(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板を保持して回転させる基板駆動手段と、前記半導体基板の表面に対して洗浄液を吐出させるノズルと、前記ノズルから吐出された前記洗浄液が前記半導体基板に入射する位置を変化させる洗浄位置設定手段とを含んで前記半導体基板の表面を洗浄する装置であって、
前記半導体基板の周辺に設けられ、前記半導体基板の表面を洗浄する際に、前記洗浄液が周辺に飛散することを防止する飛散阻止手段と、
前記ノズルからの前記洗浄液が前記半導体基板のエッジ近傍に吐出されるか否かを検出する洗浄位置検出手段と、
前記洗浄位置検出手段による検出結果にもとづき、前記洗浄液が前記半導体基板のエッジ近傍に吐出されるとき、前記基板駆動手段を制御して前記半導体基板の回転速度を抑制する回転速度制御手段と
を備え、
前記ノズルから吐出された前記洗浄液の、半導体基板表面における基板直径方向の幅をＷとして、前記半導体基板のエッジ位置を中心とする、基板直径方向における少なくとも±Ｗ／２の範囲内に前記洗浄液の入射位置があるとき、前記回転速度制御手段は、前記半導体基板の回転速度を抑制すべく前記基板駆動手段を制御する
半導体基板の洗浄装置。
【請求項２】
前記半導体基板は平面視略円形であり、前記洗浄位置設定手段は、前記ノズルから吐出された前記洗浄液の、前記半導体基板に対する入射位置を、前記半導体基板の直径方向に移動させる
請求項１記載の半導体基板の洗浄装置。
【請求項３】
前記洗浄位置設定手段は、前記ノズルを前記半導体基板の直径方向に移動させるノズル駆動手段を含んでいる
請求項２記載の半導体基板の洗浄装置。
【請求項４】
半導体基板の表面に対して洗浄液を吐出させるノズルと、前記ノズルから吐出された前記洗浄液が前記半導体基板に入射する位置を変化させる洗浄位置設定手段とを含んで前記半導体基板の表面を洗浄する装置であって、
前記半導体基板の周辺に設けられ、前記半導体基板の表面を洗浄する際に、前記洗浄液が周辺に飛散することを防止する飛散阻止手段と、
前記ノズルから吐出される前記洗浄液の量を増減する吐出量調整手段と、
前記ノズルからの前記洗浄液が前記半導体基板のエッジ近傍に吐出されるか否かを検出する洗浄位置検出手段と、
前記洗浄位置検出手段による検出結果にもとづき、前記洗浄液が前記半導体基板のエッジ近傍に吐出されるとき、前記吐出量調整手段を制御して前記ノズルから吐出される前記洗浄液の量を抑制させる吐出量制御手段と
を備え、
前記ノズルから吐出された前記洗浄液の、半導体基板表面における基板直径方向の幅をＷとして、前記半導体基板のエッジ位置を中心とする、基板直径方向における少なくとも±Ｗ／２の範囲内に前記洗浄液の入射位置があるとき、前記吐出量制御手段は、前記ノズルから吐出される前記洗浄液の量を抑制すべく前記吐出量調整手段を制御する
半導体基板の洗浄装置。
【請求項５】
前記半導体基板は平面視略円形であり、前記洗浄位置設定手段は、前記ノズルから吐出された前記洗浄液の、前記半導体基板に対する入射位置を、前記半導体基板の直径方向に移動させる
請求項４記載の半導体基板の洗浄装置。
【請求項６】
前記洗浄位置設定手段は、前記ノズルを前記半導体基板の直径方向に移動させるノズル駆動手段を含んでいる
請求項５記載の半導体基板の洗浄装置。
【請求項７】
半導体基板の表面に対して洗浄液を吐出させるノズルと、前記ノズルから吐出された前記洗浄液が前記半導体基板に入射する位置を変化させる洗浄位置設定手段と、前記ノズルから吐出される前記洗浄液の方向を変化させる吐出方向調整手段とを含んで前記半導体基板の表面を洗浄する装置であって、
前記半導体基板の周辺に設けられ、前記半導体基板の表面を洗浄する際に、前記洗浄液が周辺に飛散することを防止する飛散阻止手段と、
前記ノズルからの前記洗浄液が前記半導体基板のエッジ近傍に吐出されるか否かを検出する洗浄位置検出手段と、
前記洗浄位置検出手段による検出結果にもとづき、前記洗浄液が前記半導体基板の少なくともエッジ近傍に吐出されるとき、前記吐出方向調整手段を制御して前記ノズルから吐出される前記洗浄液の方向を前記半導体基板に対してほぼ直角に設定させる吐出方向制御手段と
を備え、
前記ノズルから吐出された前記洗浄液の、半導体基板表面における基板直径方向の幅をＷとして、前記半導体基板のエッジ位置を中心とする、基板直径方向における少なくとも±Ｗ／２の範囲内に前記洗浄液の入射位置があるとき、前記吐出方向制御手段は、前記ノズルから吐出される前記洗浄液の方向を前記半導体基板に対しほぼ直角に設定すべく前記吐出方向調整手段を制御する
半導体基板の洗浄装置。
【請求項８】
前記半導体基板は平面視略円形であり、前記洗浄位置設定手段は、前記ノズルから吐出された前記洗浄液の、前記半導体基板に対する入射位置を、前記半導体基板の直径方向に移動させる
請求項７記載の半導体基板の洗浄装置。
【請求項９】
前記洗浄位置設定手段は、前記ノズルを前記半導体基板の直径方向に移動させるノズル駆動手段を含んでいる
請求項８記載の半導体基板の洗浄装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体基板の洗浄装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
図７は従来の枚葉式ウェハー洗浄装置の一例を示す要部断面側面図である。
図７に示したように、この種のウェハー洗浄装置では、回転テーブル１０２上に平面視略円形の半導体ウェハー１０４（単にウェハー１０４ともいう）を保持して回転させ、一方、ノズル１０８はウェハー１０４のおおむね半径の範囲で、あるいはおおむね直径の範囲で、たとえば往復運動させる。その状態で、ノズル１０８から洗浄液１１０をウェハー表面に対し吐出させ、ウェハー１０４の表面に付着したゴミなどの汚染物質を洗い流し、ウェハー表面を洗浄する。その際、洗浄液１１０が周辺に飛び散ることを防止するため、ウェハー１０４を囲む覆い１１２（飛散阻止手段）が設けられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、洗浄液１１０がエッジ１０６近傍に吐出された場合、図８の部分拡大側面図に矢印で示したように、洗浄液１１０はウェハー１０４のエッジ１０６にあたって周囲に広く飛散する。そして外側に飛散した洗浄液１１０は上記覆い１１２により遮られ、覆い１１２の内面に付着する。
【０００４】
ウェハー１０４は、このような洗浄の後、高速で回転させて乾燥させるが、そのとき生じる気流などにより、覆い１１２の内面に付着した洗浄液１１０Ａが、図７に矢印Ａで示したように、ウェハー１０４上に落下する場合がある。この落下した洗浄液１１０に汚染物質が含まれていた場合、乾燥後、汚染物質がウェハー表面に残ってしまい、洗浄不良が発生する結果となる。
【０００５】
この問題を回避するため、従来は洗浄液１１０がウェハー１０４のエッジ１０６に入射する前にノズル１０８をウェハー１０４の中心側に戻して洗浄液１１０がエッジ部に入射しないようにし、洗浄液１１０の飛散を抑えて、覆い１１２の内面に洗浄液１１０が付着することを防止していた。
【０００６】
図９の（Ａ）は洗浄前のウェハー表面の汚染状態を示す平面図、（Ｂ）は従来の方式による洗浄を行った後のウェハー表面の汚染状態を示す平面図である。図中、個々の点が個々の汚染物質を表している。
図９の（Ａ）および（Ｂ）を比較して分かるように、洗浄によりウェハー１０４上の汚染物質は全体として減少しているが、上述のように、洗浄液１１０がウェハー１０４のエッジ部には入射しないようにしているため、ウェハー１０４の周辺部（エッジ部）では汚染物質が充分には除去されず、高密度で残留している。
【０００７】
本発明はこのような問題を解決するためになされたもので、その目的は、半導体基板の周辺部においても確実に汚染物質を除去でき、しかも飛散阻止手段に付着した洗浄液の落下による再汚染を防止した半導体基板の洗浄装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明の半導体基板の洗浄装置は、半導体基板を保持して回転させる基板駆動手段と、前記半導体基板の表面に対して洗浄液を吐出させるノズルと、前記ノズルから吐出された前記洗浄液が前記半導体基板に入射する位置を変化させる洗浄位置設定手段とを含んで前記半導体基板の表面を洗浄する装置であって、前記半導体基板の周辺に設けられ、前記半導体基板の表面を洗浄する際に、前記洗浄液が周辺に飛散することを防止する飛散阻止手段と、前記ノズルからの前記洗浄液が前記半導体基板のエッジ近傍に吐出されるか否かを検出する洗浄位置検出手段と、前記洗浄位置検出手段による検出結果にもとづき、前記洗浄液が前記半導体基板のエッジ近傍に吐出されるとき、前記基板駆動手段を制御して前記半導体基板の回転速度を抑制する回転速度制御手段とを備え、前記ノズルから吐出された前記洗浄液の、半導体基板表面における基板直径方向の幅をＷとして、前記半導体基板のエッジ位置を中心とする、基板直径方向における少なくとも±Ｗ／２の範囲内に前記洗浄液の入射位置があるとき、前記回転速度制御手段は、前記半導体基板の回転速度を抑制すべく前記基板駆動手段を制御する。
【０００９】
また、本発明の半導体基板の洗浄装置は、半導体基板の表面に対して洗浄液を吐出させるノズルと、前記ノズルから吐出された前記洗浄液が前記半導体基板に入射する位置を変化させる洗浄位置設定手段とを含んで前記半導体基板の表面を洗浄する装置であって、前記半導体基板の周辺に設けられ、前記半導体基板の表面を洗浄する際に、前記洗浄液が周辺に飛散することを防止する飛散阻止手段と、前記ノズルから吐出される前記洗浄液の量を増減する吐出量調整手段と、前記ノズルからの前記洗浄液が前記半導体基板のエッジ近傍に吐出されるか否かを検出する洗浄位置検出手段と、前記洗浄位置検出手段による検出結果にもとづき、前記洗浄液が前記半導体基板のエッジ近傍に吐出されるとき、前記吐出量調整手段を制御して前記ノズルから吐出される前記洗浄液の量を抑制させる吐出量制御手段とを備え、前記ノズルから吐出された前記洗浄液の、半導体基板表面における基板直径方向の幅をＷとして、前記半導体基板のエッジ位置を中心とする、基板直径方向における少なくとも±Ｗ／２の範囲内に前記洗浄液の入射位置があるとき、前記吐出量制御手段は、前記ノズルから吐出される前記洗浄液の量を抑制すべく前記吐出量調整手段を制御する。
【００１０】
また、本発明の半導体基板の洗浄装置は、半導体基板の表面に対して洗浄液を吐出させるノズルと、前記ノズルから吐出された前記洗浄液が前記半導体基板に入射する位置を変化させる洗浄位置設定手段と、前記ノズルから吐出される前記洗浄液の方向を変化させる吐出方向調整手段とを含んで前記半導体基板の表面を洗浄する装置であって、前記半導体基板の周辺に設けられ、前記半導体基板の表面を洗浄する際に、前記洗浄液が周辺に飛散することを防止する飛散阻止手段と、前記ノズルからの前記洗浄液が前記半導体基板のエッジ近傍に吐出されるか否かを検出する洗浄位置検出手段と、前記洗浄位置検出手段による検出結果にもとづき、前記洗浄液が前記半導体基板の少なくともエッジ近傍に吐出されるとき、前記吐出方向調整手段を制御して前記ノズルから吐出される前記洗浄液の方向を前記半導体基板に対してほぼ直角に設定させる吐出方向制御手段とを備え、前記ノズルから吐出された前記洗浄液の、半導体基板表面における基板直径方向の幅をＷとして、前記半導体基板のエッジ位置を中心とする、基板直径方向における少なくとも±Ｗ／２の範囲内に前記洗浄液の入射位置があるとき、前記吐出方向制御手段は、前記ノズルから吐出される前記洗浄液の方向を前記半導体基板に対しほぼ直角に設定すべく前記吐出方向調整手段を制御する。
【００１１】
本発明の半導体基板の洗浄装置では、洗浄液の吐出位置が半導体基板のエッジ近傍であることを洗浄位置検出手段が検出したとき、回転速度制御手段は基板駆動手段を制御して半導体基板の回転速度を抑制する。したがって、洗浄液が半導体基板のエッジに入射しても洗浄液の飛散は少なく、洗浄液が、半導体基板周辺に設けた飛散阻止手段に付着することを抑えることができる。その結果、飛散阻止手段に付着した洗浄液の落下による再汚染を防止でき、かつ半導体基板の周辺部まで確実に洗浄することが可能となる。
【００１２】
また、本発明の半導体基板の洗浄装置では、洗浄液の吐出位置が半導体基板のエッジ近傍であることを洗浄位置検出手段が検出したとき、吐出量制御手段は吐出量調整手段を制御して、ノズルから吐出される洗浄液の量を抑制する。したがって、洗浄液が半導体基板のエッジに入射しても洗浄液の飛散は少なく、洗浄液が、半導体基板周辺に設けた飛散阻止手段に付着することを抑えることができる。その結果、飛散阻止手段に付着した洗浄液の落下による再汚染を防止でき、かつ半導体基板の周辺部まで確実に洗浄することが可能となる。
【００１３】
そして、本発明の半導体基板の洗浄装置では、洗浄液の吐出位置が半導体基板のエッジ近傍であることを洗浄位置検出手段が検出したとき、吐出方向制御手段は吐出方向調整手段を制御してノズルから吐出される洗浄液の方向を半導体基板に対してほぼ直角に設定する。したがって、洗浄液が半導体基板のエッジに入射しても洗浄液の飛散は少なく、洗浄液が、半導体基板周辺に設けた飛散阻止手段に付着することを抑えることができる。その結果、飛散阻止手段に付着した洗浄液の落下による再汚染を防止でき、かつ半導体基板の周辺部まで確実に洗浄することが可能となる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
次に本発明の実施の形態例について図面を参照して説明する。
図１は本発明による半導体基板の洗浄装置の一例を示す構成図である。図中、図７と同一の要素には同一の符号が付されている。
図１に示したように、本実施の形態例の半導体基板の洗浄装置２は、回転可能に支持されたテーブル１０２に連結されてテーブル１０２を回転駆動し、テーブル１０２とともに基板駆動手段を構成するモーター６と、平面視略円形のウェハー１０４の表面に対して洗浄液１１０を吐出させるノズル１０８と、ノズル１０８の位置を制御して、ノズル１０８から吐出された洗浄液１１０がウェハー１０４に入射する位置を変化させる洗浄位置設定手段１０とを含んでいる。
【００１５】
ノズル１０８は不図示の支持手段によって、ウェハー１０４の中心を通過してウェハー１０４を直線的に横断させるべくウェハー面に平行に移動可能に支持され、また揺動可能に支持されている。洗浄位置設定手段１０は、本実施の形態例では、ノズル駆動手段１２を含み、ノズル駆動手段１２は、ノズル１０８を駆動してウェハー１０４の直径方向に移動させる。
【００１６】
本実施の形態例では、半導体基板の洗浄装置２はさらに、洗浄位置検出手段１４および回転速度制御手段１６を備えている。
洗浄位置検出手段１４は、ノズル１０８からの洗浄液１１０がウェハー１０４のエッジ１０６近傍に吐出されるか否かを検出する。そして、回転速度制御手段１６は、洗浄位置検出手段１４による検出結果にもとづき、洗浄液１１０の、ウェハー１０４に対する入射位置がウェハー１０４のエッジ１０６近傍のとき、モーター６を制御してウェハー１０４の回転速度を抑制する。
【００１７】
次に、このように構成された半導体基板の洗浄装置２の動作について説明する。
モーター６はテーブル１０２を回転駆動し、テーブル１０２上に保持されたウェハー１０４はテーブル１０２とともに回転する。一方、洗浄位置設定手段１０のノズル駆動手段１２は、ノズル１０８を駆動してウェハー１０４の直径方向に移動させ、これによりノズル１０８は、ウェハー１０４の中心を通過しウェハー１０４を直線的に横断して移動し、ウェハー１０４のおおむね直径の範囲で往復運動を繰り返す。その結果、ノズル１０８から吐出された洗浄液１１０がウェハー１０４に入射する位置が変化し、ウェハー表面の全体が洗浄液１１０により洗浄される。
【００１８】
そして、本実施の形態例では、洗浄位置検出手段１４は、ノズル１０８からの洗浄液１１０がウェハー１０４のエッジ近傍に吐出されるか否かを、ノズル１０８の位置を検出することにより検出する。
回転速度制御手段１６は、この検出結果にもとづき、洗浄液１１０の入射位置がウェハー１０４のエッジ１０６近傍のとき、モーター６を制御してウェハー１０４の回転速度を抑制する。
たとえば、ウェハー表面における洗浄液１１０の、ウェハー直径方向における幅Ｗが１０ｍｍ以下の場合、ウェハー１０４のエッジ位置を中心とする、ウェハー直径方向における約±５ｍｍの範囲内に洗浄液１１０の入射位置があるとき、回転速度制御手段１６は、ウェハー１０４の回転速度を抑制すべくモーター６を制御する。なお、洗浄液１１０は上述のように幅をもって吐出されるが、ここで入射位置とは、洗浄液１１０がウェハー１０４の表面に当たっている箇所の中心Ｃをいう。
【００１９】
図２はウェハー１０４の回転速度の変化を示すグラフである。図中、横軸はウェハー１０４の中心からの距離を表し、縦軸は回転速度を表している。また、直線Ｂはノズル１０８の移動方向および移動経路を示している。ウェハーの半径が１００ｍｍの場合、回転速度制御手段１６による制御の結果、ウェハー１０４は、洗浄液１１０の入射位置が−９５ｍｍ〜９５ｍｍの範囲内にあるときは高速に回転し、９５ｍｍから１０５ｍｍ、および−９５〜−１０５ｍｍの範囲内あるときは、たとえば１／３程度の低速回転となる。
【００２０】
したがって、洗浄液１１０がウェハー１０４のエッジ１０６に入射しても洗浄液１１０の飛散は少なく、洗浄液１１０が、ウェハー１０４周辺に設けた覆い１１２に付着することを抑えることができる。その結果、覆い１１２に付着した洗浄液１１０の落下による再汚染を防止でき、かつウェハー１０４の周辺部まで確実に洗浄することが可能となる。
【００２１】
図３の（Ａ）は洗浄前のウェハー表面の汚染状態を示す平面図、（Ｂ）は実施の形態例による洗浄を行った後のウェハー表面の汚染状態を示す平面図である。
図中、個々の点が個々の汚染物質を表している。
図３の（Ａ）と（Ｂ）とを比較して分かるように、また、従来の洗浄方式の場合を示す図９の（Ｂ）と図３の（Ｂ）とを比較して分かるように、本実施の形態例による洗浄では、ウェハー１０４の周辺部（エッジ部）においても汚染物質が充分に除去されている。
【００２２】
なお、洗浄位置検出手段１４による洗浄位置の検出は、たとえば、ウェハー１０４のエッジ近傍にスイッチを設け、ノズル１０８がエッジ部に移動したとき、スイッチの可動部がノズル１０８に押圧されてスイッチがオン・オフするようにして実現したり、あるいは、光や音波がノズル１０８の移動により遮断さることを利用して実現することができる。また、光や音波を利用する場合には、ノズル１０８から吐出された洗浄液１１０により光や音波が遮られるようにして、たとえばウェハー表面に近い箇所で洗浄液１１０の吐出位置を検出することも可能である。
【００２３】
次に、本発明の第２の実施の形態例について説明する。
図４は本発明の第２の実施の形態例を示す構成図である。図中、図１と同一の要素には同一の符号が付されており、それらに関する説明はここでは省略する。
第２の実施の形態例の半導体基板の洗浄装置１８は、ノズル１０８から吐出される洗浄液１１０の量を増減する吐出量調整手段２０、および洗浄位置検出手段１４により、洗浄液１１０の吐出位置がウェハー１０４のエッジ１０６近傍であることを検出したとき、吐出量調整手段２０を制御してノズル１０８から吐出される洗浄液１１０の量を抑制させる吐出量制御手段２２を備えている。
【００２４】
この半導体基板の洗浄装置１８は次のように動作する。
モーター６はテーブル１０２を回転駆動し、テーブル１０２上に保持されたウェハー１０４はテーブル１０２とともに回転する。一方、洗浄位置設定手段１０のノズル駆動手段１２は、ノズル１０８を駆動してウェハー１０４の直径方向に移動させ、これによりノズル１０８は、ウェハー１０４の中心を通過しウェハー１０４を直線的に横断して移動し、往復運動を繰り返す。その結果、ノズル１０８から吐出された洗浄液１１０がウェハー１０４に入射する位置が変化し、ウェハー表面の全体が洗浄液１１０により洗浄される。
【００２５】
そして、洗浄位置検出手段１４は、ノズル１０８からの洗浄液１１０がウェハー１０４のエッジ近傍に吐出されるか否かを、ノズル１０８の位置を検出することにより検出する。
吐出量制御手段２２は、この検出結果にもとづき、洗浄液１１０の吐出位置がウェハー１０４のエッジ１０６近傍のとき、吐出量調整手段２０を制御してノズル１０８から吐出される洗浄液１１０の量を抑制する。
【００２６】
たとえば、ウェハー表面における洗浄液１１０の、ウェハー直径方向における幅Ｗが１０ｍｍ以下の場合、ウェハー１０４のエッジ位置を中心とする、ウェハー直径方向における約±５ｍｍの範囲内に洗浄液１１０の吐出位置があるとき、吐出量制御手段２２は吐出量を抑制すべく吐出量調整手段２０を制御する。
ウェハーの半径が１００ｍｍであるとすると、洗浄液１１０の吐出量は、ウェハーの中心を０として洗浄液１１０の吐出位置が−９５ｍｍ〜９５ｍｍの範囲内にあるときは通常の吐出量であり、洗浄液１１０の吐出位置が９５ｍｍから１０５ｍｍ、および−９５〜−１０５ｍｍの範囲内あるときは、たとえば１／３程度の吐出量となる。
【００２７】
したがって、洗浄液１１０がウェハー１０４のエッジ１０６に入射しても洗浄液１１０の飛散は少なく、洗浄液１１０が、ウェハー１０４周辺に設けた覆い１１２に付着することを抑えることができる。その結果、覆い１１２に付着した洗浄液１１０の落下による再汚染を防止でき、かつウェハー１０４の周辺部まで確実に洗浄することが可能となる。
【００２８】
次に、本発明の第３の実施の形態例について説明する。
図５は本発明の第３の実施の形態例を示す構成図である。図中、図１と同一の要素には同一の符号が付されており、それらに関する説明はここでは省略する。
本発明の半導体基板の洗浄装置２４は、ノズル１０８から吐出される洗浄液１１０の方向を変化させる吐出方向調整手段２６を含んでいる。この吐出方向調整手段２６により、ノズル１０８の揺動角が調整され、ウェハー１０４の表面状態などに応じて高い洗浄効果が得られるよう、ノズル１０８の姿勢は適切に傾斜させた状態に設定され、洗浄液１１０はウェハー表面に対して斜めから入射する。
【００２９】
半導体基板の洗浄装置２４は、さらに、洗浄位置検出手段１４により洗浄液１１０の入射位置がウェハー１０４のエッジ１０６近傍であることを検出したとき、吐出方向調整手段２６を制御してノズル１０８から吐出される洗浄液１１０の方向をウェハー１０４に対してほぼ直角に設定させる吐出方向制御手段２８を備えている。
【００３０】
本実施の形態例では、上記実施の形態例の場合と同様、回転するウェハー１０４に対し、直径方向に往復運動するノズル１０８から洗浄液１１０が吐出されるが、ノズル１０８は通常、洗浄効果を高めるべく、吐出方向調整手段２６により、姿勢が傾斜した状態に設定され、洗浄液１１０はウェハー表面に対し斜めに入射する。
【００３１】
そして、吐出方向制御手段２８は、洗浄位置検出手段１４により洗浄液１１０の入射位置がウェハー１０４のエッジ１０６近傍であることを検出したとき、吐出方向調整手段２６を制御してノズル１０８から吐出される洗浄液１１０の方向をウェハー１０４に対してほぼ直角に設定させ、洗浄液１１０をウェハー表面に対してほぼ直角に入射させる。
たとえば、ウェハー表面における洗浄液１１０の、ウェハー直径方向における幅Ｗが１０ｍｍ以下の場合、ウェハー１０４のエッジ位置を中心とする、ウェハー直径方向における約±５ｍｍの範囲内に洗浄液１１０の入射位置があるとき、吐出方向制御手段２８は上述のように洗浄液１１０を直角に入射させるべく吐出方向調整手段２６を通じてノズル１０８の姿勢を制御する。
【００３２】
図６は、洗浄液１１０がウェハー表面に対して直角に入射する場合の洗浄液１１０の飛散状態を矢印により示す部分拡大側面図である。図６と図８とを比較すると、エッジ１０６に入射した洗浄液１１０は、斜めに入射した場合（図８）は上方も含む広い範囲に飛散するが、直角に入射した場合（図６）は飛散しても主に下方に飛散する。
【００３３】
したがって、洗浄液１１０がウェハー１０４のエッジ１０６に入射しても洗浄液１１０の飛散は少なく、洗浄液１１０が、ウェハー１０４周辺に設けた覆い１１２に付着することを抑えることができる。その結果、覆い１１２に付着した洗浄液１１０の落下による再汚染を防止でき、かつウェハー１０４の周辺部まで確実に洗浄することが可能となる。
【００３４】
なお、第３の実施の形態例では、洗浄液１１０のウェハー１０４に対する入射位置は、たとえばノズル１０８の位置とともに、ノズル１０８の傾斜角を用いて正確に検出することができる。あるいは、上述のように、光や音波を用いて、ウェハー表面部で洗浄液１１０の位置を直接検出することも可能である。
【００３５】
上記実施の形態例では、いずれの場合も、ノズル１０８を移動させて洗浄位置を変化させるとしたが、ノズル１０８は固定として、ウェハー１０４側を移動させることで洗浄位置を変化させてもよく、その場合にも本発明は無論有効である。
また、上記実施の形態例では平面視略円形の半導体基板を回転させて洗浄を行うとしたが、半導体基板は円形に限らず、たとえば矩形であっても、洗浄位置が半導体基板のエッジ１０６近傍のとき、半導体基板の回転速度や、洗浄液１１０の吐出量を抑制したり、洗浄液１１０の入射方向を半導体基板に対してほぼ直角とすることで同様の効果を得ることができる。
【００３６】
さらに、第２および第３の実施の形態例では、ウェハー１０４を回転させつつ洗浄を行うとしたが、ウェハー１０４は静止させ、ノズル１０８のみを移動させて洗浄を行う場合にも、洗浄液１１０の入射位置が半導体基板のエッジ１０６近傍のとき吐出量を抑えたり、入射方向を制御することで洗浄液１１０の飛散を抑えることができ、このような場合にも本発明は有効である。
【００３７】
【発明の効果】
以上説明したように本発明の半導体基板の洗浄装置では、洗浄液の吐出位置が半導体基板のエッジ近傍であることを洗浄位置検出手段が検出したとき、回転速度制御手段は基板駆動手段を制御して半導体基板の回転速度を抑制する。したがって、洗浄液が半導体基板のエッジに入射しても洗浄液の飛散は少なく、洗浄液が、半導体基板周辺に設けた飛散阻止手段に付着することを抑えることができる。その結果、飛散阻止手段に付着した洗浄液の落下による再汚染を防止でき、かつ半導体基板の周辺部まで確実に洗浄することが可能となる。
【００３８】
また、本発明の半導体基板の洗浄装置では、洗浄液の吐出位置が半導体基板のエッジ近傍であることを洗浄位置検出手段が検出したとき、吐出量制御手段は吐出量調整手段を制御して、ノズルから吐出される洗浄液の量を抑制する。したがって、洗浄液が半導体基板のエッジに入射しても洗浄液の飛散は少なく、洗浄液が、半導体基板周辺に設けた飛散阻止手段に付着することを抑えることができる。その結果、飛散阻止手段に付着した洗浄液の落下による再汚染を防止でき、かつ半導体基板の周辺部まで確実に洗浄することが可能となる。
【００３９】
そして、本発明の半導体基板の洗浄装置では、洗浄液の吐出位置が半導体基板のエッジ近傍であることを洗浄位置検出手段が検出したとき、吐出方向制御手段は吐出方向調整手段を制御してノズルから吐出される洗浄液の方向を半導体基板に対してほぼ直角に設定する。したがって、洗浄液が半導体基板のエッジに入射しても洗浄液の飛散は少なく、洗浄液が、半導体基板周辺に設けた飛散阻止手段に付着することを抑えることができる。その結果、飛散阻止手段に付着した洗浄液の落下による再汚染を防止でき、かつ半導体基板の周辺部まで確実に洗浄することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による半導体基板の洗浄装置の一例を示す構成図である。
【図２】ウェハーの回転速度の変化を示すグラフである。
【図３】（Ａ）は洗浄前のウェハー表面の汚染状態を示す平面図、（Ｂ）は実施の形態例による洗浄を行った後のウェハー表面の汚染状態を示す平面図である。
【図４】本発明の第２の実施の形態例を示す構成図である。
【図５】本発明の第３の実施の形態例を示す構成図である。
【図６】洗浄液がウェハー表面に対して直角に入射する場合の洗浄液の飛散状態を示す部分拡大側面図である。
【図７】従来の枚葉式ウェハー洗浄装置の一例を示す要部断面側面図である。
【図８】洗浄液がウェハー表面に対して斜めに入射する場合の洗浄液の飛散状態を矢印により示す部分拡大側面図である。
【図９】（Ａ）は洗浄前のウェハー表面の汚染状態を示す平面図、（Ｂ）は従来の方式による洗浄を行った場合のウェハー表面の汚染状態を示す平面図である。
【符号の説明】
２……半導体基板の洗浄装置、６……モーター、１０……洗浄位置設定手段、１２……ノズル駆動手段、１４……洗浄位置検出手段、１６……回転速度制御手段、１８……半導体基板の洗浄装置、２０……吐出量調整手段、２２……吐出量制御手段、２４……半導体基板の洗浄装置、２６……吐出方向調整手段、２８……吐出方向制御手段、１０２……回転テーブル、１０４……半導体ウェハー（ウェハー）、１０６……エッジ、１０８……ノズル、１１０……洗浄液、１１２……覆い。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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