(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像装置の被写体画像取込みに用いる撮像素子の選別方法であって、
前記撮像素子の出力信号に基づいて与えられた露光時間及び温度条件下における該撮像素子の各画素毎の画素欠陥レベルを検出する第１ステップと、
前記第１ステップにより検出された欠陥情報のうち、前記撮像素子の光学的黒領域の画素部分に対しては第１の判定方法を適用し、前記光学的黒領域以外の有効画素領域の画素部分に対しては第１の判定方法とは異なる第２の判定方法を適用して前記選別のための合否判定を行う第２ステップと、
を有し、
前記第１の判定方法は前記撮像素子のライン毎に求めたＨＯＢ領域の各画素出力レベルの相対的な差を第１の閾値と比較し、前記第２の判定方法は該撮像素子のライン毎に求めた有効領域の画素出力レベルと該ＨＯＢ領域の画素出力レベルの差を第２の閾値と比較するものであり、該第１の閾値は該第２の閾値よりも小さい値に設定され、対象画素領域における欠陥レベルが該第１の閾値又は該第２の閾値を超えないのを条件とすることを特徴とする撮像素子の選別方法。
【請求項２】
前記合否判定において合格の判定を得るための露光時間及び温度範囲と欠陥レベルとの関係である使用可能条件を基に、選別対象の撮像素子に対して合格の判定を行うことを特徴とする請求項１に記載の撮像素子の選別方法。
【請求項３】
請求項２に記載の撮像素子の選別方法を用いて選別された撮像素子であって、前記使用可能条件を表す情報が付与されていることを特徴とする撮像素子。
【請求項４】
前記使用可能条件を表す情報の付与は、前記撮像素子に対する貼付，刻印，印刷，又は筆記によって行われたものであることを特徴とする請求項３記載の撮像素子。
【請求項５】
前記使用可能条件を表す情報の付与は、前記撮像素子が内蔵する記憶手段に対する情報の書込みによって行われたものであることを特徴とする請求項３記載の撮像素子。
【請求項６】
請求項２に記載の撮像素子の選別方法を用いて選別された撮像素子、又は請求項３〜５の何れかに記載の撮像素子を被写体画像取込みに用いる撮像装置であって、
画質劣化を生じない露光時間の最大値である露光時間制限値を設定する制限時間設定手段を具備してなり、前記制限時間設定手段は前記撮像素子の前記使用可能条件が許容する最長露光時間を超えない値に前記露光時間制限値を設定するものであることを特徴とする撮像装置。
【請求項７】
前記制限時間設定手段は、装置自体の仕様温度上限において前記使用可能条件が許容する最長露光時間を超えない値に、前記露光時間制限値を設定するものであることを特徴とする請求項６記載の撮像装置。
【請求項８】
前記制限時間設定手段と共に前記撮像素子の温度を検出する温度検出手段を具備してなり、前記制限時間設定手段は、前記温度検出手段が検出した使用温度下で前記使用可能条件が許容する最長露光時間を超えないように、前記露光時間制限値を可変設定するものであることを特徴とする請求項６記載の撮像装置。
【請求項９】
前記露光時間制限値以下に露光時間を制限する露光時間制限手段を具備したことを特徴とする請求項６〜８の何れかに記載の撮像装置。
【請求項１０】
前記露光時間制限値を超える露光時間の使用に際して警告を発する警告手段を具備したことを特徴とする請求項６〜８の何れかに記載の撮像装置。
【請求項１１】
請求項２に記載の撮像素子の選別方法を用いて選別された撮像素子、若しくは請求項３〜５の何れかに記載の撮像素子を被写体画像取込みに用いる撮像装置、又は請求項６〜１０の何れかに記載の撮像装置であって、前記使用可能条件を記憶する記憶手段を有したことを特徴とする撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、オプティカルブラック（光学的黒：ＯＢ）の欠陥判定を通常より厳しい判定条件とした撮像素子の選別方法と、この選別方法によって選別され使用可能条件が記載された撮像素子、更には撮像素子の使用条件に基づいた露光時間の制御等を行う撮像装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＣＣＤ等の撮像素子を用いた撮像装置においては、温度などの条件変動に伴って大きく変動する暗電流のＤＣ分を取り除くためにＯＢクランプ回路が設けられている。旧くは全アナログ回路であったが、近年の回路デジタル化に伴いデジタル回路が採用され、例えば特開平９−８３８３６号公報には、Ａ／Ｄコンバータ前段のアナログ部にＡ／Ｄのデジタル出力からフィードバックしたＤＣバイアスを重畳する、デジタル検出アナログフィードバックＯＢクランプの技術も記載されている。この方式を用いれば、Ａ／Ｄレンジを充分に取ることができ、またＡ／Ｄコンバータの分解能以下での処理が可能である。
【０００３】
このようなデジタル化されたＯＢクランプのクランプ基準としては原理的には垂直（Ｖ）ＯＢを用いても、水平（Ｈ）ＯＢを用いてもよいが、スミアの混入による悪影響を避けるという意味から、回路設計上の要請が大きかったアナログ回路時代と同様にＨＯＢを用いることが望ましい。
【０００４】
ＯＢクランプ回路の方式を問わず、ＯＢ領域からは正常な画素出力が出力されていることが前提であり、ＯＢ領域にいわゆる画素欠陥が存在した場合はクランプ情報の中に本来のＯＢ画素情報以外の情報が混入してしまうため、クランプが誤動作してしまい画質不良を生じてしまう。特に、ＨＯＢクランプを採用している場合には、当該ラインだけがその上下のラインとは異なった誤クランプ（クランプずれ）を生じるため、信号レベル差が筋状のノイズ（ライン段差）となって極めて目立ち易く、僅かな欠陥の存在が画質不良の原因となるものである。
【０００５】
ところで、通常の有効画素領域の画素欠陥に関しては、撮像装置における信号処理の過程で、当該欠陥画素の画素信号を無効とし周辺画素の情報で補完するなどの対策が取られる。そして、このための欠陥情報は予め所定露光時間の露光を行って、その出力画像信号のレベルを解析、判定することによってその検出が行われている。具体的には、所定の信号出力が出力されない、いわゆる黒欠陥画素や、暗電流のレベルが他の画素に比して極端に大きい白欠陥画素などを検出し、その画素位置（アドレス）情報を欠陥情報としてしている。
【０００６】
このように、通常の画素欠陥対策としてはその欠陥画素の判定に当たっては信号レベルを用いるが、撮像装置ではそのアドレス情報だけが使用され、当該画素の情報は補完に際して無効化されるから、その欠陥レベル自体はその撮像素子が使用可能であるかどうかの合否判定に際しては問題にはならない。また、これら通常の有効画素領域の出力画像信号とは、既に上記ＯＢクランプ処理を受けた後の信号である。
【０００７】
これに対して、ＯＢ領域の画素については上記ＯＢクランプに使用されるものであるから、上記補完処理を適用することができない。また、上記したように僅かなレベルの欠陥でも目立ち易いという問題があった。
【０００８】
これは、特に温度や露光時間などの使用条件を様々に設定した場合により大きな問題になるものである。何故なら、一般的な使用状況では少なくともＯＢ部には問題となるような画素欠陥を有しない撮像素子であったとしても、温度上昇に伴いその暗電流レベルは増大し、またそれによる暗出力レベルは露光時間（厳密には蓄積時間）にほぼ比例して増大するため、高温下での使用や長時間露光を行なう場合には潜在していた画素欠陥が顕在化し、上記筋状のノイズを生じてしまう畏れがあるからである。そしてこれは、通常の有効画素領域の暗電荷による点状の孤立ノイズよりも目立ち易いものであった。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
このように従来、撮像素子のＯＢ領域に画素欠陥が存在すると、これを使用した撮像装置においては画質不良を招くことになる。また、ＯＢ領域に欠陥が無い撮像素子であっても、長時間露光に伴う電荷蓄積により潜在欠陥が顕在化して、画質劣化を生じる不具合があった。
【００１０】
本発明は、上記事情を考慮してなされたもので、その目的とするところは、撮像装置の仕様条件（温度・露出時間）の範囲内で、ＯＢ画素欠陥によってＯＢクランプに際して発生する画質劣化を生じない撮像素子を選別するための撮像素子の選別方法を提供することにある。
【００１１】
また、本発明の他の目的は、上記の選別方法を適用して選別され、撮像装置を製造する際の作業効率を高める撮像素子を提供することにある。また、本発明の更に他の目的は、この選別方法を適用した撮像素子を用いて画質劣化を生じないようにした撮像装置を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
（構成）
上記課題を解決するために本発明は次のような構成を採用している。
【００１３】
即ち本発明は、撮像装置の被写体画像取込みに用いる撮像素子の選別方法であって、前記撮像素子の出力信号に基づいて与えられた露光時間及び温度条件下における該撮像素子の各画素毎の画素欠陥レベルを検出する第１ステップと、前記第１ステップにより検出された欠陥情報のうち、前記撮像素子の光学的黒領域の画素部分に対しては第１の判定方法を適用し、前記光学的黒領域以外の有効画素領域の画素部分に対しては第１の判定方法とは異なる第２の判定方法を適用して前記選別のための合否判定を行う第２ステップとを有し、前記第１の判定方法は前記撮像素子のライン毎に求めたＨＯＢ領域の各画素出力レベルの相対的な差を第１の閾値と比較し、前記第２の判定方法は該撮像素子のライン毎に求めた有効領域の画素出力レベルと該ＨＯＢ領域の画素出力レベルの差を第２の閾値と比較するものであり、該第１の閾値は該第２の閾値よりも小さい値に設定され、対象画素領域における欠陥レベルが該第１の閾値又は該第２の閾値を超えないのを条件とすることを特徴とする。
【００１４】
また本発明は、上記の撮像素子の選別方法を用いて選別された撮像素子であって、前記使用可能条件を表す情報が付与されていることを特徴とする。
【００１５】
また本発明は、上記の選別方法又は撮像素子を被写体画像取込みに用いる撮像装置であって、画質劣化を生じない露光時間の最大値である露光時間制限値を設定する制限時間設定手段を具備してなり、前記制限時間設定手段は前記撮像素子の前記使用可能条件が許容する最長露光時間を超えない値に前記露光時間制限値を設定するものであることを特徴とする。
【００１６】
ここで、本発明の望ましい実施態様としては次のものが挙げられる。
【００１８】
(1) 欠陥判定手段における合否判定において、合格の判定を得るための露光時間及び温度範囲と欠陥レベルとの関係である使用可能条件を基に、選別対象の撮像素子に対して合格の判定を行うこと。
【００１９】
(2) 撮像素子における使用可能条件を表す情報の付与は、撮像素子に対する貼付，刻印，印刷，又は筆記によって行われたものであること。
【００２０】
(3) 撮像素子における使用可能条件を表す情報の付与は、撮像素子が内蔵する記憶手段に対する情報の書込みによって行われたものであること。
【００２１】
(4) 撮像装置における制限時間設定手段は、装置自体の仕様温度上限において使用可能条件が許容する最長露光時間を超えない値に、露光時間制限値を設定するものであること。
【００２２】
(5) 撮像装置は制限時間設定手段と共に温度検出手段を具備してなり、制限時間設定手段は、温度検出手段で検出される使用温度下で前記使用可能条件が許容する最長露光時間を超えないように、露光時間制限値を可変設定するものであること。
【００２３】
(6) 撮像装置は、露光時間制限値以下に露光時間を制限する露光時間制限手段を具備したこと。
【００２４】
(7) 撮像装置は、露光時間制限値を超える露光時間の使用に際しては警告を発する警告手段を具備したこと。
【００２５】
(8) 撮像装置は、使用可能条件を記憶する記憶手段を有していること。
【００２６】
（作用）
本発明によれば、撮像装置の被写体画像取込みに用いる撮像素子の選別に際して、撮像素子の光学的黒領域の画素部分に対しては第１の判定方法を適用し、光学的黒領域以外の有効画素領域の画素部分に対しては第２の判定方法を適用して合否判定を行う。ここで、第１の判定方法は撮像素子のライン毎に求めたＨＯＢ領域の各画素出力レベルの相対的な差を第１の閾値と比較し、第２の判定方法は撮像素子のライン毎に求めた有効領域の画素出力レベルと該ＨＯＢ領域の画素出力レベルの差を第２の閾値と比較するものであり、第１の閾値は第２の閾値よりも小さい値に設定する。そして、第１の判定方法において、選別対象の撮像素子に対して使用可能条件を基に合格の判定を行うことにより、撮像装置の仕様条件（温度・露出時間）の範囲内で、ＯＢ画素欠陥によってＯＢクランプに際して発生する画質劣化を防止することが可能となる。
【００２７】
また、上記の選別方法によって選別された撮像素子に対して、合格の判定を得る際に付帯された使用可能条件を表す情報を付与することにより、撮像装置を製造する際の作業効率を高めることが可能となる。さらに、使用可能条件を表す情報を付与された撮像素子を用いて撮像装置を構成することにより、撮像装置は使用可能条件に基づいた露光時間の制限を行うことが可能となる。
【００２８】
【発明の実施の形態】
まず、実施形態を説明する前に、本発明に用いるデジタルカメラの基本構成とＯＢクランプ部の基本構成を説明しておく。
【００２９】
図１は、本発明に用いるデジタルカメラの回路構成を示すブロック図である。
【００３０】
図中１０１は各種レンズからなるレンズ系、１０２はレンズ系１０１を駆動するためのレンズ駆動機構、１０３はレンズ系１０１の絞りを制御するための露出制御機構、１０４はメカシャッタ、１０５は色フィルタを内蔵したＣＣＤカラー撮像素子、１０６は撮像素子１０５を駆動するためのＣＣＤドライバ、１０７はＡ／Ｄ変換器等を含むプリプロセス回路、１０８は色信号生成処理，マトリックス変換処理，その他各種のデジタル処理を行うためのデジタルプロセス回路、１０９はカードインターフェース、１１０はＣＦ等のメモリカード、１１１はＬＣＤ画像表示系を示している。
【００３１】
また、図中の１１２は各部を統括的に制御するためのシステムコントローラ（ＣＰＵ）、１１３は各種ＳＷからなる操作スイッチ系、１１４は操作状態及びモード状態等を表示するための操作表示系、１１５はレンズ駆動機構１０２を制御するためのレンズドライバ、１１６は発光手段としてのストロボ、１１７はストロボ１１６を制御するための露出制御ドライバ、１１８は各種設定情報等を記憶するための不揮発性メモリ（ＥＥＰＲＯＭ）を示している。
【００３２】
本実施形態のデジタルカメラにおいては、システムコントローラ１１２が全ての制御を統括的に行っており、特に露出制御機構１０３に含まれるシャッタ装置と、ＣＣＤドライバ１０６によるＣＣＤ撮像素子１０５の駆動を制御して露光（電荷蓄積）及び信号の読み出しを行い、それをプリプロセス回路１０７を介してデジタルプロセス回路１０８に取込んで、各種信号処理を施した後にカードインターフェース１０９を介してメモリカード１１０に記録するようになっている。
【００３３】
図２は、ＯＢクランプ部の回路構成を示すブロック図である。
【００３４】
ＣＣＤ撮像素子２０１から得られる映像信号は、メインＡ／Ｄ変換器（ＭＡＤ）２０２に入力され、このＭＡＤ２０２により有効画素領域における映像信号がＡ／Ｄ変換されて映像信号が得られる。また、撮像素子２０１からの映像信号は、クランプ用Ａ／Ｄ変換器（ＣＬＡＤ）２０３に入力され、このＣＬＡＤ２０３によりＯＢ部における信号がＡ／Ｄ変換される。ＣＬＡＤ２０３の出力は、クランプシフタ（ＣＬＳＨ）２０４に入力され、このＣＬＳＨ２０４によりによりＯＢ出力の平均値が得られる。そして、この平均値は、ＭＡＤ２０２にボトム基準電圧として与えられる。従って、ＭＡＤ２０２では、撮像素子信号から暗電流成分を差し引いた映像信号が得られることになる。
【００３５】
ここで、本実施形態では白欠陥について考える。黒欠陥については温度や露光時間に依存しないものであり、素子製造工程で既に、ＯＢ領域では無し（あったら選別で除去）、有効領域では欠陥アドレス登録されているものとする。 カメラのＯＢクランプは、黒レベル検出は各ライン（Ｈ）毎にＯＢ画素の出力レベルのクランプ用Ａ／Ｄ出力の加算平均を求めてホールドし、そのラインの有効画素をサンプリングする際の画像信号用Ａ／Ｄボトム基準電圧に重畳する。
以下、本発明の詳細を図示の実施形態によって説明する。
【００３６】
（第１の実施形態）
本実施形態は、撮像装置に使用する撮像素子の選別方法である。これを、図４のフローチャートに従って説明する。
【００３７】
まず、撮像素子を特定の条件に保持した状態で該素子の出力を検出できる判定用の検査装置を用意する。この装置を用い、遮光状態で例えば２５度の恒温槽中で１０秒の露光（蓄積）時間で撮像素子出力をＡ／Ｄサンプリングする。ビット数（分解能）カメラのＡ／Ｄ分解能（例示：１ｍＶ）に対して充分とる。
【００３８】
使用予定カメラがＨＯＢサンプリングを使用するものである場合、ＶＯＢは不要であり、従ってＨＯＢと有効画素領域を解析する。ここで、撮像素子におけるＨＯＢ，ＶＯＢ，有効画素領域の関係を図３に示しておく。ここでは、全画素数を１０００×１０００とし、ＨＯＢ，ＶＯＢの幅は共に２０画素とした。
【００３９】
ＨＯＢのライン毎の積分値に着目し、全ラインにおける平均値とＰ−Ｐ値を求める。平均値は有効画素領域の判定をするためであり、Ｐ−Ｐ値はＯＢ領域の欠陥を判定するためである。そして、上記の条件下（２５度，１０秒）でのＯＢレベル（平均値）をＯＢＬ（２５，１０）、ＯＢ欠陥レベル（Ｐ−Ｐ値）をＯＢＤ（２５，１０）とする（ステップＳ１）。
【００４０】
補足すれば、ＨＯＢの（ライン毎の積分）値はクランプ基準になるものであるからそれ自体の大小は画質劣化には直接関与せず、その差がライン段差となって画質劣化を生じることは前述のとおりである。従ってその差の最大値に対応する、積分値のＰ−Ｐ値をもってＯＢ欠陥レベルの評価量としたものである。
【００４１】
次いで、指定した使用条件下における欠陥レベル算出値をＯＢＬ（ｅｎｖ）とＯＢＤ（ｅｎｖ）とする（ステップＳ２）。換算は時間比例、また６ｄＢ／８℃で行う。例えば、４１℃，３０秒のとき、時間による換算が３倍で、温度による換算が４倍であることから、ＯＢＬ（４１，３０）＝１２×ＯＢＬ（２５，１０），ＯＢＤ（４１，３０）＝１２×ＯＢＤ（２５，１０）となる。
【００４２】
第１の判定（ステップＳ３）では、ＯＢＤ（ｅｎｖ）≦０．５ｍＶなら合格、ＯＢＤ（ｅｎｖ）＞０．５ｍＶなら不合格とする。第２の判定（ステップＳ４〜６）では、各有効画素出力（ｅｎｖ）−ＯＢＬ（ｅｎｖ）＞２５ｍＶを（補完対象の）欠陥画素とし、欠陥画素に関してはアドレス登録する。ここで、登録数が許す限り幾つでもよいが、欠陥画素数が多すぎる場合は不合格とする。例えば、1000個／100万画素以下は合格とする。なお、各有効画素出力（ｅｎｖ）−ＯＢＬ（ｅｎｖ）≦２５ｍＶは合格とする。
【００４３】
このように本実施形態では、第１及び第２の判定共に合格の場合に総合判定合格とする。そして、総合判定合格の撮像素子を用いることによって、使用するカメラの指定した使用条件下において撮像素子は常に欠陥レベルが所定値以下となり、長時間露光に伴う電荷蓄積による画質劣化を防止することができる。
【００４４】
（第２の実施形態）
本実施形態は、判定用の検査装置によってデータが記載された撮像素子に関する。なお以下では、第２の判定については４５度，３０秒においてまだ余裕を持って合格しているとし、第１の判定のみに着目して例示する。
【００４５】
第１の実施形態による撮像素子選別方法を使用した撮像評価の結果が、ＯＢＤ（４５，３０）＝０．５ｍＶであったとする。この結果を、例えばバーコード印刷されたシールとして、撮像素子パッケージ背面に貼付させる。他にリードも含めた任意箇所に同様の貼付，刻印，印刷，捺印，ペン等による書込み、を行ってもよい。さらに、ＥＥＰＲＯＭを内蔵させ、電気的に記憶させてもよい。
【００４６】
本実施形態による撮像素子では、パッケージ背面に貼付されたバーコード等により、該素子の最大使用環境を判断することができる。このため、撮像装置を構成する際の作業効率を高めることができる。
【００４７】
（第３の実施形態）
本実施形態は、第１の実施形態による撮像素子選別方法で選別された撮像素子、又は第２の実施形態による撮像素子を用いた撮像装置に関する。
【００４８】
（実施例１）
撮像装置としての仕様は、温度上限４５℃、最長露光時間３０秒であるとする。この場合、この条件で合格するもの、即ちＯＢＤ（４５，３０）≦０．５ｍＶのものだけを合格として選別した撮像素子を使用する。即ち、撮像装置の仕様に応じてどのような撮像素子が使用できるかが判断でき、装置仕様に適した撮像素子のみを搭載することができる。
【００４９】
（実施例２）
撮像装置としての仕様は、温度上限４５℃であるとする。この装置にＯＢＤ（４５，３０）＝０．５ｍＶと判別された撮像素子が組込まれた場合（他のものも使用され得る）、製造工程においてバーコードリーダー入力を介して本体装置のＥＥＰＲＯＭ１１８にこのデータが入力される。
【００５０】
これに基づいて、このカメラの最長露光時間は３０秒と設定される。例えば、ＯＢＤ（４５，３０）＝１ｍＶの撮像素子が組込まれた場合は、データに基づいてこのカメラの最長露光時間は１５秒（ＯＢＤ（４５，３０）＝ＸｍＶなら｛３０×０．５／Ｘ｝秒）と設定される。即ち、搭載された撮像素子に合わせて露光条件を設定することができる。
【００５１】
（実施例３）
撮像装置としての仕様は、温度上限４５℃であるとする。また、この装置は温度センサを有しているものとする。この装置にＯＢＤ（４５，３０）＝０．５ｍＶと判別された撮像素子が使用された場合（他のものも使用され得る）、製造工程においてバーコードリーダー入力を介して本体装置のＥＥＰＲＯＭ１１８にこのデータが入力される。
【００５２】
これに基づいて、かつ温度センサの出力に従ってこのカメラの最長露光時間は、３０秒／４５℃，６０秒／３７℃，１２０秒／２９℃，２４０秒／２１℃，…（ＯＢＤ（４５，３０）＝ＸｍＶのものでＴ℃の場合は｛３０×２(45-T)/8×０．５／Ｘ｝秒）と設定される。即ち、搭載された撮像素子及び温度条件に合わせて露光条件を設定することができる。
【００５３】
（実施例４）
撮像装置としての仕様は、温度上限４５℃であるとする。また、この装置は温度センサを有しているものとする。この装置にＯＢＤ（４５，３０）＝０．５ｍＶと判別された撮像素子が使用された場合（他のものも使用され得る）、製造工程においてバーコードリーダー入力を介して本体装置のＥＥＰＲＯＭ１１８にこのデータが入力される。
【００５４】
これに基づいて、かつ温度センサの出力に従ってこのカメラの露光時間制限値は、３０秒／４５℃，６０秒／３７℃，１２０秒／２９℃，２４０秒／２１℃，c…（ＯＢＤ（４５，３０）＝ＸｍＶのものでＴ℃の場合は｛３０×２(45-T)/8×０．５／Ｘ｝秒）と設定される。ここで、カメラの最長露光時間は固定的に１２０秒に設定されている。検出温度が２９℃より大きい場合は、その温度での制限値を超える露光時間の場合に警告表示を出す（撮影は可能）。２９℃以下では制限値を超えないから警告はされない。
【００５５】
（変形例）
なお、本発明は上述した各実施形態に限定されるものではない。実施形態では、第１の判定レベルはカメラのＡ／Ｄを考慮して１／２ＬＳＢ以下としたが、これはあくまでも例示であり、Ａ／Ｄ分解能と必ずしも対応づける必要はない。第１の判定レベルは画質許容レベルから決められるものであり、適宜変更可能である。第２の判定レベルについても同様である。
【００５６】
さらに、上記実施形態ではＯＢ欠陥レベルの評価量ＯＢＤとしてＨＯＢのライン毎の積分値のＰ−Ｐ値を使用したが、これに限られず任意の評価量を用いることができる。一例を挙げれば、ライン段差の目立ち易さを考慮して、隣接２ライン間の差だけに着目してこれの最大値をもってＯＢＤとしたものも好適である。こうすることによってＰ−Ｐ値自体は大きくても良いことになるからさらに歩留りを向上できる可能性がある。（この場合上記実施例よりも判定基準を緩くしたＰ−Ｐ値評価を併用しても良い。）
また、上記実施形態では、バーコードシール貼付された撮像素子を用いて、カメラの製造工程においてバーコードリーダー入力を介して本体装置のＥＥＰＲＯＭ１１８にこのデータが入力されるようにしたが、ＥＥＰＲＯＭを内蔵した撮像素子を用いる場合には、カメラ本体のＥＥＰＲＯＭへのデータ書込みを行うことなくこの撮像素子内蔵ＥＥＰＲＯＭのデータを読み出して直接用いることができるし、一旦本体ＥＥＰＲＯＭに書き移す場合も、組立て完了後も含めた任意の時点で行なうことができる。
【００５７】
なお、このように、ＥＥＰＲＯＭを内蔵した撮像素子又はこれを使用したカメラにおける「撮像素子にＥＥＰＲＯＭを内蔵した」という新規な特徴的構成により生じる効果は、上記したように撮像素子の個別性能に係るデータの撮像素子への付帯を目的とした場合に最大に発揮されるものであることは言うまでも無いが、たとえそのような限定条件が無くともそれ自体大きな効果を有したものである。
【００５８】
即ちこのような構成の撮像素子を用いることで、「この撮像素子内蔵ＥＥＰＲＯＭを、組立て後の完成したカメラが各種の調整等のために汎用的に必要とするＥＥＰＲＯＭとして使用する」構成も実現可能となる。そしてこのような構成を特徴とするカメラは、従来必要とした独立のＥＥＰＲＯＭを不要と出来るから、コスト低減や小型化の観点から優れた効果を有しているものである。そしてこのような構成においても、既に上記実施例で述べたような個別性能に関するものなどの撮像素子データを付帯するために、この撮像素子内蔵ＥＥＰＲＯＭを使用することができる。この場合は、少なくとも付帯する撮像素子データに予定するデータ量とその他の調整等に用いる汎用データに予定するデータ量の合計に対して不足の無い容量のＥＥＰＲＯＭを内蔵した構成とするものである。
【００５９】
なお、上記における撮像素子へのＥＥＰＲＯＭの「内蔵」に関しては、一つの電子部品として通常分離不可能に一体化されていることを意味するのみであり、例えばワンチップかマルチチップかなどを含めて、内蔵の方法や形態は任意である。
【００６０】
また、本発明はデジタルカメラやビデオカメラに適用できるのは勿論のこと、撮像素子を使用する各種の撮像装置に適用することができる。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施することができる。
【００６１】
【発明の効果】
以上詳述したように本発明によれば、撮像素子に対してＯＢにおける欠陥判定レベルを通常よりも厳しくすることにより、撮像装置の仕様条件（温度・露出時間）の範囲内で、ＯＢ画素欠陥によってＯＢクランプに際して発生する画質劣化を防止することができる。また、上記の選別方法で選別された撮像素子に対して使用可能条件を表す情報が付与することにより、撮像装置を製造する際の作業効率を高めることができる。さらに、上記の選別方法を適用した撮像素子を用い撮像装置を構成することにより、ＯＢクランプに際して発生する画質劣化を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に用いるデジタルカメラの回路構成を示すブロック図。
【図２】ＯＢクランプ部の回路構成を示すブロック図。
【図３】撮像素子におけるＨＯＢ，ＶＯＢ，有効画素領域の関係を示す図。
【図４】第１の実施形態に係わる撮像素子の選別方法を説明するためのフローチャート。
【符号の説明】
１０１…レンズ系
１０２…レンズ駆動機構
１０３…露出制御機構
１０４…メカシャッタ
１０５…ＣＣＤカラー撮像素子
１０６…ＣＣＤドライバ
１０７…プリプロセス部
１０８…デジタルプロセス部
１０９…カードインターフェース
１１０…メモリカード
１１１…ＬＣＤ画像表示系
１１２…システムコントローラ（ＣＰＵ）
１１３…操作スイッチ系
１１４…操作表示系
１１５…レンズドライバ
１１６…ストロボ
１１７…露出制御ドライバ
１１８…不揮発性メモリ（ＥＥＰＲＯＭ）
２０１…ＣＣＤ撮像素子
２０２…メインＡ／Ｄ変換器（ＭＡＤ）
２０３…クランプＡ／Ｄ変換器（ＣＬＡＤ）
２０４…クランプシフタ（ＣＬＳＨ）
【図１】
0004488261.tif 000002
【図２】
0004488261.tif 000003
【図３】
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【図４】
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