(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された電極と、該電極を覆うように前記基板上に形成されたシリカ系絶縁被膜と、該シリカ系絶縁被膜上に形成された誘電体層とを備えてなり、
前記シリカ系絶縁被膜が、下記一般式（１）
Ｒ１４−ｎＳｉ（ＯＲ２）ｎ                  （１）
（式中、Ｒ１は炭素数１〜３のアルキル基、フェニル基であり；Ｒ２は炭素数１〜３のアルキル基であり、ｎは２〜４の整数である）で表されるアルコキシシラン化合物の少なくとも１種を加水分解して得られる反応生成物を含有するシリカ系絶縁被膜形成用溶液を用いて得られた絶縁被膜であることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項２】
前記電極が、透明電極とその上に設けられたバス電極とから構成されていることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３】
前記バス電極が、前記シリカ系絶縁被膜との接触面の少なくとも一部に銅を有する電極であることを特徴とする請求項２に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項４】
前記シリカ系絶縁被膜の膜厚が０．１μｍ〜２μｍであることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項５】
基板上に形成された電極と、該電極を覆うように前記基板上に形成されたシリカ系絶縁被膜と、該シリカ系絶縁被膜上に形成された誘電体層とを備えてなるプラズマディスプレイパネルの前記シリカ系絶縁被膜を形成するためのプラズマディスプレイパネルのシリカ系絶縁被膜形成用組成物であって、
下記一般式（１）
Ｒ１４−ｎＳｉ（ＯＲ２）ｎ                  （１）
（式中、Ｒ１は炭素数１〜３のアルキル基、フェニル基であり；Ｒ２は炭素数１〜３のアルキル基であり、ｎは２〜４の整数である）で表されるアルコキシシラン化合物の少なくとも１種を加水分解して得られる反応生成物を含有することを特徴とするプラズマディスプレイパネルのシリカ系絶縁被膜形成用組成物。
【請求項６】
請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
基板上に電極を形成した後、該電極を覆うように前記基板上に請求項５に記載のシリカ系絶縁被膜形成用組成物を塗布し、得られた塗布膜を焼成してシリカ系絶縁被膜を形成し、該シリカ系絶縁被膜が形成された基板上に誘電体層形成用組成物を層状に形成し、得られた誘電体形成用組成物層を焼成して誘電体層を形成することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、気体放電を用いた自発光形式のプラズマディスプレイにおけるプラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰと記す）及びその製造方法及びプラズマディスプレイパネルのシリカ系絶縁被膜形成用組成物に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
放電現象を利用して多数の微細なセルを自己発光させることにより画像を形成するプラズマディスプレイは、大画面、薄型、軽量、フラットという、従来のディスプレイでは実現できなかった、優れた特徴を有しており、その普及が図られている。
【０００３】
従来のプラズマディスプレイは、縦方向にリブを入れたストレート構造のセルが主流であった。近年では、プラズマディスプレイ前面への効率的な導光を図るため、縦方向だけでなく横方向にもリブを入れたワッフル構造のセルも開発されている。セルをワッフル構造にすることで、隣接セルからの漏光を防ぎ、極めて高効率な前面への導光を実現できる（特許文献１）。
【０００４】
図１は、従来のＰＤＰの前面板を示す要部断面図である。ＰＤＰはＡＣ型、ＤＣ型、表示色、対向放電、面放電などにより分けることができるが、例えば、一般的なＡＣ型三電極面放電ＰＤＰは、図１のように透明電極１４とバス電極１８からなる複合電極１１、誘電体層、保護膜が形成された前面板と、アドレス電極、誘電体層、リブ、蛍光体が形成された背面板とが対向して配設され、一体化されてなる表示素子である。なお、バス電極１８としては、Ｃｒ（クロム）／Ｃｕ（銅）／Ｃｒ（クロム）から成る三層構造のバス電極等も使用される。このようなＰＤＰでは、前面板１の複合電極１１間に交流電源から所定の電圧を印加して電場を形成することにより、発光セル内で放電が行われ、この放電により生じる紫外線により蛍光体を発光させる。
【０００５】
このような前面板１を製造する方法としては、スクリーン印刷法やホトリソグラフィー法を利用した製造方法が挙げられるが、スクリーン印刷法を利用した製造方法では、パターンの位置精度が悪いという問題があった。
【０００６】
複数の電極が形成された基板上に低融点ガラスからなる誘電体層を直接形成すると、材質の異なる電極面と基板面に対する低融点ガラスの濡れ特性及び熱伝導率の差異により誘電体層の厚さが不均一になり、絶縁耐圧が低下する問題があった。
これを解決するために、特許文献２では、基板面と誘電体層との間に絶縁用無機材料、例えばＭｇＯ，ＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3，ＣｒＯ等からなる中間層を形成することが開示されている。
【０００７】
また、下地の電極と、その上に形成される誘電体層との濡れ特性を改善するために、特許文献３では、膜厚５００Å以下のシロキサン系薄膜又は酸化チタン系薄膜を形成している。さらに、特許文献４は、３μｍ以上の膜厚の誘電体層をクラック及び剥離を伴わずに形成するために、少なくとも−Ｓｉ−Ｏ−結合を有する高分子化合物と、易分解性樹脂との混合物からなる被膜を基板に形成した後、加熱又はエネルギー線の照射により誘電体層を形成している。
【０００８】
誘電体層を形成する方法としては、バインダーに分散した低融点ガラスをスクリーン印刷法、グリーンシート法で形成する場合があるが、その場合、形成したバインダーを除去し、ガラスをリフローさせるために、その低融点ガラス層を５００〜６００℃の温度で焼成する工程が必要である。この焼成時に、バス電極または透明電極周辺に、泡状の異物が発生する現象が確認された。そして、この電極に発生した泡状の異物によって電極に所定の駆動電圧が印加できない等の問題があった。
【０００９】
この問題を解決するために、特許文献５では、透明電極とバス電極との間に、ＳｉＯ2，Ｓｉ3Ｎ4のようなシリコンの窒素化合物膜や、酸窒化シリコン膜（ＳｉＯＮ）のようなシリコンの酸窒素化合物膜、燐珪酸ガラス膜、硼珪酸ガラス膜等の絶縁膜を介在させている。
【００１０】
【特許文献１】特開２００４−３５５８８１号公報
【特許文献２】特開昭６２−１９４２２５号公報
【特許文献３】特開２０００−２６０３３２号公報
【特許文献４】特開２００１−１３５２２２号公報
【特許文献５】特開平８−１３１６８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、特許文献５では透明電極とバス電極との間に、シリコンの窒素化合物膜や燐珪酸ガラス膜等の絶縁膜を介在させているが、バス電極が絶縁膜で覆われていないために、泡状の異物の発生を十分に抑制することが困難であり、依然として電極に所定の駆動電圧が印加できないという問題点があった。
【００１２】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、電極の酸化を防止し泡状の異物の発生を抑制することにより、所定の駆動電圧を印加し得るプラズマディスプレイパネル及びその製造方法及びプラズマディスプレイパネルのシリカ系絶縁被膜形成用組成物を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルは、基板上に形成された電極と、該電極を覆うように前記基板上に形成されたシリカ系絶縁被膜と、該シリカ系絶縁被膜上に形成された誘電体層とを備えてなることを特徴とする。
【００１４】
請求項１に記載の発明によれば、基板上に形成された電極を覆うように基板上にシリカ系絶縁被膜が形成されているので、電極を備えた基板を高温で焼成しても、シリカ系絶縁被膜が電極を覆っているため、電極は酸素に触れることなく泡状の異物が発生するのを防止できる。
【００１５】
また、本発明の請求項２に記載のプラズマディスプレイパネルにあっては、電極が、透明電極とその上に設けられたバス電極とから構成されていることを特徴とする。
【００１６】
請求項２に記載の発明によれば、電極が透明電極とその上に設けられたバス電極とから構成されるので、透明電極及びバス電極が共にシリカ系絶縁被膜で覆われるため、透明電極及びバス電極は酸素に接触するのを妨げられ、泡状の異物が発生するのを防止できる。
【００１７】
また、本発明の請求項３に記載のプラズマディスプレイパネルにあっては、バス電極が、シリカ系絶縁被膜との接触面の少なくとも一部に銅を有する電極であることを特徴とする。
【００１８】
請求項３に記載の発明によれば、バス電極の少なくとも一部が銅で形成されていても、酸化し易い銅部分がシリカ系絶縁被膜で覆われているので、この銅部分に酸素が接触するのが妨げられ、泡状の異物が発生するのを防止できる。
【００１９】
また、本発明の請求項４に記載のプラズマディスプレイパネルにあっては、シリカ系絶縁被膜の膜厚が０．１μｍ〜２μｍであることを特徴とする。
【００２０】
請求項４に記載の発明によれば、基板上に形成されるシリカ系絶縁被膜の膜厚が０．１μｍ〜２μｍの範囲であるので、クラックのないシリカ系絶縁被膜を形成することができる。
【００２１】
また、本発明の請求項５に記載のプラズマディスプレイパネルにあっては、シリカ系絶縁被膜が、下記一般式（１）
Ｒ14-nＳｉ（ＯＲ2）n                  （１）
（式中、Ｒ1は炭素数１〜３のアルキル基、フェニル基であり；Ｒ2は炭素数１〜３のアルキル基であり、ｎは２〜４の整数である）で表されるアルコキシシラン化合物の少なくとも１種を加水分解して得られる反応生成物を含有するシリカ系絶縁被膜形成用溶液を用いて得られた絶縁被膜であることを特徴とする。
【００２２】
請求項５に記載の発明によれば、所定のアルコキシシラン化合物の少なくとも１種を加水分解して得られる反応生成物を含有するシリカ系絶縁被膜形成用溶液を用いて得られたシリカ系絶縁被膜を使用するので、緻密で耐熱性のある絶縁被膜で基板上に形成された電極を覆うため、金属層の酸化を効果的に防止し、泡状の異物の発生が抑制され、請求項１に記載の発明と同様な効果をより確実に得ることができる。
【００２３】
また、本発明の請求項６に記載のプラズマディスプレイパネルのシリカ系絶縁被膜形成用組成物にあっては、基板上に形成された電極と、該電極を覆うように前記基板上に形成されたシリカ系絶縁被膜と、該シリカ系絶縁被膜上に形成された誘電体層とを備えてなるプラズマディスプレイパネルの前記シリカ系絶縁被膜を形成するためのプラズマディスプレイ用シリカ系絶縁被膜形成用組成物であって、
下記一般式（１）
Ｒ14-nＳｉ（ＯＲ2）n                  （１）
（式中、Ｒ1は炭素数１〜３のアルキル基、フェニル基であり；Ｒ2は炭素数１〜３のアルキル基であり、ｎは２〜４の整数である）で表されるアルコキシシラン化合物の少なくとも１種を加水分解して得られる反応生成物を含有することを特徴とする。
【００２４】
請求項６に記載の発明によれば、プラズマディスプレイパネルのシリカ系絶縁被膜を形成するためのシリカ系絶縁被膜形成用組成物が所定のアルコキシシラン化合物の少なくとも１種を加水分解して得られる反応生成物を含有するので、緻密で耐熱性のある絶縁被膜で基板上に形成された電極を覆うため、金属層の酸化を効果的に防止し、泡状の異物の発生が抑制され、請求項１に記載の発明と同様な効果をより確実に得ることができる。
【００２５】
また、本発明の請求項７に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法にあっては、基板上に電極を形成した後、該電極を覆うように前記基板上に請求項６に記載のシリカ系絶縁被膜形成用組成物を塗布し、得られた塗布膜を焼成してシリカ系絶縁被膜を形成し、該シリカ系絶縁被膜が形成された基板上に誘電体層形成用組成物を層状に形成し、得られた誘電体形成用組成物層を焼成して誘電体層を形成することを特徴とする。
【００２６】
請求項７に記載の発明によれば、緻密で耐熱性のある絶縁被膜で基板上に形成された電極を覆うため、金属層の酸化を効果的に防止し、泡状の異物の発生が抑制されたプラズマディスプレイパネルを製造することができる。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によれば、電極を誘電体層で被覆した構成のプラズマディスプレイパネルにおいて、前記電極と誘電体との間に、緻密で耐熱性があるシリカ系絶縁被膜を介在させることで、金属層の酸化を防ぐことができるため、泡状の異物が発生しなくなる。上記絶縁被膜はシリカ系被膜であるため、前面板に対する要求性能である光透過率を低下させない。絶縁被膜の形成方法は、シリカ系絶縁被膜形成用溶液の塗布、ベーク処理によるので、真空設備を必要とせず、低コストで簡便である。また、シリカ系絶縁被膜により、基板表面凹凸がカバーされ、誘電体層形成時に泡噛みが発生し難くなるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下に、本発明に係るプラズマディスプレイパネル及びその製造方法及びプラズマディスプレイパネルのシリカ系絶縁被膜形成用組成物の実施の形態を詳細に説明する。なお、この実施の形態により本発明が限定されるものではない。
【００２９】
［プラズマディスプレイパネルの要部構成］
図１は、本発明によるプラズマディスプレイパネルの前面板を示す要部断面図である。
なお、図１は、背景技術におけるＰＤＰを説明する際に用いたが、本発明によるプラズマディスプレイパネルの前面板を説明する際にも援用する。
【００３０】
図１において、表示面となる透明基板１０上には、透明電極１４が形成されており、この透明電極１４上にはバス電極１８が形成されている。これらの透明電極１４及びバス電極１８により表示電極である複合電極１１が構成される。透明電極１４及びバス電極１８を覆って、透明基板１０上にシリカ系絶縁被膜３０が形成されている。シリカ系絶縁被膜３０は、後述するシリカ系絶縁被膜形成用組成物を用いて形成される。シリカ系絶縁被膜３０上には、誘電体層１２が形成されている。
【００３１】
［シリカ系絶縁被膜形成用組成物］
上記シリカ系絶縁被膜は、以下のようなシリカ系絶縁被膜形成用組成物から形成される。シリカ系絶縁被膜形成用組成物は、下記一般式（１）
Ｒ14-nＳｉ（ＯＲ2）n                  （１）
（式中、Ｒ1は炭素数１〜３のアルキル基、フェニル基であり；Ｒ2は炭素数１〜３のアルキル基であり、ｎは２〜４の整数である）で表されるアルコキシシラン化合物の少なくとも１種を加水分解して得られる反応生成物を含有する。シリカ系絶縁被膜は、このようなシリカ系絶縁被膜形成用組成物を用いて得られた絶縁被膜である。
【００３２】
上記一般式（１）で表わされるアルコキシシラン化合物としては、下記一般式（２）〜（４）で表される化合物が挙げられる。
Ｒ12Ｓｉ（ＯＲ2）2                     （２）
Ｒ1Ｓｉ（ＯＲ2）3                      （３）
Ｓｉ（ＯＲ2）4                         （４）
なお、式（２）〜（４）中、Ｒ1，Ｒ2，ｎは、式（１）と同じ意味である。
【００３３】
上記アルコキシシラン化合物は、具体的には、モノメチルトリメトキシシラン、モノメチルトリエトキシシラン、モノメチルトリプロポキシシラン、モノエチルトリメトキシシラン、モノエチルトリエトキシシラン、モノエチルトリプロポキシシラン、モノプロピルトリメトキシシラン、モノプロピルトリエトキシシラン、モノプロピルトリプロポキシシラン、モノフェニルトリメトキシシラン、モノフェニルトリエトキシシラン、モノフェニルトリプロポキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジメチルジプロポキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、ジエチルジプロポキシシラン、ジプロピルジメトキシシラン、ジプロピルジエトキシシラン、ジプロピルジプロポキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、ジフェニルジプロポキシシラン、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラプロポキシシランなどを例示することができる。
【００３４】
シリカ系絶縁被膜は、これらのアルコキシシラン化合物の１種、又は２種以上を組み合わせて用いることができる。アルコキシシラン化合物を２種以上組み合わせて用いる場合、その組合せについて特に制限はなく、任意の組合せが可能であるが、実用上好ましい組合せとしては、Ｒ1Ｓｉ（ＯＲ2）3とＲ12Ｓｉ（ＯＲ2）2とＳｉ（ＯＲ2）4との組合せ、Ｒ1Ｓｉ（ＯＲ2）3とＳｉ（ＯＲ2）4との組合せ、Ｓｉ（ＯＲ2）4とＲ12Ｓｉ（ＯＲ2）2との組合せを挙げることができる。
【００３５】
シリカ系絶縁被膜形成用溶液は、シリカ系絶縁被膜形成用組成物から調製される。シリカ系絶縁被膜形成用溶液の調製に、Ｓｉ（ＯＲ2）4のみを用いる場合、得られる溶液の粘性が不足し、１回の塗布ではおよそ０．４μｍの厚さの被膜が得られる。厚膜を形成させるには、多数の塗布操作を繰り返して行う。これに対し、Ｓｉ（ＯＲ2）4に、Ｒ1Ｓｉ（ＯＲ2）3やＲ12Ｓｉ（ＯＲ2）2を組み合わせた場合、またはＲ1Ｓｉ（ＯＲ2）3やＲ12Ｓｉ（ＯＲ2）2を単独で用いた場合、加水分解後にまだ有機基が残存するため、得られる溶液は適度の粘性を有し、１回の塗布で１μｍ又はそれ以上の膜厚を与えることができる。
【００３６】
本発明において、クラックのないシリカ系絶縁被膜を形成するために、形成されるシリカ系絶縁被膜の膜厚は、０．１μｍ〜２μｍが好ましく、０．３μｍ〜１．８μｍがさらに好ましく、０．５μｍ〜１．５μｍが最も好ましい。好ましい膜厚を得るために、異なるアルコキシシラン化合物の混合割合を適宜変更することや、塗布回数を変更することができる。
【００３７】
アルコキシシラン化合物の混合割合は、Ｒ1Ｓｉ（ＯＲ2）3、Ｒ12Ｓｉ（ＯＲ2）2、Ｓｉ（ＯＲ2）4の各化合物において、Ｒ1Ｓｉ（ＯＲ2）3１モル当り、Ｒ12Ｓｉ（ＯＲ2）2の０〜２モル、Ｓｉ（ＯＲ2）4の０．５〜５モルが好ましく、またＲ12Ｓｉ（ＯＲ2）2とＳｉ（ＯＲ2）4との組合せでは、Ｓｉ（ＯＲ2）4１モル当り、Ｒ12Ｓｉ（ＯＲ2）2の０．２〜２モルの割合で用いるのが好ましい。ここで、アルコキシシラン混合物中のＳｉ（ＯＲ2）4の量が多くなると、形成される被膜は厚膜とならず、また被膜にクラックが生じやすくなるため好ましくない。一方、Ｒ1Ｓｉ（ＯＲ2）3やＲ12Ｓｉ（ＯＲ2）2が多くなると、耐熱性、耐湿性に優れた被膜を得ることができず、実用上好ましくない。従って、上記の範囲の膜厚が得られるように、アルコキシシラン化合物の混合割合や塗布回数を適宜調整することが望ましい。
【００３８】
本発明において、実用上特に好ましいアルコキシシラン化合物の組合せとしては、モノメチルトリメトキシシラン１モル部とテトラメトキシシラン１〜３モル部との組合せを挙げることができる。
【００３９】
本発明においては、上記アルコキシシラン化合物の少なくとも１種を有機溶媒中に溶解し、次に水を加えることにより加水分解して得られる反応生成物を含有するシリカ系絶縁被膜形成用溶液を使用する。この際に使用する有機溶媒としては、メチルアルコール、エチルアルコール、プロピルアルコール、ブチルアルコールのような一価アルコール、エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコールのような多価アルコール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテルのようなエーテル類、酢酸、プロピオン酸のような脂肪酸などを挙げることができる。これらの中で、一価アルコール、多価アルコール及びエーテル類が好適である。これらの有機溶媒は、それぞれ単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよく、また、その使用量については、通常アルコキシシラン化合物１００重量部当り、５０〜１００重量部の割合で用いられる。
【００４０】
上記一般式（１）で表わされるアルコキシシラン化合物に水を加える加水分解は、触媒の存在下、又は触媒の不存在下で行うことができる。加水分解における水の添加量は、アルコキシシラン化合物、またはその混合物を含む有機溶媒中に、アルコキシシラン化合物の混合物の合計モルに対し２〜５倍モル量の水であり、この量の水を上記有機溶媒中に加えて攪拌し、室温下で加水分解させる。この反応は通常２０〜１２０時間程度で完了する。また、８０℃を超えない加熱温度で、アルコキシシラン化合物、またはその混合物を含む有機溶媒に水を滴下して反応させることにより、短い反応時間で反応を完了させることもできる。
【００４１】
このようにして調製されたシリカ系絶縁被膜形成用溶液は、このままでも使用できるが、塗布液中の固形分濃度（近似的には塗布液中のＳｉＯ2換算濃度）の調整のため、希釈溶媒で希釈してから使用してもよい。この場合の希釈溶媒としては、前記した有機溶媒の他に、例えばアセトン、メチルエチルケトン、アセチルアセトン、メチルイソブチルケトンのようなケトン類、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチルのようなエステル類などを挙げることができる。これらの希釈溶媒は、それぞれ単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００４２】
以上のようにして、シリカ系絶縁被膜形成用溶液から形成されたシリカ系絶縁被膜は、緻密で耐熱性があるため、電極１１の金属層の酸化を非常に効果的に防止できる。これにより、電極に泡状の異物が発生せず、所定の駆動電圧を印加し得るプラズマディスプレイパネルが得られる。また、絶縁被膜はシリカ系被膜であるため、プラズマディスプレイの前面板に対する要求性能である光透過率を低下させないという利点も有する。
【００４３】
［プラズマディスプレイパネルの製造方法］
次に、プラズマディスプレイパネルの前面板の製造方法について説明する。透明基板としてはアクリル基板やガラス基板等が挙げられるが、熱軟化点が高く、光透過率に優れる点から特にガラス基板が好ましい。上記透明基板上に電極をスパッタ法、ホトリソグラフィー法等を用いて形成する。電極としては開口率と導電性を確保する為、透明電極とバス電極の積層が好ましい。透明電極としてはパターニングされたＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）層が好ましく、バス電極としてはクロム、アルミ、銀、銅等の金属から成るパターニングされた金属層が好ましい。電極は例えば透明基板上に透明電極としてＩＴＯ層をＲＦスパッタ法で被着した後、ホトリソグラフィー法を用いてパターニングし、さらにその上にバス電極を、スパッタ法、ホトリソグラフィー法等を用いて形成する。
【００４４】
ここで、上記バス電極は、クロム層、金属層、クロム層より成る三層構造のバス電極等であってもよい。この場合、三層構造のバス電極はスパッタ法、ホトリソグラフィー法を用いて形成する。この際、上層クロム層は金属層を保護層し、金属層の酸化を防止する。また、下層クロム層は金属層との密着性を上げ、透明電極による金属層に対する影響を防止することができる。
【００４５】
バス電極は、クロム、アルミ、銀、銅等の金属からなる。特にコスト、導電性の観点から銅が好ましい。本願絶縁被膜により金属層の泡状異物の発生を抑制するが、その効果は金属層が銅である場合により顕著であり、特に電極とシリカ系絶縁被膜との接触面の少なくとも一部に銅を有する場合にさらにより顕著な効果を有する。また、バス電極は、三層構造に限らず、二層や四層以上の積層構造であってもよい。
【００４６】
次に、透明電極とバス電極とからなる複合電極上に、上記シリカ系絶縁被膜形成用溶液をスピンナー法、ロールコータ法、浸漬引上げ法、スプレー法、スクリーン印刷法、刷毛塗り法などで塗布し、塗布膜を形成する。この場合、特にスリットコーターにより塗布することで、液ロスの少ないプロセスが可能となり好ましい。続いて、この塗布膜を３５０〜６００℃、好ましくは４００〜５００℃の温度範囲で焼成、すなわちベーク処理することにより、シリカ系絶縁被膜を形成することができる。なお、このベーク処理は、シリカ系絶縁被膜を形成するためだけではなく、下記の誘電体層形成用組成物層を焼成して誘電体層を形成する際に、シリカ系絶縁被膜形成用溶液の塗布膜からの脱ガスを抑えるためにも有効である。
【００４７】
次に、形成されたシリカ系絶縁被膜上に、低融点ガラスから成る誘電体層形成用組成物をスクリーン印刷法等で塗布する。塗布した誘電体層形成用組成物層を３５０〜６００℃、好ましくは４００〜５００℃で焼成することにより、シリカ系絶縁被膜上に誘電体層を形成することができる。
さらに、誘電体層上に、スペーサ層、ＭｇＯ等よりなる保護層をスパッタ法等で形成してもよい。
【００４８】
以上のようにして製造されたプラズマディスプレイパネル前面板は、基板上に形成された電極を覆うように基板上にシリカ系絶縁被膜が形成されているので、電極を備えた基板を高温で焼成しても、緻密で耐熱性があるシリカ系絶縁被膜が電極を覆っているため、電極は酸素に触れることなく泡状の異物が発生するのを防止できる。また、絶縁被膜の形成方法は、シリカ系絶縁被膜形成用溶液の塗布、ベーク処理によるので、真空設備を必要とせず、低コストで簡便である。また、シリカ系絶縁被膜により、基板表面凸凹がカバーされ、誘電体層形成時に泡噛みが発生し難くなるなどの利点を有する。
【実施例】
【００４９】
次に、本発明に係るプラズマディスプレイパネル及びその製造方法及びプラズマディスプレイパネルのシリカ系絶縁被膜形成用組成物について、実施例に基づきさらに具体的に説明する。
【００５０】
（参考例１）
トリエトキシシラン７３．９ｇ（０．４５モル）をエチレングリコールジメチルエーテル７９９．０ｇ（８．８７モル）に溶解しかき混ぜた。次いで、純水２４．２ｇ（１．３４モル）と濃硝酸５ｐｐｍを混合したものを、ゆっくりかき混ぜながら滴下した後、約３時間かき混ぜ、その後室温で６日間静置させて溶液を得た。この溶液を１２０〜１４０ｍｍＨｇ、４０℃にて１時間減圧蒸留し、固形分濃度を８重量％、エタノールの濃度を３重量％の溶液とした。この溶液にシリコーン系界面活性剤であるＳＨ３０ＰＡ（東レ・ダウコーニング・シリコーン（株）製）を２，０００ｐｐｍ添加し、シリカ系絶縁被膜形成用塗布液とした。
【００５１】
ＩＴＯ透明電極（厚さ０．２μｍ）、銀バス電極（厚さ３μｍ）を含むガラス基板上に、この塗布液をスリットコーターにより塗布し、８０℃、１５０℃及び２００℃で順次それぞれ１分間乾燥させて塗膜を得たのち、窒素雰囲気にて４００℃で３０分間焼成することにより、厚さ０．４μｍのシリカ系絶縁被膜を形成させた。絶縁被膜を形成した基板に、低融点ガラス７０部、アクリル樹脂と可塑剤からなるバインダー３０部で構成されたグリーンシートをラミネートし、６００℃で１時間焼成し、ＰＤＰ用前面板を形成した。誘電体層の膜厚は最薄部で２０μｍだった。焼成後、表面を金属顕微鏡により、断面を電子顕微鏡により観察したところ、泡噛みはなく、Ｃｕが露出している電極エッジ付近に泡状の異物は観察されなかった。HZ-2透過率測定装置（スガ試験機株式会社製、光源：D65光  シングルビーム(JIS-K7136)）により透過率を測定した。ガラス基板の透過率は９０．７９％  Ｈａｚｅ０．２２、シリカ系絶縁被膜形成後の透過率は９０．８６％  Ｈａｚｅ０．２４と、良好な透過率だった。以下、透過率はすべてこの装置で測定した。
【００５２】
（実施例１）
トリエトキシシラン１２９．６ｇ（０．７９モル）とテトラメトキシシラン６０．１ｇ（０．４０モル）を混合し、エチレングリコールジメチルエーテル６６２．７ｇ（７．３６モル）を加えかき混ぜた。次いで、純水３５．６ｇ（２．０モル）と濃硝酸３３３ｐｐｍを混合したものを、ゆっくりかき混ぜながら滴下した後、約３時間かき混ぜ、その後室温で５日間静置させて溶液を得た。この溶液を１２０〜１４０ｍｍＨｇ、４０℃にて１時間減圧蒸留し、固形分濃度を８重量％、アルコール濃度を８重量％の溶液とした。この溶液にシリコーン系界面活性剤であるＳＨ３０ＰＡ（東レ・ダウコーニング・シリコーン（株）製）を２，０００ｐｐｍ添加し、シリカ系被膜形成用塗布液とした。
【００５３】
Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒの三層構造膜のバス電極（厚さ３μｍ）を含むガラス基板上に、参考例１と同様にしてシリカ系絶縁被膜厚さ０．２μｍのＰＤＰ用前面板を形成した。焼成後、表面を金属顕微鏡により、断面を電子顕微鏡により観察したところ、泡噛みはなく、Ｃｕが露出している電極エッジ付近に泡状の異物は観察されなかった。シリカ系絶縁被膜形成後の透過率は９０．８０％  Ｈａｚｅ０．２３と、良好な透過率だった。
【００５４】
（実施例２）
テトラメトキシシラン２４６ｇ（１．６２モル）とモノメチルトリメトキシシラン２２０ｇ（１．６２モル）をエチレングリコールモノブチルエーテル６３５ｇ（５．３７モル）に溶解しかき混ぜた。次いで、純水１９４ｇ（１０．７８モル）と硝酸２４ｐｐｍを混合したものを、ゆっくりかき混ぜながら滴下した後、約５時間かき混ぜ、その後室温で５日間静置させて固形分濃度１５重量％の溶液とし、シリコーン系界面活性剤であるＳＨ３０ＰＡ（東レ・ダウコーニング・シリコーン（株）製）を１００ｐｐｍ添加し、シリカ系絶縁被膜形成用塗布液とした。
【００５５】
ＩＴＯ透明電極（厚さ０．２μｍ）、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒの三層構造膜のバス電極（厚さ３μｍ）を含むガラス基板上に、参考例１と同様にしてシリカ系絶縁被膜厚さ１μｍのＰＤＰ用前面板を形成した。焼成後、表面を金属顕微鏡により、断面を電子顕微鏡により観察したところ、泡噛みはなく、Ｃｕが露出している電極エッジ付近に泡状の異物は観察されなかった。シリカ系絶縁被膜形成後の透過率は９０．８１％  Ｈａｚｅ０．２６と、良好な透過率だった。
【００５６】
（実施例３）
テトラメトキシシラン３０４．４ｇ（２モル）とモノメチルトリメトキシシラン２７２．４ｇ（２モル）とジメチルジメトキシシラン１２０．２ｇ（１モル）とをブチルアルコール６０８．６ｇ（８．２１モル）に溶解しかき混ぜた。次いで、純水１９４．４ｇ（２．７モル）と硝酸２７ｐｐｍを混合したものを、ゆっくりかき混ぜながら滴下した後、約５時間かき混ぜ、その後室温で５日間静置させて固形分濃度２０重量％の溶液とし、シリコーン系界面活性剤であるＳＨ３０ＰＡを１，０００ｐｐｍ添加し、シリカ系絶縁被膜形成用塗布液とした。
【００５７】
ＩＴＯ透明電極（厚さ０．２μｍ）、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒの三層構造膜のバス電極（厚さ３μｍ）を含むガラス基板上に、参考例１と同様にしてシリカ系絶縁被膜厚さ０．８μｍのＰＤＰ用前面板を形成した。焼成後、表面を金属顕微鏡により、断面を電子顕微鏡により観察したところ、泡噛みはなく、Ｃｕが露出している電極エッジ付近に泡状の異物は観察されなかった。シリカ系絶縁被膜形成後の透過率は９０．７６％  Ｈａｚｅ０．２６と、良好な透過率だった。
【００５８】
（実施例４）
テトラエトキシシラン８０．７６ｇ（０．５３モル）をエタノール２９８ｇ（６．４８モル）に溶解しかき混ぜた。次いで、純水７６．５ｇ（４．２５モル）と硝酸２００ｐｐｍを混合したものを、ゆっくりかき混ぜながら滴下した後、約５時間かき混ぜ、その後室温で５日間静置させて固形分濃度８重量％の溶液とし、シリコーン系界面活性剤であるＳＨ３０ＰＡを１，０００ｐｐｍ添加し、シリカ系絶縁被膜形成用塗布液とした。
【００５９】
ＩＴＯ透明電極（厚さ０．２μｍ）、上部Ｃｒ層をエッチングしたＣｕ／Ｃｒの二層構造膜のバス電極（厚さ３μｍ）を含むガラス基板上に、絶縁被膜形成工程を２回繰り返した以外は参考例１と同様にして、シリカ系絶縁被膜厚さ１．５μｍのＰＤＰ用前面板を形成した。焼成後、表面を金属顕微鏡により、断面を電子顕微鏡により観察したところ、泡噛みはなく、Ｃｕが露出している電極エッジ付近に泡状の異物は観察されなかった。シリカ系絶縁被膜形成後の透過率は９０．７９％  Ｈａｚｅ０．２６と、良好な透過率だった。
【００６０】
（比較例）
（１）Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ三層構造のバス電極を使用
ＩＴＯ透明電極（厚さ０．２μｍ）、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒの三層構造膜のバス電極（厚さ３μｍ）を含むガラス基板上に、低融点ガラス７０部、アクリル樹脂と可塑剤からなるバインダー３０部で構成されたグリーンシートをラミネートし、６００℃で１時間焼成し、膜厚２０μｍの誘電体層を形成した。焼成後、表面を金属顕微鏡により、断面を電子顕微鏡により観察したところ、Ｃｕが露出している電極エッジ付近に泡状の異物が無数に観察された。
【産業上の利用可能性】
【００６１】
以上のように、本発明にかかるプラズマディスプレイパネル及びその製造方法及びプラズマディスプレイパネル製造用シリカ系絶縁被膜形成用組成物は、銅層の酸化を防止し、泡状の異物の発生を抑制して所定の駆動電圧を印加し得るバス電極を備えているので、信頼性の高いプラズマディスプレイに有用である。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】本発明及び背景技術におけるプラズマディスプレイパネルの前面板を示す要部断面図である。
【符号の説明】
【００６３】
１  前面板
１０  透明基板
１１  複合電極
１２  誘電体層
１４  透明電極
１８  バス電極
３０  シリカ系絶縁被膜
【図１】
0004589202.tif 000002