(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
大型基板を支持する試料台と、
試料台に支持された大型基板の表面に深紫外光を照射して大型基板からの反射画像を取得する深紫外光画像取得手段と、
深紫外光画像取得手段によって取得された画像を数値化する画像数値化手段と、
画像数値化手段によって得られた数値化データに基づいて大型基板の表面状態を評価する評価手段と
を備え、
深紫外光画像取得手段は、アモルファスシリコン基板の表面にアニール処理を行うことで形成されたポリシリコン基板を大型基板として、その表面に深紫外光を照射してポリシリコン基板からの反射画像を取得し、
画像数値化手段は、反射画像のある局所部分のパターンに対する他の局所部分のパターンの一致度を自己相関関数という数値で表すことで、ポリシリコン基板の表面のパターンの周期性を数値化し、
評価手段は、ポリシリコン基板の表面のパターンの周期性を表す数値に基づいてポリシリコン基板の表面の結晶状態を評価する基板検査装置。
【請求項２】
試料台に支持された大型基板の表面に可視光を照射して大型基板からの反射画像を取得する可視光画像取得手段と、
深紫外光画像取得手段と可視光画像取得手段の使用を切り替える切り替え手段と
を具備する請求項１に記載の基板検査装置。
【請求項３】
アモルファスシリコン基板の表面にアニール処理を行うことで形成されたポリシリコン基板の表面に深紫外光を照射してポリシリコン基板からの反射画像を取得し、この反射画像のある局所部分のパターンに対する他の局所部分のパターンの一致度を自己相関関数という数値で表し、ポリシリコン基板の表面のパターンの周期性を数値化することで、ポリシリコン基板の表面の結晶状態を検査する基板検査方法。
【請求項４】
ポリシリコン基板の表面の複数箇所にわたって反射画像を取得し、各反射画像に基づいて個別に数値化し、各数値化データの代表値を得ることで、ポリシリコン基板の表面の結晶状態を検査する請求項３に記載の基板検査方法。
【請求項５】
アモルファスシリコン基板の表面にアニール処理を行うことで形成された液晶表示装置用のポリシリコン基板の表面に深紫外光を照射してポリシリコン基板からの反射画像を取得し、この反射画像のある局所部分のパターンに対する他の局所部分のパターンの一致度を自己相関関数という数値で表し、ポリシリコン基板の表面のパターンの周期性を数値化することで、ポリシリコン基板の表面の結晶状態を検査する基板検査工程を有する液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、大型基板の検査に用いて好適な基板検査装置と基板検査方法、及び液晶表示装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、半導体装置や液晶表示装置の製造プロセス過程で作製される基板の検査には、可視光顕微鏡や電子顕微鏡（ＳＥＭ：走査型電子顕微鏡、ＴＥＭ：透過型電子顕微鏡）などが用いられている。可視光顕微鏡は広範囲な領域から微小領域までの検査に対応可能であり、電子顕微鏡は可視光顕微鏡よりも更に微小な領域の検査に対応可能である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、可視光顕微鏡は、低倍率、広範囲な観察に有効である反面、倍率、解像度の点で限界がある。そのため、基板表面の微小領域の観察に十分に対応することができない。
【０００４】
また、電子顕微鏡は真空引きなどの必要性から試料室が比較的小さいため、液晶表示装置等に用いられる大型基板をそのままの状態で観察することができない。したがって、検査にあたっては、基板を破壊して小片の試料を作製する必要がある。また、観察の仕方によっては試料の前処理が必要となる場合もある。そのため、検査に時間がかかる他、基板の極一部しか検査の対象とならないため、基板全体の分布等を得ることができない。さらに、試料化による破壊や前処理などの利用から、検査対象とした基板については製品化することができない。したがって、製造プロセス途中の検査には不向きである。
【０００５】
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、その目的とするところは、大型基板を破壊することなく十分な解像度をもって微小領域の観察を容易にしかも短時間で行うことができる装置及び方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る基板検査装置は、大型基板を支持する試料台と、この試料台に支持された大型基板の表面に深紫外光を照射して当該大型基板からの反射画像を取得する深紫外光画像取得手段とを備えるものである。
【０００７】
この基板検査装置においては、大型基板を支持する試料台を備え、この試料台で支持した大型基板の表面に深紫外光を照射して当該大型基板からの反射画像を深紫外光画像取得手段で取得することにより、非破壊検査にて高倍率で高解像度の観察画像を得ることが可能となる。
【０００８】
本発明に係る基板検査方法は、大型基板の表面に深紫外光を照射して当該大型基板からの反射画像を取得し、この反射画像を用いて大型基板の表面状態を検査するものである。
【０００９】
この基板検査方法においては、大型基板の表面に深紫外光を照射して当該大型基板からの反射画像を取得することにより、非破壊検査にて高倍率で高解像度の観察画像が得られる。これにより、大型基板の表面状態を短時間で容易に検査することが可能となる。
【００１０】
本発明に係る液晶表示装置の製造方法は、大型の液晶表示装置用基板の表面に深紫外光を照射して当該液晶表示装置用基板からの反射画像を取得し、この反射画像を用いて液晶表示装置用基板の表面状態を検査する基板検査工程を有するものである。
【００１１】
この液晶表示装置の製造方法においては、大型の液晶表示装置用基板の表面に深紫外光を照射して当該液晶表示装置用基板からの反射画像を取得することにより、非破壊検査にて高倍率で高解像度の観察画像が得られる。これにより、大型の液晶表示装置用基板の表面状態を短時間で容易に検査することが可能となる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。
【００１３】
図１は本発明の実施形態に係る基板検査装置の全体像を示す斜視図である。図１において、基板検査装置１には基板出入口２が設けられ、この基板出し入れ口２を通して被検査基板が搬入及び搬出されるようになっている。検査対象となる大型基板（以下、被検査基板という）は、カセット３に収容された状態で搬入及び搬出される。カセット３は、基板出入口２の近傍にセットされている。一つのカセット３には所定枚数（例えば、１０枚）の被検査基板が縦方向に並べて収容される。
【００１４】
ちなみに、図１においては、２つのカセット３が並べてセットされているが、これは未検査の被検査基板と検査済の被検査基板を別々のカセット３に収容するためであり、これ以外にも一つのカセット３だけで対応することも可能である。
【００１５】
カセット３のセット位置の近傍には、被検査基板のローディングとアンローディングを行う基板搬送ロボット４が配置されている。基板搬送ロボット４は、被検査基板５を載置状態に支持するロボットハンド６と、このロボットハンド６に支持された被検査基板を移送するロボットアーム７と、このロボットアーム７を駆動する駆動系（不図示）とによって構成される。
【００１６】
基板搬送ロボット４による被検査基板の移送先には検査ステージ８が設けられている。検査ステージ８は、被検査基板を載置状態に支持するテーブル（試料台）９と、このテーブル９をＸ，Ｙ，Ｚの３軸方向に移動可能に支持するテーブル駆動部１０とを備えている。テーブル９は被検査基板を真空吸着方式によって支持するものである。
【００１７】
検査ステージ８は、定盤１１の上面部に搭載されている。テーブル駆動部１０の駆動源としては、高精度な位置決めを実現するＡＣサーボモータやパルスモータを用いることができる。定盤１１は４つの除振台１２によって水平に支持されている。さらに、定盤１１の上には、検査ステージ８を跨ぐ状態で門型のコラム１３が搭載されている。コラム１３の中央部には基板検査のための光学顕微鏡ユニット１４が設けられている。
【００１８】
光学顕微鏡ユニット１４は、テーブル９に支持された被検査基板の表面状態を観察するためのもので、深紫外光（ＤＵＶ）による観察機能と可視光による観察機能を備えている。図２に光学顕微鏡ユニット１４の具体的な構成例を示す。
【００１９】
図２において、可視光観察部１５には、可視光ＣＣＤカメラ１６、赤色カットフィルタ１７、可視光照明ユニット１８及びオートフォーカスユニット（以下、ＡＦユニット）１９が設けられている。可視光の光源としては、ハロゲンランプを用いることができる。可視光ＣＣＤカメラ１６は、可視光照明ユニット１８からの光の照射によって得られる可視光画像（被検査基板からの反射画像）を取り込むものである。
【００２０】
可視光照明ユニット１８による光の出射方向には反射ミラー２０と対物レンズ２１が配置されている。反射ミラー２０は、可視光を透過しかつ深紫外光を反射する特性を有するもので、被検査基板５の検査対象部に近接して配置される。対物レンズ２１は、照射光の種類や観察倍率に応じて切り替え可能となっている。
対物レンズ２１の切り替えは電動レボルバで行われる。
【００２１】
一方、深紫外光照明系２２は、深紫外光を検査対象部に照射するためのものである。深紫外光照明系２２には、図示しない光源からの光を導入する光ファイバー２３が接続されている。深紫外光の光源としては、レーザ光源、ガス封止ランプなどを用いることができる。深紫外光照明系２２による光の出射方向には反射ミラー２４が配置され、さらにその反射ミラー２４による光の反射方向には偏光ビームスプリッタ２５が配設されている。
【００２２】
偏光ビームスプリッタ２５と反射ミラー２０との間には１／４波長板２６が配置されている。偏光ビームスプリッタ２５は、反射ミラー２４からの反射光を先述した反射ミラー２０に向けて反射する一方、反射ミラー２０からの光を結像レンズ部２７へと透過する。結像レンズ部２７は、倍率の異なる２つの結像レンズ２７ａ，２７ｂと、これらの結像レンズ２７ａ，２７ｂを切り替える手段（不図示）を備えている。結像レンズ２７ａ，２７ｂの切り替えは電動で行われる。深紫外光ＣＣＤカメラ２８は、結像レンズ２７ａ又は２７ｂで結像された深紫外光画像（被検査基板からの反射画像）を取り込むものである。
【００２３】
図３は本発明の実施形態に係る基板検査装置の機能ブロック図である。図３において、可視光顕微鏡２９、深紫外光顕微鏡３０及びこれらの切り替え機構３１は、先述した光学顕微鏡ユニット１４によって構成されるものである。可視光顕微鏡２９は、試料となる被検査基板の表面に可視光を照射し、これによって被検査基板から反射される反射画像（可視光画像）を取得するものである。深紫外光顕微鏡３０は、被検査基板の表面に深紫外光を照射し、これによって被検査基板から反射される反射画像（深紫外光画像）を取得するものである。
【００２４】
可視光顕微鏡２９においては、対物レンズの倍率を２．５倍〜１００倍に切り替えることにより、視野が１ｍｍ角〜５０μｍ角、ＣＲＴ上倍率で７００倍〜７０００倍の拡大画像を観察可能となる。一方、深紫外光顕微鏡３０においては、対物レンズの倍率を１００倍、結像レンズの倍率を１倍〜４倍に切り替えることにより、視野が５０μｍ角〜１２μｍ角、ＣＲＴ上倍率で５０００倍〜２００００倍の拡大画像を観察可能となる。深紫外光は、可視光よりも短波長で、その波長域は概ね２００ｎｍ〜３００ｎｍの範囲で規定される。
【００２５】
画像処理ユニット３２は、光学顕微鏡ユニット１４によって得られる観察画像の記録（ファイリング）、表示及び数値化を行うものである。画像の記録はハードディスク等を用いて行われ、画像の表示はＣＲＴ（陰極線管）を用いて行われる。また、画像の数値化はＣＰＵ（中央演算処理装置）による演算処理によって行われる。
【００２６】
主制御装置３３は、基板検査装置全体の動作や処理を制御するものである。この主制御装置３３では、切り替え機構３１に切り替え信号を出力することで可視光顕微鏡２９と深紫外光顕微鏡３０の使用を切り替える。また主制御装置３３は、画像処理ユニット３２に各種の処理実行を指示する一方、画像処理ユニット３２から得られた数値化データを用いて分布管理や統計処理などを行う。また、主制御装置３３では画像処理ユニット３２によって得られた数値化データに基づいて被検査基板の表面状態を評価し、合否の判定を行う。さらに、主制御装置３３には基板検査時に参照される教示位置の座標データが保存されており、この座標データにしたがって教示位置の移動指令を位置制御装置３４に与える。
【００２７】
位置制御装置３４は、主制御装置３３から与えられた移動指令に基づいてＸＹ軸駆動制御装置３５とＺ軸駆動制御装置３６とに制御用データを出力する。ＸＹ軸駆動制御装置３５は、被検査基板を支持するテーブル９をＸＹ軸方向（水平直交二軸方向）に移動させるＸＹ軸駆動部３７の駆動を制御するもので、Ｚ軸駆動制御装置３６は、テーブル９をＺ軸方向（上下方向）に移動させるＺ軸駆動部３８の駆動を制御するものである。
【００２８】
続いて、被検査基板が液晶表示装置のＴＦＴ基板（ＴＦＴは膜膜トランジスタの略）である場合を例に挙げて、上記構成の基板検査装置を用いた液晶表示装置の製造方法について説明する。この製造方法は、低温ポリシリコンＴＦＴを用いた液晶表示装置の製造プロセスにおいて、例えば、ＴＦＴ基板のベースとなるガラス基板上にＣＶＤ(Chemical-Vapor-Deposition)法でアモルファスシリコンを積層（膜付け）した後、その表面にエキシマレーザアニール（以下、ＥＬＡと略称）でライン状のレーザビームを照射して結晶化し、これによってアモルファスシリコンをポリシリコン（Ｐｏｌｙ−Ｓｉ）に変質させた後のＴＦＴ基板の検査に適用される。検査対象となるＴＦＴ基板は、例えば、縦６００ｍｍ、横７２０ｍｍ、厚さ０．７ｍｍの大型基板である。
【００２９】
ＥＬＡを終えたＴＦＴ基板はカセット３に収容されて基板出入口２により基板検査装置１に搬入される。そして、オペレータが操作パネル等を介して装置を起動することにより、以下の手順で基板の検査が行われる。
【００３０】
先ず、カセット３に収容された未検査のＴＦＴ基板は、基板搬送ロボット４に支持されて検査ステージ８へと移送され、そこに待機しているテーブル９上に載置される。次いで、主制御装置３３からの教示位置の移動指令にしたがってＸＹ軸駆動制御装置３５とＺ軸駆動制御部３６がそれぞれＸＹ軸駆動部３７とＺ軸駆動部３８の駆動を制御することにより、テーブル９がＺ軸下端に移動した後、ＸＹ軸方向に移動する。これにより、ＴＦＴ基板の観察対象部位が光学顕微鏡ユニット１４の対物レンズ２１の真下に位置決めされる。
【００３１】
続いて、ＡＦユニット１９によって可視光用レンズの焦点合わせを行う。これにより、ＴＦＴ基板の表面に可視光が照射されかつＴＦＴ基板からの反射画像（可視光画像）が可視光ＣＣＤカメラ１６によって取り込まれる。この可視光を用いて取得した観察画像は、ＴＦＴ基板のマクロ観察（ＣＲＴ画面を用いた目視確認等）や検査位置（観察位置）の特定などに用いられる。
【００３２】
続いて、観察に使用するレンズを深紫外光用に切り替える。レンズの切り替えは、主制御装置３３からの切り替え信号を基に切り替え機構３１によって行われる。次に、Ｚ軸駆動部３８を駆動することにより、予め設定されたオフセット量だけテーブル９を下降させる。
【００３３】
次いで、光学顕微鏡ユニット１４による深紫外光の照射によって得られるＴＦＴ基板からの反射画像（深紫外光画像）を深紫外光ＣＣＤカメラ２８で取り込む。次に、Ｚ軸駆動部３８を駆動してテーブル９を所定のピッチ量だけ下降させた後、再び深紫外光ＣＣＤカメラ２８による画像の取り込みを行う。以後、予め設定された回数だけテーブル９のピッチ量下降と深紫外光ＣＣＤカメラ２８による画像の取り込みを繰り返す。これにより、複数回（例えば、４回）にわたる観察画像の取り込みを行う。その理由は、ＴＦＴ基板の厚みに加工上のバラツキが生じることから、このバラツキの範囲内でジャストフォーカス位置となる深紫外光の観察画像を確実に得るためである。
【００３４】
こうして繰り返し取り込まれる観察画像は順次、画像処理ユニット３２に送られる。そうすると、画像処理ユニット３２では、複数の観察画像の中から深紫外光用レンズのジャストフォーカス位置に対応する観察画像を抽出し、この抽出した観察画像の記録、表示及び数値化を行う。このＴＦＴ基板の検査に際しては、波長が約２５０ｎｍの深紫外光を用いたときに良好な観察画像が得られた。
【００３５】
ここで、ＥＬＡによるポリシリコンの結晶状態は、ＥＬＡエネルギーの適正度に左右される。また、深紫外光を用いた観察画像では、ＥＬＡエネルギーが適正であると、レーザビームのラインに沿った周期的なパターンとなる。しかし、ＥＬＡエネルギーが低いとランダムなパターンとなり、逆にＥＬＡエネルギーが高いとパターンの周期性が崩壊される。
【００３６】
そこで本実施形態においては、深紫外光の照射によって観察画像に現れるポリシリコン表面のパターンの周期性に基づいて結晶状態を評価することとした。パターンの周期性については、先に抽出した観察画像を画像処理ユニット３２で画像処理することにより、例えば、ある局所部分のパターンに対する他の局所部分のパターンの一致度（類似度）を、自己相関(Auto-Correlation）関数という数値で表すことができる。
【００３７】
画像処理ユニット３２で数値化されたデータは主制御装置３３に送られ、そこで被検査基板となったＴＦＴ基板のポリシリコン表面の結晶状態を評価する。図４はポリシリコン表面の観察画像を画像処理によって数値化して得られたデータを基に描いたパターンであり、（Ａ）は周期性のあるパターン画像、（Ｂ）は周期性のないパターン画像を表している。このパターン画像をＥＬＡにおけるレーザビームのライン方向と直交する方向に走査することにより、パターンの周期性を表す数値を自己相関法によって求める。
【００３８】
自己相関法によって得られる数値をＡＣ値とすると、このＡＣ値は図５に示すように“ＡＣ値＝Ｒ１／Ｒ０（％）”定義される。これにより、周期性のあるパターンでは図６（Ａ）のようにＡＣ値（＝Ｒ１／Ｒ０）が高くなり、上記図６（Ｂ）のように周期性のないパターンではＡＣ値が低くなる。
【００３９】
そこで主制御装置３３においては、先述のように求めた数値（ＡＣ値）のレベルを、例えば予め設定された閾値レベルと比較することにより、ポリシリコン表面の結晶状態を定量的に評価し、良否の判定を行う。検査を終えたＴＦＴ基板は、ＸＹ軸駆動部３７及びＺ軸駆動部３８により元の位置に移動し、そこで基板搬送ロボット４に受け渡された後、検査済用のカセット３に収容される。以後、同様の動作によって次のＴＦＴ基板の検査が行われる。そして、所定枚数の基板検査を終えると、検査済用のカセット３が基板出入口２を通して装置外に搬出される。
【００４０】
このように、波長が短い深紫外光を用いてＴＦＴ基板の検査を行うことにより、可視光を用いた場合よりも高倍率でかつ高解像度の観察画像を得ることができる。これにより、可視光顕微鏡では判別困難であったポリシリコン表面の結晶状態（結晶性）を定量的に評価することができる。また、基準が曖昧な目視判断に頼ることなく結晶状態を適切に評価できるため、検査の精度及び信頼性を向上させることができる。
【００４１】
さらに、大気中でＴＦＴ基板の検査を行うことができるため、実際に基板検査を行うにあたって、ＴＦＴ基板をそのまま検査ステージ８に供給し、光学顕微鏡ユニット１４でポリシリコン表面の観察画像（深紫外光画像）を取得することができる。そのため、試料化のための破壊や前処理等を行う必要がない。このようにＴＦＴ基板の非破壊検査を実現することにより、検査時間を大幅に短縮することができる。さらに、検査を終えたＴＦＴ基板を使って液晶表示装置を製品化することもできる。
【００４２】
また、ポリシリコン表面の結晶状態とＥＬＡエネルギーの相関を求め、その結果をＥＬＡの処理にフォードバックすることにより、ＥＬＡエネルギーの適正化を図ることができる。さらに、ポリシリコンの結晶評価に基づいて合否を判定し、合格したＴＦＴ基板のみ次工程に供給することにより、歩留まりの向上を図ることができる。また、主制御装置３３における分布管理や統計処理により、ＴＦＴ基板内の微小領域観察結果の場所依存性等を比較したり、複数のＴＦＴ基板の同一箇所における観察結果を比較したりすることが可能となる。
【００４３】
なお、上記実施形態においては、主制御装置３３からの教示位置の移動指令によって特定される一つの微小領域の観察画像を得るようにしたが、例えば、図７（Ａ）に示すように基板原点Ｐ０からＸＹ座標で特定される教示位置Ｐ１の画像とともに、その周辺部Ｐ２〜Ｐ６の画像をＸＹ軸方向への定ピッチ送りにより複数箇所にわたって取得し、それらの画像を個別に数値化して当該数値化データの代表値（平均値、バラツキ、偏り等）を得るようにしてもよい。
【００４４】
また、図７（Ｂ）に示すように、基板原点Ｐ０からＸＹ座標で特定される教示位置Ｐ１とその周辺部Ｐ２〜Ｐ６の画像を取得するのに加えて、教示位置Ｐ１からＸＹ軸方向にそれぞれオフセットを設けて同様に複数箇所Ｐ７〜Ｐ１２の画像を取得して代表値を得るようにしてもよい。
【００４５】
このように教示位置を中心（起点）として基板表面を多点観察することにより、視野の狭い深紫外光顕微鏡であっても、マクロ的な評価を行うことができる。これにより、例えば、教示位置で示される微小領域だけに特異な点が存在した場合でも、その画像の数値化データだけで評価することがないため、ＴＦＴ基板の表面状態をより適切に把握して結晶性評価に反映させることが可能となる。
【００４６】
また、本発明に係る基板検査装置及び基板検査方法は、ＴＦＴ基板を含む大型基板の欠陥検査や異物検査、さらには半導体プロセス等で基板上に微細加工した線状凹凸の線幅や、穴加工した直径、面積の測定などにも適用可能である。
【００４７】
【発明の効果】
以上説明したように本発明の基板検査装置によれば、大型基板を支持する試料台を備え、この試料台で支持した大型基板の表面に深紫外光を照射して当該大型基板からの反射画像を深紫外光画像取得手段で取得することにより、非破壊検査にて高倍率で高解像度の観察画像を得ることができる。これにより、大型基板の微小領域検査を短時間で容易に行うことが可能となる。また、検査済の大型基板を継続して処理・加工し、製品化することが可能となる。
【００４８】
また、本発明の基板検査方法によれば、大型基板の表面に深紫外光を照射して当該大型基板からの反射画像を取得することにより、非破壊検査にて高倍率で高解像度の観察画像が得られる。そのため、大型基板の表面状態を短時間で容易に検査することができる。また、検査済の大型基板を継続して処理・加工し、製品化することができる。
【００４９】
また、本発明の液晶表示装置の製造方法によれば、大型の液晶表示装置用基板の表面に深紫外光を照射して当該液晶表示装置用基板からの反射画像を取得することにより、非破壊検査にて高倍率で高解像度の観察画像が得られる。そのため、大型の液晶表示装置用基板の表面状態を短時間で容易に検査することができる。また、検査済の液晶表示装置用基板を継続して処理・加工し、製品化することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態に係る基板検査装置の全体像を示す斜視図である。
【図２】光学顕微鏡ユニットの具体的な構成例を示す概略図である。
【図３】本発明の実施形態に係る基板検査装置の機能ブロック図である。
【図４】画像処理によって得られた基板表面のパターン画像を示す図である。
【図５】ポリシリコンの結晶評価アルゴリズムを説明する図（その１）である。
【図６】ポリシリコンの結晶評価アルゴリズムを説明する図（その２）である。
【図７】多点観察の具体的な観察位置の設定例を示す図である。
【符号の説明】
１…基板検査装置、３…カセット、４…基板搬送ロボット、５…被検査基板（大型基板）、８…検査ステージ、９…テーブル、１０…テーブル駆動部、１４…光学顕微鏡ユニット、２９…可視光顕微鏡、３０…深紫外光顕微鏡、２１…切り替え機構、３２…画像処理ユニット、３３…主制御装置、３４…位置制御装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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