(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一つの主面に、圧電素子と、該圧電素子に電気的に接続された導体パターンとが形成された素子基板と、
前記素子基板の前記主面側に配置され、前記圧電素子の周囲に空間を残して、前記圧電素子の周囲を覆う絶縁部材とを備え、
前記絶縁部材には、前記導体パターンに接続され、前記素子基板から離れて延在する内部導体が設けられた、圧電デバイスにおいて、
前記内部導体は、その配線方向に対して交叉する方向に突出した膨出部、又はその配線方向から外れた迂回部を含み、
該膨出部又迂回部は、前記素子基板の前記主面の法線方向から透視したとき、前記圧電素子の周囲に形成される前記空間（以下、「封止空間」という。）の境界を横断することを特徴とする、圧電デバイス。
【請求項２】
前記封止空間は、前記素子基板の前記主面の法線方向から透視したとき、略矩形形状を有し、
前記内部導体は、前記素子基板の前記主面の法線方向から透視したとき、少なくとも前記封止空間の対向する２辺間を横断する部分を有し、該部分は、前記膨出部又迂回部を含むことを特徴とする、請求項１に記載の圧電デバイス。
【請求項３】
前記封止空間は、前記素子基板の前記主面の法線方向から透視したとき、略矩形形状を有し、
前記内部導体は、前記素子基板の前記主面の法線方向から透視したとき、少なくとも前記封止空間の隣接する２辺間を横断する部分を有し、該部分は、前記膨出部又迂回部を含むことを特徴とする、請求項１に記載の圧電デバイス。
【請求項４】
前記素子基板の前記主面の法線方向から透視したとき、前記封止空間の１／２以上の部分に、前記内部導体が配置されたことを特徴とする、請求項１、２又は３に記載の圧電デバイス。
【請求項５】
前記素子基板の前記主面の法線方向から透視したとき、前記封止空間の略全面に、前記内部導体が配置されたことを特徴とする、請求項１、２又は３に記載の圧電デバイス。
【請求項６】
前記素子基板の前記主面の法線方向から透視したとき、前記内部導体は、少なくとも前記封止空間内に配置される部分が金属材料からなるメッキ膜で形成されることを特徴とする、請求項１ないし５のいずれか一つに記載の圧電デバイス。
【請求項７】
前記内部導体の前記メッキ膜の金属膜厚が１０μｍ以上であることを特徴とする、請求項６に記載の圧電デバイス。
【請求項８】
前記内部導体は、弾性率が１．３×１０１１Ｐａ以上である金属材料層を含むことを特徴とする、請求項１ないし７のいずれか一つに記載の圧電デバイス。
【請求項９】
前記内部導体は、Ｎｉを主成分とする金属材料からなることを特徴とする、請求項１ないし８のいずれか一つに記載の圧電デバイス。
【請求項１０】
前記圧電素子は、弾性表面波又はバルク波を利用した素子であることを特徴とする、請求項１ないし９のいずれか一つに記載の圧電デバイス。
【請求項１１】
素子基板の少なくとも一つの主面に、圧電素子と、該圧電素子に電気的に接続された導体パターンとを形成する第１のステップと、
前記素子基板の前記主面上に前記圧電素子の周囲を囲むように形成された第１の樹脂部と、前記第１の樹脂部の上に前記素子基板との間に間隔を設けて配置された第２の樹脂部とを含み、前記素子基板の前記主面側に配置され、前記圧電素子の周囲に空間を残して、前記圧電素子の周囲を覆う樹脂を形成するとともに、前記第１及び第２の樹脂部の貫通孔と前記第２の樹脂部の前記第１の樹脂部とは反対側とに形成された部分が互いに接続された接続部材を含み、前記導体パターンに接続され、前記素子基板から離れて延在する内部導体を設ける第２のステップとを備えた、圧電デバイスを製造する方法において、
前記第２のステップは、前記樹脂に前記内部導体を設けると同時に、前記圧電素子の周囲に形成される前記空間の強度を補強する補強部を設ける工程を含むことを特徴とする、圧電デバイスの製造方法。
【請求項１２】
前記膨出部又は迂回部を、回路素子又はその一部として用いたことを特徴とする、請求項１ないし１０のいずれか一つに記載の圧電デバイス。
【請求項１３】
前記膨出部又は迂回部を、インダクタとして用いたことを特徴とする、請求項１ないし１０のいずれか一つに記載の圧電デバイス。
【請求項１４】
前記膨出部又は迂回部を、キャパシタの一部として用いたことを特徴とする、請求項１ないし１０のいずれか一つに記載の圧電デバイス。
【請求項１５】
前記膨出部又は迂回部は、前記圧電素子と電気的に接続していることを特徴とする、請求項１ないし１０、及び、１２ないし１４のいずれか一つに記載の圧電デバイス。
【請求項１６】
前記膨出部又は迂回部を、異なる樹脂の間に形成することを特徴とする、請求項１ないし１０、及び、１２ないし１５のいずれか一つに記載の圧電デバイス。
【請求項１７】
前記膨出部又は迂回部を、前記封止空間に接し中空構造を形成する樹脂と、圧電デバイスの外表面に接し外殻樹脂を形成する樹脂の間に形成することを特徴とする、請求項１ないし１０、及び、１２ないし１６のいずれか一つに記載の圧電デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は圧電デバイス及びその製造方法に関し、詳しくは、圧電基板や圧電膜を用いた圧電素子を備えた圧電デバイス及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
共振子やフィルタなど、圧電基板や圧電膜を用いた圧電デバイスでは、樹脂等をビルドアップした構造を核として圧電振動空間部を形成する構成が知られている。【０００３】
例えば、特許文献１には、圧電基板上に、ＩＤＴ電極を覆うカバーと、カバーの外側にパッド電極から突出した突起電極とを設け、それらを覆うように絶縁体層、樹脂層を形成する構成において、Ｓｉ系化合物を用いて絶縁体層を形成し、絶縁体層でカバーの表面を覆うことにより、ＩＤＴ電極の耐湿性を向上させることが提案されている。【０００４】
特許文献２には、圧電基板に、振動部の周囲を取り囲むスペーサを接着し、スペーサに封止フィルムを接着することにより、振動部の周りに形成される空洞を封止する構成において、封止フィルムを金属板等によって構成することや、封止フィルムの外側に配置される第２外装体と封止フィルムとの間にセラミック薄板や金属薄板の補強層を設けることが提案されている。【０００５】
特許文献３には、圧電基板の共振子素子が形成された面に、間隔を設けて樹脂基板を接合する構成において、圧電基板に対向する側の樹脂基板の全面に金属層を形成し、樹脂基板からの水分やガスの透過を抑制することが提案されている。【０００６】
特許文献４には、ＳＡＷチップが実装される実装基板側に、ＳＡＷチップと接続するための入出力用の電極の他に、接地用の電極を設けるとともに、接地用の電極を包囲するようにインダクタンスを得るための導体パターンを形成することが提案されている。
【特許文献１】特開２００２−２１７６７３号公報
【特許文献２】特開平６−１６４２９２号公報
【特許文献３】特開２００３−３７４７１号公報
【特許文献４】特開２００４−１６５８７４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記のように、樹脂等をビルドアップした構造を核として圧電振動空間部を形成する構成は、低背化のために有利である。【０００８】
しかし、樹脂等をビルドアップした構造で封止した圧電デバイスを回路基板に実装した後、半導体チップ等の他のチップと同時一括で樹脂モールドして機能モジュールを作製しようとすると、−般に、樹脂モールドする条件が高温高圧であるために、圧電デバイスが潰れてしまう恐れがある。【０００９】
そこで、例えば、特許文献１に開示されたＳｉ系化合物の絶縁体層によって強度を稼ぐなどの対策が考えられる。しかし、工程数の増加、高温高圧の樹脂モールドに耐えるためには少なくとも１０μｍ以上の膜厚が必要であること、取出電極のためのビア加工も別途行う必要があることなどから、コストアップが避けられない。【００１０】
本発明は、かかる実情に鑑み、コストアップすることなく耐モールド性を確保することができる圧電デバイス及びその製造方法を提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、上記課題を解決するために、以下のように構成した圧電デバイスを提供する。【００１２】
圧電デバイスは、少なくとも一つの主面に、圧電素子と、該圧電素子に電気的に接続された導体パターンとが形成された素子基板と、前記素子基板の前記主面上に前記圧電素子の周囲を囲むように形成された第１の樹脂部と、前記第１の樹脂部の上に前記素子基板との間に間隔を設けて配置された第２の樹脂部とを含み、前記素子基板の前記主面側に配置され、前記圧電素子の周囲に空間を残して、前記圧電素子の周囲を覆う樹脂とを備え、前記第１及び第２の樹脂部の貫通孔と前記第２の樹脂部の前記第１の樹脂部とは反対側とに形成された部分が互いに接続された接続部材を含み、前記導体パターンに接続され、前記素子基板から離れて延在する内部導体が設けられた、タイプのものである。前記内部導体は、その配線方向に対して交叉する方向に突出した膨出部、又はその配線方向から外れた迂回部を含む。該膨出部又迂回部は、前記素子基板の前記主面の法線方向から透視したとき、前記圧電素子の周囲に形成される前記空間（以下、「封止空間」という。）の境界を横断する。
【００１３】
上記構成の内部導体により、封止空間の周囲を形成する樹脂側を補強することができる。これにより、樹脂モールド時に外部から圧電デバイスに圧力が加わっても、圧電デバイスが潰れないようにすることができる。
【００１４】
上記構成によれば、特別な工程や特別な部材を追加することなく、圧電デバイスの強度を向上することができる。内部導体には、一般に金属膜を用いるので、小型化、低背型化を損なうことなく、封止空間の強度を確保することができる。【００１５】
好ましくは、前記封止空間は、前記素子基板の前記主面の法線方向から透視したとき、略矩形形状を有する。前記内部導体は、前記素子基板の前記主面の法線方向から透視したとき、少なくとも前記封止空間の対向する２辺間を横断する部分を有する。該部分は、前記膨出部又迂回部を含む。【００１６】
上記構成において、内部導体の膨出部又は迂回部は、素子基板の主面の法線方向から透視したとき、単独で、封止空間を横断しても、内部導体の膨出部又は迂回部以外の部分とともに、封止空間を横断してもよい。【００１７】
上記構成によれば、封止空間の強度を確保することが容易である。【００１８】
好ましくは、前記封止空間は、前記素子基板の前記主面の法線方向から透視したとき、略矩形形状を有する。前記内部導体は、前記素子基板の前記主面の法線方向から透視したとき、少なくとも前記封止空間の隣接する２辺間を横断する部分を有する。該部分は、前記膨出部又迂回部を含む。【００１９】
上記構成において、内部導体の膨出部又は迂回部は、素子基板の主面の法線方向から透視したとき、単独で、封止空間を横断しても、内部導体の膨出部又は迂回部以外の部分とともに、封止空間を横断してもよい。【００２０】
上記構成によれば、封止空間の強度を確保することが容易である。【００２１】
好ましくは、前記素子基板の前記主面の法線方向から透視したとき、前記封止空間の１／２以上の部分に、前記内部導体が配置される。【００２２】
上記構成によれば、封止空間の強度を確保することが容易である。【００２３】
好ましくは、前記素子基板の前記主面の法線方向から透視したとき、前記封止空間の略全面に、前記内部導体が配置される。【００２４】
上記構成によれば、強度を確保することが容易である。【００２５】
好ましくは、前記素子基板の前記主面の法線方向から透視したとき、前記内部導体は、少なくとも前記封止空間内に配置される部分が金属材料からなるメッキ膜で形成される。【００２６】
上記構成によれば、内部導体のメッキ膜を厚付けすることにより、ほとんどコストアップなく、封止空間の強度を確保することができる。【００２７】
好ましくは、前記内部導体の前記メッキ膜の金属膜厚が１０μｍ以上である。【００２８】
上記構成によれば、十分な強度が確保できる。【００２９】
好ましくは、前記内部導体は、弾性率が１．３×１０１１Ｐａ以上である金属材料層を含む。【００３０】
内部導体は、同じ厚みなら、高弾性率であるほど変形しにくいため、より強度を高めることができる。【００３１】
好ましくは、前記内部導体は、Ｎｉを主成分とする金属材料からなる。【００３２】
Ｎｉは、内部導体に要求されるメッキ性、強度、配線抵抗、安価な材料などの条件を満たす。【００３３】
好ましくは、前記圧電素子は、弾性表面波又はバルク波を利用した素子である。【００３４】
この場合、コストアップすることなく、耐モールド性を持った高強度のパッケージ構造の圧電デバイスを提供することができる。【００３５】
好ましくは、前記圧電素子は、前記膨出部又は迂回部を、回路素子またはその一部として用いている。前記膨出部又は迂回部は、前記圧電素子と電気的に接続してもよい。【００３６】
好ましくは、前記圧電素子は、前記膨出部又は迂回部を、インダクタとして用いている。前記膨出部又は迂回部は、前記圧電素子と電気的に接続してもよい。【００３７】
好ましくは、前記圧電素子は、前記膨出部又は迂回部を、キャパシタの一部として用いている。前記膨出部又は迂回部は、前記圧電素子と電気的に接続してもよい。【００３８】
この場合、封止空間の強度を確保しつつ、デバイス特性を満足するために必要なインダクタやキャパシタなどの回路素子を効率的に形成することができ、デバイスの小型化が実現できる。【００３９】
また、本発明は、上記課題を解決するために、以下のように構成した圧電デバイスの製造方法を提供する。【００４０】
圧電デバイスの製造方法は、素子基板の少なくとも一つの主面に、圧電素子と、該圧電素子に電気的に接続された導体パターンとを形成する第１のステップと、前記素子基板の前記主面上に前記圧電素子の周囲を囲むように形成された第１の樹脂部と、前記第１の樹脂部の上に前記素子基板との間に間隔を設けて配置された第２の樹脂部とを含み、前記素子基板の前記主面側に配置され、前記圧電素子の周囲に空間を残して、前記圧電素子の周囲を覆う樹脂を形成するとともに、前記第１及び第２の樹脂部の貫通孔と前記第２の樹脂部の前記第１の樹脂部とは反対側とに形成された部分が互いに接続された接続部材を含み、前記導体パターンに接続され、前記素子基板から離れて延在する内部導体を設ける第２のステップとを備える。前記第２のステップは、前記樹脂に前記内部導体を設けると同時に、前記圧電素子の周囲に形成される前記空間の強度を補強する補強部を設ける工程を含む。
【００４１】
上記方法によれば、コストアップすることなく、耐モールド性を持った高強度のパッケージ構造の圧電デバイスを提供することができる。
【発明の効果】
【００４２】
本発明の圧電デバイス及びその製造方法によれば、コストアップすることなく、モールド耐性を確保することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】圧電デバイスの断面図である。（実施例１）
【図２】圧電デバイスの製造工程の説明図である。（実施例１）
【図３】圧電デバイスの製造工程の説明図である。（実施例１）
【図４】圧電デバイスの製造工程の説明図である。（実施例１）
【図５】圧電デバイスの製造工程の説明図である。（実施例１）
【図６】圧電デバイスの製造工程の説明図である。（実施例１）
【図７】圧電デバイスの製造工程の説明図である。（実施例１）
【図８】圧電デバイスの製造工程の説明図である。（実施例１）
【図９】圧電デバイスの製造工程の説明図である。（実施例１）
【図１０】圧電デバイスの製造工程の説明図である。（実施例１）
【図１１】圧電デバイスの製造工程の説明図である。（実施例１）
【図１２】圧電デバイスの製造工程の説明図である。（実施例１）
【図１３】圧電デバイスの製造工程の説明図である。（実施例１）
【図１４】圧電デバイスの製造工程の説明図である。（実施例１）
【図１５】圧電デバイスの製造工程の説明図である。（実施例１）
【図１６】圧電デバイスの樹脂モールドの説明図である。（実施例１）
【図１７】圧電デバイスの製造工程の説明図である。（実施例２）
【図１８】圧電デバイスの製造工程の説明図である。（実施例２）
【図１９】圧電デバイスの一例であるＳＡＷフィルタの回路図である。（実施例２）
【図２０】圧電デバイスの一例であるＳＡＷフィルタの回路図である。（実施例２）
【図２１】圧電デバイスの一例であるＳＡＷフィルタの回路図である。（実施例２）
【図２２】圧電デバイスの一例であるＳＡＷフィルタの回路図である。（実施例２）
【図２３】圧電デバイスの一例であるアンテナ共用器の回路図である。（実施例２）
【図２４】圧電デバイスの一例であるアンテナ共用器の回路図の回路図である。（実施例２）
【図２５】圧電デバイスの製造工程の説明図である。（実施例３）
【符号の説明】
【００４４】
１０  ＳＡＷデバイス（圧電デバイス）
１２  圧電基板（素子基板）
１３  封止空間
１５  パッド電極（導体パターン）
１６，１６ｓ，１６ｔ  金属膜（内部導体）
１７  接続部材（内部導体）
１７ｑ  メッキ膜（内部導体）
２０  支持層（樹脂、第１の樹脂部）
２２  カバー（樹脂、第２の樹脂部）
２４  追加層（樹脂）
２６  外郭樹脂（樹脂）
２８  接続部材（内部導体）
２９，３０，３２，３３  インダクタ
３１，３４  キャパシタ
３５，３６  ＳＡＷフィルタ
【発明を実施するための最良の形態】
【００４５】
以下、本発明の実施の形態として実施例について図１〜図２５を参照しながら説明する。【００４６】
（実施例１）  実施例１の圧電デバイス１０について、図１〜図１６を参照しながら説明する。【００４７】
図１の断面図に示すように、圧電デバイス１０は、ＳＡＷ（弾性表面波）フィルタであり、圧電基板１２の一方の主面である上面１２ａに、櫛歯状電極であるＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｔｒａｓｄｕｃｅｒ）１４やリフレクタ、パッド電極１５、引き回し配線部などを含む導電パターンが形成されている。基板１２の他方の主面である下面１２ｂには、保護膜１１が形成されている。基板１２には、得たい特性により、水晶基板、ＬｉＴａＯ３基板、ＬｉＮｂＯ３基板、ＺｎＯ薄膜が形成された基板などを用いる。【００４８】
圧電基板１２の上面１２ａ及びパッド電極１５上に、ＩＤＴ１４の周囲を囲むように、第１の樹脂部である支持層２０が形成されている。支持層２０の上に、圧電基板１２と間隔を設けて、第２の樹脂部であるカバー層２２が配置されている。カバー層２２は、大略、圧電基板１２に沿って延在する。絶縁部材である支持層２０及びカバー層２２によって、ＩＤＴ１４の周囲を覆う封止空間１３が形成される。圧電基板１２の上面１２ａのうち、封止空間１３に隣接する部分において、弾性表面波が自由に伝搬するようになっている。【００４９】
さらに、外郭樹脂２６により、カバー層２２の上から圧電基板１２の上面１２ａの外周縁までが、全体的に覆われている。外郭樹脂２６からは、外部端子１９が露出している。外部端子１９は、支持層２０、カバー層２２及び外郭樹脂２６に形成された貫通孔（ビアホール）等に配置された内部導体１６，１７，１８及びアンダーバンプメタル層１９ａを介して、パッド電極１５に電気的に接続されている。外部端子１９は、圧電デバイス１０を実装する際に、回路基板の端子等に電気的に接続される。【００５０】
次に、図２〜図１５を参照しながら、圧電デバイス１０の製造工程について説明する。図２〜図１５は、最終形状の圧電デバイス１０の略１個分に相当する部分を図示しているが、実際には、複数個の圧電デバイス１０に相当する部分を、例えば升目状に二次元配置した集合基板の状態で製造する。【００５１】
まず、図２に示すように、圧電基板１２上に、ＩＤＴ１４やリフレクタ、パッド電極１５、引き回し配線部などを含む導電パターンとなる部分に第１の配線層を形成する。すなわち、圧電基板１２上に、フォトリソグラフィー技術を用いて、導電パターンを形成したい部分を開口したリフトオフ用レジストパターンを形成する。次いで、Ａｌを主成分とした金属を蒸着成膜する。次に、剥離液に浸漬・揺動させて、レジストパターンを剥離（リフトオフ）することで、第１の配線層を形成する。【００５２】
次に、図３に示すように、第２の配線層１５ａを形成する。パッド電極１５や引き回し配線部など、配線抵抗を下げるために金属膜を形成したい部分を開口したレジストパターンを形成し、続いて金属膜を蒸着し、続いてリフトオフすることで、第２の配線層１５ａを形成する。このときの金属膜として、Ａｌ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｐｔもしくは、これらの多層構造がある。第２の配線層の表面層は、メッキする場合には、メッキ性の良好なＣｕ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｐｔなどが好ましい。【００５３】
次に、図４に示すように、第１の樹脂部である支持層２０を形成する。すなわち、支持層２０は、感光性ポリイミドを塗布し、露光、現像を行うことにより、ＩＤＴ１４と第２の配線層１５ａが開口したポリイミドパターンを形成する。パターン形成後、加熱することでポリイミドを硬化させ、続いて酸素プラズマによりＩＤＴ１４に付着する有機物を除去する。ここで、形成された開口部２１は、後で貫通孔の一部として用いられる。【００５４】
ポリイミドの替わりに、アウトガスやハロゲンが十分に少なく、かつ、耐熱性や強度があるものであればよい。例えば、ベンゾシクロブテン、シリコーンなどが、挙げられる。【００５５】
次に、図５に示すように、第２の樹脂部であるカバー層２２を形成する。カバー層２２としてポリイミドフィルムを用いる。ポリイミドフィルム表面には接着層として、熱可塑性のポリイミド系樹脂を形成しておく。このフィルムを１００℃に加熱したローラーでロールラミネー卜して支持層２０と加熱接着させる。これにより、ＩＤＴ１４の周囲の封止空間１３を一次封止する。【００５６】
次に、図６に示すように、カバー層２２上に金属膜１６を形成する。すなわち、カバー層２２上に、金属膜１６を形成したい部分が開口したレジストパターンを形成し、蒸着法によりＡｕを０．１μｍの厚さで成膜し、続いてリフトオフによりレジストと共に不要部の金属膜を除去することで、所望のパターンの金属膜１６を形成する。【００５７】
次に、図７に示すように、レーザによりカバー層２２や金属膜１６に、支持層２０の開口部２１に連通する貫通孔２３，１９を開け、デスミア処理、プラズマ処理などを行い、レーザ加工残渣を除去する。【００５８】
次に、金属膜１６の上には、後述する後の工程における図１０の線Ａ−Ａに沿って見た平面図である図８（ａ）、及び図８（ａ）の線Ｂ−Ｂに沿って切断した断面図である図８（ｂ）に示すように、接続部材１７が配置される。金属膜１６のパターンは、接続部材１７のパターンと略一致する。図８（ａ）に示すように、形成する金属膜１６のパターンとして、封止空間１３上に意識的に多くの膜を形成する。特に、符号１７ｅ，１７ｆで示すように封止空間１３の異なる２辺を、さらには、符号１７ａ，１７ｂ，１７ｃ，１７ｄで示すように封止空間１３上の対向する辺を跨ぐように配置すれば、封止空間１３の補強に効果的である。符号１７ａ，１７ｄで示したように必要な配線又は符号１７ｅ，１７ｆで示した電極のランドを、封止空間１３上に配置して封止空間１３の補強に利用する。符号１７ｂ，１７ｃで示すように、封止空間１３の強度を高めるためだけの配線方向に対して交叉する方向に突出した膨出部を形成し、封止空間１３上に配置する。これにより、封止空間１３の上部のカバー層２２の強度が向上する。【００５９】
具体的には、図９に示すように、電解メッキ、もしくは、無電解メッキにより、貫通孔２１，２３，１９を接続部材１７で充填してビアホールを形成し、カバー層２２上の金属膜１６に、厚さ２０μｍのＮｉ膜を形成する。このように接続部材１７によってビアホールと金属膜１６が接続されることにより、さらに封止空間１３の上部のカバー層２２の強度が向上する。また、カバー層２２の金属膜１６上に形成するメッキ膜材料は、弾性率の大きな材料が好ましい。メッキの容易さと大きな弾性率とを兼ね備えたＮｉ膜層がより好ましい。なお、メッキ膜層は、多層構造でもよい。また、メッキ膜であるため、メッキレートが比較的早く、２０μｍの厚さを形成する時間も１０分程度であり、コストアップ要因とはならない。【００６０】
次に、図１０に示すように、カバー層２２の周辺部２５を、レーザ光を用いて開口する。レーザ光を用いた加工の替わりに、酸素プラズマを用いたドライエッチング、エッチング溶液を用いたウエットエッチング、回転式ブレードのダイサーを用いたカットなどで、行うことも可能である。【００６１】
次に、図１１に示すように、外郭樹脂２６を形成する。すなわち、絶縁材として、フィルムタイプのエポキシ系樹脂をラミネートする。このエポキシ系樹脂は、液状タイプのものを印刷により形成してもよい。また、エポキシ系樹脂の替わりに、ベンゾシクロブテン樹脂、シリコーン系樹脂や、いわゆるスピンオングラス（ＳＯＧ）などの絶縁材でもよい。次いで、絶縁材を硬化する。このとき、オーブンを用いて２４０℃で硬化する。【００６２】
次に、図１２に示すように、外郭樹脂２６にレーザによって貫通孔（ビアホール）２７を形成し、図１３に示すようにビアホールの内部に電解メッキによって金属１８を充填する。このとき、外郭樹脂２６に感光性材料の絶縁材を用い、フォトリソグラフィー技術を用いてビア加工を行ってもよい。あるいは、ドライエッチングでビア加工を行ってもよい。【００６３】
次に、図１３に示すように、金属１８の上にアンダーバンプメタル層１９ａを形成する。【００６４】
次に、図１４に示すように、アンダーバンプメタル層１９ａの上に、さらにはんだペーストをメタルマスク印刷し、加熱することにより、はんだバンプの外部端子１９を形成する。【００６５】
次に、図１５に示すように、圧電基板１２や圧電基板１２上の外郭樹脂２６や第２の配線層１５ａを切断して、１個ずつの圧電デバイスチップに個片化することにより、圧電デバイスチップが完成する。個片化の方法として、ブレード５０を回転させてカットさせても、レーザを用いてカットしてもよい、また、両者の組合せでカットしてもよい。【００６６】
このようにして製造された圧電デバイス１０は、例えば、図１６に示すように、ガラスエポキシからなる回路基板２に実装される。回路基板２に、圧電デバイス１０の他、ＩＣチップ６などの他のデバイスを実装した後、例えば、１８０℃、１００気圧で、金型８内にモールド樹脂４を注入する。これによって、いくつかの機能を果たすモジュールが完成する。【００６７】
上記のトランスファーモールド時に、モールド樹脂４は矢印５ａで示すように加圧されるので、圧電デバイス１０には、矢印５ｂで示すように、外部からの力が作用する。圧電デバイス１０は、封止空間１３上の配線金属層を利用して補強されているので、封止空間１３の耐モールド性が向上する。カバー層２２上の内部配線を利用する、あるいは、カバー層２２上の内部配線形成時と同時にカバー層２２上に封止空間１３の強度を得るための厚膜金属（メッキ膜）を形成するので、コストアップ要因とはならずに、トランスファーモールド耐性を確保できる。【００６８】
このとき、圧電デバイス１０は、前述したように、支持層２０や封止空間１３上のカバー層２２が、樹脂フィルムなどのビルドアップ構造であるため、低背化が容易である。そのため、他のデバイスと同一回路基板上に実装してモジュールとした場合でも、モジュール厚みを厚くしてしまう要因にならず、十分な薄さを実現するとともに、トランスファーモールド時に封止空間１３が潰れないように、強度を確保することが可能である。【００６９】
低背化が容易な樹脂ビルドアップ封止構造の圧電デバイス１０でモールド耐性を確保できるので、凹部（キャビティ）を有するアルミナパッケージなどを用いることなく、モジュールとして低背化がコストアップなく可能となる。【００７０】
以上に説明したように、圧電デバイス１０は、安価で低背化が容易な樹脂等のビルドアップ構造で封止した構造の圧電デバイスであり、耐トランスファーモールド性をコストアップなしで確保できる。【００７１】
（実施例２）  実施例２の圧電デバイスについて、図１７〜図２４を参照しながら説明する。実施例２の圧電デバイスは、実施例１の圧電デバイス１０と略同様に構成される。以下では、実施例１の圧電デバイス１０と同じ構成部分には同じ符号を用い、実施例１の圧電デバイス１０との相違点を中心に説明する。【００７２】
図１７は、実施例１で説明した図７（ａ）に相当する。実施例１とは、カバー層上に形成する金属膜およびメッキ膜の構成が、異なる。【００７３】
すなわち、金属膜およびメッキ膜は、本来の配線方向から外れた迂回部１７ｓ，１７ｔと、本来の配線幅よりも広がった膨出部１７ｘ，１７ｙを含み、封止空間１３上の略全面を覆っている。迂回部１７ｓ，１７ｔは、封止空間１３上を繰り返し横断している。また、膨出部１７ｘ，１７ｙは、本来の配線部分から、配線方向に対して交叉する方向に突出し、封止空間１３に重なっている。【００７４】
このような構成によって、実施例２の圧電デバイスは、封止空間１３が潰れないように、強度を高めることができる。【００７５】
また、ＳＡＷフィルタでは、必要な電気的特性を得るために、共振子に並列または直列にインダクタやキャパシタを接続することや、外部回路との整合やインピーダンス変換のために、デバイスの入力端や出力端にインダクタやキャパシタなどの回路素子を付加することが知られている。【００７６】
実施例２の迂回部１７ｓ，１７ｔは、インダクタとして用いることが可能である。【００７７】
また、図１８に一方の電極を外郭樹脂２６内に設けた例を示しているが、膨出部１７ｘ，１７ｙを一方の電極とし、圧電基板１２上の導体パターン１５または絶縁部材を挟んで外殻樹脂２６内に設けた電極パターンをもう一方の電極とすることによって、膨出部１７ｘ，１７ｙをキャパシタとして用いることが可能である。【００７８】
さらに、図１８に示すように、内部導体１７の膨出部（１７ｓ，１７ｔ）と、その上部に位置する内部導体２８及びその間の絶縁物によりキャパシタを形成できる。この場合、内部導体間には外郭樹脂２６を構成する絶縁部材を挟んでもよいし、他の絶縁物でもよい。【００７９】
このような構成は，さまざまなデバイスに応用することができる。例えば、図１９、図２０、図２１、図２２はＳＡＷフィルタの一例を示しているが、インダクタ２９，３０、３７〜３９、キャパシタ２１として用いることができる。また図２３，２４は、送信用のＳＡＷフィルタ３５、受信用のＳＡＷフィルタ３６、および整合素子からなるアンテナ共用器の一例を示しているが、インダクタ３２，３３やキャパシタ３４として用いることができる。【００８０】
（実施例３）  実施例３の圧電デバイスについて、図２５を参照しながら説明する。実施例３の圧電デバイスは、実施例１の圧電デバイス１０と略同様に構成される。以下では、実施例１の圧電デバイス１０と同じ構成部分には同じ符号を用い、実施例１の圧電デバイス１０との相違点を中心に説明する。【００８１】
図２５は、実施例１で説明した図７に相当する。実施例１の構成とは異なり、実施例３の圧電デバイスでは、カバー層２２の上に追加層２４が形成され、カバー層２２と追加層２４の間に金属膜１６ｓが形成され、追加層２４の上の金属膜１６ｔにメッキ膜１７ｑが形成されている。【００８２】
第３実施例の圧電デバイスは、実施例１の圧電デバイス１０と略同様に製造され、実施例１の図２〜図６で示した工程は同じである。すなわ、カバー層２２上に金属膜１６ｓを形成し、ビアホール１７ｐに接続する。続いて、感光性ポリイミドを塗布、露光、現像し、必要部を開口して、追加層２４を形成する。続いて、蒸着リフトオフで追加層２４上に配線パターンの金属膜１６ｔを形成し、電解メッキのメッキ膜１７ｑにより、金属膜１６ｔ上の配線の強度を補強する。以下、実施例１と同様に、レーザによりカバーフィルムライン加工、封止樹脂をラミネート、レーザ加工などのプロセスを行う。【００８３】
カバー層２２上の配線を２層とし、各封止空間１３ａ，１３ｂ上の略全面に、金属膜１６ｓ，１６ｔを配置している。これによって、封止空間１３ａについては下側の金属膜１６ｓで補強し、封止空間１３ｂについては上側の金属膜１６ｔ及びメッキ膜１７ｑで補強している。【００８４】
（まとめ）  以上に説明したように、圧電素子の周囲に形成される封止空間の上部に、補強メッキ膜を形成した配線金属層を配置する。封止絶縁物上に形成した配線金属層を利用、あるいは配線金属層形成と同時に厚膜金属を形成することにより、コストアップすることなく、圧電デバイスのモールド耐性を確保できる。【００８５】
また、封止空間上部に配置するメッキ膜は、ビアホール導体と接続する本来の配線パターンと異なる方向に突出したダミー部分を含む。このダミー部分によって、さらに強度を高めることができる。【００８６】
一方、封止空間の上部に形成した配線金属層を回路素子またはその一部に用いることにより、圧電デバイスの小型を実現することができる。【００８７】
なお、本発明の圧電デバイス及びその製造方法は、上記した実施の形態に限定されるものではなく、種々変更を加えて実施することが可能である。【００８８】
例えば、本発明は、ＳＡＷフィルタに限らず、ＳＡＷ共振子、ＢＡＷフィルなどの圧電デバイスに適用することができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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