(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
２０〜５０重量％のＮ−アルキルモルホリンオキシドを必須成分とすることを特徴とするレジスト剥離剤。
【請求項２】
Ｎ−アルキルモルホリンオキシドが、一般式（１）で示される化合物であることを特徴とする請求項１に記載のレジスト剥離剤。
【化１】
0004501248.tif 000004
（式中、Ｒは、炭素数１〜２０のアルキル基を示す。）
【請求項３】
Ｎ−アルキルモルホリンオキシドに、アミン類、水溶性有機溶媒、及び水を添加することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のレジスト剥離剤。
【請求項４】
アミン類が、アルカノールアミン類、エチレンアミン類、Ｎ−アルキルエチレンアミン類、ジアミン類、モノアミン類、アルキルアミン類、及びヒドロキシルアミン類からなる群より選ばれる少なくとも１種の化合物であることを特徴とする請求項３に記載のレジスト剥離剤。
【請求項５】
水溶性有機溶媒が、スルホキシド類、スルホン類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、アミド類、ラクタム類、イミダゾリジノン類、グリコール類、及びグリコールエーテル類からなる群より選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする請求項３又は請求項４に記載のレジスト剥離剤。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体集積回路、プリント配線基板の製造工程におけるフォトレジスト層を剥離するための剥離剤に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体集積回路は、基体上にフォトレシストを塗布し、露光、現像の後、エッチングを行い、回路を形成した後、フォトレジストを基体上から剥離するか、回路形成の後、アッシングを行い、レジストを除去した後、残ったレジスト残渣を剥離する方法で製造される。フォトレジストを基体上から剥離するため、あるいはレジスト残渣を基体上から剥離するため、従来、様々なレジスト剥離剤が提案されてきた。特開昭６２−４９３５５号公報にはアルカノールアミン類を用いたレジスト剥離液組成物が開示されている。ところが、アルカノールアミンを用いた剥離液組成物では、ドライエッチング、アッシング、イオン注入などの処理をされ無機的性質に変質したレジスト残渣の剥離には不十分となっている。そこで、最近になってより剥離性の優れたレジスト用剥離液組成物としてヒドロキシルアミンを含むものが提案された。例えば特開平４−２８９８６６号公報には、ヒドロキシルアミンとアルカノールアミンを含むレジスト用剥離液組成物が、特開平６−２６６１１９号公報にはヒドロキシルアミン、アルカノールアミン、カテコールを含むレジスト用剥離液組成物が提案されている。このヒドロキシルアミンを含むレジスト用剥離組成物は優れた剥離性を示すものの、アルミ合金、チタンに対して腐食を起こすという問題があるため、防食剤を添加して使用することが提案されている（特開平９−９６９１１号公報）。しかし、根本的にヒドロキシルアミンという化合物は不安定であり、分解、爆発などの危険性がある。そのため、ヒドロキシルアミンを含まないレジスト剥離剤の開発が求められていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように、従来提案されてきたレジスト剥離剤は、剥離性が不十分であったり、またアルミ合金やチタンに対して腐食を起こすという問題がある。またヒドロキシルアミンは不安定で、分解、爆発の危険性がある。そのため、本発明の目的は、ヒドロキシルアミンを含有せず、優れたレジスト剥離性を示すとともに、アルミ合金やチタンに対して腐食を起こさないレジスト剥離剤を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、レジスト剥離剤について鋭意検討した結果、Ｎ−アルキルモルホリンオキシドから成るレジスト剥離剤が金属材料を腐食させることがなく、かつレジスト剥離性に優れたレジスト剥離剤として用いることができることを見出し、本発明を完成させるに至った。すなわち、本発明は、２０〜５０重量％のＮ−アルキルモルホリンオキシドを必須成分とすることを特徴とするレジスト剥離剤である。
【０００５】
以下、本発明について詳細に説明する。
【０００６】
本発明のレジスト剥離剤の必須成分は、Ｎ−アルキルモルホリンオキシドである。Ｎ−アルキルモルホリンオキシドとは、下記一般式（２）で表される化合物である。
【０００７】
【化２】
0004501248.tif 000002
【０００８】
（式中、Ｒは、炭素数１〜２０のアルキル基を示す。）
ここで、炭素数１〜２０のアルキル基としては、例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ターシャリーブチル、ｎ−ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、ターシャリーペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシル、トリデシル、テトラデシル、ペンタデシル、ヘキサデシル、ヘプタデシル、オクタデシル、ノナデシル、エイコシル、シクロヘキシル、メチルシクロヘキシル、ジメチルシクロヘキシル、エチルシクロヘキシルなどの基が挙げられる。
【０００９】
本発明におけるＮ−アルキルモルホリンオキシドを例示すると、Ｎ−メチルモルホリンオキシド、Ｎ−エチルモルホリンオキシド、Ｎ−プロピルモルホリンオキシド、Ｎ−イソプロピルモルホリンオキシド、Ｎ−ブチルモルホリンオキシド、Ｎ−イソブチルモルホリンオキシド、Ｎ−ターシャリーブチルモルホリンオキシドなどが挙げられるが、Ｎ−メチルモルホリンオキシドが最も安価であり、工業的には有利である。
【００１０】
本発明のレジスト剥離剤は、Ｎ−アルキルモルホリンオキシド以外の成分を含んでいても良い。一般にＮ−アルキルモルホリンオキシドは水を含んだ状態で流通しているため、レジスト剥離剤には水を含有していても良いし、レジスト剥離剤として一般に使用されているアミン類を添加しても良い。レジスト剥離剤に添加できるアミン類としては、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、２−（２−アミノエトキシ）エタノール、Ｎ−（２−アミノエチル）エタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジブチルエタノールアミン、Ｎ−メチルエタノールアミン、Ｎ−エチルエタノールアミン、Ｎ−ブチルエタノールアミン、Ｎ−メチルジエタノールアミン、Ｎ−エチルジエタノールアミン、モノイソプロパノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン、Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）ピペラジン、Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）モルホリンなどのアルカノールアミン類、エチレンジアミン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン、ペンタエチレンヘキサミン、ピペラジン、Ｎ−（２−アミノエチル）ピペラジン、トリエチレンジアミンなどのエチレンアミン類、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’−ペンタメチルジエチレントリアミン、Ｎ−メチルピペラジン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’−トリメチルアミノエチルピペラジンなどのＮ−アルキルエチレンアミン類、エチレンアミン以外のプロパンジアミン、ブタンジアミン、ヘキサメチレンジアミンなどのジアミン類、モルホリン、シクロヘキシルアミン、２−エチル−ヘキシルアミン、ベンジルアミン、アニリンなどのモノアミン類、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミンなどのアルキルアミン類が挙げられる。また、腐食、危険性を鑑みれば好ましいことではないが、ヒドロキシルアミン類も添加することができる。これらアミン類は単独で使用しても良いし、二種類以上を混合して使用しても良い。
【００１１】
本発明のレジスト剥離剤には水溶性有機溶媒を添加することができる。この水溶性有機溶媒もレジスト剥離剤として一般に使用しているものを使用することができる。水溶性有機溶媒を例示すると、ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド類、ジメチルスルホン、ジエチルスルホンなどのスルホン類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミドなどのアミド類、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−エチル−２−ピロリドン、Ｎ−プロピル−２−ピロリドン、Ｎ−ヒドロキシエチル−２−ピロリドンなどのラクタム類、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンなどのイミダゾリジノン類、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール、トリプロピレングリコールなどのグリコール類、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテルなどのグリコールエーテル類が挙げられる。これら水溶性有機溶媒は単独で使用しても良いし、二種類以上を混合して使用しても良い。
【００１２】
Ｎ−アルキルモルホリンオキシド、水、アミン類、水溶性有機溶媒の比率は、それぞれ使用する化合物が異なると、変化するため限定することは困難であるが、レジストの剥離性を考慮すると、Ｎ−アルキルモルホリンオキシドが２０〜５０重量％であり、好ましくは、水が１〜５０重量％、アミン類が１〜５０重量％、水溶性有機溶媒が２０〜８０重量％である。
【００１３】
本発明のレジスト剥離剤は、ポジ型、ネガ型を含めて、アルカリ水溶液で現像できるレジストに利用できる。
【００１４】
本発明のレジスト剥離剤は、無機質基体上に塗布されたフォトレジスト膜、または無機基体上に塗布されたフォトレジスト膜をドライエッチング後に残存するフォトレジスト層、あるいはドライエッチング後にアッシングを行い残存するフォトレジスト残渣物などを剥離するのに用いられる。その際には、加熱、超音波などで剥離を促進しても良い。
【００１５】
本発明のレジスト剥離剤の使用方法は浸漬法が一般的であるが、その他の方法を使用しても一向に差し支えない。
【００１６】
【実施例】
本発明を以下の実施例により更に詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００１７】
実施例１〜実施例３、比較例１〜比較例３
アルミ合金の導電性膜を有したシリコンウェハ上に、市販のポジ型フォトレジストを２μｍの厚みで塗布し、プリベークした。次いで、マスクパターンを介して露光し、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドで現像した。エッチングを行った後、プラズマアッシング処理を行った。このシリコンウェハを、表１に示した組成のレジスト剥離剤に６０℃×１０分浸漬し、その後水洗いし、乾燥した。この表面を走査型電子顕微鏡で観察し、以下に示した方法により、レジスト変質膜の剥離性、及びアルミの腐食性を調べ、その結果を表１に示した。
【００１８】
＜レジスト変質膜の剥離性＞
レジスト変質膜の剥離性は、以下の通り評価した。
【００１９】
○：剥離性良好
△：一部残存物有り
×：大部分残存していた
＜アルミの腐食性＞
アルミの腐食性は、以下の通り評価した。
【００２０】
○：腐食なし
△：一部腐食有り
×：腐食が激しい
なお、表１で記載を簡潔にするため、以下の略記号を使用した。
【００２１】
ＤＭＳＯ：ジメチルスルホキシド
ＮＭＰ：Ｎ−メチル−２−ピロリドン
【００２２】
【表１】
0004501248.tif 000003
【００２３】
【発明の効果】
本発明のレジスト剥離剤は、不安定で危険性の高いヒドロキシルアミンを含まず、腐食性が小さく、剥離性に優れたレジスト剥離剤として使用できる。