(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部に被処理基板を支持する支持台を有する処理容器と、
前記処理容器に結合された排気系と、
前記処理容器に結合されたプラズマ生成用ガスを供給するガス供給部と、
前記処理容器上において、前記処理容器を真空密閉するようにして設けられたマイクロ波アンテナと、
前記マイクロ波アンテナの中心において鉛直上方に延在するようにして設けられた同軸導波管と、
前記同軸波管の、前記マイクロ波アンテナと相対する側の端部に設けられた同軸交換
器と、
前記同軸導波管及び前記同軸変換器を介して前記マイクロ波アンテナに電気的に結合され、前記マイクロ波アンテナに対して所定のマイクロ波を供給するためのマイクロ波電源とを具え、
前記マイクロ波アンテナは、冷却ジャケット、この冷却ジャケットと対向するようにして設けられた遅波板、及びこの遅波板の、前記冷却ジャケットが設けられた側の主面と相対向する側の主面上に形成されたスロット板とを有し、
前記スロット板は、その端部が弾性を有する金属体で挟持されるようにして支持及び固定されていることを特徴とする、マイクロ波プラズマ処理装置。
【請求項２】
前記スロット板は、ビスを用いず支持及び固定されていることを特徴とする、請求項１に記載のマイクロ波プラズマ処理装置。
【請求項３】
前記金属体は一対の金属体であって、前記スロット板の前記端部は、前記一対の金属体によって上下から挟み込むようにして支持及び固定されていることを特徴とする、請求項１に記載のマイクロ波プラズマ処理装置。
【請求項４】
前記金属体は、金属線材を巻回してなるヘリカル状の金属体であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載のマイクロ波プラズマ処理装置。
【請求項５】
前記金属体は、金属帯を巻回してなるヘリカル状の金属体であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載のマイクロ波プラズマ処理装置。
【請求項６】
前記金属体は、金属製の板ばねであることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載のマイクロ波プラズマ処理装置。
【請求項７】
前記金属体は、弾性を有する第１の金属部材と、この第１の金属部材の表面に形成された電気的良導性の第２の金属部材とからなることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載のマイクロ波プラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、超微細化半導体装置の製造や、液晶表示装置を含む高解像度平面表示装置の製造等に好適に用いることのできるマイクロ波プラズマ処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマ処理工程およびプラズマ処理装置は、近年のいわゆるディープサブミクロン素子あるいはディープサブクォーターミクロン素子と呼ばれる０．１μｍに近い、あるいはそれ以下のゲート長を有する超微細化半導体装置の製造や、液晶表示装置を含む高解像度平面表示装置の製造にとって、不可欠の技術である。
【０００３】
半導体装置や液晶表示装置の製造に使われるプラズマ処理装置としては、従来様々なプラズマの励起方式が使われているが、特に平行平板型高周波励起プラズマ処理装置あるいは誘導結合型プラズマ処理装置が一般的である。
【０００４】
しかしながら、これら従来のプラズマ処理装置は、プラズマ形成が不均一であり、電子密度の高い領域が限定されているため大きな処理速度すなわちスループットで被処理基板全面にわたり均一なプロセスを行うのが困難である問題点を有している。この問題は、特に大径の基板を処理する場合に深刻になる。しかもこれら従来のプラズマ処理装置では、電子温度が高いため被処理基板上に形成される半導体素子にダメージが生じ、また処理室壁のスパッタリングによる金属汚染が大きいなど、いくつかの本質的な問題を有している。このため、従来のプラズマ処理装置では、半導体装置や液晶表示装置のさらなる微細化およびさらなる生産性の向上に対する厳しい要求を満たすことが困難になりつつある。
【０００５】
このような問題に鑑み、直流磁場を用いずにマイクロ波電界により励起された高密度プラズマを使うマイクロ波プラズマ処理装置が提案されている。例えば、均一なマイクロ波を発生するように配列された多数のスロットを有する平面状のアンテナ（ラジアルラインスロットアンテナ）から処理容器内にマイクロ波を放射し、このマイクロ波電界により真空容器内のガスを電離してプラズマを励起させる構成のプラズマ処理装置が提案されている。（例えば特開平９−６３７９３号公報を参照。）
【０００６】
このような手法で励起されたマイクロ波プラズマではアンテナ直下の広い領域にわたって高いプラズマ密度を実現でき、短時間で均一なプラズマ処理を行うことが可能である。しかもかかる手法で形成されたマイクロ波プラズマではマイクロ波によりプラズマを励起するため電子温度が低く、被処理基板のダメージや金属汚染を回避することができる。さらに大面積基板上にも均一なプラズマを容易に励起できるため、大口径半導体基板を使った半導体装置の製造工程や大型液晶表示装置の製造にも容易に対応できる。  
【特許文献１】特開平９−６３７９３号
【０００７】
図１は、従来のマイクロ波プラズマ処理装置における構成の一例を示す断面図であり、図２は、図１に示すマイクロ波プラズマ処理装置のスロット板端部と天板との固定箇所の周辺を拡大して示す断面図である。なお、一般にマイクロ波プラズマ処理装置、特にそのマイクロ波アンテナの部分の平面形状は円形であって、特に図示しないものの、以下に示す装置の各構成要素についても、それらの平面形状は円形を呈する。
【０００８】
図１に示すマイクロ波プラズマ処理装置１０は、内部に被処理基板Ｓを支持する支持台１１１を有する処理容器１１と、処理容器１１内に配置されたガスシャワー１２及びガス導入管１７とを具えている。ガス導入管１７は、処理容器１１の内壁１１Ｂを貫通するようにして形成されるとともに、内壁１１Ｂによって保持され、主としてプラズマ生成用の不活性ガスを処理容器１１内に供給する。ガスシャワー１２は、図示しない治具によって処理容器１１の内壁に固定され、同じく図示しないガス供給源から開口部１２Ａを介して処理用のガスを処理容器１１内に供給できるように構成されている。また、処理容器１１の下方には図示しない真空ポンプなどの排気系に接続するための開口１１Ａが形成されている。
【０００９】
また、処理容器１１上においては、この処理容器１１を真空密閉するようにしてマイクロ波アンテナ１３が設けられている。マイクロ波アンテナ１３の略中心には鉛直上方に延在した同軸導波管１４が設けられており、この同軸導波管１４の、マイクロ波アンテナ１３と相対する側の端部には同軸変換器１５が設けられている。
【００１０】
同軸導波管１４は、内導体１４１及び外導体１４２を有し、内導体１４１の上端部１４１Ａと同軸変換器１５の上壁面とがビス２１によって固定され、外導体１４２の上端部１４２Ａと同軸変換器１５の下壁面とがビス２２によって固定されている。これによって、同軸導波管１４と同軸変換器１５とが機械的及び電気的に接続されるようになる。
【００１１】
マイクロ波アンテナ１３は、冷却ジャケット１３１、この冷却ジャケット１３１と対向するようにして設けられた遅波板１３２、及びこの遅波板１３２の、冷却ジャケット１３１が設けられた側の主面と相対向する側の主面上に形成されたスロット板１３３とを有している。なお、スロット板１３３には、マイクロ波を放射する図示しない複数のスロットが設けられている。
【００１２】
また、冷却ジャケット１３１、遅波板１３２及びスロット板１３３は上記アンテナ１３の構成要素である天板１３５上に設けられている。天板１３５は、処理容器１１の壁面１１Ｂの上端部によって支持されている。
【００１３】
同軸導波管１４の外導体１４２の下端部１４２Ｂと冷却ジャケット１３１とはビス２３によって固定されている。これによって、同軸導波管１４及びアンテナ１３は機械的及び電気的に接続されることになる。
【００１４】
なお、冷却ジャケット１３１は、主として処理容器１１内で生成したプラズマの輻射熱によってアンテナ１３が加熱されるのを抑制するために設けられているものであり、内部に設けられる流通孔１３１Ａ内を冷媒が流れるようにして構成されている。また、冷却ジャケット１３１の上面には、Oリング２８を介して蓋１３４がビス２４によって締結され、流通孔１３１Ａを蓋１３４によって塞ぐように構成されている。
【００１５】
さらに、図１及び２に示すように、スロット板１３３の端部１３３Ａは、ビス２６によって冷却ジャケット１３１に対して固定されている。
【００１６】
しかしながら、処理容器１１内でプラズマを生成し、支持台１１１上に設置された被処理基板Ｓの加工処理などを開始すると、上述したように冷却ジャケット１３１によってアンテナ１３の全体を冷却しても、その温度は１００℃以上にまで加熱されるようになる。したがって、スロット板１３３を冷却ジャケット１３１に対してビス２６によって固定しても、スロット板１３３に形成されたスロットの位置が変化する。
【００１７】
一方、図示しないマイクロ波電源から同軸変換器１５及び同軸導波管１４を介してアンテナ１３に導入されたマイクロ波は、遅波板１３２内を伝搬した後、スロット板１３３から、天板１３５を介して処理容器１１内に放射される。したがって、上述のようにスロットの位置が変化すると、前記スロットからの前記マイクロ波の放射状態が変動するようになるので、前記マイクロ波が処理容器１１内に安定して放射されなくなり、均一な処理を行うことができなくなってしまう。したがって、装置の安定性や信頼性を損なう結果となっていた。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
本発明は、マイクロ波プラズマ処理装置を構成するマイクロ波アンテナのスロット板の位置変化を防止して、目的とするマイクロ波の伝搬における変動を抑制し、均一なプラズマを生成することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
上記目的を達成すべく、本発明は、
内部に被処理基板を支持する支持台を有する処理容器と、
前記処理容器に結合された排気系と、
プラズマ生成用ガスを供給するガス供給部と、
前記処理容器上において、前記処理容器を真空密閉するようにして設けられたマイクロ波アンテナと、
前記マイクロ波アンテナの略中心において鉛直上方に延在するようにして設けられた同軸導波管と、
前記同軸波管の、前記マイクロ波アンテナと相対する側の端部に設けられた同軸交換
器と、
前記同軸導波管及び前記同軸変換器を介して前記マイクロ波アンテナに電気的に結合され、前記マイクロ波アンテナに対して所定のマイクロ波を供給するためのマイクロ波電源とを具え、
前記マイクロ波アンテナは、冷却ジャケット、この冷却ジャケットと対向するようにして設けられた遅波板、及びこの遅波板の、前記冷却ジャケットが設けられた側の主面と相対向する側の主面上に形成されたスロット板とを有し、
前記スロット板は、その端部が弾性を有する金属体で挟持されるようにして支持及び固定されていることを特徴とする、マイクロ波プラズマ処理装置に関する。
【００２０】
本発明によれば、マイクロ波アンテナを構成するスロット板を、従来のビス等によって冷却ジャケットに締結及び固定せずに、金属体によって挟持するようにして支持し、固定している。したがって、従来と異なり、前記スロット板は、面内方向において伸縮自在になっているので、前記スロット板は半径方向に伸縮することが可能となる。
【００２１】
このため、上記処理容器内でプラズマを生成し、支持台上に設置された被処理基板の加工処理などを開始し、それによって前記アンテナの温度が上昇した場合でも、前記スロット板の熱膨張は、その半径方向において生ぜしめることができるようになる。したがって、前記スロット板は、その熱膨張によって遅波板と天板との間を押し広げるようにして上下方向に変形することがなく、平坦なまま半径方向に膨張することが可能であるので、前記マイクロ波の伝搬経路を変動させることがない。この結果、均一にマイクロ波を放射することができ、均一なプラズマを生成することができる。
【００２２】
また、前記スロット板は、熱膨張によっても平坦なままであるので、前記遅波板と前記天板とは、前記スロット板を介して密着したままの状態を保持することができる。したがって、前記冷却ジャケットによる、特に前記天板に対する冷却効率の減少という問題も回避することができる。
【００２３】
なお、本発明の一態様において、前記金属体を一対の金属体とし、前記スロット板の前記端部を、前記一対の金属体によって上下から挟み込むようにして支持及び固定することができる。この場合、前記スロット板の半径方向への伸縮をより向上させることができ、上述した作用効果をより効果的に得ることができる。
【００２４】
また、本発明の一態様において、前記金属体は、金属線材を前記スロット板の前記主面と略平行な軸に沿って巻回してなるヘリカル状の金属体とすることができる。また、前記金属体は、金属帯を前記スロット板の前記主面と略平行な軸に沿って巻回してなるヘリカル状の金属体とすることができる。
【００２５】
このような金属体は高い弾性を有するので、上述したスロット板の熱膨張による半径方向の伸縮を確保した状態で、前記スロット板の支持及び固定をより効果的に行うことができるようになる。
【００２６】
一方、上記マイクロ波電源から供給されたマイクロ波は、前記遅波板内を伝搬し、前記スロット板のスロットから、前記天板を介して前記処理容器内に放射される。また、前記マイクロ波による電流は、前記金属体の表面及び前記冷却ジャケットの遅波板に対向する表層部分内を伝搬する。この際、前記スロット板と前記金属体との電気的な接触が十分でないと、前記マイクロ波電流の伝搬の障害となり、結果として前記マイクロ波の伝搬を良好に保持することができない場合がある。
【００２７】
しかしながら、本態様では、前記金属体の、前記スロット板との接触面積を十分に確保することができるので、前記スロット板と前記金属体との電気的な接触面積を十分に確保することができる。したがって、上述した電気的接触に起因するマイクロ波の伝搬に関する不利益を生じることがない。
【００２８】
さらに、本発明の一態様において、前記金属体は、金属製の板ばねとすることができる。この場合においても、前記金属体は高い弾性を有するようになるので、上述したスロット板の熱膨張による半径方向の伸縮を確保した状態で、前記スロット板の支持及び固定をより効果的に行うことができるようになる。また、板ばねの形状及び大きさ等を制御することによって、前記スロット板と前記金属体との電気的な接触面積を十分に確保することができるので、電気的接触に起因するマイクロ波の伝搬に関する不利益を生じることがない。
【００２９】
さらに、本発明の一態様において、前記金属体は、弾性を有する第１の金属部材と、この第１の金属部材の表面に形成された電気的良導性の第２の金属部材とから構成することができる。この場合、第１の金属部材による弾性の効果によって、スロット板の熱膨張による半径方向の伸縮を確保した状態で、前記スロット板の支持及び固定をより効果的に行うことができるとともに、第２の金属部材の電気的良導性によって、前記スロット板と前記金属体との電気的な接触を良好に行うことができ、マイクロ波電流の伝搬を均一に保持し、結果として前記マイクロ波の全体的な伝搬を良好に保持することができるようになる。
【発明の効果】
【００３０】
以上、本発明によれば、マイクロ波プラズマ処理装置を構成するマイクロ波アンテナのスロット板の上下方向の熱変形を防止して、目的とするマイクロ波の伝搬における変動を抑制し、均一なプラズマを生成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下、本発明の具体的特徴について、発明を実施するための最良の形態に基づいて説明する。
【００３２】
図３は、本発明のマイクロ波プラズマ処理装置における構成の一例を示す断面図であり、図４は、図３に示すマイクロ波プラズマ処理装置のスロット板端部と天板との固定箇所の周辺を拡大して示す断面図である。なお、一般にマイクロ波プラズマ処理装置、特にそのマイクロ波アンテナの部分の平面形状は円形であって、特に図示しないものの、以下に示す装置の各構成要素についても、それらの平面形状は円形を呈する。また、図１及び２に示す構成要素と同一あるいは類似の構成要素に関しては、同じ参照数字を用いている。
【００３３】
図３に示すマイクロ波プラズマ処理装置３０は、内部に被処理基板Ｓを支持する支持台１１１を有する処理容器１１と、処理容器１１内に配置されたガスシャワー１２及びガス導入管１７とを具えている。支持台１１１は、アルミナあるいはＳｉＣなどを主材料としたサセプタとすることができる。この場合、被処理基板Ｓは、前記サセプタ内部に設けられた電極から生じる静電力によって前記サセプタの主面に吸着固定される。また、前記サセプタ内には必要に応じて、被処理基板Ｓを加熱するためのヒータを内蔵することができる。
【００３４】
ガス導入管１７は、処理容器１１の内壁１１Ｂを貫通するようにして形成されるとともに、内壁１１Ｂによって保持されている。ガスシャワー１２は、図示しない治具によって処理容器１１の内壁１１Ｂに固定され、同じく図示しないガス供給源から開口部１２Ａを介して被処理室１１内に所定のガスを供給できるように構成されている。なお、開口部１２Ａは、ガスシャワー１２の長さ方向において所定の間隔で複数形成されているので、非処理基板Ｓの近傍に均一に前記ガスを供給することができ、被処理基板Ｓに対して目的とするマイクロ波プラズマ処理を均一に行うことができる。
【００３５】
また、処理容器１１の下方には図示しない真空ポンプなどの排気系に接続するための開口１１Ａが形成されている。処理容器１１内の真空度（圧力）は、開口１１Ａを介した前記真空ポンプ等による排気によって適当な値に保持される。
【００３６】
Ａｒ等の不活性ガスは主としてガス導入管１７から処理容器１１内に導入され、フッ素系ガスなどのガスは主としてガスシャワー１２から処理容器１１内に導入される。
【００３７】
また、処理容器１１上においては、この処理容器１１を真空密閉するようにしてマイクロ波アンテナ１３が設けられている。マイクロ波アンテナ１３は、例えばＡｌなどの伝熱性に優れた材料からなる冷却ジャケット１３１、この冷却ジャケット１３１と対向するようにして設けられた、例えばアルミナ等の誘電体からなる遅波板１３２、及びこの遅波板１３２の、冷却ジャケット１３１が設けられた側の主面と相対向する側の主面上に形成された、例えばＣｕなどの電気的良導体からなるスロット板１３３とを有している。
【００３８】
冷却ジャケット１３１、遅波板１３２及びスロット板１３３は上記アンテナ１３の構成要素である天板１３５上に設けられている。天板１３５は、処理容器１１の側壁１１Ｂの上端部において支持されている。
【００３９】
なお、冷却ジャケット１３１は、アンテナ１３、特に天板１３５を冷却するために設けられているものであり、主として処理容器１１内で生成したプラズマの輻射熱によってアンテナ１３が加熱されるのを抑制するために設けられているものであって、内部に設けられる流通孔１３１Ａ内を冷媒が流れるようにして構成されている。また、冷却ジャケット１３１の上面には、Oリング２８を介して蓋１３４がビス２４によって締結され、流通孔１３１Ａを蓋１３４によって塞ぐように構成されている。
【００４０】
さらに、図３及び４に示すように、スロット板１３３の端部１３３Ａは、一対の金属体３６によって上下から挟み込むようにして支持及び固定されている。なお、このような一対の金属体の代わりに単独の金属体を用い、前記金属体をスロット板１３３に対して上方から押圧し、天板１３５との間で挟持するようにすることもできる。
【００４１】
また、マイクロ波アンテナ１３の略中心には鉛直上方に延在した同軸導波管１４が設けられており、この同軸導波管１４の、マイクロ波アンテナ１３と相対する側の端部には同軸変換器１５が設けられている。
【００４２】
同軸導波管１４は、内導体１４１及び外導体１４２を有し、内導体１４１の上端部１４１Ａと同軸変換器１５の上壁面とがビス２１によって固定され、外導体１４２の上端部１４２Ａと同軸変換器１５の下壁面とがビス２２によって固定されている。これによって、同軸導波管１４と同軸変換器１５とが機械的及び電気的に接続されるようになる。
【００４３】
なお、内導体１４１の内部を空洞とし、この空洞内に冷媒を流すことによって、内導体１４１を冷却することもできる。
【００４４】
一方、同軸導波管１４の外導体１４２の下端部１４２Ｂと冷却ジャケット１３１とはビス２３によって固定されている。これによって、同軸導波管１４及びアンテナ１３は機械的及び電気的に接続されることになる。
【００４５】
図示しないマイクロ波電源から供給されたマイクロ波は、同軸変換器１５に導入することによってＴＥモードのマイクロ波に加えＴＭモードのマイクロ波が混在するようになり、この混在波は同軸導波管１４を導波し、マイクロ波アンテナ１３に供給される。この際、前記ＴＭモードのマイクロ波は、内導体１４１及び外導体１４２で形成される空洞１４３内を伝搬した後、遅波板１３２内を伝搬する。そして、スロット板１３３の図示しないスロットから放射され、天板１３５を介して処理容器１１内に供給される。
【００４６】
そして、ガスシャワー１２から処理容器１１内に供給されたガスをプラズマ化し、このプラズマ化したガスを用いて被処理基板Ｓの加工等を行う。
【００４７】
なお、前記マイクロ波による電流は、スロット板１３３の、遅波板１３２と対向する側の表層部分と、金属体３６の表面及び遅波板１３２の表面（冷却ジャケット１３１の、遅波板１３２と対向する側の表層部分）とを伝搬する（図４における実線参照）。
【００４８】
上述のようにして、前記マイクロ波を処理容器１１中に供給してプラズマを生成して被処理基板Ｓの加工等を行うと、前記プラズマの輻射熱によってマイクロ波アンテナ１３が加熱されるようになる。この際、冷却ジャケット１３１内の流通孔１３１Ａ内に冷媒を流すことによってアンテナ１３を冷却することになるが、このような温調を実施してもアンテナ１３は１００℃以上にまで加熱されるようになる。
【００４９】
特に、スロット板１３３は上述したようにＣｕ等の電気的良導体から構成されるので、その上方に位置するアルミナ等から構成される遅波板１３２に比較して熱の影響が大きく、熱膨張の程度も大きくなる。
【００５０】
しかしながら、本例では、上述したように、スロット板１３３の端部１３３Ａは、一対の金属体３６によって上下から挟み込むようにして支持及び固定されている。したがって、マイクロ波アンテナ１３の温度が上昇し、スロット板１３３の熱膨張が比較的大きい場合においても、スロット板１３３の端部１３３Ａは半径方向において伸縮自在であるため、前記熱膨張はスロット板１３３の半径方向において生じるようになる。
【００５１】
この結果、スロット板１３３の上下方向における熱膨張を抑制することができ、スロット板１３３のゆがみ等による平坦性が劣化することがない。換言すれば、スロット板１３３は、処理容器１１内からの輻射熱によって加熱されても、平坦性を維持することができるので、スロット板１３３の位置変動に伴うマイクロ波の変動を抑制することができる。したがって、スロット板１３３を介して均一に前記マイクロ波を放射することができ、処理容器１１内において均一なプラズマを生成することができる。
【００５２】
また、スロット板１３３は、熱膨張によっても平坦なままであるので、遅波板１３２と天板１３５との間に空隙を生じすることなく、これらは互いにスロット板１３３を介して密着したままとなる。したがって、冷却ジャケット１３１による、特に天板１３５に対する冷却効率を損なうことがない。
【００５３】
次に、上述した金属体３６の具体的構成について説明する。図５は、金属体３６の一例を示す構成図である。本例では、金属体３６を、金属線材３６Ａをスロット板１３３の前記主面と略平行な軸Ｉ−Ｉに沿って巻回してなるヘリカル状の金属体としている。このような金属体は高い弾性を有するので、スロット板１３３の熱膨張による半径方向の伸縮を確保した状態で、スロット板１３３の支持及び固定をより効果的に行うことができるようになる。
【００５４】
また、金属体３６の、スロット板１３３との接触面積を十分均一に確保することができるので、スロット板１３３と金属体３６との電気的な接触面積を十分に確保することができる。したがって、上記マイクロ波による電流が、図４に実線で示すように伝搬する際の経路を確保することができ、結果として前記マイクロ波の伝搬を良好に保持することができるようになる。
【００５５】
図６は、金属体３６の他の例を示す構成図である。本例では、金属体３６を、金属帯３６Ｂをスロット板１３３の前記主面と略平行な軸II−IIに沿って巻回してなるヘリカル状の金属体としている。本例でも、金属体３６は高い弾性を有するので、スロット板１３３の熱膨張による半径方向の伸縮を確保した状態で、スロット板１３３の支持及び固定をより効果的に行うことができるようになる。
【００５６】
なお、図５及び６に示す例では、単一の金属体のみを示しているが、これら金属体は、スロット板１３３の外周に沿って円形状に複数配置することができる。
【００５７】
図７は、金属体３６の他の例を示す構成図である。本例では、金属体３６は、金属製の板ばね３６Ｃとしている。この場合においても、金属体３６は高い弾性を有するようになるので、スロット板１３３の熱膨張による半径方向の伸縮を確保した状態で、スロット板１３３の支持及び固定をより効果的に行うことができるようになる。また、板ばねの形状及び大きさ等を制御することによって、スロット板１３３と金属体３６との電気的な接触面積を十分に確保することができるので、電気的接触に起因するマイクロ波の伝搬に関する不利益を生じることがない。
【００５８】
なお、図７においては、複数の板ばね３６Ｃを円形状の支持部材３６Ｄに連結し、スロット板１３３の外周に沿って円形状に配列した状態の一部を示している。
【００５９】
また、特に図示しないが、金属体３６は、弾性を有する第１の金属部材と、この第１の金属部材の表面に形成された電気的良導性の第２の金属部材とから構成することができる。この場合、第１の金属部材による弾性の効果によって、スロット板１３３の熱膨張による半径方向の伸縮を確保した状態で、スロット板１３３の支持及び固定をより効果的に行うことができるとともに、第２の金属部材による電気的良導性の効果によって、スロット板１３３と金属体３６との電気的な接触を良好に行うことができる。したがって、マイクロ波電流の伝搬経路を確保することができ、前記マイクロ波の全体的な伝搬を良好に保持することができるようになる。
【００６０】
以上、本発明を上記具体例に基づいて詳細に説明したが、本発明は上記具体例に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸脱しない限りにおいて、あらゆる変形や変更が可能である。
【００６１】
例えば、上記具体例では、図４に示すように、スロット板の端部を一対の金属体によって上下から挟み込むようにして支持及び固定しているが、いずれか一方の金属体のみで支持するようにすることもできる。具体的には、スロット板の上方に設けた金属体あるいはスロット板の下方に設けた金属体で前記スロット板を支持し、相対向する天板あるいは冷却ジャケットとで固定するようにすることもできる。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】従来のマイクロ波プラズマ処理装置における構成の一例を示す断面図である。
【図２】図１に示すマイクロ波プラズマ処理装置のスロット板端部と天板との固定箇所の周辺を拡大して示す断面図である。
【図３】本発明のマイクロ波プラズマ処理装置における構成の一例を示す断面図である。
【図４】図３に示すマイクロ波プラズマ処理装置のスロット板端部と天板との固定箇所の周辺を拡大して示す断面図である。
【図５】図１に示すマイクロ波プラズマ処理装置の金属体の一例を示す構成図である。
【図６】図１に示すマイクロ波プラズマ処理装置の金属体の他の例を示す構成図である。
【図７】図１に示すマイクロ波プラズマ処理装置の金属体のその他の例を示す構成図である。
【符号の説明】
【００６３】
１０、３０  マイクロ波プラズマ処理装置
１１  処理容器
１１１  支持台
１２  ガスシャワー
１３  マイクロ波アンテナ
１３１  冷却ジャケット
１３２  遅波板
１３３  スロット板
１３４  蓋
１３５  天板
１４  同軸導波管
１４１  内導体
１４２  外導体
１５  同軸変換器
３６  金属体
【図１】
0004593652.tif 000002
【図２】
0004593652.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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