(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化物系半導体レーザ素子と前記窒化物系半導体レーザ素子上に形成された融着材とを備え、
前記窒化物系半導体レーザ素子は、活性層及び前記活性層上に形成されたリッジ部を有する窒化物系半導体層と、前記リッジ部の露出された上面に接触するように形成された第１電極層とを有し、
前記第１電極層は、前記リッジ部に接触する第１金属層と、前記第１金属層上に形成された第２金属層とを含み、
前記第１金属層は、前記第２金属層の厚みよりも大きい厚みを有するとともに前記リッジ部の上面上のみに突出するように形成されており、
前記融着材は、前記第１電極層の上面上に形成されているとともに、前記融着材が前記活性層を覆わない範囲で、融着材層の厚みを厚くして、前記融着材の量を増加させた、窒化物系半導体レーザ装置。
【請求項２】
活性層及び前記活性層上に形成されたリッジ部を有する窒化物系半導体層と、前記リッジ部の露出された上面に接触するように形成された第１電極層とを有する窒化物系半導体レーザ素子を形成する工程と、
前記第１電極層の上面上に融着材を形成する工程とを備え、
前記第１電極層は、前記リッジ部に接触する第１金属層と、前記第１金属層上に形成された第２金属層とを含み、
前記第１金属層は、前記第２金属層の厚みよりも大きい厚みを有するとともに前記リッジ部の上面上のみに突出するように形成されており、
前記融着材を形成する工程において、前記融着材が前記活性層を覆わない範囲で、融着材層の厚みを厚くして、前記融着材の量を増加させる、窒化物系半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項３】
前記融着材を形成する工程は、前記第１電極層の上面を前記融着材によってサブマウントに押圧融着する工程を含む、請求項２に記載の窒化物系半導体レーザ装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、窒化物系半導体レーザ装置およびその製造方法に関し、特に、リッジ部を有する窒化物系半導体レーザ装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、窒化物系半導体レーザ装置は、次世代の大容量光ディスク用光源としての利用が期待され、その開発が盛んに行われている。
【０００３】
図１０は、従来の窒化物系半導体レーザ素子の構造を示した断面図である。図１０を参照して、従来の窒化物系半導体レーザ素子１５０では、サファイア基板１０１上に、約５μｍの膜厚を有するｎ型ＧａＮコンタクト層１０２が形成されている。ｎ型ＧａＮコンタクト層１０２上には、約１μｍの膜厚を有するｎ型ＡｌＧａＮからなるｎ型クラッド層１０３および約０．１μｍの膜厚を有する活性層１０４が形成されている。活性層１０４上には、突出部を有するｐ型ＡｌＧａＩｎＮからなるｐ型クラッド層１０５が形成されている。ｐ型クラッド層１０５の突出部上には、ｐ型ＧａＮコンタクト層１０６が形成されている。ｐ型クラッド層１０５の突出部とｐ型ＧａＮコンタクト層１０６とによって、約０．５μｍの膜厚を有するリッジ部が構成されている。リッジ部の上面上には、ｐ型ＧａＮコンタクト層１０６と接触するように、約０．５μｍの膜厚を有するｐ側電極１１０が形成されている。
【０００４】
また、ｐ型クラッド層１０５からｎ型ＧａＮコンタクト層１０２までの一部領域が除去されている。その露出されたｎ型ＧａＮコンタクト層１０２の上面の一部と、ｎ型クラッド層１０３、活性層１０４およびｐ型クラッド層１０５の側面と、ｐ型クラッド層１０５の上面とを覆うとともに、ｐ側電極１１０の上面を露出させるように、電流ブロック層１０７が形成されている。電流ブロック層１０７上には、リッジ部を覆うとともに、リッジ部の上面においてｐ側電極１１０と接触するように、約０．４μｍの膜厚を有するｐ側パッド電極１１１が形成されている。
【０００５】
また、ｐ型クラッド層１０５からｎ型ＧａＮコンタクト層１０２までの一部領域が除去されて露出したｎ型ＧａＮコンタクト層１０２の表面に、ｎ側電極１１２が形成されている。ｎ側電極１１２上には、ｎ側パッド電極１１３が形成されている。
【０００６】
上記のような構造を有する従来の窒化物系半導体レーザ素子１５０の電流経路としては、ｐ側パッド電極１１１から、ｐ側電極１１０、リッジ部を構成するｐ型ＧａＮコンタクト層１０６およびｐ型クラッド層１０５を経て、活性層１０４、ｎ型クラッド層１０３、ｎ型ＧａＮコンタクト層１０２、ｎ側電極１１２、ｎ側パッド電極１１３へと電流が流れる。これにより、リッジ部下方に位置する活性層１０４の領域において、レーザ光を発生させることができる。
【０００７】
上記のような構造を有する従来の窒化物系半導体レーザ素子１５０を書き換え可能な光ディスク用光源として用いる場合、窒化物系半導体レーザ素子１５０には、３０ｍＷ程度またはそれ以上の光出力での高出力動作が要求される。従来では、窒化物系半導体レーザ素子１５０を高出力動作させる場合に、発熱量が増大し、その結果、窒化物系半導体レーザ素子の寿命が劣化するという不都合があった。
【０００８】
そこで、従来、窒化物系半導体レーザ素子を高出力動作させる際の放熱対策として、サファイア基板１０１とサブマウント（放熱台）またはステムとの間の距離よりも、活性層１０４とサブマウントまたはステムとの間の距離が小さくなるように、レーザ素子をサブマウントまたはステムに密着させて組み立てる方法が用いられている。このような固着方法は、ジャンクションダウン（Ｊｕｎｃｔｉｏｎ−ｄｏｗｎ）と呼ばれる。特に、窒化物系半導体レーザ素子の場合、ＡｌＧａＡｓ系赤外半導体レーザ素子またはＡｌＧａＩｎＰ系赤色半導体レーザ素子に比べて、動作電圧が高いので、発熱量が大きくなる。このため、窒化物系半導体レーザ素子を高出力動作させるためには、放熱性に優れたジャンクションダウン組立が必要である。
【０００９】
図１１は、従来の窒化物系半導体レーザ素子をジャンクションダウンで組み立てた状態を示した概略図である。図１１を参照して、従来の窒化物系半導体レーザ素子１５０は、融着材１６０によって、サブマウント１７０に固定されている。また、サブマウント１７０は、ステム１７１に固定されている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、上記した従来の窒化物系半導体レーザ素子１５０をジャンクションダウンで組み立てる際には、活性層１０４と融着材１６０との距離が小さいため、窒化物系半導体レーザ素子１５０の活性層（発光部）１０４が融着材１６０によって覆われてしまうという問題点があった。以下、この問題点について詳しく説明する。
【００１１】
赤外レーザまたは赤色レーザなどの場合には、活性層とクラッド層の屈折率差を大きくすることができるため、活性層に強く光を閉じ込めることが可能である。このため、大きな厚みのコンタクト層を設けることによって、活性層（発光部）と融着材との距離を大きくすることが可能である。これにより、上記したような、活性層（発光部）が融着材によって覆われるという問題点を解決することができる。
【００１２】
その一方、窒化物系半導体レーザ素子１５０の場合には、コンタクト層として用いられるｐ型ＧａＮコンタクト層１０６およびｐ型クラッド層１０５と活性層１０４との屈折率の差がそれほど大きくない。このため、ｐ型ＧａＮコンタクト層１０６の厚みを厚く形成すると、ｐ型ＧａＮコンタクト層１０６は、光ガイド層のように機能するため、高次モードの発生が容易になる。それにより、窒化物系半導体レーザ素子１５０のモード制御が困難になるという新たな問題が生じる。このため、従来の窒化物系半導体レーザ素子１５０において、ｐ型ＧａＮコンタクト層１０６の厚みを厚くするのは困難である。その結果、従来では、窒化物系半導体レーザ素子１５０の活性層（発光部）１０４が融着材１６０によって覆われるという問題点を解決するのは困難であった。
【００１３】
図１２〜図１４は、従来の窒化物系半導体レーザ素子をジャンクションダウンで組み立てた状態の問題点を説明するための断面図である。従来の窒化物系半導体レーザ素子１５０を、サブマウント１７０に取り付ける場合、ｐ側パッド電極１１１の上面を半田などの融着材１６１により、サブマウント１７０に熱と圧力とを用いて押圧融着する。その際、従来では、活性層１０４からｐ側パッド電極１１１の上面までの距離が小さいために、図１２に示すように、融着材１６１の一部が窒化物系半導体レーザ素子１５０のリッジ部側の前端面をはい上がる。このため、従来では、発光部である活性層１０４が、融着材１６１に覆われるという不都合が生じる。この場合には、窒化物系半導体レーザ素子１５０の発光特性が劣化するという問題点が発生する。
【００１４】
また、図１３に示すように、融着材１６１の一部が窒化物系半導体レーザ素子１５０のリッジ部側の前端面をさらにはい上がり、発光部である活性層１０４の上面および下面に位置するｐ−ｎジャンクション部まではい上がって、短絡状態になるという問題点があった。このように短絡状態になると、素子が動作しなくなるという問題点があった。また、図１４に示すように、融着材１６１の一部が窒化物系半導体レーザ素子１５０の側面を活性層１０４を越えてｎ型クラッド層１０３（ｐ−ｎジャンクション部）まではい上がって、短絡状態となる場合もあった。
【００１５】
図１２〜図１４に示した場合のように、窒化物系半導体レーザ素子１５０の発光特性の劣化や短絡不良が発生すると、ジャンクションダウン組立の歩留まりが低下するという問題点があった。
【００１６】
また、従来では、図１２〜図１４に示したように、リッジ部からｐ側パッド電極１１１の上面までの距離が小さいために、融着材１６１の融着時の熱と圧力がリッジ部に伝達されやすい。そのため、その熱と圧力とに起因して、窒化物系半導体レーザ素子１５０の動作電圧が上昇する。その結果、動作時の発熱量が増大する。このため、窒化物系半導体レーザ素子１５０の素子寿命が低下するという問題点があった。
【００１７】
また、従来の窒化物系半導体レーザ素子１５０をステムに直接固定する場合（図示せず）にも、窒化物系半導体レーザ素子１５０をステムに固定するための融着材によって、活性層１０４、または、活性層１０４上に位置するｎ型クラッド層１０３が覆われるという不都合が生じる。それによっても、窒化物系半導体レーザ素子１５０の発光特性が劣化したり、短絡不良が発生するという問題点があった。
【００１８】
また、従来では、融着材１６１が活性層１０４を覆わないように、サブマウント１７０に蒸着されている融着材１６１の厚みを薄くする方法や、ステムに直接窒化物系半導体レーザ素子１５０を固着する場合には、ペレット状の融着材１６１の量を減少させる方法が提案されている。しかし、この方法では、窒化物系半導体レーザ素子１５０を、サブマウント１７０に確実に融着することができなくなるので、窒化物系半導体レーザ素子１５０がサブマウント１７０から剥離してしまうという不都合が新たに発生する。このため、この場合にも、ジャンクションダウン組立の歩留まりが低下するという問題点があった。
【００１９】
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、
この発明の一つの目的は、ジャンクションダウン組立の歩留まりを向上させることが可能な窒化物系半導体レーザ装置およびその製造方法を提供することである。
【００２０】
この発明のもう一つの目的は、素子寿命の低下を防止することが可能な窒化物系半導体レーザ装置およびその製造方法を提供することである。
【００２１】
この発明のさらにもう一つの目的は、ジャンクションダウン組立の際に発光特性が劣化するのを防止することが可能な窒化物系半導体レーザ装置およびその製造方法を提供することである。
【００２２】
この発明の他の目的は、ジャンクションダウン組立の際の短絡不良を防止することが可能な窒化物系半導体レーザ装置およびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００２３】
この発明の一の局面による窒化物系半導体レーザ装置は、窒化物系半導体レーザ素子と窒化物系半導体レーザ素子上に形成された融着材とを備え、窒化物系半導体レーザ素子は、活性層及び活性層上に形成されたリッジ部を有する窒化物系半導体層と、リッジ部の露出された上面に接触するように形成された第１電極層とを有し、第１電極層は、リッジ部に接触する第１金属層と、第１金属層上に形成された第２金属層とを含み、第１金属層は、前記第２金属層の厚みよりも大きい厚みを有するとともに前記リッジ部の上面上のみに突出するように形成されており、融着材は、前記第１電極層の上面上に形成されている。
【００２４】
この一の局面による窒化物系半導体レーザ装置では、活性層下のクラッド層の下面からリッジ部の上面までの距離よりも大きい厚みを有する第１電極層を設けてもよい。このように構成すれば、活性層から第１電極層の上面までの距離が大きくなる。これにより、第１電極層の上面を融着材によって放熱のための基台に固定する際に、融着材と活性層との距離が大きくなるので、活性層（発光部）が融着材によって覆われるのを防止することができる。その結果、窒化物系半導体レーザ装置の発光特性が劣化するのを防止することができる。また、融着材と活性層との距離が大きくなるので、活性層（発光部）の上面および下面に位置するｐ−ｎジャンクション部が融着材によって覆われるのを防止することができる。その結果、窒化物系半導体レーザ装置の短絡不良を防止することができる。上記のように、発光特性の劣化と短絡不良とを防止することができるので、組立歩留まりを向上させることができる。また、融着材と活性層との距離が大きくなるので、融着材が活性層（発光部）を覆わない範囲で、融着材層の厚みを厚くしたり、融着材の量を増加させることができる。これにより、窒化物系半導体層および第１電極層を含むレーザ素子を、放熱のための基台に、確実に融着することができ、その結果、レーザ素子が基台から剥離するのを有効に防止することができる。これによっても、組立の歩留まりを向上させることができる。
【００２５】
また、リッジ部から第１電極層の上面までの距離も大きくなるので、融着材による融着時に、熱がリッジ部に伝達されにくくなるとともに、比較的柔らかい材料からなる第１電極層の厚みが大きくなった分、リッジ部に伝わる圧力を吸収することができる。これにより、融着時の熱と圧力に起因して窒化物系半導体レーザ装置の動作電圧が上昇するのを防止することができるので、発熱量の増大を防止することができる。その結果、窒化物系半導体レーザ装置の素子寿命の低下を防止することができる。
【００２６】
【００２７】
上記一の局面による窒化物系半導体レーザ装置では、第１電極層は、リッジ部に接触する第１金属層と、第１金属層上に形成され、表面が露出される第２金属層とを含み、第１金属層は、第２金属層の厚みよりも大きい厚みを有する。このように構成すれば、第２金属層と第２金属層よりも厚みの大きい第１金属層とによって、第１電極層の厚みを容易に厚くすることができる。これにより、第１電極層の上面を融着材によって放熱のための基台に固定する際に、融着材と活性層との距離を大きくすることができる。
【００２８】
また、上記一の局面による窒化物系半導体レーザ装置では、第２金属層の厚みよりも大きい厚みを有する第１金属層は、リッジ部の上面上のみに突出するように形成されている。このように構成すれば、リッジ部上の突出部とその突出部以外の部分との段差が大きくなるため、リッジ部とそのリッジ部の直下に位置する発光点位置を容易に判別することができる。その結果、ジャンクションダウン組立時に発光点位置を高精度に制御することができる。
【００２９】
また、上記の場合、リッジ部の上面以外の領域を覆うように形成された電流阻止層をさらに備え、第１金属層は、リッジ部上のみならず、電流阻止層上にも形成されていてもよい。また、リッジ部上および電流阻止層上に形成された窒化物系半導体からなるコンタクト層をさらに備え、第１金属層は、コンタクト層を介して、リッジ部上および電流阻止層上に形成されていてもよい。また、第１金属層は、異なる金属からなる多層膜を含んでいてもよい。
【００３０】
上記一の局面による窒化物系半導体レーザ装置において、好ましくは、第１電極層は、リッジ部に接触する第１金属層と、第１金属層上に形成された第２金属層と、第２金属層上に形成された第３金属層を含み、第３金属層は、第１金属層および第２金属層の厚みよりも大きい厚みを有する。このように構成すれば、第１および第２金属層と、第１および第２金属層よりも厚みの大きい第３金属層とによって、第１電極層の厚みを容易に厚くすることができる。これにより、第１電極層の上面を融着材によって放熱のための基台に固定する際に、融着材と活性層との距離を大きくすることができる。
【００３１】
この場合、第１金属層、第２金属層および第３金属層は、それぞれ、多層構造を有していてもよい。
【００３２】
上記の場合、好ましくは、リッジ部の上面以外の領域を覆うように形成された電流阻止層をさらに備え、電流阻止層は、リッジ部とは異なる導電型の窒化物半導体、および、絶縁膜のうちのいずれかを含む。この場合、電流阻止層は、リッジ部とは異なる導電型の窒化物半導体からなり、窒化物系半導体層の一部領域が除去されて露出された表面に形成された第２電極層と、窒化物系半導体層の一部領域が除去されて露出された側面に形成された絶縁膜からなる保護膜とをさらに備えるようにしてもよい。
【００３３】
上記の場合、窒化物系半導体層および第１電極層を含む素子を、活性層側から取り付けるための基台をさらに備えていてもよい。このように構成すれば、発光時に活性層からの熱を基台を介して良好に放熱することができる。
【００３４】
【００３５】
【００３６】
【発明を実施するための最良の形態】
【００３７】
以下、本発明の実施形態および参考形態を図面に基づいて説明する。
【００３８】
（第１参考形態）
図１は、本発明の第１参考形態による窒化物系半導体レーザ素子の構造を説明するための断面図である。図２は、図１に示した第１参考形態の窒化物系半導体レーザ素子を活性層側からジャンクションダウン方式でサブマウントに取り付けた状態を示した断面図である。
【００３９】
まず、図１を参照して、第１参考形態による窒化物系半導体レーザ素子の構造について説明する。この第１参考形態では、サファイア基板１上に、約４μｍ〜約６μｍの膜厚を有するＧａＮからなるｎ型コンタクト層２が形成されている。ｎ型コンタクト層２上には、約０．６μｍ〜約１．２μｍの膜厚を有するＡｌＧａＮからなるｎ型クラッド層３と、多重量子井戸（ＭＱＷ；Ｍｕｌｔｉｐｌｅ  Ｑｕａｎｔｕｍ  Ｗｅｌｌ）構造を有するＭＱＷ活性層４とが形成されている。このＭＱＷ活性層４は、約４ｎｍ〜約８ｎｍの厚みを有する３つのＩｎXＧａ1-XＮ量子井戸層と、約８ｎｍ〜約２４ｎｍの厚みを有する４つのＩｎYＧａ1-YＮ量子障壁層とが交互に積層された構造を有する。従って、ＭＱＷ活性層４は、約４４ｎｍ〜約１２０ｎｍ（約０．０４４μｍ〜約０．１２μｍ）の厚みを有する。ここで、Ｘ＞Ｙであり、第１実施形態においては、Ｘ＝０．１３、Ｙ＝０．０５である。なお、ｎ型クラッド層３が、本発明の「クラッド層」の一例であり、ＭＱＷ活性層４が、本発明の「活性層」の一例である。
【００４０】
ＭＱＷ活性層４上には、突出部を有するＡｌＧａＮからなるｐ型クラッド層５が形成されている。このｐ型クラッド層５の突出部分の膜厚は、約０．３μｍ〜約０．６μｍであるとともに、突出部以外の領域の膜厚は、約０．１μｍである。なお、ＭＱＷ活性層４およびｐ型クラッド層５が、本発明の「窒化物系半導体層」の一例である。
【００４１】
ｐ型クラッド層５の突出部の上面上には、約０．０５μｍ〜約０．１５μｍの膜厚を有するＧａＮからなるｐ型コンタクト層６が形成されている。ｐ型クラッド層５の突出部とｐ型コンタクト層６とによって、リッジ部が構成されている。リッジ部の上面上には、ｐ型コンタクト層６の上面のほぼ全面と接触するように、約０．３ｎｍ〜約１ｎｍの膜厚を有するＰｔと、約３ｎｍ〜約７ｎｍの膜厚を有するＰｄとからなるｐ側電極１０が形成されている。
【００４２】
この場合、Ｐｔによりｐ側電極１０のＧａＮからなるｐ型コンタクト層６に対する付着力を強くすることができるとともに、Ｐｄにより低いコンタクト抵抗を得ることができる。
【００４３】
また、ｐ型クラッド層５からｎ型ＧａＮコンタクト層２までの一部領域が除去されている。その露出されたｎ型ＧａＮコンタクト層２の上面の一部と、ｎ型クラッド層３、ＭＱＷ活性層４およびｐ型クラッド層５の側面と、ｐ型クラッド層５の上面とを覆うとともに、ｐ側電極１０の上面を露出させるように、約０．２μｍの膜厚を有するＳｉＯ2からなる電流ブロック層７が形成されている。なお、電流ブロック層７が、本発明の「電流阻止層」の一例である。
【００４４】
ここで、この第１参考形態では、電流ブロック層７上に、ｐ側電極１０と接触するように、約３μｍの大きな厚みを有するＡｕからなる、ｐ側パッド電極１１が形成されている。これにより、第１参考形態では、ｐ側電極１０とｐ側パッド電極１１との合計膜厚（約３μｍ）が、ＭＱＷ活性層４下のｎ型クラッド層３の下面からリッジ部の上面までの距離（約１．０μｍ〜約２．１μｍ）よりも大きくなる。このため、第１参考形態では、ｐ側パッド電極１１の上面からＭＱＷ活性層４までの距離が大きくなる。
【００４５】
なお、ｐ側電極１０およびｐ側パッド電極１１が、本発明の「第１電極層」の一例である。また、ｐ側電極１０が、本発明の「第１金属層」の一例であり、ｐ側パッド電極１１が、本発明の「第２金属層」の一例である。
【００４６】
また、露出されたｎ型ＧａＮコンタクト層２の表面に、ｎ側電極１２が形成されている。ｎ側電極１２上には、ｎ側パッド電極１３が形成されている。なお、ｎ側電極１２およびｎ側パッド電極１３が、本発明の「第２電極層」の一例である。
【００４７】
上記のような構造を有する窒化物系半導体レーザ素子の電流経路としては、ｐ側パッド電極１１から、ｐ側電極１０、リッジ部を構成するｐ型ＧａＮコンタクト層６およびｐ型クラッド層５を経て、ＭＱＷ活性層４、ｎ型クラッド層３、ｎ型ＧａＮコンタクト層２、ｎ側電極１２、ｎ側パッド電極１３へと電流が流れる。これにより、リッジ部下方に位置するＭＱＷ活性層４の領域において、レーザ光を発生させることができる。
【００４８】
図１に示した構造を有する窒化物系半導体レーザ素子を、サファイア基板１とサブマウント７０との距離よりも、ＭＱＷ活性層４とサブマウント７０との距離の方が近づくように、ジャンクションダウン方式でサブマウント７０に取り付けると、図２に示すような構造になる。図２を参照して、窒化物系半導体レーザ装置をサブマウント７０に取り付ける場合、ｐ側パッド電極１１の上面を半田などの融着材６１により、サブマウント７０に熱と圧力とを用いて押圧融着する。これにより、窒化物系半導体レーザ素子がサブマウント７０に固定される。なお、サブマウント７０が、本発明の「放熱のための基台」に相当する。この後、サブマウント７０をステム（図示せず）に固定して、組立が行われる。
【００４９】
第１参考形態では、上記のように、ｐ側パッド電極１１を大きな厚み（約３μｍ）で形成することによって、ＭＱＷ活性層４からｐ側パッド電極１１の上面までの距離が大きくなる。これにより、ｐ側パッド電極１１の上面を融着材６１によって、ジャンクションダウン方式でサブマウント７０に固定する際に、融着材６１とＭＱＷ活性層４との距離が大きくなるので、図２に示したように、ＭＱＷ活性層４が融着材６１によって覆われるのを防止することができる。その結果、発光特性が劣化するのを防止することができる。また、第１参考形態では、融着材６１とＭＱＷ活性層４との距離が大きくなるので、ジャンクションダウン組立時に融着材６１がＭＱＷ活性層を越えてｎ型クラッド層３（ｐ−ｎジャンクション部）の前面または側面に達するのを防止することができる。その結果、窒化物系半導体レーザ素子の短絡不良を防止することができる。このように、第１参考形態では、発光特性の劣化と短絡不良とを防止することができるので、ジャンクションダウン組立時の歩留まりを向上させることができる。
【００５０】
また、第１参考形態では、上記のように、ｐ側パッド電極１１を大きな厚み（約３μｍ）で形成することによって、融着材６１とＭＱＷ活性層４との距離が大きくなるので、融着材６１がＭＱＷ活性層４を覆わない範囲で、半田などの融着材６１の厚みを厚くしたり、ペレット状の融着材６１の量を増加させることができる。これにより、窒化物系半導体レーザ素子をサブマウント７０またはステム（図示せず）に確実に融着することができ、その結果、レーザ素子がサブマウント７０またはステムから剥離するのを有効に防止することができる。これによっても、組立の歩留まりを向上させることができる。
【００５１】
また、第１参考形態では、上記のように、ｐ側パッド電極１１を大きな厚み（約３μｍ）で形成することによって、リッジ部からｐ側パッド電極１１の上面までの距離も大きくなる。それによって、融着材６１による融着時に、熱がリッジ部に伝達されにくくなるとともに、比較的柔らかい材料（Ａｕ）からなるｐ側パッド電極１１の厚みが大きくなった分、リッジ部に伝わる圧力を吸収することができる。これにより、融着時の熱や圧力に起因して窒化物系半導体レーザ素子の動作電圧が上昇するのを防止することができるので、発熱量の増大を防止することができる。その結果、窒化物系半導体レーザ素子の素子寿命の低下を防止することができる。
【００５２】
また、第１参考形態では、上記のように、ｐ側パッド電極１１を大きな厚みで形成することによって、ＭＱＷ活性層４（発光部）で発生した熱を、リッジ部を介して、ｐ側パッド電極１１内を横方向にも放出することができる。その結果、良好な放熱特性を得ることができる。
【００５３】
（第１実施形態）
図３は、本発明の第１実施形態による窒化物系半導体レーザ素子の構造を説明するための断面図である。図４は、図３に示した第１実施形態の窒化物系半導体レーザ素子を活性層側からジャンクションダウン方式でサブマウントに取り付けた状態を示した断面図である。
【００５４】
まず、図３を参照して、この第１実施形態による窒化物系半導体レーザ素子では、上記した第１参考形態と異なり、ｐ側電極２０を大きな厚みで形成した例を示している。この第１実施形態では、リッジ部の上面上に、ｐ型コンタクト層６の上面のほぼ全面と接触するように、約０．５ｎｍの膜厚を有するＰｔと、約５ｎｍの膜厚を有するＰｄと、約３μｍの膜厚を有するＡｕとからなる大きな厚みを有するｐ側電極２０が形成されている。
【００５５】
この場合、Ｐｔによりｐ側電極２０のＧａＮからなるｐ型コンタクト層６に対する付着力を強くすることができるとともに、Ｐｄにより低いコンタクト抵抗を得ることができる。
【００５６】
また、ｐ側電極２０を覆うように、約８０ｎｍ（約０．０８μｍ）の膜厚を有するＴｉと約０．２μｍの膜厚を有するＡｕとからなるｐ側パッド電極２１が形成されている。
【００５７】
なお、ｐ側電極２０およびｐ側パッド電極２１が、本発明の「第１電極層」の一例である。また、ｐ側電極２０が、本発明の「第１金属層」の一例であり、ｐ側パッド電極２１が、本発明の「第２金属層」の一例である。この第１実施形態のその他の構造は、図１に示した第１参考形態の構造とほぼ同様である。
【００５８】
図３に示した構造を有する第１実施形態の窒化物系半導体レーザ素子を、ジャンクションダウン方式でサブマウント７０に取り付けると、図４に示すような構造になる。図４を参照して、第１実施形態の窒化物系半導体レーザ素子をサブマウント７０に取り付ける場合、第１参考形態と同様、ｐ側パッド電極２１の上面を、半田などの融着材６２によって熱と圧力とを用いてサブマウント７０に押圧融着する。
【００５９】
第１実施形態では、第１参考形態と異なり、ｐ側電極２０を、リッジ部の上面のほぼ全面と接触するように、大きな厚みで形成することによって、図３に示すように、リッジ部上に形成される突出部とそれ以外の部分との段差が大きくなる。それによって、リッジ部およびその直下に存在するＭＱＷ活性層４の発光点位置を容易に判別することができる。その結果、組立時に、発光点位置を精密に制御することができる。
【００６０】
また、第１実施形態では、上記のように、ｐ側電極２０を大きな厚み（約３μｍ）で形成することによって、第１参考形態と同様、ＭＱＷ活性層４からｐ側パッド電極２１の上面までの距離が大きくなる。これにより、ｐ側パッド電極２１の上面を融着材６２によって、ジャンクションダウン方式でサブマウント７０に固定する際に、融着材６２とＭＱＷ活性層４との距離が大きくなるので、図４に示したように、ＭＱＷ活性層４が融着材６２によって覆われるのを防止することができる。その結果、発光特性が劣化するのを防止することができる。また、第１実施形態では、融着材６２とＭＱＷ活性層４との距離が大きくなるので、第１参考形態と同様、ジャンクションダウン組立時に融着材６２がＭＱＷ活性層４を越えてｎ型クラッド層３（ｐ−ｎジャンクション部）の前面または側面に達するのを防止することができる。その結果、窒化物系半導体レーザ素子の短絡不良を防止することができる。このように、第１実施形態では、第１参考形態と同様、発光特性の劣化と短絡不良とを防止することができるので、ジャンクションダウン組立時の歩留まりを向上させることができる。
【００６１】
また、第１実施形態では、上記のように、ｐ側電極２０を大きな厚み（約３μｍ）で形成することによって、第１参考形態と同様、融着材６２とＭＱＷ活性層４との距離が大きくなるので、融着材６２がＭＱＷ活性層４を覆わない範囲で、半田などの融着材６２の厚みを厚くしたり、ペレット状の融着材６２の量を増加させることができる。これにより、窒化物系半導体レーザ素子をサブマウント７０またはステム（図示せず）に確実に融着することができ、その結果、レーザ素子がサブマウント７０またはステムから剥離するのを有効に防止することができる。これによっても、組立の歩留まりを向上させることができる。
【００６２】
また、第１実施形態では、上記のように、ｐ側電極２０を大きな厚み（約３μｍ）で形成することによって、リッジ部からｐ側パッド電極２１の上面までの距離も大きくなる。それによって、融着材６２による融着時に、熱がリッジ部に伝達されにくくなるとともに、比較的柔らかい材料（Ａｕ）を含むｐ側電極２０の厚みが大きくなった分、リッジ部に伝わる圧力を吸収することができる。これにより、第１参考形態と同様、融着時の熱と圧力に起因して窒化物系半導体レーザ素子の動作電圧が上昇するのを防止することができるので、発熱量の増大を防止することができる。その結果、窒化物系半導体レーザ素子の素子寿命の低下を防止することができる。
【００６３】
（第２参考形態）
図５は、本発明の第２参考形態による窒化物系半導体レーザ素子の構造を説明するための断面図である。図６は、図５に示した第２参考形態の窒化物系半導体レーザ素子を活性層側からジャンクションダウン方式でサブマウントに取り付けた状態を示した断面図である。
【００６４】
まず、図５を参照して、第２参考形態による窒化物系半導体レーザ素子では、ｐ側電極３０上のｐ側パッド電極３１上に、さらに、厚みの大きなｐ側厚膜電極３２を形成した例を示している。この第２参考形態では、ｐ側電極３０は、約０．３ｎｍ〜約１．０ｎｍの膜厚を有するＰｔと、約３ｎｍ〜約７ｎｍの膜厚を有するＰｄと、約２００ｎｍ〜約３００ｎｍの膜厚を有するＡｕと、約２００ｎｍ〜約３００ｎｍの膜厚を有するＮｉとの積層膜からなる。
【００６５】
この場合、Ｐｔによりｐ側電極３０のＧａＮからなるｐ型コンタクト層６に対する付着力を強くすることができるとともに、Ｐｄにより低いコンタクト抵抗を得ることができる。
【００６６】
また、ｐ側パッド電極３１は、約５ｎｍ〜約１２０ｎｍの膜厚を有するＴｉと、約８０ｎｍ〜約１２０ｎｍの膜厚を有するＰｔと、約１６０ｎｍ〜約２４０ｎｍの膜厚を有するＡｕとの積層膜からなる。また、ｐ側厚膜電極３２は、約８０ｎｍ〜約１２０ｎｍの膜厚を有するＰｄと、約２．５μｍ〜約３．５μｍの膜厚を有するＡｕと、約１２０ｎｍ〜約１８０ｎｍの膜厚を有するＰｔと、約８０ｎｍ〜約１２０ｎｍの膜厚を有するＡｕとの積層膜からなる。
【００６７】
なお、ｐ側電極３０、ｐ側パッド電極３１およびｐ側厚膜電極３２が、本発明の「第１電極層」の一例である。また、ｐ側電極３０が、本発明の「第１金属層」の一例であり、ｐ側パッド電極３１が、本発明の「第２金属層」の一例であり、ｐ側厚膜電極３２が、本発明の「第３金属層」の一例である。この第２参考形態のその他の構造は、図１に示した第１参考形態とほぼ同様である。
【００６８】
図５に示した構造を有する第２参考形態の窒化物系半導体レーザ素子を、ジャンクションダウン方式でサブマウント７０に取り付けると、図６に示すような構造になる。図６を参照して、窒化物系半導体レーザ素子をサブマウント７０に取り付ける場合、ｐ側厚膜電極３２の上面を融着材６３によって、熱と圧力によりサブマウント７０に押圧融着する。
【００６９】
第２参考形態では、上記のように、ｐ側パッド電極３１上に、大きな膜厚（約２．８μｍ〜約３．９μｍ）を有するｐ側厚膜電極３２を形成することによって、ＭＱＷ活性層４からｐ側厚膜電極３２の上面までの距離が大きくなる。これにより、ｐ側厚膜電極３２の上面を半田などの融着材６３によって、ジャンクションダウン方式でサブマウント７０に固定する際に、融着材６３とＭＱＷ活性層４との距離が大きくなるので、図６に示したように、ＭＱＷ活性層４が融着材６３によって覆われるのを防止することができる。その結果、第１参考形態および第１実施形態と同様、発光特性が劣化するのを防止することができる。また、第２参考施形態では、融着材６３とＭＱＷ活性層４との距離が大きくなるので、第１参考形態および第１実施形態と同様、ジャンクションダウン組立時に融着材６３がＭＱＷ活性層４を越えてｎ型クラッド層３（ｐ−ｎジャンクション部）の前面または側面に達するのを防止することができる。その結果、窒化物系半導体レーザ素子の短絡不良を防止することができる。このように、第２参考形態では、第１参考形態および第１実施形態と同様、発光特性の劣化と短絡不良とを防止することができるので、ジャンクションダウン組立時の歩留まりを向上させることができる。
【００７０】
また、第２参考形態では、上記のように、ｐ側パッド電極３１上に、大きな膜厚を有するｐ側厚膜電極３２を形成することによって、第１参考形態および第１実施形態と同様、融着材６３とＭＱＷ活性層４との距離が大きくなるので、融着材６３がＭＱＷ活性層４を覆わない範囲で、半田などの融着材６３の厚みを厚くしたり、ペレット状の融着材６３の量を増加させることができる。これにより、窒化物系半導体レーザ素子をサブマウント７０またはステム（図示せず）に確実に融着することができ、その結果、レーザ素子がサブマウント７０またはステムから剥離するのを有効に防止することができる。これによっても、組立の歩留まりを向上させることができる。
【００７１】
また、第２参考形態では、上記のように、ｐ側パッド電極３１上に、大きな膜厚を有するｐ側厚膜電極３２を形成することによって、リッジ部からｐ側厚膜電極３２の上面までの距離も大きくなる。それによって、融着材６３による融着時に、熱がリッジ部に伝達されにくくなるとともに、比較的柔らかい材料（Ａｕ）を含むｐ側厚膜電極３２を大きな厚みで形成した分、リッジ部に伝わる圧力を吸収することができる。これにより、第１参考形態および第１実施形態と同様、融着時の熱と圧力に起因して、窒化物系半導体レーザ素子の動作電圧が上昇するのを防止することができるので、発熱量の増大を防止することができる。その結果、窒化物系半導体レーザ素子の素子寿命の低下を防止することができる。
【００７２】
ここで、ｐ側パッド電極３１上にｐ側厚膜電極３２を形成しない場合と、ｐ側パッド電極３１上にｐ側厚膜電極３２を形成する場合との動作電圧の変化を比較した結果を、以下の表１および表２を参照して説明する。
【００７３】
【表１】
0004401402.tif 000002
この実験では、ｐ側電極３０を構成するＰｔ、Ｐｄ、ＡｕおよびＮｉの厚みを、それぞれ、約０．７ｎｍ、約５ｎｍ、約２４０ｎｍおよび約２４０ｎｍにした。また、ｐ側パッド電極３１を構成するＴｉ、ＰｔおよびＡｕの厚みを、それぞれ、約１００ｎｍ、約１００ｎｍおよび約２００ｎｍにした。また、ｐ側厚膜電極３２を構成するＰｄ、Ａｕ、ＰｔおよびＡｕの厚みを、それぞれ、約１００ｎｍ、約３μｍ、約１５０ｎｍおよび約１００ｎｍにした。なお、表１および表２を参照して、Ｖｆ＠１００ｍＡ（Ｖ）は、一定の電流（１００ｍＡ）での順方向電圧である。また、ΔＶｆは、組立前と組立後との電圧の上昇分を示している。そして、表１には、ｐ側パッド電極３１上にｐ側厚膜電極３２を形成しない場合が示されており、表２には、ｐ側パッド電極３１上にｐ側厚膜電極３２を形成した場合が示されている。
【００７４】
ｐ側パッド電極３１上にｐ側厚膜電極３２を形成しない場合には、表１に示すように、組立前と、ジャンクションダウンで組立後との間の動作電圧上昇分ΔＶｆは、２．１（Ｖ）であった。一方、ｐ側パッド電極３１上にｐ側厚膜電極３２を形成した第２参考形態による窒化物系半導体レーザ素子においては、動作電圧上昇分ΔＶｆは、０．４（Ｖ）であった。このように、実験データから、第２参考形態において、動作電圧の上昇が低減されていることがわかる。
【００７５】
また、第２参考形態では、上記のように、ｐ側パッド電極３１上に、大きな膜厚を有するｐ側厚膜電極３２を形成することによって、ＭＱＷ活性層４（発光部）で発生した熱を、リッジ部を介して、ｐ側厚膜電極３２内を横方向にも放出することができる。その結果、良好な放熱特性を得ることができる。
【００７６】
（第３参考形態）
図７は、本発明の第３参考形態による窒化物系半導体レーザ素子の構造を説明するための断面図である。
【００７７】
まず、図７を参照して、第３参考形態による窒化物系半導体レーザ素子では、図１に示した第１参考形態の電流ブロック層７の代わりに、ＳｉＯ2からなる保護膜４０およびＡｌＧａＮからなるｎ型電流ブロック層４７を形成した例を示している。すなわち、この第３参考形態では、一部領域が除去されて露出されたｎ型ＧａＮコンタクト層２、ｎ型クラッド層３、ＭＱＷ活性層４およびｐ型クラッド層５の側面を覆うように、約０．２μｍ〜約０．５μｍの膜厚を有するＳｉＯ2からなる保護膜４０が形成されている。また、ｐ型クラッド層５の上面およびリッジ部の側面を覆うとともに、ｐ側電極１０の上面を露出させるように、約０．１μｍ〜約０．６μｍの膜厚を有するＡｌＧａＮからなるｎ型電流ブロック層４７が形成されている。なお、ｎ型電流ブロック層４７が、本発明の「電流阻止層」の一例である。また、この第３参考形態のその他の構造は、図１に示した第１参考形態の構造とほぼ同様である。
【００７８】
図７に示した構造を有する第３参考形態の窒化物系半導体レーザ素子を、ジャンクションダウン方式でサブマウントに取り付ける場合、第１参考形態と同様、ｐ側パッド電極１１の上面を融着材によってサブマウントに押圧融着して、固定する。
【００７９】
第３参考形態では、上記のように、第１参考形態のＳｉＯ2からなる電流ブロック層７の代わりに、ＳｉＯ2からなる保護膜４０およびＡｌＧａＮからなるｎ型電流ブロック層４７を形成することによって、第１参考形態と同様の効果を得ることができる。
【００８０】
（第４参考形態）
図８は、本発明の第４参考形態による窒化物系半導体レーザ素子の構造を説明するための断面図である。
【００８１】
まず、図８を参照して、この第４参考形態では、上記第１〜第３参考形態および第１実施形態と異なり、ｐ側電極５０をリッジ部上のみならず電流ブロック層５７上にも形成するとともに、ｐ側電極５０の上面のほぼ全面に、ｐ側パッド電極５１を大きな厚みで形成した例について示している。なお、電流ブロック層５７が、本発明の「電流阻止層」の一例である。
【００８２】
すなわち、この第４参考形態では、一部領域が除去されて露出されたｎ型ＧａＮコンタクト層２の上面の一部と、ｎ型クラッド層３、ＭＱＷ活性層４およびｐ型クラッド層５の側面と、ｐ型クラッド層５の上面とを覆うとともに、リッジ部の上面（ｐ型ＧａＮコンタクト層６の上面）のみを露出させるように、ＳｉＯ2からなる電流ブロック層５７が成されている。電流ブロック層５７上には、電流ブロック層５７の上面のほぼ全面を覆うとともに、リッジ部の上面においてｐ型コンタクト層６と接触するように、約０．３ｎｍ〜約１ｎｍの膜厚を有するＰｔと、約３ｎｍ〜約７ｎｍの膜厚を有するＰｄとからなるｐ側電極５０が形成されている。また、ｐ側電極５０の上面のほぼ全面を覆うように、約３μｍの大きな膜厚を有するＡｕからなるｐ側パッド電極５１が形成されている。
【００８３】
なお、ｐ側電極５０およびｐ側パッド電極５１が、本発明の「第１電極層」の一例である。また、ｐ側電極５０が、本発明の「第１金属層」の一例であり、ｐ側パッド電極５１が、本発明の「第２金属層」の一例である。なお、この第４参考形態のその他の構造は、図１に示した第１参考形態の構造とほぼ同様である。
【００８４】
図８に示した構造を有する窒化物系半導体レーザ素子を、ジャンクションダウン方式でサブマウントに取り付ける場合、第１参考形態と同様、ｐ側パッド電極５１の上面を融着材によってサブマウントに押圧融着して、固定する。
【００８５】
第４参考形態では、リッジ部上のみならず電流ブロック層５７上にも形成したｐ側電極５０の上面のほぼ全面を覆うように、ｐ側パッド電極５１を形成することによって、第１〜第３参考形態および第１実施形態に比べて、ｐ側電極５０とｐ側パッド電極５１との接触面積が増加する。これにより、ｐ側電極５０からｐ側パッド電極５１への放熱を良好に行うことができる。また、ｐ側パッド電極５１を大きな厚み（約３μｍ）で形成することによって、ＭＱＷ活性層４（発光部）で発生した熱を、ｐ側パッド電極５１内を横方向にも放出することができる。その結果、良好な放熱特性を得ることができる。
【００８６】
なお、第４参考形態では、上記のように、ｐ側電極５０の上面上のほぼ全面に、ｐ側パッド電極５１を大きな厚みで形成することによって、上記した第１参考形態と同様の効果を得ることができる。
【００８７】
（第５参考形態）
図９は、本発明の第５参考形態による窒化物系半導体レーザ素子の構造を説明するための断面図である。
【００８８】
まず、図９を参照して、この第５参考形態による窒化物系半導体レーザ素子では、図８に示した第４参考形態のｐ側電極５０の下に、ｐ型ＧａＮ第２コンタクト層６６を形成した例を示している。また、この第５参考形態では、第４参考形態の電流ブロック層５７の代わりに、保護膜４０およびｎ型電流ブロック層４７を形成している。なお、ｐ型ＧａＮ第２コンタクト層６６が、本発明の「コンタクト層」の一例である。
【００８９】
すなわち、この第５参考形態では、一部領域が除去されて露出されたｎ型ＧａＮコンタクト層２の上面の一部上と、ｎ型クラッド層３、ＭＱＷ活性層４およびｐ型クラッド層５の側面とを覆うように、約０．２μｍ〜約０．５μｍの膜厚を有するＳｉＯ2からなる保護膜４０が形成されている。また、ｐ型クラッド層５の上面を覆うとともに、ｐ型ＧａＮコンタクト層６の上面のみを露出させるように、約０．１μｍ〜約０．６μｍの膜厚を有するＡｌＧａＮからなるｎ型電流ブロック層４７が形成されている。電流ブロック層４７上には、電流ブロック層４７の上面のほぼ全面を覆うとともに、リッジ部の上面においてｐ型コンタクト層６と接触するように、ｐ型ＧａＮ第２コンタクト層６６が形成されている。また、ｐ型ＧａＮ第２コンタクト層６６の上面のほぼ全面を覆うように、ｐ側電極５０と、大きな膜厚を有するｐ側パッド電極５１とが形成されている。なお、ｐ側電極５０およびｐ側パッド電極５１の構成材料および膜厚は、図８に示した第４参考形態と同じである。また、この第５参考形態のその他の構造は、図８に示した第４参考形態の構造とほぼ同様である。
【００９０】
図９に示した構造を有する第５参考形態の窒化物系半導体レーザ素子を、ジャンクションダウン方式でサブマウントに取り付ける場合、第４参考形態と同様、ｐ側パッド電極５１の上面を融着材によってサブマウントに押圧融着して、固定する。
【００９１】
第５参考形態では、上記のように、電流ブロック層４７の上面のほぼ全面に、ｐ型ＧａＮ第２コンタクト層６６を形成するとともに、ｐ型ＧａＮ第２コンタクト層６６の上面のほぼ全面を覆うように、ｐ側電極５０および厚みの大きなｐ側パッド電極５１を形成することによって、第４参考形態と同様の効果を得ることができる。
【００９２】
なお、今回開示された実施形態および参考形態は、すべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態および参考形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
【００９３】
たとえば、第３および第５参考施形態では、保護膜４０をＳｉＯ2により形成したが、本発明はこれに限らず、絶縁膜であれば、同様の効果を得ることができる。
【００９４】
また、第３および第５参考形態では、ｎ型電流ブロック層４７をＡｌＧａＮにより形成したが、本発明はこれに限らず、ＡｌＧａＮ以外のＩｎＧａＮまたはＧａＮなどの窒化物半導体を用いて形成しても、同様の効果を得ることができる。
【００９５】
以上のように、本発明によれば、ジャンクションダウン組立の際に発光特性が劣化するのを防止するとともに、短絡を防止することが可能な窒化物系半導体レーザ装置を提供することができる。また、素子寿命の低下を防止するとともに、ジャンクションダウン組立の歩留まりを向上させることが可能な窒化物系半導体レーザ装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００９６】
【図１】本発明の第１参考形態による窒化物系半導体レーザ素子を示した断面図である。
【図２】図１に示した第１参考形態による窒化物系半導体レーザ素子をジャンクションダウン方式でサブマウントに取り付けた状態を示した断面図である。
【図３】本発明の第１実施形態による窒化物系半導体レーザ素子を示した断面図である。
【図４】図３に示した第１実施形態による窒化物系半導体レーザ素子をジャンクションダウン方式でサブマウントに取り付けた状態を示した断面図である。
【図５】本発明の第２参考形態による窒化物系半導体レーザ素子を示した断面図である。
【図６】図５に示した第２参考形態による窒化物系半導体レーザ素子をジャンクションダウン方式でサブマウントに取り付けた状態を示した断面図である。
【図７】本発明の第３参考形態による窒化物系半導体レーザ素子を示した断面図である。
【図８】本発明の第４参考形態による窒化物系半導体レーザ素子を示した断面図である。
【図９】本発明の第５参考形態による窒化物系半導体レーザ素子を示した断面図である。
【図１０】従来の半導体発光レーザ素子を示した断面図である。
【図１１】従来の窒化物系半導体レーザ素子をジャンクションダウン方式でサブマウントに取り付けた状態を示した断面図である。
【図１２】従来の窒化物系半導体レーザ素子をジャンクションダウン方式でサブマウントに取り付けた状態を示した断面図である。
【図１３】従来の窒化物系半導体レーザ素子をジャンクションダウン方式でサブマウントに取り付けた状態を示した断面図である。
【図１４】従来の窒化物系半導体レーザ素子をジャンクションダウン方式でサブマウントに取り付けた状態を示した断面図である。
【符号の説明】
【００９７】
１  サファイア基板（窒化物系半導体層）
２  ｎ型ＧａＮコンタクト層（窒化物系半導体層）
３  ｎ型クラッド層（クラッド層）
４  ＭＱＷ活性層（活性層、窒化物系半導体層）
５  ｐ型クラッド層（窒化物系半導体層）
７、５７  電流ブロック層（電流阻止層）
１０、２０、３０、５０  ｐ側電極（第１電極層、第１金属層）
１１、２１、３１、５１  ｐ側パッド電極（第１電極層、第２金属層）
３２  ｐ側厚膜電極（第１電極層、第３金属層）
４０  保護膜
４７  ｎ型電流ブロック層（電流阻止層）
６６  ｐ型ＧａＮ第２コンタクト層（コンタクト層）
７０  サブマウント（基台）
【図１】
0004401402.tif 000003
【図２】
0004401402.tif 000004
【図３】
0004401402.tif 000005
【図４】
0004401402.tif 000006
【図５】
0004401402.tif 000007
【図６】
0004401402.tif 000008
【図７】
0004401402.tif 000009
【図８】
0004401402.tif 000010
【図９】
0004401402.tif 000011
【図１０】
0004401402.tif 000012
【図１１】
0004401402.tif 000013
【図１２】
0004401402.tif 000014
【図１３】
0004401402.tif 000015
【図１４】
0004401402.tif 000016