(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック基体上にメタライズ層を形成したセラミック部材において、
前記メタライズ層は高融点金属のＭｏ又はＷを主成分とし、前記セラミック基体に対して反対側の端面を含むように破断した前記メタライズ層の断面の１０μｍ四方の測定範囲における金属成分の面積占有率が４５〜７５％である部分の割合が、前記メタライズ層の前記断面において８０％以上であることを特徴とするセラミック部材。
【請求項２】
セラミック基体上にメタライズ層を形成したセラミック部材において、
前記メタライズ層は高融点金属のＭｏ又はＷを主成分とし、前記セラミック基体に対して反対側の端面を含むように破断した前記メタライズ層の断面の５μｍ四方の測定範囲における金属成分の面積占有率が２０〜９０％である部分の割合が、前記メタライズ層の前記断面において８０％以上であることを特徴とするセラミック部材。
【請求項３】
前記請求項１又は２に記載のセラミック部材に、前記メタライズ層及びロー材層を介して、金属部材を接合したことを特徴とする接合体。
【請求項４】
前記請求項１又は２に記載のセラミック部材に、前記メタライズ層及びロー材層を介して、他のセラミック部材を接合したことを特徴とする接合体。
【請求項５】
前記メタライズ層とロー材層との間に、メッキ層を備えたことを特徴とする前記請求項３又は４に記載の接合体。
【請求項６】
前記請求項３〜５のいずれかの接合体を備えたことを特徴とする真空スイッチ用容器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えばセラミック基板、外囲器、半導体パッケージなどの各種の用途に利用できるものであり、例えば金属とセラミックやセラミック同士をメタライズにより接合したセラミック部材、接合体、真空スイッチ用容器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、焼成体であるセラミック基材の表面にメタライズを施す方法として、高融点金属法（Ｍｏ−Ｍｎ法；テレフンケン法）が知られている。
このテレフンケン法は、ＷやＭｏ等の高融点金属の粉末に、Ｍｎ粉末、Ｔｉ粉末、ガラス成分（ＳｉＯ2）等の接合助剤を添加し、有機バインダと混合してペーストとしたメタライズインクを、セラミック基材上に塗布し焼き付ける方法（焼成方法）である。
【０００３】
また、このテレフンケン法をベースとして、金属層（メタライズ層）の接着強度を向上させる目的で、多くの手法が開発されている。
例えば特開昭５６−９６７９４号公報等などには、メタライズ層形成のためのメタライズペーストの組成を規定する技術が開示されており、また、特開昭５９−１３２１９４号公報等には、メタライズペースト中の金属粉末の粒径や焼成温度等を規定する技術が開示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した従来技術では、メタライズ層を介した接合体の接合強度が向上するという効果はあるものの、必ずしも十分ではない。
つまり、実際には、メタライズペーストの組成や粒径、焼成温度等を規定しても、常に安定して高い接合強度を有する製品が得られる訳ではないという問題があった。
【０００５】
例えば、前記の様な従来技術によって形成された接合体を用いて真空スイッチ用容器を製造した場合には、その接合強度がばらつくことがあるため、気密性が十分でない製品が発生することがあり、一層の改善が望まれていた。
本発明は前記課題を解決するためになされたものであり、その目的は、安定して高い接合強度が得られる、セラミック部材、接合体、真空スイッチ用容器を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
セラミック上のメタライズ層の形成及びメタライズ層を介した接合におけるメタライズ層の構造は、３次元網目構造の金属粒子の焼成体とその空隙に充填されたガラス成分で形成されている。
【０００７】
このメタライズ層における強度（接合強度）に影響するのは、金属成分自体の焼結度と、セラミック母材と融合し金属粒子間に拡散したガラス成分のアンカー効果であると考えられる。
従って、メタライズペースト時の材料の粒径や組成を規定しても、印刷、乾燥、焼成、メッキ、ロー付け等の工程の条件によっては、メタライズ層中の組織は一定とは限らない。
【０００８】
つまり、焼成後のメタライズ層の組織が適切な範囲にあることにより、セラミック／メタライズ層間の接合、メタライズ層自体の強度、メタライズ／金属層（メッキ層、ロー材層）間の接合など、全てにおいて最適な状態となり、メタライズ層を介したセラミック部材の接合強度が高く安定したものとなる。
【０００９】
本発明は、上述した知見により得られたものである。以下各請求項毎に説明する。
（１）請求項１の発明は、（セラミック焼成体である）セラミック基体上にメタライズ層を形成したセラミック部材において、前記（焼成後の）メタライズ層は高融点金属のＭｏ又はＷを主成分とし、前記セラミック基体に対して反対側の端面を含むように破断した前記メタライズ層の断面（以下単に断面と記すこともある）の１０μｍ四方の測定範囲における金属成分の面積占有率が４５〜７５％である部分（特定部分）の割合が、前記メタライズ層の前記断面において８０％以上であることを特徴とするセラミック部材を要旨とする。
【００１０】
本発明では、１０μｍ四方の測定範囲における特定部分の割合が、前記メタライズ層の断面全体の８０％以上を占めているので、安定して高い接合強度を実現できる。従って、このセラミック部材を用いた製品のばらつきが少ない。
つまり、上述した測定範囲において、金属成分の面積占有率が４５％未満の場合は、メタライズ層上に（他の部材との接合のために）形成されるメッキ層やロー材層との密着強度が不十分であり、また、メタライズ層自体の強度が不十分になり、一方、７５％を超えると、金属部分が多すぎて、セラミックとメタライズ層との接合強度が低下する。しかも、特定部分が断面全体の８０％未満の場合には、組成のばらつきが大きく、例えば（金属が過度に少ない）不適切な部分を起点として、接合不具合が生じ易い。
【００１１】
そこで、本発明では、上述した条件を満たす構成を備えることにより、例えばセラミック部材に他の部材を接合して製品を製造する場合に、その接合強度（従って製品）のバラツキが少なく、接合強度の低減に起因する気密性の低下などを防止することができる。
【００１２】
また、本発明によれば、焼成後のメタライズ組織と接合強度との因果関係を定量的に示すことができるので、安定した高い接合強度を有する接合体を製造する際の基準とすることができる。
尚、メタライズ層の厚みとしては、例えば平均厚みとして３〜５０μｍの範囲のものを採用できるが、このうち、メタライズ層に、５μｍ以上の箇所が存在している場合には、金属成分が分散し易く、規定する面積占有率を得易いので、好適である。
【００１３】
（２）請求項２の発明は、（焼成体である）セラミック基体上にメタライズ層を形成したセラミック部材において、前記（焼成後の）メタライズ層は高融点金属のＭｏ又はＷを主成分とし、前記セラミック基体に対して反対側の端面を含むように破断した前記メタライズ層の断面（以下単に断面と記すこともある）の５μｍ四方の測定範囲における金属成分の面積占有率が２０〜９０％である部分（特定部分）の割合が、前記メタライズ層の前記断面において８０％以上であることを特徴とするセラミック部材を要旨とする。
【００１４】
本発明では、５μｍ四方の測定範囲における金属成分の面積占有率が２０〜９０％であり、しかも、その特定部分の割合が前記メタライズ層の断面全体の８０％以上であるので、安定して高い接合強度を実現できる。従って、このセラミック部材を用いた製品のばらつきが少ない。
【００１５】
つまり、上述した測定範囲において、金属成分の面積占有率が２０％未満の場合は、メタライズ層上に（他の部材との接合のために）形成されるメッキ層やロー材層との密着強度が不十分であり、また、メタライズ層自体の強度が不十分になり、一方、９０％を超えると、金属部分が多すぎて、セラミックとメタライズ層との接合強度が低下する。しかも、特定部分が断面全体の８０％未満の場合には、組成のばらつきが大きく、例えば（金属が過度に少ない）不適切な部分を起点として、接合不具合が生じ易い。
【００１６】
そこで、本発明では、上述した条件を満たす構成を備えることにより、例えばセラミック部材に他の部材を接合して製品を製造する場合に、その接合強度（従って製品）のバラツキが少なく、接合強度の低減に起因する気密性の低下などを防止することができる。
【００１７】
また、本発明によれば、焼成後のメタライズ組織と接合強度との因果関係を定量的に示すことができるので、安定した高い接合強度を有する接合体を製造する際の基準とすることができる。
尚、メタライズ層の厚みとしては、例えば平均厚みとして３〜５０μｍの範囲のものを採用できるが、このうち、メタライズ層に、５μｍ以上の箇所が存在している場合には、金属成分が分散し易く、規定する面積占有率を得易いので、好適である。
【００１９】
（３）請求項３の発明は、前記請求項１又は２に記載のセラミック部材に、前記メタライズ層及びロー材層を介して、金属部材を接合したことを特徴とする接合体を要旨とする。
【００２０】
本発明は、上述した構成のセラミック部材に金属部材を接合した接合体を示したものである。
この接合体は、安定した高い接合強度を有しているので、この接合体を用いた製品の気密性等のバラツキが少なく好適である。
【００２１】
つまり、従来の接合体においては、十分に安定した高い接合強度を実現することが困難であったが、本発明により、高く安定した接合強度を実現することができ、これにより優れた製品を製造することができる。
尚、前記ロー材層を構成する材料としては、例えばＡｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｃｄ、及びそれらの化合物が挙げられる。
【００２２】
（４）請求項４の発明は、前記請求項１又は２に記載のセラミック部材に、前記メタライズ層及びロー材層を介して、他のセラミック部材（通常はセラミック基体）を接合したことを特徴とする接合体を要旨とする。
本発明は、上述した構成のセラミック部材に他のセラミック部材を接合した接合体を示したものである。
【００２３】
この接合体は、安定した高い接合強度を有しているので、この接合体を用いた製品の気密性等のバラツキが少なく好適である。
尚、前記ロー材層を構成する材料としては、例えばＡｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｃｄ、及びそれらの化合物が挙げられる。
【００２４】
（５）請求項５の発明は、前記メタライズ層とロー材層との間に、メッキ層を備えたことを特徴とする前記請求項３又は４に記載の接合体を要旨とする。
本発明では、メタライズ層とロー材層との間にメッキ層を備えているので、メタライズ層とロー材層との接合強度が増加し、ひいては、セラミック部材と金属部材との接合強度や、セラミック部材同士の接合強度が向上する。
【００２５】
尚、前記メッキ層を構成する材料としては、例えばＮｉ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄなどが挙げられる。
（６）請求項６の発明は、前記請求項３〜５のいずれかの接合体を備えたことを特徴とする真空スイッチ用容器を要旨とする。
【００２６】
本発明は、上述した接合体を用いた真空スイッチ用容器である。この真空スイッチ用容器とは、真空スイッチを収容する真空容器（例えば絶縁バルブ）であり、この真空容器内に電極などを配置することにより、真空スイッチ（電気回路開閉器）を形成することができる。尚、真空スイッチは、特に高電圧、大電流の開閉に好適なものである。
【００２７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の、セラミック部材、接合体、真空スイッチ用容器の実施の形態の例（実施例）を、図面を参照して説明する。
（実施例１）
ここでは、セラミック部材と金属部材の接合体を例に挙げる。
【００２８】
ａ）図１に模式的に示す様に、本実施例では、アルミナを主成分とするセラミック部材１とコバール製の金属部材３とが、銀ロー製のロー材５により接合されて接合体７が形成されている。
詳しくは、セラミック部材１は、アルミナ製の焼結体であるセラミック基材９上に、モリブデンを主成分とするメタライズ層１１が形成されたものであり、このメタライズ層１１上にＮｉからなるメッキ層１３が形成されている。そして、メッキ層１３と金属部材３とがロー材５により接合されることにより、セラミック部材１と金属部材３とが接合一体化されている。
【００２９】
ｂ）次に、この接合体７の１例として円筒形のテストピースの製造方法を、セラミック部材の製造方法とともに説明する。
(1)まず、平均粒径φ１μｍの、Ｍｏ粉：７１体積％、Ｍｎ粉：９体積％、ＳｉＯ2粉：１８体積％、ＴｉＨ2粉：２体積％と、溶剤に溶解したエチルセルロース：３０外体積％とを混合し、メタライズペーストを製造した。
【００３０】
(2)次に、前記メタライズペーストを、セラミック基体であるアルミナ製（例えばアルミナ９２重量％）のセラミック基材９の表面に、厚さ１２μｍ程度に塗布した。
つまり、図２に示す様に、例えば外径φ６０ｍｍ×厚み５ｍｍ×長さ９０ｍｍの円筒形のセラミック基体９の表面（図２の上端面）に、メタライズペーストを塗布した。
【００３１】
(3)次に、前記メタライズペーストを塗布したセラミック基材９を炉中に入れ、ウエッター雰囲気（露点４０℃）のＨ2／Ｎ2（１：１）のガス雰囲気にて、例えば１３５０〜１４００℃の焼成温度にて焼成した。
これにより、セラミック基材９の表面に（焼成された）メタライズ層１１を備えたセラミック部材１が得られた。
【００３２】
(4)次に、メタライズ層１１の表面（メタライズ面）に、電解メッキによりＮｉメッキを施して、厚さ１〜５μｍのメッキ層１３を形成した。その後、Ｈ2雰囲気中、温度８３０℃にて、メッキ層１３を焼成（シンタリング）した。
(5)次に、図２に示す様に、セラミック部材１の上端面にコバール製（Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ）の金属部材３を、５本ロー付けした。
【００３３】
具体的には、メッキ層１３と５本の金属部材３（例えば外径φ２．５×長さ１００ｍｍの円柱のコバール部材）との間に、銀ロー材（ＢＡｇ−８）５の箔をそれぞれ配置して、所定のロー付け温度にて加熱して冷却することにより、セラミック部材１と金属部材３とをロー付け接合して接合体７を完成した。
【００３４】
ｃ）次に、本実施例の効果を確認するために行った実験例について説明する。
(i)接合体のテストピースの製造方法
まず、前記実施例の製造方法にて、本発明の範囲の接合体（テストピース）を製造した。
【００３５】
つまり、上述した(1)〜(3)の製造工程によって、接合体を製造する際に、(3)の製造工程において、焼成条件を違えて、試料No.２、３のセラミック部材を製造した。
具体的には、焼成昇温速度を２℃／分とし、ピーク温度１３５０℃で４５分間焼成して、試料No.２のセラミック部材を製造した。また、同じ焼成昇温速度にて、ピーク温度１４００℃で４５分間焼成して、試料No.３のセラミック部材を製造した。
【００３６】
また、本発明の範囲外の比較例として、平均粒径φ２．５μｍの、Ｍｏ粉：６７体積％、Ｍｎ粉：８体積％、ＳｉＯ2粉：２３体積％、ＴｉＨ2粉：２体積％と、溶剤に溶解したエチルセルロース：３０外体積％とを混合し、メタライズペーストを製造した。
【００３７】
これを、前記実施例と同様に印刷し焼成して、試料No.１のセラミック部材を製造した。但し、焼成昇温速度は４℃／分とし、ピーク温度１３８０℃で４５分間焼成した。
更に、本発明の範囲外の他の比較例として、前記実施例と同様にしてメタライズペーストを製造し、印刷し焼成して、試料No.４のセラミック部材を製造した。但し、焼成昇温速度は２℃／分とし、ピーク温度１４２０℃で９０分間焼成した。
【００３８】
次に、上述した様にして製造した各セラミック部材に対して、前記(4)及び(5)の製造工程によって、金属部材を接合して、試料No.１〜４の接合体を製造した。
(ii)実験方法
・強度試験
前記テストピースの接合体に対して、金属部材の接合強度を測定した。
【００３９】
具体的には、図３に示す様に、接合体の上端面を治具２１で抑え、この状態で、金属部材の上部を保持部材２３で１本づつチャッキングし、この保持部材２３を上方に０．５ｍｍ／ｍｉｎの速度で引張った。
そして、この際に、金属部材が剥がれるまでの強度（接合強度）を、それぞれ島津製作所製オートグラフにより測定した。この測定結果を、下記表１に記す。
【００４０】
・接合部分の観察
次に、前記試料No.１〜４のテストピースの接合部分を含む様に切り取り、その切り取った部分を熱可塑性樹脂によりモールドし、鏡面断面サンプルを作成した。
【００４１】
このサンプルの鏡面断面を金属顕微鏡で拡大撮影し、その画像を色調二値化することにより、１０μｍ平方（試料No.１〜４）における金属部分とガラス部分との面積比率（金属成分の面積占有率）を測定した。
そして、前記金属成分の面積占有率の測定を、任意の箇所にて合計１０箇所にて実施した。その結果を、下記表１に記す。
【００４２】
【表１】
0004428890.tif 000002
【００４３】
この表１から明らかな様に、本発明の範囲の試料No.２、３のテストピース、即ち、メタライズ層の断面の１０μｍ四方の測定範囲における金属成分の面積占有率が４５〜７５％である部分の割合が、前記メタライズ層の断面において８０％以上であるものは、接合強度が高く、しかも、その接合強度が揃っていることが分かる。
【００４４】
これに対して、比較例の試料No.１、４のテストピースは、接合強度が低い箇所があり好ましくない。
(iii)また、前記(i)接合体のテストピースの製造方法と同様にして、本発明の範囲の接合体（テストピース）として、試料No.６、７のセラミック部材を製造した。
【００４５】
具体的には、焼成昇温速度を２℃／分とし、ピーク温度１３５０℃で４５分間焼成して、試料No.６のセラミック部材を製造した。また、同じ焼成昇温速度にて、ピーク温度１４００℃で４５分間焼成して、試料No.７のセラミック部材を製造した。
【００４６】
一方、本発明の範囲外の比較例として、前記と同様にして、試料No.５のセラミック部材を製造した。但し、焼成昇温速度は４℃／分とし、ピーク温度１３８０℃で４５分間焼成した。更に他の比較例として、前記と同様にして、試料No.８のセラミック部材を製造した。但し、焼成昇温速度は２℃／分とし、ピーク温度１４２０℃で９０分間焼成した。
【００４７】
そして、前記と同様にして、各セラミック部材に対して金属部材を接合して、試料No.５〜８の接合体を製造した。
次に、前記(ii)実験方法と同様にして、強度試験及び接合部分の観察を行った。尚、ここでは、５μｍ平方（試料No.５〜８）における金属部分とガラス部分との面積比率（金属成分の面積占有率）を測定した。
【００４８】
そして、前記金属成分の面積占有率の測定を、任意の箇所にて合計１０箇所にて実施した。その結果を、下記表２に記す。
【００４９】
【表２】
0004428890.tif 000003
【００５０】
また、表２から明らかな様に、本発明の範囲の試料No.６、７のテストピース、即ち、メタライズ層の断面の５μｍ四方の測定範囲における金属成分の面積占有率が２０〜９０％である部分の割合が、前記メタライズ層の断面において８０％以上であるものは、接合強度が高く、しかも、その接合強度が揃っていることが分かる。
【００５１】
これに対して、比較例の試料No.５、８のテストピースは、接合強度が低い箇所があり好ましくない。
この様に、本発明の範囲内の接合体は、高く安定した接合強度を有するので好適である。また、本発明の接合体の構成により、焼成後のメタライズ組織と接合強度との因果関係を定量的に得ることができるので、安定して高い接合強度を有する接合体を製造する上での基準とすることができ、製造方法の改良に寄与するという効果を奏する。
（実施例２）
次に、実施例２について説明するが、前記実施例１と同様な箇所の説明は省略する。
【００５２】
ここでは、セラミック部材同士を接合した接合体を例に挙げる。
ａ）図４に模式的に示す様に、本実施例では、アルミナ製の第１のセラミック部材３１と同様なアルミナ製の第２のセラミック部材３３とがロー材３５により接合されて接合体３７が形成されている。
【００５３】
詳しくは、第１のセラミック部材３１は、第１のセラミック基材３９上に第１のメタライズ層４１が形成されたものであり、この第１のメタライズ層４１上にはＮｉメッキにより第１のメッキ層４３が形成されている。一方、第２のセラミック部材３３は、第２のセラミック基材４５上に第２のメタライズ層４７が形成されたものであり、この第２のメタライズ層４７上にはＮｉメッキにより第２のメッキ層４９が形成されている。そして、第１メッキ層４３と第２のメッキ層４９とがロー材３５により接合されることにより、第１のセラミック部材３１と第２のセラミック部材３３とが接合されて一体となっている。
【００５４】
ｂ）次に、この接合体の製造方法を説明する。
(1)前記実施例１にて説明した様に（以下省略した内容は前記実施例１と同様である）、メタライズペースト成分の粉末を使用して、メタライズペーストを製造した。
【００５５】
(2)次に、前記メタライズペーストを、第１のセラミック基材３９と第２のセラミック基材４５の表面に塗布した。
(3)次に、前記メタライズペーストを塗布した第１、２のセラミック基材３９、４５を、それぞれ炉中に入れ、１３５０〜１４００℃の温度にて焼成し、第１、２のセラミック部材３１、３３を得た。
【００５６】
(4)次に、第１，２のメタライズ層４１、４７の表面に、Ｎｉメッキを施して第１、２のメッキ層４３，４９を形成した。
(5)次に、両メッキ層４３、４９の間に、銀ロー材３５を配置してロー付け接合し、両セラミック部材３１、３３を接合して一体化して接合体３７を完成した。
【００５７】
本実施例の接合体３は、セラミック部材３１，３３同士を接合したものであるが、本実施例によっても、安定して高い接合強度を有する接合体３が得られるという利点がある。
（実施例３）
次に、実施例３について説明するが、前記実施例１、２と同様な箇所の説明は省略する。
【００５８】
本実施例は、前記実施例１のようなセラミック部材と金属部材からなる接合体を真空スイッチに用いた例である。
即ち、本実施例の真空スイッチは、真空スイッチ用容器内に電極等を内蔵し、高電圧、大電流の開閉に適した高負荷開閉器である。
【００５９】
詳しくは、図５に示す様に、真空負荷開閉器１００は、真空スイッチ用容器（絶縁バルブ）１０１と、絶縁バルブ１０１の端部を塞いで取り付けられた第１及び第２の端蓋１０２、１０３と、第１の端蓋１０２に取り付けられ絶縁バルブ１０１内に突出された固定電極１０４と、第２の端蓋１０３に摺動自在に配置された可動電極１０５とを備え、固定電極１０４と可動電極１０５により接点１０６を構成している。
【００６０】
前記絶縁バルブ１０１は、アルミナ９２重量％のセラミック基体で形成され、内径８０ｍｍ×肉厚５ｍｍ程度×長さ１００ｍｍの略円筒形である。また、絶縁バルブ１０１は、内径が一定の直胴部１１０及び内周壁１１１の中間にて内側に突出して周設される凸状部１１２を有している。更に、絶縁バルブ１０１の外周面には、釉薬層１１５を備えている。
【００６１】
前記第１、２端蓋１０２，１０３は、円板状のコバール（Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ）板で形成され、各中央部に固定電極１０４、ガイド１３１を固着するための穴１２１、１３２が設けられている。このガイド１３１は、可動電極１０５の可動軸１５１が摺動し易いように設けられている。
【００６２】
前記固定電極１０４は、先端が穴１２１に固着される固定軸１４１となり、先端が絶縁バルブ１０１内に突出される円環状の電極１４２となっている。
前記可動電極１０５は、後端がガイド１３１内を摺動する可動軸１５１となり、先端が固定電極１０４側の電極１４２に接触する電極１５２となっている。この可動電極１０５は、電極１５２付近の可動軸１５１と第２の端蓋１０３との間に設けられる蛇腹状の金属べローズ１５３により、真空保持状態で開閉動作を可能とされている。
【００６３】
前記金属ベローズ１５３は、ベローズカバー１５４で囲まれ、電流開閉時に、電極１４２，１５２（即ちその先端の接触子１４３、１５５）から発生する金属蒸気が直接触れるのを防いでいる。
前記接点１０６は、電極１４２，１５２の接触が行われる接触子１４３、１５５に、高融点のタングステン系の焼結金属を用い、発生する真空アークにより溶着し難い構造となっている。
【００６４】
また、接点１０６を囲んでアークシールド１６１が配置されている。このアークシールド１６１は、前述の金属蒸気が絶縁バルブ１０１の内周壁１１１に付着して絶縁が低下するのを防止するために、絶縁バルブ１０１の凸状部１１２にロー付けにより接合されている。
【００６５】
つまり、本実施例の高負荷開閉器１００では、前記実施例１の接合体と同様に、セラミック部材である絶縁バルブ１０１の凸状部１１２に、金属部材であるアークシールド１６１がロー材１６２によるロー付けにより接合されている。
詳しくは、図６に要部を模式的に示す様に、絶縁バルブ１０１の凸状部１１２の先端には、メタライズ層１７１が形成され、このメタライズ層１７１上にＮｉメッキによりメッキ層１７３が形成され、このメッキ層１７３とアークシールド１６１とがロー材１６２によるロー付けによって接合されているのである。
【００６６】
これにより、高い接合強度を有する絶縁バルブ１０１（従って高負荷開閉器１００）を実現することができる。
また、本実施例では、絶縁バルブ１０１と端蓋１０２，１０３との間に、端蓋１０２，１０３側より、ロー材、メッキ層、メタライズ層（図示せず）の順で配置されており、これにより、絶縁バルブ１０１と端蓋１０２，１０３とは、高い強度で接合されて気密性が確保される。
（実施例４）
次に、実施例４について説明するが、前記実施例３と同様な箇所の説明は省略する。
【００６７】
本実施例は、前記実施例３の様に、セラミック部材と金属部材からなる接合体を真空スイッチに用いた例であるが、アークシールドと絶縁バルブの構造が異なる。
図７に要部を模式的に示す様に、本実施例の真空スイッチ（高負荷開閉器）２００は、真空スイッチ用容器を構成する上絶縁バルブ２０１と下絶縁バルブ２０３との間に、無酸素銅からなる金属製の接続部材２０５がロー付けされ、その接続部材２０５の先端側に、アークシールド２０７がロー付け接合されている。
【００６８】
特に、前記上絶縁バルブ２０１及び下絶縁バルブ２０３と接続部材２０５とが固定される部分（固定部２０９）には、前記実施例１と同様な方法で、それぞれメタライズ層２１１、２１３が形成され、各メタライズ層２１１、２１３上にはそれぞれＮｉメッキによりメッキ層２１５、２１７が形成されている。
【００６９】
そして、このメッキ層２１５、２１７と接続部材２０５とが、それぞれロー材２１９、２２１により接合されることにより、両絶縁バルブ２０１、２０３と接続部材２０５とが接合一体化されている。
尚、両絶縁バルブ２０１、２０３の外周面には  前記実施例３と同様の釉薬層２２３、２２５がそれぞれ形成されている。
【００７０】
本実施例によっても、前記実施例３と同様な効果を奏する。
また、本実施例では、上絶縁バルブ２０１と接続部材２０５との間に、メタライズ層２１１、メッキ層２１５、及びロー材２１９が設けられ、下絶縁バルブ２０３と接続部材２０５との間に、メタライズ層２１３、メッキ層２１７、及びロー材２２１が設けられて、それらにより、上絶縁バルブ２０１と接続部材２０５と下絶縁バルブ２０３とが強固に接続されており、高い気密性も確保できる。
【００７１】
尚、上絶縁バルブ２０１及び下絶縁バルブ２０３と、それぞれの端蓋との間は、前記実施例３と同様に、端蓋側より、ロー材、メッキ層、メタライズ層（図示せず）の順で配置されており、これにより、高い強度で接合されて気密性が確保される。
【００７２】
尚、本発明は前記実施例になんら限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の態様で実施しうることはいうまでもない。
【図面の簡単な説明】
【図１】  実施例１の接合体の要部を破断して示す説明図である。
【図２】  実施例１の接合体を示す斜視図である。
【図３】  実施例１の接合体の接合強度の測定方法を示す説明図である。
【図４】  実施例２の接合体の要部を破断して示す説明図である。
【図５】  実施例３の真空スイッチを破断して示す説明図である。
【図６】  実施例３の真空スイッチの要部を破断して示す説明図である。
【図７】  実施例４の真空スイッチの要部を破断して示す説明図である。
【符号の説明】
１…セラミック部材
３…金属部材
５、３５、１６２、２１９、２２１…ロー材
７、３７…接合体
９…セラミック基材
１１…メタライズ層
１３…メッキ層
３１…第１のセラミック部材
３３…第２のセラミック部材
３９…第１のセラミック基材
４１…第１のメタライズ層
４５…第２のセラミック基材
４７…第２のメタライズ層
１６１、２０７…アークシールド
１０１…絶縁バルブ
１００、２００…真空スイッチ（高負荷開閉器）
１７１、２１１、２１３…メタライズ層
２０１…上絶縁バルブ
２０３…下絶縁バルブ
２０５…接続部材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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