(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素素子を含む有機エレクトロルミネッセント素子であって、前記画素素子は、
制御領域と感知領域を有する基板と、
前記制御領域を被覆するスイッチ装置と駆動装置と、
前記感知領域を被覆するフォトセンサーとなるフォトダイオードと、
前記感知領域に配置され、前記フォトセンサーを発光させるOLED素子と、
前記フォトセンサーと前記駆動装置に結合されるキャパシタと、
を含み、
前記スイッチ装置は第一アクティブ層を有し、前記駆動装置は第二アクティブ層を有し、前記第一、及び、第二アクティブ層はポリシリコン層であり、
前記フォトダイオードは、第三アクティブ層、第四アクティブ層、及び、第五アクティブ層を含み、前記第五アクティブ層は、前記第三、及び、第四アクティブ層両方に接続されており、
更に、
前記第一、第二、第三、及び、第四アクティブ層を被覆するゲート誘電層と、
前記制御領域を被覆する前記ゲート誘電層上に配置され、前記スイッチ装置中にある第一ゲート及び前記駆動装置中にある第二ゲートと、
前記感知領域を被覆する前記ゲート誘電層上に配置され、２個の第一開口を有して、前記第三、及び、第四アクティブ層を露出し、前記第一開口は前記第五アクティブ層で充填される中間誘電層と、を含み、
前記フォトダイオードが前記OLED素子が前記フォトダイオードに照射する光線を感応することにより、前記OLED素子の輝度に対応するフォト電流が生成され、前記キャパシタの電圧は前記フォト電流により調整されて、前記駆動装置を通過する電流を制御し、前記OLED素子の輝度を変化させることを特徴とする有機エレクトロルミネッセント素子。
【請求項２】
前記スイッチ装置と前記駆動装置はトップゲートトランジスタであることを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセント素子。
【請求項３】
前記フォトダイオードは横向けフォトダイオードであることを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセント素子。
【請求項４】
前記第三、及び、第四アクティブ層はポリシリコンであることを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセント素子。
【請求項５】
前記第三、及び、第四アクティブ層は異なる導電型であることを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセント素子。
【請求項６】
前記第三アクティブ層はP型導電性で、前記第四アクティブ層はN型導電性であることを特徴とする請求項５に記載の有機エレクトロルミネッセント素子。
【請求項７】
前記第五アクティブ層はアモルファスシリコンであることを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセント素子。
【請求項８】
前記第一開口を充填し前記中間誘電層を被覆する前記第五アクティブ層の厚さは４５００〜５５００Åであることを特徴とする請求項７に記載の有機エレクトロルミネッセント素子。
【請求項９】
前記中間誘電層は、更に、複数の第二開口を有し、前記第一及び第二ゲート、並びに一部の第一及び第二アクティブ領域を露出し、前記第二開口は導電コンタクトを充填することを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセント素子。
【請求項１０】
前記装置はディスプレイパネルであることを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセント素子。
【請求項１１】
更に、電子装置を有し、前記電子装置は、
前記ディスプレイパネルと、
前記ディスプレイパネルに結合され、画像を表示するように前記ディスプレイパネルに入力を提供する入力ユニットと、
を含むことを特徴とする請求項１０に記載の有機エレクトロルミネッセント素子。
【請求項１２】
有機エレクトロルミネッセント素子の形成方法であって、
制御領域と感知領域を有する基板を提供する工程と、
前記制御領域で第一導電型TFTを形成し、前記感知領域でフォトダイオードの第一導電型領域を形成する工程と、
前記制御領域で第二導電型TFTを形成し、前記感知領域でフォトダイオードの第二導電型領域を形成する工程、
を含み、
前記第一導電型TFTと前記第一導電型領域の形成方法は、
前記基板を被覆し前記制御領域に位置する第一及び第二アクティブ層、前記基板を被覆し前記感知領域に位置する第三及び第四アクティブ層を形成する工程と、
注入を実行し、前記第一アクティブ層にチャンネル領域を形成する工程と、
注入を実行し、前記第四アクティブ層に第一導電領域を形成する工程と、
前記第一、第二、第三、及び、第四アクティブ層を被覆するゲート誘電層を形成する工程と、
前記第一及び第二アクティブ層を被覆する第一及び第二ゲートを形成する工程、を含み、前記第一ゲート、ゲート誘電層及び前記第一アクティブ層は、前記第一導電型TFTを構成し、前記第四アクティブ層とゲート誘電層は、前記フォトダイオードの前記第一導電型領域を構成し、更に、
前記第一、第二ゲートをマスクとして、注入を実行する工程を含み、これにより、軽ドープソース／ドレイン領域であるLDD領域が前記第一アクティブ層に形成され、同時に、前記第二アクティブ層が軽ドープされ、
前記第二導電型TFTと前記第二導電型領域の形成方法は、
注入工程を実行する工程を含み、これにより、前記第二アクティブ層のソース／ドレイン領域と前記第三アクティブ層の第二導電領域が形成され、
更に、
前記第一、第二ゲート及びゲート誘電層を被覆する中間誘電層を形成する工程と、
前記第三、第四アクティブ層の一部がそれぞれ露出するまで、前記感知領域を被覆する前記中間誘電層と前記ゲート誘電層とを貫通する２個の第一開口を形成する工程と、
第一導電層により前記第一開口を充填するとともに前記第三及び第四アクティブ層両方に接続されることにより、前記第三アクティブ層、前記第一導電層及び前記第四アクティブ層により前記フォトダイオードを構成する工程と、
前記第一導電層を被覆する誘電層を形成する工程と、
前記第一ゲート、第二ゲートの一部が露出するまで、前記制御領域を被覆する前記ゲート誘電層を貫通する複数の第二開口を形成する工程と、
前記第二導電コンタクトにより、前記第二開口を充填する工程と、
パッシベーション層と平坦化層を形成する工程と、
画素電極と画素定義層を形成する工程と、
前記制御領域と前記感知領域の一部を被覆するOLED素子を形成する工程を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセント素子の形成方法。
【請求項１３】
前記第一導電型はN型で、前記第二導電型はP型であることを特徴とする請求項１２に記載の有機エレクトロルミネッセント素子の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセント素子とその製造方法に関するものであって、特に、有機エレクトロルミネッセント素子の補償方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセント素子（Organic electroluminescent devices）は有機発光ダイオード（OLED）として知られる。電圧が有機分子材料、或いは、ポリマー材料に供給されて装置を発光させる。OLEDの自発光特性により、ドットマトリクス型表示で、軽薄、高コントラスト、低消耗電力、高解像度、速い反応時間、バックライト不要、広視野角等の特性を有する。４mmのマイクロディスプレイから１００インチの大型戸外看板までのパネル尺寸は、フラットパネルディスプレイ（FPD）のための好ましい光源となり得る。OLEDの発光効率が100Lm/W以上の場合、公知の光源を代替することができる。
【０００３】
図１で示されるように、有機エレクトロルミネッセント素子はスイッチトランジスタ１０２により駆動され、駆動トランジスタ１０４は電源線Vpに結合される。しかし、有機エレクトロルミネッセント素子１０６は画素間が不均一輝度で、特に、有機エレクトロルミネッセント素子１０６の輝度は長時間操作後衰退する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述の問題を解決するため、本発明は、有機エレクトロルミネッセント素子とその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一具体例は、画素素子を有する有機エレクトロルミネッセント素子を開示する。画素素子は、制御領域と感知領域を有する基板と、制御領域を被覆するスイッチ装置と駆動装置と、感知領域を被覆するフォトセンサーとなるフォトダイオードと、感知領域に配置され、前記フォトセンサーを発光させるOLED素子と、フォトセンサーと駆動装置に結合されるキャパシタと、からなる。特に、前記フォトダイオードが前記OLED素子が前記フォトダイオードに照射する光線を感応することにより、前記OLED素子の輝度に対応するフォト電流が生成され、キャパシタの電圧は、フォト電流により調整されて、駆動装置を経る電流を制御し、OLED素子の輝度を変化させる。
【０００６】
本発明のもう一つの具体例は製造方法を開示し、制御領域と感知領域を有する基板を提供する工程と、制御領域で第一導電型TFTを形成し、感知領域でフォトダイオードの第一導電型領域を形成する工程と、制御領域で第二導電型TFTを形成し、感知領域でフォトダイオードの第二導電型領域を形成する工程と、からなる。
【０００７】
本発明のもう一つの具体例は有機エレクトロルミネッセント素子に設置されるパネル、或いは、電子装置を開示する。
【発明の効果】
【０００８】
本発明により、有機エレクトロルミネッセント素子の輝度は長時間操作後も均一性が維持される。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
説明において、“基板を被覆する”“層上”、或いは“膜上”というのは、中間層の有無にかかわらず、単に、ベース層の表面との位置関係を示し、よってこれらの表現は、層と直接接触する、或いは、中間に、一つ、或いは、更に多くの層が隔たる非接触状態を示す。
【００１０】
図２は、本発明の実施例による補償装置を有する有機エレクトロルミネッセント素子を示す図である。図２で示されるように、有機エレクトロルミネッセント素子は画素素子２０を有する。画素素子２０において、有機エレクトロルミネッセント素子２０２は、例えば、スイッチ集積回路IC、或いは、スイッチトランジスタ等のスイッチ装置２０６により操作され、駆動装置２０４は電源線Vpに結合され、駆動装置２０４を流れる電流が制御され、有機エレクトロルミネッセント素子２０２の輝度を決定する。スイッチ装置２０６はカラムデータライン２２０とロースキャンライン２３０により制御される。本発明の具体例によると、キャパシタ２０８は駆動装置２０４のゲート電極に結合され、キャパシタ２０８は更にフォトダイオード２１０（フォトセンサーとなる）に結合される。キャパシタ２０８の電圧は調整され、フォトセンサー２１０により検出される有機エレクトロルミネッセント素子２０２の輝度に従って駆動トランジスタ２０４を流れる電流を制御する。よって、有機エレクトロルミネッセント素子２０２の輝度２１２は補償のために変化する。
【００１１】
図３Oは有機エレクトロルミネッセント素子の画素素子２０の断面図である。図３A〜図３Oは、補償装置を有する有機エレクトロルミネッセント素子の断面図である。図３Aを参照すると、制御領域３０４、感知領域３０６、キャパシタ領域３０７を含む基板３０２が提供され、バッファ層３０８は基板３０２上に形成される。バッファ層３０８は酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、或いは、それらの混合物で、好ましくは、酸化ケイ素と酸窒化ケイ素の積層である。本発明の好ましい具体例において、窒化ケイ素層の厚さは約３５０〜６５０Åで、酸化ケイ素層の厚さは約１０００〜１６００Åである。
【００１２】
次に、導電層（図示しない）がバッファ層３０８上に形成される。導電層はポリシリコンからなる。例えば、まず、アモルファスシリコン層が化学気相蒸着により形成され、その後、エキシマーレーザーELAにより結晶化、或いは、焼きなましされ、ポリシリコン層を形成する。導電層は公知のリソグラフィとエッチングにより、基板の制御領域３０４上方に、第一アクティブ層３１０、第二アクティブ層３１２を形成し、感知領域３０６上方に、第三アクティブ層１３０１、第四アクティブ層３１２１を形成し、基板３０２のキャパシタ領域３０７上方に、底部電極３０９を形成する。
【００１３】
図３Bを参照すると、第二アクティブ層３１２、第三アクティブ層３１０１はそれぞれフォトレジスト層３１４、３１４１により被覆される。チャンネルドープドーパント３１６がアクティブ層３１０、３１２１、及び、底部電極３０９に注入され、ドーパント３１６は好ましくはB＋で、適応量は一般に約0~1E13/cm2である。
【００１４】
図３Cを参照すると、第三アクティブ層３１０１はフォトレジスト層３１４１により被覆され、第二アクティブ層３１２はフォトレジスト層３１４により被覆される。第一アクティブ層３１０のチャンネル領域３２０はもう一つのフォトレジスト層３１８により被覆され、N+イオン３２２を第一アクティブ層３１０に注入し、ｎ型トランジスタのソース３２４とドレイン３２６を形成する。その間、N＋イオンは露出した第四アクティブ層３１２１、及び、底部電極３０９に注入され、よって、フォトダイオード（フォトセンサーとなる）N＋領域３１２１ａが形成される。本発明の好ましい具体例において、N＋イオンはリンで、適応量は好ましくは約1E14~1E16cm2である。
【００１５】
図３Dを参照すると、フォトレジスタ層３１４、３１４１、及び、３１８が除去され、ゲート誘電層３２８、例えば、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、それらの混合物、それらの積層、或いは、他の高K誘電材料は、第一アクティブ層３１０、第二アクティブ層３１２、第三アクティブ層３１０１、フォトダイオードのN＋領域３１２１ａ、及び、バッファ層３０８、キャパシタ領域３０７の底部電極層３０９上に全面的に蒸着され、ゲート誘電層３２８は、キャパシタ領域３０７のキャパシタ誘電層となる。ゲート誘電層３２８の蒸着はCVDである。
【００１６】
図３Eを参照すると、ゲート導電層（図示しない）、例えば、ドープされたポリシリコン又は金属がゲート誘電層３２８上に形成される。本発明の好ましい具体例によると、ゲート導電層はMoで、約１５００〜２５００Åの厚さである。
【００１７】
次に、ゲート導電層は公知のリソグラフィとエッチングによりパターン化され、第一アクティブ層３１０を被覆するｎ型トランジスタゲート３３０、第二アクティブ層３１２を被覆するｐ型トランジスタゲート３３２、キャパシタ領域３０７を被覆する頂部電極３３５、を形成する。よって、底部電極３０９、ゲート誘電層３２８、及び、頂部電極３３５は、図２で示されるキャパシタ２０８を構成する。
【００１８】
図３Fを参照すると、ゲート３３０、３３２の形成後、軽ドープ（N-ドープ）３３７工程、例えば、イオン注入が実行され、軽ドープソース／ドレイン領域（LDD）３３６をｎ型トランジスタの第一アクティブ層３１０のチャンネル領域３２０の反対側に形成する。よって、図２で示されるｎ型トランジスタのスイッチ装置２０６とｐ型トランジスタの駆動装置２０４は制御領域３０４に形成される。具体例において、スイッチ装置２０６と駆動装置２０４はトップゲートトランジスタである。
【００１９】
図３Gを参照すると、フォトレジスト層３３８、３３８１が形成されて第一アクティブ層３１０、フォトダイオードのN＋領域３１２１ａをそれぞれ被覆する。イオン注入（P＋ドープ）３４０が実行されてソース３４４とドレイン３４６を、ｐ型トランジスタのチャンネル領域３４２の反対側に形成し、フォトダイオードのP＋領域３１０１ａを形成する。
【００２０】
次に、図３Hを参照すると、フォトレジスト層３３８、３３８１が除去される。誘電層３４８が、制御領域３０４を被覆するゲート誘電層３２８、ｎ型トランジスタゲート３３０、ｐ型トランジスタゲート３３２、感知領域３０６を被覆するフォトダイオードのN＋領域３１２１ａとP＋領域３１０１ａ、及び、キャパシタ領域３０７を被覆する頂部電極３３５上に全面的に蒸着される。
【００２１】
一般に、誘電層３４８の厚さと組成は製品規格と工程手段によって決定される。例えば、誘電層３４８は二酸化ケイ素、ポリイミド、スピンオンガラスSOG、フッ素化ケイ酸塩ガラス（FSG）、ブラックダイヤモンド（カリフォルニアサンタクララのアプライドマテリアルズ社の製品）、キセロゲル、エアロゲル、アモルファスフッ素化炭素、及び／又は、その他の材料である。本発明の好ましい具体例において、誘電層３４８は酸化ケイ素と窒化ケイ素の積層で、更に好ましくは、下層窒化ケイ素／酸化ケイ素／上層窒化ケイ素の積層構造で、下層の窒化ケイ素は２５００〜３５００Å、酸化ケイ素は２５００〜３５００Å、上層の窒化ケイ素は５００〜１５００Åの厚さである。誘電層３４８の形成はCVDである。更に、快速熱アニールによりドーパントを活性化する。
【００２２】
図３Iを参照すると、後続のパターン化とエッチング工程により、コンタクトホール３４８１が定義され、感知領域３０６を被覆する誘電層３４８とゲート誘電層３２８をエッチングする。エッチングはドライ、或いは、ウェットエッチングである。
【００２３】
図３Jを参照すると、CVDにより、アモルファスシリコン等の導電膜３４９ａ、誘電膜３４９ｂが順に感知領域３０６上に形成される。導電膜３４９ａはコンタクトホール３４８１を充填し、誘電層３４８を被覆する。誘電膜３４９ｂは導電膜３４９ａを被覆する。導電膜３４９ａ、或いは、誘電膜３４９ｂの好ましい厚さはそれぞれ５０００、３０００Åである。導電膜３４９ａはアモルファスシリコン、或いは、ポリシリコンである。誘電膜３４９ｂは窒化ケイ素、或いは、酸化ケイ素である。本具体例において、アモルファスシリコンフォトダイオード領域が、導電膜３４９ａと誘電膜３４９ｂの形成後、パターン化、エッチングされ、よって、図２で示されるフォトセンサー２１０が形成される。エッチング工程は、ドライエッチングとウェットエッチングである。フォトセンサー２１０は本具体例において横向きアモルファスシリコンダイオードで、他の実施例では垂直ダイオードである。
【００２４】
図３Kを参照すると、誘電層３４８とゲート誘電層３２８は公知のリソグラフィとエッチングによりパターン化され、複数の開口３５４を形成し、ｎ型トランジスタのソース３２４、ゲート３３０、及び、ドレイン３２６、ｐ型トランジスタのソース３４４、ゲート３３２、ドレイン３４６を露出し、後続の工程で、金属線に接続する。
【００２５】
次に、図３Lを参照すると、金属層（図示しない）が一面に蒸着され、公知のリソグラフィとエッチングによりパターン化されて、開口３５４に導電コンタクト３５６を形成する。本発明の具体例によると、スイッチ装置と駆動装置は同層のゲートを有する。例えば、図３Lを参照すると、スイッチ装置２０６のゲート３３０と駆動装置２０４のゲート３３２は同層である。金属層はMo/Al/Moの積層で、それぞれ、５００、４０００、５００Åの厚さである。
【００２６】
図３Mを参照すると、平坦化層３６４、例えば、有機物、或いは、酸化物がパッシベーション層３６２上に形成される。好ましくは、平坦化層３６４は約１００００〜５００００Åである。平坦化層３６４とパッシベーション層３６２は公知のリソグラフィとエッチングによりパターン化されて、導電コンタクト３５６に対応するコンタクト開口３６６を形成する。本発明の好ましい具体例において、コンタクト開口３６６は、ｐ型トランジスタのドレイン３４６の導電コンタクト３５６を露出する。
【００２７】
図３Nを参照すると、画素電極層３６８（アノード）、例えば、インジウムスズ酸化物（ITO）、は平坦化層３６４上に形成され、導電コンタクト３５６に電気的に接続される。次に、画素定義層３７０、例えば、有機物、或いは、酸化物、が一部の平坦化層３６４と画素電極層３６８に形成される。画素定義層３７０は、その後、パターン化されて、一部、或いは、全センサー２１０を露出する。
【００２８】
図３Qを参照すると、有機発光層（OLED層）３７２が画素電極層３６８と画素定義層３７０上を被覆して形成される。本発明の具体例において、画素電極層３６８（アノード層とも呼ばれる）を被覆する有機発光層３７２は、ホール注入層、ホール輸送層、有機発光材料層、電子輸送層、及び、電子注入層、からなる。アノード層はインジウムスズ酸化物(In2O3:Sn, ITO)で、エッチングが容易、低成膜温度、低抵抗等の長所を有する。バイアス電圧がOLED素子に提供され、電子とホールが電子輸送層とホール輸送層をそれぞれ通過し、有機発光材料層に進入して、励起子を結合し、その後、エネルギーを釈放して接地状態に戻る。特に、有機発光材料の違いにより、釈放するエネルギーも異なる色の光、赤（R）、緑（G）、及び、青（B）を示す。
【００２９】
次に、カソード３７４が有機発光層３７２上に形成される。カソード３７４は反射層、例えば、AI、Ag、或いは、その他の高反射の適切な材料である。よって、画素電極層３６８、有機発光層３７２、及び、カソード３７４は、図２で示されるような有機エレクトロルミネッセント素子（OLED素子）２０２を構成する。底面発光有機エレクトロルミネッセント素子を形成する。
【００３０】
図２と図３Qで示されるように、本発明の具体例によると、OLED素子２０２がフォトセンサー２１０を照射する時、フォト電流がフォトセンサー２１０に発生する。フォト電流のレベルはOLED素子２０２の輝度に依存する。フォトセンサー２１０により検出される有機エレクトロルミネッセント素子２０２の輝度により、駆動装置２０４に結合されるキャパシタ２０８の電圧が調整され、駆動装置２０４を流れる電流を制御する。よって、有機エレクトロルミネッセント素子２０２の輝度は補償のために変化する。この内的な補償は長時間操作後、OLEDの輝度均一性を維持する。
【００３１】
図４は、図２、或いは、図３Oで示される画素素子２０がOLEDパネルとなるディスプレイパネル（この場合、パネル３０）に組み込まれたことを示す図である。パネルは各種電子装置（この場合、電子装置５０）の一部分を形成する。一般に、電子装置５０は、OLEDパネル３０と入力ユニット４０からなる。更に、入力ユニット４０は、OLEDパネル３０に結合されて、入力信号（イメージ信号）をパネル３０に提供し、イメージを生成する。電子装置は、PDA、ノート型パソコン、タブレットPC、携帯電話、カーTV、或いは、デジタルカメラ等である。
【００３２】
本発明では好ましい実施例を前述の通り開示したが、これらは決して本発明に限定するものではなく、当該技術を熟知する者なら誰でも、本発明の精神と領域を脱しない範囲内で各種の変動や潤色を加えることができ、従って本発明の保護範囲は、特許請求の範囲で指定した内容を基準とする。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】公知の有機エレクトロルミネッセント素子の画素間の不均一な輝度を示す図である。
【図２】本発明の具体例による補償装置を有する有機エレクトロルミネッセント素子を示す図である。
【図３Ａ】本発明の具体例による補償装置を有する有機エレクトロルミネッセント素子をの断面図である。
【図３Ｂ】本発明の具体例による補償装置を有する有機エレクトロルミネッセント素子をの断面図である。
【図３Ｃ】本発明の具体例による補償装置を有する有機エレクトロルミネッセント素子をの断面図である。
【図３Ｄ】本発明の具体例による補償装置を有する有機エレクトロルミネッセント素子をの断面図である。
【図３Ｅ】本発明の具体例による補償装置を有する有機エレクトロルミネッセント素子をの断面図である。
【図３Ｆ】本発明の具体例による補償装置を有する有機エレクトロルミネッセント素子をの断面図である。
【図３Ｇ】本発明の具体例による補償装置を有する有機エレクトロルミネッセント素子をの断面図である。
【図３Ｈ】本発明の具体例による補償装置を有する有機エレクトロルミネッセント素子をの断面図である。
【図３Ｉ】本発明の具体例による補償装置を有する有機エレクトロルミネッセント素子をの断面図である。
【図３Ｊ】本発明の具体例による補償装置を有する有機エレクトロルミネッセント素子をの断面図である。
【図３Ｋ】本発明の具体例による補償装置を有する有機エレクトロルミネッセント素子をの断面図である。
【図３Ｌ】本発明の具体例による補償装置を有する有機エレクトロルミネッセント素子をの断面図である。
【図３Ｍ】本発明の具体例による補償装置を有する有機エレクトロルミネッセント素子をの断面図である。
【図３Ｎ】本発明の具体例による補償装置を有する有機エレクトロルミネッセント素子をの断面図である。
【図３Ｏ】本発明の具体例による補償装置を有する有機エレクトロルミネッセント素子をの断面図である。
【図４】図２、或いは、図３Nの画素素子２０がOLEDパネルなどのパネル（この場合、パネル３０）に組み込まれた図である。
【符号の説明】
【００３４】
VP〜電源線；                              
20〜画素ユニット；
30〜有機エレクトロルミネセントパネル；    
40〜入力ユニット；
50〜電子素子；                            
102〜スイッチトランジスタ；
104〜駆動トランジスタ；
106〜有機エレクトロルミネッセント素子；
202〜有機エレクトロルミネッセント素子；
204〜駆動素子；
206〜スイッチ素子；
208〜キャパシタ；                                
210〜フォトダイオード；
220〜カラムデータライン；
230〜ロースキャンライン；
302〜基板；
304〜制御領域；
306〜感知領域；
307〜キャパシタ領域；
308〜バッファ層；                         
309〜底部電極；
310〜第一アクティブ層；            
312〜第二アクティブ層；
3101〜第三アクティブ層；                  
3121〜第四アクティブ層；
314〜フォトレジスト；                                          
3141〜フォトレジスト；
316〜チャンネルドープドーパント；         
320〜チャンネル領域；
3121a〜フォトダイオード（フォトセンサーとなる）N＋領域；
322〜Ｎ＋イオン：                  
318〜フォトレジスト；
324〜Ｎ型トランジスタのソース；    
326〜Ｎ型トランジスタのドレイン；
328〜ゲート誘電層；                
330〜N型トランジスタゲート；
332〜P型トランジスタゲート；              
335〜頂部電極；
208〜キャパシタ；                                
337〜軽ドープ；
336〜軽ドープソース／ドレイン領域（LDD）；              
3381〜フォトレジスト；
338〜フォトレジスト；                                   
340〜イオン注入；
342〜チャンネル領域；                                   
344〜ソース；
346〜ドレイン；                                         
348〜誘電層；
3481〜コンタクトホール；                         
349a〜導電薄膜；
349b〜誘電薄膜；                          
354〜開口；
356〜導電コンタクト；                            
364〜平坦化層；
366〜コンタクト開口；                            
368〜画素電極層；
370〜画素定義層；                  
372〜有機発光層；
374〜カソード。
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
0004498380.tif 000005
【図３Ｃ】
0004498380.tif 000006
【図３Ｄ】
0004498380.tif 000007
【図３Ｅ】
0004498380.tif 000008
【図３Ｆ】
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【図３Ｇ】
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【図３Ｈ】
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【図３Ｉ】
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【図３Ｊ】
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【図３Ｋ】
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【図３Ｌ】
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【図３Ｍ】
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【図３Ｎ】
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【図３Ｏ】
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【図４】
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