(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
偏波モード分散の高さに基づいて光ファイバ伝送路の良否を判定する方法であって、
光ファイバ伝送路の両端の少なくとも一方から偏波ＯＴＤＲ法によって伝送路長手方向の偏波モード分散の高い位置を測定し、かつ光ファイバ伝送路の両端の少なくとも一方からブリルアンＯＴＤＲ法によって伝送路長手方向の歪みの大きさを測定し、
（Ａ）偏波ＯＴＤＲ法で偏波モード分散が高く測定され、かつこの偏波モード分散が高く測定された位置と同じ位置における歪みがブリルアンＯＴＤＲ法で大きく測定された場合は、光ファイバに側圧等の外力が加わることによる外的要因で偏波モード分散が悪化していると判断し、
（Ｂ）偏波ＯＴＤＲ法で偏波モード分散が高く測定され、かつこの偏波モード分散が高く測定された位置と同じ位置における歪みがブリルアンＯＴＤＲ法で大きく測定されない場合は、光ファイバの構造的欠陥による内的要因で偏波モード分散が悪化していると判断し、
前記（Ａ）においては光ファイバ伝送路の敷設方法を変更すると判断し、前記（Ｂ）においては光ファイバ伝送路の張り替えを行うと判断することを特徴とする光ファイバ伝送路の良否判定方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ファイバ伝送路中の偏波モード分散（Ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ  Ｍｏｄｅ  Ｄｉｓｐｅｒｓｉｏｎ，以下、ＰＭＤと記す。）の高さに基づいて光ファイバ伝送路の良否を判定する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
光ファイバ通信の伝送速度が上がるにつれて、ＰＭＤがその伝送速度を決定する要因となることがある。
ＰＭＤは、構造や応力の真円性からのずれによって生じる複屈折が原因となり、直交偏波間の伝搬速度の差が生じてしまうことによるモード分散である。
ＰＭＤは、複屈折βと、偏波モード結合長ｈと、光ファイバ長Ｌを用いて、次式（１）で表される。
【０００３】
ＰＭＤ＝β√Ｌ／ｈ  ・・・（１）
また、ＰＤＭ係数（単位長さあたりのＰＤＭ；ＰＤＭｃｏｅｆｆ）は、次式（２）で表される。
ＰＤＭｃｏｅｆｆ＝ＰＭＤ／√Ｌ  ・・・（２）
【０００４】
ここで、ある光ファイバ伝送路において、ＰＭＤが悪く（大きく）て高速伝送ができない光ファイバ伝送路を考える。ＰＭＤは通常、光ファイバ伝送路を光源と検出器で挟んで測定するため、光源と測定器間全体のＰＭＤ、言い換えると平均のＰＭＤ係数しか測定できない。そのような測定器の例として、ジョーンズマトリクス法や干渉法、固定アナライザ法等がある。
図１は従来のＰＭＤ測定方法の一例を示す構成図であり、光ファイバ伝送路１の一端側に光源２を接続し、他端側に検出器／アナライザ３を接続し、この光ファイバ伝送路１の平均的なＰＭＤを測定する構成になっている。
【０００５】
しかしながら、従来の測定方法により、その光ファイバ伝送路のＰＭＤを測定し、ＰＭＤが高いことが判明した場合、その光ファイバ伝送路全長を交換するのはコスト的に問題があり、どの箇所のＰＭＤが悪いのかを特定する手段が望まれる。勿論、伝送路を光源と検出器で挟んだ従来方式であっても、該伝送路を短く切断して測定すれば良いが、その場合、光ファイバ伝送路を物理的に切断して測定する必要があり、好ましくない。
【０００６】
光ファイバ伝送路をいちいち切断せずに、ＰＭＤの悪い箇所を特定できる装置として、偏波ＯＴＤＲ装置が提案されている。
【非特許文献１】谷川ら、信学技報、ＯＦＴ２００３−１７、ｐｐ．４１−４６、２００３
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、複屈折は、側圧等の外力によるものと、光ファイバ自身の真円性からのずれによるものの大きく分けて２つの要因に分類できるが、これらの原因の解析は偏波ＯＴＤＲ装置のみによる計測では実現できなかった。
【０００８】
本発明は前記事情に鑑みてなされ、光ファイバ伝送路中のＰＭＤが高い不良位置とその不良原因を検出して光伝送路の良否を判定する方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記目的を達成するため、
本発明は、偏波モード分散の高さに基づいて光ファイバ伝送路の良否を判定する方法であって、
光ファイバ伝送路の両端の少なくとも一方から偏波ＯＴＤＲ法によって伝送路長手方向の偏波モード分散の高い位置を測定し、かつ光ファイバ伝送路の両端の少なくとも一方からブリルアンＯＴＤＲ法によって伝送路長手方向の歪みの大きさを測定し、
（Ａ）偏波ＯＴＤＲ法で偏波モード分散が高く測定され、かつこの偏波モード分散が高く測定された位置と同じ位置における歪みがブリルアンＯＴＤＲ法で大きく測定された場合は、光ファイバに側圧等の外力が加わることによる外的要因で偏波モード分散が悪化していると判断し、
（Ｂ）偏波ＯＴＤＲ法で偏波モード分散が高く測定され、かつこの偏波モード分散が高く測定された位置と同じ位置における歪みがブリルアンＯＴＤＲ法で大きく測定されない場合は、光ファイバの構造的欠陥による内的要因で偏波モード分散が悪化していると判断し、
前記（Ａ）においては光ファイバ伝送路の敷設方法を変更すると判断し、前記（Ｂ）においては光ファイバ伝送路の張り替えを行うと判断することを特徴とする光ファイバ伝送路の良否判定方法を提供する。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、光ファイバ伝送路の両端の少なくとも一方から偏波ＯＴＤＲ法によって伝送路長手方向のＰＭＤの高い位置を測定し、かつ光ファイバ伝送路の両端の少なくとも一方からブリルアンＯＴＤＲ法によって伝送路長手方向の歪みの大きさを測定し、次の判断基準、（Ａ）偏波ＯＴＤＲ法でＰＭＤが高く測定され、ブリルアンＯＴＤＲ法で歪みが大きく測定された場合は、光ファイバに側圧等の外力が加わることによる外的要因でＰＭＤが悪化している、（Ｂ）偏波ＯＴＤＲ法でＰＭＤが高く測定され、ブリルアンＯＴＤＲ法で歪みが大きく測定された場合は、光ファイバの構造的欠陥による内的要因でＰＭＤが悪化している、によって光ファイバ伝送路中のＰＭＤが高い不良位置とその不良原因を検出するものなので、ＰＭＤの悪化の原因が光ファイバ（内的要因）なのか、ケーブルや敷設状態（外的要因）であるのかの解析が可能になり、光ファイバケーブル自身を張り替える必要があるのか、敷設方法を変更すればよいのかを容易に判断できる。また、ファイバ製造者とケーブル製造者、敷設者等の間の責任分岐点が明確になる。
【００１３】
さらに、本発明の検出方法で用いる手法は全てＯＴＤＲ法に基づいた手法であるために、外的要因および内的要因どちらについても不良位置の特定が可能である。
また、ＯＴＤＲ法を用いることにより、伝送路の片端からの測定のみによって、ＰＭＤの悪化の原因を知ることができる利点がある。ただし、精度等の観点から、伝送路の両端からの測定の方が望ましい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、図面を参照して本発明の実施形態を説明する。
図２及び図３は、本発明の判定方法の一例を示す構成図であり、図２は偏波ＯＴＤＲ装置４を用いて光ファイバ伝送路１の長手方向のＰＭＤの高い位置を測定する状態を示し、図３はブリルアンＯＴＤＲ装置５を用いて光ファイバ伝送路１の長手方向の歪みの大きさを測定する状態を示している。
【００１５】
本例による検出方法では、まず、図２に示すように、ＰＭＤが高いと思われる（実際にＰＭＤが測定されていても良いし、単に通信品質が悪い等の理由でも良い）光ファイバ伝送路１の両端（例えば中継器端）のうちの少なくとも一方、望ましくは両方から、偏波ＯＴＤＲ装置４により光ファイバ伝送路１の長手方向のＰＭＤを測定する。
【００１６】
この光ファイバ伝送路１中にＰＭＤが高い箇所が存在すると、測定波形の振動周期や、振動振幅等から、ＰＭＤが高い位置が測定される。該測定において、偏波ＯＴＤＲ装置４の構成・設計等により、偏波ＯＴＤＲ装置の検出方法には違いがあるが、その方法の違いは問題とならない。これにより、光ファイバ伝送路１中のＰＭＤの高い箇所が特定できる。
例えば、図８（ａ）は偏波ＯＴＤＲ装置４による測定例であり、丸で囲った部分はＰＭＤが高い部分である。なお、本例では、両端から測定された測定波形の振動振幅の標準偏差からＰＭＤを算出したものであるが、本発明はこれに限定されない。
本発明において、「ＰＭＤが高い」とは、図８（ａ）に示すように、光ファイバ伝送路１の長手方向のある長さ領域において測定されたＰＤＭの測定値がある特定箇所において突出して高い値を示すことを指すもので、測定機器、測定条件等の相違により数値により規定し得ない性格のものである。
【００１７】
次に、図３に示すように、該光ファイバ伝送路１を同様に両端（例えば中継器端）の内の少なくとも一方、望ましくは両方から、ブリルアンＯＴＤＲ装置５により歪みの大きさを測定する。ブリルアンＯＴＤＲ装置５による歪みの大きさの測定は、光ファイバ内で発生するブリルアン散乱光の波長シフトが歪みに依存することを利用して、歪みの長手方向分布を測定する技術である（参考文献：［１］Ｔ．Ｈｏｒｉｇｕｃｈｉ  ｅｔ  ａｌ．，  Ｊ．Ｌｉｇｈｔｗａｖｅ  ｔｅｃｈｎｏｌ．，１３，ｐｐ．１２９６−１３０２、１９９５．［２］内山ら、ＡＮＤＯ技報、Ｏｃｔ．２００２，ｐｐ．５３−６１，２００２）。
つまり、ブリルアンＯＴＤＲ装置５の測定によって、歪みの大きい箇所がわかる。
例えば、図９（ｂ）はブリルアンＯＴＤＲ装置５による歪みの測定例であり、丸で囲った部分は歪みが大きい部分である。
本発明において、「歪みが大きい」とは、図９（ｂ）に示すように、光ファイバ伝送路１の長手方向のある長さ領域において測定された歪みの測定値がある特定箇所において突出して引っ張り方向あるいは圧縮方向に大きな値を示すことを指すもので、測定機器、測定条件等の相違により数値により規定し得ない性格のものである。
【００１８】
歪みは、光ファイバ伝送路１を形成する光ケーブルの構造や製造法の未熟さ等によって引き起こされる耐側圧特性の（部分的）悪化や、ケーブル敷設時の側圧への無配慮や敷設技術の未熟等による過大な側圧の印加等によって生じる。このような外的な歪みによって、光ファイバに非軸対称な応力がかかることにより、それが導波路の非軸対称性を引き起こし、ＰＭＤが悪化する。
【００１９】
つまり、偏波ＯＴＤＲ法とブリルアンＯＴＤＲ法とによって得られた測定結果を次のように評価すれば、ＰＭＤ悪化の原因をファイバの内的要因・外的要因に分離することができる。
（Ａ）偏波ＯＴＤＲ装置４でＰＭＤが高く測定され、ブリルアンＯＴＤＲ装置５で歪みが大きく測定された箇所（位置・範囲）は、光ファイバに側圧等の外力が加わることによる外的要因でＰＭＤが悪化していると判断できる。
（Ｂ）偏波ＯＴＤＲ装置４でＰＭＤが高く測定され、ブリルアンＯＴＤＲ装置５で大きな歪みが測定されない箇所（位置・範囲）は、光ファイバの構造的欠陥による内的要因でＰＭＤが悪化していると判断できる。
さらに、偏波ＯＴＤＲ装置４でＰＭＤが低く測定され、ブリルアンＯＴＤＲ装置５で歪みが大きく測定された箇所（位置・範囲）は、伝送路１中の光ファイバに側圧等の外力が加わっている箇所があるものの、その外的要因程度ではＰＭＤに影響を与えていないと判断できる。
【００２０】
ただし、外力のかかり方によっては、ブリルアンＯＴＤＲ装置５で外的要因のＰＭＤ増加を検出できない場合もありうる。つまり、前記（Ｂ）のように、偏波ＯＴＤＲ装置４でＰＭＤが高く測定され、ブリルアンＯＴＤＲ装置５で歪みが特に問題なく測定された箇所（位置・範囲）に、全く外的要因が無いかどうかは、本発明の方法のみで判断するのは若干の誤判定の危険性を孕んでおり、本発明方法以外の検出方法の検出結果と合わせて総合的に判断すべきである。
この点は、得られた結果を判断する時に注意すべき点である。本法以外の検出方法とは、状況に応じて種々考えられる。例えば、当該箇所の外観調査（へこみ、傷、つぶれなど）、敷設状況の調査、製造設備や製造履歴の調査（バックテンションの確認等）がある。場合によっては解体調査もあるかもしれない。いずれにせよ、これらの方法は例示であって限定ではない。
【００２１】
前述した検出方法によれば、偏波ＯＴＤＲ装置４によって伝送路長手方向のＰＭＤの高い位置を測定し、かつブリルアンＯＴＤＲ装置５によって伝送路長手方向の歪みの大きさを測定し、次の判断基準、（Ａ）偏波ＯＴＤＲ装置４でＰＭＤが高く測定され、ブリルアンＯＴＤＲ装置５で歪みが大きく測定された場合は、光ファイバに側圧等の外力が加わることによる外的要因でＰＭＤが悪化している、（Ｂ）偏波ＯＴＤＲ装置４でＰＭＤが高く測定され、ブリルアンＯＴＤＲ装置５で大きな歪みが測定されない場合は、光ファイバの構造的欠陥による内的要因でＰＭＤが悪化している、によって光ファイバ伝送路１中のＰＭＤが高い不良位置とその不良原因を検出するものなので、ＰＭＤの悪化の原因が光ファイバ（内的要因）なのか、ケーブルや敷設状態（外的要因）であるのかの解析が可能になり、光ファイバケーブル自身を張り替える必要があるのか、敷設方法を変更すればよいのかを容易に判断できる。また、ファイバ製造者とケーブル製造者、敷設者等の間の責任分担点が明確になる。
さらに、この検出方法で用いる手法は全てＯＴＤＲ法に基づいた手法であるために、外的要因および内的要因どちらについても不良位置の特定が可能である。
また、ＯＴＤＲ法を用いることにより、伝送路の片端からの測定のみによって、ＰＭＤの悪化の原因を知ることができる利点がある。ただし、精度等の観点から、伝送路の両端からの測定の方が望ましい。
【００２２】
図４は、本発明の判定方法に用いられる装置の第１実施形態を示す構成図である。本実施形態の検出装置６Ａは、偏波ＯＴＤＲ装置４と、ブリルアンＯＴＤＲ装置５と、これらのＯＴＤＲ装置４、５を切り替えて光ファイバ伝送路１に接続させるチャンネルセレクタ７とを備えて構成されている。
【００２３】
前記偏波ＯＴＤＲ装置４は、光源、パルス変調器（パルス発生器）、偏光子や偏光アナライザ、光検出器及び測定結果を表示する表示部等が含まれる。前記ブリルアンＯＴＤＲ装置５は、参照光源、ヘテロダイン検波器、偏波スクランブラ及び測定結果を表示する表示部等が含まれる。チャンネルセレクタ７は、手動で又は自動的に光ファイバ伝送路１と偏波ＯＴＤＲ装置４又はブリルアンＯＴＤＲ装置５とを切り替えて接続できればよく、特に限定されない。
【００２４】
この検出装置６Ａは、ＰＭＤを測定する光ファイバ伝送路１の一端をチャンネルセレクタ７に接続し、偏波ＯＴＤＲ装置４により伝送路長手方向のＰＭＤの高い位置を測定し、これと前後してブリルアンＯＴＤＲ装置５により伝送路長手方向の歪みの大きさを測定し、これらの測定結果から、前述した検出方法での評価、すなわち（Ａ）偏波ＯＴＤＲ装置４でＰＭＤが高く測定され、ブリルアンＯＴＤＲ装置５で歪みが大きく測定された場合は、光ファイバに側圧等の外力が加わることによる外的要因でＰＭＤが悪化している、（Ｂ）偏波ＯＴＤＲ装置４でＰＭＤが高く測定され、ブリルアンＯＴＤＲ装置５で大きな歪みが測定されない場合は、光ファイバの構造的欠陥による内的要因でＰＭＤが悪化している、によって光ファイバ伝送路１中のＰＭＤが高い不良位置とその不良原因を検出する。
【００２５】
図５は、本発明の判定方法に用いられる装置の第２実施形態を示す構成図であり、図５中符号８は光源、９はパルス変調器（パルス発生器）、１０は偏波ＯＴＤＲ測定部、１１はブリルアンＯＴＤＲ測定部である。
本実施形態の検出装置６Ｂは、同一の光源８、パルス変調器９を用い、偏波／歪み測定はそれぞれの目的の測定に合わせて、その必要な装置構成をチャンネルセレクタによって選択して行えることを特徴としている。本例において、偏波ＯＴＤＲ測定部１０には、偏光子や偏光アナライザ、光検出器及び測定結果を表示する表示部等が含まれる。ブリルアンＯＴＤＲ測定部１１には、参照光源、ヘテロダイン検波器、偏波スクランブラ等が含まれる。
【００２６】
本実施形態の検出装置６Ｂは、前記第１実施形態の検出装置６Ａと同じく、偏波ＯＴＤＲ測定部１０により伝送路長手方向のＰＭＤの高い位置を測定し、これと前後してブリルアンＯＴＤＲ測定部１１により伝送路長手方向の歪みの大きさを測定し、その結果を前記（Ａ）又は前記（Ｂ）の評価基準に照合することで光ファイバ伝送路１中のＰＭＤが高い不良位置とその不良原因を検出することができる。
【００２７】
本実施形態の検出装置６Ｂでは、同じ光源８及びパルス変調器９を各ＯＴＤＲ測定部１０、１１で共用しているため、前記第１実施形態の検出装置６Ａと比較して装置構成を簡略化でき、低コスト化することができる。
【００２８】
図６は、本発明の判定方法に用いられる装置の第３実施形態を示す構成図である。
本実施形態の検出装置６Ｃは、前記第２実施形態による検出装置６Ｂとほぼ同様の構成要素を備えて構成され、同一の構成要素には同一符号を付してある。本実施形態の検出装置６Ｃでは、前記第２実施形態による検出装置６Ｂの構成に加え、光源８からの光を分波してブリルアンＯＴＤＲ測定部１１の参照光１２として用いている。光源８からの光を分波する手段としては、ハーフミラー、光カプラなどが用いられる。
【００２９】
本実施形態の検出装置６Ｃは、前記第２実施形態による検出装置６Ｂと同様に光ファイバ伝送路１中のＰＭＤが高い不良検出位置とその不良原因を検出することができる。
本実施形態の検出装置６Ｃは、前記第２実施形態による検出装置６Ｂと同様の効果が得られ、さらに光源８からの光を分波してブリルアンＯＴＤＲ測定部１１の参照光１２として用いる構成としたので、ブリルアンＯＴＤＲ測定部１１の装置構成を簡略化することができ、より低コスト化することができる。
【００３０】
図７は、本発明の判定方法に用いられる装置の他の実施形態を示す構成図である。
本実施形態の検出装置６Ｄは、前記第２実施形態による検出装置６Ｂとほぼ同様の構成要素を備えて構成され、同一の構成要素には同一符号を付してある。
本実施形態の検出装置６Ｄでは、前記第２実施形態による検出装置６Ｂの構成に加え、偏波ＯＴＤＲ測定部１０とブリルアンＯＴＤＲ測定部１１の光検出器１３と解析装置１５を共用し、偏波ＯＴＤＲ測定部１０とブリルアンＯＴＤＲ測定部１１の構成をより簡略化したことを特徴としている。
光ファイバ伝送路１から戻った光信号は、偏波ＯＴＤＲ測定部１０又はブリルアンＯＴＤＲ測定部１１を経て光検出器１３に入り、そのデータがパーソナルコンピュータなどからなる解析装置１５に送られる。なお、歪みの測定の場合には、ブリルアンＯＴＤＲ検波部１４によって検出され、そのデータが解析装置１５に送られる。解析装置１５では、上述の２つの判断基準による評価がなされる。
【００３１】
本実施形態の検出装置６Ｄは、前記第２実施形態による検出装置６Ｂと同様に光ファイバ伝送路１中のＰＭＤが高い不良検出位置とその不良原因を検出することができる。
本実施形態の検出装置６Ｄは、前記第２実施形態による検出装置６Ｂと同様の効果が得られ、さらに光検出器１３を共用にしたことにより、各ＯＴＤＲ測定部１０、１１の装置構成をより簡略化することができ、より低コスト化することができる。
【００３２】
勿論、前述した各実施形態に示す専用の装置で測定せず、偏波ＯＴＤＲ及びブリルアンＯＴＤＲを個別に測定しても良いが、前述した各実施形態に示す装置を用いることで、各測定を行う際のセッティングの交換の手間が大きく減じられるとともに、光源やパルス変調部等を共用できることから、装置製造コストを低減できるという利点がある。
【００３３】
［実施例１］
光ファイバ伝送路（約２８ｋｍ）の偏波ＯＴＤＲ装置およびブリルアンＯＴＤＲ装置による測定結果を図８に示す。図８中、（ａ）は偏波ＯＴＤＲ装置による伝送路長手方向のＰＭＤの測定結果であり、（ｂ）はブリルアンＯＴＤＲ装置による伝送路長手方向の歪みの測定結果である。
図８（ａ）中、およそ丸で囲った付近が偏波ＯＴＤＲ装置でＰＭＤが高いと測定された部位である。偏波ＯＴＤＲ装置でＰＭＤが高いと測定された位置では、ブリルアンＯＴＤＲ装置での測定結果に特別の歪みの変化がなく、この場合は、使用した光ファイバ自身が、内的な要因でＰＭＤが高いと判断できる。
実際に本実施例では、当該部位に意図的にＰＭＤが悪い光ファイバ（事前にＰＭＤ測定を行って確定した）を使用してケーブル製造を行っており、これにより本発明の方法にて、実際に敷設の状況において測定が可能であることが確認された。
【００３４】
［実施例２］
別の光ファイバ伝送路（約５ｋｍ）の偏波ＯＴＤＲ装置及びブリルアンＯＴＤＲ装置による測定結果を示す。図９中、（ａ）は偏波ＯＴＤＲ装置による伝送路長手方向のＰＭＤの測定結果であり、（ｂ）はブリルアンＯＴＤＲ装置による伝送路長手方向の歪みの測定結果である。
図９（ａ）中、およそ丸で囲った付近が偏波ＯＴＤＲ装置でＰＭＤが高いと測定された部位である。偏波ＯＴＤＲ装置によりＰＭＤが高いと測定された位置は、図９（ｂ）に示す通りブリルアンＯＴＤＲ装置にて大きな歪みが観測されている。当該箇所は、実験的にファイバ余長率を小さめに作製したケーブル箇所であった。
図９（ａ）、（ｂ）に示す通り、ＰＭＤが高い箇所があり、その箇所の歪みが大きいと測定された場合、外的要因によりＰＭＤが高くなっていると推定できる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】従来のＰＭＤ測定方法の一例を示す構成図である。
【図２】本発明の判定方法の一例において、偏波ＯＴＤＲ装置により伝送路長手方向のＰＭＤを測定する状態を示す構成図である。
【図３】本発明の判定方法の一例において、ブリルアンＯＴＤＲ装置により伝送路長手方向の歪みの大きさを測定する状態を示す構成図である。
【図４】本発明方法に用いられる装置の第１実施形態を示す構成図である。
【図５】本発明方法に用いられる装置の第２実施形態を示す構成図である。
【図６】本発明方法に用いられる装置の第３実施形態を示す構成図である。
【図７】本発明方法に用いられる装置の他の実施形態を示す構成図である。
【図８】本発明に係る実施例１の結果を示すグラフである。
【図９】本発明に係る実施例２の結果を示すグラフである。
【符号の説明】
【００３６】
１…光ファイバ伝送路、４…偏波ＯＴＤＲ装置、５…ブリルアンＯＴＤＲ装置、６Ａ〜６Ｄ…検出装置、７…チャンネルセレクタ、８…光源、９…パルス変調器、１０…偏波ＯＴＤＲ測定部、１１…偏波ＯＴＤＲ測定部、１２…参照光、１３…光検出器、１４…ブリルアンＯＴＤＲ検波部、１５…解析装置。 
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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