(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
搬送室と、
円形の基板の表面における中心軸線を求めるように構成された軸出し装置と、前記基板の表面に形成された導電性薄膜の膜厚を測定できるように構成された膜厚測定装置とが内部に配置され、前記搬送室に接続された測定室と、
前記基板の表面に前記導電性薄膜を形成する成膜用処理室とを有し、
前記搬送室と前記成膜処理室には真空排気系が接続され、内部を真空排気できるように構成され、
前記軸出し装置は、
前記基板を表面に載置して支持できるように構成された支持台と、
前記支持台を、前記支持台の表面を含む面内で回転させるように構成された駆動機構と、
前記支持台の周縁部近傍に配置された発光装置と、
前記発光装置と対向して前記支持台の周縁部近傍に配置された受光装置とを有し、
前記発光装置は、前記受光装置に向けて光を発することができるように構成され、
前記受光装置は、前記発光装置及び前記受光装置の間に、前記基板の周縁部に設けられた切り欠きが位置したときに、前記切り欠きを通して前記発光装置が発光した光を受光できる位置に配置され、
前記支持台の中心を中心として一つの円周上に配置された支持部材と、前記支持部材の下方に、前記中心方向に突出して設けられた突出部材とを備え、前記基板の周縁部が前記突出部材上に乗った状態で前記基板を支持できるように構成されたリフタと、
前記リフタを前記支持台の近傍で昇降させられるように構成された昇降機構とを有し、
前記支持部材には、前記突出部材の突出方向に傾いた傾斜面が設けられ、
前記リフタは、前記基板を支持した状態で前記支持台より下方に降下すると、前記基板を、前記支持台の表面に載せ替えられるように構成され、
前記膜厚測定装置は、測定コイルと基準コイルとを含むマクスウェルのインダクタンスブリッジを有し、
前記軸出し装置によって求められた前記中心軸線に基づいて、基板表面における測定位置を求め、
前記測定コイルが前記基準コイルよりも前記基板表面の近くに位置されて前記インダクタンスブリッジに交流電圧が印加されると前記導電性薄膜に渦電流が生じ、前記測定コイルのインダクタンス値が変化し、前記測定位置での前記導電性薄膜の膜厚を測定できるように構成され、
前記成膜用処理室内で前記基板表面に前記導電性薄膜が形成された後、前記基板は前記支持台上に配置され、複数の前記測定位置で前記導電性薄膜の膜厚測定がされた後、前記成膜用処理室内で前記導電性薄膜上に導電性の二層目薄膜を形成できるように構成された成膜装置。
【請求項２】
一層目の前記導電性薄膜が形成される前に、前記基板が前記支持台上に置かれて前記インダクタンスブリッジに交流電圧が印加されて初期値が測定され、
一層目の前記導電性薄膜のうちの前記初期値が求められた前記測定位置に前記測定コイルが配置されて測定値が測定され、
前記測定値と前記初期値の差から、前記膜厚が求められるように構成された請求項１記載の成膜装置。
【請求項３】
前記測定室は、前記基板を前記測定室と前記成膜用処理室との間で移動させる搬送ロボットが配置された前記搬送室に接続された請求項１又は請求項２のいずれか１項記載の成膜装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、軸出し装置、膜厚測定装置、成膜装置、軸出し方法及び膜厚測定方法に関し、特に、円形のウエハの表面に成膜された導電性薄膜の膜厚を複数箇所測定して、膜厚分布を求める技術の改善に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置の製造においては、略円形状のウエハが用いられている。
図３２(ａ)、(ｂ)の符号１５０に、表面に薄膜が成膜されたウエハを示す。図３２(ｂ)は同図(ａ)のＸ−Ｘ線断面図である。このウエハ１５０は、シリコンからなり、円形状に形成され、周縁部の一部に三角形状の切り欠き(以下ノッチと称する。)１５３が形成された基板１５１の表面に、導電性薄膜からなる薄膜１５２が成膜されてなる。
【０００３】
かかる薄膜１５２が、基板１５１表面において一定膜厚で成膜されているかを知るためには、ウエハ１５０表面の複数箇所で薄膜１５２の膜厚を測定して膜厚分布を求め、各箇所で測定した膜厚の間にどの程度の差があるかを知る必要がある。
【０００４】
図３３(ａ)、(ｂ)を参照しながら、従来の膜厚分布を求める一方法である段差法について説明する。図３３(ｂ)は同図(ａ)のＹ−Ｙ線断面図である。段差法では、ウエハ１５０表面に薄膜１５２を成膜した後に、成膜装置からウエハ１５０を取り出し、ウエハ１５０表面の所定位置(ここではウエハ１５０の中心点と、ウエハ表面における中心軸線上の両端)の薄膜１５２をエッチングして、図３３(ａ)に示すように複数の開口１５６1〜１５６5を形成して基板１５１表面を露出させる。その後、検針１７１を各開口１５６1〜１５６5付近で移動させ、開口１５６1〜１５６5上とそれ以外の箇所の導電性薄膜との間の段差を測定することにより各開口１５６1〜１５６5付近の薄膜の膜厚を求め、膜厚分布を求めていた。
【０００５】
かかる段差法では、一度ウエハ１５０を成膜装置から取り出し、上述した所定位置をエッチングして開口を形成し、その後、開口付近で検針を移動させなければならないので、作業が非常に煩雑になってしまうという問題が生じていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記従来技術の不都合を解決するために創作されたものであり、その目的は、円形の基板の中心軸を短時間で正確に求め、基板表面に成膜された薄膜の膜厚分布を精度良く求めることができる技術を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、請求項１記載の発明は、搬送室と、円形の基板の表面における中心軸線を求めるように構成された軸出し装置と、前記基板の表面に形成された導電性薄膜の膜厚を測定できるように構成された膜厚測定装置とが内部に配置され、前記搬送室に接続された測定室と、前記基板の表面に前記導電性薄膜を形成する成膜用処理室とを有し、前記搬送室と前記成膜処理室には真空排気系が接続され、内部を真空排気できるように構成され、前記軸出し装置は、前記基板を表面に載置して支持できるように構成された支持台と、前記支持台を、前記支持台の表面を含む面内で回転させるように構成された駆動機構と、前記支持台の周縁部近傍に配置された発光装置と、前記発光装置と対向して前記支持台の周縁部近傍に配置された受光装置とを有し、前記発光装置は、前記受光装置に向けて光を発することができるように構成され、前記受光装置は、前記発光装置及び前記受光装置の間に、前記基板の周縁部に設けられた切り欠きが位置したときに、前記切り欠きを通して前記発光装置が発光した光を受光できる位置に配置され、前記支持台の中心を中心として一つの円周上に配置された支持部材と、前記支持部材の下方に、前記中心方向に突出して設けられた突出部材とを備え、前記基板の周縁部が前記突出部材上に乗った状態で前記基板を支持できるように構成されたリフタと、前記リフタを前記支持台の近傍で昇降させられるように構成された昇降機構とを有し、前記支持部材には、前記突出部材の突出方向に傾いた傾斜面が設けられ、前記リフタは、前記基板を支持した状態で前記支持台より下方に降下すると、前記基板を、前記支持台の表面に載せ替えられるように構成され、前記膜厚測定装置は、測定コイルと基準コイルとを含むマクスウェルのインダクタンスブリッジを有し、前記軸出し装置によって求められた前記中心軸線に基づいて、基板表面における測定位置を求め、前記測定コイルが前記基準コイルよりも前記基板表面の近くに位置されて前記インダクタンスブリッジに交流電圧が印加されると前記導電性薄膜に渦電流が生じ、前記測定コイルのインダクタンス値が変化し、前記測定位置での前記導電性薄膜の膜厚を測定できるように構成され、前記成膜用処理室内で前記基板表面に前記導電性薄膜が形成された後、前記基板は前記支持台上に配置され、複数の前記測定位置で前記導電性薄膜の膜厚測定がされた後、前記成膜用処理室内で前記導電性薄膜上に導電性の二層目薄膜を形成できるように構成された成膜装置である。
請求項２記載の発明は、請求項１記載の成膜装置であって、一層目の前記導電性薄膜が形成される前に、前記基板が前記支持台上に置かれて前記インダクタンスブリッジに交流電圧が印加されて初期値が測定され、一層目の前記導電性薄膜のうちの前記初期値が求められた前記測定位置に前記測定コイルが配置されて測定値が測定され、前記測定値と前記初期値の差から、前記膜厚が求められるように構成された成膜装置である。
請求項３記載の発明は、請求項１又は請求項２のいずれか１項記載の成膜装置であって、前記測定室は、前記基板を前記測定室と前記成膜用処理室との間で移動させる搬送ロボットが配置された前記搬送室に接続された成膜装置である。
【０００８】
本発明の軸出し装置は、支持台と、支持台を回転できるように構成された駆動機構と、支持台の周縁部近傍に配置された発光装置と、支持台の表面を含む面を挟んで発光装置と対向配置された受光装置とを有しており、周縁部に切り欠きを有する円形基板が支持台に支持された状態で、発光装置及び受光装置の間に、前記円形基板の切り欠きが位置すると、受光装置は、発光装置から発光された光を受光できるように構成されている。
【０００９】
このように構成することにより、支持台を回転させて基板を回転させると、周縁部の切り欠きが発光装置と受光装置との間に位置したときにのみ発光装置から発光された光を受光装置が受光するので、発光装置及び受光装置によって、切り欠きの位置を検出することができる。切り欠きは基板の周縁部に設けられているので、予め基板の中心の位置を求めておき、この基板の中心の位置と、検出された切り欠きの位置とを結ぶことにより、基板表面における中心軸線を求めることができる。
【００１０】
なお、本発明の軸出し装置において、支持部材と、支持部材に設けられた突出部材とを備え、支持部材には突出部材に向けてなだらかな傾斜面が設けられ、突出部材には基板の周縁部分が乗るように構成されたリフタを有し、かつリフタから基板を支持台上に載せ替える際に、リフタの仮想的な中心が、支持台の中心と重なるように構成してもよい。
【００１１】
このように構成することにより、リフタ上に基板を載せると、なだらかな傾斜面によって基板は突出部材上に落とし込まれ、基板の周縁部が突出部材上に乗った状態でリフタの所定位置に位置し、基板の中心がリフタの仮想的な中心と一致した状態で、基板がリフタに支持される。
【００１２】
この場合、リフタから基板を支持台上に載せ替えるときに、支持台の中心にリフタの仮想的な中心が重なるようにすることで、基板の中心が、支持台の中心と一致することになる。従って、かかるリフタにより基板の中心の位置を知ることができる。
【００１３】
本発明の膜厚測定装置によれば、本発明の軸出し装置と、円形基板の表面に形成された導電性薄膜の膜厚を測定できるように構成された測定装置とを有し、測定装置は、軸出し装置によって求めた中心軸線に基づいて、基板表面上で移動できるように構成されている。
【００１４】
このように構成することにより、軸出し装置で基板表面の中心軸線を求めれば、その中心軸線を座標軸として、基板表面における座標を設定することができ、基板表面における所定の測定位置を知ることができる。これにより、複数の測定位置における薄膜の膜厚を求めることにより、薄膜の膜厚分布を求めることができる。
【００１５】
なお、本発明の膜厚測定装置において、測定装置は、膜厚センサと、電源と、測定器とを有し、膜厚センサは、測定コイルを備え、電源は、基板が測定コイルと近接したときに測定コイルに交流電圧を印加し、基板表面の導電性薄膜に渦電流を生成させるように構成され、測定器は、前記渦電流の影響により前記測定コイルに生じる信号を測定するように構成してもよい。
【００１６】
このように構成し、膜厚センサ内に設けられた測定コイルを基板と近接するように配置し、その状態で測定コイルに交流電圧を印加して基板に渦電流を生じさせ、基板に生じた渦電流の影響を受けた測定コイルに生じる信号、例えばインダクタンス成分の変化量を求めることで、基板表面に成膜された薄膜の膜厚を求めることができる。
【００１７】
かかる測定コイルのインダクタンス成分の変化量は、インダクタンスブリッジを用いた高感度測定回路により求めている。
図５は、本発明におけるインダクタンス成分の測定原理を説明するためのブロック図であり、符号３０は、マクスウェルのインダクタンスブリッジを示している。
【００１８】
このインダクタンスブリッジ３０は、直列接続された２個の基準抵抗３４、３５と、直列接続された基準コイル３２及び測定コイル３１が、並列接続されて構成されている。
【００１９】
インダクタンスブリッジ３０のバランスが取れている場合、インダクタンスブリッジ３０の入力端子４１、４２の間に交流電圧源３６を接続し、インダクタンスブリッジ３０に交流電圧ＶDを印加しても、インダクタンスブリッジ３０の出力端子４３、４４の間に電圧は現れない。
【００２０】
インダクタンスブリッジ３０のバランスが取れた状態で、測定コイル３１に基板５０を近づけると、基板５０に渦電流が生じ、その影響によって測定コイル３１のインダクタンス値が変化し、バランスがくずれて出力端子４３、４４間に電圧ＶSが現れる。
【００２１】
インダクタンスブリッジ３０に印加する交流電圧ＶDを、
ＶD ＝ ＶD0・ｅｘｐ(ｉωｔ)
で表した場合、出力端子４３、４４間に現れる電圧ＶSは、
【００２２】
ＶS ＝ ＶS0・ｅｘｐ(ｉωｔ＋φ) ＝ＶS0・ｅｘｐ(ｉωｔ)・ｃｏｓ(φ) ＋ ｉ・ＶS0・ｅｘｐ(ｉωｔ)・ｓｉｎ(φ)
となる。
【００２３】
この電圧ＶSの、入力電圧ＶDに同期した位相の電圧と、９０°ずれた位相の電圧とを測定し、その比から、測定コイル３１のインダクタンス成分の大きさの変化分が求められる。
【００２４】
インダクタンス成分の変化量は、基板５０中の渦電流損失を表しており、交流電圧ＶDの周波数は既知であるから、基板５０や基板５０表面の金属薄膜の比抵抗が既知であれば、その金属薄膜の膜厚が求められる。
【００２５】
図８のグラフは、インダクタンス成分の変化量と、基板表面の銅薄膜の膜厚の関係の一例を示すグラフである。印加した交流信号の周波数は２ＭＨｚであり、交流電圧ＶDの大きさは数Ｖ程度である。
【００２６】
このグラフから分かるように、測定コイル３１のインダクタンス成分の変化量は、基板表面の銅薄膜の膜厚に応じて変化するため、予め、インダクタンス成分の変化量と膜厚との関係を測定しておき、基板のない状態か、または薄膜が成膜される前の基板に測定コイルを近づけてインダクタンス成分の変化量を測定しておき、基板表面に銅薄膜を成膜し、成膜後の基板を測定コイルに近づけ、測定コイルのインダクタンス成分の変化量を求めると、求められたインダクタンス成分の変化量から、成膜された薄膜の膜厚を求めることができる。
【００２７】
このように本発明の膜厚測定方法では、測定コイルを基板に近接させ、基板表面の導電性薄膜中に渦電流を生じさせ、この渦電流による測定コイルのインダクタンス成分の変化量に応じて、導電性薄膜の膜厚を求めているので、正確に実際の膜厚を求めることができ、また、インダクタンス成分の変化量を求めることで薄膜の膜厚を求めているので、ごく短時間で所定位置の膜厚を求めることができる。
【００２８】
また、本発明の成膜装置によれば、成膜手段と、本発明の膜厚測定装置を有しているので、一個の成膜室内で、基板を装置外へと取り出すことなく成膜された薄膜の膜厚を測定し、膜厚分布を求めることができる。
【００２９】
本発明の軸出し方法においては、まず基板の中心を検出した後、基板の周縁部に設けられた切り欠きの位置を検出しているので、切り欠きの位置と基板の中心の位置とを結ぶことにより、基板の表面における中心軸線を求めることができる。
【００３０】
また、本発明の膜厚測定方法によれば、膜厚測定に先だって、中心軸線を求めている。このように構成することにより、基板の中心軸線に基づいて基板表面の所定の位置を知ることができ、その中心軸線に基づいて、例えば基板表面の両端部や、中心位置等のような基板表面の所定の箇所を求めることができるので、所定の箇所における薄膜の膜厚を求めることができる。
【００３１】
【発明の実施の形態】
以下で図面を参照し、本発明の実施形態について説明する。
図１の符号１に、本発明の一実施形態に係るめっき成膜装置を示す。
この装置は、処理室２を有しており、処理室２の内部に、ローダ３、アンローダ４、搬送ロボット９、第１の成膜チャンバ５、第２の成膜チャンバ６、洗浄槽７、スピン乾燥装置８及び膜厚測定装置１１が配置されることで構成されている。
【００３２】
第１、第２の成膜チャンバ５、６は、それぞれの内部に薬液と電極とが配置されためっき槽であって、表面に種となる膜が成膜されたウエハを電極に接続し、薬液中に漬けて電極に電圧を印加すると、めっき法で、種となる膜の表面に金属薄膜を成長させられるように構成されている。
【００３３】
洗浄槽７は、その内部に洗浄液とかくはん機構が配置されており、内部で成膜後のウエハを洗浄液に漬けてかくはんすることにより、ウエハを洗浄することができるように構成されている。また、スピン乾燥装置８は、図示しないスピンテーブルを有しており、洗浄後のウエハをスピンテーブル上に支持させて回転させることにより、ウエハ表面に付着した洗浄液などを飛ばしてウエハを乾燥させることができるように構成されている。
【００３４】
搬送ロボット９は、図示しないロボットハンドを有しており、このロボットハンド上にウエハを保持した状態で、ローダ３、アンローダ４、第１の成膜チャンバ５、第２の成膜チャンバ６、洗浄槽７、スピン乾燥装置８及び膜厚測定装置１１の間でロボットハンドを移動させることにより、各装置間に基板を搬送させられるように構成されている。
【００３５】
膜厚測定装置１１の構成を図２、図３に示す。図２は図３のＡ−Ａ側からみた概念図である。この膜厚測定装置１１は、軸出し部９３と、膜厚測定部９５とを有している。
【００３６】
軸出し部９３は、支持台１３と、回転軸６０と、回転機構２１と、真空ポンプ２４と、昇降機構２３と、リフタ１４と、リング板１４ｂと、昇降軸２６と、発光装置１５1と受光装置１５2とを有している。
【００３７】
処理室２の内部底面には、二種類の孔が間隔をおいて設けられており、各孔には、回転軸６０及び昇降軸２６がそれぞれ鉛直に挿通されている。処理室２の外部には、それぞれ回転機構２１と昇降機構２３とが配置されており、それぞれが回転軸６０の下端及び昇降軸２６の下端と接続されている。
【００３８】
回転軸６０の上端部には、円板状の支持台１３が水平に取り付けられている。支持台１３は、その中心が上述した回転軸６０の中心軸線と一致するように配置されており、回転機構２１を駆動すると、回転軸６０が回転して、支持台１３の中心を中心として、水平面内で支持台１３を回転させられるように構成されている。
【００３９】
上述した昇降軸２６の上端部には、リング板１４ｂが取り付けられている。リング板１４ｂは、図９(ａ)にその平面図を示すように、その中心が支持台１３の中心９０と一致するように昇降軸２６上に配置されている。かつリング板１４ｂの内周１４ｄの径は、支持台１３の直径よりも大きくなっているので支持台１３の縁１３ａとリング板１４ｂの内周１４ｄとの間には隙間１３ｂが空き、昇降機構２３を動作させると、リング板１４ｂは、支持台１３近傍の外側で、支持台１３と衝突することなく鉛直方向に上下動できるように構成されている。かかるリング板１４ｂの上端部にはリフタ１４1〜１４4が位置している。
【００４０】
リフタ１４1〜１４4の構成の詳細を、図９(ａ)、(ｂ)に示す。図９(ｂ)は図９(ａ)のＣ−Ｃ線断面図である。なお、図９(ａ)、(ｂ)には簡単のため昇降軸２６は図示していない。
【００４１】
各リフタ１４1〜１４4は、それぞれが支持部材２９1〜２９4と、突出部材２８1〜２８4とを有している。
各支持部材２９1〜２９4は、略直方体状に形成されており、それぞれの一面が、支持台１３の中心９０を中心とする一つの円８８の円周上に位置するように配置されている。この一面を以下で直立面と称し、それぞれ符号６９1〜６９4に示す。
【００４２】
各直立面６９1〜６９4の下方には、支持台１３の中心９０に向けて突出するように突出部材２８1〜２８4が設けられている。各突出部材２８1〜２８4の上面は水平にされ、底面は支持部材２９1〜２９4の底面とともにリング板１４ｂ表面に固定されている。支持部材２９1〜２９4及び突出部材２８1〜２８4はともにリング板１４ｂの内周側にははみ出さないように配置されており、昇降機構２３が動作してリング板１４ｂが昇降すると、各リフタ１４1〜１４4はリング板１４ｂとともに支持台１３の周縁部近傍で、支持台１３と衝突することなく昇降できるように構成されている。
【００４３】
上述した支持台１３は、表面が平坦に形成されており、その表面にウエハを載置できるように構成されている。この表面には図示しない多数の孔が形成されている。これらの孔は処理室２外部に配置された真空ポンプ２４に通じており、ウエハを表面に載置した状態で真空ポンプ２４を起動すると、ウエハを支持台１３表面に真空吸着することができるように構成されている。
【００４４】
また、膜厚測定部９５は、測定センサ部１６と、アーム１７と、回転軸１８と、駆動機構２２と、測定装置２５とを有している。
処理室２の内部底面には、孔が設けられ、この孔には、回転軸１８が鉛直に挿通されている。この回転軸１８の下端部は、処理室２の外部に配置された駆動機構２２に接続され、回転軸１８の上端部には、水平配置されたアーム１７の末端部が接続されており、駆動機構２２を駆動すると、回転軸１８を回転させてアーム１７を水平方向に回転させられるように構成されている。
【００４５】
アーム１７の先端部には、測定センサ部１６が設けられている。このアーム１７は、駆動機構２２によってその延伸方向に伸縮できるように構成されており、駆動機構２２を駆動すると、アーム１７の延伸方向に沿って測定センサ部１６を伸縮させることにより、アーム１７の先端部を水平面内で移動させられるように構成されている。このアーム１７は、伸びた状態でその先端が支持台１３の上方に位置し、縮んだ状態では、先端部が支持台１３の上方から退避できるように構成されている。
【００４６】
測定センサ部１６の構成を図５〜図７に示す。測定センサ部１６は、筐体４０ａと、距離センサ３８とを有している。
筐体４０ａは、円筒状に形成され、アーム１７の先端部に取り付けられている。
【００４７】
この筐体４０ａ内には膜厚センサ４０が設けられており、この膜厚センサ４０は、図５に示すように、測定コイル３１及び基準コイル３２と、直列接続された二個の基準抵抗３４、３５を有している。測定コイル３１と基準コイル３２とは、図７に示すように、測定コイル３１が、基準コイル３２より下方に位置するよう筐体４０ａの鉛直方向の中心軸線を中心軸線として円筒状の筐体４０ａ内部に上下に配置されている。筐体４０ａには、鉛直方向の中心軸線を中心とする中空４０ｂが設けられており、結果として、測定コイル３１及び基準コイル３２は、中空４０ｂを中心として巻き回されるようになっている。
【００４８】
測定コイル３１及び基準コイル３２は直列接続されており、その直列接続回路が、やはり直列接続された基準抵抗３４、３５の直列接続回路と並列に接続され、マクスウェルのインダクタンスブリッジ３０を構成している。
【００４９】
かかるインダクタンスブリッジ３０は、直列接続された基準抵抗３４、３５の両端が入力端子となっている。図５の符号４１、４２にその入力端子を示す。また、測定コイル３１と基準コイル３２とが接続された部分と、二つの基準抵抗３４、３５が互いに接続された部分とが、それぞれインダクタンスブリッジ３０の出力端子となっている。図５の符号４３、４４に、その出力端子を示す。このインダクタンスブリッジ３０は、後述する測定装置２５に接続されている。
【００５０】
他方、距離センサ３８は、図示しないレーザ射出部と受光部とを有している。この距離センサ３８は、図７に示すように膜厚センサ４０の上部に位置するようにアーム１７の先端に取り付けられており、上述した筐体４０ａの中空４０ｂの上に、レーザ射出部と受光部とが位置するように配置されている。レーザ射出部から、レーザ光Ｐを放出すると、そのレーザ光Ｐは図７に示すように、中空４０ｂを通ってその下方に位置する測定対象に照射され、測定対象から反射される反射光Ｌが中空４０ｂを通って受光部で受光されることにより、放出されたレーザ光Ｐと反射光Ｌとの位相差を求めて測定装置２５に出力することができるように構成されている。
【００５１】
測定装置２５は、交流電圧源３６と、膜厚測定器３７と、距離測定器８４とを有している。
交流電圧源３６は、上述した膜厚センサ４０内のインダクタンスブリッジ３０の入力端子４１、４２に接続されており、交流電圧源３６を起動すると、測定コイル３１に交流電流を供給することができるように構成されている。
【００５２】
膜厚測定器３７は、インダクタンスブリッジ３０の出力端子４３、４４に接続されており、出力端子４３、４４間に現れる電圧を測定することで、後述する測定コイル３１のインダクタンス成分の変化量を求めることができるように構成されている。
【００５３】
距離測定器８４は、距離センサ３８から出力された位相差に基づいて、後述するウエハ表面と測定センサ部１６との間の距離を求めることができるように構成されている。こうして距離測定器８４で求められた距離は、駆動機構２２に出力される。駆動機構２２は、アーム１７を上下動させて、距離測定器８４で求められた測定センサ部１６と測定対象との距離を一定に保った状態にし、アーム１７を水平方向に移動させられるように構成されている。
【００５４】
上述しためっき成膜装置１で、第１の成膜チャンバ５のみを用いて単層の金属薄膜を成膜するには、まず、図４(ａ)に示すように円板状に形成され、その周縁部に三角形状のノッチ５３が設けられたウエハ５０を、ローダ３内に入れる。すると、搬送ロボット９が起動して、ハンド５５上にウエハ５０が載せられる。その後ハンド５５が支持台１３上へと移動する。ハンド５５が、支持台１３上に位置したら、ハンド５５は静止する。その状態を図１１に示す。予め、リフタ１４1〜１４4は、処理室２の内部底面に位置しており、ハンド５５とは衝突しないようになっている。また、測定センサ部１６は支持台１３上からは退避しており、ハンド５５と干渉しないようになっている。
【００５５】
次に、リフタ１４1〜１４4が上昇して、ウエハ５０がリフタ１４1〜１４4に接近する。
上述したリフタ１４1〜１４4の各支持部材２９1〜２９4には、図９(ａ)、(ｂ)に示すように、突出部材２８1〜２８4に向けてなだらかに傾斜した傾斜面３９1〜３９4がそれぞれ設けられており、各傾斜面３９1〜３９4は支持台１３の中心に向いている。
【００５６】
各傾斜面３９1〜３９4の上端は、支持台１３の中心９０を中心とする円(以下で上側円と称し、図９(ａ)の符号８８ａに示す。)上に位置し、下端は直立面６９1〜６９4に達し、支持台１３の中心９０を中心とし、上側円８８ａよりも小さい円(以下で下側円と称し、図９(ａ)の符号８８ｂに示す。)上に位置している。このうち上側円８８ａの直径はウエハ５０の直径より大きくなっている。
【００５７】
このため、リフタ１４1〜１４4が上昇すると、図１０(ａ)に示すように、ウエハ５０の中心９１が支持台１３の中心９０とずれているときには、リフタ１４1〜１４4の各傾斜面３９1〜３９4がまずウエハ５０の下端部に当接する。
【００５８】
その後リフタ１４1〜１４4が上昇すると、ウエハ５０の下端部は各傾斜面３９1〜３９4を滑り、ウエハ５０の下端部がハンド５５から完全に離れた状態では、図１０(ｂ)に示すように、ウエハ５０は、突出部材２８1〜２８4上に落とし込まれる。上述した下側円８８ｂの直径はウエハ５０の直径と等しいか又はわずかに小さくなっており、このため、各傾斜面３９1〜３９4の下方に位置する直立面６９1〜６９4と、ウエハ５０の側面とが当接した状態で突出部材２８1〜２８4へと落とし込まれる。
【００５９】
上述した突出部材２８1〜２８4の内周は、支持台１３の中心９０を中心とする円(以下で突出円と称し、図９(ａ)の符号８８ｃに示す。)上に位置している。この突出円８８ｃの直径は、ウエハ５０の直径よりも小さくなっている。このため、ウエハ５０が突出部材２８1〜２８4上へと落とし込まれると、ウエハ５０の周縁部は、リフタ１４1〜１４4から落ちることなく安定して保持されることになる。こうして安定した状態を図１２に示す。
【００６０】
こうして落とし込まれることにより、図１０(ｂ)、(ｃ)に示すようにウエハ５０は、その側面が、直立面６９1〜６９4と接触した状態になる。直立面６９1〜６９4の上端は、図９(ａ)で説明した下端円８８ｂ上に乗っており、下端円８８ｂは支持台１３の中心９０と一致しているので、ウエハ５０の中心９１は、支持台１３の中心９０と一致することになる。なお図１０(ｂ)は図１０(ｃ)のＤ−Ｄ線断面図である。
【００６１】
さらにリフタ１４1〜１４4が上昇して、ハンド５５からウエハ５０の裏面が完全に離れたら、ハンド５５が支持台１３上から退避し、ウエハ５０がリフタ１４1〜１４4上に載せ替えられる。その状態を図１３に示す。
【００６２】
こうしてウエハ５０がリフタ１４1〜１４4上に完全に移し替えられたら、リフタ１４1〜１４4は鉛直下方に下降し、ウエハ５０の裏面は支持台１３表面に当接する。さらにリフタ１４1〜１４4が下降すると、ウエハ５０はリフタ１４1〜１４4から離れ、支持台１３表面に載せ替えられる。この状態で、ウエハ５０の中心は支持台１３の中心と一致した状態を維持している。その後リフタ１４1〜１４4はさらに下降し、処理室２の内部底面にまで達する。この状態を図１４に示す。
【００６３】
ウエハ５０が支持台１３表面に乗ったら、真空ポンプ２４を駆動してウエハ５０を真空吸着する。
ウエハ５０は、その径が支持台１３の径よりも大きく、その周縁部は支持台１３の周縁部から所定距離だけはみ出ている。こうしてはみ出したウエハ５０の周縁部の上方には、発光装置１５1が配置されており、鉛直下方にレーザ光を放出できるようになっている。発光装置１５1の鉛直下方には受光装置１５2が配置されており、レーザ光を受光できるようになっている。発光装置１５1が、鉛直下方に向けてレーザ光を放出すると、レーザ光はウエハ５０の周縁部に照射される。
【００６４】
支持台１３の中心９０はウエハ５０の中心と一致しており、支持台１３の中心９０を中心としてウエハ５０を回転させると、ウエハ５０はその中心で回転する。発光装置１５1からレーザ光を照射した状態で、ウエハ５０を回転させると、ウエハ５０の外周部に設けられたノッチ５３は、レーザ光の光路を横切るようになっている。
【００６５】
ノッチ５３がレーザ光の光路を横切らない状態では、レーザ光はウエハ５０の周縁部で遮られ、レーザ光は受光装置１５2には到達せず、受光装置１５2は受光できない。その状態を図１５に示す。なお図１５は図２５のＥ−Ｅ線断面図である。
【００６６】
ウエハ５０が回転し、図２６に示すようにノッチ５３が発光装置１５1の鉛直下方に位置して、レーザ光の光路を横切ると、レーザ光はノッチ５３を介してウエハ５０の下方にある受光装置１５2に到達し、受光装置１５2がレーザ光を受光する。その状態を図１６に示す。図１６は、図２６のＦ−Ｆ線断面図である。
【００６７】
受光装置１５2がレーザ光を受光したら、回転機構２１は支持台の回転を停止させる。この状態で、ウエハ５０は、そのノッチ５３が発光装置１５1と受光装置１５2との間に位置した状態で静止する。
【００６８】
支持台１３上にウエハ５０が載置された状態で、ウエハ５０の中心は支持台１３の回転中心と一致し、かつ、円形のウエハ５０の周縁部の一部に設けられたノッチ５３が検出されると、ノッチ５３とウエハ５０の中心とを結ぶ直線が、ウエハ５０の表面における中心軸線として求められる。これにより、ウエハ５０表面の任意の位置の座標は、ウエハ５０の中心と、ウエハ５０の中心軸線とから定めることができる。
【００６９】
アーム１７の先端部は、ウエハ５０上方で、その中心軸線と平行に直線移動するが、その直線移動と支持台１３の回転運動とを組み合わせると、アーム１７の先端部をウエハ５０表面の任意の位置に移動させることができる。アーム１７の先端部には、測定センサ部１６が取り付けられているので、測定センサ部１６はウエハ５０表面の任意の座標位置に移動できる。後述する導電性薄膜の膜厚を測定すべき所定位置(以下で測定位置と称する。)は、予め設定されていて、その位置は、中心と中心軸線とから定まる座標に換算することができるので、測定センサ部１６は、その測定位置に移動することができる。
【００７０】
次いで、駆動機構２２がアーム１７を回転させ、その先端に取り付けられた測定センサ部１６を、図１７に示すように、測定位置の一つである、ウエハ５０のノッチ５３付近の端部の上方位置にまず位置させる。その後、距離測定器８４で測定センサ部１６とウエハ５０表面との距離を測定し、アーム１７を上下動させ、測定センサ部１６とウエハ５０表面との距離が所定距離になったら測定センサ１６を静止させる。
次いで、交流電圧源３６から測定コイル３１に交流電圧を印加し、全ての測定位置における測定コイル３１のインダクタンス成分の変化量の初期値を測定する。
【００７１】
以上のように、距離を一定にした状態で、各測定位置におけるインダクタンス成分の変化量の初期値を測定する。図１８は、測定センサ部１６をウエハ５０の中心付近で静止させた状態を示しており、図１９は、中心軸線についてノッチ５３と反対側の端部で測定センサ部１６を静止させた状態を示している。図２７、図２８、図２９は、図１７、図１８、図１９の状態にあるアーム１７及びウエハ５０を上方からみた図である。
以上により、全ての測定位置におけるインダクタンス成分の変化量の初期値を順次求め、ウエハ５０の位置と対応づけて記憶しておく。
【００７２】
次に、搬送ロボット９によってウエハ５０を第１の成膜チャンバ５に移し、ウエハ５０の表面にめっき法で金属薄膜を成膜する。こうして金属薄膜が成膜された状態のウエハ５０を図４(ａ)、(ｂ)に示す。図４(ｂ)は図４(ａ)のＢ−Ｂ線断面図である。このウエハ５０は、円形形状のシリコン基板５１の表面に、金属薄膜５２が成膜されている。
【００７３】
こうして成膜処理が終了したら、搬送ロボット９がウエハ５０を洗浄槽７に移す。ウエハ５０は、洗浄槽７内部で洗浄される。
次いで、搬送ロボット９は、洗浄後のウエハ５０をスピン乾燥装置８に移動させる。スピン乾燥装置８は、洗浄後のウエハ５０を乾燥させる。ウエハ５０が乾燥されたら、搬送ロボット９のハンドに、ウエハ５０が水平状態で載せられる。
【００７４】
その後、搬送ロボット９は、ウエハ５０を再び膜厚測定装置１１に移動させ、上述した動作で再びウエハ５０表面の中心と中心軸線を求めた後に、インダクタンス成分の変化量の初期値を測定した測定位置に、順次測定センサ部１６を移動させ、ウエハ５０と測定センサ部１６との距離を一定にし、それぞれの測定位置における測定コイル３１のインダクタンス成分の変化量を測定する。
【００７５】
ウエハ５０表面に成膜された金属薄膜５２の膜厚に応じて、測定コイル３１のインダクタンス成分の変化量は変化する。測定器３７には、上述した各測定位置における、インダクタンス成分の変化量と金属膜厚との対応関係が記憶されており、金属薄膜５２が成膜された状態でのインダクタンス成分の変化量と、基板がない状態か、または金属薄膜５２が成膜されていない状態でのインダクタンス成分の変化量の初期値との差分をとり、この差分を、上述した対応関係と照合することで、ウエハ５０表面の各測定位置における薄膜の膜厚を、ウエハ５０と非接触の状態で求めることができる。
【００７６】
以上説明したように、本発明によれば、煩雑な手作業を要することなく、ウエハ５０表面における中心軸線を求め、その中心軸線からウエハ５０表面における所定の測定位置を求め、各測定位置で膜厚を測定して、膜厚分布を容易に求めることができる。このため、ウエハ表面の薄膜の所定位置をエッチングした後、検針を移動させていた従来に比して、膜厚分布を求める作業が非常に容易になる。また、従来と異なり、成膜装置から取り出すことなく膜厚分布を測定することができる。
【００７７】
こうして、各測定位置における薄膜の膜厚が測定されたら、アーム１７は再び回転して退避し、真空ポンプ２４が停止して、ウエハ５０の真空吸着状態を解除する。その状態を図２０に示す。
【００７８】
次いで、リフタ１４1〜１４4が上昇する。するとウエハ５０の周縁部がリフタ１４1〜１４4に当接する。その状態を図２１に示す。
さらにリフタ１４1〜１４4を上昇させると、ウエハ５０は支持台１３の表面から離れ、リフタ１４1〜１４4上に載せ替えられる。リフタ１４1〜１４4はその後所定位置で静止する。静止した状態を図２２に示す。
【００７９】
次いで、搬送ロボット９のハンド５５が、リフタ１４1〜１４4の下方に位置する。その状態を図２３に示す。
次いで、リフタ１４1〜１４4が下降すると、ウエハ５０はリフタ１４1〜１４4から離れ、ハンド５５上に載せ替えられる。その状態を図２４に示す。
【００８０】
その後、搬送ロボット９はウエハ５０を再び第１の成膜チャンバ５に移動させ、二回目の成膜処理をするが、このとき、一回目の成膜処理終了後に求められた膜厚及び膜厚分布に応じて、第１の成膜チャンバ５における二回目の成膜処理の条件を設定する。
【００８１】
このとき、膜厚及び膜厚分布に応じて、それらのばらつきを補償する方向に電圧、かくはん条件等を設定し、ウエハ５０表面における膜厚が均一になるようにする。
【００８２】
こうして、第１の成膜チャンバ５における二回目の成膜処理をし、終了したら、搬送ロボット９によりウエハ５０を、洗浄槽７、スピン乾燥装置８へと順次搬送し、それぞれで洗浄して乾燥した後に、膜厚測定装置１１に移動させ、上述した動作と同様に、基板表面の複数箇所において薄膜の膜厚を求め、膜厚分布を求める。
その結果、膜厚及び膜厚分布が適正な値になっていたら、アンローダ４にウエハ５０を搬送し、アンローダ４からウエハ５０を取り出す。
【００８３】
以上２回に分けて成膜する場合を述べたが、１回で所定の膜厚まで成膜を行い、膜厚分布を測定し、次の成膜時に前回の膜厚分布を補償する条件に成膜パラメータを再設定し、常に膜厚分布を制御するように成膜することも可能である。
【００８４】
以上では、本発明の膜厚測定装置はめっき成膜装置１に設けられ、大気雰囲気中で膜厚を測定するものとしたが、本発明の膜厚測定装置はこれに限られるものではなく、例えば真空処理装置等にも適用可能である。
【００８５】
図３０の符号８２に、本発明の一実施形態の真空マルチチャンバーを示す。このマルチチャンバー８２は、平面が六角形状の搬送室６９を有している。搬送室６９には、第１〜第４の処理室７１〜７４と、搬出入室７５とが、それぞれ真空バルブ７８1〜７８5を介して接続されている。これらの各室には図示しない真空排気系が接続されており、それぞれの内部を真空排気することができるように構成されている。各真空バルブ７８1〜７８5を閉じると、第１〜第４の処理室７１〜７４と搬出入室７５の内部は、搬送室６９から分離されるようになっている。
【００８６】
搬送室６９内には、搬送ロボット６５が配置されている。この搬送ロボット６５は、図示しない駆動機構により動作し、搬送室６９の中心で上下方向に伸縮可能でかつ水平方向に回転可能な支持体６４に取り付けられ、伸縮可能に構成されたアーム６１、６２と、アーム６１、６２の先端に取り付けられ、絶縁体からなるハンド６３とを有しており、支持体６４を回転させてアーム６１、６２を伸縮させることにより、その先端のハンド６３を各室間で移動させることができる。またハンド６３はその上面にウエハを載置できるように構成されており、ウエハをハンド６３に乗せた状態で、そのウエハを各室７１〜７５の間で搬送できるように構成されている。
【００８７】
このマルチチャンバー８２では、搬送室６９の一部が側方に膨出されており、この膨出部分が測定室７７になっている。この測定室７７は搬送室６９と一体であり、測定室７７と搬送室６９の間には真空バルブは配置されていない。
【００８８】
この測定室７７内には、図２の膜厚測定装置１１とほぼ同様の構成の膜厚測定装置１１′が設けられている。この断面図を図３１に示す。図３１は図３０のＫ−Ｋ線断面図である。かかるマルチチャンバー８２では、第１〜第４の処理室７１〜７４及び搬出入室７５の間でウエハ５０を搬送する際に、測定室７７にウエハ５０を挿入し、測定室７７内の軸出し部９３でウエハ５０表面の中心軸線を求め、その中心軸線に基づいて、膜厚測定部９５がウエハ５０表面の金属薄膜の膜厚を測定することができるようになっている。
【００８９】
この膜厚測定装置１１′の構成は、図２で説明した膜厚測定装置１１の構成とほぼ同様であるが、真空ポンプ２４が設けられていない点と、支持台１３の内部に吸着電極８５1、８５2が配置され、これらの吸着電極８５1、８５2が電源８６に接続されている点で膜厚測定装置１１と異なる。かかる膜厚測定装置１１′では、図２で説明した膜厚測定装置１１と異なり、ウエハ５０を支持台１３の表面に載置した状態で、電源８６を起動して吸着電極８５1、８５2間に直流電圧を印加することにより、ウエハ５０を支持台１３表面に静電吸着することができる。
【００９０】
一例として、ウエハ５０の表面に二層金属膜を成膜する際には、まず予め全ての真空バルブ７８1〜７８5を閉じ、第１〜第４の処理室７１〜７４の内部を真空排気した状態で、搬出入室７５内にウエハ５０を搬入する。
【００９１】
次に、搬出入室７５内部を真空排気して、所定真空度になったら、搬出入室７５と搬送室６９との間の真空バルブ７８5を開き、搬送ロボット６５のハンド６３を搬出入室７５内に入れ、ハンド６３上にウエハ５０を載せ、ウエハ５０を搬出入室７５から測定室７７へと搬送する。
【００９２】
ウエハ５０はハンド６３からリフタ１４1〜１４4に載せ替えられた後に支持台１３表面に移し替えられ、支持台１３表面に載置される。
この状態で、図２の膜厚測定装置１１と同様に、ウエハ５０表面の中心と中心軸線とを求めてウエハ５０表面での任意の位置の座標を定め、予め設定された測定位置に測定センサ部１６を順次位置させ、交流電圧源３６を起動して測定コイル３１に交流電圧を印加してウエハ５０内に渦電流を生成させ、薄膜が表面に成膜されていないウエハ５０を測定コイル３１に近接させた場合の、測定コイル３１のインダクタンス成分の変化量の初期値を求めておく。
【００９３】
次いで、第１の処理室７１と搬送室６９との間の真空バルブ７８1とを開き、ウエハ５０を搬出入室７５から第１の処理室７１内に搬送する。
次いで、第１の処理室７１と搬送室６９との間の真空バルブ７８1とを閉じ、第１の処理室７１内で所定の成膜処理をする。
【００９４】
所定の成膜処理が終了したら、第１の処理室７１と搬送室６９との間の真空バルブ７８1とを開き、ハンド６３を第１の処理室７１内に入れ、ウエハ５０をハンド６３上に移し替えた後、ウエハ５０を第１の処理室７１から測定室７７へと搬送する。
【００９５】
次いで、図２の膜厚測定装置１１と同様に、ウエハ５０をリフタ１４1〜１４4上に移し替えた後に支持台１３上に載せ替えてウエハ５０の中心を支持台１３の中心と一致させる。その後、ウエハ５０を支持台１３上に静電吸着させる。
【００９６】
次いで、ウエハ５０表面の、インダクタンス成分の変化量の初期値を求めた各測定位置に測定センサ部１６を順次移動させ、各測定位置でインダクタンス成分の変化量を求めることにより、ウエハ表面に成膜された一層目の金属薄膜の膜厚を求め、一層目の金属薄膜の膜厚分布を求める。
【００９７】
次に、ウエハ５０をハンド６３に載せ替え、第２の処理室７２と搬送室６９との間の真空バルブ７８2を開き、ウエハ５０を第２の処理室７２内に搬送し、第２の処理室７２と搬送室６９との間の真空バルブ７８2を閉じる。
【００９８】
次いで、第２の処理室７２内で、ウエハ５０表面に二層目の金属薄膜を成膜する。このとき、一層目の金属薄膜の膜厚分布に基づいて二層目の金属薄膜の成膜条件を決定し、その成膜条件により二層目の金属薄膜を成膜する。
【００９９】
こうして二層目の金属薄膜の成膜処理が終了したら、第２の処理室７２と搬送室６９との間の真空バルブ７８2を開くととともに、搬出入室７５と搬送室６９との間の真空バルブ７８5を開く。次いでハンド６３を第２の処理室７２内に入れてウエハ５０をハンド６３上に移し替え、第２の処理室７２から搬出入室７５へとウエハ５０を搬送する。その後、搬出入室７５と搬送室６９との間の真空バルブ内の７８5を閉じ、搬出入室７５内を大気雰囲気にした後に、ウエハ５０を搬出入室７５から取り出す。このように、本発明によれば、真空マルチチャンバー８２の外へウエハ５０を搬出することなく、簡単に薄膜の膜厚を求め、膜厚分布を知ることができる。
【０１００】
なお、上述した各実施形態では、測定コイル３１のインダクタンス成分の変化量を、マクスウェルのインダクタンスブリッジを用いて測定しているが、本発明はこれに限らず、測定コイル３１のインダクタンス成分の変化量を測定できる高精度の測定装置であれば、いかなる装置でもよい。
【０１０１】
また、上述した各実施形態では、図５の回路図に示したように、インダクタンスブリッジ３０の２個の出力端子４３、４４を膜厚測定器３７の二つの入力に接続し、出力端子４３、４４間の電圧を測定してインダクタンス成分の変化を測定したが、本発明はこれに限らず、例えば図３４に示すように、一方の出力端子４４と、膜厚測定器３７の一方の入力とをともに接地し、他方の出力端子４３と、膜厚測定器３７の他方の入力とを接続して、この出力端子４３に現れる電圧を測定するように構成してもよい。
【０１０２】
さらに、本実施形態においては、基板が回転し、膜厚センサ部１６が伸縮する構成としたが、基板が例えばＸ方向にスキャンし、膜厚センサ部１６がＹ方向にスキャンするようにし、基板全面を測定してもよい。ノッチ検出機構は、なるべく膜厚測定機構の近くに設けることにより、よりコンパクトな膜厚測定装置を実現できる。
【０１０３】
【発明の効果】
煩雑な作業を要せずに、簡単にかつ迅速に基板表面の薄膜の膜厚分布を求めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係る成膜装置
【図２】本発明の一実施形態に係る膜厚測定装置の構成を説明する断面図
【図３】本発明の一実施形態に係る膜厚測定装置の構成を説明する平面図
【図４】(ａ)：本実施形態で用いられるウエハを説明する平面図
(ｂ)：本実施形態で用いられるウエハを説明する断面図
【図５】本発明の一実施形態に係る膜厚測定部を説明する図
【図６】本発明の一実施形態に係る測定コイルと基準コイルとの位置関係を説明する図
【図７】本発明の一実施形態に係る膜厚センサとレーザセンサとの位置関係を説明する断面図
【図８】膜厚とインダクタンス成分の変化量との関係の一例を示すグラフ
【図９】(ａ)：本発明の一実施形態に係るリフタの構成を説明する平面図
(ｂ)：本発明の一実施形態に係るリフタの構成を説明する断面図
【図１０】(ａ)：本発明の一実施形態に係るリフタにウエハを載せる際の状態を説明する第１の図
(ｂ)：本発明の一実施形態に係るリフタにウエハを載せる際の状態を説明する第２の図
(ｃ)：本発明の一実施形態に係るリフタにウエハを載せた状態を説明する平面図
【図１１】本発明の一実施形態に係る膜厚測定装置の動作を説明する第１の図
【図１２】本発明の一実施形態に係る膜厚測定装置の動作を説明する第２の図
【図１３】本発明の一実施形態に係る膜厚測定装置の動作を説明する第３の図
【図１４】本発明の一実施形態に係る膜厚測定装置の動作を説明する第４の図
【図１５】本発明の一実施形態に係る膜厚測定装置の動作を説明する第５の図
【図１６】本発明の一実施形態に係る膜厚測定装置の動作を説明する第６の図
【図１７】本発明の一実施形態に係る膜厚測定装置の動作を説明する第７の図
【図１８】本発明の一実施形態に係る膜厚測定装置の動作を説明する第８の図
【図１９】本発明の一実施形態に係る膜厚測定装置の動作を説明する第９の図
【図２０】本発明の一実施形態に係る膜厚測定装置の動作を説明する第１０の図
【図２１】本発明の一実施形態に係る膜厚測定装置の動作を説明する第１１の図
【図２２】本発明の一実施形態に係る膜厚測定装置の動作を説明する第１２の図
【図２３】本発明の一実施形態に係る膜厚測定装置の動作を説明する第１３の図
【図２４】本発明の一実施形態に係る膜厚測定装置の動作を説明する第１４の図
【図２５】本発明の一実施形態に係る膜厚測定装置の動作を説明する第１の平面図
【図２６】本発明の一実施形態に係る膜厚測定装置の動作を説明する第２の平面図
【図２７】本発明の一実施形態に係る膜厚測定装置の動作を説明する第３の平面図
【図２８】本発明の一実施形態に係る膜厚測定装置の動作を説明する第４の平面図
【図２９】本発明の一実施形態に係る膜厚測定装置の動作を説明する第５の平面図
【図３０】本発明の他の実施形態に係る真空マルチチャンバを説明する平面図
【図３１】本発明の他の実施形態に係る膜厚測定装置を説明する断面図
【図３２】(ａ)：従来用いられるウエハを説明する平面図
(ｂ)：従来用いられるウエハを説明する断面図
【図３３】(ａ)：従来の膜厚測定方法を説明する平面図
(ｂ)：従来の膜厚測定方法を説明する断面図
【図３４】本発明のその他の実施形態の膜厚測定装置を説明する図
【符号の説明】
１……めっき成膜装置(成膜装置)
１３……支持台
１４1〜１４4……リフタ
１５1……発光装置
１５2……受光装置
２５……測定装置
３１……測定コイル
３２……基準コイル
３６……交流電圧源(電源)
５０……ウエハ(基板)
５３……ノッチ(切り欠き)
８２……真空マルチチャンバ(成膜装置)
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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