(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイヤモンド基板上に、シリコン酸化膜、アルミニウム酸化物やチタン酸化物、タングステン酸化物、モリブデン酸化物から選ばれる金属酸化物のマスクを施し、まづ、酸素ガスのみを用いたプラズマエッチング、次いで、酸素ガスに、フッ素系ガス0.01〜5%を加えて、基板へのバイアス電力を0とした平坦化プラズマエッチングを交互に複数回繰り返すダイヤモンドエッチング方法。
【請求項２】
フッ素系ガスが、CF4又はSF6である請求項１に記載したダイヤモンドエッチング方法。
【請求項３】
ダイヤモンドが、単結晶ダイヤモンド、多結晶ダイヤモンド、ホモエピタキシャルダイヤモンド、ヘテロエピタキシャルダイヤモンド、ナノダイヤモンドから選ばれるダイヤモンドであることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載したダイヤモンドエッチング方法。
【請求項４】
ダイヤモンド基板上に、シリコン酸化膜、アルミニウム酸化物やチタン酸化物、タングステン酸化物、モリブデン酸化物から選ばれる金属酸化物のマスクを施し、まづ、酸素ガスのみを用いたプラズマエッチング、次いで、酸素ガスに、フッ素系ガス0.01〜5%を加えて、基板へのバイアス電力を0とした平坦化プラズマエッチングを交互に複数回繰り返すダイヤモンドエッチング方法を用いたパワー半導体デバイスの製造方法。
【請求項５】
ダイヤモンド基板上に、シリコン酸化膜、アルミニウム酸化物やチタン酸化物、タングステン酸化物、モリブデン酸化物から選ばれる金属酸化物のマスクを施し、まづ、酸素ガスのみを用いたプラズマエッチング、次いで、酸素ガスに、フッ素系ガス0.01〜5%を加えて、基板へのバイアス電力を0とした平坦化プラズマエッチングを交互に複数回繰り返すダイヤモンドエッチング方法を用いた電子放出源の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ドライエッチングによりダイヤモンドを加工する方法であり、マスク材との高いエッチング選択比を特徴とするエッチング方法であり、高いアスペクト比を実現する方法であり、さらに、エッチング面の平均面荒さが2nm以下の加工構造体実現に関するものである。本発明のダイヤモンド加工体は、パワー半導体デバイス、電子放出源、電極、MEMSなどダイヤモンド電子デバイス、バイオデバイスとして利用できる。
【背景技術】
【０００２】
ダイヤモンドの半導体特性、機械的特性、高硬度、化学的安定性を用いた各種デバイスが提案されているが、実用化には至っていない。その原因の一つに、ダイヤモンドを所望の構造に形成できないという問題点がある。ダイヤモンド構造体の形成に関しては、エッチングにより形成したシリコン鋳型上に、ダイヤモンドを成膜することで、構造が形成されることが、報告されている（非特許文献１参照）。しかし、集積化や微細化、側壁垂直性または高いアスペクト比の実現が困難であった。
【０００３】
微細化および集積化のためには、 (1)マスク材との高いエッチング選択比、(2)平坦エッチング面形成、(3)高い側壁垂直性（高いアスペクト比）技術  を全て実現できるエッチング技術の開発が必要である。(1)マスク材とダイヤモンドの高いエッチング選択比の観点から、酸素プラズマエッチングによる加工により構造体の形成が報告されている（特許文献１参照）。しかし、酸素ガスのみによるエッチングでは、ダイヤモンドエッチング面に針状構造が形成され、平坦なエッチング面が形成できないという問題があった。また、垂直性の高い側壁の形成が出来ない。(2)CF4等のフッ素系のガスを導入することで、エッチング面の平坦性が改善されるが、マスク材とダイヤモンドのエッチングの選択比が小さいことが問題として残っていた（特許文献２参照）。そのため、78°以上の側面の傾斜角度が形成できるが、構造体上面の形状や面積の制御が困難であった（特許文献２参照）。
さらに、マスクの損傷に起因して高アスペクトが実現できなかった。(3)高い側壁垂直性や高アスペクト構造に関しては、容量結合型（CCP）プラズマエッチングを用いることで形成できることが報告されている（非特許文献２参照）。しかし、酸素のみでのエッチングでは高選択比ではあるが平坦エッチング面の形成が困難なこと、フッ素系ガスを導入することで平坦エッチング面が形成できるが選択比が低いことが問題である。つまり、既存のダイヤモンドエッチング技術では、上記3つ課題を全て解決するエッチング技術が開発されていない。
【０００４】
一方、シリコンの分野では、マイクロマシーンやMEMSのエッチング技術には、独Bosch社のLaermerらによる「Boschプロセス」として広く知られる方法が用いられる。このプロセスは (1)シリコンエッチングと(2)ポリマー状側壁保護膜形成を繰り返すことで、高い側壁垂直性および高アスペクト構造、高選択比が実現できる。これに対し、ダイヤモンドのエッチングでは、酸素による化学反応を利用するためポリマー状膜は、保護膜として利用できないという問題があり、同様のプロセスはこれまで開発されていなかった。
【特許文献１】特開平6-132254号公報
【特許文献２】特開2002-226290号公報
【非特許文献１】山田他，電子情報通信学会誌J81-C-II (1998)， p181．
【非特許文献２】D． S． Hwang et al．， Diam． Relat． Mater．13 (2004) 2207
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明では、エッチング面の平坦性が2nm以下でありかつ上面の側面と底辺のなす角度である側面の傾斜角が60°〜100°の範囲にあるダイヤモンド構造体と、マスクとのエッチング選択比が10〜80の範囲とすることができるダイヤモンドエッチング方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは、マスク材との高エッチング選択比、平坦なエッチング面および高い側壁垂直性を形成するために、従来の問題点を検討し、ダイヤモンドエッチング工程とエッチング面のクリーニング工程のプロセスを繰り返すことを見出した。
(1)ダイヤモンドエッチング工程では、酸素のみを用いてプラズマエッチングをおこなう。
(2)針状構造の形成など平坦エッチング面が形成できない原因が、マスク材料の再堆積や、チャンバー側壁からの汚染であると考えられるため、フッ素系ガス例えばCF4やSF6を含むガスで、エッチング面をクリーニングする。
(1)および(2)の工程を繰り返すことで、高エッチング選択比、高い側壁垂直性構造、平坦エッチング面が実現できることを見出したのである。
すなわち、本発明は、
ダイヤモンド基板上に、シリコン酸化膜、アルミニウム酸化物やチタン酸化物、タングステン酸化物、モリブデン酸化物から選ばれる金属酸化物のマスクを施し、まづ、酸素ガスのみを用いたプラズマエッチング、次いで、酸素ガスに、フッ素系ガス0.01〜5%を加えて、基板へのバイアス電力を0とした平坦化プラズマエッチングを交互に複数回繰り返すダイヤモンドエッチング方法である。
また、本発明ではフッ素系ガスを、CF4又はSF6とすることができる。
さらに、本発明では、ダイヤモンドを、単結晶ダイヤモンド、多結晶ダイヤモンド、ホモエピタキシャルダイヤモンド、ヘテロエピタキシャルダイヤモンド、ナノダイヤモンドから選ばれるダイヤモンドとすることができる。
またさらに本発明は、ダイヤモンド基板上に、シリコン酸化膜、アルミニウム酸化物やチタン酸化物、タングステン酸化物、モリブデン酸化物から選ばれる金属酸化物のマスクを施し、まづ、酸素ガスのみを用いたプラズマエッチング、次いで、酸素ガスに、フッ素系ガス0.01〜5%を加えて、基板へのバイアス電力を0とした平坦化プラズマエッチングを交互に複数回繰り返すダイヤモンドエッチング方法を用いたパワー半導体デバイスの製造方法である。
さらに、本発明は、ダイヤモンド基板上に、シリコン酸化膜、アルミニウム酸化物やチタン酸化物、タングステン酸化物、モリブデン酸化物から選ばれる金属酸化物のマスクを施し、まづ、酸素ガスのみを用いたプラズマエッチング、次いで、酸素ガスに、フッ素系ガス0.01〜5%を加えて、基板へのバイアス電力を0とした平坦化プラズマエッチングを交互に複数回繰り返すダイヤモンドエッチング方法を用いた電子放出源の製造方法である。
【０００７】
本発明のダイヤモンドエッチング工程は、基本的にはダイヤモンドを、酸素のみを用いたプラズマに曝すことでおこなう。酸素のみのガスは、マスク材の損傷や低減を防ぐ。 
【０００８】
本発明のプラズマエッチング法には、平行平板型プラズマ、RFプラズマ、直流プラズマ、マグネトロンプラズマ、マイクロ波プラズマ、電子サイクロトン共鳴（ECR）プラズマ、ヘリコン波プラズマ、誘導結合型プラズマなどの周知の各種プラズマが利用できる。
【０００９】
本発明の平坦エッチング面形成のためのエッチング面クリーニング工程において、マスク材料のスパッタなどの物理的エッチングによるマスクの損傷や低減を防ぐために、バイアス電力を0Wもしくは0Wにできる限り小さくすることで、マスク材とダイヤモンドのエッチング選択比を高くすることができる。
【００１０】
本発明の平坦エッチング面形成のためのエッチング面クリーニング工程において、平行平板型プラズマ、RFプラズマ、直流プラズマ、マグネトロンプラズマ、マイクロ波プラズマ、電子サイクロトン共鳴（ECR）プラズマ、ヘリコン波プラズマ、誘導結合型プラズマなどの周知の各種プラズマが利用できる。
【００１１】
本発明の平坦エッチング面形成のためのエッチング面クリーニング工程において、マスク材であるシリコン酸化膜やアルミニウム等からの再堆積物のエッチングを主に化学的反応を用いることで、ダイヤモンドエッチング面に損傷を与えずに、クリーニングがおこなえる。このため、シリコンやシリコン酸化膜のエッチングガスであるフッ素系ガスのCF4やSF6などを用いる。
代表的には反応性エッチング過程では、次のもの生成し、堆積物中のシリコンやアルミニウムを気化して除去することができると考えられる。
Si+F → SiF
Si+2F → SiF2
Si+3F → SiF3
Si+4F → SiF4
2Si+6F → Si2F6
3Si+8F → Si3F8
Al+F→ AlF
Al+3F→ AlF3
2Al+3F→ Al2F3
【００１２】
本発明の平坦エッチング面形成のためのエッチング面クリーニング工程において、平行平板型プラズマ、RFプラズマ、直流プラズマ、マグネトロンプラズマ、マイクロ波プラズマ、直流プラズマ、電子サイクロトン共鳴（ECR）プラズマ、ヘリコン波プラズマ、誘導結合型プラズマなどの周知の各種プラズマが利用できる。
【００１３】
本発明の平坦エッチング面形成のためのエッチング面クリーニング工程において、マスク材であるシリコン酸化膜やアルミニウム等からの再堆積物のエッチングを主に化学的反応を用いることで、ダイヤモンドエッチング面に損傷を与えずに、クリーニングがおこなえる。このため、Cl2やBCl3などの塩素系ガスを用いることができる。
代表的には反応性エッチング過程では、次のもの生成し、堆積物中のシリコンやアルミニウムを気化して除去することができると考えられる。
Si+Cl → SiCl
Si+2Cl → SiCl2
Si+3Cl → SiCl3
Si+4Cl → SiCl4
2Si+6Cl → Si2Cl6
3Si+8Cl → Si3CL8
Al+Cl→ AlCl
Al+3CL→ AlCl3
2Al+3Cl→ Al2Cl3
【００１４】
上記の平坦エッチング面形成のためのエッチング面クリーニング工程において、平行平板型プラズマ、RFプラズマ、直流プラズマ、マグネトロンプラズマ、マイクロ波プラズマ、電子サイクロトン共鳴（ECR）プラズマ、ヘリコン波プラズマ、誘導結合型プラズマなどの周知の各種プラズマが利用できる。
【００１５】
平坦エッチング面形成のためのエッチング面クリーニング工程において、マスク材であるシリコン酸化膜やアルミニウム等からの再堆積物のエッチングを主に化学的反応を用いることで、ダイヤモンドエッチング面に損傷を与えずに、クリーニングがおこなえる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明は、エッチングによりダイヤモンドを加工する方法であり、マスク材とのエッチング選択比が10〜80の範囲にあるエッチング方法であり、さらに、エッチング面の平均面荒さが2nm以下の加工構造体を作成することができる。
本発明によりダイヤモンドを所望の構造に制御できるため、パワー半導体デバイス、電子放出源、電極、MEMSなどダイヤモンド電子デバイス、バイオデバイスとして利用できる。つまり、ダイヤモンド電子デバイス、マイクロマシーンなどの構造の形成が可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
フォトリソグラフィーや電子線リソグラフィー等で、シリコン酸化膜、アルミニウムやチタンなどの酸化物形成金属、タングステンやモリブデン等の高硬度な金属のマスクを単結晶ダイヤモンド表面に形成する。マスクの形成は、ドライエッチング、ウエットエッチング、リフトオフプロセス等で形成できる。
【００１８】
本発明のダイヤモンドエッチング工程において用いるダイヤモンドは、単結晶ダイヤモンドに制限するもではなく、多結晶ダイヤモンド、ホモエピタキシャルダイヤモンド、ヘテロエピタキシャルダイヤモンド、ナノダイヤモンドであってもかまわない。
【００１９】
ダイヤモンドエッチング工程において、ダイヤモンドを、酸素のみを含むプラズマに曝すことでおこなう。マスク材の損傷や低減を防ぐために、酸素のみのガスが最もふさわしい。
【００２０】
平坦エッチング面形成のためのエッチング面クリーニング工程において、マスク材であるシリコン酸化膜やアルミニウム等からの再堆積物のエッチングを主に化学的反応を用いることで、ダイヤモンドエッチング面に損傷を与えずに、クリーニングがおこなえる。クリーニングには、フッ素系ガスのCF4やSF6などを含むプラズマに曝すことでおこなうことができる。フッ素系ガスのCF4やSF6などを酸素ガスに微量に加えることで、ダイヤモンエッチング面の平坦面形成が可能となり、マスクの損傷や低減を防ぐことができ、平坦エッチング面形成かつ高いエッチング選択比が実現できる。フッ素系ガス流量が酸素ガス流量に対して、0.01〜5%の範囲が好ましく、より好ましくは0.01〜2％の範囲である
【００２１】
上記のプラズマエッチング法には、平行平板型プラズマ、RFプラズマ、直流プラズマ、マグネトロンプラズマ、マイクロ波プラズマ、電子サイクロトン共鳴（ECR）プラズマ、ヘリコン波プラズマ、誘導結合型プラズマなどの周知の各種プラズマが利用できる。
【実施例１】
【００２２】
ダイヤモンド基板として、高圧合成Ib型単結晶ダイヤモンド（100）また(111)を用いた。シリコン酸化膜をスパッタリングにより成膜後、フォトリソグラフィー技術によりパターニングをおこない、シリコン酸化膜マスクをドライエッチングもしくはウエットエッチングで形成する。
【００２３】
上記のダイヤモンドエッチング工程において用いるダイヤモンドは、高圧合成Ib型単結晶ダイヤモンド（100）、(111)に限らず、面方位は(110)であっても良く、単結晶ダイヤモンドは、天然ダイヤモンドでも良い。また、Ia型、IIa型もしくはIIb型であっても良い。ダイヤモンドは、多結晶ダイヤモンド、ホモエピタキシャルダイヤモンド、ヘテロエピタキシャルダイヤモンド、ナノダイヤモンドであっても良い。
【００２４】
ダイヤモンドのドライエッチングは、ICPエッチングによりおこなった。プロセス条件は下記の表1に示す通りであり、ダイヤモンドエッチング工程とクリーニング工程を1サイクルとして、10サイクルおこなった。エッチングレイトの算出は、段差計測によりおこない、エッチング表面の観察は走査型電子顕微鏡および原子間力顕微鏡によりおこなった。
【表１】
0004543216.tif 000002
また、シリコン酸化膜とダイヤモンドのエチング選択比が10と算出された。エッチング選択比は、[ダイヤモンドのエッチングレイト/マスクのエッチングレイト]により算出した。
走査型電子顕微鏡により観察した結果は、図1に示すようにエッチング面が著しく平坦であり、高さが12〜13μm以上構造物の形成することに成功した。原子間力顕微鏡により平均面荒さが0.1〜2.0nmの範囲となった（図2）。
【００２５】
上記のプラズマエッチング法には、ICPエッチングに限らず、平行平板型プラズマ、RFプラズマ、直流プラズマ、マグネトロンプラズマ、マイクロ波プラズマ、電子サイクロトン共鳴（ECR）プラズマ、ヘリコン波プラズマなどの周知の各種プラズマを利用したエッチングが利用できる。
【実施例２】
【００２６】
ダイヤモンド基板として、高圧合成Ib型単結晶ダイヤモンド（100）、(111)を用いた。シリコン酸化膜をスパッタリングにより成膜後、フォトリソグラフィー技術によりパターにングをおこない、シリコン酸化膜マスクをドライエッチングもしくはウエットエッチングで形成する。
【００２７】
ダイヤモンドエッチング工程において用いるダイヤモンドは、高圧合成Ib型単結晶ダイヤモンド（100）、(111)に限らず、面方位は(110)であっても良く、単結晶ダイヤモンドは、天然ダイヤモンドでも良い。また、Ia型、IIa型もしくはIIb型であっても良い。ダイヤモンドは、多結晶ダイヤモンド、ホモエピタキシャルダイヤモンド、ヘテロエピタキシャルダイヤモンド、ナノダイヤモンドであっても良い。
【００２８】
上記のダイヤモンドのドライエッチングは、ICPエッチングによりおこなった。プロセス条件は下記の表2に示す通りであり、ダイヤモンドエッチング工程とクリーニング工程を1サイクルとして、10サイクルおこなった。エッチングレイトの算出は、段差計測によりおこない、エッチング表面の観察は走査型電子顕微鏡および原子間力顕微鏡によりおこなった。
【表２】
0004543216.tif 000003
また、シリコン酸化膜とダイヤモンドのエチングレイト比が26〜30と算出された。走査型電子顕微鏡および原子間力顕微鏡による観察結果では、実施例1とほぼ同等のエッチング面の平坦性が実現できた。
【００２９】
上記のプラズマエッチング法には、ICPエッチングに限らず、平行平板型プラズマ、RFプラズマ、直流プラズマ、マグネトロンプラズマ、マイクロ波プラズマ、電子サイクロトン共鳴（ECR）プラズマ、ヘリコン波プラズマなどの周知の各種プラズマを利用したエッチングが利用できる。
【実施例３】
【００３０】
ダイヤモンド基板として、高圧合成Ib型単結晶ダイヤモンド（100）また(111)を用いた。シリコン酸化膜をスパッタリングにより成膜後、フォトリソグラフィー技術によりパターにングをおこない、シリコン酸化膜マスクをドライエッチングもしくはウエットエッチングで形成する。
【００３１】
ダイヤモンドエッチング工程において、高圧合成Ib型単結晶ダイヤモンド（100）また(111)に限らず、面方位は(110)であっても良く、単結晶ダイヤモンドは、天然ダイヤモンドでも良い。また、Ia型、IIa型もしくはIIb型であっても良い。ダイヤモンドは、多結晶ダイヤモンド、ホモエピタキシャルダイヤモンド、ヘテロエピタキシャルダイヤモンド、ナノダイヤモンドであっても良い。
【００３２】
上記のダイヤモンドのドライエッチングは、ICPエッチングによりおこなった。プロセス条件は下記の表3に示す通りであり、ダイヤモンドエッチング工程とクリーニング工程を1サイクルとして、10サイクルおこなった。エッチングレイトの算出は、段差計測によりおこない、エッチング表面の観察は走査型電子顕微鏡および原子間力顕微鏡によりおこなった。
【表３】
0004543216.tif 000004
また、シリコン酸化膜とダイヤモンドのエチングレイト比が26〜30と算出された。走査型電子顕微鏡および原子間力顕微鏡による観察結果では、実施例1とほぼ同等のエッチング面の平坦性が実現できた。高さが12〜13μm以上構造物の形成に成功した
【００３３】
上記のプラズマエッチング法には、ICPエッチングに限らず、平行平板型プラズマ、RFプラズマ、直流プラズマ、マグネトロンプラズマ、マイクロ波プラズマ、直流プラズマ、電子サイクロトン共鳴（ECR）プラズマ、ヘリコン波プラズマなどの各種プラズマを利用したエッチングが利用できる。
【実施例４】
【００３４】
（参考例）
ダイヤモンド基板として、Ib型単結晶ダイヤモンド（100）を用いた。Alを真空蒸着により成膜後、フォトリソグラフィー技術によりパターニングをおこない、シリコン酸化膜マスクをドライエッチングもしくはウエットエッチングで形成する。
【００３５】
ダイヤモンドエッチング工程において、用いるダイヤモンドは、高圧合成Ib型単結晶ダイヤモンド（100）、(111)に限らず、面方位は(110)であっても良く、単結晶ダイヤモンドは、天然ダイヤモンドでも良い。また、Ia型、IIa型もしくはIIb型であっても良い。ダイヤモンドは、多結晶ダイヤモンド、ホモエピタキシャルダイヤモンド、ヘテロエピタキシャルダイヤモンド、ナノダイヤモンドであっても良い。
【００３６】
上記のダイヤモンドのエッチング、ICPエッチングによりおこなった。プロセス条件は表2に示す通りであり、ダイヤモンドエッチング工程とクリーニング工程を1サイクルとして、20サイクルおこなった。エッチングレイトの算出は、段差計測によりおこない、エッチング表面の観察は走査型電子顕微鏡および原子間力顕微鏡によりおこなった。
Al薄膜とダイヤモンドのエチングレイト比が70~75と算出された。走査型電子顕微鏡および原子間力顕微鏡による観察結果では、実施例1とほぼ同等のエッチング面の平坦性が実現できた。25μm以上の高さの構造物の形成することに成功した。さらに、ダイヤモンド構造体の側面の傾斜角度が87°と非常に垂直性の高い構造が形成できた。また、ダイヤモンドエッチング工程とクリーニング工程の時間を制御することで、側面の傾斜角が65°〜87°の範囲で制御できることを見いだした。ダイヤモンドエチング工程のバイアス電力を制御することで、側面の傾斜角が80°〜100°の範囲で制御できることを見いだした。
【００３７】
上記のプラズマエッチング法には、ICPエッチングに限らず、平行平板型プラズマ、RFプラズマ、直流プラズマ、マグネトロンプラズマ、マイクロ波プラズマ、電子サイクロトン共鳴（ECR）プラズマ、ヘリコン波プラズマなどの周知の各種プラズマを利用したエッチングが利用できる。
【００３８】
これらの実施例に対して、下記比較例に示すように、ダイヤモンドエッチング工程のみでは、平坦エッチング面の形成は困難である。さらに、マスク材との高い選択比も実現できない。
比較例1：
ダイヤモンド基板として、Ib型単結晶ダイヤモンド（100）を用いた。シリコン酸化膜をスパッタリングにより成膜後、フォトリソグラフィー技術によりパターニングをおこない、シリコン酸化膜マスクをドライエッチングもしくはウエットエッチングで形成する。
ダイヤモンド構造体の製造は、ICPエッチングによりおこなった。プロセス条件は表4に示す通りである。
【表４】
0004543216.tif 000005
エッチングレイトの算出は、段差計測によりおこない、シリコン酸化膜とダイヤモンドのエチングレイト比が5〜6と算出された。
【００３９】
比較例2：
ダイヤモンド基板として、Ib型単結晶ダイヤモンド（100）を用いた。シリコン酸化膜をスパッタリングにより成膜後、フォトリソグラフィー技術によりパターニングをおこない、シリコン酸化膜マスクをドライエッチングもしくはウエットエッチングで形成する。
ダイヤモンド構造体の製造は、ICPエッチングによりおこなった。プロセス条件は表5に示す通りである。
【表５】
0004543216.tif 000006
エッチングレイトの算出は、段差計測によりおこない、シリコン酸化膜とダイヤモンドのエッチングレイト比が25〜30と大きいものの、走査型電子顕微鏡により観察した結果は、図３に示すようにエッチング面の荒れやナノ/マイクロ構造の突起が非意図的に形成されてしまう。
【産業上の利用可能性】
【００４０】
本発明のダイヤモンド構造体及びダイヤモンドエッチング方法は、ダイヤモンド半導体を作成する上で、非常に重要な技術であるばかりか、広く適用することができ、産業上の利用可能性は計り知れない。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】実施例１のダイヤモンド構造体の走査型電子顕微鏡による観察結果。
【図２】原子間力顕微鏡による平均面荒さの観察結果。
【図３】比較例２のダイヤモンド構造体の走査型電子顕微鏡による観察結果。
【図１】
0004543216.tif 000007
【図２】
0004543216.tif 000008
【図３】
0004543216.tif 000009