(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンタクタ基板と、この基板に形成された複数の導通部と、これらの導通部にそれぞれ接合された複数の梁部と、これらの梁部の先端部にそれぞれ形成された複数の接触端子部とを備え、上記各接触端子部と被検査体をそれぞれ接触させて上記被検査体の電気的特性検査を行うコンタクタの製造方法であって、上記コンタクタ基板とは別に上記梁部及び上記接触端子部を作製する工程を有し、この工程は、シリコン基板の表面に段階的に偏倚して深くなる凹陥部を形成する工程と、上記凹陥部の表面に上記梁部に対応するパターンでシリコン層を形成する工程と、上記シリコン層の最深部の先端側に上記接触端子部の型部を形成する工程と、上記シリコン層及び型部に上記梁部及び上記接触端子部をそれぞれ同時に成膜する工程とを有することを特徴とするコンタクタの製造方法。
【請求項２】
上記凹陥部を形成する工程では上記シリコン基板に対して複数回の成膜処理及びエッチング処理を行うことを特徴とする請求項１に記載のコンタクタの製造方法。
【請求項３】
上記シリコン層はホウ素をドーピングすることによって形成することを特徴とする請求項１または請求項２に記載のコンタクタの製造方法。
【請求項４】
上記梁部の基端部近傍を上記コンタクタ基板の導通部に接触させると共に上記梁部の基端部を上記コンタクタ基板に接合する工程を有することを特徴とする請求項１〜請求項３もいずれか１項に記載のコンタクタの製造方法。
【請求項５】
上記接合は陽極接合であることを特徴とする請求項４に記載のコンタクタの製造方法。
【請求項６】
上記コンタクタを複数同時に作製することを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載のコンタクタの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、被検査体の電気的特性検査を行う際に用いられるコンタクタの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
被検査体、例えば半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」と称す。）に多数形成されたメモリデバイスやロジックデバイス等のＩＣチップの電気的特性検査を行う場合にはコンタクタを有するプローブカードが用いられる。このプローブカードは検査時にコンタクタがウエハの電極用パッドと接触した時にテスタとＩＣチップ間で検査用信号の授受を中継する役割を果たしている。このプローブカードは、コンタクタとして例えば複数のタングステンからなるプローブ針を有し、各プローブ針と各電極パッドとをそれぞれ電気的に接触させてＩＣチップの検査を行うようにしている。
【０００３】
ところで最近、ＩＣチップの超高集積化に伴って電極パッド数が急激に増加し、電極パッドが益々縮小化すると共に狭ピッチ化している。タングステン針を用いたプローブカードは、針を手作業で製造しているため、プローブカードのコストはピン数に比例して高くなり納期は長くなる傾向にある。一方、検査コストの削減要求も厳しく、この要求に応えるべく複数のＩＣチップを同時に測定することができるマルチチップ用コンタクタも市販されている。例えば、ロジックデバイスではパッド数が２０００を超えるものもあり、しかもメモリデバイスでは同測数で３２マルチから６４マルチの要求もある。このようなことからコンタクタのピン数は今後５０００ピンを超えることも予測される。しかも、パットサイズの縮小に伴ってプローブカードの製造が益々難しくなってきている。
【０００４】
また、タングステン針を用いたプローブカードの場合には、適正な針圧を得るためには針のヤング率や組立等を考慮すると、針の長さを短くするにも限度がある。このように針の短縮化にも限界があることから今後高速デバイスの高周波特性に針の長さが影響し、期待するテスト結果が得られなくなる虞がある。
【０００５】
そこで、フォトリソグラフィ、エッチング及びスパッタリングやメッキ等の成膜等の技術を用いたコンタクタが開発されつつある。このコンタクタは、例えば、ピラミッド型の先端接触端子と、先端接触端子を先端部で支持する梁部と、梁部の基端部を支持するポストと、ポストを介して接続された基板とを備え、タングステン針の持つ問題点を解消している。この場合、プローブ自体はポストに固定されたカンチレバータイプとして形成する。そして、プローブを構成する先端接触端子、梁部及びポストはそれぞれ別々のプロセスで形成され、引き続き、先端接触端子と梁部、梁部とポスト、ポストと基板がいずれもろう材を用いて転写等の手段により接合されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のコンタクタの場合には、前述の先端接触端子、梁部及びポストを別々のプロセスで形成した後、これらを互いに接続して一体化するため、接続箇所での不良率が発生し易く、歩留りに影響するという課題があった。また、複数箇所で接続するため、それぞれの接続部に用いられるろう材の融点を適宜変える必要があるなどの制約条件が多いという課題があった。
【０００７】
例えば、特開平８−５０１４６号公報では先端接触端子を有する梁部（プローブ）の下部に溝を堀り、この溝を座屈スペースとして利用するコンタクタが提案され、また、特開平１１−１３３０６２号公報ではプローブである先端接触端子を有する梁部（リード部）の座屈スペースを確保するためにポスト（保持部）を設け、このポスト上に梁部を接続した構造のプローブカードが提案されている。しかしながら、前者の場合には先端接触端子がシリコン核とこれを被覆する複数の導電膜層からなり、梁部は先端接触端子の導電膜層と同時に形成できるものの、先端接触端子と梁部の形成には複数のプロセスが必要になる。しかも梁部と基板は更に別のリード線を介して接続されているため、接続箇所が増えて接続部の接触抵抗が大きくなる。また、後者の場合にはポストを有するため、上述のように梁部とは別にポストを形成するプロセスが必要になり、また、梁部はポストを介して基板に転写しているため、接続部の接触抵抗が大きくなる。
【０００８】
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、先端接触端子と梁部を作製するプロセスを簡素化することで構造的に信頼性が向上すると共に高周波特性を高め、信頼性の高い検査を行うことができるコンタクタの製造方法を提供することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項１に記載のコンタクタの製造方法は、コンタクタ基板と、この基板に形成された複数の導通部と、これらの導通部に基端部がそれぞれ接合された複数の梁部と、これらの梁部の先端部にそれぞれ形成された複数の接触端子部とを備え、上記各接触端子部と被検査体をそれぞれ接触させて上記被検査体の電気的特性検査を行うコンタクタの製造方法であって、上記コンタクタ基板とは別に上記梁部及び上記接触端子部を作製する工程を有し、この工程は、シリコン基板の表面に段階的に偏倚して深くなる凹陥部を形成する工程と、上記凹陥部の表面に上記梁部に対応するパターンでシリコン層を形成する工程と、上記シリコン層の最深部の先端側に上記接触端子部の型部を形成する工程と、上記シリコン層及び型部に上記梁部及び上記接触端子部をそれぞれ同時に成膜する工程とを有するものである。
【００１５】
また、本発明の請求項２に記載のコンタクタの製造方法は、請求項１に記載の発明において、上記凹陥部を形成する工程では上記シリコン基板に対して複数回の成膜処理及びエッチング処理を行うことを特徴とするものである。
【００１６】
また、本発明の請求項３に記載のコンタクタの製造方法は、請求項１または請求項２に記載の発明において、上記シリコン層はホウ素をドーピングすることによって形成することを特徴とするものである。
【００１７】
また、本発明の請求項４に記載のコンタクタの製造方法は、請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の発明において、上記梁部の基端部近傍を上記コンタクタ基板の導通部に接触させると共に上記梁部の基端部を上記コンタクタ基板に接合する工程を有することを特徴とするものである。
【００１８】
また、本発明の請求項５に記載のコンタクタの製造方法は、請求項４に記載の発明において、上記接合は陽極接合であることを特徴とするものである。
【００１９】
また、本発明の請求項６に記載のコンタクタの製造方法は、請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の発明において、上記コンタクタを複数同時に作製することを特徴とするものである。
【００２３】
【発明の実施の形態】
以下、図１〜図１０に示す実施形態に基づいて本発明を説明する。
本実施形態のコンタクタ１０は、例えば図１に示すように、例えばガラス等からなるコンタクタ基板１１と、このコンタクタ基板１１を所定の配列で上下に貫通する、アルミニウム、ニッケル、銅等の導電性金属からなる複数の導通部１２と、コンタクタ基板１１の下面側からこれらの導通部１２に隣接してコンタクタ基板１１と接合したシリコン層１３Ａの基端部１３Ｂを有すると共に基端部近傍はそれぞれ導通部１２と接触するニッケル等のバネ性のある導電性金属からなる複数の梁部１３と、これらの梁部１３の先端部にそれぞれ表面がチタン等の金属からなる複数の四角錐状の接触端子部（バンプ）１４とを備え、各バンプ１４とウエハ（図示せず）がそれぞれ接触してウエハの電気的特性検査を行うようになっている。上記梁部１３を形成する導電性金属としては、ニッケルの他、銅、チタン、パラジウム、白金、金及びタングステンの中から適宜選択されるいずれ一つの金属、その合金またはその金属化合物が用いられる。また、バンプ１４を硬度の高い導電性金属としては、チタン、タングステンまたはその化合物が用いられる。即ち、本実施形態における梁部１３はシリコン層１３Ａを下層として有し、二段階に渡って下方へ折曲形成され、シリコン層１３Ａの基端部１３Ｂがコンタクタ基板１１の導通部１２近傍に陽極接合されたカンチレバータイプのプローブとして形成されている。そのため、検査時にバンプ１４がウエハの電極パッド（図示せず）と接触すると、梁部１３が弾性変形してバンプ１４に針圧を付与すると共に電極パッド間の高低差を吸収する。バンプ１４の針圧や電極間の高低差によって梁部１３の段差を適宜調整することができる。
【００２４】
而して、本実施形態のプローブカード２０は、図１に示すように、カード基板２１と、カード基板２１にコンタクタ１０のプローブに対応して形成された導通部２２と、導通部２２の上端に接続された金、銅、ニッケル等の導電性金属からなる配線２３と、カード基板２１の下面に接続されたコンタクタ１０とを備えている。コンタクタ１０は断面形状が略Ω字状を呈する接続用電極１６を介してカード基板２１の導通部２２に接続されている。この接続用電極１６は例えばニッケル、ニッケル合金等のバネ性を有する金属によって形成されている。また、コンタクタ基板１１とカード基板２１間には例えばシリコン樹脂等の耐熱性樹脂からなる弾性フィルム２４が介在している。この弾性フィルム２４の厚さと接続用電極１６のコンタクタ基板２１からの高さが実質的に同一に形成されている。図２はコンタクタ基板１１とカード基板２１の接続部（図１の○で囲んだ部分）を拡大して示した図である。同図に示すように、接続用電極１６の一方の脚部１６Ａがコンタクタ１０の導通部１２に接続され、その突出面１６Ｂがカード基板２１の導通部２２に接続され、他方の脚部１６Ｃは自由端になっており、コンタクタ基板１１及びカード基板２１がそれぞれ熱膨張し、接続用電極１６にせん断応力が作用しても接続用電極１６の脚部１６Ｃが図２の矢印方向で示すように左右方向で摺動して熱膨張によるコンタクタ基板１１とカード基板２１のずれを吸収するようになっている。尚、図２において、１７は接続用電極１６の自由端の動きを規制するポリイミド樹脂からなる規制部材である。また、コンタクタ基板１１とカード基板２１がそれぞれ熱膨張率の近い材料によって形成されている場合には、接続用電極１６は両基板１１、２１間のずれを供給する構造でなくても良い。
【００２５】
次に、本実施形態のプローブカードの動作について図３を参照しながら説明する。プローブ装置にプローブカードを装着した後、ウエハＷがウエハチャック（図示せず）を介してプローブカード２０の真下まで移動すると、図示しない位置決め機構が駆動してプローブ１５のバンプ１４とウエハＷの電極パッドＰとの位置合わせを行う。位置合わせ終了後、ウエハチャックが上昇し、ウエハＷのパッドＰとバンプ１４が接触し、引き続きウエハチャックがオーバードライブしてウエハＷは梁部１３のバネ力に抗して図３の一点鎖線及び細線に示すように上昇すると、電極パッドＰとバンプ１４が電気的に接触する。この際、複数の電極パッドＰ間に高低差があってもプローブ１５のバンプ１４が段階的にコンタクタ基板１１から離間しているため、梁部１３が弾性変形して電極パッドＰ間の高低差を吸収し、バンプ１４と電極パッドＰが確実に電気的に接触する。この状態でテスタ側から検査用の信号を出力すると、配線２３からプローブカード２０へ信号が入力する。この入力信号は導通部２２、接続用電極１６、導通部１２及びプローブ１５を経由して電極パッドＰからＩＣチップ内へ入力する。ＩＣチップ内の配線を経由した信号は電極パッドＰから出力し、他のプローブ１５、導通部１２接続用電極１６及び導通部２２を経由して配線２３からテスタ側へ出力し、所定の電気的検査を確実に行うことができる。コンタクタ１０とカード基板２１間には接続用電極１６及び弾性フィルム２４が介在しているため、高温下での検査を行ってもこれら両者１６、２４によってコンタクタ基板１１及びカード基板２１の熱膨張によるずれを吸収することができる。
【００２６】
次に、本発明のコンタクタの製造方法の一実施形態について説明する。本実施形態ではコンタクタ１０の一部を図示して説明する。コンタクタ１０の製造工程は、大きく分けてプローブ１５を製造する工程とコンタクタ基板１１を製造する工程とがあり、いずれも成膜プロセスを用いている。始めにプローブ１５を製造する工程について説明し、次いで、コンタクタ基板１１を製造する工程について説明する。尚、以下ではコンタクタの一部を拡大して製造プロセスを説明する。
【００２７】
まず図４〜図７を参照しながらプローブ１５の作製工程について説明する。この工程ではプローブ１５を製造するためのシリコン基板を準備し、このシリコン基板に成膜プロセスを用いてプローブ１５を作り込む。即ち、シリコン基板１００の表面にフォトレジストを塗布してフォトレジスト膜を形成した後、このフォトレジスト膜を露光、現像処理して矩形状の開口部をフォトレジスト膜に明ける。引き続き、エッチング液（例えば、フッ酸と４０％フッ化アンモニウム水溶液を１：６の配合比で混合した緩衝フッ酸）を用いてフォトレジスト膜の開口部からシリコン基板１００をエッチングし、図４の（ａ）、（ｂ）に示すように第１凹陥部１０１を金属膜厚分（例えば１０μｍ）の深さで形成した後、フォトレジスト膜を除去する。更に、同図に示すように同一の第１凹陥部１０１の左側に偏倚させた第２凹陥部１０２を例えば８０μｍの深さで形成した後、更に、同一の手法により第２凹陥部１０２の左側に偏倚させた第３凹陥部１０３を例えば１５０μｍの深さ（第２凹陥部からは７０μｍの深さ）で形成する。これにより段差のある第１、第２、第３凹陥部１０１、１０２、１０３が順次形成される。また、第２、第３凹陥部１０２、１０３のテーパ面の上端から下端までの水平距離はそれぞれ例えば３５μｍになる。
【００２８】
第１、第２、第３凹陥部１０１、１０２、１０３が形成された後、シリコン基板１００の表面を水蒸気を用いた熱酸化を施してシリコン基板１００の表面に熱酸化膜を形成し、この熱酸化膜の表面にフォトレジストを塗布してフォトレジスト膜を形成し、このフォトレジスト膜を露光、現像処理してコンタクタ１０の梁部１３の配列パターンに即した開口部をフォトレジスト膜に明ける。次いで、エッチング液（例えば、緩衝フッ酸）を用いて開口部から熱酸化膜をエッチバックにより除去すると、図５の（ａ）、（ｂ）に示すように梁部１３のパターンに即して熱酸化膜が除去され、開口部以外の部分にはそのまま熱酸化膜１０９が残る。梁部１３の幅は例えば８０μｍである。次いで、フォトレジスト膜を除去した後、従来公知の方法によりシリコン基板１００の表面にホウ素をドーピングすると、図５の（ａ）、（ｂ）に示すように梁部１３の配列パターンに即して第１、第２、第３凹陥部１０１、１０２、１０３で開口したシリコン基板内及び梁部１３の基端部となるシリコン層１３Ａ内にホウ素が拡散したシリコン層１０４を形成し、その他の部分では熱酸化膜１０９によってホウ素のシリコン基板１００内への拡散を防止する。
【００２９】
引き続き、従来公知のＣＶＤ法によりシリコン基板１００の表面にシリコン酸化膜（図示せず）を積層した後、その表面にフォトレジストを塗布してフォトレジスト膜を形成し、このフォトレジスト膜を露光、現像処理してバンプ１４の配列パターンに即した開口部を第３凹陥部１０３内のフォトレジスト膜に形成する。エッチング液（例えば、緩衝フッ酸）を用いて開口部のシリコン酸化膜をエッチバックにより除去した後、フォトレジスト膜を除去する。そして、水酸化カリウム水溶液を用いて開口部からシリコン層の異方性エッチングを行ってバンプ１４の型１０５を逆四角錐状に形成した後、緩衝フッ酸を用いてシリコン酸化膜を除去すると、図６の（ａ）、（ｂ）に示すように梁部１３の配列パターンに即したシリコン層１０４を露出すると共にバンプ１４の配列パターンに即した型１０５を形成する。尚、図６の（ａ）ではシリコン層１０４を斜線で示してある。
【００３０】
次いで、シリコン基板１００の表面にフォトレジストを塗布してフォトレジスト膜を形成し、このフォトレジスト膜を露光、現像処理してフォトレジスト膜の型１０５及び図６の（ａ）のシリコン層１０４の斜線で示した部分の中で第２、第３凹陥部１０２、１０３に該当する部分を開口した後、シリコン基板１００表面全面にスパッタリングにより炭化チタン膜１０６を成膜する。次いで、プローブ１５に対応する部分の炭化チタン膜１０６を残し、他の部分の炭化チタン膜１０６をリフトオフによりフォトレジスト膜と一緒に除去する。引き続き、図７の（ａ）に示すように残余の熱酸化膜１０９を除去した後、シリコン基板１００の表面にフォトレジストを塗布してフォトレジスト膜を形成し、このフォトレジスト膜を露光、現像処理によりプローブ１５に相当する部分を開口した上で、靭性のある金属（例えば、ニッケル）１０７をスパッタリングし、シリコン基板１００の表面全面をニッケル成膜する。そして、リフトオフによりフォトレジスト膜とその上のニッケル膜を一緒に除去すると図７の（ｂ）に示すようにプローブ１５としての梁部１３及びバンプ１４がシリコン基板１００の表面に形成される。バンプ１４の一辺の長さは例えば５０μｍの大きさに形成される。以上に説明した一連のプロセスによりシリコン基板１００の表面に梁部１３及びバンプ１４が所定の配列パターンで複数同時に一体的に形成されたことになる。従って、梁部１３とバンプ１４はニッケル金属によって一体的に形成され、従来のように梁部１３とバンプ１４間に異種金属が介在しないため、プローブ１５の電気的特性、特に高周波特性が格段に向上する。バンプ１４の表面が結晶構造の緻密な炭化チタン膜で被覆されているため、検査時に電極パッドに起因する金属酸化物等のゴミが付着し難い。尚、図７の（ｂ）では炭化チタン膜は図示してない。
【００３１】
次に、図８及び図９を参照しながらコンタクト基板１１の製造工程について説明する。この工程ではコンタクタ基板１１としてガラス基板を準備し、このコンタクタ基板１１に導通部１２を形成する。それにはまず、図８の（ａ）に示すようにニッケルをコンタクタ基板１１の表面にスパッタリングしてニッケル膜からなるシード層１１Ａを形成した後、フォトレジストを塗布してフォトレジスト膜１１Ｂを形成し、このフォトレジスト膜１１Ｂを露光、現像して導通部１２を配置する部分のフォトレジスト膜１１Ｂを残し、他の部分のフォトレジスト膜１１Ｂを除去すると同図の（ｂ）に示すように他の部分ではシード層１１Ａが露出する。次いで、同図の（ｃ）に示すようにシード層１１Ａを電極として利用して電解メッキによりシード層１１Ａ上にニッケルメッキ層１１Ｃを成膜する。
【００３２】
次いで、図８の（ｄ）に示すように剥離液（例えば、硫酸水溶液、過酸化水素水等）でフォトレジスト膜を除去した後、同図の（ｅ）に示すように反応性イオンエッチングによりシード層１１Ａが露出した部分のシード層１１Ａ及びその下層のパイレックスガラスを除去して断面形状が順テーパ状を呈するスルーホール１１Ｄを明ける。そして、同図の（ｆ）に示すようにニッケルメッキ層１１Ｃをエッチング液（例えば、王水等）により除去した後、同図の（ｇ）に示すようにコンタクタ基板１１の裏面に適宜の金属プレート１１Ｅを貼り合わせて小さい方の開口を閉じる。この金属プレート１１Ｅを電極とした電解メッキを施して同図の（ｈ）に示すようにコンタクト基板１１の表面側からニッケル金属をスルーホール１１Ｄ内に充填し、導通部１２を形成する。その後、金属プレート１１Ｅをコンタクト基板１１から剥離する。
【００３３】
次いで、コンタクト基板１１の金属プレート１１Ｅを剥離した面に成膜処理を施してΩ状の接続用電極１６を導通部１２に接続する。それにはまず、図９の（ａ）に示すようにネガフォトレジストを塗布してネガフォトレジスト膜１１Ｆを形成し、このネガフォトレジスト膜１１Ｆを露光、現像処理して接続用電極１６を突出させるためのネガフォトレジスト膜１１Ｆを残した後、同図の（ｂ）に示すようにポジフォトレジストを塗布してポジフォトレジスト膜１１Ｇを形成し、このポジフォトレジスト膜１１Ｇを露光、現像処理して接続用電極１６の脚部１６Ａ、１６Ｃを形成する部分のみを開口する。次いで、同図の（ｃ）に示すようにフォトレジスト膜１１Ｆ、１１Ｇが形成された面全面にスパッタリングによりニッケルのシード層をした後、電解メッキによりシード層（図示せず）上にニッケルメッキ層１１Ｈを積層する。引き続き同図の（ｄ）に示すようにポジフォトレジスト膜１１Ｇをリフトオフによりコンタクタ基板１１から剥離すると、ポジフォトレジスト膜１１Ｇと一緒にその上のニッケルメッキ層１１Ｈが剥離し、ネガフォトレジスト膜１１Ｆと接続用電極１６に相当する部分のニッケルメッキ層１１Ｈだけが残る。そして、同図の（ｅ）に示すように例えばポリイミド樹脂を接続用電極１６が形成された面全面に塗布してポリイミド層１１Ｉを形成し、その上にフォトレジスト膜を塗布してフォトレジスト膜（図示せず）を形成し、このフォトレジスト膜を露光、現像処理して接続用電極１６の自由端（導通部１２と反対側の脚部１６Ｃ）の動きを規制する規制部材１７に相当する部分のフォトレジスト膜のみを残し、他のフォトレジスト膜を除去する。これにより同図の（ｆ）に示すようにポリイミド層１１Ｉからなる規制部材１７を形成する。最後に接続用電極１６の突出面１６Ｂを形成するためのネガフォトレジスト膜１１Ｆを除去すると、同図に（ｇ）に示すようにコンタクタ基板１１の表面に接続用電極１６及び規制部材１７が同時に形成される。
【００３４】
次に、シリコン基板１００上のプローブ１５とコンタクタ基板１１の導通部１２とを陽極接合する。それには、シリコン基板１００のプローブ１５側の面とコンタクタ基板１１の接続用電極１６とは反対側の面を対峙させる。そして、図１０の（ａ）に示すように梁部１３の基端部と導通部１２の位置合わせを行った後、梁部１３の基端部１３Ｂとコンタクタ基板１１間を陽極接合し、シリコン基板１００をコンタクタ基板１１から引き離すと、シリコン層１３Ａの基端部１３Ｂがコンタクタ基板１１と陽極接合しているため、梁部１３及びバンプ１４がシリコン層１０４部と一緒にシリコン基板１００から剥離し、コンタクタ基板１１と梁部１３及びバンプ１４からなるプローブが一体化してコンタクタ１０が形成される。従って、コンタクタ基板１１の導通部１２とプローブ１５の接合部はニッケル金属で一体化し、従来のように梁部１３とバンプ１４間に異種金属が介在しないため、コンタクタ１０の接続信頼性が格段に向上する。コンタクタ１０とカード基板２１も陽極接合によってコンタクタ１０接続用電極１６の突出面１６Ｂとカード基板２１の導通部２２とを陽極接合するとプローブカード２０を形成する。プローブカード２０の製造時には例えばカード基板２１に弾性フィルム２４を所定のパターン、所定の膜厚で形成した後、コンタクタ１０とカード基板２１を陽極接合する。これによりカード基板２１の導通部２２とコンタクタ１０の接続部に異種金属が介在しないため、プローブカード２０の電気的特性、特に高周波特性が格段に向上し、高周波帯域の測定を確実に行うことができる。
【００３５】
以上説明したように本実施形態によれば、梁部１３はコンタクタ基板１１から段階的に離間しながらコンタクタ基板１１に沿って延設され、且つ、バンプ１４は成膜プロセスにより梁部１３と一体に形成されているため、梁部１３とバンプ１４間の接触抵抗、エレクトロマイグレーション等の影響を受けることがなく、機械的に安定で高周波特性に優れ、高周波帯域の測定を行うことができ、しかも、梁部１３の長さを適宜調節することで低針圧化に対応することができ、また、金、アルミニウム、銅、半田バンプ等の種々の電極パッドＰを損傷させることなく安定且つ低接触抵抗で接触させることができる。また、梁部１３の段差を適宜調整することでオーバードライブ量を適宜調整することができる。更に、梁部１３及びバンプ１４が成膜プロセスにより形成されているため、微細なプローブパターンであっても高精度に作製することができ、しかもプローブ１５の材料として高剛性で比抵抗の低い金属、例えばニッケル、銅、チタン及びタングステンあるいはそれらの合金を適宜選択することができ、更に梁部１３とバンプ１４を接続する必要がなく、接続不良による歩留りの低下を防止することができ、ろう材を選択する等の制限事項から解放される。また、バンプ１４の表面を耐摩耗性に優れた金属、例えば炭化チタン膜によって被覆してあるため、プローブ１５の寿命を長くすることができ、しかも結晶構造が緻密なため、ゴミ等の不純物の付着を防止することができる。更に、本実施形態によれば、コンタクタ１０とカード基板２１を接続する接続用電極１６が緩衝性を有するため、コンタクタ基板１１とカード基板２１の熱膨張率が相違していても接続用電極１６によってコンタクタ基板１１とカード基板２１間の寸法のずれを吸収することができ、高温下での測定を確実に行うことができる。コンタクタ基板１１とカード基板２１は熱膨張率の近い材料を用いることが好ましいことは云うまでもない。
【００３６】
また、本実施形態によれば、上記コンタクタ１０の梁部１３及びバンプ１４を作製する際に、シリコン基板１００の表面に３段階で片方に偏倚して深くなる第１、第２、第３凹陥部１０１、１０２、１０３をエッチングにより形成した後、第１、第２、第３凹陥部１０１、１０２、１０３の表面に梁部１３に対応するパターンでシリコン層１０４を形成し、このシリコン層１０４の最深部の先端側にバンプ１４の型１０５を形成し、更にシリコン層１０４及び型１０５に梁部１３及びバンプ１４をそれぞれ同時に成膜するようにしたため、１回の成膜工程で段階的にコンタクタ基板１１から遠ざかる梁部１３を形成すると共に梁部１３の先端にバンプ１４を一体化させたプローブ１５を同時に複数個作製することができる。
【００３７】
また、本実施形態によれば、梁部１３の基端部１３Ｂをコンタクタ基板１１の導通部１２近傍に陽極接合したため、梁部１３と導通部１２が同一金属によって一体化し、コンタクタ１０の機械的信頼性及び高周波特性を高め、高周波帯域の測定を行うことができる。また、本実施形態によれば、接続用電極１６は成膜プロセスによって形成されているため、接続用電極が微細化しても確実に接続用電極１６を製作することができる。
【００３８】
尚、本発明は上記実施形態に何等制限されるものではない。例えば、上記実施形態では一つのコンタクタを製造する場合について説明したが、複数のコンタクタを同時に製造することができる。また、上記実施形態では一つのコンタクタを有するプローブカードについて説明したが、プローブカードとしては一つのカード基板に複数のコンタクタを配列してＩＣチップの同測数を増加させたり、ウエハの全ＩＣチップに対して一括接触させるようにしても良い。要は、プローブを構成する梁部がコンタクタ基板から段階的に離間しながらコンタクタ基板に沿って延設され、且つ、接触端子部が梁部と一体に成膜プロセスによって形成されたものであれば、本発明に包含される。
【００３９】
【発明の効果】
本発明によれば、先端接触端子と梁部を作製するプロセスを簡素化すると共に高周波特性を高め、信頼性の高い検査を行うことができるコンタクタの製造方法を提供することを目的としている。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のプローブカードの一実施形態の概念的に示す断面図である。
【図２】図１に示すプローブカードのコンタクタとカード基板の接続部を拡大して示す断面図である。
【図３】図１に示すプローブカードの動作説明図である。
【図４】シリコン基板にプローブを作製するための第１、第２、第３凹陥部を形成した状態を示す図で、（ａ）はその平面図、（ｂ）はその断面図である。
【図５】シリコン基板の第１、第２、第３凹陥部にプローブの剥離層を形成した状態を示す図で、（ａ）はその平面図、（ｂ）はその断面図である。
【図６】図５に示すシリコン基板の第３凹陥部にバンプ用の型を形成した状態を示す図で、（ａ）はその平面図、（ｂ）はその断面図である。
【図７】図６に示すシリコン基板のシリコン層にプローブを形成する状態を示す図で、（ａ）はシリコン層に炭化チタン膜を成膜した状態を示す断面図、（ｂ）は炭化チタン膜にニッケル膜を成膜した状態を示す断面図である。
【図８】（ａ）〜（ｈ）はそれぞれカード基板に導通部を形成する工程を概念的に示す断面図である。
【図９】（ａ）〜（ｇ）はそれぞれ図８に示すカード基板に接続用電極を形成する工程を概念的に示す断面図である。
【図１０】（ａ）はシリコン基板に形成されたプローブとカード基板の導通部を接合する状態を示す断面図、（ｂ）は（ａ）に示す状態からシリコン基板を取り外した状態を示す断面図である。
【符号の説明】
１０ コンタクタ
１１ コンタクタ基板
１２ 導通部
１３ 梁部
１４ バンプ（接触端子部）
１５ プローブ
１６ 接続用電極
２０ プローブカード
２１ カード基板
２２ 導通部
１００ シリコン基板
１０１ 第１凹陥部
１０２ 第２凹陥部
１０３ 第３凹陥部
１０４ シリコン層
１０５ 型
１０９ 酸化膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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