(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ケイ素含有化合物の火炎加水分解により、回転支持体上にＳｉＯ２粒子を層状に堆積することにより、中央内部孔を持つ長い多孔質スート体を作り、このスート体を脱水、ドープもしくはガラス化し、そしてこの脱水プロセス、およびドープもしくはガラス化プロセスにおいては、スート体の内部孔に突入する長い保持体を備え、石英ガラスよりも軟化温度が高い材料から作られている保持デバイスにより、前記スート体を処理炉内で垂直に保持する、合成石英ガラス製の保持デバイスを使っての中空シリンダーの製造方法において、合成石英ガラスのガス不浸透性クラッド２を保持体１、１ｂとスート体５との間に設けたことを特徴とする中空シリンダーの製造方法。
【請求項２】
ガラス化中、スート体５は石英ガラスのクラッド２上にコラプスする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
少なくとも部分的に保持体１，１ｂを包囲している石英ガラスのクラッド・チューブ２として石英ガラスクラッドを形成した請求項１もしくは２に記載の方法。
【請求項４】
石英ガラスのクラッド・チューブ２は、１ミリから２５ミリの壁厚を有する請求項３に記載の方法。
【請求項５】
平均間隙幅が５ミリを越えない環状間隙４を形成して石英ガラスのクラッド・チューブ２が保持体１，１ｂを包囲している請求項３もしくは４に記載の方法。
【請求項６】
平均間隙幅が２ミリを越えない環状間隙６を形成してスート体５が石英ガラスのクラッド・チューブ２を包囲している請求項３ないし５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
石英ガラスのクラッド・チューブ２にＳｉＯ２粒子が層状に堆積している請求項３ないし６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
石英ガラスのクラッド２がスート体５の内孔の実質的な長さに沿って延びている請求項１ないし７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
スート体５を処理炉内でガラス化する請求項１ないし８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
処理炉内でスート体５にドーパントを加える請求項１ないし９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
スート体５がその下端を支持ベース３に載せて立っており、この支持ベースは保持体１，１ｂに結合されており、前記支持ベースから石英ガラスのクラッド２が前記保持体に沿って延びている請求項１ないし１０のいずれかに記載の方法。
【請求項１２】
垂直に配置され、中央内部孔を持つ長い多孔質スート体の脱水、ドーピングもしくはガラス化に特に使用される中空シリンダー製造法実施のための保持デバイスであって、スート体の内部孔に突入する、石英ガラスよりも高い軟化温度の材料の長い保持体を備える保持デバイスにおいて、合成石英ガラスのガス不浸透性のクラッド２が、保持体１，１ｂとスート体５との間に設けられていることを特徴とする保持デバイス。
【請求項１３】
前記石英ガラスのクラッドが、少なくとも部分的に保持体を包囲する石英ガラスのクラッド・チューブ２として形成されている請求項１２に記載の保持デバイス。
【請求項１４】
前記石英ガラスのクラッド・チューブ２は、１ミリから２５ミリの壁厚を有する請求項１３に記載の保持デバイス。
【請求項１５】
平均間隙幅が５ミリを越えない環状間隙４を形成して石英ガラスのクラッド・チューブ２が保持体１，１ｂを包囲している請求項１３もしくは１４に記載の保持デバイス。
【請求項１６】
平均間隙幅が２ミリを越えない環状間隙６を形成してスート体が石英ガラスのクラッド・チューブ２を包囲している請求項１３ないし１５のいずれかに記載の保持デバイス。
【請求項１７】
スート体５の内部孔の実質的な長さに沿って石英ガラスのクラッド２が延びる請求項１２ないし１６のいずれかに記載の保持デバイス。
【請求項１８】
スート体５を受けるため保持体は支持ベース３に結合されており、この支持ベースから石英ガラスのクラッド２が保持体１，１ｂに沿って延びている請求項１２ないし１７のいずれかに記載の保持デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ケイ素含有化合物の火炎加水分解により、回転支持体上にＳｉＯ２粒子を層状に堆積することにより、中央内部孔を持つ長い多孔質スート体を作り、このスート体を脱水、ドープもしくはガラス化し、そしてこのプロセスにおいては、スート体の内部孔に突入する長い保持体を備え、石英ガラスよりも軟化温度が高い材料から作られている保持デバイスにより、前記スート体を処理炉内で垂直に保持する、合成石英ガラス製の保持デバイスを使っての中空シリンダーの製造方法に関するものである。
【０００２】
さらに本発明は、垂直に配置され、中央内部孔を持つ長い多孔質スート体の脱水、ドーピングもしくはガラス化に特に使用される中空シリンダー製造法実施のための保持デバイスであって、スート体の内部孔に突入する、石英ガラスよりも高い軟化温度の材料の長い保持体を備える保持デバイス関するものである。
【背景技術】
【０００３】
合成石英ガラスの中空シリンダーもしくはチューブは、光学産業もしくは化学産業の多数の部品の中間製造物、そして特に光ファイバーのプリフォームとして使用される。
【０００４】
ＯＶＤ法（外付け法）によりチューブ状のスート体をつくるときは、ＳｉＣｌ４のようなケイ素を含有する出発化合物を火炎加水分解してＳｉＯ２の微粒子をつくり、そして長手方向軸を中心として回転している支持体に層状に堆積させる。このような方法は例えばＤＥ１９６  ４９  ９３５Ａ１に説明されている。
【０００５】
支持体の材料としては、機械的にそして化学的に安定しているのでアルミニューム酸化物がしばしば使われる。しかしながら、石英、グラファイトもしくは炭化ケイ素から成る支持体も推奨できる。素材の更なる処理、例えば脱水、ドープ、ガラス化もしくは内孔のコラプスの前に、その支持体は取り除かれる。
【０００６】
製造プロセスがその理由であるがスート体の水酸基（ＯＨ基）の含有量は高い。それらは光ファイバーの標準動作波長範囲で高い吸収性を示し、それ故除去しなければならない。ＤＥ１９６  ４９  ９３５Ａ１によれば、多孔質素材を組み込み保持具によって脱水炉内に垂直に吊り下げ、そしてそれを高温度の塩素含有雰囲気に曝すことによって脱水処理する。ＯＨ基はこのプロセスにおいて塩素に置換される。次いで、こうして処理されたスート体を排気可能のガラス化炉に入れ、その中でガラス化して、石英ガラスの透明な中空シリンダーを形成する。
【０００７】
ＤＥ２９  ０６  ０７０  Ａ１は、コラプスそしてファイバー延伸中、ＳｉＯ２のスート体の中空シリンダーを保持する別のデバイスを説明している。約５０ｍｍの長さの石英ガラスのチューブ片が中空シリンダーの孔に入れられる。このチューブ片の外直径はシリンダーの孔の内直径に一致し、そしてチューブ片には内孔に挿入しようとする端に出っ張りのような厚くなった部分を設けてある。石英ガラスチューブを引っ掛けるためこれらの出っ張り様の厚みを付けた部分は内孔において約９０°捩じられていて、バヨネット・ロックに似た結合部となっている。
【０００８】
ガラス化中、チューブ状のスート体を保持する別のデバイスはＵＳ５，０７６，６２４Ａに説明されている。このデバイスには、支持ベースが設けられており、そして焼結しようとする中空のシリンダースート体をベース上に垂直に立てて保っている。支持ベースが結合されているロッドはスート体の孔を通って上方に延びている。熱分解によってできたグラファイトもしくは窒化硼素の層を支持ベースとロッドに設けている。ガラス化のためスート体をこの支持ベースの上に立たせ、それの端から始めて環状の炉へ上から送りこみ、その中で区分に分けて軟化させ、ガラス化する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上述の形式の中空シリンダーの製法と上記したタイプによるそれに適したデバイスはＥＰ７０１  ９７５Ａ２に記載されている。そのデバイスは、スート体の内孔を上から延び、そして下端で支持ベースに結合されている保持ロッドを備え、スート体はその下面端で支持ベース上に立っている。この保持ロッドは、カーボン・ファイバーで強化したグラファイト（ＣＦＣ）から成り、そしてスート体の内孔領域において純粋なグラファイトのガス透過性のクラッド・チューブにより包囲されている。このクラッド・チューブはスート体を潰している間スペーサーとして働き、クラッド・チューブの厚みを変えることにより保持ロッドの外直径とは関わりなく内直径の異なる中空シリンダーをつくれる。
【００１０】
スート体のガラス化中スート体をグラファイトのクラッド・チューブ上にコラプスする。このプロセスにおいてグラファイト内にある汚染物、具体的には金属不純物が放出され、そしてスート体の石英ガラスに入り込む。ガラス化前に行うのが普通であるハロゲン含有雰囲気内でのスート体の脱水処理は、クラッド・チューブからスート体へ不純物が移行する限り重要な役割を演じている。この不純物の移行は、フッ素もしくは塩素の存在により、そして揮発性ハロゲン化合物の生成により促進される。
【００１１】
結果として、公知の方法では中空シリンダーに対して達成さる純度はグラファイトのクラッド・チューブ内の汚染量により制限される。
【００１２】
この公知の方法ではガラス化後クラッド・チューブを取り除き、そして石英ガラスチューブの内孔を穿孔、研磨、磨きもしくはエッチングにより処理する。この方法は時間がかかり、材料の損耗ともなる。
【００１３】
本発明の目的は、中空シリンダーの純度を脱水、ドーピングもしくはガラス化プロセスにおいて維持し、そして同時に、つくろうとする中空シリンダーの高い寸法安定性を保証して時間もしくは材料を喪失することなく内孔を仕上げられる方法を提供することにある。
【００１４】
さらに本発明の目的はその方法の実施のためのデバイスを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
方法について言えば、上記の目的は、上述の方法から始まって本発明にしたがって、保持体とスート体との間に合成石英ガラスのガス不透過性のクラッドを設けることにより達成される。
【００１６】
スート体の処理は少なくとも加熱プロセスを含んでいる。これは脱水処理、ドーパントをスート体に入れるドーピング段階、及び又はスート体を焼き締めて石英ガラスのシリンダーを得るガラス化段階である。公知方法を発明と言えるほどにした変更においては、スート体をそれぞれの段階での処理炉内に保持デバイスによってその加熱プロセス中保持し、そしてスート体の内孔に突入している保持体は少なくとも部分的に石英ガラスのクラッドにより包囲されているのである。本発明の本質的特徴は、加熱プロセス中、スート体の材料に対して「異物」から成る保持体がスート体から少なくとも部分的に遮蔽保護されている、すなわちスート体の「特定物質」すなわち合成石英ガラスから成るクラッドにより遮蔽保護されているということである。
【００１７】
そのため保持体を石英ガラスのガス不透過性のクラッドで包囲する。この石英ガラスのクラッドは保持体を包囲するチューブとして形成され、もしくは保持体のガス不透過性膜として形成される。とにかくそれがスート体の内孔を保持体から遮蔽保護し、それにより保持体との直接接触による、もしくは気相を介しての転移（特に揮発性の金属塩化物）によるスート体の汚染を防いでいる。
【００１８】
処理炉内に形成された加熱域に完全にスート体を入れて、それの全長にわたって同時に加熱するか、もしくはスート体を加熱域に給送して一端から始めて区域毎順々に加熱していくかのどちらかにする。
【００１９】
本発明のスート体の保持デバイスは加熱プロセスのそれぞれに使われる。スート体の脱水処理はハロゲン含有の、具体的に言えばフッ素もしくは塩素含有の雰囲気中で脱水炉内で実施されるのが普通である。スート体にドーパントを注入するその後のドーピング・プロセスにおいてスート体はドーピング炉内で保持デバイスにより保持される。ドーピングは、脱水雰囲気にドーパント（フッ素）を加えるとスート体の脱水の際にドーピングも実施できる。さらに、スート体の焼結もしくは焼き締めのためのガラス化プロセスにおいてスート体はガラス化炉内で保持デバイスにより保持される。脱水、ドーピング及び又はガラス化に同じ炉を使ってもよい。保持体を構成している材料は石英ガラスのガラス化温度で寸法が安定しているものである。さらに、破損抵抗が高く、そして熱衝撃抵抗が高いと使用中の信頼性が高まる。保持体はロッドもしくはチューブとなっている。ロッドもしくはチューブは、１部材で形成されるか、または複数のセグメントあるいはピースで構成される。保持体は、ロッドもしくはチューブを包囲するクラッド・チューブを備える。グラファイトもしくはＣＦＣのような結晶物質が材料として適している。
【００２０】
ガラス化プロセスの完了後に、保持体と石英ガラスのクラッドとをできた石英ガラスチューブから、例えば引出すか、もしくは穿孔によるかして取除く。石英ガラスのクラッドにスート体の内孔をコラプスしていってガラス化プロセスを実施できる。この特に好ましい場合において、石英ガラスのクラッドはもとのスート体の内壁上に溶けて、それにより完成石英ガラスチューブの内部領域と内壁とを形成する。こうして、このチューブは事後処理を殆ど必要としない寸法の安定した内孔を有する。このことは石英ガラスのクラッドにより内壁が形成されているという事実によって説明される。クラッドは密度の高い、ガス不透過性の石英ガラスから成り、ガラス化プロセス中保持体からの汚染注入に対して不感であり、ドーピングプロセスがあっても、それにも不感だからである。
【００２１】
石英ガラスのクラッドが少なくとも部分的に保持体を包囲する石英ガラスのクラッド・チューブとして形成されている別の方法が特に有用である。
【００２２】
石英ガラスのクラッド・チューブの形をした石英ガラスのクラッドにおいて、その密度要件は特に簡単な方法で満足されることができる。さらに、石英ガラスのチューブは容易につくれ、そして扱える。石英ガラスのチューブはスート体の内孔に沿って延びている。理想的には、それの長さは少なくともその内孔の長さである。例えばスート体を保持するのに、それが内孔よりも短い方が都合がよいか、もしくはそのことが必要であるのならば、そうすることができる。
【００２３】
さらに、本発明の変形態様の方法は、正確に調整されるべき大きな壁厚を持った石英ガラスの中空シリンダーの製作を容易とする。石英ガラスの中空シリンダーの全壁厚は、使った石英ガラスのクラッド・チューブの壁厚部分とガラス化後のスート体の壁厚とから成るからである。ここでは比較的外直径が大きい支持体上にスート体は堆積させられており、このことは堆積効率に有利に働く。
【００２４】
特にこの点では、石英ガラスの壁厚が１ｍｍから２５ｍｍであるとき有利であることが判明した。
【００２５】
その下限値未満の薄い壁厚はクラッド・チューブの使用中の取扱いと寸法安定性とに不利であり、他方２５ｍｍを超える厚い壁の石英ガラスのクラッドではその大きな重量が不便さをもたらし、そして保持デバイスの使用時の安定性を損なう。
【００２６】
５ミリ以下の平均間隙を有する環状の間隙を形成して石英ガラスのクラッド・チューブが保持体を包囲しているのが好ましい。
【００２７】
ガラス化後保持体を取り除く。石英ガラスのクラッド・チューブと保持体との間の環状の間隙が広いほど取り除きは容易となる。しかし、環状の間隙が大きくなると一方では、石英ガラスのクラッド・チューブ、そしてスート体も垂直から傾く危険が生じ、また他方では、汚染物質を多く含んだ気相が環状の間隙の中で多くなる。このようなことで環状の間隙は絶対必要な大きさで、できるだけ小さくするように選定する。その指示間隙幅は長さと半径にわたっての平均値である。
【００２８】
ガラス化中、スート体の内孔を石英ガラスのクラッド上にコラプスすることができる。この場合、好ましい方法の一つの態様においては、平均間隙が２ミリ以下の環状の間隙をつくるように石英ガラスのクラッド・チューブをスート体が包囲している。
【００２９】
大きな間隙はスート体の孔へのクラッド・チューブの導入を容易にする。他方、内孔をコラプスしているときのスート体の変形は調整できないので、その変形が最小であることは、つくろうとしている石英チューブの寸法安定性という理由で望ましい。それ故、その環状間隙の幅は、それが絶対に必要とする大きさであってできるだけ小さいように選定する。間隙幅のデータも長さと半径とにわたって平均された値を参照している。
【００３０】
特に有利な態様では、ＳｉＯ２粒子を石英ガラスのクラッド・チューブ上に層状に堆積させる。
【００３１】
ここでは石英ガラスのクラッド・チューブを堆積プロセスにおける支持体として使用する。スート体を石英ガラスのクラッドに直接形成して、石英ガラスのクラッド・チューブとスート体との間に間隙が残らないようにし、最初から結合状態としている。この態様では石英ガラスのクラッド・チューブをスート体の内孔に挿入する必要はない。
【００３２】
石英ガラスのクラッドがスート体の内孔の実質的な長さに沿って延びているときそれは有用となる。
【００３３】
スート体をさらに処理する際にはスート体の上端と下端とがしばしば切除される。この場合、スート体の全内孔にわたり延びる石英ガラスクラッドは必要でない。しかし、内孔の実質的な長さを延びている石英ガラスクラッドは、気相を介してスート体に汚染物質が入らないように効果的に保護する。内孔の実質的な長さとは全長の８０％と１００％との間の長さを言う。
【００３４】
この点に関して、保持体に結合された支持ベースに下面端を載せてスート体が直立しているときは有利である。石英ガラスクラッドは保持体に沿って支持ベースから延びている。
【００３５】
支持ベースは、保持体の始点を規定するとともに、そして石英ガラスクラッドを固定するのに作用する。このクラッドは保持体に沿って、好ましくはそれの実質的な長さに沿って延びており、つまり保持体の全長の８０％と１００％の間の長さに沿って延びている。石英ガラスのクラッドはスート体を汚染から保護している。
【００３６】
本発明の方法は処理炉においてスート体のガラス化（焼結）に主として使われる。
【００３７】
このプロセス中、スート体を、ガラス化炉の内側に形成された加熱域に完全に導入し、そしてその中で全長にわたって同時に加熱する。又は、好ましい態様では、スート体を加熱域に一端から始めて給送していき、その中で区分に分けて加熱していく。スート体のこの区分加熱は気相化合物を逃がすことを容易とする。スート体が多孔質であるので気相化合物は加熱フロントの前方に移っていき、そして長手方向軸の方向と内孔の方向とでスート体を出て行く。
【００３８】
等しく好ましいこととしては、処理炉内のスート体にドーパントを与える。このドーパントを好ましくは気相を介してスート体内に導入する。ガス不透過性の石英ガラスのクラッドは保持体からの気相汚染物の同伴を阻止する。
【００３９】
保持デバイスについて言えば、上述の形式のデバイスから出発した上述の目的を本発明に従って達成したのは、合成石英ガラスのガス不透過性のクラッドを保持体とスート体との間に設けたことにある。
【００４０】
公知の保持デバイスを発明と言えるほどにした変更は、スート体とスート体の内孔に突入している保持体との間に石英ガラスのクラッドを設けたことである。本発明の本質的な特徴は、スート体の材料に対して「異物」の材料から成る保持体を少なくとも部分的にスート体から遮蔽したこと、すなわちスート体の「特定材料」つまり、合成石英ガラスから成るクラッドにより遮蔽したことにある。
【００４１】
石英ガラスのクラッドは、保持体を包囲する中空シリンダーとして形成されるか、もしくは保持体のガス不透過性膜として形成される。いずれにせよ、それは保持体からスート体の内孔を遮蔽し、それにより保持体との直接接触により、もしくは気相を介しての移転によるスート体内への汚染物質の移転を阻止する（具体的には揮発性の金属ハロゲン化物による）。
【００４２】
石英ガラスのガラス化温度で寸法が安定している材料で保持体をつくる。さらに、破損抵抗が高く、熱衝撃に対する抵抗が高いと使用中の信頼性が高まる。保持体はロッドもしくはチューブを含む。ロッドもしくはチューブは、１部材で形成されるか、または複数のセグメントあるいはピースで構成される。保持体はそのロッドもしくはチューブを包囲するクラッド・チューブを備えていてもよい。結晶物質、例えばグラファイトが適切な材料である。
【００４３】
本発明の保持デバイスの特に好ましい態様は、石英ガラスのクラッド・チューブがスート体の部分であることを特徴とする。
【００４４】
石英ガラスのクラッド・チューブ上にＳｉＯ２粒子を層状に堆積させることによりスート体をつくる。このクラッド・チューブは堆積プロセス中支持体として働く。スート体と石英ガラスのクラッド・チューブとの間には堆積プロセス後には堅固な結合ができる。
【００４５】
本発明の保持デバイスの別の有利な態様は従属請求項に明らかである。これらの従属請求項に記載の保持デバイスの態様が本発明の方法に関する従属請求項に記載のプロセスをコピーしている限りで、対応する方法の請求項に関しての上述の説明を保持デバイスに参照できる。
【００４６】
添付図を参照して本発明を詳述する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４７】
図１を参照する。この図の保持デバイス全体を９で示す。保持デバイスは、グラファイトのチューブ１ｂとグラファイトの支持ベース３によって取り囲まれたＣＦＣの保持ロッド１を備えている。
【００４８】
支持ベース３は処理空間内で全構成を支持している。この実施例ではドーピング・ガラス化炉は環状の加熱要素１０を有する。支持ベース３には水平の受け面を設けてあり、この受け面の上にＳｉＯ２のチューブ状のスート体（スート体チューブ５）が垂直に載っている。支持ベース３と保持ロッド１とはネジで相互に固着されている。
【００４９】
保持ロッド１はスート体５の全内孔７を延びている。スート体５の上端１２を越える保持ロッド１の部分は手で掴めるようにする部分である。引っ張り強度が高いのでＣＦＣ保持ロッド１の直径は比較的小さくて良く、３０ｍｍで十分である。
【００５０】
保持ロッド１とこれを包囲するグラファイトチューブ１ｂとは合成石英ガラスのクラッド・チューブ２により包囲されている。平均間隙が０．５ｍｍの間隙４を石英ガラスのクラッド・チューブ２とグラファイトチューブ１ｂとの間に設け、そして平均間隙が０．８ｍｍの間隙６を石英ガラスのクラッド・チューブ２とスート体チューブ５との間に設ける。
【００５１】
石英ガラスのクラッド・チューブ２は、高純度であり、合成されてできており、透明でそして密度の高い石英ガラスで構成されている。その直径は４２．５ミリ、壁厚は１．５ミリそして長さは保持ロッド１とグラファイトチューブ１ｂの長さよりもいくらか短い。石英ガラスのクラッド・チューブ２は保持ロッド１とスート体チューブ５との間の直接接触を防ぎ、そしてそれは保持ロッド１から浸出する気相の不純物によるスート体チューブ５の汚染の危険をなくす。
【００５２】
スート体チューブ５の内直径は４３ｍｍ、重さは約１００ｋｇである。それは保持デバイス９により運んで処理炉内に保持できる。
【００５３】
図１に示した保持デバイス９を使っての合成石英ガラスの中空シリンダーを製造する方法を以下に詳述する。
【００５４】
蒸着バーナーの炎の中でＳｉＣｌ４の火炎加水分解によりＳｉＯ２スート粒子を形成し、このスート粒子を長手方向軸を中心として回転しているＡｌ２Ｏ３の支持ロッドに層状に堆積させ、多孔質のＳｉＯ２のスート体を形成する。この堆積法の完了後、支持ロッドを取除く。こうしてできたスート体チューブ５から例として以下に説明する方法により透明な石英ガラスチューブを製造する。その製造されたスート体チューブ５の密度は石英ガラスの密度の約２５％である。
【００５５】
製造過程で入ってきた水酸基群を取り除くためスート体チューブ５を脱水処理する。このためスート体チューブ５を脱水炉に入れ、その中に保持デバイス９により垂直に保持する。塩素含有雰囲気内で約９００℃の温度でスート体チューブ５を先ず処理する。この処理は約８時間続く。
【００５６】
次いで、このように予処理したスート体チューブ５を長手方向軸を垂直にした状態で保持デバイス９によりガラス化炉に入れる。ガラス化炉は、排気されることができ、そしてグラファイトの環状の加熱要素１０を装備している。スート体５を連続的に下端から始めて上から加熱要素１０へ１０ｍｍ／分の速度で給送し、その中で区分毎に加熱する。加熱要素１０の温度は１６００℃に予めセットされていて、それによりスート体５の表面で約１５８０℃の最大温度が得られる。溶融フロントはこのプロセスでスート体５の内側で外側から内側へと、そして上端から下端へと同時に移って行く。ガラス化炉の内側の内圧は連続排気によりガラス化中０．１ミリバールに保たれている。ガラス化中、スート体は石英ガラスのクラッド・チューブ２上に区分毎に縮退していって、チューブと堅い溶融結合をつくる。ガラス化中、逃げるガスはスート体チューブ５のまだ開孔域となっている区域から、もしくは石英ガラスのクラッド・チューブ２とスート体チューブ５との間の間隙から放出され、泡の形成は回避できる。ガラス化中、スート体５にねじ込まれた保持ナット１３はグラファイトチューブ１ｂの上方端上に位置するように来て、これにより、ＥＰ７０１  ９７５Ａ２に記載のようにガラス化は吊り下げたスート体で実施される。
【００５７】
製造された石英ガラスのチューブの壁は２つの領域から成っている。外域はガラス化したスート体チューブの石英ガラス５により形成され、内域はクラッド・チューブ２の石英ガラスにより形成されている。内面は平らで、綺麗であって機械的な事後処理は必要ではない。  
【００５８】
焼結した（ガラス化した）中空シリンダーは長くなっていて、それの外直径は４６ｍｍであり内直径は１７ｍｍである。製造された石英ガラスのチューブは純度は高く、そして水酸基群の濃度は低く、光ファイバーのプリフォームのコアの近接域に、例えばＭＣＶＤ法による内側堆積の基部チューブとして使える。勿論、この石英ガラスチューブは、ファイバー延伸の際のコアロッドのオーバークラッドや、プリフォームの製造にも適している。
【００５９】
上述の方法の変形態様においては、ドーピングプロセスは、スート体のガラス化と脱水処理との間にあって、スート体チューブにこのプロセスでフッ素をドープする。このためスート体チューブをドーピング・ガラス化炉に入れ、その中に本発明の保持デバイスで垂直に保持する。ドーピング・ガラス化炉を排気した後フッ素化合物、すなわちＣ２Ｆ６を炉空間に入れ、そして９００℃付近の温度で加熱する。この処理は約８時間続く。
【００６０】
上述の火炎加水分解・堆積プロセスの更なる変形態様において、外直径４３ｍｍ、内直径３０ｍｍの石英ガラスの支持チューブをＡｌ２Ｏ３支持体の代わりにＳｉＯ２の堆積用基部本体として使う。堆積プロセス中、石英ガラスの支持チューブとその上に形成されたスート体との間にしっかりした結合ができる。堆積プロセスの完了後スート体と石英ガラスの支持チューブとの複合体を脱水処理にかけ、そして次にスート体をガラス化する。ここで、この複合体を取り扱う保持デバイスは、図１に示したように、グラファイトチューブで包囲され、そして支持ベースへ結合されているＣＦＣの保持ロッドを備えている。
【００６１】
この実施態様では、保持ロッドとグラファイトチューブとは合成石英ガラスのクラッド・チューブにより包囲され、このクラッド・チューブは上述の変形態様の方法とは対照的に、別個の要素として形成されているが、ここでは前の石英ガラスの支持チューブとして形成されている。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】本発明の保持デバイスの実施形態の略図である。
【符号の説明】
【００６３】
１    保持体；保持ロッド
２    クラッド・チューブ
３    支持ベース
４    間隙
５    スート体
６    間隙
７    内孔
９    保持デバイス
１０    環状加熱要素
【図１】
0004514748.tif 000002