(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理流体によって処理する工程と，
基板の上面に前記処理流体よりも揮発性が高い第一の流体を供給して液膜を形成する工程と，
基板を回転させながら，基板の上面に前記処理流体よりも揮発性が高い第二の流体を供給する工程と，を有し，
前記液膜を形成する工程において，前記液膜は，前記処理流体が前記第一の流体中に取り込まれた状態となっており，
前記第二の流体を供給する工程において，前記第二の流体の供給位置は，前記処理流体が前記第一の流体中に取り込まれた状態の液膜を前記第二の流体で押し流して除去するように，基板の略中心側から周縁部側に向かって基板と相対的に移動させられることを特徴とする，基板処理方法。
【請求項２】
前記処理流体によって処理する工程の前に，基板を薬液によって処理する薬液処理工程を有することを特徴とする，請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項３】
前記薬液処理工程が行われることにより，前記薬液処理工程の前よりも基板の疎水性が強められることを特徴とする，請求項２に記載の基板処理方法。
【請求項４】
前記液膜を形成する工程において，基板を回転させながら，前記第一の流体の供給位置を基板の略中心側から周縁部側に向かって基板と相対的に移動させることにより，前記液膜を形成することを特徴とする，請求項１〜３のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項５】
前記液膜を形成する工程における基板に対する前記第一の流体の供給位置の移動速度は，前記第二の流体を供給する工程における基板に対する前記第二の流体の供給位置の移動速度より速くすることを特徴とする，請求項４に記載の基板処理方法。
【請求項６】
前記液膜を形成する工程における基板の回転数は，前記第二の流体を供給する工程における基板の回転数より低いことを特徴とする，請求項１〜５のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項７】
前記第二の流体を供給する工程において，基板に乾燥用ガスを供給し，
前記乾燥用ガスの供給位置は，前記第二の流体の供給位置よりも基板の中心側において，基板の略中心側から周縁部側に向かって基板と相対的に移動させられることを特徴とする，請求項１〜６のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項８】
前記第二の流体を供給する工程において，前記乾燥用ガスの供給位置は，前記基板の中心部と前記第二の流体の供給位置との間に配置されることを特徴とする，請求項７に記載の基板処理方法。
【請求項９】
前記第二の流体を供給する工程において，前記乾燥用ガスの供給位置は，前記第二の流体の供給位置の基板に対する相対的な回転方向において，前記第二の流体の供給位置よりも後方に隣接させて配置されることを特徴とする，請求項８に記載の基板処理方法。
【請求項１０】
前記移動方向に対して直交する方向における前記乾燥用ガスの吐出幅は，前記第二の流体の吐出幅よりも大きいことを特徴とする，請求項８に記載の基板処理方法。
【請求項１１】
前記乾燥用ガスは不活性ガスであることを特徴とする，請求項７〜１０のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項１２】
前記乾燥用ガスはドライエアーであることを特徴とする，請求項７〜１０のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項１３】
前記乾燥用ガスを加熱して基板に供給することを特徴とする，請求項７〜１２のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項１４】
前記第二の流体を供給する工程において，前記基板の上面近傍の雰囲気を吸引口に吸引させることを特徴とする，請求項１〜１３のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項１５】
前記吸引口は，前記第二の流体の供給位置よりも基板の周縁部側において，基板の略中心側から周縁部側に向かって基板と相対的に移動させられることを特徴とする，請求項１４に記載の基板処理方法。
【請求項１６】
前記吸引口は，前記第二の流体の供給位置の基板に対する相対的な回転方向において，前記第二の流体の供給位置よりも後方に配置されながら，基板の略中心側から周縁部側に向かって基板と相対的に移動させられることを特徴とする，請求項１４又は１５に記載の基板処理方法。
【請求項１７】
少なくとも前記液膜を形成する工程，及び／又は，前記第二の流体を供給する工程において，前記基板の周囲の湿度を減少させることを特徴とする，請求項１〜１６のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項１８】
前記処理流体は純水であることを特徴とする，請求項１〜１７のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項１９】
前記第一の流体及び／又は第二の流体は，ＩＰＡ液，ＩＰＡを含む溶液，ＩＰＡ液のミスト，ＩＰＡを含む溶液のミスト，ＩＰＡ液の蒸気，又は，ＩＰＡを含む溶液の蒸気であることを特徴とする，請求項１〜１８のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項２０】
前記第一の流体と前記第二の流体は同一のものであることを特徴とする，請求項１〜１９のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項２１】
前記第二の流体を加熱して基板に供給することを特徴とする，請求項１〜２０のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項２２】
基板処理装置の制御コンピュータによって実行することが可能なソフトウェアが記録された記録媒体であって，
前記ソフトウェアは，前記制御コンピュータによって実行されることにより，前記基板処理装置に，請求項１〜２１のいずれかに記載の基板処理方法を行わせるものであることを特徴とする，記録媒体。
【請求項２３】
基板を処理する装置であって，
基板を回転させるスピンチャックを備え，
基板に処理流体を供給する処理流体ノズルと，前記処理流体よりも揮発性が高い第一の流体を基板に供給する第一の流体ノズルと，前記処理流体よりも揮発性が高い第二の流体を基板に供給する第二の流体ノズルとを備え，
前記スピンチャックによって基板を回転させながら，前記処理流体を供給することにより，前記基板の上面を前記処理流体で処理する制御と，
前記スピンチャックによって基板を回転させながら，前記第一の流体を供給することにより，前記基板の上面に前記処理流体が前記第一の流体中に取り込まれた状態の液膜を形成する制御と，前記スピンチャックによって基板を回転させながら，前記処理流体が前記第一の流体中に取り込まれた状態の液膜を前記第二の流体で押し流して除去するように，前記第二の流体ノズルを前記基板の略中心側から周縁部側に向かって前記基板と相対的に移動させながら，前記第二の流体を供給する制御と，を行う制御コンピュータを備えたことを特徴とする，基板処理装置。
【請求項２４】
基板に乾燥用ガスを供給する乾燥用ガスノズルを備え，
前記制御コンピュータは，基板に前記第二の流体を供給しながら，前記第二の流体の供給位置より基板の略中心側に，前記乾燥用ガスノズルから前記乾燥用ガスを供給させる制御を行なうことを特徴とする，請求項２３に記載の基板処理装置。
【請求項２５】
基板に対する前記第二の流体ノズルの移動方向に対して直交する方向において，前記乾燥用ガスノズルの供給口の幅は，前記第二の流体ノズルの供給口の幅よりも大きいことを特徴とする，請求項２４に記載の基板処理装置。
【請求項２６】
前記乾燥用ガスは不活性ガスであることを特徴とする，請求項２４又は２５に記載の基板処理装置。
【請求項２７】
前記乾燥用ガスはドライエアーであることを特徴とする，請求項２４又は２５に記載の基板処理装置。
【請求項２８】
前記乾燥用ガスを加熱する乾燥用ガス温度調節部を備えることを特徴とする，請求項２４〜２７のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項２９】
基板の近傍の雰囲気を吸引する吸引口を備え，
前記吸引口は，前記第二の流体の供給位置よりも基板の周縁部側において，基板の略中心側から周縁部側に向かって基板と相対的に移動させられる構成としたことを特徴とする，請求項２３〜２８のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項３０】
前記吸引口は，基板の回転方向において前記第二の流体の供給位置より後方に配置させられたことを特徴とする，請求項２９に記載の基板処理装置。
【請求項３１】
前記スピンチャックに支持された基板の周囲の湿度を調節する湿度調節機構を備えたことを特徴とする，請求項２３〜３０のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項３２】
前記第一の流体ノズルと前記第二の流体ノズルは同一のノズルであることを特徴とする，請求項２３〜３１のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項３３】
前記第一の流体と第二の流体は，同一のものであることを特徴とする，請求項２３〜３２のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項３４】
前記処理流体は純水であることを特徴とする，請求項２３〜３３のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項３５】
前記第一の流体及び／又は第二の流体は，ＩＰＡ液，ＩＰＡを含む溶液，ＩＰＡ液のミスト，ＩＰＡを含む溶液のミスト，ＩＰＡの蒸気，又は，ＩＰＡを含む溶液の蒸気であることを特徴とする，請求項２３〜３４のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項３６】
前記第二の流体を加熱する流体温度調節部を備えることを特徴とする，請求項２３〜３５のいずれかに記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，基板処理方法及び基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば半導体デバイスの製造プロセスにおいては，半導体ウェハ（以下，「ウェハ」という。）をスピンチャックによって保持し，薬液を供給して洗浄する処理装置が用いられている。かかる装置を用いた洗浄工程では，ウェハに薬液や純水を供給した後，ウェハを回転させ，遠心力により液滴を振り切ることにより乾燥させる処理が行われている。
【０００３】
従来，ウェハを乾燥させる方法として，ウェハを回転させながらウェハにＩＰＡ（イソプロピルアルコール）等の蒸気を吹き付ける方法，霧状のＩＰＡ等を吹き付ける方法，ＩＰＡ液等を供給する方法などがある。また，ウェハの中心から周縁に向かって移動するノズルからウェハに対して純水を供給しながら，純水の供給位置より中心側においてＩＰＡ等の蒸気を吹き付けることにより，ウェハを乾燥させる方法が提案されている（例えば，特許文献１，２参照。）。
【０００４】
【特許文献１】特開平１１−２３３４８１号公報
【特許文献２】特開２００３−１９７５９０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら，従来の処理方法にあっては，ウェハの疎水性が強い場合，乾燥後のウェハの表面にパーティクルが発生することがあった。特に大口径ウェハにおいて，ウェハの周縁部付近に発生するパーティクル（薬液などの析出によって生じる筋状のウォーターマーク等）を抑制することが難しかった。また，ＩＰＡ等の供給流量を増加させることで，パーティクルの発生を防止する方法が考えられるが，その場合，コストが高くなる問題があった。
【０００６】
本発明の目的は，乾燥後の基板にパーティクルが発生することを防止でき，かつ，ＩＰＡ等の使用量を抑制できる基板処理方法，及び，基板処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するため，本発明によれば，基板を処理流体によって処理する工程と，基板の上面に前記処理流体よりも揮発性が高い第一の流体を供給して液膜を形成する工程と，基板を回転させながら，基板の上面に前記処理流体よりも揮発性が高い第二の流体を供給する工程と，を有し，前記液膜を形成する工程において，前記液膜は，前記処理流体が前記第一の流体中に取り込まれた状態となっており，前記第二の流体を供給する工程において，前記第二の流体の供給位置は，前記処理流体が前記第一の流体中に取り込まれた状態の液膜を前記第二の流体で押し流して除去するように，基板の略中心側から周縁部側に向かって基板と相対的に移動させられることを特徴とする，基板処理方法が提供される。
【０００８】
この基板処理方法にあっては，前記処理流体によって処理する工程の前に，基板を薬液によって処理する薬液処理工程を有するとしても良い。また，前記薬液処理工程が行われることにより，前記薬液処理工程の前よりも基板の疎水性が強められることとしても良い。
【０００９】
前記液膜を形成する工程において，基板を回転させながら，前記第一の流体の供給位置を基板の略中心側から周縁部側に向かって基板と相対的に移動させることにより，前記液膜を形成するようにしても良い。さらに，前記液膜を形成する工程における基板に対する前記第一の流体の供給位置の移動速度は，前記第二の流体を供給する工程における基板に対する前記第二の流体の供給位置の移動速度より速くするようにしても良い。また，前記液膜を形成する工程における基板の回転数は，前記第二の流体を供給する工程における基板の回転数より低くしても良い。
【００１０】
前記第二の流体を供給する工程において，基板に乾燥用ガスを供給することとし，前記乾燥用ガスの供給位置は，前記第二の流体の供給位置よりも基板の略中心側において，基板の略中心側から周縁部側に向かって基板と相対的に移動させられるようにしても良い。
【００１１】
前記第二の流体を供給する工程において，前記乾燥用ガスの供給位置は，前記基板の中心部と前記第二の流体の供給位置との間に配置されるようにしても良い。また，前記乾燥用ガスの供給位置は，前記第二の流体の供給位置の基板に対する相対的な回転方向において，前記第二の流体の供給位置よりも後方に，前記第二の流体の供給位置に対して隣接させて配置しても良い。また，前記移動方向に対して直交する方向における前記乾燥用ガスの吐出幅は，前記第二の流体の吐出幅よりも大きくなるようにしても良い。前記乾燥用ガスは不活性ガスであっても良い。前記乾燥用ガスはドライエアーでも良い。前記乾燥用ガスは加熱して基板に供給しても良い。
【００１２】
前記第二の流体を供給する工程において，前記基板の上面近傍の雰囲気を吸引口に吸引させるようにしても良い。前記吸引口は，前記第二の流体の供給位置よりも基板の周縁部側において，基板の中心部側から周縁部側に向かって基板と相対的に移動させられるようにしても良い。また，前記吸引口は，前記第二の流体の供給位置の基板に対する相対的な回転方向において，前記第二の流体の供給位置よりも後方に配置されながら，基板の略中心側から周縁部側に向かって基板と相対的に移動させるようにしても良い。
【００１３】
さらに，少なくとも前記液膜を形成する工程，及び／又は，前記第二の流体を供給する工程において，前記基板の周囲の湿度を減少させるようにしても良い。
【００１４】
前記処理流体は純水であっても良い。前記第一の流体及び／又は第二の流体は，ＩＰＡ液，ＩＰＡを含む溶液，ＩＰＡ液のミスト，ＩＰＡを含む溶液のミスト，ＩＰＡ液の蒸気，又は，ＩＰＡを含む溶液の蒸気であっても良い。さらに，前記第一の流体と前記第二の流体は同一のものであっても良い。前記第二の流体は，加熱して基板に供給しても良い。
【００１５】
また，本発明によれば，基板処理装置の制御コンピュータによって実行することが可能なソフトウェアが記録された記録媒体であって，前記ソフトウェアは，前記制御コンピュータによって実行されることにより，前記基板処理装置に，請求項１〜１７のいずれかに記載の基板処理方法を行わせるものであることを特徴とする，記録媒体が提供される。
【００１６】
さらに本発明によれば，基板を処理する装置であって，基板を回転させるスピンチャックを備え，基板に処理流体を供給する処理流体ノズルと，前記処理流体よりも揮発性が高い第一の流体を基板に供給する第一の流体ノズルと，前記処理流体よりも揮発性が高い第二の流体を基板に供給する第二の流体ノズルとを備え，前記スピンチャックによって基板を回転させながら，前記処理流体を供給することにより，前記基板の上面を前記処理流体で処理する制御と，前記スピンチャックによって基板を回転させながら，前記第一の流体を供給することにより，前記基板の上面に前記処理流体が前記第一の流体中に取り込まれた状態の液膜を形成する制御と，前記スピンチャックによって基板を回転させながら，前記処理流体が前記第一の流体中に取り込まれた状態の液膜を前記第二の流体で押し流して除去するように，前記第二の流体ノズルを前記基板の略中心側から周縁部側に向かって前記基板と相対的に移動させながら，前記第二の流体を供給する制御と，を行う制御コンピュータを備えたことを特徴とする，基板処理装置が提供される。
【００１７】
この基板処理装置にあっては，基板に乾燥用ガスを供給する乾燥用ガスノズルを備えても良く，前記制御コンピュータは，基板に前記第二の流体を供給しながら，前記第二の流体の供給位置より基板の中心側に，前記乾燥用ガスノズルから前記乾燥用ガスを供給させる制御を行なうようにしても良い。
【００１８】
また，基板に対する前記第二の流体ノズルの移動方向に対して直交する方向において，前記乾燥用ガスノズルの供給口の幅は，前記第二の流体ノズルの供給口の幅よりも大きいとしても良い。前記乾燥用ガスは不活性ガスであっても良い。前記乾燥用ガスはドライエアーでも良い。前記乾燥用ガスを加熱する乾燥用ガス温度調節部を備えても良い。
【００１９】
基板の近傍の雰囲気を吸引する吸引口を備え，前記吸引口は，前記第二の流体の供給位置よりも基板の周縁部側において，基板の略中心側から周縁部側に向かって基板と相対的に移動させられる構成としても良い。前記吸引口は，基板の回転方向において前記第二の流体の供給位置より後方に配置させても良い。また，前記スピンチャックに支持された基板の周囲の湿度を調節する湿度調節機構を備えても良い。
【００２０】
前記第一の流体ノズルと前記第二の流体ノズルは同一のノズルであっても良く，前記第一の流体と第二の流体は，同一のものであっても良い。前記処理流体は純水でも良い。前記第一の流体及び／又は第二の流体は，ＩＰＡ液，ＩＰＡを含む溶液，ＩＰＡ液のミスト，ＩＰＡを含む溶液のミスト，ＩＰＡの蒸気，又は，ＩＰＡを含む溶液の蒸気であっても良い。前記第二の流体を加熱する流体温度調節部を備えても良い。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば，基板にＩＰＡ液等の第一の流体の液膜を形成してから，ＩＰＡ液等の第二の流体を，供給位置を移動させながら基板に供給することにより，乾燥後の基板にパーティクルが発生することを効果的に防止できる。また，液膜形成後，第二の流体とともに窒素ガス等の乾燥用ガスを供給することで，第二の流体の使用量を抑え，低コストを図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下，本発明の好ましい実施の形態を，基板としてのシリコンウェハＷの表面を洗浄する基板処理装置に基づいて説明する。図１に示すように，本実施の形態にかかる基板処理装置１のチャンバー２内には，略円板形のウェハＷを略水平に保持するスピンチャック３が備えられている。また，ウェハＷに洗浄用の薬液として例えばＤＨＦ（希フッ酸）等を供給する薬液ノズルとしての，また，リンス液（処理流体）として例えば純水（ＤＩＷ）を供給するリンス液ノズル（処理流体ノズル）としてのノズル５が備えられている。このノズル５は，ノズルアーム６によって支持されている。さらに，リンス液である純水より揮発性が高い第一の流体及び第二の流体として例えばＩＰＡ（イソプロピルアルコール）液等を供給する流体ノズル１２と，乾燥用ガスとして例えば窒素（Ｎ２）ガス等の不活性ガスを供給する乾燥用ガスノズルとしての不活性ガスノズル１３とが備えられている。流体ノズル１２と不活性ガスノズル１３は，乾燥用ノズルアーム１５によって支持されている。基板処理装置１の各部の制御は，ＣＰＵを備えた制御コンピュータ１６の命令によって行われる。
【００２３】
図２に示すように，チャンバー２には，チャンバー２内の処理空間ＳにウェハＷを搬入出させるための搬入出口１７が設けられている。この搬入出口１７を閉じることにより，処理空間Ｓを密閉状態にすることが可能である。
【００２４】
図１及び図２に示すように，スピンチャック３は，上部に３個の保持部材１８を備えており，これらの保持部材１８をウェハＷの周縁３箇所にそれぞれ当接させてウェハＷを略水平に保持するようになっている。スピンチャック３の下部には，スピンチャック３を略垂直方向の回転中心軸を中心として回転させるモータ２０が取り付けられている。このモータ２０の駆動により，スピンチャック３を回転させると，ウェハＷがスピンチャック３と一体的に，ウェハＷの略中心Ｐｏを回転中心として，略水平面内で回転させられるようになっている。図示の例では，ウェハＷの上方からみた平面視において，ウェハＷは反時計方向（ＣＣＷ）に回転させられる。モータ２０の駆動は，制御コンピュータ１６によって制御される。
【００２５】
ノズルアーム６は，スピンチャック３に支持されたウェハＷの上方に備えられている。ノズルアーム６の基端部は，略水平に配置されたガイドレール３１に沿って移動自在に支持されている。また，ガイドレール３１に沿ってノズルアーム６を移動させる駆動機構３２が備えられている。駆動機構３２の駆動により，ノズルアーム６は，スピンチャック３に支持されたウェハＷの上方とウェハＷの周縁より外側（図１においては左側）との間で移動することができる。また，ノズルアーム６の移動に伴って，ノズル５がウェハＷの略中心部上方から周縁部上方に向かってウェハＷと相対的に移動するようになっている。駆動機構３２の駆動は制御コンピュータ１６によって制御される。
【００２６】
ノズル５は，ノズルアーム６の先端下面に固定された昇降機構３５の下方に突出する昇降軸３６の下端に取り付けられている。昇降軸３６は，昇降機構３５により昇降自在になっており，これにより，ノズル５が任意の高さに昇降されるようになっている。昇降機構３５の駆動は，制御コンピュータ１６によって制御される。
【００２７】
ノズル５には，薬液（ＤＨＦ）供給源４１に接続された薬液供給路４２と，リンス液（ＤＩＷ）供給源４３に接続されたリンス液供給路４４が接続されている。薬液供給路４１，リンス液供給路４４には，開閉弁４５，４６がそれぞれ介設されている。各開閉弁４５，４６の開閉動作は，制御コンピュータ１６によって制御される。
【００２８】
乾燥用ノズルアーム１５は，スピンチャック３に支持されたウェハＷの上方に備えられている。乾燥用ノズルアーム１５の基端部は，略水平に配置されたガイドレール５１に沿って移動自在に支持されている。また，ガイドレール５１に沿って乾燥用ノズルアーム１５を移動させる駆動機構５２が備えられている。駆動機構５２の駆動により，乾燥用ノズルアーム１５は，ウェハＷの上方とウェハＷの周縁より外側（図１においては右側）との間で移動することができる。また，乾燥用ノズルアーム１５の移動に伴って，流体ノズル１２及び不活性ガスノズル１３がウェハＷの略中心部上方から周縁部上方に向かってウェハＷと相対的に移動するようになっている。駆動機構５２の駆動は制御コンピュータ１６によって制御される。
【００２９】
乾燥用ノズルアーム１５の先端下面には，昇降軸５４を備えた昇降機構５５が固定されている。昇降軸５４は，昇降機構５５の下方に突出するように配置されており，この昇降軸５４の下端に，流体ノズル１２及び不活性ガスノズル１３が取り付けられている。昇降軸５４は昇降機構５５の駆動により伸縮し，これにより，流体ノズル１２及び不活性ガスノズル１３が一体的に昇降させられるようになっている。昇降機構５５の駆動は，制御コンピュータ１６によって制御される。即ち，制御コンピュータ１６の命令により，駆動機構５２の駆動を制御して乾燥用ノズルアーム１５，流体ノズル１２及び不活性ガスノズル１３を水平方向に移動させるとともに，昇降機構５５の駆動を制御して，流体ノズル１２及び不活性ガスノズル１３の高さを調節するようになっている。
【００３０】
流体ノズル１２と不活性ガスノズル１３は，ウェハＷの中心と周縁右端部とを結ぶ略半径方向に向かう直線に沿って，ウェハＷの上方において並ぶように設けられている。また，不活性ガスノズル１３は，図１において流体ノズル１２の左側に設けられている。即ち，乾燥用ノズルアーム１５の移動により，流体ノズル１２が図１において中心ＰｏからウェハＷの周縁部右側に向かう移動方向Ｄに沿って移動するとき，不活性ガスノズル１３は，移動方向Ｄにおいて流体ノズル１２の後方，即ち，平面視において，中心Ｐｏと流体ノズル１２との間に配置されながら，流体ノズル１２を追従して移動するような構成になっている。
【００３１】
流体ノズル１２には，ＩＰＡ液を貯溜するタンク等の流体供給源６６に接続された流体供給路６７が接続されている。流体供給路６７には開閉弁６８が介設されている。開閉弁６８の開閉動作は，制御コンピュータ１６によって制御される。
【００３２】
不活性ガスノズル１３には，不活性ガス（Ｎ２）供給源７１に接続された不活性ガス供給路７２が接続されている。不活性ガス供給路７２には開閉弁７３が介設されている。開閉弁７３の開閉動作は，制御コンピュータ１６によって制御される。
【００３３】
基板処理装置１の各機能要素は，基板処理装置１全体の動作を自動制御する制御コンピュータ１６に，信号ラインを介して接続されている。ここで，機能要素とは，例えば前述したモータ２０，駆動機構３２，昇降機構３５，駆動機構５２，昇降機構５５，開閉弁４５，４６，６８，７３等の，所定のプロセス条件を実現するために動作する総ての要素を意味している。制御コンピュータ１６は，典型的には，実行するソフトウェアに依存して任意の機能を実現することができる汎用コンピュータである。
【００３４】
図１に示すように，制御コンピュータ１６は，ＣＰＵ（中央演算装置）を備えた制御部１６ａと，演算部１６ａに接続された入出力部１６ｂと，入出力部１６ｂに挿着され制御ソフトウェアを格納した記録媒体１６ｃと，を有する。この記録媒体１６ｃには，制御コンピュータ１６によって実行されることにより基板処理装置１に後述する所定の基板処理方法を行わせる制御ソフトウェアが記録されている。制御コンピュータ１６は，該制御ソフトウェアを実行することにより，基板処理装置１の各機能要素を，所定のプロセスレシピにより定義された様々なプロセス条件（例えば，モータ２０の回転数等）が実現されるように制御する。なお，該制御ソフトウェアに基づいた基板処理方法には，後に詳細に説明するように，薬液処理工程，リンス処理工程，ＩＰＡ液膜形成工程，及び，乾燥工程が含まれており，これらの工程を行う制御が順次行われるようになっている。
【００３５】
記録媒体１６ｃは，制御コンピュータ１６に固定的に設けられるもの，あるいは，制御コンピュータ１６に設けられた図示しない読み取り装置に着脱自在に装着されて該読み取り装置により読み取り可能なものであっても良い。最も典型的な実施形態においては，記録媒体１６ｃは，基板処理装置１のメーカーのサービスマンによって制御ソフトウェアがインストールされたハードディスクドライブである。他の実施形態においては，記録媒体１６ｃは，制御ソフトウェアが書き込まれたＣＤ−ＲＯＭ又はＤＶＤ−ＲＯＭのような，リムーバブルディスクである。このようなリムーバブルディスクは，制御コンピュータ１６に設けられた図示しない光学的読取装置により読み取られる。また，記録媒体１６ｃは，ＲＡＭ（ｒａｎｄｏｍ  ａｃｃｅｓｓ  ｍｅｍｏｒｙ）又はＲＯＭ（ｒｅａｄ  ｏｎｌｙ  ｍｅｍｏｒｙ）のいずれの形式のものであっても良い。さらに，記録媒体１６ｃは，カセット式のＲＯＭのようなものであっても良い。要するに，コンピュータの技術分野において知られている任意のものを記録媒体１６ｃとして用いることが可能である。なお，複数の基板処理装置１が配置される工場においては，各基板処理装置１の制御コンピュータ１６を統括的に制御する管理コンピュータに，制御ソフトウェアが格納されていても良い。この場合，各基板処理装置１は，通信回線を介して管理コンピュータにより操作され，所定のプロセスを実行する。
【００３６】
次に，以上のように構成された基板処理装置１を用いたウェハＷの処理方法について説明する。先ず，図示しない搬送アームにより未だ洗浄されていないウェハＷをチャンバー２内に搬入し，図１に示すようにウェハＷをスピンチャック３に受け渡す。ウェハＷをスピンチャック３に受け渡すときは，図２において二点鎖線で示すように，ノズルアーム６及び乾燥用ノズルアーム１５をスピンチャック３の左右に位置する待機位置にそれぞれ退避させておく。
【００３７】
ウェハＷがスピンチャック３に受け渡されたら，モータ２０の駆動によりスピンチャック及びウェハＷの回転を開始させ，薬液処理工程を開始する。まず，ノズルアーム６をウェハＷの上方に移動させ（図２において一点鎖線），ノズル５をウェハＷの中心Ｐｏ上方に配置する。そして，回転するウェハＷの中心Ｐｏに向かってノズル５から薬液を供給する。中心Ｐｏに供給された薬液は，遠心力によりウェハＷの上面全体に拡散する。これにより，ウェハＷの上面に薬液の液膜が形成される。なお，薬液供給時のウェハＷの回転数は例えば約５００ｒｐｍ程度にしても良い。薬液の液膜が形成されたら，ノズル５からの薬液供給を停止させ，所定時間，薬液の液膜によってウェハＷの上面を処理する。なお，この薬液処理が行われると，ウェハＷの上面の疎水性が，薬液処理前よりも強められる。
【００３８】
薬液処理が終了したら，リンス処理工程を行う。リンス処理工程においては，ウェハＷを回転させながら，ノズル５からウェハＷの中心Ｐｏに向かって純水を供給する。中心Ｐｏに供給された純水は，遠心力によりウェハＷの上面全体に拡散させられる。ウェハＷの上面に付着していた薬液は，純水によってウェハＷから洗い流される。なお，リンス処理時のウェハＷの回転数は，薬液供給時より高くすることが好ましく，例えば約１０００ｒｐｍ程度にしても良い。ウェハＷが純水によって十分にリンス処理されたら，ノズル５からの純水の供給を停止させ，ノズルアーム６をウェハＷの上方から退避させ，待機位置に戻す。
【００３９】
かかるリンス処理工程後，ウェハＷにＩＰＡ液の液膜を形成するＩＰＡ液膜形成工程を行う。先ず，乾燥用ノズルアーム１５をウェハＷの上方に移動させ（図２において一点鎖線），流体ノズル１２をウェハＷの中心Ｐｏ上方に配置する。そして，図３に示すように，ウェハＷをスピンチャック３によって回転させながら，流体ノズル１２からウェハＷの中心Ｐｏに向かってＩＰＡ液を供給する。中心Ｐｏに供給されたＩＰＡ液は，遠心力によりウェハＷの上面全体に拡散させられ，ウェハＷの上面全体にＩＰＡ液が液膜状に塗布される。このように液膜を形成することにより，ウェハＷの上面全体において，ウェハＷ上に付着している純水にＩＰＡ液を確実に供給でき，ウェハＷ上に付着している純水がＩＰＡ液中に確実に取り込まれるようにすることができる。また，ウェハＷの上面が自然乾燥することを防止できる。なお，ＩＰＡ液膜形成工程におけるウェハＷの回転数は，リンス処理時より低くすることが好ましく，例えば約３００ｒｐｍ程度にしても良い。
【００４０】
こうして，ウェハＷの上面にＩＰＡ液の液膜を形成した後，ウェハＷにＩＰＡ液と窒素ガスを供給してウェハＷを乾燥させる乾燥工程を行う。先ず，流体ノズル１２と不活性ガスノズル１３をウェハＷの中心Ｐｏ上方近傍に配置した状態において，流体ノズル１２からのＩＰＡ液の供給，及び，不活性ガスノズル１３からの窒素ガスの供給を開始する。そして，図４に示すように，スピンチャック３によってウェハＷを回転させながら，ＩＰＡ液と窒素ガスを供給しつつ，乾燥用ノズルアーム１５を移動させる。これにより，流体ノズル１２と不活性ガスノズル１３が乾燥用ノズルアーム１５と一体的に移動方向Ｄに移動させられ，図４に示すように，ウェハの上面における流体ノズル１２からのＩＰＡ液の供給位置Ｓｆと，不活性ガスノズル１３からの窒素ガスの供給位置Ｓｎとが，移動方向Ｄに沿って，ウェハＷの中心Ｐｏから周縁までの間をスキャンするように移動させられる。このように，ウェハＷを回転させながら，ＩＰＡ液の供給位置Ｓｆと窒素ガスの供給位置Ｓｎとを少なくともウェハＷの中心Ｐｏから周縁部まで移動させることにより，ウェハＷの上面全体にＩＰＡ液と窒素ガスを供給する。
【００４１】
なお，ＩＰＡ液の供給と窒素ガスの供給は，同時に開始しても良い。例えば，乾燥用ノズルアーム１５をウェハＷの中心Ｐｏ上方より左方から右方に向かって動かすようにし，流体ノズル１２がウェハＷの中心Ｐｏ上方に移動したときにＩＰＡ液の供給を開始し，ウェハＷの中心ＰｏからＩＰＡ液の供給が開始されるようにし，移動方向に対し中心Ｐｏから後方（左方）に少しずれた位置において，窒素ガスの供給がＩＰＡ液の供給と同時に開始されるようにしても良い。また，窒素ガスの供給は，ＩＰＡ液の供給を開始した後，不活性ガスノズル１３がウェハＷの中心Ｐｏ上方に移動したときに開始し，ウェハＷの中心Ｐｏから窒素ガスの供給が開始されるようにしても良い。また，ＩＰＡ液及び窒素ガスの供給を，移動方向Ｄに対して中心Ｐｏから左方に少しずれた位置において開始し，供給位置Ｓｆ，Ｓｎが中心Ｐｏを通って右側の周縁部に向かって移動するようにしても良い。
【００４２】
回転するウェハＷの上面に供給されたＩＰＡ液は，遠心力によってウェハＷの外周側に向かって流れる。また，ＩＰＡ液の供給位置ＳｆがウェハＷの中心Ｐｏ側から周縁部側に向かって移動する間，不活性ガスノズル１３から供給された窒素ガスは，ＩＰＡ液の供給位置Ｓｆよりも常にウェハＷの中心Ｐｏ側において，供給位置Ｓｆに隣接した供給位置Ｓｎに供給される。また，窒素ガスの供給位置Ｓｎは，中心Ｐｏと供給位置Ｓｆとの間に配置されながら，供給位置Ｓｆを追従するように，中心Ｐｏ側から周縁部側に移動させられる。このように，供給位置Ｓｆに対して中心Ｐｏ側に隣接した供給位置Ｓｎに窒素ガスを供給することで，ウェハＷの上面に供給されたＩＰＡ液がすぐに窒素ガスによって押し流され，ウェハＷの乾燥が促進させられる。また，少ないＩＰＡ液で効率的にウェハＷを乾燥させることができ，ＩＰＡ液の使用量を抑えることができる。さらに，ウォーターマークの発生原因である酸素濃度も低くできるため，ウォーターマークの発生を防止できる。
【００４３】
乾燥工程におけるウェハＷの回転数は例えば約５００ｒｐｍ〜８００ｒｐｍ程度にしても良く，ＩＰＡ液の供給位置Ｓｆと窒素ガスの供給位置Ｓｎの移動方向Ｄにおける移動速度は，例えば約１５０ｍｍ／ｓｅｃ程度としても良い。また，ウェハＷに対する流体ノズル１２，不活性ガスノズル１３，供給位置Ｓｆ，Ｓｎの位置に応じて，ウェハＷの回転数を変化させても良い。例えば，供給位置Ｓｆ，ＳｎがウェハＷの中心Ｐｏ側の部分に位置しているときは回転数を高くし，供給位置Ｓｆ，ＳｎがウェハＷの周縁側の部分に位置しているときは，供給位置Ｓｆ，Ｓｎが中心Ｐｏ側に位置するときより回転数を低くしても良い。例えば，直径約３００ｍｍのウェハＷにおいて，供給位置Ｓｆ，ＳｎがウェハＷの中心Ｐｏから半径約９０ｍｍ程度の中心側の部分に位置しているときは，ウェハＷの回転数を約８００ｒｐｍとし，供給位置Ｓｆ，Ｓｎが中心Ｐｏから半径約９０ｍｍ以上の周縁側の部分に位置しているときは，ウェハＷの回転数を約５００ｍｍとしても良い。
【００４４】
また，ウェハＷに対する流体ノズル１２，不活性ガスノズル１３，供給位置Ｓｆ，Ｓｎの位置に応じて，ウェハＷの中心Ｐｏに対する流体ノズル１２，不活性ガスノズル１３，供給位置Ｓｆ，Ｓｎの移動速度を変化させても良い。例えば，供給位置Ｓｆ，ＳｎがウェハＷの中心Ｐｏ側の部分に位置しているときは，供給位置Ｓｆ，Ｓｎの移動速度を速くし，供給位置Ｓｆ，ＳｎがウェハＷの周縁側の部分に位置しているときは，供給位置Ｓｆ，Ｓｎが中心Ｐｏ側に位置するときより，供給位置Ｓｆ，Ｓｎの移動速度を遅くしても良い。例えば，口径約３００ｍｍのウェハＷにおいて，供給位置Ｓｆ，ＳｎがウェハＷの中心Ｐｏから半径約９０ｍｍ程度の部分に位置しているときは，供給位置Ｓｆ，Ｓｎの移動方向Ｄにおける移動速度を約７ｍｍ／ｓｅｃとし，中心Ｐｏから半径約９０ｍｍ以上の周縁側の部分に位置しているときは，供給位置Ｓｆ，Ｓｎの移動方向Ｄにおける移動速度を約３ｍｍ／ｓｅｃとしても良い。
【００４５】
ＩＰＡ液の供給位置ＳｆをウェハＷの周縁まで移動させたら，流体ノズル１２からのＩＰＡ液の供給を停止させる。そして，窒素ガスの供給位置ＳｎをウェハＷの周縁まで移動させたら，不活性ガスノズル１３からの窒素ガスの供給を停止させる。こうして，乾燥工程が終了する。なお，窒素ガスの供給位置ＳｎをウェハＷの周縁で一時停止させ，暫くの間，窒素ガスを周縁に供給し続けてから，供給を停止するようにしても良い。このようにすると，より確実に乾燥させることができる。
【００４６】
乾燥工程後，スピンチャック３の回転を停止させてウェハＷを静止させ，図示しない搬送アームをチャンバー２内に進入させ，ウェハＷをスピンチャック３から受け取り，チャンバー２から搬出する。こうして，基板処理装置１におけるウェハＷの一連の処理が終了する。
【００４７】
かかる基板処理方法によれば，純水供給後，ウェハＷの上面にＩＰＡ液の液膜を形成することにより，ウェハＷの上面に付着した純水を確実に置換させることができる。また，液膜で覆うことにより，ウェハＷの上面，特に上面周縁部が自然乾燥することを防止でき，ウェハＷの上面にパーティクルが発生することを防止できる。ウェハＷの上面の疎水性が強い場合であっても，パーティクルの発生を効果的に防止できる。
【００４８】
また，ＩＰＡ液の液膜形成後，供給位置Ｓｆを移動させながらＩＰＡ液をウェハＷに供給することにより，ＩＰＡ液の液膜を押し流して除去し，ウェハＷの上面をむらなく効率的に乾燥させることができる。さらに，移動方向Ｄに対してＩＰＡ液の供給位置Ｓｆより後方において，窒素ガス等の乾燥用ガスを供給することで，ウェハＷ上のＩＰＡ等の液を周縁部に向かって押し流し，ウェハＷの乾燥を促進させることができるので，ＩＰＡ液の使用量を抑えながら乾燥させることが可能である。従って，ＩＰＡ液に要するコストの低減を図ることができる。また，ＩＰＡと純水との揮発性の差から生じるパーティクルの発生を防止でき，ウェハＷの品質を向上させることができる。
【００４９】
以上，本発明の好適な実施の形態の一例を示したが，本発明はここで説明した形態に限定されない。例えば，基板は半導体ウェハに限らず，その他のＬＣＤ基板用ガラスやＣＤ基板，プリント基板，セラミック基板などであっても良い。
【００５０】
本実施の形態では，ウェハＷを薬液処理した後，リンス処理工程，ＩＰＡ液膜形成工程，乾燥工程を行う方法を説明したが，本発明はかかるものに限定されず，様々な処理に適用できる。また，薬液の種類はウェハＷの洗浄用のものに限定されない。例えば薬液処理工程は，ＨＦ（フッ化水素）などのエッチング用の薬液をウェハＷに供給してエッチング処理する工程であっても良い。また，レジスト除去処理や，エッチング残渣を除去する処理などを行う工程であっても良い。その他，例えばブラシやスポンジなどのスクラバをウェハＷに接触させてスクラブ洗浄した後，リンス処理工程，ＩＰＡ液膜形成工程，乾燥工程を行うようにしても良い。また，本実施の形態では，処理流体としてリンス液である純水を例示したが，処理流体はかかるものに限定されない。
【００５１】
本実施の形態では，薬液とリンス液が同一のノズル５から供給されるとしたが，勿論，互いに異なるノズルから供給される構成にしても良い。薬液を供給する薬液ノズルとリンス液を供給するリンス液ノズルは，互いに異なる支持アームに支持させても良い。また，リンス液を供給するノズルを，流体ノズル１２及び不活性ガスノズル１３と同一の支持アーム１５に支持させるようにしても良い。
【００５２】
本実施の形態では，ＩＰＡ液膜形成工程において，ウェハＷの中心ＰｏにＩＰＡ液を供給し，ウェハＷの回転による遠心力を利用して液膜を形成する場合を説明したが，液膜の形成方法はかかるものに限定されない。例えば，ウェハＷを回転させながら，ノズルアーム６により流体ノズル１２をウェハＷの上方で移動させ，ＩＰＡ液の供給位置が少なくともウェハＷの中心Ｐｏと周縁部との間で移動させられるようにしても良い。この場合も液膜を好適に形成することができる。また，ＩＰＡ液の供給位置は，中心Ｐｏ側から周縁部側に向かって，又は，周縁部側から中心Ｐｏ側に向かって，１方向に１回だけ移動させても良いが，中心Ｐｏと周縁部との間で１回以上往復移動させても良い。なお，ＩＰＡ液膜形成工程でのＩＰＡ液の供給位置の移動速度は，乾燥工程でのＩＰＡ液の供給位置Ｓｆの移動速度より速くすることが好ましい。そうすれば，液膜を迅速に形成させることができる。ＩＰＡ液膜形成工程でのＩＰＡ液の供給位置の移動速度は，例えば約１５０ｍｍ／ｓｅｃ程度にしても良く，そのときのウェハＷの回転数は，例えば約３００ｒｐｍ程度にしても良い。なお，ＩＰＡ液膜形成工程でのウェハＷの回転数は，乾燥工程でのウェハＷの回転数より低くすることが好ましい。そうすれば，液膜が遠心力により崩されることなく，確実に形成される。また，乾燥工程においては，回転数を高めにすることで，ウェハＷを迅速に乾燥させることができる。
【００５３】
本実施の形態では，リンス液より揮発性が高い第一の流体と第二の流体はＩＰＡ液であるとしたが，かかる第一の流体と第二の流体は，ＩＰＡ液に限定されるものではない。第一の流体や第二の流体としては，ＩＰＡ液に代えて，例えば，純水等を混合して希釈したＩＰＡを含むＩＰＡ溶液を用いても良い。この場合，ＩＰＡの使用量を低減でき，さらに低コスト化を図ることができる。また，第一の流体，第二の流体は液体状のもののほか，ミスト状（霧状），噴流，気体状のものなどであっても良い。例えば，ＩＰＡ液のミスト，ＩＰＡ溶液のミスト，ＩＰＡ蒸気，又は，ＩＰＡ溶液の蒸気（ＩＰＡ蒸気と水蒸気が混合した混合蒸気）などを第一の流体や第二の流体として使用しても良い。さらに，ＩＰＡ液のミスト，ＩＰＡ溶液のミスト，ＩＰＡ蒸気，又は，ＩＰＡ溶液の蒸気などに，窒素ガスなどの気体を混合させたものを，第一の流体や第二の流体として使用しても良い。また，例えば有機溶剤（例えばＨＦＥ（ハイドロフルオロエーテル），アセトン等），界面活性剤を含有した液体等を第一の流体，第二の流体として用いても良く，これらをミスト状（霧状），噴流，又は蒸気にしたものを用いても良い。このような第一の流体又は第二の流体を使用する場合も，窒素ガス等の乾燥用ガスを同時に供給することにより乾燥を促進できるので，第一の流体や第二の流体の使用量を低減することが可能であり，低コストを図ることができる。
【００５４】
また，第一の流体と第二の流体は同一の流体でなくても良い。例えば，第一の流体として使用されるＩＰＡ溶液中のＩＰＡの濃度と，第二の流体として使用されるＩＰＡ溶液中のＩＰＡの濃度を，互いに異なるものにしても良い。また，第一の流体と第二の流体は互いに異なる状態（相）のものでも良い。例えば第一の流体としてＩＰＡ液等の液体を使用し，第二の流体としてはＩＰＡ蒸気等の気体やＩＰＡ液等のミストを使用しても良い。
【００５５】
また，第一の流体と第二の流体は，流体ノズル１２から切り換えて供給されるようにしても良いが，互いに異なるノズルから供給されるようにしても良い。例えば，第一の流体を供給する第一の流体ノズルと，第二の流体を供給する第二の流体ノズルとを，乾燥用ノズルアーム１５に別個に取り付け，ノズルアーム６の移動により，第一の流体ノズル，第二の流体ノズル，不活性ガスノズル１３が，乾燥用ノズルアーム１５と一体的に，スピンチャック３上のウェハＷに対して相対的に移動するようにしても良い。
【００５６】
第一の流体や第二の流体を供給するためのノズルとしては，二流体ノズルを用いても良い。例えば，二流体ノズルの内部で，ＩＰＡ液又はＩＰＡ溶液などの液体と，窒素ガスなどの気体とを混合することで，ＩＰＡ液又はＩＰＡ溶液を無数の微粒子状の液滴からなる噴流にして，気体によって加速しながら液滴を噴射する構成にすれば良い。また，二流体ノズルの構造は，内部混合型のものに限定されず，例えば，液体と気体を外部で混合する外部混合型の構造であっても良い。
【００５７】
不活性ガスノズル１３は，乾燥工程時，平面視において流体ノズル１２と移動方向Ｄに沿って一列に並ぶように配置させても良いが，例えば図５に示すように，移動方向Ｄの前方からみたとき，ウェハＷの回転方向（ＣＣＷ）において流体ノズル１２よりも前方にずれた位置（即ち，ウェハＷからみた流体ノズル１２と不活性ガスノズル１３の相対的な回転方向（時計方向ＣＷ）においては，流体ノズル１２よりも後方にずれた位置）において，流体ノズル１２に対して隣接させて配置されるようにしても良い。即ち，乾燥工程時の窒素ガスの供給位置Ｓｎが，ウェハＷに対する流体ノズル１２と不活性ガスノズル１３の相対的な回転方向において，ＩＰＡ液の供給位置Ｓｆよりも後方にずれた位置において，供給位置Ｓｆに対して隣接させて配置されるようにしても良い。図５は，供給位置Ｓｆ，Ｓｎが，ウェハＷの中心Ｐｏより右側において移動方向Ｄに移動している途中の状態の一例を示している。図５に示す例では，供給位置ＳｆにおいてＩＰＡ液が供給される領域Ａｆは，略円形になっている。供給位置Ｓｎにおいて窒素ガスが供給される領域Ａｎも略円形で，領域Ａｆより中心側にある。中心ＰｏとＩＰＡ液の供給領域Ａｆの中心部とを結ぶ直線Ｌｆは，移動方向Ｄと同じ方向に向いている。一方，中心Ｐｏと窒素ガスの供給領域Ａｎの中心部とを結ぶ直線Ｌｎは，直線Ｌｆに対して，中心Ｐｏを中心としてウェハＷの回転方向（ＣＣＷ）に向かって，角度θｎ（θｎ＜９０°）だけ傾斜した方向に向いている。また，供給位置Ｓｎは，供給位置Ｓｎに近接させられている。このようにすると，ウェハＷの上面に対して，常に流体ノズル１２からＩＰＡ液が先に供給され，その後に不活性ガスノズル１３から窒素ガスが供給されるようになる。従って，ウェハＷ上のＩＰＡ液を乾燥用ガスによって迅速に押し流し，乾燥させることができる。
【００５８】
不活性ガスノズル１３の供給口の形状は，例えば図６に示すように，スリット状にしても良い。図６において，流体ノズル１２と不活性ガスノズル１３’は，移動方向Ｄに沿った方向において互いに隣接させて設けられている。流体ノズル１２の供給口１２ａは，略円形をなし，ウェハＷに対向するように下方に向けられている。供給位置Ｓｆにおいて供給口１２ａから落下したＩＰＡ液がウェハＷに直接的に供給される領域Ａｆの形状も，略円形になるようにされている。不活性ガスノズル１３’の供給口１３ａは細長いスリット状で，ウェハＷに対向するように下方に向けられている。また，供給口１３ａは，長手方向を移動方向Ｄに対して略直角な略水平方向に向けた状態で備えられている。さらに，移動方向Ｄからみたときの供給口１３ａの長手方向の幅，即ち，移動方向Ｄに対して直交する略水平方向における供給口１３ａの幅は，供給口１２ａの幅（直径）よりも大きくなっている。また，供給位置Ｓｎにおいて供給口１３ａから下方に吐出された窒素ガスがウェハＷに供給される領域Ａｎの形状も，略スリット状で，長手方向を移動方向Ｄに対して略直角に向けた状態になり，移動方向Ｄに対して直交する略水平方向における領域Ａｎの幅が，領域Ａｆの幅（直径）よりも大きくなるようにされている。即ち，移動方向Ｄに対して直交する略水平方向における供給口１３ａからの窒素ガスの吐出幅Ｂｎが，同方向における供給口１２ａからのＩＰＡ液の吐出幅Ｂｆよりも大きく広がる状態になっている。このようにすると，移動方向Ｄにおいて供給位置Ｓｆの後方に窒素ガスを十分に供給し，ＩＰＡ液を窒素ガスによってウェハＷの周縁に向かって効果的に押し流すことができる。これにより，ウェハＷを効率良く確実に乾燥させることができる。
【００５９】
乾燥工程において乾燥用ガスとして供給されるガスは，窒素には限定されず，他の不活性ガスであっても良い。また，かかる乾燥用ガスは不活性ガスには限定されず，例えば空気等であっても良い。この場合も，ウェハＷの上面に供給されたＩＰＡ液等を押し流し，ウェハＷの乾燥を促進させることができる。さらに，乾燥用ガスは，乾燥した状態のガス，即ち，湿度が通常状態より強制的に低減されたガスであっても良く，例えばドライエアー等でも良い。そうすれば，ウェハＷの表面付近の湿度を低減させることができ，ウェハＷに付着したＩＰＡ液等の液体の蒸発を促進させ，ウェハＷの乾燥をさらに効果的に促進させることができる。乾燥用ガスの湿度は，絶対湿度で例えば１ｇ／ｍ３以下程度としても良い。
【００６０】
第二の流体は，ウェハＷに常温で供給しても良いが，常温より強制的に加熱した状態で供給しても良い。そうすれば，ウェハＷに供給された第一の流体や第二の流体の蒸発が促進され，ウェハＷをさらに効率的に乾燥させることができる。第二の流体を加熱する流体温度調節部は，例えば流体供給源６６のタンクに設けたヒータ等とし，流体供給源６６において，第二の流体であるＩＰＡ液を加熱する構成としても良い。また，例えば図７に示すように，ヒータ等の流体温度調節部６７ａを流体供給路６７に介設しても良い。流体温度調節部６７ａの温調は，制御コンピュータ１６によって制御されるようにしても良い。かかる構成において，乾燥工程の際，流体供給源６６から供給されたＩＰＡ液は，温度調節部６７ａにおいて所定の高温に加熱され，流体供給路６７を介して流体ノズル１２からウェハＷに供給される。こうして加熱された状態でウェハＷに供給されることにより，ＩＰＡ液は迅速に蒸発して，ウェハＷから除去される。
【００６１】
また，乾燥用ガスは，ウェハＷに常温で供給しても良いが，常温より強制的に加熱した状態で供給しても良い。この場合も，ウェハＷに供給された第一の流体や第二の流体の蒸発が促進され，ウェハＷをさらに効率的に乾燥させることができる。例えば図７に示すように，ヒータ等の不活性ガス温度調節部（乾燥用ガス温度調節部）７２ａを不活性ガス供給路７２に介設しても良い。不活性ガス温度調節部７２ａの温調は，制御コンピュータ１６によって制御されるようにしても良い。かかる構成において，乾燥工程の際，不活性ガス供給源７１から供給された窒素ガスは，不活性ガス温度調節部７２ａにおいて所定の高温に加熱された後，不活性ガス供給路７２を介して不活性ガスノズル１３からウェハＷに供給される。こうして常温より加熱された窒素ガスを供給することで，ウェハＷ上のＩＰＡ液が加熱され，迅速に蒸発させられる。従って，ウェハＷを迅速に乾燥させることができる。
【００６２】
図８に示すように，ウェハＷの上面近傍の雰囲気を吸引する吸引口を設けても良い。図８においては，吸引口８０ａを有する吸引ノズル８０が，乾燥用ノズルアーム１５に取り付けられており，乾燥用ノズルアーム１５の移動により，流体ノズル１２及び乾燥用ノズルアーム１５と一体的にウェハＷに対して移動させられるようになっている。また，吸引ノズル８０は，移動方向Ｄに対して流体ノズル１２の前方に，かつ流体ノズル１２の近傍に設けられており，吸引口８０ａが移動方向Ｄに対して供給位置Ｓｆの前方（供給位置ＳｆよりウェハＷの周縁部側）において，かつ流体ノズル１２の近傍において移動するようになっている。即ち，移動方向Ｄにおいて，供給位置Ｓｆが吸引口８０ａを追従するように移動するようになっている。なお，吸引ノズル８０には，図示しないポンプなどの吸引器が接続されており，かかる吸引器の作動が制御コンピュータ１６によって制御されることにより，吸引ノズル８０による吸引動作が制御される。
【００６３】
かかる構成においては，乾燥工程にて流体ノズル１２を移動方向Ｄに移動させながらＩＰＡ液を供給する際，吸引ノズル８０による吸引を行えば，供給位置Ｓｆの近傍の雰囲気中の水分を吸引することにより，ウェハＷ上の供給位置Ｓｆに供給されるＩＰＡ液に処理空間Ｓ中の水分が溶け込むことを防止できる。これにより，ウェハＷを好適に乾燥させることができる。特に，移動方向ＤにおいてＩＰＡ液の供給位置Ｓｆよりも前方において吸引を行うことにより，供給位置Ｓｆに供給されたＩＰＡ液に処理空間Ｓ中の水分が溶け込むことを効果的に防止できる。
【００６４】
吸引ノズル８０は，乾燥工程時，平面視において流体ノズル１２，不活性ガスノズル１３と移動方向Ｄに沿って一列に並ぶように配置させるようにしても良いが，例えば図９に示すように，移動方向Ｄの前方からみたとき，ウェハＷの回転方向において流体ノズル１２よりも前方にずれた位置（即ち，ウェハＷからみた流体ノズル１２と吸引ノズル８０の相対的な回転方向（時計方向ＣＷ）においては，流体ノズル１２よりも後方にずれた位置）において，流体ノズル１２に隣接させて配置されるようにしても良い。即ち，乾燥工程時の吸引口８０ａの供給位置Ｓｎが，ウェハＷに対する流体ノズル１２と吸引ノズル８０の相対的な回転方向において，ＩＰＡ液の供給位置Ｓｆよりも後方にずれた位置において，供給位置Ｓｆに対して隣接させて配置されるようにしても良い。図９は，吸引口８０ａ，供給位置Ｓｆ，Ｓｎが，ウェハＷの中心Ｐｏより右側において移動方向Ｄに移動している途中の状態の一例を示している。図９に示す例では，供給位置ＳｆにおいてＩＰＡ液が供給される領域Ａｆは略円形で，中心Ｐｏと領域Ａｆの中心部とを結ぶ直線Ｌｆは，移動方向Ｄと同じ方向に向いている。一方，吸引口８０ａは領域Ａｆより周縁部側に配置され，平面視において，中心Ｐｏと吸引口８０ａの中央部とを結ぶ半径方向の直線Ｌａは，直線Ｌｆに対して，中心Ｐｏを中心としてウェハＷの回転方向（ＣＣＷ）に向かって，角度θａ（θａ＜９０°）だけ傾斜した方向に向いている。このようにすると，流体ノズル１２からウェハＷの上面に供給されたＩＰＡ液の上方の雰囲気を，すぐに吸引口８０ａによって吸引できる。従って，ウェハＷに供給されたＩＰＡ液に処理空間Ｓ中の水分が溶け込むことを，効果的に防止できる。
【００６５】
本実施の形態では，流体ノズル１２と不活性ガスノズル１３を一本の乾燥用ノズルアーム１５によって支持し，乾燥用ノズルアーム１５と一体的に流体ノズル１２と不活性ガスノズル１３を移動させる構成としたが，流体ノズル１２と不活性ガスノズル１３をそれぞれ異なる支持アームによって支持するようにしても良い。また，本実施の形態では，第二の流体をウェハＷに供給する間，流体ノズル１２と不活性ガスノズル１３をウェハＷに対して同じ移動方向Ｄに移動させるようにしたが，流体ノズル１２と不活性ガスノズル１３は互いに異なる方向に移動させても良い。例えば，流体ノズル１２を支持する支持アームと不活性ガスノズル１３を支持する支持アームを個別に設け，乾燥処理時，制御コンピュータ１６の制御により，各支持アームをそれぞれ中心Ｐｏからそれぞれ左側と右側に向かって互いに離れるように移動させるようにする。即ち，図１０に例示するように，流体ノズル１２はウェハＷの中心Ｐｏから左側に向かう移動方向Ｄｆに移動させ，不活性ガスノズル１３はウェハＷの中心Ｐoから右側に向かう移動方向Ｄｎに移動させるようにする。そして，ＩＰＡ液の供給位置ＳｆをウェハＷの周縁部左側に向かって移動させる間，窒素ガスの供給位置Ｓｎを，ＩＰＡ液の供給位置ＳｆよりもウェハＷの中心Ｐo側に常に配置するように制御すれば良い。即ち，ＩＰＡ液の供給位置Ｓｆと中心Ｐｏとの間の距離より，窒素ガスの供給位置Ｓｎと中心Ｐｏとの間の距離が短くなるように制御すれば良い。この場合も，供給位置ＳｆにおいてウェハＷの上面に供給されたＩＰＡ液が，窒素ガスの供給位置Ｓｎ側に回転移動したとき，中心Ｐｏ側から供給される窒素ガスによって，ウェハＷの外周側に吹き飛ばされながら乾燥させられる。従って，ウェハＷを効率的に乾燥させることができる。また，前述した第一の流体ノズル，第二の流体ノズル，吸引ノズル８０などを設ける場合も，第一の流体ノズル，第二の流体ノズル，不活性ガスノズル１３，吸引ノズル８０のいずれか又は総てが，それぞれ異なる支持アームによって支持されるようにしても良く，また，互いに異なる方向に個別に移動できるようにしても良い。
【００６６】
また，チャンバー２内の処理空間Ｓ，即ちウェハＷの周囲の雰囲気における湿度を調節する湿度調節機構を備えても良い。例えば図１１に示すように，密閉構造のチャンバー２の天井部に湿度調節器８５を設置しても良い。そして，ＩＰＡ液膜形成工程及び／又は乾燥工程を行う際に，チャンバー２内の湿度を減少させ，薬液処理工程やリンス処理工程時より低下させるようにしても良い。この場合，ウェハＷ上に供給されたＩＰＡ液に処理空間中の水分が溶け込むことを防止でき，乾燥後のウェハＷにパーティクルが発生することを防止できる。また，乾燥工程時には，ウェハＷの乾燥を促進させることができる。
【００６７】
また，湿度調節機構は，例えばチャンバー２の上部から湿度が調節されたガス（例えば窒素ガスなどの不活性ガス，又は，空気など）を供給するガス供給口と，チャンバー２の下部に設けた排気口とを備えた構成としても良い。即ち，ガス供給口からチャンバー２の処理空間Ｓに乾燥したガスを供給しながら，排気口によってチャンバー２内を排気することにより，処理空間Ｓ内の水分を排出させ，処理空間Ｓの湿度を低下させる構成としても良い。
【００６８】
湿度調節器８５は，例えば図１２に示すように，処理空間Ｓに湿度調節用の不活性ガスを供給するガス供給チャンバー９１と，不活性ガスの湿度を調整する湿度調整部９２とを備えた構成としても良い。図１２において，ガス供給チャンバー９１は，チャンバー２の天井部に設けられている。ガス供給チャンバー９１の内部空間と処理空間Ｓとの間には，整流板９３が略水平に設けられている。整流板９３には複数のガス供給口９４が，整流板９３全体に均一に分布するように設けられている。ガス供給チャンバー９１にはガス導入路９５が接続されており，湿度調整部９２は，ガス導入路９５を介してガス供給チャンバー９１に接続されている。湿度調整部９２は，制御コンピュータ１６の制御命令によって制御され，不活性ガス中の水分含有量を任意の値に調整することができる。湿度調節用の不活性ガスは，不活性ガス供給源９６から湿度調整部９２に導入され，湿度調整部９２において湿度が調整された後，ガス導入路９５を通ってガス供給チャンバー９１内に導入される。そして，ガス供給口９４を通って整流されながら，スピンチャック３に保持されたウェハＷの上方から処理空間Ｓ内に供給され，チャンバー２の下部に設けられた排気口９８によって処理空間Ｓから排気される。処理空間Ｓ内には，湿度が調節された不活性ガスのダウンフローが形成される。即ち，この実施形態において，湿度調節機構１００は，湿度調節器８５及び排気口９８によって構成されている。かかる構成により，処理空間Ｓの湿度を好適に制御できる。なお，湿度調節器８５から処理空間Ｓに供給される湿度調節用のガスは，不活性ガスには限定されず，他の気体，例えば空気等であっても良い。湿度調節用のガスを空気にする場合は，例えば上記不活性ガス供給源９６を空気供給源に置き換えた構成にすれば良い。即ち，湿度調節用の空気を空気供給源から湿度調整部９２に導入し，湿度調整部９２において空気の湿度を調整した後，ガス導入路９５からガス供給チャンバー９１内に空気を導入し，ガス供給口９４から処理空間Ｓ内に供給し，排気口９８によって処理空間Ｓから排気する構成とし，処理空間Ｓ内に湿度が調節された空気のダウンフローが形成されるようにすれば良い。このように空気を用いた場合も，処理空間Ｓの湿度を好適に制御できる。
【００６９】
なお，通常，基板処理装置１等が設置されるクリーンルーム内の温度は常温（約２３℃程度）であり，相対湿度は約４０％〜４５％程度になっているが，ＩＰＡ液膜形成工程及び／又は乾燥工程における処理空間Ｓ中の湿度は，かかるクリーンルーム内の相対湿度より低減させるようにしても良い。そうすれば，ウェハＷの乾燥性能をさらに向上させることができる。この場合，処理空間Ｓ中の湿度は，例えば約２５％以下程度（約２３℃における相対湿度）にしても良い。また，処理空間Ｓ中の絶対湿度が例えば約５ｇ／ｍ３以下になるようにしても良い。
【００７０】
処理空間Ｓの湿度の調節は，少なくとも液膜形成工程の間，あるいは，少なくとも乾燥工程の間だけ行っても良いが，かかる形態には限定されない。即ち，ＩＰＡ液膜形成工程や乾燥工程以外のその他の工程，例えば，薬液処理工程の間，リンス処理工程の間などでも，処理空間Ｓの湿度の調節を行うようにしても良い。また，処理空間Ｓの湿度を常に調節するようにしても良い。
【産業上の利用可能性】
【００７１】
本発明は，基板処理方法及び基板処理装置に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】本実施形態にかかる基板処理装置の概略縦断面図である。
【図２】基板処理装置内の概略平面図である。
【図３】ＩＰＡ液膜形成工程における第二の流体ノズルの配置を説明する説明図である。
【図４】乾燥工程における第二の流体ノズルと不活性ガスノズルの動作を説明する説明図である。
【図５】別の実施形態にかかる第二の流体ノズルと不活性ガスノズルの配置を説明する説明図である。
【図６】不活性ガスノズルの供給口をスリット状にした実施形態にかかる説明図である。
【図７】ＩＰＡ液を温調する温度調節部，及び，不活性ガスを温調する温度調節部を備えた実施形態にかかる説明図である。
【図８】吸引口を備えた実施形態にかかる説明図である。
【図９】吸引口をＩＰＡ液の供給位置よりウェハの回転方向において後方に備えた状態を説明する説明図である。
【図１０】別の実施形態にかかる，乾燥工程における第二の流体ノズルと乾燥用ガスノズルの動作を説明する説明図である。
【図１１】湿度調節機構を備えた実施形態にかかる説明図である。
【図１２】他の実施形態にかかる湿度調節機構を説明する説明図である。
【符号の説明】
【００７３】
Ｄ      移動方向
Ｐｏ    ウェハの中心
Ｓｆ    ＩＰＡ液の供給位置
Ｓｎ    窒素ガスの供給位置
Ｗ      ウェハ
１      基板処理装置
３      スピンチャック
５      ノズル
１２    流体ノズル
１３    不活性ガスノズル
１６    制御コンピュータ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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