(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
１分子中に少なくとも１個のカルボキシル基を有する炭素数１以上１２以下のカルボン酸及びその塩からなる群から選択される少なくとも１種を含むアルカリ性のエッチング液を用いて単結晶シリコン基板をエッチングし、該単結晶シリコン基板の表面に凹凸構造を形成することを特徴とする半導体基板の製造方法。
【請求項２】
前記カルボン酸が、酢酸、プロピオン酸、ブタン酸、ペンタン酸、ヘキサン酸、ヘプタン酸、オクタン酸、ノナン酸、デカン酸、ウンデカン酸、ドデカン酸、アクリル酸、シュウ酸及びクエン酸からなる群から選択される１種又は２種以上であることを特徴とする請求項１記載の半導体基板の製造方法。
【請求項３】
前記カルボン酸の炭素数が７以下であることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体基板の製造方法。
【請求項４】
前記エッチング液中のカルボン酸の濃度が０．０５〜５ｍｏｌ／Ｌであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項記載の半導体基板の製造方法。
【請求項５】
前記エッチング液中のカルボン酸として、所定の１種又は２種以上のカルボン酸を選択することにより、前記単結晶シリコン基板の表面に形成される凹凸構造のピラミッド状突起の大きさを制御することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項記載の半導体基板の製造方法。
【請求項６】
単結晶シリコン基板の表面にピラミッド状の微細な凹凸構造を均一に形成するためのエッチング液であって、アルカリ及び１分子中に少なくとも１個のカルボキシル基を有する炭素数１２以下のカルボン酸を含む水溶液であることを特徴とするエッチング液。
【請求項７】
前記アルカリが３〜５０重量％、前記カルボン酸が０．０５〜５ｍｏｌ／Ｌ、残部が水であることを特徴とする請求項６記載のエッチング液。
【請求項８】
前記カルボン酸が、酢酸、プロピオン酸、ブタン酸、ペンタン酸、ヘキサン酸、ヘプタン酸、オクタン酸、ノナン酸、デカン酸、ウンデカン酸、ドデカン酸、アクリル酸、シュウ酸及びクエン酸からなる群から選択される１種又は２種以上を含むことを特徴とする請求項６又は７記載のエッチング液。
【請求項９】
前記カルボン酸の炭素数が７以下であることを特徴とする請求項６〜８のいずれか１項記載のエッチング液。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、太陽電池等に用いられる凹凸構造を有する半導体基板の製造方法、ソーラー用半導体基板、及び該方法に用いられるエッチング液に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、太陽電池の効率を高めるために、基板表面に凹凸構造を形成させ、表面からの入射光を効率良く基板内部に取り込む方法が用いられている。基板表面に微細な凹凸構造を均一に形成する方法として、非特許文献１は、（１００）面を表面に有する単結晶シリコン基板表面に、水酸化ナトリウム及びイソプロピルアルコールの混合水溶液を用いた異方エッチング処理を行い、（１１１）面で構成されるピラミッド状（四角錐状）の凹凸を形成する方法を開示している。しかしながら、該方法は、イソプロピルアルコールを使用するため、廃液処理や作業環境、安全性に問題があり、また、凹凸の形状や大きさにムラがあり、微細な凹凸を面内均一に形成することが困難であった。【０００３】
なお、エッチング液として、特許文献１は、界面活性剤を含むアルカリ水溶液を開示しており、また、特許文献２は、オクタン酸又はドデシル酸を主成分とする界面活性剤を含むアルカリ水溶液を開示している。
【特許文献１】特開平１１−２３３４８４号公報
【特許文献２】特開２００２−５７１３９号公報
【非特許文献１】Ｐｒｏｇｒｅｓｓ  ｉｎ  Ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃｓ：  Ｒｅｓｅａｒｃｈ  ａｎｄ  Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ，  Ｖｏｌ．  ４，  ４３５−４３８  （１９９６）．
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、光電変換効率に優れ、太陽電池に好適な微細な凹凸構造を所望の大きさで均一に半導体基板の表面に形成することができる安全且つ低コストな半導体基板の製造方法、均一且つ微細なピラミッド状の凹凸構造を面内均一に有するソーラー用半導体基板、均一且つ微細な凹凸構造を有する半導体基板を形成するためのエッチング液を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するために、本発明の半導体基板の製造方法は、１分子中に少なくとも１個のカルボキシルを有する炭素数１２以下のカルボン酸及びその塩からなる群から選択される少なくとも１種を含むアルカリ性のエッチング液を用いて半導体基板をエッチングし、該半導体基板の表面に凹凸構造を形成することを特徴とする。【０００６】
前記カルボン酸が、酢酸、プロピオン酸、ブタン酸、ペンタン酸、ヘキサン酸、ヘプタン酸、オクタン酸、ノナン酸、デカン酸、ウンデカン酸、ドデカン酸、アクリル酸、シュウ酸及びクエン酸からなる群から選択される１種又は２種以上であることが好ましい。また、前記カルボン酸の炭素数が７以下であることが好ましい。前記エッチング液中のカルボン酸の濃度が０．０５〜５ｍｏｌ／Ｌであることが好ましい。【０００７】
前記エッチング液中のカルボン酸として、所定の１種又は２種以上のカルボン酸を選択することにより、前記半導体基板の表面に形成される凹凸構造のピラミッド状突起の大きさを制御することができる。【０００８】
本発明のソーラー用半導体基板は、本発明方法で製造された表面に凹凸構造を有する半導体基板である。【０００９】
また、本発明のソーラー用半導体基板は、半導体基板の表面上にピラミッド状の均一且つ微細な凹凸構造を有し、該凹凸構造の底面の最大辺長が１μｍ〜２０μｍであることが好適である。なお、本発明において、最大辺長とは、単位面積２６６μｍ×２００μｍ当りの凹凸構造において、形状の大きいものから順次１０箇所選択し、それら１０個の凹凸構造の底面の１辺長の平均値を意味するものである。
前記半導体基板が、薄板化した単結晶シリコン基板であることが好ましい。【００１０】
本発明のエッチング液は、半導体基板の表面にピラミッド状の微細な凹凸構造を均一に形成するためのエッチング液であって、アルカリ及び１分子中に少なくとも１個のカルボキシル基を有する炭素数１２以下のカルボン酸を含む水溶液であることを特徴とする。
前記エッチング液の組成は、前記アルカリが３〜５０重量％、前記カルボン酸が０．０５〜５ｍｏｌ／Ｌ、残部が水であることが好ましい。【００１１】
また、前記カルボン酸が、酢酸、プロピオン酸、ブタン酸、ペンタン酸、ヘキサン酸、ヘプタン酸、オクタン酸、ノナン酸、デカン酸、ウンデカン酸、ドデカン酸、アクリル酸、シュウ酸及びクエン酸からなる群から選択される１種又は２種以上を含むことが好ましい。また、前記カルボン酸の炭素数が７以下であることが好ましい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の半導体基板の製造方法及びエッチング液によれば、光電変換効率に優れ、太陽電池に好適な所望の形状の微細で均一な凹凸構造を有する半導体基板を安全で低コストに製造することができる。本発明のソーラー用半導体基板は、太陽電池等に好適な均一で微細な凹凸構造を有しており、該半導体基板を用いることにより、光電変換効率に優れた太陽電池を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】実施例１の電子顕微鏡写真の結果を示す写真であり、（ａ）は倍率５００倍、（ｂ）は倍率１０００倍の写真をそれぞれ示す。
【図２】実施例２の電子顕微鏡写真の結果を示す写真であり、（ａ）は倍率５００倍、（ｂ）は倍率１０００倍の写真をそれぞれ示す。
【図３】実施例３の電子顕微鏡写真の結果を示す写真であり、（ａ）は倍率５００倍、（ｂ）は倍率１０００倍の写真をそれぞれ示す。
【図４】実施例４の電子顕微鏡写真の結果を示す写真であり、（ａ）は倍率５００倍、（ｂ）は倍率１０００倍の写真をそれぞれ示す。
【図５】比較例１の電子顕微鏡写真の結果を示す写真であり、（ａ）は倍率５００倍、（ｂ）は倍率１０００倍の写真をそれぞれ示す。
【図６】実施例５の電子顕微鏡写真の結果を示す写真であり、（ａ）は倍率５００倍、（ｂ）は倍率１０００倍の写真をそれぞれ示す。
【図７】実施例６の電子顕微鏡写真の結果を示す写真であり、（ａ）は倍率５００倍、（ｂ）は倍率１０００倍の写真をそれぞれ示す。
【図８】実施例７の電子顕微鏡写真の結果を示す写真であり、（ａ）は倍率５００倍、（ｂ）は倍率１０００倍の写真をそれぞれ示す。
【図９】実施例８のエッチング処理後の基板表面において、評価基準：優の一例を示す写真である。
【図１０】実施例８のエッチング処理後の基板表面において、評価基準：良の一例を示す写真である。
【図１１】実施例８のエッチング処理後の基板表面において、評価基準：可の一例を示す写真である。
【図１２】実施例８のエッチング処理後の基板表面において、評価基準：不可の一例を示す写真である。
【図１３】実施例１５の電子顕微鏡写真の結果を示す写真である。
【図１４】実施例１６の電子顕微鏡写真の結果を示す写真である。
【図１５】実施例１７の電子顕微鏡写真の結果を示す写真である。
【図１６】実施例１８の電子顕微鏡写真の結果を示す写真である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下に本発明の実施の形態を説明するが、これら実施の形態は例示的に示されるもので、本発明の技術思想から逸脱しない限り種々の変形が可能なことはいうまでもない。【００１５】
本発明の半導体基板の製造方法は、１分子中に少なくとも１個のカルボキシル基を有する炭素数１２以下のカルボン酸及びその塩の少なくとも１種を含むアルカリ性溶液をエッチング液として用い、該エッチング液中に半導体基板を浸漬することにより該基板の表面を異方エッチングし、該基板の表面に均一で微細な凹凸構造を形成するものである。【００１６】
前記カルボン酸は、公知の１分子中に少なくとも１個のカルボキシル基を有する炭素数１２以下の有機化合物が広く使用可能である。カルボキシル基の数は特に限定はないが、１〜３、即ちモノカルボン酸、ジカルボン酸及びトリカルボン酸が好ましい。カルボン酸の炭素数は１以上、好ましくは２以上、より好ましくは４以上であり、１２以下、好ましくは１０以下、より好ましくは７以下である。前記カルボン酸は、鎖式カルボン酸及び環式カルボン酸のいずれも使用できるが、鎖式カルボン酸が好ましく、特に炭素数２〜７の鎖式カルボン酸が好ましい。【００１７】
前記鎖式カルボン酸としては、例えば、ギ酸、酢酸、プロパン酸、ブタン酸、ペンタン酸、ヘキサン酸、ヘプタン酸、オクタン酸、ノナン酸、デカン酸、ウンデカン酸、ドデカン酸及びこれらの異性体等の飽和鎖式モノカルボン酸（飽和脂肪酸），シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸やこれらの異性体等の脂肪族飽和ジカルボン酸，プロパントリカルボン酸、メタントリ酢酸等の脂肪族飽和トリカルボン酸，アクリル酸、ブテン酸、ペンテン酸、ヘキセン酸、ヘプテン酸、ペンタジエン酸、ヘキサジエン酸、ヘプタジエン酸及びアセチレンカルボン酸等の不飽和脂肪酸，ブテン二酸、ペンテン二酸、ヘキセン二酸、ヘキセン二酸やアセチレンジカルボン酸等の脂肪族不飽和ジカルボン酸，アコニット酸等の脂肪族不飽和トリカルボン酸などが挙げられる。【００１８】
前記環式カルボン酸としては、シクロプロパンカルボン酸、シクロブタンカルボン酸、シクロペンタンカルボン酸、ヘキサヒドロ安息香酸、シクロプロパンジカルボン酸、シクロブタンジカルボン酸、シクロペンタンジカルボン酸、シクロプロパントリカルボン酸及びシクロブタントリカルボン酸等の脂環式カルボン酸，安息香酸、フタル酸及びベンゼントリカルボン酸等の芳香族カルボン酸などが挙げられる。【００１９】
また、カルボキシル基以外の官能基を有するカルボキシル基含有有機化合物も使用可能であり、例えば、グリコール酸、乳酸、ヒドロアクリル酸、オキシ酪酸、グリセリン酸、タルトロン酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸、サリチル酸、グルコン酸等のオキシカルボン酸，ピルビン酸、アセト酢酸、プロピオニル酢酸、レブリン酸等のケトカルボン酸，メトキシカルボン酸、エトキシ酢酸等のアルコキシカルボン酸などが挙げられる。【００２０】
これらカルボン酸の好ましい例としては、酢酸、プロピオン酸、ブタン酸、ペンタン酸、ヘキサン酸、ヘプタン酸、オクタン酸、ノナン酸、デカン酸、ウンデカン酸、ドデカン酸、アクリル酸、シュウ酸及びクエン酸等が挙げられる。【００２１】
エッチング液中のカルボン酸としては、炭素数４〜７のカルボン酸の少なくとも１種を主成分とし、必要に応じて炭素数３以下のカルボン酸や炭素数８以上のカルボン酸を添加することが好適である。
前記エッチング液中のカルボン酸の濃度は、好ましくは０．０５〜５ｍｏｌ／Ｌ、より好ましくは０．２〜２ｍｏｌ／Ｌである。【００２２】
本発明の製造方法において、所定のカルボン酸を選択することにより、半導体基板の表面に形成される凹凸構造の大きさを変化させることが可能であり、特に、炭素数の異なる複数のカルボン酸を混合したエッチング液を用いることにより、基板表面の凹凸構造のピラミッド状突起の大きさを制御することができる。添加するカルボン酸の炭素数が小さい程、凹凸構造の大きさは小さくなるが、微細な凹凸を均一に形成するためには、炭素数４〜７の脂肪族カルボン酸の１種又は２種以上を主成分として含有し、必要に応じて他のカルボン酸を含有することが好ましい。【００２３】
前記アルカリ性溶液としては、アルカリが溶解された水溶液が挙げられる。該アルカリとしては、有機アルカリ及び無機アルカリのいずれも使用可能である。有機アルカリとしては、例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド等の第４級アンモニウム塩、アンモニア等が好ましい。無機アルカリとしては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化カルシウム等のアルカリ金属やアルカリ土類金属の水酸化物が好ましく、水酸化ナトリウム又は水酸化カリウムが特に好ましい。これらアルカリは単独で用いてもよく、２種以上混合して使用してもよい。エッチング液中のアルカリ濃度は、３〜５０重量％が好ましく、５〜２０重量％がより好ましく、８〜１５重量％であることが更に好ましい。【００２４】
上記半導体基板としては、単結晶シリコン基板が好ましい。
【００２５】
本発明方法において、エッチング方法は特に限定されないものであり、所定の温度に加熱保持したエッチング液を用いて、半導体基板を所定の時間浸漬等することにより、半導体基板の表面に均一且つ微細な凹凸構造を形成するものである。エッチング液の温度は特に限定されないが、７０℃〜９８℃が好ましい。エッチング時間も特に限定されないが、１５〜３０分が好適である。【００２６】
本発明の半体基板の製造方法により、底面の最大辺長が１μｍ〜２０μｍ、好ましくはその上限値が１０μｍ、さらに好ましくは５μｍであり、縦断面の頂角が１１０℃のピラミッド状の均一な凹凸構造を有する半導体基板を得ることができる。さらに、本発明によれば、低コストで低反射率の半導体基板を得ることができる。
【実施例】
【００２７】
以下に実施例をあげて本発明をさらに具体的に説明するが、これらの実施例は例示的に示されるもので限定的に解釈されるべきでないことはいうまでもない。【００２８】
（実施例１）
エッチング液として、１２．５重量％のＫＯＨ水溶液にヘキサン酸を３０ｇ／Ｌ（約０．２６ｍｏｌ／Ｌ）添加したエッチング液を用いて、（１００）面を表面に有する単結晶シリコン基板を９０℃で３０分間浸漬した後、処理後の基板表面を電子顕微鏡写真で観察した。電子顕微鏡写真の結果を図１に示す。なお、図１（ａ）は５００倍、図１（ｂ）は１０００倍の倍率の場合である。また、単位面積２６５μｍ×２００μｍ当りの凹凸構造について、形状の大きいものから順次１０箇所選択し、それらのピラミッド構造の底面の辺長を測定した結果、辺長の平均値、即ち底面の最大辺長は９．１μｍであった。実施例１〜４及び比較例１の結果を表１に示す。【００２９】
（実施例２）
ヘキサン酸の代わりにヘプタン酸を３０ｇ／Ｌ（約０．２３ｍｏｌ／Ｌ）添加したエッチング液を用いた以外は実施例１と同様に実験を行った。電子顕微鏡写真の結果を図２に示す。また、凹凸構造の底面の最大辺長は１１．０μｍであった。【００３０】
（実施例３）
ヘキサン酸の代わりにオクタン酸を３０ｇ／Ｌ（約０．２１ｍｏｌ／Ｌ）添加したエッチング液を用いた以外は実施例１と同様に実験を行った。電子顕微鏡写真の結果を図３に示す。また、凹凸構造の底面の最大辺長は２１．１μｍであった。【００３１】
（実施例４）
ヘキサン酸の代わりにノナン酸を３０ｇ／Ｌ（約０．１９ｍｏｌ／Ｌ）添加したエッチング液を用いた以外は実施例１と同様に実験を行った。電子顕微鏡写真の結果を図４に示す。また、凹凸構造の底面の最大辺長は３２．１μｍであった。【００３２】
（比較例１）
ヘキサン酸の代わりにイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）を添加しＩＰＡを１０重量％含むようにしたエッチング液を用いた以外は実施例１と同様に実験を行った。電子顕微鏡写真の結果を図５に示す。また、凹凸構造の底面の最大辺長は２４．８μｍであった。【００３３】
【表１】
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【００３４】
図１〜図４及び表１に示した如く、本発明のエッチング液を用いた実施例１〜４では、均一で微細なピラミッド状突起を有する凹凸構造が基板表面全面に均一に形成されていた。また、含有する脂肪族カルボン酸の炭素数に応じて、該ピラミッド状突起の大きさが変化していた。また、実施例１〜４で得られた基板の波長８００ｎｍにおける反射率を測定した結果、平均７〜８％であり、極めて良好な結果が得られた。
一方、図５及び表１に示した如く、イソプロパノールを添加したエッチング液では、ピラミッド状突起の大きさにムラがあり、重なり合ったピラミッド形状が多数観察された。【００３５】
（実施例５）
エッチング液として、１２．５重量％のＫＯＨ水溶液にヘプタン酸とノナン酸を添加したエッチング液を用いて、実施例１と同様に実験を行った。なお、ヘプタン酸とノナン酸の添加量はそれぞれ６０ｇ／Ｌ，３０ｇ／Ｌである。電子顕微鏡写真の結果を図６に示す。実施例５〜７の結果を表２に示す。【００３６】
（実施例６）
ヘプタン酸とノナン酸の添加量をそれぞれ３０ｇ／Ｌに変更した以外は実施例５と同様に実験を行った。電子顕微鏡写真の結果を図７に示す。【００３７】
（実施例７）
ヘプタン酸とノナン酸の添加量をそれぞれ３０ｇ／Ｌ，６０ｇ／Ｌに変更した以外は実施例５と同様に実験を行った。電子顕微鏡写真の結果を図８に示す。【００３８】
【表２】
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【００３９】
図６〜図８及び表２に示した如く、複数の脂肪族カルボン酸を混合したエッチング液を用いることにより、基板表面の凹凸構造のピラミッド状突起の大きさを容易に制御することができる。【００４０】
（実施例８）
まず、表３に示すようにアルカリと脂肪族カルボン酸とを含有し、残部が水であるエッチング液を準備する。液温８０〜８５℃のエッチング液６Ｌを用いて、（１００）面を表面に有する単結晶シリコン基板を３０分間浸漬した後、処理後の基板表面を目視で観察した。【００４１】
目視で観察した結果を併せて表３に示す。表３において、基板表面にピラミッド状の微細な凹凸構造が形成されたものについて凹凸の均一性の点から３段階（均一性：優＞良＞可）に分類して評価した。基板表面にピラミッド状の微細な凹凸構造が形成されなかったものを不可とした。図９〜図１２はそれぞれ、評価が優、良、可、不可である基板表面の一例を示す写真である。【００４２】
【表３】
0004394693.tif 000004
【００４３】
（実施例９）
エッチング液として、表４に示す組成を有するエッチング液を用いた以外は実施例８と同様に実験を行った。結果を併せて表４に示す。【００４４】
【表４】
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【００４５】
（実施例１０）
エッチング液として、表５に示す組成を有するエッチング液を用いた以外は実施例８と同様に実験を行った。結果を併せて表５に示す。【００４６】
【表５】
0004394693.tif 000006
【００４７】
（実施例１１）
エッチング液として、表６に示す組成を有するエッチング液を用いた以外は実施例８と同様に実験を行った。結果を併せて表６に示す。【００４８】
【表６】
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【００４９】
（実施例１２）
エッチング液として、表７に示す組成を有するエッチング液を用いた以外は実施例８と同様に実験を行った。結果を併せて表７に示す。【００５０】
【表７】
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【００５１】
（実施例１３）
エッチング液として、表８に示す組成を有するエッチング液を用いた以外は実施例８と同様に実験を行った。結果を併せて表８に示す。【００５２】
【表８】
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【００５３】
（実施例１４）
エッチング液として、表９に示す組成を有するエッチング液を用いた以外は実施例８と同様に実験を行った。結果を併せて表９に示す。【００５４】
【表９】
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【００５５】
（実施例１５）
エッチング液として、酢酸２００ｇ（約０．５５ｍｏｌ／Ｌ）を含む６重量％ＫＯＨ水溶液６Ｌを用いて、（１００）面を表面に有する単結晶シリコン基板（重さ７．６８ｇ、厚み２２２μｍ）を９０〜９５℃で３０分間浸漬し、表面に微細な凹凸を有する基板（重さ５．４７ｇ、厚み１７１μｍ）を得た。処理後の基板表面を電子顕微鏡写真で観察した。電子顕微鏡写真の結果（倍率：１０００倍、３箇所）を図１３に示す。得られた基板表面の凹凸構造の底面の最大辺長は１５．０μｍであった。実施例１５〜１８の結果を表１０に示す。【００５６】
（実施例１６）
エッチング液として、クエン酸２００ｇ（約０．１７ｍｏｌ／Ｌ）を含む６重量％ＫＯＨ水溶液６Ｌを用いて、（１００）面を表面に有する単結晶シリコン基板（重さ７．８０ｇ、厚み２２７μｍ）を９０〜９５℃で２０分間浸漬し、表面に微細な凹凸を有する基板（重さ６．４４ｇ、厚み１９３μｍ）を得た。電子顕微鏡写真の結果（倍率：１０００倍、３箇所）を図１４に示す。得られた基板表面の凹凸構造の底面の最大辺長は１０．０μｍであった。【００５７】
（実施例１７）
エッチング液として、アクリル酸３００ｇ（約０．６９ｍｏｌ／Ｌ）を含む６重量％ＫＯＨ水溶液６Ｌを用いて、（１００）面を表面に有する単結晶シリコン基板（ＳＬＯＴ５：重さ９．６６ｇ、厚み２７９μｍ、ＳＬＯＴ２０：重さ９．６６、厚み２８３μｍ）を９０〜９５℃で３０分間浸漬し、表面に微細な凹凸を有する基板（ＳＬＯＴ５：重さ７．５６ｇ、厚み２３９μｍ、ＳＬＯＴ２０：重さ７．５３ｇ、厚み２３２μｍ）を得た。電子顕微鏡写真の結果（倍率：１０００倍）を図１５に示す。得られた基板表面の凹凸構造の底面の最大辺長は１７．０μｍであった。【００５８】
（実施例１８）
エッチング液として、シュウ酸２００ｇ（約０．３７ｍｏｌ／Ｌ）を含む６重量％ＫＯＨ水溶液６Ｌを用いて、（１００）面を表面に有する単結晶シリコン基板（ＳＬＯＴ５：重さ９．６０ｇ、厚み２８９μｍ、ＳＬＯＴ２０：重さ９．６５、厚み２８５μｍ）を９０〜９５℃で３０分間浸漬し、表面に微細な凹凸を有する基板（ＳＬＯＴ５：重さ７．６０ｇ、厚み２３９μｍ、ＳＬＯＴ２０：重さ７．６０ｇ、厚み２４４μｍ）を得た。電子顕微鏡写真の結果（倍率：１０００倍）を図１６に示す。得られた基板表面の凹凸構造の底面の最大辺長は１５．０μｍであった。【００５９】
【表１０】
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【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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