(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子ビームにより、ウェハを露光する電子ビーム露光装置であって、
前記ウェハが載置されるウェハステージと、
前記ウェハに照射すべき露光電子ビームを発生する第１の電子ビーム発生部と、
前記ウェハステージにおける前記ウェハが載置される領域以外の領域に設けられたマーク部と、
前記マーク部に照射すべき検出電子ビームを発生し、前記露光電子ビームの照射位置を検出させる第２の電子ビーム発生部と
を備えることを特徴とする電子ビーム露光装置。
【請求項２】
前記第１の電子ビーム発生部は、複数の前記露光電子ビームを発生し、
前記第２の電子ビーム発生部は、前記マーク部に照射する前記検出電子ビームを発生し、複数の前記露光電子ビームの前記照射位置を検出させる
ことを特徴とする請求項１に記載の電子ビーム露光装置。
【請求項３】
前記第１の電子ビームが発生する前記露光電子ビームによる露光処理に並行して、前記第２の電子ビーム発生部は、前記露光電子ビームの前記照射位置を検出するための前記検出電子ビームを発生することを特徴とする請求項１に記載の電子ビーム露光装置。
【請求項４】
前記露光電子ビーム及び前記検出電子ビームを偏向し、前記露光電子ビーム及び前記検出電子ビームを、それぞれ前記ウェハ及び前記マーク部に照射させる偏向部と、
前記マーク部に照射された前記検出電子ビームの反射電子を検出し、検出された前記反射電子の量に対応する検出信号を出力する電子検出部と、
前記検出信号に基づいて、前記検出電子ビームの照射位置を検出する位置検出部と、
検出された前記検出電子ビームの前記照射位置に基づいて、前記露光電子ビームの照射位置を補正する補正値を算出する算出部と、
前記補正値に基づいて、前記偏向部を制御する偏向制御部と
を備えることを特徴とする請求項１に記載の電子ビーム露光装置。
【請求項５】
前記マーク部は、前記偏向部による前記検出電子ビームの偏向幅以下のピッチで設けられた複数のマークを有することを特徴とする請求項４に記載の電子ビーム露光装置。
【請求項６】
前記マーク部は、露光処理中に前記ウェハステージが移動する移動範囲にわたって、前記偏向幅以下のピッチで配列された前記複数のマークを有することを特徴とする請求項５に記載の電子ビーム露光装置。
【請求項７】
前記露光電子ビーム及び前記検出電子ビームの断面形状それぞれを独立に成形するスリット部と、
前記露光電子ビーム及び前記検出電子ビームのそれぞれを独立に集束させる電子レンズと
をさらに備え、
前記第２の電子ビーム発生部は、１つの前記検出電子ビームを１つの前記マーク部に照射し、
前記電子検出部は、前記マーク部に照射された１つの前記検出電子ビームの反射電子を検出し、検出された前記反射電子の量に対応する検出信号を出力し、
前記位置検出部は、前記検出信号に基づいて、１つの前記検出電子ビームの照射位置を検出し、
前記算出部は、検出された前記照射位置に基づいて、前記偏向部、前記スリット部、及び前記電子レンズ部の少なくとも１つの全体均等伸縮及び回転による、前記露光電子ビームの照射位置のずれを補正する補正値を算出する
ことを特徴とする請求項４に記載の電子ビーム露光装置。
【請求項８】
前記露光電子ビーム及び前記検出電子ビームの断面形状それぞれを独立に成形するスリット部と、
前記露光電子ビーム及び前記検出電子ビームのそれぞれを独立に集束させる電子レンズと
をさらに備え、
前記第２の電子ビーム発生部は、１つの前記検出電子ビームを１つの前記マーク部に照射し、
前記電子検出部は、前記マーク部に照射された１つの前記検出電子ビームの反射電子を検出し、検出された前記反射電子の量に対応する検出信号を出力し、
前記位置検出部は、前記検出信号に基づいて、１つの前記検出電子ビームの照射位置を検出し、
前記算出部は、検出された前記照射位置に基づいて、前記偏向部、前記スリット部、及び前記電子レンズ部の少なくとも１つの平行移動による、前記露光電子ビームの照射位置のずれを補正する補正値を算出する
ことを特徴とする請求項４に記載の電子ビーム露光装置。
【請求項９】
前記露光電子ビーム及び前記検出電子ビームの断面形状それぞれを独立に成形するスリット部と、
前記露光電子ビーム及び前記検出電子ビームのそれぞれを独立に集束させる電子レンズと
をさらに備え、
前記第２の電子ビーム発生部は、２つの前記検出電子ビームを２つの前記マーク部に照射し、
前記電子検出部は、前記マーク部に照射された２つの前記検出電子ビームの反射電子を検出し、検出された前記反射電子の量に対応する検出信号を出力し、
前記位置検出部は、前記検出信号に基づいて、２つの前記検出電子ビームの照射位置を検出し、
前記算出部は、検出された前記照射位置に基づいて、前記偏向部、前記スリット部、及び前記電子レンズ部の少なくとも１つの全体均等伸縮、回転、及び平行移動による、前記露光電子ビームの照射位置のずれを補正する補正値を算出することを特徴とする請求項４に記載の電子ビーム露光装置。
【請求項１０】
前記露光電子ビーム及び前記検出電子ビームの断面形状それぞれを独立に成形するスリット部と、
前記露光電子ビーム及び前記検出電子ビームのそれぞれを独立に集束させる電子レンズと
をさらに備え、
前記第２の電子ビーム発生部は、３つの前記検出電子ビームを３つの前記マーク部に照射し、
前記電子検出部は、前記マーク部に照射された３つの前記検出電子ビームの反射電子を検出し、検出された前記反射電子の量に対応する検出信号を出力し、
前記位置検出部は、前記検出信号に基づいて、３つの前記検出電子ビームの照射位置を検出し、
前記算出部は、検出された前記照射位置に基づいて、前記偏向部、前記スリット部、及び前記電子レンズ部の少なくとも１つの回転、平行移動、及び直交する２つの方向のそれぞれに対する伸縮による、前記露光電子ビームの照射位置のずれを補正する補正値を算出する
ことを特徴とする請求項４に記載の電子ビーム露光装置。
【請求項１１】
前記位置検出部は、前記検出電子ビームの前記照射位置を検出するタイミングを発生するタイミング発生部を有することを特徴とする請求項４に記載の電子ビーム露光装置。
【請求項１２】
前記第２の電子ビーム発生部は、前記検出電子ビームを発生して、前記ウェハを露光することを特徴とする請求項１に記載の電子ビーム露光装置。
【請求項１３】
ウェハを照射すべき複数の露光電子ビームと、前記露光電子ビームの照射位置を検出すべき検出電子ビームとを発生する電子ビーム露光装置において、前記露光電子ビームの照射位置を補正する電子ビーム補正方法であって、
少なくとも１つの前記検出電子ビームの照射位置の座標の少なくとも１つを検出する検出段階と、
検出された前記座標に基づいて、少なくとも１つの前記露光電子ビームの照射位置を補正する補正値を算出する算出段階と
を備えることを特徴とする電子ビーム補正方法。
【請求項１４】
前記算出段階は、検出された前記座標に基づいて、前記検出電子ビームの前記照射位置を補正する補正値を算出する段階を有することを特徴とする請求項１３に記載の電子ビーム補正方法。
【請求項１５】
ウェハを照射すべき複数の露光電子ビームと、前記露光電子ビームの照射位置を検出すべき検出電子ビームとを発生する電子ビーム露光装置により、前記ウェハを露光する電子ビーム露光方法であって、
少なくとも１つの前記検出電子ビームの照射位置の座標の少なくとも１つを検出する検出段階と、
検出された前記座標に基づいて、少なくとも１つの前記露光電子ビームの照射位置を補正する補正値を算出する算出段階と、
前記補正値に基づいて、前記複数の露光電子ビームにより、前記ウェハを露光する露光段階と
を備えることを特徴とする電子ビーム露光方法。
【請求項１６】
前記電子ビーム露光装置は、前記ウェハが載置されるウェハステージを備え、
前記ウェハステージは、前記ウェハが載置される領域以外の領域に、前記検出電子ビームの照射位置を検出するためのマーク部を有し、
前記ウェハを前記ウェハステージに載置する載置段階と、
前記露光電子ビームが前記ウェハに照射される所定の位置に、前記ウェハを移動する移動段階と
をさらに備え、
前記検出段階は、前記検出電子ビームを前記マーク部に照射して、前記検出電子ビームの前記照射位置の前記座標を検出し、
前記露光段階は、前記所定の位置に載置された前記ウェハに対して、露光を開始する段階を有する
ことを特徴とする請求項１５に記載の電子ビーム露光方法。
【請求項１７】
前記電子ビーム露光装置は、前記検出電子ビームを偏向する偏向部をさらに備え、
前記マーク部は、前記偏向部による前記検出電子ビームの偏向幅以下のピッチで、露光処理中に前記ウェハステージが移動する移動範囲にわたって配列された前記複数のマークを有し、
前記検出段階は、露光箇所の移動に伴って、前記複数のマークのいずれかを用いて、前記検出電子ビームの前記照射位置の前記座標を検出する
ことを特徴とする請求項１６に記載の電子ビーム露光方法。
【請求項１８】
前記検出段階は、前記露光箇所の前記移動に伴って、順次隣接する前記マークを用いて、前記検出電子ビームの前記照射位置の前記座標を検出する
ことを特徴とする請求項１７に記載の電子ビーム露光方法。
【請求項１９】
ウェハを照射すべき複数の露光電子ビームと、前記露光電子ビームの照射位置を検出すべき検出電子ビームとを発生する電子ビーム露光装置により、前記ウェハに半導体素子を製造する半導体素子製造方法であって、
少なくとも１つの前記検出電子ビームの照射位置の座標の少なくとも１つを検出する検出段階と、
検出された前記座標に基づいて、少なくとも１つの前記露光電子ビームの照射位置を補正する補正値を算出する算出段階と、
前記補正値に基づいて、前記複数の露光電子ビームにより、前記ウェハを露光する露光段階と
を備えることを特徴とする半導体素子製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子ビーム露光装置、電子ビーム補正方法、電子ビーム露光方法、及び半導体素子製造方法に関する。特に本発明は、所定の電子ビームの照射位置の検出することにより、当該電子ビーム以外の電子ビームの照射位置を補正する電子ビーム露光装置、電子ビーム補正方法、電子ビーム露光方法、及び半導体素子製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
複数の電子ビームを用いてウェハに露光処理を行う従来の電子ビーム露光装置は、電子ビームの照射位置の補正を行う場合に、全ての電子ビームの照射位置を検出して、全ての電子ビームのそれぞれの照射位置の補正値を求めていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
近年の半導体デバイスの微細化に伴い、電子ビーム露光装置の半導体デバイスの量産での利用に向け、露光処理や電子ビーム照射位置の補正処理の高速化が望まれている。
【０００４】
しかしながら、従来の電子ビーム露光装置では、全ての電子ビームの照射位置を補正するために全ての電子ビームの照射位置を検出しなくてはならないため、非常に長い時間を要し、短時間で電子ビームの照射位置を補正する方法が望まれている。
【０００５】
そこで本発明は、上記の課題を解決することのできる電子ビーム補正方法及び電子ビーム露光装置を提供することを目的とする。この目的は特許請求の範囲における独立項に記載の特徴の組み合わせにより達成される。また従属項は本発明の更なる有利な具体例を規定する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
即ち、本発明の第１の形態によると、電子ビームにより、ウェハを露光する電子ビーム露光装置であって、ウェハが載置されるウェハステージと、ウェハに照射すべき露光電子ビームを発生する第１の電子ビーム発生部と、ウェハステージにおけるウェハが載置される領域以外の領域に設けられたマーク部と、マーク部に照射すべき検出電子ビームを発生し、露光電子ビームの照射位置を検出させる第２の電子ビーム発生部とを備える。
【０００７】
第１の電子ビーム発生部は、複数の露光電子ビームを発生し、第２の電子ビーム発生部は、マーク部に照射する検出電子ビームを発生し、複数の露光電子ビームの照射位置を検出させてもよい。
【０００８】
第１の電子ビームが発生する露光電子ビームによる露光処理に並行して、第２の電子ビーム発生部は、露光電子ビームの照射位置を検出するための検出電子ビームを発生してもよい。
【０００９】
露光電子ビーム及び検出電子ビームを偏向し、露光電子ビーム及び検出電子ビームを、それぞれウェハ及びマーク部に照射させる偏向部と、マーク部に照射された検出電子ビームの反射電子を検出し、検出された反射電子の量に対応する検出信号を出力する電子検出部と、検出信号に基づいて、検出電子ビームの照射位置を検出する位置検出部と、検出された検出電子ビームの照射位置に基づいて、露光電子ビームの照射位置を補正する補正値を算出する算出部と、補正値に基づいて、偏向部を制御する偏向制御部とを備えてもよい。
【００１０】
マーク部は、偏向部による検出電子ビームの偏向幅以下のピッチで設けられた複数のマークを有してもよい。マーク部は、露光処理中にウェハステージが移動する移動範囲にわたって、偏向幅以下のピッチで配列された複数のマークを有してもよい。
【００１１】
露光電子ビーム及び検出電子ビームの断面形状それぞれを独立に成形するスリット部と、露光電子ビーム及び検出電子ビームのそれぞれを独立に集束させる電子レンズとをさらに備え、第２の電子ビーム発生部は、１つの検出電子ビームを１つのマーク部に照射し、電子検出部は、マーク部に照射された１つの検出電子ビームの反射電子を検出し、検出された反射電子の量に対応する検出信号を出力し、位置検出部は、検出信号に基づいて、１つの検出電子ビームの照射位置を検出し、算出部は、検出された照射位置に基づいて、偏向部、スリット部、及び電子レンズ部の少なくとも１つの全体均等伸縮及び回転による、露光電子ビームの照射位置のずれを補正する補正値を算出してもよい。
【００１２】
露光電子ビーム及び検出電子ビームの断面形状それぞれを独立に成形するスリット部と、露光電子ビーム及び検出電子ビームのそれぞれを独立に集束させる電子レンズとをさらに備え、第２の電子ビーム発生部は、１つの検出電子ビームを１つのマーク部に照射し、電子検出部は、マーク部に照射された１つの検出電子ビームの反射電子を検出し、検出された反射電子の量に対応する検出信号を出力し、位置検出部は、検出信号に基づいて、１つの検出電子ビームの照射位置を検出し、算出部は、検出された照射位置に基づいて、偏向部、スリット部、及び電子レンズ部の少なくとも１つの平行移動による、露光電子ビームの照射位置のずれを補正する補正値を算出してもよい。
【００１３】
露光電子ビーム及び検出電子ビームの断面形状それぞれを独立に成形するスリット部と、露光電子ビーム及び検出電子ビームのそれぞれを独立に集束させる電子レンズとをさらに備え、第２の電子ビーム発生部は、２つの検出電子ビームを２つのマーク部に照射し、電子検出部は、マーク部に照射された２つの検出電子ビームの反射電子を検出し、検出された反射電子の量に対応する検出信号を出力し、位置検出部は、検出信号に基づいて、２つの検出電子ビームの照射位置を検出し、算出部は、検出された照射位置に基づいて、偏向部、スリット部、及び電子レンズ部の少なくとも１つの全体均等伸縮、回転、及び平行移動による、露光電子ビームの照射位置のずれを補正する補正値を算出してもよい。
【００１４】
露光電子ビーム及び検出電子ビームの断面形状それぞれを独立に成形するスリット部と、露光電子ビーム及び検出電子ビームのそれぞれを独立に集束させる電子レンズとをさらに備え、第２の電子ビーム発生部は、３つの検出電子ビームを３つのマーク部に照射し、電子検出部は、マーク部に照射された３つの検出電子ビームの反射電子を検出し、検出された反射電子の量に対応する検出信号を出力し、位置検出部は、検出信号に基づいて、３つの検出電子ビームの照射位置を検出し、算出部は、検出された照射位置に基づいて、偏向部、スリット部、及び電子レンズ部の少なくとも１つの回転、平行移動、及び直交する２つの方向のそれぞれに対する伸縮による、露光電子ビームの照射位置のずれを補正する補正値を算出してもよい。
【００１５】
位置検出部は、検出電子ビームの照射位置を検出するタイミングを発生するタイミング発生部を有してもよい。第２の電子ビーム発生部は、検出電子ビームを発生して、ウェハを露光してもよい。
【００１６】
本発明の第２の形態によると、ウェハを照射すべき複数の露光電子ビームと、露光電子ビームの照射位置を検出すべき検出電子ビームとを発生する電子ビーム露光装置において、露光電子ビームの照射位置を補正する電子ビーム補正方法であって、少なくとも１つの検出電子ビームの照射位置の座標の少なくとも１つを検出する検出段階と、検出された座標に基づいて、少なくとも１つの露光電子ビームの照射位置を補正する補正値を算出する算出段階と
を備える。
【００１７】
算出段階は、検出された座標に基づいて、検出電子ビームの照射位置を補正する補正値を算出する段階を有してもよい。
【００１８】
本発明の第３の形態によると、ウェハを照射すべき複数の露光電子ビームと、露光電子ビームの照射位置を検出すべき検出電子ビームとを発生する電子ビーム露光装置により、ウェハを露光する電子ビーム露光方法であって、少なくとも１つの検出電子ビームの照射位置の座標の少なくとも１つを検出する検出段階と、検出された座標に基づいて、少なくとも１つの露光電子ビームの照射位置を補正する補正値を算出する算出段階と、補正値に基づいて、複数の露光電子ビームにより、ウェハを露光する露光段階とを備える。
【００１９】
電子ビーム露光装置は、ウェハが載置されるウェハステージを備え、ウェハステージは、ウェハが載置される領域以外の領域に、検出電子ビームの照射位置を検出するためのマーク部を有し、ウェハをウェハステージに載置する載置段階と、露光電子ビームがウェハに照射される所定の位置に、ウェハを移動する移動段階とをさらに備え、検出段階は、検出電子ビームをマーク部に照射して、検出電子ビームの照射位置の座標を検出し、露光段階は、所定の位置に載置されたウェハに対して、露光を開始する段階を有してもよい。
【００２０】
電子ビーム露光装置は、検出電子ビームを偏向する偏向部をさらに備え、マーク部は、偏向部による検出電子ビームの偏向幅以下のピッチで、露光処理中にウェハステージが移動する移動範囲にわたって配列された複数のマークを有し、検出段階は、露光箇所の移動に伴って、複数のマークのいずれかを用いて、検出電子ビームの照射位置の座標を検出してもよい。
【００２１】
検出段階は、露光箇所の移動に伴って、順次隣接するマークを用いて、検出電子ビームの照射位置の座標を検出してもよい。
【００２２】
本発明の第４の形態によると、ウェハを照射すべき複数の露光電子ビームと、露光電子ビームの照射位置を検出すべき検出電子ビームとを発生する電子ビーム露光装置により、ウェハに半導体素子を製造する半導体素子製造方法であって、少なくとも１つの検出電子ビームの照射位置の座標の少なくとも１つを検出する検出段階と、検出された座標に基づいて、少なくとも１つの露光電子ビームの照射位置を補正する補正値を算出する算出段階と、補正値に基づいて、複数の露光電子ビームにより、ウェハを露光する露光段階とを備える。
【００２３】
なお上記の発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではなく、これらの特徴群のサブコンビネーションも又発明となりうる。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態はクレームにかかる発明を限定するものではなく、又実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。
【００２５】
図１は、本発明の一実施形態に係る電子ビーム露光装置１００の構成を示す。電子ビーム露光装置１００は、電子ビームによりウェハ４４に所定の露光処理を施す露光部１５０と、露光部１５０に含まれる各構成の動作を制御する制御系１４０を備える。
【００２６】
露光部１５０は、筐体８内部において複数の電子ビームを発生し、電子ビームの断面形状を所望に成形する電子ビーム成形手段１１０と、複数の電子ビームをウェハ４４に照射するか否かを、それぞれの電子ビームに対して独立に切替える照射切替手段１１２と、ウェハ４４に転写されるパターンの像の向き及びサイズを調整するウェハ用投影系１１４を含む電子光学系を備える。また、露光部１５０は、パターンを露光すべきウェハ４４を載置するウェハステージ４６と、ウェハステージ４６を駆動するウェハステージ駆動部４８とを含むステージ系を備える。ウェハステージ４６には、ウェハ４４が載置される領域以外の領域にマーク部５６が設けられる。さらに、露光部１５０は、ウェハステージ４６に設けられたマーク部５６に照射された電子ビームによりマーク部５６から放射された２次電子や反射電子等を検出する電子検出部４０を備える。電子検出部４０は、検出した反射電子の量に対応した検出信号を反射電子処理部９４に出力する。
【００２７】
電子ビーム成形手段１１０は、ウェハ４４に照射すべき電子ビームを発生する複数の電子銃を有する第１の電子ビーム発生部１０ａと、マーク部５６に照射すべき照射位置検出用の電子ビームを発生する複数の電子銃を有する第２の電子ビーム発生部１０ｂと、電子ビームを通過させることにより、照射された電子ビームの断面形状を成形する複数の開口部を有する第１成形部材１４および第２成形部材２２と、複数の電子ビームをそれぞれ独立に集束し、複数の電子ビームの焦点を調整する第１多軸電子レンズ１６と、第１成形部材１４を通過した複数の電子ビームを独立に偏向する第１成形偏向部１８および第２成形偏向部２０とを有する。なお、例えば第１の電子ビーム発生部１０ａの電子銃が使用できなくなった場合に、第２の電子ビーム発生部１０ｂは、統括制御部１３０から使用できなくなった電子銃のパターンデータを受け取り、ウェハ４４に電子ビームを照射して露光処理を行ってもよい。
【００２８】
照射切替手段１１２は、複数の電子ビームを独立に集束し、複数の電子ビームの焦点を調整する第２多軸電子レンズ２４と、複数の電子ビームをそれぞれ独立に偏向させることにより、それぞれの電子ビームをウェハ４４に照射するか否かを、それぞれの電子ビームに対して独立に切替えるブランキング電極アレイ２６と、電子ビームを通過させる複数の開口部を含み、ブランキング電極アレイ２６で偏向された電子ビームを遮蔽する電子ビーム遮蔽部材２８とを有する。他の例においてブランキング電極アレイ２６は、ブランキング・アパーチャ・アレイ・デバイスであってもよい。
【００２９】
ウェハ用投影系１１４は、複数の電子ビームをそれぞれ独立に集束し、電子ビームの照射径を縮小する第３多軸電子レンズ３４と、複数の電子ビームをそれぞれ独立に集束し、複数の電子ビームの焦点を調整する第４多軸電子レンズ３６と、複数の電子ビームをウェハ４４の所望の位置に、それぞれの電子ビームに対して独立に偏向する偏向部３８と、ウェハ４４に対する対物レンズとして機能し、複数の電子ビームをそれぞれ独立に集束する第５多軸電子レンズ５２とを有する。
【００３０】
制御系１４０は、統括制御部１３０及び個別制御部１２０を備える。個別制御部１２０は、電子ビーム制御部８０と、多軸電子レンズ制御部８２と、成形偏向制御部８４と、ブランキング電極アレイ制御部８６と、偏向制御部９２と、反射電子処理部９４と、ウェハステージ制御部９６とを有する。統括制御部１３０は、算出部１３２と、メモリ１３４と、位置検出部１３６とを有する。位置検出部１３６は、電子ビームの照射位置を検出するタイミングを発生するタイミング発生部１３８を含む。また、統括制御部１３０は、例えばワークステーションであって、個別制御部１２０に含まれる各制御部を統括制御する。電子ビーム制御部８０は、第１の電子ビーム発生部１０ａ及び第２の電子ビーム発生部１０ｂを制御する。多軸電子レンズ制御部８２は、第１多軸電子レンズ１６、第２多軸電子レンズ２４、第３多軸電子レンズ３４、第４多軸電子レンズ３６および第５多軸電子レンズ５２に供給する電流を制御する。
【００３１】
成形偏向制御部８４は、第１成形偏向部１８および第２成形偏向部２０を制御する。ブランキング電極アレイ制御部８６は、ブランキング電極アレイ２６に含まれる偏向電極に印加する電圧を制御する。偏向制御部９２は、偏向部３８に含まれる複数の偏向器が有する偏向電極に印加する電圧を制御する。反射電子処理部９４は、電子検出部４０から出力された検出信号に基づいて反射電子の量を検出し、統括制御部１３０に通知する。ウェハステージ制御部９６は、ウェハステージ駆動部４８を制御し、ウェハステージ４６を所定の位置に移動させる。
【００３２】
本実施形態に係る電子ビーム露光装置１００の動作について説明する。まず、第２の電子ビーム発生部１０ｂが発生する検出電子ビームをウェハステージ４６に設けられたマーク部５６に照射し、第１の電子ビーム発生部１０ａが発生する露光電子ビームの照射位置の補正処理を行う。当該補正処理では、例えば伸縮、回転、平行移動等の変形による電子ビーム露光装置１００の各部材の変形等により生じる複数の露光電子ビームの照射位置のずれを補正する補正値を算出する。
【００３３】
まず、照射位置の検出に用いる検出電子ビームをウェハステージ４６に設けられたマーク部５６に照射させる。電子検出部４０は、マーク部５６に照射された電子ビームの反射電子を検出し、検出された反射電子の量に対応する検出信号を出力する。そして、統括制御部１３０において、位置検出部１３６は、電子検出部４０によって出力された検出信号に基づいて、電子ビームの照射位置の座標の少なくとも１つを検出する。そして、算出部１３２は、検出された電子ビームの照射位置の座標に基づいて、照射位置の検出に用いられた電子ビーム以外の電子ビームの照射位置を補正する補正値を算出する。また、メモリ１３４は、位置検出部１３６によって検出された電子ビームの照射位置、及び算出部１３２によって検出された他の電子ビームの照射位置が格納される。
【００３４】
当該算出部は、複数の開口部の有する部材である第１成形部材１４、第２成形部材２２、第１多軸電子レンズ１６、第２多軸電子レンズ２４、第３多軸電子レンズ３４、第４多軸電子レンズ３６、第５多軸電子レンズ５２、第１成形偏向部１８、第２成形偏向部２０、偏向部３８等の伸縮、回転、及び平行移動等による電子ビームの照射位置のずれを補正する補正値を算出することが好ましい。
【００３５】
以上の動作により、電子ビーム照射位置を補正値を算出した後、当該補正値を用いてウェハ４４に露光処理を行う。以下、露光処理における電子ビーム露光装置１００の動作について説明するが、上述した補正処理においてマーク部５６に電子ビームを照射する動作は、露光処理においてウェハ４４に電子ビームを照射する動作と略同一であってよい。
【００３６】
第１の電子ビーム発生部１０ａは、複数の電子ビームを生成する。第１成形部材１４は、第１の電子ビーム発生部１０ａにより発生し、第１成形部材１４に照射された複数の電子ビームを、第１成形部材１４に設けられた複数の開口部を通過させることにより成形する。他の例においては、第１の電子ビーム発生部１０ａにおいて発生した電子ビームを複数の電子ビームに分割する手段を更に有することにより、複数の電子ビームを生成してもよい。
【００３７】
第１多軸電子レンズ１６は、矩形に成形された複数の電子ビームを独立に集束し、第２成形部材２２に対する電子ビームの焦点を、電子ビーム毎に独立に調整する。第１成形偏向部１８は、第１成形部材１４において矩形形状に成形された複数の電子ビームを、第２成形部材における所望の位置に照射するように、それぞれ独立に偏向する。
【００３８】
第２成形偏向部２０は、第１成形偏向部１８で偏向された複数の電子ビームを、第２成形部材２２に対して略垂直な方向にそれぞれ偏向し、第２成形部材２２に照射する。そして矩形形状を有する複数の開口部を含む第２成形部材２２は、第２成形部材２２に照射された矩形の断面形状を有する複数の電子ビームを、ウェハ４４に照射すべき所望の断面形状を有する電子ビームにさらに成形する。
【００３９】
第２多軸電子レンズ２４は、複数の電子ビームを独立に集束して、ブランキング電極アレイ２６に対する電子ビームの焦点を、それぞれ独立に調整する。そして、第２多軸電子レンズ２４により焦点がそれぞれ調整された複数の電子ビームは、ブランキング電極アレイ２６に含まれる複数のアパーチャを通過する。
【００４０】
ブランキング電極アレイ制御部８６は、ブランキング電極アレイ２６における各アパーチャの近傍に設けられた偏向電極に電圧を印加するか否かを制御する。ブランキング電極アレイ２６は、偏向電極に印加される電圧に基づいて、電子ビームをウェハ４４に照射させるか否かを切替える。
【００４１】
ブランキング電極アレイに２６により偏向されない電子ビームは、第３多軸電子レンズ３４を通過する。そして第３多軸電子レンズ３４は、第３多軸電子レンズ３４を通過する電子ビームの電子ビーム径を縮小する。縮小された電子ビームは、電子ビーム遮蔽部材２８に含まれる開口部を通過する。また、電子ビーム遮蔽部材２８は、ブランキング電極アレイ２６により偏向された電子ビームを遮蔽する。電子ビーム遮蔽部材２８を通過した電子ビームは、第４多軸電子レンズ３６に入射される。そして第４多軸電子レンズ３６は、入射された電子ビームをそれぞれ独立に集束し、偏向部３８に対する電子ビームの焦点をそれぞれ調整する。第４多軸電子レンズ３６により焦点が調整された電子ビームは、偏向部３８に入射される。
【００４２】
偏向制御部９２は、算出部１３２によって算出された補正値に基づいて、偏向部３８に含まれる複数の偏向器を制御し、偏向部３８に入射されたそれぞれの電子ビームを、ウェハ４４に対して照射すべき位置にそれぞれ独立に偏向する。第５多軸電子レンズ５２は、第５多軸電子レンズ５２を通過するそれぞれの電子ビームのウェハ４４に対する焦点を調整する。そしてウェハ４４に照射すべき断面形状を有するそれぞれの電子ビームは、ウェハ４４に対して照射すべき所望の位置に照射される。
【００４３】
露光処理中、ウェハステージ駆動部４８は、ウェハステージ制御部９６からの指示に基づき、一定方向にウェハステージ４６を連続移動させるのが好ましい。そして、ウェハ４４の移動に合わせて、電子ビームの断面形状をウェハ４４に照射すべき形状に成形し、ウェハ４４に照射すべき電子ビームを通過させるアパーチャを定め、さらに偏向部３８によりそれぞれの電子ビームをウェハ４４に対して照射すべき位置に偏向させることにより、ウェハ４４に所望の回路パターンを露光することができる。
【００４４】
図２は、本実施形態に係る電子ビーム露光装置１００の動作全体のフローチャートである。Ｓ１００で本フローチャートが開始する。ステージ位置校正段階（Ｓ１０２）で、マーク部５６が設けられたウェハステージ４６のステージ位置の校正を行う。照射位置構成段階（Ｓ１０４）で、全ての電子ビームをマーク部５６に照射することにより全ての電子ビームの照射位置を検出して、個々の電子ビームのそれぞれの照射位置の校正を行う。ウェハ載置段階（Ｓ１０６）で、ウェハステージ４６にウェハ４４を載置する。ウェハ移動段階（Ｓ１０８）で、第１の電子ビーム発生部が発生する電子ビームがウェハ４４に照射される所定の位置にウェハ４４を移動する。露光処理段階（Ｓ１１０）で、ステージ位置校正段階（Ｓ１０２）及び照射位置校正段階（Ｓ１０４）において決定された校正値に基づいて、所定回数の露光処理を行う。Ｓ１１２で、所望回数の露光処理が完了したか否かを判断する。Ｓ１１２で所望回数の露光処理が完了していないと判断された場合、照射位置補正段階（Ｓ１１４）で、所定の電子ビームの照射位置を検出して露光処理に用いる電子ビームの照射位置の補正を行う。ステージ位置校正段階（Ｓ１０２）及び照射位置校正段階（Ｓ１０４）において決定された校正値を用いて検出用の電子ビームをマーク部５６に照射することにより、複数の電子ビームの照射位置のずれを補正する補正値を算出する。そして、露光処理段階（Ｓ１１０）で、照射位置補正段階（Ｓ１１４）において算出された補正値に基づいて、所定の露光処理を行う。Ｓ１１２で所望回数の露光処理が完了したと判断した場合、Ｓ１１６で本フローチャートを終了する。
【００４５】
露光処理段階（Ｓ１１０）における所定回数の露光処理は、例えばロット毎やウェハ毎に行うことが好ましい。また、ステージ位置校正段階（Ｓ１００）によるウェハステージ４６の位置の補正、及び照射位置校正段階（Ｓ１０４）による個々の電子ビームのそれぞれの照射位置の校正は、例えば半日又は一日毎に行うことが好ましい。
【００４６】
図３は、照射位置補正段階（Ｓ１１４）における、電子ビーム露光装置１００の動作のフローチャートである。照射位置補正段階（Ｓ１１４）における電子ビームの照射位置の補正は、ウェハ毎に行われることが好ましい。ウェハ載置段階（Ｓ１０６）で、ウェハステージ４６にウェハ４４を載置する。ウェハ移動段階（Ｓ１０８）で、第１の電子ビーム発生部が発生する電子ビームがウェハ４４に照射される所定の位置にウェハ４４を移動する。照射位置検出段階（Ｓ１２２）で、露光処理に用いる複数の電子ビームのうちの所定の電子ビームである検出用の電子ビームをマーク部５６に照射して、当該検出用の電子ビームの照射位置の座標を検出する。照射位置格納段階（Ｓ１２４）で、検出された照射位置の座標を統括制御部１３０のメモリ１３４に格納する。Ｓ１２６で、必要な電子ビームの照射位置の座標が検出されたか否かを判断する。Ｓ１２６で必要な電子ビームの照射位置の座標が検出されていないと判断した場合、照射位置検出段階（Ｓ１２２）に戻り、他の検出用の電子ビームの照射位置の座標を検出し、照射位置格納段階（Ｓ１２４）で、検出された照射位置の座標を格納する。Ｓ１２６で必要な電子ビームの照射位置の座標が検出されたと判断した場合、補正値算出段階（Ｓ１２８）で、検出された座標に基づいて、検出用の電子ビーム以外の電子ビームの照射位置を補正する補正値を算出する。本実施例において、統括制御部１３０のメモリ１３４は、それぞれの電子ビームの照射位置の位置関係を格納しており、補正値算出段階（Ｓ１２８）で、メモリ１３４に格納された当該位置関係を用いて他の電子ビームの照射位置を補正する補正値を算出してもよい。
【００４７】
ウェハ移動段階（Ｓ１０８）でウェハ４４が移動された所定の位置において、照射位置検出段階（Ｓ１２２）で照射位置検出が行われ、またウェハステージ４６を移動させることなく、当該所定の位置において露光処理段階（Ｓ１１０）で露光処理を行うことが好ましい。したがって、照射位置の補正を行ってから露光処理を開始するまでに、ウェハステージ４６を移動させないため、露光処理において精度よく電子ビームの照射位置の補正ができる。
【００４８】
また、照射位置校正段階（Ｓ１０４）の後の１回目の照射位置補正段階（Ｓ１１４）において統括制御部１３０は、ステージ位置校正段階（Ｓ１０２）及び照射位置校正段階（Ｓ１０４）において決定された校正値に基づいて、検出用の電子ビームを照射することにより照射位置を検出し、補正値を算出することが好ましい。また、複数回目である所定回目の照射位置補正段階（Ｓ１１４）において統括制御部１３０は、当該所定回目の前回の照射位置補正段階（Ｓ１１４）において算出された補正値に基づいて、検出用の電子ビームを照射することにより照射位置を検出し、補正値を算出することが好ましい。
【００４９】
さらに、照射位置校正段階（Ｓ１０４）の後の複数回目である所定回目の照射位置補正段階（Ｓ１１４）において統括制御部１３０は、当該所定回目の前回の照射位置検出段階（Ｓ１２２）において照射位置を検出した電子ビームと同様の電子ビームの照射位置の座標を再度検出し、補正値算出段階（Ｓ１２８）で、当該所定回目の前回の照射位置検出段階（Ｓ１２２）において検出した座標と、当該所定回目の照射位置検出段階（Ｓ１２２）において検出した座標とに基づいて、補正値を再度算出することが好ましい。このとき、当該所定回目の前回の照射位置検出段階（Ｓ１２２）において検出された座標は、統括制御部１３０のメモリ１３４から抽出する。
【００５０】
図４は、第１の電子ビーム発生部１０ａ及び第２の電子ビーム発生部１０ｂと、ウェハステージ４６との一例を示す。図４（ａ）は、６９個の電子銃が配置された第１の電子ビーム発生部１０ａと、２個の電子銃が配置された第２の電子ビーム発生部１０ｂとを示す。図４（ｂ）に示すように、ウェハステージ４６は、図４（ａ）に示した第２の電子ビーム発生部１０ｂの電子銃と対応する位置に設けられた２つマーク部５６を有する。マーク部５６は、ウェハ４４が載置される領域以外の領域に設けられる。
【００５１】
図５は、本実施形態におけるマーク部５６の一例を示す。マーク部５６は、偏向部３８による電子ビームの偏向幅ｂ以下のピッチで設けられた複数のマーク５７を有する。当該偏向幅ｂは、ウェハステージ４６を移動させずに、偏向部３８による偏向のみによって、１つの電子ビームが照射できる幅である。また、マーク部５６は、露光処理中にウェハステージ４６が移動する移動範囲（ａ×ａ）にわたって設けられた複数のマーク５７を有する。
【００５２】
マーク部５６は、例えば、シリコン基板上にタンタル等の金属をスパッタ等により堆積し、マーク５７である開口部を形成したものである。タンタル等の金属上に電子ビームが照射されたときの反射電子の量と、シリコン基板上に電子ビームが照射されたときの反射電子の量とに基づいて、位置検出部１３６は、電子ビームの照射位置を検出する。
【００５３】
本実施形態の電子ビーム露光装置１００は、偏向幅以下のピッチで配列されたマーク５７を有するマーク部５６を用いて、常にいずれかのマーク５７で検出用の電子ビームの照射位置を検出することができ、露光用の電子ビームの照射位置の補正を行うことができる。
【００５４】
図６は、照射位置検出段階（Ｓ１２２）及び露光処理段階（Ｓ１１０）における、第１の電子ビーム発生部１０ａ及び第２の電子ビーム発生部１０ｂと、マーク部５６が設けられたウェハステージ４６との位置関係を示す。ウェハ４４が、第１の電子ビーム発生部１０ａが発生する電子ビームにより照射される位置にある場合に、第２の電子ビーム発生部１０ｂは、発生する電子ビームがマーク部５６に照射される位置に設けられることが好ましい。第１の電子ビーム発生部１０ａと第２の電子ビーム発生部１０ｂとが、図５に示すような位置関係であることにより、照射位置の補正を行った後、ウェハステージ４６を移動させすに、露光処理を行うことができる。また、第１の電子ビーム発生部１０ａが発生する電子ビームによる露光処理に並行して、第２の電子ビーム発生部１０ｂは、位置検出用の電子ビームを発生することができる。したがって、露光処理中においても、統括制御部１３０は、第２の電子ビーム発生部１０ｂが発生する電子ビームをマーク部５６に照射させて照射位置を検出し、算出部１３２は、検出された照射位置に基づいて補正値を算出することができる。
【００５５】
具体的には、電子ビーム露光装置１００は、露光処理中に、第２の電子ビーム発生部１０ｂが発生する電子ビームの照射位置を検出して、第１の電子ビーム発生部１０ａが発生する電子ビームの照射位置を補正してもよい。例えば、ウェハステージ４６の連続移動により、第１の電子ビーム発生部１０ａが発生する電子ビームが露光する露光列に対応する列に設けられたマーク５７を用いて、第２の電子ビーム発生部１０ｂが発生する電子ビームの照射位置を検出してもよい。露光処理中に電子ビームの照射位置の補正を行う場合、露光箇所の移動に伴って、複数のマーク５７のいずれかを用いて、第２の電子ビーム発生部１０ｂが発生する電子ビームの照射位置の検出を行うことが好ましい。さらに、露光箇所の移動に伴って、電子検出部４０は、順次隣接するマーク５７を用いて、常に反射電子を検出し、位置検出部１３６は、タイミング発生部１３８が生成するタイミングに応じて第２の電子ビーム発生部１０ｂが発生する電子ビームの照射位置を検出し、算出部１３２は、第１の電子ビーム発生部１０ａが発生する電子ビームの照射位置を補正する補正値を算出してもよい。
【００５６】
なお、電子ビーム露光装置１００の複数の開口部を有する部材は、全体均等伸縮、回転、平行移動、非線形伸縮、直交する２つの方向のそれぞれに対する伸縮等があり、統括制御部１３０は、考慮すべき当該変形の組み合わせに応じて、検出する電子ビームの照射位置の数を定めることが好ましい。具体的には、第２の電子ビーム発生部１０ｂは、２つの電子ビームのそれぞれを２つのマーク部５６に照射し、電子検出部４０は、マーク部５６に照射された電子ビームの反射電子を検出し、検出された反射電子の量に基づいて、２つの電子ビームの照射位置を検出し、算出部１３２は、検出された照射位置に基づいて、複数の開口部を有する部材の全体均等伸縮、回転、及び平行移動による、第１の電子ビーム発生部１０ａが発生する電子ビームの照射位置のずれを補正する補正値を算出する。
【００５７】
また、第２の電子ビーム発生部１０ｂは、１つの電子ビームを１つのマーク部５６に照射し、電子検出部４０は、マーク部５６に照射された電子ビームの反射電子を検出し、検出された反射電子の量に基づいて、１つの電子ビームの照射位置を検出し、算出部１３２は、検出された照射位置に基づいて、複数の開口部を有する部材の全体均等伸縮及び回転による、第１の電子ビーム発生部１０ａが発生する電子ビームの照射位置のずれを補正する補正値を算出してもよい。
【００５８】
また、第２の電子ビーム発生部１０ｂは、１つの電子ビームを１つのマーク部５６に照射し、電子検出部４０は、マーク部５６に照射された電子ビームの反射電子を検出し、検出された反射電子の量に基づいて、１つの電子ビームの照射位置を検出し、算出部１３２は、検出された照射位置に基づいて、複数の開口部を有する部材の平行移動による、第１の電子ビーム発生部１０ａが発生する電子ビームの照射位置のずれを補正する補正値を算出してもよい。
【００５９】
また、第２の電子ビーム発生部１０ｂは、３つの電子ビームのそれぞれを３つのマーク部５６に照射し、電子検出部４０は、マーク部５６に照射された電子ビームの反射電子を検出し、検出された反射電子の量に基づいて、３つの電子ビームの照射位置を検出し、算出部１３２は、検出された照射位置に基づいて、複数の開口部を有する部材の回転、平行移動、直交する２つの方向のそれぞれに対する伸縮による、第１の電子ビーム発生部１０ａが発生する電子ビームの照射位置のずれを補正する補正値を算出してもよい。
【００６０】
次に、検出用の電子ビームの照射位置に基づいて、当該検出用の電子ビーム以外の電子ビームの照射位置を算出する方法の一例について説明する。第１成形部材１４、第２成形部材２２、第１多軸電子レンズ１６、第２多軸電子レンズ２４、第３多軸電子レンズ３４、第４多軸電子レンズ３６、第５多軸電子レンズ５２、第１成形偏向部１８、第２成形偏向部２０、偏向部３８等の伸縮、回転、及び平行移動による１つの電子ビームの照射位置の変動量ΔＶｘ、ΔＶｙを、
【００６１】
ΔＶｘ  ＝  ｇ＊Ｃｘ  ＋  ｒ＊Ｃｙ  ＋  ｏｘ  ・・・（１）
ΔＶｙ  ＝  ｇ＊Ｃｙ  ＋  ｒ＊Ｃｘ  ＋  ｏｙ  ・・・（２）
とする。ΔＶｘ、ΔＶｙは、当該電子ビームが照射すべき位置と、検出された電子ビームの照射位置との変位である。Ｃｘ、Ｃｙは、複数の電子銃１０４の相対的な座標であり、既知の値である。また、ｇは未知の伸縮係数、ｒは未知の回転係数、ｏｘ、ｏｙは未知の平行移動係数である。ここで本実施例において、複数の電子ビームのそれぞれに独立に生じる電子ビームの照射位置のずれは、変動量ΔＶｘ、ΔＶｙと比較して十分に小さいため、算出部１３２は、式（１）及び（２）に基づいて、電子ビームの照射位置を補正する補正値を算出する。したがって、２つの電子ビームの照射位置を検出することにより、４つの未知数の値が求められ、当該２つの電子ビーム以外の複数の電子ビームの照射位置を算出できる。そして、算出された複数の電子ビームの照射位置に基づいて、それぞれの電子ビームの照射位置を補正する補正値を算出できる。
【００６２】
また、複数の開口部を有する部材の平行移動を考慮しない場合、式（１）及び（２）は、
ΔＶｘ  ＝  ｇ＊Ｃｘ  ＋  ｒ＊Ｃｙ  ・・・（３）
ΔＶｙ  ＝  ｇ＊Ｃｙ  ＋  ｒ＊Ｃｘ  ・・・（４）
となり、１つの電子ビームの照射位置を検出することにより、２つの未知数の値が求められ、当該１つの電子ビーム以外の複数の電子ビームの照射位置を算出できる。また、１つの電子ビームの照射位置を検出することにより、伸縮及び回転による電子ビームの照射位置のずれを補正する補正値を算出できる。同様に、１つの電子ビームの照射位置と検出することにより、伸縮、回転、及び平行移動のうちの１つによる電子ビームの照射位置のずれを補正する補正値を算出できる。
【００６３】
本実施形態の電子ビーム露光装置１００によれば、検出用の電子ビームの照射位置の検出することにより、当該検出用の電子ビーム以外の多くの電子ビームの照射位置を算出することができる。したがって、多くの電子ビームの照射位置を検出することなく、短時間で多くの電子ビームの照射位置を補正する補正値を算出することができる。
【００６４】
図７は、ウェハから半導体素子を製造する、本発明に係る半導体素子製造工程のフローチャートである。Ｓ１０で、本フローチャートが開始する。Ｓ１２で、ウェハの上面に、フォトレジストを塗布する。それから、フォトレジストが塗布されたウェハ４４が、電子ビーム露光装置１００におけるウェハステージ４６に載置される。ウェハ４４は、図１に関連して説明したように、第１多軸電子レンズ１６、第２多軸電子レンズ２４、第３多軸電子レンズ３４および第４多軸電子レンズ３６により複数の電子ビームの焦点調整を独立に行う焦点調整工程と、ブランキング電極アレイ２６により、ウェハ４４に、複数の電子ビームを照射するか否かを、電子ビーム毎に独立に切替える照射切替工程により、電子ビームをウェハ４４に対して照射することにより、パターン像が露光され、転写される。
【００６５】
それから、Ｓ１４で露光されたウェハ４４は、現像液に浸され、現像され、余分なレジストが除去される（Ｓ１６）。ついで、Ｓ１８で、ウェハ上のフォトレジストが除去された領域に存在するシリコン基板、絶縁膜あるいは導電膜が、プラズマを用いた異方性エッチングによりエッチングされる。またＳ２０で、トランジスタやダイオードなどの半導体素子を形成するために、ウェハに、ホウ素や砒素などの不純物を注入する。またＳ２２で、熱処理を施し、注入された不純物の活性化を行う。またＳ２４で、ウェハ上の有機汚染物や金属汚染物を取り除くために、薬液によりウェハを洗浄する。また、Ｓ２６で、導電膜や絶縁膜の成膜を行い、配線層および配線間の絶縁層を形成する。Ｓ１２〜Ｓ２６の工程を組み合わせ、繰り返し行うことによって、ウェハに素子分離領域、素子領域および配線層を有する半導体素子を製造することが可能となる。Ｓ２８で、所要の回路が形成されたウェハを切り出し、チップの組み立てを行う。Ｓ３０で半導体素子製造フローが終了する。
【００６６】
以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更又は改良を加えることができる。その様な変更又は改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。
【００６７】
【発明の効果】
上記説明から明らかなように、本発明によれば、所定の電子ビームの照射位置の検出することにより、当該所定の電子ビーム以外の電子ビームの照射位置を補正する電子ビーム補正方法及び電子ビーム露光装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係る電子ビーム露光装置１００の構成図である。
【図２】電子ビーム露光装置１００の動作全体のフローチャートである。
【図３】照射位置補正段階（Ｓ１１４）における、電子ビーム露光装置１００の動作のフローチャートである。
【図４】第１の電子ビーム発生部１０ａ及び第２の電子ビーム発生部１０ｂと、ウェハステージ４６との一例を示す図である。
【図５】本実施形態におけるマーク部５６の一例を示す図である。
【図６】第１の電子ビーム発生部１０ａ及び第２の電子ビーム発生部１０ｂと、マーク部５６が設けられたウェハステージ４６との位置関係を示す図である。
【図７】半導体素子製造工程のフローチャートである。
【符号の説明】
８・・筐体、１０ａ・・第１の電子ビーム発生部、１０ｂ・・第２の電子ビーム発生部、１４・・第１成形部材、１６・・第１多軸電子レンズ、１８・・第１成形偏向部、２０・・第２成形偏向部、２２・・第２成形部材、２４・・第２多軸電子レンズ、２６・・ブランキング電極アレイ、２８・・電子ビーム遮蔽部材、３４・・第３多軸電子レンズ、３６・・第４多軸電子レンズ、３８・・偏向部、４０・・電子検出部、４４・・ウェハ、４６・・ウェハステージ、４８・・ウェハステージ駆動部、５６・・マーク部、５７・・マーク、５２・・第５多軸電子レンズ、８０・・電子ビーム制御部、８２・・多軸電子レンズ制御部、８４・・成形偏向制御部、８６・・ブランキング電極アレイ制御部、９２・・偏向制御部、９４・・反射電子処理部、９６・・ウェハステージ制御部、１００・・電子ビーム露光装置、１１０・・電子ビーム成形手段、１１２・・照射切替手段、１１４・・ウェハ用投影系、１２０・・個別制御系、１３０・・統括制御部、１３２・・算出部、１３４・・メモリ、１３６・・位置検出部、１４０・・制御系、１５０・・露光部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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