(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に導体回路と層間樹脂絶縁層とが順次積層形成され、これら導体回路がバイアホールにより接続されたプリント配線板であって、
前記層間樹脂絶縁層は、球状の有機フィラーとポリオレフィン系樹脂とを含有するポリオレフィン系樹脂組成物により構成されており、
前記有機フィラーは、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂、ポリフェニレンオキサイド（ＰＰＯ）およびポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）からなる群から選択される少なくとも１種であることを特徴とするプリント配線板。
【請求項２】
基板上に導体回路と層間樹脂絶縁層とが順次積層形成され、これら導体回路がバイアホールにより接続されたプリント配線板の前記層間樹脂絶縁層に用いるポリオレフィン系樹脂組成物であって、
ポリオレフィン系樹脂と球状の有機フィラーとを含有し、
前記有機フィラーは、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂、ポリフェニレンオキサイド（ＰＰＯ）およびポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）からなる群から選択される少なくとも１種であることを特徴とするポリオレフィン系樹脂組成物。
【請求項３】
基板上に導体回路と層間樹脂絶縁層とをバイアホールを介して順次積層形成するプリント配線板の製造方法であって、
前記層間樹脂絶縁層を形成する際、請求項２記載のポリオレフィン系樹脂組成物からなる樹脂フィルムまたは樹脂ペーストを用いることを特徴とするプリント配線板の製造方法。
【請求項４】
バイアホール用開口を形成する工程において、レーザの照射によりバイアホール用開口を形成する請求項３に記載のプリント配線板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ポリオレフィン系樹脂と有機フィラーとを含有する層間樹脂絶縁層を有するプリント配線板、該層間樹脂絶縁層に用いるポリオレフィン系樹脂組成物、および、それを用いたプリント配線板の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
いわゆる多層ビルドアップ配線基板と呼ばれる多層プリント配線板は、セミアディティブ法等により製造されており、コアと呼ばれる０．５〜１．５ｍｍ程度のガラスクロス等で補強された樹脂基板の上に、銅等による導体回路と層間樹脂絶縁層とを交互に積層することにより作製される。この多層プリント配線板の層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の接続は、バイアホールにより行われている。
【０００３】
従来、ビルドアップ多層プリント配線板は、例えば、特開平４−５５５５５号公報等に開示された方法により製造されている。
すなわち、まず、銅箔が貼り付けられた銅貼積層板に貫通孔を形成し、続いて無電解銅めっき処理を施すことによりスルーホールを形成する。続いて、基板の表面を導体パターン状にエッチング処理して導体回路を形成し、この導体回路の表面に、無電解めっきやエッチング等により粗化面を形成する。そして、この粗化面を有する導体回路上にエポキシアクリレート等を含む樹脂絶縁層を形成した後、露光、現像処理を行ってバイアホール用開口を形成し、その後、ＵＶ硬化、本硬化を経て層間樹脂絶縁層を形成する。
【０００４】
さらに、層間樹脂絶縁層に酸や酸化剤などにより粗化処理を施した後、薄い無電解めっき膜を形成し、この無電解めっき膜上にめっきレジストを形成し、電解めっきにより厚付けを行い、めっきレジスト剥離後にエッチングを行って、下層の導体回路とバイアホールにより接続された導体回路を形成する。
この工程を繰り返した後、最後に導体回路を保護するためのソルダーレジスト層を形成し、ＩＣチップ等との接続のために開口を形成し、露出した導体回路にめっき等を施し、半田ペーストを印刷して半田バンプを形成することにより、ビルドアップ多層プリント配線板の製造を完了する。
【０００５】
こうようにして製造されたプリント配線板では、導体回路と層間樹脂絶縁層との密着性を確保するために、層間樹脂絶縁層および導体回路の表面は粗化されている。
そのため、高周波の信号を伝搬させると、表皮効果により、信号は、粗化された導体回路の表面部分のみを伝搬し、その表面の凹凸に起因して信号伝搬のノイズが生じてしまう。
【０００６】
また、エポキシアクリレートを含む層間樹脂絶縁層は、破壊靱性が低いため、このような層間樹脂絶縁層を有するプリント配線板では、ヒートサイクルにより導体回路と層間樹脂絶縁層との境界部でクラックが発生しやすい。
【０００７】
さらに、この層間樹脂絶縁層は、誘電率が４．０前後と比較的高いため、かかる樹脂を層間樹脂絶縁層として用いたプリント配線板は、信号伝搬の遅延が避けられない。
【０００８】
このようなことから、エポキシアクリレートを含む層間樹脂絶縁層の代わりに、破壊靱性、誘電性、密着性等に優れるポリオレフィン系樹脂を層間樹脂絶縁層とするプリント配線板が提案されている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、導体回路上にポリオレフィン系樹脂からなる層間樹脂絶縁層を形成した後、図１１（ａ）に示すように、レーザ光を照射してバイアホール用開口を形成すると、レーザ光により照射された部分が目的とする円柱形状に除去されず、図１１（ｂ）に示すように、いびつな形状となってしまうという問題があった。
【００１０】
すなわち、赤外線領域のレーザ光を発生する炭酸ガスレーザの場合には、レーザ光が照射された部分の樹脂が、熱分解することにより除去され、開口が形成される。その際、発生した熱が周囲のポリオレフィン系樹脂に伝わって温度が上昇するため、レーザ光が照射された部分は、引き裂かれるように削られ、開口部の内壁に凹凸が形成されてしまう。また、レーザ光が導体回路に反射して導体回路に近い部分がえぐられ、開口が大きくなってしまう（図１１（ｂ）参照）。
【００１１】
また、紫外線領域のレーザ光を発生するＵＶレーザやエキシマレーザの場合には、レーザ光が照射された部分の樹脂が、レーザ光を吸収しないで、層間樹脂絶縁層を通過してしまい、非貫通孔であるバイアホール用開口を良好に形成することができない。その結果、層間の導通をとることができず、電気的接続に問題を引き起こしてしまう（図１１（ｃ）参照）。
【００１２】
本発明は、上述の問題を解決するためになされたものであり、その目的は、レーザ光を用いた場合にも目的形状の開口を形成することができるポリオレフィン系樹脂組成物を層間樹脂絶縁層に用いたプリント配線板、該プリント配線板の製造に用いられるポリオレフィン系樹脂組成物、および、該ポリオレフィン系樹脂組成物を用いたプリント配線板の製造方法を提案することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記目的の実現に向け鋭意研究した結果、ポリオレフィン系樹脂中に有機フィラーを含有させることにより、目的とする形状のバイアホール用開口を容易に形成することができることを見いだし、以下に示す内容を要旨構成とする発明に到達した。
【００１４】
即ち、本発明のプリント配線板は、基板上に導体回路と層間樹脂絶縁層とが順次積層形成され、これら導体回路がバイアホールにより接続されたプリント配線板であって、
上記層間樹脂絶縁層は、球状の有機フィラーとポリオレフィン系樹脂とを含有するポリオレフィン系樹脂組成物により構成されており、
上記有機フィラーは、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂、ポリフェニレンオキサイド（ＰＰＯ）およびポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）からなる群から選択される少なくとも１種であることを特徴とする。
【００１６】
また、本発明のポリオレフィン系樹脂組成物は、基板上に導体回路と層間樹脂絶縁層とが順次積層形成され、これら導体回路がバイアホールにより接続されたプリント配線板の上記層間樹脂絶縁層に用いるポリオレフィン系樹脂組成物であって、
ポリオレフィン系樹脂と球状の有機フィラーとを含有し、
上記有機フィラーは、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂、ポリフェニレンオキサイド（ＰＰＯ）およびポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）からなる群から選択される少なくとも１種であることを特徴とする。
【００１７】
また、本発明のポリオレフィン系樹脂組成物の製造方法は、基板上に導体回路と層間樹脂絶縁層とをバイアホールを介して順次積層形成するプリント配線板の製造方法であって、
上記層間樹脂絶縁層を形成する際、上記ポリオレフィン系樹脂組成物からなる樹脂フィルムまたは樹脂ペーストを用いることを特徴とする。
【００１８】
【発明の実施の形態】
本発明のプリント配線板は、基板上に導体回路と層間樹脂絶縁層とが順次積層形成され、これら導体回路がバイアホールにより接続されたプリント配線板であって、
上記層間樹脂絶縁層は、球状の有機フィラーとポリオレフィン系樹脂とを含有するポリオレフィン系樹脂組成物により構成されており、
上記有機フィラーは、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂、ポリフェニレンオキサイド（ＰＰＯ）およびポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）からなる群から選択される少なくとも１種であることを特徴とする。
【００１９】
上記プリント配線板によれば、層間樹脂絶縁層が有機フィラーを含有するので、レーザ光照射によりバイアホール用開口を形成すると、目的形状のバイアホールを良好に形成することができる。
【００２０】
すなわち、炭酸ガスレーザ等の赤外線レーザを照射した場合には、上記有機フィラーは熱に対する緩衝剤の役割を果たし、発生した熱や導体回路より反射した熱を一部吸収する。また、有機フィラーは、樹脂組成物が所定の形状を維持するための機械的な強化材の役割を果たし、その結果、周囲の樹脂の形状を維持することができ、目的とする形状のバイアホール用開口を形成することができる。
従って、炭酸ガスレーザを用い、高周波短パルスでバイアホール用開口する場合、ショット数を減少しても、問題なく開口を形成することができる。
【００２１】
また、紫外線レーザを照射した場合、有機フィラーが紫外線を吸収し、このため、紫外線レーザが照射された部分の層間樹脂絶縁層が分解、消失し、目的とする形状のバイアホール用開口を形成することができる。
【００２２】
従って、上記レーザの照射によりバイアホール用開口を形成し、この開口に金属層を形成することによりバイアホールを形成すると、該金属層は下の導体回路に密着して剥がれにくくなり、プリント配線板の接続性、信頼性が向上する。
【００２３】
上記有機フィラーとしては、特に限定されるものではないが、例えば、メラミン、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂、ＰＰＯ、ＰＰＥ等が挙げられる。これらの化合物は、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００２４】
上記有機フィラーの含有量は、５〜６０重量％が好ましい。上記有機フィラーの含有量が５重量％未満であると、有機フィラーの含有量が少なすぎるため、レーザ光照射の際に上記した役割を果たすことができず、目的とする形状のバイアホール用開口を形成することができない。一方、有機フィラーの含有量が６０重量％を超えると、ポリオレフィン系樹脂の特性が失われ、例えば、誘電率が高くなりすぎるため好ましくない。
より好ましくは、１４〜６０重量％である。
【００２５】
上記有機フィラーの形状は特に限定されず、例えば、球状、多面形状のものが挙げられるが、これらのなかでは、クラックが発生しにくく、熱や熱衝撃によって絶縁層に応力が発生しても、その応力が緩和されやすい点から、球状が好ましい。
【００２６】
これらの有機フィラーの粒径は、０．０５〜０．２μｍが好ましい。上記有機フィラーの粒径が０．０５μｍ未満であると、粒径が小さすぎるため、均一に有機フィラーを配合することが困難となり、一方、上記有機フィラーの粒径が０．２μｍを超えると、有機フィラーの粒径が大きすぎるため、レーザにより完全に分解除去されない場合が発生する。
【００２７】
有機フィラーを配合する場合、径が異なる２種以上の有機フィラーをポリオレフィン樹脂に配合してもよいが、余り多種類の粒径の異なる有機フィラーを配合すると、有機フィラーが凝集しやすくなり、該凝集物の径が０．２μｍを超え、０．２μｍを超えるものを使用した場合と同様の不都合が発生する場合があるので、径が異なる有機フィラーを配合する場合には、２種類の配合に留めることが望ましい。
【００２８】
上記有機ポリオレフィン系樹脂としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリイソブチレン、ポリブタジエン、ポリイソプレン、これらの樹脂の共重合体等が挙げられる。
これらのポリオレフィン系樹脂は、熱硬化型ポリオレフィン系樹脂および熱可塑型ポリオレフィン系樹脂の両方を含む。
【００２９】
上記ポリオレフィン系樹脂の市販品としては、例えば、住友スリーエム社製の商品名：１５９２等が挙げられる。また、融点が２００℃以上の熱可塑型ポリオレフィン系樹脂の市販品としては、例えば、三井石油化学工業社製の商品名：ＴＰＸ（融点２４０℃）、出光石油化学社製の商品名：ＳＰＳ（融点２７０℃）等が挙げられる。
【００３０】
次に、本発明のポリオレフィン系樹脂組成物について説明する。
本発明のポリオレフィン系樹脂組成物は、基板上に導体回路と層間樹脂絶縁層とが順次積層形成され、これら導体回路がバイアホールにより接続されたプリント配線板の前記層間樹脂絶縁層に用いるポリオレフィン系樹脂組成物であって、
ポリオレフィン系樹脂と有機フィラーとを含有することを特徴とする。
【００３１】
上記ポリオレフィン系樹脂および上記有機フィラーとしては、上述したものを用いることができる。また、有機フィラーの配合量は、上記したように、形成された層間樹脂絶縁層の含有割合が、５〜６０重量％となる量が好ましい。
【００３２】
本発明のポリオレフィン系樹脂組成物は、上記層間樹脂絶縁層を形成する際、樹脂フィルムまたは樹脂ペーストとして用いる。
上記ポリオレフィン系樹脂組成物を樹脂フィルムとして使用する場合、上記ポリオレフィン系樹脂組成物は、上記ポリオレフィン系樹脂と上記有機フィラーのほかに、他の樹脂等を含んでいてもよいが、通常は、上記ポリオレフィン系樹脂と上記有機フィラーとから構成される。
【００３３】
上記ポリオレフィン系樹脂組成物を樹脂ペーストとして使用する場合、上記樹脂組成物中には、上記ポリオレフィン系樹脂と上記有機フィラーのほかに、キシレン、トルエン、シクロヘキサンなどの溶剤を含む。その粘度は２５℃で１〜１０Ｐａ・ｓに調整されていることが望ましい。
【００３４】
このようなポリオレフィン系樹脂からなる樹脂フィルムを用いて層間樹脂絶縁層を形成する場合には、まず、後述する工程により、導体回路が形成された基板、または、導体回路および層間樹脂絶縁層が複数層形成され、表面に導体回路が形成された基板に、ポリオレフィン系樹脂と有機フィラーとを含む樹脂フィルムを加圧、加熱、または、加圧加熱することにより接着させる。
【００３５】
その後、レーザ光を所定の場所に照射し、バイアホール用開口を形成する。
このとき、使用するレーザ光としては、例えば、炭酸ガス（ＣＯ2 ）レーザ、紫外線レーザ、エキシマレーザ等が挙げられるが、これらのなかでは、エキシマレーザまたは短パルスの炭酸ガスレーザが好ましい。
【００３６】
また、エキシマレーザのなかでも、ホログラム方式のエキシマレーザを用いるとことが望ましい。ホログラム方式とは、レーザ光をホログラム、集光レンズ、レーザマスク、転写レンズ等を介して目的物に照射する方式であり、この方式を用いることにより、一度の照射で層間樹脂絶縁層に多数の開口を効率的に形成することができる。
【００３７】
また、炭酸ガスレーザを用いる場合、そのパルスの間隔は、１０-4〜１０-8秒であることが望ましい。また、開口を形成するためにレーザを照射する時間は、１０〜５００μ秒であることが望ましい。
【００３８】
ポリオレフィン系樹脂組成物からなる樹脂ペーストを用いて層間樹脂絶縁層を形成する際には、まず、後述する工程により、導体回路が形成された基板、または、導体回路および層間樹脂絶縁層が複数層形成され、表面に導体回路が形成された基板に、上記樹脂ペーストをロールコータ等を用いて塗布し、硬化させる。その後、樹脂フィルムの場合と同様にレーザ光を照射し、バイアホール用開口を形成する。
【００３９】
次に、本発明のプリント配線板の製造方法について、簡単に説明する。
(1) 本発明のプリント配線板の製造方法においては、まず、絶縁性基板の表面に導体回路が形成された基板を作製する。
【００４０】
絶縁性基板としては、樹脂基板が望ましく、具体的には、例えば、ガラスエポキシ基板、ポリイミド基板、ビスマレイミド−トリアジン樹脂基板、フッ素樹脂基板、セラミック基板、銅貼積層板などが挙げられる。
【００４１】
本発明では、この絶縁性基板にドリル等で貫通孔を設け、該貫通孔の壁面および銅箔表面に無電解めっきを施して表面導電膜およびスルーホールを形成する。無電解めっきとしては銅めっきが好ましい。
【００４２】
この無電解めっきの後、通常、スルーホール内壁および電解めっき膜表面の粗化形成処理を行う。粗化形成処理方法としては、例えば、黒化（酸化）−還元処理、有機酸と第二銅錯体の混合水溶液によるスプレー処理、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｐ針状合金めっきによる処理などが挙げられる。
【００４３】
(2) 次に、無電解めっきが施された基板上に導体回路形状のエッチングレジストを形成し、エッチングを行うことにより導体回路を形成する。次に、この導体回路が形成された基板表面に樹脂充填剤を塗布、乾燥させて半硬化状態とした後、研摩を行い、樹脂充填材の層を研削するとともに、導体回路の上部も研削し、基板の両主面を平坦化する。この後、樹脂充填材の層を完全硬化する。
なお、樹脂充填材の層を形成する際、導体回路非形成部分に開口が形成されたマスクを用い、エッチングにより凹部が形成された導体回路非形成部分のみを樹脂充填剤で充填し、その後、上記した研磨処理等を行ってもよい。
【００４４】
(3) 次に、導体回路に、必要に応じて、粗化層または粗化面（以下、粗化層という）を形成する。粗化処理方法としては、例えば、黒化（酸化）−還元処理、有機酸と第二銅錯体の混合水溶液によるスプレー処理、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｐ合金めっきによる処理などが挙げられる。
【００４５】
(4) ついで、形成された粗化層表面に、必要により、スズ、亜鉛、銅、ニッケル、コバルト、タリウム、鉛等からなる被覆層を無電解めっき、蒸着などにより形成する。上記被覆層を０．０１〜２μｍの範囲で析出させることにより、層間絶縁層から露出した導体回路を粗化液やエッチング液から保護し、内層パターンの変色、溶解を確実に防止することができるからである。
【００４６】
(5) この後、導体回路上に上述した方法によりポリオレフィン系樹脂組成物からなる層間樹脂絶縁層を設け、レーザ光を照射することにより、バイアホール用開口を設ける。
導体回路は前述の方法により粗化処理を施してもよいが、信号にノイズが生じるのを防止するため、導体回路に粗化層を設けない方が望ましい。この場合には、導体回路に、直接または接着剤等を介してポリオレフィン系樹脂組成物の層を形成する。
【００４７】
(6) 次に、必要に応じて、上記層間樹脂絶縁層の表面を粗化する。この粗化は、プラズマ処理か、または、酸処理もしくは酸化処理により行う。層間樹脂絶縁層表面に粗化処理を施した場合には、その上に形成する導体回路に粗化面が形成され、信号にノイズが生じてしまうので、層間樹脂絶縁層の表面はなるべき平坦であることが望ましいく、粗化する場合には、粗化の程度が小さいことが望ましい。
【００４８】
プラズマ処理を行ったり、粗化処理を行わない場合には、上層として形成する導体回路と層間樹脂絶縁層との密着性を確保するために、層間樹脂絶縁層との密着性に優れたＮｉ、Ｔｉ、Ｐｄ等の金属を中間層として形成してもよい。上記金属からなる中間層は、スパッタリング等の物理的蒸着法（ＰＶＤ）により形成することが望ましく、その厚さは、０．１〜２．０μｍ程度であることが望ましい。
【００４９】
(7) 次に、層間絶縁樹脂上の全面に薄付けの無電解めっき膜を形成する。この無電解めっき膜は、無電解銅めっきが好ましく、その厚みは、１〜５μｍが望ましく、２〜３μｍがより望ましい。
【００５０】
(8) さらに、この上にめっきレジストを配設する。めっきレジストとしては、市販の感光性ドライフィルムや液状レジストを使用することができる。
そして、感光性ドライフィルムを貼り付けたり、液状レジストを塗布した後、紫外線露光処理を行い、アルカリ水溶液で現像処理する。
【００５１】
(9) ついで、上記処理を行った基板を電気めっき液に浸漬した後、無電解めっき層をカソードとし、めっき被着金属をアノードとして直流電気めっきを行い、バイアホール用開口をめっき充填するとともに、上層導体回路を形成する。
電解めっきとしては、電解銅めっきが好ましく、その厚みは、１０〜２０μｍが好ましい。
【００５２】
(10)ついで、めっきレジストを強アリカリ水溶液で剥離した後にエッチングを行い、無電解めっき層を除去することにより、上層導体回路およびバイアホールを独立パターンとする。
上記エッチング液としては、硫酸／過酸化水素水溶液、塩化第二鉄、塩化第二銅、過硫酸アンモニウムなどの過硫酸塩の水溶液が使用される。
なお、非導体回路部分に露出したパラジウム触媒核は、クロム酸、硫酸、過酸化水素等により溶解除去する。
【００５３】
(11)この後、必要により、(3) 〜(10)の工程を繰り返し、その後、必要により、最上層の導体回路に上記(3) の工程と同様の条件で無電解めっきやエッチング等を施して粗化層または粗化面を形成する。
【００５４】
(12)次に、最上層の導体回路を含む基板面にソルダーレジスト樹脂組成物をロールコータ法等により塗布し、露光、現像による開口処理を行い、硬化処理等を行うことにより、ソルダーレジスト層を形成する。
そしてこの後、ソルダーレジスト層の開口部分に半田バンプを形成することによりプリント配線板の製造を終了する。
なお、製品認識文字などを形成するための文字印刷工程やソルダーレジスト層の改質のために、酸素や四塩化炭素などのプラズマ処理を適時行ってもよい。
以上の方法は、セミアディティブ法によるものであるが、フルアディティブ法を採用してもよい。
【００５５】
【実施例】
以下、本発明を実施例によりさらに詳細に説明する。
（実施例１）
Ａ．ポリオレフィン系樹脂組成物からなる樹脂フィルムの作製
(i) ５００ｍｌのｎ−ヘプタン中に、スチレン１０４ｇおよびブチルリチウム１０．８ｇを溶解させ、７０℃で３時間加熱した。
(ii)上記処理を行った溶液中に、エチレン：ブタジエンの容量比が３：１の混合ガスを吹き込みながら、７０℃で５時間放置した。
【００５６】
(iii) この後、さらにＩ2 を添加し、１００℃で１時間放置することにより、ｎ−ヘプタンを除去した。
(iv) 残った生成物をアセトンにて洗浄し、未反応物およびＬｉＩを除去した。その後、粒径が０．１μｍで球状のメラミンと粒径が０．０５μｍの球状のメラミンを２：１の割合で配合し、凝集せずに分散するように混合した。
【００５７】
(v) (iv)の工程で得られた混合物のうち、５０ｇを再度５００ｍｌのｎ−ヘプタンに溶解させ、さらに１ｇの過酸化ベンゾイルを溶かした後、この溶液をポリエチレンテレフタレートフィルム上に薄く広げ、このフィルム状物を５０℃まで加熱した後、さらに１℃／分でゆっくりと加熱し、１００℃に達した後、３０分放置することにより溶剤を除去した。
このようにして、４０μｍの厚さの半硬化状態のポリオレフィンオリゴマーからなる樹脂フィルムが得られた。
【００５８】
Ｃ．樹脂充填材の調製
ビスフェノールＦ型エポキシモノマー（油化シェル社製、分子量：３１０、ＹＬ９８３Ｕ）１００重量部、表面にシランカップリング剤がコーティングされた平均粒径が１．６μｍで、最大粒子の直径が１５μｍ以下のＳｉＯ2 球状粒子（アドマテックス社製、ＣＲＳ  １１０１−ＣＥ）１７０重量部およびレベリング剤（サンノプコ社製  ペレノールＳ４）１．５重量部を容器にとり、攪拌混合することにより、その粘度が２３±１℃で４０〜５０Ｐａ・ｓの樹脂充填材を調製した。なお、硬化剤として、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）６．５重量部を用いた。
【００５９】
Ｄ．プリント配線板の製造方法
(1) 厚さ０．８ｍｍのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる基板１の両面に１８μｍの銅箔８がラミネートされている銅貼積層板を出発材料とした（図１（ａ）参照）。まず、この銅貼積層板をドリル削孔し、無電解めっき処理を施し、パターン状にエッチングすることにより、基板１の両面に下層導体回路４とスルーホール９を形成した。
【００６０】
(2) スルーホール９および下層導体回路４を形成した基板を水洗いし、乾燥した後、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＣｌＯ2 （４０ｇ／ｌ）、Ｎａ3 ＰＯ4 （６ｇ／ｌ）を含む水溶液を黒化浴（酸化浴）とする黒化処理、および、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＢＨ4 （６ｇ／ｌ）を含む水溶液を還元浴とする還元処理を行い、そのスルーホール９を含む下層導体回路４の全表面に粗化面４ａ、９ａを形成した（図１（ｂ）参照）。
【００６１】
(3) 上記Ｂに記載した樹脂充填材を調製した後、この樹脂充填材１０を、基板の片面にロールコータを用いて塗布することにより、下層導体回路４間あるいはスルーホール９内に充填し、加熱乾燥させた後、他方の面についても同様に樹脂充填剤１０を導体回路４間あるいはスルーホール９内に充填し、加熱乾燥させた（図１（ｃ）参照）。
【００６２】
(4) 上記(3) の処理を終えた基板の片面を、＃６００のベルト研磨紙（三共理化学社製）を用いたベルトサンダー研磨により、導体回路外縁部に形成された樹脂充填材１０の層や導体回路非形成部に形成された樹脂充填材１０の層の上部を研磨し、ついで、上記ベルトサンダー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行った。このような一連の研磨を基板の他方の面についても同様に行った。
なお、必要に応じて、研摩の前後にエッチングを行い、スルーホール９のランド９ａおよび下層導体回路４に形成された粗化面４ａを平坦化してもよい。
この後、１００℃で１時間、１５０℃で１時間の加熱処理を行い、樹脂充填材の層を完全に硬化させた。
【００６３】
このようにして、スルーホール９や導体回路非形成部に形成された樹脂充填材１０の表層部および下層導体回路４の表面を平坦化し、樹脂充填材１０と下層導体回路４の側面４ａとが粗化面を介して強固に密着し、またスルーホール９の内壁面９ａと樹脂充填材１０とが粗化面を介して強固に密着した絶縁性基板を得た（図１（ｄ）参照）。
【００６４】
(5) 次に、基板の両面に、上記Ａにおいて作製した厚さ４０μｍのポリオレフィン系樹脂組成物からなるフィルムを温度１６０℃、圧力１０ｋｇｆ／ｃｍ2 で圧着、積層し、上記ポリオレフィン系樹脂組成物からなる層間樹脂絶縁層２を形成した（図２（ａ）参照）。形成された層間樹脂絶縁層の厚さは、３０μｍであった。
【００６５】
(6) 次に、波長０．２４８μｍのエキシマレーザにて、ポリオレフィン系樹脂組成物からなる層間樹脂絶縁層２に直径８０μｍのバイアホール用開口６を設けた（図２（ｂ）参照）。この後、酸素プラズマを用いてデスミア処理を行った。
なお、バイアホール用開口を設けた後、形成されたバイアホール用開口を顕微鏡で観察したが、開口部内の導体回路の表面に爛れた樹脂等は認められず、開口の径や形状も設定通りであった。
【００６６】
(7) 次に、日本真空技術株式会社製のＳＶ−４５４０を用い、Ｎｉをターゲットにしたスパッタリングを、気圧０．６Ｐａ、温度８０℃、電力２００Ｗ、時間５分間の条件で行い、Ｎｉ金属層１２ａを層間樹脂絶縁層２の表面に形成した（図２（ｃ）参照）。このとき、形成されたＮｉ金属層１２ａの厚さは０．１μｍであった。
【００６７】
(8) 次に、以下の組成の無電解銅めっき水溶液中に基板を浸漬して、Ｎｉ金属層１２ａの表面全体に厚さ０．６〜１．２μｍの無電解銅めっき膜１２ｂを形成した（図２（ｄ）参照）。
〔無電解めっき水溶液〕
ＥＤＴＡ              ０．０８  ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅                ０．０３  ｍｏｌ／ｌ
ＨＣＨＯ              ０．０５  ｍｏｌ／ｌ
ＮａＯＨ              ０．０５  ｍｏｌ／ｌ
α、α’−ビピリジル      ８０  ｍｇ／ｌ
ＰＥＧ                ０．１０  ｇ／ｌ
（ポリエチレングリコール）
〔無電解めっき条件〕
６５℃の液温度で２０分
【００６８】
(9) 市販の感光性ドライフィルムを無電解銅めっき膜１２ｂの表面に貼り付け、マスクを載置して、１００ｍＪ／ｃｍ2 で露光し、０．８％炭酸ナトリウム水溶液で現像処理することにより、厚さ１５μｍのめっきレジスト３を設けた（図３（ａ）参照）。
【００６９】
(10)ついで、レジスト非形成部に以下の条件で電気銅めっきを施し、厚さ１５μｍの電気銅めっき膜１３を形成した（図３（ｂ）参照）。
〔電気めっき水溶液〕
硫酸                  ２．２４  ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅                ０．２６  ｍｏｌ／ｌ
添加剤                １９．５  ｍｌ／ｌ
（アトテックジャパン社製、カパラシドＨＬ）
〔電気めっき条件〕
電流密度                    １  Ａ／ｄｍ2
時間                        ６５  分
温度                        ２２±２  ℃
【００７０】
(11)さらにめっきレジストを５％ＫＯＨ水溶液で剥離除去した後、そのめっきレジスト下の無電解めっき膜を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチング処理して溶解除去し、独立の上層導体回路５（バイアホール７を含む）とした（図３（ｃ）参照）。
(12)続いて、上記(5) 〜(11)の工程を繰り返すことにより、さらに上層の導体回路を形成し（図４（ａ）〜図５（ａ）参照）、最上層の導体回路には、以下に示す条件でＣｕ−Ｎｉ−Ｐめっき処理法を用い、上層導体回路５の表面にＣｕ−Ｎｉ−Ｐ合金からなる粗化層１１を形成した（図５（ｂ）参照）。
【００７１】
まず、基板をアルカリ脱脂してソフトエッチングし、次いで、塩化パラジウムと有機酸とからなる触媒溶液で処理して、Ｐｄ触媒を付与し、この触媒を活性化した。
次に、この基板に、硫酸銅（３．２×１０-2ｍｏｌ／ｌ）、硫酸ニッケル（２．４×１０-3 ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸（５．２×１０-2ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（２．７×１０-1 ｍｏｌ／ｌ）、ホウ酸（５．０×１０-1 ｍｏｌ／ｌ）、界面活性剤（日信化学工業社製、サーフィノール４６５）（１．０ｇ／ｌ）の水溶液からなるｐＨ＝９の無電解めっき浴にて無電解めっきを施し、導体回路の全表面にＣｕ−Ｎｉ−Ｐ合金からなる粗化層１１を形成した。
【００７２】
(13)次に、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ＤＭＤＧ）に６０重量％の濃度になるように溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社製）のエポキシ基５０％をアクリル化した感光性付与のオリゴマー（分子量：４０００）４６．６７重量部、メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル社製、商品名：エピコート１００１）１５重量部、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、商品名：２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）１．６重量部、感光性モノマーである多官能アクリルモノマー（日本化薬社製、商品名：Ｒ６０４）３重量部、同じく多価アクリルモノマー（共栄化学社製、商品名：ＤＰＥ６Ａ）１．５重量部、分散系消泡剤（サンノプコ社製、商品名：Ｓ−６５）０．７１重量部を容器にとり、攪拌、混合して混合組成物を調製し、この混合組成物に対して光重合開始剤としてベンゾフェノン（関東化学社製）２．０重量部、光増感剤としてのミヒラーケトン（関東化学社製）０．２重量部を加えて、粘度を２５℃で２．０Ｐａ・ｓに調整したソルダーレジスト樹脂組成物を得た。
なお、粘度測定は、Ｂ型粘度計（東京計器社製、ＤＶＬ−Ｂ型）で６０ｒｐｍの場合はローターＮｏ．４、６ｒｐｍの場合はローターＮｏ．３によった。
【００７３】
(14)次に、多層配線基板の両面に、上記ソルダーレジスト組成物を２０μｍの厚さで塗布し、７０℃で２０分間、７０℃で３０分間の条件で乾燥処理を行った後、ソルダーレジスト開口部のパターンが描画された厚さ５ｍｍのフォトマスクをソルダーレジスト層に密着させて１０００ｍＪ／ｃｍ2 の紫外線で露光し、ＤＭＴＧ溶液で現像処理し、２００μｍの直径の開口を形成した。
そして、さらに、８０℃で１時間、１００℃で１時間、１２０℃で１時間、１５０℃で３時間の条件でそれぞれ加熱処理を行ってソルダーレジスト層を硬化させ、半田パッド部分が開口した、その厚さが２０μｍのソルダーレジスト層（有機樹脂絶縁層）１４を形成した。
【００７４】
(18)次に、ソルダーレジスト層（有機樹脂絶縁層）１４を形成した基板を、塩化ニッケル（２．３×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（２．８×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．６×１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液に２０分間浸漬して、開口部に厚さ５μｍのニッケルめっき層１５を形成した。さらに、その基板をシアン化金カリウム（７．６×１０-3ｍｏｌ／ｌ）、塩化アンモニウム（１．９×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．２×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（１．７×１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含む無電解めっき液に８０℃の条件で７．５分間浸漬して、ニッケルめっき層１５上に、厚さ０．０３μｍの金めっき層１６を形成した。
【００７５】
(19)この後、ソルダーレジスト層１４の開口に半田ペーストを印刷して、２００℃でリフローすることにより半田バンプ１７を形成し、半田バンプ１７を有する多層配線プリント基板を製造した（図５（ｃ）参照）。
【００７６】
（実施例２）
Ａ．ポリオレフィン系樹脂組成物からなる樹脂フィルムの作製、および、樹脂充填材の調製は、実施例１と同様にして行った。
【００７７】
Ｂ．プリント配線板の製造方法
(1) 厚さ０．８ｍｍのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる基板１の両面に１８μｍの銅箔８がラミネートされている銅張積層板を出発材料とした（図６（ａ）参照）。まず、この銅張積層板をドリル削孔し、無電解めっき処理を施し、パターン状にエッチングすることにより、基板１の両面に下層導体回路４とスルーホール９を形成した。
【００７８】
(2) スルーホール９および下層導体回路４を形成した基板を水洗いし、乾燥した後、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＣｌＯ2 （４０ｇ／ｌ）、Ｎａ3 ＰＯ4 （６ｇ／ｌ）を含む水溶液を黒化浴（酸化浴）とする黒化処理、および、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＢＨ4 （６ｇ／ｌ）を含む水溶液を還元浴とする還元処理を行い、そのスルーホール９を含む下層導体回路４の全表面に粗化面４ａ、９ａを形成した（図６（ｂ）参照）。
【００７９】
(3) 上記Ｃに記載した樹脂充填材を調製した後、下記の方法により調製後２４時間以内に、スルーホール９内、および、基板１の片面の導体回路非形成部と導体回路４の外縁部とに樹脂充填材１０の層を形成した。
すなわち、まず、スキージを用いてスルーホール内に樹脂充填材を押し込んだ後、１００℃、２０分の条件で乾燥させた。次に、導体回路非形成部に相当する部分が開口したマスクを基板上に載置し、スキージを用いて凹部となっている導体回路非形成部に樹脂充填材１０の層を形成し、１００℃、２０分の条件で乾燥させた（図６（ｃ）参照）。
【００８０】
(4) 上記(3) の処理を終えた基板の片面を、＃６００のベルト研磨紙（三共理化学製）を用いたベルトサンダー研磨により、内層銅パターン４の表面やスルーホール９のランド表面に樹脂充填剤１０が残らないように研磨し、次いで、上記ベルトサンダー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行った。このような一連の研磨を基板の他方の面についても同様に行った。
次いで、１００℃で１時間、１２０℃で３時間、１５０℃で１時間、１８０℃で７時間の加熱処理を行って樹脂充填剤１０を硬化した。
【００８１】
このようにして、スルーホール９や導体回路非形成部に形成された樹脂充填材１０の表層部および下層導体回路４の表面を平坦化し、樹脂充填材１０と下層導体回路４の側面４ａとが粗化面を介して強固に密着し、またスルーホール９の内壁面９ａと樹脂充填材１０とが粗化面を介して強固に密着した絶縁性基板を得た（図６（ｄ）参照）。
【００８２】
(5) 上記基板を水洗、酸性脱脂した後、ソフトエッチングし、次いで、エッチング液を基板の両面にスプレイで吹きつけて、下層導体回路４の表面とスルーホール９のランド表面と内壁とをエッチングすることにより、下層導体回路４の全表面に粗化面４ａ、９ａを形成した（図７（ａ）参照）。エッチング液として、イミダゾール銅 (II）錯体１０重量部、グリコール酸７重量部、塩化カリウム５重量部からなるエッチング液（メック社製、メックエッチボンド）を使用した。
【００８３】
(6) 基板の両面に、上記Ａにおいて作製した厚さ４０μｍのポリオレフィン系樹脂組成物からなるフィルムを温度１６０℃、圧力１０ｋｇｆ／ｃｍ2 で圧着、積層し、上記ポリオレフィン系樹脂組成物からなる層間樹脂絶縁層２を形成した（図７（ｂ）参照）。形成された層間樹脂絶縁層の厚さは、３０μｍであった。
【００８４】
(7) 次に、波長０．２４８μｍのエキシマレーザにて、ポリオレフィン系樹脂組成物からなる層間樹脂絶縁層２に直径８０μｍのバイアホール用開口６を設けた（図７（ｃ）参照）。この後、酸素プラズマを用いてデスミア処理を行った。
なお、バイアホール用開口を設けた後、形成されたバイアホール用開口を顕微鏡で観察したが、開口部内の導体回路の表面に爛れた樹脂等は認められず、開口の径や形状も設定通りであった。
【００８５】
(8) 次に、日本真空技術株式会社製のＳＶ−４５４０を用い、Ｎｉをターゲットにしたスパッタリングを、気圧０．６Ｐａ、温度８０℃、電力２００Ｗ、時間５分間の条件で行い、Ｎｉ金属層１２ａを層間樹脂絶縁層２の表面に形成した（図７（ｄ）参照）。このとき、形成されたＮｉ金属層１２ａの厚さは０．１μｍであった。
【００８６】
(9) 次に、以下の組成の無電解銅めっき水溶液中に基板を浸漬して、Ｎｉ金属層１２ａの表面全体に厚さ０．６〜１．２μｍの無電解銅めっき膜１２ｂを形成した（図８（ａ）参照）。
〔無電解めっき水溶液〕
ＮｉＳＯ4               ０．００３  ｍｏｌ／ｌ
酒石酸                  ０．２００  ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅                  ０．０３０  ｍｏｌ／ｌ
ＨＣＨＯ                ０．０５０  ｍｏｌ／ｌ
ＮａＯＨ                ０．１００  ｍｏｌ／ｌ
α、α’−ビピリジル    ４０  ｍｇ／ｌ
ポリエチレングリコール（ＰＥＧ）  ０．１０  ｇ／ｌ
〔無電解めっき条件〕
３５℃の液温で４０分
【００８７】
(10)市販の感光性ドライフィルムを無電解銅めっき膜１２に熱圧着することにより貼り付け、マスクを載置して、１００ｍＪ／ｃｍ2 で露光した後、０．８％炭酸ナトリウムで現像処理し、厚さ１５μｍのめっきレジスト３を設けた（図８（ｂ）参照）。
【００８８】
(11)ついで、以下の条件で電解銅めっきを施し、厚さ１５μｍの電解銅めっき膜１３を形成した（図８（ｃ）参照）。
〔電解めっき水溶液〕
硫酸                  ２．２４  ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅                ０．２６  ｍｏｌ／ｌ
添加剤                １９．５    ｍｌ／ｌ
（アトテックジャパン社製、カパラシドＨＬ）
〔電解めっき条件〕
電流密度              １    Ａ／ｄｍ2
時間                  ６５    分
温度                  ２２±２  ℃
【００８９】
(12)めっきレジスト３を５％ＫＯＨで剥離除去した後、そのめっきレジスト３下の無電解めっき膜１２を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチング処理して溶解除去し、無電解銅めっき膜１２と電解銅めっき膜１３からなる厚さ１８μｍの導体回路（バイアホール７を含む）５を形成した（図８（ｄ）参照）。
【００９０】
(13)上記 (5)〜(12)の工程を繰り返すことにより、さらに上層の層間樹脂絶縁層と導体回路とを形成した（図９（ａ）〜図１０（ｂ）参照）。
(14)次に、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ＤＭＤＧ）に６０重量％の濃度になるように溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社製）のエポキシ基５０％をアクリル化した感光性付与のオリゴマー（分子量：４０００）４６．６７重量部、メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル社製、商品名：エピコート１００１）１５．０重量部、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、商品名：２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）１．６重量部、感光性モノマーである多価アクリルモノマー（日本化薬社製  Ｒ６０４）３重量部、同じく多価アクリルモノマー（共栄社化学社製  ＤＰＥ６Ａ）１．５重量部、分散系消泡剤（サンノプコ社製、Ｓ−６５）０．７１重量部を容器にとり、攪拌、混合して混合組成物を調製し、この混合組成物に対して光重合開始剤としてベンゾフェノン（関東化学社製）２．０重量部、光増感剤としてのミヒラーケトン（関東化学社製）０．２重量部を加えることにより、粘度を２５℃で２．０Ｐａ・ｓに調整したソルダーレジスト樹脂組成物を得た。
なお、粘度測定は、Ｂ型粘度計（東京計器社製、ＤＶＬ−Ｂ型）で６０ｒｐｍの場合はローターＮｏ．４、６ｒｐｍの場合はローターＮｏ．３によった。
【００９１】
(15)次に、多層配線基板の両面に、上記ソルダーレジスト組成物を２０μｍの厚さで塗布し、７０℃で２０分間、７０℃で３０分間の条件で乾燥処理を行った後、ソルダーレジスト開口部のパターンが描画された厚さ５ｍｍのフォトマスクフィルムをソルダーレジスト層に密着させ、１０００ｍＪ／ｃｍ2 の紫外線で露光し、ＤＭＴＧ溶液で現像処理し、２００μｍの直径の開口を形成した。
そして、さらに、８０℃で１時間、１００℃で１時間、１２０℃で１時間、１５０℃で３時間の条件で加熱処理してソルダーレジスト層を硬化させ、開口を有し、その厚さが２０μｍのソルダーレジスト層１４を形成した。
【００９２】
(16)その後、過硫酸ナトリウムを主成分とするエッチング液を毎分２μｍ程度のエッチング速度になるように濃度を調整した後、このエッチング液に上記工程を経た基板を１分間浸漬し、表面の平均粗度（Ｒａ）を１μｍとした。
(17)次に、上記粗化処理を行った基板を、塩化ニッケル（２．３×１０-1  ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（２．８×１０-1  ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．６×１０-1  ｍｏｌ／ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液に２０分間浸漬して、開口部に厚さ５μｍのニッケルめっき層１５を形成した。さらに、その基板をシアン化金カリウム（７．６×１０-3  ｍｏｌ／ｌ）、塩化アンモニウム（１．９×１０-1  ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．２×１０-1  ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（１．７×１０-1  ｍｏｌ／ｌ）を含む無電解めっき液に８０℃の条件で７．５分間浸漬して、ニッケルめっき層１５上に、厚さ０．０３μｍの金めっき層１６を形成した。
【００９３】
(18)この後、ソルダーレジスト層１４の開口部に半田ペーストを印刷して、２００℃でリフローすることにより半田バンプ１７を形成し、半田１７を有する多層配線プリント基板を製造した（図１０（ｃ）参照）。
【００９４】
（比較例１）
有機フィラーが添加されていないほかは、実施例１と同様のポリオレフィン系樹脂が用いられているポリオレフィン系樹脂のフィルムを使用した以外は、実施例１と同様にして、プリント配線板を得た。
【００９５】
（比較例２）
有機フィラーが添加されていないほかは、実施例１と同様のポリオレフィン系樹脂が用いられているポリオレフィン系樹脂のフィルムを使用した以外は、実施例１と同様にして、プリント配線板を得た。
以上、上記実施例１〜２および比較例１〜２で得られた複数のプリント配線板のうちの一部を、バイアホールを含む位置で切断し、バイアホールの形状および下層導体回路４との接続状態等について観察を行った。
【００９６】
また、上記プリント配線板について、相対湿度８５％、１３０℃の雰囲気下で５００時間放置する信頼性試験を行った後、同様に、バイアホールを含む位置で切断し、バイアホールの形状および下層導体回路４との接続状態等について観察を行った。
【００９７】
その結果、実施例１〜２で得られたプリント配線板では、設定通りの形状であり、導体回路上への樹脂もなく、バイアホールと下層導体回路との剥離の発生は見られなかった。また、信頼性試験の後においても、バイアホールと下層導体回路との剥離の発生は見られなかった。また、プリント配線板を切断する前に導通試験を行ったところ、断線やショートは発見されなかった。
【００９８】
一方、比較例１〜２で得られたプリント配線板については、信頼性試験の後において、バイアホール中の金属が下層導体回路から剥離し、導通試験を行ったところ、断線が発見された。
【００９９】
【発明の効果】
以上説明してきたように、本発明のプリント配線板によれば、プリント配線板の層間樹脂絶縁層が有機フィラーを含有しているので、レーザ照射により目的形状のバイアホール用開口を容易に形成することができ、接続性や信頼性に優れるプリント配線板を提供することができる。
【０１００】
また、本発明のポリオレフィン系樹脂組成物によれば、該ポリオレフィン系樹脂組成物は、有機フィラーを含有しているので、このポリオレフィン系樹脂組成物を使用することにより、プリント配線板に有機フィラーを含有する層間樹脂絶縁層を形成することができ、その結果、接続性や信頼性に優れるプリント配線板を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）〜（ｄ）は、本発明のプリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｄ）は、本発明のプリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｃ）は、本発明のプリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は、本発明のプリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は、本発明のプリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。
【図６】（ａ）〜（ｄ）は、本発明のプリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。
【図７】（ａ）〜（ｄ）は、本発明のプリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。
【図８】（ａ）〜（ｄ）は、本発明のプリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。
【図９】（ａ）〜（ｃ）は、本発明のプリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。
【図１０】（ａ）〜（ｃ）は、本発明のプリント配線板の製造工程の一部を示す断面図である。
【図１１】（ａ）〜（ｃ）は、従来のプリント配線板の製造工程において、層間樹脂絶縁層にバイアホール用開口を形成するためにレーザ光を照射した場合の状態を模式的に示す断面図である。
【符号の説明】
１  基板
２ａ、２ｂ  無電解めっき用接着剤層
２  層間樹脂絶縁層
４  下層導体回路
４ａ  粗化面
５  上層導体回路
６  バイアホール用開口
７  バイアホール
８  銅箔
９  スルーホール
９ａ  粗化面
１０ 樹脂充填材
１１  粗化層
１２ａ  Ｎｉ金属層
１２ｂ  無電解銅めっき層
１３  電解めっき層
１４  ソルダーレジスト層
１５  ニッケルめっき膜
１６  金めっき膜
１７  ハンダバンプ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
0004439044.tif 000008
【図８】
0004439044.tif 000009
【図９】
0004439044.tif 000010
【図１０】
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【図１１】
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