(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一面に流体の流路となる溝部が形成されたシリコン基板と、溝部内に移動自在に配置された導電性流体と、溝部を塞ぐようにしてシリコン基板の一面に陽極接合されたガラス基板と、少なくとも一部を溝部に臨ませるようにしてガラス基板にそれぞれ形成された複数の接点部と、溝部内で導電性流体を移動させることによって接点部の間を導電性流体を介して導通又は開放させる駆動手段とを備え、シリコン基板においてそれぞれ各接点部の投影範囲を少なくとも含む複数の領域に、導電性流体が表面張力によって入り込めない程度の深さの凹所を形成したことを特徴とする接点開閉装置。
【請求項２】
上記各接点部は、ガラス基板における溝部と対向する部位に形成されたコンタクトからなることを特徴とする請求項１記載の接点開閉装置。
【請求項３】
上記各接点部は、ガラス基板における溝部と対向する部位以外の部位に形成されたコンタクトと、導電性流体に対して反応性が低い金属材料からなり、ガラス基板の表面において溝部と対向する位置からコンタクトまで形成された導体パターンとで構成されることを特徴とする請求項１記載の接点開閉装置。
【請求項４】
上記溝部の少なくとも一部を平面視円弧状に形成するとともに、上記ガラス基板において円弧状の溝部の内側に上記コンタクトを形成したことを特徴とする請求項３記載の接点開閉装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、接点開閉装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、常温で液体の金属（水銀）を利用した接点開閉装置が提案されている（例えば特許文献１参照）。
【０００３】
図６は従来の接点開閉装置の一例を示しており、この接点開閉装置は、一面に流体の流路となる溝部２及び当該溝部２に連通する液溜め部３が形成されるとともに、液溜め部３の裏側をエッチングすることによってダイアフラム４が形成されたシリコン基板１と、溝部２の一端側（液溜め部３と反対側）に存在する非導電性流体（例えば空気）５と、常温で液体の金属（水銀）からなり溝部２の残部及び液溜め部３に存在する導電性流体６と、溝部２及び液溜め部３を塞ぐようにしてシリコン基板１の一面に被着されるガラス基板７と、圧電材料により短冊状に形成され、シリコン基板１の他面におけるダイアフラム４の周縁部に長手方向一端部が固着されるとともに、長手方向他端部がダイアフラム４の上面に設けたピボット４ａに対向する圧電アクチュエータ８とを備えている。
【０００４】
圧電アクチュエータ８はシリコン基板１に片持ち支持されており、圧電アクチュエータ８に通電すると、圧電アクチュエータ８の長手方向他端部が厚み方向に撓んでピボット４ａを押圧する。この時、ダイアフラム４が液溜め部３側に膨らみ、液溜め部３の容積が減少するので、液溜め部３内の導電性流体６が溝部２側に押し出される。一方、圧電アクチュエータ８の通電を止めると、圧電アクチュエータ８がピボット４ａを押圧する力が無くなり、ダイアフラム４が元の状態に戻るので、導電性流体６は溝部２から液溜め部３側へ移動する。
【０００５】
ガラス基板７には、溝部２の直線部分２ａと対向する部位に、ガラス基板７を厚み方向に貫通する貫通孔９が４個形成され、各貫通孔９の孔壁をめっきして孔内に金属（例えば銅など）を充填することによって、溝部２内に先端が露出する４個のコンタクト１０ａ〜１０ｄを形成している。これら４個のコンタクト１０ａ〜１０ｄは、液溜め部３に近い側からコンタクト１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄの順番に略一定の間隔で配置されている。またガラス基板７の表面には一対の電極パッド１４，１５が形成されており、一方の電極パッド１４とコンタクト１０ａ，１０ｃとの間が導電パターン１６を介して電気的に接続されるとともに、他方の電極パッド１５と残りのコンタクト１０ｂ，１０ｄとの間が導電パターン１７を介して電気的に接続されている。尚、図６（ｂ）に示す例では導電性流体６がコンタクト１０ａ，１０ｂを越える位置（コンタクト１０ｂとコンタクト１０ｃとの間）まで注入されているので、圧電アクチュエータ８に通電していない状態で、導電性流体６と接触しているコンタクト１０ａ，１０ｂを不使用にするため、コンタクト１０ａと電極パッド１４との間を電気的に接続する分岐パターン１６ａと、コンタクト１０ｂと電極パッド１５との間を電気的に接続する分岐パターン１７ａとに、図示しないレーザ発振機を用いてレーザを照射することで、分岐パターン１６ａ，１７ａを溶断する。
【０００６】
而して、圧電アクチュエータ８に通電していない状態では、導電性流体６の先端がコンタクト１０ｂとコンタクト１０ｃの間で止まっているから、コンタクト１０ｃ，１０ｄ間が非導電性流体５によって開放され、電極パッド１４，１５間はオフになる。一方、圧電アクチュエータ８に通電すると、圧電アクチュエータ８が厚み方向に撓んでピボット４ａを押圧し、ダイアフラム４が液溜め部３側に膨らむので、液溜め部３の容積が減少する。このとき、液溜め部３内に注入されていた導電性流体６が溝部２側に押し出され、導電性流体６が溝部２内でコンタクト１０ｄを越える位置まで移動するので、コンタクト１０ｃ，１０ｄ間が導電性流体６を介して導通し、電極パッド１４，１５間が導通する。その後、圧電アクチュエータ８の通電を止めると、圧電アクチュエータ８によりピボット４ａを押圧する力が無くなり、ダイアフラム４が元の形状に戻るので、液溜め部３から溝部２内に押し出されていた導電性流体６が液溜め部３側に移動する。このとき、コンタクト１０ｃ，１０ｄ間に導電性流体６が存在しなくなるから、電極パッド１４，１５間はオフになる。つまり、この接点開閉装置は常開型の接点開閉装置として機能する。
【特許文献１】特開２００４−１９３１３３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記構成の接点開閉装置では、ガラス基板７において、シリコン基板１に設けた溝部２に対向する部位に複数個の貫通孔９が形成され、各貫通孔９の内部をめっきして金属を充填することで、先端が溝部２内に露出するコンタクト１０ａ〜１０ｄを形成しているのであるが、各コンタクト１０ａ…の大きさが溝部２の幅寸法よりも幅広で、各コンタクト１０ａ…の一部がシリコン基板１に接触しているため、シリコン基板１とガラス基板７とを陽極接合する際に各コンタクト１０ａ…の溝部２内に臨む部位にシリコンが付着して、導電性流体６とコンタクト１０ａ〜１０ｄとの電気的接続の信頼性が低下してしまう可能性があった。
【０００８】
本発明は上記問題点に鑑みて為されたものであり、その目的とするところは、電気的接続の信頼性を向上させた接点開閉装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、請求項１の発明は、一面に流体の流路となる溝部が形成されたシリコン基板と、溝部内に移動自在に配置された導電性流体と、溝部を塞ぐようにしてシリコン基板の一面に陽極接合されたガラス基板と、少なくとも一部を溝部に臨ませるようにしてガラス基板にそれぞれ形成された複数の接点部と、溝部内で導電性流体を移動させることによって接点部の間を導電性流体を介して導通又は開放させる駆動手段とを備え、シリコン基板においてそれぞれ各接点部の投影範囲を少なくとも含む複数の領域に、導電性流体が表面張力によって入り込めない程度の深さの凹所を形成したことを特徴とする。
【００１０】
この発明によれば、各接点部が対向するシリコン基板の部位には、各接点部の投影範囲を少なくとも含む領域に凹所を形成してあり、各接点部がガラス基板に接触していないので、ガラス基板とシリコン基板とを陽極接合する際に接点部の表面にシリコンが付着するのを防止でき、電気的接続の信頼性を向上させることができる。しかも、凹所の深さ寸法は、導電性流体が表面張力によって入り込めない程度の深さに形成されているので、導電性流体の一部が凹所内に入り込むことで、溝部を移動する導電性流体の量が減り、接点部の開閉動作が不安定になるのを防止できる。
【００１１】
請求項２の発明は、請求項１の発明において、上記各接点部は、ガラス基板における溝部と対向する部位に形成されたコンタクトからなることを特徴とする。
【００１２】
この発明によれば、請求項１の発明と同様、コンタクトが対向するシリコン基板の部位には、コンタクトの投影範囲を少なくとも含む領域に凹所を形成してあり、コンタクトがガラス基板に接触していないので、ガラス基板とシリコン基板とを陽極接合する際にコンタクトの表面にシリコンが付着するのを防止でき、電気的接続の信頼性を向上させることができる。
【００１３】
請求項３の発明は、請求項１の発明において、上記各接点部は、ガラス基板における溝部と対向する部位以外の部位に形成されたコンタクトと、導電性流体に対して反応性が低い金属材料からなり、ガラス基板の表面において溝部と対向する位置からコンタクトまで形成された導体パターンとで構成されることを特徴とする。
【００１４】
この発明によれば、請求項１の発明と同様、コンタクト及び導体パターンがそれぞれ対向するシリコン基板の部位には、コンタクト及び導体パターンの投影範囲を少なくとも含む領域に凹所を形成してあり、コンタクト及び導体パターンがガラス基板に接触していないので、ガラス基板とシリコン基板とを陽極接合する際にコンタクト及び導体パターンの表面にシリコンが付着するのを防止でき、電気的接続の信頼性を向上させることができる。しかも、コンタクトは、ガラス基板において溝部と対向する部位以外の部位に形成されているので、導電性流体に直接接触することはなく、導電性流体と反応しにくい材料で形成された導体パターンが導電性流体と接触するので、コンタクトが導電性流体と反応することで、コンタクトの電気的な特性が変化するのを防止することができる。
【００１５】
請求項４の発明は、請求項３の発明において、上記溝部の少なくとも一部を平面視円弧状に形成するとともに、上記ガラス基板において円弧状の溝部の内側に上記コンタクトを形成したことを特徴とする。
【００１６】
この発明によれば、円弧状の溝部の内側にコンタクトを配置しているので、溝部が形成された範囲内でコンタクトを形成することができ、接点開閉装置の小型化を実現できる。
【発明の効果】
【００１７】
請求項１の発明によれば、各接点部が対向するシリコン基板の部位には、各接点部の投影範囲を少なくとも含む領域に凹所を形成してあり、各接点部がガラス基板に接触していないので、ガラス基板とシリコン基板とを陽極接合する際に接点部の表面にシリコンが付着するのを防止でき、電気的接続の信頼性を向上させることができる。しかも、凹所の深さ寸法は、導電性流体が表面張力によって入り込めない程度の深さに形成されているので、導電性流体の一部が凹所内に入り込むことで、溝部を移動する導電性流体の量が減り、接点部の開閉動作が不安定になるのを防止できる。
【００１８】
請求項２の発明によれば、請求項１の発明と同様、コンタクトが対向するシリコン基板の部位には、コンタクトの投影範囲を少なくとも含む領域に凹所を形成してあり、コンタクトがガラス基板に接触していないので、ガラス基板とシリコン基板とを陽極接合する際にコンタクトの表面にシリコンが付着するのを防止でき、電気的接続の信頼性を向上させることができる。
【００１９】
請求項３の発明によれば、請求項１の発明と同様、コンタクト及び導体パターンがそれぞれ対向するシリコン基板の部位には、コンタクト及び導体パターンの投影範囲を少なくとも含む領域に凹所を形成してあり、コンタクト及び導体パターンがガラス基板に接触していないので、ガラス基板とシリコン基板とを陽極接合する際にコンタクト及び導体パターンの表面にシリコンが付着するのを防止でき、電気的接続の信頼性を向上させることができる。しかも、コンタクトは、ガラス基板において溝部と対向する部位以外の部位に形成されているので、導電性流体に直接接触することはなく、導電性流体と反応しにくい材料で形成された導体パターンが導電性流体と接触するので、コンタクトが導電性流体と反応することで、コンタクトの電気的な特性が変化するのを防止することができる。
【００２０】
請求項４の発明によれば、円弧状の溝部の内側にコンタクトを配置しているので、溝部が形成された範囲内でコンタクトを形成することができ、接点開閉装置の小型化を実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下に本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
【００２２】
（実施形態１）
本発明の実施形態１を図１及び図２に基づいて説明する。本実施形態の接点開閉装置は、一面に流体の流路となる溝部２及び当該溝部２に連通する液溜め部３が形成されるとともに、液溜め部３の裏側をエッチングすることによってダイアフラム４が形成されたシリコン基板１と、溝部２の一端側（液溜め部３と反対側）に存在する非導電性流体（例えば空気）５と、例えば常温で液体の金属（水銀）からなり溝部２の残部及び液溜め部３に存在する導電性流体６と、溝部２及び液溜め部３を塞ぐようにしてシリコン基板１の一面に被着されるガラス基板７と、圧電材料により短冊状に形成され、シリコン基板１の他面におけるダイアフラム４の周縁部に長手方向一端部が固着されるとともに、長手方向他端部がダイアフラム４の表面に設けたピボット４ａに対向する圧電アクチュエータ８とを備えている。
【００２３】
液溜め部３は平面視の形状が略菱形に形成され、図１（ａ）中左側の角部から平面視の形状が略Ｊ字状の溝部２が延長形成されている。また、液溜め部３の右側の角部からは注入溝１１が延長形成されており、注入溝１１の端部はシリコン基板１を厚み方向に貫通する注入用孔（図示せず）に連通している。この接点開閉装置を製造する際には、シリコン基板１とガラス基板７とを陽極接合した後に、シリコン基板１の注入用孔から導電性流体６を所定量注入した後、ガラス蓋１３をシリコン基板１の表面に固着して注入用孔を塞いでいる。なお、溝部２における液溜め部３と反対側の端部には、導電性流体６を注入用孔から注入する際に溝部２内の空気（非導電性流体５）を抜くための空気抜き孔（図示せず）が形成されており、この空気抜き孔もガラス蓋１３で塞がれるようになっている。
【００２４】
圧電アクチュエータ８はシリコン基板１に片持ち支持されており、圧電アクチュエータ８に通電すると、圧電アクチュエータ８の長手方向他端部が厚み方向に撓んでピボット４ａを押圧する。この時、ダイアフラム４が液溜め部３側に膨らみ、液溜め部３の容積が減少するので、液溜め部３内の導電性流体６が溝部２側に押し出される。一方、圧電アクチュエータ８の通電を止めると、圧電アクチュエータ８がピボット４ａを押圧する力が無くなり、ダイアフラム４が元の状態に戻るので、導電性流体６は溝部２から液溜め部３側へ移動する。
【００２５】
ガラス基板７には、溝部２の直線部分２ａと対向する部位に、ガラス基板７を厚み方向に貫通する貫通孔９が４個形成され、各貫通孔９の孔壁をめっきして孔内に金属（例えば銅など）を充填することによって、溝部２内に先端が露出する４個のコンタクト１０ａ〜１０ｄを形成している。これら４個のコンタクト１０ａ〜１０ｄは、液溜め部３に近い側からコンタクト１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄの順番に略一定の間隔で配置されている。またガラス基板７の表面には一対の電極パッド１４，１５が形成されており、一方の電極パッド１４とコンタクト１０ａ，１０ｃとの間が導電パターン１６を介して電気的に接続されるとともに、他方の電極パッド１５と残りのコンタクト１０ｂ，１０ｄとの間が導電パターン１７を介して電気的に接続されている。
【００２６】
一方、シリコン基板１には、それぞれ各コンタクト１０ａ〜１０ｄの投影範囲を少なくとも含む複数の領域に、導電性流体６が表面張力によって入り込めない程度の深さの円形の凹所２０を形成してある（図１（ｂ）（ｅ）及び図２参照）。ここで、凹所２０の直径は溝部２の溝幅よりも大きく、且つ、コンタクト１０ａ…の直径よりも大きい寸法に形成されているので、ガラス基板７をシリコン基板１に重ね合わせた場合でも、各コンタクト１０ａ…がシリコン基板１に直接接触することはなく、陽極接合の際にコンタクト１０ａ…の表面にシリコンが付着するのを防止できるから、電気的接続の信頼性を向上させることができる。しかも、凹所２０の深さ寸法は、導電性流体６が表面張力によって入り込めない程度の微小深さに設定されているので、溝部２内を移動する導電性流体６が凹所２０内に入り込むことはなく、導電性流体６の一部が凹所２０内に入り込むことで、溝部２を移動する導電性流体６の量が減り、接点部の開閉動作が不安定になるのを防止できる。
【００２７】
次にこの接点開閉装置の製造方法について簡単に説明する。先ずシリコン基板１の一面をエッチングすることによって溝部２及び液溜め部３を形成するとともに、シリコン基板１の他面を異方性エッチングすることによってダイアフラム４を形成する。次にガラス基板７の所定の位置に貫通孔９を４個形成し、各貫通孔９の孔壁をめっきして孔内に金属（例えば銅など）を充填することによって、４つのコンタクト１０ａ〜１０ｄを形成した後、ガラス基板７の表面に電極パッド１４，１５と導電パターン１６，１７を形成する。そして、シリコン基板１の一面にガラス基板７を陽極接合して、溝部２及び液溜め部３を覆った後、シリコン基板１の注入用孔１２から液溜め部３及び溝部２内に導電性流体６を注入する。導電性流体６の注入を終えると、ガラス蓋１３をシリコン基板１の表面に固着して注入用孔１２及び空気抜き孔を閉塞する。また、シリコン基板１の他面においてダイアフラム４の周縁部に、圧電アクチュエータ８の長手方向一端部を固着して、長手方向の他端部をダイアフラム４のピボット４ａに対向させる。
【００２８】
この接点開閉装置は以上のようにして組み立てられるのであるが、溝部２及び液溜め部３に導電性流体６を注入する際に注入量が所定量を超えると、導電性流体６の先端がコンタクト１０ａ…を越える位置まで注入される場合がある。例えば図１（ｂ）に示す例では導電性流体６がコンタクト１０ａ，１０ｂを越える位置（コンタクト１０ｂとコンタクト１０ｃとの間）まで注入されているので、コンタクト１０ａ，１０ｂ間に存在する導電性流体６を介して電極パッド１４，１５間が常時オン状態になる。そこで、接点のオン／オフが正常に行われるように、圧電アクチュエータ８に通電しておらず、導電性流体６を溝部２側へ移動させていない状態で、導電性流体６と接触している接点を不使用にし、残りの接点のみを使用するようにしている。すなわち、圧電アクチュエータ８に通電していない状態で導電性流体６と接触している接点と電極パッド１４，１５との間をそれぞれ電気的に接続する導電パターン１６，１７、つまりコンタクト１０ａと電極パッド１４との間を電気的に接続する分岐パターン１６ａと、コンタクト１０ｂと電極パッド１５との間を電気的に接続する分岐パターン１７ａとに、図示しないレーザ発振機を用いてレーザを照射することで、分岐パターン１６ａ，１７ａを溶断させ、コンタクト１０ｃ，１０ｄのみを使用するようにしている。
【００２９】
而して、圧電アクチュエータ８に通電していない状態では、導電性流体６の先端がコンタクト１０ｂとコンタクト１０ｃの間で止まっているから、コンタクト１０ｃ，１０ｄ間が非導電性流体５によって開放され、電極パッド１４，１５間はオフになる。一方、圧電アクチュエータ８に通電すると、圧電アクチュエータ８が厚み方向に撓んでピボット４ａを押圧し、ダイアフラム４が液溜め部３側に膨らむので、液溜め部３の容積が減少する。このとき、液溜め部３内に注入されていた導電性流体６が溝部２側に押し出され、導電性流体６が溝部２内でコンタクト１０ｄを越える位置まで移動するので、コンタクト１０ｃ，１０ｄ間が導電性流体６を介して導通し、電極パッド１４，１５間が導通する。その後、圧電アクチュエータ８の通電を止めると、圧電アクチュエータ８によりピボット４ａを押圧する力が無くなり、ダイアフラム４が元の形状に戻るので、液溜め部３から溝部２内に押し出されていた導電性流体６が液溜め部３側に移動する。このとき、コンタクト１０ｃ，１０ｄ間に導電性流体６が存在しなくなるから、電極パッド１４，１５間はオフになる。つまり、この接点開閉装置は常開型の接点開閉装置として機能する。
【００３０】
（実施形態２）
本発明の実施形態２を図３に基づいて説明する。尚、接点部及び凹所２０以外の構成は実施形態１と同様なので、共通する構成要素には同一の符号を付して、その説明は省略する。
【００３１】
上述の実施形態１では、ガラス基板７において溝部２の直線部分２ａに対向する部位にコンタクト１０ａ…を設けているのに対して、本実施形態では、図３（ａ）（ｂ）に示すようにガラス基板７において溝部２と対向する部位以外の部位にコンタクト１０ａ…を形成するとともに、ガラス基板７の表面において各コンタクト１０ａ…から溝部２と対向する位置まで導体パターン２１を形成してある。ここで、各コンタクト１０ａ…と各コンタクト１０ａ…にそれぞれ導通する導体パターン２１とで接点部が構成され、各接点部（すなわちコンタクト１０ａ…および導体パターン２１）に対向するシリコン基板１の部位には、コンタクト１０ａ…および導体パターン２１の投影範囲を少なくとも含む領域に、導電性流体６が表面張力によって入り込めない程度の深さの凹所２０を形成してある。
【００３２】
ここで、凹所２０の平面視の形状は、長方形の長手方向一端側の角部を丸めたような形状に形成されており、接点部の投影範囲よりも広い範囲に形成されているので、ガラス基板７をシリコン基板１に重ねた場合でもコンタクト１０ａ…及び導体パターン２１がガラス基板７と接触することはなく、陽極接合の際にコンタクト１０ａ…や導体パターン２１にシリコンが付着するのを防止でき、電気的接続の信頼性を向上させることができる。また、凹所２０の深さ寸法は、導電性流体６が表面張力によって入り込めない程度の深さに形成されているので、導電性流体６の一部が凹所２０内に入り込むことで、溝部２を移動する導電性流体６の量が減り、接点部の開閉動作が不安定になるのを防止できる。
【００３３】
また更に、コンタクト１０ａ…は、ガラス基板７において溝部２と対向する部位以外の部位に形成され、導電性流体６と反応しにくい材料で形成された導体パターン２１が溝部２内の導電性流体６と接触するので、コンタクト１０ａ…が導電性流体に直接接触することはなく、コンタクト１０ａ…が導電性流体６と反応して、コンタクト１０ａ…の電気的な特性が変化するのを防止することができる。
【００３４】
ところで、本実施形態ではコンタクト１０ａ…が配置される溝部２の部位を直線状に形成しているが、図４に示すように溝部２の一部に、平面視の形状がジグザグ状に形成された蛇行溝２ｂを設けるとともに、蛇行溝２ｂの円弧部分の内側に各コンタクト１０ａ…を配置するようにしても良く、溝部２（蛇行溝２ｂ）が形成された範囲内でコンタクト１０ａ…を形成することができるから、接点開閉装置の小型化を図ることができる。
【００３５】
なお、上述の各実施形態では駆動手段として圧電アクチュエータ８を用い、圧電アクチュエータ８を用いてダイアフラム４を膨らませることによって、液溜め部３の容積を変化させ、液溜め部３から溝部２側へ導電性流体６を移動させているが、駆動手段を圧電アクチュエータ８に限定する趣旨のものではなく、駆動手段として外部より磁界を与えて導電性流体６を移動させる電磁石装置や、導電性流体６を加熱して導電性流体６の体積を変化させることで導電性流体６を移動させるヒータなど、使用用途に併せて適宜の駆動手段を選択して使用すれば良い。
【００３６】
なお、本発明の精神と範囲に反することなしに、広範に異なる実施形態を構成することができることは明白なので、この発明は、特定の実施形態に制約されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】実施形態１を示し、（ａ）は上面図、（ｂ）は下面図、（ｃ）はＡ−Ｂ断面図、（ｄ）はＣ−Ｄ断面図、（ｅ）はＥ−Ｆ断面図である。
【図２】同上を示し、図１（ｅ）のＧ部拡大図である。
【図３】実施形態２を示し、（ａ）は一部拡大せる下面図、（ｂ）は要部断面図である。
【図４】同上の他の構成を示し、（ａ）は下面図、（ｂ）はＡ−Ｂ断面図である。
【図５】同上を示し、図４（ｂ）のＣ部拡大図である。
【図６】従来例を示し、（ａ）は上面図、（ｂ）は下面図、（ｃ）はＡ−Ｂ断面図、（ｄ）はＣ−Ｄ断面図、（ｅ）はＥ−Ｆ断面図である。
【符号の説明】
【００３８】
１  シリコン基板
２  溝部
３  液溜め部
４  ダイアフラム
６  導電性流体
７  ガラス基板
８  圧電アクチュエータ
１０ａ〜１０ｄ  コンタクト
２０  凹所
【図１】
0004404031.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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