(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部導体と、当該内部導体を軸として略円柱状に形成される絶縁体と、当該絶縁体に設けられるシールド電極とを備え、当該シールド電極は、前記絶縁体に設けられる筒状シールド部と、当該筒状シールド部の両端側の縁に沿って各々形成される一対の電界緩和部とを有するブッシングにおいて、
前記筒状シールド部は、絶縁体の外周表面に一部が露出するよう当該絶縁体に埋設された一対の電界緩和部間の絶縁体の外周表面に形成された導電層であり、割筒形状に分割して形成されていることを特徴とするブッシング。
【請求項２】
導電層は、絶縁体の外周表面に導電性素材が溶射されて形成された導電性皮膜であることを特徴とする請求項１に記載のブッシング。
【請求項３】
一対の電界緩和部の各々の埋設部分は、筒状シールド部の両端縁の電界を緩和させるよう、当該端縁と内部導体の外周面との間に介在する延在部を有することを特徴とする請求項１または請求項２に記載のブッシング。
【請求項４】
電界緩和部は、その断面が略Ｌ字状であって、Ｌ字の一方端側が絶縁体の表面に露出され、他方端側が導電層から離れる方向に向けて埋設されたことを特徴とする請求項３に記載のブッシング。
【請求項５】
電界緩和部は、その断面が略Ｔ字状であって、Ｔ字の下方端側が絶縁体の表面に露出され、Ｔ字の左右端側が内部導体の延在方向に向けて埋設されたことを特徴とする請求項３に記載のブッシング。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ブッシング、例えば変流器用ブッシングの構造に関し、詳しくは、内部導体と、この内部導体に形成された絶縁体と、この絶縁体に設けられるシールド電極とを備えたブッシングに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来のブッシングとして、図７及び図８に示す変流器用ブッシングを例にして説明する。図７は縦断側面図、図８はシールド電極の構造を示す一部縦断側面図である。
図７において、このブッシングは、内部導体１と、この内部導体１を軸として略円柱状に形成された樹脂製の絶縁体２と、この絶縁体２に埋設されたシールド電極３とを備えている。
図８において、前記のシールド電極３は、内部導体１が軸の位置となるように配置された筒状シールド部としての筒状金網３１と、この筒状金網３１の両端側の縁に沿って各々形成された一対の環状の電界緩和部としてのスパイラルリング３２、３２とを有している。
又、図７及び図８において示す符号４は、筒状金網３１の固定とアース用端子として兼用される支持部材であり、筒状金網３１の直径方向の２箇所に配設されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
従来のブッシングは、筒状金網３１やスパイラルリング３２の製作に比較的煩雑な手間を要する上、シールド電極３を製作するに当たって、筒状金網３１とスパイラルリング３２との接続や筒状金網３１と支持部材４、４との接続に当たって、熟練を要するハンダ付け作業が必要となっていた。
このため、シールド精度を高めるには、精度の高い熟練技術と多大な製作時間とを要し、高価なものとなっていた。
【０００４】
本発明は、熟練を要するハンダ付け作業を必要とせずに製作でき、安価で高性能なブッシングの提供を目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明は、内部導体と、当該内部導体を軸として略円柱状に形成される絶縁体と、当該絶縁体に設けられるシールド電極とを備え、当該シールド電極は、前記絶縁体に設けられる筒状シールド部と、当該筒状シールド部の両端側の縁に沿って各々形成される一対の電界緩和部とを有するブッシングにおいて、
前記筒状シールド部は、絶縁体の外周表面に一部が露出するよう当該絶縁体に埋設された一対の電界緩和部間の絶縁体の外周表面に形成された導電層であり、割筒形状に分割して形成されていることを特徴とする。
【０００６】
請求項２の発明は、請求項１に記載のブッシングにおいて、導電層は、絶縁体の外周表面に導電性素材が溶射されて形成された導電性皮膜であることを特徴とする。
【０００８】
請求項３の発明は、請求項１または請求項２に記載のブッシングにおいて、一対の電界緩和部の各々の埋設部分は、筒状シールド部の両端縁の電界を緩和させるよう、当該端縁と内部導体の外周面との間に介在する延在部を有することを特徴とする。
【０００９】
請求項４の発明は、請求項３に記載のブッシングにおいて、電界緩和部は、その断面が略Ｌ字状であって、Ｌ字の一方端側が絶縁体の表面に露出され、他方端側が導電層から離れる方向に向けて埋設されたことを特徴とする。
【００１０】
請求項５の発明は、請求項３に記載のブッシングにおいて、電界緩和部は、その断面が略Ｔ字状であって、Ｔ字の下方端側が絶縁体の表面に露出され、Ｔ字の左右端側が内部導体の延在方向に向けて埋設されたことを特徴とする。
【００１１】
【発明の実施の形態】
実施の形態１．
実施の形態１は、変流器用のブッシングにおけるシールド電極を、絶縁体の外周表面に一部が露出するよう当該絶縁体に埋設された一対の電界緩和部と、当該一対の電界緩和部間における絶縁体の外周表面に導電層を形成した筒状シールド部とで構成したものである。以下、これを図１に基づいて説明する。図１は縦断側面図である。
【００１２】
図１において、１は内部導体、２は樹脂製の絶縁体であって、内部導体１を軸として略円柱状に形成されている。
３０はシールド電極である。このシールド電極３０は、絶縁体２の外周表面に設けられた筒状シールド部３０１と、この筒状シールド部３０１の両端側の縁（端縁）に沿って、当該絶縁体２の胴回り方向に環状に巡るように埋設された一対の電界緩和部３０２、３０２とで構成されている。
【００１３】
環状に形成されて埋設された一対の電界緩和部３０２、３０２は、各々筒状シールド部３０１の端縁と接続されている。この接続は次のようにして行われる。例えば、両電界緩和部３０２、３０２の一部が絶縁体２の外周表面に露出するように配置した状態で、樹脂製の絶縁体２を射出させて、電界緩和部３０２、３０２が埋設された絶縁体２を成形し、然る後、所要の絶縁体２の外周表面即ち前記の両露出部分間に、当該両露出部分上に重なるように導電層（筒状シールド部３０１）を形成する。
【００１４】
又、このようにして、一対の電界緩和部３０２、３０２の、各々の環状体の一部を、例えば外周縁側を絶縁体２の外周表面に環状に露出して表れる状態に埋設することができ、両電界緩和部３０２、３０２の露出された部分間における絶縁体２の外周表面に、導電層を形成して筒状シールド部３０１を設けることができる。
この導電層即ち筒状シールド部３０１は、例えば、アルミや亜鉛等の金属或いは導電性樹脂等、適宜な導電性素材を絶縁体２の所要の外周表面に溶射して導電性皮膜として形成する。
【００１５】
この実施の形態１によれば、上記のように、一対の電界緩和部３０２、３０２が、各々の環状体の一部を絶縁体２の外周表面に環状に露出して表れる状態に埋設され、これら両電界緩和部３０２、３０２の露出された部分間の絶縁体２の外周表面に導電層（３０１）を形成することによって、シールド電極３０が設けられる構成としたので、従来のような、面倒なハンダ付作業や筒状金網等の製作作業を必要とせず、速やかに製作することができる。
従って、製作コストを低減することができ、安価なブッシングを提供することができる。
【００１６】
実施の形態２．
実施の形態２は、前記実施の形態１におけるシールド電極３０の筒状シールド部３０１を、筒を縦に割った形に分割された複数の割筒形状を組み合わせて筒状に構成のものでる。この形態２では、筒状シールド部３０１が二つの半割筒形状（ハーフパイプ状）に二分割された形態のものである。
以下、これを図２及び図３に基づいて説明する。図２は、図１の矢視Ａ−Ａ方向からみたこの実施の形態２における半環状電界緩和部の配置状態を示す概念図、図３は半環状電界緩和部と導電層と絶縁体との配置状態を拡大して示した概念図である。
【００１７】
図２において、筒状シールド部３０１を半割筒形状に分割して形成するには、先ず、筒状シールド部３０１が形成される予定領域の両端側に、それぞれ、２つの半環状に形成された電界緩和部３０２Ａと電界緩和部３０２Ｂとを、互いの両端が接触しないように適度な間隙で近接させ、環状を成すように組み合わせた状態に配置し、このように配置した状態において、上記実施の形態１と同様に、樹脂製の絶縁体２を射出させて、電界緩和部３０２（３０２Ａと３０２Ｂ）と電界緩和部３０２（３０２Ａと３０２Ｂ）とが埋設された絶縁体２を成形する（以下、半環状の電界緩和部を半環状電界緩和部ともいう）。
【００１８】
然る後、所要の絶縁体２の外周表面即ち、この場合、半環状電界緩和部３０２Ａと半環状電界緩和部３０２Ａとの間、半環状電界緩和部３０２Ｂと半環状電界緩和部３０２Ｂとの間の、それぞれ絶縁体２の外周表面部分に、導電層（３０１、３０１）を各々形成する。
環状に組み合わされた上記の半環状電界緩和部３０２Ａと半環状電界緩和部３０２Ｂとは、両端が間隔を置いて相対しているので、上記の両導電層（３０１、３０１）は、前記の間隔を隔てて形成、この例では、二つの半割筒形状に分割された状態に形成される。
このように、分割形成された二つの半割筒形状導電層（３０１、３０１）には各々アース用端子としてのネジ孔４０、４０を設ける。
尚、図３に図示されているように、半環状電界緩和部３０２Ｂにはその表面に、導電性材料が塗布されている。この導電性材料は、勿論、環状電界緩和部３０２、３０２Ａ、３０２Ｂにも、例えば、上記の導電層（３０１）と同様の導電性皮膜であってもよい。
【００１９】
この実施の形態２によれば、筒状シールド部３０１が、二分割された導電層（３０１、３０１）で形成されているので、熱膨張や収縮による絶縁物２との間に生ずる歪に対して、当該導電層即ち筒状シールド部３０１の耐久性を高めることができ、耐久性に富み、安価で高性能なブッシングを提供することができる。
【００２０】
実施の形態３．
実施の形態３は、前記実施の形態１や形態２における電界緩和部３０２、３０２Ａ、３０２Ｂの断面形状に関するもので、絶縁体２に埋設される電界緩和部３０２、３０２Ａ、３０２Ｂの各々において、少なくとも埋設部分の一部を、筒状シールド部３０１の両端縁の電界を緩和させるよう、その両端縁と内部導体１の外周面との間に延在部３１０を介在させた形態としたものである。
以下、これを図２乃至図６に基づいて説明する。図４は半環状電界緩和部と導電層と絶縁体との配置状態を示す概念図、図５は半環電界緩和部と導電層と絶縁体との配置状態を拡大して示した概念図、図６は図５の一部拡大説明図である。
【００２１】
先ず、図２及び図３に示す例は、絶縁体２に埋設される電界緩和部３０２、３０２Ａ、３０２Ｂの断面を略Ｌ字状に形成したものである。
Ｌ字の一方端側が絶縁体２の表面に露出され、埋設された他方端側の延在部３１０が筒状シールド部としての導電層３０１から離れる方向に向けて突出形成されている。
【００２２】
次に、図４及び図６に示す例は、電界緩和部の断面を略Ｔ字状に形成したものである。
Ｔ字の下方端側が絶縁体２の表面に露出され、埋設されたＴ字の左右端側即ち延在部３１０、３１０が内部導体１の延在方向に向けて埋設されている。
図６に示す矢印の方向に剥離が生じ易いのであるが、延在部３１０、３１０がその方向の前方に存在しているので、剥離を防止することができる。絶縁物２の剥離防止のためには、延在部３１０を絶縁物２の表面側に近く延在させるように構成するとよい。
又、これらの延在部３１０を、筒状シールド部３０１の両端縁と内部導体１の外周面との間に介在させることにより、筒状シールド部３０１の両端縁の電界を緩和させることができる。
尚、図２及び図３に示す略Ｌ字状の場合においても、その延在部３１０の延在側において、同様に絶縁物２の剥離を阻止し、電界を緩和させることができる。
【００２３】
この実施の形態３によれば、上記のように、電界緩和部３０２の埋設部分の一部に上記のような延在部３１０を形成することで、熱による伸縮により、当該延在部３１０が形成された側における絶縁物２の表面側での、当該電界緩和部３０２からの絶縁物２の剥離を防止することができ、筒状シールド部３０１の端縁の電界を緩和させることができる。
従って又、この形態３によれば、比較的長いブッシング即ち絶縁物２が長く形成されるブッシングにおいて、高い耐久性をもち、高性能なブッシングを提供することができる。
【００２４】
【発明の効果】
請求項１乃至請求項５の各発明によれば、何れも、従来のような、熟練したハンダ付け技術を必要とせずに製作できるので、製作工程の簡略化と作業時間の短縮化を図ることができ、耐久性に富み、安価で高性能なブッシングを提供することができる。
【００２５】
請求項１、請求項２の各発明によれば、何れも、従来に比べて、製作工程の簡略化と作業時間の短縮化を図ることができる。
【００２６】
請求項１の発明によれば、熱膨張や収縮によって生ずる絶縁物との歪みに対する、筒状シールド部（導電性皮膜）の耐久性を高めることができる。
【００２７】
請求項３乃至請求項５の各発明によれば、何れも、電界緩和部に延在部を設けることによって、絶縁物の表面側に生じ易い、電界緩和部からの絶縁物の剥離を阻止させることができると共に、筒状シールド部の縁部に生じる電界を緩和させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  実施の形態１を示す縦断側面図である。
【図２】  図１の矢視Ａ−Ａ方向からみた実施の形態２における半環状電界緩和部の配置状態を示す概念図である。
【図３】  実施の形態２における半環状電界緩和部と導電層と絶縁体との配置状態を拡大して示した概念図である。
【図４】  実施の形態３における半環状電界緩和部と導電層と絶縁体との配置状態を示す概念図である。
。
【図５】  実施の形態３における半環状電界緩和部と導電層と絶縁体との配置状態を拡大して示した概念図である。
【図６】  図５の一部拡大説明図である。
【図７】  従来のブッシングの縦断側面図である。
【図８】  従来のシールド電極の一部縦断側面図である。
【符号の説明】
１  内部導体、２  絶縁体、３０  シールド電極、４０  ネジ孔（アース端子）、３０１  筒状シールド部（導電層）、３０２  電界緩和部、３０２Ａ、３０２Ｂ  半環状電界緩和部、３１０  延在部（電界緩和部）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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