(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
陰極と、陰極バッファ層と、電子輸送層、発光層、正孔輸送層、陽極バッファ層からなる有機ＥＬ層と、陽極と、基板からなる有機ＥＬ素子において、前記電子輸送層と前記陰極バッファ層とが交互に、少なくとも２回以上積層されてなり、前記陰極バッファ層が、アルカリ金属ハロゲン化合物、アルカリ土類金属ハロゲン化合物、又は酸化リチウム、酸化ルビジウム、酸化カリウム、酸化ナトリウム、酸化セシウム、酸化ストロンチウム、酸化マグネシウム及び酸化カルシウムから選択される金属酸化物からなることを特徴とする有機ＥＬ素子。
【請求項２】
前記電子輸送層及び前記陰極バッファ層の各層厚と積層回数により、発光層へ注入される電子数を任意に制御する請求項１に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項３】
前記陰極バッファ層の少なくとも１層が、フッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化カリウム、フッ化ルビジウム、フッ化カルシウム、フッ化マグネシウム、フッ化ストロンチウム、フッ化バリウム、塩化リチウム、塩化カルシウム、塩化ナトリウム、塩化マグネシウム、塩化ストロンチウム、塩化バリウム、臭化リチウム、臭化カルシウム、臭化マグネシウム、臭化ストロンチウム又は臭化バリウムからなる請求項１に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項４】
前記陰極バッファ層の各膜厚が０．２〜３０ｎｍである請求項１に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項５】
前記電子輸送層の各膜厚が５〜１０００ｎｍである請求項１に記載の有機ＥＬ素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は有機ＥＬ素子に関し、詳しくは、有機化合物の薄膜に電界を印加して光を放出する素子に用いられる無機／有機接合構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】
有機発光素子（有機ＥＬ素子等、発光ディスプレイやレーザー素子）は、強い蛍光を持つ有機絶縁体薄膜の両面に取り付けた電極に直流電圧を印加すると、陽極及び陰極からそれぞれ正負の電荷が注入され、生じた電場により正負の電荷は薄膜中を移動し、ある確率で再結合する際に放出されるエネルギーを蛍光分子の一重項励起状態（分子励起子）の形成に消費し、その発光量子効率の割合だけ外部に光を放出して基底状態に戻り、この際放出される光を利用するものである。
【０００３】
上記の有機絶縁体薄膜は、例えば電子注入層、電子輸送層、発光層、正孔輸送層等からなり、総称して有機ＥＬ層と呼ばれる。陰極にはアルミニウムやマグネシウム合金（ＭｇＡｇ、ＭｇＣａ等）が使われることが多く、陽極にはＥＬ発光を取り出すために、ＩＴＯ等の透明電極が用いられる事が多い。また陰極、陽極それぞれと有機ＥＬ層の間には、バッファ層が形成される場合が多い。
【０００４】
有機ＥＬデバイスに用いられる陰極構造は、特開平１０−７４５８６に開示されているような２層構造を有するものが知られている。これによると、陰極は有機ＥＬ層に接触するフッ化物層と、このフッ化物層に接触する導電層から構成されている。電子注入機能を司る陰極としては、低い仕事関数を有する金属を用いることが望ましい。しかしながら低仕事関数を有する金属は大気による酸化が常に問題となる。そこで、フッ化物などの極薄層を導電層と有機ＥＬ層の間に製膜することで、耐酸化性を向上させながら、低い動作電圧及び低い電流密度で高いデバイス効率を示す素子の作成に成功している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、現在、更なる視野効率向上の為に、効率の良い電子注入電極と良好な動作安定性を有する有機ＥＬ素子が求められおり、従来の有機ＥＬ材料における電子輸送性能では、デバイスの高効率化、高信頼性を考えると不十分である。
【０００６】
有機ＥＬデバイスにおいて、最も一般的に陽極に用いられる材料はＩＴＯであるが、ＩＴＯは基本的に多結晶性膜であり、表面凹凸が〜２０ｎｍ程度存在する。図３に示すように陽極７の表面に凹凸を残したまま、電子輸送層３、発光層４、正孔輸送層５、陽極バッファ層６からなる有機ＥＬ層９と陰極１、陰極バッファ層２からなる２層陰極１１を製膜すると有機ＥＬ層が不連続になったり、実際に素子を動作させた場合には、電界が不均一に印加されたりして、ダークスポットと呼ばれる非発光点（面）が形成され、素子発光特性として深刻な問題となる。有機ＥＬ層９全体の厚みを増やすことで有機ＥＬ層の不連続箇所を減らしたり、陰極と陽極との空間的距離を離したりすることも可能であるが、有機ＥＬ層材料の電子物性を考慮すると信頼性の面では改善が見られても、素子発光特性面での改善は見られない。ＩＴＯ表面に研磨処理を施して表面ラフネスを下げることで、電界不均一によるダークスポットの形成を防止することも可能であるが、時間的ロス、コストの問題が発生してしまう。
【０００７】
また、従来の有機ＥＬ素子のフッ化物層は０．５〜１ｎｍ程度と極薄層である為、製膜条件によっては膜が不連続となり易い。その結果、図４に示すように有機ＥＬ層９と２層陰極１１とのコンタクトが不十分なため陰極が浮き上がる現象や、駆動時に発生する熱で有機ＥＬ層９が劣化して発生した酸素等の不純物１０、あるいは陽極７の表面凹凸に由来して浸入する大気中の水分や酸素等の不純物１０が、電界の不均一な印加により拡散し、２層陰極１１まで到達した結果、陰極が浮き上がる現象が起きている。陰極の有機ＥＬ層からの剥離は、そのままダークスポットとなるため、有機ＥＬ素子の発光に関する信頼性を限りなく損なうことになる。
【０００８】
本発明では上記課題を解決するために、電子輸送層と陰極バッファ層とを交互に少なくとも２回以上積層するように構成した有機ＥＬ素子を提案する。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、陰極と、陰極バッファ層と、電子輸送層、発光層、正孔輸送層、陽極バッファ層からなる有機ＥＬ層と、陽極と、基板からなる有機ＥＬ素子において、前記電子輸送層と前記陰極バッファ層とが交互に、少なくとも２回以上積層されてなり、前記陰極バッファ層が、アルカリ金属ハロゲン化合物、アルカリ土類金属ハロゲン化合物、又は酸化リチウム、酸化ルビジウム、酸化カリウム、酸化ナトリウム、酸化セシウム、酸化ストロンチウム、酸化マグネシウム及び酸化カルシウムから選択される金属酸化物からなることを特徴とする。
【００１０】
本発明の有機ＥＬ素子は、交互に積層される陰極バッファ層と電子輸送層の各層厚と数により、発光層へ注入される電子数を、任意に制御することを特徴とする。
【００１１】
本発明の有機ＥＬ素子は、交互に積層される陰極バッファ層の少なくとも1層がフッ化物等のハロゲン化合物であることを特徴とする。
【００１２】
本発明の有機ＥＬ素子は、交互に積層される陰極バッファ層の少なくとも１層が酸化物であることを特徴とする。
【００１３】
本発明の有機ＥＬ素子は、交互に積層される陰極バッファ層の各膜厚が０．２〜１５ｎｍであることを特徴とする。
【００１４】
本発明の有機ＥＬ素子は、交互に積層する電子輸送層の各膜厚が１０〜１０００ｎｍであることを特徴とする。
【００１５】
有機ＥＬ素子において、発光層における１：１の電子−正孔対の形成が非常に重要であり、余剰のキャリアは素子の発光効率、信頼性を大きく損なう為、各種有機材料から成る電子輸送材料、正孔輸送材料の組み合わせに対応できる構造が必要である。本発明は、特に電子輸送効率を素子構造から正確に制御することが特徴である。具体的には、発光層へ注入される電子の数を、交互に積層する陰極バッファ層と電子輸送層の各層厚と積層回数により、任意に制御するものである。
【００１６】
さらに電子輸送層と陰極バッファ層とを交互に少なくとも２回以上積層する構造にすること、すなわち有機／無機界面構造を素子の中に積極的に取り入れることで、電子増幅効果により電子注入効率を高めつつ、陰極と陽極の空間的距離を離したことが特徴である。空間的距離を離したことにより、外圧や陰極、陽極表面の構造上の突起などに起因する素子動作時の電界不均一による電流リーク、ダークスポットの発生を防止し、有機／無機界面の繰り返しにより、大気中に存在する水分や酸素の拡散、更には陰極、陽極成分、あるいは正孔輸送層等の有機ＥＬ層構成成分の反応、拡散による陰極剥離及び素子劣化を防止している。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の有機ＥＬ素子について添付図面に従い説明する。図１は本発明による有機ＥＬ素子の模式図であり、１は陰極、２は陰極バッファ層、３は電子輸送層、４は発光層、５は正孔輸送層、６は陽極バッファ層、７は陽極、８は基板を各々示す。
【００１８】
陰極１に用いられる材料は、一般的に低仕事関数の金属が好ましく、スズ、マグネシウム、インジウム、カルシウム、アルミニウム、銀等の金属、あるいは、これらを主成分とする合金が望ましい。また、大気中で比較的安定な金属に低仕事関数の金属を微量ドープした材料を用いることも可能である。陰極の厚さは通常０．１ｎｍ〜１０μmであり、好ましくは５０ｎｍ〜１μｍである。陰極は、真空蒸着法、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法、プラズマＣＶＤ法、及び塗布法により形成されることが多い。真空蒸着法では、材料を入れた坩堝を真空容器内に設置して、適当な真空ポンプで１０-4Ｐａ程度まで排気後、坩堝を加熱して材料を目的の膜厚だけ昇華または蒸発させることで形成し、塗布法では適当なバインダー樹脂溶液や塗布性改良材に分散した導電性金属微粒子を、スピンコートやインクジェット等で目的とする箇所へ塗布して形成する。
【００１９】
陰極バッファ層２は、陰極と有機ＥＬ層との密着性を向上させるとともに、陰極材料の有機発光層側への拡散を防止し、さらに陰極からの電子注入効率を向上させる機能を兼ね備える。陰極バッファ層に用いられる材料は、アルカリ金属ハロゲン化合物、アルカリ土類金属ハロゲン化合物や各種酸化物である。ハロゲンとはフッ素、塩素、臭素、ヨウ素、アスタチンの５元素であるが、本発明に用いられるハロゲン化合物としてはフッ化物、塩化物、臭化物、ヨウ化物が好ましい。具体的に好ましいハロゲン化合物を列挙すると、フッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化カリウム、フッ化ルビジウム、フッ化カルシウム、フッ化マグネシウム、フッ化ストロンチウム、フッ化バリウム、塩化リチウム、塩化カルシウム、塩化ナトリウム、塩化マグネシウム、塩化ストロンチウム、塩化バリウム、臭化リチウム、臭化カルシウム、臭化マグネシウム、臭化ストロンチウム、臭化バリウム等である。また、本発明に用いられる各種酸化物として具体的に好ましい酸化物を列挙すると、酸化リチウム、酸化ルビジウム、酸化カリウム、酸化ナトリウム、酸化セシウム、酸化ストロンチウム、酸化マグネシウム、及び酸化カルシウム等である。各々の陰極バッファ層は同じ材料を用いても、異種材料を用いても構わない。陰極バッファ層は通常真空蒸着法、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法により形成され、各層厚は０．２ｎｍ〜３０ｎｍであり、好ましくは０．２〜１５ｎｍである。
【００２０】
電子輸送層３は、電界を与えられた電極間において、陰極からの電子を効率よく正孔輸送層の方向に輸送することができる化合物より形成される。これら化合物には電子親和力が大きく、電子移動度が大きく、安定性に優れ、製造時や使用時に電子のトラップとなる不純物が発生しにくいことが要求される。このような条件を満たす化合物材料としては、テトラフェニルブタジエン等の芳香族化合物、Ａｌｑ3等の金属錯体、１０−ハイドロキシベンゾ〔ｈ〕キノリン金属錯体、混合配位子アルミニウムキレート錯体、シクロペンタジエン誘導体、ぺリノン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ビススチリルベンゼン誘導体、ぺリレン誘導体、クマリン化合物、希土類錯体、ジスチリルピラジン誘導体、ｐ−フェニレン化合物、チアジアゾロピリジン誘導体、ピロロピリジン誘導体、ナフチリジン誘導体等が挙げられる。各々の電子輸送層に、上記のような材料を一種、もしくは複数種用いても構わない。電子輸送層は真空蒸着法あるいは塗布法を用いて形成されることが多く、各層厚は通常、５〜１０００ｎｍであり、好ましくは１０〜１００ｎｍである。
【００２１】
この陰極バッファ層２と電子輸送層３をナノメートル以下のオーダーで制御し交互に積層することが本発明の最大の特徴である。
【００２２】
発光層４は素子の発光効率を向上させることに併せて、発光色を変える目的で作成される。発光色を変える例としては、例えばＡｌｑ3をホスト材料とし、クマリン等のレーザー用蛍光色素をドープすること等が知られている。電子輸送層をホスト材料として、蛍光色素をドープすることは、素子の駆動寿命を改善する目的においても重要である。例えばＡｌｑ3をホスト材料とし、ルブレンに代表されるナフタセン誘導体、キナクリドン誘導体、ペリレン誘導体等の縮合多環芳香族環を、ホスト材料に対して０．１〜１０重量％ドープすることにより、素子の発光特性、特に駆動安定性を大きく向上させることができる。これら発光層は真空蒸着法、塗布法により形成される場合が多く、層厚は通常５〜２００ｎｍであり、好ましくは１０〜１００ｎｍである。
【００２３】
正孔輸送層５には、陽極から注入された正孔を効率よく発光層側へ輸送することが要求される。その為にはイオン化ポテンシャルが小さく、可視光に対する透明性が高く、正孔移動度が大きく、安定性が良く、製造時や使用時に正孔のトラップとなる不純物が発生しにくい、ガラス転移温度が７０℃以上である耐熱性に優れた材料が望ましい。このような要求を満たす材料は、例えば、１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）シクロヘキサン等の芳香族ジアミン化合物、４，４'−ビス〔（Ｎ−１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ〕ビフェニル等の芳香族アミン、トリフェニルベンゼンの誘導体でスターバースト構造を有する芳香族トリアミン、N，N'−ジフェニル−N，N'−ビス（３−メチルフェニル）ビフェニル−４，４'−ジアミン等の芳香族ジアミン、N，N，N−トリフェニルアミン誘導体、α，α，α'，α'−テトラメチル−α，α'−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）−ｐ−キシレン等が挙げられる。正孔輸送層は真空蒸着法、塗布法により形成される場合が多く、層厚は通常５〜２００ｎｍであり、好ましくは１０〜１００ｎｍである。
【００２４】
陽極バッファ層６に使用する材料は、陽極とのコンタクトが良く均一な薄膜が形成できることと、融点が３００℃以上、ガラス転移点が１００℃以上の熱的安定性が要求される。更にイオン化ポテンシャルが低く、陽極からの正孔注入が容易なこと、正孔移動度が大きいことが望ましい。このような要求を満たす材料として、ポルフィリン誘導体やフタロシアニン化合物等が挙げられる。陽極バッファ層６は真空蒸着法や塗布法にて形成され、層厚は通常３〜１００ｎｍであり、好ましくは１０〜５０ｎｍである。
【００２５】
陽極７は発光層への正孔注入を果たす。陽極は通常インジウム及び／またはスズの酸化物などの金属酸化物、アルミニウム、金、銀、ニッケル、パラジウム、白金などの金属、ヨウ化銅等のハロゲン化金属、カーボンブラック、あるいはポリ（３−メチルチオフェン）、ポリピロール、ポリアニリン等の導電性高分子等により構成される。陽極の厚さは、透明性が要求される場合には、可視光の透過率を６０％以上、好ましくは８０％以上とすることが望ましく、通常５〜１０００ｎｍであり、好ましくは１０〜５００ｎｍである。透明性が要求されず、不透明で良い場合は基板８と同じ材料を用いても良い。陽極はスパッタリング法、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、プラズマＣＶＤ法、及び塗布法により形成されることが多く、中でもスパッタリング法や塗布法は一度に大面積が形成可能であるため、比較的良く用いられる。
【００２６】
基板８は有機ＥＬ素子の支持体となるもので、ガラスや石英、金属板や金属箔、プラスチックフィルムやシート等が用いられる。特にガラス板やポリエステル、ポリメタクリレート、ポリカーボネイト、ポリスルホン等の透明な合成樹脂が望ましい。
【００２７】
図２に陰極バッファ層２と電子輸送層３を繰り返し４回積層した本発明の有機ＥＬ素子において、陰極バッファ層２の厚みを陰極側から陽極側へ順に厚くした場合を示す。このような構造にすることで、各陰極バッファ層／電子輸送層界面で電子がなだれ状に増幅発生し、発光層４側に向けて非常に高効率な電子注入効果を発揮する。必要以上に電子を注入したくない場合や素子の信頼性を第一に考える場合には、図５に示すように陰極側を厚いバッファ層として、陽極側へ順に薄い陰極バッファ層を積層する。基本的に注入電子数と注入正孔数は１：１であることが望ましいが、正孔輸送層５や発光層４の材料自体の電子輸送能力が乏しいために、正孔注入数が電子注入数より低くなる場合も考えられる。このような場合は、過剰に注入された電子が無効キャリアとなるため、有機ＥＬ素子発光における量子効率を下げる原因ともなり得る。本発明では、各材料の組み合わせにより、陰極バッファ層と電子輸送層の膜厚及び陰極バッファ層と電子輸送層の繰り返し周期数を、デバイスシミュレーション技術等により予測し、発光特性と素子駆動安定性から優位な点を任意に設定することが可能であるため、無効キャリア発生に起因する量子効率の低下を防ぐことができる。
【００２８】
また、図６のように、陰極バッファ層２を一定の厚さで作成し、電子輸送層３の厚さを任意に変化させた結果、有機ＥＬ層全体が厚くなった場合でも、無機／有機界面が素子の中に多く取り入れられているため、発光特性及び耐環境性等の信頼性の良好な有機ＥＬ素子が得られる。
（実施例）
次に、本発明を実施例によって具体的に説明するが、本発明はその要旨を越えない限り、以下の実施例に限定されるものではない。また、以下の実施例及び比較例で作製した有機ＥＬ素子の層構造の確認にはオージェ電子分光装置、紫外線光電子分光装置、エックス線光電子分光分析装置、原子間力顕微鏡、エネルギーフィルター透過型電子顕微鏡を用いた。
（実施例１）
ガラス基板上にＩＴＯ透明導電膜を１５０ｎｍの厚さで積層した。このＩＴＯ膜付き基板を通常のフォトリソグラフィ技術と塩酸エッチングを用いて２ｍｍ幅のストライプパターン（陽極）を形成後、アセトンによる超音波洗浄、純水による超音波洗浄、イソプロピルアルコールによる超音波洗浄を行ない、窒素ブローにて乾燥させた。最後に紫外線オゾン洗浄を行ない、真空蒸着装置へ設置後１×１０-4Ｐａになるまで、真空ポンプにて排気した。以下、この装置を用いて蒸着を行なう。まず、陽極バッファ層として、銅フタロシアニン（化１）
【００２９】
【化１】
0004394331.tif 000002
【００３０】
を温度１５０℃、真空度２×１０-4Ｐａ、蒸着速度０．１ｎｍ／秒の条件で蒸着し、１５ｎｍの陽極バッファ層を得た。次に正孔輸送層として、４，４'−ビス〔Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ〕ビフェニル（化２）
【００３１】
【化２】
0004394331.tif 000003
【００３２】
を、温度１２０℃、真空度２×１０-4Ｐａ、蒸着速度０．１ｎｍ／秒の条件で蒸着し、３０ｎｍの正孔輸送層を得た。引き続き発光層として、Ａｌｑ3（化３）
【００３３】
【化３】
0004394331.tif 000004
【００３４】
と、キナクリドン誘導体（化４）
【００３５】
【化４】
0004394331.tif 000005
【００３６】
をＡｌｑ3に対してキナクリドン誘導体が重量%で２％になるようにそれぞれを別々の膜厚モニターで正確に監視しながら、真空度２×１０-4Ｐａ、Ａｌｑ3を温度１６０℃、蒸着速度０．２ｎｍ／秒、キナクリドン誘導体を温度１２０℃、蒸着速度０．１ｎｍ／秒の条件で蒸着し、３０ｎｍの発光層を得た。さらに、電子輸送層として、Ａｌｑ3を温度１６０℃、真空度２×１０-4Ｐａ、蒸着速度０．２ｎｍ／秒にて蒸着し、１０ｎｍの電子輸送層を得た。引き続いて陰極バッファ層として、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を温度５７０℃、真空度２×１０-4Ｐａ、蒸着速度０．１ｎｍ／秒の条件で蒸着し、膜厚１ｎｍの陰極バッファ層を得た。再度同一条件で電子輸送層Ａｌｑ3と陰極バッファ層ＬｉＦを交互に２回、都合３回作成した。最後に陰極として、アルミニウム製の蒸着用２ｍｍ幅シャドーマスクマスクを、素子表面から５μm離れた位置に陽極と直交するように、マニュピレータを用い設置し、１００ｎｍの厚さでアルミニウムを蒸着した。このようにして２ｍｍ×２ｍｍサイズの発光面積部を有する有機ＥＬ素子が得られた。実施例１の素子の断面構造は図１に示す模式図と同じものである。
【００３７】
実施例１の素子特性を、陽極を正、陰極を負の極性にして直流電圧を印加して評価した結果、輝度１ｃｄ／ｍ2を超えた時の印加電圧は２Ｖ、２５０ｍＡ／ｃｍ2の電流密度が得られた時の印加電圧は８Ｖ、その時の輝度は９，２１０ｃｄ／ｍ2であった。この素子を直流定電流密度１５ｍＡ／ｃｍ2で駆動したときの初期輝度は６２０ｃｄ／ｍ2、初期駆動電圧は２．５Ｖ、半減期は２５，０００時間であった。
（実施例２）
電子輸送層Ａｌｑ3を１０ｎｍとし、交互に積層する陰極バッファ層ＬｉＦの膜厚を発光層側から順に５、３、１、０．５ｎｍとして、繰り返し４回積層する以外は実施例１と同様に作製した素子を実施例２とする。実施例２の素子の断面構造は図２に示す模式図と同じものである。
【００３８】
実施例２の素子特性を実施例１と同じ条件にて評価したところ、同様にしてこのようにして作製された素子に、陽極を正、陰極を負の極性にして、直流電圧を印加したところ、輝度１ｃｄ／ｍ2を超えた時の印加電圧は１．５Ｖ、２５０ｍＡ／ｃｍ2の電流密度が得られた時の印加電圧は６Ｖ、その時の輝度は１０７，５１０ｃｄ／ｍ2であった。この素子を直流定電流密度１５ｍＡ／ｃｍ2で駆動したときの初期輝度は７５０ｃｄ／ｍ2、初期駆動電圧は２Ｖ、半減期は２６，０００時間であった。
（実施例３）
陰極バッファ層に酸化リチウムを用いた以外は実施例１と同様に作製した素子を実施例３とする。
【００３９】
実施例３の素子特性を実施例１と同じ条件で評価した。輝度１ｃｄ／ｍ2を超えた時の印加電圧は２．０Ｖ、２５０ｍＡ／ｃｍ2の電流密度が得られた時の印加電圧は７．７Ｖ、その時の輝度は９，０９８ｃｄ／ｍ2であった。この素子を直流定電流密度１５ｍＡ／ｃｍ2で駆動したときの初期輝度は６０５ｃｄ／ｍ2、初期駆動電圧は２．５Ｖ、半減期は２５，０００時間であった。
（実施例４）
陰極バッファ層ＬｉＦの膜厚を陰極側から順に５、３、１ｎｍとした以外は実施例１と同様に作製した素子を実施例４とする。実施例４の素子の断面構造は図５に示す模式図と同じものである。
【００４０】
実施例４の素子特性を実施例１と同じ条件で評価した。輝度１ｃｄ／ｍ2を超えた時の印加電圧は２．８Ｖ、２５０ｍＡ／ｃｍ2の電流密度が得られた時の印加電圧は８Ｖ、その時の輝度は８，８２０ｃｄ／ｍ2であった。この素子を直流定電流密度１５ｍＡ／ｃｍ2で駆動したときの初期輝度は５９５ｃｄ／ｍ2、初期駆動電圧は２．５Ｖ、半減期は３２，０００時間であった。
（実施例５）
電子輸送層Ａｌｑ3の膜厚を陰極側から順に５、１０、３０ｎｍとした以外は実施例１と同様に作製した素子を実施例５とする。実施例５の素子の断面構造は図６に示す模式図と同じものである。
【００４１】
実施例５の素子特性を実施例１と同じ条件で評価した。輝度１ｃｄ／ｍ2を超えた時の印加電圧は３．０Ｖ、２５０ｍＡ／ｃｍ2の電流密度が得られた時の印加電圧は８．５Ｖ、その時の輝度は９，６１０ｃｄ／ｍ2であった。この素子を直流定電流密度１５ｍＡ／ｃｍ2で駆動したときの初期輝度は５８０ｃｄ／ｍ2、初期駆動電圧は２．５Ｖ、半減期は３１，０００時間であった。
（比較例１）
電子輸送層Ａｌｑ3を３０ｎｍ、陰極バッファ層ＬｉＦを１ｎｍの厚さでそれぞれ一回だけ製膜する以外は、実施例１と同様に作製した素子を比較例１とする。比較例１の素子の断面構造は図３に示す模式図と同じものである。
【００４２】
比較例１の素子特性を実施例１と同じ条件で評価した。輝度１ｃｄ／ｍ2を超えた時の印加電圧は５．０Ｖ、２５０ｍＡ／ｃｍ2の電流密度が得られた時の印加電圧は１８Ｖ、その時の輝度は２，１１０ｃｄ／ｍ2であった。この素子を直流定電流密度１５ｍＡ／ｃｍ2で駆動したときの初期輝度は２１０ｃｄ／ｍ2、初期駆動電圧は７．５Ｖ、半減期は１１５時間であった。
（比較例２）
陰極バッファ層ＬｉＦを０．５ｎｍとする以外は、比較例１と同様に作製した素子を比較例２とする。比較例２の素子の断面構造は図４に示す模式図と同じものである。
【００４３】
比較例２の素子特性を評価するため、１５ｍＡ／ｃｍ2の電流密度で３０分駆動した後、素子を発光させると、発光可能面積に対してダークスポットが４０％存在していた。そこで、断面構造を観察すると、陰極と陰極バッファ層の間に空間ができていることが判明した。また同一条件で作った別の素子では、陰極と陰極バッファ層との空間と、更に正孔輸送層４，４'−ビス〔Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ〕ビフェニルが水分の混入により結晶化していることも観察された。
【００４４】
【発明の効果】
本発明によれば、有機ＥＬ素子における効率の高い電子注入能と、良好な動作安定性を有する素子構造を提供できるという有利な効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態である実施例１の有機ＥＬ素子模式断面図
【図２】本発明の別の形態である実施例２の有機ＥＬ素子の模式断面図
【図３】従来の有機ＥＬ層構造を持つ有機ＥＬ素子の動作時の電流リーク発生原因を示す模式断面図
【図４】従来の有機ＥＬ層構造を持つ有機ＥＬ素子の動作時の不純物発生原因を示す模式断面図
【図５】本発明の別の形態である実施例４の有機ＥＬ素子の模式断面図
【図６】本発明の別の形態である実施例５有機ＥＬ素子の模式断面図
【符号の説明】
１…陰極
２…陰極バッファ層
３…電子輸送層
４…発光層
５…正孔輸送層
６…陽極バッファ層
７…陽極
８…基板
９…従来の有機ＥＬ層
１０…有機ＥＬ層の不連続箇所、及び酸素や水分など不純物の通り道
１１…２層陰極
【図１】
0004394331.tif 000006
【図２】
0004394331.tif 000007
【図３】
0004394331.tif 000008
【図４】
0004394331.tif 000009
【図５】
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【図６】
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