(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面と前記第１面に対向する第２面とを有し、内層と、前記内層の前記第１面側と前記第２面側の少なくとも一方の面に設けられた粗面酸化膜とを有する弁作用金属製のコンデンサ構成シートと、
前記コンデンサ構成シートの前記第１面側に設けられた第１基板構成体と、
前記コンデンサ構成シートの前記第２面側に設けられた第２基板構成体と、
前記第１基板構成体と前記第２基板構成体の少なくとも一方の表面に設けられた第１電極と、
前記第１基板構成体と前記第２基板構成体の少なくとも一方の表面に、前記第１電極と絶縁して設けられた第２電極と、
前記第１基板構成体と前記第２基板構成体の少なくとも一方の内部に設けられ、前記第１電極と前記内層とを電気的に導通する引出電極と、
前記第１基板構成体と前記第２基板構成体の少なくとも一方の内部に設けられ、前記第２電極と前記粗面酸化膜とを電気的に導通する導電性高分子体と、を備えた、
実装基板であって、
前記引出電極は、前記実装基板に設けられた孔に設けられたスルホールめっき、または導電性ペーストから形成されたものであり、
前記引出電極は、少なくとも、前記第１基板構成体と、前記第２基板構成体と、前記コンデンサ構成シートと、を貫通し、前記弁作用金属に電気的に導通し、前記実装基板の裏表面にそれぞれ表出している実装基板。
【請求項２】
第１面と前記第１面に対向する第２面とを有し、内層と、前記内層の前記第１面側と前記第２面側の少なくとも一方の面に設けられた粗面酸化膜とを有する弁作用金属製のコンデンサ構成シートと、
前記コンデンサ構成シートの前記第１面側に設けられた第１基板構成体と、
前記コンデンサ構成シートの前記第２面側に設けられた第２基板構成体と、
前記第１基板構成体と前記第２基板構成体の少なくとも一方の表面に設けられた第１電極と、
前記第１基板構成体と前記第２基板構成体の少なくとも一方の表面に、前記第１電極と絶縁して設けられた第２電極と、前記第１基板構成体と前記第２基板構成体の少なくとも一方の内部に設けられ、前記第１電極と前記内層とを電気的に導通する引出電極と、
前記第１基板構成体と前記第２基板構成体の少なくとも一方の内部に設けられ、前記第２電極と前記粗面酸化膜とを電気的に導通する導電性高分子体と、を備えた、
実装基板であって、
前記コンデンサ構成シートは、前記第１面に平行な方向において樹脂による絶縁層により複数のコンデンサ構成素体に分割されることでそれぞれ電気的に独立しており、各コンデンサ構成素体に対して前記第１電極と前記第２電極と前記引出電極と前記導電性高分子体とが設けられ、
前記引出電極は、少なくとも、前記第１基板構成体と、前記第２基板構成体と、前記コンデンサ構成シートと、を貫通し、前記弁作用金属に電気的に導通し、前記実装基板の裏表面にそれぞれ表出している実装基板。
【請求項３】
前記引出電極は、スルホールめっきにより形成されている、
請求項１もしくは２のいずれか一つに記載の実装基板。
【請求項４】
前記第１基板構成体は、
前記粗面酸化膜に含浸して形成された第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の上に形成され、無機フィラーと熱硬化性樹脂の混合物によって形成された第２絶縁層と、を有する、
請求項１もしくは２のいずれか一つに記載の実装基板。
【請求項５】
請求項１もしくは２のいずれか一つに記載の実装基板と、
前記実装基板の前記第１電極と前記第２電極とに電気的に接続された半導体素子と、を備えた、
実装体。
【請求項６】
前記実装基板の前記第１電極と前記第２電極と、前記半導体素子との間に介在する配線層をさらに備えた、
請求項５記載の実装体。
【請求項７】
前記配線層は、前記実装基板の表面にビルドアップ工法によるめっき接続により形成された、
請求項６記載の実装体。
【請求項８】
請求項１もしくは２のいずれか一つに記載の実装基板と、
前記実装基板の前記第１電極と前記第２電極とに電気的に接続された半導体素子と、を有する実装体と、
前記実装体を内部に配置した筐体と、を備えた電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、各種電子機器に用いられる実装基板、特に半導体素子用実装基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、テレビ、ビデオのデジタル化、高精細化に伴い画像信号を高速に処理するＬＳＩが求められている。このＬＳＩは、ＣＰＵコア、メモリーコントローラ、インターフェイスなどと共にパッケージされ、システムＬＳＩとして各種電子機器に実装されている。
【０００３】
ＣＰＵコアは、外部の交流電源からＡＣ−ＤＣコンバータ、ＤＣ−ＤＣコンバータを介し電源ラインにより給電されている。例えば、ＣＰＵの処理スピードが３００ＭＨｚの場合、約３０ｎｓの間にＣＰＵはオン／オフ（ＯＮ／ＯＦＦ）を１回繰り返している。しかしながら、ＯＦＦからＯＮへスイッチングするとき、ＣＰＵは瞬間的に電源ラインからの電流だけでは充分に電圧を復帰することができない。その結果、ＣＰＵの処理スピードが実質的に低下する。そのため、ＣＰＵへの瞬間的な電流不足を補い、ＣＰＵの速やかな電圧復帰を促すため、電源ラインに並列にコンデンサが接続される。
【０００４】
このコンデンサには、主として大容量と、過渡応答性、すなわち低ＥＳＬ性能が要求される。また近年の電子機器の小型化に伴い薄型化も求められている。そのためこのようにコンデンサを実装した実装基板にも薄型化が求められている。この要求を満たすため、表面実装部品としてのコンデンサを実装基板中に埋設する方法も提案されている。このような方法は例えば、特開２００３−１９７８４９号公報に開示されている。
【０００５】
しかしながらコンデンサを実装基板中に埋設する方法では、コンデンサを埋め込むスペースが必要である。そのため、結果として実装基板の薄型化としては不充分である。
【発明の開示】
【０００６】
本発明は、コンデンサを内蔵しつつ、さらに薄型にした実装基板である。本発明の実装基板は弁作用金属製のコンデンサ構成シートと第１基板構成体と第２基板構成体と第１電極と第２電極と引出電極と導電性高分子体とを有する。コンデンサ構成シートは内層と、この内層の少なくとも一方の面に設けられた粗面酸化膜とを有する。第１基板構成体はコンデンサ構成シートの表面に設けられ、第２基板構成体は第１基板構成体と反対側の面に設けられている。第１電極、第２電極は互いに絶縁された状態で、第１基板構成体と第２基板構成体の少なくとも一方の表面に設けられている。引出電極と導電性高分子体は、第１基板構成体と第２基板構成体の少なくとも一方の内部に設けられている。引出電極は第１電極と内層とを電気的に導通している。導電性高分子体は第２電極と粗面酸化膜とを電気的に導通している。この構造によりコンデンサの実装スペースが不要となるため実装基板の薄型化を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
以下、本発明の実装基板、実装体とそれを用いた電子機器について図面を用いて説明する。なお、実装体として画像処理用ＬＳＩを実装した実装基板、電子機器としてデジタルテレビを例に説明する。
【０００８】
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１における電子機器であるデジタルテレビの多電源系画像処理用ＬＳＩのブロック図である。アンテナ１から入力された信号は、チューナ２によりチューニングされ、画像処理用のＬＳＩ１０のＩ／Ｏ部８を経て、ＣＰＵ３に入力される。ＬＳＩ１０は、ＣＰＵ３と、ＣＰＵ３と信号ラインで接続されたメモリーコントローラ４とを含む。メモリーコントローラ４のＩ／Ｏ部５はＬＳＩ１０と別に設けられたメモリー７に接続されている。ＣＰＵ３とメモリー７は、大容量の画像処理演算を行う。処理された画像信号は、ＣＰＵ３よりＩ／Ｏ部８を経て、ディスプレイ１１に出力される。
【０００９】
ＣＰＵ３、メモリーコントローラ４のＩ／Ｏ部５とコア部６、Ｉ／Ｏ部８は、それぞれ異なる電圧で駆動されている。例えば、ＣＰＵ３は１．５Ｖ、Ｉ／Ｏ部５は２Ｖ、コア部６は１Ｖ、インターフェイスＩ／Ｏ部８は３Ｖで駆動されている。これらの電力は、外部交流電源１２からＡＣ−ＤＣコンバータ１３を経て、それぞれの電圧に変換するＤＣ−ＤＣコンバータ１４、１５、１６、１７から供給される。これらの部品は筐体７０の内部に配置されている。
【００１０】
ここでＣＰＵ３へ電力を供給する回路について詳述する。ＤＣ−ＤＣコンバータ１７は電源ライン１８を介してＣＰＵ３に電力を供給する。コンデンサ１９Ａは電源ライン１８に並列に接続されている。コンデンサ１９Ａは、ＯＦＦ／ＯＮ時のＣＰＵ３の速やかな電圧復帰を補助するために電流を供給する。
【００１１】
電源ライン１８は、ライン長に起因するインダクタンス成分を有している。そのため、できるだけこのライン長を短くし、インダクタンス成分（特に高周波領域でのＥＳＬ成分）を低減してＣＰＵ３の駆動性能を向上させることが望ましい。また同様の理由から、コンデンサ１９ＡはＣＰＵ３付近に接続されるとともに自身が低ＥＳＬであることが望ましい。また電流供給の際のロスを低減するため、コンデンサ１９Ａは低ＥＳＲであることが望ましい。さらに、電源ライン１８には、コンデンサ１９Ａ以外に、ＤＣ−ＤＣコンバータ１７付近にコンデンサ１９Ａより大容量のコンデンサ１９Ｂを配置することが好ましい。
【００１２】
次に半導体素子であるＬＳＩ１０を搭載する実装基板と、この両者で構成された実装体について説明する。図２は、本実施の形態における実装体の断面図である。一例としてＬ１〜Ｌ４の４層構造の実装基板２０が示されている。
【００１３】
例えばアルミニウム（Ａｌ）からなる弁作用金属２１の第１面には粗面酸化膜２２Ａである酸化アルミニウムが形成されている。同様に、第１面に対向する弁作用金属２１の第２面には、粗面酸化膜２２Ｂである酸化アルミニウムが形成されている。弁作用金属２１と粗面酸化膜２２Ａ、２２Ｂとは、コンデンサ構成シート３０を構成している。すなわち、弁作用金属２１は内層であり、粗面酸化膜２２Ａ、２２Ｂはこの内層上に設けられている。弁作用金属２１はＡｌ以外にタンタル（Ｔａ）、ニオブ、チタン、およびこれらを基質とする合金等、弁作用を有する金属であればよい。
【００１４】
粗面酸化膜２２Ａの表面には樹脂による第１基板構成体２３Ａが形成され、粗面酸化膜２２Ｂの表面には樹脂による第２基板構成体２３Ｂが形成されている。すなわち、コンデンサ構成シート３０の第１面側には第１基板構成体２３Ａが、第２面側には第２基板構成体２３Ｂがそれぞれ設けられている。
【００１５】
弁作用金属２１に接続して設けられた引出電極２４は第１基板構成体２３Ａ、第２基板構成体２３Ｂをそれぞれ貫通して実装基板２０の表裏面にそれぞれ表出し、表（第１面）側の第１電極２６Ａと、裏（第２面）側の第１電極２６Ｃとに接続されている。また、粗面酸化膜２２Ａに接続された導電性高分子体２７は中間電極２５を介して実装基板２０の表面に表出し、第２電極２６Ｂに電気的に導通している。第２電極２６Ｂと第１電極２６Ａ、２６Ｃとは絶縁されている。引出電極２４、弁作用金属２１、粗面酸化膜２２、導電性高分子体２７は、図１に示すコンデンサ１９Ａを構成している。すなわち、引出電極２４と第１電極２６Ａとはコンデンサ１９Ａの陽極に相当し、導電性高分子体２７と第２電極２６Ｂとは陰極に相当する。
【００１６】
引出電極２４は、最短距離で第１電極２６Ａに電気的に導通され、導電性高分子体２７、中間電極２５は、最短距離で第２電極２６Ｂに電気的に導通している。第１電極２６Ａ、第２電極２６Ｂは、ボンディングワイヤー３９によりモールド樹脂４０中のＬＳＩ１０と接続されている。このような構造により、ＬＳＩ１０までの配線長が最短になる。その結果、コンデンサ１９ＡとＬＳＩ１０との接続が低ＥＳＬ化される。また、コンデンサ１９Ａを大容量化するためには、導電性高分子体２７と粗面酸化膜２２Ａとの接続面積をできるだけ大きくすることが望ましい。
【００１７】
なお引出電極２４は信号ライン３２、電源（ＶＤＤ）ライン５４、接地（ＧＮＤ）ライン３３として用いられている。図面では符号と合せて、それぞれｓｉｇｎａｌ、ＶＤＤ、ＧＮＤと標記している。ここで、信号ライン３２、ＧＮＤライン３３は、弁作用金属２１との界面に設けられた絶縁層３４によって弁作用金属２１と絶縁されている。
【００１８】
第１電極２６Ａ、第２電極２６Ｂは、銅（Ｃｕ）または銅を含む合金で構成することが好ましい。Ｃｕは金属の中で銀に次いで電気伝導度が高いため電気的ロスを低くすることができる。引出電極２４はスルホールめっき、または導電ペーストの塗布・乾燥にて形成することができる。引出電極２４をスルホールめっきによって形成すると、第１電極２６Ａへの接続信頼性が向上するため好ましい。中間電極２５は、銀ペースト２８、５０とニッケル箔４２にて形成することができる。これ以外に、銀ペースト２８、５０の代わりに銅ペースト、銀被覆銅ペースト、あるいはその複合ペーストを用いてもよい。このように中間電極２５は、銀、Ｃｕ、ニッケル（Ｎｉ）から選ばれる少なくとも一つを含むことで、電気的導通が確実になる。
【００１９】
また、導電性高分子体２７は、ポリピロール類、ポリアニリン類、ポリチオフェン類を単独、もしくは組み合わせて用いることができる。これらの材料は粗面酸化膜２２Ｂとなじみがよいため粗面酸化膜２２Ｂと導電性高分子体２７との界面抵抗を下げることができる。その結果、特に、高周波領域でのＥＳＲをより低減することができる。
【００２０】
中間電極２５を設ける場合は導電性高分子体２７と銀ペースト２８との間にカーボン層（図示せず）を設けることが好ましい。このカーボン層は導電性高分子体２７と銀ペースト２８との界面抵抗を下げることができる。その結果、特に、高周波領域でのＥＳＲをより低減することができる。
【００２１】
ＬＳＩ１０のパッドが狭ピッチの場合は、図３に示すように配線層２９を介して実装基板２０とＬＳＩ１０とを接続すればよい。この場合、配線層２９を表層に設けた実装基板２０は従来からあるインターポーザーと同様に取り扱うことができ、ユーザーに対する汎用的なメリットがある。また、実装基板２０の表層にビルドアップ層を設けてファインピッチ対応させる事も可能である。すなわち、配線層２９を、実装基板２０の表層にビルドアップ工法によるめっき接続によりファイン形成しても実装基板２０を従来からあるインターポーザーと同様に取り扱うことができるため好ましい。
【００２２】
また、図４Ａに示すように、実装基板２０の表層にブラインドビア５２を形成し、ブラインドビア５２内に図４Ｂに示すように電解めっきを施したビルドアップ層を形成して、配線層２９Ａとして用いてもよい。配線層２９Ａを用いてファインピッチ対応させる事も可能である。ブラインドビア５２は、ダイレクトまたはコンフォーマルレーザ孔加工により形成されている。なお、ブラインドビア５２内にフィルドビアが形成されていてもよい。
【００２３】
なお、実装基板２０は、図２、図３に示すように多電源系ＬＳＩに対応した構造、すなわち、コンデンサ構成シート３０の平面方向に複数のコンデンサ構成素体に分割されていることが好ましい。すなわちコンデンサ構成素体３５Ａ、３５Ｂは、樹脂による絶縁層３１により電気的に独立している。そしてコンデンサ構成素体３５Ａ、３５Ｂに対してそれぞれ、第１電極２６Ａと第２電極２６Ｂと引出電極２４と導電性高分子体２７とが設けられている。
【００２４】
図５は実装基板２０の上面図である。信号パッド３６、ＶＤＤパッド３７、ＧＮＤパッド３８が所定の位置に配置されている。これらのパッドは、図２における第１電極２６Ａ、第２電極２６Ｂ等に相当する。実装基板２０は上面視で、４つのエリアＡ〜Ｄに分割されている。例えば、エリアＡでの電圧は２．０Ｖ、エリアＢでの電圧は１．０Ｖ、エリアＣでの電圧は１．５Ｖ、エリアＤでの電圧は３．０Ｖである。
【００２５】
実装基板２０の上面からは見えないがこれらのエリアは絶縁層３１により分割されている。このようにコンデンサ構成素体３５Ａ、３５Ｂごとに多電源系のＬＳＩに対応した異なる電圧の電源ラインを接続することにより多電源対応の良質な電源品質を実現することができる。またこれにより多機能なシステム機能を有するＬＳＩの安定動作を保証できる半導体パッケージを実現することができる。
【００２６】
次に、図６Ａ〜図８Ｃを用いて本発明の実装基板の製造方法の一例について説明する。図６Ａ〜図８Ｃはそれぞれ実装基板２０の製造ステップを示す断面図である。
【００２７】
まず、図６Ａに示すように、弁作用金属２１を薬液処理して弁作用金属２１の表裏面（第１面、第２面）に多孔質な粗面酸化膜２２Ａ、２２Ｂを形成する。次に図６Ｂに示すように、粗面酸化膜２２Ｂの表面に樹脂を用いて第２基板構成体２３Ｂを形成し、所定の箇所に貫通孔４１を設ける。次に図６Ｃに示すように貫通孔４１を樹脂４３で埋める。なお、第２基板構成体２３Ｂと樹脂４３とを同じ樹脂で形成すると便宜的には図６Ｃに示すように貫通孔４１を設ける際に第２基板構成体２３Ｂの除去された部分が復活したようになる。
【００２８】
次に図６Ｄに示すように、粗面酸化膜２２Ａ表面の所定の箇所、すなわち、導電性高分子体２７を形成する部位を残し樹脂にて第１基板構成体２３Ａを形成する。その後、ニッケル箔４２を第１基板構成体２３Ａの表面に設け、導電性高分子体２７を形成する部位である孔４５を残してマスキングフィルム４４にてマスキングを行う。
【００２９】
続いて図７Ａに示すように、化学重合法により孔４５の内周囲面と底面とに導電性高分子体２７を形成する。次に、図７Ｂに示すように、図７Ａで作製した実装基板の前駆体を重合液に浸漬しニッケル箔４２を陽極として電解重合することにより導電性高分子体２７を大きくする。その後、導電性高分子体２７の表出面に銀ペースト２８を用いてその周縁部のニッケル箔４２と導電性高分子体２７とを導通させ中間電極２５の一部を形成する。また、第２基板構成体２３Ｂの表面に銅箔５１を設ける。次に、図７Ｃに示すように、マスキングフィルム４４を除去し、ニッケル箔４２、第１基板構成体２３Ａ、銀ペースト２８のそれぞれの表面に樹脂を用いてさらに第１基板構成体２３Ａを拡大する。また銀ペースト２８の表面にビアを形成し、銀ペースト５０を流し込んで中間電極２５を形成し、続いて銅箔５１を中間電極２５と導通するように配置する。
【００３０】
次に図８Ａに示すように所定の位置にスルホール６１を形成する。そして図８Ｂに示すように、銅めっきにてスルホール６１を埋めて、図２に示す信号ライン３２、ＧＮＤライン３３、ＶＤＤライン５４、引出電極２４を形成するための貫通電極５３を形成する。最後に、図８Ｃに示すように銅箔５１をパターニングして第１電極２６Ａ、第２電極２６Ｂを形成する。
【００３１】
以上の製造ステップにより実装基板２０が作製される。このように薄型化した実装基板２０を用いることにより、半導体パッケージである実装体６０も薄型化することができる。さらに実装体６０を電子機器に用いることで電子機器も薄型化することができる。
【００３２】
（実施の形態２）
図９は、本発明の実施の形態２における実装基板の断面図である。本実施の形態における実装基板７０が実施の形態１の実装基板２０と異なる点は、コンデンサ構成シート３０を分割したコンデンサ構成素体３５Ａ、３５Ｂの第２面側の粗面酸化膜２２Ｂにも第２の導電性高分子体２７Ａ（以下、導電性高分子体２７Ａ）が設けられている点である。それ以外の基本的な構成は実施の形態１と同様である。導電性高分子体２７Ａもまた導電性高分子体２７と同様の材料で構成される。
【００３３】
図９における領域Ｘにおいて、コンデンサ構成素体３５Ａ、３５Ｂの裏面に設けられた導電性高分子体２７Ａと中間電極２５Ａとは実装基板７０の裏面の第２電極２６Ｄに接続されている。この構成により、電気回路として見た場合、２つのコンデンサが直列に接続された構成の三端子構造を実現することができる。
【００３４】
また、図９における領域Ｙに示すように、導電性高分子体２７ＡとＧＮＤライン３３とを電気的に導通することにより、電気回路として見た場合、２つのコンデンサが並列に接続された構成になるため大容量になる。
【００３５】
以上のように弁作用金属２１の表裏面に粗面酸化膜２２Ａ、２２Ｂを設けることによりコンデンサとしての設計自由度が向上する。また、このような弁作用金属２１は従来からアルミ電解コンデンサの陽極電極箔として用いられている陽極酸化処理済みのＡｌ製の電極箔であるため汎用性が高い。
【００３６】
（実施の形態３）
図１０は、本発明の実施の形態３による実装基板の断面図である。本実施の形態の実装基板７１が実施の形態１の実装基板２０と異なる点は、コンデンサ構成シート３０Ａの片面のみに粗面酸化膜２２Ａが設けられている点と、弁作用金属２１と第２基板構成体２３Ｂとの間に金属層５５が設けられている点である。すなわち、コンデンサ構成素体３５Ａ、３５Ｂの裏面（第２面）に、コンデンサ構成素体３５Ａ、３５Ｂの内層である弁作用金属２１と電気的に導通する金属層５５が設けられている。また金属層５５と引出電極２４とは電気的に導通している。それ以外の基本的な構成は実施の形態１と同様である。
【００３７】
弁作用金属２１の片面のみに粗面酸化膜２２Ａが形成されたコンデンサ構成シート３０Ａを用いた場合、弁作用金属２１の表裏面に粗面酸化膜２２Ａ、２２Ｂが形成されたコンデンサ構成シート３０と比較して、実装基板７１の厚みを薄くすることができる。
【００３８】
また、弁作用金属２１の裏面に金属層５５を設けることにより引出電極２４と金属層５５とが確実に電気的に導通する。すなわち、引出電極２４とコンデンサ構成素体３５Ａ、３５Ｂとの接続面積が小さい場合でも、金属層５５を介することによりコンデンサ構成素体３５Ａ、３５Ｂと引出電極２４とが確実に電気的に導通する。そのため実装基板７１の信頼性が向上する。
【００３９】
さらに、コンデンサ構成素体３５Ａ、３５Ｂを挟むそれぞれの電極層である金属層５５、第１電極２６Ａを電源層（ＶＤＤラインの一部）、第２電極２６Ｂを接地電極層（ＧＮＤラインの一部）とすることができ、機能的な多層構造の実装基板を構成することができる。
【００４０】
金属層５５は、例えば、ＣｕやＮｉ、またはこれらのいずれかを含む合金で構成することができる。これらの材料は電気抵抗が小さいため好ましい。この場合、めっきで金属層５５を形成することができる。また、引出電極２４は導電ペーストを用いて形成することができ、スルホールめっきで形成してもよい。
【００４１】
以上説明した各実施の形態では、４層構造の実装基板を例に説明したが、本発明はこれに限定されない。例えば、図１１に示すようにＬ１〜Ｌ３の３層構造にしてもよい。図１１は、３層構造の実装基板の断面図である。このように３層構造の実装基板は、層数が少ないため実装基板としての厚みをさらに薄くすることができる。
【００４２】
実装基板７２が層数以外で実施の形態１の実装基板２０と異なる点は、ニッケル箔４２を設けていない点である。この場合、実施の形態１で説明したようにニッケル箔４２を陽極として用いる電解重合法により導電性高分子体２７の成長を促進させることはできない。しかしながら化学重合法や、導電性高分子体２７を分散させた溶液を塗布する方法などを用いることにより導電性高分子体２７を形成することができる。
【００４３】
（実施の形態４）
図１２は、本発明の実施の形態４における実装基板の断面図、図１３はその要部拡大断面図である。本実施の形態の実装基板７３が実施の形態１の実装基板２０と異なる点は、第１基板構成体２３Ａに相当する部分が第１絶縁層２３１Ａと第２絶縁層２３２Ａとで構成されている点である。
【００４４】
第１絶縁層２３１Ａは多孔質な粗面酸化膜２２Ａの内部に形成され、第２絶縁層２３２Ａは第１絶縁層２３１Ａの上に形成されている。すなわち、第１絶縁層２３１Ａは粗面酸化膜２２Ａに含浸して形成されている。第１絶縁層２３１Ａは液状の樹脂を用いて形成される。
【００４５】
第２絶縁層２３２Ａは無機フィラーと熱硬化性樹脂の混合物からなるシート状樹脂を硬化して形成される。第２絶縁層２３２Ａの無機フィラーは例えばシリカである。硬化前の状態において、シート状樹脂は可塑性を有し、一般的にはコンポジットシートと呼ばれる。それ以外の基本的な構成は実施の形態１と同様である。
【００４６】
図６Ｄを用いて説明したように実施の形態１では、粗面酸化膜２２Ａ表面の、導電性高分子体２７を形成する部位を残し樹脂にて第１基板構成体２３Ａを形成している。一方、粗面酸化膜２２Ａはスポンジ状で液状物質を吸いやすい性質がある。そのため、導電性高分子体２７の位置を規定するためには絶縁性樹脂などを導電性高分子体２７の位置の周りに塗布し、粗面酸化膜２２Ａ内部に完全に充填する必要がある。この処理が不十分であると容量値がばらついたり、絶縁性が低下したりする。しかしながら絶縁性樹脂を塗布すると、導電性高分子体２７を形成するはずの部分に樹脂が流入してしまい、コンデンサ容量が低下する。
【００４７】
また粗面酸化膜２２Ａ内に絶縁性樹脂が流入しやすくするために樹脂量を多くしたり、粘度を下げたりすると、上述の現象がより顕著になってコンデンサ容量がさらに低下する。一方、樹脂量を少なくしたり、粘度を上げたりすると粗面酸化膜２２Ａ内に完全に樹脂を充填できなくなる。加えて、樹脂の量が少なすぎると、導電性高分子体２７が外周にはみ出してしまい、小型の素子形成が困難になる。
【００４８】
本実施の形態の構成では、粗面酸化膜２２Ａ内に充填する樹脂とその上に位置する樹脂とを別な材料で構成している。この構成により、粗面酸化膜２２Ａ内に完全に樹脂を充填してかつ余分なはみ出しを防止するとともに、第２絶縁層２３２Ａによって上部を覆うことによって完全な絶縁構造が得られる。
【００４９】
なお、第２基板構成体２３Ｂを第２絶縁層２３２Ａと同様に無機フィラーと熱硬化性樹脂の混合物からなるシート状樹脂を硬化して作製することが好ましい。さらに、両者はほぼ同一の厚みを有することが好ましい。これによって実装基板７３の反りが抑制され、平坦性が向上する。
【００５０】
次に図１４Ａから図１５Ｂを用いて、製造方法の一例を説明する。
【００５１】
まず、図１４Ａに示すように、弁作用金属２１を薬液処理して弁作用金属２１の表面（第１面）に多孔質な粗面酸化膜２２Ａを形成する。一方、弁作用金属２１の裏面（第２面）にめっきなどによって金属層５５を設ける。
【００５２】
次に図１４Ｂに示すように樹脂を用いて第２基板構成体２３Ｂを形成した後、所定の箇所に貫通孔４１を設ける。次に図１４Ｃに示すように貫通孔４１を樹脂４３で埋める。
【００５３】
次に図１４Ｄに示すように、粗面酸化膜２２Ａ表面の所定の箇所、すなわち、導電性高分子体２７を形成する部位を残して液体樹脂８１を塗布する。液体樹脂８１は粗面酸化膜２２Ａに浸透する程度の粘度を有する。また導電性高分子体２７を形成する部位に広がらないように粘度調整しながら塗布する。
【００５４】
液体樹脂８１の材料としては、例えばエポキシやポリイミド等を主剤としたものを用いる。また液体樹脂８１として感光性樹脂を用い、粗面酸化膜２２Ａにしみ込むと同時に光を照射することによって粘度を増加させ、余分な箇所への広がりを防止する。あるいは液体樹脂８１として、本硬化温度以下の温度において揮発する性質を有する溶剤に樹脂成分が分散した低粘性樹脂を用い、粗面酸化膜２２Ａへ浸透した後に溶剤の揮発温度中に投入することにより、粘度を増加させることもできる。また、液体樹脂８１として室温においては揮発しない溶剤に樹脂成分が分散した低粘性樹脂を用い、塗布後に真空中に放置することにより、蒸気圧が低下して溶剤の揮発を促進させ、粘度を上げることもできる。この後に液体樹脂８１を高温下に放置するなどして本硬化させて、図１５Ａに示すように第１絶縁層２３１Ａを形成する。なお、図ではある程度の厚みで第１絶縁層２３１Ａを示しているが、第１絶縁層２３１Ａのほとんどは粗面酸化膜２２Ａにしみ込んでいる。
【００５５】
そして図１５Ｂのように第２絶縁層２３２Ａを第１絶縁層２３１Ａの上に形成する。第２絶縁層２３２Ａは、無機フィラーと熱硬化性樹脂の混合物からなる半硬化性樹脂シート（シート状樹脂）を第１絶縁層２３１Ａ上に重ね合わせて加圧し、硬化温度中に放置することで形成する。このシート状樹脂は硬化前の状態において常温でも若干の可塑性を有し、高温下において応力を加えることによってより流動性を有し、流動後に熱硬化して形状を保持する。ただしシート状樹脂は加熱時においても液体樹脂８１に比較して粘度が高く、流動が生じても液体樹脂８１以上には粗面酸化膜２２Ａに流入しない。なお、前述のように第２基板構成体２３Ｂも第２絶縁層２３２Ａと同じ材料で構成することが好ましい。
【００５６】
液体樹脂８１を用いることで、粗面酸化膜２２Ａ内には第１絶縁層２３１Ａがほとんどはみ出すことなく形成される。また無機フィラーと熱硬化性樹脂とを適度に混合して作製したこのようなシート状樹脂を用いることで、第２絶縁層２３２Ａによって第１基板構成体全体の高さを十分に確保することができる。これによって絶縁信頼性が向上する。
【００５７】
また、第１絶縁層２３１Ａを完全硬化温度以下の温度において仮硬化した状態において、シート状樹脂を重ね合わせて、押圧しつつ両者を完全硬化させることが好ましい。このようにすることにより、両者の密着度が向上する。
【００５８】
あるいは、第１絶縁層２３１Ａを硬化後に、シート状樹脂を重ね合わせて真空中において押圧しつつ本硬化温度以下の予備加熱を行うことが好ましい。このようにすることにより、両者の間の空気を除去してより完全な密着を得ることができ、その後にシート状樹脂を本硬化することにより、より両者の接着を強固なものにすることができる。
【００５９】
その後、図１５Ｃに示すように、ニッケル箔４２を第２絶縁層２３２Ａの表面に設け、導電性高分子体２７を形成する部位である孔４５を残してマスキングフィルム４４にてマスキングを行う。以降、実施の形態１における図７Ａ、図７Ｂと同様にして、化学重合法により孔４５の内周囲面と底面とに導電性高分子体２７を形成した後、実装基板の前駆体を重合液に浸漬しニッケル箔４２を陽極として電解重合することにより導電性高分子体２７を大きくする。以降、実施の形態１の図７Ｃ以降と同様にして実装基板７３を作製する。
【００６０】
粗面酸化膜２２Ａ内部に絶縁物が充填されていなければ、重合液が素子部以外の部位に広がるためにショート不良の原因となる。また第１絶縁層２３１Ａ、第２絶縁層２３２Ａで構成された第１基板構成体の高さが低ければ導電性高分子体２７がこの第１基板構成体を乗り越えてショート不良を生じる。本実施の形態のように第１絶縁層２３１Ａ、第２絶縁層２３２Ａを形成する構成によりこのような問題の発生が防止でき、絶縁性が確保できる。
【００６１】
なお、上記製造方法では弁作用金属２１に第２基板構成体２３Ｂを貼り付ける前に貫通孔４１を設けているが、第１絶縁層２３１Ａを設けた後に貫通孔４１を設けて第２絶縁層２３２Ａを構成するシート状樹脂で孔４１を塞いでもよい。
【００６２】
以上説明した実装基板７３において、導電性高分子体２７は固体電解質として機能する。よって実装基板７３は固体電解コンデンサを内蔵した基板であり、第１絶縁層２３１Ａ、第２絶縁層２３２Ａを形成する構成は固体電解コンデンサに適用することもできる。以下、このような固体電解コンデンサについて説明する。図１６は本実施の形態における固体電解コンデンサの断面図、図１７は図１６における破線で囲んだ部分の拡大図である。
【００６３】
弁金属シート体１０１はＡｌやＴａなどの材質であり、図１２における弁作用金属２１に相当する。弁金属シート体１０１の表面（第１面）側は薬液処理によって多孔質化され、粗面酸化膜２２Ａに相当する多孔質部１０２が形成されている。また弁金属シート体１０１の裏面（第２面）側にはＣｕやＮｉなどのめっき層からなり、金属層５５に相当する陽電極１０３が設けられている。さらに多孔質部１０２の上には第１絶縁層２３１Ａに相当する第１絶縁層１１２と、第２絶縁層２３２Ａに相当する第２絶縁層１０４とが形成されている。陽電極１０３の上には第２基板構成体２３Ｂに相当する第３絶縁層１０５が形成されている。第２絶縁層１０４と第３絶縁層１０５とは無機フィラーと熱硬化性樹脂の混合物からなるシート状樹脂を硬化して作製されている。両者はほぼ同一の厚みを有することが好ましい。
【００６４】
第２絶縁層１０４の上にはＣｕ、Ｎｉなどの導電体から構成され、第２電極２６Ｂに相当する陰電極１０６が積層されている。これらの内部には図１６に示すように、導電性高分子体２７に相当する固体電解質層１０７と、銀ペースト２８に相当する集電体層１０８とが設けられている。第２絶縁層１０４は中央部がくりぬかれた形状となっており、多孔質部１０２の一部が露出した形状となっている。そして多孔質部１０２の露出部を覆うように導電性高分子で構成された固体電解質層１０７が形成され、その上にカーボンや銀ペーストで構成された集電体層１０８が形成される。多孔質部１０２の表面には弁金属シート体１０１を構成する金属の酸化物からなる誘電体層が形成されており、弁金属シート体１０１と導通する陽電極１０３と、固体電解質層１０７、集電体層１０８と導通する陰電極１０６との間が電気的に絶縁され、コンデンサ素子が形成されている。
【００６５】
第３絶縁層１０５の一部は除去され、除去部分には導電性材料が充填され、陽電極１０３と導通する引き出し電極１０９、１１０が形成されている。引き出し電極１０９、１１０は第１電極２６Ａに相当する。
【００６６】
図１７に示すように、多孔質部１０２の内部には、固体電解質層１０７が充填されており、容量の増大に寄与している。また第２絶縁層１０４下の多孔質部１０２には絶縁性樹脂が充填されて第１絶縁層１１２が設けられている。
【００６７】
このようにして固体電解コンデンサ１２０が構成されている。固体電解コンデンサ１２０では実装基板７３と同様に、多孔質部１０２の内部に第１絶縁層１１２が設けられ、その上に第２絶縁層１０４が設けられている。これによって実装基板７３と同様に絶縁信頼性が向上する。
【００６８】
また第２絶縁層１０４と第３絶縁層１０５とを同材質にすることにより、固体電解コンデンサ１２０の反りが防止され、平坦性が向上する。これにより基板への実装性が向上する。さらにこの両者を同一厚みにすることが好ましい。
【００６９】
次に図１８から図２８を用いて、製造方法の一例を説明する。まず図１８に示すように弁金属シート体１０１の表面側に多孔質部１０２を設け、裏面側にはめっきなどによって陽電極１０３を形成する。そして図１９に示すように、絶縁する部位に液体樹脂８１を塗布する。液体樹脂８１は前述のような材料である。
【００７０】
この後、図２０に示すように、液体樹脂８１を高温下に放置するなどして本硬化させて第１絶縁層１１２を形成する。次に図２１に示すように、第２絶縁層１０４を第１絶縁層１１２の上に形成し、第３絶縁層１０５を陽電極１０３の上に形成する。第２絶縁層１０４、第３絶縁層１０５の形成方法は、実装基板７３における第２絶縁層２３２Ａと同様である。第３絶縁層１０５もシート状樹脂を硬化して作製することで、第３絶縁層１０５と弁金属シート体１０１とが強固に接合する。
【００７１】
第２絶縁層１０４を形成したのち、図２２に示すように、Ｎｉやステンレスなどからなる給電部１１４を第２絶縁層１０４上に貼り付ける。次に図２３に示すように、重合法によって所定の多孔質部１０２内とその上部に固体電解質層１０７を形成する。固体電解質層１０７は、例えばチオフェンなどの導電性高分子の粉を薄く塗布するか、あるいは化学重合法によって導電性高分子の薄い層を形成した後に、重合液中で給電部１１４より電解することにより形成される。
【００７２】
続いて図２４のように給電部１１４を取り外し、図２５のように固体電解質層１０７上にカーボン及び銀ペーストなどを塗布して集電体層１０８を形成する。そして銅箔などを接着剤と銀ペーストなどを用いて集電体層１０８上と第２絶縁層１０４との上に図２６のように貼り付けて陰電極１０６を形成する。
【００７３】
引き続き図２７に示すように、レーザ加工等によって第３絶縁層１０５を加工して陽電極１０３を露出させ、ブラインドビア１１５、１１６を形成する。そして図２８のように、ブラインドビア１１５、１１６中に導電性部材を充填し、陽電極１０３と電気的に導通する引き出し電極１０９、１１０を形成する。
【００７４】
このようにして固体電解コンデンサ１２０が完成する。以上のような製造方法により、本実施の形態による固体電解コンデンサを容易に作製することができる。
【００７５】
なお、図２９の断面図に示すように、弁金属シート体１０１と陽電極１０３とを樹脂１０４Ａによって複数に分割し、複数の固体電解コンデンサが近接して併設されている構成にしてもよい。この場合、樹脂１０４Ａは実装基板７３における絶縁層３１に相当する。これらの固体電解コンデンサは一体の陰電極１０６で接続されているため、それぞれの集電体層１０８は電気的に接続されて共通化されている。一方、弁金属シート体１０１や陽電極１０３は個別に分割されており、実際に回路上に実装する際には陰電極１０６側を共通のグランドとし、陽電極１０３側は異なる電気回路に対してそれぞれ接続し、個別に動作させることが可能となる。
【００７６】
この構成では、複数の固体電解コンデンサを同一平面上に近接して配置することができるので、実装効率がより向上する。またこの構成では、シート状樹脂が硬化された以降は、第３絶縁層１０５が弁金属シート体１０１等を固定するのに十分な強度を有する。そのため複数の固体電解コンデンサを大面積で一括して形成することができる。このように、複数の固体電解コンデンサを近接して配置することにより、固体電解コンデンサアレイを構成することができる。この固体電解コンデンサアレイでは、平坦かつ高絶縁信頼性を有する固体電解コンデンサが効率よく配置できるため、実装体積の縮小に寄与できる。また複数の固体電解コンデンサを一括して形成できるので、アレイ化が容易でありかつ生産性がよい。このような固体電解コンデンサや固体電解コンデンサアレイは、パソコンや携帯電話などの小形機器に対して応用できる。
【００７７】
なお、以上説明した各実施の形態では、中間電極２５が設けられた構成を説明したが、中間電極２５は必要に応じて設けることができ必須ではない。ただし、導電性高分子体２７と第２電極２６Ｂとの間に中間電極２５を介在させることによって、導電性高分子体２７と第２電極２６Ｂとの間の電気的接続について設計の自由度が向上するため好ましい。
【００７８】
以上のように、実装基板２０、７０、７１、７２、７３は、コンデンサ構成シート３０と第１基板構成体２３Ａまたは第１絶縁層２３１Ａと第２絶縁層２３２Ａと、第２基板構成体２３Ｂと第１電極２６Ａ、２６Ｃと第２電極２６Ｂ、２６Ｄと引出電極２４と導電性高分子体２７、２７Ａとを有する。コンデンサ構成シート３０は内層である弁作用金属２１と、この内層の少なくとも一方の面に設けられた粗面酸化膜２２Ａ、２２Ｂとを有する。第１基板構成体２３Ａはコンデンサ構成シート３０の表面に設けられ、第２基板構成体２３Ｂは第１基板構成体２３Ａと反対側の面に設けられている。第１電極２６Ａ、２６Ｃと第２電極２６Ｂ、２６Ｄは互いに絶縁された状態で、第１基板構成体２３Ａと第２基板構成体２３Ｂの少なくとも一方の表面に設けられている。引出電極２４と導電性高分子体２７、２７Ａとは、第１基板構成体２３Ａ、第２基板構成体２３Ｂの少なくとも一方の内部に設けられている。引出電極２４は第１電極２６Ａ、２６Ｃと弁作用金属２１とを電気的に導通している。導電性高分子体２７、２７Ａは第２電極２６Ｂ、２６Ｄと粗面酸化膜２２Ａ、２２Ｂとを電気的に導通している。
【００７９】
このような構造により、図１におけるコンデンサ１９Ａをシート状の薄型構造で基板に内蔵できるため実装基板２０、７０、７１、７２、７３の薄型化を実現することができる。
【００８０】
なお、本実施の形態では電子機器としてデジタルテレビを例に説明したが、実装基板２０、７０、７１、７２、７３はカーナビゲーションシステム、ホームサーバー、ＤＶＤ等の電子機器に適用することができる。
【００８１】
また、半導体素子として画像処理用ＬＳＩを用いたがこれに限定されるものでもなく、半導体素子であれば適用できる。
【産業上の利用可能性】
【００８２】
本発明の半導体実装用基板は、薄型化することができるという作用効果を有し、デジタルテレビ、カーナビゲーションシステム、ホームサーバー、ＤＶＤ等の半導体を用いる電子機器に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００８３】
【図１】本発明の実施の形態１における多電源系画像処理用ＬＳＩのブロック図
【図２】本発明の実施の形態１における実装基板の断面図
【図３】図２に示す実装基板にＬＳＩを接続する他の構成を示す断面図
【図４Ａ】図２に示す実装基板にＬＳＩを接続するさらに他の構成の作製ステップを示す断面図
【図４Ｂ】図４Ａに示す構成に続いて実装基板にＬＳＩを接続した状態を示す断面図
【図５】図２に示す実装基板の上面図
【図６Ａ】図２に示す実装基板の製造ステップを示す断面図
【図６Ｂ】図６Ａに続く製造ステップを示す断面図
【図６Ｃ】図６Ｂに続く製造ステップを示す断面図
【図６Ｄ】図６Ｃに続く製造ステップを示す断面図
【図７Ａ】図６Ｄに続く製造ステップを示す断面図
【図７Ｂ】図７Ａに続く製造ステップを示す断面図
【図７Ｃ】図７Ｂに続く製造ステップを示す断面図
【図８Ａ】図７Ｃに続く製造ステップを示す断面図
【図８Ｂ】図８Ａに続く製造ステップを示す断面図
【図８Ｃ】図８Ｂに続く製造ステップを示す断面図
【図９】本発明の実施の形態２における実装基板の断面図
【図１０】本発明の実施の形態３における実装基板の断面図
【図１１】本発明の実施の形態３における他の実装基板の断面図
【図１２】本発明の実施の形態４における実装基板の断面図
【図１３】図１２に示す実装基板の要部拡大断面図
【図１４Ａ】図１２に示す実装基板の製造ステップを示す断面図
【図１４Ｂ】図１４Ａに続く製造ステップを示す断面図
【図１４Ｃ】図１４Ｂに続く製造ステップを示す断面図
【図１４Ｄ】図１４Ｃに続く製造ステップを示す断面図
【図１５Ａ】図１４Ｄに続く製造ステップを示す断面図
【図１５Ｂ】図１５Ａに続く製造ステップを示す断面図
【図１５Ｃ】図１５Ｂに続く製造ステップを示す断面図
【図１６】本発明の実施の形態４による固体電解コンデンサの断面図
【図１７】図１６に示す固体電解コンデンサの要部拡大断面図
【図１８】図１６に示す固体電解コンデンサの製造ステップを示す断面図
【図１９】図１８に続く製造ステップを示す断面図
【図２０】図１９に続く製造ステップを示す断面図
【図２１】図２０に続く製造ステップを示す断面図
【図２２】図２１に続く製造ステップを示す断面図
【図２３】図２２に続く製造ステップを示す断面図
【図２４】図２３に続く製造ステップを示す断面図
【図２５】図２４に続く製造ステップを示す断面図
【図２６】図２５に続く製造ステップを示す断面図
【図２７】図２６に続く製造ステップを示す断面図
【図２８】図２７に続く製造ステップを示す断面図
【図２９】本発明の実施の形態４における他の固体電解コンデンサの断面図
【符号の説明】
【００８４】
１  アンテナ
２  チューナ
３  ＣＰＵ
４  メモリーコントローラ
５  Ｉ／Ｏ部
６  コア部
７  メモリー
８  Ｉ／Ｏ部
１０  画像処理用ＬＳＩ
１１  ディスプレイ
１２  外部交流電源
１３  ＡＣ−ＤＣコンバータ
１４，１５，１６，１７  ＤＣ−ＤＣコンバータ
１８  電源ライン
１９Ａ，１９Ｂ  コンデンサ
２０，７０，７１，７２，７３  実装基板
２１  弁作用金属
２２Ａ，２２Ｂ  粗面酸化膜
２３Ａ  第１基板構成体
２３１Ａ  第１絶縁層
２３２Ａ  第２絶縁層
２３Ｂ  第２基板構成体
２４  引出電極
２５  中間電極
２６Ａ，２６Ｃ  第１電極
２６Ｂ，２６Ｄ  第２電極
２７  導電性高分子体
２７Ａ  第２の導電性高分子体
２８，５０  銀ペースト
２９，２９Ａ  配線層
３０，３０Ａ  コンデンサ構成シート
３１，３４  絶縁層
３２  信号ライン
３３  接地（ＧＮＤ）ライン
３５Ａ，３５Ｂ  コンデンサ構成素体
３６  信号パッド
３７  ＶＤＤパッド
３８  ＧＮＤパッド
３９  ボンディングワイヤー
４０  モールド樹脂
４１  貫通孔
４２  ニッケル箔
４３  樹脂
４４  マスキングフィルム
４５  孔
５１  銅箔
５２  ブラインドビア
５３  貫通電極
５４  電源（ＶＤＤ）ライン
５５  金属層
６０  実装体
６１  スルホール
７０  筐体
８１  液体樹脂
１０１  弁金属シート体
１０２  多孔質部
１０３  陽電極
１０４  第２絶縁層
１０４Ａ  樹脂
１０５  第３絶縁層
１０６  陰電極
１０７  固体電解質層
１０８  集電体層
１０９，１１０  引き出し電極
１１２  第１絶縁層
１１４  給電部
１１５，１１６  ブラインドビア
１２０  固体電解コンデンサ
【図１】
0004508193.tif 000002
【図２】
0004508193.tif 000003
【図３】
0004508193.tif 000004
【図４Ａ】
0004508193.tif 000005
【図４Ｂ】
0004508193.tif 000006
【図５】
0004508193.tif 000007
【図６Ａ】
0004508193.tif 000008
【図６Ｂ】
0004508193.tif 000009
【図６Ｃ】
0004508193.tif 000010
【図６Ｄ】
0004508193.tif 000011
【図７Ａ】
0004508193.tif 000012
【図７Ｂ】
0004508193.tif 000013
【図７Ｃ】
0004508193.tif 000014
【図８Ａ】
0004508193.tif 000015
【図８Ｂ】
0004508193.tif 000016
【図８Ｃ】
0004508193.tif 000017
【図９】
0004508193.tif 000018
【図１０】
0004508193.tif 000019
【図１１】
0004508193.tif 000020
【図１２】
0004508193.tif 000021
【図１３】
0004508193.tif 000022
【図１４Ａ】
0004508193.tif 000023
【図１４Ｂ】
0004508193.tif 000024
【図１４Ｃ】
0004508193.tif 000025
【図１４Ｄ】
0004508193.tif 000026
【図１５Ａ】
0004508193.tif 000027
【図１５Ｂ】
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【図１５Ｃ】
0004508193.tif 000029
【図１６】
0004508193.tif 000030
【図１７】
0004508193.tif 000031
【図１８】
0004508193.tif 000032
【図１９】
0004508193.tif 000033
【図２０】
0004508193.tif 000034
【図２１】
0004508193.tif 000035
【図２２】
0004508193.tif 000036
【図２３】
0004508193.tif 000037
【図２４】
0004508193.tif 000038
【図２５】
0004508193.tif 000039
【図２６】
0004508193.tif 000040
【図２７】
0004508193.tif 000041
【図２８】
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【図２９】
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