(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロ波を用いて生成したプラズマによって試料に処理を行うマイクロ波プラズマ処理装置において、前記マイクロ波を発振するマイクロ波発振器と、該マイクロ波発振器にて発振されたマイクロ波を伝播させ上部がカバー部材により覆われる略円形板状の誘電体部材と、該誘電体部材の中央にその厚さ方向に貫通し上部が前記カバー部材に覆われる態様で設けられた導体部材と、前記誘電体部材の一主面に対向して配設されており、前記試料を載置する試料台を内部に有する反応容器とを備えることを特徴とするマイクロ波プラズマ処理装置。
【請求項２】
マイクロ波を用いて生成したプラズマによって試料に処理を行うマイクロ波プラズマ処理装置において、前記マイクロ波を発振するマイクロ波発振器と、該マイクロ波発振器にて発振されたマイクロ波を伝播させる導波管と、該導波管がその外周部の一部に接続されており、その接続部分を除く外周部及び上部が導体板で覆われている略円形板状の誘電体部材と、該誘電体部材の中央にその厚さ方向に貫通し上部が前記導体板に覆われる態様で設けられた導体部材と、前記誘電体部材の下表面に対向して配設されており、前記試料を載置する試料台と、該試料台を内部に有する反応容器と、前記誘電体部材と前記試料台との間に設けられており、前記反応容器を真空に封止する誘電体からなる封止板とを備えることを特徴とするマイクロ波プラズマ処理装置。
【請求項３】
前記導体部材の直径ｄは、以下の条件（Ａ）を満たす請求項１または２記載のマイクロ波プラズマ処理装置。
１０≦ｄ＜Ｄ−１．３λg（単位：ｍｍ）…（Ａ）
但し、Ｄ：前記誘電体部材の直径
λg：マイクロ波の管内波長
【請求項４】
前記試料台の中心は前記導体部材の中心の鉛直下方に存在する
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一つに記載のマイクロ波プラズマ処理装置。
【請求項５】
前記導体部材の前記試料台に対向する下表面と前記誘電体部材の前記試料台に対向する下表面とが同一平面上に存在する
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一つに記載のマイクロ波プラズマ処理装置。
【請求項６】
マイクロ波を発振するマイクロ波発振器と、該マイクロ波発振器にて発振されたマイクロ波を伝播させ上部がカバー部材により覆われる略円形板状の誘電体部材と、該誘電体部材の中央にその厚さ方向に貫通し上部が前記カバー部材に覆われる態様で設けられた導体部材と、前記誘電体部材の一主面に対向して配設されており、前記試料を載置する試料台を内部に有する反応容器と、前記誘電体部材と前記試料台との間に設けられており、前記反応容器を真空に封止する誘電体からなる封止板とを備えるマイクロ波プラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法において、
前記マイクロ波発振器によりマイクロ波を発振させるステップと、
該発振させたマイクロ波を前記誘電体部材に導入するステップと、
該誘電体部材に定在波を形成させることによって所定分布の漏れ電界を発生させるステップと、
該発生した漏れ電界を、前記封止板を透過させて前記反応容器内へ導入し、該反応容器内にプラズマを生成するステップと
を備えることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項７】
前記導体部材の直径ｄは、以下の条件（Ａ）を満たす請求項６に記載のプラズマ処理方法。
１０≦ｄ＜Ｄ−１．３λg（単位：ｍｍ）…（Ａ）
但し、Ｄ：前記誘電体部材の直径
λg：マイクロ波の管内波長
【請求項８】
導体部材の直径が相互に相違する複数の誘電体部材の中から、一の誘電体部材を選択し、中央部のイオン電流密度を平坦化させるステップ
をさらに備えることを特徴とする請求項７に記載のプラズマ処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、マイクロ波を用いて生成したプラズマによって、半導体基板，液晶ディスプレイ用ガラス基板等の試料にエッチング，アッシング等の処理を施すマイクロ波プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
反応ガスに外部からエネルギを与えて生じるプラズマは、ＬＳＩ，ＬＣＤ等の製造プロセスにおいて広く用いられており、特に、ドライエッチングプロセスにおいて、プラズマの利用は不可欠の基本技術となっている。一般にプラズマを生成させる励起手法には、２．４５ＧＨｚのマイクロ波を用いる場合と、１３．５６ＭＨｚのＲＦ（Radio Frequency)を用いる場合とがある。前者は後者に比べて高密度のプラズマが得られると共に、プラズマ発生のために電極を必要とせず、従って電極からのコンタミネーションを防止できるという利点がある。
【０００３】
マイクロ波プラズマ処理装置の基本構成にあっては、マイクロ波発振器にて発振したマイクロ波を導波管を介して略円形板状の誘電体部材に伝播させ、その誘電体部材の表面に生じる表面波からマイクロ波を、処理対象の試料を載置する試料台を内部に有し、封止板にて真空に封止されている反応容器へ導入することにより、反応容器内でプラズマを生成させて試料に処理を施すようにしている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
このようなマイクロ波プラズマ処理装置にあっては、特にプラズマ生成領域の面積を広くした場合に、密度が均一になるようにプラズマを生成させることが難しく、プラズマ処理の均一性を向上させることが困難であるという問題がある。
【０００５】
そこで、本願出願人は、密度が均一になるようにプラズマを生成させることができて、プラズマ処理の均一性を向上させ得るマイクロ波プラズマ処理装置を提案している（特開平１１−３２９７８９号公報）。この提案では、マイクロ波が略円形板状の誘電体部材を伝播して生じる定在波による電界の強度が相対的に強い複数の領域が、その誘電体部材の中心と略同心円上であって、その誘電体部材の直径上の軸に対して略軸対称に分布するように、誘電体部材の直径を設定することを開示している。
【０００６】
しかしながら、このマイクロ波プラズマ処理装置にあっては、誘電体部材の直径も含めた反応ガス圧，反応ガス種，マイクロ波パワー等の諸条件を最適にした場合には確かに密度が均一なプラズマを生成できるが、それらの条件が変わったときには均一な密度でプラズマを生成できないことになるという課題が残っており、改善の余地がある。
【０００７】
本発明は斯かる事情に鑑みてなされたものであり、マイクロ波が伝播される略円形板状の誘電体部材の中央に導体部材を設けておくことにより、広い範囲の条件において、均一なプラズマを生成できて、プラズマ処理の均一性を向上させることができるマイクロ波プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供することを目的とする。
【０００８】
本発明の他の目的は、プラズマの着火性を向上できるマイクロ波プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明に係るマイクロ波プラズマ処理装置は、マイクロ波を用いて生成したプラズマによって試料に処理を行うマイクロ波プラズマ処理装置において、前記マイクロ波を発振するマイクロ波発振器と、該マイクロ波発振器にて発振されたマイクロ波を伝播させ上部がカバー部材により覆われる略円形板状の誘電体部材と、該誘電体部材の中央にその厚さ方向に貫通し上部が前記カバー部材に覆われる態様で設けられた導体部材と、前記誘電体部材の一主面に対向して配設されており、前記試料を載置する試料台を内部に有する反応容器とを備えることを特徴とする。
【００１０】
本発明に係るマイクロ波プラズマ処理装置は、マイクロ波を用いて生成したプラズマによって試料に処理を行うマイクロ波プラズマ処理装置において、前記マイクロ波を発振するマイクロ波発振器と、該マイクロ波発振器にて発振されたマイクロ波を伝播させる導波管と、該導波管がその外周部の一部に接続されており、その接続部分を除く外周部及び上部が導体板で覆われている略円形板状の誘電体部材と、該誘電体部材の中央にその厚さ方向に貫通し上部が前記導体板に覆われる態様で設けられた導体部材と、前記誘電体部材の下表面に対向して配設されており、前記試料を載置する試料台と、該試料台を内部に有する反応容器と、前記誘電体部材と前記試料台との間に設けられており、前記反応容器を真空に封止する誘電体からなる封止板とを備えることを特徴とする。
【００１１】
本発明のマイクロ波プラズマ処理装置にあっては、マイクロ波が伝播される略円形板状の誘電体部材の中央に導体部材が設けられているため、マイクロ波が誘電体部材を伝播して生じる定在波による電界強度が相対的に強い複数の領域が均一に分布し、これに応じて反応容器内で生成されるプラズマの密度が均一となり、試料に対するプラズマ処理の均一性は向上する。また、導体部材の設置により、誘電体部材の中央付近の電界密度が高くなり、プラズマの着火安定性は向上する。
【００１２】
本発明に係るマイクロ波プラズマ処理装置は、前記導体部材の直径ｄは、以下の条件（Ａ）を満たすことを特徴とする。
１０≦ｄ＜Ｄ−１．３λg（単位：ｍｍ）…（Ａ）
但し、Ｄ：前記誘電体部材の直径
λg：マイクロ波の管内波長
本発明に係るマイクロ波プラズマ処理装置は、前記試料台の中心は前記導体部材の中心の鉛直下方に存在することを特徴とする。
本発明に係るマイクロ波プラズマ処理装置は、前記導体部材の前記試料台に対向する下表面と前記誘電体部材の前記試料台に対向する下表面とが同一平面上に存在することを特徴とする。
本発明に係るプラズマ処理方法は、マイクロ波を発振するマイクロ波発振器と、該マイクロ波発振器にて発振されたマイクロ波を伝播させ上部がカバー部材により覆われる略円形板状の誘電体部材と、該誘電体部材の中央にその厚さ方向に貫通し上部が前記カバー部材に覆われる態様で設けられた導体部材と、前記誘電体部材の一主面に対向して配設されており、前記試料を載置する試料台を内部に有する反応容器と、前記誘電体部材と前記試料台との間に設けられており、前記反応容器を真空に封止する誘電体からなる封止板とを備えるマイクロ波プラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法において、前記マイクロ波発振器によりマイクロ波を発振させるステップと、該発振させたマイクロ波を前記誘電体部材に導入するステップと、該誘電体部材に定在波を形成させることによって所定分布の漏れ電界を発生させるステップと、該発生した漏れ電界を、前記封止板を透過させて前記反応容器内へ導入し、該反応容器内にプラズマを生成するステップとを備えることを特徴とする。
本発明に係るプラズマ処理方法は、前記導体部材の直径ｄは、以下の条件（Ａ）を満たすことを特徴とする。
１０≦ｄ＜Ｄ−１．３λg（単位：ｍｍ）…（Ａ）
但し、Ｄ：前記誘電体部材の直径
λg：マイクロ波の管内波長
本発明に係るプラズマ処理方法は、導体部材の直径が相互に相違する複数の誘電体部材の中から、一の誘電体部材を選択し、中央部のイオン電流密度を平坦化させるステップをさらに備えることを特徴とする。
【００１３】
導体部材の直径を１０ｍｍより小さくした場合には、電界密度の集中が少なくなり、プラズマの着火安定性はあまり向上しない。一方、導体部材の直径を誘電体部材の直径からマイクロ波の管内波長の１．３倍を引いたもの以上とした場合には、電界強度が相対的に強い領域が一方向にしか生じないので、導波管付近の電界密度が高くなって、プラズマの均一性が悪化する。よって、導体部材の直径を上記（Ａ）の条件を満たすようにして、導体部材の設置に伴う効果を確実なものにする。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明をその実施の形態を示す図面に基づいて具体的に説明する。
図１は本発明に係るマイクロ波プラズマ処理装置の構造を示す側断面図、図２は後述する誘電体部材１１及び導体部材１２の平面図である。
【００１５】
図１において、有底円筒状の反応容器１は、その全体がアルミニウムで形成されている。反応容器１の上部にはマイクロ波導入窓が開設してあり、マイクロ波導入窓は封止板４で気密状態に封止されている。この封止板４は、耐熱性及びマイクロ波透過性を有すると共に誘電損失が小さい、石英ガラスまたはアルミナ等の誘電体で形成されている。
【００１６】
反応容器１には、反応容器１の上部を覆う箱状の導電性のカバー部材１０が連結してある。このカバー部材１０内の天井部分には誘電体部材１１が取り付けてあり、誘電体部材１１と封止板４との間にはエアギャップ９が形成されている。誘電体部材１１は、テフロン（登録商標）といったポリフッ化エチレン樹脂，ポリエチレン樹脂またはポリスチレン樹脂等の誘電体を、所定直径の円板状の本体１１ａの周面に略矩形の入射ポート部１１ｂを設けた形状に成形してなり、入射ポート部１１ｂをカバー部材１０の周面に連結した断面矩形の導波管２１に内嵌させてある。誘電体部材１１の中心部には、その厚さ方向に貫通する態様でアルミニウム製の導体部材１２が設けられている。この導体部材１２の直径（ｄ）は、誘電体部材１１の直径（Ｄ）を５１０ｍｍとした場合に、１０ｍｍ以上３６５ｍｍ未満である。
【００１７】
導波管２１にはマイクロ波発振器２０が連結してあり、マイクロ波発振器２０が発振したマイクロ波は、導波管２１によって誘電体部材１１の入射ポート部１１ｂに入射される。このマイクロ波は、誘電体部材１１の形状及び寸法等によって定まる伝搬モードにより本体１１ａの全領域に伝搬し、所定分布の電界が形成される。
【００１８】
反応容器１には処理室２の周囲壁を貫通する複数の貫通穴が開設してあり、貫通穴に嵌合させたガス導入管５から処理室２内に所要の反応ガスが導入される。処理室２の底部壁中央には、試料Ｗを載置する試料台３が設けてあり、試料台３にはマッチングボックス６を介して高周波電源７が接続されている。また、反応容器１の底部壁には排気口８が開設してあり、排気口８から処理室２の内気を排出するようになしてある。
【００１９】
このようなマイクロ波プラズマ処理装置を用いて試料Ｗの表面にエッチング処理を施すには、排気口８から排気して処理室２内を所望の圧力まで減圧した後、ガス導入管５から処理室２内に反応ガスを供給する。次いで、マイクロ波発振器２０から２．４５ＧＨｚのマイクロ波を発振させ、これを導波管２１を介して誘電体部材１１に導入し、そこに定在波を形成させることによって所定分布の漏れ電界を発生させる。この漏れ電界がエアギャップ９及び封止板４を透過して処理室２内へ導入され、これにより、処理室２内にプラズマが生成され、そのプラズマによって試料Ｗの表面をエッチングする。その後、封止板４表面とプラズマとの間（プラズマシース）には表面波が形成されるので、プラズマは安定する。
【００２０】
次に、誘電体部材１１の中央部に導体部材１２を設けた本発明例と、誘電体部材にそのような導体部材を設けない従来例とにおけるイオン電流分布の測定実験の結果について説明する。
【００２１】
図３は本発明例（直径５１０ｍｍの誘電体部材１１の中央部に直径１０ｍｍの導体部材１２を設置）における測定結果を示し、図４は従来例における測定結果を示している。何れの例においても、処理室内に供給する反応ガスをＣ4 Ｆ8 （流量３０ＳＣＣＭ）／Ｏ2 （流量２０ＳＣＣＭ）／Ａｒ（流量１０００ＳＣＣＭ）として、内部の圧力を４０ｍＴｏｒｒとした。また、マイクロ波発振器の出力を２ｋＷ，３ｋＷ，４ｋＷの３段階とした夫々の場合について、測定を行った。
【００２２】
図３，図４において、横軸は誘電体部材の中心からＸ方向またはＹ方向の変位量（ｍｍ）を表し、縦軸はイオン電流密度（任意単位）を表している。また、図３，図４において、●，○は２ｋＷの場合のＸ方向，Ｙ方向のイオン電流分布を示し、★，☆は３ｋＷの場合のＸ方向，Ｙ方向のイオン電流分布を示し、◆，◇は４ｋＷの場合のＸ方向，Ｙ方向のイオン電流分布を示している。測定は封止板より６０ｍｍ下方に離れた位置で行った。
【００２３】
図３，図４を比較することにより、本発明例では従来例より、中央付近での電流密度が高くなり、中央付近の広い範囲において電流密度の分布が均一であることが分かる。
【００２４】
次に、誘電体部材１１の中央部に導体部材１２を設けた本発明例と、誘電体部材にそのような導体部材を設けない従来例とにおけるプラズマの発光強度の観察結果について説明する。
【００２５】
反応室内に設けた石英上に、本発明例（直径５１０ｍｍの誘電体部材１１の中央部に直径１０ｍｍの導体部材１２を設置），従来例を夫々載置し、マイクロ波を導入して、処理室内でプラズマを生成させて、石英表面上でのプラズマの発光状態をＣＣＤカメラにて撮影した。この際のプラズマ生成における反応ガスの条件は上述したイオン電流分布の測定実験の場合と同様であり、マイクロ波発振器の出力は２ｋＷとした。
【００２６】
このようにして得られた観察結果を、図５に模式的に示す。図５（ａ）は本発明例での観察結果を示し、図５（ｂ）は従来例での観察結果を示している。図５において、黒い点が発光点を表している。図５（ａ），（ｂ）を比較することにより、本発明例では従来例より、プラズマの発光状態が均一化していることが分かる。このプラズマの発光強度はプラズマ密度に相関するので、本発明例では、均一なプラズマ密度が得られていることが分かる。
【００２７】
また、本発明例（直径５１０ｍｍの誘電体部材１１の中央部に直径１０ｍｍの導体部材１２を設置）と、従来例（導体部材１２を設けない）とについて、プラズマの着火性を調べた。従来例では着火に３ｋＷ以上のマイクロ波発振器出力を必要としたが、本発明例では、中央部での電界密度が高いため、１．２ｋＷでのマイクロ波発振器出力にて着火が可能であった。
【００２８】
次に、本発明において誘電体部材１１の中央部に設ける導体部材１２の直径について考察する。導体部材１２の直径ｄ（ｍｍ）を、以下の条件（１）を満たすようにする。但し、Ｄは誘電体部材１１の直径（ｍｍ）、λg は管内波長（導波管２１内でのマイクロ波の波長）（ｍｍ）である。
１０≦ｄ＜Ｄ−１．３λg   …（１）
【００２９】
導体部材１２の直径ｄが１０ｍｍより小さい場合には、中央部への電界密度の集中が少なく、プラズマの着火安定性が悪く、プラズマ密度の均一化も実現できない。よって、その直径ｄの値は１０ｍｍ以上にすることが必要である。
【００３０】
ところで、ドーナツ型の誘電体において、内周径と外周径との差が１．３λg 以下である場合には、その隙間に腹が１個しか存在しない定在波モードが形成される。内周と外周との隙間に定在波の腹が１個しか存在しない場合、誘電体の導波管接続部近傍での電界強度が大きくなりすぎて、誘電体での電界強度分布が不均一になる。よって、その隙間に１個より大きい数の腹が形成されるように、内周と外周との隙間を１．３λg より大きく取る必要があることがシミュレーションにより見出された。本発明の場合、その隙間はＤ−ｄで表されるので、Ｄ−ｄ＞１．３λg 、変形してｄ＜Ｄ−１．３λg を満たす必要がある。
【００３１】
次に、本発明における導体部材１２の直径ｄの具体的な数値例について説明する。管内波長λg は、下記（２）によって求められる。また、（２）におけるλc は下記（３）で示される。
【００３２】
【数１】
0004514291.tif 000002
【００３３】
但し、λ：真空自由空間内の波長（１２２ｍｍ（＝光速÷マイクロ波の周波数））
ε：誘電体部材１１の比誘電率
ａ：導波管２１断面の長辺の長さ
ｂ：導波管２１断面の短辺の長さ
ｍ：長辺方向のモード数
ｎ：短辺方向のモード数
【００３４】
ここで、テフロン（ε＝２）で満たされたａ＝９６ｍｍ，ｂ＝２７ｍｍの導波管２１にて、ＴＥ10モード（ｍ＝１，ｎ＝０）のマイクロ波を伝播した場合、上記（２）よりλc ＝１９２ｍｍとなり、管内波長λg は、具体的に下記（４）のように１１２ｍｍとなる。
【００３５】
【数２】
0004514291.tif 000003
【００３６】
よって、１．３λg ＝１．３×１１２＝１４５．６（ｍｍ）であり、誘電体部材１１の直径Ｄ＝５１０ｍｍとした場合、ｄの上限は５１０−１４５．６＝３６４．４（ｍｍ）となる。従って、導体部材１２の直径が３６５ｍｍ以上である場合には、誘電体部材１１の電界分布が不均一になる。この場合の導体部材１２の直径ｄの具体的な条件は、下記（５）となる。
１０≦ｄ＜３６５  …（５）
【００３７】
次に、導体部材１２の直径ｄを変化させて、封止板下面における電界をシミュレーションした結果について説明する。その結果を図６〜図１０に示す。図６〜図１０は、テフロンを成形してなる誘電体部材１１に２．４５ＧＨｚ（真空自由空間内の波長：１２２ｍｍ）のマイクロ波を導入し、マイクロ波の伝播によって形成される電界の強度をシミュレーションによって求め、同じ電界強度の地点を線で結んだものを示す。図６はｄ＝０ｍｍの場合（従来例）を示し、図７，図８，図９，図１０は夫々、ｄ＝３０ｍｍ，ｄ＝１００ｍｍ，ｄ＝２００ｍ，ｄ＝３７０ｍｍとした場合を示す。
【００３８】
導体部材１２を設けない従来例の場合（図６）には、マイクロ波の進行方向（導波管２１との接続部分とその反対側とを結ぶ方向）にのみ電界が強い領域が存在しており、電界が強い領域が直線状に分布しているため、電界分布は均一化していない。これに対して、導体部材１２を設けた本発明例の場合（図７，図８，図９）には、複数の径方向について電界が強い領域が存在しており、電界が強い領域が直径上の軸に対して略軸対称に分布しているため、電界分布は均一化している。但し、導体部材１２の直径ｄ＝３７０ｍｍの場合（図１０）には、従来例と同様に、マイクロ波の進行方向にのみ電界が強い領域が存在しており、電界分布は均一化していない。このようなシミュレーションの結果は、上記（５）の条件と合致している。
【００３９】
よって、上記（１），（５）の条件を満たすような導体部材１２を設けることにより、誘電体部材１１の複数の径方向について電界が強い領域が存在し、それらが直径上の軸に対して略軸対称に分布するので、これらの強電界領域に対応する部分に夫々プラズマが生成され、それらが拡散して均一なプラズマが得られる。
【００４０】
以上詳述した如く、本発明に係るマイクロ波プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法では、誘電体部材の中央部にその厚さ方向に貫通する態様で導体部材を設けるようにしたので、誘電体部材を伝播するマイクロ波の定在波による電界の強度が相対的に強い複数の領域が、複数の径方向について存在し、それらが直径上の軸に対して略軸対称に分布するため、これに応じて生成されるプラズマの密度を均一化でき、均一な密度になったプラズマによって試料を処理でき、プラズマ処理の均一性を向上することが可能である。
【００４１】
また、設置する導体部材の直径を上記（Ａ）の条件を満たすようにしたので、誘電体部材において軸対称で均一な電界分布を常に得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るマイクロ波プラズマ処理装置の構造を示す側断面図である。
【図２】本発明のマイクロ波プラズマ処理装置における誘電体部材及び導体部材の平面図である。
【図３】本発明例におけるイオン電流分布の測定実験の結果を示すグラフである。
【図４】従来例におけるイオン電流分布の測定実験の結果を示すグラフである。
【図５】本発明例と従来例とにおけるプラズマ発光の観察結果を模式的に示す図である。
【図６】従来例（導体部材の直径ｄ＝０ｍｍ）における封止板下面での電界分布のシミュレーション結果を示す図である。
【図７】本発明例（導体部材の直径ｄ＝３０ｍｍ）における封止板下面での電界分布のシミュレーション結果を示す図である。
【図８】本発明例（導体部材の直径ｄ＝１００ｍｍ）における封止板下面での電界分布のシミュレーション結果を示す図である。
【図９】本発明例（導体部材の直径ｄ＝２００ｍｍ）における封止板下面での電界分布のシミュレーション結果を示す図である。
【図１０】比較例（導体部材の直径ｄ＝３７０ｍｍ）における封止板下面での電界分布のシミュレーション結果を示す図である。
【符号の説明】
１  反応容器
３  試料台
４  封止板
１０  カバー部材
１１  誘電体部材
１１ａ  本体
１１ｂ  入射ポート部
１２  導体部材
２０  マイクロ波発振器
２１  導波管
Ｗ  試料
【図１】
0004514291.tif 000004
【図２】
0004514291.tif 000005
【図３】
0004514291.tif 000006
【図４】
0004514291.tif 000007
【図５】
0004514291.tif 000008
【図６】
0004514291.tif 000009
【図７】
0004514291.tif 000010
【図８】
0004514291.tif 000011
【図９】
0004514291.tif 000012
【図１０】
0004514291.tif 000013