(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
エッチングの対象となる対象層上に、当該対象層のエッチングに使用されるエッチングマスクを形成するためのマスク膜を形成するマスク膜形成工程；
前記マスク膜の上に第１のレジストパターンを形成するステップと、
前記第１のレジストパターンを縮小することにより第２のレジストパターンを形成するステップと、
前記第２のレジストパターンの側壁および上面に第１の酸化シリコン膜を堆積するステップと
を含み、前記第２のレジストパターンおよび前記第１の酸化シリコン膜を有する第１のマスク層を形成する第１のマスク層形成工程；
前記第１のマスク層を覆う第１の反射防止膜を形成するステップと、
前記第１の反射防止膜上に、前記第２のレジストパターンの開口の上にレジストが残るように第３のレジストパターンを形成するステップと、
前記第３のレジストパターンを縮小することにより第４のレジストパターンを形成するステップと、
前記第４のレジストパターンの側壁および上面に第２の酸化シリコン膜を堆積し、該第２の酸化シリコン膜をエッチバックすることにより、前記第４のレジストパターンの側壁に堆積された前記第２の酸化シリコン膜から形成される酸化シリコン側壁部を形成するステップと
を含み、前記酸化シリコン側壁部が、前記第１のマスク層の前記第２のレジストパターンの上方に形成されてなる第２のマスク層を形成する第２のマスク層形成工程；
前記第２のマスク層の前記酸化シリコン側壁部を用いて前記第１のマスク層の前記第１の酸化シリコン膜と前記第２のレジストパターンとをエッチングすることにより前記酸化シリコン側壁部により定まる第１の開口を形成するステップと、
前記第１のマスク層に残る、前記第２のレジストパターンの側壁に堆積された前記第１の酸化シリコン膜の側面により定まる第２の開口を形成するステップと
を含む、第３のマスク層を形成する第３のマスク層形成工程；並びに
前記第３のマスク層の前記第１の開口と前記第２の開口とを通して前記マスク膜をエッチングすることにより、前記対象層のエッチングに使用される前記エッチングマスクを形成するエッチングマスク形成工程；
を含むエッチングマスク形成方法。
【請求項２】
前記第１のマスク層形成工程が、前記マスク膜上に第２の反射防止膜を形成するステップを更に含み、
前記第１のレジストパターンが前記第２の反射防止膜上に形成される、請求項１に記載のエッチングマスク形成方法。
【請求項３】
前記マスク膜が窒化チタンまたはシリコンで形成される、請求項１または２に記載のエッチングマスク形成方法。
【請求項４】
エッチングの対象となる対象層上に、請求項１から３のいずれか一項に記載のエッチングマスク形成方法により形成されたエッチングマスクを利用して、前記対象層をエッチングするエッチング方法。
【請求項５】
請求項４に記載のエッチング方法を含む、半導体デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体デバイスの製造におけるエッチングマスクの形成方法、エッチング方法、及びこのエッチング方法を含む半導体デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＬＳＩの高集積化の要請からデバイス要素の微細化が進んでおり、これに伴って、例えば４５ｎｍや３２ｎｍといった線幅を有する配線が必要とされている。ところが、このような線幅を実現するためのエッチングマスクは、従来のフォトリソグラフィー技術では実現することができない。例えば１３．５ｎｍといった波長を有する極端紫外線（ＥＵＶ）を利用するＥＵＶ露光技術の開発が進められているが、これまでのところ実用化には至っていない。
【０００３】
このような現状のもと、所謂ダブルパターニング技術が注目を集めている。例えば、特許文献１に記載のダブルパターニング技術においては、以下のプロセスステップが実施される。まず、エッチングの対象となる膜の上に、下部犠牲膜と上部犠牲膜とがこの順に形成される。次に、上部犠牲膜上に第１のレジスト膜を塗布し、第１のレジスト膜を第１のフォトマスクを利用してパターニングすることにより、第１のパターンを有する第１のレジストマスクを形成する。次いで、第１のレジストマスクを利用して、上部犠牲膜に第１のパターンを転写する。
【０００４】
続けて、第１のレジストマスクを除去し、クリーニングを行った後、エッチングされて第１のパターンが転写された上部犠牲膜を覆うように下部犠牲膜上に第２のレジスト膜を塗布する。この後、第２のレジスト膜を第２のフォトマスクを利用してパターニングすることにより、第２のパターンを有する第２のレジストマスクを形成する。次いで、下部犠牲膜上に残る第１のパターンが転写された上部犠牲膜と、第２のレジストマスクとを利用して、第１のパターンと第２のパターンとを下部犠牲膜に転写する。
【０００５】
最後に、第１のパターンと第２のパターンとが転写された下部犠牲膜を利用して、エッチングの対象となる膜をエッチングする。
【０００６】
上述のとおり、ダブルパターニングによれば、２回のレジストマスクパターニングと２回の転写（エッチング）とを行うことにより、１回のパターニングと１回のエッチングでハードマスクを形成する場合に比べて、１／２の間隔を有するパターニングが可能となる。
【特許文献１】特開２００７−０２７７４２号公報（図１および図３）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、ダブルパターニングにおいては、フォトマスクを形成してエッチングを行い、これを繰り返すため、エッチング装置へのウエハの搬入出が２回必要となり、プロセスフローが複雑となる。また、より一層の微細化を実現するため、レジストマスクのトリミングやサイドウォールトランスファーを採用すれば、プロセスフローはより複雑となる。
【０００８】
複雑なプロセスフロー（または複雑なウエハの搬送経路）は、半導体デバイスの製造歩留まりの点から不利であり、プロセスフローの単純化が可能なエッチング方法が求められている。
【０００９】
本発明は、このような状況に鑑みて為され、プロセス数の低減が可能であり、プロセスの単純化が容易なエッチングマスク形成方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の第１の態様によれば、エッチングの対象となる対象層上に、当該対象層のエッチングに使用されるエッチングマスクを形成するためのマスク膜を形成するマスク膜形成工程；前記マスク膜の上に第１のレジストパターンを形成するステップと、前記第１のレジストパターンを縮小することにより第２のレジストパターンを形成するステップと、前記第２のレジストパターンの側壁および上面に第１の酸化シリコン膜を堆積するステップとを含み、前記第２のレジストパターンおよび前記第１の酸化シリコン膜を有する第１のマスク層を形成する第１のマスク層形成工程；前記第１のマスク層を覆う第１の反射防止膜を形成するステップと、前記第１の反射防止膜上に、前記第２のレジストパターンの開口の上にレジストが残るように第３のレジストパターンを形成するステップと、前記第３のレジストパターンを縮小することにより第４のレジストパターンを形成するステップと、前記第４のレジストパターンの側壁および上面に第２の酸化シリコン膜を堆積し、該第２の酸化シリコン膜をエッチバックすることにより、前記第４のレジストパターンの側壁に堆積された前記第２の酸化シリコン膜から形成される酸化シリコン側壁部を形成するステップとを含み、前記酸化シリコン側壁部が、前記第１のマスク層の前記第２のレジストパターンの上方に形成されてなる第２のマスク層を形成する第２のマスク層形成工程；前記第２のマスク層の前記酸化シリコン側壁部を用いて前記第１のマスク層の前記第１の酸化シリコン膜と前記第２のレジストパターンとをエッチングすることにより前記酸化シリコン側壁部により定まる第１の開口を形成するステップと、前記第１のマスク層に残る、前記第２のレジストパターンの側壁に堆積された前記第１の酸化シリコン膜の側面により定まる第２の開口を形成するステップとを含む、第３のマスク層を形成する第３のマスク層形成工程；並びに前記第３のマスク層の前記第１の開口と前記第２の開口とを通して前記マスク膜をエッチングすることにより、前記対象層のエッチングに使用される前記エッチングマスクを形成するエッチングマスク形成工程；を含むエッチングマスク形成方法が提供される。
【００１１】
本発明の第２の態様によれば、第１の態様のエッチングマスク形成方法であって、前記第１のマスク層形成工程が、前記マスク膜上に第２の反射防止膜を形成するステップを更に含み、前記第１のレジストパターンが前記第２の反射防止膜上に形成されるエッチングマスク形成方法が提供される。
【００１２】
本発明の第３の態様によれば、第１または第２の態様のエッチングマスク形成方法であって、前記マスク膜が窒化チタンまたはシリコンで形成される、請求項１または２に記載のエッチングマスク形成方法が形成される。
【００１３】
本発明の第４の態様によれば、エッチングの対象となる対象層上に、第１から第３の態様のいずれかのエッチングマスク形成方法により形成されたエッチングマスクを利用して、前記対象層をエッチングするエッチング方法が提供される。
【００１４】
本発明の第５の態様によれば、第４の態様のエッチング方法を含む、半導体デバイスの製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の実施形態によれば、エッチング工程においてプロセス数が低減され、また、エッチング工程に必要なプロセス装置を効率よく使用することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施形態による半導体デバイスの製造方法を説明する。添付の全図面中、同一または対応する部材または部品については、同一または対応する参照符号を付し、重複する説明を省略する。また、図面は、部材もしくは部品間、または、種々の層の厚さの間の相対比を示すことを目的とせず、したがって、具体的な厚さや寸法は、以下の限定的でない実施形態に照らし、当業者により決定されるべきものである。
【００２２】
図１（ａ）〜（ｆ）および図２（ａ）〜（ｆ）は、本発明の一実施形態によるエッチングマスク形成方法を含むエッチング方法を示す図であり、この方法の主な工程を終えた後のウエハの断面を模式的に示している。 また、この方法は、酸化シリコン膜に例えばコンタクトホールを形成する工程に適用される。
【００２３】
（第１のマスク層形成工程）
図１（ａ）を参照すると、シリコンウエハｗの上に、酸化シリコン膜１０、窒化チタン（ＴｉＮ）膜１２、下部反射防止膜（ＢＡＲＣ）１４、およびレジスト膜１６がこの順に積層されている。酸化シリコン膜１０は、例えばテトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）を原料としたプラズマＣＶＤによりウエハｗ上に堆積される。ＴｉＮ膜１２は、例えばＴｉＮターゲットを使用したスパッタリングにより酸化シリコン膜１０上に堆積される。ＢＡＲＣ１４は、例えばスピンコートによりＴｉＮ膜１２上に塗布され、レジスト膜１６は、例えばスピンコートによりＢＡＲＣ１４上に塗布される。
【００２４】
次に、所定のパターンを有するフォトマスクを用いた通常のフォトリソグラフィーによりレジスト膜１６を露光し、現像し、剥離することにより、レジスト膜１６をパターニングしてレジストパターンを形成する。この後、このレジストパターンをトリミングする。具体的には、レジストパターン形成後のウエハｗをプラズマ処理装置内へ搬送し、ウエハｗを酸素プラズマに晒すことにより、レジストパターンを一様に灰化して縮小化し、レジストパターン１６ａを得る。レジストパターン１６ａのレジスト部分は、ほぼ円形の上面形状を有し、その直径Ｗ１は約６０ｎｍであってよく、また、間隔（開口の幅）Ｗ２も例えば約６０ｎｍであってよい。
【００２５】
次いで、レジストパターン１６ａを覆うようにＢＡＲＣ１４上に酸化シリコン膜１８を形成する。酸化シリコン膜１８は、レジストパターン１６ａ上へ堆積されるため、低温での堆積が可能なＣＶＤにより堆積される。このようなＣＶＤの例としては、ビスターシャリーブチルアミノシラン（ＢＴＢＡＳ）と、酸素プラズマとを交互に供給することにより原子層または分子層レベルでの堆積が可能な分子層堆積（ＭＬＤ）がある。なお、酸化シリコン膜１８の厚さは約１５ｎｍであってよく、ＭＬＤによれば、コンフォーマルな膜の堆積が可能であるため、レジストパターン１６ａの側壁での幅もまた約１５ｎｍとなる。このため、酸化シリコン膜１８の凹部の幅Ｗ３は、約３０ｎｍとなっている。この凹部は、エッチングの対象となる酸化シリコン膜１０に形成されるホールの寸法および位置を決定することとなる。
【００２６】
（第２のマスク層形成工程）
続けて、酸化シリコン膜１８上にＢＡＲＣ２０を塗布する。ＢＡＲＣ２０は、液体状の反射防止剤をウエハｗ上へ滴下し、ウエハｗを回転することにより形成されるため、反射防止剤の流動性により酸化シリコン膜１８の凹部がＢＡＲＣ２０により埋められて、ＢＡＲＣ２０の表面はほぼ平坦となる。この後、ＢＡＲＣ２０上にレジスト膜２２を塗布する（図１（ｃ））。
【００２７】
次に、図１（ａ）を参照しながら説明したレジスト膜のパターニング、トリミング、および酸化シリコン膜の堆積を行うと、図１（ｄ）に示すように、ＢＡＲＣ２０上に形成されたレジストパターン２２ａと、ＢＡＲＣ２０上でレジストパターン２２ａを覆うように形成された酸化シリコン膜２４が得られる。レジストパターン２２ａは、レジストパターン１６ａと同一のパターンを有している。したがって、レジストパターン２２ｂのレジスト部分の直径Ｗ４と開口の幅Ｗ５とは、レジストパターン１６ａと同様、約６０ｎｍである。ただし、レジストパターン２２ａは、レジストパターン１６ａに対して約６０ｎｍずれている。すなわち、レジストパターン１６ａの開口（酸化シリコン膜１８の凹部）の上方に、レジストパターン２２ａのレジスト部分が位置している。なお、レジストパターン２２ａの形成には、レジストパターン１６ａの形成に使用したフォトマスクを援用することも可能である。また、酸化シリコン膜２４の堆積にはＭＬＤを利用することができ、酸化シリコン膜２４の厚さも、酸化シリコン膜１８と同様、約１５ｎｍである。このため、酸化シリコン膜２４の凹部の幅Ｗ６は約３０ｎｍとなる。この凹部は、エッチングの対象となる酸化シリコン膜１０に形成されるホールの寸法および位置を決定することとなる。
【００２８】
（第３のマスク層形成工程）
次いで、酸化シリコン膜２４をエッチバックする。このエッチングには、ＣＦ４，Ｃ４Ｆ８，ＣＨＦ３，ＣＨ３Ｆ，またはＣＨ２Ｆ２などのフッ化炭素ガスと、Ａｒガス等との混合ガスをエッチングガスとして利用することができる。ここでのエッチング量は約１５ｎｍであり、その結果、図１（ｅ）に示すとおり、ＢＡＲＣ２０とレジストパターン２２ａが露出する。また、上記のエッチングガスによれば、異方性のエッチングが行われるため、レジストパターン２２ａの側壁には、約１５ｎｍの幅を有する酸化シリコン部２４ａが残っている。
【００２９】
この後、レジストパターン２２ａと酸化シリコン部２４ａをエッチングマスクとして用いて、露出したＢＡＲＣ２０を例えば酸素プラズマによりエッチングすると、このエッチングマスクの開口の底には酸化シリコン膜１８が露出する（図１（ｆ））。このとき、レジストパターン２２ａもＢＡＲＣ２０とともにエッチングされ、薄くなる。
【００３０】
図２（ａ）を参照すると、エッチングマスクの開口に露出した酸化シリコン膜１８（図１（ｆ））がエッチングされ、レジストパターン１６ａのレジスト部分が露出している。このエッチングには、ＣＦ４，Ｃ４Ｆ８，ＣＨＦ３，ＣＨ３Ｆ，またはＣＨ２Ｆ２などのフッ化炭素ガスと、Ａｒガス等との混合ガスをエッチングガスとして利用することができる。このとき、酸化シリコン部２４ａもまたエッチングされて薄くなっている。
【００３１】
次に、エッチングマスク（レジストパターン２２ａと酸化シリコン部２４ａ）の開口に露出するレジストパターン１６ａのレジスト部分と、その下のＢＡＲＣ１４とをエッチングすると、図２（ｂ）に示すように、開口の底にＴｉＮ膜１２が露出する。
【００３２】
このとき、レジストパターン２２ａもＢＡＲＣ１４とともにエッチングされて消失する。さらに、レジストパターン２２ａの消失後、レジストパターン２２ａの下のＢＡＲＣ２０もまたエッチングされ、その結果、ＢＡＲＣ２０の下の酸化シリコン膜１８が現れる（図２（ｂ）参照）。このエッチングには、例えばＨＢｒとＣＯ２の混合ガスをエッチングガスとして利用することができる。これによれば、異方性のエッチングが可能となり、酸化シリコン部２４ａの下にＢＡＲＣ２０はエッチングされず、ＢＡＲＣ部２０ａとして残存する。このため、酸化シリコン部２４ａもまた残存することができ、酸化シリコン部２４ａは後続のエッチングにおいてエッチングマスクとして機能することができる。
【００３３】
次いで、図２（ｃ）に示すように、酸化シリコン膜１８をエッチングする。このエッチングには、ＣＦ４，Ｃ４Ｆ８，ＣＨＦ３，ＣＨ３Ｆ，またはＣＨ２Ｆ２などのフッ化炭素ガスと、Ａｒガス等との混合ガスをエッチングガスとして利用することができ、エッチング量は、酸化シリコン膜１８の厚さにほぼ等しい１５ｎｍである。このため、エッチング後には、酸化シリコン膜１８の下のＢＡＲＣ１４が露出する一方で、レジストパターン１６ａの側壁には酸化シリコン部１８ａが残存する（図２（ｃ）参照）。また、ＢＡＲＣ部２０ａがマスクとして機能するため、ＢＡＲＣ部２０ａの下の酸化シリコン膜１８はエッチングされず、酸化シリコン部１８ｂとして残存する。さらに、図２（ｂ）に示す最表部の酸化シリコン部２４ａはエッチングされて消失し、ＢＡＲＣ部２０ａが露出している。
【００３４】
なお、酸化シリコン部１８ａで画成される開口の直径は、図１（ｃ）を参照しながら説明したとおり、約３０ｎｍである。また、酸化シリコン膜１８ｂで開口の直径もまた、図１（ｄ）を参照しながら説明したとおり、約３０ｎｍである。
【００３５】
続けて、酸化シリコン部１８ａ，１８ｂとレジストパターン１６ａとをエッチングマスクとして、酸化シリコン部１８ａで画成される開口の底部に露出するＢＡＲＣ１４をエッチングすると、ＴｉＮ膜１２が露出する（図２（ｄ））。このエッチングには、酸素プラズマを利用することができる。また、ＢＡＲＣ部２０ａもＢＡＲＣ１４とともにエッチングされて消失する。
【００３６】
以上の工程の結果、図２（ｄ）に示すとおり、ＴｉＮ膜１２上には酸化シリコン部１８ａ，１８ｂ、レジストパターン１６ａ、およびＢＡＲＣ部１４ａが残っており、以下に説明するとおり、これらがＴｉＮ膜１２のエッチングに用いられる。すなわち、酸化シリコン部１８ａ，１８ｂ、レジストパターン１６ａ、およびＢＡＲＣ部１４ａは、ＴｉＮ膜１２用のエッチングマスク（第３のマスク層）であり、図１（ｄ）と図２（ｄ）を比較すると明らかなように、ＴｉＮ膜１２用のエッチングマスクは、酸化シリコン膜１８の凹部と、酸化シリコン膜２４の凹部とに対応する位置に開口を有している。
【００３７】
（エッチングマスク形成工程）
上述のＴｉＮ用のエッチングマスクを用いてＴｉＮ膜１２をエッチングすると、図２（ｅ）に示すように、ハードマスク１２ａが得られる。このエッチングには、Ｃｌ２ガスおよびＮ２ガスを含むエッチングガスを利用した異方性エッチングを利用することができる。また、Ｃｌ２ガスおよびＮ２ガスを基本としてＨＢｒ等を使用しても良い。
【００３８】
（エッチング工程）
ハードマスク１２ａを用いて酸化シリコン膜１０をエッチングし、ハードマスク１２ａや酸化シリコン部１８ａ，１８ｂ等を除去し、クリーンプロセスを行うと、図２（ｆ）に示すように、酸化シリコン膜１８にウエハｗへと至る開口１０ａが形成され、これにより、本実施形態によるエッチング方法が終了する。なお、開口１０ａの直径は、開口の直径に等しく約３０ｎｍであり、開口１０ａの間隔も約３０ｎｍである。
【００３９】
以上、本実施形態によるエッチングマスク形成方法を含むエッチング方法によれば、レジスト膜１６のパターニング（レジスト塗布、露光、現像、および剥離）、パターン化されたレジスト膜１６のトリミング、および酸化シリコン膜１８の堆積の後、ＢＡＲＣ２０が塗布され、レジスト膜２２のパターニング、パターン化されたレジスト膜２２のトリミング、および酸化シリコン膜２４の堆積が行われ、その後、一連のエッチングにより酸化シリコン膜１０に開口１０ａが形成される。すなわち、ウエハｗは、レジスト膜１６（図１（ａ））の形成から開口１０ａの形成までに、レジストトラック及びこれに組み合わされた露光装置（パターニング）、エッチング装置（トリミング）、並びに薄膜堆積装置（酸化シリコン膜の堆積）といった順番に搬送され、ＢＡＲＣ２０の塗布後、上記の順番での搬送が繰り返され、エッチング装置に搬送されて残りのステップがそのエッチング装置内で行われる。このようにレジスト膜のトリミングを除くと、一つのエッチング装置内ですべてのエッチングが行われる。
【００４０】
なお、このエッチング装置は、複数のガス供給ラインを有し、酸化シリコン膜１８，２４用のエッチングガス（炭化水素ガス）、レジスト膜１６，２２のトリミングやＢＡＲＣ膜１４，２０のエッチングのためのガス（酸素ガス）、ＴｉＮ膜１２用のエッチングガス（塩素ガス）、および希釈ガスとしてのＡｒガスやＮ２ガスをチャンバ内へ供給することができるよう構成されると好ましい。また、このエッチング装置は、チャンバ内にプラズマを生成するプラズマ源を含むことが好ましい。
【００４１】
＜比較例＞
上述の本発明の一実施形態によるエッチング方法の効果をより明瞭にするため、以下に比較例のエッチング方法について説明する。比較例のエッチング方法は、本発明の発明者により検討された方法であり、上述した本発明の一実施形態によるエッチング方法により開口され得る開口１０ａとほぼ同一の開口を形成することができる。具体的には、比較例のエッチング方法では、従来のダブルパターニング技術にレジスト膜のトリミングとＳＷＴとが組み合わされている。以下、図３（ａ）〜図５（ｃ）を参照しながら、比較例のエッチング方法を説明する。
【００４２】
図３（ａ）を参照すると、シリコンウエハｗの上に、酸化シリコン膜３０、窒化チタン（ＴｉＮ）膜３２、下部反射防止膜（ＢＡＲＣ）３４、およびレジスト膜３６がこの順に積層されている。次に、レジスト膜３６をパターニングし、トリミングすると、図３（ｂ）に示すように、縮小化されたレジストパターン３６ａが形成される。このレジストパターン３６ａのレジスト部分は、ほぼ円形の上面形状を有し、その直径Ｗ７は約３０ｎｍである。
【００４３】
次に、ＭＬＤにより、ＢＡＲＣ３４上にレジストパターン３６ａを覆うように酸化シリコン膜３８を約１５ｎｍ堆積し（図３（ｃ））、次いで酸化シリコン膜３８をエッチバックする（図３（ｄ））。これにより、レジストパターン３６ａと酸化シリコン部３８ａとで形成されるエッチングマスクが得られる。以下、このエッチングマスクを利用して、ＢＡＲＣ３４をエッチングし（図３（ｅ））、ＴｉＮ膜３２をエッチングする（図３（ｆ））。ＴｉＮ膜３２は、その下の酸化シリコン膜３０のエッチングに使用されるハードマスクへと加工されるため、このエッチングにより、第１回目のハードマスクエッチングが行われたこととなる。
【００４４】
続いて、第１回目のハードマスクエッチングに利用したエッチングマスクを除去し、クリーンプロセスを行うと、図４（ａ）に示すように、ハードマスク３２ａが得られる。
【００４５】
この後、ハードマスク３２ａを覆うように酸化シリコン膜３０上にＢＡＲＣ４４を塗布し、ＢＡＲＣ４４上にレジスト膜を塗布する。このレジスト膜をパターニングしトリミングすると、縮小化されたレジストパターン４６ａが形成される（図４（ｃ））。レジストパターン４６ａのレジスト部分は、ほぼ円形の上面形状を有し、その直径Ｗ７は約３０ｎｍである。
【００４６】
次に、ＭＬＤにより、レジストパターン４６ａを覆うようにＢＡＲＣ４４上に酸化シリコン膜４８を約１５ｎｍ堆積し（図４（ｄ））、次いで酸化シリコン膜４８をエッチバックする（図４（ｅ））。これにより、レジストパターン４６ａと酸化シリコン部４８ａとで形成されるエッチングマスクが形成される。以下、このエッチングマスクを利用して、ＢＡＲＣ４４をエッチングし（図４（ｆ））、第２回目のハードマスクエッチングとしてハードマスク３２ａをエッチングする（図５（ａ））。
【００４７】
続いて、第２回目のハードマスクエッチングに利用したエッチングマスクを除去し、クリーンプロセスを行うと、図５（ｂ）に示すように、ハードマスク３２ｂが得られる。このハードマスク３２ｂを利用して酸化シリコン膜３０をエッチングすると、酸化シリコン膜３０に開口３０ａが形成される（図５（ｃ））。
【００４８】
比較例のエッチング方法においては、レジスト膜のパターニング、トリミング、酸化シリコン膜の堆積、およびエッチバックが行われ、第１回目のハードマスクエッチングが行われてから、ＢＡＲＣおよびレジスト膜の塗布を経て、再び、レジスト膜のパターニング、トリミング、酸化シリコン膜の堆積、およびエッチバックが行われて、第２回目のハードマスクエッチングが行われる。すなわち、ウエハｗは、レジスト膜３６（図３（ａ））の形成から開口３０ａ（図５（ｃ））の形成に至るまで、レジストトラック及びこれに組み込まれた露光装置（レジスト膜のパターニング）、エッチング装置（トリミング）、薄膜堆積装置（酸化シリコン膜の堆積）、並びにエッチング装置（シリコン膜のエッチバックとハードマスクエッチング等）という順番で搬送され、これがもう一度繰り返される。このように従来のダブルパターニング技術によれば、トリミングのためのエッチング装置への搬入出を除くと、エッチング装置へのウエハｗの搬入出が２回必要となる。
【００４９】
これに対して、本発明の一実施形態によるエッチング方法によれば、レジストトラック（露光装置）→エッチング装置→薄膜堆積装置といったルートを２回通るものの、その後は、一つのエッチング装置で残りのプロセスを連続して行うことができるので、エッチング装置への搬入出は１回で済む。したがって、プロセスが単純化され、ウエハｗの搬送ルートも短縮することができる。しかも、本発明の一実施形態によるエッチング方法では、上述のとおり、約３０ｎｍの直径を有する開口１０ａを形成することができるため、従来の製造設備により３０ｎｍといったＣＤを実現することが可能となる。
【００５０】
また、一度エッチングを行ってハードマスクにパターンを形成してから、再びエッチングマスクを形成すると、フォトマスクのアライメントのずれが生じ易いが、本発明の一実施形態によるエッチング方法は、実質的なエッチングの前にアライメントが完了しているため、アライメントのずれが生じ難いという利点を有している。
【００５１】
以上より、本発明の一実施形態によるエッチング方法は、従来のダブルパターニングを利用したエッチング方法に比べて、プロセスを単純化することが可能という効果を有していることが理解される。
【００５２】
以上、実施形態および比較例により本発明を説明したが、本発明は具体的に開示された実施形態に限定されさるものではなく、特許請求の範囲から逸脱することなく、種々の変形例や実施例が考えられる。
【００５３】
例えば、酸化シリコン膜１８，２４に代わり、窒化シリコン膜や酸窒化シリコン膜など無機物膜をレジストパターン１６ａ，２２ａ上に形成してもよい。ＢＡＲＣ１４に代わり、Spin-on-glass（ＳＯＧ）膜、酸窒化シリコン膜、または低温酸化シリコン膜をＴｉＮ膜１２上に形成してもよく、これらとＢＡＲＣとの複合膜であってもよい。また、酸化シリコン膜１８上に、高い表面平坦性を実現可能なＳＯＧ、有機ＳＯＧ、またはポリイミドを形成した後、その上にＢＡＲＣ膜を形成してもよい。これにより、レジストパターン２２ａは、輪郭が明確化された端部を有することができ、ひいては高い寸法精度を有するハードマスク１２ａを得ることが可能となる。
【００５４】
また、ＴｉＮ膜１２の代わりに、酸化シリコン膜１０上にポリシリコン膜を堆積し、このポリシリコン膜から酸化シリコン膜１０をエッチングするハードマスク１２ａを形成してもよい。
【００５５】
本発明の一実施形態によるエッチング方法として、酸化シリコン膜をエッチングしてホールを形成する場合を説明したが、このエッチング方法は、金属膜をエッチングして配線を形成する場合にも適用することも可能である。また、このエッチング方法は、記憶素子や論理素子を始めとする種々の半導体デバイスを製造する方法の一部として利用できることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】（ａ）〜（ｆ）は、本発明の一実施形態によるエッチングマスク形成方法を含むエッチング方法の一部分を説明する図であり、この方法の主要工程の後のウエハの断面を模式的に示している。
【図２】（ａ）〜（ｆ）は、本発明の一実施形態によるエッチングマスク形成方法を含むエッチング方法の他の部分を説明する図であり、この方法の主要工程の後のウエハの断面を模式的に示している。
【図３】（ａ）〜（ｆ）は、比較例のエッチングマスク形成方法を含むエッチング方法の一部分を説明する図であり、この方法の主要工程の後のウエハの断面を模式的に示している。
【図４】（ａ）〜（ｆ）は、比較例のエッチングマスク形成方法を含むエッチング方法の他の部分を説明する図であり、この方法の主要工程の後のウエハの断面を模式的に示している。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は、比較例のエッチングマスク形成方法を含むエッチング方法のまた別の部分を説明する図であり、この方法の主要工程の後のウエハの断面を模式的に示している。
【符号の説明】
【００５７】
１０，２４，３０  酸化シリコン膜
１２，３２  ＴｉＮ膜
１４，２０，３４，４４  ＢＡＲＣ（下部反射防止膜）
１６，２２，３６，４６  レジスト膜
１６ａ，２２ａ，３６ａ，４６ａ  レジストパターン
１０ａ，３２ａ  開口
【図１】
0004550126.tif 000002
【図２】
0004550126.tif 000003
【図３】
0004550126.tif 000004
【図４】
0004550126.tif 000005
【図５】
0004550126.tif 000006