(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理室内に基板を配置して熱処理を行うための熱処理装置であって，
前記基板を加熱する加熱部と，
前記基板上に膜を形成するための処理ガスを前記処理室内に導入するガス導入部と，
時間の経過と設定温度との関係を表した設定温度プロファイルを含み，かつ前記基板上に膜を形成する熱処理工程を記述する熱処理工程記述部を少なくとも有する処理レシピに従って，前記加熱部および前記ガス導入部を制御する制御部と，を具備し，
前記熱処理工程中に前記基板の中央近傍の中央温度が周縁近傍の周縁温度より高い中央高温状態と該基板の該周縁温度が該中央温度より高い周縁高温状態とが現れ，かつ前記熱処理工程中における前記基板の前記中央温度の時間平均値が，前記周縁温度の時間平均値と略等しくなるように，前記設定温度プロファイルが規定されている
ことを特徴とする熱処理装置。
【請求項２】
前記熱処理工程中の前記設定温度が，時間の推移と共に変化する時間変化設定温度であるように，前記設定温度プロファイルが規定されている
ことを特徴とする請求項１記載の熱処理装置。
【請求項３】
前記熱処理工程に先立つ前記設定温度が，前記時間変化設定温度であるように，前記設定温度プロファイルが規定されている
ことを特徴とする請求項２記載の熱処理装置。
【請求項４】
設定温度に従って温度を制御し，基板の熱処理を行う方法であって，
処理ガス雰囲気中で前記基板上に膜を形成する熱処理工程を具備し，
前記熱処理工程が，
前記基板の中央近傍の中央温度が周縁近傍の周縁温度より高い中央高温工程と，
前記基板の前記周縁温度が前記中央温度より高い周縁高温工程と
を含み，
前記熱処理工程における前記基板の前記中央温度の時間平均値が，前記周縁温度の時間平均値と略等しい
ことを特徴とする基板の熱処理方法。
【請求項５】
前記熱処理工程における前記設定温度が，時間の経過と共に変化する時間変化設定温度である
ことを特徴とする請求項４記載の熱処理方法。
【請求項６】
前記熱処理工程における前記時間変化設定温度が，時間の経過と共に下降している
ことを特徴とする請求項５記載の熱処理方法。
【請求項７】
前記周縁高温工程の後に前記中央高温工程が行われる
ことを特徴とする請求項６記載の熱処理方法。
【請求項８】
前記熱処理工程における前記時間変化設定温度が，時間の経過と共に上昇している
ことを特徴とする請求項５記載の熱処理方法。
【請求項９】
前記中央高温工程の後に前記周縁高温工程が行われる
ことを特徴とする請求項８記載の熱処理方法。
【請求項１０】
前記周縁温度が周縁近傍の複数箇所の温度の平均値である
ことを特徴とする請求項４記載の熱処理方法。
【請求項１１】
前記熱処理工程において，処理ガスの濃度が時間的に略一定である
ことを特徴とする請求項４記載の熱処理方法。
【請求項１２】
前記熱処理工程において，処理ガスの圧力が時間的に略一定である
ことを特徴とする請求項１１記載の熱処理方法。
【請求項１３】
前記熱処理工程の前に，
設定温度が時間的と共に上昇する昇温工程
をさらに具備することを特徴とする請求項４記載の熱処理方法。
【請求項１４】
前記昇温工程と前記熱処理工程との間に，設定温度が時間の経過と共に変化する時間変化設定温度工程
をさらに具備することを特徴とする請求項１３記載の熱処理方法。
【請求項１５】
前記昇温工程と前記熱処理工程との間に，設定温度が略一定の定常設定温度工程
をさらに具備することを特徴とする請求項１４記載の熱処理方法。
【請求項１６】
基板の熱処理を行う熱処理装置を制御するための処理レシピを記録した記録媒体であって，
前記処理レシピが，時間の経過と設定温度との関係を表した設定温度プロファイルを含み，かつ前記基板上に膜を形成する熱処理工程を記述する熱処理工程記述部を少なくとも有し，
前記熱処理工程中に前記基板の中央近傍の中央温度が周縁近傍の周縁温度より高い中央高温状態と該基板の該周縁温度が該中央温度より高い周縁高温状態とが現れ，かつ前記熱処理工程中における前記基板の前記中央温度の時間平均値が，前記周縁温度の時間平均値と略等しくなるように，前記設定温度プロファイルが規定されている
ことを特徴とする処理レシピを記録した記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、熱処理装置、基板の熱処理方法、および処理レシピを記録した媒体に関し、特に温度安定のための待ち時間が短縮可能な熱処理装置、基板の熱処理方法、および処理レシピを記録した媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体製造プロセスにおいて、半導体ウエハ（以下ウエハという）に対して熱処理を行う装置の一つにバッチ処理を行う縦型熱処理装置がある。この装置は、ウエハボートなどと呼ばれている保持具に多数枚のウエハを棚状に保持し、この保持具を縦型の熱処理炉の中に搬入して熱処理、例えば酸化処理やＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）を行うものである。
縦型熱処理装置で熱処理する際には、ウエハを縦型熱処理装置の処理室内に搬入し、ヒータによって加熱して昇温する。その後、基板の温度が安定するのを待ち、目的とする熱処理、例えば酸化処理を行う。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の熱処理装置では基板面内の熱処理を均一に行う目的で、基板の温度が安定するための安定化時間を要していた。このため安定化時間の分、熱処理の工程に時間がかかることとなりスループットが減少していた。
本発明はこのような課題を解決するためになされたもので、安定化時間を短縮しても基板面内の熱処理を均一に行える熱処理装置を提供することを目的としている。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
（１）上記目的を達成するために、本発明は以下の熱処理装置を構成する。
処理室内に基板を配置して熱処理を行うための熱処理装置であって、前記基板を加熱する加熱部と、前記基板上に膜を形成するための処理ガスを前記処理室内に導入するガス導入部と、時間の経過と設定温度との関係を表した設定温度プロファイルを含み、かつ前記基板上に膜を形成する熱処理工程を記述する熱処理工程記述部を少なくとも有する処理レシピに従って、前記加熱部および前記ガス導入部を制御する制御部とを具備し、前記熱処理工程中に前記基板の中央近傍の中央温度が周縁近傍の周縁温度より高い中央高温状態と該基板の該周縁温度が該中央温度より高い周縁高温状態とが現れるように、前記設定温度プロファイルが規定されていることを特徴とする。
【０００５】
熱処理工程中に基板中央近傍が高温の中央高温状態と基板周縁近傍が高温の周縁高温状態の双方の状態をとる。この中央高温状態と周縁高温状態の双方が打ち消し合うことにより、時間平均すれば中央温度と周縁温度は近づく。その結果、安定化時間を短縮しても基板面上の熱処理を均一に行い易くなる。
【０００６】
ここで、前記熱処理工程中における前記基板の前記中央温度の時間平均値が、前記周縁温度の時間平均値と略等しくなるように、前記設定温度プロファイルが規定されていることが好ましい。中央温度の時間平均値が、前記周縁温度の時間平均値と略等しいことにより、基板面上の熱処理の均一性の確保が容易になる。なお、前記熱処理工程中の前記設定温度が、時間の推移と共に変化する時間変化設定温度であるように、前記設定温度プロファイルが規定されていても差し支えない。
【０００７】
（２）本発明に係る基板の熱処理方法は次のように構成される。
設定温度に従って温度を制御し、基板の熱処理を行う方法であって、処理ガス雰囲気中で前記基板上に膜を形成する熱処理工程を具備し、前記熱処理工程が、前記基板の中央近傍の中央温度が周縁近傍の周縁温度より高い中央高温工程と、前記基板の前記周縁温度が前記中央温度より高い周縁高温工程とを含むことを特徴とする。
【０００８】
中央高温状態と周縁高温状態が互いに打ち消し合うことにより、安定化時間を短縮しても基板面内の熱処理の均一性の確保が容易になる。
ここで、前記熱処理工程における前記設定温度が、時間の経過と共に下降していても差し支えない。このとき、基板の加熱、放熱が周縁から行われるなら、前記周縁高温工程の後に前記中央高温工程が行われることになる。基板の加熱、放熱が基板周縁から行われるなら、設定温度が、時間の経過と共に下降するにつれ基板の周縁温度が中央温度よりも速やかに下降するからである。
【０００９】
また、前記熱処理工程における前記時間変化設定温度が、時間の経過と共に上昇していても差し支えない。
このとき、基板の加熱、放熱が基板周縁から行われるなら、前記中央高温工程の後に前記周縁高温工程が行われることになる。基板の加熱、放熱が基板周縁から行われるなら、時間の経過と共に設定温度が上昇するにつれ基板の周縁温度が中央温度よりも速やかに上昇するからである。
【００１０】
ここで、前記熱処理工程における前記基板の前記中央温度の時間平均値が、前記周縁温度の時間平均値と略等しいことが、好ましい。基板面内の均一な熱処理の確保に繋がるからである。
ここで、前記周縁温度が周縁近傍の複数箇所の温度の平均値であっても差し支えない。
【００１１】
また、前記熱処理工程において、処理ガスの濃度および圧力が時間的に略一定であることが好ましい。基板面内の均一な熱処理を容易に行いやすいからである。
【００１２】
（３）本発明に係る基板の熱処理方法は次のように構成することもできる。
基板を熱処理する方法であって、第１の範囲の熱出力で、前記基板を加熱することにより該基板の中央近傍の中央温度と該基板の周縁近傍の周縁温度とを上昇させる昇温工程と、処理ガス雰囲気中で、前記第１の範囲の熱出力より小さい第２の範囲の熱出力で前記基板を基板周縁から加熱することにより、前記中央温度と前記周縁温度を低下させながら、該該基板上に膜を形成する熱処理工程であって、かつ該基板の前記中央温度が前記周縁温度より高い中央高温工程と該中央温度より該周縁温度が高い周縁高温工程とを含む熱処理工程とを具備することを特徴とする。
【００１３】
基板を第１の熱出力で昇温後に第２の熱出力で加熱しながら成膜を行う熱処理工程において、熱出力等を調整することにより、成膜中に中央高温状態と周縁高温状態の双方を出現させることができる。
この結果、昇温工程と熱処理工程（成膜工程）の間の安定化工程を短縮してもあるいは安定化工程を設けなくても、基板面内の熱処理の均一性の確保が容易になる。
【００１４】
（４）本発明に係る記録媒体は以下のように構成することができる。
基板の熱処理を行う熱処理装置を制御するための処理レシピを記録した記録媒体であって、前記処理レシピが、時間の経過と設定温度との関係を表した設定温度プロファイルを含み、かつ前記基板上に膜を形成する熱処理工程を記述する熱処理工程記述部を少なくとも有し、前記熱処理工程中に前記基板の中央近傍の中央温度が周縁近傍の周縁温度より高い中央高温状態と該基板の該周縁温度が該中央温度より高い周縁高温状態とが現れるように、前記設定温度プロファイルが規定されていることを特徴とする。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。
図１，図２は、それぞれ本発明に係る縦型熱処理装置の断面図および斜視図である。この縦型熱処理装置は、縦型熱処理炉１０と、ウエハ保持具であるウエハボート２０と、このウエハボート２０を昇降させるボートエレベータ３０、制御部１００とを備えている。
【００１６】
縦型熱処理炉１０は、例えば石英よりなる二重構造の反応管４０、この反応管４０を囲むように設けられた抵抗発熱体などからなる加熱部であるヒータ５０などからなる。
反応管４０の底部にはガス供給管６０及び排気管７０が接続されていて、反応管４０の外管４０ａからガス穴４１を介して内管４０ｂの中にガスが流れるようになっている。ガス供給管６０内のガス流量は流量制御器６５によって、排気管７０からの排気量は排気量制御器７５によって制御される。なお、４５は均熱用容器である。
【００１７】
ウエハボート２０は、例えば天板２１及び底板２２の間に複数の支柱２３を設け、この支柱２３に上下方向に形成された溝にウエハ（被処理体）Ｗの周縁を挿入して保持し、こうして複数のウエハＷを棚状に保持するように構成されている。ウエハボート２０は、縦型熱処理炉１０の下端の開口部８０を開閉する蓋体８１の上に設けられた保温筒８２の上に載置されている。蓋体８１はボートエレベータ３０に設けられており、ボートエレベータ３０が昇降することにより、縦型熱処理炉１０に対してウエハボート２０の搬入出が行われる。
【００１８】
前記ヒータ５０は、５つのヒータ５１〜５５に分割されており、それぞれ縦型熱処理炉１０内のゾーン（領域）１〜５を主として加熱するようになっている。ゾーン１〜５を代表する位置にそれぞれ温度モニタ用のモニタウエハＷ１〜Ｗ５が配置されている。即ち、モニタウエハＷ１〜Ｗ５とゾーン１〜５は、互いに１対１に対応している。それぞれのヒータ５１〜５５は、それぞれ電力制御器９１〜９５により個別に消費電力が制御される。
【００１９】
モニタウエハＷ１〜Ｗ５の基板温度は、直接測定されるのではなく、ヒータ５０の近傍（均熱容器４５の外壁）およびウエハＷの近傍（内管４０ｂの内壁）にそれぞれ設けられた温度センサＳｏｕｔ、Ｓｉｎの温度測定結果を基に推定される。これは、ウエハＷに熱電対等の温度センサを接触することでウエハが金属等によって汚染されることを防止するためである。温度センサＳｉｎ、Ｓｏｕｔは、モニタウエハＷ１〜Ｗ５にそれぞれ対応して、Ｓｉｎ１〜Ｓｉｎ５、Ｓｏｕｔ１〜Ｓｏｕｔ５が設置されている。
制御部１００は、縦型熱処理炉１０の制御を行うものであり、温度センサＳｉｎ１〜Ｓｉｎ５、Ｓｏｕｔ１〜Ｓｏｕｔ５の測定信号が入力され、電力制御器９１〜９５および流量制御器６５、排気量制御器７５に制御信号を出力する。
【００２０】
図３は、制御部１００の内部構成のうち、ヒータ３の制御に係る部分の詳細を示すブロック図である。
図３に示すように制御部１００は、温度センサＳ１ｉｎ〜Ｓ５ｉｎ、Ｓ１ｏｕｔ〜Ｓ５ｏｕｔからの測定信号に基づいて推定したモニタウエハＷ１〜Ｗ５の中央近傍の中央温度Ｔ１ｃ〜Ｔ５ｃ、周縁近傍の周縁温度Ｔ１ｅ〜Ｔ５ｅを出力する基板温度推定部１１０、それぞれのモニタウエハＷ１〜Ｗ５の中央温度Ｔ１ｃ〜Ｔ５ｃ、周縁温度Ｔ１ｅ〜Ｔ５ｅからそれぞれのモニタウエハＷ１〜Ｗ５の代表温度Ｔ１からＴ５を算出する代表温度算出部１２０、モニタウエハの代表温度Ｔ１〜Ｔ５および設定温度プロファイル記憶部１３０に記憶された設定温度プロファイルを基にヒータの出力ｈ１〜ｈ５を決定するヒータ出力決定部１４０から構成される。ヒータ出力決定部１４０で決定されたヒータ出力ｈ１〜ｈ５は、制御信号として電力制御器９１〜９５に送出される。
【００２１】
設定温度プロファイルは、時間の経過と設定温度（ウエハＷのあるべき温度）との関係を表したものである。この１例を図４に示す。
図４は、本発明に係る設定温度プロファイルを時間と温度の関係を表したグラフとして表現している。
【００２２】
（Ａ）時刻ｔ０からｔ１までは設定温度がＴ０に保たれている。このとき、ウエハＷを保持したウエハボート２０を縦型熱処理炉１０内に搬入される（ロード工程）。
（Ｂ）時刻ｔ１からｔ２までの間に、設定温度は温度Ｔ０からＴ２まで一定のレートで上昇する（昇温工程）。
【００２３】
（Ｃ）時刻ｔ２からｔ３の間は、設定温度はＴ２に保たれる。実際のウエハＷの温度は設定温度を一定にしても熱的な慣性のために温度が一定になるまで多少の時間がかかる。そのため、ウエハの温度が安定するまで次の工程に移るのを控える（安定化工程）。
一般的にはこの安定化工程には数分以上、場合によっては数十分を要するのが通例である。
本発明では、この安定化時間（ｔ３−ｔ２）を短縮、あるいは省略しても、ウエハＷの品質の低下を招き難いのが特徴である。
【００２４】
（Ｄ）時刻ｔ３からｔ４の間は、設定温度はＴ２からＴ１まで徐々に低下する。このときに、ガス供給管６０から酸素ガス等の処理ガスが縦型熱処理炉１０の内部に導入され例えばシリコンウエハ上への酸化膜の形成等の熱処理が行われる（成膜工程）。
即ち、成膜中の設定温度は時間の経過と共に変化する時間変化設定温度である。なお、ここでいう時間変化設定温度は、設定温度が成膜中に何らかの変化があるものをいい成膜中一時的に設定温度が一定値となることは差し支えないものとする。即ち、成膜工程（熱処理工程）の全期間を通じて設定温度が一定なもの以外は時間変化設定温度といえる。以後もこれと同様に解釈するものとする。
本発明は、昇温レートと成膜中の時間変化設定温度を適切に組み合わせることにより、安定化時間の短縮を可能とした。なお、この詳細は後述する。
【００２５】
（Ｅ）時刻ｔ４からｔ５の間は、設定温度がＴ１からＴ０まで一定のレートで低下する（降温工程）。
（Ｆ）時刻ｔ５以降は設定温度はＴ０に保たれる。このとき、ウエハＷを保持したウエハボート２０が縦型熱処理炉１０内から搬出される（アンロード工程）。
【００２６】
設定温度プロファイルは、以上の様に時間の経過に対応して（１）温度を直接指定する他に、（２）昇温レート等の温度の変化率を指定する、あるいは（３）ヒータ出力を指定する等種々の表現方法が考えられる。結果として、時間の経過とウエハＷの温度を対応づけるものであれば、見かけ上の表現方法に拘る必要はない。
【００２７】
設定温度プロファイルは、ウエハＷの熱処理工程全体を決定する処理レシピの一部である。処理レシピには、設定温度プロファイルの他にも縦型熱処理炉１０内からの大気の排出や処理ガスの導入等の工程が時間経過と対応して表されている。
熱処理工程全体で特に重要なのは成膜工程であり、処理レシピのうち成膜工程を記述する部分を成膜工程記述部とよぶこととする。
【００２８】
図５は、制御部１００によるヒータ５０の制御手順を表すフロー図である。以下、このフロー図に基づき縦型熱処理炉１０の温度制御の手順を説明する。
（Ａ）熱処理のプロセスが開始されると、温度センサＳｉｎ（Ｓ１ｉｎ〜Ｓ５ｉｎ）、Ｓｏｕｔ（Ｓ１ｏｕｔ〜Ｓ５ｏｕｔ）の測定信号が温度推定部１１０によって読みとられる（Ｓ２０１）。
【００２９】
（Ｂ）基板温度推定部１１０は、温度センサＳｉｎ、Ｓｏｕｔの測定信号からモニタウエハＷ１〜Ｗ５それぞれの中央温度Ｔ１ｃ〜Ｔ５ｃおよび周縁温度Ｔ１ｅ〜Ｔ５ｅを推定する（Ｓ２０２）。
この推定には制御工学において知られている以下の式（１）、（２）を用いることができる。
ｘ（ｔ＋１）＝Ａ・ｘ（ｔ）＋Ｂ・ｕ（ｔ）          ……  式（１）
ｙ（ｔ）＝Ｃ・ｘ（ｔ）＋ｕ（ｔ）                  ……  式（２）
ここで、ｔ：時間
ｘ（ｔ）：ｎ次元状態ベクトル
ｙ（ｔ）：ｍ次元出力ベクトル
ｕ（ｔ）：ｒ次元入力ベクトル
Ａ，Ｂ，Ｃ：それぞれｎ×ｎ、ｎ×ｒ、ｍ×ｎの定数行列
である。
【００３０】
式（１）が状態方程式、式（２）が出力方程式と呼ばれ、式（１）、（２）を連立して解くことにより、入力ベクトルｕ（ｔ）に対応する出力ベクトルｙ（ｔ）を求めることができる。
本実施形態においては入力ベクトルｕ（ｔ）は温度センサＳ１ｉｎ〜Ｓ５ｉｎ、Ｓ１ｏｕｔ〜Ｓ５ｏｕｔの測定信号であり、出力ベクトルｙ（ｔ）は中央温度Ｔ１ｃ〜Ｔ５ｃおよび周縁温度Ｔ１ｅ〜Ｔ５ｅである。
【００３１】
式（１）、（２）において、温度センサＳｉｎ、Ｓｏｕｔの測定信号と中央温度Ｔｃ、周縁温度Ｔｅは、多入出力の関係にある。即ち、ヒータ３のゾーン１〜５それぞれはモニタウエハＷ１〜Ｗ５のそれぞれに対して独立に影響を与えているわけではなく、一つのゾーンのヒータはどのモニタウエハにも何らかの影響を与えている。
【００３２】
状態方程式等は雑音を考慮した式（３）、（４）
ｘ（ｔ＋１）＝Ａ・ｘ（ｔ）＋Ｂ・ｕ（ｔ）＋Ｋ・ｅ（ｔ）……式（３）
ｙ（ｔ）＝Ｃ・ｘ（ｔ）＋Ｄ・ｕ（ｔ）＋ｅ（ｔ）        ……式（４）
を用いることもできる。
ここで、ｔ：時間
ｘ（ｔ）：ｎ次元状態ベクトル
ｙ（ｔ）：ｍ次元出力ベクトル
ｕ（ｔ）：ｒ次元入力ベクトル
ｅ（ｔ）：ｍ次元雑音ベクトル
Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ、Ｋ：それぞれｎ×ｎ、ｎ×ｒ、ｍ×ｎ、ｍ×ｍ、ｎ×ｍの定数行列
である。
【００３３】
熱処理装置の熱特性によって定まる定数行列Ａ，Ｂ，Ｃ、Ｄを求める手法として、例えば部分空間法を適用することができる。
具体的には温度センサＳ１ｉｎ〜Ｓ５ｉｎ、Ｓ１ｏｕｔ〜Ｓ５ｏｕｔの測定信号及び中央温度Ｔ１ｃ〜Ｔ５ｃおよび周縁温度Ｔ１ｅ〜Ｔ５ｅのデータを取得し、そのデータを例えばソフトウェアＭａｔｌａｂ（製造：Ｔｈｅ  ＭａｔｈＷｏｒｋｓ．  Ｉｎｃ．、販売：サイバネットシステム株式会社）に入力することで、定数行列Ａ，Ｂ，Ｃを逆算できる。
【００３４】
このデータ取得は、ヒータ５１〜５５の出力を徐々に変化させ、温度センサＳ１ｉｎ〜Ｓ５ｉｎ、Ｓ１ｏｕｔ〜Ｓ５ｏｕｔの測定信号及び中央温度Ｔ１ｃ〜Ｔ５ｃおよび周縁温度Ｔ１ｅ〜Ｔ５ｅの時間的変動を同時に測定することにより行われる。中央温度Ｔ１ｃ〜Ｔ５ｃおよび周縁温度Ｔ１ｅ〜Ｔ５ｅの測定は、熱電対を設置したモニタウエハを用いることで行える。
【００３５】
求められた定数行列Ａ，Ｂ，Ｃ、Ｄの組合せは、複数存在するのが通例である。この組合せから、中央温度Ｔ１ｃ〜Ｔ５ｃおよび周縁温度Ｔ１ｅ〜Ｔ５ｅの算出値（（３）、（４）を連立して算出する）と実測値が一致するものを選択する（モデルの評価）。
定数行列Ａ，Ｂ，Ｃ、Ｄの組合せが定まれば、式（１）、（２）または式（３）、（４）を連立して解くことにより、温度センサＳ１ｉｎ〜Ｓ５ｉｎ、Ｓ１ｏｕｔ〜Ｓ５ｏｕｔの測定信号から中央温度Ｔ１ｃ〜Ｔ５ｃおよび周縁温度Ｔ１ｅ〜Ｔ５ｅを算出できる。
【００３６】
（Ｃ）代表温度算出部１２０は、中央温度Ｔ１ｃ〜Ｔ５ｃ、周縁温度Ｔ１ｅ〜Ｔ５ｅを基にモニタウエハＷ１〜Ｗ５それぞれの温度を代表する代表温度Ｔ１ｒ〜Ｔ５ｒを算出する（Ｓ２０３）。
代表温度Ｔｒの算出は、例えばつぎの式（５）によって行える。
Ｔｒ＝Ｔｃ・ｘ＋Ｔｅ・（１−ｘ）                ……  式（５）
ここで、ｘ：重み  （０＜ｘ＜１）
である。重みｘは、ウエハＷ上の温度分布を考慮して、代表温度ＴｒがウエハＷの温度を代表する値としてふさわしくなるような値を採用する。重みｘは、例えば１／３の値を採用できる。
【００３７】
（Ｄ）ヒータ出力決定部１３０は、代表温度Ｔ１ｒ〜Ｔ５ｒおよび設定温度プロファイルを基にヒータ５１〜５５の出力値ｈ１〜ｈ５を決定する（Ｓ２０４）。
ヒータ出力値ｈ１〜ｈ５は、例えば設定温度Ｔｓｐと代表温度Ｔｒの差（Ｔｓｐ−Ｔｒ）に対応して決めることができる。あるいは昇温レート等の温度の変化速度に対応して決めても良い。
（Ｅ）ヒータ出力決定部１４０は、最終的に決定されたヒータ出力値ｈ１〜ｈ５を電力制御器９１〜９５に制御信号として出力し（Ｓ２０５）、ヒータ５１〜５５それぞれの出力が制御される。
（Ｆ）熱処理プロセスが終了していなければ、ステップＳ２０１に戻って半導体ウエハＷの温度制御が続行される（Ｓ２０６）。
なお、このステップＳ２０２からＳ２０６は多くの場合、１秒〜４秒程度の周期で繰り返される。
【００３８】
次に本発明に係る設定温度プロファイルを用いた温度制御の詳細につき説明する。
図６は、図４に示した設定温度プロファイルを用いた場合のウエハＷ上の温度の時間的変化を表したグラフである。図６（Ａ）が、設定温度Ｔｓｐと対応してウエハＷの周縁近傍の周縁温度Ｔｅと中央近傍の中央温度Ｔｃの時間的変化を示している。また、図６（Ｂ）は、ウエハＷ面内の温度差ΔＴ（＝Ｔｃ−Ｔｅ）の時間的変化を示し、図６（Ｃ）は、ヒータ５０の出力の時間的変化を表している。
【００３９】
（１）時刻ｔ１からｔ２にかけて昇温が行われる。このときヒータ５０の出力は急速な昇温のため出力がＰ１からＰ４に増大される。
ヒータ５０がウエハＷをその周縁から加熱することから、周縁温度Ｔｅは中央温度Ｔｃより先に上昇する。この結果、温度差ΔＴは、負の値をとる。即ち、このときはウエハＷの周縁温度が中央温度より高い周縁高温状態である。
（２）時刻ｔ２からｔ３では、設定温度はＴ２と一定でありウエハＷの温度の安定化が図られる。このときヒータ５０の出力はＰ４からＰ３まで低下される。
しかしながら熱的な慣性のためにウエハＷの温度上昇はすぐには止まらない。このため、温度差ΔＴは徐々に０に近づいてゆく。
【００４０】
（３）時刻ｔ３からｔ５では設定温度が徐々にＴ２からＴ１まで低下する。ヒータ５０の出力としてはＰ３からＰ２まで低下される。この時刻ｔ３からｔ５までの期間では、酸素ガス等の処理ガスを導入し成膜（熱処理）が行われる。
設定温度の低下に伴いウエハＷの温度も低下するが、中央温度Ｔｃよりも周縁温度Ｔｅの方が急速に低下する傾向にある。これはウエハＷの周縁から放熱が行われることに起因する。即ち、ウエハＷの周縁は、加熱のときも放熱のときもウエハＷの中央よりも温度の変化が先に起こる。
【００４１】
時刻ｔ１からｔ２の昇温工程のために周縁高温状態となっていたウエハＷは、時刻ｔ３では温度差ΔＴは−ΔＴ１であり依然周縁高温状態である。これは安定化工程の時間（ｔ３−ｔ２）が短いことによる。
しかし、設定温度の低下に伴い周縁温度が中央温度より先に低下する。このために、周縁高温状態は、徐々に中央温度Ｔｃが周縁温度Ｔｅより高い中央高温状態に移行する。時刻ｔ４で中央温度と周縁温度が同じとなり、従い温度差ΔＴは０となる。その後、中央高温状態となり温度差ΔＴはΔＴ２で安定した状態になる。
【００４２】
以上のように、成膜中に中央高温状態と周縁高温状態の両方の状態をとることが本発明の特徴である。これは、時間的に平均すればウエハＷの中央と周縁での成膜条件が近いことを意味する。即ち、成膜中に温度が変化するときの成膜レートＲ（膜の成長速度）の平均値は、温度の時間平均Ｔ（Ａｖ）を基準として表すことができる。以下にこれを示す。
【００４３】
ウエハ上に形成される膜の膜厚Ｄは、成膜レート（膜の成長速度）Ｒおよび時間ｔから次の式（６）のように表される。
Ｄ＝∫ｔ３ｔ５  Ｒ（Ｔ）  ｄｔ                  ……  式（６）
ここで、∫は積分記号であり、Ｒ（Ｔ）は成膜レートＲが温度Ｔの関数であることを示す。
【００４４】
成膜レートＲ（Ｔ）は次式（７）のように温度の定数値Ｔ０で展開できる。
Ｒ（Ｔ）＝Ｒ（Ｔ０）＋Ｒ１（Ｔ０）＊（Ｔ−Ｔ０）  ……  式（７）
ここで、
Ｒ１（Ｔ０）：ｄＲ（Ｔ０）／ｄｔ（成膜レートの時間微分）
である。
【００４５】
式（６）に式（７）を代入すると次の式（８）が導ける。
Ｄ＝Ｒ（Ｔ０）＊（ｔ５−ｔ３）＋Ｒ１（Ｔ０）＊∫ｔ３ｔ５（Ｔ−Ｔ０）ｄｔ…式（８）
ここで、温度Ｔの時間平均値（平均温度）Ｔ（Ａｖ）を次の式（９）により定義する。
Ｔ（Ａｖ）＝∫ｔ３ｔ５  Ｔ（ｔ）ｄｔ／（ｔ５−ｔ３）  ……式（９）
【００４６】
そして、式（８）で、Ｔ０＝Ｔ（Ａｖ）とおくと次の式（１０）が得られる。
Ｄ／（ｔ５−ｔ３）＝Ｒ（Ｔ（Ａｖ））              ……式（１０）
ここで、
Ｄ／（ｔ５−ｔ３）：成膜中における成膜レートの平均値（平均成膜レート）
である。
即ち、式（１０）は、成膜中に温度が変わる場合の平均成膜レートは、平均温度Ｔ（Ａｖ）によって定まることを意味する。
【００４７】
以上から、成膜中の中央温度の時間平均値（平均中央温度）Ｔｃ（Ａｖ）と周縁温度の時間平均値（平均周縁温度）Ｔｅ（Ａｖ）が近いことが好ましいことが判る。なお、平均中央温度Ｔｃ（Ａｖ）と平均周縁温度Ｔｅ（Ａｖ）は次の式で表される。
Ｔｃ（Ａｖ）＝∫ｔ３ｔ５  Ｔｃ（ｔ）ｄｔ／（ｔ５−ｔ３）……式（１１）
Ｔｅ（Ａｖ）＝∫ｔ３ｔ５  Ｔｅ（ｔ）ｄｔ／（ｔ５−ｔ３）……式（１２）
【００４８】
ここで、
Ｔｃ（Ａｖ）＝Ｔｅ（Ａｖ）                        ……式（１３）
とおくと、次の式（１４）が導出できる。
∫ｔ３ｔ５  （Ｔｃ（ｔ）−Ｔｅ（ｔ））ｄｔ＝０      ……式（１４）
ここで、Ｔｃ（ｔ）−Ｔｅ（ｔ）は、温度差ΔＴ（ｔ）であるから。
∫ｔ３ｔ５  （ΔＴ（ｔ））ｄｔ＝０                  ……式（１５）
【００４９】
以上から、ウエハＷの中央と周縁で成膜が同様に行われるためには、成膜中の平均中央温度Ｔｃ（Ａｖ）と平均周縁温度Ｔｅ（Ａｖ）が同一である、即ち温度差ΔＴ（ｔ）の積分値が０であることが好ましいことが判る。
これは、図６（Ｂ）の時刻ｔ３からｔ４での斜線の面積と時刻ｔ４からｔ５の斜線の面積が等しいことを意味する。
【００５０】
以上のように、安定化工程の時間を短くした結果、成膜工程の初期に中央温度と周縁温度に温度差があっても、この温度差と正負が逆の温度差を作り出すことで、ウエハＷの中央と周縁の膜厚分布を均一にすることが可能となる。
【００５１】
但し、温度以外の条件を考慮すると必ずしもウエハＷの中央と周縁の平均温度が等しいことが、膜厚分布の均一化に最良の条件とは限らない。例えば減圧ＣＶＤではウエハの周縁には比較的新鮮な処理ガスが供給され、中央近傍には消費された処理ガスが供給される傾向がある。即ち、このときには温度条件が同一だったとしてもウエハＷの中央の膜厚は薄く、周縁では厚くなる傾向にある。この場合には、中央温度が周縁温度よりも幾分高い方が、処理ガスの条件の不均一を配慮した上で膜厚分布の向上を図るにはより好ましい。
【００５２】
このように、ウエハＷに施す熱処理条件によって、平均中央温度と平均周縁温度の関係を調整する。
平均周縁温度と平均中央温度の大小を調整するには以下の方法がある。
【００５３】
▲１▼  昇温工程（時刻ｔ１からｔ２）の昇温レートを変化する。
昇温レートを大きくすると、昇温中の周縁温度Ｔｅと中央温度Ｔｃの温度差が増大する。その結果、この後の成膜工程における平均周縁温度が平均中央温度に対して大きくなる。
この逆に昇温レートを低下すると、昇温中の周縁温度Ｔｅと中央温度Ｔｃの温度差が接近する。この結果、成膜工程初期の周縁高温状態において周縁温度Ｔｅと中央温度Ｔｃの温度差が小さいために、成膜工程全体では中央高温状態が周縁高温状態より優勢になる。即ち、この後の成膜工程における平均周縁温度が平均中央温度に対して小さくなる。
【００５４】
▲２▼  安定化工程（ｔ２〜ｔ３）の時間（ｔ３−ｔ２）を変化する。
安定化時間を短くすると成膜工程初期における周縁温度Ｔｅと中央温度Ｔｃの温度差が増大し、従って平均周縁温度Ｔｅが平均中央温度Ｔｃに対して増大する。
この逆に安定化時間を長くすると、平均周縁温度Ｔｅが平均中央温度に対して減少する。
【００５５】
▲３▼  成膜工程（時刻ｔ４〜ｔ５）における時間変化設定温度の時間勾配（（Ｔ２−Ｔ３）／（ｔ５−ｔ３））を変える。
設定温度の時間勾配を大きくすれば、周縁温度は中央温度に比してより速やかに低下する。そして、最終的な温度差ΔＴ２も大きくなる。この結果、平均中央温度は平均周縁温度に対して大きくなる。
逆に設定温度の時間勾配を小さくすると温度差ΔＴ２が小さくなり、平均中央温度は平均周縁温度に対して小さくなる傾向になる。
【００５６】
以上のように昇温工程、安定化工程、成膜工程における設定温度プロファイルを変えることで、成膜工程における平均中央温度および平均周縁温度を制御することができる。
（４）時刻ｔ５からｔ６では、設定温度はＴ１からＴ０に低下する。このときには処理ガスの導入は停止されている。その後、ウエハＷが縦型熱処理炉１０内から取り出される。
【００５７】
（比較例）
次に比較例として、成膜中の設定温度が一定の定常設定温度の設定温度プロファイルの場合を示す。
【００５８】
図７は、本発明の比較例を表したグラフである。図７（Ａ）は、設定温度Ｔｓｐと中央温度Ｔｃ、周縁温度Ｔｅの時間経過を表したグラフであり、図７（Ｂ）はそのときの温度差ΔＴ（＝Ｔｃ−Ｔｅ）の時間的変化を表したグラフである。図７（Ａ）に示されるように時刻ｔ３からｔ４のときの設定温度Ｔｓｐが一定であることが図６に示した設定温度プロファイルと相違する。
安定化工程までは、図６と特に変わるところはないので説明を省略する。
【００５９】
時刻ｔ３からｔ５の成膜工程では定常設定温度でその値がＴ１´であるため、周縁温度Ｔｅと中央温度Ｔｃは徐々に温度Ｔ１´に近づくことになる。その結果、時刻ｔ４までは周縁温度Ｔｅが中央温度時刻Ｔｃよりも高い周縁高温状態であり、その後は両者の温度がほぼ等しい等温状態となる。
【００６０】
即ち、成膜中の平均周縁温度Ｔｅ（Ａｖ）は平均中央温度Ｔｃ（Ａｖ）よりも高くなる。このため、ウエハＷの中央と周縁で温度条件が異なりウエハ面内での膜厚の均一性が保証されにくくなる。
これをさけるには安定化時間（ｔ３−ｔ２）を長く取れば良いが、そうすると熱処理の工程に時間がかかることになる。
【００６１】
（具体的実験例）
具体的な熱処理の１例として、処理ガスとして酸素を用い酸化膜の形成を行った。その結果をまとめたのが表１である。
【表１】
0004514915.tif 000002
【００６２】
熱処理のレシピとして、比較例の定常設定温度のレシピ１およびレシピ２、実施例として時間変化設定温度のレシピ３の３種類を用いて、シリコンウエハＷ上に酸化膜を形成した。いずれも９００℃まで昇温し、設定温度が９００℃での所定の安定化工程を経由した後成膜工程を実行した。
【００６３】
レシピ１は安定化時間を５分としたところウエハ面内の膜厚分布は０．５７％であった。レシピ２は安定化時間を１分に短縮したところウエハ面内の膜厚分布は１．２５％まで劣化した。
これに対し、レシピ３は、安定化時間を１分とすると共に、設定温度を９００℃から８８９℃まで徐々に低下させる時間変化設定温度の状態で成膜を行った。その結果、ウエハ面内で０．５％と均一な膜厚分布を得ることができた。
【００６４】
（変形例）
次に設定温度プロファイルの変形例を示す。なお、以下の変形例は、既に述べた図１から図３に示した熱処理装置を用いて実施することができる。
【００６５】
図８は、成膜工程の後の工程を変更した例を示す。時刻ｔ０からｔ５までは、図４と変わるところがない。時刻ｔ５の後昇温を行い設定温度Ｔｓｐを再びＴ２まで上げて、その後時刻ｔ６´以降一定温度に保っている。熱処理後にさらに次の工程が予定されるときには図４のように降温を行わない場合もある。
このように時刻ｔ３からｔ５の成膜工程の後に種々の工程が付加されることがあるが、これは本発明の本質に影響を与えるものではない。
【００６６】
次に、成膜工程の前工程を変更した場合の例を図９に示す。
図９に示す設定温度プロファイルは、時刻ｔ１´´からｔ２´´の昇温工程、時刻ｔ２´´からｔ３´´の第１の安定化工程の後に時刻ｔ３´´からｔ４´´の昇温工程を入れたことが図８の設定温度プロファイルと異なる点である。
その結果、成膜工程はその工程の中間の時刻ｔ５´´において第１の安定化工程における設定温度Ｔ２´´を通過する。
【００６７】
このように成膜工程の前工程を変更することも可能である。但し、前工程を変更したときには成膜中の平均中央温度や平均周縁温度が変わり、ウエハＷ面内の膜厚分布が劣化する場合もあり得る。このときには必要に応じて設定温度プロファイルの最適化を図る。この最適化には、中央温度Ｔｃ、周縁温度Ｔｅの推定値を用いてもよいし、熱処理後のウエハ面内の膜厚分布に基づき設定温度プロファイルを修正することにより行っても良い。
【００６８】
なお、時刻ｔ７´´以降の第２の安定化工程の設定温度も第１の安定化工程と同様にＴ２´´となっている。このように成膜工程の前後で設定温度を揃えることも可能である。
【００６９】
今までは成膜中の時間変化設定温度の勾配が負のもののみを取り扱ってきたが、この勾配は正であっても本発明の実施は可能である。その例を図１０に示す。
図１０（Ａ）は設定温度ＴｓｐとウエハＷの中央温度Ｔｃ、周縁温度Ｔｅを、図１０（Ｂ）は温度差ΔＴ（＝Ｔｃ−Ｔｅ）をそれぞれ時間と対応して表したグラフである。
【００７０】
（１）本実施例では、時刻ｔ０（３）からｔ１（３）までは温度がＴ３（３）と一定となっている。この温度Ｔ３（３）は、成膜工程における温度よりも高くなっている（高温工程）。
このときのウエハＷの中央温度Ｔｃおよび周縁温度Ｔｅは、設定温度Ｔｓｐと同様にＴ３（３）であるものとする。
【００７１】
（２）その後時刻ｔ１（３）からｔ２（３）にかけて設定温度はＴ３（３）からＴ１（３）まで低下する（降温工程）。
このときは、既に述べたようにウエハＷの周縁から放熱が行われる関係から、周縁温度Ｔｅは中央温度Ｔｃよりも先に低下する。その結果、中央温度が周縁温度より高い中央高温状態となり、温度差ΔＴ（＝Ｔｃ−Ｔｅ）は正となる。
【００７２】
（３）時刻ｔ２（３）からｔ３（３）まで設定温度Ｔｓｐは一定に保たれる（安定化工程）。
このとき温度差ΔＴは徐々に０に近づく。そして、温度差ΔＴが０に近づく前に成膜工程に移行する。即ち、この安定化工程は場合によっては無くても良い。
【００７３】
（４）時刻ｔ３（３）からｔ５（３）は設定温度ＴｓｐがＴ１（３）から徐々にＴ２（３）まで上昇するとともに酸素ガス等の処理ガスが縦型熱処理炉１０内に導入され、成膜が行われる（成膜工程）。
このときウエハＷが周縁から加熱されることから周縁温度Ｔｅは中央温度よりも速やかに上昇する。この結果、時刻ｔ４（４）においてウエハＷは中央高温状態から周縁高温状態に移行し温度差ΔＴは負になる。
【００７４】
このように成膜工程中に中央高温状態と周縁高温状態の２つの状態をとる。このため、成膜中の温度差ΔＴの積分値は中央高温状態と周縁高温状態が打ち消し合う結果、０に近づくことになる。そして、これは式（１４）に示されるように成膜中の平均中央温度Ｔｃ（Ａｖ）と平均周縁温度Ｔｅ（Ａｖ）が近づくことを意味する。
この結果、ウエハＷ面内の膜厚分布が均一に近づくことが期待される。
【００７５】
（５）時刻ｔ５（３）からｔ６（３）の降温工程、時刻ｔ６（３）以降のアンロード工程については、既に述べた図４と本質的な相違はないので記載を省略する。
【００７６】
以上のように、成膜中の時間変化設定温度が正の勾配を有している場合であっても本発明の実施は可能である。これは、前処理として何らかの高温工程を行い、その後に熱処理を行う場合に適している。
【００７７】
（その他の実施形態）
以上の発明の実施形態は、本発明の技術的思想の範囲内で、拡張、変更が可能である。
例えば、基板は半導体ウエハには限られず、例えばガラス基板であってもよい。
【００７８】
熱処理装置は、縦型熱処理炉、あるいはバッチ炉に限らず、１枚ずつ熱処理を行う枚葉式の熱処理装置であってもよい。但し、基板とヒータの配置によっては時間変化設定温度の勾配と周縁高温状態と中央高温状態の出現頻度の順番が異なる可能性がある。
この関係を表２に示す。
【表２】
0004514915.tif 000003
【００７９】
既に述べたように縦型熱処理炉（バッチ式の熱処理炉の一例）では、図６，図１０に示したように、時間変化設定温度の勾配が負であれば（図６）、ウエハＷは周縁高温状態から中央高温状態のの順番で現れ、時間変化設定温度の勾配が正であれば（図１０）、ウエハＷは中央高温状態から周縁高温状態の順番で現れる。
【００８０】
これは縦型熱処理炉がウエハＷを積層した状態で熱処理を行うために、ウエハＷの周縁から加熱および放熱が行われることから（周縁加熱方式）、周縁温度が中央温度に先んじて変化することに起因している。
【００８１】
これに対して、枚葉式ではウエハＷは１枚毎に熱処理が行われるために、ウエハＷの表面、即ち中央近傍から加熱および放熱が行われる（中央加熱方式）。この結果、中央温度が周縁温度に先んじて変化する傾向にあり、高温状態（中央高温状態、周縁高温状態）の出現順序が周縁加熱方式とは逆になってくる。
このように本発明は、バッチ式、枚葉式を問わず実施可能である。
【００８２】
本発明は、安定化工程以前の前工程が昇温工程であるか降温工程であるかによって時間変化設定温度の勾配を使い分ければよい。これを表３に示す。
【表３】
0004514915.tif 000004
即ち、前工程が昇温工程であれば時間変化設定温度の勾配を負とし（図６）、前工程が降温工程であれば時間変化設定温度の勾配を正にすればよい（図１０）。
この関係は、加熱方式が周縁加熱方式か中央加熱方式かに関わらず適用できる。
【００８３】
なお、基板の温度分布に与える影響が小さいようなごく短時間の前工程は無視できるのはいうまでもない。
【００８４】
時間変化設定温度の勾配は必ずしも一定である必要はない。本発明は要するに成膜中に中央高温状態と周縁高温状態の２つの状態が出現すれば良いのであって、時間変化設定温度の勾配が変化し場合によっては勾配の正負が成膜中に変化しても差し支えない。
【００８５】
また、中央高温状態を周縁高温状態の２つの状態は２つのみならず、３つ以上の例えば、中央高温状態、周縁高温状態、中央高温状態の高温状態を経由しても差し支えない。
【００８６】
熱処理の目的は拡散、アニール、熱酸化膜の形成、ＣＶＤ（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）による成膜（例えば、ＳｉＮ等の成膜）のいずれであっても差し支えない。即ち、基板内の温度分布が問題となる工程であれば本発明の適用が可能である。
【００８７】
ヒータは、区分されていなくても良いし、また区分の数も５には限られない。また、ヒータの制御には常に中央温度Ｔｃと周縁温度Ｔｅから代表温度Ｔｒを算出して行わなければならないというものではなく。何らかの形で基板を代表する温度を適宜用いることができる。
【００８８】
中央温度Ｔｃおよび周縁温度Ｔｅは、温度センサＳｉｎ、Ｓｏｕｔの測定信号から推定するのではなく、直接測定しても差し支えない。この測定には、例えば（ａ）熱電対等の温度センサをモニタウエハＷ１〜Ｗ５に設置する方法、あるいは（ｂ）放射温度計等による非接触測定を用いることができる。このときには、温度センサＳｉｎ、Ｓｏｕｔは外しても差し支えない。
【００８９】
【発明の効果】
以上のように、本発明では熱処理工程中に基板中央近傍が高温の中央高温状態と基板周縁近傍が高温の周縁高温状態の双方の状態をとる。
この中央高温状態と周縁高温状態の双方が打ち消し合うことにより、時間平均すれば中央温度と周縁温度は近づく。その結果、安定化時間を短縮しても基板面上の熱処理の均一性が確保し易くなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明に係る縦型熱処理装置を表す断面図である。
【図２】  本発明に係る縦型熱処理装置を表す斜視図である。
【図３】  本発明に係る縦型熱処理装置の制御部の詳細を表すブロック図である。
【図４】  本発明に係る縦型熱処理装置の設定温度プロファイルの１例を表すグラフである。
【図５】  本発明に係る縦型熱処理装置の制御手順を表すフロー図である。
【図６】  本発明に係る設定温度プロファイルに従って縦型熱処理装置を制御した場合における、ウエハ温度、ウエハ面内温度差、ヒータ出力の時間変化を表すグラフである。
【図７】  本発明の比較例としての設定温度プロファイルに従って縦型熱処理装置を制御した場合における、ウエハ温度、ウエハ面内温度差の時間変化を表すグラフである。
【図８】  本発明に係る縦型熱処理装置の設定温度プロファイルの変形例の１例を表すグラフである。
【図９】  本発明に係る縦型熱処理装置の設定温度プロファイルの変形例の１例を表すグラフである。
【図１０】  本発明に係る縦型熱処理装置の設定温度プロファイルの変形例の１例を表すグラフである。
【符号の説明】
１０      縦型熱処理炉
２０      ウエハボート
２１      天板
２２      底板
２３      支柱
３０      ボートエレベータ
４０      反応管
４０ａ    外管
４０ｂ    内管
４１      ガス穴
５０、５１〜５５     ヒータ
６０      ガス供給管
６５      流量制御器
７０      排気管
７５      排気量制御器
８０      開口部
８１      蓋体
８２      保温筒
９１〜９５   電力制御器
１００    制御部
１１０    基板温度推定部
１２０    代表温度算出部
１３０    設定温度プロファイル記憶部
１４０    ヒータ出力決定部
【図１】
0004514915.tif 000005
【図２】
0004514915.tif 000006
【図３】
0004514915.tif 000007
【図４】
0004514915.tif 000008
【図５】
0004514915.tif 000009
【図６】
0004514915.tif 000010
【図７】
0004514915.tif 000011
【図８】
0004514915.tif 000012
【図９】
0004514915.tif 000013
【図１０】
0004514915.tif 000014