(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の材料源（１３）からの材料の層を湾曲基板（１０）に堆積する形式の湾曲基板のスパッタリング法において、
湾曲基板（１０）と材料源（１３）との間に湾曲基板（１０）から間隔を置いてマスク（１９）を挿置し、前記マスク（１９）が湾曲基板（１０）に対して静止しており、
前記マスク（１９）が環状部分（２０）をもち、環状部分（２０）が湾曲基板（１０）の直径（Ｄ1）の２倍以下の直径（Ｄ2）をもち、
湾曲基板（１０）自体が円形輪郭をもち、湾曲基板（１０）から距離（ｄ）に湾曲基板（１０）と平行にマスク（１９）を配置し、かつ湾曲基板（１０）の直径（Ｄ1）の２倍以下の湾曲基板（１０）からの距離（ｄ）にマスク（１９）を配置する
ことを特徴とする湾曲基板のスパッタリング法。
【請求項２】
支持体（１１）の支持平面に垂直な方向の平面上への投影が同じ平面上の湾曲基板（１０）の投影の面積の１０％以下の面積をもつマスクをマスク（１９）として選択することを特徴とする請求項１に記載の湾曲基板のスパッタリング法。
【請求項３】
前記投影が、湾曲基板（１０）の投影の面積の５％以下の面積をもつマスクをマスク（１９）として選択することを特徴とする請求項２に記載の湾曲基板のスパッタリング法。
【請求項４】
環状部分（２０）が湾曲基板（１０）の直径（Ｄ1）の１／４と直径（Ｄ1）の２倍との間の直径（Ｄ2）をもつマスクをマスク（１９）として選択することを特徴とする請求項１に記載の湾曲基板のスパッタリング法。
【請求項５】
湾曲基板（１０）の直径（Ｄ1）の１／１０と湾曲基板（１０）の直径（Ｄ1）の半分との間の湾曲基板（１０）からの距離（ｄ）にマスク（１９）を配置することを特徴とする請求項４に記載の湾曲基板のスパッタリング法。
【請求項６】
湾曲基板（１０）を支持体（１１）で支持し、この支持体（１１）にマスク（１９）に固定することを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれか一項に記載の湾曲基板のスパッタリング法。
【請求項７】
０．１Ｐａ以上のガス圧を使用することを特徴とする請求項１〜請求項６のいずれか一項に記載の湾曲基板のスパッタリング法。
【請求項８】
ｄをマスク（１９）と被処理湾曲基板（１０）の最高点との間の距離とし、
Ｈをマスク（１９）の環状部分（２０）の高さとし、
Ｄ1を湾曲基板（１０）の直径とし、
Ｄ2をマスク（１９）の環状部分（２０）の直径とし、
Ａを０．８と１との間の係数とし、
Ｂを０．７と０．９との間の係数とし、また
Ｃを２と３との間の係数とするとき、
下記の式、
ｄ＋Ｈ＝Ａ・（Ｄ2／２）              （Ｉ）
ｄ＝Ｂ・（Ｄ2／２）                （ＩＩ）
Ｄ1＝Ｃ・Ｄ2                      （ＩＩＩ）
の少なくとも一つを満たすことを保証するようにされることを特徴とする請求項１〜請求項７のいずれか一項に記載の湾曲基板のスパッタリング法。
【請求項９】
Ａを０．９２とし、
Ｂを０．７７とし、また
Ｃを２．５としたことを特徴とする請求項８に記載の湾曲基板のスパッタリング法。
【請求項１０】
請求項１による方法を実施するため、環状部分（２０）を備えていることを特徴とする湾曲基板のスパッタリング用マスク。
【請求項１１】
環状部分（２０）の高さ（Ｈ）が断面において半径方向厚さ（Ｅ）より大きいことを特徴とする請求項１０に記載の湾曲基板のスパッタリング用マスク。
【請求項１２】
マスク（１９）の環状部分（２０）の高さ（Ｈ）が１５ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１１に記載の湾曲基板のスパッタリング用マスク。
【請求項１３】
マスク（１９）の環状部分（２０）の高さ（Ｈ）がその周囲に沿って変化可能であることを特徴とする請求項１１又は請求項１２に記載の湾曲基板のスパッタリング用マスク。
【請求項１４】
マスク（１９）の環状部分（２０）の高さ（Ｈ）がその周囲に沿って２ｍｍ〜１５ｍｍの範囲で変化可能であることを特徴とする請求項１１又は請求項１２に記載の湾曲基板のスパッタリング用マスク。
【請求項１５】
環状部分（２０）の横断面が長方形であることを特徴とする請求項１０〜請求項１４のいずれか一項に記載の湾曲基板のスパッタリング用マスク。
【請求項１６】
マスクが環状部分（２０）であることを特徴とする請求項１０〜請求項１５のいずれか一項に記載の湾曲基板のスパッタリング用マスク。
【請求項１７】
環状部分（２０）の内側に、環状部分（２０）の二つの領域を互いにリンクする少なくとも一つのクロスピース(２４)を備えていることを特徴とする請求項１０〜請求項１５のいずれか一項に記載の湾曲基板のスパッタリング用マスク。
【請求項１８】
クロスピース(２４)が環状部分（２０）の直径に沿ってのびていることを特徴とする請求項１７に記載の湾曲基板のスパッタリング用マスク。
【請求項１９】
クロスピース(２４)の横断面が長方形であり、環状部分（２０）の横断面に平行にのびていることを特徴とする請求項１５又は請求項１７に記載の湾曲基板のスパッタリング用マスク。
【請求項２０】
少なくとも二つのクロスピース(２４)を備えていることを特徴とする請求項１７〜請求項１９のいずれか一項に記載の湾曲基板のスパッタリング用マスク。
【請求項２１】
二つのクロスピース(２４)が互いに垂直であることを特徴とする請求項２０に記載の湾曲基板のスパッタリング用マスク。
【請求項２２】
環状部分（２０）の外側に、環状部分（２０）から片持ち梁の形態で環状部分（２０）に対して半径方向にのびる少なくとも一つのアーム（２５）を備えていることを特徴とする請求項１０〜請求項２１のいずれか一項に記載の湾曲基板のスパッタリング用マスク。
【請求項２３】
アーム（２５）がクロスピース(２４)の伸張部に沿ってのびていることを特徴とする請求項５〜請求項２２のいずれか一項に記載の湾曲基板のスパッタリング用マスク。
【請求項２４】
アーム（２５）がクロスピース(２４)と同様な構造をもつことを特徴とする請求項２３に記載の湾曲基板のスパッタリング用マスク。
【請求項２５】
クロスピース(２４)の各端部にアーム（２５）が設けられていることを特徴とする請求項２３又は請求項２４に記載の湾曲基板のスパッタリング用マスク。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
（発明の属する技術分野）
本発明は、一般的には、チャンバ内でスパッタリング法を用いて、例えば、カソードとして働く所定の材料源に適当なイオンボンバードを施すして、材料源から粒子を飛び出させ基板上に堆積することにより、この材料源からの材料の層を基板上に堆積する種類の基板の真空処理に関するものである。
本発明は、特に、被処理基板が、少なくともある眼鏡レンズ、特に高屈折率のレンズの場合のような湾曲基板又は高度に湾曲した基板である場合に向けられている。
【０００２】
（背景技術）
用語“湾曲基板”は、ここでは、より一般的に、眼鏡レンズのように、曲率を少なくとも一つの横断平面において多少強められた基板を意味していると解釈されるべきである。
従って、公知のように、眼鏡レンズに特定の性質例えば反射防止特性を施すために、通常、眼鏡レンズに真空処理を施している。
【０００３】
材料に関して解決すべき課題の一つは、堆積した材料の層に望ましい完全な厚さの一様性を保証することにある。
用語“厚さ”は本明細書では堆積層の光学厚さすなわちこの層の物理的厚さに層を構成する材料の屈折率で乗算したものを意味していると解釈されるべきである。
この厚さの良好な一様性が欠けると、生じ得る残留反射が望ましくない真珠光を生じさせることになるという危険につながる。
【０００４】
ところで、材料の堆積層の厚さは、対応した材料源からの眼鏡レンズ又はより一般的には被処理基板の距離に反比例する。
本件の場合のように基板が湾曲されていると、この距離は基板の中央部より周辺部の方が大きく、従って得られる被膜の厚さは基板の中央部より周辺部の方が薄い。
この厚さの差は、実際上の理由で、湾曲基板が材料源の近くに配置される場合には大きくなることがあり、従って、この材料源に対する基板の中央部と周辺部との距離の差はそれの大きな曲率のため容易に評価できるようになる。
実際に、この厚さの差は普通、使用したチャンバ及び基板に依存して多くて２０％程度であり得る。
【０００５】
本発明の主題は、一般的には、この厚さの差を非常に簡単に低減できる装置にある。
特に、本発明の主題は、第１に所定の材料源からの材料の層を湾曲基板に堆積する形式の湾曲基板の真空処理方法にあり、この方法は、湾曲基板と材料源との間に湾曲基板からある一定の距離を置いてマスクを挿置し、上記マスクが湾曲基板に対して静止していることを特徴としており、また本発明の主題は、かかる方法を実施するのに適したマスクにある。
【０００６】
広く認められているように、種々の理由で、例えば、米国特許第５，２２５，０５７号に開示されているように、湾曲基板の真空処理中にマスクを使用することは既に公知である。
しかしながら、この米国特許第５，２２５，０５７号に開示されたものにおいては、被処理湾曲基板はそれ自体回転駆動されるので、マスクは基板に対して静止していない。
さらに、このマスクは、単に堆積において得られる材料の層の実際の厚さに影響することなしに、所望の堆積を実施するビームのビーム角度を制限するためにだけ使用される。
【０００７】
また広く認められているように、基板の真空処理中に、この基板に対して静止しているマスクを使用することは、特に米国特許第５，３８９，３９７号から既に公知である。
しかしながら、この米国特許第５，３８９，３９７号に開示されたものにおいては、被処理基板は平坦である。
基板が湾曲基板であるときに伴う堆積特性に関して、静止マスクがそのような湾曲基板にも適しているという優先性をイメージすることは不可能であった。
【０００８】
さらに、この米国特許第５，３８９，３９７号に開示されたものにおいては、使用されたマスクは固体である。
さて、幾分驚くべきことに、本発明によるマスクでは、このマスクが環状部分を備えている場合に重要な結果が得られる。
【０００９】
これに関してはある必然性なしに、例えば、一般に０．１Ｐａより大きい使用動作圧力では、伴う被膜粒子の平均自由行程が数ｍｍ程度であるので、これらの被膜粒子がプラズマガスの原子から多重反射を受け、そしてこれらの多重反射及び使用したチャンバの形状のために、基板の周辺部に向ってより中央部に向って通常粒の大きなフラックスが生じ、そして本発明のマスク一層特に環状部分を備えたマスクを材料源と基板との間に挿置することで、粒子のこのフラックスは恐らく方向性がなくなり、このフラックスは、そのようなマスクがない場合に、余分な堆積材料の通常観察される位置である基板の中央部に、少なくとも部分的に制限されることが考えられる。
しかしながら、実験したところ、環状部分を備えた本発明によるマスクでは、得られる被膜について被処理湾曲基板の周辺部と中央部との間の測定した厚さの差は２０％台ではなく、１５％以下に又は１０％以下にさえも有利に低減され、全ての他の条件は同じであることが観察される。
【００１０】
（発明の概要）
本発明の発展において、使用したマスクが、例えば、環状部分の直径に沿ってこの環状部分の二つの領域を互いに接続する少なくとも一つのクロスピースを環状部分内に備えている場合、この場合、本発明の補足的な発展で環状部分の外側においてそのようなクロスピースの各端部に、このクロスピースの伸張部に環状部分に対して半径方向にのびるアームを設けることにより、さらに満足な結果が観察され得る。
【００１１】
そのような場合に、被処理湾曲基板の周辺部と中央部との間で観察された厚さの差は、全ての他の条件を同じにして有利には５％以下に低減され得る。
全ての場合に、実際に本発明によるマスクが被処理湾曲基板に対して相対的に小さな伸張部を有利に備え、この相対的に小さな伸張部により所望のように組立体の全体寸法を湾曲基板だけの寸法に限定でき、しかもそれにより必然の結果として起こり得る遮蔽の困難さを避けることができるようになるので、本発明によるマスクで得られる結果は、全てより一層驚くべきものである。
【００１２】
実際に、特に有利な結果は、平面に垂直な方向におけるこの平面における突起がこの平面における湾曲基板の突起の面積の１０％以下、又は５％以下の面積をもつマスクによって得られ得る。
本発明の特徴及び利点は、添付図面を参照して例として挙げられた以下の説明から明らかとなる。
【００１３】
（発明の実施の形態）
添付したこれらの図面には、例として処理すべき湾曲基板１０が眼鏡レンズ又は一層特にそのような眼鏡レンズを続いて切り出す円形輪郭のディスクである場合に本発明を応用した例を示している。
Ｄ1をこの湾曲基板１０の輪郭に沿った直径とする。
この直径Ｄ1は通常６５ｍｍ〜８０ｍｍである。
図示した実施の形態では、湾曲基板１０は、例えば凹凸である。
湾曲基板１０に真空処理が施されることになる時には、そのような湾曲基板１０は通常それの周囲部を、湾曲基板１０を保持するのに適した支持体１１によって支持される。
この支持体１１はそれ自体周知であり、本発明に全く関係しないるので、ここでは説明しない。
【００１４】
さらに、便宜上、支持体１１は図１及び図２では円形輪郭の平坦なディスクの形態で示されている。
実際、この支持体１１は非常に異なった形状でもよく、また実際には有孔のものでもよい。
とは言っても、所望の真空処理のため、それ自体公知の仕方で、適当な材料源１３からの材料の層は、図２に破線で概略的に示されたチャンバ１２内において支持体１１で支持された湾曲基板１０上に堆積され、材料源はまた図２に破線で概略的に示されている。
【００１５】
例えば、この目的で使用した機械はブランドネームPLASMACOAT AR.10（登録商標）でアプライド・ビジョン社（Applied Vision Ltd．）から販売されている。  この機械はまた、ＰＣＴ国際公開第ＷＯ−Ａ−９２／１３１１４号にも開示されている。
例えば、図２に１４で概略的に示すように、材料源１３はカソードを形成するために負電位に置かれ、またチャンバ１２には一方ではノズル１５を介して不活性ガス例えばアルゴンが導入され、他方ではノズル１６を介して活性ガス例えば酸素が導入される。
【００１６】
一般に、０．１Ｐａ以上のガス圧が使用される。
好ましくは、このガス圧は０．２Ｐａ〜２Ｐａである。
必然な結果として、支持体１１は通常、図示したようにここの支持体であり、各々処理すべき湾曲基板１０を支持する同じ形式の他の複数の支持体１１と共に、図２に破線で概略的に示すように、例えばチャンバ１２内で回転するように装着されたプレートの形式の集合支持体１８に取付けられる。
【００１７】
変形例として、支持体１１は材料源１３の下側に直線状に動くようにもできる。
いずれの場合も、ノズル１５を介して導入される不活性ガスはチャンバ１２に入る際にイオン化し、内部にプラズマを形成し、こうしてそこから生じた正のイオンは、ターゲットを形成している材料源１３をボンバードして、材料源１３から粒子をスパッタし、これらのスパッタされた粒子はノズル１６を介して導入された活性ガスと結合しながら、湾曲基板１０上に堆積され、その表面に所望の材料層を形成する。
上記の構成はそれ自体周知であり、従ってここでは詳細には説明しない。
【００１８】
本発明によれば、湾曲基板１０と材料源１３との間にマスク１９が挿置され、マスクは湾曲基板１０に対して静止している。
好ましくは、例示したように、マスク１９としては環状部分２０をもつマスクが選択される。
実際に、この環状部分２０は円形輪郭をもっている。
例えば、例示したように、環状部分２０が外側において、湾曲基板１０の直径Ｄ1の２倍以下の直径Ｄ2をもつマスクがマスク１９として選択される。
特に、環状部分２０が外側において、湾曲基板１０の直径Ｄ1の１／４と直径Ｄ1の２倍との間の直径Ｄ2をもつマスクがマスク１９として選択される。
【００１９】
さらに、これに関連して、本発明を限定するものではないが数値例として、直径Ｄ1が約６５ｍｍであり、倍率が６ジオプトリであり、凸正面の半径が６２．１３ｍｍである湾曲基板１０では、満足な結果は、環状部分２０が外側において２０ｍｍ〜１３０ｍｍの直径Ｄ2をもつマスク１９により得られたことを示すことができる。
いずれの場合も、湾曲基板１０は支持体１１によって上述のように支持されるので、マスク１９は例えばこの支持体１１に固定される。
【００２０】
図示した実施の形態では、マスク１９は実際にブラケット２２により支持体１１に取付けられ、そしてこのブラケット２２の交差アーム２３の端部から片持ち梁の形態でのびている。
当然、このブラケット２２は、湾曲基板１０上における材料の堆積中に生じ得る遮蔽を最少化するようにできるだけ小さくするのが好ましい。
とは言っても、図示したように、マスク１９は好ましくは、湾曲基板１０からある距離に湾曲基板１０にほぼ平行に配置される。
【００２１】
図２に示すように、ｄをマスク１９の基部と湾曲基板１０の最高点との間の距離とする。
例えば、この距離ｄは、湾曲基板１０の直径Ｄ1の２倍以下である。
好ましくは、この距離ｄは、湾曲基板１０の直径Ｄ1の１／１０とこのの直径Ｄ1の半分との間である。
【００２２】
さらに、これに関して、本発明を限定しない例として、上記と同じ条件のもとで、マスク１９と湾曲基板１０との間の距離ｄを１３０ｍｍ以下そして好ましくは７〜３０ｍｍの範囲にすることにより満足な結果が得られたことを示すことができる。
【００２３】
図１〜図５に示す実施の形態では、マスク１９はそれの環状部分２０まで縮小される。
例えば、例示したように、この環状部分２０の横断面は一般的には長方形である。
Ｈを湾曲基板１０の軸線に沿って測った、従って、湾曲基板１０を支持する支持体１１に垂直な高さとし、またＥをこの支持体１１に平行に測った半径方向厚さとする。
【００２４】
好ましくは、図示実施の形態では、マスク１９の環状部分２０はそれの半径方向厚さＥより大きな高さＨを有している。
例えば、この高さＨは１５ｍｍ以下である。
好ましくは、この高さＨは１〜１５ｍｍの範囲である。
さらに、これに関して、本発明を限定しない例として、上記と同じ条件のもとで、１〜１０ｍｍの高さＨで満足な結果が得られたことを示すことができる。
【００２５】
同様に、満足な結果は、２ｍｍ以下の半径方向厚さＥで得られた。
例えば、この半径方向厚さＥは１ｍｍ以下である。
【００２６】
さらに、これに関して、本発明を限定しない例として、上記と同じ条件のもとで、０．１ｍｍの半径方向厚さＥで満足な結果が得られたことを示すことができる。
さらに、満足な結果を得るために、使用するマスク１９の環状部分２０の直径Ｄ2を選択する際に、処理すべき湾曲基板１０の直径Ｄ1を考慮するのが望ましいことは明らかである。
【００２７】
こうするために、本発明によれば、下記の式、
ｄ＋Ｈ＝Ａ・（Ｄ2／２）              （Ｉ）
ｄ＝Ｂ・（Ｄ2／２）                （ＩＩ）
Ｄ1＝Ｃ・Ｄ2                    （ＩＩＩ）
の少なくとも一つ、好ましくは各式を満たすことを保証するようにされ、ここでｄ、Ｈ、Ｄ1、Ｄ2は上記で既に説明したパラメータであり、Ａは、０．８と１との間の係数、例えば、約０．９２とし、Ｂは０．７と０．９との間の係数、例えば、約０．７７とし、また、Ｃは２と３との間の係数、例えば、約２．５とする。
図５に示す実施の形態では、高さＨは、図３に示す実施の形態における値の２倍の値をもつ。
【００２８】
図６〜図１０に示す実施の形態では、マスク１９は、その環状部分２０の内側に、
環状部分（２０）の内側に、環状部分２０の二つの領域を互いにリンクする少なくとも一つのクロスピース２４を備えている。
【００２９】
例えば、図６〜図８に示すように、単一のクロスピース２４が設けられ、このクロスピース２４は環状部分２０の直径に沿ってのびている。
さらに、これらの実施の形態においては、このクロスピース２４の横断面はほぼ長方形であり、環状部分２０の横断面にほぼ平行にのびている。
【００３０】
例えば、図６〜図８に示す実施の形態では、クロスピース２４はそれ自体横断面において  環状部分２０の高さＨに等しい高さＨ'及び環状部分２０の半径方向厚さＥに等しい半径方向厚さＥ'をもっている。
従って、クロスピース２４は、環状部分２０の部分の一側及びこれら部分の他側の両方において環状部分２０と同じレベルにのびている。
【００３１】
しかしながら、当然、クロスピース２４は、変形として、横断面において、環状部分２０の高さＨと異なる高さＨ'及び（又は）環状部分２０の半径方向厚さＥと異なる半径方向厚さＥ'をもっている。
これは、例として、本発明によるマスク１９が少なくとも二つのクロスピース２４を備えている図９及び図１０に示す実施の形態において、少なくとも、高さＨ'についても同じである。
【００３２】
例えば、例示したように、単に二つだけのクロスピース２４が設けられ、これらのクロスピース２４は互いに垂直であり、各々実際に環状部分２０の直径に沿ってのびている。
例えば、これら二つのクロスピース２４は各々、前のクロスピース２４の構造と同様な構造である。
しかしながら、図示した実施の形態においては、それらの高さＨ'は環状部分２０の高さＨの半分に等しい。
例えば、例示したように、それらのクロスピース２４はこの環状部分２０の半ばまでのびている。
【００３３】
さらに、図１０に示す実施の形態において、マスク１９は、環状部分２０の外側に少なくとも一つのアーム２５を備え、このアーム２５は、環状部分２０から片持ち梁の形態で環状部分２０に対して半径方向にのびている。
実際に、このアーム２５は、クロスピース２４の構造と同様な構造であり、クロスピース２４の伸張部に沿ってのびている。
【００３４】
また、実際に、クロスピース２４の各端部にアーム２５が設けられ、クロスピース２４の両方に対して、使用した種々のアーム２５の長さは同じである。
これに関して、本発明を限定しない例として、上記と同じ条件のもとで、長さＬが１０ｍｍのアーム２５で満足な結果が得られたことを示すことができる。
図６では、マスク１９の環状部分２０の高さＨは図３の実施の形態における高さに等しい。
【００３５】
他方、図８〜図１０では、この高さＨは図５の実施の形態における高さに等しい。
しかしながら、両方の場合、この高さＨは異なってもよい。
【００３６】
さらに、変形実施形態（図示していない）によれば、マスク１９の環状部分２０のこの高さＨは、マスク１９と材料源１３との相対運動を考慮するため、マスク１９の周辺部に沿って変化し、例えば、２ｍｍ〜１５ｍｍの範囲でのびている。
全ての場合、単に本発明によるマスク１９の構造のため、被処理湾曲基板１０におけるマスク１９による遮蔽は特に有利に小さい。
【００３７】
特に、本発明によれば、マスク１９としては、平面に垂直な方向の平面上への投影が、同じ条件のもとで同じ平面上の湾曲基板１０の投影の面積の１０％以下の面積をもつマスクが選択され、考慮される投影の平面は、例えば、被処理湾曲基板１０の位置する支持体の平面である。
また、特に、本発明によれば、投影が湾曲基板１０の突起の面積の５％以下の面積をもつマスクをマスク（１９）として選択するのが好ましい。
【００３８】
全ての場合において、これが確認される程度に、本発明によるマスク１９を構成している材料は得られた結果に影響しないと思われる。
従って、この材料は種々の材料でよい。
例えば、この材料は紙やステンレス鋼でもよい。
【００３９】
以下の表には、上記で説明してきた種々の実施の形態において得られた結果を図面毎にまとめて示す。
この表において、Δは、湾曲基板１０の周辺部と中央との間の所定の処理中に得られた被膜について観察した厚さの違いを％で示している。
【００４０】
0004574011.tif 000002
【００４１】
当然、本発明は図示し説明してきた実施の形態に限定されるものではなく、あらゆる変形実施形態及び（又は）実施を包含する。
特に、使用したマスクの環状部分の外形は必ずしも円形である必要はない。
例えば、この外形は楕円形でもよい。
また例えば、螺旋形のような一層複雑な形態でもよい。
【００４２】
さらに、使用したチャンバ内のガスの圧力を変えることもできる。
例えば、この圧力を高めることによって、観察した厚さの違いを逆にすることもでき、得られた被膜の厚さは被処理湾曲基板の周辺部より中央部を薄くできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明によるマスクを組合わせて上に載せて示す処理すべき湾曲基板の斜視図である。
【図２】  図１の線ＩＩ−ＩＩに沿った組立体の軸線方向の断面図である。
【図３】  本発明によるマスクを分離して図１と異なる縮尺で示す斜視図である。
【図４】  図３における線ＩＶ−ＩＶに沿ったマスクの拡大部分軸線方向の断面図である。
【図５】  本発明の変形実施形態における図３と同様な斜視図である。
【図６】  本発明の別の変形実施形態における図３と同様な斜視図である。
【図７】  図６における線ＶＩＩ−ＶＩＩに沿った本発明の別の変形実施形態の拡大部分軸線方向の断面図である。
【図８】  本発明によるマスクの別の変形実施形態を示す図３と同様な斜視図である。
【図９】  本発明によるマスクの別の変形実施形態を示す図３と同様な斜視図である。
【図１０】  本発明によるマスクの別の変形実施形態を示す図３と同様な斜視図である。
【図１】
0004574011.tif 000003
【図２】
0004574011.tif 000004
【図３】
0004574011.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
0004574011.tif 000010
【図９】
0004574011.tif 000011
【図１０】
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