(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明導電膜の形成に用いられるＩＴＯ粉体であって、
当該ＩＴＯ粉体に含まれるＩＴＯの１次粒子のうち、当該１次粒子径が１ｎｍ以上、２０ｎｍ以下のものの存在割合をＡｗｔ％、当該１次粒子径が２０ｎｍを超え、１００ｎｍ以下のものの存在割合をＢｗｔ％としたとき、３≦Ａ≦５０、且つ、５０≦Ｂ≦９７、（但し、Ａ＋Ｂ≦１００）であり、
且つ、当該１次粒子径において９５％粒子径を与える粒子径値と、５％粒子径を与える粒子径値との差が３０ｎｍ以上であり、
且つ、当該１次粒子の最大粒子径が２００ｎｍ以下であることを特徴とするＩＴＯ粉体。
【請求項２】
前記１次粒子の粒度分布において、少なくとも２つ以上の極大値を有することを特徴とする請求項１に記載のＩＴＯ粉体。
【請求項３】
１次粒子の平均粒子径が異なる、２種以上のＩＴＯ粉体の混合物であることを特徴とする請求項１または２に記載のＩＴＯ粉体。
【請求項４】
前記２種以上のＩＴＯ粉体を混合する際に、１次粒子径の平均粒子径が最も大きなＩＴＯ粉体を第１種成分とし、１次粒子の平均粒子径が２番目に大きなＩＴＯ粉体を第２種成分とし、以下、順次、各ＩＴＯ粉体に番号を付加し、
前記第１種成分に係るＩＴＯ粉体の１次粒子の平均粒子径をＲ１、粉体の重量をＷ１、前記第ｎ種成分以降に係るＩＴＯ粉体の１次粒子の平均粒子径をＲｎ、粉体の総重量をＷｎ、（ｎ≧２）としたとき、
（式２）
0004586126.tif 000005
であることを特徴とする請求項３に記載のＩＴＯ粉体。
【請求項５】
前記２種のＩＴＯ粉体を混合する際に、１次粒子径の平均粒子径が大きなＩＴＯ粉体を第１種成分とし、１次粒子の平均粒子径が小さなＩＴＯ粉体を第２種成分とし、
前記第１種成分に係るＩＴＯ粉体の１次粒子の平均粒子径をＲ１、粉体の重量をＷ１、前記第２種成分以降に係るＩＴＯ粉体の１次粒子の平均粒子径をＲ２、粉体の総重量をＷ２としたとき、
１．０＜Ｒ１／Ｒ２≦１０、且つ、０．０５≦Ｗ２／(Ｗ１＋Ｗ２)≦０．５
であることを特徴とする請求項３に記載のＩＴＯ粉体。
【請求項６】
前記第１種成分に係るＩＴＯ粉体として、当該第１種成分に係るＩＴＯ粉体を１ｔ／ｃｍ２で成形した圧縮体の電気抵抗値が０．０５Ω・cm以下であるＩＴＯ粉体を用い、
前記第２種成分以降に係るＩＴＯ粉体として、当該第２種成分以降に係るＩＴＯ粉体を１ｔ／ｃｍ２で成形した圧縮体の電気抵抗値が０．１Ω・cm以下であるＩＴＯ粉体を用いることを特徴とする請求項４または５に記載のＩＴＯ粉体。
【請求項７】
前記ＩＴＯ粉体に１ｔ／ｃｍ２の加圧を行って作製した圧粉体の初期の電気抵抗値（初期圧粉体抵抗値）を測定し、当該圧粉体を、気温６０℃、相対湿度９０%で４６時間貯蔵して経時変化させた後の電気抵抗値（貯蔵後圧粉体抵抗値）を測定し、式１より経時変化率を算定したとき、当該経時変化率が６００％以下であることを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載のＩＴＯ粉体。
（式１）    経時変化率(%)=貯蔵後圧粉体抵抗値÷初期圧粉体抵抗値×１００
【請求項８】
前記ＩＴＯ粉体は、可視光領域における透過色をＣＩＥ（国際照明委員会）が定めるＬ＊ａ＊ｂ＊表色系で評価したとき、ｂ＊の値が−１５以上、０以下であることを特徴とする請求項１から７のいずれかに記載のＩＴＯ粉体。
【請求項９】
請求項１から８のいずれかに記載のＩＴＯ粉体を含むことを特徴とするＩＴＯ塗料。
【請求項１０】
請求項１から８のいずれかに記載のＩＴＯ粉体を含むことを特徴とするＩＴＯ導電膜。
【請求項１１】
請求項１から８のいずれかに記載のＩＴＯ粉体の製造方法であって、
１次粒子の平均粒子径が２０ｎｍ以上、２００ｎｍ以下のＩＴＯ粉体と、１次粒子の平均粒子径が１ｎｍ以上、２０ｎｍ以下のＩＴＯ粉体とを、所定の割合で混合する工程を有することを特徴とするＩＴＯ粉体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、透明導電膜の形成に用いられるＩＴＯ粉体およびその製造方法、当該ＩＴＯ粉体を含むＩＴＯ塗料、並びに当該ＩＴＯ塗料を用いて成膜されるＩＴＯ導電膜に関する。
【背景技術】
【０００２】
本明細書においてＩＴＯとは、スズを含有するインジウム酸化物のことである。このＩＴＯを含有する膜は、可視光に対する高い透光性と導電性とを示すことから、各種表示デバイスや太陽電池などの透明導電膜として用いられている。そして、このＩＴＯを用いた透明導電膜の成膜方法として、当該ＩＴＯをスパッタリング等により成膜する物理成膜法、当該ＩＴＯ粒子分散液または含ＩＴＯ有機化合物をＩＴＯ塗料として塗布する塗布成膜法が知られている。
【０００３】
塗布成膜法により得られるＩＴＯ導電膜は、スパッタリング法などの物理成膜法により得られるＩＴＯ膜と比べて導電性は多少低いものの、成膜の際に真空装置などの高価な装置を用いることが不要な上、大面積や複雑形状の成膜が可能である。この結果、塗布成膜法により得られるＩＴＯ導電膜は、低コストなる利点がある。さらに、当該塗布成膜法の中でも、ＩＴＯ塗料としてＩＴＯ粒子分散液を用いる方法は、ＩＴＯ塗料として含ＩＴＯ有機化合物を用いる方法と比較して、塗布膜を熱分解させることが不要な為、比較的低温プロセスで成膜出来、良好な導電性も得られる。従って、ＩＴＯ塗料としてＩＴＯ粒子分散液を用いたＩＴＯ導電膜の製造方法は、ブラウン管の電磁波シールド膜の成膜方法として広く用いられており、さらには、LCDやELなどの表示デバイスへの応用も検討されている。
【０００４】
ここで、ＩＴＯ粒子分散液に用いられる、ＩＴＯ粒子の形状について説明する。
従来、ＩＴＯ粒子分散液に用いられるＩＴＯ粒子の形状としては、一般に粒状ＩＴＯ粉が使用されてきたが、近年、さらなる膜抵抗の低減を目指し、導電経路の形成をさせる為、粒子同士の接触度を高めるべく、針状、板状、等の形状を有するＩＴＯ粒子を用いることが提案されている。
【０００５】
次に、ＩＴＯ粒子分散液に用いられる、ＩＴＯ粒子の組成について説明する。
ＩＴＯ粒子の組成もＩＴＯ導電膜の導電性に影響を与える。
ＩＴＯの導電性発現の機構には2種類の機構がある。第一の機構は、ＩＴＯ結晶中のIn3+をSn4+で置換するものである。当該置換によりSn原子一個あたり、自由電子が1個生じることとなる。第二の機構は、ＩＴＯ結晶中に酸素欠損を作るものであり、当該酸素欠損一個あたり二個の自由電子が作られることとなる。
【０００６】
当該Sn4+や酸素欠損は、キャリアである自由電子密度を増大させて、ＩＴＯ導電膜の導電性を高めることとなる。しかし、当該酸素欠損を付与されたＩＴＯ粒子は、粉体としての保存安定性に課題があった。これは、格子欠陥により生じた歪みエネルギーが減少する方向、すなわち当該酸素欠損を付与されたＩＴＯ粒子と、大気中の酸素とが再結合して、当該酸素欠損を少なくする方向に進む原因となる。そして当該酸素欠損の減少がＩＴＯ導電膜の導電性の経時変化につながる。
【０００７】
次に、ＩＴＯ粒子分散液に用いられる、ＩＴＯ粒子の製造方法について説明する。
塗料に用いられるＩＴＯ粒子の代表的な製法例として、
（１）スズ塩とインジウム塩とを所定の比率で混合し、水を加えた後に中和剤を添加し、スズ含有水酸化インジウムを得る工程、
（２）得られたスズ含有水酸化インジウムを、250℃以上1000℃以下の温度で焼成する工程、
を有するものがある。
そして（２）の焼成工程は、ＩＴＯ粒子へ酸素欠損を付与するために、還元雰囲気で行われる。
【０００８】
ここで、特許文献1には、針状ＩＴＯ粒子と粒状ＩＴＯ粒子とを混合して用いることにより、膜の電気抵抗値が10kΩ/□以下でありながら、80%以上の可視光透過率と2%以下のヘイズとを有するＩＴＯ導電膜が得られることが記載されている。
特許文献２には、ＩＴＯ粉体として、比表面積が１５ｍ２／ｇ以上、３０ｍ２／ｇ以下であり、ＣＩＥが定めるＬ＊ａ＊ｂ＊表色系においてa*：−１２以上、−７以下、b*：１５以上、２５以下であるＩＴＯ粒子を含むものを用いることにより、膜の電気抵抗値が１０３Ω／□以下でありながら、可視光反射率が1%以下という反射防止性を有し、経時変化による導電性の低下が小さい透明導電膜を得られることが記載されている。
特許文献3には、有機溶媒や還元カ゛スを用いてＩＴＯ粒子の表面処理を行い、酸素空孔量や表面酸性量を調節することにより、低電気抵抗値を発揮するＩＴＯ粒子を得ることが記載されている。
【０００９】
【特許文献１】特開2003-104725号公報
【特許文献２】特開2005-225700号公報
【特許文献３】特許3355733号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ＩＴＯ塗料としてＩＴＯ粒子分散液を塗布し、ＩＴＯ導電膜を得る方法は、上述のように利点の多い方法である。しかしながら、当該方法で成膜されたＩＴＯ導電膜は未だ導電性が低く、大型ブラウン管の電磁波シールド膜や表示デバイスの高繊細電極用には適用できていないという問題がある。そこで、本発明の目的は導電性が高く、大気中であっても導電性の経時変化の少ないＩＴＯ導電膜を成膜できるＩＴＯ粉体およびその製造方法、当該ＩＴＯ粉体を用いたＩＴＯ導電膜塗料、並びに透明導電膜を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明者らは、上述の課題を解決すべく研究をおこなった結果、透明導電膜の形成に用いられるＩＴＯ粉体を構成するＩＴＯの１次粒子において、所定の粒子径を有する１次粒子を所定の配合比で存在させることで、１次粒子間同士の接触抵抗を減少させることができることに想到し本発明を完成したものである。
【００１２】
即ち、上述の課題を解決するための第１の手段は、
透明導電膜の形成に用いられるＩＴＯ粉体であって、
当該ＩＴＯ粉体に含まれるＩＴＯの１次粒子のうち、当該１次粒子径が１ｎｍ以上、２０ｎｍ以下のものの存在割合をＡｗｔ％、当該１次粒子径が２０ｎｍを超え、１００ｎｍ以下のものの存在割合をＢｗｔ％としたとき、３≦Ａ≦５０、且つ、５０≦Ｂ≦９７、（但し、Ａ＋Ｂ≦１００）であり、
且つ、当該１次粒子径において９５％粒子径を与える粒子径値と、５％粒子径を与える粒子径値との差が３０ｎｍ以上であり、
且つ、当該１次粒子の最大粒子径が２００ｎｍ以下であることを特徴とするＩＴＯ粉体である。
【００１３】
第２の手段は、
前記１次粒子の粒度分布において、少なくとも２つ以上の極大値を有することを特徴とする第１の手段に記載のＩＴＯ粉体である。
【００１４】
第３の手段は、
１次粒子の平均粒子径が異なる、２種以上のＩＴＯ粉体の混合物であることを特徴とする第１または第２の手段に記載のＩＴＯ粉体である。
【００１５】
第４の手段は、
前記２種以上のＩＴＯ粉体を混合する際に、１次粒子径の平均粒子径が最も大きなＩＴＯ粉体を第１種成分とし、１次粒子の平均粒子径が２番目に大きなＩＴＯ粉体を第２種成分とし、以下、順次、各ＩＴＯ粉体に番号を付加し、
前記第１種成分に係るＩＴＯ粉体の１次粒子の平均粒子径をＲ１、粉体の重量をＷ１、前記第ｎ種成分以降に係るＩＴＯ粉体の１次粒子の平均粒子径をＲｎ、粉体の総重量をＷｎ、（ｎ≧２）としたとき、
（式２）
0004586126.tif 000002
であることを特徴とする第３の手段に記載のＩＴＯ粉体である。
【００１６】
第５の手段は、
前記２種のＩＴＯ粉体を混合する際に、１次粒子径の平均粒子径が大きなＩＴＯ粉体を第１種成分とし、１次粒子の平均粒子径が小さなＩＴＯ粉体を第２種成分とし、
前記第１種成分に係るＩＴＯ粉体の１次粒子の平均粒子径をＲ１、粉体の重量をＷ１、前記第２種成分以降に係るＩＴＯ粉体の１次粒子の平均粒子径をＲ２、粉体の総重量をＷ２としたとき、
１．０＜Ｒ１／Ｒ２≦１０、且つ、０．０５≦Ｗ２／(Ｗ１＋Ｗ２)≦０．５
であることを特徴とする第３の手段に記載のＩＴＯ粉体である。
【００１７】
第６の手段は、
前記第１種成分に係るＩＴＯ粉体として、当該第１種成分に係るＩＴＯ粉体を１ｔ／ｃｍ２で成形した圧縮体の電気抵抗値が０．０５Ω・cm以下であるＩＴＯ粉体を用い、
前記第２種成分以降に係るＩＴＯ粉体として、当該第２種成分以降に係るＩＴＯ粉体を１ｔ／ｃｍ２で成形した圧縮体の電気抵抗値が０．１Ω・cm以下であるＩＴＯ粉体を用いることを特徴とする第４または第５の手段に記載のＩＴＯ粉体である。
【００１８】
第７の手段は、
前記ＩＴＯ粉体に１ｔ／ｃｍ２の加圧を行って作製した圧粉体の初期の電気抵抗値（初期圧粉体抵抗値）を測定し、当該圧粉体を、気温６０℃、相対湿度９０%で４６時間貯蔵して経時変化させた後の電気抵抗値（貯蔵後圧粉体抵抗値）を測定し、式１より経時変化率を算定したとき、当該経時変化率が６００％以下であることを特徴とする第１から第６の手段のいずれかに記載のＩＴＯ粉体である。
（式１）    経時変化率(%)=貯蔵後圧粉体抵抗値÷初期圧粉体抵抗値×１００
【００１９】
第８の手段は、
前記ＩＴＯ粉体は、可視光領域における透過色をＣＩＥ（国際照明委員会）が定めるＬ＊ａ＊ｂ＊表色系で評価したとき、ｂ＊の値が−１５以上、０以下であることを特徴とする第１から第７の手段のいずれかに記載のＩＴＯ粉体である。
【００２０】
第９の手段は、
第１から第８の手段のいずれかに記載のＩＴＯ粉体を含むことを特徴とするＩＴＯ塗料である。
【００２１】
第１０の手段は、
第１から第８の手段のいずれかに記載のＩＴＯ粉体を含むことを特徴とするＩＴＯ導電膜である。
【００２２】
第１１の手段は、
第１から第８の手段のいずれかに記載のＩＴＯ粉体の製造方法であって、
１次粒子の平均粒子径が２０ｎｍ以上、２００ｎｍ以下のＩＴＯ粉体と、１次粒子の平均粒子径が１ｎｍ以上、２０ｎｍ以下のＩＴＯ粉体とを、所定の割合で混合する工程を有することを特徴とするＩＴＯ粉体の製造方法である。
【発明の効果】
【００２３】
第１から第８のいずれかの手段に係るＩＴＯ粉体は、圧粉体としたときに高い導電性を示し、大気中であっても導電性の経時変化の少ないものである。
【００２４】
第９の手段に係るＩＴＯ塗料によれば、高い導電性と透明度とを有するＩＴＯ膜を容易に成膜することが出来る。
【００２５】
第１０の手段に係るＩＴＯ膜は、高い導電性と透明度とを有するものである。
【００２６】
第１１の手段に係るＩＴＯ粉体の製造方法によれば、第１から第８のいずれかの手段に係るＩＴＯ粉体を、容易且つ高い生産性をもって製造することが出来る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
本発明に係るＩＴＯ粉体は、粒子径１ｎｍ〜２０ｎｍを有する１次粒子の存在割合が３〜５０%、粒子径２０ｎｍ〜１００ｎｍを有する１次粒子の存在割合が９７〜５０%と、従来の技術に係るＩＴＯ粉体よりブロードな粒子径範囲を持つ。さらに、本発明に係るＩＴＯ粉体は、当該ＩＴＯ粉体を構成する１次粒子の９５％粒子径の値から５％粒子径の値を差し引いた値が３０ｎｍ以上である。本発明者らは、ＩＴＯ粉体がこのような粒度分布を有するとき、当該ＩＴＯ粉体を圧縮して得られた圧縮体の導電性が、従来の技術に係るＩＴＯ粉体を圧縮して得られた圧縮体の導電性より大きな値を示すことを見出した。
【００２８】
通常、均一状態で合成されたＩＴＯ粉体の粒度分布は対数正規分布で近似でき、１山の極大値を有する。これに対し、本発明に係るＩＴＯ粉体は、複数の状態で合成された、異なる対数正規分布を有する複数のＩＴＯ粉体の混合物で構成されている。つまり、本発明に係るＩＴＯ粉体の粒度分布は、前記異なる対数正規分布が重畳したものとなり、粒子径の頻度分布において、少なくとも２点で極大点を持つ。即ち、頻度分布曲線を作成すれば、当該頻度分布曲線は少なくとも２つ以上の山を持った形状になる。また、粒子径の頻度分布全体を考えると、９５％粒子径と５％粒子径との差は、３０ｎｍ以上となり裾野の広いブロードな粒度分布を持つことが判る。その結果、本発明に係るＩＴＯ体においては、ＩＴＯ粉体内に複数の対数正規分布を有するＩＴＯ粉体の粒子が混在することになり、当該粒子間の空隙率が減少し、電導性が向上しているのだと考えられる。
【００２９】
本発明者らは当該知見に基づき、本発明に係るＩＴＯ粉体を用いることでＩＴＯ粉体の圧縮体の導電性が向上するのであれば、本発明に係るＩＴＯ粉を用いて塗布によるＩＴＯ導電膜を製造することで、当該ＩＴＯ導電膜の導電性を向上させることが出来ることに想到した。但し、当該ＩＴＯ導電膜には、導電性に加えて可視光に対する透明性ももとめられる為、当該ＩＴＯ導電膜中の粒子の最大粒子径は２００ｎｍ以下であることが求められる。ＩＴＯ導電膜中の粒子の最大粒子径が２００ｎｍ以下であれば、当該ＩＴＯ導電膜の可視光に対する透明性を保つことが出来るからである。
【００３０】
本発明に係る、少なくとも２つ以上の極大値を有する粒度分布をもったＩＴＯ粉体を得る方法として、ＩＴＯ粉体の製造段階の粒子径をコントロールする工程において、意図的に不均一な状態を作り出すことが考えられる。具体的には、ＩＴＯ粉体の焼成段階において焼成炉内の温度分布を広くとることによって実施することが考えられる。また、湿式反応工程でＩＴＯ粉体の粒子径を調整する場合においては、当該湿式工程における撹拌速度を極端に遅くする制御をおこなうことも考えられる。しかし、上述の焼成炉内の温度分布制御または撹拌速度制御は、いずれの場合も非常に精密な制御が求められ、再現良く所望の粒度分布を持ったＩＴＯ粉体を得ることは困難であった。
【００３１】
ここで、本発明者らは、本発明に係る少なくとも２山の極大値を有する粒度分布をもったＩＴＯ粉体を、容易、且つ、高い生産性をもって低コストで製造するには、２種以上の異なった粒子径分布を有するＩＴＯ粉体を混合して製造すればよいことに想到した。当該混合方法は、当該２種以上のＩＴＯ粉体同士が十分に混ざり合うように行い、且つ、当該混合されるＩＴＯ粉体において、２次粒子が出来るだけ１次粒子の粒子径にまで粉砕されることが望ましい。
【００３２】
上述した２種以上の異なった粒子径分布を有するＩＴＯ粉体のうち、第１種成分のＩＴＯ粉体は、１次粒子の平均粒子径が２０ｎｍ以上と比較的大きな粒子を有するものを用いる。第２種成分以降の粉体は、少なくとも、第１種成分の平均１次粒子径より小さい平均１次粒子径を有するものを用いる。さらに、第１種成分の平均１次粒子径と第２種成分以降の平均１次粒子径との粒子径比は大きい方が好ましい。
【００３３】
つまり、第１種成分に含まれる１次粒子の平均粒子径をＲ１、第２種成分に含まれる１次粒子の平均粒子径をＲ２、第ｎ種成分に含まれる１次粒子の平均粒子径をＲｎとしたとき、第1種成分の粉体において２０ｎｍ≦Ｒ１であり、第２種成分の粉体において、Ｒ２＜Ｒ１であり、第ｎ種成分の粉体において、Ｒｎ＜Ｒｎ−１である。
【００３４】
次に、第１種成分と、第２種成分以降の成分との混合比について説明する。
まず、第１種成分および第２種成分を含む場合について説明する。
この第１種成分および第２種成分を含む場合は、当該両成分が、次式を満たす関係であればよい。
１．０＜Ｒ１／Ｒ２≦１０、且つ、０．０５≦Ｗ２／（Ｗ１＋Ｗ２）≦０．５
但し    Ｗ１：第１種成分の粉体の重量
Ｗ２：第２種成分の粉体の重量
【００３５】
第１種成分から第ｎ種成分を含む一般的な場合には、当該各成分が、式２を満たす関係であればよい。
（式２）
0004586126.tif 000003
但し    Ｗ１：第１種成分の粉体の重量
Ｗｎ：第ｎ種成分の粉体の重量
n≧2
【００３６】
以下、第１種成分および第２種成分を含む場合を例として説明する。
後述する実施例において、Ｒ１／Ｒ２＝４．１、０．０５≦Ｗ２／（Ｗ１＋Ｗ２）≦０．５および、Ｒ１／Ｒ２＝２．７、０．０５≦Ｗ２／（Ｗ１＋Ｗ２）≦０．５の場合を記載したが、粒子径比Ｒ１／Ｒ２は、1以上であれば、幾何学的な充填密度の向上に効果があり、当該粒子径比が大きいほど最密充填構造に近づくので好ましい。しかし、ＩＴＯ粒子の粒子径が小さいほど、合成は困難となり、酸素欠損の不安定さは増大する。従って、ＩＴＯ粒子の粒子径の下限値には自ずと限界があり、１次粒子の平均粒子径で高々７ｎｍ程度、好ましくは１５ｎｍ程度以上である。一方、当該ＩＴＯ粒子の可視光にたいする透過性を勘案すると、１次粒子径の平均は７０ｎｍ以下、且つ、最大粒子径は２００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下である。この結果、２０ｎｍ≦Ｒ１≦７０ｎｍであり、Ｒ１／Ｒ２の好ましい範囲は、１．０＜Ｒ１／Ｒ２≦１０、さらに好ましくは１．０＜Ｒ１／Ｒ２≦５である。
【００３７】
Ｗ２／（Ｗ１＋Ｗ２）の値が０．０５以上であると、Ｗ２の混合量が所定量以上確保され、上述した最密充填が完全なものとなり、低抵抗化への効果が発揮される。また、Ｗ２／（Ｗ１＋Ｗ２）の値が０．５以下であれば微粒子の割合が所定量以下となるので、経時変化率が低下し、抵抗値の経時変化が回避される。
【００３８】
以上、第１種成分と第２種成分との混合の効果について説明したが、これ以降も、第３種成分から第n種成分まで混合する場合が考えられる。この場合、第３種以降の成分も第１種成分のＩＴＯ粉体の空隙を充填することが役割である。そこで、当該観点から第２種成分の場合に準じて考えれば良い。この結果、添加する第２種成分以降のＩＴＯ粉体における１次粒子径の範囲は、第２種成分から第n成分までのＩＴＯ粉体の重量平均で与えられる。一方、添加する第２種成分以降のＩＴＯ粉体における重量比率は、第２種成分から第n種成分までの総和に対する比率となる。
【００３９】
上述の効果は、粒子径の異なる粒子を混合することにより、圧粉体の充填層の構造がより最密充填に近づいた為に発現したものと考えられる。粒子径の異なる２種以上の球形粒子を混合した場合の充填密度は幾何学的に計算されているが、当該計算結果によれば、第１種成分の粒子を２０〜４０ｗｔ%配合することが最適混合比率となり、本発明における最適混合比率と良く一致している。さらに、当該幾何学的計算によれば、３種以上の粒子を混合し、より最密充填構造を達成することも出来る。但しコスト面を勘案すると２種の成分の混合が現実的である。
【００４０】
勿論、当該第１種成分および第２種成分の各粉体の圧粉体の導電性も重要である。各粉体の圧粉体の導電性が高いほど、これらを混合したＩＴＯ粉体の導電性が高くなる。当該観点より第２種成分以降の粉体の圧縮体の電気抵抗値が０．１Ω・ｃｍ超えないことが好ましい。
【００４１】
ここで、ＩＴＯ粒子には、小さくなると酸素欠損状態が不安定となるという問題がある。
これは、ＩＴＯ粒子は、結晶内へ意図的に酸素欠損を導入することで導電性を持たせているが、１次粒子径が３０ｎｍ以下程度になると比表面積が増大して表面の酸素欠陥が不安定となる。当該酸素欠損は、特に粒子表面近傍において不安定であり、大気中の水分や酸素により当該酸素欠損がうしなわれ、導電性が経時変化により当該酸素欠損が減少して導電性が低下するのだと考えられる。例えば、従来の方法で還元焼成した粒子径１７ｎｍのＩＴＯ粒子の場合、当該経時変化は、６０℃、ＲＨ９０%の条件下で４６時間後に、初期抵抗値に比べて１０倍以上に抵抗値が増大する。
【００４２】
本発明者らは、後述するＩＴＯ粉体の焼成工程の後に、当該ＩＴＯ粉体に対し低酸素濃度雰囲気下で一定時間処理を行うことで、ＩＴＯ粒子が微粒子であっても酸素欠損状態が安定したＩＴＯ粒子を製造できることに想到し、抵抗変化率の低い微粒のＩＴＯ粉体を得ることが出来た。
具体的には、アンモニアガスと窒素ガスとの混合ガス雰囲気下で還元焼成を行った後、室温程度まで冷却し、大気よりも低濃度な酸素雰囲気下で、安定化処理を行うものである。当該処理により、ＩＴＯ粉体の抵抗変化率が低下するのは、ＩＴＯ粒子表面が極薄い安定化層で覆われた為であると考えられる。
【００４３】
一方、本発明に係るＩＴＯ粉体において、上述した酸素欠損量は当該粉体の色に影響を与える。即ち、当該粉体色をＬ*ａ*ｂ*表色系で表した場合に、b*の値が０を超えれば粉体色は黄色であり、当該粉体において酸素欠損が少ない状態であること示している。これに対し、b*の値が０より小さければ青みがかった粉体色であり、当該粉体において酸素欠損が多い状態であることを示す。本発明者らの検討によれば、本発明に係るＩＴＯ粉体においてｂ*は−１５以上、０以下であることが好ましく、さらに好ましくは−１５以上、−５以下であることが判明した。
【００４４】
［本発明に係るＩＴＯ粉体の製造方法］
本発明に係るＩＴＯ粉体の製造方法について説明する。
まず、第１の工程として、スズ塩とインジウム塩とを秤量混合し、当該混合物を純水へ溶解してスズ塩とインジウム塩との混合溶液とし、当該スズ塩とインジウム塩との混合溶液と、アルカリとを反応させて水酸化スズと水酸化インジウムとのスラリーを生成させる。
尚、スズとインジウムの塩は塩酸塩、硫酸鉛、硝酸塩などがあるが、一般的には塩酸塩が用いられる。また、アルカリは、アンモニア、苛性ソーダ、苛性カリ及びその炭酸塩が用いられるが、水酸化スズと水酸化インジウムとのスラリー生成後における不純物を削減する観点から、アンモニアを用いることが好ましい。
【００４５】
生成した水酸化スズと水酸化インジウムとのスラリーを固液分離により採集し、純水により不純物を洗浄することで、純度を高めたスズ含有水酸化インジウムのケーキが得られる。得られたケーキを、室温以上、望ましくは８０℃以上の温度で乾燥することにより、スズ含有水酸化インジウムの乾燥粉が得られる。
【００４６】
当該スズ含有水酸化インジウム中において、スズは、（１）水酸化インジウムのインジウムと置換している場合もあるが、（２）酸化スズ、または／および、水酸化スズとして、水酸化インジウムと共沈している場合もあり、（３）酸化スズ、または／および、水酸化スズとして、水酸化インジウムと、非晶質の混合体となっている場合もある。
【００４７】
当該スズ含有水酸化インジウムの粒子径は、水酸化物を得る工程で決定されるが、主に反応温度、反応pH、反応温度を制御することで所望の粒子径の水酸化物を得ることが出来る。
【００４８】
次に、第２の工程である、得られたスズ含有水酸化インジウムを焼成する工程について説明する。
当該焼成工程の目的は、（１）スズ含有水酸化インジウムを、酸化物であるＩＴＯに変えること、（２）得られるＩＴＯ粒子の粒子径を調整すること、（３）得られるＩＴＯの結晶に酸素欠損を与えること、である。従って、当該焼成工程は、ＩＴＯの結晶に酸素欠損を与えるために、不活性と還元ガスとを混合した弱還元雰囲気下で行われる。そして、通常、当該弱還元雰囲気として、窒素やヘリウム、アルゴン等の不活性ガスへ、水素や一酸化炭素、アンモニアガスを混合した混合ガスが用いられる。当該混合ガスにおける各ガスの混合比率は、ＩＴＯの結晶へ付与しようとする酸素欠損量により異なる。但し、当該混合ガスの還元力が強すぎると、スズ含有水酸化インジウムはＩｎＯ、金属Ｉｎ等になってしまう。また、水素や一酸化炭素等の混合比率の目安は、混合ガスが大気中で爆発限界を超えない程度の濃度にすることが望ましい。
【００４９】
当該焼成工程における焼成温度は、３００℃以上、１０００℃迄の条件で行われる。３００℃以上であれば完全な酸化物を得ることが出来、１０００℃以下であれば、ＩＴＯ粒子間同士の激しい焼結を回避出来るので、ＩＴＯ粉体を塗料化する際に分散することが可能となる。好ましくは４００℃以上、８００℃以下である。当該焼成工程により生成するＩＴＯ粒子は、焼成温度が高いほど粒子同士の焼結が進むことにより、１次粒子径が大きくなる。
【００５０】
ここで、ＩＴＯ粒子の粒子径を所定の大きさに制御する方法について説明する。
ＩＴＯ粒子の粒子径を所定の粒子径に制御する方法には、大別して２方法がある。
第１の方法は、まず、ＢＥＴ値が５０〜１５０ｍ２／ｇ程度の微細なスズ含有水酸化インジウムを合成し、当該スズ含有水酸化インジウムを焼成してＩＴＯとする際の焼成温度を制御する方法である。第２の方法は、まず、所定の粒子径を有する粒状で結晶性の良いスズ含有水酸化インジウムを合成し、当該スズ含有水酸化インジウムの粒子径を保持したまま、焼成してＩＴＯとする方法である。
【００５１】
第１の方法では、焼成温度を通常４５０℃〜１０００℃とするが、焼成温度が高いほど、微細なスズ含有水酸化インジウム粒子同士が焼結するため、大きな１次粒子径を有するＩＴＯ粒子が生成する。従って、第１の方法で得られるＩＴＯの１次粒子の粒子径は焼成条件により決定される。上述したように、第１種成分の１次粒子の平均粒子径は２０ｎｍ以上と粗粒子であり、焼成温度は５５０〜１０００℃程度、好ましくは５５０〜８００℃である。焼成時間は、前記焼成温度を１０ｍｉｎ以上保持すれば、所定の粒子は生成するが、望ましくは３０ｍｉｎ〜６ｈｒである。焼成時の雰囲気は弱還元雰囲気であればよく、窒素とアンモニア、または、窒素と水素の混合ガスが好ましい。さらに、アンモニアの範囲は０．１〜１０ｖｏｌ％が好ましく、水素の範囲は０．０１〜５％が好ましい。
【００５２】
第２種成分以降のＩＴＯ粉体の製造条件は、５５０〜３００℃の範囲で、所定の粒子径を得ることの出来る焼成温度を実験により求め当該求められた温度にて焼成を行う。このとき、焼成時の雰囲気や時間は第１成分を製造する場合と同じで良い。
但し、第２種以降の成分は非常に微粒子であることから、焼成後、大気中に暴露する前に、低酸素の状態で一定時間保持する事が望ましい。具体的には、焼成終了後、１００℃以下まで冷却させた後、大気中の酸素濃度よりも低い雰囲気下に置き、１０ｍｉｎ〜２ｈｒ保持する。当該保持処理により、第２種以降のＩＴＯ粉体における酸素欠損の安定性が増す。
【００５３】
第２の方法では、スズ含有水酸化インジウム粒子合成の際の、反応液の温度、反応時間、反応pHを制御することにより、所定の粒子径のスズ含有水酸化インジウム粒子を生成させる。得られた所定の粒子径のスズ含有水酸化インジウム粒子を、３００℃〜５５０℃の比較的低温で焼成する事により、水酸化物の形状、粒子径を保持したままＩＴＯ粒子を得ることが出来る。
【００５４】
製造された第１種成分、第２種成分等のＩＴＯ粉体の具体的な混合方法として、例えば、乾式混合の場合であれば、ボールミルや振動ミル、湿式混合の場合であれば、ボールミル、サンドグラインダーなどが使用できる。
【００５５】
さらに、本発明に係るＩＴＯ粉体が塗液として用いられることを考慮すれば、混合操作はV型混合機などを用いたプレ混合とし、塗液化の際に、当該ＩＴＯ粉体を１次粒子の粒子径に迄、分散させる方法も好ましい。
【００５６】
以上説明したように、本発明に係るＩＴＯ粉体は、複数の状態で合成された複数の対数正規分布を有するＩＴＯ粉体で構成されている。その結果、当該ＩＴＯ粉体は、粒子径の頻度分布において、少なくとも２点で極大点を持つこととなる。即ち、頻度分布曲線を作成すれば、当該頻度分布曲線は少なくとも２つ以上の山を持った形状になる。また、粒子径の頻度分布全体を考えると、９５％粒子径と５％粒子径との差は３０ｎｍ以上となり裾野の広いとブロードな粒度分布を持つこととなる。
【００５７】
そして、当該ＩＴＯ粉体に含まれるＩＴＯの１次粒子のうち、当該１次粒子径が１ｎｍ以上、２０ｎｍ以下のものの存在割合をＡｗｔ％、当該１次粒子径が２０ｎｍを超え、１００ｎｍ以下のものの存在割合をＢｗｔ％としたとき、３≦Ａ≦５０、且つ、５０≦Ｂ≦９７、（但し、Ａ＋Ｂ≦１００）であり、且つ、当該１次粒子径において９５％粒子径を与える粒子径値と、５％粒子径を与える粒子径値との差が３０ｎｍ以上であり、且つ、当該１次粒子の最大粒子径が２００ｎｍ以下の範囲に調節することで、それぞれのＩＴＯ粉体単独では到達し得なかった高い電導度が得られる。
【００５８】
詳細は、実施例にて説明するが、抵抗値が０.０４１Ωcmを示す第１種成分のＩＴＯ粉体へ、抵抗値が0.096Ωcmを示す第２種成分のＩＴＯ粉体を２５wt%混合し、Ａ＝１５、Ｂ＝８５、５％粒子径と９５％粒子径との粒子径値差を８０ｎｍとしたところ、０.０２２Ωcmを示す低抵抗値のＩＴＯ粉体が得られた。
【００５９】
尚、一次粒子の粒度分布を１次粒子として、当該粒子径が２０ｎｍを超え、１００ｎｍ以下のものの存在割合をＢｗｔ％としたとき、３≦Ａ≦５０、且つ、５０≦Ｂ≦９７、（但し、Ａ＋Ｂ≦１００）とする構成による電導度の向上方法は、汎用性の高い方法である。従って、上述した製造方法により製造されたＩＴＯ粉に限られず適用できる。つまり、第１成分、第２成分以降にて使用する粉体として、異なる製造方法で製造されたより低抵抗なＩＴＯ粉体を用いる場合でも、当該第１成分のＩＴＯの抵抗値を低減できると考えられる。
【００６０】
また、塗布型の膜の電気抵抗値は、一般的なスパッタ膜と比較して、体積抵抗値において２桁高いと言われている。しかし、ＩＴＯ粉体として本発明に係るＩＴＯ粉体を用いて塗布型の膜とすることで、その差が１／２以下に縮まることとなった。この結果、従来スパッタ膜が用いられていた一部用途に、本発明に係る塗布型の膜が応用できるものと考えられる。
【００６１】
［本発明に係るＩＴＯ粉体を用いた塗液の製造方法例］
本発明に係るＩＴＯ粉体は、分散剤を用いて液状媒体物に分散させることにより液状またはペースト状の分散物として塗料化される。当該塗料化の方法は、公知の方法を適用できる。液状媒体物としてはアルコール、ケトン、エーテル、エステル等の有機溶媒や水を使用でき、分散剤としては、界面活性剤やカップリング剤等を使用すればよい。バインダーは所望により用いればよいが、用いる場合は、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、塩ビ樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリビニルアルコール樹脂等が好適に使用できるが、これに限られない。本発明に係るＩＴＯ粉体を液状媒体物に分散させる際は、ビーズミル等の分散装置を用いて分散させるのが好ましい。
【００６２】
［本発明に係るＩＴＯ粉体を含む塗液を用いた塗膜の製造方法例］
本発明に係るＩＴＯ粉体を含む、液状またはペースト状の分散物の塗布または塗膜化に際しては、スクリーン印刷、スピンコート、ディップコード、ロールコート、刷毛コート、スプレーコート等の公知の方法を用いることが出来る。例えば、当該分散物を基板上に塗布する場合には、当該基板材料として、有機高分子、プラスチック、ガラス等をあげることができ、当該基板形状としてはフィルム状のものが一般的である。特に、タッチパネルのようにフレキシビリティを要求される基板には高分子フィルムが好ましく、当該高分子フィルムには、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンタフタレート(PEN)、ポリイミド、アラミド、ポリカーボネート等のフィルムを用いることが出来る。
【００６３】
［測定方法］
（ＩＴＯ粒子の粒子径測定方法）
ＩＴＯ粒子の粒子径測定方法について説明する。
ＩＴＯ粒子の粒子径測定は、当該ＩＴＯ粒子のＴＥＭ写真上におけるＩＴＯ粒子の大きさを測定する事により算出することが出来る。そこで、当該算出方法について図１を参照しながら説明する。図１は、本発明に係るＩＴＯ粒子の１００００倍のＴＥＭ写真である。図１から明らかなように、ＩＴＯ粒子は、完全な球形ではないが、測定に際しては当該ＩＴＯ粒子において最大となる部分の長さ（図１中において、白抜き矢印で示した長さ）を測定し、その測定値を当該ＩＴＯ粒子の直径とした。尚、測定するＩＴＯ粒子の数は多いほど好ましく、少なくとも１００個以上を測定することが好ましい。尚、当該ＩＴＯ粒子において、粒子境界が明確でないものは測定の対象外とした。
【００６４】
上述したＩＴＯ粒子の粒子径測定結果に基づいて、粒子径と粒子数とから平均粒子径、５％粒子径、および９５％粒子径の体積粒子径分布を求めることが出来る。具体的には、まず、試料粉体中に含まれるＩＴＯ粒子の最大１次粒子径と最少１次粒子径との間を、１０〜２０の粒子径区間に分ける。次に、当該分けられた各区間に含まれる粒子量の全粒子に対する体積割合と、対象となる区間の粒子径以下の粒子径を有する粒子量との総和粒子量が、全粒子量に対する体積割合のことである。このとき、分けられた各区間に含まれる粒子量の全粒子に対する体積割合を示すのが頻度分布表であり、対象となる区間の粒子径以下の粒子径を有する粒子量との総和粒子量が、全粒子量に対する体積割合を示すのが積算分布表である。
【００６５】
図２は、後述する実施例３に係るＩＴＯ試料の頻度分布図と積算分布図とを重ねたグラフである。図２において左縦軸は頻度を示し、右縦軸は積算を示し、横軸は１次粒子径の区分を示している。尚、横軸において、粒子径の範囲が広い場合は対数目盛りを用いることが便宜である。
【００６６】
図２より２種のＩＴＯ粉体を混合したＩＴＯ粉体には、頻度分布図において二つの山が現れている。一方、積算分布図において、対象となる区間の粒子径以下の粒子径を有する粒子量との総和粒子量が、全粒子量に対する体積割合において、５％に達する粒子径を５％粒子径、５０％に達する粒子径を平均粒子径、９５％に達する粒子径を９５％粒子径という。
尚、上述したＴＥＭ写真から測定した１次粒子の平均径と、ＢＥＴ法で測定したＢＥＴ値から求めた平均粒子径とは、ほぼ一致した。
【実施例】
【００６７】
（実施例１〜１０）
インジウム濃度が１８．４５ｗｔ％の塩化インジウム水溶液(InCl3)３６６ｇと、塩化スズ(SnCl2)２２ｇとを秤量し、純水に溶解して塩化インジウムと塩化スズとの混合溶液１．５ｌを調製した。尚、当該混合溶液において、スズの濃度は、インジウムとスズの合計に対して１５ｍｏｌ%となっている。
一方、濃度２５ｗｔ％のNH3水溶液２７５ｇを純水２１００ｇで希釈し、液温を５０℃とした。尚、当該NH3水溶液において、NH3量は、前記塩化インジウムと塩化スズとの混合溶液を中和するのに必要な量の2倍量である。
当該NH3水溶液を攪拌し、ここへ前記塩化インジウムと塩化スズとの混合溶液を３分間かけて添加し、スズ含有水酸化インジウムの懸濁液とした。生成したスズ含有水酸化インジウムの懸濁物を濾過収集して、純水によって洗浄しスズ含有水酸化インジウムのケーキを得た。当該スズ含有水酸化インジウムのケーキを100℃で乾燥した。得られたスズ含有水酸化インジウムの比表面積は９０ｍ２／ｇであった。当該スズ含有水酸化インジウムを、焼成炉内に設置し、アンモニアを０．５％含有する窒素雰囲気下で５２０℃、２時間の焼成を行った。焼成終了後、焼成炉内を３０℃迄冷却し、炉内の雰囲気を酸素濃度０．１%の窒素雰囲気として10分間処理した後、炉内の雰囲気の酸素濃度を徐々に上昇させ、1時間かけて２０．９%としてＩＴＯ試料１を製造した。得られたＩＴＯ試料１の性状を表１に示す。
【００６８】
ここで、ＩＴＯ粉体の色度は、測式色差計を用い反射光の測定で行った。尚、測式色差計は、日本電色工業株式会社製Z-300Aを用いた。
【００６９】
次に、前記焼成炉の焼成温度を６１２℃とした以外は、ＩＴＯ試料１の製造と同様の操作を行い、ＩＴＯ試料２を製造した。得られたＩＴＯ試料２の性状を表１に示す。
【００７０】
次に、前記焼成炉の焼成温度を６４０℃とした以外は、ＩＴＯ試料１の製造と同様の操作を行い、ＩＴＯ試料３を製造した。得られたＩＴＯ試料３の性状を表１に示す。
【００７１】
さらに、比較のためＩＴＯ試料１の製造と同様であるが、焼成終了後に焼成炉内を３０℃迄冷却した後、酸素処理を実施せず、そのまま大気中に取り出して、ＩＴＯ試料４を製造した。得られたＩＴＯ試料４の性状を表１に示す。
【００７２】
ここで、ＩＴＯ試料３の９５ｗｔ％と、ＩＴＯ試料１の５ｗｔ％とを混合して、実施例１に係るＩＴＯ粉体を製造した。
【００７３】
ここで、ＩＴＯ試料３の９０ｗｔ％と、ＩＴＯ試料１の１０ｗｔ％とを混合して、実施例２に係るＩＴＯ粉体を製造した。
【００７４】
次に、ＩＴＯ試料３の７５ｗｔ％と、ＩＴＯ試料１の２５ｗｔ％とを混合して、実施例３に係るＩＴＯ粉体を製造した。
【００７５】
ここで、ＩＴＯ試料３の６０ｗｔ％と、ＩＴＯ試料１の４０ｗｔ％とを混合して、実施例４に係るＩＴＯ粉体を製造した。
【００７６】
次に、ＩＴＯ試料３の５０ｗｔ％と、ＩＴＯ試料１の５０ｗｔ％とを混合して、実施例５に係るＩＴＯ粉体を製造した。
【００７７】
次に、ＩＴＯ試料２の９５ｗｔ％と、ＩＴＯ試料１の５ｗｔ％とを混合して、実施例６に係るＩＴＯ粉体を製造した。
【００７８】
次に、ＩＴＯ試料２の９０ｗｔ％と、ＩＴＯ試料１の１０ｗｔ％とを混合して、実施例７に係るＩＴＯ粉体を製造した。
【００７９】
次に、ＩＴＯ試料２の７５ｗｔ％と、ＩＴＯ試料１の２５ｗｔ％とを混合して、実施例８に係るＩＴＯ粉体を製造した。
【００８０】
次に、ＩＴＯ試料２の６０ｗｔ％と、ＩＴＯ試料１の４０ｗｔ％とを混合して、実施例９に係るＩＴＯ粉体を製造した。
【００８１】
次に、ＩＴＯ試料２の５０ｗｔ％と、ＩＴＯ試料１の５０ｗｔ％とを混合して、実施例１０に係るＩＴＯ粉体を製造した。
【００８２】
以上、製造された実施例１〜１０に係るＩＴＯ粉体の性状を測定した。当該測定結果を表１に記載する。
【００８３】
次に、製造された実施例１〜１０に係るＩＴＯ粉体について、圧粉体の抵抗値および当該圧粉体の抵抗値の経時変化率測定を行い、さらに比較のため、ＩＴＯ試料１〜４についても同様の測定を行った。当該測定結果を表１に記載する。
【００８４】
（圧粉体の抵抗値測定）
ＩＴＯ粉体の圧粉体の抵抗値測定について説明する。
上述したＩＴＯ粉体に１ｔ／ｃｍ２の圧力をかけ、直径２５mmの円柱状のペレットを作製した。当該ペレットの電気抵抗値を四探針法により測定した。尚、測定装置には、三菱化学製 LORESTA HPを用いた。
【００８５】
（圧粉体の抵抗値の経時変化率測定）
ＩＴＯ粉体の圧粉体における抵抗値の経時変化率の測定について説明する。
上述した圧粉体の電導度測定で作製したＩＴＯ粉体の圧粉体を、高温恒湿器内に設置し６０℃、相対湿度９０%で４６時間貯蔵した。そして、当該圧粉体作製直後の電気抵抗値を初期圧粉体の電気抵抗値とし、高温恒湿器内貯蔵後の電気抵抗値を経時変化後の圧粉体の電気抵抗値として、両者の変化率を算定し、式１を用いて圧粉体の電気抵抗値の経時変化率を求めた。
（式１）    経時変化率(%)=貯蔵後圧粉体抵抗値÷初期圧粉体抵抗値×１００
【００８６】
【表１】
0004586126.tif 000004
【００８７】
（実施例１〜１０のまとめ）
表１の結果から明らかなように、粒子径の大きなＩＴＯ粉体と粒子径の小さなＩＴＯ粉体とを混合し、当該ＩＴＯ粉体に含まれるＩＴＯの１次粒子のうち、当該１次粒子径が１ｎｍ以上、２０ｎｍ以下のものの存在割合をＡｗｔ％、当該１次粒子径が２０ｎｍを超え、１００ｎｍ以下のものの存在割合をＢｗｔ％としたとき、３≦Ａ≦５０、且つ、５０≦Ｂ≦９７、（但し、Ａ＋Ｂ≦１００）であると、圧粉体抵抗値は０．０２２Ω・ｃｍ〜０．０４Ω・ｃｍと低く、圧粉体の抵抗値の経時変化率も３３０％〜５２０％と小さいことが判明した。
【００８８】
即ち、各々のＩＴＯ試料１〜３を単体で使用した場合に比べて、これらを所定の割合で混合することにより、原料であるＩＴＯ試料１〜３に較べても、圧粉体抵抗値が低く、経時変化率の小さなＩＴＯ粉体を得ることが出来た。
一方、比較のために製造し特性を測定したＩＴＯ試料４は、緑黄色をしており粉体抵抗が０．２２Ω・cmと高く、経時変化率も１２００％と大きかった。
さらにＩＴＯ試料４は、ＩＴＯ試料３に安定化処理を行わなかった場合に相当する試料である。このＩＴＯ試料４は粉体の抵抗値が高く、ＩＴＯ試料３と混合した場合も、低抵抗値を有する透明導電膜を得ることは出来なかった。
【図面の簡単な説明】
【００８９】
【図１】本発明に係るＩＴＯ粒子のＴＥＭ写真である。
【図２】本発明に係るＩＴＯ試料の頻度分布図と積算分布図とを重ねたグラフである。
【図２】
0004586126.tif 000006
【図１】
0004586126.tif 000007