(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも電極層が形成された基板上に有機エレクトロルミネッセント層を形成する有機エレクトロルミネッセント層形成工程と、
前記有機エレクトロルミネッセント層上に剥離層を形成する剥離層形成工程と、
前記剥離層上にフォトレジスト層を形成するフォトレジスト層形成工程と、
前記フォトレジスト層を露光して現像することによりパターニングするフォトレジスト層パターニング工程と、
前記フォトレジスト層により被覆されていない部分の有機エレクトロルミネッセント層を除去する有機エレクトロルミネッセント層現像工程と、
前記剥離層を剥離することにより、その上に積層されたフォトレジスト層をも除去する剥離層剥離工程と
を有することを特徴とするエレクトロルミネッセント素子の製造方法。
【請求項２】
前記剥離層は前記フォトレジスト層形成用溶媒に不溶であり、前記有機エレクトロルミネッセント層は前記剥離層形成用溶媒に不溶である材料が用いられていることを特徴とする請求項１に記載のエレクトロルミネッセント素子の製造方法。
【請求項３】
前記剥離層が、前記フォトレジスト層の現像に用いられるフォトレジスト現像液に対して不溶であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のエレクトロルミネッセント素子の製造方法。
【請求項４】
前記剥離層が、前記フォトレジスト層の現像に用いられるフォトレジスト現像液に可溶であり、前記有機エレクトロルミネッセント層が、前記フォトレジスト現像液に不溶であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のエレクトロルミネッセント素子の製造方法。
【請求項５】
前記剥離層の膜厚が、０．０５μｍ〜５μｍの範囲内であることを特徴とする請求項１から請求項４までのいずれかの請求項に記載のエレクトロルミネッセント素子の製造方法。
【請求項６】
前記有機エレクトロルミネッセント層が、発光層であることを特徴とする請求項１から請求項５までのいずれかの請求項に記載のエレクトロルミネッセント素子の製造方法。
【請求項７】
前記有機エレクトロルミネッセント層現像工程が、ドライエッチング法を用いる工程であることを特徴とする請求項１から請求項６までのいずれかの請求項に記載のエレクトロルミネッセント素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、フォトリソグラフィー法によるエレクトロルミネッセント（以下、ＥＬと略す場合がある。）素子の製造方法において、フォトレジスト層等の不要な層の剥離を容易とするＥＬ素子の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ＥＬ素子は、対向する電極から注入された正孔および電子が発光層内で結合し、そのエネルギーで発光層中の蛍光物質を励起し、蛍光物質に応じた色の発光を行うものであり、自発光の面状表示素子として注目されている。その中でも、有機物質を発光材料として用いた有機薄膜ＥＬディスプレイは、印加電圧が１０Ｖ弱であっても高輝度な発光が実現するなど発光効率が高く、単純な素子構造で発光が可能で、特定のパターンを発光表示させる広告その他低価格の簡易表示ディスプレイへの応用が期待されている。
【０００３】
このようなＥＬ素子を用いたディスプレイの製造にあっては、第１電極層や有機ＥＬ層のパターニングが通常なされている。このＥＬ素子のパターニング方法としては、発光材料をシャドウマスクを介して蒸着する方法、インクジェットによる塗りわけ方法、紫外線照射により特定の発光色素を破壊する方法、スクリーン印刷法等がある。しかしながら、これらの方法では、発光効率や光の取り出し効率の高さ、製造工程の簡便さや高精細なパターン形成の全てを実現するＥＬ素子を提供することはできなかった。
【０００４】
このような問題点を解決する手段として、有機ＥＬ層をフォトリソグラフィー法によりパターニングすることにより形成するＥＬ素子の製造方法が提案されている。この方法によれば、従来行われてきた蒸着によるパターニング法と比較すると、高精度のアライメント機構を備えた真空設備等が不要であることから、比較的容易にかつ安価に製造することができる。一方、インクジェット方式を用いたパターニング法と比較すると、パターニングを補助する構造物や基板に対する前処理等を行うことがない点で好ましく、さらにインクジェットヘッドの吐出精度との関係から、フォトリソグラフィー法による製造方法の方がより高精細なパターンの形成に対しては好ましい方法であるといった利点を有するものであった。
【０００５】
図３は、このような利点を有するフォトリソグラフィー法により複数の発光層を有するＥＬ素子を製造する方法について示したものである。以下、図３について説明する。
【０００６】
まず、図３（ａ）に示すように、パターン状に形成された第１電極層３２が形成されている基板３１上に、第１発光層形成用塗工液を塗布し第１発光層３３を成膜し、さらに上記第１発光層３３上にポジ型フォトレジスト層３４を形成する。
【０００７】
次いで、図３（ｂ）に示すように、第１発光部が形成される位置のみ遮光部となるようにマスク３５を介して紫外線３６を照射し、フォトレジスト現像液により現像、洗浄することにより、図３（ｃ）に示すように、第１発光部が形成される位置のみフォトレジスト層３４が残存する。
【０００８】
さらに、パターン状に形成されたフォトレジスト層３４をマスクとして、エッチングすることにより、図３（ｄ）に示すように、第１発光層３３がパターン状にエッチングされ、第１発光部３３'が形成される。
【０００９】
次いで、２色目の発光層のパターニングを行う。まず、図３（ｅ）に示すように、第１発光部３３'がパターン状に形成されている基板３１上に、第２発光層形成用塗工液を塗布し、第２発光層３７を形成する。さらに、第２発光層３７上にポジ型のフォトレジストを塗布し第２フォトレジスト層３４'を成膜する。
【００１０】
図３（ｆ）に示すように、このような第２フォトレジスト層３４'に対し、第１発光部３３'が形成されている位置および第２発光部が形成される位置が未露光部となるようにマスク３５を介して紫外線３６をパターン照射する。その後、フォトレジスト現像液により現像、洗浄することにより、図３（ｇ）に示すように、露光部の第２フォトレジスト層３４'が除去され、第１発光部３３'および第２発光部が形成される位置のみ第２フォトレジスト層３４'が残存する。
【００１１】
さらに、露光部の第２フォトレジスト層３４'が除去され第２発光層３７のうち剥き出しとなった部分をエッチングすることにより、図３（ｈ）に示すように、第２発光層３７がパターン状にエッチングされ、第２発光部３７'が形成される。
【００１２】
さらに、３色目の発光層のパターニングを行う。図３（ｉ）に示すように、第３発光層形成用塗工液を塗布し、第３発光層３８を成膜し、その上にポジ型フォトレジストを全面塗布し、第３フォトレジスト層３４''を形成する。次いで、図３（ｊ）に示すように、第１発光部３３'、第２発光部３７'および第３発光部が形成される部分をフォトマスク３５でマスクし、紫外線３６をパターン露光する。
【００１３】
これをフォトレジスト現像液によって現像し、洗浄すると、図３（ｋ）に示すように、第３フォトレジスト層３４''がパターン状に形成される。
【００１４】
次いで、第３フォトレジスト層３４''の露光部が除去され剥き出しとなった第３発光層３８をエッチングすることにより、図３（ｌ）に示すように、第３発光層３８がパターン状に形成され、第３発光部３８'を得る。
【００１５】
その後、各発光部３３'、３７'および３８'上に積層しているフォトレジスト層等の不要な層を剥離することにより、図３（ｍ）に示すようにパターニングされた各発光部３３'、３７'および３８'を得ることができる。
【００１６】
この後、各発光部３３'、３７'および３８'上に第２電極層等を形成することにより、図の下方に発光を放つＥＬ素子が製造される。
【００１７】
しかしながら、このような利点を有するフォトリソグラフィー法であっても、発光層のパターニングが終了し、フォトレジスト層を剥離する際に、その剥離が容易に進行しないといった不都合が生じる場合がある。これは、フォトレジスト層を剥離するフォトレジスト剥離液を選定する際、有機ＥＬ層に対しては難溶でありフォトレジスト層には可溶である条件を満たす溶媒に限定されることから選定が難しく、さらに、このようなフォトレジスト剥離液とフォトレジスト層との接触面積が小さい場合は、フォトレジスト剥離液の作用がフォトレジスト層に及びにくいといったことを要因とするものである。
【００１８】
そこで、このような不都合を解消すべく、フォトレジスト剥離液に基板等を長時間曝す方法等が提案されている。しかしながら、このような方法を講じてもフォトレジスト層を良好に剥離することは難しく、また、逆に基板等が損傷するといった新たな問題点も生じさせることとなった。
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、フォトレジスト層等の不要な層を剥離する際に、その剥離を良好に行うことが可能なＥＬ素子の製造方法を提供することを主目的とするものである。
【００２０】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は、請求項１に記載するように、少なくとも電極層が形成された基板上に有機ＥＬ層を形成する有機ＥＬ層形成工程と、上記有機ＥＬ層上に剥離層を形成する剥離層形成工程と、上記剥離層上にフォトレジスト層を形成するフォトレジスト層形成工程と、上記フォトレジスト層を露光して現像することによりパターニングするフォトレジスト層パターニング工程と、上記フォトレジスト層により被覆されていない部分の有機ＥＬ層を除去する有機ＥＬ層現像工程と、上記剥離層を剥離することにより、その上に積層されたフォトレジスト層をも除去する剥離層剥離工程とを有することを特徴とするＥＬ素子の製造方法を提供する。
【００２１】
本発明は、剥離性に優れた剥離層を有機ＥＬ層上に設けることにより、剥離層剥離工程において容易に剥離層を剥離することを可能とするものであるので、剥離層と共に剥離層上に位置する他の層をも同時に容易に除去することができる。
従って、従来、剥離することが困難であったフォトレジスト層等の不要な層を、容易に剥離することができるのである。
【００２２】
上記請求項１に記載された発明においては、請求項２に記載するように、上記剥離層は上記フォトレジスト層形成用溶媒に不溶であり、上記有機ＥＬ層は上記剥離層形成用溶媒に不溶である材料が用いられていることが好ましい。このようにすることにより、積層される各層が混ざり合うことなく形成することが可能となるからである。
【００２３】
上記請求項１または請求項２に記載された発明においては、請求項３に記載するように、上記剥離層が、上記フォトレジスト層の現像に用いられるフォトレジスト現像液に対して不溶であることが好ましい。フォトレジスト層と共に剥離層がパターニングされることがないため、フォトレジスト層パターニング工程の際、剥離層の下に位置する有機ＥＬ層がフォトレジスト現像液に接触することが回避される。従って、有機ＥＬ層の材料を選定する際に、この点を考慮しなくてもよいため材料選択の幅を広げることができるからである。
【００２４】
上記請求項１または請求項２に記載された発明においては、請求項４に記載するように、上記剥離層が、上記フォトレジスト層の現像に用いられるフォトレジスト現像液に可溶であり、上記有機ＥＬ層が、上記フォトレジスト現像液に不溶であることが好ましい。フォトレジスト層をパターニングする際に、フォトレジスト層と同時に剥離層もフォトレジスト現像液により現像することができ、その際、フォトレジスト現像液により、有機ＥＬ層が膨潤、溶出する不都合を回避することができるからである。
【００２５】
上記請求項１から請求項４までのいずれかの請求項に記載された発明においては、請求項５に記載するように、上記剥離層の膜厚が、０．０５μｍ〜５μｍの範囲内であることが好ましい。剥離層は、剥離層剥離液と接触させることにより剥離されるが、上記範囲内の膜厚であれば、剥離層剥離液との接触面積を充分に確保することができ、速やかに剥離層を剥離することができるからである。
【００２６】
上記請求項１から請求項５までのいずれかの請求項に記載された発明においては、請求項６に記載するように、上記有機ＥＬ層が、発光層であることが好ましい。ＥＬ素子において、発光層は必須の層であり、かつ、高精細なパターンを得ることができるからである。
【００２７】
上記請求項１から請求項６までのいずれかの請求項に記載された発明においては、請求項７に記載するように、上記有機ＥＬ層現像工程が、ドライエッチング法を用いる工程であること好ましい。ドライエッチング法を用いることにより、有機ＥＬ層形成工程において、基板等を溶液等に浸漬させることがないため、そのような溶液により基板等が損傷することを防止することができるからである。
【００２８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明のＥＬ素子の製造方法について説明する。
【００２９】
Ｉ．ＥＬ素子の製造方法
本発明のＥＬ素子の製造方法は、少なくとも電極層が形成された基板上に有機ＥＬ層を形成する有機ＥＬ層形成工程と、上記有機ＥＬ層上に剥離層を形成する剥離層形成工程と、上記剥離層上にフォトレジスト層を形成するフォトレジスト層形成工程と、上記フォトレジスト層を露光して現像することによりパターニングするフォトレジスト層パターニング工程と、上記フォトレジスト層により被覆されていない部分の有機ＥＬ層を除去する有機ＥＬ層現像工程と、上記剥離層を剥離することにより、その上に積層されたフォトレジスト層をも除去する剥離層剥離工程とを有することを特徴とするものである。
【００３０】
ここで、本発明における「剥離層」とは、当該剥離層を剥離する剥離層剥離液に対する溶解性が高く、剥離性に優れている層を意味するものである。
【００３１】
本発明においては、このような剥離層を有機ＥＬ層上に設けることにより、剥離層剥離工程において、容易に剥離層を剥離することができる。従って、剥離層が剥離される際に、剥離層上に成膜されている他の層、例えば、フォトレジスト層等も同時に剥離されるため、従来、困難であったフォトレジスト層の剥離が容易となるのである。
【００３２】
このような利点を有する本発明のＥＬ素子の製造方法について、各工程ごとに詳細に説明する。
【００３３】
Ａ．有機ＥＬ層形成工程
本発明における有機ＥＬ層形成工程とは、少なくとも電極層が形成されている基板上に有機ＥＬ層形成用塗工液を塗布することにより有機ＥＬ層を形成する工程である。
【００３４】
以下、本工程を構成する有機ＥＬ層について説明する。
【００３５】
（有機ＥＬ層）
本発明における有機ＥＬ層としては、具体的には、少なくとも発光層が含まれている必要があり、その他、バッファー層、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層等が組み合わされていてもよい。
【００３６】
また、後述する有機ＥＬ層現像工程によりパターニングされる有機ＥＬ層は、上述した有機ＥＬ層を構成するいずれの層であってもよいが、本発明においては、発光層もしくはバッファー層であることが好ましく、中でも発光層を有機ＥＬ層としてパターニングしたものであることが、本発明の効果を最大限に発揮することができる点で好ましい。さらに、発光特性の面から、この発光層とバッファー層とを有機ＥＬ層としてパターニングすることも可能である。
【００３７】
以下、本発明における有機ＥＬ層の具体的態様として発光層およびバッファー層について説明する。
【００３８】
（１）発光層
まず、有機ＥＬ層として必須の層である発光層について説明する。
【００３９】
このような発光層は、発光層形成用塗工液を塗布することにより形成される。
発光層形成用塗工液としては、通常、発光材料、溶媒およびドーピング剤等の添加剤により構成されるものである。
【００４０】
また、本発明においては、剥離層を発光層上に形成するため、剥離層形成用溶媒に対し、発光層を構成する上記各材料が不溶であることが好ましい。さらに、本発明においては、後述するフォトレジスト層パターニング工程において、剥離層がフォトレジスト層と共にパターニングされる場合は、フォトレジスト現像液と発光層とが接触するため、発光層を構成する上記各材料はフォトレジスト現像液に不溶であることが好ましい。
【００４１】
なお、フルカラーのＥＬ素子を製造する場合には、複数色の発光層が形成されるものであるので、複数種類の発光層形成用塗工液が通常用いられる。以下、発光層を形成する発光層形成用塗工液の各材料について説明する。
【００４２】
１．発光材料
本発明において用いることができる発光層を形成する材料としては、例えば以下のものが挙げられる。
【００４３】
▲１▼．色素系材料
色素系材料としては、シクロペンダミン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、トリフェニルアミン誘導体、オキサジアゾ−ル誘導体、ピラゾロキノリン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、シロール誘導体、チオフェン環化合物、ピリジン環化合物、ペリノン誘導体、ペリレン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、トリフマニルアミン誘導体、オキサジアゾールダイマー、ピラゾリンダイマー等を挙げることができる。
【００４４】
▲２▼．金属錯体系材料
金属錯体系材料としては、アルミキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾール亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、ユーロピウム錯体等、中心金属に、Ａｌ、Ｚｎ、Ｂｅ等または、Ｔｂ、Ｅｕ、Ｄｙ等の希土類金属を有し、配位子にオキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造等を有する金属錯体等を挙げることができる。
【００４５】
▲３▼．高分子系材料
高分子系の材料としては、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体等、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、上記色素体、金属錯体系発光材料を高分子化したもの等を挙げることができる。
【００４６】
本発明においては、発光層形成用塗工液を用いてフォトリソグラフィー法により発光部を精度よく形成することができるという利点を活かすという観点から、発光材料として上記高分子材料を用いたものがより好ましい。
【００４７】
２．ドーピング材料
発光層中に発光効率の向上、発光波長を変化させる当の目的でドーピングを行うことができる。このドーピング材料としては例えば、ペリレン誘導体、クマリン誘導体、ルブレン誘導体、キナクリドン誘導体、スクアリウム誘導体、ポルフィレン誘導体、スチリル系色素、テトラセン誘導体、ピラゾリン誘導体、デカシクレン、フェノキサゾン等を挙げることができ。
【００４８】
３．発光層形成用溶媒
発光層形成用溶媒は、後述するバッファー層と用いる場合、発光層の成膜の際にバッファー層と発光層とを構成する材料が混合や溶解することを防ぎ、発光材料本来の発光特性を保つためにバッファー層を溶解しないものであることが望ましい。
【００４９】
このような観点から、発光層形成用溶媒はバッファー層材料に対する溶解度が２５℃、１気圧で０．００１（ｇ／ｇ溶媒）以下の溶媒を選択することが好ましく、さらに好ましくは０．０００１（ｇ／ｇ溶媒）以下の溶媒を選択することが好ましい。
【００５０】
さらに発光層形成用塗工液の溶媒は、発光層を複数層塗布する場合、２色目以降の発光層成膜の際に、フォトレジスト層と発光層とを構成する材料が混合や溶解することを防ぎ、さらに、すでにパターニングされている発光層を保護するためにフォトレジストを溶解しないことが望ましい。
【００５１】
このような観点から、発光層形成用溶媒はフォトレジストに対する溶解度が２５℃、１気圧で０．００１（ｇ／ｇ溶媒）以下の溶媒を選択することが好ましく、さらに好ましくは０．０００１（ｇ／ｇ溶媒）以下の溶媒を選択することが好ましい。例えば、バッファー層が水系やＤＭＦ、ＤＭＳＯ、アルコール等の極性溶媒に溶解し、フォトレジストが一般的なノボラック系ポジレジストの場合、ベンゼン、トルエン、キシレンの各異性体およびそれらの混合物、メシチレン、テトラリン、ｐ−シメン、クメン、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、ブチルベンゼン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼンの各異性体およびそれらの混合物等をはじめとする芳香族系溶媒、アニソール、フェネトール、ブチルフェニルエーテル、テトラヒドロフラン、２−ブタノン、１，４−ジオキサン、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジフェニルエーテル、ジベンジルエーテル、ジグライム等をはじめとするエーテル系溶媒、ジクロロメタン、１，１−ジクロロエタン、１，２−ジクロロエタン、トリクロロエチレン、テトラクロロエチレン、クロロホルム、四塩化炭素、１−クロロナフタレン等のクロル系溶媒、シクロヘキサノン等が挙げられるが、この他でも条件を満たす溶媒であれば使用可能であり、２種以上の混合溶媒であっても良い。
【００５２】
（２）バッファー層
次いで、バッファー層について説明する。
【００５３】
本発明でいうバッファー層とは、発光層に電荷の注入が容易に行われるように、陽極と発光層との間または陰極と発光層との間に設けられる、有機物、特に有機導電対などを含む層である。例えば、発光層への正孔注入効率を高めて、電極などの凹凸を平坦化する機能を有する導電性高分子とすることができる。
【００５４】
本発明に用いられるバッファー層は、その導電性が高い場合、素子のダイオード特性を保ち、クロストークを防ぐためにパターニングされていることが望ましい。したがって、本発明によりパターニングされて形成されることが望ましいのである。なお、バッファー層の抵抗が高い場合等はパターニングされていなくても良い場合もあり、またバッファー層が省ける素子の場合はバッファー層を設けなくても良い場合もある。
【００５５】
本発明において、バッファー層および発光層の両者が上記有機ＥＬ層としてフォトリソグラフィー法によりパターニングされて形成される場合は、バッファー層を形成する材料が、フォトレジスト層形成用溶媒および発光層形成に用いる溶媒に不溶であるものを選択することが好ましい。
【００５６】
本発明に用いられるバッファー層を形成する材料としては、具体的にはポリアルキルチオフェン誘導体、ポリアニリン誘導体、トリフェニルアミン等の正孔輸送性物質の重合体、無機酸化物のゾルゲル膜、トリフルオロメタン等の有機物の重合膜、ルイス酸を含む有機化合物膜等が挙げられるが、上述したような溶解性に関する条件を満たしていれば特に限定されず、成膜後に反応、重合あるいは焼成等により上記の条件を満たしても良い。
【００５７】
また、本発明においてバッファー層を形成する際に用いられる溶媒としては、バッファー材料が分散または溶解していればよく、特に制限されるものではないが、フルカラーのパターニング等において、複数回のバッファー層の成膜が必要である場合、フォトレジスト材料を溶解しないバッファー層溶媒を用いる必要があり、さらに好ましくは発光層を溶解しないバッファー層溶媒であることが好ましい。本発明に用いることができるバッファー層溶媒としては、レジスト材料の溶解度が、２５℃、１気圧で０．００１（ｇ／ｇ溶媒）以下の溶媒を選択することが好ましく、さらに好ましくは０．０００１（ｇ／ｇ溶媒）以下の溶媒を選択することである。またバッファー層溶媒としてさらに好ましくは、発光材料の溶解度が、２５℃、１気圧で０．００１（ｇ／ｇ溶媒）以下の溶媒を選択することであり、特に０．０００１（ｇ／ｇ溶媒）以下の溶媒を選択することが好ましい。例えば、水、メタノール、エタノールをはじめとするアルコール類、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン等の溶媒が挙げられるが、この他でも条件を満たす溶媒であれば使用可能である。また、２種以上の溶媒を混合して用いても良い。
【００５８】
Ｂ．剥離層形成工程
次いで、剥離層形成工程について説明する。
【００５９】
本発明における剥離層形成工程とは、上記有機ＥＬ層上に、剥離層形成用塗工液を塗布し、乾燥させることにより剥離層を形成する工程である。
【００６０】
上述したように本発明における「剥離層」とは、剥離層を剥離する際に用いられる剥離層剥離液に対する溶解性が高く、剥離性に優れている層を示している。
【００６１】
本発明においては、このような剥離層を有機ＥＬ層上に設けたことを特徴とする。これにより、有機ＥＬ層のパターニングが終了した後に行われるフォトレジスト層等の不要な層を除去する工程において、不要な層の除去を容易とし、良好な状態でフォトレジスト層等が剥離されることを可能とするのである。従って、従来、フォトレジスト層を剥離する際の処理の影響から発生することがあった基板等の損傷を回避することができ、歩留まりを向上させることができるといった利点を有する。
【００６２】
以下、このような利点を有する本工程における剥離層について詳細に説明する。
【００６３】
（剥離層）
まず、剥離層の膜厚としては、０．０５μｍ〜５μｍの範囲内、その中でも、０．１μｍ〜１μｍの範囲内であることが好ましい。上記範囲内の膜厚とすることにより、剥離層剥離液を剥離層に接触させた場合、剥離層剥離液の作用を剥離層に及ばせるために必要な接触面積が充分に確保されるからである。
【００６４】
本発明においては、このような剥離層を、剥離層形成用塗工液を塗布し、乾燥させることにより形成する。以下、剥離層を形成する際に用いる剥離層形成用塗工液を構成する各材料について説明する。
【００６５】
（１）剥離材料
本発明に用いられる剥離層を構成する剥離材料としては、剥離層を剥離する際に用いる剥離層剥離液に対する溶解性が高いものであれば特に限定されない。
【００６６】
このような材料としては、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、尿素樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂等を挙げることができる。
【００６７】
また、本発明においては、剥離層は、後述するフォトレジスト層パターニング工程において、フォトレジスト層と共にパターニングされる場合と、パターニングされない場合とがある。
【００６８】
例えば、剥離層がフォトレジスト層と共にパターニングされる場合は、フォトレジスト層をパターニングする際に用いるフォトレジスト現像液に対し、剥離材料が可溶であることが好ましい。さらに、本発明においては、剥離層上にフォトレジスト層が積層されるため、剥離材料がフォトレジスト層形成用溶媒に対して不溶であることが好ましい。このような剥離材料を用いることにより、フォトレジスト層と共に剥離層をパターニングすることが可能となり、かつ、剥離層上にフォトレジストを塗布する際に、両者が混合することが回避されるからである。
【００６９】
一方、後述するフォトレジスト層パターニング工程において、剥離層がフォトレジスト層と共にパターニングされない場合には、フォトレジスト現像液に対して剥離材料が不溶であることが好ましい。さらに、上述するようにフォトレジスト層形成用溶媒に対しても不溶であることが好ましい。これにより、フォトレジスト層のパターニングの際に剥離層が除去されることがないため、有機ＥＬ層がフォトレジスト現像液に接触することが回避され、有機ＥＬ層の材料を選定する際に、この点を考慮しなくてもよいことから、その選択の幅を広げることができるのである。
【００７０】
上記各々の場合における材料を適当な溶媒に溶解させ塗工液としたものを剥離層形成用塗工液として用いることができる。
【００７１】
（２）剥離層形成用溶媒
本発明においては、上記剥離材料を剥離層形成用溶媒に溶解させ剥離層形成用塗工液とする。このような剥離層形成用塗工液を有機ＥＬ層上に塗布し、乾燥させることにより剥離層を形成する。従って、この剥離層形成用溶媒としては、有機ＥＬ層に対する溶解度が２５℃、１気圧で、０．００１（ｇ／ｇ溶媒）以下の溶媒を選択することが好ましく、さらに好ましくは、０．０００１（ｇ／ｇ溶媒）以下の溶媒を選択することが好ましい。
【００７２】
このような剥離層形成用溶媒としては、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル類、ヘキサン、シクロヘキサン等の飽和炭化水素類等が挙げられる。
【００７３】
Ｃ．フォトレジスト層形成工程
本発明におけるフォトレジスト層形成工程とは、上記剥離層形成工程により形成された剥離層上に、フォトレジストを塗布し、フォトレジスト層を形成する工程である。
【００７４】
このような本工程において、本工程を構成するフォトレジスト、フォトレジスト層形成用溶媒について説明する。
【００７５】
（１）フォトレジスト
本発明において用いることができるフォトレジストは、ポジ型であってもネガ型であっても特に限定されるものではないが、複数色の発光層を有するＥＬ素子を製造する際には、フォトレジスト層上に有機ＥＬ層を積層させるため、有機ＥＬ層形成用溶媒に対し不溶であるものが好ましい。
【００７６】
具体的に用いることができるフォトレジストとしては、ノボラック樹脂系、ゴム＋ビスアジド系等を挙げることができる。
【００７７】
（２）フォトレジスト層形成用溶媒
本発明においてフォトレジスト層形成用溶媒は、フォトレジスト層を成膜する際に、フォトレジストを溶解させ塗布する際に用いられる。また、本発明においては、フォトレジスト層は、剥離層上に成膜されることから、剥離層を構成する剥離材料がフォトレジスト層形成用溶媒に不溶であることが好ましい。この点を考慮すると、本発明に使用することができるフォトレジスト層形成用溶媒としては、剥離層を構成する剥離材料に対する溶解度が、２５℃、１気圧で０．００１（ｇ／ｇ溶媒）以下の溶媒を選択することが好ましく、さらに好ましくは０．０００１（ｇ／ｇ溶媒）以下の溶媒を選択することが好ましい。
【００７８】
さらに、有機ＥＬ層としてバッファー層を設ける場合には、バッファー層形成材料が水系の溶媒に溶解し、発光層が芳香族系等の無極性有機溶媒に溶解する場合に用いることができるフォトレジスト層形成用溶媒としては、アセトン、メチルエチルケトンをはじめとするケトン類、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、をはじめとするセロソルブアセテート類、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルをはじめとするセロソルブ類、メタノール、エタノール、１−ブタノール、２−ブタノール、シクロヘキサノールをはじめとするアルコール類、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル系溶媒、シクロヘキサン、デカリン等が挙げられるが、この他でも条件を満たす溶媒であれば使用可能であり、２種以上の混合溶媒であっても良い。
【００７９】
Ｄ．フォトレジスト層パターニング工程
本発明におけるフォトレジスト層パターニング工程とは、上記フォトレジスト層に紫外線をパターン照射した後、フォトレジスト現像液により現像、洗浄することにより、所望のパターンにフォトレジスト層をパターニングする工程である。
【００８０】
以下、本工程において用いるフォトレジスト現像液について説明する。
【００８１】
（フォトレジスト現像液）
本発明においてフォトレジスト現像液は、フォトレジスト層をパターン状に形成する際に用いられるものである。このようなフォトレジスト現像液としては、上記フォトレジストを現像するものであれば特に限定されるものではない。具体的には、一般的に使用されている有機アルカリ系現像液を使用できるが、そのほかに、無機アルカリ、またはレジストの現像が可能な水溶液を使用することができる。フォトレジスト層の現像を行った後は水で洗浄するのが望ましい。
【００８２】
また、本工程においては、上述したように、剥離層がフォトレジスト層と共にパターニングされる場合と、パターニングされない場合とがある。
【００８３】
まず、剥離層がフォトレジスト層と共にパターニングされる場合におけるフォトレジスト現像液としては、剥離層が可溶であることが好ましく、かつ、有機ＥＬ層は不溶であることが好ましい。剥離層がフォトレジスト層と共にパターニングされた後は、有機ＥＬ層がフォトレジスト現像液と接触するため、この際に、有機ＥＬ層が膨潤、溶出するといった不都合を回避することができるからである。
【００８４】
このような現像液としては、発光層を構成する材料に対する溶解度が、２５℃、１気圧で０．００１（ｇ／ｇ現像液）以下の現像液であることが好ましく、さらに好ましくは０．０００１（ｇ／ｇ現像液）以下の現像液を選択することである。
【００８５】
一方、剥離層がフォトレジストと共にパターニングされない場合には、剥離層が不溶であるフォトレジスト現像液であることが好ましい。このようなフォトレジスト現像液としては、剥離層を構成する材料に対する溶解度が、２５℃、１気圧で０．００１（ｇ／ｇ現像液）以下の現像液であることが好ましく、さらに好ましくは０．０００１（ｇ／ｇ現像液）以下の現像液を選択することである。
【００８６】
Ｅ．有機ＥＬ層現像工程
次いで、有機ＥＬ層現像工程について説明する。
【００８７】
本発明における有機ＥＬ層現像工程とは、パターン状に形成されたフォトレジスト層をマスクとして、有機ＥＬ層をパターン状に形成する工程である。
【００８８】
このように有機ＥＬ層をパターン状に形成する方法としては、有機ＥＬ層を溶解する溶媒を用いる湿式法、およびドライエッチングを用いる乾式法を用いることができる。以下、それぞれの方法について説明する。
【００８９】
（湿式法）
この場合の湿式法とは、フォトレジストを剥離することなく、有機ＥＬ層を溶解または剥離することができる溶媒を用いて有機ＥＬ層を溶解させて除去する方法である。
【００９０】
本発明においては、上記フォトレジスト層パターニング工程において、剥離層がフォトレジスト層と共にパターニングされる場合と、パターニングされない場合とがある。
【００９１】
まず、上記フォトレジスト層パターニング工程において、剥離層が除去される場合について説明する。この場合は、剥離層を溶解させずに、有機ＥＬ層を溶解または剥離することができる溶媒を用いることにより有機ＥＬ層をパターン状に形成することができる。
【００９２】
この際用いることができる溶媒としては、有機ＥＬ層の溶媒を用いることができる他、上記条件を満たす溶媒であれば他の溶媒を選択することもできる。
【００９３】
一方、上記フォトレジスト層パターニング工程において、剥離層がフォトレジスト層と共にパターニングされない場合は、剥離層および有機ＥＬ層の両方を溶解または剥離することができる溶媒を用いることにより、剥離層および有機ＥＬ層を同時にパターン状に除去することができる。
【００９４】
さらに、剥離層を溶解または剥離することができる溶媒を用いて、剥離層を除去した後に、剥離層は溶解させずに有機ＥＬ層を溶解または剥離する溶媒を用いることにより、有機ＥＬ層をパターン状に除去する方法であってもよい。
【００９５】
（乾式法）
乾式法とは、ドライエッチングを用いてパターン状に形成されているフォトレジスト層をマスクとして、フォトレジスト層が除去され露出している有機ＥＬ層または剥離層をエッチングする方法である。
【００９６】
通常、フォトレジスト層は、有機ＥＬ層または剥離層よりも、かなり厚く成膜されることから、全体的にドライエッチングを行うことにより、有機ＥＬ層または剥離層を除去することができるのである。
【００９７】
この場合、フォトレジスト層の膜厚は、０．１〜１０μｍの範囲内であることが好ましく、さらに好ましくは、０．５〜５μｍの範囲内である。
【００９８】
上記範囲内の膜厚とすることにより、基板等を損傷することなく、剥離層および有機ＥＬ層の両方を同時にパターン状に形成することが可能となる。
【００９９】
このようなドライエッチング法としては、ドライエッチングが、反応性イオンエッチングであることが好ましい。反応性イオンエッチングを用いることにより、剥離層および有機ＥＬ層等の有機系の層が化学的に反応を受け、分子量の小さい化合物となることにより、気化・蒸発して基板上から除去することができ、エッチング精度の高い、短時間の加工が可能となるからである。
【０１００】
また、上記ドライエッチングに際して、酸素単体または酸素を含むガスを用いることが好ましい。酸素単体または酸素を含むガスを用いることで剥離層または有機ＥＬ層の酸化反応による分解除去が可能であり、基板上から不要な部分の剥離層または有機ＥＬ層を除去することができ、エッチング精度の高い、短時間の加工が可能である。また、この条件では、通常用いられるＩＴＯ等の酸化物透明導電膜をエッチングすることがないので、電極特性を損なうことなく、電極表面を浄化することができる点においても効果的である。
【０１０１】
さらに、本発明においては上記ドライエッチングに、大気圧プラズマを用いることが好ましい。大気圧プラズマを用いることで、通常真空装置が必要であるドライエッチングが大気圧下で行なうことができ、処理時間の短縮、およびコストの低減が可能である。この場合、エッチングはプラズマ化した大気中の酸素によって有機物が酸化分解することを利用することができるが、ガスの置換および循環によって反応雰囲気のガス組成を任意に調整してもよい。
【０１０２】
本発明においては、湿式法を用いると、溶媒によっては発光部上に形成されている剥離層まで剥離してしまう可能性があるため、このようなおそれのないドライエッチングにより有機ＥＬ層を現像する方法であることが好ましい。
【０１０３】
Ｆ．剥離層剥離工程
次いで、剥離層剥離工程について説明する。
【０１０４】
本発明における剥離層剥離工程とは、有機ＥＬ層上に位置する剥離層を剥離する工程である。
【０１０５】
本工程は、剥離層を剥離する工程であるが、この際に、剥離層上に積層している不要な層、例えば、フォトレジスト層等も剥離層と共に除去される。従って、従来、剥離することが困難であったフォトレジスト層を、剥離層を設けることにより、その剥離が容易となり、基板等の損傷が少ないＥＬ素子を提供することができるという利点を有する。
【０１０６】
このような本工程において、剥離層を剥離する際に用いる剥離層剥離液について説明する。
【０１０７】
（剥離層剥離液）
上記剥離層を剥離する際に用いる剥離層剥離液としては、パターン状に形成された有機ＥＬ層を溶解させずに、剥離層を溶解させることができるものであれば特に限定されない。例えば、上述した剥離層形成用溶媒をそのまま使用することが可能である。その他、上記条件を満たすものであれば使用することが可能である。
【０１０８】
このような剥離層剥離液としては、剥離層を構成する剥離材料に対する溶解度が、２５℃、１気圧で、０．００１（ｇ／ｇ剥離層液）以上の剥離層剥離液であることが好ましく、さらに好ましくは０．０１（ｇ／ｇ剥離層剥離液）以上の剥離層剥離液を選択することである。
【０１０９】
ＩＩ．複数色の発光層を有するＥＬ素子の製造方法
本発明においては、上述した各工程を行うことにより少なくとも１色の発光層を有する有機ＥＬ層を製造することができる。
【０１１０】
さらに、上述の工程を複数回繰り返すことにより複数色の発光層を有するＥＬ素子を製造することも可能となる。そこで、このような複数色の発光層を有するＥＬ素子の製造方法の一例として、３色の発光層を有する場合について説明する。
【０１１１】
３色の発光層を有するＥＬ素子の製造方法としては、少なくとも電極層がパターン状に形成された基板上に第１発光層形成用塗工液を塗布し、第１発光層を形成する第１発光層形成工程と、上記第１発光層上に第１剥離層形成用塗工液を塗布し第１剥離層を形成する第１剥離層形成工程と、上記第１剥離層上にフォトレジストを塗布し第１フォトレジスト層を形成する第１フォトレジスト層形成工程と、上記第１フォトレジスト層を露光して現像することにより、第１発光部が形成される領域上のみ第１フォトレジスト層が残存するようにパターニングする第１フォトレジスト層パターニング工程と、上記第１フォトレジスト層が除去された部分の第１発光層を除去する第１発光層現像工程と、表面に第１剥離層および第１フォトレジスト層がこの順に積層されている第１発光部を少なくとも有する基板上に、第２発光層形成用塗工液を塗布し第２発光層を形成する第２発光層形成工程と、上記第２発光層上に剥離層形成用塗工液を塗布し第２剥離層を形成する第２剥離層形成工程と、上記第２剥離層上にフォトレジストを塗布し第２フォトレジスト層を形成する第２フォトレジスト層形成工程と、上記第２フォトレジスト層を露光して現像することにより少なくとも第２発光部が形成される部分の第２フォトレジスト層が残存するようにパターニングする第２フォトレジスト層パターニング工程と、上記第２フォトレジスト層が除去された部分の第２発光層を除去する第２発光層現像工程と、少なくとも第１発光部および第２剥離層を有する基板上に、第３発光層形成用塗工液を塗布し第３発光層を形成する第３発光層形成工程と、上記第３発光層上に剥離層形成用塗工液を塗布し第３剥離層を形成する第３剥離層形成工程と、上記第３剥離層上にフォトレジストを塗布し第３フォトレジスト層を形成する第３フォトレジスト層形成工程と、上記第３フォトレジスト層を露光して現像することにより少なくとも第３発光部が形成される部分の第３フォトレジスト層が残存するようにパターニングする第３フォトレジスト層パターニング工程と、上記第３フォトレジスト層が除去された部分の第３発光層を除去する第３発光層現像工程と、上記各剥離層を剥離することにより、その上に積層された各フォトレジスト層をも除去する各剥離層剥離工程とを有するものを挙げることができる。
【０１１２】
また、本発明において「発光層」とは、発光層形成用塗工液を塗布し、乾燥させることにより形成された層を意味し、「発光部」とは所定の位置に形成された発光層を意味するものとする。
【０１１３】
上記製造方法により、３色の発光部を有するＥＬ素子を製造することができる。また、この場合においても、最終的にフォトレジスト層等の不要な層を取り除く際に、各剥離層剥離工程を行うことにより、剥離性に優れた各剥離層が容易に剥離されることから、この各剥離層と同時に各剥離層上に位置する各フォトレジスト層も容易に剥離することが可能となる。
【０１１４】
上記３色の発光部を有するＥＬ素子の製造方法においては、各発光層をパターニングする際の露光位置により、２つの実施態様に分けることができる。
【０１１５】
以下、３色の発光部を有するＥＬ素子の製造方法について、両実施態様について説明する。
【０１１６】
（１）第１実施態様
第１実施態様は、各々の発光部のパターニングが終了した時点で、各発光部上には、その発光部と異なる色を呈する発光層が積層されていないように各発光部をパターニングする態様である。
【０１１７】
図１は、このような第１実施態様のＥＬ素子の製造方法についてその一例を図示したものである。以下、この図１について具体的に説明する。
【０１１８】
まず、図１（ａ）に示すように、パターン状に形成された電極層２を有する基板１上に、第１発光層形成用塗工液を塗布し第１発光層３を形成し（第１発光層形成工程）、当該第１発光層３上に剥離層形成用塗工液を塗布し第１剥離層４を形成し（第１剥離層形成工程）、さらに、当該第１剥離層４上にポジ型フォトレジストを塗布し第１フォトレジスト層５を形成する（第１フォトレジスト層形成工程）。
【０１１９】
次いで、図１（ｂ）に示すように第１発光部が形成される部分の第１フォトレジスト層５が未露光部となるように、マスク６を介し紫外線７をパターン状に露光する。その後、第１フォトレジスト層５をフォトレジスト現像液により現像し、洗浄することにより、図１（ｃ）に示すように、第１発光部が形成される部分のみ第１フォトレジスト層５が残存する（第１フォトレジスト層パターニング工程）。この際、第１剥離層４を溶解するフォトレジスト現像液を用いた場合には、この第１フォトレジスト層パターニング工程において、第１剥離層４も第１フォトレジスト層５と同様にパターニングされる。
【０１２０】
さらに、パターン状に形成された第１フォトレジスト層５をマスクとして、ドライエッチングによりエッチングすることにより、図１（ｄ）に示すように、第１発光層３がパターン状に形成された第１発光部３'を得る（第１発光層現像工程）。
【０１２１】
次いで、図１（ｅ）に示すように、表面に第１剥離層４および第１フォトレジスト層５を有する第１発光部３'が少なくとも形成されている基板１上に、第２発光層形成用塗工液を塗布し第２発光層８を形成し（第２発光層形成工程）、さらに、当該第２発光層８上に剥離層形成用塗工液を塗布し第２剥離層４'を形成し（第２剥離層形成工程）、当該第２剥離層４'上にフォトレジストを塗布し、第２フォトレジスト層５'を形成する（第２フォトレジスト層形成工程）。
【０１２２】
次いで、図１（ｆ）に示すように第２発光部が形成される部分の第２フォトレジスト層５'が未露光部となるように、マスク６を介し紫外線７をパターン状に露光する。その後、第２フォトレジスト層５'をフォトレジスト現像液により現像し、洗浄することにより、図１（ｇ）に示すように、第２発光部が形成される部分のみ第２フォトレジスト層５'が残存する（第２フォトレジスト層パターニング工程）。この際、上述したように、第２剥離層４'を溶解するフォトレジスト現像液を用いた場合には、この第２フォトレジスト層パターニング工程において、第２剥離層４'も第２フォトレジスト層５'と同様にパターニングされる。
【０１２３】
さらに、パターン状に形成された第２フォトレジスト層５'をマスクとして、ドライエッチングによりエッチングすることにより、図１（ｈ）に示すように、第２発光層８がパターン状に形成された第２発光部８'を得る（第２発光層現像工程）。
【０１２４】
図１（ｉ）に示すように、表面に第１剥離層４および第１フォトレジスト層５がこの順に積層している第１発光部３'と、同様に表面に第２剥離層４'および第２フォトレジスト層５'がこの順に積層している第２発光部８'とを少なくとも有する基板１上に、第３発光層形成用塗工液を塗布し、第３発光層９を形成し（第３発光層形成工程）、さらに、当該第３発光層９上に剥離層形成用塗工液を塗布し第３剥離層４''を形成し（第３剥離層形成工程）、当該第３剥離層４''上にポジ型のフォトレジストを塗布し、第３フォトレジスト層５''を形成する（第３フォトレジスト層形成工程）。
【０１２５】
次いで、図１（ｊ）に示すように第３発光部が形成される部分の第３フォトレジスト層５''が未露光部となるように、マスク６を介し紫外線７をパターン状に露光する。その後、第３フォトレジスト層５''をフォトレジスト現像液により現像し、洗浄することにより、図１（ｋ）に示すように、第３発光部が形成される部分上のみ第３フォトレジスト層５''が残存する（第３フォトレジスト層パターニング工程）。この際、上述したように、第３剥離層４''を溶解するフォトレジスト現像液を用いた場合には、この第３フォトレジスト層パターニング工程において、第３剥離層４''も第３フォトレジスト層５''と同様にパターニングされる。
【０１２６】
さらに、パターン状に形成された第３フォトレジスト層５''をマスクとして、ドライエッチングによりエッチングすることにより、図１（ｌ）に示すように、第３発光層９がパターン状に形成された第３発光部９'を得る（第３発光層現像程）。
【０１２７】
ここで、各発光部３'、８'および９'が形成されている基板１を剥離層剥離液に浸漬させることにより、各剥離層４、４'および４''が剥離され、この各剥離層４、４'および４''と共に、各剥離層４、４'および４''上に積層されている各フォトレジスト層５、５'および５''も除去される（各剥離層剥離工程）。これにより、図１（ｍ）に示すように、各発光部３'、８'および９'が露出する。この後、第２電極層等を成膜することにより、図の下方に発光するＥＬ素子を製造することができる。
【０１２８】
このような各工程を少なくとも有する第１実施態様について説明する。
【０１２９】
本実施態様における第１発光層形成工程、第２発光層形成工程および第３発光層形成工程は、各々の発光層形成用塗工液を塗布し、乾燥させることにより各発光層を形成する工程である。これらの工程に関しては、上述の「Ｉ．ＥＬ素子の製造方法  Ａ．有機ＥＬ層形成工程」の中に記載したことと同様なのでここでの説明は省略する。
【０１３０】
次に、本実施態様における第１剥離層形成工程、第２剥離層形成工程および第３剥離層形成工程においては、剥離層形成用塗工液を塗布し、各剥離層を形成する工程である。これらの工程においても、上述の「Ｉ．ＥＬ素子の製造方法  Ｂ．剥離層形成工程」に記載したことと同様なのでここでの説明は省略する。
【０１３１】
さらに、本実施態様における第１フォトレジスト層形成工程、第２フォトレジスト層形成工程および第３フォトレジスト層形成工程についても、上述の「Ｉ．ＥＬ素子の製造方法  Ｃ．フォトレジスト層形成工程」に記載したことと同様なのでここでの説明は省略する。
【０１３２】
また、本実施態様における第１フォトレジスト層パターニング工程、第２フォトレジスト層パターニング工程および第３フォトレジスト層パターニング工程においては、各々の紫外線の露光位置が異なる。例えば、第１フォトレジスト層パターニング工程においては、第１発光部が形成される位置のみ第１フォトレジスト層が残存するように紫外線を照射する。さらに、第２フォトレジスト層パターニング工程においては、第２発光部が形成される位置のみ第２フォトレジスト層が残存するように紫外線をパターン露光し、第３フォトレジスト層パターニング工程においては、第３発光部が形成される位置のみ第３フォトレジスト層が残存するように紫外線をパターン露光する。
【０１３３】
このような各位置に紫外線をパターン照射することにより、各発光層のパターニングが終了した時点では、各発光部上に各々の発光部と異なる色を呈する発光層が積層されていることがなく、最小限の不要な層が成膜されている状態とすることができるのである。そのため、剥離層剥離工程においては、剥離層の剥離がより一層容易となり、フォトレジスト層等の不要な層もより容易に剥離することができるのである。
【０１３４】
その他、これらの工程に関することは、上述の「Ｉ．ＥＬ素子の製造方法  Ｄ．フォトレジスト層パターニング工程」の中に記載したことと同様なのでここでの説明は省略する。
【０１３５】
次いで、本実施態様における第１発光層現像工程、第２発光層現像工程および第３発光層現像工程においては、上述の「Ｉ．ＥＬ素子の製造方法  Ｅ．有機ＥＬ層現像工程」に記載したことと同様なのでここでの説明は省略する。
【０１３６】
また、本実施態様における各剥離層剥離工程においては、各発光部上に成膜されている剥離層を剥離層剥離液と接触させることにより剥離する工程である。
【０１３７】
本実施態様においては、各発光部上には、各々の発光部と異なる色を呈する発光層が成膜されておらず、フォトレジスト層は１層のみ積層しているだけなので、剥離層の剥離はより一層容易となり、フォトレジスト層等の不要な層もより容易に剥離することができるといった利点を有する。
【０１３８】
その他、本工程に関することは、上述の「Ｉ．ＥＬ素子の製造方法  Ｆ．剥離層剥離工程」の中に記載したことと同様なのでここでの説明は省略する。
【０１３９】
（１）第２実施態様
第２実施態様は、３色の発光層を各々パターニングする際に行うパターン照射において、その際のパターニング対象である発光部が形成される領域上および既にパターン状に形成されている発光部上に位置するフォトレジスト層を残存させるようにマスクを介して紫外線を露光する態様である。
【０１４０】
つまり、第２発光層をパターニングする際には、第２発光部が形成される領域と、既にパターン状に形成されている第１発光部上とにフォトレジスト層を残存させるようにパターン照射を行うのである。
【０１４１】
図２は、このような第２実施態様のＥＬ素子の製造方法について、その一例を図示したものである。以下、図２を用いて具体的に説明する。
【０１４２】
まず、図２（ａ）に示すように、パターン状に形成された電極層２を有する基板１上に、第１発光層形成用塗工液を塗布し第１発光層３を形成し（第１発光層形成工程）、当該第１発光層３上に剥離層形成用塗工液を塗布し第１剥離層４を形成し（第１剥離層形成工程）、さらに、当該第１剥離層４上にポジ型フォトレジストを塗布し第１フォトレジスト層５を成膜する（第１フォトレジスト層形成工程）。
【０１４３】
次いで、図２（ｂ）に示すように第１発光部が形成される部分の第１フォトレジスト層５が未露光部となるように、マスク６を介し紫外線７をパターン状に露光する。その後、第１フォトレジスト層５をフォトレジスト現像液により現像し、洗浄することにより、図２（ｃ）に示すように、第１発光部が形成される部分上のみ第１フォトレジスト層５が残存する（第１フォトレジスト層パターニング工程）。この際、第１剥離層４を溶解するフォトレジスト現像液を用いた場合には、この第１フォトレジスト層パターニング工程において、第１剥離層４も第１フォトレジスト層５と同様にパターニングされる。
【０１４４】
さらに、パターン状に形成された第１フォトレジスト層５をマスクとして、ドライエッチングによりエッチングすることにより、図２（ｄ）に示すように、第１発光層３がパターン状に形成され、第１発光部３'を得る（第１発光層現像工程）。
【０１４５】
次いで、図２（ｅ）に示すように、表面に第１剥離層４および第１フォトレジスト層５を有する第１発光部３'が少なくとも形成されている基板１上に、第２発光層形成用塗工液を塗布し第２発光層８を形成し（第２発光層形成工程）、さらに、当該第２発光層８上に剥離層形成用塗工液を塗布し第２剥離層４'を形成し（第２剥離層形成工程）、当該第２剥離層４'上にフォトレジストを塗布し、第２フォトレジスト層５'を形成する（第２フォトレジスト層形成工程）。
【０１４６】
次いで、図２（ｆ）に示すように第２発光部が形成される部分と、第１発光部３'が形成されている領域上の第２フォトレジスト層５'が未露光部となるように、マスク６を介し紫外線７をパターン状に露光する。その後、第２フォトレジスト層５'をフォトレジスト現像液により現像し、洗浄することにより、図２（ｇ）に示すように、第２発光部および第１発光部３'が形成される部分上のみ第２フォトレジスト層５'が残存する（第２フォトレジスト層パターニング工程）。この際、上述したように、第２剥離層４'が溶解するフォトレジスト現像液を用いた場合には、この第２フォトレジスト層パターニング工程において、第２剥離層４'も第２フォトレジスト層５'と同様にパターニングされる。
【０１４７】
さらに、パターン状に形成された第２フォトレジスト層５'をマスクとして、ドライエッチングによりエッチングすることにより、図２（ｈ）に示すように、第２発光層８がパターン状に形成され、第２発光部８'を得る（第２発光層現像工程）。
【０１４８】
図２（ｉ）に示すように、表面に少なくとも第１剥離層４および第１フォトレジスト層５がこの順に積層している第１発光部３'と、同様に表面に第２剥離層４'および第２フォトレジスト層５'がこの順に積層している第２発光部８'とを少なくとも有する基板１上に、第３発光層形成用塗工液を塗布し、第３発光層９を形成し（第３発光層形成工程）、さらに、当該第３発光層９上に剥離層形成用塗工液を塗布し第３剥離層４''を形成し（第３剥離層形成工程）、当該第３剥離層４''上にフォトレジストを塗布し、第３フォトレジスト層５''を形成する（第３フォトレジスト層形成工程）。
【０１４９】
次いで、図２（ｊ）に示すように第１発光部３'、第２発光部８'および第３発光部が形成される部分の第３フォトレジスト層５''が未露光部となるように、マスク６を介し紫外線７をパターン状に露光する。パターン照射された第３フォトレジスト層５''をフォトレジスト現像液により現像し、洗浄することにより、図２（ｋ）に示すように、第１発光部３'、第２発光部８'および第３発光部が形成される部分上のみ第３フォトレジスト層５''が残存する（第３フォトレジスト層パターニング工程）。この際、上述したように、第３剥離層４''を溶解するフォトレジスト現像液を用いた場合には、この第３フォトレジスト層パターニング工程において、第３剥離層４''も第３フォトレジスト層５''と同様にパターニングされる。
【０１５０】
さらに、パターン状に形成された第３フォトレジスト層５''をマスクとして、ドライエッチングによりエッチングすることにより、図２（ｌ）に示すように、第３発光層９がパターン状に形成され、第３発光部９'を得る（第３発光層現像工程）。
【０１５１】
ここで、各発光部３'、８'および９'が形成されている基板１を剥離層剥離液に浸漬させることにより、各剥離層４、４'および４''が剥離され、この各剥離層４、４'および４''と共に、各剥離層４、４'および４''上に積層されている各フォトレジスト層５、５'および５''も除去される（各剥離層剥離工程）。これにより、図２（ｍ）に示すように、各発光部３'、８'および９'が露出する。この後、第２電極層等を成膜することにより、図の下方に発光するＥＬ素子を製造することができる。
【０１５２】
本実施態様では、各発光層のパターニングが終了した時点で、各発光部上には、それと異なる色を呈する発光層やフォトレジスト層等が複数積層されており、従来、このような状態のフォトレジスト層を剥離することは非常に困難であった。これは、最終的にフォトレジスト層を剥離する際に、フォトレジスト層上に複数の不要な層が積層されており、このような状態は、フォトレジスト層を剥離するフォトレジスト剥離液の作用がフォトレジスト層に及ぶことを抑制する要因であったからである。
【０１５３】
しかしながら、本発明においては、このような場合においても、剥離層剥離工程により、剥離層を容易に剥離することができるので、剥離層上に成膜されている複数の不要な層を同時に剥離することが容易であり、上述した問題点を解決するものである。以下、本実施態様について説明する。
【０１５４】
本実施態様における第１、第２および第３発光層形成工程、第１、第２および第３剥離層形成工程、第１、第２および第３フォトレジスト層形成工程、第１フォトレジスト層パターニング工程、第１、第２および第３発光層現像工程並びに各剥離層形成工程においては、第１実施態様の各々の工程と同様であるためここでの説明は省略する。
【０１５５】
その他、第２フォトレジスト層パターニング工程および第３フォトレジスト層パターニング工程に関しては、第１実施態様と紫外線の露光位置が異なるため、以下両工程について説明する。
【０１５６】
本実施態様における第２フォトレジスト層パターニング工程においては、第２発光部が形成される位置の他、既にパターニングされている第１発光部上にも第２フォトレジスト層を残存させるように紫外線をパターン照射する。
【０１５７】
これにより、第２発光層のパターニングが終了した時点では、第１発光部上には、第１剥離層、第１フォトレジスト層の他に、第２発光層、第２剥離層および第２フォトレジスト層が積層されている状態とすることができる。
【０１５８】
さらに、本実施態様における第３フォトレジスト層パターニング工程においては、第３発光部が形成される位置の他に、既にパターン状に形成されている第１発光部および第２発光部上にも第３フォトレジスト層が残存するように紫外線を露光する。
【０１５９】
その他、第２および第３フォトレジスト層パターニング工程に関しては、第１実施態様と同様であるため、ここでの説明は省略する。
【０１６０】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【０１６１】
【実施例】
以下に実施例を示し、本発明をさらに説明する。
【０１６２】
［実施例１］
６インチ角、板厚１．１ｍｍのパターニングされたＩＴＯ基板を洗浄した。バッファー層塗布液（バイエル社製 Baytron P）を０．５ｍｌとリ、基板の中心部に滴下して、スピンコーティングを行った。２５００ｒｐｍで２０秒間保持して層形成を行った。この結果、膜厚は８００Åとなった。
【０１６３】
第１発光層として、バッファー層上にポリパラフェニレンビニレン誘導体発光高分子MEH-PPVの１ｗｔ％キシレン溶液を１ｍｌとり、基板の中心部に滴下して、スピンコーティングを行った。２０００ｒｐｍで１０秒間保持して層形成を行った。この結果、膜厚は８００Åとなった。
【０１６４】
剥離層として尿素系樹脂（BASF製Laropal）の３％酢酸エチル溶液を１ｍｌとり、基板中心部に滴下して、スピンコーティングを行った。２０００ｒｐｍで２０秒間保持して層形成を行った。この結果、膜厚は１０００Åとなった。
【０１６５】
ポジ型フォトレジスト液（東京応化製OFPR-800）を１ｍｌとり、基板中心部に滴下して、スピンコーティングを行った。２０００ｒｐｍで２０秒間保持して層形成を行った。この結果、膜厚は約１μｍとなった。８０℃で３０秒間プリベークを行った。その後、アライメント露光機に露光マスクと共にセットし、第１色目の発光部以外の発光層を除去したい部分に紫外線露光した。レジスト現像液（東京応化製NMD-3）で２０秒間現像後、水洗し、露光部のフォトレジスト層を除去した。
【０１６６】
ドライエッチングにてフォトレジストのない部分の発光層、バッファー層および剥離層を除去し、第１発光部を得た。
【０１６７】
第２バッファー層として前記バッファー層と同様にバッファー層塗布液（バイエル製 Baytron P）を０．５ｍｌとり、基板の中心部に滴下して、スピンコーティングを行った。２５００ｒｐｍで２０秒間保持して層形成を行った。この結果、膜厚は８００Åとなった。
【０１６８】
第２発光層として、ポリパラフェニレンビニレン誘導体発光高分子MEH-PPVの１ｗｔ％キシレン溶液を１ｍｌとり、基板の中心部に滴下して、スピンコーティングを行った。２０００ｒｐｍで１０秒間保持して層形成を行った。この結果、膜厚は８００Åとなった。
【０１６９】
第２剥離層として尿素系樹脂（BASF製Laropal）の３％酢酸エチル溶液を１ｍｌとリ、基板中心部に滴下して、スピンコーティングを行った。２０００ｒｐｍで２０秒間保持して層形成を行った。この結果、膜厚は１０００Åとなった。
【０１７０】
ポジ型フォトレジスト液（東京応化製OFPR-800）を１ｍｌとり、基板中心部に滴下して、スピンコーティングを行った。２０００ｒｐｍで２０秒間保持して層形成を行った。この結果、膜厚は約１μｍとなった。８０℃で３０秒間プリベークを行った。その後、アライメント露光機に露光マスクと共にセットし、第１色目の発光部以外の発光層を除去したい部分に紫外線を露光した。レジスト現像液（東京応化製NMD-3）で２０秒間現像後、水洗し、露光部のフォトレジストを除去した。
【０１７１】
ドライエッチングにて第１および第２発光部以外の部分の発光層、バッファー層および剥離層を除去し、第２発光部を得た。
【０１７２】
第３バッファー層として前記バッファー層と同様にバッファー層塗布液（バイエル製Baytron P）を０．５ｍｌとリ、基板の中心部に滴下して、スピンコーティングを行った。２５００ｒｐｍで２０秒間保持して層形成を行った。この結果、膜厚は８００Åとなった。
【０１７３】
第３剥離層として尿素系樹脂（BASF製Laropol）の３％酢酸エチル溶液を１ｍｌとり、基板中心部に滴下して、スピンコーティングを行った。２０００ｒｐｍで２０秒間保持して層形成を行った。この結果、膜厚は１０００Åとなった。
【０１７４】
第３発光層としてポリパラフェニレンビニレン誘導体発光高分子MEH-PPVの１ｗｔ％キシレン溶液を１ｍｌとり、基板の中心部に滴下して、スピンコーティングを行った。２０００ｒｐｍで１０秒間保持して層形成を行った。この結果、膜厚は８００Åとなった。
【０１７５】
ポジ型フォトレジスト液（東京応化製OFPR-800）を１ｍｌとり、基板中心部に滴下して、スピンコーティングを行った。２０００ｒｐｍで２０秒間保持して層形成を行った。この結果、膜厚は約１μｍとなった。８０℃で３０秒間プリベークを行った。その後、アライメント露光機に露光マスクと共にセットし、第１色目の発光部以外の発光層を除去したい部分に紫外線露光した。レジスト現像液（東京応化製NMD-3）で２０秒間現像後、水洗し、露光部のフォトレジストを除去した。
【０１７６】
ドライエッチングにて発光部以外の部分の発光層、バッファー層および剥離層を除去し、第３発光部を得た。
【０１７７】
得られた基板を酢酸エチル浴中に浸漬して、発光層上のフォトレジストをすべて除去し、パターニングされた発光層を露出させた。
【０１７８】
１００℃で１時間乾燥した後、得られた基板上に第２電極層としてＣａを５００Å、さらに保護層としてＡｇを２５００Åの厚みで蒸着し、ＥＬ素子を作製した。
【０１７９】
ＩＴＯ電極側を正極、Ａｇ電極側を負極に接続し、ソースメーターにより、直流電流を印可した。１０Ｖ印可時に第１、第２および第３の発光部それぞれより発光が認められた。
【０１８０】
【発明の効果】
本発明によれば、剥離性に優れた剥離層を有機ＥＬ層上に設けることにより、剥離層剥離工程において容易に剥離層を剥離することを可能とするものであるので、剥離層と共に剥離層上に位置する他の層をも同時に容易に除去することができる。従って、従来、剥離することが困難であったフォトレジスト層等の不要な層を、容易に剥離することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のＥＬ素子の製造方法の一例を示す工程図である。
【図２】本発明のＥＬ素子の製造方法の他の例を示す工程図である。
【図３】従来のＥＬ素子の製造方法の一例を示す工程図である。
【符号の説明】
１  …  基板
２  …  電極層
３  …  第1発光層
３'  …  第１発光部
４  …  第1剥離層
４'  …  第２剥離層
４''  …  第３剥離層
５  …  第1フォトレジスト層
５'  …  第２フォトレジスト層
５''  …  第３フォトレジスト層
６  …  マスク
７  …  紫外線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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