(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体製造プロセスにおいて生じる排ガスを受ける入力と、
前記入力に接続された端部を有する第１の配管と、
前記第１の配管が有する他の端部に接続された開口を有しており該第１の配管から該開口を介して流れるガスの流路を開閉する第１の開閉弁と、
前記開閉弁が有する他の開口に接続された端部を有する第２の配管と、
前記第２の配管が有する他の端部に接続された流入口と、流出口とを有しており、前記排ガスを処理するための薬剤筒と、
第３の配管を介して前記流出口に接続されており前記薬剤筒によって処理されたガスを排気する出力と、
前記第２の配管から分岐した第１の分岐ラインを介して該第２の配管に接続され、前記第１の配管から分岐した第２の分岐ラインを介して該第１の配管に接続されており、前記第１の配管内の排ガスに含まれる酸素濃度及び水分濃度の少なくとも何れか及び前記第２の配管内の排ガスに含まれる酸素濃度及び水分濃度の少なくとも何れかを検出する、ための検出装置と、
前記第１の開閉弁を駆動する駆動装置と、
前記検出装置によって得られる検出結果に基づいて前記駆動装置に前記第１の開閉弁を駆動させる制御装置と
を備え、
前記第１の分岐ラインは前記出力に接続され、
前記制御装置は、前記第１の開閉弁が閉じられた状態において、前記第１の配管内の排ガスに含まれる酸素濃度及び水分濃度の少なくともいずれか及び前記第２の配管内の排ガスに含まれる酸素濃度及び水分濃度の少なくともいずれか、が所定レベルを超えていないと前記検出結果が示している場合に、前記第１の開閉弁を開くように前記駆動装置を制御する、ことを特徴とする排ガス処理装置。
【請求項２】
前記第２の分岐ラインに設けられており該第２の分岐ラインにおけるガスの流路を開閉する第２の開閉弁と、前記第１の分岐ラインに設けられており該第１の分岐ラインにおけるガスの流路を開閉する第３の開閉弁とを更に備える、ことを特徴とする請求項１に記載の排ガス処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、排ガス処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば特許文献１には、半導体製造プロセスにおいて生じる排ガスを処理するための排ガス処理装置（乾式除害装置）に係る技術が記載されている。この排ガス処理装置は、酸素や水分と高い反応性を有するガス成分を排ガスから除去するための薬剤を収容する薬剤筒（除害剤充填カラム）を備える。この薬剤筒内には、酸素や水分と反応し易いガス成分（以下、未処理のガス成分という場合がある。）が薬剤や薬剤筒の内壁に付着する等して存在している場合がある。このため、排ガス処理装置内への酸素や水分の流入を監視する必要が生じる。このような必要性から、排ガス処理装置内に流入するガスの配管には、酸素濃度計又は水分計等の検出装置が設けられている。
【特許文献１】特開平６−４７２６９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
半導体製造装置のメンテナンス作業や薬剤筒の交換作業等の際には、排ガス処理装置内の配管に酸素や水分が入り込む可能性が生じる。排ガス処理装置内の配管に酸素や水分が入り込んでいると、この酸素や水分が薬剤筒内に入りこむ可能性が生じる。仮に薬剤筒内に酸素や水分が入り込んでいると、この酸素や水分が薬剤筒内の未処理のガス成分と化学反応を起こす懼れが生じる。しかし、上記の検出装置は、排ガス処理装置よりも上流において酸素や水分を検出する。このため、この検出装置では、排ガス処理装置内における酸素や水分の検出ができない。
【０００４】
そこで、本発明の課題は、薬剤筒内における未処理のガス成分による化学反応の発生を低減可能な排ガス処理装置を提供すること。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の排ガス処理装置は、（ａ）半導体製造プロセスにおいて生じる排ガスを受ける入力と、（ｂ）前記入力に接続された端部を有する第１の配管と、（ｃ）前記第１の配管が有する他の端部に接続された開口を有しており該第１の配管から該開口を介して流れるガスの流路を開閉する第１の開閉弁と、（ｄ）前記開閉弁が有する他の開口に接続された端部を有する第２の配管と、（ｅ）前記第２の配管が有する他の端部に接続された流入口と、流出口とを有しており、前記排ガスを処理するための薬剤筒と、（ｆ）第３の配管を介して前記流出口に接続されており前記薬剤筒によって処理されたガスを排気する出力と、（ｇ）前記第２の配管から分岐した第１の分岐ラインを介して該第２の配管に接続され、前記第１の配管から分岐した第２の分岐ラインを介して該第１の配管に接続されており、前記第１の配管内の排ガスに含まれる酸素濃度及び水分濃度の少なくとも何れか及び前記第２の配管内の排ガスに含まれる酸素濃度及び水分濃度の少なくとも何れかを検出する、ための検出装置と、（ｈ）前記第１の開閉弁を駆動する駆動装置と、（ｉ）前記検出装置によって得られる検出結果に基づいて前記駆動装置に前記第１の開閉弁を駆動させる制御装置とを備え、前記第１の分岐ラインは前記出力に接続され、前記制御装置は、前記第１の開閉弁が閉じられた状態において、前記第１の配管内の排ガスに含まれる酸素濃度及び水分濃度の少なくともいずれか及び前記第２の配管内の排ガスに含まれる酸素濃度及び水分濃度の少なくともいずれか、が所定レベルを超えていないと、前記検出結果が示している場合に、前記第１の開閉弁を開くように前記駆動装置を制御する、ことを特徴とする。
【０００６】
半導体製造装置のメンテナンス作業や薬剤筒の交換作業等の際には、酸素及び水分を含む空気が流入口と第１の開閉弁との間にある第２の配管内に入り込む可能性がある。しかし、本発明によれば、検出装置は、第１の分岐ラインを介して第２の配管内にある酸素濃度及び水分濃度の少なくとも何れかを検出できる。従って、酸素や水分の薬剤筒内への流入の可能性が、検出装置による検出結果に基づいて容易且つ正確に判断できる。このため、酸素や水分が薬剤筒内に流入する可能性を低減できる。よって、薬剤筒内における未処理のガス成分による化学反応の発生が低減される。
【０００７】
更に、本発明では、（ａ）前記検出装置と前記第１の配管とが、該第１の配管から分岐した第２の分岐ラインを介して接続され、（ｂ）前記第２の分岐ラインに設けられており該第２の分岐ラインにおけるガスの流路を開閉する第２の開閉弁と、前記第１の分岐ラインに設けられており該第１の分岐ラインにおけるガスの流路を開閉する第３の開閉弁とを更に備える、のが好ましい。半導体製造装置のメンテナンス作業や薬剤筒の交換作業等の際には、第２の配管内だけでなく第１の配管内にも酸素及び水分を含む空気が入り込む可能性がある。しかし、本発明によれば、検出装置は、第２の配管内だけでなく、第２の分岐ラインを介して第１の配管内にある酸素濃度及び水分濃度の少なくとも何れかを更に検出できる。このため、酸素や水分の薬剤筒内への流入の可能性が、より正確に判断できる。更に、第２の開閉弁と第３の開閉弁とを開閉操作することにより、第１の配管内のみの酸素濃度及び水分濃度の検出、第２の配管内のみの酸素濃度及び水分濃度の検出、或いは、第１の配管内及び第２の配管内の酸素濃度及び水分濃度の検出のうち何れの検出を行うのかが容易に選択できる。
【０００８】
また、本発明の排ガス処理装置は、（ａ）半導体製造プロセスにおいて生じる排ガスを受ける入力と、（ｂ）前記入力に接続された端部を有する第１の配管と、（ｃ）前記第１の配管が有する他の端部に接続された開口を有しており該第１の配管から該開口を介して流れるガスの流路を開閉する第１の開閉弁と、（ｄ）前記開閉弁が有する他の開口に接続された端部を有する第２の配管と、（ｅ）前記第２の配管が有する他の端部に接続された流入口と、流出口とを有しており、前記排ガスを処理するための薬剤筒と、（ｆ）第３の配管を介して前記流出口に接続されており前記薬剤筒によって処理されたガスを排気する出力と、（ｇ）前記第１の配管から分岐した分岐ラインを介して該第１の配管に接続されており酸素濃度及び水分濃度の少なくとも何れかを検出するための検出装置とを備える、ことを特徴とする。
【０００９】
半導体製造装置のメンテナンス作業や薬剤筒の交換作業等の際には、酸素及び水分を含む空気が入力と開閉弁との間にある第１の配管内に入り込む可能性がある。しかし、本発明によれば、検出装置は、分岐ラインを介して第１の配管内にある酸素濃度及び水分濃度の少なくとも何れかを検出できる。従って、酸素や水分の薬剤筒内への流入の可能性が、検出装置による検出結果に基づいて容易且つ正確に判断できる。このため、酸素や水分が薬剤筒内に流入する可能性を低減できる。よって、薬剤筒内における未処理のガス成分による化学反応の発生が低減される。
【００１０】
更に、本発明では、（ａ）前記開閉弁を駆動する駆動装置と、（ｂ）前記検出装置によって得られる検出結果に基づいて前記駆動装置に前記第１の弁を駆動させる制御装置とを更に備えるのが好ましい。本発明によれば、検出装置によって得られた検出結果に基づいて制御装置が駆動装置に開閉弁の開閉を行わせる。このため、開閉弁の開閉が、検出装置による検出結果に基づき制御装置によって自動的に行える。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、薬剤筒内における未処理のガス成分による化学反応の発生を低減可能な排ガス処理装置が提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、図１〜図４を参照して、本発明に係る好適な実施形態について詳細に説明する。なお、可能な場合に、図面の説明においては同一要素には同一符号を付す。
【００１３】
本実施形態に係る排ガス処理装置１は、図１に示すように、ＣＶＤ炉３を用いた半導体製造装置Ａ内に設置される。そこで、まず、図１を参照して、半導体製造装置Ａの構成について説明する。半導体製造装置Ａには炉室５及び排ガス処理室７が設けられる。炉室５にはＣＶＤ炉３が設置されておりＣＶＤ炉３には原料供給部９、反応室１１及びポンプ１３が設置される。排ガス処理室７には排ガス処理装置１が設置される。また、半導体製造装置Ａにはキャリアガス供給部８及びポンプ１５が更に設置される。キャリアガス供給部８と原料供給部９とは配管Ｂ１を介して接続される。原料供給部９と反応室１１とは配管Ｂ２を介して接続される。反応室１１とポンプ１３とは配管Ｂ３介して接続される。ポンプ１３と排ガス処理装置１とは配管Ｂ５を介して接続される。炉室５は配管Ｂ７及び配管Ｂ１５を介してポンプ１５に接続される。ＣＶＤ炉３は配管Ｂ９及び配管Ｂ１５を介してポンプ１５に接続される。排ガス処理装置１は配管Ｂ１１及び配管Ｂ１５を介してポンプ１５に接続される。排ガス処理室７は配管Ｂ１３及び配管Ｂ１５を介してポンプ１５に接続される。
【００１４】
次に、排ガス処理装置１、キャリアガス供給部８、原料供給部９、反応室１１、ポンプ１３及びポンプ１５の各々が有する機能について説明する。キャリアガス供給部８は、Ｎ２やＨ２等を含むキャリアガスＧ１を配管Ｂ１に流出する。原料供給部９は、反応室１１に供給する原料ガスＧ３を生成し、この原料ガスＧ３を配管Ｂ２に流出する。原料ガスＧ３は、ＣＶＤ法に基づく薄膜形成を行うための原料がキャリアガスＧ１に付着したガスである。反応室１１は、ＣＶＤ法に基づく薄膜形成に係る半導体製造プロセスを、原料ガスＧ３を用いて行う。ポンプ１３は、キャリアガス供給部８から流出するキャリアガスＧ１を、配管Ｂ１を介して原料供給部９に流す。ポンプ１３は、原料供給部９により生成された原料ガスＧ３を、配管Ｂ２を介して反応室１１に流す。ポンプ１３は、反応室１１において行われる半導体製造プロセスにより生成される排ガスＧ５を、配管Ｂ３に排気する。そして、ポンプ１３は、反応室１１から排気された排ガスＧ５を集め、配管Ｂ５を介して、排ガスＧ７として排ガス処理装置１に流す。排ガス処理装置１は、配管Ｂ５を介して流入する排ガスＧ７を処理する。ポンプ１５は、炉室５から排気される排ガスＧ９を、配管Ｂ７及び配管Ｂ１５を介して外部に排気する。ポンプ１５は、ＣＶＤ炉３から排気される排ガスＧ１１を、配管Ｂ９及び配管Ｂ１５を介して外部に排気する。ポンプ１５は、排ガス処理装置１から排気される排ガスＧ１３を、配管Ｂ１１及び配管Ｂ１５を介して外部に排気する。ポンプ１５は、排ガス処理室７から排気される排ガスＧ１５を、配管Ｂ１３及び配管Ｂ１５を介して外部に排気する。
【００１５】
次に、図２を参照して、本実施形態に係る排ガス処理装置１の構成について説明する。排ガス処理装置１は、入力１７、開閉弁Ｖ１（第１の開閉弁）、出力１９、薬剤筒２１及び検出装置２３を有する。入力１７には配管Ｂ５が接続され、配管Ｂ５を流れる排ガスＧ７を受ける。入力１７と薬剤筒２１との間には排気ラインＬ１が設けられている。入力１７は、排気ラインＬ１を構成する第１の配管Ｂ１７の端部Ｃ１ａに接続される。第１の配管Ｂ１７のもう一方の端部Ｃ１ｂには開閉弁Ｖ１の開口Ｖ１ａが接続される。開閉弁Ｖ１のもう一方の開口Ｖ１ｂには、排気ラインＬ１を構成する第２の配管Ｂ１９の端部Ｃ３ａが接続される。開閉弁Ｖ１は、第１の配管Ｂ１７と第２の配管Ｂ１９との間を流れるガスの流路を開閉する。第２の配管Ｂ１９のもう一方の端部Ｃ３ｂには薬剤筒２１が接続される。
【００１６】
薬剤筒２１は、開閉弁２１ａ、筒体２１ｂ及び開閉弁２１ｃを有する。開閉弁２１ａは、第２の配管Ｂ１９の端部Ｃ３ｂと着脱可能に接続されており、第２の配管Ｂ１９からのガスの流入口２１ｄを有する。開閉弁２１ａは、流入口２１ｄと筒体２１ｂとの間のガスの流路を開閉する。筒体２１ｂは、開閉弁２１ａを介して流入する排ガスＧ７（ＣＶＤ法に基づく薄膜製造に係る半導体製造プロセスにおいて生じる排ガス）を処理するための薬剤を収容する。開閉弁２１ｃは、第３の配管Ｂ２０の端部Ｃ５と着脱可能に接続されており、筒体２１ｂにより処理された排ガスＧ１７を第３の配管Ｂ２０に流出する流出口２１ｅを有する。開閉弁２１ｃは、筒体２１ｂと流出口２１ｅとの間のガスの流路を開閉する。
【００１７】
出力１９は、配管Ｂ１１に接続される。そして、出力１９は、第３の配管Ｂ２０の端部Ｃ７に接続されており、第３の配管Ｂ２０を流れる排ガスＧ１３を配管Ｂ１１に排気する。検出装置２３は、配管により構成された分岐ラインＬ５（第２の分岐ライン）に接続されており、分岐ラインＬ５内にあるガス（後述する排ガスＧ２３）に含まれる酸素濃度及び／又は水分濃度を検出する。検出装置２３は、酸素濃度及び／又は水分濃度の検出結果を電気信号（検出信号という）に変換し、この電気信号を後述の制御装置２５に送信する送信装置（図示略）を有する。なお、検出装置２３は、検出結果を表示する表示装置（図示略）を有していてもよい。分岐ラインＬ５の端部Ｃ９は、第１の配管Ｂ１７の接続部Ｄ１に接続されており、分岐ラインＬ５のもう一方の端部Ｃ１１は、後述するバイパスラインＬ３の接続部Ｄ３に接続される。バイパスラインＬ３は、配管によって構成されており第１の配管Ｂ１７と第３の配管Ｂ２０とを接続する。バイパスラインＬ３の端部Ｃ１３は、第１の配管Ｂ１７のうち端部Ｃ１ａと接続部Ｄ１との間にある接続部Ｄ５に接続されており、バイパスラインＬ３のもう一方の端部Ｃ１５は、第３の配管Ｂ２０の接続部Ｄ７に接続される。更に、排ガス処理装置１には、配管により構成された分岐ラインＬ７（第１の分岐ライン）が設けられる。分岐ラインＬ７の端部Ｃ１７は、第２の配管Ｂ１９の接続部Ｄ９に接続されており、分岐ラインＬ７のもう一方の端部Ｃ１９は、分岐ラインＬ５のうち端部Ｃ９と検出装置２３との間にある接続部Ｄ１１に接続される。
【００１８】
バイパスラインＬ３には、端部Ｃ１３と接続部Ｄ３との間に開閉弁Ｖ３が設けられる。開閉弁Ｖ３は、端部Ｃ１３からバイパスラインＬ３に流入するガスの流路を開閉する。分岐ラインＬ５には、端部Ｃ９と接続部Ｄ１１との間に開閉弁Ｖ５（第２の開閉弁）が設けられる。開閉弁Ｖ５は、端部Ｃ９から分岐ラインＬ５に流入するガスの流路を開閉する。分岐ラインＬ７には、開閉弁Ｖ７（第３の開閉弁）が設けられる。開閉弁Ｖ７は、端部Ｃ１７から分岐ラインＬ７に流入するガスの流路を開閉する。
【００１９】
排ガス処理装置１は、駆動装置Ｅ１、駆動装置Ｅ３、駆動装置Ｅ５及び駆動装置Ｅ７と、制御装置２５とを更に有する。駆動装置Ｅ１は開閉弁Ｖ１を開閉駆動し、駆動装置Ｅ３は開閉弁Ｖ３を開閉駆動し、駆動装置Ｅ５は開閉弁Ｖ５を開閉駆動し、駆動装置Ｅ７は開閉弁Ｖ７を開閉駆動する。制御装置２５は、検出装置２３から送信される検出信号を有線又は無線により受信すると、この検出信号に応じて、開閉弁Ｖ１、開閉弁Ｖ３、開閉弁Ｖ５及び開閉弁Ｖ７に対する各開閉指示を、駆動装置Ｅ１、駆動装置Ｅ３、駆動装置Ｅ５及び駆動装置Ｅ７の各々に有線又は無線により送信する。駆動装置Ｅ１、駆動装置Ｅ３、駆動装置Ｅ５及び駆動装置Ｅ７の各々は、制御装置２５から送信された各開閉指示に応じて、開閉弁Ｖ３、開閉弁Ｖ５及び開閉弁Ｖ７を開閉駆動する。
【００２０】
次に、図２を参照して、排ガス処理装置１内のガスの流れについて説明する。まず、開閉弁Ｖ１が開かれている場合には、排ガスＧ７は、入力１７を介して配管Ｂ５から排気ラインＬ１に流入した後に開閉弁Ｖ１を介して薬剤筒２１に流入する。開閉弁Ｖ７が開かれている場合には、排ガスＧ７から分流した排ガスＧ１９が分岐ラインＬ７に流入する。開閉弁Ｖ５が開かれている場合には、排ガスＧ７から分流した排ガスＧ２１が分岐ラインＬ５に流入する。分岐ラインＬ５には、排ガスＧ２１と、接続部Ｄ１１を介して分岐ラインＬ７から流入する排ガスＧ１９とが混合された排ガスＧ２３が流れる。この排ガスＧ２３は、バイパスラインＬ３に流入する。なお、開閉弁Ｖ７が閉じられていれば、排ガスＧ１９は分岐ラインＬ５には流入しない。開閉弁Ｖ３が開かれている場合には、排ガスＧ７から分流した排ガスＧ２５がバイパスラインＬ３に流入する。バイパスラインＬ３には、排ガスＧ２５と、接続部Ｄ３を介して分岐ラインＬ５から流入する排ガスＧ２３とが混合された排ガスＧ２７が流れる。なお、排ガスＧ２３は、開閉弁Ｖ５及び開閉弁Ｖ７のうち何れかが開かれていればバイパスラインＬ３に流入するが、開閉弁Ｖ５及び開閉弁Ｖ７が共に閉じられていればバイパスラインＬ３には流入しない。
【００２１】
また、第３の配管Ｂ２０には、薬剤筒２１から端部Ｃ５を介して排ガスＧ１７が流入する。第３の配管Ｂ２０には、バイパスラインＬ３から接続部Ｄ７を介して排ガスＧ２７が流入する。そして、第３の配管Ｂ２０には、排ガスＧ１７と、排ガスＧ２７とが混合された排ガスＧ１３が流れる。この排ガスＧ１３は、出力１９を介して第３の配管Ｂ２０から配管Ｂ１１に排気される。なお、排ガスＧ２７は、開閉弁Ｖ３、開閉弁Ｖ５及び開閉弁Ｖ７のうち何れかが開かれていれば第３の配管Ｂ２０に流入するが、開閉弁Ｖ３、開閉弁Ｖ５及び開閉弁Ｖ７の全てが閉じられていれば第３の配管Ｂ２０には流入しない。
【００２２】
次に、排ガス処理装置１が有する開閉弁Ｖ１〜開閉弁Ｖ７の開閉方法について説明する。まず、図３を参照して、薬剤筒２１の交換作業又はＣＶＤ炉３のメンテナンス作業における各開閉弁の開閉方法について説明する。薬剤筒２１の交換作業又はＣＶＤ炉３のメンテナンス作業の開始前には、ＣＶＤ炉３の使用が停止される。ＣＶＤ炉３の使用が停止されると、制御装置２５は、下記ステップＳ１の処理を行う。
【００２３】
（ステップＳ１）すなわち、制御装置２５は、駆動装置Ｅ１を制御することによって開閉弁Ｖ１を閉じる。ＣＶＤ炉３の使用停止前には、開閉弁Ｖ３、開閉弁Ｖ５及び開閉弁Ｖ７は閉じられていたが、ステップＳ１の処理によって、開閉弁Ｖ１、開閉弁Ｖ３，開閉弁Ｖ５及び開閉弁Ｖ７の全てが閉じられる。（ステップＳ２）次に、薬剤筒２１の交換作業又はＣＶＤ炉３のメンテナンス作業が行われる。この作業が終了すると、制御装置２５は、下記ステップＳ３の処理を行う。
【００２４】
（ステップＳ３）すなわち、制御装置２５は、駆動装置Ｅ３及び駆動装置Ｅ５を制御することによって開閉弁Ｖ３及び開閉弁Ｖ５を開く。この際、検出装置２３は、排ガスＧ２３に含まれる酸素濃度及び／又は水分濃度を検出する。この検出結果は制御装置２５に送信される。ステップＳ３の場合、排ガスＧ２５はバイパスラインＬ３を流通し、排ガスＧ２１は分岐ラインＬ５を流通する。しかし、開閉弁Ｖ７が閉じられているため、排ガスＧ１９は分岐ラインＬ７を流通しない。よって、排ガスＧ２３は、排ガスＧ２１と同一となる。そして、この排ガスＧ２１は、第１の配管Ｂ１７内にある排ガスＧ７と同じガス成分を含む。従って、ステップＳ３では、検出装置２３は、第１の配管Ｂ１７内にある排ガスＧ７に含まれる酸素濃度及び／又は水分濃度を検出する。制御装置２５は、この検出された酸素濃度及び／又は水分濃度が所定レベルを超えているか否かを判定する。そして、この判定の結果、第１の配管Ｂ１７内の酸素濃度及び／又は水分濃度が所定レベルを超えていない場合には、制御装置２５は、下記ステップＳ４の処理を行う。なお、第１の配管Ｂ１７内の酸素濃度及び／又は水分濃度が所定レベルを超えている場合には、ポンプ１５を用いて第１の配管Ｂ１７内の換気（酸素及び水分の除去）が行われる。
【００２５】
（ステップＳ４）次に、制御装置２５は、駆動装置Ｅ５及び駆動装置Ｅ７を制御することによって、開閉弁Ｖ５を閉じた後に開閉弁Ｖ７を開く。この際、検出装置２３は、排ガスＧ２３に含まれる酸素濃度及び／又は水分濃度を検出する。この検出結果は制御装置２５に送信される。ステップＳ４の場合、排ガスＧ２５はバイパスラインＬ３を流れ、排ガスＧ１９は分岐ラインＬ７を流通する。しかし、開閉弁Ｖ５が閉じられたため、排ガスＧ２１は分岐ラインＬ５を流通しない。よって、排ガスＧ２３は排ガスＧ１９と同一となる。そして、この排ガスＧ１９は、第２の配管Ｂ１９内にあるガスである。従って、ステップＳ４では、検出装置２３は、第２の配管Ｂ１９内にあるガスに含まれる酸素濃度及び／又は水分濃度を検出する。制御装置２５は、この検出された酸素濃度及び／又は水分濃度が所定レベルを超えているか否かを判定する。そして、この判定の結果、第２の配管Ｂ１９内の酸素濃度及び／又は水分濃度が所定レベルを超えていない場合には、制御装置２５は、下記ステップＳ５の処理を行う。なお、第２の配管Ｂ１９内の酸素濃度及び／又は水分濃度が所定レベルを超えている場合には、ポンプ１５を用いて第１の配管Ｂ１７内の換気（酸素及び水分の除去）が行われる。
【００２６】
（ステップＳ５）制御装置２５は、駆動装置Ｅ３及び駆動装置Ｅ７を制御することによって、ステップＳ４の段階で開かれていた開閉弁Ｖ３及び開閉弁Ｖ７を閉じる。そして、この後、制御装置２５は、駆動装置Ｅ１を制御することによって開閉弁Ｖ１を開く。開閉弁Ｖ１が開かれた後、薬剤筒２１の開閉弁２１ａ及び開閉弁２１ｃが手動等によって開かれると、ＣＶＤ炉３は再び使用可能となる。
【００２７】
次いで、図４を参照して、始業前の点検作業における各開閉弁の開閉方法につい説明する。始業前においてＣＶＤ炉３が稼動される前には、排ガス処理装置１の開閉弁Ｖ１、開閉弁Ｖ３、開閉弁Ｖ５及び開閉弁Ｖ７は全て閉じられている。更に、薬剤筒２１の開閉弁２１ａ及び開閉弁２１ｃも閉じられている。そして、始業前の点検作業が開始されると、制御装置２５は、下記ステップＳ１１の処理を行う。
【００２８】
（ステップＳ１１）すなわち、制御装置２５は、駆動装置Ｅ３及び駆動装置Ｅ５を制御することによって開閉弁Ｖ３及び開閉弁Ｖ５を開く。この際、検出装置２３は、排ガスＧ２３に含まれる酸素濃度及び／又は水分濃度を検出する。この検出結果は制御装置２５に送信される。ステップＳ１１の場合、上述のステップＳ３の場合と同様に、制御装置２５は、第１の配管Ｂ１７内にある排ガスＧ７に含まれる酸素濃度及び／又は水分濃度が所定レベルを超えているか否かを判定する。そして、第１の配管Ｂ１７内の酸素濃度及び／又は水分濃度が所定レベルを超えていない場合には、制御装置２５は、下記ステップＳ１２の処理を行う。なお、第１の配管Ｂ１７内の酸素濃度及び／又は水分濃度が所定レベルを超えている場合には、ポンプ１５を用いて第１の配管Ｂ１７内の換気（酸素及び水分の除去）が行われる。
【００２９】
（ステップＳ１２）次に、制御装置２５は、駆動装置Ｅ５及び駆動装置Ｅ７を制御することによって、開閉弁Ｖ５を閉じた後に開閉弁Ｖ７を開く。この際、検出装置２３は、排ガスＧ２３に含まれる酸素濃度及び／又は水分濃度を検出する。この検出結果は制御装置２５に送信される。ステップＳ１２の場合、上述のステップＳ４の場合と同様に、制御装置２５は、第２の配管Ｂ１９内にあるガスに含まれる酸素濃度及び／又は水分濃度が所定レベルを超えているか否かを判定する。そして、第２の配管Ｂ１９内の酸素濃度及び／又は水分濃度が所定レベルを超えていない場合には、制御装置２５は、下記ステップＳ１３を行う。なお、第２の配管Ｂ１９内の酸素濃度及び／又は水分濃度が所定レベルを超えている場合には、ポンプ１５を用いて第１の配管Ｂ１７内の換気（酸素及び水分の除去）が行われる。
【００３０】
（ステップＳ１３）すなわち、制御装置２５は、駆動装置Ｅ３及び駆動装置Ｅ７を制御することによって、ステップＳ１２の段階で開かれていた開閉弁Ｖ３及び開閉弁Ｖ７を閉じる。そして、この後、制御装置２５は、駆動装置Ｅ１を制御することによって開閉弁Ｖ１を開く。開閉弁Ｖ１が開かれた後、薬剤筒２１の開閉弁２１ａ及び開閉弁２１ｃが手動等によって開かれると、ＣＶＤ炉３が稼動可能となり、始業開始できる。なお、上記ステップＳ１〜ステップＳ５、及び、ステップＳ１１〜ステップＳ１３における開閉弁Ｖ１、開閉弁Ｖ３、開閉弁Ｖ５及び開閉弁Ｖ７の開閉は、作業者の手動操作により行ってもよい。
【００３１】
以上説明したように、ＣＶＤ炉３のメンテナンス作業や薬剤筒２１の交換作業等の際、或いは、始業前の点検作業の際には、酸素や水分を含む空気が、第１の配管Ｂ１７内や第２の配管Ｂ１９内に入り込む可能性がある。しかし、本実施形態に係る排ガス処理装置１では、検出装置２３によって、第１の配管Ｂ１７内及び第２の配管Ｂ１９内に存在する酸素濃度及び／又は水分濃度が検出できる。従って、作業後に開閉弁Ｖ１を開いた場合における酸素や水分の薬剤筒内への流入の可能性が、検出装置２３による検出結果に基づいて容易且つ正確に判断できる。このため、酸素や水分が薬剤筒２１内に流入する可能性を低減できる。よって、薬剤筒２１内における未処理のガス成分による化学反応の発生が低減される。更に、開閉弁Ｖ５と開閉弁Ｖ７とを開閉操作することにより、第１の配管Ｂ１７内のみの酸素濃度及び水分濃度の検出、第２の配管Ｂ１９内のみの酸素濃度及び水分濃度の検出、或いは、第１の配管Ｂ１７内及び第２の配管Ｂ１９内の酸素濃度及び水分濃度の検出のうち何れの検出を行うのかが容易に選択できる。更に、検出装置２３によって得られた検出結果に基づいて制御装置２５が駆動装置Ｅ１、駆動装置Ｅ３、駆動装置Ｅ５及び駆動装置Ｅ７の各々に、開閉弁Ｖ１、開閉弁Ｖ３、開閉弁Ｖ５及び開閉弁Ｖ７の開閉をそれぞれ行わせる。このため、各開閉弁の開閉が、検出装置２３による検出結果に基づき制御装置２５によって自動的に行える。
【００３２】
以上、好適な実施の形態において本発明の原理を図示し説明してきたが、本発明は、そのような原理から逸脱することなく配置および詳細において変更され得ることは、当業者によって認識される。本発明は、本実施の形態に開示された特定の構成に限定されるものではない。したがって、特許請求の範囲およびその精神の範囲から来る全ての修正および変更に権利を請求する。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】実施形態に係る半導体製造装置の構成を示す図である。
【図２】実施形態に係る排ガス処理装置の構成を示す図である。
【図３】実施形態に係る排ガス処理装置が有する開閉弁の開閉方法を説明するフローチャートである。
【図４】実施形態に係る排ガス処理装置が有する開閉弁の開閉方法を説明するフローチャートである。
【符号の説明】
【００３４】
Ｅ１，Ｅ３，Ｅ５，Ｅ７…駆動装置、Ａ…半導体製造装置、Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３，Ｂ５，Ｂ７，Ｂ９，Ｂ１１，Ｂ１３，Ｂ１５…配管、Ｂ１７…第１の配管、Ｂ１９…第２の配管、Ｂ２０…第３の配管、Ｃ１ａ，Ｃ１ｂ、Ｃ３ａ，Ｃ３ｂ，Ｃ５，Ｃ７，Ｃ９，Ｃ１１，Ｃ１３，Ｃ１５，Ｃ１７，Ｃ１９…端部、Ｄ１，Ｄ３，Ｄ５，Ｄ７，Ｄ９，Ｄ１１…接続部、Ｌ１…排気ライン、Ｌ３…バイパスライン、Ｌ５，Ｌ７…分岐ライン、Ｖ１，Ｖ３，Ｖ５，Ｖ７…開閉弁、Ｖ１ａ…開口、Ｖ１ｂ…開口、１…排ガス処理装置、１３，１５…ポンプ、１７…入力、１９…出力、２１…薬剤筒、２１ａ，２１ｃ…開閉弁、２１ｂ…筒体、２１ｄ…流入口、２１ｅ…流出口、２３…検出装置、２５…制御装置、３…ＣＶＤ炉、５…炉室、７…排ガス処理室、８…キャリアガス供給部、９…原料供給部、１１…反応室。
【図１】
0004501799.tif 000002
【図２】
0004501799.tif 000003
【図３】
0004501799.tif 000004
【図４】
0004501799.tif 000005