(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（１）
【化１】
0004488127.tif 000038
（式中、Ｒ１  は、式（２）又は（３）
【化２】
0004488127.tif 000039
（式中、Ｒ２  は、置換アリール基又は置換ヘテロ環基を表す。）
で表されるＲ又はＳ２−ヒドロキシ−２−置換エチルカルボニル基を表し、ＭはＮＨ又はＯ原子を表し、Ｗ，Ｘ，Ｙ及びＺは、０〜７の整数を表し、Ｗ＋Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝６〜８の整数を表す。）で表される蛍光を有する光学活性残基で修飾することを特徴とするＲ又はＳ−３−ヒドロキシ−３−置換プロパン酸修飾シクロデキストリン。
【請求項２】
式（２）及び式（３）のＲ２  が、式（４）
【化３】
0004488127.tif 000040
（式中、Ｒ３は、水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のハロアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基、カルボキシル基及びアミノ基を表し、ｎは１〜５の整数を表す。）
で表される置換フェニル基、置換ナフチル基、置換アントリル基、置換ピリジル基、置換チエニル基及び置換フリル基より選ばれる基であることを特徴とする請求項１記載のＲ又はＳ−３−ヒドロキシ−３−置換プロパン酸修飾シクロデキストリン。
【請求項３】
式（５）
【化４】
0004488127.tif 000041
（Ｖは、５〜７の整数を表す。）
で表される構造を特徴とする一置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸アミド修飾シクロデキストリン。
【請求項４】
式（６）
【化５】
0004488127.tif 000042
（Ｖは、５〜７の整数を表す。）
で表される構造を特徴とする一置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸アミド修飾シクロデキストリン。
【請求項５】
式（７）
【化６】
0004488127.tif 000043
（Ｗ及びＹは、０〜６の整数を表す。）
で表される構造を特徴とする二置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸エステル修飾シクロデキストリン。
【請求項６】
式（８）
【化７】
0004488127.tif 000044
（Ｗ及びＹは、０〜６の整数を表す。）
で表される構造を特徴とする二置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸エステル修飾シクロデキストリン。
【請求項７】
式（９）
【化８】
0004488127.tif 000045
（式中、ｈは、６〜８の整数を表す。）
で表されるシクロデキストリンを塩基の存在下、ｐ−トルエンスルホニルクロリドと反応させて式（１０）
【化９】
0004488127.tif 000046
（式中、Ｗ，Ｘ，Ｙ及びＺは、０〜７の整数を表し、Ｗ＋Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝６〜８の整数を表す。）
で表されるシクロデキストリントシレート（ＣｙＤ−ＯＴｓと略記する。）を得、このＣｙＤ−ＯＴｓと式（１１）
【化１０】
0004488127.tif 000047
（式中、Ｒ１  が式（２）又は（３）
【化１１】
0004488127.tif 000048
（式中、Ｒ２  は、置換アリール基又は置換ヘテロ環基を表す。）
で表されるＲ又はＳ２−ヒドロキシ−２−置換エチルカルボニル基の光学活性残基を表し、Ｋは、アルカリ金属又はアルカリ土金属を表す。）
で表される光学活性化合物とを、反応させることを特徴とする式（１２）
【化１２】
0004488127.tif 000049
（式中、Ｍ１  はＯ原子を表し、又、Ｗ，Ｘ，Ｙ及びＺは、前記意味を表す。）
で表されるＲ又はＳ−３−ヒドロキシ−３−置換プロパン酸修飾シクロデキストリンの製造法。
【請求項８】
式（９）
【化１３】
0004488127.tif 000050
（式中、ｈは、６〜８の整数を表す。）
で表されるシクロデキストリンを塩基の存在下、ｐ−トルエンスルホニルクロリドと反応させて式（１０）
【化１４】
0004488127.tif 000051
（式中、Ｗ，Ｘ，Ｙ及びＺは、０〜７の整数を表し、Ｗ＋Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝６〜８の整数を表す。）
で表されるシクロデキストリントシレート（ＣｙＤ−ＯＴｓと略記する。）を得、このＣｙＤ−ＯＴｓとアジ化ナトリウムを反応させて式（１３）
【化１５】
0004488127.tif 000052
（式中、Ｗ，Ｘ，Ｙ及びＺは、前記意味を表す。）
で表されるシクロデキストリンアジド（ＣｙＤ−Ｎ３  と略記する。）を得、このＣｙＤ−Ｎ３  を接触還元させて式（１４）
【化１６】
0004488127.tif 000053
（式中、Ｗ，Ｘ，Ｙ及びＺは、前記意味を表す。）
で表されるシクロデキストリンアミン（ＣｙＤ−ＮＨ２  と略記する。）を得、このＣｙＤ−ＮＨ２  を式（１５）
【化１７】
0004488127.tif 000054
（式中、Ｒ１  は、式（２）又は（３）
【化１８】
0004488127.tif 000055
（式中、Ｒ１  は、置換アリール基又は置換ヘテロ環基を表す。）
で表されるＲ又はＳ２−ヒドロキシ−２−置換エチルカルボニル基の光学活性残基を表す。）
で表される光学活性化合物とを、脱水剤の存在下反応させることを特徴とする式（１６）
【化１９】
0004488127.tif 000056
（式中、Ｒ１，Ｗ，Ｘ，Ｙ及びＺは、前記意味を表す。）
で表されるＲ又はＳ−３−ヒドロキシ−３−置換プロパン酸アミド修飾シクロデキストリンの製造法。
【請求項９】
式（９）
【化２０】
0004488127.tif 000057
（式中、ｈは、６〜８の整数を表す。）
で表されるシクロデキストリンを塩基の存在下、ｐ−トルエンスルホニルクロリドと反応させて式（１０）
【化２１】
0004488127.tif 000058
（式中、Ｗ，Ｘ，Ｙ及びＺは、０〜７の整数を表し、Ｗ＋Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝６〜８の整数を表す。）
で表されるシクロデキストリントシレート（ＣｙＤ−ＯＴｓと略記する。）を得、このＣｙＤ−ＯＴｓとＲ又はＳ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸アルカリ金属又はアルカリ土金属を反応させることを特徴とする式（１７）又は（１８）
【化２２】
0004488127.tif 000059
（式中、Ｗ，Ｘ，Ｙ及びＺは、前記意味を表す。）
で表されるＲ又はＳ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸エステル修飾シクロデキストリンの製造法。
【請求項１０】
式（９）
【化２３】
0004488127.tif 000060
（式中、ｈは、６〜８の整数を表す。）
で表されるシクロデキストリンを塩基の存在下、ｐ−トルエンスルホニルクロリドと反応させて式（１０）
【化２４】
0004488127.tif 000061
（式中、Ｗ，Ｘ，Ｙ及びＺは、０〜７の整数を表し、Ｗ＋Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝６〜８の整数を表す。）
で表されるシクロデキストリントシレート（ＣｙＤ−ＯＴｓと略記する。）を得、このＣｙＤ−ＯＴｓとアジ化ナトリウムを反応させて式（１３）
【化２５】
0004488127.tif 000062
（式中、Ｗ，Ｘ，Ｙ及びＺは、前記意味を表す。）
で表されるシクロデキストリンアジド（ＣｙＤ−Ｎ３  と略記する。）を得、このＣｙＤ−Ｎ３  を接触還元させて式（１４）
【化２６】
0004488127.tif 000063
（式中、Ｗ，Ｘ，Ｙ及びＺは、前記意味を表す。）
で表されるシクロデキストリンアミン（ＣｙＤ−ＮＨ２  と略記する。）を得、このＣｙＤ−ＮＨ２  をＲ又はＳ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸と脱水剤の存在下反応させて式（１９）又は（２０）
【化２７】
0004488127.tif 000064
（式中、Ｗ，Ｘ，Ｙ及びＺは前記意味を表す。）
で表されるＲ又はＳ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸アミド修飾シクロデキストリンの製造法。
【請求項１１】
式（９）
【化２８】
0004488127.tif 000065
（式中、ｈは、６〜８の整数を表す。）
で表されるシクロデキストリンを塩基の存在下、式（２１）
【化２９】
0004488127.tif 000066
で表される１，３−ビス（クロロスルホニル）ベンゼン、１，３−ジメトキシ−４，６−ビス（クロロスルホニル）ベンゼン、４，４′−ビス（クロロスルホニル）ビフェニル、４，４′−ビス（クロロスルホニル）フェニルメタン、４，４′−ビス（クロロスルホニル）ベンゾフェノン、４，４′−ビス（クロロスルホニル）スチルベン、及び４，４′−ビス（クロロスルホニル）アゾベンゼンの中から選ばれる化合物をキャップ化剤として反応させて、式（２２）
【化３０】
0004488127.tif 000067
（式中、Ｗ及びＹは、０〜６の整数を表し、Ｗ＋Ｙ＝４〜６の整数を表し、Ａｒは、ベンゼン−１，３−ジイル基、１，３−ジメトキシベンゼン−４，６−ジイル基、ビフェニル−４，４′−ジイル基、フェニルメタン−４，４′−ジイル基、ベンゾフェノン−４，４′−ジイル基、スチルベン−４，４′−ジイル基、又はアゾベンゼン−４，４′−ジイル基を表す。）
で表されるシクロデキストリンビストシレート（ＣｙＤ−（ＯＴｓ）２  と略記する。）を得、このＣｙＤ−（ＯＴｓ）２  を、ＣｙＤ−ＯＴｓに変えて使用することを特徴とする請求項７〜１０いずれかに記載のＲ又はＳ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸エステル及びアミド修飾シクロデキストリンの製造法。
【請求項１２】
式（１）
【化３１】
0004488127.tif 000068
（式中、Ｒ１  は、式（２）又は（３）
【化３２】
0004488127.tif 000069
（式中、Ｒ２  は、置換アリール基又は置換ヘテロ環基を表す。）
で表されるＲ又はＳ−２−ヒドロキシ−２−置換エチルカルボニル基を表し、ＭはＮＨ又はＯ原子を表し、又、Ｗ，Ｘ，Ｙ及びＺは、０〜７の整数を表し、Ｗ＋Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝６〜８の整数を表す。）で表されるＲ又はＳ−３−ヒドロキシ−３−置換プロパン酸修飾シクロデキストリンをホストとして用いることを特徴とする光学活性化合物のＲ体とＳ体（ゲスト）の蛍光によるキラル分子センシング法。
【請求項１３】
式（１）
【化３３】
0004488127.tif 000070
（式中、Ｒ１  は、式（２）又は（３）
【化３４】
0004488127.tif 000071
（式中、Ｒ２  は、置換アリール基又は置換ヘテロ環基を表す。）
で表されるＲ又Ｓ２−ヒドロキシ−２−置換エチルカルボニル基を表し、ＭはＮＨ又はＯ原子を表す。又、Ｗ，Ｘ，Ｙ及びＺは、０〜７の整数を表し、Ｗ＋Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝６〜８の整数を表す。）で表されるＲ又はＳ−３−ヒドロキシ−３−置換プロパン酸エステル及びアミド修飾シクロデキストリンを用いることを特徴とする光学活性化合物のＲ体とＳ体のキラル分子分割法。
【請求項１４】
式（２３）又は（２４）
【化３５】
0004488127.tif 000072
（式中、ＭはＮＨ又はＯ原子を表す。又、Ｗ，Ｘ，Ｙ及びＺは、０〜７の整数を表し、Ｗ＋Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝６〜８の整数を表す。）
で表されるＲ又はＳ−３−ヒドロキシ−３−置換プロパン酸修飾シクロデキストリンホストとして用いることを特徴とする光学活性化合物のＲ体とＳ体（ゲスト）の蛍光によるキラル分子センシング法。
【請求項１５】
式（２３）又は（２４）
【化３６】
0004488127.tif 000073
（式中、ＭはＮＨ又はＯ原子を表す。又、Ｗ，Ｘ，Ｙ及びＺは、０〜７の整数を表し、Ｗ＋Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝６〜８の整数を表す。）
で表されるＲ又はＳ−３−ヒドロキシ−３−置換プロパン酸修飾シクロデキストリンを用いることを特徴とする光学活性化合物のＲ体とＳ体のキラル分子分割法。
【請求項１６】
ゲストのキラル分子がテルペノイド、ステロイド及びアミノ酸であることを特徴とする請求項１２又は１４記載のキラル分子センシング法。
【請求項１７】
ゲストのキラル分子がピネン、メントール、カンファー、プロリンの各光学活性体、ケノデオキシコール酸及びウルソデオキシコール酸であることを特徴とする請求項１２又は１４記載のキラル分子センシング法。
【請求項１８】
ゲストのキラル分子が式（２５）
【化３７】
0004488127.tif 000074
（Ｒは、水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数３〜８のシクロアルキル基、置換フェニル基又は置換ナフチル基を表す。）
で表されるエピクロルヒドリン誘導体の光学活性体（Ｒ，Ｒ，Ｒ−ＥＰＤ，Ｓ，Ｓ，Ｓ−ＥＰＤと略記する。）とラセミ体（Ｒａｃｅｍｉ−ＥＰＤと略記する。）又は式（２６）
【化３８】
0004488127.tif 000075
（Ｒは、前記と同じ意味を表す。）
で表されるＮ，Ｎ′，Ｎ″−トリス（２，３−エポキシ−２−置換プロピル）イソシアヌル酸誘導体の光学活性体（Ｒ，Ｒ，Ｒ−ＴＥＰＩＣＤ，Ｓ，Ｓ，Ｓ−ＴＥＰＩＣＤと略記する。）とラセミ体（Ｒａｃｅｍｉ−ＴＥＰＩＣＤと略記する。）であることを特徴とする請求項１２又は１４記載のキラル分子センシング法。
【請求項１９】
光学活性化合物が式（２５）
【化３９】
0004488127.tif 000076
（Ｒは、水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数３〜８のシクロアルキル基、置換フェニル基又は置換ナフチル基を表す。）
で表されるエピクロルヒドリン誘導体の光学活性体（Ｒ，Ｒ，Ｒ−ＥＰＤ，Ｓ，Ｓ，Ｓ−ＥＰＤと略記する。）とラセミ体（Ｒａｃｅｍｉ−ＥＰＤと略記する。）又は式（２６）
【化４０】
0004488127.tif 000077
（Ｒは、前記と同じ意味を表す。）
で表されるＮ，Ｎ′，Ｎ″−トリス（２，３−エポキシ−２−置換プロピル）イソシアヌル酸誘導体の光学活性体（Ｒ，Ｒ，Ｒ−ＴＥＰＩＣＤ，Ｓ，Ｓ，Ｓ−ＴＥＰＩＣＤと略記する。）とラセミ体（Ｒａｃｅｍｉ−ＴＥＰＩＣＤと略記する。）であることを特徴とする請求項１３又は１５記載のキラル分子分割法。
【請求項２０】
ゲストのキラル分子が式（２５）
【化４１】
0004488127.tif 000078
（Ｒは、水素原子又はメチル基を表す。）
で表されるエピクロルヒドリン誘導体の光学活性体（Ｒ，Ｒ，Ｒ−ＥＰＤ，Ｓ，Ｓ，Ｓ−ＥＰＤと略記する。）とラセミ体（Ｒａｃｅｍｉ−ＥＰＤと略記する。）又は式（２６）
【化４２】
0004488127.tif 000079
（Ｒは、前記と同じ意味を表す。）
で表されるＮ，Ｎ′，Ｎ″−トリス（２，３−エポキシ−２−置換プロピル）イソシアヌル酸誘導体の光学活性体（Ｒ，Ｒ，Ｒ−ＴＥＰＩＣＤ，Ｓ，Ｓ，Ｓ−ＴＥＰＩＣＤと略記する。）とラセミ体（Ｒａｃｅｍｉ−ＴＥＰＩＣＤと略記する。）であることを特徴とする請求項１２又は１４記載のキラル分子センシング法。
【請求項２１】
光学活性化合物が式（２５）
【化４３】
0004488127.tif 000080
（Ｒは、水素原子又はメチル基を表す。）
で表されるエピクロルヒドリン誘導体の光学活性体（Ｒ，Ｒ，Ｒ−ＥＰＤ，Ｓ，Ｓ，Ｓ−ＥＰＤと略記する。）とラセミ体（Ｒａｃｅｍｉ−ＥＰＤと略記する。）又は式（２６）
【化４４】
0004488127.tif 000081
（Ｒは、前記と同じ意味を表す。）
で表されるＮ，Ｎ′，Ｎ″−トリス（２，３−エポキシ−２−置換プロピル）イソシアヌル酸誘導体の光学活性体（Ｒ，Ｒ，Ｒ−ＴＥＰＩＣＤ，Ｓ，Ｓ，Ｓ−ＴＥＰＩＣＤと略記する。）とラセミ体（Ｒａｃｅｍｉ−ＴＥＰＩＣＤと略記する。）であることを特徴とする請求項１３又は１５記載のキラル分子分割法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光学活性体のキラル分子認識能及びそれらの分割能を有する新規キラル残基修飾シクロデキストリン、その製造法更にその用途に関する。
【０００２】
【従来の技術】
これまで蛍光を有するキラル残基で修飾したシクロデキストリンを用いて、蛍光によるキラル分子の認識能を有した検討した例は、（ジャーナル・オブ・ケミカル・ソサイヤティー，パーキン・トランス，２号（１９９７年）１０６１頁：[J,Chem.Soc.,Perkin Trans.2(1997)1061]）に見られる。
【０００３】
ホストとしては、式（２７）に表される６A ，６E −Ｏ−ビス［２−（１−ナフチル）プロパニル］−γ−シクロデキストリンのＲ，Ｒ体（（Ｒ，Ｒ）−１）とＳ，Ｓ体（（Ｓ，Ｓ）−１）を用いている。
【０００４】
【化４５】
0004488127.tif 000002
【０００５】
一方、ゲストとしては、式（２８）に表されるケオデオキシコール酸（ＣＤＣＡ）、ウルソデオキシコール酸（ＵＤＣＡ）及びボルネオール（ＢＬ）を用いている。
【０００６】
【化４６】
0004488127.tif 000003
【０００７】
その結果、（Ｒ，Ｒ）−１をホストにした場合は、ゲストのＣＤＣＡとＵＤＣＡ間にある程度の蛍光認識能の差が見られるものの、（Ｓ，Ｓ）−１をホストにした場合の両者の蛍光強度の差は小さく不明瞭であった。また、ＢＬをゲストにした場合は、（−）体のみでの検討であるが、何れのホストを用いた場合でもゲストを加える前と大差なく、２−（１−ナフチル）プロパニル修飾残基の認識能のゲスト適用範囲がかなり狭いものとなっている。更に、修飾残基の原料である（Ｒ）及び（Ｓ）−２−（１−ナフチル）プロパン酸ナトリウムは、工業的には高価な資材であり実用的には採用し難い化合物となっている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、光学活性Ｒ体及びＳ体間の蛍光によるキラル認識能及びそれらの分割能を有する新規な蛍光を有するキラル残基修飾シクロデキストリンの提供を課題とする。
【０００９】
更に、このキラル分子認識能及び分割能が顕著であり、かつ種々のゲストに対する適用能力の広いキラル残基修飾シクロデキストリンの提供であり、また修飾残基となる資材が実用に耐え得る経済性のある化合物であることを課題とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明の光学活性Ｒ体及びＳ体間のキラル認識能及びそれらの分割能を有する新規キラル残基修飾シクロデキストリンは、α，β，γ−シクロデキストリンを蛍光を有するキラル残基で修飾させた化合物であり、式（１）
【００１１】
【化４７】
0004488127.tif 000004
【００１２】
（式中、Ｒ1 は、式（２）又は（３）
【００１３】
【化４８】
0004488127.tif 000005
【００１４】
（式中、Ｒ2 は、置換アリール基又は置換ヘテロ環基を表す。）
で表されるＲ又はＳ２−ヒドロキシ−２−置換エチルカルボニル基を表し、ＭはＮＨ，Ｏ又はＳ原子を表し、Ｗ，Ｘ，Ｙ及びＺは、０〜７の整数を表し、Ｗ＋Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝６〜８の整数を表す。）で表される蛍光を有する光学活性残基で修飾することを特徴とするＲ又はＳ−３−ヒドロキシ−３−置換プロパン酸修飾シクロデキストリンに関する。
【００１５】
本発明ホストを用いることにより、テルペノイド、ステロイド、アミノ酸、エピクロルヒドリン誘導体及びトリス（エポキシアルキル）イソシアヌル酸誘導体等の光学活性体間の分子認識及び分割が可能であることを見い出し、本発明を完成させた。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の化合物の製造法及びそれらの化合物、更にそれらの評価結果について詳細に説明する。
最初に、製造法について述べる。
【００１７】
シクロデキストリン（ＣｙＤと略記する。）を塩基の存在下、ｐ−トルエンスルホニルクロリドと反応させてシクロデキストリントシレート（ＣｙＤ−ＯＴｓと略記する。）が得られる。
【００１８】
【化４９】
0004488127.tif 000006
【００１９】
（式中、ｈは、６〜８の整数を表し、Ｗ，Ｘ，Ｙ及びＺは、０〜７の整数を表し、Ｗ＋Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝６〜８の整数を表す。）
使用できるＣｙＤは、一分子に含まれるグルコース単位が６，７，８個に対応したα−シクロデキストリン（α−ＣｙＤと略記する。）、β−シクロデキストリン（β−ＣｙＤと略記する。）及びγ−シクロデキストリン（γ−ＣｙＤと略記する。）などである。
【００２０】
ｐ−トルエンスルホニルクロリドは、ＣｙＤに対し理論量からやや多目に仕込むのが好ましい。
【００２１】
塩基としては、ピリジンやトリエチルアミンなどの有機塩基が好ましい。その使用量はｐ−トルエンスルホニルクロリドに対して等モル以上存在させるのが好ましく、溶媒も兼ねて過剰量使用してもかまわない。
【００２２】
反応温度は、０〜３０℃で行うのが好ましい。反応後は、濃縮し、水から再結晶更にアセトン洗浄し、減圧乾燥することにより目的のＣｙＤ−ＯＴｓが得られる。
【００２３】
ここで、シクロデキストリンの二点を位置選択的に修飾する場合は、公知の方法並びに本発明者らが見出した二点修飾法を適用することも出来る。
即ち、式（９）
【００２４】
【化５０】
0004488127.tif 000007
【００２５】
（式中、ｈは、６〜８の整数を表す。）
で表されるシクロデキストリンを塩基の存在下、式（２１）
【００２６】
【化５１】
0004488127.tif 000008
【００２７】
で表される１，３−ビス（クロロスルホニル）ベンゼン、１，３−ジメトキシ−４，６−ビス（クロロスルホニル）ベンゼン、４，４′−ビス（クロロスルホニル）ビフェニル、４，４′−ビス（クロロスルホニル）フェニルメタン、４，４′−ビス（クロロスルホニル）ベンゾフェノン、４，４′−ビス（クロロスルホニル）スチルベン、及び４，４′−ビス（クロロスルホニル）アゾベンゼン等の中から選ばれる化合物をキャップ化剤として反応させて、式（２２）
【００２８】
【化５２】
0004488127.tif 000009
【００２９】
（式中、Ｗ及びＹは、０〜６の整数を表し、Ｗ＋Ｙ＝４〜６の整数を表し、Ａｒは、置換フェニル基、置換ビフェニル基、置換ジフェニル基、置換スチルベン基、置換アゾフェニル基又は置換ベンゾフェノン基を表す。）
で表されるシクロデキストリンビストシレート（ＣｙＤ−（ＯＴｓ）2 と略記する。）を得る。
【００３０】
このＣｙＤ−（ＯＴｓ）2 は、以下の反応にＣｙＤ−ＯＴｓと同様に使用することにより位置選択的にＣｙＤの二点を修飾することが出来る。
このＣｙＤ−ＯＴｓと式（１１）
【００３１】
【化５３】
0004488127.tif 000010
【００３２】
（式中、Ｒ1 が式（２）又は（３）
【００３３】
【化５４】
0004488127.tif 000011
【００３４】
（式中、Ｒ2 は、置換アリール基又は置換ヘテロ環基を表す。）
で表されるＲ又はＳ２−ヒドロキシ−２−置換エチルカルボニル基の光学活性残基を表し、Ｋは、アルカリ金属又はアルカリ土金属を表す。）
で表される光学活性化合物とを、反応させることにより目的のキラル残基修飾ＣｙＤが得られる。
【００３５】
【化５５】
0004488127.tif 000012
【００３６】
（式中、Ｒ1は、蛍光を有する光学活性残基を表し、Ｋは、アルカリ金属又はアルカリ土金属を表す。Ｍ1 は、Ｏ及びＳ原子を表す。又、Ｗ，Ｘ，Ｙ及びＺは、０〜７の整数を表し、Ｗ＋Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝６〜８の整数を表す。）
ここで、ＣｙＤのキラル残基となるＲ1 は、Ｒ1 ＯＨで示せば例えば以下の光学活性化合物が挙げられる。
【００３７】
Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸、Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸、Ｒ−３−ヒドロキシ−３−（４−クロロフェニル）プロパン酸、Ｓ−３−ヒドロキシ−３−（４−クロロフェニル）プロパン酸、Ｒ−３−ヒドロキシ−３−（１−ナフチル）プロパン酸、Ｓ−３−ヒドロキシ−３−（１−ナフチル）プロパン酸、Ｒ−３−ヒドロキシ−３−（２−ナフチル）プロパン酸、Ｓ−３−ヒドロキシ−３−（２−ナフチル）プロパン酸、Ｒ−３−ヒドロキシ−３−（９−アントリル）プロパン酸、Ｓ−３−ヒドロキシ−３−（９−アントリル）プロパン酸、Ｒ−３−ヒドロキシ−３−（２−ピリジル）プロパン酸、Ｓ−３−ヒドロキシ−３−（２−ピリジル）プロパン酸、Ｒ−３−ヒドロキシ−３−（４−ピリジル）プロパン酸、Ｓ−３−ヒドロキシ−３−（４−ピリジル）プロパン酸、Ｒ−３−ヒドロキシ−３−（２−チエニル）プロパン酸、Ｓ−３−ヒドロキシ−３−（２−チエニル）プロパン酸、Ｒ−３−ヒドロキシ−３−（３−チエニル）プロパン酸、Ｓ−３−ヒドロキシ−３−（３−チエニル）プロパン酸、Ｒ−３−ヒドロキシ−３−（２−フリル）プロパン酸、Ｓ−３−ヒドロキシ−３−（２−フリル）プロパン酸、Ｒ−３−ヒドロキシ−３−（３−フリル）プロパン酸、Ｓ−３−ヒドロキシ−３−（３−フリル）プロパン酸、Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルチオプロパン酸、Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルチオプロパン酸、Ｒ−３−ヒドロキシ−３−（１−ナフチル）チオプロパン酸、Ｓ−３−ヒドロキシ−３−（１−ナフチル）チオプロパン酸。
【００３８】
これらは何れも蛍光を有する化合物として、キラル分子センシング（不斉化合物認識）法に有効である。これらの中で、Ｒ及びＳ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸が光学活性化合物のセンシング能及び分割能が高く又、実用化に際し経済的に入手できるので特に好ましい。
【００３９】
アルカリ金属としては、Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ、アルカリ土金属としては、Ｍｇ，Ｃａ及びＢａ等が挙げられ、特には安価なＮａが好ましい。
【００４０】
溶媒としては、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦと略記する。）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃと略記する。）及びＮ−メチルピロリドン等のアミド系溶媒が好ましく、基質に対して通常３〜２０重量倍使用する。
【００４１】
反応温度は、２０〜１５０℃が好ましい。反応終了後、濃縮しアセトンに再沈させ、得られた結晶を逆相高速液体カラムクロマトグラフィー（Ｌｏｂｅｒ  ｃｏｌｕｍｎ  Ｌｉｃｈｒｏｐｒｅｐ  ＲＰ−１８，４０％  ａｑｕｅｏｕｓ  ＭｅＯＨ）で精製することにより、得られた留分を減圧乾燥すると目的のキラル残基修飾ＣｙＤが得られる。
【００４２】
一方、ＣｙＤ−ＯＴｓとアジ化ナトリウムを反応させるとアジ化シクロデキストリン（ＣｙＤ−Ｎ3 と略記する。）が得られる。
【００４３】
【化５６】
0004488127.tif 000013
【００４４】
（式中、Ｗ，Ｘ，Ｙ及びＺは、０〜７の整数を表し、Ｗ＋Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝６〜８の整数を表す。）
アジ化ナトリウムの使用量はＣｙＤ−ＯＴｓに対して１〜３当量が好ましい。
【００４５】
溶媒としては、水が好ましく、ＣｙＤ−ＯＴｓに対して５〜１００重量倍使用するのが好ましい。反応温度は、２０〜１５０℃が好ましい。反応後濃縮しアセトンで再沈し、生じた結晶を濾取しメタノールで洗浄後、減圧乾燥するとＣｙＤ−Ｎ3 が得られる。
【００４６】
更に、ＣｙＤ−Ｎ3 を接触還元するアミノシクロデキストリン（ＣｙＤ−ＮＨ2 と略記する。）が得られる。
【００４７】
【化５７】
0004488127.tif 000014
【００４８】
（式中、Ｗ，Ｘ，Ｙ及びＺは、前記意味に同じである。）
還元方法は、種々の方法が可能であるが、接触還元法が最も簡便で好ましい。
【００４９】
その反応条件は、通常の方法が適用できる。即ち、Ｐｄ，Ｐｔ及びＮｉ等の金属触媒を用い常圧又は加圧水素下で行うことができる。溶媒としては、水を用いることが好ましい。反応温度は０〜１００℃、好ましくは０〜３０℃が高収率を与える。
【００５０】
反応後不溶分を濾過し、母液を減圧濃縮しアセトンで再沈し、生じた結晶を濾取する。更に結晶を少量の水に溶解し、ＣＭ−Ｓｅｐｈａｄｅｘ  Ｃ−５０カラム（８×２５ｃｍ）に導通する。不純物を水にて溶出後、１％アンモニア水にて吸着部を溶出し、ＴＬＣでＲｆ＝０（原点）（展開溶媒ｎ−ＢｕＯＨ：ＥｔＯＨ：Ｈ2 Ｏ＝５：４：３）画分を集め減圧下濃縮の後、アセトンにて再沈し、生じた結晶を濾取後、乾燥するとＣｙＤ−ＮＨ2 が得られる。
【００５１】
ＣｙＤ−ＮＨ2 と光学活性化合物ＲＯＨから脱水剤を用いてキラル残基修飾ＣｙＤが製造できる。
【００５２】
【化５８】
0004488127.tif 000015
【００５３】
（式中、Ｒ1 ，Ｗ，Ｘ，Ｙ及びＺは、前記意味を表す。）
脱水剤としては、例えばＮ，Ｎ−ジシクロヘキシルカルボジイミド（ＤＣＣと略記する。）及び１−ヒドロキシベンゾトリアゾール（ＨＯＢｔと略記する。）等が用いられる。
【００５４】
溶媒としてはＤＭＦやＤＭＡｃ等のアミド系溶媒が用いられる。反応温度は、−３０〜３０℃で行うのが好ましい。反応終了後、濃縮しアセトンに再沈させ、得られた結晶を逆相高速液体カラムクロマトグラフィー（Ｌｏｂｅｒ  ｃｏｌｕｍｎ  Ｌｉｃｈｒｏｐｒｅｐ  ＲＰ−１８，４０％  ａｑｕｅｏｕｓ  ＭｅＯＨ）で精製することにより、得られた留分を減圧乾燥すると目的のキラル残基修飾ＣｙＤが得られる。
【００５５】
次に、上記製造法によって得られる本発明化合物の具体的な一例を列記する。
【００５６】
一置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸エステル修飾α−ＣｙＤ、一置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸エステル修飾α−ＣｙＤ、一置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸エステル修飾β−ＣｙＤ、一置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸エステル修飾β−ＣｙＤ、一置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸エステル修飾γ−ＣｙＤ、一置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸エステル修飾γ−ＣｙＤ等。
【００５７】
一置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸チオエステル修飾α−ＣｙＤ、一置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸チオエステル修飾α−ＣｙＤ、一置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸チオエステル修飾β−ＣｙＤ、一置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸チオエステル修飾β−ＣｙＤ、一置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸チオエステル修飾γ−ＣｙＤ、一置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸チオエステル修飾γ−ＣｙＤ等。
【００５８】
一置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸アミド修飾α−ＣｙＤ、一置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸アミド修飾α−ＣｙＤ、一置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸アミド修飾β−ＣｙＤ、一置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸アミド修飾β−ＣｙＤ、一置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸アミド修飾γ−ＣｙＤ、一置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸アミド修飾γ−ＣｙＤ等。
【００５９】
以下、多置換体の場合の修飾残基の位置は、グルコース単位をα−ＣｙＤの場合は、Ａ，ＢからＦ、β−ＣｙＤの場合は、Ａ，ＢからＧ、γ−ＣｙＤの場合は、Ａ，ＢからＨとして表す。
【００６０】
二置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸エステル（６Ａ，６Ｂ）修飾α−ＣｙＤ、二置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸エステル（６Ａ，６Ｂ）修飾α−ＣｙＤ、二置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸エステル（６Ａ，６Ｃ）修飾α−ＣｙＤ、二置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸エステル（６Ａ，６Ｃ）修飾α−ＣｙＤ、二置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸エステル（６Ａ，６Ｄ）修飾α−ＣｙＤ、二置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸エステル（６Ａ，６Ｄ）修飾α−ＣｙＤ。
【００６１】
二置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸チオエステル（６Ａ，６Ｂ）修飾α−ＣｙＤ、二置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸チオエステル（６Ａ，６Ｂ）修飾α−ＣｙＤ、二置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸チオエステル（６Ａ，６Ｃ）修飾α−ＣｙＤ、二置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸チオエステル（６Ａ，６Ｃ）修飾α−ＣｙＤ、二置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸チオエステル（６Ａ，６Ｄ）修飾α−ＣｙＤ、二置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸チオエステル（６Ａ，６Ｄ）修飾α−ＣｙＤ。
【００６２】
二置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸アミド（６Ａ，６Ｂ）修飾α−ＣｙＤ、二置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸アミド（６Ａ，６Ｂ）修飾α−ＣｙＤ、二置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸アミド（６Ａ，６Ｃ）修飾α−ＣｙＤ、二置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸アミド（６Ａ，６Ｃ）修飾α−ＣｙＤ、二置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸アミド（６Ａ，６Ｄ）修飾α−ＣｙＤ、二置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸アミド（６Ａ，６Ｄ）修飾α−ＣｙＤ。
【００６３】
二置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸エステル（６Ａ，６Ｂ）修飾β−ＣｙＤ、二置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸エステル（６Ａ，６Ｂ）修飾β−ＣｙＤ、二置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸エステル（６Ａ，６Ｃ）修飾β−ＣｙＤ、二置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸エステル（６Ａ，６Ｃ）修飾β−ＣｙＤ、二置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸エステル（６Ａ，６Ｄ）修飾β−ＣｙＤ、二置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸エステル（６Ａ，６Ｄ）修飾β−ＣｙＤ。
【００６４】
二置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸チオエステル（６Ａ，６Ｂ）修飾β−ＣｙＤ、二置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸チオエステル（６Ａ，６Ｂ）修飾β−ＣｙＤ、二置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸チオエステル（６Ａ，６Ｃ）修飾β−ＣｙＤ、二置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸チオエステル（６Ａ，６Ｃ）修飾β−ＣｙＤ、二置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸チオエステル（６Ａ，６Ｄ）修飾β−ＣｙＤ、二置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸チオエステル（６Ａ，６Ｄ）修飾β−ＣｙＤ。
【００６５】
二置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸アミド（６Ａ，６Ｂ）修飾β−ＣｙＤ、二置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸アミド（６Ａ，６Ｂ）修飾β−ＣｙＤ、二置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸アミド（６Ａ，６Ｃ）修飾β−ＣｙＤ、二置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸アミド（６Ａ，６Ｃ）修飾β−ＣｙＤ、二置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸アミド（６Ａ，６Ｄ）修飾β−ＣｙＤ、二置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸アミド（６Ａ，６Ｄ）修飾β−ＣｙＤ。
【００６６】
二置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸エステル（６Ａ，６Ｂ）修飾γ−ＣｙＤ、二置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸エステル（６Ａ，６Ｂ）修飾γ−ＣｙＤ、二置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸エステル（６Ａ，６Ｃ）修飾γ−ＣｙＤ、二置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸エステル（６Ａ，６Ｃ）修飾γ−ＣｙＤ、二置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸エステル（６Ａ，６Ｄ）修飾γ−ＣｙＤ、二置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸エステル（６Ａ，６Ｄ）修飾γ−ＣｙＤ、二置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸エステル（６Ａ，６Ｅ）修飾γ−ＣｙＤ、二置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸エステル（６Ａ，６Ｅ）修飾γ−ＣｙＤ。
【００６７】
二置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸チオエステル（６Ａ，６Ｂ）修飾γ−ＣｙＤ、二置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸チオエステル（６Ａ，６Ｂ）修飾γ−ＣｙＤ、二置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸チオエステル（６Ａ，６Ｃ）修飾γ−ＣｙＤ、二置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸チオエステル（６Ａ，６Ｃ）修飾γ−ＣｙＤ、二置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸チオエステル（６Ａ，６Ｄ）修飾γ−ＣｙＤ、二置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸チオエステル（６Ａ，６Ｄ）修飾γ−ＣｙＤ、二置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸チオエステル（６Ａ，６Ｅ）修飾γ−ＣｙＤ、二置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸チオエステル（６Ａ，６Ｅ）修飾γ−ＣｙＤ。
【００６８】
二置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸アミド（６Ａ，６Ｂ）修飾γ−ＣｙＤ、二置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸アミド（６Ａ，６Ｂ）修飾γ−ＣｙＤ、二置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸アミド（６Ａ，６Ｃ）修飾γ−ＣｙＤ、二置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸アミド（６Ａ，６Ｃ）修飾γ−ＣｙＤ、二置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸アミド（６Ａ，６Ｄ）修飾γ−ＣｙＤ、二置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸アミド（６Ａ，６Ｄ）修飾γ−ＣｙＤ、二置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸アミド（６Ａ，６Ｅ）修飾γ−ＣｙＤ、二置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸アミド（６Ａ，６Ｅ）修飾γ−ＣｙＤ。
【００６９】
三置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸エステル（６Ａ，６Ｂ，６Ｃ）修飾α−ＣｙＤ、三置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸エステル（６Ａ，６Ｂ，６Ｃ）修飾α−ＣｙＤ、三置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸エステル（６Ａ，６Ｂ，６Ｄ）修飾α−ＣｙＤ、三置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸エステル（６Ａ，６Ｂ，６Ｄ）修飾α−ＣｙＤ、三置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸エステル（６Ａ，６Ｂ，６Ｅ）修飾α−ＣｙＤ、三置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸エステル（６Ａ，６Ｂ，６Ｅ）修飾α−ＣｙＤ、三置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸エステル（６Ａ，６Ｃ，６Ｅ）修飾α−ＣｙＤ、三置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸エステル（６Ａ，６Ｃ，６Ｅ）修飾α−ＣｙＤ。
【００７０】
三置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸アミド（６Ａ，６Ｂ，６Ｃ）修飾α−ＣｙＤ、三置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸アミド（６Ａ，６Ｂ，６Ｃ）修飾α−ＣｙＤ、三置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸アミド（６Ａ，６Ｂ，６Ｄ）修飾α−ＣｙＤ、三置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸アミド（６Ａ，６Ｂ，６Ｄ）修飾α−ＣｙＤ、三置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸アミド（６Ａ，６Ｂ，６Ｅ）修飾α−ＣｙＤ、三置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸アミド（６Ａ，６Ｂ，６Ｅ）修飾α−ＣｙＤ、三置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸アミド（６Ａ，６Ｃ，６Ｅ）修飾α−ＣｙＤ、三置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸アミド（６Ａ，６Ｃ，６Ｅ）修飾α−ＣｙＤ。
【００７１】
三置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸エステル（６Ａ，６Ｂ，６Ｃ）修飾β−ＣｙＤ、三置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸エステル（６Ａ，６Ｂ，６Ｃ）修飾β−ＣｙＤ、三置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸エステル（６Ａ，６Ｂ，６Ｄ）修飾β−ＣｙＤ、三置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸エステル（６Ａ，６Ｂ，６Ｄ）修飾β−ＣｙＤ、三置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸エステル（６Ａ，６Ｂ，６Ｅ）修飾β−ＣｙＤ、三置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸エステル（６Ａ，６Ｂ，６Ｅ）修飾β−ＣｙＤ、三置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸エステル（６Ａ，６Ｃ，６Ｅ）修飾β−ＣｙＤ、三置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸エステル（６Ａ，６Ｃ，６Ｅ）修飾β−ＣｙＤ、三置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸エステル（６Ａ，６Ｃ，６Ｆ）修飾β−ＣｙＤ、三置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸エステル（６Ａ，６Ｃ，６Ｆ）修飾β−ＣｙＤ。
【００７２】
三置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸アミド（６Ａ，６Ｂ，６Ｃ）修飾β−ＣｙＤ、三置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸アミド（６Ａ，６Ｂ，６Ｃ）修飾β−ＣｙＤ、三置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸アミド（６Ａ，６Ｂ，６Ｄ）修飾β−ＣｙＤ、三置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸アミド（６Ａ，６Ｂ，６Ｄ）修飾β−ＣｙＤ、三置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸アミド（６Ａ，６Ｂ，６Ｅ）修飾β−ＣｙＤ、三置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸アミド（６Ａ，６Ｂ，６Ｅ）修飾β−ＣｙＤ、三置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸アミド（６Ａ，６Ｃ，６Ｅ）修飾β−ＣｙＤ、三置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸アミド（６Ａ，６Ｃ，６Ｅ）修飾β−ＣｙＤ、三置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸アミド（６Ａ，６Ｃ，６Ｆ）修飾β−ＣｙＤ、三置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸アミド（６Ａ，６Ｃ，６Ｆ）修飾β−ＣｙＤ。
【００７３】
三置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸エステル（６Ａ，６Ｂ，６Ｃ）修飾γ−ＣｙＤ、三置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸エステル（６Ａ，６Ｂ，６Ｃ）修飾γ−ＣｙＤ、三置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸エステル（６Ａ，６Ｂ，６Ｄ）修飾γ−ＣｙＤ、三置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸エステル（６Ａ，６Ｂ，６Ｄ）修飾γ−ＣｙＤ、三置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸エステル（６Ａ，６Ｂ，６Ｅ）修飾γ−ＣｙＤ、三置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸エステル（６Ａ，６Ｂ，６Ｅ）修飾γ−ＣｙＤ、三置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸エステル（６Ａ，６Ｃ，６Ｅ）修飾γ−ＣｙＤ、三置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸エステル（６Ａ，６Ｃ，６Ｅ）修飾γ−ＣｙＤ、三置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸エステル（６Ａ，６Ｃ，６Ｆ）修飾γ−ＣｙＤ、三置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸エステル（６Ａ，６Ｃ，６Ｆ）修飾γ−ＣｙＤ、三置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸エステル（６Ａ，６Ｃ，６Ｇ）修飾γ−ＣｙＤ、三置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸エステル（６Ａ，６Ｃ，６Ｇ）修飾γ−ＣｙＤ、三置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸エステル（６Ａ，６Ｄ，６Ｇ）修飾γ−ＣｙＤ、三置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸エステル（６Ａ，６Ｄ，６Ｇ）修飾γ−ＣｙＤ。
【００７４】
三置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸アミド（６Ａ，６Ｂ，６Ｃ）修飾γ−ＣｙＤ、三置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸アミド（６Ａ，６Ｂ，６Ｃ）修飾γ−ＣｙＤ、三置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸アミド（６Ａ，６Ｂ，６Ｄ）修飾γ−ＣｙＤ、三置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸アミド（６Ａ，６Ｂ，６Ｄ）修飾γ−ＣｙＤ、三置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸アミド（６Ａ，６Ｂ，６Ｅ）修飾γ−ＣｙＤ、三置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸アミド（６Ａ，６Ｂ，６Ｅ）修飾γ−ＣｙＤ、三置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸アミド（６Ａ，６Ｃ，６Ｅ）修飾γ−ＣｙＤ、三置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸アミド（６Ａ，６Ｃ，６Ｅ）修飾γ−ＣｙＤ、三置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸アミド（６Ａ，６Ｃ，６Ｆ）修飾γ−ＣｙＤ、三置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸アミド（６Ａ，６Ｃ，６Ｆ）修飾γ−ＣｙＤ、三置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸アミド（６Ａ，６Ｃ，６Ｇ）修飾γ−ＣｙＤ、三置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸アミド（６Ａ，６Ｃ，６Ｇ）修飾γ−ＣｙＤ、三置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸アミド（６Ａ，６Ｄ，６Ｇ）修飾γ−ＣｙＤ、三置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸アミド（６Ａ，６Ｄ，６Ｇ）修飾γ−ＣｙＤ。
【００７５】
四置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸エステル（６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄ）修飾α−ＣｙＤ、四置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸エステル（６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄ）修飾α−ＣｙＤ。
【００７６】
四置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸アミド（６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄ）修飾α−ＣｙＤ、四置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸アミド（６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄ）修飾α−ＣｙＤ。
【００７７】
四置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸エステル（６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄ）修飾β−ＣｙＤ、四置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸エステル（６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄ）修飾β−ＣｙＤ。
【００７８】
四置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸アミド（６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄ）修飾β−ＣｙＤ、四置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸アミド（６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄ）修飾β−ＣｙＤ。
【００７９】
四置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸エステル（６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄ）修飾γ−ＣｙＤ、四置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸エステル（６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄ）修飾γ−ＣｙＤ。
【００８０】
四置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸アミド（６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄ）修飾γ−ＣｙＤ、四置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸アミド（６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄ）修飾γ−ＣｙＤ。
【００８１】
五置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸エステル（６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄ，６Ｅ）修飾α−ＣｙＤ、三置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸エステル（６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄ，６Ｅ）修飾α−ＣｙＤ。
【００８２】
五置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸アミド（６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄ，６Ｅ）修飾α−ＣｙＤ、四置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸アミド（６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄ，６Ｅ）修飾α−ＣｙＤ。
【００８３】
五置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸エステル（６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄ，６Ｅ）修飾β−ＣｙＤ、四置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸エステル（６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄ，６Ｅ）修飾β−ＣｙＤ。
【００８４】
五置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸アミド（６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄ，６Ｅ）修飾β−ＣｙＤ、五置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸アミド（６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄ，６Ｅ）修飾β−ＣｙＤ。
【００８５】
五置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸エステル（６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄ，６Ｅ）修飾γ−ＣｙＤ、五置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸エステル（６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄ，６Ｅ）修飾γ−ＣｙＤ。
【００８６】
五置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸アミド（６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄ，６Ｅ）修飾γ−ＣｙＤ、五置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸アミド（６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄ，６Ｅ）修飾γ−ＣｙＤ。
【００８７】
六置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸エステル（６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄ，６Ｅ，６Ｆ）修飾α−ＣｙＤ、三置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸エステル（６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄ，６Ｅ，６Ｆ）修飾α−ＣｙＤ。
【００８８】
六置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸チオエステル（６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄ，６Ｅ，６Ｆ）修飾α−ＣｙＤ、六置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸チオエステル（６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄ，６Ｅ，６Ｆ）修飾α−ＣｙＤ。
【００８９】
六置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸アミド（６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄ，６Ｅ，６Ｆ）修飾α−ＣｙＤ、六置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸アミド（６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄ，６Ｅ，６Ｆ）修飾α−ＣｙＤ。
【００９０】
六置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸エステル（６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄ，６Ｅ，６Ｆ）修飾β−ＣｙＤ、六置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸エステル（６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄ，６Ｅ，６Ｆ）修飾β−ＣｙＤ。
【００９１】
六置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸アミド（６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄ，６Ｅ，６Ｆ）修飾β−ＣｙＤ、六置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸アミド（６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄ，６Ｅ，６Ｆ）修飾β−ＣｙＤ。
【００９２】
六置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸エステル（６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄ，６Ｅ，６Ｆ）修飾γ−ＣｙＤ、六置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸エステル（６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄ，６Ｅ，６Ｆ）修飾γ−ＣｙＤ。
【００９３】
六置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸アミド（６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄ，６Ｅ，６Ｆ）修飾γ−ＣｙＤ、六置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸アミド（６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄ，６Ｅ，６Ｆ）修飾γ−ＣｙＤ。
【００９４】
七置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸エステル（６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄ，６Ｅ，６Ｆ，６Ｇ）修飾β−ＣｙＤ、七置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸エステル（６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄ，６Ｅ，６Ｆ，６Ｇ）修飾β−ＣｙＤ。
【００９５】
七置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸チオエステル（６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄ，６Ｅ，６Ｆ，６Ｇ）修飾β−ＣｙＤ、七置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸チオエステル（６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄ，６Ｅ，６Ｆ，６Ｇ）修飾β−ＣｙＤ。
【００９６】
七置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸アミド（６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄ，６Ｅ，６Ｆ，６Ｇ）修飾β−ＣｙＤ、七置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸アミド（６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄ，６Ｅ，６Ｆ，６Ｇ）修飾β−ＣｙＤ。
【００９７】
七置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸エステル（６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄ，６Ｅ，６Ｆ，６Ｇ）修飾γ−ＣｙＤ、七置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸エステル（６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄ，６Ｅ，６Ｆ，６Ｇ）修飾γ−ＣｙＤ。
【００９８】
七置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸チオエステル（６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄ，６Ｅ，６Ｆ，６Ｇ）修飾γ−ＣｙＤ、七置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸チオエステル（６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄ，６Ｅ，６Ｆ，６Ｇ）修飾γ−ＣｙＤ。
【００９９】
七置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸アミド（６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄ，６Ｅ，６Ｆ，６Ｇ）修飾γ−ＣｙＤ、七置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸アミド（６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄ，６Ｅ，６Ｆ，６Ｇ）修飾γ−ＣｙＤ。
【０１００】
八置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸エステル（６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄ，６Ｅ，６Ｆ，６Ｇ，６Ｈ）修飾γ−ＣｙＤ、八置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸エステル（６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄ，６Ｅ，６Ｆ，６Ｇ，６Ｈ）修飾γ−ＣｙＤ。
【０１０１】
八置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸チオエステル（６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄ，６Ｅ，６Ｆ，６Ｇ，６Ｈ）修飾γ−ＣｙＤ、八置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸チオエステル（６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄ，６Ｅ，６Ｆ，６Ｇ，６Ｈ）修飾γ−ＣｙＤ。
【０１０２】
八置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸アミド（６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄ，６Ｅ，６Ｆ，６Ｇ，６Ｈ）修飾γ−ＣｙＤ、八置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸アミド（６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄ，６Ｅ，６Ｆ，６Ｇ，６Ｈ）修飾γ−ＣｙＤ。
【０１０３】
一置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−（１−ナフチル）プロパン酸エステル修飾α−ＣｙＤ、一置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−（１−ナフチル）プロパン酸エステル修飾α−ＣｙＤ、一置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−（１−ナフチル）プロパン酸エステル修飾β−ＣｙＤ、一置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−（１−ナフチル）プロパン酸エステル修飾β−ＣｙＤ、一置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−（１−ナフチル）プロパン酸エステル修飾γ−ＣｙＤ、一置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−（１−ナフチル）プロパン酸エステル修飾γ−ＣｙＤ等。
【０１０４】
一置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−（２−ナフチル）プロパン酸エステル修飾α−ＣｙＤ、一置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−（２−ナフチル）プロパン酸エステル修飾α−ＣｙＤ、一置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−（２−ナフチル）プロパン酸エステル修飾β−ＣｙＤ、一置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−（２−ナフチル）プロパン酸エステル修飾β−ＣｙＤ、一置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−（２−ナフチル）プロパン酸エステル修飾γ−ＣｙＤ、一置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−（２−ナフチル）プロパン酸エステル修飾γ−ＣｙＤ等。
【０１０５】
一置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−（９−アントリル）プロパン酸エステル修飾α−ＣｙＤ、一置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−（９−アントリル）プロパン酸エステル修飾α−ＣｙＤ、一置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−（９−アントリル）プロパン酸エステル修飾β−ＣｙＤ、一置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−（９−アントリル）プロパン酸エステル修飾β−ＣｙＤ、一置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−（９−アントリル）プロパン酸エステル修飾γ−ＣｙＤ、一置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−（９−アントリル）プロパン酸エステル修飾γ−ＣｙＤ等。
【０１０６】
一置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−（２−ピリジル）プロパン酸エステル修飾α−ＣｙＤ、一置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−（２−ピリジル）プロパン酸エステル修飾α−ＣｙＤ、一置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−（２−ピリジル）プロパン酸エステル修飾β−ＣｙＤ、一置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−（２−ピリジル）プロパン酸エステル修飾β−ＣｙＤ、一置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−（２−ピリジル）プロパン酸エステル修飾γ−ＣｙＤ、一置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−（２−ピリジル）プロパン酸エステル修飾γ−ＣｙＤ等。
【０１０７】
一置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−（４−ピリジル）プロパン酸エステル修飾α−ＣｙＤ、一置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−（４−ピリジル）プロパン酸エステル修飾α−ＣｙＤ、一置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−（４−ピリジル）プロパン酸エステル修飾β−ＣｙＤ、一置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−（４−ピリジル）プロパン酸エステル修飾β−ＣｙＤ、一置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−（４−ピリジル）プロパン酸エステル修飾γ−ＣｙＤ、一置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−（４−ピリジル）プロパン酸エステル修飾γ−ＣｙＤ等。
【０１０８】
一置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−（２−チエニル）プロパン酸エステル修飾α−ＣｙＤ、一置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−（２−チエニル）プロパン酸エステル修飾α−ＣｙＤ、一置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−（２−チエニル）プロパン酸エステル修飾β−ＣｙＤ、一置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−（２−チエニル）プロパン酸エステル修飾β−ＣｙＤ、一置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−（２−チエニル）プロパン酸エステル修飾γ−ＣｙＤ、一置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−（２−チエニル）プロパン酸エステル修飾γ−ＣｙＤ等。
【０１０９】
一置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−（３−チエニル）プロパン酸エステル修飾α−ＣｙＤ、一置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−（３−チエニル）プロパン酸エステル修飾α−ＣｙＤ、一置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−（３−チエニル）プロパン酸エステル修飾β−ＣｙＤ、一置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−（３−チエニル）プロパン酸エステル修飾β−ＣｙＤ、一置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−（３−チエニル）プロパン酸エステル修飾γ−ＣｙＤ、一置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−（３−チエニル）プロパン酸エステル修飾γ−ＣｙＤ等。
【０１１０】
一置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−（２−フリル）プロパン酸エステル修飾α−ＣｙＤ、一置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−（２−フリル）プロパン酸エステル修飾α−ＣｙＤ、一置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−（２−フリル）プロパン酸エステル修飾β−ＣｙＤ、一置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−（２−フリル）プロパン酸エステル修飾β−ＣｙＤ、一置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−（２−フリル）プロパン酸エステル修飾γ−ＣｙＤ、一置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−（２−フリル）プロパン酸エステル修飾γ−ＣｙＤ等。
【０１１１】
一置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−（３−フリル）プロパン酸エステル修飾α−ＣｙＤ、一置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−（３−フリル）プロパン酸エステル修飾α−ＣｙＤ、一置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−（３−フリル）プロパン酸エステル修飾β−ＣｙＤ、一置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−（３−フリル）プロパン酸エステル修飾β−ＣｙＤ、一置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−（３−フリル）プロパン酸エステル修飾γ−ＣｙＤ、一置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−（３−フリル）プロパン酸エステル修飾γ−ＣｙＤ等。
【０１１２】
これらの中で、特に一置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸アミド修飾β−ＣｙＤ（１−Ｒ  Ｈｏｓｔと略記する。）、一置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸アミド修飾β−ＣｙＤ（１−Ｓ  Ｈｏｓｔと略記する。）、二置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸エステル（６Ａ，６Ｄ）修飾β−ＣｙＤ（２−Ｒ，Ｒ  Ｈｏｓｔと略記する。）及び二置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸（６Ａ，６Ｄ）エステル修飾β−ＣｙＤ（２−Ｓ，Ｓ  Ｈｏｓｔと略記する。）等が優れたキラル分子センシング能を示すことを見出した。
【０１１３】
【化５９】
0004488127.tif 000016
【０１１４】
【化６０】
0004488127.tif 000017
【０１１５】
次にこれら４種のキラル残基修飾ＣｙＤをホストとするキラル分子をゲストとしたセンシング能について述べる。まず、対象となるゲストの一例を挙げる。
【０１１６】
例えば、テルペノイド、ステロイド、アミノ酸等に適用でき、その主な化合物は以下の通りである。
【０１１７】
【化６１】
0004488127.tif 000018
【０１１８】
【化６２】
0004488127.tif 000019
【０１１９】
本発明ホストは、これらのゲストの中で、特に、ピネン、メントール、カンファー、プロリンの各光学活性体、ゲノデオキシコール酸及びウルソデオキシコール酸等に高いキラル分子センシング能を示した。
【０１２０】
更に、本発明ホストは次のゲストにも適用できることが解った。即ち、式（２５）
【０１２１】
【化６３】
0004488127.tif 000020
【０１２２】
（Ｒは、水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数３〜８のシクロアルキル基、置換フェニル基又は置換ナフチル基を表す。）
で表されるエピクロルヒドリン誘導体の光学活性体（Ｒ，Ｒ，Ｒ−ＥＰＤ，Ｓ，Ｓ，Ｓ−ＥＰＤと略記する。）とラセミ体（Ｒａｃｅｍｉ−ＥＰＤと略記する。）及び式（２６）
【０１２３】
【化６４】
0004488127.tif 000021
【０１２４】
（Ｒは、前記と同じ意味を表す。）
で表されるＮ，Ｎ′，Ｎ″−トリ（２，３−エポキシ−２−置換プロピル）イソシアヌル酸誘導体の光学活性体（Ｒ，Ｒ，Ｒ−ＴＥＰＩＣＤ，Ｓ，Ｓ，Ｓ−ＴＥＰＩＣＤと略記する。）とラセミ体（Ｒａｃｅｍｉ−ＴＥＰＩＣＤと略記する。）である。
【０１２５】
代表的な具体例を示せば、以下の化合物群である。
【０１２６】
【化６５】
0004488127.tif 000022
【０１２７】
【化６６】
0004488127.tif 000023
【０１２８】
【化６７】
0004488127.tif 000024
【０１２９】
本発明のホストは、エピクロルヒドリンの光学活性体（Ｒ，Ｒ，Ｒ−ＥＰＨ，Ｓ，Ｓ，Ｓ−ＥＰＨ）とラセミ体（Ｒａｃｅｍｉ−ＥＰＨ）、Ｎ，Ｎ′，Ｎ″−トリ（２，３−エポキシプロピル）イソシアヌル酸の光学活性体（Ｒ，Ｒ，Ｒ−ＴＥＰＩＣ，Ｓ，Ｓ，Ｓ−ＴＥＰＩＣ）とラセミ体（Ｒａｃｅｍｉ−ＴＥＰＩＣＨ）に優れた分子センシング能を示した。
【０１３０】
次に、本発明の４種のキラル残基修飾ＣｙＤをホストとして、前記（１）〜（１５）のキラル分子をゲストとしたセンシング能の測定法について述べる。
まず、測定条件を示す。
【０１３１】
［ＵＶスペクトルの測定］
ホストの濃度を１×１０-4Ｍに調製し、ＵＶスペクトルを測定した。
（ＰＥＲＫＩＮ  ＥＬＭＥＲ製ＵＶ／ＶＩＳ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ  Ｌａｍｂｄａを使用）
測定条件：Ｓｃａｎ  ｓｐｅｅｄ  ４８０ｎｍ／ｍｉｎ
【０１３２】
［蛍光スペクトルの測定］
ホストの濃度を１×１０-6Ｍに調製し、ゲスト無添加時、及びゲスト添加時における蛍光スペクトルを測定した。又、ＵＶスペクトル測定より励起波長を２３０ｎｍに決定した。測定に使用したゲストは前記の通り。
（ＰＥＲＫＩＮ  ＥＬＭＥＲ製ＬＳ  ４０Ｂ  Ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒを使用）
測定条件：ＥＸ  ＷＡＶＥＬＥＮＧＴＨ  ２３０ｎｍ，ＥＸ  ＳＬＩＴＳ  ８ｎｍ，ＥＸ  ＳＬＩＴＳ  ８ｎｍ
ＳＣＡＮ  ＳＰＥＥＤ  １００ｎｍ／ｍｉｎ，ＳＴＡＲＴ；ＥＮＤ  ＷＬ２６０；４００ｎｍ
【０１３３】
図１にゲスト添加における蛍光強度変化の例として、２−Ｒ，Ｒホスト溶液へ（＋）−カンファを添加したときの蛍光スペクトルを示した。蛍光強度３００ｎｍ付近と３４０ｎｍ付近で変化が観察され、前者を短波長側とし、後者を長波長側とすると、この図ではゲスト添加に伴い短波長側では蛍光強度が減少し、長波長側では増加したといえる。それぞれのゲスト種に対するセンサー能として、この蛍光強度の変化を用い、蛍光センシングパラメーター（ΔＩ／Ｉ0 ）値により評価した。ΔＩ＝Ｉ−Ｉ0 で、Ｉはホスト溶液のゲスト添加時における蛍光強度であり、Ｉ0 はホスト溶液のゲスト無添加時における蛍光強度で、この感度因子では蛍光強度の増加は正のパラメーター値、減少は負のパラメーター値を表す。
【０１３４】
また、比較的分子サイズの小さいゲストとして用いたゲスト（１）から（１０）はゲスト濃度１ｍＭ、ゲスト（１１）から（１５）の胆汁酸についてはゲスト濃度０．０１ｍＭとした。各ホストの（１）から（１５）ゲストに対するセンシング能は、以下の実施例で示す。
【０１３５】
【実施例】
以下、実施例を挙げ、本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
参考例１
（β−ＣｙＤ−ＯＴｓの合成）
【０１３６】
【化６８】
0004488127.tif 000025
【０１３７】
ピリジン２００ｍｌにβ−ＣｙＤ２２．６ｇ（１９．９ｍｍｏｌ）とｐ−トルエンスルホニルクロリド１０．８ｇ（５６．６ｍｍｏｌ）を溶解し、室温で２時間撹拌した。反応終了後、反応溶液を少量になるまで減圧下濃縮し、水を加えてピリジン臭がなくなるまでこの操作を繰り返し、得られた残渣を水にて再結晶後、結晶を濾取しアセトンにて洗浄し、減圧乾燥させた。β−ＣｙＤ−ＯＴｓ５．５７ｇ（収率２１．１７％）が得られた。
参考例２
（β−ＣｙＤ−Ｎ3 の合成）
【０１３８】
【化６９】
0004488127.tif 000026
【０１３９】
水５８０ｍｌにβ−ＣｙＤ−ＯＴｓ５．２ｇとアジ化ナトリウム５．２ｇ（８０．０ｍｍｏｌ）を溶解し、８０℃で５時間撹拌した。反応終了後、減圧下濃縮し３００ｍｌのアセトンにて再沈し、生じた結晶を濾取してメタノールで洗浄後、減圧下乾燥しβ−ＣｙＤ−Ｎ3 ８．３８ｇを得た。
参考例３
（β−ＣｙＤ−ＮＨ2 の合成）
【０１４０】
【化７０】
0004488127.tif 000027
【０１４１】
水３００ｍｌにβ−ＣｙＤ−Ｎ3 ５．０２ｇ（４．３３ｍｍｏｌ）を溶解し、触媒として１００ｍｇの５％Ｐｄ−Ｃを添加した。水素は常圧下室温で２４時間撹拌した。
【０１４２】
反応終了後、不溶分を濾過、母液を減圧濃縮し３００ｍｌのアセトンで再沈し、生じた結晶を濾取した。その後、結晶を少量の水に溶解し、ＣＭ−Ｓｅｐｈａｄｅｘ  Ｃ−５０カラム（８×２５ｃｍ）に通導する。不純物を水にて溶出後、１％アンモニア水にて吸着部を溶出し、ＴＬＣでＲｆ＝０（原点）（展開溶媒ｎ−ＢｕＯＨ：ＥｔＯＨ：Ｈ2 Ｏ＝５：４：３）画分を集め減圧下濃縮の後、３００ｍｌアセトンにて再沈し、生じた結晶を濾取後、乾燥するとＣｙＤ−ＮＨ2 １．０５ｇが得られた（収率２１．２９％）。
実施例１
【０１４３】
【化７１】
0004488127.tif 000028
【０１４４】
ＤＭＦ１０ｍｌにＲ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸０．０１６ｇ（０．０９６ｍｍｏｌ）を溶解させ、１−ヒドロキシベンゾトリアゾール（ＨＯＢｔと略記する）０．０２４ｇ（０．０１８ｍｍｏｌ）及びＮ，Ｎ−ジシクロヘキシルカルボジイミド（ＤＣＣと略記する）０．０３７ｇ（０．０１８ｍｍｏｌ）を加えて−１０℃で１時間撹拌し、更にβ−ＣｙＤ−ＮＨ2 ０．１ｇ（０．０８８ｍｍｏｌ）を加えて３０分撹拌した。その後、室温にもどして２０時間撹拌させた。反応終了後、減圧下濃縮しアセトンに再沈させ、生じた結晶を濾取した。その後、結晶を少量の水に溶解し、逆相高速液体カラムクロマトグラフィー（Ｌｏｂｅｒ  ｃｏｌｕｍｎ  Ｌｉｃｈｒｏｐｒｅｐ  ＲＰ−１８，４０％  ａｑｕｅｏｕｓ  ＭｅＯＨ）で精製し、得られた目的物を減圧下乾燥した。白色結晶０．０５ｇ（収率４４．２％）が得られた。
【０１４５】
この結晶の分析結果を以下に示す。
Rf=0.48(展開溶媒 n-BuOH:EtOH:H2 O=5:4:3)
1H-NMR(DMSO-d6 ,δppm):3.34-3.61(45H,m,C2 H-C6 H of CyD and-CH2 CH(OH)-),4.45(6H,m,O6 H of CyD),4.82(7H,m,C1 H of CyD),5.38(1H,br,-CH2 CH(OH)-),5.69-5.74(14H,m,O2 H,O3 H of CyD),7.21-7.32(5H,m,aromatic-H),7.65(1H,br,-NH-).
MASS(FAB+,m/e(%)):1283(M,69),589(30),511(27),235(32),157(100).
元素分析(C51H78NO37・5H2 O)：理論値;C:44.61％,H:6.46％
測定値;C:44.55％,H:6.24％.
以上の結果から、この結晶は、一置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸アミド修飾β−ＣｙＤ（１−Ｒ  Ｈｏｓｔ）であることを確認した。
実施例２
【０１４６】
【化７２】
0004488127.tif 000029
【０１４７】
ＤＭＦ１０ｍｌにＳ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸０．０３６ｇ（０．２１７ｍｍｏｌ）を溶解させ、ＨＯＢｔ０．０３６ｇ（０．０２７ｍｍｏｌ）及びＤＣＣ０．０５６ｇ（０．０２７ｍｍｏｌ）を加えて−１０℃で１時間撹拌し、更にβ−ＣｙＤ−ＮＨ2 ０．１ｇ（０．０８８ｍｍｏｌ）を加えて３０分撹拌した。その後、室温にもどして２０時間撹拌させた。反応終了後、減圧下濃縮しアセトンに再沈させ、生じた結晶を濾取した。その後、結晶を少量の水に溶解し、逆相高速液体カラムクロマトグラフィー（Ｌｏｂｅｒ  ｃｏｌｕｍｎＬｉｃｈｒｏｐｒｅｐ  ＲＰ−１８，４０％  ａｑｕｅｏｕｓ  ＭｅＯＨ）で精製し、得られた目的物を減圧下乾燥した。白色結晶０．０６２ｇ（収率５５．３％）が得られた。
この結晶の分析結果を以下に示す。
【０１４８】
Rf=0.48(展開溶媒 n-BuOH:EtOH:H2 O=5:4:3)
1H-NMR(DMSO-d6 ,δppm):3.33-3.63(45H,m,C2 H-C6 H of CyD and-CH2 CH(OH)-),4.45(6H,m,O6 H of CyD),4.87(7H,m,C1 H of CyD),5.42(1H,br,-CH2 CH(OH)-),5.66-5.80(14H,m,O2 H,O3 H of CyD),7.23-7.32(5H,m,aromatic-H),7.70(1H,br,-NH-)．
MASS(FAB+,m/e(%)):1283(M,10),603(38),511(69),156(100).
元素分析(C51H78NO37・5H2 O)：理論値;C:44.61％,H:6.46％
測定値;C:44.80％,H:6.74％．
以上の結果から、この結晶は、一置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸アミド修飾β−ＣｙＤ（１−Ｓ  Ｈｏｓｔ）であることを確認した。
実施例３
【０１４９】
【化７３】
0004488127.tif 000030
【０１５０】
ＤＭＦ１５ｍｌへＡＤ−ｔｏｓｙｌ−β−ＣｙＤ０．６ｇ（０．４１５ｍｍｏｌ）を溶解し、Ｎａ塩としたＲ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸０．２６１ｇ（１．３８６ｍｍｏｌ）を加えて８０℃で２４時間撹拌した。反応終了後、反応溶液を減圧下濃縮しアセトンに再沈し、生じた結晶を濾取した。その結晶を逆相高速液体カラムクロマトグラフィー（Ｌｏｂｅｒ  ｃｏｌｕｍｎ  Ｌｉｃｈｒｏｐｒｅｐ  ＲＰ−１８，４０％  ａｑｕｅｏｕｓ  ＭｅＯＨ）で精製し、得られた目的物を減圧下乾燥した。白色結晶０．０４４４ｇ（収率６．１％）が得られた。
【０１５１】
この結晶の分析結果を以下に示す。
Rf=0.25(展開溶媒 アセトニトリル:水=5:1)
1H-NMR(DMSO-d6 ,δppm):3.35-3.78(48H,m,C2 H-C6 H of CyD and-CH2 CH(OH)-),4.46(5H,m,O6 H of CyD),4.77-4.94(7H,m,C1 H of CyD),5.45(2H,d,J=4.8Hz,-CH2 CH(OH)-),5.72-5.81(14H,m,O2 H,O3 H of CyD),7.21-7.43(10H,m,aromatic-H)．
MASS(FAB+,m/e(%)):1431(M,23),157(100).
元素分析(C60H86NO39・3H2 O)：理論値；C:48.52％,H:6.24％
測定値;C:48.49％,H:6.53％．
以上の結果から、この結晶は、二置換Ｒ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸エステル（６Ａ，６Ｄ）修飾β−ＣｙＤ（２−Ｒ，Ｒ  Ｈｏｓｔ）であることを確認した。
【０１５２】
なお、この目的物とほぼ同じＮＭＲデータを示すものが、Ｒｆ＝０．２のところで得られたが０．００９ｇと量は少なかった。
実施例４
【０１５３】
【化７４】
0004488127.tif 000031
【０１５４】
ＤＭＦ１５ｍｌへＡＤ−ｔｏｓｙｌ−β−ＣｙＤ０．８ｇ（０．５５４ｍｍｏｌ）を溶解し、Ｎａ塩としたＲ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸０．２６１ｇ（１．３８６ｍｍｏｌ）を加えて８０℃で２４時間撹拌した。反応終了後、反応溶液を減圧下濃縮しアセトンにて再沈し、生じた結晶を濾取した。その結晶を逆相高速液体カラムクロマトグラフィー（Ｌｏｂｅｒ  ｃｏｌｕｍｎ  Ｌｉｃｈｒｏｐｒｅｐ  ＲＰ−１８，４０％  ａｑｕｅｏｕｓ  ＭｅＯＨ）で精製し、得られた目的物を減圧下乾燥した。白色結晶０．０５６ｇ（収率５．８％）が得られた。
【０１５５】
この結晶の分析結果を以下に示す。
Rf=0.25(展開溶媒 アセトニトリル:水=5:1)
1H-NMR(DMSO-d6 ,δppm):3.24-3.66(48H,m,C2 H-C6 H of CyD and CH2 CH(OH)-),4.40(5H,m,O6 H of CyD),4.83-4.99(7H,m,C1 H of CyD),5.45(2H,d,J=5.1Hz,-CH2 CH(OH)-),5.68-5.83(14H,m,O2 H,O3 H of CyD),7.20-7.36(10H,m,aromatic-H).
MASS(FAB+,m/e(%)):1431(M,33),455(61),313(100),157(100).
元素分析(C60H86NO39・4H2 O)：理論値;C:47.94％,H:6.30％
測定値;C:48.00％,H:6.57％．
以上の結果から、この結晶は、二置換Ｓ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸エステル（６Ａ，６Ｄ）修飾β−ＣｙＤ（２−Ｓ，Ｓ  Ｈｏｓｔ）であることを確認した。
【０１５６】
なお、Ｒ体合成と同様に、この目的物とほぼ同じＮＭＲデータを示すものが、Ｒｆ＝０．２のところで得られたが０．０１ｇと量は少なかった。
【０１５７】
以下に、前記ホストの蛍光センシング能評価を示す。
実施例５
図２に（１）から（１０）までの比較的小さなゲストに対する、短波長側での分子認識能を示した。１−Ｒホストではゲスト（３）と（４）、２−Ｒ，Ｒホストではゲスト（９）と（１０）、２−Ｓ，Ｓホストではゲスト（１）と（２）及び（７）と（８）において各々パラメーター値の逆転が観察され、キラル認識能に差が認められた。また、このグラフでは一置換体は正の値の高いセンシングを示し、二置換体では負の値の高いセンシングを示すという傾向が見られた。
実施例６
図３に（１）から（１０）までの比較的小さなゲストに対する、長波長側での分子認識能を示した。短波長側と同様にパラメーター値の逆転が観察されたが、１−Ｒホストではゲスト（１）と（２），（３）と（４），（７）と（８）、１−Ｓホストではゲスト（３）と（４），（７）と（８）というように、１つのホストに対して数種類のゲストが逆のセンシングを示した。また、２−Ｒ，Ｒホストでは、短波長側でゲスト（１）から（４）が負のパラメーター値を示しているのに対して、長波長側では正のパラメーター値が観察された。ゲスト（５）と（６）は、短波長側、長波長側共に全てのホストに対して負のパラメーター値を示し、選択性は観察されなかったが、１−Ｓホストで短波長側にパラメーター値の差が見られた。
【０１５８】
実施例５及び６の顕著な認識能が見られたホストとゲストの関係を次表に示す。
【０１５９】
【表１】
0004488127.tif 000032
【０１６０】
（１）本発明のＲ及びＳ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸修飾ＣｙＤは、その一置換体及び二置換体の何れに於ても、光学活性体ゲスト間の認識（センシング）能を示した。特に、１−Ｒホストは、メントール、カンファー及びピネンの何れにもその光学活性体認識能が確認され、ゲストの種類に対する適用能力が高い優れたホストであることが解った。
（２）ピネンをゲストにする場合は、本発明の何れのホストもそのキラル認識能を有し、３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸残基が、光学活性テルペンや光学活性シクロオレフィン類に対し高い感応性があることを見出した。
（３）３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸残基の一置換ホスト（１−Ｒ；１−Ｓ）は主に長波長側で、またその二置換ホスト（２−Ｒ，Ｒ；２−Ｓ，Ｓ）は短波長側で、それぞれゲストの認識能を示す傾向を見出した。
【０１６１】
実施例７
上述のパラメーター値の逆転について検討するために、ゲスト７と８を用いたときの各ホストに対する分子認識能を図４に示した。各ホストに対してゲスト７とゲスト８のグラフが２つあるが、左側が短波長側のグラフ、右側が長波長側のグラフを表している。一置換のホストに対してゲスト７では正のパラメーター値、ゲスト８では負のパラメーター値を示したのに対して二置換のホストではゲスト種とは逆のパラメーター値を示し、キラル認識能が観察された。また、一置換体ではセンシング能が大きく、それに対して二置換体はセンシング能が小さい傾向にあることから、包接挙動が異なることを示している。
【０１６２】
実施例８
図５に（１１）から（１５）までの胆汁酸ゲストに対する、短波長側での分子認識能を示した。ゲスト（１１）において１−Ｓホストが顕著な応答を示した一方、１−Ｒホストでは弱い応答を示した。またゲスト（１１）及びゲスト（１３）に注目すると、一置換体では正のパラメーター値、二置換体では負のパラメーター値が観察され、包接挙動が異なることを示している。
【０１６３】
実施例９
図６に（１１）から（１５）までの胆汁酸ゲストに対する、長波長側での分子認識能を示した。ゲスト（１４）で２−Ｓ，Ｓホストが他と比べて極端に小さいセンシングを示したが、ゲスト（１２）、ゲスト（１４）、ゲスト（１５）においても短波長側と同様に全てのホストに対して負のパラメーター値を示した。これら３つの胆汁酸は１２位に水酸基が無いため、カルボキシル基側からＣｙＤの空孔内へ近づくことが知られている。そのため、疎水相互作用によって蛍光性残基がＣｙＤから放出され、パラメーター値が減少したと考えられる。また、ゲスト（５），（６）においてもこれらの胆汁酸と同様にゲストに対して選択性はなく、全て負のパラメーター値を示した。ゲスト（５），（６）とこれら３つの胆汁酸の構造が似ていることから、同様の挙動を示したと考えられる。
【０１６４】
次に、光学活性化合物間の分子認識能について述べる。ゲスト（１２）ケノデオキシコール酸とゲスト（１４）ウルソデオキシコール酸の具体的なパラメーターを表２及び表３に示す。
【０１６５】
【表２】
0004488127.tif 000033
【０１６６】
【表３】
0004488127.tif 000034
【０１６７】
（１）短波長側では、一残基修飾ホストである１−Ｒ及び１−Ｓに於て両者間にパラメーター値の差が見られた。
（２）長波長側では、短波長側より大きな差が何れのホストに於ても見られ、特に二残基修飾ホストの２−Ｓ，Ｓを用いることにより、極めて顕著な認識能が観察された。
よって、本発明のＳ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロパン酸残基が光学活性認識に有効であることが判明された。
（３）ホスト２−Ｒ，Ｒと２−Ｓ，Ｓ間で、認識能に大きな差が認められた事実は、ＣｙＤ修飾残基として光学活性基の導入により得られた本発明の成果であり、更にその可能性を示唆するものとしてその意味合いは大きい。
【０１６８】
実施例１０
優れた粉体塗料などのモノマーとして多用されているＮ，Ｎ′，Ｎ″−トリス（２，３−エポキシプロピル）イソシアヌレート（ＴＥＰＩＣと略記する。）のＲ，Ｒ，Ｒ体（１６）、Ｓ，Ｓ，Ｓ体（１７）及びラセミ体（１８）、更にその原料であるエピクロルヒドリン（ＥＰＨと略記する。）のＲ，Ｒ，Ｒ体（１９）、Ｓ，Ｓ，Ｓ体（２０）及びラセミ体（２１）をゲスト分子として、前記４種のキラル残基修飾ＣｙＤでホストとするセンシング能を測定した（ホスト濃度；１×１０−６Ｍ、ゲスト濃度；１×１０−５）。
【０１６９】
【化７５】
0004488127.tif 000035
【０１７０】
図７及び表４に短波長側での（１６）から（２１）ゲストの認識能を示した。まずＴＥＰＩＣをゲストにした場合について述べる。
（１）１−Ｒホスト及び１−Ｓホスト間でパラメーター値の序列に変化が見られた。
１−Ｒホスト：Ｓ，Ｓ，Ｓ−ＴＥＰＩＣ＞Ｒ，Ｒ，Ｒ−ＴＥＰＩＣ＞Ｒａｃｅｍｉ−ＴＥＰＩＣ
１−Ｓホスト：Ｒ，Ｒ，Ｒ−ＴＥＰＩＣ＞Ｓ，Ｓ，Ｓ−ＴＥＰＩＣ＞Ｒａｃｅｍｉ−ＴＥＰＩＣ
即ち、Ｒ及びＳ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロピオン酸アミド残基が光学活性ＴＥＰＩＣ間に異なる包接挙動を示し、それらの認識能があることが解った。
（２）２−Ｒ，Ｒホスト及び２−Ｓ，Ｓホスト間でもパラメーター値の序列に変化が見られた。
２−Ｒ，Ｒホスト：Ｒ，Ｒ，Ｒ−ＴＥＰＩＣ＞Ｓ，Ｓ，Ｓ−ＴＥＰＩＣ＞Ｒａｃｅｍｉ−ＴＥＰＩＣ
２−Ｓ，Ｓホスト：Ｒａｃｅｍｉ−ＴＥＰＩＣ＞Ｒ，Ｒ，Ｒ−ＴＥＰＩＣ＞Ｓ，Ｓ，Ｓ−ＴＥＰＩＣ
２−Ｒ，Ｒ及び２−Ｓ，Ｓホストは、特にラセミ体と他の光学活性体との差が大きく、それらの認識能を有している。
（３）４種のホストの中で、１−Ｓホストを用いた場合に最も３者のゲストの識別能が高いことが解った。
【０１７１】
次に、ＥＰＨをゲストにした場合について述べる 。
（１）１−Ｒホスト、１−Ｓホスト及び２−Ｓ，Ｓホストの何れに於てもＳ，Ｓ，Ｓ−ＥＰＨと他のＲ，Ｒ，Ｒ−ＥＰＨ及びＲａｃｅｍｉ−ＥＰＨ間のパラメーター値の差が大きく明瞭な識別能を示した。中でも１−Ｒホスト及び２−Ｓ，Ｓホストが顕著であった。
（２）他方、Ｒ，Ｒ，Ｒ−ＥＰＨとＲａｃｅｍｉ−ＥＰＨ間のパラメーター値の差は小さかったが２−Ｒ，Ｒホストに於て差が見られた。
従って、これらのホストを組み合わせて使用することにより、３者の識別が可能である。
【０１７２】
【表４】
0004488127.tif 000036
【０１７３】
実施例１１
図８及び表５に長波長側での（１６）から（２１）ゲストの認識能を示した。まずＴＥＰＩＣをゲストにした場合について述べる。
（１）１−Ｒホスト：Racemi-TEPIC>S,S,S-TEPIC>R,R,R-TEPIC
１−Ｓホスト：Racemi-TEPIC>R,R,R-TEPIC>S,S,S-TEPIC
実施例１０の表４に示すように、Racemi-TEPICは、何れのホストに対しても短波長側で最も小さいパラメータ値を示したが、長波長側では最も大きなパラメーター値を示した。またS,S,S-TEPICとR,R,R-TEPICは、１−Ｒホストと１−Ｓホスト間でパラメーター値の序列が逆転した。
即ち、Ｒ及びＳ−３−ヒドロキシ−３−フェニルプロピオン酸アミド残基光学活性ＴＥＰＩＣ間に異なる包接挙動を示し、それらの認識能があることが解った。
（２）２−Ｒ，Ｒホスト及び２−Ｓ，Ｓホスト間でもパラメーター値の序列に変化が見られた。
２−Ｒ，Ｒホスト：Racemi-TEPIC>S,S,S-TEPIC>R,R,R-TEPIC
２−Ｓ，Ｓホスト：Racemi-TEPIC>R,R,R-TEPIC>S,S,S-TEPIC
特に、２−Ｓ，Ｓホストは、ラセミ体と他の光学活性との差が大きく、それらの認識能を有している。
（３）４種のホストの中で、１−Ｓホストを用いた場合に最も３者のゲストの識別能が高いことが解った。
【０１７４】
次に、ＥＰＨをゲストにした場合について述べる。
（１）１−Ｒホスト、１−Ｓホスト、２−Ｓ，Ｓホスト及び２−Ｒ，Ｒホストの何れかに於いてＳ，Ｓ，Ｓ−ＥＰＨとＳ，Ｓ，Ｓ−ＥＰＨ間のパラメータ値の差が大きく明瞭な識別能を示した。中でも２−Ｒ，Ｒホスト及び２−Ｓ，Ｓホストが顕著であった。
（２）Ｒ，Ｒ，Ｒ−ＥＰＨと、Ｓ，Ｓ，Ｓ−ＥＰＨの光学活性体間のパラメータ値の差は、短波長側の場合と同様に、ＴＥＰＩＣの光学活性体間の差より大きかった。
【０１７５】
【表５】
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【０１７６】
【発明の効果】
本発明の新規なＲ及びＳ−３−ヒドロキシ−３−置換プロパン酸残基修飾シクロデキストリンをホストとして用いることにより、テルペノイド、ステロイド、アミノ酸、エピクロルヒドリン誘導体及びトリ（エポキシアルキル）イソシアヌル酸誘導体等の光学活性体間の分子認識及び分割が可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】  ゲスト無添加持と添加時の蛍光スペクトル
【図２】  実施例５におけるゲスト（１）〜（１０）に対する短波長側での分子認識能を示す。
【図３】  実施例６におけるゲスト（１）〜（１０）に対する長波長側での分子認識能を示す。
【図４】  実施例７におけるゲスト（７）及び（８）に対する分子認識能を示す。
【図５】  実施例８におけるゲスト（１１）〜（１５）に対する短波長側での分子認識能を示す。
【図６】  実施例９におけるゲスト（１１）〜（１５）に対する長波長側での分子認識能を示す。
【図７】  実施例１０におけるＴＥＰＩＣ及びＥＰＨに対する短波長側での分子認識能を示す。
【図８】  実施例１１におけるＴＥＰＩＣ及びＥＰＨに対する長波長側での分子認識能を示す。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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