(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素がマトリクス状に配置された表示部を有し、前記複数の画素の各々は、
表示素子画素電極および表示素子共通電極の間に液晶層を有する液晶表示素子よりなる表示セルと、
光電変換素子を間にして一対の光電変換素子透明電極を対向配置した受光セルと、
前記表示セルにおけるカラー表示を可能とすると共に、増感色素を含み、前記受光セルにおける光電変換素子としての機能を有するカラーフィルタと
を有する表示受光セルにより構成されている
表示装置。
【請求項２】
前記カラーフィルタは、酸化物半導体材料よりなる多孔質層に増感色素を担持させたものである
請求項１記載の表示装置。
【請求項３】
一対の基板の一方の同一面に、前記表示素子画素電極に接続された表示素子トランジスタと、前記一対の光電変換素子透明電極に接続された受光素子トランジスタとが形成され、前記表示素子トランジスタおよび前記受光素子トランジスタの上に、絶縁層を間にして、前記カラーフィルタが形成され、前記カラーフィルタの上に、絶縁層を間にして前記表示素子画素電極が設けられ、前記一対の基板の他方に前記表示素子共通電極が設けられている
請求項１または２記載の表示装置。
【請求項４】
一対の基板の一方に、前記表示素子画素電極に接続された表示素子トランジスタが形成され、前記表示素子トランジスタの上に、絶縁層を間にして、前記カラーフィルタと、前記一対の光電変換素子透明電極に接続された受光素子トランジスタとが形成され、前記カラーフィルタおよび前記受光素子トランジスタの上に、絶縁層を間にして前記表示素子画素電極が設けられ、前記一対の基板の他方に前記表示素子共通電極が設けられている
請求項１または２記載の表示装置。
【請求項５】
一対の基板の一方に、前記表示素子画素電極に接続された表示素子トランジスタが形成され、前記表示素子トランジスタの上に、絶縁層を間にして表示素子画素電極が設けられ、前記一対の基板の他方に、前記一対の光電変換素子透明電極に接続された受光素子トランジスタが形成され、前記受光素子トランジスタの上に、絶縁層を間にして前記カラーフィルタが設けられ、前記カラーフィルタの上に、絶縁層を間にして表示素子共通電極が設けられている
請求項１または２記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置、有機ＥＬ（Electroluminescence ）表示装置などの表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、液晶または有機ＥＬなどの表示装置の各画素に、一つの表示素子を含む表示セルと、一つの受光素子を含む受光セルとを形成し、画素ごとに表示動作と共に受光動作も可能としたものがある（例えば、特許文献１参照。）。受光セルは、受光素子として例えばフォトダイオードなどの光電変換素子と、スイッチング素子としてのＴＦＴ（Thin Film Transistor；薄膜トランジスタ）とを含んで構成された光センサ回路である。フォトダイオードは、スイッチング用のＴＦＴと共に透明基板上に作製される。
【特許文献１】特開２００６−１２７２１２号公報（段落００３４、００６２、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、光電変換素子は、液晶表示装置であればバックライトからの直接光、また、有機ＥＬあるいはＬＥＤ（Light Emitting Diode）などの自発光表示装置であれば発光素子からの発光光に対して、開口率または輝度に寄与せず、その配置部位については表示装置の輝度低下の原因となってしまうという問題があった。
【０００４】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、各画素で表示動作および受光動作を可能とすると共に、開口率または輝度の低下を抑制することができる表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明による表示装置は、複数の画素がマトリクス状に配置された表示部を有し、複数の画素の各々は、表示素子画素電極および表示素子共通電極の間に液晶層を有する液晶表示素子よりなる表示セルと、光電変換素子を間にして一対の光電変換素子透明電極を対向配置した受光セルと、表示セルにおけるカラー表示を可能とすると共に、増感色素を含み、受光セルにおける光電変換素子としての機能を有するカラーフィルタとを有する表示受光セルにより構成されているものである。
【０００６】
本発明の表示装置では、カラーフィルタが、表示セルにおけるカラー表示を可能とすると共に、増感色素を含み、受光セルにおける光電変換素子としての機能を有しているので、光電変換素子に光透過性が付与され、表示装置の開口率または輝度の低下が抑制される。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の表示装置によれば、カラーフィルタが、表示セルにおけるカラー表示を可能とすると共に、増感色素を含み、受光セルにおける光電変換素子としての機能を有しているようにしたので、各画素で表示動作および受光動作を可能とすると共に、開口率または輝度の低下を抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
【０００９】
図１は、本発明の一実施の形態に係る表示装置の概略構成を表したものである。この表示装置は、液晶テレビなどの中型ないし大型の表示装置、または携帯電話機あるいはゲーム機などのモバイル用途に用いられる液晶表示装置であり、例えば、表示部１，バックライト光源２，表示信号生成部２１，表示信号保持制御部２２，表示側スキャナ２３，表示信号ドライバ２４，受光制御部３１，受光側スキャナ３２，受光信号レシーバ３３，受光信号保持部３４，位置検出部３５を有している。
【００１０】
表示部１は、複数の画素１１が全面にわたりマトリクス上に配置され、線順次動作をしながら所定の図形や文字などの画像を表示するものである。各画素１１は、一つの表示素子を含む表示セルＣＷと、一つの受光素子を含む受光セルＣＲとを有する表示受光セルＣＷＲにより構成されている。
【００１１】
バックライト光源２は、表示部１に光を照射する光源であり、例えば、ＬＥＤ、ＣＣＦＬ（Cold Cathode Fluorescent Lamp ：冷陰極傾向ランプ）、または有機もしくは無機ＥＬ素子などを含んで構成されている。
【００１２】
表示信号生成部２１は、図示しないＣＰＵ（Central Processing Unit ）などにより生成され、ＣＰＵから供給されたデータに基づいて、例えば１画面ごと（１フレームごと）に、画面（フレーム）を表示するための表示信号を生成するものである。表示信号生成部２１は、生成した表示信号を表示信号保持制御部２２に供給する。
【００１３】
表示信号保持制御部２２は、表示信号生成部２１から供給された表示信号を１画面ごと（１フレームごと）に、例えばＳＲＡＭ（Static Random Access Memory ）などから構成されるフレームメモリに格納して保持するものである。また、表示信号保持制御部２２は、各表示セルＣＷを駆動する表示側スキャナ２３および表示信号ドライバ２４の動作を制御する。具体的には、表示信号保持制御部２２は、表示側スキャナ２３に、表示のタイミングを指示する表示タイミング制御信号４１を供給すると共に、表示信号ドライバ２４に、フレームメモリに保持されている表示信号に基づいて、１水平ライン分の表示信号を供給する。更に、表示信号保持制御部２２は、バックライト光源２に点灯タイミング制御信号４２を供給することにより、バックライト光源２の発光のタイミングを制御する。加えて、表示信号保持制御部２２は、後述する受光制御部３１の動作タイミングを制御する。具体的には、表示信号保持制御部２２は、受光制御部３１に、フレームのタイミングを示す垂直同期信号４３、バックライト光源２が点灯されたか否かを示す信号、および、表示部１の全体の表示用選択信号の走査が終了したか否かを示す信号を供給する。
【００１４】
表示側スキャナ２３は、表示信号保持制御部２２から出力される表示タイミング制御信号４１に応じて駆動対象の表示セルＣＷを選択する。具体的には、表示側スキャナ２３は、表示部１の各画素１１に接続された表示用ゲート線を介して表示用選択信号を供給する。
【００１５】
表示信号ドライバ２４は、表示信号保持制御部２２から出力される１水平ライン分の表示信号に応じて駆動対象の表示セルＣＷに表示データを供給するものである。具体的には、表示信号ドライバ２４は、表示部１の各画素１１に接続されたデータ供給線を介して、表示側スキャナ２３により選択された画素１１に表示データに対応する電圧を供給する。
【００１６】
受光制御部３１は、表示部１全体の受光動作を制御するものである。具体的には、受光制御部３１には、表示信号保持制御部２２から、垂直同期信号４３、バックライト光源２が点灯されたか否かを示す信号、および、表示部１の全体の表示用選択信号の走査が終了したか否かを示す信号が供給される。受光制御部３１は、これらの信号のいずれかに基づいて、受光側スキャナ３２に受光タイミング制御信号４４を供給する。
【００１７】
受光側スキャナ３２は、受光制御部３１から出力される受光タイミング制御信号４４に応じて駆動対象の受光セルＣＲを選択するものである。受光側スキャナ３２は、表示部１の各画素１１に接続されている受光用ゲート線を介して、各画素１１に受光用選択信号を供給する。また、受光側スキャナ３２は、受光信号レシーバ３３および受光信号保持部３４に対して、受光ブロック制御信号４５を出力することにより、受光信号レシーバ３３および受光信号保持部３４を制御するものである。
【００１８】
受光信号レシーバ３３は、受光側スキャナ３２から出力される受光ブロック制御信号４５に応じて、各受光セルＣＲから出力された１水平ライン分の受光信号を取得する。また、受光信号レシーバ３３は、取得した１水平ライン分の受光信号を、受光信号保持部３４に出力する。
【００１９】
受光信号保持部３４は、受光側スキャナ３２から出力される受光ブロック制御信号４５に応じて、受光信号レシーバ３３から出力される受光信号を１画面ごと（１フレームの表示ごと）の受光信号に再構成し、例えばＳＲＡＭなどにより構成されるフレームメモリに格納して保持する。受光信号保持部３４に格納された受光信号のデータは、位置検出部３５へ出力される。なお、受光信号保持部３４はメモリ以外の記憶素子により構成されていてもよく、例えば受光信号のデータをアナログデータとして保持しておくことも可能である。
【００２０】
位置検出部３５は、受光信号保持部３４から出力される受光信号のデータに基づいて信号処理を行い、受光セルＣＲにおいて検出されたものが存在する位置を特定する。これにより、接触あるいは近接するもの（例えば、使用者の指）の位置を特定することが可能となる。なお、受光信号保持部３４が受光信号のデータをアナログデータとして格納している場合には、位置検出部３５においてアナログ／デジタル（Ａ／Ｄ）変換を行ったのちに信号処理を実行する。
【００２１】
なお、表示信号保持制御部２２および受光制御部３１には、必要に応じてドライブ（図示せず）がインタフェース（図示せず）を介して接続されていてもよい。このドライブには、装着された磁気ディスク，光ディスク，光磁気ディスクまたは半導体メモリ等に記録されたプログラムを読み出し、表示信号保持制御部２２または受光制御部３１に供給して実行させるものである。
【００２２】
図２は、表示部１の構成の一例を表す図である。表示部１は、例えば、水平ライン方向にｍ個、垂直ライン方向にｎ個、合計で（ｍ×ｎ）個の画素１１がマトリクス状に配置されたものである。例えばＰＣ（Personal Computer ）などの一般的なディスプレイ規格であるＸＧＡ（eXtended Graphics Array ）規格の表示部１は、ｍ＝１０２４×３（ＲＧＢ），ｎ＝７６８の合計２３５９２９６個の画素１１を有することになる。
【００２３】
表示部１内の合計（ｍ×ｎ）個の画素１１は、それぞれ、表示受光セルＣＷＲ１１〜ＣＷＲｍｎを含んでいる。また、表示部１には、画素１１の数に応じて、ｍ本のデータ供給線ＤＷ（ＤＷ１〜ＤＷｍ）およびｍ本のデータ読出線ＤＲ（ＤＲ１〜ＤＲｍ）と、ｎ本の表示用ゲート線ＧＷ（ＧＷ１〜ＧＷｎ）およびｎ本の受光用ゲート線ＧＲ（ＧＲ１〜ＧＲｎ）とが設けられている。なお、図２において矢印Ｘは、表示用ゲート線ＧＷおよび受光用ゲート線ＧＲのスキャン（走査）方向を表している。
【００２４】
データ供給線ＤＷ，データ読出線ＤＲ，表示用ゲート線ＧＷおよび受光用ゲート線ＧＲは、それぞれ、表示信号ドライバ２４、受光信号レシーバ３３、表示側スキャナ２３および受光用スキャナ３２に接続されている。また、各表示受光セルＣＷＲには、それぞれ一本ずつのデータ供給線ＤＷ，データ読出線ＤＲ，表示用ゲート線ＧＷおよび受光用ゲート線ＧＲが接続されている。
【００２５】
更に、例えば１垂直ラインの表示受光セルＣＷＲ１１，ＣＷＲ１２，…，ＣＷＲ１ｎに対しては、１本のデータ供給線ＤＷ１および１本のデータ読出線ＤＲ１が共通に接続されている。例えば１水平ラインの表示受光セルＣＷＲ１１，ＣＷＲ２１，…，ＣＷＲｍ１に対しては、１本の表示用ゲート線ＧＷ１および１本の受光用ゲート線ＧＲ１が共通に接続されている。
【００２６】
図３は、一つの表示受光セルＣＷＲの断面構成の一例を表したものである。表示受光セルＣＷＲは、例えば、ガラスなどの透明材料よりなる基板１１０および対向基板１２０の間に、表示セルＣＷと、カラーフィルタＣＦと、受光セルＣＲとを有している。
【００２７】
表示セルＣＷは、例えば、基板１１０に設けられた表示素子画素電極１３１と、対向基板１２０に設けられた表示素子共通電極１３２との間に、液晶層１３３を有する液晶表示素子である。表示素子画素電極１３１には、表示素子トランジスタ１３４が接続されている。
【００２８】
受光セルＣＲは、例えば、光電変換素子１４１と、この光電変換素子１４１を間にして対向配置された一対の光電変換素子透明電極１４２Ａ，１４２Ｂとを有している。光電変換素子透明電極１４２Ａ，１４２Ｂには、受光素子トランジスタ１４３が接続されている。
【００２９】
カラーフィルタＣＦは、表示セルＣＷにおけるカラー表示を可能とするものである。また、カラーフィルタＣＦは、光電変換材料、具体的には増感色素を含んで構成され、受光素子ＣＲにおける光電変換素子１４１としての機能を有している。これにより、この表示装置では、各画素で表示動作および受光動作を可能とすると共に、開口率または輝度の低下を抑制することができるようになっている。
【００３０】
このようなカラーフィルタＣＦは、酸化物半導体材料よりなる多孔質層に増感色素を担持させたものにより構成されている。
【００３１】
酸化物半導体材料は、増感色素のＬＵＭＯよりも光電変換素子１４１（カラーフィルタＣＦ）のＣＢ（Conduction Band ；伝導帯）が低ければ公知のものを任意に用いることができる。具体的には、酸化物半導体材料としては、Ｔｉ，Ｚｎ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｓｎ，Ｙ，ＬａあるいはＴａなどの金属酸化物、または、ＳｒＴｉＯ３あるいはＣａＴｉＯ３等のペロブスカイト系酸化物などが挙げられる。
【００３２】
増感色素は、可視光域に吸収を持ち、酸化物半導体材料に結合するための官能基を有し、光励起による状態から速やかに酸化物半導体材料に電子移動が起こる分子である。増感色素は、液状，ゲル状（半固体状）または固体のいずれでもよく、具体的には、酸化物半導体材料に結合するための官能基としてカルボキシル基，スルホン酸基または水酸基などを有する、Ｒｕ（ｂｂｙ）錯体，ポルフィリン誘導体またはクマリン誘導体などが挙げられる。
【００３３】
表示素子画素電極１３１、表示素子共通電極１３２および光電変換素子透明電極１４２Ａ，１４２Ｂは、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電材料により構成されている。表示素子画素電極１３１および表示素子共通電極１３２の表面には、それぞれ配向膜（図示せず）が設けられている。液晶層１３３を構成する液晶材料は特に限定されない。
【００３４】
表示素子トランジスタ１３４および受光素子トランジスタ１４３は、例えば、液晶テレビなどの中型〜大型表示装置ではアモルファスシリコンＴＦＴ、携帯電話あるいはゲーム機などのモバイル用途では低温ポリシリコンＴＦＴにより構成されている。これらアモルファスシリコンＴＦＴまたは低温ポリシリコンＴＦＴの構成は特に限定されない。表示素子トランジスタ１３４には、データ供給線ＤＷおよび表示用ゲート線ＧＷ（図３には図示せず、図２参照。）が接続されている。受光素子トランジスタ１４３には、データ読出線ＤＲおよび受光用ゲート線ＧＲ（図３には図示せず、図２参照。）が接続されている。
【００３５】
表示素子トランジスタ１３４および受光素子トランジスタ１４３は、例えば、基板１１０の同一面に形成され、それらの上に、ＯＣ（overcoat）材または窒化膜などよりなる絶縁層１１１を間にして、カラーフィルタＣＦが形成されている。なお、ＯＣ材としては例えばエポキシ樹脂あるいはアクリル樹脂などの熱硬化樹脂が挙げられる。
【００３６】
表示セルＣＷ，受光セルＣＲおよびカラーフィルタＣＦの構成要素の位置関係は、図３に示した例には限定されない。例えば、図４に示したように、基板１１０上に、表示素子トランジスタ１３４が形成され、その上に、絶縁層１１１を間にして、カラーフィルタＣＦと、受光素子トランジスタ１４３とが形成されていてもよい。
【００３７】
あるいは、図５に示したように、基板１１０に表示素子トランジスタ１３４が形成され、対向基板１２０に、カラーフィルタＣＦと、受光素子トランジスタ１４３とが形成されていてもよい。この場合、カラーフィルタＣＦおよび受光素子トランジスタ１４３上には、上述した絶縁層１１１と同様のＯＣ材よりなる絶縁層１２１を間にして、表示素子共通電極１３２が形成されている。なお、図３ないし図５に示した構成のうち、プロセス面で最も形成しやすいと考えられるのは、図４に示した構成である。ただし、歩留まりで考えれば図５、表示面で考えると図３に示した構成が最も有利であると考えられる。
【００３８】
この表示装置は、例えば、次のようにして製造することができる。なお、以下の説明では、図３に示した構造の表示装置を製造する場合について説明する。
【００３９】
まず、上述した材料よりなる基板１１０に、通常の薄膜半導体プロセスにより、表示素子トランジスタ１３４および受光素子トランジスタ１４３を形成し、その上に、上述した材料よりなる絶縁層１１１を形成する。
【００４０】
次いで、上述した材料よりなる光電変換素子透明電極１４２Ａを形成すると共に、絶縁層１１１に設けた接続孔を介して、光電変換素子透明電極１４２Ａを受光素子トランジスタ１４３に接続する。
【００４１】
続いて、光電変換素子透明電極１４２Ａの上に、上述した酸化物半導体材料よりなる半導体粒子を焼結することにより多孔質層を形成する。また、上述した増感色素をエタノール，メタノールまたはトルエン等の溶媒に溶解して増感色素溶液を調製し、基板１１０を加熱しながら、増感色素溶液を多孔質層に滴下し、乾燥させることにより、増感色素を酸化物半導体材料に担持させる。これにより、光電変換素子１４１（カラーフィルタＣＦ）が形成される。
【００４２】
そののち、光電変換素子１４１の周囲に絶縁層１１１を形成し、光電変換素子１４１の上に光電変換素子透明電極１４２Ｂを形成する。このとき、絶縁層１１１に設けた接続孔を介して、光電変換素子透明電極１４２Ｂを受光素子トランジスタ１４３に接続する。
【００４３】
光電変換素子透明電極１４２Ｂを形成したのち、その上に絶縁層１１１を形成し、上述した材料よりなる表示素子画素電極１３１を形成すると共に、絶縁層１１１に設けた接続孔を介して、表示素子画素電極１３１を表示素子トランジスタ１３４に接続する。
【００４４】
また、上述した材料よりなる対向基板１２０を用意し、その表面に上述した材料よりなる共通電極１３２を形成する。基板１１０と対向基板１２０とを対向配置し、周囲に封止層（図示せず）を形成したのち、内部に液晶を注入して液晶層１３３を形成する。以上により、図３に示した表示装置が完成する。
【００４５】
この表示装置では、表示側スキャナ２３から、所定の画素１１に表示用選択信号が印加されると、その画素１１において、表示信号ドライバ２４から供給された電圧に対応した表示動作がなされる。このような表示側スキャナ２３および表示信号ドライバ２４による線順次動作により、任意の表示データに対応する画像が表示部１に表示される。
【００４６】
また、受光制御部３１から出力される受光タイミング制御信号４４に応じて、受光側スキャナ３２から所定の画素１１に受光用選択信号が供給されると、その画素１１から、その画素１１の光電変換素子１４１によって検出された光量に対応する受光信号が受光信号レシーバ３３に出力される。この受光信号は、受光信号保持部３４において１画面ごと（１フレームごと）の受光信号に再構成され、フレームメモリに格納されると共に、位置検出部３５に出力される。位置検出部３５では、受光信号保持部３４から出力された受光信号のデータに基づいて信号処理を行い、受光セルＣＲにおいて検出されたものが存在する位置を特定する。これにより、接触または近接するものの位置を特定することが可能となる。
【００４７】
ここでは、カラーフィルタＣＦが、光電変換材料として例えば増感色素を含んで構成され、光電変換素子１４１としての機能を有しているので、カラーフィルタＣＦに光透過性が付与されている。よって、表示装置の開口率または輝度の低下が抑制される。
【００４８】
このように本実施の形態では、カラーフィルタＣＦを、光電変換材料である増感色素を含んで構成し、光電変換素子１４１としての機能を持たせるようにしたので、各画素１１において表示動作および受光動作を可能とすると共に、開口率または輝度の低下を抑制することができる。特に液晶表示装置では、光電変換素子としてフォトダイオードを用いる従来構造にくらべて、輝度確保のためのバックライト光源２の部品点数の増加を抑えることができる。
【００４９】
以上、実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されず、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態では、カラーフィルタＣＦの全体が、光電変換素子１４１としての機能を有している場合について説明したが、カラーフィルタＣＦの一部が光電変換素子１４１としての機能を有していてもよい。例えば、赤色，緑色および青色のカラーフィルタＣＦのうち、特定の色（例えば青色）のカラーフィルタＣＦのみが、光電変換素子１４１としての機能を有していてもよい。その場合、光電変換素子透明電極１４２Ａ，１４２Ｂは、カラーフィルタＣＦのうち光電変換素子１４１としての機能を有する領域に形成されていればよい。また、受光素子トランジスタ１４３は、光電変換素子透明電極１４２Ａ，１４２Ｂを介して、カラーフィルタＣＦのうち光電変換素子１４１としての機能を有する領域に接続されていればよい。
【００５０】
また、例えば反射・透過併用型の液晶表示装置の場合には、輝度補正のため、反射部の一部にカラーフィルタＣＦを設けないようにしている場合がある。そのように表示部１の一部のみにカラーフィルタＣＦを設けている場合にも、本発明は適用可能である。この場合も、カラーフィルタＣＦの全体が光電変換素子１４１としての機能を有するようにしてもよいし、カラーフィルタＣＦのうち特定の色（例えば青色）のカラーフィルタＣＦのみが光電変換素子１４１としての機能を有するようにしてもよい。
【００５１】
更に、例えば、カラーフィルタＣＦは、各画素１１ごとに設けられていてもよいし、複数の画素１１にわたって連続した形状で設けられていてもよい。
【００５２】
加えて、例えば、上記実施の形態では、表示装置全体および表示部１の構成について具体的に説明したが、他の構成でもよい。例えば、表示受光セルＣＷＲにおいては、ゲート線を表示用および受光用で別個に接続し、表示動作と受光動作とを独立して動作させることを可能とした場合について説明したが、表示受光セルＣＷＲの回路構成は必ずしもこれに限られない。
【００５３】
更にまた、例えば、上記実施の形態では、本発明を液晶表示装置に適用した場合について説明したが、本発明は、有機あるいは無機ＥＬ，ＦＥＤ（Field Emission Display）またはＰＤＰ（Plasma Display Panel）など、他の表示素子を用いる場合にも適用可能である。特に、ＥＬ等の自発光素子の場合、発光面積をとることができるので、必要な輝度を得るために必要な電流量を抑えることができ、寿命を向上させることができる。
【００５４】
加えてまた、本発明は、カラーフィルタを用いる表示装置であれば広く適用することができるが、必ずしも表示装置に限られない。例えば、光を電気信号に変換するフォトセンサ（イメージセンサ）は、デジタルスチルカメラ，ビデオカメラ，指紋センサまたは静脈センサ等のバイオメトリクス認証センサ，ファクシミリ，スキャナあるいは複写機に広く用いられているが、これら従来のイメージセンサ（フォトセンサ）は、シリコンウェハー上に形成されている。本発明は、このようなシリコンウェハー上に形成される従来のイメージセンサに比べて、コスト的にも有利であり、現在確立されている薄膜トランジスタ製造プロセスで生産することができ、新規の通信機器への適用も期待できる。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の一実施の形態に係る表示装置の全体構成を表す図である。
【図２】図１に示した表示部の構成の一例を表す図である。
【図３】図２に示した表示受光セルの構成を表す断面図である。
【図４】表示受光セルの他の構成を表す断面図である。
【図５】表示受光セルの他の構成を表す断面図である。
【符号の説明】
【００５６】
１…表示部、２…バックライト光源、１１０…基板、１１１，１２１…絶縁層、１２０…対向基板、１３１…表示素子画素電極、１３２…表示素子共通電極、１３３…液晶層、１３４…表示素子トランジスタ、１４１…光電変換素子、１４２Ａ，１４２Ｂ…光電変換素子透明電極、１４３…受光素子トランジスタ、ＣＦ…カラーフィルタ、ＣＲ…受光セル、ＣＷ…表示セル、ＣＷＲ…表示受光セル
【図１】
0004501995.tif 000002
【図２】
0004501995.tif 000003
【図３】
0004501995.tif 000004
【図４】
0004501995.tif 000005
【図５】
0004501995.tif 000006