(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の前方側の領域に設けられ、第１の波長帯を持つ第１のレーザ光を発振させる第１の活性層を有する第１の半導体積層構造と、
前記基板上の後方側の領域に設けられ、第２の波長帯を持つ第２のレーザ光を発振させる第２の活性層を有する第２の半導体積層構造とを備え、
前記第１のレーザ光の出射方向と前記第２のレーザ光の出射方向とは同方向であり、
前記第２のレーザ光の出射方向は、前記第１のレーザ光の出射方向の上側又は下側に位置し、
前記第２の半導体積層構造における、前記第１の活性層の後端面と対向する半導体層のエネルギーギャップは、前記第１の活性層のエネルギーギャップよりも大きいことを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項２】
前記第１の半導体積層構造は、前記基板と前記第１の活性層との間に位置する第１のクラッド層と、前記第１の活性層の上方に位置する第２のクラッド層とを有し、
前記第２の半導体積層構造は、前記基板と前記第２の活性層との間に位置する第３のクラッド層と、前記第２の活性層の上方に位置する第４のクラッド層とを有し、
前記第１のクラッド層の組成と前記第３のクラッド層の組成とが同じであるか、又は前記第２のクラッド層の組成と前記第４のクラッド層の組成とが同じであることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ装置。
【請求項３】
前記第１の活性層のエネルギーギャップは、前記第２の活性層のエネルギーギャップよりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ装置。
【請求項４】
前記第１の活性層はインジウム及びリンを含み、
前記第２の活性層はガリウム及びヒ素を含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ装置。
【請求項５】
前記第１の半導体積層構造の前端面には無反射コーティング層が設けられ、
前記第２の半導体積層構造の後端面には高反射コーティング層が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ装置。
【請求項６】
前記第１の半導体積層構造の後端面と前記第２の半導体積層構造の前端面との間に誘電体部材をさらに備え、
前記誘電体部材は、前記第１の活性層のストライプ領域の実効屈折率と、前記第２の活性層のストライプ領域の実効屈折率との間の屈折率を持つことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ装置。
【請求項７】
基板上の前方側の領域に設けられ、第１の波長帯を持つ第１のレーザ光を発振させる第１の活性層を有する第１の半導体積層構造と、前記基板上の後方側の領域に設けられ、第２の波長帯を持つ第２のレーザ光を発振させる第２の活性層を有する第２の半導体積層構造とを備えた半導体レーザ装置の製造方法であって、
前記基板上に全面に亘って、前記第２の半導体積層構造と同じ積層構造を有する第１の暫定半導体積層構造を成長させる工程と、
前記第１の暫定半導体積層構造の前方側の部分を除去することにより、前記基板上の後方側の領域に前記第２の半導体積層構造を形成する工程と、
前記基板上の前方側の領域及び前記第２の半導体積層構造の上に全面に亘って、前記第１の半導体積層構造と同じ積層構造を有する第２の暫定半導体積層構造を成長させる工程と、
前記第２の暫定半導体積層構造における前記第２の半導体積層構造よりも上側の部分を除去することにより、前記基板上の前方側の領域に前記第１の半導体積層構造を形成する工程とを備え、
前記第２のレーザ光の出射方向が、前記第１のレーザ光の出射方向の上側又は下側に位置し、且つ、前記第２の半導体積層構造における、前記第１の活性層の後端面と対向する半導体層のエネルギーギャップが、前記第１の活性層のエネルギーギャップよりも大きくなるように、該第１の半導体積層構造及び該第２の半導体積層構造を配置することを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項８】
基板上の前方側の領域に設けられ、第１の波長帯を持つ第１のレーザ光を発振させる第１の活性層を有する第１の半導体積層構造と、前記基板上の後方側の領域に設けられ、第２の波長帯を持つ第２のレーザ光を発振させる第２の活性層を有する第２の半導体積層構造とを備えた半導体レーザ装置の製造方法であって、
前記基板上に全面に亘って、前記第１の半導体積層構造と同じ積層構造を有する第１の暫定半導体積層構造を成長させる工程と、
前記第１の暫定半導体積層構造の後方側の部分を除去することにより、前記基板上の前方側の領域に前記第１の半導体積層構造を形成する工程と、
前記基板上の後方側の領域及び前記第１の半導体積層構造の上に全面に亘って、前記第２の半導体積層構造と同じ積層構造を有する第２の暫定半導体積層構造を成長させる工程と、
前記第２の暫定半導体積層構造における前記第１の半導体積層構造よりも上側の部分を除去することにより、前記基板上の後方側の領域に前記第２の半導体積層構造を形成する工程とを備え、
前記第２のレーザ光の出射方向が、前記第１のレーザ光の出射方向の上側又は下側に位置し、且つ、前記第２の半導体積層構造における、前記第１の活性層の後端面と対向する半導体層のエネルギーギャップが、前記第１の活性層のエネルギーギャップよりも大きくなるように、該第１の半導体積層構造及び該第２の半導体積層構造を配置することを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項９】
第１の波長帯を持つ第１のレーザ光を発振させる第１の活性層を有する第１のレーザチップと、第２の波長帯を持つ第２のレーザ光を発振させる第２の活性層を有する第２のレーザチップとをそれぞれ形成する第１の工程と、
基板上の前方側の領域に前記第１のレーザチップを固定すると共に、前記基板上の後方側の領域に前記第２のレーザチップを固定する第２の工程とを備え、
前記第２の工程は、前記第１のレーザ光の出射方向と前記第２のレーザ光の出射方向とが同方向になるように、前記第１のレーザチップ及び前記第２のレーザチップを固定する工程を含み、
前記第２のレーザ光の出射方向が、前記第１のレーザ光の出射方向の上側又は下側に位置し、且つ、前記第２のレーザチップにおける、前記第１の活性層の後端面と対向する半導体層のエネルギーギャップが、前記第１の活性層のエネルギーギャップよりも大きくなるように、該第１のレーザチップ及び該第２のレーザチップを配置することを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第１の活性層のエネルギーギャップは、前記第２の活性層のエネルギーギャップよりも大きいことを特徴とする請求項７〜９のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項１１】
前記第１の活性層はインジウム及びリンを含み、
前記第２の活性層はガリウム及びヒ素を含むことを特徴とする請求項７〜９のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第１の半導体積層構造の前端面に無反射コーティング層を形成する工程と、
前記第２の半導体積層構造の後端面に高反射コーティング層を形成する工程とをさらに備えていることを特徴とする請求項７〜９のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項１３】
前記第２の工程よりも後に、
前記第１のレーザチップの後端面と前記第２のレーザチップの前端面との間に、前記第１の活性層のストライプ領域の実効屈折率と、前記第２の活性層のストライプ領域の実効屈折率との間の屈折率を持つ誘電体部材を充填する工程をさらに備えていることを特徴とする請求項７〜９のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項１４】
第１の波長帯を持つ第１のレーザ光を発振させる第１の活性層を有する第１のレーザチップと、第２の波長帯を持つ第２のレーザ光を発振させる第２の活性層を有する第２のレーザチップと、第３の波長帯を持つ第３のレーザ光を発振させる第３の活性層を有する第３のレーザチップとをそれぞれ形成する第１の工程と、
基板上の前方側の領域に前記第１のレーザチップを固定し、前記基板上の中央の領域に前記第２のレーザチップを固定し、前記基板上の後方側の領域に前記第３のレーザチップを固定する第２の工程とを備え、
前記第２の工程は、前記第１のレーザ光の出射方向と前記第２のレーザ光の出射方向と前記第３のレーザ光の出射方向とが同方向になるように、前記第１のレーザチップ、前記第２のレーザチップ及び前記第３のレーザチップを固定する工
程を含み、
前記第２のレーザ光の出射方向が、前記第１のレーザ光の出射方向の上側又は下側に位置し、且つ、前記第２のレーザチップにおける、前記第１の活性層の後端面と対向する半導体層のエネルギーギャップが、前記第１の活性層のエネルギーギャップよりも大きくなるように、該第１のレーザチップ及び該第２のレーザチップを配置することを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項１５】
前記第３のレーザ光の出射方向は、前記第１のレーザ光の出射方向又は前記第２のレーザ光の出射方向と同一直線上にあることを特徴とする請求項１４に記載の半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項１６】
前記第１の活性層のエネルギーギャップは前記第２の活性層のエネルギーギャップよりも大きく、
前記第２の活性層のエネルギーギャップは前記第３の活性層のエネルギーギャップよりも大きいことを特徴とする請求項１４に記載の半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項１７】
前記第１の活性層はガリウム及び窒素を含み、
前記第２の活性層はインジウム及びリンを含み、
前記第３の活性層はガリウム及びヒ素を含むことを特徴とする請求項１４に記載の半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項１８】
前記第２の工程よりも後に、
前記第１のレーザチップの後端面と前記第２のレーザチップの前端面との間に、前記第１の活性層のストライプ領域の実効屈折率と、前記第２の活性層のストライプ領域の実効屈折率との間の屈折率を持つ第１の誘電体部材を充填する工程と、
前記第２のレーザチップの後端面と前記第３のレーザチップの前端面との間に、前記第２の活性層のストライプ領域の実効屈折率と、前記第３の活性層のストライプ領域の実効屈折率との間の屈折率を持つ第２の誘電体部材を充填する工程とをさらに備えていることを特徴とする請求項１４に記載の半導体レーザ装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、波長が異なる複数のレーザ光を出射することができる半導体レーザ装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、多くの産業分野において半導体レーザ装置の需要が高まっており、III −Ｖ族化合物半導体層、特にＧａＡｓ又はＩｎＰを含む化合物半導体層を有する半導体レーザ装置を中心として、活発な研究及び開発が進められている。
【０００３】
光情報処理分野においては、ＡｌＧａＡｓ層を有し、７８０ｎｍ帯の波長を持つ赤外レーザ光を発振する半導体レーザ装置により情報の記録又は再生を行なう方式が実用化されており、このような半導体レーザ装置はコンパクトディスク（ＣＤ）等の分野で広く普及するに至っている。
【０００４】
また、光磁気ディスク等のようにＣＤよりも容量の大きい記録装置では、ＡｌＧａＩｎＰ層を有し、７８０ｎｍ帯よりも波長が短い６８０ｎｍ帯のレーザ光を発振する半導体レーザ装置が用いられている。
【０００５】
さらに、高精細な画像を長時間再生が可能なディジタルビデオディスク（ＤＶＤ）を実現するためには、６５０ｎｍ帯の波長を持つ赤色レーザ光を出射する半導体レーザ装置が必要になってきた。このような発振波長の短波長化によって光ディスクの記録密度の向上が図られている。
【０００６】
ところで、ＤＶＤ情報を再生するためのＤＶＤ装置は、ＤＶＤ情報のみならず、従来のＣＤ情報をも活用できるように、ＤＶＤ及びＣＤの両方のディスクを再生できる互換性を持っている。従って、ＤＶＤ装置のピックアップヘッド部の光源には、ＡｌＧａＡｓ層を有し７８０ｎｍ帯の赤外レーザ光を出射する第１の半導体レーザ素子と、ＡｌＧａＩｎＰ層を有し６５０ｎｍ帯の赤色レーザ光を出射する第２の半導体レーザ素子とからなる２つの半導体レーザ素子を搭載する必要がある。
【０００７】
この場合、各半導体レーザ素子ごとに光学処理部を設けると、７８０ｎｍ帯のレーザ光と６５０ｎｍ帯のレーザ光とを合波させる光学系が必要になるので、ピックアップヘッド装置の構造が複雑になると共にピックアップヘッド装置の小型化に限界があるという問題がある。
【０００８】
そこで、２個の半導体レーザ素子を互いに接近させて配置するハイブリッド型の半導体レーザ装置、又は１つの基板上に２つの半導体積層構造が並列に設けられてなるモノリシック型の半導体レーザ装置（特開平１１−１８６６５１号公報及び第６０回秋季応用物理学会学術講演会予稿集３ａ−ＺＣ−１０を参照）が提案されている。
【０００９】
図２１は、モノリシック型の従来の半導体レーザ装置の一例を示しており、該半導体レーザ装置は、１つの半導体基板１の上に、ＡｌＧａＩｎＰ層を有する第１の半導体積層構造２とＡｌＧａＡｓ層を有する第２の半導体積層構造３とが設けられ、第１の半導体積層構造２の発光スポット４から６５０ｎｍ帯のレーザ光を出射すると共に第２の半導体積層構造３の発光スポット５から７８０ｎｍ帯のレーザ光を出射する。
【００１０】
前述のハイブリッド型又はモノリシック型の半導体レーザ装置を用いると、波長帯が異なる２つのレーザ光を合波させる光学系が不要になるので、ピックアップヘッド装置の簡素化及び小型化を図ることができる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ハイブリッド型の半導体レーザ装置においては、２つの半導体レーザ素子のピッチは、各半導体レーザ素子の幅寸法の影響を受けるため、発光スポットのピッチは数百μｍ以上となる。
【００１２】
また、モノリシック型の半導体レーザ装置においては、１つの半導体基板上に２つの半導体積層構造を形成する必要があり、２つの半導体積層構造を分離するプロセスの限界により、発光スポットのピッチは数十ｎｍ以上となる。
【００１３】
ところで、光ピックアップヘッド装置には、レーザ光の出射方向を光ディスクの方に変えるハーフミラー、及びハーフミラーを通過したレーザ光を光ディスクのスポットに集光する対物レンズ、光ディスクから反射してきたレーザ光を検出するフォトディテクタ等が必要になる。
【００１４】
ところが、光ピックアップヘッド装置の小型化に伴って、対物レンズも小型化されているため、対物レンズにおけるレーザ光の入射点の差異（発光スポットが異なるために対物レンズにおける入射点の位置が異なる）に起因して対物レンズの集光特性が異なる。このため、対物レンズを通過したレーザ光を光ディスクの微少なスポットに集光することが困難になるという問題がある。
【００１５】
また、対物レンズを通過したレーザ光が光ディスクに入射する角度が互いに異なると、光ディスクから反射されてくるレーザ光の方向も異なるため、フォトディテクタが２つ必要になるという問題もある。
【００１６】
前記に鑑み、本発明は、波長が異なる複数のレーザ光を、１つの発光スポット又は極めて接近した２つの発光スポットから出射させるようにすることにより、波長が異なる複数のレーザ光を光ディスクの微少なスポットに確実に集光できるようにすると共に、波長が異なる複数のレーザ光を１つのフォトディテクタで検出できるようにすることを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
前記の目的を達成するため、本発明に係る半導体レーザ装置は、基板上の前方側の領域に設けられ、第１の波長帯を持つ第１のレーザ光を発振させる第１の活性層を有する第１の半導体積層構造と、基板上の後方側の領域に設けられ、第２の波長帯を持つ第２のレーザ光を発振させる第２の活性層を有する第２の半導体積層構造とを備え、第１のレーザ光の出射方向と第２のレーザ光の出射方向とは同方向である。
【００１８】
本発明に係る半導体レーザ装置によると、基板上の前方側の領域に第１のレーザ光を発振させる第１の半導体積層構造が設けられ且つ基板上の後方側の領域に第２のレーザ光を発振させる第２の半導体積層構造が設けられていると共に、第１のレーザ光の出射方向と第２のレーザ光の出射方向とは同方向であるから、波長が異なる第１及び第２のレーザ光を、前方側の領域に設けられている第１の半導体積層構造の前端面における、１つの発光スポット又は極めて接近した２つの発光スポットから出射させることができる。このため、波長が異なる複数のレーザ光を、光ディスクの微少なスポットに確実に集光できると共に１つのフォトディテクタにより検出することができる。
【００１９】
本発明に係る半導体レーザ装置において、第１のレーザ光の出射方向と第２のレーザ光の出射方向とは同一直線上にあることが好ましい。
【００２０】
このようにすると、波長が異なる第１及び第２のレーザ光を、第１の半導体積層構造の前端面における１つの発光スポットから出射させることができる。
【００２１】
本発明に係る半導体レーザ装置において、第２のレーザ光の出射方向は、第１のレーザ光の出射方向の上側又は下側に位置していることが好ましい。
【００２２】
このようにすると、波長が異なる第１及び第２のレーザ光を、第１の半導体積層構造の前端面における極めて接近した２つの発光スポットから出射させることができる。すなわち、第１のレーザ光の発光スポットと第２のレーザ光の発光スポットとのピッチは、半導体集積構造体の幅寸法の影響を受けなくなるので、発光スポットのピッチを１μｍ以下にすることができる。
【００２３】
また、第１の活性層の後端面を透過面又は吸収面とすることができるので、光学的な設計条件の選択肢が増える。すなわち、第１の活性層のエネルギーギャップが第２の活性層のエネルギーギャップよりも大きく且つ第１のレーザ光の光軸と第２のレーザ光の光軸とが一致している場合には、第２の活性層の前端面つまり第１の活性層の後端面は第１のレーザ光の吸収面になってしまう。通常、第２の活性層の上方又は下方の半導体層のエネルギーギャップは第２の活性層のエネルギーギャップよりも大きいため、第２のレーザ光の光軸が第１のレーザ光の光軸の上側又は下側に位置すると、第２の活性層の上方又は下方の半導体層の前端面つまり第１の活性層の後端面を第１のレーザ光の透過面又は吸収面にすることができる。
【００２４】
第２のレーザ光の出射方向が第１のレーザ光の出射方向の上側又は下側に位置している場合、第２の半導体積層構造における、第１の活性層の後端面と対向する半導体層のエネルギーギャップは、第１の活性層のエネルギーギャップよりも大きいことが好ましい。
【００２５】
このようにすると、第２の半導体積層構造における、第１の活性層の後端面と対向する半導体層は第１のレーザ光を透過させるため、第１のレーザ光の損失が低減する。
【００２６】
また、第２のレーザ光の出射方向が第１のレーザ光の出射方向の上側又は下側に位置している場合、第１の半導体積層構造は、基板と第１の活性層との間に位置する第１のクラッド層と、第１の活性層の上方に位置する第２のクラッド層とを有し、第２の半導体積層構造は、基板と第２の活性層との間に位置する第３のクラッド層と、第２の活性層の上方に位置する第４のクラッド層とを有し、第１のクラッド層の組成と第３のクラッド層の組成とが同じであるか、又は第２のクラッド層の組成と第４のクラッド層の組成とが同じであることが好ましい。
【００２７】
本発明に係る半導体レーザ装置において、第１の活性層のエネルギーギャップは、第２の活性層のエネルギーギャップよりも大きいことが好ましい。
【００２８】
このようにすると、第２のレーザ光は、第１の半導体積層構造の内部を伝播する際に吸収されないので、第１の半導体積層構造の前端面から確実に出射する。
【００２９】
特に、第１のレーザ光の光軸と第２のレーザ光の光軸とが一致している場合には、第２の活性層は第１の活性層で発振した第１のレーザに対する吸収係数が大きいため、第１のレーザ光は第１の半導体積層構造の前端面と第２の半導体積層構造の前端面とを共振器として発振し、また、第２の活性層で発振した第２のレーザ光は、第１の活性層に対して透明であるから、第１の半導体積層構造の前端面と第２の半導体積層構造の後端面とを共振器として発振する。従って、波長帯が異なる２つのレーザ光を１つの発光スポットから確実に出射させることができる。
【００３０】
本発明に係る半導体レーザ装置において、第１の活性層はインジウム及びリンを含み、第２の活性層はガリウム及びヒ素を含むことが好ましい。
【００３１】
このようにすると、第１のレーザ光の発振波長は６５０ｎｍ程度になるので第１のレーザ光は赤色レーザ光になると共に、第２のレーザ光の発振波長は７８０ｎｍ程度になるので第２のレーザ光は赤外レーザ光になるので、ＤＶＤ装置のピックアップヘッド装置に最適な半導体レーザ装置が得られる。
【００３２】
本発明に係る半導体レーザ装置において、第１の半導体積層構造の前端面には無反射コーティング層が設けられ、第２の半導体積層構造の後端面には高反射コーティング層が設けられていることが好ましい。
【００３３】
このようにすると、波長帯が異なる２つのレーザ光を第１の半導体積層構造の前端面から確実に出射させることができる。
【００３４】
本発明に係る半導体レーザ装置は、第１の半導体積層構造の後端面と第２の半導体積層構造の前端面との間に誘電体部材をさらに備え、誘電体部材は、第１の活性層のストライプ領域の実効屈折率と、第２の活性層のストライプ領域の実効屈折率との間の屈折率を持つことが好ましい。
【００３５】
このようにすると、誘電体部材によって、第１の半導体積層構造と第２の半導体積層構造との絶縁性が確実となる。また、第１のレーザ光と第２の半導体積層構造との光の結合効率が向上すると共に第２のレーザ光と第１の半導体積層構造との光の結合効率が向上するため、半導体レーザ装置の光学的特性が向上する。
【００３６】
本発明に係る第１の半導体レーザ装置の製造方法は、基板上の前方側の領域に設けられ、第１の波長帯を持つ第１のレーザ光を発振させる第１の活性層を有する第１の半導体積層構造と、基板上の後方側の領域に設けられ、第２の波長帯を持つ第２のレーザ光を発振させる第２の活性層を有する第２の半導体積層構造とを備えた半導体レーザ装置の製造方法を対象とし、基板上に全面に亘って、第２の半導体積層構造と同じ積層構造を有する第１の暫定半導体積層構造を成長させる工程と、第１の暫定半導体積層構造の前方側の部分を除去することにより、基板上の後方側の領域に第２の半導体積層構造を形成する工程と、基板上の前方側の領域及び第２の半導体積層構造の上に全面に亘って、第１の半導体積層構造と同じ積層構造を有する第２の暫定半導体積層構造を成長させる工程と、第２の暫定半導体積層構造における第２の半導体積層構造よりも上側の部分を除去することにより、基板上の前方側の領域に第１の半導体積層構造を形成する工程とを備えている。
【００３７】
本発明に係る第１の半導体レーザ装置の製造方法によると、基板上の前方側の領域に第１のレーザ光を発振させる第１の半導体積層構造が設けられ且つ基板上の後方側の領域に第２のレーザ光を発振させる第２の半導体積層構造が設けられていると共に、第１のレーザ光の出射方向と第２のレーザ光の出射方向とが同方向であるモノリシック型の半導体レーザ装置を確実に製造することができる。
【００３８】
本発明に係る第２の半導体レーザ装置の製造方法は、基板上の前方側の領域に設けられ、第１の波長帯を持つ第１のレーザ光を発振させる第１の活性層を有する第１の半導体積層構造と、基板上の後方側の領域に設けられ、第２の波長帯を持つ第２のレーザ光を発振させる第２の活性層を有する第２の半導体積層構造とを備えた半導体レーザ装置の製造方法を対象とし、基板上に全面に亘って、第１の半導体積層構造と同じ積層構造を有する第１の暫定半導体積層構造を成長させる工程と、第１の暫定半導体積層構造の後方側の部分を除去することにより、基板上の前方側の領域に第１の半導体積層構造を形成する工程と、基板上の後方側の領域及び第１の半導体積層構造の上に全面に亘って、第２の半導体積層構造と同じ積層構造を有する第２の暫定半導体積層構造を成長させる工程と、第２の暫定半導体積層構造における第１の半導体積層構造よりも上側の部分を除去することにより、基板上の後方側の領域に第２の半導体積層構造を形成する工程とを備えている。
【００３９】
本発明に係る第２の半導体レーザ装置の製造方法によると、基板上の前方側の領域に第１のレーザ光を発振させる第１の半導体積層構造が設けられ且つ基板上の後方側の領域に第２のレーザ光を発振させる第２の半導体積層構造が設けられていると共に、第１のレーザ光の出射方向と第２のレーザ光の出射方向とが同方向であるモノリシック型の半導体レーザ装置を確実に製造することができる。
【００４０】
本発明に係る第３の半導体レーザ装置の製造方法は、第１の波長帯を持つ第１のレーザ光を発振させる第１の活性層を有する第１のレーザチップと、第２の波長帯を持つ第２のレーザ光を発振させる第２の活性層を有する第２のレーザチップとをそれぞれ形成する第１の工程と、基板上の前方側の領域に第１のレーザチップを固定すると共に、基板上の後方側の領域に第２のレーザチップを固定する第２の工程とを備え、第２の工程は、第１のレーザ光の出射方向と第２のレーザ光の出射方向とが同方向になるように、第１のレーザチップ及び第２のレーザチップを固定する工程を含む。
【００４１】
本発明に係る第３の半導体レーザ装置の製造方法によると、基板上の前方側の領域に第１のレーザ光を発振させる第１のレーザチップが設けられ且つ基板上の後方側の領域に第２のレーザ光を発振させる第２のレーザチップが設けられていると共に、第１のレーザ光の出射方向と第２のレーザ光の出射方向とが同方向であるハイブリッド型の半導体レーザ装置を確実に製造することができる。
【００４２】
第１〜第３の半導体レーザ装置の製造方法において、第１のレーザ光の出射方向と第２のレーザ光の出射方向とは同一直線上にあることが好ましい。
【００４３】
このようにすると、波長が異なる第１及び第２のレーザ光を、第１の半導体積層構造又は第１のレーザチップの前端面における１つの発光スポットから出射させることができる。
【００４４】
第１〜第３の半導体レーザ装置の製造方法において、第２のレーザ光の出射方向は、第１のレーザ光の出射方向の上側又は下側に位置していることが好ましい。
【００４５】
このようにすると、波長が異なる第１及び第２のレーザ光を、第１の半導体積層構造の前端面における極めて接近した２つの発光スポットから出射させることができる。すなわち、第１のレーザ光の発光スポットと第２のレーザ光の発光スポットとのピッチは、半導体集積構造体又はレーザチップの幅寸法の影響を受けなくなるので、発光スポットのピッチを１μｍ以下にすることができる。
【００４６】
第１〜第３の半導体レーザ装置の製造方法において、第１の活性層のエネルギーギャップは、第２の活性層のエネルギーギャップよりも大きいことが好ましい。
【００４７】
このようにすると、第２のレーザ光は第１の半導体積層構造又は第１のレーザチップの内部を伝播する際に吸収されないので、第２のレーザ光は第１の半導体積層構造又は第１のレーザチップの前端面から確実に出射する。
【００４８】
特に、第１のレーザ光の光軸と第２のレーザ光の光軸とが一致している場合には、第２の活性層は第１の活性層で発振した第１のレーザに対する吸収係数が大きいため、第１のレーザ光は第１の半導体積層構造又は第１のレーザチップの前端面と第２の半導体積層構造又は第２のレーザチップの前端面とを共振器として発振し、また、第２の活性層で発振した第２のレーザ光は、第１の活性層に対して透明であるから、第１の半導体積層構造又は第１のレーザチップの前端面と第２の半導体積層構造又は第２のレーザチップの後端面とを共振器として発振する。従って、波長帯が異なる２つのレーザ光を１つの発光スポットから確実に出射させることができる。
【００４９】
第１〜第３の半導体レーザ装置の製造方法において、第１の活性層はインジウム及びリンを含み、第２の活性層はガリウム及びヒ素を含むことが好ましい。
【００５０】
このようにすると、第１のレーザ光の発振波長は６５０ｎｍ程度になるので第１のレーザ光は赤色レーザ光になると共に、第２のレーザ光の発振波長は７８０ｎｍ程度になるので第２のレーザ光は赤外レーザ光になるので、ＤＶＤ装置のピックアップヘッド装置に最適な半導体レーザ装置が得られる。
【００５１】
第１〜第３の半導体レーザ装置の製造方法は、第１の半導体積層構造の前端面に無反射コーティング層を形成する工程と、第２の半導体積層構造の後端面に高反射コーティング層を形成する工程とをさらに備えていることが好ましい。
【００５２】
このようにすると、波長帯が異なる２つのレーザ光を第１の半導体積層構造又は第１のレーザチップの前端面から確実に出射させることができる。
【００５３】
第３の半導体レーザ装置の製造方法は、第２の工程よりも後に、第１のレーザチップの後端面と第２のレーザチップの前端面との間に、第１の活性層のストライプ領域の実効屈折率と、第２の活性層のストライプ領域の実効屈折率との間の屈折率を持つ誘電体部材を充填する工程をさらに備えていることが好ましい。
【００５４】
このようにすると、誘電体部材によって、第１のレーザチップと第２のレーザチップとの絶縁性が確実となる。また、第１のレーザ光と第２のレーザチップとの光の結合効率が向上すると共に第２のレーザ光と第１のレーザチップとの光の結合効率が向上するため、半導体レーザ装置の光学的特性が向上する。
【００５５】
本発明に係る第４の半導体レーザ装置の製造方法は、第１の波長帯を持つ第１のレーザ光を発振させる第１の活性層を有する第１のレーザチップと、第２の波長帯を持つ第２のレーザ光を発振させる第２の活性層を有する第２のレーザチップと、第３の波長帯を持つ第３のレーザ光を発振させる第３の活性層を有する第３のレーザチップとをそれぞれ形成する第１の工程と、基板上の前方側の領域に第１のレーザチップを固定し、基板上の中央の領域に第２のレーザチップを固定し、基板上の後方側の領域に第３のレーザチップを固定する第２の工程とを備え、第２の工程は、第１のレーザ光の出射方向と第２のレーザ光の出射方向と第３のレーザ光の出射方向とが同方向になるように、第１のレーザチップ、第２のレーザチップ及び第３のレーザチップを固定する工程を含む。
【００５６】
本発明に係る第４の半導体レーザ装置の製造方法によると、基板上の前方側の領域に第１のレーザ光を発振させる第１のレーザチップが設けられ、基板上の中央の領域に第２のレーザ光を発振させる第２のレーザチップが設けられ且つ基板上の後方側の領域に第３のレーザ光を発振させる第３のレーザチップが設けられていると共に、第１のレーザ光の出射方向と第２のレーザ光の出射方向と第３のレーザ光の出射方向とが同方向であるハイブリッド型の半導体レーザ装置を確実に製造することができる。
【００５７】
第４の半導体レーザ装置の製造方法において、第３のレーザ光の出射方向は、第１のレーザ光の出射方向又は第２のレーザ光の出射方向と同一直線上にあることが好ましい。
【００５８】
このようにすると、波長が異なる第３のレーザ光と第１又は第２のレーザ光とを、第１のレーザチップの前端面における１つの発光スポットから出射させることができる。
【００５９】
第４の半導体レーザ装置の製造方法において、第１の活性層のエネルギーギャップは第２の活性層のエネルギーギャップよりも大きく、第２の活性層のエネルギーギャップは第３の活性層のエネルギーギャップよりも大きいことが好ましい。
【００６０】
このようにすると、第２のレーザ光は第１のレーザチップの内部を伝播する際に吸収されないと共に、第３のレーザ光は第１及び第２のレーザチップの内部を伝播する際に吸収されないので、第２及び第３のレーザ光は第１のレーザチップの前端面から確実に出射する。
【００６１】
第４の半導体レーザ装置の製造方法において、第１の活性層はガリウム及び窒素を含み、第２の活性層はインジウム及びリンを含み、第３の活性層はガリウム及びヒ素を含むことが好ましい。
【００６２】
このようにすると、第１のレーザ光が青色レーザ光となり、第２のレーザ光が赤色レーザ光となり、第３のレーザ光が赤外レーザ光となるため、発振波長が異なる３つのレーザ光を１つの発光スポット又は極めて接近した２つの発光スポットから出射させることができるので、規格が異なる３種類の光ディスクに対応できる３波長の半導体レーザ装置を実現できる。
【００６３】
第４の半導体レーザ装置の製造方法は、第２の工程よりも後に、第１のレーザチップの後端面と第２のレーザチップの前端面との間に、第１の活性層のストライプ領域の実効屈折率と、第２の活性層のストライプ領域の実効屈折率との間の屈折率を持つ第１の誘電体部材を充填する工程と、第２のレーザチップの後端面と第３のレーザチップの前端面との間に、第２の活性層のストライプ領域の実効屈折率と、第３の活性層のストライプ領域の実効屈折率との間の屈折率を持つ第２の誘電体部材を充填する工程とをさらに備えていることが好ましい。
【００６４】
このようにすると、第１のレーザチップと第２のレーザチップとの絶縁性及び第２のレーザチップと第３のレーザチップとの絶縁性が確実となる。また、各レーザ光と各レーザチップとの光の結合効率が向上するため、半導体レーザ装置の光学的特性が向上する。
【００６５】
【発明の実施の形態】
（第１の実施形態）
以下、本発明の第１の実施形態に係る半導体レーザ装置及びその製造方法について、図１及び図２を参照しながら説明する。尚、図１は第１の実施形態に係る半導体レーザ装置の斜視図であって、図２は図１におけるII−II線の断面図である。
【００６６】
図１及び図２に示すように、ｎ型ＧａＡｓ基板１００上の前方側の領域に、ＡｌＧａＩｎＰ層を有し６５０ｎｍ帯の発振波長を持つ第１の半導体積層構造１１０が形成されていると共に、ｎ型ＧａＡｓ基板１００上の後方側の領域に、ＡｌＧａＡｓ層を有し７８０ｎｍ帯の発振波長を持つ第２の半導体積層構造１２０が形成されている。
【００６７】
第１の半導体積層構造１１０は、ｎ型ＧａＡｓ基板１００上の前方側の領域に下側から順次形成された、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ層からなるｎ型クラッド層１１１、ＡｌＧａＩｎＰ層（障壁層）とＧａＩｎＰ層（井戸層）とが積層されてなる活性層１１２、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ層からなるｐ型の第１クラッド層１１３、ｎ型ＡｌＩｎＰ層からなる一対の電流ブロック層１１４、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ層からなるｐ型の第２クラッド層１１５及びｐ型ＧａＡｓ層からなるコンタクト層１１６により構成されている。第１の半導体積層構造１１０の上面には、例えばＣｒ／Ｐｔ／Ａｕの積層膜からなりコンタクト層１１６とオーミック接触する第１のｐ型電極１１７が形成されている。尚、活性層１１２は、レーザ光の発振波長が６５０ｎｍ帯になるように混晶の組成が選択されている。
【００６８】
第２の半導体積層構造１２０は、ｎ型ＧａＡｓ基板１００上の後方側の領域に下側から順次形成された、ｎ型ＡｌＧａＡｓ層からなるｎ型クラッド層１２１、ＡｌＧａＡｓ層（障壁層）とＧａＡｓ層（井戸層）とが積層されてなる活性層１２２、ｐ型ＡｌＧａＡｓ層からなるｐ型の第１のクラッド層１２３、ｎ型ＡｌＧａＡｓ層からなる一対の電流ブロック層１２４、ｐ型ＡｌＧａＡｓ層からなるｐ型の第２のクラッド層１２５及びｐ型ＧａＡｓ層からなるコンタクト層１２６により構成されている。第２の半導体積層構造１２０の上面には、例えばＣｒ／Ｐｔ／Ａｕの積層膜からなりコンタクト層１２６とオーミック接触する第２のｐ型電極１２７が形成されている。尚、活性層１２２は、レーザ光の発振波長が７８０ｎｍ帯になるように混晶の組成が選択されている。
【００６９】
第１の半導体積層構造１１０及び第２の半導体積層構造１２０の下面には、例えばＡｕ、Ｇｅ及びＮｉを含みｎ型ＧａＡｓ基板１００とオーミック接触するｎ型電極１３３が形成されている。
【００７０】
第１の半導体積層構造１１０と第２の半導体積層構造１２０との接合部における上部には、光導波路の方向と直交する方向に延びる溝部１３４が形成されており、該溝部１３４によって、第１の半導体積層構造１１０のコンタクト層１１６及び第１のｐ型電極１１７と、第２の半導体積層構造１２０のコンタクト層１２６及び第２のｐ型電極１２７とが電気的に絶縁されている。
【００７１】
第１の半導体積層構造１１０における一対の電流ブロック層１１４同士の間の領域の中心線と、第２の半導体積層構造１２０における一対の電流ブロック層１２４同士の間の領域の中心線とが一致していると共に、第１の半導体積層構造１１０のｎ型クラッド層１１１の厚さと第２の半導体積層構造１２０のｎ型クラッド層１２１の厚さとは等しく設定されている。これによって、第１の半導体積層構造１１０の活性層１１２のストライプ領域１１２ａの中心線と、第２の半導体積層構造１２０の活性層１２２のストライプ領域１２２ａの中心線とは一致している。
【００７２】
第１の半導体積層構造１１０と第２の半導体積層構造１２０とは境界面１３５において互いに接合している。第１の半導体積層構造１１０の前端面である前方劈開面１３１には、酸化シリコン、窒化シリコン又は酸化アルミニウム等の誘電体膜からなる無反射コーティング層１３６が形成されていると共に、第２の半導体積層構造１２０の後端面である後方劈開面１３２には、酸化シリコン、窒化シリコン又は酸化アルミニウム等の誘電体膜とアモルファスシリコン膜とが積層されてなる高反射コーティング層１３７が形成されている。尚、図１においては、図示の都合上、無反射コーティング層１３６及び高反射コーティング層１３７は省略している。
【００７３】
以下、第１の実施形態に係る半導体レーザ装置の動作について説明する。
【００７４】
まず、第１のｐ型電極１１７から電流を注入すると、電流はｐ型の第２クラッド層１１５における一対の電流ブロック層１１４同士の間の領域に狭窄され、活性層１１２のストライプ領域１１２ａにおいて６５０ｎｍ帯の発振波長を持つ第１のレーザ光が発振する。この場合、ＡｌＧａＩｎＰ層のエネルギーギャップはＡｌＧａＡｓ層のエネルギーギャップよりも大きいため、ＡｌＧａＡｓ層を有する活性層１２２は、ＡｌＧａＩｎＰ層を有する活性層１１２から発振する第１のレーザ光に対する吸収係数が大きい。このため、第１のレーザ光は活性層１１２のストライプ領域１１２ａにおいて前方劈開面１３１と境界面１３５とを共振器として発振するので、無反射コーティング層１３６が形成された前方劈開面１３１から６５０ｎｍ帯の波長を持つ第１のレーザ光が出射する。
【００７５】
また、第２のｐ型電極１２７から電流を注入すると、電流はｐ型の第２クラッド層１２５における一対の電流ブロック層１２４同士の間の領域に狭窄され、活性層１２２のストライプ領域１２２ａにおいて７８０ｎｍ帯の発振波長を持つ第２のレーザ光が発振する。この場合、第１の半導体積層構造１１０の活性層１１２のストライプ領域１１２ａの中心線と第２の半導体積層構造１２０の活性層１２２のストライプ領域１２２ａの中心線とが一致していると共に、ＡｌＧａＩｎＰ層を有する活性層１１２は、第２のレーザ光に対する吸収係数が小さくて第２のレーザ光に対して透明であるから、第２のレーザ光は前方劈開面１３１と後方劈開面１３２とを共振器として発振する。また、後方劈開面１３２には高反射コーティング層１３７が形成されているので、前方劈開面１３１から７８０ｎｍ帯の波長を持つ第２のレーザ光が出射する。
【００７６】
従って、前方劈開面１３１における１つの発光スポットから、波長が互いに異なる第１のレーザ光と第２のレーザ光とからなる２つのレーザ光を出射させることができる。
【００７７】
尚、第１の実施形態においては、第１の半導体積層構造１１０はＡｌＧａＩｎＰ層を有し、第２の半導体積層構造１２０はＡｌＧａＡｓ層を有していたが、これに代えて、前方側に位置しＡｌＧａＮ層を有する第１の半導体積層構造と、後方側に位置しＡｌＧａＩｎＰ層を有する第２の半導体積層構造とを組み合わせて、４００ｎｍ帯の青紫色レーザ光及び６５０ｎｍ帯の赤色レーザ光を出射させてもよいし、前方側に位置しＡｌＧａＮ層を有する第１の半導体積層構造と、後方側に位置しＡｌＧａＡｓ層を有する第２の半導体積層構造とを組み合わせて、４００ｎｍ帯の青紫色レーザ光及び７８０ｎｍ帯の赤外レーザ光を出射させてもよい。尚、２波長の半導体レーザ装置においては、波長が短いレーザ光を出射する半導体積層構造をレーザ光の出射側に配置することが好ましい。
【００７８】
以下、第１の実施形態に係る半導体レーザ装置の製造方法について説明する。
【００７９】
まず、第１の製造方法としては、ｎ型クラッド層１１１の厚さとｎ型クラッド層１２１の厚さとが等しい第１の半導体積層構造１１０及び第２の半導体積層構造１２０を別々に形成しておき、ｎ型ＧａＡｓ基板１００上の前方側の領域に第１の半導体積層構造１１０を半田材等により接合すると共に、ｎ型のＧａＡｓ基板１００上の後方側の領域に第２の半導体積層構造１２０を半田材等により接合する。この場合、第１の半導体積層構造１１０における一対の電流ブロック層１１４同士の間の領域の中心線と、第２の半導体積層構造１２０における一対の電流ブロック層１２４同士の間の領域の中心線とを一致させる。このようにすると、第１の半導体積層構造１１０の活性層１１２のストライプ領域１１２ａの中心線と、第２の半導体積層構造１２０の活性層１２２のストライプ領域１２２ａの中心線とが一致する。尚、第１の製造方法においては、第１の半導体積層構造１１０及び第２の半導体積層構造１２０は、いずれも結晶成長させる必要が無いため、ｎ型ＧａＡｓ基板１００に代えて、導電性の基板例えばシリコン基板を用いてもよい。
【００８０】
第２の製造方法としては、ｎ型ＧａＡｓ基板１００の上に全面に亘って第１の半導体積層構造１１０を形成すると共に、第２の半導体積層構造１２０を別途に形成しておき、第１の半導体積層構造１１０における後方側の領域をエッチングにより除去した後に、該後方側の領域に第２の半導体積層構造１２０を接合するか、又は、ｎ型ＧａＡｓ基板１００の上に全面に亘って第２の半導体積層構造１２０を形成すると共に、第１の半導体積層構造１１０を別途に形成しておき、第２の半導体積層構造１２０における前方側の領域をエッチングにより除去した後に、該前方側の領域に第１の半導体積層構造１１０を接合する。
【００８１】
（第２の実施形態）
以下、本発明の第２の実施形態に係る半導体レーザ装置について、図３を参照しながら説明する。
【００８２】
図３に示すように、ｎ型ＧａＡｓ基板２００上の前方側の領域に、ＡｌＧａＮ層を有し４００ｎｍ帯の発振波長を持つ第１の半導体積層構造２１０が形成され、ｎ型のＧａＡｓ基板２００上の中央の領域に、ＡｌＧａＩｎＰ層を有し６５０ｎｍ帯の発振波長を持つ第２の半導体積層構造２２０が形成され、ｎ型のＧａＡｓ基板２００上の後方側の領域に、ＡｌＧａＡｓ層を有し７８０ｎｍ帯の発振波長を持つ第３の半導体積層構造２３０が形成されている。尚、図３においては、ｐ型電極、コンタクト層及びｎ型電極を省略して示している。
【００８３】
第１の半導体積層構造２１０は、レーザ光の発振波長が４００ｎｍ帯になるように混晶の組成が選択された活性層２１１を有し、第２の半導体積層構造２２０は、レーザ光の発振波長が６５０ｎｍ帯になるように混晶の組成が選択された活性層２２１を有し、第３の半導体積層構造２３０は、レーザ光の発振波長が７８０ｎｍ帯になるように混晶の組成が選択された活性層２３１を有している。
【００８４】
また、第１の半導体積層構造２１０における前方劈開面２４１には無反射コーティング層２４３が形成されていると共に、第３の半導体積層構造２３０における後方劈開面２４２には高反射コーティング層２４４が形成されている。
【００８５】
第２の実施形態においては、第１の半導体積層構造２１０、第２の半導体積層構造２２０及び第３の半導体積層構造２３０の順につまり前方側から順に、活性層のエネルギーギャップが大きくなっているため、第１の半導体積層構造２１０の活性層２１１においては、４００ｎｍ帯の波長を持つ青紫色レーザ光が前方劈開面２４１と第１の境界面２４５とを共振器として発振し、第２の半導体積層構造２２０の活性層２２１においては、６５０ｎｍ帯の波長を持つ赤色レーザ光が前方劈開面２４１と第２の境界面２４６とを共振器として発振し、第３の半導体積層構造２３０の活性層２３１においては、７８０ｎｍ帯の波長を持つ赤外レーザ光が前方劈開面２４１と後方劈開面２４２とを共振器として発振する。また、前方劈開面２４１に無反射コーティング層２４３が形成されていると共に、後方劈開面２４２に高反射コーティング層２４４が形成されているため、前方劈開面２４１から、４００ｎｍ帯の波長を持つ青紫色レーザ光、６５０ｎｍ帯の波長を持つ赤色レーザ光及び７８０ｎｍ帯の波長を持つ赤外レーザ光がそれぞれ出射する。
【００８６】
（第３の実施形態）
以下、本発明の第３の実施形態に係る半導体レーザ装置について、図４及び図５を参照しながら説明する。尚、図４は第３の実施形態に係る半導体レーザ装置斜視図であって、図５は図４におけるＶ−Ｖ線の断面図である。
【００８７】
図４及び図５に示すように、ｎ型ＧａＡｓ基板３００上の前方側の領域に、ＡｌＧａＩｎＰ層を有し６５０ｎｍ帯の発振波長を持つ第１の半導体積層構造３１０が形成されていると共に、ｎ型ＧａＡｓ基板１００上の後方側の領域に、ＡｌＧａＡｓ層を有し７８０ｎｍ帯の発振波長を持つ第２の半導体積層構造３２０が形成されている。尚、第１の半導体積層構造３１０の後端部には、ＡｌＧａＩｎＰ層を有する積層体からなる側壁成長部３３８が形成されている。
【００８８】
第１の半導体積層構造３１０は、ｎ型ＧａＡｓ基板３００上の前方側の領域に下側から順次形成された、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ層からなるｎ型クラッド層３１１、ＡｌＧａＩｎＰ層（障壁層）とＧａＩｎＰ層（井戸層）とが積層されてなる活性層３１２、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ層からなるｐ型の第１クラッド層３１３、ｎ型ＡｌＩｎＰ層からなる一対の電流ブロック層３１４、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ層からなるｐ型の第２クラッド層３１５及びｐ型ＧａＡｓ層からなるコンタクト層３１６により構成されている。第１の半導体積層構造３１０の上面には、コンタクト層３１６とオーミック接触する第１のｐ型電極３１７が形成されている。尚、活性層３１２は、レーザ光の発振波長が６５０ｎｍ帯になるように混晶の組成が選択されている。
【００８９】
第２の半導体積層構造３２０は、ｎ型ＧａＡｓ基板３００上の後方側の領域に下側から順次形成された、ｎ型ＡｌＧａＡｓ層からなるｎ型クラッド層３２１、ＡｌＧａＡｓ層（障壁層）とＧａＡｓ層（井戸層）とが積層されてなる活性層３２２、ｐ型ＡｌＧａＡｓ層からなるｐ型の第１クラッド層３２３、ｎ型ＡｌＧａＡｓ層からなる一対の電流ブロック層３２４、ｐ型ＡｌＧａＡｓ層からなるｐ型の第２クラッド層３２５及びｐ型ＧａＡｓ層からなるコンタクト層３２６により構成されている。第２の半導体積層構造３２０の上面には、コンタクト層３２６とオーミック接触する第２のｐ型電極３２７が形成されている。尚、活性層３２２は、レーザ光の発振波長が７８０ｎｍ帯になるように混晶の組成が選択されている。
【００９０】
第１の半導体積層構造３１０及び第２の半導体積層構造３２０の下面には、ｎ型ＧａＡｓ基板３００とオーミック接触するｎ型電極３３３が形成されている。
【００９１】
第１の半導体積層構造３１０と第２の半導体積層構造３２０とは境界面３３５において互いに接合している。第１の半導体積層構造３１０と第２の半導体積層構造３２０との接合部の上部には、光導波路が延びる方向と直交する方向に延びる溝部３３４が形成されており、該溝部３３４によって、第１の半導体積層構造３１０のコンタクト層３１６及び第１のｐ型電極３１７と、第２の半導体積層構造３２０のコンタクト層３２６及び第２のｐ型電極３２７とが電気的に絶縁されている。尚、側壁成長部３３８は溝部３３４の底面から突出している。
【００９２】
第１の半導体積層構造３１０の前方劈開面３３１には無反射コーティング層３３６が形成されていると共に、第２の半導体積層構造３２０の後方劈開面３３２には高反射コーティング層３３７が形成されている。
【００９３】
第１の半導体積層構造３１０における一対の電流ブロック層３１４同士の間の領域の中心線と、第２の半導体積層構造３２０における一対の電流ブロック層３２４同士の間の領域の中心線とが一致していると共に、第１の半導体積層構造３１０のｎ型クラッド層３１１の厚さと第２の半導体積層構造３２０のｎ型クラッド層３２１の厚さとは等しく設定されている。これによって、第１の半導体積層構造３１０の活性層３１２のストライプ領域３１２ａの中心線と、第２の半導体積層構造３２０の活性層３２２のストライプ領域３２２ａの中心線とは一致している。
【００９４】
以下、第３の実施形態に係る半導体レーザ装置の動作について説明する。
【００９５】
まず、第１のｐ型電極３１７から電流を注入すると、電流はｐ型の第２クラッド層３１５における一対の電流ブロック層３１４同士の間の領域に狭窄され、活性層の３１２のストライプ領域３１２ａにおいて６５０ｎｍ帯の発振波長を持つ第１のレーザ光が発振する。この場合、第１のレーザ光は、活性層３１２のストライプ領域３１２ａにおいて前方劈開面３３１と境界面３３５とを共振器として発振するが、側壁成長部３３８の幅寸法は共振器長に比べて非常に小さいため、側壁成長部３３８の影響は無視することができる。従って、無反射コーティング層３３６が形成されている前方劈開面３３１から６５０ｎｍ帯の波長を持つ第１のレーザ光が出射する。
【００９６】
また、第２のｐ型電極３２７から電流を注入すると、電流はｐ型の第２クラッド層３２５における一対の電流ブロック層３２４同士の間の領域に狭窄され、活性層３２２のストライプ領域３２２ａにおいて７８０ｎｍ帯の発振波長を持つ第１のレーザ光が発振する。第１の半導体積層構造３１０の活性層３１２のストライプ領域３１２ａの中心線と、第２の半導体積層構造３２０の活性層３２２のストライプ領域３２２ａの中心線とが一致していると共に、ＡｌＧａＩｎＰ層を有する活性層３１２は、第２のレーザ光に対する吸収係数が小さくて第２のレーザ光に対して透明であるため、第２のレーザ光は前方劈開面３３１と後方劈開面３３２とを共振器として発振する。また、後方劈開面３３２には高反射コーティング層３３７が形成されているので、前方劈開面３３１から７８０ｎｍ帯の波長を持つ第２のレーザ光が出射する。
【００９７】
従って、前方劈開面３３１における１つの発光スポットから、異なる波長を持つ第１のレーザ光及び第２のレーザ光よりなる２つのレーザ光を出射させることができる。
【００９８】
尚、第３の実施形態においては、第１の半導体積層構造３１０はＡｌＧａＩｎＰ層を有し、第２の半導体積層構造３２０はＡｌＧａＡｓ層を有していたが、これに代えて、前方側に位置しＡｌＧａＮ層を有する第１の半導体積層構造と、後方側に位置しＡｌＧａＩｎＰ層を有する第２の半導体積層構造とを組み合わせて、４００ｎｍ帯の青紫色レーザ光及び６５０ｎｍ帯の赤色レーザ光を出射させてもよいし、前方側に位置しＡｌＧａＮ層を有する第１の半導体積層構造と、後方側に位置しＡｌＧａＡｓ層を有する第２の半導体積層構造とを組み合わせて、４００ｎｍ帯の青紫色レーザ光及び７８０ｎｍ帯の赤外レーザ光を出射させてもよい。尚、２波長の半導体レーザ装置においては、波長が短いレーザ光を出射する半導体積層構造をレーザ光の出射側に配置することが好ましい。
【００９９】
以下、第３の実施形態に係る半導体レーザ装置の製造方法について、図６（ａ）、（ｂ）、図７（ａ）、（ｂ）、図８（ａ）、（ｂ）及び図９（ａ）、（ｂ）、図１０（ａ）、（ｂ）及び図１１（ａ）、（ｂ）を参照しながら説明する。
【０１００】
まず、図６（ａ）及び（ｂ）に示すように、ｎ型ＧａＡｓ基板３００の上に、ＭＯＣＶＤ法又はＭＢＥ法により、ｎ型ＡｌＧａＡｓ層からなるｎ型クラッド層３２１、ＡｌＧａＡｓ層とＧａＡｓ層とが積層されてなる活性層３２２、ｐ型ＡｌＧａＡｓ層からなるｐ型の第１クラッド層３２３及びｎ型ＡｌＧａＡｓ層からなる電流ブロック層３２４を順次成長させる。
【０１０１】
次に、図７（ａ）及び（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィ及びエッチングにより、電流ブロック層３２４に光導波路方向に延びる溝部をｐ型の第１クラッド層３２３が露出するように形成した後、ＭＯＣＶＤ法又はＭＢＥ法により、ｐ型の第１クラッド層３２３及び一対の電流ブロック層３２４の上に、ｐ型ＡｌＧａＡｓ層からなるｐ型の第２クラッド層３２５及びｐ型ＧａＡｓ層からなるコンタクト層３２６を順次成長させて、第１の暫定半導体積層構造３４０を形成する。
【０１０２】
次に、図８（ａ）及び（ｂ）に示すように、第１の暫定半導体積層構造３４０における前方側の部分をｎ型ＧａＡｓ基板３００が露出するまでエッチングにより除去して、第１の暫定半導体積層構造３４０の後方側の部分からなる第２の半導体積層構造３２０を形成する。
【０１０３】
次に、図９（ａ）及び（ｂ）に示すように、ＭＯＣＶＤ法又はＭＢＥ法により、ｎ型ＧａＡｓ基板３００における前方側の領域及び第２の半導体積層構造３２０の上に、ｎ型クラッド層３２１と同じ厚さを持つｎ型のＡｌＧａＩｎＰ層からなるｎ型クラッド層３１１、ＡｌＧａＩｎＰ層とＧａＩｎＰ層とが積層されてなる活性層３１２、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ層からなるｐ型の第１クラッド層３１３及びｎ型ＡｌＩｎＰ層からなる電流ブロック層３１４を順次成長させた後、電流ブロック層３１４に光導波路方向に延びる溝部をｐ型の第１クラッド層３１３が露出するように形成し、その後、再びＭＯＣＶＤ法又はＭＢＥ法を行なって、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ層からなるｐ型の第２クラッド層３１５及びｐ型ＧａＡｓ層からなるコンタクト層３１６を成長させて、第２の暫定半導体積層構造３５０を形成する。
【０１０４】
次に、図１０（ａ）及び（ｂ）に示すように、第２の暫定半導体積層構造３５０における第２の半導体積層構造３２０よりも上側部分をエッチングにより除去して、第２の暫定半導体積層構造３５０の前方側の部分からなる第１の半導体積層構造３１０を形成する。このようにすると、第１の半導体積層構造３１０における第２の半導体積層構造３２０側の後端部に、ＡｌＧａＩｎＰを有する積層体からなる側壁成長部３３８が残存する。尚、側壁成長部３３８は、第２の半導体積層構造３２０の前端面との間における、結晶成長面の面方位の相違から極めて薄くにしか形成されない。
【０１０５】
次に、図１１（ａ）及び（ｂ）に示すように、第１の半導体積層構造３１０のコンタクト層３１６と第２の半導体積層構造３２０のコンタクト層３２６との接合部に、光導波路が延びる方向と直交する方向に延びる溝部３３４を形成した後、コンタクト層３１６の上に第１のｐ型電極３１７を形成し且つコンタクト層３２６の上に第２のｐ型電極３２７を形成する。また、ｎ型ＧａＡｓ基板３００の下面にｎ型電極３３３を形成する。その後、第１の半導体積層構造３１０の前方劈開面３３１に無反射コーティング層３３６を形成すると共に、第２の半導体積層構造３２０の後方劈開面３３２に高反射コーティング層３３７を形成する。
【０１０６】
尚、第３の実施形態に係る半導体レーザ装置の製造方法においては、ｎ型ＧａＡｓ基板３００上に全面に亘って、第２の半導体積層構造３２０と同じ積層構造を有する第１の暫定半導体積層構造３４０を成長させた後、該第１の暫定半導体積層構造３４０の前方側の部分を除去して、ｎ型ＧａＡｓ基板３００上の後方側の領域に第２の半導体積層構造３２０を形成し、次に、ｎ型ＧａＡｓ基板３００上の前方側の領域及び第２の半導体積層構造３２０の上に全面に亘って、第１の半導体積層構造３１０と同じ積層構造を有する第２の暫定半導体積層構造３５０を成長させた後、該第２の暫定半導体積層構造３５０における第２の半導体積層構造３２０よりも上側の部分を除去して、ｎ型ＧａＡｓ基板３００上の前方側の領域に第１の半導体積層構造３１０を形成したが、これに代えて、ｎ型ＧａＡｓ基板３００上に全面に亘って、第１の半導体積層構造３１０と同じ積層構造を有する第１の暫定半導体積層構造を成長させた後、該第１の暫定半導体積層構造の後方側の部分を除去して、ｎ型ＧａＡｓ基板３００上の前方側の領域に第１の半導体積層構造３１０を形成し、次に、ｎ型ＧａＡｓ基板３００上の後方側の領域及び第１の半導体積層構造３１０の上に全面に亘って、第２の半導体積層構造３２０と同じ積層構造を有する第２の暫定半導体積層構造を成長させた後、該第２の暫定半導体積層構造における第１の半導体積層構造３１０よりも上側の部分を除去して、ｎ型ＧａＡｓ基板３００上の後方側の領域に第２の半導体積層構造３２０を形成してもよい。
【０１０７】
（第３の実施形態の第１変形例）
以下、本発明の第３の実施形態の第１変形例に係る半導体レーザ装置について、図１２及び図１３を参照しながら説明する。尚、図１２は第３の実施形態の第１変形例に係る半導体レーザ装置の斜視図であって、図１３は図１２におけるＸIII−ＸIII線の断面図である。
【０１０８】
尚、第３の実施形態の第１変形例においては、図４及び図５を参照しながら説明した第３の実施形態と同一の部材については同一の符号を付すことにより、説明を省略する。
【０１０９】
第３の実施形態の第１変形例の特徴として、図１２及び図１３に示すように、側壁成長部３３８は溝部３３４の底面から突出しておらず、側壁成長部３３８の上面と溝部３３４の底面とが面一である。
【０１１０】
側壁成長部３３８における溝部３３４の底面から突出する部分は、第１の半導体積層構造３１０のコンタクト層３１６と第２の半導体積層構造３２０のコンタクト層３２６との接合部に溝部３３４を形成する工程（図１１（ａ）、（ｂ）を参照）においてエッチングにより除去されている。
【０１１１】
（第３の実施形態の第２変形例）
以下、第３の実施形態の第２変形例に係る半導体レーザ装置及びその製造方法について、図１４（ａ）及び（ｂ）を参照しながら説明する。尚、図１４（ａ）は第３の実施形態の第２変形例に係る半導体レーザ装置の斜視図であり、図１４（ｂ）は図１４（ａ）におけるＸIVｂ−ＸIVｂ線の断面図である。
【０１１２】
尚、第３の実施形態の第２変形例においては、図４及び図５を参照しながら説明した第３の実施形態と同一の部材については同一の符号を付すことにより、説明を省略する。
【０１１３】
第３の実施形態の第２変形例の特徴として、図１４（ａ）及び（ｂ）に示すように、第１の半導体積層構造３１０と第２の半導体積層構造３２０との接合部には、光導波路の方向と直交する方向に延び且つＴ字状の断面を有する溝部３３４Ａが形成されており、該溝部３３４Ａには、屈折率整合樹脂、酸化シリコン又は窒化シリコン等からなる誘電体部材３３９が充填されている。これにより、第１の半導体積層構造３１０と第２の半導体積層構造３２０とが電気的に絶縁されている。
【０１１４】
ところで、赤色レーザ光を発振する第１の半導体積層構造３１０は、赤外レーザ光を発振する第２の半導体積層構造３２０よりも発振のしきい値電流が大きいため、第１の半導体積層構造３１０の動作時には、第１の半導体積層構造３１０から第２の半導体積層構造３２０に、僅かではあるが無効電流が流れる恐れがある。しかしながら、第２変形例においては、第１の半導体積層構造３１０と第２の半導体積層構造３２０との接合部に絶縁性の誘電体部材３３９が介在しているため、無効電流が流れなくなる。
【０１１５】
誘電体部材３３９の屈折率としては、第１の半導体積層構造３１０における活性層３１２のストライプ領域３１２ａの実効屈折率と、第２の半導体積層構造３２０における活性層３２２のストライプ領域３２２ａの実効屈折率との間の値であることが好ましい。
【０１１６】
このようにすると、第１の半導体積層構造３１０の活性層３１２から出射される第１のレーザ光と第２の半導体積層構造３２０の活性層３２２との光の結合効率が向上すると共に、第２の半導体積層構造３２０の活性層３２２から出射される第２のレーザ光と第１の半導体積層構造３１０の活性層３１２との光の結合効率が向上するため、半導体レーザ装置の光学的特性が向上する。
【０１１７】
尚、第３の実施形態の第２変形例に係る半導体レーザ装置を製造するには、第１の半導体積層構造３１０のコンタクト層３１６と第２の半導体積層構造３２０のコンタクト層３２６との接合部に溝部３３４を形成した後（図１３を参照）、側壁成長部３３８をエッチングにより除去してＴ字状の溝部３３４Ａを形成し、その後、Ｔ字状の溝部３３４Ａに誘電体部材３３９を充填する。
【０１１８】
（第４の実施形態）
本発明の第４の実施形態に係る半導体レーザ装置について、図１５（ａ）及び（ｂ）を参照しながら説明する。尚、図１５（ａ）は第４の実施形態に係る半導体レーザ装置の斜視図であり、図１５（ｂ）は図１５（ａ）におけるＸＶｂ−ＸＶｂ線の断面図である。
【０１１９】
図１５（ａ）及び（ｂ）に示すように、ｎ型ＧａＡｓ基板４００上の前方側の領域には、ＡｌＧａＩｎＰ層を有し６５０ｎｍ帯の発振波長を持つ第１の半導体積層構造４１０が形成されており、ｎ型ＧａＡｓ基板４００上の後方側の領域には、ＡｌＧａＡｓ層を有し７８０ｎｍ帯の発振波長を持つ第２の半導体積層構造４２０が形成されている。
【０１２０】
第１の半導体積層構造４１０は、ｎ型ＧａＡｓ基板４００上におけるレーザ光の出射方向の前方側の領域に順次形成された、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ層からなるｎ型クラッド層４１１、ＡｌＧａＩｎＰ層（障壁層）とＧａＩｎＰ層（井戸層）とが積層されてなる活性層４１２、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ層からなる第１のｐ型クラッド層４１３、一対のｎ型ＡｌＩｎＰ層からなる電流ブロック層４１４、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ層からなる第２のｐ型クラッド層４１５及びｐ型ＧａＡｓ層からなるコンタクト層４１６により構成されている。コンタクト層４１６の上面には、該コンタクト層４１６とオーミック接触する第１のｐ側電極４１７が形成されている。活性層４１２はレーザ光の発振波長がほぼ６５０ｎｍ帯となるように混晶の組成が設定されている。
【０１２１】
第２の半導体積層構造４２０は、ｎ型ＧａＡｓ基板４００上におけるレーザ光の出射方向の後方側の領域に順次形成された、ｎ型ＡｌＧａＡｓ層からなるｎ型クラッド層４２１、ＡｌＧａＡｓ層（障壁層）とＧａＡｓ層（井戸層）とが積層されてなる活性層４２２、ｐ型ＡｌＧａＡｓ層からなる第１のｐ型クラッド層４２３、一対のｎ型ＡｌＧａＡｓ層からなる電流ブロック層４２４、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ層からなる第２のｐ型クラッド層４２５及びｐ型ＧａＡｓ層からなるコンタクト層４２６により構成されている。コンタクト層４２６の上面には、該コンタクト層４２６とオーミック接触する第２のｐ側電極４２７が第１のｐ側電極４１７と間隔をおいて形成されている。活性層４２２はレーザ光の発振波長がほぼ７８０ｎｍ帯となるように混晶の組成が設定されている。
【０１２２】
ｎ型ＧａＡｓ基板４００の下面には、該基板４００とオーミック接触するｎ側電極４３３が形成されている。
【０１２３】
第１の半導体積層構造４１０における活性層４１２の前方劈開面４３１には、酸化シリコン、窒化シリコン又は酸化アルミニウム等の誘電体膜からなる無反射コート膜４３６が形成されている。第２の半導体積層構造４２０における活性層４２２の後方劈開面４３２には、酸化シリコン、窒化シリコン又は酸化アルミニウム等の誘電体膜とアモルファスシリコン等とが積層されてなる高反射コート膜４３７が形成されている。
【０１２４】
第４の実施形態の第１の特徴として、第１の半導体積層構造４１０のｎ型クラッド層４１１の厚さは、第２の半導体積層構造４２０のｎ型クラッド層４２１の厚さよりも大きい。これにより、第１の半導体積層構造４１０の活性層４１２のストライプ領域４１２ａは、第２の半導体積層構造４２０の活性層４２２のストライプ領域４２２ａよりも上側に位置している。
【０１２５】
より具体的には、第１の半導体積層構造４１０のｎ型クラッド層４１１の膜厚は、第２の半導体積層構造４２０のｎ型クラッド層４２１、活性層４２２及び第１のｐ型クラッド層４２３の合計厚さよりも大きく、且つ、第１の半導体積層構造４１０のｎ型クラッド層４１１、活性層４１２及び第１のｐ型クラッド層４１３の合計厚さは、第２の半導体積層構造４２０のｎ型クラッド層４２１、活性層４２２、第１のｐ型クラッド層４２３及び第２のｐ型クラッド層４２５の合計厚さよりも小さい。その結果、第１の半導体積層構造４１０の活性層４１２のストライプ領域４１２ａの後端面は、第２の半導体積層構造４２０の第２のｐ型クラッド層４２５の前端面と接合する。
【０１２６】
第４の実施形態の第２の特徴として、第１の半導体積層構造４１０の第２のｐ型クラッド層４１５と、第２の半導体積層構造４２０の第２のｐ型クラッド層４２５との組成は同一である。
【０１２７】
以下、第４の実施形態に係る半導体レーザ装置の動作を説明する。
【０１２８】
まず、第１のｐ側電極４１７から電流を注入すると、注入された電流は第２のｐ型クラッド層４１５における一対の電流ブロック層４１４同士の間の領域に狭窄され、ストライプ領域４１２ａにおいて６５０ｎｍ帯の発振波長を持つ第１のレーザ光が発振する。
【０１２９】
第１の半導体積層構造４１０の第２のｐ型クラッド層４１５の組成と第２の半導体積層構造４２０の第２のｐ型クラッド層４２５の組成とが同一であるため、境界面４３５においては、屈折率及び吸収係数の差に起因するレーザ光の反射は生じない。このため、第１のレーザ光は、前方劈開面４３１と後方劈開面４３２とを実質的な共振器として発振し、無反射コート膜４３６が形成されている前方劈開面４３１から６５０ｎｍ帯の波長を持つレーザ光として出射する。
【０１３０】
このように、第２の半導体積層構造４２０の第２のｐ型クラッド層４２５のエネルギーギャップは、第１の半導体積層構造４１０の活性層４１２のエネルギーギャップよりも大きいため、第２のｐ型クラッド層４２５は第１のレーザ光に対して透明になるので、第２の半導体積層構造４２０において光吸収損失は生じない。
【０１３１】
尚、第４の実施形態においては、第１の半導体積層構造４１０の第２のｐ型クラッド層４１５の組成と、第２の半導体積層構造４２０の第２のｐ型クラッド層４２５の組成とを同一にしたが、これに限らず、第２のｐ型クラッド層４２５のエネルギーギャップを、第１の半導体積層構造４１０の活性層４１２のエネルギーギャップよりも大きくなるようにすればよい。
【０１３２】
また、第２のｐ側電極４２７から電流を注入すると、注入された電流は第２のｐ型クラッド層４２５における一対の電流ブロック層４２４同士の間の領域に狭窄され、ストライプ領域４２２ａにおいて７８０ｎｍ帯の発振波長を持つ第２のレーザ光が発振する。
【０１３３】
第２の半導体積層構造４２０の活性層４２２のストライプ領域４２２ａの前端面は、第１の半導体積層構造４１０のｎ型クラッド層４１１の後方面と接合している。また、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ層からなるｎ型クラッド層４１１は第２のレーザ光に対して透明であるため、第２のレーザ光は、前方劈開面４３１と後方劈開面４３２とを共振器として発振する。また、後方劈開面４３２には高反射コート膜４３７が形成されているので、前方劈開面４３１から７８０ｎｍ帯の波長を持つ第２のレーザ光が出射する。
【０１３４】
従って、第４の実施形態によると、前方劈開面４３１における活性層４１２のストライプ領域４１２ａが第１のレーザ光の発光スポットとなり、前方劈開面４３１における活性層４１２のストライプ領域４１２ａの下側に第２の発光スポットが形成されるため、上下に近接する２つの発光スポットを有する２波長の半導体レーザ装置が実現できる。この場合、第１の発光スポットと第２の発光スポットとのピッチは、第１の半導体積層構造と第２の半導体積層構造とが横方向に並列される２波長の半導体レーザ装置における発光スポットのピッチに比べると、極めて小さい。
【０１３５】
尚、第４の実施形態においては、第１の半導体積層構造４１０の活性層４１２の基板面からの位置は、第２の半導体積層構造４２０の活性層４２２の基板面からの位置よりも上であったが、これに代えて、第２の半導体積層構造４２０の活性層４２２の位置を、第１の半導体積層構造４１０の活性層４１２の位置よりも上にしてもよい。この場合には、第２の半導体積層構造４２０における第１の半導体積層構造４１０の活性層４１２と対向する半導体層の組成を、第１の半導体積層構造４１０のｎ型クラッド層４１１とほぼ同一にすればよい。
【０１３６】
また、第４の実施形態においては、第１の半導体積層構造４１０はＡｌＧａＩｎＰ層を有し、第２の半導体積層構造４２０はＡｌＧａＡｓ層を有していたが、これに代えて、前方側に位置しＡｌＧａＮ層を有する第１の半導体積層構造と、後方側に位置しＡｌＧａＩｎＰ層を有する第２の半導体積層構造とを組み合わせて、４００ｎｍ帯の青紫色レーザ光及び６５０ｎｍ帯の赤色レーザ光を出射させてもよいし、前方側に位置しＡｌＧａＮ層を有する第１の半導体積層構造と、後方側に位置しＡｌＧａＡｓ層を有する第２の半導体積層構造とを組み合わせて、４００ｎｍ帯の青紫色レーザ光及び７８０ｎｍ帯の赤外レーザ光を出射させてもよい。尚、２波長の半導体レーザ装置においては、波長が短いレーザ光を出射する半導体積層構造をレーザ光の出射側に配置することが好ましい。
【０１３７】
以下、第４の実施形態に係る半導体レーザ装置の製造方法について説明する。
【０１３８】
第１の製造方法は、ｎ型クラッド層４１１の厚さがｎ型クラッド層４２１の厚さよりも大きくなるように、第１の半導体積層構造４１０及び第２の半導体積層構造４２０を別々に作製しておく。その後、ｎ型ＧａＡｓ基板４００上の前方側の領域に第１の半導体積層構造４１０を半田材等により固着すると共に、ｎ型ＧａＡｓ基板４００上の後方側の領域に第２の半導体積層構造４２０を半田材等により固着すると共に、第１の半導体積層構造４１０と第２の半導体積層構造４２０とを境界面４３５で接合する。この場合、第１の半導体積層構造４１０の活性層４１２のストライプ領域４１２ａの中心線と、第２の半導体積層構造４２０の活性層４２２のストライプ領域４２２ａの中心線とを一致させる。尚、第１の製造方法においては、第１及び第２の半導体積層構造４１０、４２０はｎ型ＧａＡｓ基板４００の上に結晶成長させる必要がないので、ｎ型ＧａＡｓ基板４００に代えて、導電性の基板を用いてもよい。
【０１３９】
第２の製造方法は、ｎ型ＧａＡｓ基板４００の上に全面に亘って第１の半導体積層構造４１０を形成すると共に、第２の半導体積層構造４２０を別途に形成しておき、第１の半導体積層構造４１０における後方側の領域をエッチングにより除去した後に、該後方側の領域に第２の半導体積層構造４２０を接合するか、又は、ｎ型ＧａＡｓ基板４００の上に全面に亘って第２の半導体積層構造４２０を形成すると共に、第１の半導体積層構造４１０を別途に形成しておき、第２の半導体積層構造４２０における前方側の領域をエッチングにより除去した後に、該前方側の領域に第１の半導体積層構造４１０を接合する。この場合、第１の半導体積層構造４１０の活性層４１２のストライプ領域４１２ａの中心線と、第２の半導体積層構造４２０の活性層４２２のストライプ領域４２２ａの中心線とを一致させる。
【０１４０】
（第５の実施形態）
以下、本発明の第５の実施形態に係る半導体レーザ装置について、図１６（ａ）及び（ｂ）を参照しながら説明する。尚、図１６（ａ）は第５の実施形態に係る半導体レーザ装置の斜視図であり、図１６（ｂ）は図１６（ａ）におけるＸVIｂ−ＸVIｂ線の断面図である。
【０１４１】
図１６（ａ）及び（ｂ）に示すように、例えば、導電性を持つシリコンからなる基板５００上におけるレーザ光の出射方向の前方側の領域に、ＡｌＧａＩｎＰ層を有し６５０ｎｍ帯の発振波長を持つ第１の半導体積層構造５１０が設けられ、基板５００上におけるレーザ光の出射方向の後方側の領域に、ＡｌＧａＡｓ層を有し７８０ｎｍ帯の発振波長を持つ第２の半導体積層構造５２０が第１の半導体積層構造５１０との間に空隙部５３４を介して設けられている。
【０１４２】
第１の半導体積層構造５１０は、レーザ光の発振波長が６５０ｎｍ帯となるように混晶の組成が設定された活性層５１２を有しており、第１の半導体積層構造５１０の前端面には無反射コート膜５３６が形成されていると共に、第１の半導体積層構造５１０の後端面には、無反射コート膜５３６よりも反射率が大きい第１の端面コート膜５３８が形成されている。
【０１４３】
第２の半導体積層構造５２０は、レーザ光の発振波長が７８０ｎｍ帯となるように混晶の組成が設定された活性層５２２を有しており、第２の半導体積層構造５２０の後端面には高反射コート膜５３７が形成されていると共に、第２の半導体積層構造５２０の前端面には高反射コート膜５３７よりも反射率が小さい第２の端面コート膜５３９が形成されている。
【０１４４】
第５の実施形態においては、第１の半導体積層構造５１０における一対の電流ブロック層同士の間の領域の中心線と、第２の半導体積層構造５２０における一対の電流ブロック層同士の間の領域の中心線とが一致していると共に、第１の半導体積層構造５１０のｎ型クラッド層の厚さと第２の半導体積層構造５２０のｎ型クラッド層の厚さとは等しく設定されている。これにより、第１の半導体積層構造５１０の活性層５１２のストライプ領域の中心線と、第２の半導体積層構造５２０の活性層５２２のストライプ領域の中心線とは一致している。
【０１４５】
以下、第５の実施形態に係る半導体レーザ装置の動作について説明する。
【０１４６】
まず、第１の半導体積層構造５１０に電流を注入した場合には、第１の半導体積層構造５１０の活性層５１２において６５０ｎｍ帯の発振波長を持つ第１のレーザ光が、活性層５１２における無反射コート膜５３６と第１の端面コート膜５３８とを共振器端面として発振して、無反射コート膜５３６から出射する。
【０１４７】
また、第２の半導体積層構造５２０に電流を注入した場合は、第２の半導体積層構造５２０の活性層５２２において７８０ｎｍ帯の発振波長を持つ第２のレーザ光が、活性層５２２における第２の端面コート膜５３９と高反射コート膜５３７とを共振器端面として発振して、第２の端面コート膜５３９から出射する。
【０１４８】
従って、第５の実施形態によると、第２のレーザ光は第１の半導体積層構造５１０の活性層５１２からなるストライプ状の光導波路を伝播し、無反射コート膜５３６における、第１の半導体積層構造５１０の光導波路により決定される発光スポットから出射する。その結果、１つの発光スポットから、第１のレーザ光及び第２のレーザ光が出射する２波長の半導体レーザ装置を実現できる。
【０１４９】
尚、第５の実施形態においては、第１の半導体積層構造５１０の活性層５１２のストライプ領域の中心線と、第２の半導体積層構造５２０の活性層５２２のストライプ領域の中心線とが一致している場合について説明したが、第４の実施形態のように、第１の半導体積層構造５１０の活性層５１２のストライプ領域の中心線が、第２の半導体積層構造５２０の活性層５２２のストライプ領域の中心線に対して上側又は下側に位置していてもよい。この場合でも、前方側に位置する第１の半導体積層構造５１０が、第２のレーザ光に対して透明であれば、上下に位置し且つ互いに近接する２つの発光スポットから、互いに波長が異なる２つのレーザ光を発振させることができる。
【０１５０】
尚、第５の実施形態においては、第１の半導体積層構造５１０はＡｌＧａＩｎＰ層を有し、第２の半導体積層構造５２０はＡｌＧａＡｓ層を有していたが、これに代えて、前方側に位置しＡｌＧａＮ層を有する第１の半導体積層構造と、後方側に位置しＡｌＧａＩｎＰ層を有する第２の半導体積層構造とを組み合わせて、４００ｎｍ帯の青紫色レーザ光及び６５０ｎｍ帯の赤色レーザ光を出射させてもよいし、前方側に位置しＡｌＧａＮ層を有する第１の半導体積層構造と、後方側に位置しＡｌＧａＡｓ層を有する第２の半導体積層構造とを組み合わせて、４００ｎｍ帯の青紫色レーザ光及び７８０ｎｍ帯の赤外レーザ光を出射させてもよい。尚、２波長の半導体レーザ装置においては、波長が短いレーザ光を出射する半導体積層構造をレーザ光の出射側に配置することが好ましい。
【０１５１】
以下、第５の実施形態に係る半導体レーザ装置の製造方法について説明する。
【０１５２】
まず、前端面に無反射コート膜５３６を有し且つ後端面に無反射コート膜５３６よりも反射率が大きい第１の端面コート膜５３８を有するチップ状の第１の半導体積層構造（第１のレーザチップ）５１０と、後端面に高反射コート膜５３７を有し且つ前端面に高反射コート膜５３７よりも反射率が小さい第２の端面コート膜５３９を有するチップ状の第２の半導体積層構造（第２のレーザチップ）５２０とをそれぞれ作製しておく。
【０１５３】
次に、基板５００上の前方側の領域に第１の半導体積層構造５１０を半田材等により固着すると共に、基板５００上の後方側の領域に第２の半導体積層構造５２０を第１の半導体積層構造５１０との間に空隙部５３４ができるように半田材等により固着する。この場合に、第１の半導体積層構造５１０の活性層５１２のストライプ領域の中心線と、第２の半導体積層構造５２０の活性層５２２のストライプ領域の中心線とを一致させる。
【０１５４】
（第５の実施形態の変形例）
以下、第５の実施形態の一変形例に係る半導体レーザ装置について図１７を参照しながら説明する。図１７は第５の実施形態の一変形例に係る半導体レーザ装置の斜視図である。
【０１５５】
尚、第５の実施形態の変形例においては、図１６（ａ）及び（ｂ）を参照しながら説明した第５の実施形態と同一の部材については同一の符号を付すことにより、説明を省略する。
【０１５６】
第５の実施形態の変形例の特徴として、図１７に示すように、基板５００の上における第１の半導体積層構造５１０と第２の半導体積層構造５２０との間の空隙部５３４には、屈折率整合樹脂、酸化シリコン又は窒化シリコン等からなる誘電体部材５４０が充填されており、該誘電体部材５４０の屈折率は、第１の半導体積層構造５１０における活性層５１２のストライプ領域の実効屈折率と、第２の半導体積層構造５２０における活性層５２２のストライプ領域の実効屈折率との間の値を有している。
【０１５７】
従って、第１の半導体積層構造５１０と第２の半導体積層構造５２０とが誘電体部材５４０により電気的に絶縁されている。また、第１の半導体積層構造５１０の活性層５１２から出射される第１のレーザ光と第２の半導体積層構造５２０の活性層５２２との光の結合効率が向上するため、半導体レーザ装置の光学的特性が向上する。
【０１５８】
（第６の実施形態）
以下、本発明の第６の実施形態に係る半導体レーザ装置について、図１８を参照しながら説明する。図１８は第６の実施形態に係る半導体レーザ装置の断面図である。
【０１５９】
図１８に示すように、第６の実施形態に係る半導体レーザ装置は、導電性を持つシリコンからなる基板６００上におけるレーザ光の出射方向の前方側の領域から後方側の領域に順次設けられ、ＡｌＧａＩｎＮ層を有し発振波長が４００ｎｍ帯である第１の半導体積層構造６１０と、ＡｌＧａＩｎＰ層を有し発振波長が６５０ｎｍ帯である第２の半導体積層構造６２０と、ＡｌＧａＡｓ層を有し発振波長が７８０ｎｍ帯である第３の半導体積層構造６３０とを有している。
【０１６０】
第１の半導体積層構造６１０は、レーザ光の発振波長が４００ｎｍ帯となるように混晶の組成が設定された活性層６１２を有しており、第１の半導体積層構造６１０の前端面には無反射コート膜６３６が形成されている。第２の半導体積層構造６２０は、レーザ光の発振波長が６５０ｎｍ帯となるように混晶の組成が設定された活性層６２２を有している。第３の半導体積層構造６３０は、レーザ光の発振波長が７８０ｎｍ帯となるように混晶の組成が設定された活性層６３２を有しており、第３の半導体積層構造６３０の後端面には高反射コート膜６３７が形成されている。
【０１６１】
基板６００上における第１の半導体積層構造６１０と第２の半導体積層構造６２０との間には、屈折率整合樹脂、酸化シリコン又は窒化シリコン等からなる第１の誘電体部材６３８が充填されている。第１の誘電体部材６３８の屈折率は、第１の半導体積層構造６１０における活性層６１２のストライプ領域の実効屈折率と、第２の半導体積層構造６２０における活性層６２２のストライプ領域の実効屈折率との間の値である。
【０１６２】
基板６００上における第２の半導体積層構造６２０と第３の半導体積層構造６３０との間には、屈折率整合樹脂、酸化シリコン又は窒化シリコン等からなる第２の誘電体部材６３９が充填されている。第２の誘電体部材６３９の屈折率は、第２の半導体積層構造６２０における活性層６２２のストライプ領域の実効屈折率と、第３の半導体積層構造６３０における活性層６３２のストライプ領域の実効屈折率との間の値である。
【０１６３】
第１の半導体積層構造６１０における一対の電流ブロック層同士の間の領域の中心線と、第２の半導体積層構造６２０における一対の電流ブロック層同士の間の領域の中心線とが一致していると共に、第１の半導体積層構造６１０のｎ型クラッド層の厚さと第２の半導体積層構造６２０のｎ型クラッド層の厚さとは等しく設定されている。また、第２の半導体積層構造６２０における一対の電流ブロック層同士の間の領域の中心線と、第３の半導体積層構造６３０における一対の電流ブロック層同士の間の領域の中心線とが一致していると共に、第２の半導体積層構造６２０のｎ型クラッド層の厚さと第３の半導体積層構造６３０のｎ型クラッド層の厚さとは等しく設定されている。
【０１６４】
これらにより、第１の半導体積層構造６１０の活性層６１２のストライプ領域の中心線、第２の半導体積層構造６２０の活性層６２２のストライプ領域の中心線、及び第３の半導体積層構造６３０の活性層６３２のストライプ領域の中心線は互いに一致している。
【０１６５】
以下、第６の実施形態に係る半導体レーザ装置の動作について説明する。
【０１６６】
まず、第１の半導体積層構造６１０に電流を注入した場合には、第２の半導体積層構造６２０は、第１の半導体積層構造６１０の活性層６１２のストライプ領域から発振し４００ｎｍ帯の発振波長を持つ第１のレーザ光に対する吸収係数が大きいため、第１のレーザ光は第２の半導体積層構造６２０の内部に伝播し難い。このため、第１のレーザ光は、無反射コート膜６３６と第１の誘電体部材６３８とを共振器端面として発振して、無反射コート膜６３６から出射する。
【０１６７】
次に、第２の半導体積層構造６２０に電流を注入した場合には、第１の半導体積層構造６１０は、第２の半導体積層構造６２０の活性層６２２のストライプ領域から発振し６５０ｎｍ帯の発振波長を持つ第２のレーザ光に対する吸収係数が小さくて第２のレーザ光に対して透明であり、また、第３の半導体積層構造６３０は第２のレーザ光に対する吸収係数が大きいから、第２のレーザ光は第３の半導体積層構造６３０の内部に伝播し難い。このため、第２のレーザ光は、第１の半導体積層構造６１０の前端面と第２の半導体積層構造６２０とを共振器として発振し、無反射コート膜６３６側から出射する。
【０１６８】
また、第３の半導体積層構造６３０に電流を注入した場合は、第３の半導体積層構造６３０の活性層６３２における７８０ｎｍ帯の発振波長を持つ第３のレーザ光に対して、第１の半導体積層構造６１０及び第２の半導体積層構造６２０は共に吸収係数が小さくて第３のレーザ光に対して透明であるから、第３のレーザ光は、無反射コート膜６３６と第２の誘電体部材６３９とを共振器として発振し、無反射コート膜６３６から出射する。
【０１６９】
従って、第６の実施形態によると、第２のレーザ光は第１の半導体積層構造６１０の活性層６１２からなるストライプ状の光導波路を伝播して、無反射コート膜６３６における発光スポットから出射する。また、第３のレーザ光は、第１の半導体積層構造６１０の活性層６１２からなるストライプ状の光導波路及び第２の半導体積層構造６２０の活性層６２２からなるストライプ状の光導波路を伝播して、無反射コート膜６３６における発光スポットから出射する。その結果、第２のレーザ光及び第３のレーザ光は、第１のレーザ光と同じ発光スポットから出射するので、波長が異なる３つのレーザ光が１つの発光スポットから出射する３波長の半導体レーザ装置を実現できる。
【０１７０】
尚、第６の実施形態においては、第１の半導体積層構造６１０の活性層６１２のストライプ領域の中心線、第２の半導体積層構造６２０の活性層６２２のストライプ領域の中心線及び第３の半導体積層構造６３０の活性層６３２のストライプ領域の中心線は互いに一致していたが、これに代えて、第１の半導体積層構造６１０の活性層６１２のストライプ領域の中心線と、第２の半導体積層構造６２０の活性層６２２のストライプ領域の中心線とを上下方向にオフセットさせる一方、第３の半導体積層構造６３０の活性層６３２のストライプ領域の中心線を、第１の半導体積層構造６１０の活性層６１２のストライプ領域の中心線又は第２の半導体積層構造６２０の活性層６２２のストライプ領域の中心線と一致させてもよい。このようにすると、上下方向に位置する２つの発光スポットから、波長が異なる３つのレーザ光が出射する３波長の半導体レーザ装置を実現できる。
【０１７１】
以下、第６の実施形態に係る半導体レーザ装置の製造方法について、図１８、図１９（ａ）〜（ｃ）及び図２０を参照しながら説明する。
【０１７２】
まず、図１８に示すような、前端面に無反射コート膜６３６が形成されたチップ状の第１の半導体積層構造６１０（第１のレーザチップ）と、チップ状の第２の半導体積層構造６２０（第２のレーザチップ）と、後端面に高反射コート膜６３７が形成されたチップ状の第３の半導体積層構造６３０（第３のレーザチップ）とを、ＭＯＶＰＥ法等のエピタキシャル成長法、リソグラフィ法及びエッチング法等の微細加工法を用いて作製しておく。
【０１７３】
次に、図１９（ａ）に示すように、基板６００上の前方側の領域に第１の半導体積層構造６１０を半田材等によって固着する。
【０１７４】
次に、図１９（ｂ）に示すように、基板６００上における第１の半導体積層構造６１０の後方側の領域（中央の領域）に第２の半導体積層構造６２０を第１の半導体積層構造６１０との間に間隔をおいて半田材等によって固着する。この場合、第１の半導体積層構造６１０の活性層６１２のストライプ領域の中心線と、第２の半導体積層構造６２０の活性層６２２のストライプ領域の中心線とを一致させる。
【０１７５】
次に、図１９（ｃ）に示すように、基板６００上における第２の半導体積層構造６２０の後方側の領域に第３の半導体積層構造６３０を第２の半導体積層構造６２０との間に間隔をおいて半田材等によって固着する。この場合、第２の半導体積層構造６２０の活性層６２２のストライプ領域の中心線と、第３の半導体積層構造６３０の活性層６３２のストライプ領域の中心線とを一致させる。
【０１７６】
尚、基板６００上の前方側の領域に第１の半導体積層構造６１０が固着され、基板６００上における中央の領域に第２の半導体積層構造６２０が固着され、基板６００上における後方側の領域に第３の半導体積層構造６３０が固着されるならば、第１、第２及び第３の半導体積層構造６１０、６２０、６３０を固着する順序については問わない。
【０１７７】
次に、図２０に示すように、基板６００上における第１の半導体積層構造６１０と第２の半導体積層構造６２０との間に第１の誘電体部材６３８を充填すると共に、基板６００上における第２の半導体積層構造６２０と第３の半導体積層構造６３０との間に第２の誘電体部材６３９を充填する。
【０１７８】
【発明の効果】
本発明に係る半導体レーザ装置によると、波長が異なる第１及び第２のレーザ光を、前方側の領域に設けられている第１の半導体積層構造の前端面における、１つの発光スポット又は極めて接近した２つの発光スポットから出射させることができるので、波長が異なる複数のレーザ光を、光ディスクの微少なスポットに確実に集光できると共に１つのフォトディテクタにより検出することができる。
【０１７９】
本発明に係る第１又は第２の半導体レーザ装置の製造方法によると、基板上の前方側の領域に第１のレーザ光を発振させる第１の半導体積層構造が設けられ且つ基板上の後方側の領域に第２のレーザ光を発振させる第２の半導体積層構造が設けられていると共に、第１のレーザ光の出射方向と第２のレーザ光の出射方向とが同方向であるモノリシック型の半導体レーザ装置を確実に製造することができる。
【０１８０】
本発明に係る第３の半導体レーザ装置の製造方法によると、基板上の前方側の領域に第１のレーザ光を発振させる第１のレーザチップが設けられ且つ基板上の後方側の領域に第２のレーザ光を発振させる第２のレーザチップが設けられていると共に、第１のレーザ光の出射方向と第２のレーザ光の出射方向とが同方向であるハイブリッド型の２波長半導体レーザ装置を確実に製造することができる。
【０１８１】
本発明に係る第４の半導体レーザ装置の製造方法によると、基板上の前方側の領域に第１のレーザ光を発振させる第１のレーザチップが設けられ、基板上の中央の領域に第２のレーザ光を発振させる第２のレーザチップが設けられ且つ基板上の後方側の領域に第３のレーザ光を発振させる第３のレーザチップが設けられていると共に、第１のレーザ光の出射方向と第２のレーザ光の出射方向と第３のレーザ光の出射方向とが同方向であるハイブリッド型の３波長半導体レーザ装置を確実に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施形態に係る半導体レーザ装置の斜視図である。
【図２】第１の実施形態に係る半導体レーザ装置を示し、図１におけるII−II線の断面図である。
【図３】第２の実施形態に係る半導体レーザ装置の断面図である。
【図４】第３の実施形態に係る半導体レーザ装置の斜視図である。
【図５】第３の実施形態に係る半導体レーザ装置を示し、図４におけるＶ−Ｖ線の断面図である。
【図６】（ａ）及び（ｂ）は第３の実施形態に係る半導体レーザ装置の製造方法の一工程を示し、（ａ）は斜視図であって、（ｂ）は（ａ）におけるＶＩｂ−ＶＩｂ線の断面図である。
【図７】（ａ）及び（ｂ）は第３の実施形態に係る半導体レーザ装置の製造方法の一工程を示し、（ａ）は斜視図であって、（ｂ）は（ａ）におけるＶIIｂ−ＶIIｂ線の断面図である。
【図８】（ａ）及び（ｂ）は第３の実施形態に係る半導体レーザ装置の製造方法の一工程を示し、（ａ）は斜視図であって、（ｂ）は（ａ）におけるＶIIIｂ−ＶIIIｂ線の断面図である。
【図９】（ａ）及び（ｂ）は第３の実施形態に係る半導体レーザ装置の製造方法の一工程を示し、（ａ）は斜視図であって、（ｂ）は（ａ）におけるＩＸｂ−ＩＸｂ線の断面図である。
【図１０】（ａ）及び（ｂ）は第３の実施形態に係る半導体レーザ装置の製造方法の一工程を示し、（ａ）は斜視図であって、（ｂ）は（ａ）におけるＸｂ−Ｘｂ線の断面図である。
【図１１】（ａ）及び（ｂ）は第３の実施形態に係る半導体レーザ装置の製造方法の一工程を示し、（ａ）は斜視図であって、（ｂ）は（ａ）におけるＸＩｂ−ＸＩｂ線の断面図である。
【図１２】第３の実施形態の第１変形例に係る半導体レーザ装置の斜視図である。
【図１３】第３の実施形態の第１変形例に係る半導体レーザ装置を示し、図１２におけるＸIII−ＸIII線の断面図である。
【図１４】（ａ）及び（ｂ）は第３の実施形態の第２変形例に係る半導体レーザ装置を示し、（ａ）は斜視図であり、（ｂ）は（ａ）におけるＸIVｂ−ＸIVｂ線の断面図である。
【図１５】（ａ）及び（ｂ）は第４の実施形態に係る半導体レーザ装置を示し、（ａ）は斜視図であり、（ｂ）は（ａ）におけるＸＶｂ−ＸＶｂ線の断面図である。
【図１６】（ａ）及び（ｂ）は第５の実施形態に係る半導体レーザ装置を示し、（ａ）は斜視図であり、（ｂ）は（ａ）におけるＸVIｂ−ＸVIｂ線の断面図である。
【図１７】第５の実施形態の一変形例に係る半導体レーザ装置の斜視図である。
【図１８】第６の実施形態に係る半導体レーザ装置の断面図である。
【図１９】（ａ）〜（ｃ）は第６の実施形態に係る半導体レーザ装置の製造方法の各工程を示す斜視図である。
【図２０】第６の実施形態に係る半導体レーザ装置の製造方法の一工程を示す斜視図である。
【図２１】従来の半導体レーザ装置であるモノリシック型半導体レーザ装置の一例を示す斜視図である。
【符号の説明】
１００  ｎ型ＧａＡｓ基板
１１０  第１の半導体積層構造
１１１  ｎ型クラッド層
１１２  活性層
１１２ａ  ストライプ領域
１１３  ｐ型の第１クラッド層
１１４  電流ブロック層
１１５  ｐ型の第２クラッド層
１１６  コンタクト層
１１７  第１のｐ型電極
１２０  第２の半導体積層構造
１２１  ｎ型クラッド層
１２２  活性層
１２２ａ  ストライプ領域
１２３  ｐ型の第１のクラッド層
１２４  電流ブロック層
１２５  ｐ型の第２のクラッド層
１２６  コンタクト層
１２７  第２のｐ型電極
１３１  前方劈開面
１３２  後方劈開面
１３３  ｎ型電極
１３４  溝部
１３５  境界面
１３６  無反射コーティング層
１３７  高反射コーティング層
２００  ｎ型ＧａＡｓ基板
２１０  第１の半導体積層構造
２１１  活性層
２２０  第２の半導体積層構造
２２１  活性層
２３０  第３の半導体積層構造
２３１  活性層
２４１  前方劈開面
２４２  後方劈開面
２４３  無反射コーティング層
２４４  高反射コーティング層
２４５  第１の境界面
２４６  第２の境界面
３００  ｎ型ＧａＡｓ基板
３１０  第１の半導体積層構造
３１１  ｎ型クラッド層
３１２  活性層
３１２ａ  ストライプ領域
３１３  ｐ型の第１のクラッド層
３１４  電流ブロック層
３１５  ｐ型の第２クラッド層
３１６  コンタクト層
３１７  第１のｐ型電極
３２０  第２の半導体積層構造
３２１  ｎ型クラッド層
３２２  活性層
３２２ａ  ストライプ領域
３２３  ｐ型の第１クラッド層
３２４  電流ブロック層
３２５  ｐ型の第２クラッド層
３２６  コンタクト層
３２７  第２のｐ型電極
３３１  前方劈開面
３３２  後方劈開面
３３３  ｎ型電極
３３４  溝部
３３４Ａ  溝部
３３５  境界面
３３６  無反射コーティング層
３３７  高反射コーティング層
３３８  側壁成長部
３４０  第１の暫定半導体積層構造
３５０  第２の暫定半導体積層構造
４００  ｎ型ＧａＡｓ基板
４１０  第１の半導体積層構造
４１１  ｎ型クラッド層
４１２  活性層
４１２ａ  ストライプ領域
４１３  第１のｐ型クラッド層
４１４  電流ブロック層
４１５  第２のｐ型クラッド層
４１６  コンタクト層
４１７  第１のｐ型電極
４２０  第２の半導体積層構造
４２１  ｎ型クラッド層
４２２  活性層
４２２ａ  ストライプ領域
４２３  第１のｐ型クラッド層
４２４  電流ブロック層
４２５  第２のｐ型クラッド層
４２６  コンタクト層
４２７  第２のｐ型電極
４３１  前方劈開面
４３２  後方劈開面
４３３  ｎ型電極
４３６  無反射コート膜
４３７  高反射コート膜
５００  基板
５１０  第１の半導体積層構造
５１２  活性層
５２０  第２の半導体積層構造
５２２  活性層
５３４  空隙部
５３６  無反射コート膜
５３７  高反射コート膜
５３８  第１の端面コート膜
５３９  第２の端面コート膜
６００  基板
６１０  第１の半導体積層構造
６１２  活性層
６２０  第２の半導体積層構造
６２２  活性層
６３０  第３の半導体積層構造
６３２  活性層
６３６  無反射コート膜
６３７  後反射コート膜
６３８  第１の誘電体部材
６３９  第２の誘電体部材
【図１】
0004589539.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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