(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
抵抗ブリッジ回路が形成されたダイアフラム部及び前記ダイアフラム部の外周部を支持するダイアフラム支持部が一体に形成されてなる半導体圧力センサと、
表面に前記半導体圧力センサの前記ダイアフラム支持部が接合され且つ前記半導体圧力センサの前記ダイアフラム部に圧力測定の対象となる流体を導くための流体導入孔が形成された壁部と前記半導体圧力センサの周囲を囲む周壁部とを備えたセラミック製のセンサケースとを備えた半導体圧力センサ装置であって、
前記センサケースの前記周壁部の内壁面上には、前記半導体圧力センサに設けられた複数の接続用電極に接続される複数のケース側接続用電極が形成され、
前記センサケースの前記周壁部の上面及び下面にはそれぞれ複数の外部接続用電極が形成され、
前記周壁部の外周面には前記周壁部の上面及び下面にそれぞれ形成された前記複数の外部接続用電極の対応する電極どうしを相互に接続する複数の接続用導電パターンが形成され、
前記複数のケース側接続用電極は前記周壁部の内部を通って前記周壁部の外周面まで延びて前記外周面まで延びる複数の導電性引出パターンによって対応する前記複数の接続用導電パターンに接続されていることを特徴とする半導体圧力センサ装置。
【請求項２】
抵抗ブリッジ回路が形成されたダイアフラム部及び前記ダイアフラム部の外周部を支持するダイアフラム支持部が一体に形成されてなる半導体圧力センサと、
表面に前記半導体圧力センサの前記ダイアフラム支持部が接合され且つ前記半導体圧力センサの前記ダイアフラム部に圧力測定の対象となる流体を導くための流体導入孔が形成された壁部と前記半導体圧力センサを囲む周壁部とを備えたセラミック製のセンサケースとを備えた半導体圧力センサ装置であって、
前記センサケースは前記壁部を含んで前記周壁部の一部を構成する第１のケース構成部分と、前記第１のケース構成部分の上面に下面が接合されて前記周壁部の他の一部を構成する環状の第２のケース構成部分と、前記第２のケース構成部分の上面に下面が接合されて前記周壁部の残部を構成し且つ内側に前記第２のケース構成部分の上面の一部を環状に露出させるように形成された環状の第３のケース構成部分とから構成されており、
前記第３のケース構成部分の内側に露出する前記第２のケース構成部分の上面の部分に、前記半導体圧力センサに設けられた複数の接続用電極に接続される複数のケース側接続用電極が形成され、
前記第３のケース構成部分の下に位置する前記第２のケース構成部分の上面の部分に、それぞれ前記複数のケース側接続用電極に接続されて前記センサケースの前記壁部の外周面まで延びる複数の導電性引出パターンが形成され、
前記第１のケース構成部分の前記下面及び前記第３のケース構成部分の前記上面に、前記複数の導電性引出パターンとそれぞれ接続する複数の外部接続用電極がそれぞれ形成され、
前記複数の導電性引出パターンとこれらに対応する前記第１のケース構成部分の前記下面及び前記第３のケース構成部分の前記上面の前記複数の外部接続用電極とは前記センサケースの側面に設けられた複数の接続用導電パターンでそれぞれ接続されている半導体圧力センサ装置。
【請求項３】
前記センサケースの前記周壁部の外周面には、前記第１乃至第３のケース構成部分が積層される積層方向に向かって延びて積層方向両側に開口し且つ前記積層方向と直交し且つ前記外周面から離れる方向に開口する複数の溝部が形成されており、
前記複数の導電性引出パターンの外側端部はそれぞれ対応する前記複数の溝部内に露出しており、
前記複数の外部接続用電極のうち前記第１のケース構成部分の前記下面に形成される第１グループに属する前記複数の外部接続用電極と前記第３のケース構成部分の前記上面に形成される第２グループに属する前記複数の外部接続用電極は、それぞれ前記複数の溝部の前記積層方向両側の開口部に隣接して形成されており、
前記複数の溝部内に該溝部の内部に露出する前記導電性引出パターンの前記外側端部と該溝部の前記積層方向両側に位置する一対の前記外部接続用電極とを電気的に接続する前記複数の接続用導電パターンがそれぞれ形成されている請求項２に記載の半導体圧力センサ装置。
【請求項４】
前記複数の溝部は４つ以上あり、
前記センサケースの前記周壁部の輪郭形状は４つの角部を有するほぼ矩形形状を呈しており、
前記複数の溝部のうち４つの前記溝部は前記周壁部の前記４つの角部にそれぞれ形成されている請求項３に記載の半導体圧力センサ装置。
【請求項５】
前記複数のケース側接続用電極、前記複数の外部接続用電極及び前記複数の接続用導電パターンは、蒸着またはスパッタリングにより形成されたタングステンからなる下地層と、下地層の上に形成されたＮｉメッキ層と、Ｎｉメッキ層の上に形成されたＡｇ，Ａｇの合金またはＡｕのメッキ層とから構成されている請求項４に記載の半導体圧力センサ装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、流体圧力を半導体圧力センサにより検出して電気信号として出力する半導体圧力センサ装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
図５は、従来のこの種の半導体圧力センサ装置の縦断面図を示したものである。この半導体圧力センサ装置は、流体圧力を検出するＳｉ半導体よりなる半導体圧力センサ１と、この半導体圧力センサ１を支持する樹脂製のセンサケース２と、半導体圧力センサ１に流体圧力を導く金属製の流体導入筒体３と、半導体圧力センサ１からの出力を取り出す複数の端子金具４…とを備えている。
【０００３】
半導体圧力センサ１は、抵抗ブリッジ回路（図示せず）が形成されたダイアフラム部１ａと、このダイアフラム部１ａの周囲を支持し且つ抵抗ブリッジ回路に接続された複数の接続用電極（図示せず）が形成されたダイアフラム支持部１ｂとが一体に形成された構造を有している。
【０００４】
センサケース２は、半導体圧力センサ１のダイアフラム部１ａに圧力測定の対象となる流体を導くための流体導入孔５を備え且つ上面に半導体圧力センサ１のダイアフラム支持部１ｂが流体導入孔５を囲むようにして固定される壁部２ａと、半導体圧力センサ１の周囲を囲み壁部２ａに一体化された周壁部２ｂとを備えている。周壁部２ｂ内が素子収容凹部２ｃとなっている。
【０００５】
流体導入筒体３は、その上端にフランジ状に素子取付け座３ａを備えており、この素子取付け座３ａが壁部２ａの表面に一致し且つ流体導入孔５を囲むようにしてセンサケース２の成形時に流体導入筒体３をインサートとして一体化されている。素子取付け座３ａ上には、半導体圧力センサ１がそのダイアフラム部１ａの受圧面１ａａを流体導入孔５に向けた状態で、そのダイアフラム支持部１ｂが測定すべき流体の漏れがないように接着等で固定されている。
【０００６】
複数の端子金具４…は、センサケース２にその周壁部２ｂを貫通して一体に取付けられている。この場合、各端子金具４…は、その一端の接続用電極部４ａが素子収容凹部２ｃ内に突出し、その他端の接続用電極部４ｂがセンサケース２の外で壁部２ａの底面より下側に導かれて該壁部２ａの底面に平行する向きに設けられている。ダイアフラム部１ａの複数の接続用電極（図示せず）と各端子金具４…の接続用電極部４ａ…はボンディングワイヤ６…に相互に接続されている。
【０００７】
このような半導体圧力センサ装置は、流体導入孔５に測定すべき流体が供給されて、その流体の圧力が半導体圧力センサ１のダイアフラム部１ａに作用すると、大気圧との差によりダイアフラム部１ａに物理的な歪みが生じ、この歪みに応じて該ダイアフラム部１ａに設けられている抵抗ブリッジ回路の抵抗値が変化し、この抵抗値の変化を出力として取出す。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような構造の従来の半導体圧力センサ装置では、例えば流体導入筒体３の端部を壁部２ａの底面と同じレベルにし且つ接続用電極部４ｂを壁部２ａの底面と同じレベルにして面実装型のものにしようとすると、センサケース２の外に突出する各端子金具４…の存在により、大型化し、回路基板上での実装面積が大きくなる問題点があった。
【０００９】
本発明の目的は、実装面積が小さい面実装型の半導体圧力センサ装置を提供することにある。
【００１０】
本発明の他の目的は、各電極の形成が容易な半導体圧力センサ装置を提供することにある。
【００１１】
本発明の他の目的は、センサケースの上下を逆にしても実装することができる半導体圧力センサ装置を提供することにある。
【００１２】
本発明の他の目的は、ケース側接続用電極と外部接続用電極とを段違いの位置に形成した場合の両方の電極間の電気的接続を容易に行える半導体圧力センサ装置を提供することにある。
【００１３】
本発明の他の目的は、セラミックよりなるセンサケースの欠け易い角部を欠け難くしてしかも角部を有効に利用することができる半導体圧力センサ装置を提供することにある。
【００１４】
本発明の他の目的は、外部接続用電極の数が増えても所要の電極間の間隔を確保することができる半導体圧力センサ装置を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体圧力センサ装置は、抵抗ブリッジ回路が形成されたダイアフラム部及びダイアフラム部の外周部を支持するダイアフラム支持部が一体に形成されてなる半導体圧力センサと、表面に半導体圧力センサのダイアフラム支持部が接合され且つ半導体圧力センサのダイアフラム部に圧力測定の対象となる流体を導くための流体導入孔が形成された壁部を備えたセラミック製のセンサケースとを基本構成とする。センサケースの外表面には表面実装のための複数の外部接続用電極を設ける。複数の外部接続用電極は、壁部に設けられた流体導入孔が開口するセンサケースの１つの外面とは反対側に位置する他の外面上に設けても良く、または１つの外面及び他の外面の両方に設けても良い。このようにするとセンサケースを用途に応じて上下逆に面実装することができる。
【００１６】
また本発明を抵抗ブリッジ回路が形成されたダイアフラム部及びダイアフラム部の外周部を支持するダイアフラム支持部が一体に形成されてなる半導体圧力センサと、表面に半導体圧力センサのダイアフラム支持部が接合され且つ半導体圧力センサのダイアフラム部に圧力測定の対象となる流体を導くための流体導入孔が形成された壁部を備えたセラミック製のセンサケースとを備えた半導体圧力センサ装置に適用する場合の例としては、センサケースにはセンサケースの壁部の裏面に流体導入孔の開口端部の周囲を囲むように半田付けが可能な所定の幅寸法を有する円形形状の被半田付け部を形成し、この被半田付け部に半田付けにより金属製の筒体を接続する。この金属製の筒体は、ダイアフラム部に圧力測定の対象となる流体を流体導入孔を介して導くために設けるものである。金属製の筒体は筒体の環状の端部（半田付け端部）の端面を環状の被半田付け部に半田により半田付け接続するが、被半田付け部にはフランジを設けても設けなくてもよい。被半田付け部にフランジを設けないときは、環状の被半田付け部を形成する金属薄膜の幅寸法半田付け強度が著しく低下しない範囲で定める。なお本願明細書において半田とは、加熱されると溶融し、自然に冷却されると金属どうしを結合する機能を有する接合材料のことをいう。
【００１７】
また本発明で用いる具体的なセンサケースには、センサケースの周壁部の内壁面上に複数のケース側接続用電極を形成し、センサケースの周壁部の上面及び下面にはそれぞれ複数の外部接続用電極を形成し、周壁部の外周面には周壁部の上面及び下面にそれぞれ形成された複数の外部接続用電極の対応する電極どうしを相互に接続する複数の接続用導電パターンを形成する。そして複数のケース側接続用電極は周壁部の内部を通って周壁部の外周面まで延びて外周面まで延びる複数の導電性引出パターンによって対応する複数の接続用導電パターンに接続する。
【００１８】
上述したセンサケースを用いる場合は、壁部を含んで前記周壁部の一部を構成する第１のケース構成部分と、第１のケース構成部分の上面に下面が接合されて周壁部の他の一部を構成する環状の第２のケース構成部分と、第２のケース構成部分の上面に下面が接合されて周壁部の残部を構成し且つ内側に第２のケース構成部分の上面の一部を環状に露出させるように形成された環状の第３のケース構成部分とから構成することができる。この場合は、第３のケース構成部分の内側に露出する第２のケース構成部分の上面の部分に複数のケース側接続用電極を形成し、第３のケース構成部分の下に位置する第２のケース構成部分の上面の部分に、それぞれ複数のケース側接続用電極に接続されてセンサケースの壁部の外周面まで延びる複数の導電性引出パターンを形成し、第１のケース構成部分の下面及び第３のケース構成部分の上面に、複数の導電性引出パターンとそれぞれ接続する複数の外部接続用電極をそれぞれ形成することができる。そして複数の導電性引出パターンとこれらに対応する第１のケース構成部分の下面及び第３のケース構成部分の上面の複数の外部接続用電極とをセンサケースの側面に設けられた複数の接続用導電パターンにそれぞれ接続する。このように第１のケース構成部分の下面及び第３のケース構成部分の上面に、複数の導電性引出パターンによってそれぞれ接続される複数の外部接続用電極を形成すると、センサケースの上面及び下面上に外部接続用電極が存在するので小型化できる上、実装面積が小さくてすむ面実装型の半導体圧力センサ装置を得ることができる。また、各電極はセンサケースの面上に設けられているので、薄膜形成技術、厚膜形成技術等を用いて一括して且つ容易に形成することができる。また、外部接続用電極は第１のケース構成部分の下面と第３のケース構成部分の上面とに設けているので、用途に応じてセンサケースの上下を逆にしても実装することができる。さらに、第１のケース構成部分の下面と第３のケース構成部分の上面の各外部接続用電極と、第３のケース構成部分の内側に露出する第２のケース構成部分の上面の部分に形成されているケース側接続用電極との接続は、第３のケース構成部分の下に位置する第２のケース構成部分の上面の部分でセンサケースの周壁部の外周面まで延びる複数の導電性引出パターンと、センサケースの側面に設けられた複数の接続用導電パターンとにより接続されているので、ケース側接続用電極と外部接続用電極とが段違いの位置に形成されていても、両方の電極間の電気的接続を容易に行うことができる。
【００１９】
またセンサケースの周壁部の外周面に第１乃至第３のケース構成部分が積層される積層方向に向かって延びて積層方向両側に開口し且つ積層方向と直交し且つ外周面から離れる方向に開口する複数の溝部を形成することにより複数の導電性引出パターンの外側端部をそれぞれ対応する複数の溝部内に露出させ、複数の外部接続用電極のうち第１のケース構成部分の下面に形成される第１グループに属する複数の外部接続用電極と第３のケース構成部分の上面に形成される第２グループに属する複数の外部接続用電極を、それぞれ複数の溝部の積層方向両側の開口部に隣接して形成し、複数の溝部内に該溝部の内部に露出する導電性引出パターンの外側端部と溝部の積層方向両側に位置する一対の外部接続用電極とを電気的に接続する複数の接続用導電パターンをそれぞれ形成する。このような構造にすると、ケース側接続用電極と外部接続用電極とを段違いの位置に形成した場合の両方の電極間の電気的接続を確実に行うことができる利点がある。
【００２０】
センサケースの周壁部の外周面に設ける複数の溝部は４つ以上であれば良く、センサケースの周壁部の輪郭形状が４つの角部を有するほぼ矩形形状を呈している場合は、これら複数の溝部のうち４つの溝部は周壁部の４つの角部にそれぞれ形成する。セラミック製のセンサケースの角部は欠け易いので、このように各角部に溝部を形成することにより欠けを防止することができる。また電気的接続の用途にこの角部の溝部を利用することにより、外部接続用電極の数が多くなった場合でも隣接する溝部間の距離を離すことができるので、半田接続による短絡を防止できる。
【００２１】
センサケースに設ける複数のケース側接続用電極、複数の外部接続用電極及び複数の接続用導電パターンは、蒸着またはスパッタリングにより形成されたタングステンからなる下地層と、下地層の上に形成されたＮｉメッキ層と、Ｎｉメッキ層の上に形成されたＡｇ，Ａｇの合金またはＡｕのメッキ層とから構成するのが好ましい。これはセンサケースを構成しているセラミックの表面には導電性の良いメッキを直接形成しにくいために行うものである。まずセラミックとなじみが良いタングステンをスパッタリング等により下地層を形成し、そしてタングステン下地層の上にタングステンに接合強度が強いＮｉメッキ層を形成した後このＮｉメッキ層上にＡｇ，Ａｇの合金またはＡｕのメッキ層を形成する。これによりセンサケースのセラミックの表面に導電性の良いメッキ層からなる電極及び導電パターンを確実に設けることができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下図面を参照して、本発明の実施の形態の一例を詳細に説明する。図１〜図３は本発明の第１の実施の形態を説明するための図であり、図１（Ａ）は本発明の半導体圧力センサの平面図、図１（Ｂ）は半導体圧力センサ装置の縦断面図である。また図２は、後述する筒体を半田付け接続する場合に半田付け接続前のセンサケースの裏面を示す図である。図３は本例の半導体圧力センサ装置の半導体圧力センサ上に形成されている抵抗ブリッジ回路等の電気回路図である。
【００２３】
本例の半導体圧力センサ装置は、流体圧力を検出するＳｉ半導体基板よりなる半導体圧力センサ１と、この半導体圧力センサ１を支持するセラミック製のセンサケース２とを基本的な構成要件として備えている。半導体圧力センサ１は、図３に示すような抵抗ｒ１，ｒ２，ｒ３及びｒ４からなる抵抗ブリッジ回路７と抵抗Ｒ４のみからなる抵抗回路とが形成されたダイアフラム部１ａと、このダイアフラム部１ａの外周部を支持し且つ抵抗ブリッジ回路７に接続された複数の接続用電極８ａ〜８ｆ等が形成されたダイアフラム支持部１ｂとが一体に形成された構造を有している。抵抗ブリッジ回路７の抵抗ｒ１，ｒ４は端子部７ｂに接続され、抵抗ｒ４，ｒ３は端子部７ｃに接続され、抵抗ｒ３，ｒ２は端子部７ｄに接続され、抵抗ｒ２，ｒ１は端子部７ｅに接続されている。抵抗Ｒ４の両端は端子部７ａ，７ｆに接続されている。これら端子部７ａ〜７ｆは、対応する接続用電極８ａ〜８ｆに接続されている。半導体圧力センサ１のダイアフラム部１ａは、矩形状のシリコンウェハーにエッチングを施して形成されたシリコンダイアフラムであり、ダイアフラム部１ａを形成することによりダイアフラム支持部１ｂが形成される。ダイアフラム部１ａの表面は、抵抗ｒ１〜ｒ４及びＲ４が形成された後に、保護用の絶縁膜１ｃで覆われる。
【００２４】
センサケース２は、表面に半導体圧力センサ１の環状のダイアフラム支持部１ｂが接合される壁部２ａと周壁部２ｂとを備えている。壁部２ａには半導体圧力センサ１のダイアフラム部１ａに圧力測定の対象となる流体を導くための流体導入孔５が形成されており、環状のダイアフラム支持部１ｂは、流体導入孔５の一方の開口端部を囲むように壁部２ａの表面に接合されている。また周壁部２ｂは、半導体圧力センサ１の周囲を囲む形状を有しており、周壁部２ｂ内は素子収容凹部２ｃとなっている。半導体圧力センサ１の環状のダイアフラム支持部１ｂは、ダイアフラム支持部１ｂの線膨張係数と壁部２ａの線膨張係数とに大きな差があっても両者間に剥離が生じないように、硬化しても撓み性のあるゲル状の接着剤を用いて壁部２ａ上に固定されている。また、センサケース２の周壁部２ｂの輪郭形状は、図１（Ａ）に示すように４つの角部を有するほぼ矩形形状を呈している。
【００２５】
このようなセンサケース２は、壁部２ａを含んで周壁部２ｂの一部を構成する第１のケース構成部分９と、第１のケース構成部分９の上面に下面が接合されて周壁部２ｂの他の一部を構成する環状の第２のケース構成部分１０と、第２のケース構成部分１０の上面に下面が接合されて周壁部２ｂの残部を構成し且つ内側に第２のケース構成部分１０の上面の一部を環状に露出させるように形成された環状の第３のケース構成部分１１とにより構成されている。ケース構成部分９〜１１は、グリーンボディの状態で重ね合わされた後焼成することにより一体形成されている。
【００２６】
このセンサケース２には、半導体圧力センサ１に設けられている複数の接続用電極８ａ〜８ｆのうちの所要の接続用電極にボンディングワイヤ６ａ〜６ｆにより接続された複数のケース側接続用電極１２ａ〜１２ｆが第３のケース構成部分１１の内側に露出する第２のケース構成部分１０の上面の部分（周壁部２ｂの内壁面上）に形成されている。第３のケース構成部分１１の下に位置する第２のケース構成部分１０の上面の部分には、それぞれ複数のケース側接続用電極１２ａ〜１２ｆにつながって周壁部２ｂの内部を通りセンサケース２の周壁部２ｂの外周面まで延びる複数の導電性引出パターン１３ａ〜１３ｆが形成されている。複数の導電性引出パターン１３ａ〜１３ｆは、ケース側接続用電極１２ａ〜１２ｆを構成する後述するタングステン下地層が延長されて構成されている。
【００２７】
壁部２ａに設けられた流体導入孔５が開口しているセンサケース２の外面にあたる第１のケース構成部分９の下面及び上述したセンサケース２の外面の他の外面にあたる第３のケース構成部分１１の上面には、複数の導電性引出パターン１３ａ〜１３ｆとそれぞれ接続する複数の外部接続用電極１４Ｄａ〜１４Ｄｆと複数の外部接続用電極１４Ｕａ〜１４Ｕｆとがそれぞれ形成されている。センサケース２の周壁部２ｂの外周面には、第１乃至第３のケース構成部分９〜１１が積層される積層方向に向かって延びて積層方向両側に開口し且つ積層方向と直交し且つ外周面から離れる方向に開口する複数の溝部１５ａ〜１５ｆが設けられている。特に、溝部１５ａ，１５ｃ，１５ｄ及び１５ｆはセンサケース２のほぼ矩形形状をなす周壁部２ｂの４つの角部にそれぞれ設けられている。複数の導電性引出パターン１３ａ〜１３ｆの外側端部は、それぞれ対応する複数の溝部１５ａ〜１５ｆ内に露出している。
【００２８】
複数の外部接続用電極１４Ｄａ〜１４Ｄｆ，１４Ｕａ〜１４Ｕｆのうち、第１のケース構成部分９の下面に形成される第１のグループに属する複数の外部接続用電極１４Ｄａ〜１４Ｄｆと、第３のケース構成部分１１の上面に形成される第２のグループに属する複数の外部接続用電極１４Ｕａ〜１４Ｕｆは、それぞれ複数の溝部１５ａ〜１５ｆの積層方向両側の開口部に隣接して形成されている。これらの溝部１５ａ〜１５ｆ内に露出する導電性引出パターン１３ａ〜１３ｆの外側端部と、これら溝部１５ａ〜１５ｆの積層方向両側に位置する対になった複数の外部接続用電極１４Ｄａ〜１４Ｄｆ及び１４Ｕａ〜１４Ｕｆとは、溝部１５ａ〜１５ｆ内に沿って設けられた複数の接続用導電パターン１６ａ〜１６ｆにより電気的に接続されている。
【００２９】
壁部２ａを構成している第１のケース構成部分９の裏面には、図２に示すように流体導入孔５を囲むように所定の幅寸法を有する円形形状の被半田付け部１７が形成されている。この被半田付け部１７は、複数の外部接続用電極１４Ｄａ〜１４Ｄｆの中のアース電極となる外部接続用電極１４Ｄｃに接続パターン１８を介して電気的に接続されている。被半田付け部１７には、半導体圧力センサ１のダイアフラム部１ａに圧力測定の対象となる流体を流体導入孔５を介して導くための金属製の筒体１９が必要に応じて半田２０により半田付け接続されるようになっている。図１（Ｂ）には筒体１９が被半田付け部１７に半田付け接続されている例を示している。また、図２に示す環状の被半田付け部１７を形成している金属薄膜の幅寸法は、フランジ部を設けた場合の例である。筒体１９の内部には、流体導入孔５と連通する流体導入路１９ａが形成されている。上述した複数のケース側接続用電極１２ａ〜１２ｆ、複数の外部接続用電極１４Ｄａ〜１４Ｄｆ，１４Ｕａ〜１４Ｕｆ、複数の接続用導電パターン１６ａ〜１６ｆ及び被半田付け部１７は、蒸着またはスパッタリングにより形成されたタングステンからなる下地層と、これら下地層の上に形成されたＮｉメッキ層と、これらＮｉメッキ層の上に形成されたＡｇ，Ａｇの合金またはＡｕのメッキ層とから構成されている。
【００３０】
このように第１のケース構成部分９の下面及び第３のケース構成部分１１の上面に、複数の導電性引出パターン１３ａ〜１３ｆとそれぞれ接続する複数の外部接続用電極１４Ｄａ〜１４Ｄｆ，１４Ｕａ〜１４Ｕｆとを形成すると、センサケース２の面上に各電極が存在するため、装置を小型化することができ、面実装する際の実装面積を小さくすることができる。また、外部接続電極１４Ｄａ〜１４Ｄｆ，１４Ｕａ〜１４Ｕｆはセンサケース２の上面及び下面上に設けられているので、厚膜形成技術または薄膜形成技術等を用いて一括且つ容易に電極形成することができる。更に外部接続用電極１４Ｄａ〜１４Ｄｆ，１４Ｕａ〜１４Ｕｆを、第１のケース構成部分９の下面と第３のケース構成部分１１の上面とに２つのグループに別けて設けているので、用途に応じてセンサケース２の上下を逆にして実装することができる。
【００３１】
さらに、第１のケース構成部分９の下面と第３のケース構成部分１１の上面の各外部接続用電極１４Ｄａ〜１４Ｄｆ，１４Ｕａ〜１４Ｕｆと、第３のケース構成部分１１の内側に露出する第２のケース構成部分１０の上面の部分に形成されているケース側接続用電極１２ａ〜１２ｆとの接続は、第３のケース構成部分１１の下に位置する第２のケース構成部分１０の上面の部分でセンサケース２の周壁部２ｂの外周面まで延びる複数の導電性引出パターン１３ａ〜１３ｆと、センサケース２の側面に設けられた複数の接続用導電パターン１６ａ〜１６ｆとにより行われているので、ケース側接続用電極１２ａ〜１２ｆと外部接続用電極１４Ｄａ〜１４Ｄｆ，１４Ｕａ〜１４Ｕｆとが段違いの位置に形成されている場合でも、両電極間の電気的接続を容易に行うことができる。
【００３２】
特に、センサケース２の周壁部２ｂの外周面に、第１乃至第３のケース構成部分９〜１１が積層される積層方向に向かって延びて積層方向両側に開口し且つ積層方向と直交し且つ外周面から離れる方向に開口する複数の溝部１５ａ〜１５ｆを形成し、複数の導電性引出パターン１３ａ〜１３ｆの外側端部をそれぞれ対応する複数の溝部１５ａ〜１５ｆ内に露出させ、複数の外部接続用電極１４Ｄａ〜１４Ｄｆ，１４Ｕａ〜１４Ｕｆのうち、第１のケース構成部分９の下面に形成される第１グループに属する複数の外部接続用電極１４Ｄａ〜１４Ｄｆと、第３のケース構成部分１１の上面に形成される第２グループに属する複数の外部接続用電極１４Ｕａ〜１４Ｕｆを、それぞれ複数の溝部１５ａ〜１５ｆの積層方向両側の開口部に隣接して形成し、複数の溝部１５ａ〜１５ｆ内にはこれら溝部の内部に露出する導電性引出パターン１３ａ〜１３ｆの外側端部と溝部の積層方向両側に位置する対の外部接続用電極１４Ｄａ〜１４Ｄｆ，１４Ｕａ〜１４Ｕｆとを電気的に接続する複数の接続用導電パターン１６ａ〜１６ｆを形成すると、ケース側接続用電極１２ａ〜１２ｆと外部接続用電極１４Ｄａ〜１４Ｄｆ，１４Ｕａ〜１４Ｕｆとを段違いの位置に形成した場合の両方の電極間の電気的接続を確実に行うことができる。
【００３３】
また、センサケース２の周壁部２ｂの輪郭形状を、４つの角部を有するほぼ矩形形状とし、センサケース２の周壁部２ｂの複数の溝部１５ａ〜１５ｆのうち４つの溝部１５ａ，１５ｃ，１５ｄ，１５ｆを周壁部２ｂの４つの角部にそれぞれ設けているので、角部が欠けやすいセラミック製のセンサケース２において、各角部に溝部１５ａ，１５ｃ，１５ｄ及び１５ｆを形成することにより欠けを防止することができる。電気的接続の用途にこれらの角部１５ａ，１５ｃ，１５ｄ及び１５ｆの溝部を利用することにより、各外部接続用電極の数が多くなった場合でも、隣接する溝部間の距離を離すことができて、半田による短絡を防止できる。
【００３４】
さらに、複数のケース側接続用電極１２ａ〜１２ｆ、複数の外部接続用電極１４Ｄａ〜１４Ｄｆ，１４Ｕａ〜１４Ｕｆ及び複数の接続用導電パターン１６ａ〜１６ｆを、蒸着またはスパッタリングにより形成されたタングステンからなる下地層と、下地層の上に形成されたＮｉメッキ層と、Ｎｉメッキ層の上に形成されたＡｇ，Ａｇの合金またはＡｕのメッキ層とから構成している。したがってセンサケース２を構成しているセラミックの表面にＡｇ，Ａｇの合金またはＡｕのメッキ層を所要の接合強度をもつて容易に形成することができる。
【００３５】
次に本発明の他の実施の形態について説明する。図４は図１〜図３を用いて説明した実施の形態の変形例としての第２の実施の形態を説明するための図である。なお、本例では図４においては図１（Ｂ）と同じ半導体圧力センサ装置の縦断面図のみを示し、また図１〜図３で説明した符号と同じ構成部材には同じ符号を付してその説明を省略する。本例の半導体圧力センサ装置が図１〜図３と異なる点は、センサケース２を構成している第１のケース構成部分９の下面に形成されている表面実装用の外部接続用電極１４Ｄａ〜１４Ｄｆが形成されていない点である。このようなセンサケース２の上面（第３のケース構成部分１１の上面）に表面実装のための外部接続用電極１４Ｕａ〜１４Ｕｆのみが形成されている半導体圧力センサ装置でも、センサケース２の上下を逆にして表面実装することができる。
【００３６】
【発明の効果】
本発明によれば、表面実装可能な半導体圧力センサ装置を簡単な構造で提供できる利点がある。
【００３７】
本発明の半導体圧力センサ装置では、第１のケース構成部分の下面及び第３のケース構成部分の上面に、複数の導電性引出パターンとそれぞれ接続する複数の外部接続用電極を形成しているので、センサケースの外面上に各電極を存在させることができ、半導体圧力センサ装置を小型化できるとともに、表面実装を行う際の実装面積を小さくできる利点がある。
【００３８】
また外部接続用電極は第１のケース構成部分の下面と第３のケース構成部分の上面とに設けられているので、用途に応じてセンサケースの上下を逆にして半導体圧力センサ装置を実装することができる利点がある。またセンサケースの第３のケース構成部分の上面のみに外部接続用電極を設けても良く、この場合もセンサケースの上下を逆にして実装することができ、表面実装を行う際の実装面積を小さくできる利点がある。
【００３９】
また、第１のケース構成部分の下面と第３のケース構成部分の上面の各外部接続用電極と、第３のケース構成部分の内側に露出する第２のケース構成部分の上面の部分に形成されているケース側接続用電極との接続は、第３のケース構成部分の下に位置する第２のケース構成部分の上面の部分でセンサケースの周壁部の外周面まで延びる複数の導電性引出パターンと、センサケースの側面に設けられた複数の接続用導電パターンとにより行っているので、ケース側接続用電極と外部接続用電極とが段違いの位置に形成されていても、ケース側接続用電極と外部接続用電極との間の電気的接続を容易に行うことができる利点がある。
【００４０】
さらに、センサケースの第３のケース構成部分の上面のみに外部接続用電極を設けた半導体圧力センサ装置であってもセンサケースの上下を逆にして実装することができ、表面実装を行う際の実装面積を小さくできる利点がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】  （Ａ）は本発明の半導体圧力センサ装置における実施の形態の一例を示す平面図、（Ｂ）は本例の半導体圧力センサ装置の縦断面図である。
【図２】  本例の半導体圧力センサ装置に筒体を半田付け接続する場合に半田付け接続前のセンサケースの裏面を示す図である。
【図３】  本例の半導体圧力センサ装置の半導体圧力センサ上に形成されている抵抗ブリッジ回路等の電気回路図である。
【図４】  図１〜図３を用いて説明した実施の形態の変形例としての第２の実施の形態を説明するための図である。
【図５】  従来の半導体圧力センサ装置の縦断端面図である。
【符号の説明】
１  半導体圧力センサ
１ａ  ダイアフラム部
１ｂ  ダイアフラム支持部
２  センサケース
２ａ  壁部
２ｂ  周壁部
５  流体導入孔
６ａ〜６ｆ  ボンディングワイヤ
７  抵抗ブリッジ回路
８ａ〜８ｆ  接続用電極
９  第１のケース構成部分
１０  第２のケース構成部分
１１  第３のケース構成部分
１２ａ〜１２ｆ  ケース側接続用電極
１３ａ〜１３ｆ  導電性引出パターン
１４Ｄａ〜１４Ｄｆ，１４Ｕａ〜１４Ｕｆ  外部接続用電極
１５ａ〜１５ｆ  溝部
１６ａ〜１６ｆ  接続用導電パターン
１７  被半田付け部
１８  接続パターン
１９  筒体
２０  半田
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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