(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（Ｉ）
【化１】
0004406956.tif 000077
（式中、Ｌは−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＯＣＨ２−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−Ｏ（ＣＨ２）３−、−（ＣＨ２）３Ｏ−、−（ＣＨ２）４−または単結合を表し、Ｚは
【化１】
0004406956.tif 000078
または
【化１】
0004406956.tif 000079
（式中、Ｒは炭素数２から７のアルキレン基を表す。）を表し、Ｚ’は
【化１】
0004406956.tif 000080
または
【化１】
0004406956.tif 000081
（式中、Ｒ’は炭素数２から７のアルキレン基を表す。）を表し、デカヒドロナフタレン環はトランス形である。）で表されるデカヒドロナフタレン誘導体。
【請求項２】
一般式（Ｉ）においてＬが−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−または単結合を表すところの請求項１記載のデカヒドロナフタレン誘導体。
【請求項３】
一般式（Ｉ）においてＬが単結合を表すところの請求項１記載のデカヒドロナフタレン誘導体。
【請求項４】
一般式（Ｉ）においてＲおよびＲ’がそれぞれ独立的にエチレン基またはプロピレン基を表すところの請求項１記載のデカヒドロナフタレン誘導体。
【請求項５】
一般式（Ｉａ）
【化１】
0004406956.tif 000082
（式中、Ｌは請求項１記載の一般式（Ｉ）におけると同じ意味を表し、デカヒドロナフタレン環はトランス形である。）で表されるデカヒドロナフタレン誘導体。
【請求項６】
一般式（Ｉｂ）
【化１】
0004406956.tif 000083
（式中、ＬおよびＲは請求項１記載の一般式（Ｉ）におけると同じ意味を表し、デカヒドロナフタレン環はトランス形である。）で表されるデカヒドロナフタレン誘導体。
【請求項７】
一般式（Ｉｃ）
【化１】
0004406956.tif 000084
（式中、ＬおよびＲ’は請求項１記載の一般式（Ｉ）におけると同じ意味を表し、デカヒドロナフタレン環はトランス形である。）で表されるデカヒドロナフタレン誘導体。
【請求項８】
一般式（Ｉｄ）
【化１】
0004406956.tif 000085
（式中、Ｌ、ＲおよびＲ’は請求項１記載の一般式（Ｉ）におけると同じ意味を表し、デカヒドロナフタレン環はトランス形である。）で表されるデカヒドロナフタレン誘導体。
【請求項９】
一般式（ＩＩａ）
【化１】
0004406956.tif 000086
（式中、Ｌは請求項５記載の一般式（Ｉａ）におけると同じ意味を表す。）で表されるオクタヒドロナフタレン誘導体を還元し、必要に応じてヒドロキシル基を酸化することを特徴とする請求項５記載の一般式（Ｉａ）で表されるデカヒドロナフタレン誘導体の製造方法。
【請求項１０】
還元がアンモニアあるいはアミン系溶媒中でアルカリ金属またはアルカリ土類金属を用いることを特徴とする請求項９記載の製造方法。
【請求項１１】
一般式（ＩＩｂ）
【化１】
0004406956.tif 000087
（式中、Ｌは請求項５記載の一般式（Ｉａ）におけると同じ意味を表す。）で表されるナフタレン誘導体を還元することを特徴とする請求項５記載の一般式（Ｉａ）で表されるデカヒドロナフタレン誘導体の製造方法。
【請求項１２】
一般式（ＩＩｃ）
【化１】
0004406956.tif 000088
（式中、Ｌは請求項５記載の一般式（Ｉａ）におけると同じ意味を表す。）で表されるテトラヒドロナフタレン誘導体を還元することを特徴とする請求項５記載の一般式（Ｉａ）で表されるデカヒドロナフタレン誘導体の製造方法。
【請求項１３】
一般式（ＩＩｄ）
【化１】
0004406956.tif 000089
（式中、Ｌは請求項５記載の一般式（Ｉａ）におけると同じ意味を表す。）で表されるテトラヒドロナフタレン誘導体を還元することを特徴とする請求項５記載の一般式（Ｉａ）で表されるデカヒドロナフタレン誘導体の製造方法。
【請求項１４】
一般式（ＩＩｅ）
【化１】
0004406956.tif 000090
（式中、Ｌは請求項５記載の一般式（Ｉａ）におけると同じ意味を表し、デカヒドロナフタレン環はトランス形である。）で表されるデカヒドロナフタレン誘導体を還元することを特徴とする請求項５記載の一般式（Ｉａ）で表されるデカヒドロナフタレン誘導体の製造方法。
【請求項１５】
一般式（ＩＩｆ）
【化１】
0004406956.tif 000091
（式中、ＬおよびＲは請求項６記載の一般式（Ｉｂ）におけると同じ意味を表す。）で表されるテトラヒドロナフタレン誘導体を還元することを特徴とする請求項６記載の一般式（Ｉｂ）で表されるデカヒドロナフタレン誘導体の製造方法。
【請求項１６】
一般式（ＩＩｇ）
【化１】
0004406956.tif 000092
（式中、ＬおよびＲは請求項６記載の一般式（Ｉｂ）におけると同じ意味を表し、デカヒドロナフタレン環はトランス形である。）で表されるデカヒドロナフタレン誘導体を還元することを特徴とする請求項６記載の一般式（Ｉｂ）で表されるデカヒドロナフタレン誘導体の製造方法。
【請求項１７】
一般式（ＩＩｈ）
【化１】
0004406956.tif 000093
（式中、ＬおよびＲ’は請求項７記載の一般式（Ｉｃ）におけると同じ意味を表す。）で表されるオクタヒドロナフタレン誘導体を還元することを特徴とする請求項７記載の一般式（Ｉｃ）で表されるデカヒドロナフタレン誘導体の製造方法。
【請求項１８】
還元がアンモニアあるいはアミン系溶媒中でアルカリ金属またはアルカリ土類金属を用いることを特徴とする請求項１７記載の製造方法。
【請求項１９】
一般式（ＩＩｉ）
【化１】
0004406956.tif 000094
（式中、ＬおよびＲ’は請求項７記載の一般式（Ｉｃ）におけると同じ意味を表す。）で表されるナフタレン誘導体を還元することを特徴とする請求項７記載の一般式（Ｉｃ）で表されるデカヒドロナフタレン誘導体の製造方法。
【請求項２０】
一般式（ＩＩｊ）
【化１】
0004406956.tif 000095
（式中、ＬおよびＲ’は請求項７記載の一般式（Ｉｃ）におけると同じ意味を表す。）で表されるテトラヒドロナフタレン誘導体を還元することを特徴とする請求項７記載の一般式（Ｉｃ）で表されるデカヒドロナフタレン誘導体の製造方法。
【請求項２１】
一般式（ＩＩｋ）
【化１】
0004406956.tif 000096
（式中、ＬおよびＲ’は請求項７記載の一般式（Ｉｃ）におけると同じ意味を表す。）で表されるテトラヒドロナフタレン誘導体を還元することを特徴とする請求項７記載の一般式（Ｉｃ）で表されるデカヒドロナフタレン誘導体の製造方法。
【請求項２２】
一般式（ＩＩｌ）
【化１】
0004406956.tif 000097
（式中、Ｌ、ＲおよびＲ’は請求項８記載の一般式（Ｉｄ）におけると同じ意味を表す。）で表されるテトラヒドロナフタレン誘導体を還元することを特徴とする請求項８記載の一般式（Ｉｄ）で表されるデカヒドロナフタレン誘導体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は電気光学的液晶表示用材料として有用なデカヒドロナフタレン誘導体の製造中間体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示素子は、時計、電卓をはじめとして、各種測定機器、自動車用パネル、ワ−ドプロセッサ−、電子手帳、プリンタ−、コンピュ−タ−、テレビ等に用いられるようになっている。液晶表示方式としては、その代表的なものにＴＮ（捩れネマチック）型、ＳＴＮ（超捩れネマチック）型、ＤＳ（動的光散乱）型、ＧＨ（ゲスト・ホスト）型あるいはＦＬＣ（強誘電性液晶）等があり、また駆動方式としても従来のスタティック駆動からマルチプレックス駆動が一般的になり、さらに単純マトリックス方式、最近ではアクティブマトリックス方式が実用化されている。
【０００３】
これらの表示方式や駆動方式に応じて、液晶材料としても種々の特性が要求されている。中でも温度範囲が広いことはほとんどの場合に共通して非常に重要であるが、これにはネマチック相上限温度（ＴN-I）が充分高いことと、融点（ＴC-N）あるいはスメクチック−ネマチック転移温度（ＴS-N）が充分低いことを含んでいる。
【０００４】
また、他の液晶化合物や汎用液晶組成物に対する相溶性も重要である。この相溶性が不良の場合には、析出や相分離の危険を避けるために非常に多数の液晶化合物を混合させる必要が生じ、組成物の調製には非常な手間がかかり、高コスト化が避けられなかった。
【０００５】
また、駆動電圧が充分低いことも多くの場合に共通して重要な特性であり、そのためには閾値電圧（Ｖｔｈ）が低い必要がある。
【０００６】
また、応答が高速であることも同様に重要な特性であり、そのために液晶の粘性はできるだけ小さいことが要求されている。
【０００７】
また、屈折率異方性（Δｎ）も重要な特性であり、その表示方法に応じてさまざまな値が要求されるが、製造の容易なセル厚の大きい液晶素子の場合には小さい値が要求されることが多い。
【０００８】
こうした要求を満たすべく、これまでにも非常に数多くの液晶化合物が合成されてきているが、問題が全て解決されたわけではなく、上記の各々の要求に対しさらに優れた特性を有する液晶化合物が求められているのが現状である。
【０００９】
一般に液晶化合物は構造的に中心骨格（コア）部分と側方基（側鎖及び極性基）から形成されている。コア部分を構成する環構造としては、１，４−フェニレン基（フッ素置換されていてもよい）やトランス−１，４−シクロヘキシレン基をはじめとして、ピリジン−２，５−ジイル基やピリミジン−２，５−ジイル基等の複素芳香環、ジオキサン−トランス−１，４−ジイル基やピペリジン−１，４−ジイル基等の飽和複素環等、既に多くのものが知られている。しかしながら、通常は１，４−フェニレン基（フッ素置換されていてもよい）とトランス−１，４−シクロヘキシレン基および少数の複素芳香環にほぼ限定されており、これらの環構造から構成された液晶化合物のみでは年々高度化する液晶組成物に対する要求特性には充分応えきれなくなってきているのが実情である。
【００１０】
ところでこのトランス−１，４−シクロヘキシレン基をトランス−２，６−トランスデカヒドロナフチレン基に変換することにより液晶性が向上することは知られている。しかもトランス−２，６−トランスデカヒドロナフチレン基は酸素原子や窒素原子といったヘテロ原子を含まない飽和環であるため、優れた化学的安定性が期待できる。しかしながら、これまでに報告されたトランス−２，６−トランスデカヒドロナフタレン誘導体の例は少なく、特にその特性についてはほとんど知られていなかった。
【００１１】
最近、本発明者らは２−（３，５−ジフルオロ−４−シアノフェニル）−トランス−２，６−トランスデカヒドロナフタレン誘導体である（Ａ）
【００１２】
【化２２】
0004406956.tif 000002
【００１３】
あるいは２−（３，４，５−トリフルオロフェニル）−トランス−２，６−トランスデカヒドロナフタレン誘導体である（Ｂ）
【００１４】
【化２３】
0004406956.tif 000003
【００１５】
等の新規デカヒドロナフタレン誘導体を開発し、これらが優れた液晶性を示し、閾値電圧（Ｖｔｈ）の低減や、屈折率異方性（Δｎ）の低減、ネマチック相温度範囲の拡大等に優れた効果を有し、さらに他の液晶化合物や汎用液晶組成物に対する相溶性にも優れており、液晶材料として有用であることを報告した。
【００１６】
また（Ａ）や（Ｂ）等の優れた特性について、さらにその液晶性を向上させるためには、そのデカヒドロナフタレン骨格に、さらにトランス−１，４−シクロヘキシレン基を１個導入することが効果的であろうことは比較的容易に予想することができる。本発明者らは、化合物（Ｃ）
【００１７】
【化２４】
0004406956.tif 000004
【００１８】
等の新規デカヒドロナフタレン誘導体を開発し、これらが非常に優れた液晶性を示し、汎用液晶の母体として有用であることを報告した。化合物（Ｃ）は６−（４−アルキルシクロヘキシル）デカヒドロナフタレン−２−オンを中間体として製造される。しかしながら、原料であるデカヒドロナフタレン誘導体から変換する際の収率も充分高いとは言い難いことから、製造コスト的には決して有利であるとは言えなかった。そのため、デカヒドロナフタレン系液晶の製造中間体として、製造が容易で、より安価なシクロヘキサン環を含むデカヒドロナフタレン誘導体が求められている。
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】
本発明が解決しようとする課題は、液晶製造中間体として有用なシクロヘキサン環を含む新規デカヒドロナフタレン誘導体およびその製造方法を提供することにあり、さらにそれを用いてアルケニル基を含有するデカヒドロナフタレン構造を有するような液晶化合物の有利な製造方法を提供することにある。
【００２０】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記課題を解決するために、
１．一般式（Ｉ）
【００２１】
【化２５】
0004406956.tif 000005
【００２２】
（式中、Ｌは−ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ（ＣＨ3）ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ（ＣＨ3）−、−ＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ2−、−ＣＦ2Ｏ−、−ＯＣＦ2−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ（ＣＨ2）3−、−（ＣＨ2）3Ｏ−、−（ＣＨ2）4−または単結合を表し、Ｚは
【００２３】
【化２６】
0004406956.tif 000006
【００２４】
または
【００２５】
【化２７】
0004406956.tif 000007
【００２６】
（式中、Ｒは主鎖炭素数２から７の置換されてもよいアルキレン基を表す。）を表し、Ｚ’は
【００２７】
【化２８】
0004406956.tif 000008
【００２８】
または
【００２９】
【化２９】
0004406956.tif 000009
【００３０】
（式中、Ｒ’は主鎖炭素数２から７の置換されてもよいアルキレン基を表す。）を表し、デカヒドロナフタレン環はトランス形である。）で表されるデカヒドロナフタレン誘導体。
２．一般式（Ｉ）において、Ｌが−ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＦ2Ｏ−、−ＯＣＦ2−または単結合を表すところの上記１記載のデカヒドロナフタレン誘導体。
３．一般式（Ｉ）において、Ｌが単結合を表すところの上記１記載のデカヒドロナフタレン誘導体。
４．一般式（Ｉ）において、ＲおよびＲ’がそれぞれ独立的にエチレン基またはトリメチレン基を表すところの上記１記載のデカヒドロナフタレン誘導体。
５．一般式（Ｉａ）
【００３１】
【化３０】
0004406956.tif 000010
【００３２】
（式中、Ｌは一般式（Ｉ）におけると同じ意味を表し、デカヒドロナフタレン環はトランス形である。）で表されるデカヒドロナフタレン誘導体。
６．一般式（Ｉｂ）
【００３３】
【化３１】
0004406956.tif 000011
【００３４】
（式中、ＬおよびＲは一般式（Ｉ）におけると同じ意味を表し、デカヒドロナフタレン環はトランス形である。）で表されるデカヒドロナフタレン誘導体。
７．一般式（Ｉｃ）
【００３５】
【化３２】
0004406956.tif 000012
【００３６】
（式中、ＬおよびＲ’は一般式（Ｉ）におけると同じ意味を表し、デカヒドロナフタレン環はトランス形である。）で表されるデカヒドロナフタレン誘導体。
８．一般式（Ｉｄ）
【００３７】
【化３３】
0004406956.tif 000013
【００３８】
（式中、Ｌ、ＲおよびＲ’は一般式（Ｉ）におけると同じ意味を表し、デカヒドロナフタレン環はトランス形である。）で表されるデカヒドロナフタレン誘導体。
９．一般式（ＩＩａ）
【００３９】
【化３４】
0004406956.tif 000014
【００４０】
（式中、Ｌは一般式（Ｉａ）におけると同じ意味を表す。）で表されるオクタヒドロナフタレン誘導体を還元し、必要に応じてヒドロキシル基を酸化することを特徴とする上記５記載の一般式（Ｉａ）で表されるデカヒドロナフタレン誘導体の製造方法。
１０．還元がアンモニアあるいはアミン系溶媒中でアルカリ金属またはアルカリ土類金属を用いることを特徴とする上記９記載の製造方法。
１１．一般式（ＩＩｂ）
【００４１】
【化３５】
0004406956.tif 000015
【００４２】
（式中、Ｌは一般式（Ｉａ）におけると同じ意味を表す。）で表されるナフタレン誘導体を還元し、必要に応じてヒドロキシル基を酸化することを特徴とする上記５記載の一般式（Ｉａ）で表されるデカヒドロナフタレン誘導体の製造方法。
１２．一般式（ＩＩｃ）
【００４３】
【化３６】
0004406956.tif 000016
【００４４】
（式中、Ｌは一般式（Ｉａ）におけると同じ意味を表す。）で表されるテトラヒドロナフタレン誘導体を還元し、必要に応じてヒドロキシル基を酸化することを特徴とする上記５記載の一般式（Ｉａ）で表されるデカヒドロナフタレン誘導体の製造方法。
１３．一般式（ＩＩｄ）
【００４５】
【化３７】
0004406956.tif 000017
【００４６】
（式中、Ｌは一般式（Ｉａ）におけると同じ意味を表す。）で表されるテトラヒドロナフタレン誘導体を還元し、必要に応じてヒドロキシル基を酸化することを特徴とする上記５記載の一般式（Ｉａ）で表されるデカヒドロナフタレン誘導体の製造方法。
１４．一般式（ＩＩｅ）
【００４７】
【化３８】
0004406956.tif 000018
【００４８】
（式中、Ｌは一般式（Ｉａ）におけると同じ意味を表し、デカヒドロナフタレン環はトランス形である。）で表されるデカヒドロナフタレン誘導体を還元し、必要に応じてヒドロキシル基を酸化することを特徴とする上記５記載の一般式（Ｉａ）で表されるデカヒドロナフタレン誘導体の製造方法。
１５．一般式（ＩＩｆ）
【００４９】
【化３９】
0004406956.tif 000019
【００５０】
（式中、ＬおよびＲは一般式（Ｉｂ）におけると同じ意味を表す。）で表されるテトラヒドロナフタレン誘導体を還元し、必要に応じてヒドロキシル基を酸化することを特徴とする上記６記載の一般式（Ｉｂ）で表されるデカヒドロナフタレン誘導体の製造方法。
１６．一般式（ＩＩｇ）
【００５１】
【化４０】
0004406956.tif 000020
【００５２】
（式中、ＬおよびＲは一般式（Ｉｂ）におけると同じ意味を表し、デカヒドロナフタレン環はトランス形である。）で表されるデカヒドロナフタレン誘導体を還元し、必要に応じてヒドロキシル基を酸化することを特徴とする上記６記載の一般式（Ｉｂ）で表されるデカヒドロナフタレン誘導体の製造方法。
１７．一般式（ＩＩｈ）
【００５３】
【化４１】
0004406956.tif 000021
【００５４】
（式中、ＬおよびＲ’は一般式（Ｉｃ）におけると同じ意味を表す。）で表されるオクタヒドロナフタレン誘導体を還元し、必要に応じてヒドロキシル基を酸化することを特徴とする上記７記載の一般式（Ｉｃ）で表されるデカヒドロナフタレン誘導体の製造方法。
１８．還元がアンモニアあるいはアミン系溶媒中でアルカリ金属またはアルカリ土類金属を用いることを特徴とする上記１７記載の製造方法。
１９．一般式（ＩＩｉ）
【００５５】
【化４２】
0004406956.tif 000022
【００５６】
（式中、ＬおよびＲ’は一般式（Ｉｃ）におけると同じ意味を表す。）で表されるナフタレン誘導体を還元し、必要に応じてヒドロキシル基を酸化することを特徴とする上記７記載の一般式（Ｉｃ）で表されるデカヒドロナフタレン誘導体の製造方法。
２０．一般式（ＩＩｊ）
【００５７】
【化４３】
0004406956.tif 000023
【００５８】
（式中、ＬおよびＲ’は一般式（Ｉｃ）におけると同じ意味を表す。）で表されるテトラヒドロナフタレン誘導体を還元し、必要に応じてヒドロキシル基を酸化することを特徴とする上記７記載の一般式（Ｉｃ）で表されるデカヒドロナフタレン誘導体の製造方法。
２１．一般式（ＩＩｋ）
【００５９】
【化４４】
0004406956.tif 000024
【００６０】
（式中、ＬおよびＲ’は一般式（Ｉｃ）におけると同じ意味を表す。）で表されるテトラヒドロナフタレン誘導体を還元し、必要に応じてヒドロキシル基を酸化することを特徴とする上記７記載の一般式（Ｉｃ）で表されるデカヒドロナフタレン誘導体の製造方法。
２２．一般式（ＩＩｌ）
【００６１】
【化４５】
0004406956.tif 000025
【００６２】
（式中、Ｌ、ＲおよびＲ’は一般式（Ｉｄ）におけると同じ意味を表す。）で表されるテトラヒドロナフタレン誘導体を還元し、必要に応じてヒドロキシル基を酸化することを特徴とする上記８記載の一般式（Ｉｄ）で表されるデカヒドロナフタレン誘導体の製造方法。
を前記課題を解決するための手段として見出した。
【００６３】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の一例について説明する。
【００６４】
本発明は、上記課題を解決するために、一般式（Ｉ）
【００６５】
【化４６】
0004406956.tif 000026
【００６６】
で表されるデカヒドロナフタレン誘導体を提供する。式中、Ｌは−ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ（ＣＨ3）ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ（ＣＨ3）−、−ＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ2−、−ＣＦ2Ｏ−、−ＯＣＦ2−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ（ＣＨ2）3−、−（ＣＨ2）3Ｏ−、−（ＣＨ2）4−または単結合を表すが、−ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＦ2Ｏ−、−ＯＣＦ2−または単結合が好ましく、単結合が最も好ましい。Ｚは
【００６７】
【化４７】
0004406956.tif 000027
【００６８】
または
【００６９】
【化４８】
0004406956.tif 000028
【００７０】
を表し、Ｒは主鎖炭素数２から７の置換されてもよいアルキレン基を表し、Ｚ’は
【００７１】
【化４９】
0004406956.tif 000029
【００７２】
または
【００７３】
【化５０】
0004406956.tif 000030
【００７４】
を表し、Ｒ’は主鎖炭素数２から７の置換されてもよいアルキレン基を表すが、ＲおよびＲ’はそれぞれ独立的にエチレン基またはトリメチレン基が好ましい。デカヒドロナフタレン環はトランス形である。
【００７５】
一般式（Ｉ）の化合物はそのＺおよびＺ’により一般式（Ｉａ）〜（Ｉｄ）
【００７６】
【化５１】
0004406956.tif 000031
【００７７】
に大別され、各々、以下のイ）〜タ）の各製造ルートにより製造することができ、本発明はこれらの製造方法をも提供する。
イ）  一般式（ＩＩａ）
【００７８】
【化５２】
0004406956.tif 000032
【００７９】
（式中、Ｌは一般式（Ｉａ）におけると同じ意味を表す。）で表されるオクタヒドロナフタレン誘導体をアンモニアあるいはアミン系溶媒中でアルカリ金属またはアルカリ土類金属を用いて還元し、必要に応じて還元により副生したヒドロキシル基をクロム酸等により酸化することにより、一般式（Ｉａ）で表されるデカヒドロナフタレン誘導体を得ることができ、溶媒としてはアンモニア、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、エチレンジアミンまたはプロピレンジアミンが好ましく、アルカリ金属またはアルカリ土類金属としてはリチウムまたはナトリウムが好ましい。
ロ）  一般式（ＩＩｂ）
【００８０】
【化５３】
0004406956.tif 000033
【００８１】
（式中、Ｌは一般式（Ｉａ）におけると同じ意味を表す。）で表されるナフタレン誘導体を還元水素添加し、必要に応じて還元により副生したヒドロキシル基をクロム酸等により酸化することにより、一般式（Ｉａ）で表されるデカヒドロナフタレン誘導体を得ることができる。
ハ）  一般式（ＩＩｃ）
【００８２】
【化５４】
0004406956.tif 000034
【００８３】
（式中、Ｌは一般式（Ｉａ）におけると同じ意味を表す。）で表されるテトラヒドロナフタレン誘導体を還元水素添加し、必要に応じて還元により副生したヒドロキシル基をクロム酸等により酸化することにより、一般式（Ｉａ）で表されるデカヒドロナフタレン誘導体を得ることができる。
ニ）  一般式（ＩＩｄ）
【００８４】
【化５５】
0004406956.tif 000035
【００８５】
（式中、Ｌは一般式（Ｉａ）におけると同じ意味を表す。）で表されるテトラヒドロナフタレン誘導体を還元水素添加し、必要に応じて還元により副生したヒドロキシル基をクロム酸等により酸化することにより、一般式（Ｉａ）で表されるデカヒドロナフタレン誘導体を得ることができる。
ホ）  一般式（ＩＩｅ）
【００８６】
【化５６】
0004406956.tif 000036
【００８７】
（式中、Ｌは一般式（Ｉａ）におけると同じ意味を表し、デカヒドロナフタレン環はトランス形である。）で表されるデカヒドロナフタレン誘導体を還元水素添加し、必要に応じて還元により副生したヒドロキシル基をクロム酸等により酸化することにより、一般式（Ｉａ）で表されるデカヒドロナフタレン誘導体を得ることができる。
ヘ）  一般式（ＩＩｆ）
【００８８】
【化５７】
0004406956.tif 000037
【００８９】
（式中、ＬおよびＲは一般式（Ｉｂ）におけると同じ意味を表す。）で表されるテトラヒドロナフタレン誘導体を還元水素添加し、必要に応じて還元により副生したヒドロキシル基をクロム酸等により酸化することにより、一般式（Ｉｂ）で表されるデカヒドロナフタレン誘導体を得ることができる。
ト）  一般式（ＩＩｇ）
【００９０】
【化５８】
0004406956.tif 000038
【００９１】
（式中、ＬおよびＲは一般式（Ｉｂ）におけると同じ意味を表し、デカヒドロナフタレン環はトランス形である。）で表されるデカヒドロナフタレン誘導体を還元水素添加し、必要に応じて還元により副生したヒドロキシル基をクロム酸等により酸化することにより、一般式（Ｉｂ）で表されるデカヒドロナフタレン誘導体を得ることができる。
チ）  一般式（ＩＩｈ）
【００９２】
【化５９】
0004406956.tif 000039
【００９３】
（式中、ＬおよびＲ’は一般式（Ｉｃ）におけると同じ意味を表す。）で表されるオクタヒドロナフタレン誘導体をアンモニアあるいはアミン系溶媒中でアルカリ金属またはアルカリ土類金属を用いて還元し、必要に応じて還元により副生したヒドロキシル基をクロム酸等により酸化することにより、一般式（Ｉｃ）で表されるデカヒドロナフタレン誘導体を得ることができ、アミン系溶媒としてはメチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、エチレンジアミンまたはプロピレンジアミンが好ましく、アルカリ金属またはアルカリ土類金属としてはリチウムまたはナトリウムが好ましい。
リ）  一般式（ＩＩｉ）
【００９４】
【化６０】
0004406956.tif 000040
【００９５】
（式中、ＬおよびＲ’は一般式（Ｉｃ）におけると同じ意味を表す。）で表されるナフタレン誘導体を還元水素添加し、必要に応じて還元により副生したヒドロキシル基をクロム酸等により酸化することにより、一般式（Ｉｃ）で表されるデカヒドロナフタレン誘導体を得ることができる。
ヌ）  一般式（ＩＩｊ）
【００９６】
【化６１】
0004406956.tif 000041
【００９７】
（式中、ＬおよびＲ’は一般式（Ｉｃ）におけると同じ意味を表す。）で表されるテトラヒドロナフタレン誘導体を還元水素添加し、必要に応じて還元により副生したヒドロキシル基をクロム酸等により酸化することにより、一般式（Ｉｃ）で表されるデカヒドロナフタレン誘導体を得ることができる。
ル）  一般式（ＩＩｋ）
【００９８】
【化６２】
0004406956.tif 000042
【００９９】
（式中、ＬおよびＲ’は一般式（Ｉｃ）におけると同じ意味を表す。）で表されるテトラヒドロナフタレン誘導体を還元水素添加し、必要に応じて還元により副生したヒドロキシル基をクロム酸等により酸化することにより、一般式（Ｉｃ）で表されるデカヒドロナフタレン誘導体を得ることができる。
ヲ）  一般式（ＩＩｌ）
【０１００】
【化６３】
0004406956.tif 000043
【０１０１】
（式中、Ｌ、ＲおよびＲ’は一般式（Ｉｃ）におけると同じ意味を表す。）で表されるテトラヒドロナフタレン誘導体を還元水素添加し、必要に応じて還元により副生したヒドロキシル基をクロム酸等により酸化することにより、一般式（Ｉｄ）で表されるデカヒドロナフタレン誘導体を得ることができる。
ワ）  一般式（Ｉｂ）〜（Ｉｄ）で表される化合物を脱アセタール化することにより、一般式（Ｉａ）で表されるデカヒドロナフタレン誘導体を得ることができる。
カ）  一般式（Ｉａ）の化合物をモノアセタール化することにより、または一般式（Ｉｄ）の化合物を脱アセタール化することにより一般式（Ｉｂ）で表されるデカヒドロナフタレン誘導体を得ることができる。
ヨ）  一般式（Ｉａ）の化合物をモノアセタール化することにより、または一般式（Ｉｄ）の化合物を脱アセタール化することにより一般式（Ｉｃ）で表されるデカヒドロナフタレン誘導体を得ることができる。
タ）  一般式（Ｉａ）〜（Ｉｃ）で表される化合物をアセタール化することにより、一般式（Ｉｄ）で表されるデカヒドロナフタレン誘導体を得ることができる。
【０１０２】
斯くして製造される本発明の化合物は以下のとおりである。
【０１０３】
【化６４】
0004406956.tif 000044
【０１０４】
【化６５】
0004406956.tif 000045
【０１０５】
【化６６】
0004406956.tif 000046
【０１０６】
【化６７】
0004406956.tif 000047
【０１０７】
（式中、ｍおよびｎはそれぞれ独立的に２または３の整数を表す。）
これらの中では、（１ａａ）、（１ａｆ）、（１ａｇ）、（１ａｐ）、（１ｂａ）、（１ｂｆ）、（１ｂｇ）、（１ｂｐ）、（１ｃａ）、（１ｃｆ）、（１ｃｇ）、（１ｃｐ）、（１ｄａ）、（１ｄｆ）、（１ｄｇ）または（１ｄｐ）で表される化合物が好ましく、（１ａｐ）、（１ｂｐ）、（１ｃｐ）または（１ｄｐ）で表される化合物が特に好ましい。
【０１０８】
本発明の一般式（Ｉ）の化合物を中間体として用いることにより、種々のアルケニル基を含有するデカヒドロナフタレン構造を有するような液晶化合物を、従来知られていた方法では製造が困難であったものを含めて、（イ）高収率に且つ、（ロ）簡便に且つ、（ハ）安価に製造することができる。例えば、本発明者らが開発した化合物（Ｃ）
【０１０９】
【化６８】
0004406956.tif 000048
【０１１０】
を簡便に製造することができるばかりではなく、従来の方法では合成が難しい化合物（Ｄ）
【０１１１】
【化６９】
0004406956.tif 000049
【０１１２】
あるいは化合物（Ｅ）
【０１１３】
【化７０】
0004406956.tif 000050
【０１１４】
等をも容易に合成することができる。
【０１１５】
例えば、化合物（Ｄ）の相転移温度は以下のとおりであった。
Ｃｒ  ＜２０  Ｎ  ９９  Ｉ  （℃）
（Ｃｒは結晶相を、Ｎはネマチック相を、Ｉは等方性液体をそれぞれ示す。）
この化合物（Ｄ）
【０１１６】
【化７１】
0004406956.tif 000051
【０１１７】
をネマチック相温度範囲が広く、低粘性でアクティブマトリックス駆動にも使用可能なホスト液晶組成物（Ｈ）
【０１１８】
【化７２】
0004406956.tif 000052
【０１１９】
に２０重量％添加して液晶組成物（Ｈ−Ｄ）を調製した。そのネマチック相上限温度（ＴN-I）は１１２．７℃であった。この（Ｈ−Ｄ）を−２０℃で４週間放置したが結晶の析出や相分離は観察されなかった。また、−６０℃に冷却して結晶化させ、その融点（ＴC-N）を測定したところ−４℃であった。
【０１２０】
次に、（Ｈ−Ｄ）をセル厚６．０μｍのＴＮセルに充填して液晶素子を作成し、２０℃でその電気光学特性を測定したところ、以下のとおりであった。
閾値電圧（Ｖｔｈ）            ２．１９Ｖ
応答時間（τ）              ３１．０ｍ秒
急峻性（γ）１．２９
誘電率異方性（Δε）            ３．２
屈折率異方性（Δｎ）            ０．０８３
一方、（Ｈ）単独での物性値は以下のとおりである。
ネマチック相上限温度（ＴN-I）１１６．７℃
融点（ＴC-N）                    １１℃
閾値電圧（Ｖｔｈ）            ２．１４Ｖ
応答時間（τ）              ２５．３ｍ秒
急峻性（γ）１．２３
誘電率異方性（Δε）            ４．８
屈折率異方性（Δｎ）            ０．０９０
従って、（Ｐ）を２０重量％添加することにより、Δｎを降下させることができた。またＴN-Iの降下は４℃程であり、Ｖｔｈ、γもほとんど変化がなく、さらにそのτも５ｍ秒程の増加に抑えることができた。また、冷却して結晶化させ測定したそのＴC-Nは−４℃であり、（Ｈ）よりも大幅に降下させることができ、（Ｄ）がホスト液晶によく溶解していることがわかる。
【０１２１】
また、この素子の室温および８０℃における電圧保持率を測定したが、いずれも極めて良好でアクティブマトリックス駆動用としても充分使用可能であることがわかった。
【０１２２】
以上のように、本発明の化合物（Ｉ）から誘導できる（Ｄ）は、ネマチック相温度範囲を拡大し、Δｎが低い液晶組成物を調製する上において、優れた効果を有していることがわかる。
【０１２３】
以上のように、一般式（Ｉ）の化合物は、（イ）ネマチック相温度範囲を拡大し、且つ、（ロ）Δｎが低い液晶組成物を調製する上において、非常に有用である。
【０１２４】
【実施例】
以下に本発明の実施例を示し、本発明をさらに説明する。しかし、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
（実施例１）６−（４−オキソシクロヘキシル）トランスデカヒドロナフタレン−２−オンの合成（１）
（１−ａ）４−（６−オキソ−１，２，３，４，６，７，８，９−オクタヒドロナフタレン−２−イル）シクロヘキサノンエチレンアセタールの合成
【０１２５】
【化７３】
0004406956.tif 000053
【０１２６】
ビシクロヘキサン−４，４’−ジオンモノエチレンアセタール１００ｇをトルエン４００ｍＬ中に溶解し、ピロリジン９０ｍＬを加え、水分離器を取り付けた装置で、溜出水がなくなるまで５時間加熱還流し、そのまま加熱を続けて、ピロリジンとトルエンを溜去した。室温に戻してトルエン４００ｍＬを加え、２０℃以下に冷却しながら、メチルビニルケトン４２ｍＬを２０分間かけて滴下した。滴下後、８時間加熱還流し、室温まで放冷した。酢酸ナトリウム１７ｇおよび氷酢酸３６ｍＬの水５６ｍＬ溶液を加え、６時間加熱還流した後、室温まで放冷した。有機層を分離して、水で洗滌し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を溜去し、減圧蒸留（２１８−２８０℃／０．７ＫＰａ）し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン＋酢酸エチル）で精製し、さらにヘキサンから再結晶して４−（６−オキソ−１，２，３，４，６，７，８，９−オクタヒドロナフタレン−２−イル）シクロヘキサノンエチレンアセタールの乳白色固体２２ｇを得た。
（１−ｂ）４−（６−オキソ−１，２，３，４，６，７，８，９−オクタヒドロナフタレン−２−イル）シクロヘキサノンの合成
【０１２７】
【化７４】
0004406956.tif 000054
【０１２８】
実施例１−ａで得られた４−（６−オキソ−１，２，３，４，６，７，８，９−オクタヒドロナフタレン−２−イル）シクロヘキサノンエチレンアセタール２２ｇをトルエン１１０ｍＬに溶解し、ギ酸５５ｍＬを加え、室温で１時間攪拌した。水を加え、有機層を分離した後、飽和食塩水で洗滌し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を溜去し４−（６−オキソ−１，２，３，４，６，７，８，９−オクタヒドロナフタレン−２−イル）シクロヘキサノンの淡黄色固体１４ｇを得た。
（１−ｃ）６−（４−オキソシクロヘキシル）トランスデカヒドロナフタレン−２−オンの合成
【０１２９】
【化７５】
0004406956.tif 000055
【０１３０】
−４０℃以下に冷却しながら、液体アンモニア２５０ｍＬ中に金属リチウム１．４ｇを少量ずつ加えて溶解させた。内温を−３０〜−４０℃に保ちながら、実施例１−ｂで得られた４−（６−オキソ−１，２，３，４，６，７，８，９−オクタヒドロナフタレン−２−イル）シクロヘキサノン１４ｇ、ｔ−ブタノール５ｍＬのテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）７０ｍＬ溶液を滴下し、滴下後、３０分間攪拌を続けた。固体の塩化アンモニウムを少量ずつ加えてリチウムを酸化した後、室温まで昇温し、アンモニアを溜去した。水を加え、トルエンで抽出し、有機層を飽和食塩水で洗滌し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を溜去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン＋酢酸エチル）で精製し、さらにヘキサンから再結晶して６−（４−オキソシクロヘキシル）トランスデカヒドロナフタレン−２−オンの白色固体１１ｇを得た。
（実施例２）６−（４−オキソシクロヘキシル）トランスデカヒドロナフタレン−２−オンの合成（２）
（２−ａ）６−（４−オキソシクロヘキシル）−２−ヒドロキシナフタレンの合成
【０１３１】
【化７６】
0004406956.tif 000056
【０１３２】
金属マグネシウム２７ｇをＴＨＦ１０８ｍＬ中で懸濁している中に、６−メトキシ−２−ブロモナフタレン２３８ｇのＴＨＦ９５０ｍＬ溶液を５０分間かけて滴下し、グリニヤール反応剤を調製した。溶液を１０℃以下に冷却しながらシクロヘキサン−１，４−ジオンモノエチレンアセタール１２５ｇのＴＨＦ５００ｍＬ溶液を３０分間かけて滴下し、室温に戻して１時間攪拌した。飽和塩化アンモニウム水溶液を加えた後に、有機層を分離して、飽和食塩水で洗滌し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を溜去した。得られた淡黄色固体をトルエン１２００ｍＬに溶解し、ｐ−トルエンスルホン酸一水和物１４ｇを加え、水分離器を取り付けた装置で、溜出水がなくなるまで４時間加熱還流した後、エチレングリコール２８ｍＬを加え、さらに溜出水がなくなるまで４時間加熱還流した。室温まで冷却して水を加え、有機層を分離し、飽和食塩水で洗滌し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を溜去した。得られた淡黄色固体を酢酸エチル１１００ｍＬに溶解し、５％パラジウム炭素４５ｇを加え、室温で６時間、水素圧０．５ＭＰａで接触水素還元した後、触媒をセライト濾過し、溶媒を溜去した。得られた淡黄色固体を氷酢酸６００ｍＬに溶解し、４８％臭化水素酸水溶液６００ｍＬを加え、８時間加熱還流した。水を加え、有機層を分離した後、飽和食塩水で洗滌し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を溜去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン＋酢酸エチル）で精製し、さらにヘキサンから再結晶して６−（４−オキソシクロヘキシル）−２−ヒドロキシナフタレンの白色固体１２４ｇを得た。
（２−ｂ）６−（４−オキソシクロヘキシル）デカヒドロナフタレン−２−オンの合成
【０１３３】
【化７７】
0004406956.tif 000057
【０１３４】
オートクレーブ中、実施例２−ａで得られた、６−（４−オキソシクロヘキシル）−２−ヒドロキシナフタレン６２ｇをエタノール２５０ｍＬに溶解し、パラジウム−炭素１３ｇを加え、９０℃、水素圧０．５ＭＰａで２４時間接触水素還元した。室温に戻して、触媒をセライト濾過し、溶媒を溜去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン＋酢酸エチル）で精製し、６−（４−オキソシクロヘキシル）トランスデカヒドロナフタレン−２−オン、６−（４−オキソシクロヘキシル）−５，６，７，８−テトラヒドロナフタレン−２−オールおよび６−（４−オキソシクロヘキシル）−１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２−オンを得て、それぞれヘキサンから再結晶して６−（４−オキソシクロヘキシル）トランスデカヒドロナフタレン−２−オンの白色固体５ｇ、６−（４−オキソシクロヘキシル）−５，６，７，８−テトラヒドロナフタレン−２−オールの白色固体１５ｇおよび６−（４−オキソシクロヘキシル）−１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２−オンの白色固体２４ｇを得た。
（実施例３）６−（４−オキソシクロヘキシル）トランスデカヒドロナフタレン−２−オンの合成（３）
【０１３５】
【化７８】
0004406956.tif 000058
【０１３６】
オートクレーブ中、実施例２−ｂで得られた６−（４−オキソシクロヘキシル）−５，６，７，８−テトラヒドロナフタレン−２−オール１５ｇをエタノール７５ｍＬに溶解し、酸化ルテニウム３ｇを加え、７０℃、水素圧０．５ＭＰａで１６時間接触水素還元した。室温に戻して、触媒をセライト濾過し、溶媒を溜去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン＋酢酸エチル）で精製し、さらにヘキサンから再結晶して６−（４−オキソシクロヘキシル）トランスデカヒドロナフタレン−２−オンの白色固体６ｇを得た。
（実施例４）６−（４−オキソシクロヘキシル）トランスデカヒドロナフタレン−２−オンの合成（４）
【０１３７】
【化７９】
0004406956.tif 000059
【０１３８】
オートクレーブ中、実施例２−ｂで得られた６−（４−オキソシクロヘキシル）−１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２−オン１２ｇをエタノール６０ｍＬに溶解し、酸化ルテニウム３ｇを加え、７０℃、水素圧０．５ＭＰａで２０時間接触水素還元した。室温に戻して、触媒をセライト濾過し、溶媒を溜去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン＋酢酸エチル）で精製し、さらにヘキサンから再結晶して６−（４−オキソシクロヘキシル）トランスデカヒドロナフタレン−２−オンの白色固体５ｇを得た。
（実施例５）６−（４−オキソシクロヘキシル）トランスデカヒドロナフタレン−２−オンの合成（５）
（５−ａ）６−（４−ヒドロキシフェニル）トランスデカヒドロナフタレン−２−オンの合成
【０１３９】
【化８０】
0004406956.tif 000060
【０１４０】
金属マグネシウム２７ｇをＴＨＦ１００ｍＬ中で懸濁している中に、４−ブロモアニソール１８７ｇのＴＨＦ７５０ｍＬ溶液を４０分間かけて滴下し、グリニヤール反応剤を調製した。溶液を１０℃以下に冷却しながらトランスデカヒドロナフタレン−２，６−ジオンモノエチレンアセタール１６９ｇのＴＨＦ６７０ｍＬ溶液を３０分間かけて滴下し、室温に戻して１時間攪拌した。飽和塩化アンモニウム水溶液を加えた後に、有機層を分離して、飽和食塩水で洗滌し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を溜去した。得られた淡黄色固体をトルエン１２００ｍＬに溶解し、ｐ−トルエンスルホン酸一水和物１３ｇを加え、水分離器を取り付けた装置で、溜出水がなくなるまで４時間加熱還流した後、エチレングリコール２０ｍＬを加え、さらに溜出水がなくなるまで４時間加熱還流した。室温まで冷却して水を加え、有機層を分離し、飽和食塩水で洗滌し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を溜去した。得られた淡黄色固体を酢酸エチル１０００ｍＬに溶解し、５％パラジウム炭素２０ｇを加え、室温、水素圧０．５ＭＰａで８時間接触水素還元した後、触媒をセライト濾過し、溶媒を溜去した。得られた淡黄色固体をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド６８０ｍＬに溶解し、ｔ−ブトキシカリウム３５ｇを加え、室温で２時間攪拌した。水を加え、トルエンで抽出した後、有機層を飽和食塩水で洗滌し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を溜去した。得られた淡黄色固体を氷酢酸４５０ｍＬに溶解し、４８％臭化水素酸水溶液４５０ｍＬを加え、８時間加熱還流した。水を加え、有機層を分離した後、飽和食塩水で洗滌し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を溜去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン＋酢酸エチル）で精製し、さらにヘキサンから再結晶して６−（４−ヒドロキシフェニル）トランスデカヒドロナフタレン−２−オンの白色固体１０７ｇを得た。
（５−ｂ）６−（４−オキソシクロヘキシル）トランスデカヒドロナフタレン−２−オンの合成
【０１４１】
【化８１】
0004406956.tif 000061
【０１４２】
オートクレーブ中、実施例５−ａで得られた６−（４−ヒドロキシフェニル）トランスデカヒドロナフタレン−２−オンの白色固体１０７ｇをエタノール５００ｍＬに溶解し、酸化ルテニウム２２ｇを加え、８０℃、水素圧０．５ＭＰａで２０時間接触水素還元した。室温に戻して、触媒をセライト濾過し、溶媒を溜去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン＋酢酸エチル）で精製し、さらにヘキサンから再結晶して６−（４−オキソシクロヘキシル）トランスデカヒドロナフタレン−２−オンの白色固体２４ｇを得た。
（実施例６）６−（４−オキソシクロヘキシル）デカヒドロナフタレン−２−オンエチレンアセタールの合成（１）
（６−ａ）６−（４−オキソシクロヘキシル）−１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２−オンエチレンアセタールの合成
【０１４３】
【化８２】
0004406956.tif 000062
【０１４４】
６−メトキシ−１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２−オン５０ｇを氷酢酸１５０ｍＬに溶解し、４８％臭化水素酸水溶液１５０ｍＬを加え、８時間加熱還流した。水を加え、有機層を分離した後、飽和食塩水で洗滌し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を溜去した。得られた淡黄色油状物をトルエン２００ｍＬに溶解し、ｐ−トルエンスルホン酸一水和物２ｇ、エチレングリコール１２ｍＬを加え、水分離器を取り付けた装置で溜出水がなくなるまで４時間加熱還流した。飽和塩化アンモニウム水溶液を加えた後に、有機層を分離して、飽和食塩水で洗滌し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を溜去した。得られた淡黄色油状物をジクロロメタン１６０ｍＬに溶解し、１０℃以下に冷却しながら、トリフルオロメタンスルホン酸無水物８ｇ、ピリジン５ｇを加え、１０℃以下に冷却しながら１時間攪拌した。水を加え、有機層を分離し、飽和食塩水で洗滌し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を溜去した。得られた淡黄色油状物をＴＨＦ２４０ｍＬに溶解し、−７０℃以下に冷却しながらｎ−ブチルリチウム１Ｍヘキサン溶液２７０ｍＬを加え、−７０℃以下に冷却しながら３０分間攪拌した後、その溶液を−７０℃以下に冷却したホウ酸トリメチル２６ｇのＴＨＦ１００ｍＬ溶液中に２０分間かけて滴下した。室温まで昇温し、１０％塩酸１００ｍＬを加え、さらに室温で１時間攪拌した。水を加え、酢酸エチルで抽出した後、飽和食塩水で洗滌し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を溜去した。得られた黄色固体を１，４−ジオキサン１８０ｍＬに溶解し、シクロヘキサン−１，４−ジオンモノエチレンアセタールから誘導した１−トリフルオロメタンスルホニルオキシ−４−ベンジルオキシ−１−シクロヘキセン７４ｇ、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（０）６ｇ、リン酸カリウム８ｇを加えて９０℃で２０時間加熱攪拌した。室温まで放冷した後、触媒をセライト濾過し、水を加え、酢酸エチルで抽出した後、飽和食塩水で洗滌し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を溜去した。得られた黄色固体を酢酸エチル１４０ｍＬに溶解し、５％パラジウム炭素７ｇを加え、室温、水素圧０．５ＭＰａで７時間接触水素還元した後、触媒をセライト濾過し、溶媒を溜去した。得られた黄色固体をトルエン１５０ｍＬに溶解し、セライト３７ｇ、炭酸銀７４ｇを加えて、１４時間加熱還流した。室温まで放冷した後、触媒を傾斜濾過で取り除き、溶媒を溜去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン＋酢酸エチル）で精製し、さらにヘキサンから再結晶して６−（４−オキソシクロヘキシル）−１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２−オンエチレンアセタールの白色固体１１ｇを得た。
（６−ｂ）６−（４−オキソシクロヘキシル）トランスデカヒドロナフタレン−２−オンエチレンアセタールの合成
【０１４５】
【化８３】
0004406956.tif 000063
【０１４６】
オートクレーブ中、実施例６−ａで得られた６−（４−オキソシクロヘキシル）−１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２−オンエチレンアセタール１１ｇをエタノール５５ｍＬに溶解し、酸化ルテニウム２ｇを加え、９０℃、水素圧０．５Ｍａで２０時間接触水素還元した。室温に戻して、触媒をセライト濾過し、溶媒を溜去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン＋酢酸エチル）で精製し、さらにヘキサンから再結晶して６−（４−オキソシクロヘキシル）トランスデカヒドロナフタレン−２−オンエチレンアセタールの白色固体３ｇを得た。
（実施例７）４−（６−オキソトランスデカヒドロナフタレン−２−イル）シクロヘキサノンエチレンアセタールの合成（１）
【０１４７】
【化８４】
0004406956.tif 000064
【０１４８】
−４０℃以下に冷却しながら、液体アンモニア３００ｍＬ中に金属リチウム１．８ｇを少量ずつ加えて溶解させた。内温を−３０〜−４０℃に保ちながら、実施例１−ａで得られた４−（６−オキソ−１，２，３，４，６，７，８，９−オクタヒドロナフタレン−２−イル）シクロヘキサノンエチレンアセタール２２ｇ、ｔ−ブタノール７ｍＬのＴＨＦ８０ｍＬ溶液を滴下し、滴下後、３０分間攪拌を続けた。固体の塩化アンモニウムを少量ずつ加えてリチウムを酸化した後、室温まで昇温し、アンモニアを溜去した。水を加え、トルエンで抽出し、有機層を飽和食塩水で洗滌し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を溜去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン＋酢酸エチル）で精製し、さらにヘキサンから再結晶して４−（６−オキソトランスデカヒドロナフタレン−２−イル）シクロヘキサノンエチレンアセタールの白色固体１３ｇを得た。
（実施例８）４−（６−オキソトランスデカヒドロナフタレン−２−イル）シクロヘキサノンエチレンアセタールの合成（２）
（８−ａ）４−（６−ヒドロキシナフタレン−２−イル）シクロヘキサノンエチレンアセタールの合成
【０１４９】
【化８５】
0004406956.tif 000065
【０１５０】
実施例２−ａで得られた、６−（４−オキソシクロヘキシル）−２−ヒドロキシナフタレン４５ｇをトルエン２００ｍＬに溶解し、ｐ−トルエンスルホン酸一水和物３ｇ、エチレングリコール３０ｍＬを加え、水分離器を取り付けた装置で溜出水がなくなるまで４時間加熱還流した。飽和塩化アンモニウム水溶液を加えた後に、有機層を分離して、飽和食塩水で洗滌し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を溜去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン＋酢酸エチル）で精製し、さらにヘキサンから再結晶４−（６−ヒドロキシナフタレン−２−イル）シクロヘキサノンエチレンアセタールの白色固体４６ｇを得た。
（８−ｂ）４−（６−オキソトランスデカヒドロナフタレン−２−イル）シクロヘキサノンエチレンアセタールの合成
【０１５１】
【化８６】
0004406956.tif 000066
【０１５２】
オートクレーブ中、実施例８−ａで得られた、４−（６−ヒドロキシナフタレン−２−イル）シクロヘキサノンエチレンアセタール４６ｇをエタノール２３０ｍＬに溶解し、パラジウム−炭素９ｇを加え、９０℃、水素圧０．５ＭＰａで２４時間接触水素還元した。室温に戻して、触媒をセライト濾過し、溶媒を溜去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン＋酢酸エチル）で精製し、４−（６−オキソトランスデカヒドロナフタレン−２−イル）シクロヘキサノンエチレンアセタール、４−（６−ヒドロキシ−１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２−イル）シクロヘキサノンエチレンアセタールおよび４−（６−オキソ−５，６，７，８−テトラヒドロナフタレン−２−イル）シクロヘキサノンエチレンアセタールを得て、さらにヘキサンから再結晶して４−（６−オキソトランスデカヒドロナフタレン−２−イル）シクロヘキサノンエチレンアセタールの白色固体４ｇ、４−（６−ヒドロキシ−１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２−イル）シクロヘキサノンエチレンアセタールの白色固体１１ｇおよび４−（６−オキソ−５，６，７，８−テトラヒドロナフタレン−２−イル）シクロヘキサノンエチレンアセタールの白色固体１６ｇを得た。
（実施例９）４−（６−オキソトランスデカヒドロナフタレン−２−イル）シクロヘキサノンエチレンアセタールの合成（３）
【０１５３】
【化８７】
0004406956.tif 000067
【０１５４】
オートクレーブ中、実施例８−ｂで得られた４−（６−ヒドロキシ−１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２−イル）シクロヘキサノンエチレンアセタール１１ｇをエタノール６０ｍＬに溶解し、酸化ルテニウム２ｇを加え、９０℃、水素圧０．５ＭＰａで１８時間接触水素還元した。室温に戻して、触媒をセライト濾過し、溶媒を溜去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン＋酢酸エチル）で精製し、さらにヘキサンから再結晶して４−（６−オキソトランスデカヒドロナフタレン−２−イル）シクロヘキサノンエチレンアセタールの白色固体３ｇを得た。
（実施例１０）４−（６−オキソトランスデカヒドロナフタレン−２−イル）シクロヘキサノンエチレンアセタールの合成（４）
【０１５５】
【化８８】
0004406956.tif 000068
【０１５６】
オートクレーブ中、実施例８−ｂで得られた４−（６−オキソ−５，６，７，８−テトラヒドロナフタレン−２−イル）シクロヘキサノンエチレンアセタール４ｇをエタノール２０ｍＬに溶解し、酸化ルテニウム１ｇを加え、９０℃、水素圧０．５ＭＰａで２０時間接触水素還元した。室温に戻して、触媒をセライト濾過し、溶媒を溜去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン＋酢酸エチル）で精製し、さらにヘキサンから再結晶して４−（６−オキソトランスデカヒドロナフタレン−２−イル）シクロヘキサノンエチレンアセタールの白色固体１ｇを得た。
（実施例１１）６−（４’−オキソシクロヘキシル）デカヒドロナフタレン−２−オン−２，２−プロピレンアセタール−４’，４’−エチレンアセタールの合成（１）
（１１−ａ）６−（４’−オキソシクロヘキシル）テトラヒドロナフタレン−２−オン−２，２−プロピレンアセタール−４’，４’−エチレンアセタールの合成
【０１５７】
【化８９】
0004406956.tif 000069
【０１５８】
実施例８−ｂで得られた６−（４’−オキソシクロヘキシル）テトラヒドロナフタレン−２−オン−４’，４’−エチレンアセタール１２ｇをトルエン６０ｍＬに溶解し、ｐ−トルエンスルホン酸一水和物１ｇ、プロパン−１，３−ジオール４ｍＬを加え、水分離器を取り付けた装置で溜出水がなくなるまで４時間加熱還流した。飽和塩化アンモニウム水溶液を加えた後に、有機層を分離して、飽和食塩水で洗滌し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を溜去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン＋酢酸エチル）で精製し、さらに再結晶（ヘキサン＋酢酸エチル）して６−（４’−オキソシクロヘキシル）テトラヒドロナフタレン−２−オン−２，２−プロピレンアセタール−４’，４’−エチレンアセタールの白色固体１０ｇを得た。
（１１−ｂ）６−（４’−オキソシクロヘキシル）デカヒドロナフタレン−２−オン−２，２−プロピレンアセタール−４’，４’−エチレンアセタールの合成
【０１５９】
【化９０】
0004406956.tif 000070
【０１６０】
オートクレーブ中、実施例１１−ａで得られた６−（４’−オキソシクロヘキシル）テトラヒドロナフタレン−２−オン−２，２−プロピレンアセタール−４’，４’−エチレンアセタール１０ｇをエタノール６０ｍＬに溶解し、酸化ルテニウム４ｇを加え、９０℃、水素圧０．５ＭＰａで１８時間接触水素還元した。室温に戻して、触媒をセライト濾過し、溶媒を溜去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン＋酢酸エチル）で精製し、さらにヘキサンから再結晶して６−（４’−オキソシクロヘキシル）デカヒドロナフタレン−２−オン−２，２−プロピレンアセタール−４’，４’−エチレンアセタールの白色固体２ｇを得た。
（実施例１２）６−（４−オキソシクロヘキシル）デカヒドロナフタレン−２−オンの合成（６）
【０１６１】
【化９１】
0004406956.tif 000071
【０１６２】
実施例８−ｂで得られた６−（４’−オキソシクロヘキシル）デカヒドロナフタレン−２−オン−４’，４’−エチレンアセタール４ｇをトルエン２０ｍＬに溶解し、ギ酸１０ｍＬを加え、室温で１時間攪拌した。水を加え、有機層を分離した後、飽和食塩水で洗滌し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を溜去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン＋酢酸エチル）で精製し、さらにヘキサンから再結晶して６−（４−オキソシクロヘキシル）デカヒドロナフタレン−２−オンの白色固体２ｇを得た。
（実施例１３）６−（４−オキソシクロヘキシル）デカヒドロナフタレン−２−オン−２，２−エチレンアセタールの合成（２）および６−（４’−オキソシクロヘキシル）デカヒドロナフタレン−２−オン−４’，４’−エチレンアセタールの合成（５）
【０１６３】
【化９２】
0004406956.tif 000072
【０１６４】
実施例１−ｃで得られた６−（４−オキソシクロヘキシル）デカヒドロナフタレン−２−オン１１ｇをトルエン６０ｍＬに溶解し、ｐ−トルエンスルホン酸一水和物１ｇ、エチレングリコール１．７ｍＬを加え、水分離器を取り付けた装置で溜出水がなくなるまで４時間加熱還流した。飽和塩化アンモニウム水溶液を加えた後に、有機層を分離して、飽和食塩水で洗滌し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を溜去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン＋酢酸エチル）で精製し、６−（４’−オキソシクロヘキシル）デカヒドロナフタレン−２−オン−２，２−エチレンアセタール、６−（４’−オキソシクロヘキシル）デカヒドロナフタレン−２−オン−４’，４’−エチレンアセタールおよび６−（４’−オキソシクロヘキシル）デカヒドロナフタレン−２−オン−２，２−エチレンアセタール−４’，４’−エチレンアセタールを得て、さらにヘキサンから再結晶して６−（４’−オキソシクロヘキシル）デカヒドロナフタレン−２−オン−２，２−エチレンアセタールの白色固体１ｇ、６−（４’−オキソシクロヘキシル）デカヒドロナフタレン−２−オン−４’，４’−エチレンアセタールの白色固体１ｇ、６−（４’−オキソシクロヘキシル）デカヒドロナフタレン−２−オン−２，２−エチレンアセタール−４’，４’−エチレンアセタールの白色固体２ｇを得た。
（実施例１４）６−（４’−オキソシクロヘキシル）デカヒドロナフタレン−２−オン−２，２−プロピレンアセタール−４’，４’−エチレンアセタールの合成（２）
【０１６５】
【化９３】
0004406956.tif 000073
【０１６６】
実施例７で得られた６−（４’−オキソシクロヘキシル）デカヒドロナフタレン−２−オン−４’，４’−エチレンアセタール１３ｇをトルエン６５ｍＬに溶解し、ｐ−トルエンスルホン酸一水和物２ｇ、プロパン−１，３−ジオール６ｍＬを加え、水分離器を取り付けた装置で溜出水がなくなるまで４時間加熱還流した。飽和塩化アンモニウム水溶液を加えた後に、有機層を分離して、飽和食塩水で洗滌し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を溜去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン＋酢酸エチル）で精製し、さらにヘキサンから再結晶して６−（４’−オキソシクロヘキシル）デカヒドロナフタレン−２−オン−２，２−プロピレンアセタール−４’，４’−エチレンアセタールの白色固体１４ｇを得た。
（応用例１）６−（４−ビニルシクロヘキシル）−２−ビニルデカヒドロナフタレン（Ｄ）の合成
【０１６７】
【化９４】
0004406956.tif 000074
【０１６８】
塩化メトキシメチルトリフェニルホスホニウム１６ｇをＴＨＦ６０ｍＬに懸濁し、１０℃以下に冷却しながら、ｔ−ブトキシカリウム６ｇのＴＨＦ５０ｍＬ溶液を滴下した。さらに冷却しながら、実施例１−ｃで得られた６−（４−オキソシクロヘキシル）デカヒドロナフタレン−２−オン４ｇのＴＨＦ３５ｍＬ溶液を１０分間で滴下した。室温に戻して４時間撹拌後、水とヘキサンを加え、有機層を分離し、水で洗滌し、溶媒を溜去した。得られた淡黄色油状物をＴＨＦ３０ｍＬに溶解し、１０％塩酸３０ｍＬを加えて、３時間加熱還流した。室温に戻し、有機層を分離し、水層を酢酸エチルで抽出した。有機層を合わせ、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水の順で洗滌し、溶媒を溜去した。得られた淡黄色固体をメタノール２５ｍＬに溶解し、１０℃以下に冷却しながら、１０％水酸化ナトリウム水溶液３ｍＬを加えた。２．５時間攪拌後室温に戻し、溶媒を溜去し、得られた淡黄色固体を水で洗滌し、ヘキサンから再結晶した。得られた白色固体のＴＨＦ２０ｍＬ溶液を、ヨウ化メチルトリフェニルホスホニウム１０ｇ、ｔ−ブトキシカリウム３ｇのＴＨＦ３５ｍＬ溶液中に、１０℃以下に冷却しながら滴下した。室温に戻して４時間撹拌後、水とヘキサンを加え、有機層を分離し、水で洗滌し、溶媒を溜去した。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン）で精製し、−７０℃以下でヘキサンから再結晶して、６−（４−ビニルシクロヘキシル）−２−ビニルデカヒドロナフタレンの無色透明油状物１ｇを得た。
（応用例２）液晶組成物の調製
汎用のｐ型ホスト液晶組成物（Ｈ）
【０１６９】
【化９５】
0004406956.tif 000075
【０１７０】
を調製した。この（Ｈ）は１１６．７℃以下でネマチック相を示し、その融点は１１℃である。（Ｈ）の物性値は以下のとおりであった。
閾値電圧（Ｖｔｈ）            ２．１４Ｖ
応答時間（τ）              ２５．３ｍ秒
急峻性（γ）１．２３
誘電率異方性（Δε）            ４．８
屈折率異方性（Δｎ）            ０．０９０
次に、この（Ｈ）の８０重量％と応用例１で得られた化合物（Ｄ）
【０１７１】
【化９６】
0004406956.tif 000076
【０１７２】
の２０重量％からなる液晶組成物（Ｈ−Ｄ）を調製した。この組成物のＴN-Iは１１２．７℃であった。この（Ｈ−Ｄ）を−２０℃で４週間放置したが結晶の析出や相分離は観察されなかった。また、−６０℃に冷却して結晶化させ、そのＴC-Nを測定したところ−４℃であり、（Ｈ）よりも大幅に降下させることができ、（Ｄ）がホスト液晶によく溶解していることがわかる。これから、化合物（Ｐ）は汎用液晶との相溶性にも優れていることがわかる。
【０１７３】
次に、（Ｈ−Ｄ）をセル厚６．０μｍのＴＮセルに充填して液晶素子を作成し、２０℃でその電気光学特性を測定したところ、以下のとおりであった。
閾値電圧（Ｖｔｈ）            ２．１９Ｖ
応答時間（τ）              ３１．０ｍ秒
急峻性（γ）１．２９
誘電率異方性（Δε）            ３．２
屈折率異方性（Δｎ）            ０．０８３
（Ｈ）は（Ｄ）を２０重量％添加することにより、ＴN-Iの降下を４℃に抑えながら、そのΔｎを降下させることができた。またＶｔｈ、γもほとんど変化がなく、さらにそのτも５ｍ秒程の増加に抑えることができた。また、この素子の室温および８０℃における電圧保持率を測定したが、いずれも極めて良好でアクティブマトリックス駆動用としても充分使用可能であることがわかった。
【０１７４】
【発明の効果】
本発明の提供するシクロヘキサン環を含むデカヒドロナフタレン誘導体を用いることにより、アルケニル基を含有するデカヒドロナフタレン誘導体である液晶化合物を、従来知られていた方法では製造が困難であったものを含めて、（イ）高収率に且つ、（ロ）簡便に且つ、（ハ）安価に製造することができる。従って、本発明の新規化合物は工業的に極めて有用である。