(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の工程と、第２の工程とを含む積層セラミック電子部品の製造方法であって、
前記第１の工程は、導体膜を備えたセラミックグリーンシートを積層して得られた一次積層体を、加圧する工程であり、前記第１の工程において、前記一次積層体は、その積層方向に対向する２つの面をそれぞれ加圧面及び受け面として加圧され、
前記第２の工程は、前記第１の工程を経た複数の前記一次積層体を積層して二次積層体を構成する工程であり、前記第２の工程において、隣り合う一次積層体は、前記第１の工程の受け面同士が互いに接するように積層される、
積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載された製造方法であって、更に、前記二次積層体に一軸加圧処理を施す工程を含む、
積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２の何れかに記載された製造方法であって、
前記第１の工程は、前記導体膜を備えたセラミックグリーンシートを少なくとも３層以上積層して得られた一次積層体を、加圧する工程である、
積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項４】
第１の工程と、第２の工程と、第３の工程とを含む積層セラミック電子部品の製造方法であって、
前記第１の工程は、導体膜を備えたセラミックグリーンシートを積層して得られた一次積層体を、加圧する工程であり、前記第１の工程において、前記一次積層体は、その積層方向に対向する２つの面をそれぞれ加圧面及び受け面として加圧され、
前記第２の工程は、前記第１の工程を経た複数の前記一次積層体を積層して二次積層体を構成する工程であり、前記第２の工程において、隣り合う一次積層体は、前記第１の工程の加圧面同士または受け面同士が互いに接するように積層され、
前記第３の工程は、前記二次積層体に静水圧加圧処理を施す工程であり、
前記セラミックグリーンシートに含まれる樹脂バインダのガラス転移点をＴ１としたとき、
前記静水圧加圧処理の静水圧加圧処理温度Ｔ２は、次の式
Ｔ２［℃］≦Ｔ１［℃］＋３０［℃］
を満たす、積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載された製造方法であって、
前記静水圧加圧処理温度Ｔ２は、更に、次の式
Ｔ２［℃］≧Ｔ１［℃］−６０［℃］
を満たす、積層セラミック電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、積層セラミック電子部品の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
積層コンデンサ、積層インダクタ、積層アルミナ基板、積層バリスタまたは積層圧電（電歪）素子などの積層セラミック電子部品を製造するにあたり、導体膜を備えたセラミックグリーンシートを積層して積層体を構成する。
【０００３】
次に、積層体をその積層方向に加圧する。この種の加圧処理は一軸加圧処理と呼ばれる。積層体に一軸加圧処理を施しても、導体膜周辺の部分は、導体膜のない分、加圧されにくく、低密度となりがちである。
【０００４】
例えば、積層セラミックコンデンサを構成するための積層体の場合、導体膜間のマージン部分で低密度となる。マージン部分の密度を増大させようと、一軸加圧処理の圧力を例えば５００kg/cm2以上に高くすると、セラミックグリーンシートの積層状態が大きく乱れる。セラミックグリーンシートの積層状態の乱れは、焼成後の積層体に、ポア、デラミネーション等の構造欠陥や、構造欠陥によるショート不良を生じさせ、製造歩留まりを低下させるのみならず、信頼性も低下させる。
【０００５】
このような積層体の構造欠陥を低減する一つの手段として、特開平７−１２２４５７号公報等の記載技術では、一次積層体を加圧し、加圧された一次積層体を積層して二次積層体を構成し、更に、二次積層体を加圧する。この二次積層体から切断工程及び焼成工程等を経て電子部品を得る。
【０００６】
しかし、この技術を用いた場合でも、二次積層体の積層数が４００を越えると、導体膜周辺の部分におけるセラミックグリーンシートの積層状態の乱れが顕著となり、製造歩留まりが大幅に低下する。
【０００７】
また、構造欠陥を低減するためのもう一つの手段として、特公平８−５０５２号公報または特開平８−２５５７２８号公報等に記載された静水圧加圧処理が知られている。しかし、一次積層体は、積層方向で見た密度分布が非対称となっており、複数の一次積層体を積層する際、隣り合う一次積層体のうち、一方の一次積層体の加圧面と、他方の一次積層体の受け面とが互いに接するように積層工程を行うと、この積層工程により構成される二次積層体も、密度分布が非対称となる。非対称な密度分布を有する二次積層体に静水圧加圧処理を施すと、二次積層体に反りが生じてしまい、電子部品の生産上、問題がある。
【０００８】
静水圧加圧処理による積層体の変形を避ける手段として、特開平１１−４０４５７号公報の記載技術では、積層体を支持基板上に配置し、これを密閉化したものに静水圧を加圧する。しかし、この記載技術では、積層体の支持基板接触面には静水圧が加圧されず、多層（例えば４００層以上）の積層体の構造欠陥を低減するには十分でない。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、静水圧加圧処理による二次積層体の反りを低減し得る積層セラミック電子部品の製造方法を提供することである。
【００１０】
本発明のもう１つの課題は、例えば、４００層以上の多層の積層セラミック電子部品を、高い製造歩留まりで製造する基礎を与え得る積層セラミック電子部品の製造方法を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決するため、本発明に係る積層セラミック電子部品の製造方法は、第１の工程と、第２の工程とを含む。
【００１２】
前記第１の工程は、導体膜を備えたセラミックグリーンシートを積層して得られた一次積層体を、加圧する工程であり、前記第１の工程において、前記一次積層体は、その積層方向に対向する２つの面をそれぞれ加圧面及び受け面として加圧される。
【００１３】
前記第２の工程は、前記第１の工程を経た複数の前記一次積層体を積層して二次積層体を構成する工程であり、前記第２の工程において、隣り合う一次積層体は、前記第１の工程の加圧面同士または受け面同士が互いに接するように積層される。
【００１４】
上述した本発明に係る積層セラミック電子部品の製造方法においては、まず、導体膜を備えたセラミックグリーンシートを積層して得られた一次積層体について、その積層方向に対向する２つの面をそれぞれ加圧面及び受け面とし、一次積層体を加圧する。
【００１５】
次に、上記加圧処理を施された複数の一次積層体について、隣り合う一次積層体の加圧面同士または受け面同士が互いに接するように、複数の一次積層体を積層する。従って、複数の一次積層体についてその積層方向で見た密度分布が非対称となっていても、この積層工程により得られる二次積層体は、密度分布の非対称性が緩和される。このため、二次積層体に静水圧加圧処理を施しても、静水圧加圧処理による二次積層体の反りは低減する。
【００１６】
しかも、大きな反りを生じさせることなしに二次積層体に静水圧加圧処理を施すことができるから、静水圧加圧処理の有効利用が可能となり、多層の積層セラミック電子部品を、高い製造歩留まりで製造する基礎が与えられる。
【００１７】
二次積層体に静水圧加圧処理を施すと、二次積層体は静水圧により等方加圧され、二次積層体内における加圧されにくい部分、例えば、導体膜周辺の部分等も加圧される。このため、通常の一軸加圧処理を用いたときと比較して、導体膜の周辺の部分におけるセラミックグリーンシートの積層状態の乱れが低減し、焼成後の二次積層体の構造欠陥（デラミネーション、ポア、クラック等）が防止される。
【００１８】
更に、実験によると、セラミックグリーンシートに含まれる樹脂バインダのガラス転移点をＴ１としたとき、静水圧加圧処理の静水圧加圧処理温度Ｔ２は、次の式
Ｔ２［℃］≦Ｔ１［℃］＋３０［℃］                        （１）
を満たすように設定すればよいことが解った。このように設定すると、二次積層体の構造欠陥発生率を低減できる。
【００１９】
本発明の他の目的、構成及び利点については、添付図面を参照し、更に詳しく説明する。添付図面は単なる例示に過ぎない。
【００２０】
【発明の実施の形態】
図１は一枚のセラミックグリーンシートを示す斜視図である。セラミックグリーンシート１は、セラミック粉体、樹脂バインダ及び溶剤の混合ペーストにより形成される。樹脂バインダとしては、例えば、ポリメチルメタクリレート樹脂またはブチラール樹脂等を用いることができる。図示のセラミックグリーンシート１は、例えば、平面積２００ｍｍ×２００ｍｍ、厚さ２μｍのディメンションを持ち、一面に複数の電極膜２を形成してある。電極膜２の厚みは例えば、１μｍである。
【００２１】
図２は、図１に示したセラミックグリーンシートにより得られる一次積層体の断面図である。但し、図示の簡略化のため、セラミックグリーンシート１及び電極膜２の個数を減らしてある。図２に図示された一次積層体４１は、電極膜２を備えたセラミックグリーンシート１を積層して得られる。セラミックグリーンシート１の積層数は例えば、３００程度である。このようにして得られた一次積層体４１では、電極膜２の厚みに起因してセラミックグリーンシート１の間に空隙３１、３２を生じる。
【００２２】
図３は、本発明に係る積層セラミック電子部品の製造工程を示す断面図である。図示のように、一次積層体４１の積層方向に対向する２つの面をそれぞれ加圧面４１１及び受け面４１２として一次積層体４１を加圧する。この種の加圧処理は、一軸加圧処理と称される。一軸加圧処理を行うには、例えば、一次積層体４１の受け面４１２を下側として受け板５１上に一次積層体４１を載置する。更に、一次積層体４１の加圧面４１１に加圧板５４を押し付け、加圧板５４を介して一次積層体４１の加圧面４１１に圧力Ｆ１を加えればよい。加えられる圧力Ｆ１の方向は一次積層体４１の積層方向である。圧力Ｆ１の具体的数値は、例えば、５〜１０００kg/cm2である。図３に示した工程により、一次積層体４１を構成する複数のセラミックグリーンシート１は互いに圧着され、一体化された一次積層体４１（図４参照）が得られる。
【００２３】
上述のように一次積層体４１をその積層方向に加圧（一軸加圧処理）すると、一次積層体４１は、その積層方向に圧縮されるが、内部電極２の周辺の部分Ａ１、Ａ２では、空隙３１、３２（図２参照）に起因して密度があまり高まらない。
【００２４】
図３に示した工程の後、図４に示すように圧力Ｆ１が解放されると、受け板５１上の一次積層体４１は、電極膜２を有する部分Ａ３が上方に膨張する。図３、図４において、比較のため、圧縮時の一次積層体４１の厚みを参照符号ｈ２で示してある。
【００２５】
図５は、図３に示した工程の後の工程を示す断面図である。図示のように、複数の一次積層体４１、４２を積層して二次積層体４５を構成する。但し、一次積層体４２は、上述した一次積層体４１と同様な工程（図１、図２参照）を経て形成され、更に加圧処理（図３参照）を施されたものである。この加圧処理では、一次積層体４２の積層方向に対向する２つの面をそれぞれ加圧面４２１及び受け面４２２としてある。
【００２６】
図５に示した積層工程においては、隣り合う一次積層体４１、４２は、受け面４１２、４２２が互いに接するように積層される。図示と異なり、隣り合う一次積層体の加圧面同士が互いに接するように積層してもよい。
【００２７】
また、図示の積層工程では、２つの一次積層体４１、４２を積層しているが、図示と異なり、３つ以上の一次積層体を積層してもよい。
【００２８】
図６は、図５に示した工程の後の工程を示す断面図である。図示のように、積層された二次積層体４５に一軸加圧処理を施す。この一軸加圧処理の圧力Ｆ２は、図３に示した一軸加圧処理の圧力Ｆ１よりも高く設定すればよい。圧力Ｆ２の具体的数値は、例えば、１００〜１０００kg/cm2である。図６に示した工程により、二次積層体４５を構成する複数の一次積層体４１、４２は互いに圧着され、一体化された二次積層体４５（図７参照）が得られる。
【００２９】
図８〜図１０は、図６に示した工程の後の工程を示す断面図である。図６に示した工程の後、二次積層体４５に静水圧加圧処理を行う。静水圧加圧処理を行うにあたり、まず、図８に示すように、フィルム状の袋６に二次積層体４５を挿入し、真空吸引を行う。これにより、図９に示す真空包装体が得られる。図９に示すように、真空包装体を構成する袋６は、真空吸引により、二次積層体４５に密着しており、真空包装体の内部に空間は形成されていない。
【００３０】
次に、図１０に示すように、二次積層体４５に静水圧加圧処理を行う。図示するように、静水圧加圧処理は、２つの密閉型金型５７、５８を用いて行なわれる。金型５７、５８は、加圧媒体となる液体９を収納する受け金型５７と、加圧金型５８とで構成される。図９に示した真空包装体を、受け金型５７内の液体９と共に挿置し、加圧金型５８で加圧する。これにより、真空包装体に対して、全方向から静水圧Ｆ３が加わり、等方向加圧成形が実行される。静水圧Ｆ３の具体的数値は、例えば、１０００〜５０００kg/cm2である。静水圧加圧処理に用いられる液体９は、非圧縮性の液体であればよく、必ずしも水に限定されない。例えば、オイル等でもよい。
【００３１】
上述した静水圧加圧処理を行なった後、真空包装体から二次積層体４５を取り出し、二次積層体４５に対して、切断、焼成工程等を施す。これにより電子部品が製造される。静水圧加圧処理を施した以降の工程は周知であるので、説明は省略する。
【００３２】
上述したように、本発明に係る積層セラミック電子部品の製造方法においては、まず、図２、図３に示すように、導体膜２を備えたセラミックグリーンシート１を積層して得られた一次積層体４１について、その積層方向に対向する２つの面をそれぞれ加圧面４１１及び受け面４１２とし、一次積層体４１を加圧する。
【００３３】
次に、図５、図６に示すように、隣り合う一次積層体４１、４２の受け面４１２、４２２が互いに接するように、一次積層体４１、４２を積層する。従って、一次積層体４１、４２についてその積層方向で見た密度分布が非対称となっていても、この積層工程により得られる二次積層体４５は、密度分布の非対称性が緩和される。このため、図８〜図１０に示すように二次積層体４５に静水圧加圧処理を施しても、静水圧加圧処理による二次積層体の反りは低減する。
【００３４】
しかも、大きな反りを生じさせることなしに二次積層体４５に静水圧加圧処理を施すことができるから、静水圧加圧処理の有効利用が可能となり、多層の積層セラミック電子部品を、高い製造歩留まりで製造することができる。
【００３５】
図８〜図１０に示すように、二次積層体４５に静水圧加圧処理を施すと、二次積層体４５は静水圧Ｆ３により等方加圧され、二次積層体４５内における加圧されにくい部分、例えば、導体膜２の周辺の部分Ａ４、Ａ５等も加圧される。このため、通常の一軸加圧処理を用いたときと比較して、導体膜２の周辺の部分Ａ４、Ａ５におけるセラミックグリーンシート１の積層状態の乱れが低減し、焼成後の二次積層体４５の構造欠陥（デラミネーション、クラック等）が防止される。
【００３６】
図５、図６に示した例では、隣り合う一次積層体４１、４２の受け面４１２、４２２が互いに接するように、一次積層体４１、４２を積層した場合を示しているが、これと異なり、隣り合う一次積層体の加圧面同士が互いに接するように、一次積層体を積層した場合でも、同様の作用及び効果が得られる。
【００３７】
＜実験１＞
図１１は、本発明に含まれる実施例１の積層セラミック電子部品の実験結果、及び、本発明に含まれない比較例１、２の積層セラミック電子部品の実験結果を示す図である。
【００３８】
＜実施例１＞
まず、図１、図２に示したように、導体膜を備えたセラミックグリーンシートを積層して一次積層体を得た。一次積層体の積層数（単位積層数）は、１５０、２００、２５０、３００、３５０、４００、４５０、５００、５５０、６００とした。
【００３９】
更に、図３に示した工程に従い、これらの一次積層体をそれぞれ加圧した。加圧は、一次積層体の積層方向に対向する２つの面をそれぞれ加圧面及び受け面となるように行った。加圧の圧力は、７５０kg/cm2とした。
【００４０】
次に、図５に示した工程に従い、一次積層体を積層して二次積層体を得た。具体的には、積層数１５０、２００、２５０、３００、３５０、４００、４５０、５００、５５０、６００の一次積層体を、２層積層して、二次積層体の総積層数を、３００、４００、５００、６００、７００、８００、９００、１０００、１１００、１２００とした。一次積層体を積層する際には、隣り合う一次積層体の受け面同士が互いに接するようにした。
【００４１】
その次に、図６に示した工程に従い、二次積層体に一軸加圧処理を施した。一軸加圧処理の加圧圧力は、２００kg/cm2とした。
【００４２】
その次に、図８〜図１０に示した工程に従い、二次積層体に静水圧加圧処理を施した。静水圧加圧処理の静水圧は、３０００kg/cm2とし、静水圧加圧処理温度Ｔ２は１５℃とした。更に、二次積層体に切断、焼成工程等を施し、総積層数３００〜１２００の積層セラミックチップコンデンサを得た。また、一層の厚み及び電極膜の厚みが２μｍ、１μｍとなるようにした。
【００４３】
上述した実施例１の積層セラミックチップコンデンサは、総積層数３００、４００、・・・、１２００ごとに５００サンプル作製した。
【００４４】
＜比較例１＞
実施例１と同様に、導体膜を備えたセラミックグリーンシートを積層して一次積層体を得た。一次積層体の積層数（総積層数）は、３００、４００、５００、６００、７００、８００、９００、１０００、１１００、１２００とした。更に、これらの一次積層体にそれぞれ一軸加圧処理を施した。一軸加圧処理の圧力は、１５００kg/cm2とした。
【００４５】
次に、これらの一次積層体にそれぞれ切断、焼成工程等を施し、総積層数３００〜１２００の積層セラミックチップコンデンサを得た。また、一層の厚み及び電極膜の厚みが２μｍ、１μｍとなるようにした。
【００４６】
上述した比較例１の積層セラミックチップコンデンサも、総積層数３００、４００、・・・、１２００ごとに５００サンプル作製した。
【００４７】
＜比較例２＞
実施例１と同様に、導体膜を備えたセラミックグリーンシートを積層して一次積層体を得た。一次積層体の積層数（単位積層数）は、５０、１００とした。更に、実施例１と同様に、これらの一次積層体をそれぞれ加圧した。加圧は、一次積層体の積層方向に対向する２つの面をそれぞれ加圧面及び受け面となるように行った。
【００４８】
次に、一次積層体を積層して二次積層体を得た。具体的には、積層数５０の一次積層体を、６、８、１０、１２または１４層積層して、二次積層体の総積層数を、３００、４００、５００、６００、７００とした。また、積層数１００の一次積層体を、８、９、１０、１１または１２層積層して、二次積層体の総積層数を、８００、９００、１０００、１１００または１２００とした。
【００４９】
この比較例２の特徴は、一次積層体を積層する際に、隣り合う一次積層体のうち、一方の加圧面と、他方の受け面とが互いに接するようにしたことである。その後の工程は、実施例１と同様であるので説明を省略する。
【００５０】
上述した比較例２の積層セラミックチップコンデンサも、総積層数３００、４００、・・・、１２００ごとに５００サンプル作製した。
【００５１】
＜実験１の結果＞
比較例１の積層セラミックチップコンデンサでは、総積層数が４００となると、構造欠陥発生率が１０％を越え、総積層数が６００以上では構造欠陥発生率が１００％となった。また、比較例２の積層セラミックチップコンデンサでは、総積層数が４００を越えると、構造欠陥発生率が急激に増大し、総積層数が７００以上では構造欠陥発生率が１００％となった。
【００５２】
これに対し、実施例１では、総積層数４００〜１２００のそれぞれについて、構造欠陥発生率が比較例１、２よりも大幅に低くなった。これは、総積層数４００以上（４００〜１２００）の多層の積層セラミックチップコンデンサを、高い製造歩留まりで製造できたことを意味する。
【００５３】
また、実施例１では、二次積層体を例えば、４００層以上に多層化したので、二次積層体の厚み寸法が増大して機械的強度が増大した。従って、二次積層体に支持基板を組み合わせずに、例えば、３０００kg/cm2といった高い静水圧を加圧することが可能となり、上述した高い静水圧が、二次積層体の全面に加圧された。このため、二次積層体の構造欠陥を更に低減できた。
【００５４】
＜静水圧加圧処理の静水圧加圧処理温度＞
静水圧加圧処理の静水圧加圧処理温度Ｔ２は、構造欠陥発生率に大きな影響を与える。実験によると、セラミックグリーンシートに含まれる樹脂バインダのガラス転移点をＴ１としたとき、静水圧加圧処理温度Ｔ２は、次の式
Ｔ２［℃］≦Ｔ１［℃］＋３０［℃］                        （１）
を満たすように設定すればよいことが解った。次に、この点について、次の実験２により具体的に説明する。
【００５５】
＜実験２＞
図１２は、静水圧加圧処理温度を変化させたときの実験結果を示す図である。この実験では、セラミックグリーンシートに含まれる樹脂バインダとして、ブチラール樹脂を用いた。一般に、ブチラール樹脂またはポリメチルメタクリレート樹脂等のポリマーは、同じ名称であっても、製造法または重合度等により異なるガラス転移点を示す。例えば、ブチラール樹脂の場合、５５℃〜９０℃のガラス転移点を示す。この実験で樹脂バインダとして用いられたブチラール樹脂は、ガラス転移点Ｔ１が７５℃のものである。
【００５６】
また、実施例１に示した積層セラミックチップコンデンサの製造において、静水圧処理温度Ｔ２を１５、５０、７５、１０５、１５０℃とした。静水圧加圧処理温度Ｔ２は、加圧媒体となる液体の温度と解釈できる。何れの静水圧処理温度Ｔ２（１５、５０、７５、１０５、１５０℃）についても、総積層数３００、４００、・・・、１２００ごとに５００サンプルの積層セラミックチップコンデンサを作製した。
【００５７】
上述した樹脂バインダのガラス転移点Ｔ１＝７５℃を、上掲式（１）に代入すると、静水圧加圧処理温度Ｔ２の好ましい設定範囲は次の通りになる。
Ｔ２［℃］≦１０５［℃］                                  （２）
図１３は、図１２に図示した実験結果から、総積層数が８００のときの実験結果を抜き出してグラフ化したものである。図１３を参照し、総積層数が８００のときの実験結果を、代表的に説明する。
【００５８】
静水圧加圧処理温度Ｔ２が１０５℃以下に設定され、式（２）を満たしていると、構造欠陥発生率はおよそ一定の範囲（４％〜８％）内に収まっている。これに対し、静水圧加圧処理温度Ｔ２が１０５℃を越え、式（２）を満たさなくなると、構造欠陥発生率は急激に増大し、１００％に達している。即ち、静水圧加圧処理温度Ｔ２＝１０５℃の付近に、構造欠陥発生率に関する臨界点が存在するものと見ることができる。
【００５９】
図１２のデータを参照すると、他の総積層数３００〜７００、９００〜１２００についても同様な構造欠陥発生率の傾向が見られる。同一の総積層数について、静水圧加圧処理温度Ｔ２が１０５℃以下に設定され、式（２）を満たしていると、構造欠陥発生率は、およそ一定の範囲内に収まる。これに対し、静水圧加圧処理温度Ｔ２が１０５℃を越え、式（２）を満たさなくなると、構造欠陥発生率は急激に増大する。
【００６０】
このような実験結果の理由は、次のように推測される。式（２）を満たすように静水圧加圧処理温度Ｔ２を適度に高く設定すると、セラミックグリーンシートに含まれる樹脂バインダが柔らかくなり、セラミックグリーンシートと導体膜との境界面が十分に加圧されるようになる。このため、構造欠陥発生率を低減することができる。
【００６１】
これに対し、静水圧加圧処理温度Ｔ２が更に高くなり、式（２）を満たさなくなると、樹脂バインダが柔らかくなりすぎて、二次積層体が変形する。このため、その後の切断工程で歩留まりが悪くなる。更に、二次積層体に含まれている溶剤がガス化し、これに起因してデラミネーション等の構造欠陥が発生する。
【００６２】
更に、図１３のデータは、同一総積層数では、静水圧加圧処理温度Ｔ２が７５℃で構造欠陥発生率が最低となり、静水圧加圧処理温度Ｔ２が７５℃よりも高くなっても、低くなっても、構造欠陥発生率が高くなる傾向を示している。静水圧加圧処理温度Ｔ２が高くなる方向の上限値は、式（１）に示した通りである。
【００６３】
下限値としては、
Ｔ２［℃］≧Ｔ１［℃］−６０［℃］                        （３）
を満たすことが好ましい。
【００６４】
樹脂バインダのガラス転移点Ｔ１＝７５℃を、上掲式（３）に代入すると、静水圧加圧処理温度Ｔ２の下限値は次の通りになる。
Ｔ２［℃］≧１５［℃］                                    （４）
式（４）に示すように静水圧加圧処理温度Ｔ２の下限値を１５℃に設定すると、下限値１５℃の構造欠陥発生率を、上限値１０５℃の構造欠陥発生率と同程度に抑えることができる。
【００６５】
以上、積層セラミック電子部品の一例として積層コンデンサに本発明を適用した場合を説明した。当業者であれば、他の積層セラミック電子部品、例えば、積層インダクタ、積層アルミナ基板、積層バリスタまたは積層圧電（電歪）素子にも本発明を適用することができ、同様の作用及び効果を得ることができる。
【００６６】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、次のような効果が得られる。
（ａ）静水圧加圧処理による二次積層体の反りを低減し得る積層セラミック電子部品の製造方法を提供することができる。
（ｂ）例えば、４００層以上の多層の積層セラミック電子部品を、高い製造歩留まりで製造する基礎を与え得る積層セラミック電子部品の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】一枚のセラミックグリーンシートを示す斜視図である。
【図２】図１に示したセラミックグリーンシートにより得られる一次積層体の断面図である。
【図３】本発明に係る積層セラミック電子部品の製造工程を示す断面図である。
【図４】図３に示した工程の後の状態を示す断面図である。
【図５】図３に示した工程の後の工程を示す断面図である。
【図６】図５に示した工程の後の工程を示す断面図である。
【図７】図３〜図６に示した工程により得られる二次積層体の断面図である。
【図８】図６に示した工程の後の工程を示す１つの断面図である。
【図９】図６に示した工程の後の工程を示すもう１つの断面図である。
【図１０】図６に示した工程の後の工程を示す更にもう１つの断面図である。
【図１１】本発明に含まれる実施例１の積層セラミック電子部品の実験結果、及び、本発明に含まれない比較例１、２の積層セラミック電子部品の実験結果を示す図である。
【図１２】静水圧加圧処理温度を変化させたときの実験結果を示す図である。
【図１３】図１２に図示した実験結果から、総積層数が８００のときの実験結果を抜き出してグラフ化したものである。
【符号の説明】
１                    セラミックグリーンシート
２                    導体膜
４１、４２            一次積層体
４５                  二次積層体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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