(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に複数個の半導体チップが積層されており、かつ半導体チップのそれぞれの基板と反対側の面に設けられている電極端子はボンディングワイヤーにより基板に電気的に接続されている半導体装置であって、
ボンディングワイヤーと該ボンディングワイヤーが接続されている半導体チップの該ボンディングワイヤー側に積層されている半導体チップとの間に絶縁層が形成され、該絶縁層と該ボンディングワイヤーが接続されている半導体チップとの間に接着層が形成され、該接着層は、該絶縁層と該ボンディングワイヤーが接続されている半導体チップとの間で該ボンディングワイヤーを封止していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
上記絶縁層は、上記接着層が軟化する温度で、塑性変形しにくい耐熱性樹脂であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
上記絶縁層がポリイミド系樹脂であることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
上記絶縁層の厚さは１５μｍ以上３０μｍ以下の範囲内であることを特徴とする請求項１、２または３に記載の半導体装置。
【請求項５】
上記電極端子にはバンプが形成されており、上記ボンディングワイヤーはリバースワイヤーボンディング法を用いて接続されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項６】
上記基板に積層された上記複数個の半導体チップおよび上記ボンディングワイヤーが封止樹脂により封止されており、かつ上記基板の上記複数個の半導体チップが積層された面と反対側の面に外部端子が形成されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項７】
上記半導体チップのチップサイズと、上記絶縁層および上記接着層のサイズとは、同一であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項８】
上記接着層は上記絶縁層と上記基板側の上記半導体チップとの間に形成されていることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項９】
上記接着層はエポキシ系樹脂であることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１０】
上記接着層の厚さは、上記ボンディングワイヤーの該ボンディングワイヤーが上記電極端子を介して接続されている上記半導体チップの面からの高さより大きいことを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１１】
上記接着層とボンディングワイヤーが接続されている上記半導体チップとの間で該半導体チップの上記電極端子が設けられている面の該電極端子を除いた領域には絶縁性樹脂層が形成されていることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関し、特に単一パッケージ内に複数個の半導体チップを積層して搭載する半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、単一パッケージ内に複数個の半導体チップ（半導体素子）を搭載することにより、半導体装置の小型化、高性能化が図られている。例えば、携帯機器等に搭載されるメモリへ付加価値を付与したり、メモリ容量を増大させたりすることを狙って、複数個の半導体チップを積層して搭載するパッケージ等がある。
【０００３】
半導体装置は半導体チップと基板とを含んで構成されるものであるが、両者を電気的に接続する方式としては、ボンディングワイヤーを用いて接続を行うワイヤーボンディング法が広く用いられている。
【０００４】
半導体チップと基板との接続にワイヤーボンディング法を用いる場合には、半導体チップを積層する際に、既に基板上に搭載されている半導体チップのワイヤーボンディングされた部分を損なわないようにする必要がある。積層される半導体チップのチップサイズが、上記基板上に搭載されている半導体チップのチップサイズよりも小さい場合には、上記ワイヤーボンディングされた部分が損なわれることはないが、両者のチップサイズが同程度の場合には、上記のワイヤーボンディングされた部分が積層される半導体チップと重なるため、特に損なわれ易いという問題がある。
【０００５】
上記の問題を解決するために、積層される半導体チップの間に約２００μｍ（０．００８インチ）のスペーサーが封入された半導体装置（ＵＳＰ５，２９１，０６１号公報参照）、周縁部が中央部に対して薄肉に形成された、段差を有する構造の半導体装置（特開平６−２４４３６０号公報参照）、半導体チップ相互間に接着層を介在させて積層してなる半導体装置（特開平１０−２７８８０号公報参照）等が提案されている。
【非特許文献１】米国特許第５２９１０６１号明細書（１９９４年  ３月  １日登録）
【特許文献１】特開平  ６−２４４３６０号公報  （平成  ６年  ９月  ２日公開）
【特許文献２】特開平１０−  ２７８８０号公報  （平成１０年  １月２７日公開）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところが、上記従来の半導体装置ではそれぞれ以下に示す問題が生じる。
【０００７】
上記積層される半導体チップの間にスペーサーが封入された構造の半導体装置は、基板に搭載されている半導体チップに接続されているボンディングワイヤーと、その上に積層される半導体チップとの接触を防ぐため、十分な厚さを有するスペーサーを用いる必要がある。このため、パッケージの薄型化には不向きであるという問題がある。
【０００８】
すなわち、図１３に示すように、第２半導体チップ２と基板７とを接続する第２ボンディングワイヤー４と第１半導体チップ１との接触を防ぐためには、スペーサー１４を十分な厚さにする必要がある。スペーサー１４の厚さが、第２半導体チップ２から第２ボンディングワイヤー４の最も高い部分までの高さと同程度である場合には、図１４に示すように、第２ボンディングワイヤー４と第１半導体チップ１とが接触することにより両者の絶縁性が不十分になるという問題を招来する。
【０００９】
また、第１半導体チップ１は、図１３に示すようにオーバーハングしている、すなわち第１半導体チップ１はスペーサー１４よりも突き出ている。このため、第１半導体チップ１には振動が生じやすい。ここで、半導体チップと基板とを電気的に接続するワイヤーボンディング法においては、ボンディングワイヤーの両端を接続するために２度の接続が行われるが、後の接続は超音波振動により行われる。上述したように、第１半導体チップ１は振動が生じやすいため、第１ボンディングワイヤー３の第１半導体チップ１側を超音波振動により接続することは困難である。このため、ワイヤーボンディング法においては、第１ボンディングワイヤー３の第１半導体チップ１側を接続した後に、基板７側を接続する必要がある。
【００１０】
つまり、スペーサー１４上に搭載されている第１半導体チップ１へのワイヤーボンディング法としては、フォワードワイヤーボンディング法しか採用することができない。したがって、リバースワイヤーボンディング法を採用した場合と比較して、基板７側のワイヤーボンディングターミナルをより外側に配置する必要がある。このため、パッケージを小さくすることが困難であるという問題を招来する。なお、フォワードワイヤーボンディング法とは、半導体チップとボンディングワイヤーとを接続した後にボンディングワイヤーと基板とを接続する方法をいい、その逆の順序で接続を行う方法をリバースワイヤーボンディング法という。
【００１１】
図１５に示す半導体チップの周縁部が中央部に対して薄肉に形成された、段差を有する構造の半導体装置の場合、従来の工程と比較して、半導体チップを切断する工程に加えて、上記段差を形成するために半導体ウェハーを切削する切削工程が必要である。また、当該切削工程においては、該切削が行われる側とは反対側、すなわち半導体チップの素子が形成されている側を保護する必要もある。このため、製造コストが増加するという問題を招来する。
【００１２】
また、上記半導体装置は、第９半導体チップ５１の段差を有する部分に絶縁のための処理が施されていない。このため、パッケージを薄型化する場合には、図１６に示すように、第２ボンディングワイヤー４と第９半導体チップ５１とが接触して両者の絶縁性が不十分となる問題を招来する。また、第９半導体チップ５１を薄くする場合には、段差を有する部分も薄くなり強度が下がるためチップクラック等が発生し易くなるという問題をも招来する。
【００１３】
上記の段差を有する構造の半導体チップと基板とを接続するワイヤーボンディング法としては、積層される半導体チップの間にスペーサーが封入された構造と同様に、フォワードワイヤーボンディング法しか採用することができない。フォワードワイヤーボンディング法を用いる場合には、ボンディングワイヤーの該ボンディングワイヤーが接続された半導体チップからの高さを低くすることができない。このため、半導体チップを多層化して搭載する場合には、半導体装置を薄型化することが困難になるという問題を招来する。
【００１４】
また、上述したように、フォワードワイヤーボンディング法しか採用できないため、リバースワイヤーボンディング法を採用した場合に比べて、基板７側のワイヤーボンディングターミナルをより外側に配置する必要がある。このため、パッケージを小さくすることが困難であるという問題をも招来する。
【００１５】
図１７に示す半導体チップ相互間に接着層を介在させて積層してなる構造の場合、第１半導体チップ１と第２半導体チップ２とを接着する接着層６の厚さおよび領域をコントロールすることが困難である。このため、接着層６を構成する接着剤の染み出し（ブリード）等による基板７の汚染や、積層された第１半導体チップ１に傾きが生じる等の問題を招来する。
【００１６】
特に、半導体チップを多層化する場合においては、半導体装置の高さのバラツキ、基板から最上層の半導体チップの表面までの高さのバラツキ、および最上層の半導体チップの傾き等が大きくなる為、安定した生産が困難になるという問題を招来する。すなわち、積層数が２個の場合においては、上記のバラツキおよび傾きは大きな問題とならなくとも、積層される半導体チップの数が３個、４個と増加するに従って、上記高さのバラツキおよび傾きが大きくなるため、半導体装置の安定した生産が困難になるという問題を招来する。
【００１７】
また、半導体装置のパッケージを薄型化する場合には、図１８に示すように、第２ボンディングワイヤー４と第１半導体チップ１との接触により、両者の絶縁性が不十分になるという問題をも招来する。
【００１８】
本発明は、上記の問題を解決するためになされたもので、その目的は、半導体チップのチップサイズに関わらず積層することができる、絶縁性が確保された半導体装置およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本発明は、上記の課題を解決するための問題解決手段として、半導体ウェハーに絶縁層および接着層からなる２層の樹脂層を貼り付けた状態において、ダイシングにより分割した（切り出した）半導体チップを積層する方法を用いる。これにより、外形寸法が小さく、かつ絶縁性が確保された半導体装置を生産性良く製造することができる。また、上記半導体装置は、半導体チップを積層する際に、ボンディングワイヤー部を避ける必要がない。このため、そのチップサイズに関わらず半導体チップを積層することが可能となる。
【００２０】
本発明の半導体装置は、上記の課題を解決するために、基板上に複数個の半導体チップが積層されており、かつ半導体チップのそれぞれに設けられている電極端子はボンディングワイヤーにより基板に電気的に接続されている半導体装置であって、上記複数個の半導体チップ相互間には、上記電極端子を囲む位置を含んで接着層が形成されており、ボンディングワイヤーと、該ボンディングワイヤーが接続されている半導体チップの該ボンディングワイヤー側に積層されている半導体チップとの間に絶縁層が形成されていることを特徴としている。
【００２１】
上記の構成により、ボンディングワイヤーと半導体チップとが接触することを防ぐことができる。このため、複数個の半導体チップを積層してなる半導体装置の絶縁性を確保することができる。
【００２２】
複数個の半導体チップが積層された半導体装置において、基板上に積層される半導体チップは、それぞれの半導体チップに設けられた電極端子を介してボンディングワイヤーにより基板と電気的に接続されている。ここで、半導体装置の絶縁性を確保するためには、ボンディングワイヤーと半導体チップとの接触を防ぐことが必要である。特に、半導体装置を薄型化するためには半導体チップ相互間の距離を小さくすることが必要となるが、この場合には、ボンディングワイヤーと半導体チップとの距離が小さくなるため、両者が接触しやすくなり、絶縁性が不十分となる恐れがある。
【００２３】
そこで、ボンディングワイヤーと、該ボンディングワイヤーが接続されている半導体チップの該ボンディングワイヤー側に積層されている半導体チップとの間に絶縁層を形成することにより、両者が接触することを防止することができる。すなわち、半導体チップ上のボンディングワイヤーが接続された電極端子と、該半導体チップに隣り合う半導体チップとの間に絶縁層が形成されていることにより、ボンディングワイヤーと、該ボンディングワイヤーが接続されている半導体チップに隣り合う半導体チップとの接触を防ぐことができる。
【００２４】
これにより、複数個の半導体チップを積層してなる半導体装置の絶縁性を確保することができる。例えば、半導体チップ相互間の距離を小さくすることにより半導体装置を薄型化した場合においても、絶縁層により半導体チップとボンディングワイヤーとの接触を防ぐことができるため、半導体装置の絶縁性を確保することができる。
【００２５】
このように、基板上に複数個の半導体チップが積層された半導体装置において、ボンディングワイヤーと半導体チップとの絶縁性が不十分となることを防止することができる。すなわち、ボンディングワイヤーと半導体チップと間に形成された絶縁層により両者の接触が防止されるため、半導体装置の絶縁性を確保することができる。
【００２６】
したがって、基板上に複数個の半導体チップが積層された半導体装置の絶縁性を確保することができるため、薄型化し、その外形寸法を小さくした場合においても、絶縁性の確保された信頼性の高い半導体装置を提供することが可能となる。
【００２７】
本発明の半導体装置は、上記絶縁層がポリイミド系樹脂であることが好ましい。
ポリイミド系樹脂としては、耐熱性に優れており高温における塑性変形の少ない材料を選んで用いることが好ましい。ポリイミド系樹脂として、耐熱性に優れるものを用いることにより、高温における塑性変形の少ない絶縁層を形成することができる。したがって、絶縁層をポリイミド樹脂で形成することにより、高温条件下における半導体装置の絶縁性をより確実にすることができる。
【００２８】
本発明の半導体装置の上記絶縁層の厚さは１５μｍ以上３０μｍ以下の範囲内であることが好ましい。
上記絶縁層の厚さを上記の範囲内とすることにより、絶縁性を確保しつつ半導体チップを積層してなる半導体装置を薄型化することができる。
【００２９】
本発明の半導体装置の上記電極端子にはバンプが形成されており、上記ボンディングワイヤーはリバースワイヤーボンディング法を用いて接続されていることが好ましい。
【００３０】
上記の構成により、積層される半導体チップ相互間の距離を小さくすることができる。すなわち、上記電極端子にバンプを形成することにより、該電極端子と上記基板とをボンディングワイヤーにより接続する方法として、リバースワイヤーボンディング法を用いることができる。このため、上記半導体チップ相互間の距離を小さくすることができる。
【００３１】
つまり、上記バンプの高さは、上記の接続を行う方法としてフォワードワイヤーボンディング法を用いた場合における、ボンディングワイヤーの該ボンディングワイヤーが上記電極端子を介して接続されている半導体チップの面からの高さよりも小さくすることができる。そして、リバースワイヤーボンディング法を用いることにより、ボンディングワイヤーをより確実に接続することができる。
【００３２】
したがって、積層される半導体チップ相互間の距離を小さくすることができるため、複数個の半導体チップを積層してなる半導体装置を容易に薄型化することが可能となる。また、ボンディングワイヤーをより確実に接続することができるため、より信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
なお、リバースワイヤーボンディング法とは、ボンディングワイヤーと基板とを接続した後に半導体チップとボンディングワイヤーとを接続する方法をいい、その逆の順番で接続を行う方法をフォワードワイヤーボンディング法という。
【００３３】
本発明の半導体装置は、上記基板に積層された上記複数個の半導体チップおよび上記ボンディングワイヤーが封止樹脂により封止されており、かつ上記基板の上記複数個の半導体チップが積層された面と反対側の面に外部端子が形成されていることが好ましい。
これにより、封止樹脂により半導体チップおよびボンディングワイヤーを保護することが可能となる。また外部端子により、容易に半導体装置と外部とを電気的に接続することができる。
【００３４】
本発明の半導体装置は、上記複数個の半導体チップ相互間に接着層が形成されている。
上記の接着層を用いて上記複数個の半導体チップを接着することにより、半導体チップを容易に積層することができる。
【００３５】
また、上記半導体チップのチップサイズと、上記絶縁層および上記接着層のサイズとは、同一であっても良い。
【００３６】
本発明の半導体装置の上記接着層は上記絶縁層と上記基板側の上記半導体チップとの間に形成されていることが好ましい。
上記の構成により、上記絶縁層と上記基板側の上記半導体チップとの間の上記ボンディングワイヤーを上記接着層により保護することが可能となる。
【００３７】
本発明の半導体装置の上記接着層はエポキシ系樹脂であることが好ましい。
エポキシ系樹脂は、加熱することにより固体から液体に溶融しその後硬化する熱硬化性樹脂であるため、半導体チップを接着した後に硬化して上記ボンディングワイヤーを保護することができる。
【００３８】
本発明の半導体装置の上記接着層の厚さは、上記ボンディングワイヤーの該ボンディングワイヤーが上記電極端子を介して接続されている上記半導体チップの面からの高さより大きいことが好ましい。
これにより、上記ボンディングワイヤーと該ボンディングワイヤーが接続された半導体チップに隣り合う半導体チップとが接触することを防ぐことができる。したがって、上記隣り合う半導体チップとの接触により上記ボンディングワイヤーが損傷することを確実に防止することができる。
【００３９】
本発明の半導体装置の上記半導体チップの電極端子が設けられている面の該電極端子を除いた領域には絶縁性樹脂層が形成されていることが好ましい。
【００４０】
これにより、上記ボンディングワイヤーと、該ボンディングワイヤーが上記電極端子を介して接続されている上記半導体チップとの接触を防止することができる。すなわち、上記半導体チップの電極端子が設けられている面は、電極端子を除いて絶縁性樹脂層により被覆されているため、上記ボンディングワイヤーと上記半導体チップとが接触することを防止することができる。
【００４１】
なお、本発明において「チップサイズ」とは、半導体チップの基板または他の半導体チップに面する面の縦、横の外形サイズをいう。
【発明の効果】
【００４２】
本発明の半導体装置は、以上のように、ボンディングワイヤーと、該ボンディングワイヤーが接続されている半導体チップの該ボンディングワイヤー側に積層されている半導体チップとの間に絶縁層が形成されている構成である。
【００４３】
それゆえ、例えば、複数個の半導体チップを積層した半導体装置を薄型化し、その外形寸法を小さくした場合においても、ボンディングワイヤーと半導体チップとが接触することを防ぐことができる。これにより、絶縁性の確保された信頼性の高い複数個の半導体チップを積層してなる半導体装置を提供することができるという効果を奏する。
【００４４】
本発明の半導体装置は、以上のように、上記絶縁層がポリイミド系樹脂であることが好ましい。
【００４５】
高温における塑性変形の少ないポリイミド系樹脂を選んで用いることにより、高温条件下における半導体装置の絶縁性をより確実にすることができるという効果を奏する。
【００４６】
本発明の半導体装置は、以上のように、上記絶縁層の厚さは１５μｍ以上３０μｍ以下の範囲内であることが好ましい。
【００４７】
これにより、絶縁性を確保しつつ、基板上に半導体チップを積層してなる半導体装置を薄型化することができるという効果を奏する。
【００４８】
本発明の半導体装置は、以上のように、上記電極端子にはバンプが形成されており、上記ボンディングワイヤーはリバースワイヤーボンディング法を用いて接続されていることが好ましい。
【００４９】
上記電極端子にバンプが形成され、該電極端子と上記基板とがリバースワイヤーボンディング法を用いて接続されていることにより、上記半導体チップ相互間の距離を小さくすること、および上記接続をより確実にすることができる。これにより、複数個の半導体チップを積層してなる半導体装置を容易に薄型化すること、およびその信頼性を向上させることができるという効果を奏する。
【００５０】
本発明の半導体装置は、以上のように、上記基板に積層された上記複数個の半導体チップおよび上記ボンディングワイヤーが封止樹脂により封止されており、かつ上記基板の上記複数個の半導体チップが積層された面と反対側の面に外部端子が形成されていることが好ましい。
【００５１】
これにより、半導体装置と外部とを電気的に接続することができる、封止樹脂により保護された半導体装置を提供することができるという効果を奏する。
【００５２】
本発明の半導体装置は、以上のように、上記複数個の半導体チップ相互間に接着層が形成されていることが好ましい。
【００５３】
これにより、上記の接着層を用いて上記複数個の半導体チップを接着して半導体チップを容易に積層することができるという効果を奏する。
【００５４】
本発明の半導体装置は、以上のように、上記接着層は上記絶縁層と上記基板側の上記半導体チップとの間に形成されていることが好ましい。
【００５５】
これにより、上記ボンディングワイヤーを上記接着層により保護することができるという効果を奏する。
【００５６】
本発明の半導体装置は、以上のように、上記接着層はエポキシ系樹脂により形成されていることが好ましい。
【００５７】
エポキシ系樹脂は、加熱により固体から液体に溶融しその後硬化する熱硬化性樹脂であるため、半導体チップを接着した後に硬化して上記ボンディングワイヤーを保護することができるという効果を奏する。
【００５８】
本発明の半導体装置は、以上のように、上記接着層の厚さは、上記ボンディングワイヤーの該ボンディングワイヤーが上記電極端子を介して接続されている上記半導体チップの面からの高さよりも大きいことが好ましい。
【００５９】
これにより、上記ボンディングワイヤーと上記絶縁層とが接触することを防ぐことができる。したがって、上記半導体チップとの接触による上記ボンディングワイヤーの損傷を確実に防止することができるという効果を奏する。
【００６０】
本発明の半導体装置は、以上のように、上記半導体チップの電極端子が設けられている面の該電極端子を除いた領域には絶縁性樹脂層が形成されていることが好ましい。
【００６１】
これにより、上記ボンディングワイヤーと、上記半導体チップとの接触を防止することができるという効果を奏する。
【００６２】
本発明の半導体装置の製造方法は、以上のように、絶縁層と接着層とからなるシートを、半導体チップが分割される前のウェハーに、該シートの絶縁層側が該ウェハーに接するように貼り付けるシート貼り付け工程と、上記シートが貼り付けられたウェハーをダイシングにより半導体チップに分割する分割工程と、上記接着層により、該接着層の貼り付けられた半導体チップを、ボンディングワイヤーにより基板と電気的に接続されている半導体チップに接着する接着工程とを含む構成である。
【００６３】
本発明の半導体装置の製造方法は、以上のように、絶縁層と接着層とからなるシートを、半導体チップが分割される前のウェハーに、該シートの絶縁層側が該ウェハーに接するように貼り付けるシート貼り付け工程と、上記シートが貼り付けられたウェハーをダイシングにより半導体チップに分割する分割工程と、上記接着層により、該接着層の貼り付けられた半導体チップを、ボンディングワイヤーにより基板と電気的に接続されている半導体チップに接着する接着工程とを含む構成である。
【００６４】
それゆえ、半導体チップに分割する分割工程において、絶縁層および接着層と半導体チップとを１度に切り出すことにより、半導体チップのチップサイズと同じサイズの絶縁層および接着層を形成することができる。このため、接着層の接着領域、接着量、接着層厚さのコントロールを極めて容易に行うことが可能となり、本発明の半導体装置を容易かつ確実に製造することができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００６５】
本発明の実施の一形態について図１ないし図１２に基づいて説明すれば、以下のとおりである。なお、本発明は、これにより何ら限定されるものではない。
【００６６】
図１〜図４は、本実施の形態の半導体装置の構成を示す説明図である。
【００６７】
２個の半導体チップを積層してなる半導体装置を図１に示す。同図に示すように、本実施の形態の半導体装置は、第１半導体チップ１、第２半導体チップ２、第１ボンディングワイヤー３、第２ボンディングワイヤー４、絶縁層５、接着層６、基板７、接着剤層８および電極端子２１を備えてなるものである。なお、本実施の形態においては、基板７上に積層されている半導体チップを区別しない場合には、単に半導体チップと表すこととする。
【００６８】
本実施の形態の半導体装置を構成する基板７上には、接着剤層８を介して第２半導体チップ２が接着されており、第２半導体チップ２の基板７と反対側の面には、接着層６により絶縁層５を介して第１半導体チップ１が接着されている。第１ボンディングワイヤー３は、第１半導体チップ１の電極端子２１と基板７とを電気的に接続するものであり、第２ボンディングワイヤー４は第２半導体チップ２の電極端子２１と基板７とを電気的に接続するものである。なお、電極端子２１は、第１半導体チップ１および第２半導体チップ２の基板７とは反対側の面に設けられている。
【００６９】
本実施の形態の半導体装置を構成する半導体チップの種類は特に限定されず、任意のものを使用することができる。複数個の半導体チップとしては、例えば、その外形が同じものの組み合わせや、積層された場合に、半導体チップに設けられた電極端子が、該半導体チップに積層される他の半導体チップと重なるものの組み合わせを好適に用いることができる。図１〜図４には、同じ外形の半導体チップを積層して構成されている半導体装置を示している。
【００７０】
接着層６の厚さが、第２ボンディングワイヤー４の第２半導体チップ２の電極端子２１が設けられている面からの高さＢよりも小さい半導体装置を図２に示す。同図に示すように、本実施の形態の半導体装置は第１半導体チップ１と第２ボンディングワイヤー４との間に介在している絶縁層５により、両者の接触を防ぐことができる。すなわち、絶縁層５により半導体装置の絶縁性を確保することができる。
【００７１】
４個の半導体チップが積層されて搭載されている半導体装置を図３に示す。同図に示すように、該半導体装置には、基板７の側から順に第２半導体チップ２、第１半導体チップ１、第３半導体チップ１８、第４半導体チップ２０が積層されており、これら半導体チップ相互間には絶縁層５および接着層６が介在している。このように、多数の半導体チップを積層した場合においても、半導体チップ相互間に絶縁層５および接着層６が介在することにより、接着層６により各半導体チップを接着するとともに、絶縁層５によりボンディングワイヤーと半導体チップとが接触することを防ぐことができる。
【００７２】
半導体チップを積層してなる半導体装置を薄型化するためには、半導体チップを接着する接着層６の厚さを薄くすることは有効であるが、半導体チップ相互間に絶縁層５が形成されていない場合には、接着層６の厚さが薄くなるに伴いボンディングワイヤーと半導体チップとが接触することとなり、半導体装置の絶縁性が確保されなくなるおそれがある。
【００７３】
しかし、本実施の形態の半導体装置は、半導体チップ相互間に介在する絶縁層５により、ボンディングワイヤーと半導体チップとが接触することを防ぐことができるため、接着層６の厚さが薄くなった場合においても絶縁性を確保することができる。
【００７４】
すなわち、多数の半導体チップを積層してなる半導体装置の絶縁性を確保しつつ薄型化することができる。なお、図３に示す半導体装置においては、積層される半導体チップの数を４個としたが、半導体チップの数はこれに限定されるものではなく、任意の数とすることができる。
【００７５】
図４に封止樹脂により封止された半導体装置（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ、以下ＣＳＰと略する）を示す。同図に示すように、本実施の形態の半導体装置は、封止樹脂１５により封止されており、かつ基板７の半導体チップが実装された面とは反対側の面には、基板７と外部とを電気的に接続するための外部接続用端子（外部端子）１６が設けられている。上記封止樹脂１５としては、熱硬化性樹脂を用いることができ、具体的には、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等を好適に用いることができる。
【００７６】
本発明の半導体装置を製造する方法について図５〜図７を用いて説明する。
【００７７】
先ず、半導体チップの裏面に絶縁層および接着層を形成する方法について説明する。なお、本実施の形態においては、半導体チップの電極端子が形成される面を表面、電極端子が形成されない面を裏面と表すこととする。
【００７８】
絶縁層および接着層の形成は、各種の素子が形成されて半導体チップとなる前のウェハーの状態において行われる。なお、ウェハーの状態において、その裏面を研磨しておいてもよい。これにより、絶縁層および接着層を形成する前に、ウェハーの厚さを薄くすることができるため、半導体チップさらに小型化することが可能となる。
【００７９】
ウェハーの裏面に絶縁層および接着層を形成する方法としては、図５に示すように、絶縁層５と接着層６とからなる２層構造のシート２２を、ウェハー９の裏面に貼付用ローラー１０を用いて貼り付ける方法が挙げられる。なお、シート２２は、ウェハー９の裏面に絶縁層５が接するようにして貼り付けられる。
【００８０】
同図においては、絶縁層５および接着層６からなるシート２２を用いたが、同様にして、シート状の絶縁層５、接着層６のそれぞれを貼り付けてもよい。すなわち、シート状の絶縁層５をウェハー裏面に貼り付けた後に、更にその上からシート状の接着層６を貼り付けることによりウェハーの裏面に絶縁層５および接着層６を形成してもよい。
【００８１】
絶縁層５および接着層６は、厚さが均一なシート状の形態の材料を用いて形成されることが望ましい。これにより、厚さの均一な絶縁層５および接着層６をウェハー９の裏面に容易に形成することができる。
【００８２】
絶縁層５としては、耐熱性に優れており、１００℃〜２００℃での塑性変形が少ない樹脂が好適に用いられる。具体的には、絶縁層５はポリイミド系の樹脂であることが好ましい。
【００８３】
高温において塑性変形が大きい樹脂を用いた場合には、高温条件下において絶縁層５が塑性変形して半導体装置の絶縁性が確保できなくなる可能性がある。これに対し、耐熱性に優れる樹脂を用いることにより、高温条件下において絶縁層５が変形することを防止できるため、高温条件下における半導体装置の絶縁性を確保することができる。
【００８４】
絶縁層５の厚さは、絶縁性が確保され、かつウェハー裏面に貼り付けることができるものであればよく、特に限定されないが、複数個の半導体チップを積層してなる半導体装置（パッケージ）の薄型化等を考慮すると、１５μｍ以上３０μｍ以下の範囲内であることが好ましい。絶縁層５の厚さを上記範囲内とすることにより、半導体装置の絶縁性を確保しつつ、半導体装置を薄型化することができる。
【００８５】
また、接着層６としては、加熱により固体から液体へと溶融し、その後に硬化する熱硬化性樹脂が好ましく、その中でも特にエポキシ樹脂が好ましい。接着層６には、半導体チップ同士を接着することの他に、第２半導体チップ２の電極端子２１に接続された第２ボンディングワイヤー４を封止・保護する目的もある。このことから、接着層６の厚さＡ（図７参照）は、第２ボンディングワイヤー４の第２半導体チップ２からの高さＢ（図７参照）以上であることが好ましい。
【００８６】
ウェハー９の裏面に絶縁層５および接着層６を形成した後に、ダイシングブレード１１を用いて半導体チップとして個片に切り出す方法を、図６を用いて説明する。同図に示すように、絶縁層５および接着層６が形成されたウェハー９を切断用固定シート１２の上にのせて、ダイシングブレード１１を用いて切断することにより半導体チップに切り出す。これにより、絶縁層５、接着層６およびウェハー９を一度に切断して、半導体チップに分離することができる。すなわち、ダイシングブレード１１を用いて、ウェハー９を切断する際に、絶縁層５および接着層６をも同時に切断することにより、半導体チップのチップサイズと同じサイズの絶縁層５および接着層６が形成された半導体チップとすることができる。
【００８７】
上述した方法を用いて半導体チップを製造することにより、接着剤を塗布して接着層を形成する方法に比較して、半導体チップの接着層の接着領域、接着剤量、およびその厚さのコントロールを極めて容易に行うことが可能となる。
【００８８】
上記のようにして得られた半導体チップを基板上に積層する方法、すなわちパッケージの作製方法について、図７を用いて以下に説明する。同図に示すように、まず、接着剤を用いて第２半導体チップ２を基板７に搭載する。すなわち、第２半導体チップ２は上記接着剤により形成された接着剤層８を介して基板７に搭載されることとなる。
【００８９】
上記基板７としては、例えば、ワイヤボンドターミナルを有するリードフレームや、ポリイミド、ビスマレイミド・トリアジン樹脂等で作製された有機基板等を使用することができるが、これらに限定されず、任意の基板を用いることができる。上記接着剤層８を形成する接着剤としては、例えば液状の接着剤や、シート状の接着剤等を使用することができる。また、上記接着剤は、第１半導体チップ１の全領域と基板７とを均一に接着できるものであれば、その種類は問わない。
【００９０】
第２半導体チップ２を基板７に搭載した後に、基板７のワイヤーボンディングターミナル部と第２半導体チップ２の電極端子２１とを第２ボンディングワイヤー４により電気的に接続する。
【００９１】
その後、基板７に搭載された第２半導体チップ２に第１半導体チップ１を接着する。上記接着は、第２半導体チップ２に設けられた電極端子２１上の第２ボンディングワイヤー４が接続されている部分が接着層６により覆われるようにして行う。
【００９２】
上記接着を行う際には、基板７、第２半導体チップ２および第２ボンディングワイヤー４を加熱して、第１半導体チップ１の裏面に形成された接着層６を構成するエポシキ樹脂の軟化・溶融が始まる温度にしておくことが好ましい。例えば、上記接着層６を構成するエポキシ樹脂の軟化・溶融が始まる温度が１００℃である場合には、基板７、第２半導体チップ２および第２ボンディングワイヤー４を加熱して１００℃としておく。これにより、第１半導体チップ１と第２半導体チップ２とを接着する際に、第１半導体チップ１の裏面に形成された接着層６が軟化するため、第２ボンディングワイヤー４を損なうことなく両者を接着することが可能となる。
【００９３】
その後、接着層６を構成する熱硬化性樹脂を完全に硬化させた後に、基板７のワイヤーボンディングターミナル部と第１半導体チップ１上の電極端子２１とを第１ボンディングワイヤー３（図１参照）を用いて電気的に接続する。
【００９４】
第１ボンディングワイヤー３および第２ボンディングワイヤー４は、図８に示すように、それぞれ、第１半導体チップ１および第２半導体チップ２の周縁部と接触することも考えられる。このため、図９に示すように、第１半導体チップ１および第２半導体チップ２の電極端子２１が設けられている面には、コーティング樹脂（絶縁性樹脂層）１３が形成されていることが好ましい。コーティング樹脂１３は、半導体チップとボンディングワイヤーとが接触することを防止するためのものであり、例えばポリイミド等の絶縁性樹脂が用いられる。
【００９５】
上述のようにして半導体チップを基板上に積層した後に、図４に示した封止樹脂１５、およびハンダボールからなる外部接続用端子１６を形成することにより、ＣＳＰを得ることができる。
【００９６】
基板上に半導体チップを積層した場合は、ボンディングワイヤーと半導体チップとを液状樹脂を用いたポッティングにより（樹脂）封止しても良い。
【００９７】
第２半導体チップ２に設けられた電極端子２１と第２ボンディングワイヤー４とを接続する方法（ワイヤーボンディング法）として、電極端子２１にバンプを形成した後にリバースワイヤーボンディング法を行うことは半導体装置の薄型化に有効である。これにより、接着層６の厚さＡ（図７参照）を薄くすることができるため、多数の半導体チップを積層してなる半導体装置の薄型化には特に有効である。
【００９８】
上述したように、接着層６の厚さＡは、第２ボンディングワイヤー４の第２半導体チップ２からの高さＢ（図７参照）よりも小さいことが好ましい。リバースワイヤーボンディング法により上記接続を行うために必要なバンプの高さは、フォワードワイヤーボンディング法により接続された第２ボンディングワイヤー４の電極端子２１が設けられた第２半導体チップ２の面からの高さＢ（図７参照）よりも小さくすることができる。このため、電極端子２１にバンプ２３（図７参照）を形成して、リバースワイヤーボンディング法を行うことにより接着層６の厚さを薄くすることができる。
【００９９】
例えば、上記バンプをその高さが４０μｍとなるように形成し、第１半導体チップ１の絶縁層５の厚さを２５μｍ、接着層６の厚さを５０μｍとした場合、絶縁層５と接着層６とからなるチップ積層部位の厚さは７５μｍである。これに対して、フォワードワイヤーボンディング法を採用した場合には、ボンディングワイヤーの該ボンディングワイヤーが接続された半導体チップの面からの高さを小さくすることが困難であるため、上記チップ積層部位の厚さは約１３０〜１６０μｍ程度となる。
【０１００】
すなわち、電極端子２１と第２ボンディングワイヤー４とを接続する方法としてリバースワイヤーボンディング法を用いることにより、上記チップ積層部位を薄くできるため、半導体チップの多積層化・半導体装置の薄型化に有利である。従って、従来のものよりも薄く、絶縁性等が確保された信頼性の高い半導体チップの積層を実現することが可能となる。
【０１０１】
なお、リバースワイヤーボンディング法とは、基板とボンディングワイヤーとを接続した後に、半導体チップとボンディングワイヤーとを接続する方法をいい、その逆の順番で接続を行う方法をフォワードワイヤーボンディング法という。リバースワイヤーボンディング法を行う場合は、半導体チップに設けられた電極端子上に金バンプを形成し、最初にボンディングワイヤーと基板との接続を行い、その後に上記ボンディングワイヤーと上記金バンプとの接続を行う。
【０１０２】
本実施の形態の半導体装置は、絶縁層により半導体チップとボンディングワイヤーとの絶縁性が十分に確保されていることから、積層される半導体チップのチップサイズは制約されない。このため、図１０に示すように、第６半導体チップ３２の基板７とは反対側の面に第６半導体チップ３２よりもチップサイズの大きい第５半導体チップ３１を積層することも可能である。
【０１０３】
本実施の形態の半導体装置は、半導体チップに設けられている電極端子のボンディングワイヤーが接続された部位に半導体チップを積層することが可能であるため、例えば、積層される複数個の半導体チップを、図１１または図１２に示す配置（レイアウト）となるように組み合わせることも可能である。第６半導体チップ３２を第５半導体チップ３１の上に積層するよりも、同図に示した配置とすることにより、第６半導体チップ３２と基板７（図１０参照）とを接続する第２ボンディングワイヤー４のワイヤー長が短くなるという利点がある。
【０１０４】
特に、図１１に示すように、基板７（図１０参照）に搭載されている第６半導体チップ３２に、第６半導体チップ３２よりも大きな第５半導体チップ３１を、第５半導体チップ３１と基板７との間に第２ボンディングワイヤー４が位置するように接着することにより、第５半導体チップ３１と基板７との間の空間を有効に利用できる。このため、半導体装置をさらに小型化することができる。
【０１０５】
また、図１２に示すように、基板７（図１０参照）に搭載されている第８半導体チップ４２に、第８半導体チップ４２とはチップサイズの異なる第７半導体チップ４１を、第７半導体チップ４１と基板７との間に第２ボンディングワイヤー４の一部が位置するように接着することにより、第７半導体チップ４１と基板７との間の空間を有効に利用できる。これにより、半導体装置を小型化することができる。
【０１０６】
以上のように、本実施の形態の半導体装置は、積層される半導体チップのチップサイズに制約を設けることなく、例えば同じチップサイズの複数個の半導体チップを積層することができる。このためより薄く、より信頼性に優れた、積層構造を有する半導体装置を提供することができる。
【０１０７】
本発明の半導体装置は、それぞれの主面上に複数個の電極端子を有した複数個の半導体チップが基板上に積層され、電極端子と基板はボンディングワイヤーで電気的に接続された半導体装置において、任意の位置の上下の半導体チップの下層の半導体チップと上層の半導体チップ間は下層のチップ、接着層の樹脂、絶縁層の樹脂層、上層の半導体チップの順で、少なくとも下層の半導体チップのボンディングワイヤーで接続された電極端子の一部の上には上層の半導体チップが接着されている構成を有する第１半導体装置として構成されていてもよい。
【０１０８】
上記第１半導体装置は、下層の半導体チップの電極端子にはバンプが形成されており、下層の半導体チップと基板とを接続するボンディングワイヤーは、リバースワイヤーボンディング法で接続されたワイヤーであるものとして構成されていてもよい。
【０１０９】
上記第１半導体装置は、基板の一面に接続された半導体チップとボンディングワイヤーは樹脂で封止され、基板のその反対面側には外部接続端子が形成されているものとして構成されていてもよい。
【０１１０】
上記第１半導体装置は、絶縁層はポリイミド系樹脂で、接着層がエポキシ系樹脂であるものとして構成されていてもよい。
【０１１１】
上記第１半導体装置は、絶縁層の厚さは１５μｍ以上３０μｍ以下の範囲内であるものとして構成されていてもよい。
【０１１２】
上記第１半導体装置は、下層に位置する半導体チップの主面上、特に電極端子部からチップ端は絶縁性の樹脂で被覆されているものとして構成されていてもよい。
【０１１３】
上記第１半導体装置は、下層に配置される半導体チップの電極端子部は開口されている絶縁性の樹脂で被覆されているものとして構成されていてもよい。
【０１１４】
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体チップが分割される前のウェハー状態において、ウェハー裏面に絶縁性の樹脂層と接着性の樹脂層の２層からなるシートをウェハー裏面に絶縁性の樹脂層側を貼り付けダイシングにより、半導体チップに分割する工程と、上記分割された半導体チップをボンディングワイヤーにより基板と電気的に接続されている半導体チップの上に接着する工程を有するものとして構成されていてもよい。
【０１１５】
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体チップが分割される前のウェハー状態において、ウェハー裏面にシート状の絶縁性の樹脂層を貼り付け、続いてシート状の接着性の樹脂層を貼り付けダイシングにより、半導体チップに分割する工程と、上記分割された半導体チップをボンディングワイヤーにより基板と電気的に接続されている半導体チップの上に接着する工程を有するものであってもよい。
【０１１６】
なお、本発明の半導体装置は、絶縁層と接着層とからなるシートを、半導体チップが分割される前のウェハーに、該シートの絶縁層側が該ウェハーに接するように貼り付けるシート貼り付け工程と、上記シートが貼り付けられたウェハーをダイシングにより半導体チップに分割する分割工程と、上記接着層により、該接着層の貼り付けられた半導体チップを、ボンディングワイヤーにより基板と電気的に接続されている半導体チップに接着する接着工程とを含む方法により製造することができる。
【０１１７】
また、本発明の半導体装置は、絶縁層からなる絶縁層シートを半導体チップが分割される前のウェハーに貼り付ける絶縁層貼り付け工程と、上記絶縁層貼り付け工程の後に、接着層からなる接着層シートを上記ウェハーの上記絶縁層シートが貼り付けられた面に貼り付ける接着層貼り付け工程と、上記絶縁層シートおよび接着層シートが貼り付けられたウェハーをダイシングにより半導体チップに分割する分割工程と、上記接着層により、該接着層の貼り付けられた半導体チップを、ボンディングワイヤーにより基板と電気的に接続されている半導体チップに接着する接着工程とを含む方法により製造することができる。
【０１１８】
上記の方法により、本発明の半導体装置を容易かつ確実に製造することが可能となる。すなわち、半導体チップに分割する分割工程において絶縁層および接着層を半導体チップと同時に切り出すことができる。すなわち、これらを１度に切り出すことができる。このため、半導体チップのチップサイズと同じサイズの絶縁層および接着層を形成することが可能となる。
【０１１９】
したがって、接着層の接着領域、接着量、厚さのコントロールを極めて容易に行うことが可能となり、本発明の半導体装置を容易かつ確実に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１２０】
【図１】本発明の一実施の形態を示す半導体装置の断面図である。
【図２】本発明の他の実施の形態を示すボンディングワイヤーがフォワードワイヤーボンディング法を用いて接続されている半導体装置の断面図である。
【図３】本発明のさらに他の実施の形態を示す４個の半導体チップを積層してなる半導体装置の断面図である。
【図４】本発明の他の実施の形態を示す封止樹脂により封止してなる半導体装置の断面図である。
【図５】本発明の半導体装置の製造方法におけるシート貼り付け工程を説明する斜視図である。
【図６】本発明の半導体装置の製造方法における分割工程を説明する断面図である。
【図７】本発明の半導体装置の製造方法における接着工程を説明する断面図である。
【図８】本発明の他の実施の形態を示す半導体装置の断面図である。
【図９】本発明の他の実施の形態を示す半導体チップの電極端子が設けられている面の電極端子を除いた領域には絶縁性樹脂層が形成されている半導体装置の断面図である。
【図１０】本発明の半導体装置を構成する半導体チップの組み合わせの例を説明する断面図である。
【図１１】本発明の半導体装置を構成する半導体チップの組み合わせの例を説明する平面図である。
【図１２】本発明の半導体装置を構成する半導体チップの組み合わせの他の例を説明する平面図である。
【図１３】積層される半導体チップの間にスペーサーが封入された構造の従来の半導体装置を説明する断面図である。
【図１４】積層される半導体チップの間にスペーサーが封入された構造の従来の半導体装置が薄型化された場合を説明する断面図である。
【図１５】半導体チップの周縁部が中央部に対して薄肉に形成された、段差を有する構造の従来の半導体装置を説明する断面図である。
【図１６】従来の半導体チップの周縁部が中央部に対して薄肉に形成された、段差を有する構造の半導体装置が薄型化された場合を説明する断面図である。
【図１７】半導体チップ相互間に接着層を介在させて積層してなる構造の従来の半導体装置を説明する断面図である。
【図１８】半導体チップ相互間に接着層を介在させて積層してなる構造の従来の半導体装置が薄型化された場合を説明する断面図である。
【符号の説明】
【０１２１】
１    第１半導体チップ
２    第２半導体チップ
３    第１ボンディングワイヤー
４    第２ボンディングワイヤー
５    絶縁層
６    接着層
７    基板
１３    コーティング樹脂（絶縁性樹脂層）
１５    封止樹脂
１６    外部接続用端子（外部端子）
１８    第３半導体チップ
２０    第４半導体チップ
２１    電極端子
２２    シート
２３    バンプ
３１    第５半導体チップ
３２    第６半導体チップ
４１    第７半導体チップ
４２    第８半導体チップ
５１    第９半導体チップ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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