(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第1導電型の半導体基板表面に形成された第2導電型の不純物拡散領域と、
前記第2導電型の不純物拡散領域と所定の間隔を置いて、前記半導体基板の表面に該基板の不純物濃度よりも高濃度に形成された第1導電型の不純物拡散領域と、
前記半導体基板上に形成された第1の絶縁膜と、
前記第2導電型の不純物拡散領域と第1導電型の不純物拡散領域との間の半導体基板あるいは前記第1導電型の不純物拡散領域の上方の前記第1の絶縁膜上に形成され、基板の上面から見た平面方向に所定の曲率半径を有している導電材料層と、
前記導電材料層および第1の絶縁膜上に形成された第2の絶縁膜と、
前記第2導電型の不純物拡散領域の上方の前記第1、第２の絶縁膜に形成された開孔部と、
前記開孔部および第2の絶縁膜上に形成された配線層とを有する半導体装置であって、
基板の上面から見た平面方向に前記配線層が延在する方向を第1の方向とし、該平面上で第1の方向に直交する方向を第2の方向とし、前記開孔部から第1の距離だけ離れた部分において前記配線層は前記第2の方向に関しての第1の幅を有し、第1の距離よりも大きい第2の距離だけ離れた部分において前記配線層は前記第2の方向に関しての第２の幅を有し、前記第1の距離と前記第2の距離との間において、前記配線層は前記第2の幅が前記第1の幅よりも大きくなるようなテーパ形状の傾斜部を有し、かつ、前記導電材料層と前記配線層が交差する部分があることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置および半導体装置の製造方法に関するものであり、特にコンタクトの付近の配線の形成に関わるものである。
【０００２】
【従来技術の説明】
現在、半導体装置における、高耐圧のコンタクトを形成する技術としてはN型半導体基板中にP型の高濃度不純物拡散領域を形成し、基板上の酸化膜にはP型の高濃度不純物拡散領域に対応する部分に開孔部が形成されて、開孔部および酸化膜上に配線層を形成して、引き出し配線を形成する場合がある。
【０００３】
このような構造では配線下に位置する半導体基板の表面に空乏層が形成されてしまう。空乏層が広がり過ぎないようにP型の高濃度不純物拡散領域から所定距離だけ離れた部分にＮ型の高濃度不純物拡散領域を形成しても扱う電圧が大きくなると電界集中などの問題によって所望の素子特性が得られない場合があった。
【０００４】
そこで本件発明者らの先の出願（特願平10-17848）では半導体基板上の酸化膜上に基板電位と同電位の導電材料層を形成し、導電材料層上に層間絶縁膜を形成して、層間絶縁膜上に開孔部から引き出される配線層を形成することによって、空乏層の形成領域を制御していた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら従来のコンタクト付近の引き出し配線の構造では、配線層と導電材料層との交差の仕方によっては十分な耐圧が得られないことが発明者らによって確認された。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するために、本発明の半導体装置では第1導電型の半導体基板表面に形成された第2導電型の不純物拡散領域と、第2導電型の不純物拡散領域と所定の間隔を置いて、半導体基板の表面に該基板の不純物濃度よりも高濃度に形成された第1導電型の不純物拡散領域と、半導体基板上に形成された第1の絶縁膜と、第2導電型の不純物拡散領域と第1導電型の不純物拡散領域との間の半導体基板あるいは第1導電型の不純物拡散領域の上方の第1の絶縁膜上に形成され、基板の上面から見た平面方向に所定の曲率半径を有している導電材料層と、導電材料層および第1の絶縁膜上に形成された第2の絶縁膜と、第2導電型の不純物拡散領域の上方の第1、第２の絶縁膜に形成された開孔部と、開孔部および第2の絶縁膜上に形成された配線層とを有する半導体装置であって、基板の上面から見た平面方向に配線層が延在する方向を第1の方向とし、該平面上で第1の方向に直交する方向を第2の方向とし、開孔部に最も近い導電材料層の曲率半径をＲとし、導電材料層と配線層の端部が該平面上で交差する点をＸとし、点Ｘから第2の方向に沿って伸ばした直線が導電材料層の曲率半径Ｒの円の中心を通って第1の方向に沿って延びている直線と交差する点をＹとし、第2の方向に関しての点Ｘと点Ｙの距離をＡとし、ＣＯＳ−1（Ａ／Ｒ）＞４６なる関係が成立することを特徴とする。
【０００７】
【発明の実施の形態】
（第１の実施の形態）
図１は本発明の第1の実施の形態におけるコンタクト部付近の引き出し配線を上面から見た図である。図２は図１における線Ａ−Ａ窒フ部分の断面を示す図である。以下図１および図２を用いて本発明のコンタクト部の構造について説明する。
【０００８】
本実施の形態では半導体基板上にダイオードを形成する場合について説明する。
【０００９】
20Ω・cmのＮ型半導体基板１の表面には公知のホトリソ技術および不純物拡散技術を用いてアノードとなるＰ型の高濃度不純物拡散層２が形成されている。Ｐ型不純物拡散層２から所定の距離（約55μm）だけ離れた部分にはチャネルストッパーとなるＮ型の高濃度不純物拡散層３が形成されている。
【００１０】
半導体基板１上には熱酸化によって厚さ約1.0μｍの酸化膜４が形成されている。酸化膜4のＰ型拡散層２の上部に対応する部分には、開孔部5が形成されている。開孔部5の大きさは直径約40μmである。開孔部5の周囲の絶縁膜4上には開孔部5を囲うように同心円状にポリシリコンなどの導電材料層6、7、8が形成されている。このポリシリコン導電材料層は厚さが約1000Åであり、最も開孔部に近い第1の導電材料層6は開孔部から約40μｍの部分に幅1μｍで形成されている。
【００１１】
第1の導電材料層6と4μｍ程度の間隔をあけて第2の導電材料層7が幅1μｍで形成され、さらに4μｍの間隔をあけて第3の導電材料層8が幅十数μｍで構成されている。第3の導電材料層8は酸化膜４の所定部分に形成されたコンタクトホール11を介してＮ型の高濃度不純物拡散層3に接続され、Ｎ型の半導体基板１およびＮ型の高濃度不純物拡散層３と同電位になるように形成されている。第1の導電材料層6および第2の導電材料層7は他の配線層、コンタクト等を利用して所定の部分で第3の導電材料層8と接続されており、第1、第2の導線材料層6、7もN型の半導体基板と同電位になっている。ここで言う所定の部分とは後述する配線9が引き出されている部分以外、図1の上面図で見た場合に配線9と導電材料層が重なっている部分以外のところである。
【００１２】
これらの導電材料層6、7、8はP型の高濃度不純物領域と、N型の半導体基板との間に形成される空乏層12が、後述の配線9の下部の基板表面に沿って広がってしまい、チャネルストッパーであるN型の高濃度不純物領域3にまで延びてしまうことを防いでいる。
【００１３】
開孔部5付近を除く酸化膜4および導電材料層6、7、8上にはＣＶＤ技術などによって層間絶縁膜10が形成されている。この層間絶縁膜10は酸化膜4の表面をある程度露出させるように形成されている。本実施の形態では露出している酸化膜4の表面の幅は約20μmとなるように形成している。
【００１４】
開孔部5、露出している酸化膜4および層間絶縁膜10上には所定幅の配線層9が形成されている。またこの配線層は同心円状に形成された導電材料層の上部に形成される。一般的に高耐圧素子では大きな電流が流れるため、数十μmという太めの配線が用いられる。
【００１５】
この時、層間絶縁膜10は酸化膜4の表面をある程度露出させるように形成したため、開孔部付近の酸化膜4の表面にも配線層9が形成される。この部分の配線層はいわゆるフィールドプレートとしての役割を果たし、基板表面での空乏層が狭まって、電界が集中し耐圧が低下してしまうことを防ぐことができる。
【００１６】
このような構成の第1の実施の形態において、本件発明者らの詳細な実験によると前述の導電材料層が所定の曲率半径を有していた場合に、所定の曲率半径を有する導電材料層と配線層との配置に基づいてコンタクト部分の耐圧特性が変化してしまうことが確認されている。
主に耐圧特性に係ってくるのは導電材料層と配線層の端部とが交差する点の角度であり、この角度が小さいほど耐圧が低くなってしまうことが本件発明者らによって確認された点である。
【００１７】
図1を見れば分かるように、この交差する部分の角度が最も小さくなるのは最も開孔部5に近い第1の導電材料層と配線層が交差する部分である。
【００１８】
図3は図1の一部を拡大して示した図である。図3を用いてより詳細に説明する。配線層が延在する引き出しの方向を第1の方向とし第1の方向に直行する配線層の幅の方向を第2の方向とする。開孔部に最も近い、最内側の第1の導電材料層6の曲率半径をＲとする。第1の導電材料層6と配線層9の端部が交差する点をＸとし、この点Ｘから第2の方向に沿って伸ばした直線が、半径Ｒの円の中心を通って第1の方向に沿って延びている直線と交差する点をＹとする。この時、第2の方向に関してのＸ点とＹ点の距離が、導電材料層と配線層の交差する部分の角度を決定する部分の幅Ａとなる。
【００１９】
この導電材料層の曲率半径Ｒと、Ｘ点とＹ点の距離Ａに応じて導電材料層と配線層の交差する部分の角度θが変化する。
【００２０】
図4はこの曲率半径Ｒと、Ｘ点とＹ点の距離Ａを変化させた場合の角度θに対してのダイオードの降伏電圧を示す図である。
【００２１】
図4に示すように、本件発明者らの実験によれば導電材料層と配線層の交差する部分の角度θが46°より大きくなければ安定した耐圧が得られないことが確認された。
【００２２】
したがって前述の曲率半径Ｒ、およびＸ点とＹ点の距離Ａを用いて一般的に上記の条件を表すと
θ＝ＣＯＳ−1（Ａ／Ｒ）＞４６
となる。
【００２３】
つまり上記の式を満足するように配線の幅、および曲率半径を決定することにより耐圧が向上し、高耐圧素子の安定性が向上する。
【００２４】
以上詳細に説明したように本実施の形態によれば、開孔部から引き出される配線層の下部に開孔部を囲うように導電材料層を形成してあるので、配線に沿って基板表面に形成される空乏層がN型の高濃度不純物拡散領域3まで広がってしまうのを防ぐことができる。
【００２５】
また開孔部付近の酸化膜4の表面上には配線4が形成されているため、この部分がフィールドプレートの役割を果たす。つまり基板表面での空乏層が狭まって、耐圧低下が起こってしまうのを防ぐことができる。
【００２６】
また所定の曲率を有する導電材料層上を横切る配線を形成する際に、その曲率半径に対しての配線の条件を決定してやることにより耐圧の低下を防いだ高耐圧素子を提供することが可能となる。
【００２７】
（第2の実施の形態）
図5は本発明の第2の実施の形態を示す上面図である。なお断面構造については第1の実施の形態と同一であるので説明を省略する。
【００２８】
第2の実施の形態においては配線層9の上面から見た形状が異なっている。第2の実施の形態においては配線層9のコンタクトに近い部分が狭く、コンタクトから遠い部分が広くなるようなテーパ形状の傾斜部を有している。
【００２９】
このテーパ部分は第1の導電材料層6よりも開孔部5に近い部分から設けられ、導電材料層と配線層の交差する角度が問題とならなくなるような値に設定される。
【００３０】
このようなテーパ形状とすることで第1の実施の形態よりも導電材料層と配線層の交差する角度をさらに減少させることが可能となり、より耐圧特性の優れた半導体装置を形成する事が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第1の実施の形態の半導体装置の上面図。
【図２】本発明の実施の半導体層値の断面図。
【図３】本発明の第1の実施の形態の上面拡大図。
【図４】本発明の耐圧と角度の関係を示す図。
【図５】本発明の第２の実施の形態の半導体装置の上面図。
【符号の説明】
1・・・・・・半導体基板
2・・・・・・P型高濃度不純物拡散領域
3・・・・・・N型高濃度不純物拡散領域
4、10・・絶縁膜
5・・・・・・開孔部
6、7、8・・・導電材料層
9・・・・・・配線層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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