(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
閉鎖時に閉鎖された空間部を形成するように開閉可能で前記空間部に入れられる対象物に目的とする温度条件を付与可能なように構成された一方側部材と他方側部材とを有する温度条件付与装置であって、前記一方側部材又は前記他方側部材のうちの少なくとも何れかは前記対象物と接触する接触面と熱媒体が流されて前記接触面との間及び前記空間部との間で熱移動可能なように設けられた熱媒体流路とを有し、
前記温度条件は複数から成り、前記一方側部材と前記他方側部材とは分離されていて前記他方側部材が前記接触面と前記熱媒体流路とを有し、前記他方側部材は前記複数の前記温度条件に対応して前記複数から成り、前記一方側部材は前記複数の他方側部材の間を移動可能に形成されている、ことを特徴とする温度条件付与装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、対象物に目的とする温度条件を付与可能な温度条件付与装置に関し、半導体デバイス等の温度特性試験や微生物の培養等のための加熱又は冷却装置として好都合に利用される。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイスであるＩＣの生産においては、ＩＣを通電状態で試験する工程がある。このときＩＣが発熱するため、一定の温度以下になるようにＩＣの熱を放熱させる必要がある。又、ＩＣに温度ストレスをかけて試験するために、これを一定の高温又は低温に保持して試験する場合がある。そのため従来では、一般に、ＩＣを基板上のソケットに装着し、これらをボードキャリアに積載して恒温槽に入れ、その中で目的とする温度条件の空気を循環させてＩＣに当てるようにしていた。
【０００３】
ところが、ＩＣの中には空気流を直接受けることが好ましくないものがある。又、空気流で冷却もしくは加熱すると、ＩＣにおいて空気が直接当たる上流側とそうでない下流側とで温度差が生じてこれが問題になる場合がある。そのため、多数のソケットに装着された状態のＩＣを全体的に覆うカバーを基板上に取り付け、カバーの周囲に空気を流し、ＩＣを無風状態で加熱できるようにした装置が提案されている（特開２０００−１３７０５４号公報参照）。
【０００４】
この装置によれば、無風処理の必要なＩＣを試験することができ、又、ＩＣに精度の良い温度条件を与えることができる。しかしながら、装置が大掛かりになると共に、恒温槽にカバーの開閉機構を設ける必要があり、装置全体が複雑化してコスト高になるという問題がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は従来技術に於ける上記問題を解決し、半導体デバイス等の対象物の処理における加熱又は冷却時の熱交換性能が良く、無風処理が可能で、構造が簡単で低コストの温度条件付与装置を提供することを課題とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、請求項１の発明は、閉鎖時に閉鎖された空間部を形成するように開閉可能で前記空間部に入れられる対象物に目的とする温度条件を付与可能なように構成された一方側部材と他方側部材とを有する温度条件付与装置であって、前記一方側部材又は前記他方側部材のうちの少なくとも何れかは前記対象物と接触する接触面と熱媒体が流されて前記接触面との間及び前記空間部との間で熱移動可能なように設けられた熱媒体流路とを有し、前記温度条件は複数から成り、前記一方側部材と前記他方側部材とは分離されていて前記他方側部材が前記接触面と前記熱媒体流路とを有し、前記他方側部材は前記複数の前記温度条件に対応して前記複数から成り、前記一方側部材は前記複数の他方側部材の間を移動可能に形成されている、ことを特徴とする。
【０００８】
【発明の実施の形態】
図１及び図２は、本発明を適用した温度条件付与装置の一例である半導体デバイス試験装置の構成例を示す。本装置は、閉鎖時に閉鎖された空間部である処理室１を形成するように開閉可能で、処理室１に入れられる対象物としての半導体デバイス２（以下単に「デバイス２」という）に目的とする温度条件として例えば−３０℃〜１３０℃程度の温度条件を付与可能なように構成された一方側部材としてデバイス２の支持部材となる支持台３と他方側部材としての熱交換プレート４とを有する。
【０００９】
支持台３又は熱交換プレート４のうちの少なくとも何れかとして本例では熱交換プレート４は、デバイス２と接触する接触面４１及び熱媒体流路である熱媒液流路４２を有する。熱媒液流路４２は、熱媒体である熱媒液が流されて接触面４１との間及び処理室１との間で熱移動可能なように設けられている。即ち、熱交換プレート４がアルミニウム等の熱伝導性の良い金属のソリッド材でできていて、その内部に熱媒体流路である熱媒液流路４２が形成されていて、接触面４１及び処理室１の壁面との間では金属間の熱伝導によって熱が移動し、これから処理室１内には熱伝達によって熱が移動するように構成されている。
【００１０】
本例のデバイス２は、ＩＣ本体２１の両端から入出力端子となる多数のリード２２が導設されているＤＩＰ（dual in-line package)タイプのもので、接触面４１はＩＣ本体２１の上の平坦面に接触するようになっている。上面が平坦面になっているＱＦＪ(Quad Flat J-leaded Package)タイプ等の他の形式のＩＣ及びＩＣソケットに対しても本発明を適用できることは勿論である。
【００１１】
支持台３は、デバイス２と電気的に接続されるプリント基板３１（以下単に「基板３１」という）を絶縁材から成る台板３２で補強した構造になっている。デバイス２は、基板３１に取り付けられたソケット５に装着されていて、デバイス２のリード２２がソケット５のコンタクトピン５１（下端部分のみ図示）に接続されることにより、基板３１と電気的に接続されている。符号３２ａは、台板３２に切り欠かれた端子逃がし用の溝である。
【００１２】
処理室１、この中に入れられるデバイス２及びソケット５は、図２（ｂ）に示す如く、通常基板３１に縦横に例えば３０個程度の多数個配置されている。それぞれのソケット５から導出されたコンタクトピン５１は、前記の如くプリント基板３１の回路と接続されていて、更に基板３１の一端側に形成され外部と信号をやり取りするためのエッジコネクタ３１ａ（図６に例示）に接続される。
【００１３】
接触面４１は、熱伝達率を良好にするために、伝熱シート４１ａが貼り付けたられた構造にされることが望ましい。伝熱シート４１ａとしては、厚みが０．２〜０．５ｍｍ程度で例えば２．５Ｗ／ｍ°Ｋ程度の十分高い熱伝導率を持つシリコンゴム製のものが好都合に使用される。
【００１４】
熱交換プレート４は、接触面４１や処理室１を形成している胴体４３、熱媒液流路４２の両端が開口し胴体４３との間にガスケット４３ａを介して胴体４３と結合され熱媒液の入口室及び出口室を形成する両側のエンドブロック４４、等で構成されている。エンドブロック４４には熱媒液が供給及び排出される熱媒液入口４４ａ及び出口４４ｂが設けられている。符号４５は、熱交換プレート４と支持台３との間が閉鎖されたときにこれらの間に介在して処理室１を閉鎖された空間部にするためのパッキンである。なお、パッキン４５を熱の良導体にして、熱交換プレート４と支持台３との間でも熱移動させるようにしてもよい。
【００１５】
図３は熱交換プレート４に熱媒液を供給するための加熱兼冷却装置であるサーモユニット６の構成例を示す。サーモユニット６は、熱媒液循環ポンプ６１、加熱器６２、これと切り換えて使用される蒸発器６３、これを含む冷凍回路を構成する圧縮機６４、凝縮器６５、膨張機構６６、それぞれ熱交換プレート４の熱媒液入口及び出口４４ａ及び４４ｂに接続される供給管６７及び戻り管６８、図示しない制御装置等で構成されていて、熱媒液を−３０℃程度から１３０℃程度までの間の一定の温度に制御して熱交換プレート４に循環供給することができる。
【００１６】
本例の半導体デバイス試験装置では、図２（ａ）に示す如く、支持台３と熱交換プレート４とが一体結合されている。即ち、これらの両端に取付座３３及び４６が形成されていて、これらが貫通軸７で連結されている。その結果、熱交換プレート４が支持台３上で矢印のように回転されることにより、処理室１が開閉され、開いたときにデバイス２をソケット５に着脱できるようになっている。熱交換プレート４の開閉のための回転は、取付座４６と貫通軸７とを固定し、貫通軸７を減速機８を介してモータ９で回転させる等、適当な方法で行われる。又、生産設備でない実験用の装置等では、人手で開閉されるものであってもよい。
【００１７】
図４は支持台３と熱交換プレート４との結合部分の他の例を示す。（ａ）では、支持台３の四隅に昇降ガイド３４を設けて、これに沿って熱交換プレート４をワイヤーによる吊り上げ／吊り下ろし式等の適当な方法で昇降させるようにしている。（ｂ）では、支持台３と熱交換プレート４とを図２に示す取付座３３、４６によって結合しているが、その結合部を両端の二箇所とし、１台の支持台３に対して２台の熱交換プレート４（４−１、４−２）を取り付けられるようにしている。この例では、何れか一方の熱交換プレートが支持台を閉鎖して使用されることになる。
【００１８】
図５は、熱交換プレート４の接触面４１の他の構造例を示す。本例の接触面構造では、（ａ）に示す如く、熱交換プレート４の胴体４３部分にねじ穴４３ｂを加工し、（ｂ）〜（ｄ）に示す如く、接触熱交換されるべき対象物の接触面の形状に合わせて、接触面４１を容易に変更できるようにしている。即ち、（ｂ）では、ねじ穴４３ｃと凸部材４３ｄを持つ装着板４３ｅに伝熱シート４１ａを取り付け、装着板４３ｅを胴体４３にねじ止めすることにより接触面４１を形成するようにしている。（ｃ）は対象物の接触面が円弧状である場合に接触面４１を同じ円弧状にした例を示す。（ｄ）は、接触面４１を処理室１の幅と同程度の広い幅にする場合の例で、装着板４３ｅを植え込みねじ４３ｇで胴体４３に取り付けるようにしている。
【００１９】
図６はデバイス２を複数の温度条件で順次通電試験できる半導体デバイス試験装置の例を示す。本装置は、複数の温度条件として例えば−２０℃程度の低温と常温と１２０℃程度の高温とで順次通電試験を実施できる装置であり、支持台３と熱交換プレート４とが分離されていて、熱交換プレート４が図１のものと同様の接触面４１と熱媒液流路４２とを有し、複数の温度条件である上記の低温、常温、高温の３温度条件に対応して３台で構成されている。そして支持台３は、ローラコンベア等の搬送ライン１００により、試験工程の順に、３台の熱交換プレート４（４−１、４−２及び４−３）の間を実線で示す矢印の方向に移動可能に形成されている。
【００２０】
本例の装置では、支持台３が試験工程の順に移動するので、その移動方向であるＹ1方向におけるそれぞれの熱交換プレート４の一定位置Ｐ1、Ｐ2、Ｐ3の各位置で基板３１とそれぞれの試験回路基板１０１、１０２、１０３（図６（ｂ）で１０１のみ図示）との電気的接続を図る必要がある。そのため、各位置Ｐ1、Ｐ2、Ｐ3にコネクタ着脱装置２００が設けられる。又、支持台３にはコネクタ挿抜用の穴３５が設けられている。
【００２１】
コネクタ着脱装置２００は、壁面等に固定されたガイドレール２０１、これによって上下方向にガイドされるように設けられた挿抜用シリンダ２０２、そのロッド２０２ａ、シリンダ２０２を昇降させる昇降用シリンダ２０３、等によって構成されている。
【００２２】
以上のような半導体デバイス試験装置は次のように使用されその作用効果を発揮する。図１及び図２又は図４に示すような基板３１を備えた支持台３が一定位置にあって移動しない装置では、支持台３上の基板３１は、図６に示すような試験回路基板１０１とコネクタを介して予め電気的に接続されていて、基板３１には試験回路基板１０１から電源や信号を供給できるようになっている。又、サーモユニット６が運転され、加熱器６２又は蒸発器６３が使用され、熱媒液循環ポンプ６１により、温度制御された熱媒液が供給管６７、熱交換プレート４の熱媒液入口４４ａ、熱媒液流路４２、出口４４ｂ、戻り管６８、及び加熱器６２又は蒸発器６３を順次経由するように循環されている。その結果、熱交換プレートの胴体４３はほぼ熱媒液と同じ温度に維持されている。
【００２３】
この状態では、熱交換プレート４が図２（ａ）で二点鎖線で示すように時計方向に回転して支持台３に対してほぼ９０°開いていて、デバイス２は、図示しないロボット等によって支持台３のソケット５に装着される。即ち、生産ラインから試験のために搬送されてきたデバイス２の上面をロボットが吸着支持し、そのリード２２をソケット５のコンタクトピン５１に差し込むことによってデバイス２をソケット５に装着する。
【００２４】
支持台３上の全てのソケットにデバイスを装着すると、同図の実線で示すように、開いていた熱交換プレート４を反時計方向に回転させて支持台３に重ね合わせる。この操作により、伝熱シート４１ａからなる接触面４１がデバイス２の上面に圧接する。又、支持台３と熱交換プレート４により、図示の如く処理室１が閉鎖された空間部として形成される。これにより、デバイス２を目的とする温度条件で通電試験できることになる。
【００２５】
デバイス２を例えば常温の温度条件で通電試験するときには、サーモユニット６によって熱媒液を２０℃程度の常温に冷却して循環させる。デバイス２は通電によって発熱し、自然放熱によるだけではその温度が例えば１００℃以上にもなって試験時の温度条件を満たすことができないが、２０℃程度に温度制御した熱媒液を循環させることにより、上記の如く熱交換プレートの胴体４３をほぼ熱媒液と同じ温度にし、主としてデバイス２の上面から、接触面４１及び胴体４３を介してその発熱を熱伝導によって直接的に効率良く熱媒液に吸収させることができる。
【００２６】
又、デバイス２のその他の部分からの放熱を、熱伝達によって胴体４３の壁面に吸収させ、更に胴体４３から熱伝導によって熱媒液に吸収させることができる。その結果、デバイス２を冷却して熱媒液の温度に近い温度に維持し、目的とする温度条件の範囲内でその通電試験を行うことができる。なお、伝熱シート４１ａを接触面にしているので、これをデバイス２の上面に全面的に均一に接触させ、熱移動を均一にし、デバイス２の温度分布を良好にすることができる。
【００２７】
デバイス２を−２０℃程度の低温にしたり１２０℃程度の高温にして通電試験を行う場合には、同様に蒸発器６３又は加熱器６２を使用し、それぞれに適合した温度の熱媒液を循環させる。このときにも常温時と同様の作用効果を得ることができる。
【００２８】
このような装置によれば、直接接触による熱伝導を利用するので熱交換性能が良いため、高い冷却又は加熱効果が得られる。その結果、デバイス２を容易且つ迅速に目的とする温度条件にすることができる。又、デバイス２に空気流を当てる冷却方法でないので、上流側で空気の直接当たる部分と他の部分とで生ずるようなデバイス２内における温度分布が生じない。その結果、精度の良い温度条件で通電試験を行うことができる。又、デバイス２を空冷する必要がないので、空気流を当てることが適当でないデバイスの試験環境を良い状態にすることができる。
【００２９】
又、図２の例では１台の熱交換プレート４に接触面４１を３０個設けてデバイス２を３０個試験できるようにしているが、このように１台の熱交換プレートで多数デバイスを加熱又は冷却する場合でも、接触面４１が熱容量の大きい熱媒液によって加熱又は冷却される熱交換プレート４の胴体４３に形成されているので、それぞれの接触面間の位置による温度差が生じない。その結果、接触面に接触したそれぞれのデバイスの全てをほぼ同じ試験温度にすることができる。即ち、デバイス間での温度むらが発生しない。
【００３０】
更に、以上のような基板３１を含む支持台３と熱交換プレート４との組合せから成る半導体デバイス試験装置によれば、これを恒温槽に入れる必要がないので、恒温槽の場合にその内外間の電気的導通を図るために設けられる中継基板を介することなく、基板３１を直接試験回路基板１０１に接続して信号の授受を行うことができる。従って、本例の装置は、近年の動作信号の高速化した半導体デバイスのバーンイン試験にも適した装置である。
【００３１】
図６の装置も、基本的には図１、２の装置と同様に運転されるが、この装置では、それぞれの位置Ｐ1〜Ｐ3でコネクタの着脱操作が行われる。即ち、予めデバイス２が全てのソケット５に装着されている支持台３が、搬送ライン１００によって搬送されてＰ1位置に到達すると、昇降用シリンダ２０３が作動してガイドレール２０１に沿って挿抜用シリンダ２０２を下降させ、予め上方に退避していたロッド２０２ａを下降させ、その先端の当接板２０２ｂの下端側をコネクタ挿抜用の穴３５内に挿入させ、挿抜用シリンダ２０２を作動させてロッド２０２ａを伸ばし、穴３５を介して基板３１をその搬送方向であるＹ1方向に直角のＸ1方向に押し出し、その先端に形成されたエッジコネクタ３１ａを試験回路基板１０１のコネクタ１０１ａに挿入させ、基板と試験回路基板との間の電気的導通を確立する。
【００３２】
この状態で、熱媒液が循環していて予め低温条件にされている低温用の熱交換プレート４（４−１）を下降させて支持台３上に重ねて、接触面４１をデバイス２の上面に圧接させると共に処理室１を閉鎖された空間にする。そして、図１の装置と同様にデバイス２に通電して試験を行う。試験が終了すると、コネクタ着脱装置２００が今度は前記のときと反対方向に作動し、コネクタ１０１ａからエッジ３１ａを抜き出し、基板３１とテストボード１０１との接続を遮断する。その後、コネクタ着脱装置の昇降用シリンダ２０３を作動させて当接板２０２ｂを上昇させて穴３５から脱出させる。これにより、支持台３を次の常温位置Ｐ2に移動可能にする。
【００３３】
常温位置Ｐ2では、熱交換プレート４（４−２）が予め常温条件にされていて、上記低温試験のときと同様に常温試験が行われる。次の高温試験でも同様である。
【００３４】
以上のような装置によれば、コネクタの着脱操作及び熱交換プレートの昇降動作が簡単で迅速に行えること、それぞれの熱交換プレート４（４−１、４−２、４−３）が予め目的とする温度条件にされていてデバイスを直ちにそれぞれの温度に冷却又は加熱できること、そのときの熱移動が接触面とデバイスとの間の直接接触を介した熱伝導によって効率良く行われること等により、デバイス２を極めて迅速に異なった３つの温度条件で試験することができる。
【００３５】
即ち、従来の恒温槽における試験では、温度条件を変更して槽内環境を次の温度条件に到達させるための時間が長くかかると共に、それぞれ温度条件においてデバイスをその温度に到達させるまでの時間も多少長くなるが、本例の装置では、そのような時間が不要又は十分短くなるので、恒温槽での試験に較べて全体の試験時間を大幅に短縮することができる。なお、予め異なった温度条件に調整された複数の恒温槽を設けるとすれば、設備コストが極めて高くなる。又、恒温槽へのデバイスの出し入れによる温度乱れの発生や恒温槽内でのデバイスの温度到達時間が長いという問題は残る。
【００３６】
なお図４（ｂ）の装置によれば、図４の熱交換プレート４−１に低温熱媒液を通し４−２に高温熱媒液を流し、同じ支持台３に支持された半導体デバイス又はその他の対象物に対して、４−１と４−２とを短い時間間隔で回転させて交互に接触させることにより、冷熱衝撃試験を行うことができる。
【００３７】
又図６の装置によれば、上記と同様に熱交換プレート４−１と４−２とにそれぞれ低温及び高温熱媒液を流し、位置Ｐ1とＰ2との間で搬送ライン１００を二点鎖線の矢印で示すようにＹ1方向及びその反対のＹ2方向に往復移動させることにより、対象物に対して冷熱衝撃試験を行うことができる。更に、熱交換プレート４−１、４−２、４−３にそれぞれ低温、常温及び高温熱媒液を流し、位置Ｐ1、Ｐ2及びＰ3の間で搬送ライン１００をＹ1、Ｙ2方向に往復移動させることにより、対象物に対して常温を含めた高低温冷熱衝撃試験を行うことができる。
【００３８】
図７は本発明の温度条件付与装置を生物培養装置に適用した例を示す。本例の装置は、対象物として動物細胞や微生物等の微小な生物１０を培養するのに特に好都合な装置であり、処理室１を形成するように開閉可能な一方側部材としての蓋３´と他方側部材としての熱交換プレート４とを有する。即ち、本例の装置では、図１の装置に較べて熱交換プレート４が下側になっていて支持台と兼用されている。そして、一方側部材又は他方側部材のうちの少なくとも何れかとして他方側部材である熱交換プレート４が本例ではシャーレ１１を介して生物１０と接触する接触面４１と、接触面４１との間及び処理室１との間で熱移動可能なように設けられた熱媒液流路４２とが形成されている。
【００３９】
図７では装置の全体を示していないが、このような生物培養装置においても、蓋３´と熱交換プレート４とは図２又は図３に示すように組み合わせられる。又、処理室１は通常多数個設けられる。この場合、図１の装置の熱交換プレート４が本例では蓋３´に相当し、支持台３が熱交換プレート４に相当することになる。従って、本例の装置では蓋３´が回転されて熱交換プレート４に対して開閉される。
【００４０】
本例の装置においても、従来の恒温槽を使用した生物培養装置に較べて、図１の半導体デバイス試験装置の場合と同様に、熱交換性能が良いこと、構造が簡単で低コストであること、無風の温度環境を付与できること、微小生物に均一な温度環境を付与できること、等の効果を得ることができる。
【００４１】
【発明の効果】
以上の如く本発明によれば、請求項１の発明においては、閉鎖時に閉鎖された空間部を形成するように開閉可能な一方側部材と他方側部材とを有する構成にして、一方側部材又は他方側部材のうちの少なくとも何れかに、対象物と接触する接触面と、接触面との間及び空間部との間で熱移動可能なように設けられた熱媒体流路とを設け、空間部に入れられる対象物に目的とする温度条件を付与可能なように構成するので、熱媒体流路から熱移動を受ける接触面との直接接触により、接触面と対象物との間で効率良く熱移動させることができる。その結果、対象物を速く目的とする温度条件に到達させることができる。
【００４２】
又、熱媒体流路が閉鎖された空間部との間で熱移動可能なように設けられ、対象物を閉鎖された空間部に入れられるので、空間部の温度を熱媒体の温度に近い温度に保持でき、対象物の接触面以外の表面部分からの放熱又は吸熱による温度変化を防止することができる。その結果、対象物の全体を均一的に精度良く且つ迅速に目的とする温度条件にすることができる。
【００４３】
又、対象物を閉鎖空間内に入れ、接触熱移動によって目的とする温度条件にすることが可能であるため、空間内に冷却又は加熱のための気体流れを発生させる必要がない。その結果、特殊仕様の半導体デバイスや微生物等で気体流を受けることが好ましくない対象物に良好な環境下で目的とする温度条件を付与することができる。
【００４４】
更に、請求項１の発明の温度条件付与装置は、何れか一方又は両方が接触面と熱媒体流路とを有する一方側部材及び他方側部材を主要構成部分としているので、従来から使用されている恒温槽に較べて基本的に簡単な構造で低コストの装置である。
【００４５】
請求項２の発明においては、対象物に付与すべき温度条件が複数から成る場合に、一方側部材と他方側部材とを分離した構成にして、他方側部材に接触面と熱媒体流路とを形成し、他方側部材を複数の温度条件に対応した複数のもので構成し、一方側部材を複数の他方側部材の間を移動可能に形成するので、複数の他方側部材のそれぞれの熱媒体流路にそれぞれ異なった付与すべき温度条件の熱媒体を流し、接触面を予めこれに近い温度にしておくと共に、一方側部材に対象物を装着しておくことにより、一方側部材を順次異なった温度の他方側部材の位置に移動させ、それぞれの位置で一方側部材又は他方側部材の何れかのうちの相互間の開閉が可能な方を開閉させ、閉鎖時に空間部を形成し、対象物を迅速に順次付与すべき温度条件にすることができる。
【００４６】
この場合、対象物が例えば半導体デバイスであれば、それぞれの位置で試験装置との間で電気的接続を断続させる必要があるが、そのような操作は通常コネクタの着脱によって行われるため、周知の適当な方法で短時間に行うことができる。従って、コネクタの着脱を含めた全体工程においても、対象物に異なった温度条件を簡単に能率良く短時間で付与することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明を適用した温度条件付与装置としての半導体デバイス試験装置の一部分の断面構造を示す説明図である
【図２】  上記装置の全体の断面構造を示す説明図で、（ａ）は正面状態を示し（ｂ）は平面状態を示す。
【図３】  上記装置のためのサーモユニットの構成例を示す説明図である
【図４】  （ａ）及び（ｂ）は上記装置の開閉状態の他の例を示す説明図である
【図５】  （ａ）乃至（ｄ）は接触面を分離型にするときの説明図である。
【図６】  （ａ）乃至（ｃ）は上記装置で支持台を移動させるときの構成を示す説明図である。
【図７】本発明を適用した温度条件付与装置としての生物培養装置の一部分の断面構造を示す説明図である
【符号の説明】
１  処理室（空間部）
２  半導体デバイス、デバイス（対象物）
３  支持台（一方側部材）
３´  蓋（一方側部材）
４  熱交換プレート（他方側部材）
４−１、４−２、４−３  熱交換プレート（複数の他方側部材）
４１  接触面
４２  熱媒液流路（熱媒体流路）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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