(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つのＰＮ接合又はショットキー接合が形成された半導体基板を、第１の主端子を有するハウジングと第２の主端子を有する蓋体との間に圧接するようにした圧接型半導体装置において、
上記半導体基板の一方の主面に、前記ハウジングの第１の基部面が接し、該第１の基部面を有する基部から第１の極性を有する第１の主端子が延出され、該基部の端縁から上方に立ち上がる一対の支持部が延出され、
上記半導体基板の他方の主面に蓋体の第２の基部面が接し、該第２の基部面を有する基部から第２の極性を有する第２の主端子が延出され、該基部から上方に立ち上がる一対の可撓部が延出され、
上記蓋体の可撓部を撓ませて上記ハウジングの支持部に係止させ、該蓋体の可撓部と該ハウジングの支持部との間に絶縁体を介在させ、
上記蓋体の第２の基部面により上記半導体基板を前記ハウジングの第１の基部面に圧接する構造を備えたことを特徴とする圧接型半導体装置。
【請求項２】
前記ハウジングの一対の前記支持部の先端に互いに内側に折り曲げられた把持部を設け、該把持部に前記蓋体の一対の前記可撓部の先端を、前記絶縁体を介して係止させたことを特徴とする請求項１に記載の圧接型半導体装置。
【請求項３】
前記ハウジングの一対の前記支持部に互いに対向する長孔を設け、該長孔に前記蓋体の一対の前記可撓部の先端を挿通し、前記絶縁体を介して係止させたことを特徴とする請求項１に記載の圧接型半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
本発明は、少なくとも１つのＰＮ接合又はショットキー接合（以下、単に接合と略記する。）が形成された半導体基板を簡便な方法で圧接保持する構造を備えた圧接型半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の加圧接触型半導体装置の構造例を図１１に示す。この構造のものは特開平５−１４４９５７号公報に開示されたものである。
この加圧接触型半導体装置の構造の概略は、半導体素子１を、スタッド部２ａを有する陽極２上に載置し、この半導体素子１上に陰極棒３を載せ、皿ばね６により加圧接触させたものである。そして陰極棒３と皿ばね６との放電を防止するために、該陰極棒３と皿ばね６とを分離する絶縁筒８を設けている。また、半導体素子１の収納ケース２ｂ上端部には陽極２と陰極棒３とを絶縁するためにセラミックシール７を形成している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記のような従来の加圧接触型半導体装置では、部品点数が多く、組立工数もかかり、安価に製作できない難点があった。
【０００４】
【発明の目的】
本発明は上記のような課題を解決するためになされたもので、部品点数が比較的少なく、組立が簡単で安価に製作できる圧接型半導体装置を提供することを目的とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
第１の発明は、
少なくとも１つのＰＮ接合又はショットキー接合が形成された半導体基板を、第１の主端子を有するハウジングと第２の主端子を有する蓋体との間に圧接するようにした圧接型半導体装置において、
上記半導体基板の一方の主面に、前記ハウジングの第１の基部面が接し、該第１の基部面を有する基部から第１の極性を有する第１の主端子が延出され、該基部の端縁から上方に立ち上がる一対の支持部が延出され、
上記半導体基板の他方の主面に蓋体の第２の基部面が接し、該第２の基部面を有する基部から第２の極性を有する第２の主端子が延出され、該基部から上方に立ち上がる一対の可撓部が延出され、
上記蓋体の可撓部を撓ませて上記ハウジングの支持部に係止させ、該蓋体の可撓部と該ハウジングの支持部との間に絶縁体を介在させ、
上記蓋体の第２の基部面により上記半導体基板を前記ハウジングの第１の基部面に圧接する構造を備えたことを特徴とするものである。
第２の発明は、
前記ハウジングの一対の前記支持部の先端に互いに内側に折り曲げられた把持部を設け、該把持部に前記蓋体の一対の前記可撓部の先端を、前記絶縁体を介して係止させたことを特徴とするものである。
第３の発明は、
前記ハウジングの一対の前記支持部に互いに対向する長孔を設け、該長孔に前記蓋体の一対の前記可撓部の先端を挿通し、前記絶縁体を介して係止させたことを特徴とするものである。
【０００６】
【作用】
本発明の圧接型半導体装置は、蓋体の第２の基部面から第２の極性を有する第２の主端子と、上方に立ち上がる一対の可撓部とを一体的に設け、ハウジング側に設けた第１の主端子と前記第２の主端子との絶縁は、前記第１の主端子と一体的に設けた上方に立ち上がる一対の支持部の該支持部端に係止する可撓部端との絶縁により兼ねるようにしてある。
このため、従来構造に比べ部品点数が少なく、かつ、組立が簡単で製造コストの低減を図ることができる。
【０００７】
【実施例】
以下に、本発明の実施例を、図を参照して説明する。
図１は本発明の第１の実施例である圧接型半導体装置の斜視図である。
図において、１０は、圧接型半導体装置の全体を示し、１１は少なくとも１つの接合が形成された半導体基板である。
【０００８】
上記半導体基板１１の一方の主面に、ハウジング１００の第１の基部面１２を接し、この第１の基部面１２からは図示前方へ延出された第１の極性を有する第１の主端子１３と、上方に立ち上がる一対の支持部１４、１４が延出されている。
また、前記半導体基板１１の他方の主面に第２の基部面１５を接し、該第２の基部面１５から図示後方へ延出された第２の極性を有する第２の主端子１６と、斜め上方に立ち上がる一対の可撓部１７が蓋体２００に設けられている。
【０００９】
蓋体２００の第２の基部面１５の略中央部には、図３に示すように、半導体基板１１と接する面に打ち出しにより突起部２０が形成されている。この突起部２０は、例えばプレーナ型半導体基板１１の主面中央部の一方導電型領域と対向する電極面と接し、その周辺のパッシベイトされた領域に接しない構造となっている。
なお、図４に示した蓋体２００における第２の基部面１５には突起部１５を設けず平坦面としてあり、メサ型半導体基板１１に対しては、このような平坦面を電極面に直接接触させる方が好ましい。
【００１０】
図３及び図４示すように蓋体２００の表面には絶縁体１８が設けられている。
なお、この絶縁体１８は蓋体２００とは別体として設けるようにしても良い。次に、上記の蓋体２００はハウジング１００に組み込まれる。
すなわち、図２、図５及び図６に示すようにハウジング１００の第１の基部面１５に半導体基板１１を載置し、このハウジング１００に対して蓋体２００における可撓部１７を第２の基部面１５の方向に撓ませて挿入した後、ハウジング１００の支持部１４を内側に折り曲げる。これにより蓋体２００の可撓部１７，１７は支持部１４の先端に形成された把持部１９，１９により把持され、蓋体２００が絶縁体１８を介してハウジング１００に係止される。
【００１１】
上記により図５では突起部２０を介して、図６では直接半導体基板１１に、蓋体２００が撓み力により圧接し、加圧接触型構造となる。
なお、必要に応じ、上記の構造体をケースに収め、第１の主端子１３及び第２の主端子１６を該ケースの外部に導出し、該ケースの内部には軟質性絶縁封止材を充填して目的とする圧接型半導体装置を完成させる。
第１の主端子１３は、第１の基部面を有する基部の一端及び他端より図２に示されるように２本延出しても良いが、どちらか一端より１本延出されているだけでも良い。また、そのように延出せずに、第１の基部面１２の裏面が基板上に面実装されても良い。
【００１２】
上記第１の実施例によれば、ハウジング１００の蓋体２００が皿ばねを兼ねており、該蓋体２００により半導体基板１１に加圧力を加える構造としているため、従来の構造に比較して、部品点数が少なく、かつ、組立が容易で製造コストの低減を図ることができる。
【００１３】
次に、本発明の第２の実施例を、図７〜図１０を参照して説明する。
この実施例ではハウジング１００の支持部１４，１４に一対の互いに対向する長孔２１，２１が設けられている。
その他の構成は第１の実施例と同様であり、第１の基部面１２上に半導体基板１１が載置され、また、第１の主端子１３が図８の図示前方及び後方に延出されている。
【００１４】
上記ハウジング１００には蓋体２００が組み合わせられるが、この蓋体２００は図７に示すように第２の基部面１５を有し、この基部面１５から斜め上方に立上り水平に翼状に広がる可撓部１７，１７が形成されている。また、第２の基部面１５の図示後方には第２の主端子１６が延出されている。
上記の蓋体２００を包み込むように断面コ字状の絶縁体１８が設けられている。この絶縁体は平板状であっても良いが、絶縁性をより良好にする上では上記のように断面コ字状にする方が好ましい。
【００１５】
上記のように構成の蓋体２００は図９に示すように、まず、可撓部１７，１７を撓ませ、ハウジング１００の長孔２１，２１に挿通し、第２の基部面１５は半導体基板１１の電極面に載置する。
次いで、図１０に示すように絶縁体、ここでは平板状の絶縁体１８を長孔２１，２１に、蓋体２００の可撓部１７，１７の弾性に抗して挿通する。
このようにすることにより、蓋体２００の反力が半導体基板１１の電極面に加わり加圧接触構造となる。
【００１６】
その後は、第１の実施例と同様に上記構造体を必要に応じケースに収納し、該ケース内部に軟質性絶縁封止材を充填して圧接型半導体装置を完成させる。
この実施例によれば、先の第１の実施例と同様に部品点数の削減が図れると共に、特にハウジング１００における支持部１４の折り曲げ工程が不要になり組立がさらに簡単となり、製造コストの低減に寄与することができる。
【００１７】
なお、上記第１および第２の実施例において、半導体基板１１の位置決め手段については特に述べなかったが、例えば半導体基板１１の両面若しくは片面に少量の半田、導電性接着材等を使用して該半導体基板１１を仮固定しておくとにより組立精度や作業性を向上させることができる。
【００１８】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、従来の構造に比較して部品点数が少なく、組立が容易であり、製造コストの低減を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例を示す圧接型半導体装置の斜視図である。
【図２】上記圧接型半導体装置のハウジングを示す斜視図である。
【図３】上記圧接型半導体装置の蓋体を示す斜視図である。
【図４】上記蓋体の他の実施例を示す斜視図である。
【図５】上記圧接型半導体装置の組立工程を示す側面図である。
【図６】他の蓋体を使用した上記図５と同様の組立工程を示す側面図である。
【図７】本発明の第２の実施例を示す圧接型半導体装置に使用する蓋体及び絶縁体の斜視図である。
【図８】上記圧接型半導体装置に使用するハウジングの斜視図である。
【図９】上記圧接型半導体装置の組立工程を示す断面図である。
【図１０】同じく上記圧接型半導体装置の組立工程を示す断面図である。
【図１１】従来の加圧接触型半導体装置の構造例を示す断面図である。
【符号の説明】
１０  圧接型半導体装置
１１  半導体基板
１２  第１の基部面
１３  第１の主端子
１４  支持部
１５  第２の基部面
１６  第２の主端子
１７  可撓部
１８  絶縁体
１９  把持部
２０  突起部
２１  長孔
１００  ハウジング
２００  蓋体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
0004574837.tif 000010
【図１０】
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【図１１】
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