(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
透光性の前面基板と、前記前面基板に対向して配置された背面基板とから構成された密閉型の放電容器と、
前記放電容器内に封入された希ガスと、
前記前面基板および前記背面基板のそれぞれの内面上に形成され、交番電圧が印加される電極と、
前記電極を覆うように前記前面基板および前記背面基板の前記内面上に形成された前面誘電体層および背面誘電体層と、
前記前面誘電体層上に形成された前面蛍光体層と、
前記背面誘電体層上に形成された背面蛍光体層と
を備えた発光デバイスであって、
前記前面蛍光体層の比誘電率と前記背面蛍光体層の比誘電率とは等しく、
前記背面蛍光体層の厚さは、前記前面蛍光体層の厚さよりも厚く、
前記前面誘電体層および前記前面蛍光体層が有する第１合成静電容量と、前記背面誘電体層および前記背面蛍光体層が有する第２合成静電容量との両者のうち合成静電容量の小さい方を大きい方で割った値が１以下０．８６以上となるように、前記前面誘電体層が有する静電容量と前記背面誘電体層が有する静電容量とが調整されていることを特徴とする発光デバイス。
【請求項２】
前記前面誘電体層の厚さを前記背面誘電体層の厚さよりも厚くすることで、前記第１合成静電容量と、前記第２合成静電容量との両者のうち合成静電容量の小さい方を大きい方で割った値が１以下０．８６以上となるように、前記前面誘電体層が有する静電容量と前記背面誘電体層が有する静電容量とが調整されていることを特徴とする請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項３】
第１合成静電容量と第２合成静電容量とによって規定されるランプ全体の静電容量は、１ｐＦ／ｃｍ２〜５０ｐＦ／ｃｍ２である、請求項１または２に記載の発光デバイス。
【請求項４】
前記電極は、互いに平行する複数の線状電極またはメッシュ状の電極であり、
前記前面基板上の前記電極の総面積は、前記背面基板上の前記電極の総面積よりも小さい請求項１から３の何れか一つに記載の発光デバイス。
【請求項５】
前記電極は、互いに平行する複数の線状電極またはメッシュ状の電極であり、
前記前面誘電体層は、前記電極間に位置する領域において、前記電極上に位置する前面誘電体層の厚さの５０％以下０％以上の部分を有している、請求項１から４の何れか一つに記載の発光デバイス。
【請求項６】
前記電極は、互いに平行する複数の線状電極またはメッシュ状の電極であり、
前記背面誘電体層上に形成された背面蛍光体層は、前記電極の上方に位置する領域において、前記電極間に位置する前記背面誘電体層上に形成された背面蛍光体層の厚さに対して５％以上９５％以下の厚さを有する部分を有している、請求項１から５の何れか一つに記載の発光デバイス。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、発光デバイスに関し、特に、液晶ディスプレイなどのバックライトや照明装置に使用される発光デバイスに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来における発光デバイス（平行蛍光ランプ）は、例えば、特開平８−２８７８６９号公報に示されている。この公報に示された発光デバイス１０００を図８に模式的に示す。
【０００３】
図８に示したランプ１０００は、いわゆる誘電体バリア放電ランプであり、前面ガラス基板１１１と背面ガラス基板１１２とから構成された密閉型の放電容器１１０と、放電容器１１０内に封入された希ガス（キセノン）１１６と、前面ガラス基板１１１および背面ガラス基板１１２のそれぞれの上に形成された電極１１３と、電極１１３を覆うように前面ガラス基板１１１および背面ガラス基板１１２のそれぞれの上に形成された誘電体層１１４と、誘電体層１１４上に形成された蛍光体層１１５とを備えている。
【０００４】
前面ガラス基板１１１は、例えばソーダガラス等から構成されており、前面ガラス基板１１１と背面ガラス基板１１２とは、ガラススペーサー１１８によって放電ギャップが確保された状態で対向配置されている。ガラススペーサー１１８の外面にはフリットガラス１１７が形成されており、フリットガラス１１７によって放電容器１１０は密封状態にされている。
【０００５】
前面ガラス基板１１１および背面ガラス基板１１２上に設けられた電極１１３は、銀またはＩＴＯなどから構成されており、電極１１３を覆うように前面ガラス基板１１１と背面ガラス基板１１２の上には、透光性の鉛ガラスなどから構成された誘電体層１１４（厚さ：５０μｍ）が膜状に塗布されている。誘電体層１１４の表面には、紫外放射によって励起されて可視発光する蛍光体層１１５が膜状に塗布されている。前面ガラス基板１１１上の電極１１３ａと背面ガラス基板１１２上の電極１１３ｂとの間に、正弦波またはパルス波の交番電圧が印加されると、封入ガス１１６が封入された放電容器１１０内で放電が起こり、放電による紫外放射で蛍光体層１１５が励起されて可視発光し、それによってランプ１０００の発光が起こる。
【０００６】
上記従来のランプ１０００の構成の場合、前面ガラス基板１１１から出来るだけ多くの可視光を取り出すために、前面ガラス基板１１１側に形成する蛍光体層（前面蛍光体層）１１５ａの厚さを薄くし、背面ガラス基板１１２側に形成する蛍光体層（背面蛍光体層）１１５ｂの厚さを厚くしている。このようにする理由は、前面蛍光体層１１５ａの厚さを薄くして、放電容器１１０内部から前面ガラス基板１１１へと出射する光が前面蛍光体層１１５ａによってなるべく遮られないようにするとともに、前面ガラス基板１１１側でない背面蛍光体層１１５ｂの厚さを厚くして、放電容器１１０内で生じる紫外放射をなるべく多くの可視光にして、発光効率を向上させるためである。上記公報では、ランプ１０００における前面蛍光体層１１５ａの厚さを５〜２０μｍとし、背面蛍光体層１１５ｂの厚さを３０μｍ以上とすることが好ましいことが記載されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本願発明者は、ランプ１０００の相対輝度と背面蛍光体層１１５ｂの厚さとの関係を調べるために、図９（ａ）に示すように、背面蛍光体層１１５ｂだけを形成したランプ１０００の電極１１３にランプ点灯用電源２０（ランプ電力：２Ｗ）を加えてランプ１０００の相対輝度を調べる実験を行った。この結果を図９（ｂ）に示す。背面蛍光体層１１５ｂを構成する蛍光体としてＢａＡｌ12Ｏ2：Ｍｎを用い、背面蛍光体層１１５ｂの厚さを約１０μｍから約１００μｍまで変化させて、それぞれの膜厚についての相対輝度を調べた。
【０００８】
本願発明者は、図９（ｂ）中の点線で示すように、蛍光体層１１５の厚さを比較的厚くしていった場合、蛍光体層１１５の厚さの増加によってランプ１０００の相対輝度が下がるようなことはなく、相対輝度は高くなっていくものと予想していた。その理由を述べると、蛍光体層（発光層）１１５は、図１０に示すように、蛍光体の各粒子（直径：５〜２０μｍ程度）がそれぞれ隙間を開けて配列された状態で形成されているため、放電の際に発生する電子（ｅ）は、蛍光体層１１５の隙間を容易にすり抜けていき、蛍光体層１１５を厚くした場合でも蛍光体層１１５は放電の際に発生する電子（ｅ）に影響を与えないと考えられ、それゆえ、蛍光体層１１５を厚くすればするほど、ランプ１００の相対輝度は１００％の方に近づいていくものと予想されるからである。
【０００９】
しかしながら、驚くべきことに、図９（ｂ）中の実線で示すように、実際の測定結果によると、膜厚３０μｍまでは相対輝度は上昇していくが、膜厚３０μｍを越えると、相対輝度は減少していくことがわかった。従来においては、蛍光体層１１５の厚さがランプ１０００の放電に与える影響は考慮されていなかったが、図９（ｂ）中の実線で示す結果から推測すると、蛍光体層１１５ｂの厚さの変化は、紫外発光効率に影響を与えていると考えられる。
【００１０】
従来のランプ１０００の場合、図１１（ａ）に模式的に示すように、電極１１３上に誘電体層１１４と蛍光体層１１５とが順に形成されており、蛍光体層１１４を構成する蛍光体は誘電体であるため、図１１（ａ）に示した構成を等価回路にして表すと、図１１（ｂ）に示すように、各層からなるコンデンサが直列に接続された構成となる。
【００１１】
図１１（ｂ）に示した等価回路から理解できるように、ランプ１０００の紫外発光効率は、前面側の誘電体層１１４ａの静電容量ＣＤｆと背面側の誘電体層１１４ｂの静電容量ＣＤｂとだけでなく、前面側の蛍光体層１１５ａの静電容量ＣＰｆと背面側の蛍光体層１１５ｂの静電容量ＣＰｂとの影響も受ける。ランプ１０００全体の静電容量は、ＣＤｆ、ＣＤｂ、ＣＰｆ、ＣＰｂや浮遊容量を含む静電容量によって規定されるので、ランプ１０００全体の静電容量を決定する際には、これらの静電容量の最適化を行うことが望ましい。
【００１２】
図１１（ａ）に示した構成において前面蛍光体層１１５ａの厚さを２０μｍとし、背面蛍光体層１１５ｂの厚さを３０μｍとした場合のランプ電圧とランプ電流との関係を図１２に示す。なお、前面側の誘電体層１１４ａと、背面側の誘電体層１１４ｂとの厚さは共に５０μｍである。
【００１３】
図１２からわかるように、電極１１３に対して正弦波の交番電圧（ランプ電圧：２００Ｖ／ｄｉｖ）を印加しているのにもかかわらず、ランプ電流の対称性がくずれて、印加電圧が正のとき（グラフ上方）のランプ電流の方が、印加電圧が負のとき（グラフ下方）のランプ電流よりも多くなっている。すなわち、ランプ電流の正負のピーク値が異なるものとなっている。
【００１４】
ランプ電流の正負のピーク値が異なる場合には、いずれかのランプ電流が他方に対して大きくなるか、または小さくなってしまう。真空紫外域におけるキセノンの発光過程によると、図１３に示すように、基底状態のキセノンが放電によって共鳴線励起準位（８．５ｅＶ）まで励起された後、準安定状態の準位（８．３ｅＶ）に移行し、次いで、エキシマ分子形成が起こり、その後、１７２ｎｍの紫外発光が生じる。この１７２ｎｍの紫外発光が蛍光体層１１５によって可視発光に変換される。このキセノン発光過程において、ランプ電流が大きい場合には、キセノンが共鳴線励起準位（８．５ｅＶ）よりも高い準位にまで励起されるため、最終的な可視発光に寄与しない赤外発光が生じ、その結果、エネルギーロスが生じ、ランプの発光効率の低下を招く。一方、ランプ電流が小さい場合には、共鳴線励起準位または準安定状態の準位まで励起させる確率が減少し、その結果、ランプの発光効率が低下する。
【００１５】
図１２に示した結果は、前面蛍光体層１１５ａおよび背面蛍光体層１１５ｂのそれぞれの厚さの違いによって生じた前面側と背面側との静電容量の対称性がくずれたことによるものだと推測される。しかし、ランプ電流の正負のピーク値を一致させるために、前面側に位置する前面蛍光体層１１５ａと背面側に位置する背面蛍光体層１１５ｂとのそれぞれの厚さを等しくすると、前面蛍光体層１１５ａの厚さが薄くされてないため、放電容器１１０内部から前面ガラス基板１１１へと出射する光の量が減ることとなり、その結果、ランプの発光効率が低下する。
【００１６】
本発明はかかる諸点に鑑みてなされたものであり、その主な目的は、ランプの発光効率を向上させた発光デバイスを提供することにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
本発明による発光デバイスは、透光性の前面基板と、前記前面基板に対向して配置された背面基板とから構成された密閉型の放電容器と、前記放電容器内に封入された希ガスと、前記前面基板および前記背面基板のそれぞれの内面上に形成され、交番電圧が印加される電極と、前記電極を覆うように前記前面基板および前記背面基板のそれぞれの前記内面上に形成された前面誘電体層および背面誘電体層と、前記誘電体層上に形成された蛍光体層とを備えた発光デバイスであって、前記前面蛍光体層の比誘電率と前記背面蛍光体層の比誘電率とは等しく、前記背面蛍光体層の厚さは、前記前面蛍光体層の厚さよりも厚く、前記前面誘電体層および前記前面蛍光体層が有する第１合成静電容量と、前記背面誘電体層および前記背面蛍光体層が有する第２合成静電容量の両者のうち合成静電容量の小さい方を大きい方で割った値が１以下０．８６以上となるように、前記前面誘電体層が有する静電容量と前記背面誘電体層が有する静電容量とが調整されていることを特徴とする。
【００１９】
第１合成静電容量と第２合成静電容量とによって規定されるランプ全体の静電容量は、１ｐＦ／ｃｍ2〜５０ｐＦ／ｃｍ2であることが好ましい。
【００２０】
ある実施形態では、前記前面蛍光体層の比誘電率と前記背面蛍光体層の比誘電率とは等しく、前記前面蛍光体層の厚さは、前記背面蛍光体層の厚さよりも薄い。
【００２２】
前記電極は、互いに平行する複数の線状電極またはメッシュ状の電極であり、前記前面基板上の前記電極の総面積は、前記背面基板上の前記電極の総面積よりも小さいことが好ましい。
【００２３】
前記電極は、互いに平行する複数の線状電極またはメッシュ状の電極であり、前記前面基板上の誘電体層は、前記電極間に位置する領域において、前記電極上に位置する誘電体層の厚さの５０％以下０％以上の部分を有していることが好ましい。
【００２４】
前記電極は、互いに平行する複数の線状電極またはメッシュ状の電極であり、前記背面基板の前記誘電体層上に形成された蛍光体層は、前記電極の上方に位置する領域において、前記電極間に位置する前記誘電体層上に形成された蛍光体層の厚さに対して５％以上９５％以下の厚さを有する部分を有していることが好ましい。
【００２５】
本発明によると、前面基板上の誘電体層および前面蛍光体層が有する第１合成静電容量と、背面基板上の誘電体層および背面蛍光体層が有する第２合成静電容量とが実質的に等しいように構成されているので、ランプ電流の正負のピーク値を適切に制御することができ、その結果、ランプの発光効率を向上させた発光デバイスを提供することができる。第１合成静電容量と第２合成静電容量と両者のうち合成静電容量の小さい方を大きい方で割った値は例えば１以下０．８６以上であり、好ましくは１以下０．９以上であり、さらに好ましくは１以下０．９７以上である。ランプ全体の静電容量が１ｐＦ／ｃｍ2〜５０ｐＦ／ｃｍ2であると、ランプの発光効率をさらに向上させることができる。前面基板および背面基板の少なくとも一方がコンデンサに直列に接続された構成によって、第１合成静電容量と第２合成静電容量とを実質的に等しくするようにしてもよい。
【００２６】
電極としては、互いに平行する複数の線状電極またはメッシュ状の電極を用いることができ、前面基板上の電極の総面積が背面基板上の電極の総面積よりも小さいするように構成した場合、前面基板から出射する可視光をより多くすることができる。また、前面基板上の誘電体層のうち電極間に位置する部分の厚さが前面基板上の電極の厚さの半分以下（５０％以下０％以上）となるように構成することによっても、前面基板から出射する可視光をより多くすることができる。さらに、誘電体層上に形成された蛍光体層のうち電極上に位置する部分の厚さが蛍光体層のうち電極間に位置する部分の厚さの５％以上９５％以下であるように構成した場合には、蛍光体層の輝度を均一化させることができる。
【００２７】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しながら、本発明による実施の形態を説明する。以下の図面においては、説明を簡明にするために、実質的に同一の機能を有する構成要素を同一の参照符号で示す。
【００２８】
図１から図３を参照しながら、本実施形態１にかかる発光デバイスを説明する。図１は、本実施形態の発光デバイス（平板蛍光ランプ）１００の構成を模式的に示している。
【００２９】
発光デバイス１００は、透光性の前面基板１１と背面基板１２とから構成された密閉型の放電容器１０と、放電容器１０内に封入された希ガス（例えば、キセノン）１６と、前面基板１１および背面基板１２のそれぞれの上に形成された電極１３と、電極１３を覆うように前面基板１１および背面基板１２のそれぞれの上に形成された誘電体層１４と、誘電体層１４上に形成された蛍光体層（発光層）１５とを備えている。互いに対向する電極１３は、それぞれランプ点灯用電源２０に電気的に接続されており、例えば周波数２０ｋＨｚの正弦波が対向する電極１３間に印加される。
【００３０】
本実施形態では、前面基板１１および背面基板１２のそれぞれは、ガラス基板であり、例えばソーダライムガラスなどから構成されている。前面基板１１と背面基板１２とは、ガラススペーサー１８（厚さ：例えば０．５５ｍｍ）によって所定の放電ギャップ（例えば０．５５ｍｍ）が確保された状態で対向配置されている。ガラススペーサ１８は、ランプ１００の放電ギャップ長を固定する機能を有しており、例えばソーダライムガラスなどから構成されている。ガラススペーサー１８の外面には、封着材料であるフリットガラス１７が形成されており、フリットガラス１７によって放電容器１０は密封状態にされている。なお、図１中の排気管１９はランプ製造工程時に使用され、ランプ１００には特に必要ではない。
【００３１】
前面基板１１および背面基板１２上に設けられた電極１３ａおよび１３ｂは、例えば銀から構成されている。電極１３を覆うように前面基板１１と背面基板１２の上に形成された誘電体層１４ａおよび１４ｂは、例えば、透光性の鉛ガラスから構成されており、誘電体層１４ａおよび１４ｂのそれぞれの表面には、紫外放射によって励起されて可視発光する蛍光体層１５ａおよび１５ｂが形成されている。
【００３２】
蛍光体層（発光層）１５（１５ａ、１５ｂ）は、例えば、ＰＤＰ用蛍光体から構成されており、蛍光体層１５に使用される蛍光体としては、例えば、４５５ｎｍ付近に発光の中心波長を持つユーロピウム付活アルミン酸バリウムマグネシウム蛍光体、５１５ｎｍ付近に発光の中心波長を持つマグネシウム付活アルミン酸蛍光体、および５９０ｎｍ、６１０ｎｍ、６３０ｎｍ付近に発光の中心波長を持つユーロピウム付活酸化イットリウムガドリニウムほう酸塩蛍光体の混合蛍光体が挙げられる。本実施形態では、前面基板１１上の誘電体層１４ａの上に位置する前面蛍光体層１５ａと、背面基板１２上の誘電体層１４ｂの上に位置する背面蛍光体層１５ｂとは、共に同一の比誘電率を有する同一の蛍光体（または同一の混合蛍光体）から構成している。
【００３３】
本実施形態のランプ１００では、前面基板１１側からの光取り出し効率を高くするために、前面蛍光体層１５ａの厚さは、背面蛍光体層１５ｂの厚さよりも薄くされている。その結果、前面基板１１上の誘電体層１４ａの上に位置する前面蛍光体層１５ａが有する第１静電容量（前面側蛍光体層１５ａの静電容量：ＣＰｆ）と、背面基板１２上の誘電体層１４ｂの上に位置する背面蛍光体層１５ｂが有する第２静電容量（背面側蛍光体層１５ｂの静電容量：ＣＰｂ）とは互いに異なることとなっている（ＣＰｆ≠ＣＰｂ）。本実施形態では、光取り出し効率が最大になるように、前面蛍光体層（前面側蛍光体層）１５ａの厚さを例えば２０μｍとし、背面蛍光体層（背面側蛍光体層）１５ｂの厚さを例えば６０μｍとしている。なお、これらの膜厚は例示であり、光取り出し効率が最大になる最適の膜厚は、ランプ構造、封入する希ガスの種類や圧力、あるいは点灯方式によって異なる。
【００３４】
本実施形態では、前面蛍光体層１５ａの厚さが背面蛍光体層１５ｂの厚さよりも薄くされるように構成されている一方で、前面基板１１上の誘電体層１４ａおよび前面蛍光体層１５ａが有する第１合成静電容量（前面合成静電容量：Ｃｆ）と、背面基板１２上の誘電体層１４ｂおよび背面蛍光体層１５ｂが有する第２合成静電容量（背面合成静電容量：Ｃｂ）とが実質的に等しくなるように構成されている。第１合成静電容量（Ｃｆ）と第２合成静電容量（Ｃｂ）と両者のうち合成静電容量の小さい方を大きい方で割った値は、例えば１以下０．８６以上であり、好ましくは１以下０．９以上であり、さらに好ましくは１以下０．９７以上である。
【００３５】
次に、本実施形態のランプ１００の動作を説明する。
【００３６】
まず、ランプ点灯用電源２０を用いて、前面基板１１上の電極１３ａと背面基板１２上の電極１３ｂとの間に、正弦波またはパルスの電極印加電圧を印加すると、電極１３上の誘電体層１４と蛍光体層１５とが分極し、その結果、放電空間（放電ギャップ）１０内に電界が生じる。その後、放電容器１０内に封入された希ガス（例えば、キセノンガス）は、微小空間で放電を開始し、それによって、蛍光体層１５または誘電体層１４の表面に電荷が蓄積されていく。この電荷の蓄積による内部電界と、誘電体層１４と蛍光体層１５の分極による逆向きの外部電界との合成電界が放電維持電界を下回ったとき、放電は終了する。
【００３７】
その後、電極１３ａと電極１３ｂとの間に逆向きの電圧が印加される。このとき、蛍光体層１５または誘電体層１４の表面に蓄積された電荷による電界と、電極印加電圧によって放電ギャップ間に生じた電界との和が放電開始電界を超えると、再び、放電が開始されることになる。このように、電極印加電圧の印加方向が変わるたびに、放電の開始および休止が繰り返し行われる。
【００３８】
放電容器１０内でキセノンガスの放電がおこると、共鳴線発光（中心波長１４７ｎｍ）やエキシマ分子発光（中心波長１７２ｎｍ）などの紫外線放射が生じる。放電によって生じた紫外光は、蛍光体層１５の蛍光体によって可視光に変換され、その可視光は誘電体層１４を透過して、前面基板１１および背面基板１２の外に照射される。
【００３９】
キセノンの放電で生じた紫外線放射のうちエキシマ分子発光の中心波長（１７２ｎｍ）は、共鳴線発光の中心波長（１４７ｎｍ）よりも長いため、蛍光体による紫外光から可視光に変換する際の損失が少ない。すなわち、ストークス則に従って変換損失が少なくなる。また、エキシマ発光は自己吸収がほとんどないため、紫外光が減衰することなく蛍光体層１５に到達することができる。このため、高い効率で可視光を得るためには、エキシマ発光の効率を上げることが必要となる。エキシマ発光の効率を高めるためには、準安定状態の原子数を最大限増やすようにすればよい。
【００４０】
エキシマ発光の生成を説明すると、まず、放電容器１０内で放電で生成された電子が放電ギャップ間の電界によって充分に加速される。その結果、一部の電子は、キセノン原子を準安定状態のレベルへと励起し、次いで、１個の準安定状態の原子は、２個の基底状態の原子と３体衝突を起こし、それによって、１個のエキシマ分子と１個の基底状態の原子が生じる。このときに生じたエキシマ分子が２個の基底状態の原子に解離する際に、１７２ｎｍのエキシマ発光が放たれる。したがって、準安定状態の原子数を増やすことによって、エキシマ発光の効率を高めることができ、その結果、ランプの発光効率を向上させることができる。
【００４１】
本実施形態のランプ１００では、第１合成静電容量（前面合成静電容量：Ｃｆ）と、第２合成静電容量（背面合成静電容量：Ｃｂ）とが実質的に等しくなるように構成されているので、従来のランプ１０００と異なり、ランプ電流の正負のピーク値を一致させることができる。したがって、準安定状態の原子数が最大限生成するような条件になるようにランプ電流の正負いずれのピーク値も適正化することできるため、エキシマ発光効率を高めることができ、その結果、ランプの発光効率を向上させることができる。第１合成静電容量（Ｃｆ）と第２合成静電容量（Ｃｂ）と両者のうち合成静電容量の小さい方を大きい方で割った値は、例えば１以下０．８６以上であり、好ましくは１以下０．９以上であり、さらに好ましくは１以下０．９７以上である。
【００４２】
第１合成静電容量（Ｃｆ）および第２合成静電容量（Ｃｂ）ならびにランプ１００全体の静電容量（Ｃtotal）は、下式（Ｉ）に示すように、誘電体層１４ａの静電容量（ＣＤｆ）、蛍光体層１５ａの静電容量（ＣＰｆ）、誘電体層１４ｂの静電容量（ＣＤｂ）、および蛍光体層１５ｂの静電容量（ＣＰｂ）から求めることができる。
【００４３】
１／Ｃtotal＝１／ＣＤｆ＋１／ＣＰｆ＋１／ＣＰｂ＋１／ＣＤｂ  式（Ｉ）なお、Ｃtotal、ＣＤｆ、ＣＰｆ、ＣＤｂ、およびＣＰｂは、それぞれ単位面積あたりの静電容量を示している。なお、単位面積あたりの静電容量は、比誘電率（ε）×真空の誘電率（ε0）／膜厚（ｔ）から算出することができる。
【００４４】
下記の表１に、本実施形態のランプ１００におけるＮｏ.１〜Ｎｏ.３についての条件、ならびに、第１合成静電容量（Ｃｆ）、第２合成静電容量（Ｃｂ）、ランプ１００全体の静電容量（Ｃtotal）、およびＣｂのＣｆに対する比（Ｃｂ／Ｃｆ）を示す。
【００４５】
【表１】
0004401003.tif 000002
表１中のεＤｆおよびεＤｂは、それぞれ誘電体層１４ａおよび１４ｂの比誘電率を表し、εＰｆおよびεＰｂは、それぞれ蛍光体層１５ａおよび１５ｂの比誘電率を表している。また、ｔＤｆ、ｔＤｂ、ｔＰｆ、およびｔＰｂは、それぞれ、誘電体層１４ａおよび１４ｂ、蛍光体層１５ａおよび１５ｂの厚さを表している。
【００４６】
Ｎｏ.２を例にとって具体的に構成を説明すると、（ａ）前面誘電体層１４ａ（鉛ガラス）の比誘電率（εＤｆ）８、厚さ（ｔＤｆ）１６０μｍ；（ｂ）前面蛍光体層１５ａ（ＰＤＰ用３波長（３種混合））の比誘電率（εＰｆ）３、厚さ（ｔＰｆ）２０μｍ；（ｃ）背面蛍光体層１５ｂ（ＰＤＰ用３波長（３種混合））の比誘電率（εＰｂ）３、厚さ（ｔＰｂ）６０μｍ；そして（ｄ）背面誘電体層１４ｂ（鉛ガラス）の比誘電率（εＤｂ）８、厚さ（ｔＤｂ）５０μｍである。
【００４７】
表１からわかるように、Ｎｏ.１〜Ｎｏ.３は全て、第１合成静電容量（Ｃｆ）と第２合成静電容量（Ｃｂ）とが実質的に等しくなるように構成されており、Ｃｂ／Ｃｂの値は、１以下０．９７以上の範囲の値となっている。Ｎｏ.１〜Ｎｏ.３のランプの構成は、ＣｆとＣｂとが実質的に等しくなるようにするとともに、前面蛍光体層１５ａの厚さを背面蛍光体層１５ｂの厚さよりも薄くしているので、エキシマ発光の効率を上げることができるとともに、前面基板１１側からの光取り出し効率を高くすることができる。なお、上記公報に開示されたランプの構成から算出したＣｂ／Ｃｂの値は、いずれのランプについても０．８５９以下であった。
【００４８】
また、本願発明者は、ランプ１００のランプ全体の静電容量（Ｃtotal）を変化させて、ランプ全体の静電容量と発光効率との関係を調べた。なお、発光効率（ｌｍ／Ｗ）は、全光束（ｌｍ）をランプ電力（Ｗ）で割った値である。この例では、誘電体層１４と蛍光体層１５による電圧降下の影響を考慮して、放電ギャップに印加する電圧は３５０Ｖｒｍｓとし、周波数２０ｋＨｚの正弦波の印加電圧を印加することによって点灯を行った。結果を表２および図２に示す。
【００４９】
【表２】
0004401003.tif 000003
表２および図２から、ランプ全体の静電容量（単位面積あたりの静電容量）が１〜５０ｐＦ／ｃｍ2の範囲内（領域５０内）にある場合には、２０ｌｍ／Ｗ以上の発光効率を得ることができることがわかる。２５ｌｍ／Ｗを超える発光効率を得ようとする場合には、１〜１０ｐＦ／ｃｍ2の範囲内（領域５２内）にすることが好ましい。
【００５０】
ランプ静電容量を高くしたときに、ランプの発光効率が減少するのは、放電容器１０内の電子密度が増大するため、キセノン原子のイオン化の確率が上昇するとともに、生成されたエキシマ分子が発光する前に壊される確率が上昇するためであると考えられる。すなわち、生成するエキシマ分子の数が最大限となる条件から外れていくためと考えられる。
【００５１】
なお、表２および図２において、ランプ容量が１ｐＦ／ｃｍ2未満のときには、誘電体層１４および蛍光体層１５での電圧降下が大きくなる結果、始動電圧が上昇してしまい、点灯させにくくなることが予想される。また、ランプ容量が５０ｐＦ／ｃｍ2を超えるときには、点灯時に誘電体層１４または蛍光体層１５に印加される電圧が、誘電体層１４または蛍光体層１５の耐圧値を超えてしまい、その結果、誘電体層１４または蛍光体層１５が破壊されてしまうことが予想される。
【００５２】
次に、ランプ１００の製造方法を例示的に説明する。
【００５３】
まず、透光性のソーダライムガラスからなる前面ガラス基板１１および背面ガラス基板１２を用意した後、前面ガラス基板１１および背面ガラス基板１２のそれぞれの表面に電極１３を形成する。電極１３の形成は、導電性の金属ペースト（例えば、徳力本店株式会社製の銀ペーストなど）を、卓上印刷機を用いたスクリーン印刷によって塗布することによって行う。卓上印刷機のメッシュ部は、線状に同幅かつ同間隔でパターニングされているため、卓上印刷機によるスクリーン印刷によって、前面ガラス基板１１および背面ガラス基板１２上に線状（ストライプ状）の電極１３を塗布することができる。
【００５４】
次に、電極１３が塗布された前面ガラス基板１１および背面ガラス基板１２を十分に乾燥させた後、５００〜６００℃炉で焼成し、それによって金属ペースト中の金属粉末を融解製膜し、次いで、樹脂溶媒を焼成および飛散させて電極１３を前面ガラス基板１１および背面ガラス基板１２に固着させる。
【００５５】
次に、電極１３が形成された前面ガラス基板１１および背面ガラス基板１２の表面に誘電体層１４を形成する。誘電体層１４の形成は、透光性の誘電体ペースト（例えば、旭硝子株式会社製の鉛ガラスペーストなど）を、電極１３を覆うように前面ガラス基板１１および背面ガラス基板１２の表面に均一に印刷することによって行われる。この印刷は、卓上印刷機を用いて行うことができる。次いで、この誘電体ペーストを十分に乾燥させ、５００〜６００℃の雰囲気温度で加熱焼成した後、誘電体ペースト中の誘電体粉末を融解製膜し、樹脂溶媒を焼成および飛散させる。このようにして誘電体層１４を前面ガラス基板１１および背面ガラス基板１２に固着させる。
【００５６】
次に、誘電体層１４の表面に蛍光体層１５を形成する。蛍光体層１５の形成も上記工程とほぼ同様にして行われる。まず、ＰＤＰ用蛍光体を少量のαテルピオネールなどの樹脂溶媒で希釈し十分に攪拌し、次いで、電極１３が形成されている側の前面ガラス基板１１および背面ガラス基板１２の表面に卓上印刷機によって印刷することによって行う。卓上印刷機のメッシュ部は、誘電体層１４の表面上に均一に蛍光体層１５を塗布できる構造になっているものが用いられる。次に、蛍光体層１５が印刷された前面ガラス基板１１および背面ガラス基板１２を十分に乾燥させた後、４００〜５００℃の雰囲気温度で加熱焼成し、次いで、樹脂溶媒を焼成および飛散させて蛍光体層１５を誘電体層１４の表面に固着させる。
【００５７】
次に、上記の工程を経て得られた前面ガラス基板１１と背面ガラス基板１２とから放電容器１０を形成する。
【００５８】
放電容器１０の形成は、まず、１枚の背面ガラス基板１２上に、厚さ０．５５ｍｍのガラス基板スペーサー１８を配置する。ガラス基板スペーサー１８は、蛍光体層１５の周辺に配置される。ガラス基板スペーサー１８は、放電ギャップ長を固定する役割を果たし、ソーダライムガラスから構成されている。次いで、封着材料であるフリットガラス１７（例えば、旭硝子株式会社製）を有機溶剤（例えば、東京応化工業株式会社製のビークルＣなど）によって分散させ、そのフリットガラスペーストを、ディスペンサーなどを用いて背面ガラス基板１２上のガラス基板スペーサー１８周辺に均一に形成する。
【００５９】
次に、電極１３、誘電体層１４および蛍光体層１５が形成された前面ガラス基板１１との貼り合わせを行い、この貼り合わせの後、互いに対向して配置された前面ガラス基板１１と背面ガラス基板１２とを耐熱性の金具でしっかりと固定する。２枚のガラス基板の内の一方には、ガス排気・封入用の穴が開けられており、その部分に先程の封着材料を用いて、ガラス製の排気管１９を接続する。
【００６０】
次に、排気管１９が接続された放電容器１０を４５０℃の雰囲気温度で加熱焼成し、それによってフリットガラスペースト中の鉛ガラス粉末を融解させ、そして樹脂溶媒を焼成および飛散させる。このようにして、フリットガラス１７によって前面ガラス基板１１と背面ガラス基板１２との封着を行う。
【００６１】
最後に、封着済み前面ガラス基板１１に接続された排気管１９を真空ポンプと接続し、３５０℃の雰囲気中で不純ガスを排気した後、雰囲気を室温に戻し、キセノン単体からなる希ガス１６を１３．３ｋＰａ程度封入する。その後、排気管１９用の穴をふさげば、ランプ１００が得られる。
【００６２】
なお、本実施形態では、前面基板１１および背面基板１２として、電極１３、誘電体層１４、および蛍光体層１５の順で形成された構成のガラス基板を用いたが、これに限定されず、前面基板１１および背面基板１２以外の部分にも蛍光体層１５が形成された構成や、その他の層（例えば、酸化マグネシウム層）が誘電体層１４と蛍光体層１５との間に形成された構成についても適用可能である。また、本実施形態では、対向するガラス基板１１および１２を用いた密閉型の放電容器１０の例を示したが、これに限定されず、その他の形状（例えば円筒状）のガラスなどを用いることも可能である。
【００６３】
また、前面基板１１および背面基板１２の基板材料としてガラスを用いたが、これに限定されず、その他の材料（例えば、透光性セラミックスなど）を用いることも可能である。さらに、銀から構成した電極１３を用いたが、これに限定されず、その他の金属（銅または鉄など）から構成した電極１３を用いてもよいし、ＩＴＯなどの透明電極を用いてもよい。また、誘電体層１４として鉛ガラスを用いた例を示したが、その他の誘電体、例えば、ソーダガラスなどのガラス類、また、フェノール樹脂、尿素樹脂、ビニル樹脂などの樹脂類などを用いることも可能である。
【００６４】
本実施形態では、青色蛍光体、緑色蛍光体、赤色蛍光体の３種類の蛍光体の組み合わせを用いたいわゆる三波長域発光型蛍光ランプを例として説明したが、これに限定されず、その他の組み合わせを用いた例えば二波長型や五波長型の蛍光ランプについても適用可能である。また、電極１３、誘電体層１４、蛍光体層１５それぞれをガラス基板１１および１２に形成するためにスクリーン印刷を用いたが、その他の方法、例えば蒸着を用いることも可能である。なお、封入する希ガスにキセノンの単体を１３．３ｋＰａ用いたが、これに限定されず、その他ガス圧またはその他のガスを用いることができる。例えば、クリプトン、ヘリウムなどの希ガス、または、少なくとも１種類の希ガスに少なくとも１種類のヨウ素、塩素などのハロゲンとを混合した混合ガスを用いることも可能である。また、印加電圧に２０ｋＨｚの正弦波を用いた例で説明したが、その他の周波数でも適用可能であるし、その他の矩形波などの任意の波形についても適応可能である。なお、本実施形態の発光デバイスは、放電ガスとして水銀を用いていないので、環境に優しい構成となっている。
（実施形態２）
図３を参照しながら、本発明による実施形態２を説明する。本実施形態および後述する実施形態の説明を簡単にするために、実施形態１と異なる点を主に説明し、実施形態１と同様の点の説明は省略または簡略化する。
【００６５】
図３は、本実施形態のランプ２００の構成を模式的に示している。本実施形態のランプ２００は、放電容器１０内の前面基板１１および背面基板１２の少なくとも一方はコンデンサ３０を直列に接続されており、このコンデンサ３０によって、ランプ２００の第１合成静電容量（Ｃｆ）と第２合成静電容量（Ｃｂ）とは実質的に等しく調整されている。すなわち、ＣｆとＣｂとを実質的に等しく調整するコンデンサ３０を用いた構成によっても、実施形態１のランプ１００と同様に、第１合成静電容量（Ｃｆ）と第２合成静電容量（Ｃｂ）とが実質的に等しい発光デバイスを実現することができる。
（実施形態３）
図４を参照しながら、本発明による実施形態３を説明する。図４は、上記実施形態１の前面基板１１の改変例を模式的に示している。
【００６６】
本実施形態３では、前面基板１１側からの光取り出し効率を高くするために、前面基板１１上の電極１３ａの総面積は、背面基板１２上の電極１３ｂの総面積よりも小さくなるように構成されている。さらに、前面基板１１に形成された蛍光体層１５ａの面積に対して、蛍光体層１５ａと電極１３ａとの重なり部分の総面積の割合が５％〜５０％の範囲内になるように電極１３ａが構成されていることが好ましい。上記面積の割合が５％未満の場合には、電極１３ａを適切な抵抗を持つ電極幅にしたときに、電極間隔が大きくなり過ぎ、その結果、発光面に輝度むらが生じるからである。また、上記面積の割合が５０％を超える場合には、蛍光体層１５での発光が電極１３ａによって吸収または散乱される確率が大きくなり、全光束の低下を招くからである。発光面の輝度むらおよび全光束の低下をより効果的に防止するために、上記面積の割合を１０〜３０％とするように電極１３ａが構成されていることがさらに好ましい。
【００６７】
また、図５に示すように、背面基板１２に形成された蛍光体層１５ｂの面積に対して、蛍光体層１５ｂと電極１３ｂの重なり部分の総面積の割合が５％〜１００％となるように電極１３ｂが構成されていることが好ましい。図５は、上記実施形態１の背面基板１２の改変例を模式的に示している。上述した理由と同様に、上記面積の割合が５％未満の場合、電極１３ｂを適切な抵抗を持つ電極幅にすると、電極１３ｂの間隔が大きくなり過ぎ、発光面に輝度むらが生じる。また、ランプの内部（放電容器１０の内部）から見て、背面方向に向かう光を前面方向に集めるためには、上記面積の割合が大きい方が望ましい。
【００６８】
さらに、前面方向への光取り出し効率を高くするという観点から、前面基板１１上の電極１３ａは、透光性を有することが好ましい。また、透光性を有する電極１３は、低抵抗および高可視光透過率の観点から、インジウム酸化錫または酸化錫のどちらか一方または両方から構成されていることが望ましい。
【００６９】
なお、上述した実施形態では、電極１３（１３ａおよび１３ｂ）として、互いに平行する複数の線状電極を用いたが、これに限定されず、メッシュ状などのその他の電極形状を有する電極を用いることも可能である。また、前面ガラス基板１１から光を取り出す構成を説明したが、背面ガラス基板１２から光を取り出すときは、電極１３の構成を前面ガラス基板１１と背面ガラス基板１２とを交換すれば同様に実施可能である。
（実施形態４）
図６を参照しながら、本発明による実施形態４を説明する。図６は、上記実施形態１の前面基板１１の改変例を模式的に示している。図６に示した構成は、誘電体層１４ａの形状において上記実施形態１の構成と異なる。なお、図６において、蛍光体層１５ａは省略している。
【００７０】
図６に示すように、本実施形態では、前面基板１１上の誘電体層１４ａは、電極１３ａ間に位置する領域において、電極１３ａ上に位置する誘電体層１４ａの厚さの半分以下の部分１４ａ’を有している。このようにすると、ランプ内部（放電容器１０の内部）で発生した可視光をより多く、前面ガラス基板１１から外へ取り出すことができる。すなわち、本実施形態の発光デバイスの構成上、電極１３ａの表面以外に形成された誘電体層１４ａは放電に関係しないので、この部分に厚さの薄い部分１４ａ’を形成することによって、誘電体層１４ａによる可視光の吸収・散乱を抑制することができ、その結果、より多くの可視光を外へ取り出すことができる。具体的には、誘電体層１４ａの部分１４ａ’の厚さを、電極１３ａ上に位置する誘電体層１４ａの厚さの例えば５０％以下にすると、蛍光体層１５からの発光が誘電体層１４ａに吸収または散乱される確率を小さくすることができ、その結果、前面ガラス基板１１から外へ取り出せる可視光の量を多くすることができ、誘電体層１４ａによる全光束の低下を抑制することができる。全光束の低下をより効果的に抑制するには、電極１３ａ上に位置する誘電体層１４ａの厚さに対して、誘電体層１４ａの部分１４ａ’の厚さを０％〜２０％とすることがより好ましい。なお、部分１４ａ’の厚さが０％とは、誘電体層１４ａが形成されていないことを意味している。
【００７１】
なお、本実施形態では、誘電体層１４として、透光性の誘電体を用いたが、電極１３の表面以外に誘電体層１４が全く形成されていない構成の場合には、誘電体層１４は透光性である必要はなく、可視光を透過しない誘電体１４について用いることができる。また、前面ガラス基板１１から光を取り出す構成の場合について説明したが、背面ガラス基板１２から光を取り出す構成の場合には、本実施形態の構成の前面ガラス基板１１を背面ガラス基板１２として用いればよい。
【００７２】
図６に示した構成の誘電体層１４ａを備えた前面ガラス基板１１は、次のようにして形成すればよい。
【００７３】
まず、電極１３ａを形成した前面ガラス基板１１の表面に、透光性の誘電体ペースト（例えば旭硝子株式会社製の鉛ガラスペーストなど）を卓上印刷機によって均一に印刷する。次に、印刷後の前面ガラス基板１１を十分に乾燥させた後、パターニングされた電極１３ａを充分に覆い隠せるようなパターンのメッシュマスクを用意し、そのパターンどおりに卓上印刷機を用いて印刷する。次に、この前面ガラス基板１１を十分に乾燥した後、５００〜６００℃の雰囲気温度で加熱焼成し、次いで、誘電体ペースト中の誘電体粉末を融解製膜し、樹脂溶媒を焼成および飛散させることによって、誘電体層１４ａを前面ガラス基板１１に固着させる。
【００７４】
このようにして、上記２種類の印刷パターンを用いて、それぞれの印刷回数を調節することによって、電極１３ａの表面あるいは電極１３ａの表面以外のそれぞれの誘電体層１４ａの厚さを変えることができる。なお、背面ガラス基板１２上の誘電体層１４ｂを形成する方法は上記実施形態１と同様にすればよい。また、本実施形態では、電極１３ａとして、互いに平行する複数の線状電極を用いたが、メッシュ状などのその他の電極形状の電極も同様に用いることができる。
（実施形態５）
図７を参照しながら、本発明による実施形態５を説明する。図７は、上記実施形態１の背面基板１２の改変例を模式的に示している。図７に示した構成は、蛍光体層１４ｂの形状において上記実施形態１の構成と異なる。
【００７５】
図７に示すように、本実施形態では、背面基板１２の誘電体層１４ｂ上に形成された蛍光体層１５ｂは、電極１３ｂの上方に位置する領域において、電極１３ｂ間に位置する誘電体層１４ｂ上に形成された蛍光体層１５ｂの厚さに対して５％以上９５％以下の厚さを有する部分１５ｂ’を有している。このようにすると、蛍光体層１５ｂの輝度を均一化することが可能となる。蛍光体層１５ｂの部分１５ｂ’の厚さが５％未満の場合または９５％を超える場合には、蛍光体層１５ｂ’の輝度と、それ以外の部分の蛍光体層１５ｂの輝度との差が大きくなり、その結果、発光面の輝度むらが顕著になるため好ましくない。発光面の輝度むらを効果的に抑制するには、蛍光体層１５ｂの部分１５ｂ’の厚さを２０％〜７０％にすることがさらに好ましい。
【００７６】
図７に示した構成の蛍光体層１５ｂを備えた背面ガラス基板１２は、次のようにして形成すればよい。
【００７７】
まず、ＰＤＰ用蛍光体を樹脂溶媒（例えば少量のαテルピオネール）で希釈し充分に攪拌した後、この蛍光体を、電極１３ｂおよび誘電体層１４ｂが形成された背面ガラス基板１２の表面に卓上印刷機によって印刷する。このとき、卓上印刷機のメッシュ部は、誘電体層１４ｂの表面に対して均一に蛍光体を塗布できる構造になっている。
【００７８】
次に、上記工程後の背面ガラス基板１２を十分に乾燥させた後、パターニングされた電極１３ｂ上に位置する誘電体層１４ｂの表面を除く範囲に塗布可能なパターンを有するメッシュマスクを用意し、次いで、このようなメッシュマスクを備えた卓上印刷機によってそのパターンどおりに印刷する。その後、４００〜５００℃の雰囲気温度で加熱焼成することによって、樹脂溶媒を焼成および飛散させて、蛍光体層１５ｂを誘電体層１４ｂの表面に固着させる。
【００７９】
このようにして、上記２種類の印刷パターンを用いて、それぞれの印刷回数を調節することによって、蛍光体層１５ｂの部分１５ｂ’の厚さとそれ以外の部分の蛍光体層１５ｂの厚さとを変えることができる。本実施形態では、背面ガラス基板１２を用いた構成について説明したが、前面ガラス基板１１、または前面ガラス基板１１および背面ガラス基板１２の両方を用いた構成の場合についても同様に適用可能である。なお、前面ガラス基板１１の構成においては上記実施形態４の構成と組み合わせることも可能である。
【００８０】
また、本実施形態では、蛍光体層１５はＰＤＰ用蛍光体を用いた例で説明したが、その他の紫外励起され可視発光する発光物質も用いることができる。さらに、本実施形態では、電極１３ｂとして、互いに平行する複数の線状電極を用いたが、メッシュ状などのその他の電極形状の電極も同様に用いることができる。また、本実施形態では、蛍光体層１５ｂの背面ガラス基板１２への形成方法として、スクリーン印刷を用いたが、これに限定されず、その他の方法を用いることも可能である。
【００８１】
【発明の効果】
本発明によると、前面基板上の誘電体層および前面蛍光体層が有する第１合成静電容量と、背面基板上の誘電体層および背面蛍光体層が有する第２合成静電容量とが実質的に等しいように構成されているので、ランプ電流の正負のピーク値を適切に制御することができ、その結果、ランプの発光効率を向上させた発光デバイスを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施形態１の発光デバイス１００の構成を模式的に示す図である。
【図２】ランプ１００における発光効率とランプ容量との関係を示すグラフである。
【図３】実施形態２の発光デバイス２００の構成を模式的に示す図である。
【図４】実施形態３における前面基板１１の構成を模式的に示す平面図である。
【図５】実施形態３における背面基板１２の構成を模式的に示す平面図である。
【図６】実施形態４における前面基板１１の構成を模式的に示す断面図である。
【図７】実施形態５における背面基板１２の構成を模式的に示す断面図である。
【図８】従来の発光デバイス１０００の構成を模式的に示す図である。
【図９】（ａ）は、前面側の蛍光体層１１５ａを取り除いた構成のランプ１０００を示す断面図であり、（ｂ）は、（ａ）の構成における相対輝度（％）と背面蛍光体層膜厚（μｍ）との関係を示すグラフである。
【図１０】蛍光体層１１５を模式的に拡大して示す図である。
【図１１】（ａ）は、ランプ１０００の断面図であり、（ｂ）は、（ａ）の等価回路である。
【図１２】ランプ１０００におけるランプ電圧（２００Ｖ／ｄｉｖ）とランプ電流（１０ｍＡ／ｄｉｖ）との関係を示すグラフである。
【図１３】真空紫外域におけるキセノンの発光過程を説明するための図である。
【符号の説明】
１０  放電容器
１１  前面基板（前面ガラス基板）
１２  背面基板（背面ガラス基板）
１３  電極
１４  誘電体層
１５  蛍光体層（発光層）
１６  希ガス（封止ガス）
１７  フリットガラス
１８  ガラス基板スペーサー
１９  排気管
２０  ランプ点灯用電源
３０  コンデンサ
１００  発光デバイス（平板蛍光ランプ）
１１０  放電容器
１１１  前面ガラス基板
１１２  背面ガラス基板
１１３  電極
１１４  誘電体層
１１５  蛍光体層
１１６  希ガス（封止ガス）
１１７  フリットガラス
１１８  ガラス基板スペーサー
１０００  発光デバイス（平板蛍光ランプ）
【図１】
0004401003.tif 000004
【図２】
0004401003.tif 000005
【図３】
0004401003.tif 000006
【図４】
0004401003.tif 000007
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
0004401003.tif 000011
【図９】
0004401003.tif 000012
【図１０】
0004401003.tif 000013
【図１１】
0004401003.tif 000014
【図１２】
0004401003.tif 000015
【図１３】
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