(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板をエッチングする装置であって、
容器と、
上記容器内に配置されている基板支持体と、
上記基板支持体に取り付けられている回転アクチュエータと、
上記容器内に配置され、上記基板支持体上に配置されている基板の周縁部分にエッチング液を送給する流体送給アセンブリであって、傾斜した１又はそれ以上ノズルを備えた流体送給アセンブリと、
上記容器内に配置され、リフトプラットフォームと該リフトプラットフォームから半径方向に延びる複数のアームとを備えた、基板リフトアセンブリと、
を備えていることを特徴とする装置。
【請求項２】
上記基板支持体は、真空チャックを備えていることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
上記傾斜した１又はそれ以上のノズルが、上記基板の周縁部分に対して０度乃至４５度の入射角により上記エッチング液を送給する、ことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項４】
上記傾斜した１又はそれ以上のノズルが１又はそれ以上の垂直に整列されたノズル対を備えていることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項５】
上記流体送給アセンブリは、エッチング液の源と、脱イオン水の源との間に選択的に接続されることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項６】
上記傾斜した１又はそれ以上のノズルが、エッチング液の源に接続可能な第１の組のノズル、及び、脱イオン水の源に接続可能な第２の組のノズルを備えていることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項７】
ｅ）上記容器内に配置され、脱イオン水を上記基板の中心部分に送給する脱イオン水ノズル、
を更に備えていることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項８】
上記基板リフトアセンブリは、上記アームの先端に配置されている複数のクリップを備えていることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項９】
基板をエッチングする方法であって、
リフトプラットフォームと該リフトプラットフォームから半径方向に延びる複数のアームとを備えた回転可能な基板支持体を用いて、基板を回転させるステップと、
傾斜した１又はそれ以上のノズルを有する流体送給アセンブリを用いて、上記基板の周縁部分にエッチング液を送給するステップと、
エッチング後に上記基板に洗浄剤を送給するステップと、
上記基板をスピン乾燥させるステップと、
を含んでいることを特徴とする方法。
【請求項１０】
上記基板は、100ｒｐｍ乃至1000ｒｐｍで回転させることを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
上記エッチング液は、上記基板の周縁部分に実質的に接線方向に送給されることを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
上記エッチング液は、基板の表面から０°乃至45°の入射角で送給されることを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
上記エッチング液は、上記基板の前側及び裏側に送給されることを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
上記基板の中心部分に脱イオン水を送給するステップ、
を更に含んでいることを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１５】
上記傾斜した１又はそれ以上のノズルが、上記基板の周縁部分に対して１０度乃至３０度の入射角により上記エッチング液を送給する、請求項１に記載の装置。
【請求項１６】
上記傾斜した１又はそれ以上のノズルが、上記基板の周縁部分に対して１０度乃至３０度の入射角により上記エッチング液を送給する、請求項１２に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電気・化学堆積、または電気めっき装置に関する。より詳しく述べれば、本発明は、基板の周縁部分から堆積物を除去するための装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
サブクォーターミクロン多レベル金属化は、次世代の超大規模集積（ＵＬＳＩ）にとってキー技術の１つである。この技術の中核をなしている多レベル相互接続は、高アスペクト比の開口内に形成されているコンタクト、バイア、ライン、その他の特色を含む相互接続特色を平面化する必要がある。これらの相互接続特色を信頼できるように形成させることは、ＵＬＳＩの成功にとって、及び個々の基板及びダイス上の回路密度を増加させ、品質を向上させる絶えざる努力にとって極めて重要である。
【０００３】
回路密度が増加し、バイア、コンタクトその他の特色、並びにそれらの間の誘電体材料の幅が250ナノメートル以下に減少する一方で、誘電体層の厚みは実質的に一定に保たれているために、特色のアスペクト比、即ちそれらの高さを幅で除した値は増加してきている。物理蒸着（ＰＶＤ）及び化学蒸着（ＣＶＤ）のような多くの伝統的な堆積プロセスでは、４：１を越える、特にそれが10：１を越えるようなアスペクト比の構造を充填するのは困難であった。従って、現在も、高アスペクト比（特色の高さと特色の幅の比が４：１またはそれ以上であることができる）を有し、ボイドの無いナノメートルサイズの特色を形成させるべく、多大な努力が払われている。更に、特色の幅が減少しているにも拘わらず、デバイスの電流は一定か、もしくは増加しており、そのために特色内の電流密度が増加してきている。
【０００４】
アルミニウムは固有電気抵抗が低く、二酸化シリコン（ＳiＯ2）への付着が優れ、パターン化が容易であり、そしてそれを高度に純粋な形で入手できることから、半導体処理においてライン及びプラグを形成させるために使用される金属は伝統的に元素アルミニウム（Ａl）及びその合金であった。しかしながら、アルミニウムは、銅のような他のより導電性の金属よりも固有電気抵抗が高く、またアルミニウムは電気移動を受けて導体内にボイドを形成し易い。
【０００５】
銅及びその合金はアルミニウムよりも抵抗率が低く、エレクトロマイグレーション抵抗はアルミニウムと比較してかなり高い。これらの特性は、集積レベルを高くし、デバイス速度を増加させた場合に経験する大きい電流密度を支えるために重要である。また銅は良好な熱伝導率を有しており、高純度状態で入手可能である。従って、半導体基板上のサブクォーターミクロンで高アスペクト比の相互接続特色を充填するための金属として、銅が選択され始めている。
【０００６】
半導体デバイスの製造にとって銅を使用することが望ましいにも拘わらず、0.35μ（または、それ以下）幅のバイアを有し、４：１のような極めて高いアスペクト比の特色内に銅を堆積させるための製造方法の選択は制限されている。これらのプロセスが制限されている結果として、従来は回路基板上のラインの製造に制限されていためっきが、半導体デバイス上のバイア及びコンタクトを充填するために使用され始めてきた。
【０００７】
金属電気めっきは公知であり、いろいろな技術によって達成することができる。典型的な方法は、特色表面の上にバリヤー層を物理蒸着させるステップと、このバリヤー層の上に導電性金属シード層（好ましくは銅）を物理蒸着させるステップと、このシード層の上に導電性金属を電気めっきして構造／特色を充填するステップとからなる。最後に、堆積された層及び誘電体層を、化学・機械研磨（ＣＭＰ）による等で平面化し、導電性相互接続特色を限定する。
【０００８】
図１は、コンタクトピンを組み込んだ典型的な噴流（ファウンテン）めっき装置１０の簡易断面図である。一般的に噴流めっき装置１０は、トップ開口を有する電解液容器１２と、電解液容器１２上に配置されている基板ホールダ１４と、電解液容器１２の底部分に配置されている陽極１６と、基板２２と接触するコンタクトリング２０とを含んでいる。基板ホールダ１４の下面には複数の溝２４が形成されている。真空ポンプ（図示してない）が基板ホールダ１４に結合され、溝２４と通じていて、処理中に基板ホールダ２４に基板２２を確保することができる真空状態を発生する。コンタクトリング２０は、基板２２の周縁部分の周りに分布する複数の金属または半金属コンタクトピン２６を含んでいて、基板中央のめっき表面を限定している。これらの複数のコンタクトピン２６は、半径方向内向きに基板２２の狭い周縁部分の上に伸び、コンタクトピン２６のチップが基板２２の導電性シード層に接触する。電源（図示してない）がピン２６に接続され、それによって基板２２を電気的にバイアスする。基板２２は円筒形電解液容器１２の上に位置決めされ、セル１０の動作中に電解液の流れを基板めっき表面に直角に衝突させるようになっている。
【０００９】
現在の電気めっきプロセスが当面している１つの特定の問題は、電気めっきプロセス中にシード層のエッジが過剰量の堆積を受けることであり、これは典型的にエッジビードと呼ばれている。図２は、ウェーハ３０のあるエッジの断面図であって、シード層３４のエッジ３２における過剰堆積物３６を示している。図２に示すように、ウェーハ３０はその上に堆積されたシード層３２を有しており、電気めっき層３８はこのシード層３４の上に電気・化学的に堆積されている。シード層３４のエッジ３２が受ける電流密度は残余のシード層３４よりも高く、シード層３４のエッジ３２における堆積レートが高くなることが解っている。シード層３４のエッジ３２における機械的応力も残余のシード層よりも高く、シード層のエッジにおける堆積がウェーハ３０のエッジを上方へ、そして遠去かるように引っ張る。過剰堆積物３６は、典型的には、ＣＭＰプロセスによって除去される。しかしながら、ＣＭＰプロセス中に、ウェーハのエッジにおける過剰堆積物が典型的にはシード層のエッジから剥がれ落ち、ウェーハの隣接部分を破損させる恐れがある。破砕金属もウェーハ上に形成されたデバイスを破損させる恐れがある。従って、適切に形成されるデバイスの数が減少し、形成されるデバイス当たりのコストが増加することになる。
【００１０】
従って、ウェーハのエッジにおける過剰堆積物を除去する装置に対する要望が存在している。好ましくは、この装置は、ウェーハ表面上に形成されたデバイスを破損させることなく、ウェーハのエッジにおける過剰堆積物を除去する。この装置が、ウェーハから過剰堆積物を除去した後に、スピン・洗浄・乾燥プロセスのようなウェーハ洗浄プロセスを遂行するようになっていることも望ましい。
【００１１】
【発明の概要】
本発明は、一般的にはウェーハのエッジにおける堆積物を除去する装置及び方法を提供する。本発明による装置は、ウェーハ表面上に形成されたデバイスを破損させることなくウェーハのエッジにおける堆積物を除去する。
【００１２】
本発明の１つの面は基板をエッチングする装置を提供し、本装置は、容器、容器内に配置されている基板支持体、基板支持体に取付けられている回転アクチュエータ、及び容器内に配置され、基板支持体上に配置されている基板の周縁部分にエッチング液を送給する流体送給アセンブリを備えている。好ましくは、基板支持体は真空チャックを備え、流体送給アセンブリは１つまたはそれ以上のノズルを含んでいる。
【００１３】
本発明の別の面は基板をエッチングする方法を提供し、本方法は、回転可能な基板支持体上に位置決めされている基板を回転させるステップ、及び基板の周縁部分にエッチング液を送給するステップを含む。好ましくは、基板を約100ｒｐｍ乃至約1000ｒｐｍで回転させ、エッチング液は基板の周縁部分に実質的に接線方向に、且つ基板の表面から約０°乃至約45°の入射角で送給する。
【００１４】
本発明の別の面はウェーハのエッジにおける堆積物を除去する装置を提供し、本装置は、ウェーハから過剰堆積物を除去した後に、スピン・洗浄・乾燥プロセスのようなウェーハ洗浄プロセスを遂行するようになっている。本装置は、容器、容器内に配置されている基板支持体、基板支持体に取付けられている回転アクチュエータ、及び容器内に配置され、基板支持体上に配置されている基板の周縁部分にエッチング液を、また基板の表面に脱イオン水のような洗浄用流体を選択的に送給する流体送給アセンブリを備えている。
【００１５】
本発明の上述した特徴、長所、及び目的を詳細に理解するために、以上に概要説明した本発明を、以下に添付図面に基づいてその実施の形態に関して詳細に説明する。
【００１６】
しかしながら、添付図面は単に本発明の典型的な実施の形態を示しているに過ぎず、本発明は他の同じような実施の形態にも適用できることから、本発明の範囲を限定する意図はないことを理解されたい。
【００１７】
図３は、本発明のエッジビード除去（ＥＢＲ）モジュールの側断面図であって、基板のエッジから過剰堆積物を除去するために処理位置内に配置されている基板を示している。ＥＢＲモジュール１００は独立型ユニットであることも、電気・化学堆積システムまたは他の堆積システムの一成分として配置することもできる。ＥＢＲモジュール１００は、容器１０２、ウェーハホールダアセンブリ１０４、及び流体／薬品送給アセンブリ１０６を備えている。容器１０２は、好ましくは、円筒形側壁１０８、中心開口１１２を有する容器底１１０、及び中心開口１１２の周縁エッジから上方に伸びる上向き内壁１１４を含む。流体出口１１６が容器底１１０に接続されていて、ＥＢＲモジュール１００からの使用済みの流体及び薬品の排出を容易にしている。
【００１８】
ウェーハホールダアセンブリ１０４が中心開口１１２の上に配置されており、中心開口１１２を通って伸びているリフトアセンブリ１１８及び回転アセンブリ１２０を含んでいる。リフトアセンブリ１１８は、好ましくは、当分野においては公知で、市販されているベローズ型リフト、または親ねじステッパモータ型リフトアセンブリからなる。リフトアセンブリ１１８は、いろいろな垂直位置の間でウェーハホールダアセンブリ１０４上のウェーハ１２２の転送及び位置決めを容易にする。回転アセンブリ１２０は、好ましくは、リフトアセンブリの下に取付けられている回転モータからなる。回転アセンブリ１２０は、エッジビード除去プロセス中にウェーハ１２２を回転させる。
【００１９】
ウェーハホールダアセンブリ１０４は、好ましくは、ウェーハ１２２をウェーハの裏側から確保し、ウェーハエッジ１２６を妨害しない真空チャック１２４を備えている。好ましくは、圧縮可能なＯリングのような環状シール１２８を真空チャック表面の周縁部分に配置し、エッジビード除去プロセス中に使用される流体及び薬品から真空チャック１２４をシールする。ウェーハホールダアセンブリ１０４は、好ましくは、転送ロボットのロボットアームからウェーハホールダアセンブリ１０４上までウェーハの転送を容易にする。ウェーハリフト１３０は、図３に示すように、スピン・洗浄・乾燥プロセス中にウェーハを確保するためにも使用されるスパイダクリップアセンブリを備えている。スパイダクリップアセンブリは、環状ベース１３６から伸びる複数のアーム１３４、及びアーム１３４の先端にピボット可能に配置されているスパイダクリップ１３８を備えている。環状ベース１３６は、上向き内壁１１４と重なり合うように下向きに伸びる壁２３７を含み、これらの壁は処理中に、使用される流体を容器１０２の内側に閉じ込める。スパイダクリップ１３８は、ウェーハを受入れる上面、ウェーハを締付けるクランプ部分１４２、及びウェーハホールダアセンブリが回転した時に遠心力によりクランプ部分１４２をウェーハのエッジに係合させる下側部分１４４を含んでいる。代替として、ウェーハリフト１３０は、真空チャックボディ内の、または該ボディの周りのリフトプラットフォームまたはリフトリング上に配置されている１組のリフトピンまたはリフトフープのような、いろいろなウェーハ処理装置内で共通使用されるウェーハリフトからなる。
【００２０】
流体／薬品送給アセンブリ１０６は、１つまたはそれ以上のディスペンスアーム１５２上に配置されている１つまたはそれ以上のノズル１５０を備えている。ディスペンスアーム１５２は、容器の側壁１０８を通って伸び、アクチュエータ１５４に取付けられている。アクチュエータ１５４は伸縮して、基板１２２の上のノズル１５０の位置を変化させる。伸張可能なディスペンスアーム１５２を使用したことによって、ノズルは、ノズルがウェーハの上をウェーハの内側部分からウェーハのエッジを指し示すように位置決めすることができ、ウェーハエッジへのエッチング液／流体の送給の制御を強化することができる。代替として、ディスペンスアーム１５２を容器の側壁１０８に固定的に取付け、容器１０２内のウェーハの垂直運動を妨害しないようにノズル１５０をディスペンスアームの適所に確保する。
【００２１】
好ましくは、ディスペンスアーム１５２は、ディスペンスアームを通って伸びていてノズル１５０をエッチング液の源に接続するための１つまたはそれ以上の導管を含む。堆積した金属を基板から除去するためのいろいろなエッチング液が知られており、硝酸その他の酸が市販されている。代替として、ノズル１５０は、ディスペンスアーム１５２内の導管を通って配置されている柔軟な管１５６を通して接続される。好ましくは、ノズル１５０は、流体／薬品をそれぞれウェーハの上側エッジ表面及び下側エッジ表面に送給するために、ウェーハの上及び下の位置に対にされた配列で配置されている。ノズル１５０は、脱イオン水の源１６０及びエッチング液の源１６２のような１つまたはそれ以上の薬品／流体の源に選択的に接続することができ、コンピュータ制御装置１６４は、所望のプログラムに従って１つまたはそれ以上の流体／薬品の源の間で接続を切り替える。代替として、第１の組のノズルを脱イオン水の源に接続し、第２の組のノズルをエッチング液の源に接続して、これらのノズルを選択的に作動させて流体をウェーハに送給する。
【００２２】
好ましくは、ノズル１５０は、流体をウェーハの周縁部分付近に実質的に接線方向に送給するような角度に配置する。図４は、ＥＢＲモジュールの概要上面図であって、エッジビード除去のためのノズル位置の１つの実施の形態を示している。図示のように、３つのノズル１５０が容器の側壁１０８の内面の周りに実質的に等間隔に配置されている。各ノズル１５０は、ウェーハのエッジ部分に流体を供給するように配列されており、処理位置と転送位置との間でウェーハが垂直に運動できるような十分な間隔が得られるように位置決めされている。好ましくは、流体の送給またはスプレーパターンは、流体の送給を選択されたエッジ除外範囲に制限するように、ノズルの形状及び流体の圧力によって制御する。例えばエッチング液は、３ｍｍのエッジ除外を達成するために、ウェーハの外側３ｍｍの環状部分に制限する。ノズルは、エッチング液がウェーハと接触する際のエッチング液の跳ね返りを制御するために、エッチング液をウェーハの表面に対してある入射角で供給するように位置決めされている。図５は、処理中のウェーハ１２２に対して配置されているノズル１５０の側面図である。好ましくは、ウェーハに対するエッチング液の入射角αは約０°乃至約45°であり、より好ましくは約10°乃至約30°である。
【００２３】
ウェーハ１２２は、ウェーハの周縁部分がエッチング液に実質的に平等に露出されるように、エッジビード除去プロセス中に回転させる。好ましくは、制御されたエッジビード除去を容易にするために、ウェーハ１２２はエッチング液スプレーパターンの方向と同一方向に回転させる。例えば、図４に示すように、ウェーハは、反時計方向のスプレーパターンに対応して反時計方向（矢印Ａ）に回転させる。ウェーハは、好ましくは約100ｒｐｍ乃至約1000ｒｐｍで、より好ましくは約500ｒｐｍ乃至約700ｒｐｍで回転させる。実効エッチングレート（即ち、除去される銅の量を、除去に要した時間で除した値）は、エッチング液のエッチングレート、ウェーハエッジに接触するエッチング液の速度、エッチング液の温度、及びウェーハの回転速度の関数である。これらのパラメタは、特定の所望結果を達成するために変化させることができる。
【００２４】
動作を説明する。ウェーハ１２２が、ＥＢＲモジュール１００のウェーハホールダアセンブリ１０４上に位置決めされ、ウェーハリフト１３０が、ウェーハを転送ロボットブレードから持ち上げる。ロボットブレードが後退し、ウェーハリフト１３０はウェーハを真空チャック１２４上に降下させる。真空システムが作動してウェーハを真空チャック１２４上に確保し、ウェーハホールダアセンブリ１０４はその上に配置されているウェーハと共に回転し、ノズル１５０がエッチング液をウェーハ１２２の周縁部分上に送給する。このエッチングプロセスは、ウェーハエッジ上の過剰堆積物（即ち、エッジビード）を除去するのに十分な所定の時間にわたって遂行される。ウェーハは、好ましくは、スピン・洗浄・乾燥プロセスにおいて脱イオン水を使用してきれいにする。スピン・洗浄・乾燥プロセスは、典型的には、脱イオン水をウェーハに送給してウェーハから残留エッチング液を洗浄し、ウェーハを高速でスピンさせて水を乾燥させることを含む。エッジビード除去プロセス及びスピン・洗浄・乾燥プロセスの後に、熱焼鈍処理その他のウェーハ処理のような他の処理のための準備を整えるために、ウェーハをＥＢＲモジュール１００から転送する。
【００２５】
図６は、混合エッジビード／スピン・洗浄・乾燥（ＥＢＲ／ＳＲＤ）モジュールの断面図であって、垂直方向に離間している流体入口の間の処理位置に基板がある状態を示している。本発明のこの実施の形態は、エッジビード除去（ＥＢＲ）プロセス及びスピン・洗浄・乾燥（ＳＲＤ）プロセスの両方に有用である。ＥＢＲ／ＳＲＤモジュール２００の成分は、上述したＥＢＲモジュール１００の成分と同じであり、同一の成分には同一の番号を付してある。ＥＢＲモジュール１００の成分に加えて、ＥＢＲ／ＳＲＤモジュール２００は、ウェーハの下の位置に、好ましくはノズル１５０の位置に対応して垂直に整列させた付加的な組の下側ノズル１７０を備えている。下側ノズル１７０は、脱イオン水の源１６０とエッチング液の源１６２とに選択的に接続され、ノズル１７０によって送給される流体は制御装置１６４によって制御される。好ましくは、ノズル１７０は流体をウェーハの裏側の周縁部分へ送給するように向けられている。下側ノズル１７０は、好ましくはウェーハリフト１３０の運動を妨げない位置に配置する。下側ノズル１７０は、ノズル１７０を所望の位置に位置決めするように伸縮するアーム１７６を通してアクチュエータ１７４にも取付けられている。代替として、処理中に下側ノズル１７０を妨害しないように、ウェーハリフト１３０は回転しない。ＥＢＲ／ＳＲＤモジュール２００は、好ましくは、ウェーハの上面の中心部分に脱イオン水を送給するように配置されている専用脱イオン水ノズル１７２を更に含む。
【００２６】
動作を説明する。ノズル１５０及び１７０は、ウェーハの上面及び下面を含むウェーハの周縁部分にエッチング液を送給してエッジビード除去プロセスを遂行する。好ましくは、エッジビード除去プロセス中に脱イオン水ノズル１７２は脱イオン水をウェーハの中心部分に送給し、ウェーハ表面の中心部分へ跳ね返ったエッチング液による意図しないエッチングを防ぐ。スピン・洗浄・乾燥プロセスの場合には、ウェーハを回転させ、好ましくは全てのノズル１５０、１７０、及び１７２が脱イオン水を送給してウェーハを洗浄させる。ウェーハを洗浄した後にウェーハをスピンさせて乾燥させ、さらなる処理のためにＥＢＲ／ＳＲＤモジュール２００から転送する。
【００２７】
以上に本発明の好ましい実施の形態を説明したが、本発明の範囲から逸脱することなく本発明の他の、及びさらなる実施の形態を考案することが可能であり、従って本発明は特許請求の範囲によってのみ限定されることを理解されたい。
【図面の簡単な説明】
【図１】コンタクトピンを組み込んだ典型的な簡易噴流めっき装置１０の断面図である。
【図２】ウェーハ３０のエッジの断面図であって、シード層３４のエッジ３２の過剰堆積物３６を示す図である。
【図３】本発明のエッジビード除去（ＥＢＲ）モジュールの側断面図であって、基板のエッジから過剰堆積物を除去するために処理位置に配置されている基板を示す図である。
【図４】ＥＢＲモジュールの概要上面図であり、エッジビード除去のためのノズル位置の１つの実施の形態を示す図である。
【図５】処理中のウェーハ１２２に対して配置されているノズル１５０の側面図である。
【図６】混合エッジビード除去／スピン・洗浄・乾燥（ＥＲＢ／ＳＲＤ）モジュールの断面図であって、垂直に離間している流体入口の間の処理位置にある基板を示す図である。
【符号の説明】
１０  噴流めっき装置
１２  電解液容器
１４  基板ホールダ
１６  陽極
２０  コンタクトリング
２２  基板
２４  溝
２６  コンタクトピン
３０  ウェーハ
３２  エッジ
３４  シード層
３６  過剰堆積物
３８  電気めっき層
１００  ＥＢＲモジュール
１０２  容器
１０４  ウェーハホールダアセンブリ
１０６  流体／薬品送給アセンブリ
１０８  容器側壁
１１０  容器底
１１２  中心開口
１１４  上向き内壁
１１６  流体出口
１１８  リフトアセンブリ
１２０  回転アセンブリ
１２２  ウェーハ
１２４  真空チャック
１２６  ウェーハエッジ
１２８  環状シール
１３０  ウェーハリフト
１３４  アーム
１３６  環状ベース
１３７  下向き壁
１３８  スパイダクリップ
１４２  クランプ部分
１４４  下側部分
１５０  ノズル
１５２  ディスペンスアーム
１５４  アクチュエータ
１６０  脱イオン水の源
１６２  エッチング液の源
１６４  コンピュータ制御装置
１７０  下側ノズル
１７２  脱イオン水ノズル
１７４  アクチュエータ
１７６  アーム
２００  ＥＢＲ／ＳＲＤモジュール
【図１】
0004603136.tif 000002
【図２】
0004603136.tif 000003
【図３】
0004603136.tif 000004
【図４】
0004603136.tif 000005
【図５】
0004603136.tif 000006
【図６】
0004603136.tif 000007