(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に直接レジストを塗布し、これをパターニングしてレジストパターンのフォトマスクを作製する方法であって、基板にレジスト塗布し、露光描画、現像処理を行って、レジストパターンを形成した後、レジストパターンの寸法・欠陥検査工程前にペリクル装着を行うことを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【請求項２】
基板上に直接レジストを塗布し、これをパターニングしてレジストパターンのフォトマスクを作製する方法であって、基板にレジスト塗布し、露光描画、現像処理を行って、レジストパターンを形成した後、レジストパターンの寸法・欠陥検査工程前に仮のペリクルを装着し、その後レジストパターンの寸法・欠陥検査工程を経て、検査合格したフォトマスクにおいて仮ぺリクルを本ぺリクルに張替えることを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【請求項３】
レジスト塗布から検査までの一連の工程を、閉鎖系の一貫処理システムにおいて行うことを特徴とする請求項１または２に記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項４】
基板上に直接レジストを塗布し、これをパターニングしてレジストパターンのフォトマスクを作製する方法であって、基板にレジスト塗布後、基板の側面および反対面に付着したレジストを除去した後、露光描画、現像処理を行ってレジストパターンを形成することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項５】
レジスト以外の光遮光膜にてパターンニングされた基板にレジストを塗布し、マスクの一部パターンをレジストパターンで形成することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項６】
基板上に直接レジストを塗布し、これをパターニングしてレジストパターンのフォトマスクを作製する方法であって、基板にレジスト塗布し、露光描画、現像処理を行って、レジストパターンを形成した後、レジストパターンの寸法・欠陥検査工程前に仮のペリクルを、接着剤に光硬化剤、または熱硬化剤を用い、当該接着剤を未硬化として仮貼りの状態で装着し、その後レジストパターンの寸法・欠陥検査工程を経て、検査終了後良品の場合、光または熱を加えて当該接着剤を硬化させ、仮のペリクルをそのまま固定することを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【請求項７】
レジスト以外の光遮光膜にてパターンニングされた基板にレジストを塗布し、マスクの一部のパターンをレジストパターンで形成するにあたり、レジスト膜厚さをウェハに転写時の解像度向上のため、ウェハ露光波長にて位相が１８０度反転する厚さにし、且つ露光光を一部透過する光遮光レジストを塗布しパターンを形成することを特徴とする請求項１〜６のいずれか１つに記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項８】
レジストパターンフォトマスクにおいて、仮ペリクルまたペリクルのフレーム接触面のレジストを除去することを特徴とする請求項１〜７のいずれか１つに記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項９】
前記レジストは、ウェハ露光波長に対して遮光性を有することを特徴とする請求項１〜６および８のいずれか１つに記載のフォトマスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、フォトマスクの製造方法に関するものである。詳しく述べると本発明は、異物付着がなく高品質のレジストパターンフォトマスクを製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＬＳＩ、ＬＣＤ、ＰＷＢ等の製造において用いられるフォトマスクは、従来、ガラス等の透明基板上に、クロム等の金属薄膜を堆積して遮光膜を形成し、この遮光膜上に、光又は電子線エネルギーに感光するレジストを塗布し、半導体デバイス設計データに基づきマスクパターンデータを光または電子線描画装置にて露光描画した後、現像処理してレジストパターンを形成し、引続きこのレジストパターンをマスクとして、ウェットまたはドライエッチングにて遮光膜をパターニングし、最終的に金属パターン（遮光膜）のハードマスクを形成することにより製造されていた。そして、その後、レジスト膜を剥離し、洗浄後、寸法・位置精度、外観等の検査と欠陥修正を行い最洗浄後、ペリクルを装着し最終検査を経てユーザーに供給されていた。
【０００３】
このためマスク製作工程には、比較的長時間を要し、また得られたマスクは価格的にも高価なものとなっている。
【０００４】
先に述べたようなフォトマスク（レチクル）の所期のパターンをウェハに転写するために用いられるウェハ露光装置の光源としては、ＬＳＩ等のパターンの微細化に対応するために、漸次、波長の短いものへとシフトしてきており、露光波長はｇ線（436nm）からｉ線（365nm）となり、そしてＫｒＦ(248nm)、更に今後はＡｒＦ(193nm）といったエキシマーレーザーを使用するようになってきている。
【０００５】
ここで、開発半導体デバイスの動作特性評価等の目的のみであれば、上記したような短波長の露光光を透過しない遮光型レジスト材を用いて、透明基板上に直接当該遮光型レジストを塗布し、これをパターニングして遮光レジストパターンのフォトマスク（以下、「遮光レジストパターンフォトマスク」と称する。）を作製し、簡単な異物検査と寸法測定を経たのちに、ウェハへのパターン転写に供しても、その特性評価という目的は十分に達しうると考えられる。
【０００６】
なお、特許文献１には、このように基板上に直接レジストによるレジストパターンを形成するレチクルが提案されている。
【特許文献１】
特開平５−２８９３０７号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような遮光レジストパターンフォトマスクを作製する場合においては、（１）描画・現像後の寸法及び外観検査のプロセスにおいて付着した異物を、洗浄除去することが（レジストという物理的にも化学的にも洗浄耐久性のないものを用いているために）実質的に不可能であり、また（２）スピンコーター等でレジストを塗布時に、基板側面、裏面及び表面縁に付着したレジストが、パターン描画時のカセットに基板挿入時や導通コンタクト針接触時や、また現像処理装置での基板搬送等で剥離しパターン形成部に付着してしまうといった問題が生じる可能性が大きいものであった。
【０００８】
従って本発明は、異物付着がなく高品質、高歩留の遮光レジストパターンフォトマスクを提供することができるフォトマスクの製造方法を提供することを課題とする。
【０００９】
また本発明は、安価かつ短期間でフォトマスクを製造できるフォトマスクの製造方法を提供することを課題とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記課題は、透明基板上に直接遮光型レジストを塗布し、これをパターニングして遮光レジストパターンのフォトマスクを作製する方法であって、基板に遮光型レジストを塗布し、露光描画、現像処理を行って、遮光レジストパターンを形成した後、検査工程前にペリクル装着を行うことを特徴とするフォトマスクの製造方法により達成される。
【００１１】
露光描画、現像処理後、直ちに遮光レジストパターン上にペリクルを装着することにより、遮光レジストパターンフォトマスク表面を保護しているために、その後の寸法及び外観検査といった検査工程において遮光レジストパターン上に異物付着する恐れがなく、欠陥のない高品質の遮光レジストパターンフォトマスクを提供することができる。
【００１２】
上記課題はまた、基板上に直接遮光型レジストを塗布し、これをパターニングして遮光レジストパターンのフォトマスクを作製する方法であって、基板に遮光型レジスト塗布し、露光描画、現像処理を行って、レジスト遮光パターンを形成した後、検査工程前に仮のペリクルを装着し、その後検査工程を経て、検査合格したフォトマスクにおいて仮ペリクルを本ペリクルに張替えることを特徴とするフォトマスクの製造方法により達成される。
【００１３】
この場合も前記同様に、寸法及び外観検査といった検査工程においてレジストパターン上に異物付着する恐れがなく、高品質、高歩留のレジスト遮光パターンフォトマスクを提供することができ、さらに、コストの高いペリクルを検査不合格製品に対して使用しなくてすむので、製造コストの削減が可能となる。
【００１４】
上記課題はさらに、図５に示す基本プロセスにおいて基板上に直接遮光型レジストを塗布し、これをパターニングしてレジスト遮光パターンのフォトマスクを作製する方法であって、レジスト塗布、露光描画、現像処理、検査、ぺリクル装着、および最終検査までの一連の工程を、閉鎖系の処理システム内において行うことを特徴とするフォトマスクの製造方法により達成される。
【００１５】
また、上記したように、検査工程前にぺリクルまたは仮ペリクルを装着する本発明の方法にあっても、レジスト塗布から検査までの一連の工程を、閉鎖系の処理システム内において行うことが望ましい。
【００１６】
このように本発明においては、閉鎖系においてレジスト遮光フォトマスクの作成を一貫して処理することで、系外に搬出されることによる異物付着の可能性が低減され、製品の品質向上および歩留りの向上が期待できるものとなる。
【００１７】
さらに上記課題を解決する本発明は、基板上に直接遮光型レジストを塗布し、これをパターニングしてレジスト遮光パターンのフォトマスクを作製する方法であって、基板に遮光型レジスト塗布時、また塗布後基板の基板の側面および裏面、また表面縁に付着したレジストを洗浄除去した後、露光描画、現像処理を行ってレジスト遮光パターンを形成することを特徴とするフォトマスクの製造方法である。
【００１８】
さらに、上記したような検査工程前にぺリクルまたは仮ペリクルを装着する本発明の方法あるいは閉鎖系において一連の操作を行う本発明の方法にあっても、同様に基板に遮光型レジスト塗布時、また塗布後基板の側面および裏面、また表面縁に付着したレジストを除去した基板を用いて、露光描画、現像処理を行ってレジストパターンを形成することが好ましい。
【００１９】
これにより、レジスト塗布の際に、基板の側面および反対面に付着したレジストが、描画時、現像処理装置での搬送時等で剥離し、パターン形成部に付着して異物となってしまう問題が解消される。
【００２０】
なお、本発明の上記したフォトマスクの製造方法において、前記レジストは、ウェハ露光波長に対して遮光性を有することを特徴とするものである。ウェハ露光波長に対して、レジストが遮光性を有しないと、フォトマスクとしての使用が困難となるためである。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下本発明を、半導体集積回路の製造工程の露光工程において、所定の集積回路パターンをウェハ上に転写する原版としてのフォトマスク（レチクル）の場合を例にとり、図面に示した実施の形態に基づき詳細に説明する。
検査前のペリクル装着
ウェハ露光波長に対し遮光性を持つレジスト材を以降遮光型レジストと呼ぶ、また同レジストを用いて形成されたレジストパターンフォトマスクをレジスト遮光パターンフォトマスク、またはレジスト遮光パターンと呼ぶ。
【００２２】
レジスト遮光パターンフォトマスク製作の基本プロセスは、図５に示すように基板準備３８し、遮光型レジスト塗布２後、パターン露光４、現像、後処理６を行い、透明基板１上にレジスト遮光パターン７を形成する。その後寸法検査１０、欠陥検査１２の検査を行い良品であることを確認の上、ペリクル装着８を経てペリクル９を装着して、ペリクル装着後の異物検査２５を行い合格したマスクを梱包、出荷２２を経て出荷される。また寸法検査１０、欠陥検査１２、ペリクル装着後の異物検査２５にて不合格になったマスクは、再生処理２４を経て再生され使用される。
【００２３】
これらの基本プロセスでのマスク製作では、寸法検査１０、欠陥検査１２工程にて異物付着による不良となる可能性が高い問題がある。
【００２４】
第１の発明においては、基板に遮光型レジスト塗布し、露光描画、現像処理を行って、レジスト遮光パターンを形成した後、検査工程前にペリクル装着を行うことを特徴とする。
【００２５】
すなわち、第１図に示す実施形態に示すように、レジスト遮光パターンフォトマスクの製造方法において、同マスク製作プロセスの欠陥低減目的で、透明基板１に遮光型レジスト塗布２にて塗布後、電子線によるパターン露光描画４にて遮光型レジスト塗布基板４５に電子線照射５し、次に現像、後処理６にて現像を行い、レジスト遮光パターン７を形成する。レジスト遮光パターン７は、化学的洗浄および物理的洗浄に耐えられないことから、プロセスハンドリング等による異物１３付着を防止する目的から、寸法検査１０や欠陥検査１２の検査工程にかける前にペリクル９を装着する。その後寸法検査１０では、反射光１６を用いて寸法測定、や位置精度測定を行い、次に欠陥検査１２では、反射光１０や透過光１７を反射光検出器１８や透過光検出器１９を経て取り込み判定回路２０に保存する。欠陥検査１２終了後、欠陥をコールして、異物１３、レジスト欠陥１４の有無による合否判定２１を行い、合格品のレジスト遮光パターンフォトマスクが梱包、出荷工程２２を経て出荷される。
【００２６】
なお、不合格２３の場合、再生処理２４を行い透明基板１は再度使用される。
【００２７】
透明基板１としては、一般的に短波長向きの石英ガラス基板が用いられるがこれに限定されるものではない。
【００２８】
レジスト遮光パターンが基板上に堆積される遮光型レジスト３材としては、電子線または光に対して感光性であり、かつ得られたフォトマスクのレジスト遮光パターン７をウェハに転写する際の露光装置の露光波長、例えばｉ線（365nm）、ＫｒＦ(248nm)、ＡｒＦ(193nm)といった紫外光に対して、透過性の実質的に低いものが用いられ、特に、ＫｒＦ(248nm)、ＡｒＦ(193nm)などのエキシマーレーザー光に対して、透過率がほぼゼロ、すなわち１％未満、望ましくは０．５％未満、さらに実際的には０．１％未満のものが好ましい。このようにウェハへのパターン転写の際に用いられる露光波長に対してレジストの光透過性が低ければ、形成されたレチクルの遮光部となり、パターン転写が可能となる。遮光型レジスト３としては、このような特性を有するものであれば特に限定されるものではなく、ポジ型、ネガ型のいずれのものを用いることも可能である。具体的には、例えば、ノボラック樹脂とキノンジアジドとの組成物などと、ノボラック樹脂とポリメチルペンテン−１−スルホンとの組成物などのノボラック型レジストと、α−メチルスチレンとα−クロロアクリル酸メチルの共重合体、ノボラック樹脂やフェノール樹脂にインヒビタおよび酸発生剤等を配合した化学増幅型レジスト等のポジ型のもの、あるいはクロロメチル化ポリスチレンを主成分とするものなどの架橋型レジスト等ネガ型のものなどを例示することができるが、これらに限定されるわけではない。
【００２９】
遮光レジスト塗布２は、通常スピンコートにより行われるが、他にスキャンコートを用いてもかまわない、塗布後に必要に応じ、ホットプレート方式、熱風循環オーブン方式等によるプリベーク工程を設けることが可能である。なお後述するようにスピンコートにおいて基板の側面、裏面、表面縁に付着してしまったレジストを、プリベーク工程に先立ち除去することが望ましい。
【００３０】
現像、後処理６は、使用されるレジストの種類により、アルカリ水溶液、有機溶剤等を用いて、浸漬法、スプレー法、パドル法等のいずれの方法を用いて行うことも可能であるが、異物付着量の低減、使用液量の低減の面からスプレー法、パドル法が望ましい。必要に応じ、ポストベーク処理を行い、レジスト遮光パターン７を形成する。
【００３１】
ペリクル９としては、例えば、ニトロセルロース膜、屈折率の大きい無機系薄膜をスパッタコートしたものや有機系多層膜を塗布したものといった反射防止膜付ニトロセルロース膜、変性セルロース膜、フッ素系有機薄膜等が例示できるが、なんらこれらに何ら限定されるわけではない。
【００３２】
寸法検査１０は、上記に例示した態様に特に限定されるものではなく、パターン寸法やパターン位置精度を測定検査するものである。寸法測定はペリクル装着後検査することから、大気圧で、非接触でかつ高精度測定が可能な、Scatterometry法による測定が最も優れている（Scatterometry方式：表面から光を当て生じた干渉光から、凹凸のあるライン幅、ピッチ、高さ、サイドウォール角度等の測定が大気圧の中で早く正確に測定できる）が、他にエッジからの散乱光検出によるものや、エッジ部のスリット光透過光学像の、強度変化の検出などによるエッジ検出による寸法測定が用いられ得、またこれら方法に限定されるものではない。
【００３３】
パターン位置精度測定には、例えば、Lica社の反射光によるエッジの散乱光を検出し、その座標をレーザー干渉計での座標測定する方法が用いられ得るが、この方法に限定されるものではない。
【００３４】
欠陥検査１２は、レジスト遮光パターンの形状欠陥や異物付着を検査するもので、一実施例としては（図１参照）、KLA-Tencor社製、STAR light検査装置のようにマスクに対して反射光と透過光をマスク上の同一場所で、反射、透過光軸を合わせた状態にして、反射光信号と透過光信号を相殺した場合を良品とし、異差を生じた場合、異物１３、レジスト欠陥１４を欠陥として判定回路２０に保存し、検査終了後再度呼び出し欠陥の合否判定２１をして、マスクの良否を判定する方法が例示できる。
【００３５】
これ以外にマルチ配列のレジスト遮光パターンマスクの場合、レーザテック社、KLA-Tencor社の透過光型や反射光によるDie-to-Die比較検査方法がある。他にレーザー光を照射し散乱光を検出して異物検査方法があるが強烈なレーザー光によるレジストダメージを生じるものがあることから検査装置としては不適であるが、それを除き透過光と反射光とを併用する方法などによる異物検査なども適宜組み合わせて行うことができ、また必要に応じて、一部の検査を省略して簡易なものとすることもできる。また異物検査を反射光と透過光を用いて検査する前記のスターライト検査のみで検査できる。またこれらの欠陥検査方法に特に限定されるわけではない。
【００３６】
寸法測定１０や欠陥検査１２で不合格になったマスクは、再生処理２４される。
【００３７】
再生処理２４は、特に限定されるものではないが、例えばペリクル剥離の後、レジストをアルカリ現像液や、過熱した酸、有機溶剤等により化学的に除去する方法と、あるいは酸素プラズマまたはオゾン−UVを用いて物理的に基板より除去し、さらに洗浄処理をすることにより再生基板として使用される。
仮ペリクル装着
第２の発明においては、基板に遮光型レジスト塗布し、露光描画、現像,後処理を行って、レジスト遮光パターンを形成した後、検査工程前に仮ペリクル３６を装着し、その後検査工程を経て、検査合格したフォトマスクにおいて仮ぺリクル３６を本ぺリクル９に張替えることを特徴とする。
【００３８】
この第２の発明においても、上記第１の発明における場合と同様に、レジスト遮光パターンフォトマスク製作において、現像、後処理後直ちに仮ペリクル装着を行うが、ペリクル９のコストが高いので、図２に示すように、接着力の小さな仮ペリクル３６を仮ペリクル装着３５し、寸法検査１０及び欠陥検査１２にて不良なきことが確認されてから、仮ペリクルと本ペリクルを張替え、及び仮ペリクルの固定３７処理し、ペリクル装着後の異物検査２５を行い欠陥なきことを確認の上、梱包、出荷２２する。
【００３９】
仮ペリクル３６としては、基本的には本ペリクルよりに安価であり、一時的にレジストパターン表面を保護し得、かつ後に容易に剥離であるものであれば、特に限定されないが、レジストに対し悪影響をおよぼさない粘着剤を用いることにより行われる。
【００４０】
また、第８発明は、図２に示すように、仮ペリクル３６と、本ペリクル９とを同一の品質のもので、接着剤に光硬化剤、または光硬化剤を用いた仮ペリクル３６を用いて、常温または通常状態で装着し未硬化で、低粘着性による仮張りの状態にしておき、検査工程終了後、合格品については、加熱または、光照射により前記接着剤を溶解硬化させてペリクルを固定するものである。
【００４１】
その他の点においては、上記第１の発明に関して説明したものと同様である。
ペリクル装着面のレジスト除去
第１０の発明は、図８に示すように、仮ペリクル３６の剥離や、本ペリクル９装着時、またウェハ露光時の露光装置吸着部４０、露光装置アライメントセル部４１がこすれて異物発生したりしてレジストパターンに影響を受けないように、ペリクル接着領域レジスト除去部４４や、露光装置吸着部４０、露光装置アライメントセル部４１をレジストパターン露光時に描画し、レジストを除いておく。
クリーン化された処理システム内での製作
第３の発明においては、基板へのレジスト塗布、露光描画、現像処理、検査、ぺリクル装着、および最終検査までの一連の工程を、閉鎖系処理システム内において行うことを特徴とする。
【００４２】
図３に示すように、レジストパターンフォトマスクの製造方法において、透明基板１に遮光型レジスト塗布２、電子線５によるパターン露光描画４、現像、後処理６、寸法検査１０、欠陥検査１２、ペリクル装着８、ペリクル装着後の異物検査２５までの工程を、閉鎖系の処理システム２６を経て作製することによって異物等付着による欠陥不良の低減を図る。
【００４３】
例えばこれらの各工程の処理装置を同一のクリーンルーム内に配置すること、さらに、各工程間における基板の搬送経路をクリーントンネルのような連続して閉鎖された経路とすることなどクリーン化された閉鎖系を用いることが挙げられ、この場合も各処理を自動ないし遠隔操作によって行うことが望まれる。
【００４４】
なお、図示はしていないが、前記した第１の発明および第２、８の発明においてもこのような、基板へのレジスト塗布から最終検査までの一連の工程を、閉鎖系の処理システムで行うことが好ましい。
一貫処理システム
第４発明においては、図９に示すように閉鎖系の一貫処理システム４５にて具体的には、例えば、完全に自動化が図られた一ユニットとしての上記したような製作プロセスを一貫処理システムにて処理することにより異物等付着による欠陥不良の低減を図る。
【００４５】
なお、図示はしていないが、前記した第１の発明および第２、８の発明においてもこのような、基板へのレジスト塗布から最終検査までの一連の工程を、閉鎖系の処理システムで行うことが好ましい。
マスク面以外に付着したレジストの除去
第５、第６の発明は、基板に遮光型レジスト塗布後、基板の側面および反対面に付着したレジストを洗浄除去した後、露光描画、現像処理を行ってレジストパターンを形成することを特徴とするフォトマスクの製造方法である。
【００４６】
この発明においては、レジスト遮光パターンフォトマスク製作に用いられるレジスト塗布基板は、基板端面、裏面付着レジスト除去基板３４を使用する。
【００４７】
レジスト塗布方法は、スピンコート方法以外に、スキャンコート方法による塗布方法も含まれる、スキャンコート方法は、任意のエリアにレジスト塗布が可能なことから、電子線描画の際の導通ピンによる異物発生防止のため、マスク描画面の周辺縁部にレジスト塗布しない方法として有効である。
【００４８】
スピンコートしたレジスト除去は、図４に示すように、スピンナー３０を用いて遮光型レジスト塗布２後、裏面、側面洗浄ノズル３２にて裏面および、端面に有機系のレジスト除去溶剤３３を当て、裏面付着レジスト２９、端面付着レジスト２８を除去し、基板端面、裏面付着レジスト除去基板３４を作製する。
【００４９】
さらに図示はされていないが、レジストを基板に塗布する際に、マスク製作エリアのみ選択的にレジストを塗布する方法、例えば、マスク製作面以外の表面縁、基板側面、裏面、を機械的にカバーでしておきレジスト塗布後にこのカバーを取り外すといった手法によっても、同様に基板表裏端面及び裏面にレジスト付着なき基板が得られる。
【００５０】
レジスト塗布済み基板の端面、裏面にレジスト残りや残渣があると、描画カセット挿入時や、電子線描画時の導通ピン接触、現像等プロセス搬送時、これらの部位からのレジスト剥れによるマスク形成部への異物付着の原因となることから、高品質のマスク製作の上では、使用するレジスト付基板の端面及び裏面は、レジスト残りや残渣のないものを使用することが不可欠であり、上記のような方法によって、レジストパターンフォトマスクの汚れ、欠陥の発生が防止される。
レジスト以外の光遮光膜を付けパターンニングされたマスク基板の一部にレジストパターンを形成するマスク製作方法
第７の発明は、図６（ａ）（ｂ）に示すようにウェハ露光装置吸着部４０や、アライメントパターン部４１、ペリクル装着面４６のレクト部をレジスト以外の、例えばクロム金属薄膜で形成し、デバイス形成部をレジストパターンで形成するマスク製作方法である。
【００５１】
第９の発明は、図７（ａ）（ｂ）に示すようにデバイスパターンの一部もレジスト以外の、例えばクロム金属薄膜で形成し、部分的設計変更が必要な部分や、ウェハ上で解像度評価の要求されるゲート部や、セル部のみウェハ転写解像度を向上させるため、レジスト遮光パターン部のレジスト膜厚さを、最終的に現像処理後ウェハ露光波長にて位相が１８０度変換する厚さに塗布し、位相差を持たせたレジスト遮光パターン４３を形成し、且つ遮光レジストは露光波長を一部透過する、具体的には、例えば１〜４０％程度透過するものを用いて解像度を向上させる。
【００５２】
以上、本発明に係る製造方法を実施形態に基づき説明したが、本発明はこれらの例示した実施形態に何ら限定されるものではなく、各種の変形および変更態様を採ることが可能である。
【００５３】
本発明の製造方法は、例えば、マスク設計変更が煩雑で少量多品種生産である半導体デバイスのロジック製品、また、マイコン、SRAM、DRAM用製品開発時の初期特性評価用マスクの製造に好適に適用できる。その他、露光時マスクと製品間で非接触露光が可能な、例えば、ディスプレイのパターニング用マスク、少量品種のリードフレーム等の、開発用マスクの製造にも適用可能である。
【００５４】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、レジストパターンフォトマスクの製作において、製造工程での異物付着は、物理的、化学的洗浄が困難なことから極力さけなければならないが、描画、現像の後直ちにペリクルを装着することや一貫自動化ラインで製造することにより品質が保障される。またパターンの一部の解像度向上が図れることから、このためロジック、マイコン、SRAM、DRAM等の先端半導体デバイス開発において、デバイス設計のデバックに本製造方法により得られるレジスト遮光パターンマスクを導入することにより、特性評価、回路設計のフィードバックを早く行うことができ開発TATや、また低コストでマスクを供給できることとなる。また、レジストパターンによるフォトマスクは、欠陥発生時や使用済みのものは、ペリクルを剥がし基板を再生することにより基板材料の再使用が可能となり、コスト低減効果や、環境保全が期待できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  第１の発明に係る製造方法の一実施形態における、模式的な工程図である。
【図２】  第２、第８の発明に係る製造方法の一実施形態における、模式的な工程図である。
【図３】  第３の発明に係る製造方法の一実施形態における、模式的な工程図である。
【図４】  第５、第６の発明に係る製造方法の一実施形態における、模式的な工程図である。
【図５】  第１の発明に係わる基本的製造方法の一実施形態における、模式的な工程図である。
【図６】  第７の発明に係る製造方法の一実施形態における、模式的なマスク構造図である。
（ａ）断面構造図、（ｂ）正面図
【図７】  第９の発明に係る製造方法の一実施形態における、模式的なマスク構造図である。
（ａ）断面構造図、（ｂ）正面図
【図８】  第１０の発明に係る製造方法の一実施形態における、模式的なマスク構造図である。
【図９】  第４の発明に係る製造方法の一実施形態における、模式的な要部工程図である。
【符号の説明】
１  透明基板
２  遮光型レジスト塗布
３  遮光型レジスト
４  パターン露光描画
５  電子線
６  現像,後処理
７  レジスト遮光パターン
８  ペリクル装着
９  ペリクル
１０  寸法検査
１１  寸法、位置測定部
１２  欠陥検査
１３  異物
１４  レジスト欠陥
１５  検査光
１６  反射光
１７  透過光
１８  反射光検出器
１９  透過光検出器
２０  判定回路
２１  合否判定
２２  梱包、出荷
２３  不合格
２４  再生処理
２５  ペリクル装着後の異物検査
２６  クリーン化された閉鎖系処理システム
２７  ノズル
２８  端面付着レジスト
２９  裏面付着レジスト
３０  スピンナー
３１  端面、裏面レジスト除去処理
３２  裏面、端面洗浄ノズル
３３  溶剤
３４  端面、裏面付着レジスト除去基板
３５  仮ペリクル装着
３６  仮ペリクル
３７  仮ペリクルと本ペリクルの張替え、及び仮ペリクルの固定
３８  基板準備
３９  クロムパターン
４０  露光装置吸着部
４１  露光装置アライメントセル部
４２  重ね描画用アライメントセル部
４３  位相差を持たせた膜厚さレジスト遮光パターン
４４  ペリクル接着領域レジスト除去部
４５  一貫処理システム
４６  ペリクル装着部
【図１】
0004397596.tif 000002
【図２】
0004397596.tif 000003
【図３】
0004397596.tif 000004
【図４】
0004397596.tif 000005
【図５】
0004397596.tif 000006
【図６】
0004397596.tif 000007
【図７】
0004397596.tif 000008
【図８】
0004397596.tif 000009
【図９】
0004397596.tif 000010