(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属支持板上に樹脂薄膜を形成する工程、
前記樹脂薄膜上に、厚さ方向に貫通孔が形成される絶縁層を形成する工程、
前記貫通孔にめっきにより導通路を形成する工程、
前記金属支持板をエッチングにより除去する工程、および
前記樹脂薄膜をエッチングにより除去する工程
を含んでいることを特徴とする、回路基板の製造方法。
【請求項２】
前記樹脂薄膜の厚みが、１μｍ以下であることを特徴とする、請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項３】
前記樹脂薄膜が、ポリイミド樹脂またはポリイミド樹脂前駆体からなることを特徴とする、請求項１または２に記載の回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子機器および電子部品などに用いられる回路基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
回路基板の製造方法としては、例えば、金属支持板を用いて、その金属支持板上に、所定形状の絶縁層を形成し、その絶縁層に、金属支持板の表面を露出させる貫通孔を形成した後、次いで、その貫通孔内に、めっきにより金属を析出させて、導通路を形成するとともに、絶縁層上に所定の回路パターンで導体層を形成し、その後、金属支持板をエッチングにより除去する方法が知られている。
【０００３】
このような方法によると、金属支持板上に各層を形成するので、製造工程中における各層の寸法変化を防止することができるとともに、製造工程中におけるハンドリングが良いため、非常に薄い回路基板を製造することができる。
【０００４】
より具体的には、回路付サスペンション基板において、例えば、金属支持板としてステンレス基板を用いて、そのステンレス基板上に、絶縁層および所定の回路パターンの導体層を形成した後、最終的に、ステンレス基板を部分的にエッチングすることにより、所定形状に加工することが行なわれている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記の方法では、金属支持板をエッチングによって除去する工程において、その金属支持板に接している導通路までもがエッチングされてしまい、欠陥を生じて、電極部における良好な接続信頼性を得ることができないという不具合がある。
【０００６】
本発明は、このような不具合を解決するためになされたものであって、その目的とするところは、金属支持板上に形成される導通路に、欠陥が生ずることなく金属支持板を除去することができ、良好な接続信頼性を確保することのできる、回路基板の製造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するため、本発明の回路基板の製造方法は、金属支持板上に樹脂薄膜を形成する工程、前記樹脂薄膜上に、厚さ方向に貫通孔が形成される絶縁層を形成する工程、前記貫通孔にめっきにより導通路を形成する工程、前記金属支持板をエッチングにより除去する工程、および前記樹脂薄膜をエッチングにより除去する工程を含んでいることを特徴としている。
【０００８】
また、この方法においては、前記樹脂薄膜の厚みが、１μｍ以下であることが好ましく、前記樹脂薄膜が、ポリイミド樹脂またはポリイミド樹脂前駆体からなることが好ましい。
【０００９】
【発明の実施の形態】
図１〜図６は、本発明の回路基板の製造方法の一実施形態を示す工程図である。以下、これら図１〜図６を参照して、本発明の回路基板の製造方法を説明する。本発明の回路基板の製造方法では、まず、図１（ａ）に示すように、金属支持板１上に樹脂薄膜２を形成する。
【００１０】
金属支持板１は、製造工程中における剛性を確保すべく、金属フィルムを用いることが好ましく、スティフネス（腰の強さ）、線膨張係数の低さ、エッチングの容易性などの点から、ステンレス、銅、銅合金、ニッケル、４２アロイなどが好ましく用いられる。また、金属支持板１の厚みは、特に制限されないが、１０〜１００μｍであることが好ましい。薄すぎると、スティフネス（腰の強さ）が不十分となり、また、厚すぎると、エッチングに時間がかかり、製造効率の低下を招く場合がある。
【００１１】
樹脂薄膜２は、後述する金属支持板１のエッチング液に対する耐性があれば特に限定されないが、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミック酸樹脂などのポリイミド樹脂前駆体、エポキシ樹脂、全芳香族ポリエステル、アラミド樹脂、ポリカルボジイミドなどの樹脂が用いられる。また、樹脂薄膜２の厚みは、１μｍ以下、さらには、０．０１〜０．５μｍであることが好ましい。樹脂薄膜２の厚みが、１μｍを超えると、エッチングに時間がかかり、製造効率の低下を招く場合がある。また、厚みには、特に下限値はないが、０．０１μｍより薄いと、金属支持板１上に均一に塗工することが困難となる場合がある。
【００１２】
このような樹脂薄膜２の形成は、例えば、金属支持板１上に、樹脂溶液を塗工して乾燥させるか、あるいは、ドライフィルムの積層により形成すればよい。好ましくは、図２に示すように、金属支持板１上に、ポリイミド樹脂前駆体を塗工して、ポリイミド樹脂前駆体層２ｐを形成した後、これをイミド化させることによって、ポリイミド樹脂からなる樹脂薄膜２を形成する。樹脂薄膜２を、ポリイミド樹脂前駆体層を用いて、ポリイミド樹脂によって形成すれば、簡易かつ確実に、樹脂薄膜２を形成することができ、また、後述する絶縁層４をポリイミド樹脂によって形成する場合には、その絶縁層４と同一組成のベース樹脂（ポリアミック酸樹脂）を用いることができる。
【００１３】
ポリイミド樹脂前駆体としては、例えば、酸二無水物とジアミンとを反応させることによって得られるポリアミック酸樹脂が用いられる。
【００１４】
酸二無水物としては、例えば、３，３’，４，４’−オキシジフタル酸二無水物（ＯＤＰＡ）、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ピロメリット酸二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物（６ＦＤＡ）、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物（ＢＴＤＡ）が好ましく用いられ、また、ジアミンとして、例えば、ｐ−フェニレンジアミン（ＰＰＤ）、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、ビスアミノプロピルテトラメチルジシロキサン（ＡＰＤＳ）、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル（ＤＤＥ）が好ましく用いられる。ポリアミック酸樹脂は、これら酸二無水物とジアミンとを、実質的に等モル比となるような割合で、適宜の有機溶媒、例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドなどの極性溶媒中で、常温常圧の下、所定の時間反応させることよって、ポリアミック酸樹脂の溶液として得ることができる。さらに、このようなポリアミック酸樹脂には、必要に応じて、エポキシ樹脂、ビスアリルナジックイミド、マレイミドなどを配合してもよい。
【００１５】
そして、金属支持板１上に、ポリイミド樹脂前駆体層２ｐを形成するには、例えば、図２（ａ）に示すように、金属支持板１上に、ポリイミド樹脂前駆体を一定の厚さで公知の方法により塗工して、ポリイミド樹脂前駆体層２ｐを形成した後、図２（ｂ）に示すように、ポリイミド樹脂前駆体層２ｐをイミド化して、ポリイミド樹脂薄膜からなる樹脂薄膜２を形成すればよい。イミド化は、ポリイミド樹脂前駆体層２ｐを、例えば、最終的に３００℃以上に加熱することによって硬化させればよい。
【００１６】
次いで、本発明の回路基板の製造方法では、図１（ｂ）に示すように、樹脂薄膜２上に、厚さ方向に貫通孔３が形成される絶縁層４を形成する。
【００１７】
絶縁層４としては、上記と同様の樹脂が用いられ、その厚みは、特に制限されないが、例えば、５〜５０μｍであることが好ましい。
【００１８】
絶縁層４は、例えば、樹脂薄膜２上に、樹脂溶液を塗工して乾燥させるか、あるいは、ドライフィルムの積層により形成すればよく、また、貫通孔３を形成するには、例えば、ドリル加工、レーザ加工、あるいは、エッチングなどの公知の開口方法により、樹脂薄膜２の表面が露出するように、絶縁層４の厚さ方向を貫通する貫通孔３を形成すればよい。
【００１９】
好ましくは、感光性樹脂、とりわけ、感光性ポリイミド樹脂前駆体を用いて、図３（ａ）に示すように、樹脂薄膜２上に、感光性ポリイミド樹脂前駆体層４ｐを形成した後、これを、図３（ｂ）および（ｃ）に示すように、露光および現像することにより、所定の位置に貫通孔３を形成し、次いで、図３（ｄ）に示すように、感光性ポリイミド樹脂前駆体層４ｐをイミド化して、ポリイミド樹脂層からなる絶縁層４を形成することが好ましい。
【００２０】
すなわち、この方法では、図３（ａ）に示すように、まず、樹脂薄膜２上に、感光性ポリイミド樹脂前駆体層４ｐを形成する。感光性ポリイミド樹脂前駆体は、上記したポリアミック酸樹脂に、感光剤が配合されてなるものであって、感光剤としては、例えば、１，４−ジヒドロピリジン誘導体が好ましく用いられ、とりわけ、１−エチル−３，５−ジメトキシカルボニル−４−（２−ニトロフェニル）−１，４−ジヒドロピリジンが好ましく用いられる。また、このような感光剤は、酸二無水物とジアミンとの合計、すなわち、ポリアミック酸１モルに対して、通常、０．１〜１．０モルの範囲で配合される。
【００２１】
そして、樹脂薄膜２上に、感光性ポリイミド樹脂前駆体層４ｐを形成するには、例えば、樹脂薄膜２上に、感光性ポリイミド樹脂前駆体を一定の厚さで公知の方法により塗工した後、乾燥させるようにするか、あるいは、予め、感光性ポリイミド樹脂前駆体を一定の厚さでドライフィルムとして形成しておき、このドライフィルムを樹脂薄膜２上に積層すればよい。
【００２２】
次いで、この方法では、図３（ｂ）に示すように、感光性ポリイミド樹脂前駆体層４ｐを、フォトマスク６を介して露光させ、次いで、図３（ｃ）に示すように、必要により露光部分を所定の温度に加熱した後、現像することにより、感光性ポリイミド樹脂前駆体層４ｐに、厚さ方向を貫通する貫通孔３を形成する。
【００２３】
露光のための照射光は、その露光波長が、３５０〜４５０ｎｍ、さらには、４００〜４５０ｎｍであることが好ましく、その露光積算光量が、１００〜３０００ｍＪ／ｃｍ２、さらには、２００〜１０００ｍＪ／ｃｍ２であることが好ましい。
【００２４】
また、照射された感光性ポリイミド樹脂前駆体層４ｐの露光部分は、例えば、１３０℃以上１５０℃未満で加熱することにより、次の現像処理において可溶化（ポジ型）し、また、例えば、１５０℃以上１８０℃以下で加熱することにより、次の現像処理において不溶化（ネガ型）する。また、現像は、例えば、アルカリ現像液などの公知の現像液を用いて、浸漬法やスプレー法などの公知の方法により行なえばよい。なお、この方法においては、ネガ型で貫通孔３を形成することが好ましく、図３においては、ネガ型でパターンニングする態様として示されている。なお、貫通孔３は、次に形成する導体層７の回路パターンを積層方向に導通させる導通路５を形成するためのビアホールであって、そのような導通路５を形成する所定の位置に複数形成される。
【００２５】
その後、図３（ｄ）に示すように、感光性ポリイミド樹脂前駆体層４ｐをイミド化して、ポリイミド樹脂層からなる絶縁層４を形成する。イミド化は、感光性ポリイミド樹脂前駆体層４ｐを、例えば、最終的に３００℃以上に加熱することによって硬化させればよい。これによって、樹脂薄膜２上に、厚さ方向に貫通孔３が形成される絶縁層４が形成される。
【００２６】
次いで、本発明の回路基板の製造方法では、貫通孔３にめっきにより導通路５を形成する。より具体的には、この方法では、図１（ｃ）に示すように、めっきにより、貫通孔３内に導通路５を形成するとともに、絶縁層４上に所定の回路パターンで導体層７を形成する。
【００２７】
めっきには、特に制限されず、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはこれらの合金などの金属が用いられ、好ましくは、銅が用いられる。また、貫通孔３内に導通路５を形成するとともに、絶縁層４上に所定の回路パターンで導体層７を形成する方法も、特に制限されず、公知の方法が用いられる。例えば、導電ペーストを充填して焼成する方法、金属薄膜の下地層を形成した後めっきする方法、蒸着により厚膜を形成する方法などが用いられる。これらのうち、金属薄膜の下地層を形成した後めっきする方法が好ましく用いられる。
【００２８】
導電ペーストを充填して焼成する方法では、例えば、上記した金属の微粒子をバインダーに配合した導電ペーストを、スクリーン印刷法などによって、所定の回路パターンで絶縁層４上に塗工するとともに、貫通孔３内に充填し、これを焼成すればよい。
【００２９】
また、金属薄膜の下地層を形成した後めっきする方法では、例えば、図４（ａ）に示すように、まず、貫通孔３を含む絶縁層４の表面の全面に、スパッタ蒸着法および真空蒸着法、あるいは、無電解めっきなどにより、クロムや銅などの金属薄膜の下地層８を形成し、次いで、図４（ｂ）に示すように、貫通孔３が形成されていない下地層８上に、ドライフィルムレジストなどを用いてめっきレジスト９を所定の回路パターンと逆パターンで形成し、その後、図４（ｃ）に示すように、めっきにより、貫通孔３内に金属を析出させて導通路５を形成するとともに、めっきレジスト９が形成されていない下地層８上に、所定の回路パターンとして導体層７を形成すればよい。めっきは、電解めっき、無電解めっきのいずれでもよいが、電解めっきが好ましく用いられる。そして、図４（ｄ）に示すように、めっきレジスト９およびめっきレジスト９が形成されていた下地層８を、化学エッチング（ウェットエッチング）など公知のエッチング法により除去すればよい。なお、図１、図５〜図８では、下地層８が省略されているが、この方法によって下地層８が形成される場合には、後述する樹脂薄膜２のエッチングにより、下地層８が露出するようになる。
【００３０】
蒸着により厚膜を形成する方法では、例えば、上記したスパッタ蒸着法や真空蒸着法などによって、そのまま厚みを厚くしていくことにより、貫通孔３内に導通路５を形成するとともに、所定の回路パターンとして導体層７を形成すればよい。
【００３１】
そして、本発明の回路基板の製造方法では、基本的には、次いで、金属支持板１をエッチングにより除去した後、樹脂薄膜２をエッチングにより除去すればよいが、例えば、回路基板を、導体層が１つのみの単層回路基板として製造する場合には、より具体的には、図５（ａ）に示すように、導体層７上に、オープニング１０が形成されるカバー絶縁層１１を形成して、図５（ｂ）に示すように、そのオープニング１０内に、電極層１２を形成した後、図５（ｃ）に示すように、金属支持板１をエッチングにより除去し、その後、図５（ｄ）に示すように、樹脂薄膜２をエッチングにより除去すればよい。
【００３２】
図５（ａ）において、導体層７上にオープニング１０が形成されるカバー絶縁層１１を形成するには、特に制限はないが、例えば、上記と同様の方法によって、導体層７の表面に、感光性ポリイミド樹脂前駆体層を形成し、次いで、露光および現像することにより、オープニング１０を形成した後、これを、例えば、最終的に３００℃以上に加熱硬化すればよい。
【００３３】
また、図５（ｂ）において、オープニング１０内に電極層１２を形成するには、例えば、銅めっきや金めっきなどによって、オープニング１０内にバンプなどの電極層１２を形成すればよい。電極層１２は、例えば、外部回路基板の端子やシリコンウエハに設けられた端子などと接続するために用いられる。
【００３４】
また、図５（ｃ）において、金属支持板１をエッチングにより除去するには、特に制限されないが、例えば、化学エッチングなどによって除去すればよい。化学エッチングでは、例えば、塩化第二鉄／塩酸水溶液などの、金属をエッチングし、かつ、樹脂をエッチングしないエッチング液を用いて、エッチングすればよい。なお、金属支持板１は、完全に除去してもよいが、部分的に残して、回路パターンやサスペンション基板として用いてもよい。回路パターンとして用いる場合には、さらに、その回路パターンを被覆するためのカバー絶縁層を形成することが好ましい。また、このエッチングにおいては、電極層１２がエッチングされないように、電極層１２を、適宜保護材によって保護しておけばよく、例えば、電極層１２を、外部回路基板の端子やシリコンウエハに設けられた端子などと予め接続しておいて、それらを保護材としてもよい。
【００３５】
次いで、図５（ｄ）において、樹脂薄膜２をエッチングにより除去するには、特に制限されないが、例えば、化学エッチングや、プラズマエッチングなどの物理エッチングなどによって除去すればよい。化学エッチングでは、例えば、過マンガン酸ナトリウム水溶液、強アルカリ水溶液などの、樹脂をエッチングし、かつ、金属をエッチングしないエッチング液を用いて、エッチングすればよい。また、プラズマエッチングでは、例えば、所定のガスを封入した雰囲気下で対向電極間に、回路基板を配置して、高周波プラズマを発生させて、エッチングする厚さに相当する所定の時間処理すればよい。所定のガスとしては、例えば、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｘｅ、Ｋｒ、Ｎ２、Ｏ２、ＣＦ４、ＮＦ３およびこれらの混合ガスが用いられ、そのガス圧（真空度）が、例えば、０．５〜２００Ｐａ、さらには、１０〜１００Ｐａであることが好ましい。また、高周波プラズマを発生させる条件としては、周波数が、例えば、１０ｋＨｚ〜２０ＭＨｚ、好ましくは、１０ｋＨｚ〜１００ｋＨｚであり、処理電力が、例えば、０．５〜１０Ｗ／ｃｍ２、さらには、１〜５Ｗ／ｃｍ２であることが好ましい。
【００３６】
このようなエッチング方法を用いることで、金属からなる導通路５（下地層８が形成されている場合には、その下地層８）をエッチングすることなく、樹脂からなる樹脂薄膜２のみをエッチングすることができる。そのため、導通路５（下地層８が形成されている場合には、その下地層８）の表面は、エッチングによって侵食されることなく良好に露出される。なお、露出した導通路５（下地層８が形成されている場合には、その下地層８）の表面は、そのまま電極部として用いてもよく、また、その表面上に電極層を形成してもよい。
【００３７】
なお、上記した図５に示す方法では、導体層７上にカバー絶縁層１１を形成し、オープニング１０内に電極層１２を形成した後に、金属支持板１および樹脂薄膜２をエッチングにより除去したが、金属支持板１および樹脂薄膜２のエッチングによる除去は、いずれの工程の途中で行なってもよく、また、金属支持板１および樹脂薄膜２のエッチングを連続して行なう必要もなく、別の工程を挟んで段階的に行なってもよい。
【００３８】
ただし、図５に示す方法のように、最後の工程で、金属支持板１および樹脂薄膜２をエッチングによって除去すれば、製造工程中における各層の寸法変化を防止することができるとともに、製造工程中におけるハンドリングを向上させることができ、非常に薄い回路基板を製造することができる。
【００３９】
また、回路基板を、複数の導体層を備える多層回路基板として製造する場合には、より具体的には、図６（ａ）に示すように、導体層７上に、厚さ方向に積層側貫通孔１３が形成される積層側絶縁層１４を形成して、図６（ｂ）に示すように、積層側貫通孔１３内に積層側導通路１６を形成すると同時に、積層側絶縁層１４上に所定の回路パターンで積層側導体層１５を形成した後、図６（ｃ）に示すように、積層側導体層１５上に、オープニング１７が形成されるカバー絶縁層１８を形成して、図７（ｄ）に示すように、そのオープニング１７内に、電極層１９を形成し、その後、図７（ｅ）に示すように、金属支持板１をエッチングにより除去し、次いで、図７（ｆ）に示すように、樹脂薄膜２をエッチングにより除去すればよい。
【００４０】
図６（ａ）において、導体層７上に、厚さ方向に積層側貫通孔１３が形成される積層側絶縁層１４を形成するには、特に制限はないが、例えば、上記と同様の方法によって、導体層７の表面に、感光性ポリイミド樹脂前駆体層を形成し、次いで、露光および現像することにより、積層側貫通孔１３を形成した後、これを、例えば、最終的に３００℃以上に加熱硬化すればよい。
【００４１】
また、図６（ｂ）において、積層側貫通孔１３内に積層側導通路１６を形成すると同時に、積層側絶縁層１４上に所定の回路パターンで積層側導体層１５を形成するには、特に制限はないが、例えば、上記と同様の方法によって、まず、積層側貫通孔１３を含む積層側絶縁層１４の表面の全面に金属薄膜の下地層を形成し、次いで、めっきレジストを所定の回路パターンと逆パターンで形成した後、めっきにより、積層側貫通孔１３内に金属を析出させて積層側導通路１６を形成するとともに、下地層上に、所定の回路パターンとして積層側導体層１５を形成し、その後、めっきレジストおよびめっきレジストが形成されていた下地層をエッチングにより除去すればよい。
【００４２】
次いで、図６（ｃ）において、積層側導体層１５上にオープニング１７が形成されるカバー絶縁層１８を形成するには、特に制限はないが、例えば、上記と同様の方法によって、積層側導体層１５の表面に、感光性ポリイミド樹脂前駆体層を形成し、次いで、露光および現像することにより、オープニング１７を形成した後、これを、例えば、最終的に３００℃以上に加熱硬化すればよい。
【００４３】
また、図７（ｄ）において、オープニング１７内に電極層１９を形成するには、例えば、銅めっきや金めっきなどによって、オープニング１７内にバンプなどの電極層１９を形成すればよい。電極層１９は、上記と同様に、例えば、外部回路基板の端子やシリコンウエハに設けられた端子などと接続するために用いられる。
【００４４】
そして、図７（ｅ）において、金属支持板１をエッチングにより除去するには、特に制限はないが、例えば、上記と同様の方法によって、塩化第二鉄／塩酸水溶液などのエッチング液を用いて、化学エッチングなどによって除去すればよい。なお、金属支持板１は、完全に除去してもよいが、部分的に残して、回路パターンやサスペンション基板として用いてもよい。回路パターンとして用いる場合には、さらに、その回路パターンを被覆するためのカバー絶縁層を形成することが好ましい。また、このエッチングにおいては、電極層１９がエッチングされないように、電極層１９を、適宜保護材によって保護しておけばよく、例えば、上記と同様に、電極層１９を、外部回路基板の端子やシリコンウエハに設けられた端子などと予め接続しておいて、それらを保護材としてもよい。
【００４５】
次いで、図７（ｆ）において、樹脂薄膜２をエッチングにより除去するには、特に制限はないが、例えば、上記と同様の方法によって、過マンガン酸ナトリウム水溶液、強アルカリ水溶液などのエッチング液を用いる化学エッチングや、プラズマエッチングなどの物理エッチングなどによって除去すればよい。このようなエッチング方法を用いることで、金属からなる導通路５（下地層８が形成されている場合には、その下地層８）をエッチングすることなく、樹脂からなる樹脂薄膜２のみをエッチングすることができる。そのため、導通路５（下地層８が形成されている場合には、その下地層８）の表面は、エッチングによって侵食されることなく良好に露出される。なお、露出した導通路５（下地層８が形成されている場合には、その下地層８）の表面は、そのまま電極部として用いてもよく、また、その表面上にさらに電極層を形成してもよい。
【００４６】
なお、上記した図６に示す方法では、積層側導体層１５上にカバー絶縁層１８を形成し、オープニング１７内に電極層１９を形成した後に、金属支持板１および樹脂薄膜２をエッチングにより除去したが、金属支持板１および樹脂薄膜２のエッチングによる除去は、いずれの工程の途中で行なってもよく、また、金属支持板１および樹脂薄膜２のエッチングを連続して行なう必要もなく、別の工程を挟んで段階的に行なってもよい。
【００４７】
ただし、図６に示す方法のように、最後の工程で、金属支持板１および樹脂薄膜２をエッチングによって除去すれば、製造工程中における各層の寸法変化を防止することができるとともに、製造工程中におけるハンドリングを向上させることができ、非常に薄い回路基板を製造することができる。
【００４８】
また、以上の説明では、多層回路基板を、２層回路基板を例にとって説明したが、その層数は特に限定されず、上記と同様の方法によって、積層絶縁層および積層側導体層の形成を順次繰り返して、２層以上の多層回路基板を製造するようにしてもよい。
【００４９】
このようにして単層回路基板や多層回路基板などの回路基板を製造すれば、金属支持板１をエッチングにより除去する工程において、導通路５（下地層８が形成されている場合には、その下地層８）と金属支持板１との間には、樹脂薄膜２が介在しているので、金属支持板１をエッチングによって除去しても、導通路５（下地層８が形成されている場合には、その下地層８）は、樹脂薄膜２により覆われているので、この金属支持板１のエッチングによって除去されることが防止され、また、樹脂薄膜２をエッチングによって除去する工程においても、導通路５（下地層８が形成されている場合には、その下地層８）は、金属により形成されているので、この樹脂薄膜２のエッチングによっても除去されず、そのため、これらのエッチングによって、導通路５（下地層８が形成されている場合には、その下地層８）における欠陥が生じることを有効に防止することができる。したがって、この方法によって得られる回路基板では、電極部における良好な接続信頼性を確保することができる。
【００５０】
そして、このようにして製造される回路基板は、特に限定されず、各種の電子機器および電子部品の回路基板として用いることができ、例えば、ハードディスクドライブ用の回路付サスペンション基板などとしても、好適に用いることができる。
【００５１】
【実施例】
以下に実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、何ら実施例および比較例に限定されることはない。
【００５２】
実施例１
３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物１００ｇ、ｐ−フェニレンジアミン３１．２ｇおよび４，４’−ジアミノジフェニルエーテル１０．１ｇを、Ｎ−メチルピロリドン８００ｇ中で反応させて、ポリアミック酸樹脂溶液（Ａ）を得た。
【００５３】
ポリアミック酸樹脂溶液（Ａ）に、さらに、Ｎ−メチルピロリドン４７２ｇを加えて希釈し、樹脂薄膜形成用のポリアミック酸樹脂溶液（Ｉ）を得た。
【００５４】
次に、別途同様に調製したポリアミック酸樹脂溶液（Ａ）に、１−エチル−３，５−ジメトキシカルボニル−４−（２−ニトロフェニル）−１，４−ジヒドロピリジン２１．２ｇを均一に溶解させて、絶縁層形成用の感光性ポリアミック酸樹脂溶液（ＩＩ）を得た。
【００５５】
ポリアミック酸樹脂溶液（Ｉ）を、ステンレス箔（厚み２５μｍ、ＳＵＳ３０４）上に、スピンコータを用いて塗工し、１００℃で１０分間乾燥して、ポリアミック酸樹脂層を形成した（図２（ａ）参照）。次いで、真空中４００℃で２時間熱処理することにより、ステンレス箔上に、厚み０．５μｍのポリイミド薄膜を形成した（図２（ｂ）、図１（ａ）参照）。
【００５６】
さらに、このポリイミド薄膜上に、感光性ポリアミック酸樹脂溶液（ＩＩ）を、スピンコータを用いて塗工し、１００℃で１５分間乾燥することによって、感光性ポリアミック酸樹脂層を形成した（図３（ａ）参照）。次いで、感光性ポリアミック酸樹脂層を、所定のパターンのフォトマスクを介して露光させ（図３（ｂ）参照）、１７０℃で３分間加熱した後、水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を用いて現像することにより、所定の位置に貫通孔が形成された感光性ポリアミック酸樹脂層を形成した（図３（ｃ）参照）。さらに、この感光性ポリアミック酸樹脂層を、４００℃で２時間熱処理することにより、ポリイミド薄膜上に、貫通孔が形成された厚み１０μｍのポリイミド絶縁層を形成した（図３（ｄ）、図１（ｂ）参照）。
【００５７】
次いで、貫通孔を含むポリイミド絶縁層の表面の全面に、スパッタリング法によって、約５００Åのクロム薄膜と、約１５００Åの銅薄膜とを順次積層して、下地層を形成した後（図４（ａ）参照）、下地層上に、ドライフィルムレジストを用いて、めっきレジストを所定の回路パターンと逆パターンで形成し（図４（ｂ）参照）、次いで、銅めっきによって、貫通孔内に銅を析出させて導通路を形成するとともに、所定の回路パターンとして１０μｍの導体層を形成した（図４（ｃ）参照）。その後、めっきレジストおよびめっきレジストが形成されていた下地層を、化学エッチングにより除去した（図４（ｄ）、図１（ｃ）参照）。
【００５８】
次いで、この導体層上に、感光性ポリアミック酸樹脂溶液（ＩＩ）を、スピンコータを用いて塗工し、１００℃で１５分間乾燥することによって、感光性ポリアミック酸樹脂層を形成し、所定のパターンのフォトマスクを介して露光させ、１７０℃で３分間加熱した後、水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を用いて現像することにより、所定の位置に積層側貫通孔が形成された感光性ポリアミック酸樹脂層を形成し、さらに、この感光性ポリアミック酸樹脂層を、４００℃で２時間熱処理することにより、導体層上に、積層側貫通孔が形成された厚み１０μｍの積層側ポリイミド絶縁層を形成した（図６（ａ）参照）。
【００５９】
そして、積層側貫通孔を含む積層側ポリイミド絶縁層の表面の全面に、スパッタリング法によって、約５００Åのクロム薄膜と、約１５００Åの銅薄膜とを順次積層して、下地層を形成した後、下地層上に、ドライフィルムレジストを用いて、めっきレジストを所定の回路パターンと逆パターンで形成し、次いで、銅めっきによって、積層側貫通孔内に銅を析出させて積層側導通路を形成するとともに、所定の回路パターンとして１０μｍの積層側導体層を形成した。その後、めっきレジストおよびめっきレジストが形成されていた下地層を、化学エッチングにより除去した（図６（ｂ）参照）。
【００６０】
次いで、この積層側導体層上に、感光性ポリアミック酸樹脂溶液（ＩＩ）を、スピンコータを用いて塗工し、１００℃で１５分間乾燥することによって、感光性ポリアミック酸樹脂層を形成し、所定のパターンのフォトマスクを介して露光させ、１７０℃で３分間加熱した後、水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を用いて現像することにより、所定の位置にオープニングが形成された感光性ポリアミック酸樹脂層を形成し、さらに、この感光性ポリアミック酸樹脂層を、４００℃で２時間熱処理することにより、積層側導体層上に、オープニングが形成された厚み１０μｍのカバーポリイミド絶縁層を形成した（図６（ｃ）参照）。
【００６１】
そして、オープニング内に、銅めっきにより高さ２０μｍのバンプを形成した後（図７（ｄ）参照）、塩化第二鉄／塩酸水溶液を用いて、ステンレス箔をエッチングした（図７（ｅ）参照）。なお、このエッチングにおいては、バンプを保護材によって保護してエッチングされないようにした。
【００６２】
次いで、過マンガン酸ナトリウム水溶液を用いて、ステンレス箔のエッチングにより露出したポリイミド薄膜を、クロム薄膜が露出するまでエッチングすることにより（図７（ｆ）参照）、２層回路基板を得た。
【００６３】
露出したクロム薄膜の表面を顕微鏡で観察した。その結果、クロム薄膜の表面は、全くエッチングされておらず、その次に形成されている銅薄膜の表面は、全く観察されなかった。
【００６４】
実施例２
導体層を形成した後、積層側ポリイミド絶縁層および積層側導体層を形成することなく、その導体層上にカバーポリイミド絶縁層を形成した後、ステンレス箔をエッチングし、次いで、ポリイミド薄膜をエッチングした以外は、実施例１と適宜同様の操作により、図８に示す単層回路基板を得た。
【００６５】
なお、図８（ａ）に示すように、この単層回路基板の製造においては、ステンレス箔２１およびポリイミド薄膜２２上には、所定のパターンとして、絶縁層２３、導体層２４およびカバー絶縁層２５を形成し、図８（ｂ）に示すように、ステンレス箔２１をエッチングする工程においては、ステンレス箔２１を、導通路２６が露出された電極部２７とその周辺のみ、部分的にエッチングした。また、ポリイミド薄膜２２をエッチングする工程においては、ＣＦ４／Ｏ２（１：２）の混合ガスを用いて、所定の条件下において、プラズマエッチングした。
【００６６】
得られた回路基板について、露出した電極部２７のクロム薄膜（図示せず。）の表面を顕微鏡で観察したところ、クロム薄膜の表面は、全くエッチングされておらず、その次に形成されている銅薄膜の表面は、全く観察されなかった。
【００６７】
比較例１
ポリイミド薄膜を形成しない以外は、実施例１と同様の操作により、２層回路基板を製造した。この２層回路基板について、露出したクロム薄膜の表面を顕微鏡で観察したところ、クロム薄膜の表面がエッチングされ、導通路の銅表面の侵食が確認された。
【００６８】
比較例２
ポリイミド薄膜を形成しない以外は、実施例２と同様の操作により、単層回路基板を製造した。この単層回路基板について、露出したクロム薄膜の表面を顕微鏡で観察したところ、クロム薄膜の表面がエッチングされ、導通路の銅表面の侵食が確認された。
【００６９】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明の回路基板の製造方法によれば、金属支持板をエッチングにより除去する工程において、導通路と金属支持板との間には、樹脂薄膜が介在しているので、金属支持板をエッチングによって除去しても、導通路は、樹脂薄膜により覆われているので、この金属支持板のエッチングによって除去されることが防止され、また、樹脂薄膜をエッチングによって除去する工程においても、導通路は、めっきにより形成されているので、この樹脂薄膜のエッチングによっても除去されず、そのため、これらのエッチングによって、導通路における欠陥が生じることが有効に防止され、電極部における良好な接続信頼性を確保することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の回路基板の製造方法の一実施形態の各工程を示す要部断面図であって、
（ａ）は、金属支持板上に樹脂薄膜を形成する工程、
（ｂ）は、樹脂薄膜上に貫通孔が形成される絶縁層を形成する工程、
（ｃ）は、貫通孔内に導通路を形成すると同時に、絶縁層上に所定の回路パターンで導体層を形成する工程を示す。
【図２】図１（ａ）に示す、金属支持板上に樹脂薄膜を形成する工程の詳細を示す要部断面図であって、
（ａ）は、金属支持板上にポリイミド樹脂前駆体層を形成する工程、
（ｂ）は、ポリイミド樹脂前駆体層をイミド化して、ポリイミド樹脂薄膜からなる樹脂薄膜を形成する工程を示す。
【図３】図１（ｂ）に示す、樹脂薄膜上に貫通孔が形成される絶縁層を形成する工程の詳細を示す要部断面図であって、
（ａ）は、樹脂薄膜上に感光性ポリイミド樹脂前駆体層を形成する工程、
（ｂ）は、感光性ポリイミド樹脂前駆体層をフォトマスクを介して露光させる工程、
（ｃ）は、現像により感光性ポリイミド樹脂前駆体層に貫通孔を形成する工程、（ｄ）は、感光性ポリイミド樹脂前駆体層をイミド化して、ポリイミド樹脂層からなる絶縁層を形成する工程を示す。
【図４】図１（ｃ）に示す、貫通孔内に導通路を形成すると同時に、絶縁層上に所定の回路パターンで導体層を形成する工程の詳細を示す要部断面図であって、
（ａ）は、貫通孔を含む絶縁層の表面の全面に金属薄膜の下地層を形成する工程、
（ｂ）は、貫通孔が形成されていない下地層上にめっきレジストを所定の回路パターンと逆パターンで形成する工程、
（ｃ）は、めっきにより、貫通孔内に金属を析出させて導通路を形成するとともに、下地層上に所定の回路パターンとして導体層を形成する工程、
（ｄ）は、めっきレジストおよびめっきレジストが形成されていた下地層を、エッチングにより除去する工程を示す。
【図５】図１（ｃ）に示す、貫通孔内に導通路を形成すると同時に、絶縁層上に所定の回路パターンで導体層を形成する工程に続いて、単層回路基板を製造する工程を示す要部断面図であって、
（ａ）は、導体層上にオープニングが形成されるカバー絶縁層を形成する工程、（ｂ）は、オープニング内に電極層を形成する工程、
（ｃ）は、金属支持板をエッチングにより除去する工程、
（ｄ）は、樹脂薄膜をエッチングにより除去する工程を示す。
【図６】図１（ｃ）に示す、貫通孔内に導通路を形成すると同時に、絶縁層上に所定の回路パターンで導体層を形成する工程に続いて、多層回路基板を製造する工程を示す要部断面図であって、
（ａ）は、導体層上に積層側貫通孔が形成される積層側絶縁層を形成する工程、（ｂ）は、積層側貫通孔内に積層側導通路を形成すると同時に、積層側絶縁層上に所定の回路パターンで積層側導体層を形成する工程、
（ｃ）は、積層側導体層上にオープニングが形成されるカバー絶縁層を形成する工程を示す。
【図７】図６（ｃ）に続いて、多層回路基板を製造する工程を示す要部断面図であって、
（ｄ）は、オープニング内に電極層を形成する工程、
（ｅ）は、金属支持板をエッチングにより除去する工程、
（ｆ）は、樹脂薄膜をエッチングにより除去する工程を示す。
【図８】実施例２において製造される単層回路基板の要部断面図であって、
（ａ）は、ステンレス箔およびポリイミド薄膜上に、所定のパターンとして、絶縁層、導体層およびカバー絶縁層が形成されている状態、
（ｂ）は、ステンレス箔およびポリイミド薄膜が、導通路が露出された電極部とその周辺のみ、部分的にエッチングされている状態を示す。
【符号の説明】
１    金属支持板
２    樹脂薄膜
３    貫通孔
４    絶縁層
５    導通路
【図１】
0004448610.tif 000002
【図２】
0004448610.tif 000003
【図３】
0004448610.tif 000004
【図４】
0004448610.tif 000005
【図５】
0004448610.tif 000006
【図６】
0004448610.tif 000007
【図７】
0004448610.tif 000008
【図８】
0004448610.tif 000009