(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に互いに交差して形成された複数のゲートバスライン及びドレインバスラインと、
前記ゲートバスライン及びドレインバスラインで画定された画素領域と、
前記ゲートバスライン及びドレインバスラインの交差位置近傍に形成された薄膜トランジスタと、
前記ゲートバスライン及びドレインバスライン上に形成された絶縁層と、
前記絶縁層上の前記画素領域毎に形成され、前記ゲートバスライン又はドレインバスラインに沿う端部だけに、一端から他端近傍に達する線状の切込み部を有し、基板面法線方向に見て前記ゲートバスライン及びドレインバスラインに重ならない画素電極と
を有することを特徴とする液晶表示装置用基板。
【請求項２】
請求項１記載の液晶表示装置用基板であって、
前記絶縁層は、樹脂で形成された樹脂絶縁層であること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の液晶表示装置用基板であって、
前記切込み部は、前記ゲートバスライン又はドレインバスラインにほぼ平行に形成されていること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【請求項４】
基板上に互いに交差して形成された複数のゲートバスライン及びドレインバスラインと、
前記ゲートバスライン及びドレインバスラインで画定された画素領域と、
前記ゲートバスライン及びドレインバスラインの交差位置近傍に形成された薄膜トランジスタと、
前記ゲートバスライン及びドレインバスライン上に形成された絶縁層と、
前記絶縁層上の前記画素領域毎に形成され、前記ゲートバスライン又はドレインバスラインに沿う端部だけに、前記ゲートバスライン又はドレインバスラインにほぼ平行に一端から切り込まれた線状の切込み部と、他端に設けられて短絡修復時に切断されるための切断部とを有し、基板面法線方向に見て前記ゲートバスライン及びドレインバスラインに重ならない画素電極と
を有することを特徴とする液晶表示装置用基板。
【請求項５】
請求項４記載の液晶表示装置用基板であって、
前記絶縁層は、樹脂で形成された樹脂絶縁層であること
を特徴とする液晶表示装置用基板。
【請求項６】
少なくとも一方が透明な２枚の基板と、前記基板間に封入された液晶とを有する液晶表示装置において、
前記基板の一方に、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板を用いること
を特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、情報機器等の表示装置を構成する液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示装置は、入射した外光を画素電極（反射電極）で反射させて表示する反射型と、裏面に光源を有し、光源から入射した光を透過させて表示する透過型とに大別される。図６は、従来の反射型液晶表示装置を構成するＴＦＴ基板１０１の画素領域の構成を示している。図６に示すように、ＴＦＴ基板１０１には、ガラス基板上に形成された図中左右方向に延びる複数のゲートバスライン１０５と、ゲートバスライン１０５に交差して図中上下方向に延びる複数のドレインバスライン１０６とを有している。ゲートバスライン１０５とドレインバスライン１０６との交差位置近傍にはＴＦＴ１１４が形成されている。
【０００３】
ＴＦＴ１１４のドレイン電極１１６はドレインバスライン１０６から引き出され、その端部が、ゲートバスライン１０５上に形成された動作半導体層（図示せず）と、その上に形成されたチャネル保護膜１１８の一端辺側に位置するように形成されている。一方、ソース電極１２０は動作半導体層及びチャネル保護膜１１８上の他端辺側に位置するように形成されている。このような構成においてチャネル保護膜１１８直下のゲートバスライン１０５が当該ＴＦＴ１１４のゲート電極として機能するようになっている。また、ゲートバスライン１０５とドレインバスライン１０６とで画素領域が画定されている。各画素領域は、１００μｍ×３００μｍ程度の大きさを有している。
【０００４】
画素領域のほぼ中央には、ゲートバスライン１０５にほぼ平行に延びる蓄積容量バスライン１２２がゲートバスライン１０５と同一層で形成されている。蓄積容量バスライン１２２上には画素領域毎に蓄積容量電極（中間電極）１２４がドレインバスライン１０６と同一層で形成されている。また、各画素領域にはアルミニウム（Ａｌ）等の高反射率を有する金属で形成された画素電極１１０が形成されている。
【０００５】
図７は、図６のＡ−Ａ線で切断したＴＦＴ基板１０１の構成を示す断面図である。図７に示すように、ガラス基板１０２上にはゲート絶縁膜１０４が全面に形成されている。ゲート絶縁膜１０４上には、ドレインバスライン１０６が形成されている。ドレインバスライン１０６上及びゲート絶縁膜１０４上には、ポリイミド樹脂等からなる膜厚２μｍ程度のオーバーコート層（樹脂絶縁層）１０８が形成されている。オーバーコート層１０８表面には、紫外線（ＵＶ）照射や、通常の露光量より弱いハーフ露光領域が分布した露光用マスクを用いた露光により、複数の凹凸が形成されている。各凹凸は、幅が画素領域の幅より十分小さい１０μｍ以下であり、高さが０．５μｍ程度である。
【０００６】
オーバーコート層１０８上には、画素電極１１０が形成されている。画素電極１１０表面には、下層のオーバーコート層１０８表面の凹凸に対応する凹凸が形成されている。画素電極１１０は、表面に形成された複数の凹凸により光散乱特性が向上し、画素電極１１０に入射した外光が各方向に散乱されるようになっている。
【０００７】
一方、図８は従来の一般的な透過型液晶表示装置を構成するＴＦＴ基板１０１’の構成を示す図であり、図７に対応する断面を示している。図８に示すように、透過型のＴＦＴ基板１０１’には、膜厚２μｍ程度のオーバーコート層１０８に代えて、膜厚０．４μｍ程度の保護膜１１２が形成されている。また、画素電極１１０’は、裏面（図中下方）に配置されるバックライトユニット（図示せず）から射出された光を透過させるため、透明なＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）等で形成されている。
【０００８】
ところで、ＴＦＴ基板１０１、１０１’と対向して配置される対向基板（図示せず）には遮光膜が形成され、画素電極１１０、１１０’形成領域以外を遮光するようになっている。したがって、入射光の強度と当該入射光に対して画素電極１１０で反射する反射光の強度との比率（反射率）を高めて反射型液晶表示装置の輝度を高めるには、画素電極１１０の面積を大きくする必要がある。同様に、入射光の強度と当該入射光がＴＦＴ基板１０１、１０１’と対向基板とを透過する透過光の強度との比率（透過率）を高めて透過型液晶表示装置の輝度を高めるには、画素電極１１０’の面積を大きくする必要がある。
【０００９】
画素電極の面積を大きくするには、画素電極１１０、１１０’端部を当該画素電極１１０、１１０’周囲に形成されているゲートバスライン１０５及びドレインバスライン１０６に近づける必要がある。しかし、画素電極１１０、１１０’と両バスライン１０５、１０６との間隔Ｄ１が狭くなると、画素電極１１０、１１０’と両バスライン１０５、１０６との間に生じる静電容量が増加してクロストークが発生し、表示品質が低下してしまう。
【００１０】
図７及び図８に示すように、反射型液晶表示装置のＴＦＴ基板１０１に形成されたオーバーコート層１０８は、透過型液晶表示装置のＴＦＴ基板１０１’に形成された保護膜１１２と比較して、表面に凹凸を形成する必要があり、また光を透過させる必要がないため厚く形成される。さらに、スピンコート法等を用いて塗布形成されるため、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等を用いて成膜される保護膜１１２に比較すると、容易に厚く形成できる。
【００１１】
図７及び図８に示すように、ＴＦＴ基板１０１では、画素電極１１０とドレインバスライン１０６との間の基板面の法線方向の距離が、ＴＦＴ基板１０１’の画素電極１１０’とドレインバスライン１０６との間の基板面の法線方向の距離より長いため、基板面方向の距離を短くしても間隔Ｄ１を十分広くすることができる。こうすることにより、隣接する画素電極１１０間の間隔Ｄ２は、隣接する画素電極１１０’間の間隔Ｄ３よりも狭くなる。
【００１２】
また、図示は省略するが、ドレインバスライン上に層間絶縁膜（樹脂絶縁層）が形成されるピクセル・オン・パッシベーション（Ｐｉｘｅｌ  Ｏｎ  Ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ）構造の透過型液晶表示装置は、層間絶縁膜がスピンコート法等を用いて塗布形成される。このため、層間絶縁膜を容易に厚く形成でき、図７に示す反射型液晶表示装置と同様に、隣接する画素電極間の間隔を画素電極１１０’間の間隔Ｄ３よりも狭くできる。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
隣接する画素電極１１０間の間隔Ｄ２が狭くなると、製造工程中の不具合による異物の混入等により、隣接する画素電極１１０間の短絡が生じやすくなる。図６に示すように、異物１２６により生じた短絡欠陥は、欠陥修復工程で画素電極１１０端部の切断部１２８、１２８’がレーザ光により切断され修復される。しかしながら、切断部１２８、１２８’とドレインバスライン１０６との間の基板面方向の距離は極めて短いため、切断する際に誤ってドレインバスライン１０６を切断してしまうことがある。このため、製造歩留まりが低下して製造コストが増加するという問題が生じている。
【００１４】
本発明の目的は、製造コストを抑えつつ製造歩留まりの高い高輝度の液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、基板上に互いに交差して形成された複数のバスラインと、前記バスラインで画定された画素領域と、前記バスラインの交差位置近傍に形成された薄膜トランジスタと、前記バスライン上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上の前記画素領域毎に形成され、端部から切り込まれた線状の切込み部を前記バスライン近傍に有する画素電極とを有することを特徴とする液晶表示装置用基板によって達成される。
【００１６】
上記本発明の液晶表示装置用基板であって、前記絶縁層は、樹脂で形成された樹脂絶縁層であることを特徴とする。上記本発明の液晶表示装置用基板であって、前記切込み部は、前記バスラインにほぼ平行に形成されていることを特徴とする。上記本発明の液晶表示装置用基板であって、前記切込み部は、前記バスラインにほぼ垂直に形成されていることを特徴とする。
【００１７】
また、上記目的は、少なくとも一方が透明な２枚の基板と、前記基板間に封入された液晶とを有する液晶表示装置において、前記基板の一方に、上記本発明の液晶表示装置用基板を用いることを特徴とする液晶表示装置によって達成される。
【００１８】
【発明の実施の形態】
本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置について図１乃至図３を用いて説明する。図１は、本実施の形態による液晶表示装置の概略構成を示している。液晶表示装置は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等が形成されたＴＦＴ基板２とカラーフィルタ（ＣＦ；Ｃｏｌｏｒ  Ｆｉｌｔｅｒ）等が形成された対向基板４とを対向させて貼り合わせ、その間に液晶を封入した構造を有している。両基板２、４のうち、少なくとも一方はガラス等の透明基板で構成される。
【００１９】
図２は、本実施の形態による液晶表示装置用基板であるＴＦＴ基板２上に形成された素子の等価回路を示している。ＴＦＴ基板２上には、図中左右方向に延びるゲートバスライン６が互いに平行に複数形成され、それらにほぼ直交して図中上下方向に延びるドレインバスライン８が互いに平行に複数形成されている。複数のゲートバスライン６とドレインバスライン８とで囲まれた各領域が画素領域となる。各画素領域にはＴＦＴ１０と画素電極１２が形成されている。各ＴＦＴ１０のドレイン電極は隣接するドレインバスライン８に接続され、ゲート電極は隣接するゲートバスライン６に接続され、ソース電極は画素電極１２に接続されている。各画素領域のほぼ中央には、ゲートバスライン６と平行に蓄積容量バスライン１４が形成されている。これらのＴＦＴ１０や画素電極１２、各バスライン６、８、１４は、フォトリソグラフィ工程で形成され、「成膜→レジスト塗布→露光→現像→エッチング→レジスト剥離」という一連の半導体プロセスを繰り返して形成される。
【００２０】
図１に戻り、液晶を封止して対向基板４と対向配置されたＴＦＴ基板２には、複数のゲートバスライン６を駆動するドライバＩＣが実装されたゲート駆動回路１６と、複数のドレインバスライン８を駆動するドライバＩＣが実装されたドレイン駆動回路１８とが設けられている。これらの駆動回路１６、１８は、制御回路２０から出力された所定の信号に基づいて、走査信号やデータ信号を所定のゲートバスライン６あるいはドレインバスライン８に出力するようになっている。ＴＦＴ基板２の素子形成面と反対側の基板面には偏光板２２が配置され、偏光板２２のＴＦＴ基板２と反対側の面にはバックライトユニット２４が取り付けられている。一方、対向基板４のＣＦ形成面と反対側の面には、偏光板２２とクロスニコルに配置された偏光板２６が貼り付けられている。なお、これらは透過型液晶表示装置の構成であり、反射型液晶表示装置は偏光板２２とバックライトユニット２４とを有さず、入射した外光を画素電極１２で反射させるようになっている。
【００２１】
図３は、本実施の形態による液晶表示装置用基板のＴＦＴ基板２の構成を示している。図３に示すように、ＴＦＴ基板２は、ガラス基板上に形成された図中左右方向に延びる複数のゲートバスライン６、６’と、ゲートバスライン６、６’に交差して図中上下方向に延びる複数のドレインバスライン８、８’とを有している。ゲートバスライン６とドレインバスライン８との交差位置近傍にはＴＦＴ１０が形成され、ゲートバスライン６とドレインバスライン８’との交差位置近傍にはＴＦＴ１０’が形成されている。
【００２２】
ＴＦＴ１０のドレイン電極３４はドレインバスライン８から引き出され、その端部が、ゲートバスライン６上にアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）等で形成された動作半導体層（図示せず）と、その上に形成されたチャネル保護膜３６の一端辺側に位置するように形成されている。一方、ソース電極３８は動作半導体層及びチャネル保護膜３６上の他端辺側に位置するように形成されている。このような構成においてチャネル保護膜３６直下のゲートバスライン６が当該ＴＦＴ１０のゲート電極として機能するようになっている。ＴＦＴ１０の図中右方に隣接して形成されたＴＦＴ１０’は、ＴＦＴ１０と同様の構成を有している。
【００２３】
また、ゲートバスライン６、６’とドレインバスライン８、８’とで複数の画素領域が画定されている。各画素領域は、１００μｍ×３００μｍ程度の大きさを有している。画素領域のほぼ中央には、ゲートバスライン６、６’にほぼ平行に延びる蓄積容量バスライン１４がゲートバスライン６、６’と同一層で形成されている。蓄積容量バスライン１４上には蓄積容量電極２８、２８’がドレインバスライン８、８’と同一層で画素領域毎に形成されている。
【００２４】
また、画素領域には画素電極１２が形成されている。例えば反射型液晶表示装置の画素電極１２は、上方から入射する外光を反射するためにＡｌ等の高反射率を有する金属で形成されている。画素電極１２は、コンタクトホール４０を介してソース電極３８に電気的に接続され、コンタクトホール４１を介して蓄積容量電極２８に電気的に接続されている。画素電極１２の図中右方に隣接して形成された画素電極１２’は、画素電極１２と同様の構成を有している。
【００２５】
画素電極１２は、図中右方のドレインバスライン８’に沿う端部に、画素電極１２の図中上端部から下方に向かって当該ドレインバスライン８’にほぼ平行に切り込まれた線状の切込み部３０ａを有している。同様に、画素電極１２は、図中左方のドレインバスライン８に沿う端部に、画素電極１２の図中下端部から上方に向かって当該ドレインバスライン８にほぼ平行に切り込まれた線状の切込み部３０ｂを有している。
【００２６】
また、画素電極１２は、図中上方のゲートバスライン６に沿う端部に、当該ゲートバスライン６に平行に、左方から右方に向かって切り込まれた線状の切込み部３０ｃを有している。さらに、画素電極１２は、図中下方のゲートバスライン６’に沿う端部に、当該ゲートバスライン６’にほぼ平行に、右方から左方に向かって線状に切り込まれた切込み部３０ｄを有している。このように画素電極１２は、各端部に切込み部３０ａ〜３０ｄを有している。
【００２７】
切込み部３０ａ〜３０ｄは、画素電極１２が画素領域内で複数に分離しないように末端部３２ａ〜３２ｄを有している。末端部３２ａ〜３２ｄは、画素電極１２の切断が容易になるように、切込み部３０ａ〜３０ｄの他の領域より幅が広く形成され、例えば矩形状を有している。説明は省略するが、画素電極１２の図中右方に隣接する画素電極１２’は、画素電極１２と同様の切込み部３０ａ’〜３０ｄ’を有している。切込み部３０ａ〜３０ｄ、３０ａ’〜３０ｄ’は、フォトリソグラフィ工程で画素電極１２、１２’と同時に形成される。
【００２８】
次に、本実施の形態による液晶表示装置の欠陥修復方法について図３を用いて説明する。なお、左右方向に隣接する画素電極１２、１２’間に、異物４２による短絡欠陥が生じており、点灯表示検査等により予め当該短絡欠陥が発見されているものとする。
【００２９】
まず、画素電極１２の切込み部３０ａの末端部３２ａと画素電極１２の図中下端部との間の切断部４４と、画素電極１２’の切込み部３０ｂ’の末端部３２ｂ’と画素電極１２’の図中上端部との間の切断部４４’との２箇所をレーザ光で切断する。これにより、画素電極１２、１２’間は電気的に分離される。以上の工程で、画素電極１２、１２’間に生じていた短絡欠陥が修復される。
【００３０】
本実施の形態によれば、切断部４４、４４’とドレインバスライン８’との間の基板面方向の距離が、図６に示す従来のＴＦＴ基板１０１の切断部１２８、１２８’とドレインバスライン１０６との間の基板面方向の距離に比較して長いため、誤ってドレインバスライン８’を切断してしまうことがない。また、切込み部３０ａ〜３０ｄ、３０ａ’〜３０ｄ’が線状であるため、画素電極１２の面積はあまり減少しない。したがって、製造コストを抑えつつ製造歩留まりの高い高輝度の高い液晶表示装置を実現できる。
【００３１】
次に、第２の実施の形態による液晶表示装置用基板について図４を用いて説明する。図４は、本実施の形態による液晶表示装置用基板の構成を示している。図４に示すように、画素電極１３は、図中右方のドレインバスライン８’に沿う端部に、当該ドレインバスライン８’に対してほぼ垂直に切り込まれた複数の線状の切込み部３１ａを有している。同様に、画素電極１３は、図中左方のドレインバスライン８に沿う端部に、当該ドレインバスライン８に対してほぼ垂直に切り込まれた複数の線状の切込み部３１ｂを有している。
【００３２】
また、画素電極１３は、図中上方のゲートバスライン６に沿う端部に、当該ゲートバスライン６に対してほぼ垂直に切り込まれた複数の線状の切込み部３１ｃを有し、図中下方のゲートバスライン６’に沿う端部に、当該ゲートバスライン６’に対してほぼ垂直に切り込まれた複数の線状の切込み部３１ｄを有している。説明は省略するが、画素電極１３の右方に隣接する画素電極１３’は、画素電極１３と同様の切込み部３１ａ’〜３１ｄ’を有している。切込み部３１ａ〜３１ｄ、３１ａ’〜３１ｄ’は、フォトリソグラフィ工程で画素電極１３、１３’と同時に形成される。
【００３３】
次に、本実施の形態による液晶表示装置の欠陥修復方法について図４を用いて説明する。なお、第１の実施の形態と同様に、左右方向に隣接する画素電極１３、１３’間に、異物４２による短絡欠陥が生じており、点灯表示検査等により予め当該短絡欠陥が発見されているものとする。
【００３４】
まず、異物４２の図中左端を挟んで両側に形成された画素電極１３の２つの切込み部３１ａ間の切断部４５と、異物４２の図中右端を挟んで両側に形成された画素電極１３’の２つの切込み部３１ｂ’間の切断部４５’との２箇所をレーザ光で切断する。これにより、画素電極１３、１３’間は電気的に分離される。以上の工程で、画素電極１３、１３’間に生じていた短絡欠陥が修復される。
【００３５】
本実施の形態によれば、切断部４５、４５’とドレインバスライン８’との間の基板面方向の距離が、図６に示す従来のＴＦＴ基板１０１の切断部１２８、１２８’とドレインバスライン１０６との間の基板面方向の距離に比較して長いため、誤ってドレインバスライン８’を切断してしまうことがない。また、切込み部３１ａ〜３１ｄ、３１ａ’〜３１ｄ’が線状であるため、画素電極１２の面積はあまり減少しない。したがって、製造コストを抑えつつ製造歩留まりの高い高輝度の液晶表示装置を実現できる。
【００３６】
次に、第３の実施の形態による液晶表示装置用基板について図５を用いて説明する。図５は、本実施の形態による液晶表示装置用基板の構成を示している。なお、図３に示す第１の実施の形態による液晶表示装置用基板の構成要素と同一の機能作用を有する構成要素については同一の符号を付してその説明を省略する。図５に示すように、画素電極１５は、基板面に垂直方向に見てゲートバスライン６及びドレインバスライン８に重なるように配置されている。すなわち、各画素領域は両バスライン６、６’、８、８’で画定された領域内ではなく、当該領域から図中左上方にずれてマトリクス状に配置される。
【００３７】
次に、本実施の形態による液晶表示装置の欠陥修復方法について図５を用いて説明する。なお、第１及び第２の実施の形態と同様に、左右方向に隣接する画素電極１５、１５’間に、異物４２による短絡欠陥が生じており、点灯表示検査等により予め当該短絡欠陥が発見されているものとする。
【００３８】
まず、画素電極１５、１５’間を短絡させている異物４２を画素電極１５、１５’間の切断部４６をレーザ光で切断する。これにより、画素電極１５、１５’間は電気的に分離される。以上の工程で、画素電極１５、１５’間に生じていた短絡欠陥が修復される。
【００３９】
本実施の形態では、ドレインバスライン８’は画素電極１５’の下層に形成され、画素電極１５、１５’間には配置されていない。このため、切断部４６とドレインバスライン８’との間の基板面方向の距離は、図６に示す従来のＴＦＴ基板１０１の切断部１２８、１２８’とドレインバスライン１０６との間の基板面方向の距離に比較して長いので、誤ってドレインバスライン８’を切断してしまうことがない。したがって、製造コストを抑えつつ製造歩留まりの高い高輝度の液晶表示装置を実現できる。
【００４０】
本発明は、上記実施の形態に限らず種々の変形が可能である。
例えば、上記実施の形態では、対向基板上にＣＦが形成されているが、本発明はこれに限らず、ＴＦＴ基板上にＣＦが形成されていてもよい。
【００４１】
【発明の効果】
以上の通り、本発明によれば、製造コストが低く製造歩留まりの高い高輝度の液晶表示装置を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置の構成を示す図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置用基板の構成を示す図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置用基板の構成を示す図である。
【図４】本発明の第２の実施の形態による液晶表示装置用基板の構成を示す図である。
【図５】本発明の第３の実施の形態による液晶表示装置用基板の構成を示す図である。
【図６】従来の反射型液晶表示装置用基板の構成を示す図である。
【図７】従来の反射型液晶表示装置用基板の構成を示す断面図である。
【図８】従来の透過型液晶表示装置用基板の構成を示す断面図である。
【符号の説明】
２  ＴＦＴ基板
４  対向基板
６  ゲートバスライン
８  ドレインバスライン
１０  ＴＦＴ
１２、１３、１５  画素電極
１４  蓄積容量バスライン
１６  ゲートバスライン駆動回路
１８  ドレインバスライン駆動回路
２０  制御回路
２２、２６  偏光板
２４  バックライトユニット
２８  蓄積容量電極
３０ａ〜３０ｄ、３１ａ〜３１ｄ  切込み部
３２ａ〜３２ｄ  末端部
３４  ドレイン電極
３６  チャネル保護膜
３８  ソース電極
４０、４１  コンタクトホール
４２  異物
４４、４５、４６  切断部
【図１】
0004448635.tif 000002
【図２】
0004448635.tif 000003
【図３】
0004448635.tif 000004
【図４】
0004448635.tif 000005
【図５】
0004448635.tif 000006
【図６】
0004448635.tif 000007
【図７】
0004448635.tif 000008
【図８】
0004448635.tif 000009