(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅層、グラファイト層、モリブデン層が同種の層を重ねないように複数積層されると共に、前記モリブデン層を前記グラファイト層に比して積層数を少なく設定した積層体が形成されて、この積層体の両面に層を重ねるように外部銅層が設けられ、且つ、前記積層体の前記両面以外の周縁に銅、または銅とモリブデンを配合した枠部が設けられたことを特徴とする半導体パッケージ用放熱プレート。
【請求項２】
前記枠部を銅で形成して、該枠部を一方の面の外部銅層と一体的に形成したことを特徴とする請求項１記載の半導体パッケージ用放熱プレート。
【請求項３】
前記両面の外部銅層で挟まれた領域のうち半導体素子を搭載する素子搭載部位が、前記複数の銅層を積層して形成されることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体パッケージ用放熱プレート。
【請求項４】
前記素子搭載部位は、一方の面の銅層及び前記枠部と一体的に設けられることを特徴とする請求項３記載の半導体パッケージ用放熱プレート。
【請求項５】
前記半導体素子を搭載する素子搭載部位が、前記複数の銅層及び複数のモリブデン層を配合して形成されることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体パッケージ用放熱プレート。
【請求項６】
前記両面の外部銅層が該両面の外部銅層間に配合される銅層に比して厚く形成されることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか記載の半導体パッケージ用放熱プレート。
【請求項７】
前記複数の銅層と前記複数のグラファイト層の体積比が同じに設定されていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか記載の半導体パッケージ用放熱プレート。
【請求項８】
半導体チップと基板とで形成される半導体素子と、
この半導体素子が収容配置されるものであって、銅層、グラファイト層、モリブデン層が同種の層を重ねないように複数積層されると共に、前記モリブデン層を前記グラファイト層に比して積層数を少なく設定した積層体が形成されて、この積層体の両面に層を重ねるように外部銅層が設けられ、且つ、前記積層体の前記両面以外の周縁に銅、または銅とモリブデンを配合した枠部が設けられるプレート本体上に前記半導体素子を囲んで、該半導体素子と電気的に接続される外部接続端子の設けられた枠材が配置されて、この枠材の開口に蓋体が被着される半導体パッケージと、
を具備することを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、例えば各種のＬＳＩ，ＩＣ等の半導体素子を収容配置した半導体パッケージに係り、特にその半導体パッケージ用放熱プレート及び半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体パッケージ用放熱プレートにおいては、半導体素子の大容量化等により、発熱量が増大されていることで、半導体素子の性能を維持するために、各種の熱制御方法が採られている。
【０００３】
例えば、特許文献１には、金属材料に比して熱伝導特性の優れたグラファイトシートを、金属薄板と組み合わせたグラファイトシート積層熱伝導体が開示され、このグラファイトシート積層熱伝導体を用いて電子機器の放熱を行うことが提案されている。
【０００４】
ところが、上記グラファイトシート積層熱伝導体では、その高い熱伝導特性を得ることが可能であるが、例えばセラミック基板を搭載した半導体パッケージを構成した場合、その熱膨張係数が、セラミック基板との熱膨張係数と大きく異なるために、熱変形によりセラミック基板との接合部位が損傷したりするという問題を有する。
【０００５】
一方、銅層とモリブデン層とを交互に積層して、熱膨張係数を、半導体素子を構成するセラミック基板の熱膨張係数に近付けるようにした放熱基板用材料も提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２００１−１４４２３７号
【特許文献２】特許第３８６２７３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記放熱基板用材料では、熱伝導効率が満足の行くものでなく、半導体素子の大容量化が進み、さらに熱量が増加されると、放熱面積を増加させたりしなければ対応が困難となるという不都合を有する。
【０００７】
この発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、構成簡易にして、高効率な熱伝導効率を実現し得、且つ、熱膨張係数の調整を実現し得るようにした半導体パッケージ用放熱プレート及び半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この発明は、銅層、グラファイト層、モリブデン層が同種の層を重ねないように複数積層されると共に、前記モリブデン層を前記グラファイト層に比して積層数を少なく設定した積層体が形成されて、この積層体の両面に層を重ねるように外部銅層が設けられ、且つ、前記積層体の前記両面以外の周縁に銅、または銅とモリブデンを配合した枠部を設けて半導体パッケージ用放熱プレートを構成した。
【０００９】
上記構成によれば、熱膨張係数が、モリブデン層の作用により、半導体素子を構成する例えばセラミック基板等の基板の物性に近付けられており、その一方の面の銅層上に半導体素子が接合されて搭載される。例えば半田等で接合する場合は、接合部を加熱及び冷却するため、温度変化が発生するが、熱膨張係数が半導体素子を構成する基板の熱膨張係数に近付けられていることで、その熱変形が略同じとなるため、温度変化によって半導体素子の基板が割れたりすることなく、高精度な接合が維持される。また、同様な作用で半導体装置の外周囲等に温度変化があっても、半導体素子の基板が割れたりすることなく、高精度な接合が維持される。また、半導体素子の発熱部である半導体チップが発熱して、その熱が熱移送されると、熱膨張係数が半導体素子を構成する基板の熱膨張係数に近付けられていることで、その熱変形が略同じとなるため、温度変化によって半導体素子の基板が割れたりすることなく、高精度な接合が維持される。そして、熱移送された熱は、その銅層及び枠部で面直方向に効率よく伝導され、そのグラファイト層で面方向に効率よく伝導されて、プレート全体に均一的に熱伝導される。
【００１０】
これにより、搭載された半導体素子の搭載部位における熱変形による基板の損傷の防止を実現したうえで、優れた熱伝導性能が実現されて、高効率な熱制御が可能となる。
【発明の効果】
【００１１】
以上述べたように、この発明によれば、構成簡易にして、高効率な熱伝導効率を実現し得、且つ、熱膨張係数の調整を実現し得るようにした半導体パッケージ用放熱プレート及び半導体装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、この発明の実施の形態に係る半導体パッケージ用放熱プレート及び半導体装置について、図面を参照して詳細に説明する。
【００１３】
図１は、この発明の一実施の形態に係る半導体パッケージ用放熱プレートを示すもので、プレート本体１０は、その両面に外部銅層１１ａ，１１ｂを有した平板状のプレート構造に形成される（図２参照）。この両面の外部銅層１１ａ，１１ｂ間には、例えば面方向に熱伝導性の優れたグラファイト層１２、モリブデン層１３、グラファイト層１２、面直方向に熱伝導性の優れた銅層１１ｃ、グラファイト層１２、銅層１１ｃを順に積層した６層を二段重ねて、その二段目の銅層１１ｃにグラファイト層１２、モリブデン層１３及びグラファイト層１２が順に積層されている。
【００１４】
ここで、プレート本体１０は、銅層１１ｃ、グラファイト層１２、モリブデン層１３、外部銅層１１ａ，１１ｂが上述したように積重されて加圧加温処理され、例えば銅層１１ｃが０．２ｍｍ、グラファイト層１２が０．１ｍｍ、モリブデン層１３が０．０２ｍｍ、外部銅層１１ａ，１１ｂが０．２ｍｍに積層される。これにより、プレート本体１０は、その物性が、モリブデン層１３の配合量を設定することにより、半導体素子１４を構成する例えばセラミック基板１４１（図３参照）の熱膨張係数に近付けるように設定される。例えばこのうち外部銅層１１ａ，１１ｂ及び銅層１１ｃとグラファイト層１２との体積比は、略同一に設定されている。
【００１５】
なお、このプレート本体１０の層構造としては、適用するパッケージ構成に基づいて適宜に設定される。
【００１６】
また、上記プレート本体１０は、その周縁に銅及びモリブデンを加圧加温処理により、層状に配した枠部１５が設けられ、この枠部１５により積層配置されたグラファイト層１２の端部が覆われている。そして、このプレート本体１０は、その外部銅層１１ａ，１１ｂ及び枠部１５の周囲面に容易に金メッキ等の処理層を形成して、その処理層上に半導体素子１４を搭載することにより、図３及び４に示す半導体装置２０を、容易に製造することができる。
【００１７】
即ち、上記半導体装置２０を製造する場合には、プレート本体１０の一方の外部銅層１１ａ上に半導体パッケージを構成する枠材２１が取付けられ、この枠材２１には、その側壁に外部接続端子２２が突設されている。そして、この枠材２１内のプレート本体１０上には、図３に示すように上記半導体素子１４のセラミック基板１４１及び半導体チップ１４２が半田等を用いて接合されて搭載され、これらセラミック基板１４１及び半導体チップ１４２は、相互間及び上記外部接続端子２２と電気的に接続される。そして、この枠材２１上には、半導体パッケージを構成する蓋体２３が被着されて上記半導体装置２０が形成される（図４参照）。
【００１８】
ここで、プレート本体１０は、その熱膨張係数が、モリブデン層１３の作用により、半導体素子１４のセラミック基板１４１の物性に近付けられており、半田等を用いてセラミック基板１４１を接合する際に発生する温度変化があっても、その熱膨張係数がセラミック基板１４１に近付けられていることで、該セラミック基板１４１の熱変形と略同じとなるため、該セラミック基板１４１が割れたりすることなく、高精度な接合が維持される。また、同様な作用で半導体装置２０の外周囲等に温度変化があっても、半導体素子１４のセラミック基板１４１が割れたりすることなく、高精度な接合が維持される。さらに、プレート本体１０の一方の外部銅層１１ａ上に搭載した半導体チップ１４２が駆動されて発熱されると、その熱が、先ず、外部銅層１１ａに熱移送され、該外部銅層１１ａを経由してセラミック基板１４１に熱移送される。この際、プレート本体１０は、その熱膨張係数がセラミック基板１４１に近付けられていることで、該セラミック基板１４１の熱変形と略同じとなるため、該セラミック基板１４１が割れたりすることなく、高精度な接合が維持される。
【００１９】
同時に、プレート本体１０に熱移送された熱は、その外部銅層１１ａ，１１ｂ、銅層１１ｃで面直方向に効率よく伝導されると共に、そのグラファイト層１２で面方向に効率よく伝導されてプレート全体に均一的に熱伝導される。これにより、プレート本体１０上の半導体素子１４は、その外部銅層１１ａとの間における高精度な搭載が維持された状態で、高効率な熱制御が行われる。
【００２０】
このように、上記半導体パッケージ用放熱プレートは、プレート本体１０を、銅層１１ｃとグラファイト層１２とモリブデン層１３を交互に複数積層して、その両面に外部銅層１１ａ，１１ｂを設けて、その周縁に銅とモリブデンを配合した枠部１５を設けて構成した。
【００２１】
これによれば、プレート本体１０は、その熱膨張係数が、モリブデン層１３の作用により半導体素子１４のセラミック基板１４１の物性に近付けられており、その一方の外部銅層１１ａ上に該セラミック基板１４１及び半導体チップ１４２が接合されて搭載され、その半導体チップ１４２が発熱して、その熱が熱移送されると、熱変形するがセラミック基板１４１の熱変形と略同じとなることで、セラミック基板１４１の割れが防止されて、相互間の高精度な接合が維持される。この状態で、熱移送された熱は、その銅層１１ｃ及び枠部１５で面直方向に効率よく伝導され、そのグラファイト層１２で面方向に効率よく伝導されて、プレート全体に均一的に熱伝導される。
【００２２】
この結果、プレート本体１０上に搭載された半導体素子１４との間の熱変形よる損傷の防止が実現され、しかも、優れた熱伝導性能が実現されて、半導体素子１４の高効率な熱制御が可能となる
なお、この発明は、上記実施の形態に限ることなく、その他、例えば図５、図６、図７、図８、図９に示すようにプレート本体１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ，１０ｅを構成することも可能で、同様に有効な効果が期待される。但し、この図５乃至図９の実施の形態においては、上記図１乃至４と同一部分について同一符号を付して、その詳細な説明を省略する。
【００２３】
即ち、図５に示すプレート本体１０ａは、周縁に設ける枠部１５ａを銅だけで形成して、その他を、上記図１と同様に外部銅層１１ａ，１１ｂ、銅層１１ｃ、グラファイト層１２、モリブデン層１３を交互に積層して形成するように構成したものである。
【００２４】
また、図６に示すプレート本体１０ｂは、図５のプレート本体１０ａと同様に、周縁に設ける枠部１５ａを銅だけで形成して、この枠部１５ａと外部銅層１１ｂを一体的に形成するように構成したものである。
【００２５】
また、図７に示すプレート本体１０ｃは、半導体素子１４を搭載する素子搭載部１０１の直下部分を、グラファイト層１２を設けることなく、銅層１１ｃ及びモリブデン層１３を積層して形成するように構成したものである。これにより、半導体素子１４からの熱は、銅層１１ｃ及びモリブデン層１３により、さらに効率よく面直方向に熱伝導することが可能となり、さらに良好な効果が期待される。
【００２６】
また、図８に示すプレート本体１０ｄは、半導体素子１４を搭載する素子搭載部１０１の直下部分を、グラファイト層１２及びモリブデン層１３を設けることなく、銅層１１ｃのみを積層して形成するように構成したものである。これにより、半導体素子１４からの熱は、素子搭載部１０１における面直方向への熱伝導性能の向上が図れ、さらに良好な効果が期待される。
【００２７】
また、図９に示すプレート本体１０ｅでは、上記図６に示すプレート本体１０ｂと同様に、周縁に設ける枠部１５ａを銅だけで形成すると共に、半導体素子１４を搭載する素子搭載部１０１の直下部分を、上記図８に示すプレート本体１０ｄと同様にグラファイト層１２及びモリブデン層１３を配することなく、銅層１１ｃのみで形成して、この枠部１５ａ及び素子搭載部１０１と外部銅層１１ｂとを一体的に形成するように構成したものである。
【００２８】
なお、上記プレート本体１０ｃ，１０ｄ，１０ｅにおいては、素子搭載部１０１を一箇所設けるように構成した場合について説明したが、これに限るものでなく、二箇所以上設けるように構成することも可能である。
【００２９】
また、上記各実施の形態では、モリブデン層１３をグラファイト層１２で挟装するように配置して構成した場合について説明したが、これに限ることなく、その他、モリブデン層１３を、グラファイト層１２と銅層１１ｃとの間や、外部銅層１１ａ（１１ｂ）と銅層１１ｃとの間、あるいは銅層１１ｃで挟装するように積層配置するように構成することも可能である。
【００３０】
この発明は、上記実施の形態に限ることなく、その他、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々の変形を実施し得ることが可能である。さらに、上記実施の形態には、種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜な組合せにより種々の発明が抽出され得る。
【００３１】
例えば実施の形態に示される全構成要件から幾つかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題が解決でき、発明の効果で述べられている効果が得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】この発明の一実施の形態に係る半導体パッケージ用放熱プレートの要部を示した断面図である。
【図２】図１のプレート本体の外観構成を説明するために示した平面図である。
【図３】この発明の一実施の形態に係る半導体装置を分解して示した分解図である。
【図４】図３の半導体装置の外観構成を示した斜視図である。
【図５】この発明の他の実施の形態に係る半導体パッケージ用放熱プレートの要部を示した断面図である。
【図６】この発明の他の実施の形態に係る半導体パッケージ用放熱プレートの要部を示した断面図である。
【図７】この発明の他の実施の形態に係る半導体パッケージ用放熱プレートの要部を断面して示した断面図である。
【図８】この発明の他の実施の形態に係る半導体パッケージ用放熱プレートの要部を断面して示した断面図である。
【図９】この発明の他の実施の形態に係る半導体パッケージ用放熱プレートの要部を断面して示した断面図である。
【符号の説明】
【００３３】
１０，１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ，１０ｅ…プレート本体、１０１…素子搭載部、１１ａ，１１ｂ…外部銅層、１１ｃ…銅層、１２…グラファイト層、１３…モリブデン層、１４…半導体素子、１４１…セラミック基板、１４２…半導体チップ、１５，１５ａ…枠部、２０…半導体装置、２１…枠材、２２…外部接続端子、２３…蓋体。
【図１】
0004558012.tif 000002
【図２】
0004558012.tif 000003
【図３】
0004558012.tif 000004
【図４】
0004558012.tif 000005
【図５】
0004558012.tif 000006
【図６】
0004558012.tif 000007
【図７】
0004558012.tif 000008
【図８】
0004558012.tif 000009
【図９】
0004558012.tif 000010