(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の単結晶シリコンウエハ層を提供するステップと、
凹状領域を有するキャリアを提供するステップと、
前記第１のウエハ層を前記キャリアに、前記凹状領域を前記第１のウエハ層と前記キャリアとの間に置かれるようにしながら、接合するステップと、
前記凹状領域に対向する前記第１のウエハ層を、曲線状パターンで垂直方向にエッチングすることにより、前記第１のウエハ層と一体であり且つ前記凹状領域上方に懸垂されたビームを含む曲線状単結晶シリコン構造を形成して、該ビームの高さ対幅のアスペクト比が少なくとも５：１であるとしたエッチングステップと、
を備えることを特徴とする半導体トランスデューサの製造方法。
【請求項２】
前記エッチングステップは反応性イオンエッチングを含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体トランスデューサの製造方法。
【請求項３】
前記第１のウエハ層を提供するステップは、単結晶＜１００＞配向されたシリコンウエハ層を提供するステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体トランスデューサの製造方法。
【請求項４】
１０ミクロン未満にはならないように前記第１のウエハ層を薄くするさらなるステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体トランスデューサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
発明の背景
１．発明の分野
本発明は一般に半導体マイクロエレクトロニックセンサに関し、具体的には、多様な輪郭（contours）と高いアスペクト比のジオメトリとを有する構造を備える単結晶シリコンセンサに関する。
２．関連技術の説明
シリコンマイクロセンサの電気的および機械的特性は、これまでに十分に記録されている。例えば、1982年5月発行のProceedings of the IEEE、vol.70、No.5のKurt E.Petersonによる「機械的材料としてのシリコン（Silicon as a Mechanical Material）」と題された文献を参照されたい。さらに、通常「マイクロマシニング（micromachining）」と呼ばれる、シリコンミクロ構造を構成する技術に関する多くの知識が拡大している。例えば、1994年5月発行のIEEE Spectrum、pp.20〜31のBryzek、Petersen、およびMcCulleyによる「発展中のマイクロマシン（Micromachines on the March）」と題された文献を参照されたい。
シリコンのマイクロマシニングは、多くの実用的な応用がある、極めて重要な産業に成長している。シリコンの高い強度、復元力および弾性により、シリコンは、例えば電子周波数制御に有用である場合がある共振構造の理想的な基本材料となっている。例えば、マイクロマシニングされたシリコン圧力および加速度センサは、医療器具および自動車に用いられるようになった。時計、スキューバダイビング用品、手で持つタイヤ圧力計、膨張式テニスシューズなどの消費財にもまもなくシリコンマイクロマシニングセンサが組み込まれるようになるであろう。
シリコンセンサの需要がある分野がますます拡大しているため、特定の環境用に最適化された新しい異なるシリコンマイクロセンサジオメトリの必要性がますます増大し続けている。残念なことに、伝統的なバルクシリコンマイクロマシニング技術の欠点は、結果として得られるシリコンミクロ構造の輪郭およびジオメトリがこれらの製造方法によってかなり制限されることである。例えば、単結晶シリコン（single crystal silicon）（ＳＣＳ）の異方性エッチングでは、＜１００＞結晶方向対＜１１１＞方向の異方性比は１００：１であった。しかし、ＳＣＳにそのような異方性エッチングを施すと、典型的には、（１００）結晶面と（１１１）結晶面との交点のために傾斜した側壁を有するシリコンミクロ構造が得られる。その結果、シリコンミクロ構造の輪郭は、内部結晶面の配向によって制限されてきた。したがって、より多様なジオメトリの輪郭を有する構造を備えたシリコンマイクロセンサが必要とされている。
圧力および加速度を測定するためにマイクロセンサがますます多く用いられているため、例えばコンデンサとして用いられたり静電力を生成したりする小さなシリコンプレートの開発に拍車がかかっている。例えば、交互に噛み合わされたポリシリコンプレートのアレイを用いてキャパシタンスを測定するマイクロセンサがある。同様に、交互に噛み合わされたプレートのアレイを用いて静電力を生成するマイクロセンサがある。通常、そのようなプレートは典型的には堆積されたポリシリコン層に形成されるため、その表面積は比較的小さい。そのようなキャパシティブプレートの表面積を増加させると、そのキャパシタンスが増加する。そのような静電駆動プレートの表面積を増加させると、その駆動力が増加する。従って、表面積の大きいキャパシティブプレートおよび静電駆動プレートが必要とされている。
その上に電子回路を形成することができる改良されたシリコンミクロ構造も必要とされている。例えば、金属酸化膜半導体（metal oxide semiconductor）（ＭＯＳ）回路は一般に、（１００）シリコンウエハに形成された場合に最も効果的である。残念なことに、伝統的なシリコンマイクロマシニング技術では、通常、（１１０）ウエハにマイクロセンサを形成することが好まれている。したがって、ＭＯＳ回路はシリコンマイクロセンサにはあまり用いられていない。さらに、応用によっては、最適な回路性能を確実にするために、マイクロセンサの一部分として形成される回路を断熱する必要がある場合もある。
ポリシリコンまたは金属などの材料から形成される調整可能な共振ミクロ構造に関する問題点は、この共振ミクロ構造を使用するにつれて内部結晶応力が発生し、これにより時間の経過とともに周波数ドリフトを被る可能性があることである。したがって、結晶応力を被らないハイＱ共振器を用いたミクロ構造が特に必要とされている。ＳＣＳは共振構造のための優れた基本材料であることが長い間知られている。ＳＣＳは強く、可撓性があり、高弾性であり、その単結晶構造のため性能低下がより起こりにくい。しかし、ＳＣＳ共振構造の共振周波数を調整することは非常に困難である場合がある。その結果、ハイＱ  ＳＣＳ共振器を調整するための改良されたアプローチが必要とされている。
このように、シリコンの結晶面および表面積の大きいプレートによって制限されない輪郭を有する構造を含む、より多様なジオメトリを有する構造を組み込むシリコンマイクロセンサが必要とされている。また、電子回路の形成により適切な構造を有するシリコンマイクロセンサも必要とされている。さらに、改良された共振構造を有するシリコンミクロ構造も必要とされている。本発明は、これらの要求を満たすものである。
発明の概要
一局面によれば、本発明は、第１の単結晶シリコンウエハ層を備える半導体センサを提供する。該第１のウエハ層に単結晶シリコン構造が形成される。該構造は、２つの対向する実質的に垂直な主表面と、２つの対向する一般に水平な副表面とを備える。主表面対副表面のアスペクト比は、少なくとも５：１である。凹状領域を備えるキャリアは、該構造が該凹状領域に対向して懸垂されるように該第１のウエハ層に固定される。
【図面の簡単な説明】
図１は、本発明の一実施形態によるシリコンセンサの一部分を示す部分斜視図である。
図２は、本発明の一実施形態によるキャパシタンスピックアップまたは静電力のために用いられる、交互に噛み合わされた高いアスペクト比の垂直プレートのアレイを示す斜視図である。
図３は、本発明の一実施形態によるシリコンセンサの一部分を示す部分斜視図である。
図４は、本発明の一実施形態による曲線解放構造を示す断面斜視図である。
図５は、本発明の実施の形態による可変キャパシタとして用いられる懸垂された構造の一部分および静止構造の一部分の斜視図である。
図６は、本発明の実施の形態による加速センサの平面図である。
図７は、本発明の実施の形態による可変周波数ハイＱ共振器の平面図である。
図８Ａ〜図８Ｇは、本発明による製造方法の流れを示す。
図９Ａ〜図９Ｄは、本発明による懸垂または解放構造の製造における製造方法の流れを示す、製造中の装置の側断面図である。
図１０は、本発明による解放構造の製造における第１の別の製造方法の流れを示す、製造中の装置の側断面図である。
図１１は、本発明による解放構造の製造における第２の別の製造方法の流れを示す、製造中の装置の側断面図である。
図１２Ａ〜図１２Ｂは、本発明による懸垂された共振器構造の平面図および側断面図である。
図１３は、本発明による別の懸垂された共振器構造の平面図である。
好適な実施の形態の詳細な説明
本発明は、曲線構造と高アスペクト比構造とを有する単結晶シリコンセンサおよびその製造方法を含む。以下の記載は、当業者が本発明を実施することを可能にするために行う。特定の応用の記載は、例としてのみ提示される。当業者には好適な実施の形態の様々な改変が明らかであり、本明細書において定義される包括的な原理は、本発明の思想および範囲から逸脱することなく、他の実施の形態および応用にも適用され得る。従って、本発明は、以下に示す実施の形態に限定されるものではなく、本明細書に開示される原理および特徴と一致する、最も広い範囲を与えられる。
図１は、本発明の現時点で好適な実施の形態によるシリコンマイクロセンサ２０の一部分の部分斜視図である。マイクロセンサ２０は、キャリア２４に接着された第１の単結晶シリコン（ＳＣＳ）ウエハ層２２を含む。第１および第２のビーム２６および２８が、第１の層２２から延びている。図１の点線は、外から見えない面を示す。２つのビーム２６および２８は、キャリア２４の凹部３０上に懸垂されており、ビームがキャリア２４に対して相対的に移動し得るようになっている。
ビーム２６は、1対の互いに対向する広い垂直表面２６−１、および狭い垂直末端端面２６−２を有し、さらに、1対の互いに対向する水平表面２６−３を有する。同様に、ビーム２８は、1対の互いに対向する広い垂直表面２８−１、および1対の互いに対向する水平表面２８−２を有する。広い垂直表面２８−１のいずれか一方および水平表面２８−２のいずれか一方のみが、図で見えることは明らかである。さらに、第２のビーム２８は、末端端部に安定的に取り付けられたサイスミックマス（seismic mass）３２を有する。
動作において、２つのビームはそれぞれ、矢印２２’で示すように第１の層２２の平面内で偏向するが、矢印２２”で示すような第１の層２２の平面に概して直交する方向には偏向し得ない。第１の層の平面内においては可撓性を有するが第１の層２２の平面外においては可撓性を有さないという能力は、ビームのアスペクト比、すなわち、各ビームの幅Ｗ1およびＷ2に対する各ビームの垂直方向高さＨ1およびＨ2の比によるものである。
図２は、本発明の実施の形態による交互に組み合った（interdigitated）プレート構造列を示す。静止プレート構造４２、４４および４６は、静止半導体構造４８に一体的に安定的に取り付けられている。単結晶半導体プレート構造５０、５２および５４はすべて、可動シリコン構造５６から延びている。静止プレート構造４２、４４および４６に対する、可動プレート構造５０、５２および５４の移動方向は、屋矢印５８で示す。
静止プレートおよび可動プレートのそれぞれは、ドーピングされて導電体になり得る。一実施形態において、ドーパントはボロンであり、ドーパントの濃度は１０16／ｃｍ3〜１０20／ｃｍ3である。また、例えばリンまたは砒素もドーパントとして用いることができる。図２に示す構成は、一連の平行キャパシタとして動作し得る。総キャパシタンスは、交互に組み合った静止プレート４２、４０および４６と可動プレート５０、５２および５４との重なりの程度に依存する。矢印５８で示す軸に沿った可動プレートの移動が、重なりの程度を決定する。図２の構造はまた、静電駆動メカニズムとしても動作し得る。その場合、静止プレート４２、４４および４６と可動プレート５０、５２および５４との間の電圧差が、静止プレートとの重なりの程度を変えるために可動プレートを誘導することができる静電力を付与することができる。
交互に組み合ったプレートの表面積は、図２の交互に組み合った構造のプレート間のキャパシタンスに重要な影響を与え得る。同様に、重なりの程度も、図２に示すような構造により付与される静電力に重要な影響を与え得る。
このように、本発明は、比較的高いアスペクト比（プレートの高さ／プレートの幅）を有するプレート装置の製造を可能にする程度まで、より効率的な交互に組み合ったプレートによるキャパシタ列および交互に組み合ったプレートによる静電駆動メカニズムの製造を容易にする。
図３は、本発明の実施の形態によるＳＣＳシリコンマイクロセンサ７０の一部分の部分斜視図である。マイクロセンサ７０は、キャリア７４に接着された第１のＳＣＳ層７２を含む。末端端部に形成されたサイスミックマス７８を有するビーム７６が第１の層から延びてキャリア７４の凹部８０上に懸垂されており、ビーム７６およびそのサイスミックマス７８がキャリア７４に対して相対的に移動し得るようになっている。
ビームのアスペクト比（垂直方向の高さ／水平方向の幅）は、第１の層72の矢印72’によって示される平面では偏向し得るが層72の矢印72”によって示される平面からは偏向し得ないような十分な大きさである。以下に述べる処理技術では、少なくとも20：1のアスペクト比のビームの生成が可能である。
さらに、以下に述べる処理技術では結晶学上の方向とは関係なく深いエッチングが可能であるため、ビーム76およびサイスミックマス78は、MOS回路の製造に適した（100）シリコンウエハ内に形成され得る。従って、標準的な半導体処理技術を用いてサイスミックマスの上面82にMOS回路を容易に形成することができる。
図４は、エッチングにより第１SCSウエハ層94に形成された凹部92内に位置する完全に解放されたSCS構造90の断面図を示す。ウエハ層は本発明に準拠してキャリア96に接着されている。特に、解放構造90は、断面で示されているが、円筒形状である。解放構造は、エッチングにより除去された領域92によって規定される曲線状の外部円（外周）を有する。さらに、エッチングにより除去された領域98によって規定される円形（曲線状）の内芯を有する。解放構造の内芯は、例えば安定化部材またはアクセルとして働き得るキャリア96の直立部を包囲する。
従って、以下に述べる製造方法は、曲線形状のエッチパターンを生成するために用いることができる。本明細書で用いる用語、曲線状（curvilinear）とは、角のない曲がりを意味する。曲線状構造とは、明確な角度を持たずに曲がっている部分を有するが、他の部分は直線部または角度のある接合面であってもよい構造である。曲線状構造の例としては、円、楕円および螺旋構造がある。
図５は、本発明の１つの実施態様による可変キャパシタ100の部分斜視図である。可変キャパシタは固定構造102と可動構造104とを有する。固定構造は、可動構造104から延びる平行プレート108および110と交互に組み合った（interdigitated）キャパシタプレート106を有する。可動構造104は固定SCSウエハ層112から延び、また可動構造全体がキャリア（図示せず）の上方にぶら下げられる。さらに、キャパシタは図示しない別のプレートを有し得る。可動構造を製造するプロセスについて以下に述べる。
可動構造104はまた熱アクチュエータ114および116を有する。熱アクチュエータは回路118および120を含み、これらの回路に電流が流れると熱アクチュエータが加熱し、この結果、これらを包むSCSビームが拡張する。ビームの加熱およびその拡張により、キャパシティブプレート108および110が固定構造102の方向に移動する。この結果、プレート108および106ならびにプレート106および110の重なりが大きくなる。重なりが大きくなると容量が増大する。本発明では（100）シリコンを用いる図５に示すような構造の製造が可能であるため、プレート108間の容量をモニタして熱アクチュエータ内の電流の流れを制御するために用いる複合MOSを、可動構造上に直接配備することができる。さらに、以下に述べる処理方法により比較的高いアスペクト比（高さ／幅）を有するプレートの製造が可能であるため、多数のキャパシティブプレートを互いに接近させて押し込めることができ、深いエッチングプロセスにより高さを高くすることができるためプレートが完全に噛み合うときさらされる表面領域が確実に大きくなる。
図６は、本発明の本実施態様によるSCS加速度計の平面立面図である。第１のSCSウエハ層122は内部に深い溝124を形成して、懸垂ビーム126、細長い機械的な誘導ビーム128、および複数の組み合った静電気プレート130および132を形成する。この解放構造はプルーフ質量134を含む。最大応力点でのビーム126の根元にはピエゾ抵抗器（図示せず）が配備される。加速度計120へのオフチップ電気接続を行うためには相互接続パッド136が用いられる。
懸垂構造はキャリア（図示せず）の上方にぶら下げられ、キャリアに対して自由に移動し得る。センスビーム126および組み合いプレート130および132は比較的大きいアスペクト比（高さ／幅）を有し得る。この比較的高いアスペクト比により、ビームが軸外れの加速により捩れるのを防ぐことができる。上述のように、アスペクト比の高いビームは、第１のウエハ122の平面内では容易に移動し得るが、この平面から出ることはできない。さらに、組み合いプレートのアスペクト比が比較的高いため、キャパシティブ結合が増大し、また静電力が増大し得る。細長いビーム128は安定化部材として働く。細長いビームは短いセンスビーム126よりはるかに容易に湾曲する。従って、細長いビームは応力、従って加速度の実際の測定には用いられない。しかし、このビームは懸垂構造の比較的大きな集合体の移動を安定化するために用いられる。
操作においては、短いセンスビームが矢印126’で示す方向に湾曲する。組み合いプレート130および132の集合体は、センスビーム126の偏向方向に依存して重なり容量の増大または減少に影響される。従って、キャパシティブプレートはセンスビームの偏向度を感知するために使用され得る。もしくは、組み合いビームを用いて、ビームの偏向を克服するのに十分な静電力を印加してもよい。このような偏向を克服するのに必要な静電力の程度は、加速度計120により計測される加速度に関連している。センスビームのたわみ量および組み合いプレート130および132の重なり量を測定するために、もしくは相殺静電力を印加するために用いられる回路は、当業者には既知の方法を用いるものであり、本発明の一部ではない。従って、本明細書で説明する必要はない。
一例を示す図面である図７を参照すると、可変周波数、ハイ−Ｑ単結晶シリコン共振器の頂部立面図が図示されている。濃色の領域は、下述する深い反応性エッチングプロセスを通して形成された深いチャネルすなわち溝を表している。共振器140は、一対の静電偏向電極144および146間に配置された共振ビーム142を備えている。ビーム146のいずれかの側面上に整列された複数のビームは、熱アクチュエータ148および150として作用する。拡大されたヘッド部152は、固定された構造156の相補的プレート部材と交互に組み合った複数のプレート部材を備えている。ピエゾ抵抗素子が、単結晶シリコン第１層と相互接続する、共振器140の基底近くの最も応力の高い領域に形成されている。
動作時において、静電偏向電極144および146は、それらの間にAC電圧を印加し、それによりビーム142を励起させ、共振させる。ビームの共振周波数は、ピエゾ抵抗センス素子158を用いて検出されうる。ビームの共振周波数は、ビームの剛性を変えることによって、変化させることができる。熱アクチュエータ148および150のアレイは、ビームの共振周波数を選択的に調整するのに用いられうる。
具体的には、熱アクチュエータ148および150を差動加熱（differential heating）することによって、ビーム142の粗い剛性強化が達成されうる。このようにビーム142を粗く剛性強化することにより、その共振器の粗い調整を実現する。この熱アクチュエータは、ヘッドプレート152へとビームを押すことによって、ビームの剛性強化を実現する。このようにヘッドプレートに対して押すことによって、ビームの剛性を高める。交互に配置されたプレートである静電力プレート154のアレイは、ビームの共振周波数の微調整を実現するのに用いられる。プレート154のアレイを用いることにより印加される静電力の量は、相対的精度で制御されうる。よって、熱アクチュエータ148および150は、粗い調整に用いられ、静電力プレートは、微調整に用いられる。このようにして、比較的ハイＱの共振器が実現されうる。ハイＱの共振器は、正確で狭い周波数帯域をもつ共振器である。
ここで説明されている本発明の好ましい実施の形態によるシリコンマイクロセンサを製造するプロセスについて、図8A〜図8Gを参照して以下に説明する。本実施の形態では、２枚のシリコンウエハを用いる。このプロセスの結果、第１ウエハの一体化部分として所定のSCSミクロ構造が形成される。第２ウエハは、以下に説明するように、第１ウエハのキャリアとして作用する。あるいは、キャリアは、例えば、（パイレックス）ガラスから形成されてもよい。なお、以下の説明では２枚のみのウエハに言及するが、これらの原理は、２枚よりも多くのウエハの積層体を備えたマイクロセンサの形成にも、もちろん適用可能であることは理解されたい。
図8Aにおいて、第２ウエハは、第２ウエハ内に形成されるべき凹状領域を規定するホトレジストを用いてパターニングされる。図8Bにおいて、例えば、プラズマエッチング、KOHあるいはその他のシリコンエッチング液を用いたウェットエッチング、または示差（differential）酸化物成長のような標準的な半導体技術を用いて、凹状領域が第２ウエハに形成される。凹状領域は、任意の幾何学的形状を有することができ、例えば、0.1ミクロン未満から100ミクロンを超える値まで、要求されるどのような深さであってもよい。
なお、凹状領域は、必ずしも単一の均一な深さである必要はないことは理解されたい。例えば、異なる複数の機械的機能に用いられうる異なるいくつかの深さをつくるために、いくつかの標準的シリコンエッチング工程が用いられてもよい。また、第２ウエハの表面は、ベアシリコンでもよいし、酸化物の層でコーティングされていてもよい。また、凹状領域の底は、ベアシリコンでも、酸化されたシリコンでも、ドーピングされたシリコンでもよく、後続するウエハ接合および処理温度に耐えうるその他の薄膜でコーティングされていてもよい。
図8Cにおいて、第２ウエハのパターニングされた表面は、シリコン融着（すなわちダイレクト接合）プロセスにより第１ウエハへと接合される。融着技術は、よく知られている。例えば、K.E.Petersen、D.Gee、F.Pourahmadi、R.Craddock、J.BrownおよびL.Christelの”Surface Micromachined Structures Fabricated with Silicon Fusion Bonding”、Proceedings Transducers 91、1991年6月、第397〜399頁を参照のこと。この引例は、本願でも明示的に参考として援用される。ここで説明されている好ましい融着技術では、第１および第２ウエハは、親水性にされる。すなわち、これらのウエハは、これらのウエハへと水を付着させる、熱硝酸あるいは熱硫酸、および過酸化水素溶液あるいはその他の強力な酸化剤のような薬剤を用いて処理される。その後、これら２枚のウエハは、約１時間の間、400℃〜1200℃の温度で酸化性雰囲気内に置かれる。
上述したシリコン融着技術により、これらの単結晶シリコンウエハとは異なる熱膨張係数を有することがある介在膠材料（intermediate glue material）を用いずに、第１および第２ウエハを接合する。さらに、これらのウエハの一方または両方の接合された表面に、酸化物の層または窒化物の層が形成される、融着をおこなってもよい。
融着の代わりに、例えば、第１および第２のウエハを、ホトレジストのような接着剤を用いて接着してもよい。代わりとなる別の方法としては、第１および第２ウエハのそれぞれの主面に、これらのウエハを互いに合金化する金属層をコーティングすることが上げられる。第２シリコンウエハの代わりにガラスキャリアが用いられる場合には、第１ウエハは、このようなガラスキャリアに陽極接合（anodically bond）されてもよい。
図8Dにおいて、第１ウエハは薄くされ、具体的な用途により要求される厚さに研磨される。あるいは、ウエハを薄くするのに、電気化学エッチングを用いてもよい。図20Eにおいて、何らかの必要な回路あるいはその他の薄膜の堆積およびパターニングが、標準的なシリコン処理技術を用いておこなわれうる。融解ボンドは、典型的には、高温（＞900℃）でアニールされるので、ボンドを傷つけないようにするために回路処理温度に課せられる制約は、（あるとしても）ごく限られる。また、以下に述べる後続するエッチングプロセスは、ドライエッチングであるので、オンチップ回路は、約1.5ミクロンの厚さの堆積された酸化物の層あるいは窒化シリコンの層により、またはホトレジストにより保護されてもよい。
図8Fにおいて、第１ウエハは、深い反応性イオンエッチング（DRIE）工程用にパターニングされ、「トップ」ウエハのエッチング領域が規定される。DRIE技術は、益々周知となってきている。例えば、V.A.Yunkin、D.Fischer、およびE.Voges,”Highly Anisotrophic Selective Reactive Ion Etching of Deep Trenches in Silicon,”Microelectronic Engineering,Vol.23,1994年,337〜376頁、C.Linder,T.Tschan,N.F.de Rooij,”Deep Dry Etching Technique as a New IC Compatible Tool for Silicon Micromachining,”Proceedings Transducers ’91,1991年６月、524〜527頁、C.D.FungおよびJ.R.Linkowski,”Deep Etching of Silicon Using Plasma,”Proceedings of the Workshop on Micromachining and Micropackaging of Transducers、1984年11月７〜８日、159〜164頁、およびJ.W.Bartha、J.Greeschner,M.Puech、およびP.Maquin、”Low Temperature Etching of Si in High Density Plasma Using SF6/O2,”Microelectronic Engineering,Vol.27,1995年、453〜456頁を参照のこと。反応性イオンエッチング装置は、現在では、高アスペクト比（エッチング領域の深さと、エッチング領域の幅との間の比）を維持しながら、非常に深い（＞100ミクロン）穴または溝のエッチングを可能にする。この装置が深さ300ミクロン程度の溝に対して少なくとも20：１のアスペクト比を可能にすることが見いだされている。
DRIEは、本質的には、化学エッチングとイオン衝撃との間の相乗作用を伴う。励起状態のイオンは、シリコン表面に衝突してシリコン表面と化学的に反応する。DRIEプロセスの利点は、シリコン結晶面または結晶配向に関係なく、水平方向よりも垂直方向に（例えば、異方性的に）より高いレートでエッチングすることである。この結果、比較的深い実質的に垂直な溝またはスロットが、SCS第１ウエハに形成され得る。これらの実質的に垂直な溝またはスロットは、ウエハ内の結晶配向に関係なく、第１ウエハ内の至る所に形成され得る。このため、キャパシティブプレートまたは静電プレートなどの高アスペクト比構造が形成され得、円形、楕円形、および螺旋形などの任意の輪郭構造が形成され得る。
図8Gにおいて、DRIEプロセスは、第１ウエハを完全にエッチングするために用いられる。DRIEエッチング工程では、第１ウエハ内に形成されたSCS微小構造が機械的に「開放（release）」され、次にこの微小構造は、第２ウエハに対して自由に移動し得る。20：１までのアスペクト比（高さ／幅）を有する懸垂プレート／ビーム構造は、以下に記載するDRIEプロセスを用いて製造されている。
DRIEエッチングの現在好ましいアプローチの１つとして、高密度プラズマに基づいた高シリコンエッチレート（５μm／分）が挙げられる。エッチング用化学製品は、2.5パスカルの圧力下のSF6である。SiO2層または低温酸化物マスクは、図20Fを参照しながら説明するパターニングマスクとして作用する。低温に冷却されたチャックは、ウエハを約-100℃に保持し、エッチングされた溝の側壁上の非常に薄い保護層を凝縮させる。これによって側壁はマスクされ、非常に深い溝に対しても高いアスペクト比（＞15：１）が得られる。酸素添加ガスとCHF3添加ガスとの組合せを用いると、高いSi/SiO2エッチレート比（＞300：1）を得ることが容易になるため、わずか１μm厚の熱酸化物が、少なくとも300μm程度にエッチングされた溝に対するマスクとして用いられ得る。カリフォルニア州サンホセをビジネスの拠点とするAlcatelから入手可能な「マイクロマシニングエッチツール（micromachining etch tool）」は、低温DRIEを実施するために用いられ得る。
他のDRIEプロセスでは、誘導的に結合したプラズマソースは、ホトレジストをマスクとして用いて、シリコンをエッチングする。エッチングされた溝の側壁上でホトレジストマスクが重合し、水平方向のエッチレートが低くなり、高異方性が可能になる。エッチング用化学製品は、50ミリトールのSF6である。Surface Technology Systemsから入手可能な酸素添加ガスおよびフッ素化ガスとを用いると、高Si/ホトレジストエッチレート比を得ることが容易になる。６ミクロンのホトレジストは、図20Fを参照しながら説明するパターニングマスクとして作用する。ホトレジストの選択比は約50：１であり、これによって約６μmのレジストを用いて300μmの深さまでエッチングすることが可能となる。カリフォルニア州パロアルトをビジネスの拠点とするSurface Technology Systems（STS）から入手可能な「マルチプレックスRIEシステム」は、誘導結合プラズマDRIEを実施するために用いられ得る。
図9Aから図9Dの例示的な図は、本発明による封入された懸垂構造および封入された開放構造の製造における製造プロセスを示す側面断面図を示す。言うまでもなく、図8Aから図8Gを参照しながら説明したプロセス工程の詳細の多くは、図9Aから図9Dを参照しながら説明する製造工程において用いられる。これらのプロセスの詳細は、図9Aから図9Dにおいて用いられ得るが、これらの図面を参照しながら繰り返して説明はしない。
本発明による高アスペクト比構造を封入することによって、この構造は、例えば湿気などの環境による多くの影響から簡便に隔離される。この隔離は重要であり得る。なぜなら、湿度の変化は、例えば、共振構造の共振周波数を変化させ得るからである。さらに、このような構造を閉じ込めると、振動を減衰して、共振周波数に影響を与え得る空気または窒素などの粘性流体を、この構造が配置されるキャビティ内に満たすことが可能となる。逆に、減衰を低減させる場合、キャビティは、真空圧力に設定され得る。単結晶シリコンは、その低い内部応力および結晶構造により、内部減衰が比較的小さいため、共振デバイスに用いるには非常に有利な材料であることに留意されたい。あるいは、例えば、キャビティは、ヘリウムまたはアルゴンを用いて高圧にされ、加熱された場合に構造が効果的に冷却されるようにすることができる。このように、共振周波数の調整だけでなく、振動素子の減衰比および閉じこめられたキャビティ内の熱伝導率も変更することが可能である。
図9Aにおいて、上部凹部204は、単結晶シリコン（SCS）中間ウエハ200においてエッチングされ、下部凹部206は、同一のSCSウエハ200においてエッチングされる。本実施態様において、上部凹部204および下部凹部206は、円状である。上部構造210は、上部凹部204内で直立している。下部構造212は、下部凹部206内で直立している。次に、下部ウエハ214は、下部凹部206を閉じこめられるようにSCS中間ウエハ200に接合されている。下部ウエハ214は、下部凹部206内の下部直立構造212の直立端または遠位端に接合されている。下部ウエハ214は、例えば、単結晶シリコンであり得る。しかし、図8Aから図8Gを参照しながら説明したように、ガラス（パイレックス）などの他の材料を下部ウエハ214に用いてもよい。下部ウエハ214は、所望の厚さになるように研削または研磨され得る。
図９Ｂにおいて、深い反応性イオンエッチング（DRIE）プロセスを用いて高アスペクト比チャネル２１６を作成することにより、このような高アスペクト比チャネル２１６によって囲まれた懸垂構造２１８が得られる。懸垂構造２１８は、下部ウエハ２１４に取り付けられた下部直立構造２１２から懸垂している。下部直立構造は従って、懸垂構造２１８の下端を下部ウエハ２１４に係留している。チャネル２１６は例えば円状にすることにより、概して円柱形の懸垂構造２１８を形成することができる。しかし下記に説明するように、円状のチャネルは、多くの可能なチャネル形状の１つでしかない。次に、上部ウエハ２２０をウエハ２００に接合し、上部および下部ウエハ２２０および２１４の間で懸垂構造２１８を閉じ込める。上部直立構造２１０は、エッチングにより、その上端あるいは遠位端が中央ウエハ２００の上面よりも下部であるようにされている。従って、上部ウエハ２２０が中央ウエハ２００に接合された際、上部直立構造２１０と上部ウエハ２２０との間にギャップが存在する。懸垂構造２１８の上端あるいは遠位端は、上部ウエハ２２０に取り付けられていないことにより、自由に動き回ることができる。懸垂構造２１８は、エッチングされた凹部（recess）２０４および２０６ならびにDRIエッチングされたチャネル２１６によって規定されるキャビティの中に位置している。下部直立構造２１２は、キャビティ中の懸垂構造２１８を下部ウエハ214に係留する。図１、３、６、１２Ａ〜１２Ｂおよび１３に示したように、下部直立構造２１２は、センサまたはアクチュエータアプリケーション用に、バネまたはビームなどの可撓性部材として構成してもよい。また、懸垂構造２１８は、気体状または真空に近い環境内に封入してもよく、その中において上部ウエハ２２０の接合が行われてもよい。
図９Ｃおよび９Ｄは、製造プロセスのこの段階において行われ得る別のエッチングを示している。図９Ｃ下部ウエハ２１４を貫通してエッチング２２２を行うことにより、懸垂構造２１８を自由にし、以前の懸垂構造に加えて下部ウエハ２１４の解放部２２４を有するような、解放構造２１８’を作成し得る。チャネル２２２は例えば円状であってもよく、または、本発明に応じた他の変形（varied）あるいは複雑な形状に作成されてもよい。また、解放ウエハ部２２４も図９Ｃの解放構造２１８’の一部をなしていることに留意されたい。図９Ｄにおいて、下部ウエハ２２０に穴２２６をエッチングしている。穴２２６は例えば、懸垂構造２１８を囲むキャビティ２２８内にガスを導入するためおよび／またはキャビティ２２８に加圧するために用い得る。キャビティ２２８内において、例えば懸垂構造２１８の振動を減衰するために、流体を用いてもよい。ガスまたは流体の導入または加圧が完了した後に、例えば接着剤またはエポキシシール部材を用いて、穴をシールしてもよい。
図９Ａ〜９Ｄを用いて上述した製造プロセス全体の別態様として、中央ウエハに凹部を形成する代わりに、凹部を上部ウエハおよび下部（外側）ウエハに形成してもよい。例えば、図１０の説明図において、SCS解放構造２１８”を有するような、別態様における複数ウエハデバイス（multiple wafer device）の側断面図を示している。上部および下部ウエハ２２０’および２１４’には、図示のように凹部が形成されている。上部ウエハ２２０’の凹部２０６’は、上部直立構造２１０’を規定している。下部ウエハ２１４’の凹部２０６’は、下部直立構造２１２’を規定している。深い反応性イオンエッチングによって形成されたチャネル２１６’を有する中央ウエハ２００’が、上部および下部ウエハ２１４’および２２０’の間に接合されている。このように、解放構造２１８’は、エッチングされた凹部２０４’および２０６’ならびにDRIエッチングチャネル２１６’によって規定されるキャビティの中に位置している。本発明に基づき図１０の構造を作成するための実際の工程は、図９Ａ〜９Ｄを用いた上記説明から当業者には理解されるであろうため、ここでは詳述する必要はない。
上述の製造プロセス全体の更なる別態様は、中央ウエハからなる構造を解放するために、上部ウエハおよび下部ウエハを貫通してエッチングすることを包含する。例えば、図１１の説明図において、SCS解放構造２１８”’を有するような、更なる別態様における複数ウエハデバイスの側断面図を示している。中央ウエハ２００”は図９Ａ〜９Ｄのウエハ２００と同様にエッチングされる。特に、チャネル２１６”が深い反応性イオンエッチングによって形成されている。しかし、図１１のウエハ２００”の上部直立構造２１０”は、上部ウエハ２２０”に接合されている。従って、構造２１８”’を解放するために、下部ウエハ２１４”にチャネル２２２”をエッチングし、上部ウエハ２２０”にチャネル２２８”をエッチングする。いる。本発明に基づき図１１の構造を作成するための実際の工程は、図９Ａ〜９Ｄを用いた上記説明から当業者には理解されるため、ここでは詳述する必要はない。
上述の本製造プロセスに基づき作成される解放および懸垂構造は、かなり複雑にすることができる。例えば、図８Ａ〜８Ｇ、図９Ａ〜９Ｄに示す構造例は概して円柱状の輪郭を有しているが、ギアなどのより複雑な構造を作成することもできる。そのようなギアは、高アスペクト比ギア歯を有するように形成することができ、加圧されたあるいは流体で満たされたチャンバ内に封入することができる。また、例えば、図１、３および図５の懸垂構造、図６の加速センサ、図７の共振器、もしくは図１２Ａ〜１２Ｂまたは図１３の共振器を、上述のプロセスによって作成することが可能である。
図１２Ａ〜１２Ｂの説明図において、本発明に基づく高アスペクト比封入SCS共振器２３０の更なる別態様の、上断面図および側断面図を示している。共振器２３０は、上部ウエハ２３８と下部ウエハ２４０との間に設けられた中央SCSウエハ２３４内に形成された実質的に垂直な壁部２４１〜２４４によって輪郭付けられる（bounded）、チャンバまたはキャビティ２３６中に閉じ込められている。共振器２３０は、組み合わされた（interleaved）高アスペクト比２３２−１および２３２−２のアレイを有している。図１２Ｂの説明図において、図１２Ａ中の線１２Ｂ−１２Ｂにおける、SCS共振器２３０の側断面図を示している。図１２Ｂに示すように、プレート２３２−１および２３２−２は、トップウエハ２３８とボトムウエハ２４０との間のチャンバ２３６内において、中央SCSウエハ２３４から懸垂している。より詳細には、第１のプレートのセット２３２−１は、チャンバ２３６内の中央ウエハ２３４の壁部２４２に一体に係留された第１の支持部材２４６から懸垂しており、第２のプレートのセット２３２−２は、チャンバ２３６内の中央ウエハ２３４の壁部２４４に一体に係留された第２の支持部材２４７から懸垂している。第１および第２の壁部２４２および２４４は、キャビティ２３６内において、互いに対向して面するように設けられている。
詳細には、第１のプレートのセット２３２-１は、第１の壁部２４２に係留された第１の支持部材２４６に従属する。また代わりに、第１のプレートのセットは、第１の壁部２４２から直接懸垂され得る。第２のプレートのセット２３２-２は、高いアスペクト比のバネ構造２５０から懸垂される第２の支持要素２４８に従属する。バネ構造は、さらに、第２の支持部材２４７によって、第２の壁部２４４から懸垂される。バネ構造２５０は、第１および第２の角をなす部材２５１および２５３を含む。角をなす部材２５１および２５３のそれぞれは、第１のセグメント２５１-１および２５３-１のそれぞれを含む。角をなす部材２５１および２５３のそれぞれはまた、第２のセグメント２５１-２および２５３-２のそれぞれを含む。第１のセグメント２５１-１および２５３-１のそれぞれの第１の端部は第２の支持部材２４７に一体的に固定されている。第２のセグメント２５１-２および２５３-２のそれぞれの第１の端部は、第３の支持部材２４８と一体的に固定される。第１の角をなす部材２５１の第１および第２のセグメント２５１-１および２５１-２の第２の端部のそれぞれは、互いと一体的に鋭角をなして接合される。同様に、第２の角をなす部材２５３の第１および第２のセグメント２５３-１および２５３-２の第２の端部のそれぞれは、互いと鋭角をなして一体的に接合される。
図１３の実例図は、他の代替の本発明による懸垂されたＳＣＳ共振器３１０の斜視図を示す。図１３の懸垂構造が、上部および下部ウエハに挾持される中央ウエハに形成され、キャビティ内に配置されることが理解される。ただし、中央、上部または下部ウエハ、もしくはキャビティは図示されていない。共振器３１０は、組み合わされた高いアスペクト比のプレートの第１のセット３１２-１および３１２-２を含む。共振器３１０は、組み合わされた高いアスペクト比のプレートの第２のセット３１４-１および３１４-２を含む。共振器は、また、その間でスペースまたはギャップ３１９を規定する伸長したセグメント３１７-１および３１７-２を含むバネ構造３１６を含む。プレート３１２-１は、３２０側で中央ウエハ（図示せず）に係留された第１の支持部材３１８に従属する。プレート３１２-２は、バネ３１６の第１の側部に従属する。プレート３１４-１は、３２１側で中央ウエハ（図示せず）に係留された第２の支持部材３２２に従属する。プレート３１４-２は、バネ３１６の第２の側部に従属する。バネ３１６は、その遠位端３２４-１および３２４-２においてキャビティ（図示せず）内に係留される。集積回路３２６-１、３２６-２、３２６-３、および３２６-４は、図示するように懸垂された共振器３１０の表面に形成され得る。
集積回路をバネや組み合わされたプレートなどの機械部品に直接形成することの有利点は、パラメータ試験が改善されることである。例えば、機械部品に形成されたダイオードまたはバイポーラトランジスタは、部品の機械的な動きに影響を及ぼし得る温度を感知するために使用され得る。他の有利な点は、動作部および集積回路の両方がデバイスの同じ部分に形成されることによって、面積が節約できることである。さらなる有利点は、寄生が抑制または回避できることである。例えば、回路要素が、機械構造から距離を離された場合、高周波インダクタンス効果またはキャパシタンス効果による寄生による損失の危険性が上昇する。
図１２Ａ-１２Ｂおよび図１３の共振器は、図８Ａ-８Ｇおよび図９Ａ-９Ｄに示されるプロセスを用いて製造され得る。例えば、中央ウエハのトップおよびボトムに凹部がエッチングされ得る。高いアスペクト比の組み合わされたプレートおよび高いアスペクト比のバネ構造を作るために、ＤＲＩＥプロセスを用いて凹状領域をエッチングすることが採用され得る。従来の半導体製造技術を用いて懸垂された構造に集積回路が形成され得る。
共振器２３０および３１０の動作は、それらの実施および目的に依存する。例えば、共振器２３０または３１０は、プレート間の静電力に応答して、バネ部材２５０または３１６が撓むように実施され得る。バネの撓みは、静電力を測定するために感知され得る。さらに他の代替として、例えば、バネ２５０または３１６は、正確な共振周波数を有するように製造され得る。バネは、その共振周波数において振動するように促され得る。プレート間のキャパシタンスもバネの共振周波数で変動する。このキャパシタンス変化は、他の電子回路（図示せず）をバネの共振周波数に調整するために用いられ得る。従って、図１２Ａ-１２Ｂおよび１３の共振器についての可能な適用が数多くある。
本発明に従って、図１２Ａ-１２Ｂ、および１３のＳＣＳ共振器に対する可能な改変が多数あることが理解される。例えば、バネは、「Ｖ」字形の代わりに「Ｕ」字形であり得る。また代わりに、バネは、単一ビームまたは複数のビームを備え得る、もしくは、蛇行パスを規定するような長さに沿って波動「〜」（蛇行パス）を有したより複雑なビームを備え得る。さらに、プレートの数は変られ得、プレートの重なり量も同様に変られ得る。さらに、プレート間のギャップは、プレートの一方の側が、そのプレートの他方の側よりも、隣接するプレートに近接するというように不均一であり得る。
本発明の特定の実施態様を説明および図示したが、本発明の精神から逸脱することなく、これらの実施態様には改変が行い得ることが理解される。従って、本発明は、以下の請求の範囲を考慮して定義されることを意図するものである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図９Ｃ】
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【図９Ｄ】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２Ａ】
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【図１２Ｂ】
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【図１３】
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