(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被試験デバイスのピンに３つの信号レベルを駆動するトライステート回路であって、第１の信号レベルで前記ピンに結合するように適応された出力を有するドライバ（３２）と、前記出力に結合され、プログラムされた信号に応答して、選択的に前記第１の信号レベルを第２の信号レベルに変えるように動作可能な第１のスイッチングユニット（３４）とを含むトライステート回路において、
前記第１のスイッチングユニット（３４）に直列に接続され、第２のプログラムされた信号に応答して、前記第１のスイッチと協動して前記第２の信号レベルを第３の信号レベルに変えるように動作可能な、第２のスイッチングユニット（３６）を特徴とするトライステート回路。
【請求項２】
前記ドライバ（３２）は、前記第１の信号レベルを規定するプログラム可能な電圧を確立するように動作可能な回路を有するバッファ増幅器を含む、請求項１記載のトライステート回路。
【請求項３】
前記第１のスイッチングユニット（３４）は、第１の電流経路（３５）に沿って前記ドライバ（３２）から第１の所定の電流を引き出す第１の電流引き込みネットワーク（Ｑ１、Ｑ２、Ｉ１）を含む、請求項１記載のトライステート回路。
【請求項４】
前記第１の電流引き込みネットワークは、
第１の電子スイッチ（Ｑ１、Ｑ２）と、
シンク構成で前記第１の電子スイッチに結合される第１の電流源（Ｉ１）と、を含む、請求項３記載のトライステート回路。
【請求項５】
前記第１の電流源は、前記第１の電流経路（３５）に沿って前記バッファ（３２）から、前記出力信号レベルを第２の信号レベルに降下させる選択可能な電流を引き出すようにプログラム可能である、請求項４記載のトライステート回路。
【請求項６】
前記第１の電子スイッチは、差動対として配置された１対のバイポーラトランジスタ（Ｑ１、Ｑ２）を含む、請求項４記載のトライステート回路。
【請求項７】
前記第２のスイッチングユニット（３６）は、前記ドライバ（３２）から第２の所定の電流を引き出す第２の電流引き込みネットワーク（Ｑ３、Ｑ４、Ｉ２）を含む、請求項１記載のトライステート回路。
【請求項８】
前記第２の電流引き込みネットワークは、
第２の電子スイッチ（Ｑ３、Ｑ４）と、
シンク構成で前記第２の電子スイッチに結合される第２の電流源（Ｉ２）と
を含む、請求項７記載のトライステート回路。
【請求項９】
前記第２の電流源（Ｉ２）は、前記第１の電流経路（３５）に沿って、前記第１の電流と合計され前記出力信号レベルを第３の信号レベルに降下させる選択可能な第２の電流を引き出すようにプログラム可能である、請求項８記載のトライステート回路。
【請求項１０】
前記第２の電子スイッチは、差動対として配置された１対のバイポーラトランジスタ（Ｑ３、Ｑ４）を含む、請求項８記載のトライステート回路。
【請求項１１】
所定のトライステート波形に従ってドライバからの出力信号レベルを切り替えて、遷移の過渡現象を最小限にする方法であって、前記ドライバ（３２）は第１の信号レベルを生成する回路を有する、方法において、前記トライステート波形の第１の状態として前記第１の信号レベルを利用するステップと、第１の電流経路（３５）に沿って所定の第１の電流を前記ドライバ（３２）から引き出して、前記出力を、前記トライステートの波形の第２の状態を規定する第２の信号レベルまで低減させるステップとを含む方法において、
前記第１の電流経路（３５）に沿っておよび該第１の経路と直列に配置された第２の電流経路（３７）を通して、前記第１の電流と合計された所定の第２の電流を前記ドライバ（３２）から引き込んで、前記出力を、前記トライステート波形の第３の状態を規定する第３の信号レベルまで低減させるステップを特徴とする方法。
【請求項１２】
前記第２の電流経路（３７）を非活性化して、前記出力を前記第２の信号レベルに戻すステップをさらに含む、請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
前記第１の電流経路（３５）を非活性化して、前記出力を前記第１の信号レベルに戻すステップをさらに含む、請求項１２記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
発明の分野
本発明は一般的に、半導体装置の検査を行う自動検査装置に関し、より詳細には、半導体テスタにおいてロジックデバイスのテスト（試験）を行うのに用いる、直列スイッチドライバに関する。
【０００２】
発明の背景
半導体装置のメーカは、ルーチンで、自らの製品の試験（検査）をウエハーやパッケージングされたデバイスのレベルで行っている。この検査は通常、一般的に自動検査装置と呼ばれる複雑なシステムによって実行される。この装置は、一般的に、１つまたはそれよりも多い被試験デバイス（ＤＵＴ）に波形をドライブ（駆動）して、そこからの出力を検出する。検出した出力を次に期待値と比較して、そのデバイスが正しく機能しているかどうかを判定する。
【０００３】
ロジックデバイスには、３つの別個の電圧レベルが必要な入出力ピンを含むものが多い。したがって、こういったデバイスの全性能の検査を行うためには、半導体メーカは、検査装置がトライステート波形を駆動してそういった電圧レベルをシミュレーションできるようになっていることが必要であることが多い。この能力は、設ける場合には、ＤＵＴの特定のピンに対応するそれぞれのチャネルについて、ドライバ構造内に備わっている。
【０００４】
自動検査装置において用いられる従来技術のドライバ構造は、通常、ＤＵＴのピンに結合するピン電子機器の一部を形成する特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）上で、設計されている。ＡＳＩＣは、典型的には、高いデバイス密度を達成できるためにバイポーラ技術、ＭＯＳ技術、またはＧａＡｓ技術を利用する。
【０００５】
図１に示す、バイポーラ技術を用いる従来技術のドライバ構造のひとつは、カリフォルニア州Ａｇｏｕｒａ  Ｈｉｌｌｓのテラダイン社が製造するＪ９７３マグナムテスタ（Ｍａｇｎｕｍ  Ｔｅｓｔｅｒ）において用いられている。この従来技術の構造は、バッファ増幅器１０から可変電流を引き込んで、出力ＶＯＵＴにおける電圧レベルを変える、Ａ級スイッチ構成を含む。このバッファ増幅器は、「高い」電圧レベルＶｈおよび抵抗Ｒ１で表される出力抵抗（典型的には５０オーム）を生成する、内部回路を含む。出力には、差動対のスイッチ１２、１６の並列ネットワークが結合しており、差動対のスイッチ１２、１６はそれぞれ、プログラム可能な電流源（シンク）１４、１８を含んでおり、バッファ増幅器から選択的に電流を引き出す。スイッチはそれぞれ、相補ロジック信号Ａ＊、Ａ、およびＢ＊、Ｂに応答して活性化する、相補型トランジスタの対Ｑ１、Ｑ２、およびＱ３、Ｑ４を含む。
【０００６】
Ａ級ドライバの動作特性のひとつは、プログラム可能な電流源Ｉ１、Ｉ２が常に動作している、ということである。典型的には、これらの電流源は、特定の電流を吸収（シンク）してＲ１の両端電圧が所望の電圧降下を生じ、ＶＯＵＴにおいて所望の電圧を達成するように、プログラムされている。図１に示す構造について、Ｉ１をプログラムする関係は（Ｖｈ−Ｖｌ）／Ｒ１であることが多く、Ｉ２については、関係は（Ｖｈ−Ｖｔ）／Ｒ１である。Ｖｈ＝２Ｖ、Ｖｔ＝１Ｖ、Ｖｌ＝０Ｖ、Ｒ１＝５０オーム、ＶＣＣ＝７ボルト、およびＶＥＥ＝−６ボルトというパラメータで動作すると、Ｉ１およびＩ２の電流はそれぞれ、４０ミリアンペアおよび２０ミリアンペアに対応する。
【０００７】
動作中、スイッチ１２、１６の並列ネットワークは、タイミングを制御したロジック信号Ａ、Ａ＊、およびＢ、Ｂ＊に応答して、適切なトランジスタを活性化および非活性化し、出力ＶＯＵＴにおいて所望のトライステート波形を作成する。図２は、トライステートの波形２０を達成するトランジスタＱ１〜Ｑ４のシーケンス動作に関するタイミング図を示す。出力をＶｈ（２ボルト）に設定するには、トランジスタＱ２、Ｑ４を非活性化し、相補ロジック信号Ａ＊、Ｂ＊によってＱ１、Ｑ３を活性化する。その結果、バッファ１０からの電流は最小限になり、Ｒ１の両端電圧がほとんど電圧降下を生じず、ＶＯＵＴがＶｈ（２ボルト）になる。ロジック信号ＢでＱ４を活性化し、信号Ｂ＊でＱ３を非活性化することによって、第２のスイッチ１６がバッファ１０から、電流源１２のプログラムされたレベルに対応する、２０ミリアンペアの電流を引き出す。その結果、出力電圧はＶｔ（１ボルト）に降下する。出力ＶＯＵＴにおいて第３の電圧レベルＶｌを達成するには、Ｑ４をオフにすると同時にＱ２をオンにし、Ｉ２がＲ１の両端間で４０ｍＡを引き出し、ＶＯＵＴを０ボルトに降下させるようにする。同様の構成がＮａｇａｔａへの米国特許第５，２７６，３５５号に開示されている。
【０００８】
従来技術の並列スイッチドライバ構造は、その意図する目的についてはうまく働くが、当業者は、ＶｔからＶｌへのＶＯＵＴの出力遷移中に、不正確さを観察している。 この不正確さの理由は、同時にＱ４を不活性化してＱ２を活性化することが困難であることにある。万一Ｑ２がオンになる前にＱ４がオフになると、図２に示すように、「プリシュート」２２が生じてしまう。このプリシュート２２は、信号チャネルにリンギング変動（外乱）を引き起こし、この変動が定常状態に戻ることができるようにするには時間が必要である。これは、トライステートの波形の正確さに不所望な影響を及ぼし、テスタの実効速度を間接的に下げてしまう。
【０００９】
上述の従来技術の並列構造の他の問題は、動作中に消費する電力に関係する。上述のように、Ａ級ドライバは、電流源Ｉ１、Ｉ２の動作を連続して維持している。上の例において、ＶＣＣレール（典型的には７ボルト）からであれバッファ増幅器１０からであれ、電流は常にこれらの源（ソース）から引き出される。したがって、連続電流の総和は６０ミリアンペアになり、対応する消費電力は、６０ｍＡ＊１３Ｖ＝７８０ミリワットになる。状況によっては、テスタのユーザがＶｌをＶｔに設定することもある。その結果、Ｉ１、Ｉ２によってバッファから引き出される、それぞれのプログラムされた電流は、共に比較的高く（それぞれ約４０ミリアンペアであることが多い）、約８０ｍＡ＊１３Ｖ＝１０４０ｍＷのレベルの電力を消費する。こういった消費電力のレベルは、多くのアプリケーションにおいて不所望である。
【００１０】
状態遷移中にいかなるプリシュートの過渡現象も最小限にすることができる、自動検査装置用のトライステートのドライバ構造が、必要とされ、これまで利用できなかった。さらに、動作中に最小限の電力しか消費しないドライバ構造が、必要とされている。本発明の直列スイッチドライバ構造は、こういった必要を満たすものである。
【００１１】
発明の概要
本発明の直列スイッチドライバ構造は、動作中に消費する電力を最小限にしながら、非常に正確に被試験デバイスのピンにトライステート波形を送出することができる。このような利点によって、テスタの信頼性およびスループットが改良され、半導体装置の検査コストがかなり低減する。
【００１２】
前述の利点を実現するために、本発明は、一形態において、被試験デバイスのピンに３つの信号レベルを駆動する、トライステート回路を含む。トライステート回路は、第１の信号レベルの出力を有しピンに結合するようになっている、ドライバを含む。この出力には、第１のスイッチングユニットが結合し、この第１のスイッチングユニットは、プログラムされた信号に応答する。第１のスイッチングユニットは、選択的に第１の信号レベルを第２の信号レベルに変えるように動作する。第２のスイッチングユニットは、第１のスイッチに直列に接続する。第２のスイッチングユニットは、第２のプログラムされた信号に応答して、第１のスイッチと協動して第２の信号レベルを第３の信号レベルに変えるように動作する。
【００１３】
他の形態において、本発明は、集積回路において用いる、被試験デバイスのピンに３つの電圧レベルを駆動するトライステート回路を備える。トライステート回路は、電圧源によって作動し出力抵抗を有するバッファ増幅器を含む、ドライバを含む。電圧源は、高い電圧レベルを規定するプログラム可能な電圧で動作し、ピンに結合するようになっている出力を有する。この出力には、第１のスイッチングユニットが結合し、第１のスイッチングユニットは、第１の電流引き込みネットワークを含む。ネットワークは、第１の電流経路を規定し、プログラムされた信号に応答して、第１の電流経路に沿って第１の所定の電流をドライバから引き出すことによって、選択的に高い電圧レベルを中間の電圧レベルに変える。第１のスイッチングユニットには、第２のスイッチングユニットが直列に結合し、第２のスイッチングユニットは、第２の電流経路を規定する第２の電流引き込みネットワークを含む。第２の電流引き込みネットワークは、プログラムされた信号に応答して、第１の電流経路に沿って、そして続けて第２の電流経路に沿って、第２の所定の電流をドライバから引き出すことによって、選択的に中間の電圧レベルを変える。
【００１４】
さらに他の形態において、本発明は、所定のトライステート波形にしたがってドライバからの出力信号レベルを切り替えて、遷移の過渡現象を最小限にする方法を含む。方法は、トライステート波形の第１の状態として第１の信号レベルを利用するステップと、第１の電流経路に沿って所定の第１の電流をドライバから引き出して、出力を、トライステートの波形の第２の状態を規定する第２の信号レベルまで低減するステップと、第１の電流経路に沿っておよび第１の経路と直列に配置された第２の電流経路を通じて、所定の第２の電流をドライバから引き込んで、出力を、トライステート波形の第３の状態を規定する第３の信号レベルまで低減するステップと、を含む。
【００１５】
本発明の他の特徴および利点は、以下の詳細な説明を添付図面と共に読めば、明らかになろう。
【００１６】
本発明は、以下のより詳細な説明および添付図面を参照することによって、よりよく理解されよう。
【００１７】
発明の詳細な説明
図３を参照すると、総体的に３０で示す本発明の直列スイッチドライバ構造は、ドライバ３２および１対の直列に接続したスイッチングユニット３４、３６を含む。この直列スイッチ構成によって、出力の状態遷移中のいかなる「プリシュート」も最小限になり、動作中の消費電力が最小限になる。
【００１８】
さらに図３を参照して、ドライバ３２は、「高い」電圧レベルＶ３をプログラム可能に生成する回路を含む、既知の構成のバッファ増幅器を備える。バッファは、抵抗器Ｒ１によって表され通常５０オームである、出力抵抗を含む。
【００１９】
第１のスイッチングユニット３４は、出力ＶＯＵＴをシャント（分流）して、 ３５において第１の選択可能な電流経路を形成する。好適な実施形態において、第１のスイッチングユニットは、差動対を含む電子スイッチを有して構成され、バイポーラ接合トランジスタ（ＢＪＴ）Ｑ１、Ｑ２の相補対を含む。Ｑ１、Ｑ２のエミッタはそれぞれ、ノードＮ１において合流し、ベースはそれぞれ、相補入力Ａ、Ａ＊を受け取る。Ｑ２のコレクタは、出力ＶＯＵＴへの分流を形成している。第１のプログラム可能な電流源Ｉ１は、ノードＮ１に結合して、差動対を通じて第１のプログラムされた電流を引き出す（Ｑ１を通じ電力レールＶｃｃから、または、Ｑ２を通じバッファ３２から、のどちらか）。第１の電流源によって引き出される電流は、（Ｖ３−Ｖ２）／Ｒ１の関係に従ってプログラムされる。ただしＶ２は中間レベルの電圧を表す。
【００２０】
引き続き図３を参照すると、第２のスイッチングユニット３６は、第１のノードＮ１に結合して、３７において第２の電流経路を確立し、第２のスイッチングユニットを第１のスイッチングユニット３４と直列関係に配置する。第１のスイッチングユニットと同様、第２のスイッチングユニットは、好ましくは、Ｑ１、Ｑ２と同様に構成したトランジスタＱ３、Ｑ４の差動対を含む、電子スイッチを備える。Ｑ３、Ｑ４への入力は、それぞれのベースにおいて印加されるロジック信号Ｂ、Ｂ＊に応答する。Ｑ３、Ｑ４の一緒に結合されたエミッタは、第２のノードＮ２を形成する。ノードＮ２には、第２のプログラム可能な電流源Ｉ２が結合している。第２の電流源は、関係（Ｖ２−Ｖ１）／Ｒ１に従って電流を引き出し、第１の源Ｉ１からの電流と合計すると、出力ＶＯＵＴを低いレベルＶ１に引き下げるように、プログラムされている。
【００２１】
本発明の直列スイッチドライバ３０は、被試験デバイス (ＤＵＴ)（図示せず）のピンに結合するようになっている。ＤＵＴの検査前に、それぞれの電流源Ｉ１、Ｉ２とともに、高い電圧レベルＶ３が、Ｖ３からの出力をＶ２およびＶ１についての他の所望のレベルに変えるために、バッファから電流レベルを引き出すようにプログラムされる。ユーザは、また、特定のトランジスタＱ１〜Ｑ４を正確な時間に活性化するロジック信号Ａ、Ａ＊、およびＢ、Ｂ＊のタイミングをプログラムして、それによって、トライステート波形の遷移すなわちエッジ（縁部）を規定する。プログラムされた位置に対する実際のエッジ位置の正確さは、ロジックデバイスの検査の実行を成功させる上で重要な要因である。
【００２２】
本発明の直列スイッチ構造に関連する電圧レベルの慣例は、Ｖ３＞Ｖ２＞Ｖ１の関係に従う。大多数のアプリケーションにおいて、Ｖ３は「高い」レベル（Ｖｈ）にプログラムされ、Ｖ２は「中間」のレベル（Ｖｔ）に設定され、Ｖ１は「低い」レベル（Ｖｌ）にマッピングされている。しかし状況によっては、ユーザは、Ｖｔ＞ＶｈまたはＶｔ＜Ｖｌに設定するフレキシビリティを必要とする。このような状況においては、フォーマッタ（図示せず）が適切なマッピングを認識して、確実に、Ｖ３が最高電圧レベルに設定され、Ｖ２が中間電圧レベルに設定され、Ｖ１が低い電圧レベルに設定されるようにする。
【００２３】
一例において、トライステート回路の動作は、図４に示すタイミング図に従って進行する。この例において、Ｖ３は２ボルトにプログラムされており、Ｖ２およびＶ１についての所望の電圧レベルはそれぞれ、１ボルトおよび０ボルトに対応している。ＶＯＵＴをＶ２およびＶ１の所望のレベルに引き下げるために、電流源Ｉ１、Ｉ２はそれぞれ、バッファ３２から２０ミリアンペアの電流を引き出すようにプログラムされている。例えば、電流源Ｉ１は、(Ｖ３−Ｖ２)／５０＝２０ミリアンペア、という関係にしたがって、バッファから第１の電流を引き出すようにプログラムされている。同様に、電流源Ｉ２は、（Ｖ２−Ｖ１）／５０＝２０ミリアンペアという関係にしたがって、バッファ増幅器から、第１の電流と合計された第２の電流を引き込むようにプログラムされている。
【００２４】
さらに図４を参照すると、時間ｔ１において、トランジスタＱ２が、そのベースにロジック信号Ａを印加することによって活性化され、トランジスタＱ１が同時に非活性化される。その結果、バッファ３２への第１の電流経路が確立され、結果としてバッファ３２から２０ｍＡの電流が引き込まれる。これによって、負荷Ｒ１（５０オーム）の両端電圧Ｖ３（２ボルト）が、中間レベルの電圧Ｖ２（１ボルト）に降下する。時間ｔ２において、トランジスタＱ２がオフになって、第１の電流経路に沿ったいかなる導通もなくなり、Ｑ１が活性化して、それによって源Ｉ１が電力レールＶｃｃから電流を引き出す。ＤＵＴのピン（図示せず）における高入力インピーダンスを仮定すると、Ｒ１を通る電流の流れは最小限になり、出力ＶＯＵＴが高レベルの電圧Ｖ３に従うようになっている。ｔ３において、トランジスタＱ１、Ｑ２は再び前述のように状態を切り替えて、回路出力ＶＯＵＴをＶ２に低減させる。
【００２５】
引き続き図４を参照すると、時間ｔ４において、トランジスタＱ２は動作状態のままであるのに対し、トランジスタＱ４はオンになる。Ｑ４を通って導通し電流源Ｉ２によって引き出されるさらなる電流（２０ｍＡ）が、Ｉ１からの２０ｍＡの電流と合計されて、バッファ増幅器３２から全部で４０ｍＡが引き出され、これに対応して、出力ＶＯＵＴがＶ１（０ボルト）に引き下げられる。Ｑ２が確立した第１の電流経路を前もって活性化しているので、Ｖ２からＶ１への遷移は、いかなるプリシュート問題もない状態で起こる。いかなるプリシュート変動もなくなることによって、結果として生じる遷移エッジは非常に正確になる。時間ｔ５において、Ｑ４をオフにすると、回路出力ＶＯＵＴはＶ２の状態に戻る。
【００２６】
状況によっては、ユーザは、トライステートの波形をＶ３からＶ１に遷移するようにプログラムする必要があるかもしれない。本発明のさらなる特徴のひとつは、トランジスタＱ２、Ｑ４を同時に活性化する必要なしに、非常に正確に、このような遷移を実行することができる、ということである。これは、トランジスタＱ４が規定する第２の電流経路に沿ったいかなる導通も、必ず、第１の電流経路を通る電流の導通に依存するからである。したがって、ある場合には、Ｑ２が活性化されるまでＶＯＵＴに影響がない状態で、トランジスタＱ４が、トランジスタＱ２が活性化される前にオンになるようにプログラムされていてもよい。この例において、Ｑ４を通る電流は、Ｑ２が活性化される時までに安定してしまうので、Ｑ４からのいかなる過渡現象効果も無視できる。さらに、Ｑ２とＱ４についての相対的タイミングの厳密さの程度は下がるかもしれないが、結果としてタイミングの正確さはより高まる。
【００２７】
当業者であれば、上述の非常に正確であるという望ましい特徴に加えて、この直列スイッチ構造は、従来技術の並列構造が従来達成していたものと比較して、動作中に消費する電力がかなり少ない、ということを理解しよう。第１の電流源と第２の電流源は、Ａ級ドライバの要件に一致して、それぞれ常に電力を消費するが、電流源Ｉ１、Ｉ２からのプログラムされた電流は個別に最小限にされ、可能な場合には、協動して組み合わせた電流を引き出すように構成されている。その結果、上記の具体例について動作中に消費される全電力は、約４０ｍＡ＊１３Ｖ＝５２０ＭＷとなり、これは、従来技術の並列スイッチ構造と比較して、約３３％の消費電力低減である。これによって、貴重な電力資源をテスタ内の他の回路に向けることができ、それによって、全体的な電力効率が最大限になる。
【００２８】
さらに、本発明の直列スイッチ構造は、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）における実施によく適しており、当業者には、Ａ級スイッチドライバの独特の構成として理解されよう。
【００２９】
本発明を、その好適な実施形態を参照して詳しく示し説明したが、当業者には、本発明の精神および範囲から逸脱することなく、形態および詳細における様々な変更を行ってもよい、ということが理解されよう。例えば、本明細書においては好適な実施形態としてバイポーラ技術を詳細に説明しているが、ＭＯＳタイプおよびＧａＡｓタイプの技術（これらに限定するものではない）を含む他のトランジスタ技術も、本発明の範囲内であるということが理解されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【図１】  従来技術の構成のトライステートのドライバの概略図である。
【図２】  図１の従来技術のトライステートのドライバのシーケンス動作を示す、タイミング図である。
【図３】  本発明の一実施形態によるトライステートのドライバの概略図である。
【図４】  図３に示すトライステートのドライバのプログラムされたシーケンスを示す、タイミング図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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