(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を搬入出するための開口部が側面に形成された、基板を加熱処理するための扁平な加熱室と、
前記基板を上方側及び下方側から加熱するように、前記加熱室に夫々設けられた加熱用の天板及び加熱用の底板と、
前記開口部側に当該加熱室に隣接するように設けられ、前記加熱室にて加熱された基板を冷却するための冷却プレートと、
前記基板を冷却プレートの上方側の位置と、加熱室の内部との間で搬送し、前記加熱室内にて前記天板及び底板から離間した位置にて基板を保持した状態で基板の加熱処理を行うための搬送手段と、を備え、
前記底板に対する天板の高さ位置は、加熱室への基板の搬入動作時から搬出動作時に至るまで一定であることを特徴とする加熱装置。
【請求項２】
前記搬送手段は、基板の移動路と交差する方向に伸び、基板を載置して搬送する複数本のワイヤを備えていることを特徴とする請求項１記載の加熱装置。
【請求項３】
前記搬送手段は、前記ワイヤの両端部を支持するワイヤ支持部と、基板が冷却プレートの上方位置と加熱室内との間を搬送するようにワイヤ支持部を移動させる移動機構と、を備えていることを特徴とする請求項２記載の加熱装置。
【請求項４】
前記冷却プレートに形成され、前記ワイヤが潜り込むための溝部と、
冷却プレートをワイヤに対して相対的に昇降させ、ワイヤが溝部に潜り込むことにより、ワイヤ上の基板を冷却プレートに受け渡し、ワイヤが溝部から上方に抜け出すことにより、冷却プレート上の基板をワイヤに受け渡すための昇降機構と、を備えたことを特徴とする請求項２又３記載の加熱装置。
【請求項５】
前記搬送手段は、基板の周縁部を保持する厚さ３ｍｍ以下の薄板部材を備えることを特徴とする請求項１記載の加熱装置。
【請求項６】
前記薄板部材は、基板の周縁部の一部に沿った内周面を有するプレート部材と、このプレート部材から内方に向けて突出し、基板の裏面側の周縁部の一部を保持する複数の保持部と、を備えることを特徴とする請求項５記載の加熱装置。
【請求項７】
前記冷却プレートに形成され、前記保持部が潜り込むための溝部と、
冷却プレートを保持部に対して相対的に昇降させ、保持部が溝部に潜り込むことにより、保持部上の基板を冷却プレートに受け渡し、保持部が溝部から上方に抜け出すことにより、冷却プレート上の基板を保持部に受け渡すための昇降機構と、を備えたことを特徴とする請求項６記載の加熱装置。
【請求項８】
前記冷却プレートの周縁には、外部の搬送機構の形状に対応する切り欠き部が形成され、
基板を載せた外部の搬送機構から冷却プレートに基板を受け渡すときには、前記基板を載せた外部の搬送機構が当該冷却プレートの上方側に進入し、この冷却プレートの上方側から下方側に通り抜けて基板を冷却プレートに受け渡し、冷却プレートと搬送手段との間から退却することを特徴とする請求項１ないし７のいずれか一に記載の加熱装置。
【請求項９】
前記加熱室の一方側に形成された、前記基板の搬入出のための開口の上下方向の高さは、６ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１ないし８のいずれか一に記載の加熱装置。
【請求項１０】
基板を収納し、キャリアが搬入出されるキャリアブロックと、
前記キャリアから取り出された基板の表面にレジストを塗布する塗布部と、レジストが塗布された基板を加熱する加熱装置と、加熱された基板を冷却する冷却部と、露光後の基板を現像する現像処理部と、を含む処理ブロックと、
この処理ブロックと露光装置との間で基板の受け渡しを行なうインターフェース部と、を備えた塗布、現像装置において、
前記加熱装置として、請求項１ないし９に記載の加熱装置を用いることを特徴とする塗布、現像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、塗布液が塗布された基板を加熱処理する加熱装置、この加熱装置を含んだ塗布、現像装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウエハ（以下「ウエハ」という）や、ＬＣＤ（液晶ディスプレイ）用のガラス基板に対してレジストパターンを形成する装置として、ウエハに対してレジストを塗布し、また露光後のウエハを現像する塗布、現像装置が用いられている。この装置内には、ベーク装置等と呼ばれている加熱装置が組み込まれており、例えばレジスト液を塗布したウエハを加熱する装置にあっては、レジスト液中の溶剤を乾燥させる役割を果たしている。
【０００３】
この加熱装置として、本発明者らは、ウエハを加熱する熱板の上方領域をカバーで覆って気流の通路を形成し、この通路の一方の開口から他方側に流れる、いわば一方向流の気流を形成しながら加熱処理を行うことを検討している。このような気流を形成して加熱処理を行うことにより、レジスト液から昇華した昇華物がパーティクルとしてウエハＷに付着することが低減されるからである。
【０００４】
前記一方向流の気流を形成する加熱装置の一例を図１６に示す。図中１０は筐体であり、１０ａはウエハの搬送口、１０ｂは前記ウエハの搬送口を開閉するためのシャッタである。また図中１１はベースプレート、１２は熱板であり、１３はベースプレート１１上を、熱板１２側へ向けて移動可能な、ウエハＷを冷却するための冷却プレートである。ベースプレート１１には、熱板１２の手前側にガス供給部１４が設けられると共に、熱板１２の奥側に排気部１５が設けられている。
【０００５】
またベースプレート１１の内部空間には、ピン１６ａ，１７ａを昇降させるための昇降機構１６，１７が設けられており、昇降機構１６によりピン１６ａが昇降することにより、搬送口１０ａを介して筐体１０内に進入した、外部の搬送機構（図示せず）と冷却プレート１３との間でウエハＷが受け渡され、昇降機構１７によりピン１７ａが昇降することにより、熱板１２と冷却プレート１３との間でウエハＷが受け渡されるようになっている。図中１８は昇降機構１８ａを介して昇降可能な蓋状の天板である。
【０００６】
このような加熱装置では、図１７（ａ）に示すように、先ず熱板１２を天板１８で覆って熱板１２を所定の温度に加熱した状態で、冷却プレート１３にウエハＷを受け渡し、次いで図１７（ｂ）に示すように、天板１８を上昇させ、冷却プレート１３を天板１８と熱板１２の間に進入させて、冷却プレート１３から熱板１２にウエハＷを受け渡す。そして図１７（ｃ）に示すように、冷却プレート１３を熱板１２に隣接する位置に退行させ、天板１８を熱板１２から僅かに上昇する位置まで下降させる。この状態で排気部１５より排気を行いながら、ガス供給部１４からガスを供給することによって、熱板１２と天板１８との間の空間に、ガス供給部１４側から排気部１５側へ通流する一方向流のガスの流れを形成して、所定の熱処理を行う。熱処理後のウエハＷは、天板１８を上昇させてから熱板１２から冷却プレート１３に受け渡され、次いで冷却プレート１３から図示しない搬送手段へ受け渡されて、次工程へ搬送される。
【０００７】
ところでこの加熱装置では、冷却プレート１３には、例えばその内部または下面に冷却配管を設けて、この冷却配管に冷却液を通流させるという冷却機構が設けられており、このため冷却プレート１３は１０ｍｍ程度の厚さとなっている。これにより熱板１２と天板１８との間には、冷却プレート１３との間でウエハＷの受け渡しを行なうために、冷却プレート１３の厚さと、ウエハＷの受け渡しのためのクリアランス分を考慮して、１０ｍｍ以上の隙間が必要となる。しかしながら、このように熱板１２と天板１８との間の隙間が大きいと、これらの間に外気流が入り込んで、気流が乱れてしまい、前記一方向流が乱れてしまう。このためこの一方向流に沿った前記昇華物の排出が十分に行われなくなってしまうので、結果としてレジスト液からの昇華物のウエハＷへの付着量が多くなってしまう。
【０００８】
このため、前記天板１８を昇降自在に構成し、冷却プレート１３との間でウエハＷの受け渡しを行なう場合には天板１８を上昇させ、熱処理を行なう場合には所定位置まで下降させるようにしているが、この天板１８の昇降によっても加熱装置内の気流が乱れてしまうので、結局前記昇華物の排出が十分に行われず、ウエハＷへのパーティクル付着の要因となっている。
【０００９】
ところで、加熱装置が組み込まれる塗布、現像装置のスループットを高めるために、加熱装置においても１時間当たりの処理枚数が２００枚程度の高スループットが求められているが、これに対応するためにはウエハＷの加熱処理や粗熱取り以外の作業時間（オーバーヘッドタイム）をできるだけ削減することが必要である。しかしながら上述の加熱装置では、天板１８の昇降や、冷却プレート１３と熱板１２との間のウエハＷの受け渡しが必要であって、これらに要する時間がオーバーヘッドタイムとなり、結果としてスループットの低下を招いている。
【００１０】
このようなことから、本発明者らは、ウエハＷを冷却プレート１３にて熱板１２まで搬送するのではなく、冷却プレート１３から熱板１２まで薄型で剛性のあるアームにて行い、熱板１２の天板１８の昇降や、冷却プレート１３と熱板１２との間でのウエハＷの受け渡しの必要がない加熱装置について検討している。またウエハＷが１２インチサイズと大きいと、ウエハＷに反りが発生しやすいが、熱板１２上にウエハＷを置いて熱処理を行なう場合には、反ったウエハＷを熱板１２上に載置する際に、載置位置がずれたり、ウエハＷが落下したりといった搬送ミスが発生しやすいという問題があることから、これらの問題を解決するために薄型のアームでウエハＷを熱板から浮かせた状態で保持しながら熱処理することを検討している。このような薄型で剛性のあるアームにより熱板に対してウエハＷを搬送する構成については、特許文献１に、ワイヤーにより搬送する例が記載されている。
【００１１】
しかしながら特許文献１では、冷却プレートと熱板とを備えた加熱装置に適用することや、ウエハＷへのパーティクル付着量を低減するために加熱装置内の気流の乱れを抑えること、アームによりウエハＷを熱板から浮かせた状態で保持して熱処理を行うことについては想定されておらず、天板１８や、熱板へのウエハの受け渡しに要するオーバヘッドタイムの削減についても何ら言及されていないので、この特許文献１に記載によっても、本発明の課題の解決は困難である。
【００１２】
【特許文献１】実開昭６２−１７１３３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明は、このような事情の下になされたものであり、その目的は、冷却プレートと熱板とを備えた加熱装置において、オーバーヘッドタイムを削減してスループットを高め、また基板へのパーティクルの付着量を低減することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明は、基板を搬入出するための開口部が側面に形成された、基板を加熱処理するための扁平な加熱室と、
前記基板を上方側及び下方側から加熱するように、前記加熱室に夫々設けられた加熱用の天板及び加熱用の底板と、
前記開口部側に当該加熱室に隣接するように設けられ、前記加熱室にて加熱された基板を冷却するための冷却プレートと、
前記基板を冷却プレートの上方側の位置と、加熱室の内部との間で搬送し、前記加熱室内にて前記天板及び底板から離間した位置にて基板を保持した状態で基板の加熱処理を行うための搬送手段と、を備え、
前記底板に対する天板の高さ位置は、加熱室への基板の搬入動作時から搬出動作時に至るまで一定であることを特徴とする。
【００１５】
前記搬送手段としては、例えば基板の移動路と交差する方向に伸び、基板を載置して搬送する複数本のワイヤと、前記ワイヤの両端部を支持するワイヤ支持部と、基板が冷却プレートの上方位置と加熱室内との間を搬送するようにワイヤ支持部を移動させる移動機構と、を備えているものを用いることができる。
【００１６】
またこのような加熱装置では、前記冷却プレートに形成された前記ワイヤが潜り込むための溝部と、冷却プレートをワイヤに対して相対的に昇降させ、ワイヤが溝部に潜り込むことにより、ワイヤ上の基板を冷却プレートに受け渡し、ワイヤが溝部から上方に抜け出すことにより、冷却プレート上の基板をワイヤに受け渡すための昇降機構と、を備えることが好ましい。
【００１７】
また前記搬送手段としては、基板の周縁部を保持する厚さ３ｍｍ以下の薄板部材を備えるものであってもよく、例えば前記薄板部材は、基板の周縁部の一部に沿った内周面を有するプレート部材と、このプレート部材から内方に向けて突出し、基板の裏面側の周縁部の一部を保持する複数の保持部と、を備えるものとすることができる。
【００１８】
この場合においても、前記冷却プレートに形成され、前記保持部が潜り込むための溝部と、冷却プレートを保持部に対して相対的に昇降させ、保持部が溝部に潜り込むことにより、薄板部材上の基板を冷却プレートに受け渡し、保持部が溝部から上方に抜け出すことにより、冷却プレート上の基板を薄板部材に受け渡すための昇降機構と、を備えることが好ましい。
【００１９】
前記加熱装置では、前記冷却プレートに対して、基板を載せた外部の搬送機構から基板を受け渡すときには、前記冷却プレートの周縁に、外部の搬送機構の形状に対応する切り欠き部を形成し、前記基板を載せた外部の搬送機構を当該冷却プレートの上方側に進入させ、この冷却プレートの上方側から下方側に通り抜けて基板を冷却プレートに受け渡し、冷却プレートと搬送手段との間から退却させることにより行うことができる。また前記加熱室の一方側に形成された、前記基板の搬入出のための開口部の上下方向の高さは、６ｍｍ以下であることが好ましい。
【００２０】
本発明の塗布、現像装置は、基板を収納し、キャリアが搬入出されるキャリアブロックと、前記キャリアから取り出された基板の表面にレジストを塗布する塗布部と、レジストが塗布された基板を加熱する加熱装置と、加熱された基板を冷却する冷却部と、露光後の基板を現像する現像処理部と、を含む処理ブロックと、この処理ブロックと露光装置との間で基板の受け渡しを行なうインターフェース部と、を備えた塗布、現像装置において、既述のような加熱装置を用いることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２１】
以上において本発明では、搬送手段に基板を保持させた状態で、扁平な空間を有する加熱室に搬入し、そのまま基板の熱処理を行なっており、加熱室には昇降自在な蓋体が設けられておらず、また基板を熱板に受け渡す動作が不要となる。このため蓋体の昇降動作や、熱板との間の基板の受け渡し動作に要する作業時間が不要となり、その分オーバーヘッドタイムを削減することができ、スループットの向上を図ることができる。また基板を熱板から浮上させた状態で熱処理を行うことから、基板に反りが発生していても、反った基板を熱板上に載置する動作が不必要であり、基板の反りが原因となる熱板への搬送ミスが発生するおそれがなく、安定した状態で熱処理を行うことができる。
【００２２】
さらに加熱室には昇降自在な蓋体が設けられていないので、蓋体の昇降が原因となる加熱装置内の気流の乱れの発生が起こるおそれがない。このため加熱装置内の気流が乱れにくく、気流の乱れの発生による基板へのパーティクル付着を抑えることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下に本発明に係る加熱装置の実施の形態の一例として、例えば塗布液としてレジスト液が表面に塗布された基板であるウエハＷを加熱処理して、当該ウエハＷ表面にレジスト膜を形成する加熱装置２について図１〜図７を参照して説明する。なおこのウエハＷの大きさとしては例えば１２インチサイズのものが用いられる。当該加熱装置２は、図２に示すように、処理容器をなす筐体２０を備えており、筐体２０の側壁にはウエハＷの搬送口２１が開口され、当該搬送口２１はシャッタ２１ａにより開閉自在とされている。このシャッタ２１ａはウエハＷを加熱する際に、搬送口２１を介して筐体２０内に外気が流入することにより後述のウエハＷの周囲に形成される気流が乱れることを防ぐために設けられているが、シャッタ２１ａの代わりに例えばエアカーテンを搬送口２１付近に設けて外気の流入を防いでもよい。
【００２４】
また筐体２０内の下部には基台２２が設けられており、搬送口２１に向かう側を手前側とすると、この基台２２の手前側にはウエハＷを冷却するための冷却プレート３が設けられ、奥側にはウエハＷを加熱処理するための扁平な加熱室４が設けられている。この加熱室４の冷却プレート３に対向する側面は、ウエハＷを搬入出するための開口部４１として開口しており、前記ウエハＷは、冷却プレート３の上方側の位置と、加熱室４の内部との間を搬送手段５により搬送され、前記加熱室４内ではこの搬送手段５に保持された状態で前記加熱処理が行われるようになっている。
【００２５】
前記冷却プレート３は、例えばアルミニウムにより構成され、ウエハＷと略同じ直径を有する略円形板状に形成されており、例えば後述する溝部以外の領域では、４ｍｍ程度の厚さに形成されている。またその裏面側に、例えば温度調節水を流すための図示しない冷却機構を備えており、当該冷却プレート３に載置されたウエハＷを粗冷却するように構成されている。
【００２６】
また前記搬送手段５は、筐体２０の長さ方向（図１，図３中Ｙ方向）であるウエハＷの移動路と、交差する方向（図１，図３中Ｘ方向）に伸び、ウエハＷを載置して搬送する複数本例えば２本のワイヤ５１（５１Ａ，５１Ｂ）を備えている。このワイヤ５１は、例えばアラミド繊維（例えばデュポン社製ケプラー等）等の合成繊維や、炭化ケイ素繊維（例えば日本カーボン社製ニカロン等)、炭素繊維（例えば東レ社製等）等のセラミック繊維等の、２３℃〜２５０℃にてウエハＷを熱処理しても、熱により変性しない耐熱性の材質により構成され、例えば直径が０．５ｍｍ程度の太さのものが用いられる。
【００２７】
このようなワイヤ５１Ａ，５１Ｂは、ウエハＷや冷却プレート３の直径より長い長さを有しており、夫々の両端部を一対のワイヤ支持部５２（５２Ａ，５２Ｂ）、５３（５３Ａ，５３Ｂ）にて支持されていて、このワイヤ支持部５２，５３は、移動機構５４により、ウエハＷを冷却プレート３の上方位置と加熱室４内との間を搬送するように移動するように構成されている。ここで図１〜図３に示すように、ワイヤ５１が冷却プレート３側に位置する位置をホーム位置とする。
【００２８】
前記移動機構５４は、図１〜図３に示すように、基台２２の上部に設けられ、筐体２０の前記Ｙ方向に伸びる一対のガイドレール５５Ａ，５５Ｂと、前記搬送口２１から見て、ウエハＷの左右方向の一方側（右側）のワイヤ支持部５２Ａ，５３Ａが一体的に取り付けられ、前記ガイドレール５５Ａに沿って移動する第１のワイヤ移動部材５６Ａと、前記搬送口２１から見て、ウエハＷの左右方向の他方側（左側）のワイヤ支持部５２Ｂ，５３Ｂが一体的に取り付けられ、前記ガイドレール５５Ｂに沿って移動する第２のワイヤ移動部材５６Ｂと、これら第１及び第２のワイヤ移動部材５６Ａ，５６Ｂを一体的に、前記ガイドレール５５Ａ，５５Ｂに沿って移動させる駆動部５７と、を備えており、後述する制御部からの指令に基づいて駆動が制御されるようになっている。
【００２９】
また前記ワイヤ５１には、図４に示すように、ウエハＷの載置位置を規制するためのビーズ部材５８が例えばワイヤ５１Ａ，５１Ｂに夫々２個づつ設けられている。このビーズ部材５８は、ウエハＷの周縁の４ヵ所の位置に対応するようにワイヤ５１Ａ，５１Ｂに設けられており、ウエハＷをビーズ部材５８の内側に載置することにより、ウエハＷの周縁の４ヵ所の位置がビーズ部材５８により位置決めされ、ワイヤ５１により移動するときにも移動中のウエハＷの載置位置がずれないようになっている。なお図１〜図３では、図示の便宜上ビーズ部材５８は省略してある。
【００３０】
さらに前記冷却プレート３には、前記ワイヤ５１が潜り込むための溝部３１が、搬送手段５が前記ホーム位置にあるときの、２本のワイヤ５１Ａ，５１Ｂに対応する位置に形成され、この溝部３１は、ワイヤ５１に設けられたビーズ部材５８も潜り込める大きさに設定されている。また基台２２の内部の冷却プレート３の下方側には、当該冷却プレート３を昇降させるための昇降機構３２が設けられている。昇降機構３２には例えば複数本の支持ピン３３が接続されており、当該支持ピン３３は昇降機構３２により基台２２上に穿孔された孔を介して基台２２上に垂直に突没できるように構成されている。
【００３１】
そしてこの昇降機構３２により、冷却プレート３はワイヤ５１に対して相対的に昇降自在に構成されている。これにより、冷却プレート３をワイヤ５１に対して相対的に昇降させ、ワイヤ５１が溝部３１に潜り込むことによって、ワイヤ５１上のウエハＷを冷却プレート３に受け渡し、ワイヤ５１が冷却プレート３の溝部３１から上方に抜け出すことによって、冷却プレート３上の基板をワイヤ５１に受け渡すようになっている。なお冷却プレート３を昇降させずに、ワイヤ５１を昇降させることにより、冷却プレート３を、ワイヤ５１に対して相対的に昇降自在に構成するようにしてもよい。
【００３２】
さらに冷却プレート３の周縁部の例えば４ヵ所には、図１及び図３に示すように当該冷却プレート３の中心部に向けて切り欠き部３４が形成されている。なおこの切り欠き部３４は、後述するように、外部の搬送機構と冷却プレート３との間でウエハＷの受け渡しを行なうときに必要なものである。なお図１では、この切り欠き部３４を示すために、冷却プレート３はウエハＷよりも大きく描いている。
【００３３】
ここでワイヤ５１によるウエハＷの保持位置については適宜選択されるものであるが、この例では、後述する外部の搬送機構がウエハＷを保持する位置の近傍にてワイヤ５１がウエハＷを保持するように設定され、このため冷却プレート３では、搬送口２１側から見て、手前側の２個の切り欠き部３４を結ぶようにワイヤ５１Ａに対応する溝部３１が形成され、奥側の２個の切り欠き部３４を結ぶようにワイヤ５１Ｂに対応する溝部３１が形成されている。
【００３４】
前記加熱室４は、その内部にてウエハＷの加熱処理を行なうものであり、ウエハＷより大きい内部空間を有している。この加熱室４は、例えば厚さが３ｍｍ程度のアルミニウム(Ａｌ)やステンレス等の伝熱性の材料により、縦断面がコ字状に形成されており、前記開口部４１の両側の側壁部４２（４２Ａ，４２Ｂ）には、夫々例えば３ｍｍ程度の隙間４３（４３Ａ、４３Ｂ）が形成され、この隙間４３に前記ワイヤ５１Ａ，５１Ｂが入り込むようになっている。また前記開口部４１の上下方向の大きさは６ｍｍ以下の大きさに設定され、その内部には扁平な空間が形成されている。
【００３５】
この加熱室４の上部側及び下部側には、例えば窒化アルミニウム（ＡｌＮ）や炭化ケイ素（ＳｉＣ）製の熱板４４，４５が設けられており、熱板４４，４５は、例えばウエハＷと略同じ大きさの円板状に形成されている。そしてこの熱板４４，４５により加熱することにより、この加熱室の４の内部が加熱されるようになっている。
【００３６】
また基台２２の加熱室４の手前側には、ガス吐出部２３が設けられ、加熱室４の内部の奥側には排気部４６が設けられている。なお図１ではガス吐出部２３と排気部４６を省略している。このガス吐出部２３と排気部４６とは、ウエハＷが加熱室４内にあるときに、ウエハＷを挟んで手前側と奥側に設けられており、これによりウエハＷの直径（幅）をカバーし、さらに加熱室４の天板４Ａと底板４Ｂとの間を手前側から奥側へ、即ちウエハＷの一端側から他端側へと流れるいわば一方向流ともいうべき気流を形成できるように夫々設けられている。
【００３７】
前記ガス吐出部２３は、図５に示すように、筐体２０の加熱室４の開口部４１に向かう斜面部を備えており、当該斜面部には例えば多数の小孔が吐出口２３ａとして筐体２０の幅方向（図中Ｘ方向）に沿って夫々一定の間隔をおいて設けられている。当該吐出口２３ａの一端から他端までの長さは加熱室４内に載置されるウエハＷの直径をカバーするように構成されている。ガス吐出部２３にはガス供給管２４ａ、バルブＶ１を介して、例えば筐体２０の外部へ設けられた、クリーンなパージ用ガス例えば窒素ガスなどの不活性ガスが貯留されているガス供給源２４に接続されている。
【００３８】
また前記ガス吐出部２３の内部には、幅方向に沿って伝熱板２５が設けられ、この伝熱板２５には例えば幅方向に沿って間隔をおいて複数のヒートパイプ２５ａの一端が接続されている。各ヒートパイプ２５ａの他端は熱板４５に接続されており、ガス供給源２４からガス供給管２４ａを介してガス吐出部２３の内部空間に供給されたパージ用ガスは、伝熱板２５によりウエハＷの加熱温度（加熱時のウエハＷの表面温度）と同じ温度に温調され、吐出口２３ａから吐出されるようになっている。なおパージガスを加熱する手段は、例えばガス供給管２４ａの出口付近に設けたヒータであってもよい。
【００３９】
ウエハＷは加熱室４内にワイヤ５１により保持された状態で支持され、熱板４４，４５とは直接接触していないが、熱板４４，４５により伝熱性材料により構成された加熱室４を介して上下方向から加熱されると共に、加熱されたパージガスがウエハＷの表面に沿って流れることでウエハＷを予め設定したプロセス温度で加熱できるように構成されている。
【００４０】
排気部４６は、加熱室４の下部側に設けられた熱板４５を挟んで前記ガス吐出部２３と対向するように設けられ、加熱室４の底板４Ｂから加熱室４内に向かう斜面部を備えている。当該斜面部には例えば多数の小孔が排気口４６ａとして加熱室４の幅方向に沿って、夫々一定の間隔をおいて設けられており、当該排気口４６ａの一端から他端までの長さは例えばウエハＷの直径をカバーするように構成されている。排気部４６には排気管４７が接続されており、この排気管４７は筐体２０の外部へ伸長して、その端部は例えば工場の排気路に接続されている。また排気管４７にはファン４８が介設されており、当該ファン４８の回転数が制御されることで排気部４６は例えば予め設定された排気量で排気口４６ａから加熱室２０内の排気を行なうことができるように構成されている。なお図中Ｖ２は排気管４７に介設されたバルブである。
【００４１】
ところで本発明においては、ガス吐出部２３及び排気部４６により既述の一方向流が形成できればよいので、ガス吐出部２３及び排気部４６はこの実施の形態の構成に限定されるものではない。また吐出口２３ａ及び排気口４６ａの形状もこの例に限らず、例えば幅方向に沿ったスリット状に設けられていてもよい。
【００４２】
続いて冷却プレート３にウエハＷを受け渡す外部の搬送機構６について説明しておくと、この搬送機構６は、例えば図６に示すような、水平な馬蹄形状の搬送アーム６１と搬送アームを支持する搬送基体６２とを有しており、搬送アーム６１の前方には、切り欠き部６３が形成されている。搬送アーム６１の内周の大きさは冷却プレート３の直径よりも若干大きく形成されており、この内周における下部には内方へ向かう４つの突片６４が設けられ、図６(ｂ)に示すように、これらの突片６４上にウエハＷが保持される。なお図６（ｂ）の冷却プレート３では溝部３１が省略されている。
【００４３】
搬送アーム６１は例えば図示しない駆動機構により搬送基体６２を介して昇降自在かつ進退自在に構成され、冷却プレート３にウエハＷを受け渡す際には、先ず搬送手段５をホーム位置に位置させ、冷却プレート３とワイヤ５１との間から搬送アーム６１が退却できるように、冷却プレート３をワイヤ５１の上方側に位置させる。そしてウエハＷを保持した搬送アーム６１を前記搬送口２１を介して筐体２０内の、冷却プレート３の上方側に進入させる。ここで冷却プレート３の外周の切り欠き部３４は、夫々搬送アーム６１の突片６４と対応する位置に設けられていることから、搬送アーム６１が図６（ｂ）に示すように、冷却プレート３に対して上方から覆い被さるように下降することで、搬送アーム６１が冷却プレート３の下方側に通過し、搬送アーム６１上のウエハＷが冷却プレート３に受け渡される。ウエハＷを受け渡した搬送アーム６１は、ワイヤ５１の上方側まで下降して、前方の切り欠き部６３が溝部３１の外側を通り抜けるように手前側に後退して筐体２０内から退去するようになっている。
【００４４】
続いて加熱装置２の構成部材の位置関係について説明すると、この例では、ワイヤ５１は昇降せずに、冷却プレート３が昇降するように設けられているので、前記加熱室４の高さ位置は、ウエハＷを保持したワイヤ５１がそのまま侵入し、ウエハＷがワイヤ５１により保持された状態で熱処理を行うことができるように設定され、例えばワイヤ５１に保持されたウエハＷが加熱室４に位置するときには、ウエハＷが加熱室４の天板４Ａと底板４Ｂとから等間隔の位置になるように設定されている。また既述のようにワイヤ５１は加熱室４の側壁部４２Ａ，４２Ｂの隙間４３Ａ，４３Ｂに入り込むようになっている。
【００４５】
また冷却プレート３と外部の搬送機構６との間でウエハＷの受け渡しを行なうときには、既述のように、搬送アーム６１が冷却プレート３の上方側に進入して、冷却プレート３とワイヤ５１との間から退去するので、溝部３１の深さや搬入出口２１の大きさが設定される。つまり溝部３１の深さは、冷却プレート３とワイヤ５１との間を搬送アーム６１が移動できる程度に形成される。
【００４６】
さらに搬送アーム６１の切り欠き部６３や、突片６４が冷却プレート３の溝部３１の外側を通り抜けられるように、前記切り欠き部６３や突片６４の大きさや冷却プレート３の溝部３１の位置（ウエハＷのワイヤ５１の保持位置）が設定される。ここで図６（ａ）に示すように、この例では、既述のように、溝部３１を冷却プレート３の、搬送アーム６１の進退方向に交差する方向に設けられた２つの切り欠き部３４同士を結ぶように設け、冷却プレート３の切り欠き部３４の僅か外側を搬送アーム６１の突片６４や切り欠き部６３が移動するように構成したので、搬送アーム６１は溝部３１と干渉せずに、冷却プレート３の下面とワイヤ５１との間を通過して退去することができる。
【００４７】
またこの例では、ワイヤ５１のワイヤ支持部５２Ａ，５３Ａとの間と、ワイヤ支持部５２Ｂ，５３Ｂとの間には、夫々加熱室４の側壁部４２Ａ，４２Ｂの隙間４３Ａ，４３Ｂを塞ぐための遮蔽板５８Ａ、５８Ｂが設けられており、図７に示すように、ワイヤ５１が加熱室４側へ移動したときに、当該遮蔽板５８Ａ，５８Ｂにより加熱室４１の側壁部４２Ａ，４２Ｂの隙間４３Ａ，４３Ｂが塞がれるようになっている。この遮蔽板５８Ａ，５８Ｂは、例えばステンレス、アルミニウム、セラミックス等の材料により、前記隙間４３Ａ，４３Ｂを覆う大きさに形成されている。
【００４８】
次に当該加熱装置４に備えられた制御部について説明する。この制御部は、例えばコンピュータからなるプログラム格納部を有しており、プログラム格納部には、後述するような当該加熱装置の作用、つまりウエハＷの処理、ウエハＷの受け渡し、ウエハＷの加熱および気流の制御などが実施されるように命令が組まれた、例えばソフトウェアからなるプログラムが格納される。そして当該プログラムが制御部に読み出されることにより制御部は当該半導体製造装置の作用を制御する。なおこのプログラムは、例えばハードディスク、コンパクトディスク、マグネットオプティカルディスクなどの記憶媒体に収納された状態でプログラム格納部に格納される。
【００４９】
次に当該加熱装置２の作用について説明する。先ず外部の搬送機構６により、搬送口２１を介して筐体２０内に表面にレジスト液が塗布されたウエハＷを搬入し、ウエハＷを冷却プレート３を介してワイヤ５１に受け渡す。つまり図８（ａ）に示すように、先ず搬送手段５を前記ホーム位置に位置させてから、冷却プレート３を上昇させて、冷却プレート３の下面とワイヤ５１との間に、外部の搬送機構の搬送アーム６１の通路を形成する。次いで図８（ｂ）、図８（ｃ）に示すように、ウエハＷを保持した搬送アーム６１を冷却プレート３の上方側に進入させ、次いで下降させることにより、ウエハＷを冷却プレート３に受け渡す。続いて搬送アーム６１を冷却プレート３の下面とワイヤ５１との間の位置にて退却させる。この後、図８（ｄ）、図９（ａ）に示すように、冷却プレート３を下降させて、冷却プレート３上のウエハＷをワイヤ５１に受け渡す。このときウエハＷは、ワイヤ５１に設けられたビーズ部材５８の内側に周縁部が位置するように載置され、こうしてビーズ部材５８にて位置決めされた状態でワイヤ５１上に保持される。
【００５０】
次いで図９（ｂ），図９（ｃ）に示すように、冷却プレート３をさらに下降させた後、ウエハＷを保持するワイヤ５１を加熱室４側へ移動させて、ウエハＷを加熱室４内に搬送する。加熱室４内は、ウエハＷがワイヤ５１により搬送されるまでに、熱板４４，４５により加熱され、例えば１００℃程度になっている。
【００５１】
こうして加熱室４内にウエハＷがワイヤ５１により保持された状態で搬入されると、バルブＶ１が開かれ、ガス供給源２４からガス供給管２４ａにパージ用ガスが供給される。当該パージ用ガスは吐出部２３で略１００℃に加熱されて、吐出口２３ａから加熱室４の天板４Ａへ向けて吐出される。この吐出口２３ａからパージ用ガスの吐出が開始されるのと略同時に、バルブＶ２が開き、ファン４８が回転することで排気部４６からの排気が行なわれる。こうして図５中、矢印で示すように、吐出部２３から供給されたパージ用ガスは加熱室４の天板４Ａと底板４Ｂとの間を手前側から奥側に流れ、ウエハＷの周囲を通過した後に、排気部４６に流入し、加熱室４、筐体２０の外へ除去される。つまりウエハＷの周囲に図中矢印で示すような、一方向流が形成される。このように熱板４４，４５の熱と一方向流とにより、ウエハＷに塗布されたレジスト液の加熱、乾燥が行われて、ウエハＷにレジスト膜が形成される。このようにしてウエハＷへのパージ用ガスの供給が例えば一定時間行なわれた後に、ガス供給源２４からのパージ用ガスの供給と排気部４６による排気を停止する。
【００５２】
次いでワイヤ５１によりウエハＷを前記ホーム位置へ搬送してから、冷却プレート３を上昇させ、冷却プレート３とウエハＷ下面とを接触させるか、冷却プレート３上面とウエハＷ下面との間に、例えば０．１ｍｍ程度の隙間を形成した状態で、冷却プレート３によりウエハＷを冷却し、ウエハＷの粗熱取りを行なう。そして粗熱取りが終了した後、冷却プレート３を介して外部の搬送機構６にウエハＷを受け渡し、筐体２０の外へ搬送する。
【００５３】
ここで冷却プレート３から搬送機構６へのウエハＷの受け渡しは、搬送機構６から冷却プレート３へのウエハＷの受け渡しと逆の動作で行なわれ、例えばウエハＷを保持する冷却プレート３の下面とワイヤ５１との間に、搬送機構６の搬送アーム６１を進入させ、次いで搬送アーム６１を冷却プレート３の上方側まで上昇させることにより、搬送アーム６１上に冷却プレート３からウエハＷを受け取り、次いで冷却プレート３の上方側にてウエハＷを保持した搬送アーム６１を退却させることにより行なわれる。
【００５４】
このような加熱装置２では、ワイヤ５１上にウエハＷを保持させた状態で、扁平な空間を有する加熱室４に搬入してウエハＷの熱処理を行なっており、加熱室４には昇降自在な蓋体が設けられておらず、また熱板に受け渡さずに、ウエハＷを熱板から離隔して熱処理を行っているので、ウエハＷを熱板に受け渡す動作が不要となる。
【００５５】
このため蓋体の昇降動作や、熱板との間のウエハＷの受け渡し動作に要する作業時間が不要となり、その分オーバーヘッドタイムを削減することができ、スループットの向上を図ることができる。ここで熱板への搬送手段からのウエハＷの受け渡し動作は、昇降自在に構成された支持ピンを熱板表面に対して突没自在に設け、支持ピンを熱板上に突出させて、この支持ピンの上に搬送手段からウエハＷを受け渡してから、支持ピンを下降させることにより、支持ピン上のウエハＷを熱板に受け渡すことにより行なう。従って動作工程が多く、この工程を不要とすることによって、オーバーヘッドタイムのかなりの削減が見込まれる。
【００５６】
またこの例では、加熱室４の上部側と下部側に熱板４４，４５を設けているので、加熱室４内のウエハＷに対して加熱室４の上下から加熱でき、この際加熱室４が扁平であって、上下の熱板４４，４５とウエハＷとの距離が小さいので、ウエハＷの昇温が早く、これによりウエハＷが所定の温度に加熱するまでに要する時間が短くなり、その分オーバーヘッドタイムを低減することができる。
【００５７】
またワイヤ５１上にウエハＷを保持した状態で、熱板４５に受け渡さずに、ウエハＷを熱板４５から浮上させた状態で熱処理を行うことから、ウエハＷに反りが発生していても、反ったウエハＷを熱板４５上に載置する動作が不必要であり、ウエハＷの反りが原因となるウエハＷの搬送ミスが発生するおそれがなく、安定した状態で熱処理を行うことができる。
【００５８】
さらに熱板へのウエハＷの受け渡し動作が不要であるため、加熱室４内の上下方向の大きさに、受け渡しのためのクリアランスを容易する必要がなく、加熱室４内は、ウエハＷを保持したワイヤ５１が入る分の高さがあればよいので、これにより加熱室４内の内部空間を扁平に設け、前記開口部４１の隙間を小さくすることができる。
【００５９】
またこのような加熱装置２では、既述のように、加熱室４には昇降自在な蓋体が設けられていないので、蓋体の昇降が原因となる加熱装置２内の気流の乱れの発生が起こるおそれがない。このため加熱装置２内の気流が乱れにくく、当該気流の制御を良好に行なうことができる。これにより、上述のような一方向流を形成する加熱装置においては、気流の乱れを抑えて前記一方向流を形成できるので、結果として前記昇華物が気流に沿って飛散し、排出口から排出される。このように昇華物が気流の流れに従って十分に排出されるので、ウエハＷへのパーティクル付着を抑えることができる。この際、加熱室４の開口部４１は常時開放しているが、この開口部４１は、上下方向の大きさが６ｍｍ以下と、隙間が薄いので、気流の乱れが発生しにくく、所定の気流が形成できる。
【００６０】
また搬送手段から熱板へのウエハＷの受け渡しを行なわないので、この点からも、加熱室４内の気流の乱れの発生を防止することができる。つまり既述のように搬送手段から熱板へのウエハＷの受け渡しには、支持ピンの昇降等の一連の動作にて行われ、この動作によっても気流の乱れが発生するが、このような受け渡し動作を行なわないことによっても、気流の乱れの発生を防止することができる。
【００６１】
また蓋体の昇降や、熱板へのウエハＷの受け渡しのための駆動機構が不要となるので、蓋体を昇降させたり、熱板へのウエハＷの受け渡しを行なう場合に比べて、駆動系が少なくなって制御が容易である上、省スペース化を図ることができる。さらにこの際、冷却プレート３に、外部の搬送アーム６１の形状に対応する切り欠き部３４を形成し、ウエハＷを載せた外部の搬送アーム６１を当該冷却プレート３の上方側に進入させ、次いでこの冷却プレートの上方側から下方側に通り抜けてウエハＷを冷却プレート３に受け渡すように構成することにより、外部の搬送機構６と冷却プレート３との間のウエハＷの受け渡しのための昇降可能な支持ピンを設ける場合に比べて、駆動系をさらに削減でき、省スペース化を図ることができる。
【００６２】
続いて本発明の他の実施の形態について説明する。本発明の搬送手段は、例えばウエハＷの周縁部を保持する厚さ３ｍｍ以下の薄板部材を備えるものであってもよく、例えばこの例では、前記薄板部材として、図１０に示すようなアームプレート７を用いている。このアームプレート７は、例えばセラミックスやカーボン材等よりなる、２３℃〜２５０℃の温度で加熱処理を行って変形しない剛性な材料により構成され、ウエハＷの周縁部に沿った円弧を有するプレート部材７１と、このプレート部材７１の内周における下部から内方に向けて突出し、ウエハＷの周縁部の裏面側の一部を保持する複数の保持部７２と、を備えている。
【００６３】
前記プレート部材７１は、図１０に示すように、前記ホーム位置に位置したときに、円弧状の内面がウエハＷ及び冷却プレート３の周縁部よりも外側に位置するように、前記プレート部材７１の内周の大きさは冷却プレート３の直径よりも若干大きく形成されており、この例では、前記保持部７２は例えば既述の実施の形態のワイヤ５１とほぼ同様の位置に、前記ホーム位置に位置したときの、冷却プレート３に形成された４つの切り欠き部３４に対応する位置に設けられている。このアームプレート７は、例えば図１１に示すように、プレート部材７１の厚さが１ｍｍ程度、保持部７２の厚さが０．５ｍｍ程度に設定され、保持部７２に載置されたウエハＷがプレート部材７１の内周面により位置が規制されるようになっている。
【００６４】
また冷却プレート３には、前記保持部７２が潜り込むことができる大きさの溝部７０が形成されており、冷却プレート３は上述の実施の形態と同様の昇降機構３２により、アームプレート７に対して相対的に昇降自在に構成され、保持部７２が溝部７０に潜り込むことにより、保持部７２上のウエハＷを冷却プレート３に受け渡し、保持部７２が溝部７０から上方に抜け出すことにより、冷却プレート３上のウエハＷを保持部７２に受け渡すことができるようになっている。また冷却プレート３に形成される溝部７０は、冷却プレート３の下面と保持部７２との間に搬送アーム６１が通過できる程度の深さに設定される。
【００６５】
さらにアームプレート７は、ワイヤ５１とほぼ同様の機構により、冷却プレート３の上方側と加熱室４との間で移動できるように構成されている。つまり図１０（ｂ）に移動機構の一部を示すように、駆動部５７により、夫々ガイドレール５５Ａ，５５Ｂに沿って移動する一対の移動部材７３Ａ，７３Ｂ（７３Ｂは図示せず）を一体的に移動させるようになっている。なお図中５８Ａ，５８Ｂは遮蔽部材であり、アームプレート７が加熱室４に移動したときに、加熱室４の側壁部４２Ａ，４２Ｂの隙間４３Ａ，４３Ｂを覆うようになっている。なおこの例では、前記隙間４３Ａ，４３Ｂはアームプレート７のプレート部材７１が入り込む程度の大きさに形成されている。それ以外の部分については、上述の実施の形態と同様である。
さらにまたこの例においても、外部の搬送機構６と冷却プレート３との間でウエハＷの受け渡しが行なわれるように、冷却プレート３の周縁部には、搬送アーム６１の形状に合わせた切り欠き部３４が形成され、ウエハＷを載せた搬送アーム６１から冷却プレート３に基板を受け渡すときには、搬送アーム６１が当該冷却プレート３の上方側に進入し、次いで搬送アーム６１がこの冷却プレート３の上方側から下方側に通り抜けてウエハＷを冷却プレート３に受け渡し、冷却プレート３とアームプレート７との間から退却するように構成される。つまり搬送アーム６１の切り欠き部６３や、突片６４が冷却プレート３の溝部７０の外側を通り抜けられるように、前記切り欠き部６３や突片６４の大きさや冷却プレート３の溝部７０の位置（保持部７２の位置や大きさ）が設定される。
【００６６】
そしてこの例において、ウエハＷの熱処理を行う場合には、先ず外部の搬送機構６により、熱処理の対象となるウエハＷを冷却プレート３を介してアームプレート７に受け渡す。つまり先ずアームプレート７を前記ホーム位置に位置させて、冷却プレート３を上昇させ、冷却プレート３と保持部７２との間に、外部の搬送機構の搬送アーム６１の通路を形成し、次いでウエハＷを保持した搬送アーム６１を冷却プレート３の上方側に進入させてから下降させることにより、ウエハＷを冷却プレート３に受け渡し、次いで搬送アーム６１を冷却プレート３の下面と保持部７２との間の位置にて退却させることによって、搬送機構６から冷却プレート３にウエハＷを受け渡す。
【００６７】
この後、冷却プレート３をさらに下降させて、冷却プレート３上のウエハＷを保持部７２に受け渡す。そして冷却プレート３をさらに下降させた状態で、ウエハＷを保持するアームプレート７を加熱室４側へ移動させて、ウエハＷを加熱室４内に搬送する。こうして加熱室４内にウエハＷをアームプレート７にて保持した状態で所定の熱処理を行い、熱処理が終了した後、アームプレート７によりウエハＷを冷却プレート３の上方側の前記ホーム位置へ搬送し、冷却プレート３を上昇させ、冷却プレート３とウエハＷ下面とを接触させるか、冷却プレート３上面とウエハＷ下面との間に、例えば０．１ｍｍ程度の隙間を形成した状態で、冷却プレート３によりウエハＷを冷却し、ウエハＷの粗熱取りを行なう。そして粗熱取りが終了した後、冷却プレート３を介して外部の搬送機構６にウエハＷを受け渡し、筐体２０の外へ搬送する。ここで冷却プレート３から搬送機構６へのウエハＷの受け渡しは、搬送機構６から冷却プレート３へのウエハＷの受け渡しと逆の動作で行なう。
【００６８】
この例においても、ウエハＷをアームプレート７上に保持された状態で加熱室４内にて熱処理を行っているので、上述の実施の形態と同様に、蓋体の昇降や、熱板へのウエハＷの受け渡し作業が不要となり、これら蓋体の昇降や熱板への受け渡し動作に要する時間が不要となることから、オーバーヘッドタイムが削減され、結果としてスループットの向上を図ることができる。
【００６９】
また熱板に受け渡さずに、ウエハＷを熱板から浮上させた状態で熱処理を行うことから、ウエハＷに反りが発生していても、安定した状態で熱処理を行うことができる。さらにウエハＷの熱処理を行うときの、蓋体の昇降や、熱板へのウエハＷの受け渡し動作が不要であるから、これらが原因となる加熱装置２内の気流の乱れの発生が抑えられて、昇華物が十分に排出され、ウエハＷへのパーティクル付着を抑えることができる。
【００７０】
以上において、本発明の加熱装置では、例えば加熱室４と冷却プレート３とを交互に設け、例えば共通の搬送手段により、ウエハＷを加熱室４→冷却プレート３→加熱室４の順序で、交互に搬送するようにしてもよい。この場合、加熱室４内では、搬送手段にて保持された状態で加熱処理が行われ、冷却プレート３では、搬送手段にて保持された状態でウエハＷの粗熱取りが行われる。このようにするとウエハＷ内の熱履歴をより均一にすることができる。
【００７１】
以上において、本発明の加熱装置２では、搬送手段５は、冷却プレート３との間で相対的に昇降可能に設けられ、冷却プレート３に対してウエハＷの受け渡しを行なうことができ、また冷却プレート３と加熱室４との間でウエハＷを搬送でき、さらに加熱室４内にてウエハＷを保持した状態で熱処理を行うことができ、冷却プレート３と外部の搬送機構６との間でウエハＷの受け渡しを行なうことができるものであれば、搬送手段５の形状は、上述の形状に限定されない。つまり搬送手段５がワイヤ５１を備える場合には、ワイヤ５１は２本以上であってもよく、搬送手段５がアームプレート７を備える場合には、プレート部材７１や保持部７２の形状や、保持部７２の数は、適宜選択される。
【００７２】
また冷却プレート３と外部の搬送機構６との間のウエハＷの受け渡しは、図１２（ａ），（ｂ）に示すように、昇降機構７５により昇降自在な支持ピン７５ａを用い、ワイヤ５１や保持部７２を冷却プレート３表面から突出させない状態で、前記支持ピン７５ａを冷却プレート３の表面から突没させて行なうようにしてもよい。図１２中７６は、冷却プレート３の昇降機構である。
【００７３】
この場合、搬送手段５が前記ホーム位置に位置したときに、搬送手段５のウエハＷを保持する部材例えばワイヤ５１やアームプレート７の保持部７２と支持ピン７５ａの昇降が干渉しない構成であれば、図１２（ｃ）に示すように、ワイヤ５１や保持部７２の下方側に冷却プレート３を位置させた状態で、支持ピン７５ａをワイヤ５１やアームプレート７から突没させることにより、直接外部の搬送機構６とワイヤ５１やアームプレート７との間でウエハＷの受け渡しを行なうようにしてもよい。
【００７４】
さらにまたこのように冷却プレート３と外部の搬送機構６との間のウエハＷの受け渡しを昇降機構７５により昇降自在な支持ピン７５ａを用いて行なう場合には、搬送手段として、ウエハＷの裏面側全体を保持する薄板部材を備えた構成のものを用いることができる。
【００７５】
さらに冷却プレート３に溝部３１，７０を設ける代わりに、図１３に示すように、冷却プレート３にワイヤ５１や保持部７２が通過する孔部７７を設けて、この孔部７７を介してワイヤ５１や保持部７２を冷却プレート３に対して昇降させることにより、冷却プレート３と搬送手段５との間で、ウエハＷの受け渡しを行なうようにしてもよい。
【００７６】
さらに本発明の加熱装置では、加熱室４に設けられる熱板は加熱室４の上方側及び下方側のいずれか一方に設けるようにしてもよい。また本発明は、一方向流の気流を形成する加熱装置以外の、冷却プレートと加熱室とを備え、これらの間でウエハＷの搬送を行なう加熱装置に対しても適用できる。
【００７７】
続いて前記塗布装置を組み込んだ塗布、現像装置に、露光部（露光装置）を接続したレジストパターン形成システムの全体構成について図１４及び図１５を参照しながら簡単に説明する。図中Ｂ１は、基板例えばウエハＷが、例えば１３枚密閉収納されたキャリア８を搬入出するためのキャリア載置部であり、キャリア８の載置部８０ａを複数個並べて載置可能なキャリアステーション８０と、このキャリアステーション８０から見て前方の壁面に設けられる開閉部８１と、前記開閉部８１をキャリア８からウエハＷを取り出すための受け渡し手段Ａ１とが設けられている。
【００７８】
前記キャリア載置部Ｂ１の奥側には、筐体８２にて周囲を囲まれる処理部Ｂ２が接続されており、この処理部Ｂ２には手前側から順に加熱・冷却系のユニットを多段化した棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３と、これら棚ユニットＵ１〜Ｕ３及び液処理ユニットＵ４，Ｕ５の各ユニット間のウエハＷの受け渡しを行う主搬送手段Ａ２，Ａ３とが交互に配列して設けられている。即ち、棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３及び主搬送手段Ａ２，Ａ３はキャリア載置部Ｂ１側から見て前後一列に配列されており、各々の接続部位には図示しないウエハ搬送用の開口部が形成されていて、ウエハＷは処理部Ｂ２内を一端側の棚ユニットＵ１から他端側の棚ユニットＵ３まで自由に移動できるようになっている。
【００７９】
前記棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３は、液処理ユニットＵ４，Ｕ５にて行なわれる処理の前処理及び後処理を行うための各種ユニットを複数段例えば１０段に積層した構成とされており、その組み合わせは、受け渡しユニット、疎水化処理ユニット（ＡＤＨ）、ウエハＷを所定温度に調整するための温調ユニット（ＣＰＬ）、レジスト液の塗布前にウエハＷの加熱処理を行うための加熱ユニット（ＢＡＫＥ）、レジスト液の塗布後にウエハＷの加熱処理を行うためのプリベーキングユニットなどと呼ばれている加熱ユニット（ＰＡＢ）、現像処理後のウエハＷを加熱処理するポストベーキングユニットなどと呼ばれている加熱ユニット（ＰＯＳＴ）等が含まれている。本発明の加熱装置２は加熱ユニット（ＰＡＢ）として組み込まれている。
【００８０】
また液処理ユニットＵ４，Ｕ５は、例えば図１５に示すように、反射防止膜塗布ユニット（ＢＡＲＣ）、ウエハＷにレジスト液を塗布する塗布ユニット（ＣＯＴ）、ウエハＷに現像液を供給して現像処理する現像ユニット（ＤＥＶ）等を複数段、例えば５段に積層して構成されている。
【００８１】
前記処理部Ｂ２における棚ユニットＵ３の奥側には、インターフェイス部Ｂ３を介して露光部Ｂ４が接続されている。このインターフェイス部Ｂ３は、処理部Ｂ２と露光部Ｂ４との間に前後に設けられる第１の搬送室８３及び第２の搬送室８４により構成されており、夫々に昇降自在及び鉛直軸周りに回転自在かつ進退自在な第１の搬送アーム８５及び第２の搬送アーム８６を備えている。さらにまた、第１の搬送室８３には、例えば受け渡しユニットや、高精度温調ユニット（ＣＰＬ）、及びウエハＷをポストエクスポージャーべーク処理する加熱・冷却ユニット（ＰＥＢ）等が上下に積層して設けられた棚ユニットＵ６が設けられている。
【００８２】
このようなレジストパターン形成システムにおけるウエハＷの流れの一例について説明すると、キャリア載置部Ｂ１に載置されたキャリア８内のウエハＷは、温調ユニット（ＣＰＬ）→反射防止膜形成ユニット（ＢＡＲＣ）→加熱ユニット（ＢＡＫＥ）→温調ユニット（ＣＰＬ）→塗布ユニット（ＣＯＴ）→加熱ユニット（ＰＡＢ）→露光部Ｂ４の経路で搬送されて、ここで露光処理が行われる。露光処理後のウエハＷは、加熱ユニット（ＰＥＢ）→高精度温調ユニット（ＣＰＬ）→現像ユニット（ＤＥＶ）→加熱ユニット（ＰＯＳＴ）→温調ユニット（ＣＰＬ）→キャリア載置部Ｂ１のキャリア８の経路で搬送される。
【００８３】
本発明は、レジスト液の塗布されたウエハＷの加熱処理（ベーキング処理）以外に、露光処理後の加熱（ＰＥＢ）や、現像処理後の加熱処理等に適用することができる。また本発明は、半導体ウエハＷ以外に、例えばＬＣＤ基板、マスク基板などの処理にも適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００８４】
【図１】本発明の加熱装置の一実施の形態を示す斜視図である。
【図２】前記加熱装置を示す断面図である。
【図３】前記加熱装置を示す平面図である。
【図４】前記加熱装置に用いられるビーズ部材を示す斜視図である。
【図５】前記加熱装置に用いられる加熱室を示す断面図である。
【図６】前記加熱装置にウエハＷを搬送するための外部の搬送機構と、加熱装置に設けられる冷却プレートとを示す平面図と、斜視図である。
【図７】前記加熱装置に用いられる遮蔽部材を示す側面図である。
【図８】前記加熱装置の作用を説明するための工程図である。
【図９】前記加熱装置の作用を説明するための工程図である。
【図１０】本発明の加熱装置の他の例を示す平面図である。
【図１１】前記加熱装置に設けられるアームプレートを示す側面図である。
【図１２】本発明の加熱装置のさらに他の例を示す断面図である。
【図１３】本発明の加熱装置のさらに他の例を示す断面図である。
【図１４】前記加熱装置が組み込まれるレジストパターン形成装置の一例を示す平面図である。
【図１５】前記レジストパターン形成装置の一例を示す斜視図である。
【図１６】従来の加熱装置を示す断面図である。
【図１７】従来の加熱装置の作用を説明するための工程図である。
【符号の説明】
【００８５】
Ｗ          半導体ウエハ
２          加熱装置
２０        筐体
３          冷却プレート
３１，７０  溝部
３４        切り欠き部
４          加熱室
４１        開口部
４４，４５  熱板
５          搬送手段
５１        ワイヤ
５２，５３  ワイヤ支持部
５４        移動機構
５５        ガイドレール
６１        搬送アーム
７          アームプレート
７１        プレート部材
７２        保持部
【図１】
0004519037.tif 000002
【図２】
0004519037.tif 000003
【図３】
0004519037.tif 000004
【図４】
0004519037.tif 000005
【図５】
0004519037.tif 000006
【図６】
0004519037.tif 000007
【図７】
0004519037.tif 000008
【図８】
0004519037.tif 000009
【図９】
0004519037.tif 000010
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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