(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
実装部材と、
半導体からなる活性層を含む積層体と、前記積層体の第１主面に設けられた第１電極と、前記第１電極の上に設けられ前記実装部材と接着された第２電極と、を有し、前記実装部材の上に設けられた半導体レーザ素子と、
を備え、
前記第２電極の端部は、前記実装部材の端部と同一平面内にあるかまたは前記実装部材の前記端部よりも外側に突出し、かつ前記第１電極の端部よりも内側に後退していることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項２】
前記半導体レーザ素子が設けられた主面とは反対側の前記実装部材の主面と接着されるヒートシンクをさらに備え、
前記活性層の熱膨張率と前記実装部材の熱膨張率との差は、前記活性層の熱膨張率と前記ヒートシンクの熱膨張率との差よりも小なることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ装置。
【請求項３】
前記第１電極は、前記積層体の端部まで延在し、
前記半導体レーザ素子の光軸が前記実装部材の前記端部と交差する点と、前記積層体の前記端部上の発光中心との距離が２０マイクロメータ以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体レーザ装置。
【請求項４】
前記半導体レーザ素子は窒化物系半導体レーザ素子であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一つに記載の半導体レーザ装置。
【請求項５】
前記実装部材の端部と前記積層体の端部との交差角度は０度以上３０度以下であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の半導体レーザ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
次世代ＤＶＤ（Digital Versatile Disc）において、記録速度を上げるためにはより高い光出力が必要となる。例えば、窒化物系半導体を用いて４００ナノメータ波長帯でのレーザ発振を可能とした半導体レーザ装置において、１００ミリワット以上の光出力が必要とされる。
【０００３】
このような高出力半導体レーザ装置においては、活性層側をヒートシンクに近くなるように配置する、いわゆる「アップサイドダウン構造」が、放熱性にすぐれているので好ましい。この場合、基板上に結晶成長された半導体多層膜、サブマウント、金属ヒートシンクを金属半田などにより接着する。
【０００４】
例えば、金属半田に金スズ（ＡｕＳｎ）共晶半田を用いる場合、その融点は約２８３℃であるので、この温度で接着後に冷却する。従って、各材料間における線膨張係数の差によって接合部分に応力が発生する。
【０００５】
このような応力により半導体多層膜に歪を生じる。この歪が大となると、電気的特性、光学的特性、長期信頼性に影響を及ぼすことがある。特に、窒化ガリウム系材料は、ガリウム砒素系材料と比べて硬いために応力が大となる。すなわち、ヤング率を比較すると、窒化ガリウム（ＧａＮ）は２．９０×１０１１Ｎ／ｍ２であるのに対し、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）は、８．５５×１０１０Ｎ／ｍ２である。このようにＧａＮはＧａＡｓの３倍以上のヤング率を有し、硬い材料と言える。
【０００６】
半導体レーザ素子、絶縁性サブマウント、金属性ヒートシンクなど複数の部材が積層された半導体レーザ装置の応力を低減する技術開示例がある（特許文献１）。
【特許文献１】米国特許第６，８０４，２７６号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、光出射端面近傍における応力が緩和された半導体レーザ装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様によれば、
実装部材と、
半導体からなる活性層を含む積層体と、前記積層体の第１主面に設けられた第１電極と、前記第１電極の上に設けられ前記実装部材と接着された第２電極と、を有し、前記実装部材の上に設けられた半導体レーザ素子と、
を備え、
前記第２電極の端部は、前記実装部材の端部と同一平面内にあるかまたは前記実装部材の前記端部よりも外側に突出し、かつ前記第１電極の端部よりも内側に後退していることを特徴とする半導体レーザ装置が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、光出射端面近傍における応力が緩和された半導体レーザ装置が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について説明する。  
図１は、本発明の具体例にかかる半導体レーザ装置の模式部分断面図である。すなわち、同図は、レーザ光が放出される発光中心２７を含む端部付近を共振方向に対して平行に切断した拡大断面図である。  
窒化物系半導体からなる活性層を含む積層体１０の活性層により近い側（図１の下側）にｐ側電極１２が設けられ、その下にパッド電極１４が設けられている。また他方の側（図１の上側）にはｎ側電極１６が設けられている。このようにして、半導体レーザ素子１７が構成されている。
【００１１】
半導体としては、例えば窒化ガリウム系材料を用いることができる。なお、本明細書において「窒化物系半導体」とは、ＩｎｘＧａｙＡｌ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）なる組成式で表わされる半導体を意味する。
【００１２】
ｐ側電極１２は、例えば厚みが０．４マイクロメータであるＰｄ／Ｎｉ／Ａｕ多層膜により構成され、例えば積層体１０の最上層に設けられたｐ＋型ＧａＮコンタクト層の上に形成される。
【００１３】
また、パッド電極１４は、例えばＴｉ（０．１μｍ）／Ｐｔ（０．１μｍ）／Ａｕ（０．５〜３μｍ）なる多層膜により構成され、ｐ側電極１２の上に形成される。パッド電極１４はＡｕＳｎなどの金属半田により接着されることが好ましい。このためには、濡れ性を良好に保つようにＡｕ厚みを０．５マイクロメータ以上、さらに１．０マイクロメータとすることがより好ましい。
【００１４】
高光出力を得るためには、「アップサイドダウン構造」が好ましい。この場合、積層体１０に含まれる窒化物系半導体の活性層が、ヒートシンク２４に近い側（図１で下側）となるようにマウントされる。本具体例の場合、基板の第１主面に結晶成長された窒化物系半導体の活性層を含む積層体１０の主面上に設けられたｐ側電極１２が、サブマウント（実装部材）２０の第２主面の導電部と第２金属半田１８などで接着される。さらに、サブマウント２０の第１主面は、金属ヒートシンク２４と第１金属半田２２などで接着される。この接着順序は限定されるものではないが、先に金属ヒートシンク２４とサブマウント２０を接着したほうが、半導体レーザ素子１７への熱的応力印加工程が一回で済むのでより好ましい。ここで、先に接着する金属半田のほうが、２回目に接着する金属半田より高い融点であることが好ましいが、第１金属半田２２及び第２金属半田１８が、例えばＡｕＳｎのような同一組成であっても良い。
【００１５】
なお、ヒートシンク２４は、半導体レーザ素子１７から放出される熱を外部に放出させるために金属などの熱伝導率の良好な材料により形成することが望ましい。また、サブマウント２０は、半導体レーザ素子１７とヒートシンク２４の熱膨張率の相違を緩和するために設けられる。つまり、半導体レーザ素子１７の活性層の熱膨張率とサブマウント２０の熱膨張率との差は、活性層の熱膨張率とヒートシンク２４の熱膨張率との差よりも小なることが望ましい。
【００１６】
また、第２金属半田１８は、パッド電極１４よりも外側すなわちレーザ素子の光出射端面２６に向けてはみ出さないように形成することが望ましい。後に詳述するように、第２金属半田１８とｐ側電極１２との濡れ性は必ずしも良くはなく、また、第２金属半田１８が過度にはみ出すと、光出射端面２６にまで到達してレーザ光の一部あるいは全体を遮るおそれがあるからである。
【００１７】
本具体例においては、金属ヒートシンク２４とサブマウント２０との接着および半導体レーザ素子１７とサブマウント２０との接着に用いる金属半田１８、２２として、共晶点が約２８３℃であるＡｕＳｎを用いることができる。
【００１８】
また、サブマウント材料としては、熱伝導性の良い窒化アルミニウム（ＡｌＮ）や炭化珪素（ＳｉＣ）を用いることができる。熱伝導率は、ＡｌＮにおいて２５０ｗ／ｍｋであり、ＳｉＣにおいて２３０ｗ／ｍｋである。熱伝導率が高い銅（Ｃｕ）においては３８０ｗ／ｍｋであるので、ＡｌＮ及びＳｉＣはこれに近いと言える。なお、ＧａＮの熱伝導率は１３０ｗ／ｍｋである。
【００１９】
また、線膨張係数は、ＡｌＮが５．２７×１０−６／℃、ＳｉＣが３．００×１０−６／℃、ＧａＮが３．１７×１０−６／℃であり、いずれもＧａＮに対して使用可能範囲である。また、サブマウント２０の厚みは、１００マイクロメータ以上であることが好ましい。サブマウント２０厚みと相当応力との関係については、後に詳細に説明する。
【００２０】
ＡｕＳｎを用いて接着する場合、サブマウントの両主面には、蒸着や導電厚膜塗布などによる多層膜を形成し、その最上層には金（Ａｕ）層を設けることにより導電部とする。こうするとＡｕＳｎの濡れ性が良い。同様に、金属ヒートシンク２４の最上層及びパッド電極の最上層にはＡｕ層を設けることが望ましい。金属材料としては、熱伝導率のよい銅（Ｃｕ）系材料を用いることができる。
【００２１】
本具体例においては、積層体１０の端部の一つである光出射端面２６及びこれとほぼ同一平面内にあるｐ側電極１２の端部をサブマウント端部３０よりも突き出すように配置している。以下、この理由について説明する。
【００２２】
図２は、光出射端面２６がサブマウント端部３０より引っ込んでいる場合を表わす模式断面図である。なお、図１と同様の構成要素には同一番号を付して、詳細な説明を省略する。  
発光中心２７から放射されるレーザ光のうち上方へ向かうＧ１は直進するが、下方に向かうＧ２は、サブマウント第２主面２１により進路をさえぎられる。この結果、光学系を経由したのち、光ディスク上のピット列へ本来の光強度分布を有するレーザ光を入射できず、正常な再生及び記録がなされない。これを防止するために、光出射端面２６が、サブマウント端部３０より突き出される。
【００２３】
このような突出部があると、金属半田の冷却工程において、金属半田が存在する領域とは応力が異なってくる。特に、突出部と内部との境界において応力集中を生じやすい。特にヤング率が高く硬い材料である窒化ガリウム系半導体などにおいては、応力が大となる。また、突出部においては放熱が不十分であるので活性層の温度上昇を生じる。この結果、電気的特性、光学的特性、長期信頼性の低下を生じることがある。従って、レーザ光の光強度分布を損なうことなく、応力集中及び温度上昇を抑制できる突出量を決めることが重要である。
【００２４】
次に、この応力集中を緩和するための断面構造について説明する。図１において、半導体レーザ素子１７の光出射端面２６（ｐ側電極１２の端部とほぼ同一平面である）とサブマウント２０のサブマウント端部３０との距離をＡとし、光出射端面２６とパッド電極１４のパッド電極端部２８との距離をＢとする。図１において光出射端面２６はサブマウント端部３０より外側に突き出ている。なお、光出射端面２６から共振器方向の内部に向かう位置をＸ（μｍ）とし、後に相当応力のシミュレーションにおける位置を表すものとする。
【００２５】
図３は、半導体レーザ素子１７の一例を表わす模式斜視図である。  
ＧａＮ基板上に、ＩｎｘＧａｙＡｌ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）からなる多層膜が成長された積層体１０が形成されている。活性層の上部には、例えばリッジ導波路構造を有するｐ型Ａｌ０．０４Ｇａ０．９６Ｎクラッド層及びｐ＋型ＧａＮコンタクト層が形成されている。また、ｐ＋型ＧａＮコンタクト層の上部にｐ側電極１２が、さらにその上部にパッド電極１４が配置される。もちろん、半導体レーザ素子１７の構造はこれに限定されない。
【００２６】
図４は、図１に例示された具体例の模式部分切断斜視図である。半導体レーザ素子１７の断面は、図３におけるＡＡ’に沿う断面を表わす。なお、図３の上側は図４において下側とされるいわゆるアップサイドダウン構造とされている。光出射端面２６における発光中心２７からレーザ光３２が放射される。活性層において発生する熱は、主としてｐ側電極１２、パッド電極１４、サブマウント２０を経由して金属ヒートシンク２４から外部へと放出される。
【００２７】
次に、電極の突出量の好ましい範囲について、応力シミュレーションをもとに説明する。一般に、異種材料間の線膨張係数の差により、温度Ｔ１からＴ２まで冷却した場合に接合部分にかかる応力は、次式で近似される。
【００２８】
【数１】
0004439463.tif 000002
【００２９】
但し、  σｔｈ：応力、Ｅ：ヤング率、  ν：ポアソン比
α１、α２：線膨張係数、  Ｔ１，Ｔ２：温度  
である。
【００３０】
以下のシミュレーションは、上述の式を用いてなされる。  
図５は、ＡｕＳｎ半田（融点２８３℃）により接着後、室温まで冷却した半導体レーザ素子１７の相当応力の共振器方向位置Ｘ（μｍ）依存性を表わすグラフ図である。なお、Ａを２０マイクロメータ、Ｂを１０マイクロメータとした。また、サブマウント２０には、厚み３００マイクロメータのＡｌＮを用いた。本具体例の相当応力を実線で表している。
【００３１】
相当応力は、光出射端面２６から２０マイクロメータの位置において最大値１３２ＭＰａとなっており、表面においては７２ＭＰａと低下している。またパッド電極端部２８のあるＸ＝１０、及びサブマウント端部３０のあるＸ＝２０の位置において応力集中によるピークがそれぞれに発生しているが、半導体よりやわらかいｐ側電極１２及びパッド電極１４が階段状に配置されているために応力が分散されている。さらに、内部に向かって緩やかに低下しており、５０マイクロメータより内部においては約１００ＭＰａと一定値に漸近している。
【００３２】
次に、比較例における相当応力について説明する。  
図６は、Ｂが大である比較例にかかる半導体レーザ装置の模式部分断面図である。なお、図１と同様の構成要素には同一番号を付して詳細な説明を省略する。  
比較例においては、Ａが２０マイクロメータ、Ｂが４０マイクロメータである。この場合、サブマウント２０の端部３０からパッド電極１４のパッド電極端部２８までの１０マイクロメータの領域において、ＡｕＳｎ半田１８がｐ側電極１２まで届かないか、届いても濡れ性が不十分であるため放熱経路が形成できない。
【００３３】
図５において、破線は比較例における相当応力の共振器方向位置Ｘ（μｍ）依存性を表わす。  
Ｂ＝４０マイクロメータに相当する近傍において相当応力が最大となり、約１７５ＭＰａとなっている。また、この相当応力は、表面に向かって低下し、表面では約４０ＭＰａとなっている。一方、Ｘ＞１００μｍにおいてはほぼ一定値である１００ＭＰａ前後となる。この応力最大値は、具体例の最大値の１．３３倍と高いために、歪がより大となり電気的特性、光学的特性、長期信頼性を低下させる。
【００３４】
これに対して、具体例においては、サブマウント２０、パッド電極１４、ｐ側電極１２が、階段状に漸近的に配置されているので応力集中を分散できる。すなわち、パッド電極端部２８はサブマウント端部３０と同一平面あるいはこれより突出されて、Ａ≧Ｂ＞０なる関係が好ましい。また、ＡｕＳｎ半田１８が、パッド電極１４の突出部に沿って濡れているので良好な電気的及び機械的接触が維持できる。この結果、放熱性、電気的特性、光学的特性、長期信頼性が改善される。
【００３５】
次に、ｐ側電極１２の厚み（μｍ）と相対発熱量との関係について説明する。  
図７は、相対発熱量のストライプ状ｐ側電極１２の厚み依存性のシミュレーション結果を表わすグラフ図である。横軸は、ｐ側電極１２の厚み（μｍ）であり、縦軸はｐ側電極厚みが１．０マイクロメータの時の発熱量を１．０とした時の相対発熱量を表わす。ｐ側電極１２厚みを小とすると、相対発熱量が急激に増加する。従ってｐ側電極１２の厚みは、０．２０マイクロメータ以上が好ましく、０．４０マイクロメータ以上であることがより好ましい。なお、本シミュレーションにおいて、Ａは２０マイクロメータ、Ｂは１０マイクロメータである。
【００３６】
次に、サブマウントと相当応力の関係について説明する。  
図８は、ＡｌＮをサブマウントに用いた場合の相当応力の共振器方向位置Ｘ（μｍ）依存性のシミュレーション結果を表わすグラフ図である。光出射端面２６と、光反射端面において反射率が異なるために左右非対称となっている。Ｘ＝０が光出射端面２６に相当する。なお、光出射端面２６における反射率は１０％であり、光反射端面における反射率は９０％とした。
【００３７】
サブマウント無しの場合、Ｃｕ金属ヒートシンク２４との線膨張係数の違いにより相当応力は大であり、最大値は約６１０ＭＰａにもなる。ＡｌＮ厚みを１００、２００、４００μｍと大とするに従い、相当応力の最大値は、３１０、２１０、１９０ＭＰａの順に低下する。相当応力を３１０ＭＰａ以下とできるサブマウント２０の厚み１００マイクロメータ以下が好ましく、サブマウント２０の強度および加工性の点から２００マイクロメータ以上がより好ましい。
【００３８】
図１０は、ＳｉＣをサブマウント２０に用いた場合の相当応力と共振器方向位置Ｘ（μｍ）依存性のシミュレーション結果を、ＡｌＮと比較して図８に表わす。ＡｌＮ厚みが２００マイクロメータの場合、Ｘ＝３００の位置における相当応力が約１００ＭＰａであったの対して、ＳｉＣ厚みが２００マイクロメータの場合、Ｘ＝３００の位置における相当圧力が約２０ＭＰａである。ＳｉＣ厚みが３００マイクロメータの場合もＸ＝３００における相当応力が約６０ＭＰａと小であり、ＳｉＣのほうが、ＡｌＮより相当応力を低減できる。
【００３９】
この理由は、ＡｌＮの線膨張係数が５．２７×１０−６／℃であるのに対し、ＳｉＣの線膨張係数が３．００×１０−６／℃であり、ＧａＮの３．１７×１０−６／℃へより近いためである。なお、図８は、Ａ＝Ｂ＝０としてシミュレーションした結果である。端部の相当応力は図５に例示された具体例及び図７に例示された比較例とは少し異なる。しかし端部以外の領域における相当応力の比較には充分な精度である。
【００４０】
次に、高温連続動作特性及び発振スペクトルについて、具体例と比較例とを対比する。  図９は、具体例及び比較例における高温連続動作特性の実測値を表わすグラフ図である。
実線で表される本具体例においては、突き出し量Ａを２０マイクロメータ、Ｂを１０マイクロメータ、ＡｌＮ厚みを４００マイクロメータ、ｐ側電極１２の厚みを０．２マイクロメータとした。また、１２０ｍＷの一定光出力駆動条件にて、周囲温度（Ｔａ）を７５℃とした場合の動作電流変化を縦軸に表わしている。  
破線で表される比較例においては、Ａを２０マイクロメータ、Ｂを４０マイクロメータ、ＡｌＮの厚みを４００マイクロメータ、ｐ側電極１２の厚みを０．２マイクロメータとしており、その高温連続動作特性を表わしている。
【００４１】
比較例においては、動作電流が、２００時間経過時において約１５０ｍＡ、５００時間経過時において２５０ｍＡをこえ急激に増加している。一方、本具体例においては、２００時間経過時において約１１０ｍＡ，５００時間経過時において１２０ｍＡであり、電流増加が飽和傾向を示している。このことから、比較例においては次世代ＤＶＤ用信頼性要求を満たせないが、具体例においては満たせることが理解できる。
図１０は、具体例及び比較例の発振スペクトルの実測値を表わす模式図である。具体例においては波長４０４ナノメータ近傍にＴＥモードのみの発振スペクトルが観測できる。  また、比較例の発振スペクトルにおいては波長４０３．５ナノメータ近傍にＴＥモードが、波長４０１．５ナノメータ近傍に強度が小であるがＴＭモードが観測されている。このような発振においては、ＴＥモードとＴＭモード間でモード競合を生じる。この結果、キンクを生じやすく高光出力を得るのが困難となる。比較例におけるように相当応力が大となると結晶歪みが大となる。その領域においては屈折率が変化しＴｅモードとＴｍモードの利得差が小となる。この結果、Ｔｍモードが発生しやすくなる。一方、具体例においては、ＴＭモードを生じないので、キンクフリーとなり高光出力を得るのが容易である。
【００４２】
次に、サブマウントの形状について説明する。  
図１１は、本具体例にかかる半導体レーザ素子１７及びサブマウント２０の一例を表わす模式平面図であり、図４を上方から見た模式平面図である。  
図１１において、サブマウント端部３０と光出射端面２６とは平行とは限らない。両者またはそれらを延長した平面の交差角度αは、０≦α＜３０°であることが好ましく、１〜１０°がより好ましい。また、平行であるα＝０も含まれるが、下記のようなより広い用途に対応するには、０＜αが好ましい。なお、αが３０°以上であると放熱性が低下し、パッケージ内スペース効率も低下するので好ましくない。αが０でない場合、図１におけるＡは、図１１において光軸ＫＫ’がサブマウント端部３０を含む平面と交差する点と発光中心２７との距離で表わす。交差角度αが大となると、サブマント端部３０が周辺領域において光出射端面２６よりも突出することもある。しかし、発光中心２７近傍においてはサブマント端部３０より、パッド電極端部２８が突出し、さらに光出射端面２６が突出していれば良い。
【００４３】
一般に、半導体レーザ素子１７の光出射端面２６上の発光中心２７から放射されたレーザ光３２は、コリメータレンズや対物レンズにより構成される光学系を経由してディスク表面に到達する。ディスクからの反射光の一部は光学系を逆に進み発光中心近傍に到達する。
【００４４】
レーザ光をディスクに対して正しくトラッキングまたはフォーカシングするためには、ディスクからの反射光を分割受光フォトダイオードで検出し、トラッキングエラー及びフォーカシングエラーを算出する必要がある。ＤＶＤの種々の応用のうち、ＤＶＤ  ＲＡＭ（Random Access Memory）に対して正しくトラッキングを行う場合には、レーザビームを３分割するいわゆる３ビーム方式が適している。この場合、３ビームのうちのひとつが発光中心２７の近傍においてサブマウント端部３０の一領域に戻ることが有り得る。
【００４５】
このサブマウント３０の一領域で反射した光の一部がディスクに再度入射したり、または迷光となって分割受光フォトダイオードへ入射すると、分割受光フォトダイオード出力が過渡的誤差を生じて正常なトラッキングサーボがかからなくなる。光出射端面２６とサブマウント端部３０との交差角度αを設けることによりサブマウント端部３０からの反射光は光学軸を逆行しないので分割受光フォトダイオードへ入射することを抑制できる。この結果、正しくトラッキングすることが可能となり、ＤＶＤ  ＲＡＭにおいても再生が可能となる。
【００４６】
以上のように、サブマウント端部３０よりパッド電極端部２８を突出させ、さらにパッド電極端部２８よりｐ側電極１２の端部を突出させる階段状構造により、光出射端面２６における応力が緩和できる。また、この構造によれば、金属半田の濡れ性が良い。かつ、光出射端面近傍における放熱が改善される。この結果、電気的特性、光学的特性、長期信頼性が改善されるので、ＲＯＭ（Read Only Memory），ビデオ、Ｒ（Rewritable）、ＲＡＭ（Ramdom Access Memory）を含む次世代を含めたＤＶＤ用途の仕様を満たす半導体レーザ装置が実現できる。
【００４７】
以上、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について説明した。  
しかし、本発明はこれらに限定されるものではない。例えば、半導体レーザ素子の構造はリッジ導波路型に限定されない。また、発光層を含む半導体多層膜材料及び基板窒化物系半導体に限定されない。
【００４８】
その他、半導体レーザ装置を構成する半導体レーザ素子、サブマウント、金属ヒートシンク、金属半田などの各要素の形状、サイズ、材質、配置関係などに関して当業者が各種の設計変更を加えたものであっても、本発明の要旨を有する限りにおいて本発明の範囲に包含される。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の具体例にかかる半導体レーザ装置の模式断面図である。
【図２】レーザ光がサブマウントにより進路を妨げられることを説明する模式断面図である。
【図３】本発明の具体例にかかる半導体レーザ素子の模式斜視図である。
【図４】本発明の具体例にかかる半導体レーザ装置の模式部分切断斜視図である。
【図５】具体例及び比較例における相当応力の共振器方向位置依存性のシミュレーション結果を表わすグラフ図である。
【図６】比較例にかかる半導体レーザ装置の模式断面図である。
【図７】具体例における相対放熱量のｐ側電極厚み依存性のシミュレーション結果を表わすグラフ図である。
【図８】サブマウント厚みに関するシミュレーション結果を表わすグラフ図である。
【図９】具体例及び比較例における高温通電特性を表わすグラフ図である。
【図１０】具体例及び比較例における発振スペクトルを表わすグラフ図である。
【図１１】具体例におけるサブマウント形状を説明する模式平面図である。
【符号の説明】
【００５０】
１０  積層体、１２  ｐ側電極、１４  パッド電極、１６  ｎ側電極、
１７  半導体レーザ素子、１８  第２金属半田、２０  サブマウント、
２１  サブマウント第２主面、２２  第１金属半田、２４  金属ヒートシンク、
２６  光出射端面、２７  発光中心、２８  パッド電極端部、３０  サブマウント端部、
３２  レーザ光
【図１】
0004439463.tif 000003
【図２】
0004439463.tif 000004
【図３】
0004439463.tif 000005
【図４】
0004439463.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
0004439463.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
0004439463.tif 000013