(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
担体基材上に形成された触媒担持層に酸素吸蔵能を有する成分を含む三元触媒を排気系の上流側と下流側とに二個配置した排気ガス浄化用触媒装置において、前記下流側三元触媒における酸素吸蔵能を有する成分としてのセリアの量の前記上流側三元触媒における酸素吸蔵能を有する成分としてのセリアの量に対する比率を、Ｈ２Ｓの生成を抑制すべく、０．５より大きく１以下の範囲にしたことを特徴とする排気ガス浄化用触媒装置。
【請求項２】
少なくとも前記下流側三元触媒における前記触媒担持層は、θ‐アルミナと酸素吸蔵能を有する成分としてのセリアとを含むことを特徴とする請求項１に記載の排気ガス浄化用触媒装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、排気ガス浄化用触媒装置、特に、酸素吸蔵能を有する成分を含む三元触媒が排気系の上流側と下流側とに二個配置された形態で、Ｈ２Ｓ（硫化水素）による排気臭を抑制可能な排気ガス浄化用触媒装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、内燃機関の排気系に設けられる排気ガス浄化用触媒と空燃比制御装置とを備えた排気ガス浄化装置が知られている。排気ガス浄化用触媒（三元触媒）は、例えばコージェライト等の耐熱性セラミックスからなる担体基材と、この担体基材上に形成された活性アルミナ等からなる触媒担持層と、この触媒担持層に担持されたＰｔ等の触媒金属とからなる。この三元触媒は、内燃機関の排気ガス中の炭化水素（ＨＣ）、一酸化炭素（ＣＯ）及び窒素酸化物（ＮＯx ）を浄化すべく、触媒担持層に主要な成分として、セリウム（Ｃｅ）酸化物が添加されている。このセリウム酸化物は、特に排気ガスがリーンの酸化雰囲気下では酸素を貯蔵し、排気ガスがリッチの還元雰囲気下では酸素を放出する酸素貯蔵能（ＯＳＣ）をもつ。
【０００３】
また、触媒金属とセリウム酸化物とを含む三元触媒は、８００℃以上の高温下で使用されると、セリウム酸化物の結晶成長により、酸素貯蔵能が低下しやすいと言われている。このため、セリウム酸化物の結晶成長を抑制して高い酸素貯蔵能を維持するため、セリウム酸化物以外にジルコニウム（Ｚｒ）酸化物をも添加することもある。
【０００４】
一方、空燃比制御装置では、三元触媒の上流側に空燃比センサが設けられ、三元触媒の下流側に酸素センサが設けられ、これら空燃比センサと酸素センサとは制御回路を介して空燃比制御手段と接続されている。空燃比センサは、三元触媒の上流側において空燃比（Ａ／Ｆ）のリッチ又はリーンを検出し、その出力信号を制御回路に出力する。また、酸素センサは、三元触媒の下流側において浄化後の排気ガスの酸素濃度を検出し、その出力信号を制御回路に出力する。このため、空燃比制御手段は、空燃比センサの出力に応じて内燃機関の空燃比を理論空燃比（ストイキ）近傍に調整するとともに、酸素センサの出力に応じて空燃比センサの特性変化（リッチずれ又はリーンずれ）を検出し、空燃比センサの劣化補正を行うようにしている。かくて、精密なＡ／Ｆ制御の下、三元触媒が有効に作用するようになされている。
【０００５】
ところで、このような空燃比制御手段と共に用いられる三元触媒においては、空燃比センサの検出出力に応じて内燃機関の空燃比を理論空燃比（ストイキ）に制御しているが、車両のモード走行状態によっては、急加速時等で機関からリッチガスが排出される期間が長引き、三元触媒を単体で備えた排気ガス浄化装置では、この三元触媒がリッチガスで飽和されてしまい浄化率の点で未だ満足できない点がある。また、機関の始動直後等の触媒の活性化前にも浄化性能が低下することから、このような浄化率を向上させるべく、かかる三元触媒を上流側と下流側とに二個配置し、上流側の三元触媒についてその上下流に上述の空燃比センサおよび酸素センサを配置した排気ガス浄化装置も知られている。例えば、特許文献１参照。
【０００６】
また、触媒中でＨ２Ｓが生成されるのを防止することのできる触媒は、特許文献２に記載され、Ｈ２Ｓの排出を抑制しつつ、吸蔵型ＮＯｘ触媒の再生を効率よく行なうようにした排ガス浄化装置が特許文献３に開示されている。
【０００７】
【特許文献１】特開２００３−２０００４９号公報
【特許文献２】特開平７−１９４９７８号公報
【特許文献３】特開２０００−２０４９３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、燃料や潤滑油内にはイオウ成分が含まれているため、排気ガス中にもイオウ成分が含まれる。このため、上記三元触媒における触媒担持層の母材であるアルミナあるいはセリウム（Ｃｅ）酸化物のセリアは、空燃比がリーンのエンジン運転状態における酸素濃度の過剰な酸化雰囲気で酸素を貯蔵すると共に、排気ガス中のＳＯ２（酸化イオウ）等のイオウ酸化物を取り込んで硫酸化合物（Ｍ（ＳＯｘ））をつくり貯蔵することが知られている。そして、空燃比がリッチになるとその硫酸化合物からイオウ酸化物が分離し、それが排気ガス中のＨ２とかＨＣと反応してＨ２Ｓ（硫化水素）をつくる。そして、このＨ2Ｓが生成された排気ガスが排出されると卵が腐敗したような異臭を放つため、その排気臭対策が望まれている。
【０００９】
本発明は、このような従来技術の有する課題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、排気ガスの浄化効率を低下させることなく排気臭の発生を抑制することのできる排気ガス浄化用触媒装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決する本発明に係る排気ガス浄化用触媒装置は、担体基材上に形成された触媒担持層に酸素吸蔵能を有する成分を含む三元触媒を排気系の上流側と下流側とに二個配置した排気ガス浄化用触媒装置において、前記下流側三元触媒における酸素吸蔵能を有する成分としてのセリアの量の前記上流側三元触媒における酸素吸蔵能を有する成分としてのセリアの量に対する比率を、Ｈ２Ｓの生成を抑制すべく、０．５より大きく１以下の範囲にしたことを特徴とする。
【００１１】
この形態によれば、下流側三元触媒における酸素吸蔵能を有する成分の量が上流側三元触媒に比べて相対的に少なく、上流側三元触媒がリッチ状態になると、下流側三元触媒も比較的速やかにリッチ状態になるので、硫酸化合物が貯蔵されるのが回避される。この結果、Ｈ２Ｓ（硫化水素）の生成も抑制される。
【００１２】
ここで、少なくとも前記下流側三元触媒における前記触媒担持層は、θ‐アルミナと酸素吸蔵能力を有する成分としてのセリアとを含むことが好ましい。
【００１３】
この形態によれば、このθ‐アルミナは耐久劣化が少なく、結果として、貴金属の粒成長も少ないので、所定の浄化性能を長期間維持することができ排気ガスの浄化効率を低下させることがない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明に係る排気ガス浄化用触媒装置について詳細に説明する。
【００１５】
図１は、空燃比制御装置を備える内燃機関１０の排気系に設けられた排気ガス浄化用触媒装置を示す模式図である。内燃機関１０の吸気系には燃料噴射弁１２が設けられており、排気系には、排気マニホールド１４の集合部の直下流に上流側三元触媒２０が設けられると共に、その下流に下流側三元触媒３０が設けられている。そして、上流側三元触媒２０の上流には空燃比センサ（以下、Ａ／Ｆセンサと称す）１６が取付けられ、上流側三元触媒２０の下流で下流側三元触媒３０の上流には第１の酸素センサ２２、下流側三元触媒３０の下流には第２の酸素センサ３２が取付けられている。Ａ／Ｆセンサ１６は排気ガスの空燃比に応じた信号を出力する排気ガスセンサであり、酸素センサ２２、３２は排気ガス中の酸素濃度に応じた信号を出力する排気ガスセンサである。但し、実際の制御に用いられるのは、Ａ／Ｆセンサ１６と第１の酸素センサ２２であり、第２の酸素センサ３２は観察用である。
【００１６】
なお、４０は内燃機関１０を制御する電子制御ユニット（以下、ＥＣＵと称す）であり、上述のＡ／Ｆセンサ１６、第１および第２の酸素センサ２２、３２はＥＣＵ４０に接続され、検出情報に応じた出力信号をＥＣＵ４０に供給する。ＥＣＵ４０は、本実施の形態では、Ａ／Ｆセンサ１６および第１の酸素センサ２２からの出力信号に基づいて、燃料噴射弁１２からの噴射燃料量を制御することにより、内燃機関１０の空燃比をフィードバック制御する。
【００１７】
次に、上流側三元触媒２０および下流側三元触媒３０の触媒構造について、図２を参照して説明する。
【００１８】
上流側三元触媒２０および下流側三元触媒３０は共に、基本的構成として、担体基材としてのコージェライト基材に１層または２層の触媒担持層および触媒金属を担持させた構造を有し、図２（Ａ）に１層コート触媒の例、図２（Ｂ）に２層コート触媒の例を示す。図２（Ａ）に示す１層コート触媒の場合には、ハニカム担体の各セルのコージェライト基材に、白金（Ｐｔ）担持のセリアージルコニア助触媒およびロジウム（Ｒｈ）担持のジルコニア−アルミナ助触媒の層が担持されている。また、図２（Ｂ）に示す２層コート触媒の場合には、ハニカム担体の各セルのコージェライト基材に、白金（Ｐｔ）担持のセリアージルコニア助触媒とロジウム（Ｒｈ）担持のジルコニア−アルミナ助触媒の層とが積層されて担持されている。
【００１９】
ここで、上述の触媒構造を有する上流側三元触媒２０および下流側三元触媒３０における実施例として、上流側三元触媒２０は暖機性能を向上させるべく、触媒容量が約０．９リットル（Ｌ）であるのに対し、下流側三元触媒３０は触媒容量が約１．３リットル（Ｌ）である。そして、上流側三元触媒２０には、上記アルミナとしてγ−アルミナまたはθ−アルミナが用いられるのに対し、下流側三元触媒３０には、θ−アルミナが用いられている。そして、酸素吸蔵能を有する成分としてのセリアの量が、上流側三元触媒２０では３０ｇ／Ｌであるのに対し、下流側三元触媒３０では３０ｇ／Ｌ以下とされている。
【００２０】
以下に、本発明を実施例および比較例を用いてさらに説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものでないことはいうまでもない。
【実施例１】
【００２１】
（１）上流側三元触媒：
１．  ０．３mol／Ｌのセリアージルコニアの複合酸化物（ＣＺ）の硝酸塩溶液を用意し、乾燥させて１３５ｇ／ＬのＣＺ粉末を得た。この中のセリア量は３０ｇ／Ｌで、残部（酸化Ｚｒ、水分、その他の希土類等）は１０５ｇ／Ｌである。  
２．  θ‐アルミナ粉末を１３５ｇ／Ｌ用意した。  
３．  上記１．で得られたＣＺ粉末にＰｔ溶液（Ｐソルトと云う）と水分とを適量添加しつつ混合し、１２０℃で乾燥し、そして４００℃で焼成して再度、粉末化した。  
４．  上記２．で用意したθ‐アルミナ粉末にＲｈ溶液（Ｒソルトと云う）と水分とを適量添加しつつ混合し、１２０℃で乾燥し、そして４００℃で焼成して再度、粉末化した。  
５．  上記３．および４．でそれぞれ得られたＰｔとＣＺとの混合粉末およびＲｈとθ‐アルミナとの混合粉末に、水分とバインダーとして水酸化アルミニウムを適量加え、スラリー化した。  
６．  上記５．のスラリーを用いてコージェライト基材に一層でコートした。  
７．  その後、２００℃で一昼夜（１２時間）乾燥させ、そして４００℃で２時間焼成して上流側三元触媒を得た。ここで、触媒の貴金属担持量は、Ｐｔ＝２．５ｇ／Ｌ、Ｒｈ＝０．５ｇ／Ｌであった。
【００２２】
（２）下流側三元触媒
１．  ０．３mol／Ｌのセリアージルコニアの複合酸化物（ＣＺ）の硝酸塩溶液を用意し、乾燥させて６０ｇ／ＬのＣＺ粉末を得た。この中のセリア量は２０ｇ／Ｌで、残部（酸化Ｚｒ、水分、その他の希土類等）は４０ｇ／Ｌである。  
２．  θ‐アルミナ粉末を９０ｇ／Ｌ用意した。  
３．  上記１．および２．でそれぞれ得られたＣＺ粉末およびθ‐アルミナ粉末に、水分とバインダーとして水酸化アルミニウムを適量加え、スラリー化した。  
４．  上記３．のスラリーを用いてコージェライト基材に下層としてコートした。  
５．  その後、２００℃で一昼夜（１２時間）乾燥させ、そして４００℃で２時間焼成して下層コート付きコージェライト基材を得た。  
６．  そして、上記５．で得られた下層コート付きコージェライト基材を貴金属（Ｐｔ）薬液に浸し、貴金属含浸下層コート付きコージェライト基材を得た。ここで、下層コートの貴金属担持量は、Ｐｔ＝３ｇ／Ｌであった。  
７．  次に、θ‐アルミナ粉末４０ｇ／Ｌを用意し、水分とバインダーとして水酸化アルミニウムを適量加えてスラリー化し、上記６．で得られた貴金属含浸下層コート付きコージェライト基材に上層としてコートした。  
８．  その後、２００℃で一昼夜（１２時間）乾燥させ、そして４００℃で２時間焼成して上下層コート付きコージェライト基材を得た。  
９．  そして、上記８．で得られた上下層コート付きコージェライト基材を貴金属（Ｒｈ）薬液に浸し、貴金属含浸上下層コート付きコージェライト基材からなる下流側三元触媒を得た。ここで、上層コートの貴金属担持量は、Ｒｈ＝０．５ｇ／Ｌであった。
【実施例２】
【００２３】
（１）上流側三元触媒：
上記実施例１と同じである。
【００２４】
（２）下流側三元触媒
１．  ０．４５mol／Ｌのセリアージルコニアの複合酸化物（ＣＺ）の硝酸塩溶液を用意し、乾燥させて６０ｇ／ＬのＣＺ粉末を得た。この中のセリア量は３０ｇ／Ｌで、残部（酸化Ｚｒ、水分、その他の希土類等）は３０ｇ／Ｌである。  
２．  θ‐アルミナ粉末を９０ｇ／Ｌ用意した。  
３．  上記１．および２．でそれぞれ得られたＣＺ粉末およびθ‐アルミナ粉末に、水分とバインダーとして水酸化アルミニウムを適量加え、スラリー化した。  
４．  上記３．のスラリーを用いてコージェライト基材に下層としてコートした。  
５．  その後、２００℃で一昼夜（１２時間）乾燥させ、そして４００℃で２時間焼成して下層コート付きコージェライト基材を得た。  
６．  そして、上記５．で得られた下層コート付きコージェライト基材を貴金属（Ｐｔ）薬液に浸し、貴金属含浸下層コート付きコージェライト基材を得た。ここで、下層コートの貴金属担持量は、Ｐｔ＝３ｇ／Ｌであった。  
７．  次に、θ‐アルミナ粉末４０ｇ／Ｌを用意し、水分とバインダーとして水酸化アルミニウムを適量加えてスラリー化し、上記６．で得られた貴金属含浸下層コート付きコージェライト基材に上層としてコートした。  
８．  その後、２００℃で一昼夜（１２時間）乾燥させ、そして４００℃で２時間焼成して上下層コート付きコージェライト基材を得た。  
９．  そして、上記８．で得られた上下層コート付きコージェライト基材を貴金属（Ｒｈ）薬液に浸し、貴金属含浸上下層コート付きコージェライト基材からなる下流側三元触媒を得た。ここで、上層コートの貴金属担持量は、Ｒｈ＝０．５ｇ／Ｌであった。
【００２５】
（比較例）
（１）上流側三元触媒：
上記実施例１および実施例２と同じである。
【００２６】
（２）下流側三元触媒
１．  ０．６mol／Ｌのセリアージルコニアの複合酸化物（ＣＺ）の硝酸塩溶液を用意し、乾燥させて６０ｇ／ＬのＣＺ粉末を得た。この中のセリア量は４１ｇ／Ｌで、残部（酸化Ｚｒ、水分、その他の希土類等）は１９ｇ／Ｌである。  
２．  θ‐アルミナ粉末を９０ｇ／Ｌ用意した。  
３．  上記１．および２．でそれぞれ得られたＣＺ粉末およびθ‐アルミナ粉末に、水分とバインダーとして水酸化アルミニウムを適量加え、スラリー化した。  
４．  上記３．のスラリーを用いてコージェライト基材に下層としてコートした。  
５．  その後、２００℃で一昼夜（１２時間）乾燥させ、そして４００℃で２時間焼成して下層コート付きコージェライト基材を得た。  
６．  そして、上記５．で得られた下層コート付きコージェライト基材を貴金属（Ｐｔ）薬液に浸し、貴金属含浸下層コート付きコージェライト基材を得た。ここで、下層コートの貴金属担持量は、Ｐｔ＝３ｇ／Ｌであった。  
７．  次に、θ‐アルミナ粉末４０ｇ／Ｌを用意し、水分とバインダーとして水酸化アルミニウムを適量加えてスラリー化し、上記６．で得られた貴金属含浸下層コート付きコージェライト基材に上層としてコートした。  
８．  その後、２００℃で一昼夜（１２時間）乾燥させ、そして４００℃で２時間焼成して上下層コート付きコージェライト基材を得た。  
９．  そして、上記８．で得られた上下層コート付きコージェライト基材を貴金属（Ｒｈ）薬液に浸し、貴金属含浸上下層コート付きコージェライト基材からなる下流側三元触媒を得た。ここで、上層コートの貴金属担持量は、Ｒｈ＝０．５ｇ／Ｌであった。
【００２７】
そして、図１に示す内燃機関１０の排気系に、実施例１、２および比較例の上流側三元触媒および下流側三元触媒をそれぞれ配置し、北米排ガス試験法のＬＡ４モードによる評価試験を行った。そのタイムチャートを図３に示す。ここで得られたＨ２Ｓ（硫化水素）の発生量についての結果を図４に、および他のエミッション（炭化水素（ＨＣ）、窒素酸化物（ＮＯx ）および一酸化炭素（ＣＯ））についての結果を図５に示す。
【００２８】
まず、図４から分かるように、下流側三元触媒３０における酸素吸蔵能を有する成分であるセリアの量（４１ｇ／Ｌ）の上流側三元触媒２０におけるセリアの量（３０ｇ／Ｌ）に対する比率が１を大幅に超える比較例においては、Ｈ２Ｓ（硫化水素）の発生量が１００ｐｐｍにもなり、普通人の誰にでも排気臭として感じられるレベルであった。これに対し、下流側三元触媒３０における酸素吸蔵能を有する成分であるセリアの量（３０ｇ／Ｌ）の上流側三元触媒２０におけるセリアの量（３０ｇ／Ｌ）に対する比率が１である実施例２においては、Ｈ２Ｓ（硫化水素）の発生量が１０ｐｐｍであり、さらに、比率が下回る（約０．６７）実施例１においては５ｐｐｍ程度であった。このことから、かかる比率が約０．５程度まではＨ２Ｓ（硫化水素）の発生量がさらに低下することが推定される。なお、Ｈ２Ｓ（硫化水素）の発生量が１０ｐｐｍ以下では、普通人の嗅覚では排気臭として感じられないレベルである。
【００２９】
また、図５において、（Ａ）はトータルの炭化水素（ＨＣ）、（Ｂ）はノンメタン炭化水素（ＨＣ）、（Ｃ）は窒素酸化物（ＮＯx ）、および（Ｄ）は一酸化炭素（ＣＯ）の排出量をそれぞれ示している。この図５の結果から分かるように、下流側三元触媒３０における酸素吸蔵能を有する成分であるセリアの量の上流側三元触媒２０におけるセリアの量に対する比率が１を大幅に超える比較例に対し、比率を１とした実施例２においては、エミッションとしての悪化は見られず、むしろ向上している。
【００３０】
上述のように、上流側三元触媒２０と下流側三元触媒３０におけるセリアの量の比率を変えるのみで、何故にＨ２Ｓ（硫化水素）の発生量の低減作用が起こるのかについては明らかではないが、推測すると以下のメカニズムによるものと思われる。
【００３１】
すなわち、図３のタイムチャートでは、横軸に時間を取り、上段にＬＡ４モードによる車両速度、中段に上流側三元触媒２０の下流で、下流側三元触媒３０の上流に配置された第１の酸素センサ２２の出力（Ｖ）、および下段に下流側三元触媒３０の下流に配置された第２の酸素センサ３２の出力が示されている。そして、第１の酸素センサ２２の出力については、比較例および実施例２の出力が共に実線で示され、一方、第２の酸素センサ３２の出力については、比較例が一点鎖線で、実施例２が実線で示されている。
【００３２】
この図３から分かるように、比較例においては、第１の酸素センサ２２の出力が０．５Ｖを超える、換言すると、上流側三元触媒２０がリッチ状態になった後も暫くは第２の酸素センサ３２の出力（一点鎖線で示されている）が０．５Ｖを超えない、換言すると、下流側三元触媒３０がリーン状態を維持する。これに対し、実施例２では、第１の酸素センサ２２の出力が０．５Ｖを超える、換言すると、上流側三元触媒２０がリッチ状態になったら比較的速やかに第２の酸素センサ３２の出力（実線で示されている）が０．５Ｖを超え、換言すると、下流側三元触媒３０がリッチ状態になっている。
【００３３】
下流側三元触媒３０のセリアの量が多い比較例においては、上流側三元触媒２０がリッチ状態になったとしても、下流側三元触媒３０では貯蔵されていた大量の酸素の影響でリーン状態が維持される結果、排気ガス中のＳＯ２等のイオウ酸化物が硫酸化合物（Ｍ（ＳＯｘ））として貯蔵され続ける。そして、下流側三元触媒３０がリーンからリッチ状態になった途端に、その硫酸化合物からイオウ酸化物が分離し、それが排気ガス中のＨ２とかＨＣと反応してＨ２Ｓ（硫化水素）が生成されるものと推定される。
【００３４】
ところが、下流側三元触媒３０のセリアの量が少ない実施例２においては、上流側三元触媒２０がリッチ状態になると、下流側三元触媒３０も比較的速やかにリッチ状態になるので、硫酸化合物（Ｍ（ＳＯｘ））が貯蔵されるのが回避される結果、Ｈ２Ｓ（硫化水素）が生成されることもないものと推定される。
【００３５】
一方、上述のように下流側三元触媒３０のセリアの量を少なくすると、ＳＯｘの貯蔵能も低下するが酸素の貯蔵能も低下するのは否定できない。このことは、空燃比の変動に対する下流側三元触媒３０の緩衝能力も低下することを意味し、空燃比を浄化効率の高い理論空燃比近傍に比較的長く維持することが困難となる結果、浄化性能が低下するおそれがある。この性能の低下は、貴金属触媒を担持する触媒担持層の比表面積が相対的に大きく、排気ガスが触媒へ接触する機会が多い初期性能状態では触媒の処理能力が大きくさほど顕著ではない。しかしながら、ある期間使用した後の耐久性能状態では、触媒担持層が凝集し比表面積が小さくなる傾向にあり、それに担持されている貴金属も粒成長（シンタリング）し接触機会が減少するので、結局、浄化性能が低下する。この傾向は、触媒担持層の母材として、初期比表面積が大きいγ―アルミナを用いた場合に顕著である。
【００３６】
そこで、本発明では、この触媒担持層の母材として、初期比表面積が相対的に小さいα―アルミナまたは初期比表面積が相対的に中程度のθ‐アルミナ、より好ましくは、θ‐アルミナを用いている。このθ‐アルミナは耐久劣化が少なく、結果として、貴金属の粒成長も少ないので、所定の浄化性能を長期間維持することができる。なお、触媒担持層をθ‐アルミナとするのは、上流側三元触媒２０および下流側三元触媒３０の両者共であってもよいが、少なくとも下流側三元触媒３０であればよい。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明にかかる排気ガス浄化用触媒装置を示す模式図である。
【図２】触媒構造を示す一部断面図であり、（Ａ）は１層コート触媒の場合、（Ｂ）は２層コート触媒の場合を示す。
【図３】北米排ガス試験法のＬＡ４モードと第１および第２の酸素センサの出力の様子を示すタイムチャートである。
【図４】比較例、実施例１および２のそれぞれにおけるＨ２Ｓ（硫化水素）の発生量を示すグラフである。
【図５】比較例および実施例２における他のエミッション量を示すグラフであり、（Ａ）はトータルの炭化水素（ＨＣ）、（Ｂ）はノンメタン炭化水素（ＨＣ）、（Ｃ）は窒素酸化物（ＮＯx ）、および（Ｄ）は一酸化炭素（ＣＯ）の排出量をそれぞれ示している。
【符号の説明】
【００３８】
１０    内燃機関
１２    燃料噴射弁
１６    空燃比センサ（Ａ／Ｆセンサ）
２０    上流側三元触媒
２２    第１の酸素センサ
３０    下流側三元触媒
３２    第２の酸素センサ
４０    電子制御ユニット（ＥＣＵ）
【図１】
0004508076.tif 000002
【図２】
0004508076.tif 000003
【図３】
0004508076.tif 000004
【図４】
0004508076.tif 000005
【図５】
0004508076.tif 000006