(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板と、行状の走査線と、列状の信号線と、容量線と、行状の走査線と列状の信号線との交差部に配された行列状の画素とを備え、
画素は、走査線によって選択されたとき信号線から電気信号を取り込む能動素子と、取り込んだ電気信号を保持する容量素子と、保持された電気信号に応じて光学状態が変化する電気光学素子とから成る表示装置であって、
電気光学素子は、一方の基板に形成された対向電極と、対向電極に対向配置された画素電極と、両電極の間に配された液晶とから成り、
画素は、更に、第１の導体部と、第１の導体部から延在した第２の導体部とから成る導体部を備えており、
走査線、信号線及び容量線、並びに、画素電極、能動素子及び導体部は、他方の基板に形成されており、
容量素子は、第２の導体部及び容量線から構成されており、
能動素子の一端は、信号線に接続されており、画素電極は、能動素子の他端に接続されており、第１の導体部は能動素子の他端から延在しており、
能動素子及び導体部は、絶縁膜を介して画素電極によって覆われており、
第２の導体部と容量線との間が短絡している画素にあっては、第１の導体部が切断されており、第２の導体部と画素電極との間で容量を生ずる表示装置。
【請求項２】
第１の導体部は、レーザ光の照射によって切断可能なパタン形状を備えている請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
第１の導体部のパタン形状は、一部分がくびれた形状である請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
レーザ光の照射によって第１の導体部が切断されている請求項２又は請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
能動素子は、ゲート、ソース及びドレイン、並びに、半導体薄膜から成るチャネル形成領域を備えた薄膜トランジスタから成り、薄膜トランジスタのゲートは走査線に接続されており、ソースは能動素子の一端を構成し、ドレインは能動素子の他端を構成し、
導体部は、薄膜トランジスタを構成する半導体薄膜と同一層である請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項６】
半導体薄膜は、多結晶シリコンから成る請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
画素電極は、金属反射膜又は透明導電膜から成る請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項８】
一対の基板と、行状の走査線と、列状の信号線と、容量線と、行状の走査線と列状の信号線との交差部に配された行列状の画素とを備え、
画素は、走査線によって選択されたとき信号線から電気信号を取り込む能動素子と、取り込んだ電気信号を保持する容量素子と、保持された電気信号に応じて光学状態が変化する電気光学素子とから成る表示装置の修復方法であって、
電気光学素子は、一方の基板に形成された対向電極と、対向電極に対向配置された画素電極と、両電極の間に配された液晶とから成り、
画素は、更に、第１の導体部と、第１の導体部から延在した第２の導体部とから成る導体部を備えており、
走査線、信号線及び容量線、並びに、画素電極、能動素子及び導体部は、他方の基板に形成されており、
容量素子は、第２の導体部及び容量線から構成されており、
能動素子の一端は、信号線に接続されており、画素電極は、能動素子の他端に接続されており、第１の導体部は能動素子の他端から延在しており、
能動素子及び導体部は、絶縁膜を介して画素電極によって覆われており、
第２の導体部と容量線との間が短絡している画素にあっては、第１の導体部を切断し、以て、第２の導体部と画素電極との間に容量を生じさせる表示装置の修復方法。
【請求項９】
第１の導体部は、レーザ光の照射によって切断可能なパタン形状を備えている請求項８に記載の表示装置の修復方法。
【請求項１０】
第１の導体部のパタン形状は、一部分がくびれた形状である請求項９に記載の表示装置の修復方法。
【請求項１１】
レーザ光の照射によって第１の導体部を切断する請求項９又は請求項１０に記載の表示装置の修復方法。
【請求項１２】
能動素子は、ゲート、ソース及びドレイン、並びに、半導体薄膜から成るチャネル形成領域を備えた薄膜トランジスタから成り、薄膜トランジスタのゲートは走査線に接続されており、ソースは能動素子の一端を構成し、ドレインは能動素子の他端を構成し、
導体部は、薄膜トランジスタを構成する半導体薄膜と同一層である請求項８乃至請求項１１のいずれか１項に記載の表示装置の修復方法。
【請求項１３】
半導体薄膜は、多結晶シリコンから成る請求項１２に記載の表示装置の修復方法。
【請求項１４】
画素電極は、金属反射膜又は透明導電膜から成る請求項８乃至請求項１３のいずれか１項に記載の表示装置の修復方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、薄膜トランジスタなどの能動素子を含んだ画素を行列状に配したアクティブマトリクス型表示装置に関する。より詳しくは、アクティブマトリクス型表示装置にある確率で発生する欠陥画素の修復技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図７はアクティブマトリクス型表示装置の一例を示す模式的な斜視図である。図示する様に、アクティブマトリクス型表示装置は土台となる基板１０１と、これに対向する基板１０２と、両者の間に保持された電気光学物質１０３とを備えている。基板１０１，１０２はガラスやプラスチックからなる。電気光学物質１０３としては例えば液晶材料がよく用いられている。土台となる下側の基板１０１には半導体技術を用いて画素アレイ部１０４と駆動回路部とが集積形成されている。駆動回路部は垂直駆動回路１０５と水平駆動回路１０６とに分かれている。又、基板１０１の周辺部上段には外部接続用の端子部１０７が形成されている。端子部１０７は配線１０８を介して垂直駆動回路１０５及び水平駆動回路１０６に接続している。画素アレイ部１０４には行状の走査線１０９と列状の信号線１１０が形成されている。両配線の交差部には画素電極１１１とこれを駆動する薄膜トランジスタ１１２を含む画素が形成されている。図示しないが、画素にはこの他に保持容量なども形成されている。一方、対向基板１０２には全面的に対向電極が形成されている。対向電極と、個々の画素電極１１１と、両者の間に保持された電気光学物質１０３とで電気光学素子を構成する。
【０００３】
図８は、アクティブマトリクス型表示装置に含まれる画素の一例を示す模式的な部分平面図である。図示する様に、画素ＰＸＬは行状の走査線Ｘと列状の信号線Ｙとの間の交差部に配されている。画素ＰＸＬは能動素子と容量素子と電気光学素子と導体とから構成されている。能動素子は薄膜トランジスタＴＦＴからなり、走査線Ｘによって選択された時信号線Ｙから電気信号を取り込む。容量素子は保持容量Ｃｓと呼ばれており、取り込んだ電気信号を保持する。電気光学素子は保持された電気信号に応じて光学状態が変化する。導体ＰＴＮは、上述した薄膜トランジスタＴＦＴ、保持容量Ｃｓ及び電気光学素子を互いに接続する。図示の例では、導体ＰＴＮは薄膜トランジスタＴＦＴの素子領域を構成する半導体薄膜からなり、所定の形状にパタニングされている。尚、薄膜トランジスタＴＦＴのソースＳはコンタクトＣＯＮを介して信号線Ｙに接続し、ゲートＧは走査線Ｘから延設されており、ドレインＤはコンタクトＣＯＮを介して電気光学素子（図示略）に接続している。又、保持容量Ｃｓは走査線Ｘと平行に形成された容量線Ｘｓと導体ＰＴＮとの間に形成されており、薄膜トランジスタＴＦＴのドレインＤに電気接続している。
【０００４】
アクティブマトリクス型表示装置の製造プロセスにおいて、静電気ダメージなどにより欠陥画素がある割合で発生することは避けられない。しかし、欠陥画素が表示装置の表示領域に一個だけ発生した場合でも、その表示装置を不良として廃棄するのは、歩留りに影響し製造単価に響くことになる。そこで、従来から欠陥画素を可能な限り再生もしくは修復する「リペア」を行なっているのが現状である。尚、リペアには欠陥画素を外観的に目立たなくする対症療法的な修復も含まれる。一般的なリペアの手法には、レーザなどで欠陥画素の画素電極あるいはその上の液晶配向膜を破壊する手法が行なわれている。即ち、欠陥画素に含まれる電気光学素子を物理的に破壊することで黒点化する。外観的に見ると、白点欠陥（輝点欠陥）に比べると黒点欠陥は目立たない。しかし、この様なリペア方法では、液晶に印加される電圧を制御できない為、実際には確定した表示濃度を保証できない。
【０００５】
別のリペア方法では、図８に示す様に導体ＰＴＮをレーザ光の照射により切断部ＣＴで切断し、欠陥を含む電気光学素子及び保持容量Ｃｓを薄膜トランジスタＴＦＴから切り離す。この場合の等価回路を図９に示す。図示する様に、薄膜トランジスタＴＦＴのソースＳは信号線Ｙに接続し、ゲートＧは走査線Ｘに接続し、ドレインＤは保持容量Ｃｓ及び電気光学素子に接続している。この例の場合、電気光学素子は液晶セルＣｌｃであり、等価的にコンデンサで表わしている。液晶セルＣｌｃは画素電極と対向電極との間に保持された液晶からなる。画素電極は薄膜トランジスタＴＦＴのドレインＤに接続し、対向電極には一定の電位が印加されている。一方、保持容量Ｃｓの一端はドレインＤに接続され、他端は所定の電位が供給される容量線Ｘｓに接続されている。これらのＴＦＴ、Ｃｌｃ、Ｃｓは導体ＰＴＮによって互いに接続されている。保持容量Ｃｓに短絡欠陥が発生することが多く、この場合保持容量Ｃｓと液晶セルＣｌｃが切断部ＣＴでＴＦＴから切り離される。しかし、この様なリペア方式は実際的ではなく欠陥画素を目立たなくする様に修復することが難しい。Ｃｓに短絡欠陥が発生すると、図示の修復状態では液晶セルＣｌｃの一端に短絡したＣｓを介して容量線Ｘｓの電位が印加され、液晶セルＣｌｃの他端には対向電極の電位が印加される。従って、液晶セルＣｌｃには常時直流電圧が印加された状態になる。例えば、対向電極の電位と容量線Ｘｓの電位が同レベルであると、ノーマリホワイトモードの場合液晶セルＣｌｃは常時白レベルの輝度を表示することになり、欠陥が逆に目立ってしまう。
【０００６】
【課題を解決する為の手段】
上述した従来の技術の課題を解決する為に以下の手段を講じた。即ち、本発明に係る表示装置は、一対の基板と、行状の走査線と、列状の信号線と、容量線と、行状の走査線と列状の信号線との交差部に配された行列状の画素とを備え、
画素は、走査線によって選択されたとき信号線から電気信号を取り込む能動素子と、取り込んだ電気信号を保持する容量素子と、保持された電気信号に応じて光学状態が変化する電気光学素子とから成る表示装置であって、
電気光学素子は、一方の基板に形成された対向電極と、対向電極に対向配置された画素電極と、両電極の間に配された液晶とから成り、
画素は、更に、第１の導体部と、第１の導体部から延在した第２の導体部とから成る導体部を備えており、
走査線、信号線及び容量線、並びに、画素電極、能動素子及び導体部は、他方の基板に形成されており、
容量素子は、第２の導体部及び容量線から構成されており、
能動素子の一端は、信号線に接続されており、画素電極は、能動素子の他端に接続されており、第１の導体部は能動素子の他端から延在しており、
能動素子及び導体部は、絶縁膜を介して画素電極によって覆われており、
第２の導体部と容量線との間が短絡している画素にあっては、第１の導体部が切断されており、第２の導体部と画素電極との間で容量を生ずる表示装置である。
【０００７】
本発明に係る表示装置にあっては、第１の導体部は、レーザ光の照射によって切断可能なパタン形状を備えている構成とすることができる。この場合において、第１の導体部のパタン形状は、一部分がくびれた形状である構成とすることができる。上述した好ましい構成を含む本発明に係る表示装置にあっては、レーザ光の照射によって第１の導体部が切断されている構成とすることができる。また、上述した好ましい構成を含む本発明に係る表示装置にあっては、能動素子は、ゲート、ソース及びドレイン、並びに、半導体薄膜から成るチャネル形成領域を備えた薄膜トランジスタから成り、薄膜トランジスタのゲートは走査線に接続されており、ソースは能動素子の一端を構成し、ドレインは能動素子の他端を構成し、導体部は、薄膜トランジスタを構成する半導体薄膜と同一層である構成とすることができる。この場合において、半導体薄膜は、多結晶シリコンから成る構成とすることができる。上述した好ましい構成を含む本発明に係る表示装置にあっては、画素電極は、金属反射膜又は透明導電膜から成る構成とすることができる。
【０００８】
あるいは又、本発明に係る表示装置の修復方法は、
一対の基板と、行状の走査線と、列状の信号線と、容量線と、行状の走査線と列状の信号線との交差部に配された行列状の画素とを備え、
画素は、走査線によって選択されたとき信号線から電気信号を取り込む能動素子と、取り込んだ電気信号を保持する容量素子と、保持された電気信号に応じて光学状態が変化する電気光学素子とから成る表示装置の修復方法であって、
電気光学素子は、一方の基板に形成された対向電極と、対向電極に対向配置された画素電極と、両電極の間に配された液晶とから成り、
画素は、更に、第１の導体部と、第１の導体部から延在した第２の導体部とから成る導体部を備えており、
走査線、信号線及び容量線、並びに、画素電極、能動素子及び導体部は、他方の基板に形成されており、
容量素子は、第２の導体部及び容量線から構成されており、
能動素子の一端は、信号線に接続されており、画素電極は、能動素子の他端に接続されており、第１の導体部は能動素子の他端から延在しており、
能動素子及び導体部は、絶縁膜を介して画素電極によって覆われており、
第２の導体部と容量線との間が短絡している画素にあっては、第１の導体部を切断し、以て、第２の導体部と画素電極との間に容量を生じさせる表示装置の修復方法である。
【０００９】
本発明に係る表示装置の修復方法においても、第１の導体部は、レーザ光の照射によって切断可能なパタン形状を備えている構成とすることができる。この場合において、第１の導体部のパタン形状は、一部分がくびれた形状である構成とすることができる。上述した好ましい構成を含む本発明に係る表示装置の修復方法にあっては、レーザ光の照射によって第１の導体部を切断する構成とすることができる。また、上述した好ましい構成を含む本発明に係る表示装置の修復方法においても、能動素子は、ゲート、ソース及びドレイン、並びに、半導体薄膜から成るチャネル形成領域を備えた薄膜トランジスタから成り、薄膜トランジスタのゲートは走査線に接続されており、ソースは能動素子の一端を構成し、ドレインは能動素子の他端を構成し、導体部は、薄膜トランジスタを構成する半導体薄膜と同一層である構成とすることができる。この場合において、半導体薄膜は、多結晶シリコンから成る構成とすることができる。上述した好ましい構成を含む本発明に係る表示装置の修復方法においても、画素電極は、金属反射膜又は透明導電膜から成る構成とすることができる。
【００１０】
上述した様に、本発明によれば、第２の導体部と容量線との間が短絡している画素にあっては、第１の導体部が切断されているので、不要な直流電圧が電気光学素子に印加される恐れはない。一方、電気光学素子は引き続き能動素子に接続されているのでこれにより不十分ではあるが動作可能である。即ち、第２の導体部と容量線との間が短絡しており、第１の導体部が切断された状態にあっては、表示装置の動作時において、第２の導体部の電圧は容量線に印加される電圧と同電圧となり、画素電極には映像信号が印加される。第２の導体部は絶縁膜を介して画素電極と対向しているので、第２の導体部と画素電極との間に容量が生ずる。第２の導体部と容量線とが短絡した状態であっても、第１の導体部を切断することによって、或る程度の容量値の付加容量が画素電極に接続された状態を維持することができる。尚、正常な画素に比べると電気信号のリークなどにより輝度レベルが若干ずれる恐れがある。それでも、欠陥画素を黒点化又は白点化するよりも目立たなくすることができる為、従来に比し効果的なリペア方式と言える。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。図１は本発明に係る表示装置の実施形態の一例を示す模式的な部分平面図である。尚、理解を容易にする為図８に示した従来の表示装置と対応する部分には対応する参照番号を付してある。本表示装置は、行状の走査線Ｘと、列状の信号線Ｙと、両者の交差部に配された行列状の画素ＰＸＬとを備えている。画素ＰＸＬは能動素子と容量素子と電気光学素子とこれらを互いに接続する導体とを含んでいる。能動素子は薄膜トランジスタＴＦＴからなり、走査線Ｘによって選択された時信号線Ｙから電気信号を取り込む。容量素子は保持容量Ｃｓとして形成されており、取り込んだ電気信号を保持する。電気光学素子は保持された電気信号に応じて光学状態が変化する。導体ＰＴＮは薄膜トランジスタＴＦＴ、保持容量Ｃｓ及び電気光学素子を互いに接続する。特徴事項として、導体ＰＴＮは、保持容量Ｃｓに欠陥ＤＦがある時、電気光学素子と薄膜トランジスタＴＦＴとの電気的な接続を維持したまま、保持容量Ｃｓを電気光学素子から電気的に切断可能なパタン形状を有する。具体的には、導体ＰＴＮのうち、ドレインＤから容量線Ｘｓに向かって延在する部分は、導体部を形成する。導体部は、ドレインＤから延在し、切断部ＣＴを含む第１の導体部と、第１の導体部から延在し、容量線Ｘｓに対向する第２の導体部とから成る。図示の切断部ＣＴにレーザ光を照射して、短絡欠陥ＤＦを含む保持容量Ｃｓを電気光学素子から切り離す。具体的には、薄膜トランジスタＴＦＴ、保持容量Ｃｓ、電気光学素子及び導体ＰＴＮはガラスなどの透明基板の一面側に（表面側）集積形成されており、導体ＰＴＮは透明基板の他面側（裏面側）から入射するレーザ光の照射を受けて部分的に切断可能なパタン形状を有する。好ましくは、導体ＰＴＮはレーザ光の照射を受けて切断可能なくびれたパタン形状を有する。尚、薄膜トランジスタＴＦＴは、走査線Ｘに接続したゲートＧ、信号線Ｙに接続したソースＳ及び電気光学素子と保持容量Ｃｓとに接続したドレインＤを有する。この場合、導体ＰＴＮは薄膜トランジスタＴＦＴを構成する半導体薄膜と同一層である。薄膜トランジスタＴＦＴは、例えば多結晶シリコンからなる半導体薄膜で構成されている。多結晶シリコンＴＦＴは非晶質シリコンＴＦＴに比べ電流リークが少ないので、保持容量Ｃｓを切り離しても電気光学素子をある程度駆動する能力がある。尚、前述した電気光学素子は、ＴＦＴのドレインＤに接続した画素電極と、この画素電極に対向配置されて所定の電位に保持された対向電極と、両電極の間に保持された液晶とからなる。この場合、画素電極は金属反射膜からなり、ＴＦＴ、保持容量Ｃｓ及び導体ＰＴＮは金属反射膜の下層に配されている。即ち、本表示装置は反射型である。反射型の場合、導体ＰＴＮは金属反射膜の下に置かれており、画素の開口率に関係なく比較的自由にパタン設計ができる。従って、所望の部分に切断部ＣＴを設定することが可能である。尚、本発明は反射型の表示装置ばかりでなく透過型の表示装置にも適用可能であることは言うまでもない。
【００１２】
図２は、図１に示した表示装置の等価回路図である。尚、理解を容易にする為、図９に示した従来の表示装置と対応する部分には対応する参照番号を付してある。画素ＰＸＬは薄膜トランジスタＴＦＴと保持容量Ｃｓと液晶セル（電気光学素子）Ｃｌｃとを含んでいる。ＴＦＴとＣｌｃとＣｓは導体ＰＴＮによって互いに電気接続されている。この例では、保持容量Ｃｓの部分で、絶縁膜の破壊などによりドレインＤと容量線Ｘｓとが短絡し、欠陥ＤＦ（図１）を生じている。保持容量Ｃｓの欠陥により、ＴＦＴのドレインＤと容量線Ｘｓは短絡している。この場合、導体ＰＴＮのうち、切断部ＣＴを含む第１の導体部を丁度ＣＴでレーザカットし、保持容量ＣｓをドレインＤから切り離す。これにより、ＴＦＴを介して入力された電気信号は、液晶セルＣｌｃの画素電極のみに印加される。これにより、Ｃｓの欠陥に起因するイレギュラーな電位がＣｌｃの画素電極に印加されることがない。従って、液晶セルＣｌｃは主として自己の保持特性のみでＴＦＴにより駆動されることになる。この様に、保持容量Ｃｓの部分で万一短絡欠陥などの異常が発生しても、欠陥容量Ｃｓをレーザ光で切り離すことによって、液晶セルＣｌｃの画素電極にはほぼ本来の電気信号電位が供給可能である。この様な修復は、図２に示すようにＴＦＴの次にＣｌｃとＣｓを順に配列することで可能になる。図９の構造に比べ、図２の構造は修復後でも入力された電気信号の電位を画素電極に供給でき、正常な画素とほぼ同等の信号電位が保持可能となる為、表示エリアを巨視的に見た場合画質のレベルを下げることがない。ここで、修復された画素には、信号電位と完全に同等ではなく、ほぼ同等な電位を供給可能である。巨視的ではなく微視的に見ると、修復された画素は保持容量が切り離されている為、例えば液晶セルＣｌｃ自身の保持率やＴＦＴの電流リークなどに依存して、正常な画素に比べ、入力された電気信号の電位を保持する能力が若干劣るからである。この場合、修復された画素の周辺を微視的に観察すると、微細なレベルのフリッカや微細な輝度レベルのずれが観察される。但し、百万個を超える画素を含む表示領域を巨視的に見れば、この様なわずかな相違はほとんど視認不可能である。
【００１３】
図３は、図１に示した（ａ）−（ｂ）−（ｃ）−（ｄ）−（ｅ）に沿った断面形状を表わした展開断面図である。図示する様に、本表示装置は一対の基板１，９と両者の間に保持された液晶１１とで構成されている。上側の基板９の内表面には透明な対向電極１０が形成されている。一方、下側のガラス基板１の内表面には、薄膜トランジスタＴＦＴや保持容量Ｃｓが形成されている。ＴＦＴはボトムゲート構造を有し、ゲートＧの上にゲート絶縁膜２を介して半導体薄膜３が成膜されている。この半導体薄膜３は例えば多結晶シリコンからなり、所定の形状にパタニングされて、図１に示した導体ＰＴＮを構成している。半導体薄膜３のゲートＧと対応する部分には上からストッパ５が形成されており、チャネル領域を保護している。係る構成を有する薄膜トランジスタＴＦＴは層間絶縁膜４により被覆されている。その上には信号線Ｙがパタニング形成されており、層間絶縁膜４に開口したコンタクトを介してＴＦＴのソースＳに電気接続している。一方、保持容量Ｃｓは容量線Ｘｓと半導体薄膜３から成る第２の導体部との間に挟持された絶縁膜を誘電体層として形成されている。尚、容量線ＸｓはゲートＧを含む走査線Ｘと同一材料である。又、誘電体層はゲート絶縁膜２と同一層である。係る構成を有する保持容量ＣｓはＴＦＴのドレインＤに電気接続している。保持容量Ｃｓに図示の短絡欠陥ＤＦが生じた場合、保持容量Ｃｓは半導体薄膜３から成る第１の導体部における切断部ＣＴでドレインＤから切り離される。この場合、切断部ＣＴはガラス基板１の裏面側から照射されるレーザ光によって処理される。図示する様に、短絡欠陥ＤＦは容量線Ｘｓと半導体薄膜３との間に保持されたゲート絶縁膜２の絶縁破壊により発生する場合が多い。上述したＴＦＴ及びＣｓは平坦化膜７により被覆されている。その上には、画素電極８が形成されており、パッド電極６を介してＴＦＴのドレインＤとコンタクトしている。この画素電極８と対向電極１０との間に保持された液晶１１とで、画素毎に液晶セルが構成される。本例の場合、画素電極８は金属反射膜からなり、反射型の表示装置となっている。ＴＦＴやＣｓを構成する半導体薄膜３は金属反射膜からなる画素電極８で完全に覆われる為、外部から視認されることはない。従って、半導体薄膜３のパタン設計は比較的自由度があり、ＴＦＴと液晶セルの接続を保持したまま、Ｃｓのみを選択的に切り離し可能な形状にできる。
【００１４】
図４は、図３に示した表示装置の変形例を示しており、対応する部分には対応する参照番号を付して理解を容易にしている。異なる点は、ＴＦＴがボトムゲート構造ではなく、トップゲート構造となっていることである。即ち、半導体薄膜３の上にゲート絶縁膜２を介してゲートＧが形成されている。これに対応して、保持容量Ｃｓは下層の半導体薄膜３と上層の容量線Ｘｓとの間に保持されたゲート絶縁膜２を誘電体層としている。この誘電体層に図示の短絡欠陥ＤＦが発生した時、保持容量Ｃｓは切断部ＣＴで、ＴＦＴ及び画素電極８から切り離される。
【００１５】
図５は、図１に示した本発明に係る表示装置の変形例を示す模式的な部分平面図である。図示する様に、導体ＰＴＮの切断部ＣＴは、予めレーザ光の照射を受けて切断可能なくびれたパタン形状を有する。これにより、レーザ光の照射で容易に溶融切断可能となり、周辺の画素電極、液晶及びその配向膜に熱的な悪影響を及ぼす恐れがなくなる。
【００１６】
図６は、図２に示した表示装置の変形例を示す模式的な等価回路図である。本例では、第１の保持容量Ｃｓ１と、第２の保持容量Ｃｓ２が別々に、ＴＦＴのドレインＤに電気接続されている。この場合、Ｃｓ１に欠陥が生じれば、これをＣＴ１で切断することにより、ＴＦＴ及びＣｌｃから切り離すことができる。又、Ｃｓ２に欠陥が発生した場合、ＣＴ２で切断することによりＴＦＴ及びＣｌｃから切り離すことができる。この様に選択的切断が可能なパタンに導体ＰＴＮを形成すればよい。
【００１７】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、アクティブマトリクス型の表示装置において、容量素子に欠陥があるとき、電気光学素子と能動素子との電気的な接続を維持したまま容量素子を電気光学素子から電気的に切断可能である。また、第１の導体部を切断することによって、或る程度の容量値の付加容量が画素電極に接続された状態を維持することができる。よって、修復後でも電気光学素子は能動素子によりほぼ正常に動作可能である。従って、ほとんど表示品位を低下させることなく欠陥画素の修復が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明に係る表示装置の模式的な部分平面図である。
【図２】  図１に示した表示装置の等価回路図である。
【図３】  図１に示した表示装置の展開断面図である。
【図４】  図３に示した実施形態の変形例である。
【図５】  図１に示した実施形態の変形例である。
【図６】  図２に示した実施形態の変形例である。
【図７】  従来の表示装置の一般的な構成を示す模式的な斜視図である。
【図８】  従来の表示装置の一例を示す部分平面図である。
【図９】  図８に示した表示装置の等価回路図である。
【符号の説明】
１・・・ガラス基板、２・・・ゲート絶縁膜、３・・・半導体薄膜、４・・・層間絶縁膜、７・・・平坦化膜、８・・・画素電極、９・・・基板、１０・・・対向電極、１１・・・液晶、Ｘ・・・走査線、Ｙ・・・信号線、ＴＦＴ・・・薄膜トランジスタ、Ｃｓ・・・保持容量、ＰＴＮ・・・導体、ＰＸＬ・・・画素、ＣＴ・・・切断部
【図１】
0004517419.tif 000002
【図２】
0004517419.tif 000003
【図３】
0004517419.tif 000004
【図４】
0004517419.tif 000005
【図５】
0004517419.tif 000006
【図６】
0004517419.tif 000007
【図７】
0004517419.tif 000008
【図８】
0004517419.tif 000009
【図９】
0004517419.tif 000010