(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
高蒸気圧ハロゲン化物を作る金属成分であって、成膜を望む金属成分からなる被エッチング部材をチャンバ内に設置し、ハロゲンガスをプラズマ化して得るハロゲンラジカルで前記被エッチング部材をエッチングすることで金属成分のハロゲン化物である前駆体が生成されるとともに、基板となるウェーハの温度条件を制御することにより前記前駆体の金属成分のみを前記ウェーハ上に生成させる場合において、
前記ウェーハの上に前記前駆体の膜が形成される第一の工程、
前記第一の工程の後に前記ウェーハの温度を上げて金属微粒子が凝集して成長する第二の工程及び、
前記第二の工程の後に更に前記ウェーハの温度を上げて前記ウェーハの上の前記前駆体の膜が気化される第三の工程を
有することを特徴とするマイクロパンプの形成方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記ウェーハ表面には凹部を設け、この凹部で前記マイクロバンプの位置を規制してこの位置に前記マイクロバンプを形成することを特徴とするマイクロバンプの形成方法。
【請求項３】
請求項１において、
前記ウェーハ表面にはパターニングした金属部分を臨ませ、この金属部分で前記マイクロバンプの位置を規制してこの位置で前記金属部分に接触した状態の前記マイクロバンプを形成することを特徴とするマイクロバンプの形成方法。
【請求項４】
請求項３において、
前記パターニングは、前記ウェーハ表面に設けた凹部に前記金属成分を埋め込み成膜して行うことを特徴とするマイクロバンプの形成方法。
【請求項５】
前記前駆体はＣｕＣｌであり、前記金属成分はＣｕであることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載のマイクロバンプの形成方法。
【請求項６】
真空空間でウェーハを収納している筒状のチャンバと、
このチャンバ内にハロゲンを含有する作用ガスを供給する作用ガス供給手段と、
前記チャンバ内に供給した作用ガスをプラズマ化するプラズマ発生手段と、
高蒸気圧ハロゲン化物を生成し得る金属を含む材料で形成し、前記作用ガスをプラズマ化して得るハロゲンラジカルでエッチングされて前記金属とハロゲンとからなる前駆体を形成するよう前記チャンバの内部に配設してある被エッチング部材と、
前記ウェーハの上に前記前駆体の膜が形成される第一の工程、前記第一の工程の後に前記ウェーハの温度を上げて金属微粒子が凝集して成長する第二の工程及び、前記第二の工程の後に更に前記ウェーハの温度を上げて、前記ウェーハの上の前記前駆体の膜が気化される第三の工程の前記ウェーハの温度を制御する温度制御手段と
を有することを特徴とするマイクロバンプの形成装置。
【請求項７】
前記前駆体はＣｕＣｌであり、前記金属はＣｕであることを特徴とする請求項６に記載のマイクロバンプの形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はマイクロバンプの形成方法及びその装置並びに半導体装置に関し、特に半導体チップの実装等に適用して有用なものである。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の小型軽量化には、半導体チップの集積度の向上と実装技術が大きな役割を果たしている。従来、半導体チップの実装には、ワイヤボンディングによりリードフレームを接続し、このリードフレームを介してプリント基板と半田接続するといったことが一般に行われていたが、最近では電子機器の小型化の要求が大きくなってきたことを受けて、半導体チップをダイレクトにプリント基板に実装するフリップチップ実装方式が多用されるようになってきている。
【０００３】
このフリップチップ実装方式では、図７に示すように、半導体チップ本体１の裏面にバンプ２と呼ばれる多数の凸部を形成し、このバンプ２を介して半導体チップＩの回路とプリント基板３の配線とを接続するようになっている。すなわち、バンプ２は、半導体チップＩの回路に接触させた導電部材である例えば半田で形成され、半導体チップＩをプリント基板３の所定位置に載置した状態で前記プリント基板３側に押圧しつつバンプ２部分を過熱・溶融してバンプ２の先端部をプリント基板３の回路に接触させている。なお、バンプ２の材料としては、半田の他に金、銀、銅等も用いられている。特に、銅バンプは廉価且つ良導電体という性質を兼備する材料として用途が拡大している。
【０００４】
上記バンプ２を形成するバンプ形成プロセスは、ウェーハ処理での最終段階で最も重要なプロセスの一つである。ここで、バンプ形成の一例として半田バンプめっきプロセスについて説明する。図８（ａ）に示すように、シリコンのウェーハ４上にレジスト５の開口部であるレジストパターン５ａを形成しておく。レジストパターン５ａは、半導体チップＩ（図７参照）内の回路につながるパッド６と呼ばれる配線端末部上でレジスト５を開口することにより形成される。レジスト５の下部にはバリアメタル層７（バンプ金属の拡散を防止するための金属膜で、導電性を持たせてある。）が形成されており、ウェーハ４の端部からこのバリアメタル層７を通して通電することにより電気めっきを行う。ここで、レジストパターン５ａの部分だけがめっき液に触れているため、図８（ｂ）に示すように、レジストパターン５ａに倣ってバンプ２が形成される。バンプ２がめっきによって形成された後は、ウェーハ４は次のプロセスに移され、図８（ｃ）に示すように、レジスト５の剥離及びバリアメタル７のエッチング（バンプ２以外の不要な箇所のバリア層をエッチングで除去する。）が行われる。この後にウェーハ４をリフロー炉で加熱することによりバンプ２を一旦溶融して、図８（ｄ）に示すように、球状のバンプ２を作るとともにバンプ金属内のガス出しを行う。
【０００５】
なお、当該技術分野における公知技術としては次の特許文献を挙げることができる。
【０００６】
【特許文献１】特開平０７−２７３４３９号公報
【特許文献２】特開平０８−２３６２４０号公報
【特許文献３】特開平０９−２８３９２５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述の如く従来技術に係るバンプ２の形成方法は多くの工程を有する結果、非常に生産性が悪く、手間のかかるものとなっていた。さらに、最近の半導体チップＩのチップシュリンク、多ピッチ化に伴い隣接するバンプ２間の距離も１００μｍ以下の狭ピッチのものが要求されている。
【０００８】
本発明は、上記従来技術に鑑み、短時間で生産できローコスト化への対応に優れるとともに、パッケージサイズの小型化に伴うバンプ間の狭ピッチ化も実現し得るマイクロバンプの形成方法及びその装置並びに半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成する本発明の各態様は、次の知見を基礎とするものである。すなわち、本発明者等は、高蒸気圧ハロゲン化物を作る金属成分であって、成膜を望む金属成分からなる被エッチング部材をチャンバ内に設置し、ハロゲンガスをプラズマ化して得るハロゲンラジカルで前記被エッチング部材をエッチングすることで金属成分のハロゲン化物である前駆体を生成させるとともに、基板となるウェーハの温度条件を適切に制御することにより前記前駆体の金属成分のみをウェーハ上に成膜する新方式のプラズマＣＶＤ装置及び成膜方法を開発した（例えば、特開２００３−１４７５３４号公報参照。）。
【００１０】
上記新方式のプラズマＣＶＤ装置では、成膜される金属源となる被エッチング部材の温度に対してウェーハの温度が低くなるように制御してウェーハに当該金属膜を成膜している。例えば、被エッチング部材の金属をＣｕ、ハロゲンガスをＣｌ２とした場合、被エッチング部材を高温（例えば３００℃〜７００℃）に、またウェーハを低温（例えば２００℃程度）に制御することにより、前記ウェーハ上にＣｕ薄膜を形成することができる。これは、次のような反応によるものと考えられる。
【００１１】
（１）プラズマの解離反応；Ｃｌ２→２Ｃｌ＊
（２）エッチング反応；Ｃｕ＋Ｃｌ＊→ＣｕＣｌ（ｇ）
（３）基板への吸着反応；ＣｕＣｌ（ｇ）→ＣｕＣｌ（ａｄ）
（４）成膜反応；ＣｕＣｌ（ａｄ）＋Ｃｌ＊  →Ｃｕ＋Ｃｌ２↑  ・・・（１）
ここで、Ｃｌ＊はＣｌのラジカルであることを、（ｇ）はガス状態であることを、（ａｄ）は吸着状態であることをそれぞれ表している。
【００１２】
上記新方式のプラズマＣＶＤ装置の被エッチング部材をＣｕで形成し、種々の条件でウェーハ上にＣｕ薄膜を形成する実験を行っている際に興味のある現象を発見した。すなわち、ウェーハの温度を、このウェーハ上にＣｕ薄膜が形成される前の相対的な低温域からＣｕ薄膜が形成される相対的な高温域に変化させながら上記新方式のプラズマＣＶＤ装置で成膜工程を実施すると、ウェーハ上に多数の微細な銅のバンプ（マイクロバンプ）が形成された。このマイクロバンプは隣接するもの同士の間隔が１μｍ程度と、従来のものに較べ１／１００以下の狭ピッチのものが得られた。このことは、バンプ２間のピッチを１００μｍ程度以下、特に２０μｍ程度として更なる小型化を目標とする次世代の半導体チップＩのバンプ２としても十分適用しうることを示唆している。また、その形成工程もウェーハの温度を制御するだけで成膜工程と同様の一工程で実現でき、図８に示す従来のバンプ形成方法に較べ飛躍的な工程の合理化を実現し得る。
【００１３】
上記新方式のプラズマＣＶＤ装置を用いたバンプ形成は、図１に示すように次のような現象によるものと考えられる。
１）  低温域ではウェーハ１３上にＣｕＣｌ膜が形成される（図１（ａ）参照）。
２）  ウェーハ１３の温度の上昇に伴いＣｕＣｌ膜上にＣｕの微粒子、すなわちマイクロバンプ２９の種が形成され、これが徐々に凝集して成長する（図１（ｂ）参照）。
３）  さらにウェーハ１３の温度が上昇するとＣｕＣｌ膜が気化してなくなる結果、凝集して成長した前記微粒子がマイクロバンプ２９としてウェーハ１３上に形成される（図１（ｃ）参照）。
【００１４】
図２は上記現象を時間軸に対するウェーハ温度Ｔの関係として示す特性図である。同図に示すように、相対的な低温部分にＣｕＣｌが形成される領域が存在し、この領域の高温部分に低温部分が一部重なる相対的な高温領域にＣｕが形成される領域が存在し、さらにその高温領域に、生成されたＣｕをエッチングするエッチング領域が存在していると考えられる。したがって、ＣｕＣｌが形成される領域からＣｕが形成される領域に向けて一定の速度でウェーハ１３の温度を上昇させ、エッチング領域に至る前のＣｕが形成される領域内で温度上昇を停止させれば（この停止点を図２中に×印で示す。）所望の粒径のマイクロバンプ２９を形成し得る。ちなみに、短時間でＣｕが形成される領域に至る急傾斜の特性の場合が小径のマイクロバンプ２９となり、緩傾斜の特性の場合が大径のマイクロバンプ２９となる。
【００１５】
かかる知見を基礎とする本発明の第１の態様は、
高蒸気圧ハロゲン化物を作る金属成分であって、成膜を望む金属成分からなる被エッチング部材をチャンバ内に設置し、ハロゲンガスをプラズマ化して得るハロゲンラジカルで前記被エッチング部材をエッチングすることで金属成分のハロゲン化物である前駆体が生成されるとともに、基板となるウェーハの温度条件を制御することにより前記前駆体の金属成分のみを前記ウェーハ上に生成させる場合において、
前記ウェーハの上に前記前駆体の膜が形成される第一の工程、前記第一の工程の後に前記ウェーハの温度を上げて金属微粒子が凝集して成長する第二の工程及び、前記第二の工程の後に更に前記ウェーハの温度を上げて前記ウェーハの上の前記前駆体の膜が気化される第三の工程を有することを特徴とするマイクロパンプの形成方法にある
【００１６】
本態様によれば、ウェーハの温度を所定の低温域から高温域へ漸増するように制御するだけで、成膜工程と同様の一工程で所望のマイクロバンプをウェーハ上に形成することができる。この結果、マイクロバンプの形成が飛躍的に容易になり、コスト面での多大なメリットを享受し得る。
【００１７】
また、形成されたマイクロバンプ同士の間隔は、１μｍ程度の狭ピッチとすることができる。この結果、半導体チップの飛躍的な小型化に貢献しうるばかりでなく、マイクロバンプを触媒金属で形成した場合には、このときの触媒金属が大きな表面積を有するものとなるので、触媒としての良好な機能も確保し得る。
【００１８】
本発明の第２の態様は、
上記第１の態様において、
前記ウェーハ表面には多数の凹部を設け、この凹部で前記マイクロバンプの位置を規制してこの位置に前記マイクロバンプを形成することを特徴とするマイクロバンプの形成方法にある。
【００１９】
本態様によれば、マイクロバンプの位置を規定して所定の配列とすることができる。
【００２０】
本発明の第３の態様は、
上記第１の態様において、
前記ウェーハ表面にはパターニングした多数の金属部分を臨ませ、この金属部分で前記マイクロバンプの位置を規制してこの位置で前記金属部分に接触した状態の前記マイクロバンプを形成することを特徴とするマイクロバンプの形成方法にある。
【００２１】
前記前駆体の上面に形成される金属成分の粒子は金属部分に引き寄せられて凝集する性質がある。そこで、本形態によれば、マイクロバンプの位置を規定して所定の配列とし、しかも前記金属部分を介して例えば半導体チップや基板の回路部に接続することができる。
【００２２】
本発明の第４の態様は、
上記第３の態様において、
前記パターニングは、前記ウェーハ表面に多数設けた凹部に前記金属成分を埋め込み成膜して行うことを特徴とするマイクロバンプの形成方法にある。
【００２３】
本発明の第４の態様は、上記第３の態様において、前記パターニングは、前記ウェーハ表面に多数設けた凹部に前記金属成分を埋め込み成膜して行うことを特徴とするマイクロバンプの形成方法にある。
本発明の第５の態様は、上記第１の態様乃至第４の態様のいずれかの態様において、前記前駆体はＣｕＣｌであり、前記金属成分はＣｕであることを特徴とする第１の態様乃至第４の態様のいずれかの態様のマイクロバンプの形成方法にある。
【００２４】
本発明の第６の態様は、
真空空間でウェーハを収納している筒状のチャンバと、このチャンバ内にハロゲンを含有する作用ガスを供給する作用ガス供給手段と、前記チャンバ内に供給した作用ガスをプラズマ化するプラズマ発生手段と、高蒸気圧ハロゲン化物を生成し得る金属を含む材料で形成し、前記作用ガスをプラズマ化して得るハロゲンラジカルでエッチングされて前記金属とハロゲンとからなる前駆体を形成するよう前記チャンバの内部に配設してある被エッチング部材と、前記ウェーハの上に前記前駆体の膜が形成される第一の工程、前記第一の工程の後に前記ウェーハの温度を上げて金属微粒子が凝集して成長する第二の工程及び、前記第二の工程の後に更に前記ウェーハの温度を上げて、前記ウェーハの上の前記前駆体の膜が気化される第三の工程の前記ウェーハの温度を制御する温度制御手段とを有することを特徴とするマイクロバンプの形成装置にある。
【００２５】
本態様によれば、ウェーハの温度を所定の低温域から高温域へ漸増するように温度制御手段を介して制御するだけで、成膜工程と同様の一工程で所望のマイクロバンプをウェーハ上に形成することができる。この結果、マイクロバンプの形成が飛躍的に容易になり、コスト面での多大なメリットを享受し得る。
【００２６】
また、形成されたマイクロバンプ同士の間隔は、１μｍ程度の狭ピッチとすることができる。この結果、半導体チップの飛躍的な小型化に貢献しうるばかりでなく、マイクロバンプを触媒金属で形成した場合には、このときの触媒金属が大きな表面積を有するものとなるので、触媒としての良好な機能も確保し得る。
【００２７】
本発明の第７の態様は、
前記前駆体はＣｕＣｌであり、前記金属はＣｕであることを特徴とする第６の態様のマイクロバンプの形成装置にある。
【発明の効果】
【００３１】
本発明によれば、ウェーハの温度を所定の低温域から高温域へ漸増するように制御するだけで、成膜工程と同様の一工程で所望のマイクロバンプをウェーハ上に形成することができるので、その形成が飛躍的に容易になり、コスト面での多大なメリットを享受し得るものとなる。また、形成されたマイクロバンプ同士の間隔は、１μｍ程度の狭ピッチとすることができるので、半導体チップの飛躍的な小型化も実現し得る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
＜実施の形態＞
以下本発明の実施の形態を図面に基づき詳細に説明する。なお、以下の実施の形態は例示であり、本発明は当該実施の形態に限定するものではない。
【００３３】
図１は本発明の実施の形態にかかるマイクロバンプの形成装置を示す概略側面図である。同図に示すように、円筒状に形成された、例えばセラミックス製のチャンバ１１の底部近傍には支持台１２が設けられ、支持台１２にはウェーハ１３が載置されている。支持台１２にはヒータ１４及び冷媒流通手段１５を備えた温度制御手段１６が設けられており、支持台１２を介してウェーハ１３の温度が所定の低温域から漸増しつつ昇温するように制御する。
【００３４】
チャンバ１１の上面は開口部とされ、開口部は絶縁材料であるセラミックス製の平板状の天井板１７によって塞がれている。天井板１７の上方にはチャンバ１１の内部に供給されたガスをプラズマ化するためのプラズマアンテナ１８が設けられ、このプラズマアンテナ１８は天井板１７の面と平行な平面リング状に形成されている。プラズマアンテナ１８には整合器１９及び高周波電源２０が接続されており、プラズマアンテナ１８を介して高周波の電磁波をチャンバ１１内に導入するように構成してある。すなわち、これら、プラズマアンテナ１８、整合器１９及び高周波電源２０によりプラズマ発生手段を構成している。
【００３５】
被エッチング部材２１は、高蒸気圧ハロゲン化物を形成し得る金属（本例では銅）で形成して、プラズマアンテナ１８の下方のチャンバ１内に配設してある。この被エッチング部材２１は、ハロゲンプラズマによるエッチングス作用により当該装置で作製する金属薄膜（本例では銅）の前駆体を形成するためのものである。ここで、ハロゲンプラズマは、チャンバ１１内に供給するハロゲン（本例では塩素）を含有する作用ガスを前記プラズマアンテナ１８が供給する高周波の電磁エネルギーを利用してプラズマ化することにより得る。
【００３６】
また、被エッチング部材２１は、棒状の突起部２２とリング部２３とからなり、各突起部２２はその先端部が隣接する突起部２２の先端部と接触することなくチャンバ１の中心に向かって延びるように、その各基端部をリング部２３に固着してある。これにより、各突起部２２は電気的に独立した構造となっており、プラズマアンテナ１８で形成し、チャンバ１１内に導入される電磁界を遮蔽することがないように工夫してある。
【００３７】
チャンバ１１の筒部の周囲にはチャンバ１１の内部にハロゲンとしての塩素を含有する作用ガス（Ｈｅで塩素濃度が≦５０％、好ましくは１０％程度に希釈された作用ガス）３１を供給する作用ガス供給手段としてのノズル２４が周方向に等間隔で複数（例えば８箇所：図には２箇所を示してある）接続されている。ノズル２４には作用ガス３１の流量及び圧力を制御する流量制御器２５を介して作用ガス３１が送られる。
【００３８】
成膜に関与しないガス等は排気口２８から排気され、天井板１７によって塞がれたチャンバ１１の内部は真空ポンプ（図示せず。）によって所定の真空圧に維持される。
【００３９】
かかるマイクロバンプの形成装置を用いたマイクロバンプの形成方法を図４に基づき説明する。図４（ａ）に示すように、ウェーハ１３の表面には規則的位置関係を有する凹部１３ａが形成してある。
【００４０】
かかるウェーハ１３をチャンバ１１内の支持台１２上に載置した状態で前記凹部１３ａにＣｕの埋め込み成膜を行う。すなわち、例えば特開２００３−２６４１５８号公報に開示する通り、被エッチング部材２１とウェーハ１３との温度及び温度差を所定通りに制御しつつ、作用ガスであるＣｌ２ガスのプラズマ３３により被エッチング部材２１をエッチングすることによりＣｕ成分とＣｌ２ガスとの前駆体３４であるＣｕＣｌを形成する。そして、前記前駆体３４がウェーハ１３に吸着され、その後Ｃｕ成分を析出させることによりＣｕの薄膜を形成する成膜反応と、この成膜反応により形成されたＣｕ膜をＣｌ２ガスのプラズマでエッチングするエッチング反応とを共存させるとともに、前記成膜反応の速度が前記エッチング反応の速度よりも大きくなるように制御することにより凹部１３ａにその底部から順にＣｕ膜を積層してこの凹部１３ａにＣｕを埋め込む。この結果、図４（ｂ）に示すように、Ｃｕの埋め込み部２６が形成される。この埋め込み部２６は、例えば半導体チップ内の回路につなげる等、電気的な接続部として機能させることができる。
【００４１】
かかる状態で温度制御手段１６によりウェーハ１３の温度を、このウェーハ１３上に前記前駆体の薄膜が形成される低温域から前記金属成分のみが前記ウェーハ１３上に生成される高温域まで漸増させる。この結果、初期の低温域においては、図４（ｃ）に示すように、ウェーハ１３上にＣｕＣｌ膜２７が形成される。
【００４２】
次に、ウェーハ１３の温度の上昇に伴い、図４（ｄ）に示すように、ＣｕＣｌ膜２７上にＣｕの微粒子、すなわちマイクロバンプ２９の種が形成され、これが徐々に凝集して成長する。
【００４３】
さらにウェーハ１３の温度が上昇するとＣｕＣｌ膜２７が気化してなくなる。この結果、図４（ｅ）に示すように、凝集して成長した前記微粒子がマイクロバンプ２９としてウェーハ１３上に形成される。凝集する際には、埋め込み部２６のＣｕにＣｕの微粒子が引き寄せられる結果、マイクロバンプ２９の種は、埋め込み部２６に対応する所定位置で成長する。
【００４４】
図５は、本形態に係る上記マイクロバンプの形成装置で形成したマイクロバンプ２９を示す顕微鏡写真である。同図を参照すれば多数のマイクロバンプ２９が規則的にウェーハ１３上に形成されていることが分かる。このときの隣接するマイクロバンプ２９間の間隔は１μｍである。
【００４５】
＜他の実施の形態＞
上記実施の形態では、ウェーハ１３上における金属部分のパターニングを、当該マイクロバンプの形成装置の成膜装置としての埋め込み機能を利用して行ったが、これに限るものではない。従来公知のパターニング方法であれば制限なく利用することができる。
【００４６】
また、電気的な接続を確保するための用途では、マイクロバンプ２９を所定の位置に規則的に形成する必要があるが、かかる用途以外の用途では、規則的な位置にマイクロバンプ２９が形成されている必要はない。マイクロバンプ２９を触媒金属で形成して、触媒として機能させる場合には、ウェーハ１３上に間隔を介して多数のマイクロバンプ２９が形成されていれば良い。
【００４７】
＜応用例＞
本発明に係るマイクロバンプの形成方法によれば、例えばＣｕである金属でできた多数のマイクロバンプ２９を容易且つ狭ピッチで形成することができるので、半導体チップＩ（図７参照）をプリント基板３（図７参照）にフリップチップ実装する際のバンプ２として応用することができる。この場合には、バンプ２を容易且つ経済的に形成できるという効果と相俟って半導体装置を安価に製造することができる。さらに、このときのバンプ２間の間隔は１μｍ程度であるので、前記半導体装置の飛躍的な小型化を図ることも可能になる。なお、このときのバンプ２はプリント基板３側に形成しても良い。
【００４８】
本発明に係るマイクロバンプ２９は、半導体装置同士の接続にも適用でき、種々の優れた効果を発揮する。例えば、図６に示すように、マイクロバンプ２９で半導体チップ同士を接続したＳｉＳ（シリコン・イン・シリコン）アーキテクチャーを容易に形成することができる。同図において、５０がＳｉＩＰ（シリコン・インターポーザ）、５１がＡＳＩＣ、５２がＳｉＳ−ＤＲＡＭである。他にもＳｏＣ（Ｓｙｓｔｅｍ  ｏｎ  Ｃｈｉｐ）乃至ＳｉＰ（Ｓｙｓｔｅｍ  ｉｎ  Ｐａｃｋａｇｅ）等における接続部に適用でき、これらの素子の小型化に寄与し得る。
【産業上の利用可能性】
【００４９】
本発明は半導体装置の小型化を図る産業分野で利用して好適なものとなる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明に係るマイクロバンプの形成過程を説明するための説明図である。
【図２】図１に示す現象を時間軸に対するウェーハ温度の関係として示す特性図である。
【図３】本発明の実施の形態に係るマイクロバンプ形成装置を示す概略側面図である。
【図４】図３の示す装置においてマイクロバンプが形成される様子を示す説明図である。
【図５】図３の示す装置において形成されたマイクロバンプを示す顕微鏡写真である。
【図６】本発明に係るマイクロバンプで半導体チップ同士を接続した場合の例であるＳｉＳ（シリコン・イン・シリコン）アーキテクチャーを示す説明図である。
【図７】従来技術に係るフリップチップ方式による半導体チップの実装態様を示す説明図である。
【図８】従来技術に係るフリップチップ方式の各工程を説明するための説明図である。
【符号の説明】
【００５１】
Ｉ      半導体チップ
２      バンプ
１１        チャンバ
１２        支持台
１３        ウェーハ
１３ａ      凹部
１６        温度制御手段
１８        プラズマアンテナ
２１        被エッチング部材
２６        埋め込み部
２７        ＣｕＣｌ膜
２９        マイクロバンプ
３１        作用ガス
３３        プラズマ
３４        前駆体
５０        ＳｉＩＰ
５１        ＡＳＩＣ
５２        ＳｉＳ−ＤＲＡＭ
【図１】
0004565470.tif 000002
【図２】
0004565470.tif 000003
【図３】
0004565470.tif 000004
【図４】
0004565470.tif 000005
【図５】
0004565470.tif 000006
【図６】
0004565470.tif 000007
【図７】
0004565470.tif 000008
【図８】
0004565470.tif 000009