(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルミニウム外層−アルミニウム芯層−アルミニウム外層の３層からなる電解コンデンサ中高圧陽極用アルミニウム合金クラッド箔であって、
（１）当該芯層の厚さがクラッド箔厚さの２〜３０％であり、
（２）クラッド箔の引張強度が２８Ｎ／ｍｍ２以上であり、
（３）当該外層の立方体方位占有率が８０％以上であり、
（４）直流電解エッチング後において当該芯層を貫通するトンネルピットが存在せず、
当該アルミニウム外層がＦｅを０．０００５〜０．００５％含有し、かつ、アルミニウム芯層がＭｎ、Ｖ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｔｉ及びＮｉの少なくとも１種を０．３〜５％含有する
ことを特徴とする電解コンデンサ中高圧陽極用アルミニウム合金クラッド箔。
【請求項２】
直流電解エッチングが、塩酸１モル／リットル及び硫酸３モル／リットルの混合水溶液（８０℃）をエッチング液として電流密度３００ｍＡ／ｃｍ２で１２０秒間の第一エッチングを行い、次いで硝酸１．３モル／リットルの水溶液（７５℃）をエッチング液として電流密度２００ｍＡ／ｃｍ２で２２５秒間の第二エッチングを行うことにより実施される請求項１記載の電解コンデンサ中高圧陽極用アルミニウム合金クラッド箔。
【請求項４】
クラッド箔中にＣｕ、Ｓｉ及びＰｂを含有する請求項１〜２のいずれかに記載の電解コンデンサ中高圧陽極用アルミニウム合金クラッド箔。
【請求項５】
Ｃｕ含有量０．００１５〜０．０１５％、Ｓｉ含有量０．０００５〜０．０１５％及びＰｂ含有量０．００００１〜０．００４％である請求項４記載の電解コンデンサ中高圧陽極用アルミニウム合金クラッド箔。
【請求項６】
クラッド箔の表面から深さ０．１μｍまでの表層部におけるＰｂ含有量が０．００４〜０．２％である請求項５記載の電解コンデンサ中高圧陽極用アルミニウム合金クラッド箔。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載の電解コンデンサ中高圧陽極用アルミニウム合金クラッド箔を直流電解エッチングされたエッチド箔であって、当該クラッド箔のアルミニウム芯層を貫通するトンネルピットが存在しないことを特徴とするエッチド箔。
【請求項８】
直流電解エッチングが、塩酸１モル／リットル及び硫酸３モル／リットルの混合水溶液（８０℃）をエッチング液として電流密度３００ｍＡ／ｃｍ２で１２０秒間の第一エッチングを行い、次いで硝酸１．３モル／リットルの水溶液（７５℃）をエッチング液として電流密度２００ｍＡ／ｃｍ２で２２５秒間の第二エッチングを行うことにより実施される請求項７記載のエッチド箔。
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、電解コンデンサ陽極用アルミニウム合金箔、特に３層からなるアルミニウムクラッド箔に関する。より具体的には、直流電解エッチング後、高い静電容量と高い機械的強度を兼ね備えた電解コンデンサ中高圧陽極用のアルミニウム合金箔に関する。
なお、本発明において「％」及び「ｐｐｍ」とあるのは、それぞれ「重量％」及び「重量ｐｐｍ」を意味する。
背景技術
一般に、電解コンデンサ中高圧用陽極用アルミニウム合金箔は、不純物であるＦｅ及びＳｉの含有を極力抑え、必要に応じて少量のＣｕを添加した純度９９．９８％以上の高純度アルミニウム箔が使用されている。コンデンサとしての静電容量はその表面積に比例することから、アルミニウム合金箔は塩酸等の酸性溶液中で電気化学的にエッチング処理され、拡面化される。エッチングにより拡面化されたアルミニウム箔（エッチド箔）には、その後の陽極酸化により耐電圧をもった酸化アルミニウム皮膜（化成皮膜）が形成される。これを化成工程と言い、化成されたエッチド箔を化成箔という。次いで、この化成箔を、電解液を含浸させたセパレータ紙及び陰極箔とともに巻き込まれてコンデンサ筒（容器）に収容される。
中高圧用陽極用アルミニウム箔は、必要とされる耐電圧が約２００Ｖ以上であり、エッチング後の化成皮膜が厚いため（約２５００Å以上）、化成時にエッチングピットが化成皮膜で塞がらないように、直径約１μｍ程度のトンネル形状を塩素イオンの存在する酸性溶液中での直流電解エッチングにより形成する。このようにして形成されたエッチングピットは、一般にトンネルピットと呼ばれている。
最近は、電子機器の小型化の要求がますます高まり、コンデンサも例外ではない。このため、コンデンサに使用される電極用アルミニウム箔は、単位面積当たりの静電容量、すなわちエッチング後の拡面率が高いことはもとより、エッチド箔を小さく巻き込むためにエッチド箔に高い機械的強度が要求される。
かかる要求の下、エッチング方法の面からも改善が進められている。従来は、中高圧用陽極箔の拡面率を高めるために、塩酸主体の貫通タイプ直流エッチング法が採用されていたが、より高強度のエッチド箔を得るために、塩酸に硫酸を添加した芯残りタイプ直流エッチングの開発がなされ、エッチド箔の強度向上が図られている。
ここに、貫通タイプエッチングとは、トンネルピットを箔面に垂直に断面方向に貫通させて発生させるエッチング方法である。箔の断面のほぼ全面にわたってピットが存在するため、拡面率は高いが、エッチド箔の機械的強度が低い。これに対し、芯残りタイプエッチングとは、トンネルピットを箔面に垂直に発生させることは貫通タイプと同じであるが、ピットの進行を箔の断面方向の途中で止めるエッチング方法である。中央近傍で未エッチング部分が存在するため、貫通タイプに比して機械的強度に優れる。
しかしながら、静電容量の向上と強度の向上とは裏表の関係にあり、静電容量を高めるためにピット数を増加させたり、あるいは芯部の未エッチング部分の厚さを薄くすれば必然的に強度が低下してしまう。強度が低下すれば、小さいコンデンサ筒に収容することが困難になるだけでなく、エッチング工程以後の化成工程、あるいは化成箔の切断工程・巻き取り工程で箔切れが生じ、生産性が著しく低下することとなる。
これまでに電解コンデンサ用アルミニウム箔にクラッド箔を採用した技術も以下のように提案されているものの、いずれも実用化するには未だ改善すべき余地がある。
（１）例えば、特開昭４９−１０３６６号公報には、２枚の９９．９％以上の高純度アルミニウムの間に被覆アルミニウムと略同純度の芯アルミニウム箔が被覆アルミニウム箔と圧延方向が交叉するように介在せられる電解コンデンサ用箔、あるいは２枚の９９．９％以上の高純度被覆アルミニウムの間に被覆アルミニウムよりも若干純度の低いアルミニウム箔が介在せられ、一体化した電解コンデンサ用アルミニウム箔が開示されている。
しかし、この技術では、機械的強度を高めるために、アルミニウム箔全体の厚さに対する芯アルミニウム材の厚さの割合（クラッド比率）を高くせざるを得ず、その下限値に限界がある。すなわち、クラッド比率を高くしなければならない分、それだけ静電容量が犠牲となってしまう。
（２）特開昭５５−７７９８６号公報には、鉄と珪素の含有量がそれぞれ０．０３％以上の比較的低純度のアルミニウム基合金のコアと、このコアの両面にクラッドされた鉄と珪素の含有量がそれぞれ０．２％以下の比較的高純度のアルミニウム基合金からなり、該クラッド層の厚みは片面で該複合体の厚みの２０％以下とする電解コンデンサ用の複合アルミニウム箔が開示されている。
また、特開昭６２−４７１１０号公報には、９９．９８％以上の二層の外層の間に９９．４％未満のアルミニウム合金からなる芯層を介在させるクラッド箔が開示されている。
しかし、これらの技術も、交流エッチングを前提とする低圧用陽極箔として開発されたものであって、そのままでは中高圧用陽極箔として用いることはできない。すなわち、エッチド箔の機械的強度も静電容量も十分改善することができない。
（３）特公平２−５８７６５号公報には、純度９９．９９５％以上のアルミニウム芯層を該芯層の両面に純度９９．０〜９９．９９％のアルミニウム外層でクラッドしてなる立方体方位の結晶に富む電解コンデンサ電極用アルミニウム合金箔が開示されている。
しかし、この技術では、立方体方位占有率の向上、ひいては静電容量を高めることを目的とするにとどまり、機械的強度の向上を望むことはできない。すなわち、静電容量と機械的強度とを同時に改善するためには、さらなる改善の余地が必要である。
（４）特開平４−１２０２３５号公報には、アルミニウム純度が９９．９％以上でかつ立方体方位占有率が８０％以上の２つのアルミニウムの外層間に非立方体方位占有率が４０％以上の箔をクラッドしてなる電解コンデンサ電極用アルミニウム箔が開示されている。
しかし、この技術はトンネルピットの伸長が芯材の立方体方位が低いときに止まることを利用したものにすぎず、静電容量と機械的強度を同時に改善するには至っていない。
（５）特開平４−１２０２３４号公報には、芯材にＺｎ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂのうち１種又は２種以上含むアルミニウム、外層に９９．９％以上のアルミニウムがクラッドされてなる電解コンデンサ電極用アルミニウム箔が開示されている。
しかし、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ等はアルミニウム中での拡散速度が速く、中高圧用陽極箔のように５００℃近傍に焼鈍した場合にはその効果が期待できない。これは、芯部に添加されるＳｉ、Ｃｕ、Ｍｇにおいても全く同様である。これらの元素は、過度に添加した場合にはエッチング時の溶解減量が多くなり、静電容量の低下を来す。
（６）その他にも、特開平４−１２４２３９号公報、特開平４−１２４２４０号公報、特開平７−２３５４５８号公報等にも中高圧用クラッド箔の開示がなされているものの、これらは基本的には薄い外層のアルミニウム箔の中にＭｇやＦｅ系金属間化合物を分散させることにより、ピット開始点の増加を図り、静電容量を増大させることが目的であり、機械的強度という点においてはなお改善すべき余地がある。
発明の開示
前記のように、従来技術では、中高圧用陽極箔の静電容量と機械的強度とを向上させるには限界がある。
従って、本発明は、従来技術と同等以上の静電容量を維持しつつ、高い機械的強度を発現できる電解コンデンサ中高圧陽極用アルミニウム合金箔を提供することを主な目的とする。
本発明者は、従来技術の問題に鑑みて鋭意研究を重ねた結果、特定の構成を有するクラッド箔が上記目的を達成できることを見出し、ついに本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明は、アルミニウム外層−アルミニウム芯層−アルミニウム外層の３層からなる電解コンデンサ中高圧陽極用アルミニウム合金クラッド箔であって、
（１）当該芯層の厚さがクラッド箔厚さの２〜３０％であり、
（２）クラッド箔の引張強度が２８Ｎ／ｍｍ２以上であり、
（３）当該外層の立方体方位占有率が８０％以上であり、
（４）直流電解エッチング後において当該芯層を貫通するトンネルピットが存在しない、
ことを特徴とする電解コンデンサ中高圧陽極用アルミニウム合金クラッド箔に係るものである。
以下、本発明の電解コンデンサ中高圧陽極用アルミニウム合金クラッド箔について詳細に説明する。
本発明の電解コンデンサ中高圧陽極用アルミニウム合金クラッド箔は、アルミニウム外層−アルミニウム芯層−アルミニウム外層の３層からなる電解コンデンサ中高圧陽極用アルミニウム合金クラッド箔であって、
（１）当該芯層の厚さがクラッド箔厚さの２〜３０％であり、
（２）クラッド箔の引張強度が２８Ｎ／ｍｍ２以上であり、
（３）当該外層の立方体方位占有率が８０％以上であり、
（４）直流電解エッチング後において当該芯層を貫通するトンネルピットが存在しない、
ことを特徴とする。
本発明クラッド箔は、上記のように、アルミニウム芯層が２つのアルミニウム外層に挟まれた３層構造を有する。以下、上記（１）〜（４）の特徴を順に説明する。
アルミニウム芯層の厚さ
アルミニウム芯層の厚さは、本発明クラッド箔（３層合計）の厚さの通常２〜３０％程度、好ましくは５〜１０％とする。２％未満の場合は、たとえ芯層の強度が高くても、エッチド箔強度の大幅な向上が望めない。３０％を超える場合は、トンネルピットの存在しない部分の割合が多くなり、所望の静電容量が得られなくなる。
また、本発明クラッド箔の厚さは、最終製品の用途等に応じて適宜設定することができるが、通常７０〜１２０μｍ程度、好ましくは７５〜１１５μｍとすれば良い。また、２つのアルミニウム外層の厚さは、互いに同じであっても良いし、異なっていても良い。
クラッド箔の引張強度
本発明クラッド箔の引張強度（すなわち、アルミニウム外層と芯層との複合強度）は、通常２８Ｎ／ｍｍ２以上、好ましくは３０Ｎ／ｍｍ２以上とする。２８Ｎ／ｍｍ２未満の場合は、強度が不十分となり、小径に巻き込むことが困難となる。このような強度は、例えばアルミニウム芯層として適当な厚さの公知の高強度材（Ａｌ材）を使用することにより得られる。なお、この強度は、中高用陽極箔の場合、５００℃近傍で焼鈍された軟質箔の強度に相当するものである。
アルミニウム外層の立方体方位占有率
アルミニウム外層の立方体方位占有率は、通常８０％以上、好ましくは８５％以上、最も好ましくは９０％以上である。８０％未満の場合は、十分な静電容量が得られない。
本発明における立方体方位占有率の算出方法は定法により行った。すなわち、箔を王水系水溶液（塩酸／硝酸／フッ酸＝１８％／３０％／０．１％（水溶液中の体積比））に浸漬し、上記水溶液により腐食された箔表面を画像解析装置で観察し、腐食され難く金属光沢が残る立方体方位粒を黒、腐食され易く乱反射が生じた非立方体方位粒を白とする白黒のコントラストの差としてとらえ、全粒に対する黒い粒の存在割合を算出し、その割合を立方体方位占有率とする。
このような立方体方位占有率は、例えばアルミニウム芯層の厚さの調整、クラッド箔のトータル厚さの制御、アルミニウム芯層の熱処理条件、中間焼鈍の条件、中間焼鈍後の圧延（軽圧延）の採用等によって適宜制御することができる。
トンネルピットの存在
本発明クラッド箔は、これを直流電解エッチングした後においてアルミニウム芯層を貫通するトンネルピットが存在しない。すなわち、本発明クラッド箔では、電解エッチングで形成されるトンネルピットが上記芯層を貫通していない。特に、トンネルピットがアルミニウム芯層に侵入していないことが望ましい。
上記の直流電解エッチング条件は、公知の条件で良いが、少なくとも後記に示す実施例におけるエッチング条件で直流電解エッチングした場合にアルミニウム芯層を貫通するトンネルピットが存在しないことが好ましい。すなわち、少なくとも、塩酸１モル／リットル及び硫酸３モル／リットルの混合水溶液（８０℃）をエッチング液として電流密度３００ｍＡ／ｃｍ２で１２０秒間の第一エッチングを行い、次いで硝酸１．３モル／リットルの水溶液（７５℃）をエッチング液として電流密度２００ｍＡ／ｃｍ２で２２５秒間の第二エッチングを行う直流電解エッチング後において、アルミニウム芯層を貫通するトンネルピットが存在しないことが望ましい。
アルミニウム外層及び芯層の構成成分
本発明クラッド箔は、上記のような特徴を有している限り、上記外層及び芯層の成分（Ａｌ以外の成分）は限定されないが、特に上記外層はＦｅを０．０００５〜０．００５％（好ましくは０．０００６〜０．００３５％、より好ましくは０．０００８〜０．００１２％）含有し、かつ、上記芯層がＭｎ、Ｖ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｔｉ及びＮｉの少なくとも１種を０．３〜５％含有することが望ましい。これらの成分が存在することにより、特に本発明クラッド箔の強度向上をよりいっそう促進することができる。
特に、本発明クラッド箔では、少なくともＭｎが上記芯層に１〜５％（好ましくは１．３〜４．７％）含有することが最も望ましい。この場合も、Ｍｎを含む合計５％を上限として、Ｖ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｔｉ及びＮｉの少なくとも１種（好ましくはＦｅ）を併せて含んでいても良い。
クラッド箔中におけるＣｕ、Ｓｉ及びＰｂ
本発明クラッド箔では、さらにＣｕ、Ｓｉ及びＰｂを含有していることが好ましい。これらの成分が存在することにより、特に本発明クラッド箔の静電容量の向上をよりいっそう促進することができる。この場合、Ｃｕ含有量は通常０．００１５〜０．０１５％（好ましくは０．００２〜０．００８％）、Ｓｉ含有量は通常０．０００５〜０．０１５％（好ましくは０．０００６〜０．００８％）、Ｐｂ含有量は通常０．００００１〜０．００４％（好ましくは０．００００２〜０．０００２％）とすれば良い。
本発明のクラッド箔は、Ｃｕ、Ｓｉ及びＰｂはアルミニウム外層及びアルミニウム芯層の少なくとも一方に存在していれば良いが、いずれの成分もアルミニウム中での拡散速度が速いため、通常は５００℃近傍で焼鈍された後にはいずれの層にも存在することになり、この場合も本発明に包含される。
従って、本発明におけるＣｕ含有量（Ｃ（Ｃｕ））、Ｓｉ含有量（Ｃ（Ｓｉ））及びＰｂ含有量（Ｃ（Ｐｂ））は、それぞれ下記式により示される。
Ｃ（Ｃｕ）＝ｔ１Ｃ１（Ｃｕ）／ｔ０＋（ｔ０−ｔ１）Ｃ２（Ｃｕ）／ｔ０
（但し、ｔ０はクラッド箔の厚さ（μｍ）、ｔ１はアルミニウム芯層の厚さ（μｍ）、Ｃ１（Ｃｕ）はアルミニウム芯層中のＣｕ含有量（重量％）、Ｃ２（Ｃｕ）はアルミニウム外層中のＣｕ含有量（重量％）を示す。）
Ｃ（Ｓｉ）＝ｔ１Ｃ１（Ｓｉ）／ｔ０＋（ｔ０−ｔ１）Ｃ２（Ｓｉ）／ｔ０
（但し、ｔ０はクラッド箔の厚さ（μｍ）、ｔ１はアルミニウム芯層の厚さ（μｍ）、Ｃ１（Ｓｉ）はアルミニウム芯層中のＳｉ含有量（重量％）、Ｃ２（Ｓｉ）はアルミニウム外層中のＳｉ含有量（重量％）を示す。）
Ｃ（Ｐｂ）＝ｔ１Ｃ１（Ｐｂ）／ｔ０＋（ｔ０−ｔ１）Ｃ２（Ｐｂ）／ｔ０
（但し、ｔ０はクラッド箔の厚さ（μｍ）、ｔ１はアルミニウム芯層の厚さ（μｍ）、Ｃ１（Ｐｂ）はアルミニウム芯層中のＰｂ含有量（重量％）、Ｃ２（Ｐｂ）はアルミニウム外層中のＰｂ含有量（重量％）を示す。）
本発明では、特に、Ｐｂは、クラッド箔の表面から深さ０．１μｍまでの表層部におけるＰｂ含有量０．００４〜０．２％で存在していることが好ましい。このようなＰｂ存在状態は、例えば上記Ｐｂ含有量（０．００００１〜０．００４％）をもつクラッド箔を４５０℃以上で熱処理（焼鈍等）することによって得ることができる。
本発明クラッド箔は、上記のような構成が得られる限りは、その製造方法そのものは特に制限されない。従って、特に本発明に規定する組成を除けば、例えば公知のクラッド箔における製造条件・処理条件を適宜採用することによって製造することもできる。まず、所定の組成をもつアルミニウム芯層スラブ及びアルミニウム外層スラブを作製し、これらをそのまま冷間圧延したり、あるいはこれらスラブを積層してソーキングした後、熱間圧延することにより積層体を製造する。また、アルミニウム外層スラブの熱間圧延途中でこれを２分割に切断し、これら２つのアルミニウム外層スラブでアルミニウム芯層スラブを挟み、熱間圧延をさらに進めることによって積層体を得ることも可能である。次いで、これらの積層体を圧延して箔とした後、この箔を不活性ガス（Ａｒガス、Ｎ２ガス等）中で焼鈍すれば、本発明クラッド箔を得ることができる。
このクラッド箔の使用に際しては、公知のクラッド箔と同様の条件にてエッチング処理、化成処理等を行って  使用すれば良い。
エッチング処理では、例えば前記のエッチング条件等を採用することができる。本発明では、本発明クラッド箔を直流電解エッチングされたエッチド箔であって、当該クラッド箔のアルミニウム芯層を貫通するトンネルピットが存在しないことを特徴とするエッチド箔も包含する。
本発明においては、少なくとも、塩酸１モル／リットル及び硫酸３モル／リットルの混合水溶液（８０℃）をエッチング液として電流密度３００ｍＡ／ｃｍ２で１２０秒間の第一エッチングを行い、次いで硝酸１．３モル／リットルの水溶液（７５℃）をエッチング液として電流密度２００ｍＡ／ｃｍ２で２２５秒間の第二エッチングを行う直流電解エッチング後において、アルミニウム芯層を貫通するトンネルピットが存在しないエッチド箔が好ましい。
化成処理では、１５０〜６００Ｖの電圧を印加して箔表面及びトンネルピットの内面に厚さ２００〜１０００ｎｍの酸化皮膜が形成されていることが望ましい。これらの処理が施された化成箔は、最終的には、公知の方法により陰極箔、セパレータ等ともにコンデンサ筒（容器）内に収容すれば良い。
本発明の電解コンデンサ中高圧陽極用アルミニウム合金クラッド箔によれば、従来品と同程度又はそれ以上の静電容量を確保しつつ、従来品りも高い機械的強度を発揮することができる。
これにより、これまで以上に小径に巻き込むことが可能になる結果、コンデンサの小型化に大いに貢献することができる。また、エッチング後の化成処理及び引き続く切断・巻き取り工程等も円滑に行ことができ、生産性の向上にも寄与することができる。
発明を実施するための最良の形態
以下に実施例及び比較例を示し、本発明の特徴をより明確にする。但し、本発明は、これら実施例に限定されるものではない。
実施例１
アルミニウム外層（Ｆｅ／Ｓｉ／Ｃｕ）及びアルミニウム芯層（Ｆｅ／Ｓｉ／Ｃｕ／Ｘ（ＸはＭｎ、Ｖ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｔｉ又はＮｉ））として表１に示す組成のスラブを調製した。各スラブを通常のソーキング、熱間圧延及び冷間圧延に供し、厚さ０．０５〜１ｍｍの板状体とした。これらを外層／芯層／外層の３枚に重ね、空気炉中３００℃にて加熱処理を行い、炉出し後直ちに圧下率５０％で圧延し、三層クラッド材を得た。なお、クラッドを行わない比較箔は、Ｆｅ／Ｓｉ／Ｃｕ＝１０ｐｐｍ／１０ｐｐｍ／５０ｐｐｍのスラブを同様に通常のソーキング、熱間圧延及び冷間圧延に供した。
上記クラッド箔及び比較箔は、厚さ１３０μｍまで冷間圧延し、２００〜３００℃で６時間熱処理した後、１１０μｍの厚さに冷間圧延し、アルゴンガス雰囲気中５００℃で６時間焼鈍し、中高圧用陽極箔とした。
試験例１
得られた箔は、表２に示すエッチング条件で直流電解エッチングを行った後、エッチング前後の重量差により溶解減量を求めるとともに、エッチド箔の折曲強度をＭＩＴ型自動折曲試験器にて測定した。さらに、エッチング後、表２に示す化成条件にて化成処理を施し、８％ホウ酸アンモニウム水溶液中でＬＣＲメーターにより静電容量の測定を行った。
折曲強度は、ＪＩＳＰ８１１５ＭＩＴ型自動折曲試験機にサンプルを取り付け、表３に示す条件で試験片が破断するまでの折曲回数で評価した。なお、折り曲げは、９０度曲げる工程を第１回とし、もとに戻す工程を第２回とし、さらに逆方向に９０度曲げる工程を第３回とし、もとに戻す工程を第４回という１サイクルを４回と数えた。第５回以降は、ふたたび上記第１回から同じ工程を繰り返し行う。
表４にクラッド箔の作製条件、クラッド箔の芯材比率、引張強度、立方体方位占有率、エッチング時の溶解減量、エッチド箔の折曲強度及び化成後の静電容量をそれぞれ示す。なお、表４中、溶解減量及び静電容量は、クラッドしていない厚さ１１０μｍの比較箔の結果を１００とした場合の相対値で示す。
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試験例２
試験例１で直流電解エッチングされた各試料（エッチド箔）について、試料断面（６００倍）及び表面（トンネルピットの断面）（１０００倍）の電子顕微鏡による観察を行った。その結果、本発明品はいずれもアルミニウム芯層を貫通するトンネルピットの存在は認められなかった。これに対し、比較品は、トンネルピットがアルミニウム芯層を貫通していることが確認された。
図１には、実施例の試料２（本発明品（ａ））と試料１（比較品（ｂ））の断面（イメージ図）をそれぞれ示す。図２には、実施例の試料２（本発明品（ａ））と試料１（比較品（ｂ））の電解研磨後の表面（イメージ図）をそれぞれ示す。
図１からも明らかなように、本発明品は、トンネルピットの伸長がほぼ均一に停止し、アルミニウム芯層が明確に存在していることがわかる。すなわち、アルミニウム芯層を貫通するトンネルピットが全く存在していないことがわかる。これに対し、比較品は、アルミニウム芯層を貫通するトンネルピットが見られるだけでなく、トンネルピット先端が不均一であり、アルミニウム芯層の厚さが一定していないことがわかる。
また、図２より、本発明品では、ピット密度が比較品よりも高く、かつ、均一にピットが存在していることがわかる。
【図面の簡単な説明】
図１は、実施例の試料２（本発明品（ａ））と試料１（比較品（ｂ））の断面（イメージ図）をそれぞれ示す。
図２は、実施例の試料２（本発明品（ａ））と試料１（比較品（ｂ））の電解研磨後の表面（イメージ図）をそれぞれ示す。
【図１】
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【図２】
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