(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
装置に加わる衝撃を検出して出力する衝撃センサと、
前記衝撃センサの検出信号が得られた際に、衝撃収束に対応した所定時間に亘りヘッドによる媒体への書込みを禁止する書込み禁止部と、
前記書込み禁止中に、衝撃による前記衝撃センサの検出出力か又は電源変動による前記衝撃センサの誤検出出力かを判定する判定部と、
前記判定部で衝撃による検出出力を判定した場合に、前記衝撃センサの検出感度を高め、前記判定部で電源変動による誤検出出力を判定した場合は、前記衝撃センサの検出感度を下げると共に前記書込み禁止を解除する感度制御部と、
を備えたことを特徴とする記憶装置。
【請求項２】
請求項１記載の記憶装置に於いて、前記判定部は、
前記衝撃センサの出力が衝撃による出力か又は電源変動による出力かを、前記ヘッドの位置信号から判定する第１判定部と、
前記衝撃センサの出力が衝撃による出力か又は電源変動による出力かを、電源電圧の定格電圧に対する低下変動を監視して判定する第２判定部と、
前記衝撃センサの出力が衝撃による出力か又は電源変動による出力かを前記衝撃センサの出力挙動から判定する第３判定部と、
前記第１乃至第３判定部の少なくともいずれか１つが電源電圧の変動を判定した場合は電源の変動を判定結果として出力し、前記第１乃至第３判定部の全てが衝撃による出力を判定した場合に衝撃による出力を判定結果として出力する判定出力部と、
を備えたことを特徴とする記憶装置。
【請求項３】
請求項２記載の記憶装置に於いて、前記判定部は、書込み禁止中の判定期間の間、書込み動作に相当する擬似書込み動作状態を生成するため、前記衝撃センサの検出感度を上げると共に、電源電圧を定格電圧以上の範囲で強制的に変動させることを特徴とする記憶装置。
【請求項４】
装置に加わる衝撃を検出して出力する衝撃センサの検出信号が得られた際に、衝撃収束に対応した所定時間に亘りヘッドによる媒体への書込みを禁止する書込み禁止ステップと、
前記書込み禁止中に、衝撃による前記衝撃センサの検出出力か又は電源変動による前記衝撃センサの誤検出出力かを判定する判定ステップと、
前記判定ステップで衝撃による検出出力を判定した場合に、前記衝撃センサの検出感度を高め、前記判定ステップで電源変動による誤検出力を判定した場合は、前記衝撃センサの検出感度を下げると共に前記書込み禁止を解除する感度制御ステップと、
を備えたことを特徴とする記憶装置の制御方法。
【請求項５】
記憶装置のコンピュータに、
装置に加わる衝撃を検出して出力する衝撃センサの検出信号が得られた際に、衝撃収束に対応した所定時間に亘りヘッドによる媒体への書込みを禁止する書込み禁止ステップと、
前記書込み禁止中に、衝撃による前記衝撃センサの検出出力か又は電源変動による前記衝撃センサの誤検出出力かを判定する判定ステップと、
前記判定ステップで衝撃による検出出力を判定した場合に、前記衝撃センサの検出感度を高め、前記判定ステップで電源変動による誤検出出力を判定した場合は、前記衝撃センサの検出感度を下げると共に前記書込み禁止を解除する感度制御ステップと、
を実行させることを特徴とするプログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、衝撃センサを搭載した磁気ディスク装置等の記憶装置、制御方法及びプログラムに関し、特に、衝撃を検出して書込みを禁止することにより媒体に記録している情報を保護する記憶装置、制御方法及びプログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、磁気ディスク装置等の記憶装置にあっては、記憶装置に衝撃センサを設置し、記憶装置に外部から衝撃が加わった際の衝撃センサの検出出力が所定の閾値を超えたことを判定し、書込み動作を衝撃による衝撃が収束する所定時間のあいだ禁止し、ヘッドアクチュエータが衝撃により振れて隣接シリンダに対する書込みによりデータを破壊しないように保護している。
【０００３】
ところで、記憶装置に使用している衝撃センサとしては例えば圧電素子を使用しており、記憶装置の電源電圧に変動が生じた場合、衝撃センサの出力にも電源変動に応じた出力変動が発生し、衝撃を誤検出してしまう。このように衝撃センサの出力が電源変動で誤検出されると、このタイミングで書込みコマンドを実行中であった場合、書込み禁止によって書込みフォルトとなり、その後にリトライされることになる。
【０００４】
しかし、リトライ時にも電源変動による誤検出があると書込み禁止でリトライがフォルトとなり、エラー終了となってしまう可能性がある。そこで従来の記憶装置にあっては、特定のリトライ時に衝撃センサの検出出力を無効にする処理を実行し、衝撃センサの誤作動を無視して書込み動作を実行している。
【特許文献１】特開平７−６１３２０号公報
【特許文献２】特開平７−６４８７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特定の書込みリトライ時に衝撃センサの検出出力を無効にして書込み動作している従来の記憶装置にあっては、衝撃センサの検出出力を無効にしている時に本当に衝撃が印加されていた場合には、その衝撃を検出できずに、衝撃が加わった状態で書込み動作を実行し、隣接するシリンダのデータを破壊してしまう問題がある。
【０００６】
また、電源電圧の変動による衝撃センサの誤検出時には、特定のリトライが行われるまで書込みが禁止され、書込み性能が悪化する問題点がある。
【０００７】
本発明は、衝撃センサの検出出力による誤動作を防止してアクセス性能を向上する記憶装置、制御方法及びプログラムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は記憶装置を提供する。本発明の記憶装置は、
装置に加わる衝撃を検出して出力する衝撃センサと、
衝撃センサの検出信号が得られた際に、衝撃収束に対応した所定時間に亘りヘッドによる媒体への書込みを禁止する書込み禁止部と、
書込み禁止中に、衝撃による衝撃センサの検出出力か又は電源変動による衝撃センサの誤検出出力かを判定する判定部と、
判定部で衝撃による検出出力を判定した場合に、衝撃センサの検出感度を高め、判定部で電源変動による誤検出出力を判定した場合は、衝撃センサの検出感度を下げると共に書込み禁止を解除する感度制御部と、
を備えたことを特徴とする。
【０００９】
ここで、判定部は、
衝撃センサの出力が衝撃による出力か又は電源変動による出力かを、ヘッドの位置信号から判定する第１判定部と、
衝撃センサの出力が衝撃による出力か又は電源変動による出力かを、電源電圧の定格電圧に対する低下変動を監視して判定する第２判定部と、
衝撃センサの出力が衝撃による出力か又は電源変動による出力かを衝撃センサの出力挙動から判定する第３判定部と、
第１乃至第３判定部の少なくともいずれか１つが電源電圧の変動を判定した場合は電源の変動を判定結果として出力し、第１乃至第３判定部の全てが衝撃による出力を判定した場合に衝撃による出力を判定結果として出力する判定出力部と、
を備える。
【００１０】
判定部は、書込み禁止中の判定期間の間、書込み動作中に相当する擬似書込み動作状態を生成するため、衝撃センサの検出感度を上げると共に、電源電圧を定格電圧以上の範囲で強制的に変動させる。
【００１１】
第３判定部は、規定期間に亘り衝撃センサの出力信号を積分し、積分値が直線的に変化する場合は電源変動による出力と判定し、積分値が非直線的に変化する場合は衝撃による出力と判定する。
【００１２】
また第３判定部は、規定期間に亘り衝撃センサの出力信号を積分し、積分初期値と積分終了値を結ぶ直線に対する積分値との差分の絶対値の総和を算出し、差分総和が零又は所定値以下の場合は電源変動による出力と判定し、差分総和が所定値を超えた場合は衝撃による出力と判定する。
【００１３】
感度制御部は、衝撃センサの検出信号を増幅するアンプのゲインをデフォルトゲインに初期設定し、検出感度アップの指示を受けた際に、アンプのゲインを最大ゲインに達するまで所定ゲインずつ増加させ、検出感度アップの指示を受けた際に、アンプのゲインを最低ゲインに達するまで所定ゲインずつ低下させる。
【００１４】
書込み禁止部は、書込みコマンドの実行に伴う書込みフォルトを検出した際にも所定時間に亘り書込みを禁止し、判定部は書込み禁止部の書込みフォルトに伴う書込み禁止に連動して判定動作を開始し、電源変動による出力を判定した場合は、直ぐに書込み禁止を解除後して書込みフォルトに対するリトライを実行させる。
【００１５】
本発明は記憶装置の制御方法を提供する。本発明による記憶装置の制御方法は、
装置に加わる衝撃を検出して出力する衝撃センサの検出信号が得られた際に、衝撃収束に対応した所定時間に亘りヘッドによる媒体への書込みを禁止する書込み禁止ステップと、
書込み禁止中に、衝撃による衝撃センサの検出出力か又は電源変動による衝撃センサの誤検出出力かを判定する判定ステップと、
判定ステップで衝撃による検出出力を判定した場合に、衝撃センサの検出感度を高め、判定ステップで電源変動による誤検出出力を判定した場合は、衝撃センサの検出感度を下げると共に書込み禁止を解除する感度制御ステップと、
を備えたことを特徴とする。
【００１６】
本発明は記憶装置のコンピュータにより実行されるプログラムを提供する。本発明のプログラムは、記憶装置のコンピュータに、
装置に加わる衝撃を検出して出力する衝撃センサの検出信号が得られた際に、衝撃収束に対応した所定時間に亘りヘッドによる媒体への書込みを禁止する書込み禁止ステップと、
書込み禁止中に、衝撃による衝撃センサの検出出力か又は電源変動による衝撃センサの誤検出出力かを判定する判定ステップと、
判定ステップで衝撃による検出出力を判定した場合に、衝撃センサの検出感度を高め、判定ステップで電源変動による誤検出出力を判定した場合は、衝撃センサの検出感度を下げると共に書込み禁止を解除する感度制御ステップと、
を実行させることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、衝撃センサの検出出力が得られた際に、電源電圧の変動による検出出力か又は衝撃による検出出力かを判定し、判定結果に応じた最適な衝撃センサ感度を設定することで、衝撃センサの誤検出出力による書込み性能悪化の防止と衝撃による隣接トラック書込みによるデータ破壊の防止を両立させることができる。
【００１８】
また、衝撃センサの検出出力を書込み禁止状態として判定している間に、衝撃センサの検出感度を上げることで、衝撃センサの個体的なばらつきによる依存性を低減して正確に判定する。同時に、電源電圧の変動は書込み動作中に大きくなることから、書込み動作を禁止した判定中に、擬似的に書込み動作に相当する擬似書込み動作状態を生成して判定することで、電源変動に対する誤検出を正確に判定することができる。
【００１９】
更にライトフォルトに対し予め設けられていた書込み禁止機能を利用して衝撃センサの検出出力による書込み禁止を行っている場合、通常のライトコマンドの実行に伴うライトフォルトによる書込み禁止の際にも、衝撃センサの検出出力の場合と同様に判定処理が所定時間に行われるが、途中で電源電圧の変動を判定した場合は、その時点で書込み禁止を解除することで、ライトフォルトに対するリトライを一定の判定時間の経過を待つことなく実行することができ、無駄な回転待ちによる書込み性能悪化を防ぐことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
図１は本発明による記憶装置の一実施形態としての磁気ディスク装置のブロック図である。
【００２１】
図１において、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）として知られた磁気ディスク装置１０は、ディスクエンクロージャ１２と制御ボード１４で構成される。ディスクエンクロージャ１２にはスピンドルモータ１６が設けられ、スピンドルモータ１６の回転軸にディスク媒体（記憶媒体）２０−１，２０−２を装着し、一定速度で回転させる。
【００２２】
ディスクエンクロージャ１２にはボイスコイルモータ１８が設けられ、ボイスコイルモータ１８はヘッドアクチュエータのアーム先端にヘッド２２−１〜２２−４を搭載しており、ディスク媒体２０−１，２０−２の記録面に対するヘッドの位置決めを行う。なお、ヘッド２２−１〜２２−４にはライトヘッドとリードヘッドが一体化されて搭載されている。
【００２３】
ヘッド２２−１〜２２−４はヘッドＩＣ２４に対し信号線接続されており、ヘッドＩＣ２４は上位装置となるホスト１１からのライトコマンドまたはリードコマンドに基づくヘッドセレクト信号で１つのヘッドを選択して書込みまたは読出しを行う。またヘッドＩＣ２４には、ライト系についてはライトアンプが設けられ、リード系についてはプリアンプが設けられている。
【００２４】
制御ボード１４にはＭＰＵ２６が設けられ、ＭＰＵ２６のバス２８に対し、ＲＡＭを用いた制御プログラム及び制御データを格納するメモリ３０、ＦＲＯＭ等を用いた制御プログラムを格納する不揮発メモリ３２が設けられている。
【００２５】
またＭＰＵ２６のバス２８には、ホストインタフェース制御部３４、バッファメモリ３８を制御するバッファメモリ制御部３６、ハードディスクコントローラとして機能するフォーマット制御部４０、ライト変調部及びリード復調部として機能するリードチャネル４２、ボイスコイルモータ１８及びスピンドルモータ１６を制御するサーボ制御部４４が設けられている。
【００２６】
磁気ディスク装置１０は、ホスト１１からの入出力コマンドに基づき書込処理及び読出処理を行う。ここで、磁気ディスク装置における通常の動作を説明すると次のようになる。
【００２７】
ホスト１１からのライトコマンドとライトデータをホストインタフェース制御部３４で受けると、ライトコマンドをＭＰＵ２６で解読し、受信したライトデータを必要に応じてバッファメモリ３８に格納した後、フォーマット制御部４０で所定のデータ形式に変換すると共にＥＣＣ処理によりＥＣＣ符号を付加し、リードチャネル４２におけるライト変調系でスクランブル、ＲＬＬ符号変換、更に書込補償を行った後、ライトドライバからヘッドＩＣ２４を介して選択した例えばヘッド２２−１のライトヘッドからディスク媒体２０−１に書き込む。
【００２８】
このときＭＰＵ２６からＤＳＰなどを用いたサーボ制御部４４にヘッド位置決め信号が与えられており、ボイスコイルモータ１８によりヘッドをコマンドで指示された目標トラックにシークした後にオントラックしてトラック追従制御を行っている。
【００２９】
一方、ホスト１１からのリードコマンドをホストインタフェース制御部３４で受けると、リードコマンドをＭＰＵ２６で解読し、ヘッドＩＣ２４のヘッドセレクトで選択されたリードヘッドから読み出された読出信号をリードアンプで増幅した後に、リードチャネル４２のリード復調系に入力し、パーシャルレスポンス最尤検出（ＰＲＭＬ）などによりリードデータを復調し、フォーマット制御部４０でＥＣＣ処理を行ってエラーを検出訂正した後、バッフメモリ３８にバッファリングし、ホストインタフェース制御部３４からリードデータをホスト１１に転送する。
【００３０】
このような磁気ディスク装置１０の構成に加え、本発明にあっては、更に、制御ボード１４側に衝撃センサ４６を設けている。衝撃センサ４６としては例えば圧電素子などが使用されており、磁気ディスク装置１０を組み込んでいるホスト１１に衝撃が加わると、この衝撃に応じた衝撃センサ信号Ｅ１を出力する。
【００３１】
衝撃センサ４６の出力はアンプ４８に入力され、アンプ４８に設定しているゲインにより増幅された後、衝撃センサ信号Ｅ２としてＭＰＵ２６に読み込まれる。アンプ４８はＭＰＵ２６からの制御によりゲインを変化させることができ、アンプ４８のゲインを変化させることで衝撃センサ４６の検出感度を変えることができる。なお衝撃センサ４６は、ヘッド２２−１〜２２−４を先端に支持しているヘッドアクチュエータのアームに直交する方向の振動を検出するように配置されている。
【００３２】
衝撃センサ４６を設けたことに伴い、ＭＰＵ２６には、書込み禁止部５０、判定部５２及び感度制御部５４が設けられている。書込み禁止部５０は、衝撃センサ４６の出力に基づく衝撃センサ信号Ｅ２がアンプ４８を介して得られた際に、振動収束に対応した所定時間Ｔに亘りヘッドによるディスク媒体への書込みを禁止する。
【００３３】
本実施形態にあっては、衝撃センサ４６による衝撃センサ信号Ｅ２を判別して書込み禁止部５０の禁止動作を行わせると同時に、通常のホスト１１からのライトコマンドの実行中にライトフォルトとなった際にも、書込み禁止部５０により衝撃検出時と同じ所定時間Ｔに亘り書込み禁止を行うようにしている。
【００３４】
このように書込み禁止部５０の機能を衝撃検出と通常の書込みコマンドのライトフォルトにつき共通化することで、ＭＰＵ２６における書込み禁止部５０の機能を実現するプログラムもしくはファームウェアの構成を簡略化することができる。
【００３５】
判定部５２は衝撃センサ信号Ｅ２による書込み禁止部５０の書込み禁止動作中に、衝撃による衝撃センサ４６の検出出力か又は電源変動による衝撃センサ４６の誤検出出力かを判定する。即ち、磁気ディスク装置１０に設けている衝撃センサ４６は、衝撃が加わった際にアンプ４８より衝撃センサ信号Ｅ２を出力すると同時に、磁気ディスク装置１０に供給している電源電圧Ｖｃｃ例えばＶｃｃ＝５ボルトが、例えば装置の書込み動作などの際に変動すると、この電源変動に伴って衝撃センサ４６の衝撃センサ出力も変動し、アンプ４８で増幅した衝撃センサ信号Ｅ２が衝撃を判定する閾値レベルＥｔｈを超えることで電源変動を衝撃と誤検出する場合がある。
【００３６】
そこで本発明にあっては、判定部５２において衝撃センサ４６の衝撃検出信号に基づいて書込み禁止部５０で書込み禁止を行った際に、判定部５２において衝撃による衝撃センサ４６の検出出力か又は電源変動による衝撃センサ４６の検出出力かを判定している。
【００３７】
判定部５２における判定処理は次の３つの判定を行う。
（１）衝撃センサ４６の出力が衝撃による出力か又は電源変動による出力かをヘッドの位置信号から判定する第１判定処理。
（２）衝撃センサ４６の出力が振動による出力か又は電源変動による出力かを、電源電圧Ｖｃｃの電源定格電圧Ｖｃｃ＝５ボルトに対する低下変動を監視して判定する第２判定処理。
（３）衝撃センサ４６の出力が出力か又は電源変動による出力かを衝撃センサ４６の出力挙動から判定する第３判定処理。
【００３８】
ここで第１判定処理として行うヘッドの位置信号による判定は、衝撃が加われば位置信号が変動し、電源変動であれば位置信号は変動しないことを判定する。
【００３９】
図２は図１の磁気ディスク装置１０に衝撃が加わったときの電源電圧、衝撃センサ信号、衝撃検出信号、書込み禁止信号及びヘッド位置信号のタイムチャートである。図２（Ａ）の電源電圧Ｖｃｃは、衝撃が加わっているときには基本的にＶｃｃ＝５ボルトとなる一定の電源電圧５６であり、５ボルトの下側に設定した閾値電圧Ｖｔｈを下回ることはない。
【００４０】
図２（Ｂ）は衝撃センサ４６の出力信号、具体的には図１のアンプ４８からの衝撃センサ信号Ｅ２であり、この例では時間を置いて２回衝撃が加わっており、衝撃センサ信号５８−１と衝撃センサ信号５８−２が得られている。
【００４１】
図２（Ｃ）は衝撃検出信号であり、図２（Ｂ）の衝撃センサ信号Ｅ２に設定した閾値電圧Ｅｔｈを超えるタイミングで衝撃検出信号６０−１，６０−２が得られている。図２（Ｄ）の書込み禁止信号６２−１，６２−２は衝撃検出信号６０−１，６０−２の立ち上がりに同期して発生し、衝撃が収束する時間に対応して定めた所定時間Ｔの間、出力される。
【００４２】
書き込み禁止期間は、製品出荷前に、衝撃が収束する時間を予め測定もしくは推定して決められたものであり、数ミリ秒程度である。
【００４３】
図２（Ｅ）はヘッド位置信号であり、衝撃センサ信号力Ｅ２における衝撃センサ信号５８−１，５８−２に対応したタイミングでヘッド位置信号６４−１，６４−２が衝撃に応じて大きく変動している。
【００４４】
このため、図１の判定部５２における第１判定処理として、図２（Ｅ）のようなヘッド位置信号を衝撃検出信号が得られた際にチェックし、ヘッド位置信号が変動していれば衝撃と判定し、ヘッド位置信号が変動していなければ電源変動によるものと判定することができる。
【００４５】
次に判定部５２における第２判定処理としての電源電圧の監視による判定処理は、定格電源電圧Ｖｃｃ＝５ボルトに対し、低い電圧に設定している閾値電圧Ｖｔｈを下回る電源電圧の変動を監視し、閾値電圧Ｖｔｈを下回る電源電圧の変動があれば電源変動による衝撃センサ４６の出力と判定し、電源電圧が閾値電圧Ｖｔｈを下回らなければ衝撃による衝撃センサ４６の出力と判定する。
【００４６】
図３は図１の磁気ディスク装置１０において電源電圧が変動したときの衝撃センサ信号、衝撃検出信号、書込位置信号及びヘッド位置信号のタイムチャートである。図３（Ａ）は電源電圧Ｖｃｃの変動であり、例えばリップル電圧が加わった場合の変動を示している。このような電源電圧Ｖｃｃの変動に対し、図３（Ｂ）のように衝撃センサ４６のアンプ４８を介して得られる衝撃センサ信号Ｅ２は、電源電圧５６の変動に応じて変動し、衝撃検出のための閾値Ｅｔｈを超えたタイミングで図３（Ｃ）の衝撃検出信号６０−１，６０−２，６０−３が出力される。
【００４７】
このため、図３（Ｄ）のように衝撃検出信号６０−１，６０−２，６０−３の立ち上がりに同期して書込み禁止信号６２−１，６２−２，６２−３が所定時間Ｔに亘り出力され、書込み禁止が行われることになる。この場合、衝撃が加わっていないことから、図３（Ｅ）のヘッド位置信号６４は目標トラックに対するオントラック制御に伴う微小変動で安定したヘッド位置信号となっている。
【００４８】
図１の判定部５２における第２判定処理にあっては、図３（Ａ）のような電源電圧Ｖｃｃの変動を監視し、定格電圧Ｖｃｃ＝５ボルトに対し低めに設定した閾値電圧Ｖｔｈを下回る電源変動を判定した際に、電源変動による衝撃センサ４６の誤検出出力と判定し、電源電圧Ｖｃｃが閾値電圧Ｖｔｈ以下に下がる変動がなければ、衝撃による衝撃センサ４６の出力と判定する。
【００４９】
図１の判定部５２における第３判定処理は、書込み禁止中における衝撃センサ４６の出力の挙動から、振動による出力か又は電源変動による出力かを判定する。この衝撃センサ４６の出力の挙動の判定は、規定期間に亘り衝撃センサ４６の出力信号を積分し、積分値が直線的に変化する場合は電源変動による出力と判定し、積分値が非直線的に変化する場合は衝撃による出力と判定する。
【００５０】
図４（Ａ）は電源電圧が変動した際の衝撃センサ４６の出力の積分値の時間変化であり、図４（Ｂ）は衝撃が加わった際の衝撃センサ４６の出力の積分値の時間変化を示している。図４（Ａ）の電源変動については、時刻ｔ１から時刻ｔ２までの衝撃センサ出力の積分は、例えば電源電圧の変動は図３（Ａ）に示したようにリップル電圧が重畳することによる一定周期の緩やかな変動であることから、衝撃センサ４６の出力の積分値は積分特性７０に示すように、時刻ｔ１からｔ２の間でほぼ直線的に増加する。
【００５１】
これに対し図４（Ｂ）の衝撃が加わった際の衝撃センサ４６の出力の積分特性８２は、図２（Ｂ）のように、衝撃によるセンサ出力の出力は急激且つ非周期的であるため、積分特性７６は時間に対し非線形的にランダムに増加する。したがって、図４（Ａ）のような直線的に増加する積分特性７０が得られれば電源変動による衝撃センサ４６の出力と判定し、図４（Ｂ）のように非直線的に変化する積分特性７６が得られれば衝撃による衝撃センサ４６の出力と判定することができる。
【００５２】
具体的な積分特性７０，７６の判定は次のようにして行う。図４（Ａ）の電源変動については、時刻ｔ０の積分開始点７２の初期値と時刻ｔ２の積分終了点７４の積分値とを結ぶ直線を設定し、この直線に対する積分特性７０の差分の絶対値の総和ΣΔＳを求め、この差分総和ΣΔＳが０もしくは０に近い所定の閾値ＴＨ以下であれば、積分特性７０のように直線変化しており、電源変動による誤検出出力と判定することができる。
【００５３】
図４（Ｂ）の衝撃が加わった場合についても、時刻ｔ１の積分開始点７８の初期値と時刻ｔ２の積分終了点８０の積分値を結ぶ直線８２を設定し、直線８２に対する実際に算出された積分特性７６の差分の絶対値の総和ΣΔＳを同様に求め、差分総和ΣΔＳが０もしくはそれに近い値を設定した閾値ＴＨを超えていれば衝撃による衝撃センサ４６の出力と判定する。
【００５４】
なお積分時間は衝撃が加わって収束するまでの時間をカバーするように所定の積分時間を設定すればよい。通常、衝撃が加わって収束する時間は数ミリ秒以下のごく短時間であり、このような衝撃時間は電源変動に比べるとごく短時間であり、衝撃についてはその間に急激な変動をするが、電源電圧の変動についてはほぼ一定割合で変動することとなり、その結果、図４（Ａ）のような直線的な積分特性７０の変化が現れ、一方、振動については図４（Ｂ）のような非線形の積分特性７６の変化が現れることになる。
【００５５】
なお、ここでは積分時間はディスク１回転分（１周分）の時間とし、判定時間は１周分プラス判断時間としている。
【００５６】
更に図１の判定部５２にあっては、書込み禁止に連動した判定処理中に亘り磁気ディスク装置１０における書込み動作に相当する擬似書込み動作状態を生成する。この擬似書込み状態の生成は
（１）衝撃センサ４６の検出感度を上げ、
（２）電源電圧を定格電圧Ｖｃｃ＝５ボルト以上の範囲で強制的に変動させる、
処理を実行する。
【００５７】
このように判定中に擬似的に書込み動作状態を生成する理由は次のようになる。衝撃センサ４６の衝撃検出信号が得られた際の書込み禁止に伴う判定処理中は、衝撃センサ４６の出力が衝撃によるものか電源変動によるものかの判別前のため、最適な衝撃センサ４６の感度を設定しておらず、したがって書込み動作は禁止しなければならない。
【００５８】
ここで実際に書込み動作を行っているときの電源変動は、非書込時に比べ大きくなる。このため、判定処理中は書込み禁止を行っていることから、実際の書込時と比較して電源変動は少なくなっている。したがって、衝撃センサ４６のばらつきにより実際の書込み動作における電源変動により衝撃センサ４６の検出出力から衝撃誤検出を起こすような場合には、判定処理において正確な判断ができない場合がある。このため本発明にあっては、書込み禁止状態で行われる判定処理において実書込み状態に近い擬似書込み動作状態を生成して判定処理を行うようにしている。
【００５９】
ここで衝撃センサ４６のばらつきとは、電源変動に対するオフセット電圧の増減比であるＰＳＲＲ（Ｐｏｗｅｒ  Ｓｕｐｐｌｙ  Ｒｅｊｅｃｔｉｏｎ  Ｒａｔｉｏ）であり、このＰＳＲＲのばらつきによって、実際の書込み動作時における電源変動により衝撃センサ４６が誤検出を起こしたり起こさなかったりする状態が生ずる。
【００６０】
擬似書込み動作状態を生成する際の衝撃センサ４６の感度アップは、衝撃センサ４６に続いて設けたアンプ４８のゲインを、初期設定されているデフォルトゲインＧ０から予め定められた一定ゲインΔＧだけアップさせる。
【００６１】
また擬似書込み動作状態を生成するための強制的な電源変動は、実際の書込み動作時にアクティブとなる回路を周期的にオン、オフさせることにより実現させることができる。例えば図１のディスクエンクロージャ１２側に設けているヘッドＩＣ２４に内蔵した書込信号をヘッドに供給するプリアンプや、リードチャネル４２に内蔵しているヘッドＩＣ２４のプリアンプに対しデータを送信する回路などを強制的にオン、オフさせる。
【００６２】
図５は判定部５２による判定期間Ｔ、即ち書込み禁止期間Ｔに亘り、擬似書込み動作状態を生成するために電源電圧を定格電圧Ｖｃｃ＝５ボルト以上の範囲で強制的に変動させた場合の電源電圧波形の説明図である。
【００６３】
図５において、時刻ｔ１までの電圧波形６６−１は通常状態であり、時刻ｔ１からｔ２までのＴ１時間に亘り、ライトヘッドに対するプリアンプやデータ送信回路を強制的にオン、オフさせて定格電圧Ｖｃｃ＝５ボルト以上の範囲で電圧変動波形６８を生成している。
【００６４】
このように判定中に亘り擬似書込み動作状態を衝撃センサ４６の感度アップ及び電源電圧の強制変動で作り出すことで、判定部５０による判定処理、より具体的には第２判定処理としての電源電圧に基づく判定処理と、第３判定処理としての衝撃センサ４６の出力の積分値による強度判定を、実際の書込み動作中におけると同等の条件で行い、より正確に衝撃センサ４６の出力が衝撃によるものか又は電源変動によるものかを判定することができる。
【００６５】
再び図１を参照するに、ＭＰＵ２６に設けた感度制御部５４は、判定部５２で衝撃による衝撃センサ４６の検出出力を判定した場合には衝撃センサの検出感度を高め、逆に電源変動による誤検出を判定した場合には衝撃センサ４６の検出感度を下げる。更に、電源変動による衝撃センサ４６の誤検出を判定した場合には、書込み禁止部５０による所定時間Ｔに亘る書込み禁止を、電源変動による誤検出を判定した時点で強制的に解除する。
【００６６】
感度制御部５４による衝撃センサ４６の検出感度の制御は、アンプ４８に対するゲインをアップまたはダウンさせることで行う。アンプ４８のゲイン制御は初期状態でデフォルトゲインＧ０に設定されており、判定部５２における擬似書込み動作状態を設定するための検出感度のアップで、ゲインＧはデフォルトゲインＧ０から１ステップアップされたＧ＝Ｇ０＋ΔＧとなっており、その後の判定結果に基づき感度制御部５４によるアンプ４８のゲイン制御が行われる。
【００６７】
即ち、判定部５２で衝撃による検出出力を判定した場合には、アンプ４８の現在のゲインＧをＧ＋ΔＧとする。このゲインアップは最大ゲインＧｍａｘに達するまで行われる。一方、判定部５２で電源変動による誤検出を判定した場合にはＧ＝Ｇ−ΔＧとなるゲインダウンが行われ、このゲインダウンは最小ゲインＧｍｉｎに達するまで判定ごとに繰り返されることになる。
【００６８】
更に感度制御部５４にあっては、判定部５２で電源変動による誤検出を判定した際に衝撃センサ４６の検出感度を下げると同時に、書込み禁止部５０による書込み禁止を解除している。この衝撃センサ４６の電源変動による誤検出を判定した際の書込み禁止の解除により、書込み禁止部５０の機能を衝撃センサ４６による衝撃検出と通常の書込み処理によるライトフォルトで共用した場合のリトライ性能の低下を防ぐことができる。
【００６９】
図６は衝撃センサ４６で衝撃を検出してこれが判定された場合の磁気ディスクのインデックス信号、衝撃検出信号、書込み禁止信号及びライトゲート信号のタイムチャートである。図６（Ｂ）の衝撃検出信号６０が得られると、その立ち上がりに同期して図６（Ｃ）の書込み禁止信号６２が所定時間Ｔに亘り発生する。
【００７０】
衝撃検出信号６２が得られる前に図６（Ｄ）のライトゲート信号が有効となって書込み動作中であった場合、衝撃検出で書込み禁止信号が発生することで、ライトゲート信号８６−１はオフとなって書込みが禁止される。
【００７１】
ここで書込み禁止信号６０は、図６（Ａ）のインデックス信号から見て約媒体の１．５回転の時間発生しており、衝撃検出で書込み禁止となった書込みコマンドのリトライは、書込み禁止信号がなくなった後のインデックス信号８４−３からの回転中のライトゲート８６−３によるリトライとなる。
【００７２】
ここで、最初のインデックス信号８４−１による１回転の途中でライトゲート信号８６−１がオフとなってライトフォルトが起きた場合、書込み禁止信号がなければ次のインデックス信号８４−２までの回転待ちを行った後のライトゲート信号８６−２のタイミングで本来、リトライが行われるが、Ｔ時間に亘る判定処理のために、リトライはライトゲート信号８６−３のタイミングまで遅れることになる。
【００７３】
この図６のような書込み禁止信号がＴ時間に亘り発生することによるリトライタイミングの遅れは、衝撃センサ４６の検出信号によらず、通常のライトコマンドの実行中に何らかの原因によりライトフォルトとなった場合にも同様であり、書込み禁止信号がＴ時間に亘り発生するため、ライトフォルトに対するリトライが判定処理を行わない場合のライトゲート信号８６−２のタイミングではなく、もう１回転後のライトゲート信号８６−３のタイミングまで延びてしまう。
【００７４】
そして、ライトフォルトによる書込み禁止及び判定処理については、元来、振動が加わっていないことが前提であることから電源変動が判定されるはずであり、特に本発明の判定部５２による判定処理にあっては、最初にヘッド位置信号の変動から電源変動か衝撃かを判定しているため、最初のヘッド位置信号による判定処理で振動でなければ電源変動と判定され、第２判定処理及び第３判定処理はスキップすることになる。
【００７５】
そこで本発明にあっては、判定処理中に電源変動による衝撃センサの誤検出出力と判定した場合には直ちに書込み禁止を解除する。
【００７６】
図７は判定中に電源変動による衝撃センサ４６の誤検出と判定した場合のタイムチャートである。図７（Ｄ）のように、インデックス信号８４−１を基準とした１回転中にライトゲート信号８６−１が発生して書込み動作を行っており、その書込み動作中にライトフォルトが何らかの原因により発生し、図７（Ｃ）の書込み禁止信号が所定時間Ｔに亘り発生する。
【００７７】
同時に判定処理８８が開始されており、この場合、衝撃によらずライトフォルトによるものであることから、判定処理における第１判定処理としてのヘッド位置信号の変動から、直ちに衝撃ではなく電源変動による誤検出（実際に振動が検出されている訳ではなく単なる判定結果）が判定され、この判定結果が得られた時点で書込み禁止信号を解除することで、次のインデックス信号８４−２からの回転中にライトゲート信号８６−２を出力して、ライトフォルトに対するリトライを実行することができる。
【００７８】
このように本発明にあっては、衝撃センサ４６による衝撃検出とライトコマンドの実行に伴うライトフォルトにつき書込み禁止部５０を共用していても、衝撃センサ４６が衝撃によるか電源変動によるかを判断するための判定処理の影響を受けることなく、通常の書込みコマンドの実行に伴うライトフォルトに対しては１回転待ちのタイミングでリトライを実行し、アクセス性能の低下を防ぐことができる。
【００７９】
図８は図１の実施形態による衝撃検出に伴う磁気ディスク装置１０の制御処理のフローチャートである。図８において、ステップＳ１で衝撃センサ４６に対し設けているアンプ４８の現在ゲインとして初期ゲインであるデフォルトゲインＧ０を設定する。続いてステップＳ２で衝撃センサ４６の検出出力ありか否かチェックする。具体的には、アンプ４８からの衝撃センサ信号Ｅ２を読み込んで所定の閾値Ｅｔｈと比較し、閾値Ｅｔｈ以上であれば衝撃センサの検出出力ありと判定する。
【００８０】
衝撃センサの検出出力を判定すると、ステップＳ３で所定時間Ｔに亘るライト禁止を開始する。続いてステップＳ４で、衝撃か電源変動かの判定処理を判定部５２により行う。ステップＳ５で判定部５０の判定結果から衝撃を判定した場合には、ステップＳ６に進み、衝撃センサ４６の感度を高めるためアンプ４８のゲインをアップする制御を行い、ステップＳ７で所定時間Ｔのタイムアップを判別すると、ステップＳ８でライト禁止を解除する。
【００８１】
一方、ステップＳ５で衝撃を判定しなかった場合、即ち電源変動による誤検出を判定した場合には、ステップＳ１０に進み、衝撃センサ４６の検出感度を下げるためにアンプ４８のゲインをダウンする制御を行った後、この場合には直ちにステップＳ８でライト禁止を解除する。このようなステップＳ２〜Ｓ８の処理を、ステップＳ９で停止指示があるまで繰り返す。
【００８２】
図９は図８のステップＳ４における判定処理のフローチャートである。図９において、判定処理は、まずステップＳ１でヘッド位置信号を読み込み、ステップＳ２でヘッド位置信号に衝撃による位置変動があるか否かチェックする。ヘッド位置信号に衝撃による位置変動がなければ、直ちにステップＳ１１に進み、電源変動による誤検出を判定する。
【００８３】
ステップＳ２でヘッド位置信号に衝撃による位置変動があった場合には、ステップＳ３に進み、衝撃センサ４６に設けているアンプ４８のゲインをアップした後、ステップＳ４で電源電圧を定格電圧を超える部分で強制的に変動させ、このステップＳ３，Ｓ４の処理により、判定中における擬似書込み動作状態を生成する。
【００８４】
続いてステップＳ５で電源電圧を読み込み、ステップＳ６で電源電圧に閾値電圧Ｖｔｈ以下の変動があるか否か判定する。もし閾値電圧Ｖｔｈ以下の変動があれば、ステップＳ１１に進み、電源変動による誤検出を判定する。
【００８５】
ステップＳ６で電源電圧に閾値電圧Ｖｔｈ以下の変動がなければ、ステップＳ７で衝撃センサ４６の出力を規定時間に亘り積分し、ステップＳ８で積分の開始点と終了点を結ぶ直線に対する積分値の誤差（絶対値）の総和ΣΔＳを算出する。
【００８６】
続いてステップＳ９で、算出した総和ΣΔＳが予め設定した０もしくはそれに近い閾値ＴＨを超えているか否かチェックし、図４（Ｂ）に示したように閾値ＴＨを超えているような場合には、ステップＳ１０に進み、衝撃による検出出力を判定する。一方、ステップＳ９で総和ΣΔＳが閾値以下であれば、図４（Ａ）のように電源変動の場合であることから、ステップＳ１１に進み、電源変動による誤検出を判定する。
【００８７】
図１０は図１の実施形態における衝撃センサのゲイン制御のフローチャートである。図１０において、衝撃センサのゲイン制御は、ステップＳ１で現在のゲインＧをデフォルトゲインＧ０に設定する初期設定を行った後、ステップＳ２でゲインアップ指示があれば、ステップＳ３で最大ゲインＧｍａｘ未満であることを条件に、ステップＳ４でゲインアップを行う。
【００８８】
またステップＳ５でゲインダウン指示があった場合には、ステップＳ６で最小ゲインＧｍｉｎ以下でないことを条件に、ステップＳ７に進み、ゲインダウンを行う。このステップＳ２〜Ｓ７のゲイン制御を、ステップＳ８で停止指示があるまで繰り返す。
【００８９】
図１１は図１０の衝撃センサのゲイン制御による各ゲインの一例であり、例えば図１１にあってはゲイン調整範囲を１４段階に分けており、各ゲインステップはΔＧとなっている。デフォルトゲインＧ０はほぼ中間に設定されている。本発明にあっては、まず最初の衝撃検出もしくはライトフォルトに伴う判定処理の際に、擬似的な書込み動作状態を生成するためにゲインをデフォルトゲインＧ０からΔＧだけゲインアップしており、この段階で現在ゲインＧはＧ＝Ｇ０＋ΔＧとなっている。
【００９０】
また本実施形態にあっては、デフォルトゲインＧ０に対し１ステップ上げたゲインを最大ゲインＧｍａｘに設定している。したがって、判定処理が１回行われるとゲインＧは最大ゲインＧｍａｘに達することになる。
【００９１】
この状態で判定処理が行われ、もし衝撃センサ４６の出力が電源変動による誤検出と判定されると、現在ゲインＧ＝Ｇ０＋Ｇ＝Ｇｍａｘは１ステップΔＧだけダウンされ、Ｇ＝Ｇ０に戻る。一方、衝撃による検出出力と判定された場合にはゲインアップとなるが、この場合には最大ゲインＧｍａｘに達していることから、現在ゲインＧはＧ＝Ｇｍａｘに維持される。
【００９２】
その後、２回目の衝撃もしくはライトデフォルトに伴う判定処理で電源変動による誤検出と判定された場合には、ゲインダウンが行われて現在ゲインＧはＧ＝Ｇ０−ΔＧとなり、その後、続いて電源変動による誤検出と判定されれば順次、ΔＧずつダウンされ、最小値Ｇｍｉｎでゲイン制御が停止することになる。
【００９３】
もちろん、デフォルトゲインＧ０に対する最大ゲインＧｍａｘ及び最小ゲインＧｍｉｎは必要に応じて適宜に設定することができる。
【００９４】
また本発明は、図１の磁気ディスク装置１０に設けているＭＰＵ２６即ちコンピュータで実行されるプログラムを提供するものであり、このプログラムは図８〜図１０に示したフローチャートの内容となる。
【００９５】
また上記の実施形態は記録装置として磁気ディスク装置を例に取るものであったが、本発明はこれに限定されず、ディスク媒体とヘッドを使用した構造の記憶装置であれば適宜の記録装置につきそのまま適用することができる。
【００９６】
また本発明は、その目的と利点を損なうことのない適宜の変形を含み、更に上記の実施形態に示した数値による限定は受けない。
【００９７】
ここで本発明の特徴をまとめて列挙すると次の付記のようになる。
（付記１）
装置に加わる衝撃を検出して出力する衝撃センサと、
前記衝撃センサの検出信号が得られた際に、衝撃収束に対応した所定時間に亘りヘッドによる媒体への書込みを禁止する書込み禁止部と、
前記書込み禁止中に、衝撃による前記衝撃センサの検出出力か又は電源変動による前記衝撃センサの誤検出出力かを判定する判定部と、
前記判定部で衝撃による検出出力を判定した場合に、前記衝撃センサの検出感度を高め、前記判定部で電源変動による誤検出出力を判定した場合は、前記衝撃センサの検出感度を下げると共に前記書込み禁止を解除する感度制御部と、
を備えたことを特徴とする記憶装置。（１）
【００９８】
（付記２）
付記１記載の記憶装置に於いて、前記判定部は、
前記衝撃センサの出力が衝撃による出力か又は電源変動による出力かを、前記ヘッドの位置信号から判定する第１判定部と、
前記衝撃センサの出力が衝撃による出力か又は電源変動による出力かを、電源電圧の定格電圧に対する低下変動を監視して判定する第２判定部と、
前記衝撃センサの出力が衝撃による出力か又は電源変動による出力かを前記衝撃センサの出力挙動から判定する第３判定部と、
前記第１乃至第３判定部の少なくともいずれか１つが電源電圧の変動を判定した場合は電源の変動を判定結果として出力し、前記第１乃至第３判定部の全てが衝撃による出力を判定した場合に衝撃による出力を判定結果として出力する判定出力部と、
を備えたことを特徴とする記憶装置。（２）
【００９９】
（付記３）
付記２記載の記憶装置に於いて、前記判定部は、書込み禁止中の判定期間の間、書込み動作に相当する擬似書込み動作状態を生成するため、前記衝撃センサの検出感度を上げると共に、電源電圧を定格電圧以上の範囲で強制的に変動させることを特徴とする記憶装置。（３）
【０１００】
（付記４）
付記２記載の記憶装置に於いて、前記第３判定部は、規定期間に亘り前記衝撃センサの出力信号を積分し、積分値が直線的に変化する場合は電源変動による出力と判定し、積分値が非直線的に変化する場合は衝撃による出力と判定することを特徴とする記憶装置。
【０１０１】
（付記５）
付記２記載の記憶装置に於いて、前記第３判定部は、規定期間に亘り前記衝撃センサの出力信号を積分し、積分初期値と積分終了値を結ぶ直線に対する積分値との差の絶対値の総和を算出し、前記差分総和が零又は所定値以下の場合は電源変動による出力と判定し、前記差分総和が前記所定値を超えた場合は衝撃による出力と判定することを特徴とする記憶装置。
【０１０２】
（付記６）
付記１記載の記憶装置に於いて、前記感度制御部は、
前記衝撃センサの検出信号を増幅するアンプのゲインをデフォルトゲインに初期設定し、
検出感度アップの指示を受けた際に、前記アンプのゲインを最大ゲインに達するまで所定量ずつ増加させ、検出感度ダウンの指示を受けた際に、前記アンプのゲインを最低ゲインに達するまで所定ゲインずつ低下させることを特徴とする記憶装置。
【０１０３】
（付記７）
付記１記載の記憶装置に於いて、
前記書込み禁止部は、書込みコマンドの実行に伴う書込みフォルトを検出した際にも前記所定時間に亘り書込みを禁止し、
前記判定部は前記書込み禁止部の書込みフォルトに伴う書込み禁止に連動して判定動作を開始し、電源変動による出力を判定した場合は、直ぐに前記書込み禁止の解除後して前記書込みフォルトに対するリトライを実行させることを特徴とする記憶装置。
【０１０４】
（付記８）
装置に加わる衝撃を検出して出力する衝撃センサの検出信号が得られた際に、衝撃収束に対応した所定時間に亘りヘッドによる媒体への書込みを禁止する書込み禁止ステップと、
前記書込み禁止中に、衝撃による前記衝撃センサの検出出力か又は電源変動による前記衝撃センサの誤検出出力かを判定する判定ステップと、
前記判定ステップで衝撃による検出出力を判定した場合に、前記衝撃センサの検出感度を高め、前記判定ステップで電源変動による誤検出出力を判定した場合は、前記衝撃センサの検出感度を下げると共に前記書込み禁止を解除する感度制御ステップと、
を備えたことを特徴とする記憶装置の制御方法。（４）
【０１０５】
（付記９）
付記８記載の記憶装置の制御方法に於いて、前記判定ステップは、
前記衝撃センサの出力が衝撃による出力か又は電源変動による出力かを、前記ヘッドの位置信号から判定する第１判定ステップと、
前記衝撃センサの出力が衝撃による出力か又は電源変動による出力かを、電源電圧の電源定格電圧に対する低下変動を監視して判定する第２判定ステップと、
前記衝撃センサの出力が衝撃による出力か又は電源変動による出力かを前記衝撃センサの出力挙動から判定する第３判定ステップと、
前記第１乃至第３判定ステップの少なくともいずれか１つが電源電圧の変動を判定した場合は電源の変動を判定結果として出力し、前記第１乃至第３判定ステップの全てが衝撃による出力を判定した場合に衝撃による出力を判定結果として出力する判定出力ステップと、
を備えたことを特徴とする記憶装置の制御方法。
【０１０６】
（付記１０）
付記９記載の記憶装置の制御方法に於いて、前記判定ステップは、書込み禁止中の判定期間の間、書込み動作に相当する擬似書込み動作状態を生成するため、前記衝撃センサの検出感度を上げると共に、電源電圧を定格電圧以上の範囲で強制的に変動させることを特徴とする記憶装置の制御方法。
【０１０７】
（付記１１）
付記９記載の記憶装置の制御方法に於いて、前記第３判定ステップは、規定期間に亘り前記衝撃センサの出力信号を積分し、積分値が直線的に変化する場合は電源変動による出力と判定し、積分値が非直線的に変化する場合は衝撃による出力と判定することを特徴とする記憶装置の制御方法。
【０１０８】
（付記１２）
付記９記載の記憶装置の制御方法に於いて、前記第３判定ステップは、規定期間に亘り前記衝撃センサの出力信号を積分し、積分初期値と積分終了値を結ぶ直線に対する積分値との差分の絶対値の総和を算出し、前記差分総和が零又は所定値以下の場合は電源変動による出力と判定し、前記差分総和が前記所定値を超えた場合は衝撃による出力と判定することを特徴とする記憶装置の制御方法。
【０１０９】
（付記１３）
付記８記載の記憶装置の制御方法に於いて、前記感度制御ステップは、
前記衝撃センサの検出信号を増幅するアンプのゲインをデフォルトゲインに初期設定し、
検出感度アップの指示を受けた際に、前記アンプのゲインを最大ゲインに達するまで所定量ずつ増加させ、検出感度ダウンの指示を受けた際に、前記アンプのゲインを最低ゲインに達するまで所定ゲインずつ低下させることを特徴とする記憶装置の制御方法。
【０１１０】
（付記１４）
付記８記載の記憶装置の制御方法に於いて、
前記書込み禁止ステップは、書込みコマンドの実行に伴う書込みフォルトを検出した際にも前記所定時間に亘り書込みを禁止し、
前記判定ステップは前記書込み禁止ステップの書込みフォルトに伴う書込み禁止に連動して判定動作を開始し、電源変動による出力を判定した場合は、直ぐに前記書込み禁止の解除後して前記書込みフォルトに対するリトライを実行させることを特徴とする記憶装置の制御方法。
【０１１１】
（付記１５）
記憶装置のコンピュータに、
装置に加わる衝撃を検出して出力する衝撃センサの検出信号が得られた際に、衝撃収束に対応した所定時間に亘りヘッドによる媒体への書込みを禁止する書込み禁止ステップと、
前記書込み禁止中に、衝撃による前記衝撃センサの検出出力か又は電源変動による前記衝撃センサの誤検出出力かを判定する判定ステップと、
前記判定ステップで衝撃による検出出力を判定した場合に、前記衝撃センサの検出感度を高め、前記判定ステップで電源変動による誤検出出力を判定した場合は、前記衝撃センサの検出感度を下げると共に前記書込み禁止を解除する感度制御ステップと、
を実行させることを特徴とするプログラム。（５）
【０１１２】
（付記１６）
付記１５記載のプログラムに於いて、前記判定ステップは、
前記衝撃センサの出力が衝撃による出力か又は電源変動による出力かを、前記ヘッドの位置信号から判定する第１判定ステップと、
前記衝撃センサの出力が衝撃による出力か又は電源変動による出力かを、電源電圧の電源定格電圧に対する低下変動を監視して判定する第２判定ステップと、
前記衝撃センサの出力が衝撃による出力か又は電源変動による出力かを前記衝撃センサの出力挙動から判定する第３判定ステップと、
前記第１乃至第３判定ステップの少なくともいずれか１つが電源電圧の変動を判定した場合は電源の変動を判定結果として出力し、前記第１乃至第３判定ステップの全てが衝撃による出力を判定した場合に衝撃による出力を判定結果として出力する判定出力ステップと、
を備えたことを特徴とするプログラム。
【０１１３】
（付記１７）
付記１６記載のプログラムに於いて、
前記判定ステップは、書込み禁止中の判定期間の間、書込み動作に相当する擬似書込み動作状態を生成するため、前記衝撃センサの検出感度を上げると共に、電源電圧を定格電圧以上の範囲で強制的に変動させることを特徴とするプログラム。
【０１１４】
（付記１８）
付記１６記載のプログラムに於いて、前記第３判定ステップは、規定期間に亘り前記衝撃センサの出力信号を積分し、積分値が直線的に変化する場合は電源変動による出力と判定し、積分値が非直線的に変化する場合は衝撃による出力と判定することを特徴とするプログラム。
【０１１５】
（付記１９）
付記１６記載のプログラムに於いて、前記第３判定ステップは、規定期間に亘り前記衝撃センサの出力信号を積分し、積分初期値と積分終了値を結ぶ直線に対する積分値との差分の絶対値の総和を算出し、前記差分総和が零又は所定値以下の場合は電源変動による出力と判定し、前記差分総和が前記所定値を超えた場合は衝撃による出力と判定することを特徴とするプログラム。
【０１１６】
（付記２０）
付記１８記載のプログラムに於いて、
前記書込み禁止ステップは、書込みコマンドの実行に伴う書込みフォルトを検出した際にも前記所定時間に亘り書込みを禁止し、
前記判定ステップは前記書込み禁止ステップの書込みフォルトに伴う書込み禁止に連動して判定動作を開始し、電源変動による出力を判定した場合は、直ぐに前記書込み禁止を解除して前記書込みフォルトに対するリトライを実行させることを特徴とするプログラム。
【図面の簡単な説明】
【０１１７】
【図１】本発明による記憶装置の一実施形態を示した磁気ディスク装置のブロック図
【図２】電源変動時の電源電圧、衝撃センサ出力、衝撃検出信号、書込み禁止信号及びヘッド位置信号のタイムチャート
【図３】衝撃が加わった時の電源電圧、衝撃センサ出力、衝撃検出信号、書込み禁止信号及びヘッド位置信号のタイムチャート
【図４】擬似書込み動作状態を生成するための電源変動制御の説明図
【図５】電源変動時と衝撃印加時の衝撃センサ出力の積分変化の説明図
【図６】書込み禁止と判定処理に伴うリトライタイミングの遅れを示したタイムチャート
【図７】判定中に電源変動を判定して書込み禁止を解除することによるリトライタイミングを示したタイムチャート
【図８】図１の実施形態による衝撃検出に伴う制御処理のフローチャート
【図９】図８のステップＳ４における判定処理のフローチャート
【図１０】図１の実施形態による衝撃センサゲイン制御のフローチャート
【図１１】図１０により制御されるゲイン範囲の説明図
【符号の説明】
【０１１８】
１０：磁気ディスク装置
１１：ホスト
１２：ディスクエンクロージャ
１４：制御ボード
１６：スピンドルモータ
１８：ボイスコイルモータ
２０−１，２０−２：ディスク媒体
２２−１〜２２−４：ヘッド
２４：ヘッドＩＣ
２６：ＭＰＵ
２８：バス
３０：メモリ
３２：不揮発メモリ
３４：ホストインタフェース制御部
３６：バッファメモリ制御部
３８：バッファメモリ
４０：フォーマット制御部
４２：リードチャネル
４４：サーボ制御部
４６：衝撃センサ
４８：アンプ
５０：書込み禁止部
５２：判定部
５４：感度制御部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
0004589859.tif 000007
【図７】
0004589859.tif 000008
【図８】
0004589859.tif 000009
【図９】
0004589859.tif 000010
【図１０】
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【図１１】
0004589859.tif 000012