(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化アルミニウム成形体と、所定の配線パターンを形成するように窒化アルミニウム成形体に印刷された導体ペーストとを同時焼成することにより、窒化アルミニウム基板にメタライズ層を一体に形成した窒化アルミニウムメタライズ基板において、上記窒化アルミニウムメタライズ基板は、１００ＭＨｚ以上の高周波信号を処理する半導体素子を搭載するものであり、上記窒化アルミニウム基板の熱抵抗が５℃／Ｗ以下であり、厚さが１．５ｍｍ以下であり、熱伝導率が１９０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であり、平均結晶粒径が５μｍ以下であり、かつ誘電損失が８．５以下である一方、上記メタライズ層の厚さが１〜２０μｍであり、上記メタライズ層上に液相成分の滲み出しがない外観を有することを特徴とする窒化アルミニウムメタライズ基板。
【請求項２】
メタライズ層がタングステン（Ｗ）およびモリブデン（Ｍｏ）の少なくとも一方の高融点金属から成ることを特徴とする請求項１記載の窒化アルミニウムメタライズ基板。
【請求項３】
窒化アルミニウム基板は、複数の基板要素を積層した多層構造を有することを特徴とする請求項１記載の窒化アルミニウムメタライズ基板。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載の窒化アルミニウムメタライズ基板に、１００ＭＨｚ以上の高周波信号を処理する半導体素子を搭載したことを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板表面にメタライズ層を有する窒化アルミニウムメタライズ基板およびそれを用いた半導体装置に係り、特に高い熱伝導率および良好な高周波特性を有し、かつ同時焼成法によって製造可能な窒化アルミニウムメタライズおよび半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子機器の小型化および高密度化が進行し、半導体部品の高出力化も急速に進展しており、半導体部品等の電子機器において発生する熱量も大幅に増大する傾向にある。この発熱によって電子機器の動作が阻害されることを防止するため、半導体部品等から発生する熱をいかに効率的に放散させる方策を得ることが重要な技術的課題になっている。
【０００３】
窒化アルミニウム（ＡｌＮ）は、高い熱伝導率を有し、電気絶縁性が良好であり、Ｓｉとほぼ同一の熱膨張率を有するなどの優れた特性を有するため、特に高出力化した半導体部品搭載用の基板材料として好適である。
【０００４】
ところで、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を半導体部品搭載用基板として使用するためには、回路の形成や電子部品の搭載部の形成等を目的として、ＡｌＮ基板表面に導電性金属からなるメタライズ層を形成する必要がある。メタライズを実施する方法の一つとして、同時焼成法（コ・ファイア法：Ｃｏ−ｆｉｒｅ法）が用いられ、一般には、以下に示すような手順で基板表面にメタライズ層が形成される。
【０００５】
すなわち、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）粉末に、有機化合物よりなる結合剤および溶剤を添加してスラリー化し、このスラリーをドクターブレード法によりシート状に成形し、ＡｌＮグリーンシートを得る。そして、このＡｌＮグリーンシートの表面に、ＷまたはＭｏなどの高融点金属粉末を含有する導電体ペーストを印刷し、得られた成形体を加熱脱脂した後、非酸化性雰囲気で焼結して、ＡｌＮメタライズ基板を得る。
【０００６】
同時焼結法では、ＡｌＮ基板の焼結とメタライズ層のＡｌＮ基板への焼き付けとが一回の焼成で同時に行われるため、焼成後にメタライズを改めて実施する方法（ポスト・ファイア法）に比べ、製造工程数が少ないという利点を有する。
【０００７】
一方、半導体素子の消費電力の増大に伴い、その半導体素子を搭載する基板材料として、より熱放散性が良い高熱伝導率のＡｌＮ基板への要求が高まっており、実際に１９０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の高熱伝導率を有するＡｌＮ基板が要求されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、１９０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱伝導率を得るためには、成形体を１８００℃を超える高い焼成温度で焼結する必要があるが、１８００℃を超える高温で焼結すると、ＡｌＮ成形体内のガラス成分が溶出したり、またガラス成分が溶浸したりする等の問題を有していた。
【０００９】
すなわち、焼結時にＡｌＮ成形体中のガラス成分が基板表面に溶出すると、ＡｌＮ基板表面にシミや変色等が発生する原因となる。また、ガラス成分がメタライズ層中に溶浸し、メタライズ表面に滲み出してしまうと、メタライズ部の外観不良かつ半田付け性の低下などが生じ、各種素子などの電子部品の接合強度や耐久性が低下してしまう。
【００１０】
したがって、上記メタライズ部の外観不良や半田付け性の低下を防止するために、従来ではガラス成分がメタライズ表面に滲み出すことがない１８００℃以下の比較的に低温度で焼成する必要があった。このため、同時焼成法で作製できるＡｌＮメタライズ基板の熱伝導率は１８０Ｗ／ｍ・Ｋ程度が上限値となっており、熱伝導率が１９０Ｗ／ｍ・Ｋ以上で、かつ表面にメタライズ層を有する同時焼成法によるＡｌＮメタライズ基板はこれまで得られていなかった。
【００１１】
そこで、従来はあらかじめ１８００℃を超える高温で焼結した、熱伝導率１９０Ｗ／ｍ・Ｋ以上のＡｌＮ基板を準備しておき、表面に滲み出してきたガラス成分を研磨等により除去した後、ＡｌＮ基板表面に高融点金属ペーストを印刷し、焼き付けるポストファイア法（Ｐｏｓｔ−ｆｉｒｅ法）が採用されていた。
【００１２】
しかしながら、ポストファイア法の場合、同時焼成法に比べて加工工数が多く、また、滲み出したガラス成分を研磨等により除去する煩雑な工程が必要となることから、製造コストが上昇し、また微細配線が形成できない等の問題があった。また、研磨代に相当する分だけ、あらかじめＡｌＮ基板を厚く形成する必要があるなどの手間を要し、製造効率が悪い等の問題を有していた。
【００１３】
また、ポストファイア法によるメタライズ法以外にも、基板表面に薄膜を形成する方法も用いられている。例えば、蒸着による薄膜形成、真空蒸着法の一種であるスパッタ法または化学蒸着法（ＣＶＤ：ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）などの方法も用いられているが、このような方法では、ポストファイア法に比べてさらに製造工程数が多く、かつポストファイアと同様に、基板表面の研磨等も必要である等の問題を有していた。
【００１４】
一方、半導体装置の高速化が進行し、半導体素子の動作周波数が増大するにつれて、基板の高周波特性の良否が大きな問題となっている。具体的には、セラミックス基板に搭載する半導体素子の動作周波数が１００ＭＨｚを超えるように高速化すると、セラミックス基板の誘電損失によって動作信号の劣化が生じ易く、高周波の信号処理が困難になり、半導体装置の動作信頼性が大幅に低下する問題点もあった。このような背景から、誘電損失が、より小さな基板材料を実現することが技術上の課題となっていた。
【００１５】
本発明は、このような課題を解決するためになされたものであり、熱伝導率が高く優れた熱放散性を有し、かつ、１００ＭＨｚ以上の高周波領域においても使用可能であり、同時焼成法によって製造可能な窒化アルミニウムメタライズ基板および半導体装置を提供することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本願発明者らは鋭意研究を重ねた結果、ＡｌＮ基板の厚さを適宜調整することにより、ガラス成分がＡｌＮ基板表面に溶出せず、かつ、熱抵抗が５℃／Ｗ以下であり、熱伝導率が１９０Ｗ／ｍ・Ｋ以上となる焼成条件が存在することを見出した。すなわち、ＡｌＮ基板の厚さが１．５ｍｍを超えると、１８００℃より高い温度で焼成しないと熱抵抗が５℃／Ｗ以下で熱伝導率が１９０Ｗ／ｍ・Ｋ以上とならない。しかし、このような高温で焼成すると、ガラス成分がＡｌＮ基板の裏面に移動するだけでなく、ＡｌＮ基板の表面にも滲み出してきて、前記のように高品質のＡｌＮ基板が得られない。
【００１７】
しかし、本願発明者らは、ＡｌＮ基板の厚さを１．５ｍｍ以下とすることにより、１８００℃以下の温度で焼成した場合においても、熱抵抗が５℃／Ｗ以下と低く、熱伝導率が１９０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の窒化アルミニウム基板が得られることを見い出した。すなわち、ＡｌＮ基板の厚さを１．５ｍｍ以下、好ましくは１．０ｍｍ以下とすると、焼成時のＡｌＮ基板内のガラス成分は重力によりＡｌＮ基板裏面に移動し、さらにセッター中へ吸収されるため、ＡｌＮ基板表面にガラス成分が溶出することがない。従って、ＡｌＮ基板表面へのガラス成分の溶出が生じず、外観不良などの問題は解消されるという知見を得た。本願発明者らは、このような知見に基づいて発明を完成したものである。
【００１８】
すなわち、本発明に係る窒化アルミニウムメタライズ基板は、窒化アルミニウム成形体と、所定の配線パターンを形成するように窒化アルミニウム成形体に印刷された導体ペーストとを同時焼成することにより、窒化アルミニウム基板にメタライズ層を一体に形成した窒化アルミニウムメタライズ基板において、窒化アルミニウム基板の熱抵抗が５℃／Ｗ以下であり、かつ誘電損失が８．５以下であることを特徴とする。
【００１９】
また、上記ＡｌＮメタライズ基板において、窒化アルミニウム基板の厚さが１．５ｍｍ以下であることが好ましい。さらに、窒化アルミニウム基板の熱伝導率が１９０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることが望ましい。また、窒化アルミニウム基板の平均結晶粒径が５μｍ以下であることか好ましい。
【００２０】
さらに本発明において、メタライズ層をタングステン（Ｗ）およびモリブデン（Ｍｏ）の少なくとも一方の高融点金属から構成してもよい。また、窒化アルミニウム基板は、複数の基板要素を積層した多層構造を有するように構成することもできる。
【００２１】
本発明に係るＡｌＮメタライズ基板において、ＡｌＮ基板の厚さは、メタライズ層の厚さを除いた窒化アルミニウムの実質的な厚さを示す。すなわち、窒化アルミニウム基板が、一枚からなる単層構造の場合には、メタライズ層を除いた窒化アルミニウム基板の厚さを示し、複数枚積層された多層構造の場合には、各窒化アルミニウム基板のメタライズ層を除いた窒化アルミニウム基板の厚さを合計した厚さを示すものである。
【００２２】
上記ＡｌＮ基板の厚さが１．５ｍｍを超えると焼成温度が１８００℃より高くなる一方、１．５ｍｍ以下の場合に１８００℃以下の低温度で焼成が可能となる理由は、以下の通りである。すなわち。ＡｌＮ基板の厚さが１．５ｍｍ以下の場合、焼成時の窒化アルミニウム成形体に含まれるガラス成分が重力により基板の裏面側に移動し、ＡｌＮ成形体を載置しているセッター（焼成板）に上記ガラス成分が吸収されてＡｌＮ焼結体から除去される。このため、ＡｌＮ基板の表面には、ガラス成分の溶出が生じることがなく、外観不良や半田付け性の低下が起こらない。一方、ＡｌＮ基板の厚さが１．５ｍｍを超えると、ガラス成分がセッター中に完全に吸収されず、一部がＡｌＮ基板の表面に滲み出し、前記不具合を生じる。そのため、本発明においてＡｌＮ基板の厚さは、１．５ｍｍ以下とされるが、１．０ｍｍ以下の範囲がより好ましい。
【００２３】
メタライズ層を構成する金属材としては、特に同時焼成時の高温度においても溶融したり、流れたりせずに所定の配線パターン形状を維持可能とするために、ＷやＭｏなどの高融点金属を主成分とすることが望ましい。
【００２４】
また、メタライズ層の厚さは、特に限定されるものではないが、１μｍ以上にすることが望ましい。このメタライズ層の厚さを１μｍ以上にすることにより、液相成分（ガラス成分）の滲み出しをより効果的に防止することができる。このメタライズ層の厚さは、好ましくは３〜２０μｍ、さらに好ましくは５〜１５μｍである。この厚さが２０μｍを超えると、液相成分の滲み出しは抑えられるもののメタライズ層が厚くなりすぎ、均一な導電膜を形成することが困難になる。また、メタライズ層としてＷやＭｏなどのような高融点金属の使用量が増えるためコスト面からも好ましくない。
【００２５】
窒化アルミニウム基板の平均結晶粒径は、ＡｌＮ基板の誘電損失に大きな影響を及ぼすものであり、本発明では５μｍ以下の範囲に設定することが望ましい。上記ＡｌＮ基板の平均結晶粒径を５μｍ以下とすることにより、ＡｌＮ基板の誘電損失を８．５以下とすることが可能になり、１００ＭＨｚ以上の高周波数の信号を処理する半導体素子を搭載した場合においても、誤動作を起こさず、動作信頼性を大幅に高めることが可能になる。上記ＡｌＮ基板の誘電損失のより好ましい範囲は８．４以下であり、さらに８．３以下がさらに好ましい。
【００２６】
本発明に係る窒化アルミニウムメタライズ基板は、例えば下記のような工程で製造される。すなわち、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）原料粉末に焼結助剤およびバインダを添加して原料調整後、窒化アルミニウム成形体を得て、この窒化アルミニウム成形体の表面に高融点金属ペーストを塗布し、加熱脱脂した後、前記高融点金属を主成分としたメタライズ層を除いた実質的な厚さを１．９ｍｍ以下とした窒化アルミニウム成形体をセッター上に配置し、非酸化雰囲気中において、１８００℃以下の温度で焼成することにより製造される。
【００２７】
上記製造方法において、ＡｌＮ成形体の厚さを１．９ｍｍ以下とすることにより、焼成時のＡｌＮ成形体内のガラス成分は重力によりＡｌＮ基板の裏面に移動してセッター中へ吸収されるため、同時焼成法で１８００℃以下の温度で焼成した場合においても、熱抵抗が５℃／Ｗ以下であり、１９０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の高熱伝導率を有する高品質なＡｌＮ基板を得ることができる。
【００２８】
また、上記製造方法において、高温焼結などにより高純度化した窒化アルミニウムからなるセッターを使用して焼成することにより、ＡｌＮ成形体内のガラス成分をセッター内に効率良く吸収することができる。
【００２９】
また、上記窒化アルミニウムメタライズ基板の製造方法において、１枚の単層構造を有する窒化アルミニウム成形体に限らず、前記窒化アルミニウム成形体を複数枚積層した多層構造を有する窒化アルミニウム成形体を用いることも可能である。
【００３０】
さらに、窒化アルミニウム基板を構成するＡｌＮ焼結体として、窒化アルミニウムに対して焼結助剤を１０重量％以下の割合で添加したものを使用することが好ましい。焼結助剤の添加割合が１０重量％を超えると液相成分の滲み出し量が多くなり、メタライズ層の密着強度が低下するという問題が生じてしまうためである。
【００３１】
また、本発明では高純度ＡｌＮからなるセッターを用いて同時焼成することが好ましい。例えば、このようなセッターは、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）を３重量％含有したＡｌＮを、所定の温度で焼結し、液相成分（ガラス成分）を滲み出させ、これ以上液相成分が滲み出さない程度まで焼結温度を保持し続けることにより作製されるものであり、このようなＡｌＮ焼結体からなるセッターは実質的に液相成分がなくＡｌＮがほぼ９７〜１００％の状態となる。このような高純度ＡｌＮセッターを用いれば前述のようにＡｌＮ基板（焼結体）から滲み出る大部分の液相成分をセッターが効果的に吸収するので、同時焼成メタライズ基板を効率良く作製することができる。
【００３２】
上記のように作製した窒化アルミニウムメタライズ基板を使用することにより、基板の熱抵抗を５℃／Ｗ以下と小さくでき放熱特性を大幅に改善できるため、発熱量が４０Ｗ以上の半導体素子を搭載した場合にも熱影響が少ない半導体装置が得られる。
【００３３】
上記構成に係る窒化アルミニウムメタライズ基板によれば、窒化アルミニウム基板の熱抵抗が５℃／Ｗ以下であり、放熱性に優れており、かつ誘電損失が８．５以下であるため、発熱量が４０Ｗ以上の高出力化した半導体素子を搭載することが可能となるとともに、１００ＭＨｚ以上の高周波数の信号を処理する半導体素子を搭載した場合においても、誤動作を起こさず、動作信頼性を大幅に高めることが可能になる。
【００３４】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施形態について、以下の実施例および比較例に基づいて、より具体的に説明する。
【００３５】
［実施例１〜９、参考例１０、実施例１１および比較例１〜４］
平均粒径１．５μｍの窒化アルミニウム（ＡｌＮ）粉末に、焼結助剤として酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）粉末を５ｗｔ％添加して原料粉末を調整し、ボールミルにて解砕および混合を行った。この原料粉末に有機バインダおよび有機溶剤（エタノール）を添加した後、混合してスラリー化した。このスラリーをドクターブレード法によりシート状に成形し、焼成後の収縮を考慮して厚さが０．５〜２．６ｍｍであるＡｌＮグリーンシートを多数作製した。
【００３６】
一方、表１に示すように平均粒径１μｍのタングステン（Ｗ）粉末またはモリブデン（Ｍｏ）粉末に、適量の樹脂バインダおよび分散剤を混合して、ＷペーストまたはＭｏペーストを作製し、メタライズ層の材料をそれぞれ調製した。なお、実施例２，４，１１用のペースト材には、ＡｌＮ基板の共材となるＡｌＮ粉末を添加した。
【００３７】
次に、ＡｌＮグリーンシートにＷペースト等をスクリーン印刷し、乾燥させた。このＷペースト等を塗布したＡｌＮグリーンシートを、表１に示すように、そのまま単層構造のＡｌＮ成形体とする一方、複数枚積層して多層構造のＡｌＮ成形体（積層体）とした。そして、各成形体および積層体を窒素雰囲気中、９００℃の温度で３時間脱脂処理を行った。
【００３８】
一方、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）を３重量％含有したＡｌＮ焼結体からなるセッター（焼結板）を１９００℃の高温で焼成して液相成分を滲み出させて、高純度のＡｌＮからなるセッターを準備した。
【００３９】
この高純度ＡｌＮセッターの上に、脱脂処理したＡｌＮグリーンシートを配置し、窒素雰囲気中で表１に示すように、１７５０〜１８００℃の温度で６時間焼成を行い、ＡｌＮ基板とＷ層またはＭｏ層とを同時焼成して、単層または多層からなるＡｌＮメタライズ基板を作製した。
【００４０】
なお、表１に示すように、実施例２では、ＡｌＮ基板の厚さを１．５ｍｍとし、メタライズ層の組成としてＷおよびＡｌＮを用いたものである。また、実施例３ないし実施例７のＡｌＮ基板は、厚さ１．４ｍｍから除々に０．２ｍｍずつ順次薄くした単層のＡｌＮ基板を用いたものである。実施例８は、０．５ｍｍのＡｌＮグリーンシートにＷペーストを塗布したものを２枚積層した後焼結して多層構造のＡｌＮ基板としたものである。実施例９ないし実施例１１はそれぞれメタライズ層の厚さを変化させたものである。なお、メタライズ層中にＡｌＮを添加させたものはいずれもＡｌＮを３重量％含有させたものである。実施例１、参考例１０および実施例１１の試料は、いずれもメタライズ層を除いたＡｌＮ基板の厚さが実質的に１．５ｍｍ以下としたものであり、焼結温度は、１８００℃以下としたものである。
【００４１】
比較例１〜２
本比較例では、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）基板の実質的な厚さが１．５ｍｍを超える２ｍｍ（比較例１）および１．６ｍｍ（比較例２）の試料を用いた。なお、ＡｌＮ基板の作製手順は、実施例と同様である。
【００４２】
表１に示すように、比較例１は、厚さ２．０ｍｍの単層ＡｌＮ基板であり、比較例２は、厚さ０．４ｍｍのＡｌＮグリーンシートを４枚積層した後焼結して、実質的なＡｌＮ基板の厚さが１．５ｍｍを超える多層構造のＡｌＮ基板としたものである。なお、メタライズ層の成分および厚さ、焼結条件は、表１に示すとおりである。
【００４３】
比較例３
本比較例では、焼成時、窒化硼素（ＢＮ）からなるセッターを用いたものであり、厚さ１．５ｍｍの単層ＡｌＮ基板を備えたものである。なお、ＡｌＮ基板の作製手順は、実施例とほぼ同様であり、メタライズ層の成分および厚さ、焼結条件は表１に示すとおりである。
【００４４】
比較例４
本比較例は、厚さ０．５ｍｍのＡｌＮグリーンシートを８層積層した後に、同時焼成して、合計厚さが３．２ｍｍの多層構造のＡｌＮ基板を備えたものである。なお、ＡｌＮ基板の作製手順は、実施例とほぼ同様であり、メタライズ層の成分および厚さ、焼結条件は表１に示すとおりである。
【００４５】
このようにして得られた各実施例、参考例および比較例に係るＡｌＮメタライズ基板の外観観察を行った。外観観察としては、メタライズ層の表面を顕微鏡により２０倍に拡大観察したとき、液相成分の滲み出しが観察されるか否かで測定した。具体的には、顕微鏡により２０倍に拡大観察した際に、液相成分が観測されないものを外観良好とし、液相成分が観察されたものを外観不良と判断とした。また、各ＡｌＮメタライズ基板について平均結晶粒径、熱抵抗、誘電損失および熱伝導率を測定した。なお、熱伝導率は、レーザーフラッシュ法を用いて測定した。測定結果を下記表１に示す。
【００４６】
【表１】
0004406150.tif 000002
【００４７】
表１に示す結果から明らかなように、各実施例および参考例に係る窒化アルミニウムメタライズ基板によれば、窒化アルミニウムの熱抵抗が５℃／Ｗ以下であり、放熱性に優れており、かつ誘電損失が８．５以下であるため、例えば発熱量が４０Ｗ以上の高出力化した半導体素子をも搭載することが可能となるとともに、１００ＭＨｚ以上の高周波数の信号を処理する半導体素子を搭載した場合においても、誤動作を起こさず、動作信頼性を大幅に高めることが可能になる。
【００４８】
一方、比較例１，２，４に係るＡｌＮメタライズ基板は、ＡｌＮ基板の表面にシミや変色等が観察され、外観は不良であり、また、熱伝導率も１９０Ｗ／ｍ・Ｋ以下であった。これはＡｌＮ基板の厚さが１．５ｍｍを超えるように厚いために、熱伝導率を下げる液相成分がＡｌＮセッターに十分吸収されていないためである。
【００４９】
一方において、各実施例１〜１１のＡｌＮ基板には、シミや変色等が観察されず外観は良好であった。また、いずれも熱伝導率は１９０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の高い値を示し、熱抵抗も５℃／Ｗ以下となっており、放熱性の優れた高品質のＡｌＮメタライズ基板を得ることができた。
【００５０】
なお、メタライズ層の厚さが１μｍである参考例１０では液相成分の滲み出しが少量観測され始めており、この現象からメタライズ層の厚さは１μｍ以上が好ましいことが判明した。一方、メタライズ層にＡｌＮを添加した実施例１１では滲み出しが観測されず、この点からメタライズ層へのＡｌＮ添加は液相成分の滲み出し防止の効果もあることが判明した。なお、比較例３のＢＮセッターを用いて焼成したメタライズ基板では、液相成分の滲み出し量が多く、メタライズ基板として使用することは困難であった。
【００５１】
本実施形態によれば、ＡｌＮ基板厚さを１．５ｍｍ以下とすることで、焼結温度が１８００℃以下の温度であっても、同時焼成法により熱抵抗が５℃／Ｗ以下であり、従来限界とされていた１８０Ｗ／ｍ・Ｋを超える１９０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱伝導率を有するＡｌＮ基板を得ることができる。従って、本実施形態では同時焼成法を適用していることから製造工数を減らすことができ、生産効率を向上させて、これによりＡｌＮメタライズ基板の量産化を図ることができる。
【００５２】
また、本実施例の製造方法で作製されたＡｌＮ基板は１９０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の高熱伝導率を有し、熱放散性に優れていることから、高出力化した半導体部品の搭載基板として使用でき、一層、電子機器の小型化および高密度化を図ることができる。
【００５３】
なお、本実施形態のように、ＡｌＮ基板を多層構造とした場合にも、ＡｌＮ基板が優れた放熱性を有するため、高集積密度化して、電子機器の小型化および高密度化を図ることができる。
【００５４】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、窒化アルミニウム基板の熱抵抗が５℃／Ｗ以下であり、放熱性に優れており、かつ誘電損失が８．５以下であるため、発熱量が４０Ｗ以上の高出力化した半導体素子を搭載することが可能となるとともに、１００ＭＨｚ以上の高周波数の信号を処理する半導体素子を搭載した場合においても、誤動作を起こさず、動作信頼性を大幅に高めることが可能になる。