(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のグリーンシートを作製する工程と、
該複数のグリーンシートのうちの一部のグリーンシートに導体ペーストを被着して電極パターンを形成する工程と、
その後に、前記複数のグリーンシートを積層する工程と、
前記複数のグリーンシートが積層された積層体を焼成する工程とを具備する多層配線基板の製造方法において、
前記複数のグリーンシートとして、相対的に高誘電率で初期弾性率が大きい第１のグリーンシートと、相対的に低誘電率で初期弾性率が小さい第２のグリーンシートとを用いるとともに、
１対の前記電極パターンが前記第１のグリーンシートを介して対向するとともに、該第１のグリーンシートが前記１対の電極パターンを介して１対の前記第２のグリーンシートで挟まれるように前記第１および前記第２のグリーンシートを積層することを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記電極パターンが、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｇの群から選ばれる少なくとも１種の金属を含有する導体ペーストで形成されることを特徴とする請求項１記載の多層配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、コンデンサを内蔵してなる多層配線基板において、コンデンサの容量ばらつきを低減した多層配線基板の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来技術】
従来、多層配線基板は、絶縁層が多層に積層された絶縁基板の表面または内部に配線回路層が配設された構造からなり、代表的な例として、ＬＳＩ等の半導体素子収納用パッケージが挙げられる。このようなパッケージとしては、絶縁層がアルミナ等のセラミックからなるものが多用され、さらに最近では、銅メタライズと同時焼成を可能にしたガラスセラミック焼結体を絶縁基板とするものも実用化されている。
【０００３】
また、ガラスセラミックスは、ガラス成分、あるいはガラス成分と無機フィラー成分とを混合、成形、焼成することにより作製され、無機フィラー成分を選択することにより、誘電率や熱膨張係数といった物性を細かく制御することが可能である。
【０００４】
一方、携帯電子機器、ノートパソコン等の携帯用情報端末の急激な普及に伴い、内蔵される電子部品の小型化が強く望まれている。一例として、携帯電話のスイッチング回路、及びパワーアンプ回路は、複数の抵抗体およびコンデンサにより構成され、従来、これらの素子は個々に電気回路基板上に設置されており、小型化、及び製造コスト削減の妨げとなっていた。そこで、低誘電率層間に高誘電率層を設け、かかる高誘電率層により形成されるコンデンサを内蔵したセラミック配線基板が提案されている。コンデンサ内蔵多層配線基板の使用により、外部回路基板に実装するコンデンサ数を減らし、回路基板全体の小型化が可能となる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来、外部回路基板に個々に設置されていたコンデンサは、素子個々の容量の調整が可能であるために特性ばらつきが小さいものの、コンデンサを内蔵した多層配線基板においては、同様な精度のコンデンサを内蔵しても容量のばらつきが大きく精度の高いコンデンサを形成することが難しかった。
【０００６】
このような配線基板に内蔵したコンデンサの容量ばらつきの原因としては、高誘電率層の誘電率のばらつき、高誘電率層の厚みばらつき、コンデンサを形成する電極面積ばらつき等が挙げられる。
【０００７】
この内、前記誘電率のばらつきは高誘電率層の原料の調合精度に依存し、電極面積ばらつきは、グリーンシートへの電極の印刷精度、および焼成時の収縮率を左右する焼成条件の精度に依存する。また、高誘電率層の厚みばらつきは、グリーンシートの段階での成形時の精度にグリーンシートの厚みの精度に依存しており、その１つには成形装置の設備の精度に依存していると考えられ、これらの精度を高めることによって容量のばらつきが解消できると考えられる。
【０００８】
しかしながら、これらの要因をすべて解消してもなお、容量のばらつきが発生することがわかった。その要因について検討を行なった結果、高誘電率層および低誘電率層の各グリーンシートを積層一体化した場合に、電極の位置によって高誘電率層の厚みがばらついていることによることがわかった。
【０００９】
本発明は、上記のような電極の位置のばらつきに起因する高誘電率層の厚みばらつきを低減することによって容量のばらつきを低減したコンデンサを内蔵する多層配線基板を製造する方法を提供することを目的とするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記の課題に対して種々検討を重ねた結果、低誘電率層と高誘電率層との積層体からなり、前記高誘電率層の前記低誘電率層との両界面にそれぞれ電極を配設してなる多層配線基板において、前記電極の前記低誘電率層側に位置する部分の厚みが、前記高誘電率層側に位置する部分の厚みよりも大きくすることによって、高誘電率層の厚みばらつきを低減し得ることを見出した。
【００１４】
本発明の多層配線基板の製造方法は、複数のグリーンシートを作製する工程と、該複数のグリーンシートのうちの一部のグリーンシートに導体ペーストを被着して電極パターンを形成する工程と、その後に、前記複数のグリーンシートを積層する工程と、前記複数のグリーンシートが積層された積層体を焼成する工程とを具備するものであって、前記複数のグリーンシートとして、相対的に高誘電率で初期弾性率が大きい第１のグリーンシートと、相対的に低誘電率で初期弾性率が小さい第２のグリーンシートとを用いるとともに、１対の前記電極パターンが前記第１のグリーンシートを介して対向するとともに、該第１のグリーンシートが前記１対の電極パターンを介して１対の前記第２のグリーンシートで挟まれるように前記第１および前記第２のグリーンシートを積層することを特徴とするものである。
【００１５】
このように、高誘電率の第１のグリーンシートの初期弾性率を低誘電率の第２のグリーンシートの初期弾性率よりも大きくすることによって、高誘電率の第１のグリーンシートと低誘電率の第２のグリーンシートとを電極パターンを間に挟んで積層圧着して焼成した場合に、高誘電率層と低誘電率層との界面に存在する電極を低誘電率層側に偏在して形成することができる。電極の厚みばらつき、および積層時の加圧ばらつきが低誘電率の第２のグリーンシートに吸収されるので、コンデンサ部を構成する高誘電率層の厚みばらつきを小さくすることができる結果、容量のばらつきを小さくすることができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
図１は本発明の製造方法によって作製されたコンデンサ内蔵多層配線基板の一例を示す概略断面図である。図１に示す多層配線基板によれば、絶縁基板１はセラミック絶縁層１ａ、１ｂ、１ｃが多層に積層された構造体からなり、絶縁基板１の表面および／または内部には配線回路層２が配設されている。そして、絶縁基板１のうち、セラミック絶縁層１ｂが高誘電率層によって形成され、セラミック絶縁層１ａおよび１ｃが低誘電率層によって形成され、高誘電率層１ｂの低誘電率層１ａ，１ｃとの界面には電極３，３が形成されてコンデンサ部が形成されている。また、電極３は、絶縁基板１内に形成されたスルーホール導体４などを経由して配線基板表面の配線回路層２と接続されることにより、配線層２−２間で所定の静電容量を取り出すことができる。
【００１７】
図２のコンデンサ部の要部拡大断面図に示すように、電極３の低誘電率層１ａ，１ｃ側に位置する部分の厚み５ａが、高誘電率層１ｂ側に位置する部分の厚み５ｂよりも大きいことが大きな特徴である。このように、５ａ＞５ｂとすることによって、電極の厚みのばらつきを低誘電率層で吸収させることによって、電極３、３に挟持された高誘電率層１ｂの厚みばらつきに起因する容量のばらつきを低減することができる。特に、５ｂ／（５ａ＋５ｂ）の比率が０．５未満、特に０．４以下、０．３以下、さらには０．２以下であることが望ましい。
【００１８】
また、内蔵されるコンデンサの容量の最大要求値は約４０ｐＦであり、コンデンサの電極面積は、望ましくは４ｍｍ2以下であるため、コンデンサを形成する高誘電率層の３．２ＧＨｚにおける比誘電率が１４〜２４、特に１６〜２０であることが望ましい。これは、比誘電率が１４よりも低い場合、容量を高くするためには、高誘電率層を２０μｍ以下とする必要が生じ、グリーンシートの成形が困難であるためである。一方、比誘電率が２４より高い場合、容量を低くするために、高誘電率層を厚くするとグリーンシートの厚みばらつきが大きくなり、電極を小さくすると電極の印刷ばらつきの影響が大きくなる傾向があるためである。
【００１９】
尚、高誘電率層の厚みは、２０〜７０μｍとすることにより、４０ｐＦ以下の任意の容量の設定が可能であり、望ましくは、５０μｍ以下とすることにより容量ばらつきは小さくなる。
【００２０】
また、電極３の厚みｔ１は、８〜３０μｍであることが望ましい。これは、厚みが８μｍよりも薄いと、均一な電極形成が難しく、その結果、導通不良が発生しやすく、また、厚みが３０μｍよりも厚いと厚みばらつきが大きくなるといった問題が発生しやすい。
【００２１】
さらに、電極３の厚みｔ１の高誘電体層１ｂの厚みｔ２に対する比率（ｔ１／ｔ２）が０．０２〜０．２であることが望ましい。これはこの比率が０．２よりも大きいと電極ばらつきによる高誘電率層の厚みばらつきが大きくなりやすくなるためである。また、０．０２未満の電極は電極形成が難しく、導通不良が発生しやすいためである。
【００２２】
また、絶縁基板１を構成する各セラミック絶縁層１ａ，１ｂ，１ｃは、１０５０℃以下の低温焼成可能なセラミックスによって形成され、その結果、配線回路層２および電極３が、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｇの群から選ばれる少なくとも１種の電気抵抗率が８μΩ・ｃｍ以下の低抵抗金属を含有することが望ましい。このような低抵抗金属によって電極を形成することによってコンデンサ部のインピーダンスを低下させることができる。
【００２３】
（ガラスセラミックス）
かかるセラミック絶縁層を形成する低温焼成セラミックスとしては、特にガラス、あるいはガラスとフィラーとの混合物からなる、いわゆるガラスセラミック焼結体が好適である。
【００２４】
このガラスセラミック焼結体は、ガラス成分と無機フィラー成分により構成される。まず、ガラス成分としては、公知の高熱膨張性のガラスが使用でき、例えばリチウム珪酸系ガラス、ＰｂＯ系ガラス、ＢａＯ系ガラス、ＺｎＯ系ガラス等を使用することができる。
【００２５】
リチウム珪酸系ガラスとしては、Ｌｉ2Ｏを５〜３０重量％、特に５〜２０重量％の割合で含有するものであり、焼成後に高熱膨張係数を有するリチウム珪酸を析出するものが好適に使用される。また、上記リチウム珪酸ガラスとしては、Ｌｉ2Ｏ以外にＳｉＯ2を必須の成分として含むが、ＳｉＯ2はガラス全量中、６０〜８５重量％の割合で存在し、ＳｉＯ2とＬｉ2Ｏとの合量がガラス全量中、６５〜９５重量％であることがリチウム珪酸結晶を析出させる上で望ましい。
【００２６】
また、これらの成分以外に、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＴｉＯ2、Ｂ2Ｏ3、Ｎａ2Ｏ、Ｋ2Ｏ、Ｐ2Ｏ5、ＺｎＯ、Ｆなどが配合されていてもよい。なお、リチウム珪酸ガラス中には、Ｂ2Ｏ3は１重量％以下であることが望ましい。
【００２７】
ＰｂＯ系ガラスとしては、ＰｂＯを主成分とし、さらにＢ2Ｏ3、ＳｉＯ2のうち少なくとも一成分を含有するものであり、焼成後にＰｂＳｉＯ3、ＰｂＺｎＳｉＯ4などの高熱膨張の結晶相が析出するものが好適に使用される。とりわけＰｂＯ（６５〜８５重量％）−Ｂ2Ｏ3（５〜１５重量％）−ＺｎＯ（６〜２０重量％）−ＳｉＯ2（０．５〜５重量％）−ＢａＯ（０〜５重量％）から成る結晶性ガラスや、ＰｂＯ（５０〜６０重量％）−ＳｉＯ2（３５〜５０重量％）−Ａｌ2Ｏ3（１〜９重量％）から成る結晶性ガラスが望ましい。
【００２８】
さらに、ＺｎＯ系ガラスとしては、ＺｎＯを１０重量％以上含有するものであり、焼成後にＺｎＯ・Ａｌ2Ｏ3、ＺｎＯ・ｎＢ2Ｏ3などの高熱膨張の結晶相が析出するものが好適に使用される。ＺｎＯ成分以外に、ＳｉＯ2（６０重量％以下）、Ａｌ2Ｏ3（６０重量％以下）、Ｂ2Ｏ3（３０重量％以下）、Ｐ2Ｏ5（５０重量％以下）、アルカリ土類酸化物（２０重量％以下）、Ｂｉ2Ｏ3（３０重量％以下）などが配合されていてもよい。とりわけＺｎＯ：１０〜５０重量％−Ａｌ2Ｏ3：１０〜３０重量％−ＳｉＯ2：３０〜６０重量％から成る結晶性ガラスやＺｎＯ：１０〜５０重量％−ＳｉＯ2：５〜４０重量％−Ａｌ2Ｏ3：０〜１５重量％−ＢａＯ：０〜６０重量％−ＭｇＯ：０〜３５重量％から成る結晶性ガラスが望ましい。
【００２９】
ＢａＯ系ガラスとしては、ＢａＯを５重量％以上含有し、非晶質ガラス、または焼成後にＢａＯ・２ＳｉＯ2、ＢａＡｌ2Ｓｉ2Ｏ8、ＢａＢ2Ｓｉ2Ｏ8などの結晶相を析出する結晶化ガラスが採用される。ＢａＯ以外の成分をしてＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｂ2Ｏ3、Ｐ2Ｏ5、アルカリ土類金属酸化物、アルカリ金属酸化物、ＺｒＯ2などを含む場合もある。とりわけ、ＳｉＯ2を２５〜６０重量％、ＢａＯを５〜６０重量％、およびＺｒ化合物をＺｒＯ2換算で０．１〜３０重量％の割合で含有するものが好適に使用される。
【００３０】
さらに、上記ガラスの屈伏点は、４００〜８００℃、特に４００〜７００℃であることが望ましい。これは、ガラスおよびフィラーからなる混合物を成形する場合、有機樹脂などの成形用バインダーを添加するが、このバインダーを効率的に除去するとともに、絶縁基体と同時に焼成されるメタライズと焼成条件のマッチングを図るために必要であり、屈伏点が４００℃より低いと、ガラスが低い温度で焼結を開始するため、例えば、Ａｇ、Ｃｕなどの焼結温度が６００〜８００℃のメタライズとの同時焼成ができず、また成形体の緻密化が低温で開始するためにバインダーは分解揮発できなくなり、バインダー成分が残留し特性に影響を及ぼす結果になるためである。一方、屈伏点が８００℃より高いと、ガラス量を多くしないと焼結しにくくなり、相対的に高価なガラスの使用量が増加するため、コスト削減の妨げとなる。
【００３１】
一方、コンデンサ内蔵多層配線基板を構成する高誘電率層、および低誘電率層は、無機フィラー成分を選択することにより、所定の誘電率への調整が可能である。用いるフィラーとしては、これに限定するものではないが、例えば、ＢａＴｉＯ3 （ε＝１３０００）
ＣａＴｉＯ3 （ε＝１８０）
Ｌａ2Ｔｉ2Ｏ7（ε＝４５）
ＳｒＴｉＯ3 （ε＝３００）
ＴｉＯ2 （ε＝８０）
ＺｒＯ2 （ε＝３０）
ＳｉＯ2 （ε＝４）
２ＭｇＯ・ＳｉＯ2 （ε＝８）
等が挙げられ、これらを単一または組み合わせて用いる。
【００３２】
上記のガラス成分およびフィラー成分は、ガラス成分：５０〜６５体積％と、フィラー成分：３５〜５０体積％の割合で調合する。これは、ガラス成分が５０体積％よりも少なく、フィラー成分が５０体積％よりも多いと、銅と同時焼成可能な温度域において良好な緻密体が得られず、ガラス成分が６５体積％よりも多く、フィラー成分が３５体積％よりも少ない場合、焼結体としての誘電率を高めることが難しくなるためである。
【００３３】
（作製方法）
本発明であるコンデンサ内蔵多層配線基板の製造方法としては、高誘電率層、低誘電率層ともに、まず、上述したような、所定の比率で調合したガラス成分とフィラー成分の混合物に、適当な有機樹脂バインダーを添加した後、従来周知のドクターブレード法やリップコーター法等のキャスト法により、所定の厚みの高誘電率グリーンシートおよび低誘電率グリーンシートを成形する。
【００３４】
そして、配線回路層として、適当な金属粉末に有機バインダー、溶剤、可塑剤を添加混合して得た金属ペーストを前記グリーンシートに周知のスクリーン印刷法により、所定の回路パターンおよび電極パターンに印刷塗布する。また、場合によっては、前記グリーンシートに適当な打ち抜き加工を行いスルーホールを形成し、このホール内にもメタライズペーストを充填する。
【００３５】
その後、上記加工を施したグリーンシートを積層を適当な密着液を用いて積層し、得られた積層体を所定の条件で焼成する。バインダーの除去は１００〜７５０℃の水蒸気を含有する窒素雰囲気中で行われ、成形体の収縮開始温度は７００〜８５０℃程度であることが望ましく、かかる収縮開始温度がこれより低いとバインダーの除去が困難となるため、成形体中の結晶化ガラスの特性、特に屈伏点を制御することが必要となる。
【００３６】
ガラスセラミック体の焼結は、８５０〜１０５０℃の酸化性雰囲気または非酸化性雰囲気中で行われ、これにより相対密度９０％以上まで緻密化される。この時の焼成温度が８５０℃より低いと緻密化することができず、１０５０℃を超えると配線回路層との同時焼成でメタライズ層が溶融してしまう。本発明の多層配線基板は、配線導体として銅を用いるため非酸化性雰囲気中で焼成する。
【００３７】
本発明の製造方法における大きな特徴は、高誘電率ガラスセラミックグリーンシートの初期弾性率を、低誘電率ガラスセラミックグリーンシートの初期弾性率より大きくすることにより、電極の厚みばらつき、加圧密着時の圧力ばらつきを低誘電率層で吸収させ、高誘電率層の厚み変化を抑制することができる。これによって、高誘電体層の両側に形成されている一対の電極を低誘電率層側に偏在させることができる。
【００３８】
尚、セラミックグリーンシートの変形挙動としては、変形初期では弾性変形が支配的であり、変形後期では塑性変形が支配的となるため、内部電極の偏在量を制御するためには、一般に用いられる強度ではなく、初期弾性率を目安とすることが望ましい。
【００３９】
グリーンシートの初期弾性率を上げるには、バインダー量を増やす、可塑剤量を減らす、バインダーの重合度を上げる、バインダーの極性基を増やす、等の手法が挙げられる。これらの調整により、グリーンシートの初期弾性率のみならず、グリーンシートの成型性、加工性、収縮特性などが変化するため、必要に応じて調整を組み合わせる必要がある。
【００４０】
このうち、バインダー量の調整では、バインダー量が多くなるとグリーンシートへの密着液の塗布が困難となり、少なくなるとグリーンシートの成型時にクラックが発生しやすくなることに注意を要する。また、可塑剤量の調整では、可塑剤量が多くなると、グリーンシートに粘着性が生じ、少なくなるとグリーンシートが脆くなり剥離性が悪くなることに注意を要する。また、バインダーの重合度、官能基を変更する際には、焼成時の熱分解性に特に注意を要する。
【００４１】
【実施例】
高誘電率層および低誘電率層を形成するガラスセラミック組成物として、ＳｉＯ2：４１重量％−ＢａＯ：３７重量％−Ｂ2Ｏ3：１０重量％−Ａｌ2Ｏ3：７重量％−ＣａＯ：５重量％から成るガラス（屈伏点７００℃、Ｐｂ量５０×１０-6以下）および、フィラーを表１に示す割合にて、秤量調合し、溶剤を加えてボールミルを用いて粉砕混合した後、有機バインダー、可塑剤を加えて重分混合させてスラリーを作製し、ドクターブレード法により、高誘電率グリーンシート、および低誘電率グリーンシートを作製した。
【００４２】
尚、低誘電率グリーンシートの厚みは５００μｍとし、高誘電率グリーンシートの厚みは、２４μｍ、４８μｍ、７０μｍの３条件とした。また、可塑剤としては公知のジブチルフタレート（ＤＢＰ）を用い、添加量を表２〜４に示すように２〜５重量％の範囲で添加した。
【００４３】
得られた全てのグリーンシートについて、１００ｍｍ／ｍｉｎにて引張り試験を行い、伸び１ｍｍにおける応力を初期弾性率Ｇとして測定し、その結果を表２〜表４に示した。
【００４４】
本実施例では、高誘電率グリーンシート、および低誘電率グリーンシートの初期弾性率をそれぞれＧ１、Ｇ２とし、（Ｇ１／Ｇ２）の値を表２〜４に示す。尚、低誘電率グリーンシートの初期弾性率Ｇ２は０．０２４ｋｇｆ／ｍｍ2であり、表２、表３、表４は、高誘電率グリーンシートの厚みがそれぞれ２４μｍ、４８μｍ、７０μｍの場合である。
【００４５】
得られた低誘電率グリーンシート２枚にそれぞれ１．４ｍｍ×４ｍｍ、および２．０ｍｍ×４．０ｍｍの銅電極パターンおよび引き出し線パターンをプリントし、有機溶剤を主成分とする密着液を塗布後、一対の電極の重なりが１．４ｍｍ×１．４ｍｍとなる位置にて高誘電率グリーンシートを間に挟み加圧積層した。得られた積層体は、端面の電極引き出し部に銅ペーストを塗布後、焼成した。焼成は、７００℃において水蒸気を含有する窒素雰囲気中で脱バインダー後、９１０℃において窒素雰囲気中で焼成を行った。
【００４６】
得られた焼結体は、面積１．４２ｍｍ2〜１．４４ｍｍ2および電極厚みが１０μｍのコンデンサを内蔵し、図１に示したようなスルーホール導体により該コンデンサの３．２ＧＨｚにおける容量を測定した。尚、測定は２０サンプルについて行い、最大値と最小値の差を容量レンジとし、（容量レンジ／容量平均×１００）を容量ばらつきとする。
【００４７】
また、測定後の焼結体をエポキシ樹脂にて埋め込み、切断、研磨後、断面を顕微鏡により、電極の偏在量を測定した。尚、ここでいう電極の偏在量５ａ，５ｂは、電極が形成されていない高誘電率層と低誘電率層の界面を基準とし、１サンプルにつき、高誘電率側、低誘電率側それぞれ１０点測定し、それぞれの平均値を偏在量とした。表２〜４には、高誘電率層側の偏在率として（高誘電率層側の偏在量／電極厚み×１００）の値を示す。
【００４８】
【表１】
0004514301.tif 000002
【００４９】
【表２】
0004514301.tif 000003
【００５０】
【表３】
0004514301.tif 000004
【００５１】
【表４】
0004514301.tif 000005
【００５２】
表２〜４の結果より、グリーンシート中の可塑剤量が少なくなるほど初期弾性率は大きくなり、コンデンサを形成する電極の高誘電率層側の厚みは小さくなり、容量ばらつきは小さくなることが確認された。また、高誘電率層の厚みが小さいほど、容量ばらつきが小さくなる傾向が見られるものの、最も厚い７０μｍにおいても、Ｇ１／Ｇ２が１以上の場合、ばらつきは１０％以下となることが確認された。
【００５３】
以上より、容量ばらつきを小さくするためには、高誘電率層の初期弾性率を低誘電率層の初期弾性率より大きくして、電極の高誘電率側への偏在率を小さくするほどよく、４０％以下、特に３０％以下、さらには２０％以下で良好な特性を示した。また、高誘電率層の厚みが５０μｍ以下で特にばらつきの改善が見られた。
【００５４】
【発明の効果】
以上詳述する通り、本発明によれば、内蔵されたコンデンサの電極が低誘電率層側に偏在させることによってコンデンサの容量のばらつきを小さくすることができる。これによって、高精度なコンデンサを内蔵した多層配線基板を提供することができ、従来、外部回路基板に実装されていたコンデンサが不要となるため、外部回路基板の小型化、および実装コストの削減に有効であり、急速に普及しつつある携帯用電子機器の小型化に寄与することができる。
【００５５】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の製造方法で作製された多層配線基板における一実施例を説明するための概略断面図である。
【図２】図１におけるコンデンサ部の要部拡大断面図である。
【符号の説明】
１  絶縁基板
１ａ  低誘電率層
１ｂ  高誘電率層
１ｃ  低誘電率層
２  配線回路層
３  電極
５ａ  電極の低誘電率層側への偏在量
５ｂ  電極の高誘電率層側への偏在量
【図１】
0004514301.tif 000006
【図２】
0004514301.tif 000007