(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも1つの電極と、該少なくとも1つの電極に電気的に接続される第1の接続線とを有する少なくとも1つの構成体を担持する基板を有する電気装置であって、
前記第1の接続線は、立体交差によって第2の接続線に対してブリッジされ、
前記第1の接続線および前記第2の接続線は、前記基板上に設置され、
前記立体交差は、前記基板に対して垂直な方向に伸びる電気絶縁構造体によって、少なくとも片側で仕切られ、
当該電気装置は、前記立体交差が必要となる、前記第1の接続線および前記第2の接続線の上に設置された電気絶縁層を有し、
前記電気絶縁層は、該電気絶縁層上から前記第1の接続線および前記第2の接続線に向かう開口と、前記電気絶縁構造体上に設置された導電層とを有し、
これにより、前記第1の接続線および前記第2の接続線は、前記電気絶縁層上と前記開口に設置された前記導電層を介して接続されることを特徴とする電気装置。
【請求項２】
前記電気絶縁構造体は、前記基板の表面に平行な方向に突き出た突出部を有することを特徴とする請求項1に記載の電気装置。
【請求項３】
前記立体交差は、前記電気絶縁構造体によって、完全に囲まれることを特徴とする請求項1に記載の電気装置。
【請求項４】
当該電気装置は、いくつかの第1の接続線を有し、前記第1の接続線のうち少なくともいくつかは、少なくとも前記第2の接続線に対する立体交差を有し、各立体交差は、電気絶縁構造体によって仕切られることを特徴とする請求項1に記載の電気装置。
【請求項５】
当該電気装置は、エレクトロルミネセント表示装置であり、前記構成体は、表示画素であることを特徴とする請求項1に記載の電気装置。
【請求項６】
前記表示画素は、第1の電極と、エレクトロルミネセント材料と、第2の電極とを有し、
前記第1の電極は、前記第1の接続線に接続されることを特徴とする請求項5に記載の電気装置。
【請求項７】
当該電気装置は、集積回路であることを特徴とする請求項1に記載の電気装置。
【請求項８】
前記基板はガラスで構成されることを特徴とする請求項7に記載の電気装置。
【請求項９】
第2の接続線のうちの少なくとも特定のものを跨ぐ、少なくとも第1の接続線の立体交差を有する電気装置を製作する方法であって、
前記第1又は第2の接続線の少なくとも一つは、電気装置に接続され、
当該方法は、
基板上の前記電気装置用の、前記第1の接続線及び前記第2の接続線のうちの前記特定のものを、同時に又は連続的に形成するステップと、
少なくとも前記立体交差が形成される位置に、前記第1の接続線及び前記第2の接続線のうちの前記特定のものの上部、又は前記第1の接続線及び前記第2の接続線を覆うように、絶縁層を成膜するステップと、
前記第1の接続線及び接続点が提供される電気的接触位置に、前記絶縁層に開口を形成するステップと、
前記立体交差が形成される領域を、少なくとも部分的に仕切る電気絶縁構造体を形成するステップと、
前記第1の接続線を、前記接続点に接続するための導電層を成膜するステップであって、前記接続点は、前記第2の接続線の別のものに接続されるステップと、
を有する方法。
【請求項１０】
前記電気絶縁構造体は、前記基板に対して垂直な方向に伸びるように形成され、
前記基板の表面に対して平行な方向に突き出た突出部を有するように形成されることを特徴とする請求項9に記載の方法。
【請求項１１】
前記電気絶縁構造体は前記立体交差を囲むことを特徴とする請求項9に記載の方法。
【請求項１２】
前記電気装置は、第1の電極と、エレクトロルミネセント材料と、第2の電極とを有する少なくとも1つの表示画素を有するエレクトロルミネセント表示装置であり、
当該方法は、さらに、
前記第1の接続線及び／又は前記第2の接続線と同時に、前記第1の電極を形成するステップと、
少なくとも表示画素が形成される位置に、前記第1の電極の上部又は前記第1の電極を覆うように、エレクトロルミネセント層を形成するステップと、
少なくとも前記表示画素が形成される位置に、前記導電層と同時に、前記第2の電極を形成し、前記第1の電極を前記第1の接続線に接続させるステップと、
を有することを特徴とする請求項9に記載の方法。
【請求項１３】
前記エレクトロルミネセント層は、前記電気絶縁構造体を形成するステップの後に形成されることを特徴とする請求項12に記載の方法。
【請求項１４】
前記電気装置は、集積回路であり、前記第1の接続線は、前記集積回路に接続されることを特徴とする請求項9に記載の方法。
【請求項１５】
前記集積回路は、ガラス基板に形成されることを特徴とする請求項14に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、少なくとも1の電極と、該第1の電極に電気的に接続する第1の接続線とを有する少なくとも1の構成体を担持する基板を有する電気装置に関し、前記第1の接続線は立体交差により第2の接続線に対してブリッジされる。
【背景技術】
【０００２】
米国特許5,936,344号明細書には、有機発光装置を担持する基板を有するエレクトロルミネセント素子が示されている。有機発光装置の各々は、アノード層とカソード層の間に設けられた有機化合物からなる複数の有機材料層を有する。基板はさらに、アノード又はカソードを表示パネル周囲のボンディングパッドに電気的に接続させる導電性接続線を担持する。接続線は標準的カソード製造過程によりカソードと同じ材料で構成され、カソードと実質的に同じ厚さを有する。エレクトロルミネセント素子は、アノード層の高さ位置及びカソード層の高さ位置に接続線を有する。アノード層の高さ位置での接続線は、開口を介してカソード層の高さ位置で接続線に接続される。そのような構造を利用することにより、接続線の立体交差が可能となる。接続線の立体交差は電気絶縁構造となり、ある接続線を別の接続線に対してブリッジさせるため、これらの2接続線間には電気的接触が生じない。そのような立体交差は、各エレクトロルミネセント素子のアノード及びカソードを適当なボンディングパッドに接続したり、あるいはガラス上のチップのような電気装置若しくは集積回路の接続線の再配線化に用いたりすることができる。
【０００３】
従来技術の問題点は、エレクトロルミネセント素子又は集積回路の製作プロセスが電極ピッチの実質的狭小化を伴う高解像度化の流れに追随できないことである。多数の高解像度エレクトロルミネセント素子の製作において、標準的なカソード製作プロセスを利用してカソード、接続線及び立体交差を同時に形成した場合、2の隣接する接続線間で短絡が生じてしまう。
【特許文献１】米国特許5,936,344号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の課題は特に、隣接接続線同士、及び／又は立体交差での短絡のリスクを低減した電気装置を提供することである。そのような電気装置は、近接する接続線を含むエレクトロルミネセント表示装置、又は集積回路であっても良い。エレクトロルミネセント表示装置の場合、標準的なカソード製作プロセスを利用してカソード、接続線及び立体交差を同時に形成することが好ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
この課題は、立体交差が電気絶縁構造体によって少なくとも片側で仕切られることを特徴とする電気装置を提供することで解決することができる。その構造体は正確に立体交差の範囲を定め、構造体の片側の立体交差を構造体の他の側の領域から電気的に分離する。本発明による高解像度表示パネルでは、電気的に短絡している2隣接接続線の数は、有意に低減されることがわかった。この結果は、標準的なカソード製作プロセスを利用してカソード、接続線及び立体交差を同時に形成する場合にも得られる。
【０００６】
構造体を極めて正確に揃え、構造体を用いて立体交差する線を相互に接近させることができる。例えば構造体の両側に立体交差を構成して、高解像度表示パネルに必要な稠密な立体交差及び接続線を提供することができる。さらに標準的カソード製作プロセスを利用してカソード、接続線及び立体交差をその構造と同時に形成することができる。
【０００７】
有機エレクトロルミネセント表示パネルのカソードの構成に電気絶縁構造を利用することは、例えば米国特許第5,294,869号、米国特許第5,701,055号及び米国特許第5,962,970号に示されている。成膜された金属層を障壁が分離し、障壁の片側の金属層は、障壁の他の側の金属層から電気的に分離される。しかしながらいかなる刊行物にも、電気絶縁構造体を利用して接続線の立体交差の領域を定める方法は示されていない。
【０００８】
さらに、立体交差の位置における導電性接続線と他の導電性接続線間の材料は、電気絶縁性非エレクトロルミネセント材料であり、レジストのような電気絶縁性有機材料であることが好ましい。PECVDで成膜されたSiOx又はSiNxを用いても良い。従来技術とは対照的に、本発明の電気絶縁構造体は、電気絶縁性非エレクトロルミネセント材料の上部に形成されても良いことに留意する必要がある。この材料は形成される立体交差を他の接続線又は発光装置のような下地構造部から電気的に分離する。
【０００９】
本発明による立体交差の結線に用いられる電気絶縁構造体は、基板表面に対して平行な方向に突出した突出部を有することが好ましい。本発明の構造体は反転テーパー型又はT型の断面を有することがさらに好ましい。そのような構造を利用することで、その構造体上部の導電層を電気的に分離することができるため、湾曲又は蛇行した接続線を形成することが可能となる。
【００１０】
各立体交差は、好ましくは完全に、分離電気絶縁構造体に囲まれることが好ましい。この場合、2の隣接立体交差の間には2の分離構造体が存在するため、短絡のリスクはさらに低減される。
【００１１】
電気装置は、いくつかの表示画素を有するエレクトロルミネセント表示装置であっても良い。表示画素は第1の電極又は電極組と、第2の電極又は電極組を有し、エレクトロルミネセント材料層がこれらの電極間に設けられる。第1又は第2の電極は第1の接続線に接続されても良い。第1又は第2の電極をそれらの各接続点と電気的に接続する方法は、有機エレクトロルミネセント表示パネルにおいて特に実益がある。本製作方法を利用してそのような有機エレクトロルミネセント表示パネルを製作することは極めて有益であり、これは既に一部では構造部分の製作に採用されており、この場合標準的なカソード製作プロセスを利用してカソード、接続線及び立体交差が一度のステップで形成される。
【００１２】
また電気装置は、集積回路の接続線を有するガラス基板に設置される集積回路に関する。
【００１３】
本発明はさらに、少なくとも第2の接続線を跨ぐ少なくとも第1の接続線の立体交差を有する電気装置を製作する方法に関し、前記接続線の少なくとも一方は電気装置に接続し、当該方法は、
基板上の前記電気装置に前記第1の接続線及び前記第2の接続線を同時に又は連続的に形成するステップ、
少なくとも前記立体交差が形成される位置に、前記第1の接続線及び前記第2の接続線の上部、又は前記第1の接続線及び前記第2の接続線を覆うように、絶縁層を成膜するステップ、
前記第1の接続線及び接続点が提供される電気的接触位置において前記絶縁層に開口を定形又は形成するステップ、
前記立体交差の形成される領域を少なくとも部分的に仕切る電気絶縁構造体を形成するステップ、
別の第2の接続線と接続される前記接続点に前記第1の接続線を接続するための導電層を成膜するステップ、
を有する。
【００１４】
電気絶縁構造体は立体交差を囲むことが好ましい。この場合、絶縁層が成膜される前に、電気絶縁構造体を付与することが可能となる。さらに立体交差が形成される領域にのみ絶縁層を成膜しても良い。
【００１５】
立体交差を製作する方法を利用して、複数の表示画素を有する表示パネルを接続することが好ましい。表示パネルにこの方法を利用することは、有機エレクトロルミネセント表示パネルにおいて特に実益がある。本製作方法を利用してそのような有機エレクトロルミネセント表示パネルを製作することは極めて有益であり、これは既に一部では構造部分の製作に採用されており、この場合標準的なカソード製作プロセスを利用してカソード、接続線及び立体交差が一度のステップで形成される。
【００１６】
本発明はさらに、少なくとも第1組の電極と第2組の電極とを有する表示パネルの評価試験用の試験構造体に関し、この試験構造体は前記表示パネルの片側から前記第1組の電極と前記第2組の電極に同時に独立して接続するように適合される。
【００１７】
他のコネクタ及び／又はドライバ電子機器を付与する前に表示パネルの評価を行うことは、製作される表示装置の良品の全収率を向上させ、さらには製作コストを低下させる重要な事項となる。
【００１８】
本発明はさらに試験構造体を製作する方法、及び表示装置の試験方法に関する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
本発明の実施例を以下の添付図面を参照して詳細に説明する。
【００２０】
電気装置がエレクトロルミネセント表示装置である本発明の実施例を説明する。本発明は、他の電気装置にも利用することができることは明らかであり、集積回路、高分子電子部品、半導体レーザーのような電気装置の構成体は、接続線を介して接続される。本発明はまた、例えば電気表示装置上の信号線又は他の配線の再配線化に利用することができる。
【００２１】
図1A及び1Bには、それぞれ、複数の表示画素3（LED）を有する表示パネル2を備えるエレクトロルミネセント表示装置1と、単一の表示画素3を示す。表示画素3は行列のマトリクスとして配列され、第1の接続線4及び第2の接続線5を介して相互に接続される。表示画素3は同様に他の第1の接続線6に接続されても良い。
【００２２】
図1Bには、R、G、及びBのサブ画素を有するLED表示画素3の断面を概略的に示す。図1Bの図面は本発明の実施例の説明に合致させたものであり、実際には表示画素はより複雑であることは明らかであろう。
【００２３】
表示画素3は基板7を有する。基板7は、表示サブ画素R、G及びBによって放射される光に対して透明であることが好ましい。適切な基板材料には、柔軟性の又は非柔軟性の合成樹脂、石英、セラミックス及びガラスが含まれる。別の方法として上部放射ディスプレイの場合、上部に誘電体層を有する金属基板を用いることができる。基板の全厚は通常、50μm乃至10mmの範囲にあり、これは用途によって変化する。大きな基板の場合、基板厚さは厚いことが好ましい。
【００２４】
通常アノードと称される第1の電極8は、基板7を覆うように又は基板7の上部に成膜される。前記第1の電極8は放射される光に対して透明であることが好ましい。例えばインジウムスズ酸化物（ITO）のような、透明ホール注入電極材料が用いられる。ポリアニリン（PANI）及びポリ-3、4-エチレンジオキシチオフェン（PEDOT）のような導電性ポリマーが透明ホール注入電極材料に適している。PANI層は50乃至200nmの厚さであり、PEDOT層は100乃至300nmの厚さであることが好ましい。ITOホール注入電極を用いる場合、第1の電極はアノードであることが好ましい。
【００２５】
次に絶縁層9が第1の電極8上に又は第1の電極8を覆うように成膜される。絶縁層9はその後、少なくとも表示サブ画素R、G及びBの形成される位置で部分的に除去される。本発明はさらに白黒ディスプレイにも利用することができることに留意する必要がある。次に、発光体を有する1又は2以上の層10が第1の電極8上、又は第1の電極8を覆うように、少なくともサブ画素R、G及びBの形成される位置に成膜される。しかしエレクトロルミネセント材料を提供する際には他の技術を用いても良く、高分子量のエレクトロルミネセント材料が用いられる場合、エレクトロルミネセント材料を有する層10は従来技術を用いて液体状に成膜することが好ましい。従来技術としては、インクジェットプリント技術、スピンコート技術、浸漬コーティング技術、ラングミュア−ブロジェット技術、スプレーコーティング技術及びドクターブレード技術などがある。代わりに、低分子量のエレクトロルミネセント材料が用いられる場合、エレクトロルミネセント材料を有する層10は、従来技術を用いて気体媒体を介して成膜することが好ましい。従来技術としては真空成膜技術、化学蒸着技術（CVD）等がある。
【００２６】
エレクトロルミネセント材料を有する層10は、第2の電極11で被覆され、この層は少なくとも表示サブ画素R、G及びBの形成された位置に成膜される。通常第2の電極11はカソードと呼ばれる。インジウムスズ酸化物（ITO）のようなホール注入電極材料が第1の電極8に用いられる場合、第2の電極は電子注入電極とする必要がある。そのような電子注入電極は仕事関数の小さな金属（合金）で構成されることが好ましく、例えばYb、Ca、Mg：Ag、Li：Al、Baであり、又はBa／Al若しくはBa／Agのような異なる層の積層体である。一般にそのような第2の電極は真空成膜技術により成膜される。
【００２７】
表示画素3の発光構造は、構造全体を覆う被包層（示されていない）を用いて、又はガラス若しくは金属蓋により、パッケージ化しても良い。
【００２８】
第1の接続線4及び第2の接続線5は、表示パネル2の領域の外側に設置される。接続線4、5は、信号を表示画素3、及び第1の電極8又は第2の電極11に印加する。図1Aではこれらの信号は、カラー表示装置1の赤（R）、緑（G）及び青（B）のカラー信号に対応する。簡単のため、赤、緑及び青の表示サブ画素を合わせて表示画素3で表す。表示サブ画素R、G及びBは、長方形又は三角形配列のようないくつかの配列で配置して表示画素3を形成しても良いことに留意する必要がある。同様に表示画素3は、相互に他の第1の接続線6と接続されても良い。以下に示す本発明はさらに、例えば表示装置1を横断するこれらの線の配線化に利用しても良く、例えば第2の接続線及び／又は第1の接続線4と交差するように他の接続線6の配線がなされる。
【００２９】
上述のように現在の表示装置は高解像度化に向かう傾向にあり、結果として表示画素3内又は表示画素3同士間の電極ピッチ、すなわちアノード8及び／又はカソード11間の距離は実質的に狭小化している。この傾向により結果的に、少なくとも表示画素のこれらの電極に接続する第1の接続線4間の距離は減少する。従って隣接する第1の接続線4間で電気的短絡の生じる可能性は高くなり、特に標準的なカソード製作プロセスが用いられる場合、短絡は起こり易くなる。標準的なカソード製作プロセスでは、カソード11、第1の接続線4、及び第2の接続線5を跨ぐ第1の接続線4の立体交差、又は他の接続線6は、同時に製作される。
【００３０】
次に図1Aの表示装置1の領域12について述べる。接続線4及び5は交差しており、第1の接続線4のうちのいくつかは接続点13に接続され、Rのサブ画素の信号を提供する第2の接続線5のいずれかと接続されることがわかる。一方第1の接続線4のうちその他のものは、立体交差14によって第2の接続線5を跨ぎ、G又はBのサブ画素の信号を提供する第2の接続線5のいずれかの別の接続点13に接続される必要がある。前記接続点13は、信号供給のため必ずしも第2の接続線5に接続する必要のないことは明らかである。別の方法としてこれらの接続点はボンディングパッド又は他の接続ポイントであっても良い。
【００３１】
図2A乃至2Dには図1Aの領域12の部分における本発明による方法を示す。交差部分のみを示した上面図に記載のX-X及びY-Yに沿った断面図が同様に示されている。
【００３２】
図2Aにおいて第1の接続線4及び第2の接続線5が、例えば厚さが150nmの表示装置1の基板に成膜される。通常前記第1の接続線4は金属又は合金のような電気抵抗の小さな材料で構成される。接続線4及び5は、第1の電極8と同じ材料で構成されることが好ましい。この場合、第1の電極8と接続線4及び5は、基板7上に同時に形成することができる。例えばインジウムスズ酸化物（ITO）を接続線4及び5並びに第1の電極8に用いても良い。別の方法として接続線4及び5を基板上にITO層で構成して、ITO層を金属又は合金のような電気抵抗の低い材料層で被覆しても良い。接続線4及び5と第1の電極8は、真空成膜法のような従来の成膜方法、又は写真パターン転写法のようなパターン化方法で形成しても良い。
【００３３】
図2Bには、接続線4、5及び基板7の上部、又はこれらを覆うように成膜された絶縁層15が示されている。絶縁層15は例えばフォトレジストの場合、厚さが2μmであり、少なくとも立体交差14が形成されるように塗布されるが、隣接領域に同様に塗布しても良い。絶縁層15は従来のフォトレジストを用いて基板を平坦にして形成することが好ましい。表示パネル2において絶縁層15及び絶縁層9は、単一のステップで成膜された同じ層であっても良いことに留意する必要がある。絶縁層15を介して、第1の接続線4及び第2の接続線5までの開口16が、例えば写真パターン転写技術又はレーザーアブレーションによって絶縁層15に定形され、又は形成される。
【００３４】
図2Cにおいては絶縁層15の上部に電気絶縁構造体17が設けられている。構造体17は少なくとも部分的に立体交差14が形成される境界範囲を正確に定め、従って少なくとも部分的に立体交差14の輪郭を定める。しかし他のパターン化技術を用いて構造体を提供しても良い。前記構造体は従来のフォトレジストを用いた写真パターン転写技術によって形成することが好ましい。適切な幅は1乃至50μmであり、10乃至20μmであることが好ましく、適切な高さは0.5乃至30μmであり、2乃至6μmであることが好ましい。構造体17の側面形状としては長方形が適しているが、基板表面に平行な方向に突き出た突出部を有する構造体17が好ましい。
【００３５】
さらに立体交差14は、立体交差14を基板表面に平行な方向に突き出た突出部を有する構造体17で囲むように形成することができる。これは後に説明する図3にさらに詳しく示されている。
【００３６】
各立体交差14は、図2C及び2Dに示すように分離構造体17によって囲まれる。これは短絡のリスクをさらに低減させる。この場合、2の隣接する立体交差14の間には2の分離構造体17が存在するからである。この場合構造体17は、接続線4及び5が絶縁層15によって被覆される前に形成しても良い。構造体に囲まれる領域上に例えばインクジェットプリント技術によって絶縁材料を成膜することにより、前述の被覆を行うことができる。次に開口16の形成される位置の前記絶縁材料が、例えばレーザーアブレーション法によって除去される。
【００３７】
構造体17の形成後にエレクトロルミネセント材料を有する表示画素3の層10を成膜することが有意である。なぜならこの場合、構造体製作過程においてエレクトロルミネセント層10は、エレクトロルミネセント材料に悪影響を及ぼす可能性のある環境条件に曝されることがないからである。
【００３８】
図2Dには、図2Cに示す構造体の上部、又は構造体を覆うように付与される導電層18を示す。導電層18は第1の接続線4と第2の接続線5を接続し、立体交差14がここに形成される。これは矢印で示されるY-Y断面に最も明確に示されている。通常導電層は、金属又は合金のような電気抵抗の小さな材料で構成され、厚さは100乃至500μmであることが好ましい。導電層18は通常の場合、真空成膜技術で成膜され、構造体17又は構造体の一部は、立体交差14を形成する際に丁度シャドーマスクとして援用される。立体交差14を真空成膜するときの材料流束に構造体17が曝される際、構造体17は、構造体17に対する材料流束の方向に提供される陰の領域にあたる位置での導電性材料の成膜を防ぎ、パターン化された立体交差14又はパターン化された導電性層18が得られる。
【００３９】
立体交差14を提供する導電層18は、表示画素3の第2の電極又はカソードと同じ材料であることが好ましい。この場合、第2の電極11及び導電層18は、1の真空成膜ステップで同時に形成することができる。
【００４０】
図2A乃至Dにおいて、図面にはスケールがないことは明らかである。図3A及びBには、それぞれ図2Dにおいて19で表されたX-X断面、図2Dにおいて20で表されたY-Y断面の各種層の寸法及び層の形状をより実際的に示した図が提供されている。
【００４１】
接続線を有する表示パネル2は、被包層（示されていない）を用いてパッケージ化しても良く、例えば立体交差14が電気装置1に恒久的に付与される。代わりの方法として、有機若しくは無機成分又はこれらの組み合わせを有する薄膜パッケージを用いて保護を行うことができる。そのような薄膜パッケージはこの構造部分への水分の拡散を実質上抑制する。立体交差構造が試験のために利用される場合は、以下に示すように、立体交差14は被包層でパケージ化する必要はなく、試験が完了するまで注意深くハンドリングされる。
【００４２】
上述の立体交差の製作方法の各種態様は、表示パネル2のような電気装置の評価試験に有意に利用することができる。他のコネクタ及び／又はドライバ電子機器を付与する前に表示パネル2の評価試験を行うことは、製作される表示装置の良品の全収率を向上し、さらには製作コストを低下させる重要な事項となる。
【００４３】
これらの短絡の有無を外部から評価することのできる従来方法は、２種類に大別することができる。第1は、表示パネルの全ての電極8、11を個々に接触させる方法である。この評価方法では電極ピッチに対して高い精度で機械の位置を定める必要があるため、高コストとなり、コスト的な魅力は小さい。第2は、図4のような評価用くし型構造体21、22を利用するものである。これらのくし型構造体を用いる場合、各2番目のアノード8は第1のくし型構造体21を有する表示パネル2の片側に接続され、他の残りのアノード8は表示パネル2の他の側で第2のくし型構造体21’に接続される。カソード11についても同様の手順が用いられる。
【００４４】
表示パネル2においては3種類の短絡が生じ得る。まずエレクトロルミネセント層10に欠陥があると、第1の電極又はアノード8と第2の電極又はカソード11との間で短絡が生じる（A-C短絡）。第2に表示パネルマトリクス2の隣接アノード8同士が相互に接触すると、A-A短絡が生じる。第3に隣接カソード11同士が接触するとC-C短絡を構成する。くし型構造体21、22を用いて抵抗を測定することにより、A-A、C-C及びA-C短絡の有無を検出することができる。くし型構造体21、22は評価後に除去される。
【００４５】
これらの評価用くし型構造体の利用は低コストではあるが、カラーディスプレイ、分割又はタイル状ディスプレイ、及び極めて微細な電極ピッチのディスプレイ等、現在の表示パネルにこれらのくし型構造体を用いることは難しく、あるいは不可能である。分割ディスプレイの場合、評価用くし型構造体の接続にはディスプレイの片側しか利用できない。R、G及びBのサブ画素は異なる劣化特性を有する場合があり、R、G及びBのサブ画素間で短絡挙動は異なる。従って各色のR、G及びBは別々に評価されることが好ましく、そのためには3のくし型構造体が必要となる。しかしながら表示パネル2の各側には1のくし型構造体分のスペースしかない。
【００４６】
図5A乃至Dには試験構造体の各種実施例を示す。ここには本発明による立体交差の製作に関する多くの態様が利用されている。本発明による立体交差を定める一般的方法では、表示パネル2の片側に複数のくし型構造体21、22を置くことができる。
【００４７】
図5A及びBには、白黒分割表示パネル2の試験用くし型構造体の2種類の実施例が示されている。いずれの実施例においても試験構造体23は2のくし型構造体を有し、くし型構造体は表示パネル2の片側に設置される。
【００４８】
図5Aでは第1の接続線4及び4’と、第2の接続線5及び5’が基板に形成されている。次に接続線4、4’、5及び5’の上部又はこれらを覆うように絶縁層15が成膜される。開口16は、絶縁層15の成膜の前後いずれかの段階で形成されあるいは定形され、その後第1の接続線4’が第2の接続線5’に接続される。この接続を確保するため、導電層18が24で示す領域に成膜される。試験構造体23は、分割ディスプレイの異なる表示パネル2に属する電極8及び8’の各々に対して、同時に表示パネルの片側から接近して接続することができる。
【００４９】
別の方法では図5Bのように、第2の接続線5及び5’を異なるプロセス段階で設置して、さらに絶縁層15を成膜する。
【００５０】
カラー表示パネル2の場合、上述のように試験構造体25はパネルの片側に対して3のくし型構造体を有する。図5C及び5Dではそのような試験構造体25の2種類の実施例が示されている。
【００５１】
表示パネル2は3の交互の電極11、11’、11’’の組を有する。第1の接続線4、4'及び4’’が、前記電極組及び第2の接続線5との接続のために利用される。次に第1の接続線4、4’、4’’及び5の上部又はこれを覆うように絶縁層15が成膜され、その後第1の接続線4’及び4’’との接続を可能にするため開口16が形成又は定形される。最後に導電層18が26で示される領域に付与され、この領域はシャドーマスクの利用により分離される。
【００５２】
図5Dには試験構造体25を示す。絶縁構造体17は、導電層18が成膜された場合に第1の接続線4’及び4’’のそれぞれに生じる接続を分断するために用いられる。そのような試験構造体25は極めて微細に製作され、絶縁構造体17を用いることにより、図5Cに示すシャドーマスクを用いるプロセスとは対照的に、開口16を相互に接近して形成することができる。しかしながら絶縁構造体17は絶縁層15の成膜後に付与されることが好ましい。
【００５３】
要約すると、本発明は、ブリッジとなる接続線の立体交差を定める絶縁構造の利用に関する。立体交差部では接続線は絶縁層で被覆され、絶縁層には開口又は接触孔が形成される。電気絶縁構造体は、この絶縁層の上部又はこれを覆うように成膜することが好ましい。電気絶縁構造体は各立体交差に用いて、隣接する接続線の短絡のリスクを最小限に抑制することが好ましい。電気絶縁構造体は極めて正確に揃えることができ、これらの構造体を用いる際には標準的なカソード作製プロセスが利用され、相互に接近する微細な接続線を利用することが可能となる。本発明は、新たな評価試験及び配置の方法を可能にし、電気装置の効率的な製作を可能にする。そのような電気装置は有機発光ダイオード又はポリLEDであっても良い。
【００５４】
本発明の解決課題に対する、電気装置、立体交差の製作方法、試験構造体、及び試験方法の好適実施例を示した。本発明の本質から逸脱しないで、本発明の他の代替的な及び等価な実施例が容易に想到され、また実際の方法に帰着させる得ることは当業者には明らかであろう。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１Ａ】表示パネル及び表示画素との接続部を有する表示装置の概略図である。
【図１Ｂ】表示パネル及び表示画素との接続部を有する表示装置の概略図である。
【図２Ａ】本発明の実施例による、図1Aに示す表示パネルに接続するプロセスを示す図である。
【図２Ｂ】本発明の実施例による、図1Aに示す表示パネルに接続するプロセスを示す図である。
【図２Ｃ】本発明の実施例による、図1Aに示す表示パネルに接続するプロセスを示す図である。
【図２Ｄ】本発明の実施例による、図1Aに示す表示パネルに接続するプロセスを示す図である。
【図３Ａ】図2Dの一部を拡大した図である。
【図３Ｂ】図2Dの一部を拡大した図である。
【図４】従来の表示パネル評価試験用のくし型構造体を概略的に示す図である。
【図５Ａ】本発明による試験構造体の各種実施例を示す図である。
【図５Ｂ】本発明による試験構造体の各種実施例を示す図である。
【図５Ｃ】本発明による試験構造体の各種実施例を示す図である。
【図５Ｄ】本発明による試験構造体の各種実施例を示す図である。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図２Ｄ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図５Ｄ】
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