(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射ビームを生成する放射システムであって、
ＥＵＶ放射を生成するパルスＥＵＶ源と、
ＥＵＶ源からのＥＵＶ放射ビームのスペクトル範囲を選択的に透過させる、ＥＵＶ源の前に取り付けられたスペクトルフィルタと、を含み、
スペクトルフィルタが、パルスＥＵＶ源に同期して動かせるように構成された可動マウント上に取り付けられ、
スペクトルフィルタが、ＥＵＶ源から生成されたＥＵＶ放射とＥＵＶ源から来るデブリとの時間的分離をもたらすようにＥＵＶ源から間隔を置いた回転ディスク上に取り付けられて、デブリがスペクトルフィルタに衝突するのを防止する放射システム。
【請求項２】
回転ディスクが、放射システムに対し仕切りを提供する固体である請求項１に記載の放射システム。
【請求項３】
デブリを捕捉する放射システム内に圧力を生成するバッファガス圧力源をさらに含み、回転ディスクが圧力障壁を提供するように配置される請求項２に記載の放射システム。
【請求項４】
圧力障壁が、バッファガス圧力源とＥＵＶ源の間の障壁を提供する請求項３に記載の放射システム。
【請求項５】
スペクトルフィルタが、Ｚｒ／Ｓｉ多層フィルタまたはＺｒ／Ｎｂ多層フィルタを含む請求項１に記載の放射システム。
【請求項６】
可動マウントが、スペクトルフィルタをパルスＥＵＶビームのオン周期に同期させて回転される請求項１に記載の放射システム。
【請求項７】
パルスＥＵＶ源のパルスのタイミングを制御し、且つスペクトルフィルタまたはシャッタをパルスＥＵＶビームのオン周期に同期させる処理回路をさらに含む請求項１に記載の放射システム。
【請求項８】
放射システムが、ＥＵＶ源からのＥＵＶ放射を集光するコレクタをさらに含み、コレクタが、シャッタとＥＵＶ源の間に配置される請求項７に記載の放射システム。
【請求項９】
シャッタが、コレクタの中間焦点に置かれる請求項８に記載の放射システム。
【請求項１０】
ＥＵＶ源がレーザ誘起プラズマ源または放電プラズマ源である請求項１に記載の放射システム。
【請求項１１】
プラズマ源がスズまたはＸｅを含む請求項１に記載の放射システム。
【請求項１２】
放射ビームをスペクトルフィルタリングする方法であって、
パルスＥＵＶ源を使ってＥＵＶ放射を生成すること、
ＥＵＶ源の前に取り付けられたスペクトルフィルタを通してＥＵＶ源からのＥＵＶ放射ビームのスペクトル範囲を選択的に透過すること、および
ＥＵＶ源から来るデブリがスペクトルフィルタに衝突するのを防止するためにスペクトルフィルタをパルスＥＵＶ源と同期して動かすことを含むスペクトルフィルタリングすること、を含み、
さらに、
回転ディスクを提供すること、
ＥＵＶビームを選択的にブロックし、またはＥＵＶビームの選択されたスペクトル範囲を透過させるために回転ディスク上にスペクトルフィルタおよびシャッタを取り付けること、
シャッタとＥＵＶ源の間に、ＥＵＶ源からのＥＵＶ放射を集光するコレクタを提供すること、および
コレクタをＥＵＶ源によって加熱しておきながらＥＵＶ放射のビームをブロックすること、を含む方法。
【請求項１３】
ＥＵＶ放射ビームの遮断が、回転スペクトルフィルタをパルスレーザ源に非同期させることによってもたらされる請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
放射ビーム生成する放射システムであって、ＥＵＶ放射を生成するパルスＥＵＶ源と、
ＥＵＶ源からのＥＵＶ放射ビームのスペクトル範囲を選択的に透過するＥＵＶ源の前に取り付けられたスペクトルフィルタとを含む放射システムと、
放射ビームをパターニングするパターニングデバイスと、
基板上に放射の前記パターンビームを投影する投影システムと、を含み、
スペクトルフィルタが、パルスＥＵＶ源に同期して動かせるように構成された可動マウント上に取り付けられ、
スペクトルフィルタが、ＥＵＶ源から生成されたＥＵＶ放射とＥＵＶ源から来るデブリとの時間的分離をもたらすようにＥＵＶ源から間隔を置いた回転ディスク上に取り付けられて、デブリがスペクトルフィルタに衝突するのを防止するリソグラフィ装置。
【請求項１５】
回転ディスクが、放射システムに対し仕切りを提供する固体である請求項１４に記載のリソグラフィ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明は、放射システムおよび放射システムを含むリソグラフィ装置に関する。具体的には、本発明は、ＥＵＶ放射を生成するパルスＥＵＶ源を含む放射ビームを生成する放射システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  リソグラフィ装置は、基板上に、通常は基板のターゲット部分上に所望のパターンを与える装置である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用することができる。その場合、マスクまたはレチクルと称されるパターニングデバイスを、ＩＣの個別の層の上に形成されるべき回路パターンを生成するのに使用できる。このパターンが基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、１つまたは複数のダイの部分を含む）の上に転写されることになる。パターンの転写は、通常、基板上に提供された放射感応性材料（レジスト）の層の上に結像させることによる。一般に単一の基板は、連続してパターン形成される隣接するターゲット部分のネットワークを含むことになる。既知のリソグラフィ装置は、ターゲット部分上の全パターンを一度に露光することによって、各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、照射ビームを介して所与の方向（「スキャン」方向）にパターンをスキャンするとともに、これと同期して基板をこのスキャン方向と平行にあるいは非平行にスキャンすることによって、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとが含まれる。また、基板上にパターンをインプリントすることによって、パターンをパターニングデバイスから基板へ転写することが可能である。
【０００３】
[0003]  ＥＵＶ放射に加えて、ＥＵＶリソグラフィに使用される放射源は、リソグラフィプロセスが実施される光学および作業環境に対し有害な汚染物質(contaminant material)を発生する。特にＥＵＶ源がレーザ誘起プラズマによって動作する場合にそうである。したがって、ＥＵＶリソグラフィでは、ＥＵＶ源から到来する放射ビームを調整するようにアレンジされた光学システムの汚染を制限する要求がある。さらにまた、放射源の光路下流、特にＥＵＶ放射ビームを調整するためおよび基板上にこのビームを照射するためにそれぞれ使用される照明システムおよび投影システムからなるべく排除されるべき放射が別に生成されることがあるので、ＥＵＶ源からの放射に対してスペクトルフィルタリングを設けることが望ましいことがある。ＥＵＶ放射ビームをスペクトルフィルタリングするために、そのようなフィルタ機能を提供できる様々な材料が知られている。しかしながら、ＥＵＶ源からやって来るデブリが原因で、光路内へのそのような材料の配置が問題となることがある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
[0004]  フィルタをデブリからクリアに維持しながら、生成されたＥＵＶビームに対しスペクトルフィルタを提供することが望ましい。さらに、パルスＥＵＶ源用に放射ビームをスペクトルフィルタリングする方法を提供することが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
[0005]  本発明の一態様によれば、放射ビームを生成する放射システムが提供される。放射システムは、ＥＵＶ放射を生成するパルスＥＵＶ源と、ＥＵＶ源からのＥＵＶ放射ビームのスペクトル範囲を選択的に透過させる、ＥＵＶ源の前に取り付けられたスペクトルフィルタとを含む。スペクトルフィルタは、パルスＥＵＶ源に同期して動かせるように構成された可動マウント上に取り付けられる。
【０００６】
[0006]  本発明のもう１つの態様によれば、放射ビームをスペクトルフィルタする方法が提供される。この方法は、ＥＵＶ放射をパルスＥＵＶ源を用いて生成すること、ＥＵＶ源の前に取り付けられたスペクトルフィルタを通してＥＵＶ源からのＥＵＶ放射ビームのスペクトル範囲を選択的に透過させること、およびＥＵＶ源から来るデブリがスペクトルフィルタに衝突するのを防ぐためにパルスＥＵＶ源に同期してスペクトルフィルタを動かすことを含む。
【０００７】
[0007]  本発明の更なる態様によれば、リソグラフィ装置が提供される。この装置は、放射ビームを生成する放射システムを含む。放射システムは、ＥＵＶ放射を生成するパルスＥＵＶ源と、ＥＵＶ源からのＥＵＶ放射ビームのスペクトル範囲を選択的に透過させる、ＥＵＶ源の前に取り付けられたスペクトルフィルタとを含む。リソグラフィ装置は、、また、放射ビームをパターニングするパターニングデバイスと、基板上に放射パターニングビームを投影する投影システムとを含む。スペクトルフィルタは、パルスＥＵＶ源と同期して動かせるように構成された可動マウント上に取り付けられる。
【０００８】
[0008]  次に、本発明の実施形態を、添付の概略図面を参照して、単に例として説明する。図中の対応する参照符号は対応する部品を表す。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
[0015]  図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示す。その装置は、放射ビームＢ（例えば、ＵＶ放射またはＥＵＶ放射）をコンディショニングさせるために構成されている照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構成されており、且つ一定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１位置決め装置ＰＭに接続されている支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成されており、且つ一定のパラメータに従って正確に基板を位置決めようために構成された第２位置決め装置ＰＷに接続されている基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴと、基板Ｗの（例えば、１つまたは複数のダイを含む）ターゲット部分Ｃ上にパターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付与されたパターンを投影するように構成されている投影システム（例えば、屈折型投影レンズシステム）ＰＳとを含む。
【００１０】
[0016]  照明システムは、放射を誘導し、成形し、または制御する屈折型、反射型、磁気型、電磁気型、静電気型、または他の様々なタイプの光学コンポーネント、またはそれらの任意の組合せなどの様々な種類の光学コンポーネントを含むことができる。
【００１１】
[0017]  支持構造は、パターニングデバイスを支持する、つまりその重量を支える。支持構造は、パターニングデバイスの方向、リソグラフィ装置の設計、および、例えばパターニングデバイスが真空環境に維持されるか否かなどの他の条件による方法でパターニングデバイスを保持する。支持構造は、パターニングデバイスを保持するのに、機械式、真空式、静電気式、または他のクランプ技法を用いることができる。支持構造は、例えば、必要に応じて固定とすることも可動とすることもできるフレームまたはテーブルであってもよい。支持構造は、パターニングデバイスが、例えば投影システムに関して確実に所望の位置にくるようにすることができる。本明細書で用語「レチクル」または「マスク」を使用する場合はどれも、より一般的な用語「パターニングデバイス」と同義と見なされてよい。
【００１２】
[0018]  本明細書で使用される用語「パターニングデバイス」は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように放射ビームの断面にパターンを与えるのに使用することができる、任意のデバイスを指すものと広く解釈されるべきである。放射ビームに与えられたパターンは、例えば、位相シフト特徴(phase-shift features)またはいわゆるアシスト特徴(assist features)を含む場合、基板のターゲット部分内の所望のパターンに正確に一致しないことがあることに留意されたい。一般に、放射ビームに与えられたパターンは、集積回路などのターゲット部分内に作り出されるデバイス中の特定の機能層に一致することになる。
【００１３】
[0019]  パターニングデバイスは、透過型でも反射型でもよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルを含む。マスクはリソグラフィにおいて周知であり、バイナリ、Alternating位相シフト、および減衰型位相シフトなどのマスクタイプや、そしてもちろん様々なタイプのハイブリッドマスクを含む。プログラマブルミラーアレイの一例は、入射してくる放射ビームを別の方向に反射するようにそれぞれが個々に傾斜可能な小型のミラーからなるマトリックス配列を使用する。傾斜ミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビーム内にパターンを与える。
【００１４】
[0020]  本明細書で使用される用語「投影システム」は、使用される露光放射に適した、または液浸液の使用もしくは真空の使用などといった他の要因に適した、屈折、反射、反射屈折、磁気、電磁気、および静電気、あるいは、それらの任意の組合せをも含む、さまざまなタイプの投影システムも包含するものと広く解釈されるべきである。本明細書における用語「投影レンズ」のいかなる使用も、より一般的な用語「投影システム」と同義と考えることができる。
【００１５】
[0021]  本明細書に示されているように、装置は反射型（例えば、反射マスクを使用する）である。代替的に装置は透過型（例えば、透過マスクを使用する）でもよい。
【００１６】
[0022]  リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）、または、それより多い基板テーブル（および／または、２つ以上のマスクテーブル）を有するタイプでもよい。このような「マルチステージ」の装置では、追加のテーブルが並行して用いられてもよく、また、予備的なステップが１つまたは複数のテーブル上で実行されるとともに他の１つまたは複数のテーブルが露光のために使用されてもよい。
【００１７】
[0023]  リソグラフィ装置は、投影システムと基板の間の空間を満たすために、少なくとも基板の一部分が相対的に高い屈折率を有する液体、例えば水で覆われることがあるタイプのものでもよい。液浸液は、リソグラフィ装置内の他の空間、例えばマスクと投影システムの間にも適用できる。投影システムの開口数を増大させるための液浸技術は、当技術分野で良く知られている。本明細書で使用される用語「液浸」は、基板などといった構成体が液体中に浸漬されなければならないことを意味するのでなく、むしろ露光の間に投影システムと基板の間に液体が配置されることだけを意味する。
【００１８】
[0024]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受け取る。放射源およびリソグラフィ装置は、例えば放射源がエキシマレーザである場合は、別々の部分とすることができる。このような場合、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成するとは見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを備えるビームデリバリシステムを使って、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ渡される。他の場合、例えば、放射源が水銀ランプである場合では、放射源は、リソグラフィ装置と一体型の部分とすることもできる。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムと共に、放射システムと呼ぶことができる。
【００１９】
[0025]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調整するアジャスタを備えることができる。一般に、イルミネータの瞳面内での強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（一般に、それぞれσ-outer、およびσ-innerと呼ばれる）を調整することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータおよびコンデンサなどの種々の他のコンポーネントを備えることができる。イルミネータは、放射ビームをその断面内に所望の均一性と強度分布を有するように調整するために使用されてもよい。
【００２０】
[0026]  放射ビームＢは、支持構造（例えば、マスクテーブルＭＴ）上に保持されているパターニングデバイス（例えば、マスクＭＡ）上に入射され、パターニングデバイスによってパターニングされる。マスクＭＡを通った放射ビームＢは、投影システムＰＳを通過して、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に焦点が合わされる。基板テーブルＷＴは、第２位置決め装置ＰＷおよび位置センサＩＦ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または容量センサ）の助けにより、例えば放射ビームＢの経路内に別のターゲット部分Ｃを位置合わせするように、正確に移動させることができる。同様に、第１位置決め装置ＰＭおよびもう１つの位置センサＩＦ１は、例えばマスクライブラリから機械的に検索した後、またはスキャンの間に、マスクＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置決めするために使用することができる。一般に、マスクテーブルＭＴの動きは、第１位置決め装置ＰＭの部分を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を使って実現することができる。同様に、基板テーブルＷＴの動きは、第２位置決め装置ＰＷの部分を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを用いて実現することができる。ステッパの場合には（スキャナとは違って）マスクテーブルＭＴは、ショートストロークアクチュエータだけに接続され、あるいは固定されてもよい。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２および基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を用いて位置合せ可能である。図示したように基板アライメントマークは、専用のターゲット部分を占めているが、それらはターゲット部分の間のスペースに配置されてもよい（これらは、けがき線(scribe-lane)アライメントマークとして知られている）。同様に、マスクＭＡ上に複数のダイが提供される場合には、マスクアライメントマークがダイの間に配置されてよい。
【００２１】
[0027]  図示された装置は、以下のモードの少なくとも１つで使用することが可能である。
【００２２】
[0028]  １．ステップモードでは、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴが本質的に静止状態に維持されて、放射ビームに与えられた全パターンが一度にターゲット部分Ｃ上に投影される（即ち、単一静止露光）。次いで、基板テーブルＷＴは、別のターゲット部分Ｃを露光できるように、Ｘおよび／またはＹ方向にシフトされる。ステップモードでは、露光フィールドの最大寸法が、単一静止露光で結像されるターゲット部分Ｃの寸法を制限する。
【００２３】
[0029]  ２．スキャンモードでは、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴが同期スキャンされて、放射ビームに与えられたパターンがターゲット部分Ｃ上に投影される（即ち、単一動的露光）。マスクテーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）率および像反転特性によって決定されることになる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大寸法が、単一動的露光中のターゲット部分の幅（非スキャン方向の）を制限し、スキャン動作の長さが、ターゲット部分の高さ（スキャン方向の）を決める。
【００２４】
[0030]  ３．別のモードでは、マスクテーブルＭＴがプログラマブルパターニングデバイスを保持しながら本質的に静止状態に保たれ、基板テーブルＷＴが移動又はスキャンされて、放射ビームに与えられたパターンがターゲット部分Ｃ上に投影される。このモードでは、一般にパルス放射源が使用され、基板テーブルＷＴの各移動後、あるいはスキャンの間の一連の放射パルスの合間に、必要に応じてプログラマブルパターニングデバイスが更新される。この動作モードは、上述した種類のプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に応用可能である。
【００２５】
[0031]  前述の使用モードについての組合せおよび／またはバリーション、あるいは全く異なる使用モードも、使用することができる。
【００２６】
[0032]  図２に、本発明による第１実施形態の放射システム１が示されている。典型的に、放射システム１は、スズまたはキセノンソースなどのレーザ誘起プラズマ源２を備えるが、他の放射源でもよい。図２に示された放射源２は典型的にパルス方式で動作され、したがって、放射源２から来るデブリ４と共にＥＵＶ放射３が周期的に生成される。典型的な動作周波数は、数（１０）ｋＨｚの範囲である。放射源２をフィルタリングするために、例えば、１０ｎｍ〜２０ｎｍの波長範囲のＥＵＶ放射３を選択的に透過するスペクトルフィルタ５が、ＥＵＶ源２の前に取り付けられる。
【００２７】
[0033]  そのようなスペクトルフィルタを提供する典型的な材料は、Ｚｒ／Ｓｉ多層フィルタまたはＺｒ／Ｎｂ多層フィルタを含むことができる。
【００２８】
[0034]  スペクトルフィルタ５は、放射源２から間隔を置いて回転ディスク６上に取り付けられる。ディスクは、適切な駆動手段、特にモータ８によって軸７の周りに回転する。
【００２９】
[0035]  デブリの平均速度と光のスピードに基づいて適切な間隔を選択することによって、放射源２から来るデブリ４は、放射源２から生成されるＥＵＶ放射３から分離することができる。回転ディスク６は、パルスＥＵＶ源２と同期して動かされ、到来するデブリ４がスペクトルフィルタ５に衝突するのを防止する。本明細書において、用語「同期して」(“in synchronicity”)は、ディスクが、パルスＥＵＶ源２が持つのと同じ動作周波数を有するか、あるいは、ディスクが、パルスレーザ源周波数に高次の周波数としてマッチングさせた動作周波数を有することを示す。この様にして、スペクトル純化フィルタ５(spectral purity filter)は、いつでもデブリ４から妨げられないように維持できる。図２の実施形態では、ディスク６はオープン構造を有している。
【００３０】
[0036]  代替として、図３の実施形態では、図示された回転ディスク９が、放射システム１に対し仕切り(closure)を提供する固体となっている。これは図４にてさらに詳細に示され、その図から、放射システムが、ディスク９によって、バッファガス圧力源１０とＥＵＶ放射源２との間に圧力障壁を提供するように仕切られることが分かる。したがって、プラズマ源２は、ディスク９によって分離された区画１４内の圧力状況から独立した真空圧力区画１１内で、動作させることができる。これにより、放射源２を真空で動作させることができる。放射源と回転ディスク９の間には、デブリ軽減手段、特にフォイルトラップ１２を設けてもよい。これは、ＥＵＶ源によって生成された光の方向に通常平行に整合させた多数のぎっしり詰まったフォイルを用いるデバイスである。
【００３１】
[0037]  微粒子、ナノ粒子およびイオンなどの汚染物質デブリ４は、フォイルプレート（示されてない）によってもたらされた壁に捕捉されることになる。したがって、フォイルトラップ１２は、放射源からの汚染物質を捕捉する汚染物質障壁として機能する。圧力障壁として機能するディスク９に相対して、真空圧力区画１１内のフォイルトラップ１２と放射源２に対向する区画１４内では、バッファ圧力源１０が、フォイルトラップ１２や回転ディスク９配置によっても阻止されずに残った汚染物質を、阻止することになる。
【００３２】
[0038]  典型的に、これは、低圧力でバッファガス流１３を用いることによって捕捉できる、イオンのような汚染物質であることがある。このバッファガス動作されたデブリ軽減区画１４の隣の区画には、前記ＥＵＶ源からのＥＵＶ放射を集め、そのＥＵＶ放射をイルミネータおよび／または投影光学系によって下流にさらに調整されるビームへ焦点合わせする、コレクタ１５を設けてもよい。これにより、コレクタが、前記ＥＵＶ放射を前記ＥＵＶ源２から更なるＥＵＶ光学系に集束させる。このようなコレクタエレメント１５は、中心軸方向に沿って対称な円筒としてもよく、約１ｃｍから約７ｃｍに及ぶ間隔で積み重ねられた反射表面を形成した同心円状に湾曲したシェルとしてもよい。あるいは、多層垂直入射型(multilayer normal incidence type)としてもよい。
【００３３】
[0039]  実施の際、本発明による放射ビーム３をスペクトルフィルタリングする方法は、放射源２から来るデブリ４と共にＥＵＶ放射を生成するパルスＥＵＶ源２を提供すること、前記ＥＵＶ源２からのＥＵＶ放射ビーム３のスペクトル範囲を選択的に透過するスペクトルフィルタ５をＥＵＶ源の前に取り付けること、および、到来するデブリ４がスペクトルフィルタ５に衝突するのを防ぐようにパルスＥＵＶ源２に同期して前記スペクトルフィルタを動かすことを含む。
【００３４】
[0040]  図５は、図３に示された第２実施形態の特定の動作方法を表す。実際には、代替的にまたは追加的に、回転ディスク９を、図４に示された区画中１６の所で動作させることができる。典型的に、この区画１６にて、ＥＵＶ放射は図６に示された中間焦点を通過する。それ故に回転ディスク９は、ＥＵＶ光を選択的にブロックするシャッタとして機能できる。この実施形態では、コレクタ１５は、シャッタ９とＥＵＶ源２の間に配置される。中間焦点位置では、有利なことに、回転ディスク９を、非常に小さな直径とすることができ、よって他の位置よりも速く回転させることができる。
【００３５】
[0041]  したがって、シャッタ９は、図１に示されたようなＥＵＶリソグラフィ装置の下流の光学系（示されてない）内に選択的に光を透過させるために使用することができる。このようにして、プロセスステップ中、例として、リソグラフィ装置が基板への画像転写を実際に行っていないが例えば基板操作又はレチクル交換を行っている中間フェイズのタイムスパン中にて、ＥＵＶ源２をパルス方式で動作させ続け、したがって安定したコレクタ１５の温度を維持することができる。これにより、コレクタ１５の温度変動が防止され、ＥＵＶ放射システム１の効率を向上させることができる。そして、放射源の寿命が延び、他の下流の光学系にかかる負荷が低減される。
【００３６】
[0042]  したがって、実施の際、図５の実施形態は、コレクタ１５をＥＵＶ源によって加熱させながらＥＵＶ放射ビーム３を遮断するのに、使用される。特に、図５Ａは、回転スペクトルフィルタの透過モード(pass mode)を表す。このモードでは、スペクトルフィルタは、パルスレーザ源２のオン周期に同期して動かされ、よってスペクトルフィルタ５は、パルス放射源２から来る放射を「認識」(“see”)する。図５Ｂでは、ＥＵＶ放射ビーム３は、固体ディスク７によって形成されるシャッタによってブロックされる。これは、例えば、パルス放射源２のパルスに短い遅延を導入することにより回転するスペクトルフィルタ５をパルス放射源２と非同期させることによって、もたらすことができる。このモードでは、スペクトルフィルタは、パルスレーザ源２のオフ周期と同期して動かされ、よってスペクトルフィルタ５は、パルス放射源２から生じた放射を「認識」(“see”)せず、したがってディスク７が、ＥＵＶ放射をブロックする。
【００３７】
[0043]  本発明に従った構成により、スペクトルフィルタは、ＥＵＶ放射がデブリの存在なしに通過するときだけ選択的に用いることができる。したがって、スペクトルフィルタは、ＥＵＶ放射より本来遅いコンタミデブリ粒子の衝突時に別の方に動かされる。米国特許第４，４０８，３３８号が、デブリと生成された電磁放射の速度の差に従って選択的にデブリを捕捉する回転ディスク構成を開示していることに留意されたい。しかしこの特許文献は、ＥＵＶフィルタの配置についても、このフィルタをデブリから保護することの必要性についても、言及していない。
【００３８】
[0044]  図６は、特別な動作方法を実施する代替的実施形態を示す。この実施形態の態様は、以下のように特徴付けることができる。
【００３９】
[0045]  放射源から来るデブリと共にＥＵＶ放射を生成するパルスＥＵＶ源と、前記ＥＵＶ源からのＥＵＶ放射を集光するコレクタと、ＥＵＶビームを選択的にブロックするシャッタとを含み、前記コレクタがシャッタとＥＵＶ源の間に配置された、放射ビームを生成する放射システム。
【００４０】
[0046]  放射源から来るデブリと共にＥＵＶ放射を生成するパルスＥＵＶ源と、前記ＥＵＶ源からのＥＵＶ放射を集光するコレクタと、コレクタからのＥＵＶ放射と結合しさせない、および／または代替光源からコレクタへの放射と結合させないための傾斜可能ミラーとを含み、前記コレクタが傾斜可能ミラーとＥＵＶ源の間に配置された、放射ビームを生成する放射システム。
【００４１】
[0047]  ＥＵＶ源からのＥＵＶ放射を集光するコレクタの温度を安定化する方法であって、ＥＵＶ放射を生成するＥＵＶ源を提供すること、前記ＥＵＶ源からのＥＵＶ放射を集光するコレクタを提供すること、前記ＥＵＶ源から生成されたＥＵＶビームを選択的にブロックするシャッタを提供すること、シャッタとＥＵＶ源の間に前記コレクタを配置すること、およびコレクタをＥＵＶ源によって加熱しておきながら前記ＥＵＶ放射を選択的にブロックすることを含む方法。
【００４２】
[0048]  ＥＵＶ源からのＥＵＶ放射を集光するコレクタの温度を安定化する方法であって、ＥＵＶ放射を生成するＥＵＶ源を提供すること、前記ＥＵＶ源からのＥＵＶ放射を集光するコレクタを提供すること、傾斜可能ミラーを提供すること、ミラーとＥＵＶ源の間に前記コレクタを配置すること、ならびにコレクタを加熱しておきながら、コレクタからのＥＵＶ放射と選択的に結合させない、および／または代替光源からコレクタへの放射と結合させるために前記ミラーを傾斜することを含む方法。
【００４３】
[0049]  特に、図６Ａでは、中間焦点に傾斜可能ミラー１７、特に高い斜入射反射率を有するミラーが配置されているノーマル動作モードが示されている。このミラーは、中間焦点にあるので、小型なものとすることができる。
【００４４】
[0050]  図６Ｂでは、代替的な動作が図示されており、ノーマル動作モードに対して傾斜可能ミラー１７が傾斜される。この位置では、コレクタを加熱しておきながら、代替光源１８からの放射がコレクタ１５に結合されることになる。
【００４５】
[0051]  一つの実施形態では、ミラー１７を、図５に示された回転シャッタ構成９で提供することができる。これは、ＥＵＶ源２または代替光源１８を回転シャッタ構成と代替的に同期させることと併せてなされてよい。
【００４６】
[0052]  図示されていないが、別の実施形態では、選択的に、コレクタ１５からのＥＵＶ放射を、コレクタ１５を加熱し且つＥＵＶ源２を動作し続けるために結合させないことができる
【００４７】
[0053]  本明細書では、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用に対して特定の言及がなされているかもしれないが、本明細書で説明したリソグラフィ装置は、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造、といった他の適用分野を持ち得ることを理解されたい。このような代替適用分野においては、本明細書における用語「ウェーハ」または「ダイ」の使用は、いずれもより一般的な「基板」または「ターゲット部分」とそれぞれ同義と見なされてよいことを、当業者は理解するであろう。ここで言う「基板」は、露光前にまたはその後に、例えばトラック（一般的に基板にレジスト層を与え露光したレジストを現像するツール）、あるいはメトロロジーツールおよび／またはインスペクションツール内で処理されることがある。適用可能である場合には、本発明の開示はそのようなおよび他の基板処理ツールに適用されることがある。さらに、基板は２回以上、例えば多層ＩＣを生成するために処理され、したがって本明細書で使用される用語、基板は、既に複数の処理された層を含む基板を指すこともある。
【００４８】
[0054]  光リソグラフィにおける本発明の実施形態の使用について特定の言及が上でなされたかもしれないが、本発明は他の適用分野、例えばインプリントリソグラフィに使用されることがあり、また文脈が許せば光リソグラフィに限られないことも理解されるであろう。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイス内のトポグラフィが基板上に生成されるパターンを画定する。パターニングデバイスのトポグラフィが、基板に供給されたレジスト層内に押し付けられ、基板上のレジストは電磁放射、熱、圧力またはそれらの組合せを与えることによって硬化させられることになる。パターニングデバイスは、レジストが硬化した後、そこにパターンを残してレジストから取り外される。
【００４９】
[0055]  本明細書で使用される用語「放射」および「ビーム」は、イオンビームまたは電子ビームなどの粒子ビームと同様に紫外（ＵＶ）放射（例えば、それぞれ約、３６５ｎｍ、３５５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、または１２６ｎｍの波長、あるいはこれらの波長を有する）および極端紫外（ＥＵＶ）放射（例えば、５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）を含むあらゆる種類の電磁放射を包含する。
【００５０】
[0056]  用語「レンズ」は、文脈が許せば、屈折型、反射型、磁気型、電磁気型、静電気型光学コンポーネントを含む、様々なタイプの光学コンポーネントのうちの任意の１つまたは組合せを指すことがある。
【００５１】
[0057]  本発明の特定の実施形態について上で説明したが、本発明は説明されたのとは別のやり方で実施されることがあることを理解されるであろう。例えば、本発明は、前記の開示された方法を記述する機械読取可能命令の１つまたは複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、あるいはそうしたコンピュータプログラムを格納したデータ記憶媒体（例えば半導体メモリ、磁気または光ディスク）の形をとってもよい。
【００５２】
[0058]  前述の説明は、例示を意図したものであって、限定するものでない。したがって、別に提示される特許請求の範囲を逸脱することなく、説明された本発明に対して変更形態がなされ得ることは当業者には明らかであろう。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】[0009]本発明の実施形態によるリソグラフィ装置を示す概略図である。
【図２】[0010]本発明の第１実施形態を示す図である。
【図３】[0011]本発明の第２実施形態を示す図である。
【図４】[0012]側面から見た本発明の第２実施形態の図である。
【図５】[0013]第２実施形態の特定の動作方法を示す図である。
【図６】[0014]図５に示された特定の動作方法を実施する代替の実施形態を示す図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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