(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成された垂直磁気記録膜と、
前記垂直磁気記録膜と前記基板との間に設けられる第１軟磁性膜と、
前記第１軟磁性膜と前記垂直磁気記録膜との間に設けられる第２軟磁性膜と、
前記第１軟磁性膜と前記第２軟磁性膜との間に位置して、前記第１軟磁性膜と前記第２軟磁性膜との間の磁気的結合を防止する隔離膜と、を備え、
前記第２軟磁性膜の異方性磁界が前記第１軟磁性膜の異方性磁界より大きく、
前記第２軟磁性膜は、ＲＫＫＹ結合構造を形成するものであり、複数の単位軟磁性膜とこれら間の非磁性スペーサとを持つ少なくとも一つ以上の積層構造を持つことを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項２】
前記第２軟磁性膜は、前記第１軟磁性膜に比べて薄いことを特徴とする請求項１に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項３】
前記第２軟磁性膜は、１nm〜１２nmの厚さを持ち、前記第１軟磁性膜は５０nm以上の厚さを持つことを特徴とする請求項２に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項４】
前記第１軟磁性膜と前記第２軟磁性膜の単位軟磁性膜とは、同一物質で形成されることを特徴とする請求項２に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項５】
前記第２軟磁性膜は、２枚の単位軟磁性膜間に一つの前記スペーサが形成されており、
前記単位軟磁性膜それぞれは、１nm〜５nmの厚さを持ち、
前記スペーサは、２nm以下の厚さを持ち、
前記第１軟磁性膜は、５０nm以上の厚さを持つことを特徴とする請求項１に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項６】
前記第２軟磁性膜の単位軟磁性膜は、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＴａ、ＦｅＴａ合金、及びＦｅＣｏ合金からなるグループから選択されたいずれか一つで形成されることを特徴とする請求項２に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項７】
前記第１軟磁性膜は、ＮｉＦｅ合金、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＴａ、ＦｅＴａ合金、及びＦｅＣｏ合金からなるグループから選択されたいずれか一つで形成されることを特徴とする請求項５に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項８】
前記隔離膜は、非磁性金属または非金属物質で形成されることを特徴とする請求項１に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項９】
前記第１軟磁性膜と前記基板との間に設けられる磁区制御膜をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項１０】
前記第２軟磁性膜は、前記第１軟磁性膜に比べて薄いことを特徴とする請求項９に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項１１】
前記第２軟磁性膜は、１nm〜１２nmの厚さを持ち、前記第１軟磁性膜は、５０nm以上の厚さを持つことを特徴とする請求項１０に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項１２】
前記第１軟磁性膜と前記第２軟磁性膜の単位軟磁性膜とは、同一物質で形成されることを特徴とする請求項１１に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項１３】
前記第２軟磁性膜の単位軟磁性膜は、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＴａ、ＦｅＴａ合金、及びＦｅＣｏ合金からなるグループから選択されたいずれか一つで形成されることを特徴とする請求項１１または１２に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項１４】
前記隔離膜は、非磁性金属または非金属物質で形成されることを特徴とする請求項９に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項１５】
前記磁区制御膜は、ＩｒＭｎで形成されることを特徴とする請求項９及び１０または１４のうちいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録媒体に係り、詳細には、軟磁性膜の磁壁で発生する磁気的ノイズが低減した磁気記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、水平磁気記録メカニズムに比べて垂直磁気記録メカニズムの記録密度が高いという点が知られている。したがって、最近大部分のハードディスクドライブ（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ；ＨＤＤ）は、高い記録密度のために垂直記録メカニズムを採択している。
【０００３】
垂直磁気記録メカニズムは、磁化方向がメディアの平面に垂直の方向に配列されるものである。このような垂直磁気記録メカニズムは、強磁性膜（ｆｅｒｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ ｌａｙｅｒ）と軟磁性底層（ｓｏｆｔ ｍａｇｎｅｔｉｃ ｕｎｄｅｒｌａｙｅｒ，ＳＵＬ）とを備える二重磁気膜（ｄｏｕｂｌｅ ｍａｇｎｅｔｉｃ ｌａｙｅｒ）を備える垂直磁気記録媒体とポールヘッドとを共に適用する。ポールヘッドの磁気回路の特性上、事実上不回避に使われる軟磁性膜が磁気記録膜の下部に位置し、このような軟磁性膜は磁壁に起因したノイズとしての磁束（ｍａｇｎｅｔｉｃ ｆｌｕｘ）を発生させる。
【０００４】
磁壁で発生するノイズを低減させる多様な方法が提案されている。そのうちには、底層を多重で形成して底層間の交換結合（ｅｘｃｈａｎｇｅ ｃｏｕｐｌｉｎｇ）を誘導して磁壁を低減させる方法がある。従来の他の方法は、底層の下部に強磁性層を位置させて強磁性層の磁界バイアスにより底層での磁壁発生を防止する。さらに他の従来方法は、軟磁性底層の下部に磁区（ｍａｇｎｅｔｉｃ ｄｏｍａｉｎ）制御層を形成して磁区の発生を抑制する。このように磁区を制御する層は、高コストの反磁性物質であるために望ましくない。それ以外にも、多様なノイズ抑制方法が提案されているが、益々高くなる垂直磁気記録媒体の記録密度に追従し難い実情である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、磁壁に起因するノイズの発生を効果的に低減させた垂直磁気記録媒体を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明による垂直磁気記録媒体は、基板と、前記基板上に形成された垂直磁気記録膜と、前記垂直磁気記録膜と前記基板との間に設けられる第１軟磁性膜と、前記第１軟磁性膜と前記垂直磁気記録膜との間に設けられる第２軟磁性膜と、前記第１軟磁性膜と前記第２軟磁性膜との間に位置して、前記第１軟磁性膜と前記第２軟磁性膜との間の磁気的相互作用を防止する隔離膜と、を備え、前記第２軟磁性膜の異方性磁界が前記第１軟磁性膜の異方性磁界より大きいことを特徴とする。
【０００７】
本発明の一実施形態によれば、前記第２軟磁性膜は、ＲＫＫＹ（Ｒｕｄｅｒｍａｎ−Ｋｉｔｔｅｌ−Ｋａｓｕｙａ−Ｙｏｓｉｄａ）結合構造を形成するものであり、複数の単位軟磁性膜と、これらの間の非磁性スペーサとを持つ少なくとも一つ以上の積層構造を持つ。
【０００８】
また、本発明の他の実施形態によれば、前記第２軟磁性膜は、前記第１軟磁性膜に比べて薄い。具体的に、前記第２軟磁性膜は、１nm〜１２nmの厚さを持ち、前記第１軟磁性膜は５０nm以上の厚さを持つ。
本発明のさらに他の実施形態によれば、前記第１軟磁性膜と前記第２軟磁性膜とは、同一物質で形成される。
【０００９】
本発明の具体的な実施形態によれば、前記第２軟磁性膜は、２枚の単位軟磁性膜間に一つの前記スペーサが形成されており、前記単位軟磁性膜それぞれは、１nm〜５nmの厚さを持ち、前記スペーサは、２nm以下の厚さを持ち、前記第１軟磁性膜は、５０nm以上の厚さを持つ。
【００１０】
本発明のさらに他の実施形態によれば、前記隔離膜は、非磁性金属または非金属物質で形成され、前記第１軟磁性膜と前記基板との間に設けられる磁区制御膜をさらに備える。
本発明のさらに他の実施形態による垂直磁気記録媒体において、前記第２軟磁性膜は、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＴａ、ＦｅＴａ合金、及びＦｅＣｏ合金からなるグループから選択されたいずれか一つで形成され、前記第１軟磁性膜は、ＮｉＦｅ合金、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＴａ、ＦｅＴａ合金、及びＦｅＣｏ合金からなるグループから選択されたいずれか一つで形成される。そして、前記隔離膜は、非磁性金属または非金属物質で形成され、前記磁区制御膜は、ＩｒＭｎで形成される。
【発明の効果】
【００１１】
前記のような本発明によれば、垂直磁気記録構造で必然的に使われる軟磁性膜でのノイズを顕著に縮小させることができ、したがって、ＳＮ比の増大により記録密度の増大に有利になる。また、薄い高い異方性磁界の第２軟磁性膜を通じて第１軟磁性膜で発生する漂遊磁界を分散させて、第１軟磁性膜の磁壁に起因したノイズを大きく抑制できる。このような本発明は、軟磁性膜を適用する垂直磁気記録媒体に好適に適用されうる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、添付した図面を参照して本発明の望ましい実施形態について詳細に説明する。
図１は、本発明の第１実施形態による垂直磁気記録媒体の積層構造を示し、図２Ａ及び図２Ｂは、図１に図示された本発明による垂直磁気記録媒体での記録動作及び再生動作を説明する図面である。
【００１３】
図１を参照すれば、基板１００上に垂直磁気記録膜１２０が形成され、前記垂直磁気記録膜１２０上には、垂直磁気記録膜１２０を外部から保護する保護膜１３０が形成される。そして、前記保護膜１３０上には、ＨＤＤの磁気ヘッドとの接触による磁気ヘッド及び保護膜１３０の摩耗を低減させるための潤滑膜１４０が形成される。
【００１４】
ここで前記潤滑膜１４０は、テトラオール潤滑剤、保護膜１３０は、ＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ Ｌｉｋｅ Ｃａｒｂｏｎ）、垂直磁気記録膜１２０は、ＣｏＣｒＰｔＳｉＯ２、ＣｏＰｔ、ＣｏＣｒＰｔまたはＦｅＰｔ、そして基板１００は、ガラスまたはＡｌ−Ｍｇで形成される。
情報の記録が行われる前記垂直磁気記録膜１２０と基板１００との間には垂直磁気フィールドの磁路を形成して、垂直磁気記録膜１２０への情報の記録を可能にする第１軟磁性膜１０１が設けられている。
【００１５】
前記のような構造に加えて、前記第１軟磁性膜１０１と垂直磁気記録膜１２０との間には、第２軟磁性膜１１０とその下部の隔離膜１０２とが介在される。前記隔離膜１０２は、非磁性物質、例えば、ＴａまたはＴｉなどで形成されて、その上下の第２軟磁性膜１１０と第１軟磁性膜１０１との磁気的結合を防止するものである。
【００１６】
ここで本発明の特徴によって、前記第２軟磁性膜１１０の異方性磁界Ｈｋは、第１軟磁性膜１０１の異方性磁界に比べて大きく、逆に前記第２軟磁性膜１１０の透磁率は、第１軟磁性膜１０１の透磁率に比べて小さい。
このような特徴によれば、前記第１軟磁性膜１０１は、相対的に低い異方性磁界により、磁気記録時に狭い記録磁界勾配を持つ垂直磁路を形成して高密度の情報記録を可能にし、第２軟磁性膜１１０は、情報再生時に第１軟磁性膜１０１の磁壁により発生する漂遊磁界を横方向に分散させて、読み取りヘッドに漂遊磁界が到達できなくする。
【００１７】
すなわち、図２Ａに示したように、第１軟磁性膜１０１は、磁気ヘッドを利用して垂直磁気記録を行なう時、ヘッドから出る垂直磁気フィールドの磁路を形成して、垂直磁気記録膜１２０への情報の記録を可能にする役割を行う。そして、図２Ｂに示したように、第２軟磁性膜１１０は、垂直磁気記録膜１２０に記録された磁気パターンを再生する時、第１軟磁性膜１０１の磁壁に起因した漂遊磁界を分散、すなわち、シャント（短絡）することによって、情報再生時に漂遊磁界は磁気ヘッドによっては検出されず、したがって、再生情報のＳＮ比が大きく向上する。
【００１８】
比較的低い異方性磁界により高い記録磁界勾配を持つ第１軟磁性膜１０１上に、相対的に高い異方性磁界により安定なドメイン構造を持つ第２軟磁性膜１１０を用意することによって、不安定なドメイン構造の第１軟磁性膜１０１から発生する漂遊磁界を第２軟磁性膜１１０によりシャントする。
【００１９】
図３は、本発明の他の実施形態による垂直磁気記録媒体の積層構造を示す。図３に図示された垂直磁気記録媒体は、図１に図示された構造の垂直磁気記録媒体に磁区制御膜３０３が追加された構造を持つ。
【００２０】
具体的に、基板３００上に垂直磁気記録膜３２０が形成され、前記垂直磁気記録膜３２０上には、垂直磁気記録膜３２０を外部から保護する保護膜３３０が形成される。そして、前記保護膜３３０上には潤滑膜３４０が形成される。
【００２１】
前記保護膜３３０の下部に垂直磁気記録膜３２０が形成され、垂直磁気記録膜３２０の下部に第２軟磁性膜３１０、隔離膜３０２、第１軟磁性膜３０１が設けられ、第１軟磁性膜３０１の下部に第１軟磁性膜３０１の磁区を制御する磁区制御膜３０３が設けられている。前記磁区制御膜３０３は、公知の物質、例えば、ＩｒＭｎで形成され、周知のように第１軟磁性膜３０１の磁区を制御して磁壁を低減させる。
【００２２】
図４は、本発明のさらに他の実施形態による垂直磁気記録媒体の積層構造を示す。この実施形態の垂直磁気記録媒体は、図１に図示された垂直磁気記録媒体に垂直配向膜４２１が追加された構造を持つ。
【００２３】
具体的に、基板４００上に垂直磁気記録膜４２０が形成され、前記垂直磁気記録膜４２０上には垂直磁気記録膜４２０を外部から保護する保護膜４３０が形成される。そして、前記保護膜４３０上には潤滑膜４４０が形成される。
前記保護膜４３０の下部に垂直磁気記録膜４２０、垂直配向膜４２１が形成され、垂直配向膜４２１の下部に第２軟磁性膜４１０、隔離膜４０２及び第１軟磁性膜４０１が設けられる。前記垂直配向膜４２１は、垂直磁気記録膜４２０の磁気整列を垂直方向に配向させる。
【００２４】
このような構造に加えて、図３に図示された実施形態のように、第１軟磁性膜４０１の下部に第１軟磁性膜４０１の磁区を制御する磁区制御膜（図示せず）が選択的に設けられることもある。
図５は、本発明による垂直磁気記録媒体に適用されうる具体的な第２軟磁性膜構造を示す。
【００２５】
前述した実施形態の説明で言及されたように、第１軟磁性膜１０１、３０１、４０１上に磁気的相互作用を防止する隔離膜１０２、３０２、４０２が位置し、隔離膜１０２、３０２、４０２上にはスペーサ１１２を介して、その上下に単位軟磁性膜１１３、１１１が設けられたサンドウィッチ構造の第２軟磁性膜１１０’、３１０’、４１０’が設けられる。前記第２軟磁性膜１１０’、３１０’、４１０’は、磁気ドメインが局部的に結合されるＲＫＫＹ結合構造を持つ。ここでＲＫＫＹ結合構造とは、非磁性金属層を介して上下磁性体が反強磁性的に結合された構造を意味する。そのために、第２軟磁性膜１１０’、３１０’、４１０’の厚さが第１軟磁性膜１０１、３０１、４０１の厚さより薄くなりつつも、第２軟磁性膜１１０’、３１０’、４１０’の異方性磁界Ｈｋが第１軟磁性膜１０１、３０１、４０１の異方性磁界Ｈｋより大きく考案された。
【００２６】
ここで、前記第２軟磁性膜１１０’、３１０’、４１０’は、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＴａ、ＦｅＴａ合金、及びＦｅＣｏ合金からなるグループで選択されたいずれか一つで形成される。そして、前記第１軟磁性膜１０１、３０１、４０１は、ＮｉＦｅ合金、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＴａ、ＦｅＴａ合金、及びＦｅＣｏ合金からなるグループで選択されたいずれか一つで形成されうる。
【００２７】
この時に、前記第１軟磁性膜１０１、３０１、４０１と第２軟磁性膜１１０’、３１０’、４１０’とを同じ物質で形成することが望ましい。前記第２軟磁性膜１１０’、３１０’、４１０’の飽和磁束密度Ｂｓ及び異方性磁界Ｈｋは、第１軟磁性膜１０１、３０１、４０１に比べて大きく、逆に前記第２軟磁性膜１１０’、３１０’、４１０’の透磁率は、第１軟磁性膜１０１、３０１、４０１の透磁率に比べて小さい。前記第１軟磁性膜１０１、３０１、４０１は５０nm以上の厚さを持ち、第２軟磁性膜１１０’、３１０’、４１０’の異方性磁界Ｈｋは、上下単位軟磁性膜１１３、１１１の厚さ調節により調整でき、上下単位軟磁性膜１１３、１１１それぞれの厚さは１〜５nmであり、これら間のスペーサ１１２はＲｕなどの非磁性物質で形成され、２nm以下の厚さを持つ。そして、前記隔離膜１０２、３０２、４０２は、非磁性金属または酸化物質で形成される。
【００２８】
図６は、ＲＫＫＹ結合構造を持つ第２軟磁性膜として使われうるＣｏＺｒＮｂの厚さ変化によるカップリング力Ｈｅｂ及び異方性磁界Ｈｋの変化を示す。
図６を参照すれば、上下単位軟磁性膜間の反強磁性的な相互交換結合力を表すＨｅｂが大きくなれば、その交換結合方向への異方性磁界Ｈｋも共に大きくなるということが分かる。ノイズの原因である磁壁の形成を抑制するためには、前記異方性磁界が高いことが望ましく、図６に示すように、このような高い異方性磁界を得るためには上下単位軟磁性膜の厚さを５nm以下とすることが望ましい。
【００２９】
図７Ａは、本発明の他の実施形態による垂直磁気記録媒体の軟磁性膜構造を示す。
図７Ａに示すように、基板７００上に第１軟磁性膜７０１としてＣｏＺｒＮｂ膜が５０nmの厚さで形成され、これは、低い異方性磁界Ｈｋを持ち、この異方性磁界Ｈｋ＝０でありうる。前記第１軟磁性膜７０１上には、隔離膜７０２が５nm厚さのＴａ膜により形成されている。前記隔離膜７０２上には、高い異方性磁界Ｈｋを持つものとしてＲＫＫＹ結合構造の第２軟磁性膜７１０が形成される。前記第２軟磁性膜７１０は、二つの上下単位軟磁性膜７１３、７１１及びこの間の５nm厚さのＲｕ膜によるスペーサ７１２を備える。
【００３０】
図７Ｂは、図７Ａに図示された軟磁性膜構造における印加磁界−磁化特性変化を示すグラフである。
図７Ｂによれば、第１軟磁性膜と第２軟磁性膜との相互交換を完全に分離させうると同時に、第２軟磁性膜の異方性磁界が約５００ Ｏｅ以上と高い値を表すということが分かる。
【００３１】
図８は、本発明による軟磁性膜構造によるＳ／Ｎ比向上を検討するために提示された構造であり、従来技術によるものとして、単一層軟磁性膜のサンプル（ａ）、従来技術によって上下膜が接触された反強磁性膜のサンプル（ｂ）、及び本発明によって隔離膜を中心にその上下に軟磁性膜が設けられるサンプル（ｃ）の基本的な条件を示す。
【００３２】
あらゆるサンプルは、１０nmの上部膜と５０nmの下部膜を持ち、下部膜は共に異方性磁界Ｈｋ＝０、飽和磁化４πＭｓ＝１．０Ｔと仮定した。そして、サンプル（ａ）の上部膜は異方性磁界Ｈｋ＝０であり、飽和磁化４πＭｓ＝１．０Ｔ、サンプル（ｂ）と（ｃ）の上部膜は、異方性磁界Ｈｋ＝５００、飽和磁化４πＭｓ＝２．４Ｔと仮定した。ここで、本発明によるサンプル（ｃ）は３nm厚さの隔離膜を持つ。
磁界検出のためのセンサーは、上部膜から約５０nm距離に存在すると仮定してシミュレーションを進めた。
【００３３】
図９Ａないし図９Ｃのそれぞれは、図８に図示されたサンプル（ａ）、（ｂ）、（ｃ）の磁区構造を示すシミュレーション結果である。
図９Ａないし図９Ｃを比較すれば、図９Ｃに示す本発明によるサンプル（ｃ）は、他のサンプル（ｂ）と（ｃ）に比べて良好な磁区構造を持つことが分かる。
サンプル（ａ）と（ｂ）の磁区構造を示す図９Ａと図９Ｂの場合、磁壁ノイズの原因である複数の磁壁が観測される一方、サンプル（ｃ）の磁区構造を表す図９Ｃの場合には、センサーと近い位置にある上部膜で強い異方性磁界によりノイズ原因である磁壁がほとんど形成されないことが観測された。これは、本発明によるサンプル（ｃ）構造の軟磁性膜がＳＮ比を増大させるのに有効であるということを示す結果である。
【００３４】
図１０Ａないし図１０Ｃは、図８に図示されたサンプル（ａ）、（ｂ）、（ｃ）で磁気検出センサーから検出した磁壁ノイズをシミュレーションした結果を示す。
図１０Ｃに示したように、本発明によるサンプル（ｃ）は、図１０Ａのサンプル（ａ）と図１０Ｂのサンプル（ｂ）に比べてノイズが大きく抑制されたということが分かる。
図１０Ａの場合には、センサーで感知される漂遊磁界が３００Ｏｅ以上観測される。第１軟磁性膜と第２軟磁性膜との間に隔離膜が存在しない構造を持つサンプルの結果を示す図１０Ｂの場合、垂直方向への磁区形成により非常に大きい漂遊磁界が形成されるということが分かる。これに対し、本発明によるサンプルの結果を示す図１０Ｃの場合、漂遊磁界が１００Ｏｅ以下に大きく低減してノイズ低減に効果があるということが分かる。
【００３５】
前述した実施形態を通じて多様な形態の本発明による垂直自己媒体用軟磁性膜について説明した。本発明は、低い異方性磁界を持つ第１軟磁性膜の磁壁に起因した漂遊磁界（ノイズ）を、その上部の相対的に高い異方性磁界を持つ第２軟磁性膜により分散（シャント）させるものであり、したがって、このような発明の思想に基づいて前述した実施形態と異なる多様な実施形態を実現でき、これも発明の範ちゅうに属する。
【００３６】
特に前述した実施形態は、垂直磁気記録媒体の基本的な積層構造を基準に説明され、したがって、これに付随的または追加的な積層がさらにありうる。例えば、前記のような本発明の技術的思想を保持しつつ追加的な軟磁性膜が設けられることが可能であり、このような追加的な積層は、前記本発明の思想内で本発明の技術的範囲を制限しない。また前述した実施形態を含む本発明による垂直磁気記録媒体の構成物質は公知の物質が利用され、また、このような物質は本発明の技術的範囲を制限しない。
このような本願発明の理解を助けるためにいくつかのの模範的な実施形態が説明され、添付された図面に図示されたが、このような実施形態は単に広い発明を例示し、これを制限しないという点が理解されねばならず、そして、本発明は、図示されて説明された構造及び配列に限定されないという点が理解されねばならず、これは、多様な他の修正が当業者により行われうるためである。
【産業上の利用可能性】
【００３７】
本発明は、磁壁から起因するノイズの発生を効果的に低減させた垂直磁気記録媒体に好適に用いられる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の第１実施形態による垂直磁気記録媒体の積層構造を示す図面である。
【図２Ａ】図１に図示された本発明による垂直磁気記録媒体での記録動作及び再生動作を説明する図面である。
【図２Ｂ】図１に図示された本発明による垂直磁気記録媒体での記録動作及び再生動作を説明する図面である。
【図３】本発明の第２実施形態による垂直磁気記録媒体の積層構造を示す図面である。
【図４】本発明の第３実施形態による垂直磁気記録媒体の積層構造を示す図面である。
【図５】本発明による垂直磁気記録媒体に適用できる具体的な軟磁性膜構造を示す図面である。
【図６】本発明による垂直磁気記録媒体の軟磁性膜材料として利用されるＣｏＺｒＮｂの厚さ変化による磁気的特性を示すグラフである。
【図７Ａ】本発明の具体的な他の実施形態による垂直磁気記録媒体の軟磁性膜構造を示す図面である。
【図７Ｂ】図７Ａに図示された軟磁性膜構造における印加磁界−磁化特性変化を示すグラフである。
【図８】本発明による軟磁性膜構造によるＳＮ比向上を検討するために提示された３つのサンプルの構造を説明する図面である。
【図９Ａ】図８に図示されたサンプル（ａ）の磁区構造を示すシミュレーション結果である。
【図９Ｂ】図８に図示されたサンプル（ｂ）の磁区構造を示すシミュレーション結果である。
【図９Ｃ】図８に図示されたサンプル（ｃ）の磁区構造を示すシミュレーション結果である。
【図１０Ａ】図８に図示されたサンプル（ａ）で磁壁ノイズをシミュレーションした結果を示す図面である。
【図１０Ｂ】図８に図示されたサンプル（ｂ）で磁壁ノイズをシミュレーションした結果を示す図面である。
【図１０Ｃ】図８に図示されたサンプル（ｃ）で磁壁ノイズをシミュレーションした結果を示す図面である。
【符号の説明】
【００３９】
１００  基板
１０１  第１軟磁性膜
１０２  隔離膜
１１０  第２軟磁性膜
１２０  垂直磁気記録膜
１３０  保護膜
１４０  潤滑膜
【図１】
0004603002.tif 000002
【図２Ａ】
0004603002.tif 000003
【図２Ｂ】
0004603002.tif 000004
【図３】
0004603002.tif 000005
【図４】
0004603002.tif 000006
【図５】
0004603002.tif 000007
【図６】
0004603002.tif 000008
【図７Ａ】
0004603002.tif 000009
【図７Ｂ】
0004603002.tif 000010
【図８】
0004603002.tif 000011
【図９Ａ】
0004603002.tif 000012
【図９Ｂ】
0004603002.tif 000013
【図９Ｃ】
0004603002.tif 000014
【図１０Ａ】
0004603002.tif 000015
【図１０Ｂ】
0004603002.tif 000016
【図１０Ｃ】
0004603002.tif 000017