(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｓｉ０．３〜０．８mass％（以下適宜％と略記する）、Ｍｇ０．３５〜１．０％を含有し、さらにＦｅ０．１〜０．６％、Ｃｕ０．０２〜０．１％、Ｍｎ０．０１〜０．０８％のうちの１種または２種以上を含有し残部がＡｌおよび不可避不純物からなるＡｌ合金材にＴ６、Ｔ８またはＴ５処理を施したＡｌ合金処理材に厚さ０．１〜３μｍのＮｉ−Ｐ合金メッキ皮膜または厚さ０．３〜３μｍのＮｉ−Ｂ合金メッキ皮膜が設けられていることを特徴とするアルミニウム合金導電体。
【請求項２】
前記Ｎｉ−Ｐ合金メッキ皮膜またはＮｉ−Ｂ合金メッキ皮膜のビッカース硬さが５００〜１２００Ｈｖであることを特徴とする請求項１記載のアルミニウム合金導電体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は自動車用導電体、特にハイブリッドカーを含めた電気自動車用の導電体に適した大電流通電用アルミニウム合金導電体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、電気自動車では、電池群と電気機器（インバータ、モータなど）間の電気的接続、各電池間の電気的接続、インバータ内回路などには大電流通電に適した純銅製の導電母材（平角状、板状などの導体で以下導電体と記す）が用いられ、また前記導電体は前記電気機器などとボルト締めにより接続されている。
しかし、近年、燃費低減を目的に自動車の軽量化が強く求められ、前記の銅導電体を軽量なアルミニウム（以下適宜Ａｌと記す）またはＡｌ合金に代える動きが活発である。
【０００３】
因みに、前記銅導電体をＡｌまたはＡｌ合金導電体（以下適宜Ａｌ導電体と記す）に代える場合、銅の比重が８．８９で、Ａｌの比重が２．７０であること、純銅の導電率１００％ＩＡＣＳに対しＡｌ（１０６０）の導電率は６１％ＩＡＣＳであることから、電気抵抗を同じにした場合は、Ａｌ導電体は、断面積が銅導電体の１６０％に増加するが重量は５０％に減少する。通電電流を同じにした場合は、Ａｌ導電体は、断面積が銅導電体の１２５％に増加するが重量は４０％に減少する。
これらのことから、電気的使用条件が同じなら、Ａｌ導電体は銅導電体の半分以下の重量で足りることになる。
【０００４】
ところで、地上の配電設備などのＡｌ導電体には、１０６０（Ａｌ９９．６０％以上の純Ａｌ）、６１０１（Ａｌ−０．５％Ｓｉ−０．５％Ｍｇ合金）、６０６３（Ａｌ−０．４％Ｓｉ−０．７％Ｍｇ合金）、６０６１（Ａｌ−０．６％Ｓｉ−１．０％Ｍｇ−０．３％Ｃｕ−０．２％Ｃｒ合金）などのＡｌまたはＡｌ合金が用いられている（ＪＩＳ  Ｈ  ４１８０）。
前記ＡｌまたはＡｌ合金の成分（組成）および導電率を表１に、前記１０６０、６１０１および銅の室温における機械的性質を表２に示す。
【０００５】
【表１】
0004593013.tif 000002
【０００６】
【表２】
0004593013.tif 000003
【０００７】
表１および表２から分かるように、純Ａｌの１０６０硬材は導電率は高いが強度が低い。Ａｌ−Ｓｉ−Ｍｇ系合金の６１０１−Ｔ６処理材は強度が銅の半硬材（１／２Ｈ）と同等で、導電率も５５％ＩＡＣＳ以上あり、Ａｌ合金の中では最も高い。従って銅導電体に代わるＡｌ導電体としては６１０１合金相当材が最適と考えられる。しかし電気自動車用導電体に用いるには次の課題をクリヤーする必要がある。
【０００８】
即ち、自動車用導電体は使用時の温度上昇（１００℃前後）に伴う熱サイクルが長期間繰り返されることから、Ａｌ導電体には（１）耐クリープ特性に優れ、使用中にボルト締め付け部に緩みが生じず良好な電気接続特性が安定して得られること、（２）特に接続部での耐食性に優れることが要求される。
【０００９】
ところで、地上の配電設備ではＡｌ導電体は、通常、表面処理なしで裸で使用されるが、腐食環境が厳しく耐食性が要求される電気機器はＣｕとＡｇの２層メッキやＳｎ−Ｚｎ合金半田（摩擦半田）メッキを施して使用される場合がある。このため、本発明者らは、Ａｌ合金表面にＮｉとＳｎを２層にメッキし、Ｎｉメッキにより耐熱性を向上させ、２層メッキとすることにより電気接続性を向上させた自動車用Ａｌ合金導電体を提案した（特願平１１−９１３６）。
しかし２層メッキはコスト高となるうえ、メッキ作業に手間が掛かるため、メッキ層は単層が好ましく、その場合、耐食性が良好なＮｉメッキが推奨される。しかし従来のＮｉメッキではボルトで強く締め付けるとメッキ皮膜が剥離し、その部分の耐食性や耐酸化性が低下して導電体に必要な電気接続特性が得られなくなるという問題があった。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、軽量で、所要の強度および導電性を有し、耐クリープ特性が良好で電気接続特性に優れ、耐食性にも優れ、かつ安価なＡｌ合金導電体を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
請求項１記載の発明は、Ｓｉ０．３〜０．８mass％（以下適宜％と略記する）、Ｍｇ０．３５〜１．０％を含有し、さらにＦｅ０．１〜０．６％、Ｃｕ０．０２〜０．１％、Ｍｎ０．０１〜０．０８％のうちの１種または２種以上を含有し残部がＡｌおよび不可避不純物からなるＡｌ合金材にＴ６、Ｔ８またはＴ５処理を施したＡｌ合金処理材に厚さ０．１〜３μｍのＮｉ−Ｐ合金メッキ皮膜または厚さ０．３〜３μｍのＮｉ−Ｂ合金メッキ皮膜が設けられていることを特徴とするアルミニウム合金導電体である。
【００１２】
請求項２記載の発明は、前記Ｎｉ−Ｐ合金メッキ皮膜またはＮｉ−Ｂ合金メッキ皮膜のビッカース硬さが５００〜１２００Ｈｖであることを特徴とする請求項１記載のアルミニウム合金導電体である。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の構成、作用、効果および実施形態について詳細に説明する。
本発明で用いるＡｌ合金はＳｉおよびＭｇを主要合金元素とする。これら元素はＡｌマトリックス中に固溶して或いはＭｇ2 Ｓｉ粒子として微細に析出して強度を高め、導電体の変形を防止する。
ＳｉまたはＭｇのいずれが本発明規定値の下限未満でも、その固溶量或いはＭｇ2 Ｓｉ粒子量が減少して十分な強度が得られず、いずれが本発明規定値の上限を上回ってもその固溶量が増加して導電率が低下し、またＭｇ2 Ｓｉ粒子が粗大化して成形性が低下する。
【００１４】
副成分のＦｅ、Ｍｎ、Ｃｕは導電体の強度および耐クリープ特性を高める。
このうち、Ｆｅ、Ｍｎは、Ａｌと金属間化合物を形成し、分散強化により強度を向上させる。また前記金属間化合物が微細に析出して亜結晶粒組織や再結晶粒組織を安定させ、通電時の発熱により組織内に生じる歪みの回復を阻止して耐クリープ特性を向上させる。Ｃｕは固溶して導電体の強度および耐クリープ特性を向上させる。副成分のいずれが本発明規定値の下限未満でも、その効果が十分に得られず、上限を超えると成形性が低下する。
【００１５】
前記本発明で用いるＡｌ合金は導電体形状に加工されたあと、Ｔ６、Ｔ８またはＴ５のいずれかの処理が施されて強度や耐クリープ特性が調整される。
前記Ｔ６、Ｔ８またはＴ５処理後のＡｌ合金処理材の室温における機械的性質は表３に示す通りである。
【００１６】
【表３】
0004593013.tif 000004
【００１７】
前記Ａｌ合金処理材は、その表面にＮｉ−Ｐ合金メッキ皮膜またはＮｉ−Ｂ合金メッキ皮膜を設けて耐食性と電気特性（接続部の電気の接触抵抗）が高められる。
本発明において、Ｎｉ−Ｐ合金メッキ皮膜の厚さを０．１〜３μｍに、Ｎｉ−Ｂ合金メッキ皮膜の厚さを０．３〜３μｍにそれぞれ規定するのは、前記下限値未満ではメッキによる前記効果が十分に得られず、上限値（３μｍ）を超えるとメッキ皮膜が剥離し易くなるうえ、メッキコストが高くなるためである。
前記皮膜の厚さは、特性およびコスト面から１〜３μｍがより好ましい。
【００１８】
前記Ｎｉ−Ｐ合金メッキ皮膜またはＮｉ−Ｂ合金メッキ皮膜のビッカース硬さ（以下硬さと略記する）は５００〜１２００Ｈｖが好ましい。前記硬さが５００Ｈｖより低いと、導電体を電気接続する際などに表面に傷がつき、外観不良や電気接続特性の低下を招き、さらに傷の部分から腐食が進行する。一方、硬さが１２００Ｈｖより高いと、ボルト締め付け時に割れが発生し、耐食性および電気接続特性が低下する。前記硬さは、主に合金元素濃度により制御し、メッキ浴のｐＨ、電流密度、スルファミン酸の添加量などにより微調整する。Ｎｉ−Ｐ合金メッキおよびＮｉ−Ｂ合金メッキとも、合金濃度は３〜８mass％が適当である。
【００１９】
本発明のＡｌ合金導電体は、Ａｌ圧延材やＡｌ押出材を切断、打抜き、曲げ加工などにより所定形状の平角材（例えば２×２０×２００ｍｍ）や板材（例えば２×２００×２００ｍｍ）に加工し、前記平角材または板材にボルト穴を開け、次いでＮｉ−Ｐ合金メッキまたはＮｉ−Ｂ合金メッキを施して製造される。
【００２０】
以下に、本発明のＡｌ合金導電体を熱間圧延により製造する場合と、熱間押出しにより製造する場合に分けて具体的に説明する。
熱間圧延により製造する場合は、本発明で規定する成分のＡｌ合金を半連続鋳造法などの常法により鋳塊とし、この鋳塊を５００〜５４０℃の温度で均質化処理（ソーキング）後、熱間圧延と冷間圧延をこの順に施して所定板厚とする。この冷間圧延の前後または途中に５００℃以上の温度に保持したのち、冷却（２００℃までは１℃／ｓｅｃ以上の冷却速度で冷却）する溶体化処理を施し、続いて必要に応じて最終冷間圧延を行い、最後に１５０〜２５０℃の温度で時効硬化処理を施す。
なお、前記冷間圧延の前または途中に溶体化処理を施すのがＴ８処理であり、前記冷間圧延後に溶体化処理を施すのがＴ６処理である。
【００２１】
前記鋳塊の均質化処理を５００〜５４０℃の温度で施すのは、合金元素の固溶量を増やすためで、５００℃未満では合金元素が十分に固溶せず、５４０℃を超えると鋳塊が部分的に溶融する恐れがあるからである。
【００２２】
前記溶体化処理を、５００℃以上の温度に保持した後冷却（２００℃または１℃／ｓｅｃ以上の冷却速度で冷却）して施すのは、保持温度が５００℃未満でも冷却速度が１℃／ｓｅｃ未満でも合金元素が十分に固溶しないからである。
【００２３】
前記時効処理は、過剰に固溶したＭｇ、Ｓｉ、Ｃｕ元素をＭｇ2 ＳｉやＣｕ化合物として析出させて導電体の強度をより向上させるために施す。
その処理温度を１５０〜２５０℃にするのは、１５０℃未満では析出量が不足し、２５０℃を超えると析出物が粗大化していずれも十分な強度が得られないためである。
【００２４】
本発明のＡｌ合金導電体を熱間押出しにより製造する場合は、前記熱間圧延の場合と同様にして得た鋳塊を５００〜５４０℃の温度で均質化処理した後、熱間押出し、次いで冷間引抜きする。前記冷間引抜の前後または途中に５００℃以上の温度で保持後冷却（２００℃までは１℃／ｓｅｃ以上の冷却速度で冷却）する溶体化処理を施し、続いて必要に応じて所定の冷間引抜を行い、最後に１５０〜２５０℃の温度で時効硬化処理を施す。
【００２５】
前記冷間引抜の前または途中に溶体化処理を施すのがＴ８処理であり、前記冷間引抜後に溶体化処理を施すのがＴ６処理である。
熱間押出し時の製出材をそのまま焼入れ、次いで時効硬化処理を施すのがＴ５処理である。このＴ５処理では溶体化処理を省略できる。
【００２６】
前記均質化処理、溶体化処理（焼入れ）、時効硬化処理の条件は、熱間圧延の場合と同じ理由で設定される。
【００２７】
【実施例】
以下に本発明を実施例により詳細に説明する。
（実施例１）
表４に示す本発明規定組成のＡｌ合金（Ｎｏ．１、３、４）を溶解鋳造し、得られた鋳塊を５４０℃で均質化処理後、熱間圧延し、次いで厚さ５ｍｍに冷間圧延し、この冷間圧延材に５４０℃で溶体化処理後２００℃まで２０℃／ｓｅｃの冷却速度で冷却し、次いで２００℃で２時間時効硬化処理を施して（Ｔ６処理）Ａｌ合金処理材を製造した。
【００２８】
（実施例２）
表４に示す本発明規定組成のＡｌ合金（Ｎｏ．２）を溶解鋳造し、得られた鋳塊に５４０℃で均質化処理後、熱間圧延し、次いで厚さ７ｍｍに冷間圧延材し、前記冷間圧延材に５４０℃で溶体化処理後、厚さ５ｍｍに再び冷間圧延し、この冷間圧延材に２００℃で２時間の時効硬化処理を施して（Ｔ８処理）Ａｌ合金処理材を製造した。
【００２９】
（比較例１）
表４に示す本発明規定組成外のＡｌ合金（Ｎｏ．５〜１２）を用いた他は、実施例１と同じ方法によりＡｌ合金処理材を製造した。
【００３０】
実施例１、２および比較例１で製造した各々のＡｌ合金処理材について、室温での導電率および耐クリープ特性（高温状態におけるボルト締め接続部の耐クリープ特性）を測定した。
前記耐クリープ特性は、板材サンプル（５ｍｍ×２０ｍｍ×２０ｍｍ）の表面に定圧荷重（１．２ｔｏｎ／ｃｍ2 ）を負荷し、この状態で１２０℃に３時間保持後室温まで冷却して板厚ｔを測定し、元の板厚（５ｍｍ）Ｔに対する板厚減少比率（（〔Ｔ−ｔ〕／Ｔ）×１００％）を求めて評価した。
なお、参考のため、従来の銅板材（半硬）および純Ａｌ板材（１０６０半硬）についても、同様に試験して、導電率と耐クリープ特性を評価した。
結果を表４に併記した。
【００３１】
【表４】
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【００３２】
表４から明らかなように、本発明のＡｌ合金処理材（Ｎｏ．１〜４）はいずれも導電率が５５％ＩＡＣＳ以上であり、従来の純銅材と同等の優れた耐クリープ特性を示した。
これに対し、比較例の（Ｎｏ．５〜１２）は、いずれも導電率が５５％ＩＡＣＳ未満か、耐クリープ特性が劣った。
【００３３】
（実施例３）
実施例１で製造したＮｏ．１（表４参照）のＡｌ合金処理材（５×３０×１００ｍｍ）に８ｍｍ径のボルト穴を開けたのち、常法により、種々組成のＮｉ−Ｐ合金またはＮｉ−Ｂ合金をメッキしてＡｌ合金導電体を製造した。メッキ皮膜厚さは本発明規定値内で種々に変化させた。
【００３４】
（比較例２）
メッキ厚さを３μｍを超える厚さとした他は、実施例３と同じ方法によりＡｌ合金導電体を製造した。
【００３５】
（比較例３）
Ｎｉ−Ｐ合金メッキまたはＮｉ−Ｂ合金メッキに代え、ＮｉとＳｎの２層メッキとした他は、実施例３と同じ方法によりＡｌ合金導電体を製造した。
【００３６】
実施例３および比較例２、３で製造した各々のＡｌ合金導電体について、耐クリープ特性および耐食性を調査した。また処理コストを比較した。
比較のため、従来のＣｕとＡｇの２層メッキまたは摩擦半田メッキしたＡｌ合金導電体についても同様の試験を行い評価を行った。
【００３７】
耐クリープ特性は、前記各々のＡｌ合金導電体を所定寸法に切り出して供試材とし、この供試材を各２枚づつ重ね合わせ（合わせ部の長さ１０ｍｍ）、この重ね合わせ材をフランジ付きボルト・ナットで定圧荷重１．２ｔｏｎ／ｃｍ2 で締め付け（ボルトの締め付けトルク１．２ｋｇ・ｍ）、この締め付け体に、１２０℃と室温で各１２時間保持する工程を１サイクルとする熱サイクル試験を２４０時間（１０サイクル、１０日間）施し、試験前後の電気的接触抵抗を測定して評価した。前記フランジ付きボルト・ナットには、フランジ部の径が１２ｍｍ、ボルト径が６ｍｍのＣｒメッキしたステンレス製のものを用いた。
【００３８】
耐食性は、前記熱サイクル試験で用いた締め付け体に塩水噴霧試験を９６時間（４日）施し、試験後の合わせ材のボルト締め付け部とそれ以外の部分（他部）の腐食状況を観察し評価した。
結果を表５に示す。
【００３９】
【表５】
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【００４０】
表５から明らかなように、本発明例のＮｏ．１５〜２２はいずれも、耐クリープ特性および耐食性に優れ、処理コストも安価であった。特にＮｏ．１６〜２１はメッキ皮膜の硬さが適正であり接触抵抗がより安定して低い値を示した。
これに対し、比較例のＮｏ．２３、２４はＮｉメッキ層が厚かったため、ボルト締め付け時にＮｉメッキ層に割れが入り耐食性が劣った。Ｎｏ．２５は２層メッキのため表面処理に手間が掛かり、コスト高になった。
また従来のＣｕとＡｇの２層メッキ材（Ｎｏ．２６）および摩擦半田材（Ｎｏ．２７）はいずれも処理コストが高くなり、また後者は耐食性が劣った。
このように、本発明の導電体は、接触抵抗が安定して低く、耐食性に優れ、かつ処理コストが安く、従って製品としての総合評価が非常に良好または良好である。
【００４１】
【発明の効果】
以上に述べたように、本発明のＡｌ合金導電体は、従来の銅導電体に較べて軽量であり、所要の強度および導電性を有し、耐クリープ特性が良好で電気接続特性に優れ、耐食性にも優れ、またメッキ処理コストも安い。依って、工業上顕著な効果を奏する。