(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック製の絶縁基板と、
前記絶縁基板の基板表面の両端に設けられたメタルグレーズ系の一対の表面電極と、
前記一対の表面電極に電気的に接続され且つ前記基板表面上に形成された電気素子層と、
前記電気素子層の全部と前記電気素子層に隣接する前記一対の表面電極の一部を覆う電気絶縁材料からなる絶縁保護層と、
少なくとも前記絶縁保護層によって覆われていない前記一対の表面電極を覆う薄膜導電層とからなり、
前記薄膜導電層が１層以上のメッキ層を含むチップ電気部品であって、
前記一対の表面電極は、前記絶縁保護層との間にメッキ溜まりを形成するように、前記電気素子層から前記一対の表面電極が並ぶ方向に位置する前記絶縁基板の一対の端部に向かうに従って厚みが厚くなっており、
前記薄膜導電層は、スパッタリングまたは蒸着によって形成されて前記絶縁保護層によって覆われていない前記表面電極を覆う下地導電層と、前記下地導電層の上に形成された前記１層以上のメッキ層とから構成されており、
前記下地導電層は、前記表面電極に隣接する前記絶縁基板の前記端部の側面上を覆う下地導電層延長部を備え、前記１層以上のメッキ層は前記下地導電層延長部を覆うメッキ層延長部を備えており、
前記下地導電層延長部は、前記絶縁基板の前記基板表面と対向する基板裏面上に一部が更に延びており、前記メッキ層延長部も一部が前記基板裏面上に延びる前記下地導電層延長部の上に延びていることを特徴とするチップ状電気部品。
【請求項２】
セラミック製の絶縁基板と、
前記絶縁基板の基板表面の両端に設けられたメタルグレーズ系の一対の表面電極と、
前記一対の表面電極に電気的に接続され且つ前記基板表面上に形成された電気素子層と、
前記電気素子層の全部と前記電気素子層に隣接する前記一対の表面電極の一部を覆う電気絶縁材料からなる絶縁保護層と、
少なくとも前記絶縁保護層によって覆われていない前記一対の表面電極を覆う薄膜導電層とからなり、
前記薄膜導電層が１層以上のメッキ層を含むチップ電気部品であって、
前記一対の表面電極は、前記絶縁保護層との間にメッキ溜まりを形成するように、前記電気素子層から前記一対の表面電極が並ぶ方向に位置する前記絶縁基板の一対の端部に向かうに従って厚みが厚くなっていることを特徴とするチップ状電気部品。
【請求項３】
前記薄膜導電層は、スパッタリングまたは蒸着によって形成されて前記絶縁保護層によって覆われていない前記表面電極を覆う下地導電層と、前記下地導電層の上に形成された前記１層以上のメッキ層とから構成されている請求項２に記載のチップ状電気部品。
【請求項４】
前記下地導電層は、前記表面電極に隣接する前記絶縁基板の前記端部の側面上を覆う下地導電層延長部を備え、前記１層以上のメッキ層は前記下地導電層延長部を覆うメッキ層延長部を備えている請求項３に記載のチップ状電気部品。
【請求項５】
前記下地導電層延長部は、前記絶縁基板の前記基板表面と対向する基板裏面上に一部が更に延びており、前記メッキ層延長部も一部が前記基板裏面上に延びる前記下地導電層延長部の上に延びている請求項４に記載のチップ状電気部品。
【請求項６】
前記下地導電層は、Ｃｕ，Ｎｉ，Ｃｒを含んでおり、
前記１層以上のメッキ層は、Ｎｉメッキ層の上にＳｎメッキ層が形成された２層構造である請求項１，３，４または５に記載のチップ状電気部品。
【請求項７】
セラミック製の絶縁基板と、
前記絶縁基板の基板表面の両端に設けられたＡｇを含有するメタルグレーズ系の一対の表面電極と、
前記一対の表面電極に電気的に接続され且つ前記基板表面上に形成された抵抗層と、
前記抵抗層の全部と前記抵抗層に隣接する前記一対の表面電極の一部を覆う電気絶縁材料からなる絶縁保護層と、
少なくとも前記絶縁保護層によって覆われていない前記一対の表面電極を覆う薄膜導電層とからなり、
前記薄膜導電層が１層以上のメッキ層を含むチップ抵抗器であって、
前記一対の表面電極は、前記絶縁保護層との間にメッキ溜まりを形成するように、前記抵抗層から前記一対の表面電極が並ぶ方向に位置する前記絶縁基板の一対の端部に向かうに従って厚みが厚くなっており、
前記薄膜導電層は、スパッタリングまたは蒸着によって形成されて、
前記絶縁保護層によって覆われていない前記一対の表面電極を覆う下地導電層と、前記下地導電層の上に形成された前記１層以上のメッキ層とから構成されていることを特徴とするチップ抵抗器。
【請求項８】
前記絶縁保護層は、前記抵抗層を覆うガラス層と、前記ガラス層を覆う絶縁樹脂層とからなり、
前記下地導電層は、Ｃｕ，Ｎｉ，Ｃｒを含んでおり、
前記１層以上のメッキ層は、Ｎｉメッキ層の上にＳｎメッキ層が形成された２層構造である請求項７に記載のチップ抵抗器。
【請求項９】
セラミック製の大型絶縁基板の基板表面上に所定の間隔を開けてメタルグレーズ系の導電性ペーストを用いてスクリーン印刷により、複数の電極層を縦電極層列及び横電極層列を構成するように形成するステップと、
前記横電極層列に含まれる前記複数の電極層の隣り合う一対の前記電極層に跨るように電気素子層を前記大型絶縁基板の前記基板表面上に印刷により形成するステップと、
前記電気素子層の全部と前記電気素子層に隣接する前記一対の電極層の一部を覆うように印刷によって電気絶縁材料を用いて絶縁保護層を形成するステップと、
前記縦電極層列に含まれる前記複数の電極層を中央部の位置で二分割して前記電気素子層の両端に一対の表面電極を形成するために前記大型絶縁基板に複数のスリットを形成するステップと、
前記絶縁保護層によって覆われていない前記一対の表面電極及び前記スリットの内面を覆う下地導電層をスパッタリングまたは蒸着により形成するステップと、
前記下地導電層を形成した後に、絶縁基板、前記一対の表面電極、前記電気素子層及び前記絶縁保護層を備えたチップ片を分離するステップと、
分離した前記チップ片の前記下地導電層の上に１層以上のメッキ層を形成するステップとからなり、
前記一対の表面電極は、前記絶縁保護層との間にメッキ溜まりを形成するように、前記電気素子層から前記一対の表面電極が並ぶ方向に位置する前記絶縁基板の一対の端部に向かうに従って厚みが厚くなっているチップ状電気部品の製造方法。
【請求項１０】
前記下地導電層は、前記表面電極に隣接する前記絶縁基板の前記端部の側面上を覆う下地導電層延長部を備え、前記１層以上のメッキ層は前記下地導電層延長部を覆うメッキ層延長部を備えており、
前記下地導電層延長部は、前記絶縁基板の前記基板表面と対向する基板裏面上に一部が更に延びており、前記メッキ層延長部も一部が前記基板裏面上に延びる前記下地導電層延長部の上に延びている請求項９に記載のチップ状電気部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、チップ状電気部品及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
比較的寸法の大きいチップ状電気部品の一種であるチップ抵抗器は、抵抗体等が厚膜で形成されており、半田付け用電極のすべても厚膜で形成されている。また、比較的寸法が小さい抵抗器には、薄膜形成技術のみを利用して電極及び抵抗体が形成されているものもある。さらに比較的寸法が小さい抵抗器には、厚膜と薄膜の組合せによって半田付用電極が形成されているものがある。
【０００３】
特開昭６３−１７２４０１号公報（特許文献１）に記載されたチップ抵抗器の製造方法では、個々のチップ基板を得るために切断分離が可能な多数個取り用のアルミナ基板を使用する。最初にアルミナ基板の表面に長手方向に一定の間隔を開けてスクリーン印刷等によりＲｕＯ2 からなる複数の厚膜抵抗体層を形成する。次に複数の厚膜抵抗体層の両端部、アルミナ基板の両側面及びアルミナ基板の裏面の両端部を連続して覆うように複数のＣ字型の側面電極を形成する。この側面電極の形成には、スパッタリング、イオンプレーティング等の薄膜形成技術を利用している。さらに各抵抗体の表面全体をそれぞれ個別に覆うようにガラスコートを形成する。このガラスコートは、抵抗値をトリミングする際の保護膜として形成されている。ガラスコートを形成した後、レーザートリミングが行われる。トリミング作業が終了した後、各ガラスコートの表面にガラス等からなる保護コートを個別に形成する。その後アルミナ基板を個々のチップ基板に切断して、チップ抵抗器の製造を完了する。この従来の方法によれば電極の厚みを薄くすることができるので、チップ抵抗器の小型化が可能となる。
【０００４】
また特開平１１−３０７３０４号公報（特許文献２）には、セラミック基板の表面に厚膜で一対の表面電極を形成し、スパッタリング等の薄膜形成技術を利用して一対の表面電極の上に下地電極層を形成し、下地電極層の上に更にメッキ層を形成したチップ抵抗器の構造及びその製造方法が示されている。
【特許文献１】特開昭６３−１７２４０１号公報
【特許文献２】特開平１１−３０７３０４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、部品の寸法が小さくなればなるほど、特許文献２に記載のチップ抵抗器（チップ状電気部品）のように表面電極を厚膜で形成した場合でも、半田付け電極部とオーバーコートとの間には、比較的大きな段差が形成される。この段差の存在により、真空吸引ノズルで部品を吸引した際に絶縁基板に加わる力で、最悪の場合には、絶縁基板にクラックが発生したり、絶縁基板が割れてしまう問題が発生する。このような段差を小さくするために、表面電極の上に追加層を形成することも考えられるが、部品の寸法が小さくなると、製造が難しくなる上、部品の価格が高くなる問題が生じる。
【０００６】
本発明の目的は、上記の問題を解決したチップ状電気部品を提供することにある。
【０００７】
本発明の具体的な目的は、製造が容易で、しかも価格を上げることなく、絶縁基板にクラックや割れが入るのを防止したチップ抵抗器等のチップ状電気部品を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明が対象とするチップ状電気部品は、セラミック製の絶縁基板を用いる。そして絶縁基板の基板表面の両端には、メタルグレーズ系の一対の表面電極が設けられている。メタルグレーズ系の一対の表面電極は、例えばガラスにＡｇ等の導電性粉末を混練してなるペーストをスクリーン印刷により印刷して形成することができる。そしてチップ状電気部品は、一対の表面電極に電気的に接続され且つ基板表面上に形成された電気素子層を有している。電気素子層は、チップ状電気部品がチップ抵抗器であれば、抵抗層である。インダクタであれば、電気素子層は導体層である。チップ状電気部品は、コンデンサ等であってもよい。またチップ状電気部品は、電気素子層の全部と電気素子層に隣接する一対の表面電極の一部を覆う電気絶縁材料からなる絶縁保護層を有している。さらにチップ状電気部品は、少なくとも絶縁保護層によって覆われていない一対の表面電極を覆う薄膜導電層を備えている。薄膜導電層は、１層以上のメッキ層を含む。なお表面電極と薄膜導電層とによって半田付け電極部が構成される。
【０００９】
本発明では、一対の表面電極が、電気素子層から一対の表面電極が並ぶ方向に位置する絶縁基板の一対の端部に向かうに従って厚みが厚くなるように形成されている。このような形状の表面電極を用いると、表面電極と絶縁保護層との間にメッキ溜まりが形成される。そのため１層以上のメッキ層を形成する際に、メッキ溜まりにメッキ金属が溜まり、メッキ層によって半田付け電極部と保護層との間に形成される段差をある程度小さくすることができる。したがって段差減少のための追加層を設けることなく、段差を減少させることができる。メッキ層の数が多くなるほど、段差は小さくなる。
【００１０】
薄膜導電層は、スパッタリングまたは蒸着によって形成されて絶縁保護層によって覆われていない表面電極を覆う下地導電層と、下地導電層の上に形成された１層以上のメッキ層とから構成されているのが好ましい。このようにすると下地導電層が形成された上にのみメッキ層を確実に形成することができる。
【００１１】
なお下地導電層は、表面電極に隣接する絶縁基板の端部の側面上を覆う下地導電層延長部を備えていてもよい。この場合には、１層以上のメッキ層は下地導電層延長部を覆うメッキ層延長部を備えることになる。メッキ層延長部は、絶縁基板の側面電極を構成することになるので、半田付け強度が高くなる。
【００１２】
下地導電層延長部は、絶縁基板の基板表面と対向する基板裏面上に一部が更に延びていてもよい。この場合にも、メッキ層延長部の一部が基板裏面上に延びる下地導電層延長部の上に延びることになる。その結果、基板裏面側に形成されたメッキ層延長部は、絶縁基板の裏面電極となるので、さらに半田付け強度を高めることができる。
【００１３】
なお下地導電層は、Ｃｕ，Ｎｉ，Ｃｒを含んでいるのが好ましい。また１層以上のメッキ層は、Ｎｉメッキ層の上にＳｎメッキ層が形成された２層構造であるのが好ましい。このような構造であれば、下地導電層及びメッキ層を確実に形成することができる。
【００１４】
本発明のチップ状電気部品で具体的なチップ抵抗器を構成する場合には、電気素子層を抵抗層により構成すればよい。そして絶縁保護層は、抵抗層を覆うガラス層と、ガラス層を覆う絶縁樹脂層とから構成するのが好ましい。このようにすると抵抗層をトリミングした後に抵抗層の抵抗値が変動するのを防止することができる。
【００１５】
本発明のチップ状電気部品を製造する方法は以下のステップを備えている。まず最初のステップでは、セラミック製の大型絶縁基板の基板表面上に所定の間隔を開けてメタルグレーズ系の導電性ペーストを用いてスクリーン印刷により、複数の電極層を縦電極層列及び横電極層列を構成するように形成する。次のステップでは、横電極層列に含まれる複数の電極層の隣り合う一対の前記電極層に跨るように電気素子層を大型絶縁基板の基板表面上に印刷により形成する。次のステップでは、電気素子層の全部と電気素子層に隣接する一対の電極層の一部を覆うように印刷によって電気絶縁材料を用いて絶縁保護層を形成する。次のステップでは、縦電極層列に含まれる複数の電極層を中央部の位置で二分割して電気素子層の両端に一対の表面電極を形成するために大型絶縁基板に複数のスリットを形成する。次のステップでは、絶縁保護層によって覆われていない一対の表面電極及びスリットの内面を覆う下地導電層をスパッタリングまたは蒸着により形成する。そして次のステップでは、下地導電層を形成した後に、一対の表面電極、電気素子層及び絶縁保護層を備えたチップ片を分離する。そして最後のステップでは、分離したチップ片の下地導電層の上に１層以上のメッキ層を形成する。スクリーン印刷により形成した電極層は、中央部の高さ寸法が最も高くなるドーム形状または上に向かって滑らかに凸となった形状になる。このような電極層を中央部で二分割する方法を採用すると、一対の表面電極を絶縁基板の一対の端部に向かうに従って厚みが厚くなる形状を簡単に形成することができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明では、一対の表面電極が、電気素子層から一対の表面電極が並ぶ方向に位置する絶縁基板の一対の端部に向かうに従って厚みが厚くなるように形成するので、このような形状の表面電極を用いると、表面電極と絶縁保護層との間にメッキ溜まりが形成される。そのため１層以上のメッキ層を形成する際に、メッキ溜まりにメッキ金属が溜まり、メッキ層によって半田付け電極部と保護層との間に形成される段差をある程度小さくすることができる。したがって段差減少のための追加層を設けることなく、段差を減少させることができる。メッキ層の数が多くなるほど、段差は小さくなる。
【００１７】
本発明の製造方法によれば、電極層を中央部で二分割する方法を採用するため、絶縁基板の一対の端部に向かうに従って一対の表面電極の厚みが厚くなる形状を簡単に形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下図面を参照して本発明のチップ状電気部品の実施の形態を詳細に説明する。図１は本発明のチップ状電気部品の製造方法で製造したチップ状電気部品の一種であるチップ抵抗器１の構造を概略的に示す断面図である。図１は、理解を容易にするために、模式的に示した断面図であって、各部の寸法比や各層の厚み及び形状は、実際の部品のそれらとは異なる。図２（Ａ）乃至（Ｆ）は、図１の実施の形態のチップ抵抗器１の製造方法における複数の工程を示す工程図である。図２の工程図を用いて、本実施の形態のチップ抵抗器１の製造方法を説明しながら、図１のチップ抵抗器１の構造を併せて説明する。
【００１９】
図２（Ａ）において３はセラミック基板からなる多数個取り用の大型絶縁基板である。大型絶縁基板３の基板表面５上には、図２（Ａ）に示したＸ方向（横方向）とＹ方向（縦方向）にそれぞれ所定の間隔を開けて、導電性ガラスペースト（メタルグレーズ系の導電性ペースト）を用いてスクリーン印刷により、複数の電極層７が縦電極層列９及び横電極層列１１を構成するように形成されている。図２（Ａ）では、４×４個の電極層７が示されているが、実際にはもっと多くの電極層７が形成される。導電性ガラスペーストとしては、例えば銀を含有するＡｇ−Ｐｄガラスペーストが用いられている。この例では、後述の第１及び２の表面電極２１…及び２３…を形成するために、この導電性ガラスペーストを約８５０℃の温度で焼成している。複数の電極層７は、横方向の長さ寸法が縦方向の長さ寸法よりも長くなっている。これは後に、電極層７が二分割されるためである。スクリーン印刷により形成した電極層７は、後にも詳しく説明するように、表面張力により印刷した導電性ガラスペーストの印刷部の中央部の高さ寸法が最も高くなる形状、上に向かって滑らかに凸となった形状、または裾野から頂上に向かって徐々に高さが高くなる山に似た形で焼成されている。
【００２０】
図２（Ｂ）の工程では、複数の電極層７のうち、横電極層列１１に含まれる複数の電極層７の隣り合う一対の電極層７，７に跨るように電気素子層としての抵抗層１３を大型絶縁基板３の基板表面５上に印刷により形成する。抵抗層１３は、ガラスをバインダとする酸化ルテニウム等の金属酸化物を主成分とする抵抗体ガラスペーストから形成されている。この例ではこの抵抗体ガラスペーストを用いてスクリーン印刷により大型絶縁基板３の基板表面５上に抵抗体パターンを印刷し、これを約８５０℃の焼成温度で焼成して厚膜の抵抗層１３を形成している。
【００２１】
次に図２（Ｃ）及び図２（Ｄ）に示すように、抵抗層１３の全部と抵抗層１３に隣接する一対の電極層７，７の一部を覆うように印刷によって抵抗層１３を覆うガラス層１７と、ガラス層１７を覆う絶縁樹脂層１９とからなる絶縁保護層１５を形成する。このようにすると抵抗層１３をガラス層１７で覆った後に、レーザ光線により、抵抗層１３にトリミング溝を入れて抵抗値調整（トリミング）をした後に、絶縁樹脂層１９を形成するため、抵抗層１３の抵抗値が変動するのを防止することができる。ガラス層１７及び絶縁樹脂層１９は、いずれもスクリーン印刷により形成されている。ガラス層１７は、約８５０℃の焼成温度で焼成されている。また絶縁樹脂層１９は、エポキシ系樹脂、フェノール系樹脂等の合成樹脂ペーストを用いて形成されており、焼成温度は約２００℃である。
【００２２】
絶縁保護層１５を形成した後は、図２（Ｄ）及び図３（Ａ）［図２（Ｄ）のIIIＡ−IIIＡ線拡大断面図］に示すように、縦電極層列９に含まれる複数の電極層７を中央部の位置で二分割して抵抗層１３の両端に一対の表面電極２１及び２３を形成するために大型絶縁基板３に複数のスリット２５を形成する。
【００２３】
そして次に図２（Ｅ）及び図３（Ｂ）［図２（Ｅ）のIIIＢ−IIIＢ線拡大断面図］に示すように、絶縁保護層１５によって覆われていない一対の表面電極２１及び２３及びスリット２５の内面２５Ａ及び大型絶縁基板３の裏面の一部を覆う下地導電層２７をスパッタリングまたは蒸着により形成する。本実施の形態では、下地導電層２７は、Ｃｕ，Ｎｉ及びＣｒを含む合金層である。これらの金属は、メッキ金属が付着し易い性質を持っている。本実施の形態では、図１のチップ抵抗器の構成で説明すると、下地導電層２７が、表面電極２１，２３に隣接する絶縁基板２９の端部の側面３０上を覆う下地導電層延長部２７Ａを備えている。そして本実施の形態では、下地導電層延長部２７Ａは、絶縁基板２９の基板表面２９Ａと対向する基板裏面２９Ｂ上に一部が更に延びている。所望の位置に下地導電層２７を形成するためには、適宜のマスクを大型絶縁基板３の表面及び裏面に形成すればよい。
【００２４】
そして下地導電層２７を形成した後は、図２（Ｆ）に示すように、横電極層列１１に沿って絶縁保護層１５を間に挟む位置にダイシングを用いてカッティングライン２８に沿って切断加工を施す。このダイシングによる切断加工によって、大型絶縁基板３から、セラミック基板からなる絶縁基板２９の基板表面５上に一対の表面電極２１及び２３、抵抗層１３及び絶縁保護層１５を備えたチップ片３１が分離される。
【００２５】
最後に、分離したチップ片３１の下地導電層２７の上に、１層以上のメッキ層３３を形成する。本実施の形態では、メッキ層３３を、無電解メッキにより形成したＮｉメッキ層３５の上に、Ｓｎメッキ層３７を形成した２層構造としている。
【００２６】
本実施の形態の製造方法により製造したチップ抵抗器（チップ状電気部品）は、一対の表面電極２１及び２３が、抵抗層１３から一対の表面電極２１及び２３が並ぶ方向に位置する絶縁基板２９の一対の端部に向かうに従って厚みが厚くなる。このような形状の表面電極２１及び２３を用いると、表面電極２１または２３と絶縁保護層１５との間にメッキ溜まりＳが形成される。そのため１層以上のメッキ層３３（３５及び３７）を形成する際に、メッキ溜まりＳにメッキ金属が溜まり、メッキ層３３によって半田付け電極部（２１，２３，２７，３３）と絶縁保護層１５との間に形成される段差をある程度小さくすることができる。したがって本実施の形態によれば、従来のように、段差減少のための追加層を設けることなく、段差を減少させることができる。なおメッキ層３３の層の数が多くなるほど、段差は小さくなる。
【００２７】
図４は、本発明の他の実施の形態のチップ抵抗器１０１の構造を模式的に示す断面図である。図４において、図１に示した実施の形態と同様の部分には、図１に付した符号の数に１００の数を加えた数の符号を付して説明を省略する。本実施の形態では、絶縁基板１２９の側面１３０上を下地導電層延長部１２７Ａが延びているものの、裏面１２９Ｂ側に下地導電層延長部１２７Ａが延びていない。このような場合にも本発明は適用できる。また本発明は、導電性延長部１２７Ａを備えていない場合にも、当然にして適用することができる。
【００２８】
上記実施の形態では、絶縁保護層１５及び１１５を２層構造にしているが、１層構造であってもよいのは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明のチップ状電気部品の製造方法で製造したチップ状電気部品の一種であるチップ抵抗器の構造を概略的に示す断面図である。
【図２】（Ａ）乃至（Ｆ）は、図１の実施の形態のチップ抵抗器の製造方法における複数の工程を示す工程図である。
【図３】（Ａ）及び（Ｂ）は、図２（Ｄ）のIIIＡ−IIIＡ線拡大断面図及び図２（Ｅ）のIIIＢ−IIIＢ線拡大断面図である。
【図４】本発明の他の実施の形態の構成を概略的に示す断面図である。
【符号の説明】
【００３０】
１  チップ抵抗器
３  大型絶縁基板
５  基板表面
７  電極層
９  縦電極層列
１１  横電極層列
１３  抵抗層（電気素子層）
１５  絶縁保護層
１７  ガラス層
１９  絶縁樹脂層
２１，２３  表面電極
２５  スリット
２７  下地導電層
２９  絶縁基板
３１  チップ片
３３  メッキ層
３５  Ｎｉメッキ層
３７  Ｓｎメッキ層
【図１】
0004498433.tif 000002
【図２】
0004498433.tif 000003
【図３】
0004498433.tif 000004
【図４】
0004498433.tif 000005