(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下式（Ｉ）で示されるスルホニウム塩及び下式（Ｉ’）で示されるスルホニウム塩
0004529316.tif 000024
（式中、Ｑ1、Ｑ2は、互いに独立に、炭素数１〜６のアルキル基、又は炭素数３〜１０のシクロアルキル基を表す。Ｑ3は、水素原子を表し、Ｑ4は炭素数１〜６のアルキル基、炭素数３〜１０のシクロアルキル基を表すか、又はＱ3とＱ4が隣接するＣＨＣ(Ｏ)基と一緒になって２−オキソシクロアルキル基を表す。Ｑ5ＳＯ3-は有機スルホナートイオンを表す。但し、Ｑ5が炭素数１〜８のパーフルオロアルキル基を表す場合は、Ｑ3とＱ4が隣接するＣＨＣ(Ｏ)基と一緒になって２−オキソシクロヘキシル基を表す場合を除く。）
0004529316.tif 000025
（式中、Ｑは、記載のＳ+とともに環を完成する炭素数３〜７の脂環式炭化水素基を表す。該脂環式炭化水素基は、ケトン基を有していてもよく、また該脂環式炭化水素基の少なくとも１個の−ＣＨ2−が酸素原子もしくは硫黄原子に置換されていてもよい。Ｑ3は、水素原子を表し、Ｑ4は炭素数１〜６のアルキル基、炭素数３〜１０のシクロアルキル基を表すか、又はＱ3とＱ4が隣接するＣＨＣ(Ｏ)基と一緒になって２−オキソシクロアルキル基を表す。Ｑ5ＳＯ3-は有機スルホナートイオンを表す。）
から選ばれる少なくとも１種のスルホニウム塩と、
下式（IIa）で示されるトリフェニルスルホニウム塩及び下式（IIb）で示されるジフェニルヨードニウム塩
0004529316.tif 000026
（式中、Ｐ1〜Ｐ3は、互いに独立に、水素、水酸基、炭素数１〜６のアルキル基又は炭素数１〜６のアルコキシ基を表し、Ｐ6ＳＯ3-は、有機スルホナートイオンを表す。）
0004529316.tif 000027
（式中、Ｐ4、Ｐ5は、互いに独立に、水素、水酸基、炭素数１〜６のアルキル基又は炭素数１〜６のアルコキシ基を表し、Ｐ7ＳＯ3-は、有機スルホナートイオンを表す。）
から選ばれる少なくとも１種のオニウム塩とを含む酸発生剤、
並びに、酸に不安定な基を持つ重合単位を有し、それ自身はアルカリに不溶又は難溶であるが、酸の作用でアルカリに可溶となる樹脂を含有することを特徴とする化学増幅型ポジ型レジスト組成物。
【請求項２】
式（Ｉ）におけるＱ5、式（Ｉ’）におけるＱ5、式（IIa）におけるＰ6及び式（IIb）におけるＰ7が、互いに独立に、炭素数１〜８のパーフルオロアルキル基、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数６〜１２の芳香族基又はカンファー基を表す請求項１記載の組成物。
【請求項３】
式（Ｉ）で示されるスルホニウム塩及び式（Ｉ’）で示されるスルホニウム塩とから選ばれる少なくとも１種のスルホニウム塩と、式（IIa）のトリフェニルスルホニウム塩及び式（IIb）のジフェニルヨードニウム塩とから選ばれる少なくとも１種のオニウム塩とが、９：１〜１：９の重量割合で存在する請求項１又は２記載の組成物。
【請求項４】
樹脂中の酸に不安定な基を持つ重合単位の含有率が、１０〜８０モル％である請求項１〜３のいずれかに記載の組成物。
【請求項５】
樹脂中の酸に不安定な基を持つ重合単位が、（メタ）アクリル酸２−アルキル−２−アダマンチル、（メタ）アクリル酸１−（１−アダマンチル）−１−アルキルアルキルの重合単位である請求項１〜４のいずれかに記載の組成物。
【請求項６】
樹脂がさらに、ｐ−ヒドロキシスチレンの重合単位、ｍ−ヒドロキシスチレンの重合単位、（メタ）アクリル酸３−ヒドロキシ−１−アダマンチルの重合単位、（メタ）アクリル酸３、５−ジヒドロキシ−１−アダマンチルの重合単位、ラクトン環がアルキルで置換されていてもよい（メタ）アクリロイロキシ−γ−ブチロラクトンの重合単位、及び下式（IIIa）、（IIIｂ）で示される脂環式ラクトンの重合単位、から選ばれる少なくとも１種の重合単位を含有する請求項１〜５のいずれかに記載の組成物。
0004529316.tif 000028
（式中、Ｒ1、Ｒ2は、互いに独立に水素、メチル又はトリフルオロメチルを表し、ｎは１〜３の数を表す。）
【請求項７】
樹脂がさらに２−ノルボルネンの重合単位と脂肪族不飽和ジカルボン酸無水物の重合単位とを有する請求項６記載の組成物。
【請求項８】
さらに、アミン類をクェンチャーとして含有する請求項１〜７のいずれかに記載の組成物。
【請求項９】
式（Ｉ’ａ）
0004529316.tif 000029
（式中、Ｑは、記載のＳ+とともに環を完成する炭素数３〜７の脂環式炭化水素基を表す。該脂環式炭化水素基は、ケトン基を有していてもよく、また該脂環式炭化水素基の少なくとも１個の−ＣＨ2−が酸素原子もしくは硫黄原子に置換されていてもよい。Ｑ3は、水素原子を表し、Ｑ4は炭素数１〜６のアルキル基、炭素数３〜１０のシクロアルキル基を表すか、又はＱ3とＱ4が隣接するＣＨＣ(Ｏ)基と一緒になって２−オキソシクロアルキル基を表す。Ｑ5ＳＯ3-は有機スルホナートイオンを表す。）
で示されるスルホニウム塩。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体の微細加工に用いられる化学増幅型のポジ型レジスト組成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体の微細加工には通常、レジスト組成物を用いたリソグラフィプロセスが採用されており、リソグラフィにおいては、レイリー (Rayleigh) の回折限界の式で表されるように、原理的には露光波長が短いほど解像度を上げることが可能である。半導体の製造に用いられるリソグラフィ用露光光源は、波長４３６nmのｇ線、波長３６５nmのｉ線、波長２４８nmのＫｒＦエキシマレーザー、波長１９３nmのＡｒＦエキシマレーザーと、年々短波長になってきており、次世代の露光光源として、波長１５７nmのＦ2エキシマレーザーが有望視され、その後は波長１３ｎｍ以下の軟Ｘ線（ＥＵＶ）が光源として提案されている。
【０００３】
エキシマレーザー等の、ｇ線、ｉ線より短い波長の光源は照度が低いため、レジストの感度を高める必要があることから、露光により発生する酸の触媒作用を利用し、その酸により解裂する基を有する樹脂を含有するいわゆる化学増幅型レジストが用いられる。
【０００４】
しかしながら、従来公知の化学増幅型レジスト組成物では、定在波の発生等によりラインエッジラフネスすなわちパターン側壁の平滑性が低下する結果、線幅の均一性が悪くなるという問題点が生じる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、樹脂成分と酸発生剤を含有し、ＡｒＦやＫｒＦなどのエキシマレーザーリソグラフィに適した化学増幅型のポジ型レジスト組成物であって、感度や解像度などの各種のレジスト性能が良好であるとともに、特に改善されたラインエッジラフネスを与えるポジ型レジスト組成物を提供することにある。
【０００６】
本発明者らは、既に、酸発生剤として、トリフェニルスルホニウム塩及びジフェニルヨードニウム塩から選ばれる少なくとも１種のオニウム塩に、シクロヘキシルメチル(2-オキソスルホニウム) パーフルオロアルキルスルホネート等の2-オキソスルホニウムのパーフルオロアルキルスルホネート塩を併用することにより、解像度が改良され、また塩基性基板や低反射率基板におけるプロファイルも改良されることを見出し提案している(特願2000-060057号)。更に検討を加えた結果、2-オキソスルホニウムのパーフルオロアルキルスルホネート塩の代わりに特定のスルホニウム塩を併用することにより、ラインエッジラフネスを改善し得ることを見出し、本発明を完成した。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
すなわち、本発明は、  下式（Ｉ）で示されるスルホニウム塩及び下式（Ｉ’）で示されるスルホニウム塩
0004529316.tif 000002
（式中、Ｑ1、Ｑ2は、互いに独立に、炭素数１〜６のアルキル基、又は炭素数３〜１０のシクロアルキル基を表す。Ｑ3は、水素原子を表し、Ｑ4は炭素数１〜６のアルキル基、炭素数３〜１０のシクロアルキル基を表すか、又はＱ3とＱ4が隣接するＣＨＣ(Ｏ)基と一緒になって２−オキソシクロアルキル基を表す。Ｑ5ＳＯ3-は有機スルホナートイオンを表す。但し、Ｑ5が炭素数１〜８のパーフルオロアルキル基を表す場合は、Ｑ1が炭素数１〜６のアルキル基を表し、 Ｑ2が炭素数１〜６のアルキル基又は炭素数３〜１０のシクロアルキル基を表し、Ｑ3とＱ4が隣接するＣＨＣ(Ｏ)基と一緒になって２−オキソシクロヘキシル基を表す場合を除く。）
【０００８】
0004529316.tif 000003
（式中、Ｑは、記載のＳ+とともに環を完成する炭素数３〜７の 脂環式炭化水素基を表す。該脂環式炭化水素基は、ケトン基を有していてもよく、また該脂環式炭化水素基の少なくとも１個の−ＣＨ2−が酸素原子もしくは硫黄原子に置換されていてもよい。Ｑ3は、水素原子を表し、Ｑ4は炭素数１〜６のアルキル基、炭素数３〜１０のシクロアルキル基を表すか、又はＱ3とＱ4が隣接するＣＨＣ(Ｏ)基と一緒になって２−オキソシクロアルキル基を表す。Ｑ5ＳＯ3-は有機スルホナートイオンを表す。）
から選ばれる少なくとも１種のスルホニウム塩と、
下式（IIa）で示されるトリフェニルスルホニウム塩及び下式（IIb）で示されるジフェニルヨードニウム塩
0004529316.tif 000004
（式中、Ｐ1〜Ｐ3は、互いに独立に、水素、水酸基、炭素数１〜６のアルキル基又は炭素数１〜６のアルコキシ基を表し、Ｐ6ＳＯ3-は、有機スルホナートイオンを表す。）
0004529316.tif 000005
（式中、Ｐ4、Ｐ5は、互いに独立に、水素、水酸基、炭素数１〜６のアルキル基又は炭素数１〜６のアルコキシ基を表し、Ｐ7ＳＯ3-は、有機スルホナートイオンを表す。）
から選ばれる少なくとも１種のオニウム塩とを含む酸発生剤、
並びに、酸に不安定な基を持つ重合単位を有し、それ自身はアルカリに不溶又は難溶であるが、酸の作用でアルカリに可溶となる樹脂を含有する実用的に優れた化学増幅型ポジ型レジスト組成物を提供するものである。
【０００９】
また、本発明は、式（Ｉａ）
0004529316.tif 000006
（式中、Ｑ6は、炭素数１〜８のパーフルオロアルキル基、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数６〜１２の芳香族基又はカンファー基を表す。
Ｑ6が、炭素数１〜８のパーフルオロアルキル基を表す場合は、Ｑ1、Ｑ2は、互いに独立に、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数３〜１０のシクロアルキル基を表す。Ｑ3は水素原子を、Ｑ4は炭素数１〜６のアルキル基、炭素数３〜１０のシクロアルキル基を表す。
Ｑ6が、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数６〜１２の芳香族基又はカンファー基を表す場合は、Ｑ1、Ｑ2は、互いに独立に、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数３〜１０のシクロアルキル基を表す。Ｑ3は水素原子を、Ｑ4は炭素数１〜６のアルキル基、炭素数３〜１０のシクロアルキル基を表すか、又はＱ3とＱ4が隣接するＣＨＣ(Ｏ)基と一緒になって２−オキソシクロアルキル基を表す。）
で示されるスルホニウム塩を提供する。
【００１０】
さらに、本発明は、式（Ｉ’ａ）
0004529316.tif 000007
（式中、Ｑは、記載のＳ+とともに環を完成する炭素数３〜７の脂環式炭化水素基を表す。該脂環式炭化水素基は、ケトン基を有していてもよく、また該脂環式炭化水素基の少なくとも１個の−ＣＨ2−が酸素原子もしくは硫黄原子に置換されていてもよい。Ｑ3は、水素原子を表し、Ｑ4は炭素数１〜６のアルキル基、炭素数３〜１０のシクロアルキル基を表すか、又はＱ3とＱ4が隣接するＣＨＣ(Ｏ)基と一緒になって２−オキソシクロアルキル基を表す。Ｑ5ＳＯ3-は有機スルホナートイオンを表す。）
で示されるスルホニウム塩を提供する。
ここで、カンファー基とは、下記の基をいう。
0004529316.tif 000008
【００１１】
【発明の実施の形態】
化学増幅型のレジスト組成物に用いられる酸発生剤は、その物質自体に、あるいはその物質を含むレジスト組成物に、光や電子線などの放射線を作用させることにより、その物質が分解して酸を発生するものである。本発明における組成物では、かかる酸発生剤として、前記式（Ｉ）で示されるスルホニウム塩及び前記式（Ｉ’）で示されるスルホニウム塩から選ばれる少なくとも１種のスルホニウム塩と、前記式（IIa）で示されるトリフェニルスルホニウム塩及び前記式（IIb）で示されるジフェニルヨードニウム塩から選ばれる少なくとも１種のオニウム塩とを併用する。
【００１２】
式（Ｉ）において、Ｑ1、Ｑ2は、互いに独立に炭素数１〜６のアルキル基、又は炭素数３〜１０のシクロアルキル基であることができ、炭素数３以上の場合は、直鎖でも分岐していてもよい。具体的なアルキル基、シクロアルキル基の例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基などが挙げられる。
また、式（Ｉ）において、Ｑ3は水素原子を、Ｑ4は炭素数１〜６の直鎖もしくは分岐のアルキル基、炭素数３〜１０のシクロアルキル基を表すか、又はＱ3とＱ4が隣接するＣＨＣ(Ｏ)基と一緒になって２−オキソシクロアルキル基を表すことができる。
Ｑ4における具体的なアルキル基、シクロアルキル基の例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基などが挙げられる。
Ｑ3とＱ4が隣接するＣＨＣ(Ｏ)基と一緒になって２−オキソシクロアルキル基を表すことができる場合、このような２−オキソシクロアルキル基としては、例えば２−オキソシクロヘキシル基、２−オキソシクロペンチル基、カンファー基などが挙げられる。
【００１３】
また、式（Ｉ）において、Ｑ5ＳＯ3-は有機スルホナートイオンを表す。ここで、Ｑ5は、炭素数１〜12程度の有機基であれば良く、例えば炭素数１〜８のパーフルオロアルキル基、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数６〜１２の芳香族基、カンファー基であることができる。パーフルオロアルキル基に該当する具体例としては、トリフルオロメチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロオクチル基などが挙げられ、炭素数１〜８のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、オクチル基などが挙げられ、芳香族基としては、フェニル基、トリル基、キシリル基、メジチル基、ナフチル基などが挙げられる。
【００１４】
次に、式（Ｉ’）において、Ｑは、記載のＳ+とともに環を完成する炭素数５〜７の脂環式炭化水素基を表す。該脂環式炭化水素基は、ケトン基を有していてもよく、また該脂環式炭化水素基の少なくとも１個の−ＣＨ2−が酸素原子もしくは硫黄原子に置換されていてもよい。
記載の硫黄原子とともに環を完成する炭素数５〜７の脂環式炭化水素としては、テトラヒドロチオフェン、チオキサン、ジチアン、テトラヒドロチオフェン−３−オン、テトラヒドロチオピラン−４−オンなどが挙げられる。
これらのうち、式（Ｉ’）で示される脂環式炭化水素基を有するスルホニウム塩が熱安定性の点で好ましい。該スルホニウム塩を用いると、ベーク温度(PEB温度)を上げることが可能となり、ラインエッジラフネスが良くなるので好ましい。
【００１５】
式（Ｉ’）において、Ｑ3は、水素原子を表し、Ｑ4は炭素数１〜６のアルキル基、炭素数３〜１０のシクロアルキル基を表すか、又はＱ3とＱ4が隣接するＣＨＣ(Ｏ)基と一緒になって２−オキソシクロアルキル基を表す。Ｑ5ＳＯ3-は有機スルホナートイオンを表す。
Ｑ4における具体的なアルキル基、シクロアルキル基の例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基などが挙げられる。Ｑ3とＱ4が隣接するＣＨＣ(Ｏ)基と一緒になって２−オキソシクロアルキル基を表すことができる場合、このような２−オキソシクロアルキル基としては、例えば２−オキソシクロヘキシル基、２−オキソシクロペンチル基、カンファー基などが挙げられる。
【００１６】
式（Ｉ）、（Ｉａ）で示されるスルホニウム塩は、公知の方法に準じて製造することが可能である。例えば、J. V. Crivello et al., J. Polymer Science., Polymer Chemistry  Edition, Vol.17, 2877-2892 (1979) に記載の方法を応用して、次の反応スキームに従って製造することができる。
【００１７】
0004529316.tif 000009
【００１８】
式中、Ｑ1、Ｑ2、Ｑ3、Ｑ4及びＱ5は先に定義したとおりであり、Ｘは臭素や沃素のようなハロゲンを表し、Ｍはナトリウム、カリウムのようなアルカリ金属、銀もしくは水素を表す。
【００１９】
すなわち、上記式（A1）に相当するスルフィド化合物に(A2)に相当するβ−ハロゲノケトンを作用させて、上記式（Ｂ）に相当するスルホニウムハライドを生成させ、さらに式Ｑ5ＳＯ3Ｍ に相当するスルホン酸金属塩もしくはスルホン酸を作用させることにより、式（Ｉ）で示されるスルホニウム塩を得ることができる。これらの反応は、適当な溶媒中、例えば、アセトン、アセトニトリル、ニトロメタンなどの溶媒中で行われる。式（A1）のスルフィド化合物は、式(A2)に相当するβ−ハロゲノケトンに対して、好ましくは０．７〜１．５モル比用い、さらに好ましくは、０．８〜１．１モル比用いる。また、式Ｑ5ＳＯ3Ｍ に相当するスルホン酸金属塩もしくはスルホン酸は、式（Ｂ）のスルホニウムハライド生成のために用いた式（A1）のスルフィド化合物に対して、０．７〜１．２モル比、好ましくは０．８〜１．０モル比用いればよい。反応終了後は、生成したハロゲン化金属塩等を濾過等により除去し、次いで濃縮や再結晶等の後処理を施すことにより、式（Ｉ）のスルホニウム塩を得ることができる。
【００２０】
式（Ｉ’）、（Ｉ’ａ）で示されるスルホニウム塩は、公知の方法に準じて製造することが可能である。例えば、D. N. Kevill et al., J. Am. Chem. Soc., Vol.108, 1579-1585 (1986) に記載の方法を応用して製造することができる。
【００２１】
式（Ｉ）、（Ｉ’）、（Ｉａ）、（Ｉ’ａ）で示されるスルホニウム塩の具体的な例としては、次のような化合物を挙げることができる。
【００２２】
ジメチル（２−オキソプロピル）スルホニウム  トリフルオロメタンスルホナート、
ジメチル（２−オキソブチル）スルホニウム  トリフルオロメタンスルホナート、
ジメチル（２−オキソペンチル）スルホニウム  トリフルオロメタンスルホナート、
ジメチル（２−オキソヘキシル）スルホニウム  トリフルオロメタンスルホナート、
ジメチル（２−オキソヘプチル）スルホニウム  トリフルオロメタンスルホナート、
ジメチル（２−オキソオクチル）スルホニウム  トリフルオロメタンスルホナート、
ジメチル（３−メチル−２−オキソブチル）スルホニウム  トリフルオロメタンスルホナート、
３,３−ジメチル−２−オキソブチル  ジメチルスルホニウム  トリフルオロメタンスルホナート、
２−シクロヘキシル−２−オキソエチル  ジメチルスルホニウム  トリフルオロメタンスルホナート、
２−シクロペンチル−２−オキソエチル  ジメチルスルホニウム  トリフルオロメタンスルホナート、
【００２３】
ジエチル（２−オキソプロピル）スルホニウム  トリフルオロメタンスルホナート、
ジエチル（２−オキソブチル）スルホニウム  トリフルオロメタンスルホナート、
ジエチル（２−オキソペンチル）スルホニウム  トリフルオロメタンスルホナート、
ジエチル（２−オキソヘキシル）スルホニウム  トリフルオロメタンスルホナート、
ジエチル（２−オキソヘプチル）スルホニウム  トリフルオロメタンスルホナート、
ジエチル（２−オキソオクチル）スルホニウム  トリフルオロメタンスルホナート、
ジエチル（３−メチル−２−オキソブチル）スルホニウム  トリフルオロメタンスルホナート、
３,３−ジメチル−２−オキソブチル  ジエチルスルホニウム  トリフルオロメタンスルホナート、
２−シクロヘキシル−２−オキソエチル  ジエチルスルホニウム  トリフルオロメタンスルホナート、
２−シクロペンチル−２−オキソエチル  ジエチルスルホニウム  トリフルオロメタンスルホナート、
【００２４】
ジブチル（２−オキソプロピル）スルホニウム  トリフルオロメタンスルホナート、
ジブチル（２−オキソブチル）スルホニウム  トリフルオロメタンスルホナート、
ジブチル（２−オキソペンチル）スルホニウム  トリフルオロメタンスルホナート、
ジブチル（２−オキソヘキシル）スルホニウム  トリフルオロメタンスルホナート、
ジブチル（２−オキソヘプチル）スルホニウム  トリフルオロメタンスルホナート、
ジブチル（２−オキソオクチル）スルホニウム  トリフルオロメタンスルホナート、
ジブチル（３−メチル−２−オキソブチル）スルホニウム  トリフルオロメタンスルホナート、
ジブチル（３,３−ジメチル２−オキソブチル）スルホニウム  トリフルオロメタンスルホナート、
ジブチル（２−シクロヘキシル−２−オキソエチル）  スルホニウム  トリフルオロメタンスルホナート、
ジブチル（２−シクロペンチル−２−オキソエチル）  スルホニウム  トリフルオロメタンスルホナート、
ジイソプロピル（２−オキソプロピル）スルホニウム  トリフルオロメタンスルホナート、
ジイソプロピル（２−オキソブチル）スルホニウム  トリフルオロメタンスルホナート、
ジイソプロピル（２−オキソペンチル）スルホニウム  トリフルオロメタンスルホナート、
ジイソプロピル（２−オキソヘキシル）スルホニウム  トリフルオロメタンスルホナート、
ジイソプロピル（２−オキソヘプチル）スルホニウム  トリフルオロメタンスルホナート、
ジイソプロピル（２−オキソオクチル）スルホニウム  トリフルオロメタンスルホナート、
ジイソプロピル（３−メチル−２−オキソブチル）スルホニウム  トリフルオロメタンスルホナート、
【００２５】
３,３−ジメチル−２−オキソブチル  ジイソプロピル  スルホニウム  トリフルオロメタンスルホナート、
２−シクロヘキシル−２−オキソエチル  ジイソプロピルスルホニウム  トリフルオロメタンスルホナート、
２−シクロペンチル−２−オキソエチル  ジイソプロピルスルホニウム  トリフルオロメタンスルホナート、
ｔｅｒｔ−ブチル  メチル（２−オキソプロピル）スルホニウム  トリフルオロメタンスルホナート、
ｔｅｒｔ−ブチル  メチル（２−オキソブチル）スルホニウム  トリフルオロメタンスルホナート、
ｔｅｒｔ−ブチル  メチル（２−オキソペンチル）スルホニウム  トリフルオロメタンスルホナート、
ｔｅｒｔ−ブチル  メチル（２−オキソヘキシル）スルホニウム  トリフルオロメタンスルホナート、
ｔｅｒｔ−ブチル  メチル（２−オキソヘプチル）スルホニウム  トリフルオロメタンスルホナート、
ｔｅｒｔ−ブチル  メチル（２−オキソオクチル）スルホニウム  トリフルオロメタンスルホナート、
ｔｅｒｔ−ブチル  メチル（３−メチル−２−オキソブチル）スルホニウム  トリフルオロメタンスルホナート、
ｔｅｒｔ−ブチル  （３,３−ジメチル２−オキソブチル）  メチル  スルホニウム  トリフルオロメタンスルホナート、
ｔｅｒｔ−ブチル  （２−シクロヘキシル−２−オキソエチル）  メチルスルホニウム  トリフルオロメタンスルホナート、
ｔｅｒｔ−ブチル  （２−シクロペンチル−２−オキソエチル）  メチルスルホニウム  トリフルオロメタンスルホナート、
【００２６】
シクロヘキシル  メチル（２−オキソプロピル）スルホニウム  トリフルオロメタンスルホナート、
シクロヘキシル  メチル（２−オキソブチル）スルホニウム  トリフルオロメタンスルホナート、
シクロヘキシル  メチル（２−オキソペンチル）スルホニウム  トリフルオロメタンスルホナート、
シクロヘキシル  メチル（２−オキソヘキシル）スルホニウム  トリフルオロメタンスルホナート、
シクロヘキシル  メチル（２−オキソヘプチル）スルホニウム  トリフルオロメタンスルホナート、
シクロヘキシル  メチル（２−オキソオクチル）スルホニウム  トリフルオロメタンスルホナート、
シクロヘキシル  メチル（３−メチル−２−オキソブチル）スルホニウム  トリフルオロメタンスルホナート、
シクロヘキシル  （３,３−ジメチル２−オキソブチル）  メチル  スルホニウム  トリフルオロメタンスルホナート、
シクロヘキシル  （２−シクロヘキシル−２−オキソエチル）  メチルスルホニウム  トリフルオロメタンスルホナート、
シクロヘキシル  （２−シクロペンチル−２−オキソエチル）  メチルスルホニウム  トリフルオロメタンスルホナート、
【００２７】
２−オキソプロピル  チアシクロペンタニウム  トリフルオロメタンスルホナート、
２−オキソブチル  チアシクロペンタニウム  トリフルオロメタンスルホナート、
２−オキソペンチル  チアシクロペンタニウム  トリフルオロメタンスルホナート、
２−オキソヘキシル  チアシクロペンタニウム  トリフルオロメタンスルホナート、
２−オキソヘプチル  チアシクロペンタニウム  トリフルオロメタンスルホナート、
２−オキソオクチル  チアシクロペンタニウム  トリフルオロメタンスルホナート、
３−メチル−２−オキソブチル  チアシクロペンタニウム  トリフルオロメタンスルホナート、
３,３−ジメチル−２−オキソブチル  チアシクロペンタニウム  トリフルオロメタンスルホナート、
【００２８】
２−シクロヘキシル−２−オキソエチル  チアシクロペンタニウム  トリフルオロメタンスルホナート、
２−シクロペンチル−２−オキソエチル  チアシクロペンタニウム  トリフルオロメタンスルホナート、
２−オキソプロピル  チアシクロヘキサニウム  トリフルオロメタンスルホナート、
２−オキソブチル  チアシクロヘキサニウム  トリフルオロメタンスルホナート、
２−オキソペンチル  チアシクロヘキサニウム  トリフルオロメタンスルホナート、
２−オキソヘキシル  チアシクロヘキサニウム  トリフルオロメタンスルホナート、
２−オキソヘプチル  チアシクロヘキサニウム  トリフルオロメタンスルホナート、
２−オキソオクチル  チアシクロヘキサニウム  トリフルオロメタンスルホナート、
３−メチル−２−オキソブチル  チアシクロヘキサニウム  トリフルオロメタンスルホナート、
３,３−ジメチル−２−オキソブチル  チアシクロヘキサニウム  トリフルオロメタンスルホナート、
【００２９】
２−シクロヘキシル−２−オキソエチル  チアシクロヘキサニウム  トリフルオロメタンスルホナート、
２−シクロペンチル−２−オキソエチル  チアシクロヘキサニウム  トリフルオロメタンスルホナート、
２−オキソプロピル  （１，４−チオキサニウム）  トリフルオロメタンスルホナート、
２−オキソブチル  （１，４−チオキサニウム）  トリフルオロメタンスルホナート、
２−オキソペンチル  （１，４−チオキサニウム）  トリフルオロメタンスルホナート、
２−オキソヘキシル  （１，４−チオキサニウム）  トリフルオロメタンスルホナート、
２−オキソヘプチル  （１，４−チオキサニウム）  トリフルオロメタンスルホナート、
２−オキソオクチル  （１，４−チオキサニウム）  トリフルオロメタンスルホナート、
３−メチル−２−オキソブチル  （１，４−チオキサニウム）  トリフルオロメタンスルホナート、
３,３−ジメチル−２−オキソブチル  （１，４−チオキサニウム）  トリフルオロメタンスルホナート、
【００３０】
２−シクロヘキシル−２−オキソエチル  （１，４−チオキサニウム）  トリフルオロメタンスルホナート、
２−シクロペンチル−２−オキソエチル  （１，４−チオキサニウム）  トリフルオロメタンスルホナート、
２−オキソプロピル  （４−オキソチアシクロヘキサニウム）  トリフルオロメタンスルホナート、
２−オキソブチル  （４−オキソチアシクロヘキサニウム）  トリフルオロメタンスルホナート、
２−オキソペンチル  （４−オキソチアシクロヘキサニウム）  トリフルオロメタンスルホナート、
２−オキソヘキシル  （４−オキソチアシクロヘキサニウム）  トリフルオロメタンスルホナート、
２−オキソヘプチル  （４−オキソチアシクロヘキサニウム）  トリフルオロメタンスルホナート、
２−オキソオクチル  （４−オキソチアシクロヘキサニウム）  トリフルオロメタンスルホナート、
３−メチル−２−オキソブチル  （４−オキソチアシクロヘキサニウム）  トリフルオロメタンスルホナート、
３,３−ジメチル−２−オキソブチル  （４−オキソチアシクロヘキサニウム） トリフルオロメタンスルホナート、
【００３１】
２−シクロヘキシル−２−オキソエチル  （４−オキソチアシクロヘキサニウム）  トリフルオロメタンスルホナート、
２−シクロペンチル−２−オキソエチル  （４−オキソチアシクロヘキサニウム）  トリフルオロメタンスルホナート、
２−オキソプロピル  （１，４−ジチアニウム）  トリフルオロメタンスルホナート、
２−オキソブチル  （１，４−ジチアニウム）  トリフルオロメタンスルホナート、
２−オキソペンチル  （１，４−ジチアニウム）  トリフルオロメタンスルホナート、
２−オキソヘキシル  （１，４−ジチアニウム）  トリフルオロメタンスルホナート、
２−オキソヘプチル  （１，４−ジチアニウム）  トリフルオロメタンスルホナート、
２−オキソオクチル  （１，４−ジチアニウム）  トリフルオロメタンスルホナート、
３−メチル−２−オキソブチル  （１，４−ジチアニウム）  トリフルオロメタンスルホナート、
３,３−ジメチル−２−オキソブチル  （１，４−ジチアニウム）  トリフルオロメタンスルホナート、
【００３２】
２−シクロヘキシル−２−オキソエチル  （１，４−ジチアニウム）  トリフルオロメタンスルホナート、
２−シクロペンチル−２−オキソエチル  （１，４−ジチアニウム）  トリフルオロメタンスルホナート、
２−オキソシクロヘキシル  チアシクロペンタニウム  トリフルオロメタンスルホナート、
ジメチル（２−オキソプロピル）スルホニウム  パーフルオロブタンスルホナート、
ジメチル（２−オキソブチル）スルホニウム  パーフルオロブタンスルホナート、
ジメチル（２−オキソペンチル）スルホニウム  パーフルオロブタンスルホナート、
ジメチル（２−オキソヘキシル）スルホニウム  パーフルオロブタンスルホナート、
ジメチル（２−オキソヘプチル）スルホニウム  パーフルオロブタンスルホナート、
ジメチル（２−オキソオクチル）スルホニウム  パーフルオロブタンスルホナート、
ジメチル（３−メチル−２−オキソブチル）スルホニウム  パーフルオロブタンスルホナート、
３,３−ジメチル−２−オキソブチル  ジメチルスルホニウム  パーフルオロブタンスルホナート、
【００３３】
２−シクロヘキシル−２−オキソエチル  ジメチルスルホニウム  パーフルオロブタンスルホナート、
２−シクロペンチル−２−オキソエチル  ジメチルスルホニウム  パーフルオロブタンスルホナート、
ジエチル（２−オキソプロピル）スルホニウム  パーフルオロブタンスルホナート、
ジエチル（２−オキソブチル）スルホニウム  パーフルオロブタンスルホナート、
ジエチル（２−オキソペンチル）スルホニウム  パーフルオロブタンスルホナート、
ジエチル（２−オキソヘキシル）スルホニウム  パーフルオロブタンスルホナート、
ジエチル（２−オキソヘプチル）スルホニウム  パーフルオロブタンスルホナート、
ジエチル（２−オキソオクチル）スルホニウム  パーフルオロブタンスルホナート、
ジエチル（３−メチル−２−オキソブチル）スルホニウム  パーフルオロブタンスルホナート、
３,３−ジメチル−２−オキソブチル  ジエチルスルホニウム  パーフルオロブタンスルホナート、
【００３４】
２−シクロヘキシル−２−オキソエチル  ジエチルスルホニウム  パーフルオロブタンスルホナート、
２−シクロペンチル−２−オキソエチル  ジエチルスルホニウム  パーフルオロブタンスルホナート、ジブチル（２−オキソプロピル）スルホニウム  パーフルオロブタンスルホナート、
ジブチル（２−オキソブチル）スルホニウム  パーフルオロブタンスルホナート、
ジブチル（２−オキソペンチル）スルホニウム  パーフルオロブタンスルホナート、
ジブチル（２−オキソヘキシル）スルホニウム  パーフルオロブタンスルホナート、
ジブチル（２−オキソヘプチル）スルホニウム  パーフルオロブタンスルホナート、
ジブチル（２−オキソオクチル）スルホニウム  パーフルオロブタンスルホナート、
ジブチル（３−メチル−２−オキソブチル）スルホニウム  パーフルオロブタンスルホナート、
ジブチル（３,３−ジメチル２−オキソブチル）スルホニウム  パーフルオロブタンスルホナート、
ジブチル（２−シクロヘキシル−２−オキソエチル）  スルホニウム  パーフルオロブタンスルホナート、
ジブチル（２−シクロペンチル−２−オキソエチル）  スルホニウム  パーフルオロブタンスルホナート、
【００３５】
ジイソプロピル（２−オキソプロピル）スルホニウム  パーフルオロブタンスルホナート、
ジイソプロピル（２−オキソブチル）スルホニウム  パーフルオロブタンスルホナート、
ジイソプロピル（２−オキソペンチル）スルホニウム  パーフルオロブタンスルホナート、
ジイソプロピル（２−オキソヘキシル）スルホニウム  パーフルオロブタンスルホナート、
ジイソプロピル（２−オキソヘプチル）スルホニウム  パーフルオロブタンスルホナート、
ジイソプロピル（２−オキソオクチル）スルホニウム  パーフルオロブタンスルホナート、
ジイソプロピル（３−メチル−２−オキソブチル）スルホニウム  パーフルオロブタンスルホナート、
３,３−ジメチル２−オキソブチル  ジイソプロピル  スルホニウム  パーフルオロブタンスルホナート、
２−シクロヘキシル−２−オキソエチル  ジイソプロピルスルホニウム  パーフルオロブタンスルホナート、
２−シクロペンチル−２−オキソエチル  ジイソプロピルスルホニウム  パーフルオロブタンスルホナート、
【００３６】
ｔｅｒｔ−ブチル  メチル（２−オキソプロピル）スルホニウム  パーフルオロブタンスルホナート、
ｔｅｒｔ−ブチル  メチル（２−オキソブチル）スルホニウム  パーフルオロブタンスルホナート、
ｔｅｒｔ−ブチル  メチル（２−オキソペンチル）スルホニウム  パーフルオロブタンスルホナート、
ｔｅｒｔ−ブチル  メチル（２−オキソヘキシル）スルホニウム  パーフルオロブタンスルホナート、
ｔｅｒｔ−ブチル  メチル（２−オキソヘプチル）スルホニウム  パーフルオロブタンスルホナート、
ｔｅｒｔ−ブチル  メチル（２−オキソオクチル）スルホニウム  パーフルオロブタンスルホナート、
ｔｅｒｔ−ブチル  メチル（３−メチル−２−オキソブチル）スルホニウム  パーフルオロブタンスルホナート、
ｔｅｒｔ−ブチル  （３,３−ジメチル２−オキソブチル）  メチル  スルホニウム  パーフルオロブタンスルホナート、
ｔｅｒｔ−ブチル  （２−シクロヘキシル−２−オキソエチル）  メチルスルホニウム  パーフルオロブタンスルホナート、
ｔｅｒｔ−ブチル  （２−シクロペンチル−２−オキソエチル）  メチルスルホニウム  パーフルオロブタンスルホナート、
【００３７】
シクロヘキシル  メチル（２−オキソプロピル）スルホニウム  パーフルオロブタンスルホナート、
シクロヘキシル  メチル（２−オキソブチル）スルホニウム  パーフルオロブタンスルホナート、
シクロヘキシル  メチル（２−オキソペンチル）スルホニウム  パーフルオロブタンスルホナート、
シクロヘキシル  メチル（２−オキソヘキシル）スルホニウム  パーフルオロブタンスルホナート、
シクロヘキシル  メチル（２−オキソヘプチル）スルホニウム  パーフルオロブタンスルホナート、
シクロヘキシル  メチル（２−オキソオクチル）スルホニウム  パーフルオロブタンスルホナート、
シクロヘキシル  メチル（３−メチル−２−オキソブチル）スルホニウム  パーフルオロブタンスルホナート、
シクロヘキシル  （３,３−ジメチル２−オキソブチル）  メチル  スルホニウム  パーフルオロブタンスルホナート、
シクロヘキシル  （２−シクロヘキシル−２−オキソエチル）  メチルスルホニウム  パーフルオロブタンスルホナート、
シクロヘキシル  （２−シクロペンチル−２−オキソエチル）  メチルスルホニウム  パーフルオロブタンスルホナート、
【００３８】
２−オキソプロピル  チアシクロペンタニウム  パーフルオロブタンスルホナート、
２−オキソブチル  チアシクロペンタニウム  パーフルオロブタンスルホナート、
２−オキソペンチル  チアシクロペンタニウム  パーフルオロブタンスルホナート、
２−オキソヘキシル  チアシクロペンタニウム  パーフルオロブタンスルホナート、
２−オキソヘプチル  チアシクロペンタニウム  パーフルオロブタンスルホナート、
２−オキソオクチル  チアシクロペンタニウム  パーフルオロブタンスルホナート、
３−メチル−２−オキソブチル  チアシクロペンタニウム  パーフルオロブタンスルホナート、
３,３−ジメチル−２−オキソブチル  チアシクロペンタニウム  パーフルオロブタンスルホナート、
２−シクロヘキシル−２−オキソエチル  チアシクロペンタニウム  パーフルオロブタンスルホナート、
２−シクロペンチル−２−オキソエチル  チアシクロペンタニウム  パーフルオロブタンスルホナート、
【００３９】
２−オキソプロピル  チアシクロヘキサニウム  パーフルオロブタンスルホナート、
２−オキソブチル  チアシクロヘキサニウム  パーフルオロブタンスルホナート、
２−オキソペンチル  チアシクロヘキサニウム  パーフルオロブタンスルホナート、
２−オキソヘキシル  チアシクロヘキサニウム  パーフルオロブタンスルホナート、
２−オキソヘプチル  チアシクロヘキサニウム  パーフルオロブタンスルホナート、
２−オキソオクチル  チアシクロヘキサニウム  パーフルオロブタンスルホナート、
３−メチル−２−オキソブチル  チアシクロヘキサニウム  パーフルオロブタンスルホナート、
３,３−ジメチル−２−オキソブチル  チアシクロヘキサニウム  パーフルオロブタンスルホナート、
２−シクロヘキシル−２−オキソエチル  チアシクロヘキサニウム  パーフルオロブタンスルホナート、
２−シクロペンチル−２−オキソエチル  チアシクロヘキサニウム  パーフルオロブタンスルホナート、
【００４０】
２−オキソプロピル  （１，４−チオキサニウム）  パーフルオロブタンスルホナート、
２−オキソブチル  （１，４−チオキサニウム）  パーフルオロブタンスルホナート、
２−オキソペンチル  （１，４−チオキサニウム）  パーフルオロブタンスルホナート、
２−オキソヘキシル  （１，４−チオキサニウム）  パーフルオロブタンスルホナート、
２−オキソヘプチル  （１，４−チオキサニウム）  パーフルオロブタンスルホナート、
２−オキソオクチル  （１，４−チオキサニウム）  パーフルオロブタンスルホナート、
３−メチル−２−オキソブチル  （１，４−チオキサニウム）  パーフルオロブタンスルホナート、
３,３−ジメチル−２−オキソブチル  （１，４−チオキサニウム）  パーフルオロブタンスルホナート、
【００４１】
２−シクロヘキシル−２−オキソエチル  （１，４−チオキサニウム）  パーフルオロブタンスルホナート、
２−シクロペンチル−２−オキソエチル  （１，４−チオキサニウム）  パーフルオロブタンスルホナート、
２−オキソプロピル  （４−オキソチアシクロヘキサニウム）  パーフルオロブタンスルホナート、
２−オキソブチル  （４−オキソチアシクロヘキサニウム）  パーフルオロブタンスルホナート、
２−オキソペンチル  （４−オキソチアシクロヘキサニウム）  パーフルオロブタンスルホナート、
２−オキソヘキシル  （４−オキソチアシクロヘキサニウム）  パーフルオロブタンスルホナート、
２−オキソヘプチル  （４−オキソチアシクロヘキサニウム）  パーフルオロブタンスルホナート、
２−オキソオクチル  （４−オキソチアシクロヘキサニウム）  パーフルオロブタンスルホナート、
３−メチル−２−オキソブチル  （４−オキソチアシクロヘキサニウム）  パーフルオロブタンスルホナート、
３,３−ジメチル−２−オキソブチル  （４−オキソチアシクロヘキサニウム）パーフルオロブタンスルホナート、
【００４２】
２−シクロヘキシル−２−オキソエチル  （４−オキソチアシクロヘキサニウム）  パーフルオロブタンスルホナート、
２−シクロペンチル−２−オキソエチル  （４−オキソチアシクロヘキサニウム）  パーフルオロブタンスルホナート、
２−オキソプロピル  （１，４−ジチアニウム）  パーフルオロブタンスルホナート、
２−オキソブチル  （１，４−ジチアニウム）  パーフルオロブタンスルホナート、
２−オキソペンチル  （１，４−ジチアニウム）  パーフルオロブタンスルホナート、
２−オキソヘキシル  （１，４−ジチアニウム）  パーフルオロブタンスルホナート、
２−オキソヘプチル  （１，４−ジチアニウム）  パーフルオロブタンスルホナート、
２−オキソオクチル  （１，４−ジチアニウム）  パーフルオロブタンスルホナート、
３−メチル−２−オキソブチル  （１，４−ジチアニウム）  パーフルオロブタンスルホナート、
３,３−ジメチル−２−オキソブチル  （１，４−ジチアニウム）  パーフルオロブタンスルホナート、
【００４３】
２−シクロヘキシル−２−オキソエチル  （１，４−ジチアニウム）  パーフルオロブタンスルホナート、
２−シクロペンチル−２−オキソエチル  （１，４−ジチアニウム）  パーフルオロブタンスルホナート、
２−オキソシクロヘキシル  チアシクロペンタニウム  パーフルオロブタンスルホナート、
ジメチル（２−オキソプロピル）スルホニウム  パーフルオロオクタンスルホナート、
ジメチル（２−オキソブチル）スルホニウム  パーフルオロオクタンスルホナート、
ジメチル（２−オキソペンチル）スルホニウム  パーフルオロオクタンスルホナート、
ジメチル（２−オキソヘキシル）スルホニウム  パーフルオロオクタンスルホナート、
ジメチル（２−オキソヘプチル）スルホニウム  パーフルオロオクタンスルホナート、
ジメチル（２−オキソオクチル）スルホニウム  パーフルオロオクタンスルホナート、
ジメチル（３−メチル−２−オキソブチル）スルホニウム  パーフルオロオクタンスルホナート、
３,３−ジメチル−２−オキソブチル  ジメチルスルホニウム  パーフルオロオクタンスルホナート、
【００４４】
２−シクロヘキシル−２−オキソエチル  ジメチルスルホニウム  パーフルオロオクタンスルホナート、
２−シクロペンチル−２−オキソエチル  ジメチルスルホニウム  パーフルオロオクタンスルホナート、
ジエチル（２−オキソプロピル）スルホニウム  パーフルオロオクタンスルホナート、
ジエチル（２−オキソブチル）スルホニウム  パーフルオロオクタンスルホナート、
ジエチル（２−オキソペンチル）スルホニウム  パーフルオロオクタンスルホナート、
ジエチル（２−オキソヘキシル）スルホニウム  パーフルオロオクタンスルホナート、
ジエチル（２−オキソヘプチル）スルホニウム  パーフルオロオクタンスルホナート、
ジエチル（２−オキソオクチル）スルホニウム  パーフルオロオクタンスルホナート、
ジエチル（３−メチル−２−オキソブチル）スルホニウム  パーフルオロオクタンスルホナート、
３,３−ジメチル−２−オキソブチル  ジエチルスルホニウム  パーフルオロオクタンスルホナート、
【００４５】
２−シクロヘキシル−２−オキソエチル  ジエチルスルホニウム  パーフルオロオクタンスルホナート、
２−シクロペンチル−２−オキソエチル  ジエチルスルホニウム  パーフルオロオクタンスルホナート、
ジブチル（２−オキソプロピル）スルホニウム  パーフルオロオクタンスルホナート、
ジブチル（２−オキソブチル）スルホニウム  パーフルオロオクタンスルホナート、
ジブチル（２−オキソペンチル）スルホニウム  パーフルオロオクタンスルホナート、
ジブチル（２−オキソヘキシル）スルホニウム  パーフルオロオクタンスルホナート、
ジブチル（２−オキソヘプチル）スルホニウム  パーフルオロオクタンスルホナート、
ジブチル（２−オキソオクチル）スルホニウム  パーフルオロオクタンスルホナート、
ジブチル（３−メチル−２−オキソブチル）スルホニウム  パーフルオロオクタンスルホナート、
ジブチル（３,３−ジメチル２−オキソブチル）スルホニウム  パーフルオロオクタンスルホナート、
ジブチル（２−シクロヘキシル−２−オキソエチル）  スルホニウム  パーフルオロオクタンスルホナート、
ジブチル（２−シクロペンチル−２−オキソエチル）  スルホニウム  パーフルオロオクタンスルホナート、
【００４６】
ジイソプロピル（２−オキソプロピル）スルホニウム  パーフルオロオクタンスルホナート、
ジイソプロピル（２−オキソブチル）スルホニウム  パーフルオロオクタンスルホナート、
ジイソプロピル（２−オキソペンチル）スルホニウム  パーフルオロオクタンスルホナート、
ジイソプロピル（２−オキソヘキシル）スルホニウム  パーフルオロオクタンスルホナート、
ジイソプロピル（２−オキソヘプチル）スルホニウム  パーフルオロオクタンスルホナート、
ジイソプロピル（２−オキソオクチル）スルホニウム  パーフルオロオクタンスルホナート、
ジイソプロピル（３−メチル−２−オキソブチル）スルホニウム  パーフルオロオクタンスルホナート、
３,３−ジメチル２−オキソブチル  ジイソプロピル  スルホニウム  パーフルオロオクタンスルホナート、
【００４７】
２−シクロヘキシル−２−オキソエチル  ジイソプロピルスルホニウム  パーフルオロオクタンスルホナート、
２−シクロペンチル−２−オキソエチル  ジイソプロピルスルホニウム  パーフルオロオクタンスルホナート、
ｔｅｒｔ−ブチル  メチル（２−オキソプロピル）スルホニウム  パーフルオロオクタンスルホナート、
ｔｅｒｔ−ブチル  メチル（２−オキソブチル）スルホニウム  パーフルオロオクタンスルホナート、
ｔｅｒｔ−ブチル  メチル（２−オキソペンチル）スルホニウム  パーフルオロオクタンスルホナート、
ｔｅｒｔ−ブチル  メチル（２−オキソヘキシル）スルホニウム  パーフルオロオクタンスルホナート、
ｔｅｒｔ−ブチル  メチル（２−オキソヘプチル）スルホニウム  パーフルオロオクタンスルホナート、
ｔｅｒｔ−ブチル  メチル（２−オキソオクチル）スルホニウム  パーフルオロオクタンスルホナート、
ｔｅｒｔ−ブチル  メチル（３−メチル−２−オキソブチル）スルホニウム  パーフルオロオクタンスルホナート、
ｔｅｒｔ−ブチル  （３,３−ジメチル２−オキソブチル）  メチル  スルホニウム  パーフルオロオクタンスルホナート、
ｔｅｒｔ−ブチル  （２−シクロヘキシル−２−オキソエチル）  メチルスルホニウム  パーフルオロオクタンスルホナート、
ｔｅｒｔ−ブチル  （２−シクロペンチル−２−オキソエチル）  メチルスルホニウム  パーフルオロオクタンスルホナート、
【００４８】
シクロヘキシル  メチル（２−オキソプロピル）スルホニウム  パーフルオロオクタンスルホナート、
シクロヘキシル  メチル（２−オキソブチル）スルホニウム  パーフルオロオクタンスルホナート、
シクロヘキシル  メチル（２−オキソペンチル）スルホニウム  パーフルオロオクタンスルホナート、
シクロヘキシル  メチル（２−オキソヘキシル）スルホニウム  パーフルオロオクタンスルホナート、
シクロヘキシル  メチル（２−オキソヘプチル）スルホニウム  パーフルオロオクタンスルホナート、
シクロヘキシル  メチル（２−オキソオクチル）スルホニウム  パーフルオロオクタンスルホナート、
シクロヘキシル  メチル（３−メチル−２−オキソブチル）スルホニウム  パーフルオロオクタンスルホナート、
シクロヘキシル  （３,３−ジメチル２−オキソブチル）  メチル  スルホニウム  パーフルオロオクタンスルホナート、
シクロヘキシル  （２−シクロヘキシル−２−オキソエチル）  メチルスルホニウム  パーフルオロオクタンスルホナート、
シクロヘキシル  （２−シクロペンチル−２−オキソエチル）  メチルスルホニウム  パーフルオロオクタンスルホナート、
２−オキソプロピル  チアシクロペンタニウム  パーフルオロオクタンスルホナート、
【００４９】
２−オキソブチル  チアシクロペンタニウム  パーフルオロオクタンスルホナート、
２−オキソペンチル  チアシクロペンタニウム  パーフルオロオクタンスルホナート、
２−オキソヘキシル  チアシクロペンタニウム  パーフルオロオクタンスルホナート、
２−オキソヘプチル  チアシクロペンタニウム  パーフルオロオクタンスルホナート、
２−オキソオクチル  チアシクロペンタニウム  パーフルオロオクタンスルホナート、
３−メチル−２−オキソブチル  チアシクロペンタニウム  パーフルオロオクタンスルホナート、
３,３−ジメチル−２−オキソブチル  チアシクロペンタニウム  パーフルオロオクタンスルホナート、
【００５０】
２−シクロヘキシル−２−オキソエチル  チアシクロペンタニウム  パーフルオロオクタンスルホナート、
２−シクロペンチル−２−オキソエチル  チアシクロペンタニウム  パーフルオロオクタンスルホナート、
２−オキソプロピル  チアシクロヘキサニウム  パーフルオロオクタンスルホナート、
２−オキソブチル  チアシクロヘキサニウム  パーフルオロオクタンスルホナート、
２−オキソペンチル  チアシクロヘキサニウム  パーフルオロオクタンスルホナート、
２−オキソヘキシル  チアシクロヘキサニウム  パーフルオロオクタンスルホナート、
２−オキソヘプチル  チアシクロヘキサニウム  パーフルオロオクタンスルホナート、
２−オキソオクチル  チアシクロヘキサニウム  パーフルオロオクタンスルホナート、
３−メチル−２−オキソブチル  チアシクロヘキサニウム  パーフルオロオクタンスルホナート、
３,３−ジメチル−２−オキソブチル  チアシクロヘキサニウム  パーフルオロオクタンスルホナート、
【００５１】
２−シクロヘキシル−２−オキソエチル  チアシクロヘキサニウム  パーフルオロオクタンスルホナート、
２−シクロペンチル−２−オキソエチル  チアシクロヘキサニウム  パーフルオロオクタンスルホナート、
２−オキソプロピル  （１，４−チオキサニウム）  パーフルオロオクタンスルホナート、
２−オキソブチル  （１，４−チオキサニウム）  パーフルオロオクタンスルホナート、
２−オキソペンチル  （１，４−チオキサニウム）  パーフルオロオクタンスルホナート、
２−オキソヘキシル  （１，４−チオキサニウム）  パーフルオロオクタンスルホナート、
２−オキソヘプチル  （１，４−チオキサニウム）  パーフルオロオクタンスルホナート、
２−オキソオクチル  （１，４−チオキサニウム）  パーフルオロオクタンスルホナート、
３−メチル−２−オキソブチル  （１，４−チオキサニウム）  パーフルオロオクタンスルホナート、
３,３−ジメチル−２−オキソブチル  （１，４−チオキサニウム）  パーフルオロオクタンスルホナート、
【００５２】
２−シクロヘキシル−２−オキソエチル  （１，４−チオキサニウム）  パーフルオロオクタンスルホナート、
２−シクロペンチル−２−オキソエチル  （１，４−チオキサニウム）  パーフルオロオクタンスルホナート、
２−オキソプロピル  （４−オキソチアシクロヘキサニウム）  パーフルオロオクタンスルホナート、
２−オキソブチル  （４−オキソチアシクロヘキサニウム）  パーフルオロオクタンスルホナート、
２−オキソペンチル  （４−オキソチアシクロヘキサニウム）  パーフルオロオクタンスルホナート、
２−オキソヘキシル  （４−オキソチアシクロヘキサニウム）  パーフルオロオクタンスルホナート、
２−オキソヘプチル  （４−オキソチアシクロヘキサニウム）  パーフルオロオクタンスルホナート、
２−オキソオクチル  （４−オキソチアシクロヘキサニウム）  パーフルオロオクタンスルホナート、
３−メチル−２−オキソブチル  （４−オキソチアシクロヘキサニウム）  パーフルオロオクタンスルホナート、
３,３−ジメチル−２−オキソブチル  （４−オキソチアシクロヘキサニウム）パーフルオロオクタンスルホナート、
【００５３】
２−シクロヘキシル−２−オキソエチル  （４−オキソチアシクロヘキサニウム）  パーフルオロオクタンスルホナート、
２−シクロペンチル−２−オキソエチル  （４−オキソチアシクロヘキサニウム）  パーフルオロオクタンスルホナート、
２−オキソプロピル  （１，４−ジチアニウム）  パーフルオロオクタンスルホナート、
２−オキソブチル  （１，４−ジチアニウム）  パーフルオロオクタンスルホナート、
２−オキソペンチル  （１，４−ジチアニウム）  パーフルオロオクタンスルホナート、
２−オキソヘキシル  （１，４−ジチアニウム）  パーフルオロオクタンスルホナート、
２−オキソヘプチル  （１，４−ジチアニウム）  パーフルオロオクタンスルホナート、
２−オキソオクチル  （１，４−ジチアニウム）  パーフルオロオクタンスルホナート、
３−メチル−２−オキソブチル  （１，４−ジチアニウム）  パーフルオロオクタンスルホナート、
３,３−ジメチル−２−オキソブチル  （１，４−ジチアニウム）  パーフルオロオクタンスルホナート、
【００５４】
２−シクロヘキシル−２−オキソエチル  （１，４−ジチアニウム）  パーフルオロオクタンスルホナート、
２−シクロペンチル−２−オキソエチル  （１，４−ジチアニウム）  パーフルオロオクタンスルホナート、
２−オキソシクロヘキシル  チアシクロペンタニウム  パーフルオロオクタンスルホナート、
ジメチル（２−オキソプロピル）スルホニウム  ブタンスルホナート、
ジメチル（２−オキソブチル）スルホニウム  ブタンスルホナート、
ジメチル（２−オキソペンチル）スルホニウム  ブタンスルホナート、
ジメチル（２−オキソヘキシル）スルホニウム  ブタンスルホナート、
ジメチル（２−オキソヘプチル）スルホニウム  ブタンスルホナート、
ジメチル（２−オキソオクチル）スルホニウム  ブタンスルホナート、
ジメチル（３−メチル−２−オキソブチル）スルホニウム  ブタンスルホナート、
３,３−ジメチル−２−オキソブチル  ジメチルスルホニウム  ブタンスルホナート、
【００５５】
２−シクロヘキシル−２−オキソエチル  ジメチルスルホニウム  ブタンスルホナート、
２−シクロペンチル−２−オキソエチル  ジメチルスルホニウム  ブタンスルホナート、
ジエチル（２−オキソプロピル）スルホニウム  ブタンスルホナート、
ジエチル（２−オキソブチル）スルホニウム  ブタンスルホナート、
ジエチル（２−オキソペンチル）スルホニウム  ブタンスルホナート、
ジエチル（２−オキソヘキシル）スルホニウム  ブタンスルホナート、
ジエチル（２−オキソヘプチル）スルホニウム  ブタンスルホナート、
ジエチル（２−オキソオクチル）スルホニウム  ブタンスルホナート、
ジエチル（３−メチル−２−オキソブチル）スルホニウム  ブタンスルホナート、
３,３−ジメチル−２−オキソブチル  ジエチルスルホニウム  ブタンスルホナート、
【００５６】
２−シクロヘキシル−２−オキソエチル  ジエチルスルホニウム  ブタンスルホナート、
２−シクロペンチル−２−オキソエチル  ジエチルスルホニウム  ブタンスルホナート、
ジブチル（２−オキソプロピル）スルホニウム  ブタンスルホナート、
ジブチル（２−オキソブチル）スルホニウム  ブタンスルホナート、
ジブチル（２−オキソペンチル）スルホニウム  ブタンスルホナート、
ジブチル（２−オキソヘキシル）スルホニウム  ブタンスルホナート、
ジブチル（２−オキソヘプチル）スルホニウム  ブタンスルホナート、
ジブチル（２−オキソオクチル）スルホニウム  ブタンスルホナート、
ジブチル（３−メチル−２−オキソブチル）スルホニウム  ブタンスルホナート、
ジブチル（３,３−ジメチル２−オキソブチル）スルホニウム  ブタンスルホナート、
ジブチル（２−シクロヘキシル−２−オキソエチル）  スルホニウム  ブタンスルホナート、
ジブチル（２−シクロペンチル−２−オキソエチル）  スルホニウム  ブタンスルホナート、
ジイソプロピル（２−オキソプロピル）スルホニウム  ブタンスルホナート、
ジイソプロピル（２−オキソブチル）スルホニウム  ブタンスルホナート、
ジイソプロピル（２−オキソペンチル）スルホニウム  ブタンスルホナート、
ジイソプロピル（２−オキソヘキシル）スルホニウム  ブタンスルホナート、
ジイソプロピル（２−オキソヘプチル）スルホニウム  ブタンスルホナート、
ジイソプロピル（２−オキソオクチル）スルホニウム  ブタンスルホナート、
ジイソプロピル（３−メチル−２−オキソブチル）スルホニウム  ブタンスルホナート、
３,３−ジメチル２−オキソブチル  ジイソプロピル  スルホニウム  ブタンスルホナート、
【００５７】
２−シクロヘキシル−２−オキソエチル  ジイソプロピルスルホニウム  ブタンスルホナート、
２−シクロペンチル−２−オキソエチル  ジイソプロピルスルホニウム  ブタンスルホナート、
ｔｅｒｔ−ブチル  メチル（２−オキソプロピル）スルホニウム  ブタンスルホナート、
ｔｅｒｔ−ブチル  メチル（２−オキソブチル）スルホニウム  ブタンスルホナート、
ｔｅｒｔ−ブチル  メチル（２−オキソペンチル）スルホニウム  ブタンスルホナート、
ｔｅｒｔ−ブチル  メチル（２−オキソヘキシル）スルホニウム  ブタンスルホナート、
ｔｅｒｔ−ブチル  メチル（２−オキソヘプチル）スルホニウム  ブタンスルホナート、
ｔｅｒｔ−ブチル  メチル（２−オキソオクチル）スルホニウム  ブタンスルホナート、
ｔｅｒｔ−ブチル  メチル（３−メチル−２−オキソブチル）スルホニウム  ブタンスルホナート、
ｔｅｒｔ−ブチル  （３,３−ジメチル２−オキソブチル）  メチル  スルホニウム  ブタンスルホナート、
ｔｅｒｔ−ブチル  （２−シクロヘキシル−２−オキソエチル）  メチルスルホニウム  ブタンスルホナート、
ｔｅｒｔ−ブチル  （２−シクロペンチル−２−オキソエチル）  メチルスルホニウム  ブタンスルホナート、
【００５８】
シクロヘキシル  メチル（２−オキソプロピル）スルホニウム  ブタンスルホナート、
シクロヘキシル  メチル（２−オキソブチル）スルホニウム  ブタンスルホナート、
シクロヘキシル  メチル（２−オキソペンチル）スルホニウム  ブタンスルホナート、
シクロヘキシル  メチル（２−オキソヘキシル）スルホニウム  ブタンスルホナート、
シクロヘキシル  メチル（２−オキソヘプチル）スルホニウム  ブタンスルホナート、
シクロヘキシル  メチル（２−オキソオクチル）スルホニウム  ブタンスルホナート、
シクロヘキシル  メチル（３−メチル−２−オキソブチル）スルホニウム  ブタンスルホナート、
シクロヘキシル  （３,３−ジメチル２−オキソブチル）  メチル  スルホニウム  ブタンスルホナート、
シクロヘキシル  （２−シクロヘキシル−２−オキソエチル）  メチルスルホニウム  ブタンスルホナート、
シクロヘキシル  （２−シクロペンチル−２−オキソエチル）  メチルスルホニウム  ブタンスルホナート、
２−オキソプロピル  チアシクロペンタニウム  ブタンスルホナート、
２−オキソブチル  チアシクロペンタニウム  ブタンスルホナート、
２−オキソペンチル  チアシクロペンタニウム  ブタンスルホナート、
２−オキソヘキシル  チアシクロペンタニウム  ブタンスルホナート、
２−オキソヘプチル  チアシクロペンタニウム  ブタンスルホナート、
２−オキソオクチル  チアシクロペンタニウム  ブタンスルホナート、
３−メチル−２−オキソブチル  チアシクロペンタニウム  ブタンスルホナート、
３,３−ジメチル−２−オキソブチル  チアシクロペンタニウム  ブタンスルホナート、
【００５９】
２−シクロヘキシル−２−オキソエチル  チアシクロペンタニウム  ブタンスルホナート、
２−シクロペンチル−２−オキソエチル  チアシクロペンタニウム  ブタンスルホナート、
２−オキソプロピル  チアシクロヘキサニウム  ブタンスルホナート、
２−オキソブチル  チアシクロヘキサニウム  ブタンスルホナート、
２−オキソペンチル  チアシクロヘキサニウム  ブタンスルホナート、
２−オキソヘキシル  チアシクロヘキサニウム  ブタンスルホナート、
２−オキソヘプチル  チアシクロヘキサニウム  ブタンスルホナート、
２−オキソオクチル  チアシクロヘキサニウム  ブタンスルホナート、
３−メチル−２−オキソブチル  チアシクロヘキサニウム  ブタンスルホナート、
３,３−ジメチル−２−オキソブチル  チアシクロヘキサニウム  ブタンスルホナート、
【００６０】
２−シクロヘキシル−２−オキソエチル  チアシクロヘキサニウム  ブタンスルホナート、
２−シクロペンチル−２−オキソエチル  チアシクロヘキサニウム  ブタンスルホナート、
２−オキソプロピル  （１，４−チオキサニウム）  ブタンスルホナート、
２−オキソブチル  （１，４−チオキサニウム）  ブタンスルホナート、
２−オキソペンチル  （１，４−チオキサニウム）  ブタンスルホナート、
２−オキソヘキシル  （１，４−チオキサニウム）  ブタンスルホナート、
２−オキソヘプチル  （１，４−チオキサニウム）  ブタンスルホナート、
２−オキソオクチル  （１，４−チオキサニウム）  ブタンスルホナート、
３−メチル−２−オキソブチル  （１，４−チオキサニウム）  ブタンスルホナート、
３,３−ジメチル−２−オキソブチル  （１，４−チオキサニウム）  ブタンスルホナート、
【００６１】
２−シクロヘキシル−２−オキソエチル  （１，４−チオキサニウム）  ブタンスルホナート、
２−シクロペンチル−２−オキソエチル  （１，４−チオキサニウム）  ブタンスルホナート、
２−オキソプロピル  （４−オキソチアシクロヘキサニウム）  ブタンスルホナート、
２−オキソブチル  （４−オキソチアシクロヘキサニウム）  ブタンスルホナート、
２−オキソペンチル  （４−オキソチアシクロヘキサニウム）  ブタンスルホナート、
２−オキソヘキシル  （４−オキソチアシクロヘキサニウム）  ブタンスルホナート、
２−オキソヘプチル  （４−オキソチアシクロヘキサニウム）  ブタンスルホナート、
２−オキソオクチル  （４−オキソチアシクロヘキサニウム）  ブタンスルホナート、
３−メチル−２−オキソブチル  （４−オキソチアシクロヘキサニウム）  ブタンスルホナート、
３,３−ジメチル−２−オキソブチル  （４−オキソチアシクロヘキサニウム）ブタンスルホナート、
【００６２】
２−シクロヘキシル−２−オキソエチル  （４−オキソチアシクロヘキサニウム）  ブタンスルホナート、
２−シクロペンチル−２−オキソエチル  （４−オキソチアシクロヘキサニウム）  ブタンスルホナート、
２−オキソプロピル  （１，４−ジチアニウム）  ブタンスルホナート、
２−オキソブチル  （１，４−ジチアニウム）  ブタンスルホナート、
２−オキソペンチル  （１，４−ジチアニウム）  ブタンスルホナート、
２−オキソヘキシル  （１，４−ジチアニウム）  ブタンスルホナート、
２−オキソヘプチル  （１，４−ジチアニウム）  ブタンスルホナート、
２−オキソオクチル  （１，４−ジチアニウム）  ブタンスルホナート、
３−メチル−２−オキソブチル  （１，４−ジチアニウム）  ブタンスルホナート、
３,３−ジメチル−２−オキソブチル  （１，４−ジチアニウム）  ブタンスルホナート、
【００６３】
２−シクロヘキシル−２−オキソエチル  （１，４−ジチアニウム）  ブタンスルホナート、
２−シクロペンチル−２−オキソエチル  （１，４−ジチアニウム）  ブタンスルホナート、
２−オキソシクロヘキシル  チアシクロペンタニウム  ブタンスルホナート、
ジメチル（２−オキソプロピル）スルホニウム  ｐ−トルエンスルホナート、
ジメチル（２−オキソブチル）スルホニウム  ｐ−トルエンスルホナート、
ジメチル（２−オキソペンチル）スルホニウム  ｐ−トルエンスルホナート、
ジメチル（２−オキソヘキシル）スルホニウム  ｐ−トルエンスルホナート、
ジメチル（２−オキソヘプチル）スルホニウム  ｐ−トルエンスルホナート、
ジメチル（２−オキソオクチル）スルホニウム  ｐ−トルエンスルホナート、
ジメチル（３−メチル−２−オキソブチル）スルホニウム  ｐ−トルエンスルホナート、
３,３−ジメチル−２−オキソブチル  ジメチルスルホニウム  ｐ−トルエンスルホナート、
【００６４】
２−シクロヘキシル−２−オキソエチル  ジメチルスルホニウム  ｐ−トルエンスルホナート、
２−シクロペンチル−２−オキソエチル  ジメチルスルホニウム  ｐ−トルエンスルホナート、
ジエチル（２−オキソプロピル）スルホニウム  ｐ−トルエンスルホナート、
ジエチル（２−オキソブチル）スルホニウム  ｐ−トルエンスルホナート、
ジエチル（２−オキソペンチル）スルホニウム  ｐ−トルエンスルホナート、
ジエチル（２−オキソヘキシル）スルホニウム  ｐ−トルエンスルホナート、
ジエチル（２−オキソヘプチル）スルホニウム  ｐ−トルエンスルホナート、
ジエチル（２−オキソオクチル）スルホニウム  ｐ−トルエンスルホナート、
ジエチル（３−メチル−２−オキソブチル）スルホニウム  ｐ−トルエンスルホナート、
３,３−ジメチル−２−オキソブチル  ジエチルスルホニウム  ｐ−トルエンスルホナート、
【００６５】
２−シクロヘキシル−２−オキソエチル  ジエチルスルホニウム  ｐ−トルエンスルホナート、
２−シクロペンチル−２−オキソエチル  ジエチルスルホニウム  ｐ−トルエンスルホナート、
ジブチル（２−オキソプロピル）スルホニウム  ｐ−トルエンスルホナート、
ジブチル（２−オキソブチル）スルホニウム  ｐ−トルエンスルホナート、
ジブチル（２−オキソペンチル）スルホニウム  ｐ−トルエンスルホナート、
ジブチル（２−オキソヘキシル）スルホニウム  ｐ−トルエンスルホナート、
ジブチル（２−オキソヘプチル）スルホニウム  ｐ−トルエンスルホナート、
ジブチル（２−オキソオクチル）スルホニウム  ｐ−トルエンスルホナート、
ジブチル（３−メチル−２−オキソブチル）スルホニウム  ｐ−トルエンスルホナート、
ジブチル（３,３−ジメチル２−オキソブチル）スルホニウム  ｐ−トルエンスルホナート、
ジブチル（２−シクロヘキシル−２−オキソエチル）  スルホニウム  ｐ−トルエンスルホナート、
ジブチル（２−シクロペンチル−２−オキソエチル）  スルホニウム  ｐ−トルエンスルホナート、
ジイソプロピル（２−オキソプロピル）スルホニウム  ｐ−トルエンスルホナート、
ジイソプロピル（２−オキソブチル）スルホニウム  ｐ−トルエンスルホナート、
ジイソプロピル（２−オキソペンチル）スルホニウム  ｐ−トルエンスルホナート、
ジイソプロピル（２−オキソヘキシル）スルホニウム  ｐ−トルエンスルホナート、
ジイソプロピル（２−オキソヘプチル）スルホニウム  ｐ−トルエンスルホナート、
ジイソプロピル（２−オキソオクチル）スルホニウム  ｐ−トルエンスルホナート、
ジイソプロピル（３−メチル−２−オキソブチル）スルホニウム  ｐ−トルエンスルホナート、
３,３−ジメチル２−オキソブチル  ジイソプロピル  スルホニウム  ｐ−トルエンスルホナート、
【００６６】
２−シクロヘキシル−２−オキソエチル  ジイソプロピルスルホニウム  ｐ−トルエンスルホナート、
２−シクロペンチル−２−オキソエチル  ジイソプロピルスルホニウム  ｐ−トルエンスルホナート、
ｔｅｒｔ−ブチル  メチル（２−オキソプロピル）スルホニウム  ｐ−トルエンスルホナート、
ｔｅｒｔ−ブチル  メチル（２−オキソブチル）スルホニウム  ｐ−トルエンスルホナート、
ｔｅｒｔ−ブチル  メチル（２−オキソペンチル）スルホニウム  ｐ−トルエンスルホナート、
ｔｅｒｔ−ブチル  メチル（２−オキソヘキシル）スルホニウム  ｐ−トルエンスルホナート、
ｔｅｒｔ−ブチル  メチル（２−オキソヘプチル）スルホニウム  ｐ−トルエンスルホナート、
ｔｅｒｔ−ブチル  メチル（２−オキソオクチル）スルホニウム  ｐ−トルエンスルホナート、
ｔｅｒｔ−ブチル  メチル（３−メチル−２−オキソブチル）スルホニウム  ｐ−トルエンスルホナート、
ｔｅｒｔ−ブチル  （３,３−ジメチル２−オキソブチル）  メチル  スルホニウム  ｐ−トルエンスルホナート、
ｔｅｒｔ−ブチル  （２−シクロヘキシル−２−オキソエチル）  メチルスルホニウム  ｐ−トルエンスルホナート、
ｔｅｒｔ−ブチル  （２−シクロペンチル−２−オキソエチル）  メチルスルホニウム  ｐ−トルエンスルホナート、
【００６７】
シクロヘキシル  メチル（２−オキソプロピル）スルホニウム  ｐ−トルエンスルホナート、
シクロヘキシル  メチル（２−オキソブチル）スルホニウム  ｐ−トルエンスルホナート、
シクロヘキシル  メチル（２−オキソペンチル）スルホニウム  ｐ−トルエンスルホナート、
シクロヘキシル  メチル（２−オキソヘキシル）スルホニウム  ｐ−トルエンスルホナート、
シクロヘキシル  メチル（２−オキソヘプチル）スルホニウム  ｐ−トルエンスルホナート、
シクロヘキシル  メチル（２−オキソオクチル）スルホニウム  ｐ−トルエンスルホナート、
シクロヘキシル  メチル（３−メチル−２−オキソブチル）スルホニウム  ｐ−トルエンスルホナート、
シクロヘキシル  （３,３−ジメチル２−オキソブチル）  メチル  スルホニウム  ｐ−トルエンスルホナート、
シクロヘキシル  （２−シクロヘキシル−２−オキソエチル）  メチルスルホニウム  ｐ−トルエンスルホナート、
シクロヘキシル  （２−シクロペンチル−２−オキソエチル）  メチルスルホニウム  ｐ−トルエンスルホナート、
【００６８】
２−オキソプロピル  チアシクロペンタニウム  ｐ−トルエンスルホナート、
２−オキソブチル  チアシクロペンタニウム  ｐ−トルエンスルホナート、
２−オキソペンチル  チアシクロペンタニウム  ｐ−トルエンスルホナート、
２−オキソヘキシル  チアシクロペンタニウム  ｐ−トルエンスルホナート、
２−オキソヘプチル  チアシクロペンタニウム  ｐ−トルエンスルホナート、
２−オキソオクチル  チアシクロペンタニウム  ｐ−トルエンスルホナート、
３−メチル−２−オキソブチル  チアシクロペンタニウム  ｐ−トルエンスルホナート、
３,３−ジメチル−２−オキソブチル  チアシクロペンタニウム  ｐ−トルエンスルホナート、
２−シクロヘキシル−２−オキソエチル  チアシクロペンタニウム  ｐ−トルエンスルホナート、
２−シクロペンチル−２−オキソエチル  チアシクロペンタニウム  ｐ−トルエンスルホナート、
２−オキソプロピル  チアシクロヘキサニウム  ｐ−トルエンスルホナート、
２−オキソブチル  チアシクロヘキサニウム  ｐ−トルエンスルホナート、
２−オキソペンチル  チアシクロヘキサニウム  ｐ−トルエンスルホナート、
２−オキソヘキシル  チアシクロヘキサニウム  ｐ−トルエンスルホナート、
２−オキソヘプチル  チアシクロヘキサニウム  ｐ−トルエンスルホナート、
２−オキソオクチル  チアシクロヘキサニウム  ｐ−トルエンスルホナート、
３−メチル−２−オキソブチル  チアシクロヘキサニウム  ｐ−トルエンスルホナート、
３,３−ジメチル−２−オキソブチル  チアシクロヘキサニウム  ｐ−トルエンスルホナート、
【００６９】
２−シクロヘキシル−２−オキソエチル  チアシクロヘキサニウム  ｐ−トルエンスルホナート、
２−シクロペンチル−２−オキソエチル  チアシクロヘキサニウム  ｐ−トルエンスルホナート、
２−オキソプロピル  （１，４−チオキサニウム）  ｐ−トルエンスルホナート、
２−オキソブチル  （１，４−チオキサニウム）  ｐ−トルエンスルホナート、
２−オキソペンチル  （１，４−チオキサニウム）  ｐ−トルエンスルホナート、
２−オキソヘキシル  （１，４−チオキサニウム）  ｐ−トルエンスルホナート、
２−オキソヘプチル  （１，４−チオキサニウム）  ｐ−トルエンスルホナート、
２−オキソオクチル  （１，４−チオキサニウム）  ｐ−トルエンスルホナート、
３−メチル−２−オキソブチル  （１，４−チオキサニウム）  ｐ−トルエンスルホナート、
３,３−ジメチル−２−オキソブチル  （１，４−チオキサニウム）  ｐ−トルエンスルホナート、
【００７０】
２−シクロヘキシル−２−オキソエチル  （１，４−チオキサニウム）  ｐ−トルエンスルホナート、
２−シクロペンチル−２−オキソエチル  （１，４−チオキサニウム）  ｐ−トルエンスルホナート、
２−オキソプロピル  （４−オキソチアシクロヘキサニウム）  ｐ−トルエンスルホナート、
２−オキソブチル  （４−オキソチアシクロヘキサニウム）  ｐ−トルエンスルホナート、
２−オキソペンチル  （４−オキソチアシクロヘキサニウム）  ｐ−トルエンスルホナート、
２−オキソヘキシル  （４−オキソチアシクロヘキサニウム）  ｐ−トルエンスルホナート、
２−オキソヘプチル  （４−オキソチアシクロヘキサニウム）  ｐ−トルエンスルホナート、
２−オキソオクチル  （４−オキソチアシクロヘキサニウム）  ｐ−トルエンスルホナート、
３−メチル−２−オキソブチル  （４−オキソチアシクロヘキサニウム）  ｐ−トルエンスルホナート、
３,３−ジメチル−２−オキソブチル  （４−オキソチアシクロヘキサニウム）ｐ−トルエンスルホナート、
【００７１】
２−シクロヘキシル−２−オキソエチル  （４−オキソチアシクロヘキサニウム）  ｐ−トルエンスルホナート、
２−シクロペンチル−２−オキソエチル  （４−オキソチアシクロヘキサニウム）  ｐ−トルエンスルホナート、
２−オキソプロピル  （１，４−ジチアニウム）  ｐ−トルエンスルホナート、
２−オキソブチル  （１，４−ジチアニウム）  ｐ−トルエンスルホナート、
２−オキソペンチル  （１，４−ジチアニウム）  ｐ−トルエンスルホナート、
２−オキソヘキシル  （１，４−ジチアニウム）  ｐ−トルエンスルホナート、
２−オキソヘプチル  （１，４−ジチアニウム）  ｐ−トルエンスルホナート、
２−オキソオクチル  （１，４−ジチアニウム）  ｐ−トルエンスルホナート、
３−メチル−２−オキソブチル  （１，４−ジチアニウム）  ｐ−トルエンスルホナート、
３,３−ジメチル−２−オキソブチル  （１，４−ジチアニウム）  ｐ−トルエンスルホナート、
２−シクロヘキシル−２−オキソエチル  （１，４−ジチアニウム）  ｐ−トルエンスルホナート、
２−シクロペンチル−２−オキソエチル  （１，４−ジチアニウム）  ｐ−トルエンスルホナート、
２−オキソシクロヘキシル  チアシクロペンタニウム  ｐ−トルエンスルホナート、
【００７２】
ジメチル（２−オキソプロピル）スルホニウム  カンファースルホナート、
ジメチル（２−オキソブチル）スルホニウム  カンファースルホナート、
ジメチル（２−オキソペンチル）スルホニウム  カンファースルホナート、
ジメチル（２−オキソヘキシル）スルホニウム  カンファースルホナート、
ジメチル（２−オキソヘプチル）スルホニウム  カンファースルホナート、
ジメチル（２−オキソオクチル）スルホニウム  カンファースルホナート、
ジメチル（３−メチル−２−オキソブチル）スルホニウム  カンファースルホナート、
３,３−ジメチル−２−オキソブチル  ジメチルスルホニウム  カンファースルホナート、
２−シクロヘキシル−２−オキソエチル  ジメチルスルホニウム  カンファースルホナート、
２−シクロペンチル−２−オキソエチル  ジメチルスルホニウム  カンファースルホナート、
ジエチル（２−オキソプロピル）スルホニウム  カンファースルホナート、
ジエチル（２−オキソブチル）スルホニウム  カンファースルホナート、
ジエチル（２−オキソペンチル）スルホニウム  カンファースルホナート、
ジエチル（２−オキソヘキシル）スルホニウム  カンファースルホナート、
ジエチル（２−オキソヘプチル）スルホニウム  カンファースルホナート、
ジエチル（２−オキソオクチル）スルホニウム  カンファースルホナート、
ジエチル（３−メチル−２−オキソブチル）スルホニウム  カンファースルホナート、
【００７３】
３,３−ジメチル−２−オキソブチル  ジエチルスルホニウム  カンファースルホナート、
２−シクロヘキシル−２−オキソエチル  ジエチルスルホニウム  カンファースルホナート、
２−シクロペンチル−２−オキソエチル  ジエチルスルホニウム  カンファースルホナート、
ジブチル（２−オキソプロピル）スルホニウム  カンファースルホナート、
ジブチル（２−オキソブチル）スルホニウム  カンファースルホナート、
ジブチル（２−オキソペンチル）スルホニウム  カンファースルホナート、
ジブチル（２−オキソヘキシル）スルホニウム  カンファースルホナート、
ジブチル（２−オキソヘプチル）スルホニウム  カンファースルホナート、
ジブチル（２−オキソオクチル）スルホニウム  カンファースルホナート、
ジブチル（３−メチル−２−オキソブチル）スルホニウム  カンファースルホナート、
ジブチル（３,３−ジメチル２−オキソブチル）スルホニウム  カンファースルホナート、
ジブチル（２−シクロヘキシル−２−オキソエチル）  スルホニウム  カンファースルホナート、
ジブチル（２−シクロペンチル−２−オキソエチル）  スルホニウム  カンファースルホナート、
【００７４】
ジイソプロピル（２−オキソプロピル）スルホニウム  カンファースルホナート、
ジイソプロピル（２−オキソブチル）スルホニウム  カンファースルホナート、
ジイソプロピル（２−オキソペンチル）スルホニウム  カンファースルホナート、
ジイソプロピル（２−オキソヘキシル）スルホニウム  カンファースルホナート、
ジイソプロピル（２−オキソヘプチル）スルホニウム  カンファースルホナート、
ジイソプロピル（２−オキソオクチル）スルホニウム  カンファースルホナート、
ジイソプロピル（３−メチル−２−オキソブチル）スルホニウム  カンファースルホナート、
３,３−ジメチル２−オキソブチル  ジイソプロピル  スルホニウム  カンファースルホナート、
２−シクロヘキシル−２−オキソエチル  ジイソプロピルスルホニウム  カンファースルホナート、
２−シクロペンチル−２−オキソエチル  ジイソプロピルスルホニウム  カンファースルホナート、
【００７５】
ｔｅｒｔ−ブチル  メチル（２−オキソプロピル）スルホニウム  カンファースルホナート、
ｔｅｒｔ−ブチル  メチル（２−オキソブチル）スルホニウム  カンファースルホナート、
ｔｅｒｔ−ブチル  メチル（２−オキソペンチル）スルホニウム  カンファースルホナート、
ｔｅｒｔ−ブチル  メチル（２−オキソヘキシル）スルホニウム  カンファースルホナート、
ｔｅｒｔ−ブチル  メチル（２−オキソヘプチル）スルホニウム  カンファースルホナート、
ｔｅｒｔ−ブチル  メチル（２−オキソオクチル）スルホニウム  カンファースルホナート、
ｔｅｒｔ−ブチル  メチル（３−メチル−２−オキソブチル）スルホニウム  カンファースルホナート、
ｔｅｒｔ−ブチル  （３,３−ジメチル２−オキソブチル）  メチル  スルホニウム  カンファースルホナート、
ｔｅｒｔ−ブチル  （２−シクロヘキシル−２−オキソエチル）  メチルスルホニウム  カンファースルホナート、
ｔｅｒｔ−ブチル  （２−シクロペンチル−２−オキソエチル）  メチルスルホニウム  カンファースルホナート、
シクロヘキシル  メチル（２−オキソプロピル）スルホニウム  カンファースルホナート、
【００７６】
シクロヘキシル  メチル（２−オキソブチル）スルホニウム  カンファースルホナート、
シクロヘキシル  メチル（２−オキソペンチル）スルホニウム  カンファースルホナート、
シクロヘキシル  メチル（２−オキソヘキシル）スルホニウム  カンファースルホナート、
シクロヘキシル  メチル（２−オキソヘプチル）スルホニウム  カンファースルホナート、
シクロヘキシル  メチル（２−オキソオクチル）スルホニウム  カンファースルホナート、
シクロヘキシル  メチル（３−メチル−２−オキソブチル）スルホニウム  カンファースルホナート、
シクロヘキシル  （３,３−ジメチル２−オキソブチル）  メチル  スルホニウム  カンファースルホナート、
シクロヘキシル  （２−シクロヘキシル−２−オキソエチル）  メチルスルホニウム  カンファースルホナート、
シクロヘキシル  （２−シクロペンチル−２−オキソエチル）  メチルスルホニウム  カンファースルホナート、
２−オキソプロピル  チアシクロペンタニウム  カンファースルホナート、
２−オキソブチル  チアシクロペンタニウム  カンファースルホナート、
２−オキソペンチル  チアシクロペンタニウム  カンファースルホナート、
２−オキソヘキシル  チアシクロペンタニウム  カンファースルホナート、
２−オキソヘプチル  チアシクロペンタニウム  カンファースルホナート、
２−オキソオクチル  チアシクロペンタニウム  カンファースルホナート、
３−メチル−２−オキソブチル  チアシクロペンタニウム  カンファースルホナート、
３,３−ジメチル−２−オキソブチル  チアシクロペンタニウム  カンファースルホナート、
【００７７】
２−シクロヘキシル−２−オキソエチル  チアシクロペンタニウム  カンファースルホナート、
２−シクロペンチル−２−オキソエチル  チアシクロペンタニウム  カンファースルホナート、
２−オキソプロピル  チアシクロヘキサニウム  カンファースルホナート、
２−オキソブチル  チアシクロヘキサニウム  カンファースルホナート、
２−オキソペンチル  チアシクロヘキサニウム  カンファースルホナート、
２−オキソヘキシル  チアシクロヘキサニウム  カンファースルホナート、
２−オキソヘプチル  チアシクロヘキサニウム  カンファースルホナート、
２−オキソオクチル  チアシクロヘキサニウム  カンファースルホナート、
３−メチル−２−オキソブチル  チアシクロヘキサニウム  カンファースルホナート、
３,３−ジメチル−２−オキソブチル  チアシクロヘキサニウム  カンファースルホナート、
【００７８】
２−シクロヘキシル−２−オキソエチル  チアシクロヘキサニウム  カンファースルホナート、
２−シクロペンチル−２−オキソエチル  チアシクロヘキサニウム  カンファースルホナート、
２−オキソプロピル  （１，４−チオキサニウム）  カンファースルホナート、
２−オキソブチル  （１，４−チオキサニウム）  カンファースルホナート、
２−オキソペンチル  （１，４−チオキサニウム）  カンファースルホナート、
２−オキソヘキシル  （１，４−チオキサニウム）  カンファースルホナート、
２−オキソヘプチル  （１，４−チオキサニウム）  カンファースルホナート、
２−オキソオクチル  （１，４−チオキサニウム）  カンファースルホナート、
３−メチル−２−オキソブチル  （１，４−チオキサニウム）  カンファースルホナート、
３,３−ジメチル−２−オキソブチル  （１，４−チオキサニウム）  カンファースルホナート、
【００７９】
２−シクロヘキシル−２−オキソエチル  （１，４−チオキサニウム）  カンファースルホナート、
２−シクロペンチル−２−オキソエチル  （１，４−チオキサニウム）  カンファースルホナート、
２−オキソプロピル  （４−オキソチアシクロヘキサニウム）  カンファースルホナート、
２−オキソブチル  （４−オキソチアシクロヘキサニウム）  カンファースルホナート、
２−オキソペンチル  （４−オキソチアシクロヘキサニウム）  カンファースルホナート、
２−オキソヘキシル  （４−オキソチアシクロヘキサニウム）  カンファースルホナート、
２−オキソヘプチル  （４−オキソチアシクロヘキサニウム）  カンファースルホナート、
２−オキソオクチル  （４−オキソチアシクロヘキサニウム）  カンファースルホナート、
３−メチル−２−オキソブチル  （４−オキソチアシクロヘキサニウム）  カンファースルホナート、
３,３−ジメチル−２−オキソブチル  （４−オキソチアシクロヘキサニウム）カンファースルホナート、
【００８０】
２−シクロヘキシル−２−オキソエチル  （４−オキソチアシクロヘキサニウム）  カンファースルホナート、
２−シクロペンチル−２−オキソエチル  （４−オキソチアシクロヘキサニウム）  カンファースルホナート、
２−オキソプロピル  （１，４−ジチアニウム）  カンファースルホナート、
２−オキソブチル  （１，４−ジチアニウム）  カンファースルホナート、
２−オキソペンチル  （１，４−ジチアニウム）  カンファースルホナート、
２−オキソヘキシル  （１，４−ジチアニウム）  カンファースルホナート、
２−オキソヘプチル  （１，４−ジチアニウム）  カンファースルホナート、
２−オキソオクチル  （１，４−ジチアニウム）  カンファースルホナート、
３−メチル−２−オキソブチル  （１，４−ジチアニウム）  カンファースルホナート、
３,３−ジメチル−２−オキソブチル  （１，４−ジチアニウム）  カンファースルホナート、
２−シクロヘキシル−２−オキソエチル  （１，４−ジチアニウム）  カンファースルホナート、
２−シクロペンチル−２−オキソエチル  （１，４−ジチアニウム）  カンファースルホナート
２−オキソシクロヘキシル  チアシクロペンタニウム  カンファースルホナートなど。
【００８１】
式（Ｉ）又は式（Ｉ’）で示されるスルホニウム塩は、レジスト組成物に添加することにより、ラインエッジラフネスが向上するという効果を有する。
本発明におけるレジスト組成物では、酸発生剤として、かかる式（Ｉ）で示されるスルホニウム塩及び式（Ｉ’）で示されるスルホニウム塩から選ばれるスルホニウム塩とともに、式（IIa）で示されるトリフェニルスルホニウム塩及び（IIb）で示されるジフェニルヨードニウム塩から選ばれる少なくとも１種のオニウム塩が用いられる。かかるオニウム塩系酸発生剤を併用することにより、式（Ｉ）又は式（Ｉ’）のスルホニウム塩系酸発生剤を単独で用いた場合に比べ、感度と解像度をより向上することができる。また、式（IIa）及び（IIb）から選ばれる少なくとも１種のオニウム塩系酸発生剤を単独で用いた場合に比べ、式（Ｉ）又は式（Ｉ’）で示されるスルホニウム塩を併用することにより、ラインエッジラフネスをより向上することができる。
【００８２】
次に、本発明において必須の成分となるトリフェニルスルホニウム塩及びジフェニルヨードニウム塩から選ばれる少なくとも１種のオニウム塩を表す式（IIa）及び（IIb）において、Ｐ1、Ｐ2、Ｐ3、Ｐ4及びＰ5はそれぞれ、互いに独立に水素、水酸基、炭素数１〜６のアルキル基又は炭素数１〜６のアルコキシ基を表し、アルキル基及びアルコキシ基は、炭素数３以上の場合は直鎖でも分岐していてもよい。
具体的なアルキル基の例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基などが挙げられ、アルコキシ基の例としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基などが挙げられる。
また式（IIa）及び（IIb）において、陰イオンを構成するＰ6ＳＯ3-、Ｐ7ＳＯ3-は、有機スルホナートイオンを表す。ここで、Ｐ6、Ｐ7は、それぞれ独立に、炭素数１〜１２程度の有機基であれば良く、例えば炭素数１〜８のパーフルオロアルキル基、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数６〜１２の芳香族基、カンファー基であることができる。炭素数１〜８のパーフルオロアルキル基、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数６〜１２の芳香族基等の具体例としては、前記したものと同様のものが挙げられる。
【００８３】
式（IIa）で示されるトリフェニルスルホニウム塩、式（IIb）で示されるジフェニルヨードニウム塩は、市販品があれば、それをそのまま用いることができるほか、常法に従って製造することも可能である。トリフェニルスルホニウム塩（IIa）の製法としては、例えば、相当するトリフェニルスルホニウムブロマイドを目的とする化合物の陰イオンと同じスルホン酸の銀塩と反応させる方法や、 Chem. Pharm. Bull., Vol.29, 3753 (1981) の記載に準じて、相当するジフェニルスルホキシドとベンゼン系化合物とパーフルオロアルカンスルホン酸とを、トリフルオロ酢酸無水物の存在下で反応させる方法、特開平 8-311018 号公報の記載に準じて、相当するアリールグリニヤ試薬を塩化チオニルと反応させ、次いでトリオルガノシリルハライドと反応させてトリアリールスルホニウムハライドとした後、目的とする化合物の陰イオンと同じスルホン酸の銀塩と反応させる方法などにより製造できる。また、式（IIa）中のＰ1、Ｐ2及び／又はＰ3が水酸基である化合物は、上記特開平 8-311018 号公報の記載に準じて、ベンゼン環上にtert−ブトキシ基を有するトリフェニルスルホニウム塩を、その化合物の陰イオンと同じスルホン酸で処理してtert−ブチル基を脱離させることにより製造できる。
【００８４】
また、ジフェニルヨードニウム塩（IIb）の製法としては、例えば、J. Am. Chem. Soc., vol.81, 342 (1959) の記載に準じて、ヨージル硫酸と相当するアリール化合物を反応させた後、目的とする化合物の陰イオンと同じスルホン酸を加える方法や、無水酢酸と発煙硝酸の混合液中にヨウ素とトリフルオロ酢酸を加えて得られる反応生成物と相当するアリール化合物を反応させた後目的とする化合物の陰イオンと同じスルホン酸酸を加える方法、特開平9-179302号公報の記載に準じて、相当するアリール化合物と無水酢酸、ヨウ素酸カリウムの混合物に濃硫酸を滴下して反応させた後、目的とする化合物の陰イオンと同じスルホン酸を加える方法などにより製造できる。
【００８５】
式（IIa）、（IIb）に相当するトリフェニルスルホニウム塩、ジフェニルヨードニウム塩の具体例としては、次のような化合物を挙げることができる。
【００８６】
トリフェニルスルホニウム  メタンスルホナート、
トリフェニルスルホニウム  エタンスルホナート、
トリフェニルスルホニウム  ブタンスルホナート、
トリフェニルスルホニウム  パーフルオロブタンスルホナート、
トリフェニルスルホニウム  ｐ−トルエンスルホナート、
トリフェニルスルホニウム  カンファースルホナート、
４−メチルフェニルジフェニルスルホニウム  メタンスルホナート、
４−メチルフェニルジフェニルスルホニウム  エタンスルホナート、
４−メチルフェニルジフェニルスルホニウム  ブタンスルホナート、
４−メチルフェニルジフェニルスルホニウム  ベンゼンスルホナート、
４−メチルフェニルジフェニルスルホニウム  ｐ−トルエンスルホナート、
４−メチルフェニルジフェニルスルホニウム  カンファースルホナート、
４−メチルフェニルジフェニルスルホニウム  パーフルオロオクタンスルホナート、
４−ヒドロキシフェニルジフェニルスルホニウム  パーフルオロブタンスルホナート、
４−メトキシフェニルジフェニルスルホニウム  パーフルオロブタンスルホナート、
トリス（４−メチルフェニル）スルホニウム  パーフルオロブタンスルホナート、
トリス（４−メトキシフェニル）スルホニウム  パーフルオロブタンスルホナート、
４−メチルフェニルジフェニルスルホニウム  パーフルオロオクタンスルホナート、
４−ヒドロキシフェニルジフェニルスルホニウム  パーフルオロオクタンスルホナート、
４−メトキシフェニルジフェニルスルホニウム  パーフルオロオクタンスルホナート、
トリス（４−メチルフェニル）スルホニウム  パーフルオロオクタンスルホナート、
トリス（４−メトキシフェニル）スルホニウム  パーフルオロオクタンスルホナート、
【００８７】
ジフェニルヨードニウム  パーフルオロブタンスルホナート、
ジ（４−メトキシフェニル）ヨードニウム  パーフルオロオクタンスルホナート、
ジ（４−tert−ブチルフェニル）ヨードニウム  パーフルオロオクタンスルホナート、
ジ（４−tert−ブチルフェニル）ヨードニウム  メタンスルホナート、
ジ（４−tert−ブチルフェニル）ヨードニウム  エタンスルホナート、
ジ（４−tert−ブチルフェニル）ヨードニウム  ブタンスルホナート、
ジ（４−tert−ブチルフェニル）ヨードニウム  ベンゼンスルホナート、
ジ（４−tert−ブチルフェニル）ヨードニウム  ｐ−トルエンスルホナート、
ジ（４−tert−ブチルフェニル）ヨードニウム  カンファースルホナート、
など。
【００８８】
次に、本発明のレジスト組成物を構成する樹脂成分について説明する。この樹脂は、酸に不安定な基を持つ重合単位を有する。化学増幅型ポジ型レジスト用の樹脂は、それ自体ではアルカリに不溶又は難溶であるが、酸の作用により一部の基が解裂し、解裂後はアルカリ可溶性となるものである。本発明における酸に不安定な基も、このように従来から知られている各種のものであることができる。
酸に不安定な基として具体的には、カルボン酸の各種エステル、例えば、メチルエステル及びtert−ブチルエステルに代表されるアルキルエステル、メトキシメチルエステル、エトキシメチルエステル、１−エトキシエチルエステル、１−イソブトキシエチルエステル、１−イソプロポキシエチルエステル、１−エトキシプロピルエステル、１−（２−メトキシエトキシ）エチルエステル、１−（２−アセトキシエトキシ）エチルエステル、１−〔２−（１−アダマンチルオキシ）エトキシ〕エチルエステル、１−〔２−（１−アダマンタンカルボニルオキシ）エトキシ〕エチルエステル、テトラヒドロ−２−フリルエステル及びテトラヒドロ−２−ピラニルエステルのようなアセタール型エステル、イソボルニルエステル及び２−アルキル−２−アダマンチルエステル、１−（１−アダマンチル）−１−アルキルアルキルエステルのような脂環式エステルなどが挙げられる。このようなカルボン酸エステルを有する重合単位へ導くモノマーは、メタクリル酸エステルやアクリル酸エステルのような（メタ）アクリル系のものでもよいし、ノルボルネンカルボン酸エステル、トリシクロデセンカルボン酸エステル、テトラシクロデセンカルボン酸エステルのように、カルボン酸エステル基が脂環式モノマーに結合したものでもよい。
【００８９】
このようなモノマーのうち、酸の作用により解裂する基として例えば２−アルキル−２−アダマンチル、１−（１−アダマンチル）−１−アルキルアルキルのような脂環族を含む嵩高い基を有するものを使用すると解像度が優れるので好ましい。このような嵩高い基を含むモノマーとしては、（メタ）アクリル酸２−アルキル−２−アダマンチル、（メタ）アクリル酸１−（１−アダマンチル）−１−アルキルアルキル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸２−アルキル−２−アダマンチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸１−（１−アダマンチル）−１−アルキルアルキルなどが挙げられる。とりわけ（メタ）アクリル酸２−アルキル−２−アダマンチルをモノマーとして用いた場合は、解像度が優れるので好ましい。このような（メタ）アクリル酸２−アルキル−２−アダマンチルの代表例としては、例えばアクリル酸２−メチル−２−アダマンチル、メタクリル酸２−メチル−２−アダマンチル、アクリル酸２−エチル−２−アダマンチル、メタクリル酸２−エチル−２−アダマンチル、アクリル酸２−ｎ−ブチル−２−アダマンチルなどが挙げられる。これらの中では、特に（メタ）アクリル酸２−エチル−２−アダマンチルを用いた場合、感度、耐熱性のバランスが良いので好ましい。もちろん必要に応じて、酸の作用により解裂する基を持つ他のモノマーを併用してもよい。
【００９０】
（メタ）アクリル酸２−アルキル−２−アダマンチルは通常、２−アルキル−２−アダマンタノール又はその金属塩とアクリル酸ハライド又はメタクリル酸ハライドとの反応により製造できる。
【００９１】
本発明における樹脂は、上記のような酸に不安定な基を有する重合単位の他に、酸の作用により解裂しないか又は解裂しにくい他の重合単位を含有することも、もちろん可能である。含有しうる他の重合単位としては、例えば、アクリル酸やメタクリル酸のような遊離のカルボン酸基を有するモノマーの重合単位、無水マレイン酸や無水イタコン酸のような脂肪族不飽和ジカルボン酸無水物の重合単位、２−ノルボルネンの重合単位、（メタ）アクリロニトリルの重合単位、各種（メタ）アクリル酸エステル類の重合単位などを挙げることができる。ＡｒＦ露光の場合は光吸収が大きくて好ましくはないが、ＫｒＦ露光の場合は光吸収の問題が無いので、ヒドロキシスチレンの重合単位を用いることができる。
【００９２】
特に、ｐ−ヒドロキシスチレンの重合単位、ｍ−ヒドロキシスチレンの重合単位、（メタ）アクリル酸３−ヒドロキシ−１−アダマンチルの重合単位、（メタ）アクリル酸３、５−ジヒドロキシ−１−アダマンチルの重合単位、ラクトン環がアルキルで置換されていてもよい（メタ）アクリロイロキシ−γ−ブチロラクトンの重合単位、下式（IIIa）、（IIIｂ） で示される脂環式ラクトンの重合単位などを共重合させることはレジストの基板への接着性の点で好ましい。
【００９３】
0004529316.tif 000010
【００９４】
（式中 、Ｒ1、Ｒ2は互いに独立に水素、メチル又はトリフルオロメチルを表し、ｎは１〜３の数を表す。）
【００９５】
（メタ）アクリル酸３−ヒドロキシ−１−アダマンチル、（メタ）アクリル酸３、５−ジヒドロキシ−１−アダマンチルは市販されているが、例えば対応するヒドロキシアダマンタンを（メタ）アクリル酸又はそのハライドと反応させることにより、製造することもできる。また、（メタ）アクリロイロキシ−γ−ブチロラクトンは、ラクトン環がアルキルで置換されていてもよいα−若しくはβ−ブロモ−γ−ブチロラクトンにアクリル酸若しくはメタクリル酸を反応させるか、又はラクトン環がアルキルで置換されていてもよいα−若しくはβ−ヒドロキシ−γ−ブチロラクトンにアクリル酸ハライド若しくはメタクリル酸ハライドを反応させることにより製造できる。式（ＩＩＩa）、（ＩＩＩb）で示される脂環式ラクトンの重合単位に導くためのモノマーは、具体的には例えば、次のような水酸基を有する脂環式ラクトンの(メタ)アクリル酸エステル、それらの混合物等が挙げられる。これらのエステルは、例えば対応する水酸基を有する脂環式ラクトンと(メタ)アクリル酸類との反応により製造し得る（例えば特開2000-26446号公報）。
【００９６】
0004529316.tif 000011
【００９７】
（メタ）アクリル酸３−ヒドロキシ−１−アダマンチル、（メタ）アクリル酸３、５−ジヒドロキシ−１−アダマンチルの重合単位、α−（メタ）アクリロイロキシ−γ−ブチロラクトンの重合単位、β−（メタ）アクリロイロキシ−γ−ブチロラクトンの重合単位、式（ＩＩＩa）、（ＩＩＩb）で示される脂環式ラクトンの重合単位は、いずれも極性が高く、それらのいずれかを樹脂中に存在させることにより、それを含むレジストの基板への接着性が向上する。これらの重合単位はまたレジストの解像性の向上にも寄与する。
【００９８】
ここで、（メタ）アクリロイロキシ−γ−ブチロラクトンの重合単位に導くためのモノマーとしては、例えば、α−アクリロイロキシ−γ−ブチロラクトン、α−メタクリロイロキシ−γ−ブチロラクトン、α−アクリロイロキシ−β，β−ジメチル−γ−ブチロラクトン、α−メタクリロイロキシ−β，β−ジメチル−γ−ブチロラクトン、α−アクリロイロキシ−α−メチル−γ−ブチロラクトン、α−メタクリロイロキシ−α−メチル−γ−ブチロラクトン、β−アクリロイロキシ−γ−ブチロラクトン、β−メタクリロイロキシ−γ−ブチロラクトン、β−メタクリロイロキシ−α−メチル−γ−ブチロラクトンなどが挙げられる。
【００９９】
ＫｒＦエキシマレーザー露光の場合は、樹脂の重合単位として、ヒドロキシスチレンの重合単位を用いても充分な透過率を得ることができる。具体的には、以下に示されるようなｐ−またはｍ−ヒドロキシスチレン共重合樹脂が挙げられる。このような共重合樹脂を得る場合は、該当する（メタ）アクリル酸エステルモノマーとアセトキシスチレン、及びスチレンをラジカル重合した後、酸によって脱アセチルすることによって得ることができる。
【０１００】
0004529316.tif 000012
【０１０１】
0004529316.tif 000013
【０１０２】
0004529316.tif 000014
【０１０３】
これらの場合、酸に不安定な基としては、２−アルキル−２−アダマンチル、１−（１−アダマンチル）−１−アルキルアルキルを用いるほうが、ドライエッチング耐性の面で有利である。
【０１０４】
また２−ノルボルネンの重合単位を含む樹脂は、その主鎖に直接脂環基を有するために頑丈な構造となり、ドライエッチング耐性に優れるという特性を示す。２−ノルボルネンの重合単位は、例えば対応する２−ノルボルネンの他に無水マレイン酸や無水イタコン酸のような脂肪族不飽和ジカルボン酸無水物を併用したラジカル重合により主鎖へ導入し得る。したがって、２−ノルボルネンの重合単位は、その二重結合が開いて形成されるものであり式（IV）で表すことができる。また脂肪族不飽和ジカルボン酸無水物の重合単位である無水マレイン酸の重合単位、無水イタコン酸の重合単位は、それらの二重結合が開いて形成されるものであり、それぞれ式(V)及び(VI)で表すことができる。
【０１０５】
0004529316.tif 000015
【０１０６】
ここで、式（IV）中のＲ3及びＲ4は互いに独立に、水素、炭素数１〜３のアルキル、炭素数１〜３のヒドロキシアルキル、カルボキシル、シアノ若しくは基−ＣＯＯＺ（Ｚはアルコール残基である）を表すか、又はＲ3とＲ4が一緒になって、-C(=O)OC(=O)- で示されるカルボン酸無水物残基を形成することもできる。Ｒ3及び／又はＲ4がアルキルである場合の具体例としては、メチル、エチル、プロピルなどが挙げられ、同じくヒドロキシアルキルである場合の具体例としては、ヒドロキシメチル、２−ヒドロキシエチルなどが挙げられる。Ｒ3及び／又はＲ4が基−ＣＯＯＺである場合は、カルボキシルがエステルとなったものであり、Ｚに相当するアルコール残基としては、例えば、置換されていてもよい炭素数１〜８程度のアルキル、２−オキソオキソラン−３−又は−４−イルなどを挙げることができ、ここにアルキルの置換基としては、水酸基や脂環式炭化水素残基などが挙げられる。そこで、Ｒ3及び／又はＲ4が−ＣＯＯＺで示されるカルボン酸エステル残基である場合の具体例としては、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、２−ヒドロキシエトキシカルボニル、tert−ブトキシカルボニル、２−オキソオキソラン−３−イルオキシカルボニル、２−オキソオキソラン−４−イルオキシカルボニル、１，１，２−トリメチルプロポキシカルボニル、１−シクロヘキシル−１−メチルエトキシカルボニル、１−（４−メチルシクロヘキシル）−１−メチルエトキシカルボニル、１−（１−アダマンチル）−１−メチルエトキシカルボニルなどが挙げられる。
【０１０７】
また式（IV）で示される２−ノルボルネンの重合単位に導くためのモノマーとして、具体的には例えば、次のような化合物を挙げることができる。
【０１０８】
２−ノルボルネン
２−ヒドロキシ−５−ノルボルネン
５−ノルボルネン−２−カルボン酸
５−ノルボルネン−２−カルボン酸メチル
５−ノルボルネン−２−カルボン酸−ｔ−ブチル
５−ノルボルネン−２−カルボン酸１−シクロヘキシル−１−メチルエチル、
５−ノルボルネン−２−カルボン酸１−（４−メチルシクロヘキシル）−１−メチルエチル、
５−ノルボルネン−２−カルボン酸１−（４−ヒドロキシシクロヘキシル）−１−メチルエチル、
５−ノルボルネン−２−カルボン酸１−メチル−１−（４−オキソシクロヘキシル）エチル、
５−ノルボルネン−２−カルボン酸１−（１−アダマンチル）−１−メチルエチル、
５−ノルボルネン−２−カルボン酸１−メチルシクロヘキシル、
５−ノルボルネン−２−カルボン酸２−メチル−２−アダマンチル、
５−ノルボルネン−２−カルボン酸２−エチル−２−アダマンチル
５−ノルボルネン−２−カルボン酸２−ヒドロキシ−１−エチル、
５−ノルボルネン−２−メタノール、
５−ノルボルネン−２，３−ジカルボン酸無水物など。
【０１０９】
本発明で用いる樹脂は、パターニング露光用の放射線の種類や酸に不安定な基の種類などによっても変動するが、一般には、酸に不安定な基を持つ重合単位を１０〜８０モル％の範囲で含有するのが好ましい。そして、酸に不安定な基として特に、（メタ）アクリル酸２−アルキル−２−アダマンチル、（メタ）アクリル酸１−（１−アダマンチル）−１−アルキルアルキルの重合単位を用いる場合は、この単位が樹脂全体のうち１５モル％以上となるようにするのが有利である。また、酸に不安定な基を持つ重合単位に加えて、酸の作用で解裂しにくい他の重合単位、例えば、（メタ）アクリル酸３−ヒドロキシ−１−アダマンチルの重合単位、（メタ）アクリル酸３、５−ジヒドロキシ−１−アダマンチル、α−（メタ）アクリロイロキシ−γ−ブチロラクトンの重合単位、β−（メタ）アクリロイロキシ−γ−ブチロラクトンの重合単位、式（IIIａ）、（IIIｂ）で示される脂環式ラクトンの重合単位、ヒドロキシスチレンの重合単位、式（ＩV）で示される２−ノルボルネンの重合単位、脂肪族不飽和ジカルボン酸無水物の重合単位である式（V）で示される無水マレイン酸の重合単位、式（VI）で示される無水イタコン酸の重合単位などを存在させる場合は、それらの合計が、樹脂全体のうち２０〜９０モル％の範囲となるようにするのが好ましい。
【０１１０】
尚、２−ノルボルネン類及び脂肪族不飽和ジカルボン酸無水物を共重合モノマーとする場合には、これらは重合しにくい傾向があるので、この点を考慮し、これらは過剰に使用することが好ましい。
【０１１１】
また、本発明の化学増幅型のポジ型レジスト組成物においては、塩基性化合物、特に塩基性含窒素有機化合物、例えばアミン類を、クェンチャーとして添加することにより、露光後の引き置きに伴う酸の失活による性能劣化を改良できる。クェンチャーに用いられる塩基性化合物の具体的な例としては、以下の各式で示されるようなものが挙げられる。
【０１１２】
0004529316.tif 000016
【０１１３】
0004529316.tif 000017
【０１１４】
式中、Ｒ11、Ｒ12及びＲ17は、それぞれ独立に、水素、アルキル、シクロアルキル又はアリールを表す。該アルキル、シクロアルキル又はアリールは、それぞれ独立に、水酸基、アミノ基、又は炭素数１〜６のアルコキシ基で置換されていてもよい。該アミノ基は、炭素数１〜４のアルキル基で置換されていてもよい。また、該アルキルは、炭素数１〜６程度が好ましく、該シクロアルキルは、炭素数５〜１０程度が好ましく、該アリールは、炭素数６〜１０程度が好ましい。
Ｒ13、Ｒ14及びＲ15は、それぞれ独立に、水素、アルキル、シクロアルキル、アリール又はアルコキシを表す。該アルキル、シクロアルキル、アリール、又はアルコキシは、それぞれ独立に、水酸基、アミノ基、又は炭素数１〜６のアルコキシ基、で置換されていてもよい。該アミノ基は、炭素数１〜４のアルキル基で置換されていてもよい。また、該アルキルは、炭素数１〜６程度が好ましく、該シクロアルキルは、炭素数５〜１０程度が好ましく、該アリールは、炭素数６〜１０程度が好ましく、該アルコキシは、炭素数１〜６程度が好ましい。
Ｒ16は、アルキル又はシクロアルキルを表す。該アルキル又はシクロアルキルは、それぞれ独立に、水酸基、アミノ基、炭素数１〜６のアルコキシ基、で置換されていてもよい。該アミノ基は、炭素数１〜４のアルキル基で置換されていてもよい。また、該アルキルは、炭素数１〜６程度が好ましく、該シクロアルキルは、炭素数５〜１０程度が好ましい。
Ａは、アルキレン、カルボニル、イミノ、スルフィド又はジスルフィドを表す。該アルキレンは、炭素数２〜６程度であることが好ましい。
また、Ｒ11〜Ｒ17において、直鎖構造と分岐構造の両方をとり得るものについては、そのいずれでもよい。
【０１１５】
本発明のレジスト組成物は、その全固形分量を基準に、樹脂を８０〜９９.９重量％程度、そして酸発生剤を０.１〜２０重量％程度の範囲で含有するのが好ましい。本発明において、式（Ｉ）のスルホニウム塩と，式（IIa）のトリフェニルスルホニウム塩及び式（IIｂ）のヨードニウム塩から選ばれる少なくとも１種のオニウム塩を酸発生剤として併用する場合、両者は通常、９：１〜１：９程度、さらには８：２〜２：８程度の重量割合で用いるのが好ましい。また、クェンチャーとしての塩基性化合物を用いる場合は、レジスト組成物の全固形分量を基準に、０.０１〜１重量％程度の範囲で含有するのが好ましい。この組成物はまた、必要に応じて、増感剤、溶解抑止剤、他の樹脂、界面活性剤、安定剤、染料など、各種の添加物を少量含有することもできる。
【０１１６】
本発明のレジスト組成物は通常、上記の各成分が溶剤に溶解された状態でレジスト液組成物とされ、シリコンウェハーなどの基体上に、スピンコーティングなどの常法に従って塗布される。ここで用いる溶剤は、各成分を溶解し、適当な乾燥速度を有し、溶剤が蒸発した後に均一で平滑な塗膜を与えるものであればよく、この分野で一般に用いられている溶剤が使用しうる。例えば、エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートのようなグリコールエーテルエステル類、乳酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル及びピルビン酸エチルのようなエステル類、アセトン、メチルイソブチルケトン、２−ヘプタノン及びシクロヘキサノンのようなケトン類、γ−ブチロラクトンのような環状エステル類などを挙げることができる。これらの溶剤は、それぞれ単独で、又は２種以上組み合わせて用いることができる。
【０１１７】
基体上に塗布され、乾燥されたレジスト膜には、パターニングのための露光処理が施され、次いで脱保護基反応を促進するための加熱処理を行った後、アルカリ現像液で現像される。ここで用いるアルカリ現像液は、この分野で用いられる各種のアルカリ性水溶液であることができるが、一般には、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドや（２−ヒドロキシエチル）トリメチルアンモニウムヒドロキシド（通称コリン）の水溶液が用いられることが多い。
【０１１８】
【実施例】
次に実施例を挙げて、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例によってなんら限定されるものではない。例中、含有量ないし使用量を表す％及び部は、特記ないかぎり重量基準である。また重量平均分子量は、ポリスチレンを標準品として、ゲルパーミェーションクロマトグラフィーにより求めた値である。
【０１１９】
酸発生剤合成例１：酸発生剤B1の合成
（１）四つ口フラスコにテトラヒドロチオフェン ７０．１７部、アセトン７５０部を仕込み、ここに１−ブロモピナコロン１５０部を滴下し、室温で２４時間攪拌した。析出した結晶を濾取し、tert−ブチルメチルエーテル１００部で洗浄し、乾燥することにより、３,３−ジメチル−２−オキソブチル  チアシクロペンタニウム  ブロミド１６１．３部を得た。
（２）四つ口フラスコに（１）で得られた３,３−ジメチル−２−オキソブチルチアシクロペンタニウム  ブロミド８０部とアセトニトリル３２００部を仕込み、ここにトリフルオロメタンスルホン酸カリウム５６．３３部を滴下し、室温で１８時間攪拌した。析出した臭化カリウムを濾別し、濾液を濃縮した。ここに、アセトンを加え、室温で１６時間攪拌し、不溶物を濾別した。この濾液をさらに濃縮し、アセトンを加えた後tert−ブチルメチルエーテルへチャージすることにより、目的物９４．７３部を得た。この化合物が次式で示される３,３−ジメチル−２−オキソブチル  チアシクロペンタニウム  トリフルオロメタンスルホナートであることを、 1Ｈ−ＮＭＲ（日本電子製“GX-270”）で確認した。
【０１２０】
0004529316.tif 000018
【０１２１】
1Ｈ−ＮＭＲ(クロロホルム−d、内部標準物質テトラメチルシラン)：δ（ppm）
1.24 (s, 9H); 2.26−2.33 (m, 2H);2.42−2.52 (m, 2H); 3.45−3.55 (m, 2H  ); 3.61−3.71 (m, 2H); 4.96 (s, 2H).
【０１２２】
酸発生剤合成例１-２：酸発生剤B1の合成（別法）
酸発生剤合成例１の（２）において、四つ口フラスコに（１）で得られた３,３−ジメチル−２−オキソブチル  チアシクロペンタニウム  ブロミド１６９．５８部とアセトニトリル３３９１．５９部を仕込み、５℃に冷却後ここにトリフルオロメタンスルホン酸１００部を滴下し、５℃で１．５時間攪拌した。溶液を２７０部まで濃縮し、ここに、酢酸エチル６８０を加え、攪拌しながらtert−ブチルメチルエーテルを３００部加え、析出物を濾別した。この濾物をさらに酢酸エチル５００部で溶解し、４２０部まで濃縮し、攪拌しながらtert−ブチルメチルエーテル５０部を加え、析出物を濾過し、乾燥することで目的物１５６．２２部を得た。
【０１２３】
酸発生剤合成例２、３：酸発生剤B2、B3の合成
酸発生剤合成例１の（２）において、トリフルオロメタンスルホン酸カリウムの代わりにパーフルオロブタンスルホン酸カリウム、パーフルオロオクタンスルホン酸カリウムを用いる以外は、酸発生剤合成例１の（２）に準拠して実施し、それぞれ３,３−ジメチル−２−オキソブチル  チアシクロペンタニウム  パーフルオロブタンスルホナート、３,３−ジメチル−２−オキソブチル  チアシクロペンタニウム  パーフルオロオクタンスルホナートを得た。
【０１２４】
３,３−ジメチル−２−オキソブチル  チアシクロペンタニウム  パーフルオロブタンスルホナートの1Ｈ−ＮＭＲ(ジメチルスルホキシド−d6、内部標準物質テトラメチルシラン)：δ（ppm）
1.15 (s, 9H); 2.13−2.23 (m, 4H);3.33−3.38 (m, 2H); 3.47−3.54 (m, 2H  ); 4.85 (s, 2H).
【０１２５】
３,３−ジメチル−２−オキソブチル  チアシクロペンタニウム  パーフルオロオクタンスルホナートの1Ｈ−ＮＭＲ(クロロホルム−d、内部標準物質テトラメチルシラン)：δ（ppm）
1.25 (s, 9H); 2.24−2.32 (m, 2H);2.49−2.56 (m, 2H); 3.56−3.69 (m, 4H  ); 5.05 (s, 2H).
【０１２６】
酸発生剤合成例４：酸発生剤B4の合成
四つ口フラスコに３,３−ジメチル−２−オキソブチル  チアシクロペンタニウム  ブロミド２．３部とアセトニトリル９２部を仕込み、ここにｐ−トルエンスルホン酸銀２．４部をアセトニトリル７．２部に溶解させた溶液を滴下し、室温で２２時間攪拌した。析出した臭化銀を濾別し、アセトニトリル３０部で洗浄した。濾液と洗液を合せたものを３．３部になるまで濃縮し、ここに、アセトニトリル３０部を加え、室温で２時間攪拌し、不溶物を濾別した。この濾液を２．７５部になるまで濃縮した。この濃縮残査を酢酸エチルとtert−ブチルメチルエーテルの混合溶媒から再結晶することにより、目的物０．６８部を得た。この化合物が次式で示される３,３−ジメチル−２−オキソブチル  チアシクロペンタニウム  ｐ−トルエンスルホナートであることを、 1Ｈ−ＮＭＲ（日本電子製“GX-270”）で確認した。
【０１２７】
0004529316.tif 000019
【０１２８】
1Ｈ−ＮＭＲ(ジメチルスルホキシド−d6、内部標準物質テトラメチルシラン)：δ（ppm）
1.12 (s, 9H); 2.05−2.29 (m, 4H);2.29 (s, 3H); 3.32−3.56 (m, 4H);
4.89 (s, 2H); 7.12 (d, 2H);  7.48 (d, 2H).
【０１２９】
酸発生剤合成例５：酸発生剤B5の合成
四つ口フラスコに３,３−ジメチル−２−オキソブチル  チアシクロペンタニウム  ブロミド２．３部とアセトニトリル９２部を仕込み、ここにカンファースルホン酸銀２．９部をアセトニトリル８．８部に溶解させた溶液を滴下し、室温で１８時間攪拌した。析出した臭化銀を濾別し、アセトニトリル３０部で洗浄した。濾液と洗液を合せたものを３．２部になるまで濃縮し、ここに、アセトニトリル１０部を加え、室温で２時間攪拌し、不溶物を濾別した。この濾液を２．９２部になるまで濃縮した。この濃縮残査を酢酸エチルとtert−ブチルメチルエーテルの混合溶媒から再結晶することにより、目的物２．４６部を得た。この化合物が次式で示される３,３−ジメチル−２−オキソブチル  チアシクロペンタニウム  カンファースルホナートであることを、 1Ｈ−ＮＭＲ（日本電子製“GX-270”）で確認した。
【０１３０】
0004529316.tif 000020
【０１３１】
1Ｈ−ＮＭＲ(ジメチルスルホキシド−d6、内部標準物質テトラメチルシラン)：δ（ppm）
0.74 (s, 3H); 1.05 (s, 3H); 1.15 (s, 9H); 1.20−1.39 (m, 2H);
1.76−1.95 (m, 3H); 2.10−2.28 (m, 5H); 2.36 (d, 1H);
2.66-2.74 (m, 1H); 2.86 (d, 1H); 3.33-3.58 (m, 4H); 4.90(s, 2H).
【０１３２】
樹脂合成例１：樹脂A１の合成
メタクリル酸２−エチル−２−アダマンチル、メタクリル酸３−ヒドロキシ−１−アダマンチル、及びα−メタクリロイロキシ−γ−ブチロラクトンを、５：２.５：２.５のモル比（２０.０部：９.５部：７.３部）で仕込み、全モノマーに対して２重量倍のメチルイソブチルケトンを加えて、溶液とした。そこに、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルを全モノマー量に対して２モル％添加し、８０℃で約８時間加熱した。その後、反応液を大量のヘプタンに注いで沈殿させる操作を３回行い、精製した。その結果、重量平均分子量が約 9,200の共重合体を得た。この共重合体を樹脂A１とする。
【０１３３】
樹脂合成例２：樹脂A2の合成
メタクリル酸２−エチル−２−アダマンチル、アクリル酸３−ヒドロキシ−１−アダマンチル、ノルボルネン及び無水マレイン酸を２：２：３：３のモル比（１０．０部：９．０部：５．７部：５．９部）で仕込み、全モノマーの２重量倍のメチルイソブチルケトンを加えた後、窒素雰囲気で８０℃に昇温した。そこに、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルを全モノマー量に対して３モル％添加し、８０℃で約１５時間加熱した。その後、反応液を大量のメタノールに注いで沈殿させる操作を３回行って、重量平均分子量が約 １２１６０、分散が１．９０の共重合体(１７．１部)を得た。この共重合体を樹脂A2とする。
【０１３４】
樹脂合成例３：樹脂Ａ３の合成
メタクリル酸２−エチル−２−アダマンチル、５−メタクリロイルオキシ−２，６−ノルボルネンラクトンおよびα−メタクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトンを２：１：１のモル比（11.1g：5.0 g：3.8 g）で混合し、１．４−ジオキサン50gを加え溶液とした。そこに開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルを0.30gを加え、85℃に昇温し5時間攪拌を続けた。その後、大量のn-ヘプタンに注ぎこむことで晶析する操作を3回繰り返すことで精製したところ分子量9100、分散1.72の共重合体を得た。これを樹脂Ａ３とする。
【０１３５】
樹脂合成例４：樹脂Ａ４の合成
４口フラスコにアクリル酸１-（１−アダマンチル）−１−メチルエチル１０．５ｇ（４２ｍｍｏｌ）、アクリル酸３−ヒドロキシ−１−アダマンチル９．４ｇ（４２ｍｍｏｌ）、２−ノルボルネン６．０ｇ（６３ｍｍｏｌ）、無水マレイン酸６．２ｇ（６３ｍｍｏｌ）を入れ、メチルイソブチルケトン６４．２ｇで溶解し、３０分間窒素を吹き込みバブリングした後、８０℃まで昇温した。その溶液に、２，２’−アゾビス（イソブチロニトリル）１．０ｇ（６．３ｍｍｏｌ）をメチルイソブチルケトン１６．０ｇで溶解した溶液を滴下し、８０℃で１５時間保温した。得られた反応マスを冷却し、メタノール１１３４ｇの中に投入した。すると、白色の結晶が析出したので、濾過で結晶を取り出した。その結晶をメタノールで洗浄し、３０℃で１５時間減圧乾燥した。得られたアクリル酸１-（１−アダマンチル）−１−メチルエチルとアクリル酸３−ヒドロキシ−１−アダマンチルと２−ノルボルネンと無水マレイン酸の共重合体の結晶は、１６．４ｇであり、分子量はポリスチレン換算で６９００であった。これを樹脂Ａ４とする。
【０１３６】
樹脂合成例５：樹脂Ａ５の合成
(１)フラスコに、 メタクリル酸２−メチル−２−アダマンチル１６．４ｇ（０．０７モル）とｐ−アセトキシスチレン４５．４ｇ（０．２８モル）とイソプロパノール１２３．６ｇを仕込んで窒素置換をし、７５℃まで昇温した。その溶液に、ジメチル２‘２−アゾビス（２−メチルプロピオネート）４．８４ｇ（０．０２１モル）をイソプロパノール９．７ｇに溶かしてから滴下した。７５℃で約０．５時間、還流下で約１１時間熟成した後、アセトンで希釈し、ヘプタンにチャージし、晶析させ、濾過により結晶を取り出し、得られた結晶を乾燥した。得られたメタクリル酸２−メチル−２−アダマンチルとｐ−アセトキシスチレン共重合体の結晶は５４．２ｇであった。
【０１３７】
(2)フラスコに、上記で得られたメタクリル酸２−メチル−２−アダマンチルとｐ−アセトキシスチレン共重合体（２０：８０）５３．０ｇ（モノマー単位として０．３０モル）と４−ジメチルアミノピリジン５．３ｇ（０．０４３ モル）とメタノール１５９．０ｇを仕込んで、還流下、２０時間熟成した。冷却後、氷酢酸３．１３ｇ（０．０５２モル）で中和し、水にチャージし、晶析させ、濾過により結晶を取り出した。その後、結晶をアセトンに溶かし、水にチャージし、晶析させ、濾過により結晶を取り出し、この一連の操作を計3回繰り返した後、得られた結晶を乾燥した。得られたメタクリル酸２−メチル−２−アダマンチルとｐ−ヒドロキシスチレン共重合体の結晶は３７．８ｇであった。また、重量平均分子量は約７９００、分散度１．７２（ＧＰＣ法：ポリスチレン換算）であり、共重合比は核磁気共鳴（13Ｃ−ＮＭＲ）分光計により、約２０：８０と求められた。 この樹脂を樹脂Ａ５とする。
【０１３８】
樹脂Ａ６：４−ヒドロキシスチレン／スチレン／アクリル酸  ｔ−ブチル(60/20/20)共重合体、重量平均分子量11000（丸善石油化学（株）製、ＴＳＭ４）
【０１３９】
次に、以下の酸発生剤B1〜B3、C1及びC2を用いてレジスト組成物を調製し、評価した例を示す。
【０１４０】
酸発生剤B1：  ３,３−ジメチル−２−オキソブチル  チアシクロペンタニウム  トリフルオロメタンスルホナート
酸発生剤B2：  ３,３−ジメチル−２−オキソブチル  チアシクロペンタニウム  パーフルオロブタンスルホナート
酸発生剤B3：  ３,３−ジメチル−２−オキソブチル  チアシクロペンタニウムパーフルオロオクタンスルホナート
酸発生剤B4：  ３,３−ジメチル−２−オキソブチル  チアシクロペンタニウム  ｐ−トルエンスルホナート、
酸発生剤B5：  ３,３−ジメチル−２−オキソブチル  チアシクロペンタニウム  カンファースルホナート、
酸発生剤C1：  ４−メチルフェニルジフェニルスルホニウム  パーフルオロオクタンスルホナート
酸発生剤C2：  ジ  p-tert-ブチルフェニルヨードニウム  カンファースルホナート
【０１４１】
実施例１〜６及び比較例１〜４
表１に示す樹脂、酸発生剤を、以下に示す各成分と混合し、さらに孔径０.２μmのフッ素樹脂製フィルターで濾過してレジスト液を調製した。
0004529316.tif 000021
【０１４２】
Brewer社製の“DUV-30J”を塗布し、２１５℃、６０秒の条件でベークして厚さ１,６００Åの有機反射防止膜を形成させたシリコンウェハーに、上記のレジスト液を乾燥後の膜厚が０.３３５μmとなるようにスピンコートした。レジスト液塗布後は、ダイレクトホットプレート上にて表１に示す温度で６０秒間プリベークした。こうしてレジスト膜を形成したウェハーに、 ＡｒＦエキシマステッパー〔(株)ニコン製の“NSR ArF”、NA=0.55、σ=0.6〕を用い、露光量を段階的に変化させてラインアンドスペースパターンを露光した。露光後は、ホットプレート上にて表１に示す温度で６０秒間ポストエキスポジャーベークを行い、さらに２.３８％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で６０秒間のパドル現像を行った。現像後のパターンを走査型電子顕微鏡で観察し、実効感度及び解像度を調べた。また、石英ガラスウェハー上に、上記のレジスト液を塗布して、上記と同様の条件でプリベークを行った後の膜厚が０.３３５μmとなるようにレジスト膜を形成させ、このレジスト膜の１９３nmにおける透過率を分光光度計で測定した。評価結果を表２に示した。
【０１４３】
実効感度：  ０.１８μmのラインアンドスペースパターンが１：１となる最少露光量で表示した。
【０１４４】
解像度：  実効感度の露光量で分離するラインアンドスペースパターンの最小寸法で表示した。
【０１４５】
パターン壁面の平滑性：  孤立ラインパターンの壁面を走査型電子顕微鏡で観察し比較例よりも滑らかになっているものを○、変化の無いものを×として判断した。
【０１４６】
【表１】
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
例 No.    樹脂        酸発生剤        プリベーク(℃)      PEB(℃)
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
実施例１   A1   B1(0.5部)+C1(0.2部)     110            115
実施例２   A1   B2(0.5部)+C1(0.2部)     110            115
実施例３   A1   B3(0.5部)+C1(0.2部)     110            125
実施例４   A2   B3(0.5部)+C1(0.2部)     110            125
実施例５   A3   B3(0.5部)+C1(0.2部)     100            125
実施例６   A4   B1(0.25部)+C1(0.2部)    110            125
────────────────────────────────
比較例１   A1   C1(0.2部)               110            125
比較例２   A2   C1(0.2部)               110            125
比較例３   A3   C1(0.2部)               100            125
比較例４   A4   C1(0.2部)               100            125
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
【０１４７】
【表２】
0004529316.tif 000022
【０１４８】
表２に示されるように、実施例のレジスト組成物は、比較例にくらべてラインエッジラフネスに優れ、透過率の低下もなく、良好な感度、解像度である。
【０１４９】
実施例７〜１２、比較例５、６
表１に示す樹脂、酸発生剤を、以下に示す各成分と混合し、さらに孔径０.２μmのフッ素樹脂製フィルターで濾過してレジスト液を調製した。
樹脂：１３．５部（種類は表３のとおり）
酸発生剤：種類と量は、表１のとおり。
クェンチャー：トリイソプロパノールアミンを0.07部
溶剤：乳酸エチル    60部
【０１５０】
実施例７〜10、比較例５、６においては、 Brewer社製の“DUV-30J”を塗布し、２１５℃、６０秒の条件でベークして厚さ１６００Åの有機反射防止膜を形成させたシリコンウェハーに、実施例11、12においては、 Brewer社製の“DUV-42”を塗布し、２１５℃、６０秒の条件でベークして厚さ６００Åの有機反射防止膜を形成させたシリコンウェハーに、上記のレジスト液を乾燥後の膜厚が０.４９μmとなるようにスピンコートした。レジスト液塗布後は、ダイレクトホットプレート上にて表３の温度で６０秒間プリベークした。こうしてレジスト膜を形成したウェハーに、ＫｒＦエキシマステッパー〔(株)ニコン製の“NSR 2205EX12B”、NA=0.55、2/3輪帯照明〕で露光量を段階的に変化させてラインアンドスペースパターンを露光した。露光後は、ホットプレート上にて表３の温度で６０秒間ポストエキスポジャーベークを行い、さらに２.３８％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で６０秒間のパドル現像を行った。現像後のパターンを走査型電子顕微鏡で観察し、実効感度及び解像度を調べた。また、石英ガラスウェハー上に、上記のレジスト液を塗布して、上記と同様の条件でプリベークを行った後の膜厚が０.４９μmとなるようにレジスト膜を形成させ、このレジスト膜の２４８nmにおける透過率を分光光度計で測定した。評価結果を表４に示した。
【０１５１】
実効感度：  ０.２０μmのラインアンドスペースパターンが１：１となる最少露光量で表示した。
【０１５２】
解像度：  実効感度の露光量で分離するラインアンドスペースパターンの最小寸法で表示した。
【０１５３】
パターン壁面の平滑性：  孤立ラインパターンの壁面を走査型電子顕微鏡で観察し比較例よりも滑らかになっているものを○、変化の無いものを×として判断した。
【０１５４】
【表３】
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
例 No.    樹脂        酸発生剤        プリベーク(℃)  PEB(℃)
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実施例７   A5   B2(0.35部)+C2(0.7部)      120        140
実施例８   A6   B1(0.35部)+C2(0.35部)     130        140
実施例９   A6   B2(0.35部)+C2(0.35部)     130        140
実施例10   A6   B3(0.35部)+C2(0.35部)     130        140
実施例11   A6   B4(0.35部)+C2(0.35部)     130        140
実施例12   A6   B5(0.35部)+C2(0.35部)     130        140
────────────────────────────────
比較例５   A5   C2(0.７部)               120          140
比較例６   A6   C2(0.35部)               130          140
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
【０１５５】
【表４】
0004529316.tif 000023
【０１５６】
表４に示されるように、実施例のレジスト組成物は、比較例にくらべてラインエッジラフネスに優れ、透過率の低下もなく、良好な感度、解像度である。
【０１５７】
【発明の効果】
本発明の化学増幅型ポジ型レジスト組成物は、ラインエッジラフネスが著しく改善されたレジストパターンを与え、またドライエッチング耐性や感度、解像度などのレジスト諸性能も良好である。したがって、この組成物は、ＫｒＦエキシマレーザーやＡｒＦエキシマレーザーなどを用いたリソグラフィに適しており、それによって高い性能のレジストパターンを与える。