(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
積層された複数の誘電体層と、
互いに異なる前記誘電体層間に配置された複数の内部電極層と、
前記誘電体層間にかつ前記内部電極層より前記誘電体層の外周側に、前記内部電極層と所定の間隔をおいて前記内部電極層を取り囲むように配置されたダミー電極層と
を具備し、
前記ダミー電極層の外周面は、前記誘電体層間から露出していることを特徴とする配線基板内蔵用コンデンサ。
【請求項２】
前記内部電極層は、第１の内部電極層と、前記誘電体層を介して前記第１の内部電極層と交互に配置された第２の内部電極層とを備えており、
前記ダミー電極層は、前記第１の内部電極層と同一平面に配置された第１のダミー電極と、前記第２の内部電極層と同一平面に配置された第２のダミー電極層とを備えており、
前記第１の内部電極層と前記第１のダミー電極層との間の第１の隙間と、前記第２の内部電極層と前記第２のダミー電極層との間の第２の隙間とは、前記誘電体層の積層方向において重なり合っていないことを特徴とする請求項１記載の配線基板内蔵用コンデンサ。
【請求項３】
前記第１の隙間の幅及び前記第２の隙間の幅は、それぞれ５０μｍ以上であることを特徴とする請求項２記載の配線板内蔵用コンデンサ。
【請求項４】
前記第１のダミー電極層と前記第２のダミー電極層、及び前記第１のダミー電極層と前記第２の内部電極層又は前記第２のダミー電極と前記第１の内部電極層は、前記誘電体層の積層方向において一部が重なり合っており、
前記誘電体層の積層方向における前記第１のダミー電極層と前記第２のダミー電極層との重なり部分の幅は、前記誘電体層の積層方向における前記第１のダミー電極層と前記第２の内部電極層との重なり部分の幅又は前記第２のダミー電極層と前記第１の内部電極層との重なり部分の幅以上であることを特徴とする請求項２又は３記載の配線板内蔵用コンデンサ。
【請求項５】
前記第１のダミー電極層と前記第２のダミー電極層は、前記誘電体層の積層方向において一部が重なり合っており、
前記誘電体層の積層方向における前記第１のダミー電極層と前記第２のダミー電極層との重なり部分の幅は、１００μｍ以上であることを特徴とする請求項２乃至４のいずれか１項に記載の配線板内蔵用コンデンサ。
【請求項６】
前記内部電極層は、第１の内部電極層と、前記誘電体層を介して前記第１の内部電極層と交互に配置された第２の内部電極層とを備えており、
前記ダミー電極層は、前記第１の内部電極層及び前記第２の内部電極層のうちいずれか一方と同一平面となるように配置されていることを特徴とする請求項１に記載の配線基板内蔵用コンデンサ。
【請求項７】
少なくとも１つの前記誘電体層を前記誘電体層の厚さ方向に貫通し、かつ少なくとも１つの前記内部電極層に電気的に接続されたビア導体をさらに備えることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の配線基板内蔵用コンデンサ。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか１項に記載の配線基板内蔵用コンデンサを内蔵したことを特徴とする配線基板。
【請求項９】
隣接する第１、第２のコンデンサ形成領域において積層された複数の誘電体シートと、
前記第１のコンデンサ形成領域中の前記誘電体シート間に配置された複数の第１領域内部電極パターンと、
前記第２のコンデンサ形成領域中の前記誘電体シート間に配置された複数の第２領域内部電極パターンと、
前記第１領域内部電極パターンおよび、第２領域内部電極パターンと所定の間隔を置いて、かつ前記第１、第２のコンデンサ形成領域の境界及び外周に沿って前記誘電体シート間に配置されたダミー電極パターンと、
前記積層された誘電体シートの前記第１、第２のコンデンサ形成領域の境界に沿って配置される溝部と
を具備することを特徴とする積層体。
【請求項１０】
隣接する第１、第２のコンデンサ形成領域において積層された誘電体層と、
前記第１のコンデンサ形成領域中の前記誘電体層間に配置された複数の第１領域内部電極層と、
前記第２のコンデンサ形成領域中の前記誘電体層間に配置された複数の第２領域内部電極層と、
前記第１領域内部電極層および、第２領域内部電極層と所定の間隔を置いて、かつ前記第１、第２のコンデンサ形成領域の境界及び外周に沿って前記誘電体層間に配置されたダミー電極層と、
前記誘電体層の前記第１、第２のコンデンサ形成領域の境界に沿って配置される溝部と
を具備することを特徴とするコンデンサ集合体。
【請求項１１】
第１のコンデンサ形成領域内に配置される第１領域内部電極パターンと、前記第１のコンデンサ形成領域に隣接する第２のコンデンサ形成領域内に配置される第２領域内部電極パターンと、前記第１領域内部電極パターンおよび、第２領域内部電極パターンと所定の間隔を置いて、かつ前記第１、第２のコンデンサ形成領域の境界及び外周に沿って配置されるダミー電極パターンとを具備する誘電体シートを積層するステップと、
前記積層された誘電体シートを加圧して積層体を形成するステップと、
前記積層体の前記第１、第２のコンデンサ形成領域の境界に沿って溝部を形成するステップと、
前記積層体を焼成するステップと、
前記焼成された積層体を前記溝部に沿って切断して前記第１、第２のコンデンサ形成領域それぞれに対応するコンデンサを形成すると共に、前記ダミー電極パターンの外周面を前記誘電体シート間から露出させるステップと
を具備することを特徴とする配線基板内蔵用コンデンサ製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板内蔵用コンデンサ、配線基板、積層体、コンデンサ集合体、配線基板内蔵用コンデンサ製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、集積回路技術の進歩によりますます半導体チップの動作が高速化している。それに伴い、電源配線等にノイズが重畳されて、誤動作を引き起こすことがある。そこで、半導体チップを搭載する配線基板の上面或いは下面にコンデンサを搭載して、ノイズの除去を図っている。
【０００３】
しかしながら、上記の手法では、配線基板の完成後に、別途コンデンサを搭載する必要があるため、プロセス数が多くなってしまう。また、配線基板にコンデンサを搭載する領域を予め確保する必要があり、他の電子部品の自由度を低下させてしまう。さらに、他の配線等に制限されることによりコンデンサと半導体チップとの配線距離が長くなり、配線が有する抵抗やインダクタンスが大きくなってしまう。
【０００４】
このようなことから、配線基板にコンデンサを内蔵させることが提案されている。配線基板にコンデンサの内蔵させる手法としては、例えば配線基板の中核を成すコア基板に開口を設け、この開口内にコンデンサを収容する手法がある。
【０００５】
この手法においては、コア基板にコンデンサを固定する必要があるため、コア基板の開口内にコンデンサが配置された状態で、コア基板とコンデンサとの間の隙間に樹脂充填材を充填している。具体的には、コア基板の裏面に粘着テープを貼り付けるとともに、コンデンサの裏面が粘着テープに貼り付けられるようにコア基板の開口内にコンデンサを配置して、粘着テープによりコア基板に対するコンデンサの位置を固定した状態で、樹脂充填材を充填する。
【０００６】
しかしながら、従来のコンデンサの端部の厚さは他の部分の厚さより薄くなっているために、コンデンサの端部付近には段差が形成されている。このため、樹脂充填材を充填すると、樹脂充填材がコンデンサの裏面側に入り込んでしまう。その結果、コンデンサの裏面に配置されている外部端子に樹脂充填材が接触してしまい、導通不良を引き起こすおそれやその充填樹脂を取り除く工程が必要となってしまう。
【０００７】
なお、内部電極層の外周面がセラミック層間から露出したコンデンサが開示されている（例えば特許文献１参照）が、内部電極層の片側の外周面しか露出していないので、上記段差は充分に緩和されていないものと考えられる。
【特許文献１】特開２００４−２２８１９０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものである。即ち、配線基板に内蔵させた場合における同通不良を低減させることが可能な配線基板内蔵用コンデンサ、これを備えた配線基板、積層体、コンデンサ集合体、配線基板内蔵用コンデンサ製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一の態様によれば、積層された複数の誘電体層と、互いに異なる前記誘電体層間に配置された複数の内部電極層と、前記誘電体層間にかつ前記内部電極層より前記誘電体層の外周側に、前記内部電極層と所定の間隔をおいて配置されたダミー電極層とを具備し、前記ダミー電極層の外周面は、前記誘電体層間から露出していることを特徴とする配線基板内蔵用コンデンサが提供される。
【００１１】
本発明の他の態様によれば、請求項１乃至７のいずれか１項に記載の配線基板内蔵用コンデンサを内蔵したことを特徴とする配線基板が提供される。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の一及び他の態様の配線基板内蔵用コンデンサによれば、配線基板内蔵用コンデンサの端部付近の段差が充分に緩和されているので、配線基板内蔵用コンデンサを配線基板に内蔵させた場合における導通不良を低減させることができる。また、本発明の他の態様の配線基板によれば、導通不良が低減された配線基板を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
（第１の実施の形態）
以下、図面を参照しながら本発明の第１の実施の形態を説明する。図１は本実施の形態に係る配線基板内蔵用コンデンサの模式的な縦断面図であり、図２（ａ）及び図２（ｂ）は本実施の形態に係る配線基板内蔵用コンデンサの模式的な横断面図である。図３は本実施の形態に係る配線基板内蔵用コンデンサの模式的な平面図である。
【００１４】
図１〜図３に示されるコンデンサ１は、直方体状に形成された積層コンデンサである。コンデンサ１は、コンデンサ１の中核を成すコンデンサ本体２を備えている。コンデンサ本体２は、上下方向に積層された複数のセラミック層３（誘電体層）と、セラミック層３間に配置された複数の内部電極層４，５とから構成されている。
【００１５】
セラミック層３は、例えばチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）のような高誘電率セラミック等のセラミック材料から構成されている。
【００１６】
内部電極層４（第１の内部電極層）及び内部電極層５（第２の内部電極層）は、セラミック層３の積層方向においてセラミック層３を介して交互に配置されている。内部電極層４と内部電極層５とはセラミック層３で電気的に絶縁されている。内部電極層４，５の総数は約１００層程度となっている。内部電極層４，５は主にＮｉ等の導電性材料から構成されているが、セラミック層３を構成するセラミック材料と同様のセラミック材料を含有していても良い。内部電極層４，５の厚さは例えば２μｍ以下となっている。
【００１７】
コンデンサ本体２の表面及び裏面には、例えば電源供給用端子或いはグランド接続用端子として使用される複数の外部端子６〜９が形成されている。なお、外部端子６〜９は、必ずしもコンデンサ本体２の表面及び裏面の両方に形成されている必要はなく、表面及び裏面のいずれか一方に形成されていてもよい。
【００１８】
外部端子６〜９は、主にＮｉ等の導電性材料から構成されているが、外部端子６〜９はセラミック層３を構成するセラミック材料と同様のセラミック材料を含有している。このようなセラミック材料をそれぞれ外部端子６〜９に含ませることにより、セラミック層３と外部端子６〜９との密着性を高めることができる。なお、外部端子６〜９にこのようなセラミック材料を含有させなくともよい。
【００１９】
外部端子６〜９の表面上には、後述する絶縁層４３やビア導体６０等との密着性を向上させるための第１のめっき膜（図示せず）が形成されている。第１のめっき膜は、外部端子６〜９の酸化防止という機能をも有している。第１のめっき膜は例えばＡｕ、或いはＣｕ等の導電性材料から構成されている。
【００２０】
外部端子６〜９と第１のめっき膜との間には、外部端子６〜９と第１のめっき膜との密着性の低下を抑制するための第２のめっき膜（図示せず）が形成されている。詳細に説明すると、上記のように外部端子６〜９にセラミック材料を含有させると、セラミック材料が外部端子６〜９の表面に露出してしまい、外部端子６〜９と第１のめっき膜との密着性が低下するおそれがある。このようなことを抑制するために第２のめっき膜が形成されている。第２のめっき膜は、例えば、外部端子６〜９の主成分である導電性材料と同一の導電性材料から構成されていることが好ましい。なお、セラミック材料を添加した外部端子６〜９に直接めっき処理ができ、密着強度も高い場合には、上記第２のめっき膜を形成させなくても良い。
【００２１】
コンデンサ本体２内には、コンデンサ本体２の表面から裏面にかけてコンデンサ本体２を貫通したビア導体１０，１１が形成されている。なお、ビア導体１０，１１は少なくとも１つのセラミック層３をセラミック層３の厚さ方向に貫通していればよく、必ずしもコンデンサ本体２を貫通していなくともよい。
【００２２】
ビア導体１０，１１は、上面が外部端子６，７に接続され、下面が外部端子８，９に接続され、側面が内部電極層４，５に接続されている。ここで、図２（ａ）に示されるように内部電極層４にはビア導体１１が貫通する領域にクリアランスホール４ａが形成されており、内部電極層４とビア導体１１とは電気的に絶縁されている。また、同様に図２（ｂ）に示されるように内部電極層５にはビア導体１０が貫通する領域にクリアランスホール５ａが形成されており、内部電極層５とビア導体１０とは電気的に絶縁されている。
【００２３】
ビア導体１０，１１は、主にＮｉ等の導電性材料から構成されているが、セラミック層３を構成するセラミック材料と同様のセラミック材料を含有している。このようなセラミック材料をそれぞれビア導体１０，１１に含ませることにより、セラミック層３とビア導体１０，１１との密着性を高めることができる。なお、ビア導体１０，１１にこのようなセラミック材料を含有させなくともよい。
【００２４】
コンデンサ本体２内には、電極としては機能しないダミー電極層１２，１３が配置されている。具体的には、ダミー電極層１２，１３は、セラミック層３間にかつ内部電極層４，５よりセラミック層３の外周側に、内部電極層４，５と所定の間隔をおいて配置されている。
【００２５】
ダミー電極層１２（第１のダミー電極層）は内部電極層４とほぼ同一平面に配置されており、ダミー電極層１３（第２のダミー電極層）は内部電極５とほぼ同一平面に形成されている。具体的には、ダミー電極層１２は内部電極層４が配置されたセラミック層３間と同一の層間に配置されており、ダミー電極層１３は内部電極層５が配置されたセラミック層３間と同一の層間に配置されている。なお、ダミー電極層１２，１３は、内部電極層４，５が配置されたセラミック層３間とは異なる層間に形成されていてもよい。
【００２６】
内部電極層４とダミー電極層１２、及び内部電極層５とダミー電極層１３は、それぞれ電気的に絶縁されている。なお、内部電極層４，５とダミー電極層１２，１３との間の隙間Ｓ１，Ｓ２にはそれぞれセラミック層３が入り込んでおり、内部電極層４，５とダミー電極層１２，１３とは確実に電気的に絶縁されている。
【００２７】
内部電極層４とダミー電極層１２との間の隙間Ｓ１（第１の隙間）と、内部電極層５とダミー電極層１３との間の隙間Ｓ２（第２の隙間）とは、セラミック層３の積層方向においてずれた位置関係にあり、重なり合っていない。なお、内部電極層４とダミー電極層１２との間の隙間Ｓ１同士はそれぞれセラミック層３の積層方向において揃っており、内部電極層５とダミー電極層１３との間の隙間Ｓ２同士はそれぞれセラミック層３の積層方向において揃っている。
【００２８】
隙間Ｓ１（後述する隙間Ｓ１ａ及び隙間Ｓ１ｂを含む。）の幅ｗ１（後述する幅ｗ１ａ及び幅ｗ１ｂを含む。）及び隙間Ｓ２（後述する隙間Ｓ２ａ及び隙間Ｓ２ｂを含む。）の幅ｗ２（後述する幅ｗ２ａ及び幅ｗ２ｂを含む。）は、それぞれ５０μｍ以上であることが好ましい。隙間Ｓ１の幅ｗ１及び隙間Ｓ２の幅ｗ２を上記のように規定したのは、５０μｍ未満であると、後述するセラミックグリーンシート２３，２６の積層時に隙間Ｓ１，Ｓ２にセラミックグリーンシート２３，２６が充填されず、デラミネーションが生ずるおそれがあるからである。
【００２９】
ダミー電極層１２，１３は内部電極層４，５を取り囲むように形成されている。ここで、ダミー電極層１２は、後述するようにスクリーン印刷等の印刷方法を用いて形成されるが、隙間Ｓ１のうちダミー電極層１２の印刷方向と直交する方向に延びる隙間Ｓ１ａの幅ｗ１ａ及びダミー電極層１２の印刷方向と平行な方向に延びる隙間Ｓ１ｂの幅ｗ１ｂはそれぞれ５０〜３５０μｍとなっており、かつ隙間Ｓ１ａの幅ｗ１ａは隙間Ｓ１ｂの幅ｗ１ｂ以上であることが好ましい。隙間Ｓ１ａの幅ｗ１ａ及び隙間Ｓ１ｂの幅ｗ１ｂをそれぞれ５０〜３５０μｍとしたのは、５０μｍ未満であると、印刷時に隙間Ｓ１ａ及び隙間Ｓ１ｂに印刷にじみが生じる場合があり、その場合に信頼性を確保することができなくなる可能性があるからであり、また、３５０μｍを超えると、コンデンサを形成する面積が小さくなり、電気特性が劣化してしまうからである。また、隙間Ｓ１ａの幅ｗ１ａを隙間Ｓ１ｂの幅ｗ１ｂ以上としたのは、印刷の特性上、にじみ等の少ないパターンを形成するためである。
【００３０】
ダミー電極層１３も、後述するようにスクリーン印刷等の印刷方法を用いて形成されるが、上記と同様の理由から隙間Ｓ２のうちダミー電極層１３の印刷方向と直交する方向に延びる隙間Ｓ２ａの幅ｗ２ａ及びダミー電極層１３の印刷方向と平行な方向に延びる隙間Ｓ２ｂの幅ｗ２ｂはそれぞれ５０〜３５０μｍとなっており、かつ隙間Ｓ２ａの幅ｗ２ａは隙間Ｓ２ｂの幅ｗ２ｂ以上であることが好ましい。
【００３１】
ダミー電極層１２，１３の外周面１２ａ，１３ａはセラミック層３間から露出している。ここで、コンデンサ１の端部付近に形成される段差の緩和を考慮すると、ダミー電極層１２，１３における全ての外周面１２ａ，１３ａがセラミック層３間から露出していることが好ましいが、一部の外周面１２ａ，１３ａのみ露出していてもよい。ダミー電極層１２，１３の外周の長さは、セラミック層３の外周の長さの８０％以上であることが好ましい。
【００３２】
ダミー電極層１２の一部は、セラミック層３の積層方向においてダミー電極層１３及び内部電極層５の一部と重なり合っている。ここで、セラミック層３の積層方向におけるダミー電極層１２とダミー電極層１３との重なり部分の幅ｗ３は、セラミック層３の積層方向におけるダミー電極層１２と内部電極層５との重なり部分の幅ｗ４以上となっていることが好ましい。なお、本実施の形態では、ダミー電極層１２の一部が、セラミック層３の積層方向において内部電極層５の一部と重なり合っている例について説明しているが、ダミー電極層１３の一部が、セラミック層３の積層方向において内部電極層４の一部と重なり合っていてもよい。この場合には、セラミック層３の積層方向におけるダミー電極層１２とダミー電極層１３との重なり部分の幅は、セラミック層３の積層方向におけるダミー電極層１３と内部電極層４との重なり部分の幅以上となっていることが好ましい。
【００３３】
セラミック層３の積層方向におけるダミー電極層１２とダミー電極層１３との重なり部分の幅ｗ３は、１００μｍ以上となっていることが好ましい。幅ｗ３を上記のように規定したのは、１００μｍ未満であると、コンデンサの端部が急激に盛り上がった形状となり、コンデンサの端部に形成される段差が充分に緩和されず、樹脂充填材がコンデンサ裏面側に入り込んでしまうおそれがあるからである。
【００３４】
ダミー電極層１２，１３の総数は、コンデンサ１の端部付近に形成される段差の緩和を考慮すると、内部電極層４，５の総数の半分（約５０層程度）以上であることが好ましく、内部電極層４，５の総数とほぼ同数（約１００層程度）であることがより好ましい。
【００３５】
ダミー電極層１２，１３は導電性材料から構成されているが、ダミー電極層１２，１３を構成する導電性材料は、後述するセラミックグリーンシート２３，２６等の焼成時の影響や形成工程を考慮すると、内部電極層４，５を構成する導電性材料と同じ材料であることが好ましい。また、同様の理由からダミー電極層１２，１３の厚さは内部電極層４，５の厚さとほぼ同じ厚さ（例えば２μｍ以下）となっていることが好ましい。
【００３６】
なお、コンデンサ１の外周面１ａの４箇所の角部には、図３に示されるように面取り寸法Ｃ１が０．６ｍｍ以上の平面状の面取り部１ｂが形成されている。ここで、コンデンサ１の外周面１ａとは、コンデンサ１における外部端子６〜９が形成される面以外の側面であり、具体的には、コンデンサ１の外周面１ａは、セラミック層３の外周面３ａとダミー電極層１２，１３の外周面１２ａ，１３ａとから構成されている。面取り寸法Ｃ１とは、図３に示される長さである。面取り寸法Ｃ１は、実際に測定してもよいが、Ｃ面長Ｃ２から求めることも可能である。Ｃ面長Ｃ２とは図３に示されるような線分の長さであり、Ｃ面長Ｃ２を√２で割った値が面取り寸法Ｃ１である。
【００３７】
面取り寸法Ｃ１は、コンデンサ製作上の観点から０．８ｍｍ以上１．２ｍｍ以下であることが望ましい。なお、面取り部１ｂの代わりに或いは面取り部１ｂとともに、曲率半径が０．６ｍｍ以上の丸み部がコンデンサ１の外周面１ａの少なくとも１箇所の角部に形成されていてもよい。この場合、丸み部の曲率半径は、コンデンサ製作上の観点から０．８ｍｍ以上１．２ｍｍ以下であることが望ましい。
【００３８】
コンデンサ１は、例えば、以下の手順により作製することが可能である。なお、本実施の形態では、複数のコンデンサ１を一度に作製するプロセスについて説明する。図４（ａ）及び図４（ｂ）は本実施の形態に係る配線基板内蔵用コンデンサの製造工程を模式的に示した断面図及び平面図であり、図５（ａ）及び図５（ｂ）は本実施の形態に係る配線基板内蔵用コンデンサの製造工程を模式的に示した断面図及び平面図であり、図６（ａ）及び図６（ｂ）は本実施の形態に係る配線基板内蔵用コンデンサの製造工程を模式的に示した断面図であり、図７（ａ）及び図７（ｂ）は本実施の形態に係る配線基板内蔵用コンデンサの製造工程を模式的に示した平面図である。
【００３９】
まず、それぞれ表面に例えばスクリーン印刷により焼成後内部電極層４となる内部電極パターン２１及び焼成後ダミー電極層１２となるダミー電極パターン２２が形成され、焼成後セラミック層３となる複数のセラミックグリーンシート２３（誘電体シート）を用意する（図４（ａ）及び図４（ｂ））。
【００４０】
また、それぞれ表面に例えばスクリーン印刷により焼成後内部電極層５となる内部電極パターン２４及び焼成後ダミー電極層１３となるダミー電極パターン２５が形成され、焼成後セラミック層３となる複数のセラミックグリーンシート２６（誘電体シート）を用意する（図５（ａ）及び図５（ｂ））。
【００４１】
本実施の形態では、複数のコンデンサ１を一度に作製するので、各セラミックグリーンシート２３の表面には複数の内部電極パターン２１及び複数のダミー電極パターン２２が形成されているとともに、各セラミックグリーンシート２６には複数の内部電極パターン２４及び複数のダミー電極パターン２５が形成されている。ここで、図４（ｂ）及び図５（ｂ）に示される破線は、個々のコンデンサの境界線を表しているが、ダミー電極パターン２２，２５の外周はこの境界線まで形成されている。なお、ダミー電極パターン２２，２５は隣り合うダミー電極パターン２２，２５と一体的に形成されている。
【００４２】
内部電極パターン２１，２４は、図４（ｂ）及び図５（ｂ）に示される破線で囲まれる領域（以下、この領域を「コンデンサ形成領域」と称する。）Ｒ内にそれぞれ形成されている。内部電極パターン２１，２４には、クリアランスホール４ａ，５ａとなるクリアランスホール２１ａ，２４ａが形成されている。
【００４３】
ダミー電極パターン２２，２５は、内部電極パターン２１，２４よりセラミックグリーンシート２３，２６の外周側に、内部電極パターン２１，２４と所定の間隔をおいて内部電極パターン２１，２４を取り囲むように形成されている。なお、ダミー電極パターン２２，２５の内周はコンデンサ形成領域Ｒ内に位置している。
【００４４】
ダミー電極パターン２２，２５は、内部電極パターン２１，２４を形成する工程と別の工程で形成してもよいが、効率の面から内部電極パターン２１，２４を形成する工程と同じ工程で形成することが好ましい。
【００４５】
次いで、所定枚のセラミックグリーンシートを積層して形成されたカバー層２７上に、内部電極パターン２１等が形成されたセラミックグリーンシート２３と、内部電極パターン２４等が形成されたセラミックグリーンシート２６とを交互に積層し、さらにその上にカバー層２７と同様の手順により形成されたカバー層２８を積層し、加圧して、積層体２９を形成する。その後、積層体２９の表面から裏面にかけて貫通するビアホールを形成し、ビアホールに導電性ペーストを圧入して、焼成後ビア導体１０，１１となるビア導体ペースト３０を形成する（図６（ａ））。
【００４６】
次いで、ビア導体ペースト３０が形成された積層体２９上に、同様の手順により形成された積層体２９を重ねて、加圧して、積層体３１を形成する。その後、積層体３１の表面及び裏面に、例えばスクリーン印刷等によりビア導体ペースト３０に接続された焼成後外部端子６〜９となる外部端子パターン３２を形成する（図６（ｂ））。
【００４７】
外部端子パターン３２を形成した後、例えばパンチング等により、コンデンサ１の角部となる箇所のセラミックグリーンシート２３，２６とダミー電極パターン２２，２５の部分を矩形状に打ち抜き、面取り部１ｂとなる部分３１ａを形成する（図７（ａ））。また、レーザ等により図７（ａ）に示される破線に沿ったブレイク溝を形成する。
【００４８】
その後、これらを脱脂し、さらに所定温度で所定時間焼成する。この焼成により、これにより、セラミックグリーンシート２３等が焼結して、セラミック層３が形成されるとともに、内部電極パターン２１等が焼結して、内部電極層４等が形成される。
【００４９】
焼成後、外部端子６〜９の表面に例えば無電解めっき等により第２のめっき膜を形成し、さらに第２のめっき膜の表面に例えば無電解めっき等により第１のめっき膜を形成する。なお、セラミック材料を添加した外部端子６〜９に直接めっき処理ができ、密着強度も高い場合には、上記第２のめっき膜を形成させなくても良い。
【００５０】
そして、最後に、図７（ａ）に示される破線に沿って隣り合うコンデンサ１を切り離す（図７（ｂ））。これにより、図１に示されるコンデンサ１が複数作製される。
【００５１】
コンデンサ１は、配線基板に内蔵されて使用される。以下、コンデンサ１を内蔵した配線基板について説明する。図８は本実施の形態に係る配線基板内蔵用コンデンサが内蔵された配線基板の模式的な縦断面図である。
【００５２】
図８に示される配線基板４０は、直方体状に形成されたオーガニック基板である。配線基板４０は、例えばセラミック粒子或いは繊維をフィラーとして強化された高分子材料を主体に構成されている。
【００５３】
配線基板４０は、配線基板４０の中核を成す配線基板本体としての例えばコア基板４１を備えている。コア基板４１は、例えばガラス−エポキシ樹脂複合材料等から形成されたコア材４１ａ、及びコア材４１ａの両面に形成され、所望のパターンを有する例えばＣｕ等の配線層４１ｂ等から構成されている。
【００５４】
コア基板４１には、コア基板４１の上下方向に貫通した複数のスルーホールが形成されており、スルーホールには配線層４１ｂに電気的に接続されたスルーホール導体４１ｃが形成されている。
【００５５】
コア基板４１の中央部には、コンデンサ１を収容するためのコンデンサ収容部としての例えば開口４１ｄが形成されている。開口４１ｄは、コンデンサ１より大きな例えば直方体状に形成されており、開口４１ｄ内にはコンデンサ１が収容されている。なお、コア基板４１のコンデンサ収容部は、開口４１ｄに限らず、凹部であってもよい。
【００５６】
コア基板４１の内側面４箇所の隅部には、曲率半径が０．１ｍｍ以上２ｍｍ以下の丸み部或いは面取り寸法が０．１ｍｍ以上２ｍｍ以下の面取り部が形成されている。
【００５７】
コア基板４１とコンデンサ１との間の隙間には、充填材としての例えば高分子材料等からなる樹脂充填材４２が充填されており、この樹脂充填材４２を介してコンデンサ１がコア基板４１に対して固定されている。
【００５８】
ここで、コア基板４１とコンデンサ１との間の隙間への樹脂充填材４２の充填は、例えば、コア基板４１の裏面に粘着テープを貼り付けるとともに、コンデンサ４１の裏面が粘着テープに貼り付けられるようにコア基板４１の開口４１ｄ内にコンデンサ１を配置して、粘着テープによりコア基板４１に対するコンデンサ１の位置を固定した状態で、行われる。なお、樹脂充填材４２は、コア基板４１とコンデンサ１との面内方向及び厚さ方向の熱膨張差を自身の弾性変形により吸収する作用をも有する。
【００５９】
コア基板４１及びコンデンサ１の表面の上方、及びコア基板４１及びコンデンサ１の裏面の下方には、ビルドアップ配線層が形成されている。ビルドアップ配線層は、例えばエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂から構成された絶縁層４３〜４９を備えている。絶縁層４３，４４間等には、例えばＣｕ等の導電性材料から構成された配線層５０〜５５が形成されている。
【００６０】
絶縁層４６の表面及び絶縁層４９の裏面は、例えば感光性樹脂組成物等からなるソルダーレジスト５６，５７により覆われている。ソルダーレジスト５６，５７には開口が形成されており、開口から半導体チップ（図示せず）に電気的に接続するための端子５８及び例えば主基板（図示せず）等に接続するための端子５９が露出している。端子５８にはビア導体６０等を介して外部端子６，７及び配線層４１ｂ等が電気的に接続されており、端子５９にはビア導体６１を介して外部端子８，９及び配線層４１ｂ等が電気的に接続されている。
【００６１】
本実施の形態では、内部電極層４，５よりセラミック層３の外周側にダミー電極層１２，１３を形成しているので、コンデンサ１の端部の厚さを厚くすることができ、コンデンサの端部付近に形成される段差が緩和されたコンデンサ１を提供することができる。これにより、樹脂充填材４２をコア基板４１とコンデンサ１との隙間に充填する際に、樹脂充填材４２がコンデンサ１の裏面側へ入り込み難くなる。その結果、樹脂充填材４２がコンデンサ１の裏面に配置された外部端子８，９と接触し難くなるので、導通不良を低減させることができる。なお、例えば外部端子６，７の表面から外部端子８，９の裏面までの距離が０．８７ｍｍである場合、ダミー電極層１２，１３を形成していない場合には、コンデンサの端部付近の段差は４０〜５０μｍであったのに対し、ダミー電極層１２，１３を形成した場合には、コンデンサの端部付近の段差は１０μｍ程度まで緩和されていた。
【００６２】
本実施の形態では、内部電極層４，５と所定の間隔をおいてダミー電極層１２，１３を形成しているので、外部端子６〜９に第１及び第２のめっき膜を形成する際に、ダミー電極層１２，１３にめっき液が付着した場合であっても、内部電極層４，５にはめっき液が付着し難い。これにより、内部電極層４，５間が電気的に短絡し難く、導通不良を低減することができる。
【００６３】
内部電極層４とダミー電極層１２との間の隙間Ｓ１と、内部電極層５とダミー電極層１３との間の隙間Ｓ２とがセラミック層３の積層方向において重なり合っている場合には、セラミック層３の積層方向において内部電極層４，５及びダミー電極層１２，１３の両方が存在しない部分が存在してしまう。このような部分は、内部電極層４，５及びダミー電極層１２，１３が存在しないので、他の部分より厚さが薄くなってしまい、局部的に凹んだ形状となる。この凹みがコンデンサ１の外周から比較的近い箇所に形成された場合には、樹脂充填材４２がコンデンサ１の裏面側へ入り込んでしまうおそれがある。これに対し、本実施の形態では、内部電極層４とダミー電極層１２との間の隙間Ｓ１と、内部電極層５とダミー電極層１３との間の隙間Ｓ２とがセラミック層３の積層方向において重なり合っていないので、このような局所的な凹みが形成され難くなり、導通不良をより低減させることができる。
【００６４】
本実施の形態では、コンデンサ１の外周面１ａの角部に面取り寸法Ｃ１が０．６ｍｍ以上の面取り部１ｂが形成されているので、樹脂充填材４２のコンデンサ１側の隅部に熱応力が集中し難く、樹脂充填材４２のコンデンサ１側の隅部におけるクラックの発生を抑制することができる。なお、コンデンサ１の外周面１ａの角部に曲率半径が０．６ｍｍ以上の丸み部１ｃが形成されている場合であっても、面取り部１ｂと同様の効果が得られる。
【００６５】
本実施の形態では、コンデンサ１の外周面１ａの角部に面取り部１ｂや丸み部が形成されているので、面取り部１ｂや丸み部が形成されていない場合に比べて、コンデンサ１の角部付近に存在する信号線からセラミック層４までの距離が大きくなる。これにより、コンデンサ１の角部付近に存在する信号線の信号遅延を低減させることができる。
【００６６】
（第２の実施の形態）
以下、図面を参照しながら本発明の第２の実施の形態を説明する。本実施の形態では、第１の内部電極層及び第２の内部電極層のうちいずれか一方とほぼ同一平面となるようにダミー電極層が配置されている例について説明する。なお、本実施の形態及びそれ以降の実施の形態においては、第１の実施の形態で説明した部材と同一の部材には同一の符号が付してあるとともに、第１の実施の形態で説明した内容と重複する内容は省略することがある。図９は本実施の形態に係る配線基板内蔵用コンデンサの模式的な縦断面図である。
【００６７】
図９に示されるように、本実施の形態のコンデンサ７０は、ダミー電極層１２は配置されているが、第１の実施の形態のダミー電極層１３に該当する電極層は配置されていない。なお、内部電極層５の外周面はセラミック層３間から露出していない。
【００６８】
本実施の形態では、内部電極層４の外周側にダミー電極層１２を配置しているので、第１の実施の形態で説明した効果と同様の効果が得られる。なお、図９に示すダミー電極層１２を配置せずに第１の実施の形態に該当するダミー電極層１３を配置してもよく、この場合においても、本実施の形態と同様の効果が得られる。
【００６９】
（第３の実施の形態）
以下、図面を参照しながら本発明の第３の実施の形態を説明する。本実施の形態では、ダミー電極層を形成せずに、ほぼ全ての内部電極層において内部電極層の全ての外周面をセラミック層間から露出させた例について説明する。図１０は本実施の形態に係る配線基板内蔵用コンデンサの模式的な縦断面図であり、図１１（ａ）及び図１１（ｂ）は本実施の形態に係る配線基板内蔵用コンデンサの模式的な横断面図である。
【００７０】
図１０〜図１１（ｂ）に示されるように、本実施の形態のコンデンサ８０は、ほぼ全ての内部電極層４，５におけるほぼ全ての外周面４ｂ，５ｂがセラミック層間３から露出している。また、本実施の形態においても、コンデンサ８０の外周面８０ａには、面取り部８０ｂが形成されているが、本実施の形態においては、コンデンサ８０の外周面８０ａは、セラミック層３の外周面３ａと内部電極層４，５の外周面４ｂ，５ｂとから構成されている。
【００７１】
コンデンサ８０は、例えば、以下の手順により作製することが可能である。図１２（ａ）及び図１２（ｂ）は本実施の形態に係る配線基板内蔵用コンデンサの製造工程を模式的に示した平面図である。
【００７２】
本実施の形態のコンデンサ８０は、上記第１の実施の形態で説明した手順とほぼ同様の手順により作製することが可能であるが、図１２（ａ）及び図１２（ｂ）に示されるように各セラミックグリーンシート２３，２６の表面には第１の実施の形態でのダミー電極パターン２２，２５が形成されていないとともに、内部電極パターン２１，２４の外周はコンデンサの境界線まで形成されている。なお、内部電極パターン２１，２４は隣り合う内部電極パターン２１，２４と一体的に形成されている。
【００７３】
本実施の形態では、ほぼ全ての内部電極層４，５においてほぼ全ての外周面４ｂ，５ｂをセラミック層３間から露出させているので、第１の実施の形態で説明した効果と同様の効果が得られる。
【００７４】
（第４の実施の形態）
以下、図面を参照しながら本発明の第４の実施の形態を説明する。本実施の形態では、内部電極パターンが形成されるセラミックグリーンシートとは異なるセラミックグリーンシートの表面にかつクリアランスホールに対応する位置にセラミックパターンを形成する例について説明する。
【００７５】
以下、コンデンサを作製するプロセスについて説明する。図１３（ａ）及び図１３（ｂ）は本実施の形態に係るセラミックパターンが形成されたセラミックグリーンシートの側面図及び平面図であり、図１４は本実施の形態に係る配線基板内蔵用コンデンサの製造工程を模式的に示した断面図である。
【００７６】
まず、カバー層２７，２８を構成し、セラミックパターン３５（誘電体パターン）が形成されたセラミックグリーンシート３６（誘電体シート）を複数枚用意する（図１３（ａ）及び図１３（ｂ））。なお、本実施の形態では、セラミックパターン３５は、カバー層２７，２８を構成するセラミックグリーンシート２６の表面に形成されているが、内部電極パターン２１，２４が形成されるセラミックグリーンシート２３，２６の表面にかつクリアランスホール２１ａ，２４ａ内に形成してもよい。
【００７７】
セラミックパターン３５は、クリアランスホール２１ａ，２４ａに対応する位置に形成されている。セラミックパターン３５を構成する材料は、セラミックグリーンシート３６を構成するセラミック材料と同じ材料であることが好ましい。
【００７８】
セラミックグリーンシート３６等を用意した後、セラミックパターン３５が形成されたセラミックグリーンシート３６と、内部電極パターン２１等が形成されていない所定枚のセラミックグリーンシートとを積層して、カバー層２７を作製する。そして、カバー層２７上に内部電極パターン２１及びダミー電極パターン２２が形成されたセラミックグリーンシート２３と内部電極パターン２４及びダミー電極パターン２５が形成されたセラミックグリーンシート２６とを交互に積層し、さらにその上に同様の手順により形成したカバー層２８を積層する。その後、これらを加圧して、積層体９０を形成する。積層体９０を形成した後、積層体９０の表面から裏面にかけて貫通するビアホールを形成し、ビアホールに導電性ペーストを圧入して、焼成後ビア導体１０，１１となるビア導体ペースト３０を形成する（図１４）。以下の製造工程は、第１の実施の形態と同様であるので、説明を省略する。
【００７９】
通常、クリアランスホールが存在する部分のコンデンサ本体の厚さは一方の内部電極層が存在しないため、コンデンサ本体の他の部分の厚さより薄くなる。これに対し、本実施の形態では、クリアランスホール２１ａ，２４ａに対応する位置のカバー層２７，２８にセラミックパターン３５を形成しているので、クリアランスホール２１ａ，２４ａが存在する部分のコンデンサ本体２の厚さを厚くすることができ、コンデンサ本体２の他の部分の厚さとほぼ同じ厚さにすることができる。なお、セラミックパターン３５を内部電極パターン２１，２４が形成されるセラミックグリーンシート２３，２６の表面にかつクリアランスホール２１ａ，２４ａ内に形成した場合であっても、上記と同様の効果が得られる。
【００８０】
内部電極パターン２１，２４が形成されるセラミックグリーンシート２３，２６の表面にかつクリアランスホール２１ａ，２４ａ内に、厚さが内部電極パターン２１，２４より厚いセラミックパターンを形成すると、セラミックグリーンシート２３等を積層する際にセラミックパターンが変形して、内部電極パターン２１，２４が位置ズレを起こすおそれがある。これに対し、本実施の形態では、内部電極パターン２１，２４が形成されるセラミックグリーンシート２３，２６とは異なるセラミックグリーンシート３６の表面にかつクリアランスホール２１ａ，２４ａに対応する位置にセラミックパターン３５を形成しているので、内部電極パターン２１，２４の厚さより厚いセラミックパターン３５を形成し、セラミックパターン３５が多少変形した場合であっても、セラミックグリーンシート３６には内部電極パターン２１，２４が形成されていないので、セラミックグリーンシート２３等を積層する際における内部電極パターン２１，２４の位置ズレが生じ難い。
【００８１】
（第５の実施の形態）
以下、図面を参照しながら本発明の第５の実施の形態を説明する。本実施の形態では、コンデンサをコア基板上の絶縁層内に配置させた例について説明する。図１５は本実施の形態に係る配線基板内蔵用コンデンサが内蔵された配線基板の模式的な縦断面図である。
【００８２】
図１５に示されるように、配線基板１００のコア基板４１には開口が形成されておらず、コンデンサ１１０はコア基板４１上の絶縁層４４内に配置されている。本実施の形態のコンデンサ１１０は内部電極層４，５の総数が約１０層程度となっており、第１〜第３の実施の形態で説明したコンデンサ１，７０，８０の厚さより薄くなっている。なお、本実施の形態では、コンデンサ１１０は第１の実施の形態で説明したコンデンサ１と同様の構造であるが、第２，第３の実施の形態で説明したコンデンサ７０，８０と同様の構造であってもよい。
【００８３】
コンデンサ１１０は、例えば以下の手順により、絶縁層４４内に配置することが可能である。まず、コア基板４１上に形成された絶縁層４３上に、ダミー電極層１２，１３が形成されたコンデンサ本体２を配置する。その後、コンデンサ本体２上に絶縁層４４を載置し、これらを加熱しながら加圧する。これにより、コンデンサ本体２上の絶縁層４４がコンデンサ本体２の側方に流動して、絶縁層４４内にコンデンサ本体２が配置される。さらにその後、配線層４１ｂの直上に、絶縁層４３，４４及びコンデンサ本体２を貫通したビアホールを形成し、このビアホール内に配線層４１ｂに接続されたビア導体１０，１１を形成するとともに、コンデンサ本体２の表面に外部端子６，７を形成して、コンデンサ１１０を完成させる。
【００８４】
コンデンサの厚さが極めて薄い場合、コンデンサの機械的強度が低下するとともにコンデンサに反りが発生してしまうおそれがある。これに対し、本実施の形態では、ダミー電極１２，１３を備えているので、コンデンサ１１０の機械的強度を向上させることができるとともにコンデンサ１１０に発生する反りを低減させることができる。なお、本実施の形態のコンデンサ１１０として第２，第３の実施の形態で説明したコンデンサ７０，８０を使用した場合にも同様の効果が得られる。
【００８５】
本実施の形態では、コア基板４１上に形成された絶縁層４４内にコンデンサ１１０を配置しているので、コンデンサ１１０と半導体チップとの距離をより短くすることができる。これにより、配線抵抗やインダクタンスをより低減させることができる。
【００８６】
なお、第２の実施の形態において、内部電極層４の外周側にダミー電極層１２を配置している場合は、内部電極層５の少なくとも一部の外周面がセラミック層３から露出していてもよい。また、内部電極層５の外周側にダミー電極層１３を配置している場合は、内部電極層４の少なくとも一部の外周面がセラミック層３から露出していてもよい。外周付近の誘電体層間の一部において、ダミー電極層に該当する電極層が配置されていないことによる段差を緩和することができる。
【００８７】
本発明は上記実施の形態の記載内容に限定されるものではなく、構造や材質、各部材の配置等は、本発明の要旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
【図面の簡単な説明】
【００８８】
【図１】第１の実施の形態に係る配線基板内蔵用コンデンサの模式的な縦断面図である。
【図２】（ａ）及び（ｂ）は第１の実施の形態に係る配線基板内蔵用コンデンサの模式的な横断面図である。
【図３】第１の実施の形態に係る配線基板内蔵用コンデンサの模式的な平面図である。
【図４】（ａ）及び（ｂ）は第１の実施の形態に係る配線基板内蔵用コンデンサの製造工程を模式的に示した断面図及び平面図である。
【図５】（ａ）及び（ｂ）は第１の実施の形態に係る配線基板内蔵用コンデンサの製造工程を模式的に示した断面図及び平面図である。
【図６】（ａ）及び（ｂ）は第１の実施の形態に係る配線基板内蔵用コンデンサの製造工程を模式的に示した断面図である。
【図７】（ａ）及び（ｂ）は第１の実施の形態に係る配線基板内蔵用コンデンサの製造工程を模式的に示した平面図である。
【図８】第１の実施の形態に係る配線基板内蔵用コンデンサが内蔵された配線基板の模式的な縦断面図である。
【図９】第２の実施の形態に係る配線基板内蔵用コンデンサの模式的な縦断面図である。
【図１０】第３の実施の形態に係る配線基板内蔵用コンデンサの模式的な縦断面図である。
【図１１】（ａ）及び（ｂ）は第３の実施の形態に係る配線基板内蔵用コンデンサの模式的な横断面図である。
【図１２】（ａ）及び（ｂ）は第３の実施の形態に係る配線基板内蔵用コンデンサの製造工程を模式的に示した平面図である。
【図１３】（ａ）及び（ｂ）は第４の実施の形態に係るセラミックパターンが形成されたセラミックグリーンシートの側面図及び平面図である。
【図１４】第４の実施の形態に係る配線基板内蔵用コンデンサの製造工程を模式的に示した断面図である。
【図１５】第５の実施の形態に係る配線基板内蔵用コンデンサが内蔵された配線基板の模式的な縦断面図である。
【符号の説明】
【００８９】
１，７０，８０，１１０…コンデンサ、３…セラミック層、４，５…内部電極層、４ｂ，５ｂ…外周面、１０，１１…ビア導体、１２，１３…ダミー電極層、１２ａ，１３ａ…外周面、４０，１００…配線基板、４１…コア基板、４２…樹脂充填材。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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