(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）フィラー、（Ｂ）常温で液状のエポキシ樹脂、（Ｃ）硬化剤を必須成分とし、常温で液状のエポキシ樹脂（Ｂ）のうち少なくとも５ｗｔ％が１分子内に３つのエポキシ基を有する化合物と下記式（１）で示される化合物の反応物であること特徴とする半導体用ダイアタッチペースト。
［化１］
ＨＮ（Ｒ１）−Ｒ２−ＳｉＲ３Ｒ４Ｒ５      （１）
Ｒ１：アルキル基あるいはアリール基
Ｒ２：（ＣＨ２）３
Ｒ３：アルキル基あるいはアルコキシ基
Ｒ４：アルキル基あるいはアルコキシ基
Ｒ５：アルキル基あるいはアルコキシ基
【請求項２】
該１分子内に３つのエポキシ基を有する化合物がトリヒドロキシフェニルメタンのトリグリシジルエーテルである請求項１記載の半導体用ダイアタッチペースト。
【請求項３】
該式（１）の化合物がＮ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシランである請求項１記載の半導体用ダイアタッチペースト。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載の半導体用ダイアタッチペーストを使用して作製した半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はＩＣ、ＬＳＩ等の半導体素子を金属フレーム等に接着する液状樹脂組成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年の環境問題への意識の向上に伴い半導体製品を有機基板に搭載する工程で使用されていた半田を鉛フリーの半田に置き換える検討が盛んになされている。このためリフロー温度も従来の２２０℃あるいは２４０℃から２６０℃へ変更する必要があり、半導体製品構成部材へもより高温での耐リフロー性が要求され始めている。
【０００３】
また同時に半導体素子高集積化に伴い半導体素子の大きさはこれまでに比べ急激に大きくなってきている。すなわちこのような半導体製品の動向の中、ダイアタッチペーストにこれまでにない熱時高接着性と超低応力性が要求されはじめているが、従来のダイアタッチ材では熱時高接着性と超低応力性を併せ持つものは存在しなかった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は鉛フリー化の動向に伴いリフロー温度が２６０℃に変更されても良好な耐リフロー性を示すとともに大型チップでも使用可能な超低応力性を併せ持つ高信頼性の液状樹脂組成物を提供し、その液状樹脂組成物を使用することで高信頼性のパッケージを提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
フィラー（Ａ）、常温で液状のエポキシ樹脂（Ｂ）、硬化剤（Ｃ）を必須成分とし、常温で液状のエポキシ樹脂（Ｂ）のうち少なくとも５ｗｔ％が1分子内に3つのエポキシ基を有する化合物と下記式（１）で示される化合物の反応物である液状樹脂組成物である。
【化２】
0004568942.tif 000002
更に好ましい形態としては、1分子内に3つのエポキシ基を有する化合物がトリヒドロキシフェニルメタンのトリグリシジルエーテルであり、式（１）の化合物がＮ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシランである液状樹脂組成物である。
また、上記の液状樹脂組成物をダイアタッチ材として使用して作製した半導体装置である。
【０００６】
【発明の実施の形態】
本発明に用いるフィラー（Ａ）は、用いる分野が半導体用途のためハロゲンイオン、アルカリ金属イオン等のイオン性不純物量が１０ｐｐｍ以下であることが望ましい。また要求特性により銀、金、銅、ニッケルなどの金属フィラー、シリカ、窒化アルミ、窒化ボロンなどの無機フィラーをあるいは焼成フェノール粒子、ポリイミド粒子等の有機フィラーを単独あるいは併用して使用可能である。
形状としてはフレーク状、繊維状、樹脂状、不定形あるいは球状のものを単独あるいは混合して用いることができる。さらに粒径に関しては通常平均粒径が２〜１０μｍ、最大粒径は５０μｍ程度のものが好ましく、比較的細かいフィラーと粗いフィラーを混合して用いてもよい。
【０００７】
また本発明に用いるエポキシ樹脂は常温で液状の物に限定しているが、常温で液状の物でないとペースト状の樹脂組成物を得ることができない。ここで常温で液状のエポキシ樹脂とは例えば常温で固形のものでも常温で液状のエポキシ樹脂あるいは溶剤と混合することで常温で安定して液状を示す物を含む。
【０００８】
本発明に用いるエポキシ樹脂としては１分子内に３個のエポキシ基をもつ化合物と式（１）に示される化合物の反応物がエポキシ樹脂に対して少なくとも５ｗｔ％含まれる。これは１分子内に３個のエポキシ基をもつ化合物を使用することにより高Ｔｇの硬化物を得ることが出来高温での接着力に優れることは良く知られているが、反面硬化物の弾性率が高いため特に１５ｍｍを越えるような大型チップへの適用が難しかった。１分子内に３個のエポキシ基をもつ化合物と式（１）で示される化合物の反応にエポキシ基の一部を使用することで良好な接着性を維持しつつ硬化物の架橋密度を下げより柔軟な硬化物を得ることを見いだした。ここで１分子内に３個のエポキシ基をもつ化合物と式（１）に示される化合物の反応物がエポキシ樹脂に対して少なくとも５ｗｔ％含まれると限定しているが、これは５％より少ない場合には目的とする架橋密度の低下が充分に得られないためである。
【０００９】
１分子内に３個のエポキシ基をもつ化合物としては、特にトリヒドロキシフェニルメタンのトリグリシジルエーテルが好ましい。式（１）の化合物としては、特にＮ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシランが好ましい。
【００１０】
１分子内に３個のエポキシ基をもつ化合物と式（１）に示される化合物の反応物のみをエポキシ樹脂として使用しても差し支えないが、目的とする低応力性のレベルにより通常のエポキシ樹脂を併用してもかまわない。ここで通常のエポキシ樹脂とは例えば、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、フェノールノボラック、クレゾールノボラック類とエピクロルヒドリンとの反応により得られるポリグリシジルエーテル、１、６ージヒドロキシナフタレンジグリシジルエーテル、ブタンジオールジグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル等の脂肪族エポキシ、ジグリシジルヒダントイン等の複素環式エポキシ、ビニルシクロヘキセンジオキサイド、ジシクロペンタジエンジオキサイド、アリサイクリックジエポキシーアジペイトのような脂環式エポキシ、さらにはｎ−ブチルグリシジルエーテル、バーサティック酸グリシジルエステル、スチレンオサイド、エチルヘキシルグリシジルエーテル、フェニルグリシジルエーテル、クレジルグリシジルエーテル、ブチルフェニルグリシジルエーテル等のような通常のエポキシ樹脂の希釈剤として用いられるものがあり、これらは単独でも混合して用いても差し支えない。
【００１１】
本発明で使用される硬化剤についてはイオン性不純物が極めて少ないことが好ましい点を除きフェノール系化合物、有機酸無水物、アミン化合物などの使用が可能であり構造については特に限定されない。また必要に応じ、３級アミン、イミダゾール類、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスフィンテトラフェニルボレート等といった硬化促進剤として知られている化合物を添加することもでき、さらに可とう性付与剤、消泡剤、カップリング剤等を用いることもできる。
【００１２】
本発明の製造方法は例えば各成分を予備混合した後、３本ロールを用いて混練し、真空下脱泡して樹脂ペーストを得るなどがある。
本発明の液状封止樹脂組成物を用いて製作された半導体装置は、信頼性の高い半導体装置となる。半導体装置の製造方法は公知の方法を用いることができる。
【００１３】
【実施例】
以下実施例を用いて本発明を具体的に説明する。
配合割合は重量部で示す。
＜実施例１〜３＞
１分子内に３個のエポキシ基をもつ化合物としてトリヒドロキシフェニルメタンのトリグリシジルエーテル２３４ｇを用い、これとトルエン１０００ｍｌを３ｌのセパラブルフラスコに仕込み、ディーンスタークトラップにより脱水した後、式（１）に示される化合物としてＮ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン２５５．４ｇを１０分かけて滴下し環流下４時間かけて反応した。反応後エバポレーターならびに減圧乾燥によりトルエンを除去した。得られた反応物は室温で粘ちょうな液体であった。（以下反応物Ａ）
粒径１〜３０μｍで平均粒径３μｍのフレーク状銀粉（以下銀粉）とビスフェノールＡとエピクロルヒドリンとの反応により得られるジグリシジルビスフェノールＡ（エポキシ当量１８０、常温で液体、以下ビスＡエポキシ）、クレジルグリシジルエーテル（エポキシ当量１８５）、フェノールノボラック（水酸基当量１０４、軟化点８０〜９０℃）、ジシアンジアミド、ジアザビシクロウンデセンを第１表に示す割合で配合し、３本ロールで混練して液状樹脂組成物を得た。
この液状樹脂組成物を真空チャンバーにて２ｍｍＨｇで３０分間脱泡した後以下の方法により各種性能を評価した。
【００１４】
＜評価方法＞
・粘度：Ｅ型粘度計（３°コーン）を用い２５℃、２．５ｒｐｍでの値を測定し粘度とした。
・Ｔｇ：４ｘ２０ｘ０．４ｍｍの試験片を作製し（硬化条件１５０℃６０分）引っ張りモードのＴＭＡで測定しＴＭＡ曲線の屈曲点をもってＴｇとした。
（測定長：１０ｍｍ、温度範囲：−１００℃〜３００℃、昇温速度：１０℃／分）
・弾性率：１０ｘ１５０ｘ０．１ｍｍの試験片を作製し（硬化条件１５０℃６０分）引っ張り試験により加重−変位曲線を測定しその初期勾配より弾性率を算出した。
（測定長：１００ｍｍ、試験速度：１ｍｍ／分、測定温度：２３℃）
・接着強度：６×６ｍｍのシリコンチップを液状樹脂組成物を用いて銅フレームにマウントし１５０℃オーブン中６０分間硬化した。硬化後自動マウント強度測定装置（ＤＡＧＥ  ＰＣ−２４００）を用い２４０℃ならびに２６０℃での熱時ダイシェア強度を測定した。また硬化後のサンプルを８５℃８５％７２時間吸水処理し２４０℃ならびに２６０℃での熱時ダイシェア強度を測定した。吸湿処理による保持率を計算し８０％以上の場合を合格とした。
・イオン性不純物：２００℃６０分硬化した後粉砕した試料２ｇおよび純水４０ｍｌを抽出釜にいれ１２５℃２０時間抽出した上澄みを検液としイオンクロマトグラフにより塩素量およびナトリウム量の測定を行った。
・チップの反り：６ｘ１５ｘ０．３ｍｍのベアシリコンチップを０．２ｍｍ厚の銅フレームにマウントし、表面粗さ計にてチップ表面長さ方向１３ｍｍでのプロファイルを測定し最高点と最低点の差をもってチップの反りとした。
（硬化条件：１５０℃６０分）
【００１５】
＜実施例４＞
用いるフィラーとして市販の破砕シリカ（平均粒径３μｍ、最大粒径１６μｍ以下シリカ）を使用した他は実施例１と同様にして液状樹脂組成物を作製し評価した。
【００１６】
＜比較例１〜４＞
第１表に示す配合割合で実施例１と全く同様にして導電性樹脂ペーストを作製した。
なお比較例２〜４では使用するエポキシ樹脂としてトリヒドロキシフェニルメタンのトリグリシジルエーテル（以下エポキシＢ）、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン（以下ＰＡＰＳ）を使用した。
【００１７】
評価結果を第１表に示す。
【表１】
0004568942.tif 000003
【００１８】
【発明の効果】
本発明の液状樹脂組成物は２６０℃の高温でも金属フレームに対する密着性に優れる。また大型チップに適用しても反りが小さい従来になかった高信頼性の半導体素子接着用の液状樹脂組成物である。また高信頼性を有する半導体装置である。