(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
スイッチング素子に電気的に接続された画素電極と、
前記画素電極よりも下層側に配置されたデータラインと、
アルミニウム系金属または銀系金属からなり、前記データラインと前記画素電極との間に配置され、前記画素電極と重ねあわされた部分により補助容量が形成される補助容量電極と、
前記画素電極と前記補助容量電極との間に配置された第１の絶縁膜と、
前記補助容量電極と前記データラインとの間に配置された第２の絶縁膜と、を備えた液晶表示装置において、
ＩＴＯからなり、前記画素電極と同一の層として形成された接続パッドと、
少なくとも最上層がＩＴＯとの間で良好なオーミック接続を形成可能な金属からなり、前記データラインと同一の層として形成された中継配線と、を備え、
前記第１の接続パッドは、前記第１の絶縁膜に形成された第１のコンタクトホールと前記第２の絶縁膜に形成された第２コンタクトホールを介して前記中継配線の第１の領域に接続され、
前記補助容量電極は、前記第２の絶縁膜に形成された第３のコンタクトホールを介して前記中継配線の前記第１の領域とは異なる第２の領域に接続されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
スイッチング素子に電気的に接続された画素電極と、
前記画素電極よりも下層側に配置されたデータラインと、
アルミニウム系金属または銀系金属からなり、前記データラインと前記画素電極との間に配置された導電性の反射膜と、
前記画素電極と前記反射膜との間に配置された第１の絶縁膜と、
前記反射膜と前記データラインとの間に配置された第２の絶縁膜と、を備えた液晶表示装置であって、
ＩＴＯからなり、前記画素電極と同一の層として形成された接続パッドと、
少なくとも最上層がＩＴＯとの間で良好なオーミック接続を形成可能な金属からなり、前記データラインと同一の層として形成された中継配線と、を備え、
前記接続パッドは、前記第１の絶縁膜に形成された第１のコンタクトホールと前記第２の絶縁膜に形成された第２コンタクトホールを介して前記中継配線の第１の領域に接続され、
前記反射膜は、前記第２の絶縁膜に形成された第３のコンタクトホールを介して前記中継配線の前記第１の領域とは異なる第２の領域に接続されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
前記中継配線は、少なくとも最上層がクロムまたはモリブデンからなることを特徴とする請求項１または２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記スイッチング素子は、前記補助容量電極または前記反射膜によって覆われていることを特徴とする請求項１から３の何れかに記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記画素電極は、ＩＴＯからなり、前記接続パッドと同時にパターニングされていることを特徴とする請求項１から４の何れかに記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記データラインは、少なくとも最上層がＩＴＯとの間で良好なオーミック接続を形成可能な金属からなり、前記中継配線と同時にパターニングされていることを特徴とする請求項１から５の何れかに記載の液晶表示装置。
【請求項７】
スイッチング素子に電気的に接続された画素電極と、
前記画素電極よりも下層側に配置されたデータラインと、
アルミニウム系金属または銀系金属からなり、前記データラインと前記画素電極との間に配置され、前記画素電極と重ねあわされた部分により補助容量が形成される補助容量電極と、
前記画素電極と前記補助容量電極との間に配置された第１の絶縁膜と、
前記補助容量電極と前記データラインとの間に配置された第２の絶縁膜と、を備えた液晶表示装置において、
ＩＴＯからなり、前記画素電極と同一の層として形成された接続パッドと、
少なくとも最上層がクロムまたはモリブデンからなり、前記データラインと同一の層として形成された中継配線と、を備え、
前記第１の接続パッドは、前記第１の絶縁膜に形成された第１のコンタクトホールと前記第２の絶縁膜に形成された第２コンタクトホールを介して前記中継配線の第１の領域に接続され、
前記補助容量電極は、前記第２の絶縁膜に形成された第３のコンタクトホールを介して前記中継配線の前記第１の領域とは異なる第２の領域に接続されていることを特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のアクティブマトリクス型の液晶表示装置には、ガラス基板上にマトリクス状に設けられ走査ラインとデータラインとで囲まれた領域内に画素電極がスイッチング素子としての薄膜トランジスタを介して走査ライン及びデータラインに接続されて設けられ、画素電極とデータラインとの間に発生する結合容量に起因する垂直クロストークが発生しないようにするために、画素電極とデータラインとの間にそれぞれ絶縁膜を介して補助容量電極が設けられたものがある（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
ところで、上記のような液晶表示装置において、半透過反射型とし、且つ、透過／反射トータルの開口率を大きくするために、補助容量電極をアルミニウム系金属や銀系金属等の高反射率金属によって形成し、補助容量電極及び画素電極で薄膜トランジスタ及びその周囲を覆い、薄膜トランジスタ及びその周囲に対応する領域における補助容量電極が外光を反射するための反射板として機能するようにしたものがある（例えば、特許文献２参照）。
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−３４１１８５号公報（図１及び図２）
【特許文献２】特開２００４−３４１１８５号公報（第４７段落及び請求項１４）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記構成の液晶表示装置では、画素電極と同一の層上に画素電極と同一の材料（ＩＴＯ等の透明導電材料）からなる補助容量電極用上層接続パッドを形成する場合、補助容量電極用上層接続パッドをその下の絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して補助容量電極の一部からなる接続パッド部に接続することとなるが、ＩＴＯ等の透明導電材料からなる補助容量電極用上層接続パッドとアルミニウム系金属や銀系金属等の高反射率金属からなる補助容量電極の接続パッド部との間に良好なオーミック接続を形成することができないという問題があった。
【０００６】
そこで、この発明は、補助容量電極をそれ自体に反射板としての機能を持たせるためにアルミニウム系金属や銀系金属等の高反射率金属によって形成しても、補助容量電極の実質的な接続パッド部をＩＴＯ等の透明導電材料との間で良好なオーミック接続を形成可能な金属によって形成することができる液晶表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この発明は、上記目的を達成するため、スイッチング素子に電気的に接続された画素電極と、前記画素電極よりも下層側に配置されたデータラインと、アルミニウム系金属または銀系金属からなり、前記データラインと前記画素電極との間に配置され、前記画素電極と重ねあわされた部分により補助容量が形成される補助容量電極と、前記画素電極と前記補助容量電極との間に配置された第１の絶縁膜と、前記補助容量電極と前記データラインとの間に配置された第２の絶縁膜と、を備えた液晶表示装置において、ＩＴＯからなり、前記画素電極と同一の層として形成された接続パッドと、少なくとも最上層がＩＴＯとの間で良好なオーミック接続を形成可能な金属からなり、前記データラインと同一の層として形成された中継配線と、を備え、前記第１の接続パッドは、前記第１の絶縁膜に形成された第１のコンタクトホールと前記第２の絶縁膜に形成された第２コンタクトホールを介して前記中継配線の第１の領域に接続され、前記補助容量電極は、前記第２の絶縁膜に形成された第３のコンタクトホールを介して前記中継配線の前記第１の領域とは異なる第２の領域に接続されていることを特徴とするものである。
また、別の態様の発明は、スイッチング素子に電気的に接続された画素電極と、前記画素電極よりも下層側に配置されたデータラインと、アルミニウム系金属または銀系金属からなり、前記データラインと前記画素電極との間に配置された導電性の反射膜と、前記画素電極と前記反射膜との間に配置された第１の絶縁膜と、前記反射膜と前記データラインとの間に配置された第２の絶縁膜と、を備えた液晶表示装置であって、ＩＴＯからなり、前記画素電極と同一の層として形成された接続パッドと、少なくとも最上層がＩＴＯとの間で良好なオーミック接続を形成可能な金属からなり、前記データラインと同一の層として形成された中継配線と、を備え、前記接続パッドは、前記第１の絶縁膜に形成された第１のコンタクトホールと前記第２の絶縁膜に形成された第２コンタクトホールを介して前記中継配線の第１の領域に接続され、前記反射膜は、前記第２の絶縁膜に形成された第３のコンタクトホールを介して前記中継配線の前記第１の領域とは異なる第２の領域に接続されていることを特徴とするものである。
また、別の態様の発明は、スイッチング素子に電気的に接続された画素電極と、前記画素電極よりも下層側に配置されたデータラインと、アルミニウム系金属または銀系金属からなり、前記データラインと前記画素電極との間に配置され、前記画素電極と重ねあわされた部分により補助容量が形成される補助容量電極と、前記画素電極と前記補助容量電極との間に配置された第１の絶縁膜と、前記補助容量電極と前記データラインとの間に配置された第２の絶縁膜と、を備えた液晶表示装置において、ＩＴＯからなり、前記画素電極と同一の層として形成された接続パッドと、少なくとも最上層がクロムまたはモリブデンからなり、前記データラインと同一の層として形成された中継配線と、を備え、前記第１の接続パッドは、前記第１の絶縁膜に形成された第１のコンタクトホールと前記第２の絶縁膜に形成された第２コンタクトホールを介して前記中継配線の第１の領域に接続され、前記補助容量電極は、前記第２の絶縁膜に形成された第３のコンタクトホールを介して前記中継配線の前記第１の領域とは異なる第２の領域に接続されていることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【０００８】
この発明によれば、補助容量電極を層間絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して層間絶縁膜下に設けられた接続パッド部を有する補助容量電極用中継配線に接続しているので、補助容量電極をそれ自体に反射板としての機能を持たせるためにアルミニウム系金属や銀系金属等の高反射率金属によって形成しても、補助容量電極の実質的な接続パッド部つまり補助容量電極用中継配線の接続パッド部をＩＴＯ等の透明導電材料との間で良好なオーミック接続を形成可能な金属によって形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
（第１実施形態）
図１はこの発明の第１実施形態としてのアクティブマトリクス型で半透過反射型の液晶表示装置の要部の透過平面図を示す。この液晶表示装置はガラス基板１を備えている。ガラス基板１の上面側には走査ライン２及びデータライン３がマトリクス状に設けられ、走査ライン２とデータライン３とで囲まれた領域内には画素電極４がスイッチング素子としての薄膜トランジスタ５を介して走査ライン２及びデータライン３に接続されて設けられ、さらにほぼ格子状の補助容量電極６が走査ライン２及びデータライン３と平行して設けられている。ここで、図１を明確にする目的で、画素電極４の縁部に斜めの短い実線のハッチングが記入されている。
【００１０】
この場合、走査ライン２とデータライン３とで囲まれた方形状の領域内に同じく方形状の画素電極４が走査ライン２およびデータライン３に可及的に近づけられた状態で配置されている。画素電極４の四辺部は、その周囲に配置されたほぼ格子状の補助容量電極６と重ね合わされている。薄膜トランジスタ５は、図１において、画素電極４の左下角部の下側に配置され、そのほぼ全部は画素電極４によって覆われている。
【００１１】
補助容量電極６は、ほぼ格子状であり、データライン３と重ね合わされた第１の補助容量電極部６ａと、走査ライン２と重ね合わされた第２の補助容量電極部６ｂと、薄膜トランジスタ５と重ね合わされた第３の補助容量電極部６ｃとからなっている。この場合、後で説明するが、補助容量電極６は走査ライン２とは別の層上に設けられ、且つ、そのうちの特に第１の補助容量電極部６ａは、厚さ方向において、すなわち、図１における紙面垂直方向において、データライン３と画素電極４との間にそれぞれ絶縁膜を介して設けられている。
【００１２】
そして、第１の補助容量電極部６ａの幅はデータライン３の幅よりもある程度大きくなっている。これにより、第１の補助容量電極部６ａは、データライン３と直交する方向の位置ずれがあっても、データライン３が画素電極４と直接対向しないように、データライン３を確実に覆うようになっている。また、第１の補助容量電極部６ａはデータライン３の配置領域のほぼ全域に亘って配置されている。これにより、第１の補助容量電極部６ａは、画素電極４に対し、データライン３と平行な方向の位置ずれがあっても、画素電極４の左右辺部と確実に重なり、当該方向の位置合わせずれによる補助容量の変動を確実に防止するようになっている。
【００１３】
第２の補助容量電極部６ｂの幅は走査ライン２の幅よりもある程度大きくなっている。これにより、第２の補助容量電極部６ｂは、走査ライン２と直交する方向の位置ずれがあっても、走査ライン２と確実に重なるようになっている。また、第２の補助容量電極部６ｂは走査ライン２の配置領域のほぼ全域に亘って配置されている。これにより、第２の補助容量電極部６ｂは、画素電極４に対し、走査ライン２と平行な方向の位置ずれがあっても、画素電極４の上下辺部と確実に重なり、当該方向の位置合わせずれによる補助容量の変動を確実に防止するようになっている。
【００１４】
第３の補助容量電極部６ｃは、薄膜トランジスタ５のほぼ全部を覆う大きさとなっている。これにより、薄膜トランジスタ５への外光の入射を確実に防止するようになっている。また、ほぼ格子状の補助容量電極６で画素電極４の実質的な透過用画素領域以外を覆っているので、ガラス基板１上に配置される対向ガラス基板（図示せず）に光漏れ防止用のブラックマスクを設ける必要はなく、開口率を大きくすることができる。
【００１５】
ここで、補助容量電極６はアルミニウム系金属や銀系金属等の高反射率金属によって形成されている。そして、補助容量電極６のうち、画素電極４との重合領域が反射板として機能する領域となっている。この場合、特に、画素電極４と重合された第３の補助容量電極部６ｃ及びその近傍の第１、第２の補助容量電極部６ａ、６ｂは、薄膜トランジスタ５及びその周囲を覆うように配置されている。これにより、この液晶表示装置を半透過反射型として使用することができる。
【００１６】
次に、この液晶表示装置の具体的な構造について図２を参照して説明する。この場合、図２は、左側から右側に向かって、補助容量電極用上層接続パッド３４の部分の断面図、図１のII−II線に沿う部分つまり薄膜トランジスタ５及び画素電極４等の部分の断面図、データライン用上層接続パッド４２の部分の断面図、走査ライン用上層接続パッド５４の部分の断面図を示す。
【００１７】
まず、薄膜トランジスタ５及び画素電極４等の部分について説明する。ガラス基板１の上面の所定の箇所にはクロムやモリブデン等からなるゲート電極１１及び該ゲート電極１１に接続された走査ライン２が設けられている。ゲート電極１１及び走査ライン２を含むガラス基板１の上面には窒化シリコンからなるゲート絶縁膜（下層絶縁膜）１２が設けられている。
【００１８】
ゲート電極１１上におけるゲート絶縁膜１２の上面の所定の箇所には真性アモルファスシリコンからなる半導体薄膜１３が設けられている。ゲート電極１１上における半導体薄膜１３の上面の所定の箇所には窒化シリコンからなるチャネル保護膜１４が設けられている。チャネル保護膜１４の上面両側及びその両側における半導体薄膜１３の上面にはｎ型アモルファスシリコンからなるオーミックコンタクト層１５、１６が設けられている。オーミックコンタクト層１５、１６の上面にはクロムやモリブデン等からなるソース電極１７及びドレイン電極１８が設けられている。
【００１９】
そして、ゲート電極１１、ゲート絶縁膜１２、半導体薄膜１３、チャネル保護膜１４、オーミックコンタクト層１５、１６、ソース電極１７及びドレイン電極１８により、薄膜トランジスタ５が構成されている。
【００２０】
ゲート絶縁膜１２の上面の所定の箇所にはデータライン３が設けられている。この場合、データライン３は、下から順に、真性アモルファスシリコン膜３ａ、ｎ型アモルファスシリコン膜３ｂ及びクロムやモリブデン等からなる金属膜３ｃの３層構造となっている。そして、真性アモルファスシリコン膜３ａ、ｎ型アモルファスシリコン膜３ｂ及び金属膜３ｃは、ドレイン電極１８形成領域における半導体薄膜１３、オーミックコンタクト層１６及びドレイン電極１８に接続されている。
【００２１】
薄膜トランジスタ５及びデータライン３を含むゲート絶縁膜１２の上面には窒化シリコンからなる層間絶縁膜１９が設けられている。層間絶縁膜１９の上面の所定の箇所にはアルミニウム系金属や銀系金属等の高反射率金属からなる補助容量電極６が設けられている。補助容量電極６を含む層間絶縁膜１９の上面には窒化シリコンからなるオーバーコート膜（上層絶縁膜）２０が設けられている。ソース電極１７上における層間絶縁膜１９及びオーバーコート膜２０にはコンタクトホール２１が設けられている。オーバーコート膜２０の上面の所定の箇所にはＩＴＯ等の透明導電材料からなる画素電極４がコンタクトホール２１を介してソース電極１７に接続されて設けられている。
【００２２】
ところで、上記構成の液晶表示装置では、データライン３と画素電極４との間に、データライン３の幅よりも広い形状を有する第１の補助容量電極６ａを設けているので、この第１の補助容量電極６ａにより、データライン３と画素電極４との間に結合容量が発生するのを防止することができ、したがって垂直クロストークが発生しないようにすることができ、表示特性を向上することができる。
【００２３】
また、図１に示すように、走査ライン２とデータライン３とで囲まれた方形状の領域内に同じく方形状の画素電極４を走査ライン２およびデータライン３に可及的に近づけた状態で配置し、ほぼ格子状の補助容量電極６の画素電極４との重合領域を反射板として機能するようにしているので、画素電極４のうち、ソース電極１７とのコンタクト部分のみが遮光領域となり、透過／反射トータルの開口率を大きくすることができる。
【００２４】
次に、補助容量電極用上層接続パッド３４の部分について説明する。ゲート絶縁膜１２の上面の所定の箇所には、下から順に、真性アモルファスシリコン膜３１ａ、ｎ型アモルファスシリコン膜３１ｂ及びクロムやモリブデン等の金属膜３１ｃからなる３層構造の補助容量電極用中継配線３１が設けられている。補助容量電極用中継配線３１の一端部上における層間絶縁膜１９にはコンタクトホール３２が設けられている。補助容量電極用中継配線３１の他端部からなる接続パッド部上における層間絶縁膜１９及びオーバーコート膜２０にはコンタクトホール３３が設けられている。
【００２５】
層間絶縁膜１９の上面に設けられた補助容量電極６の一部６ｄは、コンタクトホール３２を介して補助容量電極用中継配線３１（金属膜３１ｃ）の一端部に接続されている。オーバーコート膜２０の上面の所定の箇所にはＩＴＯ等の透明導電材料からなる補助容量電極用上層接続パッド３４がコンタクトホール３３を介して補助容量電極用中継配線３１（金属膜３１ｃ）の他端部からなる接続パッド部に接続されて設けられている。
【００２６】
次に、データライン用上層接続パッド４２の部分について説明する。ゲート絶縁膜１２の上面の所定の箇所には、３層構造のデータライン３の一端部からなるデータライン用接続パッド部３Ａが設けられている。データライン用接続パッド部３Ａ上における層間絶縁膜１９及びオーバーコート膜２０にはコンタクトホール４１が設けられている。オーバーコート膜２０の上面の所定の箇所にはＩＴＯ等の透明導電材料からなるデータライン用上層接続パッド４２がコンタクトホール４１を介してデータライン用接続パッド部３Ａ（金属膜３ｃ）に接続されて設けられている。
【００２７】
次に、走査ライン用上層接続パッド５４の部分について説明する。ガラス基板１の上面の所定の箇所には、走査ライン２の一端部からなる走査ライン用接続パッド部２ａが設けられている。ゲート絶縁膜１２の上面の所定の箇所には、下から順に、真性アモルファスシリコン膜５１ａ、ｎ型アモルファスシリコン膜５１ｂ及びクロムやモリブデン等の金属膜５１ｃからなる３層構造の走査ライン用中継配線５１が設けられている。
【００２８】
走査ライン用接続パッド部２ａ上におけるゲート絶縁膜１２、真性アモルファスシリコン膜５１ａ及びｎ型アモルファスシリコン膜５１ｂにはコンタクトホール５２が設けられている。そして、金属膜５１ｃの一端部はコンタクトホール５２を介して走査ライン用接続パッド部２ａに接続されている。
【００２９】
走査ライン用中継配線５１の他端部からなる接続パッド部上における層間絶縁膜１９及びオーバーコート膜２０にはコンタクトホール５３が設けられている。オーバーコート膜２０の上面の所定の箇所にはＩＴＯ等の透明導電材料からなる走査ライン用上層接続パッド５４がコンタクトホール５３を介して走査ライン用中継配線５１（金属膜５１ｃ）の他端部からなる接続パッド部に接続されて設けられている。
【００３０】
ここで、補助容量電極用上層接続パッド３４の部分において、ＩＴＯ等の透明導電材料からなる補助容量電極用上層接続パッド３４をアルミニウム系金属等の高反射率金属からなる補助容量電極６の一部６ｄに直接接続した場合には、その間に良好なオーミック接続を形成することができない。
【００３１】
そこで、この実施形態では、補助容量電極用上層接続パッド３４を補助容量電極用中継配線３１の金属膜３１ｃに接続している。この場合、補助容量電極用中継配線３１の金属膜３１ｃは、ＩＴＯ等の透明導電材料からなる補助容量電極用上層接続パッド３４と直接電気的にコンタクト可能なクロム等の金属によって形成されているので、その間に良好なオーミック接続を形成することができる。
【００３２】
また、この場合、アルミニウム系金属等の高反射率金属からなる補助容量電極６の一部６ｄは補助容量電極用中継配線３１のクロム等からなる金属膜３１ｃに接続されているため、補助容量電極６の表面に高抵抗の自然酸化膜が形成されても、補助容量電極６の一部６ｄと補助容量電極用中継配線３１の金属膜３１ｃとの間のコンタクト抵抗が不安定となることがない。
【００３３】
また、データライン用上層接続パッド４２の部分においては、データライン用接続パッド部３Ａの金属膜３ｃは、ＩＴＯ等の透明導電材料からなるデータライン用上層接続パッド４２と直接電気的にコンタクト可能なクロム等の金属によって形成されているので、その間に良好なオーミック接続を形成することができる。
【００３４】
さらに、走査ライン用上層接続パッド部５４の部分においても、同様に、走査ライン用中継配線５１の金属膜５１ｃは、ＩＴＯ等の透明導電材料からなる走査ライン用上層接続パッド５４と直接電気的にコンタクト可能なクロム等の金属によって形成されているので、その間に良好なオーミック接続を形成することができる。
【００３５】
ところで、走査ライン用上層接続パッド５４の部分においては、走査ライン用中継配線５１の他端部からなる接続パッドは、走査ライン２の一端部からなる走査ライン用接続パッド部２ａの配置領域以外の領域に配置され、その下におけるガラス基板１上にはゲート絶縁膜１２のみが設けられている。
【００３６】
また、データライン用上層接続パッド４２の部分及び補助容量電極用上層接続パッド３４の部分においても、同様に、データライン用接続パッド部３Ａ及び補助容量電極用中継配線３１の他端部からなる接続パッド部下におけるガラス基板１上にはゲート絶縁膜１２のみが設けられている。
【００３７】
したがって、各上層接続パッド３４、４２、５４の部分において、中継配線３１、５１の他端部からなる実質的な接続パッド部及びデータライン用接続パッド部３Ａの高さを揃えることができ、その各上におけるオーバーコート膜２０及び層間絶縁膜１９に後述の如く形成されるコンタクトホール３３、４１、５３の加工プロセスを安定化することができ、また中継配線３１、５１の他端部からなる実質的な接続パッド部及びデータライン用接続パッド部３Ａと上層接続パッド３４、４２、５４との接続信頼性を向上することができる。
【００３８】
なお、ＩＴＯ等の透明導電材料からなる上層接続パッド３４、４２、５４は、中継配線３１、５１の他端部からなる実質的な接続パッド部及びデータライン用接続パッド部３Ａ上を覆ってその耐蝕性向上を図るためのものであり、設けた方が望ましいが、省略してもよい。しかし、省略した場合でも、中継配線３１、５１の他端部からなる実質的な接続パッド部及びデータライン用接続パッド部３Ａの高さを揃えることができる。
【００３９】
次に、図２に示す液晶表示装置の製造方法の一例について説明する。まず、図３に示すように、ガラス基板１の上面の所定の個所に、スパッタ法により成膜されたクロムやモリブデン等からなる金属膜をフォトリソグラフィ法（１回目）によりパターニングすることにより、ゲート電極１１、走査ライン２及び走査ライン用接続パッド部２ａを形成する。
【００４０】
次に、ゲート電極１１、走査ライン２及び走査ライン用接続パッド部２ａを含むガラス基板１の上面に、ＣＶＤ法により、窒化シリコンからなるゲート絶縁膜１２、真性アモルファスシリコン膜６１及び窒化シリコン膜６２を連続して成膜する。次に、窒化シリコン膜６２をフォトリソグラフィ法（２回目）によりパターニングすることにより、チャネル保護膜１４を形成する。
【００４１】
次に、図４に示すように、チャネル保護膜１４を含む真性アモルファスシリコン膜６１の上面に、ＣＶＤ法により、ｎ型アモルファスシリコン膜６３を成膜する。次に、走査ライン用接続パッド部２ａ上におけるｎ型アモルファスシリコン膜６３、真性アモルファスシリコン膜６１及びゲート絶縁膜１２に、フォトリソグラフィ法（３回目）により、コンタクトホール５２を連続して形成する。
【００４２】
次に、図５に示すように、コンタクトホール５２を介して露出された走査ライン用接続パッド部２ａの上面を含むｎ型アモルファスシリコン膜６３の上面に、スパッタ法により、クロムやモリブデン等からなる金属膜６４を成膜する。次に、金属膜６４、ｎ型アモルファスシリコン膜６３及び真性アモルファスシリコン膜６１をフォトリソグラフィ法（４回目）により連続してパターニングすると、図６に示すようになる。
【００４３】
すなわち、半導体薄膜１３、オーミックコンタクト層１５、１６、ソース電極１７及びドレイン電極１８が形成される。また、下から順に、真性アモルファスシリコン膜３ａ、ｎ型アモルファスシリコン膜３ｂ及び金属膜３ｃからなる３層構造のデータライン３及びデータライン用接続パッド部３Ａが形成される。さらに、下から順に、真性アモルファスシリコン膜３１ａ、５１ａ、ｎ型アモルファスシリコン膜３１ｂ、５１ｂ及び金属膜３１ｃ、５１ｃからなる３層構造の中継配線３１、５１が形成される。
【００４４】
次に、図７に示すように、薄膜トランジスタ５、データライン３、データライン用接続パッド部３Ａ及び中継配線３１、５１を含むゲート絶縁膜１２の上面に、ＣＶＤ法により、窒化シリコンからなる層間絶縁膜１９を成膜する。次に、補助容量電極用中継配線３１の一端部上における層間絶縁膜１９に、フォトリソグラフィ法（５回目）により、コンタクトホール３２を形成する。
【００４５】
次に、図８に示すように、コンタクトホール３２を介して露出された補助容量電極用中継配線３１の一端部上面を含む層間絶縁膜１９の上面にスパッタ法により成膜されたアルミニウム系金属等からなる高反射率金属膜をフォトリソグラフィ法（６回目）によりパターニングすることにより、補助容量電極６を形成し、また補助容量電極６の一部６ｄをコンタクトホール３２を介して補助容量電極用中継配線３１の一端部に接続させて形成する。
【００４６】
次に、図９に示すように、補助容量電極６及びその一部６ｄを含む層間絶縁膜１９の上面に、ＣＶＤ法により、窒化シリコンからなるオーバーコート膜２０を成膜する。次に、ソース電極１７の上面の所定の箇所、補助容量電極用中継配線３１の他端部、データライン用接続パッド部３Ａ及び走査ライン用中継配線５１の他端部上におけるオーバーコート膜２０及び層間絶縁膜１９に、フォトリソグラフィ法（７回目）により、コンタクトホール２１、３３、４１、５３を連続して形成する。
【００４７】
次に、図２に示すように、各コンタクトホール２１、３３、４１、５３内を含むオーバーコート膜２０の上面にスパッタ法により成膜されたＩＴＯ等からなる透明導電膜をフォトリソグラフィ法（８回目）によりパターニングすることにより、画素電極４をコンタクトホール２１を介してソース電極１７に接続させて形成する。
【００４８】
また、補助容量電極用上層接続パッド３４をコンタクトホール３３を介して補助容量電極用中継配線３１の他端部に接続させて形成する。また、データライン用上層接続パッド４２をコンタクトホール４１を介してデータライン用接続パッド部３Ａに接続させて形成する。さらに、走査ライン用上層接続パッド５４をコンタクトホール５３を介して走査ライン用中継配線５１の他端部に接続させて形成する。かくして、図２に示す液晶表示装置が得られる。
【００４９】
（第２実施形態）
図１０はこの発明の第２実施形態としてのアクティブマトリクス型で半透過反射型の液晶表示装置の図２同様の断面図を示す。この液晶表示装置において、図２に示す液晶表示装置と異なる点は、走査ライン用上層接続パッド５４の部分の構造のみである。
【００５０】
すなわち、走査ライン用上層接続パッド５４の部分において、ゲート絶縁膜１２の上面の所定の箇所には、下から順に、真性アモルファスシリコン膜５１ａ、ｎ型アモルファスシリコン膜５１ｂ及び金属膜５１ｃからなる３層構造の第１の走査ライン用中継配線５１が設けられている。層間絶縁膜１９の上面の所定の箇所にはアルミニウム系金属や銀系金属等の高反射率金属からなる第２の走査ライン用中継配線５５が設けられている。
【００５１】
第２の走査ライン用中継配線５５の一端部は、層間絶縁膜１９及びゲート絶縁膜１２に設けられたコンタクトホール５６を介して走査ライン用接続パッド部２ａに接続されている。第２の走査ライン用中継配線５５の他端部は、層間絶縁膜１９に設けられたコンタクトホール５７を介して第１の走査ライン用中継配線５１の一端部に接続されている。走査ライン用上層接続パッド５４は、オーバーコート膜２０及び層間絶縁膜１９に設けられたコンタクトホール５３を介して第１の走査ライン用中継配線５１の他端部に接続されている。
【００５２】
そして、この走査ライン用上層接続パッド５４の部分においては、アルミニウム系金属等の高反射率金属からなる第２の走査ライン用中継配線５５の一端部はクロム等からなる走査ライン用接続パッド部２ａに接続され、他端部は第２の走査ライン用中継配線５１のクロム等からなる金属膜３１ｃに接続されているため、第２の走査ライン用中継配線５５の表面に高抵抗の自然酸化膜が形成されても、第２の走査ライン用中継配線５５の一端部及び他端部と走査ライン用接続パッド部２ａ及び第１の走査ライン用中継配線５１の金属膜３１ｃとの間のコンタクト抵抗が不安定となることがない。
【００５３】
ところで、上記第１実施形態では、フォトリソグラフィ工程数が８回であったが、この第２実施形態では７回とすることができる。そこで、次に、この第２実施形態における液晶表示装置の製造方法の一例について説明する。まず、図３に示すように、２回目のフォトリソグラフィ法により、チャネル保護膜１４を形成する。
【００５４】
次に、図１１に示すように、チャネル保護膜１４を含む真性アモルファスシリコン膜６１の上面に、ＣＶＤ法により、ｎ型アモルファスシリコン膜６３を成膜する。次に、ｎ型アモルファスシリコン膜６３の上面に、スパッタ法により、クロムやモリブデン等からなる金属膜６４を成膜する。次に、金属膜６４、ｎ型アモルファスシリコン膜６３及び真性アモルファスシリコン膜６１をフォトリソグラフィ法（３回目）により連続してパターニングすると、図１２に示すようになる。
【００５５】
すなわち、半導体薄膜１３、オーミックコンタクト層１５、１６、ソース電極１７及びドレイン電極１８が形成される。また、下から順に、真性アモルファスシリコン膜３ａ、ｎ型アモルファスシリコン膜３ｂ及び金属膜３ｃからなる３層構造のデータライン３及びデータライン用接続パッド部３Ａが形成される。さらに、下から順に、真性アモルファスシリコン膜３１ａ、５１ａ、ｎ型アモルファスシリコン膜３１ｂ、５１ｂ及び金属膜３１ｃ、５１ｃからなる３層構造の中継配線３１、５１が形成される。
【００５６】
次に、図１３に示すように、薄膜トランジスタ５、データライン３、データライン用接続パッド部３Ａ及び中継配線３１、５１を含むゲート絶縁膜１２の上面に、ＣＶＤ法により、窒化シリコンからなる層間絶縁膜１９を成膜する。次に、フォトリソグラフィ法（４回目）により、中継配線３１、５１の一端部上における層間絶縁膜１９にコンタクトホール３２、５７を形成し、且つ、走査ライン用接続パッド部２ａ上における層間絶縁膜１９及びゲート絶縁膜１２にコンタクトホール５６を連続して形成する。
【００５７】
次に、図１４に示すように、各コンタクトホール３２、５６、５７内を含む層間絶縁膜１９の上面にスパッタ法により成膜されたアルミニウム系金属等からなる高反射率金属膜をフォトリソグラフィ法（５回目）によりパターニングすることにより、補助容量電極６を形成し、また補助容量電極の一部６ｄをコンタクトホール３２を介して補助容量電極用中継配線３１の一端部に接続させて形成し、また第２の走査ライン用中継配線５５をコンタクトホール５６、５７を介して走査ライン用接続パッド部２ａ及び第１の走査ライン用中継配線５１の一端部に接続させて形成する。
【００５８】
次に、図１５に示すように、補助容量電極６、その一部６ｄ及び第２の走査ライン用中継配線５５を含む層間絶縁膜１９の上面に、ＣＶＤ法により、窒化シリコンからなるオーバーコート膜２０を成膜する。次に、ソース電極１７の上面の所定の箇所、補助容量電極用中継配線３１の他端部、データライン用接続パッド部３Ａ及び第１の走査ライン用中継配線５１の他端部上におけるオーバーコート膜２０及び層間絶縁膜１９に、フォトリソグラフィ法（６回目）により、コンタクトホール２１、３３、４１、５３を連続して形成する。
【００５９】
次に、図１０に示すように、各コンタクトホール２１、３３、４１、５３内を含むオーバーコート膜２０の上面にスパッタ法により成膜されたＩＴＯ等からなる透明導電膜をフォトリソグラフィ法（７回目）によりパターニングすることにより、画素電極４をコンタクトホール２１を介してソース電極１７に接続させて形成する。
【００６０】
また、補助容量電極用上層接続パッド３４をコンタクトホール３３を介して補助容量電極用中継配線３１の他端部に接続させて形成する。また、データライン用上層接続パッド４２をコンタクトホール４１を介してデータライン用接続パッド部３Ａに接続させて形成する。さらに、走査ライン用上層接続パッド５４をコンタクトホール５３を介して第１の走査ライン用中継配線５１の他端部に接続させて形成する。かくして、図１０に示す液晶表示装置が得られる。
【００６１】
以上のように、この液晶表示装置の製造方法では、フォトリソグラフィ工程数が７回となり、上記第１実施形態の場合の８回よりも１回少なくすることができ、生産性を向上することができる。
【００６２】
ところで、図１０において、層間絶縁膜１９の上面に設けられた第２の走査ライン用中継配線５５は、ガラス基板１の上面に設けられた走査ライン用接続パッド部２ａと、ゲート絶縁膜１２の上面に設けられた第１の走査ライン用中継配線５１とをジャンパ接続しているので、このようなジャンパ接続構造を他の必要な領域に形成することも可能である。そこで、次に、このようなジャンパ接続構造の３つの変形例について説明する。
【００６３】
（変形例１）
図１６はジャンパ接続構造の変形例１を説明するために示す断面図である。ガラス基板１の上面に設けられたクロム等からなる第１の下層配線７１とゲート絶縁膜１２の上面に設けられた上記同様の３層構造（以下、単に３層構造という）の第２の下層配線７２との間に、ガラス基板１の上面に設けられたクロム等からなる第３の下層配線７３及びゲート絶縁膜１２の上面に設けられた３層構造の第４の下層配線７４があっても、層間絶縁膜１９の上面に設けられたアルミニウム系金属等の高反射率金属からなる上層配線７５の一端部を層間絶縁膜１９及びゲート絶縁膜１２に設けられたコンタクトホール７６を介して第１の下層配線７１に接続し、他端部を層間絶縁膜１９に設けられたコンタクトホール７７を介して第２の下層配線７２に接続することができる。
【００６４】
（変形例２）
図１７はジャンパ接続構造の変形例２を説明するために示す断面図である。ガラス基板１の上面に設けられたクロム等からなる第１、第２の下層配線８１、８２間に、ガラス基板１の上面に設けられたクロム等からなる第３の下層配線８３があっても、層間絶縁膜１９の上面に設けられたアルミニウム系金属等の高反射率金属からなる上層配線８４の一端部を層間絶縁膜１９及びゲート絶縁膜１２に設けられた第１のコンタクトホール８５を介して第１の下層配線８１に接続し、他端部を層間絶縁膜１９及びゲート絶縁膜１２に設けられた第２のコンタクトホール８６を介して第２の下層配線８２に接続することができる。
【００６５】
（変形例３）
図１８はジャンパ接続構造の変形例３を説明するために示す断面図である。ゲート絶縁膜１２の上面に設けられた３層構造の第１、第２の下層配線９１、９２間に、ゲート絶縁膜１２の上面に設けられた３層構造の第３の下層配線９３があっても、層間絶縁膜１９の上面に設けられたアルミニウム系金属等の高反射率金属からなる上層配線９４の一端部を層間絶縁膜１９に設けられた第１のコンタクトホール９５を介して第１の下層配線９１に接続し、他端部を層間絶縁膜１９に設けられた第２のコンタクトホール９６を介して第２の下層配線９２に接続することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】この発明の第１実施形態としてのアクティブマトリクス型で半透過反射型の液晶表示装置の要部の透過平面図。
【図２】図１のII−II線に沿う断面図及び各接続パッドの部分を説明するために示す断面図。
【図３】図２に示す液晶表示装置の製造方法の一例において、当初の工程の断面図。
【図４】図３に続く工程の断面図。
【図５】図４に続く工程の断面図。
【図６】図５に続く工程の断面図。
【図７】図６に続く工程の断面図。
【図８】図７に続く工程の断面図。
【図９】図８に続く工程の断面図。
【図１０】この発明の第２実施形態としてのアクティブマトリクス型で半透過反射型の液晶表示装置の図２同様の断面図。
【図１１】図１０に示す液晶表示装置の製造方法の一例において、所定の工程の断面図。
【図１２】図１１に続く工程の断面図。
【図１３】図１２に続く工程の断面図。
【図１４】図１３に続く工程の断面図。
【図１５】図１４に続く工程の断面図。
【図１６】ジャンパ接続構造の変形例１を説明するために示す断面図。
【図１７】ジャンパ接続構造の変形例２を説明するために示す断面図。
【図１８】ジャンパ接続構造の変形例３を説明するために示す断面図。
【符号の説明】
【００６７】
１  ガラス基板
２  走査ライン
２ａ  走査ライン用接続パッド部
３  データライン
３Ａ  データライン用接続パッド部
４  画素電極
５  薄膜トランジスタ
６  補助容量電極
６ｄ  補助容量電極の一部
１２  ゲート絶縁膜
１９  層間絶縁膜
２０  オーバーコート膜
３１  補助容量電極用中継配線
３４  補助容量電極用上層接続パッド
４２  データライン用上層接続パッド
５１  走査ライン用中継配線
５４  走査ライン用上層接続パッド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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