(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板上にフィルム体を配置し、前記フィルム体に選択的にレーザ光を照射して前記フィルム体を選択的に溶融し、溶融状態にあるフィルム体部分を前記被処理基板に押圧して、前記フィルム体を前記被処理基板に貼り付けることを特徴とするフィルム貼り付け方法。
【請求項２】
一方の主面が第１のフィルム体により被覆された被処理基板の他方の主面に第２のフィルム体を配置し、前記第２のフィルム体に選択的にレーザ光を照射して前記第２のフィルム体を選択的に溶融し、溶融状態にあるフィルム体部分を前記被処理基板に押圧して、前記第２のフィルム体を前記被処理基板に貼り付けることを特徴とするフィルム貼り付け方法。
【請求項３】
前記被処理基板が半導体基板であることを特徴とする請求項１または２記載のフィルム貼り付け方法。
【請求項４】
前記被処理基板の一方の主面に被覆される前記第１のフィルム体が、表面保護フィルムであることを特徴とする請求項２記載のフィルム貼り付け方法。
【請求項５】
前記被処理基板の他方の主面に貼り付けられる前記第２のフィルム体が、ダイボンディングフィルムであることを特徴とする請求項２記載のフィルム貼り付け方法。
【請求項６】
前記溶融状態にあるフィルム体部分を前記被処理基板に押圧して前記被処理基板に貼り付ける際に、前記溶融状態にあるフィルム体部分にガスを吹き付けながら行うことを特徴とする請求項１または２記載のフィルム貼り付け方法。
【請求項７】
被処理基板上に配置されたフィルム体を前記被処理基板に対し押圧する手段と、
前記被処理基板に押圧された前記フィルム体に選択的にレーザ光を照射する手段と、
前記レーザ光の照射された前記フィルム体を前記被処理基板に対し押圧する手段と、
を有することを特徴とするフィルム貼り付け装置。
【請求項８】
前記レーザ光の照射された前記フィルム体を前記被処理基板に対し押圧する手段は、前記フィルム体の前記レーザ光の照射部分にガスを吹き付ける手段であることを特徴とする請求項７記載のフィルム貼り付け装置。
【請求項９】
半導体基板の一方の主面に複数個の半導体素子を形成する工程と、
前記一方の主面に表面保護テープを被着する工程と、
前記半導体基板を他方の主面より研削してその厚さを減ずる工程と、
前記半導体基板の他方の主面にダイボンディングフィルムを被着する工程と、
前記半導体基板の一方の主面から前記表面保護テープを除去する工程と、
前記半導体基板を切断・分離して前記半導体素子を個片化する工程と、
を有し、
前記半導体基板の他方の主面に前記ダイボンディングフィルムを被着する際、前記半導体基板上に配置された前記ダイボンディングフィルムに対してレーザ光を選択的に照射・加熱して、被加熱部を前記半導体基板に貼り付けることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記レーザ光の照射領域の少なくとも前後に於いて、前記ボンディングフィルムを前記半導体基板に押圧しつつ、前記レーザ光を照射することを特徴とする請求項９記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フィルム貼り付け方法、フィルム貼り付け装置および半導体装置の製造方法に関し、特に、半導体基板（ウェハ）へのダイボンドフィルムの貼り付けに用いられるフィルム貼り付け方法およびフィルム貼り付け装置、並びにダイボンドフィルムの貼り付け工程を含む半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路（ＩＣ：Integrated Circuit）の製造に於いては、通常、所定のウェハプロセスを経た半導体基板（ウェハ）に対し、まず、その表面（半導体素子形成面）に対して表面保護テープを被覆した後、当該ウェハの裏面（背面）に対し研削（バックグラインド処理）を行って、当該ウェハの厚さを薄くする工程が執られる。
【０００３】
前記バックグラインド処理後、ウェハ表面から保護テープを剥離し、また当該ウェハの裏面にはダイシングテープを貼り付ける。かかる状態に於いて、ウェハの表面側から当該ウェハに対して個片化処理を施し、複数個の半導体素子（チップ）を形成する。
【０００４】
そして、個片化されたチップを前記ダイシングテープから分離して、半導体素子収容容器の所定箇所にダイボンディング処理を行う。
従来、前記ダイボンディング工程にあっては、リードフレーム等の支持基板へのチップの接着方法として、まず支持基板表面に接着剤を塗布し、当該接着剤を用いてチップを固着する方法が広く用いられてきた。
【０００５】
しかしながら、近年、バックグラインド処理後のウェハの裏面に、半導体素子固着用接着性フィルム（ダイボンドフィルム）を貼り付け、しかる後、当該ウェハを個片化するという方法も用いられるようになってきている。
【０００６】
このような方法によれば、個片化されたチップを、当該チップの裏面に貼り付けた薄く且つ厚さの均一なダイボンドフィルムを介して支持基板に固着することができるため、チップを所定位置に正確に固着することができ、また厚さ（高さ）をより薄く（低く）することが可能になる。
【０００７】
当該ダイボンドフィルムとしては、常温で粘着性を有するもの、或いは加熱されることによって粘着性を発現する熱可塑性のものが存在する。このうち、熱可塑性のダイボンドフィルムは、製造過程での取扱いが容易である等の利点がある。
【０００８】
ウェハに対して熱可塑性ダイボンドフィルムを貼り付ける、従来の方法を図２０に示す。
ウェハ１０１の裏面に、熱可塑性のダイボンドフィルム１００を貼り付ける場合、当該ウェハ１０１のダイボンドフィルム１００の貼り付け面（裏面）とは反対側の面、即ち表面（半導体素子形成面）側からヒータ１０２により加熱し、かかる状態に於いて、ダイボンドフィルム１００をゴム製のローラ１０３によってウェハの裏面（貼り付け面）に押し付けて、貼り付ける方法が執られている。
【０００９】
熱可塑性ダイボンドフィルムを貼り付ける他の方法としては、ウェハ全面を加熱せず、貼り付け箇所のみを部分的に加熱しながらダイボンドフィルムを貼り付けていく方法も提案されている。
【００１０】
例えば、加熱機構を備えたローラを用いてウェハにダイボンドフィルムを貼り付けていく方法、或いは内部に加熱・冷却機構を備えたテーブルを用い、そのテーブルにウェハを載置し、ウェハ側にダイボンドフィルムを押し付けるローラのポジションに応じて部分的にテーブルの加熱・冷却を制御する方法が提案されている（特許文献１参照）。
【００１１】
近年、半導体装置の更なる小型化・薄型化の要求に伴い、ウェハの更なる薄型化が必要とされ、ウェハの厚みを１００μｍ以下にする必要性も増している。
ウェハは、前述の如く、デバイス形成後のバックグラインドによって薄く加工されるのが一般的である。しかしながら、薄くなったウェハは、当然その強度が弱まり、割れ易くなってしまう。
【００１２】
これに対し、例えば、薄化されたウェハを中央部に細孔が設けられた保護基板上に載置し、当該保護基板の細孔を介してウェハを吸引固定しつつ、バックグラインド処理、或いは搬送などを行うことにより、当該ウェハの破損を回避する試みもなされている（特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２００４−１８６２４０号公報
【特許文献２】特開２００４−１５３１９３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
従来一般的に用いられているダイボンドフィルムの貼り付け方法、即ち半導体基板（ウェハ）の主面に表面保護テープを貼り付けた後、当該ウェハの裏面のバックグラインド処理を行い、しかる後全面加熱しながら当該ウェハの裏面にダイボンドフィルムを貼り付ける方法を適用すると、前記表面保護テープには比較的大きな熱膨張或いは熱収縮が発生する。
【００１４】
この為、厚さ１００μｍ以下程度に薄化されたウェハにあっては、表面保護テープのこのような熱変形に耐えることができず、割れを生じてしまうという問題を生じていた。
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、表面保護テープに熱変形を生ずることなく、従ってウェハに破損を生ずることなく、当該ウェハの裏面にダイボンドフィルム等のフィルム体を貼り付けることができる、フィルム貼り付け方法、およびかかる貼り付け方法を実施するフィルム貼り付け装置を提供することを目的とする。
【００１５】
また、本発明は、ダイボンドフィルム等のフィルム体の貼り付け時に、ウェハの破損を回避することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明では上記課題を解決するために、被処理基板上にフィルム体を配置し、前記フィルム体に選択的にレーザ光を照射して前記フィルム体を選択的に溶融し、溶融状態にあるフィルム体部分を前記被処理基板に押圧して、前記フィルム体を前記被処理基板に貼り付けることを特徴とするフィルム貼り付け方法が提供される。
【００１７】
このようなフィルム貼り付け方法によれば、ウェハ等の被処理基板上に配置されたフィルム体に選択的にレーザ光を照射して溶融し、溶融状態のフィルム体部分を被処理基板に押圧して、そのフィルム体を被処理基板に貼り付ける。被処理基板をヒータ等で全面加熱することなく、レーザ光を用いてその照射部分のフィルム体を被処理基板に押圧して貼り付けるため、ウェハが薄くその強度が低下している場合であっても、熱に起因したウェハの破損が回避されるようになる。
【００１８】
また、本発明では、被処理基板上に配置されたフィルム体を被処理基板に対し押圧する手段と、前記被処理基板に押圧された前記フィルム体に選択的にレーザ光を照射する手段と、前記レーザ光の照射された前記フィルム体を前記被処理基板に対し押圧する手段と、を有することを特徴とするフィルム貼り付け装置が提供される。
【００１９】
このようなフィルム貼り付け装置によれば、被処理基板に押圧されたフィルム体に選択的にレーザ光を照射し、照射されたフィルム体を被処理基板に押圧して貼り付けるため、ウェハが薄くその強度が低下している場合であっても、熱に起因したウェハの破損が回避されるようになる。
【００２０】
また、本発明では、半導体基板の一方の主面に複数個の半導体素子を形成する工程と、前記一方の主面に表面保護テープを被着する工程と、前記半導体基板を他方の主面より研削してその厚さを減ずる工程と、前記半導体基板の他方の主面にダイボンディングフィルムを被着する工程と、前記半導体基板の一方の主面から前記表面保護テープを除去する工程と、前記半導体基板を切断・分離して前記半導体素子を個片化する工程と、を有し、前記半導体基板の他方の主面に前記ダイボンディングフィルムを被着する際、前記半導体基板上に配置された前記ダイボンディングフィルムに対してレーザ光を選択的に照射・加熱して、被加熱部を前記半導体基板に貼り付けることを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【００２１】
このような半導体装置の製造方法によれば、半導体基板にダイボンディングフィルムを被着する際、半導体基板上に配置されたそのダイボンディングフィルムに対してレーザ光を選択的に照射・加熱して、その被加熱部を半導体基板に貼り付ける。これにより、ウェハが薄くその強度が低下している場合であっても、熱に起因したウェハの破損が回避されるようになり、半導体装置製造の歩留まり向上が図られるようになる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、薄化された半導体基板（ウェハ）の一方の主面に対して、加熱しつつフィルムを貼り付ける際に、予め当該ウェハの他方の主面に被着されている表面保護テープの熱変形の影響を与えることなく、当該ウェハに対してフィルムを貼り付けることができる。
【００２３】
従って、薄化されたウェハに割れ・破損等を生ずることなく、半導体装置の製造歩留まりを向上させることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明の実施の形態を、被処理基板として半導体基板（ウェハ）を用いてウェハへのダイボンドフィルムの貼り付けを例に、図面を参照して詳細に説明する。
第１の実施の形態について説明する。
【００２５】
当該第１の実施の形態にかかる半導体装置の製造工程フローを図１に示す。同図１は、被処理半導体基板（ウェハ）への半導体素子形成以後の製造フローを示している。
また、前記図１に示す各製造工程を示す模式図を図２乃至図７に示す。図２は表面保護テープ貼り付け工程を示し、図３はバックグラインド工程を示す。また図４はダイボンドフィルム貼り付け工程を示し、図５は表面保護テープ剥離工程およびダイシングテープ貼り付け工程を示す。
【００２６】
更に、図６はダイシング工程を示し、図７はダイボンディング工程を示す。
半導体素子の形成に必要とされるウェハプロセス（所謂前工程）を経て、ウェハ１の表面（一方の主面）に複数個の半導体素子（デバイス）を形成した後、図２に示すように、当該ウェハ１の表面（デバイス形成面）に、オレフィン系あるいはＰＥＴ（Poly Ethylene Terephthalate）からなる表面保護テープ２を、ローラ３を用いて貼り付ける（図１：ステップＳ１）。
【００２７】
表面保護テープ２は帯状を有し、貼り付けられた当該表面保護テープ２はウェハ１の外形に沿って切断され、帯状部から分離される。
次いで、当該ウェハ１の背面研削（バックグラインド）処理を行う（図１：ステップＳ２）。
【００２８】
バックグラインド処理は、図３に示すように、ウェハ１をその裏面を上にして回転テーブル４上にセットし、当該回転テーブル４を回転させながら、回転する砥石５により、ウェハ１の裏面を研削する。
【００２９】
次いで、図４に示すように、被処理ウェハ１の裏面にダイボンドフィルム６を貼り付ける（図１：ステップＳ３）。ダイボンドフィルム６は、ポリイミド系樹脂或いはエポキシ系樹脂からなり、例えば約１５μｍ程の厚さが選択される。
【００３０】
本実施の形態にあっては、当該ダイボンドフィルム６の貼り付け工程に於いて、ウェハ１の裏面に対してダイボンドフィルム６を押圧する手段としてローラを用いると共に、加熱手段（熱源）としてレーザ光７を用いる。
【００３１】
即ち、帯状のダイボンドフィルム６は、ウェハ１の裏面上に配置された状態に於いて、互いに平行して離間され且つ回転可能なフィルムセットローラ９ａおよびフィルム貼り付けローラ９ｂにより、ウェハ１の裏面に押圧される。
【００３２】
当該フィルムセットローラ９ａおよびフィルム貼り付けローラ９ｂは、それぞれその表面がゴムなどにより構成されて弾性を有し、且つ当該弾性体部分はダイボンドフィルムの幅に対応する寸法を有する。
【００３３】
一方、レーザ光７は、レンズ系を含むレーザ光学系８により、ウェハ１表面に於ける照射形状が長方形となるように調整され、前記フィルムセットローラ９ａとフィルム貼り付けローラ９ｂとの間に於いて、これらのローラと平行となる状態をもってウェハ１上に照射される。
【００３４】
フィルムセットローラ９ａにより、ウェハ１に押圧されたダイボンドフィルム６は、レーザ光７が照射されることにより溶融し、その被照射・溶融部分が後続のフィルム貼り付けローラ９ｂによりウェハ１の裏面に押圧されて、当該ウェハ１の裏面に貼り付けられる。
【００３５】
このように、ウェハ１に対するダイボンドフィルム６の貼り付けの際、加熱手段としてレーザ光７を用いることにより、ダイボンドフィルム６に対し局所的・選択的に熱エネルギーを与えて、当該ダイボンドフィルム６を局所的・選択的に溶融させることができる。
【００３６】
従って、従来法の如く、ヒータ等によりウェハ全面に対して加熱を行う場合に比して、ウェハの温度上昇を招来せず、もって前記表面保護テープ２に於ける熱膨張或いは熱収縮など熱変形の発生を回避することができる。
【００３７】
貼り付けられたダイボンドフィルム６は、ウェハ１の外形に沿って切断され、帯状部から分離される。
ウェハ１の裏面にダイボンドフィルム６の貼り付け後、図５に示すように、ウェハ１の表面から表面保護テープ２を剥離すると共に、当該ウェハ１の裏面側をテープフレーム１０上のダイシングテープ１１上に貼り付ける（図１：ステップＳ４）。
【００３８】
尚、図５に於いて、ダイシングテープ１１は接着性を有し、ウェハ１をその裏面に貼られたダイボンドフィルムと共に固定する。
また、１２は表面保護テープ２を剥離する為のリムーブテープである。当該リムーブテープ１２をローラ（図示せず）などにより表面保護テープ２上に貼り付けた後、当該リムーブテープ１２を引くことにより、ウェハ１表面から表面保護テープ２を剥離する。
【００３９】
次いで、図６に示すように、ダイシングブレード１３を用いて、ウェハ１のダイシング処理を行い、ウェハ１に形成されている複数個の半導体素子部を個片化する（図１：ステップＳ５）。
【００４０】
しかる後、図７に示すように、個片化された半導体素子のうち、良品である半導体素子１４をチャック１５によりピックアップし、リードフレーム等の支持基板１６のアイランド部１６Ａ上に移送する。
【００４１】
尚、半導体素子のピックアップの際、前記ダイシングテープ１１は、加熱或いは紫外線の照射によりその接着力が低下される。
当該支持基板１６のアイランド部１６Ａに於いて、半導体素子１４裏面のダイボンドフィルム６を溶融、加圧・硬化させ、当該半導体素子１４をアイランド部１６Ａに固着する（図１：ステップＳ６）。
【００４２】
このようにして、デバイス形成後、ダイボンディングまでの工程が行われる。
ここで、前記ステップＳ３で述べた、レーザ光７を用いたダイボンドフィルム６の貼り付け方法について、より詳細に説明する。
【００４３】
当該第１の実施の形態に於けるダイボンドフィルムの貼り付け方法を図８に示す。
前述の如く、半導体素子（デバイス）の形成面に表面保護テープ２が貼り付けられ、且つバックグラインド処理がなされたウェハ１の裏面に、ダイボンドフィルム６が貼り付けられる。
【００４４】
ダイボンドフィルム６は、平行にセットされたフィルムセットローラ９ａおよびフィルム貼り付けローラ９ｂにより、少なくともそれらの間の領域が、ウェハ１の裏面に押し付けられる。
【００４５】
そして、フィルムセットローラ９ａおよびフィルム貼り付けローラ９ｂの間の領域に位置するダイボンドフィルム６に対して、レンズ８ａを介して所定の照射形状、例えば長方形に調整されたレーザ光７が照射される。
【００４６】
ウェハ１に対してフィルムセットローラ９ａおよびフィルム貼り付けローラ９ｂを回転移動させながら、その移動に合わせてレーザ光７を移動させる。
本発明の実施の形態に於ける、レーザスキャン方法の一例を図９に示す。
【００４７】
ウェハ１の裏面上に位置するダイボンドフィルム６に対して長方形のレーザを照射する場合には、その照射形状の幅（長手方向の幅、当該レーザ光７の移動方向とは直行する方向の長さ）を、ウェハ１の直径の１．１倍程度にすることが望ましい。
【００４８】
同図に矢印Ｓで示すように、前記のような照射形状のレーザ光７を、ウェハ１の一方のエッジから中心方向に向かって且つ他方のエッジまで移動（スキャン）することにより、当該レーザ光７をウェハ１の全面に照射する。
【００４９】
前記図８に示すフィルムセットローラ９ａおよびフィルム貼り付けローラ９ｂは、このようなレーザ光７のスキャンに於いて、当該レーザ光７の移動方向の前および後にあって、当該レーザ光７の移動に対応して一体的に移動する。
【００５０】
このように照射形状が略長方形とされたレーザ光７は、例えば図１０に示すレーザ光学系によって実現可能である。図１０にあっては、当該レーザ光学系の要所におけるレーザ断面形状（Ａ〜Ｄ）も併せて示す。
【００５１】
同図に示すレーザ光学系２０は、レーザ光発振器２１、円筒面平凹レンズ２２、線状マスク２３および円筒面平凸レンズ２４を具備している。
当該レーザ光学系２０にあっては、レーザ光発振器２１から円形断面（Ａ）を有して照射されるレーザ光７を、円筒面平凹レンズ２２によって楕円形断面（Ｂ）に変形し、次いで線状マスク２３によって長方形状断面（Ｃ）とする。更に円筒面平凸レンズ２４によって、より幅の狭い長方形断面（Ｄ）とする。
【００５２】
そして、当該幅狭の長方形段面（Ｄ）を有するレーザ光７を、被処理ウェハ１上に位置するダイボンドフィルム６に対して照射する。
ウェハ１に上に位置するダイボンドフィルム６にレーザ光７を照射する際の条件は、ダイボンドフィルム６の材質、ウェハ１の厚さ、表面保護テープ２の材質等に基づき選択されるが、例えば、波長１００ｎｍ〜１０００ｎｍのレーザ光を、出力０．１Ｗ〜１００Ｗ、スキャンスピード０．１ｍｍ／ｓ〜５００ｍｍ／ｓの条件をもって照射することができる。
【００５３】
この時、前記表面保護テープ２の熱膨張或いは熱収縮等を抑制しつつ、ダイボンドフィルム６を溶融させることができる条件を選択する。
ダイボンドフィルム６の貼り付けの際には、レーザ光学系２０を用い、前記図８に示すように、レーザ光７のスキャン方向に対応させてフィルムセットローラ９ａを先行して移動させ、当該フィルムセットローラ９ａおよびレーザ光７に追随するように、フィルム貼り付けローラ９ｂを移動させる。
【００５４】
即ち、フィルムセットローラ９ａとフィルム貼り付けローラ９ｂでダイボンドフィルム６をウェハ１に押圧しつつ、フィルムセットローラ９ａの直後の領域にのみレーザ光７を照射し、ダイボンドフィルム６の被照射部を溶融させ、当該レーザ光７の直後を移動するフィルム貼り付けローラ９ｂにより当該溶融部分をウェハ１に押圧して貼り付ける。
【００５５】
これをウェハ１の全面について行うことにより、ウェハ１の他の表面に貼られた表面保護テープ２に於ける熱膨張或いは熱収縮などの熱変形の発生を回避しつつ、当該ウェハ１にダイボンドフィルム６を均一に、且つ効率良く貼り付けることが可能となる。
【００５６】
ウェハ１上にダイボンドフィルム６の貼り付け処理を行う際に適用するフィルム貼り付け装置の構成を、図１１に示す。
同図に示される様に、当該フィルム貼り付け装置３０は、バックグラインド処理がなされダイボンドフィルム６が貼り付けられる前の被処理ウェハ１が収納される第１のウェハケース３１、並びにダイボンドフィルム６が貼り付けられたウェハ１が収納される第２のウェハケース３２を具備する。
【００５７】
又、当該フィルム貼り付け装置３０は、被処理ウェハ１のセンタリング（中心出し）が行われるウェハセンタリング装置３３、当該ウェハ１に対してのダイボンドフィルム６の貼り付け処理が行われるフィルム貼り付けテーブル３４を具備している。
【００５８】
又、当該フィルム貼り付け装置３０は、前記第１のウェハケース３１に収納されている被処理ウェハ１をウェハセンタリング装置３３に搬送し、またウェハセンタリング装置３３に載置されている被処理ウェハ１をフィルム貼り付けテーブル３４に搬送し、更にダイボンドフィルム６が貼り付けられてフィルム貼り付けテーブル３４上に置かれているウェハ１を第２のウェハケース３２に搬送して収納する為のウェハ搬送ロボット３５を具備している。
【００５９】
更に、当該フィルム貼り付け装置３０は、フィルム貼り付けテーブル３４近傍に、レーザ発振器３６にそれぞれ光ファイバ３７ａ，３７ｂを介して接続されたフィルム貼り付け用レーザ照射装置３８およびフィルムカット用レーザ照射装置３９を具備する。
【００６０】
当該フィルム貼り付け用レーザ照射装置３８は、レーザ発振器３６とレンズを用いて構成されたレーザ光学系を備え、フィルム貼り付けテーブル３４上の所定の領域に対し所定の照射形状を有してスキャンすることができる。一方、フィルムカット用レーザ照射装置３９は、フィルム貼り付けテーブル３４上に於いて、ウェハ１に貼り付けられたダイボンドフィルム６を、当該ウェハ１の外形に沿って切断して帯状部から分離する。
【００６１】
フィルム送出ローラ４０ａから送出され、フィルム巻き取りローラ４０ｂへと送られる帯状ダイボンドフィルム６に対しては、当該ダイボンドフィルム６上をフィルム巻き取りローラ４０ｂ側からフィルム送出ローラ４０ａへ移動可能とされたフィルムセットローラ９ａ、フィルム貼り付けローラ９ｂ、および最もフィルム巻き取りローラ４０ｂ側にあるフィルム固定ローラ４１とによって、一定のテンションが付加されている。
【００６２】
そして、フィルム貼り付けテーブル３４上に、被処理ウェハ１が載置されたときには、フィルムセットローラ９ａおよびフィルム貼り付けローラ９ｂが移動して、当該ウェハ１上にダイボンドフィルム６を押圧する。この時、フィルム貼り付け用レーザ照射装置３８も並行して移動する。
【００６３】
このような構成を有するフィルム貼り付け装置３０を用いたダイボンドフィルム６の貼り付け処理方法を、図１１および図１２〜図１６を参照して説明する。
図１２〜図１６はフィルム貼り付け装置を用いたダイボンドフィルムの貼り付け工程を説明する概略図である。
【００６４】
なお、フィルム貼り付け装置３０は、ダイボンドフィルム６の貼り付け前、即ち前記図１１に示す状態にあるものとし、便宜上、この状態をフィルム貼り付け装置３０の初期状態とする。
【００６５】
当該フィルム貼り付け装置３０を用いて、ウェハの裏面にダイボンドフィルム６を貼り付ける場合、前記図１１に示すように、ウェハ搬送ロボット３５が、第１のウェハケース３１に収納されているウェハ１を、当該第１のウェハケース３１から取り出し、ウェハセンタリング装置３３へと搬送する。
【００６６】
当該ウェハ１の第一の主面（表面）には、これより前の工程に於いて表面保護テープが貼り付けられている。また、当該ウェハ１は、第１のウェハケース３１にその裏面を上に収納されている。
【００６７】
ウェハ搬送ロボット３５は、かかる状態のウェハ１を取り出し、その裏面を上とした状態のまま搬送する。
ウェハセンタリング装置３３では、搬送されてきたウェハ１のセンタリング（中心出し）処理が行われる。かかるセンタリング処理を行うことにより、後の工程に於いて当該ウェハ１とこれに貼り付けられるテープ材の幅方向の中心とを一致させることが可能とされる。これにより、貼り付けられたテープ材をウェハ１の外形に沿って切断する際、当該ウェハ１の外形と一致する高精度の切断を可能とする。
【００６８】
次いで、ウェハ搬送ロボット３５は、ウェハセンタリング装置３３に於いてセンタリング処理がなされたウェハ１を、フィルム貼り付けテーブル３４上に載置された際にその裏面が上になるように、当該フィルム貼り付けテーブル３４上へ搬送する。かかる状態を、図１２に示す。
【００６９】
その後、ウェハ搬送ロボット３５は、図１３に示すように、再び第１のウェハケース３１の位置まで戻り、次に処理すべきウェハ１の搬送準備に入る。
一方、前記フィルム貼り付けテーブル３４にあっては、図１４に示すように、被処理ウェハ１の裏面へのダイボンドフィルム６の貼り付け処理が行われる。
【００７０】
当該ダイボンドフィルム６は、ウェハ１の最大径（直径）よりも大なる幅を有している。
そして、当該ウェハ１の中心と、ダイボンドフィルム６の幅方向の中心とを一致させて、両者は貼り付けられる。
【００７１】
かかるダイボンドフィルム６の貼り付け時には、フィルムセットローラ９ａがフィルム送出ローラ４０ａの側に移動し、これに追随してフィルム貼り付け用レーザ照射装置３８およびフィルム貼り付けローラ９ｂが移動する。
【００７２】
これにより、ダイボンドフィルム６は、移動するフィルムセットローラ９ａによってウェハ１に押圧されながら、その後ろを移動するフィルム貼り付け用レーザ照射装置３８に於けるレーザ光７が照射されてその被照射部分が溶融され、更にその後を移動するフィルム貼り付けローラ９ｂにより押圧されてウェハ１に貼り付けられていく。
【００７３】
当該ダイボンドフィルム６のウェハ１への貼り付け処理の間、図１４に示される様に、前記ウェハ搬送ロボット３５は、第１のウェハケース３１から次に処理すべきウェハ１を取り出し、ウェハセンタリング装置３３へ搬送し、当該ウェハセンタリング装置３３は、搬送されてきたウェハ１のセンタリングを行う。
【００７４】
当該ウェハセンタリング装置３３の稼働中、前記ウェハ搬送ロボット３５は、ダイボンドフィルム６貼り付け後、フィルム貼り付けテーブル３４上にあるウェハ１を搬送するため、フィルム貼り付けテーブル３４の近傍で待機する。
【００７５】
ウェハ１の全面にダイボンドフィルム６の貼り付けが行われると、フィルム貼り付けローラ９ｂおよびフィルム貼り付け用レーザ照射装置３８は、図１５に示すように、フィルム固定ローラ４１の側へと退避・移動する。
【００７６】
かかる状態に於いて、フィルムカット用レーザ照射装置３９から、ダイボンドフィルム６の貼り付け後のウェハ１の外形に沿ってレーザ光４２が照射され、当該ダイボンドフィルム６はウェハ１の外形に沿って切断されて、ウェハ１の裏面に貼り付けられたダイボンドフィルムは帯状部から分離される。
【００７７】
次いで、フィルムカット用レーザ照射装置３９を初期状態の位置まで退避させた後、ウェハ搬送ロボット３５が、フィルム貼り付けテーブル３４上のウェハ１即ちその裏面にダイボンドフィルム６が貼り付けられたウェハ１を、第２のウェハケース３２へ搬送する。
【００７８】
そして、フィルムセットローラ９ａがフィルム固定ローラ４１の側へ移動して初期状態の位置に戻り、ダイボンドフィルム６がフィルム送出ローラ４０ａからフィルム巻き取りローラ４０ｂへ巻き取られると、フィルム貼り付け装置３０は、前記図１２に示した状態となり、ウェハセンタリング装置３３に於いてセンタリング処理がなされている次のウェハ１の搬送処理が可能になる。
【００７９】
以降、このような処理を、処理すべきウェハ１の枚数に対応して繰り返し行う。
この様に、第１の実施の形態にあっては、ダイボンドフィルム６をフィルムセットローラ９ａおよびフィルム貼り付けローラ９ｂによってウェハ１に押圧し、フィルムセットローラ９ａおよびフィルム貼り付けローラ９ｂの間の領域にレーザ光７を照射する。
【００８０】
そして、フィルムセットローラ９ａの移動と共にレーザ光７を移動させ、更にこれらに追随するようにフィルム貼り付けローラ９ｂを移動させることにより、レーザ光７が照射されたダイボンドフィルム６の溶融部分を当該フィルム貼り付けローラ９ｂによってウェハ１に押圧して、ダイボンドフィルム６をウェハ１に貼り付けていく。
【００８１】
これにより、ウェハ１をヒータ等で全面加熱したときのような表面保護テープ２の熱膨張或いは熱収縮等の発生を回避して、ウェハ１にダイボンドフィルム６を均一に貼り付けることが可能になる。
【００８２】
次に、第２の実施の形態について説明する。
当該第２の実施の形態に於けるダイボンドフィルムの貼り付け方法を図１７に示す。
なお、図１７にあっては、前記図８に示した要素と同一の要素については同一の符号を付し、その説明は省略する。
【００８３】
本実施の形態に於けるダイボンドフィルム６の貼り付け方法にあっては、ダイボンドフィルム６のレーザ光被照射部分に対するウェハ１上への押圧を、当該ダイボンドフィルム６のレーザ光被照射部分に対してガスを吹き付けることにより行う。
【００８４】
即ちレーザ光７は、所定のレンズ８ａを介して所定の照射形状に調整されてダイボンドフィルム６上に照射されるが、当該レンズ８ａは、レーザ光７の照射形状に応じた開口部５０ａを備えるノズル５０に保持されている。
【００８５】
本実施の態様にあっては、当該ノズル５０にガス導入孔５１を配設し、当該ガス導入孔５１からガスを圧入して、ノズル５０の先端部からダイボンドフィルム６のレーザ光被照射部分に吹き付ける。
【００８６】
これにより、表面保護テープ２が貼り付けられたバックグラインド後のウェハ１裏面へのダイボンドフィルム６の貼り付けの際、ダイボンドフィルム６がレーザ光７のスキャン方向へ移動するフィルムセットローラ９ａによってウェハ１の裏面に押し付けられ、その直後の領域に対してレーザ光７が照射されると共に、その照射部分にノズル５０からガス（窒素ガス、或いは窒素と酸素との混合物ガス）が噴出される。
【００８７】
すなわち、ダイボンドフィルム６は、レーザ光７の照射によって溶融されながら、ノズル５０から吹き付けられるガスによってウェハ１の裏面に押圧され、当該ウェハ１の裏面に貼り付けられる。
【００８８】
このようなダイボンドフィルム６の貼り付け方法を用いても、前記第１の実施の形態同様、表面保護テープ２の熱膨張等の発生を回避して、ウェハ１裏面にダイボンドフィルム６を均一に貼り付けることが可能になる。
【００８９】
なお、この第２の実施の形態に於けるレーザ光照射／押圧方法は、前記第１の実施の形態で述べたフィルム貼り付け装置３０に於けるレーザ光７のスキャン方法およびレーザ光学系２０に適用することができる。
【００９０】
即ち、前記第１の実施の形態に於けるフィルム貼り付け装置３０の、フィルムセットローラ９ａ、フィルム貼り付けローラ９ｂ、およびフィルム貼り付け用レーザ照射装置３８を用いたダイボンドフィルム６の貼り付け機構を、図１７に示した第２の実施の形態を利用したものに変更し、フィルム貼り付け装置を構成することが可能である。
【００９１】
この時、ダイボンドフィルム６のウェハ１裏面への貼り付け部以外の部分（ウェハ１の取り出し、搬送、収納等）については、上記のフィルム貼り付け装置３０と同様の処理を行うことが可能である。
【００９２】
尚、本第２の実施の形態にあっては、レーザ光７の照射部分にノズル５０からガスを吹き付けるため、レーザ光７の照射条件を設定する際には、ダイボンドフィルム６の材質等のほか、ガスの吹き付けによるダイボンドフィルム６の温度低下を考慮して条件を設定する必要がある。
【００９３】
次に、第３の実施の形態について説明する。
当該第３の実施の形態に於けるダイボンドフィルムの貼り付け方法を図１８に示す。
なお、図１８では、前記図８に示した要素と同一の要素については同一の符号を付し、その説明は省略する。
【００９４】
本実施の形態に於けるダイボンドフィルム６の貼り付け方法にあっては、ダイボンドフィルム６のレーザ光被照射部分に対するウェハ１上への押圧を、ガラス板などの光透過性平板を用いて行う。
【００９５】
即ち、図１８に示されるように、その上面に表面保護テープ２が貼り付けられた被処理ウェハ１は、当該表面保護テープ２側を下にして容器６０に収容され、当該被処理ウェハ１の裏面にダイボンドフィルム６が載置された状態とされる。
【００９６】
かかる状態に於いて、容器６０上に、アクリロニトリルブタジエンゴム（ＮＢＲ）等からなるパッキン６１を介してガラス板６２が載置される。
尚、容器６０は、パッキン６１を介してガラス板６２が載置された状態に於いて、その内部を減圧或いは復圧するための排気／導入ライン６０ａを具備する。
【００９７】
そして、当該容器６０の深さは、前記パッキン６１を介してガラス板６２により封止した状態に於いて、排気／導入ライン６０ａを介しての吸引によってガラス板６２が吸引された際、当該ガラス板６２によってダイボンドフィルム６がウェハ１に対して押圧される深さに設定される。
【００９８】
しかる後、排気／導入ライン６０ａを通して容器６０内を減圧・排気して、容器６０内部を低圧雰囲気とする。かかる減圧処理により、ガラス板６２が容器６０側に吸引され、これによりダイボンドフィルム６がウェハ１の裏面に押圧される。
【００９９】
この状態に於いて、レンズ８ａを介して所定の形状とされたレーザ光７を、当該ガラス板６２を透過させてダイボンドフィルム６に照射する。これにより、ダイボンドフィルム６の被照射部分が加熱溶融され、且つこの時ガラス板６２により押圧されていることにより、当該ダイボンドフィルム６はウェハ１の裏面に貼り付けられる。
【０１００】
この時、前記第１の実施の形態に於けるスキャン方法およびレーザ光学系２０を用い、照射形状が長方形とされたレーザ光７を、ウェハ１の一端からその中心を通過して他方の端部までにスキャンさせる。
【０１０１】
かかる手段によるウェハ１の裏面へのダイボンドフィルム６の貼り付け後、前記排気／導入ライン６０ａを通しての排気を停止し、容器６０内部に所定のガス圧を復圧し、しかる後ガラス板６２を外してダイボンドフィルム６が貼り付けられたウェハ１を取り出す。
【０１０２】
引き続き処理を行う場合には、次に処理すべきウェハ１を容器６０内に収容し、同様の手順でダイボンドフィルム６の貼り付けを行う。
このようなダイボンドフィルム６の貼り付け方法を用いても、前記第１の実施の形態同様、表面保護テープ２の熱膨張等の発生を回避して、ウェハ１の裏面にダイボンドフィルム６を均一に貼り付けることが可能である。
【０１０３】
次に、第４の実施の形態について説明する。
前記第１乃至第３の実施の形態にあっては、レーザ光７のウェハ１上での照射形状を、細くかつウェハ１の直径よりも長い長方形として移動（スキャン）することにより、最終的にウェハ１の全面に照射する場合について述べたが、当該レーザ光７の照射形状および／或いはスキャン方法は、これに限定されるものではない。
【０１０４】
本実施の形態は、当該レーザ光の移動（スキャン）方法の変形例を示すものであり、図１９は当該レーザスキャン方法の変形例を示す。
本実施の形態４にあっては、レーザ光はその照射形状が円形あるいは矩形のスポット形状とされ、図１９に矢印Ｓ２で示すように、並行して往復する形態、或いはジグザグ状の形態をもってダイボンディングフィルム上をスキャンされる。
【０１０５】
このようなスポット状のレーザ光７Ｓのスキャン法によっても、最終的にはレーザ光７Ｓをウェハ１上のダイボンディングフィルム全面に照射することが可能である。
このようにレーザ光７Ｓの照射形状をスポット状として照射した場合には、前記第１乃至第３の実施の態様の如く細長い長方形を有する照射形状を適用した場合に比して、レーザ光７Ｓの照射面積をより小とすることができる。従って、表面保護テープ２の熱膨張等を、いっそう効果的に回避することができる。
【０１０６】
このようなスポット状のレーザ光７Ｓのスキャン方法は、前記第１乃至第３の実施の形態に示したダイボンドフィルム６の貼り付けにそのまま適用することも可能であるが、必要に応じてフィルムセットローラ９ａの移動方法等について変更を加えた上で適用することも可能である。
【０１０７】
このようなスポット状レーザ光７Ｓをスキャンする方法を採用する場合にも、その照射条件をダイボンドフィルム６の材質等に応じて適当に設定することが可能である。
尚、このようにスポット状レーザ光７Ｓの照射の際にも、少なくともその進行方向に沿って当該レーザ光の前後にガス（窒素ガス、或いは窒素と酸素との混合物ガス）を噴出する。すなわち、ダイボンドフィルム６は、吹き付けられるガスによってウェハ１の裏面に押圧されつつ、レーザ光７Ｓの照射によって溶融されて、当該ウェハ１の裏面に貼り付けられる。
【０１０８】
当該ガスは、前記第２の実施の形態と同様に、レーザ光放射ノズル部の外周にその設けられるガス排出部、又は当該レーザ光放射ノズル部から分離して設けられたガス排出部から、或いはウェハ１の裏面全体への噴出などにより、被処理ウェハ１方向に噴出される。吹き付けられるガスによってダイボンドフィルム６の溶融部はウェハ１の裏面に押圧され、当該ウェハ１の裏面に貼り付けられる。
【０１０９】
以上説明したように、本発明の実施の形態にあっては、熱可塑性のダイボンドフィルム６の貼り付けにレーザ光７を適用し、当該レーザ光７を照射してダイボンドフィルム６を選択的に溶融し、それをウェハ１に押し付けることによって貼り付ける。
【０１１０】
これにより、ウェハ１が薄く加工されてその強度が低下しているような場合であっても、ダイボンドフィルム６を貼り付ける際のウェハ１の破損を回避することが可能となり、半導体装置を歩留まり良く製造することが可能になる。
【０１１１】
尚、以上の説明では、ウェハ１へのダイボンドフィルム６の貼り付けを例にして述べたが、ダイボンドフィルム６に限らず、種々のフィルムの貼り付けにも同様に適用可能である。また、ウェハ１に限らず、種々の基板へのフィルムの貼り付けにも同様に適用可能である。
【０１１２】
（付記１）  被処理基板上にフィルム体を配置し、前記フィルム体に選択的にレーザ光を照射して前記フィルム体を選択的に溶融し、溶融状態にあるフィルム体部分を前記被処理基板に押圧して、前記フィルム体を前記被処理基板に貼り付けることを特徴とするフィルム貼り付け方法。
【０１１３】
（付記２）  一方の主面が第１のフィルム体により被覆された被処理基板の他方の主面に第２のフィルム体を配置し、前記第２のフィルム体に選択的にレーザ光を照射して前記第２フィルム体を選択的に溶融し、溶融状態にあるフィルム体部分を前記被処理基板に押圧して、前記第２のフィルム体を前記被処理基板に貼り付けることを特徴とするフィルム貼り付け方法。
【０１１４】
（付記３）  前記被処理基板が半導体基板であることを特徴とする付記１または２記載のフィルム貼り付け方法。
（付記４）  前記被処理基板の一方の主面に被覆される前記第１のフィルム体が、表面保護フィルムであることを特徴とする付記２記載のフィルム貼り付け方法。
【０１１５】
（付記５）  前記被処理基板の他方の主面に貼り付けられる前記第２のフィルム体が、ダイボンディングフィルムであることを特徴とする付記２記載のフィルム貼り付け方法。
（付記６）  前記溶融状態にあるフィルム体部分を前記被処理基板に押圧して前記被処理基板に貼り付ける際に、前記溶融状態にあるフィルム体部分にガスを吹き付けながら行うことを特徴とする付記１または２記載のフィルム貼り付け方法。
【０１１６】
（付記７）  前記レーザ光を照射する際には、
前記レーザ光を前記被処理基板上でスキャンしながら照射していくことを特徴とする付記１または２記載のフィルム貼り付け方法。
【０１１７】
（付記８）  前記溶融状態にあるフィルム体部分を前記被処理基板に押圧する際には、
ローラを用いて前記溶融状態にあるフィルム体部分を前記被処理基板に押圧することを特徴とする付記１または２記載のフィルム貼り付け方法。
【０１１８】
（付記９）  前記溶融状態にあるフィルム体部分を前記被処理基板に押圧する際には、
ガラス板を用いて前記溶融状態にあるフィルム体部分を前記被処理基板に押圧することを特徴とする付記１または２記載のフィルム貼り付け方法。
【０１１９】
（付記１０）  被処理基板上に配置されたフィルム体を前記被処理基板に対し押圧する手段と、
前記被処理基板に押圧された前記フィルム体に選択的にレーザ光を照射する手段と、
前記レーザ光の照射された前記フィルム体を前記被処理基板に対し押圧する手段と、
を有することを特徴とするフィルム貼り付け装置。
【０１２０】
（付記１１）  前記レーザ光の照射された前記フィルム体を前記被処理基板に対し押圧する手段は、前記フィルム体の前記レーザ光の照射部分にガスを吹き付ける手段であることを特徴とする付記１０記載のフィルム貼り付け装置。
【０１２１】
（付記１２）  前記レーザ光の照射された前記フィルム体を前記被処理基板に対し押圧する手段は、前記フィルム体の前記レーザ光の照射部分をローラで押圧する手段であることを特徴とする付記１０記載のフィルム貼り付け装置。
【０１２２】
（付記１３）  前記レーザ光の照射された前記フィルム体を前記被処理基板に対し押圧する手段は、前記フィルム体の前記レーザ光の照射部分をガラス板で押圧する手段であることを特徴とする付記１０記載のフィルム貼り付け装置。
【０１２３】
（付記１４）  半導体基板の一方の主面に複数個の半導体素子を形成する工程と、
前記一方の主面に表面保護テープを被着する工程と、
前記半導体基板を他方の主面より研削してその厚さを減ずる工程と、
前記半導体基板の他方の主面にダイボンディングフィルムを被着する工程と、
前記半導体基板の一方の主面から前記表面保護テープを除去する工程と、
前記半導体基板を切断・分離して前記半導体素子を個片化する工程と、
を有し、
前記半導体基板の他方の主面に前記ダイボンディングフィルムを被着する際、前記半導体基板上に配置された前記ダイボンディングフィルムに対してレーザ光を選択的に照射・加熱して、被加熱部を前記半導体基板に貼り付けることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【０１２４】
（付記１５）  前記レーザ光の照射領域の少なくとも前後に於いて、前記ボンディングフィルムを前記半導体基板に押圧しつつ、前記レーザ光を照射することを特徴とする付記１４記載の半導体装置の製造方法。
【０１２５】
（付記１６）  前記半導体基板上に配置された前記ダイボンディングフィルムに対して前記レーザ光を選択的に照射・加熱する際には、
前記レーザ光を前記半導体基板上でスキャンしながら照射していくことを特徴とする付記１４記載の半導体装置の製造方法。
【０１２６】
（付記１７）  前記被加熱部を前記半導体基板に貼り付ける際には、
ローラを用いて前記被加熱部を前記半導体基板に押圧し、前記被加熱部を前記半導体基板に貼り付けることを特徴とする付記１４記載の半導体装置の製造方法。
【０１２７】
（付記１８）  前記被加熱部を前記半導体基板に貼り付ける際には、
ガラス板を用いて前記被加熱部を前記半導体基板に押圧し、前記被加熱部を前記半導体基板に貼り付けることを特徴とする付記１４記載の半導体装置の製造方法。
【図面の簡単な説明】
【０１２８】
【図１】第１の実施の形態にかかる半導体装置の製造工程フローを示す図である。
【図２】表面保護テープ貼り付け工程を示す図である。
【図３】バックグラインド工程を示す図である。
【図４】ダイボンドフィルム貼り付け工程を示す図である。
【図５】表面保護テープ剥離工程およびダイシングテープ貼り付け工程を示す図である。
【図６】ダイシング工程を示す図である。
【図７】ダイボンディング工程を示す図である。
【図８】第１の実施の形態に於けるダイボンドフィルムの貼り付け方法を示す図である。
【図９】レーザスキャン方法の一例を示す図である。
【図１０】レーザ光学系の一例を示す図である。
【図１１】フィルム貼り付け装置の構成を示す図である。
【図１２】フィルム貼り付け装置を用いたダイボンドフィルムの貼り付け工程を説明する概略図（その１）である。
【図１３】フィルム貼り付け装置を用いたダイボンドフィルムの貼り付け工程を説明する概略図（その２）である。
【図１４】フィルム貼り付け装置を用いたダイボンドフィルムの貼り付け工程を説明する概略図（その３）である。
【図１５】フィルム貼り付け装置を用いたダイボンドフィルムの貼り付け工程を説明する概略図（その４）である。
【図１６】フィルム貼り付け装置を用いたダイボンドフィルムの貼り付け工程を説明する概略図（その５）である。
【図１７】第２の実施の形態に於けるダイボンドフィルムの貼り付け方法を示す図である。
【図１８】第３の実施の形態に於けるダイボンドフィルムの貼り付け方法を示す図である。
【図１９】レーザスキャン方法の変形例を示す図である。
【図２０】従来の熱可塑性のダイボンドフィルムの貼り付け方法を示す図である。
【符号の説明】
【０１２９】
１  ウェハ
２  表面保護テープ
３  ローラ
４  テーブル
５  砥石
６  ダイボンドフィルム
７，７Ｓ，４２  レーザ光
８，２０  レーザ光学系
８ａ  レンズ
９ａ  フィルムセットローラ
９ｂ  フィルム貼り付けローラ
１０  テープフレーム
１１  ダイシングテープ
１２  リムーブテープ
１３  ダイシングブレード
１４  半導体素子
１５  チャック
１６  支持基板
１６Ａ  アイランド部
２１，３６  レーザ発振器
２２  円筒面平凹レンズ
２３  線状マスク
２４  円筒面平凸レンズ
３０  フィルム貼り付け装置
３１  第１のウェハケース
３２  第２のウェハケース
３３  ウェハセンタリング装置
３４  フィルム貼り付けテーブル
３５  ウェハ搬送ロボット
３７ａ，３７ｂ  光ファイバ
３８  フィルム貼り付け用レーザ照射装置
３９  フィルムカット用レーザ照射装置
４０ａ  フィルム送出ローラ
４０ｂ  フィルム巻き取りローラ
４１  フィルム固定ローラ
５０  ノズル
５０ａ  開口部
５１  ガス導入孔
６０  容器
６０ａ  排気／導入ライン
６１  パッキン
６２  ガラス板
【図１】
0004514722.tif 000002
【図２】
0004514722.tif 000003
【図３】
0004514722.tif 000004
【図４】
0004514722.tif 000005
【図５】
0004514722.tif 000006
【図６】
0004514722.tif 000007
【図７】
0004514722.tif 000008
【図８】
0004514722.tif 000009
【図９】
0004514722.tif 000010
【図１０】
0004514722.tif 000011
【図１１】
0004514722.tif 000012
【図１２】
0004514722.tif 000013
【図１３】
0004514722.tif 000014
【図１４】
0004514722.tif 000015
【図１５】
0004514722.tif 000016
【図１６】
0004514722.tif 000017
【図１７】
0004514722.tif 000018
【図１８】
0004514722.tif 000019
【図１９】
0004514722.tif 000020
【図２０】
0004514722.tif 000021