(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
超純水製造供給装置における水経路に、溶存酸素濃度が２０μｇ／Ｌ以下であり、溶存水素濃度が１０〜５０μｇ／Ｌとなるように水素ガスを溶解した超純水であって、酸化還元電位が、Ａｇ｜ＡｇＣｌ｜３.３３Ｍ ＫＣｌを比較電極として、−２００ｍＶ以下である超純水を通水することを特徴とする超純水製造供給装置の抗菌方法。
【請求項２】
超純水製造装置、超純水製造装置からユースポイントへの超純水送り配管及びユースポイントからの超純水戻り配管の任意の位置の水経路に、水素ガス供給装置を接続してなることを特徴とする請求項１記載の抗菌方法に用いる抗菌装置。
【請求項３】
水素ガス供給装置の接続位置が、超純水製造装置のサブシステムに設けられた紫外線照射装置の後段である請求項２記載の抗菌装置。
【請求項４】
水経路に、酸化還元電位計又は溶存水素計が設けられてなり、該酸化還元電位計又は溶存水素計の測定値により、水素ガス供給装置の水素ガス供給量を制御する請求項２記載の抗菌装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、超純水製造供給装置の抗菌方法及び抗菌装置に関する。さらに詳しくは、本発明は、超純水製造供給装置のサブシステムや、端末配管システムを、装置を停止することなく抗菌処理することができる超純水製造供給装置の抗菌方法及び抗菌装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、半導体、液晶基板などの洗浄用水などとして用いられる超純水は、前処理システム、一次純水システム、サブシステム及び端末配管システムから構成される超純水製造供給装置で、工業用水、市水、井水などの原水を処理することにより製造され、ユースポイントへ供給されている。このうち、サブシステムＡは、図１に示す如く、純水タンク１、ポンプ２、低圧紫外線（ＵＶ）照射装置３、イオン交換装置４及び限外ろ過（ＵＦ）膜分離装置５で構成され、限外ろ過膜分離装置で得られる超純水は、端末配管システムＢの送り配管６Ａから分岐する分岐配管６ａ、６ｂ、６ｃ・・・６ｎを経て、各ユースポイント７Ａ、７Ｂ、７Ｃ・・・７Ｎに供給される。余剰の超純水は、戻り配管６ＢによりサブシステムＡの純水タンク１に戻され再使用される。
溶存酸素や有機物が極めて少ない超純水においても、超純水製造供給装置の系内に微生物が存在し、さらに増殖可能であることは公知である。半導体、液晶分野向けなどの超純水製造供給装置においては、サブシステム及び端末配管システムは、装置起動時に殺菌され、さらに起動後は６〜１２ケ月に一度の頻度で、微生物の繁殖を防止する目的で定期的に殺菌される。
従来、超純水製造供給装置の殺菌方法としては、過酸化水素水による殺菌方法や、６０〜９０℃の熱水による殺菌方法が行われていた。従来の殺菌方法のうち、過酸化水素水による殺菌は、通常１〜５重量％濃度の過酸化水素水を系内に循環させることにより行われるが、殺菌後の過酸化水素水の押し出し洗浄に５〜１２時間の長時間を要するという問題があった。また、熱水による殺菌では、押し出し洗浄の問題はないが、配管部材の耐熱性を高める必要があり、部材コストが高騰するという問題があった。このために、過酸化水素水や熱水を使用しない殺菌方法が検討されてきた。
例えば、特公昭６３−２４４３３号公報には、操作が簡便で廃水も発生しない経済的な殺菌方法として、高純度水にオゾンを注入して閉水路を還流させて殺菌したのち、紫外線照射によりオゾンを分解せしめる高純度水供給システムの殺菌方法が提案されている。しかし、オゾンの注入による殺菌では、オゾンの自己分解速度が速く、端末配管システムの末端まで殺菌に必要なオゾン濃度を維持、制御することが困難であった。また、特開平６−７１２６９号公報には、低濃度過酸化水素水を用いて、短時間で効率的に安価に殺菌するとともに、殺菌処理後の洗浄処理を容易にする殺菌方法として、０.０１〜０.１重量％の過酸化水素溶液を３０〜６０℃に加温して使用する、いわゆる中温過酸化水素水殺菌法が提案されている。この方法は、１〜５重量％濃度の過酸化水素水を循環させる方法と同等の殺菌効果を有するが、殺菌時に超純水製造供給装置を停止することが必要であり、２〜３時間の押し出し洗浄を必要とする。
現在、半導体、液晶分野では、超純水製造供給装置を１年以上停止することなく、連続稼働させることが要求されており、超純水製造供給装置を停止することなく系内の微生物の増殖を抑制する方法が強く望まれている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、超純水製造供給装置のサブシステムや、端末配管システムを、装置を停止することなく抗菌処理することができる超純水製造供給装置の抗菌方法及び抗菌装置を提供することを目的としてなされたものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記の課題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、超純水中に水素ガスを添加し、超純水の酸化還元電位を負にすると、水中に存在していた微生物が徐々に減少するという特異な現象を見いだし、この知見に基づいて本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明は、
（１）超純水製造供給装置における水経路に、溶存酸素濃度が２０μｇ／Ｌ以下であり、溶存水素濃度が１０〜５０μｇ／Ｌとなるように水素ガスを溶解した超純水であって、酸化還元電位が、Ａｇ｜ＡｇＣｌ｜３.３３Ｍ ＫＣｌを比較電極として、−２００ｍＶ以下である超純水を通水することを特徴とする超純水製造供給装置の抗菌方法、
（２）超純水製造装置、超純水製造装置からユースポイントへの超純水送り配管及びユースポイントからの超純水戻り配管の任意の位置の水経路に、水素ガス供給装置を接続してなることを特徴とする第(１)項記載の抗菌方法に用いる抗菌装置、
（３）水素ガス供給装置の接続位置が、超純水製造装置のサブシステムに設けられた紫外線照射装置の後段である第(２)項記載の抗菌装置、及び、
（４）水経路に、酸化還元電位計又は溶存水素計が設けられてなり、該酸化還元電位計又は溶存水素計の測定値により、水素ガス供給装置の水素ガス供給量を制御する第(２)項記載の抗菌装置、
を提供するものである。
さらに、本発明の好ましい態様として、
（５）一次純水システムの触媒脱気装置に過剰の水素ガスを供給し、触媒脱気装置より溶存水素ガスを漏出させることにより、水素ガスを溶解した超純水とする第(１)項記載の超純水製造供給装置の抗菌方法、
（６）水素ガス供給装置の接続位置が、サブシステムの純水タンクである第(２)項記載の超純水製造供給装置の抗菌装置、及び、
（７）水素ガス供給装置が、純水タンク中において、窒素ガス／水素ガスの体積比が５０以上となるように水素ガスを供給する第(６)項記載の超純水製造供給装置の抗菌装置、
を挙げることができる。
【０００５】
【発明の実施の形態】
本発明の超純水製造供給装置の抗菌方法は、超純水製造供給装置における水経路に、溶存酸素濃度が５０μｇ／Ｌ以下であり、水素ガスを溶解した、酸化還元電位が負の値を示す超純水を通水するものである。本発明の超純水製造供給装置の抗菌装置は、超純水製造装置、超純水製造装置からユースポイントへの超純水送り配管、ユースポイントからの超純水戻り配管の任意の位置の水経路に、水素ガス供給装置を接続してなるものである。
図２は、本発明方法及び本発明装置の一態様の工程系統図である。本態様においては、サブシステムＡが、純水タンク１、ポンプ２、低圧紫外線（ＵＶ）照射装置３、イオン交換装置４及び限外ろ過（ＵＦ）膜分離装置５で構成され、限外ろ過膜分離装置で得られる超純水は、端末配管システムＢの送り配管６Ａから分岐する分岐配管６ａ、６ｂ、６ｃ・・・６ｎを経て、各ユースポイント７Ａ、７Ｂ、７Ｃ・・・７Ｎに供給される。余剰の超純水は、戻り配管６ＢによりサブシステムＡの純水タンク１に戻され再使用される。また、超純水の酸化還元電位又は溶存水素濃度を測定する計器８が水経路に設けられ、計器より信号を受けた制御器９から水素ガス供給装置１０に信号が送られ、超純水への水素ガスの供給量が、所定の酸化還元電位又は溶存水素濃度を保つように制御される。
本発明方法において、超純水製造供給装置の水経路に通水される超純水の溶存酸素濃度は５０μｇ／Ｌ以下であり、より好ましくは２０μｇ／Ｌ以下であり、さらに好ましくは５μｇ／Ｌ以下である。溶存酸素濃度が低いほど、少量の水素ガスの溶解により超純水の酸化還元電位が低下し、短時間で抗菌効果が発現して、細菌、真菌類などの微生物が死滅し、あるいは、増殖が抑制される。超純水は、通常一次純水システムにおいて脱気されているので、溶存酸素濃度は低いが、必要に応じて、さらに真空脱気、減圧膜脱気などにより溶存酸素濃度を低下させることができる。
【０００６】
本発明方法においては、超純水製造供給装置の水経路に、溶存酸素濃度が５０μｇ／Ｌ以下であり、水素ガスを溶解した、酸化還元電位が負の値を示す超純水を通水する。ここにいう酸化還元電位は、３.３３Ｍ ＫＣｌを内部液とするＡｇ／ＡｇＣｌ電極を比較電極として用いて測定した値である。基準電極として広く用いられている標準水素電極を用いて測定した酸化還元電位をＥＮＨＥ、３.３３Ｍ ＫＣｌを内部液とするＡｇ／ＡｇＣｌ電極を比較電極として用いて測定した酸化還元電位をＥとすると、ＥＮＨＥとＥの間には次式で表される関係がある。ただし、ｔは水温（℃）である。
ＥＮＨＥ（ｍＶ）＝ Ｅ ＋ ２０６ −０.７(ｔ−２５)（ｍＶ）
超純水製造装置により製造される超純水の酸化還元電位は、通常３００ｍＶ程度であり、水中の溶存酸素濃度が上昇すると、酸化還元電位は４００ｍＶ程度まで上昇する。超純水に水素ガスを溶解すると、酸化還元電位が低下して負の値を示すようになり、特に溶存酸素が除去された超純水は、水素ガスの溶解により酸化還元電位が急激に低下する。超純水中における微生物の増殖は、超純水の酸化還元電位と密接に関係し、酸化還元電位が負になると抗菌効果が発現し、超純水の微生物が減少する。本発明方法において、超純水の酸化還元電位は、−２００ｍＶ以下であることが好ましく、−３００ｍＶ以下であることがより好ましい。本発明方法において、超純水への水素ガスの溶解量に特に制限はなく、超純水の溶存酸素濃度、要求される抗菌性能などに応じて適宜選択することができるが、通常は溶存水素濃度が１〜１００μｇ／Ｌとなるように溶解することが好ましく、１０〜５０μｇ／Ｌとなるように溶解することがより好ましい。超純水の溶存酸素濃度が低い場合は、水素ガスをわずかに溶解することにより、酸化還元電位が大きく低下し、抗菌効果が発現する。溶存水素濃度が１００μｇ／Ｌを超えると、安全性に対する特別な配慮が必要となり、経済的にも不利となるおそれがある。
超純水の酸化還元電位は、亜硫酸水素ナトリウムＮａＨＳＯ3などの還元剤を添加することによっても低下させることができるが、このような塩類を添加すると、半導体や液晶基板の洗浄に対して悪影響がある。本発明方法においては、水素ガスの溶解により酸化還元電位を低下させるので、被洗浄物に対して還元剤による悪影響を与えるおそれがない。
【０００７】
本発明方法において、水素ガスの溶解は、水素ガスを連続的に添加して行うことができ、あるいは、断続的に添加して行うこともできる。また、超純水製造供給装置の立ち上げ時に、従来より行われていた過酸化水素水又は熱水による殺菌を行い、その後の定常運転時に、本発明方法により超純水の酸化還元電位が負になるよう水素ガスを溶解することもできる。
本発明方法に用いる水素ガスに特に制限はなく、例えば、炭化水素ガスの部分酸化分解又は水蒸気改質、深冷精製法、メタノールの分解又は水蒸気改質、水の電気分解又は熱化学的分解などによる水素ガスのほか、水素ガスボンベを使用することもできる。本発明方法において、超純水に水素ガスを溶解させる方法に特に制限はなく、例えば、気体透過膜モジュールを用いて溶解させることができ、水素ガスをバブリングすることにより溶解させることもでき、あるいは、エジェクタを用いて水素ガスを添加することもできる。超純水と水素ガスが気液混合状態となる場合は、水経路にインラインミキサなどを設けて、水素ガスの溶解を促進することができる。
本発明方法において、超純水への水素ガスの供給位置に特に制限はなく、超純水製造装置、超純水製造装置からユースポイントへの超純水送り配管、ユースポイントからの超純水戻り配管の任意の位置において供給することができる。したがって、本発明装置においては、超純水製造装置、超純水製造装置からユースポイントへの超純水送り配管、ユースポイントからの超純水戻り配管の任意の位置の水経路に、水素ガス供給装置を接続することができる。さらに、水素ガス供給装置を、一次純水システムに設けることもできる。
図３は、本発明装置の一態様の工程系統図である。この一次純水システムは、被処理水を、活性炭吸着塔、イオン交換塔、真空脱気又は窒素ガス脱気を行う脱ガス装置、触媒脱気装置、逆浸透膜装置、非再生型イオン交換装置を順次経由して処理し、処理水をサブタンクに貯留したのちサブシステムに送給するものである。本態様においては、水中の溶存酸素を除去する目的で、被処理水に水素ガス供給装置より水素ガスを添加して触媒反応槽に通水する、いわゆる触媒脱気装置を配置し、水素ガスの添加量を過剰にして触媒脱気装置から溶存水素ガスをサブシステム以降に漏出させることにより、一次純水システムの水素ガス供給装置に、本発明装置の水素ガス供給装置の役割を兼ねさせる。
【０００８】
本発明装置において、水素ガス供給装置の接続位置は、超純水製造装置のサブシステムの紫外線照射装置の後段であることが好ましい。水素ガス供給装置を紫外線照射装置の後段とすることにより、紫外線照射装置における溶存水素の消費を防止することができる。
本発明装置において、水素ガス供給装置の接続位置をサブシステムの純水タンクとすることもできる。純水タンクは、通常酸素ガスの溶解を防止するために、窒素ガスなどの不活性ガスでパージされている。このパージガス中に水素ガスを供給することにより、純水タンクにおいて水素ガスを溶解させることができる。不活性ガスとして窒素ガスを用いる場合、純水タンク内の窒素ガス／水素ガスの容積比は５０以上であることが好ましい。窒素ガス／水素ガスの体積比が５０未満であると危険であり、安全性の面から特別な配慮が必要となる。
本発明装置においては、水経路に酸化還元電位計又は溶存水素計を設けることができる。さらに、酸化還元電位計又は溶存水素計の測定値により水素ガス供給装置の水素ガス供給量を制御し、超純水の酸化還元電位又は溶存水素濃度を所定の値に調整することができる。図２に示す態様においては、サブシステム内の送水ポンプ２の出口側に計器８を取り付け、酸化還元電位又は溶存水素濃度が所定の値になるように、送水ポンプ入口側での水素ガス供給量を制御し、あるいは、水素発生器の印加電圧を制御することができる。
本発明方法及び本発明装置により、超純水に水素ガスを溶解して超純水の酸化還元電位を低下させることによって、微生物の増殖を抑制し得る機構は明らかではないが、以下のような機構によるものと推定される。すなわち、一般に超純水中に存在する微生物は、主として、Ｂｕｒｋｈｏｌｄｅｒｉａ ｐｉｃｋｅｔｔｉｉ、Ｂｕｒｋｈｏｌｄｅｒｉａ ｇｌａｄｉｏｌｉ、Ｐｓｅｕｄｏｍｏｎａｓ ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｓなどのグラム陰性菌である。これらの細菌は、栄養源が極めて少ない超純水中では増殖できないが、配管の液溜まり部分で増殖したり、超純水中にわずかに不純物が混入すると増殖を始める。上記の細菌は好気性菌に属するものであり、μｇ／Ｌレベルの溶存酸素で生存することができる。しかし、超純水に水素ガスを溶解することにより、これらの細菌は嫌気下に曝され、次第に死滅していくものと考えられる。
【０００９】
【実施例】
以下に、実施例を挙げて本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例によりなんら限定されるものではない。
なお、実施例において、溶存酸素濃度は、溶存酸素計［東亜電波工業(株)、ＤＯ２０Ａ］を用い、溶存水素濃度は、溶存水素計［電気化学計器(株)、ＣＬＣ−１７１Ｄ型］を用い、酸化還元電位は、酸化還元電位計［(株)堀場製作所、Ｄ−２２］を用いて測定した。また、細菌数は、ＪＩＳ Ｋ ０５５０に準じて、ろ過試料量１Ｌとして測定した。
実施例１
超純水で十分に洗浄したテトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）製の三角フラスコ４個に、それぞれ溶存酸素濃度が５μｇ／Ｌであり、細菌が１,０００個／Ｌ存在する超純水１Ｌずつを入れた。これらの超純水に、水素ガスを吹き込んで溶存水素濃度１０μｇ／Ｌとした。
酸化還元電位は、−３００ｍＶであった。
三角フラスコをゴム栓で密栓し、室温でそれぞれ１日、３日、７日及び１５日間保存した。所定日数保存したのち、細菌数を測定した。細菌数は、１日後１０２個／Ｌ、３日後１０個／Ｌ、７日後と１５日後はいずれも０個／Ｌであった。
実施例２
溶存水素濃度を２０μｇ／Ｌとした以外は、実施例１と同じ操作を行った。酸化還元電位は−３５０ｍＶであり、細菌数は、１日後８０個／Ｌ、３日後３個／Ｌ、７日後と１５日後はいずれも０個／Ｌであった。
実施例３
溶存水素濃度を１００μｇ／Ｌとした以外は、実施例１と同じ操作を行った。
酸化還元電位は−４００ｍＶであり、細菌数は、１日後７６個／Ｌ、３日後以降はすべて０個／Ｌであった。
実施例４
実施例１と同様にして、三角フラスコ４個に、それぞれ溶存酸素濃度が５μｇ／Ｌであり、細菌が１,０００個／Ｌ存在する超純水１Ｌずつを入れた。これらの超純水に、酸素ガスと水素ガスを吹き込んで溶存酸素濃度２０μｇ／Ｌ、溶存水素濃度１０μｇ／Ｌとした。酸化還元電位は、−２００ｍＶであった。
三角フラスコをゴム栓で密栓し、室温でそれぞれ１日、３日、７日及び１５日間保存した。所定日数保存したのち、細菌数を測定した。細菌数は、１日後５００個／Ｌ、３日後１５０個／Ｌ、７日後３０個／Ｌ、１５日後１５個／Ｌであった。
実施例５
溶存水素濃度を２０μｇ／Ｌとした以外は、実施例４と同じ操作を行った。酸化還元電位は−２３０ｍＶであり、細菌数は、１日後１００個／Ｌ、３日後５０個／Ｌ、７日後１５個／Ｌ、１５日後０個／Ｌであった。
実施例６
溶存水素濃度を１００μｇ／Ｌとした以外は、実施例４と同じ操作を行った。
酸化還元電位は−３５０ｍＶであり、細菌数は、１日後１００個／Ｌ、３日後４５個／Ｌ、７日後７個／Ｌ、１５日後０個／Ｌであった。
実施例７
実施例１と同様にして、三角フラスコ４個に、それぞれ溶存酸素濃度が５μｇ／Ｌであり、細菌が１,０００個／Ｌ存在する超純水１Ｌずつを入れた。これらの超純水に、酸素ガスと水素ガスを吹き込んで溶存酸素濃度５０μｇ／Ｌ、溶存水素濃度１０μｇ／Ｌとした。酸化還元電位は、−１５０ｍＶであった。
三角フラスコをゴム栓で密栓し、室温でそれぞれ１日、３日、７日及び１５日間保存した。所定日数保存したのち、細菌数を測定した。細菌数は、１日後８００個／Ｌ、３日後２５０個／Ｌ、７日後５０個／Ｌ、１５日後５０個／Ｌであった。
実施例８
溶存水素濃度を２０μｇ／Ｌとした以外は、実施例７と同じ操作を行った。酸化還元電位は−２００ｍＶであり、細菌数は、１日後７５０個／Ｌ、３日後２００個／Ｌ、７日後４８個／Ｌ、１５日後４０個／Ｌであった。
実施例９
溶存水素濃度を１００μｇ／Ｌとした以外は、実施例７と同じ操作を行った。
酸化還元電位は−３００ｍＶであり、細菌数は、１日後３００個／Ｌ、３日後１２０個／Ｌ、７日後４３個／Ｌ、１５日後４０個／Ｌであった。
比較例１
実施例１と同様にして、三角フラスコ４個に、それぞれ溶存酸素濃度が５μｇ／Ｌであり、細菌が１,０００個／Ｌ存在する超純水１Ｌずつを入れた。これらの超純水に、酸素ガスと水素ガスを吹き込んで溶存酸素濃度５,０００μｇ／Ｌ、溶存水素濃度１０μｇ／Ｌとした。酸化還元電位は、４００ｍＶであった。
三角フラスコをゴム栓で密栓し、室温でそれぞれ１日、３日、７日及び１５日間保存した。所定日数保存したのち、細菌数を測定した。細菌数は、１日後１,０００個／Ｌ、３日後８００個／Ｌ、７日後７００個／Ｌ、１５日後７００個／Ｌであった。
比較例２
溶存水素濃度を２０μｇ／Ｌとした以外は、比較例１と同じ操作を行った。酸化還元電位は３８０ｍＶであり、細菌数は、１日後１,０００個／Ｌ、３日後８００個／Ｌ、７日後７００個／Ｌ、１５日後７００個／Ｌであった。
比較例３
溶存水素濃度を１００μｇ／Ｌとした以外は、比較例１と同じ操作を行った。
酸化還元電位は３００ｍＶであり、細菌数は、１日後１,０００個／Ｌ、３日後８００個／Ｌ、７日後７００個／Ｌ、１５日後７００個／Ｌであった。
比較例４
実施例１と同様にして、三角フラスコ４個に、それぞれ溶存酸素濃度が５μｇ／Ｌであり、細菌が１,０００個／Ｌ存在する超純水１Ｌずつを入れた。酸化還元電位は、３００ｍＶであった。
これらの超純水にガスを吹き込むことなく、三角フラスコをゴム栓で密栓し、室温でそれぞれ１日、３日、７日及び１５日間保存した。所定日数保存したのち、細菌数を測定した。細菌数は、１日後１,０００個／Ｌ、３日後７００個／Ｌ、７日後７００個／Ｌ、１５日後７００個／Ｌであった。
実施例１〜９及び比較例１〜４の結果を、第１表に示す。
【００１０】
【表１】
0004565364.tif 000002
【００１１】
第１表に見られるように、溶存酸素濃度が５,０００μｇ／Ｌと高い比較例１〜３の超純水及び溶存酸素濃度が５μｇ／Ｌと低いが、水素ガスを溶解していない比較例４の超純水は、酸化還元電位が正で３００ｍＶ以上であり、１５日経過後も、三角フラスコ中の細菌数は７０％程度にしか減少していない。これに対して、溶存酸素濃度が５μｇ／Ｌであり、水素ガスを溶解した実施例１〜３の超純水は、酸化還元電位が負で−３００ｍＶ以下であり、三角フラスコ中の細菌は、３日経過後にはほぼ死滅し、７日経過後には完全に０個／Ｌになっている。溶存酸素濃度が２０μｇ／Ｌであり、水素ガスを溶解した実施例４〜６の超純水、溶存酸素濃度が５０μｇ／Ｌであり、水素ガスを溶解した実施例７〜９の超純水も、酸化還元電位は負であり、三角フラスコ中の細菌は、実施例４〜６の超純水では１５日経過後にはほぼ０個／Ｌとなり、実施例７〜９の超純水でも１５日経過後には、細菌数は最初の５％以下となっている。これらの結果から、溶存酸素濃度の低い超純水に水素ガスを溶解することによって、超純水中の細菌数が減少することが確認された。
実施例１０
図２に示される超純水製造供給装置テストプラントを用いて、水素ガスの溶解による抗菌効果を試験した。このプラントの超純水の水質は、溶存酸素濃度５μｇ／Ｌ以下、有機体炭素２μｇ／Ｌ以下、比抵抗値１８.２ＭΩ・cm以上である。また、端末配管の材質はポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）であり、超純水循環量は１.５ｍ3／ｈである。
ポンプと紫外線照射装置の間に溶存水素計［電気化学計器(株)、ＣＬＣ−１７１Ｄ型］を設置して超純水の溶存水素濃度を測定し、信号を水素ガス発生器［ジーエルサイエンス社、ＨＧ２６０］に送って、超純水の水素ガスの溶解量が１０〜２０μｇ／Ｌとなるように制御した。端末配管システムで超純水をサンプリングし、ＪＩＳ Ｋ ０５５０に準じ、ろ過試料量１Ｌとして定期的に細菌数を測定した。
水素ガスの供給を開始する以前の超純水中の細菌数は１００個／Ｌであったが、水素ガスの供給を開始して３日後に２０個／Ｌ、７日後に０個／Ｌとなり、その後も細菌が増殖してくることはなかった。
実施例１０の結果を、第２表に示す。
【００１２】
【表２】
0004565364.tif 000003
【００１３】
第２表に見られるように、超純水製造供給装置テストプラントにおいても、本発明の抗菌方法が有効であり、超純水中の細菌の発生と増殖を完全に抑制し得ることが確認された。
【００１４】
【発明の効果】
本発明の超純水製造供給装置の抗菌方法及び抗菌装置によれば、超純水製造供給装置を停止することなしに、サブシステム及び端末配管系内において殺菌及び微生物の増殖を抑制することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、超純水製造供給装置の一例の工程系統図である。
【図２】図２は、本発明装置の一態様の工程系統図である。
【図３】図３は、本発明装置の他の態様の工程系統図である。
【符号の説明】
Ａ  サブシステム
Ｂ  端末配管システム
１  純水タンク
２  ポンプ
３  低圧紫外線（ＵＶ）照射装置
４  イオン交換装置
５  限外ろ過（ＵＦ）膜分離装置
６Ａ  送り配管
６Ｂ  戻り配管
６ａ〜６ｎ  分岐配管
７Ａ〜７Ｎ  ユースポイント
８  計器
９  制御器
１０  水素ガス供給装置
【図１】
0004565364.tif 000004
【図２】
0004565364.tif 000005
【図３】
0004565364.tif 000006