(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基材の一方の面に配線層が、他方の面に前記絶縁基材を介して検査電極が形成されており、前記検査電極の一端は配線層に接続され、前記検査電極の他端の形状は先端に向かってしだいに細くなり、先端が平面状となっている前記検査電極を有し、前記検査電極の先端部に接触信頼性を高める金属層が形成されている検査治具の製造方法であって、少なくとも、以下の工程を備えることを特徴とする検査治具の製造方法。
（ａ）絶縁基材の一方の面に第一金属層を、他方の面に第二金属層を形成する工程。
（ｂ）第一金属層側からレーザーにより穴開け加工を行い、第一金属層及び絶縁基材の所定位置に開口部を形成し、開口部の穴底部で第二金属層を露出させる工程。
（ｃ）絶縁基材の開口部内の穴底部の第二金属層上に、第二金属層のエッチング液に耐性を有する金属層をめっきにより形成する工程。
（ｄ）第二金属層をめっき電極にして電解めっきを行い、絶縁基材の開口部内に導体電極を、絶縁基材上に導体層を形成する工程。
（ｅ）第一金属層及び導体層をパターニング処理して配線層を形成し、第二金属層を除去する工程。
（ｆ）絶縁基材の一方の面及び配線層上にレジスト層を形成し、絶縁基材の他方の面をエッチングにて所定の厚さ除去し、金属層及び導体電極の一部を露出させて検査電極を形成する工程。
（ｇ）レジスト層を剥離し、絶縁基材の一方の面に配線層が、他方の面に先端に金属層を有する検査電極が形成された検査治具を作製する工程。
【請求項２】
絶縁基材の一方の面に配線層が、他方の面に前記絶縁基材を介して検査電極が形成されており、前記検査電極の一端は配線層に接続され、前記検査電極の他端の形状は先端に向かってしだいに細くなり、先端が平面状となっている前記検査電極を有し、前記検査電極の先端部に接触信頼性を高める金属層が形成されている検査治具の製造方法であって、少なくとも、以下の工程を備えることを特徴とする検査治具の製造方法。
（ａ）絶縁基材の一方の面に第一金属層を、他方の面に除去容易な接着層を介して第二金属層を形成する工程。
（ｂ）第一金属層側からレーザーにより穴開け加工を行い、第一金属層及び絶縁の所定位置に開口部を形成し、開口部の穴底部で第二金属層を露出させる工程。
（ｃ）絶縁基材の開口部内の第二金属層上に、第二金属層のエッチング液に耐性を有する金属層をめっきにより形成する工程。
（ｄ）第二金属層をめっき電極にして電解めっきを行い、絶縁基材及び接着層の開口部内に導体電極を、第一金属層上に導体層を形成する工程。
（ｅ）第一金属層及び導体層をパターニング処理して配線層を形成し、第二金属層を除去する工程。
（ｆ）前記接着層を除去し、金属層及び導体電極の一部を露出させて、絶縁基材の一方の面に配線層が、他方の面に先端に金属層を有する検査電極が形成された検査治具を作製する工程。
【請求項３】
前記第一金属層側からレーザーにより前記絶縁基材を穴開け加工する際、あらかじめ前記第一金属層をパターニング処理して開口マスクを形成し、レーザーを照射して穴開け加工することを特徴とする請求項１または請求項２記載の検査治具の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置や半導体装置用基板の電気的検査を行う際に用いられる検査治具の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体チップや半導体チップをフィルムキャリア等の半導体装置用基板に搭載した半導体装置、あるいは半導体装置用基板自体の品質を保証するために、電気的検査が行われている。電気的検査の方法の一つとして、上記のような被検査体の電極に検査治具を接触させ、電気的なオープンやショートを検査することが行われている。
近年求められている電子機器の小型化、薄型化に伴い、被検査体の電極の狭ピッチ化がすすみ、用いられる検査治具にもより高密度で、かつ高精度なものが求められている。そのような検査治具として、特開平１１−３２６３７８号公報記載のものが知られている。
【０００３】
従来の検査治具の製造方法の一例を図６（ａ）〜（ｆ）に示す。
まず、０．３ｍｍ厚のステンレス板からなる金属基板１０１上にドライフィルムレジストをラミネートしてレジスト層１０２を、さらに、２０μｍ厚のポリイミドフィルム（ユーピレックス：宇部興産（株）製）からなる絶縁基材１０３をを貼着する（図６（ａ）参照）。
【０００４】
次に、絶縁基材１０３上にスパッタリングにて３００ｎｍ厚のクロム薄膜層１０４を、さらに、銅をスパッタリングして３００ｎｍ厚の薄膜導体層１０５を形成する（図６（ｂ）参照）。
次に、エキシマレーザーを用いて、薄膜導体層１０５、クロム薄膜層１０４、絶縁基材１０３及びレジスト層１０２を孔開け加工して、４０μｍφの円錐台状の開口部１０６を形成する（図６（ｃ）参照）。
【０００５】
次に、金属基板１０１をカソードとし、電解銅めっきを行って、導体電極１０７及び１５〜２０μｍ厚の導体層１０８を連続して形成する（図６（ｄ）参照）。
次に、導体層１０８、薄膜導体層１０５及びクロム薄膜層１０４をフォトエッチングプロセスにてパターニング処理して配線層１０８ａを形成する（図６（ｅ）参照）。
【０００６】
次に、導体電極１０７及び配線層１０８ａが形成された基板を剥離液に浸漬して、金属基板１０１及びレジスト層１０２を剥離することで、絶縁基材１０３の一方の面に検査電極１０９が、他方の面に配線層１０８ａが形成された検査治具を作製するものである（図６（ｆ）参照）。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
このような検査治具において、さらに検査時の被検査体との接触信頼性を高めるために、検査電極先端に接触信頼性を高める金属層を形成することが求められていた。
上記のような金属層を従来検査治具の製造工程の後で検査電極にめっきを施すという方法もあるが、露出する検査電極全体にめっきが付着し、電極が太くなってしまう、という問題がある。さらに、太くなる量はめっき厚によることになるが、このように凸状の形状を有する検査電極に均一なめっきを施し、且つその厚さを制御するということは難しく、従ってどの程度太くなるかを制御できず、高密度な検査を行う検査治具としては適さない。
また、導体層を電解銅めっきで形成しているため、めっき時間やめっき液の管理を正確に行わないと配線層の厚さにばらつきが生ずる恐れがある。さらに、めっきに時間を要するという問題がある。
【０００８】
本発明は上記問題点に鑑みなされたものであり、高密度な被検査体の検査を行うことが可能な検査治具及びその製造方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明に於いて上記課題を解決するために、請求項１においては、絶縁基材の一方の面に配線層が、他方の面に前記絶縁基材を介して検査電極が形成されており、前記検査電極の一端は配線層に接続され、前記検査電極の他端の形状は先端に向かってしだいに細くなり、先端が平面状となっている前記検査電極を有し、前記検査電極の先端部に接触信頼性を高める金属層が形成されている検査治具の製造方法であって、少なくとも、以下の工程を備えることを特徴とする検査治具の製造方法としたものである。
（ａ）絶縁基材の一方の面に第一金属層を、他方の面に第二金属層を形成する工程。
（ｂ）第一金属層側からレーザーにより穴開け加工を行い、第一金属層及び絶縁基材の所定位置に開口部を形成し、開口部の穴底部で第二金属層を露出させる工程。
（ｃ）絶縁基材の開口部内の穴底部の第二金属層上に、第二金属層のエッチング液に耐性を有する金属層をめっきにより形成する工程。
（ｄ）第二金属層をめっき電極にして電解めっきを行い、絶縁基材の開口部内に導体電極を、第一金属上に導体層を形成する工程。
（ｅ）第一金属層及び導体層をパターニング処理して配線層を形成し、第二金属層を除去する工程。
（ｆ）絶縁基材の一方の面及び配線層上にレジスト層を形成し、絶縁基材の他方の面をエッチングにて所定の厚さ除去し、金属層及び導体電極の一部を露出させて検査電極を形成する工程。
（ｇ）レジスト層を剥離し、絶縁基材の一方の面に配線層が、他方の面に先端に金属層を有する検査電極が形成された検査治具を作製する工程。
【００１１】
また、請求項２においては、絶縁基材の一方の面に配線層が、他方の面に前記絶縁基材を介して検査電極が形成されており、前記検査電極の一端は配線層に接続され、前記検査電極の他端の形状は先端に向かってしだいに細くなり、先端が平面状となっている前記検査電極を有し、前記検査電極の先端部に接触信頼性を高める金属層が形成されている検査治具の製造方法であって、少なくとも、以下の工程を備えることを特徴とする検査治具の製造方法としたものである。
（ａ）絶縁基材の一方の面に第一金属層を、他方の面に除去容易な接着層を介して第二金属層を形成する工程。
（ｂ）第一金属層側からレーザーにより穴開け加工を行い、第一金属層及び絶縁の所定位置に開口部を形成し、開口部の穴底部で第二金属層を露出させる工程。
（ｃ）絶縁基材の開口部内の第二金属層上に、第二金属層のエッチング液に耐性を有する金属層をめっきにより形成する工程。
（ｄ）第二金属層をめっき電極にして電解めっきを行い、絶縁基材及び接着層の開口部内に導体電極を、第一金属層上に導体層を形成する工程。
（ｅ）第一金属層及び導体層をパターニング処理して配線層を形成し、第二金属層を除去する工程。
（ｆ）前記接着層を除去し、金属層及び導体電極の一部を露出させて、絶縁基材の一方の面に配線層が、他方の面に先端に金属層を有する検査電極が形成された検査治具を作製する工程。
【００１２】
さらにまた、請求項３においては、前記第一金属層側からレーザーにより前記絶縁基材を穴開け加工する際、あらかじめ前記第一金属層をパターニング処理して開口マスクを形成し、レーザービームを照射して穴開け加工することを特徴とする請求項１または請求項２記載の検査治具の製造方法としたものである。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下本発明の実施の形態につき説明する。図１（ａ）に本発明の製造方法により作製された検査治具の模式斜視図を、図１（ｂ）に、Ａ−Ａ’線で切断した検査治具の模式構成断面図を、それぞれ示す。本発明の製造方法により作製された検査治具は絶縁基材の一方の面に配線層が、他方の面に検査電極が形成されており、検査電極の先端平坦部に金属層が形成されたものである。
【００１４】
以下請求項１記載の検査治具の製造方法について図２（ａ）〜（ｇ）を用いて説明する。まず、絶縁基材１１の両面に第一金属層１２及び第二金属層１３を形成する（図２（ａ）参照）。絶縁基材１１には一般にＴＡＢに使用されているポリイミド等の材料が使用できる。第一金属層１２及び第二金属層１３には通常銅箔が使用される。
【００１５】
次に、第一金属層１２にレーザービームを照射して穴明け加工を行い、第一金属層１２及び絶縁基材１１に開口部１４を形成し、開口部１４の穴底部で第二金属層１３を露出させる（図２（ｂ）参照）。
開口部１４は第２金属層１３に近づくにつれ径が細くなる円錐台状の形状になり、開口部１４の穴底部で第２金属層１３の表面が露出するように、加工条件を設定する。レーザーとしては穴の形状からエキシマレーザーやＵＶ−ＹＡＧレーザーが適している。
【００１６】
次に、開口部１４の穴底部の第二金属層１３上に、接触信頼性を高め、且つ第二金属層１３をエッチングする際のエッチング液に耐性のある金属をめっきして、金属層１５を形成する（図２（ｃ）参照）。
金属層１５の金属材料としては、金、パラジウム、ニッケルをあげることができる。金やパラジウムの場合は、さらに上層にニッケルめっきを施し、２層構造にすることが好ましい。なお、エッチング液によってエッチング耐性が異なるが、エッチング液に塩化第二鉄液を使用する場合には金めっきが適している。金めっきは接触抵抗を下げる効果もあるため金の使用が望ましい。
金属層１５の厚さは、１〜２μｍ程度が好ましい。薄すぎると、ピンホール等の欠陥が生じ、接触信頼性を高める効果が低下したり、第二金属層をエッチングする際に、エッチング液が侵入し、電極にダメージを与える恐れがある。厚すぎると、材料が高価なことからコストが上昇する。また、金の場合は柔らかいため、電極の硬度が不足する可能性もある。
【００１７】
次に、第二金属層１３をめっき電極にして開口部１４及び第一金属層１２上に電解銅めっきを行い、開口部１４に導体電極１６、第一金属層１２上に導体層１７を形成する（図２（ｄ）参照）。
めっきの方法にはダイレクトプレーティングシステムを使用すると工程の簡略化になる。ダイレクトプレーティングシステムは、あらかじめ樹脂層の壁に例えばパラジウム粒子等の触媒層を形成しておくことにより、電解めっきによって直接樹脂に電解めっきをすることを可能にする方法である。
また、開口部１４の金属のめっきには、穴埋めめっきを使用し、導体電極１６内にボイドが発生しないようにする。
【００１８】
次に、第一金属層１２及び導体層１７をパターニング処理して第一金属層パターン１２ａ及び導体層パターン１７ａからなる配線層１８を形成し、同時に第二金属層３４をエッチングにて除去する（図２（ｅ）参照）。
【００１９】
次に、絶縁基材１１の一方の面及び配線層１８上に保護用のレジスト層１９を形成し、絶縁基材１１を所定の厚さになるまでエッチングにて除去して絶縁基材１１ａを形成し、金属層１５及び導体電極の一部を露出させ、検査電極２１を形成する（図２（ｆ）参照）。
【００２０】
次に、レジスト層１９を剥離処理して、絶縁基材１１ａの一方の面に配線層１８が、他方の面に先端に金属層１５を有する検査電極２１が形成された検査治具１００を得ることができる（図２（ｇ）参照）。
【００２１】
以下請求項２記載の検査治具の製造方法について図３（ａ）〜（ｆ）を用いて説明する。まず、絶縁基材３１の一方の面に第一金属層３３を、他方の面に除去容易な接着層３２を介して第二金属層３４を形成する（図３（ａ）参照）。絶縁基材３１には一般にＴＡＢに使用されているポリイミド等の材料が、接着層３２には熱可塑性の樹脂材料が使用できる。第一金属層３３及び第二金属層３４には通常銅箔が使用される。
【００２２】
次に、第一金属層３３にレーザーを照射して穴明け加工を行い、第一金属層３３、絶縁基材３１及び接着層３２に開口部３５を形成し、開口部３５の穴底部で第二金属層３４を露出させる（図３（ｂ）参照）。
開口部３５は第２金属層３４に近づくにつれ径が細くなる円錐台状の形状になり、開口部３５の穴底部で第２金属層３４の表面が露出するように、加工条件を設定する。レーザーとしては穴の形状からエキシマレーザーやＵＶ−ＹＡＧレーザーが適している。
【００２３】
次に、開口部３５の穴底部の第二金属層３４上に、接触信頼性を高め、且つ第二金属層３４をエッチングする際のエッチング液に耐性のある金属をめっきして、金属層３６を形成する（図３（ｃ）参照）。
金属層３６の金属材料としては、金、パラジウム、ニッケルをあげることができる。金やパラジウムの場合は、さらに上層にニッケルめっきを施し、２層構造にすることが好ましい。なお、エッチング液によってエッチング耐性が異なるが、エッチング液に塩化第二鉄液を使用する場合には金めっきが適している。金めっきは接触抵抗を下げる効果もあるため金の使用が望ましい。
金属層３６の厚さは、１〜２μｍ程度が好ましい。薄すぎると、ピンホール等の欠陥が生じ、接触信頼性を高める効果が低下したり、第二金属層をエッチングする際に、エッチング液が侵入し、電極にダメージを与える恐れがある。厚すぎると、材料が高価なことからコストが上昇する。また、金の場合は柔らかいため、電極の硬度が不足する可能性もある。
【００２４】
次に、第二金属層３４をめっき電極にして開口部３５及び第一金属層３３上に電解銅めっきを行い、開口部３５に導体電極３７、第一金属層３３上に導体層３８を形成する（図３（ｄ）参照）。
めっきの方法にはダイレクトプレーティングシステムを使用すると工程の簡略化になる。ダイレクトプレーティングシステムは、あらかじめ樹脂層の壁に例えばパラジウム粒子等の触媒層を形成しておくことにより、電解めっきによって直接樹脂に電解めっきをすることを可能にする方法である。
また、開口部３５の金属のめっきには、穴埋めめっきを使用し、導体電極３７内にボイドが発生しないようにする。
【００２５】
次に、第一金属層３３及び導体層３８をパターニング処理して第一金属層パターン３３ａ及び導体層パターン３８ａからなる配線層３９を形成し、同時に第二金属層３４をエッチングにて除去する（図３（ｅ）参照）。
【００２６】
次に、接着層３２を溶剤等で溶解除去し、金属層３６及び導体電極３７の一部を露出させ、検査電極４１を形成し、絶縁基材３１の一方の面に配線層３９が、他方の面に先端に金属層３６を有する検査電極４１が形成された検査治具２００を得ることができる（図３（ｆ）参照）。
【００２７】
以下請求項３記載の検査治具の製造方法について図４（ａ）〜（ｈ）を用いて説明する。まず、絶縁基材１１の両面に第一金属層１２及び第二金属層１３を形成する（図４（ａ）参照）。絶縁基材１１には一般にＴＡＢに使用されているポリイミド等の材料が使用できる。第一金属層１２及び第二金属層１３には通常銅箔が使用される。
【００２８】
次に、第一金属層１２をパターニング処理して、第一金属層１２の所定位置に開口マスク２２を形成する（図４（ｂ）参照）。
【００２９】
次に、第一金属層１２の開口マスク２２にレーザーを照射して穴開け加工を行い、絶縁基材１１に開口部１４を形成し、開口部１４の穴底部で第二金属層１３を露出させる（図４（ｃ）参照）。
この第一金属層１２の開口マスク２２にレーザーを照射して開口部１４を形成する方法では、レーザー加工条件の設定がし易く、特に開口部１４の穴底部での終点制御がし易い特徴がある。レーザーとしてはエキシマレーザーが適している。
【００３０】
以下、上記と同様な工程で、金属層１５、導体電極１６、導体層１７を形成し（図４（ｄ）〜（ｅ）参照）、第一金属層１２及び導体層１７をパターニング処理して配線層１８を形成し、同時に第二金属層１３をエッチングして除去する（図４（ｆ）参照）。
次に、絶縁基材１１の一方の面及び配線層１８上に保護用のレジスト層１９を形成し、絶縁基材１１を所定の厚さになるまでエッチングにて除去して絶縁基材１１ａを形成し、金属層１５及び導体電極１６の一部を露出させ、検査電極２１を形成する（図４（ｇ）参照）。
【００３１】
次に、レジスト層１９を剥離処理して、絶縁基材１１ａの一方の面に配線層１８が、他方の面に先端に金属層１５を有する検査電極２１が形成された検査治具３００を得ることができる（図４（ｈ）参照）。
【００３２】
以下請求項３記載の検査治具の製造方法について図５（ａ）〜（ｇ）を用いて説明する。まず、絶縁基材３１の一方の面に第一金属層３３を、他方の面に除去容易な接着層３２を介して第二金属層３４を形成する（図５（ａ）参照）。絶縁基材３１には一般にＴＡＢに使用されているポリイミド等の材料が、接着層３２には熱可塑性の樹脂材料が使用できる。第一金属層３３及び第二金属層３４には通常銅箔が使用される。
【００３３】
次に、第一金属層３３をパターニング処理して、第一金属層３３の所定位置に開口マスク４２を形成する（図５（ｂ）参照）。
【００３４】
次に、第一金属層３３の開口マスク４２にレーザーを照射して穴開け加工を行い、絶縁基材３１及び接着層３２に開口部３５を形成し、開口部３５の穴底部で第二金属層３４を露出させる（図５（ｃ）参照）。
この第一金属層３３の開口マスク４２にレーザーを照射して開口部３５を形成する方法では、レーザー加工条件の設定がし易く、特に開口部３５の穴底部での終点制御がし易い特徴がある。レーザーとしてはエキシマレーザーが適している。
【００３５】
以下、上記と同様な工程で、金属層３６、導体電極３７、導体層３８を形成し（図５（ｄ）〜（ｅ）参照）、第一金属層３３及び導体層３８をパターニング処理して配線層３９を形成し、同時に第二金属層１３をエッチングして除去する（図５（ｆ）参照）。
次に、接着層３２を溶剤等で剥離処理し、絶縁基材３１の一方の面に配線層３９が、他方の面に先端に金属層３６を有する検査電極４１が形成された検査治具４００を得ることができる（図５（ｇ）参照）。
【００３６】
以下実施例により本発明を詳細に説明する。
＜実施例１＞
まず、５０μｍ厚のポリイミドからなる絶縁基材１１の両面に９μｍ厚の銅箔を積層して第一金属層１２及び第二金属層１３を形成した（図２（ａ）参照）。
【００３７】
次に、ＵＶ−ＹＡＧレーザー加工機（住友重機械工業（製））を用いて、第一金属層１２にレーザーを照射し、開口部１４を形成した（図２（ｂ）参照）。
加工条件は、1パルスのエネルギーが０．２ｍＪ／ｃｍ2を５ショット、０．０３ｍＪ／ｃｍ2を５０ショット照射した。
【００３８】
次に、第二金属層１３をめっき電極にして、開口部１４の穴底部の第二金属層１３上に、電解金めっきにて１〜２μｍ厚の金属層１５を形成した（図２（ｃ）参照）。
【００３９】
次に、第二金属層１３をめっき電極にして開口部１４及び第二金属層１３上の金属層１５上に電解銅めっきを行い、開口部１４に導体電極１６、第一金属層１２上に導体層１７を形成した（図２（ｄ）参照）。
電解銅めっきは荏原ユージライト製のダイレクトプレーティングシステムを使用し、銅めっきの方法は、触媒を付与し銅めっきを５μｍほど施した後、穴埋めめっき液で電解めっきを施し導体電極１６を形成し、穴埋めめっきは、電解めっきと電解エッチングを交互に繰り返すことで導体電極１６内にボイドのないめっきを行うことができた。
【００４０】
次に、導体層１７上に感光層を形成し、一連のフォトプロセスによりパターニング処理しレジストパターンを形成し、レジストパターンをマスクにして導体層１７及び第一金属層１２をエッチング処理して第一金属層パターン１２ａ及び導体層パターン１７ａからなる配線層１８を形成し、同時に第二金属層１３をエッチングして除去した（図２（ｅ）参照）。
エッチング条件は、塩化第二鉄液の両面スプレーエッチングにて行い、エッチング液の温度６５℃、スプレー圧３ｋｇ／ｃｍ2であった。
【００４１】
次に、絶縁基材１１の一方の面及び配線層１８上に５０μｍ厚のドライフィルムレジストをラミネータによって貼り付け、レジスト層１９を形成した。
さらに、絶縁基材１１を２０μｍの厚さになるまでエッチングして２０μｍ厚の絶縁基材１１ａを形成し、金属層１５及び導体電極の一部を露出させ、検査電極２１を形成した（図２（ｆ）参照）。
絶縁基材１１のエッチングは７０℃の水酸化ナトリウム溶液（２００ｇ／Ｌ）をスプレーして行った。
【００４２】
次に、水酸化ナトリウム１０％溶液にてレジスト層１９を剥離処理して、２０μｍ厚の絶縁基材１１ａの一方の面に配線層１８が、他方の面に先端に金属層１５を有する高さ３０μｍの検査電極２１が形成された本発明の検査治具１００を得た（図２（ｇ）参照）。
【００４３】
＜実施例２＞
まず、２５μｍ厚のポリイミドからなる絶縁基材３１の一方の面に９μｍ厚の銅箔を積層して第一金属層３３を、他方の面に３０μｍ厚のエポキシ系の接着フィルムを貼り付けて接着層３２を形成し、１２μｍ厚の銅箔を積層して第二金属層３４を形成した（図３（ａ）参照）。
【００４４】
次に、ＵＶ−ＹＡＧレーザー加工機（住友重機械工業（製））を用いて、第一金属層３３にレーザーを照射し、開口部３５を形成した（図３（ｂ）参照）。
加工条件は、1パルスのエネルギーが０．２ｍＪ／ｃｍ2を５ショット、０．０３ｍＪ／ｃｍ2を５０ショット照射した。
【００４５】
次に、開口部３５の穴底部の第二金属層３４上に、エッチング液に耐性のある金を電解めっきして、１〜２μｍ厚の金属層３６を形成した（図３（ｃ）参照）。
【００４６】
次に、第二金属層３４をめっき電極にして開口部３５及び第二金属層３４上の金属層３６上に電解銅めっきを行い、開口部３５に導体電極３７、第一金属層３３上に導体層３８を形成した（図３（ｄ）参照）。
電解銅めっきは荏原ユージライト製のダイレクトプレーティングシステムを使用し、銅めっきの方法は、触媒を付与し銅めっきを５μｍほど施した後、穴埋めめっき液で電解めっきを施し導体電極３７を形成し、穴埋めめっきは、電解めっきと電解エッチングを交互に繰り返すことで導体電極３７内にボイドのないめっきを行うことができた。
【００４７】
次に、導体層３８上に感光層を形成し、一連のフォトプロセスによりパターニング処理しレジストパターンを形成し、レジストパターンをマスクにして導体層３８及び第一金属層３３をエッチング処理して第一金属層パターン３３ａ及び導体層パターン３８ａからなる配線層３９を形成し、同時に第２金属層３４をエッチングして除去した（図３（ｅ）参照）。
エッチング条件は、塩化第二鉄液の両面スプレーエッチングにて行い、エッチング液の温度６５℃、スプレー圧３ｋｇ／ｃｍ2であった。
【００４８】
次に、接着層３２をアセトン等の溶剤で溶解除去し、金属層３６及び導体電極３７の一部を露出させて検査電極４１を形成し、２５μｍ厚の絶縁基材３１の一方の面に配線層３９が、他方の面に先端に金属層３６を有する高さ３０μｍの検査電極４１が形成された本発明の検査治具２００を得ることができた（図３（ｆ）参照）。
【００４９】
＜実施例３＞
まず、５０μｍ厚のポリイミドからなる絶縁基材１１の両面に９μｍ厚の銅箔を積層して第一金属層１２及び第二金属層１３を形成した（図４（ａ）参照）。
【００５０】
次に、第一金属層１２をパターニング処理して、第一金属層１２の所定位置に開口マスク２２を形成した（図４（ｂ）参照）。
【００５１】
次に、ＵＶ−ＹＡＧレーザー加工機（住友重機械工業（製））を用いて、第一金属層１２の開口マスク２２にレーザーを照射し、開口部１４を形成した（図４（ｃ）参照）。加工条件は、１．５Ｊ／ｃｍ2であった。
【００５２】
次に、第二金属層１３をめっき電極にして、開口部１４の穴底部の第二金属層１３上に、電解金めっきにて１〜２μｍ厚の金属層１５を形成した（図４（ｄ）参照）。
【００５３】
次に、第二金属層１３をめっき電極にして開口部１４及び第二金属層１３上の金属層１５上に電解銅めっきを行い、開口部１４に導体電極１６、第一金属層１２上に導体層１７を形成した（図４（ｅ）参照）。
電解銅めっきは荏原ユージライト製のダイレクトプレーティングシステムを使用し、銅めっきの方法は、触媒を付与し銅めっきを５μｍほど施した後、穴埋めめっき液で電解めっきを施し導体電極１６を形成し、穴埋めめっきは、電解めっきと電解エッチングを交互に繰り返すことで導体電極１６内にボイドのないめっきを行うことができた。
【００５４】
次に、導体層１７上に感光層を形成し、一連のフォトプロセスによりパターニング処理してレジストパターンを形成し、レジストパターンをマスクにして導体層１７及び第一金属層１２をエッチング処理して第一金属層パターン１２ａ及び導体層パターン１７ａからなる配線層１８を形成し、同時に第二金属層１３をエッチングして除去した（図４（ｆ）参照）。
エッチング条件は、塩化第二鉄液の両面スプレーエッチングにて行い、エッチング液の温度６５℃、スプレー圧３ｋｇ／ｃｍ2であった。
【００５５】
次に、絶縁基材１１の一方の面及び配線層１８上に５０μｍ厚のドライフィルムレジストをラミネータによって貼り付け、レジスト層１９を形成した。
さらに、絶縁基材１１を２０μｍの厚さになるまでエッチングして、金属層１５及び導体電極の一部を露出させ、検査電極２１を形成した（図４（ｇ）参照）。絶縁基材１１のエッチングは７０℃の水酸化ナトリウム溶液（２００ｇ／Ｌ）をスプレーして行った。
【００５６】
次に、水酸化ナトリウム１０％溶液にてレジスト層１９を剥離処理して、２０μｍ厚の絶縁基材１１ａの一方の面に配線層１８が、他方の面に先端に金属層１５を有する高さ３０μｍの検査電極２１が形成された本発明の検査治具３００を得ることができた（図４（ｈ）参照）。
【００５７】
＜実施例４＞
まず、２５μｍ厚のポリイミドからなる絶縁基材３１の一方の面に９μｍ厚の銅箔を積層して第一金属層３３を、他方の面に３０μｍ厚のエポキシ系の接着フィルムを貼り付けて接着層３２を形成し、さらに１２μｍ厚の銅箔を積層して第二金属層３４を形成した（図５（ａ）参照）。
【００５８】
次に、第一金属層３３をパターニング処理して、第一金属層３３の所定位置に開口マスク４２を形成した（図５（ｂ）参照）。
【００５９】
次に、ＵＶ−ＹＡＧレーザー加工機（住友重機械工業（製））を用いて、第一金属層３３の開口マスク４２よりレーザーを照射し、開口部３５を形成した（図５（ｃ）参照）。加工条件は、１．５Ｊ／ｃｍ2であった。
【００６０】
次に、開口部３５の穴底部の第二金属層３４上に、エッチング液に耐性のある金を電解めっきして、１〜２μｍ厚の金属層３６を形成した（図５（ｄ）参照）。
【００６１】
次に、第二金属層３４をめっき電極にして開口部３５及び第二金属層３４の金属層３６上に電解銅めっきを行い、開口部３５に導体電極３７、第一金属層３３上に導体層３８を形成した（図５（ｅ）参照）。
電解銅めっきは荏原ユージライト製のダイレクトプレーティングシステムを使用し、銅めっきの方法は、触媒を付与し銅めっきを５μｍほど施した後、穴埋めめっき液で電解めっきを施し導体電極３７を形成し、穴埋めめっきは、電解めっきと電解エッチングを交互に繰り返すことで導体電極３７内にボイドのないめっきを行うことができた。
【００６２】
次に、導体層３８上に感光層を形成し、一連のフォトプロセスによりパターニング処理しレジストパターンを形成し、レジストパターンをマスクにして導体層３８及び第一金属層３３をエッチング処理して第一金属層パターン３３ａ及び導体層パターン３８ａからなる配線層３９を形成し、同時に第２金属層３４をエッチングして除去した（図５（ｆ）参照）。
エッチング条件は、塩化第二鉄液の両面スプレーエッチングにて行い、エッチング液の温度６５℃、スプレー圧３ｋｇ／ｃｍ2であった。
【００６３】
次に、接着層３２をアセトン等の溶剤で溶解除去し、金属層３６及び導体電極３７の一部を露出させ、検査電極４１を形成し、２５μｍ厚の絶縁基材３１の一方の面に配線層３９が、他方の面に先端に金属層３６を有する高さ３０μｍの検査電極４１が形成された本発明の検査治具４００を得ることができた（図５（ｇ）参照）。
【００６４】
【発明の効果】
本発明の請求項１〜３記載の製造方法により作製された検査治具は、その検査電極の先端部に接触信頼性を高める金属層が形成されているため、接触信頼性の高い正確な検査を行うことができる。従って高密度な被検査体を検査することができる。本発明の請求項１記載の発明によれば、検査電極の高さ制御が正確にできるため、正確な検査を行うことができる検査治具を製造可能である。また、めっき時間も短縮することができ、高い製造効率で検査治具を製造可能である。さらに、検査電極先端部を細い径にすることが容易になり、しかも良好な接触が維持でき、接触信頼性が高く、高密度な被検査体を検査することができる検査治具を製造可能である。本発明の請求項２記載の発明によれば、請求項１によって得られる効果に加え、検査電極の突出量を安定させることが可能であり、また簡易な工程で行うことができる。本発明の請求項３記載の発明によれば、あらかじめ第一金属層に開口マスクを設けて、開口マスクよりレーザーを照射して穴明け加工するため、レーザーによる開口部の加工をより容易に、精度良く行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は、本発明の検査治具の一実施例を示す検査治具１００の模式斜視図である。
（ｂ）は、Ａ−Ａ’線で切断した検査治具１００の模式構成断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｇ）は、本発明の検査治具１００の製造方法の一実施例を工程順に示す検査治具の模式構成断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｆ）は、本発明の検査治具２００の製造方法の他の実施例を工程順に示す検査治具の模式構成断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｈ）は、本発明の検査治具３００の製造方法の他の実施例を工程順に示す検査治具の模式構成断面図である。
【図５】（ａ）〜（ｇ）は、本発明の検査治具４００の製造方法の他の実施例を工程順に示す検査治具の模式構成断面図である。
【図６】（ａ）〜（ｆ）は、従来の検査治具の製造方法の一例を工程順に示す検査治具の模式構成断面図である。
【符号の説明】
１１、１１ａ、３１……絶縁基材
１２、３３……第一金属層
１２ａ、３３ａ……第一金属パターン層
１３、３４……第二金属層
１４、３５……開口部
１５、３６……金属層
１６、３７……導体電極
１７、３８……導体層
１７ａ、３８ａ……導体パターン層
１８、３９……配線層
１９……レジスト層
２１、４１……検査電極
２２、４２……開口マスク
３２……接着層
１０１……金属基板
１０２……レジスト層
１０３……絶縁基材
１０４……クロム薄膜層
１０５……薄膜導体層
１０６……開口部
１０７……導体電極
１０８……導体層
１０８ａ……配線層
１０９……検査電極
【図１】
0004556327.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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