(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
低誘電率の膜を堆積する方法であって、
基板の表面上に過酸化物化合物を堆積するステップと、
前記堆積された過酸化物化合物を不安定な有機原子団及びケイ素含有化合物または混合物と反応させるステップと、
酸化ケイ素基体の膜を形成するように前記基板をアニールするステップと
を含み、それによって分散されたボイドが前記酸化ケイ素基体の膜内に形成される、方法。
【請求項２】
前記不安定な有機原子団含有化合物または混合物は、ホルミルオキシ（ＣＨ（Ｏ）−Ｏ−）、グリオキシリル（ＣＨ（Ｏ）−ＣＯ−Ｏ−）、または、ホルミルカルボニルジオキシ
（ＣＨ（Ｏ）−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−）基を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記不安定な有機原子団含有化合物または混合物は、ビス（ホルミルオキシシラノ）メタン、ビス（グリオキシリルシラノ）メタン、ビス（ホルミルカルボニルジオキシシラノ）メタン、２，２−ビス（ホルミルオキシシラノ）プロパン、１，２−ビス（ホルミルオキシシラノ）エタン、１，２−ビス（グリオキシリルシラノ）エタン、そのフッ素化炭素架橋誘導体、および、その組合せの群から選択される化合物を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記不安定な有機原子団含有化合物または混合物は、更に、無水マレイン酸メチル、３−ホルミルオキシ−２，５−フランジオン、グリシドアルデヒド、オキシラニルグリオキサレート、炭酸ジオキシラニル、ジオキシラニルメソクサレート、および、無水グリシド酸から成る群から選択される非ケイ素成分を含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記分散されたボイドは、少なくとも４００℃の最終温度までの漸次の上昇を含む温度プロファイルで前記基板をアニールすることによって形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記不安定な有機原子団含有化合物または混合物は、非平面の環状構造を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
低誘電率の膜を基板上のパターン化された金属層上に堆積する方法であって、
コンフォーマルなライナー層を前記パターン化金属層上にひとつ以上の反応性ケイ素含有化合物を含むプロセスガスから堆積するステップと、
過酸化物化合物を前記コンフォーマルライナー層上に堆積するステップと、
前記堆積された過酸化物化合物を酸素を含むひとつ以上の不安定な有機原子団及びケイ素含有化合物または混合物と反応させるステップと、
酸化ケイ素基体の膜を形成するよう前記基板をアニールするステップと
を含み、それによって分散されたボイドが前記酸化ケイ素基体の膜内に形成される、方法。
【請求項８】
前記酸素を含むひとつ以上の不安定な有機原子団含有化合物または混合物は、ビス（ホルミルオキシシラノ）メタン、ビス（グリオキシリルシラノ）メタン、ビス（ホルミルカルボニルジオキシシラノ）メタン、２，２−ビス（ホルミルオキシシラノ）プロパン、１，２−ビス（ホルミルオキシシラノ）エタン、１，２−ビス（グリオキシリルシラノ）エタン、そのフッ素化炭素架橋誘導体、および、その組合せの群から選択される化合物を含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記酸素を含むひとつ以上の不安定な有機原子団含有化合物または混合物は、更に、無水マレイン酸メチル、３−ホルミルオキシ−２，５−フランジオン、グリシドアルデヒド、オキシラニルグリオキサレート、炭酸ジオキシラニル、ジオキシラニルメソクサレート、および、無水グリシド酸の群から選択される非ケイ素成分を含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
キャップ層を前記酸化ケイ素基体の膜上に前記ひとつ以上の反応性ケイ素含有化合物を含むプロセスガスから堆積するステップを更に含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
前記分散されたボイドは、少なくとも４００℃の最終温度まで次第に上昇する温度プロファイルを使用して前記基板をアニールすることによって形成される、請求項７に記載の方法。
【請求項１２】
前記酸素を含むひとつ以上の不安定な有機原子団含有化合物または混合物は、非平面の環状構造を有する、請求項７に記載の方法。
【請求項１３】
デュアルダマシン構造を形成する方法であって、
基板上に過酸化物化合物を堆積するステップと、
前記堆積された過酸化物化合物を不安定な有機原子団及びケイ素含有化合物または混合物と反応させるステップと、
第１酸化ケイ素基体の膜を形成するように前記基板をアニールし、該アニールによって分散されたボイドを前記第１酸化ケイ素基体の膜内に形成するステップと、
前記第１酸化ケイ素基体の膜上に低ｋエッチストップを堆積するステップと、
前記第１酸化ケイ素基体の膜を露出させる垂直な相互接続開口部を画成するよう前記低ｋエッチストップをエッチングするステップと、
前記低ｋエッチストップおよび前記露出された第１酸化ケイ素基体の膜の上に前記過酸化物化合物を堆積するステップと、
前記堆積された過酸化物化合物を前記不安定な有機原子団含有化合物または混合物と反応させるステップと、
第２酸化ケイ素基体の膜を形成するように前記基板をアニールし、該アニールによって分散されたボイドを前記第２酸化ケイ素基体の膜内に形成するステップと、
前記低ｋエッチストップ内の前記垂直な相互接続開口部を露出させる水平の相互接続を画成するよう前記第２酸化ケイ素基体の膜をエッチングするステップと、
垂直な相互接続を画成するよう前記垂直な相互接続開口部を通し前記第１酸化ケイ素基体の膜をエッチングするステップと
を含む、方法。
【請求項１４】
前記第１および前記第２酸化ケイ素基体の膜は、少なくとも４００℃の最終温度まで次第に上昇する温度プロファイルを使用して前記基板をアニールすることによって形成される分散された顕微鏡的なボイドを備える、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記不安定な有機原子団含有化合物または混合物は、ひとつ以上のケイ素−水素ボンドを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記基板の表面上に前記過酸化物化合物を堆積するステップ前に、前記基板上にコンフォーマルなライナー層を堆積するステップを更に備える、請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
前記酸素を含むひとつ以上の不安定な有機原子団含有化合物または混合物は、ひとつ以上のケイ素−水素ボンドを更に備える、請求項７に記載の方法。
【請求項１８】
低誘電率の膜を堆積する方法であって、
基板の表面上に過酸化物化合物を堆積するステップと、
前記堆積された過酸化物化合物を水素化ケイ素含有化合物または混合物と反応させるステップと、
酸化ケイ素基体の膜を形成するように前記基板をアニールするステップと
を含み、それによって分散されたボイドが前記酸化ケイ素基体の膜内に形成され、
前記水素化ケイ素含有化合物または混合物が、ホルミルオキシ（ＣＨ（Ｏ）−Ｏ−）、グリオキシリル（ＣＨ（Ｏ）−ＣＯ−Ｏ−）、または、ホルミルカルボニルジオキシ（ＣＨ（Ｏ）−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−）基を含む、方法。
【請求項１９】
低誘電率の膜を堆積する方法であって、
基板の表面上に過酸化物化合物を堆積するステップと、
前記堆積された過酸化物化合物を水素化ケイ素含有化合物または混合物と反応させるステップと、
酸化ケイ素基体の膜を形成するように前記基板をアニールするステップと
を含み、それによって分散されたボイドが前記酸化ケイ素基体の膜内に形成され、
前記水素化ケイ素含有化合物または混合物が、
シラン、メチルシラン、ジメチルシラン、ジシラノメタン、ビス（メチルシラノ）メタン、１，２−ジシラノエタン、１，２−ビス（メチルシラノ）エタン、２，２−ジシラノプロパン、１，３，５−トリシラノシクロヘキサン、シクロ−１，３，５，７−テトラシラノ−２，６−ジオキシ−４，８−ジメチレン、１，３−ジメチル−ジシロキサン、１，３−ビス（シラノメチレン）ジシロキサン、ビス（１−メチルジシロキサニル）メタン、および、２，２−ビス（１−メチルジシロキサニル）プロパン、および、そのフッ素化炭素誘導体から成る群から選択されるケイ素化合物と、
無水マレイン酸メチル、３−ホルミルオキシ−２，５−フランジオン、グリシドアルデヒド、オキシラニルグリオキサレート、炭酸ジオキシラニル、ジオキシラニルメソクサレート、および、無水グリシド酸から成る群から選択される非ケイ素成分と、
を含む、方法。
【請求項２０】
低誘電率の膜を堆積する方法であって、
基板の表面上に過酸化物化合物を堆積するステップと、
前記堆積された過酸化物化合物を水素化ケイ素含有化合物または混合物と反応させるステップと、
酸化ケイ素基体の膜を形成するように前記基板をアニールするステップと
を含み、それによって分散されたボイドが前記酸化ケイ素基体の膜内に形成され、
前記水素化ケイ素含有化合物または混合物は、１，３，５−トリシラノシクロヘキサン、シクロ−１，３，５，７−テトラシラノ−２，６−ジオキシ−４，８−ジメチレン、ビス（ホルミルオキシシラノ）メタン、またはビス（グリオキシリルシラノ）メタン、または、そのフッ素化炭素架橋誘導体を含む、方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、集積回路の製造に関する。より詳細には、本発明は、基板上に誘電体層を堆積するプロセスおよび装置に関する。
【０００２】
【発明の背景】
現代の半導体デバイスの製造における主要なステップのひとつは、ガスの化学反応による基板上への金属および誘電体の膜の形成である。そのような堆積プロセスは、化学的気相堆積法つまりＣＶＤと称せられる。従来の熱ＣＶＤプロセスは、基板表面へ反応性ガスを供給し、そこで、熱誘導による化学反応が起こり所望の膜を作出する。幾つかの熱ＣＶＤプロセスが動作する高温度は、基板上に既に形成された層を有するデバイス構造を損傷する可能性がある。比較的低温度で金属および誘電体の膜を堆積する好ましい方法は、プラズマ強化ＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）技術であり、例えば、米国特許第５，３６２，５２６号、発明の名称「酸化ケイ素を堆積するためにＴＥＯＳを使用するプラズマ強化ＣＶＤプロセス」に記述され、それは本明細書に引用して組込まれる。プラズマ強化ＣＶＤ技術は、基板表面近くの反応区域への高周波（ＲＦ）エネルギーの印加によって反応性ガスの励起および／または解離を促進し、それによって高度に反応性の核種のプラズマを創出する。解離された核種の高い反応性は、生起する化学反応のために必要とされるエネルギーを低減し、従って、そのようなＰＥＣＶＤプロセスのために必要な温度を低下させる。
【０００３】
半導体デバイスの形状寸法は、そのようなデバイスが最初に導入された数十年前以来、劇的にサイズを縮小してきた。以来、集積回路は一般的に２年／半分サイズの法則（ムーアの法則と呼ばれることが多い）に従い、それは、チップ上に実装されるデバイスの数が２年毎に２倍になることを意味する。現在の製造設備は、定常的に０．３５μｍおよび０．２５μｍのフィーチャサイズさえ有するデバイスを生産しており、将来の設備は間もなく更に小さい形状寸法を持つデバイスを生産しているであろう。
【０００４】
集積回路上のデバイスのサイズを更に縮小するために、隣接する金属配線間の静電容量結合を低減するよう、低固有抵抗を有する導電性材料および低ｋ（誘電率＜４．０）を有する絶縁材を使用することが必要になっている。裏打／バリア層が、国際公開ＷＯ９４／０１８８５に記載されるように導電性材料上に対する水分等の副生成物の拡散を阻止するよう導電性材料および絶縁材間に使用された。例えば、低ｋ誘電体の形成中に生成され得る水分は、導電性金属の表面へ容易に拡散し、導電性金属表面の固有抵抗を増大させる。従来の酸化ケイ素または窒化ケイ素材料から形成されるバリア／ライナー層は、副生成物の拡散を阻止できる。しかし、バリア／ライナー層は、普通には４．０より著しく大きい誘電率を有し、この高い誘電率が、誘電率を著しく低減できない複合の絶縁体を結果として生じる。
【０００５】
図１Ａは、国際公開特許ＷＯ９４／０１８８５に記載されるようなバリア／ライナー層を堆積するためのＰＥＣＶＤプロセスを示す。ＰＥＣＶＤプロセスは、多数構成要素の誘電体層を堆積し、ここで、二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）ライナー層２が、最初に、基板４上に形成された金属配線３を有するパターン化された金属層上に堆積される。ライナー層２は、３００℃でシラン（ＳｉＨ4）および亜酸化窒素（Ｎ2Ｏ）のプラズマ強化反応によって堆積される。自己平坦化低ｋ誘電体層５が、次に、２００℃より下の温度でシラン化合物および過酸化物化合物の熱反応によってライナー層２上に堆積される。自己平坦化層５は水分を保有し、それはアニールによって除去される。ライナー層２は酸化されたシラン膜であり、少なくとも４．５の誘電率を提供する様式で堆積される場合、効果的なバリア特性を有する。酸化されたシラン膜の誘電率は、膜の水分バリア特性を減少する様式にプロセス条件を改変することによって約４．１へ減少することができる。ＳｉＮのような従来のライナー層は、更に大きい誘電率を有し、高ｋの誘電体ライナー層と低ｋ誘電体層の複合は、総合的な積重ね誘電率および静電容量結合で殆どまたは全く改善を提供しない。
【０００６】
図１Ｂに示すように、ＷＯ９４／０１８８５は、更にオプションのＳｉＯ2キャップ層６を記述し、それはシランとＮ2Ｏとの反応によって低ｋ誘電体層５上に堆積される。キャップ層６も酸化されたシラン膜であり、約４．５の誘電率を提供する様式で堆積される場合、良好なバリア特性を有する。ライナー層２およびキャップ層６の両方は４．５より大きい誘電率を有し、高誘電率層は、低ｋ誘電体層５の利益を実質的に減ずる。
【０００７】
デバイスが小さくなるのに従い、高誘電率を有するライナー層およびキャップ層は、多数構成要素誘電体層の総合的誘電率へより多く寄与する。その上に、既知の低ｋ誘電体材料は、一般的に、酸化物含有量が少なく、それはこの材料をバイアおよび／または相互接続配線のエッチング中のエッチストップ層として不適切にする。窒化ケイ素が、低ｋ誘電体材料内に相互接続配線を作成するための選り抜きのエッチストップ材料であった。しかし、窒化ケイ素は、周囲の低ｋ誘電体層と比べて比較的高い誘電率（約７の誘電率）を有する。窒化ケイ素は、それ以外では低ｋ誘電体材料が主体絶縁体として使用される場合でさえ、相互接続配線間の静電容量結合を著しく増大させ得ることも発見された。これは、デバイスの総合的性能を劣化させるクロストークおよび／または抵抗−容量（ＲＣ）遅延を引起こする可能性がある。従って、窒化ケイ素エッチストップ層は、普通には、下にある誘電体層のエッチングの後に除去される。
【０００８】
理想的には、ライナー層としての使用のための良好なバリア特性およびエッチストップとしての使用のための十分な酸化物含有量の両方を有する低ｋ誘電体層が識別されて、既存の低ｋ誘電体材料と同じチャンバで堆積され得よう。そのようなバリア層なら誘電体層の総合的誘電率を増大させないだろうし、そのようなエッチストップ層なら下地層をエッチングした後に除去されなくてもよいであろう。
【０００９】
米国特許第５，５５４，５７０号は、熱ＣＶＤ酸化ケイ素との使用のためのバリア層を記述し、そこでは、Ｃ−Ｈ基あるいは原子団 (group) を有する有機シランが、シランの代りに酸化され、堆積された膜の密度を高め、層間密着性を改善する。例えば、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）およびオゾンから作出される熱ＣＶＤ層が、有機シランおよびＮ2ＯまたはＯ2から作出されるＰＥＣＶＤ酸化ケイ素膜間に堆積できる。
【００１０】
'５７０特許に記述されたバリア層は、好ましくは、炭素含有量の低い高密度の酸化ケイ素層である。高密度層は、低周波数ＲＦ電力が膜応力を改善すると主張されるとは言え、高周波数ＲＦ電力の４００Ｗを使用して堆積される。バリア層は、好ましくは、アルコキシシランまたは塩素化アルキルシランおよびＮ2Ｏから作出され、層の炭素含有量を低減し、密度を高める。
【００１１】
'５７０特許は、低誘電率を有するバリア層を作成するための、または、酸化物含有量の多いエッチストップ層を作成するためのプロセス条件を認定しない。また、'５７０特許は、上記層の、低ｋ誘電体層に隣接するバリア層としての、またはエッチストップとしての使用を示唆しない。
【００１２】
サブミクロンデバイスにおけるバリア層またはエッチストップ層として使用するための、低誘電率と、良好なバリア特性と、高酸化物含有量とを有する誘電体層に対するニーズが依然としてある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明は、低誘電率を有するナノの多孔性酸化ケイ素層を堆積するための方法および装置を提供する。ナノ多孔性酸化ケイ素層は、ケイ素／酸素含有材料で更に熱的に不安定な有機基あるいは原子団 (group) を含有する可能性がある。材料を堆積することによって、および、酸化ケイ素層に均一に分散される顕微鏡的なガスポケットを形成するよう堆積されたケイ素／酸素含有材料の制御されたアニールによって作出される。顕微鏡的なガスポケットの酸化ケイ素層に対する相対的容積は、低誘電率をもたらす閉じた気泡構造を維持するよう制御される。ケイ素／酸素材料は、基板の表面上へ過酸化物化合物を凝縮することによって、および、堆積された過酸化物化合物を水素化されたケイ素を含有する反応性化合物または混合物と接触させることによって化学的気相堆積される。不安定な有機原子団が反応性化合物または混合物内にある場合、不安定な有機原子団は、堆積された酸化ケイ素層がアニールされる際に、ガス状生成物へ変換するのに十分な酸素を含有する。
【００１４】
制御されたアニール下でナノ多孔性酸化ケイ素基体の層を形成する水素化されたケイ素を含有する反応性化合物または混合物は、シラン、メチルシラン、ジメチルシラン、ジシラノメタン、ビス（メチルシラノ）メタン、１，３，５−トリシラノシクロヘキサン、シクロ−１，３，５，７−テトラシラノ−２，６−ジオキシ−４，８−ジメチレン、１，３−ビス（シラノメチレン）シロキサン、および、１，２−ジシラノテトラフルオロエタン、および、その組合せを含む。１，３，５−トリシラノシクロヘキサンおよびシクロ−１，３，５，７−テトラシラノ−２，６−ジオキシ−４，８−ジメチレンを使用するボイドの形成は、その非平面の環状構造のために強化される。
【００１５】
ケイ素および熱的に不安定な有機原子団を含む、反応性化合物または混合物は、ビス（ホルミルオキシシラノ）メタン、ビス（グリオキシリルシラノ）メタン、ビス（ホルミルカルボニルジオキシシラノ）メタン、２，２−ビス（ホルミルオキシシラノ）プロパン、１，２−ビス（ホルミルオキシシラノ）エタン、１，２−ビス（グリオキシリルシラノ）エタン、および、その混合物を含む。そのような化合物は、過酸化水素と反応して不安定な有機原子団の多くを保有するゲル状のケイ素／酸素含有材料を形成する。不安定な有機原子団の量は、無水マレイン酸メチル、３−ホルミルオキシ−２，５−フランジオン、グリシドアルデヒド、オキシラニルグリオキサレート、炭酸ジオキシラニル、ジオキシラニルメソクサレート、および無水グリシド酸、等のひとつ以上の不安定な有機原子団を含むケイ素非含有成分と反応性化合物を混合することによって増大され得る。代替として、ケイ素非含有成分は、シラン、メチルシラン、ジメチルシラン、ジシラノメタン、ビス（メチルシラノ）メタン、１，３，５−トリシラノシクロヘキサン、シクロ−１，３，５，７−テトラシラノ−２，６−ジオキシ−４，８−ジメチレン、１，３−ビス（シラノメチレン）シロキサン、および、１，２−ジシラノテトラフルオロエタン等の、不安定な有機原子団を含有しない反応性ケイ素含有材料と混合され得る。
【００１６】
堆積されたケイ素／酸素含有材料は、好ましくは、次第に増大する温度プロファイルでアニールされることにより、不安定な有機原子団を閉じた気泡構造に起因する低誘電率を有するナノ多孔性酸化ケイ素層内に分散されたガスポケットへ変換する。アニールは、好ましくは、堆積された材料の温度を約４００℃以上へ増大する。
【００１７】
好ましい隙間充填の実施の形態では、本発明のナノ多孔性酸化ケイ素層は、好ましくは低レベルの一定またはパルス化ＲＦ電力を使用して、ひとつ以上の反応性ケイ素含有化合物と亜酸化窒素とのプラズマ援助反応によってパターン化された金属層上に堆積された酸化ケイ素バリア層上に堆積される。次に、ナノ多孔性酸化ケイ素層は、同じチャンバ内でＲＦ電力無しで堆積される。上記で説明したアニールの後に、ナノ多孔性酸化ケイ素層は、オプションで同じチャンバ内で低レベルの一定またはパルス化ＲＦ電力を使用して有機シランおよび／または有機シロキサン化合物と亜酸化窒素との更なる反応によってキャップされる。ライナー層およびキャップ層は、ナノ多孔性酸化ケイ素層を保護するバリアとして働く。
【００１８】
本発明は、更に、酸化ケイ素または窒化ケイ素等の従来のエッチストップ上に堆積されるナノ多孔性酸化ケイ素層を含む金属間誘電体材料（ＩＭＤ）を提供する。酸化ケイ素も薄い接着層として堆積できる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
上述した本発明の特徴、利点、および目的が達成される様式が詳細に理解され得るように、上記で簡単に概要された、本発明のより詳細な説明が、付属する図面に図解されるその実施の形態を参照して得られる。
【００２０】
しかし、本発明は他の同等に効果的な実施の形態を許容する可能性があるので、付属図面は、本発明の典型的な実施の形態だけを図解し、それ故にその範囲を限定するとは考えられないことに注目されたい。本発明の更に理解するために、詳細な説明を参照されたい。
【００２１】
本発明は、低誘電率を有するナノ多孔性酸化ケイ素層を堆積するための方法および装置を提供する。ナノ多孔性酸化ケイ素層は、オプションで熱的に不安定な有機原子団を含有するケイ素／酸素含有材料を堆積することによって、および、酸化ケイ素層内に均一に分散される顕微鏡的なガスポケットを形成するよう堆積されたケイ素／酸素含有材料の制御されたアニールによって作出される。顕微鏡的なガスポケットの酸化ケイ素に対する相対的容積は、アニール後に低誘電率および低透過性を提供する閉じた気泡構造を維持するよう制御される。ナノ多孔性酸化ケイ素層は、約３．０より小さい誘電率を有するであろう。
【００２２】
有機シランおよび有機シロキサン化合物は、一般的に、次の構造を含む：
【００２３】
【式１】
0004558206.tif 000002
【００２４】
ここで、各Ｓｉは少なくとも２つの水素原子へ結合され、ひとつまたは２つの炭素原子へ結合され得る、そして、Ｃは、有機原子団、好ましくは、−ＣＨ3、−ＣＨ2−ＣＨ3、−ＣＨ2−、または、−ＣＨ2−ＣＨ2−、または、そのフッ素化された炭素誘導体、等のアルキル基またはアルケニル基に含まれる。有機シランまたは有機シロキサン化合物は２つ以上のＳｉ原子を含み、各Ｓｉが別のＳｉと−Ｏ−、−Ｃ−、または−Ｃ−Ｃ−によって分離される場合、各架橋するＣは、有機原子団、好ましくは、−ＣＨ2−、−ＣＨ2−ＣＨ2−、−ＣＨ（ＣＨ3）−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、または、そのフッ素化された炭素誘導体などのアルキル基またはアルケニル基に含まれる。好ましい有機シランおよび有機シロキサン化合物は、室温近くで気体または液体であり、約１０Ｔｏｒｒより上で気化され得る。好ましい有機シランおよび有機シロキサンは以下を含む：
【００２５】
【式２】
0004558206.tif 000003
【００２６】
および、１，２−ジシラノテトラフルオロエタン、等のそのフッ素化炭素誘導体。有機シランおよび有機シロキサンでの炭化水素原子団は、部分的または完全にフッ素化されてＣ−Ｈ結合をＣ−Ｆ結合へ変換する可能性がある。好ましい有機シランおよび有機シロキサン化合物の多くは、市販で入手可能である。有機シランまたは有機シロキサンの２つ以上の組合せは、誘電率、酸化物含有量、疎水性、膜応力、および、プラズマエッチング特性、等の所望の性質の混和を提供するよう採用され得る。
【００２７】
ケイ素／酸素材料は、基板の表面上へ過酸化水素等の過酸化物化合物を凝縮することによって、および、堆積された過酸化物化合物を水素化ケイ素原子団およびオプションで熱的に不安定な有機原子団含む反応性化合物または混合物と接触させることによって化学的気相堆積される。１，３，５−トリシラノシクロヘキサンおよびシクロ−１，３，５，７−テトラシラノ−２，６−ジオキシ−４，８−ジメチレン等の幾つかの化合物を使用するボイドの形成は、その非平面の環状構造のおかげで不安定な原子団を追加することなくアニール中に達成される。熱的に不安定な有機原子団は、酸化ケイ素層がアニールされる際に、ガス状生成物を形成することに十分な酸素を含有する。好ましい不安定な原子団は、ホルミルオキシ（ＣＨ（Ｏ）−Ｏ−）、グリオキシリル（ＣＨ（Ｏ）−ＣＯ−Ｏ−）、および、ホルミルカルボニルジオキシ（ＣＨ（Ｏ）−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−）を含む。
【００２８】
水素化ケイ素および熱的に不安定な有機原子団を含む反応性化合物は以下を含む：
【００２９】
【式３】
0004558206.tif 000004
【００３０】
そのような化合物は、過酸化水素と反応して、約４０℃より下の温度で不安定な有機原子団の多くを保有するゲル状のケイ素／酸素含有材料を形成する。堆積されたケイ素／酸素含有材料内に保有される不安定な有機原子団の量は、ひとつ以上の不安定な有機原子団を含むケイ素非含有成分と反応性化合物を混合することによって増大され得る。不安定な有機原子団は、ケイ素含有反応性化合物に対して記述したホルミルオキシ（ＣＨ（Ｏ）−Ｏ−）、グリオキシリル（ＣＨ（Ｏ）−ＣＯ−Ｏ−）、およびホルミルカルボニルジオキシ（ＣＨ（Ｏ）−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−）基、および、他の酸素含有有機原子団を含む。好ましいケイ素非含有化合物は、以下を含む：
【００３１】
【式４】
0004558206.tif 000005
【００３２】
代替として、ケイ素非含有成分が、以下のような不安定な有機原子団を含有しない反応性ケイ素含有材料と混合され得る：
【００３３】
【式５】
0004558206.tif 000006
【００３４】
および、そのフッ素化炭素誘導体。
【００３５】
堆積されたケイ素／酸素含有材料は、好ましくは、次第に高まる温度でアニールされることにより、不安定な有機原子団を閉じた気泡構造に起因する低誘電率を有するナノ多孔性酸化ケイ素層に分散されたガスポケットへ変換する。
【００３６】
好ましい隙間充填の実施の形態では、本発明のナノ多孔性酸化ケイ素層は、好ましくは低レベルの一定またはパルス化ＲＦ電力を使用して、ひとつ以上の反応性ケイ素含有化合物と亜酸化窒素とのプラズマ援助反応によって、パターン化された金属層上に堆積された酸化ケイ素バリア層上に堆積される。反応性ケイ素化合物は、好ましくは、シランおよび上記でシランと共に一覧表にした他の化合物である。次に、ナノ多孔性酸化ケイ素層は、同じ多数チャンバのクラスタされたＣＶＤシステム内でＲＦ電力無しで堆積され、増大する温度プロファイルを使用して、オプションで約４００℃まで加熱される。ナノ多孔性酸化ケイ素層は、オプションで、バリア層を堆積することに使用された同じチャンバ内で低レベルの一定またはパルス化ＲＦ電力を使用して反応性ケイ素化合物と亜酸化窒素との更なる反応によってキャップされる。ライナー層およびキャップ層は、ナノ多孔性酸化ケイ素層を保護するバリアとして働く。
【００３７】
ライナー層およびキャップ層は、反応性ケイ素含有化合物のプラズマ援助酸化によって堆積され得る。好ましい反応性ケイ素含有化合物はジメチルシランであり、それは約１０から約２００Ｗまでの一定ＲＦ電力、または、約２０から約２００Ｗまでのパルス化ＲＦ電力を使用して堆積される。パルス化ＲＦ電力は、より高いピーク電力レベルで動作でき、低電力レベルで非パルス化ＲＦ電力と同じ合計電力入力を提供できる。ライナー層およびキャップ層に残留する炭素は、低誘電率およびバリア特性に寄与する。残留する炭素は、好ましくは、良好な水分バリアである疎水性の層を提供することに十分なＣ−ＨまたはＣ−Ｆ結合を含む。
【００３８】
反応性ケイ素含有化合物は、プラズマ支援反応によるライナー層およびキャップ層の堆積中に、亜酸化窒素（Ｎ2Ｏ）等の酸素含有化合物の分解によって堆積プロセス中に形成される酸素で酸化される。亜酸化窒素は、プラズマの援助なしでは反応せず、酸素−窒素結合は反応性ケイ素含有化合物での結合より低いエネルギーで容易に切断される。酸化された化合物は半導体基板のパターン化された層等の接触表面へ密着して堆積された膜を形成する。堆積膜は、減圧および約２００から約４５０℃まで、好ましくは約４００℃を超える温度でキュアおよびアニールされて膜のバリア特性を安定化する。堆積膜は、バリア特性を提供することに十分な炭素含有量を有する。炭素含有量は、好ましくは、Ｃ−ＨまたはＣ−Ｆ結合を含むことにより、卓越した水分バリアである疎水性の膜を提供する。
【００３９】
本発明は、更に、基板処理システムを提供し、それは、反応区域を含むプラズマ反応装置、基板を反応区域に位置決めするための基板ホルダ、および真空システムを有する。処理システムは、更に、真空チャンバの反応区域を反応剤ガスおよび不活性ガスの供給源へ接続するガス／液体分配システム、および、反応区域にプラズマを生成するためにガス分配システムへ結合されたＲＦ発生器を備える。処理システムは、更に、プラズマ反応装置、ガス分配システム、およびＲＦ発生器を制御するためのコンピュータを備えるコントローラ、および、コントローラへ結合されたメモリを備え、メモリは、有機シランまたは有機シロキサン化合物および酸化ガスのプラズマで低誘電率膜を堆積するプロセスステップを選択するためのコンピュータの読出可能なプログラムコードを含むコンピュータの使用可能な媒体を備える。
【００４０】
処理システムは、更に、ひとつの実施の形態で、酸化された有機シラン化合物のライナー層を堆積するステップ、異なる誘電体層を堆積するステップ、および、オプションで酸化された有機シラン化合物のキャップ層を堆積するステップのプロセスを選択するためのコンピュータの読出可能なプログラムコードを含むことができる。
【００４１】
本発明の更なる説明は、本発明のナノ多孔性酸化ケイ素層を堆積するための特定の装置へおよび好ましい隙間充填膜へ向けられる。
【００４２】
典型的なＣＶＤプラズマ反応装置
本発明の方法を実行できる適切なひとつのＣＶＤプラズマ反応装置を図２に示し、それは、高真空区域１５を有する平行プレート化学的気相堆積反応装置１０の縦断面図である。反応装置１０は、ガス分配マニホールド１１を含有し、それは、昇降モータ１４で上昇または降下される基板支持プレートつまりサセプタ１２上に載置する基板つまりウェーハ（図示せず）へマニホールドにある貫通した孔を通しプロセスガスを分散するためである。普通にはＴＥＯＳの液体噴射のために使用されるような、液体噴射システム（図示せず）も、液体反応剤を噴射するために用意され得る。好ましい液体噴射システムは、AMAT Gas Precision Liquid Injection System（ＧＰＬＩＳ）および AMAT Extended Precision Liquid Injection System（ＥＰＬＩＳ）、両者共 Applied Materials, Inc. から入手可能である、を含む。
【００４３】
反応装置１０は、抵抗加熱コイル（図示せず）または外部ランプ（図示せず）によってのように、プロセスガスおよび基板の加熱を含む。図２を参照すると、サセプタ１２が、支持ステム１３上に搭載され、それにより、サセプタ１２（および、サセプタ１２の上方表面上に支持されるウェーハ）は、下方のローディング／アンローディング位置とマニホールド１１に接近して隣接する上方の処理位置との間で制御可能に移動され得る。
【００４４】
サセプタ１２およびウェーハが処理位置１４にある場合、それらは、絶縁体１７およびマニホールドへのプロセスガス排気孔２４で取囲まれる。プロセス中、マニホールド１１へ注入されるガスは、ウェーハの表面にわたり半径方向へ均一に分配される。スロットル弁を有する真空ポンプ３２が、チャンバからのガスの排気レートを制御する。
【００４５】
マニホールド１１に達する前に、堆積およびキャリアガスは、混合システム１９内へガス配管１８を通し入力され、ここで混合され、次にマニホールド１１へ送られる。一般的に、プロセスガスの各々に対するプロセスガス供給管１８は、（ｉ）チャンバ内へのプロセスガスの流入を自動的または手動で遮断することに使用され得る安全遮断弁（図示せず）、および（ｉｉ）ガス供給管を通るガスの流量を測定する質量流量コントローラ（これも図示せず）を含む。有毒ガスがプロセスで使用される場合、幾つかの安全遮断弁が従来の構成で各ガス供給管に配置される。
【００４６】
反応装置１０で遂行される堆積プロセスは、冷却された基板ペデスタル上での非プラズマプロセスまたはプラズマ強化プロセスのいずれかであり得る。プラズマプロセスでは、制御されたプラズマが、普通には、ＲＦ電源２５から分配マニホールド１１へ（サセプタ１２を接地して）印加されるＲＦエネルギーによってウェーハに隣接して形成される。代替として、ＲＦ電力はサセプタ１２へ供給でき、または、ＲＦ電力は異なる構成要素へ異なる周波数で供給できる。ＲＦ電源２５は、単一周波数または混合周波数ＲＦ電力を供給でき、高真空区域１５内へ導入される反応性核種の分解を高める。混合周波数ＲＦ電源は、普通には、１３．５６ＭＨｚの高ＲＦ周波数（ＲＦ１）で分配マニホールド１１へ、および、３６０ｋＨｚの低ＲＦ周波数（ＲＦ２）でサセプタ１２へ電力を供給する。本発明の酸化ケイ素層は、最も好ましくは、低レベルまたはパルス化レベルの高周波数ＲＦ電力を使用して作出される。パルス化ＲＦ電力は、１３．５６ＭＨｚＲＦ電力を約２０から約２００Ｗで約１０から約３０％のデューティサイクル期間で供給する。非パルス化ＲＦ電力は、好ましくは、後に更に詳細に説明するように１３．５６ＭＨｚＲＦ電力を約１０から約１５０Ｗで供給する。低電力堆積は、好ましくは、約−２０から約４０℃の範囲の温度で起こる。好ましい温度範囲で、堆積された膜は、堆積中に部分的に重合され、重合は後の膜のキュア中に完了する。
【００４７】
普通には、チャンバライニング、ガス取入口マニホールド表面プレート、支持ステム１３、および種々の他の反応装置金属部品のいずれかまたは全ては、アルミニウムまたは陽極酸化アルミニウム等の材料で作成される。そのようなＣＶＤ反応装置の適例は、Wang 他へ発行され、本発明の譲受人 Applied Materials, Inc. へ譲渡された米国特許第５，０００，１１３号で、発明の名称「二酸化ケイ素の熱化学的気相堆積のための熱ＣＶＤ／ＰＥＣＶＤ反応装置および使用法およびインシトゥーの多段階平坦化プロセス」に記述されている。
【００４８】
昇降モータ１４は、サセプタ１２を処理位置と下方のウェーハローディング位置との間に上昇させ降下させる。モータ、ガス混合システム１９、およびＲＦ電源２５は、システムコントローラ３４によって制御配線３６を介して制御される。反応装置は、質量流量コントローラ（ＭＦＣｓ）および標準またはパルス化ＲＦ発生器等のアナログ組立体を含み、それらは、好ましい実施の形態ではハードディスクドライブであるメモリ３８内に格納されたシステム制御ソフトウエアを実行するシステムコントローラ３４によって制御される。モータおよび光センサが、真空ポンプ３２のスロットル弁およびサセプタ１２を位置決めするためのモータ等の可動機械的組立体の位置を移動し決定することに使用される。
【００４９】
システムコントローラ３４は、ＣＶＤ反応装置の全ての作動を制御し、コントローラ３４の好ましい実施の形態は、ハードディスクドライブ、フロッピディスクドライブ、およびカードラックを含む。カードラックは、単一ボードコンピュータ（ＳＢＣ）、アナログおよびデジタル入力／出力ボード、インタフェースボード、およびステッパモータコントローラボードを含有する。システムコントローラは、Versa Modular Europeans（ＶＭＥ）標準に準拠し、それは、ボード、カードケージ、およびコネクタの寸法および型式を規定する。ＶＭＥ標準は、１６ビットデータバスおよび２４ビットアドレスバスを有するバス構造も規定する。
【００５０】
システムコントローラ３４は、ハードディスクドライブ３８上に格納されたコンピュータプログラムの制御の下で動作する。コンピュータプログラムは、特定のプロセスのタイミング、ガスの混合、ＲＦ電力レベル、サセプタ位置、および、他のパラメータを指図する。ユーザとシステムコントローラとの間のインタフェースは、図３に図示するＣＲＴモニタ４０および光ペン４４経由である。好ましい実施の形態では、第２モニタ４２が使用され、第１モニタ４０は操作者用にクリーンルームの壁に、もう一方のモニタ４２はサービス技術者用に壁の裏に取付けられる。両モニタ４０、４２は、同時に同じ情報を表示するが、ひとつの光ペン４４だけが有効にされる。光ペン４４は、ＣＲＴディスプレイによって放射される光をペンの先端にある光センサで検出する。特定の画面または機能を選択するために、操作者は、ディスプレイ画面の指定領域に触れ、ペン４４上のボタンを押す。触れられた領域はその強調色を変更し、または、新規のメニュまたは画面が表示され、光ペンとディスプレイ画面との間の通信を確認する。
【００５１】
図４を参照すると、プロセスは、例えば、システムコントローラ３４上で実動するコンピュータプログラム製品４１０を使用して実施され得る。コンピュータプログラムコードは、例えば、６８０００アセンブリ言語、Ｃ、Ｃ＋＋、またはＰａｓｃａｌ等の従来のコンピュータの読出可能なプログラミング言語のいずれかで書かれ得る。適切なプログラムコードは、従来のテキストエディタを使用して単一ファイルまたは多数ファイルに入力され、コンピュータのメモリシステム等のコンピュータの使用可能な媒体に格納または内蔵される。入力されたコードテキストが高水準言語による場合、コードはコンパイルされ、結果のコンパイラコードは、次にコンパイル前のウインドウライブラリルーチンのオブジェクトコードとリンクされる。リンクされコンパイルされたオブジェクトコードを実行するために、システムユーザは、オブジェクトコードを発動し、コンピュータシステムにコードをメモリ内へロードさせ、そこからＣＰＵはコードを読出し実行し、プログラムに認定されたタスクを遂行する。
【００５２】
図４は、コンピュータプログラム４１０の階層的制御構造の例示のブロック図を示す。ユーザは、ＣＲＴモニタ４０上に表示されるメニューまたは画面に応答して光ペン４４インタフェースを使用することによって、プロセスセット番号およびプロセスチャンバ番号をプロセスセレクタサブルーチン４２０内へ入力する。プロセスセットは、特定のプロセスを執行することに必要な所定のセットのプロセスパラメータであり、所定のセット番号で認定される。プロセスセレクタサブルーチン４２０は、（ｉ）Centura（登録商標）プラットフォーム（Applied Materials, Inc. から入手可能）等のクラスタツール上の所望のプロセスチャンバを選択する、および（ｉｉ）所望のプロセスを遂行するためにプロセスチャンバを操作することに必要とされる所望のセットのプロセスパラメータを選択する。特定のプロセスを遂行するためのプロセスパラメータは、例えば、プロセスガスの組成と流量レート、温度、圧力、ＲＦバイアス電力レベルと磁界電力レベル等のプラズマ条件、冷却ガス圧力、およびチャンバ壁温度、等のプロセス条件に関係し、レシピの形式でユーザへ提供される。レシピで特定されるパラメータは、光ペン／ＣＲＴモニタインタフェースを利用して入力される。
【００５３】
プロセスを監視するための信号は、システムコントローラのアナログ入力およびデジタル入力ボードで供給され、プロセスを制御するための信号は、システムコントローラ３４のアナログ出力およびデジタル出力ボード上に出力される。
【００５４】
プロセスシーケンササブルーチン４３０は、プロセスセレクタサブルーチン４２０からの認定されたプロセスチャンバおよびセットのプロセスパラメータを受容するための、および、種々のプロセスチャンバの動作を制御するためのプログラムコードを含む。多数のユーザがプロセスセット番号およびプロセスチャンバ番号を入力でき、または、一人のユーザが多数のプロセスチャンバ番号を入力でき、それで、シーケンササブルーチン４３０は、選択されたプロセスを所望の順序で計画するよう動作する。好ましくは、シーケンササブルーチン４３０は、（ｉ）チャンバが使用されているかを決定するようプロセスチャンバの動作を監視するステップ、（ｉｉ）使用されているチャンバでどんなプロセスが執行されているかを決定するステップ、および（ｉｉｉ）プロセスチャンバの利用可能性および執行されるプロセスの種類に基づき所望のプロセスを実行するステップを遂行するためのコンピュータの読出可能なプログラムコードを含む。ポーリングのような、従来のプロセスチャンバを監視する方法が使用され得る。どのプロセスが実行されるべきかを計画する場合、シーケンササブルーチン４３０は、選択されたプロセスに対する所望のプロセス条件と比較して使用されているプロセスチャンバの現在の条件、または要求を入力した各特定のユーザの「年令」、またはシステムプログラマが計画優先度を決定するために含めることを希望するいずれか他の関連した要因を考慮に入れるよう設計され得る。
【００５５】
どのプロセスチャンバおよびプロセスセットの組合せが次に実行されることになるかをシーケンササブルーチン４３０が決定した後に、シーケンササブルーチン４３０は、シーケンササブルーチン４３０によって決定されたプロセスセットに従いプロセスチャンバ１０での多数のプロセスタスクを制御するチャンバマネージャサブルーチン４４０へ特定のプロセスセットパラメータを回送することによってプロセスセットを実行させる。例えば、チャンバマネージャサブルーチン４４０は、プロセスチャンバ１０でのＣＶＤプロセス操作を制御するためのプログラムコードを含む。チャンバマネージャサブルーチン４４０は、選択されたプロセスセットを執行することに必要なチャンバ構成要素の動作を制御する種々のチャンバ構成要素サブルーチンの実行も制御する。チャンバ構成要素サブルーチンの実施例は、サセプタ制御サブルーチン４５０、プロセスガス制御サブルーチン４６０、圧力制御サブルーチン４７０、加熱器制御サブルーチン４８０、およびプラズマ制御サブルーチン４９０である。この技術で通常の習熟を有する者は、他のチャンバ制御サブルーチンが反応装置１０で遂行される所望のプロセスに依存して含まれ得ることを容易に認識するであろう。
【００５６】
動作中、チャンバマネージャサブルーチン４４０は、実行される特定のプロセスセットに従いプロセス構成要素サブルーチンを選択的に計画するつまり呼出す。チャンバマネージャサブルーチン４４０は、シーケンササブルーチン４３０が次に実行されるプロセスチャンバ１０およびプロセスセットを計画するやり方と同様にプロセス構成要素サブルーチンを計画する。普通には、チャンバマネージャサブルーチン４４０は、種々のチャンバ構成要素を監視するステップ、実行されるプロセスセットに対するプロセスパラメータに基づき動作される必要のある構成要素を決定するステップ、および、監視するおよび決定するステップに応答してチャンバ構成要素サブルーチンを実行させるステップを含む。
【００５７】
図４を参照して以下に特定のチャンバ構成要素サブルーチンの動作を説明する。サセプタ制御位置決めサブルーチン４５０は、サセプタ１２上へ基板をローディングすること、およびオプションで基板とガス分配マニホールド１１との間の間隔を制御するよう基板を反応装置１０内の所望の高さへ持上げることに使用されるチャンバ構成要素を制御するためのプログラムコードを含む。基板が反応装置１０内へローディングされる際に、サセプタ１２は降下されて基板を受取り、その後、サセプタ１２はチャンバ内で所望の高さへ上昇され、ＣＶＤプロセス中にガス分配マニホールド１１から第１の距離つまり間隔に基板を維持する。動作中、サセプタ制御サブルーチン４５０は、チャンバマネージャサブルーチン４４０から転送されるプロセスセットパラメータに応答してサセプタ１２の移動を制御する。
【００５８】
プロセスガス制御サブルーチン４６０は、プロセスガスの組成および流量レートを制御するためのプログラムコードを有する。プロセスガス制御サブルーチン４６０は、安全遮断弁の開／閉位置、および、所望のガス流量レートを達成するよう質量流量コントローラの立上げ／立下げも制御する。プロセスガス制御サブルーチン４６０は、全てのチャンバ構成要素サブルーチンであるように、チャンバマネージャサブルーチン４４０によって発動され、所望のガス流量レートに関するプロセスパラメータをチャンバマネージャサブルーチンから受取る。普通には、プロセスガス制御サブルーチン４６０は、ガス供給管を開くこと、および、繰返して（ｉ）必要な質量流量コントローラを読むこと、（ｉｉ）読みをチャンバマネージャサブルーチン４４０から受取った所望の流量レートと比較すること、および（ｉｉｉ）必要に応じガス供給管の流量レートを調節すること、によって動作する。その上、プロセスガス制御サブルーチン４６０は、ガス流量レートを危険なレートに対して監視するステップ、および危険な条件が検知される場合安全遮断弁を作動するステップを含む。
【００５９】
幾つかのプロセスでは、ヘリウムまたはアルゴン等の不活性ガスが、反応装置１０内へ流入されて反応性プロセスガスがチャンバ内へ導入される前にチャンバ内の圧力を安定化する。このプロセスに対して、プロセスガス制御サブルーチン４６０は、チャンバ内の圧力を安定化することに必要な時間の間チャンバ１０内への不活性ガスを流入するステップを含むようプログラムされ、それから、上記で説明したステップが実行されるであろう。加えて、プロセスガスが液体の前駆体、例えば、１，３，５−トリシラノシクロヘキサンから気化される場合、プロセスガス制御サブルーチン４６０は、ヘリウム等の配送ガスをバブラ組立体内の液体前駆体を通し泡立てるステップを含むよう書かれるであろう。この種類のプロセスに対して、プロセスガス制御サブルーチン４６０は、所望のプロセスガス流量レートを達成するために、配送ガスの流量、バブラ内の圧力、およびバブラ温度を調整する。上記で検討したように、所望のプロセスガス流量レートは、プロセスパラメータとしてプロセスガス制御サブルーチン４６０へ転送される。その上、プロセスガス制御サブルーチン４６０は、所定のプロセスガス流量レートに対する必要な値を含有する格納された表にアクセスすることによって、所望のプロセスガス流量レートに対する必要な配送ガス流量レート、バブラ圧力、およびバブラ温度を取得するためのステップを含む。必要な値が取得された後に、配送ガス流量レート、バブラ圧力、およびバブラ温度は、監視され、必要な値と比較され、それに応じて調節される。
【００６０】
圧力制御サブルーチン４７０は、反応装置１０内の圧力を排気ポンプ３２でのスロットル弁の開度のサイズを調整することによって制御するためのプログラムコードを含む。スロットル弁の開度のサイズは、合計プロセスガス流量、プロセスチャンバのサイズ、および排気ポンプ３２に対するポンプ設定点圧力に関する所望のレベルへチャンバ圧力を制御するよう設定される。圧力制御サブルーチン４７０が発動される場合、所望の、つまり目標の圧力レベルが、パラメータとしてチャンバマネージャサブルーチン４４０から受取られる。圧力制御サブルーチン４７０は、反応装置１０内の圧力をチャンバへ接続されたひとつ以上の従来の圧力計を読むことによって測定し、測定値を目標圧力と比較し、目標圧力に対応するＰＩＤ（比例、積分、および微分）値を格納された圧力表から取得し、圧力表から取得されたＰＩＤ値に従いスロットル弁を調節するよう動作する。代替として、圧力制御サブルーチン４７０は、反応装置１０を所望の圧力へ調整するためにスロットル弁を特定の開度サイズへ開くまたは閉めるように書かれ得る。
【００６１】
加熱器制御サブルーチン４８０は、サセプタ１２を加熱することに使用される加熱モジュールまたは放射加熱の温度を制御するためのプログラムコードを含む。加熱器制御サブルーチン４８０も、チャンバマネージャサブルーチン４４０によって発動され、目標、つまり設定点温度パラメータを受取る。加熱器制御サブルーチン４８０は、サセプタ１２内に配置された熱電対の電圧出力を測定することによって温度を測定し、測定温度を設定点温度と比較し、設定点温度を達成するよう加熱モジュールへ印加される電流を増大または減少させる。温度は、測定された電圧から、格納された変換表における対応する温度を検索することによって、および、４次の多項式を使用して温度を計算することによって取得される。加熱器制御サブルーチン４８０は、加熱モジュールへ印加される電流の立上げ／立下げを緩やかに制御する。緩やかな立上げ／立下げは、加熱モジュールの寿命および信頼性を増加させる。加えて、組込みのフェールセーフモードがプロセスの安全性準拠を検知するよう含まれることができ、反応装置１０が適正に設定されない場合、加熱モジュールの動作を停止できる。
【００６２】
プラズマ制御サブルーチン４９０は、反応装置１０内のプロセス電極へ印加されるＲＦバイアス電圧の電力レベルを設定するための、および、オプションで反応装置内に生成される磁界のレベルを設定するためのプログラムコードを含む。先に説明したチャンバ構成要素サブルーチンと同様に、プラズマ制御サブルーチン４９０は、チャンバマネージャサブルーチン４４０によって発動される。
【００６３】
上記のＣＶＤシステム説明は、主として解説の目的のためであり、他のプラズマＣＶＤ装置、例えば、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）プラズマＣＶＤ装置、誘導結合ＲＦ高密度プラズマＣＶＤ装置、等々が、採用され得る。加えて、上記で説明したシステムの変形、例えば、サセプタ設計、加熱器設計、ＲＦ電力接続の配置、およびその他、の変形が可能である。例えば、ウェーハは、抵抗で加熱されるサセプタによって支持され加熱され得よう。本発明の前処理層を形成するための前処理および方法は、いずれか特定の装置、またはいずれか特定のプラズマ励起方法に限定されない。
【００６４】
３層隙間充填プロセスにおけるナノ多孔性酸化ケイ素層の堆積
本発明のナノ多孔性酸化ケイ素層は、図２のＰＥＣＶＤチャンバを使用して図５に示すような３層隙間充填プロセスに使用され得る。図５を参照すると、ウェーハが反応装置１０内に位置決めされ（２００）、酸化ケイ素基体の層が、ＰＥＣＶＤプロセスによってジメチルシラン等の反応性ケイ素含有化合物を含むプラズマから堆積される（２０５）。堆積ステップ２０５は、この技術で既知である方法に従いプロセスチャンバ１５での静電容量結合プラズマまたは誘導および静電容量両方の結合のプラズマを含み得る。ヘリウム等の不活性ガスが、通例、プラズマ生成を援助するようＰＥＣＶＤ堆積に使用される。本発明のナノ多孔性隙間充填層が、次に、ライナー層上に、更に不安定な有機原子団を含有するケイ素／酸素含有材料を堆積することによって、および、隙間充填層に均一に分散される顕微鏡的なガスポケットを形成するよう堆積されたケイ素／酸素含有材料の制御されたアニールによって堆積される（２１０）。隙間充填層は、好ましくは、表面上へ過酸化水素を凝縮すること、および不安定な有機原子団を含むケイ素含有化合物または混合物と過酸化水素を反応させることによって自己平坦化する。キャップ層が、次に、隙間充填層上に、好ましくは、ライナー層を堆積したのと同じプロセスを使用して堆積される（２１５）。ウェーハは、次に、反応装置１０から除去される（２２０）。
【００６５】
図６Ａ−６Ｅを参照すると、３層隙間充填プロセスは、酸化された反応性ケイ素含有化合物のＰＥＣＶＤライナー層３００を提供する。ライナー層３００は、その後のナノ多孔性隙間充填層３０２と下にある基板表面３０４および基板表面上に形成された金属配線３０６、３０８、３１０との間の隔離層として働く。ナノ多孔性隙間充填層３０２は、酸化された反応性ケイ素含有化合物のＰＥＣＶＤキャップ層３１２によってキャップされる。このプロセスは、ＣＶＤ反応装置１０のためのコンピュータコントローラ３４のメモリ３８に格納されたコンピュータプログラムを使用して実施され制御される。
【００６６】
図６Ａを参照すると、ＰＥＣＶＤライナー層３００は、反応装置１０内でジメチルシラン（（ＣＨ3）2ＳｉＨ2）等の反応性ケイ素含有化合物、Ｎ2Ｏ等の酸化ガス、およびヘリウム等のキャリアガスを導入することによって堆積される。基板は、ＰＥＣＶＤライナー層の堆積の間中、約−２０から約４００℃の温度、好ましくは、ほぼ１５から２０℃の温度に維持される。ＰＥＣＶＤライナー層３００は、約５ｓｃｃｍから約５００ｓｃｃｍの流量レートでの反応性ケイ素含有化合物および約５ｓｃｃｍから約２０００ｓｃｃｍの流量レートでの酸化ガスの混合を含むプロセスガスで堆積される。プロセスガスは、普通には膜内へ組込まれない、約０．２から約２０  ｌｐｍの流量レートでの、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ等の不活性ガス、または窒素等の比較的不活性なガスによって搬送される。プロセスガスは、約０．２から約２０Ｔｏｒｒ、好ましくは１０Ｔｏｒｒ未満の圧力で反応し、基板表面３０４および金属配線３０６、３０８、３１０上にコンフォーマル酸化ケイ素層を形成する。反応は、０．０５Ｗ／ｃｍ2から１０００Ｗ／ｃｍ2の範囲に及ぶ電力密度、好ましくは約１Ｗ／ｃｍ2未満の電力密度、最も好ましくは、約０．１から約０．３Ｗ／ｃｍ2の範囲に及ぶ電力密度でプラズマ強化される。
【００６７】
８”の単一ウェーハチャンバに対して、ほぼ１３．５６ＭＨｚの高周波数ＲＦソースが、好ましくはガス分配システムへ接続され、約１０から約２００Ｗで駆動される一方で、３５０ｋＨｚからＭＨｚの低周波数ＲＦソースがオプションでサセプタへ接続され約０から約１００Ｗで駆動される。好ましい実施の形態では、高周波数ＲＦソースは約２０−２００Ｗのパルス化ＲＦ電力で駆動され、低周波数ＲＦソースは約０−５０Ｗのパルス化ＲＦ電力で駆動される。高周波数ＲＦ電力がパルス化されない場合、電力レベルは、好ましくは約１０Ｗから約１５０Ｗの範囲に及ぶ。
【００６８】
酸化されたライナー層は、次に、堆積圧力より低い圧力および約２００から約４５０℃までの温度でアニールされる。オプションで、アニールは、追加の誘電体層の堆積の後に行われ得よう。
【００６９】
上記のプロセス条件は、図６Ｂに示す隙間充填層３０２のその後の堆積のための、ＰＥＣＶＤライナー層３００（約２０００Å毎分で）の堆積の結果となる。ジメチルシランから取得されたライナー層は、疎水性であることに十分なＣ−Ｈ結合を有し、卓越した水分バリアである。
【００７０】
ナノ多孔性隙間充填層３０２のためのプロセスガスは、不安定な有機原子団を有するケイ素含有化合物、不安定な有機原子団を有するケイ素非含有成分、および反応性ケイ素含有成分のひとつ以上、および、気化されヘリウム等の不活性キャリアガスと混合された過酸化水素（Ｈ2Ｏ2）を含む。
【００７１】
プロセスガス流量は、ケイ素含有化合物に対して２０−１０００ｓｃｃｍ、５０％Ｈ2Ｏ2に対して０．１から３ｇ／分、およびＨｅに対して０−２０００ｓｃｃｍの範囲に及ぶ。好ましいガス流量は、不安定な有機原子団を有するケイ素含有化合物に対して５０−５００ｓｃｃｍ、５０％Ｈ2Ｏ2に対して０．３から２ｇ／分、およびＨｅに対して１００−５００ｓｃｃｍの範囲に及ぶ。これらの流量は、ほぼ５．５から６．５リットルの容積を有するチャンバに対して与えられる。好ましくは、反応装置１０は、隙間充填層３０２の堆積中約０．２から約５ｔｏｒｒの圧力に維持される。隙間充填層３０２は、図６Ｃに示すように部分的にキュアされることにより、図６Ｄに示すようなキャップ層３１２の堆積の前に水などの揮発性構成物質を除去する可能性がある。キュアは、反応装置１０内で不活性ガス雰囲気下で１０Ｔｏｒｒ以下にポンプする一方でウェーハを漸進的に更に高い温度へ加熱することによってなされる。
【００７２】
隙間充填層は、好ましくは、次第に増大する温度でアニールされることにより、ガス状生成物を分散された顕微鏡的な気泡として保有し、および／または、オプションの不安定な有機原子団をキュアされた酸化ケイ素膜内に閉じた気泡構造でのボイドとして保有される分散された顕微鏡的なガス気泡へ変換する。好ましいアニールプロセスは、約１０分の加熱時間期間を含み、約４００℃以上の最終温度まで約５０℃／分で温度を次第に上昇することを含む。ガス気泡の分散は、温度／時間のプロファイルを変更することによって、および、堆積された膜内の不安定な有機原子団の濃度を制御することによって制御され得る。
【００７３】
図６Ｄを参照すると、隙間充填層３０２の堆積の後に、反応装置１０は、オプションでキャップ層３１２の堆積のために反応性ケイ素含有成分の堆積を再開する。図６Ｅを参照すると、キャップ層の堆積の後に、堆積層は、更に、加熱炉または別のチャンバ内で約２００から４５０℃までの温度でアニールされ水などの残留する揮発性生成物を追い出す。勿論、プロセス条件は、堆積された膜の所望の特性に従い変化するであろう。
【００７４】
デュアルダマシン構造の堆積
ナノ多孔性金属間誘電体層を含むデュアルダマシン構造を図７に示す。好ましくは、本発明のナノ多孔性酸化ケイ素層から成る第１誘電体層５１０が、基板５１２上に堆積され、次に、従来の酸化ケイ素、窒化ケイ素、または水素化炭化ケイ素のエッチストップ５１４が、第１誘電体層上に堆積される。エッチストップは、次にパターン化されてコンタクト／バイア５１６の開口部を画成する。第２ナノ多孔性誘電体層５１８が、次にパターン化エッチストップの上に堆積され、次にパターン化されて相互接続配線５２０を画成する。次に、単一のエッチングプロセスが遂行されることにより、エッチストップに達するまで相互接続配線を画成し、パターン化エッチストップにより露出された保護されていない誘電体をエッチングしてコンタクト／バイアを画成する。
【００７５】
本発明に従い製造される好ましいデュアルダマシン構造は、図８Ｈに示すようにライナー層を含み、その構造を作成する方法は、図８Ａ−８Ｈに順次概略的に示され、それは基板上に形成される本発明のステップを有する基板の断面図である。
【００７６】
図８Ａに示すように、最初の第１ナノ多孔性誘電体層５１０が、基板５１２上に、製造される構造のサイズに依存して、約５，０００から約１０，０００Åの厚さへ堆積され、次にアニールされる。図８Ｂに示すように、低ｋエッチストップ５１４が、それは３層隙間充填に対して上記で説明したように酸化されたジメチルシラン層であるが、次に、第１ナノ多孔性誘電体層上に低レベルのＲＦ電力を使用して約２００から約１０００Åの厚さへ堆積される。低ｋエッチストップ５１４は、次に、図８Ｃに示すように、パターン化エッチングされることにより、コンタクト／バイア開口部５１６を画成し、コンタクト／バイアが形成される領域で第１ナノ多孔性誘電体層５１０を露出する。好ましくは、低ｋエッチストップ５１４は、従来のフォトリソグラフィと、フッ素、炭素、および酸素イオンを使用するエッチングプロセスとを使用してパターン化エッチングされる。低ｋエッチストップ５１４がエッチングされてコンタクト／バイアをパターン化し、ホトレジストが除去された後に、図８Ｄに示すように、第２ナノ多孔性誘電体層５１８が、エッチストップ５１４の上に約５，０００から約１０，０００Åの厚さへ堆積され、次にアニールされる。第２ナノ多孔性誘電体層５１８は、次に、図８Ｅに示すように、好ましくは、従来のフォトリソグラフィプロセスを使用してホトレジスト層５２２によりパターン化されて相互接続配線５２０を画成する。相互接続配線およびコンタクト／バイアは、次に、図８Ｆに示すように、反応性イオンエッチングまたは他の異方性エッチング技術を使用してエッチングされて金属化構造（すなわち、相互接続配線およびコンタクト／バイア）を画成する。エッチストップ５１４または第２誘電体層５１８をパターン化することに使用されたいずれのホトレジストまたは他の材料は、酸素剥離または他の適切なプロセスを使用して除去される。
【００７７】
金属化構造が、次に、アルミニウム、銅、タングステン、またはその組合せ等の導電性材料で形成される。現在では、銅の低い固有抵抗（１．７μΩ−ｃｍ、アルミニウムの３．１μΩ−ｃｍと比較して）の故に、より小さなフィーチャを形成することに銅を使用する傾向である。好ましくは、図８Ｇに示すように、窒化タンタル等の適切なバリア層５２４が、初めに金属化パターンに従形（conformal）して堆積されて周囲のケイ素および／または誘電体材料内への銅の移行を阻止する。その後に、銅５２６が、化学的気相堆積法、物理的気相堆積法、電気メッキ、またはその組合せを使用して堆積されて導電性構造を形成する。構造が、銅または他の金属で充填された後に、図８Ｈに示すように、表面はケミカルメカニカルポリッシングを使用して平坦化される。
【００７８】
接着層の堆積
デュアルダマシン構造を図９に示し、それは、酸化されたジメチルシラン層をプリメタル誘電体層と金属間ナノ多孔性誘電体層との間の接着層として含む。酸化されたジメチルシラン層６１２は、従来のＰＳＧまたはＢＰＳＧ層等のプリメタル誘電体層６１０上に堆積され、次に、アニールされる。本明細書に説明するようなナノ多孔性金属間誘電体層６１４が、次に、接着層６１２の上に堆積される。従来の酸化ケイ素または窒化ケイ素のエッチストップ６１６が、堆積され、次に従来の方法でパターン化されてバイア６２０を画成する。第２ナノ多孔性金属間誘電体層６２２が、次にパターン化されたエッチストップの上に堆積され、次にパターン化されて相互接続配線を画成する。次に、単一のエッチングプロセスが遂行されることにより、金属化の前に、エッチストップに達するまで相互接続配線を画成し、パターン化エッチストップにより露出された保護されていない誘電体をエッチングしてコンタクト／バイアを画成する。
【００７９】
本発明に従うナノ多孔性誘電体層を備える好ましいデュアルダマシン構造を図１０Ｈに示し、その構造を作成する方法は、図１０Ａ−１０Ｈに順次概略的に示され、それは基板上に形成される本発明のステップを有する基板の断面図である。
【００８０】
図１０Ａに示すように、第１ナノ多孔性金属間誘電体層７１０が、基板７１２上に、製造される構造のサイズに依存して、約５，０００から約１０，０００Åの厚さへ堆積される。図１０Ｂに示すように、低ｋ接着層７１４が、それは好ましくは酸化されたジメチルシラン層であるが、次に、第１ナノ多孔性金属間誘電体層７１０上に約５０から約２００Åの厚さへ堆積される。従来の酸化ケイ素または窒化ケイ素のエッチストップ７１６が、接着層７１４上に約５０から約２００Åの厚さへ堆積される。第２低ｋ接着層７１８が、それは好ましくは酸化されたジメチルシラン層であるが、次に、エッチストップ７１６上に約５０から約２００Åの厚さへ堆積される。エッチストップ７１６および接着層７１４、７１８は、次に、図１０Ｃに示すように、パターン化エッチングされることにより、コンタクト／バイア開口部７２０を画成し、コンタクト／バイアが形成される領域で第１ナノ多孔性金属間誘電体層７１０を露出する。好ましくは、エッチストップ７１６は、従来のフォトリソグラフィと、フッ素、炭素、および酸素イオンを使用するエッチングプロセスとを使用してパターン化エッチングされる。エッチストップ７１６および接着層７１４、７１８がエッチングされてコンタクト／バイアをパターン化し、ホトレジストが除去された後に、図１０Ｄに示すように、第２ナノ多孔性金属間誘電体層７２２が、第２接着層７１８の上に約５，０００から約１０，０００Åの厚さへ堆積される。第２ナノ多孔性金属間誘電体層７２２は、次に、図１０Ｅに示すように、好ましくは、従来のフォトリソグラフィプロセスを使用してホトレジスト層７２６によりパターン化されて相互接続配線７２４を画成する。相互接続配線およびコンタクト／バイアは、次に、図１０Ｆに示すように、反応性イオンエッチングまたは他の異方性エッチング技術を使用してエッチングされて金属化構造（すなわち、相互接続配線およびコンタクト／バイア）を画成する。エッチストップ７１６または第２ナノ多孔性金属間誘電体層７２２をパターン化することに使用されたいずれのホトレジストまたは他の材料は、酸素剥離または他の適切なプロセスを使用して除去される。
【００８１】
金属化構造が、次に、アルミニウム、銅、タングステン、またはその組合せ等の導電性材料で形成される。現在では、銅の低い固有抵抗（１．７μΩ−ｃｍ、アルミニウムの３．１μΩ−ｃｍと比較して）の故に、より小さなフィーチャを形成することに銅を使用する傾向である。好ましくは、図１０Ｇに示すように、窒化タンタル等の適切なバリア層７２８が、初めに金属化パターンに従形して堆積されて周囲のケイ素および／または誘電体材料内への銅の移行を阻止する。その後に、銅が、化学的気相堆積法、物理的気相堆積法、電気メッキ、またはその組合せを使用して堆積されて導電性構造を形成する。構造が、銅または他の金属で充填された後に、図１０Ｈに示すように、表面はケミカルメカニカルポリッシングを使用して平坦化される。
【００８２】
本発明を、更に、堆積されたナノ多孔性酸化ケイ素基体の膜の以下の実施例によって説明する。
【００８３】
実施例
以下の実施例は、分散された顕微鏡的なガスボイドを有するナノ多孔性酸化ケイ素基体の膜の堆積を実証する。この実施例は、化学的気相堆積チャンバ、詳細には、California 州 Santa Clara の Applied Materials, Inc., で製造され販売される CENTURA "DLK" システムを使用して実施する。
【００８４】
水素化ケイ素原子団を有する反応性ケイ素化合物（仮説的）
ナノ多孔性酸化ケイ素基体の膜を、１．０Ｔｏｒｒのチャンバ圧力および０？℃の温度で、気化し次のように反応装置に流入する反応性ガスから堆積した：
１，３，５−トリシラノシクロヘキサン      １２５ｓｃｃｍで
過酸化水素（５０％）                    １０００ｓｃｃｍで
ヘリウム、Ｈｅ                            ２００ｓｃｃｍで
基板をガス分配シャワーヘッドから６００ミルに位置決めし、反応性ガスを２分間導入した。次に基板を、１０分間にわたり、基板の温度を５０℃／分で４００℃の温度へ上昇して、加熱することにより、ナノ多孔性酸化ケイ素基体の膜をキュアしアニールした。
【００８５】
熱的に不安定な有機原子団を有する反応性ケイ素化合物（仮説的）
ナノ多孔性酸化ケイ素基体の膜を、１．０Ｔｏｒｒのチャンバ圧力および０℃の温度で、気化し次のように反応装置に流入する反応性ガスから堆積した：
ビス（ホルミルオキシシラノ）メタン        １５０ｓｃｃｍで
過酸化水素（５０％）                    １０００ｓｃｃｍで
ヘリウム、Ｈｅ                            ２００ｓｃｃｍで
基板をガス分配シャワーヘッドから６００ミルに位置決めし、反応性ガスを２分間導入した。次に基板を、１０分間にわたり、基板の温度を５０℃／分で４００℃の温度へ上昇して、加熱することにより、ナノ多孔性酸化ケイ素基体の膜をキュアしアニールした。
【００８６】
熱的に不安定な有機原子団を有する反応性ケイ素化合物（仮説的）
ナノ多孔性酸化ケイ素基体の膜を、１．０Ｔｏｒｒのチャンバ圧力および０℃の温度で、気化し次のように反応装置に流入する反応性ガスから堆積した：
ビス（グリオキシリルシラノ）メタン        １５０ｓｃｃｍで
過酸化水素（５０％）                    １０００ｓｃｃｍで
ヘリウム、Ｈｅ                            ２００ｓｃｃｍで
基板をガス分配シャワーヘッドから６００ミルに位置決めし、反応性ガスを２分間導入した。次に基板を、１０分間にわたり、基板の温度を５０℃／分で４００℃の温度へ上昇して、加熱することにより、ナノ多孔性酸化ケイ素基体の膜をキュアしアニールした。
【００８７】
反応性ケイ素含有成分および添加の熱的に不安定な有機原子団（仮説的）
ナノ多孔性酸化ケイ素基体の膜を、１．０Ｔｏｒｒのチャンバ圧力および０℃の温度で、気化し次のように反応装置に流入する反応性ガスから堆積した：
ビス（メチルシラノ）メタン                １００ｓｃｃｍで
グリシドアルデヒト                          ５０ｓｃｃｍで
過酸化水素（５０％）                    １０００ｓｃｃｍで
ヘリウム、Ｈｅ                            ２００ｓｃｃｍで
基板をガス分配シャワーヘッドから６００ミルに位置決めし、反応性ガスを２分間導入した。次に基板を、１０分間にわたり、基板の温度を５０℃／分で４００℃の温度へ上昇して、加熱することにより、ナノ多孔性酸化ケイ素基体の膜をキュアしアニールした。
【００８８】
反応性ケイ素含有成分および添加の熱的に不安定な有機原子団（仮説的）
ナノ多孔性酸化ケイ素基体の膜を、１．０Ｔｏｒｒのチャンバ圧力および０℃の温度で、気化し次のように反応装置に流入する反応性ガスから堆積した：
１，３，５−トリシラノシクロヘキサン      １００ｓｃｃｍで
無水マレイン酸メチル                        ５０ｓｃｃｍで
過酸化水素（５０％）                    １０００ｓｃｃｍで
ヘリウム、Ｈｅ                            ２００ｓｃｃｍで
基板をガス分配シャワーヘッドから６００ミルに位置決めし、反応性ガスを２分間導入した。次に基板を、１０分間にわたり、基板の温度を５０℃／分で４００℃の温度へ上昇して、加熱することにより、ナノ多孔性酸化ケイ素基体の膜をキュアしアニールした。
【００８９】
前記は、本発明の好ましい実施の形態へ向けられるが、本発明の他のおよび更なる実施の形態が、その基本的範囲から逸脱することなく案出することができ、その範囲は、先に記載の特許請求の範囲によって決定される。
【図面の簡単な説明】
【図１Ａ】  当該技術で既知のプロセスにより基板上に堆積された誘電体層の概略図である。
【図１Ｂ】  当該技術で既知のプロセスにより基板上に堆積された誘電体層の概略図である。
【図２】  本発明に従う使用のために構成された典型的なＣＶＤ反応装置の断面図である。
【図３】  図２のＣＶＤ反応装置におけるシステムモニタを示す図である。
【図４】  図２の適例のＣＶＤ反応装置と関連して使用されるプロセス制御コンピュータプログラム製品のフローチャートである。
【図５】  本発明の一実施形態による隙間充填プロセスでライナー層およびキャップ層を堆積するために実施されるステップを示すフローチャートである。
【図６Ａ】  図５のプロセスによって基板上に堆積される層の概略図である。
【図６Ｂ】  図５のプロセスによって基板上に堆積される層の概略図である。
【図６Ｃ】  図５のプロセスによって基板上に堆積される層の概略図である。
【図６Ｄ】  図５のプロセスによって基板上に堆積される層の概略図である。
【図６Ｅ】  図５のプロセスによって基板上に堆積される層の概略図である。
【図７】  本発明の酸化ケイ素層を備えるデュアルダマシン構造を示す断面図である。
【図８Ａ】  本発明のデュアルダマシン堆積シーケンスにおける一実施形態を示す断面図である。
【図８Ｂ】  本発明のデュアルダマシン堆積シーケンスにおける一実施形態を示す断面図である。
【図８Ｃ】  本発明のデュアルダマシン堆積シーケンスにおける一実施形態を示す断面図である。
【図８Ｄ】  本発明のデュアルダマシン堆積シーケンスにおける一実施形態を示す断面図である。
【図８Ｅ】  本発明のデュアルダマシン堆積シーケンスにおける一実施形態を示す断面図である。
【図８Ｆ】  本発明のデュアルダマシン堆積シーケンスにおける一実施形態を示す断面図である。
【図８Ｇ】  本発明のデュアルダマシン堆積シーケンスにおける一実施形態を示す断面図である。
【図８Ｈ】  本発明のデュアルダマシン堆積シーケンスにおける一実施形態を示す断面図である。
【図９】  プリメタル誘電体層と金属間誘電体層との間に本発明の酸化ケイ素層を備える接着層を示す断面図である。
【図１０Ａ】  本発明の酸化ケイ素が金属間誘電体膜を従来のエッチストップへ接着することに使用されるデュアルダマシン堆積シーケンスを示す断面図である。
【図１０Ｂ】  本発明の酸化ケイ素が金属間誘電体膜を従来のエッチストップへ接着することに使用されるデュアルダマシン堆積シーケンスを示す断面図である。
【図１０Ｃ】  本発明の酸化ケイ素が金属間誘電体膜を従来のエッチストップへ接着することに使用されるデュアルダマシン堆積シーケンスを示す断面図である。
【図１０Ｄ】  本発明の酸化ケイ素が金属間誘電体膜を従来のエッチストップへ接着することに使用されるデュアルダマシン堆積シーケンスを示す断面図である。
【図１０Ｅ】  本発明の酸化ケイ素が金属間誘電体膜を従来のエッチストップへ接着することに使用されるデュアルダマシン堆積シーケンスを示す断面図である。
【図１０Ｆ】  本発明の酸化ケイ素が金属間誘電体膜を従来のエッチストップへ接着することに使用されるデュアルダマシン堆積シーケンスを示す断面図である。
【図１０Ｇ】  本発明の酸化ケイ素が金属間誘電体膜を従来のエッチストップへ接着することに使用されるデュアルダマシン堆積シーケンスを示す断面図である。
【図１０Ｈ】    本発明の酸化ケイ素が金属間誘電体膜を従来のエッチストップへ接着することに使用されるデュアルダマシン堆積シーケンスを示す断面図である。
【符号の説明】
２…二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）ライナー層、３…金属配線、４、５１２、７１２…基板、５…自己平坦化層、５…自己平坦化低ｋ誘電体層、６…ＳｉＯ2キャップ層、１０…ＣＶＤ反応装置（プロセスチャンバ）、１１…ガス分配マニホールド、１２…サセプタ、１３…支持ステム、１４…処理位置、１５…高真空区域、１７…絶縁体、１８…プロセスガス供給管、１９…ガス混合システム、２４…プロセスガス排気孔、２５…ＲＦ電源、３２…真空ポンプ、３４…コントローラ、３６…制御配線、３８…メモリ、４０…第１モニタ、４２…第２モニタ、４４…光ペン、３００…ライナー層、３０２…隙間充填層、３０４…基板表面、３０６、３０８、３１０…金属配線、３１２…キャップ層、３１２…反応性ケイ素含有化合物のＰＥＣＶＤキャップ層、４１０…コンピュータプログラム、４２０…プロセスセレクタサブルーチン、４３０…プロセスシーケンササブルーチン、４４０…チャンバマネージャサブルーチン、４５０…サセプタ制御サブルーチン、４６０…プロセスガス制御サブルーチン、４７０…圧力制御サブルーチン、４８０…加熱器制御サブルーチン、４９０…プラズマ制御サブルーチン、５１０…第１誘電体層、５１４…エッチストップ、５１６、７２０…コンタクト／バイア開口部、５１８…第２誘電体層、５２０、７２４…相互接続配線、５２２、７２６…ホトレジスト層、５２４、７２８…バリア層、５２６…銅、６１０…プリメタル誘電体層、６１２、７１４、７１８…接着層、６１４、６２２、７１０、７２２…金属間誘電体層、６１６…エッチストップ、６２０…バイア、７１４…接着層、７１６…エッチストップ、７１６…エッチストップ、７１８…第２接着層、７１８…第２低ｋ接着層。
【図１Ａ】
0004558206.tif 000007
【図１Ｂ】
0004558206.tif 000008
【図２】
0004558206.tif 000009
【図３】
0004558206.tif 000010
【図４】
0004558206.tif 000011
【図５】
0004558206.tif 000012
【図６Ａ】
0004558206.tif 000013
【図６Ｂ】
0004558206.tif 000014
【図６Ｃ】
0004558206.tif 000015
【図６Ｄ】
0004558206.tif 000016
【図６Ｅ】
0004558206.tif 000017
【図７】
0004558206.tif 000018
【図８Ａ】
0004558206.tif 000019
【図８Ｂ】
0004558206.tif 000020
【図８Ｃ】
0004558206.tif 000021
【図８Ｄ】
0004558206.tif 000022
【図８Ｅ】
0004558206.tif 000023
【図８Ｆ】
0004558206.tif 000024
【図８Ｇ】
0004558206.tif 000025
【図８Ｈ】
0004558206.tif 000026
【図９】
0004558206.tif 000027
【図１０Ａ】
0004558206.tif 000028
【図１０Ｂ】
0004558206.tif 000029
【図１０Ｃ】
0004558206.tif 000030
【図１０Ｄ】
0004558206.tif 000031
【図１０Ｅ】
0004558206.tif 000032
【図１０Ｆ】
0004558206.tif 000033
【図１０Ｇ】
0004558206.tif 000034
【図１０Ｈ】
0004558206.tif 000035