(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属元素がＦｅ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎから選ばれる固体金属酸化物と金属元素がＣｕ、Ｚｎ、Ｎｉから選ばれる固体金属炭酸塩の混合物を単独で又はバインダーと混合して、造粒又は／及び打錠、押出しによって成型された成型体よりなる排ガスの処理剤であって、該成型体の固体密度が、１．５〜３．０ｇ／ｃｍ3であることを特徴とする排ガスの処理剤。
【請求項２】
固体金属酸化物、固体金属炭酸塩、及び固体金属炭酸塩の一部を酸化して酸化物とした金属酸化物と金属炭酸塩の混合物の粉体の比表面積が１ｍ2／ｇ以上である請求項１に記載の処理剤。
【請求項３】
ＸＲＤに於いて２θ＝３８．６゜〜３９．０゜の範囲にある最高ピーク強度の値をＡ（酸化第二銅）、２θ＝３１．１゜〜３１．５゜の範囲にある最高ピーク強度の値をＢ（塩基性炭酸銅）、とした場合のピーク強度比Ａ／Ｂが、０．２〜８である酸化第二銅と塩基性炭酸銅の混合物であって、これを単独で又はバインダーと混合して、造粒又は／及び打錠、押出しによって成型された成型体よりなることを特徴とする排ガスの処理剤。
【請求項４】
ピーク強度比Ａ／Ｂが、０．３〜３である請求項３記載の処理剤。
【請求項５】
ピーク強度比Ａ／Ｂが、０．５〜２である請求項４記載の処理剤。
【請求項６】
酸化第二銅、塩基性炭酸銅、及び塩基性炭酸銅の一部を酸化して酸化第二銅とした酸化第二銅と塩基性炭酸銅の混合物の一次粒子の直径が３μｍ以下である請求項３記載の処理剤。
【請求項７】
酸化第二銅、塩基性炭酸銅、及び塩基性炭酸銅の一部を酸化して酸化第二銅とした酸化第二銅と塩基性炭酸銅の混合物の一次粒子の比表面積が２０ｍ2／ｇ以上である請求項３記載の処理剤。
【請求項８】
造粒又は／及び打錠、押出しによって成型された成型体の固体密度が、１．５〜３．０ｇ／ｃｍ3である請求項３記載の処理剤。
【請求項９】
酸化第二銅が、塩基性炭酸銅または水酸化銅を加熱酸化し得られた酸化銅を用いる請求項３記載の処理剤。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか１項に記載の処理剤を充填容器に充填し、金属水素化ガス及び／または有機金属ガスを含む排ガスを、該処理剤の充填層に通過せしめ、室温で該排ガスを処理することを特徴とする排ガスの処理方法。
【請求項１１】
排ガスが、ＳｉＨ4、Ｓｉ2Ｈ6、ＧｅＨ4、ＰＨ3、ＡｓＨ3の金属水素化ガス、及び化学式Ｒx・ＭＨy（ここで、Ｒはアルコキシ基、アルキル基、ビニル基又はフェニル基を、ＭはＳｉまたはＡｌを示し、ＭがＳｉの時、ｘは１〜４，ｙは０〜３の整数を示し、ｘ＋ｙ＝４であり、ＭがＡｌの時、ｘは１〜３，ｙは０〜２の整数を示し、ｘ＋ｙ＝３である。）で表される有機金属ガスのいずれか１種を含むことを特徴とする請求項１０記載の処理方法。
【請求項１２】
排ガスに含まれる金属水素化ガス及び／または有機金属ガスの成分濃度が５容量％以下である請求項１０記載の処理方法。
【請求項１３】
充填層に通気する排ガスの速度が、ＳＶ［Ｈ-1］値に於いて、１０〜１０００である請求項１０記載の処理方法。
【請求項１４】
前記処理剤がシラン排ガス濃度を少なくとも０．５ｐｐｍ以下にまで除去する請求項１０記載の処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、金属水素化ガス及び有機金属ガスを含む排ガスの処理剤及び該処理剤を用いた処理方法に関する。さらに詳しくは、低濃度の金属水素化ガス及び有機金属ガスの排ガスを、固体金属酸化物と固体金属炭酸塩を主成分とする処理剤に通過させることにより、除害する乾式のガス処理剤とその処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体製造用ガスには種々のガスが用いられ、ＳｉＨ4、Ｓｉ2Ｈ6、ＧｅＨ4、ＰＨ3、ＡｓＨ3の金属水素化ガスや、有機シランと呼ばれるもので、特にメチルシラン、エチルシラン、フェニルシラン、等の有機シランガスは、近年において半導体デバイス製造におけるドライフォトレジスト剤、或いは低誘電率の層間絶縁膜形成材料として、特異な性能を発揮することが注目されている。
【０００３】
しかしながら、これらのガスは何れも有毒で、反応性、自然発火性がつよく、危険性の高いガスである。また吸収により呼吸器を激しく刺激するなど毒性が強く、もし高濃度で外部に放出されたならば、人体及び自然環境への悪影響は計り知れないものがある。よって、その製造工程及び半導体工業に使用した後の排ガス中における有機シランガス濃度の低減は、良好な作業環境の保持並びに自然環境の破壊防止につとめる上で、取り扱うものの当然の責務である。
【０００４】
従って、これらの排ガスを大気放出する前に無害化する必要があり、従来より固体金属酸化物（特公平４−１９８８６号公報）、固体金属炭酸塩（特開昭５９−１６０５３５号公報、特開平８−１９２０２４号公報）などによる乾式処理剤及びそれを用いた処理方法が提案されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、固体金属酸化物は、これらの成分が排ガス中に高濃度に含まれる場合は、処理剤との反応で処理剤が発熱し、逐次反応によって十分な処理が行えるものの、比較的低濃度の排ガスの場合は、反応性に乏しく十分な処理が行えない。
【０００６】
また固体金属炭酸塩の場合、比較的低濃度の排ガスでも十分反応はするが、この処理剤の容量あたりの排ガス処理量が乏しく、また、通気処理した後、この処理剤と空気が接触すると、高温で発熱するため、取り扱いが困難であった。
【０００７】
従来法では、排ガス処理能力を高めるために充填層の加熱を行いながら排ガスを送入することが効果的であるとされていたが、この加熱はエネルギーコストがかかる上に、加熱器周辺の保温材などからパーティクルを発生するするため、これらのパーティクルを嫌う半導体工場では、問題とされていた。
【０００８】
本発明の目的は、処理対象が低濃度である排ガスでも効率よく安全に処理することができ、加温を要せず、またパーティクルの発生を伴わない処理方法並びに処理剤を提供することにある。
【０００９】
【発明を解決するための手段】
本発明者らは、上記目的を達成するべく鋭意検討した結果、固体金属酸化物と固体金属炭酸塩を混合使用することにより、おのおの単独で用いた場合の欠点を補うばかりか、相乗効果により高い処理能力を発揮することを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１０】
すなわち本発明は、金属元素がＦｅ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎから選ばれる固体金属酸化物と金属元素がＣｕ、Ｚｎ、Ｎｉから選ばれる固体金属炭酸塩の混合物を主成分とし、好ましくは酸化第二銅と塩基性炭酸銅の混合物を主成分とし、ＸＲＤにおいて、２θ＝３８．６°〜３９．０°の範囲にある最高ピーク強度の値をＡ（酸化銅）、２θ＝３１．１°〜３１．５°の範囲にある最高ピーク強度の値をＢ（塩基性炭酸銅）とした場合のピーク強度比Ａ／Ｂが０．２〜８である混合物とし、これを単独で又はバインダーと混合して、造粒又は／及び打錠、或いは押出により成型した成型物よりなることを特徴とする排ガス処理剤に関する。
【００１１】
また本発明は、固体金属酸化物と固体金属炭酸塩の混合物を主成分とする処理剤を充填容器に充填し、金属水素化ガス及び／又は有機金属ガスを含む排ガスを、該処理剤の充填層に通過せしめ、室温で該排ガスを処理することを特徴とする排ガスの処理方法に関する。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明をさらに詳細に説明する。なお、本明細書においてガス濃度はすべて容量パーセントで表示する。
【００１３】
本発明でいう排ガスとは、下記の金属水素化ガス及び／又は有機金属ガスを含む排ガスをいう。本発明で処理の対象となる排ガスに含まれる金属水素化ガス及び有機金属ガスを例示すると、金属水素化ガスとしては、ＳｉＨ4、Ｓｉ2Ｈ6、ＧｅＨ4、ＰＨ3、ＡｓＨ3が挙げられ、有機金属ガスは化学式Ｒx・ＭＨy（ここで、Ｒはアルコキシ基、アルキル基、ビニル基又はフェニル基を、ＭはＳｉまたはＡｌを示し、ＭがＳｉの時、ｘは１〜４，ｙは０〜３の整数を示し、ｘ＋ｙ＝４であり、ＭがＡｌの時、ｘは１〜３，ｙは０〜２の整数を示し、ｘ＋ｙ＝３である。）で示される化合物などが挙げられる。
【００１４】
半導体製造工程で残存する金属水素化ガス及び有機金属ガスは、自燃性を持つものが多く、従って、現在半導体工場では、Ｎ2ガスによって希釈した後、処理工程に移される。希釈後の濃度はそれぞれの半導体工場でまちまちであるが、通常５容量％以下となるように希釈される。
【００１５】
本発明で使用する固体金属酸化物及び固体金属炭酸塩は、ほとんど全てのものが使用可能であるが、中でも取り扱い上、安全でしかも安価なものとして、金属元素がＦｅ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎから選ばれる固体金属酸化物と金属元素がＣｕ、Ｚｎ、Ｎｉから選ばれる固体金属炭酸塩の混合物が好ましい。
【００１６】
また、固体金属炭酸塩には塩基性の固体金属炭酸塩も含まれる。塩基性の固体金属炭酸塩とは、一般式Ｍx（ＣＯ3）y（ＯＨ）zで表される物質であり、Ｍは金属元素を示す。
【００１７】
固体金属酸化物と固体金属炭酸塩の混合物においては、同種の金属元素を持つものの組み合わせであっても、異種の金属元素を持つものの組み合わせであってもよい。
【００１８】
本発明者らは、固体金属酸化物と固体金属炭酸塩とを、それぞれ単独で用いた場合よりも混合して用いることで排ガス処理に著しい効果を発揮することを見出した。
【００１９】
またもう一つの効果として、固体金属炭酸塩を単独で用いた場合、固体金属酸化物を単独で用いた場合に比べてその発熱量が高く、排ガスを通気処理した後、空気中に曝露した際の表面は２０００℃近い温度になってしまう。
【００２０】
この発熱を抑える方法としては、不活性な成分を希釈剤として加えることもできるが、その場合、当然ながらその処理能力も低下してしまう。ところが、固体金属酸化物と混合することで、その処理能力の低下を抑えながら発熱を抑制できるのである。
【００２１】
本発明の処理方法では、処理剤は充填容器に充填され使用される。この際の容器は通常、鉄、ステンレスといった金属製のものが使用される。
【００２２】
従来の固体金属炭酸塩を使用した処理方法では、排ガスを処理中に誤って空気が混入した際、大きな発熱を生じる場合があり危険であった。本発明では、固体金属酸化物と固体金属炭酸塩との混合物を使用することで、空気曝露した際の発熱温度を前記充填容器の耐熱温度以下の、８００℃以下とすることができる。
【００２３】
ここで、固体金属酸化物と固体金属炭酸塩の混合は、それぞれ任意の割合で、混合機に入れ、混ぜ合わせることで達成できる。或いは別の方法として、固体金属炭酸塩を、温度と時間を調整して加熱処理することで、その一部を固体金属酸化物に変化させて、それを用いることもできる。好ましくは、固体金属酸化物と固体金属炭酸塩の混合割合は質量比で１：０．２〜１：５の範囲である。
【００２４】
固体金属酸化物と固体金属炭酸塩は、各々比表面積が１ｍ2／ｇ以上の粉体から調製することで、気−固接触能が向上し好ましい。しかしながら、充填容器に粉体のまま充填すると圧損が大きくなり、また充填容器の出口の配管で閉塞するなどのトラブルが生じる場合がある。従って、混合物は造粒、打錠成型、押し出し成型等を施して成型した処理剤を使用するのが望ましい。
【００２５】
この様に成型された処理剤の形状や大きさは特に限定されるものではなく、処理剤を充填する容器の形状によって適正な形状や大きさを選択することができる。しかし、処理剤の成型密度があまり低くては、成型体の強度が低下し、使用時に粉化する場合がある。また、成型密度の低い処理剤を一定の容器に充填すると、重量的に軽くなるため、容器１体当たりの排ガス処理容量が小さくなる場合がある。逆に成型密度を高めると、成型体の強度は増し、一定の容器に重量的にはより多く充填できるものの、成型体の内部に排ガスが拡散しにくくなり、結果的に処理能力が減少してしまう。
【００２６】
従って、成型密度としては１．５〜３．０ｇ／ｃｍ3の範囲とすることが望ましい。
【００２７】
成型の際には、バインダーを使用しても良い。その種類については特に限定されるものではないが、例えば、メチルセルロース、メチルエチルセルロース、ポリビニルアルコール等の有機バインダーや、水ガラス、ベントナイト等の無機バインダーが使用できる。
【００２８】
本発明者らの検討によれば、固体金属酸化物と固体金属炭酸塩との最も好ましい組み合わせは、酸化第二銅と塩基性炭酸銅との組み合わせであることを見出した。
【００２９】
塩基性炭酸銅は、Ｃｕ2（ＣＯ3）y（ＯＨ）zで表される物質であり、一般的にはマラカイトと呼ばれるＣｕ2ＣＯ3（ＯＨ）2が使用される。
【００３０】
本発明で用いられる塩基性炭酸銅は、硫酸銅又は硝酸銅をアルカリ炭酸塩を用いて中和反応させることで得られるものが好適に使用される。その際、中和反応を短時間で行うことで、微細な粒子が得られ、この微細な粒子からなる塩基性炭酸銅を用いれば、さらに好適に排ガス中に含まれる金属水素化ガス及び／又は有機金属ガスを処理することができる。
【００３１】
塩基性炭酸銅の粒子は、ＳＥＭ観察したときの１次粒子の大きさが直径で３μｍ以下のものが好ましく、また比表面積に関しては２０ｍ2／ｇ以上が好ましい。
【００３２】
他方の酸化第二銅は、塩基性炭酸銅又は水酸化銅の粉末を、２３０℃〜４００℃の温度で加熱して酸化させたものを用いることができる。酸化第二銅も微細な粒子状のものが好まれ、上記した微細な塩基性炭酸銅を酸化したものが好適に用いられる。また、前記同様に塩基性炭酸銅の一部を酸化して酸化第二銅としたものも好適に使用される。
【００３３】
酸化第二銅の粒子形状も、塩基性炭酸銅の粒子形状と同様に、ＳＥＭ観察した際の１次粒子の大きさが直径で３μｍ以下のものが好ましく、また比表面積に関しては２０ｍ2／ｇ以上が好ましい。
【００３４】
従って、酸化第二銅と塩基性炭酸銅を主成分とする混合物も、１次粒子の大きさが直径で３μｍ以下のものが好ましく、また比表面積に関しては２０ｍ2／ｇ以上が好ましい。尚、使用に際しては、前記同様、混合物を造粒、打錠成型、押し出し成型等を施して成型して使用するのが望ましい。
【００３５】
次に、酸化第二銅と塩基性炭酸銅の混合割合について述べる。
【００３６】
酸化第二銅と塩基性炭酸銅の混合物は、ＸＲＤによってその混合比を観ることができる。本発明では、酸化第二銅のピーク値Ａを２θ＝３８．６°〜３９．０°の範囲にある最高ピーク強度の値、塩基性炭酸銅のピーク値Ｂを２θ＝３１．１°〜３１．５°の範囲にある最高ピーク強度の値とし、混合割合はこのピーク強度比Ａ／Ｂとして表示できる。
【００３７】
本発明では、このピーク強度比Ａ／Ｂ値が、０．２〜８である混合物であって、好ましくは０．３〜３、さらに好ましくは０．５〜２となる範囲が、金属水素化ガス及び／又は有機金属ガスを含む排ガスを効果的に処理することができるので望ましい。
【００３８】
このピーク強度比Ａ／Ｂ値を上記の範囲とすることで、酸化第二銅、塩基性炭酸銅それぞれを単独で用いた場合よりも、低濃度排ガスの処理に十分に能力を発揮でき、しかも排ガスを通気処理した後、空気中に曝露した際にも発熱を軽減することができる。
【００３９】
一方、ピーク強度比Ａ／Ｂ値が８を超えた場合、相乗効果が薄れ、低濃度の金属水素化ガス及び／又は有機金属ガスを含む排ガスを処理するには不十分となり、本発明の効果を発揮するには至らない。他方、ピーク強度比Ａ／Ｂ値が０．２未満の場合も、やはり相乗効果が薄れ、しかも通気処理した後に空気中に曝露した際に、瞬時に高熱を発するため、好ましくない。
【００４０】
次に本発明の処理剤を用いた排ガスの処理方法について説明する。
【００４１】
従来例と同様に、排ガスの処理能力を高めるために充填層の加熱を行いながら排ガスを送入する方法も、本発明においては効果的であるが、この様な加熱は、エネルギーコストが掛かる上、保温剤などから発生するパーティクルの問題がある。
【００４２】
本発明では、低濃度の金属水素化ガス及び／または有機金属ガスを含む排ガスであっても、充填層に通過させる際の温度を室温で行っても、高い効果を得ることができる。
【００４３】
ここで、室温とは、外部より強制的に加熱を加えないことをいい、通常の状態において０〜４０℃の範囲をいう。
【００４４】
本発明の処理方法を実施するためには、充填層は１系列の充填層でも十分であるが、処理剤の交換等の操作上の観点からは、充填層を複数並列に配し、それぞれを処理層、未使用層として相互に切り替えて使用するのが望ましい。
【００４５】
処理剤を通過して大気に放出される排ガスにおいては、充填容器の出口において、金属水素化ガス及び有機金属ガスの濃度は、通常の状態で０．５ｐｐｍ以下にまで低減されている。
【００４６】
処理剤の交換は、排ガス中の金属水素化ガス及び有機金属ガスの濃度が大気に放出しても良いとされる許容濃度（１〜５ｐｐｍ）以下で処理容器出口のガスをモニターし、これを検出した場合、速やかに新しい処理剤を交換する必要がある。
【００４７】
出口ガスをモニターする方法としては、ガスクロマトグラフ、検知管、ガス検知器などが挙げられ、これらの何れの方法を用いても良い。
【００４８】
また本発明では、出口ガスで金属水素化ガスまたは有機金属ガスが許容濃度以下で検出した時、排ガス中の金属水素化ガスまたは有機金属ガスを１００％に換算し、その通気積算量を、処理剤の充填層容量で割った値を、容量当たりの処理能力としている。また、処理剤の重量で割った値を、重量当たりの処理能力としている。
【００４９】
充填層に排ガスを通気する際の通気量は、１時間当たりの排ガス量が、処理剤の充填層容量に対し、何倍量通気したかを表す指標として、ＳＶ値[Ｈ-1］で示される。
【００５０】
このＳＶ値が小さいほど、処理能力は高い数値を示すものの、ＳＶ値を小さくすることは、即ち処理剤の充填容器を大きくする必要があり、その場合運搬や交換時の作業性が悪くなる傾向にある。
【００５１】
逆にＳＶ値を大きくすると、処理剤が完全に排ガスを処理できずに、十分処理されないまま短時間でリークされる傾向にある。
【００５２】
このことから、本発明の処理剤を工業的に用いる場合に於いて、通気量はＳＶ値で１０〜１０００[Ｈ-1］、好ましくは３０〜５００[Ｈ-1］の範囲で処理することが望ましい。
【００５３】
以上の如く、固体金属酸化物と固体金属炭酸塩の混合物は、充填層または容器内で低濃度の金属水素化ガス及び有機金属ガスを含む排ガスと反応し、金属成分を、固体金属酸化物と固体金属炭酸塩の混合物の表面で、固定させることで、処理効果を持たせることができるのである。
【００５４】
【実施例】
以下、実施例及び比較例により本発明を更に詳細に説明する。
【００５５】
実施例１
比表面積５３ｍ2／ｇの酸化第二銅１部に対し、比表面積３８ｍ2／ｇの塩基性炭酸銅１部を混合した。そしてバインダーを使用せず、タブレットマシーンを用いて形状を３ｍｍφ×３ｍｍＨサイズの円柱形に打錠成形し処理剤とした。このときの成型密度は、２．２ｇ／ｃｍ3であった。
【００５６】
この様に成型された処理剤の比表面積は４５ｍ2／ｇであった。この処理剤４０ｃｃを内径１６．５φｍｍ×２００ｍｍのステンレスカラムに充填した。
【００５７】
次に処理対象ガスにシランガス（ＳｉＨ4）用い、これをヘリウムガスで希釈し、０．８容量％のシラン含有ガスを調製し、室温（２０℃）に於いて６７ｃｃ／ｍｉｎで通気（ＳＶ値＝１００[Ｈ-1］）し、充填層出口にてシランガス濃度を分析した。分析は光電離検出器（ＰＩＤ）を備えたガスクロマトグラフ（日立製 ＧＣ−３０００）により行った。分離カラムはＰｏｒａｐａｋ−Ｐであり、シランの検出限界は０．５ｐｐｍである。
【００５８】
充填層出口濃度が５ｐｐｍを越える時点での、純シランガスの積算通気量を求め、処理剤１Ｌ当たりに通気した純シランガスの容量を処理能力（Ｌ／Ｌ）とした。その結果は表１に示すように、高い処理能力を発揮した。
【００５９】
また出口でシランガスが検知されてより後、カラムをＮ2パージし、この剤をステンレスパレット上に取り出した。このときの発熱を赤外放射温度計（ＣＨＩＮＯ製１Ｒ−ＡＨＯＴ、ＩＲ−ＡＨ１Ｓ）を用い表面の温度を測定した。このときの最高温度を表１に示す。
【００６０】
実施例２〜３
酸化第二銅と、塩基性炭酸銅を表１に示す混合割合で混合した以外は実施例１と同様に行った。その結果を表１に示す。
【００６１】
実施例４〜９
酸化第二銅と塩基性炭酸銅の混合物に代えて、固体金属酸化物及び固体金属炭酸塩を表１に示す混合割合で混合した以外は実施例１と同様に行った。その結果を表１に示す。なお、実施例４，実施例６〜８は参考例である。
実施例１０〜１２
処理対象ガスとして、ヘリウムガスでの希釈濃度を表１に示すようにそれぞれ変更した以外は実施例１と同様に行った。
【００６２】
その結果は表１に示すように、高い処理能力を発揮した。
【００６３】
実施例１３〜１８
処理対象ガスを表２に示す成分とした以外は、実施例１と同様に行った。その結果は表２に示すように、高い処理能力を発揮した。
【００６４】
実施例１９
５３ｍ2／ｇの比表面積を持つ酸化第二銅１部に対し、３８ｍ2／ｇの比表面積を持つ塩基性炭酸銅１部を混合し、これに水を0.3部、メチルセルロースを0.02部加え、３〜５mmφのサイズに造粒し、１００℃で乾燥させた。
【００６５】
この様に造粒した処理剤を使用する以外は、実施例１と同様に排ガス処理を行い評価した。
【００６６】
その結果は表２に示すように、高い処理能力を発揮した。
【００６７】
実施例２０〜２６
実施例１と同じ酸化第二銅と塩基性炭酸銅を使用し、その割合を任意に変更し混合した。これにベントナイトを１０ｗｔ％水を３５ｗｔ％添加し、開孔径２．５mmφのデスクペレターを用い押し出し成型を行った後、１２０℃で乾燥し処理剤とした。この処理剤をＸＲＤ（Ｒｉｇａｋｕ社製）で分析し、酸化第二銅のピーク値Ａを２θ＝３８．６゜〜３９．０゜の範囲にある最高ピーク強度の値、また塩基性炭酸銅のピーク値Ｂを２θ＝３１．１゜〜３１．５゜の範囲にある最高ピーク強度の値とし、このピーク強度比Ａ／Ｂを測定した。それぞれのピーク強度比を表３に示す。これらの処理剤４０ｃｃを内径１６．５φｍｍ×２００ｍｍのステンレスカラムに充填した。それ以外は実施例１と同様に行った。
【００６８】
その結果を表３に示す。処理能力は、容量当たりの処理能力値（Ｌ／Ｌ）と重量当たりの処理能力値（Ｌ／ｋｇ）を併記した。表３に示すように、いずれも高い処理能力を発揮した。
【００６９】
尚、図１にはピーク強度比と処理能力値の関係、及びピーク強度比と空気暴露時の発熱温度を図１に示す。また実施例２２のXRDチャートを図２に記す。
【００７０】
比較例１、２
塩基性炭酸銅単独（比較例１）、或いは酸化第二銅単独（比較例２）を用いて、実施例２０〜２６と同様に押し出し成型した処理剤を用いて、同様に評価した。その結果を表３に示す。
【００７１】
比較例３〜１１
実施例で用いた固体金属酸化物を、単独で処理剤とした以外は実施例１と同様排ガス処理を行った。その結果、表４に示す様に実施例に比べ、その処理能力が劣ることがわかった。
【００７２】
比較例１２〜１７
実施例で用いた固体金属炭酸塩を、単独で処理剤とした以外は実施例１と同様排ガス処理を行った。その結果、表５に示す様に実施例に比べ、その処理能力が劣っており、その多くが処理後に空気中に曝露した際、処理剤の表面が赤熱するのが観察された。
【００７３】
【表１】
0004406488.tif 000002
【００７４】
【表２】
0004406488.tif 000003
【００７５】
【表３】
0004406488.tif 000004
【００７６】
【表４】
0004406488.tif 000005
【００７７】
【表５】
0004406488.tif 000006
【００７８】
【発明の効果】
金属水素化ガスや有機金属ガスを含む排ガスの処理剤に、従来より用いられている固体金属酸化物と固体金属炭酸塩を、特定割合で混合することにより、各々単独で用いた場合の欠点を補うばかりか、相乗効果により高い処理能力を発揮することを見いだした。この処理剤を用いることによって、従来の処理方法と比べ、処理剤の長寿命化や装置の小型化を図れる。このことは、エネルギーコスト面で相当の効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】酸化第二銅と塩基性炭酸銅の混合物のＸＲＤにおけるピーク強度比Ａ／Ｂに依存する処理能力と発熱温度との変化を示すグラフである。
【図２】実施例２２における酸化第二銅と塩基性炭酸銅の混合物のＸＲＤチャートである。
【図１】
0004406488.tif 000007
【図２】
0004406488.tif 000008