(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、ｎ型層と、ＡｌｘＧａ１−ｘ−ｙＩｎｙＮ層（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，ｘ＋ｙ≦１，ｘ＝０のときｙ≠０，ｙ＝０のときｘ≠０）から成るｐ型または高抵抗の電流狭窄層と、該電流狭窄層を貫通するストライプ状開口部と、前記ｎ型層の上に形成された量子井戸活性層を備えた半導体レーザであって、
前記ｎ型層が、前記基板より上層に、前記基板側から順番に、ｎ型ＧａＮコンタクト層と、第１のｎ型ＡｌＧａＮクラッド層と、ｎ型ＧａＮ光ガイド層を備えて構成され、
前記電流狭窄層が、前記ｎ型ＧａＮコンタクト層と前記第１のｎ型ＡｌＧａＮクラッド層の間に設けられ、
前記開口部内において、前記第１のｎ型ＡｌＧａＮクラッド層が前記ｎ型ＧａＮコンタクト層の上に形成され、
前記電流狭窄層を構成するＡｌｘＧａ１−ｘ−ｙＩｎｙＮ層の組成比ｘ及びｙが、前記電流狭窄層が発振波長の光を吸収し、且つ、前記電流狭窄層の屈折率がＧａＮの屈折率より小さくなるように設定されていることを特徴とする半導体レーザ。
【請求項２】
前記量子井戸活性層が前記開口部に沿って屈曲していることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ。
【請求項３】
前記ｎ型層が、前記ｎ型ＧａＮコンタクト層と前記第１のｎ型ＡｌＧａＮクラッド層の間に第２のｎ型ＡｌＧａＮクラッドを更に備え、
前記電流狭窄層が、前記第１のｎ型ＡｌＧａＮクラッド層と前記第２のｎ型ＡｌＧａＮクラッド層の間に設けられていることを特徴とする請求項１または２記載の半導体レーザ。
【請求項４】
前記第１のｎ型ＡｌＧａＮクラッド層と前記第２のｎ型ＡｌＧａＮクラッド層との膜厚の合計が１μｍ以上であることを特徴とする請求項３に記載の半導体レーザ。
【請求項５】
前記開口部の幅が３μｍ以下の狭ストライプ構造であることを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の半導体レーザ。
【請求項６】
前記基板側から順番に、ｐ型ＡｌＧａＮキャップ層と、ｐ型ＧａＮ光ガイド層と、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層と、ｐ型ＧａＮコンタクト層を備えて構成されるＰ型層が、前記量子井戸活性層上に形成されていることを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載の半導体レーザ。

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光情報処理分野などへの応用が期待されているＧａＮ系半導体レーザに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、デジタルビデオディスク等の大容量光ディスク装置が実用化され、今後さらに大容量化が進められようとしている。光ディスク装置の大容量化のためにはよく知られるように読み取りや書き込みの光源となる半導体レーザの短波長化が最も有効な手段の一つである。したがって、現在市販されているデジタルビデオディスク用の半導体レーザは、ＡｌＧａＩｎＰ系材料による波長６５０ｎｍであるが、将来開発が予定されている高密度デジタルビデオディスク用では４００ｎｍ帯のＧａＮ系半導体レーザが不可欠と考えられている。
【０００３】
光ディスク用に用いる半導体レーザは、長寿命、低しきい値電流動作は当然として、他に安定な単一横モード動作、低非点隔差、低雑音、低アスペクト比等が求められるが、現状ではこれら全ての特性を満たす４００ｎｍ帯半導体レーザは実現されていない。
【０００４】
従来、単一横モード型ＧａＮ系半導体レーザとして、図５に示す素子の断面構造をもつものが提案されている。サファイア基板101 上に第１の結晶成長によりＧａＮバッファ層102 、ｎ−ＧａＮ層103 、ｐ−ＧａＮ電流狭窄層104 が成長され、一旦、成長装置から取り出した後ストライプ状の開口部105 が、例えばＣｌ2 ガスによる反応性イオンエッチングにより形成されている。前記ストライプ状の開口部105 は、少なくともｐ−ＧａＮ電流狭窄層104 を完全に貫通していなければならない。
【０００５】
次に、再び、結晶成長装置に導入し、第２の結晶成長によりｎ−ＡｌＧａＮ第１クラッド層106 、ｎ−ＧａＮ第１光ガイド層107 、Ｇａ1-x Ｉｎx Ｎ／Ｇａ1-y Ｉｎy Ｎ（０＜ｙ＜ｘ＜１）から成る多重量子井戸活性層108 、ｐ−ＡｌＧａＮキャップ層109 、ｐ−ＧａＮ第２光ガイド層110 、ｐ−ＡｌＧａＮ第２クラッド層111 、ｐ−ＧａＮコンタクト層112 が成長される。
【０００６】
最後に、ストライプ状の開口105 の直上に、例えばＮｉ／Ａｕから成るｐ電極113 、また、一部をｎ−ＧａＮ層103 が露出するまでエッチングした表面に、例えばＴｉ／Ａｌから成るｎ電極114 が形成され、図５に断面構造を示す単一横モード型ＧａＮ系半導体レーザが作製される。
【０００７】
この素子においてｎ電極114 を接地し、ｐ電極113 に電圧を印加すると、多重量子井戸活性層108 に向かってｐ電極113 側からホールが、また、ｎ電極114 側から電子が注入され、前記多重量子井戸活性層108 内で光学利得を生じ、レーザ発振を起こす。なお、このレーザ駆動時のバイアスはｐ−ＧａＮ電流狭窄層104 とｎ−ＡｌＧａＮ第１クラッド層106 との接合については、逆バイアスとなるためｐ−ＧａＮ電流狭窄層104 が存在しないストライプ状の開口部105 のみに電流が集中する。
【０００８】
一方、ストライプ状の開口部105 上に形成された多重量子井戸活性層108 は、図５に示すように屈曲した形状を有するために成長層に水平な方向に屈折率差が生じ、レーザ光もまた安定してストライプ状の開口部105 の直上の多重量子井戸活性層108 内に閉じこめられる。このため、注入キャリアと光の分布がほぼ一致し、低しきい値電流密度での発振が可能となる。また、前述のように成長層に水平な方向に屈折率差を有する屈折率導波構造なので、光学モードは安定し、また非点隔差も極めて小さい高性能の半導体レーザが実現できるというものである。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記単一横モード型ＧａＮ系半導体レーザを実際に作製する場合において極めて回避困難な問題点が存在する。図５において、ｐ−ＧａＮ電流狭窄層104 が用いられているが、ＧａＮは比較的屈折率の大きい材料である。即ちｎ−ＡｌＧａＮ第１クラッド層106 よりも屈折率は大きい。多重量子井戸活性層108 が屈曲しているため、図６の成長層に水平な方向における屈折率分布に示すように、ｎ−ＡｌＧａＮ第１クラッド層106 との間の屈折率差により光が閉じ込められる。
【００１０】
しかし、ｎ−ＡｌＧａＮ第１クラッド層106 のさらに外側にｎ−ＡｌＧａＮ第１クラッド層106 よりも屈折率の大きいｐ−ＧａＮ電流狭窄層104 が存在すると、光がｐ−ＧａＮ電流狭窄層104 へ多量に漏れ、多重量子井戸活性層108 への光閉じ込めが著しく低下する。特に、ストライプ幅が３μｍ以下の狭ストライプ構造ではそれが顕著となる。多重量子井戸活性層108 への光閉じ込めが低下すると、しきい値電流やビーム広がり角のアスペクト比の増大等、光ディスク用光源としての応用上好ましくない特性となる。
【００１１】
さらに、垂直横モードを考えた場合、ｎ−ＡｌＧａＮ第１クラッド層106 の膜厚は厚いほど光閉じ込めが強くなり望ましいが、同層を厚く成長すると多重量子井戸活性層108 の屈曲した形状が消失して、横方向の屈折率差が弱まる。さらにn-AlGaN 第１クラッド層106 側から多重量子井戸活性層108 へ注入される電子の横方向の広がりが大きくなるためにしきい値電流の増加を招く。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明は、以上述べた従来の単一横モード型ＧａＮ系半導体レーザの問題点に鑑みてなされたもので、安定な単一横モード動作、低アスペクト比、低しきい値電流等、高性能の単一横モード型ＧａＮ系半導体レーザを提供するものである。
本発明は、電流狭窄層に低屈折率のＡｌＧａＮ系、または光吸収の強いＧａＩｎＮ系、さらにその両方の性質を有するＡｌＧａＩｎＮ系を用い、水平方向に屈曲した活性層への光閉じ込めを高めるものであり、その結果、低しきい値電流でアスペクト比の小さい安定した屈折率導波による単一横モード型ＧａＮ系半導体レーザを実現できる。
【００１３】
すなわち、本発明は、基板と、ｎ型層と、Ａｌx Ｇａ1-x-y Ｉｎy Ｎ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，ｘ＋ｙ≦１，ｘ＝０のときｙ≠０，ｙ＝０のときｘ≠０）から成るｐ型または高抵抗電流狭窄層と、該電流狭窄層を貫通するストライプ状開口部とを備えた半導体レーザである。上記のＡｌx Ｇａ1-x-y Ｉｎy Ｎは、ｙ＝０のとき、Ａｌx Ｇａ1-x Ｎ（０＜ｘ≦１）であり、ｘ＝０のとき、Ｇａ1-y Ｉｎy Ｎ（０＜ｙ≦１）となる。
【００１４】
また、本発明は、ストライプ状開口部に沿って屈曲した量子井戸活性層を備えた上記の半導体レーザである。活性層の屈曲によって層に平行な方向の屈折率差が生じ、電流狭窄層の低屈折率あるいは光吸収の作用をさらに強めることができる。したがって、極めて強い光閉じ込め効果が実現できる。特に、ストライプ幅が３μｍ以下の狭ストライプ構造において上記の強い光閉じ込め効果が特に有効に作用し、低しきい値電流および低アスペクト比の半導体レーザを実現できる。
【００１５】
さらに、本発明は、ｎクラッド層を２層に分け、電流狭窄層の上下に配置することにより、優れた光閉じ込めと電流閉じ込めを両立できるようにし、低しきい値電流の単一横モード型ＧａＮ系半導体レーザが実現できる。さらに、クラッド層に超格子を用いることにより、素子の直列抵抗を大幅に低減でき、信頼性の高い単一横モード型ＧａＮ系半導体レーザが実現できる。
【００１６】
また、本発明は、電流狭窄層上に形成されたｎ型第１クラッド層と、電流狭窄層下に形成されたｎ型第３クラッド層とを備えた上記の半導体レーザである。
また、本発明は、光が屈折率の高いｎ−ＧａＮ層へ漏れるのを防ぐために、ｎ型第１クラッド層とｎ型第３クラッド層との膜厚の合計が１μｍ以上であることを特徴とする上記の半導体レーザである。
【００１７】
また、本発明は、該ｎ型第３クラッド層が超格子であることを特徴とする上記の半導体レーザである。ｎ型クラッド層を超格子とすることで２次元電子ガスが生じ、ストライプ開口部とｎ電極燗の電気抵抗を大きく低減できる。
【００１８】
また、本発明は、ｐ型第２クラッド層が超格子であることを特徴とする上記の半導体レーザである。ｐ型第２クラッド層を超格子とすることで２次元ホールガスが生じ、ｐ型第２クラッド層で水平方向に電流を広げることができるので、ｐ電極の有効面積が広くなり、ｐ電極接触抵抗を大きく低減できる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。図１は、本発明の単一モード型ＧａＮ系量子井戸半導体レーザの素子断面図である。
有機金属気相成長法により(0001)サファイア基板1 上に第１の結晶成長によりＡｌＮバッファ層2 、ｎ−ＧａＮ層3 、ＡｌＧａＩｎＮ系電流狭窄層4 が成長され、一旦、成長装置から取り出した後幅２μｍのストライプ状の開口部5 が、例えばＣｌ2 ガスによる反応性イオンエッチングにより形成されている。前記ストライプ状の開口部5 は少なくともＡｌx Ｇａ1-x-y Ｉｎy Ｎ電流狭窄層4 は完全に貫通していなければならない。
【００２０】
次に、再び、結晶成長装置に導入し、第２の結晶成長によりｎ−Ａｌ0.07Ｇａ0.93Ｎ第１クラッド層6 、ｎ−ＧａＮ第１光ガイド層7 、Ｇａ1-x Ｉｎx Ｎ／Ｇａ1-y Ｉｎy Ｎ（０＜ｙ＜ｘ＜１）から成る多重量子井戸活性層8 、ｐ−Ａｌ0.08Ｇａ0.92Ｎキャップ層9 、ｐ−ＧａＮ第２光ガイド層10、ｐ−Ａｌ0.07Ｇａ0.93Ｎ第２クラッド層11、ｐ−ＧａＮコンタクト層12が成長される。
【００２１】
最後に、ストライプ状の開口5 直上に，例えばＮｉ／Ａｕから成るｐ電極13、また、一部をｎ−ＧａＮ層3 が露出するまでエッチングした表面に、例えばＴｉ／Ａｌから成るｎ電極14が形成される。
【００２２】
多重量子井戸活性層8 は、例えば厚さ３ｎｍのＧａ0.9 Ｉｎ0.1 Ｎ量子井戸層と９ｎｍのＧａ0.97Ｉｎ0.03Ｎバリア層とから構成されている。多重量子井戸活性層8 内で発生した光は垂直方向で見るとｎ−ＧａＮ第１光ガイド層7 、多重量子井戸層8 、ｐ−Ａｌ0.08Ｇａ0.92Ｎキャップ層9 、およびｐ−ＧａＮ第２光ガイド層10の４層内に特に強く閉じ込められるが、段差によって成長層に水平な方向にも屈折率差が生じている。
【００２３】
多重量子井戸活性層8 の屈曲部17の幅は、約１．５μｍとなり、この幅を実効的なストライプ幅とする屈折率導波構造となっている。この実施形態の場合、狭ストライプ構造を用いているので、水平方向の光はＡｌx Ｇａ1-x-y Ｉｎy Ｎ電流狭窄層4 へも広がるが、Ａｌx Ｇａ1-x-y Ｉｎy Ｎ電流狭窄層4 の組成を選ぶことで、導波機構の制御が可能となる。
【００２４】
図２に、Ａｌx Ｇａ1-x-y Ｉｎy Ｎの組成と導波機構との関係を示す。発振波長は４００ｎｍと仮定している。ＧａＮとＡｌ0.84Ｉｎ0.16Ｎとを結んだ直線より下の領域（Ａ）は、ＧａＮよりも屈折率が小さく、光吸収のない領域であり、この領域の組成の電流狭窄層を用いると（実施例１の構造）強い実屈折率導波作用のみが得られる。ＧａＮとＡｌ0.84Ｉｎ0.16Ｎとを結んだ直線より上で、ＧａＮとＡｌ0.75Ｉｎ0.25Ｎとを結んだ直線より下の領域（Ｂ）では、ＧａＮより屈折率が小さく、光吸収がある領域である。この領域の組成を電流狭窄層として用いると、実屈折率導波作用と損失導波作用を併せ持つ性質が得られる。また、ＧａＮとＡｌ0.75Ｉｎ0.25Ｎとを結んだ直線より上の領域（Ｃ）は、ＧａＮよりも屈折率が大きく、光吸収がある領域であり、この領域の組成の電流狭窄層を用いると（実施例２の構造）強い損失導波作用のみが得られる。
【００２５】
これらの組成を使い分けることで、ストライプ幅等他の構造パラメータに対して最適の電流狭窄層を得ることができる。したがって、低しきい値電流で安定な単一横モード、低アスペクト比等、光ディスク用光源に適した高性能が実現できる。なお、本実施の形態においては、Ａｌx Ｇａ1-x-y Ｉｎy Ｎ電流狭窄層4 を用いたが、ｐ−ＡｌＧａＩｎＮでもよい。また、図２で示した各組成領域は、発振波長が４００ｎｍと仮定した場合のもので、波長が変わると若干変化するがその都度屈折率、光吸収の関係から導けばよい。さらに、多重量子井戸活性層8 は、活性層の屈曲部17がなく平坦な場合でも、Ａｌx Ｇａ1-x-y Ｉｎy Ｎ電流狭窄層4 によって屈折率差が生じていれば同様の効果が期待できる。
【００２６】
【実施例】
実施例１
図１に示すＧａＮ系量子井戸半導体レーザの素子断面構造において、Ａｌx Ｇａ1-x-y Ｉｎy Ｎ電流狭窄層4 をAl0.08Ga0.92N 電流狭窄層とした。
本実施例の場合、大きい屈折率差のために多重量子井戸活性層8 への光閉じ込め効果が一層強く現れ、９０％以上の光閉じ込め係数が得られる。したがって、低しきい値電流で安定な単一横モード、低アスペクト比等、光ディスク用光源に適した高性能が実現できる。
【００２７】
なお、本実施例においては、ＡｌＮモル分率０．０８のＡｌＧａＮとしたが、この最適の値は発振波長やストライプ幅、作製法によって変化するため、一般には少しでもＡｌを含んでいれば、前述の効果が期待できる。さらに多重量子井戸活性層8 は屈曲部17がなく平坦な場合でも、Ａｌ0.08Ｇａ0.92Ｎ電流狭窄層4 によって屈折率差が生じていれば同様の効果が期待できる。
【００２８】
実施例２
図１に示すＧａＮ系量子井戸半導体レーザの素子断面構造において、Ａｌx Ｇａ1-x-y Ｉｎy Ｎ電流狭窄層4 をＧａ0.80Ｉｎ0.20Ｎ電流狭窄層とした。
本実施例の場合、Ｇａ0.80Ｉｎ0.20Ｎ電流狭窄層4 は、導波される光に対して１０5 ｃｍ-1程度の高い吸収係数を有している。このため、損失導波の作用が生じ、多重量子井戸活性層8 への光閉じ込め効果が一層強く現れる。その結果、９０％以上の光閉じ込め係数が得られる。
【００２９】
実施例１の構造との違いは、一般的な実屈折率導波型と損失導波型の違いと同様である。すなわち、実施例１の構造では狭ストライプ構造でも低い導波損失が実現できるが、ストライプ幅が比較的広くなると高次モードとの利得差が小さくなり単一モードの安定性が低下する。一方、損失導波型では狭ストライプ構造では、導波損失が増加して低しきい値電流密度が得られにくくなるが、ストライプ幅が比較的広くても高次モードとの利得差が大きくとれるので、単一モードの安定性に優れる。したがって、ストライプ幅が例えば２μｍ以上としたときでも低しきい値電流で安定な単一横モード、低アスペクト比等、光ディスク用光源に適した高性能が実現できる。
【００３０】
なお、本実施例においては、ＩｎＮモル分率０．２０のＧａＩｎＮとしたが、この最適の値は発振波長やストライプ幅、作製法によって変化する。一般には活性層で発光した光を少しでも吸収すればよいのでＧａ1-x Ｉｎx Ｎの量子井戸を用いた場合、Ｇａ1-z Ｉｎz Ｎ電流狭窄層のＩｎＮモル分率ｚは、ｘ＜ｚ＜１の関係を満たせばよい。さらに、多重量子井戸活性層8 は屈曲部17がなく平坦な場合でも、Ｇａ0.80Ｉｎ0.20Ｎ電流狭窄層4 によって屈折率差が生じていれば同様の効果が期待できる。
【００３１】
実施例３
図３は、本実施例の単一モード型ＧａＮ系量子井戸半導体レーザの素子断面図である。実施例１との相違は、第１クラッド層6 を２層に分け、電流狭窄層の下にｎ型第３クラッド層を形成した点である。
ストライプ状開口部5 下には、ｎ−Ａｌ0.07Ｇａ0.93Ｎ第３クラッド層6Aがあり、例えばｎ−Ａｌ0.07Ｇａ0.93Ｎ第３クラッド層6Aの膜厚を１μｍ、ｎ−Ａｌ0.07Ｇａ0.93Ｎ第１クラッド層6 の膜厚を０．５μｍとすると、光が屈折率の高いｎ−ＧａＮ層３へ漏れるのをほぼ完全に防ぐことができる。
【００３２】
Ａｌ0.08Ｇａ0.92Ｎ電流狭窄層4 上に成長されるｎ−Ａｌ0.07Ｇａ0.93Ｎ第１クラッド層6 の膜厚は０．５μｍと比較的薄いので、ストライプ状開口部5 直上の多重量子井戸層8 は平坦化されず屈曲部17を有する。この場合の屈曲部17の幅は約１．５μｍとなり、これが実効的なストライプ幅とする屈折率導波構造となっている。さらに、薄いｎ−Ａｌ0.07Ｇａ0.93Ｎ第１クラッド層6 によって、ストライプ状開口部5 直上の多重量子井戸層8 へｎ−Ａｌ0.07Ｇａ0.93Ｎ第１クラッド層6 側から注入される電子の横方向の広がりも小さくなっている。
本実施例の場合、大きい屈折率差のために多重量子井戸層8 への光閉じ込め効果が一層強く現れ、９０％以上の光閉じ込め係数が得られる。したがって、低しきい値電流で安定な単一横モード、低アスペクト比等、光ディスク用光源に適した高性能が再現性よく実現できる。
【００３３】
実施例４
図４は、本実施例の単一モード型ＧａＮ系量子井戸半導体レーザの素子断面図である。実施例３との相違は、電流狭窄層の下に形成したｎ型第３クラッド層6Aおよびｐ−ＧａＮコンタクト層12の下のｐ型第２クラッド層をｎ−Ａｌ0.14Ｇａ0.86Ｎ／ＧａＮ超格子クラッドにした点である。
ストライプ状開口部５下にはｎ−Ａｌ0.14Ｇａ0.86Ｎ／ＧａＮ超格子第３クラッド層6Bがあり、例えばｎ−Ａｌ0.14Ｇａ0.86Ｎ／ＧａＮ超格子第３クラッド層6Bの膜厚を１μｍ、ｎ−Ａｌ0.07Ｇａ0.93Ｎ第１クラッド層6 の膜厚を０．５μｍとすると、光が屈折率の高いｎ−ＧａＮ層3 へ漏れるのをほぼ完全に防ぐことができる。
【００３４】
また、ｎ−Ａｌ0.14Ｇａ0.86Ｎ／ＧａＮ超格子第３クラッド層6Bおよびｐ−Ａｌ0.14Ｇａ0.86Ｎ／ＧａＮ超格子第２クラッド層11は、各々２次元電子ガス、２次元ホールガスの効果により厚さ方向よりも層に沿った横方向の電気抵抗が格段に低い。このため、ｎ−Ａｌ0.14Ｇａ0.86Ｎ／ＧａＮ超格子第３クラッド層6Bとｎ電極14との間の電気抵抗が低減でき、あるいは、ｐ−Ａｌ0.14Ｇａ0.86Ｎ／ＧａＮ超格子第２クラッド層11内で電流が横方向に広がるために、ｐ電極13の実効的な面積が大きくなり、接触抵抗が低減できるので、素子の動作電圧を大幅に低減することが可能となる。
【００３５】
したがって、低しきい値電流、低動作電圧で安定な単一横モード、低アスペクト比等、光ディスク用光源に適した高性能が実現できる。ｎ−Ａｌ0.14Ｇａ0.86Ｎ／ＧａＮ超格子第３クラッド層6Bおよびｐ−Ａｌ0.14Ｇａ0.86Ｎ／ＧａＮ超格子第２クラッド層11については、本実施例では、ＡｌＧａＮ側に各々ドナー、アクセプタをドープしているが、ＧａＮ側、あるいはＡｌＧａＮとＧａＮ両方にドープしてもよい。
【００３６】
【発明の効果】
本発明を用いることにより、低しきい値電流密度を有し、単一横モード、低アスペクト比等、光ディスク用光源に適した高性能な短波長半導体レーザが実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態のＧａＮ系単一横モード半導体レーザの素子断面図である。
【図２】Ａｌx Ｇａ1-x-y Ｉｎy Ｎ組成の波長４００ｎｍの光に対する屈折率と光吸収の関係を示す図である。
【図３】実施例３のＧａＮ系単一横モード半導体レーザの素子断面図である。
【図４】実施例４のＧａＮ系単一横モード半導体レーザの素子断面図である。
【図５】従来例のＧａＮ系単一横モード半導体レーザの素子断面図である。
【図６】図５に示す従来例の成長層に水平な方向における屈折率分布を示す図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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