(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下のステップを含む基体の製造方法：溶融ガラスを溶融材料の上に浮遊させるステップ；該溶融ガラスを固化してガラスシートを形成するステップ；該ガラスシートから少なくとも一のブランクを形成するステップであって、該ブランクがある厚さを有し；一又は複数の操作が該ブランクの１０％又はそれより少ない該厚さを除去して基体を形成する、一又は複数の該操作を行って該基体を形成する。
【請求項２】
一又は複数の操作がブランクの厚さの５％又はそれより少ない厚さを除去する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
一又は複数の操作がブランクの厚さの２．５％又はそれより少ない厚さを除去する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
一又は複数の操作がブランクの厚さの１％又はそれより少ない厚さを除去する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
少なくとも一のブランクを形成するステップがガラスのシートを部分に区分しかつ該区分した小片を芯抜きすることを含み、該方法が、該ブランクの外径の角及び該ブランクの内径の角の一方又は双方を面取りし、該ブランクの該外径の角及び該内径の角の一方又は双方をつや出しするステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
研磨、ラッピング又はつや出し操作を行わずに基体を製造する、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
一又は複数の以下を達成するのに有効なつや出し操作をさらに含む、請求項１に記載の方法：包埋された粒子の除去；凹凸の除去；擦り傷の除去；表面の上又は近くの化学的汚染物の除去；該表面の粗さの減少；及び先のいずれかの組み合わせ。
【請求項８】
一又は複数の磁気層を基体上に沈着させることをさらに含んで磁気記録ディスクを形成する、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
以下のステップを含む基体の製造方法：溶融ガラスを溶融材料に浮遊させるステップ；該溶融ガラスを固化してガラスシートを形成するステップ；該ガラスシートから少なくとも一のブランクを形成するステップであって、該ブランクがある厚さを有し；研磨、つや出し及びラッピングから成る群から選択する一又は複数の操作を、もしあれば、該ブランクの表面特性を調整するのに十分な範囲で行い、かつ該ブランクからバルク材料を除去しない。
【請求項１０】
研磨、ラッピング又はつや出し操作をせずに基体を形成する、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
一又は複数の表面特性を以下から成る群から選択する、請求項９に記載の方法：包埋された粒子の除去；凹凸の除去；擦り傷の除去；表面の上又は近くの化学的汚染物の除去；該表面の粗さの減少；及び先のいずれかの組み合わせ。
【請求項１２】
一又は複数の操作を行った後の表面が０．２μｍ（２オングストローム）又はそれより小さいＲａ粗さを有する、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
一又は複数の操作が１０％より少ないブランクの厚さを除去する、請求項９に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
（技術分野）
本発明は、データを保存に使用するハードディスクドライブに関し、特にディスクドライブに入れるディスク用のガラス基体及びその基体の製造方法に関する。
【０００２】
（発明の背景）
ハードディスク保存システムの分野では、磁気記録媒体を形成してハードディスクを作る基体は、多くの場合ディスクドライブに使用するが、従来からアルミニウム又はアルミニウム合金から製造されていた。典型的にはメッキしたニッケル合金層、例えばリン化ニッケル（NiP）でアルミニウムを被覆して硬くするが、これはアルミニウムが相対的に柔らかな金属であるからである。
最近、ガラス基体をより広範に使用する相当な努力がなされてきた（本明細書では、“ガラス”という用語を非晶質ガラス及びガラスセラミックを含む材料を含むか又はそれから誘導されるすべてのガラスの意味で使用する。）。ガラスを基体材料として使用することが好ましいのは、記録ヘッドの突然のヘッドスラップ（slap）によって生じる変形に対して、NiPメッキしたアルミニウムより抵抗性が高いためである。事実、このために最近ではラップトップ又はノート型コンピュータにガラス基体を使用する場合が多い。さらに、ガラス基体は典型的には包埋した粒子に起因する熱による凹凸がアルミニウム基体より少ない。ガラスはさらにアルミニウムより剛性が高く、これが振動の低下によるフラッターの減少を生じ、このことによってインチ当たりのトラック数を大きくすることができ、すなわち高密度にすることができる。フラッターが低いことによりドライブ稼働中の回転速度を大きくすることができ、アクセス時間を短くかつデータ移送速度を大きくすることができる。
【０００３】
ガラス基体を種々の方法で製造することができる。
図１はガラス基体を製造する典型的な工程流れ図を示している。まず、ステップ１０１でガラスブランク（glass blank）を形成する。ある方法ではガラスを鋳込み又は圧縮してブランクを形成する。この方法において、溶融したガラスを円筒状の金型に注入する。次いで溶融したガラスを圧縮し冷却して固化させる。次いでブランクの中央に内径（ID）開口部を設ける。
他の方法ではガラスの溶融プールから溶融ガラスをローラーで引き出し、次いで冷却し、切断してガラスのシートを形成する。次いでこのシートをさいの目に切断して小さな四角、三角又は同様の形の小片とする。次いで各小片を、一又は複数の切断工程において、典型的には“芯抜き（cored）して”又は切断してID開口部を有す得る円筒状のブランクにする。芯抜きの工程において外径（“OD”）及び内径の大きさをほぼ合わせる。
最後に、さらなるブランク形成工程で、溶融ガラスを例えば溶融スズ上に浮遊させて溶融ガラスの薄層を形成する。次いでこの溶融ガラスを冷却してシートを形成する。シートを上記した引き出しガラスとほぼ同じような方法で処理してブランクを形成する。
【０００４】
代表的なブランク２００が図２に示されている。図２にはID開口部は示されていない。ブランク２００は２００ｔとして示されている最初の、形成されたままの厚さを有している。最終的に、以下に概略を示す工程において、２１０ｔの厚さを有する基体２１０が形成される。典型的には、約20％から50％を越えるブランク２００の厚さ２００ｔが除去されて、基体２１０を形成する。“基体”及び“ブランク”という用語は、製造工程のある時点における中間製品の意味で使用する場合があり、使用法は変化する。例えば、“ブランク”という用語は、材料を最初に円筒形に形成したときに早くも使用されることがあり、その後他のステップ、例えば大まかな切断、面取り、角のつや出し等のステップでの材料を記述するのに使用されることがある。“基体”という用語は以下に記述するつや出し工程後の中間製品を示すのに早くも使用されることがあり、その後、磁気記録媒体の製造におけるあらゆる時点での中間製品（中間製品に形成される層又は部品をすべて含む）を記述するのに使用されることがある。用語“ブランク”又は“基体”の使用は、議論している時点において文脈に依存しつつ、中間製品が存在する状態を参考にして常に決められることが理解されよう。しかしながら、いずれの用語を使用してもそれは中間製品又は本発明を、製造工程の特定の時点に、又は中間製品のいずれかの状態に制限するものではなく、それは、本明細書に記載されたものとは異なる順序で多くの異なる工程のステップを実行することができ、多くの異なる工程のステップがすべての環境下で使用されないこともあり、又は多くの異なる工程のステップが異なる及び／又は付加的な工程のステップで代替される可能性があるからである。
【０００５】
ブランクの形成後、ステップ１０２でガラスを熱処理することができる。熱処理は応力を焼き戻しによって除去し、ブランクを平板化するのを助ける。次いで、ステップ１０３は研磨操作を含み、ここではOD及びIDの角を研磨して正確な大きさのID及びODとし、面取りを提供する。ディスクは最終的な基体よりかなり厚いので、仕上がった基体に所望の面取りが存在するように研磨操作を計画する必要がある。研磨操作後に、必要があれば角をつや出ししてロボットが扱えるように、例えばクランプでの保持及び同様の操作が可能なように充分に滑らかにすることができるが、この際ディスク又はこのような装置を傷つけてはならず、デブリーを発生してはならない。
角のつや出しに続いて、研磨、ラッピング及びつや出しステップのいくつかを組み合わせて行うことができる。これらの用語の使用法は変化するが、研磨は典型的には、研磨石又はダイヤモンド粒子のような包埋粒子を有する板に、滑沢剤又は冷却剤の存在下にブランクを押しつける主として物理的な工程である。研磨は相対的に積極的なステップであり、ここで大量の材料が早期に除去される。このステップで、大きな欠陥及び大尺度（すなわち長波長）での表面の平面変位が除去され又は大きく減少する。しかしながら、小さな欠陥及び小尺度での表面の平面変位は残る。
【０００６】
つや出し及びラッピングは通常ともに化学的かつ物理的なステップであるが、ガラス基体に対しては通常主として化学的である。これらのステップでは、ブランクを二枚の布製つや出しパッドの間に置くが、このパッドはエッチング剤（例えば酸化セリウム）及び研磨剤を有するスラリーを含んでいる。これらのステップはそれほど積極的でない処置を連続的に採用して行われる（連続的に小さいサイズの研磨剤及び／又は強くない化学薬剤及び／又は低いパッド圧力）。このようにして、次第に小さな欠陥及び表面の平面変位が除去され、結果として非常に滑らかな、欠陥の少ない平板な表面が得られる。ラッピングとつや出しは同じ型の装置及びスラリーを使用することができるが、ラッピングは典型的にはより積極的な工程に使用される。実際上、ある場合には研磨を行わずに、その代わりに一回又は複数回のラッピングステップによって大量の材料が除去される。反対に、つや出しステップは典型的には少量の材料を除去し、表面の小さな欠陥及び不純物を除くために主として行われるものであり、結果として非常に滑らかな表面を形成する。
図１の典型的な先行技術ではステップ１０３の後、第一の研磨工程１０４を行い、次いで第二の研磨工程１０５を行う。図２に戻ると、部分２０１及び２０２をブランク２００から研磨工程１０４及び１０５によってそれぞれ両側から除去する。本明細書の図は説明のためのものであり、正確な縮尺で描かれる必要はないことが理解できる。見て分かるように、これらの二つの研磨工程は除去されるべき全材料のうちの大部分を除去した。先に述べたように、一方又は両方の研磨工程を、一又は複数の積極的なラッピングステップで置き換えてもよい。いずれにしろ、除去されるべき全厚さのうちの約80％から95％又はそれより多くを、つや出しの前に研磨及び／又はラッピングで除去する。
【０００７】
図１に戻ると、研磨ステップに続いてつや出し１ステップ１０６、次いでつや出し２ステップ１０７を行う。研磨及び／又はラッピングステップと同様に、つや出しステップを連続的にそれほど積極的にではなく行い、少量の材料を除去する。図２で、つや出しステップ１０６と１０７の両者によって基体２００の両側から除去された部分２０５が示されている。つや出しステップを組み合わせて除去されるべき残りの材料を除去して基体２１０を形成する−すなわち、除去されるべき全材料の約5〜20％を除去するが、これは典型的には全厚さ２００ｔの約1〜10％の量に等しい。つや出しステップで除去される全量２０５のうち、大部分（例えば約85％）を、標準的なガラス基体の製造工程においては、つや出し１ステップ１０６で除去する。別の言い方をすると、典型的には全厚さ２００ｔの約1〜10％をつや出し１ステップ１０６で除去することができる一方、全厚さ２００ｔの約0.1〜1％をつや出し２ステップ１０７で除去できる。研磨、ラッピング又はつや出しステップのそれぞれで除去する実際の量は、異なる工程における前のステップによって変化するのは当然である。
最終つや出しステップ１０７の後、ブランクをステップ１０８で洗浄し、次いで非晶質ガラスの場合にはステップ１０９で化学的に強化する。ステップ１０９で、高温溶液中に浸漬することによって窒化ナトリウム及び窒化カリウムのような一又は複数の化学物質を基体の表面に埋め込んで表面層に圧縮応力を起こして、クラックが広がるのを防止する。最後に、ディスクを再度ステップ１１０で洗浄する。
【０００８】
図１の典型的な工程の多くの異なる変形を使用することができ、これは研磨若しくはラッピングステップの追加又は一若しくは複数の研磨ステップをラッピングステップで置き換えることを含む。この点で、一若しくは複数の研磨及び／又はラッピングステップで大量の材料を典型的には除去する一方、一若しくは複数のつや出しステップで相対的に少量の材料を除去して、滑らかな仕上げを形成しかつ小尺度の表面の平面変位及び他の不規則性を除去する。所望の場合には、連続して行うつや出し又は連続して行う研磨／ラッピングステップの間に、示されたそれらに加えて一又は複数の洗浄ステップが存在してもよく、一方、示された一又は複数の洗浄ステップを行わなくてもよい。
さらに、工程の異なる段階において他のステップを削除し又は行うことができる。一例として、ステップ１０３における角の研磨及びつや出しを工程の他の時点で行うことができるが、これらの操作がディスクのつや出しした表面を傷つけないようにつや出しステップの前にこれらの操作を行うことが典型的には望ましい。さらにこれらの操作を順次行う必要はなく、それぞれの操作を工程の異なる時点に置くことができる。
ガラス基体の重要な欠点の一つはアルミニウム基体に比べて費用が高いことである。基体を製造する総費用のうち、研磨、ラッピング及びつや出しステップが費用の２／３又はそれ以上を構成する。多くの場合、この費用は研磨／ラッピングステップとつや出しステップの間でほぼ当分に分けられるが、それぞれをどの程度まで行うかによって変わるのは当然である。
必要なのは、経済的である一方、滑らかな表面が得られ、凹凸、擦り傷、包埋された粒子又は他の欠陥がなく、かつ汚染物質がないガラス基体を形成する方法である。
【０００９】
（発明の概要）
ガラス基体の製造方法及び得られる基体が記載されている。最初に、溶融ガラスを溶融した材料の上に浮遊させる。ガラスを固化させてシートとするが、このシートを分割しかつ芯抜きして、内径穴を有する円筒状のガラスブランクを形成する。ある態様においては、約10％を越えないブランクの全厚さを、つや出し又はラッピング又は研磨操作で除去する。他の態様では、さらに少ない量の材料を除去する。最後に、ある態様では研磨、つや出し又はラッピングステップを行わない。
他の操作、例えばサイズ合わせ、面取り、及び角のつや出しを行う。さらに、工程を通じて種々の洗浄ステップを使用することができる。
本発明の付加的な態様及び他の特徴及び利点は、以下の詳細な説明、図面及び請求の範囲から明らかになる。
【００１０】
（詳細な説明）
基体、磁気記録媒体及び保存装置を製造する方法並びに基体、媒体及び保存装置が記載されている。以下の説明において、多数の特定の細部、例えば特定の寸法、材料、操作上のパラメーター、工程、物理特性等を説明する。しかしながら、これらの特定の細部は本発明を実施するのに使用する必要がないことが理解されるであろう。他の例では、本発明を不必要に不明瞭にしないように、周知の方法及び装置を詳細には説明しない。
進歩した媒体は極めて滑らかな表面を必要とする。一般に、表面での平面粗さ又は変位は、数ナノメートルという範囲を超える小尺度の変位から数ミリメートルまでという範囲を越える大尺度の変位まで変化する。一般に、このような変位を変位の波長によって分類することができる。粗さの測定は選択した波長の帯域幅だけでなく粗さの定義にも依存する。例えば、二つのよく知られた粗さの測定は、ピークの上から谷の底までの距離の算術平均、すなわち平均の表面平面性（Ra 粗さ）及びこの変位の二乗平均の平方根平均（RMS 粗さ）を含む。さらに、粗さの値は、粗さを計るのに使用するシステムの特定の型、システムを操作するのに使用する種々のパラメーター、及びシステムが粗さを計算する特定の方法に依存する。
【００１１】
用語の使用法が大きく変化し、またすべての波長範囲で粗さに対してRa及びRMS計算の両者が行われるとしても、“Ra 粗さ”という用語をディスクドライブ工業で単独で使用する場合は約0.1μm（ミクロン）〜１０μmの波長範囲で測定した粗さを典型的には指す。RMS粗さはやや長い波長範囲、例えば約1μm〜50μmで典型的には測定される。尺度の一方の末端では、平面性という用語を数百マイクロメートルから数十ミリメートル台の波長を有する表面の平面変位を指すために使用することがある。その間で、他の波長範囲が、例えば“低周波”粗さとして試験されることがあるが、この粗さはRa粗さが特定される場合より長い波長（例えば数十から数百マイクロメートル）で測定したRa粗さを意味するように使用される。
つや出ししたリン化ニッケル層を使用する技術水準にある装置では、原子力顕微鏡（AFM）で測定したRa粗さは0.25nm（2.5オングストローム）又はそれより低い値にある。Zygo New View システムで、ハイパスTFT−型固定フィルターを使用し、250μmの波長及び300×240ピクセルスキャンサイズの条件で測定した低周波数粗さは、典型的には約0.6nm（6オングストローム）である。最後に、Phaseshift Optiflat で、14mmと47mmの間のフライアブル（flyable）半径を使用して測定した平面性は典型的には約4μm又はそれより小さい範囲である。
【００１２】
背景の項で述べたように、ガラスブランクを最終的な基体の厚さよりかなり厚く形成して、研磨、ラッピング及びつや出しを徹底的に行えるようにし、進んだ装置用に先に述べた種々の表面特性が受け入れられるようにする。例えば、厚さ1mmの基体を形成する場合、約1.2mm〜2mm又はそれより厚い厚さを有するようにブランクを形成し、数百から千μm（数百から千ミクロン）又はそれより厚い材料を除去する。さらに、浮遊したガラスに関しては、ガラスを浮遊させた材料（例えばスズ）からの汚染物を確実になくすために多くの材料を除去する必要があると考えられる。
先行技術の理解に反して、浮揚したガラスは優れた表面特性を有していることが分かった。例えば、ある試料では、AFMで測定したRa粗さが約0.13μm（1.3オングストローム）であることが分かった。Zygo New Viewで先に述べた仕様を使用して測定した低周波数粗さは約0.4μm（４オングストローム）であった。最後に、Phaseshift Optiflatで先に述べたフライアブル半径を使用して計測した平面性は約6μmであった。従って、この研究は、共通の理解に反して、浮遊した材料の表面品質が極めて良好であることを示している。
【００１４】
図３は浮遊ガラスブランクに対する二次イオン質量分光分析を示している。Ｙ−軸はイオンカウントを示し、Ｘ−軸は入射点で光線が保持されて静止している時間を秒で表している。光線を静止したまま保持することにより、基体に穴があけられ、分析がスズの含量を深さの関数として表すようになる。900秒の検査時間によって深さが約90nm（900オングストローム）の穴が得られる。直線状の穴あけ速度を仮定すると、信号対時間のプロットが信号対深さ（オングストロームで）のグラフに等価となる。カーブ３０１、３０２及び３０３は、スズ、特にSn１１６、Sn１１８及びSn１２０のそれぞれ三つの異なるアイソトープに対する信号を示す。図３から分かるように、ほとんどすべてのスズが表面から最初の10nm（100オングストローム）又はそれ以内に存在する。表面の近くに存在するスズの量も重要ではないことに注目すべきである。それでも、信号の極めて急速な低下は、相対的に少量のスズ含量が表面の最初の10nm（100オングストローム）程度の中に存在していることを示している。
浮遊ガラスに拡散したスズが重要ではないこと及び表面の品質が優れていることの発見に基づいて、本発明は浮遊ガラスを磁気記録媒体用の基体として使用することを含んでいる。本基体を、高価な研磨、ラッピング又はつや出しステップを使用しない工程で形成することができる。一方、これらのステップを費用を切りつめるために極めて限られた形で使用することができる。
【００１５】
図4Aについては、本発明の代表的な工程の流れ図が示されている。ステップ４０１において、ガラスのシートが浮遊によって形成される。このステップで、溶融ガラスを溶融スズの上に浮遊させる。溶融ガラスを冷却してガラスのシートを形成する。本発明のこの態様では、溶融ガラスを浮遊して、その厚さを最終的な基体の厚さと実質的に等しくする。ステップ４０２で、シートを切断して小片とし、次いで芯抜きして内径開口部を有する円筒形のブランクとする。このステップの後、ID及びODの大きさをほぼ合わせる。
次いで、ステップ４０３で、内径と外径の研磨を行って所望の面取りを提供し、基体のID及びODの大きさを正確に合わせる。本発明の態様では、ブランクの厚さが所望又はそれに近いため、広範囲な調整をし引き続き大きく研磨、ラッピング及び／又はつや出しの操作をすることなく面取りを付けることができる。面取り後に除去する材料の量が多くないので、側面への除去が不均一であることによる面取りの長さに与える影響は少なく、これによって面取り長さの均一性を改良することができる。次に角のつや出しを行って角が滑らかになるようにする。次いでステップ４０４で最終洗浄を行う。
図4Aに関して記述した工程と図１に関して記述した工程とを比較すると、本発明の工程が顕著に複雑でないことが分かる。それゆえ、図4Aに示されたものも含め、本発明の態様が実質的に少ない費用でガラス基体を製造する可能性を提供している。例えば、本発明によって、基体を製造する費用の約１／２から２／３又はそれより多くを削減することができる。
【００１６】
本発明のさらなる態様を図4Bに示す。図4Bに示された態様において、ガラスのシートをステップ４１１で浮遊させることによって形成し、次いで切断しステップ４１２で芯抜きをする。ID及びODの研磨及びつや出しをステップ４１３で行う。次に、ステップ４１４で洗浄を行う。次いで、ステップ４１５で化学的強化ステップを行って微小クラックの拡大を防ぐ。次に、ステップ４１６で最後の洗浄を行う。再度、図4Bの工程は、図１の先行技術の工程に比べて顕著に複雑ではなく、かつ費用が少ない。
図4Cは本発明のさらなる態様を示している。ガラスのシートをステップ４２１で浮遊によって形成し、切断しステップ４２２で芯抜きをする。ID及びODの研磨及びつや出しをステップ４２３で行う。次にステップ４２４でブランクの洗浄を行う。
図５について簡単に説明すると、厚さ５００ｔのブランク５００の図が示されている（ID開口部は図６には示されていない）。図4Cに戻ると、ステップ４２４の後ブランクをステップ４２５でつや出しする。浮遊したガラスの表面の品質が高くかつ最小限のスズしか含んでいないので、一又は複数のつや出しステップを行う態様でも、典型的には広範囲のつや出しを行う必要はない。実際上、ステップ４０４が広範囲のものではないことを示すためにこのステップを“キス（kiss）”つや出しということができる。図５については、非常に薄い層５０５を、つや出し工程を行う態様において除去する。一般に、つや出しを行う場合、先行技術で使用する最終つや出しステップと典型的には同じようなものである一回のつや出しステップを使用する。
【００１７】
つや出しステップ４２５に引き続いて、洗浄ステップ４２６を行い、次いで化学的強化ステップ４２７を行う。最後に、ステップ４２８で洗浄をおこなって基体の仕上げ処理とする。
先に述べたように、ガラス基体は記録媒体用としてはかなり高価であることが分かっている。出費の多くは研磨、ラッピング及びつや出しステップにある。これらのステップは多種の因子が原因でコスト高となり、この因子には資本装置の費用、使用する材料費、労働費用、及びスループット時間の増加に伴う費用が含まれる。研磨、ラッピング又はつや出しを行わない態様では、これらのステップ及びそれゆえその費用が本質的に削減される。先行技術では、これらのステップを組み合わせて典型的にはブランク厚さの少なくとも20％を、しばしばブランク厚さの50％又はそれより多くを除去している。反対に、本発明では10％を超えないブランクの厚さを除去することが望ましい。1mmの基体では、最初のブランクの厚さは約1.1mmを越えないことが必要であり、このことは100μm（100ミクロン）又はそれより少ない材料が除去されることを意味する。典型的には、本発明では5％又はそれより少ないブランクの厚さが除去され、より好ましくは2.5％又はそれより少ないブランクの厚さが除去される。多くの場合、除去されるブランクの厚さは先行技術における最後のつや出しステップで除去されるものにしか相当せず、これはブランクの厚さの典型的には約1％より少ない。研磨、ラッピング及びつや出しの範囲を減少することにより、ブランクの製造費用を大きく減少させることができる。
【００１８】
別の観点から見ると、本発明は表面特性の微調整に必要な研磨、ラッピング又はつや出し量のみを行うことを含んでいる。例えば、少量の研磨又はつや出しを大尺度での平面性又は微細な波打を改良するために行うことができる。より典型的には、凹凸、擦り傷、包埋した粒子又は他の微細な欠陥、汚染物を除去して非常に優れた表面を提供し、また良好な滑らかさ（すなわち低いRa）を提供するためには、非常に微細なつや出しのみが好ましい。本明細書で使用する欠陥の“除去”はこのような欠陥をすべて完全に除去することを意味する必要はなく、基体上に形成される媒体にとって必要な平面性までの除去を意味することが理解されるであろう。
基体表面の最初のフラクションの上又は中のスズの量は少量であるが、この微少量のスズは非常に軽いつや出しで除去される。他の、つや出しを行わない態様では、化学反応によって基体表面からスズを除去するように洗浄工程を計画することが望ましい。
図4A〜4Cの工程フローは単なる典型例であり、所望であればいくつかのステップを削除し、又は図4A〜4Cに示した順序とは異なる順序でステップを行得ることが理解される。追加的なステップ、例えば追加的な洗浄研磨、ラッピング又はつや出しステップ又は他のステップ、例えば熱処理ステップを図4A〜4Cのいずれかに付加することができる。しかしながら、研磨、ラッピング及び／又はつや出しステップの存在又は存在するこのようなステップの拡大を制限することにより、費用を大きく削減することができる。さらに、よく知られているように、仕上げはロールオフ（roll-off）（ダブオフ（dub-off）ともいわれる）を生じる傾向があり、これによって所望の面取りを開始する前にディスクの表面が数十μm（数百オングストローム）ロールオフする。つや出しを省くかその量を大きく減少させることによりつや出しに起因するロールオフはそれに応じてなくなるか又は減少する。
【００１９】
ある例では、磁気記録ディスクを使用する装置の要件は最も要求が多い使用より厳格でない可能性があることが理解されるであろう。例えば、一又は複数のディスクを含む取り外し可能なカートリッジを有する装置は、最も進んだカートリッジのない装置より低密度にある。これらの装置に使用するには浮遊したガラスが特に適しており、それは浮遊したガラスが所定の品質を得るには、最も進んだドライブに使用する同じ材料が必要とするより少ない処理でよいからである。それゆえ、本発明はそのようなドライブで特に使用できることが分かる。
本発明をその特定の態様に関して説明してきたが、本発明の精神及び範囲を離れることなく形及び細部の変更が可能であることは、当業者であれば認識するであろう。特定の態様を示してきたが、その態様の特徴を他で使用することが可能である。本明細書に記載した態様と同様に、本開示を読めば当業者にとって直ちに明白である形及び細部で変更した態様が本発明の範囲に入ることが理解される。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は典型的な先行技術のブロックダイヤグラムを表す。
【図２】図２は図１に示された先行技術の工程で基体を形成するためにブランクから除去される材料を示す。
【図３】図３は本発明で形成したガラスブランクのSIMS分析を示す。
【図４Ａ】図４Ａは本発明の態様のブロックダイアグラムを示す。
【図４Ｂ】図４Ｂは本発明の態様のブロックダイアグラムを示す。
【図４Ｃ】図４Ｃは本発明の態様のブロックダイアグラムを示す。
【図５】図５は図４の態様の一つに従う基体を形成するためのブランクから除去される材料を示す。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図５】
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