(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面にレジストパターンが形成され、露光処理され現像処理された基板の表面を上面にして保持する基板保持台と、上記レジストパターンを膨潤させる溶剤蒸気を上記基板の表面に向けて吐出するノズルと、上記基板保持台とノズルを相対的に平行移動する移動機構とを具備する基板処理装置において、
上記ノズルは、溶剤蒸気の供給口及び該供給口に連通し下方に開口する吐出孔を設けるノズルヘッドと、上記ノズルヘッドを挟んで対向する位置に設けられ、少なくとも上記吐出孔から吐出された溶剤蒸気を吸引可能な開口及び該開口に連通する連通路を有する漏洩防止部と、を具備し、
上記ノズルヘッドの供給口に、切換弁を介して溶剤蒸気供給源と不活性ガス供給源を切換可能に接続し、
上記漏洩防止部の開口に、切換弁を介して排気機構と溶剤蒸気遮断用の気体供給源を切換可能に接続してなる、ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１記載の基板処理装置において、
上記漏液防止部の下部を、上記ノズルヘッドの吐出孔より下方に延在させると共に、ノズルヘッドの下端面に連なる面を凹状曲面に形成し、かつ、内側面に開口を設ける、ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項１又は２記載の基板処理装置において、
上記ノズルヘッドにおける吐出孔の両側に結露防止用のヒータを配設してなる、ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載の基板処理装置において、
上記漏洩防止部を、上記ノズルヘッドに対して相対的に鉛直方向に移動調整可能に形成してなる、ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかに記載の基板処理装置において、
上記漏洩防止部に設けられる開口を、上記ノズルの移動方向に複数個設け、少なくともノズルの移動方向の前方側の開口を溶剤蒸気遮断用の気体供給源に接続し、その他の開口を排気機構に接続してなる、ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
請求項１又は３記載の基板処理装置において、
上記漏洩防止部を、上記ノズルヘッドとの間に開口及び連通路を残してノズルヘッドを覆うカバー体にて形成し、上記カバー体の天板部にノズルヘッドの供給口に連通する連通孔を形成してなる、ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
請求項６記載の基板処理装置において、
上記カバー体と上記ノズルヘッドとを相対的に鉛直方向及び水平方向に移動調整可能に形成し、上記カバー体の天板部に設けられた連通孔と上記ノズルヘッドの供給口とを伸縮及び屈曲自在な連通管路を介して接続してなる、ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれかに記載の基板処理装置において、
上記吐出孔を、上記ノズルの移動方向の前方側に偏倚して設ける、ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれかに記載の基板処理装置において、
上記移動機構、上記ノズルヘッドに設けられた供給口に対する溶剤蒸気と不活性ガスの供給を切り換える切換弁、上記漏液防止部に設けられた開口に対する排気と溶剤蒸気遮断用の気体の供給を切り換える切換弁及び排気機構の駆動を制御する制御手段を更に具備する、ことを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、例えば半導体ウエハ等の基板のレジスト膜の表面荒れを改善する基板処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体デバイスの製造のプロセスにおけるフォトリソグラフィー工程では、例えば半導体ウエハ（以下にウエハという）の下地膜上にレジスト液を塗布し、レジスト膜を形成するレジスト塗布処理、ウエハ表面に所定の回路パターンが露光される露光処理、露光後のウエハを現像液により現像する現像処理、及びウエハの下地膜などを食刻するエッチング処理等が行われている。
【０００３】
ところで、上述の現像処理が施された後のレジストパターンの表面には、露光処理時にウエハの表面に照射される光の波動的性質｛例えば、ＫｒＦの波長は２４８ｎｍ，ＡｒＦの波長は１９３ｎｍ｝によってレジストパターンの側壁面の水平及び鉛直方向に複数の筋が現れて、レジストパターンの表面に凹凸｛ＬＷＲ（Line Width Roughness），ＬＥＲ（Line Edge Roughness）｝が現れる。このように、レジストパターンの表面に凹凸ができて表面が荒くなると、そのレジストパターンをマスクとして下地膜をエッチング処理したときに、下地膜にはレジストパターンの筋に対応した筋などの凹凸が現れ、精密な回路パターンが形成されず、所望の品質の半導体デバイスが製造されなくなる。
【０００４】
そこで、出願人は、上述した凹凸｛ＬＷＲ（Line Width Roughness），ＬＥＲ（Line Edge Roughness）｝を改善する手法として、レジストの溶剤蒸気を使用し、レジストパターンの最表面を溶解させて平滑化する手法（スムージング処理）を既に提案している（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
このスムージング処理によれば、レジストパターンが形成され、露光処理され現像処理された基板の表面に対してノズルから溶剤蒸気を吐出することにより、レジストパターンを膨潤させ、レジストパターンの表面の凹凸を均し平滑化（スムージング）することができる。
【０００６】
ところで、このスムージング処理においては、溶剤蒸気雰囲気の装置内への拡散を防止するために、スムージング処理装置（モジュール）の密閉及びモジュール内の排気や防爆などの安全対策を考慮する必要がある。そのため、装置内に排気カップを配置して溶剤蒸気雰囲気の装置内への拡散を防止している。
【特許文献１】特開２００５−１９９６９号公報（特許請求の範囲、図４，図５）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、装置内に配置される排気カップのみでは、ノズルから吐出された溶剤蒸気を確実に回収することは難しく、装置内に溶剤蒸気が漏洩する懸念がある。また、装置内の溶剤蒸気の外部への拡散を防止するためにはモジュールの密閉を十分にしなければならない。
【０００８】
また、ノズル内に溶剤蒸気が残留すると、次の処理に支障をきたす虞があるため、処理に供された溶剤蒸気を速やかに回収する必要がある。
【０００９】
この発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、ノズルから吐出された溶剤蒸気をノズル自体で回収してノズル外への漏洩を抑制し、排気カップの排気機構やモジュールの密閉などの簡易化を図れるようにし、かつ、使用に供された溶剤蒸気を速やかに回収して、処理効率の向上を図れるようにした基板処理装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために、この発明の基板処理装置は、表面にレジストパターンが形成され、露光処理され現像処理された基板の表面を上面にして保持する基板保持台と、上記レジストパターンを膨潤させる溶剤蒸気を上記基板の表面に向けて吐出するノズルと、上記基板保持台とノズルを相対的に平行移動する移動機構とを具備する基板処理装置において、  上記ノズルは、溶剤蒸気の供給口及び該供給口に連通し下方に開口する吐出孔を設けるノズルヘッドと、上記ノズルヘッドを挟んで対向する位置に設けられ、少なくとも上記吐出孔から吐出された溶剤蒸気を吸引可能な開口及び該開口に連通する連通路を有する漏洩防止部と、を具備し、  上記ノズルヘッドの供給口に、切換弁を介して溶剤蒸気供給源と不活性ガス供給源を切換可能に接続し、  上記漏洩防止部の開口に、切換弁を介して排気機構と溶剤蒸気遮断用の気体供給源を切換可能に接続してなる、ことを特徴とする（請求項１）。この場合、上記溶剤蒸気遮断用の気体としては、例えば窒素（Ｎ２）ガス等の不活性ガスや清浄化された空気等を使用することができる。
【００１１】
このように構成することにより、処理時には、ノズルの吐出孔から吐出された溶剤蒸気を漏洩防止部の開口及び連通路を介して回収することができる。この際、開口及び連通路を溶剤蒸気遮断用の気体供給源側に接続することで、開口から基板に向かって溶剤蒸気遮断用の気体を吐出することができ、溶剤蒸気のノズル外部への漏洩を遮断することができる。また、処理後に吐出孔を不活性ガス供給源に接続することで、ノズルの吐出孔に不活性ガスを供給し、吐出孔から吐出された不活性ガスを漏洩防止部の開口及び連通路を介して回収することができる。
【００１２】
この発明において、上記漏液防止部の下部を、上記ノズルヘッドの吐出孔より下方に延在させると共に、ノズルヘッドの下端面に連なる面を凹状曲面に形成し、かつ、内側面に開口を設ける方が好ましい（請求項２）。
【００１３】
このように構成することにより、ノズルと基板との間に溶剤蒸気雰囲気を形成することができると共に、溶剤蒸気のノズル外部への漏洩を更に確実に抑制することができる。また、ノズルヘッドの下端面に連なる面を凹状曲面に形成することで、ノズルと基板との間の溶剤蒸気の淀みを防止することができる。
【００１４】
また、上記ノズルヘッドにおける吐出孔の両側に結露防止用のヒータを配設する方が好ましい（請求項３）。この場合、ヒータとしては、例えば電熱ヒータや温調水を熱媒体とした温調ヒータ等を用いることができる。
【００１５】
このように構成することにより、溶剤蒸気によりノズルの吐出孔部に生じる結露を防止することができる。
【００１６】
また、上記漏洩防止部を、上記ノズルヘッドに対して相対的に鉛直方向に移動調整可能に形成するようにしてもよい（請求項４）。
【００１７】
このように構成することにより、ノズルの吐出孔及び基板表面と漏洩防止部の下端との距離や間隔を調整することができる。
【００１８】
また、上記漏洩防止部に設けられる開口を、上記ノズルの移動方向に複数個設け、少なくともノズルの移動方向の前方側の開口を溶剤蒸気遮断用の気体供給源に接続し、その他の開口を排気機構に接続するようにしてもよい（請求項５）。
【００１９】
このように構成することにより、処理時にはノズルの移動方向の前方側の開口から溶剤蒸気遮断用の気体を吐出してエアーカーテン状の遮断幕を形成し、吐出孔から吐出される溶剤蒸気のノズル前方側への漏洩を防止することができる。
【００２０】
また、上記漏洩防止部を、上記ノズルヘッドとの間に開口及び連通路を残してノズルヘッドを覆うカバー体にて形成し、上記カバー体の天板部にノズルヘッドの供給口に連通する連通孔を形成してもよい（請求項６）。この場合、上記カバー体と上記ノズルヘッドとを相対的に鉛直方向及び水平方向に移動調整可能に形成し、上記カバー体の天板部に設けられた連通孔と上記ノズルヘッドの供給口とを伸縮及び屈曲自在な連通管路を介して接続してもよい（請求項７）。
【００２１】
このように構成することにより、ノズルヘッドにカバー体を被覆して開口及び連通路を容易に形成することができる。この場合、カバー体とノズルヘッドとを相対的に鉛直方向及び水平方向に移動調整可能に形成し、カバー体の天板部に設けられた連通孔とノズルヘッドの供給口とを伸縮及び屈曲自在な連通管路を介して接続することで、開口及び連通路の幅を調整することができると共に、ノズルの吐出孔及び基板表面と漏洩防止部の下端との距離や間隔を調整することができる（請求項７）。
【００２２】
また、上記吐出孔を、上記ノズルの移動方向の前方側に偏倚して設けるようにしてもよい（請求項８）。
【００２３】
このように構成することにより、ノズルと基板とが相対移動しながら溶剤蒸気をノズルの移動方向の前方に向けて吐出することで、基板表面に均等に溶剤蒸気を接触させることができる。
【００２４】
加えて、上記移動機構、上記ノズルヘッドに設けられた供給口に対する溶剤蒸気と不活性ガスの供給を切り換える切換弁、上記漏液防止部に設けられた開口に対する排気と溶剤蒸気遮断用の気体の供給を切り換える切換弁及び排気機構の駆動を制御する制御手段を更に具備する方が好ましい（請求項９）。
【００２５】
このように構成することにより、処理時における吐出孔から吐出された溶剤蒸気を開口及び連通路を介して回収する動作、開口から基板に向かって溶剤蒸気遮断用の気体の吐出する動作、及び処理後の吐出孔から不活性ガスを供給し、不活性ガスを開口及び連通路を介して回収する動作を自動的に行うことができる。
【発明の効果】
【００２６】
以上に説明したように、この発明の基板処理装置は、上記のように構成されているので、以下のような効果が得られる。
【００２７】
（１）請求項１記載の発明によれば、処理時には、処理に供された溶剤蒸気を回収することができると共に、溶剤蒸気のノズル外部への漏洩を遮断することができる。また、処理後には、ノズルの吐出孔に不活性ガスを供給し、漏洩防止部の開口及び連通路を介して回収することができるので、処理後にノズルに残留する溶剤蒸気を不活性ガスで置換して以後の処理迄の時間を短縮することができる。したがって、ノズルから吐出された溶剤蒸気をノズル自体で回収してノズル外への漏洩を抑制するので、排気カップの排気機構やモジュールの密閉などの簡易化を図ることができ、装置の小型化が図れる。また、使用に供された溶剤蒸気を速やかに回収できるので、処理効率の向上を図ることができる。
【００２８】
（２）請求項２記載の発明によれば、ノズルと基板との間に溶剤蒸気雰囲気を形成することができると共に、溶剤蒸気のノズル外部への漏洩を更に確実に抑制することができるので、上記（１）に加えて、更に溶剤蒸気のノズル外への漏洩を防止することができる。また、ノズルヘッドの下端面に連なる面を凹状曲面に形成することで、ノズルと基板との間の溶剤蒸気の淀みを防止することができるので、残留する溶剤蒸気の回収を確実にすることができる。
【００２９】
（３）請求項３記載の発明によれば、溶剤蒸気によりノズルの吐出孔部に生じる結露を防止することができるので、上記（１），（２）に加えて、更に結露による処理精度の低下を防止することができる。特に、高い濃度の有機溶剤蒸気を使用した際に生じ易い結露を防止することができるので、好適である。
【００３０】
（４）請求項４記載の発明によれば、ノズルの吐出孔及び基板表面と漏洩防止部の下端との距離や間隔を調整することができるので、溶剤蒸気の供給や供給圧，供給部の気流を調節することができる。
【００３１】
（５）請求項５記載の発明によれば、吐出孔から吐出される溶剤蒸気のノズル前方側への漏洩を防止することができるので、上記（１）〜（４）に加えて、更に溶剤蒸気の漏洩防止を確実にすることができる。
【００３２】
（６）請求項６記載の発明によれば、ノズルヘッドにカバー体を被覆して開口及び連通路を容易に形成することができる。この場合、カバー体とノズルヘッドとを相対的に鉛直方向及び水平方向に移動調整可能に形成し、カバー体の天板部に設けられた連通孔とノズルヘッドの供給口とを伸縮及び屈曲自在な連通管路を介して接続することで、開口及び連通路の幅を調整することができると共に、ノズルの吐出孔及び基板表面と漏洩防止部の下端との距離や間隔を調整することができるので、溶剤蒸気の供給圧，供給から排気への流れを調節することができる（請求項７）。
【００３３】
（７）請求項８記載の発明によれば、ノズルと基板とが相対移動しながら溶剤蒸気をノズルの移動方向の前方に向けて吐出することで、基板表面に均等に溶剤蒸気を接触させることができるので、上記（１）〜（６）に加えて、更に処理精度の向上が図れる。
【００３４】
（８）請求項９記載の発明によれば、処理時における吐出孔から吐出された溶剤蒸気を開口及び連通路を介して回収する動作、開口から基板に向かって溶剤蒸気遮断用の気体の吐出する動作、及び処理後の吐出孔から不活性ガスを供給し、不活性ガスを開口及び連通路を介して回収する動作を自動的に行うことができるので、上記（１）〜（７）に加えて、更に処理効率の向上が図れる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
以下に、この発明の最良の実施形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。ここでは、この発明に係る基板理装置を半導体ウエハのレジスト塗布・現像処理システムに適用した場合について説明する。
【００３６】
図１は、上記レジスト塗布・現像処理システムの一実施形態の概略平面図、図２は、図１の正面図、図３は、図１の背面図である。
【００３７】
上記レジスト塗布・現像処理システムは、被処理基板である半導体ウエハＷ（以下にウエハＷという）をウエハカセット１で複数枚例えば２５枚単位で外部からシステムに搬入又はシステムから搬出したり、ウエハカセット１に対してウエハＷを搬出・搬入したりするためのカセットステーション１０（搬送部）と、塗布現像工程の中で１枚ずつウエハＷに所定の処理を施す枚葉式の各種処理ユニットを所定位置に多段配置してなる処理装置を具備する処理ステーション２０と、この処理ステーション２０と隣接して設けられる露光装置４０との間でウエハＷを受け渡すためのインターフェース部３０とで主要部が構成されている。
【００３８】
上記カセットステーション１０は、図１に示すように、カセット載置台２上の突起３の位置に複数個例えば４個までの蓋付のウエハカセット１がそれぞれのウエハ出入口を処理ステーション２０側に向けて水平のＸ方向に沿って一列に載置され、各ウエハカセット１に対峙して蓋開閉装置５が配設され、また、カセット配列方向（Ｘ方向）及びウエハカセット１内に垂直方向に沿って収容されたウエハＷのウエハ配列方向（Ｚ方向）に移動可能なウエハ搬送用ピンセット４が各ウエハカセット１に選択的に搬送するように構成されている。また、ウエハ搬送用ピンセット４は、θ方向に回転可能に構成されており、後述する処理ステーション２０側の第３の組Ｇ３の多段ユニット部に属するアライメントユニット（ＡＬＩＭ）及びエクステンションユニット（ＥＸＴ）にも搬送できるようになっている。
【００３９】
上記処理ステーション２０は、図１に示すように、中心部には、移動機構２２によって垂直移動する垂直搬送型の主ウエハ搬送機構２１が設けられ、この主ウエハ搬送機構２１の周りに全ての処理ユニットが１組又は複数の組に渡って多段に配置されている。この例では、５組Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４及びＧ５の多段配置構成であり、第１及び第２の組Ｇ１，Ｇ２の多段ユニットはシステム正面側に並列され、第３の組Ｇ３の多段ユニットはカセットステーション１０に隣接して配置され、第４の組Ｇ４の多段ユニットはインターフェース部３０に隣接して配置され、第５の組Ｇ５の多段ユニットは背部側に配置されている。
【００４０】
この場合、図２に示すように、第１の組Ｇ１では、カップ（容器）２３内でウエハＷと現像液供給手段（図示せず）とを対峙させてレジストパターンを現像する現像ユニット（ＤＥＶ）と、ウエハＷをスピンチャック（図示せず）に載置して所定の処理を行うレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）とが垂直方向の下から順に２段に重ねられている。第２の組Ｇ２には、この発明に係る基板処理装置としてのスムージング処理装置５０（以下にスムージング装置５０という）と、現像ユニット（ＤＥＶ）とが垂直方向の下から順に２段に重ねられている。なお、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）とスムージング装置５０を下段側に配置した理由は、レジスト液の排液や、レジストの溶剤の排気が機構的にもメンテナンスの上でも面倒であるためである。しかし、必要に応じてレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ），スムージング装置５０を上段に配置することも可能である。
【００４１】
第３の組Ｇ３では、図３に示すように、ウエハＷをウエハ載置台２４に載置して所定の処理を行うオーブン型の処理ユニット例えばウエハＷを冷却するクーリングユニット（ＣＯＬ）、ウエハＷに疎水化処理を行うアドヒージョンユニット（ＡＤ）、ウエハＷの位置合わせを行うアライメントユニット（ＡＬＩＭ）、ウエハＷの搬入出を行うエクステンションユニット（ＥＸＴ）、ウエハＷをベークする熱処理装置を使用した４つのホットプレートユニット（ＨＰ）が垂直方向の下から順に例えば８段に重ねられている。
【００４２】
また、第４の組Ｇ４では、オーブン型処理ユニット例えばクーリングユニット（ＣＯＬ）、エクステンション・クーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）、エクステンションユニット（ＥＸＴ）、クーリングユニット（ＣＯＬ）、急冷機能を有するこの発明に係る熱処理装置を使用した２つのチリングホットプレートユニット（ＣＨＰ）及びこの発明に係る熱処理装置を使用した２つのホットプレートユニット（ＨＰ）が垂直方向の下から順に例えば８段に重ねられている。
【００４３】
上記のように処理温度の低いクーリングユニット（ＣＯＬ）、エクステンション・クーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）を下段に配置し、処理温度の高いホットプレートユニット（ＨＰ）、チリングホットプレートユニット（ＣＨＰ）及びアドヒージョンユニット（ＡＤ）を上段に配置することで、ユニット間の熱的な相互干渉を少なくすることができる。勿論、ランダムな多段配置とすることも可能である。
【００４４】
なお、図１に示すように、処理ステーション２０において、第１及び第２の組Ｇ１，Ｇ２の多段ユニット（スピナ型処理ユニット）に隣接する第３及び第４の組Ｇ３，Ｇ４の多段ユニット（オーブン型処理ユニット）の側壁の中には、それぞれダクト２５，２６が垂直方向に縦断して設けられている。これらのダクト２５，２６には、ダウンフローの清浄空気又は特別に温度調整された空気が流されるようになっている。このダクト構造によって、第３及び第４の組Ｇ３，Ｇ４のオーブン型処理ユニットで発生した熱は遮断され、第１及び第２の組Ｇ１，Ｇ２のスピナ型処理ユニットへは及ばないようになっている。
【００４５】
また、この処理システムでは、主ウエハ搬送機構２１の背部側にも図１に点線で示すように第５の組Ｇ５の多段ユニットが配置できるようになっている。この第５の組Ｇ５の多段ユニットは、案内レール２７に沿って主ウエハ搬送機構２１から見て側方へ移動できるようになっている。したがって、第５の組Ｇ５の多段ユニットを設けた場合でも、ユニットをスライドすることにより空間部が確保されるので、主ウエハ搬送機構２１に対して背後からメンテナンス作業を容易に行うことができる。
【００４６】
上記インターフェース部３０は、奥行き方向では処理ステーション２０と同じ寸法を有するが、幅方向では小さなサイズに作られている。このインターフェース部３０の正面部には可搬性のピックアップカセット３１と定置型のバッファカセット３２が２段に配置され、背面部には、ウエハＷの周辺部の露光及び識別マーク領域の露光を行う露光手段である周辺露光装置３３が配設され、中央部には、搬送手段であるウエハの搬送アーム３４が配設されている。この搬送アーム３４は、Ｘ，Ｚ方向に移動して両カセット３１，３２及び周辺露光装置３３に搬送するように構成されている。また、搬送アーム３４は、θ方向に回転可能に構成され、処理ステーション２０側の第４の組Ｇ４の多段ユニットに属するエクステンションユニット（ＥＸＴ）及び隣接する露光装置側のウエハ受渡し台（図示せず）にも搬送できるように構成されている。
【００４７】
上記のように構成される処理システムは、クリーンルーム内に設置されるが、更にシステム内でも、天井部に例えばヘパ（ＨＥＰＡ）フィルタ６を配設した効率的な垂直層流方式によって各部の清浄度を高めている。
【００４８】
次に、スムージング装置５０について、図４ないし図１４を参照して詳細に説明する。
【００４９】
＜第１実施形態＞
図４は、この発明に係る基板処理装置であるスムージング装置５０の第１実施形態を示す概略縦断面図、図５は、スムージング装置５０の概略横断面図である。
【００５０】
上記スムージング装置５０は、筐体５１内に、上記主ウエハ搬送機構２１から受け取った現像処理後のウエハＷを、該ウエハの表面を上面にして吸着保持する基板保持台５２（以下に保持台５２という）と、ウエハＷ表面に形成されたレジストパターンを膨潤させる溶剤蒸気をウエハＷの表面に向けて吐出する溶剤蒸気吐出ノズル５３（以下にノズル５３という）と、ノズル５３を保持台５２の一端側から他端側に水平移動する移動機構５４と、を配設してなる。
【００５１】
この場合、保持台５２は、ウエハＷを保持する面が凹状に形成され、この凹状部５２ａ内に支持ピン５２ｂによって支持された状態で吸着保持されるウエハＷの表面と保持台５２の周辺上面とが略同一平面上になるように形成されている。なお、支持ピン５２ｂは昇降機構５２ｃによって保持台５２の上面に昇降可能に形成されており、筐体５１の側壁５１ａに形成された搬入出口５１ｂを介して筐体５１内に侵入する主ウエハ搬送機構２１に対してウエハＷの受け渡しが行えるようになっている。なお、搬入出口５１ｂにはシャッタ５１ｃが開閉機構（図示せず）によって開閉可能に配設されている。
【００５２】
また、保持台５２の対向する両端部には、ノズル５３の助走面５５が延在して設けられている。このように助走面５５を設けることにより、ノズル５３を保持台５２に設けられた助走面５５に位置させてから溶剤蒸気を吐出し、安定させた状態でウエハ表面に溶剤蒸気を吐出することができる。また、ウエハ表面に溶剤蒸気を吐出した後、ノズル５３を助走面５５上に位置させてから溶剤蒸気の吐出を停止し、保持台５２の周囲への溶剤蒸気の飛散を抑制することができる。
【００５３】
上記ノズル５３は、図６に示すように、ウエハＷの直径よりも長い例えばスリット状の吐出孔６１を有する矩形状のノズルヘッド６０と、ノズルヘッド６０を挟んで対向する位置に設けられ、少なくとも吐出孔６１から吐出された溶剤蒸気を吸引可能な開口６３及び該開口６３に連通する連通路６４を有する一対の漏洩防止部６２と、を具備している。なお、開口６３は、吐出孔６１よりやや長いスリット状に形成されている。
【００５４】
上記ノズルヘッド６０は、下端面の中央に断面略逆截頭円錐状の供給部６５が突設されており、この供給部６５の中央部に例えばスリット状の吐出孔６１が設けられている。また、ノズルヘッド６０には、連通路６６ａを介して吐出孔６１に連通する溶剤蒸気溜め空間部６６が形成され、この溶剤蒸気溜め空間部６６の上部には、ノズルヘッド６０の上端面に開口する供給口６７が連通されている。この供給口６７に、第１の切換弁Ｖ1を介設した供給管路７１を介して溶剤蒸気供給源７０と不活性ガス供給源例えば窒素（Ｎ２）ガス供給源８０が切換可能に接続されている。したがって、第１の切換弁Ｖ1を切り換えて、供給口６７と溶剤蒸気供給源７０とを連通することにより、溶剤蒸気供給源７０から供給された溶剤蒸気を吐出孔６１から吐出することができる。また、第１の切換弁Ｖ1を切り換えて、供給口６７とＮ２ガス供給源８０とを連通することにより、Ｎ２ガス供給源８０から供給されるＮ２ガスを吐出孔６１から吐出することができる。
【００５５】
また、ノズルヘッド６０には、吐出孔６１の両側に結露防止用のヒータ６８が配設されている。この場合、ヒータ６８は、図示しない電源によって加熱される電熱ヒータによって形成されており、溶剤蒸気やＮ２ガスによって吐出孔６１の近傍部位が結露するのを防止するように構成されている。なお、ヒータ６８は必ずしも電熱ヒータである必要はなく、例えば所定温度に温調された温調水等の熱媒体をノズルヘッド６０に設けられた流路内に流す温調ヒータであってもよい。
【００５６】
一方、漏洩防止部６２は、ノズルヘッド６０の下端面６０ａ及び供給部６５より下方に突出しており、両漏洩防止部６２とノズルヘッド６０の下端面６０ａ及び供給部６５とで溶剤蒸気を一時溜める空間６９が形成されている。また、漏洩防止部６２におけるノズルヘッド６０の下端面６０ａと隣接する内側面には、ノズルヘッド６０の下端面６０ａに連なる凹状曲面６２ａが形成されている。この凹状曲面６２ａにより、空間６９内の溶剤蒸気が淀んで滞留するのを防止することができるようになっている。
【００５７】
上記開口６３は、漏洩防止部６２の対向する内側面に設けられており、この開口６３に連通するバッファ室６３ａを介して漏洩防止部６２の上端面に開口する複数例えば４個の連通路６４に連通されている。この場合、開口６３には、連通路６４を介して第２，第３の切換弁Ｖ2，Ｖ3を介設した吸気兼供給管路６３ｂを介して排気機構例えば排気ポンプ９０と溶剤蒸気遮断用の気体例えばＮ２ガス供給源８０とが切換可能に接続されている。
【００５８】
したがって、第２，第３の切換弁Ｖ2，Ｖ3を切り換えて、連通路６４すなわち開口６３と排気ポンプ９０とを連通することにより、吐出孔６１から吐出された溶剤蒸気又はＮ２ガスを開口６３を介して排気（回収）することができる。また、第２，第３の切換弁Ｖ2，Ｖ3を切り換えて、連通路６４すなわち開口６３とＮ２ガス供給源８０とを連通することにより、Ｎ２ガス供給源８０から供給されるＮ２ガスを開口６３から吐出することができる。
【００５９】
溶剤蒸気供給源７０は、例えば供給管路７１と接続し液体溶剤が貯留された貯留タンク７２と、不活性の窒素（Ｎ２）ガスの供給源７３に接続し貯留タンク７２内にＮ２ガスを供給するＮ２ガス供給管路７４を備えている。なお、Ｎ２ガス供給源７３をＮ２ガス供給源８０に代えてもよい。Ｎ２ガス供給管路７４から貯留タンク７２の液体溶剤内にＮ２ガスを供給することによって、貯留タンク７２内で気化している溶剤蒸気が供給管路７１内に圧送され、溶剤蒸気が供給管路７１を通ってノズル５３に供給される。溶剤としては、例えばアセトン，プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ），Ｎメチル２ピロリジノン（ＮＭＰ）を用いることができる。
【００６０】
また、供給管路７１には、溶剤蒸気の流量を検出する流量センサ７５と、流量を調節する調整弁７６が設けられている。流量センサ７５で検出された検出結果は、流量制御部７７に出力され、流量制御部７７は、検出結果に基づいて調整弁７６の開閉度を調整してノズル５３から吐出される溶剤蒸気の流量を所定の流量に設定できる。
【００６１】
なお、筐体５１の下部側方には排気口５１ｄが形成されている。この排気口５１ｄは、排気管５１ｅを介して上記排気ポンプ９０に接続されている。
【００６２】
また、上記ノズル５３の移動機構５４は、保持台５２と平行に配設されるガイドレール５６に沿って移動可能に装着されており、保持台５２に対して平行移動可能に形成されている。なお、移動機構５４は、制御手段であるコントローラ１００と電気的に接続されており、コントローラ１００からの制御信号に基づいて駆動するようになっている。
【００６３】
また、コントローラ１００は、上記第１，第２，第３の切換弁Ｖ1，Ｖ2，Ｖ3と電気的に接続されており、コントローラ１００からの制御信号に基づいて第１，第２，第３の切換弁Ｖ1，Ｖ2，Ｖ3を切り換えることにより、吐出孔６１においては溶剤蒸気又はＮ２ガスを選択的に吐出することができ、また、開口６３においては、溶剤蒸気又はＮ２ガスの吸引（排気，回収）、あるいはＮ２ガスの吐出を選択的に行うことができるようになっている。
【００６４】
すなわち、処理時には、図７（ａ）に示すように、移動機構５４の駆動によってノズル５３が、ウエハＷを保持する保持台５２の一端側（図の左側）から他端側（図の右側）に向かって移動する。この際、第１の切換弁Ｖ1を切り換えて、供給口６７と溶剤蒸気供給源７０とを連通して、溶剤蒸気供給源７０から供給された溶剤蒸気を吐出孔６１から吐出する。また、ノズル５３の移動方向の前方側の漏洩防止部６２の開口６３に連通する吸気兼供給管路６３ｂに介設された第２の切換弁Ｖ2を切り換えて、Ｎ２ガス供給源８０から供給されるＮ２ガスを開口６３から吐出する一方、ノズル５３の移動方向の後方側の漏洩防止部６２の開口６３に連通する吸気兼供給管路６３ｂに介設された第３の切換弁Ｖ3を切り換えて、開口６３と排気ポンプ９０とを連通することにより、吐出孔６１から吐出された溶剤蒸気を開口６３を介して排気（回収）する。
【００６５】
また、処理後には、図７（ｂ）に示すように、移動機構５４の駆動を停止してノズル５３を保持台５２の助走面５５の上方に位置する。この際、第１の切換弁Ｖ1を切り換えて、供給口６７とＮ２ガス供給源８０とを連通して、Ｎ２ガス供給源８０から供給されたＮ２ガスを吐出孔６１から吐出して吐出孔６１に残留する溶剤蒸気をＮ２ガスで置換する。また、第２の切換弁Ｖ2及び第３の切換弁Ｖ3を切り換えて、両漏洩防止部６２の開口６３と排気ポンプ９０とを連通することにより、吐出孔６１から吐出されたＮ２ガスを開口６３を介して排気（回収）する。
【００６６】
＜第２実施形態＞
図８は、この発明の第２実施形態のスムージング装置５０のノズル５３Ａを示す概略断面図である。
【００６７】
第２実施形態は、この発明におけるノズル５３Ａを構成する漏洩防止部６２を、ノズルヘッド６０に対して相対的に鉛直方向に移動調整可能に形成した場合である。この場合、両漏洩防止部６２はノズルヘッド６０を挟持した状態で保持具５７によって保持され、かつ、ノズルヘッド６０の側面６０ｂ及び保持具５７の保持面５７ａに対して摺動可能に保持されている。
【００６８】
このように構成することにより、ノズル５３の吐出孔６１及びウエハ表面と漏洩防止部６２の下端との距離や間隔を調整することができるので、溶剤蒸気の供給や供給圧，供給部の気流を調節することができる。
【００６９】
なお、第２実施形態において、その他の部分は第１実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。
【００７０】
＜第３実施形態＞
図９は、この発明の第３実施形態のスムージング装置５０のノズル５３Ｂを示す概略断面図である。
【００７１】
第３実施形態は、この発明におけるノズル５３Ｂの各漏洩防止部６２に設けられる開口を、ノズル５３Ｂの移動方向に複数個例えば２個設け、少なくともノズル５３Ｂの移動方向の前方側（図９における左右両側）の開口６３Ａを、第４の切換弁4を介設する吸気兼供給管路６３ｂを介して溶剤蒸気遮断用の気体例えばＮ２ガス供給源８０及び排気ポンプ（図示せず）に接続し、その他（図９における左右内側）の開口６３Ｂを排気ポンプ（図示せず）に接続するようにした場合である。なお、この場合、外側の開口６３Ａを漏洩防止部６２の下端面に設ける方が好ましい。これにより、開口６３Ａから吐出されるＮ２ガスがウエハＷに対して鉛直状に吐出（噴射）されてエアーカーテン状の遮断幕を形成し、吐出孔６１から吐出された溶剤蒸気のノズル５３Ｂ外部への漏洩を確実に防止することができる。
【００７２】
上記のように構成される第３実施形態によれば、処理時には、図１０（ａ）に示すように、ノズル５３Ｂの移動方向の前方側（図９，図１０における左右両側）の開口６３Ａから溶剤蒸気遮断用のＮ２ガスを吐出してエアーカーテン状の遮断幕を形成し、吐出孔６１から吐出される溶剤蒸気のノズル前方側への漏洩を防止することができる。また、処理後には、図１０（ｂ）に示すように、吐出孔６１からＮ２ガスを吐出する一方、開口６３Ａ，６３Ｂを排気ポンプに接続して、吐出孔６１から吐出されたＮ２ガスを排気（回収）することができる。
【００７３】
なお、第３実施形態において、その他の部分は第１実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。
【００７４】
＜第４実施形態＞
図１１は、この発明の第４実施形態のスムージング装置５０のノズル５３Ｃを示す概略断面図である。
【００７５】
第４実施形態は、この発明におけるノズル５３Ｃの漏洩防止部６２を、ノズルヘッド６０との間に開口６３Ｃ及び連通路６４Ｃを残してノズルヘッド６０を覆う断面略逆Ｕ字状のカバー体６２Ｃにて形成した場合である。この場合、カバー体６２Ｃの両脚部６２ｂとノズルヘッド６０の側面６０ｂとの間に開口６３Ｃ及び連通路６４Ｃが形成される。また、カバー体６２Ｃの天板部６２ｃには、ノズルヘッド６０の供給口６７に連通する連通孔６２ｄが形成されており、カバー体６２Ｃは、連通孔６２ｅを有するスペーサ６２ｆを介してノズルヘッド６０の上端部に、図示しない固定部材によって載置固定されている。
【００７６】
このように構成される第４実施形態のノズル５３Ｃによれば、ノズルヘッド６０にカバー体６２Ｃを被覆して開口６３Ｃ及び連通路６４Ｃを容易に形成することができる。
【００７７】
なお、図１２に示すように、カバー体６２Ｃとノズルヘッド６０とを相対的に鉛直方向及び水平方向に移動調整可能に形成し、カバー体６２Ｃの天板部６２ｃに設けられた連通孔６２ｄとノズルヘッド６０の供給口６７とを伸縮及び屈曲自在な可撓性を有する連通管路６２ｇを介して接続してもよい。この場合、例えばノズルヘッド６０の上端面に立設された取付ボルト６２ｈをカバー体６２Ｃの天板部６２ｃに設けられた長孔６２ｉに遊挿し、その突出部にナット６２ｊを螺合する構造とすることにより、カバー体６２Ｃをノズルヘッド６０に対して相対的に鉛直方向及び水平方向に移動調整した状態で固定することができる。なお、ノズルヘッド６０とカバー体６２Ｃの天板部６２ｃとの間には、連通路６２Ｃと取付ボルト６２の取付部との流通を遮断する例えばポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）製の蛇腹状筒体６２ｋが取り付けられている。
【００７８】
上記のように構成することにより、開口６３Ｃ及び連通路６４Ｃの幅を調整することができると共に、ノズル５３Ｃの吐出孔６１及びウエハ表面とカバー体６２Ｃの両脚部６２ｂの下端との距離や間隔を調整することができる。これにより、溶剤蒸気の供給圧，供給から排気への流れを調節することができる。
【００７９】
なお、第４実施形態において、その他の部分は第１実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。
【００８０】
＜第５実施形態＞
図１３は、この発明の第５実施形態のスムージング装置５０のノズル５３Ｄを示す概略断面図である。
【００８１】
第５実施形態は、この発明におけるノズル５３Ｄの吐出孔６１を、ノズル５３Ｄの移動方向の前方側に偏倚して設けた場合である。すなわち、ノズル５３Ｄを構成するノズルヘッド６０Ｄの下端面６０ａに突設される供給部６５を、ノズル５３Ｄの移動方向の前方側に偏倚して設けた場合である。
【００８２】
このように構成することにより、ノズル５３ＤとウエハＷとが相対移動しながら溶剤蒸気をノズル５３Ｄの移動方向の前方に向けて吐出するので、ウエハ表面に均等に溶剤蒸気を接触させることができる。
【００８３】
なお、上記説明では、第１実施形態のノズル５３のノズルヘッド６０を上記ノズルヘッド６０Ｄに代えた場合について説明したが、第２実施形態ないし第４実施形態のノズルヘッド６０を同様に上記ノズルヘッド６０Ｄに代えてもよい。
【００８４】
なお、第５実施形態において、その他の部分は第１実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。
【００８５】
＜その他の実施形態＞
上記実施形態では、保持台５２を固定し、この保持台５２に対してノズル５３，５３Ａ〜５３Ｄを平行移動する場合について説明したが、ノズル５３，５３Ａ〜５３Ｄを固定し、ノズル５３，５３Ａ〜５３Ｄに対して保持台５２を平行移動してもよく、あるいは、保持台５２とノズル５３，５３Ａ〜５３Ｄの双方を相対的に平行移動してもよい。
【００８６】
また、上記実施形態では、図１４（ａ）に示すように、ノズル５３，５３Ａ〜５３Ｄの吐出孔６１がスリット状に形成される場合について説明したが、吐出孔の形状はスリット状に限定されるものではない。例えば、図１４（ｂ）に示すように、円形状の吐出孔６１ｂをウエハＷの直径よりも長い領域において等間隔に配列した形状のもの、図１４（ｃ）に示すように、四角形状の吐出孔６１ｃをウエハＷの直径よりも長い領域において等間隔に配列した形状のもの、図１４（ｄ）に示すように、円形状の吐出小孔６１ｄをウエハＷの直径よりも長い領域において千鳥状に配列した形状のもの、図１４（ｅ）に示すように、円形状の吐出小孔６１ｅをウエハＷの直径よりも長い領域において２列に配列した形状のもの、あるいは、図１４（ｆ）に示すように、吐出孔の部分を多孔質部材６１ｆによって形成したもの等を用いてもよい。
【００８７】
次に、上記のように構成されたスムージング装置５０を備えたレジスト塗布・現像処理システムの動作態様について説明する。
【００８８】
まず、カセットステーション１０において、蓋開閉装置５が作動して先行のロットのウエハカセット１の蓋を開放する。次に、ウエハ搬送用ピンセット４がカセット載置台２上の未処理のウエハＷを収容しているカセット１にアクセスして、そのカセット１から１枚のウエハＷを取り出す。ウエハ搬送用ピンセット４は、カセット１よりウエハＷを取り出すと、処理ステーション２０側の第３の組Ｇ３の多段ユニット内に配置されているアライメントユニット（ＡＬＩＭ）まで移動し、ユニット（ＡＬＩＭ）内のウエハ載置台２４上にウエハＷを載せる。ウエハＷは、ウエハ載置台２４上でオリフラ合せ及びセンタリングを受ける。その後、主ウエハ搬送機構２１がアライメントユニット（ＡＬＩＭ）に反対側からアクセスし、ウエハ載置台２４からウエハＷを受け取る。
【００８９】
処理ステーション２０において、主ウエハ搬送機構２１はウエハＷを最初に第３の組Ｇ３の多段ユニットに属するアドヒージョンユニット（ＡＤ）に搬入する。このアドヒージョンユニット（ＡＤ）内でウエハＷは疎水化処理を受ける。疎水化処理が終了すると、主ウエハ搬送機構２１は、ウエハＷをアドヒージョンユニット（ＡＤ）から搬出して、次に第３の組Ｇ３又は第４の組Ｇ４の多段ユニットに属するクーリングユニット（ＣＯＬ）へ搬入する。このクーリングユニット（ＣＯＬ）内でウエハＷはレジスト塗布処理前の設定温度例えば２３℃まで冷却される。冷却処理が終了すると、主ウエハ搬送機構２１は、ウエハＷをクーリングユニット（ＣＯＬ）から搬出し、次に第１の組Ｇ１又は第２の組Ｇ２の多段ユニットに属するレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）へ搬入する。このレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）内でウエハＷはスピンコート法によりウエハ表面に一様な膜厚でレジストを塗布する。
【００９０】
レジスト塗布処理が終了すると、主ウエハ搬送機構２１は、ウエハＷをレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）から搬出し、次にホットプレートユニット（ＨＰ）内へ搬入する。ホットプレートユニット（ＨＰ）内でウエハＷは載置台上に載置され、所定温度例えば１００℃で所定時間プリベーク処理される。これによって、ウエハＷ上の塗布膜から残存溶剤を蒸発除去することができる。プリベークが終了すると、主ウエハ搬送機構２１は、ウエハＷをホットプレートユニット（ＨＰ）から搬出し、次に第４の組Ｇ４の多段ユニットに属するエクステンション・クーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）へ搬送する。このユニット（ＥＸＴＣＯＬ）内でウエハＷは次工程すなわち周辺露光装置３３における周辺露光処理に適した温度例えば２４℃まで冷却される。この冷却後、主ウエハ搬送機構２１は、ウエハＷを直ぐ上のエクステンションユニット（ＥＸＴ）へ搬送し、このユニット（ＥＸＴ）内の載置台（図示せず）の上にウエハＷを載置する。このエクステンションユニット（ＥＸＴ）の載置台上にウエハＷが載置されると、インターフェース部３０の搬送アーム３４が反対側からアクセスして、ウエハＷを受け取る。そして、搬送アーム３４はウエハＷをインターフェース部３０内の周辺露光装置３３へ搬入する。周辺露光装置３３において、ウエハＷ表面の周辺部の余剰レジスト膜（部）に光が照射されて周辺露光が施される。
【００９１】
周辺露光が終了した後、搬送アーム３４が周辺露光装置３３の筐体内からウエハＷを搬出し、隣接する露光装置４０側のウエハ受取り台（図示せず）へ移送する。
【００９２】
露光装置４０で全面露光が済んで、ウエハＷが露光装置４０側のウエハ受取り台に戻されると、インターフェース部３０の搬送アーム３４はそのウエハ受取り台へアクセスしてウエハＷを受け取り、受け取ったウエハＷを処理ステーション２０側の第４の組Ｇ４の多段ユニットに属するエクステンションユニット（ＥＸＴ）へ搬入し、ウエハ受取り台上に載置する。
【００９３】
ウエハ受取り台上に載置されたウエハＷは、主ウエハ搬送機構２１により、チリングホットプレートユニット（ＣＨＰ）に搬送（搬入）され、フリンジの発生を防止するため、あるいは化学増幅型レジスト（ＣＡＲ）における酸触媒反応を誘起するため、例えば１２０℃で所定時間ポストエクスポージャーベーク処理が施される。
【００９４】
その後、ウエハＷは、第１の組Ｇ１又は第２の組Ｇ２の多段ユニットに属する現像ユニット（ＤＥＶ）に搬入される。この現像ユニット（ＤＥＶ）内では、ウエハＷ表面のレジストに現像液が満遍なく供給されて現像処理が施される。この現像処理によって、ウエハＷ表面に形成されたレジスト膜が所定の回路パターンに現像されると共に、ウエハＷの周辺部の余剰レジスト膜が除去され、更に、ウエハＷ表面に形成された（施された）アライメントマークＭの領域に付着したレジスト膜が除去される。このようにして、現像が終了すると、ウエハＷ表面にリンス液がかけられて現像液が洗い落とされる。
【００９５】
現像工程が終了すると、主ウエハ搬送機構２１は、ウエハＷを現像ユニット（ＤＥＶ）から搬出して、次にスムージング装置５０へ搬入する。スムージング装置５０に搬送されたウエハＷは、表面を上向きにした状態で保持台５２上に保持される。そして、上述したように、保持台５２とノズル５３とが相対的に平行移動して、ノズル５３からウエハ表面のレジストパターンに溶剤蒸気｛例えば、アセトン，プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ），Ｎメチル２ピロリジノン（ＮＭＰ）等｝を吐出してレジストパターンを膨潤させ、レジストパターンの表面の凹凸を均し平滑化（スムージング）する。このスムージング処理について、第１実施形態を参照して説明すると、スムージング処理時には、上記図７（ａ）に示すように、吐出孔６１から溶剤蒸気を吐出し、ノズル５３の移動方向の前方側の開口６３からＮ２ガスを吐出し、後方の開口６３から処理に供された溶剤蒸気及びＮ２ガスを吸引（回収）する。そして、処理後は、ノズル５３を助走面５５上に停止した状態で、図７（ｂ）に示すように、吐出孔６１からＮ２ガスを吐出して、吐出孔６１部に残留する溶剤蒸気をＮ２ガスで置換し、両開口６３から吸引（回収）する。
【００９６】
スムージング処理が終了すると、主ウエハ搬送機構２１は、ウエハＷをスムージング装置５０から搬出して、次に第３の組Ｇ３又は第４の組Ｇ４の多段ユニットに属するホットプレートユニット（ＨＰ）へ搬入する。このユニット（ＨＰ）内でウエハＷは例えば１００℃で所定時間ポストベーク処理される。これによって、現像で膨潤したレジストが硬化し、耐薬品性が向上する。
【００９７】
ポストベークが終了すると、主ウエハ搬送機構２１は、ウエハＷをホットプレートユニット（ＨＰ）から搬出し、次にいずれかのクーリングユニット（ＣＯＬ）へ搬入する。ここでウエハＷが常温に戻った後、主ウエハ搬送機構２１は、次にウエハＷを第３の組Ｇ３に属するエクステンションユニット（ＥＸＴ）へ移送する。このエクステンションユニット（ＥＸＴ）の載置台（図示せず）上にウエハＷが載置されると、カセットステーション１０側のウエハ搬送用ピンセット４が反対側からアクセスして、ウエハＷを受け取る。そして、ウエハ搬送用ピンセット４は、受け取ったウエハＷをカセット載置台上の処理済みウエハ収容用のウエハカセット１の所定のウエハ収容溝に入れ、ウエハカセット１内に全ての処理済みのウエハＷが収納された後、蓋開閉装置５が作動して蓋を閉じて処理が完了する。
【図面の簡単な説明】
【００９８】
【図１】この発明に係る熱処理装置を適用したレジスト塗布・現像処理システムの一例を示す概略平面図である。
【図２】上記レジスト塗布・現像処理システムの概略正面図である。
【図３】上記レジスト塗布・現像処理システムの概略背面図である。
【図４】この発明に係る基板処理装置の第１実施形態を示す概略縦断面図である。
【図５】上記基板処理装置の概略横断面図である。
【図６】この発明における溶剤蒸気吐出ノズルを示す概略断面図である。
【図７】第１実施形態の溶剤蒸気吐出ノズルの処理時の状態を示す概略断面図（ａ）及び処理後の状態を示す概略断面図（ｂ）である。
【図８】この発明の第２実施形態の基板処理装置の溶剤蒸気吐出ノズルを示す概略断面図である。
【図９】この発明の第３実施形態の基板処理装置の溶剤蒸気吐出ノズルを示す概略断面図である。
【図１０】第３実施形態の溶剤蒸気吐出ノズルの処理時の状態を示す概略断面図（ａ）及び処理後の状態を示す概略断面図（ｂ）である。
【図１１】この発明の第４実施形態の基板処理装置の溶剤蒸気吐出ノズルを示す概略横断面図である。
【図１２】第４実施形態の溶剤蒸気吐出ノズルの変形例を示す概略断面図である。
【図１３】この発明の第５実施形態の基板処理装置の溶剤蒸気吐出ノズルを示す概略断面図である。
【図１４】この発明における吐出孔の変形例を示す概略底面図である。
【符号の説明】
【００９９】
Ｗ  半導体ウエハ（基板）
５０  スムージング処理装置
５２  保持台（基板保持台）
５３，５３Ａ〜５３Ｄ  ノズル（溶剤蒸気吐出ノズル）
５４  移動機構
５５  助走面
６１，６１ｂ，６１ｃ  吐出孔
６１ｄ，６１ｅ  吐出小孔
６１ｆ  多孔質部材
６２  漏洩防止部
６２ａ  凹状曲面
６２Ｃ  カバー体
６３，６３Ａ，６３Ｂ，６３Ｃ  開口
６４，６４Ｃ  連通路
６７  供給口
６８  ヒータ
７０  溶剤蒸気供給源
８０  Ｎ２ガス供給源（不活性ガス供給源）
９０  排気ポンプ（排気機構）
１００  コントローラ（制御手段）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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