(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
輝度が駆動電流に依存する発光素子と、ドレイン電圧の変化に対してドレイン電流が一定となる領域で前記発光素子を駆動するトランジスタとを含む単位画素と、
前記トランジスタをドレイン電圧の変化に対してドレイン電流が変化する領域で動作させて前記発光素子を含む回路に流れる電流の値を検出する検出手段と、
前記検出手段の検出電流の値を、前記トランジスタのドレイン電圧−ドレイン電流特性を基に電圧の値に変換することにより前記発光素子の電圧の値を求め、前記発光素子の電圧の値に基づいて前記発光素子を定電流にて駆動した場合の輝度を見積もり、前記見積った輝度に基づいて前記発光素子の経時変化に伴う輝度変化を補正するように前記発光素子の発光期間または前記発光素子に流す電流の値を制御する補正手段と
を備えた表示装置。
【請求項２】
前記検出手段の検出動作および前記補正手段の補正動作を、Ｒ（赤）Ｇ（緑）Ｂ（青）の各発光色に対応して設けられた発光素子毎に行う
請求項１記載の表示装置。
【請求項３】
前記検出手段の検出動作を非表示期間に行う
請求項１記載の表示装置。
【請求項４】
前記検出手段は前記発光素子に流れる一つの電流の値もしくは複数の発光素子に流れる電流の値の合計を検出する
請求項１記載の表示装置。
【請求項５】
前記発光素子は、第１、第２の電極およびこれら電極間に発光層を含む有機層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子である
請求項１記載の表示装置。
【請求項６】
輝度が駆動電流に依存する発光素子と、ドレイン電圧の変化に対してドレイン電流が一定となる領域で前記発光素子を駆動するトランジスタとを含む単位画素において、前記トランジスタをドレイン電圧の変化に対してドレイン電流が変化する領域で動作させて前記発光素子を含む回路に流れる電流の値を検出し、
その検出電流の値を、前記トランジスタのドレイン電圧−ドレイン電流特性を基に電圧の値に変換することにより前記発光素子の電圧の値を求め、前記発光素子の電圧の値に基づいて前記発光素子を定電流にて駆動した場合の輝度を見積もり、
前記見積った輝度に基づいて前記発光素子の経時変化に伴う輝度変化を補正するように前記発光素子の発光期間または前記発光素子に流す電流の値を制御する
表示装置の駆動方法。
【請求項７】
前記電圧または電流の検出動作および前記輝度変化の補正動作を、Ｒ（赤）Ｇ（緑）Ｂ（青）の各発光色に対応して設けられた発光素子毎に行う
請求項６記載の表示装置の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、表示装置およびその駆動方法に関し、特に輝度が駆動電流に依存する発光素子を有する表示装置およびその駆動方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
輝度が駆動電流に依存する発光素子、例えば有機材料のエレクトロルミネッセンス(electroluminescence)素子(以下、有機ＥＬ素子と記す)において、その経時変化として、定電流駆動を行った場合に、駆動電圧の上昇や発光効率（輝度／電流）の低下がある。これを補償する方法として、両面に透明電極を使用した有機ＥＬ素子を用い、その一方の透明電極側からの出射光に基づいて発光輝度をモニターしてフィードバックをかける方法（特開２００１−７６８８２号公報参照）や、表示に使用しないモニター用有機ＥＬ素子を別に作り、このモニター用有機ＥＬ素子で発光輝度をモニターしてフィードバックをかける方法（国際公開第９８／４０８７１号パンフレット参照）等が知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来技術に係る方法では、有機ＥＬ素子の輝度を直接検出する構成を採っているため、その検出の際に光導電素子や複雑な回路が必要になり、その分だけコストが高くなってしまう。また、周辺の駆動回路の回路規模も大きくなるため、その分だけ画素領域（表示領域）の面積を狭めざるを得なく、開口率の低下も余儀なくされる。これに伴って輝度が低下し、また同程度の輝度を維持するためには大きめの電流を流す必要があるため、発光素子の寿命低下といった弊害をもたらす。
【０００４】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、光導電素子を用いることなく、単純な回路構成にて経時変化に伴う輝度の変化を補うことが可能な表示装置およびその駆動方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明では、輝度が駆動電流に依存する発光素子と、ドレイン電圧の変化に対してドレイン電流が一定となる領域で前記発光素子を駆動するトランジスタとを含む単位画素において、前記トランジスタをドレイン電圧の変化に対してドレイン電流が変化する領域で動作させて前記発光素子を含む回路に流れる電流の値を検出し、その検出電流の値を、前記トランジスタのドレイン電圧−ドレイン電流特性を基に電圧の値に変換することにより前記発光素子の電圧の値を求め、前記発光素子の電圧の値に基づいて前記発光素子を定電流にて駆動した場合の輝度を見積もり、この見積もった輝度に基づいて前記発光素子の経時変化に伴う輝度変化を補正するように前記発光素子の発光期間または前記発光素子に流す電流の値を制御する構成を採っている。
【０００６】
発光素子は、経時変化に伴ってその電流−電圧特性が高電圧側に移動する。一方、定電流にて発光素子を駆動した場合、発光素子の電圧と輝度は、ある相関を持った関数で表される。したがって、単位画素を構成する発光素子の電流−電圧特性から発光素子の輝度を見積もることができる。この点に着目し、トランジスタをドレイン電圧の変化に対するドレイン電流の変化がリニアとなる領域で動作させて発光素子を含む回路に流れる電流を検出することで、光導電素子を用いなくてもその検出結果から発光素子の輝度を知ることができる。そして、検出した電流を基に、発光素子の電流−電圧特性から発光素子の一定電流にて駆動した場合の輝度を見積もり、前記見積もった輝度に対応して発光素子の発光期間または発光素子に流す電流量を制御することによって発光素子の経時変化に伴う輝度変化について補正を行うことができる。
【０００７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
【０００８】
図１は、本発明の一実施形態に係る表示装置を示す概念図である。図１から明らかなように、本実施形態に係る表示装置は、輝度が駆動電流に依存する発光素子、例えば薄膜発光素子１１と、この薄膜発光素子１１を含む回路の電圧または電流を検出する検出回路１２と、この検出回路１２の検出信号に基づいて薄膜発光素子１１の輝度変化を補正する補正回路１３とを有する構成となっている。
【０００９】
ここで、薄膜発光素子１１は、１組以上マトリクス状に配線された走査線とデータ線との間に直接接続されて単位画素を構成する（パッシブマトリクス）か、あるいは駆動トランジスタ（画素トランジスタ）と直列に接続されて単位画素を構成する（アクティブマトリクス）。この薄膜発光素子１１としては、例えば、有機ＥＬ素子や無機発光ダイオード等が挙げられる。有機ＥＬ素子には、画素の発光素子として液晶セルを用いてなる液晶表示装置において、液晶のバックライトとして用いられるＥＬ素子も含まれる。
【００１０】
ここで、経時変化に伴って、薄膜発光素子１１の電流（Ｉ）−電圧（Ｖ）特性は、図２に示すように、高電圧側に移動する。一方、定電流にて薄膜発光素子１１を駆動した場合、薄膜発光素子１１の電圧（Ｖ）と輝度（Ｌ）は、図３に示すように、ある相関を持った関数で表される。したがって、薄膜発光素子１１の電流−電圧特性から発光素子の輝度を見積もることができる。図３において、Ｖｏは初期電圧、Ｌｏは初期輝度、Ｖは長時間使用後の電圧、Ｌは長時間使用後の輝度をそれぞれ表している。
【００１１】
上述した薄膜発光素子１１の特性に着目し、本発明では、薄膜発光素子１１を含む回路の電圧または電流を検出回路１２によって検出することで、光導電素子を用いて薄膜発光素子１１の輝度を直接検出しなくても、薄膜発光素子１１の輝度を電気的に検出し、その検出結果を薄膜発光素子１１にフィードバックすることにより、当該薄膜発光素子１１の経時変化に伴う輝度変化を補正する構成を採っている。薄膜発光素子１１を含む回路の電圧または電流を検出する検出回路１２としては、次の構成が考えられる。
【００１２】
図４は、パッシブマトリクス型表示装置の画素部の構成を示す回路図である。図４において、走査線２１とデータ線２２とがマトリクス状に配線されており、これら走査線２１とデータ線２２との間に薄膜発光素子１１が直接接続されている。このパッシブマトリクス型表示装置において、データ線２２と基準電位（例えば、グランド）との間に電圧計２３を接続することにより、この電圧計２３によって薄膜発光素子１１の電圧（本例では、アノード電圧）を直接検出することができる。すなわち、本例では、電圧計２３が検出回路１２に相当することになる。
【００１３】
図５は、アクティブマトリクス型表示装置の単位画素の構成を示す回路図である。図５において、第１電源（例えば、グランド）と第２電源（例えば、正電源Ｖｄｄ）との間に、薄膜発光素子１１とこれを駆動するトランジスタ（画素トランジスタ）２４とが直列に接続されて単位画素を構成している。ここでは、単位画素の要部の構成を示しているに過ぎず、この構成に限られるものではない。このアクティブマトリクス型表示装置において、薄膜発光素子１１の一方の端部、本例ではアノード端と基準電位（例えば、グランド）との間に電圧計２５を接続することにより、この電圧計２５によって薄膜発光素子１１の電圧（本例では、アノード電圧）を直接検出することができる。すなわち、本例では、電圧計２５が検出回路１２に相当することになる。
【００１４】
以上の２つの検出方法は、薄膜発光素子１１の電流−電圧特性を判断するために素子電圧を検出する方法である。これに対して、薄膜発光素子１１の電流−電圧特性を判断するために素子電流を検出するには、薄膜発光素子１１にある電圧をかけたときの薄膜発光素子１１に流れる電流値を検出すれば良い。
【００１５】
ただし、図５に示すアクティブマトリクス型表示装置において、トランジスタ２４のゲート電圧ＶＧが低い場合、薄膜発光素子１１の特性変化による電流値の変化を読み取ることが難しい。何故ならば、ゲート電圧ＶＧが低いと、トランジスタ２４の特性は、図６に示すように、ドレイン電流Ｉｄの電流値が一定になり始めるときのドレイン電圧Ｖｄの電圧値が低い。これにより、図７において、電流Ｉ′の場合のように、薄膜発光素子１１の電流−電圧特性が変化しても電流値に変化が現れないためである。
【００１６】
この課題を解決するためには、電流値を読むときに一時的にトランジスタ２４のゲート電圧ＶＧを高くすれば良い。トランジスタ２４のゲート電圧ＶＧを高くすることで、トランジスタ２４がリニア領域で動作するため、図７において、電流Ｉ０，Ｉ１の場合のように、薄膜発光素子１１の特性変化による電流値の変化を読み取ることができる。また、上記課題を解決する他の方法として、電源電圧Ｖｄｄを下げるか、もしくは薄膜発光素子１１のカソードの電位を上げることも考えられる。
【００１７】
図５に示すアクティブマトリクス型表示装置において、上記の電流検出を実現するには、図８に示すように、薄膜発光素子１１に対して例えばそのカソード側に電流計２６を直列に接続する回路を組むようにする。そして、ゲート電圧ＶＧを高く設定してトランジスタ２４をリニア領域で動作させ、その電流値を電流計２６で読み取ることで、薄膜発光素子１１に流れる電流値（本例では、カソード電流）を検出することができる。すなわち、本例では、電流計２６が検出回路１２に相当することになる。
【００１８】
以下では、検出回路１２での検出法として、薄膜発光素子１１に流れる電流値を検出する方法（図８）を用い、この検出した電流値に基づいて薄膜発光素子１１の経時変化に伴う輝度変化を補正する具体例について説明する。なお、先述したように、当該電流検出法を用いる場合には、薄膜発光素子１１に直列に接続されたトランジスタ２４に対して、当該トランジスタ２４をリニア領域で動作させ得るゲート電圧ＶＧをかけた状態で行われる。また、薄膜発光素子１１に流れる電流値の検出動作は、非表示期間、例えばシステム電源の立ち上げ直後などに行われる。
【００１９】
［第１具体例］
図９は、薄膜発光素子として例えば有機ＥＬ素子を用いた第１具体例に係る有機ＥＬ表示装置を示す概略構成図であり、モノクロ方式の有機ＥＬ表示装置に適用した場合を例に採って示している。ここでは、図面の簡略化のために、６行３７列の画素配列の場合を例に採って示している。
【００２０】
図９において、有機ＥＬパネル３１は、透明ガラスなどの基板上に有機ＥＬ素子３２が行列状に多数配された構成となっている。具体的には、基板上に、透明導電膜からなる第１の電極（例えば、陽極）が形成され、その上にさらに正孔輸送層、発光層、電子輸送層および電子注入層が順次堆積されることで有機層が形成され、この有機層上にさらに低仕事関数の金属からなる第２の電極（例えば、陰極）が形成されることで有機ＥＬ素子３２が形成されている。
【００２１】
この有機ＥＬ素子３２において、第１の電極と第２の電極との間に直流電圧を印加することにより、正孔が第１の電極（陽極）から正孔輸送層を経て、電子が第２の電極（陰極）から電子輸送層を経てそれぞれ発光層内に注入され、この注入された正負のキャリアによって発光層内の蛍光分子が励起状態となり、この励起分子の緩和過程で発光が得られるようになっている。
【００２２】
有機ＥＬ素子３２を含む画素回路において、有機ＥＬ素子３２を駆動する駆動トランジスタとして、一般的に、薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor;ＴＦＴ)が用いられる。当該画素回路は、通常、ＴＦＴを複数個有するとともに、画素情報（輝度情報）を保持するキャパシタを有する構成となっている。ただし、ここでは、図面の簡略化のために、画素回路として、有機ＥＬ素子３２に対して直列に接続されて当該素子３２を駆動するためのＴＦＴ３３のみを代表して示している。
【００２３】
有機ＥＬ素子３２には、ＴＦＴ３３を通して駆動電圧が選択的に与えられる。これにより、有機ＥＬ素子３２の駆動が行われる。ここで、有機ＥＬ素子３２が例えば流れる電流によって輝度が変化するタイプの素子であるとすると、各画素の有機ＥＬ素子３２に流れる電流は、各画素の輝度情報に応じて図示せぬＴＦＴによって制御されることになる。
【００２４】
有機ＥＬ素子３２の一端（本例では、カソード端）は全画素共通に接続され、さらに電流検出回路３４の入力端に接続されている。電流検出回路３４は、図８の電流計２６に相当し、有機ＥＬ素子３２の電流−電圧特性を判断するために、非表示期間において、ＴＦＴ３３の各々に対して高いゲート電圧、具体的には当該ＴＦＴ３３をリニア領域で動作させ得る程度のゲート電圧をかけた状態で全画素のＴＦＴ３３に流れる平均電流を検出する。
【００２５】
電流検出回路３４で検出された電流値は、電流−電圧変換回路３５で電圧値に変換され、検出電圧Ｖｄｅｔとして出力される。先述したように、薄膜発光素子（本例では、有機ＥＬ素子）の電流−電圧特性から発光素子の輝度を見積もることができることから、検出電圧Ｖｄｅｔの電圧値は有機ＥＬ素子３２の輝度に対応している。検出電圧Ｖｄｅｔは比較器３６に供給され、当該比較器３６において基準電圧Ｖｒｅｆと比較される。
【００２６】
ここで、比較電圧Ｖｒｅｆとしては、有機ＥＬ素子３２の初期輝度に対応した電圧値が設定されている。そして、比較器３６は、基準電圧Ｖｒｅｆに対して検出電圧Ｖｄｅｔを比較することでその差分を検出し、デューティ制御回路３７にそのデューティ設定情報として与える。デューティ制御回路３７は、比較器３６から与えられたデューティ設定情報を保持し、表示期間において当該デューティ設定情報を基に、有機ＥＬ素子３２の１フレーム当たりの発光／非発光の割合、即ちデューティ比を制御することにより、経時変化に伴う有機ＥＬ素子３２の輝度変化を補正する。
【００２７】
すなわち、電流−電圧変換回路３５、比較器３６およびデューティ制御回路３７は、電流検出回路３４の検出電流値に基づいて有機ＥＬ素子３２の輝度変化、具体的には経時変化に伴う輝度変化を補正する補正手段（図１の補正回路１３に相当）を構成している。
【００２８】
ここで、有機ＥＬ素子３２の発光期間割合をＤｕｔｙ、ピーク輝度をＬｐｅａｋとすると、有機ＥＬ素子３２の平均輝度Ｌａｖｅは、
Ｌave ＝Ｄｕｔｙ・Ｌpeak
で表される。
【００２９】
有機ＥＬ素子３２の電流−電圧特性が経時変化に伴って変化したとすると、ピーク輝度Ｌpeakのみが小さくなる。そこで、有機ＥＬ素子３２の発光期間割合Ｄｕｔｙを、図１０に示すように、経時変化に伴う電流−電圧特性の変化に応じて制御し、有機ＥＬ素子３２の初期輝度をＬｏ、長時間使用後の有機ＥＬ素子３２の電圧をＶ、初期電圧をＶｏとするとき、有機ＥＬ素子３２の輝度Ｌを、
Ｌ≒Ｌｏ×Ｖ／Ｖｏ
と見積もり、この見積もった輝度に対応して補正する。これにより、経時変化に伴って電流−電圧特性が変化したとしても、有機ＥＬ素子３２のピーク輝度Ｌpeakを一定に、即ち初期ピーク輝度値に保つことができる。
【００３０】
一般的には、経時変化に伴って有機ＥＬ素子３２の電流−電圧特性が悪化する方向に変化することから、図１０において、有機ＥＬ素子３２の発光期間割合Ｄｕｔｙを初期時には下限近傍に設定しておき、経時変化に伴う電流−電圧特性の変化に応じて、発光期間割合Ｄｕｔｙを上げていくようにすることで、発光期間割合Ｄｕｔｙの制御範囲を広く設定することができる。
【００３１】
上述したように、有機ＥＬ素子３２を含む発光画素が行列状に配置されてなるモノクロ方式の有機ＥＬ表示装置において、有機ＥＬ素子３２を含む回路の電流を検出し、その検出結果に基づいて有機ＥＬ素子３２の発光期間割合Ｄｕｔｙを制御することにより、光導電素子を用いることなく、単純な回路構成にて有機ＥＬ素子３２の経時変化に伴う輝度変化を補正することができる。したがって、有機ＥＬ素子３２のピーク輝度Ｌpeakを一定に保つことができるため、経時変化の影響を受けることなく、常に最適な表示状態を維持できることになる。
【００３２】
［第２実施形態］
図１１は、第２具体例に係る有機ＥＬ表示装置を示す概略構成図であり、カラー方式の有機ＥＬ表示装置に適用した場合を例に採って示している。
【００３３】
図１１において、有機ＥＬパネル４１上には、Ｒ（赤）Ｇ（緑）Ｂ（青）の各有機ＥＬ素子４２Ｒ，４２Ｇ，４２Ｂが各行ごとに例えばＲＧＢの順に繰返し配列されている。そして、有機ＥＬ素子４２Ｒ，４２Ｇ，４２Ｂの各一端（本例では、カソード端）が各色共通に接続され、さらに電流検出回路２４の入力端に接続されている。
【００３４】
電流検出回路４４は、ＴＦＴ４３Ｒ，４３Ｇ，４３Ｂの各々に対してこれらＴＦＴをリニア領域で動作させ得るゲート電圧をかけた状態で各色ごとに有機ＥＬ素子４２Ｒ，４２Ｇ，４２Ｂに流れる平均電流を検出し、その検出した電流値を電流−電圧変換回路４５に供給する。電流−電圧変換回路４５はＲＧＢの各色に対応した回路部分を有し、電流検出回路４４で検出された各色ごとの電流値を電圧値に変換し、その電圧値を各色ごとに比較器４６に供給する。
【００３５】
比較器４６はＲＧＢの各色に対応した回路部分を有し、電流−電圧変換回路４５から各色ごとに出力される検出電圧ＶｄｅｔＲ，ＶｄｅｔＧ，ＶｄｅｔＢを、例えば各色ごとに初期輝度に対応して設定された基準電圧Ｖｒｅｆｒ，Ｖｒｅｆｇ，Ｖｒｅｆｂと比較し、その差分をデューティ制御回路４７にそのデューティ設定情報として与える。
【００３６】
デューティ制御回路４７はＲＧＢの各色に対応した回路部分を有し、比較器７６から与えられたデューティ設定情報を保持し、表示期間において当該デューティ設定情報を基に、各色ごとに有機ＥＬ素子４２Ｒ，４２Ｇ，４２Ｂの１フレーム当たりの発光／非発光の割合、即ちデューティ比を制御することにより、経時変化に伴う有機ＥＬ素子４２Ｒ，４２Ｇ，４２Ｂの輝度変化を補正する。
【００３７】
このカラー方式の有機ＥＬ表示装置においては、一連の輝度補正に際しては、先ずＲについて補正処理を行い、次いでＧについて補正処理を行い、最後にＢについて補正処理を行う、というような具合に各色ごとに順番に補正処理を行うことになる。ただし、その順番はＲ→Ｇ→Ｂの順に限られるものではなく任意である。
【００３８】
ところで、有機ＥＬ素子の場合、例えば液晶セルではカラーフィルタを用いるのと異なり、発光層の材料を変えることでＲＧＢの各色を発光するようになっている。このため、経時変化に伴う有機ＥＬ素子の電圧（Ｖ／Ｖｏ）−輝度（Ｌ／Ｌｏ）特性の変化が、図１２に示すように、ＲＧＢの有機ＥＬ素子４２Ｒ，４２Ｇ，４２Ｂごとに異なることになる。これにより、経時変化に伴って有機ＥＬ素子４２Ｒ，４２Ｇ，４２Ｂの各電流−電圧特性が変化すると、有機ＥＬ素子４２Ｒ，４２Ｇ，４２Ｂの各ピーク輝度Ｌpeakがばらつくことになるため、色度のバランスが崩れることになる。
【００３９】
これに対して、本具体例に係るカラー方式の有機ＥＬ表示装置では、有機ＥＬ素子４２Ｒ，４２Ｇ，４２Ｂを含む回路の各々の電流を検出し、その検出電流値に基づいて有機ＥＬ素子４２Ｒ，４２Ｇ，４２Ｂの各々の発光期間割合Ｄｕｔｙを制御するようにすることにより、先の具体例の場合と同様に、光導電素子を用いることなく、単純な回路構成にて有機ＥＬ素子４２Ｒ，４２Ｇ，４２Ｂの経時変化に伴う輝度変化を補正することができる。
【００４０】
これに加えて、経時変化によって有機ＥＬ素子の電圧−輝度特性の変化が有機ＥＬ素子４２Ｒ，４２Ｇ，４２Ｂの各色ごとに異なったとしても、上述した各色ごとの輝度変化の補正動作によって有機ＥＬ素子４２Ｒ，４２Ｇ，４２Ｂの各ピーク輝度Ｌpeakを一定に保つことで、色度バランスを保つことができるため、経時変化の影響を受けることなく、常に最適な色度バランスでの表示状態を維持できることになる。
【００４１】
なお、上記実施形態では、経時変化に伴う薄膜発光素子の輝度変化を、薄膜発光素子の発光期間割合Ｄｕｔｙを制御することで補正する場合を例に挙げて説明したが、これに限られるものではなく、薄膜発光素子のピーク輝度Ｌpeakは入力データＤＡＴＡの関数であるため、薄膜発光素子の電流値を制御することによっても、上記の場合と同様に、薄膜発光素子のピーク輝度Ｌpeakを一定に保つように補正することが可能である。
【００４２】
また、上記実施形態においては、検出電圧Ｖｄｅｔと基準電圧Ｖｒｅｆとを比較し、その差分に基づいて薄膜発光素子の発光期間割合Ｄｕｔｙを決めるとしたが、ある一定の関数Ｌ＝Ｆ（Ｖ）で電圧から輝度および発光期間割合Ｄｕｔｙあるいは電流値を算出するようにすることも可能である。すなわち、初期輝度と初期電圧をそれぞれＬｏ，Ｖｏ、長時間使用後の輝度と電圧をそれぞれＬ，Ｖとした場合、図３に示すように、Ｌ／ＬｏとＶｏ／Ｖは相関関係を持つので、ある一定の関数Ｌ＝Ｆ（Ｖ）で電圧から輝度および発光期間割合Ｄｕｔｙあるいは電流値を算出することで、薄膜発光素子の経時変化に伴う輝度変化を補正することができる。
【００４３】
さらには、比較あるいは演算によって発光期間割合Ｄｕｔｙあるいは電流値を決める以外に、あらかじめ電圧と輝度、輝度と発光期間割合Ｄｕｔｙあるいは電流値との対応表を作り、図１３に示すように、これをルックアップテーブル（ＬＵＴ）としてメモリ１４に格納しておき、補正回路１３は検出回路１２の検出信号に基づいてメモリ１４のルックアップテーブルを参照して薄膜発光素子の発光期間割合Ｄｕｔｙあるいは電流値を決めるようにすることも可能である。
【００４４】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、輝度が駆動電流に依存する発光素子と、ドレイン電圧の変化に対してドレイン電流が一定となる領域で前記発光素子を駆動するトランジスタとを含む単位画素において、当該トランジスタをドレイン電圧の変化に対してドレイン電流が変化する領域で動作させて前記発光素子を含む回路に流れる電流の値を検出し、その検出電流の値を、前記トランジスタのドレイン電圧−ドレイン電流特性を基に電圧の値に変換することにより発光素子の電圧の値を求め、発光素子の電圧の値に基づいて発光素子を定電流にて駆動した場合の輝度を見積もり、この見積もった輝度に対応して発光素子の発光期間または発光素子に流す電流の値を制御することによって発光素子の輝度変化を補正することにより、光導電素子を用いることなく、単純な回路構成にて経時変化に伴う発光素子の輝度変化を補うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係る表示装置を示す概念図である。
【図２】発光素子の電流−電圧特性を示す特性図である。
【図３】発光素子の電圧−輝度特性を示す特性図である。
【図４】パッシブマトリクス型表示装置の画素部の構成を示す回路図である。
【図５】アクティブマトリクス型表示装置の単位画素の構成を示す回路図である。
【図６】トランジスタのドレイン電圧−ドレイン電流特性を示す特性図である。
【図７】トランジスタのドレイン電圧−ドレイン電流特性に対して発光素子の電圧−輝度特性が変化した場合の関係を示す特性図である。
【図８】発光素子に流れる電流を検出する場合の回路図である。
【図９】第１具体例に係る有機ＥＬ表示装置を示す概略構成図であり、モノクロ方式に適用した場合を例に採って示している。
【図１０】デューティ制御による発光期間−非発光期間の関係を示す波形図である。
【図１１】第２具体例に係る有機ＥＬ表示装置を示す概略構成図であり、カラー方式に適用した場合を例に採って示している。
【図１２】ＲＧＢ各色ごとの発光素子の電圧−輝度特性を示す特性図である。
【図１３】本発明の他の実施形態に係る表示装置を示す概念図である。
【符号の説明】
１１…薄膜発光素子、１２…検出回路、１３…補正回路、３１，４１…有機ＥＬパネル、３２，４２Ｒ，４２Ｇ，４２Ｂ…有機ＥＬ素子、３３，４３Ｒ，４３Ｇ，４３Ｂ…ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）、３４，４４…電流検出回路、３５，４５…電流−電圧変換回路、３６，４６…比較器、３７，４７…デューティ制御回路
【図１】
0004593868.tif 000002
【図２】
0004593868.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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