(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
アモルファス金属で構成され、被処理部材の表面に衝突させることにより、前記表面を研削する研削用粉末であって、
前記アモルファス金属は、Ｆｅ、Ｓｉ、Ｂ、ＣｒおよびＣを必須元素とし、
Ｓｉの含有率が４〜９ｗｔ％、
Ｂの含有率が２〜５ｗｔ％、
Ｃｒの含有率が１〜３ｗｔ％、
Ｃの含有率が０．０１〜１ｗｔ％、
残部がＦｅおよび前記必須元素以外の不純物であることを特徴とする研削用粉末。
【請求項２】
平均粒径が、３〜３０μｍである請求項１に記載の研削用粉末。
【請求項３】
レーザー式粒度分布計で測定した粒径５０μｍ以上の粉末の比率が、１０ｗｔ％以下である請求項１または２に記載の研削用粉末。
【請求項４】
前記アモルファス金属は、実質的にＮｉおよびＣｏを含まない請求項１ないし３のいずれかに記載の研削用粉末。
【請求項５】
アトマイズ法により粉末化して得られたものである請求項１ないし４のいずれかに記載の研削用粉末。
【請求項６】
前記アトマイズ法は、水アトマイズ法である請求項５に記載の研削用粉末。
【請求項７】
前記アモルファス金属は、その最大磁束密度が２０［ｅｍｕ／ｇ］以上、かつ、保磁力が５［Ｏｅ］以下である請求項１ないし６のいずれかに記載の研削用粉末。
【請求項８】
前記不純物の含有率は、２ｗｔ％以下である請求項１ないし７のいずれかに記載の研削用粉末。
【請求項９】
磁力により選択的に回収され、少なくとも１回の再利用に供される請求項１ないし８のいずれかに記載の研削用粉末。
【請求項１０】
被処理部材の表面に、請求項１ないし９のいずれかに記載の研削用粉末を衝突させて前記表面を研削することを特徴とする研削方法。
【請求項１１】
非磁性を示す被処理部材の表面に、請求項１ないし９のいずれかに記載の研削用粉末を衝突させて前記表面を研削する工程と、
前記研削により生じた被処理部材の研削屑と前記衝突後の研削用粉末との混在物中から、磁力により誘引して、前記研削用粉末を選択的に回収する工程とを有することを特徴とする研削方法。
【請求項１２】
画素空間を画成する隔壁を有するフラットディスプレイパネル用基板の製造方法であって、
ガラス材料を含有するガラス含有層上に、開口部を有するマスクを形成する工程と、
前記マスクの開口部から露出する前記ガラス含有層を、請求項１ないし９のいずれかに記載の研削用粉末を衝突させて研削する工程と、
前記研削されたガラス含有層を焼成し、前記隔壁を得る工程とを有することを特徴とするフラットディスプレイパネル用基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、研削用粉末、研削方法およびフラットディスプレイパネル用基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
研削加工の一種として、金属粉末を被処理部材に噴射し、金属粉末中の粒子が被処理部材に衝突させることにより研削する方法（ショットブラスト法）がある。
ショットブラスト法で用いる研削材としては、砂やセラミックス材料等の非金属材料の粉末や、各種金属粉末等が用いられる。
特に、金属粉末は、含まれる粒子の比重が大きいために、粒子を小径化しても十分な衝突エネルギー（運動エネルギー）を被処理部材に付与することができ、優れた研削性を発揮する。これにより、微細な研削も可能になる。
【０００３】
さらに、研削材として、アモルファス金属の粉末を用いることも提案されている。アモルファス金属は、その原子配列が不規則なため、結晶粒界をほとんど含まない。このため、結晶金属のように転位による変形や結晶粒界を起点とする破壊が生じ難く、硬度および靭性が高いという特徴を有する。
このようなアモルファス金属の研削材としては、例えば、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｂ−Ｓｉ−Ｍｏ系のものが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
ところで、このようなアモルファス金属の研削材を用いて、ガラス材料（非磁性材料）を研削することもある。
研削後の研削材は、研削屑とともに混在状態にあるが、この中から、研削材を選択的に回収して、研削材として再利用することが行われている。
回収には、磁選分離、すなわち磁力によりアモルファス金属の研削材のみを選別・回収する方法が用いられる。
【０００５】
ところが、特許文献１の組成のアモルファス金属は、保磁力が高いために、磁力によって誘引された際に磁化され、外部磁場を取り除いても高い残留磁化が生じる。
このため残留磁化が生じた金属粉末では、粉末同士が凝集し、粒度分布が大きくなる方向にシフトすることとなる。その結果、被処理部材に衝突する粒子のサイズが大型化して加工精度が低下したり、噴射ノズルに金属粉末が滞留するような不具合を招いていた。
また、特許文献１の組成のアモルファス金属は、最大磁束密度が低いため、回収効率が低いという問題もある。
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−４０１５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、効率よく研削することが可能で、かつ残留磁化が生じ難い研削用粉末、かかる研削用粉末を用いて被処理部材を効率よく研削し、研削用粉末を再利用可能な状態で回収することができる研削方法、および研削用粉末を用いて隔壁を効率よく形成可能なフラットディスプレイパネル用基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の研削用粉末は、アモルファス金属で構成され、被処理部材の表面に衝突させることにより、前記表面を研削する研削用粉末であって、
前記アモルファス金属は、Ｆｅ、Ｓｉ、Ｂ、ＣｒおよびＣを必須元素とし、
Ｓｉの含有率が４〜９ｗｔ％、
Ｂの含有率が２〜５ｗｔ％、
Ｃｒの含有率が１〜３ｗｔ％、
Ｃの含有率が０．０１〜１ｗｔ％、
残部がＦｅおよび前記必須元素以外の不純物であることを特徴とする。
これにより、効率よく研削することが可能で、かつ残留磁化が生じ難い研削用粉末を得ることができる。
【０００９】
本発明の研削用粉末では、平均粒径が、３〜３０μｍであることが好ましい。
このように微小な粉末を研削用粉末として用いた場合、局所的な研削を行うことができる。その結果、例えば、被処理部材表面の目的とする微細なパターンを高い寸法精度で研削したり、被処理部材表面をより滑らかに平滑化したりすることができる。
本発明の研削用粉末では、レーザー式粒度分布計で測定した粒径５０μｍ以上の粉末の比率が、１０ｗｔ％以下であることが好ましい。
これにより、研削用粉末中に、著しく粒径の大きな粒子が含まれることによる研削の寸法精度の低下を防止することができる。
【００１０】
本発明の研削用粉末では、前記アモルファス金属は、実質的にＮｉおよびＣｏを含まないことが好ましい。
これにより、最大磁束密度がより大きく、かつ保磁力がより小さくなるため、本発明の研削用粉末は、磁力による選別の際に、容易に誘引され得る。その結果、研削用粉末を確実に分離・回収することができる。
【００１１】
本発明の研削用粉末では、アトマイズ法により粉末化して得られたものであることが好ましい。
これにより、結晶構造および結晶粒界の極めて少ないアモルファス金属の球状粉末を効率よく製造することができる。
本発明の研削用粉末では、前記アトマイズ法は、水アトマイズ法であることが好ましい。
これにより、結晶粒界の特に少ないアモルファス金属の球状粉末を効率よく製造することができる。
【００１２】
本発明の研削用粉末では、前記アモルファス金属は、その最大磁束密度が２０［ｅｍｕ／ｇ］以上、かつ、保磁力が５［Ｏｅ］以下であることが好ましい。
これにより、一般的な磁場発生手段によって容易に分離・回収された研削材は、凝集がほとんど生じないものとなる。
本発明の研削用粉末では、前記不純物の含有率は、２ｗｔ％以下であることが好ましい。
本発明の研削用粉末では、磁力により選択的に回収され、少なくとも１回の再利用に供されることが好ましい。
本発明の研削用粉末は、再利用時においても、初回利用時と同等の研削性を発揮し得るものであるため、再利用により、研削にかかるコストを低減し得るものとなる。
【００１３】
本発明の研削方法は、被処理部材の表面に、本発明の研削用粉末を衝突させて前記表面を研削することを特徴とする。
これにより、被処理部材を効率よく研削することができる。
本発明の研削方法は、非磁性を示す被処理部材の表面に、本発明の研削用粉末を衝突させて前記表面を研削する工程と、
前記研削により生じた被処理部材の研削屑と前記衝突後の研削用粉末との混在物中から、磁力により誘引して、前記研削用粉末を選択的に回収する工程とを有することを特徴とする。
これにより、被処理部材を効率よく研削し、研削用粉末を再利用可能な状態で回収することができる。
【００１４】
本発明のフラットディスプレイパネル用基板の製造方法は、画素空間を画成する隔壁を有するフラットディスプレイパネル用基板の製造方法であって、
ガラス材料を含有するガラス含有層上に、開口部を有するマスクを形成する工程と、
前記マスクの開口部から露出する前記ガラス含有層を、本発明の研削用粉末を衝突させて研削する工程と、
前記研削されたガラス含有層を焼成し、前記隔壁を得る工程とを有することを特徴とする。
これにより、寸法精度の高い隔壁を有するフラットディスプレイパネル用基板を効率よく製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の研削用粉末、研削方法、フラットディスプレイパネル用基板の製造方法、フラットディスプレイパネル用基板、フラットディスプレイパネルおよび電子機器について、添付図面を参照しつつ詳細に説明する。
［研削用粉末］
まず、本発明の研削用粉末について説明する。
【００１７】
本発明の研削用粉末は、アモルファス金属で構成され、被処理部材の表面に衝突させることにより、表面を研削するものである。
アモルファス金属は、原子配列が不規則なため、内部に結晶構造および結晶粒界をほとんど含まないものである。このため、結晶金属のように転位による変形や結晶粒界を起点とする破壊が生じ難く、硬度および靭性が高いという特徴を有する。
【００１８】
また、本発明の研削用粉末は、金属材料で構成されているため、金属材料の組成によっても異なるが、比較的比重が高い。このため、研削用粉末中の粒子サイズを小さくしても、各粒子が十分な衝突エネルギー（運動エネルギー）を被処理部材に付与することができ、優れた研削性を発揮する。これにより、微細なパターンを高い寸法精度で研削することができるという利点も有する。
このようなアモルファス金属は、Ｆｅを主成分とし、Ｓｉ、Ｂ、ＣｒおよびＣを含むものである。そして、Ｓｉの含有率が４〜９ｗｔ％、Ｂの含有率が２〜５ｗｔ％、Ｃｒの含有率が１〜３ｗｔ％、Ｃの含有率が０．０１〜１ｗｔ％とされる。
【００１９】
Ｆｅは、研削用粉末の主成分をなし、研削用粉末の基本的な機械的特性（強度、靭性、硬度等）、磁性等に大きな影響を与える成分である。なお、本発明において、主成分とは、研削用粉末を構成する各成分の中で、最も含有率の高いもののことを言う。
Ｓｉは、研削用粉末を構成する金属のアモルファス化を促進し得る成分である。Ｓｉの含有率は、前述したように、４〜９ｗｔ％とされるが、４．５〜８．５ｗｔ％であるのが好ましい。これにより、金属のアモルファス化がより進行し、含まれる結晶構造および結晶粒界を減少させることができる。
【００２０】
Ｂは、Ｓｉと同様に、金属のアモルファス化を促進し得る成分である。Ｂの含有率は、前述したように、２〜５ｗｔ％とされるが、２．５〜４ｗｔ％であるのが好ましい。これにより、金属のアモルファス化がより進行し、含まれる結晶構造および結晶粒界を減少させることができる。
Ｃｒは、研削用粉末の耐食性を向上させ得る成分であり、Ｂ、Ｓｉと同様にアモルファス化を促進し得る成分である。Ｃｒの含有率は、前述したように、１〜３ｗｔ％とされるが、１．５〜２．５ｗｔ％であるのが好ましい。これにより、研削用粉末の硬度、耐磨耗性および耐食性がより高くなり、研削に供されても、研削用粉末の破壊や磨耗、変質・酸化・劣化等を確実に防止することができる。
Ｃは、Ｂ、Ｓｉ、Ｃｒと同様にアモルファス化を促進し得る成分である。Ｃの含有率は、前述したように、０．０１〜１ｗｔ％とされるが、０．３〜１ｗｔ％であるのが好ましい。これにより、結晶粒の肥大化を確実に抑制することができ、アモルファス化のより進行した金属が得られる。
【００２１】
また、アモルファス金属は、実質的にＮｉおよびＣｏの双方を含まないのが好ましい。ＮｉおよびＣｏは、Ｆｅと同様に強磁性体に属するが、Ｆｅよりも高価なため、これらを含まないことで、研削用粉末のコストを低減することができる。
また、本発明の研削用粉末を構成するアモルファス金属は、軟磁性を示すものである。このような研削用粉末は、小さい外部磁場によっても容易に磁化されることとなる。その結果、研削用粉末の磁束密度が大きくなって、磁力による研削用粉末の選別・回収が容易に行われる。さらに、回収された研削用粉末では、外部磁場を取り除くと、残留磁化が極めて低くなるため、粒子同士の凝集を確実に防止することができる。
【００２２】
このようなことから、本発明の研削用粉末は、磁力により回収された後、少なくとも１回の再利用に供されるのが好ましい。本発明の研削用粉末は、再利用時においても、初回利用時と同等の研削性を発揮し得るものであるため、再利用により、研削にかかるコストを低減し得るものとなる。
【００２３】
さらに、Ｆｅを主成分とし、実質的にＮｉおよびＣｏを含まないアモルファス金属は、これらを含むものに比べて、最大磁束密度がより大きく、かつ保磁力がより小さくなるため、本発明の研削用粉末は、磁力による選別の際に、容易に誘引され得る。その結果、研削用粉末を確実に分離・回収することができる。
この場合、アモルファス金属の最大磁束密度が２０［ｅｍｕ／ｇ］以上、かつ、保磁力が５［Ｏｅ］以下であるのが好ましく、最大磁束密度が３０［ｅｍｕ／ｇ］以上、かつ、保磁力が３［Ｏｅ］以下であるのがより好ましい。最大磁束密度および保磁力が前記範囲内にあるアモルファス金属で構成された研削用粉末は、一般的な磁場発生手段によって容易に分離・回収され、回収した研削材は、凝集がほとんど生じないものとなる。
【００２４】
なお、上記のアモルファス金属は、不純物として、他の元素を含んでいてもよいが、その場合、上記の必須構成元素以外の元素の含有率の総和は、２ｗｔ％以下とするのが好ましい。
以上のようなアモルファス金属で構成された研削用粉末は、結晶構造および結晶粒界が特に少なく、そのサイズを小さくしても、破壊や磨耗、変質・酸化・劣化等を確実に防止し得るものである。その結果、研削終了後の研削用粉末を回収して再利用することが可能となり、研削にかかるコストの低減も図ることができる。
【００２５】
また、本発明の研削用粉末は、いかなる方法で製造されたものでもよく、例えば、アトマイズ法、冷却ロール法、インゴットの粉砕方法等を用いることにより製造することができるが、これらの中でもアトマイズ法により粉末化して得られたものが好ましい。
アトマイズ法は、冷却媒（液体やガス等）を高圧のジェットとして噴射するとともに、加熱されて液体状態となった金属原料（溶湯）を、このジェットに衝突させることにより、金属原料を粉末化する方法である。溶湯は、ジェットと衝突することにより、微細な液滴となるとともに、この液滴が冷却媒と接触することにより急速に冷却され固化する。このとき、液滴の冷却が極めて急速に行われるため、各原子が液体状態の無秩序な原子配置を保存したまま固定に至る。さらに、液滴が表面張力によって球形化するため、固化することによりその形状も保持される。
【００２６】
その結果、液滴は、ほぼ球状をなすアモルファス金属の粉末となる。
このようにアトマイズ法によれば、結晶構造および結晶粒界の極めて少ないアモルファス金属の球状粉末を効率よく製造することができる。
さらに、アトマイズ法としては、水アトマイズ法、ガスアトマイズ法、真空溶解ガスアトマイズ法、ガス−水アトマイズ法、超音波アトマイズ法等が挙げられるが、これらの中でも水アトマイズ法が好ましい。
【００２７】
水アトマイズ法では、冷却媒として、密度および熱容量の比較的大きな水を用いる。このため、溶湯が高圧の水ジェットに衝突した際に、大きなエネルギーを受けて飛散し、より微細な液滴となる。さらに、微細な液滴を、熱容量の大きな水に接触させることにより、特に急速に冷却することができる。その結果、結晶粒界の特に少ないアモルファス金属の球状粉末を効率よく製造することができる。
【００２８】
なお、上記のように高圧の水ジェットに衝突させる方法のほかに、容器内を高速で流動している水流中に溶湯を噴霧することにより、アモルファス金属の粉末を得るようにしてもよい。
また、アモルファス金属の粉末を製造後、必要に応じて、粉末に対して分級を行うようにしてもよい。
分級の方法としては、例えば、乾式分級法、湿式分級法、ふるい分け分級法等を用いることができる。
【００２９】
本発明の研削用粉末は、その平均粒径が３〜３０μｍ程度であるのが好ましく、５〜１５μｍ程度であるのがより好ましい。このように微小な粉末を研削用粉末として用いた場合、局所的な研削を行うことができる。その結果、例えば、被処理部材表面の目的とする微細なパターンを高い寸法精度で研削したり、被処理部材表面をより滑らかに平滑化したりすることができる。
また、レーザー式粒度分布計で測定した粒径５０μｍ以上の粉末の比率が、１０ｗｔ％以下であるのが好ましく、５ｗｔ％以下であるのがより好ましい。これにより、研削用粉末中に、著しく粒径の大きな粒子が含まれることによる研削の寸法精度の低下を防止することができる。
【００３０】
［フラットディスプレイパネル用基板］
次に、本発明のフラットディスプレイパネル用基板について説明する。
このフラットディスプレイパネル用基板としては、例えば、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）用基板、フィールドエミッションディスプレイパネル（ＦＥＤ）用基板、サーフェスコンダクションエレクトロンエミッターディスプレイパネル（ＳＥＤ）用基板等が挙げられるが、ここでは、一例として、プラズマディスプレイパネル用基板について説明する。
【００３１】
図１は、本発明のフラットディスプレイパネル用基板を適用したプラズマディスプレイパネル用基板の実施形態を模式的に示す斜視図である。
図１に示すプラズマディスプレイパネル用基板（本発明のフラットディスプレイパネル用基板）１は、基板２と、基板２上に設けられ、画素空間３を画成する隔壁４とを有している。
【００３２】
基板２は、たわみや傷のないものが好適に用いられる。
また、基板２の構成材料としては、ソーダガラス、結晶性ガラス、石英ガラス、鉛ガラス、カリウムガラス、ホウケイ酸ガラスのようなガラス材料、アルミナ、ジルコニア、チタニア、窒化ケイ素、炭化ケイ素のようなセラミックス基板等が挙げられる。
また、基板２は、複数層の積層体で構成されていてもよく、基板２の内部または表面に、例えば、導電層（電極、配線）、絶縁層、誘電体層、保護層等が設けられていてもよい。
【００３３】
基板２上には、平面視で長方形をなす帯状の画素空間３を画成する隔壁４が設けられている。
隔壁４は、鉛系または亜鉛系等の比較的低融点のガラス材料を主材料として構成されている。
また、隔壁４で画成された画素空間３は、プラズマ放電を生じるガスが封入される空間である。
なお、本実施形態では、画素空間３が帯状をなしているが、画素空間は、正方形または縦横の辺の長さが近い長方形をなしていてもよい。このような画素空間は、図１に示す隔壁４と直交する方向に、新たに隔壁を設けることにより画成することができる。
【００３４】
［フラットディスプレイパネル用基板の製造］
次に、プラズマディスプレイパネル用基板１を製造する方法（本発明の研削方法および本発明のフラットディスプレイパネル用基板の製造方法）について説明する。
図２および図３は、図１に示すプラズマディスプレイパネル用基板の製造方法（本発明のフラットディスプレイパネル用基板の製造方法）を説明するための図（縦断面図）である。なお、以下では、図２および図３中の上側を「上」、下側を「下」として説明する。
【００３５】
以下、各工程を順次説明する。
［１］まず、基板２を用意する。
［２］次に、基板２上に、ガラスペーストを塗布する。これにより、図２（ａ）に示すように、ガラス含有層４１を形成する。
ガラスペーストは、隔壁４の主材料となるガラス粉末、樹脂バインダ、溶媒および添加剤を混合したものである。
【００３６】
樹脂バインダは、低温で燃焼し、炭化物等の残留物が障壁４中に残存し難いものが好ましく用いられる。具体的には、ビニルエーテル、メタクリレート、尿素樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
また、樹脂バインダの含有量は、ガラス粉末１００重量部に対して、１０〜２０重量部程度が好ましい。
【００３７】
溶媒としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジイソブチルケトン等のケトン類、ヘキサン、シクロヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン等の炭化水素類、メチルアセテート、エチルアセテート、イソプロピルアセテート、ノルマルプロピルアセテート、イソブチルアセテート、ノルマルブチルアセテート、ノルマルペンチルアセテート、イソペンチルアセテート等のエステル類、メタノール、エタノール、イソピロパノール、ノルマルプロパノール、ノルマルブタノール、イソブタノール、トルオール、キシロール等のアルコール類、メチレンクロライド、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン、１，１，１−トリクロロエタン等の塩素化炭化水素類、エチルエーテル、１，４−ジオキサン等のエーテル類等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００３８】
また、添加剤として、可塑剤、分散剤、消泡剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、フィラー等を添加してもよい。
ガラスペーストの塗布方法としては、ディッピング法、滴下、ドクターブレード法、スピンコート法、刷毛塗り、スプレーコート法、ロールコート法のような各種塗布法、メタルマスク印刷法、スクリーン印刷法のような各種印刷法等が挙げられる。
【００３９】
なお、ガラス含有層４１は、上記のような方法の他、別の基板に形成されたシート状のガラス含有層４１を基板２上に貼り付けることにより形成されてもよく、予めガラス含有層４１が形成された基板２を用意することにより設けられたものでもよい。
また、塗布後のガラスペーストには、必要に応じて、強制的に乾燥させた後、ガラス含有層４１を得るようにしてもよい。
【００４０】
［３］次に、図２（ｂ）に示すように、ガラス含有層４１上に、画素空間３に対応する領域に開口部４３を有するレジストマスク４２を形成する。
レジストマスク４２のパターン形成方法としては、印刷法、フォトリソグラフィー法等が挙げられる。
そして、平面視で帯状の隔壁４に対応する領域にレジストマスク４２を形成し、平面視で帯状の画素空間３に対応する領域には開口部４３を形成する。この開口部４３に露出した部分のガラス含有層４１は、後述する工程［４］において除去されることにより、画素空間３を形成する。
【００４１】
［４］次に、図２（ｃ）に示すように、開口部４３から露出するガラス含有層４１の上方から、研削材（本発明の研削用粉末）１００を噴射し、研削（ショットブラスト）を行う。
具体的には、ガラス含有層４１から所定の距離離間した位置にノズル１１０を配置し、このノズル１１０と基板２とを相対的に移動（平行移動）させつつ、ノズル１１０から研削材１００を噴射する。これにより、開口部４３に対応する領域の不要なガラス含有層４１に研削材１００を衝突させて、ガラス含有層４１を研削・除去し、画素空間３を形成することができる。
【００４２】
本発明の研削用粉末は、比較的比重が高く、高い衝突エネルギーをガラス含有層４１に付与することができる。これにより、優れた研削性が得られ、効率よくガラス含有層４１を研削することができる。
ところで、前述の工程［３］で決定される画素空間３における幅は、プラズマディスプレイパネル用基板１を備えたプラズマディスプレイパネルの表示の精細度に大きな影響を与える要素である。
【００４３】
近年、より高精細な表示を求める要求が強まっており、プラズマディスプレイパネルにおける画素サイズを縮小するために、画素空間３の幅をより狭くすることが求められている。
かかる観点から、画素空間３の幅、すなわち、ここでは開口部４３の幅は、３０〜１５０μｍ程度であるのが好ましく、３０〜１００μｍ程度であるのがより好ましい。そして、このような微細なパターンの研削に、本発明の研削用粉末を用いたショットブラストがより好適に適用できる。すなわち、本発明の研削用粉末は、その平均粒径を小さくしても粉末中の粒子の破壊や磨耗、変質・劣化等を確実に防止し得るものであるため、上記のような微細なパターンの研削を容易に実現し得るものである。
【００４４】
また、このように開口部４３の幅が小さい場合でも、研削材１００の粒径が前述の範囲内であれば、画素空間３に研削材１００が挟まってしまい、その後の研削に支障を来たすのを確実に防止することができる。
研削（ショットブラスト）における研削材１００の噴射圧力は、例えば、１〜１０ｋｇｆ／ｃｍ２程度であるのが好ましく、２〜５ｋｇｆ／ｃｍ２程度であるのがより好ましい。これにより、高い加工精度で、かつ効率よく研削を行うことができる。
【００４５】
また、研削（ショットブラスト）におけるノズル１１０とガラス含有層４１の上面との距離は、研削材１００の噴射圧力によっても異なるが、例えば、１〜２０ｃｍ程度であるのが好ましく、５〜１０ｃｍ程度であるのがより好ましい。これにより、噴射された研削材１００が被処理部材に衝突するまでに、広範に広がり過ぎて加工精度が低下するのを防止しつつ、効率よく研削を行うことができる。
【００４６】
また、研削材１００の平均粒径、噴射圧力、およびノズル１１０とガラス含有層４１との距離が、それぞれ前記範囲内であれば、レジストマスク４２、隔壁４および基板２の損傷をより確実に防止することができる。
このようにして画素空間３を形成した際には、図３（ｄ）に示すように、研削・除去されたガラス含有層４１の研削屑４４と、噴射された研削材１００との混在物１２０が生じることとなる。
【００４７】
［５］次に、図３（ｅ）に示すように、混在物１２０に磁場発生手段７を接近させる。これにより、混在物１２０の周囲に外部磁場を発生させる。
混在物１２０に磁場発生手段７が接近すると、外部磁場に応じて混在物１２０中から研削材１００を磁場発生手段７に磁力で誘引し、研削材１００を選択的に分離・回収（磁選分離）することができる。これにより、回収した研削材１００を、再度、前記工程［４］で再利用することができ、その結果、新たな研削材１００を用意する場合に比べてコストの低減を図ることができる。
また、研削材１００は、軟磁性を示すものであるため、回収後に外部磁場を取り除くと、残留磁化がほとんど生じない。したがって、研削材１００同士の残留磁化による凝集を防止することができる。これにより、回収した研削材１００を再利用する際に、研削材１００の粒度分布がバラついて、寸法精度が低下するのを、確実に防止することができる。
【００４８】
磁場発生手段７は、磁場を発生し得るものであれば特に限定されないが、永久磁石、電磁石等を用いることができる。
また、研削材１００の回収方法は、上記方法に限定されず、例えば、混在物１２０を回収した後に、研削材１００を分離・回収するようにしてもよい。
なお、研削材１００を回収した後の研削屑４４は、別途回収することにより、ガラス含有層４１の原料として再利用することもできる。
【００４９】
［６］次に、レジストマスク４２を除去する。これにより、図３（ｆ）に示すような隔壁４が得られる。
以上のようにして、基板２と隔壁４とを有するプラズマディスプレイパネル用基板１を効率よく製造することができる。
なお、本発明の研削方法は、前記工程［４］および前記工程［５］を有するものである。このような研削方法によれば、高い寸法精度で効率よく研削ができ、さらに、研削後の研削材１００と研削屑４４とを個別に回収することができ、それぞれ再利用することができる。これにより、研削材１００のコスト、すなわち研削のコストを低減することができる。
【００５０】
［フラットディスプレイパネル］
上記のようなプラズマディスプレイパネル用基板（本発明のフラットディスプレイパネル用基板）１を用いて、プラズマディスプレイパネル（本発明のフラットディスプレイパネル）を得ることができる。
以下では、本発明のフラットディスプレイパネル用基板をプラズマディスプレイパネルに組み込んだ場合を一例として説明する。
【００５１】
図４は、本発明のフラットディスプレイパネル用基板をプラズマディスプレイパネルに適用した場合の実施形態を示す分解斜視図である。
図４に示すプラズマディスプレイパネル（本発明のフラットディスプレイパネル）５００は、互いに対向して配置されたガラス基板５０１とガラス基板５０２と、これらの間に形成された放電表示部５１０とから概略構成されている。
【００５２】
放電表示部５１０は、複数の放電室（画素空間）５１６が集合されてなり、複数の放電室５１６のうち、赤色放電室５１６（Ｒ）、緑色放電室５１６（Ｇ）、青色放電室５１６（Ｂ）の３つの放電室５１６が対になって１画素を構成するように配置されている。
ガラス基板５０１の上面には、所定の間隔でストライプ状にアドレス電極５１１が形成され、これらのアドレス電極５１１と基板５０１の上面とを覆うように誘電体層５１９が形成されている。
【００５３】
さらに、誘電体層５１９上において、アドレス電極５１１、５１１間に位置して各アドレス電極５１１に沿うように隔壁５１５が形成されている。
なお、隔壁５１５においては、その長手方向の所定位置においてアドレス電極５１１と直交する方向にも所定の間隔で仕切られている（図示せず）。
これにより、基本的には、アドレス電極５１１の幅方向左右両側に隣接する隔壁と、アドレス電極５１１と直交する方向に延設された隔壁により仕切られる長方形状の領域が形成され、これらの長方形状の領域に対応するように放電室５１６が形成されている。そして、これらの長方形状の領域が３つ対になって１画素が構成されている。
【００５４】
このようなアドレス電極５１１および誘電体層５１９を備えた基板５０１と、隔壁５１５に、前述のプラズマディスプレイパネル用基板（本発明のフラットディスプレイパネル用基板）１が組み込まれている。
また、隔壁５１５で区画される長方形状の領域（画素空間）の内側には、蛍光体層５１７が設けられている。蛍光体層５１７は、赤、緑、青の何れかの蛍光を発光するものであり、赤色放電室５１６（Ｒ）の底部には、赤色蛍光体層５１７（Ｒ）が、緑色放電室５１６（Ｇ）の底部には緑色蛍光体層５１７（Ｇ）が、青色放電室５１６（Ｂ）の底部には青色蛍光体層５１７（Ｂ）が各々設けられている。
【００５５】
一方、ガラス基板５０２側には、先のアドレス電極５１１と直交する方向に複数の透明表示電極５１２がストライプ状に、所定の間隔で形成されている。この透明表示電極５１２は、例えば、ＩＴＯ、ＦＴＯ、ＡＴＯ等の透明導電性材料で構成されている。
また、この透明表示電極５１２に接触して、金属製のバス電極５１２ａが形成されている。バス電極５１２ａは、透明表示電極５１２の抵抗値を低減させる機能を有するものである。
【００５６】
さらに、これらの透明表示電極５１２およびバス電極５１２ａを覆うようにして、誘電体層５１３が形成され、さらにＭｇＯなどからなる保護膜５１４が形成されている。
そして、ガラス基板５０１とガラス基板５０２とが、アドレス電極５１１と透明表示電極５１２とを互いに直交させるように対向させて相互に貼り合わされ、蛍光体層５１７と保護膜５１４とで囲まれる空間部分を排気して希ガスを封入することにより、放電室５１６が形成されている。
【００５７】
なお、ガラス基板５０２側に形成される透明表示電極５１２は、各放電室５１６に対して２本ずつ配置されるように形成されている。
アドレス電極５１１と透明表示電極５１２とは、図示しない交流電源に接続され、各電極に通電することにより、所望の位置の放電表示部５１０において、蛍光体層５１７を励起発光させて、カラー表示ができるようになっている。
【００５８】
［電子機器］
本発明のフラットディスプレイパネルは、各種電子機器に適用することができる。
＜＜パーソナルコンピュータ＞＞
図５は、本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【００５９】
この図において、パーソナルコンピュータ１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
このパーソナルコンピュータ１１００においては、表示ユニット１１０６が前述のフラットディスプレイパネルを備えている。
【００６０】
図６は、本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６とともに、前述のフラットディスプレイパネルを表示部に備えている。
【００６１】
図７は、本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
【００６２】
ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、前述のフラットディスプレイパネルが表示部に設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、被写体を電子画像として表示するファインダとして機能する。
ケースの内部には、回路基板１３０８が設置されている。この回路基板１３０８は、撮像信号を格納（記憶）し得るメモリが設置されている。
【００６３】
また、ケース１３０２の正面側（図示の構成では裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
撮影者が表示部に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、回路基板１３０８のメモリに転送・格納される。
【００６４】
また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示のように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニタ１４３０が、デ−タ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピュータ１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、回路基板１３０８のメモリに格納された撮像信号が、テレビモニタ１４３０や、パーソナルコンピュータ１４４０に出力される構成になっている。
【００６５】
なお、本発明の電子機器は、図５のパーソナルコンピュータ（モバイル型パーソナルコンピュータ）、図６の携帯電話機、図７のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、テレビや、ビデオカメラ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器（例えば金融機関のキャッシュディスペンサー、自動券売機）、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電表示装置、超音波診断装置、内視鏡用表示装置）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシミュレータ、その他各種モニタ類、プロジェクター等の投射型表示装置等に適用することができる。
【００６６】
以上、本発明の研削用粉末、研削方法、フラットディスプレイパネル用基板の製造方法、フラットディスプレイパネル用基板、フラットディスプレイパネルおよび電子機器について、好適な実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。
例えば、前記実施形態では、本発明の研削方法をプラズマディスプレイパネル用基板の製造方法の一部に適用した場合を代表に説明したが、このような場合に限定されない。
【００６７】
すなわち、本発明の研削方法は、非磁性を示す被処理部材の表面に研削を施すようなあらゆる場合に適用可能である。
また、前記実施形態では、所定のパターンを研削する場合について説明しているが、被処理部材の表面にショットブラストを施して、表面を平滑化する場合にも、本発明の研削用粉末および研削方法を用いることができる。
また、本発明の研削方法およびフラットディスプレイパネル用基板の製造方法では、いずれも、任意の目的の工程が１または２以上追加されてもよい。
【実施例】
【００６８】
１．研削材およびプラズマディスプレイパネル用基板の製造
（実施例１）
＜１＞まず、以下の各元素が、それぞれ以下の含有率で含まれるように原料を秤量し、この原料を高周波誘導炉で溶融して溶融物を得た。
＜構成元素含有率＞
・Ｓｉ：７．５ｗｔ％
・Ｂ：３．８ｗｔ％
・Ｃｒ：２．３ｗｔ％
・Ｃ：０．５ｗｔ％
・Ｆｅ：残部
【００６９】
＜２＞次に、得られた溶融物を、水アトマイズ法で粉末化し、得られた金属粉末を、サイズが３２μｍの目開きを有した篩い網を用いて分級した。これにより、研削材を得た。
得られた研削材について、レーザー式粒度分布計で粒径を測定した。その結果、平均粒径が１１μｍ、粒径５０μｍ以上の粉末の比率が３ｗｔ％であった。
また、得られた研削材について、Ｘ線回折法による結晶構造解析を行った。その結果、得られたＸ線回折スペクトルには、先鋭なピークが認められなかった。このことから、この研削材には、アモルファス金属で構成されていることが確認できた。
【００７０】
＜３＞次に、平均厚さ３ｍｍのガラス基板上に、電極、誘電体層を形成した基板を用意した。
＜４＞次に、ロールコート法により、基板上にガラスペーストを塗布した。そして、この基板をホットプレートに載せ、１２０℃×３０分で乾燥させた。これにより、基板上にガラス含有層を得た。
【００７１】
＜５＞次に、ガラス含有層上にドライフィルムレジストを積層した後、フォトリソグラフィー法とエッチング法とにより、画素空間に対応する領域に、幅５０μｍの帯状の開口部を有するレジストマスク（マスク）を形成した。
＜６＞次に、レジストマスクの上方から、前記工程＜２＞で得られた研削材を噴射し、ショットブラストを行った。これにより、開口部に対応する領域のガラス含有層を除去することができ、その領域に画素空間を形成した。
【００７２】
＜７＞次に、前記工程＜６＞で発生した研削屑および噴射した研削材に、電磁石を近付けた。これにより、電磁石に研削材が吸着し、研削材を回収した。また、研削材を回収した後の研削屑も、別途回収した。
＜８＞次に、レジストマスクを除去した。これにより、プラズマディスプレイパネル用基板を得た。
【００７３】
（実施例２〜６）
溶融物に含まれる構成元素、各構成元素の含有率、および篩い網の目開きのサイズを、それぞれ、表１に示すようにした以外は、前記実施例１と同様にして研削材を得、この研削材を用いてプラズマディスプレイパネル用基板を得た。
【００７４】
（比較例１）
まず、前記実施例１と同様にして研削材を製造した。
次に、得られた研削材を炉に入れ、１０４６℃（７７３Ｋ）で熱処理を施した。
次に、熱処理後の研削材について、前記実施例１と同様にしてＸ線回折法による結晶構造解析を行ったところ、得られたＸ線回折スペクトルには、先鋭なピークが認められた。このことから、この研削材は、熱処理により結晶化したために結晶金属が含まれていることが確認できた。
【００７５】
（比較例２〜３）
溶融物に含まれる構成元素、各構成元素の含有率、および篩い網の目開きのサイズを、それぞれ、表１に示すようにした以外は、前記実施例１と同様にして研削材を得、この研削材を用いてプラズマディスプレイパネル用基板を得た。
（比較例４）
表１に示す組成の耐熱性フェライトステンレス鋼を溶融して溶融物を得るようにした以外は、前記実施例１と同様にして研削材を得、この研削材を用いてプラズマディスプレイパネル用基板を得た。
なお、結晶構造解析の結果、得られた研削材には、結晶金属が含まれていることが確認できた。
【００７６】
（比較例５）
表１に示す組成のオーステナイトステンレス鋼を溶融して溶融物を得るようにした以外は、前記実施例１と同様にして研削材を得、この研削材を用いてプラズマディスプレイパネル用基板を得た。
なお、結晶構造解析の結果、得られた研削材には、結晶金属が含まれていることが確認できた。
【００７７】
（比較例６）
表１に示す組成のフェライトステンレス鋼を溶融して溶融物を得るようにした以外は、前記実施例１と同様にして研削材を得、この研削材を用いてプラズマディスプレイパネル用基板を得た。
なお、結晶構造解析の結果、得られた研削材には、結晶金属が含まれていることが確認できた。
【００７８】
（比較例７）
表１に示す組成の硬磁性永久磁石を溶融して溶融物を得るようにした以外は、前記実施例１と同様にして研削材を得、この研削材を用いてプラズマディスプレイパネル用基板を得た。
なお、結晶構造解析の結果、得られた研削材には、結晶金属が含まれていることが確認できた。
【００７９】
以上、各実施例および各比較例で得られた研削材の構成元素とその含有率、結晶構造、篩い網の目開きのサイズ、平均粒径および粒径５０μｍ以上の粉末の比率を、表１に示す。
なお、実施例１、比較例２および比較例３で得られた研削材については、それぞれ、最大磁束密度および保磁力を測定した。この測定結果についても、表１に示す。
【００８０】
【表１】
0004428338.tif 000002
【００８１】
２．評価
２−１  研削材の回収の可否および凝集の有無の評価
まず、各実施例および各比較例の工程＜７＞において、噴射後の研削材の回収の可否、および、研削材の凝集の有無を、以下の基準にしたがって目視で評価した。
◎：研削材を良好に回収することができ、凝集も認められない
○：研削材を良好に回収することができたが、凝集が若干認められる
△：研削材を良好に回収することができたが、凝集が多数認められる
×：研削材をほとんど回収できなかった
【００８２】
２−２  研削材の外観の評価
次に、各実施例および各比較例の工程＜７＞において、噴射後の研削材の外観を、以下の基準にしたがって目視で評価した。
◎：研削材の欠損および変形等が認められない
○：研削材の欠損または変形等が若干認められる
△：研削材の欠損または変形等が多数認められる
×：研削材の欠損または変形等がほぼ全数に認められる
【００８３】
２−３  回収した研削屑の組成評価
次に、各実施例および各比較例の工程＜７＞で回収した研削屑について、蛍光Ｘ線分析装置により組成分析を行った。
そして、各実施例および各比較例で回収した研削屑中の研削材成分の含有率を求めた。
２−４  プラズマディスプレイパネル用基板の外観評価
次に、各実施例および各比較例で製造したプラズマディスプレイパネル用基板の外観を目視にて評価した。
なお、外観の評価は、以下の項目とその評価基準にしたがって行った。
【００８４】
２−４−１  加工性
◎：加工速度が非常に速い
○：加工速度がやや速い
△：加工速度がやや遅い
×：加工速度が非常に遅い
【００８５】
２−４−２  研削材の画素空間への挟まり
◎：画素空間に研削材が全く挟まっていない
○：画素空間に研削材が若干挟まっている
△：画素空間に研削材が多数挟まっている
×：画素空間に研削材が多数挟まり、研削されない部分がある
【００８６】
２−４−３  隔壁またはマスクの損傷
◎：隔壁またはマスクに損傷が全く認められない
○：マスクに若干損傷が認められる
△：マスクに多数損傷が認められる
×：隔壁に若干の損傷が認められる
【００８７】
２−４−４  基板の損傷
◎：基板に損傷が認められない
○：基板に凹凸が生じている
△：基板に若干損傷が認められる
×：基板に多数損傷が認められる
以上、２−１〜２−４の各評価結果をそれぞれ表２に示す。
【００８８】
【表２】
0004428338.tif 000003
【００８９】
表２の評価結果に示すように、各実施例の研削材は、いずれも、研削材を良好に回収（磁選分離）することができた。
一方、各比較例の研削材は、研削材を回収することができなかったり、回収することができても、粒子同士の凝集が多数認められるものがあった。
また、各実施例の研削材は、いずれも、噴射後に研削材の欠損および変形等が認められないか、若干認められる程度であった。
【００９０】
これに対し、比較例１および比較例４〜７の研削材では、噴霧後に研削材が欠損または変形等しているものが多数認められた。
また、各実施例でガラス含有層を研削した際に発生した研削屑には、いずれも、研削材の成分がほとんど含まれていなかったのに対し、各比較例では、数％程度含んでいるものがあった。このことは、各実施例では、研削材と研削屑との分離・回収が確実になされていることを示唆している。
また、各実施例のプラズマディスプレイパネル用基板では、いずれも、研削材による研削が良好になされ、優れた外観を示した。
一方、各比較例のプラズマディスプレイパネル用基板では、研削や外観の幾つかの評価項目において、著しく劣るものがあった。
【図面の簡単な説明】
【００９１】
【図１】本発明のフラットディスプレイパネル用基板を適用したプラズマディスプレイパネル用基板の実施形態を模式的に示す斜視図である。
【図２】図１に示すプラズマディスプレイパネル用基板の製造方法（本発明のフラットディスプレイパネル用基板の製造方法）を説明するための図（縦断面図）である。
【図３】図１に示すプラズマディスプレイパネル用基板の製造方法（本発明のフラットディスプレイパネル用基板の製造方法）を説明するための図（縦断面図）である。
【図４】本発明のフラットディスプレイパネル用基板をプラズマディスプレイパネルに適用した場合の実施形態を示す分解斜視図である。
【図５】本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【図６】本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
【図７】本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００９２】
１……プラズマディスプレイパネル用基板  ２……基板  ３……画素空間  ４……隔壁  ４１……ガラス含有層  ４２……レジストマスク  ４３……開口部  ４４……研削屑  ７……磁場発生手段  １００……研削材  １１０……ノズル  １２０……混在物  ５００……プラズマディスプレイパネル  ５０１、５０２……ガラス基板  ５１０……放電表示部  ５１１……アドレス電極  ５１２……透明表示電極  ５１２ａ……バス電極  ５１３……誘電体層  ５１４……保護膜  ５１５……隔壁  ５１６……放電室  ５１７……蛍光体層  ５１９……誘電体層  １１００……パーソナルコンピュータ  １１０２……キーボード  １１０４……本体部  １１０６……表示ユニット  １２００……携帯電話機  １２０２……操作ボタン  １２０４……受話口  １２０６……送話口  １３００……ディジタルスチルカメラ  １３０２……ケース（ボディー）  １３０４……受光ユニット  １３０６……シャッタボタン  １３０８……回路基板  １３１２……ビデオ信号出力端子  １３１４……データ通信用の入出力端子  １４３０……テレビモニタ  １４４０……パーソナルコンピュータ
【図１】
0004428338.tif 000004
【図２】
0004428338.tif 000005
【図３】
0004428338.tif 000006
【図４】
0004428338.tif 000007
【図５】
0004428338.tif 000008
【図６】
0004428338.tif 000009
【図７】
0004428338.tif 000010