(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
結晶融解ピーク温度が２６０℃以上であるポリアリールケトン樹脂と非晶性ポリエーテルイミド樹脂を主成分とする熱可塑性樹脂組成物からなる絶縁基材に導体配線が表面が表出した状態で埋設され、この導体配線を含む絶縁基材の表面が平坦化されてなる配線基材が複数、積層され、
これら複数の配線基材のうち、１つまたは２つ以上の配線基材に、半導体装置が搭載され、この半導体装置の各端子は前記配線基材の前記半導体装置を搭載する側の面の溝に充填された導電材により電気的に接続され、前記半導体装置が搭載された配線基材の上に隣接して配置される配線基材には、前記半導体装置を収納しかつ一体化するための穴が形成され、
この半導体装置が搭載された配線基材を含むこれらの配線基材同士が熱融着により接着一体化されかつ結晶化されるとともに、各配線基材の配線回路及び各配線基材間を電気的に接続する配線は、導電性ペーストを硬化してなる導電材により構成されていることを特徴とする半導体装置内蔵多層配線基板。
【請求項２】
結晶融解ピーク温度が２６０℃以上であるポリアリールケトン樹脂と非晶性ポリエーテルイミド樹脂を主成分とする熱可塑性樹脂組成物からなる絶縁基材に導体配線が表面が表出した状態で埋設され、この導体配線を含む絶縁基材の表面が平坦化されてなる配線基材が複数、積層され、
これら複数の配線基材のうち、１つまたは２つ以上の配線基材に、半導体装置を収納しかつ一体化するための凹部が形成され、
この半導体装置の各端子は前記配線基材に埋設された導体配線に電気的に接続され、
この凹部が形成された配線基板及び半導体装置を含むこれらの配線基材同士が熱融着により接着一体化されかつ結晶化されるとともに、各配線基材の配線回路及び各配線基材間を電気的に接続する配線は、導電性ペーストを硬化してなる導電材により構成されていることを特徴とする半導体装置内蔵多層配線基板。
【請求項３】
前記絶縁基材は、結晶融解ピーク温度が２６０℃以上であるポリアリールケトン樹脂と非晶性ポリエーテルイミド樹脂を主成分とする熱可塑性樹脂組成物を溶融混練し急冷製膜して得られた非晶性フィルムからなり、
該非晶性フィルムのガラス転移温度と結晶化開始温度との差が３０℃以上かつ６０℃未満であることを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置内蔵多層配線基板。
【請求項４】
前記半導体装置の、少なくとも前記配線基材に電気的に接続される側と反対側の主面には、絶縁膜が形成されていることを特徴とする請求項１、２または３記載の半導体装置内蔵多層配線基板。
【請求項５】
前記半導体装置が搭載される前記配線基材の前記半導体装置の各端子に対応する位置には貫通孔が形成され、前記半導体装置の各端子は、前記配線基材の前記半導体装置を搭載する側の面の溝に充填された導電材を介して前記貫通孔に充填された前記導電材に電気的に接続されていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項記載の半導体装置内蔵多層配線基板。
【請求項６】
前記導体配線は、導電性ペーストを硬化してなる導電材であることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項記載の半導体装置内蔵多層配線基板。
【請求項７】
前記導体配線は、導電性ペーストを硬化してなる導電材と金属箔とからなり、少なくとも前記金属箔の表面が表出していることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項記載の半導体装置内蔵多層配線基板。
【請求項８】
結晶融解ピーク温度が２６０℃以上であるポリアリールケトン樹脂と非晶性ポリエーテルイミド樹脂を主成分とする熱可塑性樹脂組成物からなる絶縁基材の一主面に回路形成用溝部及び貫通孔を形成し、次いで、前記回路形成用溝部及び貫通孔に導電性ペーストを充填して配線基材とし、
次いで、複数の前記配線基材のうち１つまたは２つ以上の配線基材に半導体装置を搭載して、この半導体装置の各端子を前記配線基材の前記半導体装置を搭載する側の面の溝に充填された導電材に電気的に接続し、
この半導体装置が搭載された配線基材の上に、前記半導体装置を収納しかつ一体化するための穴が形成された配線基材を配置し、
この半導体装置が搭載された配線基材を含むこれらの配線基材を積層し接着一体化することを特徴とする半導体装置内蔵多層配線基板の製造方法。
【請求項９】
結晶融解ピーク温度が２６０℃以上であるポリアリールケトン樹脂と非晶性ポリエーテルイミド樹脂を主成分とする熱可塑性樹脂組成物からなる絶縁基材の一主面に回路形成用溝部及び貫通孔を形成し、次いで、前記回路形成用溝部及び貫通孔に導電性ペーストを充填して配線基材とし、
次いで、複数の前記配線基材のうち１つまたは２つ以上の配線基材に、半導体装置を収納しかつ一体化するための凹部を形成し、
この凹部が形成された配線基板及び半導体装置を含むこれらの配線基材を積層し接着一体化し、この半導体装置の各端子を前記配線基材に埋設された導体配線に電気的に接続することを特徴とする半導体装置内蔵多層配線基板の製造方法。
【請求項１０】
前記回路形成用溝部を、凹凸転写治具を用いて、前記熱可塑性樹脂組成物のガラス転移温度以上かつ結晶化開始温度未満の温度にて熱成形することを特徴とする請求項８または９記載の半導体装置内蔵多層配線基板の製造方法。
【請求項１１】
前記配線基材に、前記半導体装置を、前記熱可塑性樹脂組成物のガラス転移温度以上かつ結晶化開始温度未満の温度にて熱圧着することを特徴とする請求項８、９または１０記載の半導体装置内蔵多層配線基板の製造方法。
【請求項１２】
前記絶縁基材の、搭載される前記半導体装置の各端子に対応する位置に貫通孔を形成し、この貫通孔に前記導電性ペーストを充填して配線基材とし、この貫通孔に充填された前記導電性ペーストに前記半導体装置の各端子を埋め込むことを特徴とする請求項８ないし１１のいずれか１項記載の半導体装置内蔵多層配線基板の製造方法。
【請求項１３】
前記導電性ペーストを前記回路形成用溝部及び前記貫通孔に充填した後に加熱・硬化して導電材とし、該導電材に前記半導体装置の各端子を埋め込むことを特徴とする請求項８ないし１２のいずれか１項記載の半導体装置内蔵多層配線基板の製造方法。
【請求項１４】
複数の配線基材のうち１つまたは２つ以上の配線基材に、半導体装置収納用の穴または凹部を形成し、この穴または凹部が形成された配線基材及び半導体装置を含むこれらの配線基材を積層し接着一体化し、この半導体装置の各端子を前記配線基材の溝に充填された導電材に電気的に接続してなる半導体装置内蔵多層配線基板の製造方法であって、
結晶融解ピーク温度が２６０℃以上であるポリアリールケトン樹脂と非晶性ポリエーテルイミド樹脂を主成分とする熱可塑性樹脂組成物からなる絶縁基材に貫通孔を形成し、次いで、前記貫通孔に導電性ペーストを充填し、次いで、前記絶縁基材の一方の面に金属箔を当接して該金属箔を前記絶縁基材に選択的に熱圧着し、次いで、前記金属箔を剥離し、前記金属箔を、前記貫通孔内または前記絶縁基材上の所定位置、あるいは前記貫通孔内および前記絶縁基材上の所定位置に接着させ、少なくとも一方の最外層の配線基材とすることを特徴とする半導体装置内蔵多層配線基板の製造方法。
【請求項１５】
前記金属箔を、前記熱可塑性樹脂組成物のガラス転移温度以上かつ結晶化開始温度（Ｔcs）未満の温度Ａ（℃）にて熱圧着した後、前記温度Ａ（℃）と異なる温度Ｂ（℃）にて熱処理し、これら温度Ａ（℃）及び温度Ｂ（℃）は、
Ａ＜Ｂ＜Ｔcs、かつ、Ｂ−Ａ＜１０℃の関係を満足することを特徴とする請求項１４記載の半導体装置内蔵多層配線基板の製造方法。
【請求項１６】
前記複数の配線基材を積層し一体化する際の積層温度は、前記熱可塑性樹脂組成物のガラス転移温度以上かつ結晶融解温度未満であることを特徴とする請求項８ないし１５のいずれか１項記載の半導体装置内蔵多層配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置内蔵多層配線基板及びその製造方法に関し、特に、半導体装置を搭載した配線基材を含む複数の配線基材を積層してなる高密度かつ超小型の３次元実装モジュールに用いて好適な半導体装置内蔵多層配線基板及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、プリント積層板やセラミック積層板等の基板上に、抵抗、キャパシタなどの受動部品の他に、小型半導体パッケージ、半導体ベアチップ、ＦＢＧＡ（fine pitch ball grid array）等の小型能動部品を実装することにより、基板における部品の実装密度を向上させ、電子装置の小型化、軽量化、薄型化を図った表面実装法が実用化されている。この表面実装法は、各部品の大きさを小型化しようとするものである。
また、部品の実装密度をさらに向上させるために、半導体装置を３次元的に積み上げる３次元実装技術を用いた３次元実装モジュールも開発されている。この３次元実装モジュールは、上述した表面実装法によっても配置しきれない部品、とりわけ、部品サイズの大きい半導体装置を立体的に配置し、あるいは、基板内部に入れ込んで、実装密度を高めようとするものである。
【０００３】
上記の３次元実装技術は、機器の小型化だけではなく、コンピュータや通信機器などの高速化にも寄与する技術として、最近特に注目されている技術である。例えば、通信機器においては、今後、撮像素子を用いた動画通信機能、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈのインターフェース機能、ＧＰＳ機能等が搭載されることが見込まれており、部品点数の増加をともなう多機能化が積極的に押し進められ、実装技術の高密度化を牽引していくものである。特に、小型半導体装置である半導体チップを３次元的に積層して配線すれば、配線長を短くすることができ、高速信号を伝送することができるようにもなるために、３次元実装技術の採用は不可欠である。
【０００４】
３次元実装技術には、大きく分けて２種類の技術がある。一つはプリント配線基板上や内部に部品を積層する３次元実装モジュール等についての技術であり、もう一つはパッケージ内で半導体チップを積層する３次元実装パッケージについての技術である。
前者の技術は、３次元実装モジュール等を採用する機器メーカが専用実装機の研究開発を進める必要があることから、殆ど普及していない。一方、後者の技術は、３次元実装パッケージ等を製造する電気メーカーにとっては、半導体チップの種類や個数、積層する配線基板の枚数が他社との差別化要因になることと、同一の形状であっても、多種多様の機能を発揮することができることのために、ＬＳＩメーカーが開発に本腰を入れ始めている。
【０００５】
複数の半導体チップを種類や形状にかかわらずパッケージ内で積層できる３次元実装パッケージの一例として、東芝が開発したＳｙｓｔｅｍ  Ｂｌｏｃｋ  Ｍｏｄｕｌｅ（ＳＢＭ）がある（例えば、非特許文献１参照）。このＳＢＭは、厚さを５０μｍまで薄くした半導体チップをガラスエポキシ等からなる耐熱性樹脂配線基板上に実装し、この基板を複数枚積層した構造を採用している。このＳＢＭでは、各層の厚さは１４０μｍ程度であるから、１ｍｍ厚のパッケージに７枚のチップを積層することができる計算になる。また、端子間の配線パターンは、半導体チップを実装していない基板の周辺部分に形成し、チップ端子と基板の間はＡｕバンプで直接電気的に接続し、半導体チップ間は、各層の間に挟み込んだ基板に形成された穴に導電体を埋め込んだ配線により電気的に接続されている。
【０００６】
【非特許文献１】
池水守彦、「３次元モジュールの展望」、エレクトロニクス実装技術、技術調査会、平成１２年４月、第１６巻、第４号、ｐ．３２−３４
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、従来の３次元実装パッケージにおいては、半導体チップをガラスエポキシ等からなる耐熱性樹脂配線基板上に実装しているために、その形状や実装密度が既存の基板材料及び基板プロセスにより制限されてしまうこととなり、これ以上の高密度化及び超小型化が難しいという問題点があった。
【０００８】
例えば、ガラスエポキシ等の耐熱性樹脂においては、高耐熱性の基板材料として有利である分、この耐熱性樹脂を積層して一体化する際には、予め、この耐熱性樹脂を半硬化状態にしておき、この半硬化状態の耐熱性樹脂を加熱し熱融着する必要があるが、この加熱・熱融着の際に、弾性率の大幅な低下によるレジンフローが配線回路を構成する導体に歪みを生じさせるという問題点があった。
また、従来の３次元実装パッケージの製造ラインは、多量少品種に適した製造ラインであるから、生産設備が大きくなる傾向がある。また、ガラスエポキシ等の耐熱性樹脂基板上に配線回路を形成する際においては、一般にケミカルエッチング（ウェットエッチング）やめっき法等のウェットプロセスが用いられているが、環境負荷の点からも好ましくない。
【０００９】
このウェットプロセスに替わる方法として、導電性ペーストを用いたスクリーン印刷法やディスペンス法等のドライプロセスが挙げられるが、いずれの方法においても、年々進歩する高密度実装の要求からくる高精細かつ高精度な導体配線を実現するには限界がある。
また、導電性ペーストを用いた３次元実装パッケージでは、耐熱性樹脂を融着して一体化しようとすると、耐熱性樹脂の融点近傍まで加熱して加圧する必要があり、配線がファインピッチ化するにつれ、積層時の樹脂流動による配線歪みが基板設計上無視できないものになっている。
【００１０】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、高耐熱性を有し、かつ樹脂流動が起こらずに低温融着が可能であり、しかも、高精度かつ高精細な導体配線が可能になることで、高密度かつ超小型の３次元実装モジュール等が実現可能となり、さらに、少量多品種という製造形態に好適に適用され且つ環境面でも負荷の少ない半導体装置内蔵多層配線基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は、鋭意検討を重ねた結果、熱可塑性樹脂からなる基板と導電性ペーストによる配線パターンとを組み合わせて半導体チップ搭載用の配線基板を作製することができれば、高性能でかつ環境にも優しい半導体装置内蔵多層配線基板を実現することができると考え、本発明に至った。
【００１２】
すなわち、本発明の半導体装置内蔵多層配線基板は、結晶融解ピーク温度が２６０℃以上であるポリアリールケトン樹脂と非晶性ポリエーテルイミド樹脂を主成分とする熱可塑性樹脂組成物からなる絶縁基材に導体配線が表面が表出した状態で埋設され、この導体配線を含む絶縁基材の表面が平坦化されてなる配線基材が複数、積層され、これら複数の配線基材のうち、１つまたは２つ以上の配線基材に、半導体装置が搭載され、この半導体装置の各端子は前記配線基材の前記半導体装置を搭載する側の面の溝に充填された導電材により電気的に接続され、前記半導体装置が搭載された配線基材の上に隣接して配置される配線基材には、前記半導体装置を収納しかつ一体化するための穴が形成され、この半導体装置が搭載された配線基材を含むこれらの配線基材同士が熱融着により接着一体化されかつ結晶化されるとともに、各配線基材の配線回路及び各配線基材間を電気的に接続する配線は、導電性ペーストを硬化してなる導電材により構成されていることを特徴とする。
また、本発明の他の半導体装置内蔵多層配線基板は、結晶融解ピーク温度が２６０℃以上であるポリアリールケトン樹脂と非晶性ポリエーテルイミド樹脂を主成分とする熱可塑性樹脂組成物からなる絶縁基材に導体配線が表面が表出した状態で埋設され、この導体配線を含む絶縁基材の表面が平坦化されてなる配線基材が複数、積層され、これら複数の配線基材のうち、１つまたは２つ以上の配線基材に、半導体装置を収納しかつ一体化するための凹部が形成され、この半導体装置の各端子は前記配線基材に埋設された導体配線に電気的に接続され、この凹部が形成された配線基板及び半導体装置を含むこれらの配線基材同士が熱融着により接着一体化されかつ結晶化されるとともに、各配線基材の配線回路及び各配線基材間を電気的に接続する配線は、導電性ペーストを硬化してなる導電材により構成されていることを特徴とする。
【００１３】
この半導体装置内蔵多層配線基板では、配線基材の主要部を構成する絶縁基材を、結晶融解ピーク温度が２６０℃以上であるポリアリールケトン樹脂と非晶性ポリエーテルイミド樹脂を主成分とする熱可塑性樹脂組成物とし、この熱可塑性樹脂組成物からなる絶縁基材に表面が表出した状態で導体配線を埋設するとともに、この導体配線を含む絶縁基材の表面を平坦化したことにより、優れた耐熱性、高い機械的強度、優れた電気的絶縁性を有する上に、樹脂流動が起こらずに低温融着が可能となり、この樹脂流動に起因する配線歪みの問題が解消され、高精度かつ高精細な導体配線が可能になる。これにより、電気的特性及び信頼性に優れた半導体装置内蔵多層配線基板を提供することが可能になる。
【００１４】
また、熱可塑性樹脂組成物及び導体配線の種類や形状を適宜選択することで配線基材の多様化が可能になるので、様々な仕様の配線基材を組み合わせることにより、様々な仕様の半導体装置内蔵多層配線基板への対応が可能になる。
また、様々な仕様の配線基材を組み合わせることで、少量多品種という製造形態にとって好適である。また、導電性ペーストにより電気的に接続することにより、ウェットプロセスによる配線形成が不要になり、環境面での負荷が少なくなる。
【００１５】
前記絶縁基材は、結晶融解ピーク温度が２６０℃以上であるポリアリールケトン樹脂と非晶性ポリエーテルイミド樹脂を主成分とする熱可塑性樹脂組成物を溶融混練し急冷製膜して得られた非晶性フィルムからなり、該非晶性フィルムのガラス転移温度と結晶化開始温度との差が３０℃以上かつ６０℃未満であるとするのが望ましい。
その理由は、３０℃未満では、結晶化の進行が早く、熱融着により接着一体化する際に熱融着性が低下するからであり、一方、６０℃以上では、接着一体化後の結晶化度が低く、半田耐熱性に乏しいからである。
【００１６】
前記半導体装置の、少なくとも前記配線基材に電気的に接続される側と反対側の主面には、絶縁膜が形成されていることが望ましい。
前記半導体装置の前記主面に絶縁膜を形成したことにより、この主面と隣接する絶縁基材の導体配線との間の絶縁性が確保される。
【００１７】
前記半導体装置が搭載される前記配線基材の前記半導体装置の各端子に対応する位置には貫通孔が形成され、前記半導体装置の各端子は、前記配線基材の前記半導体装置を搭載する側の面の溝に充填された導電材を介して前記貫通孔に充填された前記導電材に電気的に接続されていることが望ましい。
前記導体配線は、導電性ペーストを硬化してなる導電材であることが望ましい。
また、前記導体配線は、導電性ペーストを硬化してなる導電材と金属箔とからなり、少なくとも前記金属箔の表面が表出していることとしてもよい。
【００１８】
本発明の半導体装置内蔵多層配線基板の製造方法は、結晶融解ピーク温度が２６０℃以上であるポリアリールケトン樹脂と非晶性ポリエーテルイミド樹脂を主成分とする熱可塑性樹脂組成物からなる絶縁基材の一主面に回路形成用溝部及び貫通孔を形成し、次いで、前記回路形成用溝部及び貫通孔に導電性ペーストを充填して配線基材とし、次いで、複数の前記配線基材のうち１つまたは２つ以上の配線基材に半導体装置を搭載して、この半導体装置の各端子を前記配線基材の前記半導体装置を搭載する側の面の溝に充填された導電材に電気的に接続し、この半導体装置が搭載された配線基材の上に、前記半導体装置を収納しかつ一体化するための穴が形成された配線基材を配置し、この半導体装置が搭載された配線基材を含むこれらの配線基材を積層し接着一体化することを特徴とする。
本発明の半導体装置内蔵多層配線基板の他の製造方法は、結晶融解ピーク温度が２６０℃以上であるポリアリールケトン樹脂と非晶性ポリエーテルイミド樹脂を主成分とする熱可塑性樹脂組成物からなる絶縁基材の一主面に回路形成用溝部及び貫通孔を形成し、次いで、前記回路形成用溝部及び貫通孔に導電性ペーストを充填して配線基材とし、次いで、複数の前記配線基材のうち１つまたは２つ以上の配線基材に、半導体装置を収納しかつ一体化するための凹部を形成し、この凹部が形成された配線基板及び半導体装置を含むこれらの配線基材を積層し接着一体化し、この半導体装置の各端子を前記配線基材に埋設された導体配線に電気的に接続することを特徴とする。
【００１９】
この半導体装置内蔵多層配線基板の製造方法では、結晶融解ピーク温度が２６０℃以上であるポリアリールケトン樹脂と非晶性ポリエーテルイミド樹脂を主成分とする熱可塑性樹脂組成物からなる絶縁基材に導電性ペーストを用いて配線回路を形成した配線基材のうち１つまたは２つ以上の配線基材に、半導体装置収納用の穴または凹部を形成し、この穴または凹部に半導体装置を収納し、この半導体装置が収納された配線基材を含むこれらの配線基材を積層し接着一体化することにより、優れた耐熱性、高い機械的強度、優れた電気的絶縁性を有するとともに、高精度かつ高精細な導体配線を有する半導体装置内蔵型の多層配線基板が容易に作製される。その結果、電気的特性及び信頼性に優れた半導体装置内蔵多層配線基板を容易に作製することが可能になる。
【００２０】
また、前記配線基材の層数やそれに形成される配線回路を適宜選択することで、様々な仕様の半導体装置内蔵多層配線基板に対して容易に対応可能となり、少量多品種の半導体装置内蔵多層配線基板を容易かつ短時間で作製することが可能になる。また、製造過程においては、導電性ペーストにより電気的に接続するというドライプロセスを採用することにより、ウェットプロセスによる配線形成工程が不要になり、製造過程における環境面での負荷が少なくなる。
【００２１】
また、前記回路形成用溝部は、凹凸転写治具を用いて、前記熱可塑性樹脂組成物のガラス転移温度以上かつ結晶化開始温度未満の温度にて熱成形することが望ましい。
また、前記配線基材に、前記半導体装置を、前記熱可塑性樹脂組成物のガラス転移温度以上かつ結晶化開始温度未満の温度にて熱圧着することが望ましい。
また、前記絶縁基材の、搭載される前記半導体装置の各端子に対応する位置に貫通孔を形成し、この貫通孔に前記導電性ペーストを充填して配線基材とし、この貫通孔に充填された前記導電性ペーストに前記半導体装置の各端子を埋め込むこととしてもよい。
また、前記導電性ペーストを前記回路形成用溝部及び前記貫通孔に充填した後に加熱・硬化して導電材とし、該導電材に前記半導体装置の各端子を埋め込むこととしてもよい。
【００２２】
本発明の半導体装置内蔵多層配線基板のさらに他の製造方法は、複数の配線基材のうち１つまたは２つ以上の配線基材に、半導体装置収納用の穴または凹部を形成し、この穴または凹部が形成された配線基材及び半導体装置を含むこれらの配線基材を積層し接着一体化し、この半導体装置の各端子を前記配線基材の溝に充填された導電材に電気的に接続してなる半導体装置内蔵多層配線基板の製造方法であって、
結晶融解ピーク温度が２６０℃以上であるポリアリールケトン樹脂と非晶性ポリエーテルイミド樹脂を主成分とする熱可塑性樹脂組成物からなる絶縁基材に貫通孔を形成し、次いで、前記貫通孔に導電性ペーストを充填し、次いで、前記絶縁基材の一方の面に金属箔を当接して該金属箔を前記絶縁基材に選択的に熱圧着し、次いで、前記金属箔を剥離し、前記金属箔を、前記貫通孔内または前記絶縁基材上の所定位置、あるいは前記貫通孔内および前記絶縁基材上の所定位置に接着させ、少なくとも一方の最外層の配線基材とすることを特徴とする半導体装置内蔵多層配線基板の製造方法。
【００２３】
この半導体装置内蔵多層配線基板の他の製造方法では、結晶融解ピーク温度が２６０℃以上であるポリアリールケトン樹脂と非晶性ポリエーテルイミド樹脂を主成分とする熱可塑性樹脂組成物からなる絶縁基材に貫通孔を形成し、次いで、前記貫通孔に導電性ペーストを充填し、次いで、前記絶縁基材の一方の面に金属箔を当接して該金属箔を選択的に熱圧着し、次いで、前記金属箔を剥離し、前記金属箔を前記貫通孔内および／または前記絶縁基材上の所定位置に接着させることにより、前記金属箔は強固に圧着することとなる。これにより、優れた耐熱性、高い機械的強度、優れた電気的絶縁性を有するとともに、高精度かつ高精細な導体配線を有する半導体装置内蔵型の多層配線基板が容易に作製される。その結果、電気的特性及び信頼性に優れた半導体装置内蔵多層配線基板を容易に作製することが可能になる。
【００２４】
また、前記配線基材の層数やそれに形成される配線回路を適宜選択することで、様々な仕様の半導体装置内蔵多層配線基板に対して容易に対応可能となり、少量多品種の半導体装置内蔵多層配線基板を容易かつ短時間で作製することが可能になる。また、製造過程においては、導電性ペーストにより電気的に接続するというドライプロセスを採用することにより、ウェットプロセスによる配線形成工程が不要になり、製造過程における環境面での負荷が少なくなる。
【００２５】
前記金属箔を、前記熱可塑性樹脂組成物のガラス転移温度以上かつ結晶化開始温度（Ｔcs）未満の温度Ａ（℃）にて熱圧着した後、前記温度Ａ（℃）と異なる温度Ｂ（℃）にて熱処理する際の、これら温度Ａ（℃）及び温度Ｂ（℃）は、
Ａ＜Ｂ＜Ｔcs、かつ、Ｂ−Ａ＜１０℃
の関係を満足することが好ましい。
【００２６】
その理由は、温度Ａがガラス転移温度未満では、金属箔を熱圧着することができず、また、結晶化開始温度以上では、結晶化の進行が早く、熱融着により接着一体化する際に熱融着性が低下するからである。
また、結晶化開始温度未満の温度Ｂにて熱処理することにより、金属箔の接着を強化することができる。
また、前記複数の配線基材を積層し一体化する際の積層温度は、前記熱可塑性樹脂組成物のガラス転移温度以上かつ結晶融解温度未満であることが好ましい。
【００２７】
【発明の実施の形態】
本発明の半導体装置内蔵多層配線基板及びその製造方法の各実施の形態について説明する。
【００２８】
「第１実施形態」
図１は本発明の第１実施形態のＩＣチップ（半導体装置）内蔵多層配線基板を示す断面図であり、図において、符号１は最上層基材（最上層の配線基材）、２は中実の内層基材（配線基材）、３は穴空き（開口）内層基材（配線基材）、４はＩＣチップ（半導体装置）搭載内層基材（配線基材）、５は穴空き（開口）内層基材（配線基材）、６はＩＣチップ（半導体装置）搭載内層基材（配線基材）、７は中実の内層基材（配線基材）、８は最下層基材（最下層の配線基材）、９は最上層基材１上に搭載された抵抗、コンデンサ、ＳＭＤ等の電子部品である。
【００２９】
最上層基材１は、通常１００μｍ以下の厚みのフィルム、薄板状またはシート状のもので、結晶融解ピーク温度が２６０℃以上であるポリアリールケトン樹脂と非晶性ポリエーテルイミド樹脂を主成分とする熱可塑性樹脂組成物からなる薄板状、フィルム状あるいはシート状の絶縁基材１１の一方の面（この図では上側）に、配線回路形成用の溝部１２が形成されるとともに、絶縁基材１１を貫通するバイアホール（貫通孔）１３が形成され、この溝部１２に金属箔１４が表面が表出した状態で埋設され、バイアホール１３には導電性ペーストを硬化してなる導電材１５が充填されている。この金属箔１４を含む絶縁基材１１の表面、及び裏面は平坦化されている。
【００３０】
中実の内層基材２は、上述した最上層基材１と全く同様の形状の熱可塑性樹脂組成物からなる薄板状、フィルム状あるいはシート状の絶縁基材１１の一方の面（この図では上側）に、配線回路形成用の溝部１２が形成されるとともに、絶縁基材１１を貫通するバイアホール１３が形成され、この溝部１２及びバイアホール１３に導電性ペーストを硬化してなる導電材１５が充填されている。この導電材１５を含む絶縁基材１１の表面及び裏面は平坦化されている。
【００３１】
穴空き内層基材３は、上述した最上層基材１と全く同様の形状の熱可塑性樹脂組成物からなる薄板状、フィルム状あるいはシート状の絶縁基材１１の一方の面（この図では上側）に、配線回路形成用の溝部１２が形成されるとともに、絶縁基材１１を貫通するバイアホール１３が形成され、この溝部１２及びバイアホール１３に導電性ペーストを硬化してなる導電材１５が充填され、さらに、この絶縁基材１１の所定位置には後述するＩＣチップ１７を収納するための穴１６が形成されている。この導電材１５を含む絶縁基材１１の表面及び裏面は平坦化されている。
【００３２】
ＩＣチップ搭載内層基材４は、上述した最上層基材１と全く同様の形状の熱可塑性樹脂組成物からなる薄板状、フィルム状あるいはシート状の絶縁基材１１の一方の面（この図では上側）に、配線回路形成用の溝部１２が形成されるとともに、絶縁基材１１を貫通するバイアホール１３が形成され、この溝部１２及びバイアホール１３に導電性ペーストを硬化してなる導電材１５が充填され、さらに、この絶縁基材１１上に、例えばベアチップタイプのＩＣチップ１７が搭載され、このＩＣチップ１７の端子１８は導電材１５により構成される配線回路に電気的に接続されている。
【００３３】
穴空き内層基材５は、上述した最上層基材１と全く同様の形状の熱可塑性樹脂組成物からなる薄板状、フィルム状あるいはシート状の絶縁基材１１にバイアホール１３が形成され、このバイアホール１３に導電性ペーストを硬化してなる導電材１５が充填され、さらに、この絶縁基材１１の所定位置には後述するＩＣチップ１８を収納するための穴１６が形成されている。この導電材１５を含む絶縁基材１１の表面及び裏面は平坦化されている。
【００３４】
ＩＣチップ搭載内層基材６は、上述したＩＣチップ搭載内層基材４とほぼ同様の構成であり、溝部１２及びバイアホール１３に導電性ペーストを硬化してなる導電材１５が充填された配線回路の形状が異なる。
中実の内層基材７は、上述した内層基材２とほぼ同様の構成であり、絶縁基材１１の下側の面に配線回路形成用の溝部１２が形成されている点、及び溝部１２及びバイアホール１３に導電材１５が充填された配線回路の形状が異なる。
【００３５】
最下層基材８は、上述した最上層基材１とほぼ同様の構成であり、絶縁基材１１の下側の面に配線回路形成用の溝部１２が形成され、この溝部１２に金属箔１４が表面が表出した状態で埋設された点、及び配線回路となる溝部１２及びバイアホール１３に充填された導電材１５の形状が異なる。
【００３６】
これら最上層基材１〜最下層基材８は、この順に積層されて熱圧着により接着一体化されかつ結晶化され、これら基材１〜８の配線回路及び各基材１〜８間を電気的に接続する配線は、導電性ペーストを硬化してなる導電材１５により構成されている。
【００３７】
上記の絶縁基材１１を構成する熱可塑性樹脂組成物の主成分である、結晶融解ピーク温度が２６０℃以上であるポリアリールケトン樹脂は、その構造単位に芳香核結合、エーテル結合およびケトン結合を含む熱可塑性樹脂であり、その代表例としては、ポリエーテルケトン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルケトンケトン等がある。  なお、ポリエーテルエーテルケトンは、「ＰＥＥＫ１５１Ｇ」、「ＰＥＥＫ３８１Ｇ」、「ＰＥＥＫ４５０Ｇ」（いずれもＶＩＣＴＲＥＸ社の商品名）等として市販されている。
【００３８】
また、非晶性ポリエーテルイミド樹脂は、その構造単位に芳香核結合、エーテル結合およびイミド結合を含む非晶性熱可塑性樹脂であり、特に制限されるものではない。なお、ポリエーテルイミドは、「Ｕｌｔｅｍ  ＣＲＳ５００１」、「Ｕｌｔｅｍ  １０００」（いずれもゼネラルエレクトリック社の商品名）等として市販されている。
上記の熱可塑性樹脂組成物の樹脂組成は、ポリアリールケトン樹脂７０〜２５重量％と、非晶性ポリエーテルイミド樹脂３０〜７５重量％とからなる熱可塑性樹脂組成物１００重量部に対して、無機充填材を２０重量部以上かつ５０重量部以下で混合してなる組成物が好ましい。
【００３９】
ここで、ポリアリールケトン樹脂の含有率を７０〜２５重量％と限定した理由は、含有率が７０重量％を超えると、結晶性が高いために多層化する際の積層性が低下するからであり、また、含有率が２５重量％未満であると、組成物全体としての結晶性自体が低くなり、結晶融解ピーク温度が２６０℃以上であってもリフロー耐熱性が低下するからである。
また、非晶性ポリエーテルイミド樹脂の含有率を３０〜７５重量％と限定した理由は、含有率が３０重量％未満では、結晶性が高いために多層化する際の積層性が低下するからであり、また、含有率が７５重量％を超えると、組成物全体としての結晶性自体が低くなり、結晶融解ピーク温度が２６０℃以上であってもリフロー耐熱性が低下するからである。
【００４０】
上述した熱可塑性樹脂組成物に対して無機充填材を添加することも出来る。
無機充填材としては、特に制限はなく、公知のいかなるものも使用できる。例えば、タルク、マイカ、雲母、ガラスフレーク、窒化ホウ素（ＢＮ）、板状炭カル、板状水酸化アルミニウム、板状シリカ、板状チタン酸カリウム等が挙げられる。これらは１種類を単独で添加してもよく、２種類以上を組合せて添加してもよい。特に、平均粒径が１５μｍ以下、アスペクト比（粒径／厚み）が３０以上の鱗片状の無機充填材が、平面方向と厚み方向の線膨張係数比を低く抑えることができ、熱衝撃サイクル試験時の基板内のクラック発生を抑制することができるので、好ましい。
【００４１】
この無機充填材の添加量は、熱可塑性樹脂組成物１００重量部に対して２０重量部以上かつ５０重量部以下が好ましい。５０重量部を超えると、無機充填材の分散不良の問題が発生し、線膨張係数がばらつき易くなるからであり、また、２０重量部未満では、熱成形に用いるガラススタンパーと絶縁基材１１の線膨張係数の差により、絶縁基材１１に寸法収縮が発生するからであり、さらに、線膨張係数を低下させて寸法安定性を向上させる効果が小さく、リフロー工程において線膨張係数差に起因する内部応力が発生し、基板にそりやねじれが発生するからである。
【００４２】
上記の熱可塑性樹脂組成物に対しては、その性質を損なわない程度に、他の樹脂や無機充填材以外の各種添加剤、例えば、安定剤、紫外線吸収剤、光安定剤、核剤、着色剤、滑剤、難燃剤等を適宜添加してもよい。
これら無機充填材を含めた各種添加剤を添加する方法としては、公知の方法、例えば下記に挙げる方法（ａ）、（ｂ）を用いることができる。
【００４３】
（ａ）各種添加剤をポリアリールケトン樹脂及び／または非晶性ポリエーテルイミド樹脂等の基材（ベース樹脂）に高濃度（代表的な含有量としては１０〜６０重量％程度）に混合したマスターバッチを別途作製しておき、これを使用する樹脂に濃度を調整して混合し、ニーダーや押出機等を用いて機械的にブレンドする方法。
（ｂ）使用する樹脂に直接各種添加剤をニーダーや押出機等を用いて機械的にブレンドする方法。
これらの方法の中では、（ａ）の方法が分散性や作業性の点から好ましい。さらに、絶縁基材１１の表面にはハンドリング性の改良等のために、エンボス加工やコロナ処理等を適宜施しても構わない。
【００４４】
また、上記の導電材１５は、導電性ペーストを加熱し硬化させたもので、導電性ペーストとしては、樹脂系低温焼成タイプの銀（Ａｇ）ペースト、銀（Ａｇ）−パラジウム（Ｐｄ）ペースト、銅（Ｃｕ）ペースト等が好適に用いられる。
【００４５】
次に、本実施形態のＩＣチップ内蔵多層配線基板の製造方法について図２〜図９に基づき説明する。
ここでは、まず、個々の配線基材の製造方法について説明し、次いで、これらの配線基材を用いたＩＣチップ内蔵多層配線基板の製造方法について説明する。
【００４６】
（１）最上層基材
まず、図２（ａ）に示すように、結晶融解ピーク温度が２６０℃以上であるポリアリールケトン樹脂と非晶性ポリエーテルイミド樹脂を主成分とする熱可塑性樹脂組成物からなる絶縁基材２１を用意する。
この絶縁基材２１は、フィルム、薄板状またはシート状で提供される。成形方法としては、公知の方法、例えばＴダイを用いる押出キャスト法、あるいはカレンダー法等を採用することができ、特に限定されるものではないが、シートの製膜性や安定生産性等の面から、Ｔダイを用いる押出キャスト法が好ましい。Ｔダイを用いる押出キャスト法での成形温度は、組成物の流動特性や製膜性等によって適宜調整されるが、概ねポリアリールケトン樹脂の結晶融解ピーク温度（２６０℃）以上、４３０℃以下である。
【００４７】
次いで、図２（ｂ）に示すように、絶縁基材２１の所定位置に、レーザもしくは機械ドリル等を用いて絶縁基材２１を貫通する貫通孔２２を形成し、バイアホール１３とする。
次いで、図２（ｃ）に示すように、スキージ印刷等によりバイアホール１３内に導電性ペースト２３を充填し、その後、この導電性ペースト２３を１２０℃〜１６０℃で、３０分〜６０分加熱して硬化させ、導電材１５とする。
【００４８】
次いで、機械的研磨等により、絶縁基材２１上に残っている導電材１５を研削して除去し、図２（ｄ）に示すように、バイアホール１３に導電性ペーストを硬化してなる導電材１５が充填され、かつ絶縁基材２１の表面が所定の表面粗さに平坦化された配線基材２４を得る。
【００４９】
次いで、図３（ａ）に示すように、絶縁基材２１の上側（一方の面側）に金属箔３１を介して一主面に凹凸を有する凹凸転写治具３２を配置するとともに、下側（他方の面側）に絶縁基材２１のガラス転移温度（Ｔｇ１）以下で絶縁基材２１より弾性率が低い弾性フィルム３３を配置し、次いで、図３（ｂ）に示すように、絶縁基材２１に凹凸転写治具３２を押圧し、絶縁基材２１のガラス転移温度（Ｔｇ１）以上かつ結晶化開始温度（Ｔｃｓ）未満の温度Ａ（℃）にて熱圧着する。
【００５０】
ここで、絶縁基材２１のガラス転移温度（Ｔｇ１）及び結晶化開始温度（Ｔｃｓ）は、示差走査熱量（ＤＳＣ）を測定することで分かる。これらの温度は、例えば、加熱速度１０℃／分で昇温したときに得られるＤＳＣのプロファイルより求めることができる。
例えば、結晶融解ピーク温度が２６０℃以上であるポリアリールケトン樹脂を４０重量％、非晶性ポリエーテルイミド樹脂を６０重量％含む絶縁基材の場合、ガラス転移温度（Ｔｇ１）は１８５℃、結晶化開始温度（Ｔｃｓ）は２２５℃である。
【００５１】
また、弾性フィルム３３は、絶縁基材２１のガラス転移温度（Ｔｇ１）以下で絶縁基材２１より弾性率が低いものであればよく、例えば、シンジオタクチックポリスチレンからなるフィルム状の弾性体が好適に用いられる。この弾性フィルム３３のガラス転移温度（Ｔｇ２）は１００℃である。
【００５２】
図４は、絶縁基材２１及び弾性フィルム３３の弾性率温度依存性を示す図であり、図中、Ａは結晶融解ピーク温度が２６０℃以上であるポリアリールケトン樹脂を４０重量％、非晶性ポリエーテルイミド樹脂を６０重量％含む絶縁基材、Ｂはシンジオタクチックポリスチレンからなる弾性フィルムである。
【００５３】
図４によれば、絶縁基材２１が軟化する以前に弾性フィルム３３が軟化し、それにつれて絶縁基材２１は撓むが塑性変形は起こらず、金属箔３１を効率よく切断することが可能となる。
熱成形の温度は、絶縁基材２１のガラス転移温度（Ｔｇ１）以上かつ結晶化開始温度（Ｔｃｓ）未満が好ましい。
【００５４】
この熱圧着により、図３（ｃ）に示すように、弾性フィルム３３と絶縁基材２１の弾性率差により金属箔３１が打ち抜かれ、凹凸転写治具３２の凹凸による圧力差に応じた融着強度差が生じる。例えば、絶縁基材２１内に埋設された金属箔３１ａは融着強度が強く、絶縁基材２１に強固に接着しているが、これ以外の金属箔３１ｂは融着強度が極めて弱く、絶縁基材２１から容易に剥離可能である。したがって、図３（ｄ）に示すように、不用な金属箔３１ｂは絶縁基材２１から簡単に剥離除去することが可能となる。
【００５５】
その後、金属箔３１ａを前記温度Ａ（℃）と異なる温度Ｂ（℃）にて熱処理する。このとき、温度Ｂ（℃）は、
Ａ＜Ｂ＜Ｔcs、かつ、Ｂ−Ａ＜１０℃
の関係を満足するように設定される。
一例を挙げると、熱圧着の温度Ａが１９０℃のとき、熱処理の温度Ｂは１９５℃である。
【００５６】
なお、金属箔３１の下面には、必ずしも導電性ペーストを硬化してなる導電材１５及びバイアホール１３が存在する必要はないが、全ての金属箔３１の下面に導電材１５が存在することで、融着強度差が大きくなり、より容易に不用な金属箔３１ｂを除去することが可能である。また、金属箔３１の種類および厚みは制限されるものではないが、金属箔３１の厚みとしては、凹凸転写治具３２の凹凸高さ以下の厚みがより好適である。一例として、凹凸転写治具３２の凹凸高さ５０μｍに対して、９〜３５μｍの厚みを有する表面粗化電解銅箔（金属箔）を用いたが、いずれの厚みにおいても不用の電解銅箔の剥離は可能であった。
【００５７】
この絶縁基材２１から不用な金属箔３１ｂを除去した後、図３（ｅ）に示すように、図示しない成形金型を用いて金属箔３１ａ及び導電材１５を含む絶縁基材２１の両面に、０．５〜１０ｋｇ／ｃｍ２の圧力かつ絶縁基材２１の結晶化開始温度（Ｔｃｓ）未満の温度で熱成形を施し、金属箔３１ａ及び導電材１５を含む絶縁基材２１の両面を平坦化した。
以上により、絶縁基材２１に金属箔１４が表面が表出した状態で埋設され、バイアホール１３に導電材１５が充填された最上層基材３４を得ることができる。この最上層基材３４と全く同様の方法により、最下層基材３５を得ることができる。
【００５８】
（２）中実の内層基材
まず、図５（ａ）に示すように、上記の最外層基材と同様の熱可塑性樹脂組成物からなる絶縁基材２１の表面（一方の面）に、スタンパ４１の凸部４２を熱転写する。この熱転写の条件は、例えば、温度：１７５〜２０５℃、圧力：２０〜〜６０ｋｇ／ｃｍ２である。
この熱転写により、図５（ｂ）に示すように、絶縁基材２１の表面に配線回路形成用溝部４３が形成される。
【００５９】
スタンパ４１は、絶縁基材２１に対して離型性の良好な材質、例えば、ガラス、セラミックス等により構成されたもので、特に、３〜５ｍｍの厚みの耐熱ガラスが好適に用いられる。このスタンパ４１は、耐熱ガラス板上にフォトリソグラフ法を用いてレジストマスクを形成し、その後、このレジストマスクを用いてサンドブラスト法により配線回路パターンに対応する凸部４２を形成することにより作製される。
【００６０】
次いで、図５（ｃ）に示すように、絶縁基材２１の所定位置に、レーザもしくは機械ドリル等を用いて絶縁基材２１を貫通する貫通孔４４を形成し、バイアホール１３とする。このバイアホール１３は、スタンパ４１により配線回路形成用溝部４３と同時に成形しても構わない。
次いで、図５（ｄ）に示すように、スキージ印刷等により配線回路形成用溝部４３及びバイアホール１３内に導電性ペースト４５を充填し、その後、この導電性ペースト４５を１２０℃〜１６０℃で、３０分〜６０分加熱して硬化させ、導電材１５とする。これにより、絶縁基材２１の所定位置に導電材１５からなる導電回路４６及び層間導通部４７が形成される。
【００６１】
次いで、図５（ｅ）に示すように、研磨機４８を用いて絶縁基材２１上に残っている導電材１５を研削して除去するとともに、絶縁基材２１の表面を平坦化し、図５（ｆ）に示すように、絶縁基材２１の所定位置に導電回路４６及び層間導通部４７が形成された中実の内層基材４９を得ることができる。
また、この内層基材４９と全く同様の方法により、この内層基材４９と配線回路パターンが異なる中実の内層基材５０を得ることができる。
【００６２】
（３）穴空き内層基材（その１）
−配線回路とバイアホールを有する穴空き内層基材の場合−
まず、図６（ａ）に示すように、上記の中実の内層基材の製造方法と同様に、最上層基材と同様の熱可塑性樹脂組成物からなる絶縁基材２１の表面（一方の面）に、スタンパ５１の凸部５２、５３を熱転写する。ここで、凸部５２は配線回路形成用溝部を形成するためのもので、凸部５３はバイアホールとなる貫通孔を形成するためのものである。この熱転写の条件は、例えば、温度：１９０〜２０５℃、圧力：２０〜６０ｋｇ／ｃｍ２である。
【００６３】
スタンパ５１は、絶縁基材２１に対して離型性の良好な材質、例えば、ガラス、セラミックス等により構成されたもので、例えば、５〜１０ｍｍの厚みの耐熱ガラスが好適に用いられる。このスタンパ５１は、耐熱ガラス板上にフォトリソグラフ法を用いてレジストマスクを形成し、その後、このレジストマスクを用いてサンドブラスト法により配線回路パターンに対応する凸部５２及びバイアホールパターンに対応する凸部５３を形成することにより作製される。
この熱転写により、図６（ｂ）に示すように、絶縁基材２１には、その表面に配線回路形成用溝部４３が、また該絶縁基材２１を貫通する貫通孔４４（バイアホール１３）がそれぞれ形成される。
【００６４】
次いで、図６（ｃ）に示すように、スキージ印刷等により配線回路形成用溝部４３及びバイアホール１３内に導電性ペースト４５を充填し、その後、この導電性ペースト４５を１２０℃〜１６０℃で、３０分〜６０分加熱して硬化させ、導電材１５とする。これにより、絶縁基材２１の所定位置に導電回路４６及び層間導通部４７が形成される。
【００６５】
次いで、図６（ｄ）に示すように、図示しない研磨機を用いて絶縁基材２１上に残っている導電材１５を研削して除去するとともに、絶縁基材２１の表面を平坦化し、絶縁基材２１の所定位置に導電回路４６及び層間導通部４７を形成する。
次いで、図示しない打ち抜き用の成型機を用いて、この絶縁基材２１の所定箇所にＩＣチップ収納用の穴５４を打ち抜き、穴空き内層基材５５を得る。
【００６６】
（４）穴空き内層基材（その２）
−バイアホールのみを有する穴空き内層基材の場合−
まず、図７（ａ）に示すように、上記の最上層基材と同様の熱可塑性樹脂組成物からなる絶縁基材２１を用意し、図７（ｂ）に示すように、この絶縁基材２１の所定位置に、レーザもしくは機械ドリル等を用いて絶縁基材２１を貫通する貫通孔２２を形成し、バイアホール１３とする。
【００６７】
次いで、図７（ｃ）に示すように、スキージ印刷等によりバイアホール１３内に導電性ペースト４５を充填し、その後、この導電性ペースト４５を１２０℃〜１６０℃で、３０分〜６０分加熱して硬化させ、導電材１５とする。これにより、絶縁基材２１の所定位置に層間導通部４７が形成される。
【００６８】
次いで、図７（ｄ）に示すように、図示しない研磨機を用いて絶縁基材２１上に残っている導電材１５を研削して除去するとともに、絶縁基材２１の表面を平坦化し、絶縁基材２１の所定位置に層間導通部４７を形成する。
次いで、図示しない打ち抜き用の成型機を用いて、この絶縁基材２１の所定箇所にＩＣチップ収納用の穴５４を打ち抜き、穴空き内層基材５６を得る。
【００６９】
（５）ＩＣチップ搭載内層基材
このＩＣチップ搭載内層基材は、上述した内層基材の製造方法にて得られた中実の内層基材４９を用いて作製することができる。
まず、図８（ａ）に示すように、絶縁基材２１上の所定位置にＩＣチップ１７を配置し、このＩＣチップ１７上にヒーター内蔵の熱圧着治具６１を載置し、この熱圧着治具６１によりＩＣチップ１７を絶縁基材２１に熱圧着する。熱圧着は、例えば、温度：１８０〜２００℃、圧力：１０〜１００ｋｇ／ｃｍ２の条件で行う。
【００７０】
この熱圧着により、ＩＣチップ１７の端子１８が絶縁基材２１の導電回路４６に電気的に接続されるとともに、ＩＣチップ１７と絶縁基材２１とが一体化されたＩＣチップ搭載内層基材６２を得ることができる。また、導電回路４６のパターンが異なる絶縁基材２１を用いれば、上記と配線回路の異なるＩＣチップ搭載内層基材６３を得ることができる。
【００７１】
（６）ＩＣチップ内蔵多層配線基板
まず、図９に示すように、ヒーター内蔵の積層治具７１内に、弾性及び離型性を有するクッションフィルム７２、最下層基材３５、内層基材５０、ＩＣチップ搭載内層基材６２、穴空き内層基材５６、ＩＣチップ搭載内層基材６３、穴空き内層基材５５、内層基材４９、最上層基材３４、弾性及び離型性を有するクッションフィルム７２をこの順に重ね、その後、押圧治具７３を押下させることで、これら最下層基材３５〜最上層基材３４に熱圧着を施し、これら最下層基材３５〜最上層基材３４を積層し、一体化する。
【００７２】
この場合の熱圧着は、絶縁基材２１を構成する熱可塑性樹脂組成物のガラス転移温度（Ｔｇ）以上かつ結晶融解温度（Ｔｍ）未満で行うと効果的である。
この熱圧着の条件の一例を挙げると、温度：２２０〜３００℃、圧力：１０〜６０ｋｇ／ｃｍ２である。
その後、最上層基材１上に抵抗、コンデンサ、ＳＭＤ等の各種電子部品９を搭載し、本実施形態のＩＣチップ内蔵多層配線基板とする。
【００７３】
本実施形態によれば、結晶融解ピーク温度が２６０℃以上であるポリアリールケトン樹脂と非晶性ポリエーテルイミド樹脂を主成分とする熱可塑性樹脂組成物からなる絶縁基材１１に、金属箔１４または導電材１５あるいはこれら双方により構成される導体配線を表面が表出した状態で埋設し、この導体配線を含む絶縁基材１１の表面を平坦化した状態で配線基材１〜８を積層し、配線基材４、６にＩＣチップ１７を搭載し、これら配線基材１〜８を熱融着により接着するとともに、これら配線基材１〜８を導電性ペーストを硬化してなる導電材１５により電気的に接続したので、優れた耐熱性、高い機械的強度、優れた電気的絶縁性を有する上に、樹脂流動を起こすことなく低温融着を行うことができ、樹脂流動に起因する配線歪みの問題を解消することができ、高精度かつ高精細な導体配線とすることができる。したがって、電気的特性及び信頼性に優れたＩＣチップ内蔵多層配線基板を提供することができる。
【００７４】
また、熱可塑性樹脂組成物及び導体配線の種類や形状を適宜選択することで配線基材の多様化を図ることができ、様々な仕様の配線基材及びＩＣチップを組み合わせることにより、様々な仕様のＩＣチップ内蔵多層配線基板を容易に実現することができる。
また、様々な仕様の配線基材を組み合わせることで、少量多品種という製造形態に適用することができる。また、導電性ペーストにより電気的に接続することにより、ウェットプロセスによる配線形成が不要になり、環境面での負荷が少ない。
【００７５】
「第２実施形態」
図１０は本発明の第２実施形態のＩＣチップ（半導体装置）内蔵多層配線基板を示す断面図であり、図において、符号８１は絶縁基材２１にバイアホール１３が形成されかつ該絶縁基材２１の表面の所定箇所にＩＣチップ１７収納用の凹部８２が形成されたＩＣチップ収納用内層基材である。
このＩＣチップ内蔵多層配線基板は、内層基材４９、４９、ＩＣチップ収納用内層基材８１、ＩＣチップ１７及び内層基材４９をこの順に重ね、その後、これらを熱圧着により一括積層し、一体化した構成である。
【００７６】
次に、本実施形態のＩＣチップ内蔵多層配線基板の製造方法について図１１〜図１２に基づき説明する。
上記の内層基材４９の製造方法については、既に第１実施形態において説明されているので、ここでは省略し、まず、ＩＣチップ収納用内層基材８１の製造方法について説明し、次いで、これらの基材を一括積層する方法について説明する。
【００７７】
（１）ＩＣチップ収納用内層基材
まず、図１１（ａ）に示すように、結晶融解ピーク温度が２６０℃以上であるポリアリールケトン樹脂と非晶性ポリエーテルイミド樹脂を主成分とする熱可塑性樹脂組成物からなる絶縁基材２１の表面（一方の面）に、スタンパ９１の凸部９２を熱転写する。この熱転写の条件は、例えば、温度：１９０〜２０５℃、圧力：２０〜６０ｋｇ／ｃｍ２である。
この熱転写により、絶縁基材２１の表面にＩＣチップ１７収納用の凹部９３が形成される。
このスタンパ９１は、第１実施形態のスタンパ４１と同様の方法により作製される。
【００７８】
次いで、図１１（ｂ）に示すように、絶縁基材２１の所定位置に、レーザもしくは機械ドリル等を用いて絶縁基材２１を貫通する貫通孔４４を形成し、バイアホール１３とする。
次いで、図１１（ｃ）に示すように、絶縁基材２１を反転させて、この絶縁基材２１の裏面側からスキージ９４を用いてバイアホール１３内に導電性ペースト４５を充填し、その後、この導電性ペースト４５を１２０℃〜１６０℃で、３０分〜６０分加熱して硬化させ、導電材１５とする。これにより、図１１（ｄ）に示すように、絶縁基材２１の所定位置にＩＣチップ１７収納用の凹部９３及び導電材１５からなる層間導通部４７が形成されたＩＣチップ収納用内層基材８１を得ることができる。
【００７９】
（２）ＩＣチップ内蔵多層配線基板
図１２（ａ）に示すように、ヒーター内蔵の積層治具７１内に、弾性及び離型性を有するクッションフィルム７２、内層基材４９、４９、ＩＣチップ収納用内層基材８１、ＩＣチップ１７、内層基材４９、弾性及び離型性を有するクッションフィルム７２をこの順に重ね、その後、ヒーター内蔵の押圧治具７３を押下させ、これら内層基材４９、４９、ＩＣチップ収納用内層基材８１、ＩＣチップ１７、内層基材４９に熱圧着を施すことにより、これらを一括積層し一体化する。
【００８０】
この場合の熱圧着は、絶縁基材２１を構成する熱可塑性樹脂組成物のガラス転移温度（Ｔｇ）以上かつ結晶融解温度（Ｔｍ）未満の温度で行うと効果的である。
この熱圧着の条件の一例を挙げると、温度：２２０〜２４０℃、圧力：１０〜６０ｋｇ／ｃｍ２である。
【００８１】
この熱圧着により、図１２（ｂ）に示すように、ＩＣチップ１７の端子１８が絶縁基材２１の導電回路４６に電気的に接続されるとともに、ＩＣチップ１７と絶縁基材２１とは一括積層されて一体化される。
以上により、本実施形態のＩＣチップ内蔵多層配線基板を作製することができる。
【００８２】
本実施形態においても、第１実施形態のＩＣチップ内蔵多層配線基板と同様の効果を奏することができる。
しかも、熱圧着を施すことにより一括積層し一体化したので、内層基材４９、ＩＣチップ収納用内層基材８１及びＩＣチップ１７の接着が強固となり、機械的強度に優れ、しかも、高精度、高精細かつ高密度のＩＣチップ内蔵多層配線基板を得ることができる。
【００８３】
「第３実施形態」
図１３は本発明の第３実施形態のＩＣチップ（半導体装置）内蔵多層配線基板を示す断面図であり、図において、符号１０１は最上層基材（最上層の配線基材）、１０２はＩＣチップ（半導体装置）搭載内層基材（配線基材）、１０３は穴空き（開口）内層基材（配線基材）、１０４は最下層基材（最下層の配線基材）である。
【００８４】
最上層基材１０１は、通常１００μｍ以下の厚みのフィルム、薄板状またはシート状のもので、結晶融解ピーク温度が２６０℃以上であるポリアリールケトン樹脂と非晶性ポリエーテルイミド樹脂を主成分とする熱可塑性樹脂組成物からなる薄板状、フィルム状あるいはシート状の絶縁基材１１により構成されている。
【００８５】
ＩＣチップ搭載内層基材１０２は、上述した最上層基材１０１と全く同様の形状の絶縁基材１１の表面（一方の主面）１１ａに配線回路形成用の溝部１２が形成されるとともに、この絶縁基材１１を貫通するバイアホール１３が形成され、さらに、上記の溝部１２の、搭載されるＩＣチップ（半導体装置）１０７の各端子１８に対応する位置には、この絶縁基材１１を貫通するバイアホール（貫通孔）１１１が形成され、この溝部１２及びバイアホール１３、１１１に導電性ペーストを硬化してなる導電材１５が充填されている。この導電材１５を含む絶縁基材１１の表面１１ａ及び裏面（反対側の主面）１１ｂは平坦化されている。
【００８６】
そして、バイアホール１１１内に充填された導電材１５によりスタッドバンプ１１２が構成され、この絶縁基材１１の裏面１１ｂにＩＣチップ１０７が搭載され、このＩＣチップ１０７の端子１８、１８はスタッドバンプ１１２、１１２により配線回路に電気的に接続されている。
さらに、このＩＣチップ１０７の表面（図では下面）全面には、隣接するＩＣチップ搭載内層基材１０２または最下層基材１０４との電気的絶縁性を良好に保持するための絶縁性樹脂からなる絶縁膜１１３が形成されている。
この絶縁性樹脂は、ＩＣチップ１０７や絶縁基材１１との密着性が確保され、また、リフロー耐熱性を有しているものであれば何でも良く、例えば、ポリイミド、ポリアミドイミド等のコーティング材が好適に用いられる。
【００８７】
穴空き内層基材１０３は、上述した最上層基材１０１と全く同様の形状の絶縁基材１１に、それを貫通するバイアホール１３が形成され、このバイアホール１３に導電性ペーストを硬化してなる導電材１５が充填され、さらに、この絶縁基材１１の所定位置にはＩＣチップ１０７を収納するための穴１６が形成されている。この導電材１５を含む絶縁基材１１の表面１１ａ及び裏面１１ｂは平坦化されている。
【００８８】
最下層基材１０４は、上述した最上層基材１０１と全く同様の形状の絶縁基材１１の表面１１ａに、配線回路形成用の溝部１２及び絶縁基材１１を貫通するバイアホール１３が形成され、この溝部１２及びバイアホール１３に導電性ペーストを硬化してなる導電材１５が充填され、この導電材１５を含む絶縁基材１１の表面１１ａ及び裏面１１ｂは平坦化されている。
この最下層基材１０４上には、穴空き内層基材１０３及びＩＣチップ搭載内層基材１０２が交互に計４層積層され、最上層のＩＣチップ搭載内層基材１０２上に最上層基材１０１が積層されている。
【００８９】
次に、本実施形態のＩＣチップ内蔵多層配線基板の製造方法について図１４〜図１６に基づき説明する。
ここでは、まず、各基材の製造方法及びＩＣチップへの絶縁膜の形成方法それぞれについて説明し、次いで、これらの基材を一括積層する方法について説明する。
【００９０】
（１）最上層基材
第１実施形態の最上層基材の製造方法に準じて、図１６に示す、結晶融解ピーク温度が２６０℃以上であるポリアリールケトン樹脂と非晶性ポリエーテルイミド樹脂を主成分とする熱可塑性樹脂組成物からなる絶縁基材２１を作製する。
【００９１】
（２）穴空き内層基材
第１実施形態の穴空き内層基材の製造方法（その２）に準じて、図１６に示す、絶縁基材２１のバイアホール１３に導電材１５が充填され、かつＩＣチップ収納用の穴５４が形成された穴空き内層基材１２１を作製する。
【００９２】
（３）最下層基材
第１実施形態の中実の内層基材の製造方法に準じて、図１６に示す、絶縁基材２１の表面に、配線回路形成用の溝部１２及びバイアホール１３が形成され、この溝部１２及びバイアホール１３に導電材１５が充填された最下層基材１２２を作製する。
【００９３】
（４）ＩＣチップへの絶縁膜の形成
図１４（ａ）に示すように、蒸着法、スピンコート法、ディッピング法（浸漬法）、ディスペンス法（液滴吐出法）、ラミネート貼着法等を用いて、半導体ウエハ１２３の裏面１２３ａ全面に絶縁性樹脂からなる絶縁膜１１３を形成し、その後、図１４（ｂ）に示すように、この半導体ウエハ１２３の所定の箇所をワイヤソーやダイヤモンドカッターを用いて切断してチップ１２３ａとし、このチップ１２３ａに端子１８、１８を取り付け、裏面全面に絶縁膜１１３が形成されたＩＣチップ１０７とする。
【００９４】
（５）ＩＣチップ収納用内層基材
図１５（ａ）に示すように、第１実施形態の内層基材５０と同様にして絶縁基材２１の表面２１ａに配線回路形成用溝部４３を形成し、次いで、レーザもしくは機械ドリル等を用いて、絶縁基材２１を貫通するバイアホール１３を形成するとともに、上記溝部１２のＩＣチップ１０７の各端子１８に対応する位置に絶縁基材２１を貫通するバイアホール１１１を形成する。これらのバイアホール１３、１１１は、スタンパにより配線回路形成用溝部４３と同時に成形しても構わない。
【００９５】
次いで、図１５（ｂ）に示すように、スキージ印刷等により配線回路形成用溝部４３及びバイアホール１３、１１１内に導電性ペースト４５を充填し、その後、この導電性ペースト４５を１２０℃〜１６０℃で、３０分〜６０分加熱して硬化させ、導電材１５とする。これにより、絶縁基材２１の所定位置に導電材１５からなる導電回路、層間導通部及びスタッドバンプ１１２、１１２が形成される。
次いで、研磨機等を用いて絶縁基材２１上に残っている導電材１５を研削して除去するとともに、絶縁基材２１の表面を平坦化する。
【００９６】
次いで、図１５（ｃ）に示すように、このスタッドバンプ１１２、１１２にＩＣチップ１０７の端子１８、１８を合わせ、押圧治具を用いてＩＣチップ１０７を絶縁膜１１３側から押圧し、ＩＣチップ１０７の端子１８、１８を絶縁基材２１のスタッドバンプ１１２、１１２に埋め込み、ＩＣチップ搭載内層基材１２４を作製する。
【００９７】
（６）ＩＣチップ内蔵多層配線基板
図１６に示すように、ヒーター内蔵の積層治具７１内に、弾性及び離型性を有するクッションフィルム７２、最下層基材１２２、穴空き内層基材１２１、上下を逆にしたＩＣチップ搭載内層基材１２４、穴空き内層基材１２１、上下を逆にしたＩＣチップ搭載内層基材１２４、絶縁基材２１、弾性及び離型性を有するクッションフィルム７２をこの順に重ね、その後、押圧治具７３を押下させることで、これら最下層基材１２２〜絶縁基材２１に熱圧着を施し、これら最下層基材１２２〜絶縁基材２１を積層し、一体化する。
【００９８】
この場合の熱圧着は、絶縁基材２１を構成する熱可塑性樹脂組成物のガラス転移温度（Ｔｇ）以上かつ結晶融解温度（Ｔｍ）未満で行うと効果的である。
この熱圧着の条件の一例を挙げると、温度：２２０〜３００℃、圧力：１０〜６０ｋｇ／ｃｍ２である。
以上により、本実施形態のＩＣチップ内蔵多層配線基板を作製することができる。
【００９９】
本実施形態においても、第１及び第２実施形態のＩＣチップ内蔵多層配線基板と同様の効果を奏することができる。
しかも、導電材１５によりスタッドバンプ１１２を構成し、これらスタッドバンプ１１２、１１２にＩＣチップ１０７の端子１８、１８を埋め込んだ構成としたので、ＩＣチップ１０７の電気的接続性を向上させることができる。
さらに、ＩＣチップ１０７の表面全面に絶縁性樹脂からなる絶縁膜１１３を形成したので、隣接するＩＣチップ搭載内層基材１０２または最下層基材１０４との電気的絶縁性を良好に保持することができ、ＩＣチップにパッシベーション膜を形成する必要がなくなる。
【０１００】
「第４実施形態」
図１７は本発明の第４実施形態のＩＣチップ（半導体装置）内蔵多層配線基板を示す断面図であり、図において、符号１３１は最上層基材（最上層の配線基材）、１３２はＩＣチップ（半導体装置）搭載内層基材（配線基材）であり、最上層基材１３１、穴空き内層基材１０３、ＩＣチップ搭載内層基材１３２、穴空き内層基材１０３、ＩＣチップ搭載内層基材１３２及び最下層基材１０４が積層された構成である。
【０１０１】
最上層基材１３１は、通常１００μｍ以下の厚みのフィルム、薄板状またはシート状のもので、結晶融解ピーク温度が２６０℃以上であるポリアリールケトン樹脂と非晶性ポリエーテルイミド樹脂を主成分とする熱可塑性樹脂組成物からなる薄板状、フィルム状あるいはシート状の絶縁基材１１の裏面１１ｂに、配線回路形成用の溝部１２が形成され、この溝部１２に導電性ペーストを硬化してなる導電材１５が充填され、この導電材１５を含む絶縁基材１１の裏面１１ｂは平坦化されている。
【０１０２】
ＩＣチップ搭載内層基材１３２は、上述した最上層基材１３１と全く同様の形状の絶縁基材１１の表面１１ａに配線回路形成用の溝部１２が形成されるとともに、この絶縁基材１１を貫通するバイアホール１３が形成され、この溝部１２及びバイアホール１３に導電性ペーストを硬化してなる導電材１５が充填されている。この導電材１５を含む絶縁基材１１の表面１１ａ及び裏面１１ｂは平坦化されている。また、この絶縁基材１１には、絶縁性樹脂からなる絶縁膜１１３が表面全面に形成されたＩＣチップ１０７が搭載され、このＩＣチップ１０７の端子１８、１８は導電材１５を介して配線回路に電気的に接続されている。
【０１０３】
本実施形態のＩＣチップ内蔵多層配線基板の製造方法は、上述した第３実施形態のＩＣチップ内蔵多層配線基板の製造方法とほぼ同様であるから、説明を省略する。
本実施形態においても、第３実施形態のＩＣチップ内蔵多層配線基板と同様の効果を奏することができる。
しかも、ＩＣチップ１０７の端子１８、１８を導電材１５に直接接続する構成としたので、スタッドバンプ１１２を形成するためにスルーホール１１１を形成する必要が無く、工程を短縮することができ、製造コストを削減することができる。
【０１０４】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の多層配線基板によれば、配線基材の主要部を構成する絶縁基材を、結晶融解ピーク温度が２６０℃以上であるポリアリールケトン樹脂と非晶性ポリエーテルイミド樹脂を主成分とする熱可塑性樹脂組成物とし、この熱可塑性樹脂組成物からなる絶縁基材に表面が表出した状態で導体配線を埋設したので、優れた耐熱性、高い機械的強度、優れた電気的絶縁性を有する上に、樹脂流動を起こすことなく低温融着を行うことができ、この樹脂流動に起因する配線歪みの問題を解消することができ、高精度かつ高精細の導体配線が得られる。したがって、電気的特性及び信頼性に優れた半導体装置内蔵多層配線基板を提供することができる。
【０１０５】
また、熱可塑性樹脂組成物及び導体配線の種類や形状を適宜選択することで配線基材の多様化を図ることができ、様々な仕様の配線基材を組み合わせることにより、様々な仕様の半導体装置内蔵多層配線基板を実現することができる。
また、様々な仕様の配線基材を組み合わせることで、少量多品種という製造形態に容易に適合することができる。また、導電性ペーストにより電気的に接続するので、ウェットプロセスによる配線形成が不要になり、環境面での負荷が少ない。
【０１０６】
また、前記半導体装置の、少なくとも前記配線基材に電気的に接続される側と反対側の主面に絶縁膜を形成することにより、半導体装置にパッシベーション膜を形成する必要がなくなり、しかも、前記半導体装置と隣接する絶縁基材の導体配線との間の電気的絶縁性を良好に保持することができ、前記半導体装置及び前記導体配線それぞれの信頼性を高めることができる。
【０１０７】
本発明の半導体装置内蔵多層配線基板の製造方法によれば、結晶融解ピーク温度が２６０℃以上であるポリアリールケトン樹脂と非晶性ポリエーテルイミド樹脂を主成分とする熱可塑性樹脂組成物からなる絶縁基材に導電性ペーストを用いて配線回路を形成した配線基材のうち１つまたは２つ以上の配線基材に半導体装置を搭載し、これらの配線基材を積層し一体化するので、優れた耐熱性、高い機械的強度、優れた電気的絶縁性を有するとともに、高精度かつ高精細な導体配線を有する半導体装置内蔵多層配線基板を容易に作製することができる。その結果、電気的特性及び信頼性に優れた半導体装置内蔵多層配線基板を容易に得ることができる。
【０１０８】
また、前記配線基材の層数やそれに形成される配線回路を適宜選択することで、様々な仕様に対して容易に対応することができ、少量多品種の半導体装置内蔵多層配線基板を容易かつ短時間で作製することができる。また、製造過程においては、導電性ペーストにより電気的に接続するというドライプロセスを採用したので、ウェットプロセスによる配線形成工程が不要になり、製造過程における環境面での負荷が少ない。
【０１０９】
本発明の半導体装置内蔵多層配線基板の他の製造方法によれば、結晶融解ピーク温度が２６０℃以上であるポリアリールケトン樹脂と非晶性ポリエーテルイミド樹脂を主成分とする熱可塑性樹脂組成物からなる絶縁基材に貫通孔を形成し、次いで、前記貫通孔に導電性ペーストを充填し、次いで、前記絶縁基材の一方の面に金属箔を当接して該金属箔を選択的に熱圧着し、次いで、前記金属箔を剥離し、前記金属箔を前記貫通孔内および／または前記絶縁基材上の所定位置に接着させるので、前記金属箔を強固に圧着させることができ、高精度かつ高精細の導体配線を実現することができる。したがって、優れた耐熱性、高い機械的強度、優れた電気的絶縁性を有するとともに、高精度かつ高精細な導体配線を有する半導体装置内蔵多層配線基板を容易に作製することができる。その結果、電気的特性及び信頼性に優れた半導体装置内蔵多層配線基板を容易に得ることができる。
【０１１０】
また、前記金属箔の数や形状、前記配線基材の層数やそれに形成される配線回路を適宜選択することで、様々な仕様に対して容易に対応することができ、少量多品種の半導体装置内蔵多層配線基板を容易かつ短時間で作製することができる。また、製造過程においては、導電性ペーストにより電気的に接続するというドライプロセスを採用したので、ウェットプロセスによる配線形成工程が不要になり、製造過程における環境面での負荷が少ない。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の第１実施形態のＩＣチップ内蔵多層配線基板を示す断面図である。
【図２】  本発明の第１実施形態のＩＣチップ内蔵多層配線基板の製造方法を示す過程図である。
【図３】  本発明の第１実施形態のＩＣチップ内蔵多層配線基板の製造方法を示す過程図である。
【図４】  絶縁基材及び弾性フィルムの弾性率温度依存性を示す図である。
【図５】  本発明の第１実施形態のＩＣチップ内蔵多層配線基板の製造方法を示す過程図である。
【図６】  本発明の第１実施形態のＩＣチップ内蔵多層配線基板の製造方法を示す過程図である。
【図７】  本発明の第１実施形態のＩＣチップ内蔵多層配線基板の製造方法を示す過程図である。
【図８】  本発明の第１実施形態のＩＣチップ内蔵多層配線基板の製造方法を示す過程図である。
【図９】  本発明の第１実施形態のＩＣチップ内蔵多層配線基板の製造方法を示す過程図である。
【図１０】  本発明の第２実施形態のＩＣチップ内蔵多層配線基板を示す断面図である。
【図１１】  本発明の第２実施形態のＩＣチップ内蔵多層配線基板の製造方法を示す過程図である。
【図１２】  本発明の第２実施形態のＩＣチップ内蔵多層配線基板の製造方法を示す過程図である。
【図１３】  本発明の第３実施形態のＩＣチップ内蔵多層配線基板を示す断面図である。
【図１４】  本発明の第３実施形態のＩＣチップ内蔵多層配線基板の製造方法を示す過程図である。
【図１５】  本発明の第３実施形態のＩＣチップ内蔵多層配線基板の製造方法を示す過程図である。
【図１６】  本発明の第３実施形態のＩＣチップ内蔵多層配線基板の製造方法を示す過程図である。
【図１７】  本発明の第４実施形態のＩＣチップ内蔵多層配線基板を示す断面図である。
【符号の説明】
１  最上層基材（最上層の配線基材）
２  内層基材（配線基材）
３  穴空き内層基材（配線基材）
４  ＩＣチップ（半導体装置）搭載内層基材（配線基材）
５  穴空き内層基材（配線基材）
６  ＩＣチップ（半導体装置）搭載内層基材（配線基材）
７  内層基材（配線基材）
８  最下層基材（最下層の配線基材）
９  電子部品
１１  絶縁基材
１２  配線回路形成用の溝部
１３  バイアホール（貫通孔）
１４  金属箔
１５  導電材
２１  絶縁基材
２２  貫通孔
２３  導電性ペースト
２４  配線基材
３１  金属箔
３２  凹凸転写治具
３３  弾性フィルム
３４  最上層基材
３５  最下層基材
４３  配線回路形成用溝部
４４  貫通孔
４５  導電性ペースト
４６  導電回路
４７  層間導通部
４９、５０  内層基材
５４  ＩＣチップ収納用の穴
５５、５６  穴空き内層基材
６１  熱圧着治具
６２、６３  ＩＣチップ搭載内層基材
８１  ＩＣチップ収納用内層基材
８２  ＩＣチップ１７収納用の凹部
１０１  最上層基材（最上層の配線基材）
１０２  ＩＣチップ（半導体装置）搭載内層基材（配線基材）
１０３  穴空き（開口）内層基材（配線基材）
１０４  最下層基材（最下層の配線基材）
１０７  ＩＣチップ（半導体装置）
１１１  バイアホール（貫通孔）
１１２  スタッドバンプ
１１３  絶縁膜
１２１  穴空き内層基材
１２２  最下層基材
１２４  ＩＣチップ搭載内層基材
１３１  最上層基材（最上層の配線基材）
１３２  ＩＣチップ（半導体装置）搭載内層基材（配線基材）
【図１】
0004401070.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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