(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を水平に載置する基板載置部を備えた複数のモジュールを、前記基板載置部の中心が一致するように上下方向に設けた棚ユニットと、この棚ユニットの各々のモジュールに対して基板の受け渡しを行うための進退及び昇降自在な基板搬送手段と、を備え、予め基板搬送手段による前記モジュール内の基板載置部に対する基板の受け渡し位置のデータを取得しておく基板処理装置において、
前記棚ユニットに設けられる最上段のモジュールから最下段のモジュールに亘って、各基板載置部の対応する位置を通るように、前記棚ユニットに上下方向に貫通して形成された光軸形成用の孔部と、
前記基板載置部の孔部内に光軸を形成するための光軸形成手段と、
前記基板搬送手段により前記モジュールの基板載置部の上方側に搬送される位置調整プレートと、
受け渡し位置のデータを得ようとするモジュールの基板載置部の上方側に、前記基板搬送手段により位置調整プレートが搬送され、この位置調整プレートにおける位置合わせ用の点領域が前記光軸に一致したときに、前記光軸を検出するための光軸検出部と、
前記光軸検出部により前記光軸を検出したときに、基板搬送手段の位置を取得する位置取得手段と、を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記光軸形成手段は、棚ユニットに設けられた発光素子であり、
前記光軸検出部は、前記位置調整プレートの点領域に設けられた前記光軸を通す孔部と、前記光軸がこの位置調整プレートに形成された孔部を通ったときに、前記発光素子からの光を受光するように棚ユニットに設けられた受光素子と、を含むことを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記光軸検出部は、棚ユニットに設けられ、前記発光素子からの光を前記基板載置部の孔部を通るように反射するための反射部を備え、
前記受光素子は、前記光軸が位置調整プレートに形成された孔部を通ったときに、前記発光素子から発光され、反射部より反射された光を受光するように設けられていることを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記光軸形成手段は、棚ユニットに設けられた発光素子であり、
前記光軸検出部は、前記位置調整プレートの点領域に設けられ、前記発光素子からの光を反射するための反射部と、前記発光素子から発光され、位置調整プレートに形成された反射部により反射された光を受光するように棚ユニットに設けられた受光素子と、を含むことを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記光軸形成手段は、棚ユニットに設けられた発光素子であり、
前記光軸検出部は、前記位置調整プレートの点領域に設けられた受光素子であることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記光軸形成手段は、前記位置調整プレートの点領域に設けられた発光素子であり、
前記光軸検出部は、前記光軸の光を受光するように棚ユニットに設けられた受光素子であることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記基板載置部の孔部は当該基板載置部の中心に形成され、前記位置調整プレートの点領域は当該位置調整プレートの中心に形成されることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか一に記載の基板処理装置。
【請求項８】
基板が水平に載置される基板載置部を備えた複数のモジュールを左右方向に設けた棚ユニットと、この棚ユニットの各々のモジュールに対して基板の受け渡しを行うための進退及び昇降自在な基板搬送手段と、を備え、予め基板搬送手段によるモジュール内の基板載置部に対する基板の受け渡し位置のデータを取得しておく基板処理装置において、
前記棚ユニットは、前記モジュールの基板載置部に対する基板搬送手段の基板の受け渡しの高さ位置が夫々一致するように設けられ、
前記棚ユニットに搭載される一端側のモジュールから他端側のモジュールに亘って、前記基板の受け渡しの高さ位置を通るように、前記棚ユニットに左右方向に貫通するように形成された光軸形成用の孔部と、
前記孔部内に光軸を形成するための光軸形成手段と、
受け渡し位置のデータを得ようとするモジュールの基板載置部の上方側に前記基板搬送手段が進入し、当該基板搬送手段により前記光軸を遮ったときに、基板搬送手段の位置を取得する位置取得手段と、を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項９】
基板が水平に載置される基板載置部を備えた複数のモジュールを左右方向に設けた棚ユニットと、棚ユニットの各々のモジュールに対して基板の受け渡しを行うための進退及び昇降自在な基板搬送手段と、を含み、予め基板搬送手段によるモジュール内の基板載置部に対する基板の受け渡し位置のデータを取得しておく基板処理装置において、
前記棚ユニットは、前記モジュールの基板載置部に対する基板搬送手段の基板の受け渡しの高さ位置が夫々一致するように設けられ、
前記棚ユニットに搭載される一端側のモジュールから他端側のモジュールに亘って、基板載置部の上方側の同じ高さ位置を通るように、前記棚ユニットに左右方向に貫通して形成された光軸形成用の孔部と、
前記孔部内に光軸を形成するための光軸形成手段と、
前記基板搬送手段によりモジュールの基板載置部の上方側に搬送され、前記光軸を検出するための光軸検出部が設けられた位置調整プレートと、
受け渡し位置のデータを得ようとするモジュールの基板載置部の上方側に、前記基板搬送手段により位置調整プレートが搬送され、前記位置調整プレートの光軸検出部が前記光軸に一致したときに、前記基板搬送手段の位置を取得する位置取得手段と、を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項１０】
前記光軸形成手段は、棚ユニットに設けられた発光素子であり、
前記光軸検出部は前記光軸を通す孔部であり、
前記光軸が前記位置調整プレートに形成された孔部を通過したときに、前記発光素子からの光を受光するように棚ユニットに設けられた受光素子を備えることを特徴とする請求項９記載の基板処理装置。
【請求項１１】
棚ユニットに設けられ、発光素子からの光を前記光軸形成用の孔部を通るように反射するための反射部を備え、
前記受光素子は、前記光軸が前記位置調整プレートに形成された孔部を通過したときに、前記発光素子から発光され、反射部より反射された光を受光するように設けられていることを特徴とする請求項１０記載の基板処理装置。
【請求項１２】
前記光軸形成手段は、棚ユニットに設けられた発光素子であり、
前記光軸検出部は前記発光素子からの光を反射するための反射部であり、
前記発光素子から発光され、位置調整プレートに設けられた反射部により反射された光を受光するように棚ユニットに設けられた受光素子を備えることを特徴とする請求項９記載の基板処理装置。
【請求項１３】
前記光軸形成手段は、棚ユニットに設けられた発光素子であり、
前記光軸検出部は、位置調整プレートに設けられた受光素子であることを特徴とする請求項９記載の基板処理装置。
【請求項１４】
前記光軸形成手段は、位置調整プレートに設けられた発光素子であり、
前記光軸検出部は位置調整プレートに設けられる代わりに棚ユニットに設けられ、前記光軸の光を受光する受光素子であることを特徴とする請求項９記載の基板処理装置。
【請求項１５】
基板が水平に載置された基板載置部を備えた複数のモジュールを、前記基板載置部の中心が一致するように上下方向に設けた棚ユニットと、この棚ユニットの各々のモジュールに対して基板の受け渡しを行うための進退及び昇降自在な基板搬送手段と、を備えた基板処理装置において、予め基板搬送手段によるモジュール内の基板載置部に対する基板の受け渡し位置のデータを取得しておく基板の受け渡し位置の調整方法において、
前記棚ユニットに設けられる最上段のモジュールから最下段のモジュールに亘って、各基板載置部の対応する位置を通るように、棚ユニットの上下方向に貫通する光軸を形成する工程と、
位置調整プレートを前記基板搬送手段に保持させて、受け渡し位置のデータを得ようとするモジュールの基板載置部の上方側に搬送する工程と、
位置調整プレートにおける位置合わせ用の点領域が前記光軸に一致して前記光軸を検出したときに、基板搬送手段の位置を取得する工程と、を含むことを特徴とする基板の受け渡し位置の調整方法。
【請求項１６】
基板が水平に載置される基板載置部を備えた複数のモジュールを左右方向に設けた棚ユニットと、棚ユニットの各々のモジュールに対して基板の受け渡しを行うための進退及び昇降自在な基板搬送手段と、を含み、前記モジュールの基板載置部に対する基板搬送手段の基板の受け渡しの高さ位置が夫々一致するように設けられた基板処理装置において、予め基板搬送手段によるモジュール内の基板載置部に対する基板の受け渡し位置のデータを取得しておく基板の受け渡し位置の調整方法において、
前記棚ユニットに設けられる一端側のモジュールから他端側のモジュールに亘って、前記基板の受け渡しの高さ位置を通るように、前記棚ユニットに左右方向に貫通するように光軸を形成する工程と、
受け渡し位置のデータを得ようとするモジュールの基板載置部の上方側に、前記基板搬送手段を進入する工程と、
前記基板搬送手段が前記光軸を遮ったときに、前記基板搬送手段の位置を取得する工程と、を含むことを特徴とする基板の受け渡し位置の調整方法。
【請求項１７】
基板が水平に載置される基板載置部を備えた複数のモジュールを左右方向に設けた棚ユニットと、棚ユニットの各々のモジュールに対して基板の受け渡しを行うための進退及び昇降自在な基板搬送手段と、を含み、前記モジュールの基板載置部に対する基板搬送手段の基板の受け渡しの高さ位置が夫々一致するように設けられた基板処理装置において、予め基板搬送手段によるモジュール内の基板載置部に対する基板の受け渡し位置のデータを取得しておく基板の受け渡し位置の調整方法において、
前記棚ユニットに設けられる一端側のモジュールから他端側のモジュールに亘って、基板載置部の上方側の同じ高さ位置を通るように、前記棚ユニットに左右方向に貫通して光軸を形成する工程と、
受け渡し位置のデータを得ようとするモジュールの基板載置部の上方側に、前記基板搬送手段により、前記光軸を検出するための光軸検出部が設けられた位置調整プレートを搬送する工程と、
前記位置調整プレートの光軸検出部が前記光軸に一致したときに、前記基板搬送手段の位置を取得する工程と、を含むことを特徴とする基板の受け渡し位置の調整方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板載置部に保持された例えば半導体ウエハやＬＣＤ基板（液晶ディスプレイ用ガラス基板）等の基板に対して、例えば加熱処理や冷却処理等の処理を行うモジュールに基板の受け渡しを行うときの基板搬送手段の位置データを予め取得する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスやＬＣＤ基板の製造プロセスにおいては、フォトリソグラフィと呼ばれる技術により基板に対してレジストパターンの形成が行なわれている。この技術は、例えば半導体ウエハ（以下ウエハという）などの基板に、レジスト液を塗布して、当該ウエハの表面に液膜を形成し、フォトマスクを用いて当該レジスト膜を露光した後、現像処理を行なうことにより所望のパターンを得る、一連の工程により行われている。
【０００３】
このような処理は、一般にレジスト液の塗布や現像を行う塗布、現像装置に、露光装置を接続したレジストパターン形成装置を用いて行われる。この装置では、例えば図２１に示すように、多数枚のウエハＷを収納したキャリア１０がキャリアブロック１Ａのキャリアステージ１１に搬入され、キャリア１０内のウエハは受け渡しアーム１２により処理ブロック１Ｂに受け渡される。そして処理ブロック１Ｂ内の塗布モジュール１３Ａに搬送されて、レジスト液が塗布され、次いでインターフェイスブロック１Ｃを介して露光装置１Ｄに搬送される。露光処理後のウエハは、再び処理ブロック１Ｂに戻されて現像モジュール１３Ｂにて現像処理が行われ、元のキャリア１０内に戻されるようになっている。図中１４（１４ａ〜１４ｃ）は、塗布モジュール１３Ａや現像モジュール１３Ｂの処理の前後にウエハに対して所定の加熱処理や冷却処理を行なうための加熱モジュール、冷却モジュールや受け渡しステージ等を備えた棚ユニットである。
【０００４】
ところで、各モジュールにおいてウエハＷに対して高精度な処理を行うためには、このモジュールの所定の載置領域にウエハＷを高精度に載置することが求められる。例えば加熱・冷却系モジュールでは、ウエハＷの載置位置がずれると、ウエハＷ面内で温度のばらつきが生じてしまう場合がある。そのため実際に処理を開始する前に、適切な載置領域にウエハが載置されるように予め搬送手段にウエハＷの受け渡し位置を学習させておくといった作業が行われる。
【０００５】
この作業は一般にティーチングと呼ばれており、例えば工場で装置を製造した時と、工場から出荷された装置をユーザー側で組み立て、使用する前に行なわれる。このように工場側とユーザー側においてティーチング作業を行なうのは、ユーザー側にて装置を組み立てたときに、設置場所の床下の状態によって装置の再現性が悪化する場合や、設置するときに装置に歪みが発生する場合があり、工場でのティーチングの設定値をそのまま使用するのは得策ではないからである。
【０００６】
従来のティーチングでは、例えば基板搬送手段にＣＣＤカメラを取り付け、このＣＣＤカメラにより位置合わせ用の基板の表面の中心に形成されたマークと、処理モジュールの載置領域の中心に形成されたマークとを撮像して、受け渡し位置を調整する方法が用いられていた（例えば特許文献１）。
【０００７】
この従来のティーチングの一例について、例えば加熱・冷却系モジュールの場合を例に挙げて説明すると、先ずティーチング用の基板搬送手段にＣＣＤカメラを取り付け、このＣＣＤカメラにより処理モジュールの載置領域の中心に形成されたマークを撮像し、この位置座標を記憶する。続いてティーチングを行おうとする基板搬送手段により前記処理モジュールの載置領域に位置合わせ用のウエハを載置し、ＣＣＤカメラによりこのウエハの中心に形成されたマークを撮像し、この位置座標を記憶する。そしてこれらの撮像結果に基づいて、位置合わせ用のウエハと処理モジュールの載置部の中心とが一致しているかどうか判断して、ウエハＷが所定の載置領域に載置されているかの判定を行い、これらの中心が一致するか、あるいは許容範囲になるまでウエハＷの置き直し（再試行）を行うことによりティーチングが行われていた。
【０００８】
しかしながら上述のティーチングにおいては、１つの処理モジュールのティーチングを行うにあたり、ＣＣＤカメラにより位置合わせ用のウエハＷの撮像と、処理モジュールの載置領域の撮像との少なくとも２回の撮像作業が必要となり、また再試行を行う場合には、さらに撮像作業が増えてしまうので、作業工程が多く、作業時間も長くなってしまう。
【０００９】
また上述の装置では、装置占有面積を小さくするために各処理モジュールが多段に積層されているが、これらの各段の処理モジュールに対してティーチングを行わなくてはならないので、装置全体に対してティーチングを行うと、その作業に要する手数と時間とが多大になり、問題であった。
【００１０】
【特許文献１】特願２００３−１５８２６１号（段落００４２〜段落００４５、図１０参照）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は、このような事情の下になされたものであり、その目的は、モジュールに対する基板搬送手段の基板の受け渡し位置の調整を、高精度かつ短時間に行うことができる技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
このため本発明は、基板を水平に載置する基板載置部を備えた複数のモジュールを、前記基板載置部の中心が一致するように上下方向に設けた棚ユニットと、この棚ユニットの各々のモジュールに対して基板の受け渡しを行うための進退及び昇降自在な基板搬送手段と、を備え、予め基板搬送手段による前記モジュール内の基板載置部に対する基板の受け渡し位置のデータを取得しておく基板処理装置において、
前記棚ユニットに設けられる最上段のモジュールから最下段のモジュールに亘って、各基板載置部の対応する位置を通るように、前記棚ユニットに上下方向に貫通して形成された光軸形成用の孔部と、
前記基板載置部の孔部内に光軸を形成するための光軸形成手段と、
前記基板搬送手段により前記モジュールの基板載置部の上方側に搬送される位置調整プレートと、
受け渡し位置のデータを得ようとするモジュールの基板載置部の上方側に、前記基板搬送手段により位置調整プレートが搬送され、この位置調整プレートにおける位置合わせ用の点領域が前記光軸に一致したときに、前記光軸を検出するための光軸検出部と、
前記光軸検出部により前記光軸を検出したときに、基板搬送手段の位置を取得する位置取得手段と、を備えたことを特徴とする。
【００１３】
ここで前記光軸形成手段は、棚ユニットに設けられた発光素子であり、前記光軸検出部は、前記位置調整プレートの点領域に設けられた前記光軸を通す孔部と、前記光軸がこの位置調整プレートに形成された孔部を通ったときに、前記発光素子からの光を受光するように棚ユニットに設けられた受光素子と、を含むものとすることができる。この際、前記光軸検出部は、棚ユニットに設けられ、前記発光素子からの光を前記基板載置部の孔部を通るように反射するための反射部を備え、前記受光素子は、前記光軸が位置調整プレートに形成された孔部を通ったときに、前記発光素子から発光され、反射部より反射された光を受光するように設けられるようにしてもよい。
【００１４】
さらにまた前記光軸形成手段は、棚ユニットに設けられた発光素子であり、前記光軸検出部は、前記位置調整プレートの点領域に設けられ、前記発光素子からの光を反射するための反射部と、前記発光素子から発光され、位置調整プレートに形成された反射部により反射された光を受光するように棚ユニットに設けられた受光素子と、を含むように構成してもよいし、前記光軸形成手段は、棚ユニットに設けられた発光素子であり、前記光軸検出部は、前記位置調整プレートの点領域に設けられた受光素子であってもよい。さらに前記光軸形成手段は、前記位置調整プレートの点領域に設けられた発光素子であり、前記光軸検出部は、前記光軸の光を受光するように棚ユニットに設けられた受光素子であってもよい。ここで前記基板載置部の孔部は例えば当該基板載置部の中心に形成され、前記位置調整プレートの点領域は当該位置調整プレートの中心に形成される。
【００１５】
本発明の他の発明は、基板が水平に載置される基板載置部を備えた複数のモジュールを左右方向に設けた棚ユニットと、この棚ユニットの各々のモジュールに対して基板の受け渡しを行うための進退及び昇降自在な基板搬送手段と、を備え、予め基板搬送手段によるモジュール内の基板載置部に対する基板の受け渡し位置のデータを取得しておく基板処理装置において、
前記棚ユニットは、前記モジュールの基板載置部に対する基板搬送手段の基板の受け渡しの高さ位置が夫々一致するように設けられ、
前記棚ユニットに搭載される一端側のモジュールから他端側のモジュールに亘って、前記基板の受け渡しの高さ位置を通るように、前記棚ユニットに左右方向に貫通するように形成された光軸形成用の孔部と、
前記孔部内に光軸を形成するための光軸形成手段と、
受け渡し位置のデータを得ようとするモジュールの基板載置部の上方側に前記基板搬送手段が進入し、当該基板搬送手段により前記光軸を遮ったときに、基板搬送手段の位置を取得する位置取得手段と、を備えたことを特徴とする。
【００１６】
また本発明では、前記棚ユニットに搭載される一端側のモジュールから他端側のモジュールに亘って、基板載置部の上方側の同じ高さ位置を通るように、前記棚ユニットに左右方向に貫通して形成された光軸形成用の孔部と、
前記孔部内に光軸を形成するための光軸形成手段と、
前記基板搬送手段によりモジュールの基板載置部の上方側に搬送され、前記光軸を検出するための光軸検出部が設けられた位置調整プレートと、
受け渡し位置のデータを得ようとするモジュールの基板載置部の上方側に、前記基板搬送手段により位置調整プレートが搬送され、前記位置調整プレートの光軸検出部が前記光軸に一致したときに、前記基板搬送手段の位置を取得する位置取得手段と、を備えるように構成してもよい。
【００１７】
ここで前記光軸形成手段は、棚ユニットに設けられた発光素子であり、前記光軸検出部は前記光軸を通す孔部であり、前記光軸が前記位置調整プレートに形成された孔部を通過したときに、前記発光素子からの光を受光するように棚ユニットに設けられた受光素子を備えるものであってもよいし、棚ユニットに設けられ、発光素子からの光を前記光軸形成用の孔部を通るように反射するための反射部を備え、前記受光素子は、前記光軸が前記位置調整プレートに形成された孔部を通過したときに、前記発光素子から発光され、反射部より反射された光を受光するように設けるようにしてもよい。
【００１８】
さらに前記光軸形成手段は、棚ユニットに設けられた発光素子であり、前記光軸検出部は前記発光素子からの光を反射するための反射部であり、前記発光素子から発光され、位置調整プレートに設けられた反射部により反射された光を受光するように棚ユニットに設けられた受光素子を備えるようにしてもよい。また前記光軸形成手段は、棚ユニットに設けられた発光素子であり、前記光軸検出部は、位置調整プレートに設けられた受光素子であってもよい。さらにまた前記光軸形成手段は、位置調整プレートに設けられた発光素子であり、前記光軸検出部は位置調整プレートに設けられる代わりに棚ユニットに設けられ、前記光軸の光を受光する受光素子であってもよい。
【００１９】
さらに本発明の基板の受け渡し位置の調整方法は、
基板が水平に載置された基板載置部を備えた複数のモジュールを、前記基板載置部の中心が一致するように上下方向に設けた棚ユニットと、この棚ユニットの各々のモジュールに対して基板の受け渡しを行うための進退及び昇降自在な基板搬送手段と、を備えた基板処理装置において、予め基板搬送手段によるモジュール内の基板載置部に対する基板の受け渡し位置のデータを取得しておく基板の受け渡し位置の調整方法において、
前記棚ユニットに設けられる最上段のモジュールから最下段のモジュールに亘って、各基板載置部の対応する位置を通るように、棚ユニットの上下方向に貫通する光軸を形成する工程と、
位置調整プレートを前記基板搬送手段に保持させて、受け渡し位置のデータを得ようとするモジュールの基板載置部の上方側に搬送する工程と、
位置調整プレートにおける位置合わせ用の点領域が前記光軸に一致して前記光軸を検出したときに、基板搬送手段の位置を取得する工程と、を含むことを特徴とする。
【００２０】
さらに本発明の基板の受け渡し位置の調整方法は、
基板が水平に載置される基板載置部を備えた複数のモジュールを左右方向に設けた棚ユニットと、棚ユニットの各々のモジュールに対して基板の受け渡しを行うための進退及び昇降自在な基板搬送手段と、を含み、前記モジュールの基板載置部に対する基板搬送手段の基板の受け渡しの高さ位置が夫々一致するように設けられた基板処理装置において、予め基板搬送手段によるモジュール内の基板載置部に対する基板の受け渡し位置のデータを取得しておく基板の受け渡し位置の調整方法において、
前記棚ユニットに設けられる一端側のモジュールから他端側のモジュールに亘って、前記基板の受け渡しの高さ位置を通るように、前記棚ユニットに左右方向に貫通するように光軸を形成する工程と、
受け渡し位置のデータを得ようとするモジュールの基板載置部の上方側に、前記基板搬送手段を進入する工程と、
前記基板搬送手段が前記光軸を遮ったときに、前記基板搬送手段の位置を取得する工程と、を含むことを特徴とする。
【００２１】
ここで本発明は、前記棚ユニットに設けられる一端側のモジュールから他端側のモジュールに亘って、基板載置部の上方側の同じ高さ位置を通るように、前記棚ユニットに左右方向に貫通して光軸を形成する工程と、
受け渡し位置のデータを得ようとするモジュールの基板載置部の上方側に、前記基板搬送手段により、前記光軸を検出するための光軸検出部が設けられた位置調整プレートを搬送する工程と、
前記位置調整プレートの光軸検出部が前記光軸に一致したときに、前記基板搬送手段の位置を取得する工程と、を含むものであってもよい。
【発明の効果】
【００２３】
以上において本発明では、棚ユニットに搭載される最上段のモジュールから最下段のモジュールに亘って、基板載置部の対応する位置に、棚ユニットの上下方向に貫通する光軸を形成し、位置調整プレートの位置合わせ用の点領域が前記光軸に一致して前記光軸を検出したときに、基板搬送手段の位置を取得することにより、モジュール内の基板載置部に対する基板の受け渡し位置のデータを取得しているので、当該受け渡し位置データの取得を正確、かつ短時間で行うことができる。
【００２４】
また本発明の他の発明では、前記棚ユニットに設けられる一端側のモジュールから他端側のモジュールに亘って、前記基板の受け渡しの高さ位置を通るように、前記棚ユニットに左右方向に貫通する光軸を形成し、基板搬送手段が前記光軸を遮ったか否かを検出して、前記基板搬送手段の位置を取得しているので、前記基板の受け渡しの高さ位置のデータの取得を正確、かつ短時間で行うことができる。
【００２５】
さらに本発明の他の発明では、前記棚ユニットに設けられる一端側のモジュールから他端側のモジュールに亘って、基板載置部の上方側の同じ高さ位置を通るように、前記棚ユニットに左右方向に貫通する光軸を形成し、位置調整プレートの光軸検出部が前記光軸に一致して光軸を検出したときに、前記基板搬送手段の位置を取得しているので、前記基板の受け渡しの高さ位置のデータの取得を正確、かつ短時間で行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
先ず本発明の基板処理装置の実施の形態に係るレジストパターン形成装置について、図１〜図３を参照しながら説明する。図１は、前記装置の一実施の形態の平面図を示し、図２は同概略斜視図、図３は同概略側面図である。この装置は、基板であるウエハＷが例えば１３枚密閉収納されたキャリア２０を搬入出するためのキャリアブロックＳ１と、複数個例えば４個の単位ブロックＢ１〜Ｂ４を縦に配列して構成された処理ブロックＳ２と、インターフェイスブロックＳ３と、露光装置Ｓ４と、を備えている。
【００２７】
前記キャリアブロックＳ１には、前記キャリア２０を複数個載置可能な載置台２１と、この載置台２１から見て前方の壁面に設けられる開閉部２２と、開閉部２２を介してキャリア２０からウエハＷを取り出すためのトランスファーアームＣとが設けられている。このトランスファーアームＣは、後述する単位ブロックＢ１の受け渡しステージＴＲＳ１との間でウエハＷの受け渡しを行うように、進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在、キャリア２０の配列方向に移動自在に構成されている。
【００２８】
キャリアブロックＳ１の奥側には筐体２４にて周囲を囲まれる処理ブロックＳ２が接続されている。処理ブロックＳ２は、この例では、下方側から、現像処理を行うための第１の単位ブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１、レジスト膜の下層側に形成される反射防止膜（以下「第１の反射防止膜」という）の形成処理を行うための第２の単位ブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２、レジスト液の塗布処理を行うための第３の単位ブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３、レジスト膜の上層側に形成される反射防止膜（以下「第２の反射防止膜」という）の形成処理を行うための第４の単位ブロック（ＴＣＴ層）Ｂ４として割り当てられており、これら各単位ブロックＢ１〜Ｂ４は夫々区画されている。
【００２９】
これら各単位ブロックＢ１〜Ｂ４は、夫々同様に構成され、ウエハＷに対して薬液を塗布するための液処理モジュールと、前記液処理モジュールにて行なわれる処理の前処理及び後処理を行なうための加熱モジュールや冷却モジュール等の各種のモジュールと、前記液処理モジュールと各種のモジュールとの間でウエハＷの受け渡しを行うための専用の搬送手段であるメインアームＡ１〜Ａ４と、を備えていて、各単位ブロックＢ１〜Ｂ４の間で、前記液処理モジュールと、加熱・冷却系のモジュールと、メインアームＡ１〜Ａ４との配置レイアウトが同じになるように構成されている。ここで配置レイアウトが同じであるとは、各処理モジュールにおけるウエハＷを載置する中心が同じという意味である。
【００３０】
各単位ブロックＢ１〜Ｂ４の構成について、例えばＤＥＶ層Ｂ１を例にして図１を用いて説明する。このＤＥＶ層Ｂ１のほぼ中央には、ＤＥＶ層Ｂ１の長さ方向（図中Ｙ軸方向）に、キャリアブロックＳ１とインターフェイスブロックＳ３とを接続するためのウエハＷの搬送領域Ｒ１が形成されている。この搬送領域Ｒ１のキャリアブロックＳ１側から見た両側には、手前側（キャリアブロックＳ１側）から奥側に向かって右側に、前記液処理モジュールとして、現像液の塗布を行うための複数個の処理部を備えた現像ユニット３１が設けられている。
【００３１】
この現像ユニット３１は、この例では３個の処理部が共通の処理容器３０の内部に、夫々が搬送領域Ｒ１に臨むようにＹ軸方向に配列した状態で収納されておいる。各処理部は、例えばスピンチャック上に水平に吸着保持されたウエハＷに対して、共通の薬液ノズルから塗布液である現像液を供給すると共に、ウエハＷを回転させることにより現像液をウエハＷの全面に供給し、次いで洗浄液ノズルからウエハＷに洗浄液を供給することにより、ウエハＷ表面の現像液を洗い流し、その後ウエハＷを回転させて乾燥させ、現像処理を終了するように構成されている。
【００３２】
また、この現像ユニット３１の搬送領域Ｒ１の向い側には、前記各種モジュールを例えば３段×４列に設けた棚ユニットＵ１が設けられており、この図では現像ユニット３１にて行なわれる処理の前処理及び後処理を行なうための各種モジュールが設けられている。上述の各種モジュールの中には、例えば図４に示すように、露光後のウエハＷの加熱や、現像処理後のウエハＷを水分を飛ばすために加熱するための加熱モジュール（ＣＨＰ１）や、ウエハＷを所定温度に調整するための冷却モジュール（ＣＯＬ１）等が含まれている。これら加熱モジュール（ＣＨＰ１）や冷却モジュール（ＣＯＬ１）等の各モジュールは、例えば図５にＣＯＴ層Ｂ４を例にして示すように、夫々処理容器２５内に収納されており、各処理容器２５の搬送領域Ｒ１に臨む面にはウエハ搬出入口２６が形成されている。
【００３３】
前記搬送領域Ｒ１には前記メインアームＡ１が設けられている。このメインアームＡ１は、当該ＤＥＶ層Ｂ１内の全てのモジュール（ウエハＷが置かれる場所）、例えば棚ユニットＵ１の各モジュール、現像ユニット３１、後述する棚ユニットＵ２と棚ユニットＵ３の各部との間でウエハの受け渡しを行うように構成されており、このために進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在、Ｙ軸方向に移動自在に構成されている。
【００３４】
また、搬送領域Ｒ１のキャリアブロックＳ１と隣接する領域には、図１及び図３に示すように、トランスファーアームＣとメインアームＡ１がアクセスできる位置に棚ユニットＵ２が設けられると共に、この棚ユニットＵ２に対してウエハＷの受け渡しを行うための受け渡しアームＤを備えている。前記棚ユニットＵ２には、図３に示すように、各単位ブロックＢ１〜Ｂ４のメインアームＡ１〜Ａ４との間でウエハＷの受け渡しを行うように、例えば各単位ブロック毎に受け渡しステージ、つまり例えばＤＥＶ層Ｂ１，ＢＣＴ層Ｂ２，ＣＯＴ層Ｂ３，ＴＣＴ層Ｂ４に設けられた受け渡しステージＴＲＳ１，ＴＲＳ２，ＴＲＳ３，ＴＲＳ４が夫々設けられており、前記受け渡しアームＤは各受け渡しステージＴＲＳ１〜ＴＲＳ４に対してウエハＷの受け渡しを行うことができるように、進退自在及び昇降自在に構成されている。さらに、ＤＥＶ層Ｂ１の前記受け渡しステージＴＲＳ１は、トランスファーアームＣとの間でもウエハＷの受け渡しが行なわれるように構成されている。
【００３５】
さらにまた、搬送領域Ｒ１のインターフェイスブロックＳ３と隣接する領域には、図１及び図３に示すように、ＤＥＶ層Ｂ１のメインアームＡ１がアクセスできる位置に棚ユニットＵ３が設けられている。この棚ユニットＵ３は、ＤＥＶ層Ｂ１のメインアームＡ１との間でウエハＷの受け渡しを行うために、受け渡しステージＴＲＳ１１を備えている。この例では棚ユニットＵ２，Ｕ３に設けられた受け渡しステージはウエハＷが水平に保持される基板載置部に相当する。
【００３６】
続いて他の単位ブロックについて簡単に説明すると、前記塗布膜形成用の単位ブロックＢ３〜Ｂ５は、いずれも同様に構成されており、棚ユニットＵ１が２段×４列に構成され、棚ユニットＵ３を備えていない以外は、上述のＤＥＶ層Ｂ１とほぼ同様に構成されている。つまりＣＯＴ層Ｂ３では、液処理モジュールとしてウエハＷに対してレジスト液の塗布処理を行うための塗布ユニット３２が設けられ、棚ユニットＵ１には、レジスト液塗布後のウエハＷを加熱処理する加熱モジュール（ＣＨＰ３）や疎水化処理モジュール（ＡＤＨ）を備えている。
【００３７】
ＢＣＴ層Ｂ２は、液処理モジュールとして、ウエハＷに対して第１の反射防止膜の形成処理を行うための第１の反射防止膜形成ユニット３３が設けられ、棚ユニットＵ１には、反射防止膜形成処理後のウエハＷを加熱処理する加熱モジュール（ＣＨＰ２）を備え、疎水化処理モジュール（ＡＤＨ）を備えていない以外はＣＯＴ層Ｂ３と同様に構成されている。ＴＣＴ層Ｂ４は、液処理モジュールとして、ウエハＷに対して第２の反射防止膜の形成処理を行うための第２の反射防止膜形成ユニット３４が設けられ、棚ユニットＵ１に、反射防止膜形成処理後のウエハＷを加熱処理する加熱モジュール（ＣＨＰ４）と、周縁露光装置（ＷＥＥ）を備えている以外はＣＯＴ層Ｂ３と同様に構成されている。前記塗布ユニット３２や、第１及び第２の反射防止膜形成ユニット３３，３４は、現像ユニット３１とほぼ同様に構成されている。なお図５中３０は液処理モジュールの処理容器、３５は処理容器３０へのウエハＷの搬送口である。
【００３８】
一方、処理ブロックＳ２における棚ユニットＵ３の奥側には、インターフェイスブロックＳ３を介して露光装置Ｓ４が接続されている。インターフェイスブロックＳ３には、処理ブロックＳ２のＤＥＶ層Ｂ１の棚ユニットＵ３の受け渡しステージＴＲＳ１１と露光装置Ｓ４とに対してウエハＷの受け渡しを行うためのインターフェイスアームＢが設けられている。このインターフェイスアームＢは、前記ＤＥＶ層Ｂ１の受け渡しステージＴＲＳ１１に対してウエハＷの受け渡しを行うように、進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在に構成されている。
【００３９】
続いて、このレジストパターン形成装置において、第１の反射防止膜とレジスト膜と第２の反射防止膜とを備えた塗布膜を形成する場合のウエハＷの流れについて簡単に説明する。外部からキャリアブロック２１に搬入されたキャリア２０内のウエハＷは、トランスファーアームＣによりＤＥＶ層Ｂ１の棚ユニットＵ２の受け渡しステージＴＲＳ１、受け渡しアームＤを介してＢＣＴ層Ｂ２に受け渡され、ここで所定のモジュールに順次搬送されて第１の反射防止膜が形成される。
【００４０】
続いてウエハＷは、ＢＣＴ層Ｂ２から棚ユニットＵ２の受け渡しステージＴＲＳ２、受け渡しアームＤ、受け渡しステージＴＲＳ３を介してＣＯＴ層Ｂ３に受け渡され、ここで所定のモジュールに順次搬送されて第１の反射防止膜の上にレジスト膜が形成される。次いでウエハＷは、ＣＯＴ層Ｂ３から棚ユニットＵ２の受け渡しステージＴＲＳ３、受け渡しアームＤ、受け渡しステージＴＲＳ４を介してＴＣＴ層Ｂ４に受け渡され、ここで所定のモジュールに順次搬送されてレジスト膜の上に第２の反射防止膜が形成される。
【００４１】
この後、ウエハＷは、ＴＣＴ層Ｂ４から棚ユニットＵ２の受け渡しステージＴＲＳ４、受け渡しアームＤ、受け渡しステージＴＲＳ１を介してＤＥＶ層Ｂ１に搬送され、さらに棚ユニットＵ３の受け渡しステージＴＲＳ１１、インターフェイスブロックＳ３のインターフェイスアームＢを介して露光装置Ｓ４に搬送されて、所定の露光処理が行われる。露光処理後のウエハＷは、逆の経路でＤＥＶ層Ｂ１に搬送され、所定のモジュールに順次搬送されて現像処理が行われる。こうして、現像処理が行われたウエハＷは、棚ユニットＵ２の受け渡しステージＴＲＳ１を介して、トランスファーアームＣにより、キャリアブロックＳ１に載置されている元のキャリア２０に戻される。
【００４２】
続いて本発明のティーチングの第１の実施の形態について、棚ユニットＵ１に設けられた加熱・冷却系のモジュールに対してティーチングを行う場合を例にして説明する。この実施の形態のティーチングは、棚ユニットＵ１に上下方向に配列されたモジュールの基板載置部に対して、メインアームによりウエハＷを、当該ウエハＷの中心と前記基板載置部の中心とが位置合わせされた状態で受け渡すために、前記夫々の中心位置が位置合わせされたときのメインアームの搬送アームの受け渡し位置の（Ｘ，Ｙ）座標データを得るものである。
【００４３】
上述の装置では、前記棚ユニットＵ１は、各単位ブロックＢ１〜Ｂ４の内部にて同じ位置に配置されており、これによって、例えば図４の処理ブロックＳ２の各搬送領域Ｒ１から見た図に示すように、各単位ブロックＢ１〜Ｂ４の棚ユニットＵ１の各列に設けられたモジュールによって、左端から順に夫々モジュールが多段に設けられた第１のタワーＴ１、第２のタワーＴ２、第３のタワーＴ３、第４のタワーＴ４が構成されている。つまり各タワーＴ１〜Ｔ４は、各単位ブロックＢ１〜Ｂ４の棚ユニットＵ１の同じ列のモジュールと、各単位ブロックＢ１〜Ｂ４を上下に区画するベースプレートＰ１〜Ｐ４とにより構成されている。
【００４４】
この実施の形態の棚ユニットＵ１のレイアウトでは、第１のタワーＴ１には冷却モジュール（ＣＯＬ）が多段に設けられ、第２のタワーＴ２、第３のタワーＴ３には加熱モジュール（ＣＨＰ）が多段に設けられ、第４のタワーＴ４には、加熱モジュール（ＣＨＰ）や、周縁露光装置（ＷＥＥ）、疎水化処理モジュール（ＡＤＨ）等が設けられている。
【００４５】
ここで加熱モジュール（ＣＨＰ）や冷却モジュール（ＣＯＬ）の構成について簡単に説明すると、加熱モジュール（ＣＨＰ）としては、例えば図６に示すように、加熱プレート４１と、搬送アームを兼用し、基板載置部をなす冷却プレート４２とを備え、メインアームＡ１〜Ａ４と加熱プレート４１との間のウエハＷの受け渡しを冷却プレート４２により行なう、つまり加熱冷却を１つのユニットにて行うことができる構成の装置が用いられる。前記冷却プレート４２は、例えばウエハＷとほぼ同じ大きさに構成され、搬送機構４３により加熱プレート４１の上方側へ移動できるように構成されている。また冷却プレート４２の外周には切り欠き部４３が形成されており、後述するメインアームＡ１〜Ａ４との間でウエハＷの受け渡しが行われるようになっている。なお加熱プレート４１と冷却プレート４２との間のウエハＷの受け渡しは、加熱プレート４１に設けられた昇降自在なリフトピン４４を用いて行われる。
【００４６】
また冷却モジュールとしては、例えば図７に示すように、基板載置部をなす冷却プレート４５を備えた構成の装置が用いられる。この冷却プレート４５は例えば水冷方式にて冷却されるように構成され、メインアームＡ１〜Ａ４との間で、昇降自在なリフトピン４６を用いてウエハＷの受け渡しが行われる。
【００４７】
前記各タワーＴ１〜Ｔ４には、最上段のモジュールから最下段のモジュールに亘って、メインアームＡ１〜Ａ４からウエハＷが受け渡される基板載置部のウエハＷを載置する中心、つまり加熱モジュールにおける冷却プレート４２の中心や、冷却モジュールにおける冷却プレート４５の中心が同じ位置に位置するように、夫々のモジュールが構成され、配置されている。
【００４８】
続いて棚ユニットＵ１のタワー１に搭載された冷却モジュール（ＣＯＬ４）の冷却プレート４５に対して、メインアームＡ４によるウエハＷの受け渡し位置の（Ｘ，Ｙ）座標位置を取得するティーチングを行う場合を例にして説明する。
【００４９】
前記棚ユニットＵ１のタワー１には、例えば図８に示すように、最上段の冷却モジュール（ＣＯＬ１〜ＣＯＬ４）から最下段の冷却モジュール（ＣＯＬ１〜ＣＯＬ４）に亘って、基板載置部である冷却プレート４５の対応する位置、例えば冷却プレート４５の中心に、例えば直径が１ｃｍ〜１．５ｃｍの光軸形成用の孔部５１が、タワー１の上下方向に貫通するように形成されている。この孔部５１は、冷却モジュール（ＣＯＬ１〜ＣＯＬ４）を構成する部材や、処理容器２５の天井壁や底壁、前記ベースプレートＰ１〜Ｐ４にも形成されており、例えば最上段の冷却モジュール（ＣＯＬ４）の冷却プレート４５の孔部５１を上から見たときに、最下段の冷却モジュール（ＣＯＬ１）の冷却プレート４５の孔部５１の下側まで見通すことができるようになっている。
【００５０】
さらにタワー１に搭載される最上段の冷却モジュール（ＣＯＬ４）の冷却プレート４５の上方側には、当該冷却プレート４５に形成された孔部５１内に向けて発光し、当該孔部５１内に光軸Ｌ１を形成するための発光素子５２が設けられ、タワー１に搭載される最下段の冷却モジュール（ＣＯＬ１）の冷却プレート４５の下方側には、前記発光素子５２に対応するように受光素子５３が設けられている。これにより発光素子５２から受光素子５３に向けて発光したときには、タワー１に搭載される全ての冷却モジュール（ＣＯＬ１〜ＣＯＬ４）の冷却プレート４５の中心を貫通するように光軸Ｌ１が形成される。
【００５１】
続いてティーチングを行うときに使用される位置調整プレート７と、メインアームＡ１〜Ａ４について説明する。先ずメインアームＡ１〜Ａ４について、例えば図５を用いて簡単に説明すると、ウエハＷの裏面側周縁領域を支持するための２本の搬送アーム６１，６２を備えており、これら搬送アーム６１，６２は基台６３に沿って互いに独立して進退自在に構成されている。またこの基台６３は回転機構６４により鉛直軸回りに回転自在に構成される共に、移動機構６５により、棚ユニットＵ１を支持する台部６６の搬送領域Ｒ１に臨む面に取り付けられたＹ軸レール６７に沿ってＹ軸方向に移動自在、かつ昇降レール６８に沿って昇降自在に構成されている。こうして搬送アーム６１，６２は、進退自在、Ｙ軸方向に移動自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在に構成され、棚ユニットＵ１の各モジュールや、液処理モジュール、棚ユニットＵ２の受け渡しステージや、ＤＥＶ層Ｂ１においては棚ユニットＵ３の受け渡しステージとの間でウエハＷの受け渡しを行うことができるようになっている。このようなメインアームは、後述する制御部１００からの指令に基づいて図示しないコントローラにより駆動が制御される。
【００５２】
ここでアーム６１，６２の形状について、図９により搬送アーム６１を例にして説明すると、加熱モジュール（ＣＨＰ）に対してウエハＷの受け渡しを行なうことができるように、水平な馬蹄形状を有している。この搬送アーム６１の内周の大きさは、加熱モジュール（ＣＨＰ）の冷却プレート４２の直径よりも若干大きく形成され、この内周における下部には、内方へ向かう４つの突片６１ａが設けられ、これらの突片６１ａ上にウエハＷが保持されるようになっている。
【００５３】
そして冷却プレート４２の外周の切り欠き部４３は、夫々搬送アーム６１の突片６１ａと対応する位置に設けられていることから、加熱モジュール（ＣＨＰ）の冷却プレート４２にウエハＷを受け渡す際には、ウエハＷを保持した搬送アーム６１が冷却プレート４２に対し上方側から覆い被さるように下降することで、搬送アーム６１上のウエハＷが冷却プレート４２に受け渡され、ウエハＷを受け渡した搬送アーム６１は、前方の切り欠き部６１ｂが冷却プレート４２の下方側に設けられた搬送機構４３の外側を通り抜けるように手前側に後退して処理容器２５内から退去するようになっている。
【００５４】
また、冷却モジュール（ＣＯＬ）の冷却プレート４５との間では、冷却プレート４５の上方側にリフトピン４６を突出させ、搬送アーム６１がリフトピン４６に対し上方側から覆い被さるように下降することで、搬送アーム６１上のウエハＷがリフトピン４６上に受け渡され、次いでリフトピン４６が下降することにより、冷却プレート４５に対してウエハＷが受け渡されるようになっている。
【００５５】
またティーチングのときに用いられる位置調整プレート７は、例えばウエハＷと同じ大きさの円板であって、位置合わせ用の点領域を備えている。この例では、当該点領域は位置調整プレート７の中心に設けられ、この点領域には光軸検出部の一部をなす直径１ｃｍ〜１．５ｃｍの大きさの孔部７１が形成されている。前記光軸検出部は、位置調整プレート７の中心が前記光軸Ｌ１に一致したときに、前記光軸Ｌ１を検出するものであり、この実施の形態では、前記受光素子５３と位置調整プレート７に形成された孔部７１とにより構成されている。
【００５６】
そして上述の塗布、現像装置は、各処理モジュールのレシピの管理や、ウエハＷの搬送フロー（搬送経路）のレシピの管理や、各処理モジュールにおける処理や、メインアームＡ１〜Ａ４、トランスファーアームＣ、受け渡しアームＤ、インターフェイスアームＢの駆動制御を行うコンピュータからなる制御部１００を備えている。
【００５７】
この制御部１００は、例えばコンピュータプログラムからなるプログラム格納部を有しており、プログラム格納部には、後述する本発明のティーチングが実施されるようにステップ（命令）群を備えた例えばソフトウェアからなるティーチング用プログラムと、レジストパターン形成装置全体の作用、つまりレジストパターン形成装置におけるウエハＷに対して所定のレジストパターンを形成するための、ウエハＷの搬送や、各モジュールにおける処理等が実施されるようにステップ（命令）群を備えた例えばソフトウェアからなるプログラムが格納される。
【００５８】
そして、これらプログラムが制御部１００に読み出されることにより制御部１００は、後述するティーチングや、レジストパターン形成装置全体の作用を制御する。なお、このプログラムは、例えばハードディスク、コンパクトディスク、マグネットオプティカルディスク、メモリーカード等の記憶媒体に収納された状態でプログラム格納部に格納される。
【００５９】
前記ティーチング用プログラムは、実際にはメモリ（記憶部）内に格納されているが、説明の便宜上プログラムに符号を付して説明することとする。このプログラムは、例えば図１０に示すように、メインアームＡ１〜Ａ４の搬送アーム６１，６２が、各モジュールの基板載置部に対してウエハＷの受け渡しを行う受け渡し位置における、当該搬送アーム６１，６２の（Ｘ、Ｙ）座標の座標位置を取得する第１の位置データ取得プログラム１０１と、メインアームＡ１〜Ａ４の搬送アーム６１，６２が、各モジュールの基板載置部に対してウエハＷの受け渡しを行う受け渡し位置における、当該搬送アーム６１，６２のＺ座標の座標位置を取得する第２の位置データ取得プログラム１０２と、前記受け渡し位置における当該搬送アーム６１，６２の（Ｘ、Ｙ）座標の座標位置と、前記受け渡し位置における搬送アーム６１，６２のＺ座標の座標位置と、を記憶する記憶部１０３と、を備えている。この記憶部１０３に記憶されるデータは、ティーチングされた搬送アーム６１，６２の受け渡し位置のデータである。１０４は例えば操作パネルなどからなる入力手段であり、例えばティーチング時には操作用の画面が表示される。１０５はＣＰＵ、１０６は制御部からの制御信号に基づいてメインアームＡ１〜Ａ４をコントロールするアームコントローラ、Ｂはバスである。この例では、第１及び第２の位置データ取得プログラム１０１，１０２と、記憶部１０３とが、メインアームＡ１〜Ａ４の搬送アーム６１，６２の受け渡し位置のデータを取得する位置取得手段に相当する。
【００６０】
続いてティーチング工程について図１１、図１２を用いて説明するが、ここではユーザー側にて、タワー１の冷却モジュール（ＣＯＬ４）に対する、メインアームＡ４の搬送アーム６１のティーチングを行なう場合を例にして説明する。先ずユーザー側では、発光素子５２から光を発光して、発光素子５２と受光素子５３との間に光軸Ｌ１を形成し、この光軸Ｌ１に冷却モジュール（ＣＯＬ１〜ＣＯＬ４）の各冷却プレート４５の孔部５１を一致させることにより、タワー１に設けられた冷却モジュール（ＣＯＬ１〜ＣＯＬ４）の基板載置部（冷却プレート４５）の中心の位置合わせを行う（ステップＳ１）。
【００６１】
次いでティーチング対象となるメインアームＡ４の搬送アーム６１に位置調整プレート７を保持させる（ステップＳ２、図１２（ａ））。そして第１のティーチング用プログラム１０１を選択して、このプログラム１０１によりアームコントローラ１０６を介してメインアームＡ４を制御し、図１１、図１２（ｂ）に示すように、ティーチング対象の冷却モジュール（ＣＯＬ４）の基板載置部（冷却プレート４５）の上方側に位置調整プレート７を保持した搬送アーム６１を進入させる（ステップＳ３）。ここで搬送アーム６１の進入時の高さ位置は、処理容器２５の搬送口２６に当該搬送アーム６１が衝突しない高さ範囲で予め設定しておく。
【００６２】
そして位置調整プレート７に形成された孔部７１と、前記発光素子５２と受光素子５３との間で形成され、基板載置部（冷却プレート４５）の中心を通る光軸Ｌ１とが一致するまで、つまり発光素子５２からの光を位置調整プレート７の孔部７１と、冷却プレート４５の孔部５１とを介して受光素子５３にて受光するまで、搬送アーム６１を水平方向に移動させる（ステップＳ４、図１２（ｂ））。ここで前記光軸Ｌ１は冷却プレート４５の中心に形成され、一方位置調整プレートの中心にも孔部７１が形成されているので、これらを一致させることにより、冷却プレート４５の中心と位置調整プレート７の中心との位置合わせを行なうことができる。
【００６３】
こうして図１１，図１２（ｃ）に示すように、位置調整プレート７に形成された孔部７１と、前記光軸Ｌ１とが一致して、発光素子５２からの光を受光素子５３にて受光したときに、そのときの搬送アーム６１の位置データを、受け渡し位置の（Ｘ，Ｙ）座標データとして記憶部１０３に取得し、この搬送アーム６１のティーチングを終了する（ステップＳ５）。更に続いて、ステップＳ６に示すように、ティーチングされていない別の搬送アーム６２がある場合には、例えば他の搬送アーム６２に位置調整プレート７を受け渡し、ステップＳ２に戻ってこの搬送アーム６２のティーチングを行なう。
【００６４】
続いてタワー１の他の冷却モジュール（ＣＯＬ４，ＣＯＬ３，ＣＯＬ２，ＣＯＬ１）に対して、メインアームＡ４，Ａ３，Ａ２，Ａ１の搬送アーム６１，６２のティーチングを、ステップＳ２〜ステップＳ５に従って順次行ない、各モジュールに対する、対応するメインアームＡ１〜Ａ４の搬送アーム６１，６２の受け渡し位置の（Ｘ，Ｙ）座標データを記憶部１０３に格納する。
【００６５】
上述の実施の形態によれば、前記タワーＴ１に多段に設けられる冷却モジュール（ＣＯＬ１〜ＣＯＬ４）の冷却プレート４５（基板載置部）の中心と、位置調整プレート７の中心との位置合わせを、前記冷却プレート４５の中心を通る光軸Ｌ１を形成すると共に、位置調整プレート７の中心に光を通過させる孔部７１を形成し、前記光軸Ｌと位置調整プレート７の孔部７１とを一致させることにより行っている。
【００６６】
この際、前記冷却プレート４５の中心を通る光軸Ｌ１は、タワー１に設けられた全ての冷却プレート４５の中心に、タワーＴ１を上下方向に貫通するように孔部５１を形成すると共に、タワーＴ１に設けられた発光素子５２から孔部５１に向けて発光することにより形成され、前記光軸Ｌ１と位置調整プレート７の孔部７１とが一致したか否かは、発光素子５２からの光が前記タワーＴ１に設けられた孔部５１と、位置調整プレート７の孔部７１の夫々を通過して受光素子５３で受光したか否かにより判断できる。
【００６７】
このように、本発明のティーチングでは、ティーチング対象となる搬送アーム６１，６２を移動させて光の通過位置を見つけることにより、前記ウエハＷの受け渡し位置のデータを取得しているので、ティーチング作業が容易となる。また前記基板載置部の中心を通る光軸Ｌ１に位置調整プレート７の孔部７１を直接重ね合わせることにより位置合わせを行っているので、前記基板載置部の中心と、位置調整プレート７の中心との位置合わせを高い精度で行うことができる。このためタワーに設けられたモジュールの各段において高い精度のティーチング作業を行うとしても、当該作業に要する手間や時間が軽減される。
【００６８】
また１組の発光素子５２と受光素子５３とを用いることにより、タワーに多段に設けられた全てのモジュールの基板載置部に対してティーチングを行うことができるので経済的であり、さらに発光素子５２と受光素子５３は、従来のティーチングに使用されていたＣＣＤカメラよりも小さく、メインアームＡ１〜Ａ４に搭載される位置調整プレート７はウエハＷと同じ大きさであるので、装置の小型化の要請で、モジュールの小型化が図られていても、前記発光素子５２と受光素子５３とを設置する領域は十分にあり、このティーチング方法を容易に実施することができる。
【００６９】
さらにタワーの各モジュールは、予め基板載置部の中心位置の位置合わせを行っているので、１つのモジュールにてティーチング作業を行えば、他のモジュールに対しても搬送アーム６１，６２の受け渡し位置の（Ｘ，Ｙ）座標位置の位置ずれはほとんどない。このため、他のモジュールでは、前記１つのモジュールにおける受け渡し位置の位置データに基づいて、当該受け渡し位置がずれているか否かの確認作業を行えばよいので、この点からもタワーに設けられた全てのモジュールに対するティーチング作業のトータルの手間や時間が大幅に軽減される。
【００７０】
また既述のように予め基板載置部の中心位置の位置合わせを行っている上、搬送アーム６１，６２の受け渡し位置の精度が高いことから、１つのモジュールにてティーチング作業を行って得た搬送アーム６１，６２の受け渡し位置のデータを、他のモジュールに対してそのまま用いるようにしてもよい。
【００７１】
なおこの手法によるティーチングの対象となる棚ユニットは、棚ユニットＵ１のタワー１、タワー２、タワー３、棚ユニットＵ２、棚ユニットＵ３であるが、棚ユニットＵ１のタワー４の加熱モジュール（ＣＨＰ２）から下側に設けられたモジュールのみに当該ティーチングを行うこともできる。この場合には、加熱モジュール（ＣＨＰ２）から下をタワー１のように構成し、当該最上段の加熱モジュール（ＣＨＰ２）に発光素子５２を設ける。
【００７２】
また前記棚ユニットＵ２、棚ユニットＵ３には、受け渡しステージＴＲＳが多段に設けられているが、この受け渡しステージＴＲＳは、トランファーアームＣと受け渡しアームＤと各単位ブロックＢ１〜Ｂ４のメインアームＡ１〜Ａ４との間や、前記メインアームＡ１〜Ａ４とインターフェイスアームＢとの間で、ウエハＷの受け渡しを行なうための基板載置部をなす受け渡し台を備えており、この受け渡し台の中心に前記光軸形成用の孔部５１が形成される。
【００７３】
以上において、本発明では、図１３に示すように、図８に示すタワーＴ１において受光素子５３が設けられる位置に、発光素子５２からの光を、タワーＴ１に設けられた全ての冷却モジュール（ＣＯＬ１〜ＣＯＬ４）の冷却プレート４５の孔部５１を通るように反射する反射部５４を設け、受光素子５３は、発光素子５２から発光され、反射部５４で反射されて、前記全ての冷却モジュール（ＣＯＬ１〜ＣＯＬ４）の冷却プレート４５の孔部５１を通って受光されるように、例えば発光素子５２に隣接する位置に設けるようにしてもよい。この例では、位置調整プレート７に形成された孔部７１と、受光素子５３と、反射部５４とにより、位置検出部が構成される。
【００７４】
このような構成では、前記冷却プレート４５の中心を通る光軸Ｌ１と、位置調整プレート７の孔部７１とを一致させることによって、発光素子５２からの光が反射部５４にて反射されて受光素子５３にて受光されるので、前記冷却プレート４５の中心と、位置調整プレート７の中心との位置合わせを行うことができ、既述のティーチング作業を行うことができる。
【００７５】
この場合、発光素子５２からの光が、タワーＴ１に設けられた全ての冷却モジュール（ＣＯＬ１〜ＣＯＬ４）の冷却プレート４５の孔部５１を通って反射部５４に至り、反射部５４にて反射された光が前記全ての孔部５１を通って受光素子５３にて受光される位置であれば、発光素子５２、受光素子５３、反射部５４の設置位置は図１３に示す位置に限らず、反射部５４に傾斜を付けるようにしてもよい。
【００７６】
さらにまた本発明では、図１４に示すように、発光素子５２と受光素子５３とを、図８に示す受光素子５３の設置位置、つまり最下段の冷却モジュール（ＣＯＬ１）の冷却プレート４５の下方側に互いに隣接して設けると共に、位置調整プレート７の裏面側中心（位置合わせ用の点領域）に、光軸検出部として、直径が１ｃｍ〜１．５ｃｍ程度に形成され、前記発光素子５２からの光を反射するための反射部７２を設けるようにしてもよい。このようにすると、前記冷却プレート４５の中心を通る光軸Ｌ１と、位置調整プレート７の中心部に設けられた反射部７２とを一致させることによって、発光素子５２からの光が反射部７２にて反射されて受光素子５３にて受光されるので、前記冷却プレート４５の中心と、位置調整プレート７の中心との位置合わせを行うことができ、既述のティーチング作業を行うことができる。この例では、位置調整プレート７に形成された反射部７２と、受光素子５３とにより、位置検出部が構成されている。
【００７７】
なお以上において図８に示す構成では、発光素子５２と受光素子５３とを入れ替えて、つまり発光素子５２をタワー１の下方側に、受光素子５３をタワー１の上方側に設けるようにしてもよい。また図１３に示す構成では、発光素子５２と受光素子５３とをタワーの下方側に、反射部５４をタワーの上方側に設けるようにしてもよいし、図１４に示す構成では、発光素子５２と受光素子５３とをタワーＴ１の上方側に、反射部７２を位置調整プレート７の表面側に設けるようにしてもよい。
【００７８】
さらに、本発明では、図１５に示すように、光軸形成手段として、タワーＴ１の最下段の冷却モジュール（ＣＯＬ１）の冷却プレート４５の下方側に発光素子５２を設け、光軸検出部として、位置調整プレート７の裏面側の中心（位置合わせ用の点領域）に受光素子７３を設けるようにしてもよい。このようにすると、前記発光素子５２により冷却プレート４５の中心に形成された光軸Ｌ１と、位置調整プレート７の受光素子７３とを一致させることによって、発光素子５２からの光が受光素子７３にて受光されるので、前記冷却プレート４５の中心と、位置調整プレート７の中心との位置合わせを行うことができ、既述のティーチング作業を行うことができる。なおこの場合において、発光素子５２をタワーＴ１の最上段の冷却モジュール（ＣＯＬ４）の冷却プレート４５の上方側に設け、位置調整プレート７の表面側の中心に受光素子７３を設けるようにしてもよい。
【００７９】
さらにまた、本発明では、図１６に示すように、光軸形成手段として、位置調整プレート７の裏面側の中心（位置合わせ用の点領域）に発光素子７４を設け、光軸検出部として、タワーＴ１の最下段の冷却モジュール（ＣＯＬ１）の冷却プレート４５の下方側に受光素子５３を設けるようにしてもよい。このようにすると、位置調整プレート７の中心が冷却プレート４５の中心に形成された孔部５１と一致したときに、前記孔部５１に発光素子７４によって光軸Ｌ１が形成され、この発光素子７４からの光が受光素子５３にて受光されるので、前記冷却プレート４５の中心と、位置調整プレート７の中心との位置合わせを行うことができ、既述のティーチング作業を行うことができる。なおこの場合においても、受光素子５３をタワーＴ１の最上段の冷却モジュール（ＣＯＬ４）の冷却プレート４５の上方側に設け、発光素子７４を位置調整プレート７の表面側の中心に設けるようにしてもよい。
【００８０】
続いて本発明の第２の実施の形態について、棚ユニットＵ１に設けられた加熱・冷却系モジュールに対するメインアームＡ１〜Ａ４のティーチングを例にして説明する。この実施の形態のティーチングは、棚ユニットＵ１に左右方向に配列されたモジュールの基板載置部に対して、メインアームＡ１〜Ａ４の搬送アーム６１，６２によりウエハＷを所定の高さ位置で受け渡すときの、当該搬送アーム６１，６２の受け渡し位置のＺ座標データを得るものである。
【００８１】
例えば図１７を用いてＴＣＴ層Ｂ４に設けられた棚ユニットＵ１を例にして説明すると、この実施の形態のティーチングは、左右方向にモジュールが配列された棚ユニットＵ１に対して行われ、例えば棚ユニットＵ１の各段の加熱・冷却系モジュール、つまり１段目の１個の冷却モジュール（ＣＯＬ４）と２個の加熱モジュール（ＣＨＰ４）とに対して行われる。
【００８２】
これら棚ユニットＵ１に左右方向に配列された加熱・冷却系モジュールは、メインアームＡ４からのウエハＷの受け渡しの高さ位置が同じになるように構成されている。前記受け渡しの高さ位置とは、冷却モジュール（ＣＯＬ４）では冷却プレート４５に対してリフトピン４６との間でウエハＷの受け渡しを行なうときの、ウエハＷを保持した搬送アーム６１，６２が処理容器２５に進入するときの高さ位置であり、加熱モジュール（ＣＨＰ４）では冷却プレート４２との間でウエハＷの受け渡しを行うときの、ウエハＷを保持した搬送アーム６１，６２が処理容器２５に進入するときの高さ位置である。
【００８３】
前記棚ユニットＵ１の各段には、左右方向に配列された一端側のモジュールである冷却モジュール（ＣＯＬ４）の冷却プレート４５と、他端側のモジュールである加熱モジュール（ＣＨＰ４）の冷却プレート４２の上方側の同じ高さ位置を通るように、棚ユニットＵ１の左右方向に貫通するように光軸形成用の孔部５５が形成されている。この孔部５５は前記ウエハＷの受け渡しの高さ位置に形成され、その大きさは、例えばメインアームＡ４の搬送アーム６１，６２の厚みよりも小さく設定されている。
【００８４】
さらに棚ユニットＵ１の各段の一端側のモジュールの基板載置部の外側、例えば最左側に設けられた冷却モジュール（ＣＯＬ４）の冷却プレート４５の外側には、前記孔部５５に向けて発光するための発光素子５２が設けられ、棚ユニットＵ１の各段の他端側のモジュールの基板載置部の外側、例えば最右側に設けられた加熱モジュール（ＣＨＰ４）の冷却プレート４２の外側には、前記発光素子５２に対応するように受光素子５３が設けられている。これにより発光素子５２から受光素子５３に向けて発光したときには、棚ユニットＵ１に搭載される冷却モジュール（ＣＯＬ４）の冷却プレート４５と、加熱モジュール（ＣＨＰ４）の冷却プレート４２の上方側に左右方向に伸びる光軸Ｌ２が形成される。
【００８５】
続いてティーチング工程について説明するが、ここではユーザー側にて、ＴＣＴ層Ｂ４の棚ユニットＵ１の上から第一段目のモジュールに対する、メインアームＡ４の搬送アーム６１のティーチングを行なう場合を例にして説明する。先ずユーザー側では、発光素子５２から光を発光して、発光素子５２と受光素子５３との間に光軸Ｌ２を形成し、この光軸Ｌ２との間に予め設定された間隔を形成するように冷却モジュール（ＣＯＬ４）の冷却プレート４５、加熱モジュール（ＣＨＰ４）の冷却プレート４２の高さ位置を揃える。ここで光軸Ｌ２は、加熱モジュール（ＣＨＰ４）や冷却モジュール（ＣＯＬ４）の各冷却プレート４２，４５にウエハＷを受け渡すときの、受け渡し高さ位置に形成される。
【００８６】
次いで第２のティーチング用プログラム１０２を選択して、このプログラム１０２によりアームコントローラ１０６を介して、メインアームＡ４を制御し、図１８（ａ）に示すように、ティーチング対象の加熱モジュール（ＣＨＰ４）の基板載置部（冷却プレート４２）の上方側に搬送アーム６１を進入させる。ここで搬送アーム６１の進入時の高さ位置は、予め処理容器２５の搬送口２６に搬送アーム６１が衝突しない高さ範囲で設定しておく。
【００８７】
そして発光素子５２と受光素子５３との間に前記光軸Ｌ２を形成しておいた状態で、当該搬送アーム６１により前記光軸Ｌ２を遮るまで、つまり発光素子５２からの光が受光素子５３にて受光できなくなくなるまで、搬送アーム６１を上下方向に移動させる。ここで前記光軸Ｌ２は、既述のようにウエハＷの受け渡し高さ位置に形成されているので、この光軸Ｌ２を搬送アーム６１が遮ったときの搬送アーム６１の高さが前記受け渡し高さとなる。
【００８８】
そして図１８（ｂ）に示すように、発光素子５２と受光素子５３との間に形成された光軸Ｌ２が搬送アーム６１により遮られて、発光素子５２からの光が受光素子５３にて受光できなくなくなったときに、そのときの搬送アーム６１の位置データを、受け渡し位置の高さ位置であるＺ座標データとして記憶部１０３に取得し、この搬送アーム６１のティーチングを終了する。更に続いてティーチングされていない別の搬送アーム６２がある場合には、同様に搬送アーム６２のティーチングを行なう。
【００８９】
続いて棚ユニットＵ１の同じ段の他の列の加熱モジュール（ＣＨＰ４）や冷却モジュール（ＣＯＬ４）、異なる段の加熱モジュール（ＣＨＰ４）や冷却モジュール（ＣＯＬ４）に対して、メインアームＡ４の搬送アーム６１，６２のティーチングを順次行ない、各モジュールに対する、対応するメインアームＡ４の搬送アーム６１，６２の受け渡し位置のＺ座標データを記憶部１０３に格納する。また他の単位ブロックＢ１〜Ｂ３に対しても、対応するメインアームＡ１〜Ａ３に対して同様にティーチングを行う。
【００９０】
この実施の形態によれば、ティーチング対象となる搬送アーム６１，６２を上下方向に移動させて、前記受け渡し高さ位置に形成された光軸Ｌ２を遮り、こうして光軸Ｌ２の位置を見つけることにより、棚ユニットＵ１に設けられたモジュールの基板載置部へのウエハＷの受け渡しの高さ位置のティーチングを行うことができるので、ティーチング作業が容易となる。また搬送アーム６１，６２を前記光軸Ｌ２に直接重ね合わせることにより位置合わせを行っているので、前記受け渡し高さ位置の位置合わせを高い精度で行うことができる。
【００９１】
また上述の実施の形態と同様に、１組の発光素子５２と受光素子５３とを用いて、棚ユニットＵ１のある段に設けられた全てのモジュールの基板載置部に対してティーチングを行うことができるので経済的であり、さらに小さい発光素子５２と受光素子５３を利用しているので、小型の処理モジュールであっても設置でき、本発明のティーチングを容易に実施することができる。
【００９２】
なおこの手法によるティーチングの対象となる棚ユニットＵ１は、ＣＯＴ層Ｂ３では、棚ユニットＵ１の各段の疎水化処理モジュール（ＡＤＨ）以外のモジュール、ＢＣＴ層Ｂ２では棚ユニットＵ１の各段の冷却モジュール（ＣＯＬ２）と加熱モジュール（ＣＨＰ２）、ＤＥＶ層Ｂ１では棚ユニットＵ１の各段の冷却モジュール（ＣＯＬ１）と加熱モジュール（ＣＨＰ１）である。またこの実施の形態では、図１７の発光素子５２が設けられている位置に受光素子５３を設け、受光素子５３が設けられている位置に発光素子５２を設けるようにしてもよい。
【００９３】
以上において、メインアームの受け渡し位置のＺ座標データを得るティーチングは、例えば前記光軸Ｌ２を検出するための光軸検出部が設けられた位置調整プレート７を用いて行うようにしてもよい。この位置調整プレート７は、例えば図１９に示すように構成され、この位置調整プレート７の上には、当該プレート７に対して垂直に伸びるように設けられた板状体よりなる位置調整治具８が設けられている。この位置調整治具８は、当該位置調整プレート７を保持した搬送アーム６１が、ティーチング対象のモジュールの基板載置部のウエハＷの受け渡し高さ位置に位置したときに、前記光軸Ｌ２の光を通過させる孔部８１を備えており、この孔部８１が光軸検出部に相当する。
【００９４】
そしてこの例では、先ず発光素子５２と受光素子５３との間に前記光軸Ｌ２を形成しておき、図２０（ａ）に示すように、受け渡し位置のデータを得ようとする加熱モジュール（ＣＨＰ４）の冷却プレート４２の上方側の予め設定された位置に、ティーチング対象の搬送アーム６１により位置調整プレート７を搬送する。この位置では、位置調整治具８の板状部により前記光軸Ｌ２が遮られるようになっている。
【００９５】
次いで搬送アーム６１を上下方向に移動させ、前記位置調整プレート７の位置調整治具８に形成された孔部８１を前記光軸Ｌ２に一致させる。この位置では、前記光軸Ｌ２が前記孔部８１を通るので、前記発光素子５２からの光が受光素子５３にて受光され、このときの搬送アーム６１のＺ座標位置データを取得することにより、前記搬送アーム６１の受け渡し高さ位置のティーチングが行われる。
【００９６】
この例においても、棚ユニットＵ１に、前記発光素子５２からの光を、前記全ての光軸形成用の孔部５５を通るように反射する反射部を設けると共に、位置調整プレート７の位置調整治具８の孔部８１が光軸Ｌ２と一致する高さに位置したときに、前記発光素子５２から発光され、反射部より反射された光を受光する受光素子５３を、例えば棚ユニットＵ１に発光素子５２と隣接して設けるようにして、ティーチングを行ってもよい。
【００９７】
さらに、位置調整プレート７の位置調整治具８に、孔部８１の代わりに、光軸検出部として前記発光素子５２からの光を反射するための反射部を設け、この反射部が光軸Ｌ２と一致する高さ位置に位置したときに、前記発光素子５２から発光され、位置調整プレート７に設けられた反射部により反射された前記光軸Ｌ２の光を受光する受光素子５３を、例えば棚ユニットＵ１に発光素子５２と隣接して設けるようにして、ティーチングを行ってもよい。
【００９８】
さらにまた位置調整プレート７の位置調整治具８に、孔部８１の代わりに光軸検出部として、前記発光素子５２からの光を受光するための受光素子５３を設け、この受光素子３２が光軸Ｌ２と一致する高さ位置に位置したときに、前記発光素子５２から発光された光を、位置調整プレート７に設けられた受光素子５３により受光するようにして、ティーチングを行ってもよい。
【００９９】
さらにまた位置調整プレート７の位置調整治具８に、孔部８１の代わりに発光素子を設けると共に、前記光軸検出部をなす受光素子５３を、棚ユニットＵ１の、位置調整プレート７を保持した搬送アーム６１が、ティーチング対象のモジュールの基板載置部へウエハＷを受け渡すときの受け渡し高さ位置に設け、この受光素子５３と位置調整プレート７の発光素子からの光により形成される光軸Ｌ２とが一致する高さに位置したときに、前記位置調整プレート７に設けられた発光素子から発光された光を受光素子５３により受光するようにして、ティーチングを行ってもよい。
【０１００】
以上において、ティーチングを行うときには、例えば棚ユニットＵ１のある列のティーチング対象となる全てのモジュールに対して、上述の第１の実施の形態の手法でメインアームＡ１〜Ａ４の（Ｘ，Ｙ）座標位置の取得を行い、次いで棚ユニットＵ１のある段のティーチング対象となる全てのモジュールに対して、第２の実施の形態の手法でＺ座標位置の取得を行うようにしてもよいし、先に例えば上述の第２の実施の形態の手法でＺ座標位置の取得を行い、次いで第１の実施の形態の手法で（Ｘ，Ｙ）座標位置の取得を行うようにしてもよい。
【０１０１】
また例えば棚ユニットＵ１のある列のティーチング対象となる全てのモジュールに対して、上述の第１の実施の形態の手法でメインアームＡ１〜Ａ４の（Ｘ，Ｙ）座標位置の取得を行った後、当該棚ユニットＵ１のある列の各モジュールについて別の方法にてＺ座標位置の取得を行うようにしてもよいし、先ず例えば棚ユニットＵ１のある段のティーチング対象となる全てのモジュールに対して、第２の実施の形態の手法でメインアームＡ１〜Ａ４のＺ座標位置の取得を行った後、当該棚ユニットＵ１のある段の各モジュールについて、別の方法にて（Ｘ，Ｙ）座標位置の取得を行うようにしてもよい。
【０１０２】
さらに例えば図１９に示すように、光軸Ｌ１を検出するための孔部７１と、光軸Ｌ２を検出するための孔部８１との両方を設けた位置調整プレート７を用いてティーチングを行う場合には、１つのモジュールに対して上述の第１の実施の形態の手法によるメインアームＡ１〜Ａ４の（Ｘ，Ｙ）座標位置の取得と、第２の実施の形態の手法によるＺ座標位置の取得とを行ってから、他のモジュールに対して同様に（Ｘ，Ｙ）座標位置と、Ｚ座標位置の取得とを行うようにしてもよい。
【０１０３】
以上において本発明の第１の実施の形態のティーチング対象となるモジュールは、加熱モジュール、冷却モジュール、受け渡しステージ等であり、これらは棚ユニットに基板載置部の中心が一致するように上下方向に設けられていればよく、この棚ユニットには、異なる種類のモジュールが配列されていてもよい。
【０１０４】
また本発明の第１の実施の形態では、前記棚ユニットに上下方向に貫通して形成される光軸形成用の孔部５１は、各基板載置部の対応する位置を通るように形成されるものであれば、必ずしも各基板載置部の中心に形成される必要は無く、当該孔部５１を基板載置部の中心からずれた位置に形成し、位置調整プレート７の前記孔部５１に対応する位置に、位置合わせ用の点領域を形成するようにしてもよいし、光軸形成用の孔部５１を、各基板載置部の対応する位置の複数個所に形成し、位置調整プレート７の各孔部５１に対応する位置に、位置合わせ用の点領域を形成するようにしてもよい。
【０１０５】
さらに本発明の第２の実施の形態のティーチング対象となるモジュールは、加熱モジュール、冷却モジュール、受け渡しステージ等であり、これらは棚ユニットに基板載置部に対する基板の受け渡し高さ位置が一致するように左右方向に設けられていればよく、この棚ユニットには、異なる種類のモジュールが配列されていてもよい。
【０１０６】
また本発明は半導体ウエハのみならず液晶ディスプレイ用のガラス基板（ＬＣＤ基板）といった基板を処理する基板処理装置にも適用できる。
【図面の簡単な説明】
【０１０７】
【図１】本発明に係るレジストパターン形成装置の一実施の形態を示す平面図である。
【図２】前記レジストパターン形成装置を示す斜視図である。
【図３】前記レジストパターン形成装置を示す側部断面図である。
【図４】前記レジストパターン形成装置に設けられる棚ユニットを示す正面図である。
【図５】前記レジストパターン形成装置に設けられる棚ユニットとメインアームと液処理モジュールとを示す斜視図である。
【図６】前記レジストパターン形成装置に設けられる加熱モジュールを示す平面図と断面図である。
【図７】前記レジストパターン形成装置に設けられる冷却モジュールを示す平面図と断面図である。
【図８】前記レジストパターン形成装置の各単位ブロックＢ１〜Ｂ４に設けられる棚ユニットＵ１にて構成されるタワーＴ１を示す縦断断面図である。
【図９】前記レジストパターン形成装置に設けられるメインアームの搬送アームと、位置調整プレートを示す平面図と斜視図である。
【図１０】前記レジストパターン形成に設けられる制御部を示す構成図である。
【図１１】前記レジストパターン形成装置にて行なわれるティーチングを説明するための工程図である。
【図１２】前記レジストパターン形成装置にて行なわれるティーチングを説明するための工程図である。
【図１３】前記レジストパターン形成装置に設けられる棚ユニットの他の例を示す縦断断面図である。
【図１４】前記レジストパターン形成装置に設けられる棚ユニットのさらに他の例を示す縦断断面図である。
【図１５】前記レジストパターン形成装置に設けられる棚ユニットのさらに他の例を示す縦断断面図である。
【図１６】前記レジストパターン形成装置に設けられる棚ユニットのさらに他の例を示す縦断断面図である。
【図１７】前記レジストパターン形成装置に設けられる棚ユニットのさらに他の実施の形態を示す縦断断面図である。
【図１８】図１７に示すレジストパターン形成装置にて行なわれるティーチングを説明するための工程図である。
【図１９】前記レジストパターン形成装置に用いられる位置調整プレートを示す斜視図である。
【図２０】図１９に示す位置調整プレートを用いてレジストパターン形成装置にて行なわれるティーチングを説明するための工程図である。
【図２１】従来の塗布、現像装置を示す平面図である。
【符号の説明】
【０１０８】
Ｗ          半導体ウエハ
２０        キャリア
Ｓ１        キャリアブロック
Ｓ２        処理ブロック
Ｓ３        インターフェイスブロック
Ｓ４        露光装置
Ａ１〜Ａ４  メインアーム
Ｂ          インターフェイスアーム
Ｃ          トランファーアーム
Ｄ          受け渡しアーム
ＣＨＰ      加熱モジュール
ＣＯＬ      冷却モジュール
３１        現像ユニット
３２        塗布ユニット
３３        第１の反射防止膜形成ユニット
３４        第２の反射防止膜形成ユニット
４２，４５  冷却プレート（基板載置部）
５１        光軸形成用の孔部
５２        発光素子
５３        受光素子
５４        反射部
７          位置調整プレート
７１        孔部
７２        反射部
７３        受光素子
７４        発光素子
１００          制御部
【図１】
0004473827.tif 000002
【図２】
0004473827.tif 000003
【図３】
0004473827.tif 000004
【図４】
0004473827.tif 000005
【図５】
0004473827.tif 000006
【図６】
0004473827.tif 000007
【図７】
0004473827.tif 000008
【図８】
0004473827.tif 000009
【図９】
0004473827.tif 000010
【図１０】
0004473827.tif 000011
【図１１】
0004473827.tif 000012
【図１２】
0004473827.tif 000013
【図１３】
0004473827.tif 000014
【図１４】
0004473827.tif 000015
【図１５】
0004473827.tif 000016
【図１６】
0004473827.tif 000017
【図１７】
0004473827.tif 000018
【図１８】
0004473827.tif 000019
【図１９】
0004473827.tif 000020
【図２０】
0004473827.tif 000021
【図２１】
0004473827.tif 000022