(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
２枚の透明支持体Ａ、Ｂにより、偏光層を挟持してなる低反射偏光板において、透明支持体Ａ、Ｂのいずれもがセルロースエステルを含有し、該透明支持体Ａが偏光層とは反対の面に直接または他の層を介して反射防止層を有し、該透明支持体Ａと該透明支持体Ｂとの膜厚が、下式（１）で表される関係であり、かつ反射防止層を有する該透明支持体Ａに含まれるセルロースエステルの平均置換度Ａと、該透明支持体Ｂに含まれるセルロースエステルの平均置換度Ｂとが、下式（２）で表される関係にあることを特徴とする低反射偏光板。
式（１）
透明支持体Ａの膜厚（μｍ）≦透明支持体Ｂの膜厚（μｍ）≦透明支持体Ａの膜厚＋１００（μｍ）
式（２）
平均置換度Ｂ＋０．０５≦平均置換度Ａ≦平均置換度Ｂ＋０．３５
【請求項２】
前記透明支持体Ａ、Ｂが、各々の膜厚が２００μｍ以下であり、各々の透明支持体の膜厚差（透明支持体Ｂ膜厚−透明支持体Ａ膜厚）をΔＭとし、各々に用いられているセルロースエステルの平均置換度の差（透明支持体Ａで用いるセルロースエステルの平均置換度−透明支持体Ｂで用いるセルロースエステルの平均置換度）をΔＳとしたとき、下式（３）の条件を満たすことを特徴とする請求項１に記載の低反射偏光板。
式（３）
０．０５＋ΔＭ／２００＜ΔＳ
【請求項３】
２枚の透明支持体Ａ、Ｂが、２軸延伸されたセルロースエステルフィルムであることを特徴とする請求項１または２に記載の低反射偏光板。
【請求項４】
２枚の透明支持体Ａ、Ｂにより、偏光層を挟持してなる偏光板において、透明支持体Ａが偏光層とは反対の面に活性線硬化樹脂層を介して反射防止層を有し、かつ透明支持体Ｂが偏光層とは反対の面に活性線硬化樹脂層を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の低反射偏光板。
【請求項５】
前記透明支持体Ａの活性線硬化樹脂層の膜厚ＵＶａと前記透明支持体Ｂの活性線硬化樹脂層の膜厚ＵＶｂとの膜厚比（ＵＶｂ／ＵＶａ）が０．１〜１０であることを特徴とする請求項４に記載の低反射偏光板。
【請求項６】
前記透明支持体Ｂの活性線硬化樹脂層の膜厚ＵＶｂが、１．３μｍ以上であることを特徴とする請求項４または５に記載の低反射偏光板。
【請求項７】
前記透明支持体Ａの活性線硬化樹脂層の膜厚ＵＶａと前記透明支持体Ｂの活性線硬化樹脂層の膜厚ＵＶｂとの膜厚比（ＵＶｂ／ＵＶａ）が０．２〜０．９５であることを特徴とする請求項５に記載の低反射偏光板。
【請求項８】
前記透明支持体Ａまたは透明支持体Ｂが、炭素含有量０．２〜５％の金属酸化物層を有することを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の低反射偏光板。
【請求項９】
前記透明支持体Ａが、屈折率２．０以上の金属酸化物層を含む反射防止層を有することを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の低反射偏光板。
【請求項１０】
前記透明支持体Ａが、大気圧プラズマ処理によって形成された反射防止層を有することを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の低反射偏光板。
【請求項１１】
４５０〜６５０ｎｍの平均反射率が、０．５％未満であることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載の低反射偏光板。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか１項に記載の低反射偏光板を用い、前記透明支持体Ａ面側が表面側になるように配置されたことを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、反射防止機能が付与された低反射偏光板とそれを用いた表示装置に関するものであり、詳しくは、高い表示品質を安定して長期間提供することができる低反射偏光板及びそれを用いた表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、薄型軽量ノートパソコンの開発が進んでいる。それに伴って、液晶表示装置等の表示装置で用いられる偏光板の保護フィルムもますます薄膜化、高性能化への要求が強くなってきている。
【０００３】
最近、視認性向上のために反射防止機能を付与したディスプレイが多く使用されている。反射防止層や防眩層は用途に応じてさまざまな種類や性能の改良がなされ、これらの機能を有する種々の前面板を液晶ディスプレイの偏光子等に貼り合わせることで、ディスプレイに視認性向上のために反射防止機能または防眩機能等を付与する方法が用いられている。これら、前面板として用いる光学用フィルムには、塗布またはスパッタリング等で形成した反射防止機能層が設けられている。
【０００４】
反射防止機能層は、表面の反射率を低くすることで、反射像の写り込みの視認性を低下させて、液晶ディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ、プラズマディスプレイといった画像表示装置などの使用時に反射像の映り込みが気にならないようにするものである。
【０００５】
また、最近の検討の結果、表示装置に用いられる偏光板には反射防止機能を付与することによって、コントラスト低下を防止したり、像の写り込みを防止することが求められており、反射防止層としては様々な方法で設けることが可能であるが、表示装置の高精細化にともなって、単に反射防止層を設けただけでは、十分な性能を発揮することが困難となってきており、早急な改良手段の開発が要望されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記課題を鑑みなされたものであり、その目的は、カール、平面性が良好で、視認性、視野角等の表示特性に優れた低反射偏光板とそれを用いた表示装置を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の上記目的は、以下の構成により達成された。
【０００８】
１．２枚の透明支持体Ａ、Ｂにより、偏光層を挟持してなる低反射偏光板において、透明支持体Ａ、Ｂのいずれもがセルロースエステルを含有し、該透明支持体Ａが偏光層とは反対の面に直接または他の層を介して反射防止層を有し、該透明支持体Ａと該透明支持体Ｂとの膜厚が、前記式（１）で表される関係であり、かつ反射防止層を有する該透明支持体Ａに含まれるセルロースエステルの平均置換度Ａと、該透明支持体Ｂに含まれるセルロースエステルの平均置換度Ｂとが、前記式（２）で表される関係にあることを特徴とする低反射偏光板。
【０００９】
２．前記透明支持体Ａ、Ｂが、各々の膜厚が２００μｍ以下であり、各々の透明支持体の膜厚差（透明支持体Ｂ膜厚−透明支持体Ａ膜厚）をΔＭとし、各々に用いられているセルロースエステルの平均置換度の差（透明支持体Ａで用いるセルロースエステルの平均置換度−透明支持体Ｂで用いるセルロースエステルの平均置換度）をΔＳとしたとき、前記式（３）の条件を満たすことを特徴とする前記１項に記載の低反射偏光板。
【００１０】
３．２枚の透明支持体Ａ、Ｂが、２軸延伸されたセルロースエステルフィルムであることを特徴とする前記１または２項に記載の低反射偏光板。
【００１１】
４．２枚の透明支持体Ａ、Ｂにより、偏光層を挟持してなる偏光板において、透明支持体Ａが偏光層とは反対の面に活性線硬化樹脂層を介して反射防止層を有し、かつ透明支持体Ｂが偏光層とは反対の面に活性線硬化樹脂層を有することを特徴とする前記１〜３項のいずれか１項に記載の低反射偏光板。
【００１２】
５．前記透明支持体Ａの活性線硬化樹脂層の膜厚ＵＶａと前記透明支持体Ｂの活性線硬化樹脂層の膜厚ＵＶｂとの膜厚比（ＵＶｂ／ＵＶａ）が０．１〜１０であることを特徴とする前記４項に記載の低反射偏光板。
【００１３】
６．前記透明支持体Ｂの活性線硬化樹脂層の膜厚ＵＶｂが、１．３μｍ以上であることを特徴とする前記４または５項に記載の低反射偏光板。
【００１４】
７．前記透明支持体Ａの活性線硬化樹脂層の膜厚ＵＶａと前記透明支持体Ｂの活性線硬化樹脂層の膜厚ＵＶｂとの膜厚比（ＵＶｂ／ＵＶａ）が０．２〜０．９５であることを特徴とする前記５項に記載の低反射偏光板。
【００１５】
８．前記透明支持体Ａまたは透明支持体Ｂが、炭素含有量０．２〜５％の金属酸化物層を有することを特徴とする前記１〜７項のいずれか１項に記載の低反射偏光板。
【００１６】
９．前記透明支持体Ａが、屈折率２．０以上の金属酸化物層を含む反射防止層を有することを特徴とする前記１〜８項のいずれか１項に記載の低反射偏光板。
【００１７】
１０．前記透明支持体Ａが、大気圧プラズマ処理によって形成された反射防止層を有することを特徴とする前記１〜９項のいずれか１項に記載の低反射偏光板。
【００１８】
１１．４５０〜６５０ｎｍの平均反射率が、０．５％未満であることを特徴とする前記１〜１０項のいずれか１項に記載の低反射偏光板。
【００１９】
１２．前記１〜１１項のいずれか１項に記載の低反射偏光板を用い、前記透明支持体Ａ面側が表面側になるように配置されたことを特徴とする表示装置。
【００２０】
以下、本発明の詳細について説明する。
本発明者は、偏光板保護フィルムとして２枚のセルロースエステルフィルムを用いて、反射防止層を設ける側のセルロースエステルフィルムに対して、もう一方の側のセルロースエステルフィルムのセルロースエステルの置換度を低くすることによって、高い表示品質を提供できる偏光板が得られることを見いだした。このとき、より好ましくは反射防止層を有する側のセルロースエステルフィルムの膜厚がもう一方に対して、同じか薄くすることが好ましく、特に膜厚が２００μｍ以下であって、透明支持体Ａ、Ｂの膜厚差をΔＭとし、透明支持体Ａ、Ｂに用いられているセルロースエステルの平均置換度の差をΔＳとしたとき、０．０５＋ΔＭ／２００＜ΔＳの関係を満たすような偏光板とすることが好ましいことを新たに見いだした。
【００２１】
上記で規定した条件とすることによって、高温、高湿条件であっても偏光板の特性が変化しにくく、高い表示品質を維持することができる。より好ましくは本発明で用いられるセルロースエステルフィルムは２軸延伸されたものであり、これによって、更に良好な表示品質を提供することができる。
【００２２】
更に好ましくは、両方の透明支持体に活性線硬化樹脂層が設けられていることが特徴であり、保存中における反りの問題が更に少なく、優れた表示性能を有する偏光板を提供することである。
【００２３】
本発明においては、反射防止層が金属酸化物層で形成されることが特徴であるが、特に炭素含有量が０．２〜５％であることが好ましく、これにより耐擦り傷性を改善することができる。特に、屈折率２．０以上の金属酸化物層を有することが好ましく、これによってより表示品質に優れたフィルムとすることができる。これらの反射防止層は、好ましくは大気圧プラズマ法によって形成することが特徴であり、上記構成からなる３層以上の積層反射防止層を設けることにより、耐久性に優れる偏光板を得ることができる。特に、反射防止層の高屈折率層が屈折率２．０以上であると、より反射率の低い反射防止層とすることができるため好ましく、湿度等の影響で偏光板がカールしたり、うねったりすると視認性が悪化するが、本発明の偏光板はそのような問題がなく、優れた表示性能を提供することができたのである。
【００２４】
特に、垂直配向方式（バーティカルアラインメント方式）を採用した液晶セルで耐久性よく視野角を広げる効果を得ることができる。また、本発明は、保存中における反りやうねりの問題もなく優れた表示性能を有する低反射偏光板を得ることができ、本発明に至った次第である。
【００２５】
本発明の低反射偏光板の基本的構成について、以下説明する。
図１は、本発明の低反射偏光板の典型的な構成の一例を示す構成図である。
【００２６】
本発明の低反射偏光板６は、偏光子を有する偏光層１を２つの透明支持体Ａ、透明支持体Ｂで挟持されている。図１（ａ）において、低反射偏光板６を表示装置に用いた場合、主に表面側となる透明支持体Ａは、セルロースエステルフィルム２と偏光層１に隣接した面にバックコート層３を設け、また偏光層１とは反対側の面に、活性線硬化樹脂層４と１層あるいは複数の層からなる反射防止層５が設けられている。一方、透明支持体Ｂは、セルロースエステルフィルム２′と偏光層１に隣接した面に設けたバックコート層３′からなっている。透明支持体Ｂとしては、バックコート層３′を設けずに、セルロースエステルフィルム２′単独でも良いが、好ましくは、図１（ａ）に記載の構成である。
【００２７】
また、図１（ｂ）は、請求項４に係る発明である活性線硬化樹脂層４を、透明支持体Ａ、Ｂに設けた一例であり、透明支持体Ａの反射防止層５とセルロースエステルフィルム２の間に、活性線硬化樹脂層４が設けられて、また透明支持体Ｂの偏光層１とは反対側の面に活性線硬化樹脂層４′が設けられている。
【００２８】
請求項１に係る発明では、２枚の透明支持体Ａ、Ｂにより、偏光層を挟持してなる低反射偏光板において、透明支持体Ａ、Ｂのいずれもがセルロースエステルを含有し、透明支持体Ａが偏光層とは反対の面に直接または他の層を介して反射防止層を有し、透明支持体Ｂの膜厚が、透明支持体Ａの膜厚以上で、透明支持体Ａ＋１００μｍの膜厚以下であり、更に反射防止層を有する透明支持体Ａに含まれるセルロースエステルの平均置換度Ａが、透明支持体Ｂに含まれるセルロースエステルの平均置換度Ｂ＋０．０５以上で、平均置換度Ｂ＋０．３５以下であることが特徴である。
【００２９】
本発明でいう各透明支持体の膜厚とは、図１の（ａ）、（ｂ）で示すごとく、透明支持体Ａにおいては、反射防止層５、セルロースエステルフィルム２及びバックコート層３の総膜厚をいい、また活性線硬化樹脂層４を設ける場合にはそれを加えた総膜厚を指す。同様に、透明支持体Ｂにおいては、セルロースエステルフィルム２とバックコート層３の総膜厚、あるいは活性線硬化樹脂層４を設ける場合にはそれを加えた総膜厚を指す。
【００３０】
次いで、セルロースエステルフィルムについて説明する。
一般に、透明支持体としては、例えば、セルローストリアセテート等のセルロースエステル支持体、ポリエステル支持体、ポリカーボネート支持体、ポリスチレン支持体、更にこれら支持体の上層にゼラチン、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、セルロースエステル系樹脂等を塗設した支持体等が知られているが、本発明においてはセルロースエステルフィルムであることが特徴の一つである。
【００３１】
本発明において、セルロースエステルフィルムを用いることにより、低い反射率の積層体が得られる点で好ましい。セルロースエステルとしては、例えば、セルロースアセテート、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネートが好ましく、中でもセルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネートが好ましく用いられる。なお、ブチレートを形成するブチリル基としては、直鎖状でも、分岐していてもよい。
【００３２】
プロピオネート基を置換基として含むセルロースアセテートプロピオネートは、耐水性に優れ、液晶画像表示装置用のフィルムとして有用である。
【００３３】
セルロースエステルとして、セルローストリアセテートを用いることが好ましいが、更に、一定以上の光学補償性能を得るためには、特定の置換基、すなわちアセチル基およびプロピオニル基を有する低級脂肪酸セルロースエステルを用いることが極めて効果的である。
【００３４】
本発明に係るセルロースエステルフィルム作製に用いられるセルロースエステルは、炭素数２〜４のアシル基を置換基として有しており、特に、請求項１に係る発明では、アセチル基の置換度をＸ、プロピオニル基及びまたはブチリル基の置換度をＹとしたとき、本発明でいう平均置換度はＸ＋Ｙで表され、透明支持体Ａ、Ｂにおける平均置換度の関係が、前記式（２）の条件を満足するセルロースの混合脂肪酸エステルを用いて作製されたフィルム上に各機能層を設けた低反射偏光板であることが特徴である。
【００３５】
また、請求項２に係る発明では、透明支持体Ａ、Ｂの各々の膜厚が２００μｍ以下であり、各々の透明支持体の膜厚差（透明支持体Ｂ膜厚−透明支持体Ａ膜厚）をΔＭとし、各々に用いられているセルロースエステルの平均置換度の差（透明支持体Ａで用いるセルロースエステルの平均置換度−透明支持体Ｂで用いるセルロースエステルの平均置換度）をΔＳとしたとき、前記式（３）の条件を満たすことが特徴である。
【００３６】
これらのアシル基は、グルコース単位の２位、３位、６位に平均的に置換していても良いし、例えば６位に高い比率で置換するなどの分布を持った置換がなされていても良い。
【００３７】
ここで、置換度とは、いわゆる結合脂肪酸量の百分率をいい、ＡＳＴＭ−Ｄ８１７−９１（セルロースアセテート等の試験法）におけるアセチル化度の測定および計算に従い算出される数値である。アシル基の置換度の測定法はＡＳＴＭ−Ｄ８１７−９６に従って測定できる。本発明に係る平均置換度は、各々のアシル基の置換度を合計したものであり、複数のセルロースエステルが混合されている場合には、それらを平均した置換度で表す。
【００３８】
アセチル基と炭素数３〜４個のアシル基の置換度が上記の範囲にあることで、長波長ほど位相差が大きくなる特性があり、かつ、良好な水分率や水バリアー性を備えたセルロースエステルフィルム支持体を得ることができるのである。
【００３９】
特に、アセチル基の平均置換度が２．０未満であると延伸時の位相差のばらつきが少ないため特に好ましい。
【００４０】
本発明に係るセルロースエステルフィルムを用いる場合、セルロースエステルの原料のセルロースとしては、特に限定はないが、例えば、綿花リンター、木材パルプ（針葉樹由来、広葉樹由来）、ケナフなどを挙げることができる。また、それらから得られたセルロースエステルは、それぞれ任意の割合で混合して使用することができる。これらのセルロースエステルは、セルロース原料を、例えば、アシル化剤が酸無水物（例えば、無水酢酸、無水プロピオン酸、無水酪酸）である場合には、酢酸のような有機酸やメチレンクロライド等の有機溶媒を用い、硫酸のようなプロトン性触媒を用いて反応させてえることができる。また、アシル化剤が酸クロライド（ＣＨ3ＣＯＣｌ、Ｃ2Ｈ5ＣＯＣｌ、Ｃ3Ｈ7ＣＯＣｌ）である場合には、触媒としてアミンのような塩基性化合物を用いて反応が行われる。具体的には、特開平１０−４５８０４号に記載の方法等を参考にして得ることができる。また、本発明で用いることのできるセルロースエステルは、各置換度に合わせて、上記アシル化剤量を調製混合して反応させたものであり、セルロースエステルは、これらアシル基がセルロース分子の水酸基と反応する。セルロース分子はグルコースユニットが多数連結した構造からなっており、グルコースユニットに３個の水酸基がある。この３個の水酸基にアシル基が導入された数を置換度（モル％）という。例えば、セルローストリアセテートはグルコースユニットの３個の水酸基全てにアセチル基が結合している。実際には、置換度として２．６〜３．０である。
【００４１】
セルロースエステルの数平均分子量は、７０，０００〜２５０，０００が、成型した場合の機械的強度が強く、かつ適度なドープ粘度となり好ましく、更に好ましくは、８０，０００〜１５０，０００である。
【００４２】
これらセルロースエステルの製造方法は、基材フィルムとして溶液流延製膜法によって製造されたセルロースエステルフィルムを用いるが、溶液流延製膜方法そのものには、特に制限はなく、当業界で一般に用いられている方法、例えば、米国特許第２，４９２，９７８号、同第２，７３９，０７０号、同第２，７３９，０６９号、同第２，４９２，９７７号、同第２，３３６，３１０号、同第２，３６７，６０３号、同第２，６０７，７０４号、英国特許第６４，０７１号、同第７３５，８９２号、特公昭４５−９０７４号、同４９−４５５４号、同４９−５６１４号、同６０−２７５６２号、同６１−３９８９０号、同６２−４２０８号等に記載の方法を参考にすることができる。
【００４３】
以下に本発明に係るセルロースエステルフィルムの製造方法を更に詳しく説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。この中で、縦方向とは、フィルムの製膜方向（長手方向）を、横方向（幅手方向）とはフィルムの製膜方向と直角方向のことをいう。
【００４４】
請求項３に係る発明では、セルロースエステルフィルムが、幅手方向若もしくは製膜方向に２軸延伸製膜されたフィルムであることが特徴である。
【００４５】
セルロースエステルフィルムの好ましい延伸倍率は、一方向の延伸倍率が１．０１〜２．０倍に延伸され、もう一方の延伸倍率が１．００〜２．００倍に延伸されたものであり、更に好ましくは一方向の延伸倍率が１．００〜１．５０倍に延伸され、もう一方の延伸倍率が１．０１〜１．５０倍未満に延伸されたものであり、更に好ましくは一方向の延伸倍率が１．００〜１．２５倍に延伸され、もう一方の延伸倍率が１．０１〜１．２５倍未満に延伸されたものである。
【００４６】
これにより、光学的等方性に優れたセルロースエステルフィルムを好ましく得ることができる。製膜工程のこれらの幅保持或いは横方向の延伸はテンターによって行うことが好ましく、ピンテンターでもクリップテンターでもよい。
【００４７】
溶液流延製膜法で用いるセルロースエステルのドープ液の調製に用いられる溶剤は、単独で用いても２種以上併用してもよいが、セルロースエステルの良溶剤と貧溶剤を混合して使用することが、生産効率の点で好ましく、更に、良溶剤が多い方がセルロースエステルの溶解性の点で好ましい。良溶剤と貧溶剤の混合比率の好ましい範囲は、良溶剤が７０〜９８質量％であり、貧溶剤が３０〜２質量％である。
【００４８】
本発明でいう良溶剤、貧溶剤とは、使用するセルロースエステルを単独で溶解するものを良溶剤、単独では膨潤するかあるいは溶解しないものを貧溶剤と定義している。そのため、セルロースエステルの平均酢化度によっては、良溶剤、貧溶剤の対象が変化し、例えば、アセトンを溶剤として用いるときには、セルロースエステルの結合酢酸量５５％では良溶剤になり、結合酢酸量６０％では貧溶剤となる。
【００４９】
上記ドープの調製に用いられる有機溶媒としては、セルロースエステルを溶解でき、かつ、適度な沸点であることが好ましく、例えば、メチレンクロライド、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸アミル、アセトン、テトラヒドロフラン、１，３−ジオキソラン、１，４−ジオキサン、シクロヘキサノン、ギ酸エチル、２，２，２−トリフルオロエタノール、２，２，３，３−ヘキサフルオロ−１−プロパノール、１，３−ジフルオロ−２−プロパノール、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−メチル−２−プロパノール、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−プロパノール、２，２，３，３，３−ペンタフルオロ−１−プロパノール、ニトロエタン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン等を挙げることができるが、メチレンクロライド等の有機ハロゲン化合物、ジオキソラン誘導体、酢酸メチル、酢酸エチル、アセトン等が好ましい有機溶媒（即ち、良溶媒）として挙げられる。
【００５０】
また、下記の製膜工程に示すように、溶媒蒸発工程において流延用支持体上に形成されたウェブ（ドープ膜）から溶媒を乾燥させるときに、ウェブ中の発泡を防止する観点から、用いられる有機溶媒の沸点としては、３０〜８０℃が好ましく、例えば、上記記載の各良溶媒の沸点は、メチレンクロライド（沸点４０．４℃）、酢酸メチル（沸点５６．３２℃）、アセトン（沸点５６．３℃）、酢酸エチル（沸点７６．８２℃）等である。
【００５１】
上記記載の良溶媒の中でも、溶解性に優れるメチレンクロライド、酢酸メチルが好ましく用いられ、特に、メチレンクロライドが全有機溶媒に対して５０質量％以上含まれていることが好ましい。
【００５２】
上記有機溶媒の他に、０．１〜３０質量％の炭素原子数１〜４のアルコールを含有させることが好ましい。特に好ましくは、５〜３０質量％でアルコールが含まれることが好ましい。これらは、上記のドープを流延用支持体に流延後、溶媒が蒸発を始めアルコールの比率が多くなるとウェブ（ドープ膜）がゲル化し、ウェブを丈夫にし、流延用支持体からの剥離を容易にするゲル化溶媒として用いられたり、アルコールの割合が少ない時には、非塩素系有機溶媒のセルロースエステルの溶解を促進する役割も有している。
【００５３】
上記の炭素原子数１〜４のアルコールとしては、例えば、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉｓｏ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ｓｅｃ−ブタノール、ｔｅｒｔ−ブタノール等を挙げることができる。
【００５４】
これらアルコールの中では、ドープの安定化効果を有し、比較的低沸点で、乾燥性も良く、かつ毒性がないこと等からエタノールが好ましく、メチレンクロライド７０〜９５質量％に対して、エタノールを５〜３０質量％含む溶媒を用いることが好ましい。環境上の制約でハロゲンを含む溶媒を避ける場合は、メチレンクロライドの代わりに酢酸メチルを用いることもできる。このとき冷却溶解法によりセルロースエステル溶液を調製することも好ましい。
【００５５】
本発明に係る基材としてセルロースエステルフィルムを用いる場合、このセルロースエステルフィルムには、可塑剤を含有するのが好ましい。
【００５６】
用いることのできる可塑剤としては、特に限定はないが、例えば、リン酸エステル系可塑剤、フタル酸エステル系可塑剤、トリメリット酸エステル系可塑剤、ピロメリット酸系可塑剤、グリコレート系可塑剤、クエン酸エステル系可塑剤、ポリエステル系可塑剤などを好ましく用いることができる。リン酸エステル系としては、例えば、トリフェニルホスフェート、トリクレジルホスフェート、クレジルジフェニルホスフェート、オクチルジフェニルホスフェート、ジフェニルビフェニルホスフェート、トリオクチルホスフェート、トリブチルホスフェート等、フタル酸エステル系としては、例えば、ジエチルフタレート、ジメトキシエチルフタレート、ジメチルフタレート、ジオクチルフタレート、ジブチルフタレート、ジ−２−エチルヘキシルフタレート、ブチルベンジルフタレート等、トリメリット酸系可塑剤としては、例えば、トリブチルトリメリテート、トリフェニルトリメリテート、トリエチルトリメリテート等、ピロメリット酸エステル系可塑剤としては、例えば、テトラブチルピロメリテート、テトラフェニルピロメリテート、テトラエチルピロメリテート等、グリコール酸エステル系としては、例えば、トリアセチン、トリブチリン、エチルフタリルエチルグリコレート、メチルフタリルエチルグリコレート、ブチルフタリルブチルグリコレート等、クエン酸エステル系可塑剤としては、例えば、トリエチルシトレート、トリ−ｎ−ブチルシトレート、アセチルトリエチルシトレート、アセチルトリ−ｎ−ブチルシトレート、アセチルトリ−ｎ−（２−エチルヘキシル）シトレート等を好ましく用いることができる。その他に、カルボン酸エステルの例としては、例えば、オレイン酸ブチル、リシノール酸メチルアセチル、セバシン酸ジブチル、種々のトリメリット酸エステルが含まれる。また、ポリエステル系可塑剤としては、例えば、脂肪族二塩基酸、脂環式二塩基酸、芳香族二塩基酸等の二塩基酸とグリコールの共重合ポリマーを用いることができる。脂肪族二塩基酸としては、特に限定されないが、例えば、アジピン酸、セバシン酸、フタル酸、テレフタル酸、１，４−シクロヘキシルジカルボン酸などを用いることができる。グリコールとしては、例えば、エチレングリコール、ジエチレングリコール、１，３−プロピレングリコール、１，２−プロピレングリコール、１，４−ブチレングリコール、１，３−ブチレングリコール、１，２−ブチレングリコールなどを用いることができる。これらの二塩基酸及びグリコールは、それぞれ単独で用いても良いし、二種以上混合して用いても良い。
【００５７】
特に、特願２０００−３３８８８３に記載のエポキシ系化合物、ロジン系化合物、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ケトン樹脂、トルエンスルホンアミド樹脂等の添加物を有するセルロースエステルフィルムが好ましく用いられる。
【００５８】
これらの可塑剤を単独あるいは併用して用いることができ、これらの可塑剤の使用量は、フィルム性能、加工性等の点で、セルロースエステルに対して１〜２０質量％であることが好ましい。
【００５９】
ついで、本発明に係る基材で用いることのできる紫外線吸収剤について説明する。本発明に係る基材には、液晶等の劣化防止の観点から紫外線吸収剤が含有されていることが好ましい。
【００６０】
本発明で用いることのできる紫外線吸収剤としては、波長３７０ｎｍ以下の紫外線の吸収能に優れ、かつ良好な液晶表示性の観点から、波長４００ｎｍ以上の可視光の吸収が少ないものが好ましく用いられる。本発明で好ましく用いられる紫外線吸収剤の具体例としては、例えば、オキシベンゾフェノン系化合物、ベンゾトリアゾール系化合物、サリチル酸エステル系化合物、ベンゾフェノン系化合物、シアノアクリレート系化合物、ニッケル錯塩系化合物などが挙げられるが、これらに限定されない。また、特開平６−１４８４３０号に記載の高分子紫外線吸収剤も好ましく用いられる。
【００６１】
ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤としては、下記一般式〔１〕で表される化合物が好ましく用いられる。
【００６２】
【化１】
0004556357.tif 000002
【００６３】
式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4及びＲ5は、各々水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、ヒドロキシル基、アルキル基、アルケニル基、アリール基、アルコキシル基、アシルオキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、モノ若しくはジアルキルアミノ基、アシルアミノ基または５〜６員の複素環基を表し、Ｒ4とＲ5は互いに閉環して５〜６員の炭素環を形成してもよい。また、上記の各基では、任意の置換基を有していて良い。
【００６４】
以下に一般式〔１〕で表される紫外線吸収剤の具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されない。
【００６５】
ＵＶ−１：２−（２′−ヒドロキシ−５′−メチルフェニル）ベンゾトリアゾール
ＵＶ−２：２−（２′−ヒドロキシ−３′，５′−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ベンゾトリアゾール
ＵＶ−３：２−（２′−ヒドロキシ−３′−ｔｅｒｔ−ブチル−５′−メチルフェニル）ベンゾトリアゾール
ＵＶ−４：２−（２′−ヒドロキシ−３′，５′−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール
ＵＶ−５：２−（２′−ヒドロキシ−３′−（３″，４″，５″，６″−テトラヒドロフタルイミドメチル）−５′−メチルフェニル）ベンゾトリアゾール
ＵＶ−６：２，２−メチレンビス（４−（１，１，３，３−テトラメチルブチル）−６−（２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）フェノール）
ＵＶ−７：２−（２′−ヒドロキシ−３′−ｔｅｒｔ−ブチル−５′−メチルフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール
ＵＶ−８：２−（２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）−６−（直鎖及び側鎖ドデシル）−４−メチルフェノール（商品名：ＴＩＮＵＶＩＮ１７１、チバ・スペシャルティー・ケミカルズ社製）
ＵＶ−９：オクチル−３−〔３−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−（クロロ−２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）フェニル〕プロピオネートと２−エチルヘキシル−３−〔３−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−（５−クロロ−２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）フェニル〕プロピオネートの混合物（商品名：ＴＩＮＵＶＩＮ１０９、チバ・スペシャルティー・ケミカルズ社製）
上記の中で、融点が２０℃以下の紫外線吸収剤としては、ＵＶ−８が融点が−５６℃であり、ＵＶ−９が常温（２５℃）で黄色透明な粘調液体である。
【００６６】
また、本発明で用いることもできる紫外線吸収剤のひとつであるベンゾフェノン系紫外線吸収剤としては、下記一般式〔２〕で表される化合物が好ましく用いられる。
【００６７】
【化２】
0004556357.tif 000003
【００６８】
式中、Ｙは水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アルコキシル基、またはフェニル基を表し、これらのアルキル基、アルケニル基またはフェニル基は置換基を有していてもよい。Ａは水素原子、アルキル基、アルケニル基、フェニル基、シクロアルキル基、アルキルカルボニル基、アルキルスルホニル基または−ＣＯ（ＮＨ）n-1−Ｄ基を表し、Ｄはアルキル基、アルケニル基または置換基を有していてもよいフェニル基を表す。ｍ及びｎはそれぞれ１または２を表す。
【００６９】
一般式〔２〕において、アルキル基としては、例えば炭素数２４までの直鎖または分岐の脂肪族基を表し、アルコキシル基としては、例えば炭素数１８までのアルコキシル基で、アルケニル基としては、例えば炭素数１６までのアルケニル基で、例えばアリル基、２−ブテニル基などを表す。また、アルキル基、アルケニル基、フェニル基への置換基としては、ハロゲン原子、例えば、塩素原子、臭素原子、フッ素原子など、ヒドロキシル基、フェニル基、（このフェニル基にはアルキル基またはハロゲン原子などを置換していてもよい）などが挙げられる。
【００７０】
以下、一般式〔２〕で表されるベンゾフェノン系化合物の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。
【００７１】
ＵＶ−１０：２，４−ジヒドロキシベンゾフェノン
ＵＶ−１１：２，２′−ジヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノン
ＵＶ−１２：２−ヒドロキシ−４−メトキシ−５−スルホベンゾフェノン
ＵＶ−１３：ビス（２−メトキシ−４−ヒドロキシ−５−ベンゾイルフェニルメタン）
本発明で好ましく用いられる上記記載の各紫外線吸収剤において、透明性が高く、偏光板や液晶の劣化を防ぐ効果に優れたベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤やベンゾフェノン系紫外線吸収剤が好ましく、不要な着色がより少ないベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤が、特に好ましく用いられる。
【００７２】
また、本発明に係る基材に用いられる紫外線吸収剤は、特願平１１−２９５２０９号に記載されている分配係数が９．２以上の紫外線吸収剤を含むことが、基材の面品質に優れ、配向層の配向阻害も少なく、かつ塗布性にも優れ好ましく、特に分配係数が１０．１以上の紫外線吸収剤を用いることが好ましい。
【００７３】
可塑剤や紫外線吸収剤吸収剤を含むセルロースエステルフィルムを基材として用いた場合、これらがブリードアウトするなどによって、プラズマ処理部に付着するなどして工程を汚染し、これがフィルムに付着するなどして故障の原因となることがあり、セルロースエステルと可塑剤を有する基材においては、８０℃、９０％ＲＨで５０時間処理した前後の質量変化が±２質量％未満である基材を用いることにより、このような工程汚染が著しく低減でき、好ましい。このようなセルロースエステルフィルムとしは、特願２０００−３３８８８３に記載のセルロースエステルフィルム等が好ましく用いられる。また、この目的のための好ましい紫外線吸収剤としては、特開平６−１４８４３０号、特願２０００−１５６０３９に記載の高分子紫外線吸収剤または紫外線吸収性ポリマーを好ましく用いることができる。特に、特開平６−１４８４３０号に記載の一般式（１）または一般式（２）で表される化合物、あるいは特願２０００−１５６０３９に記載の一般式（３）、（６）、（７）で表される高分子紫外線吸収剤が、特に好ましく用いられる。
【００７４】
基材の光学特性としては、面内リターデーション値ＲＯは０〜１０００ｎｍのものが好ましく用いられ、厚さ方向のリターデーション値Ｒｔは０〜３００ｎｍのものが、用途に応じて好ましく用いられる。また、波長分散特性はＲ600／Ｒ450は０．７〜１．３であることが好ましく、特に１．０〜１．３であること好ましい。ここでＲ450は４５０ｎｍの波長の光による面内リターデーションであり、Ｒ600は６００ｎｍの波長の光による面内リターデーションである。
【００７５】
請求項４に係る発明では、２枚の透明支持体Ａ、Ｂにより、偏光層を挟持してなる偏光板において、透明支持体Ａが偏光層とは反対の面に活性線硬化樹脂層を介して反射防止層を有し、かつ透明支持体Ｂが偏光層とは反対の面に活性線硬化樹脂層を有することが特徴である。
【００７６】
本発明でいう活性線硬化樹脂層とは、活性線硬化樹脂層とは紫外線や電子線のような活性線照射により架橋反応などを経て硬化する樹脂を主たる成分とする層をいう。活性線硬化樹脂としては紫外線硬化性樹脂や電子線硬化性樹脂などが代表的なものとして挙げられるが、紫外線や電子線以外の活性線照射によって硬化する樹脂でもよい。紫外線硬化性樹脂としては、例えば、紫外線硬化型アクリルウレタン系樹脂、紫外線硬化型ポリエステルアクリレート系樹脂、紫外線硬化型エポキシアクリレート系樹脂、紫外線硬化型ポリオールアクリレート系樹脂、または紫外線硬化型エポキシ樹脂等を挙げることが出来る。また、具体例としては、トリメチロールプロパントリアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、アルキル変性ジペンタエリスリトールペンタアクリレート等を挙げることが出来る。
【００７７】
紫外線硬化型アクリルウレタン系樹脂としては、一般にポリエステルポリオールにイソシアネートモノマー、もしくはプレポリマーを反応させて得られた生成物に更に２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート（以下アクリレートにはメタクリレートを包含するものとしてアクリレートのみを表示する）、２−ヒドロキシプロピルアクリレート等の水酸基を有するアクリレート系のモノマーを反応させる容易に形成されるものを挙げることが出来、特開昭５９−１５１１１０号に記載のものを用いることが出来る。
【００７８】
紫外線硬化型ポリエステルアクリレート系樹脂としては、一般にポリエステルポリオールに２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシアクリレート系のモノマーを反応させる容易に形成されるものを挙げることが出来、特開昭５９−１５１１１２号に記載のものを用いることが出来る。
【００７９】
紫外線硬化型エポキシアクリレート系樹脂の具体例としては、エポキシアクリレートをオリゴマーとし、これに反応性希釈剤、光反応開始剤を添加し、反応させて生成するものを挙げることが出来、特開平１−１０５７３８号に記載のものを用いることが出来る。
【００８０】
これらの光反応開始剤としては、具体的には、ベンゾイン及び誘導体、アセトフェノン、ベンゾフェノン、ヒドロキシベンゾフェノン、ミヒラーズケトン、α−アミロキシムエステル、チオキサントン等及びこれらの誘導体を挙げることが出来る。光増感剤と共に使用してもよい。上記光反応開始剤も光増感剤としても使用出来る。また、エポキシアクリレート系の光反応剤の使用の際、ｎ−ブチルアミン、トリエチルアミン、トリ−ｎ−ブチルホスフィン等の増感剤を用いることが出来る。
【００８１】
樹脂モノマーとしては、例えば、不飽和二重結合が一つのモノマーとして、メチルアクリレート、エチルアクリレート、ブチルアクリレート、ベンジルアクリレート、シクロヘキシルアクリレート、酢酸ビニル、スチレン等の一般的なモノマーを挙げることが出来る。また不飽和二重結合を二つ以上持つモノマーとして、エチレングリコールジアクリレート、プロピレングリコールジアクリレート、ジビニルベンゼン、１，４−シクロヘキサンジアクリレート、１，４−シクロヘキシルジメチルアジアクリレート、前出のトリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリルエステル等を挙げることが出来る。
【００８２】
また、モノマーが液晶性を有していても良い。
本発明において使用し得る市販品の紫外線硬化樹脂としては、例えば、アデカオプトマーＫＲ・ＢＹシリーズ：ＫＲ−４００、ＫＲ−４１０、ＫＲ−５５０、ＫＲ−５６６、ＫＲ−５６７、ＢＹ−３２０Ｂ（旭電化（株）製）；コーエイハードＡ−１０１−ＫＫ、Ａ−１０１−ＷＳ、Ｃ−３０２、Ｃ−４０１−Ｎ、Ｃ−５０１、Ｍ−１０１、Ｍ−１０２、Ｔ−１０２、Ｄ−１０２、ＮＳ−１０１、ＦＴ−１０２Ｑ８、ＭＡＧ−１−Ｐ２０、ＡＧ−１０６、Ｍ−１０１−Ｃ（広栄化学（株）製）；セイカビームＰＨＣ２２１０（Ｓ）、ＰＨＣ  Ｘ−９（Ｋ−３）、ＰＨＣ２２１３、ＤＰ−１０、ＤＰ−２０、ＤＰ−３０、Ｐ１０００、Ｐ１１００、Ｐ１２００、Ｐ１３００、Ｐ１４００、Ｐ１５００、Ｐ１６００、ＳＣＲ９００（大日精化工業（株）製）；ＫＲＭ７０３３、ＫＲＭ７０３９、ＫＲＭ７１３０、ＫＲＭ７１３１、ＵＶＥＣＲＹＬ２９２０１、ＵＶＥＣＲＹＬ２９２０２（ダイセル・ユーシービー（株）製）；ＲＣ−５０１５、ＲＣ−５０１６、ＲＣ−５０２０、ＲＣ−５０３１、ＲＣ−５１００、ＲＣ−５１０２、ＲＣ−５１２０、ＲＣ−５１２２、ＲＣ−５１５２、ＲＣ−５１７１、ＲＣ−５１８０、ＲＣ−５１８１（大日本インキ化学工業（株）製）；オーレックスＮｏ．３４０クリヤ（中国塗料（株）製）；サンラッドＨ−６０１（三洋化成工業（株）製）；ＳＰ−１５０９、ＳＰ−１５０７（昭和高分子（株）製）；ＲＣＣ−１５Ｃ（グレース・ジャパン（株）製）、アロニックスＭ−６１００、Ｍ−８０３０、Ｍ−８０６０（東亞合成（株）製）等を適宜選択して利用出来る。
【００８３】
これらの活性線硬化樹脂層は公知の方法で塗設することが出来る。
紫外線硬化性樹脂を光硬化反応により硬化皮膜層を形成するための光源としては、紫外線を発生する光源であれば制限なく使用出来る。例えば、低圧水銀灯、中圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、カーボンアーク灯、メタルハライドランプ、キセノンランプ等を用いることが出来る。照射条件はそれぞれのランプによって異なるが、照射光量は２０〜１００００ｍＪ／ｃｍ2程度あればよく、好ましくは、５０〜２０００ｍＪ／ｃｍ2である。近紫外線領域〜可視光線領域にかけてはその領域に吸収極大のある増感剤を用いることによって効率よく形成することが出来る。
【００８４】
紫外線硬化樹脂層組成物塗布液の有機溶媒としては、例えば、炭化水素類、アルコール類、ケトン類、エステル類、グリコールエーテル類、その他の有機溶媒の中から適宜選択し、あるいはこれらを混合し利用出来る。プロピレングリコールモノアルキルエーテル（アルキル基の炭素原子数として１〜４）またはプロピレングリコールモノアルキルエーテル酢酸エステル（アルキル基の炭素原子数として１〜４）等を５質量％以上、より好ましくは５〜８０質量％以上含有する上記有機溶媒を用いるのが好ましい。
【００８５】
紫外線硬化性樹脂組成物塗布液の塗布方法としては、製膜で用いられる公知の方法を適用することができる。塗布量はウェット膜厚として０．１〜３０μｍが適当で、好ましくは、０．５〜１５μｍである。
【００８６】
請求項５に係る発明では、透明支持体Ａの活性線硬化樹脂層の膜厚ＵＶａと透明支持体Ｂの活性線硬化樹脂層の膜厚ＵＶｂとの膜厚比（ＵＶｂ／ＵＶａ）が０．１〜１０であることが特徴であり、更に請求項７に係る発明では、その膜厚比（ＵＶｂ／ＵＶａ）が０．２〜０．９５であることが特徴である。また、請求項６に係る発明では、透明支持体Ｂの活性線硬化樹脂層の膜厚ＵＶｂが、１．３μｍ以上であることが特徴であり、好ましくは１．５〜４．０μｍである。
【００８７】
紫外線硬化性樹脂組成物は塗布乾燥中または後に、紫外線を照射するのがよく、照射時間としては０．５秒〜５分程度がよく、紫外線硬化性樹脂の硬化効率または作業効率の観点から３秒〜２分がより好ましい。
【００８８】
こうして得た硬化樹脂層に、ブロッキングを防止するために、また対擦り傷性等を高めるために、無機化合物あるいは有機化合物の微粒子を加えることも出来、それらの種類としては、前述のマット剤の微粒子とほぼ同様である。これらの微粒子粉末の一次平均粒径としては、０．００５〜１μｍが好ましく０．０１〜０．１μｍであることが特に好ましい。紫外線硬化樹脂組成物と微粒子粉末との割合は、樹脂組成物１００質量部に対して、０．１〜１０質量部となるように配合することが望ましい。
【００８９】
紫外線硬化樹脂層は、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１で規定される中心線平均表面粗さ（Ｒａ）が１〜５０ｎｍのクリアハードコート層であっても、Ｒａが０．１〜１μｍ程度の防眩層であってもよい。
【００９０】
請求項８に係る発明では、透明支持体Ａまたは透明支持体Ｂが、炭素含有量０．２〜５％の金属酸化物層を有することが特徴であり、また、請求項９に係る発明では、透明支持体Ａが、屈折率２．０以上の金属酸化物層を含む反射防止層を有することが特徴であり、好ましくは屈折率が２．１〜２．６の金属酸化物層である。
【００９１】
本発明では、セルロースエステルフィルム上に直接あるいは紫外線硬化樹脂層等の上に金属酸化物層を形成することが特徴であり。このようにして形成された金属酸化物層を用いると、ピンホール欠陥が少ないという特徴が得られることが判った。経時でもピンホールは増加しないことも大きな効果である。
【００９２】
これらの金属酸化物層は、低屈折率層、中屈折率層、高屈折率層等の反射防止層として有用であり、あるいは導電性層や帯電防止層等として好ましく用いられる。
【００９３】
本発明でいう炭素含有率は、以下の方法により求めることができる。
本発明のフィルムの炭素含有率は、ＸＰＳ表面分析装置を用いてその値を測定することができる。ＸＰＳ表面分析装置としては、特に限定なく、いかなる機種も使用することができるが、例えば、ＶＧサイエンティフィックス社製ＥＳＣＡＬＡＢ−２００Ｒを用いた。具体的には、例えば、Ｘ線アノードにはＭｇを用い、出力６００Ｗ（加速電圧１５ｋＶ、エミッション電流４０ｍＡ）で測定する。
エネルギー分解能は、清浄なＡｇ３ｄ５／２ピークの半値幅で規定したとき、１．５〜１．７ｅＶとなるように設定する。測定を行う前に、汚染による影響を除くために、膜厚の１０〜２０％の厚さに相当する表面層をエッチング除去する必要がある。表面層の除去には、希ガスイオンが利用できるイオン銃を用いることが好ましく、イオン種としては、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｘｅ、Ｋｒなどが利用できる。先ず、結合エネルギー０ｅＶから１１００ｅＶの範囲を、データ取り込み間隔１．０ｅＶで測定し、いかなる元素が検出されるかを求める。次に、検出された、エッチングイオン種を除く全ての元素について、データの取り込み間隔を０．２ｅＶとして、その最大強度を与える光電子ピークについてナロースキャンを行い、各元素のスペクトルを測定する。得られたスペクトルは、測定装置、あるいは、コンピューターの違いによる含有率算出結果の違いを防止するために、ＶＡＭＡＳ・ＳＣＡ・ＪＡＰＡＮ製のＣＯＭＭＯＮ  ＤＡＴＡ  ＰＲＯＣＥＳＳＩＮＧ  ＳＹＳＴＥＭ（Ｖｅｒ．２．３）上に転送した後、同ソフトで処理を行い、炭素含有率の値を原子数濃度（ａｔｏｍｉｃ  ｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎ）として求める。定量処理をおこなう前に、各元素についてＣｏｕｎｔ  Ｓｃａｌｅのキャリブレーションを行い、５ポイントのスムージング処理を行う。定量処理では、バックグラウンドを除去したピークエリア強度（ｃｐｓ・ｅＶ）を用いた。バックグラウンド処理には、Ｓｈｉｒｌｅｙによる方法を用いた。Ｓｈｉｒｌｅｙ法については、Ｄ．Ａ．Ｓｈｉｒｌｅｙ，Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．，Ｂ５，４７０９（１９７２）を参考にすることができる。
【００９４】
本発明に係る金属酸化物層を形成する方法としては、塗布により金属酸化物層を設けても良いが、大気圧もしくはその近傍の圧力下におけるプラズマ放電処理が好ましく用いられる。
【００９５】
請求項１０に係る発明では、透明支持体Ａが、大気圧プラズマ処理によって形成された反射防止層を有することが特徴である。
【００９６】
以下、本発明で用いることのできるプラズマ処理について説明する。
本発明において用いることのできる大気圧プラズマ放電処理装置の一例としては、図２に示すような装置を挙げることができる。図２において、Ｆは長尺状の基材である。１２は大気圧もしくはその近傍の圧力下、連続的にプラズマ処理する処理室であり、１３、１４は一対の電極である。
【００９７】
処理室１２は前記基材Ｆの入口１２Ａと出口１２Ｂを有する間仕切りされた処理室によって構成されている。以下処理部を処理室として説明する。
【００９８】
図示の例では、処理室１２に隣接して基材の入口側に予備室１０が設けられ、その予備室１０に隣接して予備室１１が設けられている。出口側にも処理室１２に隣接して予備室１７が設けられている。
【００９９】
予備室を設ける場合、図２で示すように、基材Ｆの入口側に二つ、出口側に一つを設ける態様であってもよいが、これに限定されず、基材Ｆの出入口側に一つづつ設ける態様、入口側に二つ設け、出口側に設けない態様、あるいは入口側に二つ以上、出口側に二つ以上設ける態様でもよい。
【０１００】
いずれの態様であっても、処理室１２内の内圧が、処理室１２と隣接する予備室の内圧より高いことが好ましく、より好ましくは０．３０Ｐａ以上高いことである。このように処理室１２と予備室の間でも圧力差を設けることにより、外部空気の混入を防止し、反応ガスの有効使用が可能となり、処理効果も更に向上する。
【０１０１】
また、処理室１２に隣接して入口側に二つ以上、出口側に二つ以上予備室を設けた場合、その予備室と隣り合う予備室の間の差圧は、処理室１２に近い側の予備室の内圧が高く設定されることが好ましく、０．３０Ｐａ以上高く設定されることが好ましい。このように複数の予備室同士の間でも圧力差を設けることによって、外部空気の混入をより効率的に防止し、反応ガスの有効使用がより可能となり、処理効果も更に向上する。
【０１０２】
予備室には、処理ガスの少なくとも１成分、好ましくは希ガスを有していることが反応ガスの効率的な使用と処理効果の向上の観点から好ましい。
【０１０３】
前記処理室１２と予備室、予備室同士の部屋には間仕切りされていることが必要であり、かかる間仕切り手段としては、図示のように、入口側に一対のニップローラ８、出口側に一対のニップローラ９を設ける形態も好ましい。
【０１０４】
かかるニップローラは、基材Ｆに対して接触しながら閉鎖ないし間仕切りする機能を有するが、部屋同士を完全に間仕切りできないので、本実施の形態例の様な圧力差を設ける手段が有効に機能するのである。
【０１０５】
また間仕切り手段としては、基材Ｆに対して所定の間隙を保ち、且つ非接触である態様であってもよい。かかる態様としては図示しないエアーカーテン方式等を採用できる。
【０１０６】
なお、予備室を設けない場合には、処理室と外部の間に間仕切りがされればよい。
【０１０７】
図示の例で、一対の電極１３、１４は、金属母材と固体誘電体で構成され、該金属母材へライニングにより無機性質の誘電体を被覆した組み合わせ、または同母材に対しセラミックス溶射後、無機性物質により封孔処理した誘電体を被覆した組み合わせで構成されている。ここで金属母材は、銀、白金、ステンレス、アルミニウム、鉄等の金属が使えるが、ステンレスが加工し易い。
【０１０８】
また、ライニング材としては、ケイ酸塩系ガラス、ホウ酸塩系ガラス、リン酸塩系ガラス、ゲルマン酸塩系ガラス、亜テルル酸塩ガラス、アルミン酸塩ガラス、バナジン酸塩ガラス等が用いることができる、この中でもホウ酸塩系ガラスが加工し易い。
【０１０９】
また溶射に用いるセラミックスとしては、アルミナが良く、封孔材としては、アルコキシシラン等をゾルゲル反応させて無機化させたものが用いられる。
【０１１０】
また、図２では一対の電極１３、１４のように平板電極を用いてあるが、一方もしくは双方の電極を円筒状電極、角柱状電極、ロール状電極としてもよい。
【０１１１】
この一対の電極１３、１４のうち一方の電極１３に高周波電源１５が接続され、他方の電極１４は、アース１６により接地されており、一対の電極１３、１４間に電界を印加できるように構成されている。
【０１１２】
また、本手段により、被処理基材が帯電することやそれに伴うゴミ付着等を引き起こすこともあるが、以下の解決手段により、特に問題とはならない。例えば、除電手段としては、特開平７−２６３１７３号に記載されている、通常のブロアー式、接触式以外に、複数の正負のイオン生成用除電電極と基材を挟むようにイオン吸引電極を対向させた除電装置と、その後正負の直流式除電装置を設けた高密度除電システムを用いることも好ましい。また、このときの基材の帯電量は±５００Ｖ以下が好ましい。また、除電処理後のゴミ除去手段としては、特開平７−６０２１１号等に記載されている非接触式のジェット風式減圧型ゴミ除去装置が好ましいが、これに限定される訳ではない。
【０１１３】
本発明でいう大気圧近傍の圧力とは、２０〜２００ｋＰａの圧力下であり、好ましくは９３〜１０７ｋＰａの範囲である。
【０１１４】
この方法では、上記対向する電極間に、１００ｋＨｚから１５０ＭＨｚの範囲に周波数を有する高周波電界を印加するのが好ましい。特に、周波数が高い程、製膜速度を上げることができ好ましい。
【０１１５】
また、一般にこのような高周波電界はサイン波形を有すが、パルス化された電界を印加することも可能である。このパルス化とは、ＯＮ／ＯＦＦのデューティ比を変化させることでプラズマガス温度の変化が可能になる。これにより、表面凹凸の形状を変化させることも可能となる場合がある。
【０１１６】
上記のパルス化された電界を印加することにより、大気圧及びその近傍下でのプラズマ放電が希ガス無しでも発生でき、プラズマ処理の効率を上げることができる。
【０１１７】
図２に示す装置を用いて処理するには、先ず搬送される基材Ｆが処理室１２内に入り、その処理室１２内で、高周波電界により発生させられたプラズマにより、その表面が連続処理される。更に処理前に、予め基材表面の除電処理を行い、更にゴミ除去を行うことによって、表面処理の均一性が更に向上するので好ましい。除電手段及び除電処理後のゴミ除去手段としては、上記装置で記載したのと同様の手段を用いることができる。
【０１１８】
図３は、本発明で用いられるプラズマ放電処理装置に設置されるプラズマ放電処理容器の一例を示す概略図であり、基材Ｆを巻回して搬送回転するロール型の電極２５に対して、複数の円筒で固定型の電極２６を対向させた一例であり、ロール型の電極２５に巻回してニップローラ６５、６６で押圧され、基材Ｆはガイドローラ６４、６７を介して放電処理室３０内に搬送され、電極２５の回転に同期して、搬送及び処理される。
【０１１９】
図４は、本発明で用いられるプラズマ放電処理装置に設置されるプラズマ放電処理容器の他の一例を示す概略図であり、図３に対し固定型電極として角柱型の電極３６に変更した装置の一例であり、円柱に比べ放電範囲を広げる効果がある。
【０１２０】
更に、図５は、本発明に係るプラズマ放電処理に用いられる円筒型のロール電極の一例を示す斜視図であり、図６は、本発明に係るプラズマ放電処理に用いられる固定型の円筒型電極の一例を示す斜視図であり、図７は、本発明に係るプラズマ放電処理に用いられる固定型の角柱型電極の一例を示す斜視図である。
【０１２１】
電極２５は、図５に示すように金属等の導電性のある母材２５ａへライニングにより無機性物質の誘電体２５ｂを被覆した組み合わせ、または同母材２５Ａに対しセラミックス溶射後、無機性物質により封孔処理した誘電体２５Ｂを被覆した組み合わせで構成されている。電極２６及び３６も同様の組み合わせで構成される。
【０１２２】
ここでも金属等の導電性のある母材２５ａは、銀、白金、ステンレス、アルミニウム、鉄等の金属が使えるが、ステンレスが加工し易い。
【０１２３】
図８は、本発明に係る放電プラズマによる放電処理装置の一例を示す概略図である。図８において、放電処理装置部は図４と同様で、それにガス充填手段５０、電源４０、電極冷却ユニット６０等で構成されている。
【０１２４】
また電極２５、３６は、図４、５、６等に示すもので、対向する電極２５、３６間のギャップは、例えば１ｍｍ程度となっている。
【０１２５】
ガス充填手段５０は、希ガス及び反応ガスの混合ガスを放電処理室３０に送気して充填する手段であり、混合ガスはヘリウム（Ｈｅ）またはアルゴン（Ａｒ）の希ガスと酸素、水素、有機フッ素化合物またはその混合ガスとを用いる。なお、比較的安価なアルゴンガスでの放電が望ましい。
【０１２６】
電源４０は、導電性の電極部分２５ａ、２５Ａ、または２６ａ、２６Ａ、または３６ａ、３６Ａに電圧を印加する。放電処理室３０は、パイレックス（Ｒ）ガラス製の処理容器３１で構成され、処理容器３１内に混合ガスが充填される。なお、実施形態では、処理容器３１はパイレックス（Ｒ）ガラス製であるが、電極と絶縁がとれていれば金属製であってもよく、例えは、アルミまたは、ステンレスのフレームの内面にポリイミド樹脂等を張り付けても良く、金属フレームにセラミックス溶射を行い絶縁性をとっても良い。
【０１２７】
処理容器３１内にロール状の電極２５、角柱型の電極３６を所定位置に配置し、ガス発生装置５１で発生させた混合ガスを流量制御して、給気口５２より放電処理室３０の処理容器３１内に入れ、該処理容器３１内を混合ガスで充填し排気口５３より排出するようにする。次に、電源４０により電極３６に電圧を印加し、電極２５はアースに接地し、放電プラズマを発生させる。ここでロール状のフィルム６１より基材Ｆを供給し、ガイドローラ６４、６７を介して、放電処理室３０内の電極２５、３６間を片面が電極２５に接触する状態で搬送される。基材Ｆは搬送中に放電プラズマにより表面が放電処理され、その後に排出するようになっている。ここで基材Ｆは、電極２５に接触していない面が放電処理がなされる。
【０１２８】
本発明に係る希ガス、あるいは不活性ガスを含む混合ガスについて説明する。
本発明に係る混合ガスは、希ガスと、酸素、あるいは水素を含有したものが好ましく用いられる。更に、金属酸化物層を形成するためには、金属アルコキシドなどの有機金属化合物を含有する。また、低屈折率層あるいは防眩層を有機フッ素化合物を用いて形成することもできる。
【０１２９】
本発明に係るプラズマ処理方法を実施するにあたり、使用するガスは、基材上に設けたい薄膜の種類によって異なるが、基本的に、不活性ガスと、薄膜を形成するための反応性ガスの混合ガスである。反応性ガスは、混合ガスに対し、０．０１〜１０体積％含有させることが好ましい。薄膜の膜厚としては、０．１〜１０００ｎｍの範囲の薄膜が得られる。
【０１３０】
上記不活性ガスとは、周期表の第１８属元素、具体的には、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、ラドン等が挙げられるが、本発明に記載の効果を得るためには、ヘリウム、アルゴンが好ましく用いられる。
【０１３１】
反応性ガスに有機金属化合物を添加することにより、金属化合物層を形成することができ、例えば、有機金属化合物としてＬｉ，Ｂｅ，Ｂ，Ｎａ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｋ，Ｃａ，Ｓｃ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｒｂ，Ｓｒ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｃｄ，Ｉｎ，Ｉｒ，Ｓｎ，Ｓｂ，Ｃｓ，Ｂａ，Ｌａ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｔｌ，Ｐｂ，Ｂｉ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕから選択される金属を含むことができる。より好ましくは、これらの有機金属化合物が金属アルコキシド、アルキル化金属、金属錯体から選ばれるものが好ましい。
【０１３２】
また、反応性ガスとして、例えば、ジンクアセチルアセトナート、トリエチルインジウム、トリメチルインジウム、ジエチル亜鉛、ジメチル亜鉛、エトラエチル錫、エトラメチル錫、二酢酸ジ−ｎ−ブチル錫、テトラブチル錫、テトラオクチル錫などから選択された少なくとも１つの有機金属化合物を含む反応性ガスを用いて、導電性膜あるいは帯電防止膜、あるいは反射防止膜の中屈折率層として有用な金属酸化物層を形成することができる。
【０１３３】
また、フッ素含有化合物ガスを用いることによって、基材表面にフッ素含有基を形成させて表面エネルギーを低くし、撥水性表面を得る撥水膜を得ることが出来る。フッ素元素含有化合物としては、６フッ化プロピレン（ＣＦ3ＣＦＣＦ2）、８フッ化シクロブタン（Ｃ4Ｆ8）等のフッ素・炭素化合物が挙げられる。安全上の観点から、有害ガスであるフッ化水素を生成しない６フッ化プロピレン、８フッ化シクロブタンを用いる。
【０１３４】
また、分子内に親水性基と重合性不飽和結合を有するモノマーの雰囲気下で処理を行うことにより、親水性の重合膜を堆積させることもできる。上記親水性基としては、水酸基、スルホン酸基、スルホン酸塩基、１級若しくは２級又は３級アミノ基、アミド基、４級アンモニウム塩基、カルボン酸基、カルボン酸塩基等の親水性基等が挙げられる。又、ポリエチレングリコール鎖を有するモノマーを用いても同様に親水性重合膜を堆積が可能である。
【０１３５】
上記モノマーとしては、アクリル酸、メタクリル酸、アクリルアミド、メタクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド、アクリル酸ナトリウム、メタクリル酸ナトリウム、アクリル酸カリウム、メタクリル酸カリウム、スチレンスルホン酸ナトリウム、アリルアルコール、アリルアミン、ポリエチレングリコールジメタクリル酸エステル、ポリエチレングリコールジアクリル酸エステルなどが挙げられ、これらの少なくとも１種が使用できる。
【０１３６】
また、有機フッ素化合物、珪素化合物またはチタン化合物を含有する反応性ガスを用いることにより、反射防止膜の低屈折率層または高屈折率層を設けることが出来る。
【０１３７】
有機フッ素化合物としては、フッ化炭素ガス、フッ化炭化水素ガス等が好ましく用いられる。フッ化炭素ガスとしては、４フッ化炭素、６フッ化炭素、具体的には、４フッ化メタン、４フッ化エチレン、６フッ化プロピレン、８フッ化シクロブタン等が挙げられる。前記のフッ化炭化水素ガスとしては、２フッ化メタン、４フッ化エタン、４フッ化プロピレン、３フッ化プロピレン等が挙げられる。
【０１３８】
更に、１塩化３フッ化メタン、１塩化２フッ化メタン、２塩化４フッ化シクロブタン等のフッ化炭化水素化合物のハロゲン化物やアルコール、酸、ケトン等の有機化合物のフッ素置換体を用いることが出来るがこれらに限定されない。また、これらの化合物が分子内にエチレン性不飽和基を有していても良い。前記の化合物は単独でも混合して用いても良い。
【０１３９】
混合ガス中に上記記載の有機フッ素化合物を用いる場合、放電プラズマ処理により基材上に均一な薄膜を形成する観点から、混合ガス中の有機フッ素化合物の含有率は、０．１〜１０体積％であることが好ましいが、更に好ましくは、０．１〜５体積％である。
【０１４０】
また、本発明に係る有機フッ素化合物が常温、常圧で気体である場合は、混合ガスの構成成分として、そのまま使用できるので最も容易に本発明の方法を遂行することができる。しかし、有機フッ素化合物が常温・常圧で液体又は固体である場合には、加熱、減圧等の方法により気化して使用すればよく、また、又、適切な溶剤に溶解して用いてもよい。
【０１４１】
混合ガス中に上記記載のチタン化合物を用いる場合、放電プラズマ処理により基材上に均一な薄膜を形成する観点から、混合ガス中のチタン化合物の含有率は、０．１〜１０体積％であることが好ましいが、更に好ましくは、０．１〜５体積％である。
【０１４２】
また、上記記載の混合ガス中に水素ガスを０．１〜１０体積％含有させることにより薄膜の硬度を著しく向上させることが出来る。
【０１４３】
また、混合ガス中に酸素、オゾン、過酸化水素、二酸化炭素、一酸化炭素、水素、窒素から選択される成分を０．０１〜５体積％含有させることにより、反応促進され、且つ、緻密で良質な薄膜を形成することができる。
【０１４４】
上記記載の珪素化合物、チタン化合物としては、取り扱い上の観点から金属水素化合物、金属アルコキシドが好ましく、腐食性、有害ガスの発生がなく、工程上の汚れなども少ないことから、金属アルコキシドが好ましく用いられる。
【０１４５】
また、上記記載の珪素化合物、チタン化合物を放電空間である電極間に導入するには、両者は常温常圧で、気体、液体、固体いずれの状態であっても構わない。気体の場合は、そのまま放電空間に導入できるが、液体、固体の場合は、加熱、減圧、超音波照射等の手段により気化させて使用される。珪素化合物、チタン化合物を加熱により気化して用いる場合、テトラエトキシシラン、テトライソプロポキシチタンなど、常温で液体で、沸点が２００℃以下である金属アルコキシドが反射防止膜の形成に好適に用いられる。上記金属アルコキシドは、溶媒によって希釈して使用されても良く、溶媒は、メタノール、エタノール、ｎ−ヘキサンなどの有機溶媒及びこれらの混合溶媒が使用できる。尚、これらの希釈溶媒は、プラズマ放電処理中において、分子状、原子状に分解される為、基材上への薄膜の形成、薄膜の組成などに対する影響は殆ど無視することが出来る。
【０１４６】
上記記載の珪素化合物としては、例えば、ジメチルシラン、テトラメチルシランなどの有機金属化合物、モノシラン、ジシランなどの金属水素化合物、二塩化シラン、三塩化シランなどの金属ハロゲン化合物、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、ジメチルジエトキシシランなどのアルコキシシラン、オルガノシランなどを用いることが好ましいがこれらに限定されない。また、これらは適宜組み合わせて用いることが出来る。
【０１４７】
混合ガス中に上記記載の珪素化合物を用いる場合、放電プラズマ処理により基材上に均一な薄膜を形成する観点から、混合ガス中の珪素化合物の含有率は、０．１〜１０体積％であることが好ましいが、更に好ましくは、０．１〜５体積％である。
【０１４８】
上記記載のチタン化合物としては、テトラジメチルアミノチタンなどの有機金属化合物、モノチタン、ジチタンなどの金属水素化合物、二塩化チタン、三塩化チタン、四塩化チタンなどの金属ハロゲン化合物、テトラエトキシチタン、テトライソプロポキシチタン、テトラブトキシチタンなどの金属アルコキシドなどを用いることが好ましいがこれらに限定されない。
【０１４９】
請求項１１に係る発明では、低反射偏光板の４５０〜６５０ｎｍにおける平均反射率が０．５％以下であることが特徴であり、この範囲における最低反射率は０．００〜０．３％にあることが特に好ましい。
【０１５０】
本発明に係る各透明支持体には、上記説明した各機能層の他に、フィルムの動摩擦係数を調整するため、裏面側に微粒子を含有するバックコート層を設けることもできる。添加する微粒子の大きさや添加量、材質等によって動摩擦係数を調整することが出来る。
【０１５１】
本発明に有用なバックコート層に含ませる微粒子としては、無機化合物の微粒子または有機化合物の微粒子を挙げることが出来、前述のセルロースエステルフィルムに含有させる微粒子、微粒子の粒径、微粒子の見かけ比重、分散方法等ほぼ同様である。
【０１５２】
バックコート層のバインダーに対する微粒子の添加量は樹脂１００質量部に対して、微粒子は０．０１〜１質量部が好ましく、０．０５〜０．５質量部が更に好ましく、０．０８〜０．２質量部が最も好ましい。添加量は多い方が、動摩擦係数が低くなり、また少ない方がヘイズが低く、凝集物も少なくなる。
【０１５３】
バックコート層に使用される有機溶媒は特に限定されないが、バックコート層にアンチカール機能を付与することも出来るので、基材フィルム及び基材フィルムの素材の樹脂を溶解させる有機溶媒または膨潤させる有機溶媒が有用である。
これらを基材フィルムのカール度合、樹脂の種類、混合割合、塗布量等により適宜選べばよい。
【０１５４】
バックコート層に使用し得る有機溶媒としては、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン、ジオキサン、アセトン、メチルエチルケトン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、酢酸メチル、酢酸エチル、トリクロロエチレン、メチレンクロライド、エチレンクロライド、テトラクロロエタン、トリクロロエタン、クロロホルムあるいはＮ−メチルピロリドン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンなどがある。溶解させない有機溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、ｎ−プロピルアルコール、ｉ−プロピルアルコール、ｎ−ブタノールなどがあるが、有機溶媒としては特にこれらに限定されるものではない。
【０１５５】
バックコート層塗布組成物の塗布方法としては、グラビアコーター、ディップコーター、ワイヤーバーコーター、リバースコーター、押し出しコーター等を用いて、塗布液膜厚（ウェット膜厚ということもある）を１〜１００μｍとすることが好ましく、特に５〜３０μｍが好ましい。
【０１５６】
バックコート層に用いられる樹脂としては、例えば塩化ビニル／酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、酢酸ビニルとビニルアルコールの共重合体、部分加水分解した塩化ビニル／酢酸ビニルコポリマー、塩化ビニル／塩化ビニリデンコポリマー、塩化ビニル／アクリロニトリルコポリマー、エチレン／ビニルアルコールコポリマー、塩素化ポリ塩化ビニル、エチレン／塩化ビニルコポリマー、エチレン／酢酸ビニルコポリマー等のビニル系ホモポリマーあるいはコポリマー、セルロースニトラート、セルロースアセテートプロピオネート、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、セルロースアセテートフタレート、セルロースアセテートブチレート樹脂等のセルロースエステル系樹脂、マレイン酸および／またはアクリル酸のコポリマー、アクリル酸エステルコポリマー、アクリロニトリル／スチレンコポリマー、塩素化ポリエチレン、アクリロニトリル／塩素化ポリエチレン／スチレンコポリマー、メチルメタクリレート／ブタジエン／スチレンコポリマー、アクリル樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリエステルポリウレタン樹脂、ポリエーテルポリウレタン樹脂、ポリカーボネートポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエーテル樹脂、ポリアミド樹脂、アミノ樹脂、スチレン／ブタジエン樹脂、ブタジエン／アクリロニトリル樹脂等のゴム系樹脂、シリコーン系樹脂、フッ素系樹脂、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルメタクリレートとポリメチルアクリレートの共重合体等を挙げることが出来るが、これらに限定されるものではない。特に好ましくはセルロースジアセテート、セルロースアセテートプロピオネートのようなセルロース系樹脂層である。
【０１５７】
例えば、以上のようなバックコート層を設けることにより、動摩擦係数を０．９以下にすることができる。
【０１５８】
本発明の低反射偏光板及び本発明の表示装置について説明する。
本発明の低反射偏光板に用いる偏光子としては、従来公知のものを用いることができる。例えば、ポリビニルアルコールの如き親水性ポリマーからなるフィルムを、ヨウ素の如き二色性染料で処理して延伸したものや、塩化ビニルの如きプラスチックフィルムを処理してポリエンを配向させたものを用いることができる。そして、本発明の低反射偏光板が、少なくとも液晶セルのセル側の表面側に設けられる。また、両側に設けられる場合は、本発明に係る透明支持体Ａが、偏光子に対して液晶セルに近い方に貼りつけることができる。以上により、本発明の液晶表示装置を得ることが出来る。本発明の低反射偏光板は、低い反射性、良好な紫外線カット性能から液晶表示用装置に用いられるのが好ましい。
【０１５９】
【実施例】
以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されない。
【０１６０】
実施例１
《セルロースエステルフィルムの作製》
以下に示す方法に従って、基材フィルムであるセルロースエステルフィルムを作製した。
【０１６１】
〔ドープの調製〕
（酸化ケイ素分散液の調製）
アエロジル２００Ｖ（日本アエロジル（株）製）                １ｋｇ
エタノール                                                  ９ｋｇ
上記素材をディゾルバで３０分間撹拌混合した後、マントンゴーリン型高圧分散装置を用いて分散を行った。
【０１６２】
（添加液Ａの調製）
セルロースアセテートプロピオネート
（アセチル置換度：１．９、プロピオニル基置換度０．７）        ４ｋｇ
メチレンクロライド                                        ７６ｋｇ
チヌビン３２６（チバスペシャルティケミカルズ社製）          ３ｋｇ
チヌビン１０９（チバスペシャルティケミカルズ社製）          ４ｋｇ
チヌビン１７１（チバスペシャルティケミカルズ社製）          ４ｋｇ
上記素材を密閉容器に投入し、加熱、撹拌しながら、完全に溶解、濾過した。
これに９ｋｇの上記酸化ケイ素分散液を撹拌しながら加えて、さらに３０分間撹拌した後、濾過し、添加液Ａを調製した。
【０１６３】
〔ドープＡの調製〕
トリフェニルフォスフェート                                １５ｋｇ
エチルフタリルエチルグリコレート                            ５ｋｇ
メチレンクロライド                                      ６４０ｋｇ
エタノール                                              １２０ｋｇ
セルロースアセテートプロピオネート（アセチル置換度：１．９０、
プロピオニル基置換度０．７０、平均置換度２．６０）    ２２０ｋｇ
上記素材を順に、攪拌しながら密閉容器に投入し、加熱、撹拌しながら、完全に溶解、混合した。ドープを流延する温度まで下げて一晩静置し、脱泡操作を施した後、溶液を安積濾紙（株）製の安積濾紙Ｎｏ．２４４を使用して濾過した。
更に、この溶液１００ｋｇあたり添加液Ａを２ｋｇの割合で添加し、インラインミキサー（東レ静止型管内混合機Ｈｉ−Ｍｉｘｅｒ  ＳＷＪ）で十分混合した後、濾過してドープＡを調製した。
【０１６４】
〔ドープＢの調製〕
上記添加液Ａ及びドープＡで使用したセルロースアセテートプロピオネート（アセチル置換度：１．９０、プロピオニル基置換度０．７０）をセルロースアセテートプロピオネート（アセチル置換度：２．００、プロピオニル基置換度０．８０、平均置換度２．８０）に変更した以外は同様にして、添加液Ｂ及びドープＢを調製した。
【０１６５】
〔ドープＣの調製〕
上記添加液Ａ及びドープＡで使用したセルロースアセテートプロピオネート（アセチル置換度：１．９０、プロピオニル基置換度０．７０）をセルロースアセテート（アセチル置換度：２．６６）に変更した以外は同様にして、添加液Ｃ及びドープＣを調製した。
【０１６６】
〔ドープＤの調製〕
上記添加液Ａ及びドープＡで使用したセルロースアセテートプロピオネート（アセチル置換度：１．９、プロピオニル基置換度０．７）をセルロースアセテート（アセチル置換度：２．７０）に変更した以外は同様にして、添加液Ｄ及びドープＤを調製した。
【０１６７】
〔ドープＥの調製〕
上記添加液Ａ及びドープＡで使用したセルロースアセテートプロピオネート（アセチル置換度：１．９、プロピオニル基置換度０．７）をセルロースアセテート（アセチル置換度：２．７５）に変更した以外は同様にして、添加液Ｅ及びドープＥを調製した。
【０１６８】
〔ドープＦの調製〕
上記添加液Ａ及びドープＡで使用したセルロースアセテートプロピオネート（アセチル置換度：１．９、プロピオニル基置換度０．７）をセルロースアセテート（アセチル置換度：２．８５）に変更した以外は同様にして、添加液Ｆ及びドープＦを調製した。
【０１６９】
〔ドープＧの調製〕
添加液Ａ及びドープＡで使用したセルロースアセテートプロピオネート（アセチル置換度：１．９、プロピオニル基置換度０．７）をセルロースアセテート（アセチル置換度：２．９０）に変更した以外は同様にして、添加液Ｇ及びドープＧを調製した。
【０１７０】
〔ドープＨの調製〕
添加液Ａ及びドープＡで使用したセルロースアセテートプロピオネート（アセチル置換度：１．９、プロピオニル基置換度０．７）をセルロースアセテート（アセチル置換度２．５０）に変更した以外は同様にして、添加液Ｈ及びドープＨを調製した。
【０１７１】
（セルロースエステルの置換度の測定）
尚、上記記載のドープＡ〜Ｈの各々の調製に用いたセルロースエステルの置換度は、ＡＳＴＭ−Ｄ８１７−９６に規定の方法に準じて測定した。
【０１７２】
〔セルロースエステルフィルムの作製〕
（セルロースエステルフィルム１の作製）
上記調製したドープＡを用いて下記のようにして透明支持体１を作製した。
【０１７３】
ドープＡを濾過した後、ベルト流延装置を用い、ドープ温度３５℃で３０℃のステンレスバンド支持体上に均一に流延した。その後、剥離可能な範囲まで乾燥させた後、ステンレスバンド支持体上からウェブを剥離した。このときのウェブの残留溶媒量は８０％であった。
【０１７４】
ステンレスバンド支持体から剥離した後、８５℃の乾燥ゾーンをロール搬送しながら乾燥させた後、残留溶媒量が３５質量％未満となったところで、２軸延伸テンターでＴＤ方向（幅手方向）に１．０７倍及びＭＤ方向（製膜方向）に１．０１倍に延伸しながら９０℃で乾燥させた後、幅把持を解放し、さらにロール搬送しながら１２５℃の乾燥ゾーンで乾燥を終了させ、フィルム両端に幅１０ｍｍ、高さ８μｍのナーリング加工を施して、膜厚４１μｍのセルロースエステルフィルム１を作製した。フィルム幅は１３００ｍｍ、巻き取り長は２０００ｍとした。巻き取り時の残留溶媒量は０．１質量％未満であった。
【０１７５】
（セルロースエステルフィルム２〜３０の作製）
上記セルロースエステルフィルム１の作製において、ドープの種類と２軸延伸テンターにおける延伸倍率及び膜厚を表１に記載のように変更した以外は同様にして、セルロースエステルフィルム２〜３０を作製した。
【０１７６】
（リターデーション値：Ｒｔの測定）
自動複屈折率計ＫＯＢＲＡ−２１ＡＤＨ（王子計測機器（株）製）を用いて、２３℃、５５％ＲＨの環境下で、波長が５９０ｎｍにおいて、３次元屈折率測定を行い、屈折率ｎｘ、ｎｙ、ｎｚを求めた。下記（式Ａ）に従って、リターデーション値（Ｒｔ）を算出した。
【０１７７】
Ｒｔ＝（（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ）×ｄ      （式Ａ）
式中、ｎｘはフィルム面内の製膜方向に平行な方向でのフィルムの屈折率。ｎｙは製膜方向に直角な方向でのフィルムの屈折率。ｎｚはフィルムの厚み方向での屈折率。ｄはフィルムの厚み（ｎｍ）をそれぞれ表す。
【０１７８】
（リターデーション値：ＲＯの測定）
上記と同様の方法にて、屈折率ｎｘ、ｎｙを求めた。下記（式Ｂ）に従って、面方向のリタデーション値（ＲＯ）を算出した。
【０１７９】
ＲＯ＝（ｎｘ−ｎｙ）×ｄ      （式Ｂ）
式中、ｎｘはフィルム面内の屈折率が最も大きい方向の屈折率、ｎｙはｎｘに直角な方向でのフィルム面内の屈折率、ｄはフィルムの厚み（ｎｍ）をそれぞれ表す。
【０１８０】
【表１】
0004556357.tif 000004
【０１８１】
《透明支持体の作製》
〔透明支持体１Ｃの作製〕
上記作製したセルロースエステルフィルム１に、下記に記載のバックコート層及びクリアハードコート層及び反射防止層を設けて、透明支持体１Ｃを作製した。
【０１８２】
（バックコート層を塗設）
下記のバックコート層塗布組成物１をセルロースエステルフィルムのａ面（流延製膜の際にベルト支持体に接していた側（ｂ面）とは反対側の面）に、ウェット膜厚１３μｍとなるように押し出しコートし、乾燥温度８０℃にて乾燥させ、バックコート層を塗設した。
【０１８３】
〈バックコート層塗布組成物１〉
アセトン                                                ３０質量部
酢酸エチル                                              ４５質量部
イソプロピルアルコール                                  １０質量部
ジアセチルセルロース                                  ０．５質量部
超微粒子シリカ２％アセトン分散液
（アエロジル２００Ｖ：日本アエロジル社製）            ０．１１質量部
（クリアハードコート層の塗設）
さらに透明支持体１のｂ面（流延製膜時にベルト支持体にドープが接していた側面）に、下記のクリアハードコート層塗布組成物１をウェット膜厚で１３μｍとなるように押し出しコートし、次いで８０℃に設定された乾燥部で乾燥した後、１１８ｍＪ／ｃｍ2で紫外線照射し、乾燥膜厚で３．５μｍの中心線平均表面粗さ（Ｒａ）８ｎｍのクリアハードコート層を設けた。
【０１８４】
0004556357.tif 000005
更に、クリアハードコート層の上に下記の手順に従って、反射防止層を設け、透明支持体１Ｃを得た（Ｃが付与されている透明支持体はクリアハードコート層及び反射防止層を有するものである）。
【０１８５】
（反射防止層の形成）
図２に記載のプラズマ放電処理装置を用いて、クリアハードコート層上に反射防止層を形成した。反射防止層形成の詳細を下記に示す。
【０１８６】
図２に示すようなプラズマ放電処理容器を３つ、プラズマ放電処理装置に設置し、透明支持体のクリアハードコート層の上に連続的に大気圧プラズマ処理して、順に酸化錫層（屈折率１．７、膜厚６９ｎｍ、炭素含有量０．３％）、酸化チタン層（屈折率２．１４、膜厚１１０ｎｍ、炭素含有量０．４％）、酸化珪素層（屈折率１．４５、膜厚８７ｎｍ、炭素含有量０．２％）の３層を設けた。
【０１８７】
〈炭素含有率の測定〉
本発明のフィルムの炭素含有率は、ＸＰＳ表面分析装置を用いてその値を測定した。ＸＰＳ表面分析装置としては、ＶＧサイエンティフィックス社製ＥＳＣＡＬＡＢ−２００Ｒを用いた。Ｘ線アノードにはＭｇを用い、出力６００Ｗ（加速電圧１５ｋＶ、エミッション電流４０ｍＡ）で測定した。エネルギー分解能は、清浄なＡｇ３ｄ５／２ピークの半値幅で規定したとき、１．５〜１．７ｅＶとなるように設定した。測定をおこなう前に、膜厚の１０〜２０％の厚さに相当する表面層をエッチング除去した。表面層の除去には、Ａｒイオンエッチングを用いて表面層を除去した。先ず、結合エネルギー０ｅＶから１１００ｅＶの範囲を、データ取り込み間隔１．０ｅＶで測定し、いかなる元素が検出されるかを求めた。次に、検出された、エッチングイオン種を除く全ての元素について、データの取り込み間隔を０．２ｅＶとして、その最大強度を与える光電子ピークについてナロースキャンを行い、各元素のスペクトルを測定した。得られたスペクトルは、測定装置、あるいは、コンピューターの違いによる含有率算出結果の違いを生じせしめなくするために、ＶＡＭＡＳ−ＳＣＡ−ＪＡＰＡＮ製のＣＯＭＭＯＮ  ＤＡＴＡ  ＰＲＯＣＥＳＳＩＮＧ  ＳＹＳＴＥＭ（Ｖｅｒ．２．３）上に転送した後、同ソフトで処理をおこない、炭素含有率の値を原子数濃度（ａｔｏｍｉｃｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎ）として求めた。定量処理をおこなう前に、各元素についてＣｏｕｎｔ  Ｓｃａｌｅのキャリブレーションをおこない、５ポイントのスムージング処理をおこなった。定量処理では、バックグラウンドを除去したピークエリア強度を用いた。
【０１８８】
〈プラズマ放電処理〉
プラズマ放電処理は以下の手順で実施した。図３に記載のプラズマ放電処理装置において、ロール電極２５として、冷却水による冷却機能を有するステンレス製ジャケットロール母材（冷却機能は図２には図示していない）に、セラミック溶射によりアルミナを１ｍｍ被覆し、その後テトラメトキシシランを酢酸エチルで希釈した溶液を塗布乾燥後、紫外線照射により硬化させて封孔処理を行った誘電体を有するロール電極を製作しアース（接地）した。一方、印加電極２６としては、中空のステンレスパイプに対し、上記同様の誘電体を同条件にて被覆し、対向する電極群とし、低屈折率層、高屈折率層共に必要な膜厚が各々得られるように調整した。また、放電プラズマ発生に用いる使用電源は、日本電子製高周波電源を使用し、連続周波数を１３．５６ＭＨｚ、１５Ｗ／ｃｍ2の電力を供給した。但し、ロール電極は、ドライブを用いて基材の搬送に同期して回転させた。
【０１８９】
プラズマ処理に用いた混合ガス（反応ガス）の組成を以下に記す。
（酸化錫層形成用反応ガス）
アルゴンが９８．７％、水素ガスが１％、テトラブチル錫蒸気が０．３％の反応ガスである。
【０１９０】
（酸化チタン層形成用反応ガス）
アルゴンが９８．７％、水素ガスが１％、テトライソプロポキシチタン蒸気が０．３％の反応ガスである。
【０１９１】
（酸化珪素層形成用反応ガス）
アルゴンが９８．７％、水素ガスが１％、テトラメトキシシラン蒸気が０．３％の反応ガスである。
【０１９２】
〔透明支持体２Ｃ〜３０Ｃの作製〕
上記透明支持体１Ｃの作製と同様に、セルロースエステルフィルム２〜３０に、上記記載の各層を塗設し、更にプラズマ処理を施して、透明支持体２Ｃ〜３０Ｃを作製した。
【０１９３】
なお、セルロースエステルフィルム１〜３０、透明支持体１Ｃ〜３０Ｃはいずれもヘイズが０〜０．２％であった。なお、ヘイズの測定は、ＡＳＴＭ−Ｄ１００３−５２に従って測定した。
【０１９４】
《偏光板の作製》
表２、３に記載した組み合わせで、透明支持体Ａ（バックコート層、クリアハードコート層及び反射防止層）及び透明支持体Ｂ（セルロースエステルフィルム単独）で偏光層を挟んだ構成の偏光板１〜３４を下記に記載の方法により作製した。
【０１９５】
透明支持体Ａと透明支持体Ｂを、５０℃の１ｍｏｌ／ＬのＮａＯＨ水溶液で１分間処理して表面を鹸化処理した。鹸化処理では、透明支持体Ａの反射防止層面には再剥離可能な粘着剤が付いたポリエチレンテレフタレート製保護フィルム（膜厚：５０μｍ）を張り付けて、アルカリから保護した。ヨウ素ドープした延伸ポリビニルアルコールからなる偏光層を鹸化処理した透明支持体Ａのバックコート層側と透明支持体Ｂで挟んで接着し偏光板とした。このようにして表２、３に記載の偏光板１〜３４を作製した。
【０１９６】
《偏光板の評価》
以上のようにして作製した各偏光板について、以下の評価を行った。
【０１９７】
（カール・平面性の評価）
上記作製した各偏光板を１０ｃｍ×１０ｃｍにカットし、６０℃、９０％ＲＨの雰囲気下で４８時間放置した後、常法に従いカール度及び平面性の変化を評価し、以下の基準に則り判定を行った。
【０１９８】
◎：カールが認められず、また平面性の劣化も認められない
○：弱いカールが認められるが、平面性の大きな劣化は認められない
△：カール度が高いが、実用上問題なし
×：著しくカール度が高くなり、平面性も悪化する
（反射率の測定）
低反射積層体の分光反射率は分光光度計Ｕ−４０００型（日立製作所製）を用いて、５度正反射の条件にて反射率の測定を行った。測定は、観察側の裏面を粗面化処理した後、黒色のスプレーを用いて光吸収処理を行い、フィルム裏面での光の反射を防止して、反射率（４００ｎｍ〜７００ｎｍの波長について）の測定を行った。４５０ｎｍ〜６５０ｎｍの範囲について平均反射率を求めた。
【０１９９】
図９に上記作製した偏光板２の反射スペクトルデータを一例として示す。
（視認性の評価）
上記作製した各偏光板を液晶パネルに張り付けて評価した。このとき、反射防止層が外側を向くように配置した。
【０２００】
カラー液晶ディスプレイ（富士通（株）製  ＭＯＤＥＬ  ＶＬ−１５３０Ｓ）の表裏両面の偏光板を剥離して、上記作製した各偏光板を吸収軸をもとの偏光板と同一となるように張り付けた。これを４０℃、９０％ＲＨで１ヶ月間放置した後、画面のコントラストを目視で評価し、下記に記載の基準に則り視認性の判定を行った。
【０２０１】
◎：コントラスト低下は認められない
○：画面周辺部でわずかにコントラスト低下が認められる
△：画面周辺部でコントラスト低下が認められる
×：著しいコントラストの低下が認められる
以上により得られた各評価結果を、表２、３に示す。
【０２０２】
【表２】
0004556357.tif 000006
【０２０３】
【表３】
0004556357.tif 000007
【０２０４】
表２、３より明らかなように、本発明の低反射偏光板は、比較例に対し、カール、平面性が良好で、視認性に優れていることが判る。
【０２０５】
実施例２
《透明支持体Ａの作製》
（透明支持体２４Ａの作製）
セルロースエステルフィルム２４のａ面側に実施例１と同様にしてバックコート層を設けた。さらにｂ面側に下記の方法で所定膜厚の防眩層を形成した。
【０２０６】
下記の塗布組成物２を押し出しコートし、次いで８０℃に設定された乾燥部で乾燥した後、１２０ｍＪ／ｃｍ2で紫外線照射し、乾燥膜厚で４μｍの防眩層（中心線平均粗さＲａ：０．３μｍ）を設けた。
【０２０７】
0004556357.tif 000008
以上を高速攪拌機（ＴＫホモミキサー、特殊機化工業（株）製）で攪拌し、その後、衝突型分散機（マントンゴーリン、ゴーリン（株）製）で分散した後、下記の各成分を添加して、塗布組成物２を調製した。
【０２０８】
0004556357.tif 000009
（透明支持体１５Ａ、２０Ａ、２２Ａ、２３Ａ、２５Ａの作製）
上記透明支持体２４Ａの作製において、セルロースエステルフィルム２４をセルロースエステルフィルム１５、２０、２２、２３、２５に変更し、表４に記載の膜厚の防眩層を有する透明支持体１５Ａ、２０Ａ、２２Ａ、２３Ａ、２５Ａを作製した。なお、膜厚の調整は、塗布時のウエット膜厚の増減及び塗布組成物２の希釈で行った。希釈は塗布組成物２の溶媒比率を変更しないようにして行った。
【０２０９】
次いで、実施例１と同様にして、各々の透明支持体について、形成した防眩層の上に連続的に大気圧プラズマ処理して、順に酸化錫層（屈折率１．７、膜厚６９ｎｍ、炭素含有量０．３％）、酸化チタン層（屈折率２．１４、膜厚１１０ｎｍ、炭素含有量０．４％）及び酸化珪素層（屈折率１．４５、膜厚８７ｎｍ、炭素含有量０．２％）の３層を設けた。
【０２１０】
《透明支持体Ｂの作製》
（透明支持体６Ｂの作製）
セルロースエステルフィルム６のａ面側に、実施例１と同様にしてバックコート層を設け、ｂ面側に下記の塗布組成物３を押し出しコートし、次いで８０℃に設定された乾燥部で乾燥し、１１８ｍＪ／ｃｍ2で紫外線照射した後、下記に記載の構成からなるクリアハードコート層を設けて、透明支持体６Ｂを作製した。
【０２１１】
なお、透明支持体６Ｂは、表４に記載のようにクリアハードコート層の乾燥膜厚が異なる６種を作製した。
【０２１２】
0004556357.tif 000010
（透明支持体４Ｂ、５Ｂ、１４Ｂの作製）
上記透明支持体６Ｂの作製において、セルロースエステルフィルム６に代えて、それぞれセルロースエステルフィルム４、５、１４を用い、更に表４に記載のクリアハードコート層の乾燥膜厚に変更した以外は同様にして、それぞれクリアハードコート層の乾燥膜厚の異なる透明支持体４Ｂ、５Ｂ、１４Ｂを作製した。
【０２１３】
《偏光板の作製》
表４に記載した組み合わせで、透明支持体Ａ及び透明支持体Ｂで偏光層を挟んだ構成の偏光板３５〜６１を、実施例１に記載の方法により作製した。
【０２１４】
《偏光板の評価》
（カール・平面性、反射率の評価）
上記作製した各偏光板について、実施例１に記載の方法に従い評価を行った。
【０２１５】
（視野角評価方法）
上記作製した各偏光板について、下記に記載の方法に従って、視野角測定を行った。
【０２１６】
カラー液晶ディスプレイ（富士通（株）製  ＭＯＤＥＬ  ＶＬ−１５３０Ｓ）の表裏両面の偏光板を剥離して、実施例で作製した各偏光板を吸収軸をもとの偏光板と同一となるように張り付けた。これを４０℃、９０％ＲＨで１ヶ月間放置した後、ＥＬＤＩＭ社製ＥＺ−ｃｏｎｔｒａｓｔにより視野角を測定した。視野角は、液晶パネルの白表示と黒表示時のコントラスト比が１０以上を示すパネル面に対する斜め４５度方向の面（パネルの左上から右下へ斜め４５度傾いた面）の視野角範囲で評価を行った。
【０２１７】
◎：斜め４５度方向の視野角が１２０〜１３０度
○：斜め４５度方向の視野角が１１０〜１２０度未満
△：斜め４５度方向の視野角が１００〜１１０度未満
×：斜め４５度方向の視野角が１００度未満
以上により得られた各評価結果を表４に示す。
【０２１８】
【表４】
0004556357.tif 000011
【０２１９】
表４より明らかなように、本発明の偏光板は比較の偏光板に対し、カール、平面性に優れ、かつ視野角が広くなっていることが確認され、特に横方向からも細かい文字まで読みとることができた。
【０２２０】
【発明の効果】
本発明により、カール、平面性が良好で、視認性、視野角等の表示特性に優れた低反射偏光板とそれを用いた表示装置を提供することができた。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の低反射偏光板の典型的な構成の一例を示す構成図である。
【図２】本発明で用いられる大気圧プラズマ放電処理装置の一例を示す断面図。
【図３】本発明で用いられるプラズマ放電処理装置に設置されるプラズマ放電処理容器の一例を示す概略図である。
【図４】本発明で用いられるプラズマ放電処理装置に設置されるプラズマ放電処理容器の他の一例を示す概略図である。
【図５】本発明に係るプラズマ放電処理に用いられる円筒型のロール電極の一例を示す斜視図である。
【図６】本発明に係るプラズマ放電処理に用いられる固定型の円筒型電極の一例を示す斜視図である。
【図７】本発明に係るプラズマ放電処理に用いられる固定型の角柱型電極の一例を示す斜視図である。
【図８】本発明に係る放電プラズマによる放電処理装置の一例を示す概略図である。
【図９】本発明の低反射偏光板の反射スペクトルの一例を示す。
【符号の説明】
１  偏光層
２、２′  セルロースエステルフィルム
３、３′  バックコート層
４、４′  活性線硬化樹脂層
５  反射防止層
Ａ  透明支持体
Ｂ  透明支持体
６  低反射偏光板
Ｆ  基材
８、９  ニップローラ
１０、１１、１７  予備室
１２  処理室
１３、１４  電極
１５  高周波電源
２５、２６、３６  電極
２５ａ、２５Ａ、２６ａ、２６Ａ、３６ａ、３６Ａ  金属等の導電性母材
２５ｂ、２６ｂ、３６ｂ  ライニング処理誘電体
２５Ｂ、２６Ｂ、３６Ｂ  セラミック被覆処理誘電体
３０  放電処理室
３１  処理容器
４０  高周波電源
５０  ガス充填手段
５１  ガス発生装置
５２  給気口（反応ガス導入口）
５３  排気口
５４  仕切板
６０  電極冷却ユニット
６１  フィルム
６５、６６  ニップローラ
６４、６７  ガイドローラ
【図１】
0004556357.tif 000012
【図２】
0004556357.tif 000013
【図３】
0004556357.tif 000014
【図４】
0004556357.tif 000015
【図５】
0004556357.tif 000016
【図６】
0004556357.tif 000017
【図７】
0004556357.tif 000018
【図８】
0004556357.tif 000019
【図９】
0004556357.tif 000020