(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロ光学システムであって、
リジッド基板（１２８）と、
該リジッド基板（１２８）から離隔した関係で配置された熱基板（１３０）と、
前記リジッド基板（１２８）上に配置され、出力光信号を生成するためのレーザを備える光電子集積回路（１０８）と、
前記光電子集積回路（１０８）を駆動するために前記熱基板（１３０）上に配置された電子ドライバ（１０２）と、
前記電子ドライバ（１０２）、前記光電子集積回路（１０８）、熱基板（１３０）、及びリジッド基板（１２８）に被せてこれらを埋め込むように配置されたフレキシブル誘電体基板（１３２）とを備え、
前記フレキシブル誘電体基板（１３２）は、前記リジッド基板（１２８）と前記熱基板（１３０）とを接続し、前記リジッド基板（１２８）と前記熱基板（１３０）との間でたわみを提供する、マイクロ光学システム。
【請求項２】
前記出力光信号（１２４）を変調するための電界吸収型変調器（１１８）を更に備える請求項１に記載のマイクロ光学システム。
【請求項３】
前記電子ドライバ（１０２）が、マイクロ波モノリシック集積回路を含む請求項１に記載のマイクロ光学システム。
【請求項４】
前記フレキシブル誘電体基板（１３２）の上に配置されるか又はその内部に埋め込まれ、且つ前記光電子集積回路（１０８）から前記出力光信号（１２４）を受光する電気−光デバイス（１４６、１４８）と、
前記電気−光導波路（１４６、１４８）に沿って配置された接地電極（１９８）と、
前記電気−光導波路（１４６、１４８）内で出力光信号（１２４）を変調するために、前記電気−光導波路（１４６、１４８）に沿って前記接地電極（１９８）に対向して配置され且つ前記電子ドライバ（１０２）から変調信号（２５２）を受け取る信号電極（１４２）と、
を更に備える請求項１に記載のマイクロ光学システム。
【請求項５】
偏光子、コリメータ、又はビーム反射器を含む光学システム（１７６）を更に備え、前記光学システム（１７６）が、前記光電子集積回路（１０８）から前記出力光信号（１２４）を受光し、且つこれにより前記出力光信号を前記電気−光（１４６、１４８）導波路へ配向するよう動作する請求項１に記載のマイクロ光学システム。
【請求項６】
前記光基板（１２８）の温度を監視するために、前記リジッド基板（１２８）上に配置されたサーミスタ（１４０）を更に備える請求項１に記載のマイクロ光学システム。
【請求項７】
前記フレキシブル誘電体基板（１３２）がポリアミドポリマーを含む請求項１に記載のマイクロ光学システム。
【請求項８】
前記フレキシブル誘電体基板（１３２）が複数のバイアホール（１５６、１７０）を含む請求項１に記載のマイクロ光学システム。
【請求項９】
前記フレキシブル誘電体基板（１３２）上に配置され且つ前記電子ドライバ（１０２）と前記光電子集積回路（１０８）とを前記複数のバイアホール（１５６、１７０）を介して電気的に相互接続する複数のパターン形成された金属化層を更に備える請求項８に記載のマイクロ光学システム。
【請求項１０】
前記出力光信号（１２４）を監視するために前記出力光信号の一部を受光するパワー監視ユニット（１０６）を更に備える請求項１に記載のマイクロ光学システム。
【請求項１１】
前記熱基板（１３０）上に配置され且つ前記ドライバ（１０２）を制御するために前記パワー監視ユニット（１０６）と信号通信する制御ユニット（１０４）を更に備える請求項１０に記載のマイクロ光学システム。
【請求項１２】
前記フレキシブル誘電体基板（１３２）と前記リジッド基板（１２８）との間に配置された光ボールグリッド（１６４）アレイを更に備える請求項１に記載のマイクロ光学システム。
【請求項１３】
前記光ボールグリッドアレイが、
前記出力光信号（１２４）を受光する屈折率整合材料と、
前記出力光信号（１２４）を誘導するために前記屈折率整合材料の内部に封入された導波路と、
を含む請求項１２に記載のマイクロ光学システム。
【請求項１４】
前記光ボールグリッドアレイが、
前記出力光信号（１２４）を受光する屈折率整合材料と、
前記出力光信号（１２４）を回折するために前記屈折率整合材料の内部に封入された回折光学素子（１７４）と、
を含む請求項１２に記載のマイクロ光学システム。
【請求項１５】
前記光ボールグリッドアレイが、
前記出力光信号（１２４）を受光する屈折率整合材料と、
前記出力光信号（１２４）を再配向させるために前記屈折率整合材料の内部に封入された反射面と、
を含む請求項１２に記載のマイクロ光学システム。
【請求項１６】
前記反射面が平面反射鏡（３２２）を含む請求項１５に記載のマイクロ光学システム。
【請求項１７】
前記反射面が曲面反射鏡を含む請求項１５に記載のマイクロ光学システム。
【請求項１８】
前記反射面がコーナーキューブ反射器（３０６）を含む請求項１５に記載のマイクロ光学システム。
【請求項１９】
前記コーナーキューブ反射器が、
複数の互いに直交する反射面（３１０、３１２、３１４）と、
前記複数の互いに直交する反射面（３１０、３１２、３１４）の内の１つに配置され且つ前記出力光信号（１２４）を受光するアパーチャ（３１６）と、
を含み、
前記出力光信号の第１のセグメント（３１８）がそこから反射され、前記出力光信号の第２のセグメント（３２０）がそこを通過して進むことを特徴とする請求項１８に記載のマイクロ光学システム。
【請求項２０】
前記フレキシブル誘電体基板（１３２）が、複数のフレキシブル誘電体基板（１３２、１８６）を含む請求項１に記載のマイクロ光学システム。
【請求項２１】
前記複数のバイアホールが、
第１のフレキシブル誘電体基板（１３２）内の第１のバイアホール（１５６）と、
第２のフレキシブル誘電体基板（１８６）内にあり且つ軸線に沿って前記第１のバイアホール（１５６）と整列した第２のバイアホール（１７０）と、
を含む請求項２０に記載のマイクロ光学システム。
【請求項２２】
前記第１のバイアホール（１５６）が、前記第１のバイアホール（１５６）の表面上に金属化バンドを含む請求項２０に記載のマイクロ光学システム。
【請求項２３】
前記金属化バンドが、前記第１のバイアホール（１５６）の表面上に複数の金属化バンドを含む請求項２２に記載のマイクロ光学システム。
【請求項２４】
前記複数の金属化バンドが、前記複数の金属化バンド間に配置された非金属化バンドを含む請求項２３に記載のマイクロ光学システム。
【請求項２５】
マイクロ光学システムであって、
リジッド基板（１２８）と、
該リジッド基板（１２８）から離隔した関係で配置された熱基板（１３０）と、
前記リジッド基板（１２８）上に配置され、出力光信号を生成するための光電子集積回路（１０８）と、
前記光電子集積回路（１０８）を駆動するために前記熱基板（１３０）上に配置された電子ドライバ（１０２）と、
前記電子ドライバ（１０２）、前記光電子集積回路（１０８）、熱基板（１３０）、及びリジッド基板（１２８）に被せてこれらを埋め込むように配置されたフレキシブル誘電体基板（１３２）とを備え、
前記フレキシブル誘電体基板（１３２）が、ポリ（アクリル酸）、ポリ（アルキルメタクリレート）、ポリ（テトラフルオロエチレン）、シリコーン、又はアルキル基が１個〜約１２個の炭素原子を有するこれらの混合物を含み、
前記フレキシブル誘電体基板（１３２）は、前記リジッド基板（１２８）と前記熱基板（１３０）とを接続し、前記リジッド基板（１２８）と前記熱基板（１３０）との間でたわみを提供する、マイクロ光学システム。
【請求項２６】
前記ポリ（アルキルメタクリレート）が、ポリ（メチルメタクリル酸）からなる請求項２５に記載のマイクロ光学システム。
【請求項２７】
マイクロ光学システムであって、
リジッド基板（１２８）と、
該リジッド基板（１２８）から離隔した関係で配置された熱基板（１３０）と、
前記リジッド基板（１２８）上に配置され、出力光信号を生成するための光電子集積回路（１０８）と、
前記光電子集積回路（１０８）を駆動するために前記熱基板（１３０）上に配置された電子ドライバ（１０２）と、
前記電子ドライバ（１０２）、前記光電子集積回路（１０８）、熱基板（１３０）、及びリジッド基板（１２８）に被せてこれらを埋め込むように配置されたフレキシブル誘電体基板（１３２）とを備え、
前記フレキシブル誘電体基板（１３２）は、第１のフレキシブル誘電体基板（１３２）内の第１のバイアホール（１５６）と、
第２のフレキシブル誘電体基板（１８６）内にあり且つ軸線に沿って前記第１のバイアホール（１５６）と整列した第２のバイアホール（１７０）とを含む複数のフレキシブル誘電体基板（１３２，１８６）及び複数バイアホール（１５６，１７０）とを備え、
前記第１及び第２のバイアホール（１５６、１７０）が、前記軸線に対して計測された角度θを定める円錐台のものであり、
前記フレキシブル誘電体基板（１３２）は、前記リジッド基板（１２８）と前記熱基板（１３０）とを接続し、前記リジッド基板（１２８）と前記熱基板（１３０）との間でたわみを提供する、マイクロ光学システム。
【請求項２８】
前記角度θが約２５度から３５度までの範囲内にある請求項２７に記載のマイクロ光学システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、集積光学素子に関し、より具体的には光電子組立体を支持するための集積マイクロ光学ベンチに関する。
【背景技術】
【０００２】
サーババックプレーン、医療用光センサアレイ、及び一般通信システムなどの応用分野で光学システムを生成するためには、多数のディスクリート及び集積の光学並びに電子構成部品を組み込む方式が必要となる。これらのシステムは、そのような製品で求められる信号及び信号の完全性を生成及び制御するために必要な多数の構成要素と更に多くの相互接続とを要する電気及び光信号を生成する。
【０００３】
従来の光及び電子組立体は、個々のパッケージ形態で物理的分離を使用し、これは、多大なコスト、材料、寸法及び重量をこれらが機能するシステムに付加する。これらの分離したパッケージは、環境又は互いとの相互作用を防ぐ密封した金属及びセラミック筺体を含む。構成要素間のコネクタ及び相互接続は、信頼性に対する問題を増大させる。別個のヒートシンクは、熱絶縁を可能にするが、クロストーク及びＥＭＩを引き起こす長い物理経路を形成する。光学相互接続は、より大きな物理的距離に対処するためにアライメントとレンズを必要とし、物理的距離とコネクタに起因する損失に対処するために、追加の増幅器が必要となる。シリコンオプティカルベンチ（ＳＯＢ）と呼ばれるシリコン上に生成された複合ハイブリッドは、この問題を解決するよう試みたが、材料の種類、特性の整合性、マイクロ波に対する厚さ及び誘電適合性、及び光学的要件において極めて限定されたものである。通常このようなＳＯＢは、数千もの接続部の集積化ではなく、ピグテールに使用される。
【特許文献１】欧州特許出願公開ＥＰ０７１０８６１Ａ号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従って、光電子デバイスの電気及び光学的相互接続の双方において、これらの固有の特性を集積マイクロ光学ベンチ上に一体化させることによって、電力面の不利益が無く高い信号品質を実現するニーズが従来技術には引き続き存在する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
光電子組立体を支持するための集積マイクロ光学ベンチとしてのマイクロ光学システムは、リジッド基板と、リジッド基板から離隔した関係で配置された熱基板とを備える。光電子集積回路は、リジッド基板上に配置され、光信号を生成する。パワー監視ユニットは、リジッド基板上に配置され、光信号の少なくとも一部を監視するために光電子集積回路と信号通信する。サーミスタは、光基板の温度を監視するためにリジッド基板上に配置される。電子ドライバは、光電子回路を駆動するために熱基板上に配置され、制御ユニットは同様に、熱基板上に配置される。制御ユニットは、ドライバを制御するためにパワー監視ユニット及びサーミスタと信号通信する。少なくとも１つのポリマー基板が、電子ドライバ、制御ユニット、パワー監視ユニット、光電子回路及びサーミスタに被せるように配置される。複数のパターン形成された金属化層が、少なくとも１つのポリマー基板上に配置され、電子ドライバ、制御ユニット、パワー監視ユニット、光電子回路及びサーミスタを電気的に相互接続する。
【０００６】
本発明の新規のマイクロ光学ベンチは、電荷結合デバイス（ＣＣＤ)センサアレイ又はビームフォーミング応用の光アンテナなどの光電子工学に基づく多くのシステムに適用ことができる集積化プラットフォームを形成する。最適な半導体から作られた、高速ディジタル回路、混合信号回路、アナログ回路、制御回路、及び光電子回路を同一場所に配置し且つ集積する機能は、共に集積された光及び電気導体、導波路、及び本発明の非導波相互接続で解決される。光学的減衰は超緊密集積化によって低減され、該集積化は更に、取り込み角度としてのレンズを排除し、角度位置ずれを低減させ、不完全接合からの外因性損失を減少させる。
【０００７】
電気及び光の相互接続、熱的及び機械的組立体、並びに、電子、光電子、受動及び能動構成部品の集積化のためのプラットフォーム技術として説明される、本発明の新規のマイクロ光学ベンチが提供される。このプラットフォームは、電気的光学的に導波されたマイクロ波及び導波されない波による光結合及びチップ間相互接続、及び、フレキシブル回路、リジッド又は非フレキシブルな実施形態での新規のチップによる電力又はバイアスの電気的接触又は界面を提供する。このプロセスは、光学的適合ウエハキャリアを形成し、非実装又はサブマウントのベア構成部品を使用して電気的接触及び光学的界面に対して相互接続するための組立方法及び処理方法を提供する。
【０００８】
電子材料を絶縁する固有の誘電体を使用して、共面の、近接した、又は直接の光伝播結合モードを得るために、蒸着、集積化、組立又は積層を用いて、ベアの光学又は光電子構成部品レベルの発光又は受光点における自由空間、屈折率整合結合材料、又は導波手段（ファイバ、導波路）によって、緊密近接結合が提供される。
【０００９】
導電性相互接続を必要とする共パッケージ化され且つ共接合された制御、フィードバック、増幅又は駆動、及びバイアス回路が、光材料媒体又は絶縁体を電気導体に対する誘電体として利用する集積された共面のマイクロ波又はバイアストラックとして提供される。均一な熱界面、管理、及び絶縁機構により、誘電体絶縁、熱電クーラー分離、及びマイクロパイプ循環の分離で完全に隔離された状態で、隣接する構成部品が独立して作動することが可能となる。本発明は、不要な電磁妨害（ＥＭＩ)信号のファラデー遮蔽の集積化と、高忠実度を実現するための代表的回路アーキテクチャの段階間の光相互接続とを示す。
【００１０】
本発明は、特に、単一プラットフォーム内で異種混交構造を使用して、高忠実度のために必要となる固有の特性を集積させることによって、電力面での不利益がなく電気及び光の双方の相互接続における高品質な信号の実現に対処するものである。目標とするビット誤り率（ＢＥＲ）を低電力で実現することで、より高い感度と、相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ)とのより良好な集積とが可能になるであろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
図１、図２及び図３を参照すると、光電子組立体又は回路を支持するための集積マイクロ光学ベンチとしてのマイクロ光学システムが概略的に１００で示される。集積マイクロ光学ベンチ１００は、例えばアルミナセラミックス又はシリコン基板から構成されるリジッド基板１２８を備える。熱基板１３０は、リジッド基板１２８から離隔した関係で配置される。リジッド基板及び熱基板１２８、１３０は、１８８の位置でおよそ２８ミクロンだけ間隔を置いて配置されている。参照符号１８８で示された空間は、空隙として残されるか又はフレキシブルな非熱伝導性の充填材料で満たすことができる。光電子集積回路（ＯＥＩＣ）１０８は、リジッド基板１２８上に配置され、例えば、出力光信号１２４を供給する連続波又はパルスレーザ１１４を含むことができる。連続波（ＣＷ）又はパルスレーザ１１４は、例えば、分布帰還型（ＤＦＢ）レーザ、ファブリ−ペロー（ＦＰ）型レーザ、垂直キャビティ面発光（ＶＣＳＥＬ）レーザのような面発光レーザ、端面発光レーザ又は他の適切なレーザダイオードを含む。これらのレーザは、そこからの前面、背面、側面、上面及び傾斜ファセットの発光を含むことが企図される。ＯＥＩＣ１０８はまた、レーザ１１４の出力光信号１２４を変調する電界吸収型変調器（ＥＡＭ）１１８を含むことができる。パワー監視ユニット１０６（例えば、ＰＩＮフォトダイオード、アバランシェフォトダイオード−ＡＰＤ)は、リジッド基板１２８上に配置される。パワー監視ユニット１０６は、レーザ１１４の後方ファセットから放射される出力光信号１１６のセグメントのパワーを計測することによって光電子集積回路１０８と１１６において信号通信し、すなわち光電子回路１０８の出力性能を監視する。サーミスタ１４０は、その温度を監視するためにリジッド基板１２８上に配置される。
【００１２】
図３に示すように、光電子集積回路（ＯＥＩＣ）１０８は、出力としてパルス又は連続波光信号１２４を供給し、該信号は、光ファイバ１８４（図５）又は他の光デバイスなどの導波路に配向させることができる。図３ではまた、電子ドライバ１０２が３つの駆動信号１２２、１２６、２５２を出力として供給していることが理解される。駆動信号１２２は、レーザ１１４に連続波出力光信号１２４を発生させるための直流バイアス信号である。或いは、駆動信号１２２（注入電流）は、ＯＥＩＣ１０８を発光ダイオード（ＬＥＤ）状態とレーザダイオード（ＬＤ）状態との間で変調させる直接変調信号とすることができる。駆動信号１２６は、電界吸収型変調器（ＥＡＭ）１１８を駆動するための電気信号である。駆動信号２５２は、光信号を電気−光変調器（以下に説明する）内で変調させるためのＲＦ変調信号である。
【００１３】
引き続き図１、図２、及び図３において、モノシリック集積回路（ＭＭＩＣ）のような電子ドライバ１０２を含むマイクロチップ１８０は、熱基板１３０上に配置される。電子ドライバ１０２は、光電子回路１０８に駆動信号１２２、１２６、２５２を供給する。制御ユニット１０４は、熱基板１３０上に配置され、且つ１９４においてパワー監視ユニット１０６と、及び１９２においてサーミスタ１４０と信号通信し、これによって電子ドライバ１０２を制御する。図１に示すように、複数のパターン形成された金属化層又はトレース１３６は、電子ドライバ１０２と光電子集積回路１０８とを電気的に相互接続する。パターン形成された金属化層１３６はまた、パワー監視ユニット１０６及びサーミスタ１４０を制御ユニット１０４及びマイクロ光学システム１００の他の素子に電気的に相互接続する。更に図１（及び図４、図５、図６、図７）に示すように、第１のフレキシブルポリマー基板１３２は、電子ドライバ１０２、コントローラ１０４、パワー監視ユニット１０６、光電子集積回路１０８、サーミスタ１４０、リジッド及び熱基板１２８、１３０、並びに金属化層１３６からなる組立体に上方から被せて埋め込むように、或いは下方から前記組立体の下に敷く（例えば補強するように）ように配置される。また、図１（及び図４、図５、図６、図７）に示すように、第２のフレキシブルポリマー基板１８６を備えてもよい。
【００１４】
フレキシブルポリマー基板１３２、１８６及び電子−光変調器１４６、１４８の適切な有機材料の例には、ポリ（アクリル酸）；例えばポリ（メチルメタクリル酸）（ＰＭＭＡ）であるポリ（アルキルメタクリレート）；ポリ（テトラフルオロエチレン）（ＰＴＦＥ）；シリコーン；及びアルキル基が１個〜約１２個の炭素原子を持ち、且つ上述の有機材料の少なくとも１つから構成される混合物が含まれる。フレキシブルポリマー基板１３２、１８６はまた、例えば、ＫＡＰＴＯＮ（商標）のようなポリイミドポリマーなどのポリマーを含むことができる。リジッド基板１２８と熱基板１３０とが互いから位置ずれした別個の構成要素であるか又はフレキシブルな非熱伝導充填材料料によって接合されていること、及び誘電体ポリマー基板１３２、１８６のフレキシブルな性質と相まって、集積マイクロ光学ベンチ１００は、リジッド基板１２８及び熱基板１３０並びにその上に配置された構成要素間で完全にたわむことができる。これは図４で分かる。
【００１５】
集積マイクロ光学ベンチ１００の説明から最も良く分かるように、リジッド基板１２８は、光電子集積回路１０８の光学構成要素の精密なアライメントのためにリジッドなプラットフォームを提供する。熱基板１３０は、熱交換器の性質を有するプラットフォームを提供し、制御ユニット１０４及び電子ドライバ１０２によって発生した熱を、これにより及びこれを介して集積マイクロ光学ベンチ１００から放散することができる。このために、電子ドライバ１０２によって発生した高い熱エネルギーと安定した光電子機器との間の熱絶縁が、２つの物理的に近接する基板１２８、１３０の間の境界１８８によって形成される。電子ドライバ１０２及びＯＥＩＣ１０８は、これらの対向する熱経路の方向を変更させるマクロパイプによるなどの伝導によって可能となる別個の熱経路を有する。
【００１６】
図４を参照すると、集積マイクロ光学ベンチ１００は更に、フレキシブル誘電体基板１３２、１８６の一方上に配置され、又はこれらの内部に埋め込まれて、光電子集積回路１０８から光信号１２４を受光する導波路１４６、１４８のようなポリマー電気−光デバイスを備える。ポリマー電気−光導波路１４６、１４８は、例えば、図１６で更に詳細に示されるマッハツェンダー干渉計（ＭＺＩ）の性質を有することができる。そこでは接地電極１９８が、ＭＺＩ１４６の１つの分岐路２１２に沿って配置され、信号電極１４２は、接地電極１９８に対向して分岐路２１２に沿って配置される。信号電極１４２は、ＭＺＩ１４６で光信号１２４を変調するために、電子ドライバ１０２から変調信号２５２を受け入れる。図１６では、ＭＺＩ１４６は、ＯＥＩＣ１０８から光信号１２４を受光する入力チャネル２０８を備える。ビームスプリッタ２１４は、光信号１２４を２つのビーム２５４、２５６に分割し、これらを第１の分岐路２１０及び第２の分岐路２１２に沿って別々に配向する。図１６の実施形態では、電極１４２、１９８は、ＭＺＩ１４６の分岐路の１つにわたって互いに正反対に配置されている。或いは、複数の接地電極１９８を第１の分岐路２１０及び第２の分岐路２１２に沿って別々に配置し、電極１４２を第１の分岐路２１０及び第２の分岐路２１２の間でこれらに沿って配置してもよい。
【００１７】
図３、図４、図５、及び図７を参照すると、集積マイクロ光学ベンチ１００は更に、出力光信号１２４を偏光させるための少なくとも１つの偏光子１３４、出力光信号１２４をコリメートするためのコリメータ１５０、及びプリズム又は鏡などのビーム反射器１４４を含む光学システム１７６を備える。光学システム１７６は、光電子集積回路１０８からの光信号１２４を受光し、これにより光信号１２４を調整又は整形して電気−光導波路１４６、１４８へ配向するよう動作する。光学システム１７６は、モード変換などの修正機能を備え、出力光信号１２４をＭＺＩ１４６、１４８又は導波路１８４へ結合するために正確な反射角度をもたらす。図５、及び図６で分かるように、集積マイクロ光学ベンチ１００はまた、光信号１２４がＯＥＩＣ１０８（又は光学システム１７６）から光ファイバ１８４のような導波路１８４へ結合される場合には、屈折率整合ポリマー又はガラス１５２を含むことができる。或いは、このような屈折率整合材料を使用せずに、ＯＥＩＣ１０８（又は光学システム１７６）と導波路１８４との間に自由空間の光学経路が存在してもよい。
【００１８】
図８−図１４及び図１８及び図１９では、ＯＥＩＣ１０８は、垂直キャビティ面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）１１０のような面発光レーザを含む。環状光検出器１５４が、ＶＣＳＥＬ１１０の出口アパーチャの周囲に配置される。図９では、ＶＣＳＥＬ１１０は、光ファイバのような導波路１８４に配向された光信号１１２を出力として供給する。ある試験条件において、例えば光検出器１５４は、ＶＣＳＥＬ１１０の動作を監視する反射帰還試験信号１５８を導波路１８４から受け取る。代替的に、信号１５８は、導波路１８４から直接受け取った信号であってもよい。いずれの場合においても、これによりマイクロ光学システム１００は、双方向（すなわち、送信及び受信）で機能するように動作する。図９において、第１及び第２のフレキシブル誘電体基板１３２、１８６は、バイアホール１５６、１７８を含む。バイアホール１７８は、金属化層１３６に接続された金属化層１７０を含む。図１７で分かるように、マイクロ光学システムは、複数のバイアホール１５６、１７８を含む。第１のバイアホール１５６は、第１のフレキシブル誘電体基板１３２内にあり、第２のバイアホール１７８は、第２のフレキシブル誘電体基板１８６内で軸線４０２に沿って第１のバイアホール１５６と整列している。第１及び第２のバイアホール１５６、１７８は、軸線４０２に対して測定される角度θを定める円錐台のものである。代表的なθの値は、約２５度から３５度までの範囲内にある。第１のバイアホール１５６は、その表面上に金属化バンド（又は層）４０８を含む。金属化バンド４０８は、第１のバイアホール１５６の表面４１０上に複数の金属化バンドを含む。複数の金属化バンド４０８、４１０は、複数の金属化バンド４０８、４１０の間に配置された非金属化バンド４０６を含み、従って、金属化及び非金属化バンドの交互するセット４０６、４０８、４１０を構成し、ここではＶＣＳＥＬ１１０から放射する光１１２が、第１の誘電体基板１３２の内部へ漏洩するのが防止され、導波路又は他のデバイスから放射する光１７４、１９６は、非金属化バンド４０６を通過することができる。金属化は、誘電体基板１３２、１８６上又はその表面上への導電性材料からなる薄膜パターンの堆積物であり、マイクロ光学システムの電子構成要素の電気的相互接続を形成する。第１のバイアホール１５６内の金属化バンド４０８、４１０は電気的機能がない点を理解されたい。
【００１９】
図１２、図１３及び図１９においては、集積マイクロ光学ベンチ１００は更に、リジッド基板１２８と第１及び第２のフレキシブル誘電体ポリマー基板１３２、１８６との間に直接的な電気及び機械的接続を形成するために、フリップ・チップ構成のボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）１７２を備える。フリップ・チップ構成においては、ＯＥＩＣ１０８は、その終端の全てをバンプ接触又はビーズ型パッドの形態で１つの側面上に有し、必要とされる回路相互接続部へリード線を接触させることによって、ＯＥＩＣ１０８のフリップマウント又はダウンフェースマウントを可能にする。
【００２０】
加えて、集積マイクロ光学ベンチ１００は更に、ＶＣＳＥＬ１１０の出力光信号１１２などの光信号をマイクロ光学ベンチ１００内の他のデバイス又は光ファイバ１８４などの外部デバイスへ結合する、光ボールグリッドアレイ（ＯＢＧＡ）１６４を含む。光ボールグリッドアレイ（ＯＢＧＡ）は、表面実装技術（ＳＭＴ）を使用して光電子デバイス間で光電子入力／出力（Ｉ／Ｏ）を結合するための構造である。図１２、図１３及び図１９では、ＯＢＧＡ１６４は、例えば、自由空間、導波路（例えばシリコン上のポリマー又はシリカ）、又は光線（又は信号）を伝送し、配向し、又は誘導するのに適した光学媒体を囲むことができる封入体積から構成される。ＯＢＧＡ１６４は、マイクロ光学ベンチ１００においてＶＣＳＥＬ１１０からの出力光信号１１２を他の光又は電子デバイスに結合、反射、或いは配向する。ＯＢＧＡ１６４は、プログラム可能なたわみ面（例えば電子制御による可変鏡）のような内部微小電気機械構造体（ＭＥＭＳ）に電力を供給するために、頂部／底部マウント又は電気バイアスピンを備えるボール又は楕円の形状とすることができる。ＯＢＧＡ１６４は、汚染及び／又は環境の影響から保護された相互接続を形成し、該保護された相互接続はまた、マイクロ光学ベンチ１００の光学デバイス及び光電子デバイスの適正なアライメントを可能とするように適合されている。ＯＢＧＡ１６４構造体は、平面反射鏡３２２（図１５Ａ）、又は放物面鏡３２４（図１５Ｂ）、又はアパーチャ３１６を備える意図的にずれた微小機械加工コーナーキューブ再帰反射器（ＣＣＲ）３０６（図１４）のような反射面上に突き当たる光線の一部を含むことができる。
【００２１】
ＯＢＧＡ１６４の可変ＣＣＲの実施形態（図１４）は、凹面コーナーキューブ３０６を形成する３つの互いに直交した反射面又は鏡３１０、３１２、３１４を使用して、ＯＢＧＡ１６４に入る光１１２が少なくとも部分的に反射されるのを保証する。アパーチャ３１６は、第１の光のセグメント３２０がＣＣＲ３０６を通過し、第２の光のセグメント３１８が静電アクチュエータによりＣＣＲ３０６を意図的に変形又は傾斜させることによって反射することが可能となるように最適化される。ＣＣＲ３０６の第１のファセット３１０は、水平軸から約６０度から７５度までの角度とすることができ、第２のファセット３１２は、約４５度の角度でとすることができる。他の角度は、ＯＢＧＡ１６４の外部の結合面によって必要とされる反射をもたらす。アパーチャ３１６により、高効率及び高エネルギー通過効果を有する比例エネルギー反射器に対して反射を最適に選択することが可能になる。光電子デバイスのファセットから放射するフォトン又は、光電子デバイスの表面に突き当たるフォトンは、高度に精密な光学的アライメントと共に低クロストーク及び低信号減衰を可能にするように、ＯＢＧＡ１６４によって誘導又は配向される。
【００２２】
図１４では、ＯＢＧＡが３００で概略的に示される。ＯＢＧＡ３００は、屈折率整合ゲル、接着剤、又はエポキシ３０８の内部に囲まれた調節可能な（例えば、可変傾斜の）ＣＣＲ３０６を備える。ＣＣＲ３０６は、互いに直交するファセット３１０、３１２、３１４のセットを含む。１つのファセットは、アパーチャ３１６を含む。ＣＣＲ３０６は、ＶＣＳＥＬ１１０から放射する光１１２を受光する。第２の光出力のセグメント３２０は、アパーチャ３１６を通過し、一方第１のセグメント３１８はファセット３１０、３１２によって光検出器１５４へ反射される。ＣＣＲ３０６を角度ベータで傾斜させることによって、第１の光のセグメント３２０は、アパーチャ３１６を通過することができ、他方、光信号の残りの部分３１８は、光検出器１５４へ反射することができる。ＯＢＧＡ１６４の目的とする動作は、個別又は接続ＶＣＳＥＬ／ＰＩＮデバイス１５４、又は単一デバイス又は近接した状態で共接続したこれらのデバイスと共に光信号を監視するか又は変調を検出することである。
【００２３】
変形可能な熱可塑性、又は他の変形可能な熱作用、或いは可変鏡表面は、ＣＣＲ３０６を含むことができる。従来のボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）は、微小寸法化が可能であり、リソグラフィーでの期待された更なる改良下で許容される超小型化の単なる例証にすぎないチップスケール及びウエハスケールの実施形態を形成する。ＭＥＭＳ構造又は他の材料での変形性は、材料の能動的バイアス又は熱活性化を含み、表面プロフィ−ルの変更を引き起こす。本開示では、１つ又はそれ以上のＣＣＲ面３１０、３１２、３１４を意図的に位置ずれさせることによって、利用可能な信号強度の１００％を監視する必要が無く、出力光信号１１２のある割合の監視機能を提供することができる。ＯＢＧＡ１６４の静的（一回の設定）及び動的調整は、環境によって又はマイクロ光学ベンチ１００の経年変化によって誘導される応力をライフサイクルにわたって光学的に調節することを可能にする。
【００２４】
従って、前述の説明に基づき、新規のマイクロ光学ベンチが開示される。その構成要素は、機械的光学軸のアライメントと最小の材料分散を備えたモード結合とによって、高い結合比及び低損失に最適化された新規のプラットフォーム上に配置されたレーザダイオードベースの送信器及び光ダイオード受信器を含む、光通信トランシーバ機能を備える。モード雑音は、適用媒体でのモードフィールド直径とモード分布結合を整合させることによって抑制される。光又は電気接続からデバイスへ到達する電磁波の整合は、管理され且つ同じ場所に配置された誘電体又は伝播媒体（光コア又は導体）によって与えられ、モード選択損失効果を低減する。開口数のようなデバイス及び構造からの損失量に影響を与える近接パラメータはまた、光の拡大角度がコア又は検出器のアパーチャを超える前に、隣接する接続部の範囲内に光の拡大角度を取り込むことによって対処される。高い電気ドライバの熱エネルギーと安定した光電子回路との間の熱絶縁は、これらの対向する熱前面の方向を変化させるマイクロパイプのような伝導によって可能となる別個の熱経路を有する２つの物理的に近接する基板間で小型化された境界によって与えられる。高品質な電気経路整合は、制御されたインピーダンス経路の重ね合わせによるものである。劣化が少ないコネクタは、同一平面上の直接金属化、及びデバイスとのこうした相互接続を封入、放射、照射、又は橋絡を行うポリマー、空気又は他の誘電体系による光学帰還損失の最小化によって与えられる。デバイス又は結合面に対して直交、垂直、又は半端な角度のデバイス又は構造体からの光の放射は、こうした相互接続によって、最小又はゼロの寸法及び損失で結合される。
【００２５】
第１、第２など、又は前後、右左、上下、上側下側、及び水平と垂直、或いは別のものに対するある変数又は数量に関する他のどのような語句に対する全ての言及は、特に記載がない限り説明を容易にするためのものであり、任意の１つの位置又は空間的な方向に対して本発明又はその構成要素を限定するものではない。添付図面の構成要素の全ての寸法は、本発明の範囲から逸脱することなく、実施形態の可能な設計及び意図された用途に応じて変えることができる。
【００２６】
本発明を幾つかの実施形態に関連して説明してきたが、本発明の範囲から逸脱することなく種々の変更を行うことができ、均等物をその要素と置き換え得ることは、当業者には理解されるであろう。加えて、その本質的な範囲から逸脱することなく、特定の状況又は材料を本発明の教示に対して適合させるために多くの修正を行うことができる。従って本発明は、本発明を実施するために企図された最良の形態として開示された特定の実施形態に限定されるものではなく、本発明は添付の請求項に包含される全ての実施形態を含むことが意図されている。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】光電子回路を支持するための集積マイクロ光学ベンチの３次元図。
【図２】送信器としての図１の集積マイクロ光学ベンチの個々の要素の３次元図。
【図３】図１の集積マイクロ光学ベンチの平面図。
【図４】図１の集積マイクロ光学ベンチの断面図。
【図５】図１の集積マイクロ光学ベンチの断面図。
【図６】図１の集積マイクロ光学ベンチの部分断面図。
【図７】図１の集積マイクロ光学ベンチの断面図。
【図８】レーザの出口アパーチャにおける環状光検出器を有する垂直キャビティ面発光レーザの図。
【図９】光検出器が光を導波路から受光する光を導波路へ結合し且つ環状光検出器を備える垂直キャビティ面発光レーザの部分図。
【図１０】垂直キャビティ面発光レーザの端面図。
【図１１】図９の垂直キャビティ面発光レーザの断面図。
【図１２】フリップ・チップ構成のボールグリッドアレイ及び光ボールグリッドアレイを含む図１の集積マイクロ光学ベンチの部分図。
【図１３】フリップ・チップ構成でボールグリッドアレイを含む図１の光学ベンチの部分図。
【図１４】コーナーキューブ反射器としての光ボールグリッドアレイ。
【図１５Ａ】平面鏡としての光ボールグリッドアレイ。
【図１５Ｂ】曲面鏡としての光ボールグリッドアレイ。
【図１６】光信号を変調するための集積光電子回路の概略図。
【図１７】フレキシブル誘電体基板内のバイアホールの断面図。
【図１８】光検出器アレイ及び当接光導波路を備える垂直キャビティ面発光レーザの断面図。
【図１９】フリップ・チップ構成の光検出器アレイ及び当接光導波路を備える垂直キャビティ面発光レーザの断面図。
【符号の説明】
【００２８】
１０８  光電子集積回路
１２８  リジッド基板
１３０  熱基板
１３２  フレキシブル誘電体基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５Ａ】
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【図１５Ｂ】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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