(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、該基板上に形成された記録層と、を有してなり、該記録層は記録部と該記録部の厚さ方向の少なくとも一方側を被覆する被覆部とを含み、これら記録部と被覆部はいずれもＢｉとＯとからなり、前記被覆部はＢｉ及びＯの原子数の合計値に対するＯの原子数の比率が前記記録部よりも小さく、前記記録部はＢｉ及びＯの原子数の合計値に対するＯの原子数の比率が６２〜７７％であり、前記被覆部はＢｉ及びＯの原子数の合計値に対するＯの原子数の比率が６０〜７０％であることを特徴とする光記録媒体。
【請求項２】
請求項１において、
前記被覆部は、Ｂｉ及びＯの原子数の合計値に対するＯの原子数の比率が６２〜６８％であることを特徴とする光記録媒体。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記記録層は、前記被覆部が前記記録部の厚さ方向の両側に設けられた構成であることを特徴とする光記録媒体。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかにおいて、
情報の記録／再生のために波長が３８０〜４５０ｎｍのレーザ光が照射されることを特徴とする光記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、青色又は青紫色のレーザ光が照射されることにより記録層が光学的に変化してデータが記録される光記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
情報記録媒体としてＣＤ（Ｃｏｍｐａｃｔ  Ｄｉｓｃ）、ＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｃ）等の光記録媒体が広く利用されている。更に、近年、照射光として波長が（３８０〜４５０ｎｍの範囲の）４０５ｎｍの青色又は青紫色のレーザ光を用いることで、一層高密度で大容量の情報を記録可能とした光記録媒体が普及しつつある。
【０００３】
又、光記録媒体は、データの追記や書き換えができないＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）型、データを１回だけ追記できるＲ（Ｒｅｃｏｒｄａｂｌｅ）型、データの書き換えができるＲＷ（Ｒｅｗｒｉｔａｂｌｅ）型に大別される。Ｒ型の光記録媒体の記録層については、レーザ光が照射されることにより光学特性が変化することに加え、長期間保存しても変質しにくく、耐久性に優れていることが重要であり、従来、Ｒ型の光記録媒体の記録層の材料として、有機色素が広く用いられていた。このような従来の有機色素は、化学反応を促進しやすい紫外線や青色、青紫色の短波長の可視光線を吸収しにくい材料であり、この性質が変質の抑制に寄与していた。
【０００４】
しかしながら、従来の有機色素は、青色、青紫の短波長の可視光線を吸収しにくいため、照射光として青色又は青紫色のレーザ光を用いた場合は充分な光学特性の変化が得られず、データを記録することができなかった。更に、照射光として青色又は青紫色のレーザ光を用いた場合でも充分な光学特性の変化が得られる有機色素の開発は困難であった。
【０００５】
又、記録層の材料として例えばＢｉ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄの酸化物等の無機材料を用いたＲ型の光記録媒体も知られている（例えば、特許文献１、特許文献２参照）。このような無機材料の一部は、照射光として青色又は青紫色のレーザ光を用いた場合も光学特性の変化が得られるが、データを記録するための充分な光学特性の変化を確実に得ることは困難であった。
【０００６】
これに対し、記録層の両側に誘電体層等を形成することにより、記録層の光学特性を改善することが可能である。
【０００７】
【特許文献１】特開２００３−４８３７５号公報
【特許文献２】特開平１０−３３４５０７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、誘電体層等を形成することにより、それだけ光記録媒体の構造が複雑になると共に製造工程が増加するため生産性が低下し、光記録媒体のコストが増加するという問題があった。又、無機材料の記録層や、誘電体層等を形成する場合、例えばスパッタリング装置等の高価な真空成膜装置を用いることになるが、材料が異なる記録層や誘電体層等を形成するためには材料の種類の数に応じた複数の真空成膜装置を備える必要があり、この点でも光記録媒体のコストが増加することになる。
【０００９】
本発明は、以上の問題点に鑑みてなされたものであって、照射光として青色又は青紫色のレーザ光を用いた場合もデータが確実に記録／再生される生産性が高い光記録媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、記録層が記録部と該記録部の厚さ方向の少なくとも一方側を被覆する被覆部とを含み、これら記録部と被覆部はいずれも実質的にＢｉとＯとからなり、被覆部はＢｉ及びＯの原子数の合計値に対するＯの原子数の比率が記録部よりも小さく、記録部はＢｉ及びＯの原子数の合計値に対するＯの原子数の比率が６２％〜７７％であり、被覆部はＢｉ及びＯの原子数の合計値に対するＯの原子数の比率が６０〜７０％である光記録媒体により上記目的を達成したものである。
【００１１】
本発明に想到する過程で発明者らは、実質的にＢｉとＯとからなる記録層は、図７中に符号Ｅを付した曲線で示されるように、Ｂｉ及びＯの原子数の合計値に対するＯの原子数の比率が６２％以上となると、８Ｔ  Ｃ／Ｎ値が著しく大きくなり、照射光として青色又は青紫色のレーザ光を用いた場合も大きな８Ｔ  Ｃ／Ｎ値が得られることを見出した。尚、８Ｔ  Ｃ／Ｎ値は、Ｏの原子数の比率が約７０％で極大となる。
【００１２】
又、発明者らは、実質的にＢｉとＯとからなる記録層は、図７中に符号Ｆを付した曲線で示されるように、Ｂｉ及びＯの原子数の合計値に対するＯの原子数の比率が６０％以上の範囲では、反射率についても大きな値が得られることを見出した。尚、反射率は、Ｏの原子数の比率が（８Ｔ  Ｃ／Ｎ値が極大となる場合のＯの原子数の比率である約７０％よりも小さい）約６７％で極大となる。
【００１３】
良好な光学特性を確実に実現するためには、８Ｔ  Ｃ／Ｎ値及び反射率の値が大きいことに加え、記録層の構成元素の組成比率が若干変化しても８Ｔ  Ｃ／Ｎ値及び反射率の値の変化が小さく抑制され、品質が安定していることが重要である。
【００１４】
しかしながら、図７に示されるように、実質的にＢｉとＯとからなる記録層は、Ｏの原子数の比率の変化に対する反射率の変化が大きく、例えばＯの原子数の比率が６７％以上の範囲では、Ｏの原子数の比率が増加すると反射率が急激に減少する。又、８Ｔ  Ｃ／Ｎ値が極大となる場合のＯの原子数の比率は、反射率が極大となる場合のＯの原子数の比率よりも大きく、この差が大きい。従って、良好な８Ｔ  Ｃ／Ｎ値と良好な反射率とを両立させることが困難である。
【００１５】
そこで発明者らは更に鋭意検討を重ね、記録層がいずれも実質的にＢｉとＯとからなる記録部と被覆部とを含む構成とし、被覆部はＢｉ及びＯの原子数の合計値に対するＯの原子数の比率を記録部よりも小さくし、記録部のＢｉ及びＯの原子数の合計値に対するＯの原子数の比率を６２〜７７％とし、被覆部のＢｉ及びＯの原子数の合計値に対するＯの原子数の比率を６０〜７０％とすることで、８Ｔ  Ｃ／Ｎ値及び反射率のいずれについても充分に大きな値が得られ、更に記録層の構成元素の組成比率の変化に伴う反射率の値の変化が小さく抑制されることを見出した。
【００１６】
このような効果が得られる理由は必ずしも明らかではないが、相対的にＯの原子数の比率が小さい被覆部が主として反射率に寄与し、相対的にＯの原子数の比率が大きい記録部が主として８Ｔ  Ｃ／Ｎ値に寄与するため、良好な８Ｔ  Ｃ／Ｎ値と良好な反射率とが両立すると考えられる。
【００１７】
更に、この光記録媒体は、記録部と被覆部とがいずれも実質的にＢｉ及びＯからなるので、成膜条件を調節することで記録部と被覆部とを共通の真空成膜装置を用いて成膜することができ、生産コストの抑制に寄与する。
【００１８】
即ち、以下の発明により上記目的を達成することができる。
【００１９】
（１）基板と、該基板上に形成された記録層と、を有してなり、該記録層は記録部と該記録部の厚さ方向の少なくとも一方側を被覆する被覆部とを含み、これら記録部と被覆部はいずれも実質的にＢｉとＯとからなり、前記被覆部はＢｉ及びＯの原子数の合計値に対するＯの原子数の比率が前記記録部よりも小さく、前記記録部はＢｉ及びＯの原子数の合計値に対するＯの原子数の比率が６２〜７７％であり、前記被覆部はＢｉ及びＯの原子数の合計値に対するＯの原子数の比率が６０〜７０％であることを特徴とする光記録媒体。
【００２０】
（２）  （１）において、前記被覆部は、Ｂｉ及びＯの原子数の合計値に対するＯの原子数の比率が６２〜６８％であることを特徴とする光記録媒体。
【００２１】
（３）  （１）又は（２）において、前記記録層は、前記被覆部が前記記録部の厚さ方向の両側に設けられた構成であることを特徴とする光記録媒体。
【００２２】
（４）  （１）乃至（３）のいずれかにおいて、情報の記録／再生のために波長が３８０〜４５０ｎｍのレーザ光が照射されることを特徴とする光記録媒体。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、例えば、照射光として青色又は青紫色のレーザ光を用いる場合であっても、データが確実に記録／再生される生産性が高い光記録媒体を実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明を実施するための好ましい形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００２５】
図１に示されるように、本発明の第１実施形態に係る光記録媒体１０は、基板１２の片面に記録層１４、カバー層１６がこの順で形成され、レーザ光が照射されることにより記録層１４の光学特性が変化するＲタイプの光ディスクであり、記録層１４の構成に特徴を有している。尚、光記録媒体１０は、外径が約１２０ｍｍ、厚さが約１．２ｍｍの円板形状である。
【００２６】
基板１２は、厚さが約１．１ｍｍで、記録層１４側の面にはトラッキングのためのグルーブが形成されている。尚、基板１２の材料としてはポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン樹脂、フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂等を用いることができる。
【００２７】
記録層１４は、記録部１８と、該記録部１８の厚さ方向の基板１２側を被覆する第１の被覆部２０と、カバー層１６側を被覆する第２の被覆部２２と、を含み、基板１２の凹凸パターンに倣って凹凸パターンで形成されている。これら記録部１８、第１の被覆部２０及び第２の被覆部２２は、いずれもＢｉとＯとからなり、第１の被覆部２０及び第２の被覆部２２は、Ｂｉ及びＯの原子数の合計値に対するＯの原子数の比率が記録部１８よりも小さい。記録部１８はＢｉ及びＯの原子数の合計値に対するＯの原子数の比率が６２〜７７％である。一方、第１の被覆部２０及び第２の被覆部２２は、Ｂｉ及びＯの原子数の合計値に対するＯの原子数の比率が６０〜７０％である。
【００２８】
尚、「実質的にＢｉと、Ｏと、からなる」とは、記録部１８を構成する全原子の原子数に対するＢｉ及びＯの原子数の合計値の比率が８０％以上であることを意味するが、記録部１８を構成する全原子の原子数に対するＢｉ及びＯの原子数の合計値の比率は９０％以上であることが好ましい。又、良好な光学特性を得るためには記録部１８は、第１の被覆部２０、第２の被覆部２２よりも厚いことが好ましいが、記録用レーザ光の照射により充分な光学特性の変化が得られれば、第１の被覆部２０、第２の被覆部２２の一方又は両方が記録部１８よりも厚い構成としてもよい。
【００２９】
カバー層１６は、厚さが約１００μｍである。カバー層１６の材料としては透光性を有するアクリル系紫外線硬化性樹脂、エポキシ系紫外線硬化性樹脂等のエネルギ線硬化性樹脂を用いることができる。ここで、「エネルギ線」という用語は、流動状態の特定の樹脂を硬化させる性質を有する、例えば紫外線、電子線等の電磁波、粒子線の総称という意義で用いることとする。尚、カバー層１６の材料として、透光性を有するフィルムを用いてもよい。
【００３０】
次に、光記録媒体１０の作用について説明する。
【００３１】
光記録媒体１０は、記録層１４がＢｉとＯとからなり、第１の被覆部２０及び第２の被覆部２２は、Ｂｉ及びＯの原子数の合計値に対するＯの原子数の比率が記録部１８よりも小さく、記録部１８はＢｉ及びＯの原子数の合計値に対するＯの原子数の比率が６２〜７７％であり、第１の被覆部２０及び第２の被覆部２２は、Ｂｉ及びＯの原子数の合計値に対するＯの原子数の比率が６０〜７０％であるので、照射光として青色又は青紫色のレーザ光を用いた場も充分な光学特性の変化が得られ、データを記録／再生することができる。
【００３２】
具体的には、光記録媒体１０は、図５及び図６に示されるように、符号Ａ及びＣを付した曲線で示される８Ｔ  Ｃ／Ｎ値及び符号Ｂ及びＤを付した曲線で示される反射率のいずれについても充分に大きな値が得られる。
【００３３】
更に、光記録媒体１０は、記録層１４の構成元素の組成比率の変化に伴う８Ｔ  Ｃ／Ｎ値及び反射率の値の変化が小さく抑制されているので、品質の安定化に寄与する。
【００３４】
尚、記録層１４は、主として記録部１８が８Ｔ  Ｃ／Ｎ値に寄与し、データの記録を担うと考えられるが、Ｂｉ、Ｏの組成比率により、第１の被覆部２０、第２の被覆部２２もデータの記録を担うことができる。
【００３５】
又、光記録媒体１０は、記録層１４を構成する記録部１８、第１の被覆部２０、第２の被覆部２２の構成元素が共通であるので、後述するように記録層１４の成膜が容易であり、生産性が高い。尚、生産性という点では、第１の被覆部２０、第２の被覆部２２はそれぞれ厚さが３０ｎｍ以下であることが好ましく、１５ｎｍ以下であればより好ましい。
【００３６】
次に、図２に示されるフローチャートを参照しながら光記録媒体１０の製造方法の一例について説明する。
【００３７】
まず、射出成形により、外径が約１２０ｍｍ、厚さが約１．１ｍｍの円板形状の基板１２を成形する（Ｓ１０２）。この際、基板１２の片面にグルーブの凹凸パターンを形成する。
【００３８】
次に、基板１２におけるグルーブが形成された面の上に、第１の被覆部２０を形成する（Ｓ１０４）。具体的には、Ｂｉのターゲットが配設されたスパッタリング装置のチャンバ内に基板１２を設置し、チャンバ内にＯ２ガス及びＡｒやＸｅ等のスパッタリングガスを供給してＢｉのターゲットに衝突させるとＢｉの粒子が飛散し、チャンバ内のＯ２と反応して酸化しつつ基板１２の上に堆積する。これにより、第１の被覆部２０がグルーブの凹凸パターンに倣ってほぼ均一な厚さで形成される。Ｏ２ガスの供給流量や成膜パワー等のスパッタリング条件（成膜条件）を調節することにより、第１の被覆部２０中のＢｉ、Ｏの比率を調整することができる。尚、記録層１４は主としてＢｉとＯで構成されることが好ましいが、少量であれば、他の原子や化合物等が混入してもよい。このような他の原子、化合物等の比率は、記録層１４を構成する全原子の原子数の２０ａｔ％以下であることが好ましい。第１の被覆部２０が所定の膜厚となったところで、一旦スパッタリングを停止する。
【００３９】
次に、第１の被覆部２０の上に、記録部１８を形成する（Ｓ１０６）。具体的には、上記第１の被覆部２０の成膜に用いたスパッタリング装置を用い、Ｏ２ガスの供給流量や成膜パワー等のスパッタリング条件を変えて記録層１４の記録部１８を形成する。良好な信号特性を得るためには、記録部１８の厚さは、１５〜８０ｎｍであることが好ましい。記録部１８が所定の膜厚となったところで、一旦スパッタリングを停止する。
【００４０】
次に、記録部１８の上に、第２の被覆部２２を形成する（Ｓ１０８）。具体的には、第１の被覆部２０、記録部１８の成膜に用いたスパッタリング装置を用い、Ｏ２ガスの供給流量や成膜パワー等のスパッタリング条件を変えて第２の被覆部２２を形成する。第２の被覆部２２が所定の膜厚となったところで、スパッタリングを停止する。これにより記録層１４の成膜が完了する。尚、記録層１４の厚さ（記録部１８、第１の被覆部２０、第２の被覆部２２の合計の厚さ）は１６〜１２０ｎｍであることが好ましく、４０〜８０ｎｍであればより好ましい。
【００４１】
最後に、スピンコート法により、記録層１４の上にカバー層１６を約１００μｍの厚さに展延し、紫外線等のエネルギ線を照射して硬化させる（Ｓ１１０）。尚、予め製造したフィルムを接着してカバー層１６を形成してもよい。これにより光記録媒体１０が完成する。
【００４２】
このように、第１の被覆部２０、記録部１８及び第２の被覆部２２は、構成元素がいずれもＢｉ及びＯで共通であるので、スパッタリング条件を調節することで、共通のスパッタリング装置（真空成膜装置）を用いて成膜することができ、生産性の向上、生産コストの低減に寄与する。
【００４３】
尚、本第１実施形態において、記録層１４は、記録部１８の両側が第１の被覆部２０、第２の被覆部２２で被覆された構成であるが、図３に示される本発明の第２実施形態に係る光記録媒体５０のように記録部１８の基板１２側だけを第１の被覆部２０で被覆した構成や、図４に示される本発明の第３実施形態に係る光記録媒体６０のように記録部１８のカバー層１６側だけを第２の被覆部２２で被覆した構成でも、良好な８Ｔ  Ｃ／Ｎ値と良好な反射率とを両立させ、品質の安定化を図る一定の効果が得られる。
【００４４】
又、上記第１〜第３実施形態において、基板１２とカバー層１６との間には構成元素が共通の第１の被覆部２０、記録部１８及び第２の被覆部２２だけが備えられているが、これらに加えてこれらと構成元素が異なる反射層や誘電体層等を備える構成としてもよい。誘電体層は記録部１８の片側だけに成膜してもよいし、両側に成膜してもよい。
【００４５】
又、上記第１実施形態において、記録層１４を成膜する際、第１の被覆部２０、記録部１８の成膜が終了する毎に一旦スパッタリングを停止し、第１の被覆部２０、記録部１８、第２の被覆部２２を断続的に成膜しているが、成膜条件を連続的に調節しながら、これら第１の被覆部２０、記録部１８、第２の被覆部２２を連続的に成膜してもよい。このようにすることで、第１の被覆部２０、記録部１８、第２の被覆部２２の境界近傍ではＢｉ及びＯの組成比率が連続的に変化することとなり、第１の被覆部２０、記録部１８、第２の被覆部２２の境界における剥離が生じにくくなるという利点がある。一方、上記第１実施形態のように第１の被覆部２０、記録部１８、第２の被覆部２２を断続的に成膜すれば、構成元素の組成比率の精度が高い第１の被覆部２０、記録部１８、第２の被覆部２２が得られるという利点がある。いずれの成膜手法を採用するかは、要求される性能等に応じて適宜決定すればよい。
【００４６】
又、上記第１実施形態において、Ｂｉのターゲットを用い、Ｏ２ガスを供給して第１の被覆部２０、記録部１８、第２の被覆部２２を成膜しているが、ＢｉＯＸのターゲットを用い、Ｏ２ガスを供給して第１の被覆部２０、記録部１８、第２の被覆部２２を成膜してもよい。
【００４７】
又、上記第１実施形態において、第１の被覆部２０、記録部１８、第２の被覆部２２を成膜するためにスパッタリング法を用いているが、これらの構成元素の組成比率を所望の値に調節できれば、例えば化学的気相成長法等の他の気相成長法を用いて第１の被覆部２０、記録部１８、第２の被覆部２２を成膜してもよい。
【００４８】
又、上記第１〜第３実施形態において、光記録媒体１０、５０、６０は、記録層１４が１層だけ形成された単層記録式であるが、スペーサ層を挟んで複数の記録層が交互に形成された多層記録式の光記録媒体についても本発明は適用可能である。
【００４９】
又、上記第１〜第３実施形態において、光記録媒体１０、５０、６０は片面のみに情報を記録可能である片面記録式であるが、両面に記録層を備える両面記録式の光記録媒体に対しても本発明は適用可能である。
【００５０】
又、上記第１〜第３実施形態において、光記録媒体１０は、基板１２よりもカバー層１６が薄い構成であるが、ＤＶＤのように基板と、カバー層とが等しい厚さを有する光記録媒体に対しても本発明は当然適用可能である。
【実施例１】
【００５１】
上記第１実施形態のとおり、記録部１８の両側が第１の被覆部２０、第２の被覆部２２で被覆され、第１の被覆部２０、記録部１８及び第２の被覆部２２がいずれもＢｉ及びＯからなり、第１の被覆部２０及び第２の被覆部２２中のＢｉ、Ｏの組成比率が相互に異なるＷ１〜Ｗ５の５種類の光記録媒体１０のサンプルを作製した。尚、同じサンプルの第１の被覆部２０のＢｉ、Ｏの組成比率と第２の被覆部２２のＢｉ、Ｏの組成比率は等しくした。
【００５２】
製造方法について詳細に説明すると、まず、射出成形により、厚さが１．１ｍｍ、直径が１２０ｍｍのポリカーボネート樹脂の５枚の基板１２を作製した。
【００５３】
次に、これらの基板１２をスパッタリング装置に順次セットし、第１の被覆部２０を約１５ｎｍの厚さで、記録部１８を約２０ｎｍの厚さで、第２の被覆部２２を約１０ｎｍの厚さで成膜し、厚さが約４５ｎｍの記録層１４を形成した。
【００５４】
この際、表１に示されるように、Ａｒガス、Ｏ２ガスの流量を設定し、第１の被覆部２０、記録部１８、第２の被覆部２２を構成するＢｉ、Ｏの比率を調節した。尚、Ｂｉターゲットの成膜パワーは１５０Ｗで一定とした。具体的には、第１の被覆部２０及び第２の被覆部２２は、Ｂｉ及びＯの原子数の合計値に対するＯの原子数の比率が６０％〜７０％の範囲内で５種類のサンプル毎に異なるように５種類の比率に調節した。一方、記録部１８は、総てのサンプルにおいてＢｉ及びＯの原子数の合計値に対するＯの原子数の比率が約（６２％〜７７％の範囲の）７２％となるように調節した。
【００５５】
【表１】
0004487943.tif 000002
【００５６】
最後に、スピンコート法により、第２の被覆部２２上に紫外線硬化性アクリル樹脂を塗布し、約１００μｍの厚さに展延してから、紫外線を照射して硬化させた。
【００５７】
このようにして得られた５種類の光記録媒体１０のサンプルＷ１〜Ｗ５について反射率及び８Ｔ  Ｃ／Ｎ値を測定した。具体的には、これらのサンプルを光記録媒体評価装置ＤＤＵ１０００（パルステック工業株式会社製）に順次セットし、記録層１４に８Ｔの長さの記録マークを形成し、データを記録した。尚、条件は以下のように設定した。
【００５８】
レーザ光波長          ：４０５ｎｍ
対物レンズの開口数ＮＡ：０．８５
変調方式              ：（１、７）ＲＬＬ
記録線速度            ：４．９ｍ／ｓｅｃ
チャンネルビット長    ：０．１２μｍ
チャンネルクロック    ：６６ＭＨｚ
記録方式              ：オングルーブ記録
再生パワー            ：０．７ｍＷ
中間パワー            ：２．０ｍＷ
基底パワー            ：１．０ｍＷ
【００５９】
次に、同光記録媒体評価装置を用いて、記録層１４におけるスペース部分（記録マークが形成されていない部分）の反射率を測定した。
【００６０】
次に、記録層１４に形成された８Ｔの長さの記録マークを再生して、再生信号のＣ／Ｎ値を測定した。Ｃ／Ｎ値の測定には、スペクトラムアナライザーＸＫ１８０（アドバンテスト株式会社製）を用いた。再生時の条件は以下のように設定した。
【００６１】
レーザ光波長          ：４０５ｎｍ
再生パワーＰｒ        ：０．７ｍＷ
対物レンズの開口数ＮＡ：０．８５
【００６２】
反射率及び８Ｔ  Ｃ／Ｎ値の測定結果を表１及び図５に示す。尚、図５は、第１の被覆部２０、第２の被覆部２２のＢｉ及びＯの原子数の合計値に対するＯの原子数の比率と、８Ｔ  Ｃ／Ｎ値、反射率の測定結果との関係を示したものである。図５において、符号Ａを付した曲線が８Ｔ  Ｃ／Ｎ値の測定結果、符号Ｂを付した曲線が反射率の測定結果である。
【００６３】
ここで、記録部１８、第１の被覆部２０、第２の被覆部２２の構成元素の組成比率及び厚さを確認する方法について説明しておく。
【００６４】
まず、カバー層１６を剥離し、記録層１４に厚さ２０ｎｍ程度のカーボンをコーティングしてから、ＦＩＢ（Ｆｏｃｕｓｅｄ  Ｉｏｎ  Ｂｅａｍ）法により、記録層１４を、その面に沿う方向の幅が７０ｎｍ程度となるように厚さ方向に切断し、断面ＴＥＭ試料を作製する。この試料の作製には、例えばＦＢ２１００（日立ハイテクノロジーズ株式会社製）等を用いることができる。
【００６５】
このようにして得られた試料を、（記録層１４の）厚さ方向の複数個所においてＴＥＭ（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）観察及びＥＤＳ（Ｅｎｅｒｇｙ−Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ  ｘ−ｒａｙ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）分析することによりプロファイル（試料中の厚さ方向の位置と構成元素の組成比率との関係をプロットしたグラフ）が得られる。この測定には、例えば、ＦＥ−ＴＥＭ（ＪＥＭ−２１００Ｆ：日本電子株式会社製）又はＦＥ−ＳＴＥＭ（ＨＤ２０００：日立ハイテクノロジーズ株式会社製）を用いることができる。このようにして得られたプロファイルにおいて、Ｂｉ及びＯの原子数の合計値に対するＢｉの原子数の比率は、記録部１８、第１の被覆部２０、第２の被覆部２２に対応して、厚さ方向の３つの領域毎にほぼ一定となり、又、各領域の境界近傍ではＢｉの原子数の比率が急激に変化する。各領域の境界近傍において、Ｂｉの組成比率が、相隣接する領域のＢｉの組成比率のほぼ相加平均となる部位を記録部１８、第１の被覆部２０、第２の被覆部２２の境界と判定して、これらの膜厚を算出することができる。
【００６６】
尚、ＦＩＢ法により、記録層１４を、一方の面における幅が（その面に沿う方向に）１００ｎｍ程度、他方の面における幅が、これよりも広くなるように厚さ方向に切断した針状の試料を作製し、ＡＰＦＩＭ（Ａｔｏｍ  Ｐｒｏｂｅ  Ｆｏｃｕｓｅｄ  Ｉｏｎ  Ｂｅａｍ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を用いたＴＯＦ−ＭＳ（Ｔｉｍｅ  Ｏｆ  Ｆｌｉｇｈｔ  Ｍａｓｓ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）により、（記録層１４の）厚さ方向の複数個所において試料中の構成元素の組成比率を測定することも可能である。酸素の原子数の組成比率の分析が困難な場合であっても、このように酸素以外の元素の組成比率を測定することで酸素の組成比率を算出することができる。
【実施例２】
【００６７】
上記実施例１に対し、記録部１８のＢｉ及びＯの原子数の合計値に対するＯの原子数の比率が約（６２％〜７７％の範囲の下限の）６２％であり、第１の被覆部２０及び第２の被覆部２２のＢｉ及びＯの原子数の合計値に対するＯの原子数の比率が６０％である１種類のサンプルＷ６を作製した。尚、サンプルＷ６の他の構成は上記実施例１のサンプルＷ１〜Ｗ５と同様である。
【００６８】
このサンプルＷ６について上記実施例１と同様に、反射率、８Ｔ  Ｃ／Ｎ値を測定した。サンプルＷ６の構成、サンプルＷ６の第１の被覆部２０及び第２の被覆部２２の成膜条件、反射率、８Ｔ  Ｃ／Ｎ値の測定結果を表１に併記する。
【実施例３】
【００６９】
上記実施例１に対し、記録部１８のＢｉ及びＯの原子数の合計値に対するＯの原子数の比率が約（６２％〜７７％の範囲の上限の）７７％であり、第１の被覆部２０及び第２の被覆部２２のＢｉ及びＯの原子数の合計値に対するＯの原子数の比率が６０〜７０％である５種類のサンプルＷ７〜Ｗ１１を作製した。尚、サンプルＷ７〜Ｗ１１の他の構成は上記実施例１のサンプルＷ１〜Ｗ５と同様である。
【００７０】
これらサンプルＷ７〜Ｗ１１について上記実施例１と同様に、反射率、８Ｔ  Ｃ／Ｎ値を測定した。サンプルＷ７〜Ｗ１１の構成、サンプルＷ７〜Ｗ１１の第１の被覆部２０及び第２の被覆部２２の成膜条件、反射率、８Ｔ  Ｃ／Ｎ値の測定結果を表１及び図６に示す。図６において、符号Ｃを付した曲線が８Ｔ  Ｃ／Ｎ値の測定結果、符号Ｄを付した曲線が反射率の測定結果である。
【００７１】
［比較例１］
上記実施例１に対し、Ｂｉ及びＯの組成比率が全体に亘って一定である記録層を備え、記録層中のＢｉ、Ｏの組成比率が相互に異なる５種類の光記録媒体のサンプルＣ１〜Ｃ５を作製した。尚、これらサンプルＣ１〜Ｃ５の他の構成は上記実施例１のサンプルＷ１〜Ｗ５と同様である。サンプルＣ１〜Ｃ５の具体的な構成を表２に示す。
【００７２】
【表２】
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【００７３】
これらサンプルＣ１〜Ｃ５について上記実施例１と同様に、反射率、８Ｔ  Ｃ／Ｎ値を測定した。測定結果を表２及び図７に示す。尚、図７も図５及び図６と同様に、記録層のＢｉ及びＯの原子数の合計値に対するＯの原子数の比率と、８Ｔ  Ｃ／Ｎ値、反射率の測定結果との関係を示したものである。図７において、符号Ｅを付した曲線が８Ｔ  Ｃ／Ｎ値の測定結果、符号Ｆを付した曲線が反射率の測定結果である。
【００７４】
［比較例２］
上記実施例１及び３に対し、第１の被覆部２０及び第２の被覆部２２のＢｉ及びＯの原子数の合計値に対するＯの原子数の比率が（６０％よりも小さい）５８％である２種類のサンプルＣ６及びＣ７を作製した。尚、サンプルＣ６の他の構成は上記実施例１のサンプルＷ１〜Ｗ５と同様であり、サンプルＣ７の他の構成は上記実施例３のサンプルＷ７〜Ｗ１１と同様である。
【００７５】
これらサンプルＣ６及びＣ７について上記実施例１と同様に、反射率、８Ｔ  Ｃ／Ｎ値を測定した。サンプルＣ６、Ｃ７の構成、サンプルＣ６、Ｃ７の第１の被覆部２０及び第２の被覆部２２の成膜条件、反射率、８Ｔ  Ｃ／Ｎ値の測定結果を表１に併記する。又、図５に、サンプルＣ６の反射率、８Ｔ  Ｃ／Ｎ値の測定結果を併記し、図６に、サンプルＣ７の反射率、８Ｔ  Ｃ／Ｎ値の測定結果を併記する。
【００７６】
良好で安定した光学特性を得るためには、８Ｔ  Ｃ／Ｎ値及び反射率の値が大きいことが好ましい。具体的には、８Ｔ  Ｃ／Ｎ値は、５０ｄＢ以上であることが好ましい。又、反射率は１２％以上であることが好ましく、１４％以上であればより好ましい。更に、良好で安定した光学特性を得るためには、記録層の構成元素の組成比率の変化に伴う８Ｔ  Ｃ／Ｎ値及び反射率の値の変化が小さく抑制されることが好ましい。
【００７７】
しかしながら、比較例１は、図７に示されるように、Ｏの原子数の比率の変化に対する８Ｔ  Ｃ／Ｎ値や反射率の変化が大きく、例えばＯの原子数の比率が６７％以上の範囲では、Ｏの原子数の比率が増加すると反射率が急激に減少していた。又、８Ｔ  Ｃ／Ｎ値が極大となる場合のＯの原子数の比率が、反射率が極大となる場合のＯの原子数の比率よりも大きく、この差が大きかった。更に、５０ｄＢ以上の大きな８Ｔ  Ｃ／Ｎ値が得られるＯの原子数の比率は７０％前後の狭い範囲に限定されていた。
【００７８】
又、比較例２のサンプルＣ６、Ｃ７は、８Ｔ  Ｃ／Ｎ値が５０．０ｄＢよりも著しく小さく、反射率も１２％よりも小さかった。即ち、反射率、８Ｔ  Ｃ／Ｎ値のいずれの光学特性についても良好な結果が得られなかった。
【００７９】
これに対し、実施例１〜３は、総てのサンプルＷ１〜Ｗ１１において１２％以上の反射率、５０．０ｄＢ以上の８Ｔ  Ｃ／Ｎ値が得られた。更に、図５及び６に示されるように、実施例１及び３は、記録層１４の第１の被覆部２０及び第２の被覆部２２の構成元素の組成比率の変化に伴う８Ｔ  Ｃ／Ｎ値及び反射率の値の変化が小さく抑制されていた。実施例１では、特に、第１の被覆部２０及び第２の被覆部２２中のＢｉ及びＯの原子数の合計値に対するＯの原子数の比率が６２〜６８％であるサンプルＷ２〜Ｗ４については、反射率のばらつきが１％以内に抑制され、８Ｔ  Ｃ／Ｎ値のばらつきも１ｄＢ以内に抑制されており良好であった。又、実施例３でも、第１の被覆部２０及び第２の被覆部２２中のＢｉ及びＯの原子数の合計値に対するＯの原子数の比率が６２〜６８％であるサンプルＷ８〜Ｗ１０については、反射率のばらつきが１％以内に抑制され、８Ｔ  Ｃ／Ｎ値のばらつきは３ｄＢ以内に抑制されており良好であった。
【００８０】
これは、相対的にＯの原子数の比率が小さい第１の被覆部２０、第２の被覆部２２が主として反射率に寄与し、相対的にＯの原子数の比率が大きい記録部１８が主として８Ｔ  Ｃ／Ｎ値に寄与するため、良好な８Ｔ  Ｃ／Ｎ値と良好な反射率とが両立したためと考えられる。
【００８１】
尚、図５中のサンプルＣ６及び図６中のサンプルＣ７のデータで示されるように、第１の被覆部２０及び第２の被覆部２２のＢｉ及びＯの原子数の合計値に対するＯの原子数の比率が６０よりも小さいと８Ｔ  Ｃ／Ｎ値が著しく低下する傾向があるが、第１の被覆部２０及び第２の被覆部２２のＢｉ及びＯの原子数の合計値に対するＯの原子数の比率が６０〜７０％の範囲であれば、記録層１４の第１の被覆部２０及び第２の被覆部２２の構成元素の組成比率の変化に伴う８Ｔ  Ｃ／Ｎ値の変化及び反射率の値の変化はいずれも小さく抑制される。特に、第１の被覆部２０及び第２の被覆部２２のＢｉ及びＯの原子数の合計値に対するＯの原子数の比率が６２％以上であれば、記録層１４の第１の被覆部２０及び第２の被覆部２２の構成元素の組成比率の変化に伴う８Ｔ  Ｃ／Ｎ値の変化及び反射率の値の変化はいずれも著しく小さく抑制される。
【００８２】
尚、図７中の曲線Ｅで示されるように、実質的にＢｉ及びＯからなる記録層の８Ｔ  Ｃ／Ｎ値は、Ｂｉ及びＯの原子数の合計値に対するＯの原子数の比率が６２％よりも小さいと著しく小さくなる傾向がある。又、Ｂｉ及びＯの原子数の合計値に対するＯの原子数の比率が７７％よりも大きい記録層の作製は困難である。従って、主として８Ｔ  Ｃ／Ｎ値に寄与すると考えられる記録部１８のＢｉ及びＯの原子数の合計値に対するＯの原子数の比率は６２〜７７％であればよいと考えられる。
【産業上の利用可能性】
【００８３】
本発明は、青色又は青紫色のレーザ光が照射されて記録層の光学特性が変化することによりデータが記録される光記録媒体に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８４】
【図１】本発明の第１実施形態に係る光記録媒体の構造を模式的に示す側断面図
【図２】同光記録媒体の製造工程の概要を示すフローチャート
【図３】本発明の第２実施形態に係る光記録媒体の構造を模式的に示す側断面図
【図４】本発明の第３実施形態に係る光記録媒体の構造を模式的に示す側断面図
【図５】本発明の実施例１及び比較例２の一部のサンプルの記録層の被覆部中のＯの原子数の比率と、反射率、８Ｔ  Ｃ／Ｎ値との関係を示すグラフ
【図６】本発明の実施例３及び比較例２の一部のサンプルの記録層の被覆部中のＯの原子数の比率と、反射率、８Ｔ  Ｃ／Ｎ値との関係を示すグラフ
【図７】比較例１のサンプルの記録層中のＯの原子数の比率と、反射率、８Ｔ  Ｃ／Ｎ値との関係を示すグラフ
【符号の説明】
【００８５】
１０、５０、６０…光記録媒体
１２…基板
１４…記録層
１６…カバー層
１８…記録部
２０…第１の被覆部
２２…第２の被覆部
Ｓ１０２…基板成形工程
Ｓ１０４…第１の被覆部形成工程
Ｓ１０６…記録部形成工程
Ｓ１０８…第２の被覆部形成工程
Ｓ１１０…カバー層形成工程
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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