(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子を放出するエミッタを有するバックプレートと、
前記エミッタから放出された電子を受けて発光する蛍光体が配置された蛍光体領域を有するフェースプレートと、
前記フェースプレートと前記バックプレートとの間に位置する壁とを有する平面パネルディスプレイであって、
前記壁は、セラミック材料及び耐熱性金属粒子から形成されており、前記耐熱性金属粒子は前記セラミック材料中に分散していることを特徴とする平面パネルディスプレイ。
【請求項２】
前記セラミック材料はアルミナからなっていることを特徴とする請求項１に記載の平面パネルディスプレイ。
【請求項３】
前記前記セラミック材料はチタニアからなっていることを特徴とする請求項１に記載の平面パネルディスプレイ。
【請求項４】
前記耐熱性金属粒子はモリブデンからなっていることを特徴とする請求項１に記載の平面パネルディスプレイ。
【請求項５】
前記耐熱性金属粒子の材料は、モリブデン、ニオブ、タングステン及びニッケルからなる群から選ばれることを特徴とする請求項１に記載の平面パネルディスプレイ。
【請求項６】
前記壁は、３％／℃（パーセント／度Ｃ）未満の熱抵抗係数を有していることを特徴とする請求項１乃至５の何れか１つに記載の平面パネルディスプレイ。
【請求項７】
前記壁は、５Ｗ／ｍ・℃（ワット／メートル−度Ｃ）超の熱伝導性を有していることを特徴とする請求項１乃至５の何れか１つに記載の平面パネルディスプレイ。
【請求項８】
前記壁は、前記壁上の全体又は一部に延びる導電性ストリップを有していることを特徴とする請求項１乃至７の何れか１つに記載の平面パネルディスプレイ。
【請求項９】
二次電子放射を減少させるように、前記壁にコーティングが施されていることを特徴とする請求項７に記載の平面パネルディスプレイ。
【請求項１０】
セラミック材料を提供し；
金属酸化物粒子を含む金属酸化物材料を提供し；
前記セラミック材料と前記金属酸化物材料とを混合して、スラリーを形成し；
所望の形状を得るように、前記スラリーを成形し；
前記スラリーを加熱して、材料片を形成し、前記加熱工程は、前記材料片を焼結し、そして、前記金属酸化物粒子を金属粒子に変換させることからなっており；そして、
前記材料片を切断して、壁を形成することからなることを特徴とする平面パネルディスプレイに用いられる壁を形成するための方法。
【請求項１１】
前記スラリーを形成するための前記工程は、前記スラリーをテープキャスティングすることを含むことを特徴とする請求項１０に記載の平面パネルディスプレイに用いられる壁を形成するための方法。
【請求項１２】
前記セラミック材料はアルミナからなっていることを特徴とする請求項１０に記載の平面パネルディスプレイに用いられる壁を形成するための方法。
【請求項１３】
前記セラミック材料はチタニアからなっていることを特徴とする請求項１０に記載の平面パネルディスプレイに用いられる壁を形成するための方法。
【請求項１４】
前記金属酸化物材料は三酸化モリブデンからなっていることを特徴とする請求項１０に記載の平面パネルディスプレイに用いられる壁を形成するための方法。
【請求項１５】
前記金属酸化物材料は、三酸化モリブデン、五酸化ニオブ、三酸化タングステン及び酸化ニッケルからなる群から選ばれることを特徴とする請求項１０に記載の平面パネルディスプレイに用いられる壁を形成するための方法。
【請求項１６】
前記壁は、３％／℃（パーセント／度Ｃ）未満の熱抵抗係数を有していることを特徴とする請求項１０に記載の平面パネルディスプレイに用いられる壁を形成するための方法。
【請求項１７】
前記壁は、５Ｗ／ｍ・℃（ワット／メートル−度Ｃ）超の熱伝導性を有していることを特徴とする請求項１０に記載の平面パネルディスプレイに用いられる壁を形成するための方法。
【請求項１８】
前記壁の少なくとも一部に沿って長さ方向に延びる導電性ストリップを形成する工程を更に含むことを特徴とする請求項１０に記載の平面パネルディスプレイに用いられる壁を形成するための方法。
【請求項１９】
前記壁全体に、電子放射抑制材料からなる層を配置する工程を更に含むことを特徴とする請求項１０に記載の平面パネルディスプレイに用いられる壁を形成するための方法。
【請求項２０】
前記フェースプレートは、ホウケイ酸フロートガラスを含んでおり、前記フェースプレートは、その上に形成された活動領域表面を有しており、
前記バックプレートは、ホウケイ酸フロートガラスを含んでおり、前記バックプレートは、その上に形成された活動領域表面を有しており、そして、
前記壁はムライトを含んでいることを特徴とする請求項１に記載のディスプレイ。
【請求項２１】
前記フェースプレートは、ホウケイ酸フロートガラスを含んでおり、前記フェースプレートは、その上に形成された活動領域表面を有しており、
前記バックプレートは、ホウケイ酸フロートガラスを含んでおり、前記バックプレートは、その上に形成された活動領域表面を有しており、そして、
前記壁はコージェライトを含んでいることを特徴とする請求項１に記載のディスプレイ。
【請求項２２】
前記フェースプレートは、ソーダ石灰フロートガラスから形成されており、前記フェースプレートは、その上に形成された活動領域表面を有しており、
前記バックプレートは、ソーダ石灰フロートガラスから形成されており、前記バックプレートは、その上に形成された活動領域表面を有しており、そして、
前記壁は、アルミナ及びジルコニア材料を含んでいることを特徴とする請求項１に記載のディスプレイ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
請求項に記載された本発明は、平面パネルディスプレイの分野に関するものである。即ち、請求項に記載された本発明は、優れた熱伝導性及び熱抵抗係数を有する複数の壁を備えた平面パネルディスプレイに関するものである。この明細書は、中でも、薄い陰極線管のためのスペーサ材料及びスペーサ取付方法を開示する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、陰極線管（ＣＲＴ）ディスプレイは、先行技術のコンピュータディスプレイについての最良の輝度、最良のカラー品質及び広い視野をもたらす。ＣＲＴディスプレイは、典型的な場合には、薄いガラス製のフェースプレート上に配置された蛍光層を用いている。これらのＣＲＴは、ラスタパターンにおける蛍光体を渡って走査される高エネルギー電子を発生させる１乃至３の電子ビームを用いて、画像を提供する。蛍光体は、電子エネルギーを可視光線に変換して、所望の画像を形成する。しかしながら、陰極を覆い、そして、陰極からディスプレイのフェースプレートに至る大きな真空外囲器に起因して、先行技術のＣＲＴディスプレイは大型であり、嵩張る。従って、以前においては、薄型ディスプレイを形成するために、典型的な場合には、作用マトリックス液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ及びエレクトロルミネセントディスプレイ等の他の種類のディスプレイ技術が用いられている。
【０００３】
近年、可視ディスプレイを生じさせる電極の行及び列のマトリックス構造体を含むバックプレートを用いた薄型の平面パネルディスプレイが開発されてきている。典型的な場合には、このバックプレートは、ガラスプレート上にカソード構造体を堆積（電子放射）することによって形成される。カソード構造体は、電子を発生するエミッタを有する。このバックプレートは、典型的には、内部にカソード構造体が堆積した活動領域を有している。典型的には、この活動領域は、ガラスプレートの全表面を覆ってはおらず、薄いストリップが、ガラスプレートの周囲にわたって残されている。この薄いストリップを、境界又は境界領域という。導電性トレースがこの境界を通って延びており、活動領域表面に対する電気的接続を可能にしている。これらトレースは境界を渡って延びているため、これらトレースは、典型的な場合には、誘電フィルムによって覆われて、短絡を防止している。
【０００４】
先行技術の平面パネルディスプレイとして、約１ミリメータだけバックプレートから離れた薄いガラスフェースプレート（アノード）を含むものがある。フェースプレートとバックプレートとを分離するために、先行技術の薄型平面パネルディスプレイアセンブリにおいては、壁、即ち、「スペーサ」が現在のところ使用されている。フェースプレートは、活動領域表面を有しており、その中に、蛍光体の層が堆積されている。フェースプレートもまた、境界領域を有している。境界は、活動領域表面からガラスプレートの端部にまで延びる薄いストリップである。フェースプレートは、ガラスシール構造を用いてバックプレートに取り付けられている。このシール構造は、典型的な場合には、高温加熱工程において、ガラスフリットを溶融させることによって形成される。これにより、バックプレートの活動領域表面とフェースプレートの活動領域表面との間に真空をもたらすように吸引された密閉容器が形成される。カソードの個々の領域は、選択的に励起されて、蛍光体に衝撃を与え、もって、フェースプレートの活動領域表面内に可視ディスプレイを形成する電子を発生させる。これらのＦＥＤ平面パネルディスプレイは、従来のＣＲＴの利点のすべてを有しており、しかも、非常に薄い。
【０００５】
薄型平面パネルディスプレイのフェースプレートは、ディスプレイを照明させるために使用される電流を導くための導電性アノードを必要とする。有害な電子偏向を発生させる虞がある電荷を取り出すために、従来の複数の壁は抵抗性を有する。これらの壁は、電子がバックプレートからフェースプレートに通過するときに、電子の進行通路に干渉すべきではない。典型的な場合には、先行技術の壁はセラミックである。しかしながら、セラミック材料を要求された抵抗性を有するように形成することはできるものの、セラミック材料は、比較的低い熱伝導性及び高い熱抵抗係数をも有している。
【０００６】
薄型平面パネルディスプレイの領域上に明るい画像を形成するためには、高レベルの電子放射が要求される。薄型平面パネルディスプレイの領域上に明るい画像が形成されると、電子が明るく照明された領域におけるフェースプレートを貫通するときにエネルギーを消失し、これにより、フェースプレートが加熱される。その結果、フェースプレートにおいて加熱された領域が生ずる。
【０００７】
先行技術の壁及びガラスフェースプレートの熱伝導性は比較的低いこと及び真空環境に起因して、可視ディスプレイの明るい領域に生じた局部的なフェースプレートの加熱は容易には放出されない。複数の壁は、熱放出コンポーネントの１つであるが、先行技術の壁は、熱伝導性において劣っているので、これらの壁は、局部的に加熱され易い。すると、温度勾配が壁を渡って発生する。先行技術の壁の熱抵抗係数は高いので、壁の局部的加熱によって、壁の抵抗を局部的に減少（又は増加）させる。抵抗におけるこのような局部的な減少（又は増加）によって、壁に沿ってアノードからカソードへの電圧勾配が生じ、これは、次の壁に対する空間を有していないものに比して、直線的ではない。
【０００８】
これらの壁に沿った局部非線形電圧勾配により、電子ビームを壁に近づける方向又は遠ざける方向への偏向が生ずる。これにより、可視ディスプレイ中に、照明されない領域が生ずる。即ち、壁の表面の偏向及び誘引によって、可視ディスプレイを渡って延びる非照明ラインの形で、照明されない可視領域が生ずる。また、壁に沿った非線形電圧勾配により、カソードと壁との間の弧光発生の要因となる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
従って、局部加熱作用の結果として、可視ディスプレイの表示されない領域を生じることのない平面パネルディスプレイについての要求がある。即ち、壁を加熱した結果として、可視ディスプレイ中に照明されない可視領域を生じることのない平面パネルディスプレイについての要求がある。即ち、フェースプレートから離れて熱を伝導することができ、そして、局部加熱の結果として電圧の変化を生じることのない壁についての要求がある。本発明は、これらの要求に応えるものである。
【００１０】
本発明は、高い熱伝導性及び低い熱抵抗係数を有する壁を揺する薄型平面パネルディスプレイを提供する。この発明は、可視ディスプレイの領域が明るく照明されるときに、可視ディスプレイ中に照明されない領域を生じることがない平面パネルディスプレイを製造する。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明の一実施形態においては、バックプレートは、ガラスプレートの活動領域表面上にカソードを形成することによって形成される。フェースプレートは、ガラスプレート上に形成された活動領域表面内にルミネッセント材料を堆積することによって形成される。壁は、各壁をフェースプレートに機械的に保持するサポート構造を用いて、フェースプレートに取り付けられる。ガラスシール材料がフェースプレートの境界内に配置されている。次いで、バックプレートがフェースプレート上に配置され、もって、壁とガラスフリットとがフェースプレートとバックプレートとの間に配置される。次いで、アセンブリは、熱処理及び真空排気行程によってシールされて、完全な平面パネルディスプレイが形成される。
【００１２】
本発明の壁は、高い熱伝導率と低い熱抵抗係数を有している。一実施形態においては、所望の特性を得るために、分散された金属を含むセラミック材料が使用されている。
【００１３】
一実施形態においては、スペーサ壁は、セラミック及び金属酸化物を含む材料を用いて形成される。先ず、金属酸化物粒子をセラミック粉末及びバインダーと混合して、スラリーを形成する。次いで、スラリーを薄いシート上にテープキャストする。次いで、この薄いシートに加熱工程を施して、バインダーを燃焼させ、そして、シートを焼結する。これにより、金属酸化物は、セラミックマトリックス中に均一に分散した金属粒子に還元される。次いで、得られた薄いシートをサイコロ状にして、複数のスペーサを形成する。
【００１４】
一実施形態においては、金属層をスペーサに塗布して、電荷の抜き取りを可能にする導電性ストリップを形成する。更に、一実施形態においては、二次電子放出を減少させる材料で、壁が被覆される。
【００１５】
本発明のスペーサ壁は、先行技術の壁よりも高い熱伝導性を有している。従って、熱は壁を通って容易に放出される。従って、本発明においては、可視ディスプレイの明るい領域からの熱がフェースプレートから離して、バックプレートに伝導され、ここにおいて熱が放散される。本発明の壁の熱抵抗係数は、先行技術の壁のそれよりも低いので、抵抗はこれよりも均一である。これにより、非線形電圧勾配及び電子の偏向に伴った抵抗における局部低下の先行技術の問題が除去される。
【００１６】
本発明の壁における熱の放散及び均一な抵抗により、熱の作用に起因する壁に沿った局部的な非線形電圧勾配が除去される。これにより、可視ディスプレイを渡って延びる照明されない線の形での照明されない可視領域を有しない可視ディスプレイが与えられる。かくして、作動中のディスプレイにおけるスペーサの「不可視性」が改善される。また、本発明のディスプレイは、熱の作用に起因する、局部的に荷電された領域を生ずることがないので、熱の作用に起因する弧光発生が除去される。
【００１７】
本発明のこれらの目的及び他の目的は、図面に示された好ましい実施形態に関する以下の記述を読んだ当業者であれば明らかである。
【００１８】
【発明の実施の形態】
その実施例が添付図面に図示されているところの本発明の好ましい実施形態を以下に詳細に説明する。本発明を好ましい実施形態に関連付けて説明するが、これらの実施形態は、本発明をこれらに限定するために意図されていないものであることは明らかである。一方、本発明は、添付された請求項によって特定された本発明の精神及び範囲内に含まれる代案、変更例及び均等物を含むことが意図されている。更に、本発明の以下の詳細な説明においては、本発明を完全に理解させるために、多くの特別な詳細事項が述べられている。しかしながら、本発明をこれらの特別な詳細事項を伴うことなく実施することができることは当業者には明らかであろう。他の事項については、周知の方法、手段及び構成要素については、本発明の特徴を不必要に不明確にしないように、詳細には記載されていない。
【００１９】
図１に示された本発明の一実施形態において、フェースプレート１０１は、ガラスプレートであり、その上に、材料の複数の連続層が堆積されて、スクリーン構造体１０２を形成しており、これは、全体として、ブラックマトリックス構造体と称される。スクリーン構造体１０２内に形成された活動領域表面は、１又はそれを超える蛍光体領域を有している。これらの蛍光体領域は、電子によって励起されたときに、光を発して、可視ディスプレイを形成する。壁１０３−１２０は、これらが、フェースプレート１０１の頂面１３０に対して垂直な平面に沿って垂直に延びるように、フェースプレート１０１に取り付けられている。
【００２０】
図２に示すように、壁１０３−１２０は、バックプレート２０１及びフェースプレート１０１間に垂直に延びており、もって、フェースプレート１０１及びバックプレート２０１間に均一な空間を付与している。本発明に一実施形態においては、図２のバックプレート２０１は、活動領域表面を備えるように形成されており、この活動領域表面は、電子を放出するエミッタを有する陰極構造体２０２を含んでいる。陰極構造体２０２は、バックプレート２０１の周囲に十分な空間を付与して、バックプレート２０１をシールするように、バックプレート２０１の活動領域全体を覆ってはいない。ガラスシール２０３は、境界領域内におけるバックプレート２０１とフェースプレート１０１の周囲を囲むように延びており、陰極構造体２０２、スクリーン構造体１０２及び壁１０３−１２０を収容する密閉容器を形成している。本発明の一実施形態においては、シール２０３は、ガラスフリットを溶融させることによって形成されている。フェースプレート１０１上に形成された活動領域表面は、バックプレート２０１の活動領域表面から横切るように配置されて、これらの間に活動領域を形成している。
【００２１】
図３は、壁１０３が、壁１０３の一端に位置する接着ドロップ３０１及び壁１０３の反対側端に位置する接着ドロップ３０２によって所定の位置に保持されているところの実施形態を示している。本発明の一実施形態においては、接着ドロップ３０１−３０２を形成するために、Olin Corporation製のProbimide 7020等の紫外線硬化型ポリイミド系接着剤が使用される。また、Epo-Tek P1011等の熱硬化型接着剤や、無機接着剤を使用してもよい。接着堆積物３０１−３０２は、構造体１０２の外部に位置しており、その結果、これらは、平面パネルディスプレイの作用に干渉することはない。一実施形態においては、１立方センチメートルという少量のProbimideを、自動ディスペンサを用いて堆積させている。壁１０３は、これがProbimideをカットして、壁１０３の各々の側部において等しいProbimideメニスカスを形成するように挿入されている。次いで、このようにして得られたProbimide堆積物は、紫外線を６０から９０秒間照射することによって硬化される。一実施形態においては、接着堆積物３０１−３０２を硬化させるために、３６５ナノメータの波長を有する紫外線が、ファイバによる光供給を利用して照射されている。代案として、摂氏約１５０度に加熱された空気流が、３分間の間、接着堆積物３０１−３０２に供給される。壁１０３の各々の側部において等しい接着剤メニスカスを形成することが重要であり、その結果、接着剤が硬化する際に、壁１０３の移動がなく、そして、ミスアライメントが生じることはない。
【００２２】
代案として、各壁の両端の代わりに、その一端又は他端にドロップを配置することによって、単一の接着ドロップを用いることも可能である。これによれば、高温環境下において、ガラス製基材と壁との材料の熱膨張係数の不適当な組合せに起因する壁の歪みや曲げが防止される。しかしながら、接着剤は、硬化後に収縮する傾向があり、そして、スプリングとして壁を引きつけるように作用し、これにより、壁の長さ方向の軸線に沿って壁が傾斜する。従って、接着剤が硬化するまで、機械的な固定等によって、壁を適切な位置に確実に保持することが重要である。
【００２３】
紫外線硬化型ポリマー系接着剤の化学的特性は、常温において紫外線で硬化を可能にし、そして、次に行われる熱処理工程中に生ずるイミド化によって構造的な安全性がもたらされる。紫外線硬化型ポリマーは、（１０-11リットル／トル／秒未満の）気体放出速度を有している。
【００２４】
図４に示した本発明の他の実施形態においては、壁４０２−４０５をフェースプレート４００に取り付けるために、予備成形された接着ブロック４１０−４１７が使用されている。フェースプレート４００は、ガラスプレート４４０を有しており、その上に、スクリーン構造体４３０が形成されている。一実施形態においては、スクリーン構造体４３０は、ガラスプレート４４０の上にポリイミドを堆積させ、そして、蛍光体がガラスプレート４４０を覆うように、スクリーン構造体４３０の開口内に蛍光体を堆積させることにより、ガラスプレート内に活動領域表面４２０を生成することによって形成される。壁４０２は、一端においては接着ブロック４１０によって、そして、他端においては接着ブロック４１１によって支持されている。同様に、壁４０３は、一端においては接着ブロック４１２によって、そして、他端においては接着ブロック４１３によって支持されている。接着ブロック４１０−４１７は、壁４０２−４０５が接着ブロック４１０−４１７の中央部に収められるようにＵ字形状を有している。一実施形態においては、予備成形された接着ブロック４１０−４１７はＵ字形状を有しており、そして、これらはビスマレイミドから形成される。ビスマレイミド接着ブロックは、熱を付与することによって硬化される。ビスマレイミドは、活動領域表面付近に配置されても、弧光発生をもたらすことはないので、壁４０２−４０５の長さは、活動領域表面４０２を通ってわたる十分な長さだけあればよい。ブロック４１０−４１７は、接着剤がディスプレイの活動領域表面４２０の作動に干渉しないように、境界領域内に配置されている。従って、ブロック４１０−４１７を取り付けるために、境界領域が必要であるが、活動領域表面４２０を取り囲む境界領域の幅は、先行技術のディスプレイのそれよりも小さい。
【００２５】
本発明の他の実施形態においては、フェースプレート５００はサポート構造体を有しており、このサポート構造体は、図５Ａの壁５０１−５０４を支持するグリッパ５１０−５１７を有している。この実施形態においては、スクリーン構造体５３０は、ガラスプレート５４０上に堆積されており、そして、グリッパ５１０−５１７は、これらが活動領域表面５２０を渡って延びるようにスクリーン構造体５３０上に形成されている。グリッパ５１０−５１７の側部は、対向する各々のグリッパ間の距離が、その間に壁５０１−５０４のうちの１つの挿入を許容するように間隔をあけて配置されている。グリッパ５１０−５１１は、壁５０１の長さ方向の軸線と平行に延びるサポート構造体を形成し、そして、これらグリッパ５１０−５１１がフェースプレート５００の頂面に対して垂直な方向に壁５０１を機械的に保持するように、壁５０１の各側面に配置されている。同様に、グリッパ５１２−５１３は、壁５０２を機械的に拘束し、グリッパ５１４−５１５は、壁５０３を機械的に拘束し、そして、グリッパ５１６−５１７は、壁５０４を機械的に拘束する。従って、本発明においては、先行技術の平面パネルディスプレイにおいて要求される脚部を必要とせず、かくして、要求される境界領域が減少し、即ち、小さくなる。これにより、製造コストが減少し、ガラスプレートの与えられた大きさについての、より大きな生産量、良好な歩留まり及び大きな活動領域が付与される。
【００２６】
一実施形態においては、図５Ａのグリッパ５１０−５１７は、導電性及び誘電性を有する材料の複数層の堆積、マスキング、及び、エッチング又は現像処理によって、スクリーン構造体５３０内に一体的に形成されている。この実施形態においては、図５Ｂのグリッパ５１０−５１１等のグリッパは、スクリーン構造体５３０から延びている。グリッパ５１０−５１１は、壁５０１がこれらの間に敬語するように位置しており、これによって、壁５０１を垂直位置に保持している。蛍光壁５５０は、フェースプレート５００の活動領域表面５２０内において、グラスプレート５４０上に形成されるように示されている。
【００２７】
他の実施形態においては、壁５９０を垂直位置に保持するために、図５Ｃに示した構造体を使用している。この実施形態においては、壁５９０は、スクリーン構造体５９１上に位置しており、そして、グリッパ５９２及び５９３は、壁５９０を受け入れる対応するスロットを有しており、これにより、壁５９０を垂直位置に保持している。
【００２８】
本発明の他の実施形態においては、壁６０１−６０４は、グリッパ６１０−６１７及び接着剤の双方を用いて、図６Ａ−６Ｂのフェースプレート６００に取り付けられている。一実施形態においては、紫外線硬化型の接着剤を壁６０１−６０４の各々の両端に堆積させて、接着ドロップ６２０−６２７を形成している。壁６０１は、グリッパ６１０−６１１及びドロップ６２０−６２１の双方によって支持されている。同様に、壁６０２は、グリッパ６１２−６１３及びドロップ６２２−６２３の双方によって支持されている。同一の方法で、壁６０３及び６０４は、グリッパ６１４−６１７によって支持されており、そして、ドロップ６２４−６２７によって固定されている。グリッパ６１０−６１７は構造体６３０上に形成されており、この構造体はガラスプレート６４０上に形成されている。構造体６３０は活動領域表面を有しており、この表面内に蛍光体が堆積されている。本発明においては、先行技術の平面パネルディスプレイに要求される脚部を必要としないので、壁のために必要な境界領域が減少し、小さくなる。これにより、製造コストが減少し、ガラスプレートの与えられた大きさについての、より大きな生産量、良好な歩留まり及び大きな活動領域が付与される。
【００２９】
図６Ｂは、図６Ａに示した構造体のＢ−Ｂ線に沿った断面図を示している。一実施形態においては、層６３０は、ポリイミドから形成されており、そして、１０から２５ミクロンの高さを有している。グリッパ６１１もまた、ポリイミドから形成されており、そして、約３８から６０ミクロンの高さを有している。代案として、ドロップ６２０−６２７の代わりに、図４の予備成形された接着ブロック４１０−４１７等の予備成形された接着ブロックを用いることが可能である。予備成形された接着ブロックを使用することによって、本発明においては、先行技術の平面パネルディスプレイにおいて要求される脚部は必要ではなく、要求された境界領域を減少し、小さくする。更に、予備成形された接着ブロックは、製造が容易で廉価であるので、製造コストが減少する。更に、脚部を製造する必要がないので、本発明によれば、ガラスプレートの与えられた大きさについての、より大きな生産量、良好な歩留まり及び大きな活動領域が付与される。
【００３０】
図７−８は、グリッパ及び接着剤の双方を用いて壁がフェースプレート７００に固定されているところの他の実施形態を示している。図７−８に示された実施形態においては、構造体７８０内にリザーバ７２０−７２７が形成されている。一実施形態においては、構造体７８０はポリイミドから形成されている。壁７０１−７０４は、グリッパ７１０−７１７及び接着ドロップ７３０−７３７によって所定の位置に確実に保持されている。即ち、壁７０１は、グリッパ７１０−７１１及び接着ドロップ７３０−７３１によって固定されている。同様に、壁７０２−７０４は、グリッパ７１２−７１７及び接着ドロップ７３２−７３７によって固定されている。構造体７８０は層７８３を含んでおり、この層は、その中に形成された活動領域表面を有している。リザーバ７２０−７２７は、層７８３の外側に形成されているので、接着ドロップ７３０−７３１が活動領域表面と接触することはない。
【００３１】
図８に示すように、壁７１０は、ガラスプレート７４０の上に位置しており、そして、このガラスプレートに接着ドロップ７３０−７３１によって取り付けられている。リザーバ７２０は接着ドロップ７３０を有しており、そして、リザーバ７２１は接着ドロップ７３１を有している。層７８３は、構造体７８０の上に位置しており、そして、壁７０１を受け入れるためにそこに形成されたチャンネルを有しており、従って、壁７０１は、グリッパ７１１及び層７８３によって支持されている。この構造は、層７８３を堆積し、そして次いで、その上に層を堆積し、マスキングし、そして、現像処理して、グリッパ７１１の構造体を形成し、そして、グリッパ７１１及び層７８３を通って延びる溝を形成することによって得られる。リザーバを用いることによって、壁の下方における接着剤によるウィッキングに関する問題が回避される。また、構造体７８０及び層７８３を１つの層に結合してもよい。
【００３２】
壁を接合するためにガラスフリットを用いた実施形態においては、ガラスフリットを溶融させて、壁を接合するためにレーザを用いてもよい。このような実施形態においては、低温ガラスフリットが使用される。この実施形態においては、摂氏４５０度でのガラスフリットの従来のオーブン加熱に比して、比較的低温の基材加熱（例えば、摂氏２００度）が必要である。焼結されたガラスフリットをレーザによって加熱することにより、その後に行われる高温処理行程に耐えるために十分な完全性がもたらされる。一実施形態においては、ガラスフリットを用いて壁を接合するために、赤外線ダイオードレーザ又はＮｄ：ＹＡＧ（１．０６ミクロンメータ）が使用される。
【００３３】
本発明の一実施形態においては、低温ガラスフリットは、約２重量パーセントから４重量パーセントのＱ−ｐａｃ有機化合物を、ＮＥＧ低温ガラスを混合することによって形成される。Ｑ−ｐａｃ有機化合物は、Delaware所在のPac Polymer社から購入可能であり、そして、ＮＥＧ低温ガラスは、日本国、大津所在のNippon Electrical Glass社から購入可能である。その結果得られた低温ガラスフリットは、摂氏２００度のバイアス温度を有している。
【００３４】
図９−１０Ａは、壁９０１−９０４をフェースプレート９００に取り付けるために、グリッパ９１０−９１７及び導電性ボンド９２０−９３５が使用されているところの実施形態を示している。この実施形態においては、図９の導電性ボンド９２０−９３５を形成するために、導電性材料が使用されている。一実施形態においては、ボンド９２０−９３５を形成するために、接着材料が使用される。次いで、導電性材料を溶融させて、壁９０１−９０４を導電性ライン９３６−９３９に溶接するために、低温加熱処理が用いられる。導電性ボンド９２０−９３５は壁９０１−９０４を固定し、そして、各壁内に形成された導電性ストリップと導電性ライン９３６−９３９との間の電気的な接続を行う。他の加熱処理として、フォーカスレーザを用いるもの、赤外線ランプを用いるもの、高温空気を用いるもの、超音波接合法を用いるもの、または、壁をそれらの適切な位置に配置する装置（エンドエフェクタ）を加熱することによって熱を付与するものがある。
【００３５】
一実施形態においては、図９の導電性ライン９３６−９３９は金から形成されており、壁９０１−９０４の端部は、インジウムで被覆されており、ここにおいて、これらの端部は導電性ライン９３６−９３９と接触し、その結果、ボンド９２０−９３５が、低温移行液相接合によって形成される。代わりに、インジウム及び銀、又は、インジウム、鉛、銀及び金、又は、インジウム、錫及び銀を用いた低温移行液相接合を用いることも可能である。低温移行液相結合法においては、インジウム及び金を溶融させるために、加熱工程が摂氏６０度から１６０度の間で行われる。低温移行液相結合において使用される金属は結合して、実質的に高い再溶融温度を有する合金を形成する。従って、ボンド９２０−９３５は、これらが高温処理行程中に溶融しないように形成される。一実施形態においては、摂氏４００度を超える再溶融温度を有するボンドを形成するために、５２パーセントのインジウムと、摂氏約１１８度で溶融する４８パーセントの金を用いて、低温移行液相結合が行われる。
【００３６】
他の実施形態においては、図９の導電性ライン９３６−９３９は、ブレージングペーストで被覆されており、これは、加熱されて、ボンド９２０−９３５を形成する。一実施形態においては、ブレージングペーストを形成するために、共晶金及び銅合金が使用される。この実施形態においては、ブレージングペーストは、摂氏１４０−２４０度の温度に加熱される。
【００３７】
図１０Ａは、導電性ストリップ９５０−９５１を含む壁９０１を示しており、これらのストリップは、壁９０１の頂部及び底部をそれぞれ渡って延びている。導電性ライン９３６−９３９は、構造体９４０内に形成されている。また、構造体９４０は、活動領域表面９４２を有している。グリッパ９１１は、構造体９４０の頂面から延びて、壁９０１を支持している。
【００３８】
代案として、１つの導電性ストリップのみを、特定の壁に形成することも可能である。図１０Ｂは、壁９８０が、側面９７０及び底面９６０を渡って延びる導電性ストリップ９９０を有するところの実施形態を示している。
【００３９】
図１１は、フェースプレート１１００の活動領域表面１１４０内に配置された壁セグメント１１０１−１１２０を有する他の実施形態を示している。壁セグメント１１０１−１１２０は、図１−１０に示した壁と同様に、活動領域表面１１４０を渡って完全には延びていない。その代わりに、壁セグメント１１０１−１１２０は、複数の壁セグメントが、活動領域表面を長さ方向に渡って配置されてもよいように短い。例えば、グリッパセグメント１１３０−１１３１等のグリッパセグメントは、壁セグメント１１０１−１１２０を支持する。フェースプレート１１００は、ガラスプレート１１６０上に形成された活動領域表面１１４０を有している。壁セグメント１１０１−１１２０を用いることにより、活動領域表面１１４０とガラスプレート１１６０の端部との間の空間によって限定された境界領域を減少させることができる。これによれば、壁を延ばしそして取り付けるための空間を許容する必要がないので、フェースプレートの各々の大きさについて、広範なディスプレイ領域（活動領域）が許容される。
【００４０】
代わりに、エッジメタルを有する壁セグメント又はエッジメタルを有しない壁セグメントと、フェースプレート上に位置する導電性ライン又は導電性表面とを電気的に接続するために、壁セグメントを導電性材料を用いて取り付けてもよい。一実施形態においては、壁セグメントに衝撃を与える電子を、フェースプレート上に位置する導電性ラインに沿って電源に導くことによって「ブリードオフ」を可能にするように、壁セグメントは抵抗性を有している。一実施形態においては、壁は抵抗物質から形成されている。代わりに、抵抗被膜で覆われた絶縁体である材料を用いて壁を形成してもよい。
【００４１】
他の実施形態においては、導電性ボンドによって、フェースプレートの電気回路に接続された各壁セグメント上に導電性ストリップが形成されている。図１２Ａに示した実施形態においては、導電性ストリップ１２０２は、これが、壁セグメント１２０１の側面１２０４の下部及びその底面１２０６を渡って部分的に延びるように、壁セグメント１２０１上に形成されている。壁セグメントに衝撃を与える電子を、フェースプレート上に位置する導電性ラインに沿って電源に導くことによって「ブリードオフ」を可能にするように、壁セグメントは抵抗物質から形成されている。
【００４２】
図１２Ｂに示すように、壁セグメント１２０１は、グリッパセグメント１２０８−１２０９によって支持されており、そして、導電性ボンド１２２２−１２２５によって導電性ライン１２１０−１２１１に電気的に接続されている。導電性ライン１２１０−１２１１は、フェースプレート１２３０の作用領域１２２０内に形成されている。一実施形態においては、導電性ライン１２１０−１２１１は、基礎となる導電層を露出させて、導電性ライン１２１０−１２１１を形成することによって、グリッパセグメント１２０８−１２０９を形成するための処理中に形成される。一実施形態においては、導電性ボンド１２２２−１２２５を形成するために使用される導電性材料は、低融点を有するものの、これらが溶融した際、接触パッド材料と共に一度混合されれば、高融点を有する２以上の材料の共晶混合物からなっている。一実施形態においては、導電性ボンドは共晶ハンダから形成されている。代案として、導電性ボンドは、共晶ブレージングプロセスを用いて形成される。他の実施形態においては、導電性ボンド１２０３−１２０４を形成するために、導電性ガラスフリット又は導電性紫外線硬化型接着剤を使用することが可能である。
【００４３】
図１２Ａ−１２Ｂの接合されるべき壁セグメント１２０１は、４つのボンドを参照して示されているが、代わりに、任意の数のボンドを用いてもよく、そして、任意の数のストリップへの接続を行ってもよい。導電性領域との接続に関して言えば、導電性領域への任意の数のボンドを形成してもよい。例えば、壁セグメント１２０１を、単一のボンドを用いて、単一の導電性ストリップ（図示せず）に接続してもよい。更に、壁セグメント１２０１は、グリッパ及び導電性ボンドの双方によって支持されるべきものとして示されているが、代わりに、壁セグメント１２０１を、導電性ボンド１２０３−１２０４等の導電性ボンドのみによって、又は、グリッパのみによって支持してもよい。グリッパは、壁セグメント１２０１と平行であっても、または、これに対して垂直であってもよい。
【００４４】
図１３は、壁セグメント１３０１−１３３２が、フェースプレート１３６０の活動領域表面１３を渡って延びるグリッパ１３６０−１３６７と組み合わせて使用されているところの実施形態を示している。グリッパ１３６０−１３６７及び壁セグメント１３０１−１３３２は、フェースプレート１３５０に関して垂直に広がるものとして示されている。グリッパ１３６０及びグリッパ１３６１は、壁１３０１−１３０８を支持する。同様に、グリッパ１３６２−１３６３は、壁セグメント１３０９−１３１６を支持する。グリッパ１３６４−１３６５は、壁セグメント１３１７−１３２４を支持し、そして、グリッパ１３６６−１３６７は、壁セグメント１３２５−１３３２を支持する。
【００４５】
壁又は壁セグメントをフェースプレートに接合するために使用可能な他の接合方法は、陽極接合である。陽極接合法を用いた実施形態においては、壁はシリコンから形成され、そして、これらの壁はフェースプレートのガラス表面に直接的に接合される。ガラスとシリコン壁との間の接合部分に跨るようにして、高電場を付与する。壁はガラスに対して押し付けられ、そして、熱が付与される。熱、圧力及び電場のこの組合せによって、材料の分子が相互に拡散して、強力なボンドを形成する。電場の存在によって、ボンドを形成するために要求される熱及び圧力が小さくなり、かくして、製造プロセスが容易になる。代わりに、表面がガラスではなく、そして、壁がシリコンではない場合には、接合されるべき壁の表面を適宜の接合材料で被覆し、そして、フェースプレートに陽極接合材料を塗布することによって、壁とフェースプレートの表面との間に陽極ボンドを形成してもよい。一実施形態においては、各壁の底面はシリコンで被覆され、そして、フェースプレートの表面上にガラスフリットが堆積され、そして、熱、圧力及び電場が付与されて、陽極ボンドが形成される。代わりに、陽極ボンドを形成するために、陽極接合法を用いて接合されるいかなる材料の組合せを用いてもよい。
【００４６】
ワイヤボンドコネクタを、スペーサ上に形成され、そして、導電性ラインに取り付けられた導電性セグメントに、又は、フェースプレート及びバックプレートの何れかの導電性領域に取り付けて、スペーサ上に形成された導電性セグメントと、フェースプレート又はバックプレートとの間の電気的接続を行ってもよい。一実施形態においては、ワイヤボンドコネクタは、導電性材料から形成されたワイヤの短いセグメントである。
【００４７】
本発明のグリッパ、グリッパセグメント、壁及び接合構造体は、フェースプレート上に配置されるものとして示されているが、これらは、バックプレート上に配置される場合にも適している。更に、壁、壁セグメント、グリッパ及びグリッパセグメントは、水平又は垂直に広がっているものとして示されているが、各実施形態そのものが水平又は垂直に広がっていてもよい。また、壁セグメントとの電気的接続を、フェースプレート上に位置する導電性ラインとの接続に関して説明したが、陽極面積金属等のフェースプレート上に導電性領域に対して電気的接続をもたらしてもよい。本発明は、壁セグメントと、バックプレート上に位置する導電性領域との間の接続をもたらすためにも適している。更に、グリッパ等のサポート構造体によって形成されたスロットを、壁又はその中に配置された壁セグメントの幅よりも僅かに広くしてもよく、また、狭くしてもよい。
【００４８】
図１−１３に示された本発明の実施形態は、脚を必要としないため、図１−１０Ｂに示された実施形態においては、縁取りのために必要な領域が、１から１０ミリメータのオーダーの減少率をもって、著しく減少する。壁セグメントを使用する図１１−１４に示された実施形態においては、壁に関する縁取りのために必要な領域が完全に除去される。更に、各壁上に脚を形成するための多額の費用を要する工程が不要になり、その結果、歩留まりが向上し、生産率が高くなり、そして、製造コストが低廉になる。
【００４９】
図１４−１６に示された本発明の実施形態においては、改善された熱伝導性及び低い熱抵抗係数を有する壁を備えた平面パネルディスプレイが示されている。フェースプレート１４０１を有する平面パネルディスプレイ１４００を、図１４を参照して示す。フェースプレート１４０１はガラスプレートであり、その上に、複数の連続する材料層が堆積されて、活動領域表面を形成している。活動領域表面１４０３は、蛍光体の１以上の領域を含んでいる。平面パネルディスプレイ１４００はまた、活動領域表面１４０４を有するバックプレート１４０２をも含んでいる。フェースプレート１４０１はバックプレート１４０２にシール１４０６によって取り付けられており、このシールは、活動領域表面１４０３及び活動領域表面１４０４の周囲を渡って延びて、活動領域表面１４０３及び活動領域表面１４０４の周りに密閉容器を形成している。本発明の一実施形態においては、シール１４０６は、ガラスフリットを溶融させることによって形成されている。全体的に壁１４０５として示されている壁は、フェースプレート１４０１とバックプレート１４０２との間に垂直に延びている。
【００５０】
フェースプレート１４０１とバックプレート１４０２との間に垂直に延びて、フェースプレート１４０１とバックプレート１４０２との間に均一な空間を付与する壁１４０５を、図１５を参照して示す。本発明の一実施形態においては、図１５のバックプレート１４０２は、活動領域表面１４０４を有するように形成されており、この活動領域表面は、フェースプレート１４０１の方向において、例えば、電子１４２１等の電子を放出するエミッタを有する陰極構造体を備えている。これらの電子は、活動領域表面１４０３において、蛍光領域に衝撃を与えて、光を放出し、可視ディスプレイを生ずる。
【００５１】
図１６は、壁１４０５が細長い長方形状を有するところの実施形態を示している。しかしながら、様々な異なる形状のうちの何れを使用してもよい。例えば、柱、ピン及び壁セグメントも使用することが可能である。本発明の一実施形態においては、壁１４０５は、セラミックと耐熱性金属とから形成されており、このセラミック中には耐熱性金属が分散している。一実施形態においては、モリブデンが使用されている。しかしながら、例えば、ニオブ、タングステン及びニッケル等の他の耐熱性金属を使用することも可能である。一実施形態においては、９０パーセントのセラミックと１０パーセントの耐熱性金属との混合物が使用されている。これにより、高い抵抗を有する壁１４０５がもたらされる。壁１４０５は、セラミック及び金属から形成されているので、壁１４０５は、高い熱伝導性及び低い熱抵抗係数を有する。本発明の壁に関して、熱の散逸が行われ、そして、抵抗が均一であるために、熱の作用に起因する壁に沿った局部的な非線形電圧勾配が回避される。これにより、可視ディスプレイを渡って延びる、照明されない線の形での照明されない可視領域を有しない可視ディスプレイがもたらされる。また、本発明のディスプレイは、熱の作用に起因する局部的な荷電領域を生ずることがないので、熱の作用に起因する弧光発生が回避される。従って、フェースプレート１４０１が加熱されても、図１４−１５の平面パネルディスプレイ１４００に照明されない領域を生ずることがない。
【００５２】
本発明の一実施形態による壁を形成するための方法を、図１７を参照して示す。先ず、工程１７０１で示されるように、セラミック材料を提供する。一実施形態においては、セラミック材料は、９８パーセント（９８％）のアルミナと、２パーセント（２％）のチタニアとからなっている。代わりに、高い抵抗を有する様々な他のセラミック材料のうちの何れかを使用することも可能である。
【００５３】
続けて、図１７を参照するが、工程１７０２で示されるように、金属酸化物材料を提供する。しかしながら、例えば、五酸化ニオブ、三酸化タングステン又は酸化ニッケル等の様々な他の金属酸化物の何れかを使用することが可能である。代わりに、例えば、窒化アルミ、酸化マグネシウム又は酸化ベリリウム等の他の材料を別途使用して、壁の熱伝導性を増加させることも可能である。
【００５４】
図１７の工程１７０３に示されるように、セラミック材料と金属酸化物材料とを混合して、スラリーを形成する。一実施形態においては、材料を混合し、そして、金属酸化物材料を混合物中に均一に分散させるために、工業用ミキサが使用されている。
【００５５】
このスラリーは、図１７の工程１７０４によって示されるように、所望の形状をもたらすように成形される。一実施形態においては、スラリーは、テープキャスティングプロセスを用いて成形される。このテープキャスティングプロセスにおいては、工程１７０３において形成された混合物は、オーガニックテープとしてキャストされる。しかしながら、例えば、押し出し成形等の様々な異なる方法のうちの何れかを使用して、所望の形状をもたらしてもよい。
【００５６】
依然として、図１７を参照するが、工程１７０５によって示されるように、熱を付与して、所望の物質特性を有する材料片を形成する。この加熱工程によって、有機バインダー系が除去される。更に、加熱工程によって、金属酸化物材料が加熱されて、金属酸化物材料の粒子が耐熱性金属粒子に変換される。この加熱工程はまた、混合物を焼結する。テープキャスティングプロセスを用いて、スラリーを所定の形状に成形するところの実施形態においては、加熱工程の結果、薄いシート状材料が得られる。
【００５７】
図１７を引き続き参照するが、工程１７０６によって示されるように、材料片を次いで、切断して、完成された壁を形成する。一実施形態においては、ダイス工程を施して、材料片を複数の薄い壁に切断する。テープキャスティングプロセスが使用されている一実施形態においては、薄い材料シートを複数の薄い材料ストリップに切断し、これらが壁として使用される。
【００５８】
一実施形態においては、図１７の複数の工程に従って、図１４−１６の壁１４０５、図１−３の壁１０３−１２０、図４の壁４０２−４０５、図５Ａ−５Ｂの壁５０１−５０４、図５Ｃの壁５９０、図６Ａ−６Ｂの壁６０１−６０４及び図７−８の壁７０１−７０４が形成される。
【００５９】
導電性ストリップと電子放射抑制材料層とを有する壁を形成するための方法を、図１８を参照しながら示す。先ず、図１７に示した複数の工程を用いて、壁を形成する。即ち、セラミック材料を提供し（工程１７０１）、金属酸化物材料を提供し（工程１７０２）、そして、セラミック材料と金属酸化物材料とを混合して、スラリーを形成する（工程１７０３）。次いで、このスラリーを成形して、所望の形状にし（工程１７０４）、熱を付与し（工程１７０５）そして、材料片を切断して（工程１７０６）、壁を形成する。
【００６０】
依然として、図１８を参照するが、工程１８０１によって示されるように、導電性ストリップを壁の表面上に形成する。一実施形態においては、この導電性ストリップは、導電性材料の薄いストリップの選択的な堆積によって形成される。一実施形態においては、この導電性ストリップは金から形成されている。代わりに、様々な他の導電性材料のうちの何れかを使用してもよい。一実施形態においては、複数の導電性ストリップが使用されている。図１０Ａに戻って参照するが、工程１８０１によって導電性ストリップ９５０−９５１を形成することができる。代わりに、図１０Ｂの導電性ストリップ９９０等の導電性ストリップを形成することも可能である。
【００６１】
引き続き、図１８を参照するが、工程１８０１において形成された単一の（又は複数の）導電性ストリップによって、壁に衝撃を与える電子を、導電性ストリップに沿って、そして、バックプレート上に導くことにより、「ブリードオフ」を可能にし、ここにおいて、電子は、電源（図示せず）に導かれる。
【００６２】
次いで、図１８の工程１８０２によって示されるように、電子放射抑制材料層を壁の上に配置する。一実施形態においては、電子放射抑制材料の薄い皮膜が、壁の複数の面上にスプレーされる。
【００６３】
様々な異なる大きさ、形状及び構造を有する壁を製造するために、図１７及び１８に示した方法を使用してもよい。壁セグメントを使用した実施形態においては、例えば、図１１の壁セグメント１１０１−１１２０、図１２Ａ−１２Ｂの壁セグメント１２０１及び図１３の壁セグメント１３０１−１３３２等の壁セグメントを製造するために、図１７及び１８の方法を用いることが可能である。
【００６４】
図１７−１８の方法に従って形成された壁の熱抵抗係数は、先行技術の壁のそれよりも小さい。また、図１７−１８の方法によって形成された壁の熱伝導性は、先行技術の壁のそれよりも大きい。また、例えば、電気抵抗性、機械的強度、高電圧破壊強度、二次電子放射係数等のスペーサの他の物質特性が維持又は改善される。
【００６５】
図１７−１８に従って形成された壁においては、金属粒子の大きさが適切であり、これが適切に分散しているため、パーコレーション、即ち、トンネリングトランスポートによって、電気伝導率が向上する。これにより、製造された壁の熱抵抗係数が小さくなる。
【００６６】
一実施形態においては、耐熱性金属酸化物の薄いフィルムは、壁の表面上に分散された金属相から生成される。その結果、二次電子放射係数の低下に起因して、表面荷電が減少する。二次電子放射係数が十分に低くなれば、二次電子放射を減少させるための別に行われる被覆工程は必要ではない。
【００６７】
可視率と称する比率が、可視ディスプレイの領域が熱の作用に起因する照明されない領域の有無を制御することが知られている。この可視率は、壁の熱伝導性によって割り算された熱抵抗係数と等しい。
【００６８】
先行技術の壁の熱抵抗係数は、典型的な場合には、３％／゜Ｃ（Ｃは摂氏による温度である）以上であり、そして、先行技術の壁の熱伝導性は、典型的な場合には、５Ｗ／ｍ−゜Ｃ（「Ｗ」は、ワットであり、そして、「ｍ」はメートルである）以下である。その結果、先行技術の壁の可視率は、０．６（％−メートル／ワット）以上になる。可視率のこのレベルでは、可視ディスプレイの明るい領域によってフェースプレートが加熱されると、可視ディスプレイに照明されない領域が認められる場合がある。
【００６９】
図１７−１８の壁を製造するための方法は、１．５％／゜Ｃ以下の熱抵抗係数及び５０Ｗ／ｍ−゜Ｃ以上の熱伝導性を有する壁を製造するものである。その結果、本発明の壁は、約０．０３の可視率を有する。従って、本発明の可視率（０．０３）は、先行技術の壁の可視率（典型的には、０．６以上）よりも著しく小さい。このように小さい可視率によって、熱の作用に起因する、照明されない領域を有しない平面パネルディスプレイが得られる。
【００７０】
更に、図１７−１８の方法に従って形成された壁によれば、（熱影響の単位面積当たり、２．５Ｅ＋１１のオーダーでの）高い面積抵抗率が維持される。また、本発明の壁は、製造が容易であり、そして、これらの壁は高い圧縮強度を有している。
【００７１】
壁の用途を図１４−１８を参照して説明したが、柱、壁セグメント等の他のサポート構造体を使用することも可能である。また、他の材料の組合せも可能である。他の実施形態においては、アルミナ−ジルコニア壁が、フロートプロセスによって製造されたシリカ被覆ソーダ石灰ガラスであるフェースプレートと組み合わせて使用される。壁の熱膨張係数は、フェースプレート及び陰極の熱膨張係数と合致する。一実施形態においては、壁は、ジルコニア系セラミック中に分散したアルミナから形成されており、ここにおいてセラミックの抵抗は厳密に規制されている。この実施形態においては、壁は、低二次電子放射被膜で被覆されている。一実施形態においては、壁は、ZrO2/Al2O3/TiO2,、ZrO2/Al2O3/CaOまたはZrO2/Al3O3/Y2O3系の半絶縁セラミック材料から形成されている。複数成分からなるアルミナジルコニア系セラミック複合物を使用すれば、その成分調整をすることにより、機械的特性を犠牲にすることなく、電気伝導性及び膨張係数の微調整が可能である。これらのセラミックの熱膨張係数がソーダ石灰フロートガラスの熱膨張係数に対して比較的近似していることは公知である。ジルコニアに対するアルミナの割合を変化させることによって、アルミナジルコニア系セラミックの熱膨張係数を調整することができる。更に、例えば、TiO2、Y2O3、CaO等の第三の成分を添加することによって、アルミナジルコニア系セラミックの電気伝導性を制御することもできる。
【００７２】
他の実施形態においては、壁は、ムライト（Al2O3/SiO2）又はコージェライト（Mg3Al4Si5O18）をベースとするセラミック成分から製造される。これらの壁は、ホウケイ酸フロートガラスを用いて形成されたフェースプレート及び陰極と共に使用される。ムライトの熱膨張係数は、ホウケイ酸フロートガラスのそれと合致する。また、（例えば、Ti又はFeの）ドープ剤をムライト系に添加して、抵抗を所望の範囲に調整してもよい。コージェライトは、２．６×１０-6／゜Ｃの基準熱膨張係数を有している。しかしながら、この熱膨張係数を成分的に調整して、ホウケイ酸フロートガラスのそれに合致する４．５×１０-6／゜Ｃにすることができる。ムライトを使用した場合、セラミックをTi、Fe又は他の成分でドープすることによって、抵抗を必要な範囲に低下させることができる。
【００７３】
フロートプロセスによって製造されたガラスを使用することにより、延伸ガラスを使用する場合を上回る２０パーセントのコストの削減が実現される。また、アルミナジルコニア系、ムライト系及びコージェライト系セラミックは、低温で空気中において焼結可能であるため、これらは、先行技術のセラミックに比して、製造コストが廉価である。また、フロートプロセスによって製造されたガラスは、従来の延伸ガラスよりも高い表面品質を有しており、そして、フリットによる接合が容易である。更に、アルミナジルコニア系セラミックは、先行技術の壁の材料に比して、高い曲げ強度を有している。
【００７４】
本発明の特定の実施形態を、図示及び説明のために以上に述べた。これらの説明は、これですべてであることを意図するものではなく、本発明はここに開示された正確な形態に限定されることを意味するものでもなく、そして、上述した教示に鑑みて、自明な数多くの修正及び変形が可能である。例えば、本発明は、壁をフェースプレートに取り付けるためのものとして説明したが、壁をバックプレートに取り付けることも可能である。本発明の原理及びその実際の適用方法を最良な状態で説明し、かくして、本発明及び様々な実施形態を、熟考された特定の用途に適する様々な変更をもって当業者が利用できるように、これらの実施形態を選択し、そして、説明した。本発明の範囲は、ここに添付した請求項及びその均等物によって特定されるべきであることを意図するものである。
【図面の簡単な説明】
この明細書に組み入れられ、そして、その一部を構成する添付図面は、本発明の実施形態を示しており、明細書の記述と共に、本発明の原理を説明する作用を有する。
【図１】  フェースプレートの平面図であり、このフェースプレートの上に、請求項に記載された本発明の一実施形態に従って壁が配置されている。
【図２】  請求項に記載された本発明に従った平面パネルディスプレイを示す、図１のＡ−Ａ線に沿った側部断面図である。
【図３】  請求項に記載された本発明の一実施形態に従って、フェースプレートに取り付けられた壁を示す側面図である。
【図４】  請求項に記載された本発明に従って、フェースプレートに取り付けられた壁を示す平面図である。
【図５Ａ】  請求項に記載された本発明に従って、フェースプレートに取り付けられた壁を示す平面図である。
【図５Ｂ】  請求項に記載された本発明に従って、フェースプレートに取り付けられた壁を示す斜視図である。
【図５Ｃ】  請求項に記載された本発明に従って、フェースプレートに取り付けられた壁を示す斜視図である。
【図６Ａ】  請求項に記載された本発明に従って、フェースプレートに取り付けられた壁を示す平面図である。
【図６Ｂ】  請求項に記載された本発明に従って、フェースプレートに取り付けられた壁を示す図６ＡのＢ−Ｂ線に沿った断面図である。
【図７】  請求項に記載された本発明に従った平面パネルディスプレイの平面図である。
【図８】  請求項に記載された本発明に従ってフェースプレートに取り付けられた壁を示す、図７のＣ−Ｃ線に沿った断面図である。
【図９】  請求項に記載された本発明に従ってフェースプレートに取り付けられた壁を示す平面図である。
【図１０Ａ】  請求項に記載された本発明に従ってフェースプレートに取り付けられた壁を示す、図９のＤ−Ｄ線に沿った側部断面図である。
【図１０Ｂ】  本発明に従った壁の斜視図である。
【図１１】  請求項に記載された本発明に従ってフェースプレートに取り付けられた壁セグメントを示す平面図である。
【図１２Ａ】  請求項に記載された本発明に従った壁セグメントの斜視図である。
【図１２Ｂ】  請求項に記載された本発明に従ってフェースプレートに取り付けられた壁セグメントを示す拡大平面図である。
【図１３】  本発明に従ってフェースプレートに取り付けられた壁セグメントを示す平面図である。
【図１４】  請求項に記載された本発明に従って、改善された熱伝導性及び低い熱抵抗係数を有する壁を備えた平面パネルディスプレイの頂部を破断した斜視図である。
【図１５】  請求項に記載された本発明に従って、改善された熱伝導性及び低い熱抵抗係数を有する壁を備えた平面パネルディスプレイを示す、図１４のＥ−Ｅ線に沿った側部断面図である。
【図１６】  請求項に記載された本発明に従って、改善された熱伝導性及び低い熱抵抗係数を有する壁を示す前方斜視図である。
【図１７】  請求項に記載された本発明に従って、改善された熱伝導性及び低い熱抵抗係数を有する壁を形成するための方法を示すダイアグラムである。
【図１８】  請求項に記載された本発明に従って、改善された熱伝導性及び低い熱抵抗係数を有する壁、導電性ストリップ及び電子放射抑制層を形成するための方法を示すダイアグラムである。
【図１】
0004460775.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１１】
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【図１２Ａ】
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【図１２Ｂ】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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