(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電層と、
第１導電層の上の非導電層と、
非導電層の上の第２導電層と、
非導電層を貫通する少なくとも１つのホールと、
上記第１導電層と上記第２導電層とを導電接続する電気的接続部とを備え、
上記電気的接続部は、上記ホール内で成長させた少なくとも１つのカーボンナノチューブによって形成されている、電子部品であって、
上記第１導電層の上に、上記少なくとも１つの上記カーボンナノチューブが成長する核形成層を有し、
上記核形成層は、上記少なくとも１つの上記カーボンナノチューブを成長させる触媒として作用する金属粒子を有しており、
上記非導電層の上端を超えて突出した上記少なくとも１つの上記カーボンナノチューブが上記ホールから上記第２導電層へと入り込んでいるように、上記非導電層の上に上記第２導電層が析出されている、電子部品。
【請求項２】
第１導電層と、
第１導電層の上の非導電層と、
非導電層の上の第２導電層と、
非導電層を貫通する少なくとも１つのホールと、
上記第１導電層と上記第２導電層とを導電接続する電気的接続部とを備え、
上記電気的接続部は、上記ホール内で成長させた少なくとも１つのカーボンナノチューブによって形成されている、電子部品であって、
上記第１導電層の上に、上記少なくとも１つの上記カーボンナノチューブが成長する核形成層を有し、
上記核形成層は、上記少なくとも１つの上記カーボンナノチューブを成長させる触媒として作用する金属粒子を有しており、
上記非導電層に、上記ホール内で成長させた上記少なくとも１つの上記カーボンナノチューブが溝の底を超えて突出するように上記溝が設けられており、上記溝の底を超えて突出した上記少なくとも１つの上記カーボンナノチューブが上記ホールから上記第２導電層へと入り込んでいるように、上記非導電層の上に上記第２導電層が析出されている、電子部品。
【請求項３】
上記電気的接続部は、上記ホール内にある複数の上記カーボンナノチューブによって形成されている、請求項１または２に記載の電子部品。
【請求項４】
上記金属粒子が、以下の金属：
ニッケル、および/または
鉄、および/または
イットリウム、および/または
コバルト、および/または
プラチナ
の少なくとも１つを含んでいる、請求項１ないし３のいずれかに記載の電子部品。
【請求項５】
上記非導電層が、層間絶縁膜である、請求項１ないし４のいずれかに記載の電子部品。
【請求項６】
上記第１導電層および/または上記第２導電層が、金属または様々な金属の組み合わせを含む、請求項１ないし５のいずれかに記載の電子部品。
【請求項７】
上記第１導電層および/または上記第２導電層が、銅および/またはアルミニウムおよび/またはＴａ，ＴａＮ，Ｔｉ，ＴｉＮの組み合わせを含む、請求項６に記載の電子部品。
【請求項８】
上記電子部品が、半導体部品であることを特徴とする、請求項１ないし７のいずれかに記載の電子部品。
【請求項９】
第１導電層の上に非導電層を析出させ、
上記非導電層を貫通するホールを形成し、
少なくとも上記第１導電層の上の上記ホールの領域に、触媒として作用する金属粒子をカーボンナノチューブを成長させるために使用した核形成層を設け、
少なくとも１つの上記カーボンナノチューブを、上記ホール内の上記核形成層で成長させて、上記ホール内で成長させ、
上記第１導電層が上記少なくとも１つの上記カーボンナノチューブによって第２導電層と導電接続されるように、上記第２導電層を析出させる、電子部品に導電接続を製造する方法であって、
上記少なくとも１つの上記カーボンナノチューブを上記ホール内で成長させるときに、上記少なくとも１つの上記カーボンナノチューブを上記非導電層の上端を超えて突出させ、
上記第２導電層を析出させるときに、上記非導電層の上端を超えて突出した上記少なくとも１つのカーボンナノチューブが上記ホールから上記第２導電層へと入り込むように、上記非導電層の上に上記第２導電層を析出させる、電子部品に導電接続を製造する方法。
【請求項１０】
第１導電層の上に非導電層を析出させ、
上記非導電層を貫通するホールを形成し、
少なくとも上記第１導電層の上の上記ホールの領域に、触媒として作用する金属粒子をカーボンナノチューブを成長させるために使用した核形成層を設け、
少なくとも１つの上記カーボンナノチューブを、上記ホール内の上記核形成層で成長させて、上記ホール内で成長させ、
上記第１導電層が上記少なくとも１つの上記カーボンナノチューブによって第２導電層と導電接続されるように、上記第２導電層を析出させる、電子部品に導電接続を製造する方法であって、
上記非導電層を貫通する上記ホールを形成した後に、上記非導電層に、上記少なくとも１つの上記カーボンナノチューブを上記ホール内で成長させたときに上記少なくとも１つの上記カーボンナノチューブが溝の底を超えて突出するための上記溝を設け、
上記少なくとも１つの上記カーボンナノチューブを上記ホール内で成長させるときに、上記少なくとも１つの上記カーボンナノチューブを上記溝の底を超えて突出させ、
上記第２導電層を析出させるときに、上記溝の底を超えて突出した上記少なくとも１つの上記カーボンナノチューブが上記ホールから上記第２導電層へと入り込むように、上記非導電層の上に上記第２導電層を析出させる、電子部品に導電接続を製造する方法。
【請求項１１】
第１導電層を用意し、
上記第１導電層の上に非導電層を析出させ、
上記非導電層を貫通するホールを形成し、
少なくとも上記第１導電層の上の上記ホールの領域に、触媒として作用する金属粒子をカーボンナノチューブを成長させるために使用した核形成層を設け、
少なくとも１つの上記カーボンナノチューブを、上記ホール内の上記核形成層で成長させて、上記ホール内で成長させ、
上記第１導電層が上記少なくとも１つの上記カーボンナノチューブによって第２導電層と導電接続されるように、上記非導電層の上に上記第２導電層を析出させる、電子部品の製造方法であって、
上記少なくとも１つの上記カーボンナノチューブを上記ホール内で成長させるときに、上記少なくとも１つの上記カーボンナノチューブを上記非導電層の上端を超えて突出させ、
上記第２導電層を析出させるときに、上記非導電層の上端を超えて突出した上記少なくとも１つのカーボンナノチューブが上記ホールから上記第２導電層へと入り込むように、上記非導電層の上に上記第２導電層を析出させる、電子部品の製造方法。
【請求項１２】
第１導電層を用意し、
上記第１導電層の上に非導電層を析出させ、
上記非導電層を貫通するホールを形成し、
少なくとも上記第１導電層の上の上記ホールの領域に、触媒として作用する金属粒子をカーボンナノチューブを成長させるために使用した核形成層を設け、
少なくとも１つの上記カーボンナノチューブを、上記ホール内の上記核形成層で成長させて、上記ホール内で成長させ、
上記第１導電層が上記少なくとも１つの上記カーボンナノチューブによって第２導電層と導電接続されるように、上記非導電層の上に上記第２導電層を析出させる、電子部品の製造方法であって、
上記非導電層を貫通する上記ホールを形成した後に、上記非導電層に、上記少なくとも１つの上記カーボンナノチューブを上記ホール内で成長させたときに上記少なくとも１つの上記カーボンナノチューブが溝の底を超えて突出するための上記溝を設け、
上記少なくとも１つの上記カーボンナノチューブを上記ホール内で成長させるときに、上記少なくとも１つの上記カーボンナノチューブを上記溝の底を超えて突出させ、
上記第２導電層を析出させるときに、上記溝の底を超えて突出した上記少なくとも１つの上記カーボンナノチューブが上記ホールから上記第２導電層へと入り込むように、上記非導電層の上に上記第２導電層を析出させる、電子部品の製造方法。
【請求項１３】
上記ホールを、上記非導電層を貫通するようにエッチングする、請求項９ないし１２のいずれかに記載の方法。
【請求項１４】
複数の上記カーボンナノチューブを上記ホール内で成長させて、上記複数の上記カーボンナノチューブによって上記第１導電層と上記第２導電層とをそれぞれ導電接続する、請求項９ないし１３のいずれかに記載の方法。
【請求項１５】
上記金属粒子として以下の金属：
ニッケル、および/または
鉄、および／または
イットリウム、および／または
コバルト、および／または
プラチナの少なくとも１つを使用する、請求項９ないし１４のいずれかに記載の方法。
【請求項１６】
上記非導電層に、層間絶縁膜を使用する、請求項９ないし１５のいずれかに記載の方法。
【請求項１７】
上記第１導電層および／または上記第２導電層に金属を使用する、請求項９ないし１６のいずれかに記載の方法。
【請求項１８】
上記第１導電層および／または上記第２導電層に、銅および／またはアルミニウムおよび／またはＴａ，ＴａＮ，Ｔｉ，ＴｉＮの組み合わせを使用する、請求項１７に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
本発明は、電子部品、電子部品における導電接続の製造方法および電子部品の製造方法に関するものである。
【０００１】
総合的に設計された電子部品では、非導電層を貫通するホールがエッチングされることにより、非導電層によって電気的に絶縁されている２つの導電層が相互に電気的に導電して接続されているのが一般的である。ホールは、金属によって充填される。このことにより、両方の導電層を相互に電気的に導電して接続する金属接触（Durchkontaktierung）が生成される。
【０００２】
上記の方法では、特に、横の方への寸法が減少する場合、つまり非導電層を貫通するコンタクトホールの直径が小さくなる場合および垂直方向へ拡張する場合もしくは少なくとも縦横比（アスペクト比）（Aspektverhaeltnis）が大きくなる場合には、コンタクトホールを金属によって完全に充填することが困難であり、欠陥を含んでしまう傾向にある。特に、析出した金属によってコンタクトホールの上部領域に閉塞が頻繁に生じる。このことにより、コンタクトホール全体が金属によって充填されるのが妨害される。従って、多くの場合、両方の導電層の間に電気的に導電した接続は生じない。このことに加えて、不完全に充填されたコンタクトホールは、信頼性の問題に繋がる。
【０００３】
知られている方法のさらなる不都合は、縦横比が極めて大きなコンタクトホールの場合、金属接触の導電性が大きく低下することである。つまり、金属接触は、メタライジングシステム、すなわち集積回路のスケーリング用のかなり制限された要素である。この場合、電子部品の垂直方向に、非導電層を通って、複数の導電層が電気的に相互に導電して接続していることが必要である。
【０００４】
さらに、[１]から、導電性の高い物質として、いわゆるカーボンナノチューブに関する基本概念が知られており、その導電性は、同じ寸法の金属の導電性を大きく超えている。
【０００５】
[２]から、孔が開けられた三酸化二アルミニウムマトリックス（Aｌ２Ｏ３-Matrix）に自己整合して、カーボンナノチューブが成長する方法が知られている。
【０００６】
従って、本発明の目的は、電子部品における導電接続と、非導電層によって相互に絶縁されている２つの導電層の間に導電接続を有している電子部品とを提供することである。この要素では、たとえホールが大変大きな縦横比を有している場合でも、導電接続が生成される。
【０００７】
本目的は、電子部品、電子部品における導電接続の製造方法、および、従属特許請求項の特徴を有する電子部品の製造方法によって解決される。
【０００８】
電子部品は、第１導電層、第１導電層の上に非導電層、そして非導電層の上に第２導電層を備えている。非導電層には、非導電層を完全に貫通している少なくとも１つのホールが備えられている。このホールには、少なくとも１つのナノチューブが含まれており、このチューブを介して、第１導電層が第２導電層に導電して接続されている。
【０００９】
電子部品に導電接続を製造するための方法では、第１導電層の上に非導電層を析出させる。非導電層を貫通する、ホールを形成し、ホールに少なくとも１つのナノチューブを成長させる。続いて、第２導電層を、第１導電層がナノチューブを介して第２導電層に導電して接続されるように析出させる。
【００１０】
電子部品の製造方法では、第１工程で、第１導電層が用意される。第１導電層の上に非導電層を析出させる。そして非導電層を貫通するホールを製造（例えば、エッチング）する。ホールには、少なくとも１つのナノチューブを成長させる。そして、第２導電層を、第１導電層がナノチューブを介して第２導電層に導電して接続されるように析出させる。
【００１１】
本発明によって、たとえ大変小さな直径であり、大きな縦横比を有するコンタクトホールの場合でも、非導電層によって相互に電気的に分断されている２つの導電層の間に、信頼できる、電気的に導電性の接続を作り出すことが可能である。例えば、導電層は、銅、アルミニウム、銀などのような、どの金属性の導電性物質であってもよい。この際、導電層は、付着層、拡散層および反射防止層（ただし、例えばＴｉ,ＴｉＮ,Ｔａ,ＴａＮ,および/またはこれら物質の組み合わせ）を一般的に備えることができる。電気的に非導電層は、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、ポリマイドなどのほかの有機物質からなる絶縁性の層、または、これらの任意の組み合わせなどによる合金の誘電体でもよい。少なくとも１つのナノチューブを用いた電気的に導電性の接続は、このようなナノチューブの直径によってのみ制限されている。いわゆるカーボンナノチューブの場合、ナノチューブは直径約１．５ｎｍである。
【００１２】
製造方法は容易さと確実性、つまり、わずかな欠陥性によって特徴づけられる。このことにより、信頼性のある電気的に導電性の接続が製造される。
【００１３】
従って、電子部品は、高精密構造、つまりコンタクトホールの直径が小さい場合でも容易かつ廉価に製造することができる。
【００１４】
本発明の好ましいさらなる構造を、従属請求項に挙げる。
【００１５】
本発明の形態では、ナノチューブがカーボンナノチューブであることが好ましい。
【００１６】
このようなカーボンナノチューブは、直径が小さなコンタクトホールにも、大変容易かつ確実に自己整合することができる。
【００１７】
さらに、カーボンナノチューブは、導電性が極めて高い。同じ寸法の場合、導電性は、例えば、銅または銀のような最もよい金属性の導体の導電性さえ大きく超えている。
【００１８】
両方の導電層を相互に電気的に導電して接続するため、このようなコンタクトホールには多数のナノチューブ、基本的には任意の数のナノチューブが備えられている。
【００１９】
ナノチューブの成長を促進するため、第１導電層の上のコンタクトホールには、本発明の形態に基づいて核形成層（Bekeimungsschicht）が備えられている。この層は、ナノチューブを成長させる触媒として作用する金属粒子（例えば、ニッケルおよび/または鉄からなる金属粒子、および/またはイットリウム、および/またはコバルトおよび/またはプラチナ）を備えていることが好ましい。
【００２０】
ホールは、非導電層を貫通するようにエッチングされる。
【００２１】
ただし、以下に示す実施例に、それぞれ半導体部品が示されている場合でも、本発明は、全く半導体部品に限定されず、どの電子部品にも使用することができる。この場合、層が半導体層であろうと無かろうと、非導電層によって分断されている２つの導電層が導電して相互に接続されているということが通用する。本発明は、集積回路の範囲内に使用するのに特に適している。
【００２２】
本発明の実施例を図に示し、以下に詳述する。図１は、第１実施例に基づく半導体部品の断面図を示す。図２Ａから２Ｄは、半導体部品の断面図であり、これに基づいて図１に示す半導体部品を製造するための個々の方法工程を説明する。図３は、本発明の第２実施例に基づく半導体部品の断面図を示す。図４Ａから４Ｃは、半導体部品の断面図であり、これを基に図３に示す半導体部品を製造するための個々の方法工程を説明する。図５は、本発明の第３実施例に基づく半導体部品の断面図を示す。図６Ａから６Ｅは、半導体部品の断面図であり、これを基に図５に示す半導体部品を製造するための個々の方法工程を説明する。
【００２３】
[実施例１]
図１は、第１実施例に基づく第１半導体部品１００を示す。
【００２４】
第１半導体部品１００は、付着層、拡散層および反射防止層（ただし、例えば、Ｔｉ,ＴｉＮ,Ｔａ,ＴａＮ、および/またはこれら物質の組み合わせ）を有しており、銅またはアルミニウムからなる第１導電層１０１を備えている。第１導電層１０１の上に、合金の誘電体（第１実施例では二酸化シリコン）からなる非導電層１０２を析出させる。
【００２５】
非導電層１０２には、コンタクトホール１０３がエッチングされており、コンタクトホールの底、つまり、第１導電層１０１の上に、核形成層１０４を析出させている。
【００２６】
核形成層１０４は、触媒として作用する金属粒子（例えば、ニッケル、鉄、イットリウム、コバルトおよび/またはプラチナ）からなる層である。核形成層１０４は、カーボンナノチューブが成長する触媒として作用する。
【００２７】
核形成層１０４の頂部には、基本的には任意の数のカーボンナノチューブ１０５を成長させる。
【００２８】
カーボンナノチューブ１０５が第２導電層１０６に電気的に導電して接続しているように、第２導電層１０６を、Ｔｉ，ＴｉＮ，Ｔａ，ＴａＮおよび/または銅および/またはアルミニウムの順で、非導電層１０２の上に析出させる。
【００２９】
図２Ａから図２Ｄを参考に、第１半導体部品１００を製造するための個々の方法工程を詳述する。
【００３０】
第１工程では、例えば、ガス層の析出方法（化学気相反応法、ＣＶＤ方法）を用いて、第１導電層１０１の上に非導電層１０２を析出させる（図２Ａ参照）。
【００３１】
非導電層１０２の適切なマスキング、および、非導電層１０２のウエットエッチングまたはドライエッチングを経て、ホール（コンタクトホール）１０３を、非導電層１０２を貫通するように第１導電層１０１の表面までエッチングする（図２Ｂ参照）。
【００３２】
ホール１０３には、例えば、ＣＶＤ方法などの適切な方法を用いて核形成層１０４を析出させる（図２Ｃ参照）。核形成層１０４は、０．１ｎｍから５０ｎｍの厚さである。
【００３３】
第１実施例の核形成層１０４は、ニッケル金属粒子から構成されている。
【００３４】
さらなる工程では、[２]に記載の方法に基づいて、ホール１０３の核形成層１０４にカーボンナノチューブ１０５を成長させる（図２Ｄ参照）。
【００３５】
カーボンナノチューブ１０５の長さは、核形成層１０４にカーボンナノチューブが成長する期間次第である。
【００３６】
カーボンナノチューブ１０５を、非導電層１０２の上端を超えて突出するまで成長させる。
【００３７】
このようになったら、次の工程で、ＣＶＤ法、スパッタ法または蒸着法を用いて、非導電層１０２の上に第２導電層１０６を析出させる。
【００３８】
カーボンナノチューブ１０５は、非導電層１０２を超えて突出しているので、チューブは第２導電層１０６に直接入りこむ。続いて、化学機械研磨（ＣＭＰ方法）またはイオン放射によって、第２導電層１０６を所望の厚さまで平坦化する。
【００３９】
このようにして、カーボンナノチューブ１０５によって、第１導電層１０１と第２導電層１０６との間の電気的に導電性の接続を、核形成層１０４（それ自体が導電性の金属粒子も含有している）を介して確立することができる。
【００４０】
[実施例２]
図３は、第２実施例に基づく第２半導体部品３００の断面を示す。
【００４１】
図の同じ部材は、第２実施例では、第１実施例の部材と同じ参照番号を付けた。
【００４２】
第２半導体部品３００は、基本的には第１半導体部品１００と同じ構造である。しかし、第２実施例の核形成層３０１は、ホール１０３の底にだけではなく、核形成層３０１が、第１導電層１０１の全体に備えられているという違いがある。
【００４３】
第２実施例の個々の層は、第１実施例の該当する層と同じ物質からなる。
【００４４】
図４Ａから４Ｃを参考にして、以下に第２半導体部品３００を製造するための個々の方法工程を詳述する。
【００４５】
まず、第１導電層１０１の上に、金属粒子（ニッケル、鉄、イットリウム、および/またはコバルト）からなる核形成層３０１を析出させる。核形成層３０１は、適切なＣＶＤ法、スパッタ法または蒸着法を用いて第１導電層３０１の全表面に析出される。核形成層３０１は、０．１ｎｍから５０ｎｍの厚さである。
【００４６】
核形成層３０１の上に、非導電層１０２を、例えばＣＶＤ法を用いて析出させる（図４Ａ参照）。
【００４７】
図４Ｂに示すように、核形成層３０１の表面に達するまで、非導電層１０２に、ホール１０３がエッチングされた後、カーボンナノチューブ１０５を、核形成層３０１に、[２]に記載の方法に基づき成長させる。
【００４８】
成長は、カーボンナノチューブ１０５の長さが十分となるまで行われる。その結果、カーボンナノチューブ１０５は、非導電層１０２の表面を超えて突出する（図４Ｃ参照）。
【００４９】
さらなる工程では、ＣＶＤ法を用いて、非導電層１０２の上に第２導電層１０６を析出させる。
【００５０】
同様に、結果は、コンタクトホールを貫通する、２つの導電層の間のカーボンナノチューブを用いて、電気的に導電している接続を有する、半導体部品である。
【００５１】
[実施例３]
図５は、第３実施例に基づく第３半導体部品５００を示す。
【００５２】
半導体部品の同じ部材は、同様に同じ参照番号を付けた。
【００５３】
第３半導体部品５００は、溝５０１が非導電層１０２にエッチングされ、従って、カーボンナノチューブ１０５が、非導電層１０２の表面を超えはしないが、非導電層１０２に形成された溝５０１の底よりも上には突出するという点のみ、第２半導体部品３００と本質的に異なっている。
【００５４】
第３半導体部品５００の個々の層は、第１半導体部品１００および第２半導体部品３００と同じ物質からなる。
【００５５】
図６Ａから６Ｅを参考に、第３半導体部品５００の製造方法を詳説する。
【００５６】
図６Ａに示すように、０．１ｎｍから５０ｎｍの厚さの核形成層３０１を、適切なＣＶＤ法、スパッタ法または蒸着法を用いて第１導電層１０１の上に析出させる。核形成層３０１の上には、ＣＶＤ法を用いて非導電層１０２を析出させる。
【００５７】
非導電層１０２に、核形成層３０１の表面までホール１０３がエッチングされる（図６Ｂ参照）。
【００５８】
さらに、ドライエッチングまたはウエットエッチングによって、非導電層１０２に溝５０１がエッチングされる（図６Ｃ参照）。
【００５９】
さらなる工程では、核形成層３０１にカーボンナノチューブ１０２が、溝５０１の下側の表面を超えて突出するが、非導電層１０２の全面を超えない長さまで成長する。
【００６０】
図６Ｅに示すように、さらなる方法工程では、ＣＶＤ法によって、第２導電層１０６を、溝５０１の中および非導電層１０２に析出させる。
【００６１】
第２導電層１０６は、適切なエッチング方法、化学機械研磨方法を用いて、あるいはイオン放射によって、所望の厚さに減少される。その結果、第２導電層１０６の表面は、非導電層の表面と同じ平坦面となる。
【００６２】
以下に、上述の実施例のほかの実施例を説明する。
【００６３】
ＣＶＤ法として、一酸化炭素ＣＯ、メタン（ＣＨ４）、またはアセチレン（Ｃ２Ｈ２）を使用したＣＶＤ法が行われる。あるいは、いわゆるプラズマ強化ＣＶＤ法も使用される。
【００６４】
さらに、カーボンナノチューブ１０５が、非導電層の表面を超えて、もしくは、溝５０１の下側の表面の表面を超えて突出している必要はない。あるいは、カーボンナノチューブ１０５は、化学機械研磨または傾斜した角度（このことにより、イオンはイオン放射の際にコンタクトホールに基本的に浸透することが無い）でのイオン放射によって必要な長さ、つまり、カーボンナノチューブ１０５が少なくとも第２導電層１０６に接触する長さにされる。
【００６５】
カーボンナノチューブ１０５の一部が、第２誘電性の層を超えている場合、チューブは、灰化プロセスによって除去される。この灰化プロセスは、金属エッチング用のレジストマスクを使用する場合にはどちらにしろ必要なプロセスである。例えば、有機物質の構造化のために使用される異方性プラズマエッチングプロセスを用いても、カーボンナノチューブを必要な長さにすることができる。
【００６６】
本発明は、３層構造に限定されない。半導体部品は、各任意の半導体構造に使用することができる。つまり、半導体部品にある２つの導電層の接触のために、非常に多層の半導体部品の部分半導体部品を提供することができる。
【００６７】
本発明は、半導体部品の中で非導電層によって電気的に相互から分断されている２つの電気的に導電層が、カーボンナノチューブを用いるコンタクトホールを通って、電気的に相互に導電して接続されることが明らかである。
【００６８】
このようにして、これまで知られている半導体部品の製造プロセスから最小の変化によって、半導体部品の大きな安定性が達成される。
【００６９】
さらに加えて、コンタクトホールを貫通する接触の場合、ほぼ１０００の値までの高い縦横比が可能である。
【００７０】
本発明の範囲では、ＣＶＤ法の代わりに、スパッタ法または蒸着法を使用することも何の問題も無く容易に可能である。
【００７１】
本文に、以下の刊行物を引用した：
[１]  「分子内量子ワイヤとしてのカーボンナノチューブ」フィジックス・トゥディ、２２〜２８頁、１９９９年５月（C.Dekker, Carbon Nanotubes as Molecular Quantum Korea, Physics Today, S. 22 - 26, Mai 1999）
[２]  「高順序２次元カーボンナノチューブエリア」応用物理冊子、７５巻１４号、２０４７〜２０４９頁、１９９９年１０月（Jung Sang Suh und Jin Seung Lee, Highly Ordered Two-Dimensional Carbon Nanotubes Areas, Applied Physics Lettere, Vol. 7~, Nr. 14, 5. 2047 - 2049, Oktober 1999）。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】  図１は、第１実施例に基づく半導体部品の断面図である。
【図２】  図２Ａから２Ｄは、図１に示す半導体部品を製造するための個々の方法工程を説明するための半導体部品の断面図である。
【図３】  図３は、本発明の第２実施例に基づく半導体部品の断面図である。
【図４】  図４Ａから４Ｃは、図３に示す半導体部品を製造するための個々の方法工程を説明するための半導体部品の断面図である。
【図５】  図５は、本発明の第３実施例に基づく半導体部品の断面図である。
【図６】  図６Ａから６Ｅは、図５に示す半導体部品を製造するための個々の方法工程を説明するための半導体部品の断面図である。
【図１】
0004549002.tif 000002
【図２Ａ】
0004549002.tif 000003
【図２Ｂ】
0004549002.tif 000004
【図２Ｃ】
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【図２Ｄ】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図６Ｄ】
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【図６Ｅ】
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