(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体素子が形成された半導体ウェハを半導体素子に分割する半導体ウェハの処理方法であって、
前記半導体ウェハの回路形成面にシート状の支持部材を貼り付ける支持部材貼付工程と、前記回路形成面の裏面に接着剤層を形成する接着剤層形成工程と、前記接着剤層に重ねてマスク層を形成するマスク層形成工程と、前記マスク層が形成された半導体ウェハに対してレーザ光を相対的に移動させながら前記マスク層にレーザ光を照射して隣接する半導体素子相互を区分する境界線領域のマスク層および接着剤層を除去するレーザ加工工程と、前記境界線領域のマスク層および接着剤層が除去されかつ前記回路形成面に支持部材が貼り付けられた状態の半導体ウェハをプラズマ処理することにより前記半導体ウェハの前記境界線領域をプラズマエッチングにより除去して半導体素子毎に分割するプラズマダイシング工程とを含むことを特徴とする半導体ウェハの処理方法。
【請求項２】
前記接着層形成工程に先立って、前記裏面を加工して半導体ウェハを薄化する薄化工程を実行することを特徴とする請求項１記載の半導体ウェハの処理方法。
【請求項３】
前記プラズマダイシング後に前記接着剤層からマスク層を除去するマスク層除去工程と、前記プラズマダイシング後に前記回路形成面から前記支持部材を除去して前記接着剤層に粘着シートを貼り付ける粘着シート貼付工程とを含むことを特徴とする請求項１記載の半導体ウェハの処理方法。
【請求項４】
前記粘着シート貼付工程後に前記半導体素子を接着剤層とともに前記粘着シートから剥がして基板に移送搭載するダイボンディング工程を含むことを特徴とする請求項１記載の半導体ウェハの処理方法。
【請求項５】
前記支持部材は絶縁シートであることを特徴とする請求項１記載の半導体ウェハの処理方法。
【請求項６】
前記支持部材は前記半導体ウェハと同サイズであることを特徴とする請求項１記載の半導体ウェハの処理方法。
【請求項７】
前記粘着シートは、前記半導体ウェハよりもサイズが大きく、且つ周囲を治具によって固定されていることを特徴とする請求項３記載の半導体ウェハの処理方法。
【請求項８】
前記接着剤層とマスク層を一体に積層した接着剤層付きシートを前記裏面に貼り付けることにより、前記接着剤層形成工程と前記マスク層形成工程とを同時に行うことを特徴とする請求項１記載の半導体ウェハの処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の半導体素子が形成された半導体ウェハを半導体素子の個片毎に分割する処理を含む一連の処理を行う半導体ウェハの処理方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の基板などに実装される半導体装置は、ウェハ状態で回路パターン形成が行われた半導体素子に、リードフレームのピンや金属バンプなどを接続するとともに、樹脂などで封止するパッケージング工程を経て製造されている。最近の電子機器の小型化に伴って半導体装置の小型化も進み、中でも半導体素子を薄くする取り組みが活発に行われている。
【０００３】
薄化された半導体素子は外力に対する強度が弱く、特にウェハ状態の半導体素子を素子毎に分離するダイシング工程においては、切断時にダメージを受けやすく、加工歩留まりの低下が避けられないという問題点がある。このような薄化された半導体素子を切断する方法として、機械的な切断方法に替えてプラズマのエッチング作用によって切断溝を形成することにより半導体ウェハを切断する方法（プラズマダイシング）が提案されている（例えば特許文献１参照）。
【０００４】
このプラズマダイシングでは、半導体ウェハにおいて切断対象となる境界部分のみをプラズマに対して露呈させる目的で、半導体素子の境界線配置に対応したパターンのダイシングマスクが半導体ウェハに重ねて形成される。
【特許文献１】特開２００２−９３７５２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述のダイシングマスクは、一般にフォトリソグラフを用いた光学的方法によって形成される。しかしながら、フォトリソグラフによるダイシングマスク形成を行う場合には、工程コストの高い複雑な処理工程が付加されることから、ダイシング工程の全体コストが増大するという難点があった。
【０００６】
そこで本発明は、低コストでプラズマダイシングを実現することができる半導体ウェハの処理方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
請求項１記載の本発明の半導体ウェハの処理方法は、複数の半導体素子が形成された半導体ウェハを半導体素子に分割する半導体ウェハの処理方法であって、前記半導体ウェハの回路形成面にシート状の支持部材を貼り付ける支持部材貼付工程と、前記回路形成面の裏面に接着剤層を形成する接着剤層形成工程と、前記接着剤層に重ねてマスク層を形成するマスク層形成工程と、前記マスク層が形成された半導体ウェハに対してレーザ光を相対的に移動させながら前記マスク層にレーザ光を照射して隣接する半導体素子相互を区分する境界線領域のマスク層および接着剤層を除去するレーザ加工工程と、前記境界線領域のマスク層および接着剤層が除去されかつ前記回路形成面に支持部材が貼り付けられた状態の半導体ウェハをプラズマ処理することにより前記半導体ウェハの前記境界線領域をプラズマエッチングにより除去して半導体素子毎に分割するプラズマダイシング工程とを含む。
【０００８】
請求項２記載の本発明の半導体ウェハの処理方法は、請求項１記載の半導体ウェハの処
理方法において、前記接着層形成工程に先立って、前記裏面を加工して半導体ウェハを薄化する薄化工程を実行する。
【０００９】
請求項３記載の本発明の半導体ウェハの処理方法は、請求項１記載の半導体ウェハの処理方法において、前記プラズマダイシング後に前記接着剤層からマスク層を除去するマスク層除去工程と、前記プラズマダイシング後に前記回路形成面から前記支持部材を除去して前記接着剤層に粘着シートを貼り付ける粘着シート貼付工程とを含む。
【００１０】
請求項４記載の本発明の半導体ウェハの処理方法は、請求項１記載の半導体ウェハの処理方法において、前記粘着シート貼付工程後に前記半導体素子を接着剤層とともに前記粘着シートから剥がして基板に移送搭載するダイボンディング工程を含む。
【００１１】
請求項５記載の本発明の半導体ウェハの処理方法は、請求項１記載の半導体ウェハの処理方法において、前記支持部材は絶縁シートである。
【００１２】
請求項６記載の本発明の半導体ウェハの処理方法は、請求項１記載の半導体ウェハの処理方法において、前記支持部材は前記半導体ウェハと同サイズである。
【００１３】
請求項７記載の本発明の半導体ウェハの処理方法は、請求項３記載の半導体ウェハの処理方法において、前記粘着シートは、前記半導体ウェハよりもサイズが大きく、且つ周囲を治具によって固定されている。
【００１４】
請求項８記載の本発明の半導体ウェハの処理方法は、請求項１記載の半導体ウェハの処理方法において、前記接着剤層とマスク層を一体に積層した接着剤層付きシートを前記裏面に貼り付けることにより、前記接着剤層形成工程と前記マスク層形成工程とを同時に行う。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、半導体ウェハをプラズマエッチングにより除去して半導体素子毎に分割するプラズマダイシングに先だって、マスク層が形成された半導体ウェハに対してレーザ光を照射して隣接する半導体素子相互を区分する境界線領域のマスク層および接着剤層を除去するレーザ加工を行うことにより、工程コストの高い複雑な処理工程を行うことなくダイシングマスクを形成することができ、低コストでプラズマダイシングを実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
（参考例１）
図１、図２は本発明の参考例１の半導体ウェハの処理方法の工程説明図、図３は本発明の参考例１の半導体ウェハの処理方法において使用されるレーザ加工装置の斜視図、図４は本発明の参考例１の半導体ウェハの処理方法において使用されるプラズマ処理装置の断面図、図５は本発明の参考例１の半導体ウェハの処理方法において使用されるダイボンディング装置の斜視図、図６は本発明の参考例１の半導体ウェハの処理方法におけるダイボンディング工程の工程説明図である。
【００１７】
まず、図１，図２を参照して、半導体ウェハの処理方法について説明する。ここでは複数の半導体素子が形成された半導体ウェハを、半導体素子の個片毎に分割する処理を含む一連の処理を行う方法について示している。
【００１８】
図１（ａ）において、半導体ウェハ１には複数の半導体素子が形成されており、半導体ウェハ１の回路形成面１ａには半導体素子毎に回路形成部２が設けられている。回路形成
部２の上面には、外部接続用電極３が形成されている。処理が開始されるとまず、図１（ｂ）に示すように、回路形成面１ａの反対側の表面、すなわち裏面１ｂには、シート状の支持部材４が貼り付けられる（支持部材貼付工程）。
【００１９】
支持部材４は樹脂などの絶縁性材質より成る絶縁シートであり、半導体ウェハ１に貼り付けた状態において半導体ウェハ１の外周側に張り出さないよう、半導体ウェハ１と同サイズのものが用いられる。これにより、後述するプラズマダイシング工程において、半導体ウェハ１からはみ出した支持部材４がプラズマによって焼損するダメージを防止することができる。
【００２０】
この後、図１（ｃ）に示すように、回路形成面１ａにはマスク層５が形成される（マスク層形成工程）。マスク層５は、後述するプラズマダイシング工程において用いられるマスクパターンを形成するためのものであり、フッ素系ガスを用いたプラズマに対して耐性を有する材質、例えばアルミニウムや樹脂で形成される。
【００２１】
アルミニウムを用いる場合には、蒸着処理によってアルミ薄膜を回路形成面１ａに形成する方法や、箔状のアルミ膜を貼り付ける方法などが用いられる。また樹脂を使用する場合には、膜状に形成された樹脂を貼り付ける方法や、液状の樹脂をスピンコートなどの方法で回路形成面１ａ上に塗布する方法などを用いることができる。
【００２２】
次いで、図２（ａ）に示すように、マスク層５にレーザ照射部６によりレーザ光６ａを照射して、隣接する半導体素子相互を区分する境界線領域５ａのマスク層５を除去する（レーザ加工工程）。このレーザ加工は、マスク層５が形成された半導体ウェハ１に対してレーザ光６ａを相対的に移動させながら行われる。
【００２３】
図３を参照して、レーザ加工装置について説明する。図３において、ウェハ保持部１０上にはマスク層５が形成された半導体ウェハ１が保持されている。ウェハ保持部１０の上方には、レーザ照射部６およびカメラ１８が装着された移動プレート１７が、移動機構１６によって移動自在に配設されている。レーザ照射部６はレーザ発生部１３によって発生したレーザ光を下方の半導体ウェハ１に対して照射する。
【００２４】
カメラ１８は赤外線カメラであり、下方に位置した半導体ウェハ１を赤外光により撮像する。このとき、マスク層５を透視して半導体ウェハ１の回路形成面の回路パターンや認識マークなどを撮像することができる。そして撮像結果を認識部１５によって認識処理することにより、半導体ウェハ１の位置や回路パターンの配列を検出できるようになっている。
【００２５】
レーザ発生部１３、認識部１５、移動機構１６は制御部１４によって制御され、制御部１４が操作・入力部１１からの操作指令に基づきこれら各部を制御する際には、ワークデータ記憶部１２に記憶されたデータが参照される。ワークデータ記憶部１２には、ダイシングライン、すなわち隣接する半導体素子相互を区分する境界線の位置に関するデータや、ダイシング幅、すなわち図２（ａ）に示す境界線領域５ａの除去幅に関するデータが記憶されている。ワークデータ記憶部１２へのデータ書き込みは、操作・入力部１１によって行えるようになっている。
【００２６】
このレーザ加工装置によって半導体ウェハ１を対象としたレーザ加工を実行する際には、制御部１４は、認識部１５によって検出された半導体ウェハ１の実際の位置と、ワークデータ記憶部１２に記憶されたダイシングラインの位置を示すデータに基づき、移動機構１６を制御する。これにより、移動機構１６はレーザ照射部６を半導体ウェハ１の上面においてダイシングラインに沿って移動させる。そして制御部１４がダイシング幅に関する
データに基づいてレーザ発生部１３を制御することにより、レーザ照射部６からダイシング幅に応じた除去幅でマスク層５を除去するのに適切な出力のレーザ光が照射される。そしてこのレーザ加工により、半導体ウェハ１表面のマスク層５において半導体素子相互を区分する境界線領域５ａのみが除去されたマスクパターンが形成される。
【００２７】
このようにして境界線領域のマスク層が除去されてマスクパターンが形成されかつ裏面１ｂに支持部材４が貼り付けられた状態の半導体ウェハ１は、図２（ｂ）に示すようにプラズマダイシング工程に送られる。ここでは、前述状態の半導体ウェハ１をプラズマ処理することにより、半導体ウェハ１の境界線領域１ｄ、すなわちマスク層５における境界線領域５ａに対応する部分を、プラズマエッチングにより除去し、これにより半導体ウェハ１を個片の半導体素子１ｃ毎に分割する。
【００２８】
このプラズマダイシング工程を行うプラズマ処理装置について、図４を参照して説明する。図４において、真空チャンバ２０の内部は半導体ウェハ１を対象としたプラズマ処理を行うための密閉された処理空間となっている。真空チャンバ２０の内部には高周波側電極２１およびガス供給電極２３が対向して配置されている。高周波側電極２１上には、処理対象の半導体ウェハ１が周囲を絶縁リング２２によって囲まれた状態で載置され、真空吸引または静電吸引によって保持される。
【００２９】
ガス供給電極２３に設けられたガス供給孔２３ａには、制御バルブ２５を介してプラズマ発生用ガス供給部２６によりフッ素系のプラズマ発生用ガスが供給される。供給されたプラズマ発生用ガスは、ガス供給電極２３の下面に装着された多孔質プレート２４を介して、高周波側電極２１上の半導体ウェハ１に対して均一に吹き付けられる。
【００３０】
この状態で、高周波電源部２７を駆動して高周波側電極２１に高周波電圧を印加することにより、ガス供給電極２３と高周波側電極２１との間にはフッ素系ガスのプラズマが発生し、これにより前述のように、シリコンを材質とする半導体ウェハ１の境界線領域１ｄのみをプラズマエッチングによって除去するプラズマダイシングが行われる。このプラズマダイシング過程においては、冷却ユニット２８を駆動して冷媒を高周波電極２１内に循環させ、プラズマの熱によって半導体ウェハ１が昇温するのを防止する。
【００３１】
次に、図２（ｃ）に示すように、プラズマダイシング後に各半導体素子１ｃの裏面１ｂから支持部材４を除去して、裏面１ｂに粘着シート７を貼り付ける（粘着シート貼付工程）。具体的には、半導体素子１ｃの回路形成面１ａを仮付用のシートに貼り付けた状態で支持部材４を剥がし、その後粘着シートを貼り付ける。ここで粘着シート７は、前述の半導体ウェハ１よりもサイズが大きく、且つ周囲を図５に示すウェハリング３１（治具）によって固定されており、これ以降の工程においては、ウェハリング３１を把持してハンドリングが行われる。
【００３２】
そしてこの後、各半導体素子１ｃの回路形成面に貼り付けられていた分割状態のマスク層５ｂを回路形成面１ａから剥ぎ取って除去する（マスク層除去工程）。これにより図２（ｄ）に示すように、各半導体素子１ｃは粘着シート７上に格子配列で回路形成面を上向きにして保持された状態となり、以下に説明するダイボンディング工程においては、半導体素子１ｃはこの状態で供給される。
【００３３】
次にダイボンディング工程について説明する。図５に示すように、ウェハリング保持テーブル３０には、粘着シート７が固定されたウェハリング３１が保持されている。粘着シート７に貼付けられた半導体素子１ｃはボンディングヘッド３２の吸着ノズル３３によってはぎ取られて、基板ホルダ３４に保持された基板３５に移送搭載され、接着剤によりボンディングされる。
【００３４】
このボンディング動作について、図６を参照して説明する。図６（ａ）に示すように、基板ホルダ３４に保持された基板３５のボンディング位置には予め接着剤３６が塗布されている。半導体素子１ｃを粘着シート７から剥ぎ取った吸着ノズル３３は半導体素子１ｃを基板３５上に移送し、ボンディング位置に位置合わせする。この後図６（ｂ）に示すように、吸着ノズル３３を下降させて半導体素子１ｃを接着剤３６を介して基板３５に着地させ、所定のボンディング荷重で押圧する。
【００３５】
このとき、必要に応じ基板ホルダ３４に内蔵された加熱手段によって基板３５を加熱するようにしてもよい。そして所定のボンディング時間が経過した後、吸着ノズル３３を上昇させることにより、図６（ｃ）に示すように、回路形成面を上向きにした半導体素子１ｃは、固化した接着剤３６によって基板３５に固着される。
【００３６】
なお上述の半導体ウェハの処理方法においては、マスク層形成工程に引き続いてレーザ加工工程を実行した後に、支持部材貼付工程を行うようにしてもよい。また粘着シート貼付工程とマスク除去工程の順序を入れ替えて、マスク除去を行った後に粘着シート７を貼り付けるようにしてもよい。特に、マスク除去をプラズマ処理によって除去（プラズマアッシング）する場合には、支持部材４を貼り付けた状態でプラズマ処理を行い、その後支持部材４を剥がして粘着シート７を貼り付けるようにする。
【００３７】
（参考例２）
図７、図８は本発明の参考例２の半導体ウェハの処理方法の工程説明図である。参考例２は、参考例１と同様に複数の半導体素子が形成された半導体ウェハを半導体素子の個片毎に分割する処理を含む一連の処理を行う方法について示している。
【００３８】
図７（ａ）において、半導体ウェハ１には複数の半導体素子が形成されており、半導体ウェハ１の回路形成面１ａには半導体素子毎に回路形成部２が設けられている。回路形成部２の上面には、外部接続用電極３が形成されている。処理が開始されるとまず図７（ｂ）に示すように、回路形成面１ａには、参考例１における支持部材４と同様のシート状の支持部材４４が貼り付けられる（支持部材貼付工程）。
【００３９】
この後、支持部材４４が貼り付けられた半導体ウェハ１は機械研磨装置に送られ、図７（ｃ）に示すように、裏面１ｂ側を研磨加工することにより、半導体ウェハ１の厚みｄを薄化（例えば１００μｍ程度）する（薄化工程）。そしてこの後、図７（ｄ）に示すように、薄化された後の半導体ウェハ１の裏面１ｂには、参考例１におけるマスク層５と同様のマスク層４５が形成される（マスク層形成工程）。すなわち、参考例２においては、マスク層形成工程に先立って、裏面１ｂを加工して半導体ウェハ１を薄化する薄化工程を実行するようにしている。なお、薄化工程において、研磨加工後さらにプラズマ処理またはウェットエッチング処理により、研磨加工によって裏面１ｂ表層に形成されたダメージ層を除去するようにしてもよい。
【００４０】
次いで、図８（ａ）に示すように、マスク層４５にレーザ照射装置６によりレーザ光６ａを照射して、隣接する半導体素子相互を区分する境界線領域４５ａのマスク層４５を除去する（レーザ加工工程）。このレーザ加工は、参考例１と同様に、図３に示すレーザ加工装置を用いて行われる。
【００４１】
このようにして境界線領域のマスク層が除去されてマスクパターンが形成されかつ裏面１ｂに支持部材４４が貼り付けられた状態の半導体ウェハ１は、図８（ｂ）に示すようにプラズマダイシング工程に送られる。ここでは参考例１と同様に、薄化された半導体ウェハ１をプラズマ処理することにより、半導体ウェハ１の境界線領域１ｄ、すなわちマスク
層４５における境界線領域４５ａに対応する部分をプラズマエッチングにより除去し、これにより半導体ウェハ１を個片の半導体素子１ｃ毎に分割する。
【００４２】
次に、図８（ｃ）に示すように、プラズマダイシング後に各半導体素子１ｃの裏面１ｂに貼り付けられていた分割状態のマスク層４５ｂを剥ぎ取って除去する（マスク層除去工程）。そして回路形成面１ａから支持部材４４を除去した後、裏面１ｂに粘着シート７を貼り付ける（粘着シート貼付工程）。これにより図８（ｄ）に示すように、各半導体素子１ｃは粘着シート７上に格子配列で回路形成面を上向きにして保持された状態となり、参考例１と同様に、図５に示すダイボンディング装置によって、図６に示すダイボンディング動作と同様の過程で、基板３５にボンディングされる。
【００４３】
（実施の形態）
図９、図１０は本発明の実施の形態の半導体ウェハの処理方法の工程説明図、図１１は本発明の実施の形態の半導体ウェハの処理方法におけるダイボンディング工程の工程説明図である。本実施の形態は、参考例２と同様に複数の半導体素子が形成された半導体ウェハを半導体素子の個片毎に分割する処理を含む一連の処理を行う方法について示している。
【００４４】
図９において図９（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、参考例２において図７（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示す過程と同様である。そしてこの後、図９（ｄ）に示すように、薄化された後の半導体ウェハ１の裏面１ｂに、ダイボンディング用の接着剤層４８を形成する（接着剤層形成工程）。次いで、接着剤層４８に重ねて、参考例１に示すマスク層５と同様のマスク層５５を形成する（マスク層形成工程）。すなわち実施の形態においても、マスク層形成工程に先立って、裏面１ｂを加工して半導体ウェハ１を薄化する薄化工程を実行するようにしている。なお、接着剤層形成とマスク層形成とを個別に行わず、予め接着剤層とマスク層を一体に積層した接着剤層付きシートを貼り付けて、接着剤層形成工程とマスク層形成工程とを同時に行うようにしてもよい。
【００４５】
次いで、図１０（ａ）に示すように、マスク層５５および接着剤層４８にレーザ照射装置６によりレーザ光６ａを照射して、隣接する半導体素子相互を区分する境界線領域５５ａのマスク層５５および接着剤層４８を除去する（レーザ加工工程）。このレーザ加工は、参考例１と同様に、図３に示すレーザ加工装置を用いて行われる。
【００４６】
このようにして境界線領域５５ａのマスク層５５および接着剤層４８が除去されてマスクパターンが形成され、かつ回路形成面１ａに支持部材５４が貼り付けられた状態の半導体ウェハ１は、図１０（ｂ）に示すようにプラズマダイシング工程に送られる。ここでは参考例２と同様に、薄化された半導体ウェハ１をプラズマ処理することにより、半導体ウェハ１の境界線領域１ｄ、すなわちマスク層５５における境界線領域５５ａに対応する部分を、プラズマエッチングにより除去し、これにより半導体ウェハ１０１を個片の半導体素子１ｃ毎に分割する。
【００４７】
次に、図１０（ｃ）に示すように、プラズマダイシング後に各半導体素子１ｃの裏面１ｂに形成された接着剤層４８に重ねて貼り付けられていた分割状態のマスク層５５ｂを剥ぎ取って除去する（マスク層除去工程）。そして回路形成面１ａから支持部材５４を除去した、裏面１ｂに粘着シート７を貼り付ける（粘着シート貼付工程）。これにより図１０（ｄ）に示すように、各半導体素子１ｃは粘着シート７上に格子配列で回路形成面を上向きにして保持された状態となり、以下に説明するダイボンディング工程においては、半導体素子１ｃはこの状態で供給される。
【００４８】
次にボンディング動作について、図１１を参照して説明する。図１１（ａ）に示すよう
に、半導体素子１ｃを接着剤層４８とともに粘着シート７から剥ぎ取った吸着ノズル３３は、半導体素子１ｃを基板３５上に移送し、ボンディング位置に位置合わせする。この後図１１（ｂ）に示すように、吸着ノズル３３を下降させて半導体素子１ｃを基板３５に着地させ、所定のボンディング荷重で押圧する。
【００４９】
このとき、基板ホルダ３４に内蔵された加熱手段によって基板３５を加熱することにより、接着剤層４８が加熱されて液状の接着剤４８ａのフィレットを形成する。そして所定のボンディング時間が経過した後、吸着ノズル３３を上昇させることにより、図１１（ｃ）に示すように、回路形成面を上向きにした半導体素子１ｃは、接着剤４８ａが固化した接着部４８ｂによって基板３５に固着される。なお基板３５の加熱を後工程において行うようにしてもよい。
【００５０】
上記説明したように、本実施の形態に示す半導体ウェハの処理方法においては、半導体ウェハをプラズマエッチングにより除去して半導体素子毎に分割するプラズマダイシングに先だって、マスク層が形成された半導体ウェハに対してレーザ光を照射して、隣接する半導体素子相互を区分する境界線領域のマスク層を除去するレーザ加工を行うようにしている。これにより、工程コストの高い複雑な処理工程を行うことなくダイシングマスクを形成することが可能となり、低コストでプラズマダイシングを実現することができる。
【産業上の利用可能性】
【００５１】
本発明の半導体ウェハの処理方法は、工程コストの高い複雑な処理工程を行うことなくダイシングマスクを形成することができ、低コストでプラズマダイシングを実現することができるという効果を有し、複数の半導体素子が形成された半導体ウェハを半導体素子の個片毎に分割する処理を含む一連の処理に対して有用である。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の参考例１の半導体ウェハの処理方法の工程説明図
【図２】本発明の参考例１の半導体ウェハの処理方法の工程説明図
【図３】本発明の参考例１の半導体ウェハの処理方法において使用されるレーザ加工装置の斜視図
【図４】本発明の参考例１の半導体ウェハの処理方法において使用されるプラズマ処理装置の断面図
【図５】本発明の参考例１の半導体ウェハの処理方法において使用されるダイボンディング装置の斜視図
【図６】本発明の参考例１の半導体ウェハの処理方法におけるダイボンディング工程の工程説明図
【図７】本発明の参考例２の半導体ウェハの処理方法の工程説明図
【図８】本発明の参考例２の半導体ウェハの処理方法の工程説明図
【図９】本発明の実施の形態の半導体ウェハの処理方法の工程説明図
【図１０】本発明の実施の形態の半導体ウェハの処理方法の工程説明図
【図１１】本発明の実施の形態の半導体ウェハの処理方法におけるダイボンディング工程の工程説明図
【符号の説明】
【００５３】
１  半導体ウェハ
１ａ  回路形成面
１ｂ  裏面
１ｃ  半導体素子
４、４４，５４  支持部材
５、４５，５５  マスク層
６  レーザ照射部
６ａ  レーザ光
７  粘着シート
４８  接着剤層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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