(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
２枚の基板間に液晶が充填された表示パネルであって、
前記基板の一方にマトリクス状に配列されたゲート線およびシグナル線と、
前記ゲート線および前記シグナル線によって画成される画素領域の両側に、当該ゲート線および当該シグナル線とは絶縁層を介して配置された共通電極と、
互いに隣接する２本の前記共通電極の中間位置に配置された画素電極とを備え、
前記画素電極は、前記共通電極と同層に配置された第１電極と、
前記シグナル線と同層に配置され、前記第１電極に電気的に接続された当該シグナル線からの電界をシールドするための第２電極とを備え、
前記第１電極と前記第２電極とが、前記絶縁層を介し、互いに重なる位置に設けられ、
前記第２電極は、前記シグナル線に対し、前記第１電極よりも近接して配置され、
前記第２電極が、前記シグナル線の延在する方向に、画素領域の略全長にわたって延在するよう配置されていることを特徴とする表示パネル。
【請求項２】
前記共通電極と前記シグナル線が、前記表示パネルの厚さ方向に重なって配置されていることを特徴とする請求項１記載の表示パネル。
【請求項３】
前記第２電極が、前記画素電極への駆動電圧を制御するスイッチング素子に接続されていることを特徴とする請求項１記載の表示パネル。
【請求項４】
表示用光学素子に駆動電圧を印加するための画素電極と、
前記画素電極との間で基板面に沿った方向の電界を生じさせる共通電極と、
前記画素電極への駆動電圧を制御するためのスイッチング素子と、
前記スイッチング素子へ走査信号を伝送するゲート線と、
前記スイッチング素子へ表示信号を伝送するシグナル線と、
前記シグナル線に対し、前記画素電極よりも近接した位置に設けられて、当該画素電極と電気的に同電位とされ、当該シグナル線からの電界をシールドするためのシールド電極と、を備え、
前記シグナル線と前記シールド電極は同層に配置され、
前記シールド電極と前記画素電極は絶縁層を介し、異なる層に配置され、かつ互いに重なる位置に設けられ、
前記シグナル線に対し、前記共通電極が他の電極よりも近接して配置されていることを特徴とする表示パネル。
【請求項５】
前記共通電極および前記画素電極は、前記ゲート線と前記シグナル線によって画成される各画素領域において、表示用光学素子の配向方向を少なくとも２方向とするために折曲形成されていることを特徴とする請求項４記載の表示パネル。
【請求項６】
前記画素電極は、その両側の前記共通電極が折曲した部分どうしを結んだ線上に、当該画素電極に供給する電位を蓄積する蓄積容量部を備えることを特徴とする請求項５記載の表示パネル。
【請求項７】
各画素領域にて、表示用光学素子の配向方向が切り換わる部分に、前記スイッチング素子に供給する電位を蓄積する蓄積容量線を備えることを特徴とする請求項５記載の表示パネル。
【請求項８】
２枚の基板間に表示用光学素子が配設された表示パネルと、前記表示パネルを駆動する駆動回路とを備える表示装置であって、
前記表示パネルには、マトリクス状に配列されたシグナル線およびゲート線によって複数の画素領域が画成されるとともに、
前記画素領域の外周部に配置されて、前記シグナル線と前記ゲート線を覆う共通電極と、
表示用光学素子を駆動するため前記共通電極との間で前記基板の表面に沿った方向の電界を生じさせる画素電極と、
前記シグナル線からの電界をシールドするシールド電極と、を備え、
前記駆動回路は、前記シグナル線を介して前記画素電極に表示信号を供給するシグナル線駆動回路と、
前記画素電極への駆動電圧を制御するため前記ゲート線を介して走査信号を供給するゲート線駆動回路と、を備え、
前記画素電極と前記シールド電極とが、前記表示パネルの厚さ方向に重ねて配置され、
前記シールド電極は、前記シグナル線に対し、前記画素電極よりも近接した位置に設けられ、
前記シグナル線に対し、前記共通電極が他の電極よりも近接して配置され、
前記画素電極と前記シールド電極は電気的に接続されてなることを特徴とする表示装置。
【請求項９】
前記画素電極と前記シールド電極とが、所定の厚さを有した絶縁層を介してその一方の側と他方の側に配置され、
かつ、前記シグナル線が前記シールド電極と同層に配置されていることを特徴とする請求項８記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板面に沿った方向の横電界により液晶等の表示用光学素子を駆動する表示パネル、表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
パーソナルコンピュータや、その他各種モニター用の表示装置として、液晶表示装置の普及は目覚ましいものがある。この種の液晶表示装置は、一般に、液晶パネルの背面に、照明用の面状光源であるバックライトを配設し、所定の広がりを有する液晶面を全体として均一な明るさに照射することで、液晶パネルの液晶面に形成された画像を可視像化するように構成されている。この液晶パネルは、２枚のガラス基板の間に充填された液晶に駆動電圧を印加することによって、液晶を駆動する構成となっている。液晶パネルは、このようにして液晶を駆動して液晶（分子）の向きを変えることにより、透過光の偏光を制御し、所望の画像を表示するのである。
【０００３】
ところで、従来、このような液晶パネルは、２枚のガラス基板の一方側と他方側にそれぞれ液晶駆動用の電極を設け、２枚のガラス基板を結ぶ方向、言い換えればガラス基板の基板面に略直交する方向の電界を生じさせ、これによって液晶を駆動していた。
しかしながら、このような方式の液晶パネルにおいては視野角が狭いため、これを改善する技術として、ＩＰＳ（In Plane Switching：横電界）方式が知られている。これは、２枚のガラス基板の一方のみに配置した電極に駆動電圧を印加し、基板面に沿った水平方向（横方向）の電界を生じさせて液晶を駆動するものである。
【０００４】
図７および図８に示すものは、従来のＩＰＳ方式の液晶パネルの配線構造である。液晶パネルは、ガラス基板１とガラス基板２との間に、液晶が充填された液晶層３、絶縁層４Ａ、４Ｂが介在し、絶縁層４Ａ、４Ｂに、シグナル線５、ゲート線６、共通電極７、画素電極８、アモルファスシリコン層等が成膜されたＴＦＴ（Thin Film Transistor）９が配設された構成となっている。
図８に示したように、シグナル線５とゲート線６は、マトリクス状に配置されている。そして、互いに隣接する２本のシグナル線５と２本のゲート線６とで囲まれて画素領域が画成されている。
【０００５】
共通電極７は、各画素領域の両側に位置するシグナル線５のそれぞれに沿って配置されている。また、画素電極８は、２本の共通電極７の中間位置に配置され、さらにその一端がＴＦＴ９に接続されている。
このような構造の液晶パネルでは、各画素領域において、ＴＦＴ９の作動によって共通電極７と画素電極８との間に電圧を印加して、横電界を生じさせることにより液晶を駆動させ、所望の表示を行なう。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記したような従来のＩＰＳ方式の液晶パネルにおいては、以下に示すような問題が存在する。
まず、本来、液晶の駆動は、共通電極７と画素電極８との間の電界により行なうわけであるが、シグナル線５と画素電極８との間に電界が生じ、その影響により液晶が動いてしまうと、クロストークが発生する。このため、従来は、共通電極７の幅を広げることによって、シグナル線５からの電界の影響が画素電極８に及ばないようにしてシールド効果を持たせているが、その結果、画素領域における開口部Ｘの割合である開口率が低くなってしまうことになる。
【０００７】
また、シグナル線５と共通電極７との隙間ｄが小さいと、シグナル線５の電気的な容量負荷が大きくなり、表示領域内を均一に駆動できなくなるため、この隙間ｄを大きくする必要がある。しかし、隙間ｄを大きくすると、これも開口率の低下に繋がる。また、視角依存性のクロストーク（シグナル線５と共通電極７との間のスイッチングが液晶パネルに対する角度（視角）によって見える現象：図７中矢印参照）を防止するため、従来は、シグナル線５を覆うブラックマトリクス１０を幅広にする必要があった。しかしながら、これも開口率の低下に結び付くうえ、ガラス基板１、２の位置合わせに高い精度が要求されることにもなっていた。
【０００８】
特に、近年の液晶パネルの高精細化に伴い、一つ一つの画素領域は小さくなっている。このため、上記したような様々な理由により開口率の向上が妨げられると、液晶パネルの高精細化も妨げられることになる。
本発明は、このような技術的課題に基づいてなされたもので、画素領域の開口率を高めることのできる表示パネル、表示装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
かかる目的のもと、本発明者が鋭意検討を行なったところ、図９に示すように、シグナル線５の直上に共通電極７’を配置する手法を想到するに至った。このような構成を採用すれば、シグナル線５からの電界は最も近い直上の共通電極７’に作用するため、共通電極７’によってシールド効果が発揮され、画素電極８に影響が及びにくい。しかしながら、共通電極７’によるシールド効果を確実なものとするには、図９中の二点鎖線で示したように共通電極７’の幅を広くする必要があり、その結果、開口率が低下してしまうことから、この手法は課題の有効な解決手段とは言えなかった。
【００１０】
このような点を考慮し、さらなる検討を行なうことによってなされた本発明の表示パネルは、ゲート線およびシグナル線とは絶縁層を介して配置された共通電極と、互いに隣接する２本の共通電極の中間位置に配置された画素電極とを備え、画素電極は、共通電極と同層に配置された第１電極と、シグナル線と同層に配置された第２電極とを備えることを特徴とする。
このような構成によれば、同層に位置する共通電極と画素電極の第１電極との間において、基板の表面に沿った方向の電界が生じ、この電界によって液晶が駆動される。そのとき、シグナル線からの電界を、シグナル線と同層に位置する画素電極の第２電極で引き受けることにより、共通電極と第１電極との間の電界に対してシールド効果を発揮する。さらに、画素電極の第１電極と第２電極とが、絶縁層を介し互いに重なる位置に設けられていれば、シグナル線と同層に位置する第２電極は必然的に第１電極よりもシグナル電極に近くなり、シールド効果が確実に発揮される。
また、共通電極とシグナル線が、表示パネルの厚さ方向に重なって配置されていれば、さらに開口率の低下を抑えることができ、しかも、シグナル線からの電界の大半が共通電極に作用することになるため、共通電極と第１電極との間の電界に対するシールド効果は一層高まる。
【００１１】
また本発明の表示パネルは、ゲート線およびシグナル線とは絶縁層を介して配置された共通電極と、絶縁層を介して配置された第１電極および第２電極からなる画素電極とを備えることを特徴としてもよい。このような構成においても上記と同様の作用が得られる。ただしこの場合、画素電極と共通電極は、必ずしも同層である必要はない。また、共通電極は、画素領域の両側に位置し、画素電極がその中間に位置するとは限らない。例えば、画素領域の両側と中間部にそれぞれ共通電極が設けられ、互いに隣接する共通電極間に画素電極が設けられる場合であっても本発明を適用することができる。
【００１２】
また、本発明は、シグナル線に対し、画素電極よりも近接した位置に設けられて、画素電極と電気的に同電位とされるシールド電極を備えることを特徴とする表示パネルとして捉えることができる。これにより、シールド電極によって、シグナル線からの電界が画素電極に及ぶのをシールドすることができるのである。
ここで、共通電極および画素電極は、各画素領域において、表示用光学素子の配向方向を少なくとも２方向とするために折曲形成されていることを特徴とすることができる。この場合、画素電極は、その両側の共通電極が折曲した部分どうしを結んだ線上に蓄積容量部を備えるのが好ましい。また、各画素領域にて、表示用光学素子の配向方向が切り換わる部分に、スイッチング素子に供給する電位を蓄積する蓄積容量線を備えるのが好ましい。
共通電極が折曲した部分は、元々、表示用光学素子の配向が切り換わる領域であり、ここに画素電極用の蓄積容量部やスイッチング素子用の蓄積容量線を配置すれば、これらを他の部分に配置する場合に比較し、画素領域の開口率の低下を抑制できる。
【００１３】
本発明に係る表示装置は、表示パネルが、シグナル線とゲート線を覆う共通電極と、画素電極と、シグナル線からの電界をシールドするシールド部と、を備えることを特徴とする。さらに、画素電極とシールド部は、表示パネルの厚さ方向に重ねて配置されるのが好ましい。加えて、画素電極とシールド部とが、所定の厚さを有した絶縁層を介してその一方の側と他方の側に配置され、かつ、シグナル線がシールド部と同層に配置されるのが好ましい。
ここで、絶縁層としては、例えば、数μｍの厚さが確保できる透明レジストと同材料のものを好適に用いることができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面に示す実施の形態に基づいてこの発明を詳細に説明する。
図１は、本実施の形態における表示装置の全体構成を説明するための斜視図である。表示装置は、表示パネルとしての液晶パネル１００と、上部フレームを形成し、液晶パネル１００の有効画面を画定する表示窓１０１ａを有した金属製のシールドケース１０１と、液晶パネル１００に面状光を照射するバックライトユニット１０２と、バックライトユニット１０２の下方に設けられて、開口１０３ａを有した下側ケース１０３と、を備えている。
【００１５】
この液晶パネル１００の上部には、ドレイン回路基板１０４、ゲート回路基板１０５、インターフェイス回路基板１０６が形成され、さらに回路基板間を接続するためのジョイナ１０７、１０８、１０９を備えている。これらの回路基板１０４、１０５、１０６は、絶縁シート１１０を介してシールドケース１０１に固定されている。
一方、液晶パネル１００の下側には、ゴムクッション１１１を介して遮光スペーサ１１２が設けられている。
【００１６】
図２から図４は、本実施の形態における液晶パネル１００を説明するための図である。図２に示すように、液晶パネル１００は、ガラス基板（基板）１１、１２を所定のギャップを隔てて対向させ、その外周部に配設されたシール材（図示無し）を介して貼り合わせるとともに、ガラス基板１１とガラス基板１２の間に液晶が充填されて液晶層１３が形成された構成となっている。ここで、液晶層１３の厚さは例えば４〜５μｍとした。
ガラス基板１１には、バックライトから照射された光をＲ（Red）・Ｇ（Green）・Ｂ（Blue）の３色に分光するためのカラーフィルタ（図示無し）が備えられている。
ガラス基板１２には、その表面側に、絶縁層１４Ａ、１４Ｂが形成されている。ここで、絶縁層１４Ｂには、従来より用いられていたチッ化膜等（膜厚１μｍ以下）ものに比較し、１０倍程度の大きな膜厚（数μｍ）が確保できる透明レジストと同材料のもの、例えばアクリル系樹脂等を用いる。本実施の形態では、例えば、絶縁層１４Ｂの厚さを２〜４μｍ、比誘電率を約３．５とした。
【００１７】
図３に示すように、ガラス基板１２には、シグナル線１５、ゲート線１６、共通電極１７、画素電極１８、アモルファスシリコン層等が成膜されたＴＦＴ（Thin Film Transistor）１９が配設されている。
シグナル線１５は、ＴＦＴ１９に対して表示信号を伝送するもので、絶縁層１４Ａ上に配置され、所定間隔毎に所定方向に延在して設けられている。またゲート線１６は、ＴＦＴ１９に対して走査信号を伝送するもので、ガラス基板１２上に配置され、所定間隔毎に、それぞれがシグナル線１５が連続する方向に略直交して延在するよう設けられている。このようにして、シグナル線１５とゲート線１６はマトリクス状に配置されている。互いに隣接する２本のシグナル線１５および２本のゲート線１６に囲まれることにより、画素領域２０が画成されている。
【００１８】
本実施の形態においては、シグナル線１５は、各画素領域２０毎に上部１５ａと下部１５ｂが「く」字状に折曲している。これは、画素領域２０の上半部と下半部とで、電界の方向を変えることにより液晶を駆動したときのねじり方向を変え、特定の方向から表示装置を見たときの階調反転（白っぽく見えたり、白色が黄色または青色にシフトして見える現象）を防ぐためである。
【００１９】
共通電極１７は、絶縁層１４Ｂ上に設けられており、各シグナル線１５とゲート線１６の直上に位置するよう略格子状に形成されている。なお、シグナル線１５の上部においては、シグナル線１５と同様、「く」字状に折曲している。なお、この共通電極１７は、シグナル線１５、ゲート線１６よりも幅広に設定されている。
【００２０】
図３および図４に示すように、画素電極１８は、絶縁層１４Ａ上の下部画素電極（第２電極、シールド電極、シールド部）２１と、絶縁層１４Ｂ上の上部画素電極（第１電極）２２の２層構造となっている。下部画素電極２１は、平面視略十字状で、電極部２１ａと蓄積容量部２１ｂとから形成されている。電極部２１ａは、同層に設けられた２本のシグナル線１５の中間に位置し、シグナル線１５と略平行に延在して、「く」字状に形成されている。またこの電極部２１ａは、画素領域２０の略全長にわたって設けられている。蓄積容量部２１ｂは、電極部２１ａの長さ方向中間部からその両側に延出しており、電極部２１ａと略直交する方向、つまりゲート線１６と平行に延在している。また、蓄積容量部２１ｂの下端部には、ＴＦＴ１９に向けてゲート線１６と平行に延在する蓄積容量部２１ｃが一体に設けられている。
【００２１】
上部画素電極２２は、同層に設けられた両側の共通電極１７の中間部に位置して、「く」字状に形成されており、液晶パネル１００の厚さ方向において下部画素電極２１の電極部２１ａと重なる位置、つまり直上に位置している。上部画素電極２２の中央部には、下部画素電極２１と接続するためのジョイント部２３が形成されている。図４に示したように、ジョイント部２３は、上部画素電極２２の一部を構成するプレート２３ａと、外観が例えば略四角錐台状（先端部は尖っていない方が好ましい）となるようプレート２３ａから下方に向けて延出し、その先端部が下部画素電極２１の蓄積容量部２１ｂに電気的に接続されたジョイナ（Joiner）２３ｂとから形成されている。プレート２３ａの中央部には、ジョイナ２３ｂを形成することによって凹部２３ｃが形成される。図２に示したように、このジョイント部２３は、絶縁層１４Ｂを貫通し、下部画素電極２１と上部画素電極２２とを電気的に接続している。
【００２２】
図３に示したように、ＴＦＴ１９は、画素電極１８への駆動電圧を制御するスイッチング素子であり、シグナル線１５とゲート線１６の交点の部分に設けられている。このＴＦＴ１９は、ゲート線１６を覆う絶縁層１４Ａ（図２参照）上に、シグナル線１５の一部を流用したドレイン電極２４と、下部画素電極２１の蓄積容量部２１ｃからゲート線１６側に向けて延出したソース電極２５と、これらドレイン電極２４およびソース電極２５間に介在したアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）薄膜部２６とを備えている。
【００２３】
さらに、ガラス基板１１上には、ゲート線１６と平行に延在する蓄積容量線２８が設けられている。この蓄積容量線２８は、液晶パネル１００の外周部等において各共通電極１７に電気的に接続されて共通電極１７と同電位となっており、これによってＴＦＴ１９等における電圧を保持する。ここで、この蓄積容量線２８は、各画素領域２０の上下方向中央部、つまりシグナル線１５の上部１５ａと下部１５ｂが「く」字状に折曲した部分を横切るように配置されている。この蓄積容量線２８には、前記下部画素電極２１の蓄積容量部２１ｂとジョイント部２３とが重なって配置されている。
【００２４】
図５は、液晶パネル１００の駆動回路の構成を示すもので、液晶パネル１００は、シグナル線１５を介して画素電極１８（図３参照）に表示信号を供給、つまり電圧を印加するためのシグナル線駆動回路ＳＤと、ゲート線１６を介してＴＦＴ１９（図３参照）のオン・オフを制御するための走査信号を供給するゲート線駆動回路ＧＤと、共通電極１７（図３参照）に電圧を供給する共通電極電源ＣＢとを備えている。
【００２５】
このような構造の液晶パネル１００では、各画素領域２０において、ＴＦＴ１９の作動によって画素電極１８に駆動電圧を印加し、共通電極１７と画素電極１８との間に横電界を生じさせ、この横電界により液晶を駆動させて所望の表示を行なう。図３に、液晶分子Ｃ（ｐ型）の初期配向方向を示す。このとき、電界は、共通電極１７と、画素電極１８を構成する下部画素電極２１と上部画素電極２２の双方との間で生じるが、共通電極１７と同層に位置する上部画素電極２２との間に生じる電界により液晶が駆動される。
【００２６】
さらに、シグナル線１５、ゲート線１６の直上には共通電極１７が位置しているので、これらシグナル線１５、ゲート線１６からの電界は、最も近い直上の共通電極１７に主に作用する。これによって、シグナル線１５やゲート線１６からの電界は、画素電極１８には作用しにくくなり、したがって、共通電極１７がシールド効果を発揮していると言える。しかも、シグナル線１５、ゲート線１６の直上に共通電極１７を配置することにより、開口部が小さくなるのを最小限に抑えることができる。
【００２７】
また、シグナル線１５からの電界は、上記の如く主に共通電極１７に作用するとはいえ、一部は画素電極１８にも作用することが考えられる。しかし、シグナル線１５と同層に位置する下部画素電極２１の電極部２１ａが、上部画素電極２２よりもシグナル線１５に距離的に近いため、シグナル線１５から画素電極１８への電界は下部画素電極２１の電極部２１ａに作用する。これによって、上部画素電極２２にシグナル線１５からの電界の影響が及ぶのを抑制することができ、下部画素電極２１の電極部２１ａがシールド効果を発揮することになる。このとき、電極部２１ａは、画素領域２０の略全長にわたって設けられているので、画素領域２０の全域においてシールド効果を発揮する。その結果、液晶の駆動に悪影響が及ぶのを抑制してクロストークの発生を防止し、表示装置における表示品質を向上させることができる。
【００２８】
ここで、下部画素電極２１の電極部２１ａによるシールド効果が存在しないと仮定すると、シグナル線１５からの電界に対するシールド効果は、シグナル線１５の直上に位置する共通電極１７のみで負担することになる。この場合と、本実施の形態における下部画素電極２１の電極部２１ａによるシールド効果が存在する場合とで、同等の表示品質を得るとすれば、共通電極１７のみでシールド効果を負担する場合よりも、共通電極１７と下部画素電極２１の電極部２１ａとでシールド効果を負担する場合の方が、共通電極１７の幅を細くすることができる。その結果、画素領域２０における開口率を高めることができ、液晶パネル１００の高精細化、ガラス基板１１、１２の位置合わせの容易化を図ることができる。もちろん、従来の技術として挙げた図７の場合に比較すれば、開口率を大幅に高めることができる。より具体的には、図７に示した場合の共通電極７で例えば１０μｍの幅（図中寸法ｗ）が必要であった場合、同等の表示品質を得るのであれば、図２の本実施の形態における液晶パネル１００では、シグナル線１５から画素領域２０内部に突出する寸法（図中寸法ｓ）は３〜５μｍで良い。
【００２９】
図６は、従来の液晶パネルの構造（図７、図８参照）と、本実施の形態における液晶パネル１００の構造とで、画素サイズに対して確保できる開口率（Aperture）を比較したものである。ここで、各曲線が左下がりになっている部分は、駆動電圧の制約によるものである。この図からもわかるように、画素サイズが小さくなるほど本発明の有効性が顕著となる。
【００３０】
また、上記のようにして、共通電極１７のシールド効果により、クロストークを防いで確実な遮光効果が得られるので、液晶パネル１００がノーマリーブラックタイプである場合、ＴＦＴ１９の部分等を除きブラックマトリクスを設ける必要が無い（ちなみに、液晶パネル１００がノーマリーホワイトタイプの場合、「黒」表示をしようとすると、共通電極１７の部分が「白」となってしまうため、ブラックマトリクスが必要である）。これにより、製造工程の簡略化を図ることができ、またガラス基板１１、１２の位置合わせズレによる開口率の低下を回避することができる。
【００３１】
ところで、本実施の形態において、シグナル線１５は、各画素領域２０毎に上部１５ａと下部１５ｂを「く」字状に折曲させ、各画素領域２０の上半部と下半部とで、液晶のねじり方向（配向方向）を変えている。このようにすると、液晶のねじり方向が切り換わる部分（画素領域２０の上半部と下半部の境界部分）において、液晶の挙動が不安定になる性質がある。本実施の形態では、この部分に、下部画素電極２１の蓄積容量部２１ｂ、ジョイント部２３、蓄積容量線２８を配置した。これらを他の部分に配置した場合には開口部を狭めてしまうこととなるが、液晶の挙動が元々不安定になる部分にこれらを配することによって、開口率の低下を有効に抑えることができる。
【００３２】
この他、絶縁層１４Ｂを、従来用いていたチッ化膜等ではなく、膜厚を大きく確保できる材料で形成することにより、シグナル線１５と共通電極１７とを重ねるという本実施の形態の構造を実現するに際し、従来の膜厚の小さな絶縁膜に比較して、シグナル線１５と共通電極１７との間での電気的な負荷容量の増加を抑えることができる。これにより、シグナル線１５の駆動遅延が大きくなる部分であっても駆動遅延を防ぐことができ、画素電極１８に十分な電圧を書き込むことができ、不均一な表示を回避することができる。
【００３３】
なお、上記実施の形態において、シグナル線１５を「く」字状に折曲する構成としたが、これに限るものではなく、単に直線状とした場合にも、上記と同様の効果が得られる。その場合、当然のことながら、共通電極１７、画素電極１８も直線状とする。
また、上記実施の形態で示した表示装置において、液晶パネル１００以外の部分については、他のいかなる構成に変更しても良く、ガラス基板１１、１２や、シグナル線１５、ゲート線１６、共通電極１７、画素電極１８等の材質等も本発明の主旨を逸脱しない限り、いかなるものを採用しても良い。
【００３４】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、画素領域の開口率を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本実施の形態における表示装置の構成を示す図である。
【図２】  表示装置を構成する表示パネルの断面図であり、（ａ）は図３のＡ−Ａ断面図、（ｂ）は図３のＢ−Ｂ断面図である。
【図３】  表示パネルの配線構造を示す平面図である。
【図４】  表示パネルの画素電極の一部を示す斜視図である。
【図５】  表示パネルの駆動構造を示す図である。
【図６】  従来と、本実施の形態における液晶パネルの構造での開口率の比較を示す図である。
【図７】  従来の表示パネルの断面図である。
【図８】  従来の表示パネルの配線構造を示す平面図である。
【図９】  シグナル線と共通電極を重ねた場合の構造を示す断面図である。
【符号の説明】
１１、１２…ガラス基板（基板）、１３…液晶層、１４Ｂ…絶縁層、１５…シグナル線、１６…ゲート線、１７…共通電極、１８…画素電極、１９…ＴＦＴ（スイッチング素子）、２０…画素領域、２１…下部画素電極（第２電極、シールド電極、シールド部）、２１ａ…電極部、２１ｂ…蓄積容量部、２２…上部画素電極（第１電極）、２３…ジョイント部、２８…蓄積容量線、１００…液晶パネル（表示パネル）、ＣＢ…共通電極電源、ＧＤ…ゲート線駆動回路、ＳＤ…シグナル線駆動回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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