(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理容器内に配置され且つこの処理容器内に供給された成膜用ガスで成膜するための被処理体を載置する載置体と、この載置体に形成された複数の貫通孔にそれぞれ挿入され且つ上記被処理体を上記載置体上で受け渡すための複数のリフタピンと、これらのリフタピンを支持する支持体と、この支持体を介して上記各リフタピンを昇降させる昇降機構とを備えた載置機構において、上記リフタピンを上記支持体上に載置すると共に、上記リフタピンと上記貫通孔の隙間を上記成膜用ガスが実質的に上記載置体の下面側から上面側へ通過しない隙間として設定し、また、上記リフタピンの基端が遊嵌する凹部を上記支持体上に設けたことを特徴とする被処理体の載置機構。
【請求項２】
処理容器内に配置され且つこの処理容器内に供給された成膜用ガスで成膜するための被処理体を載置する載置体と、この載置体に形成された複数の貫通孔にそれぞれ挿入され且つ上記被処理体を上記載置体上で受け渡すための複数のリフタピンと、これらのリフタピンを支持する支持体と、この支持体を介して上記各リフタピンを昇降させる昇降機構とを備えた載置機構において、上記各貫通孔の上端に上記載置体の凹陥部をそれぞれ連設すると共に上記各貫通孔に軸部を嵌入して上記貫通孔を閉じる蓋部材を上記各凹陥部にそれぞれ載置し、且つ、上記各リフタピンの上端を上記貫通孔内に挿入すると共に上記リフタピンを上記支持体上に載置し、更に、上記リフタピンの基端が遊嵌する凹部を上記支持体上に設けたことを特徴とする被処理体の載置機構。
【請求項３】
上記リフタピンの基端からの高さを調整可能にしたことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の被処理体の載置機構。
【請求項４】
上記載置体にプリコート膜を設けたことを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の被処理体の載置機構。
【請求項５】
上記貫通孔の軸方向長さと、上記貫通孔の内径と上記リフタピンまたは上記蓋部材の軸部の外径の差とに基づくアスペクト比を少なくとも３０以上に設定したことを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の被処理体の載置機構。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えばチタン（Ｔｉ）膜、窒化チタン（ＴｉＮ）膜等の薄膜を被処理体表面に成膜する成膜装置に用いられる被処理体の載置機構に関し、更に詳しくは、被処理体の裏面での成膜用ガスの堆積を防止することができる被処理体の載置機に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体製造工程には配線膜やバリヤ膜を成膜する工程がある。バリヤ膜は配線膜の配線材料（例えば、銅、タングステン、アルミニウム等）とシリコンとの反応を防止する薄膜で、その材料として例えば電気抵抗が小さく、耐食性に優れたＴｉ、ＴｉＮ等の金属材料が汎用されている。この成膜工程では配線膜の種類に即して種々の成膜装置が用いられる。例えばバリヤ膜を成膜する場合には、極めて薄いＴｉ膜をプラズマＣＶＤにより成膜し、このＴｉ膜を窒化処理し、更に、ＴｉＣｌ４とアンモニアガスを用いて熱ＣＶＤでＴｉＮ膜を成膜している。また、成膜処理に先立って被処理体（例えば、ウエハ）を載置する載置体等の表面にＴｉＮのプリコート膜を施し、載置体上のウエハ面内の熱的均一性を保持すると共に載置体等に起因する金属汚染等を防止している。
【０００３】
而して、例えばＴｉＮ膜の成膜処理には図６に示す成膜装置が用いられる。この成膜装置は、同図に示すように、処理容器１と、この処理容器１内に配置された載置機構２とを備えている。処理容器１の上部には成膜用ガスのガス供給部１Ａが形成され、下部には成膜後のガスを排気する排気部１Ｂが形成されている。また、載置機構２はウエハＷを載置する載置体（サセプタ）２Ａと、サセプタ２Ａ上でウエハＷを授受する複数のリフタピン２Ｂと、これらのリフタピン２Ｂが垂直に固定されたアーム２Ｃと、このアーム２Ｃを昇降させる昇降駆動機構（例えば、エアシリンダ）２Ｄとを備えている。また、図６、図７に示すようにサセプタ２Ａには複数のリフタピン２Ｂに対応する貫通孔２Ｅが形成され、各貫通孔２Ｅにはリフタピン２Ｂがそれぞれ貫通している。
【０００４】
ところで、サセプタ２Ａ上にウエハＷを載置してＴｉＮ膜を成膜する場合には、通常サセプタ２Ａを内蔵ヒータ２Ｆで加熱してウエハＷを例えば６５０〜６８０℃で成膜処理するため、サセプタ２Ａとアーム２Ｃが熱膨張する。ところが、サセプタ２Ａとアーム２Ｃはそれぞれ異なる材料によって形成されているため、両者２Ａ、２Ｃ間で熱膨張に差が生じる。そのため、図７の（ａ）に示すように貫通孔２Ｅの内径は両者２Ａ、２Ｃ間の熱膨張を吸収する大きさに設定され、成膜処理時の高温下で両者２Ａ、２Ｃが熱膨張しても図７の（ｂ）に示すように熱膨張差を貫通孔２Ｅで吸収して一点鎖線位置から実線位置まで偏倚するようにしてある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来に被処理体の載置機構の場合には、貫通孔２Ｅの内径がリフタピン２Ｂの外径より大きく設定され、両者２Ａ、２Ｃ間に大きな隙間があるため、成膜処理時に成膜用ガスが図７の（ａ）に矢印で示すようにサセプタ２Ａの下面からリフタピン２Ｂと貫通孔２Ｅ間の隙間を通ってウエハＷの裏面に達し、ウエハＷの裏面や貫通孔２Ｅの内周面に成膜用ガスの反応生成物等が堆積し、この堆積物がパーティクルの発生源になる虞がある。また、堆積物が原因となってリフタピン２Ｂが貫通孔２Ｅで固着し、リフタピン２Ｂの動作不良をもたらす虞もある。
【０００６】
尚、特開平６−３１８６３０号公報には上述と同種の課題を解決した発明について記載されているが、機構的に複雑で、コスト的に高くなりがちである。
【０００７】
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、被処理体の裏面での堆積物の生成を確実に防止すると共に被処理体の処理時に常にリフタピンを円滑に動作させることができ、しかも簡単な機構で安価に実現することができる被処理体の載置機構を提供することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項１に記載の被処理体の載置機構は処理容器内に配置され且つこの処理容器内に供給された成膜用ガスで成膜するための被処理体を載置する載置体と、この載置体に形成された複数の貫通孔にそれぞれ挿入され且つ上記被処理体を上記載置体上で受け渡すための複数のリフタピンと、これらのリフタピンを支持する支持体と、この支持体を介して上記各リフタピンを昇降させる昇降機構とを備えた載置機構において、上記リフタピンを上記支持体上に載置すると共に、上記リフタピンと上記貫通孔の隙間を上記成膜用ガスが実質的に上記載置体の下面側から上面側へ通過しない隙間として設定し、また、上記リフタピンの基端が遊嵌する凹部を上記支持体上に設けたことを特徴とするものである。
【０００９】
また、本発明の請求項２に記載の被処理体の載置機構は、処理容器内に配置され且つこの処理容器内に供給された成膜用ガスで成膜するための被処理体を載置する載置体と、この載置体に形成された複数の貫通孔にそれぞれ挿入され且つ上記被処理体を上記載置体上で受け渡すための複数のリフタピンと、これらのリフタピンを支持する支持体と、この支持体を介して上記各リフタピンを昇降させる昇降機構とを備えた載置機構において、上記各貫通孔の上端に上記載置体の凹陥部をそれぞれ連設すると共に上記各貫通孔に軸部を嵌入して上記貫通孔を閉じる蓋部材を上記各凹陥部にそれぞれ載置し、且つ、上記各リフタピンの上端を上記貫通孔内に挿入すると共に上記リフタピンを上記支持体上に載置し、更に、上記リフタピンの基端が遊嵌する凹部を上記支持体上に設けたことを特徴とするものである。
【００１１】
また、本発明の請求項３に記載の被処理体の載置機構は、請求項１または請求項２に記載の発明において、上記リフタピンの基端からの高さを調整可能にしたことを特徴とするものである。
【００１２】
また、本発明の請求項４に記載の被処理体の載置機構は、請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の発明において、上記載置体にプリコート膜を設けたことを特徴とするものである。
【００１３】
また、本発明の請求項５に記載の被処理体の載置機構は、請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の発明において、上記貫通孔の軸方向長さと、上記貫通孔の内径と上記リフタピンまたは上記蓋部材の軸部の外径の差とに基づくアスペクト比を少なくとも３０以上に設定したことを特徴とするものである。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、図１〜図５に示す実施形態に基づいて本発明を説明する。
本実施形態の被処理体の載置機構１０は、図１に示すように、処理容器２０内に配置された載置体（サセプタ）１１と、このサセプタ１１上で被処理体（例えば、ウエハ）Ｗを受け渡す複数のリフタピン１２と、これらのリフタピン１２を支持する支持体（アーム）１３と、このアーム１３を昇降駆動させる昇降駆動機構（例えば、エアシリンダ）１４とを備えている。処理容器２０は例えばアルマイト加工されたアルミニウムによって形成され、その上部には成膜用ガスをシャワー状にして供給する中空状のガス供給部２１が処理容器２０と一体的に形成されている。このガス供給部２１の上面には成膜用ガスの供給部２１Ａが形成され、そのサセプタ１１との対向面２１Ｂ全面には成膜用ガスをシャワー状にして供給する多数のガス供給孔２１Ｃが均等に分散して形成されている。
【００１５】
上記サセプタ１１は例えば窒化アルミニウム等のセラミックによって形成され、、支持柱１５によって水平に支持されている。サセプタ１１の内部にはヒータ１６が埋設され、ヒータ１６を介してウエハＷを所定の成膜温度まで加熱し維持するようにしている。リフタピン１２は例えばアルミナ等のセラミックによって形成され、サセプタ１１に形成された貫通孔１１Ａ内に挿入されている。アーム１３は例えばリフタピン１２と同様にアルミナによってリング状に形成されている。このアーム１３はエアシリンダ１４のロッド１４Ａに連結され、ロッド１４Ａで水平に支持されている。
【００１６】
ところで、上記リフタピン１２は、図１に示すように、下降端に位置する時には上端が少なくとも貫通孔１１Ａ内に位置し、ウエハＷの受け渡しを行う時には図２に示すようにエアシリンダ１４を介して貫通孔１１Ａから突出してウエハＷをサセプタ１１の上方で支持する。また、リフタピン１２は、図１、図２に示すように、アーム１３上面にリフタピン１２の基端部の断面形状に即して形成された凹陥部１３Ａ内に載置されている。従って、リフタピン１２はアーム１３の凹陥部１３Ａ内で自重により支持されている。また、リフタピン１２はシムＳによって高さを微調整できるようにしてある。
【００１７】
上記凹陥部１３Ａは、成膜処理時の高温下でサセプタ１１とアーム１３間に熱膨張差を吸収できる大きさに形成され、熱処理時にサセプタ１１とアーム１３間で熱膨張差が生じてもリフタピン１２が凹陥部１３Ａ内で位置ずれするようになっている。このようにサセプタ１１とアーム１３間の熱膨張差を凹陥部１３Ａ内で吸収するようにしてあるため、本実施形態では従来のようにサセプタ１１の貫通孔１１Ａ内径をリフタピン１２の外径より大きく設定する必要はない。従って、本実施形態では貫通孔１１Ａは単にリフタピン１２の昇降ガイドとして利用するため、貫通孔１１Ａとリフタピン１２間の隙間は成膜用ガスが実質的に通過できず、リフタピン１２が貫通孔１１Ａにおいて昇降できる極力狭い隙間に設定されている。
【００１８】
そこで、上記隙間と成膜用ガスの通過の関係について検討した結果、隙間を以下のように設定すれば良いことが判った。即ち、図３に示すように、上記貫通孔１１Ａの内径をＤ、リフタピン１２の外径をｄ及び貫通孔１１Ａの厚さ（本実施形態では貫通孔の上端に凹陥部（座ぐり）が形成されているため、凹陥部の底面からサセプタ１１の下面までの長さ）をｔとして設定し、サセプタ１１の厚さｔと隙間（（Ｄ−ｄ）／２）との関係をアスペクト比（ｔ／〔（Ｄ−ｄ）／２〕）として定義して隙間におけるガス通過を観察すると、アスペクト比を少なくとも３０、より好ましくは８０〜１００に設定すれば、隙間における成膜用ガスの通過を防止することができ、ひいてはウエハＷ裏面での成膜用ガスの反応生成物の堆積を防止してパーティクルの発生源を無くし、更に、貫通孔１１Ａ内における反応生成物の付着を防止して貫通孔１１Ａにおけるリフタピン１２の固着を防止することができる。
【００１９】
以上説明したように本実施形態によれば、リフタピン１２をアーム１３上に載置すると共に、リフタピン１２と貫通孔１１Ａの隙間を成膜用ガスが実質的にサセプタ１１の下面側から上面側へ通過しない大きさ、より具体的には隙間とサセプタ１１の厚さのアスペクト比を少なくとも３０、より好ましくは８０〜１００に設定したため、成膜処理時にウエハＷの裏面や貫通孔１１Ａ内での反応生成物の堆積を防止してパーティクルの発生源を無くすると共に貫通孔１１Ａでのリフタピン１２の固着を防止することができる。従って、成膜処理時には常にリフタピン１２が円滑に作動し、成膜処理前後のウエハＷの受け渡しを円滑に行うことができる。しかも、リフタピン１２をアーム１３上に載置するだけの構造であるため、コスト的にも従来のものと殆ど変わらず、低コストで実現することができ、また、従来の載置機構の構造に少し手を加えるだけで本実施形態の載置機構１０を得ることができる。
【００２０】
また、図４は本発明の他の実施形態を示す要部断面図である。本実施形態ではサセプタ１１の全面にプリコート膜１７を施した以外は上記実施形態に準じて構成されている。プリコート膜１７はウエハＷの成膜処理に先立って成膜用ガスを用いて処理容器２０内に例えばＴｉＮ膜を施すことによって形成される薄膜である。このようにプリコート膜を施すことにより成膜用ガスが貫通孔１１Ａの隙間を殆ど通過せず、ウエハＷの裏面まで達しなくなる。その理由は、ウエハＷへの成膜処理時に成膜用ガスが貫通孔１１Ａの下端開口（入口）近傍のプリコート膜１７と直に反応して入口近傍における成膜用ガスの殆どが消費され、貫通孔１１Ａ内で成膜用ガスの濃度勾配が急激に低下するためと考えられる。従って、上述のようにアスペクト比を設定した上で成膜処理に先立ってサセプタ１１全面にプリコート膜１７を設けることで、成膜プロセス条件によってはウエハＷ裏面等における反応生成物の堆積及びリフタピン１２の固着をより確実に防止することができる。
【００２１】
また、図５の（ａ）、（ｂ）は本発明の更に他の実施形態を示す図である。本実施形態では、貫通孔１１Ａに蓋部材１８を設け、この蓋部材１８をリフタピン１２で突き上げるようにしたものである。そして、サセプタ１１の貫通孔１１Ａの上端開口には凹陥部１１Ｂが連設され、貫通孔１１Ａの軸心と凹陥部１１Ｂの軸心は互いに一致している。その他は図１〜図３に示す実施形態に準じて構成されている。
【００２２】
而して、上記蓋部材１８は、図５の（ａ）、（ｂ）に示すように、キャップ部１８Ａと、このキャップ部１８Ａの下面に連設された軸部１８Ｂとからなっている。キャップ部１８Ａの直径は貫通孔１１Ａの直径より大径で凹陥部１１Ｂの直径より小径に形成され、軸部１８Ｂの直径は貫通孔１１Ａの直径より小径に形成されている。そして、キャップ部１８Ａの下面と凹陥部１１Ｂの底面は互いに密着するように形成されている。キャップ部１８Ａと凹陥部１１Ｂの底面は互いに密着すれば、平坦面、テーパ面等の如何なる形態であっても良い。また、軸部１８Ｂは中空状に形成され、この中空部にリフタピン１２の先端が嵌入している。従って、蓋部材１８は、軸部１８Ｂが貫通孔１１Ａ内に嵌入すると共にキャップ部１８Ａで貫通孔１１Ａの上端開口を閉じている。キャップ部１８Ａは軸部１８Ｂが貫通孔１１Ａ内で偏っても貫通孔１１Ａの上端開口を閉じる大きさに形成されている。軸部１８Ｂと貫通孔１１Ａの隙間は貫通孔１１Ａ内での反応生成物の付着を防止するために上記各実施形態の隙間が好ましい。
【００２３】
また、上記リフタピン１２は、例えば、小径部１２Ａと、大径部１２Ｂと、これら両者を繋ぐ連結部１２Ｃからなっている。小径部１２Ａの直径は蓋部材１８の軸部１８Ｂの中空部に嵌入するように形成され、連結部１２Ｃは小径部１２Ａから大径部１２Ｂへと徐々に太くなるように形成されている。小径部１２Ａの先端は軸部１８Ｂの最奥部に達しているが、貫通孔１１Ａが十分に長い場合には達していなくても良く、リフタピン１２で蓋部材１８をサセプタ１１の上方へ突き上げることができれば良い。従って、蓋部材１８の軸部１８Ｂは中空状でなくても良い。軸部１８Ｂが中空でない場合には、軸部１８Ｂの下端が貫通孔１１Ａの下端に達することなく、貫通孔１１Ａの下端の空間にリフタピン１２を挿入でき、リフタピン１２、蓋部材１８の昇降によって抜け落ちなければ良い。リフタピン１２も上記各実施形態と同様にアーム１３の凹陥部１３Ａ内に載置されている。従って、本実施形態によれば、蓋部材１８のキャップ部１８Ａで貫通孔１１Ａを閉じることができるため、上記各実施形態と同様の作用効果を期することができる。尚、本実施形態の場合にはサセプタ１１にプリコート膜を設けなくてもウエハＷ裏面への堆積物の生成等を確実に防止することができる。
【００２４】
【実施例】
次に、実施例に基づいてアスペクト比やプリコート膜の作用効果について具体的に説明する。
【００２５】
実施例１
本実施例では、まず下記サセプタにプリコート膜を設けた。この際、２００ｍｍ用のサセプタを使用し、サセプタの貫通孔としては下記の一種類で、リフタピンとしては下記の三種類を使用した。次いで、ウエハにＴｉＮ膜を施したが、この成膜プロセスではウエハの裏面に成膜用ガスの反応生成物を確実に堆積させるために、通常のウエハへの成膜厚（２０ｎｍ）に要する処理時間の５倍の時間（５分）でプロセス圧力も十分に高い高圧プロセス条件でウエハにＴｉＮ膜を施した。そして、成膜後にウエハ裏面での貫通孔における堆積物（ピン孔跡）の有無を目視観察し、その結果を下記表１にピン孔跡の有無として示した。尚、表１には三種類のリフタピンは、蓋部材の無い二種類のリフタピンをストレートピン▲１▼、▲２▼として、蓋部材の有るリフタピンを蓋付きピンとして示した。
［サセプタの条件］
▲１▼サセプタ厚：１７．０ｍｍ
▲２▼凹陥部深さ： ３．１ｍｍ
▲３▼貫通孔直径： ４．０ｍｍ
▲４▼リフタピン：
ストレートピン▲１▼の直径＝３．６ｍｍ
ストレートピン▲２▼の直径＝３．４ｍｍ
蓋付きピンの軸部の直径＝３．６ｍｍ
【００２６】
実施例２
本実施例では実施例１と同一のサセプタを使用し、サセプタにはプリコート膜を設けなかった。そして、ウエハにＴｉＮ膜を施したが、この成膜プロセスでは成膜時間が５分でプロセス圧力は比較的低い低圧プロセス条件でウエハに成膜処理を施した後、実施例１と同様にピン孔跡の有無を目視観察し、その結果を下記表１に示した。
【００２７】
［比較例１］
本比較例では実施例１と同一のサセプタを使用し、サセプタにプリコート膜を設けずに、実施例１と同一の高圧プロセス条件で成膜処理を施した後、実施例１と同様にピン孔跡の有無を目視観察し、その結果を下記の表１に示した。
【００２８】
【表１】
0004477784.tif 000002
【００２９】
上記表１に示す結果によれば、プリコート膜を設けた実施例１の場合にはストレートピン▲１▼、▲２▼共に一枚目のウエハからピン孔跡が確認されなかった。つまり、アスペクト比が７０であるストレートピン▲１▼、アスペクト比が４６であるストレートピン▲２▼のいずれの場合にもピン孔跡が無く、堆積物の生成が認められなかった。これに対して、プリコート膜を設けない比較例１の場合にはストレートピン▲１▼に３枚目のウエハまでピン孔跡が確認された。この比較例１ではストレートピン▲２▼についてのデータはないが、ストレートピン▲２▼はストレートピン▲１▼よりも隙間が大きくなることからピン孔跡が認められると推定される。
【００３０】
これらのことから、サセプタにプリコート膜が施されている場合には、ウエハに成膜処理を施す時に貫通孔の入口近傍のプリコート膜において成膜用ガスが反応して貫通孔内での濃度勾配が急激に低下し、ウエハまで達しないと推定される。これに対して、プリコート膜のない場合には、ウエハへの成膜時にサセプタでの成膜反応に潜伏時間（INCUBATION TIME）があって未反応の成膜用ガスが消費しきれずに貫通孔を通過してウエハ裏面に堆積物が生成するものと推定される。また、実施例１の蓋付きピンの場合には当然のことではあるがピン孔跡が確認されなかった。
【００３１】
一方、プリコート膜のないサセプタを用いて低圧プロセス条件でウエハに成膜処理を施した場合には、上記表１の結果からも明らかなようにストレートピン▲２▼の場合でも一枚目のウエハからウエハ裏面にピン孔跡が確認されなかった。ストレートピン▲１▼については確認してないが、隙間の大きなストレートピン▲２▼でピン孔跡が確認されないことから、ストレートピン▲１▼の場合でもウエハの裏面に堆積物が生成しないものと推定される。つまり、低圧プロセスであれば、ストレートピンのアスペクト比が４６もあれば、ウエハ裏面に堆積物が生成されないことが判った。
【００３２】
尚、本発明は上記各実施形態に何等制限されるものではない。例えば、上記実施形態ではアーム上にリフタピンを載置する凹陥部を設けた場合について説明したが、この凹陥部は設けなくても良い。要は、リフタピンを支持体上に載置し、リフタピンと貫通孔との隙間をリフタピンが昇降し得る最小限の隙間に設定してあれば良い。
【００３３】
【発明の効果】
本発明によれば、被処理体の裏面での堆積物の生成を確実に防止すると共に被処理体の処理時に常にリフタピンを円滑に動作させることができ、しかも簡単な機構で安価に実現することができる被処理体の載置機構を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の被処理体の載置機構の一実施形態の要部を示す断面図である。
【図２】図１に示すサセプタ上でウエハを受け渡す時のリフタピンとウエハとの関係を示す部分断面図である。
【図３】リフタピンと隙間のアスペクト比を説明するための断面図である。
【図４】図１に示すサセプタにプリコート膜を設けた状態を拡大して示す模式図である。
【図５】本発明の被処理体の載置機構の他の実施形態の要部を拡大して示す断面図で、（ａ）はウエハを受け渡す状態を示す図、（ｂ）はウエハをサセプタ上に載置した状態を示す図である。
【図６】従来の成膜装置の断面構造を示す概念図である。
【図７】図１に示すサセプタとリフタピンの関係を示す要部断面図で、（ａ）は常温状態を示す図、（ｂ）は成膜処理時を示す図である。
【符号の説明】
１０ 被処理体の載置機構
１１ サセプタ
１１Ａ 貫通孔
１１Ｂ 凹陥部
１２ リフタピン
１３ アーム（支持体）
１３Ａ 凹陥部
１４ 昇降駆動機構
１８ 蓋部材
１８Ａ キャップ部
１８Ｂ 軸部
【図１】
0004477784.tif 000003
【図２】
0004477784.tif 000004
【図３】
0004477784.tif 000005
【図４】
0004477784.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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