(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の記録層を備える多層型光ディスクから信号光を検出する光ピックアップ装置であって、
光ディスクに照射した光が前記複数の記録層のうちの第１の記録層で反射した戻り光である信号光を検出する検出用受光素子と、
前記信号光の光軸上から離れた位置に配置され、前記検出用受光素子の受光信号のオフセット成分をキャンセルするために、光ディスクに照射した光が前記複数の記録層のうちの第１の記録層とは異なる他の記録層で反射した戻り光である迷光を検出するキャンセル用受光素子と、
前記キャンセル用受光素子から出力された受光電流を第１の演算増幅器に入力することにより電圧に変換し、該変換した電圧を第２の演算増幅器に入力することにより電圧レベルを調整して基準電圧を生成して出力する基準電圧生成手段と、
前記基準電圧を第３の演算増幅器の第１の入力端子に入力し、前記検出用受光素子から出力された受光電流を前記第３の演算増幅器の第２の入力端子に入力して前記検出用受光素子からの受光電流を電圧に変換し、該変換した電圧と前記基準電圧との差電圧を前記第３の演算増幅器の出力端子から出力する電流／電圧変換手段と、
を備える、光ピックアップ装置。
【請求項２】
前記検出用受光素子と前記第３の演算増幅器は、１対１対応でそれぞれ複数個が設けられる、請求項１に記載の光ピックアップ装置。
【請求項３】
前記検出用受光素子と前記キャンセル用受光素子の面積、光感度、暗電流のいずれか１個以上が異なる場合、前記検出用受光素子と前記キャンセル用受光素子の特性の違いに基づいて、前記基準電圧の電圧レベルを最適値にするための基準電圧調整手段を、更に備える請求項１または２に記載の光ピックアップ装置。
【請求項４】
前記基準電圧調整手段は、
前記基準電圧生成手段の増幅率を調整することにより前記基準電圧の電圧レベルを最適値にする、請求項３に記載の光ピックアップ装置。
【請求項５】
前記基準電圧調整手段は、前記電流／電圧変換手段内で、前記第３の演算増幅器に入力される基準電圧の電圧レベルを最適値にする、請求項３に記載の光ピックアップ装置。
【請求項６】
複数の記録層を備える多層型光ディスクにレーザー光を照射した際の前記光ディスクからの戻り光を受光して受光信号を得る、光ピックアップ装置を備えた光ディスク装置であって、
前記光ピックアップ装置は、
光ディスクに照射した光が前記複数の記録層のうちの第１の記録層で反射した戻り光である信号光を検出する検出用受光素子と、
前記信号光の光軸上から離れた位置に配置され、前記検出用受光素子の受光信号のオフセット成分をキャンセルするために、光ディスクに照射した光が前記複数の記録層のうちの第１の記録層とは異なる他の記録層で反射した戻り光である迷光を検出するキャンセル用受光素子と、
前記キャンセル用受光素子から出力された受光電流を第１の演算増幅器に入力することにより電圧に変換し、該電圧変換した電圧を第２の演算増幅器に入力することにより電圧レベルを調整して基準電圧を生成して出力する基準電圧生成手段と、
前記基準電圧を第３の演算増幅器の第１の入力端子に入力し、前記検出用受光素子から出力された受光電流を前記第３の演算増幅器の第２の入力端子に入力して前記検出用受光素子からの受光電流を電圧に変換し、該変換した電圧と前記基準電圧との差電圧を前記第３の演算増幅器の出力端子から出力する電流／電圧変換手段と、
を備える、光ディスク装置。
【請求項７】
前記検出用受光素子と前記第３の演算増幅器は、１対１対応でそれぞれ複数個が設けられる、請求項６に記載の光ディスク装置。
【請求項８】
前記検出用受光素子と前記キャンセル用受光素子の面積、光感度、暗電流が異なる場合、これら受光素子の特性の違いに基づいて、前記基準電圧の電圧レベルを最適値にする基準電圧調整手段を、更に備える請求項６または７に記載の光ディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ディスク装置などの信号光を受光する光ピックアップ装置に係り、特に受光素子に発生する本来必要な信号光以外の不要な光等によるオフセット成分の除去に関する。
【背景技術】
【０００２】
光ディスクや光磁気ディスク等のディスク状記録媒体に対して情報信号の記録や再生を行う光ディスク装置があり、このような光ディスク装置には、ディスク状記録媒体の半径方向に移動され、該ディスク状記録媒体に対してレーザー光を照射する光ピックアップが設けられている。このような光ピックアップにおいて、一般に、発光素子から出射されたレーザー光がビームスープリッタ等の光分離素子を介して透過し、対物レンズによって集光されてディスク状記録媒体の記録層にレーザー光のスポットが形成される。ディスク状記録媒体の記録層に集光されたレーザー光は反射されて、再び光分離素子に入射され、該光分離素子によって光路が変換されて受光素子に入射される。
【０００３】
ディスク状記録媒体には、記録層が複数設けられている多層型のタイプがあり、特に一方の面から光を照射する片面多層型のディスク状記録媒体にあっては、例えば、第１の記録層（情報の記録や再生が行われる層）にレーザー光が集光されてスポットが形成されている場合においても、第１の記録層に隣接する他の記録層等でもレーザー光が反射され、これが迷光となって受光素子に入射される恐れがある。このような迷光は、例えばＲＦ信号の品質の劣化やサーボ信号のオフセットなどの不具合を引き起こす原因となり、また、ディスク状記録媒体の各層で反射されたレーザー光の干渉や温度変化等の環境変化による素子特性の変動を引き起こす原因ともなる。
【０００４】
そこで、このような迷光キャンセルの手法についての提案がなされている（例えば特許文献１参照）。この手法では、信号光の光軸上にない位置に第２の受光素子を配置し、この第２の受光素子で受光した迷光による光電流と暗電流を信号光の光軸上に配置されている第１の受光素子の受光電流から減算することにより、第１の受光素子の受光電流から不要な電流を除去している。
【特許文献１】特開平１０−４９９０６号公報  （第６頁、第３図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記公知の手法による迷光キャンセル用の受光素子（ディテクタ）の配置例は図１０に示すように、光ディスク（図示せず）から反射光を受光する４分割されたメインビームディテクタ６０の両側に、２個の２分割されたサイドビームディテクタ６１Ａが配置され、これらサイドビームディテクタ６１Ｂに入る迷光をキャンセルするための迷光キャンセル用ディテクタ６２Ａ、６２Ｂがサイドビームディテクタ６１Ａ，６１Ｂの外側に２個配置されている。即ち、迷光を除去するためには同一の迷光キャンセル用ディテクタが１対１対応で必要であり、そのため、信号検出用の受光素子（サイドビームディテクタ６１Ａ，６１Ｂ）単独の時より迷光キャンセル用の受光素子に対しても配線が必要となるため、入力部の配線長が長くなり、高周波特性が悪化する。また、信号検出用の受光素子と暗電流や迷光検出用の受光素子（迷光キャンセル用ディテクタ６２Ａ、６２Ｂ）がそれぞれ１組ずつ必要となるため、半導体基板サイズが大きくなるという問題がある。
【０００６】
本発明は前記事情に鑑み案出されたものであって、本発明の目的は、高周波特性を損なうことなく、また、受光素子を増やすことなく、信号光を受光して得られる電流から迷光による電流などの不要な出力電圧（オフセット電圧）を除去若しくは低減させることができる光ピックアップ装置及びこの光ピックアップ装置を用いた光ディスク装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決し、本発明の目的を達成するため、本発明の光ピックアップ装置は、複数の記録層を備える多層型光ディスクから信号光を検出する光ピックアップ装置であって、光ディスクに照射した光が複数の記録層のうちの第１の記録層で反射した戻り光である信号光を検出する検出用受光素子と、この信号光の光軸上から離れた位置に配置され、検出用受光素子の受光信号のオフセット成分をキャンセルするために、光ディスクに照射した光が複数の記録層のうちの第１の記録層とは異なる他の記録層で反射した戻り光である迷光を検出するキャンセル用受光素子と、キャンセル用受光素子から出力された受光電流を第１の演算増幅器に入力することにより電圧に変換し、この変換した電圧を第２の演算増幅器に入力することにより電圧レベルを調整して基準電圧を生成して出力する基準電圧生成手段を備える。
また、この基準電圧生成手段から出力される基準電圧を第３の演算増幅器の第１の入力端子に入力し、検出用受光素子から出力された受光電流を第３の演算増幅器の第２の入力端子に入力して検出用受光素子からの受光電流を電圧に変換し、この変換した検出用受光素子からの受光電流に対応する電圧と、基準電圧との差電圧を第３の演算増幅器の出力端子から出力する電流／電圧変換手段を備えている。
【０００８】
また、本発明の光ディスク装置は、複数の記録層を備える多層型光ディスクにレーザー光を照射した際の光ディスクからの戻り光を受光して受光信号を得る、光ピックアップ装置を備えた光ディスク装置である。この光ピックアップ装置は、光ディスクに照射した光が複数の記録層のうちの第１の記録層で反射した戻り光である信号光を検出する検出用受光素子と、信号光の光軸上から離れた位置に配置され、検出用受光素子の受光信号のオフセット成分をキャンセルするために、光ディスクに照射した光が複数の記録層のうちの第１の記録層とは異なる他の記録層で反射した戻り光である迷光を検出するキャンセル用受光素子と、キャンセル用受光素子から出力された受光電流を第１の演算増幅器に入力することにより電圧に変換し、該電圧変換した電圧を第２の演算増幅器に入力することにより電圧レベルを調整して基準電圧を生成して出力する基準電圧生成手段を備える。また、基準電圧を第３の演算増幅器の第１の入力端子に入力し、検出用受光素子から出力された受光電流を第３の演算増幅器の第２の入力端子に入力して、受光電流を電圧に変換し、該変換した電圧と基準電圧との差電圧を第３の演算増幅器の出力端子から出力する電流／電圧変換手段と、を備えている。
【０００９】
また、本発明は、前記検出用受光素子と前記キャンセル用受光素子の面積、光感度、暗電流のいずれか１個以上が異なる場合、これら受光素子の特性の違いに基づいて、前記基準電圧のレベルを最適値にする基準電圧調整手段を具備することを特徴とする。
【００１０】
このように本発明では、信号光検出用の受光素子の他に、信号光の光軸上のない位置にキャンセル用の受光素子を配置し、この受光素子から暗電流や迷光による光電流が信号光検出用の受光素子と同程度量発生することに着眼し、キャンセル用の受光素子の受光電流を電圧に変換した後、その電圧レベルを調整して基準電圧とし、信号光検出用の受光素子の受光電流を電圧に変換する際に、信号光検出用の受光素子の受光電圧から前記基準電圧を減算することによって、信号光を受光して得られる電流から迷光による電流などの不要な出力電圧（オフセット電圧）を除去若しくは低減させることができる。それ故、信号検出用とキャンセル用の受光素子の受光電流を電圧変換する変換回路を別々にすることができるため、入力部の配線長を短くでき、高周波特性を損なうことを防止することができる。
【００１１】
また、信号光検出用の受光素子が複数個あっても、同一の基準電圧を用いて各信号光検出用の受光素子から得られる電流から迷光による電流などの不要な出力電圧（オフセット電圧）を除去若しくは低減させることができるため、キャンセル用の受光素子は１個で良く、受光素子を形成する半導体基板を大きくすることがない。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、信号光検出用の受光素子の他に、信号光の光軸上にない位置にキャンセル用の受光素子を配置し、この受光素子から暗電流や迷光による光電流が信号光検出用の受光素子と同程度量発生することに着眼し、キャンセル用の受光素子の受光電流を電圧に変換した後、その電圧レベルを調整して基準電圧とし、信号光検出用の受光素子の受光電流を電圧に変換する際に、信号光検出用の受光素子の受光電圧から前記基準電圧を減算することによって、信号光を受光して得られる受光電圧から不要な出力電圧（オフセット成分）を除去若しくは低減させることができる。それ故、信号検出用とキャンセル用の受光素子の受光電流を電圧変換する変換回路を別々にすることができ、それ故、入力部の配線長を短くでき、高周波特性を損なうことを防止することができる。
また、信号光検出用の受光素子が複数個あっても、同一の基準電圧を用いて各信号光検出用の受光素子から得られる電圧から不要な出力電圧（オフセット成分）を除去若しくは低減させることができるため、キャンセル用の受光素子は１個で良く、受光素子を形成する半導体基板を大きくすることを防止でき、装置の小型化を妨げることはない。
さらに、検出用受光素子とキャンセル用受光素子の面積、光感度、暗電流が異なる場合、これら受光素子の特性の違いに基づいて前記基準電圧を最適値にすることにより、受光素子の光感度、暗電流、面積が等しくなくても、検出用受光素子の受光信号に含まれるオフセット成分をキャンセルすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
高周波特性を損なうことなく、また、受光素子を増やすことなく、信号光を受光して得られる電流から迷光による電流などの不要な出力電圧（オフセット電圧）を除去若しくは低減させる目的を、信号光検出用の受光素子の他に、信号光の光軸上のない位置にキャンセル用の受光素子を配置し、この受光素子から暗電流や迷光による光電流が信号光検出用の受光素子と同程度量発生することに着眼し、キャンセル用の受光素子の受光電流を電圧に変換した後、その電圧レベルを調整して基準電圧とし、信号光検出用の受光素子の受光電流を電圧に変換する際に、信号光検出用の受光素子の受光電圧から前記基準電圧を減算することによって実現した。
【実施例１】
【００１４】
図１は、本発明の第１の実施形態に係る光ピックアップ装置の迷光キャンセル回路の構成を示した回路図である。迷光キャンセル回路は、迷光受光用の受光素子（ディテクタ）１、受光素子１の受光電流を電圧に変換する電流電圧変換増幅回路２、電流電圧変換増幅回路２の出力電圧レベル調整用の増幅回路３、信号光受光用の受光素子（ディテクタ）４、受光素子４の受光電流を電圧に変換すると共にオフセット成分をキャンセルする電流電圧変換増幅回路５を有して構成される。
【００１５】
図２は図１に示した光ピックアップ装置の光学系の概略構成を示したブロック図である。光ピックアップ装置は、レーザーダイオード１１、レンズ１２、ビームスプリッタ１３、対物レンズ１４、集光レンズ１５、半導体基板２０を有して成り、例えばＤＶＤ等の一方の面から光を照射する片面２層の光ディスク３０に対してレーザー光を照射し、その戻り光を半導体基板２０の受光素子で受光する。図中、５１で示したのが信号光の戻りで、５２で示したのが、他層からの反射光である迷光である。
【００１６】
図３は図２のａの部分の拡大断面図である。迷光受光用の受光素子１と信号光受光用の受光素子４が半導体基板２０上に形成され、両素子は分離層１８により分離されている。信号光受光用の受光素子４に光ディスク３０から情報を読み出すための信号光５１が入射され、この受光素子４と迷光受光用の受光素子１に迷光５２が入射されている。
【００１７】
次に本実施形態の動作について説明する。迷光受光用の受光素子１は迷光を受光し、その受光電流を電流電圧変換増幅回路２の演算増幅器２０１の非反転入力端子（−）に入力する。演算増幅器２０１は抵抗２０２で決定される増幅率で、入力受光電流を電圧に変換して、増幅回路３に出力する。増幅回路３の演算増幅器３０１は抵抗３０２で決まる増幅率で入力受光電圧を増幅して所定レベルの基準信号３００とした後、電流電圧変換増幅回路５の演算増幅器５０１の反転入力端子（＋）に出力する。
【００１８】
信号光受光用の受光素子４は信号光を受光すると、受光電流を電流電圧変換増幅回路５の演算増幅器５０１の非反転入力端子（−）に出力する。演算増幅器５０１は抵抗５０２で決まる増幅率で受光電流を受光電圧に変換し、これを後段の図示されないアンプに出力する。しかし、このとき、演算増幅器５０１の反転入力端子（＋）に基準電圧３００が入
力されているため、演算増幅器５０１による電流電圧変換時に、受光素子４の受光電圧から基準電圧３００が減算されて出力される。基準電圧３００は受光素子１の受光電流を電圧に変換してそのレベルを調整したもので迷光による受光電流と素子の暗電流を反映した電圧であるため、前記減算により受光素子４の受光電流に含まれるオフセット成分である迷光による受光電流と素子の暗電流がキャンセルされ、信号電流だけが電圧に変換されて出力される。
【００１９】
本実施形態によれば、迷光受光用の受光素子１の受光電流を電圧に変化してレベルを調整した後、信号光受光用の受光素子４の受光電流を電圧に変換する演算増幅器５０１の基準電圧３００として用いることにより、信号光受光用の受光素子４に含まれる迷光による受光電流と素子の暗電流等のオフセット成分をキャンセルすることができる。
【００２０】
また、信号光受光用の受光素子４と迷光検出用の受光素子１の電流電圧変換回路５、２が別々にあるため、各素子にできるだけ近接して電流電圧変換回路を配置することができるので、入力部の配線長を短くでき、良好な高周波特性を得ることができる。
【実施例２】
【００２１】
図４は、本発明の第２の実施形態に係る光ピックアップ装置の迷光キャンセル回路の構成を示した回路図である。本実施形態の迷光キャンセル回路は、第１の実施形態とほぼ同様の構成を有しているが、異なる点は、図５に示すように、迷光受光用の受光素子１は信号光受光用の受光素子４に比べて、その面積が１／３であり、受光素子１と受光素子４が異なる面積サイズであるところにある。
【００２２】
次に本実施形態の動作について説明する。受光素子１と受光素子４の面積サイズが異なるため、受光素子１の受光電流に含まれる迷光による電流と暗電流の量が受光素子４の迷光による電流と暗電流の量と異なってしまう。そこで、電流電圧変換増幅回路２の演算増幅器２０１の増幅率を決定する抵抗２０３の値を、電流電圧変換増幅回路５の演算増幅器５０１の増幅率を決定する抵抗５０２の値に比べて３倍にして、基準信号３００のレベルを調整する。これにより、演算増幅器２０１の増幅率は演算増幅器５０１の増幅率の３倍になるため、電流電圧変換増幅回路２の出力受光電圧は受光素子１と受光素子４の面積サイズが同一である場合と等価の値になる。したがって、第１の実施形態と同様に、信号光受光用の受光素子４の受光電流を電圧に変換する演算増幅器５０１の基準電圧３００として用いることにより、電流電圧変換増幅回路５で信号光受光用の受光素子４に含まれる迷光による受光電流と素子の暗電流が減算される。
【００２３】
本実施形態によれば、受光素子１と受光素子４の面積サイズが異なっても、基準信号３００のレベルを電流電圧変換増幅回路２の増幅率を変化させて調整し、受光素子１と受光素子４の面積サイズが同一である場合と同様のレベルとすることにより、電流電圧変換増幅回路５によって信号光受光用の受光素子４に含まれる迷光による受光電流と素子の暗電流などのオフセット成分をキャンセルすることができる。
【００２４】
なお、上記の例は、受光素子１と受光素子４の面積が異なる場合であったが、面積の他に、光感度、暗電流が異なる場合、即ち、受光素子１と受光素子４の特性が異なる場合も、基準信号３００のレベルを最適に調整することにより、信号光受光用の受光素子４に含まれるオフセット成分を同様にキャンセルすることができる。
【実施例３】
【００２５】
図６は、本発明の第３の実施形態に係る光ピックアップ装置の迷光キャンセル回路の構成を示した回路図である。本実施形態の迷光キャンセル回路では、基準電圧３００を生成するための受光素子１、電流電圧変換増幅回路２及び増幅回路３から成る基準電圧生成回路の構成は第１の実施形態のそれと同様であるが、図７に示すように信号光受光用の受光素子４の他に、信号光受光用の受光素子６があるため、それに伴い、電流電圧変換増幅回路７を備えている。なお、図７中、受光素子１の両側に分離層２１、２２を隔てて受光素子４、６が配置されている。したがって、電流電圧変換増幅回路５の演算増幅器５０１の他に、電流電圧変換増幅回路７の演算増幅器７０１に対しても基準電圧３００が供給されている。このため、電流電圧変換増幅回路５と同様に、電流電圧変換増幅回路７にても、信号光受光用の受光素子６に含まれる迷光による受光電流と素子の暗電流が減算される。
【００２６】
本実施形態によれば、信号光受光用の受光素子が２個あっても、共通の基準電圧生成回路により生成される基準電圧３００により、信号光受光用の各受光素子４、６に含まれる迷光による受光電流と素子の暗電流等から成るオフセット成分をキャンセルすることができる。これにより、２個の信号光受光用の受光素子４、６に対応して、オフセット成分キャンセル用の受光素子１は１個で良く、それに付随する基準電圧生成回路もひとつでよいため、半導体基板を大きくすることなく、複数の信号光受光用の受光素子４、６に含まれる迷光による受光電流と素子の暗電流のオフセット成分をキャンセルすることができる。
【実施例４】
【００２７】
図８は、本発明の第４の実施形態に係る光ピックアップ装置の迷光キャンセル回路の構成を示した回路図である。本実施形態の迷光キャンセル回路は、第３の実施形態のそれとほぼ同様であるが、受光素子１、４、６の面積サイズが異なる場合、電流電圧変換増幅回路５の演算増幅器５０１及び電流電圧変換増幅回路７の演算増幅器７０１に供給する基準電圧３００をそれぞれ、受光素子の面積サイズ比により決まる最適値としなければならないが、それを本実施形態では抵抗５０５及び抵抗７０５により行っている。
【００２８】
本実施形態も第３の実施形態と同様の効果があるが、特に、受光素子１、４、６のサイズを自由に設定できるため、設計の自由度が増加すると共に、半導体基板をより小さくすることができる。この場合も、面積が異なる場合だけでなく、光感度、暗電流が異なる場合、即ち、受光素子１と受光素子４の特性が異なる場合も、基準信号３００のレベルを最適に調整することにより、信号光受光用の受光素子４、６の受光電流に含まれるオフセット成分を同様にキャンセルすることができる。
【実施例５】
【００２９】
図９は、本発明の第５の実施形態に係る光ピックアップ装置を搭載した光ディスク装置の構成を示したブロック図である。光ディスク装置は、ＤＶＤやブルーレイディスクのような片面２層の光ディスク３０に対して光ピックアップ４２によりアクセスし、データを記録再生するものであり、光ディスク３０を回転駆動する駆動手段としてのスピンドルモータ４１と、光ディスク３０に対してデータの読み書きを行う光ピックアップ４２と、スピンドルモータ４１の駆動及び光ピックアップ４２の移動を行うドライバ４３、スピンドルモータ４１や光ピックアップ４２の移動などをドライバ４３を介して制御するドライバ制御部４４と、光ピックアップ４２から出力される各種の信号に基づいてフォーカスエラー信号、トラッキングエラー信号、ＲＦ信号などを生成するアンプ４５と、アンプ４５から出力信号に基づく復調及び誤り訂正処理等の所定の処理を行う信号処理部４６と、信号処理部４６や及び制御部５０からの信号をＤ／Ａ変換して入出力部４８に入力するＤ／Ａコンバータ４７と、装置の操作情報などを入力すると共に、装置の動作状態を表示する入出力部４８、光ディスク３０に記録された信号を再生信号として受け取ると共に、データを信号処理部４６により変調して光ピックアップ４２内のレーザー光源を駆動すると共にドライバ制御部４４にサーボ情報を出力する記録制御回路４９、ドライバ制御部４４にフォーカスエラー信号、トラッキングエラー信号を出力してサーボを全体的にコントロールする制御部５０を有して構成される。ここで、光ピックアップ４２は上記した第１から第４の実施形態と同様の構成を有している。
【００３０】
本実施形態によれば、光ピックアップ４２は上記した第１から第４の実施形態で説明した構成を持つものであり、したがって、多層の光ディスク３０を再生する際に、光ピックアップ４２から出力される再生信号はオフセット成分が除去又は低減された高品質の再生信号であるため、高品質の再生信号を得られると共に、サーボ信号の品質も高く、安定なサーボを行うことができる。
【００３１】
尚、本発明は上記実施形態に限定されることなく、その要旨を逸脱しない範囲において、具体的な構成、機能、作用、効果において、他の種々の形態によっても実施することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る光ピックアップ装置の迷光キャンセル回路の構成を示した回路図である。
【図２】図１に示した光ピックアップ装置の光学系の概略構成を示したブロック図である。
【図３】図２のａの部分の拡大断面図である。
【図４】本発明の第２の実施形態に係る光ピックアップ装置の迷光キャンセル回路の構成を示した回路図である。
【図５】図４で示した受光素子の半導体基板上の構成を示した断面図である。
【図６】本発明の第３の実施形態に係る光ピックアップ装置の迷光キャンセル回路の構成を示した回路図である。
【図７】図６で示した受光素子の半導体基板上の構成を示した断面図である。
【図８】本発明の第４の実施形態に係る光ピックアップ装置の迷光キャンセル回路の構成を示した回路図である。
【図９】本発明の第５の実施形態に係る光ピックアップ装置を搭載した光ディスク装置の構成を示したブロック図である。
【図１０】従来の迷光キャンセル用の受光素子（ディテクタ）及び信号光受光用の受光素子の配置例を示した平面図である。
【符号の説明】
【００３３】
１、４、６……受光素子（ディテクタ）、２、５、７……電流電圧変換増幅回路、３……増幅回路、１１……レーザーダイオード、１２……レンズ、１３……ビームスプリッタ、１４……対物レンズ、１５……集光レンズ、１８、２１、２２……分離層、２０……半導体基板、３０……光ディスク、４２……光ピックアップ、２０１、３０１、５０１、７０１……演算増幅器、２０２、２０３、２０４、３０２、３０４、５０２、５０４、５０５、７０２、７０４、７０５……抵抗。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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