(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板にプラズマエッチング処理を施すプラズマチャンバと；
前記プラズマチャンバの内壁に設けられるアノード電極と；
前記プラズマチャンバ内に回動可能に配置される導電性の回動軸と，前記回動軸に形成される絶縁体と，前記絶縁体を挟んで前記アノード電極と対向可能に設けられるとともに前記回動軸と電気的に接続される一対のカソード電極と，前記各カソード電極の基板の載置面周縁部を覆うカソード電極保護カバーと，前記カソード電極保護カバーの上部に設置されたクランプ板を有して前記カソード電極の基板の載置面に載置された前記基板の周縁部を前記カソード電極に押圧するクランプ機構と，を備えるカソードアセンブリと；
前記回動軸を介して前記各カソード電極に高周波電力を供給する高周波電力供給手段と；
前記プラズマチャンバ内にソースガスを供給するガス供給手段と；
前記プラズマチャンバ内のガスを排気する排気手段と；
を備え，
前記カソード電極保護カバーの表面は，前記カソード電極の基板の載置面よりも高く配置され、前記クランプ板と前記カソード電極保護カバーとの間に前記基板のエッジを挟んで固定し、前記クランプ板は前記基板に対して傾いており、前記基板のエッジから中心に向かう方向に前記基板のエッジを押圧すること；
を特徴とする，プラズマエッチング装置。
【請求項２】
前記カソード電極保護カバーは，セラミックスから構成されることを特徴とする，請求項１記載のプラズマエッチング装置。
【請求項３】
前記カソード電極保護カバーの表面と前記カソード電極の基板の載置面との高さ差は，０．１ｍｍ以上であることを特徴とする，請求項１または２のいずれかに記載のプラズマエッチング装置。
【請求項４】
前記カソード電極保護カバーの表面と前記カソード電極の基板の載置面との高さ差は，実質的に０．１ｍｍ〜０．２ｍｍであることを特徴とする，請求項１，２または３のいずれかに記載のプラズマエッチング装置。
【請求項５】
前記高周波電力供給手段は，前記プラズマエッチング処理の終了時に，所定時間にわたり前記高周波電力を連続的に減少させることを特徴とする，請求項１，２，３または４のいずれかに記載のプラズマエッチング装置。
【請求項６】
前記高周波電力を連続的に減少させる時間は，１秒以上であることを特徴とする，請求項５記載のプラズマエッチング装置。
【請求項７】
前記高周波電力を連続的に減少させる時間は，５秒以上であることを特徴とする，請求項５または６のいずれかに記載のプラズマエッチング装置。
【請求項８】
前記基板は，液晶表示用ガラス基板であることを特徴とする，請求項１，２，３，４，５，６または７のいずれかに記載のプラズマエッチング装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，プラズマエッチング装置（蝕刻設備）（ｐｌａｓｍａ  ｅｔｃｈｉｎｇ  ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ）および液晶表示装置に係り，特にＬＣＤ（液晶表示）用ガラス母基板（ＬＣＤ用ガラス基板）を処理するプラズマエッチング装置およびそれを適用して製作されたＬＣＤモジュール（ｌｉｑｕｉｄ  ｃｒｙｓｔａｌ  ｄｉｓｐｌａｙ  ｍｏｄｕｌｅ）に関する。より詳細には，本発明は，プラズマエッチング装置に設置されたカソード電極のエッジ（ｅｄｇｅ）を保護しているカソード電極保護カバーの形状を改良して，カソード（ｃａｔｈｏｄｅ）電極とカソード電極に安着されるＬＣＤ用ガラス母基板との間のギャップ（ｇａｐ）が発生しないようにしたプラズマエッチング装置に関する。さらに，本発明は，ＬＣＤ用ガラス母基板とカソード電極との間にギャップが存在する場合に，ＬＣＤ用ガラス母基板の冷却性能低下により，ＬＣＤ用ガラス母基板に形成されたフォトレジスト（膜）がバーニング（ｂｕｒｎｉｎｇ）することを防止可能なプラズマエッチング装置およびそのプラズマエッチング装置により製作されたＬＣＤモジュールに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
図９は，従来のＬＣＤ用ガラス母基板に形成された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）（ｔｈｉｎ  ｆｉｌｍ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）素子１０の概略的な断面図である。一般的に，ＬＣＤ（液晶ディスプレイ（ｄｉｓｐｌａｙ））装置のＬＣＤ用ガラス母基板に形成される薄膜トランジスタ素子（以下，「ＴＦＴ素子」という。）１０は，図９に示すように，ゲート電極１と，ゲート電極１を絶縁するためのゲート電極１上にＳｉＮｘ物質で蒸着された絶縁層２と，絶縁層２の上部に形成された半導体層３および半導体層３の上部に形成されたオミックコンタクト層（ｏｍｉｃ  ｃｏｎｔａｃｔ  ｌａｙｅｒ）４と，オミックコンタクト層４の左側上部の一部分に形成されるソース電極５と，オミックコンタクト層４の右側上部の一部分に形成されるドレイン（ｄｒａｉｎ）電極６と，ソース（ｓｏｕｒｃｅ）電極５とドレイン電極６の上部に形成される保護層７からなる。
【０００３】
また，保護層７には，プラズマエッチングによりコンタクトホール（ｃｏｎｔａｃｔ  ｈｏｌｅ）８が形成されている。この時，コンタクトホール８が形成される位置は，ドレイン電極６に該当する位置である。以後，プラズマエッチングにより形成されたコンタクトホール８には，ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）電極９が蒸着されて，ＴＦＴ素子１０が形成される。
【０００４】
このような過程を経由してＴＦＴ素子１０を形成するためには，ゲート電極１のパターン，絶縁層２のパターン，半導体層３のパターン，オミックコンタクト４層のパターン，ソース電極５のパターン，およびドレイン電極６のパターン，ＩＴＯ電極９のパターンを形成するエッチング工程を行うことが必須である。
【０００５】
エッチング工程を実行するための装置としては，製造または機種によって多様な装置が利用されている。最近は，装置効率を倍加させるために，絶縁層の両面に２枚のカソード電極を設置して，各々のカソード電極にＬＣＤ用ガラス母基板を装着した状態でエッチング工程を進行するカソードが設置された二重プラズマ（ｄｕａｌ  ｐｌａｓｍａ）エッチング装置が開発されている。
【０００６】
図１０は，従来のプラズマエッチング装置のカソード（アセンブリ）３０の一部分を示す概略的な部分斜視図である。図１１は，図１０に示すカソード３０をＡ−Ａ線に沿って切断した概略的な断面図である。図１２は，従来のクランプ３４によりＬＣＤ用ガラス母基板１０が押圧（加圧）固定された時に，カソード電極３０とＬＣＤ用ガラス母基板１０の中央部分でギャップが発生したことを示す概略的な概念図である。図１３は，従来の６枚のＬＣＤパネルが形成されたＬＣＤ用ガラス母基板１０で，フォトレジスト膜にバーニングが発生した部分（３５ａ）を示す概略的な平面図である。
【０００７】
図１０および図１１に示すように，，従来のＬＣＤ用ガラス母基板１０をプラズマによりエッチングするプラズマエッチング装置のカソード３０は，絶縁体３２の上下両面に設置された略プレート形状のカソード電極３６と，カソード電極３６に安着（載置）されたＬＣＤ用ガラス母基板１０を押圧するクランプ３４と，カソード電極３６に高周波電力（ＲＦ電源）を印加するとともにカソード３０を回動させるカソード回動装置（図示せず）とを含んでいる。
【０００８】
また，上記カソード電極３６の形状は，ＬＣＤ用ガラス母基板１０より多少大きく形成されている。このようにカソード電極３６がＬＣＤ用ガラス母基板１０より大きい理由は，ＬＣＤ用ガラス母基板１０がカソード電極３６に安着された後，ＬＣＤ用ガラス母基板１０のエッジ１０ａをクランピング（ｃｌａｍｐｉｎｇ）するためのクランプ（ｃｌａｍｐ）３４が設置される空間がカソード電極３６に必要なためである。
【０００９】
上記クランプ３４は，ＬＣＤ用ガラス母基板１０を押圧する役割を実行するとともに，ＬＣＤ用ガラス母基板１０をカソード電極３６から所定間隔離隔させる役割も実行する。
【００１０】
上記クランプ３４の２つの役割の中で一番目の役割であるＬＣＤ用ガラス母基板１０を押圧する役割は，以下のようにして可能となる。すなわち，まずカソード電極３６のエッジに沿って多数個の貫通孔を形成した後に，該貫通孔に略円筒形状のリフト棒（ｌｉｆｔ  ｂａｒ）３４ｃを挿入する。次いで，リフト棒３４ｃの中でカソード電極３６の上部に突出したリフト棒３４ｃの上端部に，ＬＣＤ用ガラス母基板１０を直接的に押圧するクランパ３４ｂが設置されたホールド（ホルド）フレーム３４ａを結合させる。この時，クランパ３４ｂがカソード電極３６の上部を加圧できるようにするためには，押圧力を発生させるカソード押圧部材３７が必要となる。
【００１１】
上記カソード押圧部材３７は，例えばカソード電極３６の下部に突出したリフト棒３４ｃに挿入された後に，リフト棒３４ｃから離脱されないように固定された所定弾性係数を持つ引張スプリング３７ａである。この引張スプリング３７ａにより，リフト棒３４ｃがカソード電極３６の上部に位置されたホルドフレーム（ｈｏｌｄ  ｆｒａｍｅ）３４ａをカソード電極３６側に引くことにより，カソード電極３６の上部に安着されたＬＣＤ用ガラス母基板１０をホールドフレーム３４ａに設置されたクランパ３４ｂによって強く押圧できる。
【００１２】
一方，クランプ３４によりＬＣＤ用ガラス母基板１０をカソード電極３６から離隔させるために，次の機構を備えている。すなわち，ＬＣＤ用ガラス母基板１０が安着される部分にカソード電極３６を貫通した貫通孔を形成して，貫通孔にリフトピン（図示せず）を挿入した後に，リフトピンの端部をリフト棒３４ｃに結合する。かかる構成により，リフト棒３４ｃの上下動作によってリフトピン（ｌｉｆｔ  ｐｉｎ）に変位が発生し，ＬＣＤ用ガラス母基板１０がクランプ３４によりカソード電極３６から離隔される。
【００１３】
この時，図１０に示すように，リフト棒３４ｃが設けられていることにより，ＬＣＤ用ガラス母基板１０の大きさは，カソード電極３６の（リフト棒３４ｃにより形成された）面積より小さい。このため，ＬＣＤ用ガラス母基板１０によって覆われ（カバーされ）なかったカソード電極３６のエッジ部分は，プラズマに曝（露出）されて，そのような状態でプラズマエッチングを進行すると，露出したカソード電極３６のエッジ部分（角部）が深刻に損傷する。
【００１４】
このようなカソード電極３６の損傷を防止するために，カソード電極３６のエッジの中で損傷が予想される部分は，段差が形成されるように加工し，プラズマにより損傷されないカソード電極保護カバー３８が段差をカバーする状態でカソード電極３６に固定される。
【００１５】
かかる構成について，図１１を参照しながらより詳細に説明すると，カソード保護カバー３８の上面の高さとカソード電極３６の上面の高さとの段差ΔＴは，実質的に０．７ｍｍである。すなわち，カソード電極保護カバー３８の上面は，カソード電極３６の上面よりも０．７ｍｍ程度低く形成されている。
【００１６】
上記のように形成されたカソード３０にＬＣＤ用ガラス母基板１０をローディングするためには，まず，クランプ３４のホルドフレーム３４ａを握持（ｇｒｉｐ）した後にゆっくり上部に移送する。カソード３０が固定された状態でホールドフレーム３４ａがカソード電極３６の上部に移送される場合には，上述のようにリフト棒３４ｃとリフトピンは，ホールドフレーム３４ａと連動して移送されるとともに，ホルドフレーム３４ａとカソード電極３６との間に所定ギャップが形成される。この時，ロボットブレード（ｒｏｂｏｔ  ｂｌａｄｅ）（搬送機構）により移送されたＬＣＤ用ガラス母基板１０は，カソード電極３６とホルドフレーム３４ａとの間にローディング（搬入）された後に，リフトピンの上部に配置（位置）される。
【００１７】
次に，ロボットブレードがアンローディング（退避）し，ホルドフレーム３４ａがさらに下方に下降すると，ＬＣＤ用ガラス母基板１０は，カソード電極３６に安着されるとともに，クランプ３４のクランパ３４ｂによりＬＣＤ用ガラス母基板１０のエッジは強く押圧される。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら，図１２に示すように，クランプ３４によりＬＣＤ用ガラス母基板１０のエッジ面（部）を強く押圧し固定した時には，カソード電極３６よりカソード電極保護カバー３８が低く配置（設置）されることにより，ＬＣＤ用ガラス母基板１０のエッジ１０ａの高さがＬＣＤ用ガラス母基板１０の略中心よりも低い状態になる。このため，ＬＣＤ用ガラス母基板１０の略中央は，ＬＣＤ用ガラス母基板１０のエッジ面に作用する力に対して実質的に反対方向に働く力が作用し，ＬＣＤ用ガラス母基板１０の中央部とカソード電極３６との間に所定ギャップＧが発生する。
【００１９】
また，ＬＣＤ用ガラス母基板１０の中央部とカソード電極３６との間にギャップＧが発生した状態では，プラズマエッチング工程修行中に随伴される高温の熱，すなわちプラズマエッチング時に生じた熱は，カソード電極３６により冷却されず，ＬＣＤ用ガラス母基板１０に形成されたＬＣＤパネルに既蒸着された金属パターンによってＬＣＤパネルの端部に伝達されて，金属パターンの端部が高温に加熱される。
【００２０】
このように，ＬＣＤ用ガラス母基板１０が完全（完璧）に冷却されない場合には，図１３に示すように，例えば一枚のＬＣＤ用ガラス母基板１０にＬＣＤパネルＡからＬＣＤパネルＦまでの６枚のＬＣＤパネルＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｆを形成する時，その中でＬＣＤパネルＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｆに塗布されたフォトレジスト膜の実質的に半分以上が高温の熱に耐えられずにバーニングして，エッチング処理工程中であるＬＣＤパネルＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｆに激しい損傷を与えるという問題点があった。なお，図１３中の符号３５ａは，バーニングしたフォトレジストを示している。
【００２１】
本発明は，従来の技術が有する上記問題点に鑑みてなされたものであり，本発明の目的は，ＬＣＤ用ガラス母基板の中央部とカソード電極とを密着させて，カソード電極により冷却されるＬＣＤ用ガラス母基板の冷却效率を低下を防止し，フォトレジスト膜のバーニングを防止することが可能な，新規かつ改良されたプラズマエッチング装置および液晶表示装置を提供することである。
【００２２】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために，本発明の第１の観点によれば，請求項１に記載の発明のように，基板にプラズマエッチング処理を施すプラズマチャンバと，プラズマチャンバの内壁に設けられるアノード電極と，プラズマチャンバ内に回動可能に配置される導電性の回動軸と，回動軸に形成される絶縁体と，絶縁体を挟んでアノード電極と対向可能に設けられるとともに回動軸と電気的に接続される一対のカソード電極と，各カソード電極の基板の載置面周縁部を覆うカソード電極保護カバーと，クランプ板を有してカソード電極の基板の載置面に載置された基板の周縁部をカソード電極に押圧するクランプ機構と，を備えるカソードアセンブリと，回動軸を介して各カソード電極に高周波電力を供給する高周波電力供給手段と，プラズマチャンバ内にソースガスを供給するガス供給手段と，プラズマチャンバ内のガスを排気する排気手段と，を備え，カソード電極保護カバーの表面は，カソード電極の基板の載置面よりも高く配置され、クランプ板が基板のエッジを固定し、クランプ板は基板に対して傾いており、基板のエッジから中心に向かう方向に基板のエッジを押圧すること，を特徴とする，プラズマエッチング装置が提供される。
【００２３】
本発明は，カソードアセンブリのカソード電極の基板の載置面（表面）とＬＣＤ用ガラス母基板などの基板の底面の離隔を防止することを目的としている。このため，本発明によれば，カソード電極の損傷を防止するカソード電極保護カバーの表面（上面）の高さをカソード電極の基板の載置面（上面）の高さよりも高く設定している。かかる構成により（その状態で），ＬＣＤ用ガラス母基板の周縁部（エッジ面）をＬＣＤ用ガラス母基板中央部側に強く押し出すように押圧（加圧）すれば，ＬＣＤ用ガラス母基板がカソード電極から離脱しないとともに，ＬＣＤ用ガラス母基板とカソード電極との間にギャップが発生しないようにすることができる。
【００２４】
さらに，カソード電極保護カバーを，例えば請求項２に記載の発明のように，セラミックスから構成することが好ましい。セラミックスは，プラズマにより損傷され難い特性がある。このため，カソード電極保護カバーをセラミックスから構成すれば，カソード電極の周縁角部を確実に保護することができる。
【００２５】
さらに，カソード電極保護カバーの表面とカソード電極の基板の載置面との高さ差を，例えば請求項３に記載の発明のように０．１ｍｍ以上，より好ましくは例えば請求項４に記載の発明のように実質的に０．１ｍｍ〜０．２ｍｍに設定することが好ましい。かかる構成により，クランプ機構により基板をカソード電極に押圧すれば，基板全面とカソード電極の載置面全面とが確実に密着し，処理時に生じた基板の熱をカソード電極に放熱させることができる。このため，基板を所定温度に維持することができるので，基板に形成されたフォトレジスト膜のバーンニングが防止され，フォトレジスト膜のエッチングマスクとしての機能を十分に発揮させることができる。その結果，基板のフォトレジスト膜下層に形成された薄膜を，所定形状でパターンニングすることができる。
【００２６】
さらに，高周波電力供給手段を，例えば請求項５に記載の発明のように，プラズマエッチング処理の終了時に，所定時間にわたり高周波電力を連続的に減少させるように構成することが好ましい。かかる構成により，基板がカソード電極に密着することにより生じた静電気を除去することができる。このため，処理済みの基板をカソード電極からスムーズに離すことができる。その結果，基板に負荷がかからず，基板の損傷を防止できる。
【００２７】
さらに，高周波電力を連続的に減少させる時間を，例えば請求項６に記載の発明のように１秒以上，より好ましくは例えば請求項７に記載の発明のように５秒以上に設定することが好ましい。
【００２８】
さらに，基板として，例えば請求項７に記載の発明のように，液晶表示用ガラス基板を用いることが好ましい。
【００２９】
また，本発明の第２の観点によれば，請求項９に記載の発明のように，請求項１，２，３，４，５，６，７または８のいずれかに記載のプラズマエッチング装置により，液晶表示用ガラス基板に形成された所定の薄膜層にプラズマエッチング処理を施して所定のパターンを形成する工程を反復することにより形成された薄膜トランジスタ基板と，薄膜トランジスタ基板に重ね合わされるカラーフィルタ基板と，薄膜トランジスタ基板とカラーフィルタ基板との間に注入され，薄膜トランジスタ基板とカラーフィルタ基板との間で生じる電位差により光の透過率を変更可能な液晶と，薄膜トランジスタ基板に選択的に所定強さの電位差が発生するように薄膜トランジスタ基板を駆動する駆動手段と，を含む液晶表示パネルと，液晶表示パネルに所定の光を供給するとともに，液晶表示パネルを支持するバックライトアセンブリと，を含むことを特徴とする，液晶表示装置が提供される。
【００３０】
本発明の液晶表示装置は，上述したプラズマエッチング装置を用いたプラズマエッチング処理工程を経て形成された薄膜トランジスタ基板が採用されている。従って，該薄膜トランジスタが実質的に設計通りに形成されているので，高性能の液晶表示装置を提供することができる。
【００３１】
また，本発明の他の観点によれば，プラズマ蝕刻のための基板がプラズマ蝕刻されるプラズマチャンバと，前記プラズマチャンバの対向する側壁に形成されたアノードと，前記プラズマチャンバの内部で回動可能に設置された導電性回動軸と，前記回動軸に形成された絶縁体と，前記絶縁体の両側に形成されて各々の前記アノードと対向するとともに前記回動軸と電気的に連結されたカソード電極と，前記カソード電極の上面にローディングされた前記基板によりカバーされなかった前記カソード電極のエッジを保護するカソード電極保護カバーと，前記カソード電極に安着された前記基板のエッジを前記カソード電極に固定させるためのクランピング装置とを含むカソードと，前記カソードの前記回動軸にＲＦ電源を供給するＲＦ電源印加装置と，前記プラズマチャンバにソースガスを供給するソースガス供給装置および残留ガースと廃ガースを排気する排気口とを含み，前記カソード電極保護カバーと前記カソード電極が結合された時の前記カソード電極保護カバーの高さは前記カソード電極より高く形成されたことを特徴とするプラズマ蝕刻設備も提供される。
【００３２】
上記プラズマ蝕刻設備では，前記カソード電極保護カバーは，プラズマにより損傷されないセラミクス材質であることが好ましい。また，前記カソード電極保護カバーと前記カソード電極の高さの差は，少なくとも０．１ｍｍ以上であることが好ましい。さらに，前記カソード電極保護カバーと前記カソード電極の高さ差は，０．１ｍｍ〜０．２ｍｍであることが好ましい。また，前記基板で前記プラズマ蝕刻が終了された時，前記ＲＦ電源印加装置のＲＦ電源を連続的に減少させることにより前記基板と前記カソード電極との密着により発生した静電気を消滅させることが好ましい。また，前記静電気消滅時間は，少なくとも１秒以上であることが好ましい。さらに，前記静電気消滅時間は，５秒以上であることが好ましい。また，前記基板は，液晶表示モジュール用ガラス基板と前記液晶表示素子用ガラス基板が複数個形成された液晶表示モジュール用ガラス基板の母基板の中でいずれの一つであることが好ましい。
【００３３】
さらに，本発明の他の観点によれば，上記プラズマ蝕刻設備によりＬＣＤガラス母基板に既形成されている所定薄膜層をプラズマ蝕刻して所定薄膜パターンを形成する過程を反復して形成されたＴＦＴ基板と，前記ＴＦＴ基板と重なるカラーフィルタ基板と，前記ＴＦＴ基板と前記カラーフィルタ基板との間に注入されて前記ＴＦＴ基板と前記カラーフィルタ基板との間の電位差により光透過を変更させる液晶および前記ＴＦＴ基板に選択的に特定電位差が発生するように前記ＴＦＴ基板を駆動させるための駆動手段とを含む液晶表示パネルと，前記液晶表示パネルに所定光を提供しながら前記液晶表示パネルを固定支持するバックライトアセンブリとを含むことを特徴とする液晶表示モジュールも提供される。
【００３４】
【発明の実施の形態】
以下に，添付図面を参照しながら本発明にかかるプラズマエッチング装置およびプラズマエッチング装置により製造される液晶表示装置（ＬＣＤモジュール）の好適な実施の一形態について，詳細に説明する。
【００３５】
（１）プラズマエッチング装置の全体構成
まず，プラズマエッチング装置５００の概略について説明する。なお，図１は，本発明を適用可能なプラズマエッチング装置５００を全体的に示す概略的な斜視図である。また，図２は，図１に示すプラズマエッチング装置５００をＢ−Ｂ線に沿って切断した概略的な断面図である。
【００３６】
図１および図２に示すように，プラズマエッチング装置５００は，主に，プラズマチャンバ２００と，プラズマエッチングを施すＬＣＤ用ガラス母基板３０５が安着されるカソード（アセンブリ）３００と，アノード（ａｎｏｄｅ）（電極）４００と，プラズマソースガス供給装置（ガス供給手段）１６０と，カソード回動装置１５０と，排気装置（排気手段）４５０と，カソード３００にＲＦ（高周波）電力を印加するＲＦジェネレータ（ｇｅｎｅｒａｔｏｒ）（高周波電力供給手段）１８０等から構成される。
【００３７】
また，図１に示すように，プラズマチャンバ２００は，内部に所定空間が形成された略六面体形状に形成されている。また，図１および図２に示すように，プラズマチャンバ２００の実質的に４個の側面の中で図１に示すＩＩ方向に該当する側面には，ロボットブレード（図示せず）により，プラズマチャンバ２００内にプラズマ処理を施すＬＣＤ用ガラス母基板を搬入搬出可能なように，開閉自在に構成されたＬＣＤ用ガラス母基板ドア２１０が形成されている。
【００３８】
また，図１および図２に示すように，上記プラズマチャンバ２００の内部空間には，カソード３００に例えば２枚のＬＣＤ用ガラス母基板をクランピング（押圧固定）した後に，それら２枚のＬＣＤ用ガラス母基板に対して同時にプラズマ処理を実行するようにするために回動するカソード３００が設置されている。
【００３９】
一方，図２に示すように，上記カソード回動装置１５０の近隣，例えばとなりには，カソード３００の回動軸３１２にＲＦ電力を供給するＲＦジェネレータ１８０が設置されている。
【００４０】
また，プラズマ処理工程を実行するためには，図２に示すように，カソード３００以外にアノード４００と，カソード３００とアノード４００との間に配置（設置）されてプラズマソースガス供給装置１６０から供給されたソースガス（プラズマ生成用ガス）を噴射する噴射装置（図示せず）が必要である。
【００４１】
このため，図１に示すように，プラズマチャンバ２００の４個の側面の中でＩ方向に該当する両側面には，プラズマチャンバ２００の整備や，クリーニングを実行するために開閉可能なメインドアの役割を果たし，かつ接地（ｅａｒｔｈ）されたアノード４００が設置されている。
【００４２】
この時，アノード４００が位置するプラズマチャンバ２００の側壁内部には，上述のソースガス供給装置１６０と連通する背関が埋設され，ソースガスが供給される。供給されたソースガスは，カソード３００とアノード４００との間に配置形成され，略十字形状で交叉する噴射ノズル（ｎｏｚｚｌｅ）に供給されて，カソード３００側に噴射される。
【００４３】
その後，ＬＣＤ用ガラス母基板が全てカソード３００にローディング（搬入，載置）されると，上述のカソード回動装置１５０によりカソード３００は，アノード４００と略平行に回動された後に，プラズマ処理工程が実行される。
【００４４】
（２）カソードの構成
次に，上記のように，比較的重量が重い２枚のＬＣＤ用ガラス母基板３０５をクランピングし，実質的に重力方向である略垂直状態でプラズマエッチング工程が行われる本実施の形態が適用されるカソード３００について，図３〜図５を参照しながら説明する。
【００４５】
なお，図３は，カソード３００の概略的な分解斜視図である。図４は，図３に示すカソード３００を結合した状態で一部分を切開した概略的な部分切開斜視図である。図５は，図４に示すカソード３００のＣ部分の概略的な拡大図である。
【００４６】
図３に示すように，カソード３００は，回動軸３１２が設置された絶縁体（ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）３１０と，絶縁体３１０の上下両面に付着された２つのカソード電極３２０と，カソード電極３２０のエッジ面がプラズマにより損傷されることを防止するカソード電極保護カバー３３０と，カソード電極３２０に安着されたＬＣＤ用ガラス母基板３０５を強く押圧し固定してカソード電極３２０からＬＣＤ用ガラス母基板３０５が離脱することを防止する２枚のＬＣＤ用ガラス母基板クランピング装置（クランプ機構）３４０と，ＬＣＤ用ガラス母基板３０５をカソード電極３２０から所定高さで離隔させるＬＣＤ用ガラス母基板リフト装置３５０から構成される。
【００４７】
カソード３００についてより具体的に説明する。図３に示すように，絶縁体３１０は，略直四角形のブロック形状を有し，絶縁体３１０の上下両面で側面と連結される例えば４つ（個）のエッジの中で，例えば３個のエッジに上下面と側面にわたって各々収納溝３１４が形成されている。また，図示のように，上面に形成された収納溝３１４と下面に形成された収納溝３１４は各々一定間隔で離隔され，例えば収納溝３１４は略六面体形状に形成されている。
【００４８】
上記のように，絶縁体３１０に形成された各々の収納溝３１４には，ＬＣＤ用ガラス母基板リフト装置３５０が設置されている。ＬＣＤ用ガラス母基板リフト装置３５０は，図３に示すように，略棒形状で所定長さを持つリフト棒３５２と，略直四角形プレート形状で一側端部がリフト棒３５２の下端部３５２ａに実質的に直角で結合されたリフトピンサポートプレート３５４と，リフトピンサポートプレート３５４の上面の他側端部にリフト棒３５２の変位と略同一方向に変位を持つように設置されたリフトピン３５６と，リフト棒３５２に挿入された引張スプリング３５８から構成されている。
【００４９】
絶縁体３１０の収納溝３１４に上述の構成要素を包含したＬＣＤ用ガラス母基板リフト装置３５０が収納されると，絶縁体３１０の上下両面には，カソード電極３２０が結合されて固定される。
【００５０】
上記カソード電極３２０は，所定厚さを持ち，絶縁体３１０の平面面積と略同一な平面面積を持つ平らな厚い板形状である。収納溝３１４に収納されたＬＣＤ用ガラス母基板リフト装置３５０のリフト棒３５２とリフトピン３５６に対応するカソード電極３２０には，各々リフト棒結合孔３２２およびリフトピン結合孔３２４が形成されている。この時，リフト棒結合孔３２２が形成されたカソード電極３２０のエッジ３２６は，リフトピン結合孔３２４が形成された部分よりも多少低い段差が形成されている。
【００５１】
カソード電極３２０の大部分は，ＬＣＤ用ガラス母基板３０５によりカバーされてプラズマにより損傷されない。しかし，カソード電極３２０のエッジ３２６部分は，露出した状態であるために，その状態でプラズマ工程を行うと，プラズマにより激しく損傷される。
【００５２】
従って，本実施の形態によれば，カソード電極３２０のエッジ３２６の損傷を防止するために，カソード電極３２０のエッジ３２６にはプラズマにより損傷しないカソード電極保護カバー３３０が設けられている。カソード電極保護カバー３３０は，段差が形成されたカソード電極３２０のエッジ３２６部分に結合されている。
【００５３】
また，カソード電極保護カバー３３０は，略四角形フレーム形状（略枠状）であり，カソード電極３２０の段差部分と凹凸結合されてカソード電極３２０のエッジ３２６部分をカバーしている。この時，カソード電極保護カバー３３０には，ＬＣＤ用ガラス母基板リフト装置３５０のリフト棒３５２がカソード電極保護カバー３３０の外部に突出するように，リフト棒３５２と対応する位置にリフト棒貫通孔３３２が形成されている。
【００５４】
また，カソード電極保護カバー３３０の材質は，プラズマにより容易に損傷されないセラミックス（ｃｅｒａｍｉｃ）材を使用することが好ましい。また，カソード電極保護カバー３３０の上面の高さは，カソード電極３２０の上面の高さより多少高いことが好ましい。すなわち，カソード電極保護カバー３３０は，カソード電極保護カバー３３０が相対的に高く位置し，カソード電極３２０が相対的に低く位置するような段差を形成して製作する。
【００５５】
このように，カソード電極保護カバー３３０の上部には，ＬＣＤ用ガラス母基板クランピング装置３４０が設置される。ＬＣＤ用ガラス母基板クランピング装置３４０は，略棒形状のフレームをＬＣＤ用ガラス母基板に対して実質的に対等（同等）な直径を持つように折曲して形成した略四角形のリング形状のホールドフレーム３４２と，ホールドフレーム３４２に沿って複数個が設置されてＬＣＤ用ガラス母基板３０５を直接押圧するクランプ３４５から構成されている。
【００５６】
（３）クランプの構成
次に，クランプ３４５の構成について説明する。なお，図６は，本実施の形態によるクランプ３４５を示す概略的な断面図である。図７は，カソード電極３２０の平面の高さよりも高い位置に配置されたカソード電極保護カバー３３０による作用を説明するための概略的な説明図である。図８は，クランプ３４５を作動させるかけバー駆動装置３６９を説明するための概略的な概念図である。
【００５７】
図６に示すように，クランプ３４５は，略円筒形状で，ホールドフレーム３４２に固定される固定ロッド３４５ａと，固定ロッド３４５ａを挿入可能な内径の開口が形成された略円形板形状であるクランプ板３４５ｂと，クランプ板３４５ｂを押圧するために固定ロッド３４５ａに挿入されたスプリング３４５ｃと，固定ロッド３４５ａおよびスプリング３４５ｃがプラズマにより損傷されることを防止するためにスプリング３４５ｃの外部に挿入された略円筒形状のクランプカバー３４５ｄから構成されている。
【００５８】
従って，図６に示すように，クランプ３４５の中でＤ区間またはＥ区間がカソード電極３２０の上面に安着されたＬＣＤ用ガラス母基板３０５のエッジを押圧した時には，ＬＣＤ用ガラス母基板３０５はクランプ板３４５ｂを強く押圧するスプリング３４５ｃの弾性力により傾いた状態で，カソード電極３２０に安着されたＬＣＤ用ガラス母基板３０５のエッジ面を強く押圧する。この時，クランプ板３４５ｂが突出されたＬＣＤ用ガラス母基板３０５のエッジに加わる力は，クランプ板３４５ｂに対して略垂直方向に作用するようになる。
【００５９】
また，ホールドフレーム３４２には，上述のＬＣＤ用ガラス母基板リフト装置３５０のリフト棒３５２が結合されるリフト棒結合孔３４６が形成されている。また，ホールドフレーム３４２のリフト棒結合孔３４６を除外した残りの部分には，一定間隔で上述のクランプ３４５が設置されるためのクランプ結合孔３４８が設置されている。リフト棒結合孔３４６に結合されたリフト棒３５２の端部は，締結ねじによりホールドフレーム３４２に堅固に結合される。同時に，クランプ３４５も，クランプ結合孔３４８に締結ねじにより堅固に結合される。
【００６０】
また，図８に示すように，ホールドフレーム３４２の４個のエッジに該当するプラズマエッチングチャンバ２００には，かけバー駆動装置３６９が設置されている。かけバー駆動装置３６９は，流体圧シリンダなどの駆動装置３６９ｂと，駆動装置３６９ｂに結合された回動ロッド３６９ａと，回動ロッド３６９ａの端部に形成されたかけバーフィンガー３６９ｃから構成されている。また，かけバーフィンガー３６９ｃは，上下変位が発生するとともに直角回動も可能に設計されている。上記かけバーフィンガー３６９ｃに対応するホールドフレーム３４２には，ホールドフレーム３４２から長く突出したかけバー３４９が形成されている。
【００６１】
図７に示すように構成されたカソード３００の中で，ＬＣＤ用ガラス母基板３０５の中心部と対応するカソード電極３２０にギャップが発生することを防止するためには，カソード電極３２０にカソード電極保護カバー３３０が結合された時に，カソード電極３２０の上面の高さよりもカソード電極保護カバー３３０の上面の高さを少なくとも０．１ｍｍ以上，好ましくは０．１ｍｍ〜０．２ｍｍ（ΔＴ）以上高く製作することが必要である。
【００６２】
このように，本実施の形態によれば，カソード電極３２０の上面（ＬＣＤ用ガラス母基板３０５の載置面）に比べ，カソード電極３３０のエッジ３２６（周縁部）に結合されたセラミックス材質のカソード電極保護カバー３３０の上面（ＬＣＤ用ガラス母基板クランピング装置３４０により，ＬＣＤ用ガラス母基板３０５を介して押圧される押圧面）の高さが多少高く形成されている。このため，ＬＣＤ用ガラス母基板３０５がＬＣＤ用ガラス母基板クランピング装置３４０のクランプ３４５により強く加圧された時に，ＬＣＤ用ガラス母基板３０５とカソード電極保護カバー３３０との間に離隔空間が発生する。その結果，ＬＣＤ用ガラス母基板３０５のエッジが曲がり，ＬＣＤ用ガラス母基板３０５の中央部がカソード電極３２０と離隔されることを完全に防止することができる。
【００６３】
かかる構成についてより具体的に説明すると，図７に示すように，ＬＣＤ用ガラス母基板クランピング装置３４０のクランプ３４５がＬＣＤ用ガラス母基板３０５のエッジ面を強くクランピングする場合には，クランプ３４５がＬＣＤ用ガラス母基板３０５に作用する力がクランプ３４５の傾斜面に対して略垂直方向に働く。
【００６４】
ここで，上述のようにＬＣＤ用ガラス母基板３０５に作用する力について，さらにベクトル的に解析（分解）する。上記力は，
【００６５】
【数１】
0004487026.tif 000002
【００６６】
と
【００６７】
【数２】
0004487026.tif 000003
【００６８】
に分けられる。その中で
【００６９】
【数３】
0004487026.tif 000004
【００７０】
は，力の方向が，ＬＣＤ用ガラス母基板３０５のエッジからＬＣＤ用ガラス母基板３０５の中心方向に全てのクランプ３４５でＬＣＤ用ガラス母基板３０５のエッジを押圧する場合，ＬＣＤ用ガラス母基板３０５のエッジからＬＣＤ用ガラス母基板３０５の中央へは
【００７１】
【数４】
0004487026.tif 000005
【００７２】
の力が伝達される。
【００７３】
さらに，ＬＣＤ用ガラス母基板３０５の中央部よりＬＣＤ用ガラス母基板３０５のエッジ部分が実質的に０．１ｍｍ〜０．２ｍｍ程度高いために，ＬＣＤ用ガラス母基板３０５の全体形状は略凹プレート形状になってカソード電極３２０とＬＣＤ用ガラス母基板３０５の中央部にギャップが発生せず，相互に密着させることができる。
【００７４】
（４）実施例
次に，表１〜表４を参照しながら，本実施の形態の実施例について説明する。なお，表１〜表４は，上記のようにカソード電極３２０の上面よりもカソード保護カバー３３０を０．１ｍｍ〜０．２ｍｍ程度高く設定した時のフォトレジスト膜のバーニングの発生有無を実験したデータである。
【００７５】
具体的に説明すると，表１〜表４は，２個が設置されたカソード電極３２０の中でいずれか一つのカソード電極保護カバーを，カソード電極に比して０．１ｍｍ〜０．２ｍｍ程度高く設定して，もう一方の残りのカソード電極保護カバーはカソード電極と同一に設定するか，あるいはカソード電極よりも低く設定した状態でプラズマエッチング工程を実行し，フォトレジスト膜のバーニング有無をテストした実験結果である。
【００７６】
【表１】
0004487026.tif 000006
【００７７】
表１は，チャンバＢに設置されたカソードに設置された２個のカソード電極Ａ，Ｂに各々異なるカソード電極保護カバー，すなわちカソード電極Ａにはカソード電極に比べて０．１ｍｍ〜０．２ｍｍ程度高く設定されたカソード電極保護カバーを結合し，カソード電極Ｂには従来と同一のカソード電極より低いカソード電極保護カバーを結合した状態で同一条件で実験した場合のデータである。この場合，カソード電極Ａでは，フォトレジスト膜にバーニングが全く発生しなかった。これに対して，カソード電極Ｂでは，フォトレジスト膜にバーニングが発生した。
【００７８】
【表２】
0004487026.tif 000007
【００７９】
表２は，カソード電極Ｂとカソード電極Ａに結合されたカソード電極保護カバーを，表１に示す場合と反対に結合した後に同一条件で実験した結果を示すものである。なお，表２は，カソード電極Ｂ自体の欠陥によりカソード電極Ｂでフォトレジスト膜のバーニングが発生したかを比較するための実験である。実験の結果，表１に示す場合（以前）には，全くフォトレジスト膜のバーニングが発生しなかったカソード電極Ａでフォトレジストバーニングが発生した。これに対して，カソード電極Ｂでは，フォトレジスト膜のバーニングは発生したかった。
【００８０】
【表３】
0004487026.tif 000008
【００８１】
表３は，カソード電極Ａ，カソード電極Ｂの全てにカソード電極よりも０．１ｍｍ〜０．２ｍｍ高いカソード電極保護カバーを結合した後に同一条件で実験した結果である。実験の結果，カソード電極Ａとカソード電極Ｂの全てで，フォトレジスト膜のバーニングは発生しなかった。
【００８２】
【表４】
0004487026.tif 000009
【００８３】
表４は，チャンバＢとチャンバＣを比較実験した結果である。チャンバＣのカソード電極Ａとカソード電極Ｂには，上記チャンバＢの実験の結果，フォトレジスト膜のバーニングが全く発生したかったチャンバＢのカソード電極Ａとカソード電極Ｂに結合したカソード電極保護カバーを分離して結合した後に，チャンバＢと同一な条件で実験した。実験の結果，チャンバＣでも，チャンバＢと同様にフォトレジスト膜のバーニングは，全く発生しなかった。
【００８４】
また，４６枚のＬＣＤ用ガラス母基板３０５に対して，カソード電極保護カバーがカソード電極より高く形成されたチャンバで，実際にプラズマエッチング処理を行った場合にも，上述したテスト時と同一な結果と同様にフォトレジスト膜のバーニングが全く発生しなかった。
【００８５】
以上のように，表３または表４に示す実験の結果，フォトレジスト膜のバーニングが発生しなかった理由は，カソード電極保護カバーをカソード電極よりも０．１ｍｍ〜０．２ｍｍ程度高く設置することにより，カソード電極とＬＣＤ用ガラス母基板３０５とが相互に密着し，カソード電極の冷却性能が十分に発揮されて，ＬＣＤ用ガラス母基板３０５が十分に冷却されからである。
【００８６】
（５）高周波電力の供給制御
次に，高周波電力の供給構成について説明する。表３と表４の実験結果に示すように，フォトレジスト膜のバーニングを防止するためには，必ずカソード電極３２０とＬＣＤ用ガラス母基板３０５が密着された状態でプラズマエッチング工程を行わなければならない。ただし，そのような状態でプラズマエッチング工程を進行した後に，ＬＣＤ用ガラス母基板３０５をＬＣＤ用ガラス母基板リフト装置３５０のリフトピンが持ち上げる時，ＬＣＤ用ガラス母基板３０５とカソード電極３２０との間に強力な静電気（力）が発生して，ＬＣＤ用ガラス母基板３０５がカソード電極から脱離せず，曲がるようになる場合がある。
【００８７】
従って，上記静電気を除去するために，ＲＦ電力（電源）印加装置から回動軸に印加されるＲＦ電力の強さを少なくとも１秒以上，好ましくは５秒間連続的に減少させる。かかる構成により，ＬＣＤ用ガラス母基板３０５とカソード電極との間に発生した静電気を除去することができる。その結果，離脱時に，ＬＣＤ用ガラス母基板３０５が曲がったり，あるいは反ったりせず，ＬＣＤ用ガラス母基板３０５に無理な力が加わらないので，ＬＣＤ用ガラス母基板３０５の損傷を防止できる。
【００８８】
（６）ＬＣＤモジュールの構成
次に，図４を参照しながら，上述したプラズマエッチング装置５００を用いて製造されるＬＣＤモジュールの構成について説明する。なお，図４に示す符号３０７は，ＬＣＤ用ガラス母基板に形成されたＬＣＤ素子（基板）を示している。この時，ＬＣＤ素子は，薄膜トランジスタと透明ＩＴＯ画素電極が形成されたＴＦＴ基板，またはＲＧＢ画素と共通電極が形成されたカラーフィルタ基板の中でいずれかの一つである。
【００８９】
このようにフォトレジスト膜のバーニングを防止した状態でプラズマエッチングが終了されたＬＣＤ用ガラス母基板３０５は，半導体薄膜を形成する過程と，フォトレジストを塗布する過程と，露光フォトレジストを形成するパターンに適合に現状する過程と，プラズマエッチングを実行する過程とを数回反復しながらＬＣＤ用ガラス母基板が形成される。
【００９０】
以後，ＴＦＴ基板が形成されたＬＣＤ用ガラス母基板や，カラーフィルタ基板が形成されたＬＣＤ用ガラス母基板は，さらにアラインメントされた後に重ね合わされ，重畳された状態で，２枚のＬＣＤ用ガラス母基板の間，具体的には共通電極と画素電極との間にキャパシタンスの誘電体役割をするとともに二つの電極間の電気場の強さによって配列角が相異になることにより光シャッタ役割を実行する液晶が，漏泄（漏洩）されないように数μｍの厚さで充填される。
【００９１】
次に，ＴＦＴ基板の薄膜トランジスタに指定された階調電圧が入力されるようにするために，外部入力信号が入力される印刷回路基板および薄膜トランジスタがライン単位でターン・オンされるように，ターン・オン信号が外部から入力される印刷回路基板が駆動ドライブＩＣ（集積回路）が設置されたテープキャリヤパッケージという媒介体により，ＴＦＴ基板が設置されて液晶表示パネルが完成する。このように形成された液晶表示パネルには，バックライトアセンブリという光供給装置が設置されてＬＣＤモジュールが製作される。
【００９２】
以上，本発明の好適な実施の一形態について，添付図面を参照しながら説明したが，本発明はかかる構成に限定されるものではない。特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇において，当業者であれば，各種の変更例および修正例に想到し得るものであり，それら変更例および修正例についても本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【００９３】
例えば，上記実施の形態において，ＬＣＤ用ガラス母基板に形成された半導体薄膜層をプラズマエッチングする場合について説明したが，本発明はかかる構成に限定されない。例えば，他の実施の形態としては，半導体素子パターンが形成されるウェハをカソード電極に安着した後に，ウェハのフレットジョーン（周縁部）をクランピングして，プラズマによりウェハをプラズマエッチングする時にも，本発明を適用することができる。かかる場合でも，カソード電極の高さよりカソード電極保護カバーを高く設置した後にプラズマエッチングすることにより，ウェハがカソード電極に密着し，ウェハの上面に形成されたフォトレジスト膜のバーニングを防止することができる。
【００９４】
【発明の效果】
以上のように本発明によれば，カソード電極をプラズマから保護する単純な役割をするカソード電極保護カバーの高さをカソード電極より多少高く形成し，ＬＣＤ用ガラス母基板の中央部とそれに対応するカソード電極部分にギャップが発生することを防止することにより，プラズマにより高温状態であるＬＣＤ用ガラス母基板がＬＣＤ用ガラス母基板に比べて相対的に低温であるカソード電極により冷却され，フォトレジスト膜のバーニング発生を画期的に減少させることができ，ＬＣＤモジュールを製作する時に重要な役割をする液晶表示パネルの不良を最小化する効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を適用可能なプラズマエッチング装置を全体的に示す概略的な斜視図である。
【図２】図１に示すプラズマエッチング装置をＢ−Ｂ線に沿って切断した概略的な断面図である。
【図３】図１に示すプラズマエッチング装置のカソードの概略的な分解斜視図である。
【図４】図３に示すカソードを結合した状態で一部分を切開した概略的な部分切開斜視図である。
【図５】図４に示すカソードのＣ部分を示す概略的な拡大図である。
【図６】図１に示すプラズマエッチング装置のクランプを示す概略的な断面図である。
【図７】図１に示すプラズマエッチング装置のカソード電極の平面高さよりも高いカソード電極保護カバーによる作用を説明するための概略的な説明図である。
【図８】図１に示すプラズマエッチング装置のクランプを作動させるかけバー駆動装置を説明するための概略的な概念図である。
【図９】従来のＬＣＤ用ガラス母基板に形成されたＴＦＴ素子の概略的な断面図である。
【図１０】従来のプラズマエッチング装置のカソードの中で一部分を示す概略的な部分斜視図である。
【図１１】図１０に示す従来のカソードをＡ−Ａ線に沿って切断した概略的な断面図である。
【図１２】図１０に示す従来のクランプによりＬＣＤ用ガラス母基板を押圧固定した時に，カソードとＬＣＤ用ガラス母基板の中央部分でギャップが発生したことを示す概略的な概念図である。
【図１３】従来のプラズマエッチング装置でＬＣＤ用ガラス母基板にプラズマエッチング処理を施した場合に，６枚のＬＣＤパネルが形成されたＬＣＤ用ガラス母基板にフォトレジスト膜のバーニングが発生した部分を示す概略的な平面図である。
【符号の説明】
１５０      カソード回動装置
１６０      プラズマソースガス供給装置
１８０      ＲＦジェネレータ
２００      プラズマチャンバ
２１０      ＬＣＤ用ガラス母基板ドア
３００      カソード
３０５      ＬＣＤ用ガラス母基板
３１０      絶縁体
３１２      回動軸
３１４      収納溝
３２０      カソード電極
３２２      リフト棒結合孔
３２４      リフトピン結合孔
３２６      エッジ
３３０      電極保護カバー
３４０      ＬＣＤ用ガラス母基板クランピング装置
３４２      ホールドフレーム
３４５      クランプ
３４５ａ    固定ロッド
３４５ｂ    クランプ板
３４５ｃ    スプリング
３４５ｄ    クランプカバー
３４６      リフト棒結合孔
３４８      結合孔
３４９      かけバー
３５０      ＬＣＤ用ガラス母基板リフト装置
３５２      リフト棒
３５４      リフトピンサポートプレート
３５６      リフトピン
３５８      引張スプリング
３６９      かけバー駆動装置
３６９ａ    回動ロッド
３６９ｂ    駆動装置
３６９ｃ    かけバーフィンガー
４００      アノード
４５０      排気装置
５００      プラズマエッチング装置
【図１】
0004487026.tif 000010
【図２】
0004487026.tif 000011
【図３】
0004487026.tif 000012
【図４】
0004487026.tif 000013
【図５】
0004487026.tif 000014
【図６】
0004487026.tif 000015
【図７】
0004487026.tif 000016
【図８】
0004487026.tif 000017
【図９】
0004487026.tif 000018
【図１０】
0004487026.tif 000019
【図１１】
0004487026.tif 000020
【図１２】
0004487026.tif 000021
【図１３】
0004487026.tif 000022