(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電源電圧に基づいて基準電圧を発生させる基準電圧発生回路と、前記基準電圧を増幅することで定電圧を発生させる定電圧発生回路と、前記基準電圧と前記定電圧とを比較することで、前記電源の投入または切断に基づく前記定電圧のレベル変化に応じてリセット信号を出力するリセット回路とを備えて構成される回路装置において、
前記定電圧発生回路及び前記リセット回路に対して、不揮発性のメモリに記憶されている調整データを共通に出力するように構成される調整データ出力部を備え、
前記調整データ出力部のメモリに記憶される調整データは、前記基準電圧発生回路が発生する基準電圧レベルに対応した値が設定されており、
前記定電圧発生回路は、前記調整データに基づいた増幅率が設定されるように構成され、
前記リセット回路は、前記調整データに基づいたリセットオン出力しきい値が設定されるように構成されていることを特徴とする回路装置。
【請求項２】
前記リセット回路は、前記調整データ出力部より出力される調整データによってリセットオフ出力しきい値も同時に設定されるように構成されていることを特徴とする請求項１記載の回路装置。
【請求項３】
電源電圧に基づいて基準電圧を発生させる基準電圧発生回路と、前記基準電圧を増幅することで定電圧を発生させる定電圧発生回路と、前記基準電圧と前記定電圧とを比較することで、前記電源の投入または切断に基づく前記定電圧のレベル変化に応じてリセット信号を出力するリセット回路と、前記定電圧発生回路及び前記リセット回路に対して不揮発性のメモリに記憶されている調整データを共通に出力するように構成される調整データ出力部とを備え、
前記定電圧発生回路は、前記調整データに基づいた増幅率が設定されるように構成されていると共に、前記リセット回路は、前記調整データに基づいたリセットオン出力しきい値が設定されるように構成されている回路装置に対して前記調整データを設定するための設定方法であって、
前記基準電圧発生回路が発生する基準電圧のレベルを測定し、
前記基準電圧が標準レベルよりも低い程前記増幅率が高くなると共に前記リセットオン出力しきい値が低くなるように調整データを設定し、前記基準電圧が標準レベルよりも高い程前記増幅率が低くなると共に前記リセットオン出力しきい値が高くなるように調整データを設定することを特徴とする回路装置の調整データ設定方法。
【請求項４】
前記リセット回路は、前記調整データ出力部によって出力される調整データによってリセットオフ出力しきい値も同時に設定可能であり、前記調整データに基づいて、前記基準電圧が標準レベルよりも低い程前記リセットオフ出力しきい値が低くなり、前記基準電圧が標準レベルよりも高い程前記リセットオフ出力しきい値が高くなることを特徴とする請求項３記載の回路装置の調整データ設定方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電源電圧に基づいて基準電圧を発生させる基準電圧発生回路と、前記基準電圧を増幅することで定電圧を発生させる定電圧発生回路と、電源の投入または切断に基づく前記定電圧のレベル変化に応じてリセット信号を出力するリセット回路とを備えて構成される回路装置、及びその回路装置について、定電圧のレベルとリセットオン出力しきい値を調整するための調整データを設定する設定方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、ＬＳＩの一部として構成され、例えば当該ＬＳＩの動作用電源を供給する定電圧発生回路は、基準電圧発生回路が出力する基準電圧を適当な増幅率で増幅して一定の電圧Ｖccを発生させるように構成されている。しかし、ＬＳＩには製造ばらつきがあることから、基準電圧自体が必ずしも一定ではない。そのため、ＬＳＩの製造後において、定電圧発生回路が発生させる電圧Ｖccが所定の電圧となるように調整を行うトリミング作業が必要となる。
【０００３】
図３乃至図５は、斯様な回路装置の一構成例を示すものである。回路装置１は、ＬＳＩとして形成されている半導体センサ２（例えば、Ｇセンサ）の一部である。基準電圧発生回路３は、例えばバンドギャップレギュレータとして構成されており、２Ｖ以上の電源電圧が外部より供給されると標準で１．２５Ｖの基準電圧ＶBGR を発生させるようになっている。その基準電圧ＶBGR は、定電圧発生回路４及びパワーオンリセット回路５に供給されている。
【０００４】
図４に、基準電圧発生回路３の詳細な構成を示す。基準電圧発生回路３は、ダイオード接続された２つのトランジスタ６，７（ダイオードのシンボルで示す）とオペアンプ８とを中心として構成されている。オペアンプ８の出力端子とグランドとの間には、抵抗９及びトランジスタ６の直列回路並びに抵抗１０，１１及びトランジスタ７の直列回路が接続されている。そして、抵抗９及びトランジスタ６の共通接続点はオペアンプ８の非反転入力端子に接続されており、抵抗１０及び１１の共通接続点はオペアンプ８の反転入力端子に接続されている。尚、抵抗１１，トランジスタ７は、温度特性やトランジスタの特性調整を行うため、即ちトリミング用に複数個が夫々直列，並列に接続されている場合もある。
【０００５】
リセット回路５は、基準電圧ＶBGR と定電圧発生回路４が発生させる定電圧Ｖccとを比較して、半導体センサ２に対する電源の投入または切断に基づいて定電圧Ｖccが所定のレベルに変化した場合にリセットオン，オフを行うためのリセット信号（パワーオンリセット電圧ＶPOR ）を出力する回路である。リセット信号は、半導体センサ２においてＡ／Ｄ変換されたセンサ信号の処理を行う論理回路など（図示せず）をリセットするために供給される。
【０００６】
定電圧発生回路４は、図５に示すように非反転増幅器として構成されており、デコーダ１２，セレクタ１３，直列抵抗回路１４，オペアンプ１５などを備えている。直列抵抗回路１４は、オペアンプ１５の出力端子とグランドとの間に９個の抵抗１４ａ〜１４ｉが直列接続されており、両端以外の各接続点は、スイッチアレイとして構成されるセレクタ１３を介してオペアンプ１５の反転入力端子に接続されている。オペアンプ１５の非反転入力端子には、基準電圧発生回路３が発生する基準電圧ＶBGR が与えられている。デコーダ１２は、後述するＥＰＲＯＭ１６より与えられる３ビットの調整データをデコードしてセレクタ１３に出力するものであり、セレクタ１３は、そのデコード信号に応じて８個のスイッチ１３ａ〜１３ｈの何れか１つを選択的に閉じるようになっている。
【０００７】
定電圧発生回路４は、基準電圧ＶBGR が標準値の１．２５Ｖであればその電圧を４倍程度に増幅して５Ｖ程度の定電圧Ｖccを発生させる。その電圧増幅率は、セレクタ１３のスイッチを切り替えて帰還抵抗の抵抗値を可変することで調整可能となっている。
【０００８】
ＥＰＲＯＭ１６は、３ビット分ののＥＰＲＯＭメモリセルで構成されており、センスアンプの出力はパラレルデータバスを介して定電圧発生回路４のデコーダ１２に直結されている。そして、メモリセルに書き込まれたデータはＥＰＲＯＭ１６に電源が投入されている間は定電圧発生回路４に出力され続けるようになっている。
【０００９】
以上の構成において定電圧Ｖccのトリミングを行う場合は、作業者が、基準電圧ＶBGR の値を電圧計などを用いて測定し、その電圧に応じた増幅率を定電圧発生回路４に設定するため、調整データをＥＰＲＯＭ１６に書き込む。そして、半導体センサ２を動作させるために外部より電源が供給されればＥＰＲＰＯＭ１６に書き込まれた調整データは定電圧発生回路４に出力されるので、定電圧発生回路４はその調整データに応じた増幅率で定電圧Ｖccを発生させる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、従来は、斯様な構成の半導体センサ２やマイクロコンピュータなどでは、一般にリセット回路５においてリセットオンの出力しきい値をトリミングすることはなかった。しかしながら、例えば半導体センサ２の仕様などによっては、５Ｖの定電圧Ｖccに対して常に４．５Ｖでリセットがかかるようにしたいという要請がある場合も想定される（例えば、半導体センサとしての動作特性を保証するためなど）。
【００１１】
その場合、上述した定電圧発生回路４と同様の構成を採用してリセット回路５についてもリセットしきい値を調整するためのトリミングを行うことを想定すると、その調整データのビット数だけＥＰＲＯＭを追加する必要があり、回路面積を余分に必要とすることになる。また、トリミング工程も別途必要になることから作業工数が増加するという問題が予想される。
【００１２】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、リセット回路についてもリセットしきい値を調整する場合に、そのための回路面積を余分に必要とすることなく、トリミングも別途必要としない回路装置、及びその回路装置に定電圧のレベルとリセットオン出力しきい値を調整するための調整データを設定する設定方法を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
請求項１記載の回路装置によれば、定電圧発生回路及びリセット回路に対して、調整データ出力部より不揮発性のメモリに記憶されている調整データが共通に出力され、定電圧発生回路とリセット回路とは、何れもその調整データに基づいて増幅率，リセットオン出力しきい値が調整可能に構成されている。
【００１４】
即ち、基準電圧が標準レベルよりも高い場合に定電圧を出力させるには、定電圧発生回路の増幅率を標準よりも小さくする必要がある。また、リセット回路は、前記定電圧を基準電圧と比較することでリセット信号を出力する構成であるから、基準電圧が標準レベルよりも高い場合に定電圧の同じ変化レベルでリセットがかかるようにするためには、出力しきい値を高くする必要がある。また、基準電圧が標準レベルよりも低い場合には、大小関係について上記と逆のことが言える。
【００１５】
従って、例えば、調整データ出力部のメモリに記憶される調整データを、基準電圧発生回路が発生する基準電圧が標準レベルよりも低い程データ値が小さくなり、前記基準電圧が標準レベルよりも高い程データ値が大きくなるように設定すると共に、定電圧発生回路を調整データが大きくなる程増幅率が高くなるように構成し、リセット回路を調整データの大きくなる程リセットオン出力しきい値が低くなるように構成する。勿論、上記調整データのデータ値の大小と、増幅率，リセットオン出力しきい値の高低との関係は逆であっても良い。
【００１６】
斯様に構成すれば、製造プロセスのばらつきなどにより基準電圧が変動する場合でも、調整データ出力部より出力される共通の調整データによって、定電圧発生回路より発生される定電圧とリセット回路より出力されるリセット信号のしきい値とが夫々適切となるように同時に調整することが可能となる。そして、リセット回路についても調整が必要である場合に調整データ出力部を余分に必要とすることがないので、回路装置を小形かつローコストで構成することができる。また、トリミング作業の工程を別途追加する必要もないことから、調整を簡単に行うことができる。
【００１７】
請求項２記載の回路装置によれば、リセット回路を、調整データ出力部より出力される調整データによってリセットオフ出力しきい値も同時に設定可能とするので、例えば、調整データに基づき、前記基準電圧が標準レベルよりも低い程リセットオフ出力しきい値が低くなり、基準電圧が標準レベルよりも高い程リセットオフ出力しきい値が高くなるように構成すれば、リセットを解除する電圧レベルについても調整する必要がある場合にも対応することができる。
【００１８】
請求項３記載の回路装置の調整データ設定方法によれば、基準電圧発生回路と、定電圧発生回路と、これらに調整データを共通に出力するように構成される調整データ出力部とを備え、定電圧発生回路は調整データに基づいた電圧増幅率が設定されるように構成され、リセット回路は調整データに基づいたリセットオン出力しきい値が設定されるように構成されている回路装置について前記調整データを設定する場合に、基準電圧発生回路が発生する基準電圧のレベルを測定し、前記基準電圧が標準レベルよりも高い程前記増幅率が低くなると共に前記リセットオン出力しきい値が高くなるようにデータ値を設定する。
【００１９】
この場合、例えば、調整データを、前記基準電圧が標準レベルよりも低い程データ値が小さくなり、基準電圧が標準レベルよりも高い程データ値が大きくなるようにデータ値を設定して、定電圧発生回路とリセット回路とを、そのデータ値の大小関係に応じて増幅率，リセットオン出力しきい値が夫々上記のように調整される構成にすれば良い。勿論、上記調整データのデータ値の大小と、増幅率，リセットオン出力しきい値の高低との関係は逆であっても良い。
【００２０】
斯様に調整データを設定することで、製造プロセスのばらつきなどによって基準電圧が変動する場合でも、調整データ出力部より出力される共通の調整データによって、定電圧発生回路より発生される基準電圧とリセット回路より出力されるリセット信号とを適切に調整することが可能となり、リセット回路についても調整が必要である場合でも調整データ出力部を余分に必要とすることなく、また、トリミング作業の工程を追加する必要もないことから、調整を簡単に行うことができる。
【００２１】
請求項４記載の回路装置の調整データ設定方法によれば、リセット回路は、調整データ出力部より出力される調整データによってリセットオフ出力しきい値も同時に設定可能であり、調整データに基づいて、前記基準電圧が標準レベルよりも低い程リセットオフ出力しきい値が低くなり、基準電圧が標準レベルよりも高い程前記リセットオフ出力しきい値が高くなるので、リセットを解除する電圧レベルについても調整する必要がある場合にも対応することができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を半導体センサの一部として構成される回路装置に適用した場合の一実施例について図１及び図２を参照して説明する。尚、図３乃至図５と同一部分には同一符号を付して説明を省略し、以下異なる部分についてのみ説明する。図１において、半導体センサ２１の一部として構成される回路装置２２は、図３に示すパワーオンリセット回路５をパワーオンリセット回路２３に置き換えたものである。そして、リセット回路２３には、ＥＰＲＯＭ１６に代わるＥＰＲＯＭ（調整データ出力部）２４より出力される調整データが、定電圧発生回路４と共通に与えられるようになっている。
【００２３】
図２は、リセット回路２３の詳細な電気的構成を示すものである。リセット回路２３は、コンパレータ２４，直列抵抗回路２５，２組のセレクタ２６Ａ，２６Ｂ及びデコーダ２７などで構成されている。デコーダ２７は、定電圧発生回路４が備えているデコーダ１２と同様に、３ビットの調整データをデコードしたデコード信号をセレクタ２６Ａ，２６Ｂに出力するようになっている。
【００２４】
直列抵抗回路２５は、定電圧Ｖccとグランドとの間に１２個の抵抗２５ａ〜２５ｌを直列接続して構成されている。セレクタ２６Ａ，２６Ｂは、夫々８個のスイッチを備えており、セレクタ２６Ａ，２６Ｂは夫々リセットオフ，オンのしきい値設定用である。セレクタ２６Ａの８個のスイッチ２６Ａａ〜２６Ａｈの一端は、直列抵抗回路２５の抵抗２５ａ〜２５ｉ間における８つの共通接続点に夫々接続されており、セレクタ２６Ｂの８個のスイッチ２６Ｂｄ〜２６Ｂｋの一端は、抵抗２５ｄ〜２５ｌ間における８つの共通接続点に夫々接続されている。
【００２５】
そして、セレクタ２６Ａのスイッチ２６Ａａ〜２６Ａｈの共通に接続されている他端側は、スイッチ２８Ａを介してコンパレータ２４の非反転入力端子に接続されており、セレクタ２６Ｂのスイッチ２６Ｂｄ〜２６Ｂｋの他端側は、スイッチ２８Ｂを介して前記非反転入力端子に接続されている。また、コンパレータ２４の反転入力端子には基準電圧ＶBGR が与えられている。
【００２６】
デコーダ２７は８本のデコード信号をセレクタ２６Ａ，２６Ｂに出力しているが、それらの信号はスイッチ２６Ａａ及び２６Ｂｄ〜スイッチ〜２６Ａｈ及び２６Ｂｋに夫々与えられている。即ち、リセットオフ側のしきい値は、直列抵抗回路２５が有している１２個の共通接続点の内、定電圧Ｖcc側の８個を選択することで決定され、リセットオン側のしきい値は、前記１２個の共通接続点の内、グランド側の８個を選択することで決定されるようになっている。
【００２７】
また、コンパレータ２４の非反転入力端子に接続されている２つのスイッチ２８Ａ，２８Ｂのオンオフは、シュミットトリガバッファ２９が定電圧Ｖccを受けて出力する信号によって切り替えられる。即ち、スイッチ２８Ａにはバッファ２９の出力信号が直接与えられており、スイッチ２８Ｂには前記出力信号がインバータゲート３０で反転されたものが与えられている。従って、定電圧Ｖccの立ち上がり時にはスイッチ２８Ａがオフ→オンに切り替わり、立ち下がり時にはスイッチ２８Ｂがオフ→オンに切り替わる。
【００２８】
以上の構成において、基準電圧発生回路３が出力する基準電圧ＶBGR が標準値の１．２５Ｖである場合には、３ビットの調整データ（０〜７）のデータ値を例えば“３”に設定する。そして、定電圧発生回路４は、データ値“３”が与えられると、デコーダ１２より出力されるデコード信号に応じて電圧増幅率を“４”に設定し、定電圧Ｖccを約５Ｖで出力するようになっている。
【００２９】
一例として、直列抵抗回路１４の抵抗１４ａの抵抗値が１０．２５ｋΩ，１４ｉの抵抗値が３ｋΩ，１４ｂ〜１４ｈの抵抗値が各０．２５ｋΩであるとする。
そして、データ値“３”に対応して出力されるデコード信号によりセレクタ１３のスイッチ１３ｅが閉じて抵抗１４ｅ及び１４ｆの共通接続点がオペアンプ１５の反転入力端子に接続されると、非反転増幅器の増幅率は（１＋１１．２５／３．７５＝４）となる。
【００３０】
また、リセット回路２３は、データ値“３”が与えられると、デコーダ２７より出力されるデコード信号に応じて、リセットオンを出力する（ＶPOR をロウレベルにする）しきい値電圧を例えば４．５Ｖに設定し、リセットオフを出力する（ＶPOR をハイレベルにする）例えばしきい値電圧を４．７５Ｖに設定するようになっている。即ち、デコード信号によってセレクタ２６Ａ，２６Ｂのスイッチ２６Ａｅ及び２６Ｂｈがオンされて、夫々の分圧抵抗比により各しきい値が設定される。
その他の構成については、図３乃至図５に示すものと同様である。
【００３１】
次に、本実施例の作用について説明する。回路装置２２についてトリミングを行う場合は、半導体センサ２１に電源を投入した状態で、作業者が基準電圧発生回路３が出力する基準電圧ＶBGR のレベルを測定する。そして、基準電圧ＶBGR が標準値の１．２５Ｖである場合は３ビットの調整データのデータ値を“３”として、作業者は、そのデータ値“３”をＥＰＲＯＭ２４に書き込む。即ち、必要な書き込み電圧をＥＰＲＯＭ２４に印加した状態で、書き込みデータをデータバスに与えるようにする。この場合、各電圧は上述したように定まることになる。
【００３２】
そして、基準電圧ＶBGR が標準値の１．２５Ｖを下回っている場合は、その値に応じて調整データのデータ値を“０〜２”の何れかに決定し（例えば“２”とする）、作業者はその３ビットデータをＥＰＲＯＭ２４に書き込む。トリミング作業が終了し、半導体センサ２１に改めて電源が投入されると、ＥＰＲＯＭ２４はセンスアンプを介して３ビットのデータバスに書き込まれた調整データを出力する。すると、定電圧発生回路４では、セレクタ１３において１つグランド側のスイッチ１３ｆが代わって閉じることになる。この場合、非反転増幅器の増幅率はデータ値“３”の場合よりも大きくなるため、基準電圧ＶBGR の低下を増幅率を上昇させて補うことができ、略５Ｖの定電圧Ｖccが出力されるようになる。
【００３３】
この時、リセット回路２３では、セレクタ２６Ａ，２６Ｂのスイッチ２６Ａｆ及び２６Ｂｉが代わって閉じることになる。即ち、基準電圧ＶBGR の低下に伴って、比較対象の分圧電位も低下させる必要があるからである。その結果、リセットオン，リセットオフの出力しきい値は、略４．５Ｖ，４．７５Ｖに設定されることになる。
【００３４】
一方、基準電圧ＶBGR が標準値の１．２５Ｖを上回っている場合は、その値に応じて調整データのデータ値を“４〜７”の何れかに決定し（例えば“４”とする）、作業者はその３ビットデータをＥＰＲＯＭ２４に書き込む。そして、作業終了後半導体センサ２１に改めて電源が投入されると、定電圧発生回路４では、セレクタ１３において１つ電源側のスイッチ１３ｄが代わって閉じることになる。この場合、非反転増幅器の増幅率はデータ値“３”の場合よりも小さくなるため、基準電圧ＶBGR の上昇に対して増幅率を低下させて調整する。
【００３５】
この時、リセット回路２３では、セレクタ２６Ａ，２６Ｂのスイッチ２６Ａｄ及び２６Ｂｇが代わって閉じることになる。即ち、基準電圧ＶBGR の上昇に伴って、比較対象の分圧電位も上昇させる必要があるからである。そして、リセットオン，リセットオフの出力しきい値は、略所期の値に設定される。
【００３６】
以上のように本実施例によれば、半導体センサ２１の一部として構成される回路装置２２の定電圧発生回路４とリセット回路５に対し、トリミング作業でＥＰＲＯＭ２４に記憶された共通の調整データを出力するようにした。そして、その調整データを、基準電圧ＶBRG が標準レベルよりも低い程データ値が小さくなり、基準電圧ＶBRG が標準レベルよりも高い程データ値が大きくなるように設定し、定電圧発生回路４を前記データ値の大きさに伴って電圧増幅率が高くなるように構成し、リセット回路５を前記データ値の大きさに伴ってリセットオン，オフの出力しきい値が低くなるように構成した。
【００３７】
従って、製造プロセスのばらつきなどにより基準電圧ＶBGR が変動する場合でも、ＥＰＲＯＭ２４より出力される共通の調整データに基づいて定電圧発生回路４より発生される定電圧Ｖccとリセット回路５より出力されるリセット信号のしきい値とを適切に調整することが可能となり、リセット回路５についても調整が必要な場合でもＥＰＲＯＭ２４を余分に必要とすることがないので、回路装置２２を小形かつローコストで構成することができる。例えば、０．８μｍプロセスの工程で３ビットのＥＰＲＯＭ２４を形成するには２００μｍ×３００μｍ程度の面積が必要となるため、その分のチップ面積を削減することが可能となる。また、トリミング作業の工程を追加する必要もないことから、調整作業を簡単に行うことができる。
【００３８】
更に、本実施例によれば、リセット回路５を、調整データによってリセットオフ出力しきい値も同時に調整可能としたので、リセット解除の電圧レベルについても厳密に調整したいという要請がある場合にも対応することができる。そして、リセットオフ出力しきい値を調整するために用いる直列抵抗回路２５を、リセットオン側に用いるものと共用するように構成したので、回路面積の増加を極力抑制することができる。
【００３９】
本発明は上記し且つ図面に記載した実施例にのみ限定されるものではなく、次のような変形または拡張が可能である。
調整データのビット数は“３”に限らず、個別の設計に応じて適宜設定すれば良い。
また、各抵抗の抵抗値なども、個別の設計に応じて適宜変更して実施すれば良い。
測定した基準電圧のレベルに対する調整データの大小の設定を逆にして、その調整データに対応する増幅率，リセット信号しきい値の大小に関する設定を逆にしても良い。即ち、基準電圧が標準レベルよりも低い程データ値が大きくなり、基準電圧が標準レベルよりも高い程データ値が小さくなるように設定し、定電圧発生回路を調整データが大きくなる程増幅率が低くなるように構成し、リセット回路を調整データの大きくなる程リセットオン出力しきい値が高くなるように構成しても良い。
【００４０】
リセット回路は、リセットオンの出力しきい値だけを調整可能に構成しても良い。
調整データ出力部を構成する不揮発性のメモリは、ＥＰＲＰＭに限らず、ＥＥＰＲＯＭやワンタイムＰＲＯＭなどでも良い。
半導体センサに限らず、ＣＰＵやマイクロコンピュータ，車両用のＥＣＵや通信用ＩＣ等に適用しても良い。また、例えばＣＰＵのように定電圧Ｖccが定格値に確定してから数１００ｍｓ程度の時間が経過した後にリセットオフを行う必要があるものについては、リセット回路の出力側に適当な遅延回路を付加して対応すれば良い。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を半導体センサに適用した場合の一実施例であり、電気的構成を示す機能ブロック図
【図２】リセット回路の詳細な電気的構成を示す図
【図３】従来技術を示す図１相当図
【図４】基準電圧発生回路の詳細な電気的構成を示す図
【図５】定電圧発生回路の詳細な電気的構成を示す図
【符号の説明】
３は基準電圧発生回路、４は定電圧発生回路、２２は回路装置、２３はパワーオンリセット回路、２４はＥＰＲＯＭ（調整データ出力部）を示す。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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