(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面に純水を接触させて液処理を行う液処理機構と、
基板を乾燥するために、基板の表面に純水と揮発性有機溶剤とからなる混合流体を供給する流体供給機構と、
前記混合流体の供給を制御する制御部と
を具備し、
前記制御部は、前記流体供給機構から基板に供給される前記混合流体中の揮発性有機溶剤の濃度が時間経過とともに連続的にまたは段階的に高くなるように前記流体供給機構を制御することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記流体供給機構から基板に供給される前記混合流体中の揮発性有機溶剤の濃度が、最初が４０％以下、最後が９０％以上となるように制御することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
貯留された純水に基板を浸して処理する液処理部と、
前記液処理部の上方に設けられ、基板を乾燥させる乾燥処理部と、
前記液処理部と前記乾燥処理部との間で基板を搬送する基板搬送装置と、
純水の水蒸気またはミストと揮発性有機溶剤の蒸気またはミストとからなる混合流体を前記乾燥処理部に供給する流体供給機構と、
前記混合流体の供給を制御する制御部と
を具備し、
前記制御部は、前記流体供給機構から前記乾燥処理部に供給される前記混合流体中の揮発性有機溶剤の濃度が時間経過とともに連続的にまたは段階的に高くなるように前記流体供給機構を制御することを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
貯留された純水に基板を浸して処理する液処理部と、
前記液処理部の上方に設けられ、基板を乾燥させる乾燥処理部と、
前記液処理部と前記乾燥処理部との間で基板を搬送する基板搬送装置と、
純水の水蒸気またはミストと揮発性有機溶剤の蒸気またはミストとからなる混合流体を前記乾燥処理部に供給する流体供給機構と、
前記混合流体の供給を制御する制御部と
を具備し、
前記制御部は、前記乾燥処理部への純水の水蒸気またはミストの供給を停止する前に、その供給を連続的または段階的に減少させることにより、前記流体供給機構から前記乾燥処理部に供給される前記混合流体中の揮発性有機溶剤の濃度が時間経過とともに連続的にまたは段階的に高くなるように前記流体供給機構を制御することを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記液処理部に貯留された純水中に浸された基板を前記乾燥処理部に向けて引き上げ、当該基板の下端が貯留された純水の表面から出た後に、前記乾燥処理部に前記混合流体を供給するように、前記基板搬送機構および前記流体供給機構を制御することを特徴とする請求項３または請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記制御部は、前記乾燥処理部への前記混合流体の供給を開始してから所定時間が経過した後に、前記乾燥処理部への純水の水蒸気またはミストの供給を停止するように、前記流体供給機構を制御する請求項３から請求項５のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記制御部は、前記乾燥処理部への前記混合流体の供給を開始した後に、その供給を続けながら、前記液処理部に貯留された純水中に浸された基板を前記乾燥処理部に向けて引き上げるように、前記基板搬送装置および前記流体供給機構を制御することを特徴とする請求項３または請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記制御部は、前記液処理部に貯留された純水中に浸された基板を前記乾燥処理部に向けて引き上げる際に、当該基板の下端が貯留された純水の表面から出た後に前記乾燥処理部への純水の水蒸気またはミストの供給を停止するように、前記流体供給機構を制御することを特徴とする請求項７に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記液処理部と前記乾燥処理部とを隔離可能なシャッタをさらに具備し、
前記制御部は、前記液処理部に貯留された純水中に浸された基板が完全に前記乾燥処理部へと引き上げられた後に前記シャッタによって前記液処理部と前記乾燥処理部とを隔離し、その後に前記乾燥処理部への純水の水蒸気またはミストの供給を停止するように、前記シャッタおよび流体供給機構を制御することを特徴とする請求項３から請求項８のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記制御部は、前記流体供給機構から前記乾燥処理部に供給される前記混合流体中の揮発性有機溶剤の濃度が、最初が４０％以下、最後が９０％以上となるように前記流体供給機構を制御することを特徴とする請求項３から請求項９のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記乾燥処理部へ加熱された不活性ガスを供給するガス供給機構をさらに具備し、
前記制御部は、前記乾燥処理部への純水の水蒸気またはミストの供給が停止されて所定時間が経過した後に前記乾燥処理部への揮発性有機溶剤の蒸気またはミストの供給を停止し、その後に前記乾燥処理部へ加熱された不活性ガスを供給するように、前記流体供給機構と前記ガス供給機構とを制御することを特徴とする請求項３から請求項１０のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項１２】
前記揮発性有機溶剤はイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）であることを特徴とする請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体ウエハ等の基板を洗浄、乾燥するための基板処理装置および基板処理方法、ならびに基板処理方法を実行するために基板処理装置の制御に用いられるコンピュータ読取可能な記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造工程においては、半導体ウエハ（以下「ウエハ」という）を洗浄する種々の洗浄装置が用いられている。例えば、希釈フッ酸（ＤＨＦ）等の薬液を貯留した処理槽にウエハを浸漬して処理した後、純水を貯留した処理槽にウエハを浸漬させてリンス処理し、その後、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）を貯留した処理槽にウエハを浸漬させ、ウエハをこの処理槽からゆっくりと引き上げるかまたは処理槽からＩＰＡを排出することにより、マランゴニ効果を利用してウエハを乾燥するという処理方法が知られている（例えば、特許文献１，２参照）。
【０００３】
しかしながら、近時、ウエハに形成される回路パターンの細線化が進んでおり、そのパターンの凸部の強度が小さくなっているために、このような回路パターンが形成されているウエハを前記処理方法により処理すると、その乾燥処理において、形成されているパターン（凸部）が倒れるという不都合が生じている。
【０００４】
このようなパターン倒れは、ＩＰＡ処理槽からウエハを引き上げる際に（またはＩＰＡ処理槽からＩＰＡを排出している際に）、気相と液相と境界に回路パターンの凸部が位置すると、その凸部の気相側と液相側とではＩＰＡの表面張力に起因して凸部に掛かる力の大きさのバランスが崩れることによるものと考えられている。
【特許文献１】特開昭６３−２３３２６号公報
【特許文献２】特開２００３−２４３３５１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであり、基板の液処理から乾燥処理への移行時における基板に設けられたパターンの倒れの発生を抑制する基板処理装置および基板処理方法ならびに当該基板処理方法を基板処理装置に実行させるためのコンピュータ読取可能な記憶媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１の観点では、基板の表面に純水を接触させて液処理を行う液処理機構と、基板を乾燥するために、基板の表面に純水と揮発性有機溶剤とからなる混合流体を供給する流体供給機構と、前記混合流体の供給を制御する制御部とを具備し、前記制御部は、前記流体供給機構から基板に供給される前記混合流体中の揮発性有機溶剤の濃度が時間経過とともに連続的にまたは段階的に高くなるように前記流体供給機構を制御することを特徴とする基板処理装置を提供する。
【０００７】
上記第１の観点に係る基板処理装置において、前記制御部は、前記混合流体中の前記揮発性有機溶剤の濃度が、最初が４０％以下、最後が９０％以上となるように制御することが好ましい。
【０００８】
本発明の第２の観点では、貯留された純水に基板を浸して処理する液処理部と、前記液処理部の上方に設けられ、基板を乾燥させる乾燥処理部と、前記液処理部と前記乾燥処理部との間で基板を搬送する基板搬送装置と、純水の水蒸気またはミストと揮発性有機溶剤の蒸気またはミストとからなる混合流体を前記乾燥処理部に供給する流体供給機構と、前記混合流体の供給を制御する制御部とを具備し、前記制御部は、前記流体供給機構から前記乾燥処理部に供給される前記混合流体中の揮発性有機溶剤の濃度が時間経過とともに連続的にまたは段階的に高くなるように前記流体供給機構を制御することを特徴とする基板処理装置を提供する。
【０００９】
本発明の第３の観点では、貯留された純水に基板を浸して処理する液処理部と、前記液処理部の上方に設けられ、基板を乾燥させる乾燥処理部と、前記液処理部と前記乾燥処理部との間で基板を搬送する基板搬送装置と、純水の水蒸気またはミストと揮発性有機溶剤の蒸気またはミストとからなる混合流体を前記乾燥処理部に供給する流体供給機構と、前記混合流体の供給を制御する制御部とを具備し、前記制御部は、前記乾燥処理部への純水の水蒸気またはミストの供給を停止する前に、その供給を連続的または段階的に減少させることにより、前記流体供給機構から前記乾燥処理部に供給される前記混合流体中の揮発性有機溶剤の濃度が時間経過とともに連続的にまたは段階的に高くなるように前記流体供給機構を制御することを特徴とする基板処理装置を提供する。
【００１０】
上記第２、第３の観点の基板処理装置において、前記制御部は、前記液処理部に貯留された純水中に浸された基板を前記乾燥処理部に向けて引き上げ、当該基板の下端が貯留された純水の表面から出た後に、前記乾燥処理部に前記混合流体を供給するように、前記基板搬送機構および前記流体供給機構を制御することができる。また、前記制御部は、前記乾燥処理部への前記混合流体の供給を開始してから所定時間が経過した後に、前記乾燥処理部への純水の水蒸気またはミストの供給を停止するように、前記流体供給機構を制御するように構成することができる。
【００１１】
また、前記制御部は、前記乾燥処理部への前記混合流体の供給を開始した後に、その供給を続けながら、前記液処理部に貯留された純水中に浸された基板を前記乾燥処理部に向けて引き上げるように、前記基板搬送装置および前記流体供給機構を制御するように構成することができる。この場合に、前記制御部は、前記液処理部に貯留された純水中に浸された基板を前記乾燥処理部に向けて引き上げる際に、当該基板の下端が貯留された純水の表面から出た後に前記乾燥処理部への純水の水蒸気またはミストの供給を停止するように、前記流体供給機構を制御するように構成することができる。
【００１２】
さらに、前記液処理部と前記乾燥処理部とを隔離可能なシャッタをさらに具備し、前記制御部は、前記液処理部に貯留された純水中に浸された基板が完全に前記乾燥処理部へと引き上げられた後に前記シャッタによって前記液処理部と前記乾燥処理部とを隔離し、その後に前記乾燥処理部への純水の水蒸気またはミストの供給を停止するように、前記シャッタおよび流体供給機構を制御するように構成することができる。
【００１３】
さらにまた、前記制御部は、前記流体供給機構から前記乾燥処理部に供給される前記混合流体中の揮発性有機溶剤の濃度が、最初が４０％以下、最後が９０％以上となるように前記流体供給機構を制御することが好ましい。さらにまた、前記乾燥処理部へ加熱された不活性ガスを供給するガス供給機構をさらに具備し、前記制御部は、前記乾燥処理部への純水の水蒸気またはミストの供給が停止されて所定時間が経過した後に前記乾燥処理部への揮発性有機溶剤の蒸気またはミストの供給を停止し、その後に前記乾燥処理部へ加熱された不活性ガスを供給するように、前記流体供給機構と前記ガス供給機構とを制御するように構成することができる。
【００１４】
上記第１〜３の観点に係る基板処理装置において、上記前記揮発性有機溶剤としてはイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）を好適に用いることができる。
【００１５】
他の形態として、純水により基板を洗浄する工程と、基板を乾燥させるために、前記乾燥処理部に純水の水蒸気またはミストと、揮発性有機溶剤の蒸気またはミストとからなる混合流体を供給する工程とを有することを特徴とする基板処理方法を挙げることができる。
【００１６】
この場合に、前記混合流体中の揮発性有機溶剤の濃度を変化させる工程をさらに有するようにすることができ、この混合流体中の揮発性有機溶剤の濃度を変化させる工程は、前記混合流体の揮発性有機溶剤の濃度が時間経過とともに連続的にまたは段階的に高くなるようにすることが好ましい。この際の具体的な揮発性有機溶剤の濃度としては、最初が４０％以下、最後が９０％以上であることが好ましい。
【００１７】
さらに他の形態として、純水が貯留された液処理部において当該貯留された純水に基板を浸して当該基板を洗浄する工程と、前記液処理部の上方に連通して設けられた乾燥処理部に基板を搬送する工程と、前記基板を乾燥させるために、前記乾燥処理部に純水の水蒸気またはミストと、揮発性有機溶剤の蒸気またはミストとからなる混合流体を供給する工程とを有することを特徴とする基板処理方法を挙げることができる。
【００１８】
上記さらに他の形態において、前記混合流体を供給する工程は、前記基板の下端が前記液処理部に貯留された純水の表面から出た直後に、前記混合流体を供給するようにすることができる。また、前記混合流体を供給する工程は、基板が前記搬送部に搬送が開始されるより前または搬送開始と同時に前記混合流体を供給し、前記混合流体を供給し続けながら、前記乾燥処理部に基板を搬送するようにすることもできる。
【００１９】
また、前記乾燥処理部への純水の水蒸気またはミストの供給を停止する工程と、前記乾燥処理部への揮発性有機溶剤の蒸気またはミストの供給を停止する工程とをさらに有するようにすることができる。また、基板の表面の揮発性有機溶剤を蒸発させるために前記乾燥処理部へ加熱乾燥ガスを供給する工程をさらに有することもできる。
【００２０】
さらに、基板が前記乾燥処理部へ収容された後に前記液処理部と前記乾燥処理部とを隔離する工程をさらに有するようにすることができる。
【００２１】
上記さらに他の形態において、前記混合流体中の揮発性有機溶剤の濃度を変化させる工程をさらに有するようにすることができ、この混合流体中の揮発性有機溶剤の濃度を変化させる工程は、前記混合流体の揮発性有機溶剤の濃度が時間経過とともに連続的にまたは段階的に高くなるようにすることが好ましい。また、前記乾燥処理部への純水の水蒸気またはミストの供給を停止する前に、その供給を連続的にまたは段階的に低下させることにより、前記混合流体の揮発性有機溶剤の濃度が時間経過とともに連続的にまたは段階的に高くなるようにすることが好ましい。この際の具体的な揮発性有機溶剤の濃度としては、最初が４０％以下、最後が９０％以上であることが好ましい。
【００２２】
別の形態として、コンピュータに制御プログラムを実行させるソフトウエアが記憶されたコンピュータ読取可能な記憶媒体であって、前記制御プログラムは、実行時に、純水により基板を洗浄する工程と、基板を乾燥させるために、前記乾燥処理部に純水の水蒸気またはミストと、揮発性有機溶剤の蒸気またはミストとからなる混合流体を供給する工程とが実行されるように、コンピュータが基板処理装置を制御するソフトウエアを含む、コンピュータ読取可能な記憶媒体を挙げることができる。
【００２３】
さらに別の形態として、コンピュータに制御プログラムを実行させるソフトウエアが記憶されたコンピュータ読取可能な記憶媒体であって、前記制御プログラムは、実行時に、純水が貯留された液処理部において当該貯留された純水に基板を浸して当該基板を洗浄する工程と、前記液処理部の上方に連通して設けられた乾燥処理部に基板を搬送する工程と、前記基板を乾燥させるために、前記乾燥処理部に純水の水蒸気またはミストと、揮発性有機溶剤の蒸気またはミストとからなる混合流体を供給する工程とが実行されるように、コンピュータが基板処理装置を制御するソフトウエアを含む、コンピュータ読取可能な記憶媒体を挙げることができる。
【００２４】
上記いずれの記憶媒体においても、前記制御プログラムは、実行時に、さらに前記混合流体中の揮発性有機溶剤の濃度を変化させる工程を実行するものとすることができる。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、基板を純水で処理後、純水と揮発性溶剤からなる混合流体を基板に供給することにより、好ましくは揮発性溶剤の濃度を変化させることにより、さらには、純水の水蒸気またはミストと、揮発性有機溶剤の蒸気またはミストとからなる混合流体を前記乾燥処理部に供給し、その際の前記混合流体の供給を制御することにより、パターン倒れの発生を抑制することができる。このため、良好な回路パターンを得ることができる。また、基板の最終的な乾燥は基板表面の揮発性有機溶剤を揮発させることによって行うので、ウォーターマークの発生を抑制することができるという利点もある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、添付図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置の概略構造を示す模式図である。この実施形態では、例えばフォトリソグラフィー技術等により所定の回路パターンが形成されている複数の半導体ウエハ（以下「ウエハ」という）を一括して所定の薬液で処理し、その後に純水（ＤＩＷ）によるリンス処理を行い、さらに乾燥を行う装置を例に挙げて説明する。
【００２７】
この基板処理装置１は、ウエハＷに所定の薬液、例えば、希フッ酸水溶液（ＤＨＦ）、アンモニア−過酸化水素水（ＡＰＦ）、硫酸−過酸化水素水（ＳＰＭ）等による処理を行い、その後に純水（ＤＩＷ）によりリンス処理を行う液処理部２と、液処理部２の上方に設けられ、液処理部２でのリンス処理が終了したウエハＷの乾燥を行う乾燥処理部３と、複数のウエハＷを保持することができ、昇降機構７により液処理部２と乾燥処理部３との間で移動（昇降）自在なウエハガイド４と、を有している。この基板処理装置１の上方には図示しないファンフィルターユニット（ＦＦＵ）が配設されており、基板処理装置１に清浄な空気がダウンフローとして供給されるようになっている。
【００２８】
ウエハガイド４は、例えば、最大で５０枚のウエハＷを略鉛直姿勢で、図１の紙面に垂直な方向（水平方向）に一定の間隔で並べて保持することができる保持部２６と、保持部２６を支持する支柱部２７とを有しており、この支柱部２７は、後述するチャンバ５の蓋部６２を貫通している。
【００２９】
液処理部２は、ボックス１３と、このボックス１３内に収容された液処理槽６とを有している。この液処理槽６は、薬液と純水とを適宜交互に貯留し、ウエハＷを薬液，純水に浸漬することにより薬液処理，リンス処理を行う内槽３０と、内槽３０の上部の開口を囲むように形成された中槽３１と、中槽３１の開口を囲むように形成された外槽３２と、を有している。
【００３０】
内槽３０内には、薬液，純水を内槽３０内に吐出するための処理液吐出ノズル３５と、薬液の濃度を計測するための濃度センサ５７が設けられている。処理液吐出ノズル３５に取り付けられた処理液供給ライン５６は、純水供給ライン５２と薬液供給ライン５５とに分岐している。処理液吐出ノズル３５へは、開閉バルブ５３を介在させた純水供給ライン５２とこの処理液供給ライン５６とを通して純水供給源から純水が供給され、開閉バルブ５４を介在させた薬液供給ライン５５とこの処理液供給ライン５６とを通して薬液供給源から薬液が供給される。
【００３１】
内槽３０の底部には開閉バルブ３７が介在された排液管３６が接続されており、この開閉バルブ３７を開くことによって内槽３０に貯留された薬液，純水をボックス１３内に排出することができるようになっている。また、ボックス１３の下部にも開閉バルブ１９が介在された排液管１８が設けられており、ボックス１３内から薬液，純水を排出することできるようになっている。さらにボックス１３には、ボックス１３内の雰囲気ガスを排気するための排気管２９が設けられており、薬液の蒸気等を排気することができるようになっている。
【００３２】
中槽３１は内槽３０の上面開口からオーバーフローした薬液，純水を受け止める。中槽３１には、中槽３１から薬液，純水を排出するための排液管４１が設けられており、この排液管４１にはトラップ４２が接続されている。このトラップ４２では、排液管４１を通して排出された薬液，純水が一定の高さで貯留され、その水面で開口した排液管４３を通してトラップ４２から薬液，純水が排出されるように、排液管４１の下端（排液口）が排液管４３の上端（排出口）よりも低い位置に配置されている。このような構成により、排液管４３やボックス１３の雰囲気が排液管４１に流入することを防止することができる。
【００３３】
外槽３２には、常時、純水が貯留されており、環状のシール板４６が、その下部がこの純水に浸され、かつ、その上端が外槽３２の上方に配置されたシャッタボックス１１の下板に密着するように、配設されている。このような構成により、外槽３２は純水を利用したシール機能を有し、内槽３０の雰囲気が外部に漏れないようになっている。
【００３４】
乾燥処理部３にはウエハＷを収容するためのチャンバ５が設けられており、このチャンバ５は、略筒部６１と、円筒部６１の上面開口を開閉するドーム型の蓋部６２とを備えている。円筒部６１の下面開口はシャッタボックス１１の上板に形成された開口部に気密に連結されている。
【００３５】
蓋部６２は図示しない昇降機構により昇降自在であり、図１に示すように、蓋部６２の下端面が円筒部６１の上端に設けられたエアーシールリング６３に当接することで、チャンバ５は密閉される。また、蓋部６２を図１に示す位置の上側に移動させた状態（つまり、チャンバ５を開いた状態）で、基板処理装置１の外部と乾燥処理部３の内部との間でのウエハＷの搬入出を行うことができる。より具体的には、ウエハガイド４の保持部２６を円筒部６１の上に出した状態で、保持部２６と図示しない外部搬送装置等との間でウエハＷの受け渡しを行う。
【００３６】
チャンバ５内には、水蒸気とイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）の蒸気を混合してまたは単独でチャンバ５内に供給するための流体ノズル７１が配置されている。流体ノズル７１には配管２１が接続されており、配管２１は途中で配管２１ａ，２１ｂに分岐し、それぞれ純水供給源およびＩＰＡ供給源に接続されている。そして、配管２１ａに設けられた開閉バルブ８３を開放し、流量制御バルブ８５を操作することにより所定流量の水蒸気発生器（加熱装置）２３に純水が送られて、そこで水蒸気を発生させる。同様に、配管２１ｂに設けられた開閉バルブ８２を開放し、流量制御バルブ８４を操作することにより所定流量のＩＰＡ蒸気発生装置２２にＩＰＡが送られて、そこでＩＰＡ蒸気を発生させる。これら水蒸気とＩＰＡ蒸気は単独で、または流体供給ライン２１において混合され、流体ノズル７１からチャンバ５内に噴射される。この際に、流量制御バルブ８４、８５を、後述する制御部９９により制御することにより、流体ノズル７１から供給される混合流体のＩＰＡ濃度を変化させることができる。
【００３７】
流体ノズル７１としては、例えば、円筒状の形状を有し、蒸気噴射口がその長手方向（図１において紙面に垂直な方向）に一定の間隔で形成された構造を有するものが好適に用いられる。流体ノズル７１は、蒸気噴射口から噴射される水蒸気，ＩＰＡ蒸気がチャンバ５内に収容されたウエハＷに直接にあたることなく斜め上方に噴射されるように配置されており、流体ノズル７１から噴射された水蒸気，ＩＰＡ蒸気は、ウエハＷの左上と右上を通過して蓋部６２の内周面上部に向かって上昇し、その後に蓋部６２の上部中央において合流して下降し、ウエハＷどうしの間に流入し、ウエハＷの表面に沿って流下するようになっている。
【００３８】
また、チャンバ５内には、室温または所定温度に加熱された窒素（Ｎ２）ガスを噴射するための窒素ガスノズル７２が設けられている。窒素ガス供給源からは室温の窒素ガスが開閉バルブ８６を操作することによりヒータ２４に供給され、ここで、このヒータ２４を加熱していない場合には室温の窒素ガスが窒素ガス供給ライン２５を通して窒素ガスノズル７２から噴射され、一方、ヒータ２４を所定温度に加熱することにより所定温度に加熱された窒素ガスを窒素ガス供給ライン２５を通して窒素ガスノズル７２から噴射させることができる。
【００３９】
窒素ガスノズル７２としては、流体ノズル７１と同様の構造を有するものが好適に用いられる。窒素ガスノズル７２は、そのガス噴射口から噴射される窒素ガスがチャンバ５内に収容されたウエハＷに直接にあたることなく斜め上方に噴射されるように、配置することが好ましい。窒素ガスノズル７２から噴射された窒素ガスは、ウエハＷの左上と右上を通過して蓋部６２の内周面上部に向かって上昇し、蓋部６２の上部中央において合流して下降し、ウエハＷどうしの間に流入してウエハＷの表面に沿って流下する。
【００４０】
チャンバ５の内部には、さらに、チャンバ５内の雰囲気ガスを排出するための排気ノズル７３が設けられており、この排気ノズル７３には、チャンバ５内からの自然排気を行うための自然排気ライン４９と、強制排気を行うための強制排気ライン４８とが設けられている。排気ノズル７３としては、円筒状の形状を有し、チャンバ５内のガスを取り込むための一定長さのスリット型吸気口がその長手方向（図１において紙面に垂直な方向）に一定の間隔で形成された構造を有するものが好適に用いられる。
【００４１】
蓋部６２の外側の頂点部分には局所排気装置８が取り付けられている。図２はこの局所排気装置８の概略断面図である。この局所排気装置８は、空気（または窒素ガス等）を供給すると、変形，膨張してウエハガイド４の周囲に密着することでウエハガイド４の支柱部２７と蓋部６２との間の隙間をシールするエアーシールリング６５と、ウエハガイド４の支柱部２７と蓋部６２との間の隙間へ進入するガスを排出するための環状の排気管６６と、を有している。なお、図２ではエアーシールリング６５によるシールが行われていない状態を示している。
【００４２】
図２に示されるように、エアーシールリング６５に空気を供給しない（または脱気した）状態では、エアーシールリング６５はウエハガイド４と離れるので、ウエハガイド４を昇降させることができる。こうしてウエハガイド４を昇降させる際に排気管６６からの排気を行うことにより、チャンバ５内の雰囲気ガスが外部に漏れることを防止することができる。なお、排気管６６をエアーシールリング６５の下側に設けることで、エアーシールリング６５のＩＰＡ蒸気による劣化を抑制することができる。
【００４３】
液処理部２に設けられた液処理槽６の雰囲気と乾燥処理部３に設けられたチャンバ５の雰囲気とは、これらの中間に水平方向にスライド自在に配置されたシャッタ１０によって隔離し、または連通させることができるようになっている。このシャッタ１０は、液処理槽６において液処理を行うときと液処理槽６とチャンバ５との間でウエハＷを移動させるときには、シャッタボックス１１に収容される。シャッタ１０を円筒部６１の真下に配置した状態では、シャッタ１０の上面に設けられたシールリング１５が円筒部６１の下端に当接することにより、下面開口が気密に閉塞される。なお、シャッタボックス１１には開閉バルブ１７を介在させて排気管１６が設けられており、シャッタボックス１１内の雰囲気を排気することができるようになっている。
【００４４】
このような基板処理装置１におけるウエハＷの処理に伴う各種機構の駆動制御（例えば、蓋部６２の昇降、ウエハガイド４の昇降、シャッタ１０のスライド等）や、窒素ガスや純水、ＩＰＡの各供給源から基板処理装置１への流体供給を制御するバルブの制御等は、制御部（プロセスコントローラ）９９により行われる。制御部９９には、工程管理者が基板処理装置１を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードや、基板処理装置１の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等からなるデータ入出力部９７が接続されている。
【００４５】
また、制御部９９には、基板処理装置１で実行される各種処理を制御部９９の制御にて実現するための制御プログラムや、処理条件に応じて基板処理装置１の各構成部に処理を実行させるためのプログラム（すなわち、レシピ）が格納された記憶部９８が接続されている。レシピはハードディスクや半導体メモリー等に記憶されていてもよいし、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ＲＯＭ等のコンピュータにより読み取り可能な可搬性の記憶媒体に格納された状態で、記憶部９８の所定位置にセットするようになっていてもよい。さらに、他の装置から、例えば専用回線を介してレシピを適宜伝送させるようにしてもよい。
【００４６】
そして、必要に応じて、データ入出力部９７からの指示等にて任意のレシピを記憶部９８から呼び出して制御部９９に実行させることで、制御部９９の制御下で、基板処理装置１での所望の処理が行われる。
【００４７】
次に、基板処理装置１を用いたウエハＷの洗浄処理方法について説明する。
まず、洗浄処理の第１の例について説明する。図３は、洗浄処理の第１の例のフローチャートである。
最初に、液処理槽６とチャンバ５とをシャッタ１０により隔離し（ＳＴＥＰ１ａ）、チャンバ５内が窒素ガスで満たされ、かつ、その内部圧力が大気圧と同じ状態とし（ＳＴＥＰ１ｂ）、一方、液処理槽６の内槽３０に所定の薬液が貯留された状態とする（ＳＴＥＰ１ｃ）。この状態で、ウエハガイド４の保持部２６は乾燥処理部３に配置されている。
【００４８】
蓋部６２を上昇させ、さらにウエハガイド４の保持部２６を円筒部６１の上側に出して、チャンバ５内への窒素ガスの供給を停止し、外部の基板搬送装置（図示せず）からウエハガイド４の保持部２６に５０枚のウエハＷを受け渡す（ＳＴＥＰ２）。次いで、ウエハガイド４を降下させてウエハＷをチャンバ５の円筒部６１内に収容し、さらに蓋部６２を降下させる。このとき、円筒部６１の上面が僅かに開口した状態とする。その後、排気ノズル７３から強制排気を行いながら、液処理槽６とチャンバ５とが連通するようにシャッタ１０をスライドさせる（ＳＴＥＰ３）。
【００４９】
こうしてシャッタ１０を開いても、図示しないファンフィルタユニット（ＦＦＵ）からのダウンフローがチャンバ５内に流入し、円筒部６１の上面開口から排気ノズル７３に向かうクリーンエアの流れが形成されるので、内槽３０に貯留された薬液の雰囲気がチャンバ５へと上昇することを防止することができる。
【００５０】
続いてウエハガイド４をさらに降下させて、保持したウエハＷを内槽３０に貯留された薬液に、所定時間、浸漬させる（ＳＴＥＰ４）。この薬液によるウエハＷの処理が終了したら、ウエハＷを内槽３０内に浸漬させたまま、処理液吐出ノズル３５から純水を内槽３０内に供給して、内槽３０内の薬液を純水に置換し、ウエハＷのリンス処理を行う（ＳＴＥＰ５）。このとき、内槽３０からオーバーフローした薬液と純水は中槽３１に受け止められ、排液管４１およびトラップ４２を通して排液される。なお、内槽３０における薬液から純水への置換は、排液管３６を通して薬液をボックス１３に排出し、その後に内槽３０に純水を供給することによって行ってもよい。
【００５１】
内槽３０内の薬液が純水に置換されたか否かは、濃度センサ５７の測定値によって判断することができる。濃度センサ５７の測定値によって内槽３０内の薬液が純水に置換され、内槽３０内から薬液が排出されたら、強制排気ライン４８から自然排気ライン４９に切り替え、蓋部６２を降下させて円筒部６１の上面を閉塞する。このとき、局所排気装置８においてエアーシールリング６５によるシールは行わず、排気管６６からの排気を開始する。これによりチャンバ５内の雰囲気ガスが外部に漏れることを防止することができる。さらに、窒素ガスノズル７２から所定温度に加熱された窒素ガスをチャンバ５に供給し、チャンバ５内を窒素ガス雰囲気に保持することが好ましい。これによりチャンバ５が温められて、後に水蒸気，ＩＰＡ蒸気をチャンバ５内に供給した際に、チャンバ５の内壁での水蒸気，ＩＰＡ蒸気の結露を抑制することができる。
【００５２】
所定の純水によるウエハＷのリンス処理時間が経過したら、加熱された窒素ガスをチャンバ５内に供給していた場合にはその供給を停止して、ウエハＷをチャンバ５に収容するためにウエハガイド４の引き上げを開始する（ＳＴＥＰ６）。そして、ウエハＷの下端が内槽３０に貯留された純水の水面から出たら（つまり、ウエハＷが完全に純水の表面から出たら）、直ちに、流体ノズル７１から水蒸気とＩＰＡ蒸気の混合蒸気（流体）をチャンバ５内に供給する（ＳＴＥＰ７）。これにより、純水から引き上げられたウエハＷの表面に形成されている純水の膜は、純水とＩＰＡとの混合液の液膜に全体的に置換されるので、ウエハＷに設けられた回路パターンが乾燥することはない。また、このとき液膜の厚さを均一にすることができる。そのため、このステップ６においてパターン倒れが発生することはない。
【００５３】
ウエハＷがチャンバ５内に収容される位置まで上昇したら、ウエハガイド４の昇降を停止し、シャッタ１０を閉じて液処理槽６とチャンバ５の雰囲気を隔離し（ＳＴＥＰ８）、局所排気装置８に設けられたシールリング６５によりウエハガイド４の支柱部２７と蓋部６２との間の隙間をシールする。その後、排気管６６からの排気を停止してもよい。そして、ウエハＷをチャンバ５内の所定位置に保持したら、チャンバ５内に供給している水蒸気の供給量を連続的にまたは段階的にゆっくりと減少させ、すなわち混合蒸気中のＩＰＡ濃度を連続的にまたは段階的にゆっくりと増加させ（ＳＴＥＰ９ａ）、その後に水蒸気の供給を停止する（ＳＴＥＰ９ｂ）。または、ＳＴＥＰ９ａを経ることなく水蒸気の供給を停止する（ＳＴＥＰ９ｂ）。
【００５４】
その後、所定時間の間、チャンバ５内へのＩＰＡ蒸気の供給を続けることにより、ウエハＷの表面に形成された純水とＩＰＡの混合液膜をＩＰＡ膜へ変化させることができる。このようにしてウエハＷの表面にＩＰＡ膜が形成されたら、ＩＰＡ蒸気の供給を停止し（ＳＴＥＰ１０）、続いてウエハＷの乾燥処理を行う。この乾燥処理は、例えば、チャンバ５内に所定温度に加熱された窒素ガスを供給してウエハＷの表面からＩＰＡを揮発，蒸発させ（ＳＴＥＰ１１）、その後に室温の窒素ガスをチャンバ５内に供給してウエハＷを所定の温度に冷却する（ＳＴＥＰ１２）、という手順により行うことができる。
【００５５】
上述した第１の洗浄処理ではマランゴニ効果の発生を抑制することができる。つまり、ウエハＷに設けられた回路パターンの凸部に着目すると、ある凸部の対向する側面の一方は気相に接し、他方は液相に接するという状態になり難い。また、ウエハＷを内槽３０に貯留された純水から引き上げてからウエハＷにＩＰＡ膜を形成させるまでの間に間に常に回路パターンにはほぼ均一な液膜が形成された状態とすることができ、さらにＩＰＡの蒸発をウエハＷの全面で均等に進めることができるので、液相の表面張力に起因してその凸部に掛かる力のバランスが崩れ難く、これによりパターン倒れの発生を抑制することができる。しかも、最終的なウエハＷの乾燥はウエハＷの表面のＩＰＡを揮発または蒸発させることにより行うので、ウォーターマークも発生し難いという利点がある。
【００５６】
また、このようにＩＰＡと純水とを混合したものを用いて乾燥することにより、特に上述のＳＴＥＰ９ａに示すように、混合蒸気中のＩＰＡ濃度を変化させることにより、パターン間の急激な表面張力変化を緩和することができ、パターン倒れを有効に防止することができるようになる。
【００５７】
このことを図４を参照して説明する。図４はパターンに供給する純水およびＩＰＡの混合蒸気中のＩＰＡ濃度と表面張力との関係を示す図である。横軸のＩＰＡ濃度０％は純水が１００％である。この図に示すように、１００％純水では溶面張力が７０ｍＮ／ｍ以上であるのに対し１００％ＩＰＡでは２０ｍＮ／ｍであるからＩＰＡが多いほど、究極的には１００％ＩＰＡであれば表面張力が小さくパターン倒れも少なくなるはずであるが、混合蒸気が必ずしも全てのパターンに均一に供給されないこともあり、実際には供給ムラがり、その場合には、一のパターンには１００％ＩＰＡが置換されているが、他のパターンはまだ置換されておらず１００％純水が残っているという状態が生じる可能性がある。この場合には、１００％ＩＰＡのパターンと１００％純水のパターンとでは表面張力が５０ｍＮ／ｍもの差があることになる。また、１００％ＩＰＡの場合は乾燥が速いため、ＩＰＡの供給ムラに対応して水が存在するパターンと、ＩＰＡが乾燥してしまって何も残っていないパターンとが生じ、この場合にも大きな表面張力差が生じることとなる。このような大きな表面張力差が生じると、やはりパターン倒れが多発してしまう。しかし、ＩＰＡと水とを混合したもの（ＩＰＡと純水との混合蒸気）で置換した場合、乾燥には１００％ＩＰＡと比較して長い時間が必要であるために、供給ムラが生じたとしても、急激な表面張力差は生じないため、パターン倒れを低減することができる。特に、ＩＰＡ濃度を変化させる、典型的にはＩＰＡ濃度を連続的または段階的に徐々に高くするように制御することにより、表面張力の急激な変化を一層緩和することができ、しかも最終的に揮発性が高い１００％ＩＰＡとなるので乾燥効果も高い。このような濃度変化の一例としては、例えば、段階的に１０％のＩＰＡ→２０％のＩＰＡ→３０％のＩＰＡ→１００％のＩＰＡとなるように制御する。
【００５８】
なお、このようにＩＰＡ濃度を徐々に高くして行く場合に、最初にＩＰＡを４０％以下とし、最後にＩＰＡ濃度を９０％以上とすることが好ましい。これは、最初に４０％を超える濃度とする場合には、図４に示すように、１００％ＩＰＡを用いた場合と大差なく、また、最後に９０％以上とすることにより、高い乾燥能力を発揮することができるからである。
【００５９】
なお、上記の例では、単にチャンバ５への水蒸気の供給量を減少させることによりＩＰＡ濃度を増加させたが、水蒸気を定量としてＩＰＡ濃度を上げていき、ＩＰＡ濃度が所定濃度（例えば４０％）に達したら水蒸気の量を減じるといったシーケンスであってもよい。
【００６０】
以上のようにして、ウエハＷの乾燥が終了したら、局所排気装置８に設けられたエアーシールリング６５によるシールを解除し、蓋部６２を上方に上昇させ、これと実質的に同時にウエハガイド４を上昇させて、ウエハＷをチャンバ５の円筒部６１の上側に出す（ＳＴＥＰ１３）。このとき、窒素ガスノズル７２からの窒素ガス供給を停止し、強制排気ライン４８を通して、ファンフィルタユニット（ＦＦＵ）からのクリーンエアーをチャンバ５内に引き入れる。次いで、外部から図示しない基板搬送装置がウエハガイド４にアクセスして、ウエハＷを基板処理装置１から搬出する（ＳＴＥＰ１４）。
【００６１】
次に、基板処理装置１を用いた洗浄処理の第２の例について説明する。図５は、洗浄処理の第２の例のフローチャートである。この図５に示すＳＴＥＰ１０１ａ〜１０５は、図３に示したＳＴＥＰ１ａ〜５と同じであるので、ここでの説明は省略する。
【００６２】
この第２の洗浄処理では、ウエハＷのリンス処理（ＳＴＥＰ１０５）が行われているときに、所定のタイミングでチャンバ５内に水蒸気とＩＰＡ蒸気の供給を開始する（ＳＴＥＰ１０６）。そして、所定のリンス処理時間が経過したら、ウエハＷを所定の速度で内槽３０からチャンバ５に向けて引き上げる（ＳＴＥＰ１０７）。このとき、先のＳＴＥＰ１０６により、内槽３０に貯留された純水の表面にはＩＰＡが溶け込んだ状態（つまり、純水とＩＰＡの混合液）となっているが、ウエハＷの引き上げを短時間で行うことによりマランゴニ効果の発生を抑制することができる。また、チャンバ５の内部および液処理槽６の上部空間は水蒸気とＩＰＡ蒸気の混合雰囲気に保持されているので、ウエハＷをその空間に引き上げてもウエハＷの表面は乾燥し難いので、これによってもマランゴニ効果の発生を抑制することができる。これにより、ＳＴＥＰ１０６におけるパターン倒れの発生を抑制することができる。
【００６３】
また、第１の例と同様に、ＩＰＡと純水とを混合したものを用いて乾燥することにより、特に上述のＳＴＥＰ９ａに示すように、混合蒸気中のＩＰＡ濃度を変化させることにより、パターン間の急激な表面張力変化を緩和することができ、パターン倒れを有効に防止することができるようになる。
【００６４】
なお、この例においても、上記第１の例と同様、蒸気を定量としてＩＰＡ濃度を上げていき、ＩＰＡ濃度が所定濃度（例えば４０％）に達したら水蒸気の量を減じるといったシーケンスを採用することができる。
【００６５】
ウエハＷがチャンバ５へと引き上げられた後の処理工程であるＳＴＥＰ１０８〜１１４は、先に説明した図３記載のＳＴＥＰ８〜ＳＴＥＰ１４と同じであるので、ここでの説明は省略する。このように、この洗浄処理の第２の例を用いても、パターン倒れの発生を抑制し、またウォーターマークの発生をも抑制することができる。
【００６６】
次に、本発明の他の実施形態に係る基板処理装置について説明する。
この実施形態では本発明を枚様式の基板洗浄装置に適用した例について説明する。図６は、本発明の他の実施形態に係る基板処理装置を示す概略構成図である。この基板処理装置１１１は、チャンバー１１２を有し、このチャンバー１１２の中には、基板である半導体ウエハＷを水平状態で吸着保持するためのスピンチャック１１３が設けられている。このスピンチャック１１３は、モーター１１４により回転可能となっている。また、チャンバー１１２内には、スピンチャック１１３に保持されたウエハＷを覆うようにカップ１１５が設けられている。カップ１１５の底部には、排気および排液のための排気・排液管１１６が、チャンバー１１２の下方へ延びるように設けられている。
【００６７】
スピンチャック１１３に保持されたウエハＷの上方には、処理液供給ノズル１２０が図示しない駆動機構によって移動可能に設けられている。この処理液供給ノズル１２０には、処理液供給配管１２２が接続されており、この処理液供給配管１２２には切り換えバルブ１２３が設けられている。この切り換えバルブ１２３には、純水供給源１２５から延びる配管１２４と、薬液供給源１２７から延びる配管１２６とが接続されており、切り換えバルブ１２３を動作させることにより、薬液と純水（ＤＩＷ）のいずれかをウエハＷ上に吐出することができる。これら薬液および純水（ＤＩＷ）は、モーター１１４によりウエハＷを回転させながらウエハＷに供給される。薬液としては、上記実施形態と同様、例えば、希フッ酸水溶液（ＤＨＦ）、アンモニア−過酸化水素水（ＡＰＦ）、硫酸−過酸化水素水（ＳＰＭ）等を挙げることができ、これらによる洗浄処理を行った後、純水（ＤＩＷ）によりリンス処理を行う。なお、薬液処理およびリンス処理の際には、処理液供給ノズル１２０はウエハＷ上をスキャンすることが可能となっている。
【００６８】
一方、ウエハＷの上方に移動可能に洗浄・乾燥用ノズル１３０が図示しない駆動機構によって移動可能に設けられている。この洗浄・乾燥用ノズル１３０には、配管１３１が接続されており、この配管１３１には、純水供給源１３３から延びる配管１３２、ＩＰＡ供給源１３５から延びる配管１３４、高温の窒素ガスを供給する窒素ガス供給源１３７から延びる配管１３６が接続されており、これら配管１３２，１３４，１３６には、それぞれ開閉バルブ１３８，１３９，１４０および流量制御バルブ１３８ａ，１３９ａ，１４０ａが設けられている。これにより、純水、ＩＰＡ、窒素ガスのうち吐出したいものを選択することおよびこれらの流量制御を行うことができ。これらのうち所定のものが所定の流量で配管１３１を通って洗浄・乾燥用ノズル１３０からウエハＷ上に吐出される。なお、洗浄・乾燥ノズル１３０も処理液供給ノズル１２０と同様、ウエハＷ上をスキャンすることが可能となっている。
【００６９】
具体的には、モーター１１４によりウエハＷを回転させながら洗浄・乾燥ノズル１３０を介してウエハＷに純水を供給して洗浄した後、ＩＰＡと純水を所定の割合で混合した混合流体を供給し、さらに高温の窒素ガスを供給することにより、ウエハＷを乾燥させる。
【００７０】
このような基板処理装置１１１におけるウエハＷの処理に伴う各種機構の駆動制御（例えば、モーター１１４やノズル駆動機構等）や、バルブの制御等は、制御部（プロセスコントローラ）１４２により行われる。制御部１４２には、工程管理者が基板処理装置１１１を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードや、基板処理装置１１１の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等からなるデータ入出力部１４３が接続されている。
【００７１】
また、制御部１４２には、基板処理装置１１１で実行される各種処理を制御部１４２の制御にて実現するための制御プログラムや、処理条件に応じて基板処理装置１１１の各構成部に処理を実行させるためのプログラム（すなわち、レシピ）が格納された記憶部１４４が接続されている。レシピはハードディスクや半導体メモリー等に記憶されていてもよいし、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ＲＯＭ等のコンピュータにより読み取り可能な可搬性の記憶媒体に格納された状態で、記憶部１４４の所定位置にセットするようになっていてもよい。さらに、他の装置から、例えば専用回線を介してレシピを適宜伝送させるようにしてもよい。
【００７２】
そして、必要に応じて、データ入出力部１４３からの指示等にて任意のレシピを記憶部１４４から呼び出して制御部１４２に実行させることで、制御部１４２の制御下で、基板処理装置１１１での所望の処理が行われる。
【００７３】
このように構成される基板処理装置においては、まず、洗浄対象であるウエハＷをスピンチャック１１３上に載置する。次いで、処理液供給ノズル１２０をウエハＷの中心の直上に移動させ、モーター１１４によりウエハＷを回転させながら薬液供給源１２７から所定の薬液を配管１２４および処理液供給ノズル１２０を介してウエハＷ上に供給し、ウエハＷの洗浄を行う。洗浄処理が終了後、ウエハＷを回転させたまま、切り替えバルブ１２３により配管１２６から配管１２４に切り替えて処理液供給ノズル１２０を介してウエハＷ上に純水を供給し、リンス処理を行う。この洗浄処理およびリンス処理の間、処理液供給ノズル１２０はウエハＷ上をスキャンすることが好ましい。
【００７４】
リンス処理が終了後、処理液供給ノズル１２０を退避させ、洗浄・乾燥用ノズル１３０をウエハＷの上方に移動させ、開閉バルブ１３８を開いて純水液供給源１３３から配管１３２、１３１および洗浄・乾燥ノズル１３０を介してウエハＷ上に純水を供給してリンスした後、開閉バルブ１３９を開き、さらに流量制御バルブ１３８ａ，１３９ａにより、純水供給源１３３から供給される純水と、ＩＰＡ供給源１３５から供給されるＩＰＡとが混合された混合流体が洗浄・乾燥ノズル１３０からウエハＷ上に吐出される。この場合に、洗浄・乾燥ノズル１３０はウエハＷ上をスキャンすることが好ましい。
【００７５】
このようにＩＰＡと純水とを混合したものを用いて乾燥することにより、上述の実施形態と同様、パターン間の表面張力変化を緩和することができ、パターン倒れを有効に防止することができるようになる。特に混合流体中のＩＰＡ濃度を変化させることにより、その効果が大きい。例えば、純水で洗浄後、最初に混合流体中のＩＰＡ濃度を低濃度（例えば２０％）とし、この低濃度ＩＰＡ混合流体をウエハＷを回転させつつ洗浄・乾燥ノズル１３０をスキャンさせながらウエハＷに供給し、その後、洗浄・乾燥ノズル１３０をウエハＷのセンターに戻し、混合流体のＩＰＡ濃度を高濃度（例えば１００％）とし、この高濃度ＩＰＡ混合流体をウエハＷを回転させつつ洗浄・乾燥ノズル１３０をスキャンさせながらウエハＷに供給するというシーケンスを採用することができる。また、ＩＰＡ濃度の段階をきめ細かく変えて段階的にまたは連続的に混合流体のＩＰＡ濃度を徐々に変化させれば、さらに有効にパターン倒れを防止することができる。この場合に、従前の実施形態と同様、混合流体中のＩＰＡの濃度が、最初が４０％以下、最後が９０％以上とすることが好ましい。
【００７６】
このようにして、ＩＰＡと純水を用いた処理の後、窒素ガス供給源１３７から高温の窒素ガスを洗浄・乾燥ノズル１３０からウエハＷ上に供給して仕上げの乾燥を行う。
【００７７】
以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明はこのような形態に限定されるものではない。例えば、最初の実施形態において、チャンバ５に水蒸気とＩＰＡ蒸気を供給する形態としたが、水蒸気に代えて純水のミストを、ＩＰＡ蒸気に代えてＩＰＡのミストを、チャンバ５に供給する構成としてもよい。この場合、流体ノズル７１として、液体をミスト状にして噴射することができるものを用いればよく、窒素ガス等のガス圧を利用して純水やＩＰＡをミスト化するものを用いてもよい。また、ＩＰＡに限らずアセトン・ジエチルケトン等のケトン類、メチルエーテル等のエーテル類、メチルアルコール・エチルアルコール等のアルコール類等の他の揮発性有機溶剤を用いてもよい。さらに、基板処理装置１ではシャッタ１０により液処理槽６とチャンバ５の雰囲気を隔離し、また連通させることができる構造のものを示したが、このシャッタ１０は必ずしも必要なものではなく、シャッタ１０を有しない装置でも、上述したウエハＷの処理方法を用いることができる。さらにまた、最初の実施形態においては、液処理部と乾燥処理部が別体として構成されている装置について説明したが、液処理部と乾燥処理部とが共用のもの、つまり、液処理槽にて基板洗浄後に洗浄液を排出し、当該液処理槽内に揮発性有機溶剤を供給することで、洗浄・乾燥を行う基板処理装置に対して藻有効である。この場合、基板洗浄後、液処理槽の純水を排出し、次いで液処理槽にＩＰＡ等の揮発性有機溶剤と純水との混合流体を供給すればよく、他の点は図１の基板処理装置と同様に構成することができる。
【００７８】
本発明は薬液を用いた洗浄処理に限定されて適用されるものではなく、ウェットエッチング処理等にも適用することができる。さらに基板は半導体ウエハに限定されるものではなく、液晶ディスプレイ用のガラス基板、プリント配線基板、セラミック基板等であってもよい。
【産業上の利用可能性】
【００７９】
本発明は、半導体ウエハ等の各種基板の洗浄処理装置やエッチング処理装置等、基板を液処理し、その後にリンス処理、乾燥処理を行う装置に好適である。
【図面の簡単な説明】
【００８０】
【図１】本発明の一実施形態に係る基板処理装置の概略構造を示す模式図。
【図２】図１の装置の局所排気装置を示す概略断面図。
【図３】図１の装置におけるウエハの洗浄処理の第１の例を示すフローチャート。
【図４】パターンに供給する純水およびＩＰＡの混合蒸気中のＩＰＡ濃度と表面張力との関係を示す図。
【図５】図１の装置におけるウエハの洗浄処理の第２の例を示すフローチャート。
【図６】本発明の他の実施形態に係る基板処理装置の概略構成をしめす模式図。
【符号の説明】
【００８１】
１，１１１；基板処理装置
２；液処理部
３；乾燥処理部
４；ウエハガイド
５；チャンバ
６；液処理槽
１０；シャッタ
３０；内槽
７１；流体ノズル
７２；窒素ガスノズル
９９，１４２；制御部
１２０；処理液供給ノズル
１３０；洗浄・乾燥ノズル
１３３；純水供給源
１３５；ＩＰＡ供給源
【図１】
0004584783.tif 000002
【図２】
0004584783.tif 000003
【図３】
0004584783.tif 000004
【図４】
0004584783.tif 000005
【図５】
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【図６】
0004584783.tif 000007