、２０μｍから６５μｍの範囲内に形成されていればよい。その根拠は次のとおりである。
【００５７】
まず基準リング９１の半径の最小値を２０μｍとするのは、ディスク原盤１０３をチャッキングするときの偏芯を考慮したものである。
基準原盤１０３Ｒやディスク原盤１０３を原盤製造装置のスピンドルテーブル６１に装着する際の偏芯精度は約１０μｍかそれ以下である。即ち基準原盤１０３Ｒをスピンドルテーブル６１上にチャッキングするときには、必ず偏芯が発生し、この偏芯量は最大１０μｍ程度であり、片側振幅で±１０μｍ、ピークトゥピークで２０μｍに相当する。
従って、芯出しの際に、確実にレーザ光照射位置を基準リング９１の内側に位置するように調整するためには、基準リング９１の半径は１０μｍの２倍以上が必要である。
つまり基準リング９１の半径範囲の下限を、偏芯量片側振幅の２倍である２０μｍとすることで、偏芯を有して回転する基準原盤１０３Ｒの最小リングのなす軌跡よりも内側の領域を確実に確保することが出来る。
【００５８】
また基準リング９１の半径の最大値を６５μｍとするのは、芯出し調整後に、ディスク原盤１０３上で、半径２０ｍｍより外側において半径精度誤差を０．１μｍ以内に抑えるためである。
レーザ光照射位置（芯ずれ）のｘ方向誤差を０と仮定したときに、ディスク原盤１０３上で半径２１ｍｍより外周の領域においてｘ方向誤差を０．１μｍ以内とするために許容されるｙ方向ずれは、最大６５μｍである。図９に示す半径ｒについて、
ｒ2＝ｘ2＋ｂ2   (ｒ＞０) であるから、
ｘ＝２１ｍｍ、ｒ−ｘ＝０．１μｍのとき、
ｂ2＝ｒ2−ｘ2＝21000.12−210002＝4200.01であり、
|b|＝64.8 [μｍ]
よって、|b|＜６５μｍであれば、半径２１ｍｍより外周側の領域において、ｘ方向誤差は０．１μｍ以内となる。
【００５９】
なお、上記例では基準原盤１０３Ｒには基準リング９１と、その外周側に３つのドーナツリング９６、９４、９６を形成する例を示したが、ドーナツリングは３つであることに限定されない。
基準リング９１より大径のドーナツリング９６、９４、９６は、芯出しの際に戻り光波形を観察して基準リング９１を見つけやすくするためのものであり、その半径範囲や数は多様に考えられる。
また大ドーナツリング９６（及び識別用リングパターン９７）は、半径位置０．９ｍｍ近辺までとしており、つまり全てのリングは半径１ｍｍ以内の領域に記録されている。これは、ｙ方向の調整可能範囲長、つまりピックアップヘッド１０の取付位置調整として補正可能な範囲が１ｍｍとしたことによる。つまり、ピックアップヘッド１０の取付位置が調整されていない状態（芯出し実行前）から調整状態に追い込んでいくときに、各ドーナツリングが適切な調整のためのガイドとなるようにするものである。
また、基準リング９１及びドーナツリング９２、９４、９６のそれぞれのトラックピッチＴＰが異なるようにするのは、オシロスコープ２００で戻り光波形を観測する際に、その戻り光波形が、基準リング９１及びドーナツリング９２、９４、９６のうちのどのリングによるものかを判別するためである。
【００６０】
また、芯出しは、上記のようにスライダ４５が原点位置にあるときのレーザ光照射位置が基準リング９１の内側になるように行うものである。このことを考えれば、少なくとも基準リング９１のみが形成されていれば、基準原盤１０３Ｒとして使用できる。即ち基準原盤１０３Ｒとしてはドーナツリングを形成しない例も考えられる。
もちろん、芯出しの際に、未調整の状態で非常に小径の基準リング９１をオシロスコープ２００での戻り光波形から発見するのは比較的難しいため、各ドーナツリング９２，９４，９６等、１つ以上のドーナツリングを設けることが調整作業にとって好適である。
【００６１】
各ドーナツリング９２，９４，９６の外周側に隣接する識別用のリングパターン９３、９５、９７は、オシロスコープ２００で戻り光波形を観測するときに、レーザ光が各リングパターンの外周側にあるか、内周側にあるかを判別するためのものである。
例えばトラックピッチＴＰ＝８μｍに相当する戻り光波形、トラックピッチＴＰ＝４μｍの波形と連続して観測されたら、それは大ドーナツリング９５の外周端部近辺と判断できる。一方、トラックピッチＴＰ＝４μｍの波形に連続してトラックピッチＴＰ＝８μｍの波形が無く、ミラー面相当の波形となったら、そこは大ドーナツリング９５の内周端部近辺と判断できる。
識別用のリングパターン９３、９５、９７は、このように各ドーナツリング９２，９４，９６の外周側／内周側を判別するために設ける。
またこのことから、わかるように、識別用のリングパターンを各ドーナツリング９２，９４，９６の内周側のみに形成するようにしてもよい。
或いは、小ドーナツリング９２については内周側、中ドーナツリング９４については外周側などというように、ドーナツリング毎に識別用リングパターンの形成位置が異なるようにしてもよい。
また識別用リングパターン９３，９５，９７は、それぞれ３トラック以上形成しても良い。
【００６２】
ところで、図５のステップＦ１０１〜Ｆ１０５で形成される基準原盤１０３Ｒは、各リングを露光記録した状態である。図１０（ａ）に原盤基板１００上の無機レジスト層１０２に、レーザ光によって露光記録された露光部分１１１を模式的に示している。
無機レジスト層１０２の場合、レーザ光の露光によって、露光部分１１１は１０ｎｍ程度、僅かにもりあがる現象があり、この露光によって反射率が変化する。即ち図１０（ａ）で非露光部分の反射率Ｒｆ１と、露光部分１１１の反射率Ｒｆ２は異なるものとなる。このため、現像を行わなくとも、戻り光波形として各リングを観測できる。従って、現像（エッチング）しない状態でも、基準原盤１０３Ｒとして使用できる。
【００６３】
但し、図５にステップＦ１０６として示すように、各リングの露光記録を行った後、エッチング処理を行って図１０（ｂ）の状態としてもよい。例えばエッチング処理は、トリメチルアンモニウムハイドロキサイド溶液にて１２分間行う。
この場合、反射率Ｒｆ１、Ｒｆ２の差が大きくなり、戻り光波形として各リングをより容易に観測できるようになる。
【００６４】
さらには、図５にステップＦ１０７，Ｆ１０８として示すように、各リングの露光記録を行った後、エッチング処理を行い、その上で反射膜１１０をスパッタ形成した図１０（ｃ）の状態としてもよい。反射膜１１０は無機材料又は金属材料を用いればよい。例えばタングステン、モリブデン、チタンなどを含む酸化物あるいは窒化物などの無機材料や、アルミニウム、銀などを含む合金よりなる金属材料である。
この場合、反射率Ｒｆ１、Ｒｆ２の差がより大きくなり、戻り光波形として各リングをさらに容易に観測できるようになる。
【００６５】
［４．基準原盤を用いた芯出し調整］
基準原盤１０３Ｒを用いた原盤製造装置の芯出しについて説明する。
芯出しを行う場合、原盤製造装置においてピックアップヘッド１０を基台部６０に取り付けるとともに、スピンドルテーブル６１には基準原盤１０３Ｒを搭載する。なお取付ネジ５２はこの時点では、緩やかに締めておく。また図１に示したように、ピックアップヘッド１０で得られる戻り光信号がオシロスコープ２００で観測できるようにする。
【００６６】
図１１は芯出しの手順を示している。
まずステップＦ２０１として、スライダ４５をｘ方向に動かしてリングを見つける動作を行う。即ち原盤製造装置においては、レーザ光源１１から再生パワーとして例えば０．５ｍＷのパワーでレーザ出力を行うようにしながら、スライダ４５を移動させる。調整を行う作業者は、そのときにオシロスコープ２００により戻り光波形を観測する。
この場合、ピックアップヘッド１０は取付調整を行っていないため、ｙ方向の芯ずれ量は未知である。そしてスライダ４５がｘ方向に移動することによって、レーザ光照射位置の軌跡は、例えば図１２のＳＬ１、ＳＬ２・・・に示すように、そのときのｙ方向の芯ずれ量によって異なるものとなる。
【００６７】
例えばｙ方向の芯ずれ量が大きいと、レーザ光は、軌跡ＳＬ１のように大ドーナツリング９６よりもそれた状態となる。
軌跡ＳＬ２は、レーザ光が大ドーナツリング９６にはかかるが中ドーナツリング９４よりも外れている状態である。
軌跡ＳＬ３は、レーザ光が大ドーナツリング９６及び中ドーナツリング９４にはかかるが小ドーナツリング９２よりも外れている状態である。
軌跡ＳＬ４は、レーザ光が大ドーナツリング９６、中ドーナツリング９４、小ドーナツリング９２にはかかるが基準リング９１よりも外れている状態である。
軌跡ＳＬ５は、レーザ光が基準リング９１にもかかっている状態である。
【００６８】
オシロスコープ２００で戻り光波形を観測することで、スライダ４５がｘ方向に移動したときの軌跡が、これらのいずれのような状況であるかが判別できる。
図１３（ａ）（ｂ）（ｃ）は、レーザ光軌跡がそれぞれドーナツリング９６，９４，９２を横切るときに観測される戻り光波形を模式的に示している。レーザ光がトラックを横切るときには、トラックとしてのグルーブ又はピット列で戻り光が回折されて反射率が低下する。
図１３（ａ）は、スライダ４５がｘ方向に外周側から内周側に移動して大ドーナツリング９６を横切ったときの戻り光波形であり、まず識別用リングパターン９７の通過によりトラックピッチ８μｍ相当の２つの波形が観測され、それに続いてトラックピッチ４μｍ相当の波形が連続して観測される。
なお、観測される波形の周期は、トラックピッチ±αに相当する。±αは偏芯成分である。
図１３（ｂ）は、スライダ４５がｘ方向に外周側から内周側に移動して中ドーナツリング９４を横切ったときの戻り光波形であり、まず識別用リングパターン９５の通過によりトラックピッチ４μｍ相当の２つの波形が観測され、それに続いてトラックピッチ２μｍ相当の波形が連続して観測される。
図１３（ｃ）は、スライダ４５がｘ方向に外周側から内周側に移動して小ドーナツリング９２を横切ったときの戻り光波形であり、まず識別用リングパターン９３の通過によりトラックピッチ２μｍ相当の２つの波形が観測され、それに続いてトラックピッチ１μｍ相当の波形が連続して観測される。
【００６９】
このように観測される戻り光波形が異なることで、作業者は、スライダ４５がｘ方向に移動したときのレーザ光照射位置の軌跡がどのような状況であるかを確認できる。
ステップＦ２０２、Ｆ２０４，Ｆ２０５，Ｆ２０６では、レーザ光照射位置の軌跡がどのような状況であったかを判別するものとなる。
もし、軌跡ＳＬ１のような状況である場合は、レーザ光照射位置は全てミラー面となって、図１３のような露光部分に応じた戻り光波形は観測されない。この場合は、ピックアップヘッド１０の取付位置が例えば取付不良などで、大きくずれていることになる。このため、大ドーナツリング９６が観測されなかった場合、作業者は調整手順をステップＦ２０２からＦ２０３に進め、ピックアップヘッド１０の取付をやり直す。そしてステップＦ２０１として、再度スライダ４５をｘ方向に移動させながら戻り光波形を観測する。
【００７０】
ピックアップヘッド１０が或る程度適正に取り付けられていれば、スライダ４５をｘ方向に移動させることで、レーザ光照射位置の軌跡は少なくとも大ドーナツリング９６にはかかることになる。もちろんその時点でｙ方向の芯ずれが少ないほど、レーザ光照射位置の軌跡が、中ドーナツリング９４、小ドーナツリング９２、さらには基準リング９１にかかることもある。
各ドーナツリング９６，９４，９２及び基準リング９１はトラックピッチを違えてあるので、図１３のように戻り光波形からレーザ光照射位置がどの位置にあるのかを簡単に把握することができる。また、ドーナツリング９６，９４，９２の外側に隣接する識別用リングパターン９７，９５，９３は、それぞれ隣接するドーナツリングよりもトラックピッチを大きくしているので、戻り光波形でドーナツリングのエッジ位置を検出したときにそれが内側のエッジなのかそれとも外側のエッジなのかを簡単に把握することができる。
【００７１】
ステップＦ２０７では、戻り光観測によるステップＦ２０２、Ｆ２０４，Ｆ２０５，Ｆ２０６での判断結果に応じて、検出した最小のリングで半径位置ｘ１、ｘ２を見いだす。
例えば軌跡ＳＬ２の状況の場合、観測される戻り光波形は図１４のようになる。即ちまず識別用リングパターン９７と大ドーナツリング９６による波形が観測され、その後ミラー部分を通過して、反対側の大ドーナツリングに内周側から達することで、大ドーナツリングによる波形が観測される。
例えばこの場合、大ドーナツリング９４のみが検出できたことになるため、ステップＦ２０７では、検出した最小のリングとして大ドーナツリング９６を用いて、半径位置ｘ１、ｘ２を見いだす。この場合の半径位置ｘ１、ｘ２は、例えば図１２，図１４に示すように大ドーナツリングの内周側エッジ部分の半径位置とすればよい。
即ち、ここでは、図１４のように大ドーナツリングの内周エッジが観測されるタイミングでのスライダ４５の半径位置としてｘ１，ｘ２を見いだせばよい。
【００７２】
なお、軌跡ＳＬ３の場合は、戻り光波形から大ドーナツリング９６と中ドーナツリング９４が検出できるため、ステップＦ２０７では、中ドーナツリング９４の内周エッジが観測される半径位置としてｘ１，ｘ２を見つける。
また軌跡ＳＬ４の場合は、戻り光波形から大ドーナツリング９６、中ドーナツリング９４、小ドーナツリング９２が検出できるため、ステップＦ２０７では、小ドーナツリング９２の内周エッジが観測される半径位置としてｘ１，ｘ２を見つける。
また軌跡ＳＬ５の場合は、戻り光波形から大ドーナツリング９６、中ドーナツリング９４、小ドーナツリング９２及び基準リング９１が検出できるため、ステップＦ２０７では、基準リング９１の内周エッジが観測される半径位置としてｘ１，ｘ２を見つける。
【００７３】
ステップＦ２０８では、半径位置ｘ１，ｘ２の平均値ｘ aveを算出し（図１４参照）、スライダ４５の半径位置ｘ＝平均値ｘ aveとなるようにスライダ４５を移動させる。
半径位置ｘ１，ｘ２の平均値ｘ aveは、ｘ方向の原点位置とすべき位置を予測する値となる。
そしてその状態でステップＦ２０９では、プッシュネジ６６，プルネジ６７によりピックアップヘッド１０の位置をｙ方向に動かしながら戻り光波形を観測し、レーザ光照射位置が基準リング９１の内側になるようにする。
【００７４】
なお、半径位置ｘ１，ｘ２の平均値ｘ aveにスライダ４５を位置させても、ｙ方向の芯ずれの方向はわからない。例えば図１２の軌跡ＳＬ２のようになって大ドーナツリング９６がのみが検出できた場合と、破線で示す軌跡ＳＬ２’のようになって大ドーナツリング９６のみが検出できた場合とのいずれであるかはわからないためである。
このため、ピックアップヘッド１０をｙ方向に動かしながら、戻り光波形を観測して、より小さいリングが観測できる方向を探す必要がある。
【００７５】
プッシュネジ６６，プルネジ６７の操作でｙ方向の芯ずれが無くなる方向に調整されていくことで、レーザ光照射位置が基準リング９１の内側に達する。
続いてステップＦ２１０で、スライダ４５を基準リング９１を横切るように移動させながら、戻り光波形を観測する。そして半径ｒ0＝２５μｍの基準リング９１において半径位置ｘ１、ｘ２を見いだす。
この場合、次のように作業を行う。図１５（ｂ）は、基準リング９１を横切ったときの戻り光波形を示している。なお、図１５（ａ）の波形は、スピンドルインデックスパルスとよぶパルス波形で、その周期はスピンドルモータ４４の１回転に同期している。例えばスピンドル回転速度が６００ｒｐｍのとき、スピンドルインデックスパルスの１周期は１００ｍｓｅｃである。
基準原盤１０３Ｒはおよそ１０μｍかそれ以下の偏芯を持ってスピンドルテーブル６１上に固定されている。
基準リング９１としての３本のトラックの内、真ん中のトラックに着目すると、基準原盤１０３Ｒが１回転する間に、真ん中のトラックによる反射率低下が２回起こり、これらの間隔が等間隔になったとき、つまり図１５（ｂ）中のＴ１とＴ２の両間隔ともに５０ｍｓｅｃに一致するときに、レーザ光照射位置と基準原盤１０３Ｒの回転中心位置との距離が、ちょうど半径ｒ0に一致する。
このように、基準リング９１に対してレーザ光照射軌跡が横切る間隔がデューティ５０％となるようにｙ方向を微調整する。この場合、ピックアップヘッド１０をプッシュネジ６６、プルネジ６７でｙ方向に動かして、戻り光デューティ５０％となる２点y1, y2の中間点y aveを見出す。このときにはプッシュネジ６６、プルネジ６７の回転角度を頼りにするとよい（プッシュネジ６６、プルネジ６７のピッチは１回転あたり７４０μｍ）。確実にレーザ光照射位置が基準リング９１の内側にあればよい。プッシュネジ６６、プルネジ６７による調整ができたら、取付ネジ５２を強く締めて、ピックアップヘッド１０の位置を確定させる。
そして、デューティ５０％において例えば真ん中のトラックの戻り光波形が得られる半径位置をｘ１とし、またスライダ４５を移動させて、もう１箇所のデューティ５０％となる戻り光波形が得られる半径位置をｘ２とする（ｘはマイナスの値もとり得る）。
【００７６】
このように基準リング９１での半径位置ｘ１、ｘ２を見いだしたら、ステップＦ２１１で芯ズレ量ａ，|b|を計算する（図１６参照）。
ｘ方向誤差ａについては、図１６から、ａ＝（ｘ２＋ｘ１）／２として求める。
ｙ方向誤差ｂは、|b|＝ｒ02−｛（ｘ2−ｘ1）／２｝2 で求める。
この結果、|a|＜２μｍ,  |b|＜６５μｍであればよい。もしこの条件を満たさなければ、例えばステップＦ２０９，Ｆ２１０をやり直す。
そしてステップＦ２１２では、スライダ４５の原点位置を校正する。即ち、ｘ１，ｘ２の中心値ｘ ave＝（ｘ2−ｘ1）／２を計算し、このスライダ原点位置＝ｘ aveとなるように原点校正を行う。
以上により、芯出しとしての調整作業が完了する。
【００７７】
実際に芯出しを行った結果について述べる。
本例の方式により芯だしを行い芯ずれ量（ｐ値）を計算により見積もったあと、０点カットを行って実際の芯ずれ量（ｑ値）をレーザ顕微鏡により実測した。
ｐ値とｑ値の結果は下記の通りである。
ｐ値：ｘ方向ズレ量ａ＝−１．７μｍ、ｙ方向ズレ量|b|＝４．８μｍ
ｑ値：ｘ方向ズレ量ａ＝−２．０μｍ、ｙ方向ズレ量|b|＝５．４μｍ
このようにｐ値とｑ値は十分に近い値を示している。よって０点カットを省略し、ｐ値をもって芯ずれ量とみなすこが可能であることが分かった。
【００７８】
以上の説明からわかるように本実施の形態では、基準リング９１及びドーナツリング９２，９４，９６を形成した基準原盤１０３Ｒからの戻り光波形から、レーザ光照射位置を確実に把握して、これを調整にいかすことができる。つまり戻り光波形をもってレーザ光照射位置調整にフィードバック可能である。これは調整が容易であることを意味する。そしてレーザ光照射位置が半径ｒ0の基準リング９１の内側になるように調整するだけで、レーザ光照射位置の精度を少なくともｒ0未満に抑えることが出来る。
また幾何学的な計算により、レーザ光照射位置と原盤回転中心位置とのずれ量を見積もることが出来る。この見積もられたずれ量は、いわゆる「０点カット」から得られるずれ量の測定値に十分近い値を示す。つまり「０点カット」の手間を省いてずれ量を正確に見積もることが可能である。
これらのことから、従来の芯出し調整にくらべて、本方式では芯出しに要する時間を劇的に短縮することに成功した。例えば実際には数時間を要した調整作業を０．５時間程度とすることが可能となった。
【００７９】
また、基準原盤１０３Ｒを使用して戻り光波形を観測する、芯出し作業の際に、未調整の状態で非常に小径の基準リング９１をオシロスコープ２００での戻り光波形から発見するのは比較的難しいが、ドーナツリング９２，９４，９６等、１つ以上のドーナツリングを設けることで、基準リング９１の検出まで追い込むことが容易となり、調整作業にとって好適である。
また各ドーナツリング９２，９４，９６に隣接する識別用のリングパターン９３、９５、９７が設けられていることで、オシロスコープ２００で戻り光波形を観測するときに、レーザ光が各リングパターンの外周側にあるか、内周側にあるかを容易に判別できる。
【００８０】
以上の実施の形態では、無機レジストにグルーブとしてのリングを記録して基準原盤１０３Ｒとする例について述べたが、これに限定されること無く、請求項に記載した発明の要旨の範囲内で各種の変形例が考えられる。
記録されるリング（基準リング９１やドーナツリング９２，９４，９６）はグルーブでもピット列でもよい。ピット列を記録する際にはいわゆるライトストラテジという方式のパルスでレーザ光源１１を発光させて各ピットの露光を行う。
また各リングは同心円でもスパイラルでもいずれでも良い。
また、上記図１の原盤製造装置は、ピット列の凹凸パターンを有するディスク原盤１０３、つまり再生専用ディスクの製造に用いるディスク原盤１０３の原盤製造装置として説明し、その芯出しを行う例を説明したが、もちろんライトワンスディスクやリライタブルディスクの製造のためのディスク原盤１０３を作成する原盤製造装置についても、基準原盤１０３Ｒを用いた同様の方式で芯出しを行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００８１】
【図１】本発明の実施の形態の原盤製造装置のブロック図である。
【図２】実施の形態の原盤製造装置の取り付け構造の説明図である。
【図３】実施の形態のピックアップヘッドと基台部の説明図である。
【図４】実施の形態のピックアップヘッドの取付の説明図である。
【図５】実施の形態の基準原盤作成手順のフローチャートである。
【図６】実施の形態の基準原盤の基準リングの説明図である。
【図７】実施の形態の基準原盤の小ドーナツリングの説明図である。
【図８】実施の形態の基準原盤の中ドーナツリング及び大ドーナツリングの説明図である。
【図９】実施の形態の基準リングの径の設定上限に説明図である。
【図１０】実施の形態の基準原盤の各例の説明図である。
【図１１】実施の形態の芯出し手順のフローチャートである。
【図１２】実施の形態の芯出しの際のレーザ光照射位置の軌跡の説明図である。
【図１３】実施の形態の基準原盤の各ドーナツリング横断時の戻り光波形の説明図である。
【図１４】実施の形態の基準原盤からの戻り光波形の観測例の説明図である。
【図１５】実施の形態の基準リングからの戻り光波形の説明図である。
【図１６】実施の形態の芯ズレ量計算の説明図である。
【図１７】実施の形態の光ディスク製造工程の説明図である。
【図１８】ＰＴＭマスタリングの説明図である。
【図１９】従来の芯出しの説明図である。
【図２０】従来の芯出しの説明図である。
【符号の説明】
【００８２】
１０  ピックアップヘッド、１１  レーザ光源、２１  反射光演算回路、２２  フォーカス制御回路、２６  対物レンズ、４０  コントローラ、４１  レーザドライバ、４２  レーザ駆動パルス発生部、４３  記録データ生成部、４４  スピンドルモータ、４５  スライダ、４６  センサ、６０  基台部、６１  スピンドルテーブル、６６  プッシュネジ、６７  プルネジ、１０３  ディスク原盤、１０３Ｒ  基準原盤、
【図１】
0004403417.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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