(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
弾性表面波の伝搬面を有する水晶基板、および
前記基板上に変換中心および反射中心を生成する手段
を備え、
前記基板が、基準系（Ｘ”、Ｙ”、Ｚ”）内に、カッティング面（Ｘ、Ｚ）に関して３回回転させることにより定義されたカッティング面（Ｘ”、Ｚ”）を有し、Ｘ、Ｙ、Ｚが水晶の右手系の結晶軸である場合に、波の伝搬方向が軸Ｘ'''に沿って定義され、第１のカッティング面（Ｘ’、Ｚ’）が、面（Ｘ、Ｚ）の軸Ｚのまわりの時計回りを正値とする角度φの回転によって定義され、これによって軸Ｚと同じ軸Ｚ’を有する第１の基準系（Ｘ’、Ｙ’、Ｚ’）が定義され、第２のカッティング面（Ｘ”、Ｚ”）が面（Ｘ’、Ｚ’）の軸Ｘ’のまわりの時計回りを正値とする角度θの回転によって定義され、これによって軸Ｘ’と同じ軸Ｘ”を有する第２の基準系（Ｘ”、Ｙ”、Ｚ”）が定義され、軸Ｘ'''に沿った伝搬方向が、面（Ｘ”、Ｚ”）内の軸Ｘ”の軸Ｙ”まわりの反時計回りを正値とする角度ψの回転によって定義される弾性表面波デバイスであって、
−６０゜≦φ＜０゜であり、
θが、−４０゜ｃｏｓ（３φ）±４０゜の範囲に含まれ、
ψが、３５゜＋１０゜ｓｉｎｅ（３φ）±２２．５゜の範囲に含まれる弾性表面波デバイス。
【請求項２】
−６０゜≦φ＜０゜であり、
（θ、ψ）が、温度の関数としての周波数変動の１次係数が、−１０ｐｐｍ／゜Ｋ〜＋１０ｐｐｍ／゜Ｋの範囲となり、エネルギー束の角度が−５゜〜＋５゜の範囲となるように定義される、請求項１に記載の弾性表面波デバイス。
【請求項３】
前記基板上に変換中心および反射中心を生成する手段として、すだれ状電極を備える、請求項１に記載の弾性表面波デバイス。
【請求項４】
前記基板上に反射中心を生成する手段として、電極アレイをさらに備える、請求項１に記載の弾性表面波デバイス。
【請求項５】
前記水晶基板は、前記基板上に変換中心を生成する手段として、エッチングされたグルーブを局所的に含む、請求項３に記載の弾性表面波デバイス。
【請求項６】
電極がアルミニウム製である、請求項３に記載の弾性表面波デバイス。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明の分野は弾性波デバイスの分野であり、特に、圧電材料からできた基板の表面に作られたフィルタまたは共振器の分野である。
【０００２】
弾性表面波デバイスの製作に使用する材料およびその材料のカットは一般に２つの基準、すなわち得られる極大帯域を特徴づける圧電結合係数と温度の関数としての材料の振舞いに基づいて選択される。事実、温度が上昇すると材料が膨張し、その弾性率が変化して、表面波の伝搬速度が変化し、その結果、デバイスの周波数が変化する。
【０００３】
【従来の技術】
水晶は弾性表面波フィルタに長く使用されている材料である。一般に使用されるカットはＳＴカットと呼ばれるものである（M.B. Schultz, B.J. Matzinger, M.G. Holland,「Temperature Dependence of Surface Acoustic Wave Velocity on α Quartz」, Journal of Applied Physics, Vol. 41, No. 7, pp. 2755-2765, (1970)）。カッティング角度φ、θおよびψはＩＥＥＥ規格によって定義されている（Standard on Piezoelectricity Std 176-1949, Proc. IRE, Vol. 37, pp. 1378-1395 (1949)）。
【０００４】
カッティング角度の定義が曖昧にならないように、これらの角度の定義をここで思い出しておこう。軸Ｘ、ＹおよびＺは水晶の結晶軸である。選択した結晶は「右手系水晶」結晶として知られ、圧電定数ｅ１１およびｅ１４の符号によって特徴づけられる。「右手系水晶」はｅ１１が正、ｅ１４が負の水晶である。図１に、カット（ＹＸ）を有する板を示す。これは、カッティング面に垂直な軸がＹ軸、伝搬方向の軸がＸ軸であることを示す。この図は、方向ｗ（板の幅に沿った方向）、ｌ（板の長さに沿った方向、したがって伝搬方向）およびｔ（板に垂直な方向）を定義する。カットおよび伝搬角度は、カット（ＹＸ）から始めて連続して３回回転させることによって定義される。ｗのまわりの回転は角度φで表し、ｌのまわりの回転は角度θ、ｔのまわりの回転は角度ψで表す。伝搬は、回転後の板の方向ｌに沿って起こる。したがってカッティング面は２つの角度φおよびθによって完全に定義され（図２ａ）、第３の角度ψはこの面の特定の方向、したがって表面波にとっては使用する伝搬方向を定義する（図２ｂ）。
【０００５】
ここで、体積波フィルタに一般に使用されるさまざまなカットを定義する角度を思い出しておこう。
【０００６】
ＢＴカット：φ＝０、θ＝−４９゜
ＡＴカット：φ＝０、θ＝＋３５゜
ＳＣカット：φ＝−２２．４゜、θ＝＋３３．８゜
【０００７】
表面波デバイスに一般に使用されるＳＴカットは、角度φ＝０゜、θ＝４２．７５゜、ψ＝０゜で定義される。このカットを図３に示す。最初の基準軸系は（ＸＹＺ）である。１回目の回転でこれは（Ｘ’Ｙ’Ｚ’）となり、２回目の回転で（Ｘ”Ｙ”Ｚ”）、３回目の回転で（Ｘ'''Ｙ'''Ｚ'''）となる。
【０００８】
この１回回転カットはレイリー波で、温度変化に対する周波数の変動が、摂氏２５度（２５℃）付近、すなわちフィルタの動作温度範囲のしばしば中央である温度付近に頂点を有するパラボラ状に変化するという利点を有する。このカットの結合係数は比較的低い（約０．１２％）。
【０００９】
特に弾性表面波を発生させる変換器を基板の表面に作成する目的で例えばアルミニウムなどの材料を付着させた場合、頂点温度は変化する。実際、この効果を補償し、頂点温度を２５℃付近に保つ目的でカットがわずかに変更される。このため、θ＝３０゜からθ＝４２゜までのカットが使用される。波の伝搬速度および波の周波数温度関係の頂点を除き、これらのカットは全て互いに非常に近い特性を有する。
【００１０】
ここ数年の間に低挿入損のフィルタが数多く製作された。挿入損を低減させる目的に電極での表面波の反射がしばしば使用される。最もよく電極に使用されている材料はアルミニウムである。これらの反射を使用するフィルタは例えばＤＡＲＴまたはＳＰＵＤＴ型の共振フィルタまたは一方向性フィルタである。電極の反射係数は、これらのデバイスの設計に非常に重要な特性である。事実、反射係数が大きいほど、小さなチップ・サイズで容易に低損失を達成することができる。さらに、エッチングしたグレーティング、あるいはこれよりもしばしば使用される金属被覆線のグレーティングなどのその他の種類の反射器を使用して空胴を形成する弾性表面波共振器も作られている。反射係数が高いと、同じ大きさでより低損失の空洞を得ることができ、したがって、共振器のＱ値を向上させることができるので、この種類のデバイスでも反射係数は重要な特性である。
【００１１】
しかし、デバイスを設計する際、反射係数は、実施可能な電極の最大厚によって制限されることに留意しなければならない。さらに、（金属被覆の厚さまたは線幅に関する）製造技術上の不確実性に対する感度は、金属被覆の厚さが厚くなるにつれて大きくなる。このことは実際に使用することができる厚さに制限を与える。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
この文脈において本発明の目的は、水晶基板および使用する反射係数が改善された反射中心を使用する弾性表面波デバイスであって、圧電基板として使用する水晶のカットの選択を最適化することを通して材料のその他の特性が維持される弾性表面波デバイスを提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
詳細には本発明の目的は、
弾性表面波の伝搬面を有する水晶基板、および
前記基板上に変換中心および反射中心を生成する手段
を備え、
前記基板が、基準系（Ｘ”、Ｙ”、Ｚ”）内に、カッティング面（Ｘ、Ｚ）に関して３回回転させることにより定義されたカッティング面（Ｘ”、Ｚ”）を有し、Ｘ、Ｙ、Ｚが水晶の右手系の結晶軸である場合に、波の伝搬方向が軸Ｘ'''に沿って定義され、第１のカッティング面（Ｘ’、Ｚ’）が、面（Ｘ、Ｚ）の軸Ｚのまわりの時計回りを正値とする角度φの回転によって定義され、これによって軸Ｚと同じ軸Ｚ’を有する第１の基準系（Ｘ’、Ｙ’、Ｚ’）が定義され、第２のカッティング面（Ｘ”、Ｚ”）が面（Ｘ’、Ｚ’）の軸Ｘ’のまわりの時計回りを正値とする角度θの回転によって定義され、これによって軸Ｘ’と同じ軸Ｘ”を有する第２の基準系（Ｘ”、Ｙ”、Ｚ”）が定義され、軸Ｘ'''に沿った伝搬方向が、面（Ｘ”、Ｚ”）内の軸Ｘ”の軸Ｙ”まわりの反時計回りを正値とする角度ψの回転によって定義される弾性表面波デバイスであって、
−６０゜≦φ＜０゜であり、
θが、−４０゜ｃｏｓ（３φ）±４０゜の範囲に含まれ、
ψが、３５゜＋１０゜ｓｉｎｅ（３φ）±２２．５゜の範囲に含まれる
弾性表面波デバイスを提供することにある。
【００１４】
第１の代替実施形態によれば、全ての変換中心および全ての反射中心が同じ１つのすだれ状電極セットに属する。
【００１５】
本発明の第２の代替実施形態によれば、ある反射中心が別個の電極アレイに属する。
【００１６】
本発明の第３の代替実施形態によれば、デバイスがさらに、水晶基板にエッチングされたグレーティングに由来する反射中心を含む。
【００１７】
本発明に基づくデバイスに使用される金属被覆がアルミニウム製であると有利である。
【００１８】
本発明の一代替実施形態によれば、弾性表面波デバイスがＳＰＵＤＴまたはＲＳＰＵＤＴ型の一方向性フィルタである。
【００１９】
現在使用されている水晶のＳＴカットは、結合係数および周波数／温度変動曲線に関しては満足な性能特性を与える。しかし新しい種類のフィルタにおける反射エレメントの採用およびその使用の拡大によって、反射器の反射係数が最重要であるとき、特に反射器がアルミニウム製であるときにＳＴカットの価値を相対的に低める追加の制約が生じている。
【００２０】
以下の説明で述べる物理パラメータから、温度ドリフトおよび結合係数に関して等価な特性を有しながら、反射エレメントが高い反射係数を有する水晶カットの範囲が存在することが示される。したがってこれらのカットの１つを使用すると、反射器を使用した弾性表面波デバイスであってＳＴカットを有する等価なデバイスに優る利点を有する弾性表面波デバイスを得ることができる。
【００２１】
さらに、１次周波数の温度係数が一般に−１０ｐｐｍ／゜Ｋ〜＋１０ｐｐｍ／゜Ｋと低く、フラックスの角度も一般に−５゜〜＋５゜と低い水晶カットのサブセットを定義することは特に有利である。第１の条件は、実際に求められている約２５℃付近の周波数温度関係の頂点温度を得ることにつながる。
【００２２】
第２の条件は、弾性表面波デバイスの動作を（エネルギー束の前記角度を補償するための変換器のシフトのない）できるだけ小さなサイズに最適化することを可能にする。
【００２３】
事実、弾性表面波デバイスでは、
Δｆ／ｆｏ＝ＣＴＦ１（Ｔ−Ｔｏ）＋ＣＴＦ２（Ｔ−Ｔｏ）２
とおける。上式で、
ＣＴＦ１：１次係数
ＣＴＦ２：２次係数
である。
【００２４】
Ｔｏは、１次および２次係数の計算温度である（一般に２５℃）。
【００２５】
Δｆは、現在の温度２９８゜Ｋに対して誘導される周波数変化に対応する。頂点温度は、式ｄ（Δｆ／ｆｏ）／ｄＴ＝０を解くことによって得られる。
これは、頂点温度Ｔ＝Ｔｏ−（ＣＴＦ１／２ＣＴＦ２）
に対応する。
例えばＣＴＦ２を約−５０ｐｐｂ／゜Ｋ２、
例えばＣＴＦ１を約−１ｐｐｍ／゜Ｋとすると、
頂点温度Ｔ＝Ｔｏ−１０゜Ｋが得られる。
【００２６】
添付図に関連させて非限定的な実施形態として示した以下の説明を読むことによって、本発明をより明確に理解することができ、その他の利点も明らかとなろう。
【００２７】
【発明の実施の形態】
図４に、本発明に基づく例示的な弾性表面波デバイスのごくおおまかな図を示す。このデバイスは、金属電極によって作られた変換中心および反射中心を含む。詳細にはこのデバイスは、２つのすだれ状電極変換器２、３、４および５、ならびに線グレーティングによって形成された２つの反射器６および７を有する。伝搬方向は、回転後の基板の方向Ｘ'''であり、したがって角度φおよびθによって定義されたカッティング面の軸Ｘ”を角度ψだけ回転させた方向である。
【００２８】
所与の水晶基板を定義するそれぞれのカッティング面について、デバイスの性能特性が最適化される弾性表面波の好ましい伝搬方向が存在する。
【００２９】
この伝搬方向は角度ψによって定義される。
【００３０】
本発明によればψ＝３５゜＋１０゜×ｓｉｎｅ（３φ）である。
【００３１】
ここで、カッティング面の異なる方向および弾性波の伝搬方向について以下の値を与える。
・結合係数Ｋｓ２。デバイスを用いて得られ、自由基板上と金属被覆基板上の表面波速度の相対半差として計算される極大帯域を表す。
・反射器の反射係数Ｒ。ｈを金属の厚さ、λを波長としたときにｈ／λとして計算される。
・エネルギー束の角度η（゜）。表面波の波数ベクトルとポインティング・ベクトルの間の角度。
・周囲温度（２５℃）付近における温度の関数としてのフィルタの特性周波数変動の１次係数
・表面波の伝搬速度Ｖ∞
・周囲温度（２５℃）付近における温度の関数としてのフィルタの特性周波数変動の２次係数
・温度／周波数曲線の頂点温度。零厚さのときの周波数／温度曲線のピークである。表面波デバイスの周波数の変動を最小限に抑えるためには、この頂点温度が動作温度範囲の中央付近に来るようなカットを選択することが必要である。
【００３２】
薄い電極では、Ｒの機械部はその波長に規準化された電極の厚さｈに比例するとみなすことができることに留意しなければならない。ダッタ（Ｄａｔｔａ）およびハンジンガー（Ｈｕｎｓｉｎｇｅｒ）の計算に基づく単純化モデル（S. Datta, B. Hunsinger,「First-Order Reflection Coefficient of Surface Acoustic Waves From Thin Strip Overlays」, Journal of Applied Physics, Vol. 50, No. 9, pp. 5661-5665 (1979)）によれば、反射係数を高い精度で推定することができる。ＳＴカットの水晶、幅λ／４の電極では、Ｒは０．５ｈ／λの範囲内にある。これより厚い電極では、「エネルギー貯蔵」効果と呼ばれる効果が生じ、ダッタ−ハンジンガーの計算はもはや信頼できなくなる（P. Ventura, J. Desbois, L. Boyer,「A Mixed FEM/Analytical Model of Electrode Mechanical Perturbation For SAW And PSAW Propagation」, Proc. of the 1993 IEEE Ultrasonics Symposium, IEEE cat. No. 93 CH 3301-9, pp. 205-208）。しかし発明者らの計算によれば、ダッタ−ハンジンガーの計算によってカットをその機械的反射係数に関して適正に分類することができると考えることができる。さらに、水晶とアルミニウムの機械的特性は互いに似ているので、アルミニウム・バンドで高い反射係数を示すように選択したカットは、水晶にエッチングしたグルーブでも高い反射係数を示すとみなすことができる。
【００３３】
計算結果によれば、本発明で定義したカット・ゾーンでは、結合係数は常に、少なくとも水晶のＳＴカットの結合係数と同じ範囲にあった（表ＩＩ参照）。さらに、このゾーンの全てのカットについて見ると、頂点温度が約２５℃である伝搬角度ψが１つまたは複数ある。
【００３４】
表Ｉに、角度ψに関連する角度φおよびθによって識別される伝搬方向によって識別される異なるカッティング面を要約し、その参照を付す。角度ψおよびカットθは、高反射係数、エネルギー束の角度が約０゜、頂点温度が２５℃付近となるように選択した。
【００３５】
表ＩＩに、先に述べた表Ｉのカットに対応する物理パラメータを要約する。
【００３６】
【表１】
0004479026.tif 000002
【００３７】
【表２】
0004479026.tif 000003
【００３８】
本発明において推奨される好ましい弾性波の伝搬方向に関連したカッティング面は反射係数Ｒを増大させ、同時に、その他の特徴パラメータを維持することが表ＩＩから分かる。
【００３９】
さらに、水晶上のレイリー波には対称性があることを想起されたい。すなわち、
・（＋φ、θ、＋ψ）はθの符号の如何に関わらず（−φ、θ、−ψ）と等価であり、
・（φ、θ、ψ）は（φ＋１２０゜、θ、ψ）と等価であり、
・（φ、θ、ψ）は（φ、θ＋１８０゜、ψ）と等価であり、
・（φ、θ、ψ）は位相が逆転される反射係数を除き（φ、θ、ψ＋１８０゜）
と等価である。
【００４０】
これらの異なる対称性を組み合わせると、レイリー波の特性は、水晶について以下の角度範囲だけで記述される。
−６０゜＜φ＜＋６０゜、−９０゜＜θ＜＋９０゜、０゜＜ψ＜＋９０゜
【００４１】
図６ａから図６ｇに、相対厚さｈ／λの小さなアルミニウム障害での反射係数の等値曲線を示す。これらの曲線は、図５に示した金属被覆−周期比ａ／ｐの５０％に対し、高さｈと弾性波波長λの比を１％よりもはるかに小さくとってプロットしたものである。この値は、ダッタ−ハンジンガーの計算に基づく単純化モデルによって、セクション角度θと伝搬方向ψの関数として、請求の範囲の関心であるセクション角度φの異なる値（すなわち１０゜きざみで０゜〜−６０゜）に対して計算した。これらの曲線によって、本発明の目的である高反射係数Ｒを有するゾーンを視覚的に指定することができる。しかし、関心の角度範囲をいくぶん狭めるため、図７ａから図７ｇに、ａ／ｐ５０％に対して金属被覆の相対厚さｈ／λを０％および５％としたときの対する頂点温度２５℃の等値曲線を同じ値の角度について示す。しかし、金属被覆の厚さの影響に関係したこの後者の情報は、ＳＴカットに対してのみ妥当性が確認された理論上の計算から導かれたものであるので非公式にしか使用できない（E. Henry, S. Ballandras, E. Bigler, G. Marianneau, G. Martin, S. Camou,「Influence of Metallization on Temperature Sensitivity of SAW Devices」Proc. of the IEEE Ultrasonics Symp., pp. 221-226, 1997）。したがってカット（ｆ）は、経験上の注意をもって扱わなければならない。
【００４２】
水晶板カット上に作られた本発明に基づく例示的なフィルタ
新規な一水晶カットの実際的な実装の一例を以下に示す。これは、ＧＳＭ規格に準拠した中心周波数７１ＭＨｚのＤＡＲＴ型共振フィルタの製造からなる。したがってこのフィルタは、ともにソースの除去によって重み付けされた２つの変換器、ならびに変換器間の空胴に置かれ、互いの間が１／４波長離れた２つの反射グレーティングを有する。この電極構造は、化学エッチングしたアルミニウムの付着によって、先に示したように（カット（ＹＸｗｌｔ）−２０、−３５．５、＋２０）で定義されたカット（ｆ）の上に作られている。得られた結晶チップの寸法は、１０×６ｍｍ２のパッケージにカプセル化できるものである。この新規なカットを使用する価値は、共振ＤＡＲＴの反射部分の作成に必要な金属の厚さをかなり薄くすることができることにある。事実、新しいカットでは厚さが（セクションＳＴの）１４０００Åから８０００Åに低減され、そのため、デバイスの製造時に純粋に技術的な製造欠陥が生じにくくなっている。図８に、（波長によって表した）反射器の空間分布Ｒおよび標準化された変換器の分布Ｔを示す。基本反射器の係数は２．９２％である。これは、波長あたり最大５．８４％に対応する。入力インピーダンスＺｉｎ＝３０００Ω、出力インピーダンスＺｏｕｔ＝５００Ωで作動するように設計されたフィルタ（図９参照）は、入力の１．１μＨの並列自己インダクタンスおよび出力の６００ｎＨの並列インダクタンスと２ｐＦの直列コンデンサの対によって調整される。図１０に示す曲線から、カット（ｆ）上のフィルタの電気的応答の品質を、４０ｄＢをはるかに超える拒絶と約−７．５ｄＢの帯域損を有すると評価することができる。ただし、フィルタの設計および製造中に、１６２．４゜と理論的に推定された（ほとんどの新しいカットに固有の）反射係数位相を、基本ＤＡＲＴセルの変換器に対して反射器をシフトさせることによって除く必要があったことに留意されたい。これは反射器で反射された波の位相シフトが、ＳＴ水晶上で得られる−９０゜ではなく±１６２．４゜−９０゜であることを意味する。２つの伝搬方向はもはや等価ではなく、変換および反射中心を考慮できるようにＤＡＲＴセル中でこれらをシフトさせる必要がある。最後に図１１に、使用する金属被覆の相対厚さ（ｈ／λ。１．６７％の範囲内）が与えられたとき、レイリー波が周囲温度付近で温度補償され、このフィルタに対して頂点が１０〜２０゜であるパラボラ状の周波数／温度関係が得られることを示す。温度に対する感度の２次係数はＳＴカットのそれよりもかなり大きい（ＳＴカットの−４０ｐｐｂ／゜Ｋ２に対してカット（ｆ）では−５０ｐｐｂ／゜Ｋ２）が、それでも桁は変わらないことに留意されたい。
【図面の簡単な説明】
【図１】ＹＸカットを有する水晶板を示す図である。
【図２ａ】ＹＸカットについてカットの定義を示す図である。
【図２ｂ】ＹＸカットについて伝搬角度の定義を示す図である。
【図３】従来技術のデバイスで使用されているＳＴカット水晶を示す図である。
【図４】本発明に基づくカットを有する水晶基板上のすだれ状変換器および電極アレイを示す弾性表面波デバイスの透視図である。
【図５】弾性表面波デバイスで使用される電極の幾何形状を示す図である。
【図６ａ】φ＝０のときの、カッティング角度θと伝搬角度ψの関数としての反射係数の等値曲線を示す図である。
【図６ｂ】φ＝−１０のときの、カッティング角度θと伝搬角度ψの関数としての反射係数の等値曲線を示す図である。
【図６ｃ】φ＝−２０のときの、カッティング角度θと伝搬角度ψの関数としての反射係数の等値曲線を示す図である。
【図６ｄ】φ＝−３０のときの、カッティング角度θと伝搬角度ψの関数としての反射係数の等値曲線を示す図である。
【図６ｅ】φ＝−４０のときの、カッティング角度θと伝搬角度ψの関数としての反射係数の等値曲線を示す図である。
【図６ｆ】φ＝−５０のときの、カッティング角度θと伝搬角度ψの関数としての反射係数の等値曲線を示す図である。
【図６ｇ】φ＝−６０のときの、カッティング角度θと伝搬角度ψの関数としての反射係数の等値曲線を示す図である。
【図７ａ】φ＝０のときの、角度θとψの関数としての頂点温度２５℃の等値曲線を示す図である。
【図７ｂ】φ＝−１０のときの、角度θとψの関数としての頂点温度２５℃の等値曲線を示す図である。
【図７ｃ】φ＝−２０のときの、角度θとψの関数としての頂点温度２５℃の等値曲線を示す図である。
【図７ｄ】φ＝−３０のときの、角度θとψの関数としての頂点温度２５℃の等値曲線を示す図である。
【図７ｅ】φ＝−４０のときの、角度θとψの関数としての頂点温度２５℃の等値曲線を示す図である。
【図７ｆ】φ＝−５０のときの、角度θとψの関数としての頂点温度２５℃の等値曲線を示す図である。
【図７ｇ】φ＝−６０のときの、角度θとψの関数としての頂点温度２５℃の等値曲線を示す図である。
【図８】角度φ＝−２０゜、θ＝−３５．５゜、ψ＝＋２０゜によって定義されるカットを有する水晶基板の表面に作られたフィルタで使用する反射器および変換器の空間配布を示す図である。
【図９】角度φ＝−２０゜、θ＝−３５．５゜、ψ＝＋２０゜によって定義されるカット上に作られたフィルタのマッチングを可能にする電気部品の概略図である。
【図１０】角度φ＝−２０゜、θ＝−３５．５゜、ψ＝＋２０゜によって定義されるカット上に作られたフィルタの周波数応答を示す図である。
【図１１】角度φ＝−２０゜、θ＝−３５．５゜、ψ＝＋２０゜によって定義されるセクション上に作られたフィルタの周波数の推移を温度の関数として示す図である。
【符号の説明】
２  変換器
３  変換器
４  変換器
５  変換器
６  反射器
７  反射器
【図１】
0004479026.tif 000004
【図２ａ】
0004479026.tif 000005
【図２ｂ】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６ａ】
0004479026.tif 000010
【図６ｂ】
0004479026.tif 000011
【図６ｃ】
0004479026.tif 000012
【図６ｄ】
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【図６ｅ】
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【図６ｆ】
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【図６ｇ】
0004479026.tif 000016
【図７ａ】
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【図７ｂ】
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【図７ｃ】
0004479026.tif 000019
【図７ｄ】
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【図７ｅ】
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【図７ｆ】
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【図７ｇ】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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