(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）メチルアダマンチルメタクリレート及びノルボルネンカルボラクトンメタクリレートを構成単位として含む共重合物と、（Ｂ）光酸発生剤と、（Ｃ）下記一般式（１）で表されるコール酸誘導体と、を含有することを特徴とするレジスト組成物。
0004574067.tif 000005
（１）
（一般式（１）において、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は相互に独立に水素原子、水酸基又はtert-ブチル基であり、Ｒ４は水素原子又はtert-ブチル基である。）
【請求項２】
前記（Ａ）成分が、さらにγ−ブチロラクトンメタクリレートを構成単位として含むことを特徴とする請求項１記載のレジスト組成物。
【請求項３】
前記（Ａ）成分として、メチルアダマンチルメタクリレートを共重合物中３０〜８０重量％の割合で含むことを特徴とする請求項１又は２記載のレジスト組成物。
【請求項４】
前記（Ｃ）成分がコール酸、リトコール酸、デオキシコール酸、tert-ブチルコール酸、tert-ブチルリトコール酸及びtert-ブチルデオキシコール酸から選択される少なくとも１種の化合物であることを特徴とする請求項１〜３何れか記載のレジスト組成物。
【請求項５】
前記組成物中に、前記一般式（１）で表されるコール酸誘導体を１〜１５％含有することを特徴とする請求項１〜４何れか記載のレジスト組成物。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、レジスト組成物に関し、更に詳しくは、放射線耐性に優れた化学増幅型レジスト組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の光リソグラフィー技術においては、その露光光にｇ線（４３６ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎｍ）を用いたもので、そのレジストとしては、ベース樹脂にノボラック樹脂を用い、感光剤にナフトキノンジアジドを用いた溶解抑止型ポジ型レジストが主流であった。しかし、より微細化に有利な遠紫外光であるエキシマレーザー光（２４８ｎｍ、１９３ｎｍ等）を用いたリソグラフィーが必要となり、そのレジストとしては従来のｇ線、ｉ線用レジストでは光吸収が大きすぎ、良好なレジストパターンが得られず、また感度も大幅に増大するという状況であった。
【０００３】
露光波長１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザーリソグラフィー用のレジストは、特に光吸収の問題が大きく、レジスト構成成分に制約が大きい。このようなエキシマレーザーによる照射に適したレジスト組成物として、酸解離性官能基を有する成分と、光照射により酸を発生する成分（以下「光酸発生剤」という。）から発生する酸触媒の増幅反応を利用した化学増幅系レジストが数多く提案されている。例えば、カルボン酸のtert-ブチルエステル基又はフェノールのtert-ブチルカーボナート基を有する重合体と光酸発生剤とを含有する組成物が提案されている（特公平２−２７６６０号公報参照）。また、レジスト被膜の光透過率を高めてレジストパターンの形状を改善するため、遠紫外線に対しても透明性が高く、光透過性に優れたポリメチルメタクリレートに代表される（メタ）アクリレート系樹脂を使用した化学増幅型レジスト組成物が提案されている（特開平４−２２６４６１号公報参照）。さらに、ドライエッチング耐性を高めるとともに酸の拡散を適切に制御してパターン形状、感度、解像度等を改良するために高分子又は低分子の添加剤を配合して３成分以上の多成分系組成物も多数提案されている（例えば、特開平１１−２０２４９１号公報参照）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、これらの樹脂を用いて露光、現像した後、レジストパターンを確認するため、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）観察を行うと電子線照射によってレジストの体積が縮小する。ＳＥＭ観察は、露光、現像が的確に行なわれたかどうかを確認するため、試作品、製品を問わず露光、現像後に必須な工程である。また、露光、現像状態のウエハ内均一性を見るため、ウエハの一部のチップを抜き出してＳＥＭ観察を行うため、すべてのチップに対して行なわれるわけではなく、このため、ＳＥＭ観察を行ったチップはレジストが縮小し、パターン寸法が小さくなるのに対し、ＳＥＭ観察を行なわなかったチップのパターン寸法は変化しない。これによって、パターン寸法の面内均一性が逆に悪くなるため、ＳＥＭ観察による寸法変動を最小限に抑える必要がある。
【０００５】
例えば、２−メチル−２−アダマンチルメタクリレートと２，６−ノルボルネンカルボラクトンメタクリレートを５０：５０の重量比で含む共重合体樹脂、光酸発生剤からなるレジストを調合し、反射防止膜基板上に塗布し、露光現像したところ１４０ｎｍのラインアンドスペースを解像した。このレジストパターンを４ｐＡ、８００Ｖの電子顕微鏡(ＳＥＭ)で４５秒間観察したときのレジストパターンの寸法変動量の時間変化を図１に示した。このようにＳＥＭ観察により寸法が変動するのは、メタクリレート系樹脂のエステル結合が、電子線照射によって切断され、構造が崩れるために起こると考えられるが、図１に示したように、ＳＥＭ観察時に５秒間経過すると、レジストパターンの寸法が１０ｎｍも変動（縮小）するために精度良く露光やフォーカス等の条件を決めることが困難である。
また、一度ＳＥＭ観察した場所の再確認ができず、ＳＥＭでパターンを観察することにより、寸法均一性を劣化させるという問題点があった。
【０００６】
したがって、本発明は、メタクリレート系樹脂と、光酸発生剤とを含むレジスト組成物において、ＳＥＭ観察時のレジストパターンの寸法変動量が少なく、放射線耐性を有するＡｒＦエキシマレーザー用化学増幅型レジスト組成物を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであって、（Ａ）メチルアダマンチルメタクリレート及びノルボルネンカルボラクトンメタクリレートを構成単位として含む共重合物と、（Ｂ）光酸発生剤と、（Ｃ）一般式（１）で表されるコール酸誘導体とを含有することを特徴とするレジスト組成物を提供する。
0004574067.tif 000002
（１）
（一般式（１）において、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は相互に独立に水素原子、水酸基又はtert-ブチル基であり、Ｒ４は水素原子又はtert-ブチル基である。）
【０００８】
好ましい態様において、前記（Ａ）成分が、さらにγ−ブチロラクトンメタクリレートを構成単位として含むことを特徴とする。
【０００９】
また、さらに好ましい態様において、前記（Ａ）成分として、メチルアダマンチルメタクリレートを共重合物中３０〜８０重量％の割合で含むことを特徴とする。
【００１０】
別の好ましい態様において、前記（Ｃ）成分がコール酸、リトコール酸、デオキシリトコール酸、tert-ブチルコール酸、tert-ブチルリトコール酸及びtert-ブチルデオキシコール酸から選択される少なくとも１種の化合物であることを特徴とする。
【００１１】
なお、さらに好ましい態様において、本発明のレジスト組成物は、前記一般式（１）で表されるコール酸誘導体を１〜１５％含有することを特徴とする。
【００１２】
このような組成のレジスト組成物によって放射線耐性が得られる理由は、放射線照射によりエステル結合が分解して自由体積が生じても、前記（Ｃ）成分として添加したtert-ブチルコレート等は炭素密度が高いためにレジストの構造緩和を抑制する効果があるためと推測される。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を詳細に説明する。
（Ａ）成分
本発明における（Ａ）成分は、溶解抑止基により保護されたアルカリ可溶性基を有し、光酸発生剤が発生する酸の作用により、溶解抑止基が解離し、カルボキシル基を有するアルカリ可溶性樹脂となる樹脂を用いる。好ましくは、必須構成単位として、メチルアダマンチルメタクリレートとノルボルネンカルボラクトンメタクリレートを含有するメタクリレート系樹脂からなる共重合体（以下「重合体（Ａ）」という。）である。本発明においては、主鎖にこのようなメタクリレート系樹脂からなる重合体（Ａ）を用いることによって、レジストとして、特に放射線に対する透明性及びドライエッチング耐性が優れたレジスト組成物を得ることができる。
【００１４】
また、重合体（Ａ）は、上記必須構成単位を主要な成分として含んでいれば良く、その他に、任意の構成単位、好ましくは酸の存在下で解離して酸性官能基を生じるその他の構成単位を１種以上含有することができる。これらの具体例としてはγ-ブチロラクトンメタクリレート等を挙げることができる。
【００１５】
これらの重合体（Ａ）中における各成分の比率は、任意の比率で使用することができるが、特にメチルアダマンチルメタクリレートを重合体（Ａ）中３０〜８０重量％の割合で含むことが好ましい。重合体（Ａ）の重量平均分子量は、通常、５，０００〜１５，０００、好ましくは８，０００〜１２，０００である。この場合、重合体（Ａ）の重量平均分子量が５，０００未満や、１５，０００を超える場合は共にレジストとしての解像性が低下する傾向がある。なお、本発明における重合体（Ａ）は、ハロゲン、金属等の不純物が少ないほど好ましく、それにより、感光性レジストとしての感度、解像度、プロセス安定性、パターン形状等がさらに改善される。重合体（Ａ）の精製法としては、例えば、水洗、液々抽出等の化学的精製法や、これらの化学的精製法と限外ろ過、遠心分離等の物理的精製法との組み合わせ等を挙げることができる。
【００１６】
（Ｂ）成分
次に、本発明における（Ｂ）成分は、放射線の照射（以下「露光」という。）により酸を発生する光酸発生剤からなる。光酸発生剤（Ｂ）は、露光により発生した酸の作用により、重合体（Ａ）中のカルボキシル基を解離させ、その結果レジスト被膜の露光部がアルカリ現像液に易溶性となり、ポジ型のレジストパターンを形成する作用を有するものである。このような光酸発生剤（Ｂ）としては、例えば、オニウム塩、ハロゲン含有化合物、ジアゾケトン化合物、スルホン化合物、スルホン酸化合物等を挙げることができる。
【００１７】
これらの光酸発生剤（Ｂ）の具体例としては、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス（４-tert-ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス（４-tert-ブチルフェニル）ヨードニウムノナフルオロｎ−ブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネート、シクロヘキシル（２−オキソシクロヘキシル）スルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジメチルフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、及びジメチルフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネート等が挙げられる。
【００１８】
本発明において、光酸発生剤（Ｂ）は、単独で又は２種以上を混合して使用することができる、光酸発生剤（Ｂ）の使用量は、レジストとしての感度および現像性を確保する観点から、重合体（Ａ）１００重量部に対して、通常、０．１〜１０重量部、好ましくは０．５〜７重量部である。この場合、光酸発生剤（Ｂ）の使用量が０．１重量部未満では、レジストとしての感度及び現像性が低下する傾向があり、一方１０重量部を超えると、レジストとして放射線に対する透明性が低下して矩形のレジストパターンが得られ難くなる傾向がある。
【００１９】
（Ｃ）成分
次に、本発明における（Ｃ）成分は、前記一般式（１）で表されるコール酸誘導体からなる。本発明において、一般式（１）のＲ４は水素原子又はtert-ブチル基であることを特徴とするが、この他に例えばメチルアダマンチル基のような置換基を有する場合にも同様の効果が得られると考えられる。本発明の（Ｃ）成分は、炭素密度が高く、かさ高いため、放射線照射によりレジスト樹脂中のエステル結合が分解して自由体積が生じても、これによる体積減少を低減してレジスト膜の構造を安定化していると考えられるからである。本発明において、（Ｃ）成分は、単独で又は２種以上を混合して使用することができる。（Ｃ）成分の使用量は、重合体（Ａ）１００重量部に対して、通常、２０重量部以下であり、好ましくは１〜１５重量部である。この場合（Ｃ）成分の使用量が１重量部未満では、放射線耐性の効果が小さく、２０重量部を超えるとリソグラフィー性能が著しく低下する傾向がある。
【００２０】
[各種添加剤]
さらに本発明のレジスト組成物には、露光により光酸発生剤（Ｂ）から生じる酸のレジスト被膜中における拡散現象を抑制し、非露光領域における好ましくない化学反応を抑制する作用を有する酸拡散制御剤を配合することができる。酸拡散制御剤を配合すると、得られるレジスト組成物の貯蔵安定性がさらに向上し、またレジストとしての解像度がさらに向上すると共に、露光から現像に至るまでの時間（ＰＥＤ）の変動によるレジストパターンの線幅変化を抑えることができ、プロセス安定性にきわめて優れた組成物が得られる。酸拡散制御剤としては、レジストパターンの形成工程中の露光や加熱処理により塩基性が変化しない含窒素有機化合物が好ましい。このような含窒素有機化合物としては、モノアミノ化合物、ジアミノ化合物、窒素原子を３個以上有する重合体、アミド基含有化合物、ウレア化合物、含窒素複素環化合物等を挙げることができる。
【００２１】
また、本発明のレジスト組成物には、必要に応じて、塗布性、現像性等を改良する作用を示す界面活性剤を配合することができる。このような界面活性剤としては、例えば、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル等のノニオン系界面活性剤等を挙げることができる。これらの界面活性剤は、単独で又は２種以上を混合して使用することができる。界面活性剤の配合量は、重合体（Ａ）と光酸発生剤（Ｂ）とコール酸誘導体（Ｃ）との合計１００重量部に対して、通常、２重量部以下である。また、前記以外の添加剤としては、ハレーション防止剤、接着助剤、保存安定化剤、消泡剤等を挙げることができる。
【００２２】
[組成物溶液の調製]
本発明の化学増幅型レジスト組成物は、通常、その使用に際して、全固形分濃度が、例えば、５〜５０重量％、好ましくは１０〜２０重量％となるように、溶剤に溶解した後、例えば孔径０．２μｍ程度のフィルターでろ過することによって、組成物溶液として調製される。前記組成物溶液の調製に使用される溶剤としては、例えば、２−ブタノン、２−ペンタノン、２−ヘプタノン、３−メチル−２−ブタノン、２−ヘキサン、４−メチルー２−ペンタノン等の直鎖状ケトン類；シクロペンタノン等の環状ケトン類；プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート等のプロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類；２−ヒドロキシプロピオン酸メチル、２−ヒドロキシプロピオン酸エチル等の２−ヒドロキシプロピオン酸アルキル類及びエチルラクテート等が挙げられる。
【００２３】
[レジストパターンの形成方法]
本発明のレジスト組成物は、特に化学増幅型ポジ型レジストとして有用である。レジストパターンを形成する際には、本発明のレジスト組成物を、回転塗布、流延塗布、ロール塗布等の適宜の塗布手段によって、例えば、シリコンウエハー、アルミニウムで被覆されたウエハー等の基板上に塗布することにより、レジスト被膜を形成し、場合によりあらかじめ加熱処理を行った後、所定のレジストパターンを形成するように該レジスト被膜に露光する。その際に使用される放射線としては、ＡｒＦエキシマレーザー（波長１９３ｎｍ）或いはＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）が好ましい。本発明においては、露光後に加熱処理（以下「ＰＥＢ」という。）を行うことが好ましい。このＰＥＢ処理により、酸解離性有機基の解離反応が円滑に進行する。ＰＥＢの加熱条件は、レジスト組成物の配合組成によって変わるが、通常３０〜２００℃、好ましくは５０から１７０℃である。
【００２４】
[電子顕微鏡（ＳＥＭ）による観察と寸法変動量の測定]
試料表面に細く絞った電子線を照射すると、表面から二次電子、反射電子、オージェ電子、Ｘ線、蛍光などが発生する。二次電子の放出量は試料表面の微細な凹凸によって変化する。入射電子線を二次元的に試料表面で走査し、発生する二次電子を像信号として検出すれば表面形状の凹凸に対応したコントラスト像が得られる。これが走査電子顕微鏡の原理である。超ＬＳＩのプロセス管理を高精度で行うには、フォトレジスト、エッチング後の膜などの寸法をインラインで計測する必要がある。これらの計測は完全自動で迅速に行い、かつ測定後にはウエハを製造プロセスに戻す必要があり、パターン測定には精度・速度・再現性の他非破壊性が要求されるため走査型電子顕微鏡をベースにした専用装置が開発されている。非破壊検査であるから電子線照射による損傷発生を避けるため１ｋｅＶ以下の低エネルギーで観察・測定を行うことが好ましい。それにもかかわらず、従来技術においては、上述（図１に示した）のように、ＳＥＭ観察時間経過に伴って、著しい寸法変動が問題となっていたが、本発明のレジスト組成物は、ＳＥＭ観察時の放射線耐性が極めて大きいことが分かった。図２は、後述する実施例において詳細に記載したように、２−メチル−２−アダマンチルメタクリレートと、２，６−ノルボルネンカルボラクトンメタクリレートと、γ−ブチロラクトンメタクリレートとを５０：３０：２０の比率で含む重合体（Ａ）に、光酸発生剤とtert-ブチルコレートをそれぞれ、０、５、１０、１５％含んだレジスト組成物を調合し、反射防止膜基板上に塗布し、露光現像して１３０ｎｍライナアンドスペースを解像したレジストパターンを、４ｐＡ，８００Ｖの電子顕微鏡(ＳＥＭ)で５秒間観察したときのレジストパターンの寸法変動量を示したものである。図２の結果より、tert-ブチルコレートを１０％添加したときの寸法変動量（５ｎｍ）は、無添加の場合（１２ｎｍ）に比べて７ｎｍ小さくなり放射線耐性が向上したことが分かる。
【００２５】
【実施例】
以下、本発明に係るレジスト組成物について実施例及び比較例により更に具体的に説明する。ただし、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００２６】
［実施例１］
（Ａ）成分として式（２）に示すメタクリレート系樹脂（式中ｘ、ｙ、ｚで示したモル比は、表１に具体的に示した。）１００重量部と、（Ｂ）成分としてトリフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネート２．０重量部と、（Ｃ）成分としてtert-ブチルコレート、tert-ブチルリトコレート又はtert-ブチルデオキシコレートのいずれかの１種類５〜１５．０重量部と、その他の成分としてトリエタノールアミン０．２重量部とを、表１に示した量で混合し、これらをプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート７００重量部に溶解してポジ型レジスト溶液を得た。
0004574067.tif 000003
（２）
【００２７】
次いで、このレジスト溶液をスピンナーを用いて反射防止膜上に塗布し、ホットプレート上で１４０℃（ｐｒｅ  ｂａｋｅ）で６０秒間乾燥することにより、膜厚４００ｎｍのレジスト層を形成した。次いで、ＡｒＦ露光装置（Ｎｉｋｏｎ製）により、ＡｒＦエキシマレーザー（１９３ｎｍ）を選択的に照射したのち、１３０℃、６０秒間ＰＥＢ処理し、次いで２．３８重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で６０秒間パドル現像し３０秒間水洗して乾燥した。
【００２８】
このような操作で形成されたレジストパターンの限界解像度は１２０ｎｍのラインアンドスペースパターンが１：１に形成された。また、その際の露光時間（感度）をｍＪ／ｃｍ２（エネルギー量）単位で測定したところ、１６．０ｍＪ／ｃｍ２であった。また、１３０ｎｍのラインアンドスペースが１：１のパターン形状は垂直性が高く良好なレジストパターンであった。
【００２９】
また、上記レジストパターンの膜剥がれは見られず、密着性も良好であった。
上記で得たパターンを用い、放射線耐性の評価のためライン・スリミングの評価として、１４０ｎｍ孤立パターンを、側長ＳＥＭ商品名「Ｓ−８８２０」（日立製作所社製）、測定条件４ｐＡ，８００Ｖにより、レジストパターン幅を測定したところ（電子線の影響を受ける時間は約５秒間）、当初１４０ｎｍ幅のレジストパターンが殆ど変化しなかった。
【００３０】
【表１】
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【００３１】
［実施例２］
実施例１において、（Ａ）成分における各単位を（ｘ=５０モル％、ｙ=３０モル％、ｚ＝２０モル％）、（Ｃ）成分をコール酸（３％）に代えた以外は、実施例１同様にしてポジ型レジスト溶液を調製し、次いで実施例１と同様な条件でレジストパターンを形成した。
【００３２】
このような操作で形成されたレジストパターンの限界解像度は１３０ｎｍのラインアンドスペースパターンが１：１に形成された。また、その際の露光時間（感度）をｍＪ／ｃｍ２（エネルギー量）単位で測定したところ、１４．０ｍＪ／ｃｍ２であった。また、１３０ｎｍのラインアンドスペースが１：１のパターン形状においては垂直性が高く良好なレジストパターンであった。また、上記レジストパターンのライン・スリミングの評価を行った結果、６．８nmの寸法変動が確認された。
【００３３】
［比較例１］
実施例１において、（Ａ）成分における各単位を（ｘ=５０モル％、ｙ=３０モル％、ｚ＝２０モル％）、（Ｃ）成分添加せず（０％）に代えた以外は、実施例１と同様にしてポジ型レジスト溶液を調製し、次いで実施例１と同様な条件でレジストパターンを形成した。
【００３４】
このような操作で形成されたレジストパターンの限界解像度は１３０ｎｍのラインアンドスペースパターンが１：１に形成された。また、その際の露光時間（感度）をｍＪ／ｃｍ２（エネルギー量）単位で測定したところ、１４．０ｍＪ／ｃｍ２であった。また、１３０ｎｍのラインアンドスペースが１：１のパターン形状においては垂直性が高く良好なレジストパターンであった。また、上記レジストパターンのライン・スリミングの評価を行った結果、12nmの寸法変動が確認された。
【００３５】
［比較例２］
実施例1において、（Ａ）成分における各単位を（ｘ=５０モル％、ｙ=５０モル％、ｚ＝０モル％）に代えた共重合体１００重量部に、（Ｃ）成分添加せず（０％）代えた以外は、実施例１と同様にしてポジ型レジスト溶液を調製し、次いで実施例１と同様な条件でレジストパターンを形成した。
このような操作で形成されたレジストパターンの限界解像度は１３０ｎｍのラインアンドスペースパターンが１：１に形成された。
【００３６】
また、その際の露光時間（感度）をｍＪ／ｃｍ２（エネルギー量）単位で測定したところ、１４．０ｍＪ／ｃｍ２であった。また、１３０ｎｍのラインアンドスペースが１：１のパターン形状においては垂直性が高く良好なレジストパターンであった。また、上記レジストパターンのライン・スリミングの評価を行った結果、１４ｎｍの寸法変動が確認された。
【００３７】
［比較例３］
実施例１において、（Ａ）成分における各単位を（ｘ=５０モル％、ｙ=０モル％、ｚ＝５０モル％）に代えた共重合体１００重量部に、（Ｃ）成分添加せず（０％）代えた以外は、実施例１と同様にしてポジ型レジスト溶液を調製し、次いで実施例１と同様な条件でレジストパターンを形成した。
【００３８】
このような操作で形成されたレジストパターンの限界解像度は１３０ｎｍのラインアンドスペースパターンが１：１に形成された。また、その際の露光時間（感度）をｍＪ／ｃｍ２（エネルギー量）単位で測定したところ、１４．０ｍＪ／ｃｍ２であった。また、１３０ｎｍのラインアンドスペースが１：１のパターン形状においては垂直性が高く良好なレジストパターンであった。また、上記レジストパターンのライン・スリミングの評価を行った結果、１６ｎｍの寸法変動が確認された。
【００３９】
【発明の効果】
本発明のレジスト組成物は、ＳＥＭ耐性に優れているため、これを用いて製造される超ＬＳＩ等の半導体デバイスは、フォトレジストエッチング後の膜寸法を、ＳＥＭにより例えばインラインで迅速かつ精度よく測定することができる。これによって超ＬＳＩ等のプロセス管理が高精度で行うことが可能となり、製品の品質安定に大きく寄与する。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来技術によるレジストを用いて露光現像したレジストパターンをＳＥＭで４５秒間観察したときの寸法変動量を示した。
【図２】本発明に係るレジスト組成物の（Ｃ）成分の添加量を変化させて露光現像したレジストパターンをＳＥＭで５秒間観察したときの寸法変動量を示した。
【図１】
0004574067.tif 000006
【図２】
0004574067.tif 000007