(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
部品同士の間にはんだが介装されてなる被加熱体の両側から金属プレートを介して発熱体でもって挟持し、前記発熱体の外周側に設けられた加熱コイルが高周波励磁されることによって前記発熱体が誘導加熱され、前記発熱体からの熱が前記被加熱体に伝えられ前記はんだを溶融させることによって部品同士を固着させてなるろう付け装置において、前記金属プレートの外周側に周回状の切り欠き部が形成されてなることを特徴とするろう付け装置。
【請求項２】
部品同士の間にはんだが介装されてなる被加熱体の両側から金属プレートを介して発熱体でもって挟持し、前記発熱体の外周側に設けられた加熱コイルが高周波励磁されることによって前記発熱体が誘導加熱され、前記発熱体からの熱が前記被加熱体に伝えられ前記はんだを溶融させることによって部品同士を固着させてなるろう付け装置において、前記発熱体外周面の前記金属プレート側端部に周回状の切り欠き部が形成されてなることを特徴とするろう付け装置。
【請求項３】
請求項２に記載のろう付け装置において、前記金属プレートの外周側にも周回状の切り欠き部が形成されてなることを特徴とするろう付け装置。
【請求項４】
部品同士の間にはんだが介装されてなる被加熱体の両側から発熱体でもって挟持し、前記発熱体の外周側に設けられた加熱コイルが高周波励磁されることによって前記発熱体が誘導加熱され、前記発熱体からの熱が前記被加熱体に伝えられ前記はんだを溶融させることによって部品同士を固着させてなるろう付け装置において、前記発熱体外周面の前記被加熱体側端部に周回状の切り欠き部が形成されてなることを特徴とするろう付け装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、積層型ダイオードのウェハー同士のろう付け装置に関し、特に、加熱時間が短くて済むろう付け装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図１０は、積層型ダイオード３１の構成を示す一部破砕側面図である。シリコンユニット３Ａがウェハー１Ａ同士の積層体よりなり、そのウェハー１Ａは、はんだ２Ａを介して互いに固着されている。ウェハー１Ａには、高圧整流素子とするために不純物が拡散されＰ側とＮ側とが形成されている。シリコンユニット３Ａの上下にはヘッダーリード４が取り付けらている。シリコンユニット３Ａとヘッダーリード４とは、ヘッダーリード４の上下端の一部を残してエポキシ樹脂５でもってモールドされている。このエポキシ樹脂５の表面下部にはカソードマーク６が記され、積層型ダイオード３１の方向が表示されている。シリコンユニット３Ａは、次に示すように被加熱体から切り出すことによって製造される。
【０００３】
図１１は、被加熱体の構成を示す斜視図である。被加熱体３が、ウェハーとなる円板状の部品１とはんだ２との積層体よりなる。この被加熱体３は、後述されるように上下から軸方向に圧力が加えられた状態で加熱され、部品１が互いにろう付けされる。
図１２の（Ａ）は図１１の被加熱体からシリコンユニットを切り出す装置の構成を示す斜視図であり、（Ｂ）は図１２の（Ａ）の装置によって切り出されたシリコンユニットの構成を示す斜視図である。図１２の（Ａ）において、まず、被加熱体３の上部から等間隔に並ぶ複数の並行ワイヤ１２が垂直に下げられ、被加熱体３が細長状に切られる。次に、被加熱体３の上部から等間隔に並ぶとともに、並行ワイヤ１２とは直交する複数の並行ワイヤ１１が垂直に下げられ、被加熱体３が網目状に切られる。それによって、図１２の（Ｂ）のような、複数のウェハー１Ａがはんだ２Ａでもってろう付けされたシリコンユニット３Ａが形成される。
【０００４】
図１１に戻り、被加熱体３の部品１同士をろう付けする装置として、従来は図１３のような装置が用いられていた。すなわち、図１３は、従来のろう付け装置の構成を示す断面図であり、上下の支え板１４が支え棒１５でもって固定されている。下の支え板１４には断熱台１３が載置され、断熱台１３の上にさらに断熱プレート１２が配されている。断熱プレート１２の上には、黒鉛などの発熱体９が載せられ、発熱体９の上面に金属プレート８，７を介して被加熱体３が置かれている。一方、上の支え板１４には、スライド軸１６，１８が上下方向に貫通している。スライド軸１６，１８は、支え板１４側に固定されたガイド１７，１９と摺動することによって上下方向に移動可能である。スライド軸１６の下端面には非金属断熱プレート２１が固定され、その非金属断熱プレート２１の下端部にガラス押さえ２３を介してガラス筒２２が固着されている。非金属断熱プレート２１には、スライド軸１８が貫通し、そのスライド軸１８は、非金属断熱プレート２１側に固定されたガイド２６とも摺動するようになっている。また、スライド軸１８の下端面には断熱プレート１２が固定され、その断熱プレート１２の下部にもう一つの発熱体９が固定されている。また、発熱体９の下面にも金属プレート８が固着されている。なお、ガラス筒２２上部の内部空間は、非金属断熱プレート２１でもって密閉状態になっていて、非金属断熱プレート２１を貫通する排気筒２０の先には図示されていない排気装置が接続されている。さらに、被加熱体３の外周には加熱コイル１０が巻回され、この加熱コイル１０の両端が引出し線１０Ａ，１０Ｂを介して図示されていない高周波電源に接続されている。後述されるように、高周波励磁された加熱コイル１０から発生する磁束でもって発熱体９に渦電流が流れ、その渦電流損によって発熱体９が発熱するようになっている。この発熱体９から伝わる熱でもって、被加熱体３がろう付けされるようになっている。
【０００５】
図１４は、図１３の平面図である。４本の支え棒１５が支え板１４の四隅にそれぞれ固定されている。また、４本のスライド軸１６が非金属断熱プレート２１の四隅を貫通している。さらに、１本のスライド軸１８が非金属断熱プレート２１の中心を貫通している。加熱コイル１０の引出し線１０Ａ，１０Ｂともに、右側へ引き出されている。
【０００６】
図１３に戻り、被加熱体３のろう付けはガラス筒２２を下げた状態にして実施される。図１５は、図１３のろう付け装置でもって被加熱体３がろう付けされている最中の状態を示す断面図である。すなわち、スライド軸１６でもって非金属断熱プレート２１を下げ、ガラス筒２２を断熱台１３のパッキング部２４の上に配する。さらに、スライド軸１８を下げることによって、断熱プレート１２と発熱体９とを介して被加熱体３を押し圧する。それによって、ガラス筒２２内部の下部空間も密閉状態になるので、排気筒から排気することによってガラス筒２２内を真空状態にする。この状態で、加熱コイル１０を数十ｋＨｚの高周波電流で励磁すると、上下の発熱体９に渦電流が流れて発熱体９自体が発熱するようになる。この熱が上下の金属プレート７，８を通して被加熱体３へ伝わり、被加熱体３が加熱される。それによって、図３の被加熱体３のはんだ２が溶融されて部品１同士がろう付けされる。
【０００７】
図１６は、図１３の装置でもって被加熱体３がろう付けされている最中の磁界分布図である。図の上部に加熱コイル１０の励磁回路が示されている。すなわち、加熱コイル１０の両端に高周波電源２５が接続されている。図の下部が磁界分布図であり、左側の枠線２７Ａが中心軸、下側の枠線２７Ｂが被加熱体３の軸方向の中心線である。２６が計算された磁束線である。磁束線２６が発熱体９の外周から浸入し、それによって、発熱体９に渦電流が流れるようになる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前述したような従来のろう付け装置は、被加熱体３全体が均一に加熱されないという問題があった。
図１７は、図１５の装置でもって被加熱体３がろう付けされている最中の温度分布図である。図１６の磁界分布図と同様に、左側の枠線２７Ａが中心軸、下側の枠線２７Ｂが被加熱体３の軸方向の中央面である。３０が加熱コイル１０の励磁後、２４０秒経った時点における等温度上昇線である。すなわち、発熱体９は、誘導加熱により外周側から温度が上昇するので、被加熱体３へは発熱体９の外周側から熱が伝わってくる。金属プレート８は、元々被加熱体３に均一に熱を伝達させるものであるが、被加熱体３の初期の温度は、枠線２７Ａと枠線２７Ｂとの交点である中心位置が最も低く、右側になるにしたがって高いが、時間とともに被加熱体３の温度が均一になってくる。等温度上昇線３０は、温度上昇１．５℃のピッチで引かれた線であり、熱は矢印３１に示されるように等温度上昇線３０に直交するようにして流れ込んで来る。
【０００９】
図１８は、図１７の温度分布図における温度上昇の特性線図である。横軸が図１７の被加熱体３の枠線２７Ａからの半径Ｒが目盛られ、縦軸が温度上昇値である。特性線３３が、図１７の被加熱体３と金属プレート７との境界面３２における温度上昇である。特性線３３は右上がりの曲線であるが、被加熱体３の温度分布を平坦にしないとろう付けが局所的に進み部品同士が接着不良になる。そのために、従来は、加熱コイル１０への励磁電流を少しずつ大きくするようにして加熱温度を徐々に上げ、被加熱体３が均一に加熱されるのを待ちながらろう付けがなされていた。そのために、被加熱体３のろう付けに非常に長い時間がかかっていた。図１８における特性線が平坦であるほど、被加熱体３が均一の温度になる待ち時間が少なくて済み、被加熱体３のろう付け時間を短縮することができる。
【００１０】
この発明の目的は、被加熱体３を従来より均一に加熱することのできるろう付け装置を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、この発明の装置によれば、部品同士の間にはんだが介装されてなる被加熱体の両側から金属プレートを介して発熱体でもって挟持し、前記発熱体の外周側に設けられた加熱コイルが高周波励磁されることによって前記発熱体が誘導加熱され、前記発熱体からの熱が前記被加熱体に伝えられ前記はんだを溶融させることによって部品同士を固着させてなるろう付け装置において、前記金属プレートの外周側に周回状の切り欠き部が形成されてなるようにするとよい。それによって、金属プレートの切り欠き部は熱伝導性の悪い空隙なので、発熱体からの熱はその切り欠き部を介して被加熱体へ伝わり難くなる。そのために、被加熱体への熱は、発熱体の外周側から内部側へ流れた後、金属プレートの内部側を介して被加熱体の内部側へ流れ込むようになる。したがって、被加熱体内部の温度上昇の遅れを改善することができ、被加熱体全体の温度上昇が従来より均一になる。
【００１２】
また、部品同士の間にはんだが介装されてなる被加熱体の両側から金属プレートを介して発熱体でもって挟持し、前記発熱体の外周側に設けられた加熱コイルが高周波励磁されることによって前記発熱体が誘導加熱され、前記発熱体からの熱が前記被加熱体に伝えられ前記はんだを溶融させることによって部品同士を固着させてなるろう付け装置において、前記発熱体外周面の前記金属プレート側端部に周回状の切り欠き部が形成されてなるようにしてもよい。それによって、発熱体の切り欠き部は熱伝導性の悪い空隙なので、発熱体からの熱はその切り欠き部を介して被加熱体へ伝わり難くなる。そのために、被加熱体への熱は、発熱体の外周側から内部側へ流れた後、金属プレートの内部側を介して被加熱体の内部側へ流れ込むようになる。したがって、被加熱体内部の温度上昇の遅れを改善することができ、被加熱体全体の温度上昇が従来より均一になる。
【００１３】
また、かかる構成において、前記金属プレートの外周側にも周回状の切り欠き部が形成されてなるようにしてもよい。それによって、金属プレートの切り欠き部は熱伝導性の悪い空隙なので、発熱体からの熱はその切り欠き部を介して被加熱体へ伝わり難くなる。そのために、被加熱体への熱は、発熱体の外周側から内部側へ流れた後、金属プレートの内部側を介して被加熱体の内部側へ流れ込むようになる。したがって、被加熱体内部の温度上昇の遅れを改善することができ、被加熱体全体の温度上昇が従来よりさらに均一になる。
【００１４】
また、部品同士の間にはんだが介装されてなる被加熱体の両側から発熱体でもって挟持し、前記発熱体の外周側に設けられた加熱コイルが高周波励磁されることによって前記発熱体が誘導加熱され、前記発熱体からの熱が前記被加熱体に伝えられ前記はんだを溶融させることによって部品同士を固着させてなるろう付け装置において、前記発熱体外周面の前記被加熱体側端部に周回状の切り欠き部が形成されてなるようにしてもよい。そのために、被加熱体への熱は、発熱体の外周側から内部側へ流れた後、被加熱体の内部側へ流れ込むようになる。したがって、被加熱体内部の温度上昇の遅れを改善することができ、被加熱体全体の温度上昇が従来より均一になる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、この発明を実施例に基づいて説明する。図１は、この発明の実施例にかかるろう付け装置の構成を示す要部断面図である。上下双方の金属プレート８の外周面から内径側に向けて凹む周回状の切り欠き部３４が形成されている。図１のその他は、図１５の従来の構成と同じであり、従来と同じ部分は同一参照符号を付けることによって詳細な説明は省略する。金属プレート８の切り欠き部３４は熱伝導性の悪い空隙なので、発熱体９からの熱は切り欠き部３４を介して被加熱体３へ伝わり難くなる。そのために、被加熱体３への熱は、発熱体９の外周側から内部側へ流れた後、金属プレート８の内部側を介して被加熱体３の内部側へ流れ込む傾向になる。
【００１６】
図１９は、図１の構成でもって被加熱体３がろう付けされている最中の温度分布図である。４７が図示されていない加熱コイルが励磁された後、２４０秒経った時点における図１の被加熱体３内部の等温度上昇線である。図１９のその他は、図１７と同じである。発熱体９からの熱は等温度上昇線４７に直交するようにして流れ込み、その流れは、矢印４８に示されるように切り欠き部３４を避けて金属プレート８の内径側から被加熱体３へ入り込むようになっている。すなわち、矢印４８は、図１７における矢印３１の場合より内径側で被加熱体３へ向くようになっている。
【００１７】
図１９の温度分布図における温度上昇の特性は図１８の中に示されてあり、特性線４６となる。この特性線４６は、特性線３３と同様に、被加熱体３と金属プレート７との境界面３２における温度上昇である。特性線４６は、従来の特性線３３より傾斜がフラットになっており、被加熱体３の温度分布が改善されている。被加熱体３の温度分布が改善された分だけ、被加熱体３全体の温度が均一になる時間がはやまるのでろう付け時間が縮小される。
【００１８】
図２は、この発明の異なる実施例にかかるろう付け装置の構成を示す要部断面図である。切り欠き部３５が金属プレート８外周の被加熱体３側の端部に形成されている。図２のその他は、図１の構成と同じである。図示されていない加熱コイルが励磁された後、２４０秒経った時点における図２の被加熱体３内部の温度上昇の特性も図１８の中に示されてあり、特性線５１となる。この特性線５１は、特性線３３と同様に、被加熱体３と金属プレート７との境界面３２における温度上昇である。特性線５１は、特性線４６より被加熱体３の外周側の温度上昇の傾斜がフラットになっており、被加熱体３の温度分布がより改善されている。切り欠き部３５が被加熱体３側に近づいたので、被加熱体３の外周側に接する金属プレート８の厚さが減るために被加熱体３の外周側への熱伝導が図１の場合よりさらに時間的に遅れる。被加熱体３の温度分布が改善された分だけ、被加熱体３全体の温度が均一になる時間がはやまるのでろう付け時間がより縮小される。
【００１９】
図３は、この発明のさらに異なる実施例にかかるろう付け装置の構成を示す要部断面図である。切り欠き部３６が金属プレート８の外周の被加熱体３側の端部、および発熱体９側の端部にそれぞれ形成されている。図３のその他は、図１の構成と同じである。図示されていない加熱コイルが励磁された後、２４０秒経った時点における図３の被加熱体３の温度上昇の特性も、図１８における特性線５１とほぼ同じであり被加熱体３の温度分布が従来より改善されている。それによって、被加熱体３全体の温度が均一になる時間がはやまるのでろう付け時間が従来より縮小される。
【００２０】
図４は、この発明のさらに異なる実施例にかかるろう付け装置の構成を示す要部断面図である。切り欠き部３７が金属プレート８の外周の被加熱体３側の端部、および発熱体９側の端部にそれぞれ形成され、金属プレート８の発熱体９側の端部に形成された切り欠き部３８が、金属プレート８の被加熱体３側の端部に形成されたものよりも内径側に深く切り欠かれている。図４のその他は、図１の構成と同じである。
【００２１】
図２０は、図４の構成でもって被加熱体３がろう付けされている最中の温度分布図である。４９が図示されていない加熱コイルが励磁された後、２４０秒経った時点における図４の被加熱体３内部の等温度上昇線である。ただし、等温度上昇線３０は、温度上昇０．６℃のピッチで引かれている。熱は矢印５０に示されるように等温度上昇線４９に直交するようにして流れ込んで来る。図２０のその他は、図１７と同じである。矢印５０は、図１９における矢印４８の場合よりさらに内径側で被加熱体３へ向くようになっている。図２０の図示されていない加熱コイルが励磁された後、２４０秒経った時点における被加熱体３の温度上昇の特性は、図１８に示されてあり、特性線５２となる。この特性線５２は、特性線３３と同様に、被加熱体３と金属プレート７との境界面３２における温度上昇である。特性線５２は、被加熱体３の温度上昇が全体的にフラットになっており、被加熱体３の温度分布が図２の場合よりさらに改善されている。発熱体３側の切り欠き部３７が内径側に深く切り欠かれたので、被加熱体３の外周側への熱伝導が時間的に遅れる。被加熱体３の温度分布が改善された分だけ、被加熱体３全体の温度が均一になる時間がはやまるのでろう付け時間がさらに縮小される。
【００２２】
図５は、この発明のさらに異なる実施例にかかるろう付け装置の構成を示す要部断面図である。切り欠き部３８が金属プレート８の外周の被加熱体３側の端部、および発熱体９側の端部にそれぞれ形成され、金属プレート８の被加熱体３側の端部に形成された切り欠き部３８が、金属プレート８の発熱体９側の端部に形成されたものよりも内径側に深く切り欠かれている。図５のその他は、図１の構成と同じである。図５の図示されていない加熱コイルが励磁された後、２４０秒経った時点における被加熱体３の温度上昇の特性は、図１８の特性線５２と同様であり、被加熱体３の温度分布が従来より改善されている。それによって、被加熱体３全体の温度が均一になる時間がはやまるのでろう付け時間が従来より縮小される。
【００２３】
図６は、この発明のさらに異なる実施例にかかるろう付け装置の構成を示す要部断面図である。発熱体９の被加熱体３側に金属リング４０が接面されている。金属リング４０には凹み部４０Ａが形成され、この凹み部４０Ａの底部にねじ４１が通され発熱体９と金属リング４０とがねじ止めされている。金属リング４０と被加熱体３側の金属プレート７との間、および金属リング４０と内側の金属プレート８との間にそれぞれ隙間が形成され、Ｌ字状の切り欠き部３９が周回するように構成されている。図６のその他は、図１の構成と同じである。図６の図示されていない加熱コイルが励磁された後、２４０秒経った時点における被加熱体３の温度上昇の特性は、図１８における特性線５１とほぼ同じであり被加熱体３の温度分布が従来より改善されている。それによって、被加熱体３全体の温度が均一になる時間がはやまるのでろう付け時間が従来より縮小される。
【００２４】
なお、図６の構成において、金属リング４０を無くして内径側の金属プレート８だけを設ける構成とした場合でも、被加熱体３の外周側の温度上昇を抑制する効果はあるが、発熱体９と被加熱体３との間での外周側部分での熱伝導性が悪くなり過ぎて被加熱体３の外周側の温度上昇が抑制され過ぎる場合があるという問題がある。これに対して、図６のような外径側に金属リング４０が設けられる構成は、金属リング４０と被加熱体３側の金属プレート７との間の隙間寸法を調整して外周側部分での熱伝導性を適正なレベルに調整することができるので、被加熱体全体の温度上昇を従来より均一にする上でより好適な構成である。また、図６の構成は、ねじ止め用凹み部の形成された金属リング４０と単純な円板状の金属プレート８という比較的簡単な構造の部材を設けるだけでよいという利点がある。
【００２５】
図７は、この発明のさらに異なる実施例にかかるろう付け装置の構成を示す要部断面図である。切り欠き部４２が金属プレート８外周の発熱体９側の面に、切り欠き部４３が金属プレート８外周の被加熱体３側の端部にそれぞれ形成されている。図７のその他は、図１の構成と同じである。切り欠き部４２も熱伝導性の悪い空隙なので、発熱体９からのは、発熱体９から金属プレート８への熱が伝わる通路の幅が狭まり、被加熱体３への熱伝導の抵抗になる。図７の図示されていない加熱コイルが励磁された後、２４０秒経った時点における被加熱体３の温度上昇の特性は、図１８における特性線５１とほぼ同じであり被加熱体３の温度分布が従来より改善されている。それによって、被加熱体３全体の温度が均一になる時間がはやまるのでろう付け時間が従来より縮小される。
【００２６】
図８は、この発明のさらに異なる実施例にかかるろう付け装置の構成を示す要部断面図である。切り欠き部４４が発熱体９の金属プレート８側の端部に形成されている。図８のその他は、図１の構成と同じである。切り欠き部４４も熱伝導性の悪い空隙なので、発熱体９から熱は、発熱体９から金属プレート８へは発熱体９の内径側から入り込むようになる。図８の図示されていない加熱コイルが励磁された後、２４０秒経った時点における被加熱体３の温度上昇の特性は、図１８における特性線５２とほぼ同じであり被加熱体３の温度分布が従来より改善されている。それによって、被加熱体３全体の温度が均一になる時間がはやまるのでろう付け時間が従来より縮小される。
【００２７】
なお、図８のような構成において、発熱体９と被加熱体３との間に金属プレート７，８が介装されないで被加熱体３の両側が発熱体９でもって直接挟持されるとともに切り欠き部４４が発熱体９の被加熱体３側の端部に形成される構成とすることもできる。このような構成でも、切り欠き部４４が熱伝導性の悪い空隙であることから、発熱体９からの熱が発熱体９の内径側から被加熱体３へ入り込むようになるので、図８と同様に、被加熱体３全体の温度が均一になる時間が早まり、ろう付け時間が従来より縮小される。ただし、被加熱体が積層型ダイオードのためのシリコンウェハーとはんだとの積層体である場合には、シリコンと熱膨張係数の近似したモリブデンの板が黒鉛からなる発熱体と前記積層体との間に介装される構成が採用されており、このように、被加熱体の構成によっては、発熱体と被加熱体との間にその被加熱体の構成に適合した金属プレートを介装することが必要となる。
【００２８】
図９は、この発明のさらに異なる実施例にかかるろう付け装置の構成を示す要部断面図である。切り欠く部４４が発熱体９の金属プレート８側の端部に形成されるとともに、切り欠き部４５が金属プレート８の被加熱体３側の端部に形成されている。図９のその他は、図８の構成と同じである。切り欠き部４４と４５とが熱伝導性の悪い空隙なので、発熱体９からの熱は、発熱体９から金属プレート８へは発熱体９の内径側から入り込むようになる。図９の図示されていない加熱コイルが励磁された後、２４０秒経った時点における被加熱体３の温度上昇の特性は、図１８における特性線５２よりさらに平坦になり、被加熱体３の温度分布が図８の場合よりさらに改善される。それによって、被加熱体３全体の温度が均一になる時間がはやまるのでろう付け時間がさらに縮小される。
【００２９】
なお、この発明にかかる構成における切り欠き部は、図１ないし図９の実施例に限定されるものではなく、一般的に切り欠き部が金属プレート８あるいは発熱体９の外周側に周回状に形成されてあればよい。
【００３０】
【発明の効果】
この発明は前述のように、金属プレートの外周側に周回状の切り欠き部が形成されてなるようにすることによって、被加熱体全体の温度上昇が従来より均一になり、ろう付け時間を短縮することができる。
また、発熱体外周面の金属プレート側端部に周回状の切り欠き部が形成されてなるようにすることによっても、被加熱体全体の温度上昇が従来より均一になり、ろう付け時間を短縮することができる。
【００３１】
また、発熱体外周面の金属プレート側の端部、および金属プレートの外周側にそれぞれ周回状の切り欠き部が形成されてなるようにすることによっても、被加熱体全体の温度上昇が従来より均一になり、ろう付け時間をさらに短縮することができる。
また、発熱体外周面の前記被加熱体側端部に周回状の切り欠き部が形成されてなるようにすることによっても、被加熱体全体の温度上昇が従来より均一になり、ろう付け時間を短縮することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施例にかかるろう付け装置の構成を示す要部断面図
【図２】この発明の異なる実施例にかかるろう付け装置の構成を示す要部断面図
【図３】この発明のさらに異なる実施例にかかるろう付け装置の構成を示す要部断面図
【図４】この発明のさらに異なる実施例にかかるろう付け装置の構成を示す要部断面図
【図５】この発明のさらに異なる実施例にかかるろう付け装置の構成を示す要部断面図
【図６】この発明のさらに異なる実施例にかかるろう付け装置の構成を示す要部断面図
【図７】この発明のさらに異なる実施例にかかるろう付け装置の構成を示す要部断面図
【図８】この発明のさらに異なる実施例にかかるろう付け装置の構成を示す要部断面図
【図９】この発明のさらに異なる実施例にかかるろう付け装置の構成を示す要部断面図
【図１０】積層型ダイオードの構成を示す一部破砕側面図
【図１１】被加熱体の構成を示す斜視図
【図１２】（Ａ）は図１１の被加熱体からシリコンユニットを切り出す装置の構成を示す斜視図であり、（Ｂ）は図１２の（Ａ）の装置によって切り出されたシリコンユニットの構成を示す斜視図
【図１３】従来のろう付け装置の構成を示す断面図
【図１４】図１３の平面図
【図１５】図１３のろう付け装置でもって被加熱体がろう付けされている最中の状態を示す断面図
【図１６】図１３の装置でもって被加熱体がろう付けされている最中の磁界分布図
【図１７】図１３の装置でもって被加熱体がろう付けされている最中の温度分布図
【図１８】図１７の温度分布図における温度上昇の特性線図
【図１９】図１の構成でもって被加熱体がろう付けされている最中の温度分布図
【図２０】図４の構成でもって被加熱体がろう付けされている最中の温度分布図
【符号の説明】
１：部品、１Ａ：ウェハー、２，２Ａ：はんだ、３：被加熱体、３Ａ：シリコンユニット、７，８：金属プレート、９：発熱体、１０：加熱コイル、３４，３５，３６，３７，３８，３９，４４，４３，４４，４５：切り欠き部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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