(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、上記基板に形成された２層の情報記録層とを備え、
上記情報記録層が４００ｎｍ〜４１０ｎｍの波長を有するレーザ光を照射することにより非晶質相と結晶相間で可逆的に相変化することによって、情報信号の記録および消去が可能である光記録媒体の初期化を、赤外光のレーザ光を用いて行う光記録媒体の初期化方法であって、
光記録媒体は上記情報記録層のレーザ光の入射側に近い方をＬ１層、遠い方をＬ０層とし、
上記Ｌ１層の内周側の半径ｒ１と、上記Ｌ０層の内周側の半径をｒ０とした場合に、
ｒ０＜ｒ１を満たし、
Ｌ１層の初期化後、Ｌ０層において、Ｌ０層がＬ１層に重ならない領域で、赤外光のレーザ光によりフォーカスの引き込みを行う光記録媒体の初期化方法。
【請求項２】
請求項１において、
上記Ｌ１層は、内周から外周方向に初期化を行い、
上記Ｌ０層は、内周から外周方向に初期化を行う光記録媒体の初期化方法。
【請求項３】
請求項１において、
上記Ｌ１層は、外周から内周方向に初期化を行い、
上記Ｌ０層は、内周から外周方向に初期化を行う光記録媒体の初期化方法。
【請求項４】
基板と、上記基板に形成された少なくとも２以上の情報記録層とを備え、
上記情報記録層が４００ｎｍ〜４１０ｎｍの波長を有するレーザ光を照射することにより非晶質相と結晶相間で可逆的に相変化することによって、情報信号の記録および消去が可能である光記録媒体の初期化を、赤外光のレーザ光を用いて行う光記録媒体の初期化方法であって、
光記録媒体は上記情報記録層をレーザ光の入射側に遠い方からＬｎ層（ｎは０以上の整数）とし、上記Ｌｎ層の内周側の半径をｒｎとした場合に、ｒｎ＜ｒｎ＋１を満たし、
Ｌｎ＋１層の初期化後、Ｌｎ層において、Ｌｎ層がＬｎ＋１層に重ならない領域で、赤外光のレーザ光によりフォーカスの引き込みを行う光記録媒体の初期化方法。
【請求項５】
請求項４において、
上記Ｌｎ＋１層は、内周から外周方向に初期化を行い、
上記Ｌｎ層は、内周から外周方向に初期化を行う光記録媒体の初期化方法。
【請求項６】
請求項４において、
上記Ｌｎ＋１層は、外周から内周方向に初期化を行い、
上記Ｌｎ層は、内周から外周方向に初期化を行う光記録媒体の初期化方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、光記録媒体の初期化方法に関し、例えば、相変化情報記録層を複数備え、レーザ光の照射により情報の記録および再生を行う多層光ディスクの初期化方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、光ディスクは、より多くの情報を記録可能とするために、記録密度の高密度化が進められている。光ディスクは、基板上に例えば記録層や誘電体層等が積層された積層膜が形成されてなる。情報の信号の読み出し又は書き込みは、積層膜からなる記録層にレーザ光を照射することによって、行われる。
【０００３】
記録密度の高密度化は、ディスクに集光される光スポット径を、小さくすることによって、行うことができる。光スポット径は、光源の波長（λ）と対物レンズの開口数（ＮＡ:Numerical Aperture）によって制限されており、λ/２ＮＡに比例する。
【０００４】
高密度化を達成するためには、レーザ光の短波長化、および対物レンズの高ＮＡ化が必要とされる。波長に関しては、第１世代光ディスクにおける８３０ｎｍから、現在のＤＶＤ（Digital Versatile Disc）では６５０ｎｍまで短波長化されており、また、ＮＡに関しても、第１世代光ディスクでは、およそ０．４５、ＤＶＤでは０．６０と高ＮＡ化が進んでいる。
【０００５】
さらに、最近では、波長４０５ｎｍの青色レーザを光源として用い、ＮＡを０．８５まで高めた光ディスクシステム（Ｂｌｕ−ｒａｙディスク：登録商標）が実用化されている。
【０００６】
他の高密度化の手法としては、記録層を多層化することによって、記録密度を高めた光ディスクが、提案されている。多層光ディスクは、複数の記録層の間に光学的な分離層が形成されている。情報信号の記録再生は、レーザ光の焦点を各々の情報記録層に合わせることによって、行われる。
【０００７】
例えば、波長４０５ｎｍ、ＮＡ：０．８５で構成されるＢｌｕ−ｒａｙディスクフォーマットにおいても、２層の記録膜を形成することによって、単層膜の記録容量２５ＧＢの２倍の記録容量５０ＧＢが達成可能となる。
【０００８】
例えば、書き換え型Ｂｌｕ−ｒａｙディスクやＤＶＤ等の光ディスクでは、記録膜に相変化材料が用いられる。相変化材料からなる記録膜では、レーザ光の照射によって、結晶相と非晶質相を可逆的に相変化することで、情報信号の記録および消去が行われる。
【０００９】
記録膜は、例えば、スパッタリング法等によって、形成される。形成直後の記録膜は、非晶質状態である。情報の記録に際しては、記録膜が結晶状態となっている必要があるため、相変化記録膜を非晶質状態から、結晶状態に相変化させるための初期化工程が必要となる。
【００１０】
初期化工程は、初期化装置によって行われる。初期化装置は、例えば、光ディスクドライブと同様な機構を備えた装置により行われる。具体的には、例えば、光ディスクを回転させながら、レーザ光を記録膜に照射し、光学ヘッド位置をディスクの半径方向にずらすことによって、光ディスクの全面を初期化する。
【００１１】
初期化の際、レーザ光は、対物レンズを通じて記録膜上に集光される。レーザには、例えば、赤外光のレーザが用いられる。このレーザから出射されるレーザ光のスポット径は、例えば光ディスクの半径方向に、５０μｍ〜１００μｍ、トラック方向に約１μｍに調整される。
【００１２】
相変化記録膜は、レーザ光の照射によって、融点近傍まで温度を上昇させ、その後、ゆっくり冷却させることによって、結晶状態に相変化する。この際のレーザ光の焦点は、光学ピックアップを光ディスクの基板方向にスキャンさせ、相変化記録膜からのフォーカスエラー信号を検出することによって、合わされる。ここで、２層光ディスクとは、基板上に、２層の情報記録層が形成された光ディスクをいう。
【００１３】
また、２層光ディスクにおいて、レーザ光の入射側に近い方の情報記録層をＬ１層と、遠い情報記録層をＬ０層と規定した場合、Ｌ１層からＬ０層へのレーザ光のかけかえは、例えば、Ｌ０層およびＬ１層それぞれからのフォーカスエラー信号のＳ字カーブを検出することによって、行われる。
【００１４】
例えば、下記特許文献１には、２層光ディスクの初期化方法が記載されている。この初期化方法に用いられる２層光ディスクは、基板側からレーザ光を記録層に対して照射することで、信号の記録および再生を行う。
【００１５】
この２層光ディスクは、例えば、レーザ光の入射側に近い方の情報記録層（以下、Ｌ１層と適宜称する）がＨｉｇｈ  ｔｏ  Ｌｏｗ構成、レーザ光の入射側に遠い方の情報記録層（以下、Ｌ０層と適宜称する）がＬｏｗ  ｔｏ  Ｈｉｇｈ構成となるように構成され、Ｌ１層において、Ｌ１層がＬ０層に重ならない領域を有する。
【００１６】
例えば、この２層光ディスクのＬ１層は、非晶質状態における、初期化に用いるレーザ光の波長での透過率が約７０％と高いものである。したがって、２層の情報記録層が重なる領域においては、Ｌ０層から行うことで、安定した初期化を実現している。
【００１７】
【特許文献１】特開２００１−２３２３６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
２層光ディスクの初期化では、情報記録層がレーザ光の照射方向に２層重なって形成されているため、Ｌ０層の初期化は、Ｌ１層を透過して行う必要がある。例えば、上記特許文献１に記載の光ディスクは、初期化に使用される波長での、Ｌ１層の透過率が、結晶化前で、例えば７０％と高いものであり、２層重なっている領域でも、Ｌ０層の初期化を安定して行うことができる。
【００１９】
しかしながら、初期化に用いるレーザ光の波長でのＬ１層の透過率が、低いものである場合、２層の情報記録層が重なる領域においては、Ｌ０層から行うと、安定した初期化を実現できない。
【００２０】
例えば、Ｌ１層の透過率が５０％である場合は、Ｌ０層からの反射率は、Ｌ０層単層の場合より、約１／４に減少する。Ｌ０層からの反射率が減少すると、Ｌ０層の初期化の際に、Ｌ０層からのフォーカスエラー信号が極端に小さくなるため、Ｌ０層にフォーカスを合わせることが困難となり、安定して初期化を行うことができない。
【００２１】
したがって、この発明の目的は、多層の情報記録層が形成された光記録媒体において、安定して初期化できる光記録媒体の初期化方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
上述した課題を解決するために、この発明は、基板と、基板に形成された２層の情報記録層とを備え、情報記録層が４００ｎｍ〜４１０ｎｍの波長を有するレーザ光を照射することにより非晶質相と結晶相間で可逆的に相変化することによって、情報信号の記録および消去が可能である光記録媒体の初期化を、赤外光のレーザ光を用いて行う光記録媒体の初期化方法であって、光記録媒体は情報記録層のレーザ光の入射側に近い方をＬ１層、遠い方をＬ０層とし、Ｌ１層の内周側の半径ｒ１と、Ｌ０層の内周側の半径をｒ０とした場合に、ｒ０＜ｒ１を満たし、Ｌ１層の初期化後、Ｌ０層において、Ｌ０層がＬ１層に重ならない領域で、赤外光のレーザ光によりフォーカスの引き込みを行う光記録媒体の初期化方法である。
【００２３】
この発明は、基板と、基板に形成された少なくとも２以上の情報記録層とを備え、情報記録層が４００ｎｍ〜４１０ｎｍの波長を有するレーザ光を照射することにより非晶質相と結晶相間で可逆的に相変化することによって、情報信号の記録および消去が可能である光記録媒体の初期化を、赤外光のレーザ光を用いて行う光記録媒体の初期化方法であって、光記録媒体は情報記録層をレーザ光の入射側に遠い方からＬｎ層（ｎは０以上の整数）とし、Ｌｎ層の内周側の半径をｒｎとした場合に、ｒｎ＜ｒｎ＋１を満たし、Ｌｎ＋１層の初期化後、Ｌｎ層において、Ｌｎ層がＬｎ＋１層に重ならない領域で、赤外光のレーザ光によりフォーカスの引き込みを行う光記録媒体の初期化方法である。
【発明の効果】
【００２７】
この発明によれば、多層の情報記録層からなる光ディスクにおいて、安定して初期化できる効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、この発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【００２９】
この発明の一例として、樹脂材料がディスク状に成形されてなるディスク基板上に相変化記録膜からなる２層の情報記録層が形成され、さらに、その上に形成された光透過層を通して情報信号の記録再生が行われる光記録媒体について説明する。
【００３０】
図１は、この発明の一実施形態による光記録媒体の一例の構成を概略的に示す。この光記録媒体は、図１に示すように、基板１上に、第０情報記録層（以下、Ｌ０層と適宜称する）２、中間層３、第１情報記録層（以下、Ｌ１層と適宜称する）４、光透過層５を順次積層した構成を有する。
【００３１】
この光記録媒体は、樹脂材料がディスク状に成形されてなる基板１上に、相変化記録膜からなる２層の情報記録層が形成される。２層の情報記録層は、レーザ光６の入射側に近い方をＬ１層４、遠いほうをＬ０層２と規定される。レーザ光６は、基板１と反対側から光記録媒体に入射される。
【００３２】
この光記録媒体では、光透過層５側から情報記録層にレーザ光６を照射することで、情報信号の記録および／または再生が行われる。例えば、４００ｎｍ〜４１０ｎｍの波長を有するレーザ光６を、０．８４〜０．８６の開口数を有する対物レンズ７により、集光し、光透過層５側から、情報信号記録層に照射することで、情報信号の記録および／または再生が行われる。この光記録媒体は、例えば初期化に用いるレーザ光の波長でのＬ１層の透過率が４０％〜６０％である。Ｌ０層の光学設計は、例えばＨｉｇｈ  ｔｏ  Ｌｏｗ構成であり、Ｌ１層の光学設計は、例えばＨｉｇｈ  ｔｏ  Ｌｏｗ構成である。
【００３３】
図２は、この発明の一実施形態による光記録媒体の一例の構成を概略的に示す。なお、この光記録媒体の特徴を明確に示すため、中間層３および光透過層５を省略して示す。
【００３４】
図２に示すように、Ｌ０層２において、Ｌ０層２がＬ１層４に重ならない領域を有する。具体的には、Ｌ０層２は、光記録媒体の中心からの距離ｒ０から形成される。Ｌ０層２の内周側は、半径ｒ０の円環形状を形成する。Ｌ１層４は、光記録媒体の中心からの距離ｒ１から形成される。Ｌ１層４の内周側は、半径ｒ１の円環形状を形成する。Ｌ０層２とＬ１層４は、ｒ０＜ｒ１の関係を満たすように構成される。
【００３５】
この構成によって、Ｌ０層２において、単層でのフォーカスの引き込みが可能となり、安定して初期化を行うことができる。さらには、安定して初期化を行うことができることによって、光記録媒体の品質を保持することができ、製造時のタクトアップ、コストダウンに資する。
【００３６】
この光記録媒体は、光透過層５側から情報記録層にレーザ光６を照射することで、情報信号の記録および／または再生が行われるものであり、Ｌ１層４を透過して、Ｌ０層２の初期化を行う場合、Ｌ０層２からのフォーカスエラー信号が極端に小さくなってしまい、Ｌ０層２にフォーカスを合わせることが困難となってしまう。
【００３７】
したがって、Ｌ０層２単層でのフォーカスの引き込みを可能とするために、レーザ光の入射側から遠いＬ０層２において、Ｌ０層２がＬ１層４に重ならない領域を有する構成とする。具体的には、Ｌ０層２とＬ１層４は、ｒ０＜ｒ１の関係を満たすように構成される。
【００３８】
図３は、図１に示す光記録媒体のＸ−Ｙの断面を示す。図３に示すように、この光記録媒体は、基板１、Ｌ０層２、中間層３、Ｌ１層４、光透過層５が順次積層された構成を有する。
【００３９】
Ｌ０層２は、反射層２ａ、第２の下層誘電体層２ｂ、第１の下層誘電体層２ｃ、記録層２ｄ、第１の上層誘電体層２ｅ、第２の上層誘電体層２ｆが順次積層された構成を有する。Ｌ１層４は、第１の下層誘電体層４ａ、反射層４ｂ、第２の下層誘電体層４ｃ、記録層４ｄ、上層誘電体層４ｅが順次積層された構成を有する。
【００４０】
（基板）
基板１は、中央にセンターホールが形成された円環形状を有する。基板１の厚さは、例えば、１．１ｍｍに選ばれる。基板１の一主面には、情報信号の記録および／または再生を行う際に光学スポットを導くための凹凸部が形成される。この凹凸部の形状としては、スパイラル状、同心円状、ピット列等、各種の形状が挙げられる。この凹凸部を案内として光学スポットを光記録媒体上の任意の位置へと移動できる。
【００４１】
基板１の材料としては、ポリカーボネート系樹脂、ポリオレフィン系樹脂もしくはアクリル系樹脂等の樹脂材料またはガラスを使用できるが、コスト等の点を考慮すると、樹脂材料を使用することが好ましい。樹脂材料としては、例えばゼオネクス、ポリカーボネート（ＰＣ）を用いることができる。
【００４２】
基板１の成形方法は、所望の形状と光学的に十分な基板表面の平滑性が得られる方法であればよく、特に限定されるものではない。例えば、射出成形法（インジェクション法）、紫外線硬化樹脂を使うフォトポリマー（２Ｐ法）法を用いることができる。
【００４３】
（誘電体層）
誘電体層２ｂ〜２ｃ、誘電体層２ｅ〜２ｆおよび誘電体層４ａ、誘電体層４ｃ、誘電体層４ｅの厚さは、好ましくは３ｎｍ〜１００ｎｍの範囲であり、光学特性および熱特性を考慮して決定される。
【００４４】
誘電体層２ｂ〜２ｃ、誘電体層２ｅ〜２ｆおよび誘電体層４ａ、誘電体層４ｃ、誘電体層４ｅの材料としては、記録再生用レーザの波長に対して吸収能の低い材料が好ましく、具体的には、消衰係数Ｋの値が０．３以下である材料が好ましい。かかる材料としては、例えばＺｎＳ−ＳｉＯ2混合体（好ましくは、モル比４：１）を挙げることができる。ＺｎＳ−ＳｉＯ2混合体以外にも、従来から光記録媒体の誘電体層の材料として用いられている公知のものを用いることも可能である。
【００４５】
例えば、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｇ、Ｂ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ｃａ、Ｌａ、Ｇｅ等の金属および半金属等の元素の窒化物、酸化物、炭化物、フッ化物、硫化物、窒酸化物、窒炭化物、酸炭化物等およびこれらを主成分と材料を用いることができる。好ましくは、ＡｌＮＸ（０．５≦Ｘ≦１）、ＡｌＮ、Ａｌ2Ｏ3-X(０≦Ｘ≦１)、Ａｌ2Ｏ3、Ｓｉ3Ｎ4-X(０≦Ｘ≦１)、Ｓｉ3Ｎ4-X、ＳｉＯX（１≦Ｘ≦２）、ＳｉＯ2、ＳｉＯ、ＭｇＯ、Ｙ2Ｏ3、ＭｇＡｌ2Ｏ4、ＴｉＯｘ（１≦Ｘ≦２）、ＴｉＯ2、ＢａＴｉＯ3、ＳｔＴｉＯ4、Ｔａ2Ｏ5-X（０≦Ｘ≦１）、Ｔａ2Ｏ5、ＧｅＯｘ(１≦Ｘ≦２)、ＳｉＣ、ＺｎＳ、ＰｂＳ、Ｇｅ−Ｎ、Ｇｅ−Ｎ−Ｏ、Ｓｉ−Ｎ−Ｏ、ＣａＦ2、ＬａＦ、ＭｇＦ2、ＮａＦ、ＴｈＦ4等を用いることができる。
【００４６】
（記録層）
記録層２ｄ、４ｄの膜厚は、好ましくは５ｎｍ〜３０ｎｍの範囲であり、例えば１５ｎｍ程度である。この記録層２ｄ、４ｄの材料としては、レーザ光の照射を受けて可逆的な状態変化を生じる相変化材料、具体的には、非晶質状態と結晶状態の可逆的相変化を生じる相変化材料を使用できる。このような材料としては、例えば、カルコゲン化合物または単体のカルコゲン等を使用できる。カルコゲン化合物としては、例えば、Ｓｂ、Ｔｅの共晶系材料を使用でき、好ましくは、Ｇｅなどの添加元素が添加されたＳｂ、Ｔｅの共晶系材料を使用できる。
【００４７】
例示するならば、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｓｂ−Ｔｅ、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ａｕ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ｐｄ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ｓｅ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ｂｉ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ｃｏ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ａｕを含む系、またはこれらの系に窒素、酸素などのガス添加物を導入した系等を挙げることができる。
【００４８】
添加元素を記録層２ｄ、４ｄに添加すると、信頼性などの特性を向上できる一方、信号特性の低下を招いてしまう。この点を考慮すると、記録層２ｄ、４ｄにおける添加元素の量は１０ａｔｍ％以下にすることが好ましい。なお、記録層２ｄ、４ｄを連続する２層以上の異なる層（材料、組成、複素屈折率のいずれかが異なる）で構成してもよい。
【００４９】
（反射層）
反射層２ａの厚さは、好ましくは５０ｎｍ以上であり、より好ましくは５０ｎｍ〜２５０ｎｍの範囲であり、例えば１４０ｎｍ程度である。反射層４ｂの厚さは、好ましくは３ｎｍ以上であり、より好ましくは５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲であり、例えば１０ｎｍ程度である。
【００５０】
反射層２ａ、４ｂの材料としては、例えば金属または半金属を使用できる。反射層２ａ、４ｂの材料は、反射能および熱伝導率を考慮して選ぶことが好ましく、例えば、記録再生用レーザ光の波長に対して反射能を有し、熱伝導率が０．０００４［Ｊ／（ｃｍ・Ｋ・ｓ）］〜４．５［Ｊ／（ｃｍ・Ｋ・ｓ）］の範囲にある金属元素、半金属元素およびそれらの化合物あるいは混合物である。
【００５１】
具体的に例示するならば、反射層２ａ、４ｂの材料としては、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｇｅ等の単体、またはこれらを主成分とする合金を挙げることができる。これらのうち、特にＡｌ系、Ａｇ系、Ａｕ系、Ｓｉ系、Ｇｅ系の材料が実用性の面から好ましい。合金としては、例えばＡｌ−Ｔｉ、Ａｌ−Ｃｒ、Ａｌ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｍｇ−Ｓｉ、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ、Ａｇ−ＰｄＴｉ、Ｓｉ−Ｂ等が好適に用いられる。
【００５２】
これらの材料のうちから、光学特性および熱特性を考慮して設定することが好ましい。例えば、単波長領域においても高反射率を有する点を考慮すると、Ａｌ系またはＡｇ系材料を用いることが好ましい。一般には反射層２ａの膜厚を光が透過しない程度の厚さ、例えば５０ｎｍ以上に設定すると、反射率を高くすることができ、且つ、熱を逃げやすくできる。反射層４ｂの膜厚を適度な厚さ、例えば１０ｎｍ程度に設定すると、透過率を上げつつ、熱の逃げを確保することができる。
【００５３】
また、反射層２ａ、４ｂは単層の構造に限られず、例えば金属または半金属よりなる層（反射層）を２層積層した積層構造とすることも可能であり、さらに、２層以上の多層構造とすることも可能である。これにより光学設計がし易くなり、且つ、熱特性とのバランスも取り易くなる。なお、誘電体層と反射層の間に、ＳｉＮ膜などからなるバリア層を設けてもよい。
【００５４】
（光透過層）
光透過層５は、光記録媒体の保護を目的として、形成される。情報信号の記録再生は、例えば、レーザ光が光透過層５を通じて情報信号記録層に集光されることによって、行われる。光透過層５としては、例えば、紫外腺硬化樹脂、紫外線硬化樹脂とポリカーボネートシート、または接着層とポリカーボネートシート用いることができる。光透過層５は、例えば、７５μｍ程度の厚さを有する。
【００５５】
（製造方法）
この発明の一実施形態による光ディスクの製造方法の一例について説明する。まず、基板１は、例えば射出成形によって成形し、基板１上にＬ０層２が例えば、スパッタリング法によって、形成する。
【００５６】
次に、紫外線硬化樹脂をスピンコートによって、基板１上に塗布した後、例えば、樹脂からなるスタンパを重ね、ＵＶランプによって、紫外線を照射し、スタンパを重ねた状態で、塗布した紫外線硬化樹脂を硬化する。これにより、凹凸パターンが一主面に設けられた中間層が形成する。この凹凸パターン上に、例えばスパッタリング法にて、Ｌ１層４を形成する。
【００５７】
光透過層５は、例えば接着層とポリカーボネートシートからなり、Ｌ１層４上に形成する。光透過層５は、例えば基板１を貼り合わせ装置（図示省略）に搬入し、平面円環形状の光透過性シートを、このシートの一主面に予め均一に塗布された感圧性粘着材（ＰＳＡ）を用いて、基板１上の各層が形成された側に貼り合わすことによって、形成する。
【００５８】
以上の工程により、この発明の一実施形態による光記録媒体が製造される。なお、以上のようにして光記録媒体を製造した後、初期化装置によって、情報記録層の状態を結晶状態にする。
【００５９】
ここで、上述した光記録媒体の製造に用いられるスパッタリング装置の一例およびこの装置を用いた情報記録層の成膜工程の一例について、より詳細に説明する。このスパッタリング装置は、基板自転可能な枚葉式の静止対向型スパッタリング装置である。
【００６０】
図４に、光記録媒体を製造するために用いられるスパッタリング装置を示す。図４に示すように、このスパッタリング装置は、成層室となる真空チャンバ２１、この真空チャンバ２１内の真空状態を制御する真空制御部２２、プラズマ放電用ＤＣ高圧電源２３、このプラズマ放電用ＤＣ高圧電源２３と電源ライン２４を通じて接続されているスパッタリングカソード部２５、このスパッタリングカソード部２５と所定の距離を持って対向配置されているパレット２６、およびＡｒなどの不活性ガスや反応ガスといったスパッタガスを真空チャンバ２１内に供給するためのスパッタガス供給部２７を有して構成されている。
【００６１】
スパッタリングカソード部２５は、負電極として機能するターゲット２８、このターゲット２８を固着するように構成されたバッキングプレート２９および、このバッキングプレート２９のターゲット２８が固着される面とは反対側の面に設けられた磁石系３０を備える。
【００６２】
また、正電極として機能するパレット２６と、負電極として機能するターゲット２８とから、一対の電極が構成されている。パレット２６上には、スパッタリングカソード部２５と対向するように、被成層体である基板１がディスクベース３３を間にはさんで取り付けられる。この際、内周マスク３１および外周マスク３２とにより、基板１の内周部および外周部が覆われる。
【００６３】
内周マスク３１は、その大きさを変えることによって、Ｌ０層の内周側の半径ｒ０と、Ｌ１層の内周側の半径ｒ１の大きさを、規定できる。例えば、Ｌ０層を成膜する場合は、半径ｒ０の内周マスクを使用し、Ｌ１層を成膜する場合は、半径ｒ１の内周マスクを使用する。
【００６４】
また、パレット２６のディスクベース３３が取り付けられる面とは反対側の面に、パレット２６を、基板１の面内方向に回転させ、これによって基板１を自転させるための基板自転駆動部３４が連動可能に設けられている。
【００６５】
また、スパッタリング装置２０においては、基板１と、ターゲット２８とは、平面的な位置関係において、基板１の中心と、ターゲット２８の中心とがほぼ一致するように配置される。また、基板１は、基板自転駆動部３４により、その中心の周りで自転させることができるように構成されている。
【００６６】
以上のようにして、この一実施形態における光記録媒体の製造に用いられるスパッタリング装置２０が構成されている。次に、スパッタリング装置２０を用いた情報記録層の成膜工程について、説明する。なお、以下の製造プロセスにおいて、各層の成層にそれぞれ用いられるスパッタリング装置は同一の構成を有するため、上述したＤＣスパッタリング装置２０におけると同様の符号を用いる。
【００６７】
（第０情報記録層）
まず、基板１を、例えばＡｇＭ（Ｍ：添加物）からなるターゲット２８が設置された第１のスパッタリング装置２０に対して搬入し、パレット２６に固定する。次に、真空チャンバ２１内が所定の圧力になるまで真空引きする。次に、例えばＡｒガスを真空チャンバ２１内に導入し、スパッタリングを行うことにより、例えばＡｇ系合金からなる反射層２ａを基板１の一主面に形成する。
このスパッタリングプロセスにおける成膜条件の一例を以下に示す。
真空到達度：１．０×１０-5Ｐａ
雰囲気：０．１〜３．０×１０0Ｐａ
投入電力：１〜３ｋＷｈ
【００６８】
次に、基板１を、例えばＳｉターゲットが設置された第２のスパッタリング装置２０に搬入し、パレット２６に固定する。そして、真空チャンバ２１内が所定の圧力になるまで真空引きする。次に、例えばＡｒガスおよび窒素を真空チャンバ２１内に導入し、スパッタリングを行うことにより、例えばＳｉＮからなる第２の下層誘電体層２ｂを反射層２ａ上に形成する。
このスパッタリングプロセスにおける成膜条件の一例を以下に示す。
真空到達度：１．０×１０-5Ｐａ
雰囲気：０．１〜３．０×１０0Ｐａ
投入電力：１〜３ｋＷｈ
窒素ガス量：３０ｓｃｃｍ
【００６９】
次に、基板１を、例えばＺｎＳ−ＳｉＯ2混合体からなるターゲット２８が設置された第３のスパッタリング装置２０に搬入し、パレット２６に固定する。次に、真空チャンバ２１内の所定の圧力になるまで真空引きする。その後、真空チャンバ２１内に、例えばＡｒガスなどの不活性ガスを導入し、スパッタリングを行うことにより、例えばＺｎＳ−ＳｉＯ2混合体からなる第１の下層誘電体層２ｃを第２の下層誘電体層２ｂ上に形成する。
このスパッタリングプロセスにおける成膜条件の一例を以下に示す。
真空到達度：１．０×１０-5Ｐａ
雰囲気：０．１〜３．０×１０0Ｐａ
投入電力：１〜３ｋＷｈ
【００７０】
次に、基板１を、例えばＧｅＳｂＴｅ合金からなるターゲット２８が設置された第４のスパッタリング装置２０に搬入し、パレット２６に固定する。次に、真空チャンバ２１内を所定の圧力になるまで真空引きする。その後、例えばＡｒガスなどの不活性ガスを真空チャンバ２１内に導入し、スパッタリングを行うことにより、例えばＧｅＳｂＴｅ系合金からなる記録層２ｄを第１の下層誘電体層２ｃ上に形成する。
このスパッタリングプロセスにおける成膜条件の一例を以下に示す。
真空到達度：１．０×１０-5Ｐａ
雰囲気：０．１〜３．０×１０0Ｐａ
投入電力：１〜３ｋＷｈ
【００７１】
次に、基板１を、例えばＺｎＳ−ＳｉＯ2混合体からなるターゲット２８が設置された第５のスパッタリング装置２０に搬入し、パレット２６に固定する。次に、真空チャンバ２１内の所定の圧力になるまで真空引きする。その後、例えばＡｒガスなどの不活性ガスを真空チャンバ２１内に導入し、スパッタリングを行うことにより、例えばＺｎＳ−ＳｉＯ2混合体からなる第１の上層誘電体層２ｅを記録層２ｄ上に形成する。
このスパッタリングプロセスにおける成膜条件の一例を以下に示す。
真空到達度：１．０×１０-5Ｐａ
雰囲気：０．１〜３．０×１０0Ｐａ
投入電力：１〜３ｋＷｈ
【００７２】
次に、第１の上層誘電体層２ｅが形成された基板１を、例えばＳｉからなるターゲットが設置された第６のスパッタリング装置に搬入し、パレット２６に固定する。そして、真空チャンバ２１内が所定の圧力になるまで真空引きする。次に、例えばＡｒガスおよび窒素を真空チャンバ２１内に導入し、スパッタリングを行うことにより、基板１の一主面上に、例えばＳｉＮからなる第２の上層誘電体層２ｆを第１の上層誘電体層２ｄ上に形成する。
このスパッタリングプロセスにおける成膜条件の一例を以下に示す。
真空到達度：１．０×１０-5Ｐａ
雰囲気：０．１〜３．０×１０0Ｐａ
投入電力：１〜３ｋＷｈ
窒素ガス量：３０ｓｃｃｍ
【００７３】
（第１情報記録層）
基板１の中間層３上にＬ１層４を形成する。これ以外は、Ｌ０層２の形成方法と同様であるので、詳しい説明を省略する。
【００７４】
（初期化処理）
次に、この発明の一実施形態による光ディスクの初期化方法を説明する。図５は、初期化処理に用いられる初期化処理装置の一構成例を示す。図５に示すように、この初期化装置は、高出力、大口径のレーザヘッド４２と、光記録媒体１０を回転させるためのスピンドルモータ４５と、レーザヘッド４２を光記録媒体１０の径方向に移動させるためのキャリッジ（図示せず）とを備える。
【００７５】
レーザヘッド４２は、半導体レーザ４３と、この半導体レーザ４３から出射されるレーザ光を調整して光記録媒体１０上に適切なスポットを形成するための光学レンズ４４ａ、４４ｂとを備える。
【００７６】
上述の構成を有する初期化処理装置を用いた初期化処理の概要について説明する。まず、光記録媒体１０の全面にレーザ光を照射してＬ０層およびＬ１層を結晶化させる。例えば、光記録媒体１０を一定の線速度で回転させながら、光透過層５側の面に対して出力パワー約４Ｗの大口径レーザからレーザ光を出射して約２４０×１μｍのレーザスポット光束を形成するとともに、このレーザスポット光束を半径方向に送り速度２００μｍ／ｆｅｅｄの条件で移動させる。
【００７７】
これにより、レーザ光は、光記録媒体１０の円周方向および半径方向のいずれの領域にも照射される。また、線速度および出力パワーＰｗは、初期化装置の能力ならびに光記録媒体１０の膜構造および信号特性から最適値が選ばれる。また、送り速度は、レーザスポット径と処理時間との関係から最適な速度が選ばれる。
【００７８】
次に、図２を参照しながら、より具体的に初期化の方法の一例について説明する。まず、Ｌ１層４の初期化を行う。その後、Ｌ０層２の初期化を、Ｌ０層２において、ｒ０からｒ１間の領域でフォーカスの引き込みを行うことで、Ｌ０層２にフォーカスをかけ、Ｌ０層２全面の初期化が行われる。Ｌ０層２のｒ０からｒ１の範囲は、Ｌ０層２において、Ｌ０層２がＬ１層４に重ならない領域である。
【００７９】
一旦、Ｌ０層２にフォーカスを合わせることができれば、Ｌ０層２において、Ｌ０層２がＬ１層４に重なる領域にフォーカスをかける場合も、Ｌ０層２のフォーカスが外れることなく、Ｌ０層２全面を安定して初期化できる。
【００８０】
次に、初期化の経路の一例について具体的に説明する。まず、Ｌ１層４を外周から内周に初期化し、その後、Ｌ０層２の初期化を、Ｌ１層４が重ならないｒ０からｒ１の領域で、フォーカスの引き込みを行い、Ｌ０層２全面を内周から外周にわたって初期化する。
【００８１】
この工程によって、初期化に用いられるレーザ光の経路が最短となり、初期化処理にかかる時間を短縮化できる。
【００８２】
他の例としては、まず、Ｌ１層４を内周から外周に初期化し、その後、Ｌ０層２において、Ｌ０層２がＬ１層４に重ならないｒ０からｒ１の領域で、フォーカスの引き込みを行い、Ｌ０層２全面を内周から外周にわたり初期化する。
【００８３】
次に、この発明の他の実施形態による光記録媒体の構成を説明する。図６は、この発明の一実施形態に係る光記録媒体の構成を概略的に示す。
【００８４】
この光記録媒体では、基板６１側から、情報記録層にレーザ光６６を照射することによって、情報信号の記録および／再生が行われる。例えば、６５０ｎｍ〜６６５ｎｍの波長を有するレーザ光６６を、０．６４〜０．６６の開口数を有する対物レンズ６７によって、集光し、基板６１側から情報記録層に照射することにより、情報信号の記録および／または再生が行われる。
【００８５】
図６に示すように、この光記録媒体は、レーザ光の入射側から、第１の基板６１、Ｌ１層６２、中間層６３、Ｌ０層６４、第２の基板６５と順次積層された構成である。この光ディスクは、Ｌ０層６４において、Ｌ０層６４がＬ１層６２に重ならない領域を有する。
【００８６】
具体的には、Ｌ０層６４は、光記録媒体の中心からの距離ｒ０から形成される。Ｌ０層６４の内周側は、半径ｒ０の円環形状を形成する。Ｌ１層６２は、光記録媒体の中心からの距離ｒ１から形成される。Ｌ１層６２の内周側は、半径ｒ１の円環形状を形成する。Ｌ０層６４とＬ１層６２は、ｒ０＜ｒ１の関係を満たすように構成される。
【００８７】
このような構成を有する光記録媒体は、Ｌ０層６４において、Ｌ０層６４がＬ１層６２に重ならない領域で、フォーカスの引き込みを行うことによって、安定して初期化を行うことができる。さらには、安定して初期化を行うことができることによって、光記録媒体の品質を保持することができ、製造時のタクトアップ、コストダウンに資する。
【００８８】
上述の一実施形態および他の実施形態では、Ｌ０層の内側の半径をｒ０、Ｌ１層の内側の半径をｒ１とした場合に、Ｌ０層とＬ１層がｒ０＜ｒ１を満たす光記録媒体を説明したが、この発明は、この例に限定されるものではない。例えば、図７に示すように、Ｌ１層の外周側の半径をＲ１とし、Ｌ０層の外周側の半径をＲ０とした場合に、Ｒ１＜Ｒ０を満たすように、情報記録層を構成してもよい。
【００８９】
また、例えば、この光記録媒体を初期化する際には、まず、Ｌ１層から初期化を行い、次に、Ｒ１＜Ｒ０の領域で、フォーカスの引き込みを行い、その後、Ｌ０層全面の初期化を行う。
【００９０】
一旦、Ｌ０層にフォーカスを合わせることができれば、Ｌ０層において、Ｌ０層がＬ１層に重なる領域にフォーカスをかける場合も、Ｌ０層のフォーカスが外れることなく、Ｌ０層全面を安定して初期化できる。
【実施例】
【００９１】
以下に、実施例に基づいてこの発明をさらに具体的に説明するが、この発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００９２】
＜実施例＞
まず、射出成形によって、基板１を成形した。その一主面には、スタンパによりランドおよびグルーブを転写した。基板１は、円形基板とし、直径が１２０ｍｍ、厚さが１．１ｍｍとした。
【００９３】
Ｌ０層２として、反射層２ａ、第２の下層誘電体層２ｂ、第１の下層誘電体層２ｃ、記録層２ｄ、第１の上層誘電体層２ｅ、第２の上層誘電体層２ｆを、図４に示すスパッタリング装置を用いたマグネトロンスパッタリング方式によって、基板１上に、順次積層した。この際、内周マスク３１は、半径２０ｍｍのものを用いて、Ｌ０層２の内周側の半径がｒ０＝２０ｍｍとなるように、Ｌ０層２を形成した。
【００９４】
反射層２ａとしては、Ａｇ合金を１００ｎｍの厚さで成膜した。第２の下層誘電体層２ｂとしては、ＳｉＮを５ｎｍの厚さで成膜した。第１の下層誘電体層２ｃとしては、ＺｎＳ−ＳｉＯ2を５ｎｍの厚さで成膜した。記録層２ｄとしては、ＧｅＳｂＴｅを１２ｎｍの厚さで成膜した。第１の上層誘電体層２ｅとしては、ＺｎＳ−ＳｉＯ2を１０ｎｍの厚さで成膜した。第２の上層誘電体層２ｆとしては、ＳｉＮを４０ｎｍの厚さで成膜した。
【００９５】
反射層２ａ、第１の下層誘電体層２ｃ、記録層２ｄ、第１の上層誘電体層２ｅは、以下の成膜条件でおこなった。
真空到達度：１．０×１０-5Ｐａ
雰囲気：３．０×１０-1Ｐａ
投入電力：３ｋＷｈ
ガス種：Ａｒガス
【００９６】
第２の下層誘電体層２ｂおよび第２の上層誘電体層２ｆは、以下の成膜条件で行った。
真空到達度：１．０×１０-5Ｐａ
雰囲気：３．０×１０-1Ｐａ
投入電力：３ｋＷｈ
ガス種：Ａｒガスおよび窒素ガス
窒素ガス量：３０ｓｃｃｍ
【００９７】
次に、紫外線硬化樹脂を、スピンコートによって、Ｌ０層２上に塗布し、その後、樹脂からなるスタンパを重ね、紫外線ランプ（ＵＶランプ）によって、紫外線を樹脂からなるスタンパ側から、約１秒間照射することで硬化し、厚さ２５μmの中間層３を形成した。
【００９８】
次に、Ｌ１層４として、第１の下層誘電体層４ａ、反射層４ｂ、第２の下層誘電体層４ｃ、記録層４ｄ、上層誘電体層４ｅを、図４に示すスパッタリング装置を用いたマグネトロンスパッタリング方式によって、中間層３上に、順次積層した。この際、内周マスク３１は、半径２１ｍｍのものを用いて、Ｌ１層４の内周側の半径がｒ１＝２１ｍｍとなるように、Ｌ１層４を形成した。
【００９９】
最下部誘電体層である第１の下層誘電体層４ａとしては、ＺｎＳ−ＳｉＯ2を２０ｎｍの厚さで成膜した。反射層４ｂとしては、Ａｇ合金を１０ｎｍの厚さで成膜した。第２の下層誘電体層４ｃとしては、ＳｉＮを１０ｎｍの厚さで成膜した。記録層４ｄとしては、ＧｅＳｂＴｅを８ｎｍの厚さで成膜した。上層誘電体層４ｅとしては、ＳｉＮを３０ｎｍの厚さで成膜した。
【０１００】
最下部誘電体層である第１の下層誘電体層４ａ、反射層４ｂ、記録層４ｄは、以下の成膜条件でおこなった。
真空到達度：１．０×１０-5Ｐａ
雰囲気：３．０×１０-1Ｐａ
投入電力：３ｋＷｈ
ガス種：Ａｒガス
【０１０１】
第２の下層誘電体層４ｃおよび上層誘電体層４ｅは、以下の成膜条件で行った。
真空到達度：１．０×１０-5Ｐａ
雰囲気：３．０×１０-1Ｐａ
投入電力：３ｋＷｈ
ガス種：Ａｒガスおよび窒素ガス
窒素ガス量：３０ｓｃｃｍ
【０１０２】
光透過層５は、厚さを７５μｍとし、Ｌ１層４形成後、Ｌ１層４上に、接着層と、ポリカーボネートシートによって、形成した。
【０１０３】
以上の工程によって、実施例のサンプルを作製した。実施例のサンプルにおいては、Ｌ０層２を光記録媒体の中心からの距離２０ｍｍから５９ｍｍの範囲で形成し、Ｌ１層４を中心からの距離が２１ｍｍから５９ｍｍの範囲で形成することで、実施例１のサンプルがｒ０＜ｒ１を満たすようにＬ０層２、Ｌ１層４を形成した。
【０１０４】
＜比較例＞
Ｌ０層２およびＬ１層４を、半径２０ｍｍから５９ｍｍの領域で形成したことを除いては、実施例と同様とし、光ディスクを作製した。
【０１０５】
＜初期化方法の検討＞
作製したサンプルを、図６に示す初期化装置でフォーカスをかけた。この際に、初期化前のＬ０層２と、初期化後のＬ１層４のフォーカスエラー信号を、観察し、安定した初期化方法を得るべく、初期化方法の検討を行った。なお、初期化処理は、以下の条件で、初期化装置（パルステック社製、商品名：ODI-1000）を用いて、行った。
線速度：５ｍ／ｓ
初期化レーザパワーＰＷ：１０００ｍＷ
送り量：２００μｍ／回転
【０１０６】
作製した比較例のサンプルに対して、初期化前にレーザ光を照射し、フォーカシングを行うためのフォーカスエラー信号を、オシロスコープにて観察した。この際、フォーカスエラー信号を、ゲインコントロールし、大きな方のフォーカスエラー信号が一定電圧となるように調整した。
【０１０７】
フォーカスエラー信号の測定は、Ｌ１層４が結晶の場合と、Ｌ１層４が非晶質の場合とで、Ｌ０層２からのフォーカスエラー信号振幅と、Ｌ１層４からのフォーカスエラー信号振幅を測定し、Ｖ０とＶ１との比をフォーカスエラー信号振幅比として求めた。
【０１０８】
Ｌ０層２またはＬ１層４のフォーカスエラー信号が極端に小さくなる場合は、フォーカスをかけることが困難である。したがって、フォーカスエラー信号振幅比に基づいて、Ｌ０層２またはＬ１層４の安定したフォーカシングの可否が判定できる。
【０１０９】
まず、Ｌ１層４が非晶質の場合のフォーカスエラー信号振幅比（Ｖ_Ｌ０／Ｖ_Ｌ１）を測定した。Ｌ１層４が非晶質の場合は、フォーカスエラー信号振幅比（Ｖ_Ｌ０／Ｖ_Ｌ１）が０．３７であり、安定して、Ｌ０層２にフォーカスをかけることができなかった。
【０１１０】
次に、Ｌ１層４が結晶の場合のフォーカスエラー信号振幅比（Ｖ_Ｌ０／Ｖ_Ｌ１）を測定した。Ｌ１層４が結晶の場合は、フォーカスエラー信号振幅比（Ｖ_Ｌ０／Ｖ_Ｌ１）が０．０７であり、安定して、Ｌ０層２にフォーカスをかけることができなかった。
【０１１１】
Ｌ１層４が非晶質の場合のフォーカスエラー信号振幅比（Ｖ_Ｌ０／Ｖ_Ｌ１）の測定結果と、Ｌ１層４が結晶の場合のフォーカスエラー信号振幅比（Ｖ_Ｌ０／Ｖ_Ｌ１）の測定結果を下記表１にまとめた。
【０１１２】
【表１】
0004517954.tif 000002
【０１１３】
以上の結果より、比較例のサンプルにおいては、Ｌ１層４を先に初期化した後、Ｌ０層２を初期化した場合に、安定してＬ０層２を初期化できないことがわかった。さらにＬ０層２を先に初期化し、その後Ｌ１層４を初期化する場合も、安定してＬ０層２を初期化できないことがわかった。したがって、比較例のサンプルにおいては、Ｌ１層４を透過して、Ｌ０層２を安定して初期化できないことがわかった。
【０１１４】
実施例のサンプルにおいては、Ｌ０層２が非晶質の場合のフォーカスエラー信号振幅比（Ｖ_Ｌ１／Ｖ_Ｌ０）と、Ｌ０層２が結晶の場合のフォーカスエラー信号振幅比（Ｖ_Ｌ１／Ｖ_Ｌ０）を、比較例と同様にして、測定した。
【０１１５】
まず、Ｌ０層２が非晶質の場合のフォーカスエラー信号振幅比（Ｖ_Ｌ１／Ｖ_Ｌ０）を測定した。Ｌ０層２が非晶質の場合は、フォーカスエラー信号振幅比（Ｖ_Ｌ１／Ｖ_Ｌ０）が２．７であり、安定して、Ｌ１層４にフォーカスをかけることができた。
【０１１６】
次に、Ｌ０層２が結晶の場合のフォーカスエラー信号振幅比（Ｖ_Ｌ１／Ｖ_Ｌ０）を測定した。Ｌ０層２が結晶の場合は、フォーカスエラー信号振幅比（Ｖ_Ｌ１／Ｖ_Ｌ０）が０．１５であり、安定して、Ｌ１層４にフォーカスをかけることができなかった。
【０１１７】
Ｌ０層２が非晶質の場合のフォーカスエラー信号振幅比（Ｖ_Ｌ１／Ｖ_Ｌ０）の測定結果と、Ｌ０層２が結晶の場合のフォーカスエラー信号振幅比（Ｖ_Ｌ１／Ｖ_Ｌ０）の測定結果を、下記表２にまとめた。
【０１１８】
【表２】
0004517954.tif 000003
【０１１９】
以上より、実施例のサンプルにおいては、Ｌ０層２は、Ｌ１層４が重ならない領域で、フォーカスをかけることにより、安定して、Ｌ０層２全面を初期化できる。さらに、フォーカスエラー信号振幅比の測定結果より、Ｌ０層２が結晶の場合は、安定して、Ｌ１層４にフォーカスをかけることができないことがわかる。
【０１２０】
したがって、実施例のサンプルにおいては、まず、Ｌ１層４にフォーカスをかけてＬ１層４全面の初期化を行い、その後、Ｌ０層２において、Ｌ０層２がＬ１層４に重ならない領域であるｒ０からｒ１の領域内で、フォーカスの引き込みを行い、Ｌ０層２全面の初期化を行うことによって、安定して、初期化できることがわかった。
【０１２１】
実際に、まず、Ｌ１層４にフォーカスをかけて、外周から内周にわたって、Ｌ１層４全面を初期化し、その後、Ｌ０層２において、中心からの距離２０．５ｍｍのＬ１層４が重ならない領域で、Ｌ０層２にフォーカスをかけて、Ｌ０層２全面の初期化を、内周から外周にかけて、行ったところ、安定して、実施例のサンプルのＬ０層２およびＬ１層４の初期化を行うことができた。
【０１２２】
この発明は、上述したこの発明の実施形態に限定されるものでは無く、この発明の要旨を逸脱しない範囲内で様々な変形や応用が可能である。例えば、Ｌ１層上に、さらに、何層かの中間層と情報記録層を形成してもよい。
【０１２３】
この際、レーザ光の遠い方の情報記録層において、レーザ光に近い方の情報記録層が重ならない領域を有するように構成する。例えば、情報記録層をレーザ光の入射側に近い方からＬｎ層とし、Ｌｎ層の内周側の半径をｒｎと規定した場合に、情報記録層をｒｎ＜ｒｎ+１の式を満たすような構成としてもよい。
【０１２４】
情報記録層をｒｎ＜ｒｎ+１の構成とする場合は、Ｌｎ層を形成する際に、ｒｎに対応する大きさの内周マスクを用いることで、形成可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１２５】
【図１】この発明の一実施形態による光記録媒体の構成を示す概略図である。
【図２】この発明の一実施形態による光記録媒体の構成を示す概略図である。
【図３】この発明の一実施形態による図１の光記録媒体のＸ−Ｙ線の断面図である。
【図４】スパッタリング装置の構成を示す模式図である。
【図５】初期化装置の構成を示す模式図である。
【図６】この発明の他の実施形態による光記録媒体の構成を示す概略図である。
【図７】この発明の実施形態による光記録媒体の構成例を示す概略図である。
【符号の説明】
【０１２６】
１・・・基板
２・・・第０情報記録層（Ｌ０層）
２ａ・・・反射層
２ｂ・・・下層誘電体層
２ｃ・・・下層誘電体層
２ｄ・・・記録層
２ｅ・・・上層誘電体層
２ｆ・・・上層誘電体層
３・・・中間層
４・・・第１情報記録層（Ｌ１層）
４ａ・・・下層誘電体層
４ｂ・・・反射層
４ｃ・・・下層誘電体層
４ｄ・・・記録層
４ｅ・・・上層誘電体層
５・・・光透過層
６・・・レーザ光
７・・・対物レンズ
１０・・・光記録媒体
６１・・・第１の基板
６２・・・第１情報記録層（Ｌ１層）
６３・・・中間層
６４・・・第０情報記録層（Ｌ０層）
６５・・・第２の基板
６６・・・レーザ光
６７・・・対物レンズ
【図１】
0004517954.tif 000004
【図２】
0004517954.tif 000005
【図３】
0004517954.tif 000006
【図４】
0004517954.tif 000007
【図５】
0004517954.tif 000008
【図６】
0004517954.tif 000009
【図７】
0004517954.tif 000010