(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記の第１工程、第２工程及び第３工程を経ることを特徴とする３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩の製造方法。
第１工程：溶媒として水又は水を５０重量％以上含有する水と水溶性有機溶媒との混合溶媒を用い、該溶媒中で下記の式１で示される３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸塩と下記の式２で示されるテトラブチルホスホニウム化合物とを複分解反応させて、生成した３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩を析出させ、析出分を溶媒から分離し、分離した析出分を水で洗浄する工程
第２工程：第１工程で水で洗浄した析出分をメタノールに溶解し、その溶液を水と混合して、３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩を再析出させ、再析出分を溶液から分離する工程
第３工程：第２工程で分離した再析出分を乾燥する工程
【式１】
0004446457.tif 000004
【式２】
（Ｃ4Ｈ9）4ＰＸ
（式１，式２において、
Ｍ：アルカリ金属、アルカリ土類金属、有機アミン又はアンモニウム
Ｘ：Ｃｌ又はＢｒ）
【請求項２】
第２工程において溶液から分離した再析出分を更に水で洗浄し、また第３工程において該第２工程で洗浄したものを処理対象とする請求項１記載の３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩の製造方法。
【請求項３】
下記の第１工程、第２工程及び第３工程を経ることを特徴とする３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩の製造方法。
第１工程：溶媒として水又は水を５０重量％以上含有する水と水溶性有機溶媒との混合溶媒を用い、該溶媒中で請求項１記載の式１で示される３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸塩と式２で示されるテトラブチルホスホニウム化合物とを複分解反応させて、生成した３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩を析出させ、析出分を溶媒から分離し、分離した析出分を水で洗浄する工程
第２工程：第１工程で水で洗浄した析出分を下記の含酸素系水溶性有機溶媒で洗浄する工程
含酸素系水溶性有機溶媒：いずれも炭素数２以上のアルコール類、エーテル類、ケトン類及びエステル類から選ばれる一つ又は二つ以上
第３工程：第２工程で洗浄したものを乾燥する工程
【請求項４】
含酸素系水溶性有機溶媒が沸点１５０℃以下のものである請求項３記載の３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩の製造方法。
【請求項５】
下記の第１工程、第２工程及び第３工程を経ることを特徴とする３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩の製造方法。
第１工程：溶媒として水又は水を５０重量％以上含有する水と水溶性有機溶媒との混合溶媒を用い、該溶媒中で請求項１記載の式１で示される３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸塩と式２で示されるテトラブチルホスホニウム化合物とを複分解反応させて、生成した３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩を析出させ、析出分を溶媒から分離し、分離した析出分を水で洗浄する工程
第２工程：第１工程で水で洗浄した析出分を非水溶性有機溶媒で洗浄する工程
第３工程：第２工程で洗浄したものを乾燥する工程
【請求項６】
第２工程において第１工程で分離した析出分を乾燥又は脱水し、これに含まれる溶媒又は水を実質的に除去した後、非水溶性有機溶媒で洗浄する請求項５記載の３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩の製造方法。
【請求項７】
非水溶性有機溶媒がいずれも沸点１５０℃以下の炭化水素類及びハロゲン化炭化水素類から選ばれる一つ又は二つ以上である請求項５又は６記載の３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩の製造方法。
【請求項８】
第３工程において１５０℃以下の温度で乾燥する請求項１〜７のいずれか一つの項記載の３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩の製造方法に関する。３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩は、機能性単量体として、カチオン可染ポリエステル繊維の製造の外に、ポリエステルやポリアミド等の縮重合型高分子を用いたコーティング剤、接着剤或は塗料等の製造に広く使用されている。ところで、３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩は、粉体の形で製造され、使用者に供給されるので、使用者の側では、その使用に際して、供給された粉体を梱包容器から取り出したり、また反応装置へ仕込む等の作業が必要である。かかる作業に際しては、その便利性から、流動性の良い粉体であることが要求されるのはいうまでもない。本発明は、粉体流動性に優れた３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸ホスホニウム塩の製造方法に関する。
【０００２】
【従来技術】
従来、３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩の製造方法として、１）ｐＨ３．５以下の水系溶媒中で３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸とテトラブチルホスホニウム化合物とを複分解反応させて、生成した３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩を析出させ、析出分を水系溶媒から分離し、乾燥する方法（特開平２−１８８５９２）、２）所定温度下の水系溶媒中で３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸塩とテトラブチルホスホニウム化合物とを複分解反応させて、生成した３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩を析出させ、析出分を水系溶媒から分離し、乾燥する方法（特開平２−１８８５９３）、３）３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸存在下の水系溶媒中で３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸塩とテトラブチルホスホニウム化合物とを複分解反応させて、生成した３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩を析出させ、析出分を水系溶媒から分離し、乾燥する方法（特開平２−１９１２８８）、以上が提案されている。ところが、これらの従来法には、得られる３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩の粉体流動性が悪いという問題がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明が解決しようとする課題は、従来法では、得られる３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩の粉体流動性が悪いという点である。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
しかして本発明者らは、上記の課題を解決するべく研究した結果、従来法において得られる３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩の粉体流動性の悪い原因が、少量ではあるが、該３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩に含まれる不純物にあり、かかる不純物を特定の処理で相応に除去すると、その粉体流動性が著しく良くなることを見出した。
【０００５】
すなわち本発明は、下記の第１工程、第２工程及び第３工程を経ることを特徴とする３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩の製造方法に係る。
【０００６】
第１工程：溶媒として水又は水を５０重量％以上含有する水と水溶性有機溶媒との混合溶媒を用い、該溶媒中で下記の式１で示される３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸塩と下記の式２で示されるテトラブチルホスホニウム化合物とを複分解反応させて、生成した３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩を析出させ、析出分を溶媒から分離し、分離した析出分を水で洗浄する工程
第２工程：第１工程で水で洗浄した析出分をメタノールに溶解し、その溶液を水と混合して、３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩を再析出させ、再析出分を溶液から分離する工程
第３工程：第２工程で分離した再析出分を乾燥する工程
【０００７】
【式１】
0004446457.tif 000002
【式２】
（Ｃ4Ｈ9）4ＰＸ
【０００８】
式１，式２において、
Ｍ：アルカリ金属、アルカリ土類金属、有機アミン又はアンモニウム
Ｘ：Ｃｌ又はＢｒ
【０００９】
また本発明は、第１工程は前記と同じであるが、第２工程として第１工程で水で洗浄した析出分を下記の含酸素系水溶性有機溶媒で洗浄し、第３工程としてかかる第２工程で洗浄したものを乾燥することを特徴とする３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩の製造方法に係る。
含酸素系水溶性有機溶媒：いずれも炭素数２以上のアルコール類、エーテル類、ケトン類及びエステル類から選ばれる一つ又は二つ以上
【００１０】
更に本発明は、第１工程は前記と同じであるが、第２工程として第１工程で水で洗浄した析出分を非水溶性有機溶媒で洗浄し、第３工程としてかかる第２工程で洗浄したものを乾燥することを特徴とする３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩の製造方法に係る。
【００１１】
本発明の第１工程では、溶媒として水又は水を５０重量％以上含有する水と水溶性有機溶媒との混合溶媒を用い、該溶媒中で、式１で示される３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸塩と式２で示されるテトラブチルホスホニウム化合物とを複分解反応させて、３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩を生成させる。生成させた３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩は溶媒中に析出するので、析出分を溶媒から分離し、分離した析出分を水で洗浄する。
【００１２】
第１工程で用いる溶媒は、１）水、又は２）水を５０重量％以上含有する水と水溶性有機溶媒との混合溶媒である。この場合の水溶性有機溶媒としては、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ジオキサン、アセトン、テトラヒドロフラン、エチレングリコール等が挙げられる。なかでも、第１工程で用いる溶媒は水が好ましい。
【００１３】
第１工程で原料として用いる式１で示される３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸塩としては、１）３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸のリチウム、ナトリウム、カリウム等のアルカリ金属塩、２）３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸のマグネシウム、カルシウム等のアルカリ土類金属塩、３）３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸のトリエチルアミン、ジメチルアミン、プロピルアミン等の有機アミン塩、４）３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸のテトラエチルアンモニウム、テトラメチルアンモニウム等の有機アンモニウム塩、５）３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸のアンモニウム塩が挙げられるが、なかでも３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸ナトリウム、３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸カリウムが好ましい。
【００１４】
第１工程で原料として用いる式２で示されるテトラブチルホスホニウム化合物は、テトラブチルホスホニウムクロライド、テトラブチルホスホニウムブロマイドである。
【００１５】
本発明の第１工程では、前記した溶媒中で、式１で示される３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸塩と式２で示されるテトラブチルホスホニウム化合物とを複分解反応させるが、その方法は、溶媒中で３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸塩とテトラブチルホスホニウム化合物とを接触させればよい。これには例えば、１）３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸塩の水溶液とテトラブチルホスホニウム化合物の水溶液とを予め別々に作製しておき、これらを混合する方法。２）溶媒中に３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸塩とテトラブチルホスホニウム化合物とを仕込み、混合する方法等が挙げられる。
【００１６】
上記の複分解反応において、溶媒の使用量は、生成する３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩の３〜８倍量とするのが好ましい。また複分解反応に供する３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸塩とテトラブチルホスホニウム化合物との仕込み比は、３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸塩／テトラブチルホスホニウム化合物＝０．８〜１．５（モル比）とするのが好ましく、０．９５〜１．０５（モル比）とするのがより好ましい。更に複分解反応は室温〜溶媒の還流温度の温度範囲で行なうのが好ましく、複分解反応後は反応系を室温付近にまで冷却するのが好ましい。
【００１７】
本発明の第１工程では、上記の複分解反応により生成した３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩が溶媒中に析出するので、析出分を溶媒から分離する。分離は濾過や遠心分離等で行なうことができる。分離手段により、分離した析出分中の溶媒の割合は変わるが、析出分中の溶媒の割合は５０重量％未満とするのが好ましく、３５重量％未満とするのがより好ましい。
【００１８】
かくして溶媒から分離した析出分は、目的とする３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩を主成分とするものであるが、更に溶媒の外に、少量ではあるが、未反応の原料や副生物等の不純物を含有するいわば粗製物である。本発明では、第１工程においてできるだけ不純物を除去しておくため、溶媒から分離した析出分を水で洗浄する。洗浄は、析出分と水とを混合し、遠心分離する方法、析出分をフィルタ上に載せ、吸引しながら、その上部から水を散布する方法等で行なうことができる。
【００１９】
本発明の第２工程には３種がある。その第１種は、第１工程で溶媒から分離し、水で洗浄した析出分を、メタノールに溶解し、その溶液を水と混合して、３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩を再析出させ、再析出分を溶液から分離する方法である。その第２種は、第１工程で溶媒から分離し、水で洗浄した析出分を、特定の含酸素系水溶性有機溶媒で洗浄する方法である。その第３種は、第１工程で溶媒から分離し、水で洗浄した析出分を、非水溶性有機溶媒で洗浄する方法である。いずれの方法でも、第１工程で溶媒から分離し、水で洗浄した析出分になお含まれる不純物を相応に除去でき、これにより、更に第３工程を経て最終的に得られる粉体の流動性を著しく向上できる。
【００２０】
先ず、前記した第１種の方法について説明する。この場合の第２工程では、第１工程で溶媒から分離し、水で洗浄した析出分を、メタノールに溶解し、その溶液を水と混合して、３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩を再析出させる。メタノールの使用量は、水で洗浄した析出分１００重量部当たり、５０〜２００重量部とするのが好ましく、７０〜１００重量部とするのがより好ましい。また溶解時の液温は５０℃〜メタノールの沸点の温度範囲とするのが好ましい。更に水の使用量は、混合時においてメタノール濃度が２０重量％以下となるようにするのが好ましい。そして混合による再析出時の液温は室温〜５℃の温度範囲とするのが好ましい。かかる第２工程では、再析出分を溶液から分離する。分離は濾過や遠心分離等で行なうことができる。分離手段により、分離した再析出分中の溶液分の割合は変わるが、再析出分中の溶液分の割合は５０重量％未満とするのが好ましく、３５重量％未満とするのがより好ましい。かくして分離した再析出分はそのまま第３工程に供することもできるが、この段階でもなお再析出分中に含まれる不純物をできるだけ除去しておくため、再析出分を水で洗浄するのが好ましい。洗浄は第１工程について前記した洗浄と同様に行なうことができる。
【００２１】
次に、前記した第２種の方法について説明する。この場合の第２工程では、第１工程で溶媒から分離し、水で洗浄した析出分を、特定の含酸素系水溶性有機溶媒で洗浄する。ここで使用する含酸素系水溶性有機溶媒としては、いずれも炭素数２以上の、１）エタノール、イソプロパーノール、ｎブタノール等のアルコール類、２）ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン等のエーテル類、３）アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン類、４）酢酸エチル等のエステル類、５）エチレングリコール等の多価アルコール類、６）これらの混合物が挙げられる。なかでも沸点が１５０以下のものが好ましく、１００℃以下のものがより好ましい。含酸素系水溶性有機溶媒の使用量は、水で洗浄した析出分１００重量部当たり１００〜５００重量部とするのが好ましく、２００〜３００重量部とするのがより好ましい。また洗浄時の温度は、室温〜１００℃とするのが好ましく、４０〜８０℃とするのがより好ましい。洗浄は第１工程について前記した洗浄と同様に行なうことができる。洗浄手段により、洗浄物中の含酸素系水溶性有機溶媒の割合は変わるが、その割合はできるだけ少なくするのが好ましい。
【００２２】
最後に、前記した第３種の方法について説明する。この場合の第２工程では、第１工程で溶媒から分離し、水で洗浄した析出分を、非水溶性有機溶媒で洗浄する。ここで使用する非水溶性有機溶媒としては、１）ｎ−ヘキサン、シクロヘキサン、石油エーテル、トルエン、キシレン、ジエチルベンゼン等の炭化水素類、２）クロロホルム、四塩化炭素、テトラクロロエタン等のハロゲン化炭化水素類、３）これらの混合物が挙げられるが、なかでも沸点が１５０℃以下のものが好ましい。非水溶性有機溶媒の使用量は、水で洗浄した析出分１００重量部当たり１００〜５００重量部とするのが好ましく、２００〜３００重量部とするのがより好ましい。また洗浄時の温度は、室温〜１５０℃とするのが好ましく、４０〜８０℃とするのがより好ましい。洗浄は、第１工程について前記した洗浄と同様に行なうことができる。かかる第２工程では、非水溶性有機溶媒による洗浄に先立ち、第１工程で水で洗浄した析出分を乾燥し、これに含まれる溶媒、特に水を実質的に除去しておくのが好ましい。
【００２３】
本発明の第３工程では、第２工程で分離し或は洗浄した再析出分を乾燥する。乾燥時の温度は、室温〜１５０℃とするのが好ましく、６０〜１１０℃とするのがより好ましい。かかる乾燥は、棚段式熱風乾燥機、棚段式真空乾燥機、回転式熱風乾燥機、回転式真空乾燥機、振動式熱風乾燥機、振動式真空乾燥機等の乾燥機で行なうことができる。
【００２４】
以上説明した第１工程、第２工程及び第３工程を経る本発明によると、第２工程について前記した３種の方法のいずれかにより、第１工程で溶媒から分離し、水で洗浄した析出分になお含まれる不純物を相応に除去でき、その結果、更に第３工程を経て得られる３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩の粉体流動性を著しく向上できる。
【００２５】
本発明の実施形態としては、次の１）〜５）が挙げられる。
１）下記の第１工程、第２工程及び第３工程を経て、純度９９．６％の３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩を製造する方法。
第１工程：水中で３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸ナトリウムとテトラブチルホスホニウムクロライドとを撹拌下に複分解反応させて、生成した３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩を析出させ、析出分を吸引濾過により分離した後、更に吸引しつつ、フィルタ上に残る析出分の上から水を散布して、洗浄する工程
第２工程：第１工程で水洗浄した析出分をメタノールに溶解し、その溶液を水と混合して、３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩を再析出させ、再析出分を吸引濾過により分離した後、更に吸引しつつ、フィルタ上に残る再析出分の上から水を散布して、洗浄する工程
第３工程：第２工程で水洗浄した再析出分を８０℃で真空乾燥する工程
【００２６】
２）下記の第１工程、第２工程及び第３工程を経て、純度９９．７％の３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩を製造する方法。
第１工程：水を約７０重量％含有する水とエタノールとの混合溶媒中で３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸カリウムとテトラブチルホスホニウムブロマイドとを撹拌下に複分解反応させて、生成した３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩を析出させ、析出分を遠心分離により分離した後、分離した析出分と水とを混合し、更に遠心分離して、洗浄する工程
第２工程：第１工程で水洗浄した析出分にイソプロパノールを加え、７０℃の加温下に撹拌してから室温まで冷却し、遠心分離して、洗浄する工程
第３工程：第２工程で洗浄したものを８０℃で真空乾燥する工程
【００２７】
３）下記の第１工程、第２工程及び第３工程を経て、純度９９．６％の３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩を製造する方法。
第１工程：水中で３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸ナトリウムとテトラブチルホスホニウムクロライドとを撹拌下に複分解反応させて、生成した３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩を析出させ、析出分を吸引濾過により分離した後、更に吸引しつつ、フィルタ上に残る析出分の上から水を散布して、洗浄する工程
第２工程：第１工程で水洗浄した析出分をそのまま濾過体上に残し、更に吸引しつつ、その上からアセトンを散布して、洗浄する工程
第３工程：第２工程で洗浄したものを８０℃で真空乾燥する工程
【００２８】
４）下記の第１工程、第２工程及び第３工程を経て、純度９９．８％の３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩を製造する方法。
第１工程：水中で３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸カリウムとテトラブチルホスホニウムブロマイドとを７０℃の加温及び撹拌下に複分解反応させて、室温まで冷却し、生成した３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩を析出させ、析出分を吸引濾過により分離した後、更に吸引しつつ、フィルタ上に残る析出分の上から水を散布して、洗浄する工程
第２工程：第１工程で水洗浄した析出分を８０℃で熱風乾燥し、その乾燥物を濾過体上に載せ、吸引しつつ、その上から四塩化炭素を散布して、洗浄する工程
第３工程：第２工程で洗浄したものを８０℃で真空乾燥する工程
【００２９】
５）下記の第１工程、第２工程及び第３工程を経て、純度９９．９％の３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩を製造する方法。
第１工程：水中で３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸ナトリウムとテトラブチルホスホニウムクロライドとを７０℃の加温及び撹拌下に複分解反応させて、室温まで冷却し、生成した３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩を析出させ、析出分を遠心分離により分離した後、分離した析出分と水とを混合し、更に遠心分離して、洗浄する工程
第２工程：第１工程で水洗浄した析出分にキシレンを加え、水の留出がなくなるまで加熱下に共沸脱水した後、洗浄する工程
第３工程：第２工程で洗浄したものを８０℃で真空乾燥する工程
【００３０】
以下、本発明の構成及び効果をより具体的に示すため実施例等を挙げるが、本発明がこれらの実施例に限定されるというものではない。尚、以下の実施例等において、部は重量部を、また％は重量％を意味する。
【００３１】
【実施例】
試験区分１（３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩の製造）
・実施例１
フラスコに３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸ナトリウム２６８g（１モル）及び水５００mlを入れて均一溶解したものに、水２００mlに溶解したテトラブチルホスホニウムクロライド２９５ｇ（１モル）を加え、撹拌しながら７０℃に加温し、１時間かけて複分解反応を行なった後、室温まで冷却して、生成した３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩を析出させ、析出分を吸引濾過により、分離した。分離した析出分をそのままフィルタ上に残し、更に吸引しつつ、その上から水５０mlを散布して洗浄した。洗浄した析出分１００ｇにメタノール１００ｇを加え、５０℃に加熱して均一溶解し、この溶液を水１０００ｇの中に撹拌しながら注入して、更に３０分間撹拌を続け、３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩を再析出させ、再析出分を吸引濾過により分離した。分離した再析出分をそのままフィルタ上に残し、更に吸引しつつ、その上から水１００mlを散布して洗浄した。洗浄した再析出分を８０℃で３時間真空乾燥して、精製物を得た。この精製物は純度９９．６％の３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩であった。
【００３２】
・実施例２
フラスコに３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸ナトリウム２６８g（１モル）及び水５００mlを入れて均一溶解したものに、エタノール２００mlに溶解したテトラブチルホスホニウムクロライド２９５ｇ（１モル）を加え、撹拌しながら７０℃に加温し、１時間かけて複分解反応を行なった後、室温まで冷却して、生成した３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩を析出させ、析出分を吸引濾過により分離した。分離した析出分をそのままフィルタ上に残し、更に吸引しつつ、その上から水５０mlを散布して洗浄した。洗浄した析出分１００ｇにイソプロパノール２００ｇを加え、７０℃で３０分間撹拌した後、室温まで冷却し、遠心分離した。遠心分離したものを１００℃で３時間真空乾燥して、精製物を得た。この精製物は純度９９．７％の３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩であった。
【００３３】
・実施例３
フラスコに３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸ナトリウム２６８g（１モル）及び水５００mlを入れて均一溶解したものに、エタノール２００mlに溶解したテトラブチルホスホニウムクロライド２９５ｇ（１モル）を加え、撹拌しながら７０℃に加温し、１時間かけて複分解反応を行なった後、室温まで冷却して、生成した３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩を析出させ、析出分を吸引濾過により分離した。分離した析出分をそのままフィルタ上に残し、更に吸引しつつ、その上から水５０mlを散布して洗浄した。洗浄した析出分をそのままフィルタ上に残し、更に吸引しつつ、その上からアセトン１４００ｇを散布して、洗浄した。かくして洗浄したものを１００℃で３時間真空乾燥して、精製物を得た。この精製物は純度９９．６％の３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩であった。
【００３４】
・実施例４
フラスコに３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸ナトリウム２６８g（１モル）及び水５００mlを入れて均一溶解したものに、水２００mlに溶解したテトラブチルホスホニウムクロライド２９５ｇ（１モル）を加え、撹拌しながら７０℃に加温し、１時間かけて複分解反応を行なった後、室温まで冷却して、生成した３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩を析出させ、析出分を吸引濾過により分離した。分離した析出分をそのままフィルタ上に残し、更に吸引しつつ、その上から水５０mlを散布して洗浄した。洗浄した析出分を８０℃で３０分間熱風乾燥して、水分１％の析出分とした。水分１％の析出分１００ｇと四塩化炭素１７５ｇとをフラスコに入れ、７０℃で３０分間撹拌した後、室温まで冷却し、吸引濾過して、洗浄した。かくして洗浄したものを８０℃で３時間真空乾燥して、精製物を得た。この精製物は純度９９．８％の３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩であった。
【００３５】
・実施例５
フラスコに３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸ナトリウム２６８g（１モル）及び水５００mlを入れて均一溶解したものに、水２００mlに溶解したテトラブチルホスホニウムクロライド２９５ｇ（１モル）を加え、撹拌しながら７０℃に加温し、１時間かけて複分解反応を行なった後、室温まで冷却して、生成した３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩を析出させ、析出分を吸引濾過により分離した。分離した析出分をそのままフィルタ上に残し、更に吸引しつつ、その上から水５０mlを散布して洗浄した。洗浄した析出分１００ｇとキシレン３００ｇとをフラスコに仕込み、撹拌しながら、リフラックスを継続した後、室温まで冷却し、吸引濾過した。吸引濾過したものを１５０℃で３時間真空乾燥して、精製物を得た。この精製物は純度９９．９％の３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩であった。
【００３６】
・比較例１
フラスコに３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸ナトリウム２６８g（１モル）及び水５００mlを入れて均一溶解したものに、水２００mlに溶解したテトラブチルホスホニウムクロライド２９５ｇ（１モル）を加え、撹拌しながら７０℃に加温し、１時間かけて複分解反応を行なった後、室温まで冷却して、生成した３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩を析出させ、析出分を吸引濾過により、分離した。分離した析出分を８０℃で３時間真空乾燥した。得られた乾燥物は純度９９．０％の３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩であった。
【００３７】
・比較例２
フラスコに３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸ナトリウム２６８g（１モル）及び水５００mlを入れて均一溶解したものに、エタノール２００mlに溶解したテトラブチルホスホニウムクロライド２９５ｇ（１モル）を加え、撹拌しながら７０℃に加温し、１時間かけて複分解反応を行なった後、室温まで冷却して、生成した３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩を析出させ、析出分を吸引濾過により分離した。分離した析出分をそのままフィルタ上に残し、更に吸引しつつ、その上から水５０mlを散布して洗浄した。洗浄したものを１００℃で３時間真空乾燥した。得られた乾燥物は純度９９．２％の３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩であった。
【００３８】
試験区分２（製造物の評価）
試験区分１で製造したものを試料として、下記のように安息角を測定し、またアンチブロッキング性を評価した。結果を表１にまとめて示した。
【００３９】
安息角の測定：
直径９０mmのシャーレを伏せて置き、その真上１５０mmの高さに足口径１２mmのロートを固定して、試料１００ｇを少しずつロートを通してシャーレに落とし、シャーレにできた山の高さ（Ｘmm）を求め、安息角｛ｔａｎ-1（Ｘ／４５）｝を算出した。
【００４０】
アンチブロッキング性の評価：
試料２０ｇを内径５０mmの１００mlビーカーに採り、その上に直径４９mmのプラスチック製の蓋を置き、蓋の上から１kgの荷重をかけ、所定の温度で２４時間放置した後、荷重を取り除き、ビーカーをゆっくりと逆さにして、試料のビーカーからの出方を以下の基準で評価した。
○：試料が固まらずに出てきた
△：固まりを生ずるが、５０ｇ／cm2未満の荷重で固まりが崩れた
×：固まりを生じ、５０ｇ／cm2以上の荷重でも固まりが崩れない
【００４１】
【表１】
0004446457.tif 000003
【００４２】
【発明の効果】
既に明らかなように、以上説明した本発明には、粉体流動性に優れた３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸ホスホニウム塩を得ることができるという効果がある。