(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱処理プレートの基板載置面に吸引孔を備え、該吸引孔に供給した負圧の吸引力により基板を吸着する熱処理装置において、
前記吸引孔は、前記基板載置面のうち、基板の非有効領域に対応する領域及びその近傍である一部領域にのみ設けられていることを特徴とする熱処理装置。
【請求項２】
前記吸引孔は、前記熱処理プレートの基板載置面の中心部にのみ設けられていることを特徴とする、請求項１に記載の熱処理装置。
【請求項３】
前記熱処理プレートの基板載置面から突出して基板載置面に吸着されていた基板を剥離させるためのピンが、前記基板載置面のうち、基板の非有効領域に対応する領域にのみ設けられていることを特徴とする、請求項１に記載の熱処理装置。
【請求項４】
前記基板載置面を導電率が１０-10〜１０3（Ωｃｍ）-1の半導電性被膜によって覆っていることを特徴とする、請求項１、２又は３に記載の熱処理装置。
【請求項５】
前記熱処理プレートのプレート本体を熱伝導性の良好な金属によって形成し、そのプレート本体の表面に絶縁性被膜を設け、その絶縁性被膜の表面を前記半導電性被膜によって覆い、前記基板載置面としたことを特徴とする、請求項４に記載の熱処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は熱処理装置に関する。特に、液晶ディスプレイやプラズマディスプレイ等に用いられる基板（例えば、ガラス基板など）の表面に各種処理を施す際の加熱処理後の粗熱を除いたり（冷却用）、該基板の表面にレジスト液等を塗布した後に乾燥のために加熱したり（加熱用）するための熱処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
（第１の従来例）
従来より用いられているガラス基板冷却装置１の構造を図１（ａ）（ｂ）に示す。このガラス基板冷却装置１にあっては、冷却水が通過する冷却水循環通路３が、冷却プレート２のほぼ全面を通過するようにして冷却プレート２内に配設されている。冷却水循環通路３は、外部配管４を介して循環ポンプのような循環装置５と冷却水を一定温度に冷却するための冷却源６（例えば、冷媒との熱交換によって冷却するもの）に接続されている。コントローラ７は、循環装置５による冷却水の循環流量や冷却水の温度を制御するものである。ここで、冷却プレート２の材質としては、熱伝導性の高い金属が望ましく、例えばアルミニウムを使用する場合が多い。熱伝導性が高いことにより、冷却スピードが向上する。
【０００３】
しかして、このガラス基板冷却装置１にあっては、ガラス基板８を冷却する際には、加熱処理を伴う工程を経たガラス基板８を冷却プレート２の上に置いて吸引孔１０（図３参照）で吸着し、冷却水循環通路３に冷却水を循環させることにより、ガラス基板８を急速に冷却させることができる。
【０００４】
しかし、このようなガラス基板冷却装置１にあっては、冷却プレート２の表面は平滑に仕上げられているが、それでもガラス基板８が擦れると、ガラス基板８に傷がつき、液晶ディスプレイ等に用いる場合では不良品となる。
【０００５】
また、冷却プレート２はアルミニウム等の導体であるから、冷却プレート２の表面が露出していると、ガラス基板８を冷却プレート２から剥離するとき、ガラス基板８と冷却プレート２間にスパーク（放電）が発生し易くなる。これは、絶縁体であるガラス基板８側に溜まった静電気が、ガラス基板８と冷却プレート２間の放電を通じて冷却プレート２に流れるためである。
【０００６】
（第２の従来例）
このため一般に、冷却プレート２の表面は、図２に示すように、保護膜９によって覆われている。この保護膜９は、ガラス基板８の傷を防ぐためにガラス基板８よりも柔らかな材質が用いられており、またスパークを防止するため絶縁被膜が用いられる。
【０００７】
しかし、冷却プレート２の表面を保護膜９によって覆っていると、ガラス基板８と保護膜９の間に発生する静電気の帯電が問題となる。すなわち、冷却プレート２上にガラス基板８を置いただけで、負圧吸引する前の状態では、図３（ａ）に示すように、一般に冷却プレート２上のガラス基板８は波打ったようになっており（目視ではほとんど確認できない）、ガラス基板８と冷却プレート２の表面との間には非常に小さな隙間が存在しているのが普通である。このような状況で、冷却プレート２に設けられている多数の吸引孔１０から同時に一括して負圧吸引を行なえば、波打っているガラス基板８が冷却プレート２に吸引されて平らに延ばされる結果、ガラス基板８と冷却プレート２の表面との間にはガラス基板８の凹凸歪を矯正するための機械的ずれが発生する。
【０００８】
この機械的ずれ量は、図３（ｂ）に示すように、ガラス基板８の中心部ではまだ小さいが、周辺部では機械的ずれ量が加え合わされるので、かなり大きなものとなる。このため、ガラス基板８が吸着されながらずれ動く際に摩擦が起こり、特に周辺部では大きな摩擦が起こる。ガラス基板８の剥離時にも同様な現象が起きる。
【０００９】
保護膜９には一般に絶縁被膜が用いられているので、上記のようにしてガラス基板８の吸引時や剥離時に摩擦が起きると、保護膜９とガラス基板８との間に帯電が起こり、ガラス基板８や保護膜９が帯電して静電気を帯びることになる。こうしてガラス基板８や保護膜９が帯電すると、ガラス基板８を冷却プレート２から押し上げる際にガラス基板８と冷却プレート２との間に静電引力が働き、例えばリフトピン等でガラス基板８を押し上げてガラス基板８を冷却プレート２から剥離させようとすると、静電引力に抗して押上げられたガラス基板８は、ガラス基板８と保護膜９の間に働く静電引力によって湾曲し、ついには破損に至る。
【００１０】
（第３の従来例）
そこで、ガラス基板８を吸引する際、その吸引動作を複数領域に分けて行なうことにより、ガラス基板８と冷却プレート２との間の摩擦による帯電を小さくする方法が提案されている（特開平９−２９５２３６号公報）。この方法を図４（ａ）〜（ｄ）に示す。
【００１１】
この方法では、図４（ａ）に示すように冷却プレート２の上にガラス基板８を載置した後、図４（ｂ）（ｃ）（ｄ）に示すように、中心部から周辺部までの多数の吸引孔１０を３つの領域に区画し（図４では、３つの領域を示すために７つの吸引孔１０だけを示しているが、これらの吸引孔１０の間にも適宜吸引孔が設けられている。）、中心部から中間部、周辺部へと３段階に分け、時間的な遅れを持たせて順次負圧吸引を行なっている。この方法によれば、ガラス基板８は中央部から周辺部へと順次接触しながら吸引されてゆくので、吸着された状態で位置ずれする量が少なくなる。詳しくいうと、図４(a)のようにガラス基板８が中心部の吸引孔１０で吸引された時には、ガラス基板８は冷却プレート２に吸着されて中心部の波打ちを延ばされる。ガラス基板８の中心部が平らに延ばされると、それに伴ってガラス基板８の中間部及び周辺部はそのままの形状で平行移動するが、冷却プレート２に吸着されていないので、その摩擦は小さい。同じく、図４(b)のようにガラス基板８が中間部の吸引孔１０で吸引された時には、ガラス基板８は周辺部以外を冷却プレート２に吸着されて中間部の波打ちを延ばされる。ガラス基板８の中間部が平らに延ばされると、それに伴ってガラス基板８の周辺部はそのままの形状で平行移動するが、冷却プレート２に吸着されていないので、その摩擦は小さい。従って、ガラス基板８の周辺部で大きな摩擦を生じるのは、図４(c)のようにガラス基板８が周辺部の吸引孔１０で吸着され、周辺部の波打ちが延ばされながら吸着された状態で冷却プレート２に対してずれ動くときだけである。これに対し、図３の場合のように吸引孔１０全体で同時に吸引する方式であると、ガラス基板の周辺部では、ガラス基板８の中心部及び中間部の波打ちが延ばされることによる位置ずれまでも吸着状態で行われるため、冷却プレート２に吸着されていて摩擦の大きな状態で比較的長い距離位置ずれすることになる。従って、図４に説明する方法によれば、ガラス基板８の摩擦を小さくでき、ガラス基板８の帯電を軽減することができる。
【００１２】
また、この方法では、吸引孔１０からガラス基板８と冷却プレート２との間にエアを排出して負圧を解放すると共にリフトピンによって冷却プレート２上に吸着されているガラス基板８を剥離する際も、エアー排出とリフトピンの動作を一度に行なうのでなく、吸着の場合とは逆に、周辺部から中心部へと向かって３段階に分けて行なっている。従って、ガラス基板８の剥離時においても、ガラス基板８に生じる摩擦を小さくし、ガラス基板８の帯電を軽減することができる。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、ガラス基板８には、冷却プレート２への吸着時や剥離時以外にも、摩擦が起き易い状況が存在する。すなわち、ガラス基板８を冷却する場合でも、冷却プレート２にほとんど温度変化がないから、冷却プレート２には温度変化による伸縮は起きないが（あるいは、冷却プレート２はガラス基板８に暖められて伸びる。）、冷却プレート２の上に吸着されたガラス基板８は、冷却されるにつれて熱収縮する。このためガラス基板８と冷却プレート２の間には微小な位置ずれによって摩擦が起こり、ガラス基板８や保護膜９が帯電する。
【００１４】
また、冷却プレート２の上にガラス基板８を置いてから冷却水を循環させ、ガラス基板８と冷却プレート２とを同時に冷却する場合でも、ガラス基板８と冷却プレート２との熱膨張係数の違いにより、ガラス基板８と冷却プレート２の間には微小な位置ずれによって摩擦が起こり、ガラス基板８や保護膜９が帯電する。
【００１５】
上記のようにしてガラス基板８の冷却時に起きるガラス基板８と冷却プレート２との間の位置ずれは微量であるが、たとえ数ミクロン単位であるとしても、負圧吸引によってかなり大きな接触圧が働いている場合には、その摩擦力も大きなものとなり、これによるガラス基板８や保護膜９における静電気の発生も無視することができない。また、冷却効率をある程度向上させるためには、ガラス基板８を吸引してガラス基板８と冷却プレート２を密着させることはどうしても必要である。
【００１６】
特開平９−２９５２３６号公報に記載された上記方法（以下、従来方法という）にあっては、ガラス基板８の吸着時および剥離時における摩擦を軽減しているが、冷却中における位置ずれの問題は解決されていない。すなわち、従来方法では、冷却プレート２の中心部から周辺部まで全体的に多数の吸引孔１０が配置されており、ガラス基板８を負圧吸引した状態では、ガラス基板８の凹凸歪が矯正され、ガラス基板８と冷却プレート２の間の接触はかなり緊密なものとなっている。この状況で冷却動作を行うと、図５に示すように、温度変化によるガラス基板８の収縮による機械的位置ずれが生じる。この機械的な位置ずれは、ガラス基板８の重心が移動しないとすれば、中心部から周辺部にいくに従って大きなものとなる。そして機械的位置ずれに伴い摩擦帯電による静電気が発生することになる。
【００１７】
図６に示すように、冷却プレート２内にはリフトピン１１が配設されており、冷却済みのガラス基板８は、リフトピン１１によって冷却プレート２から剥離される。従来方法では、リフトピン１１を吸引孔１０の近くに、かつ吸引孔１０と交互に配置している。吸引孔１０が冷却プレート２全面にまんべんなく配設され、ガラス基板８は全体を一様に吸着されるようになっているので、リフトピン１１も冷却プレート２全面に吸引孔１０と交互に、かつまんべんなく配設しなければならない。吸引孔１０の近くにリフトピン１１がないと、ガラス基板８が破損する可能性があるためである。このため、図６に示すように、ＴＦＴ等の液晶ディスプレイ回路やカラーフィルタ等が形成される基板有効領域（破線でハッチングを施した領域）にもリフトピン１１が当ることになり、不良率をいたずらに悪くする原因になっていた。
【００１８】
本発明は上述の技術的問題点を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、基板を熱処理プレートに吸着させる際、剥離する際、あるいは基板を熱処理する際における基板の帯電を抑制し、基板の損傷を防止することにある。本発明の別な目的は、ピンによって基板を熱処理プレートから強制的に剥離する際の、ピンの接触による基板の損傷を防止することにある。
【００１９】
【課題を解決するための手段とその作用】
請求項１に記載の熱処理装置は、熱処理プレートの基板載置面に吸引孔を備え、該吸引孔に供給した負圧の吸引力により基板を吸着する熱処理装置において、前記吸引孔は、前記基板載置面のうち、基板の非有効領域に対応する領域及びその近傍である一部領域にのみ設けられていることを特徴としている。ここで、熱処理は、加熱と冷却とを問わない。また、基板の非有効領域とは、有効領域以外の領域をいい、基板の有効領域とは、基板全体のうち最終的に切り出されて製品となる領域、あるいは製品品質の要求される部分（例えば、液晶ディスプレイなどに用いられる基板では、画像表示面となる領域）である。
【００２０】
請求項１に記載の熱処理装置にあっては、基板載置面のうち、基板の非有効領域に対応する領域及びその近傍である一部領域にのみ吸引孔を設けているので、熱処理プレートの基板載置面に基板を置き、吸引孔に負圧吸引力を与えて基板を吸着させると、基板は吸引孔と対向する基板の非有効領域及びその近傍だけが基板載置面に強く吸着される。しかし、基板は吸引孔から離れた部分、すなわち、有効領域のうち吸引孔から離れた領域では、強く吸引されていないので、基板の一部吸引に伴って吸引孔から離れた部分でも基板の有効領域に傷がついたり、静電気が発生して帯電したりしにくくなる。
【００２１】
また、熱処理に伴って基板が伸張したり収縮したりしても、基板が強く吸着されている位置では基板の位置ずれは小さく、吸引孔から離れていて基板と熱処理プレートとの間に大きな位置ずれの起きる部分では、基板は強く吸着されていないので、基板に傷がついたり、静電気が発生して帯電しにくくなる。
【００２２】
従って、請求項１に記載の熱処理装置によれば、基板吸着時や解放時、あるいは熱処理中における基板の傷や帯電を防止することができ、基板の不良品率を小さくすることができる。また、基板を熱処理プレートから剥離させるためのピンを基板の有効領域外に設け易くなる。
【００２５】
請求項２に記載の熱処理装置は、請求項１に記載された熱処理装置における前記吸引孔は、前記熱処理プレートの基板載置面の中心部にのみ設けられていることを特徴としている。
【００２６】
吸引孔を熱処理プレートの基板載置面の中心部にのみ設ければ、基板吸引に伴う基板と基板載置面との間の位置ずれが一方に片寄ることが無くなるので、請求項２に記載の熱処理装置によれば、基板の傷や摩擦による帯電を抑制する効果をより向上させることができる。
【００２７】
請求項３に記載の熱処理装置は、請求項１に記載の熱処理装置において、前記熱処理プレートの基板載置面から突出して基板載置面に吸着されていた基板を剥離させるためのピンが、前記基板載置面のうち、基板の非有効領域に対応する領域にのみ設けられていることを特徴としている。
【００２８】
請求項３に記載の熱処理装置にあっては、基板剥離用のピンを前記基板載置面のうち基板の非有効領域に対応する領域にのみ設けているから、基板を熱処理プレートから剥離させる際、該ピンによって基板の有効領域を傷つけることがない。よって、基板の不良率をより低減させることができる。
【００２９】
請求項４に記載の熱処理装置は、請求項１、２又は３に記載の熱処理装置における前記基板載置面を導電率が１０-10〜１０3（Ωｃｍ）-1の半導電性被膜によって覆ったことを特徴としている。
また、請求項５に記載の熱処理装置は、請求項４に記載の熱処理装置において、前記熱処理プレートのプレート本体を熱伝導性の良好な金属によって形成し、そのプレート本体の表面に絶縁性被膜を設け、その絶縁性被膜の表面を前記半導電性被膜によって覆い、前記基板載置面としたことを特徴としている。
【００３０】
請求項４及び５に記載の熱処理装置にあっては、熱処理プレートの基板載置面を導電率が１０-10〜１０3（Ωｃｍ）-1の半導電性被膜によって覆っているから、摩擦等による静電気の発生をより低減させることができ、基板を熱処理プレートから剥離する際の破損をより低減することができる。
【００３１】
【発明の実施の形態】
（第１の実施形態）
本発明の熱処理装置は、基板を加熱する加熱プレートを備えたものであってもよいが、以下においては、冷却プレートを備えた実施形態を説明する。図７は本発明の一実施形態による熱処理装置２１を示す概略図であって、吸引孔２２から吸排気するための構成を表わしている。図８は冷却プレート２３の平面図である。図９は冷却プレート２３を冷却するための構成を示す概略図である。図１０は冷却プレート２３の一部破断した側面図である。
【００３２】
図１０に示すように、冷却プレート２３は、アルミニウムやステンレス等の熱伝導性の良好な金属によって形成されたプレート本体２４の上に絶縁性被膜２５が形成されており、絶縁性被膜２５の表面は半導電性被膜２６によって覆われている。半導電性被膜２６としては、導電率が１０-10〜１０3（Ωｃｍ）-1の物質が好ましく、例えばＳｉ、Ｇｅ等の真性半導体、不純物半導体、テフロン複合樹脂やセラミックを主成分とする半導電性塗料を塗布して被膜を形成している。また、絶縁性被膜２５は、プレート本体２４の表面の絶縁を図ると共に、半導電性被膜２６と付着の相性のよい生地を用いることにより、半導電性被膜２６としてＳｉ，Ｇｅといった真性半導体や不純物半導体以外にも、テフロン複合樹脂や、セラミック等の材料も使用できるようにしている。半導電性被膜２６は、直接グランドに接続され、グランドへ静電気が逃がされる。
【００３３】
図８に示すように、冷却プレート２３の上面には、ガラス基板２７の外周縁に当接してガラス基板２７を所定位置に位置決めするための位置決めピン２９が突設されている。この実施形態では、ガラス基板２７は、最終的に縦横各２列の４枚の製品基板を得ることを想定しており、図８では、ガラス基板２７の有効領域２８を２点鎖線で囲むことによって示している。ここで、ガラス基板２７の有効領域２８とは、基板全体のうち最終的に切り出されて製品となる領域、あるいは製品品質の要求される部分である。例えば、図８に示すガラス基板２７において、２点鎖線で示す位置でガラス基板２７をカットして（その外周部分を捨てて）４枚の製品基板を得る場合である。あるいは、図８の１点鎖線３０でカットして４枚の製品基板を得るが、液晶表示パネルとして用いられる場合には、２点鎖線の外側の領域はケースに覆われ、液晶画面となるのは、２点鎖線で囲まれた領域となるような場合である。
【００３４】
この熱処理装置２１にあっては、図８に示すように、冷却プレート２３の基板載置面３１の中央部にのみ吸引孔２２を設けている。すなわち、基板載置面３１のガラス基板２７を載置する領域の縁に達しないように吸引孔２２を設けている。例えば、図８では、吸引孔２２の設けられている領域の直径は、ガラス基板２７の辺の長さの１／３以下となっている。
【００３５】
冷却プレート２３の内部には、図７に示すように、吸引孔２２と連通した負圧室３２が設けられており、冷却プレート２３には、負圧室３２を減圧したり常圧に戻したりするための圧力コントロールシステムが接続されている。すなわち、ガスオペレートバルブ（電磁バルブ）３３をオフ側にセットしたままで、エアオペレートバルブ（電磁バルブ）３４をオン側にセットすると、真空ポンプ等によって構成された真空源３５が排気通路３６を介して負圧室３２まで導通し、基板載置面３１の吸引孔２２からガラス基板２７が吸引される。また、エアオペレートバルブ３４をオフ側にセットし、ガスオペレートバルブ３３をオン側にセットすると、吸気通路３７、フィルタ３８及びスピードコントローラ３９を経てＮ2ガス等のガス供給源４０から負圧室３２にガスが供給され、基板載置面３１のガラス基板２７が負圧から解放される。
【００３６】
また、ガラス基板２７の有効領域２８外の領域には、ガラス基板２７を押し上げて基板載置面３１から剥離させるためのリフトピン４１が配置されている。特に、基板載置面３１の中央部に設けられている吸引孔２２の中心にもリフトピン４１が配置されており、吸引孔２２に吸着されたガラス基板２７を効率よく剥離させられるようにしている。リフトピン４１は、後述の昇降駆動装置によって昇降される昇降板４２の上面に立設されており、冷却プレート２３に上下に貫通させられたピン貫通孔４３内に、冷却プレート２３の下面から挿入されており、昇降板４２を昇降させると、リフトピン４１が冷却プレート２３の上面から突出したり、ピン貫通孔４３内へ後退したりするようになっている。
【００３７】
図９に示すように、冷却プレート２３内には、基板載置面３１のほぼ全面を通過するようにして、冷却水が通過する冷却水循環通路４４が配設されている。例えば、この冷却水循環通路４４は、図１０に示すように、負圧室３２よりも下面側に設けることができる。冷却水循環通路４４は、外部配管４５を介して循環ポンプのような循環装置４６と冷却水を一定温度に冷却するための冷却源４７に接続されている。コントローラ４８は、循環装置４６による冷却水の循環流量や冷却水の温度を制御する。内部を冷却源４７で冷却された冷却水（冷媒）を冷却水循環通路４４を介して冷却プレート２３内を流すことによって、冷却プレート２３上に置かれたガラス基板２７を冷却する。
【００３８】
次に、上記熱処理装置２１の使用状態を説明する。例えば、液晶ディスプレイ等に用いるガラス基板２７の処理工程において、ガラス基板２７の表面にレジストを塗布した後、レジストを加熱乾燥させる。ついで、露光や現像工程へガラス基板２７を送る前に、加熱乾燥後の粗熱を取り除くため、ガラス基板２７は冷却用の熱処理装置２１へ送られる。熱処理装置２１へガラス基板２７が供給されると、冷却プレート２３の表面からリフトピン４１が突出してガラス基板２７を受け取り、ガラス基板２７を支持しながらリフトピン４１が冷却プレート２３内に引っ込む。こうして冷却プレート２３上にガラス基板２７が置かれると、エアオペレートバルブ３４がオンとなり、吸引孔２２からの吸引によって基板載置面３１の中央部が負圧となり、ガラス基板２７が冷却プレート２３に吸着される。
【００３９】
ガラス基板２７が冷却プレート２３上に載置されただけの状態では、図１１（ａ）に示すように、ガラス基板２７は波打っていたり、凹凸があったりして（目視ではほとんど確認できない）、ガラス基板２７と冷却プレート２３の間には数１０ミクロン程度の隙間αが存在している。このガラス基板２７を、中心部の吸引孔２２から吸引して基板載置面３１に吸着させると、図１１（ｂ）に示すように、ガラス基板２７の中心部は基板載置面３１に強く吸着され、基板載置面３１との隙間が周辺部よりも小さくなる。また、このときガラス基板２７の周辺部は吸引孔２２に直接吸着されないが、吸引孔２２による負圧の漏れがある場合には、ガラス基板２７の周辺部も弱く吸着される。また、吸引孔２２がガラス基板２７によって完全に塞がれ、負圧の漏れが生じない場合であっても、ガラス基板２７の中央部が平らに延ばされることにより、ガラス基板２７の周辺部も多少は平らに矯正される。
【００４０】
このように基板吸着時には、ガラス基板２７の中央部のみが冷却プレート２３に強く吸着され、この部分ではガラス基板２７の位置ずれが極くわずかであるので、静電気が発生しにくい。ガラス基板２７の周辺部では、位置ずれが大きくても冷却プレート２３に強く吸着されていないので、やはり静電気は発生しにくい。
【００４１】
また、ガラス基板２７を冷却プレート２３に吸着させた状態で、冷却水循環通路４４に冷却液を通して冷却すると、ガラス基板２７の温度低下によりガラス基板２７が収縮する。冷却プレート２３も温度低下に伴って収縮するが、ガラス基板２７と冷却プレート２３とは熱膨張率が異なるので、ガラス基板２７と冷却プレート２３との接触面においては相互の機械的位置ずれが生じ、これが摩擦帯電による静電気を発生させる。冷却に伴う機械的位置ずれは、ガラス基板２７の周辺部へいくに従って大きくなるが、図１１（ｃ）に示すように、周辺部でガラス基板が強く吸着されて充分に延ばされていない分だけガラス基板の位置ずれ量は小さくなる。しかも、ガラス基板２７の中央部から離れた箇所では基板載置面３１に強く吸着されていないので、ガラス基板２７の周辺部においては摩擦による帯電を抑えることができる。
【００４２】
ガラス基板２７の冷却が終わり、ガラス基板２７を冷却プレート２３から剥がすときには、エアオペレートバルブ３４をオフ側に切り換え、ガスオペレートバルブ３３をオン側にして真空破壊用のガス供給源４０によってＮ2ガス等を吸引孔２２から送り出しながら、昇降板４２を上昇させてリフトピン４１を突出させ、リフトピン４１によってガラス基板２７を基板載置面３１から押し上げる。このときガラス基板２７は、中心部分のみしか基板載置面３１に吸着されておらず、中心部分しか帯電していないため、容易にガラス基板２７を基板載置面３１から剥離できる。特に、図１２に示すように、ガラス基板２７の外周部と中心とにリフトピン４１を配置しているので、ガラス基板２７の非有効領域にリフトピン４１が位置しており、ガラス基板２７の有効領域２８がリフトピン４１の先端で傷つけられることがない。
【００４３】
なお、上記冷却プレート２３は、図１３に示すように、基台４９の下面側に納め、冷却プレート２３の上面周囲を保護枠５０で囲み、さらに保護枠５０の上面を天蓋５７によって覆うようにすることが好ましい。このように冷却プレート２３の上面の空間を保護枠５０及び天蓋５７で包むようにすることにより、外部との熱の出入りを遮断し、ガラス基板２７の冷却効率を向上させることができる。この場合、保護枠５０には、ガラス基板２７を出し入れするための開口５１を設けておき、この開口５１をシャッター５２で閉じられるようにする。シャッター５２は、スライド式で開閉するものでもよく、回転式で開閉するものでもよいが、図１３ではエアシリンダ（図示せず）を動力として回転させる方式のものを示している。また、リフトピン４１を立設された昇降板４２は、支持ロッド５３によって基台４９の下面に支持されている。そして、サーボモータ５４によってシャフト５５を回転させ、シャフト５５に連結された昇降レバー５６を動かすことで昇降板４２を昇降させ、リフトピン４１を上下させられるようになっている。
【００４４】
また、上記のように冷却プレート２３は、導電率が１０-10〜１０3（Ωｃｍ）-1の半導電性被膜２６によって覆われている。このような半導電性被膜２６では、導体に比べれば電気伝導に寄与する自由電子はかなり少なくなっているが、それでも絶縁体に比べれば比較にならないくらい多い。この半導電性被膜２６の働きにより、ガラス基板２７の摩擦によりもたらされた静電気をグランドに逃がし、絶縁性被膜２５の帯電を抑制することができる。これにより、絶縁性被膜２５だけの場合に比べて帯電量を抑えることができ、静電気の帯電によるガラス基板２７の不良を少なくできる。一方、半導電性被膜２６を用いることにより、導電性被膜２５のみを用いた場合のようにガラス基板２７の剥離時にスパークが発生するのを避けることができる。
【００４５】
図１４は冷却プレート２３の上面に絶縁性被膜、半導体被膜（半導電性被膜）、導体被膜を形成し、ガラス基板の載置と剥離を繰り返し、各被膜について基板載置回数と帯電量（Coulomb）との関係を調べたものである。この実験結果によれば、絶縁性被膜の場合には、基板載置回数と共に急激に帯電量が増加するが、半導体被膜の場合には、導体被膜ほどではないにしても、グランドへ電荷が逃がされることによって帯電量が抑えられる様子が分かる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は従来の熱処理装置を示す概略構成図、（ｂ）は該熱処理装置の冷却プレートの側面図である。
【図２】従来例による別な冷却プレートを示す側面図である。
【図３】（ａ）（ｂ）は図２の冷却プレートによりガラス基板を吸着する際、ガラス基板の変形する様子を示す断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｄ）は別な従来例であって、ガラス基板を吸着する別な方法を説明する断面図である。
【図５】同上の従来例における冷却時のガラス基板の熱収縮を説明するための断面図である。
【図６】同上の従来例において、吸着されたガラス基板を押上げて剥離させるためのリフトピンの配置を示す断面図である。
【図７】本発明の一実施形態による熱処理装置を示す概略構成図である。
【図８】同上の熱処理装置に用いられている冷却プレートを示す平面図である。
【図９】同上の冷却プレートを冷却するための構成を示す概略図である。
【図１０】同上の冷却プレートの一部破断した側面図である。
【図１１】（ａ）は冷却プレート上に置かれたガラス基板を誇張して示す概略断面図、（ｂ）は吸引孔でガラス基板を吸着している様子を示す概略断面図、（ｃ）は冷却時におけるガラス基板の様子を示す概略断面図である。
【図１２】リフトピンによりガラス基板を押上げている状態を模式的に表わした概略断面図である。
【図１３】上記熱処理装置のより具体的な実施形態を示す一部分解した斜視図である。
【図１４】絶縁体被膜、半導電性被膜、導体被膜を形成された冷却パネル上でガラス基板の載置と剥離を繰り返したときの、基板載置回数と帯電量との関係を示す図である。
【符号の説明】
２２  吸引孔
２３  冷却プレート
２６  半導電性被膜
２７  ガラス基板
２８  ガラス基板の有効領域
３１  基板載置面
４１  リフトピン
【図１】
0004418051.tif 000002
【図２】
0004418051.tif 000003
【図３】
0004418051.tif 000004
【図４】
0004418051.tif 000005
【図５】
0004418051.tif 000006
【図６】
0004418051.tif 000007
【図７】
0004418051.tif 000008
【図８】
0004418051.tif 000009
【図９】
0004418051.tif 000010
【図１０】
0004418051.tif 000011
【図１１】
0004418051.tif 000012
【図１２】
0004418051.tif 000013
【図１３】
0004418051.tif 000014
【図１４】
0004418051.tif 000015