(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
折り返し配線パターンを備えた高密度配線基板において、前記折り返し配線パターンの屈曲部内側に、該折り返し配線パターンの屈曲部近傍の配線間隔より大きい最大幅径を有するティアドロップ形状溝を設けたことを特徴とする高密度配線基板。
【請求項２】
前記ティアドロップ形状溝の最大幅径が、前記折り返し配線パターンの屈曲部近傍の配線間隔の２倍以内であり、且つ、前記ティアドロップ形状溝のティアドロップ角度が３０°〜６０°の範囲にあることを特徴とする請求項１に記載の高密度配線基板。
【請求項３】
前記ティアドロップ形状溝の最大縦径が、前記折り返し配線パターンの屈曲部の縦長さの１／２以内であることを特徴とする請求項１に記載の高密度配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体素子実装用配線部品に関し、より具体的には、折り返し配線パターンを備えた配線構造を設けた高密度配線基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＴＡＢテープ、フレキシブル配線基板等の半導体素子実装用配線基板に対する配線密度の高密度化が求められてから久しい。こうした要求に応えるために多くの改良が行われてきている。現在では配線幅１０μｍ、配線ピッチ２０μｍ以下という高密度配線基板が検討され、提案されている。こうした配線幅と配線ピッチのものを作製するには、セミアディティブ法が最適とされる（例えば、特許文献１参照。）。
セミアディティブ法は、絶縁フィルム上に形成された金属シード層の上にフォトレジストパターンを形成し、フォトレジストパターンの開口部に露出する金属シード層の表面に、導体金属のめっきを施すことで金属回路配線を形成し、その後フォトレジストを剥離し、除去して新たに露出した金属シード層をエッチング除去して回路配線を形成する方法である。
【０００３】
以下に、従来のセミアディティブ法について図１を用いて説明する。図１はセミアディティブ法の概略フローを示す図である。
先ず、図１（ａ）に示すように、ポリイミドフィルム等からなる絶縁体２上に金属層１を設けた基板材料を用いる。この金属層１として、例えば、ニッケル／クロム合金層を第１の金属層とし、銅スパッタ層を第二の金属層とするように二層構造とした２層ＣＣＬ（Copper Clad Laminate ）基材を用いても良く、絶縁フィルム表面に無電解めっきを施し、その上に電解銅めっきを施したものを用いても良い。
【０００４】
次に、図１（ｂ）に示すように、前記基板材料の金属層１の表面に、ドライフィルムレジストや液状レジスト等を用いてフォトレジスト層３を形成する。使用するフォトレジストとしては、ポジ型、ネガ型のいずれでも良い。
次に、図１（ｃ）に示すように、フォトレジスト層３に所望の回路パターンを有するマスクを用いて露光・現像して、めっき用の開口部４を設ける。この際の露光条件、現像条件等は用いるフォトレジスト材料に対して最適と推奨されるものでよく、特殊な条件を用いる必要はない。
次に、図１（ｄ）に示すように、開口部４の底部に露出した金属層１の表面を陰極として電気銅メッキを施し、開口部４の内部に銅層５を析出させる。この際用いるめっき液としては、市販の硫酸銅めっき浴等で良く、めっき条件も用いる銅めっき浴に対して推奨されるものでよい。
【０００５】
次に、図１（ｅ）に示すように、残存するフォトレジスト層を除去する。除去に際して採用される条件は、用いたフォトレジスト材料に対して推奨される条件でよい。
次に、図１（ｆ）に示すように、フォトレジスト層除去に伴って新たに露出した金属層１をエッチングして除去し、配線部６を完成させる。
このようにして得られたフレキシブル配線基板２０は、金属層と絶縁体フィルムとの境界面に接着剤を介すことが無いため、回路接着強度の熱的信頼性と回路間電気絶縁性に優れたものとなる利点がある。
【特許文献１】特開２００６−２４９０２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
前記したように現在検討され、提案されている配線幅が１０μｍ、配線幅と配線間のスペースの幅を足した配線ピッチが２０μｍ以下の高密度配線基板を得るには、確かにセミアディティブ法は有効といえる。しかし、このように配線間隔が狭くなると思わぬ問題が起きる。
具体的は、図２に示すように、回路配線７の一端にコの字型の折り返し配線パターン８が存在すると、コの字型の折り返し配線パターン８の屈曲部９内側でフォトレジスト層の剥離が不十分となることがある。コの字型の折り返し配線パターン８の屈曲部９内側にフォトレジストが残存した場合には、このフォトレジストは異物不良の原因となり、金属層１の除去が不完全となり、回路配線７の形状不良を引き起こす。
本発明は、こうした新たな問題を解消しうる配線構造を備えた高密度配線基板の提供を課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決する本発明は、折り返し配線パターンを備えた高密度配線基板において、前記折り返し配線パターンの屈曲部内側に、該折り返し配線パターンの屈曲部近傍の配線間隔より大きい最大幅径を有するティアドロップ形状溝を設けた高密度配線基板とした。
【０００８】
本発明においては、例えば前記ティアドロップ形状溝の最大幅径が、前記折り返し配線パターンの屈曲部近傍の配線間隔の２倍以内であり、且つ、前記ティアドロップ形状溝のティアドロップ角度が３０°〜６０°の範囲にある高密度配線基板とすることができる。
また、前記ティアドロップ形状溝の最大縦径は、前記折り返し配線パターンの屈曲部の縦長さの１／２以内であることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、高密度配線基板の折り返し配線パターンの屈曲部において、配線間に存在するフォトレジスト層の剥離性が向上し、金属シード層除去の不完全に起因する不良率が低減する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明は、セミアディティブ法により高密度配線基板を形成するに際して、高密度配線の折り返し屈曲部を有する配線において、折り返し配線パターンの屈曲部内側にティアドロップ形状（涙滴形状）溝を設けることにより、該折り返し配線パターン部の配線間に存在するフォトレジスト層の流れ易さを確保し、しかも剥離性を改良して健全な回路配線を形成するものである。
【００１１】
以下、本発明を図により説明する。
図３は本発明の配線構造の１例を示した図であり、２本の配線７，７がごく狭い間隔ｄを保って並行に形成されており、その配線の一端はティアドロップ（涙滴）形状溝を有する屈曲部の一端と繋がっている。その結果、２本の配線７，７の屈曲部１１内側には、間隔ｄの２倍の最大幅径（ｗ）を有するティアドロップ（涙滴）形状溝が設けられることとなる。ここで、ｗはこのティアドロップ形状溝の一部又は全部を構成する円、又は楕円、略楕円の最大幅径であり、図３において
ｗ＝２ｄ・・・（１）
の関係になっている。
尚、本明細書においては、上記配線７の一端とティアドロップ（涙滴）形状の一端との不連続点ｍと該ティアドロップ形状溝の最大幅径との交点ｎとを結ぶ直線Ｌ１（ｍ１−ｎ１）、Ｌ２（ｍ２−ｎ２）のなす角度θをティアドロップ角度と定義する。
そして、ティアドロップ角度θは２本の配線７，７の間隔ｄに従って３０度から６０度程度の間で適宜選択すればよい。
ここで、ティアドロップ角度θを３０度から６０度の範囲としたのは、ティアドロップ角度θが３０度未満では、ティアドロップの最大幅径を十分に保てず、フォトレジストの剥離性を十分に保てないため好ましくなく、また、ティアドロップ角度θが６０度を超えると、２本の配線７，７からティアドロップ溝へと繋がる形状が著しく変化するため、フォトレジストがティアドロップ近傍で切断され、逆に剥離性が悪くなるため好ましくないからである。
また、ティアドロップ形状溝の最大幅径が折り返し配線パターンの屈曲部近傍の配線間隔の２倍以内であるとしたのは、２倍を超えると、最終的に形成される配線は幅が狭くなり、配線の断線不良へと繋がるため好ましくないからである。
このように、２本の配線７，７の屈曲部内側をこの程度の丸みを帯びたティアドロップ形状溝に形成しておけば、アディティブ法で回路配線を形成する場合にも、配線間に存在するフォトレジスト層の剥離性が向上し、金属シード層の不完全な除去を防ぐことができ、金属シード層に起因する回路の不良率が低減する。
【００１２】
図４は本発明の高密度配線基板の他の１例を示した図であり、図３と同様に２本の配線７，７がごく狭い間隔ｄを保って並行に形成されており、ティアドロップ角度θが３０度のティアドロップ形状溝が設けられている。
こうした配線構造を取ることにより、高密度配線基板の折り返しパターン部を構成する配線間にあるフォトレジストの剥離性が向上し、金属シード層の除去も容易となり、金属シード層残渣による回路の不良率が低減する。
【実施例１】
【００１３】
本実施例においては、図１に示す工程に従ってアディティブ法により高密度配線を作成した。
本実施例においては、厚さ３８μｍのポリイミドフィルムからなる絶縁体上に、スパッタリング法で厚さ１７０Åのニッケル／クロム金属層を形成し、その上に厚さ０．１μｍの銅スパッタ層を形成した２層ＣＣＬ基材を使用した。
先ず、前記基材の銅スパッタ層の表面にドライフィルムレジスト（品名ＲＹ−３２１５：日立化成（株）製）をラミネートした。
次に照度４０ｍＪで露光し、温度３０℃の１％炭酸ナトリウム水溶液にフォトレジストフィルムを接触させて現像を行い、フォトレジスト回路パターンの形成を行った。このとき露光パターンマスクは、ラインスペース幅；１４μｍで、折り返し配線パターンの屈曲部内側に図３に示すような最大幅径２８μｍでティアドロップ角度が６０°のティアドロップ形状を有するものを使用した。
【００１４】
次に市販の硫酸銅めっき浴を用い、厚さ約１３μｍの銅めっきを行なった。その後、ドライフィルムレジストを濃度５％の水酸化ナトリウム水溶液を用いて剥離除去した。
次に各配線間にドライフィルムレジストが残存していないかどうかを顕微鏡観察により確認した。その結果、各配線間にドライフィルムレジストは残存していなかった。
次に主成分が硫酸及び過酸化水素からなるソフトエッチング液（品名ＣＰＥ８００：菱江化学（株）製）を用いて、温度３０℃、圧力０．１ＭＰａの条件で約３０秒間スプレー処理を行った。
次いで、露出したニッケル／クロム合金層を市販のニッケル／クロム選択エッチング液（品名ＣＨ１９２０：メック（株）製）を用いて温度４０℃で２秒間浸漬して、ニッケル／クロム金属層を除去した。
得られたフレキシブル配線基板の配線部にドライフィルムレジスト剥離不良に由来する異常は見られず、回路特性も良好なものであった。
【実施例２】
【００１５】
折り返しパターン部が図４のような構造、すなわちラインスペース幅；１４μｍで、折り返しパターンの屈曲部内側に最大幅径２８μｍ、ティアドロップ角度が３０°のティアドロップ形状を持つマスクを用いた以外は、実施例１と同様にしてフレキシブル配線基板を製造した。
得られたフレキシブル配線基板の配線部にドライフィルムレジスト剥離不良に由来する異常は見られず、回路特性も良好なものであった。
【００１６】
（比較例）
折り返しパターン部が図２のような従来のコの字型折り返しパターンを有するマスクを用いた以外は実施例１と同様にしてフレキシブル配線基板を製造した。
得られたフレキシブル配線基板の配線部にドライフィルムレジスト剥離不良に由来する異常が複数箇所みられ、回路特性は良好なものとならなかった。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】セミアディティブ法の概略フローを示す図である。
【図２】従来のコの字型折り返しパターンの一例を示した図である。
【図３】本発明の配線の折り返しパターンの一例を示す図である。
【図４】本発明の配線の折り返しパターンの他の例を示す図である。
【符号の説明】
【００１８】
１    金属層
２    絶縁体
３    フォトレジスト層
４    開口部
５    銅層
６    配線部
７    回路配線
８    コの字型折り返しパターン
９    コの字型折り返しパターンの屈曲部
１０    ティアドロップ形状パターン
１１    ティアドロップ形状パターンの屈曲部
ｄ    配線間隔
ｗ    ティアドロップ形状溝の最大幅径
【図１】
0004453847.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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