(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
メンブレン（２０）を有し、前記メンブレンの領域が、流体測定用の配線部（２１、２２）が配設された配線形成領域と前記配線部が配設されていない空き領域とに分かれている薄膜構造センサにおいて、
前記空き領域には、前記メンブレンの強度を補強するためのダミーパターン（４０）が形成されており、
前記ダミーパターンは、前記流体の流れの方向とは直交する方向に前記メンブレンを跨いでおり、
前記ダミーパターンの両端が前記流体の流れの方向とは直交する方向に位置する前記メンブレンの外周縁部に跨るように配置されており、
前記ダミーパターンにおいて、前記メンブレンの外周縁部に跨る両端はその間に位置する部位よりも太くなっていることを特徴とする薄膜構造センサ。
【請求項２】
前記ダミーパターン（４０）は前記配線部（２１、２２）とは切り離されて配置されていることを特徴とする請求項１に記載の薄膜構造センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、メンブレンを有する薄膜構造センサに関し、特に、フローセンサやガスセンサ等といった流体を測定するセンサに用いて好適である。
【背景技術】
【０００２】
薄膜構造センサは、半導体基板等の基板に薄膜部としてのメンブレンを形成し、このメンブレンにセンシング部を形成するとともに、メンブレンによる熱絶縁性確保や熱容量低減を実現することで、センサ特性の向上を図っている。このような薄膜構造センサは、例えば、フローセンサやガスセンサ等に適用されている。
【０００３】
例えば、従来の薄膜構造センサとしてのフローセンサを斜視図を図１７に示す。図１７に示すように、基板１０の表面に導体膜が絶縁膜で挟まれてなる薄膜層が形成され、基板１０の裏面側から薄膜層を残して空洞部１１が形成され、空洞部１１上の薄膜層によりメンブレン２０が構成されている。
【０００４】
メンブレン２０においては、導体膜からなるヒータ２１が形成されており、このヒータ２１に対して、図１７中の白抜き矢印で示される流体の流れの上流側に導体膜で構成された測温体２２が形成されている。
【０００５】
また、測温体２２の上流側の基板１０上には、導体膜で構成された流体温度計２３が形成されている。また、基板１０上には、ヒータ２１、測温体２２、及び流体温度計２３の各々と電気的に接続されたリード部２４が形成されている。
【０００６】
このようなフローセンサでは、流体温度計２３から得られる流体温度よりも高い温度になるようにヒータ２１を駆動する。そして、流体がメンブレン２０上を流れることにより、測温体２２の温度が変化し、この測温体２２と流体温度計２３との温度差から流体の流量等が検出される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、上記薄膜構造センサにおいては、測定環境中のダスト等の異物が衝突した際に、メンブレンが破壊することが問題となっている。このような問題に対して、従来では、メンブレンの膜厚を全体的に厚くしたり、メンブレンサイズ（面積）を小さくすることで、ダスト衝突によるメンブレン破損を予防する等の対策を施している。
【０００８】
しかしながら、このような対策では、メンブレン特性の低下すなわちメンブレンにおける熱絶縁性の悪化や熱容量の増加を招き、センサの応答性や感度が低下してしまうという問題がある。そのため、メンブレン膜厚やサイズの変更には限界がある。
【０００９】
一方、特許第２６３３１２４号明細書に記載されているように、静的圧力負荷によりメンブレン（ダイアフラム）が非対称的に変形するのを防止するため、メンブレン補強用の補強部としての薄膜パターンを、メンブレンの外周部にてメンブレンの輪郭を跨ぐように対称的に配置することが行われている。
【００１０】
この方法では、メンブレンの全体ではなく周縁部に補強部を設けた構成であるため、メンブレンによる熱絶縁性確保や熱容量低減は確保される。しかしながら、メンブレンのうち、上記薄膜パターンの無い周縁部や、例えば上記図１７におけるヒータ２１や測温体２２といった流体測定用の配線部が形成されていない空き領域は依然として剛性が弱いままであるから、ダスト衝突に対しては破壊防止の効果が薄い。
【００１１】
本発明は上記諸事情に鑑みてなされたものであり、メンブレンを有する流体測定用の薄膜構造センサにおいて、メンブレン特性を損なうことなく、ダスト衝突によるメンブレン破壊を適切に防止することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するため、本発明者等はダスト衝突によるメンブレンの変形について検討を行った。
【００１３】
図１８はダスト衝突によるメンブレンの変形の様子を示す図である。図１８に示すように、白抜き矢印方向から測定流体が流れてくるが、この流れに沿ってダストも飛来してくる。
【００１４】
そして、このダストが、流体の流れの上流側に位置するメンブレン２０の周縁部（図１８（ａ）参照）に衝突した場合よりも、流体の流れの下流側に位置するメンブレン２０の周縁部（図１８（ｂ）参照）に衝突した場合のほうが、メンブレン２０の曲がりが大きく、ひずみも大きくなる。
【００１５】
そのため、ダスト衝突によるメンブレン破壊は、流体流れの下流側に位置するメンブレンの周縁部付近から生じる可能性が高い。なお、流体の流れとは、双方向の場合、頻度や強度的に大きいほうの流れ（順流）のことである。また、上述の図１７に示すフローセンサのように、メンブレン２０の領域が、流体測定用の配線部２１、２２が配設された配線形成領域と当該配線部が配設されていない空き領域とに分かれている場合、比較的強度の弱い空き領域にてメンブレン破壊が起こりやすい。請求項１の発明は、この知見に鑑みてなされたものである。
【００１６】
すなわち、請求項１に記載の発明では、メンブレン（２０）を有し、メンブレンの領域が、流体測定用の配線部（２１、２２）が配設された配線形成領域と配線部が配設されていない空き領域とに分かれている薄膜構造センサにおいて、空き領域には、メンブレンの強度を補強するためのダミーパターン（４０）が形成されており、ダミーパターンは、流体の流れの方向とは直交する方向にメンブレンを跨いでおり、ダミーパターンの両端が流体の流れの方向とは直交する方向に位置するメンブレンの外周縁部に跨るように配置されており、ダミーパターンにおいて、メンブレンの外周縁部に跨る両端はその間に位置する部位よりも太くなっていることを特徴とする。
【００１７】
本発明によれば、メンブレンのうち比較的強度の弱い空き領域にダミーパターンを形成しているので、この空き領域の強度を補強することができる。しかも、ダミーパターンは、流体の流れの方向とは直交する方向にメンブレンを跨いでおり、ダミーパターンの両端が流体の流れの方向とは直交する方向に位置するメンブレンの外周縁部に跨るように配置されていため、ダミーパターンはメンブレン上に橋渡しされた形になり、補強性に優れる。
【００１８】
したがって、本発明によれば、メンブレン特性を損なうことなく、ダスト衝突によるメンブレン破壊を適切に防止することのできる薄膜構造センサを提供することができる。
【００１９】
また、請求項２に記載の発明のように、ダミーパターン（４０）を配線部（２１、２２）とは切り離されて配置したものにすれば、配線部からダミーパターンへの熱移動を防止することができ、センサの消費電力等を低減することができる。
【００２０】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明を図に示す実施形態について説明する。なお、以下に説明する各実施形態において、第１実施形態は参考例であり、第２実施形態が特許請求の範囲に記載した発明の実施形態に相当する。また、限定するものではないが、以下の各実施形態は、本発明の薄膜構造センサをフローセンサに適用したものとして説明する。
【００２２】
そして、各実施形態のフローセンサは、上記図１７に示したフローセンサを基本構造とし、これを変形したものであり、互いに同一部分には、図中、同一符号を付してある。また、以下の各図のうち平面図においては、ヒータ２１や測温体１１、補強部３０、ダミーパターン４０に便宜的にハッチングを施してある。
【００２３】
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態に係るフローセンサの要部を図１〜図６に示す。これら図１〜図６は、上記図１７に示すフローセンサにおけるメンブレン２０近傍の構成を示す種々の例である。
【００２４】
本実施形態は、メンブレン２０と、このメンブレン２０の外周縁部に跨るようにメンブレン補強用の補強部３０とを有する流体測定用のフローセンサにおいて、図中の白抜き矢印で示す流体の流れの上流側よりも下流側のほうがメンブレン２０の補強強度が大きくなるように、補強部３０を形成したものである。
【００２５】
［第１の例］
図１は本第１実施形態の第１の例を示す平面図、図２（ａ）は図１中のＡ−Ａ概略断面図である。また、図２（ｂ）は本例におけるメンブレン剛性の様子を模式的に示す図であり、ヒータ２１、測温体２２の本数は簡略化してある。
【００２６】
基板１０は、シリコン基板等の半導体基板等からなり、図２（ａ）に示すように、基板１０の表面１０ａには、パターニングされた導体膜２１、２２、２４が下部絶縁膜２５と上部絶縁膜２６とに挟まれてなる薄膜層２７が形成されている。そして、基板１０の裏面１０ｂ側に形成された空洞部１１上の薄膜層２７がメンブレン２０として構成されている。
【００２７】
下部絶縁膜２５および上部絶縁膜２６は、シリコン窒化膜やシリコン酸化膜等からなり、導体膜２１、２２、２４はＰｔ等の金属膜等からなる。導体膜のうちメンブレン２０に位置するヒータ２１および測温体２２は、図１に示すように、本例では折り返し形状にパターニングされている。
【００２８】
また、リード部２４は、その一端部側がヒータ２１および測温体２２に一体に接続されており、他端部は上記図１７に示すように、メンブレン２０の外部まで引き出されて、基板１０の外部とワイヤボンディング等により電気的に接続可能となっている。
【００２９】
また、図１、図２（ａ）に示すように、上下絶縁膜２５、２６に挟まれた補強部３０が、流体の流れの下流側に位置するメンブレン２０の外周縁部に跨るように形成されている。この補強部３０は、上記導体膜２１、２２、２４と同様の材料からなる膜により形成することができる。
【００３０】
図２（ａ）に示すように、この補強部３０によって、流体の流れの上流側に位置するメンブレン２０の周縁部よりも下流側に位置するメンブレン２０の周縁部のほうが肉厚なものとなっている。そのため、図２（ｂ）に示すように、流体の流れの上流側よりも下流側のほうがメンブレン２０の剛性が大きく、補強部３０による補強強度も大きくなっている。
【００３１】
ここで、図示例では、補強部３０は、上下絶縁膜２５、２６に挟まれ、上記導体膜２１、２２、２４と同一平面に位置したものであるが、例えば、絶縁膜にて構成されたものとして下部絶縁膜２５または上部絶縁膜２６の一部を肉厚にした形としても良い。
【００３２】
また、補強部３０は内部応力が引張である薄膜により形成されていることが好ましい。具体的には、減圧ＣＶＤ法により成膜された多結晶シリコン、シリコン窒化膜や、上記導体膜２１、２２、２４の材料としても使用されるＰｔ、Ｔｉ、ＴｉＷ、Ｎｉ、Ａｕ等の膜を補強部３０として採用することができる。
【００３３】
この図１、図２（ａ）に示すようなフローセンサは、例えば、次のようにして製造することができる。シリコン基板１０の表面１０ａ上に、ＣＶＤ法、スパッタ法等を用いて下部絶縁膜２５を形成し、その上に蒸着法等を用いて導体膜を成膜する。
【００３４】
次に、この導体膜をフォトリソグラフ法、エッチング等を駆使してパターニングすることでヒータ２１、測温体２２、流体温度計２３（図１７参照）、リード部２４および補強部３０を同時に形成する。その上に、ＣＶＤ法、スパッタ法等を用いて上部絶縁膜２６を形成する。なお、上部絶縁膜２６にはコンタクトホールを形成する等により、リード部２４と外部とを接続可能な状態とする。
【００３５】
次に、基板１０の裏面１０ｂ側から異方性エッチング等を行うことにより、薄膜層２７を残して空洞部１１を形成する。こうしてメンブレン２０が形成され、本第１実施形態の第１の例としてのフローセンサができあがる。
【００３６】
なお、補強部３０を絶縁膜にて構成する場合には、下部絶縁膜２５を形成する際、あるいは上部絶縁膜２６を形成する際に、補強部３０を形成すべき部分に、絶縁膜を周囲よりも厚く形成するようにすれば良い。
【００３７】
ところで、この第１の例のフローセンサは、上記した従来のものと同様、メンブレン２０の外周縁部に跨るようにメンブレン補強用の補強部３０を配しているため、メンブレン２０における熱絶縁性の悪化や熱容量の増加といったメンブレン特性の低下は極力抑えられる。
【００３８】
そして、流体流れの下流側に位置するメンブレン２０の周縁部のほうが、上流側のメンブレン２０の周縁部よりも、ダスト衝突による受圧荷重を受けやすい現状に適応して、メンブレン２０が変形、破壊することのないように強度補強することができる。
【００３９】
よって、本例によれば、メンブレン特性を損なうことなく、ダスト衝突によるメンブレン破壊を適切に防止することのできるフローセンサ（薄膜構造センサ）を提供することができる。
【００４０】
ここで、メンブレン２０に流体測定用の配線部２１、２２が形成されているが、本例では、図１に示すように、補強部３０は配線部２１、２２とは切り離されて配置されている。配線部２１、２２と補強部３０とが切り離されているので、配線部２１、２２から補強部３０への熱移動を防止することができ、センサの消費電力等を低減することができる。
【００４１】
また、上述したように、補強部３０は、内部応力が引張である薄膜により形成されていることが好ましい。それによれば、補強部３０を内部応力が圧縮である薄膜により形成する場合に比べて、メンブレン２０の変形を好適に抑制し、強度補強することができる。
【００４２】
次に、本第１実施形態の第２の例〜第８の例について述べるが、これら各例では、補強部３０の配置形態を変形したものであり、第１の例に述べた製法に準じて製造することができる。また、基本的に第１の例と同様の効果を持つことは言うまでもない。
【００４３】
［第２の例］
図３は、本第１実施形態の第２の例を示す平面図である。本例では、上記図１に示す第１の例に比べて、補強部３０が、流体の流れの下流側に位置するメンブレン２０の外周縁部をより広い範囲で跨るように形成されている。それにより、第１の例よりも大きな剛性向上効果が得られる。
【００４４】
［第３の例］
図４は、本第１実施形態の第３の例を示す平面図である。本例では、リード部２４のうちメンブレンの外周縁部を跨ぐ部分を、上記図１に示す第１の例や図３に示す第２の例に比べて幅広とすることで補強部３０を構成し、下流側に位置するメンブレン２０の外周縁部をさらに広い範囲で補強している。
【００４５】
［第４の例］
図５は、本第１実施形態の第４の例を示す平面図である。本例は、図４に示す第３の例を変形したもので、当該第３の例に比べて、補強部３０が分断された箇所を少なくして、剛性向上の効果をより大きくしている。
【００４６】
［第５の例］
図６は、本第１実施形態の第５の例を示す平面図である。本例は、図６中の白抜き矢印に示すように、流体が双方向に流れるが、一方の流れ（順流）が他方の流れ（逆流）に比べ頻度や強度的に大きい場合に適したものである。
【００４７】
この場合、補強部３０は、小さい方の流れ（図中、右から左への流れ）の下流側に位置するメンブレン２０の周縁部に形成されたもののほうが、大きいほうの流れ（図中、左から右への流れ）に位置するメンブレン２０の周縁部に形成されたものよりも面積が小さい。
【００４８】
また、この場合、通常の流体の流れすなわち順流は大きいほうの流れ（図中、左から右への流れ）であり、図６に示す構成とすることで、順流において下流側のほうが上流側よりもメンブレン２０の補強強度が大きくなるように、補強部３０が形成された形となっている。
【００４９】
さらに、本例では、小さいほうの流れすなわち逆流によって飛来してくるダストの衝突に対しても、補強部３０の存在により十分に対処でき、メンブレン２０の変形や破壊を防止することが可能である。
【００５０】
［第６の例、第７の例、第８の例］
図７、図８、図９は、それぞれ本第１実施形態の第６の例、第７の例、第８の例を示す平面図である。
【００５１】
これら第６から第８の例では、各図に示すように、補強部３０を分割することで、補強部３０を介したメンブレン２０の熱伝導をさらに低く抑えることができるとともに、剛性向上が必要なメンブレン２０の部分に補強部３０を適切に配置することが可能である。
【００５２】
特に、図７〜図９に示す例では、補強部３０を流体の流れ方向（図中の白抜き矢印方向）に沿った方向にて分割している。フローセンサでは、流体の流れ方向に沿ったメンブレン２０の温度分布変化に基づいてセンシングを行うが、このような分割により、補強部３０を介した流体の流れの方向への熱移動を抑制することができ、上記温度分布変化をほとんど阻害することが無いため、センサ特性を良好な状態に確保することができる。
【００５３】
（第２実施形態）
本発明の第２実施形態に係るフローセンサの要部を図１０〜図１６に示す。これら図１０〜図１６は、上記図１７に示すフローセンサにおけるメンブレン２０近傍の構成を示す種々の例である。以下、上記第１実施形態と異なるところについて主として述べる。
【００５４】
本実施形態は、メンブレン２０を有し、メンブレン２０の領域が、流体測定用の配線部２１、２２が配設された配線形成領域と配線部２１、２２が配設されていない空き領域とに分かれているフローセンサにおいて、空き領域に、メンブレンの強度を補強するためのダミーパターン４０を形成し、このダミーパターン４０を、その両端がメンブレン２０の外周縁部に跨るように配置することで、ダミーパターン４０をメンブレン２０上に橋渡した形としたものである。
【００５５】
［第１の例］
図１０は、本第２実施形態の第１の例を示す平面図である。本例では、ヒータ２１は、折り返し形状の１本のものではなく、並列に配置された複数本のものから構成されている。
【００５６】
ダミーパターン４０は、上記第１実施形態における補強部と同様の材質および形成方法とすることができるものであり、上下絶縁膜２５、２６に挟まれた上記導体膜２１、２２、２４と同様の材料からなる膜により形成したり、下部絶縁膜２５または上部絶縁膜２６の一部を肉厚にした形の絶縁膜として形成することができる。
【００５７】
図１０に示すように、ダミーパターン４０は、メンブレン２０の空き領域に形成されており、配線部２１、２２の延びる方向に平行に延びる複数本のものから構成されている。そして、各ダミーパターン４０は、その両端がメンブレン２０の外周縁部に跨るように配置されることで、メンブレン２０上に橋渡しされた形となっている。
【００５８】
本例によれば、メンブレン２０のうち比較的強度の弱い空き領域にダミーパターン４０を形成しているので、この空き領域の強度を補強することができる。しかも、ダミーパターン４０はメンブレン２０上に橋渡しされた形となっているため、補強性に優れたものとなっている。
【００５９】
また、図１０から明らかなように、このダミーパターン４０はパターニングされたものであり、空き領域全部を占めていないため、メンブレンの全面に補強膜を形成するような場合とは異なり、メンブレン特性の低下を極力抑えることができる。
【００６０】
したがって、本例によっても、上記第１実施形態と同様、メンブレン特性を損なうことなく、ダスト衝突によるメンブレン破壊を適切に防止することのできるフローセンサ（薄膜構造センサ）を提供することができる。
【００６１】
また、図１０に示すように、ダミーパターン４０は、ヒータ２１や測温体２２の延びる方向すなわち図１０中の白抜き矢印に示す流体の流れの方向（本例では双方向）とは直交する方向に、メンブレン２０を跨いで橋渡しされている。
【００６２】
上述したが、フローセンサでは、流体の流れ方向に沿ったメンブレン２０の温度分布変化に基づいてセンシングを行う。もし、ダミーパターンが、流体の流れの方向に沿ってメンブレンを跨いでいるものとした場合、ダミーパターンを介して流体の流れの方向に沿った熱移動が生じるため、上記したメンブレン２０の温度分布変化を阻害しやすくなる。
【００６３】
その点、本例によれば、ダミーパターン４０を介した流体の流れの方向への熱移動を抑制することができ、流体の流れ方向に沿ったメンブレン２０の温度分布変化をほとんど阻害することが無いため、センサ特性を良好な状態に確保することができる。
【００６４】
また、本例においても、上記第１実施形態における補強部と同様、ダミーパターン４０を、配線部２１、２２とは切り離して配置したものにしているため、配線部２１、２２からダミーパターン４０への熱移動を防止することができ、センサの消費電力等を低減することができる。
【００６５】
また、本例において、ヒータ２１、測温体２２、ダミーパターン４０を、導体膜のエッチングにより同時にパターニング形成する場合には、流体の流れ方向におけるこれらパターン２１、２２、４０の線幅Ｌおよび各線の間隔（パターン間隔）Ｓの比Ｌ／Ｓはそろえることが好ましい。例えばＬ＝５μｍ、Ｓ＝５μｍとする。
【００６６】
全てのパターン２１、２２、４０のＬ／Ｓをそろえることにより、エッチングの面内ばらつきを抑え、抵抗比やＴＣＲ（抵抗温度係数）の面内ばらつきを向上させることができる。
【００６７】
［第２の例］
図１１は、本第２実施形態の第２の例を示す平面図である。本例は、ダミーパターン４０を、図中の白抜き矢印で示す流体の流れ（順流）の上流側よりも下流側のほうがメンブレン２０の補強強度が大きくなるように形成したものである。
【００６８】
本例では、間隔を空けて配置された複数本のダミーパターン４０において、当該間隔を流体の流れの上流側よりも下流側のほうが狭くなるようにすることで、ダミーパターン４０を、上流側よりも下流側のほうが密となるように配置している。
【００６９】
それにより、第１の例にて述べた本第２実施形態の効果に加えて、上記第１実施形態と同様、下流側に位置するメンブレン周縁部のほうが、ダスト衝突による受圧荷重を受けやすい現状に適応して、メンブレン２０を補強することができる。
【００７０】
［第３の例］
図１２は、本第２実施形態の第３の例を示す平面図である。本例も、第２の例と同様、ダミーパターン４０を、図中の白抜き矢印で示す流体の流れ（順流）の上流側よりも下流側のほうがメンブレン２０の補強強度が大きくなるように形成したものである。
【００７１】
上記図１１に示した第２の例では、配線部２１、２２を挟んで上流側と下流側とで、下流側のほうのダミーパターン４０の間隔を狭くしているが、上流側のみを見た場合および下流側のみを見た場合では、ダミーパターン４０の間隔は均一である。
【００７２】
それに対して、本例では、図１２に示すように、ダミーパターン４０の間隔を上流側から下流側にかけてだんだんと狭くなっていくようにしたものである。そして、本例においても、本第２実施形態の第２の例と同様の効果を得ることができる。
【００７３】
［第４の例］
図１３は、本第２実施形態の第４の例を示す平面図である。本例では、ダミーパターン４０を網目状パターンとすることで、メンブレン強度のさらなる向上を図ることができる。
【００７４】
［第５の例］
図１４は、本第２実施形態の第５の例を示す平面図である。本例では、上記図１０に示すものに比べて、ダミーパターン４０において、メンブレン２０の外周縁部に跨る両端を太くして強度をさらに向上させている。
【００７５】
［第６の例］
図１５は、本第２実施形態の第６の例を示す平面図である。本例では、上記図１０に示すものに比べて、ヒータ２１内に温度計２８を設けたものである。この温度計２８は、ヒータ２１の温度を測定し、それをヒータ２１にかける電圧にフィードバックするためのものである。つまり、ヒータ２１の温度制御を精度良く行うことが可能になる。
【００７６】
［第７の例］
図１６は、本第２実施形態の第７の例を示す平面図である。本例では、上記図１０に示すものに比べて、ヒータ２１を細くしてかつ抵抗値を十分小さくするために、並列するヒータ２１を数回折り曲げて抵抗値を調節したものである。
【００７７】
（他の実施形態）
なお、本発明は上記フローセンサ以外にも、メンブレンを有する流体測定用の薄膜構造センサであれば適用でき、例えばガスセンサ等でも良い。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】本発明の第１実施形態の第１の例としてのフローセンサの要部を示す平面図である。
【図２】（ａ）は図１中のＡ−Ａ概略断面図、（ｂ）は図１に示すフローセンサにおけるメンブレン剛性の様子を示す図である。
【図３】第１実施形態の第２の例としてのフローセンサの要部を示す平面図である。
【図４】第１実施形態の第３の例としてのフローセンサの要部を示す平面図である。
【図５】第１実施形態の第４の例としてのフローセンサの要部を示す平面図である。
【図６】第１実施形態の第５の例としてのフローセンサの要部を示す平面図である。
【図７】第１実施形態の第６の例としてのフローセンサの要部を示す平面図である。
【図８】第１実施形態の第７の例としてのフローセンサの要部を示す平面図である。
【図９】第１実施形態の第８の例としてのフローセンサの要部を示す平面図である。
【図１０】本発明の第２実施形態の第１の例としてのフローセンサの要部を示す平面図である。
【図１１】第２実施形態の第２の例としてのフローセンサの要部を示す平面図である。
【図１２】第２実施形態の第３の例としてのフローセンサの要部を示す平面図である。
【図１３】第２実施形態の第４の例としてのフローセンサの要部を示す平面図である。
【図１４】第２実施形態の第５の例としてのフローセンサの要部を示す平面図である。
【図１５】第２実施形態の第６の例としてのフローセンサの要部を示す平面図である。
【図１６】第２実施形態の第７の例としてのフローセンサの要部を示す平面図である。
【図１７】従来の薄膜構造センサとしてのフローセンサを示す斜視図である。
【図１８】ダスト衝突によるメンブレンの変形の様子を示す図である。
【符号の説明】
【００７９】
２０…メンブレン、２１…ヒータ、２２…測温体、３０…補強部、４０…ダミーパターン。
【図１】
0004501942.tif 000002
【図２】
0004501942.tif 000003
【図３】
0004501942.tif 000004
【図４】
0004501942.tif 000005
【図５】
0004501942.tif 000006
【図６】
0004501942.tif 000007
【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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