(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体上に、下引層と、感光層と、を少なくとも積層してなり、回転駆動する像保持体と、
前記像保持体の周面を帯電する帯電手段と、
前記帯電手段によって帯電された前記像保持体の周面を露光することにより該像保持体上に静電潜像を形成する潜像形成手段と、
前記静電潜像をトナーによって現像し、該像保持体上に該静電潜像に応じたトナー像を形成する現像手段と、
前記トナー像を被転写体へ転写する転写手段と、
前記像保持体の回転軸方向一端側から前記像保持体の周面に向かって、該像保持体の周面を除電するための除電光を照射する光源を備え、該光源から前記像保持体へ照射された除電光によって前記転写手段による転写後の前記像保持体の周面を除電する除電手段と、
を備え、
前記下引層の体積抵抗値が、前記像保持体の回転軸方向の前記光源側の一端部から他端部側へ向かって低いことを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記下引層の層厚が、前記像保持体の回転軸方向の前記光源側の一端部から他端部側へ向かって薄いことを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記下引層の前記像保持体の回転軸方向両端部の層厚は、該下引層の該回転軸方向の平均層厚に対して１０％以上５０％以下の範囲内で異なることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記下引層の体積抵抗率が１．０×１０８Ω・cm以上１．０×１０１５Ω・cm以下の範囲内であることを特徴とする請求項１乃至請求項３の何れか１項に記載の画像形成装置。
【請求項５】
前記下引層は、前記像保持体の回転軸方向の前記光源側の一端部から他端部側へ向かって層厚の薄い第1の下引層上と、該第１の下引層上に積層され、該像保持体の回転軸方向の前記光源側の一端部から他端部側へ向かって層厚の厚い第２の下引層と、を有し、且つ該第1の下引層の前記一端部の層厚が、該第２の下引層の前記一端部の層厚より厚く、且つ前記第1の下引層の前記他端部の層厚が、該第２の下引層の前記他端部の層厚より薄いことを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項６】
前記第１の下引層の体積抵抗率が１．０×１０８．２Ω・ｃｍ以上１．０×１０１４．８Ω・ｃｍ以下の範囲内であり、且つ前記第２の下引層の体積抵抗率が１．０×１０１４．８Ω・ｃｍ以下１．０×１０８．２Ω・ｃｍ以上の範囲内であることを特徴とする請求項５に記載の画像形成装置。
【請求項７】
前記第1の下引層と前記第２の下引層とは、同一の金属元素の金属酸化物粒子を含むことを特徴とする請求項５または請求項６に記載の画像形成装置。
【請求項８】
前記第1の下引層と前記第２の下引層とは同一組成であり、前記金属酸化物粒子の分散状態が異なることを特徴とする請求項５乃至請求項７の何れか１項に記載の画像形成装置。
【請求項９】
前記除電光を照射する光源からの光が直接前記像保持体に照射されることを特徴とする請求項１乃至請求項８の何れか１項に記載の画像形成装置。
【請求項１０】
基体上に、下引層と、感光層と、を少なくとも積層してなり、回転駆動する像保持体と、
前記像保持体の周面を帯電する帯電手段、前記帯電手段によって帯電された前記像保持体の周面を露光することにより該像保持体上に静電潜像を形成する潜像形成手段、前記静電潜像をトナーによって現像し、該像保持体上に該静電潜像に応じたトナー像を形成する現像手段、前記像保持体の表面に残存したトナーを除去するためのトナー除去手段からなる群より選択される少なくとも１種と、
前記像保持体の回転軸方向一端側から前記像保持体の周面に向かって、該像保持体の周面を除電するための除電光を照射する光源を備え、該光源から前記像保持体へ照射された除電光によって転写後の前記像保持体の周面を除電する除電手段と、
を備え、
前記下引層の体積抵抗値が、前記像保持体の回転軸方向の前記光源側の一端部から他端部側へ向かって低いことを特徴とするプロセスカートリッジ。
【請求項１１】
前記下引層の層厚が、前記像保持体の回転軸方向の前記光源側の一端部から他端部側へ向かって薄いことを特徴とする請求項１０に記載のプロセスカートリッジ。
【請求項１２】
前記下引層の前記像保持体の回転軸方向両端部の層厚は、該下引層の該回転軸方向の平均層厚に対して１０％以上５０％以下の範囲内で異なることを特徴とする請求項１０または請求項１１に記載のプロセスカートリッジ。
【請求項１３】
前記下引層の体積抵抗率が１．０×１０８Ω・cm以上１．０×１０１５Ω・cm以下の範囲内であることを特徴とする請求項１０乃至請求項１２の何れか１項に記載のプロセスカートリッジ。
【請求項１４】
前記下引層は、前記像保持体の回転軸方向の前記光源側の一端部から他端部側へ向かって層厚の薄い第1の下引層上と、該第１の下引層上に積層され、該像保持体の回転軸方向の前記光源側の一端部から他端部側へ向かって層厚の厚い第２の下引層と、を有し、且つ該第1の下引層の前記一端部の層厚が、該第２の下引層の前記一端部の層厚より厚く、且つ前記第1の下引層の前記他端部の層厚が、該第２の下引層の前記他端部の層厚より薄いことを特徴とする請求項１０に記載のプロセスカートリッジ。
【請求項１５】
前記第１の下引層の体積抵抗率が１．０×１０８．２Ω・ｃｍ以上１．０×１０１４．８Ω・ｃｍ以下の範囲内であり、且つ前記第２の下引層の体積抵抗率が１．０×１０１４．８Ω・ｃｍ以下１．０×１０８．２Ω・ｃｍ以上の範囲内であることを特徴とする請求項１４に記載のプロセスカートリッジ。
【請求項１６】
前記第1の下引層と前記第２の下引層とは、同一の金属元素の金属酸化物粒子を含むことを特徴とする請求項１４または請求項１５に記載のプロセスカートリッジ。
【請求項１７】
前記第1の下引層と前記第２の下引層とは同一組成であり、前記金属酸化物粒子の分散状態が異なることを特徴とする請求項１４乃至請求項１６の何れか１項に記載のプロセスカートリッジ。
【請求項１８】
前記除電光を照射する光源からの光が直接前記像保持体に照射されることを特徴とする請求項１０乃至請求項１７に記載のプロセスカートリッジ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画像形成装置及びプロセスカートリッジに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、カラーや白黒の画像を形成する複写機やプリンタなどの画像形成装置として、電子写真方式を用いた画像形成装置が知られている。
この画像形成装置では、感光体の表面を帯電装置によって帯電させて、この帯電された感光体の表面を像様に露光することで該感光体上に静電潜像を形成し、この静電潜像をトナーによって現像することで静電潜像に応じたトナー像を形成した後に、形成されたトナー像を記録媒体へ直接または中間転写体を介して記録媒体へ転写している。これによって、記録媒体に画像が形成される。そして、このトナー像を転写した後の感光体の表面は、再度帯電装置によって帯電されて、再度、上記の静電潜像形成及びトナー像形成が繰り返される。
【０００３】
この電子写真方式を用いた画像形成装置では、トナー像転写後の感光体表面の残留電位によって、前の画像形成時における露光履歴が次に形成される画像に現れることにより生じる、いわゆるゴーストと呼ばれる画像欠陥が発生する場合があった。
【０００４】
そこで、画像欠陥等に対応するために、トナー像転写後の感光体表面を除電する除電装置を画像形成装置に設ける技術が知られている（例えば、特許文献１〜３参照）。
【０００５】
特許文献１の技術では、感光体の長手方向に対向して棒状のライトガイドを設けて、このライトガイドの該長手方向の両端または片側から光を照射して、これらのライトガイドに入射された光をライトガイドによって感光体の表面方向へと反射させることで、感光体上に除電光を照射している。
【０００６】
特許文献２の技術では、感光体の回転方向に対して、転写手段の下流側で且つクリーニング手段の上流側に、感光体の長手方向の側面方向から感光体を除電光により露光することによって、感光体の除電を行っている。
【０００７】
また、ゴーストの発生を抑制する技術として、特許文献３の技術では、感光体を構成する下引層の製造において、導電性金属酸化物と硬化製樹脂と硬化剤と溶媒とを混合するときに、得られる混合液がその混合液を硬化させて塗膜を形成した場合に、この塗膜の波長９５０ｎｍの光に対する透過率が７０％以上となるように、混合を行っている。この製造方法によって、導電性金属酸化物が分散された状態の下引層とすることができ、電荷移動が容易となって感光体における残留電位の上昇を抑制している。
【０００８】
【特許文献１】特開２００１−１４２３６５号公報
【特許文献２】特開２００６−０３０８５６号公報
【特許文献３】特開２００６−１７８００２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、除電光を像保持体の回転軸方向の両端側から照射して除電を行う場合に比べて、簡易な構成でゴーストの発生を抑制し、画質劣化を抑制することが可能な画像形成装置及びプロセスカートリッジを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
請求項１に記載の発明は、基体上に、下引層と、感光層と、を少なくとも積層してなり、回転駆動する像保持体と、前記像保持体の周面を帯電する帯電手段と、前記帯電手段によって帯電された前記像保持体の周面を露光することにより該像保持体上に静電潜像を形成する潜像形成手段と、前記静電潜像をトナーによって現像し、該像保持体上に該静電潜像に応じたトナー像を形成する現像手段と、前記トナー像を被転写体へ転写する転写手段と、前記像保持体の回転軸方向一端側から前記像保持体の周面に向かって、該像保持体の周面を除電するための除電光を照射する光源を備え、該光源から前記像保持体へ照射された除電光によって前記転写手段による転写後の前記像保持体の周面を除電する除電手段と、を備え、前記下引層の体積抵抗値が、前記像保持体の回転軸方向の前記光源側の一端部から他端部側へ向かって低いことを特徴とする画像形成装置である。
【００１１】
請求項２に記載の発明は、前記下引層の層厚が、前記像保持体の回転軸方向の前記光源側の一端部から他端部側へ向かって薄いことを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置である。
【００１２】
請求項３に記載の発明は、前記下引層の前記像保持体の回転軸方向両端部の層厚は、該下引層の該回転軸方向の平均層厚に対して１０％以上５０％以下の範囲内で異なることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の画像形成装置である。
【００１３】
請求項４に記載の発明は、前記下引層の体積抵抗率が１．０×１０８Ω・cm以上１．０×１０１５Ω・cm以下の範囲内であることを特徴とする請求項１〜請求項３の何れか１項に記載の画像形成装置である。
【００１４】
請求項５に記載の発明は、前記下引層は、前記像保持体の回転軸方向の前記光源側の一端部から他端部側へ向かって層厚の薄い第1の下引層上と、該第１の下引層上に積層され、該像保持体の回転軸方向の前記光源側の一端部から他端部側へ向かって層厚の厚い第２の下引層と、を有し、且つ該第1の下引層の前記一端部の層厚が、該第２の下引層の前記一端部の層厚より厚く、且つ前記第1の下引層の前記他端部の層厚が、該第２の下引層の前記他端部の層厚より薄いことを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置である。
【００１５】
請求項６に記載の発明は、前記第１の下引層の体積抵抗率が１．０×１０８．２Ω・ｃｍ以上１．０×１０１４．８Ω・ｃｍ以下の範囲内であり、且つ前記第２の下引層の体積抵抗率が１．０×１０１４．８Ω・ｃｍ以下１．０×１０８．２Ω・ｃｍ以上の範囲内であることを特徴とする請求項５に記載の画像形成装置である。
【００１６】
請求項７に記載の発明は、前記第1の下引層と前記第２の下引層とは、同一の金属元素の金属酸化物粒子を含むことを特徴とする請求項５または請求項６に記載の画像形成装置である。
【００１７】
請求項８に記載の発明は、前記第1の下引層と前記第２の下引層とは同一組成であり、前記金属酸化物粒子の分散状態が異なることを特徴とする請求項５〜請求項７の何れか１項に記載の画像形成装置である。
【００１８】
請求項９に記載の発明は、前記除電光を照射する光源からの光が直接前記像保持体に照射されることを特徴とする請求項１乃至請求項８の何れか１項に記載の画像形成装置である。
【００１９】
請求項１０に記載の発明は、基体上に、下引層と、感光層と、を少なくとも積層してなり、回転駆動する像保持体と、前記像保持体の周面を帯電する帯電手段、前記帯電手段によって帯電された前記像保持体の周面を露光することにより該像保持体上に静電潜像を形成する潜像形成手段、前記静電潜像をトナーによって現像し、該像保持体上に該静電潜像に応じたトナー像を形成する現像手段から選択される少なくとも１つと、前記像保持体の回転軸方向一端側から前記像保持体の周面に向かって、該像保持体の周面を除電するための除電光を照射する光源を備え、該光源から前記像保持体へ照射された除電光によって転写後の前記像保持体の周面を除電する除電手段と、を備え、前記下引層の体積抵抗値が、前記像保持体の回転軸方向の前記光源側の一端部から他端部側へ向かって低いことを特徴とするプロセスカートリッジである。
【００２０】
請求項１１に記載の発明は、前記下引層の層厚が、前記像保持体の回転軸方向の前記光源側の一端部から他端部側へ向かって薄いことを特徴とする請求項１０に記載のプロセスカートリッジである。
【００２１】
請求項１２に記載の発明は、前記下引層の前記像保持体の回転軸方向両端部の層厚は、該下引層の該回転軸方向の平均層厚に対して１０％以上５０％以下の範囲内で異なることを特徴とする請求項１０または請求項１１に記載のプロセスカートリッジである。
【００２２】
請求項１３に記載の発明は、前記下引層の体積抵抗率が１．０×１０８Ω・cm以上１．０×１０１５Ω・cm以下の範囲内であることを特徴とする請求項１０乃至請求項１２の何れか１項に記載のプロセスカートリッジである。
【００２３】
請求項１４に記載の発明は、前記下引層は、前記像保持体の回転軸方向の前記光源側の一端部から他端部側へ向かって層厚の薄い第1の下引層上と、該第１の下引層上に積層され、該像保持体の回転軸方向の前記光源側の一端部から他端部側へ向かって層厚の厚い第２の下引層と、を有し、且つ該第1の下引層の前記一端部の層厚が、該第２の下引層の前記一端部の層厚より厚く、且つ前記第1の下引層の前記他端部の層厚が、該第２の下引層の前記他端部の層厚より薄いことを特徴とする請求項１０に記載のプロセスカートリッジである。
【００２４】
請求項１５に記載の発明は、前記第１の下引層の体積抵抗率が１．０×１０８．２Ω・ｃｍ以上１．０×１０１４．８Ω・ｃｍ以下の範囲内であり、且つ前記第２の下引層の体積抵抗率が１．０×１０１４．８Ω・ｃｍ以下１．０×１０８．２Ω・ｃｍ以上の範囲内であることを特徴とする請求項１４に記載のプロセスカートリッジである。
【００２５】
請求項１６に記載の発明は、前記第1の下引層と前記第２の下引層とは、同一の金属元素の金属酸化物粒子を含むことを特徴とする請求項１４または請求項１５に記載のプロセスカートリッジである。
【００２６】
請求項１７に記載の発明は、前記第1の下引層と前記第２の下引層とは同一組成であり、前記金属酸化物粒子の分散状態が異なることを特徴とする請求項１４乃至請求項１６の何れか１項に記載のプロセスカートリッジである。
【００２７】
請求項１８に記載の発明は、前記除電光を照射する光源からの光が直接前記像保持体に照射されることを特徴とする請求項１０乃至請求項１７に記載のプロセスカートリッジである。
【発明の効果】
【００２８】
請求項１に係る発明によれば、除電光を像保持体の回転軸方向の両端側から照射して除電を行う場合に比べて、簡易な構成でゴーストの発生を抑制し、画質劣化を抑制することができる、という効果を奏する。
【００２９】
請求項２に係る発明によれば、像保持体の生産性向上を図ることができるとともに、ゴーストの発生を抑制することができる、という効果を奏する。
【００３０】
請求項３に係る発明によれば、より簡易な構成で容易にゴーストの発生を抑制することができる、という効果を奏する。
【００３１】
請求項４に係る発明によれば、より簡易な構成で効果的にゴーストの発生を抑制することができる、という効果を奏する。
【００３２】
請求項５に係る発明によれば、下引層を体積抵抗率及び回転軸方向の厚みの形成状態の異なる２層構成とすることによって、現像不良を抑制することができる、という効果を奏する。
【００３３】
請求項６に係る発明によれば、より効果的にゴーストの発生を抑制することができる、という効果を奏する。
【００３４】
請求項７に係る発明によれば、像保持体の生産性向上を図ることができるとともに、低価格でゴーストの発生を抑制することができる、という効果を奏する。
【００３５】
請求項８に係る発明によれば、像保持体の生産性向上を図ることができるとともに、低価格でゴーストの発生を抑制することができる、という効果を奏する。
【００３６】
請求項９に係る発明によれば、ライトガイドを設ける必要がなくより簡単な装置構成とすることができる、という効果を奏する。
【００３７】
請求項１０に係る発明によれば、除電光を像保持体の回転軸方向の両端側から照射して除電を行う場合に比べて、簡易な構成でゴーストの発生を抑制し、画質劣化を抑制することができる、という効果を奏する。
【００３８】
請求項１１に係る発明によれば、像保持体の生産性向上を図ることができるとともに、ゴーストの発生を抑制することができる、という効果を奏する。
【００３９】
請求項１２に係る発明によれば、より簡易な構成で容易にゴーストの発生を抑制することができる、という効果を奏する。
【００４０】
請求項１３に係る発明によれば、より簡易な構成で効果的にゴーストの発生を抑制することができる、という効果を奏する。
【００４１】
請求項１４に係る発明によれば、下引層を体積抵抗率及び回転軸方向の厚みの形成状態の異なる２層構成とすることによって、現像不良を抑制することができる、という効果を奏する。
【００４２】
請求項１５に係る発明によれば、より効果的にゴーストの発生を抑制することができる、という効果を奏する。
【００４３】
請求項１６に係る発明によれば、像保持体の生産性向上を図ることができるとともに、低価格でゴーストの発生を抑制することができる、という効果を奏する。
【００４４】
請求項１７に係る発明によれば、像保持体の生産性向上を図ることができるとともに、低価格でゴーストの発生を抑制することができる、という効果を奏する。
【００４５】
請求項１８に係る発明によれば、ライトガイドを設ける必要がなくより簡単な構成とすることができる、という効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４６】
以下、本発明の画像形成装置の一の実施の形態を説明する。
【００４７】
（第１の実施の形態）
本実施の形態の画像形成装置１０は、図１に示すように、感光体１２を備えている。感光体１２は、円筒状であって、回転軸Ｘを中心に所定方向（図１中、矢印Ａ方向）に回転可能に設けられている。この感光体１２の周囲には、感光体１２の回転方向（図１中、矢印Ａ方向）に沿って、帯電装置１４、露光装置１８、現像装置２０、転写装置２４、クリーニング装置２６、及び除電装置２８が順に配置されている。
【００４８】
なお、本実施の形態の画像形成装置１０が本発明の画像形成装置に相当し、帯電装置１４が本発明の画像形成装置の帯電手段に相当し、感光体１２が本発明の画像形成装置の像保持体に相当する。また、本実施の形態の露光装置１８が本発明の画像形成装置の潜像形成手段に相当し、現像装置２０が現像手段に相当し、除電装置２８が除電手段に相当する。
【００４９】
帯電装置１４は、感光体１２の周面を所定の帯電電位に帯電させる。帯電装置１４としては、公知の帯電器を使用する。接触方式である場合には、ロール、ブラシ、磁気ブラシ、ブレード等が使用でき、非接触の場合には、コロトロン、スコロトロン等が使用する。
【００５０】
接触帯電方式は、感光体１２の表面に接触させた導電性部材に電圧を印加することにより感光体１２の表面を帯電させるものである。導電性部材の形状はブラシ状、ブレード状、ピン電極状、あるいはローラー状等何れでもよいが、特にローラー状部材が好ましい。通常、ローラー状部材は外側から抵抗層とそれらを支持する弾性層と芯材から構成される。さらに必要に応じて抵抗層の外側に保護層を設けられる。
【００５１】
なお、本実施の形態において、「導電性」とは、体積抵抗率が１０１０Ω・ｃｍ以下であることを意味している。
【００５２】
導電性部材を用いて感光体１２を帯電させる方法としては、導電性部材に電圧を印加するが、印加電圧は直流電圧、あるいは直流電圧に交流電圧を重畳したものが好ましい。また、帯電時の感光体１２の表面電位は、−４００Ｖ以上−２００Ｖ以下の範囲内とすることが好ましい。
【００５３】
露光装置１８は、帯電装置１４によって帯電された感光体１２へ、この感光体１２が感度を有する波長の光（露光光）を露光することによって、感光体１２上に、画像形成装置１０で形成する対象となる画像の画像データに応じた静電潜像を形成する。
【００５４】
露光装置１８としては、露光光を感光体１２へ露光することができれば、公知の露光装置を使用する。露光装置１８としては、例えば、半導体レーザー、ＬＥＤ（ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｏｄｅ）、液晶シャッター等の光源を所望の像様に露光できる光学系装置等を用いる。
【００５５】
光源としてＬＥＤを用いる場合には、その露光光の波長は５００ｎｍ以上８００ｎｍ以下であることが好ましい。また、光源としてＬＥＤを用いる場合には感光体１２内部で干渉光が生じないため、木目状の濃度ムラが生じないという利点がある。
【００５６】
現像装置２０は、静電潜像をトナー（詳細後述）により現像して、感光体１２上に静電潜像に応じたトナー像を形成する。
【００５７】
この現像装置２０は、貯留されたトナーを保持すると共に、保持したトナーを感光体１２表面へ供給するための現像ロール２０Ｂと、この現像ロール２０Ｂに現像バイアス電圧を印加するための現像バイアス電圧印加部（図示省略）と、を含んで構成されている。
【００５８】
現像装置２０としては、公知の現像装置２０を使用する。現像法としては、キャリアとトナーを用いる二成分現像法、またはトナーだけ用いる一成分現像法、またこれらの現像法においてさらに現像その他の特性改善のために別の構成物質が添加される場合もある全ての現像方法が使用する。
【００５９】
転写装置２４は、感光体１２上のトナー像を記録媒体２７に転写する。
転写装置２４としては、公知の転写装置を使用する。例えば、接触方式である場合は、ロール、ブラシ、ブレード等が使用でき、非接触方式の場合は、コロトロン、スコロトロン、ピンコロトロン等が使用する。また、圧力、若しくは圧力及び熱による転写も可能である。また、転写電圧は＋３００Ｖ以上＋７００Ｖ以下の範囲であることが好ましい。なお、転写装置２４は、定電圧制御方式で転写する構成を有していてもよい。
【００６０】
図示を省略する記録媒体供給部に貯留された記録媒体２７が、図示を省略する搬送ロール等によって搬送されることで、感光体１２と転写装置２４との向かい合う領域に搬送され、この感光体１２と転写装置２４とによって挟持搬送されることで、感光体１２上のトナー像は記録媒体２７へ転写される。
【００６１】
なお、本実施の形態では、感光体１２と転写装置２４との間に記録媒体２７を挟持搬送することによってトナー像を記録媒体２７へ転写する場合を説明するが、画像形成装置１０はこのような形態に限られず、感光体１２に形成されたトナー像を中間転写ベルト等の中間転写体（図示省略）へ転写した後に、この中間転写体上に転写されたトナー像を記録媒体２７に転写するようにしてもよい。
【００６２】
この中間転写体としては、従来公知の導電性熱可塑性樹脂を用いる。例えば、導電剤含有のポリイミド樹脂、ポリカーボネート樹脂（ＰＣ）、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、ポリアルキレンテレフタレート（ＰＡＴ）、エチレンテトラフルオロエチレン共重合体（ＥＴＦＥ）／ＰＣ、ＥＴＦＥ／ＰＡＴ、ＰＣ／ＰＡＴのブレンド材料等の導電性熱可塑性樹脂が挙げられる。この中でも、機械強度に優れる点で、導電剤を分散させたポリイミド樹脂を用いるのが好ましい。導電剤としては、カーボンブラック、金属酸化物、ポリアニリン等の導電性ポリマーを用いる。また、中間転写体は表面層を有していても良い。
【００６３】
クリーニング装置２６（トナー除去手段）は、トナー像を記録媒体２７へ転写した後の感光体１２上に残存するトナーや紙粉等の異物を除去する。クリーニング装置２６は、クリーニング部材として磁気ブラシ、導電性ファイバーブラシ、ブレードなどを有することが好ましい。また、クリーニングブレードの材質としては、ウレタンゴム、ネオプレンゴム、シリコーンゴム等が挙げられる。
【００６４】
保持したトナー像を転写装置２４によって記録媒体２７へ転写された感光体１２は、回転によって、クリーニング装置２６によって表面の異物を除去される。
【００６５】
除電装置２８は、感光体１２の残存電荷を消去する。
【００６６】
除電装置２８は、図２に示すように、感光体１２の周面に向かって、感光体１２の周面を除電するための除電光を照射する除電光源２８Ａを含んで構成されている。
【００６７】
除電装置２８の除電光源２８Ａは、感光体１２の回転軸Ｘの方向（以下、回転軸方向Ｙ（図２参照）と称する）の一端側にだけ設けられており、該一端側から感光体１２の回転軸方向Ｙの該一端側から他端側までの領域中の少なくとも感光体１２の周面の除電対象となる領域（感光体１２の外周面の全領域中の、少なくとも現像装置２０によってトナー像の形成されうる領域を含む領域）に除電光を照射可能な位置に設けられている。
【００６８】
すなわち、図２に示すように、除電装置２８の除電光源２８Ａは、感光体１２の周面へ、感光体１２の回転軸方向Ｙの一端側から感光体１２の周面へ向かって除電光を照射する位置に設けられている。
【００６９】
このため、除電装置２８の除電光源２８Ａは、感光体１２の除電対象となる領域よりも外側（感光体１２の回転軸方向Ｙの中央部から離れる方向側）に設けられており、該外側の位置から感光体１２の周面の回転軸方向Ｙの一端側から他端側へ向かって、感光体１２上の除電対象となる領域へ除電光を照射する。このように、除電装置２８によって感光体１２の回転軸方向Ｙに除電光が照射された状態で、感光体１２が、回転軸Ｘを中心として回転することで、感光体１２の周面が除電装置２８による除電光によって除電される。
【００７０】
除電光源２８Ａとしては、電子写真理論における除電作用を行える能力があれば良いが、具体的には、ＬＥＤやハロゲンランプ等を用いることができる。
【００７１】
なお、除電光源２８Ａから感光体１２の周面へ向かって照射された除電光が、感光体１２の除電対象の領域以外の領域である、感光体１２の回転軸方向Ｙの両端部を照射しないように、除電装置２８に遮光部材（図示省略）を設けた構成であってもよい。
【００７２】
クリーニング装置２６によって表面の異物を除去された感光体１２は、回転方向（図１中、矢印Ａ方向）の回転によって除電装置２８によって残存電荷を消去された後に、再び、帯電装置１４によって帯電される。
【００７３】
また、画像形成装置１０は、記録媒体２７に転写されたトナー像を記録媒体２７上に定着する定着装置３０を備えている。この定着装置３０としては公知の定着手段が使用される。
【００７４】
転写装置２４によってトナー像を転写された記録媒体２７は、図示を省略する搬送ロール等によって定着装置３０まで搬送されると、定着装置３０によって記録媒体２７上のトナー像を定着されて、記録媒体２７上に画像の形成された状態となる。この画像の形成された記録媒体２７は、図示を省略する搬送ロール等によって画像形成装置１０の外部へと搬送される。
【００７５】
ここで、本実施の形態の画像形成装置１０に設けられている感光体１２について、詳細を説明する。
【００７６】
感光体１２は、詳細構成については後述するが、図３に示すように、少なくとも導電性基体１上に、下引層２と、感光層３と、を少なくとも積層して構成されている。
なお、図３に示す感光体１２は機能分離型の感光体であり、感光層３は電荷発生層３１と電荷輸送層３２とから構成されている。
【００７７】
導電性基体１としては、アルミニウム・銅・鉄・ステンレス・亜鉛・ニッケルなどの金属ドラムとしてもよいし、シート・紙・プラスチック又はガラス上にアルミニウム・銅・金・銀・白金・パラジウム・チタン・ニッケル−クロム・ステンレス鋼・銅・インジウム等の金属を蒸着したり、酸化インジウム・酸化錫などの導電性金属化合物を蒸着したものとしてもよいし、金属箔をラミネートしたり、或いは、カーボンブラック・酸化インジウム・酸化錫・酸化アンチモン粉・金属粉・沃化銅等を結着樹脂に分散し、塗布することによって導電処理したもの等が用いられる。
【００７８】
また、導電性基体１の形状はドラム状に限られず、シート状、プレート状としてもよい。尚、導電性基体１を金属パイプとした場合、表面は素管のままであってもよいし、事前に鏡面切削、エッチング、陽極酸化、粗切削、センタレス研削、サンドブラスト、ウエットホーニングなどの処理が行われていてもよい。
【００７９】
ここで、金属製ドラムを導電性基体１として用いる場合、その外周面（下引層２が形成される側の面）は素管のままであってもよいが、予め鏡面切削、エッチング、陽極酸化、粗切削、センタレス研削、サンドブラスト、ウエットホーニング、着色処理などの処理を行ってもよい。下引層２が形成される側の面を表面処理により粗面化することで、レーザービームのような可干渉光源を用いた場合に発生しうる感光体内での干渉光による木目状の濃度斑が防止される。
【００８０】
次に、下引層２について説明する。下引層２は、電気特性向上、画質向上、画質維持性向上、感光層３の接着性向上、耐リーク性向上等の機能を有する。下引層２は、後述する下引層形成用塗布液を導電性基体１に塗布することにより形成される。
【００８１】
下引層２の、感光体１２として構成されて画像形成装置１０に搭載された状態における回転軸方向Ｙの体積抵抗値は、除電光源２８Ａ側の一端部から他端部側へ向かって（即ち、除電光源２８Ａに近い側から離れる方向へ向かって）低くなるように設けられている。
【００８２】
なお、本実施の形態では、「体積抵抗値」の測定は、作製した下引層２の、感光体１２として構成したときの回転軸方向Ｙの一端側から他端側へ向かって５箇所以上の領域から１ｃｍ×１ｃｍの正方形の試験片を切り出し、各試験片各々について、測定を行った。
この各試験片の体積抵抗値の測定は、具体的には、ＪＩＳ Ｋ ６９１１に従って、温度２４℃、湿度５０％ＲＨの環境下において、測定治具（Ｒ１２７０２Ａ／Ｂレジスティビティ・チェンバ：アドバンテスト社製）と高抵抗測定器（Ｒ８３４０Ａデジタル高抵抗／微小電流計：アドバンテスト社製）とを用い、電場（印加電圧／組成物シート厚）が１０００Ｖ／ｃｍになるよう調節した電圧を３０秒印加後の電流値と、印加電圧と、から、印加電圧を電流値で除して求めた。
【００８３】
また、後述するが、本実施の形態において「体積抵抗率」の測定は、作製した下引層２をシート状とし、測定治具（Ｒ１２７０２Ａ／Ｂレジスティビティ・チェンバ：アドバンテスト社製）と高抵抗測定器（Ｒ８３４０Ａデジタル高抵抗／微小電流計：アドバンテスト社製）とを用い、電場（印加電圧／組成物シート厚）が１０００Ｖ／ｃｍになるよう調節した電圧を３０秒印加後の電流値より、下記式（２）を用いて算出した。 
体積抵抗率（Ω・ｃｍ）＝（１９．６３×印加電圧（Ｖ））／（電流値（Ａ）×組成物シート厚（ｃｍ））  ・・・  式（２）
【００８４】
感光体１２を構成する下引層２の体積抵抗値の高い領域は体積抵抗値の低い領域に比べて導電性基板へのブロッキング性能が高くなるため、感光体１２として構成されたときの対応する領域の、除電光に対する感度は低くなる。また、反対に、下引層２の体積抵抗値の低い領域は体積抵抗値の高い領域に比べて、導電性基板へのブロッキング性能が低くなるため、感光体１２として構成されたときの対応する領域の、除電光に対する感度は高くなる。
【００８５】
ここで、上述のように除電装置２８の除電光源２８Ａは、感光体１２の回転軸方向Ｙの一端側のみに設けられており、該一端側から感光体１２の回転軸方向Ｙの少なくとも除電対象となる領域へ除電光を照射するので、除電装置２８の除電光源２８Ａと、除電装置２８から照射されて感光体１２の周面へ到達した除電光の強度は、感光体１２の周面における回転軸方向Ｙの除電装置２８側の一端部から他端部側へ向かって、除電光源２８Ａとの距離に応じて弱くなる。このような位置関係となるように、除電装置２８は設けられている。
【００８６】
このように、本実施の形態の画像形成装置１０では、除電光源２８Ａが感光体１２の回転軸方向Ｙの一端側のみに設けられた構成であることで、除電光源２８Ａから感光体１２の周面へ照射される除電光の強度が感光体１２の周面における回転軸方向Ｙの除電光源２８Ａ側の一端部から他端部側へ向かって弱いのであるが、上記説明したように、下引層２の体積抵抗値が該回転軸方向Ｙの除電光源２８Ａ側の一端部から他端部側へ向かって低いので、感光体１２の感度は該回転軸方向Ｙの除電光源２８Ａ側の一端部から他端部側へ向かって高く、感光体１２へ照射される除電光の強度が該回転軸方向Ｙに不均一となることが抑制される。このため、ゴーストの発生を抑制し、画質劣化が抑制される。
なお、「ゴースト」とは、前の画像形成時における露光履歴が次に形成される画像に残像として現れることにより生じる画像欠陥を意味している。本実施の形態では、この画像欠陥を適宜「ゴースト」と称して説明する。
【００８７】
なお、下引層２の上記回転軸方向Ｙの最も除電光源２８Ａから遠い領域の体積抵抗値は、下引層２の上記回転軸方向Ｙの最も除電光源２８Ａに近い領域の体積抵抗値の１／１００倍以上１／１０倍以下の範囲内であることが好ましく、１／９０倍以上１／２０倍以下の範囲内であることが更に好ましく、１／７５倍以上１／２５倍以下の範囲内であることが特に好ましい。
【００８８】
また、下引層２の上記回転軸方向Ｙの最も除電光源２８Ａから遠い領域の体積抵抗値が、下引層２の上記回転軸方向Ｙの最も除電光源２８Ａに近い領域の体積抵抗値の１／１０倍を超えると、有効感光領域端部の濃度低下が著しくなる懸念があり、１／１００倍未満であると、端部で濃度上昇が起こる懸念がある。
【００８９】
下引層２の回転軸方向Ｙの体積抵抗値を上述のように除電光源２８Ａ側の一端部から他端部側へ向かって低くなるように調整するための具体的な構成として、本実施の形態では、図３に示すように、下引層２の層厚が、回転軸方向Ｙの除電光源２８Ａ側の一端部から他端部側へ向かって薄くなるように形成されている。
【００９０】
このように下引層２の層厚が調整されることで、下引層２の、感光体１２として構成されて画像形成装置１０に搭載された状態における回転軸方向Ｙの体積抵抗値が、除電光源２８Ａ側の一端部から他端部側へ向かって低くなるように調整される。
なお、この下引層２の体積抵抗率については、詳細は後述するが、感光体１２として構成されている画像形成装置１０に搭載された状態における回転軸方向Ｙにおいて一定または限りなく一定に近くなるように調整される。
【００９１】
この下引層２の、感光体１２として構成されて画像形成装置１０に搭載された状態における回転軸方向Ｙにおける、層厚の最も厚い領域（最も除電光源２８Ａに最も近い領域）の層厚と、層厚の最も薄い領域（最も除電光源２８Ａから最も遠い領域）の層厚と、は、感光体１２の回転軸方向Ｙの層厚の平均値に対して、１０％以上５０％以下の範囲内であることが好ましい。
【００９２】
下引層２の層厚の最も厚い領域及び最も薄い領域の層厚の各々が、該層厚の平均値に対して１０％未満の製膜は量産性を考慮すると困難であり、５０％を超えると、体積抵抗率をコントロールしにくく、本発明の目的の達成が困難になると言う問題が生じる場合がある。
【００９３】
下引層２を、上述のように、感光体１２として構成されて画像形成装置１０に搭載された状態における回転軸方向Ｙの層厚が、除電光源２８Ａ側の一端部から他端部側へ向かって薄くなるように作製するためには、導電性基体１上に後述する下引層形成用塗布液を用いて下引層２を形成するときに、下引層２の層厚が回転軸方向Ｙに変化するように、該下引層形成用塗布液の塗布速度を調整すればよい。
【００９４】
なお、本実施の形態では、下引層２の膜厚においては、感光体１２として構成されて画像形成装置１０に搭載された状態における回転軸方向Ｙの層厚が、除電光源２８Ａ側の一端部から他端部側へ向かって薄くなるように調整されていればよく、段階的であっても連続的であってもよいが、濃度差に段階が出ない方が望ましい為、連続的に薄くなるように調整されていることが好ましい。
【００９５】
このように、本実施の形態では、感光体１２として構成されて画像形成装置１０に搭載された状態における回転軸方向Ｙの層厚が、除電光源２８Ａ側の一端部から他端部側へ向かって薄くなるように調整することで、感光体１２として構成されて画像形成装置１０に搭載された状態における回転軸方向Ｙの除電光源２８Ａ側の一端部から他端部側へ向かって体積抵抗値が低くなるように調整される。
【００９６】
この下引層２は、金属酸化物粒子を含んでいる。下引層２に金属酸化物粒子を含むことで、層厚を薄くしても電気抵抗が上昇することを抑え、感光体１２の繰り返し使用による電気的特性の悪化を防止すると共に、同時に下引層２中の樹脂比率を低減することにより短波長の光の露光に対してダメージを受けにくい構成とされる。
【００９７】
上記金属酸化物粒子としては、１０2Ω・ｃｍ以上１０11Ω・ｃｍ以下程度の粉体抵抗が必要である。その理由は、下引層２はリーク耐性獲得のために適切な抵抗を得ることが必要でるためである。中でも上記抵抗値を有する酸化チタン、酸化亜鉛、酸化錫及び酸化ジルコニウムから選択される少なくとも１種の金属酸化物粒子を用いることが、長期繰り返し使用時における電気特性、画質の安定性の点で好ましい。特にこれらの中では酸化亜鉛及び酸化チタンが、電子移動性が高く、良好な電子写真特性が表れるので好ましく用いられる。
【００９８】
尚、上記範囲の下限よりも金属酸化物粒子の抵抗値が低いと十分なリーク耐性が得られず、この範囲の上限よりも高いと残留電位上昇を引き起こしてしまう懸念がある。また、金属酸化物粒子は表面処理の異なるものあるいは粒子径の異なるものなど２種以上混合して用いられる。また、金属酸化物粒子としては、比表面積がＢＥＴ法にて１０ｍ2／ｇ以上のものが好ましく用いられる。比表面積値が１０ｍ2／ｇ以下のものは帯電性低下を招きやすく、良好な電子写真特性を得にくい欠点がある。
また、金属酸化物粒子の体積平均粒径は５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の範囲であることが好ましい。
【００９９】
上記金属酸化物粒子には表面処理を施すことが好ましい。
表面処理剤としては、シランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤、界面活性材など所望の特性が得られるものであれば公知の材料から選択される。特にシランカップリング剤は、良好な電子写真特性を与えるため好ましく用いられる。さらにアミノ基を有するシランカップリング剤、不飽和基を持つシランカップリング剤は、下引層に良好なブロッキング性を与えるだけでなく、照射される光に対する金属酸化物粒子の変質を抑制する等の観点から好ましく用いられる。
【０１００】
アミノ基を有するシランカップリング剤としては、所望の感光体特性を得られるものであればいかなるものでも、用いられるが、具体的例としては、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルメチルメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス（β−ヒドロキシエチル）−γ−アミノプロピルトリエトキシシランなどが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【０１０１】
また、シランカップリング剤は２種以上混合して使用してもよい。前記アミノ基を有するシランカップリング剤と併用して用いられるシランカップリング剤の例としてはビニルトリメトキシシラン、γ−メタクリルオキシプロピル−トリス（β−メトキシエトキシ）シラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルメチルメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス（β−ヒドロキシエチル）−γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−クロルプロピルトリメトキシシランなどが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【０１０２】
また、不飽和基を持つシランカップリング剤としてはビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシランなどが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【０１０３】
表面処理方法は、公知の方法であればいかなる方法でも使用可能であるが、乾式法あるいは湿式法が用いられる。
乾式法にて表面処理を施す場合には、金属酸化物粒子をせん断力の大きなミキサ等で攪拌しながら、直接あるいは有機溶媒に溶解させたシランカップリング剤を滴下、乾燥空気や窒素ガスとともに噴霧させることによって均一に処理される。添加あるいは噴霧する際には溶剤の沸点以下の温度で行われることが好ましい。溶剤の沸点以上の温度で噴霧すると、均一に攪拌される前に溶剤が蒸発し、シランカップリング剤が局部的にかたまってしまい均一な処理ができにくい欠点があり、好ましくない。添加あるいは噴霧した後、さらに１００℃以上で焼き付けを行える。焼き付けは所望の電子写真特性が得られる温度、時間であれば任意の範囲で実施される。
【０１０４】
湿式法としては、金属酸化物粒子を溶剤中で攪拌、超音波、サンドミルやアトライター、ボールミルなどを用いて分散し、シランカップリング剤溶液を添加し攪拌あるいは分散したのち、溶剤除去することで均一に処理される。溶剤除去方法はろ過あるいは蒸留により留去される。溶剤除去後にはさらに１００℃以上で焼き付けを行える。焼き付けは所望の電子写真特性が得られる温度、時間であれば任意の範囲で実施される。湿式法においては表面処理剤を添加する前に金属酸化物粒子含有水分を除去することもでき、その例として表面処理に用いる溶剤中で攪拌加熱しながら除去する方法、溶剤と共沸させて除去する方法を用いられる。
【０１０５】
下引層２中の金属酸化物粒子に対するシランカップリング剤の量は、所望の電子写真特性が得られる量であれば任意に設定される。
【０１０６】
また、下引層２には、前記金属酸化物粒子と該金属酸化物粒子と反応可能な基を有するアクセプター性化合物（電子受容性化合物）とを、混合または分散させて形成されることが好ましい。
上記金属酸化物粒子を介して下引層２中にアクセプター性化合物を含ませることにより、下引層２中での、導電性基体１と電荷発生層３１との電荷の授受を効率的なものとし、高画質、高速対応の画像形成に対しても長期に渡って使用される。
【０１０７】
アクセプター性化合物としては所望の特性が得られる金属酸化物粒子と反応可能な基を有するものならばいかなるものでも使用可能であるが、特開昭４７−３０３３０号公報に記載のペリレン顔料、ビスベンズイミダゾールペリレン顔料、多環キノン顔料、インジゴ顔料、キナクリドン顔料等の有機顔料、また、シアノ基、ニトロ基、ニトロソ基、ハロゲン原子等の電子吸引性の置換基を有するビスアゾ顔料やフタロシアニン顔料等が好ましい。これらの顔料の中ではペリレン顔料、ビスベンズイミダゾールペリレン顔料と多環キノン顔料が、電子受容性が高いので好ましく使用され、とくに望ましくは多環キノン顔料でありゴースト抑制効果もより期待される。また、これらの顔料の表面は、分散性、電荷受容性を制御する目的で上記カップリング剤や、バインダーなどで表面処理しても良い。
【０１０８】
アクセプター性化合物の含有量は、所望の特性が得られる範囲であれば任意に設定されるが、望ましくは金属酸化物粒子に対して０．０１質量％以上２０質量％以下の範囲で用いられる。さらに望ましくは金属酸化物粒子に対して０．０５質量％以上１０質量％以下感光体１２の範囲で用いられる。０．０１質量％未満では下引層２内の電荷蓄積改善に寄与するだけの十分なアクセプター性を付与できないため、繰り返し使用時に残留電位の上昇など維持性の悪化を招きやすい。また２０質量％を超えると金属酸化物同士の凝集を引き起こしやすく、その為下引層形成時に下引層内で金属酸化物が良好な導電路を形成することができず、繰り返し使用時に残留電位の上昇など維持性の悪化を招きやすくなるだけでなく、黒点などの画質欠陥も引き起こしやすくなる。
【０１０９】
これらのアクセプター性化合物の付与量は、所望の特性が得られる範囲であれば任意に設定されるが、望ましくは金属酸化物粒子に対して０．０１質量％以上２０質量％以下の範囲で付与される。さらに望ましくは金属酸化物粒子に対して０．０５質量％以上１０質量％以下の範囲で付与される。アクセプター性化合物の付与量が０．０１質量％未満では下引層２内の電荷蓄積低減に寄与するだけの十分なアクセプター性を付与できないため、繰り返し使用時に残留電位の上昇など維持性の悪化を招きやすい。
【０１１０】
また２０質量％を超えると、金属酸化物同士の凝集を引き起こしやすく、その為下引層２形成時に下引層２内で金属酸化物が良好な導電路を形成することができず、繰り返し使用時に残留電位の上昇など維持性の悪化を招きやすくなるだけでなく、黒点などの画質欠陥も引き起こしやすくなる。
【０１１１】
金属酸化物粒子へのアクセプター化合物の付与方法としては、金属酸化物粒子をせん断力の大きなミキサ等で攪拌しながら、有機溶媒に溶解させたアクセプター化合物を滴下、乾燥空気や窒素ガスとともに噴霧させることによって均一に付与される。
アクセプター化合物を添加あるいは噴霧する際には溶剤の沸点以下の温度で行われることが好ましく、溶剤の沸点以上の温度で噴霧すると、均一に攪拌される前に溶剤が蒸発し、アクセプター化合物が局部的にかたまってしまい均一な処理ができにくい欠点があるため好ましくない。添加あるいは噴霧した後、さらに溶剤の沸点温度以上で乾燥を行うことがされる。
【０１１２】
また、金属酸化物粒子を有機溶剤中で攪拌、超音波、サンドミルやアトライター、ボールミルなどを用いて分散し、アクセプター化合物の有機溶剤溶液を添加し、還流あるいは有機溶剤の沸点以下で攪拌あるいは分散したのち、溶剤除去することで均一に付与される。また、溶剤除去方法はろ過あるいは蒸留、加熱乾燥により留去される。
【０１１３】
この有機溶剤としては、樹脂を溶解し、また、無機金属化合物およびアクセプター化合物を混合/分散したときにゲル化や凝集を起こさないものであれば如何なるものでも使用される。例えば、メタノール、エタノール、n-プロパノール、n-ブタノール、ベンジルアルコール、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸n-ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、クロルベンゼン、トルエン等の通常の有機溶剤を単独あるいは2種以上混合して用いられる。
【０１１４】
この下引層２は、上記金属酸化物粒子、上記添加物、下記硬化性樹脂、下記硬化剤、下記添加物、及び下記溶媒等を含む下引層形成用塗布液を、上記の層厚となるように導電性基体１上に塗布し硬化させることによって形成される。
【０１１５】
下引層形成用塗布液中の金属酸化物粒子と硬化性樹脂との比率は、所望する感光体１２特性を得られる範囲で任意に設定されるが、照射される光に対する下引層２のダメージをより少なくするという観点から、金属酸化物粒子とバインダー樹脂との体積比（金属酸化物粒子／硬化性樹脂）を１０／９０以上９０／１０以下の範囲とすることが好ましく、１５／８５以上６０／４０以下の範囲とすることがより好ましい。
【０１１６】
また、下引層形成用塗布液には電気特性向上、環境安定性向上、画質向上のために種々の添加物を用いられる。
上記添加物としては、クロラニル、ブロモアニル等のキノン系化合物、テトラシアノキノジメタン系化合物、２，４，７−トリニトロフルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロ−９−フルオレノン等のフルオレノン化合物、２−（４−ビフェニル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾールや２，５−ビス（４−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス（４−ジエチルアミノフェニル）−１，３，４オキサジアゾール等のオキサジアゾール系化合物、キサントン系化合物、チオフェン化合物、３，３’，５，５’−テトラ−ｔ−ブチルジフェノキノン等のジフェノキノン化合物等の電子輸送性物質、多環縮合系、アゾ系等の電子輸送性顔料、ジルコニウムキレート化合物、チタニウムキレート化合物、アルミニウムキレート化合物、チタニウムアルコキシド化合物、有機チタニウム化合物、シランカップリング剤等の公知の材料を用いられる。
【０１１７】
前記シランカップリング剤は酸化亜鉛の表面処理に用いられるが、添加剤としてさらに塗布液に添加して用いてもよい。ここで用いられるシランカップリング剤の具体例としては、ビニルトリメトキシシラン、γ−メタクリルオキシプロピル−トリス（β−メトキシエトキシ）シラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルメチルメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス（β−ヒドロキシエチル）−γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−クロルプロピルトリメトキシシラン等である。ジルコニウムキレート化合物の例として、ジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセト酢酸エチル、ジルコニウムトリエタノールアミン、アセチルアセトネートジルコニウムブトキシド、アセト酢酸エチルジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセテート、ジルコニウムオキサレート、ジルコニウムラクテート、ジルコニウムホスホネート、オクタン酸ジルコニウム、ナフテン酸ジルコニウム、ラウリン酸ジルコニウム、ステアリン酸ジルコニウム、イソステアリン酸ジルコニウム、メタクリレートジルコニウムブトキシド、ステアレートジルコニウムブトキシド、イソステアレートジルコニウムブトキシド等が挙げられる。
【０１１８】
前記チタニウムキレート化合物の例としては、テトライソプロピルチタネート、テトラノルマルブチルチタネート、ブチルチタネートダイマー、テトラ（２−エチルヘキシル）チタネート、チタンアセチルアセトネート、ポリチタンアセチルアセトネート、チタンオクチレングリコレート、チタンラクテートアンモニウム塩、チタンラクテート、チタンラクテートエチルエステル、チタントリエタノールアミネート、ポリヒドロキシチタンステアレート等が挙げられる。
【０１１９】
前記アルミニウムキレート化合物の例としては、アルミニウムイソプロピレート、モノブトキシアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムブチレート、ジエチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムトリス（エチルアセトアセテート）等が挙げられる。
これらの化合物は単独にあるいは複数の化合物の混合物あるいは重縮合物として用いられる。
【０１２０】
また、下引層用塗布液には、添加剤として、樹脂粒子を添加することが好ましい。樹脂粒子は導電性支持体の光の反射防止作用のために用いられ、平均粒径１．０μｍ以上の樹脂粒子を下引層形成用塗布液に含有させることが好ましい。また、樹脂粒子として具体的には、シリコーン樹脂粒子、フッ素系樹脂粒子等が挙げられる。この樹脂粒子を含有する下引層形成用塗布液を用いて下引層を形成することにより、画像形成時の露光光源としてレーザービーム等の可干渉光源を用いた場合に、感光体内部で発生し得る干渉光による木目状の濃度ムラが抑制される。また、かかる効果をより十分に得る観点から、樹脂粒子の平均粒径は０．０５μｍ以上５．０μｍ以下であることが好ましい。
【０１２１】
硬化性樹脂は、硬化剤の存在下で該硬化性樹脂を硬化させることによって下引層中の結着樹脂となるものである。
この硬化性樹脂（結着樹脂）としては、従来から下引層に用いられる結着樹脂を用いることができ、例えば、ビニルトリクロロシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリス２メトキシエトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ-メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ-アミノプロピルトリエトキシシラン、γ-クロロプロピルトリメトキシシラン、γ-２-アミノエチルアミノプロピルトリメトキシシラン、γ-メルカプロプロピルトリメトキシシラン、γ-ウレイドプロピルトリエトキシシラン、β-３，４-エポキシシクロヘキシルトリメトキシシラン等のシランカップリング剤を含有させて使用される。さらに、従来より下引層に用いられるポリビニルアルコール、ポリビニルメチルエーテル、ポリ-Ｎ-ビニルイミダゾール、ポリエチレノキシド、エチルセルロース、メチルセルロース、エチレン-アクリル酸共重合体、ポリアミド、ポリイミド、カゼイン、ゼラチン、ポリエチレン、ポリエステル、フェノール樹脂、塩化ビニル-酢酸ビニル共重合体、エポキシ樹脂、ポリビニルピロリドン、ポリビニルピリジン、ポリウレタン、ポリグルタミン酸、ポリアクリル酸等の公知の結着樹脂が用いられる。
【０１２２】
硬化剤としては、上記硬化性樹脂を硬化させて結着樹脂とすることが可能なものであれば特に制限されないが、特にイソシアネートが好ましく用いられる。イソシアネートとしては、ポリイソシアネート化合物にブロック剤となる活性水素を有する化合物を反応させて得られるイソシアネートのうち、常温（１５℃〜２５℃）で安定であり、所定の条件（例えば、５０℃以上２００℃以下）の下で加熱するとブロック剤が解離して、イソシアネート基が再生されるイソシアネートが好ましい。
【０１２３】
上述のポリイソシアネート化合物としては、例えば、トリレンジイシアネート、ジフェニルメタン−４、４’−ジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、ポリメチレンポリフェルポリイソシアネート等が挙げられる。
【０１２４】
上述のブロック剤としては、例えば、カプロラクトム等のラクタム類、メチルエチルケトオキシムやアセトオキシム等のオキシム類、マロン酸ジエチル、アセト酢酸ジエチル等のβ−ジケトン類が挙げられる。
【０１２５】
下引層形成用塗布液を調製するための溶媒としては、公知の有機溶剤、例えばアルコール系、芳香族系、ハロゲン化炭化水素系、ケトン系、ケトンアルコール系、エーテル系、エステル系等から任意で選択される。例えば、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉｓｏ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ベンジルアルコール、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、クロルベンゼン、トルエン等の通常の有機溶剤を用いられる。
【０１２６】
また、これらの分散に用いる溶剤は単独あるいは２種以上混合して用いられる。混合する際、使用される溶剤としては、混合溶剤として硬化性樹脂（結着樹脂）を溶かすことができる溶剤であれば、いかなるものでも使用することが可能である。
【０１２７】
金属酸化物粒子を分散させる方法としては、ロールミル、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、コロイドミル、ペイントシェーカー等の公知の方法が用いられる。
【０１２８】
さらに、このようにして調製した下引層形成用塗布液を用いて下引層２を設けるときに用いる塗布方法としては、ブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が用いられる。
【０１２９】
このようにして導電性基体上に形成された下引層２は、ビッカース硬度が３５以上であることが好ましい。
【０１３０】
また、下引層２の体積抵抗値については、上記説明したように、感光体１２として構成されて画像形成装置１０に搭載された状態における回転軸方向Ｙにおいて除電光源２８Ａ側の一端部から他端部側へ向かって低くなるように調整されているが、体積抵抗率については、感光体１２として構成されて画像形成装置１０に搭載された状態における回転軸方向Ｙにおいて一定または一定に限りなく近い。
【０１３１】
この下引層２の体積抵抗率は、１０８Ω・ｃｍ以上１０1５Ω・ｃｍ以下の範囲であることが好ましく、１０１０Ωｃｍ以上１０1３Ωｃｍ以下の範囲であることがより好ましい。
体積抵抗率が１０８Ωｃｍ未満では、帯電電位が十分にのらなかったりすることや、リークが発生したりすることがある。また、１０1５Ωｃｍを超えると、下引層２中の残留電位上昇を引き起こし、繰り返し使用で安定した電位特性を得ることができない場合がある。
【０１３２】
下引層２の体積抵抗率が上記範囲内となるように調整するためには、例えば、下引層用塗布液を調整するときに、体積抵抗率が上記範囲内となるように調整を行えばよい。
【０１３３】
具体的には、例えば、下引層用塗布液を調整するときには、上記範囲内の体積抵抗率を示すように金属酸化物粒子の混合条件を設定する必要がある。
この混合条件は、混合装置や混合液の組成等によって異なるため一概には言えないが、例えば、サンドミルを用いて混合を行う場合、ガラスビーズの充填率６０体積％以上８０体積％以下、流速１０００ｍｌ／分以上２５００ｍｌ／分以下で０．５時間以上、望ましくは０．８時間以上１．５時間以下混合することによって、形成された後の下引層２の体積抵抗率を上記範囲内に調整される。
このように混合条件を調整することによって、下引層２中の金属酸化物粒子の分散状態を調整することができ、下引層２中で上記範囲内の体積抵抗率を示す分散状態となるように、金属酸化物粒子を分散させられる。なお、体積抵抗率が上記範囲内となるように混合条件をより確実に調整するためには、例えば、所定時間毎に下塗層用塗布液をサンプリングし、その下塗層用塗布液から構成した塗膜の体積抵抗率を測定し、この体積抵抗率が上記所定の範囲内となったかどうかを確認しながら混合を行うことで、混合時間を決定することが好ましい。
【０１３４】
このため、体積抵抗率は、下引層２中の金属酸化物粒子の分散状態を示す値として用いられる。
【０１３５】
なお、上記体積抵抗率を示すときには、該範囲内の体積抵抗率を示す下引層２の形成において、この下引層２の下塗層用塗布液をガラスプレート等のプレート上に、この塗布液が硬化した後の塗膜の膜厚が２０μｍとなるように塗布し、乾燥により溶媒を除去して硬化させ、塗膜を形成する。その後、分光光度計を用いて波長９５０ｎｍでの塗膜の光透過率を測定した結果をもとに金属酸化物粒子の分散状態の指標としてもよい。
【０１３６】
ここで、この透過率を測定する際の波長９５０ｎｍの光は、金属酸化物粒子の吸収波長に対応する波長である。このため、塗膜の透過率の測定結果を、下引層２を形成した場合の金属酸化物粒子の分散状態、及び体積抵抗率だけではなく、さらに、金属酸化物粒子による電荷の伝導パスの形成状態の指標となる。
【０１３７】
下引層２の表面粗さは、モアレ像防止のために、使用される露光用レーザー波長λの１／４ｎ（ｎは上層の屈折率）以上１／２ｎ以下の範囲に調整される。表面粗さ調整のために、下引層中に樹脂などの粒子を添加してもよい。樹脂粒子としてはシリコーン樹脂粒子、架橋型ＰＭＭＡ樹脂粒子等が用いられる。
また、表面粗さ調整のために下引層を研磨してもよい。研磨方法としては、バフ研磨、サンドブラスト処理、ウエットホーニング、研削処理等を用いてもよい。
【０１３８】
この下引層２と感光層３との間には、電気特性向上、画質向上、画質維持性向上、感光層接着性向上などのために中間層（図示省略）を設けた構成であってもよい。中間層には、ポリビニルブチラールなどのアセタール樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、カゼイン、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン−アルキッド樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂などの高分子樹脂化合物のほかに、ジルコニウム、チタニウム、アルミニウム、マンガン、シリコン原子などを含有する有機金属化合物などが用いられる。これらの化合物は、単独にあるいは複数の化合物の混合物あるいは重縮合物として用いられる。 中でも、ジルコニウムもしくはシリコンを含有する有機金属化合物は残留電位が低く環境による電位変化が少なく、また繰り返し使用による電位の変化が少ないなど性能上優れている。
【０１３９】
シリコン化合物の例としてはビニルトリメトキシシラン、γ−メタクリルオキシプロピル−トリス（β−メトキシエトキシ）シラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、γ−ルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルメチルメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス（β−ヒドロキシエチル）−γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−クロルプロピルトリメトキシシラン等である。
【０１４０】
これらのなかでも特に好ましく用いられるシリコン化合物は、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリス（２−メトキシエトキシシラン）、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−クロロプロピルトリメトキシシラン等のシランカップリング剤が挙げられる。
【０１４１】
有機ジルコニウム化合物の例としては、ジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセト酢酸エチル、ジルコニウムトリエタノールアミン、アセチルアセトネートジルコニウムブトキシド、アセト酢酸エチルジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセテート、ジルコニウムオキサレート、ジルコニウムラクテート、ジルコニウムホスホネート、オクタン酸ジルコニウム、ナフテン酸ジルコニウム、ラウリン酸ジルコニウム、ステアリン酸ジルコニウム、イソステアリン酸ジルコニウム、メタクリレートジルコニウムブトキシド、ステアレートジルコニウムブトキシド、イソステアレートジルコニウムブトキシド等が挙げられる。
【０１４２】
有機チタン化合物の例としては、テトライソプロピルチタネート、テトラノルマルブチルチタネート、ブチルチタネートダイマー、テトラ（２−エチルヘキシル）チタネート、チタンアセチルアセトネート、ポリチタンアセチルアセトネート、チタンオクチレングリコレート、チタンラクテートアンモニウム塩、チタンラクテート、チタンラクテートエチルエステル、チタントリエタノールアミネート、ポリヒドロキシチタンステアレート等が挙げられる。
【０１４３】
有機アルミニウム化合物の例としては、アルミニウムイソプロピレート、モノブトキシアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムブチレート、ジエチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムトリス（エチルアセトアセテート）等が挙げられる。
【０１４４】
この中間層は、上層の塗布性改善の他に電気的なブロキング層の役割も果たすが、層厚が厚すぎる場合には電気的な障壁が強くなりすぎて減感や繰り返しによる電位の上昇を引き起こす。したがって、中間層を形成する場合には、０．１μｍ以上５μｍ以下の層厚範囲に設定される。
【０１４５】
次に、感光層３について説明する。
感光層３は、電荷発生層３１に電荷輸送層３２を積層して構成されている。またさらに、保護層（図示省略）を電荷輸送層３２上に更に積層させた構成であってもよい。
【０１４６】
電荷発生層３１は、電荷発生物質を真空蒸着により形成するか、電荷発生物質を含む分散液塗布により形成される。分散液塗布により電荷発生層を形成する場合、電荷発生物質を有機溶剤及び結着樹脂、添加剤等とともに分散し、得られた分散液を塗布することにより電荷発生層３１は形成される。
【０１４７】
電荷発生材料としては、金属フタロシアニン顔料、特にその中でも以下に説明している特定の結晶を有するガリウムフタロシアニンが好ましい。本実施の形態に用いるクロロガリウムフタロシアニンは、例えば特開平５−２６３００７及び、特開平５−２７９５９１に公開したように、公知の方法で製造される。
【０１４８】
電荷発生層３１に用いる結着樹脂としては、広範な絶縁性樹脂から選択されまた、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルアントラセン、ポリビニルピレン、ポリシラン等の有機光導電性ポリマーから選択される。好ましい結着樹脂としては、ポリビニルアセタール樹脂、ポリアリレート樹脂（ビスフェノールＡとフタル酸の重縮合体等）、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、フェノキシ樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポリビニルピリジン樹脂、セルロース樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、カゼイン、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂等の絶縁性樹脂があげられるが、これらに限定されるものではない。これらの結着樹脂は単独あるいは２種以上混合して用いられる。これらの中で特にポリビニルアセタール樹脂が好ましく用いられる
【０１４９】
電荷発生層形成用塗布液において、電荷発生物質と結着樹脂との配合比（質量比）は、１０：１以上１：１０以下の範囲が好ましい。塗布液を調整するための溶媒としては公知の有機溶剤、例えばアルコール系、芳香族系、ハロゲン化炭化水素系、ケトン系、ケトンアルコール系、エーテル系、エステル系等から任意で選択される。例えば、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉｓｏ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ベンジルアルコール、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、クロルベンゼン、トルエン等の通常の有機溶剤が用いられる。
【０１５０】
また、これらの分散に用いる溶剤は単独あるいは２種以上混合して用いられる。混合する際、使用される溶剤としては、混合溶剤としてバインダー樹脂を溶かせる溶剤であれば、いかなるものでも使用することが可能である。
【０１５１】
分散させる方法としては、ロールミル、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、コロイドミル、ペイントシェーカー等の方法が用いられる。さらにこの電荷発生層を設けるときに用いる塗布方法としては、ブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が用いられる。
【０１５２】
さらにこの分散の際、粒子を０．５μｍ以下、望ましくは０．３μｍ以下、さらに望ましくは０．１５μｍ以下の粒子サイズにすることは高感度・高安定性に対して有効である。
【０１５３】
さらに、電荷発生材料は電気特性の安定性向上、画質欠陥防止などのために表面処理を施してもよい。かかる表面処理によって電荷発生材料の分散性や電荷発生層用塗布液の塗布性が向上し、平滑で分散均一性の高い電荷発生層３１を容易に且つ確実に成膜することができ、その結果、カブリやゴースト等の画質欠陥が防止され、画質維持性が向上される。また、電荷発生層用塗布液の保存性も著しく向上するので、ポットライフ（ｐｏｔ  ｌｉｆｅ）の延長の点でも効果的であり、感光体のコストダウンも可能となる。
【０１５４】
表面処理剤としては加水分解性基を有機金属化合物又はシランカップリング剤が用いられる。
【０１５５】
加水分解性基を有する有機金属化合物又はシランカップリング剤は、下記一般式（Ａ）：Ｒｐ−Ｍ−Ｙｑ（式中、Ｒは有機基を表し、Ｍはアルカリ金属以外の金属原子又はケイ素原子を表し、Ｙは加水分解性基を表し、ｐ及びｑはそれぞれ１乃至４の整数であり、ｐとｑとの和はＭの原子価に相当する）で表される化合物を用いることが好ましい。
【０１５６】
一般式（Ａ）中、Ｒで表される有機基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、オクチル基等のアルキル基、ビニル基、アリル基等のアルケニル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基、フェニル基、ナフチル基等のアリール基、トリル基等のアルカリール基、ベンジル基、フェニルエチル基等のアリールアルキル基、スチリル基等のアリールアルケニル基、フリル基、チエニル基、ピロリジニル基、ピリジル基、イミダゾリル基等の複素環残基等が挙げられる。これらの有機基は１または２種以上の各種の置換基を有していてもよい。
【０１５７】
また、一般式（Ａ）中、Ｙで表される加水分解性基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、シクロヘキシルオキシ基、フェノキシ基、ベンジロキシ基等のエーテル基、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、アクリロキシ基、メタクリロキシ基、ベンゾイルオキシ基、メタンスルホニルオキシ基、ベンゼンスルホニルオキシ基、ベンジロキシカルボニル基等のエステル基、塩素原子等のハロゲン原子等が挙げられる。
【０１５８】
また、一般式（Ａ）中、Ｍはアルカリ金属以外であれば特に制限されるものではないが、望ましくはチタン原子、アルミニウム原子、ジルコニウム原子又はケイ素原子である。すなわち、本発明においては、上記の有機基や加水分解性の官能基を置換した有機チタン化合物、有機アルミニウム化合物、有機ジルコニウム化合物、さらにはシランカップリング剤が好ましく用いられる。
【０１５９】
シランカップリング剤の例としてはビニルトリメトキシシラン、γ−メタクリルオキシプロピル−トリス（β−メトキシエトキシ）シラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルメチルメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス（β−ヒドロキシエチル）−γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−クロルプロピルトリメトキシシラン等である。これらの中でも、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリス（２−メトキシエトキシシラン）、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−クロロプロピルトリメトキシシランがより好ましい。
【０１６０】
また、ジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセト酢酸エチル、ジルコニウムトリエタノールアミン、アセチルアセトネートジルコニウムブトキシド、アセト酢酸エチルジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセテート、ジルコニウムオキサレート、ジルコニウムラクテート、ジルコニウムホスホネート、オクタン酸ジルコニウム、ナフテン酸ジルコニウム、ラウリン酸ジルコニウム、ステアリン酸ジルコニウム、イソステアリン酸ジルコニウム、メタクリレートジルコニウムブトキシド、ステアレートジルコニウムブトキシド、イソステアレートジルコニウムブトキシド等の有機ジルコニウム化合物も用いられる。
【０１６１】
また、テトライソプロピルチタネート、テトラノルマルブチルチタネート、ブチルチタネートダイマー、テトラ（２−エチルヘキシル）チタネート、チタンアセチルアセトネート、ポリチタンアセチルアセトネート、チタンオクチレングリコレート、チタンラクテートアンモニウム塩、チタンラクテート、チタンラクテートエチルエステル、チタントリエタノールアミネート、ポリヒドロキシチタンステアレート等の有機チタン化合物、アルミニウムイソプロピレート、モノブトキシアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムブチレート、ジエチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムトリス（エチルアセトアセテート）等の有機アルミニウム化合物も用いられる。
【０１６２】
また、上記の有機金属化合物及びシランカップリング剤の加水分解生成物も使用される。この加水分解生成物としては、前記一般式で示される有機金属化合物のＭ（アルカリ金属以外の金属原子又はケイ素原子）に結合するＹ（加水分解性基）やＲ（有機基）に置換する加水分解性基が加水分解したものが挙げられる。なお。有機金属化合物及びシランカップリング剤が加水分解基を複数含有する場合は、必ずしも全ての官能基を加水分解する必要はなく部分的に加水分解された生成物であってもよい。また、これらの有機金属化合物及びシランカップリング剤は、１種を単独で使用してもよく、２種以上混合して使用してもよい。
【０１６３】
加水分解性基を有する有機金属化合物及び／又はシランカップリング剤（以下、単に「有機金属化合物」という）を用いてフタロシアニン顔料を被覆処理する方法としては、フタロシアニン顔料の結晶を整える過程で該フタロシアニン顔料を被覆処理する方法、フタロシアニン顔料を結着樹脂に分散する前に被覆処理する方法、フタロシアニン顔料の結着樹脂への分散時に有機金属化合物を混合処理する方法、フタロシアニン顔料の結着樹脂への分散後に有機金属化合物で更に分散処理する方法等が挙げられる。
【０１６４】
より具体的には、顔料の結晶を整える過程で予め被覆処理する方法としては、有機金属化合物と結晶が整う前のフタロシアニン顔料とを混合した後加熱する方法、有機金属化合物を結晶が整う前のフタロシアニン顔料に混合し機械的に乾式粉砕する方法、有機金属化合物の水または有機溶剤中の混合液を結晶が整う前のフタロシアニン顔料に混合し湿式粉砕処理方法等が挙げられる。
【０１６５】
また、フタロシアニン顔料を結着樹脂に分散する前に被覆処理する方法としては、有機金属化合物、水又は水と有機溶剤との混合液、並びにフタロシアニン顔料を混合して加熱する方法、有機金属化合物をフタロシアニン顔料に直接噴霧する方法、有機金属化合物をフタロシアニン顔料と混合しミリングする方法等がある。
【０１６６】
また、分散時に混合処理する方法としては、分散溶剤に有機金属化合物、フタロシアニン顔料、結着樹脂を順次添加しながら混合する方法、これらの電荷発生層形成成分を同時に添加し混合する方法等が挙げられる。
【０１６７】
さらに、この電荷発生層用塗布液には電気特性向上、画質向上などのために種々の添加剤を添加してもよい。添加物としては、クロラニル、ブロモアニル、アントラキノン等のキノン系化合物、テトラシアノキノジメタン系化合物、２，４，７−トリニトロフルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロ−９−フルオレノン等のフルオレノン化合物、２−（４−ビフェニル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾールや２，５−ビス（４−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス（４−ジエチルアミノフェニル）１，３，４オキサジアゾール等のオキサジアゾール系化合物、キサントン系化合物、チオフェン化合物、３，３’，５，５’テトラ−ｔ−ブチルジフェノキノン等のジフェノキノン化合物等の電子輸送性物質、多環縮合系、アゾ系等の電子輸送性顔料、ジルコニウムキレート化合物、チタニウムキレート化合物、アルミニウムキレート化合物、チタニウムアルコキシド化合物、有機チタニウム化合物、シランカップリング剤等の公知の材料が用いられる。
【０１６８】
シランカップリング剤の例としてはビニルトリメトキシシラン、γ−メタクリルオキシプロピル−トリス（β−メトキシエトキシ）シラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルメチルメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス（β−ヒドロキシエチル）−γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−クロルプロピルトリメトキシシラン等である。
【０１６９】
ジルコニウムキレート化合物の例として、ジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセト酢酸エチル、ジルコニウムトリエタノールアミン、アセチルアセトネートジルコニウムブトキシド、アセト酢酸エチルジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセテート、ジルコニウムオキサレート、ジルコニウムラクテート、ジルコニウムホスホネート、オクタン酸ジルコニウム、ナフテン酸ジルコニウム、ラウリン酸ジルコニウム、ステアリン酸ジルコニウム、イソステアリン酸ジルコニウム、メタクリレートジルコニウムブトキシド、ステアレートジルコニウムブトキシド、イソステアレートジルコニウムブトキシド等が挙げられる。
【０１７０】
チタニウムキレート化合物の例としてはテトライソプロピルチタネート、テトラノルマルブチルチタネート、ブチルチタネートダイマー、テトラ（２−エチルヘキシル）チタネート、チタンアセチルアセトネート、ポリチタンアセチルアセトネート、チタンオクチレングリコレート、チタンラクテートアンモニウム塩、チタンラクテート、チタンラクテートエチルエステル、チタントリエタノールアミネート、ポリヒドロキシチタンステアレート等が挙げられる。
【０１７１】
アルミニウムキレート化合物の例としてはアルミニウムイソプロピレート、モノブトキシアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムブチレート、ジエチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムトリス（エチルアセトアセテート）等が挙げられる。
【０１７２】
これらの化合物は単独にあるいは複数の化合物の混合物あるいは重縮合物として用いられる。
【０１７３】
さらにこの電荷発生層３１を設けるときに用いる塗布方法としては、ブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が用いられる。
【０１７４】
また、塗布液には塗膜の平滑性向上のためのレベリング剤としてシリコーンオイルを微量添加してもよい。このようにして得られる電荷発生層３１の層厚は、望ましくは０．１μｍ以上５μｍ以下、より望ましくは０．２μｍ以上２．０μｍ以下である。
【０１７５】
電荷輸送層３２としては、公知の技術によって形成されたものが使用される。それらの電荷輸送層は、電荷輸送材料と結着樹脂を含有して形成されるか、あるいは高分子電荷輸送材を含有して形成される。
【０１７６】
電荷輸送層３２に含有される電荷輸送物質としては、ｐ−ベンゾキノン、クロラニル、ブロマニル、アントラキノン等のキノン系化合物、テトラシアノキノジメタン系化合物、２，４，７−トリニトロフルオレノン等のフルオレノン化合物、キサントン系化合物、ベンゾフェノン系化合物、シアノビニル系化合物、エチレン系化合物等の電子輸送性化合物、トリアリールアミン系化合物、ベンジジン系化合物、アリールアルカン系化合物、アリール置換エチレン系化合物、スチルベン系化合物、アントラセン系化合物、ヒドラゾン系化合物などの正孔輸送性化合物があげられる。これらの電荷輸送材料は単独または２種以上混合して用いてもよいが、これらに限定されるものではない。また、これらの電荷輸送材料は単独あるいは２種以上混合して用いてもよいが、モビリティーの観点から、の式（Ｂ−１）〜（Ｂ−３）のものが好ましい。
【０１７７】
【化１】
0004501973.tif 000002
【０１７８】
（式中、ＲB1は、メチル基を示す。また、ｎ'は０乃至２の整数を意味する。ＡｒB1及びＡｒB2は置換又は未置換のアリール基を示し、置換基としてはハロゲン原子、炭素数が１〜５の範囲のアルキル基、炭素数が１〜５の範囲のアルコキシ基、又は炭素数が１〜３の範囲のアルキル基で置換された置換アミノ基を示す。）
【０１７９】
【化２】
0004501973.tif 000003
【０１８０】
（式中ＲB2、ＲB2'は同一でも異なってもよく、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜５のアルキル基、炭素数１〜５のアルコキシ基、を表わす。ＲB3、ＲB3'、ＲB4、ＲB4'は同一でも異なってもよく、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜５のアルキル基、炭素数１〜５のアルコキシ基、炭素数１〜２のアルキル基で置換されたアミノ基、置換又は未置換のアリール基、あるいは、−Ｃ（ＲB5）＝Ｃ（ＲB6）（ＲB7）を表わし、ＲB5、ＲB6、ＲB7は水素原子、置換又は未置換のアルキル基、置換又は未置換のアリール基を表す。ｍ'およびｎ''は０〜２の整数である。）
【０１８１】
【化３】
0004501973.tif 000004
【０１８２】
（式中ＲB8は水素原子、炭素数１〜５のアルキル基、炭素数１〜５のアルコキシ基、置換又は未置換のアリール基、または、―ＣＨ＝ＣＨ―ＣＨ＝Ｃ（ＡｒB3）2を表す。ＡｒB3は、置換又は未置換のアリール基を表す。ＲB9、ＲB10は同一でも異なってもよく、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜５のアルキル基、炭素数１〜５のアルコキシ基、炭素数１〜２のアルキル基で置換されたアミノ基、置換又は未置換のアリール基を表す。）
【０１８３】
電荷輸送層３２の結着樹脂は公知のものであればいかなるものでも使用することが出来るが、電気絶縁性のフィルム形成可能な樹脂が好ましい。例えば、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアリレート樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリロニトリル−スチレン共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、ポリビニルアセテート樹脂、スチレンーブタジエン共重合体、塩化ビニリデンーアクリロニトリル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体、シリコン樹脂、シリコン−アルキッド樹脂、フェノールーホルムアルデヒド樹脂、スチレンーアルキッド樹脂、ポリーＮ―カルバゾール、ポリビニルブチラール、ポリビニルフォルマール、ポリスルホン、カゼイン、ゼラチン、ポリビニルアルコール、エチルセルロース、フェノール樹脂、ポリアミド、ポリアクリルアミド、カルボキシーメチルセルロース、塩化ビニリデン系ポリマーワックス、ポリウレタン等の絶縁性樹脂、及びポリビニルカルバゾール、ポリビニルアントラセン、ポリビニルピレン、ポリシラン、特開平８−１７６２９３号公報や特開平８−２０８８２０号公報に示されているポリエステル系高分子電荷輸送材等の有機光導電性ポリマー等があげられるが、これらに限定されるものではない。これらの結着樹脂は、単独又は２種類以上混合して用いられるが、特にポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂が電荷輸送材との相溶性、溶剤への溶解性、強度の点で優れ好ましく用いられる。電荷輸送物質と結着樹脂との配合比（質量比）は、１０：１以上１：５以下の範囲内であることが好ましい。
【０１８４】
有機光導電性ポリマーを単独で用いてもよい。有機光導電性ポリマーとしては、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリシランなどの電荷輸送性を有する公知のものが用いられる。特に、特開平８−１７６２９３号公報や特開平８−２０８８２０号公報に示されているポリエステル系高分子電荷輸送材は、高い電荷輸送性を有しており、とくに好ましいものである。高分子電荷輸送材はそれだけでも電荷輸送層３２として使用可能であるが、上記結着樹脂と混合して成膜してもよい。
【０１８５】
また、電荷輸送層３２は、電荷輸送層３２が電子写真感光体の表面層（感光層の導電性基体から最も遠い側に配置される層）である場合、潤滑性を付与させ、表面層を磨耗しにくくしたり、傷がつきにくくするため、また感光体表面に付着した現像剤のクリーニング性を高めるために、潤滑性粒子（例えば、シリカ粒子、アルミナ粒子やポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）等のフッ素系樹脂粒子、シリコーン系樹脂粒子）を含有することが好ましい。これらの潤滑性粒子は、２種以上を混合して用いてもよい。特に、フッ素系樹脂粒子は好ましく用いられる。
【０１８６】
フッ素系樹脂粒子としては、４フッ化エチレン樹脂、３フッ化塩化エチレン樹脂、６フッ化プロピレン樹脂、フッ化ビニル樹脂、フッ化ビニリデン樹脂、２フッ化２塩化エチレン樹脂およびそれらの共重合体の中から１種あるいは２種以上を選択するのが望ましいが、特に、４フッ化エチレン樹脂、フッ化ビニリデン樹脂が好ましい。
【０１８７】
フッ素系樹脂の一次粒径は０．０５μｍ以上１μｍ以下が良く、更に望ましくは０．１μｍ以上０．５μｍ以下が好ましい。一次粒径が０．０５μｍを下回ると分散時あるいは分散後の凝集が進みやすくなる。又、１μｍを上回ると画質欠陥が発生し易くなる。
【０１８８】
フッ素系樹脂を含有する電荷輸送層におけるフッ素系樹脂の電荷輸送層中含量は、電荷輸送層全量に対し、０．１質量％以上４０質量％以下が適当であり、特に１質量％以上３０質量％以下が好ましい。含量が１質量％未満ではフッ素系樹脂粒子の分散による改質効果が十分でなく、一方、４０質量％を越えると光通過性が低下し、かつ、繰返し使用による残留電位の上昇が生じてくる。
【０１８９】
電荷輸送層３２は、電荷輸送物質及び結着樹脂、並びにその他の材料を適当な溶媒に溶解させた電荷輸送層形成用塗布液を塗布して乾燥することによって形成してもよい。
【０１９０】
電荷輸送層３２の形成に使用される溶媒としては、例えば、トルエン、クロロベンゼン等の芳香族炭化水素系溶剤、メタノール、エタノール、ｎ―ブタノール等の脂肪族アルコール系溶剤、アセトン、シクロヘキサノン、２−ブタノン等のケトン系溶剤、塩化メチレン、クロロホルム、塩化エチレン等のハロゲン化脂肪族炭化水素溶剤、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコール、ジエチルエーテル等の環状或いは直鎖状エーテル系溶剤、或いはこれらの混合溶剤等が用いられ。なお、電荷輸送物質と上記結着樹脂との配合比（質量比）は１０：１以上１：５以下が好ましい。
【０１９１】
また、電荷輸送層形成用塗布液には塗膜の平滑性向上のため、シリコーンオイル等のレベリング剤を添加してもよい。
【０１９２】
電荷輸送層３２中にフッ素系樹脂を分散させる方法としては、ロールミル、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、高圧ホモジナイザー、超音波分散機、コロイドミル、衝突式メディアレス分散機、貫通式メディアレス分散機等の方法が用いられる。
【０１９３】
電荷輸送層３２を形成する塗布液の分散例としては、溶媒に溶解した結着樹脂、電荷輸送材料などの溶液中にフッ素系樹脂粒子を分散する方法が挙げられる。
【０１９４】
電荷輸送層３２を形成する塗工液を製造する工程では、塗工液の温度を０℃以上５０℃以下の範囲に制御することが好ましい。
【０１９５】
塗工液製造工程での塗工液の温度を０℃以上５０℃以下に制御する方法として、水で冷やす、風で冷やす、冷媒で冷やす、製造工程の室温（一般的には１５〜２５℃）を調節する、温水で暖める、熱風で温める、ヒーターで暖める、発熱しにくい材料で塗工液製造設備を作る、放熱しやすい材料で塗工液製造設備を作る、蓄熱しやすい材料で塗工液製造設備を作るなどの方法が利用される。分散液の分散安定性を向上させるため、及び塗膜形成時の凝集を防止するために分散助剤を少量添加することも有効である。分散助剤として、フッ素系界面活性剤、フッ素系ポリマー、シリコーン系ポリマー、シリコーンオイル等が挙げられる。
【０１９６】
また、フッ素系樹脂と前記分散助剤を少量の分散溶剤中であらかじめ分散、攪拌、混合した後、電荷輸送材料と結着樹脂と分散溶剤とを混合溶解した液と攪拌、混合した後に前記方法により分散することも有効な手段である。
【０１９７】
電荷輸送層３２を設けるときに用いられる塗布方法としては、浸漬塗布法、突き上げ塗布法、スプレー塗布法、ロールコータ塗布法、ワイヤーバー塗布法、グラビアコータ塗布法、ビード塗布法、カーテン塗布法、ブレード塗布法、エアーナイフ塗布法等を用いられる。
【０１９８】
電荷輸送層３２の層厚は、５μｍ以上５０μｍ以下が好ましく、１０μｍ以上４０μｍ以下がより好ましい。
【０１９９】
さらに、感光体１２には電子写真装置中で発生するオゾンや酸化性ガス、あるいは光・熱による感光体１２の劣化を防止する目的で、感光層３中に酸化防止剤・光安定剤などの添加剤を添加してもよい。
【０２００】
たとえば、酸化防止剤としてはヒンダードフェノール、ヒンダードアミン、パラフェニレンジアミン、アリールアルカン、ハイドロキノン、スピロクロマン、スピロインダノン及びそれらの誘導体、有機硫黄化合物、有機燐化合物等が挙げられる。
【０２０１】
酸化防止剤の具体的な化合物例として、フェノール系酸化防止剤では２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチル  フェノール、スチレン化フェノール、ｎ−オクタデシル−３−（３’，５’−ジ−ｔ−ブチル  ４’−ヒドロキシフェニル）−プロピオネート、２，２’−メチレン−ビス−（４−メチル−６−ｔ−ブチル  フェノール）、２−ｔ−ブチル−６−（３’−ｔ−ブチル−５’−メチル−２’−ヒドロキシベンジル）−４−メチルフェニル  アクリレート、４，４’−ブチリデン−ビス−（３−メチル−６−ｔ−ブチル−フェノール）、４，４’−チオ−ビス−（３−メチル  ６−ｔ−ブチル  フェノール）、１，３，５−トリス（４−ｔ−ブチル−３−ヒドロキシ−２，６−ジメチル  ベンジル）イソシアヌレート、テトラキス−［メチレン−３−（３’，５’−ジ−ｔ−ブチル−４’−ヒドロキシ−フェニル）プロピオネート］−メタン、３，９−ビス［２−［３−（３−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチル  フェニル）プロピオニルオキシ］−１，１−ジメチル  エチル］−２，４，８，１０−テトラオキサスピロ［５，５］ウンデカン等が挙げられる。
【０２０２】
ヒンダードアミン系化合物ではビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）セバケート、ビス（１，２，２，６，６−ペンタメチル−４−ピペリジル）セバケート、１−［２−［３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオニルオキシ］エチル］−４−［３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオニルオキシ］−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、８−ベンジル−７，７，９，９−テトラメチル−３−オクチル−１，３，８−トリアザスピロ［４，５］ウンデカン−２，４−ジオン、４−ベンゾイルオキシ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、コハク酸ジメチル−１−（２−ヒドロキシエチル）−４−ヒドロキシ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン重縮合物、ポリ［｛６−（１，１，３，３−テトラメチルブチル）イミノ−１，３，５−トリアジン−２，４−ジイミル｝｛（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）イミノ｝ヘキサメチレン｛（２，３，６，６，−テトラメチル−４−ピペリジル）イミノ｝］、２−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）−２−ｎ−ブチルマロン酸ビス（１，２，２，６，６−ペンタメチル−４−ピペリジル）、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−アミノプロピル）エチレンジアミン−２，４−ビス［Ｎ−ブチル−Ｎ−（１，２，２，６，６−ペンタメチル−４ピペリジル）アミノ］−６−クロロ−１，３，５−トリアジン縮合物等が挙げられる。
【０２０３】
有機イオウ系酸化防止剤としてジラウリル−３，３’−チオジプロピオネート、ジミリスチル−３，３’−チオジプロピオネート、ジステアリル−３，３’−チオジプロピオネート、ペンタエリスリトール−テトラキス−（β−ラウリル−チオプロピオネート）、ジトリデシル−３，３’−チオジプロピオネート、２−メルカプト  ベンズイミダゾール等が挙げられる。
【０２０４】
有機燐系酸化防止剤としてトリスノニルフェニル  フォスフィート、トリフェニル  フォスフィート、トリス（２，４−ジ−ｔ−ブチル  フェニル）−フォスフィート等が挙げられる。
【０２０５】
有機硫黄系および有機燐系酸化防止剤は２次酸化防止剤と言われフェノール系あるいはアミン系などの１次酸化防止剤と併用することにより相乗効果を得られる。
【０２０６】
光安定剤としては、ベンゾフェノン系、ベンゾトリアゾール系、ジチオカルバメート系、テトラメチルピペリジン系などの誘導体が挙げられる。
【０２０７】
ベンゾフェノン系光安定剤として２−ヒドロキシ−４−メトキシ  ベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−オクトキシ  ベンゾフェノン、２，２’−ジ−ヒドロキシ−４−メトキシ  ベンゾフェノン等が挙げられる。ベンゾトリアゾール系光安定剤として２−（２’−ヒドロキシ−５’メチル  フェニル−）−ベンゾトリアゾール、２−［２’−ヒドロキシ−３’−（３’’，４’’，５’’，６’’−テトラ−ヒドロフタルイミド−メチル）−５’−メチルフェニル］−ベンゾトリアゾール、２−（２’−ヒドロキシ−３’−ｔ−ブチル５’−メチルフェニル−）−５−クロロ  ベンゾトリアゾール、２−（２’−ヒドロキシ−３’−ｔ−ブチル  ５’−メチルフェニル−）−５−クロロ  ベンゾトリアゾール、２−（２’−ヒドロキシ−３’，５’−ｔ−ブチルフェニル−）−ベンゾトリアゾール、２−（２’−ヒドロキシ−５’−ｔ−オクチル  フェニル）−ベンゾトリアゾール、２−（２’−ヒドロキシ  ３’，５’−ジ−ｔ−アミル  フェニル−）−ベンゾトリアゾール等が挙げられる。
【０２０８】
その他の化合物として２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル  ３’，５’−ジ−ｔ−ブチル−４’−ヒドロキシベンゾエート、ニッケル  ジブチル−ジチオカルバメート等がある。
【０２０９】
また感度の向上、残留電位の低減、繰り返し使用時の疲労低減等を目的として少なくとも１種の電子受容性物質を含有せしめてもよい。
【０２１０】
電子受容性物質としては、例えば無水琥珀酸、無水マレイン酸、ジブロム無水マレイン酸、無水フタル酸、テトラブロム無水フタル酸、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタン、ｏ−ジニトロベンゼン、ｍ−ジニトロベンゼン、クロラニル、ジニトロアントラキノン、トリニトロフルオレノン、ピクリン酸、ｏ−ニトロ安息香酸、ｍ−ニトロ安息香酸、フタル酸等があげられる。これらのうち、フルオレノン系、キノン系や、Ｃｌ，ＣＮ，ＮＯ2等の電子吸引性置換基を有するベンゼン誘導体が特によい。
【０２１１】
本実施の形態においては、電荷輸送層３２の上に、さらに保護層（図示省略）を設けてもよい。保護層は、帯電時の電荷輸送層３２の化学的変化を防止したり、感光層３の機械的強度をさらに改善したりする為に用いられる。
【０２１２】
保護層は、積層構造の感光体１２では帯電時の電荷輸送層の化学的変化を防止したり、感光体１２の機械的強度を向上させ、表面層の磨耗、傷などへの耐性をさらに改善する為に用いられる。
【０２１３】
この保護層は、結着樹脂（硬化性樹脂を含む）、電荷輸送性化合物を含んで構成されている。保護層の形態としては、硬化性樹脂や電荷輸送性化合物を含む樹脂硬化膜、導電性材料を適当な結着樹脂中に含有させて形成された膜などから成る。硬化性樹脂としては公地の樹脂であれば何でもよいが、例えばフェノール樹脂、ポリウレタン樹脂、メラミン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シロキサン樹脂等が挙げられる。
【０２１４】
前記電荷輸送性化合物としては、前述の電荷輸送層３２に用いる電荷輸送物質や電荷輸送性樹脂を用いられる。また、前記導電性材料としては、ジメチルフェロセン等のメタロセン化合物、酸化アンチモン、酸化スズ、酸化チタン、酸化インジウム、ＩＴＯ等の金属酸化物等の材料を用いられるが、これらに限定されるものではない。
【０２１５】
保護層の電気抵抗は、１０9Ω・ｃｍ以上１０14Ω・ｃｍ以下の範囲であることが好適である。電気抵抗が１０14Ω・ｃｍを越えると残留電位が増加する場合があり、他方、１０9Ω・ｃｍ未満であると沿面方向での電荷漏洩が無視できなくなり、解像度の低下が生じてしまう場合がある。
【０２１６】
保護層の層厚は０．５μｍ以上２０μｍ以下の範囲が好ましく、２μｍ以上１０μｍ以下の範囲であることがより好ましい。保護層を設けた場合、必要に応じて、感光層３と保護層との間に、保護層から感光層３への電荷の漏洩を阻止するためのブロッキング層が設けられる。このブロッキング層としては、保護層の場合と同様に公知のものが用いられる。
【０２１７】
前記保護層には、表面潤滑性を付与する目的でフッ素原子含有化合物を添加してもよい。表面潤滑性を向上させることによりクリーニング部材との摩擦係数が低下し、耐摩耗性が向上される。また、感光体表面に対する放電生成物、現像剤および紙粉などの付着を防止する効果も有し、感光体の寿命向上に役立つ。
【０２１８】
前記フッ素含有化合物としては、ポリテトラフルオロエチレンなどのフッ素原子含有ポリマーをそのまま添加するか、あるいはそれらポリマーの粒子を添加してもよい。
前記フッ素含有化合物の添加量としては、保護層中の２０質量％以下とすることが好ましい。これを越えると、架橋硬化膜の成膜性に問題が生じる場合がある。
【０２１９】
前記保護層は十分な耐酸化性を有しているが、さらに強い耐酸化性を付与する目的で、酸化防止剤を添加してもよい。酸化防止剤としては、ヒンダードフェノール系あるいはヒンダードアミン系が望ましく、有機イオウ系酸化防止剤、フォスファイト系酸化防止剤、ジチオカルバミン酸塩系酸化防止剤、チオウレア系酸化防止剤、ベンズイミダゾール系酸化防止剤、などの公知の酸化防止剤を用いてもよい。酸化防止剤の添加量としては、保護層中の１５質量％以下が好ましく、１０質量％以下がさらに好ましい。
【０２２０】
前記ヒンダードフェノール系酸化防止剤としては、ヒンダードフェノール系酸化防止剤としては、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチルフェノール、２，５−ジ−ｔ−ブチルヒドロキノン、Ｎ，Ｎ'−ヘキサメチレンビス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシヒドロシンナマイド、３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−ベンジルフォスフォネート−ジエチルエステル、２，４−ビス［（オクチルチオ）メチル］−ｏ−クレゾール、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−エチルフェノール、２，２'−メチレンビス（４−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、２，２'−メチレンビス（４−エチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、４，４'−ブチリデンビス（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、２，５−ジ−ｔ−アミルヒドロキノン、２−ｔ−ブチル−６−（３−ブチル−２−ヒドロキシ−５−メチルベンジル）−４−メチルフェニルアクリレート、４，４'−ブチリデンビス（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、等が挙げられる。
【０２２１】
また前記保護層には、公知の塗膜形成に用いられるその他の添加剤を添加することも可能であり、レベリング剤、紫外線吸収剤、光安定化剤、界面活性剤、など公知のものが用いられる。
前記保護層を形成するためには、前述の各種材料、および各種添加剤の混合物を感光層の上に塗布し加熱処理する。これにより、３次元的に架橋硬化反応を起こさせ、強固な硬化膜を形成する。加熱処理の温度は、下層である感光層３に影響しなければ特に制限はないが、室温以上２００℃以下の範囲、特に１００℃以上１６０℃以下の範囲に設定するのが好ましい。
【０２２２】
前記保護層の形成において、架橋性材料を用いた場合は架橋硬化反応を行うが、その際には無触媒で行なってもよいが、適切な触媒を用いてもよい。触媒としては、塩酸、硫酸、燐酸、蟻酸、酢酸、トリフルオロ酢酸、等の酸触媒、アンモニア、トリエチルアミン等の塩基、ジブチル錫ジアセテート、ジブチル錫ジオクトエート、オクエ酸第一錫等の有機錫化合物、テトラ−ｎ−ブチルチタネート、テトライソプロピルチタネート等の有機チタン化合物、有機カルボン酸の鉄塩、マンガン塩、コバルト塩、亜鉛塩、ジルコニウム塩、アルミニウムキレート化合物等が挙げられる。
【０２２３】
前記保護層には、塗布を容易にするため、必要に応じて溶剤を添加して用いられる。具体的には、水、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ベンジルアルコール、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸ｎ−ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、ジメチルエーテル、ジブチルエーテル、等の通常の有機溶剤を単独あるいは２種以上混合して用いられる。
【０２２４】
前記保護層の形成において、塗布方法としては、ブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法を用いればよい。
【０２２５】
なお、本実施の形態の感光体１２は、高解像度を得るための電荷発生層より上層の機能層の層厚は、所望の特性が得られるのであればいかなる層厚に設定できるが、５０μｍ以下とすることが好ましい。機能層が薄膜の場合は、金属酸化物粒子とアクセプター性化合物とを含む下引層２と高強度な保護層との組み合わせが特に有効に用いられる。
【０２２６】
なお、感光体１２は、上記構成に限定されるものではない。例えば、感光体１２において、上記中間層及び上記保護層の何れか一方または双方が存在しない構成のものでもよい。すなわち、導電性基体１に下引層２及び感光層３が積層された構成のもの、導電性基体１上に下引層２、中間層、及び感光層３が順次形成された構成のもの、導電性基体１上に下引層２、感光層３、及び保護層が順次形成された構成のものでもよい。
【０２２７】
また、電荷発生層３１と電荷輸送層３２とは、その積層順序が逆であってもよい。また、感光層３が単層構造であってもよい。その場合、感光層３上に保護層を備えるものであってもよく、下引層２と保護層を共に有するものであってもよい。さらに、下引層上には、上述したように中間層を設けてもよい。
【０２２８】
次に、本実施の形態で用いられる現像剤について説明する。本発明の画像形成装置には、トナーだけからなる一成分系、トナーとキャリアとを用いる二成分系の現像剤が用いられる。
【０２２９】
使用されうるトナーとしては、トナーの形状は特に限定されるものではないが、高画質化、エコロジーの観点から球形トナーが好ましい。球形トナーとは、高転写効率を達成するために、平均形状係数（ＳＦ１）１００以上１５０以下、望ましくは１００以上１４０以下の範囲で表される球形状を有するトナーである。この平均形状係数ＳＦ１が１４０より大きくなると転写効率が低下してしまい、プリントサンプルの画質の低下が目視で確認できてしまう。
【０２３０】
球形トナーは、少なくとも結着樹脂と着色剤を含有してなる。この球形トナーは、望ましくは２μｍ以上１２μｍ以下の粒子、より望ましくは３μｍ以上９μｍ以下の粒子を用いる。
【０２３１】
結着樹脂としては、のスチレン類、モノオレフィン類、ビニルエステル類、α―メチレン脂肪族モノカルボン酸エステル類、ビニルエーテル類、ビニルケトン類等の単独重合体および共重合体を例示することができ、特に代表的な結着樹脂としては、ポリスチレン、スチレンーアクリル酸アルキル共重合体、スチレンーメタクリル酸アルキル共重合体、スチレンーアクリロニトリル共重合体、スチレンーブタジエン共重合体、スチレンー無水マレイン酸共重合体、ポリエチレン、ポリプロピレン等が挙げられる。さらに、ポリエステル、ポリウレタン、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリアミド、変性ロジン、パラフィンワックス等も挙げられる。
【０２３２】
着色剤としては、マグネタイト、フェライト等の磁性粉、カーボンブラック、アニリンブルー、カルコイルブルー、クロムイエロー、ウルトラマリンブルー、デュポンオイルレッド、キノリンイエロー、メチレンブルークロリド、フタロシアニンブルー、マラカイトグリーンオキサレート、ランプブラック、ローズベンガル、Ｃ．Ｉ．ピグメント・レッド４８：１、Ｃ．Ｉ．ピグメント・レッド１２２、Ｃ．Ｉ．ピグメント・レッド５７：１、Ｃ．Ｉ．ピグメント・イエロー９７、Ｃ．Ｉ．ピグメント・イエロー１７、Ｃ．Ｉ．ピグメント・ブルー１５：１、Ｃ．Ｉ．ピグメント・ブルー１５：３等を代表的なものとして挙げられる。
【０２３３】
球形トナーには、帯電制御剤、離型剤、他の無機粒子等の公知の添加剤を内添加処理や外添加処理してもよい。
【０２３４】
離型剤としては低分子ポリエチレン、低分子ポリプロピレン、フィッシャートロプシュワックス、モンタンワックス、カルナバワックス、ライスワックス、キャンデリラワックス等を代表的なものとして挙げられる。
【０２３５】
帯電制御剤としては、公知のものを使用するが、アゾ系金属錯化合物、サリチル酸の金属錯化合物、極性基を含有するレジンタイプの帯電制御剤を用いる。
【０２３６】
他の無機粒子としては、粉体流動性、帯電制御等の目的で、平均１次粒径が４０ｎｍ以下の小径無機粒子を用い、更に必要に応じて、付着力低減の為、それより大径の無機あるいは有機粒子を併用してもよい。これらの他の無機粒子は公知のものを使用すればよい。
【０２３７】
また、小径無機粒子については表面処理することにより、分散性が高くなり、粉体流動性をあげる効果が大きくなるため有効である。
【０２３８】
球形トナーは、特に製造方法により限定されるものではなく、公知の方法により得られる。具体的には、例えば混練粉砕法、混練粉砕法にて得られた粒子を機械的衝撃力または熱エネルギーにて形状を変化させる方法、乳化重合凝集法、溶解懸濁法等が挙げられる。また上記方法で得られた球形トナーをコアにして、さらに凝集粒子を付着、加熱融合してコアシェル構造をもたせる製造方法を行ってもよい。外添剤を添加する場合、球形トナー及び外添剤をヘンシェルミキサーあるいはＶブレンダー等で混合することによって製造する。また、球形トナーを湿式にて製造する場合は、湿式にて外添することも可能である。
【０２３９】
次に、本実施の形態の画像形成装置１０の作用を説明する。
本実施の形態の画像形成装置１０においては、帯電装置１４により感光体１２の周面が所定の帯電電位に帯電される。感光体１２の回転軸Ｘを中心とする回転によって、感光体１２周面の帯電装置１４によって帯電された領域が、露光装置１８によって露光される領域に達すると、該領域に露光装置１８による露光がなされる。これにより、感光体１２上に画像データに応じた静電潜像が形成される。
【０２４０】
さらに、感光体１２の回転軸Ｘを中心とする回転によって、感光体１２上の静電潜像の形成された領域が現像装置２０の設けられている領域に達すると、この静電潜像がトナーによって現像されて、感光体１２上に静電潜像に応じたトナー像が形成される。
【０２４１】
さらに、感光体１２の回転によってトナー像の形成された領域が、転写装置２４の設けられている位置に達すると、転写装置２４によってトナー像が記録媒体２７へ転写される。
【０２４２】
感光体１２の回転軸Ｘを中心とする回転によって、感光体１２の外周面のトナー像が記録媒体２７へ転写された後に、該トナー像の形成されていた領域が除電装置２８の設けられている位置に達すると、除電装置２８の除電光源２８Ａから感光体１２の周面へ照射される除電光によって感光体１２の周面が除電された後に、再度帯電装置１４によって帯電される。
【０２４３】
ここで、上記説明したように、除電装置２８の除電光源２８Ａは、感光体１２の回転軸方向Ｙの一端側から感光体１２の回転軸方向Ｙの一端から他端に渡って除電光を照射するが、除電光源２８Ａは、感光体１２の回転軸方向Ｙの一端側にのみ設けられていることから、感光体１２の周面の回転軸方向Ｙの除電光源２８Ａに近い側から遠い側に向かうほど除電光の強度は小さくなる。
しかしながら、本実施の形態の感光体１２の下引層２は、上記説明したように、感光体１２として形成されて画像形成装置１０に設けられたときの感光体１２の回転軸方向Ｙの除電光源２８Ａ側の一端部から他端部側へ向かって、体積抵抗値が低くなるように構成されていることから、感光体１２の除電光に対する感度は、感光体１２の回転軸方向Ｙの除電光源２８Ａ側の一端部から他端部側へ向かって強くなる。
【０２４４】
従って、本実施の形態の画像形成装置１０によれば、感光体１２の除電光による除電を、感光体１２の回転軸方向Ｙの全領域に渡って、均一または均一に限りなく近い状態で行うことができ、感光体１２上の前の画像形成時における露光履歴の残存（所謂、ゴースト）が抑制される。
【０２４５】
また、本実施の形態の画像形成装置１０によれば、感光体１２の周面へ除電光を照射するための除電光源２８Ａと、感光体１２の回転軸方向Ｙの一端側にのみ設けた構成であることから、その他の領域（例えば、回転軸方向Ｙの両端側）等にさらに除電光源２８Ａを設けた構成とする場合に比べて、画像形成装置１０の構成を簡易なものとされる。このため、本発明の画像形成装置１０によれば、簡易な構成でゴースト（感光体１２の前の画像形成時における露光履歴による画質欠陥）の発生が抑制される。
【０２４６】
なお、図１には、モノクロの画像を形成する画像形成装置を示したが、この形態にかぎられず、本発明の画像形成装置は、タンデム型のカラー画像形成装置等の複数の画像形成ユニットを備えた装置、あるいはロータリー型現像装置（回転現像機ともいう）であってもよい。ここで、ロータリー型現像装置とは、複数の現像装置を回転移動させ、必要な現像装置のみを感光体に対向させ、目的とする色のトナーを感光体上に順次形成する方式の現像装置を意味する。
【０２４７】
更に、感光体と、帯電装置、潜像形成手段、現像装置及びクリーニング装置から選ばれる少なくとも１種と、除電装置とを一体化し、画像形成装置に着脱可能なプロセスカートリッジとしてもよい。
【０２４８】
（第２の実施の形態）
上記第１の実施の形態では、下引層２の、感光体１２として構成されて画像形成装置１０に搭載された状態における回転軸方向Ｙの体積抵抗値が除電光源２８Ａ側の一端部から他端部側へ向かって低くなるように下引層２を調整するために、下引層２は１層から構成され、下引層２の回転軸方向Ｙの層厚を除電光源２８Ａ側の一端部から他端部側へ向かって薄くなるように調整する場合を説明した。
本実施の形態では、下引層２の、感光体１２として構成されて画像形成装置１０に搭載された状態における回転軸方向Ｙの体積抵抗値が除電光源２８Ａ側の一端部から他端部側へ向かって低くなるように下引層２を調整するために、下引層２を２層から構成し、導電性基体１側の下引層の層厚と、感光層３側の下引層の層厚と、の双方を調整する場合を説明する。
【０２４９】
本実施の形態の画像形成装置１１は、図４に示すように、感光体１３を備えている。感光体１３は、円筒状であって、回転軸Ｘを中心に所定方向（図４中、矢印Ａ方向）に回転可能に設けられている。この感光体１３の周囲には、感光体１３の回転方向（図４中、矢印Ａ方向）に沿って、帯電装置１４、露光装置１８、現像装置２０、転写装置２４、クリーニング装置２６、及び除電装置２８が順に配置されている。
【０２５０】
なお、本実施の形態で説明する画像形成装置１１の構成は、上記第１の実施の形態で説明した画像形成装置１０における感光体１２に換えて、感光体１３を用いている以外は同じ構成であり、同一装置には同一符号を付与して詳細な説明を省略する。
【０２５１】
本実施の形態で用いる感光体１３は、詳細構成については後述するが、図３に示すように、少なくとも導電性基体１上に、下引層９と、感光層３と、を少なくとも積層して構成されている。
【０２５２】
なお、図５に示す感光体１３は機能分離型の感光体であり、感光層３は電荷発生層３１と電荷輸送層３２とから構成されている。
【０２５３】
なお、感光体１３の構成は、第１の実施の形態で説明した感光体１２とは異なる下引層９（第１の実施の形態では下引層２）を用いた点以外は、同じ構成であるため、同一構成部分には同一符号を付与して詳細な説明を省略する。
【０２５４】
下引層９は、第１の実施の形態で説明した下引層２と同様に、下引層形成用塗布液を導電性基体１に塗布することにより形成される。
【０２５５】
下引層９は、図５に示すように、導電性基体１上に、下引層９Ａ及び下引層９Ｂを積層して構成されている。
【０２５６】
下引層９の、感光体１３として構成されて画像形成装置１０に搭載された状態における回転軸方向Ｙの体積抵抗値は、除電光源２８Ａ側の一端部から他端部側へ向かって低くなるように調整されている。体積抵抗値の測定方法については、第１の実施例で説明したのと同じであるため詳細な説明を省略する。
【０２５７】
感光体１２と同様に、感光体１３を構成する下引層９の体積抵抗値の高い領域は体積抵抗値の低い領域に比べて導電性基板へのブロッキング性能が高くなるため、感光体１３として構成されたときの対応する領域の、除電光に対する感度は低くなる。また、反対に、下引層９の体積抵抗値の低い領域は体積抵抗値の高い領域に比べて、導電性基板へのブロッキング性能が低くなるため、感光体１３として構成されたときの対応する領域の、除電光に対する感度は高くなる。
【０２５８】
ここで、除電装置２８の除電光源２８Ａは、感光体１３の回転軸方向Ｙの一端側のみに設けられており、該一端側から感光体１３の回転軸方向Ｙの少なくとも除電対象となる領域へ除電光を照射するので、除電装置２８の除電光源２８Ａと、除電装置２８から照射されて感光体１２の周面へ到達した除電光の強度は、感光体１２の周面における回転軸方向Ｙの除電装置２８側の一端部から他端部側へ向かって、除電光源２８Ａとの距離に応じて弱くなる。この位置関係となるように、除電装置２８は設けられている。
【０２５９】
このように、本実施の形態の画像形成装置１１では、除電光源２８Ａが感光体１３の回転軸方向Ｙの一端側のみに設けられた構成であることで、除電光源２８Ａから感光体１３の周面へ照射される除電光の強度が感光体１３の周面における回転軸方向Ｙの除電光源２８Ａ側の一端部から他端部側へ向かって弱いのであるが、上記説明したように、下引層９の体積抵抗値が該回転軸方向Ｙの除電光源２８Ａ側の一端部から他端部側へ向かって低いので、感光体１３の感度は該回転軸方向Ｙの除電光源２８Ａ側の一端部から他端部側へ向かって高く、感光体１３へ照射される除電光の強度が該回転軸方向Ｙに不均一となることが抑制される。
【０２６０】
下引層９の上記回転軸方向Ｙの最も除電光源２８Ａ側の一端部（除電光源２８Ａに近い領域）の体積抵抗値の数値範囲については、第１の実施例の下引層２の体積抵抗値と同じであるため、説明を省略する。
【０２６１】
本実施の形態では、下引層９の回転軸方向Ｙの体積抵抗値を、上述のように除電光源２８Ａ側の一端部から他端部側へ向かって低くなるように調整するために、図５に示すように、下引層９を下引層９Ａ上に下引層９Ｂを積層した２層構成とすると共に、下引層９Ａの層厚が回転軸方向Ｙの除電光源２８Ａ側の一端部から他端部側へ向かって薄くなり、且つ下引層９Ｂの層厚が回転軸方向Ｙの除電光源２８Ａ側の一端部から他端部側へ向かって厚くなるよう形成されている。また、下引層９Ａの除電光源２８Ａ側の層厚は、下引層９Ｂの層厚より厚く、且つ、下引層９Ａの除電光源２８Ａ側の層厚は、下引層９Ｂの層厚より薄い。
【０２６２】
また、下引層９Ａの体積抵抗率は、０．５×１０８Ω・ｃｍ以上０．５×１０１５Ω・ｃｍ以下の範囲内であり、望ましくは、１．０×１０８Ω・ｃｍ以上１．０×１０１４Ω・ｃｍ以下の範囲内である。
【０２６３】
また、下引層９Ｂの体積抵抗率は、１．０×１０１４Ω・ｃｍ以下０．５×１０８Ω・ｃｍ以上の範囲内であり、望ましくはΩ・ｃｍ以上Ω・ｃｍ以下の範囲内であり、更に望ましくは、１．０×１０１４Ω・ｃｍ以下１．０×１０１４Ω・ｃｍ以上の範囲内である。
【０２６４】
下引層９Ａの体積抵抗率が０．５×１０８Ω・ｃｍ未満であると、濃度低下が著しいと言う懸念があり、０．５×１０１５Ω・ｃｍを超えると、濃度上昇が起こると言う懸念がある。下引層９Ｂの体積抵抗率についてもおなじ懸念がある。
【０２６５】
なお、下引層９Ａが本発明の画像形成装置の第１の下引層に相当し、下引層９Ｂが本発明の画像形成装置の第２の下引層に相当する。
【０２６６】
なお、本実施の形態において、下引層９Ａ及び下引層９Ｂ各々の、「回転軸方向Ｙの除電光源２８Ａに最も近い領域」とは、下引層９Ａ及び下引層９Ｂ各々の回転軸方向Ｙの除電光源２８Ａに最も近く且つ下引層９Ａの厚みの最も大きい領域と、下引層９Ｂの厚みの最も小さい領域と、の各々を示している。
【０２６７】
また同様に、本実施の形態において、下引層９Ａ及び下引層９Ｂ各々の、「回転軸方向Ｙの除電光源２８Ａに最も遠い領域」とは、下引層９Ａ及び下引層９Ｂ各々の回転軸方向Ｙの除電光源２８Ａに最も遠く且つ下引層９Ａの厚みの最も小さい領域と、下引層９Ｂの厚みの最も大きい領域と、の各々を示している。
【０２６８】
また、下引層９Ａに下引層９Ｂを積層して構成された２層構成の下引層９自体の層厚は、回転軸方向Ｙにおいて略一定または一定に限りなく近いことが好ましい。この厚みが不均一であると、感光層全体の膜厚が不均一になり、他部材とのインターラクションが困難になり、結果として不安定な装置になるという懸念がある。また、下引層９の厚みを回転軸方向Ｙにおいて均一または均一に限りなく近い構成とすることによって、露光装置１８による露光むら及び現像装置２０による現像むらを抑制することができ、より画質劣化が抑制される。
【０２６９】
上述の下引層９Ａ及び下引層９Ｂから構成される下引層９を導電性基体１上に形成するためには、下引層９Ａ用に調整した下引層用塗布液を導電性基体１上に形成した後に、下引層９Ｂ用に調整した下引層用塗布液を下引層９Ａ上に形成すればよい。
【０２７０】
下引層９Ａ及び下引層９Ｂの層厚の調整は、第１の実施の形態で説明した下引層２の厚み調整と同じようにして行えばよい。
【０２７１】
下引層９Ａ及び下引層９Ｂは、上記第１の実施の形態で説明した下引層２と同様に、第１の実施の形態で説明した下引層２と同様に、金属酸化物粒子、添加物、硬化性樹脂、硬化剤、添加物、及び溶媒等を含む下引層形成用塗布液を、上記の層厚となるように導電性基体１上に塗布し硬化させることによって形成される。
【０２７２】
なお、下引層９Ａと下引層９Ｂとは、同一の金属元素の金属酸化物粒子を含んで構成されている。また、下引層９Ａと下引層９Ｂの各々に含まれる材料及び混合比は同じであり、すなわち、同一の組成となるように構成されている。
【０２７３】
このように下引層９Ａと下引層９Ｂとの各々に含まれる金属酸化物粒子を同一の金属元素とするとともに、下引層９Ａと下引層９Ｂとを同一組成とすることによって、感光体１３の製造の低コスト化や生産性の向上が図られる。
【０２７４】
ここで、下引層９Ａ及び下引層９Ｂ各々を、各々の体積抵抗率の数値範囲内として示した上記範囲内となるように調整するためには、第１の実施の形態と同様に、金属酸化物の混合条件を調整すればよい。
すなわち、本実施の形態の画像形成装置１１における感光体１３の下引層９における下引層９Ａ及び下引層９Ｂ各々の体積抵抗率が、各々上記範囲内となるように調整するためには、例えば、各々の下引層用塗布液を調整するときに、体積抵抗率が上記範囲内となるように調整を行えばよい。
【０２７５】
次に、本実施の形態の画像形成装置１１の作用を説明する。
本実施の形態の画像形成装置１１においては、帯電装置１４により感光体１２の周面が所定の帯電電位に帯電される。感光体１３の回転軸Ｘを中心とする回転によって、感光体１２周面の帯電装置１４によって帯電された領域が、露光装置１８によって露光される領域に達すると、該領域に露光装置１８による露光がなされる。これにより、感光体１３上に画像データに応じた静電潜像が形成される。
【０２７６】
さらに、感光体１３の回転軸Ｘを中心とする回転によって、感光体１３上の静電潜像の形成された領域が現像装置２０の設けられている領域に達すると、この静電潜像がトナーによって現像されて、感光体１３上に静電潜像に応じたトナー像が形成される。
【０２７７】
さらに、感光体１３の回転によってトナー像の形成された領域が、転写装置２４の設けられている位置に達すると、転写装置２４によってトナー像が記録媒体２７へ転写される。
【０２７８】
感光体１３の回転軸Ｘを中心とする回転によって、感光体１２の外周面のトナー像が記録媒体２７へ転写された後に、該トナー像の形成されていた領域が除電装置２８の設けられている位置に達すると、除電装置２８の除電光源２８Ａから感光体１３の周面へ照射される除電光によって感光体１３の周面が除電された後に、再度帯電装置１４によって帯電される。
【０２７９】
ここで、除電装置２８の除電光源２８Ａは、感光体１２の回転軸方向Ｙの一端側から感光体１２の回転軸方向Ｙの一端から他端に渡って除電光を照射するが、除電光源２８Ａは、感光体１２の回転軸方向Ｙの一端側にのみ設けられていることから、感光体１３の周面の回転軸方向Ｙの除電光源２８Ａに近い側から遠い側に向かうほど除電光の強度は小さくなる。
しかしながら、本実施の形態の感光体１２の下引層９は、上記説明したように、感光体１３として形成されて画像形成装置１１に設けられたときの感光体１３の回転軸方向Ｙの除電光源２８Ａ側の一端部から他端部側へ向かって、体積抵抗値が低くなるように構成されていることから、感光体１３の除電光に対する感度は、感光体１３の回転軸方向Ｙの除電光源２８Ａ側の一端部から他端部側へ向かって強くなる。
【０２８０】
従って、本実施の形態の画像形成装置１１によれば、感光体１３の除電光による除電を、感光体１３の回転軸方向Ｙの全領域に渡って、均一に近い状態で行うことができ、感光体１３上の前の画像形成時における露光履歴（所謂、ゴースト）の発生が抑制される。
【０２８１】
また、本実施の形態の画像形成装置１１によれば、感光体１３の周面へ除電光を照射するための除電光源２８Ａと、感光体１２の回転軸方向Ｙの一端側にのみ設けた構成であることから、その他の領域（例えば、回転軸方向Ｙの両端側）等にさらに除電光源２８Ａを設けた構成とする場合に比べて、画像形成装置１１の構成が簡易なものとされる。このため、本発明の画像形成装置１１によれば、簡易な構成でゴーストの発生が抑制される。
【０２８２】
なお、図４には、モノクロの画像を形成する画像形成装置を示したが、この形態にかぎられず、本発明の画像形成装置は、タンデム型のカラー画像形成装置等の複数の画像形成ユニットを備えた装置、あるいはロータリー型現像装置（回転現像機ともいう）であってもよい。ここで、ロータリー型現像装置とは、複数の現像装置を回転移動させ、必要な現像装置のみを感光体に対向させ、目的とする色のトナーを感光体上に順次形成する方式の現像装置を意味する。
【０２８３】
更に、感光体と、帯電装置、潜像形成手段、現像装置及びクリーニング装置から選ばれる少なくとも１種とを一体化し、画像形成装置に着脱可能なプロセスカートリッジとしてもよい。
【実施例】
【０２８４】
以下、実施例及び比較例に基づき本発明を更に具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に何ら限定されるものではない。
【０２８５】
〔実施例Ａ１〕
金属酸化物粒子として酸化亜鉛(平均粒子径７０ｎｍ：テイカ社製試作品：ＢＥＴ比表面積値１５ｍ２／ｇ)１００質量部をトルエン５００質量部と攪拌混合し、シランカップリング剤（ＫＢＭ６０３：信越化学社製）１．２５質量部を添加し、２時間攪拌した。その後トルエンを減圧蒸留にて留去し、１２０℃で３時間焼き付けを行い、シランカップリング剤表面処理酸化亜鉛顔料を得た。
【０２８６】
上記表面処理を施した酸化亜鉛６０質量部とアリザリン（シグマアルドリッチジャパン製）０．３質量部と、硬化剤としてのブロック化イソシアネート  スミジュール３１７５(住友バイエルンウレタン社製)１３．５質量部と、ブチラール樹脂  ＢＭ−１(積水化学社製)１５質量部と、をメチルエチルケトン８５質量部に溶解した溶液３８質量部と、メチルエチルケトン２５質量部と、を混合し、１ｍｍΦのガラスビーズを用いて、サンドミルを用いて分散をおこなった。
【０２８７】
この分散液をサンプリングし、得られたサンプリング液をガラスプレート上に乾燥後の厚さが２０μmとなるように塗布し、乾燥後、分光光度計を用いて波長９５０ｎｍの光に対する光透過率を測定した。この時の光透過率が３０％となった時点で分散を終了し、下引層用分散液を得た。
【０２８８】
この光透過率測定用サンプルの体積抵抗率を、測定したところ、１．０×１０１２．５（Ω・ｃｍ）であった。
【０２８９】
この体積抵抗率は、温度２２℃、湿度５５％ＲＨの環境下において、測定治具（Ｒ１２７０２Ａ／Ｂレジスティビティ・チェンバ：アドバンテスト社製）と高抵抗測定器（Ｒ８３４０Ａデジタル高抵抗／微小電流計：アドバンテスト社製）とを用い、電場（印加電圧／組成物シート厚）が１０００Ｖ／ｃｍになるよう調節した電圧を３０秒印加後の電流値より、下記式（２）を用いて算出した。
体積抵抗率（Ω・ｃｍ）＝（１９．６３×印加電圧（Ｖ））／（電流値（Ａ）×組成物シート厚（ｃｍ））  ・・・  式（２）
【０２９０】
この得られた分散液に触媒としてジオクチルスズジラウレート：０．００５質量部、シリコーン樹脂粒子トスパール１４５（ＧＥ東芝シリコーン社製）：４．０質量部を添加し、下引層塗布液を得た。
【０２９１】
この塗布液を浸漬塗布法にて直径３０ｍｍ、長さ４０４ｍｍ、肉厚１ｍｍの円筒状のアルミニウム基材上に、該アルミニウム基材の回転軸方向Ｙの一端側から他端側へ向かって塗布速度を可変し膜厚差ができるように塗布した。この時、膜厚差としては、作製した感光体を画像形成装置に搭載したときに、該回転軸方向Ｙの、画像形成装置に搭載されている除電装置の光源に近い側の膜厚が厚く、該回転軸方向Ｙの他端側（光源に遠い側）に向かって連続的に薄くなるように塗布した。
【０２９２】
その後、１９５℃、２７分の乾燥硬化を行い、平均膜厚２０μｍであり、回転軸方向Ｙにおける除電装置の光源に近い側の厚み（膜厚の最も厚い領域）が２３μｍであり、回転軸方向Ｙにおける該光源に最も遠い側の厚み（膜厚の最も薄い領域）が１７μｍである下引層を得た。
【０２９３】
この、アルミニウム基材上に作製した下引層の、アルミニウム基材の回転軸方向Ｙの一端側から他端側に向かって所定間隔（６０ｍｍ）毎に５箇所について、体積抵抗値の測定を行ったところ、回転軸方向Ｙにおける除電装置の光源に近い側（膜厚の最も厚い領域）の体積抵抗値は１．０×１０８．５７Ωであり、回転軸方向Ｙにおける該光源に最も遠い側（膜厚の最も薄い領域）の体積抵抗値は１．０×１０８．４４Ωであり、この間の体積抵抗値は、該光源に近い側から回転軸方向Ｙに遠い方向へ向かって上記１．０×１０８．５７Ωから１．０×１０８．４４Ωへと除々に小さくなっていることが確認された。
【０２９４】
次に、下引層上に感光層を形成した。まず、電荷発生物質としてクロロガリウムフタロシアニン１５質量部、結着樹脂としての塩化ビニル・酢酸ビニル共重合体樹脂（ＶＭＣＨ、ユニオンカーバイト社製）１０質量部、ｎ-酢酸ブチル２００質量部からなる混合物を、１ｍｍΦのガラスビーズを用いてサンドミルにて４時間分散した。得られた分散液にｎ−酢酸ブチル１７５部、メチルエチルケトン１８０部を添加し、攪拌して電荷発生層用の塗布液を得た。この電荷発生層用塗布液を下引層上に浸漬塗布し、常温（２５℃）で乾燥して、厚みが０．２μｍの電荷発生層を形成した。
【０２９５】
さらに、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル)−[１，１’]ビフェニル−４，４’−ジアミン４部とビスフェノールＺポリカーボネート樹脂（粘度平均分子量４万）６質量部とをテトラヒドロフラン８０質量部を加えて溶解した塗布液を電荷発生層上に形成し、１１５℃、４０分の乾燥を行うことにより膜厚２５μｍの電荷輸送層を形成し、感光体を作製した。
【０２９６】
作製した感光体を、除電装置に設けられている光源（除電光を照射する光源）であるＬＥＤが、図２に示すように、感光体が搭載されたときに感光体の回転軸方向Ｙの一方側のみから該感光体の周面の回転軸方向Ｙに向かって照射するように改造するとともに、感光体の除電対象となる領域以外の領域に除電光が照射されないように遮光部材を搭載するようにプロセスカートリッジを、改造を施した、富士ゼロックス（株）製  ＤｏｃｕＣｅｎｔｒｅ  Ｃｏｌｏｒ  II  ４３００に搭載した。
【０２９７】
このとき、作製した感光体の回転軸方向Ｙにおける、下引層の厚みの厚い側（体積抵抗値の高い側）が除電光を照射する光源に近い側となり、下引層の厚みの薄い側（体積抵抗値の低い側）が除電光を照射する光源に遠い側となるように、作製した感光体を上記画像形成装置へ搭載した。
【０２９８】
＜濃度評価＞
この画像形成装置において、帯電装置による帯電後の感光体表面の帯電電位を−７００Ｖに設定し、露光装置による感光体の露光エネルギーを４．５ｍＪ／ｍ２、感光体の回転速度を１６５ｍｍ／ｓｅｃとし、Ａ３サイズで３０％濃度の全面ハーフトーンのマゼンタ色画像を、Ａ３用紙へ３０枚連続して画像形成した。
【０２９９】
なお、印字の際の外部環境は２２℃、５０％ＲＨとした。上記３０枚連続画像形成を行った後に、画像形成された３０枚目の用紙について、該用紙に形成された画像の、感光体の回転軸方向Ｙに対応する方向における両端部の濃度と中心部の濃度とを測定した。濃度測定には、Ｘ−Ｒｉｔｅ社製、商品名Ｘ−Ｒｉｔｅ４０４を用いた。
【０３００】
測定した中心部濃度と該回転軸方向Ｙに対応する方向の一端部の濃度との差、及び中心部濃度と該回転軸方向Ｙに対応する方向の他端部の濃度との差の内、大きい方の濃度差をΔＤとし、評価結果を表１に示した。
【０３０１】
なお、濃度評価結果としては、表１では、ΔＤの値が小さい値であるほど、濃度面内均一性が高いことを示し、ΔＤの値が大きいほど均一性が低く、ΔＤの値が０．２を超える場合に、画質劣化が生じている事を示す「ＮＧ」と規定した。
【０３０２】
＜ゴーストの発生評価＞
また、該３０枚目の用紙に記録された画像について、前回形成した画像履歴の残存による画質欠陥、所謂ゴーストの発生有無を、目視により評価した。
【０３０３】
＜表面電位評価＞
上記改造した富士ゼロックス（株）製  ＤｏｃｕＣｅｎｔｒｅ  Ｃｏｌｏｒ  II  ４３００について、更に、感光体の回転方向における、除電装置によって除電光の照射される位置より下流側で、且つ帯電装置によって停電される位置より上流側に、電位測定プローブ（Ｔｒｅｃｋ社製Ｔｒｅｃｋ  ３４４）を装着するように改造した。
【０３０４】
そして、上記と濃度評価及びゴーストの発生評価のために上記Ａ３用紙への３０枚連続した画像形成の後の、３０枚目の画像形成時において、除電装置によって除電光の照射された直後の感光体の回転軸方向Ｙにおける、除電装置の光源（除電光を照射する光源）に最も近い領域の表面電位と、最も遠い領域の表面電位と、を測定した。
【０３０５】
測定した表面電位の差分（回転軸方向Ｙの一端側の表面電位と他端側の表面電位との差）をΔＶで表し、評価結果を表１に示した。
なお、表面電位評価時には、画像形成装置の画像形成条件を、帯電装置による帯電後の感光体表面の帯電電位を−７００Ｖ、露光装置による感光体の露光エネルギーを４．５ｍＪ／ｍ２、感光体の回転速度を１６５ｍｍ／ｓｅｃに各々変更して評価を行った。
【０３０６】
〔実施例Ａ２〕
上記実施例Ａ１において調整した下引層塗布溶液を用い、下引層の層厚が実施例Ａ１とは異なるように、下引層の厚みを調整した以外は、実施例Ａ１と同様にして感光体を作製し、実施例Ａ１と同様にして濃度評価、ゴーストの発生評価、及び表面電位評価を行った。
【０３０７】
本実施例Ａ２では、下引層形成時の塗布速度を調整することによって、１９５℃、２７分の乾燥硬化後の平均膜厚が２０μｍであり、回転軸方向Ｙにおける除電装置の光源に近い側の厚み（膜厚の最も厚い領域）が２５μｍであり、回転軸方向Ｙにおける該光源に最も遠い側の厚み（膜厚の最も薄い領域）が１５μｍである下引層を得た。
【０３０８】
さらに、この実施例Ａ２でアルミニウム基材上に作製した下引層の、アルミニウム基材の回転軸方向Ｙの一端側から他端側に向かって所定間隔（６０ｍｍ）毎に５箇所について、体積抵抗値の測定を行ったところ、回転軸方向Ｙにおける除電装置の光源に近い側（膜厚の最も厚い領域）の体積抵抗値は１．０×１０８．６１Ωであり、回転軸方向Ｙにおける該光源に最も遠い側（膜厚の最も薄い領域）の体積抵抗値は１．０×１０８．３８Ωであり、この間の体積抵抗値は、該光源に近い側から回転軸方向Ｙに遠い方向へ向かって上記１．０×１０８．６１Ωから１．０×１０８．３８Ωへと除々に小さくなっていることが確認された。
【０３０９】
濃度評価、ゴーストの発生評価、及び表面電位評価の評価結果を表１に示した。
【０３１０】
〔実施例Ａ３〕
上記実施例Ａ１において調整した下引層塗布溶液を用い、下引層の層厚が実施例Ａ１とは異なるように、下引層の厚みを調整した以外は、実施例Ａ１と同様にして感光体を作製し、実施例Ａ１と同様にして濃度評価、ゴーストの発生評価、及び表面電位評価を行った。
【０３１１】
本実施例Ａ３では、下引層形成時の塗布速度を調整することによって、１９５℃、２７分の乾燥硬化後の平均膜厚が２５μmであり、回転軸方向Ｙにおける除電装置の光源に近い側の厚み（膜厚の最も厚い領域）が２７μｍであり、回転軸方向Ｙにおける該光源に最も遠い側の厚み（膜厚の最も薄い領域）が２４μｍである下引層を得た。
【０３１２】
さらに、この実施例Ａ３でアルミニウム基材上に作製した下引層の、アルミニウム基材の回転軸方向Ｙの一端側から他端側に向かって所定間隔（６０ｍｍ）毎に５箇所について、体積抵抗値の測定を行ったところ、回転軸方向Ｙにおける除電装置の光源に近い側（膜厚の最も厚い領域）の体積抵抗値は１．０×１０８．６４Ωであり、回転軸方向Ｙにおける該光源に最も遠い側（膜厚の最も薄い領域）の体積抵抗値は１．０×１０８．５９Ωであり、この間の体積抵抗値は、該光源に近い側から回転軸方向Ｙに遠い方向へ向かって上記１．０×１０８．６４Ωから１．０×１０８．５９Ωへと除々に小さくなっていることが確認された。
【０３１３】
濃度評価、ゴーストの発生評価、及び表面電位評価の評価結果を表１に示した。
【０３１４】
〔実施例Ａ４〕
上記実施例Ａ１において調整した下引層塗布溶液において、金属酸化物粒子として酸化チタンを用いた以外は、実施例Ａ１と同様にして感光体を作製し、実施例Ａ１と同様にして濃度評価、ゴーストの発生評価、及び表面電位評価を行った。
【０３１５】
本実施例Ａ４で実施例Ａ１と同様にして調整した光透過率測定用サンプルの体積抵抗率を、測定したところ、１．０×１０１０．４（Ω・cm）であった。
【０３１６】
また、本実施例Ａ４でアルミニウム基材上に作製した下引層の、アルミニウム基材の回転軸方向Ｙの一端側から他端側に向かって所定間隔（６０ｍｍ）毎に５箇所について、体積抵抗値の測定を行ったところ、回転軸方向Ｙにおける除電装置の光源に近い側（膜厚の最も厚い領域）の体積抵抗値は１．０×１０６．４７Ωであり、回転軸方向Ｙにおける該光源に最も遠い側（膜厚の最も薄い領域）の体積抵抗値は１．０×１０６．３４Ωであり、この間の体積抵抗値は、該光源に近い側から回転軸方向Ｙに遠い方向へ向かって上記１．０×１０６．４７Ωから１．０×１０６．３４Ωへと除々に小さくなっていることが確認された。
【０３１７】
濃度評価、ゴーストの発生評価、及び表面電位評価の評価結果を表１に示した。
【０３１８】
〔実施例Ａ５〕
上記実施例Ａ１において調整した下引層塗布溶液を用い、下引層の層厚が実施例Ａ１とは異なるように、下引層の厚みを調整した以外は、実施例Ａ１と同様にして感光体を作製し、実施例Ａ１と同様にして濃度評価、ゴーストの発生評価、及び表面電位評価を行った。
【０３１９】
本実施例Ａ５では、下引層形成時の塗布速度を調整することによって、１９５℃、２７分の乾燥硬化後の平均膜厚が２５μmであり、回転軸方向Ｙにおける除電装置の光源に近い側の厚みが２６μｍであり、回転軸方向Ｙにおける該光源に最も遠い側の厚み（膜厚の最も薄い領域）が２４μｍである下引層を得た。
【０３２０】
さらに、この実施例Ａ５でアルミニウム基材上に作製した下引層の、アルミニウム基材の回転軸方向Ｙの一端側から他端側に向かって所定間隔（６０ｍｍ）毎に５箇所について、体積抵抗値の測定を行ったところ、回転軸方向Ｙにおける除電装置の光源に近い側（膜厚の最も厚い領域）の体積抵抗値は１．０×１０８．６２Ωであり、回転軸方向Ｙにおける該光源に最も遠い側（膜厚の最も薄い領域）の体積抵抗値は１．０×１０８．５９Ωであり、この間の体積抵抗値は、該光源に近い側から回転軸方向Ｙに遠い方向へ向かって上記１．０×１０８．６２Ωから１．０×１０８．５９Ωへと除々に小さくなっていることが確認された。
【０３２１】
濃度評価、ゴーストの発生評価、及び表面電位評価の評価結果を表１に示した。ゴーストは、僅かながら発生しており、気にしないのであれば実使用範囲であることを確認した。
【０３２２】
〔比較例Ａ１〕
上記実施例Ａ２において調整した下引層塗布溶液を用い、下引層の層厚が実施例Ａ１とは異なるように、下引層の厚みを調整した以外は、実施例Ａ１と同様にして感光体を作製し、実施例Ａ１と同様にして濃度評価、ゴーストの発生評価、及び表面電位評価を行った。
【０３２３】
本比較例Ａ１では、下引層形成時の塗布速度を調整することによって、１９５℃、２７分の乾燥硬化後の平均膜厚が２０μmであり、回転軸方向Ｙにおける除電装置の光源に近い側の厚みが１７μｍであり、回転軸方向Ｙにおける該光源に最も遠い側の厚み（膜厚の最も薄い領域）が２３μｍである下引層を得た。
【０３２４】
さらに、この比較例Ａ１でアルミニウム基材上に作製した下引層の、アルミニウム基材の回転軸方向Ｙの一端側から他端側に向かって所定間隔（６０ｍｍ）毎に５箇所について、体積抵抗値の測定を行ったところ、回転軸方向Ｙにおける除電装置の光源に近い側（膜厚の最も厚い領域）の体積抵抗値は１．０×１０８．４４Ωであり、回転軸方向Ｙにおける該光源に最も遠い側（膜厚の最も薄い領域）の体積抵抗値は１．０×１０８．５７Ωであり、この間の体積抵抗値は、該光源に近い側から回転軸方向Ｙに遠い方向へ向かって上記１．０×１０８．４４Ωから１．０×１０８．５７Ωへと除々に大きくなっていることが確認された。
【０３２５】
濃度評価、ゴーストの発生評価、及び表面電位評価の評価結果を表１に示した。
【０３２６】
〔比較例Ａ２〕
上記実施例Ａ１において調整した下引層塗布溶液を用い、下引層が均一の膜厚となるようにした以外は、実施例Ａ１と同様にして感光体を作製し、実施例Ａ１と同様にして濃度評価、ゴーストの発生評価、及び表面電位評価を行った。
【０３２７】
本比較例Ａ２では、下引層形成時の塗布速度を調整することによって、１９５℃、２７分の乾燥硬化後の平均膜厚が２０μmであり、回転軸方向Ｙにおける除電装置の光源に近い側の厚みが２０μｍであり、回転軸方向Ｙにおける該光源に最も遠い側の厚みも２０μｍである下引層を得た。
【０３２８】
さらに、アルミニウム基材上に作製した下引層の、アルミニウム基材の回転軸方向Ｙの一端側から他端側に向かって所定間隔（６０ｍｍ）毎に５箇所について、体積抵抗値の測定を行ったところ、回転軸方向Ｙにおける除電装置の光源に近い側の体積抵抗値は１．０×１０８．５１Ωであり、回転軸方向Ｙにおける該光源に最も遠い側の体積抵抗値も１．０×１０８．５１Ωであり、この間の体積抵抗値は、該光源に近い側から回転軸方向Ｙに遠い方向へ向かって同等となっているなっていることが確認された。
【０３２９】
濃度評価、ゴーストの発生評価、及び表面電位評価の評価結果を表１に示した。
【０３３０】
【表１】
0004501973.tif 000005
【０３３１】
〔実施例Ｂ１〕
金属酸化物粒子として酸化亜鉛(平均粒子径７０ｎｍ：テイカ社製試作品：ＢＥＴ比表面積値１５ｍ２／ｇ)１００質量部をトルエン５００質量部と攪拌混合し、シランカップリング剤（ＫＢＭ６０３：信越化学社製）１．２５質量部を添加し、２時間攪拌した。その後トルエンを減圧蒸留にて留去し、１２０℃で３時間焼き付けを行い、シランカップリング剤表面処理酸化亜鉛顔料を得た。
【０３３２】
上記表面処理を施した酸化亜鉛６０質量部とアリザリン（シグマアルドリッチジャパン製）０．３質量部と、硬化剤としてのブロック化イソシアネート  スミジュール３１７５(住友バイエルンウレタン社製)１３．５質量部と、ブチラール樹脂ＢＭ−１(積水化学社製)１５質量部と、をメチルエチルケトン８５質量部に溶解した溶液３８質量部と、メチルエチルケトン２５質量部と、を混合し、１ｍｍΦのガラスビーズを用いて、を用いて分散をおこなった（分散液Ｓとする）。
【０３３３】
この分散液Ｓをサンプリングし、得られたサンプリング液をガラスプレート上に乾燥後の厚さが２０μmとなるように塗布し、乾燥後、分光光度計を用いて波長９５０ｎｍの光に対する光透過率を測定した。この時の光透過率が８０％となった時点で分散を終了し、下引層用分散液Ａを得た。
また、この光透過率測定用サンプルの体積抵抗率を、実施例Ａ１と同様にして測定したところ、１．０×１０１２．５（Ω・cm）であった。
【０３３４】
次に、下引層用分散液Ａと同様にして、上記分散液Ｓをサンプリングし、得られたサンプリング液をガラスプレート上に乾燥後の厚さが２０μmとなるように塗布し、乾燥後、分光光度計を用いて波長９５０ｎｍの光に対する光透過率を測定した。この時の光透過率が２５％となった時点で分散を終了し、下引層用分散液Ｂを得た。
また、この光透過率測定用サンプルの体積抵抗率を、実施例Ａ１と同様にして測定したところ、１．０×１０１０（Ω・cm）であった。
【０３３５】
この得られた下引層用分散液Ａ及び下引層用分散液Ｂ各々に、触媒としてジオクチルスズジラウレート：０．００５質量部、シリコーン樹脂粒子トスパール１４５（ＧＥ東芝シリコーン社製）：４．０質量部を添加し、下引層塗布液Ａ及び下塗層塗布液Ｂ各々を得た。
【０３３６】
これらの塗布液の内、下引層塗布液Ａを浸漬塗布法にて直径３０ｍｍ、長さ４０４ｍｍ、肉厚１ｍｍの円筒状のアルミニウム基材上に、該アルミニウム基材の回転軸方向Ｙの一端側から他端側へ向かって塗布速度を可変し膜厚差ができるように塗布した。この時、膜厚差としては、作製した感光体を画像形成装置に搭載したときに、該回転軸方向Ｙの、画像形成装置に搭載されている除電装置の光源に近い側の膜厚が厚く、該回転軸方向Ｙの他端側（光源に遠い側）に向かって連続的に薄くなるように塗布した。
【０３３７】
次に、下引層塗布液Ｂを、上記アルミニウム基材上に塗布された下引層塗布液Ａ上に、該アルミニウム基材の回転軸方向Ｙの一端側から他端側へ向かって塗布速度を可変し膜厚差ができるように塗布した。この時、膜厚差としては、作製した感光体を画像形成装置に搭載したときに、該回転軸方向Ｙの、画像形成装置に搭載されている除電装置の光源に近い側の膜厚が薄く、該回転軸方向Ｙの他端側（光源に遠い側）に向かって連続的に厚くなるように下引層塗布液Ｂを塗布した。
【０３３８】
その後、１９５℃、２７分の乾燥硬化を行うことによって、下引層塗布液Ａによる下引層Ａ上に下引層塗布液Ｂによる下引層Ｂの積層された２層構成の下引層を得た。この下引層の膜厚は、回転軸方向Ｙにおいて２２μｍと一定であった。
【０３３９】
この、アルミニウム基材上に作製した２層からなる下引層の、アルミニウム基材の回転軸方向Ｙの一端側から他端側に向かって所定間隔（６０ｍｍ）毎に５箇所について、体積抵抗値の測定を行ったところ、回転軸方向Ｙにおける除電装置の光源に近い側の体積抵抗値は１．０×１０１２．４１Ωであり、回転軸方向Ｙにおける該光源に最も遠い側の体積抵抗値は１．０×１０１１．９９Ωであり、この間の体積抵抗値は、該光源に近い側から回転軸方向Ｙに遠い方向へ向かって上記１．０×１０１２．４１Ωから１．０×１０１１．９９Ωへと除々に小さくなっていることが確認された。なお、体積抵抗値は、実施例Ａ１と同様にして測定した。
【０３４０】
次に、下引層上に感光層を形成した。まず、電荷発生物質としてクロロガリウムフタロシアニン１５質量部、結着樹脂としての塩化ビニル・酢酸ビニル共重合体樹脂（ＶＭＣＨ、ユニオンカーバイト社製）１０質量部、ｎ−酢酸ブチル２００質量部からなる混合物を、１ｍｍΦのガラスビーズを用いてサンドミルにて４時間分散した。得られた分散液にｎ−酢酸ブチル１７５質量部、メチルエチルケトン１８０質量部を添加し、攪拌して電荷発生層用の塗布液を得た。この電荷発生層用塗布液を下引層上に浸漬塗布し、常温で乾燥して、厚みが０．２μｍの電荷発生層を形成した。
【０３４１】
さらに、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル)−[１，１’]ビフェニル−４，４’−ジアミン４質量部とビスフェノールＺポリカーボネート樹脂（粘度平均分子量４万）６質量部とをテトラフドロフラン８０質量部を加えて溶解した塗布液を電荷発生層上に形成し、１１５℃、４０分の乾燥を行うことにより膜厚２５μｍの電荷輸送層を形成し、感光体を作製した。
【０３４２】
作製した感光体を、除電装置に設けられている除電光源（除電光を照射する光源）であるＬＥＤが、図２に示すように、感光体が搭載されたときに感光体の回転軸方向Ｙの一方側のみから該感光体の周面の回転軸方向Ｙに向かって照射するように改造するとともに、感光体の除電対象となる領域以外の領域に除電光が照射されないように遮光部材を搭載するように改造を施した、富士ゼロックス（株）製  ＤｏｃｕＣｅｎｔｒｅ  Ｃｏｌｏｒ  II  ４３００に搭載した。
【０３４３】
このとき、作製した感光体の回転軸方向Ｙにおける、下引層の体積抵抗値の高い側が除電光を照射する光源に近い側となり、下引層の体積抵抗値の低い側が除電光を照射する光源に遠い側となるように、作製した感光体を上記画像形成装置へ搭載した。
【０３４４】
＜濃度評価＞
この画像形成装置において、帯電装置による帯電後の感光体表面の帯電電位を−７００Ｖに設定し、露光装置による感光体の露光エネルギーを４．２ｍＪ／ｍ２、感光体の回転速度を１６５ｍｍ／ｓｅｃとし、Ａ３サイズで３０％濃度の全面ハーフトーンのマゼンタ色画像を、Ａ３用紙へ３０枚連続して画像形成した。なお、印字の際の環境は、温度２２℃、湿度５０％ＲＨとした。
【０３４５】
上記３０枚連続画像形成を行った後に、画像形成された３０枚目の用紙について、該用紙に形成された画像の、感光体の回転軸方向Ｙに対応する方向における両端部の濃度と中心部の濃度とを測定した。濃度測定には、Ｘ−Ｒｉｔｅ社製、商品名Ｘ−Ｒｉｔｅ４０４を用いた。
【０３４６】
測定した中心部濃度と該回転軸方向Ｙに対応する方向の一端部の濃度との差、及び中心部濃度と該回転軸方向Ｙに対応する方向の他端部の濃度との差の内、大きい方の濃度差をΔＤとし、評価結果を表２に示した。
【０３４７】
なお、濃度評価結果としては、表２では、ΔＤの値が小さい値であるほど、濃度面内均一性が高いことを示し、ΔＤの値が大きいほど均一性が低く、ΔＤの値が０．２を超える場合に、画質劣化が生じている事を示す「ＮＧ」と規定した。
【０３４８】
＜ゴーストの発生評価＞
また、該３０枚目の用紙に記録された画像について、前回形成した画像履歴、所謂ゴーストの発生有無を、目視により評価した。
【０３４９】
＜表面電位評価＞
上記改造した富士ゼロックス（株）製  ＤｏｃｕＣｅｎｔｒｅ  Ｃｏｌｏｒ  II  ４３００について、更に、感光体の回転方向における、除電装置によって除電光の照射される位置より下流側で、且つ帯電装置によって停電される位置より上流側に、電位測定プローブ（Ｔｒｅｃｋ社製Ｔｒｅｃｋ３４４）を装着するように改造した。
【０３５０】
そして、上記と濃度評価及びゴーストの発生評価と同様にして、上記Ａ３サイズで２０％濃度のマゼンタ色の全面ハーフトーン画像をＡ３用紙へ３０枚連続し、３０枚目の画像形成時において、除電装置によって除電光の照射された直後の感光体の回転軸方向Ｙにおける、除電装置の光源（除電光を照射する光源）に最も近い領域の表面電位と、最も遠い領域の表面電位と、を測定した。
【０３５１】
測定した表面電位の差分（回転軸方向Ｙの一端側の表面電位と他端側の表面電位との差）をΔＶで表し、評価結果を表２に示した。
なお、表面電位評価時には、画像形成装置の画像形成条件を、帯電装置による帯電後の感光体表面の帯電電位を−７００Ｖ、露光装置による感光体の露光エネルギーを４．５ｍＪ／ｍ２、感光体の回転速度を１６５ｍｍ／ｓｅｃに各々変更して評価を行った。
【０３５２】
〔実施例Ｂ２〕
上記実施例Ｂ１において調整した下引層用分散液Ｂにおいて、金属酸化物粒子として酸化チタンを用いた以外は、実施例Ｂ１と同様にして感光体を作製し、実施例Ｂ１と同様にして濃度評価、ゴーストの発生評価、及び表面電位評価を行った。
【０３５３】
なお、下引層用分散液Ｂについて、実施例Ｂ１と同様にして調整した光透過率測定用サンプルの体積抵抗率を、測定したところ、１．０×１０１０．３（Ω・ｃｍ）であった。
【０３５４】
また、本実施例Ｂ２でアルミニウム基材上に作製した２層からなる下引層の、アルミニウム基材の回転軸方向Ｙの一端側から他端側に向かって所定間隔（６０ｍｍ）毎に５箇所について、体積抵抗値の測定を行ったところ、回転軸方向Ｙにおける除電装置の光源に近い側の体積抵抗値は１．０×１０１２．４１Ωであり、回転軸方向Ｙにおける該光源に最も遠い側の体積抵抗値は１．０×１０１１．９９Ωであり、この間の体積抵抗値は、該光源に近い側から回転軸方向Ｙに遠い方向へ向かって上記１．０×１０１２．４１Ωから１．０×１０１１．９９Ωへと除々に小さくなっていることが確認された。
【０３５５】
濃度評価、ゴーストの発生評価、及び表面電位評価の評価結果を表２に示した。
【０３５６】
〔実施例Ｂ３〕
上記実施例Ｂ１において調整した下引層用分散液Ａ、及び下引層用分散液Ｂ各々において、共にアリザリン（アクセプタとしての機能を有する）を加えなかった以外は、実施例Ｂ１と同様にして感光体を作製し、実施例Ｂ１と同様にして濃度評価、ゴーストの発生評価、及び表面電位評価を行った。
【０３５７】
なお、下引層用分散液Ａ、及び下引層用分散液Ｂ各々について、実施例Ｂ１と同様にして調整した光透過率測定用サンプルの体積抵抗率を、測定したところ、下引層用分散液Ａの体積抵抗率は、１．０×１０１２．８（Ω・ｃｍ）であり、下引層用分散液Ｂの体積抵抗率は、１．０×１０１０．８（Ω・ｃｍ）であった。
【０３５８】
また、本実施例Ｂ３でアルミニウム基材上に作製した２層からなる下引層の、アルミニウム基材の回転軸方向Ｙの一端側から他端側に向かって所定間隔（６０ｍｍ）毎に５箇所について、体積抵抗値の測定を行ったところ、回転軸方向Ｙにおける除電装置の光源に近い側の体積抵抗値は１．０×１０１２．７１Ωであり、回転軸方向Ｙにおける該光源に最も遠い側の体積抵抗値は１．０×１０１２．３０Ωであり、この間の体積抵抗値は、該光源に近い側から回転軸方向Ｙに遠い方向へ向かって上記１．０×１０１２．７１Ωから１．０×１０１２．３０Ωへと除々に小さくなっていることが確認された。
【０３５９】
濃度評価、ゴーストの発生評価、及び表面電位評価の評価結果を表２に示した。
【０３６４】
【表２】
0004501973.tif 000006
【図面の簡単な説明】
【０３６５】
【図１】第１の実施の形態の画像形成装置に係る一実施形態を示す概略構成図である。
【図２】第１の実施の形態の画像形成装置に係る、感光体と除電光源との位置関係を示す模式図である。
【図３】第１の実施の形態の画像形成装置に係る、感光体と除電光源との位置関係と、感光体の概略構成を示す模式図である。
【図４】第２の実施の形態の画像形成装置に係る一実施形態を示す概略構成図である。
【図５】第２の実施の形態の画像形成装置に係る、感光体と除電光源との位置関係と、感光体の概略構成を示す模式図である。
【符号の説明】
【０３６６】
１  導電性基体
２  下引層
３  感光層
９  下引層
９Ａ  下引層
９Ｂ  下引層
１０  画像形成装置
１１  画像形成装置
１２  感光体
１３  感光体
１４  帯電装置
１８  露光装置
２０  現像装置
２４  転写装置
２８Ａ  除電光源
２８  除電装置
【図１】
0004501973.tif 000007
【図２】
0004501973.tif 000008
【図３】
0004501973.tif 000009
【図４】
0004501973.tif 000010
【図５】
0004501973.tif 000011