(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェハ上の汚染を測定する方法であって、
前記半導体ウェハの第１表面を処理して、前記半導体ウェハ上に材料層を形成する段階と、
前記半導体ウェハを汚染検出チャンバ内に配置する段階と、
前記半導体ウェハの第２表面上にて、発振モノクロメータを利用して陽極Ｘ線源により生成されたＸ線ビームをラスタ走査する段階であって、前記半導体ウェハと前記陽極Ｘ線源とを互いに相対移動させることにより、前記半導体ウェハの第２表面の８０％以上の領域をラスタ走査し、前記半導体ウェハが回転している間、前記Ｘ線ビームが前記半導体ウェハ上の異なる位置に異なる時点で集束するように前記発振モノクロメータを前後に揺動させる段階と、
前記走査段階に応答して、前記半導体ウェハからのエネルギ・シグネチャを検出する段階と、
前記エネルギ・シグネチャを用いて、前記半導体ウェハの第２表面の汚染が規格値内にあるか否かを判断する段階とを備え、
前記発振モノクロメータを前後に揺動させる場合、前記半導体ウェハの中心と交差する直線又は円弧である前記半導体ウェハの直径に亘り前記Ｘ線ビームを集束させるように、前記発振モノクロメータが一つの点に関して発振させられることを特徴とする方法。
【請求項２】
半導体ウェハ上の汚染を測定する装置であって、
前記半導体ウェハを支持し、かつ前記半導体ウェハを回転可能にするウェハ・ステージと、
Ｘ線ビームを生成するＸ線源と、
前記Ｘ線ビームを前記半導体ウェハの表面上に向けて反射するＸ線モノクロメータであって、前記半導体ウェハが回転している間、前記半導体ウェハの表面の８０％以上の領域に亘る前記Ｘ線ビームのラスタ走査を可能にし、前記半導体ウェハが回転している間、前記Ｘ線ビームが前記半導体ウェハ上の異なる位置に異なる時点で集束するように前後に揺動するＸ線モノクロメータと、
前記ウェハ・ステージに近接して配置され、前記Ｘ線ビームのラスタ走査により得られるＸ線シグネチャを測定するための複数のセンサとを備え、
前記Ｘ線モノクロメータが前後に揺動する場合、前記半導体ウェハの中心と交差する直線又は円弧である前記半導体ウェハの直径に亘り前記Ｘ線ビームを集束させるように、前記Ｘ線モノクロメータが一つの点に関して発振させられることを特徴とする装置。
【請求項３】
インライン汚染監視を用いて半導体ウェハを製造する方法であって、
半導体ウェハを準備する段階と、
前記半導体ウェハの第１表面上に銅材料をデポジションする段階と、
前記半導体ウェハ上の銅材料を研磨する段階と、
前記半導体ウェハを汚染検出チャンバ内に配置する段階と、
前記第１表面と反対側に位置する前記半導体ウェハの裏面において８０％以上の領域に亘り、発振モノクロメータを利用して陽極Ｘ線源により生成されたＸ線ビームをラスタ走査する段階であって、前記半導体ウェハに近接する検出器のアレイにおいてＸ線蛍光を検出する間、前記Ｘ線ビームを前記半導体ウェハの裏面に対して移動させることによって前記ラスタ走査が実行され、前記Ｘ線ビームが前記半導体ウェハ上の異なる位置に異なる時点で集束するように前記発振モノクロメータを前後に揺動させると共に前記半導体ウェハを回転させる段階と、
前記半導体ウェハの銅汚染が許容範囲外にあると判断される場合、機械的スクラブ工程を用いて前記半導体ウェハを洗浄する段階と、
前記半導体ウェハ上において前記銅材料上に誘電層をデポジションすることにより、ウェハ処理を継続する段階とを備え、
前記発振モノクロメータを前後に揺動させる場合、前記半導体ウェハの中心と交差する直線又は円弧である前記半導体ウェハの直径に亘り前記Ｘ線ビームを集束させるように、前記発振モノクロメータが一つの点に関して発振させられることを特徴とする方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、一般に半導体製造に関し、さらに詳しくは、半導体ウェハにおける集積回路（IC）製造中の汚染の監視に関する。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】
半導体産業において金属相互接続部を用いることは、集積回路（IC）製造工程においてほとんど避けることができない。しかし、特に銅（Cu）を用いる金属相互接続部の形成は、半導体ウェハの裏面に汚染の問題を起こすことが知られる。裏面の金属汚染により、半導体製造設備の他の処理チャンバに引き続き汚染が起こることになる。他のチャンバのこのような相互汚染により、後の処理段階において半導体ウェハの能動表面が汚染されることになる。言い換えると、銅に汚染されたチャンバが１つあると、その後の数百のウェハのフロントエンドおよび／またはバックエンド処理に影響が出ることがある。
【０００３】
裏面の金属汚染がウェハ全体を汚染する場合、それはウェハが、銅デポジションおよび銅化学機械研磨（CMP: Chemical Mechanical Polish ）処理のような銅平面化処理を受けることで始まる。CMP 工程に続き、ウェハはスクラブされてから、次の処理段階に進む。後続の一連の段階の例としては、フォトリソグラフィック・トラックを用いるウェハのフォトリソグラフィック処理がある。裏面を汚染されたウェハがフォトリソグラフィ・システムに導入されると、汚染はフォトリソグラフィック・チャンバおよびトラックに転移する。フォトリソグラフィ・ツールがこのように汚染されると、そのツールを用いる後のウェハが銅で汚染されることになる。これは、特に高温のフロントエンド製造を終了していないウェハが銅汚染に露出される場合に厄介な問題となる。銅汚染は高温で容易に気化し、気化の後では、熱処理管内のウェハの能動表面を汚染し、さらに熱処理管の壁をも汚染する。
【０００４】
汚染物質が装置領域に移ると、銅金属が半導体基板の能動領域内に取り込まれるために装置の不具合を起こす。気化した金属が高温炉の表面を覆って、同じチャンバ内で処理される後のウェハをも汚染することがある。IC製造設備全体の歩留まりを高く維持するためには、この「雪だるま式」汚染の影響を防ぐ必要がある。
【０００５】
図１は、当技術では既知の全反射Ｘ線蛍光システム（TXRF: Total Reflection X-ray Fluorescent) であるツール１０を図示する。TXRFシステム１０は、ウェハ２０の裏面の所定の点における汚染を測定するために用いられる。TXRFシステムは、陽極Ｘ線源１２，モノクロメータ（単色光分光器）１６，サンプル・ステージ１８，シンチレーション・カウンタ２６，ソリッド・ステート検出器２２および増幅器２４によって構成される。
【０００６】
動作中は、陽極Ｘ線源１２がＸ線を生成し、これがモノクロメータ１６に照射される。モノクロメータは、所定の波長のＸ線信号を除きすべての信号を濾波するために用いられ、この所定のＸ線信号をウェハ２０上の所定の点に集束させる。反射されたＸ線信号はＸ線部分１４ｂにより表され、モノクロメータ１６から反射されて、反射されたＸ線部分１４ｃはウェハ２０の表面に対して非常に浅い入射角を有することになる。ウェハ２０から反射されたＸ線１４ｃはシンチレーション・カウンタ２６において受け取られる。シンチレーション・カウンタ２６は、ウェハ２０から受け取られた信号１４ｃの実際の反射角を検出するために用いられる。シンチレーション・カウンタ２６は、サンプル・ステージ１８に接続され、ウェハの位置／角度を（Ｘ線１４ｂとウェハとの間の）入射角が（Ｘ線信号１４c とウェハ２０との間の）反射角に等しくなるように制御することができる。影響を受けたＸ線信号１４ｂの入射角が１４ｃの反射角に等しくなると、シンチレーション・カウンタ２６は検出器２２およびその増幅器２４を、汚染を試験するウェハ上の点に垂直になるように向けることができる。
【０００７】
TXRFツール１０は、半導体ウェハ上の４mm2 の位置を監視して、この小さい４mm2 の位置に汚染物質が存在するか否かを判定するために、約１０００秒を必要とする。１０００秒未満では、不充分な信頼性レベルしか得られない。８インチ・ウェハ上の１つの４mm2 という面積は、ウェハ全体に汚染が存在するか否かを判定するには不充分な表面積であるので、図１の装置により時系列的に複数の領域を試験する必要がある。通常、ウェハ上に過剰な汚染が存在するか否かを判定するためには、８インチ・ウェハの裏面で最低５つの点を試験することが必要である。従って、汚染が存在する可能性があるか否かを判定するためには、合計で５０００秒、すなわち約８０分が必要になる。汚染が存在するか否かを判断するためにこのような時間量が必要になると、その影響はいくつかある。過剰な検出時間による主な影響の１つは、インライン工程において全ウェハの汚染を調べることが実行できなくなることである。
【０００８】
従って、数時間おきに１つのウェハを抜き出して調べる統計的サンプリングを行う必要がある。さらに悪いことには、そのツールで問題が検出される場合にしか汚染が調べられないことである。これらの処理がいずれも汚染の期間を検出することができるとは限らず、そのために製造ツールの重大な相互汚染と、実質的な歩留まりの低下を起こす。第２に、ウェハを汚染チェックのために抜き出すと、他のウェハはこの試験と平行してツール内を進む。経過してしまうこの時間量のために、ウェハが調べられる間に、多くのウェハが汚染される可能性がある。たとえば、金属デポジション／CMP 工程が１つのウェハにつき６分かかり、汚染検出には１つのウェハにつき８０分かかるとすると、試験済みウェハが汚染分析を終了するまでに１０個ものウェハが金属デポジションシステムを通過し、汚染を受ける可能性がある。第３に、領域裏面のわずかな面積しかチェックされないために、高レベルの汚染または選択的に位置する汚染がウェハ上に存在するのに検出されないままになる可能性が依然としてある。たとえば、汚染をチェックするために選択されないウェハの端部に汚染が存在する場合、実際には、修正されずにおくと「雪だるま式」に歩留まりを低下させる可能性のある大量の金属汚染が存在するのに、そのウェハは非汚染ウェハとして通過する可能性がある。
【０００９】
従って、（１）半導体製造工程においてインラインの汚染検出を可能にするために時間的効率の良い、（２）汚染検出をより広範囲なものとするためにウェハの大部分の汚染を試験する汚染検出システムを開発すると有利である。
【００１０】
【実施例】
本発明は、ウェハ裏面の銅汚染を検出する改善された全反射Ｘ線蛍光（TXRF）システムである。本発明は、ウェハの直径に亘り集束されたＸ線ビームをラスタ走査するために、発振モノクロメータを利用する。ウェハを回転させながら同時にウェハの直径に亘りＸ線ビームを走査することにより、従来の単独の点検出をより大きなウェハ表面積に対する二次元汚染検出システムに変える。さらに、従来技術のように１つの検出器を用いる代わりに、ソリッド・ステート検出器（SSD: solid state detector ）のアレイを本発明では用いる。通常、妥当性のある正確な汚染測定を信頼性をもって得るには、従来技術によるシステムの検出装置ではＸ回の計数が必要とされる。ソリッド・ステート検出器のアレイを用いることで、複数の検出器により時間的に平行してＸ回の計数が収集されるのであって、１つの検出器により時系列的に収集されるのではないので、より良い検出が可能になる。本件で教示される多重列または位置の追加の検出器／センサの位置付けにより、同様の信頼性レベルを維持しながら、システムの検出のソリッド・ステート角度が大きくなり、走査時間が短縮される。従って、（１）Ｘ線のラスタ走査を可能にする発振モノクロメータおよびウェハ回転；と（２）すべてが平行して動作するアレイSSD ；とを組み合わせることにより、ウェハ表面全体でより大規模な汚染検出が可能になり、さらに走査時間全体が短縮される。従って、本件で教示される装置は、ICの歩留まりを増大させ、設備の汚染を削減し、経済的損失を削減するために、主流のウェハ製造のインラインで組み込むのに充分に時宜を得たものである。  要するに、本件で教示される装置および方法は、検出時間の削減を実現しながら、より大規模な汚染検出を実現するという点で、従来技術に対して改善される。これにより、汚染検出方法の利用を製造工程にインラインで組み込むことが可能になり、それにより全体としてより高い信頼性を提供する。
【００１１】
本発明は、以下の図２ないし図３を参照することによって、さらに良く理解することができる。
【００１２】
図２は、本発明による改善された全反射Ｘ線蛍光（TXRF）システム１００を図示する。TXRFシステム１００は、陽極Ｘ線源１１２，発振モノクロメータ１１６（すなわち、任意のエネルギ源反射装置および／または集束装置），サンプル・ウェハ・ステージ１１８，シンチレーション・カウンタ１２６およびソリッド・ステート装置１２２のアレイによって構成される。本件で教示される工程および装置は、エネルギ源としてＸ線を用いるが、汚染を検出することのできる他の任意のエネルギ源を用いることができることに留意されたい。
【００１３】
動作中は、ツール１００は陽極Ｘ線源１１２からＸ線ビーム１１４ａを生成する。Ｘ線１１４ａは、モノクロメータ１１６に向けられる複数のＸ線波長を含む通常のＸ線ビームである。モノクロメータ１１６は、Ｘ線ビーム１１４ａを濾波および反射して、被反射Ｘ線ビーム１１４ｂを形成するために用いられる。被反射Ｘ線ビーム１１４ｂは、一般にモノクロメータ１１６により濾波され、単独波長のＸ線を提供し、さらにＸ線エネルギを半導体ウェハ１２０上のより小さな点に集束させる（この点の面積は、ほぼ４mm2 ）。
【００１４】
本発明において、モノクロメータ１１６は、発振すなわち前後に揺動して、ビームが半導体ウェハ上の異なる位置において異なる時点で集束するようにする。好適な実施例においては、ビームは半導体ウェハ１２２の直径全体に亘り集束する。ビーム１１４ｂが、ウェハの中心と交差するラスタ走査経路を通じて、半導体ウェハの直径全体に亘り集束およびラスタ走査されることが重要である。言うまでもなく、直径にはウェハの中心と交差する直線である真の直径が含まれるか、あるいは半導体ウェハの中心を通る、実質的に直線状の円弧形のパターンも含まれることがある。モノクロメータが１つの点に関して発振され、それにより半導体ウェハ全体にわたり円弧が形成される場合など、ウェハ全体にわたる円弧形走査が予想されることもあることに留意されたい。ほぼ１００％の表面におけるラスタ走査カバレージを可能にするために、中心点をチェックすることがまず重要である。８０％かそれ以上のカバレージが最適であるが、５０％超のウェハ面積カバレージにおけるラスタ走査工程であれば、従来技術による５点試験よりはるかに優れている。
【００１５】
モノクロメータ１１６のモータ制御を介してウェハ径全体に亘り、ウェハの端から端までを走査することにより、本件で教示される汚染検出工程において、より多くの測定点を検出することができる。ウェハ１２０の直径全体に亘り走査するＸ線ビーム１１４ｂに関連して、ウェハ１２０はサーボ・モータ／コンピュータ制御によりウェハ・サンプル・ステージ１１８上を回転する。ステージ１１８を介してウェハを回転し、さらにモノクロメータ１１６を介して端から端までラスタ走査することにより、ウェハ１２０のウェハ裏面の大部分について汚染を検出することが可能になる。
【００１６】
集束されたＸ線１１４ｂがウェハ１２０に衝突すると、Ｘ線はウェハ表面から反射して、図２の被反射Ｘ線ビーム１１４ｃを形成する。シンチレーション・カウンタ１２６は、Ｘ線ビーム１１４ｃの反射角を監視して、Ｘ線ビーム１１４ｂからの入射角がＸ線ビーム１１４ｃに関する反射角に等しくなるようにするために、ウェハ１２０の向きを修正する必要があるか否かを判断する。通常、この角度（φ）は、１度未満の角度に維持される。本発明のうちシンチレーション・カウンタ１２６は、入射角をＸ線ビームの反射角に一致させるために設定工程の間に用いられる。一般に、一度設定すると、汚染チェック手順の間はウェハ１２０をさらに調整する必要はない。
【００１７】
ソリッド・ステート装置１２２のアレイは、Ｘ線ビームの走査経路の上方に直接位置される。第１形態において、装置１２２のアレイは、ソリッド・ステート検出器（SSD ）の直線またはほぼ直線の列である。別の形態においては、センサ１２２は互いに平行な複数の列内に配列され、各列には複数のソリッド・ステート検出器（SSD ）が含まれる。前述の如く、ソリッド・ステート検出器（SSD ）の配置はウェハ自身の中心直径の上方で、モノクロメータ１１６のモータ制御動作により生成されるＸ線のラスタ動作に平行になる。現在は、SSD を用いると、液体窒素の温度まで冷却することが必要である。従って、好適な実施例においては、SSD のアレイは適切なセンサ温度を維持するために必要な装置の上方スペ−スの物理的制約により空間に固定されることになる。この低温は、反射されるＸ線エネルギ・レベル（たとえば、エネルギ・シグネチャ（energy signature）と総称される）を正しく検出するために必要になる。従って、好適な形態においては、SSD のアレイは固定されたままになり、Ｘ線ビーム自身がウェハ直径全体に亘り走査される。SSD のアレイを用いることにより、１つの検出点を用いた従来技術に比べてエネルギ検出角度を大きくできる。１点では時系列的にしか計数を検出できないのに対して、図２の平行検出器は、平行の計数検出を可能にし、それによって測定の信頼性を犠牲にすることなく試験時間を短縮することができる。従って、大きくなった検出角を用いることにより、ウェハ上の汚染を検出するために必要な時間量を大幅に削減することが可能になる。一般に、８インチ・ウェハの試験全体は５００秒以内で行うことができると思われ、ウェハ１つにつき１００秒で充分な範囲の信頼性を持って汚染を検出することが可能であると思われる。従来技術に比べて、これは１桁以上の改善であり、従って銅汚染に関してこのＸ線走査工程をインラインで利用することが可能になる。
【００１８】
本発明の重要な視点の１つは、ウェハの表面の大部分の面積についてすべての汚染を検出することができるようにするために、ウェハを移動させる方法である。ウェハは回転以外の方法でも移動することができることは言うまでもないが、回転法が好適な実施例である。回転させると、ウェハの外縁に集束されるＸ線ビームは、ウェハの中心付近に集束されるビームよりも、長い直線を移動することになる。その結果、ある実施例においては、Ｘ線ビーム１１４ｂを中心よりも長い時間的期間の間ウェハの外縁に集束させることができる。これは、ウェハの中心に比較して、ビームがあたるウェハの直線的フィート数またはインチ数に相対する時間的期間の間、ビームを外縁に集束するように実行することができる。この設定では、この走査手順によって、外縁が中心部と同じレベルの汚染検出を受けることができる。
【００１９】
別の実施例では、モノクロメータ１１６のラスタ配置をウェハの一端で開始し、検出処理の継続に伴って中心に向かってゆっくりと移動速度を上げる。この実施例においては、ウェハの直径全体にわたる１回の走査を用いて、汚染を検出する。言い換えると、本件で教示される走査工程は、コンパクト・ディスク（CD）またはコンピュータのハード・ディスク・ドライブから情報を読むのに類似した方法で機能することができる。モノクロメータ１１６の放射型走査が一端（ウェハの中心またはウェハの端部）から始まり、他端（それぞれウェハの端部またはウェハの中心）に向かって増分的(increment) に移動する。モノクロメータがこの経路に沿って増分的に１単位だけ移動すると、増分位置毎に少なくとも１回のウェハ回転が行われる。従って、本走査工程は、レコード上の針またはCD媒体上のレーザ読取ヘッドのようになる。
【００２０】
さらに別の実施例では、モノクロメータ１１６は回転速度より速い速度でウェハ全体にわたり前後に発振する。しかし、ウェハの回転とモノクロメータの発振とが「シンクアップ」して、ウェハ表面上で１つの経路を連続してたどるように（たとえばいわゆる「スピログラフ」効果）ならないようにすることが重要である。このスピログラフ効果は、ある同期パターンにおいては、ウェハ上に８の字を描き、Ｘ線ビームがウェハの上部全体で連続して８の字をたどる。それはモノクロメータ１１６が直線的に通過するたびにウェハの新しい領域を増分的に走査するのとは対照的である。従って、ウェハのCD型走査または循環する高速ラスタのいずれかを用いて、本件で教示される二次元のウェハ走査を実行することができる。本発明の他の利点は、汚染の中心から端部までの分布も検出および監視して、汚染がどこで発生するかを特定することができることである。場合によっては、汚染部を知ることが重要である。たとえば、端部の汚染が図２の装置による不具合の主な原因である場合は、前段階のウェハ保持機構が汚染源であり、この問題に対する解決策は処理チャンバのこの部分に発見することができると推理することができる。
【００２１】
ソリッド・ステート検出器（SSD ）１２２のアレイは、ウェハの直径上にある線形アレイでも、あるいは菱形，楕円または円形の二次元アレイとすることもできる。SSD １２２のアレイは、各列が１つ以上のSSD を含む平行アレイ配列とすることができる。SSD のアレイが大きければ大きいほど、検出レベルが上がり、ラスタ走査汚染試験を完遂するためにかかる時間が短くなる。従来技術の単独SSD は液体窒素の冷却を必要としたので、SSD のアレイを加えることに伴う経費は最小限の追加経費を加えるだけで済む。SSD の固定アレイは、最低限、ウェハの直径の実質的部分に亘り、半導体ウェハの端から端まで移動しなければならない。しかし、別の実施例においては、SSD のアレイは端を超えて移動し、半導体ウェハ端部を超えて反射Ｘ線を同様に検出してしまうこともある。SSD の配置は、主にそのアレイを目標とするＸ線の入射角により制限される。センサなどはウェハを超えて延在すべきでないので、Ｘ線ビームがタ−ゲットされず適切に監視することができなくなる。
【００２２】
液体窒素の冷却を必要とせず、そのためにより可動性が高まるソリッド・ステート検出器（SSD ）を用いる場合は、本発明により、SSD がウェハ上部で目標とするＸ線ビームを追跡することが予想される。実際は、検出器はＸ線ビームと同期してウェハ全体にわたり発振する。これにより、より小さいアレイを用いて、なおかつセンサ１２２を介して、同程度のＸ線蛍光放射検出を行うことができる。
【００２３】
図３は、本発明を実行する半導体の流れの一部を示す。段階３０５において、（銅などの）金属がウェハ上にデポジションされ、二重はめ込み相互接続部または同様の銅構造物を形成する。化学機械研磨（CMP ）を必要に応じて実行して、半導体ウェハ上部に最終的な銅構造物を作成する。銅は、この工程に関して特に重要なものであるが、これは銅が他の領域内に容易に拡散することができ、銅による汚染の可能性が他の金属よりも大きいためであることに注目されたい。しかし、言うまでもなく本発明はアルミニウム，ステンレス，鉄，銀，金などの任意の金属の検出に役立つ。
【００２４】
段階３０５において、ウェハの予備の機械的スクラブが実行され、ウェハ１２０から残留銅汚染を除去しようとする。このスクラブの間に汚染がウェハから除去され、その後の処理ができるようにすることが望ましい。段階３０６において、汚染走査が図２のツール１００を用いて行われる。段階３０６の走査の後で、段階３２０を用いて段階３０６で測定される汚染レベルが決定される。汚染があまりに高く、そのために他のチャンバおよび他のウェハに「雪だるま式」汚染が引き続き起こりそうな場合は、予備の機械的スクラブに加えて、段階３０８でさらにスクラブが開始される。段階３０６，３０８，３２０はウェハが清浄されるか、あるいはウェハを廃棄すると決定されるまで循環して実行される。ウェハが段階３２０で汚染されていると判定されると、オペレータは銅デポジションチャンバについてチャンバ清掃を開始し、銅デポジションを行ったその後のウェハの銅汚染を削減する。ウェハ１２０が汚染されていない場合は、流れは段階３０７に進み、ここでウェハ１２０上に次の材料（通常はレベル間誘電層またはパッシベーション層）がデポジションされるか、あるいは他の処理段階が実行される。
【００２５】
段階３２０は、ある時点において、ウェハがあまりに汚染されており、適切に洗浄することができないので、それを廃棄すると決定される事実を想定することに留意することが重要である。汚染段階の一部として、装置が再校正され、汚染に関してチェックを受けることもある。
【００２６】
本発明は、特定の実施例に関して説明および図示されたが、これら説明された実施例に限るわけではない。本発明の精神および範囲から逸脱することなく改良および変形が可能であることは、当業者には認識頂けよう。従って、本発明は添付の請求項の範囲に入るすべての変形および改良を包含するものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来技術による汚染検出システムのブロック図である。
【図２】本発明による改善された汚染検出システムのブロック図である。
【図３】本発明により汚染を検出するために図２のシステムを用いる方法を流れ図に示す。図面の簡潔明瞭化を図るために、図面内に図示される要素は必ずしも同尺に描かれないことを理解頂きたい。たとえば、明瞭にするために、ある要素の寸法が他の要素に対して誇張される。さらに適切と考えられる場合には、対応するあるいは類似の要素を表すために図面間で参照番号が繰り返し用いられる。
【符号の説明】
１００  全反射Ｘ線蛍光（TXRF）システム
１１２  陽極Ｘ線源
１１４ａ，１１４ｂ，１１４ｃ  Ｘ線ビーム
１１６  モノクロメータ
１１８  サンプル・ステージ
１２０  ウェハ
１２２  ソリッド・ステート検出器
１２６  シンチレーション・カウンタ
【図１】
0004417448.tif 000002
【図２】
0004417448.tif 000003
【図３】
0004417448.tif 000004