(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
低耐圧領域と高耐圧領域の間に高耐圧分離領域を有し、高耐圧領域へのレベルシフト機能を有する半導体装置であって、  第一導電型の半導体基板、 前記半導体基板の主面に形成され、その表面まで空乏化される第二導電型の第一領域、  前記半導体基板の主面に前記第一領域に接続して形成され、その表面まで空乏化されない第二導電型の第二領域、  前記半導体基板の主面に形成され、その表面まで空乏化されない第二導電型の第三領域、  前記第二領域と前記第三領域との間に介在し前記第二領域と前記第三領域とを互いに分離している第一導電型のスリット状領域、  前記半導体基板の主面に前記第三領域に接続して前記第三領域を取り囲むように、かつ、前記第一流域から分離して形成された第二導電型の第四領域、および  前記半導体基板の主面との間に絶縁層を介して形成され前記第二領域と前記第三領域とを電気的に接続する導電路を備え、  前記スリット状領域は、前記第二領域または前記第三領域と前記スリット状領域とで形成されるｐｎ接合に印加される電界が臨界電界以下でその全域が空乏化されるように、前記第二領域と前記第三領域との間の前記スリット状領域の最も狭い部分の幅が前記第二領域の拡散深さの１．１４倍以下となるように形成されたことを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は高耐圧分離領域を有する高耐圧半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
高耐圧分離領域を有する高耐圧半導体装置については、従来リサーフ（RESURF）構造を用いたものが知られている（例えば、特許文献１参照）。図１２に、従来の高耐圧リサーフ構造を使用したレベルシフト機能を有する半導体装置の構造の断面図を示す。この図に示すように、この半導体装置は、図示左側のn ch-リサーフMOSFETと図示右側のリサーフ分離島領域からなっており、ｐ−基板１、ｎ−エピタキシャル層２、ｐ−基板１に達するように形成されたｐ拡散領域３、ｎ＋埋め込み拡散領域４、ｎ拡散領域５、p拡散領域６、酸化膜７、アルミ配線８、ポリシリコンゲート９、アルミ電極１０、およびポリシリコン１１を備えている。アルミ電極１０は、n拡散領域５とp拡散領域６に接して形成され、リサーフ分離島の電位と同電位となっている。ポリシリコン１１は、ｐ拡散領域３と同電位でありフィールドプレートとして機能する。また、n拡散領域５とn＋埋め込み拡散領域４はp拡散領域３にそれぞれ取り囲まれる形でリサーフ構造を構成している。
【特許文献１】米国特許第４，２９２，６４２号明細書
【０００３】
このように構成された半導体装置において、ゲート電極９を＋バイアスすることによってn ch MOSFETがオン状態となり、p拡散領域６に流れる電流によって電極１０とアルミ配線８に電位差が生じる。この電位差を出力とすることで、ゲート９に印加されたロジック信号を高電位側にレベルシフトすることができる。
【０００４】
このような従来の高耐圧半導体装置の構造における問題点は、高電位のアルミ配線８が基板電位であるp拡散領域３の上を横切るため、ｎ−エピタキシャル層２とp拡散領域３との間の空乏層の伸びが阻害され、耐圧が低下する事である。この問題に対しては、図１２に示すように、前述のpn接合上にポリシリコン等でフィールドプレート１１を形成し、空乏層の伸びを確保すること、さらにはフィールドプレートをフローティングで多重に形成し容量結合で表面電界を安定化させること（例えば、USP5455439参照）等の方法で対策されていたが、高耐圧化されるにつれてフィールドプレート１１とアルミ配線８間の酸化膜自体の絶縁強度を確保するために酸化膜厚をかなり厚くする必要が生じプロセスコストが上昇するという問題があった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
この発明は、このような従来の問題点を解決するためになされたもので、プロセスコストの上昇を生ぜず、しかも必要な面積が小さくて高耐圧分離を実現する高耐圧半導体装置を提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】  この発明の半導体装置は、  低耐圧領域と高耐圧領域の間に高耐圧分離領域を有し、高耐圧領域へのレベルシフト機能を有する半導体装置であって、  第一導電型の半導体基板、 前記半導体基板の主面に形成された第二導電型の第一領域、  前記半導体基板の主面に前記第一領域に接続して形成された第二導電型の第二領域、  前記半導体基板の主面に形成された第二導電型の第三領域、  前記第二領域と前記第三領域との間に介在し前記第二領域と前記第三領域とを互いに分離している第一導電型のスリット状領域、  前記半導体基板の主面に前記第三領域に接続して前記第三領域を取り囲むように、かつ、前記第一流域から分離して形成された第二導電型の第四領域、および  前記半導体基板の主面との間に絶縁層を介して形成され前記第二領域と前記第三領域とを電気的に接続する導電路を備え、  前記スリット状領域は、前記第二領域または前記第三領域と前記スリット状領域とで形成されるｐｎ接合に印加される電界が臨界電界以下でその全域が空乏化されるように、前記第二領域と前記第三領域との間の前記スリット状領域の主面に露出した部分の幅が前記第二領域の拡散深さの１．１４倍以下となるように形成されたことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【０００８】
この発明によれば、低耐圧領域と高耐圧領域の間に高耐圧分離領域を有し、高耐圧領域へのレベルシフト機能を有する半導体装置であって、面積が小さくかつプロセスコストを上昇させないものが得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
実施の形態１．
図１は、この発明の実施の形態１のレベルシフト構造を有する半導体装置の半導体領域を示す平面図である。また、図２は図１の平面図における断面Ａ−Ａでの構造を示す断面図である。
【００１０】
先ず図１の平面図に示すように、この発明の半導体装置は、n拡散領域１２ａ,１２ｂがn−拡散領域２ａ,２ｂに取り囲まれる形でリサーフ（RESURF）構造を構成しているが、一部にスリットが入って分割された形となっている。さらに、図２の断面図に示すように、この半導体装置は、図示左半分のｎchリサーフMOSFET領域と図示右半分のリサーフ分離島領域とからなっており、ｐ−シリコン基板１（半導体基板）、ｎ−拡散領域２ａ（第一領域）、ｎ拡散領域５、p拡散領域６、酸化膜７（絶縁層）、アルミ配線（導電路）８、ポリシリコンゲート９、アルミ電極１０、n拡散領域１２ａ（第二領域）、n拡散領域１２ｂ（第三領域）を備えている。なお、図１のｎ−拡散領域２ｂ（第四領域）は図２には現れていないが、ｎ−拡散領域２ａと同じ形でn拡散領域１２ｂの周辺に形成されている。また、アルミ電極１０は、n拡散領域５とp拡散領域６に接して形成されリサーフ分離島の電位と同電位となっている。
【００１１】
このように構成した半導体装置において、ゲート電極９を＋バイアスすることによってｎch  MOSFETがオン状態となり、p拡散領域６に流れる電流によって電極１０とアルミ配線８に電位差が生じる。この電位差を出力とすることでゲート９に印加された信号を高電位側にレベルシフトすることができる。
【００１２】
この発明の構造が従来の構造と異なる点は、ｎchリサーフ  MOSFETのドレイン（図２のｎ−拡散領域２ａ）とリサーフ分離島領域１２ｂとの間にリサーフ構造が無く、幅の狭いp−基板領域１がスリット状の領域１ａとして、表面に露出する形となっていることである。
【００１３】
この構造においてn拡散領域１２ｂが高電位の場合の等電位線を図３に示す。  図３に示すようにn拡散領域１２ａ,１２ｂに挟まれたp−基板１ａは空乏化してしまうため、p−基板１ａ の表面電位はn拡散領域１２ａ,１２ｂと大きな差が生じない。したがってアルミ配線８とその下の基板シリコン１の表面の間の電位差は小さく従来例で問題になった電界集中も生じない。
【００１４】
またレベルシフト時の信号は、電極１０とアルミ配線８の間の電位差として出力されるが、これはn拡散領域１２aと１２ｂ間（ｎch  MOSFETのドレインとしてのn拡散領域１２aとリサーフ分離島領域１２ｂとの間）の電位差と同じである。したがってn拡散領域１２aと１２ｂの間のパンチスルー電圧は出力電圧より大きくする必要がある。一般的に言うと出力電圧はリサーフ分離島領域に内臓された低耐圧の制御回路等で検出されるため、出力電圧は制御回路の電源電圧以下となるように設計される。
【００１５】
以上のことからp−基板１の表面露出領域１ａはリサーフ耐圧を低下させない程度の空乏化が起こり、かつn拡散領域１２ａ,１２ｂ間のパンチスルー電圧を制御回路電源電圧以上となるような濃度と距離にする必要がある。
【００１６】
これを解析的に検討してみる。図４は、この解析をするためにn拡散領域１２aと１２ｂのコーナー部を単純化して模式的に示した図である。図４に示すように、ｎ拡散領域１２ａのパターンコーナー半径をＲ、n拡散領域１２ａ,１２ｂの拡散深さと横拡散長をｒとする。
【００１７】
まずリサーフ耐圧に影響を及ぼさないための必要条件は、両側のn拡散領域１２ａ,１２ｂから伸びる空乏層が中央で接する時にpn接合電界が臨界電界に達しないことである。  コーナー部分のpn接合の電界についてこの条件は式１の形で表現される。ただし、実際のn拡散領域１２ａ,１２ｂからの空乏層の伸び方はコーナーインサイド１２ａ側とアウトサイド１２ｂ側で異なるがほぼ同一と仮定した。
Ecr＞E1＝L・q・Np／（ε・ε′）×
（(L・L／３＋r・L＋R・L／２）／（(R＋r）・r）＋１）      
・・・・・・・・・・・・   式１
ここで、
Ecr：臨界電界（約2.5E5［V／cm］）
E1：空乏層が中央で接する時のpn接合電界
q：電子の電荷量
Np：p−基板１の表面近傍での不純物濃度
ε：真空の誘電率
ε′：シリコンの比誘電率
である。
【００１８】
R＞＞rの場合は以下の式で近似される。
Ecr＞E1＝L・q・Np／（ε・ε′）・（L／（２・r）＋１）・・・  式２
従って、これらの式１または２を満たすように、パターンコーナー半径（R）、n拡散領域１２ａ,１２ｂの拡散深さ（r）およびp−基板１の表面近傍での不純物濃度（Np）を調整する。
【００１９】
次に、図４の構造をとった場合、p−基板１とn拡散領域１２ａ,１２ｂ間の一次元耐圧に対して一般に耐圧低下が発生する。これはn拡散領域１２ａ,１２ｂの周縁部のpn接合コーナー部の単位面積あたりの電気力線が、pn接合の平面部の電気力線より大きくなりpn接合部分での電界が上昇するためである。n拡散領域１２ａのパターンコーナー半径Ｒが、n拡散領域１２の拡散深さおよび横拡散長ｒより十分大きいとすると、pn接合コーナー部の電界はほぼ
（pn接合を表面から見た面積）／（pn接合の実際の面積）
に比例すると考えられる。ここで、pn接合の実際の面積とは、n拡散領域１２ａ,１２ｂのpn接合コーナー部の接合面積の和であり、pn接合を表面から見た面積とは、n拡散領域１２ａ,１２ｂのコーナー部のpn接合を平面に投射した面積とその間のp−基板1ａの表面上での面積（幅２L）との和を指すものとする。
【００２０】
したがってこの値を１以下、すなわち、pn接合コーナー部の電界をpn接合の平面部分の電界の値以下になるように設計すればよいことになる。この条件は次の式３で表現される。
１≧（(r＋L)・(r＋L)＋２R・(r＋L))／(２・r・(π・R／２＋r)）
・・・・・・・・           式３
ここでR＞＞rの場合は
１≧２・(r＋L)／(π・r）・・・・・・・・           式４
よって
２L≦(π−２)・r        ・・・・・・・・            式５
となり、p−基板1の表面上での幅(スリット状のp−基板1ａの幅（２Ｌ)はn拡散領域１２ａ,１２ｂの拡散深さ（ｒ）の（π−２）程度以下にするべきであることが判る。
【００２１】
この効果をR＞＞rとして２次元シミュレーションで確認した結果を図５に示す。この図から判るように、p−基板1の表面上での幅２Lがn拡散領域１２の拡散深さ（ｒ）の（π−２）程度より大きくなると、pn接合コーナー部の耐圧は一次元耐圧の８０％に満たなくなる。また、Lが十分大きい場合（２Ｌ＝∞）一次元耐圧の４３％まで耐圧が低下することがわかる。
【００２２】
次に、空乏層が２L伸びたときのn拡散領域１２ａ,１２ｂ間のパンチスルー電圧Ｖは、前述の議論よりリサーフ分離島領域における制御回路の電源電圧Vcより大きくなる必要がある。これを一次元階段接合で近似すると以下の式で表わされる。
Vc＜V＝２L・L・q・Np／（ε・ε′)(１＋Np／Nn）  ・・・・  式６
ここで、
q： 電子の電荷量
Nn：n拡散領域１２ａ,１２ｂのpn接合近傍での不純物濃度
Np：p−基板１の表面近傍での不純物濃度
ε：真空の誘電率
ε′：シリコンの比誘電率
である。
【００２３】
従って、この式６を満たすように、 p−基板１ａ部の幅（２Ｌ）、 p−基板１ａの表面近傍での不純物濃度（Np）およびn拡散領域１２ａ,１２ｂのpn接合近傍での不純物濃度（ Nn）を調整する。
【００２４】
図５にパンチスルー電圧のシミュレーション結果を並記している。p−基板1の表面上での幅（２Lがn拡散領域１２ａ,１２ｂの拡散深さ（ｒ）の（π−２）倍において、パンチスルー電圧は５０Vまで上昇しており、一般的な制御回路電源電圧より十分大きな値が得られている。従って、この値からも 間隙部のp−基板１ａの幅２Lはn拡散深さ（ｒ）の（π-2）倍以下、即ちn拡散深さの１．１４倍以下で設計すべきであることがわかる。
【００２５】
以上述べたようなこの実施の形態の半導体装置の構造によると、レベルシフト素子としてのn−拡散領域２ａをリサーフ分離島領域１２ｂの片方のみに形成することでレベルシフトが実現できる。従って、デバイス面積を大幅に削減する事が出来る。また、プロセスを変更する必要も無いためプロセスコストの上昇も無い。
【００２６】
実施の形態２．
図６は、この発明の実施の形態２の半導体装置について、その半導体領域の配設状態を示す平面図である。図６における断面Ａ−Ａの構造は、図２と同様であるので、図示説明を省略する。この実施の形態２の半導体装置は、図６の平面図に示すように、ｐ−シリコン基板１（半導体基板）にｎ−拡散領域２ａ（第一領域）が分離して２つ、所定間隔をおいて形成され、これらに接してそれぞれ n拡散領域（第二領域）１２ａが２つ形成され互いに所定間隔を隔てて対向している。また、この２つのn拡散領域（第二領域）１２ａと所定間隔をおいて、 n拡散領域（第三領域）１２ｂが形成されている。そして、 n拡散領域１２ｂの周縁にｎ−拡散領域（第四領域）２ｂが形成され、ｎ−拡散領域２ａ（第一領域）とは所定間隔を隔てて対向している構図となっている。図中、図１および２と同一の符号は同一または相当部分を示す。
【００２７】
この実施の形態２の構造は、ｎリサーフ分離島から同じ位置で隣り合う複数の小区域を分割して相互に間隔を隔てたものである。そして、これら２つのn拡散領域（第二領域）１２ａとn拡散領域（第三領域）１２ｂとを含めた領域は、その外周をｎ−拡散領域２ａ（第一領域）とｎ−拡散領域（第四領域）２ｂとを含む領域によって包囲されている。
【００２８】
このように、この実施の形態２では、ｎch  リサーフ  MOSFETを２つ、一般には複数組み込んだものである。このようにすれば一つのリサーフ分離島領域に複数のレベルシフト素子を接続することができる。この点を別にすれば、この半導体装置の高電圧分離の作用、機能は図１および２の実施の形態１のものと同じであるので、詳細な説明は省略する。また、このような構成においても、リサーフMOSFETは、リサーフ分離島領域の一側にのみ設けることで足りるため、素子面積の増加を抑える事ができる。
【００２９】
実施の形態３．
図７は、この発明の実施の形態３の半導体装置について、その半導体領域の配置を示す平面図である。図７に示す断面Ａ−Ａの構造は、図２と同様であるので、図示説明を省略する。この実施の形態３の半導体装置は、図７の平面図に示すように、ｐ−シリコン基板１（半導体基板）にｎ−拡散領域２ａ（第一領域）が分離して２つ形成され、これに接してそれぞれ n拡散領域（第二領域）１２ａが２つ形成されている。この２つのn拡散領域（第二領域）１２ａと所定間隔をおいて、 n拡散領域（第三領域）１２ｂが形成され、かつ２つのn拡散領域（第二領域）１２ａの間に伸びている。そして、 n拡散領域１２ｂの周縁にｎ−拡散領域（第四領域）２ｂが形成され、 ｎ−拡散領域２ａ（第一領域）とは所定間隔を隔てて対向している。さらに、ｎ−拡散領域（第四領域）２ｂは、２つのn拡散領域（第二領域）１２ａの間のn拡散領域（第三領域）１２ｂに接続し、かつ２つのｎ−拡散領域２ａ（第一領域）の間にこれら２つのｎ−拡散領域２ａ（第一領域）と所定間隔をおいて配置されている。
【００３０】
この実施の形態３の半導体装置は、図１及び２の実施の形態１に示した装置におけるｎchリサーフ  MOSFETが、１つのリサーフ分離島の別の位置で、複数個形成されたとみることができる。
【００３１】
このように、本実施の形態３は、n ch リサーフ MOSFETを複数組み込んだものである。実施の形態３との違いは、２つのn ch リサーフMOSFET 間にリサーフ分離島のn拡散領域１２ａに接して形成されたn−拡散領域２ａが形成されていることである。このようにすれば、一つのリサーフ分離島領域に複数のレベルシフト素子を接続することができる。また、リサーフMOSFETは、リサーフ分離島領域の一側にのみ設けることで足りるため、素子面積の増加を抑える事ができる。さらに、２つのｎchリサーフ  MOSFET間の寄生素子L-npn（ラテラルトランジスタ構造）等に起因する寄生動作を防止することができる。
【００３２】
なお、図７の例では、ｎchリサーフ  MOSFETによるレベルシフト機能を２組備えているが、これは必要に応じ適宜複数組備えることができる。
【００３３】
実施の形態４．
図８は、この発明の実施の形態４によるレベルシフト構造を有する半導体装置について、その半導体領域の配置を示す平面図である。この実施の形態４の半導体装置の図９における断面Ａ−Ａの構造は、図１と同様であるので図示説明を省略する。
【００３４】
この実施の形態４の半導体装置は、図９の平面図に示すように、ｐ−シリコン基板１（半導体基板）に、ｎ−拡散領域２ａ（第一領域）が環状に形成され、この内側に接して、n拡散領域（第二領域）１２ａが環状に形成されている。さらに、この内側に、所定幅のｐ−基板１ａを挟んで島状のn拡散領域１２ｂを備えている。
【００３５】
このようにこの実施の形態４の装置は、実施の形態１と違い、n拡散領域１２ａ,１２ｂの間の分離が環状に形成され、n拡散領域２ａの部分は分割されない構造となっていることである。この点を別にすれば、この実施の形態４の装置の作用、機能は、図１に示したものと同じであるので詳細な説明は省略する。図１および図２に示す実施の形態１の構造では、n−拡散領域２が分離されることによる耐圧の低下の可能性があるが、本構造ではn−拡散領域２を分割することによる耐圧低下のおそれはない。
【００３６】
実施の形態５．
図９は、この発明の実施の形態５によるレベルシフト構造を有する半導体装置の断面構造を示す図である。この実施の形態５の半導体装置の半導体領域の平面構造は、図１と同様であるので図示を省略する。図９は、図１における断面Ａ−Ａと同じ位置における断面図を示すものである。この実施の形態５の半導体装置は、図９の断面構造に示すように、ｐ−シリコン基板１（半導体基板）、ｎ−拡散領域２ａ（第一領域）、ｎ拡散領域５、p拡散領域６、酸化膜７（絶縁層）、アルミ配線８（導電路）、ポリシリコンゲート９、n拡散領域５とp拡散領域６に接して形成され島電位と同電位となっているアルミ電極１０、n拡散領域１２ａ（第二領域）、n拡散領域１２ａ（第三領域）を備えている。また、図１のｎ−拡散領域２ｂ（第四領域）は図９には現れていないが、ｎ−拡散領域２ａと同じ形でn拡散領域１２ｂの周辺に形成されている。なお、これらは、図１のものと同じであるので説明を省略する。
【００３７】
さらに、この実施の形態５では、実施の形態１の構造に加えてｎchリサーフMOSFET側のn拡散領域１２aと同電位のポリシリコン１３が、酸化膜７の中に配置され、その下の酸化膜の部分（これを酸化膜７ａ（絶縁膜）とする）を挟んで、p−基板１の表面に露出した部分１ａを覆うように形成されているものである。そして、このポリシリコン１３は、n拡散領域１２a,１２ｂとｐ−基板１との間に形成されるｐｎ接合を覆い、かつn拡散領域１２a,１２ｂの部分の上に延在している。このように形成した場合、レベルシフト動作時に、n拡散領域１２ａ,１２ｂ間、すなわちｎch  MOSドレインのn拡散領域１２aとリサーフ分離島のn拡散領域１２ｂとの間でのパンチスルーを、ポリシリコン層１３によるフィールドプレート効果で防ぐことができる。ただし、リサーフ分離島領域側のn拡散領域１２ｂにおいて、ポリシリコン１３下の酸化膜７ａの厚さが薄すぎるとポリシリコン１３の下のSi表面で電界集中を起こし逆に耐圧低下する可能性がある。
【００３８】
したがって以下の条件を満たす必要がある。先ず、図１０に、ポリシリコン１３とリサーフ分離島領域側のn拡散領域１２ｂが、酸化膜７ａを挟んで対向している構造を拡大して示す。同時に、電界分布も示している。ポリシリコン１３の下の酸化膜７ａの厚さをｔ、n拡散領域１２ｂの中に伸びた空乏層の厚さをｄとする。シリコン酸化膜７ａとn拡散領域１２ｂとによる耐圧は、制御回路の電源電圧Vcより大きくなければならない。このことから次式７が得られる。
Vc＜q・Nn・d／（ε・ε′）・（ε′・t／εox＋d／２）  ・・・式７
【００３９】
また、シリコン酸化膜７ａの界面での電界が、臨界電圧Ecr′以下でなければならないことから、次式８が得られる。
Ecr′＞q・Nn・d／（ε・ε′）    ・・・・・・・・・・・・    式８
これらに式において、
Ecr′：シリコンと酸化膜界面の臨界電界（約5E5［V／cm］）
q：電子の電荷量
Nn：n拡散領域１２ｂの不純物濃度
ε：真空の誘電率
ε′：シリコンの比誘電率
εox：酸化膜の比誘電率
d：ポリシリコン１３端部直下の空乏層幅
t：ポリシリコン１３端部直下の酸化膜厚
である。
【００４０】
実際にはn領域１２の不純物濃度（Nn）の大きな所までフィールドプレート１３が延在して形成されている場合が大部分のため、空乏層dはかなり小さくなると見てよい。したがって一般的には式７の右辺第一項の値が制御電圧Vcより大きくなる事が望ましい。すなわち、
Vc＜q・Nn・d／(ε・ε′)・(ε′・ t／εox）
したがって、
Vc＜q・Nn・d・t／ε・εox     ・・・・・・・・・・・・  式９
これらの式７〜９を満たすように、ポリシリコン１３端部直下の酸化膜厚（t）、 n拡散領域１２ｂの不純物濃度（Nn）を調整する。
【００４１】
さらに、 図１１は、図９のようにポリシリコン１３がp−基板１ａを覆うように形成した場合の電気力線の状態（図１１（ａ））を、ポリシリコン１３がない場合（図１１（ｂ））と比較して示した図である。図１１に示すように、p−基板１ａの表面領域上にポリシリコン１３がある事によって一部の電気力線がポリシリコン１３に終端することになり、pn接合コーナー部分の電界が緩和される。このことにより、p−基板１とn拡散領域１２の間の耐圧は、さらに低下しにくくなる。
【００４２】
図５にフィールドプレート１３がある時の耐圧のシミュレーション結果を並記しているが、一次元に対し８５％となりフィールドプレート無しに対し６％の耐圧改善が得られている。この構造によると、実施の形態１の効果に加えて、さらに耐圧とパンチスルー電圧を上げることが出来る。
【００４３】
なお、図９の装置は、実施の形態１の図１および２の装置にフィールドプレート１３をもうけた例であるが、実施の形態２ないし４の図６ないし８の装置にも同様フィールドプレートを適用することができる。
【００４４】
また以上は、酸化膜７の中に配設されたポリシリコン１３とその下の酸化膜７ａおよびｎ拡散領域１２ｂについて耐圧を考察した。この同じ考察は、実施の形態１ないし４における図１ないし図８の装置において、アルミ配線８とその下の酸化膜７およびｎ拡散領域１２ｂの耐圧についても適用できる。すなわち、これらの場合も、式７ないし９の条件が満たされるように、アルミ配線８端部直下の酸化膜厚（t）、 n拡散領域１２ｂの不純物濃度（Nn）が調整される。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】この発明の実施の形態１の半導体装置の半導体領域の平面図。
【図２】この発明の実施の形態１の半導体装置の部分の断面構造図。
【図３】この発明の実施の形態１の半導体装置の動作を説明するための部分断面構造図。
【図４】この発明の実施の形態１の半導体装置の動作を説明するための部分断面した斜視図。
【図５】この発明の実施の形態１の半導体装置の動作を説明するためのシミュレーション結果を示す図。
【図６】この発明の実施の形態２の半導体装置の半導体領域の平面図。
【図７】この発明の実施の形態３の半導体装置の半導体領域の平面図。
【図８】この発明の実施の形態４の半導体装置の半導体領域の平面図。
【図９】この発明の実施の形態５の半導体装置の部分の断面構造図。
【図１０】この発明の実施の形態５の半導体装置の動作を説明するための部分断面拡大図。
【図１１】この発明の実施の形態５の半導体装置の動作を説明するための電気力線図。
【図１２】従来の半導体装置の構造例を示す断面図。
【符号の説明】
【００４６】
１  半導体基板（ｐ−基板）、２ａ  第一領域（ｎ−拡散領域）、２ｂ  第四領域（ｎ−拡散領域）、７  絶縁層（酸化膜）、７ａ  絶縁膜（酸化膜）、８  導電路（アルミ配線）、１２ａ  第二領域（ｎ拡散領域）、１２ｂ  第三領域（ｎ拡散領域）、１３  フィールドプレート（ポリシリコン）
【図１】
0004574601.tif 000002
【図２】
0004574601.tif 000003
【図３】
0004574601.tif 000004
【図４】
0004574601.tif 000005
【図５】
0004574601.tif 000006
【図６】
0004574601.tif 000007
【図７】
0004574601.tif 000008
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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