(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
上部基板上にアノード電極を形成する段階と、
前記アノード電極上に有機発光層が形成される領域を露出させて絶縁膜を形成する段階と、
前記上部基板上にＺｎＯ膜を成膜させるために、ＺｎＯを全面蒸着する段階と、
前記ＺｎＯ膜をパターニングし、前記上部基板上に有機発光層が形成されるセル領域を分離させる逆テーパ状の隔壁を形成する段階と、
前記逆テーパ状の隔壁が形成された前記上部基板上に絶縁物質を全面に塗布した後前記絶縁物質をパターニングすることにより駆動用薄膜トランジスタのドレイン電極と重畳される領域の前記絶縁膜上にスペーサを形成する段階と、
前記隔壁により分離された前記セル領域に有機発光層を形成する段階と、
前記有機発光層と前記スペーサ上にカソード電極を形成する段階と
前記上部基板と対面する下部基板上に、前記カソード電極と接続されるドレイン電極を含む前記駆動用薄膜トランジスタ及び前記駆動用薄膜トランジスタのゲート電極に接続されるドレイン電極を含むスイッチング用薄膜トランジスタを形成する段階と、
前記上部基板と前記下部基板とを合着して前記カソード電極と前記駆動用薄膜トランジスタのドレイン電極を接続する段階と
を含むことを特徴とする有機電界発光表示素子の製造方法。
【請求項２】
前記ＺｎＯは、１５０°Ｃ以上の温度で蒸着され、かつ成長されることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
【請求項３】
前記ＺｎＯ膜は、下部に非晶質の分布度が高く、上部に結晶質の分布度が高いことを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
【請求項４】
前記ＺｎＯ膜は、フォトリソグラフィ工程とウェットエッチング工程でパターニングされることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
【請求項５】
前記カソード電極を形成する段階は、前記逆テーパ状の隔壁及び前記有機発光層が形成された前記上部基板上に電極物質を全面蒸着する段階を含むことを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
【請求項６】
前記スペーサは、前記カソード電極と前記駆動用薄膜トランジスタのドレイン電極を接続させることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
【請求項７】
前記カソード電極は、前記スペーサを覆うように形成され、前記駆動用薄膜トランジスタのドレイン電極と接続されることを特徴とする請求項６に記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
【請求項８】
前記有機発光層が形成される領域を露出させるバス電極を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
【請求項９】
上部基板上に形成されたアノード電極と、
前記アノード電極上に前記有機発光層が形成される領域を露出させる絶縁膜と、
前記上部基板上に有機発光層が形成されるセル領域を分離させ、ＺｎＯにより形成された逆テーパ状の隔壁と、
駆動用薄膜トランジスタのドレイン電極と重畳される領域の前記絶縁膜上に形成されるスペーサと、
前記隔壁により分離された前記セル領域に形成された有機発光層と、
前記有機発光層と前記スペーサ上に形成されたカソード電極と、
前記上部基板と対面するように合着された下部基板上に形成された、前記カソード電極と接続されるドレイン電極を含む前記駆動用薄膜トランジスタ及び前記駆動用トランジスタのゲート電極に接続されるドレイン電極を含むスイッチング用薄膜トランジスタと
を含むことを特徴とする有機電界発光表示素子。
【請求項１０】
前記逆テーパ状の隔壁は、下部に非晶質の分布度が高く、上部に結晶質の分布度が高いことを特徴とする請求項９に記載の有機電界発光表示素子。
【請求項１１】
前記スペーサは、前記カソード電極と前記駆動用薄膜トランジスタのドレイン電極を接続させることを特徴とする請求項９に記載の有機電界発光表示素子。
【請求項１２】
前記カソード電極は、前記スペーサを覆うように形成され、前記駆動用薄膜トランジスタのドレイン電極と接続されることを特徴とする請求項９に記載の有機電界発光表示素子。
【請求項１３】
前記有機発光層が形成される領域を露出させるバス電極を前記上部基板上にさらに備えることを特徴とする請求項９に記載の有機電界発光表示素子。
【請求項１４】
前記隔壁は、前記絶縁膜上にＺｎＯを全面蒸着した後、フォトリソグラフィ工程とウェットエッチング工程でパターニングして形成されることを特徴とする請求項９に記載の有機電界発光表示素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機電界発光表示素子の製造方法及び有機電界発光表示素子に関し、特に、ＺｎＯ膜を用いて隔壁を形成することにより工程を単純化することが可能になる有機電界発光表示素子の製造方法及び有機電界発光表示素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、陰極線管（Ｃａｔｈｏｄｅ  Ｒａｙ  Ｔｕｂｅ：ＣＲＴ）の問題点である重さと体積とを低減させることのできる各種平板表示素子が開発されている。このような平板表示素子には、液晶表示素子（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ：ＬＣＤ）、電界放出表示素子（Ｆｉｅｌｄ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ｄｉｓｐｌａｙ：ＦＥＤ）、プラズマディスプレイパネル（Ｐｌａｓｍａ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｐａｎｅｌ：ＰＤＰ）及び有機電界発光（Ｅｌｅｃｔｒｏ−ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：ＥＬ）表示素子等がある。
【０００３】
このうち、ＰＤＰは、構造及び製造工程が単純であるため、軽薄短小であると共に、大画面化に最も有利な表示装置として注目を浴びている。しかしながら、発光効率と輝度が低く、消費電力が大きいという問題点がある。反面、スイッチング素子として薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＴＦＴ）が適用されたアクティブマトリクスＬＣＤは、半導体工程を用いるため、大画面化することに困難さがあり、バックライトユニットにより消費電力が大きくなる問題点がある。また、ＬＣＤは、偏光フィルタ、プリズムシート、拡散板等の光学素子により光損失が多く、視野角が狭いという問題点を有する。
【０００４】
これに反し、ＥＬ表示素子は、発光層の材料により無機ＥＬ表示素子と有機ＥＬ表示素子とに大別され、自らが発光する自発光素子として、応答速度が速く、発光効率、輝度及び視野角が大きいという利点を有する。無機ＥＬ表示素子は、有機ＥＬ表示素子に比べ、電力消耗が多く、高輝度を得ることができず、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の多様な色を発光させることができない。一方、有機ＥＬ表示素子は、数十ボルトの低い直流電圧で駆動されると共に、速い応答速度を有し、高輝度が得られ、Ｒ、Ｇ、Ｂの多様な色を発光させることができるため、次世代平板ディスプレイ素子に適している。
【０００５】
有機ＥＬ表示素子は、ゲートラインとデータラインとの交差に定義された領域にそれぞれ配列されたサブピクセルを備える。サブピクセルは、ゲートラインにゲートパルスが供給される場合、データラインからのデータ信号の供給を受け、そのデータ信号に相応する光に発光することにより画像を表示する。
【０００６】
有機ＥＬ表示素子は、ＥＬセルが形成される上部アレイ基板と、ＥＬセルを駆動させるための駆動用ＴＦＴが形成される下部アレイ基板と、ＥＬセルのカソード電極と駆動用ＴＦＴのドレイン電極を接続させるスペーサとを備える。
【０００７】
この場合、ＥＬセルは、隔壁により区分されるように形成され、このような隔壁は、ＥＬセルを分離するために、逆テーパ状に形成される。この逆テーパ状の隔壁は、ＥＬセルの有機発光層を有効に分離するのみならず、カソード電極をパターニングすることなく、電極物質の蒸着のみで分離することを可能にする。従って、有機ＥＬ表示素子は、逆テーパ状の隔壁により有機発光層を有効に分離することにより、その収率が向上され、カソード電極をパターニングすることなく形成できることから、その製造費用が節減される。
【０００８】
以下、有機ＥＬ表示素子の逆テーパ状の隔壁を形成する方法について、図１Ａないし図１Ｃを参照して詳細に説明すると、次の通りである。
【０００９】
図１Ａを参照すると、従来の有機ＥＬ表示素子の逆テーパ状の隔壁８の製造方法は、バス電極５、アノード電極４及び絶縁膜６が形成された上部基板２上に２８０℃以下の温度で窒化シリコン（ＳｉＮｘ）８ａを全面蒸着する。
【００１０】
続いて、２８０℃以下の温度で全面蒸着された窒化シリコン８ａ上に、３５０℃以上の温度で窒化シリコン８ｂを図１Ｂのように全面蒸着する。その次に、フォトリソグラフィ工程とドライエッチング工程により窒化シリコン８ａ、８ｂをパターニングすることにより、図１Ｃのように、その下段には正テーパを有し、その上段には逆テーパを有する隔壁８を形成する。
【００１１】
ここで、窒化シリコンは、蒸着される温度により、ドライエッチング工程でエッチングされる形状が変化する特性がある。これを詳細に説明すると、２８０℃以下の温度で蒸着された窒化シリコンは、ドライエッチング工程により正テーパ状にエッチングされ、３５０℃以上の温度で蒸着された窒化シリコンは、ドライエッチング工程により逆テーパ状にエッチングされる。従って、従来の有機ＥＬ表示素子の逆テーパ状の隔壁８は、このような窒化シリコンの性質を用いて、窒化シリコンをそれぞれ異なる温度で蒸着し、その下段に正テーパの形状を有し、その上段に逆テーパを有する隔壁８を形成することができる。
【００１２】
しかしながら、従来の有機ＥＬ表示素子の製造方法は、３５０℃以上の温度で蒸着された窒化シリコンは、ドライエッチング工程により、図２に示すように、大きな逆テーパを有するようにエッチングされる特性を有する。これにより、従来の有機ＥＬ表示素子の製造方法は、有機発光層１０が形成され得る領域が大きな逆テーパにより遮られるような現象を低減し、有機発光層１０が満たされる高さよりも高い高さを有する隔壁８を形成しなければならない。
【００１３】
従って、従来の有機ＥＬ表示素子の製造方法は、逆テーパ状の隔壁８ｂの高さを低くするために、３５０℃以上の温度で蒸着する窒化シリコンの厚さを薄くする。この結果、逆テーパ状の隔壁８ｂにより有機発光層１０が形成され得る領域が遮られる現象は抑えられる。そして、逆テーパ状の隔壁８ｂの下段に２８０℃以下の温度で窒化シリコンを蒸着し、正テーパを有する隔壁８ａを形成することにより、有機発光層１０が満たされ得る高さに隔壁８を形成している。
【００１４】
これに従って、従来の有機ＥＬ表示素子の製造方法は、窒化シリコンを互いに異なる蒸着温度で蒸着し、その下段に正テーパ状の隔壁８ａを形成し、その上段に逆テーパ状の隔壁８ｂを形成するため、工程数が増加するといった問題点がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
従って、本発明の目的は、ＺｎＯ膜を用いて隔壁を形成することにより、工程を単純化することが可能になる有機電界発光表示素子の製造方法及びそれを用いた有機電界発光表示素子を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
前記目的の達成のため、本発明の実施の形態に係る有機電界発光表示素子の製造方法は、上部基板上にアノード電極を形成する段階と、前記アノード電極上に有機発光層が形成される領域を露出させて絶縁膜を形成する段階と、前記上部基板上にＺｎＯ膜を成膜させるために、ＺｎＯを全面蒸着する段階と、前記ＺｎＯ膜をパターニングし、前記上部基板上に有機発光層が形成されるセル領域を分離させる逆テーパ状の隔壁を形成する段階と、前記逆テーパ状の隔壁が形成された前記上部基板上に絶縁物質を全面に塗布した後前記絶縁物質をパターニングすることにより駆動用薄膜トランジスタのドレイン電極と重畳される領域の前記絶縁膜上にスペーサを形成する段階と、前記隔壁により分離された前記セル領域に有機発光層を形成する段階と、前記有機発光層と前記スペーサ上にカソード電極を形成する段階と前記上部基板と対面する下部基板上に、前記カソード電極と接続されるドレイン電極を含む前記駆動用薄膜トランジスタ及び前記駆動用薄膜トランジスタのゲート電極に接続されるドレイン電極を含むスイッチング用薄膜トランジスタを形成する段階と、前記上部基板と前記下部基板とを合着して前記カソード電極と前記駆動用薄膜トランジスタのドレイン電極を接続する段階とを含む。
【００１７】
ＺｎＯは、１５０℃以上の温度で蒸着され、かつ成長される。
【００１８】
ＺｎＯ膜は、下部に非晶質の分布度が高く、上部に結晶質の分布度が高い。
【００１９】
ＺｎＯ膜は、フォトリソグラフィ工程とウェットエッチング工程でパターニングされる。
【００２０】
カソード電極を形成する段階は、逆テーパ状の隔壁及び有機発光層が形成された上部基板上に電極物質を全面蒸着する段階を含む。
【００２３】
前記スペーサは、前記カソード電極と前記駆動用薄膜トランジスタのドレイン電極を接続させる。
【００２４】
前記カソード電極は、前記スペーサを覆うように形成され、前記駆動用薄膜トランジスタのドレイン電極と接続される。
【００２５】
前記有機電界発光表示素子の製造方法は、前記有機発光層が形成される領域を露出させるバス電極を形成する段階をさらに含む。
【００２６】
本発明の実施の形態に係る有機電界発光表示素子は、上部基板上に形成されたアノード電極と、前記アノード電極上に有機発光層が形成される領域を露出させる絶縁膜と、前記上部基板上に有機発光層が形成されるセル領域を分離させ、ＺｎＯにより形成された逆テーパ状の隔壁と、駆動用薄膜トランジスタのドレイン電極と重畳される領域の前記絶縁膜上に形成されるスペーサと、前記隔壁により分離された前記セル領域に形成された有機発光層と、前記有機発光層と前記スペーサ上に形成されたカソード電極と、前記上部基板と対面するように合着された下部基板上に形成された、前記カソード電極と接続されるドレイン電極を含む前記駆動用薄膜トランジスタ及び前記駆動用トランジスタのゲート電極に接続されるドレイン電極を含むスイッチング用薄膜トランジスタとを含む。
【発明の効果】
【００２７】
前述のように、本発明の実施の形態に係る有機電界発光表示素子の製造方法は、ＺｎＯが１５０℃以上の温度で蒸着し、ウェットエッチング工程でエッチングし、ＺｎＯを用いて逆テーパ状の隔壁を形成する。これに従って、本発明に係る有機ＥＬ表示素子の製造方法は、従来逆テーパ状の隔壁を形成するため、窒化シリコンを互いに異なる温度で蒸着する工程を削減することにより、その工程数を減少させることが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、図３ないし図６を参照し、本発明の好ましい実施の形態について説明する。
【００２９】
図３は、本発明の実施の形態に係る有機ＥＬ表示素子を示す断面図である。
【００３０】
図３を参照すると、本発明の実施の形態に係る有機ＥＬ表示素子は、ＥＬセルが形成される上部アレイ基板１０１と、ＥＬセルを駆動させるための駆動用ＴＦＴ（Ｔ２）が形成される下部アレイ基板１２１と、ＥＬセルのカソード電極１１２と駆動用ＴＦＴ（Ｔ２）のドレイン電極１２８を接続させるスペーサ１５０とを備える。
【００３１】
上部アレイ基板１０１は、上部基板１０２上に有機発光層１１０が形成され、その間に形成された絶縁膜１０６により絶縁されるアノード電極１０４及びカソード電極１１２を含むＥＬセルと、ＥＬセルの分離のための隔壁１０８と、アノード電極１０４の高い抵抗を補償するため、アノード電極１０４下に形成されたバス電極１０５とを備える。そして、有機ＥＬ表示素子は、上部アレイ基板１０１のカソード電極１１２と、下部アレイ基板１２１の駆動用ＴＦＴ（Ｔ２）のドレイン電極１２８とを接続させるためのスペーサ１５０を備える。
【００３２】
上部アレイ基板１０１において、アノード電極１０４は、上部基板１０２上にＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）等の透明導電性物質が全面蒸着され形成される。このアノード電極１０４には、電圧供給源（ＶＤＤ、図１参照）から正孔を放出させるための駆動信号が供給される。
【００３３】
バス電極１０５は、有機発光層１１０が形成される領域を露出させるように形成され、アノード電極１０４と接続され、アノード電極１０４の高い抵抗を補償する。
【００３４】
カソード電極１１２は、隔壁１０８により分離されたＥＬセル領域に形成される。このカソード電極１１２には、駆動用ＴＦＴ（Ｔ２）を通じて電子を放出させるための駆動信号が供給される。この場合、カソード電極１１２は、スペーサ１５０を覆うように形成され、下部アレイ基板１２１の駆動用ＴＦＴ（Ｔ２）のドレイン電極１２８と接続される。
【００３５】
隔壁１０８は、上部基板１０２上にＺｎＯを高温で蒸着した後、ウェットエッチング工程でパターニングされることにより、逆テーパ状に形成される。この隔壁１０８は、有機発光層１１０が形成される領域を露出させるように形成されてＥＬセル領域を区分し、逆テーパ状に形成されてカソード電極１１２の形成の際、パターニングすることなしにカソード電極１１２を分離させる。
【００３６】
有機発光層１１０は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層が積層され形成される。この有機発光層１１０は、アノード電極１０４とカソード電極１１２に駆動信号が供給されると、アノード電極１０４及びカソード電極１１２から放出された正孔と電子が発光層内で再結合することにより可視光を発生する。この際、発生された可視光が透明電極であるアノード電極１０４を通じて外部に出ることにより、有機ＥＬ表示素子は、所定の画像または映像を示す。
【００３７】
スペーサ１５０は、下部アレイ基板１２１の駆動用ＴＦＴ（Ｔ２）のドレイン電極１２８と重畳される上部基板１０２上に形成され、下部アレイ基板１２１の駆動用ＴＦＴ（Ｔ２）のドレイン電極１２８とＥＬセルのカソード電極１１２とを接続させる。
【００３８】
下部アレイ基板１２１は、スイッチング用ＴＦＴ（Ｔ１、図１参照）と、スイッチング用ＴＦＴのドレイン電極にゲート電極１２４が接続される駆動用ＴＦＴ（Ｔ２）とを備える。
【００３９】
下部アレイ基板１２１において、スイッチング用ＴＦＴのゲート電極は、ゲートラインと接続され、ソース電極は、データラインに接続され、ドレイン電極は、駆動用ＴＦＴ（Ｔ２）のゲート電極１２４と接続される。
【００４０】
駆動用ＴＦＴ（Ｔ２）のゲート電極１２４は、ゲートラインと共に下部基板１２２上に形成され、駆動用ＴＦＴ（Ｔ２）のゲート電極１２４とゲート絶縁膜１３６を介して重畳される半導体層１３８と、半導体層１３８を介してデータラインと共に形成される駆動用ＴＦＴ（Ｔ２）のソース電極１２６及びドレイン電極１２８を備える。駆動用ＴＦＴ（Ｔ２）のソース電極１２６は、基底電圧源（ＧＮＤ、図１参照）と接続され、駆動用ＴＦＴ（Ｔ２）のドレイン電極１２８は、上部アレイ基板１０１のカソード電極１１２と接続される。この際、駆動用ＴＦＴ（Ｔ２）のドレイン電極１２８は、保護膜１３０を貫通するドレイン接触ホール１３４を通じて保護膜１３０上に露出された接触電極１３２を通じて、上部アレイ基板１０１のカソード電極１１２と接続される。
【００４１】
以下、図４Ａないし図４Ｆを参照し、本発明の実施の形態に係る有機ＥＬ表示素子の製造方法を詳細に説明すると、次の通りである。
【００４２】
図４Ａを参照すると、本発明の実施の形態に係る有機ＥＬ表示素子の製造方法は、上部基板１０２上にモリブデン（Ｍｏ）またはクロム（Ｃｒ）の中の何れか一つの金属物質を全面蒸着した後、パターニングすることによりバス電極１０５を形成する。
【００４３】
続いて、上部基板１０２上にＩＴＯ等の透明導電性物質を全面蒸着した後、パターニングすることにより、図４Ｂのように、アノード電極１０４を形成する。
【００４４】
その次に、上部基板１０２上に絶縁物質を全面塗布した後、パターニングすることにより、図４Ｃのように、アノード電極１０４上に有機発光層１１０が形成される領域を露出させる絶縁膜１０６を形成する。
【００４５】
以後、絶縁膜１０６が形成された上部基板１０２上にＺｎＯを１５０℃以上の高温で全面蒸着して、ＺｎＯ膜を成膜し、これを成長させ、ウェットエッチング工程でパターニングすることにより、図４Ｄに示すように、逆テーパ状の隔壁１０８を形成する。
【００４６】
ここで、本発明に係る有機ＥＬ表示素子の製造方法は、ＺｎＯが蒸着される温度によるＺｎＯの成膜特性を用いて、隔壁１０８を逆テーパ状に形成することができる。
【００４７】
これを詳細に説明すると、ＺｎＯ膜は、１５０℃以上の高温で蒸着される場合、図５のような形状に成膜して結晶化される。即ち、１５０℃以上の温度で蒸着されたＺｎＯ膜は、上部には結晶質ＺｎＯ膜の分布度が高く、中央には結晶質ＺｎＯ膜と非晶質ＺｎＯ膜とが混じり込んでいて、下部には非晶質ＺｎＯ膜の分布の広い形状に結晶化される。
【００４８】
従って、本発明に係る有機ＥＬ表示素子の製造方法は、ＺｎＯを１５０℃以上の高温で蒸着し、それを成膜させた後、非晶質膜が結晶質膜に比べウェットエッチング工程で過エッチングされる物理的な特性を用いて、ＺｎＯ膜をウェットエッチング工程でパターニングすることにより、図６のような逆テーパ状の隔壁１０８を形成する。
【００４９】
続いて、逆テーパ状の隔壁１０８が形成された上部基板１０２上に絶縁物質を全面塗布した後に、パターニングすることにより、図４Ｅのように、下部アレイ基板１２１の駆動用ＴＦＴのドレイン電極１２８と重畳される領域にスペーサ１５０を形成する。
【００５０】
そして、有機発光物質がマスクを用いてＥＬセル領域に蒸着され、有機発光層１１０が形成され、続いて、カソード電極１１２が電極物質の全面蒸着と逆テーパ状の隔壁１０８により分離され、図４Ｆのように、ＥＬセル領域に形成される。この際、カソード電極１１２は、スペーサ１５０を覆うように形成され、上部アレイ基板１０１と下部アレイ基板１２１の合着工程の後、下部アレイ基板１２１の駆動用ＴＦＴのドレイン電極１２８と接続される。
【００５１】
このように、本発明の実施の形態に係る有機ＥＬ表示素子の製造方法は、１５０℃以上の高温でＺｎＯを蒸着し、蒸着されたＺｎＯ膜の上部には結晶質膜の分布度が高く、下部には非晶質膜の分布度が高い形状に結晶化されるＺｎＯ膜の特性と、非晶質膜が結晶質膜に比べウェットエッチング工程で過エッチングされる物理的な特性とを用いて、ＺｎＯ膜をパターニングすることにより、逆テーパ状の隔壁１０８を形成する。これに従って、本発明に係る有機ＥＬ表示素子の製造方法は、従来逆テーパ状の隔壁を形成するために窒化シリコンを互いに異なる温度で蒸着する工程を削減ことにより、工程数を減少させることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１Ａ】従来有機電界発光表示素子の隔壁の製造方法を段階的に示す図面である。
【図１Ｂ】従来有機電界発光表示素子の隔壁の製造方法を段階的に示す図面である。
【図１Ｃ】従来有機電界発光表示素子の隔壁の製造方法を段階的に示す図面である。
【図２】従来の逆テーパ状の隔壁を詳細に示す図面である。
【図３】本発明の実施の形態に係る有機電界発光表示素子を示す断面図である。
【図４Ａ】本発明の実施の形態に係る有機電界発光表示素子の上部アレイ基板の製造方法を段階的に示す断面図である。
【図４Ｂ】本発明の実施の形態に係る有機電界発光表示素子の上部アレイ基板の製造方法を段階的に示す断面図である。
【図４Ｃ】本発明の実施の形態に係る有機電界発光表示素子の上部アレイ基板の製造方法を段階的に示す断面図である。
【図４Ｄ】本発明の実施の形態に係る有機電界発光表示素子の上部アレイ基板の製造方法を段階的に示す断面図である。
【図４Ｅ】本発明の実施の形態に係る有機電界発光表示素子の上部アレイ基板の製造方法を段階的に示す断面図である。
【図４Ｆ】本発明の実施の形態に係る有機電界発光表示素子の上部アレイ基板の製造方法を段階的に示す断面図である。
【図５】高温で蒸着したＺｎＯの結晶構造を詳細に示す図面である。
【図６】本発明の実施の形態に係る逆テーパ状の隔壁を詳細に示す図面である。
【符号の説明】
【００５３】
１、１０１  上部アレイ基板、２、１０２  上部基板、４、１０４  アノード電極、５、１０５  バス電極、６、１０６  絶縁膜、８、１０８  隔壁、１１０  有機発光層、１１２  カソード電極、１２１  下部アレイ基板、１２２  下部基板、１２４  ゲート電極、１２６  ソース電極、１２８  ドレイン電極、１３０  保護膜、１３２  接触電極、１３４  ドレイン接触ホール、１３６  ゲート絶縁膜、１５０  スペーサ。
【図１Ａ】
0004558690.tif 000002
【図１Ｂ】
0004558690.tif 000003
【図１Ｃ】
0004558690.tif 000004
【図２】
0004558690.tif 000005
【図３】
0004558690.tif 000006
【図４Ａ】
0004558690.tif 000007
【図４Ｂ】
0004558690.tif 000008
【図４Ｃ】
0004558690.tif 000009
【図４Ｄ】
0004558690.tif 000010
【図４Ｅ】
0004558690.tif 000011
【図４Ｆ】
0004558690.tif 000012
【図５】
0004558690.tif 000013
【図６】
0004558690.tif 000014