(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
粒子光学装置を用いて、サンプルの粒子光学画像を取得する方法であって、順番に：
真空環境下において凍結状態にある前記サンプルを、イオンビームを用いて研磨する工程であって、
前記真空環境下において、冷却された対向表面が設けられており、
前記の凍結されたサンプルの温度が、前記対向表面の温度よりも高く、かつ
前記研磨工程により、前記サンプルの前もって選択された断面が露出する、
研磨工程；
前記サンプルと前記対向表面との温度差を増加させる工程であって、該温度差の増加は、前記サンプルの露出された断面において昇華を生じさせる昇華工程；及び
前記サンプルの前記露出された断面に関する少なくとも一部の画像を、走査型集束電子ビームによって形成する工程；
を有する方法。
【請求項２】
前記イオンビームを用いた前記研磨工程は、前記走査型集束電子ビームを用いた前記のサンプルの露出された断面図の少なくとも一部の画像化により観察されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記昇華工程は、前記走査型集束電子ビームを用いた前記サンプルの露出された断面図の少なくとも一部の画像化により観察されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
凍結される前記サンプルは、水を有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記イオンビームは、集束イオンビームであることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記イオンビームのイオンは、酸素原子よりも重いことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記昇華工程の速度は、前記サンプルから前記の冷却された対向表面が見えるように立体角を変化させることにより制御されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記の走査型集束電子ビームを用いた画像化を行った後、イオン研磨工程及び昇華工程を新たに行い、その後、得られた前記のサンプルの新たな露出断面の少なくとも一部の画像化が、走査型集束電子ビームによって新たに行われることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、粒子光学装置を用いたサンプルの粒子光学画像を取得するための方法に関する。本発明はまた、本方法を実行するために具体化された粒子画像装置にも関する。
【背景技術】
【０００２】
比較的厚いサンプル（例えば０．１  ｍｍオーダーの厚み）を使って電子顕微鏡などの粒子光学装置を用いる際、サンプル内の検討すべき細部が、サンプル材料の内部に存在するという問題に直面する。このような場合、例えば、微生物をサンプルとして使用した場合が考えられ、より大きな倍率にて電子顕微鏡を用いてさらなる詳細な分析することが考えられる。この装置のユーザーは、興味ある細部が、サンプルの内部のある位置に存在しており、この細部が、材料の内部に埋もれ、例えば走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）などの電子光学的画像装置の到達範囲外であると疑うかもしれない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
電子顕微鏡の範囲外における制御において、興味ある細部を露出するような様式にてサンプルを切開する試みを連想することも可能であるが、含まれている細部は、可視光波長よりも小さいことがしばしばあるので、これらの工程は、この工程を行う技術者により直接観察することよりも曖昧となる。これは、露出する試みにおいて、興味ある細部は、簡単に的を外す可能性があるか、あるいは、所望しない様式にて露出する可能性があるからである。さらに、断面を作成する適正な位置を発見することは極端に困難であり、しばしば不可能である。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明は、上述の問題に対する解決を供することを目的としており、制御された様式にて、サンプルの断面を露出することを基礎にした方法を用いており、この断面には、興味ある細部が位置しており、この細部は、電子光学的画像装置が到達可能である様式を用いている。最後に、本発明における本方法は、次なる連続的なステップを有している：
凍結状態に置かれたサンプルを、真空環境下に置き、イオンビームを使って、研磨制御を施し、これにより、対向表面が設けられており、真空環境下にて、冷却された対向表面が供され、凍結サンプルの温度は、対向表面の温度よりも高く、前記の研磨制御は、サンプルの前もって選定された切断面を露出させ；
サンプルと対向表面との温度差は増加し、この温度差の増加は、露出されたサンプルの断面を昇華へと導き；
サンプルの露出された断面の少なくとも一部の画像は、走査型電子ビームの補助により形成される。
【発明の効果】
【０００５】
興味ある細部が存在するサンプル領域が同定された後、凍結サンプルの表面を検討することにより、あるいは、その他の方法を使って、関連領域は、イオンビーム及び興味ある細部を露出する補助物を用いて、研磨制御が施され、ＳＥＭが到達可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００６】
サンプルは、液体を伴い、第一飽和凍結状態に置かれ、続いて、液体の凝固点以下の温度まで冷却される。サンプルの冷却により、完全にマトリックスを満たされた生成物を得ることができ、結果として、更なる工程の間、サンプル中の興味ある細部のすべての部分が、元の位置のままに保持され、その形態又は構造は変化しない。このことを達成するために、サンプルは急速に凍結される。
【０００７】
興味ある細部が存在するサンプル領域が同定された後、凍結サンプルの表面を検討することにより、あるいは、その他の方法を使って、関連領域は、イオンビーム及び興味ある細部を露出する補助物を用いて、研磨制御が施され、ＳＥＭが到達可能となる。この研磨制御は、真空環境下、例えば、低圧環境下、典型的には、１０−６ｍｂａｒ、にて行う。充填マトリックスから蒸発した分子を結合するために、真空環境下にて冷却対向表面が供される。このような結合性を得るために、対向表面の温度は、例えば、２０℃以下である。この対向表面は、例えば、液体窒素などを使って所望の温度にて保持されるクーリングフィンガー（ｃｏｏｌｉｎｇ  ｆｉｎｇｅｒ）の形状を有してもよい。研磨制御は、ユーザーによって手動で制御されてもよいし、コンピューターによって制御してもよい。
【０００８】
興味ある細部を含む領域が研磨制御によって一旦露出されると、興味ある細部は、相対的に低速度にてＳＥＭ画像化をさらに行うことが可能となる。これが起こるのは、サンプル及び対向表面との温度差が増加するためであり、例えば、サンプル温度が増加するためである。この結果、サンプルの露出された断面において、凍結液体の昇華が起こる。相対的に低速にて昇華が起こった結果、ユーザーは、高い精度にて、所望の細部を露出することが可能となり、これに続いて画像化することが可能となる。興味ある細部上での画像化ビームの腐蝕作用を阻止するため、この画像化は、走査型電子ビーム（ＳＥＭ）を使って行われ、さらに、サンプルの昇華が起こる。この理由は、より大きな昇華が起こる領域が、対向表面の近傍に位置する領域であるからである。したがって、所望の領域近傍に対向表面を配置することにより、昇華領域を得ることができる。
【０００９】
本発明の好適実施例において、イオンビームを使った研磨制御は、走査型電子ビームを伴って、サンプルの露出された一部の断面の画像化により、観察される。この様式において、ユーザーは、研磨工程を少なくとも詳細に観察することが可能であり、もし所望ならば、工程が所望の進行度合いに一旦到達した際、研磨を停止することも可能である。
【００１０】
本発明のその他の好適実施例において、昇華工程は、走査型電子ビームの補助物を伴って、露出されたサンプルのすくなくとも一部の断面に関する画像化により、観察される。この方式において、研磨工程の場合と同じように、ユーザーは昇華工程を細部に観察することが可能で、もし所望ならば、工程が所望の進行度合いに一旦達成した際、この工程を停止することも可能である。
【００１１】
本発明のさらにその他の好適実施例において、凍結されるサンプルは水を含む。水の有する利点は、多くの検査物にすでに自然に存在している点であり、例えば、生物学的な検査物に存在している点である。もし、水がサンプル中に存在しない場合、凍結工程の前に水で飽和させてもよい。研磨工程中および昇華工程中に放出される水は、より低い温度にて対向表面に容易に結合することができる。
【００１２】
本発明のその他の実施例において、イオンビームは、集束イオンビームである。イオンビームを集束することにより、非常に正確な様式にて、研磨すべき領域を定義することができ、もし所望ならば、特別な形態のすべてにイオンビームを照射することが可能であり、これにより、研磨工程は高い精度で制御可能となる。
【００１３】
本発明のさらにその他の実施例において、イオンビームにおけるイオンは、酸素原子よりも重いものである。相対的に大きな質量を有するイオンビームの結果として、水における酸素原子（又はアルコールなどその他のマトリックス液体における酸素原子）は、簡単に除去され、結果として、高速での研磨工程が達成される。
【００１４】
本発明のさらにその他の実施例において、昇華速度は、サンプルにおいて冷却された対向表面に対する立体角を変化させることにより制御される。この実施例における利点は、例えば、液体窒素をこの対向表面の冷却に使用した場合に得られる。対向表面における温度は、窒素の沸点によって同定され、したがって、簡単には制御できない。サンプルに向かって、又はサンプルから離れた対向表面を移し変えることにより、先の立体角は、水分子を捕獲する数とともに変化し、昇華速度も変化する。この様式において、この速度の正確な制御が可能となる。
【００１５】
本発明のさらに別の実施例において、走査型の集束電子ビームの補助を使った画像形成を行ったのち、イオン研磨工程及び昇華工程が新たに行われ、走査型の集束電子ビームの補助を使って、サンプルの新しく露出された少なくとも断面部分の画像形成工程が実施される。この様式において、確実に進展した侵食先端部を伴った一連のＳＥＭ画像を得ることが可能であり、これにより、連続した二つの画像の時間差が短くなり、結果として、イオン研磨工程を相対的に高速にすることになり、かつ、研磨工程及び昇華工程における高い正確性の結果として、二つの断面図の画像化における距離を高度にかつ正確に同定することができる。この様式において、三次元での再構築は、ＳＥＭ画像を使って可能である。
【実施例】
【００１６】
本発明を図と共に述べ、参照番号は、対応する部品を示す。
【００１７】
図１は、本発明における方法を実施するための粒子光学装置を概略的に示している。本装置は、いわゆるデュアルビームシステムと呼ばれる方法により形成され、この中で、二つの粒子光学カラム２及び４が存在しており、カラム２はイオン光学カラムであり、カラム４は、電子光学カラムである。両カラム２及び４は、脱気可能で、サンプルステージ８を内部に有するサンプルスペース６に取り付けられている。またサンプルスペース６は冷却フィンガー１０の形で冷却された表面が設けられている。サンプルステージ８及び冷却フィンガー１０は、概略的に示した冷却設備１２にて所望の低温度に調節可能である。冷却設備１２及びサンプルステージ８との結合は、概略的に示した冷却ダクト１４であり、冷却ダクト１６によって冷却設備１２と冷却フィンガー１０とを結合している。
【００１８】
加工されるサンプル１８は、サンプルステージ上に配置される。
【００１９】
カラム２は、光軸２２に沿って行うイオンビーム２０を発生する；このイオンビーム２０は、粒子ビームレンズ（示していない）を使って、サンプル１８上に集束される。（示していない）走査コイルの補助によって、この集束イオンビーム２０は、加工されるサンプル１８上に所望の走査パターンを実行する。カラム４は、光軸２６に沿って実行する電子ビーム２４を発生する；この電子ビーム２４は、粒子ビームレンズ（示していない）を使って、サンプル１８上に集束される。加えて、カラム４は、（示していない）公知の様式の走査コイルを供されており、ＳＥＭ画像は、加工されるサンプル及び／又は画像化されるサンプル１８の領域にて取得可能である。
【００２０】
サンプル１８は、凍結状態にてサンプルスペース６内に導入され、サンプルステージ８を冷却する冷却設備１２の補助によって、所望の低温度に冷却される。また、サンプルは非凍結状態にてサンプルステージ８上に配置することも可能であり、かつ、サンプルをｉｎ  ｓｉｔｕにて凍結することも可能である。冷却手法によってサンプルが逆行的な影響を受けないことを確実にするため、十分な凍結速度、例えば、１０５Ｋ／ｓ、を確保すべきである。凍結後に、サンプルが、氷のマトリックス内に埋め込まれたサンプル材料にて構成するため、凍結前のサンプルは水で飽和されていると仮定する。加工されるサンプルの温度は、応用例に依存し；例えば、約−１９６℃である液体窒素などである。冷却フィンガー１０は、サンプル１８に向かい合うように配され、フィンガーは、また冷却設備１２の補助を使って、所望の低温度に維持される。冷却フィンガー１０の温度は、さらに後述するように、サンプル温度と異なってもよい。
【００２１】
サンプル１８の研磨工程は、さらに、図２Ａ及び２Ｂをベースにして分析されてもよい。図２Ａは、サンプル１８を伴ったサンプルステージ８の平面図を示している。本発明におけるサンプルの加工は、ユーザーが疑っている興味ある細部が存在するサンプルの領域２８のセクションに関し開始される。続いて、この領域は、興味ある細部が位置する断面を露出すべく、イオンビーム２０を使った研磨工程を施される。イオンビーム２０におけるイオンは、例えば、ガリウムイオン、アルゴンイオン、又は酸素の原子量よりも大きな原子量を有するその他のイオンである。マトリックスの酸素原子は、より重いイオンによって酸素を簡単に除去できるので、イオンの選択における効果は、相対的に高速にて研磨工程を行える点にある。研磨工程中、サンプル温度は、典型的に−１３０℃のオーダーであり、冷却フィンガーの温度は、典型的に−１５０℃のオーダーである。冷却フィンガーのチップからサンプルまでの距離は、典型的に５  ｍｍである。冷却フィンガーが存在する結果、研磨工程中に放出される水は、冷却フィンガーに結合し、したがって、イオンによって除去された水分子が、再びサンプルに戻ることを阻止し、研磨工程が妨害され工程の処理速度を減弱することを阻止する。研磨工程中のイオンエネルギーに関する典型的な値は、急速な研磨工程の場合３０から５０  ｋｅＶであり、興味ある細部へ接近する際、典型的な値は、５  ｋｅＶである。イオンビームの電流に関する典型値は、１から５０  ｎＡである。研磨工程中、真空環境における圧力は、典型的には、１０−６  ｍｂａｒである。研磨制御中、この工程は、電子ビーム２４の補助によりＳＥＭ画像化手段を使ってモニターされる。
【００２２】
図２Ａにおいて、線ＡＡは、研磨手法を使って形成されたキャビティーの横方向断面図を示している。図２Ｂは、この横方向断面図を示している。図２Ｂにおいて、サンプルの上部表面は、番号３０によって示されている。集束イオンビームは、研磨にて選択された領域の表面にわたり走査され、これにより、キャビティーの容量部分は、連続的に取り除かれる。キャビティーの側壁３２は、露出され、興味ある細部を含むサンプルの断面図にて構成されている。このキャビティーは、露出表面３２のＳＥＭが増加を可能とする形状を有している。最後に、（この図において、光軸２６にて示されている）電子ビームが、画像化を可能にする角度を以て、画像化すべき表面を放射することを可能にするため、サンプル材料が十分取り除かれる；しかしながら、この研磨工程は、ＳＥＭ画像化に必要な材料をより多く除去することを防止している。この理由は、キャビティーの壁２２が、図示された傾斜を有する進行状況を示しているということである。
【００２３】
研磨工程中に形成されるＳＥＭ画像をベースにして、研磨工程が、十分な度合いを持って完結した際、研磨工程は終了し、昇華相を開始することができる。この昇華相は、冷却フィンガーとサンプルとの温度差の増加により開始する；ここに引用した例番号において、サンプル温度は、−１３０から−９５℃に上昇する一方、冷却フィンガーは同じ温度を保っている。昇華は、よりゆっくりとサンプル表面から材料の除去を引き起こし、したがって、興味ある細部の露出の進行を制御することが可能となる。また、この様式において、非常に良好な細部全体が露出される。これは、アイスマトリックスのみが蒸発し、サンプルの周囲部分が保存されるからであり、したがって、昇華相中、イオン露出を行う必要がなくなる。最終的に所望のＳＥＭ画像が得られ、興味ある細部が露出されるまで、ＳＥＭ画像化を行った後にこの昇華相を行ってもよい。所望ならば、この工程を繰り返してもよい。つまり、さらに別の昇華相が開始されず、最終的に所望のＳＥＭ画像が得られるまで、かつさらなる繰り返しが可能であるときまで、新しい壁３４が生じるのと同量の壁３２を除去するためにこのイオン研磨が行われる、ということである。この様式において、連続的な断面図に関する数多くのＳＥＭ画像を形成することにより、サンプル内部を代表する三次元図を得ることが可能である。この方式において、ＳＥＭ画像との間の導入及び真空除去を不必要とするため、全体の工程は、一つ及び同種の粒子光学装置にて実施され、これにより、実質的な時間の短縮が可能となる。
【００２４】
図３は、サンプル１８における興味ある領域２８に関して、冷却フィンガー１０の位置取りにおける影響を示している。冷却フィンガー（図において、そのチップ１０により図示的に示している）は、領域２８の近傍に位置しているので、昇華は、主として、この領域において起こる。このことは、この領域からみた冷却表面がサンプルの離れた領域から観察される場合、内在する立体角３８よりも明らかに大きな相対的に大きな立体角に内在するという事実により生じる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】図表形式にて、本発明による方法を実施するための粒子光学装置を示している。
【図２Ａ】本発明における加工されるサンプルを示した図である。
【図２Ｂ】本発明における、加工されるサンプルに関して、図２Ａに示した線Ａ−Ａに沿った横方向の断面図を示している。
【図３】サンプルからみた対向表面における立体角の効果を示した図である。
【符号の説明】
【００２６】
２  粒子光学カラム
４  粒子光学カラム
６  サンプルスペース
８  サンプルステージ
１０  冷却フィンガー
１２  冷却設備
１４  冷却ダクト
１６  冷却ダクト
１８  サンプル
２０  イオンビーム
２２  壁
２４  電子ビーム
２６  光軸
２８  領域
３０  番号
３２  側壁
３４  壁
３８  立体角
Ａ  線
【図１】
0004406545.tif 000002
【図２Ａ】
0004406545.tif 000003
【図２Ｂ】
0004406545.tif 000004
【図３】
0004406545.tif 000005