(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
カルボキシル基またはスルホン酸基を有する付加重合性モノマー１、モノマー１が有するカルボキシル基またはスルホン酸基を有さず、かつ重合性二重結合を１分子当たり３〜４個有するモノマーおよび重合開始剤を含有する金属膜形成用下地組成物を基板またはフィルム上に塗布し、重合して、有機膜を形成する工程、
有機膜を、金属（Ｍ１）イオンを含有する水溶液で処理して、カルボキシル基またはスルホン酸基を金属（Ｍ１）塩にする工程、
有機膜を、金属（Ｍ１）イオンよりイオン化傾向の低い金属（Ｍ２）イオンを含有する水溶液で処理して、金属（Ｍ１）塩を金属（Ｍ２）塩にする工程、および
金属（Ｍ２）イオンを還元して、有機膜表面に金属膜を形成する工程
を含むことを特徴とする金属膜の形成方法。
【請求項２】
金属膜形成用下地組成物がさらに界面活性剤を含有することを特徴とする請求項１に記載の金属膜の形成方法。
【請求項３】
金属膜形成用下地組成物において重合性モノマー１の含有量が組成物全量に対して３０〜９９．９重量％を有し、重合性二重結合を１分子当たり３〜４個有するモノマーの含有量が組成物全量に対して５〜５０重量％であり、重合開始剤の含有量が０．１〜１０重量％であることを特徴とする請求項２に記載の金属膜の形成方法。
【請求項４】
塗布をスピンコートまたはスプレーコートにより行い、重合を紫外線照射により行うことを特徴とする請求項１に記載の金属膜の形成方法。
【請求項５】
金属（Ｍ１）イオンを含有する水溶液として水酸化カリウムまたは水酸化ナトリウムの水溶液を用いることを特徴とする請求項１に記載の金属膜の形成方法。
【請求項６】
金属（Ｍ２）イオンが銀イオン、銅イオン、金イオン、パラジウムイオン、インジウムイオンまたは白金イオンであることを特徴とする請求項１に記載の金属膜の形成方法。
【請求項７】
還元を、水素化ホウ素ナトリウム、ジメチルアミンボラン、トリメチルアミンボラン、ヒドラジン、ホルムアルデヒド、あるいはそれらの誘導体、亜硫酸塩、次亜燐酸塩、紫外線、プラズマ、または水素によって行うことを特徴とする請求項１に記載の金属膜の形成方法。
【請求項８】
有機膜形成工程においてマスクを用いて紫外線照射により重合を行い未反応モノマーを除去すること、または金属膜形成工程においてマスクを用いて紫外線照射により還元を行うことによって、パターン形状を有する金属膜を形成することを特徴とする請求項１に記載の金属膜の形成方法。
【請求項９】
カルボキシル基またはスルホン酸基を有する付加重合性モノマー１、モノマー１が有するカルボキシル基またはスルホン酸基を有さず、かつ重合性二重結合を１分子当たり３〜４個有するモノマーおよび重合開始剤を含有する、請求項１に記載の金属膜の形成方法において使用される金属膜形成用下地組成物。
【請求項１０】
請求項１に記載の金属膜の形成方法によって形成されたことを特徴とする金属膜。
【請求項１１】
カルボキシル基またはスルホン酸基のエステル基を有する付加重合性モノマー１、モノマー１が有するカルボキシル基またはスルホン酸基のエステル基を有さず、かつ重合性二重結合を１分子当たり３〜４個有するモノマーおよび重合開始剤を含有する金属膜形成用下地組成物を基板またはフィルム上に塗布し、重合して、有機膜を形成する工程、
有機膜を、金属（Ｍ１）イオンを含有する水溶液で処理して、カルボキシル基またはスルホン酸基のエステル基をカルボキシル基またはスルホン酸基のアルカリ金属塩にする工程、
有機膜を、アルカリ金属イオンよりイオン化傾向の低い金属（Ｍ２）イオンを含有する水溶液で処理して、カルボキシル基またはスルホン酸基のアルカリ金属塩を金属（Ｍ２）塩にする工程、および
金属（Ｍ２）イオンを還元して、有機膜表面に金属膜を形成する工程
を含むことを特徴とする金属膜の形成方法。
【請求項１２】
金属膜形成用下地組成物がさらに界面活性剤を含有することを特徴とする請求項１１に記載の金属膜の形成方法。
【請求項１３】
金属膜形成用下地組成物において重合性モノマー１の含有量が組成物全量に対して３０〜９９．９重量％であり、モノマー１が有するカルボキシル基またはスルホン酸基のエステル基を有さず、かつ重合性二重結合を１分子当たり３〜４個有するモノマーの含有量が組成物全量に対して５〜５０重量％であり、重合開始剤の含有量が０．１〜１０重量％であることを特徴とする請求項１２に記載の金属膜の形成方法。
【請求項１４】
塗布をスピンコートまたはスプレーコートにより行い、重合を紫外線照射により行うことを特徴とする請求項１１に記載の金属膜の形成方法。
【請求項１５】
金属（Ｍ１）イオンを含有する水溶液として水酸化カリウムまたは水酸化ナトリウムの水溶液を用いることを特徴とする請求項１１に記載の金属膜の形成方法。
【請求項１６】
金属（Ｍ２）イオンが銀イオン、銅イオン、金イオン、パラジウムイオン、インジウムイオンまたは白金イオンであることを特徴とする請求項１１に記載の金属膜の形成方法。
【請求項１７】
還元を、水素化ホウ素ナトリウム、ジメチルアミンボラン、トリメチルアミンボラン、ヒドラジン、ホルムアルデヒド、あるいはそれらの誘導体、亜硫酸塩、次亜燐酸塩、紫外線、プラズマ、または水素によって行うことを特徴とする請求項１１に記載の金属膜の形成方法。
【請求項１８】
有機膜形成工程においてマスクを用いて紫外線照射により重合を行い未反応モノマーを除去すること、または金属膜形成工程においてマスクを用いて紫外線照射により還元を行うことによって、パターン形状を有する金属膜を形成することを特徴とする請求項１１に記載の金属膜の形成方法。
【請求項１９】
カルボキシル基またはスルホン酸基のエステル基を有する付加重合性モノマー１、モノマー１が有するカルボキシル基またはスルホン酸基をのエステル有さず、かつ重合性二重結合を１分子当たり３〜４個有するモノマーおよび重合開始剤を含有する、請求項１１に記載の金属膜の形成方法において使用される金属膜および金属配線パターン形成用下地組成物。
【請求項２０】
請求項１１に記載の金属膜の形成方法によって形成されたことを特徴とする金属膜および金属配線パターン。
【請求項２１】
カルボキシル基またはスルホン酸基のエステル基を有する付加重合性モノマー１、モノマー１が有するカルボキシル基またはスルホン酸基のエステル基を有さず、かつ重合性二重結合を１分子当たり３〜４個有するモノマーおよび重合開始剤を含有する金属膜形成用下地組成物を基板またはフィルム上に塗布し、重合して、有機膜を形成する工程、
有機膜を、酸水溶液で処理した後、金属（Ｍ１）イオンを含有する水溶液で処理して、カルボキシル基またはスルホン酸基のエステル基をカルボキシル基またはスルホン酸基の金属（Ｍ１）塩にする工程、
有機膜を、金属（Ｍ１）イオンよりイオン化傾向の低い金属（Ｍ２）イオンを含有する水溶液で処理して、金属（Ｍ１）塩を金属（Ｍ２）塩にする工程、および
金属（Ｍ２）イオンを還元して、有機膜表面に金属膜を形成する工程
を含むことを特徴とする金属膜の形成方法。
【請求項２２】
金属膜形成用下地組成物がさらに界面活性剤を含有することを特徴とする請求項２１に記載の金属膜の形成方法。
【請求項２３】
金属膜形成用下地組成物において重合性モノマー１の含有量が組成物全量に対して３０〜９９．９重量％であり、モノマー１が有するカルボキシル基またはスルホン酸基のエステル基を有さず、かつ重合性二重結合を１分子当たり３〜４個有するモノマーの含有量が組成物全量に対して５〜５０重量％であり、重合開始剤の含有量が０．１〜１０重量％であることを特徴とする請求項２２に記載の金属膜の形成方法。
【請求項２４】
塗布をスピンコートまたはスプレーコートにより行い、重合を紫外線照射により行うことを特徴とする請求項２１に記載の金属膜の形成方法。
【請求項２５】
金属（Ｍ１）イオンを含有する水溶液として水酸化カリウムまたは水酸化ナトリウムの水溶液を用いることを特徴とする請求項２１に記載の金属膜の形成方法。
【請求項２６】
金属（Ｍ２）イオンが銀イオン、銅イオン、金イオン、パラジウムイオン、インジウムイオンまたは白金イオンであることを特徴とする請求項２１に記載の金属膜の形成方法。
【請求項２７】
還元を、水素化ホウ素ナトリウム、ジメチルアミンボラン、トリメチルアミンボラン、ヒドラジン、ホルムアルデヒド、あるいはそれらの誘導体、亜硫酸塩、次亜燐酸塩、紫外線、プラズマ、または水素によって行うことを特徴とする請求項２１に記載の金属膜の形成方法。
【請求項２８】
酸水溶液として塩酸、硫酸、硝酸または酢酸の水溶液を用いることを特徴とする請求項２１に記載の金属膜の形成方法。
【請求項２９】
有機膜形成工程においてマスクを用いて紫外線照射により重合を行い未反応モノマーを除去すること、または金属膜形成工程においてマスクを用いて紫外線照射により還元を行うことによって、パターン形状を有する金属膜を形成することを特徴とする請求項２１に記載の金属膜の形成方法。
【請求項３０】
カルボキシル基またはスルホン酸基のエステル基を有する付加重合性モノマー１、モノマー１が有するカルボキシル基またはスルホン酸基のエステル基を有さず、かつ重合性二重結合を１分子当たり３〜４個有するモノマーおよび重合開始剤を含有する、請求項２１に記載の金属膜の形成方法において使用される金属膜形成用下地組成物。
【請求項３１】
請求項２１に記載の金属膜の形成方法によって形成されたことを特徴とする金属膜。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は任意の基板またはフィルムに対して、金属膜および金属パターンを形成できる金属膜の形成方法、該方法に使用される金属膜形成用下地組成物および該方法によって形成された金属膜に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
金属膜の形成方法としては、例えば、ドライプロセスと呼ばれる蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、ウェットプロセスと呼ばれる電解めっき、無電解めっき等が知られているが、ドライプロセス法では高額の設備コストが必要で、ウェットプロセス法では厚み数十ｎｍ程度の金属膜を形成するのは困難であった。【０００３】
そこで、ポリイミド樹脂を改質させることでカチオン交換基を生成させた後、金属イオンをカチオン交換基に固定し、それを還元することで金属膜を形成する技術が報告されている（特許文献１）。しかしながら、そのような技術では、ポリイミドを改質させて成膜するため、他の基板を使用することができない。任意の基板にポリイミドワニスを塗布し硬化させた膜を改質する方法も考えられるが、硬化の際に、高温ベーク（例えば２００℃以上）が必要で、耐熱性の低い基板は変形して使用できない（汎用性がない）。またポリイミドは高価である。さらに一般のポリイミド（例えばカプトン、ユーピレックスなど）は紫外光領域での透過率が低く、また透明ポリイミドは改質が困難である。紫外光に対する透過率が低いと、上記技術およびマスクを用いて金属パターンを形成して電気回路等を作成する場合、解像性が低くなるため、微細配線には適さない。また高濃度のアルカリ溶液を数十度程度に加熱して使用するため、安全性に問題がある。
【特許文献１】特開２００１−７３１５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、比較的薄い金属膜または金属パターンであっても、任意の基板またはフィルム上に低コストで形成可能な金属膜および金属配線パターンの形成方法および金属膜および金属配線パターン形成用下地組成物を提供することを目的とする。【０００５】
本発明はまた、比較的薄く、かつ複雑な金属パターンであっても、任意の基板またはフィルム上に低コストで形成可能な金属膜の形成方法および金属膜形成用下地組成物を提供することを目的とする。【０００６】
本発明はまた、任意の基板またはフィルム上に低コストで形成可能な金属膜および金属配線パターンを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、酸性基またはそのエステル基を有する付加重合性モノマーおよび重合開始剤を含有する金属膜形成用下地組成物を基板またはフィルム上に塗布し、重合して、有機膜を形成する工程、
有機膜が有する酸性基またはそのエステル基を、特定の処理によって、酸性基の金属（Ｍ１）塩にする工程、
有機膜を、金属（Ｍ１）イオンよりイオン化傾向の低い金属（Ｍ２）イオンを含有する水溶液で処理して、酸性基の金属（Ｍ１）塩を金属（Ｍ２）塩にする工程、および
金属（Ｍ２）イオンを還元して、有機膜表面に金属膜を形成する工程
を含むことを特徴とする金属膜の形成方法に関する。【０００８】
すなわち、本発明は、酸性基を有する付加重合性モノマーおよび重合開始剤を含有する金属膜形成用下地組成物を基板またはフィルム上に塗布し、重合して、有機膜を形成する工程（工程（Ａ））、
有機膜を、金属（Ｍ１）イオンを含有する水溶液で処理して、酸性基を金属（Ｍ１）塩にする工程（工程（Ｂ）、特に工程（ｂ１））、
有機膜を、金属（Ｍ１）イオンよりイオン化傾向の低い金属（Ｍ２）イオンを含有する水溶液で処理して、金属（Ｍ１）塩を金属（Ｍ２）塩にする工程（工程（Ｃ））、および
金属（Ｍ２）イオンを還元して、有機膜表面に金属膜を形成する工程（工程（Ｄ））
を含むことを特徴とする金属膜の形成方法に関する。【０００９】
本発明はまた、酸性基のエステル基を有する付加重合性モノマーおよび重合開始剤を含有する金属膜形成用下地組成物を基板またはフィルム上に塗布し、重合して、有機膜を形成する工程（工程（Ａ））、
有機膜を、金属（Ｍ１）イオンを含有する水溶液で処理して、酸性基のエステル基を酸性基のアルカリ金属塩にする工程（工程（Ｂ）、特に処理（ｂ２−１））、
有機膜を、アルカリ金属イオンよりイオン化傾向の低い金属（Ｍ２）イオンを含有する水溶液で処理して、酸性基のアルカリ金属塩を金属（Ｍ２）塩にする工程（工程（Ｃ））、および
金属（Ｍ２）イオンを還元して、有機膜表面に金属膜を形成する工程（工程（Ｄ））
を含むことを特徴とする金属膜および金属配線パターンの形成方法に関する。【００１０】
本発明はまた、酸性基のエステル基を有する付加重合性モノマーおよび重合開始剤を含有する金属膜形成用下地組成物を基板またはフィルム上に塗布し、重合して、有機膜を形成する工程（工程（Ａ））、
有機膜を、酸水溶液で処理した後、金属（Ｍ１）イオンを含有する水溶液で処理して、酸性基のエステル基を酸性基の金属（Ｍ１）塩にする工程（工程（Ｂ）、特に処理（ｂ２−２））、
有機膜を、金属（Ｍ１）イオンよりイオン化傾向の低い金属（Ｍ２）イオンを含有する水溶液で処理して、金属（Ｍ１）塩を金属（Ｍ２）塩にする工程（工程（Ｃ））、および
金属（Ｍ２）イオンを還元して、有機膜表面に金属膜を形成する工程（工程（Ｄ））
を含むことを特徴とする金属膜の形成方法に関する。【００１１】
本発明はまた、上記いずれかの金属膜の形成方法において使用される金属膜形成用下地組成物に関する。【００１２】
本発明はまた、上記いずれかの金属膜の形成方法によって形成されたことを特徴とする金属膜および金属配線パターンに関する。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、特定の付加重合性モノマーおよび重合開始剤を含有する金属膜形成用下地組成物を基板またはフィルム上に塗布し、重合させて有機膜を形成し、高温ベークを必要としないので、比較的薄い金属膜または金属パターンであっても任意の基板またはフィルム上に形成可能である。例えば、耐熱性の低い安価な樹脂（例えば、アクリル樹脂、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、エポキシ樹脂）からなる基板またはフィルムを使用できる。また設備コストを低減できる。よって製造コストを低減できる。【００１４】
特に本発明において使用される金属膜形成用下地組成物は透明性に優れ、重合によっても優れた透明性を確保できたため、解像度が従来技術よりも向上したので、金属膜形成工程においてマスクを用いて紫外線照射により還元を行うことによって、微細な金属パターンであっても、簡便に形成可能である。【００１５】
さらに有機膜形成工程においてマスクを用いて紫外線照射により重合を行い未反応モノマーを除去することによっても、３次元的なパターニングが容易に実現可能となる。この場合、金属膜形成工程における還元は紫外線照射にて行う必要がないので、従来の技術と比較して微細配線めっきに関わる総処理時間を１／３に短縮可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明に係る金属膜の形成方法は、以下に示す少なくとも工程（Ａ）〜工程（Ｄ）を含むことを特徴とする。【００１７】
工程（Ａ）；
工程（Ａ）では、金属膜形成用下地組成物を調製し、当該組成物を基板またはフィルム上に塗布した後、重合して有機膜を形成する。
金属膜形成用下地組成物は、後述の工程（Ｃ）で導入される金属（Ｍ２）イオンを表面に析出させて所定の金属膜を形成するための下地（樹脂膜）を形成するものであり、詳しくは酸性基またはそのエステル基を有する付加重合性モノマーおよび重合開始剤を含有するものである。以下、酸性基またはそのエステル基を有する付加重合性モノマーを単に「モノマー１」というものとする。【００１８】
モノマー１が有する酸性基は金属膜形成用の金属イオンを塩の形態で保持できる限り特に制限されず、例えば、カルボキシル基、スルホン酸基、水酸基等が挙げられる。そのような酸性基はエステルの形態を有していてもよく、すなわちモノマー１は上記酸性基のエステル基を有していても良い。そのようなエステル基を構成する基は、後述の工程（ｂ２）においてエステル結合が加水分解される限り特に制限されず、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基およびｔ−ブチル等のような直鎖または分岐状のアルキル基、フェニル基のような１価芳香族炭化水素基、イソボニル基、アダマンチル基のような１価脂環族炭化水素基、パーフルオロメチル基、パーフルオロエチル基、パーフルオロｎ−プロピル基、パーフルオロイソプロピル基、パーフルオロｎ−ブチル基、パーフルオロイソブチル基、パーフルオロｓｅｃ−ブチル基およびパーフルオロｔ−ブチル等のような直鎖または分岐状のパーフルオロアルキル基、エチレンオキサイド、プロピレンオキサイド基等のようなエーテル基等が挙げられる。【００１９】
モノマー１が有する酸性基またはそのエステル基の数は特に制限されない。【００２０】
モノマー１は重合性不飽和結合、特に重合性二重結合を１分子あたり１個以上有するものであり、その数は特に限定されるものではない。【００２１】
そのようなモノマー１として、例えば、下記一般式（１ａ）〜（８ａ）で表される化合物が挙げられる。【００２２】
【化１】
0004593619.tif 000002
【００２３】
式（１ａ）〜（８ａ）中、Ｒ１およびＲ２はそれぞれ独立して水素原子または炭素数１〜３のアルキル基であり、好ましくは同時に水素原子である。アルキル基の具体例として、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基が挙げられる。
Ｒ３は水素原子またはメチル基である。
Ｒ４は２価の飽和脂肪族炭化水素基または２価の芳香族炭化水素基である。２価の飽和脂肪族炭化水素基は炭素数１〜３のものが好ましく、具体例として、例えば、メチレン基、エチレン基、ジメチレン基、プロピレン基、トリメチレン基等が挙げられる。２価の芳香族炭化水素基は好ましくはフェニレン基である。好ましいＲ４はメチレン基またはフェニレン基である。
Ｒ５は、前記酸性基のエステル基を構成する基と同様の基であり、すなわち、前記したような直鎖または分岐状のアルキル基、１価芳香族炭化水素基、１価脂環族炭化水素基、および直鎖または分岐状のパーフルオロアルキル基、エチレンオキサイド、プロピレンオキサイド基等のようなエーテル基が挙げられる。好ましいＲ５は、直鎖または分岐状のアルキル基、特にメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基またはｔ−ブチルである。【００２４】
一般式（１ａ）で表される化合物の具体例として、例えば、（メタ）アクリル酸等が挙げられる。本明細書中、（メタ）アクリル酸はアクリル酸およびメタクリル酸を包含して意味するものとし、例えば、（メタ）アクリル酸ｔ−ブチルはアクリル酸ｔ−ブチルおよびメタクリル酸ｔ−ブチルを包含して意味するものとする。
一般式（２ａ）で表される化合物の具体例として、例えば、（メタ）アクリル酸メチル基、（メタ）アクリル酸エチル基、（メタ）アクリル酸ｎ−プロピル基、（メタ）アクリル酸イソプロピル基、（メタ）アクリル酸ｎ−ブチル基、（メタ）アクリル酸イソブチル基、（メタ）アクリル酸ｓｅｃ−ブチル基、（メタ）アクリル酸ｔ−ブチル等が挙げられる。【００２５】
一般式（３ａ）で表される化合物の具体例として、例えば、ビニルベンゼンカルボン酸、ビニル酢酸等が挙げられる。
一般式（４ａ）で表される化合物の具体例として、例えば、ビニルベンゼンカルボン酸メチル、ビニルベンゼンカルボン酸ｔ−ブチル、ビニル酢酸メチル、ビニル酢酸ｔ−ブチル等が挙げられる。【００２６】
一般式（５ａ）で表される化合物の具体例として、例えば、ビニルスルホン酸等が挙げられる。
一般式（６ａ）で表される化合物の具体例として、例えば、ビニルスルホン酸メチル、ビニルスルホン酸ｔ−ブチル等が挙げられる。【００２７】
一般式（７ａ）で表される化合物の具体例として、例えば、ビニルベンゼンスルホン酸等が挙げられる。
一般式（８ａ）で表される化合物の具体例として、例えば、ビニルベンゼンスルホン酸メチル、ビニルベンゼンスルホン酸ｔ−ブチル等が挙げられる。【００２８】
また上記具体例以外のモノマー１の具体例として、例えば、マレイン酸、フマル酸等が挙げられる。【００２９】
本発明は２種類以上のモノマー１を使用することを妨げるものではなく、特に限定されない。【００３０】
モノマー１の含有量は本発明の目的が達成される限り特に制限されず、例えば、金属膜形成用下地組成物全量に対して３０〜９９．９重量％であり、好ましくは４０〜９９．８重量％、より好ましくは４５〜９９．７重量％である。２種類以上のモノマー１を使用する場合はそれらの合計含有量が上記範囲内であればよい。【００３１】
重合開始剤はモノマー１の重合を開始できる限り特に制限されず、例えば、光重合開始剤および熱重合開始剤等のラジカル重合開始剤、カチオン重合開始剤およびアニオン重合開始剤等のイオン重合開始剤等が挙げられる。好ましくはラジカル重合開始剤、特に光重合開始剤が使用される。【００３２】
光重合開始剤として、例えば、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニル−プロペン−１−オン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノプロペン−１−オン、２，４，６−トリメチルベンゾイル−ジフェニル−フォスフィンオキサイド、トリフェニルスルホニウムトリフレート等が挙げられる。
熱重合開始剤として、例えば、クメンハイドロパーオキサイド、ｔ−ブチルハイドロパーオキサイド、過酸化ベンゾイル、ＤＢＵ、エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルベンジルアミン等が挙げられる。【００３３】
重合開始剤の含有量は通常は金属膜形成用下地組成物全量に対して０．１〜１０重量％であり、好ましくは０．２〜８重量％、より好ましくは０．３〜６重量％である。【００３４】
金属膜形成用下地組成物にはバルキー構造を付加することによって膜中のイオンを還元させやすくするため、さらに架橋剤および／または界面活性剤を含有させることが好ましい。
架橋剤は、モノマー１が有するような酸性基またはそのエステル基を有さず、かつ重合性不飽和結合、特に重合性二重結合を１分子あたり２個以上、特に３〜４個有する化合物であれば、いかなる化合物も使用可能である。【００３５】
そのような架橋剤として、例えば、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート等が使用可能である。【００３６】
架橋剤の含有量は通常は金属膜形成用下地組成物全量に対して０〜６９．９重量％であり、好ましくは５〜５０重量％、より好ましくは１０〜４５重量％である。【００３７】
界面活性剤としては、ポリエーテル変性シリコーン（例えば、ＫＦ３５１（信越化学工業株式会社製)）、フッ素変性シリコーン（例えば、ＦＬ−５（信越化学工業株式会社製)）、アルコール変性シリコーン（例えば、ＫＦ６００１（信越化学工業株式会社製)）、アルキル変性シリコーン（例えば、ＫＦ９６−６ｃｓ（信越化学工業株式会社製)）等が使用可能である。
界面活性剤の含有量は通常は金属膜形成用下地組成物全量に対して０〜６９．９重量％であり、好ましくは０．０１〜５０重量％、より好ましくは０．１〜１０重量％である。【００３８】
金属膜形成用下地組成物にはさらにモノマー１および架橋剤以外の付加重合性モノマー（以下、単に「モノマー２」という）を含有させてもよい。モノマー２は、モノマー１が有するような酸性基またはそのエステル基を有さず、かつ重合性不飽和結合、特に重合性二重結合を１分子あたり１個有する化合物である。【００３９】
そのようなモノマー２として、例えば、スチレン、ビニルシクロヘキサン等が使用可能である。【００４０】
モノマー２の含有量は金属膜形成用下地組成物全量に対して５０重量％以下、特に３０重量％以下が好ましい。【００４１】
金属膜形成用下地組成物にはさらに有機溶剤を含有させてもよい。有機溶剤を含有させることによって、塗布性が向上する。有機溶剤として、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、シクロヘキサノン、酢酸ブチル等が使用可能である。【００４２】
有機溶剤の含有量は金属膜形成用下地組成物全量に対して８０重量％以下、特に３０重量％以下が好ましい。【００４３】
基板またはフィルムは任意のものが使用可能である。本発明においては比較的低温での処理が可能なためである。具体例として、例えば、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエチレンテレフタレート、エポキシ樹脂からなる基板またはフィルム、例えばガラス基板、石英、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム、ホウ珪酸ガラス、珪ホウ酸ガラス、ＰＺＴ、ＰＬＺＴ等が挙げられる。【００４４】
金属膜形成用下地組成物を基板またはフィルム上に塗布するに際しては、任意の塗布方法が採用可能であり、例えば、スピンコート、スプレーコート、浸漬により塗布を行う。塗布厚は特に制限されず、例えば、重合後において有機膜の厚みが後述の範囲内なるような範囲が適当である。【００４５】
重合は重合開始剤の種類に応じて適宜、公知の方法を採用するとよい。
例えば、光重合開始剤を使用している場合には、当該光重合開始剤が吸収することによってラジカルを生成できる波長の光、例えば、紫外線を、基板またはフィルムの塗布面側から照射するとよい。
また例えば、熱重合開始剤を使用している場合には、当該熱重合開始剤が分解してラジカルを生成できる温度、例えば、５０〜１５０℃まで加熱する。【００４６】
重合に際しては、マスクを用いて紫外線照射により重合を行い、その後未反応モノマー領域を除去することよって、マスクに対応するパターン形状を有する有機膜を形成可能である。そのため、得られた有機膜を後述の工程に供することにより、パターン形状を有する金属膜を形成できる。未反応モノマー領域は塩酸、硝酸、硫酸によって除去できる。【００４７】
重合後において得られる有機膜の膜厚は本発明の目的が達成される限り特に制限されるものではなく、例えば、０．１〜１０００μｍ、特に１０〜５００μｍが好適である。【００４８】
工程（Ｂ）；
工程（Ｂ）では、工程（Ａ）で得られた有機膜が有する酸性基またはそのエステル基を、酸性基の金属（Ｍ１）塩にする。処理方法は有機膜が有する基によって異なる。以下の工程（Ｂ）の説明においては、有機基が有する基が酸性基の場合（工程（ｂ１））と、酸性基のエステルの場合（工程（ｂ２））とに分けて説明する。【００４９】
工程（ｂ１）；
工程（Ａ）において酸性基を有するモノマー１を用い、有機膜が酸性基を有する場合は、有機膜を、金属（Ｍ１）イオンを含有する水溶液で処理して、酸性基を金属（Ｍ１）塩にする。この処理は、例えば、金属（Ｍ１）イオンを含有する水溶液に、有機膜を有する基板またはフィルムを浸漬することによって容易に実施可能である。【００５０】
金属（Ｍ１）イオンは、後述の工程（Ｃ）において金属膜形成用の金属（Ｍ２）イオンとカチオン交換可能な金属イオンであり、すなわち、工程（Ｃ）において金属（Ｍ２）イオンとカチオン交換され得るものである。詳しくは金属（Ｍ１）イオンは金属（Ｍ２）イオンよりもイオン化傾向が高いものである。よって、金属（Ｍ１）イオンは金属（Ｍ２）イオンに応じて適宜選択される。金属（Ｍ１）イオンは通常、カリウムイオン、ナトリウムイオンの中から選択される。本明細書中、イオン化傾向とは、金属が水と接するとき金属イオン（陽イオン）になる傾向のことであり、金属イオンのイオン化傾向の高さは、金属から当該金属イオンになる傾向の高さに基づくものである。【００５１】
例えば、後述の工程（Ｃ）で金属（Ｍ２）イオンとして銀イオンが使用される場合、金属（Ｍ１）イオンは通常は、カリウムイオン、ナトリウムイオンの中から選択されることが好ましい。【００５２】
また例えば、後述の工程（Ｃ）で金属（Ｍ２）イオンとして銅イオンが使用される場合、金属（Ｍ１）イオンは通常は、カリウムイオン、ナトリウムイオンの中から選択されることが好ましい。【００５３】
また例えば、後述の工程（Ｃ）で金属（Ｍ２）イオンとして金イオンが使用される場合、金属（Ｍ１）イオンは通常は、カリウムイオン、ナトリウムイオンの中から選択されることが好ましい。【００５４】
また例えば、後述の工程（Ｃ）で金属（Ｍ２）イオンとしてパラジウムイオンが使用される場合、金属（Ｍ１）イオンは通常は、カリウムイオン、ナトリウムイオンの中から選択されることが好ましい。【００５５】
また例えば、後述の工程（Ｃ）で金属（Ｍ２）イオンとしてインジウムイオンが使用される場合、金属（Ｍ１）イオンは通常は、カリウムイオン、ナトリウムイオンの中から選択されることが好ましい。【００５６】
また例えば、後述の工程（Ｃ）で金属（Ｍ２）イオンとして白金イオンが使用される場合、金属（Ｍ１）イオンは通常は、カリウムイオン、ナトリウムイオンの中から選択されることが好ましい。【００５７】
金属（Ｍ１）イオンを含有する水溶液の具体例として、例えば、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム等の水溶液が挙げられる。そのような水溶液における金属（Ｍ１）イオンの濃度は酸性基の金属塩が生成する限り特に制限されないが、本発明においては０．１〜２．５Ｍのような比較的低濃度であっても効率よく酸性基の金属塩が生成するので好ましい。本発明は２種類以上の金属（Ｍ１）イオンを使用することを妨げるものではなく、その場合には金属（Ｍ１）イオンの合計濃度が上記範囲内であればよい。【００５８】
金属（Ｍ１）イオン含有水溶液での処理によって、有機膜が有する酸性基の水素イオンが金属（Ｍ１）イオンに置換される。具体的には、有機膜が有する例えば、−ＣＯＯＨまたは−ＳＯ３Ｈのような酸性基の水素イオンは直接的に金属（Ｍ１）イオンに置換され、例えば、−ＣＯＯＭ１または−ＳＯ３Ｍ１等のような酸性基金属塩が生成する。Ｍ１は金属（Ｍ１）イオンの金属原子を示す（以下、同様とする）。【００５９】
工程（ｂ１）の処理条件は酸性基の金属塩が生成する限り特に制限されず、処理温度は通常は０〜８０℃、好ましくは２０〜４０℃である。処理時間（浸漬時間）は通常は１〜３０分間、好ましくは５〜１５分間である。【００６０】
工程（ｂ２）；
工程（Ａ）において酸性基のエステル基を有するモノマー１を用い、有機膜が当該エステル基を有する場合は、以下の処理（ｂ２−１）または処理（ｂ２−２）を行い、酸性基のエステル基を酸性基の金属（Ｍ１）塩にする。【００６１】
処理（ｂ２−１）では、有機膜を、アルカリ金属イオンを含有するアルカリ水溶液で処理する。処理（ｂ２−１）の方法は、金属（Ｍ１）イオンを含有する水溶液の中でも、カリウムイオン、ナトリウムイオン等のアルカリ金属イオンを含有するアルカリ水溶液を用いること以外、前記工程（ｂ１）における処理方法と同様である。【００６２】
処理（ｂ２−１）によって、有機膜が有する酸性基のエステル基におけるエステル結合がけん化される。具体的には、有機膜が有する例えば、−ＣＯＯＲ５または−ＳＯ３Ｒ５のようなエステル基はけん化されて、例えば、−ＣＯＯＫ、−ＣＯＯＮａ、−ＳＯ３Ｋまたは−ＳＯ３Ｎａ等のような酸性基のアルカリ金属塩が生成する。【００６３】
処理（ｂ２−２）では、有機膜を、酸水溶液で処理した後、金属（Ｍ１）イオンを含有する水溶液で処理する。酸水溶液での処理によって、有機膜が有する酸性基のエステル基におけるエステル結合が加水分解されて、酸性基が生成し、その後の金属（Ｍ１）イオンを含有する水溶液での処理によって、当該酸性基の水素イオンが金属（Ｍ１）イオンに置換される。具体的には、有機膜が有する例えば、−ＣＯＯＲ５または−ＳＯ３Ｒ５のようなエステル基は酸水溶液処理によって加水分解され、それぞれ−ＣＯＯＨまたは−ＳＯ３Ｈ等の酸性基を生成する。その後、金属（Ｍ１）イオンを含有する水溶液での処理によって、酸性基の水素イオンが金属（Ｍ１）イオンに置換され、例えば、−ＣＯＯＭ１または−ＳＯ３Ｍ１等のような酸性基金属塩が生成する。【００６４】
酸水溶液での処理は、例えば、酸水溶液に、有機膜を有する基板またはフィルムを浸漬することによって容易に実施可能である。酸水溶液として、例えば、塩酸、硫酸、硝酸または酢酸等の水溶液を使用できる。酸の濃度は例えば、０．１〜１０Ｍ、好ましくは０．５〜５Ｍである。処理温度は例えば、０〜８０℃、好ましくは２０〜５０℃である。処理時間（浸漬時間）は例えば、１〜３０分間、好ましくは５〜１５分間である。【００６５】
処理（ｂ２−２）において金属（Ｍ１）イオンを含有する水溶液での処理方法は、処理温度が０〜８０℃、特に２０〜５０℃で、前記工程（ｂ１）における処理方法と同様である。【００６６】
工程（Ｃ）；
工程（Ｃ）では、工程（Ｂ）で得られた有機膜を、金属膜形成用の金属イオン（前記金属（Ｍ２）イオン）を含有する水溶液で処理して、酸性基の金属（Ｍ１）塩を金属（Ｍ２）塩にする。特に工程（Ｂ）の処理（ｂ２−１）によって有機膜が酸性基のアルカリ金属塩を有する場合には、当該処理によってアルカリ金属塩を金属（Ｍ２）塩にする。この処理は、例えば、金属（Ｍ２）イオンを含有する水溶液に、有機膜を有する基板またはフィルムを浸漬することによって容易に実施可能である。金属（Ｍ２）イオンは前述のように金属（Ｍ１）イオンやアルカリ金属イオンよりイオン化傾向が低いので、そのような処理によって有機膜が有する酸性基の金属（Ｍ１）塩またはアルカリ金属塩は、例えば、−ＣＯＯＭ１または−ＳＯ３Ｍ１からそれぞれ−ＣＯＯＭ２または−ＳＯ３Ｍ２に容易に転化し、結果としてカチオン交換が達成され、有機膜に金属（Ｍ２）イオンが導入・固定される。Ｍ２は金属（Ｍ２）イオンの金属原子を示す（以下、同様とする）。【００６７】
金属（Ｍ２）イオンは、形成されるべき所定の金属膜を構成する金属のイオンであって、前述のように金属（Ｍ１）イオンよりもイオン化傾向の低いものである。特に工程（Ｂ）で処理（ｂ２−１）を行った場合において金属（Ｍ２）イオンは、アルカリ金属イオンよりもイオン化傾向の低いものである。【００６８】
金属（Ｍ２）イオンは、通常は、銀イオン、銅イオン、金イオン、パラジウムイオン、インジウムイオン、白金イオン、コバルト、ニッケルの中から選択される。【００６９】
金属（Ｍ２）イオンを含有する水溶液の具体例として、例えば、硝酸銀、酢酸銀、炭酸銀、硫酸銀、塩化銀、硝酸銅、硫酸銅、酢酸銅、炭酸銅、塩化銅、塩化金（Ｉ）、塩化金（ＩＩＩ）、塩化金酸、酢酸金、塩化パラジウム、硫酸インジウム、ｔｒａｎｓ−ジアミンジクロロ白金等の水溶液が挙げられる。そのような水溶液における金属（Ｍ２）イオンの濃度は、カチオン交換が達成される限り特に制限されず、例えば、１〜５００ｍＭ、特に５０〜２００ｍＭが好ましい。処理温度は例えば、０〜８０℃、好ましくは２０〜４０℃である。処理時間（浸漬時間）は例えば、１〜３０分間、好ましくは５〜１５分間である。本発明は２種類以上の金属（Ｍ２）イオンを使用することを妨げるものではなく、その場合には金属（Ｍ２）イオンの合計濃度が上記範囲内であればよい。【００７０】
工程（Ｄ）；
工程（Ｄ）では、金属膜形成用の金属イオン（前記金属（Ｍ２）イオン）を還元して、有機膜表面に金属膜を形成する。すなわち、工程（Ｃ）で有機膜に導入された金属（Ｍ２）イオンを還元することによって、当該イオンの金属原子を有機膜表面に析出させ、所定の金属膜を形成できる。【００７１】
還元方法は金属イオンを還元できれば特に制限されず、例えば、水素化ホウ素ナトリウム、ジメチルアミンボラン、トリメチルアミンボラン、ヒドラジン、ホルムアルデヒド、あるいはそれらの誘導体、亜硫酸塩、次亜燐酸塩等の還元剤を用いる方法、紫外線を照射する方法、プラズマを用いる方法、または水素を用いる方法等が挙げられる。【００７２】
例えば、還元剤を用いる方法においては、有機膜表面を還元剤と接触させればよい。還元剤は通常、水溶液の形態で使用され、還元剤水溶液に、有機膜を有する基板またはフィルムを浸漬することによって還元を容易に達成できる。還元剤水溶液の還元剤の濃度は１〜５００ｍＭ、特に５〜５０ｍＭが好ましい。処理温度は例えば、０〜８０℃、好ましくは２０〜４０℃である。処理時間（浸漬時間）は例えば、１〜３０分間、好ましくは５〜１５分間である。【００７３】
また例えば、紫外線を照射する方法においては、有機膜表面に対して紫外線を照射すればよい。例えば、セン特殊光源株式会社製ＵＶ照射装置ＰＬ１６−１１０を用いる場合は照射時間を１０〜１５０分間、特に６０〜９０分間とすることが好ましい。そのような方法によって還元を行う場合は、マスクを用いて紫外線照射することによって、マスクに対応するパターン形状を有する金属膜を形成できる。マスクを用いて紫外線照射により還元を行うことによって、比較的複雑な金属パターンであっても、簡便に形成可能である。パターン部以外の領域は、例えば、１％程度の硝酸あるいは硫酸水溶液等に浸漬することによって除去できる。 【００７４】
還元を完了した後は、通常、洗浄し、乾燥する。
洗浄は水洗であってもよいが、硫酸水溶液により洗浄することが好ましい。
乾燥は室温での放置によって達成してもよいが、得られた金属膜の酸化を防止する観点から、窒素雰囲気下で行うことが好ましい。【００７５】
本発明において上記した各工程または処理間の洗浄処理として水洗を行うことが好ましい。【００７６】
以上のような工程を経て得られる金属膜の厚みは特に制限されるものではなく、例えば、１０〜５００ｎｍ、特に２０〜２００ｎｍの範囲内で制御可能である。【００７７】
金属膜の厚みは断面観察、例えばＴＥＭ（株式会社日立ハイテクノロジーズ社製）によって測定可能である。
【実施例】
【００７８】
以下の材料を用いた。
ＴＭＰ−Ａ（共栄社化学株式会社；トリメチロールプロパントリアクリレート）
ＰＥ−４Ａ（共栄社化学株式会社；ペンタエリスリトールテトラアクリレート）
ＴＢＡ（大阪有機株式会社；トリブチルアクリレート）【００７９】
（実施例１）
下記の化合物を混合し、薬液を作成した。
・ダロキュア１１７３  ０．３０％（チバ・スペシャルティ・ケミカルズ株式会社)
・アクリル酸        ９９．７％（和光純薬株式会社）
アクリル板上に薬液をスピンコートにより塗布し、セン特殊光源株式会社製ＵＶ照射装置ＰＬ１６−１１０で６分間ＵＶ照射すると、アクリル板上に透明の下地（樹脂膜)(厚み約２０μｍ）が形成された。【００８０】
その後、下地が形成されたアクリル板を下記の工程に供することよってＡｇ膜が得られた。
（１）２５℃２．５Ｍ水酸化カリウム水溶液に浸漬し１０分間保持する。
（２）蒸留水中で十分に洗浄する。
（３）室温５０ｍＭ硝酸銀水溶液に浸漬し１０分間保持する。
（４）蒸留水中で十分に洗浄する。
（５）室温５０ｍＭ水素化ホウ素ナトリウム水溶液に浸漬し５分間保持する。
（６）蒸留水中で十分に洗浄する。
（７）室温１％硫酸で洗浄する。
（８）蒸留水中で十分に洗浄する
（９）窒素雰囲気下で乾燥する。【００８１】
これにより、青暗い金属光沢のある膜厚２０ｎｍ程度のＡｇ膜が得られた。高価な装置は必要とせず、数十ｎｍの金属膜を、工業界で汎用的な基板（アクリル板）上に非常に安価で作成できた。また従来技術と比較して金属成膜過程全体において最高４５℃しか加温を必要としないので、基板の制限はほとんどなく、耐熱性の低いアクリル樹脂等の上にも成膜できる。膜厚は特に限定されるものではない。【００８２】
（実施例２）
下記の化合物を混合し、薬液を作成した。
・ダロキュア１１７３  ０．３０％（チバ・スペシャルティ・ケミカルズ株式会社)
・アクリル酸        ８９．７％（和光純薬株式会社）
・ＴＭＰ−Ａ          ５．０％（共栄社化学株式会社）
・ＰＥ−４Ａ          ５．０％（共栄社化学株式会社）
アクリル板上に薬液をスピンコートにより塗布し、セン特殊光源株式会社製ＵＶ照射装置ＰＬ１６−１１０で６分間ＵＶ照射すると、アクリル板上に透明の下地（樹脂膜)(厚み約２０μｍ）が形成された。【００８３】
その後、下地を形成されたアクリル板を下記の工程に供することよってＡｇ膜が得られた。
（１）２５℃２．５Ｍ水酸化カリウム水溶液に浸漬し１０分間保持する。
（２）蒸留水中で十分に洗浄する。
（３）室温５０ｍＭ硝酸銀水溶液に浸漬し１０分間保持する。
（４）蒸留水中で十分に洗浄する。
（５）室温５０ｍＭ水素化ホウ素ナトリウム水溶液に浸漬し５分間保持する。
（６）蒸留水中で十分に洗浄する。
（７）室温１％硫酸で洗浄する。
（８）蒸留水中で十分に洗浄する。
（９）窒素雰囲気下で乾燥する。【００８４】
これにより作成されるＡｇ膜は実施例１と比較して、樹脂の構造が嵩高くなったことにより、還元される金属イオンの量が多くなり、裏面の黒さがなく、裏面でも鏡面反射するＡｇ膜が得られた。また還元されるイオンの量が多くなることにより、金属膜の膜厚も厚くなる効果（５０ｎｍ）が相乗的に得られ、金属面も銀色を呈した。基板の選択性は実施例１と同様である。膜厚は特に限定されるものではない。【００８５】
（実施例３）
下記の化合物を混合し、薬液を作成した。
・ダロキュア１１７３  ０．３０％（チバ・スペシャルティ・ケミカルズ株式会社）
・アクリル酸        ８９．７％（和光純薬株式会社）
・ＴＭＰ−Ａ          ５．０％（共栄社化学株式会社）
・ＰＥ−４Ａ          ５．０％（共栄社化学株式会社）
アクリル板上に薬液をスピンコートにより塗布し、セン特殊光源株式会社製ＵＶ照射装置ＰＬ１６−１１０で６分間ＵＶ照射すると、アクリル板上に透明の下地（樹脂膜)(厚み約２０μｍ）が形成された。【００８６】
その後、下地を形成されたアクリル板を下記の工程に供することよって導電性Ａｇ膜が得られた。
（１）２５℃２．５Ｍ水酸化カリウム水溶液に浸漬し１０分間保持する。
（２）蒸留水中で十分に洗浄する。
（３）室温５０ｍＭ硝酸銀水溶液に浸漬し１０分間保持する。
（４）蒸留水中で十分に洗浄する。
（５）６０分間ＵＶ照射（セン特殊光源株式会社製ＵＶ照射装置ＰＬ１６−１１０）を行う。
（６）蒸留水中で十分に洗浄する。
（７）室温１％硫酸で洗浄する。
（８）蒸留水中で十分に洗浄する。
（９）窒素雰囲気下で乾燥する。【００８７】
これにより、膜厚５０ｎｍのＡｇ膜が得られた。実施例１と比較すると樹脂の構造が嵩高くなったため、ＵＶ還元されるＡｇイオンの量が多くなり、表面が銀色を呈するＡｇ膜が得られた。基板の選択性は実施例１と同様である。ＵＶ還元によっても実施例２と同様の効果が得られる。膜厚は特に限定されるものではない。【００８８】
（実施例４）
下記の化合物を混合し、薬液を作成した。
・ダロキュア１１７３  ０．３０％（チバ・スペシャルティ・ケミカルズ株式会社）
・アクリル酸        ８９．７％（和光純薬株式会社）
・ＴＭＰ−Ａ          ５．０％（共栄社化学株式会社）
・ＰＥ−４Ａ          ５．０％（共栄社化学株式会社）
アクリル板上に薬液をスピンコートにより塗布し、セン特殊光源株式会社製ＵＶ照射装置ＰＬ１６−１１０で６分間ＵＶ照射すると、アクリル板上に透明の下地（樹脂膜)(厚み約２０μｍ）が形成された。【００８９】
その後、下地を形成されたアクリル板を下記の工程に供することよって最小線幅２μｍ  １：１Ｌｉｎｅ＆Ｓｐａｃｅ  Ａｇパターンが得られた。
（１）２５℃２．５Ｍ水酸化カリウム水溶液に浸漬し１０分間保持する。
（２）蒸留水中で十分に洗浄する。
（３）室温５０ｍＭ硝酸銀水溶液に浸漬し１０分間保持する。
（４）蒸留水中で十分に洗浄する。
（５）基板の上に水滴を落とし、その上から気泡が入らないようにマスクを置き、固定化する。その後６０分間ＵＶ照射（セン特殊光源株式会社製ＵＶ照射装置ＰＬ１６−１１０）を行う。
（６）蒸留水中で十分に洗浄する。
（７）室温１％硫酸で洗浄する。
（８）蒸留水中で十分に洗浄する
（９）窒素雰囲気下で乾燥する。【００９０】
マスクを介してＵＶ照射するだけで、Ａｇパターンを作成することができ、最小線幅２μｍ  １：１  Ｌ＆Ｓ  Ａｇパターンが得られた。透明性はコントラストの観点から解像性に大きく影響しており、本発明では従来技術と比較して透明性が向上したことにより、従来技術よりさらに解像性が向上した。これに用いられる基板の制限はほとんどなく、透明で安価なアクリル樹脂等でもパターニングできる。基板の選択性については実施例１と同様である。膜厚は特に限定されるものではなく、最小線幅はＵＶ照射装置の性能に依存するものである。【００９１】
（実施例５）
下記の化合物を混合し、薬液を作成した。
・ダロキュア１１７３  ０．３０％（チバ・スペシャルティ・ケミカルズ株式会社）
・アクリル酸        ８９．７％（和光純薬株式会社）
・ＴＭＰ−Ａ          ５．０％（共栄社化学株式会社）
・ＰＥ−４Ａ          ５．０％（共栄社化学株式会社）
アクリル板上に薬液をスピンコートにより塗布し、セン特殊光源株式会社製ＵＶ照射装置ＰＬ１６−１１０で６分間ＵＶ照射すると、アクリル板上に透明の下地（樹脂膜)(厚み約２０μｍ）が形成された。【００９２】
その後、下地を形成されたアクリル板を下記の工程に供することよって導電性Ｃｕ膜が得られた。
（１）２５℃２．５Ｍ水酸化カリウム水溶液に浸漬し１０分間保持する。
（２）蒸留水中で十分に洗浄する。
（３）室温５０ｍＭ硫酸銅水溶液に浸漬し１０分間保持する。
（４）蒸留水中で十分に洗浄する。
（５）６０分間ＵＶ照射（セン特殊光源株式会社製ＵＶ照射装置ＰＬ１６−１１０）を行う。
（６）蒸留水中で十分に洗浄する。
（７）室温１％硫酸で洗浄する。
（８）蒸留水中で十分に洗浄する。
（９）窒素雰囲気下で乾燥する。【００９３】
これにより作成されるＣｕ膜は膜厚６０ｎｍ程度のＣｕ膜であった。高価な装置は必要とせず、数十ｎｍの金属膜を、工業界で汎用的な基板（アクリル板）上に非常に安価で作成できた。また従来技術と比較して金属成膜過程全体において最高２５℃しか加温を必要としないので、基板の制限はほとんどなく、耐熱性の低いアクリル樹脂等の上にも成膜できる。膜厚は特に限定されるものではない。【００９４】
（実施例６）
下記の化合物を混合し、薬液を作成した。
・ダロキュア１１７３    ５．０％（チバ・スペシャルティ・ケミカルズ株式会社）
・ＴＢＡ              ９５．０％（大阪有機株式会社）
アクリル板上に薬液をスピンコートにより塗布し、セン特殊光源株式会社製ＵＶ照射装置ＰＬ１６−１１０で１０分間ＵＶ照射すると、アクリル板上に透明の下地（樹脂膜)(厚み約２０μｍ）が形成された。【００９５】
その後、下地を形成されたアクリル板を下記の工程に供することよってＡｇ膜が得られた。
（１）３０℃２．５Ｍ水酸化カリウム水溶液に浸漬し１０分間保持する。
（２）蒸留水中で十分に洗浄する。
（３）室温５０ｍＭ硝酸銀水溶液に浸漬し１０分間保持する。
（４）蒸留水中で十分に洗浄する。
（５）室温１００ｍＭ水素化ホウ素ナトリウム水溶液に浸漬し５分間保持する。
（６）蒸留水中で十分に洗浄する。
（７）室温１％硫酸で洗浄する。
（８）蒸留水中で十分に洗浄する。
（９）窒素雰囲気下で乾燥する。【００９６】
これにより、膜厚約３０ｎｍのＡｇ膜が得られた。バルキーなエステルをアルカリによって加水分解すること（けん化）で架橋剤を必要とせず、架橋剤を配合した時と同様の効果が得られる。（実施例２と同じ効果でエステルのけん化を用いた場合）【００９７】
（実施例７）
下記の化合物を混合し、薬液を作成した。
・ダロキュア１１７３    ５．０％（チバ・スペシャルティ・ケミカルズ株式会社）
・ＴＢＡ              ７５．０％（大阪有機株式会社）
・ＰＥ−４Ａ          ２０．０％（共栄社化学株式会社）
アクリル板上に薬液をスピンコートにより塗布し、セン特殊光源株式会社製ＵＶ照射装置ＰＬ１６−１１０で１０分間ＵＶ照射すると、アクリル板上に透明の下地（樹脂膜)(厚み約３０μｍ）が形成された。【００９８】
その後、下地を形成されたアクリル板を下記の工程に供することよってＡｇ膜が得られた。
（１）３０℃１ＭＨＣｌ水溶液に浸漬し１０分間保持する。
（２）蒸留水で十分に洗浄する。
（３）室温２．５Ｍ水酸化カリウム水溶液に浸漬し１０分間保持する。
（４）蒸留水中で十分に洗浄する。
（５）室温５０ｍＭ硝酸銀水溶液に浸漬し１０分間保持する。
（６）蒸留水中で十分に洗浄する。
（７）室温１００ｍＭ水素化ホウ素ナトリウム水溶液に浸漬し５分間保持する。
（８）蒸留水中で十分に洗浄する。
（９）室温１％硫酸で洗浄する。
（１０）蒸留水中で十分に洗浄する。
（１１）窒素雰囲気下で乾燥する。【００９９】
これにより、膜厚約５０ｎｍのＡｇ膜が得られた。エステルの酸を用いた加水分解でも実施例６と同様の効果が得られる。【０１００】
（実施例８）
下記の化合物を混合し、薬液を作成した。
・ダロキュア１１７３    ５．０％（チバ・スペシャルティ・ケミカルズ株式会社）
・ＴＢＡ              ７５．０％（大阪有機株式会社）
・ＰＥ−４Ａ          ２０．０％（共栄社化学株式会社）
アクリル板上に薬液をスピンコートにより塗布し、セン特殊光源株式会社製ＵＶ照射装置ＰＬ１６−１１０で１０分間ＵＶ照射すると、アクリル板上に透明の下地（樹脂膜)(厚み約２０μｍ）が形成された。【０１０１】
その後、下地を形成されたアクリル板を下記の工程に供することよって最小線幅２μｍ１：１Ｌ＆Ｓ  Ａｇパターンが得られた。
（１）３０℃２．５Ｍ水酸化カリウム水溶液に浸漬し１０分間保持する。
（２）蒸留水中で十分に洗浄する。
（３）室温５０ｍＭ硝酸銀水溶液に浸漬し１０分間保持する。
（４）蒸留水中で十分に洗浄する。
（５）基板の上に水滴を落とし、その上から気泡が入らないようにマスクを置き、固定化する。その後６０分間ＵＶ照射（セン特殊光源株式会社製ＵＶ照射装置ＰＬ１６−１１０）を行う。
（６）蒸留水中で十分に洗浄する。
（７）室温１％硫酸で洗浄する。
（８）蒸留水中で十分に洗浄する。
（９）窒素雰囲気下で乾燥する。【０１０２】
これにより、膜厚約４０ｎｍのＡｇ膜が得られた。これによってエステルタイプ樹脂のけん化を用いた方法でも実施例４と同様に微細金属配線を作ることができた。【０１０３】
実施例１〜８のダロキュア１１７３は、イルガキュア６５１，９０７，ＢＡＳＦジャパン製のルシリンＴＰＯに変えても同様の結果が得られた。
また硝酸銀は、同濃度の酢酸銀，炭酸銀，硫酸銀（いずれも和光純薬製）に変えても同様の結果が得られた。
さらに硝酸銀は、同濃度の塩化パラジウム、硫酸インジウム、ｔｒａｎｓ−ジアミンジクロロ白金に変えても所定の金属膜が得られた。【０１０４】
（比較例１）
ポリイミド板（Ｋａｐｔｏｎ２００Ｈ；東レ・デュポン社製）を下記の工程に供した。
（１）５０℃５Ｍ水酸化カリウム水溶液に浸漬し５分間保持する。
（２）蒸留水中で十分に洗浄する。
（３）室温５０ｍＭ硝酸銀水溶液に浸漬し５分間保持する。
（４）蒸留水中で十分に洗浄する。
（５）基板の上に水滴を落とし、その上から気泡が入らないようにＣｒで被覆された石英マスクを置き、固定化する。その後６０分間ＵＶ照射（セン特殊光源株式会社製ＵＶ照射装置ＰＬ１６−１１０）を行う。
（６）蒸留水中で十分に洗浄する。
（７）室温１％硫酸で洗浄する。
（８）蒸留水中で十分に洗浄する
（９）窒素雰囲気下で乾燥する。
本工程では、実施例４、８と同じＵＶ照射条件で還元処理を行ったにもかかわらず最小線幅２μｍ  １：１  Ｌ＆Ｓのパターンを得ることはできなかった。
【産業上の利用可能性】
【０１０５】
本発明は、半導体、液晶表示パネル、高周波用途を始めとする各種電子部品、及びセンサー等の分野で使用される電極、微細配線回路、反応膜、保護膜等としての金属膜の形成に有用である。また本発明によってＳＰＲまたはＳＡＷセンサー用の金属膜の形成が可能である。