(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の樹脂絶縁層を積層した構造を有し、製品となるべき製品部が平面方向に沿って複数配置された製品形成領域と、その製品形成領域の周囲を取り囲む枠部とからなり、それぞれの樹脂絶縁層の主面に、導体層として前記製品部内の領域に形成された製品部側導体層と前記枠部内の領域に形成された枠部側導体層とが設けられ、前記製品部内の領域における前記樹脂絶縁層と前記製品部側導体層とを交互に積層した構造を有し、同一の前記樹脂絶縁層を主体として形成され、同一方向に拡径したビアのみによりそれぞれの前記製品部側導体層が接続される多層配線基板の中間製品であって、
前記複数の樹脂絶縁層のうち少なくとも１つの樹脂絶縁層上における前記枠部内の領域に、前記枠部側導体層が存在しない複数のスリット状の非形成領域が前記製品部の外形線に沿って設定された切断予定線の延長線上に配置され、
前記製品形成領域に占める前記製品部側導体層の面積率が同一ではなく、
前記製品形成領域に占める前記製品部側導体層の面積率が大きいものほど、それと同一面内に存在する前記枠部に占める前記枠部側導体層の面積率が小さく設定され、
前記樹脂絶縁層の主面に占める前記導体層の面積率のバラツキを、１５％以内に設定した
ことを特徴とする多層配線基板の中間製品。
【請求項２】
前記樹脂絶縁層の主面に占める前記導体層の面積率を、全て同一となるように設定したことを特徴とする請求項１に記載の多層配線基板の中間製品。
【請求項３】
前記枠部に占める前記枠部側導体層の面積率を５０％以上に設定したことを特徴とする請求項１または２に記載の多層配線基板の中間製品。
【請求項４】
前記製品形成領域に占める前記製品部側導体層の面積率が大きくなるに従って、前記非形成領域の幅を大きく設定することにより、前記樹脂絶縁層の主面に占める前記導体層の面積率を、前記製品形成領域に占める前記製品部側導体層の面積率の最高値と最低値との間に設定したことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の多層配線基板の中間製品。
【請求項５】
前記枠部側導体層をメッシュ状に形成するとともに、前記製品形成領域に占める前記製品部側導体層の面積率が大きくなるに従って、前記枠部側導体層の線幅を細く設定することにより、前記樹脂絶縁層の主面に占める前記導体層の面積率を、前記製品形成領域に占める前記製品部側導体層の面積率の最高値と最低値との間に設定したことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の多層配線基板の中間製品。
【請求項６】
複数の樹脂絶縁層を積層した構造を有し、製品となるべき製品部が平面方向に沿って複数配置された製品形成領域と、その製品形成領域の周囲を取り囲む枠部とからなり、それぞれの樹脂絶縁層の主面に、導体層として前記製品部内の領域に形成された製品部側導体層と前記枠部内の領域に形成された枠部側導体層とが設けられ、前記製品部内の領域における前記樹脂絶縁層と前記製品部側導体層とを交互に積層した構造を有し、同一の前記樹脂絶縁層を主体として形成され、同一方向に拡径したビアのみによりそれぞれの前記製品部側導体層が接続され、前記複数の樹脂絶縁層のうち少なくとも１つの樹脂絶縁層上における前記枠部内の領域に、前記枠部側導体層が存在しない複数のスリット状の非形成領域が前記製品部の外形線に沿って設定された切断予定線の延長線上に配置され、前記製品形成領域に占める前記製品部側導体層の面積率が同一ではなく、前記製品形成領域に占める前記製品部側導体層の面積率が大きいものほど、それと同一面内に存在する前記枠部に占める前記枠部側導体層の面積率が小さく設定され、前記樹脂絶縁層の主面に占める前記導体層の面積率のバラツキを、１５％以内に設定した多層配線基板の中間製品を準備する準備工程と、
前記製品形成領域から前記枠部を除去するとともに、前記製品形成領域における切断予定線に沿って切断することにより、前記製品部同士を分割する分離工程と
を含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記準備工程は、
片面に金属箔を有する基材上に前記複数の樹脂絶縁層を積層する積層工程と、
前記積層工程後、前記基材を除去して前記金属箔を露出させる基材除去工程と、
前記基材除去工程後、前記金属箔に対するパターニングを行うパターニング工程と、
前記パターニング工程後、最表層の前記樹脂絶縁層の主面に形成された前記導体層上に部品接続用のはんだバンプを形成するはんだバンプ形成工程と
からなることを特徴とする請求項６に記載の多層配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、製品となるべき製品部が平面方向に沿って複数配置された製品形成領域と、その製品形成領域の周囲を取り囲む枠部とからなる多層配線基板の中間製品、及び、多層配線基板の中間製品から得られる多層配線基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
配線基板を効率よく製造する技術の１つとして、多数個取りという手法が従来よく知られている。ここで多数個取りとは、１枚の配線基板の中間製品から複数の製品を得る手法であって、通常このような中間製品は、製品となるべき製品部が平面方向に沿って複数配置された製品形成領域と、その製品形成領域の周囲を取り囲む枠部とによって構成されている。なお、製品となるべき製品部については、その表面に製品部側導体層が形成される一方、製品にならない枠部については、その表面に従来何ら導体層は形成されていなかった。しかしながら近年では、反りの軽減等を目的として、枠部の表面にめっきからなるダミー導体層（枠部側導体層）をベタ状に設けることがある。また、このような枠部側導体層をベタ状ではなく、メッシュ状に形成したものも従来知られている（例えば特許文献１参照）。
【０００３】
なお、配線基板の中間製品としては、コア基板の表面及び裏面にビルドアップ層を形成した多層配線基板の中間製品が実用化されている。この多層配線基板の中間製品において、コア基板は、例えば、補強繊維に樹脂を含浸させた樹脂基板（ガラスエポキシ基板など）が用いられている。そして、そのコア基板の剛性を利用して、コア基板の表面及び裏面に樹脂絶縁層と導体層とを交互に積層することにより、ビルドアップ層が形成されている。つまり、この多層配線基板の中間製品において、コア基板は、補強の役割を果たしており、ビルドアップ層と比べて非常に厚く形成されている。また、コア基板には、表面及び裏面に形成されたビルドアップ層間の導通を図るための配線（具体的には、スルーホール導体など）が貫通形成されている。さらに、多層配線基板の中間製品には、コンピュータのマイクロプロセッサ等として使用される半導体集積回路素子（ＩＣチップ）が搭載可能となっている。
【０００４】
ところで、近年では、半導体集積回路素子の高速化に伴い、使用される信号周波数が高周波帯域となってきている。この場合、コア基板を貫通する配線が大きなインダクタンスとして寄与し、高周波信号の伝送ロスや回路誤動作の発生につながり、高速化の妨げとなってしまう。この問題を解決するために、多層配線基板を、コア基板を有さないコアレス配線基板とすることが提案されている（例えば特許文献２参照）。このコアレス配線基板は、比較的に厚いコア基板を省略することにより全体の配線長を短くしたものであるため、高周波信号の伝送ロスが低減され、半導体集積回路素子を高速で動作させることが可能となる。
【特許文献１】特開２００７−１８０２１２号公報（図１，図２等参照）
【特許文献２】特許第３６６４７２０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが、上記コアレス配線基板は、コア基板を省略して製造されているため、その強度を十分に確保することができない。ゆえに、多層配線基板をコアレス配線基板とする場合には、たとえ枠部の表面に上記した枠部側導体層を設けたとしても、多層配線基板の中間製品の強度を確保できなくなる。その結果、例えば中間製品に対して半導体集積回路素子やチップコンデンサなどを接合する場合、接合に用いたはんだが冷却される際に、製品形成領域と枠部との熱膨張係数差に起因する熱応力の影響を受けて中間製品に反りが生じてしまうため、多層配線基板の歩留まりが低下してしまう。
【０００６】
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、反りを防止して製品の歩留まりを向上させることができる多層配線基板の中間製品を提供することにある。また、本発明の別の目的は、歩留まりを向上させることができる多層配線基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
そして、上記課題を解決するための手段（手段１）としては、複数の樹脂絶縁層を積層した構造を有し、製品となるべき製品部が平面方向に沿って複数配置された製品形成領域と、その製品形成領域の周囲を取り囲む枠部とからなり、それぞれの樹脂絶縁層の主面に、導体層として前記製品部内の領域に形成された製品部側導体層と前記枠部内の領域に形成された枠部側導体層とが設けられている多層配線基板の中間製品であって、前記製品形成領域に占める前記製品部側導体層の面積率が同一ではなく、前記製品形成領域に占める前記製品部側導体層の面積率が大きいものほど、それと同一面内に存在する前記枠部に占める前記枠部側導体層の面積率が小さく設定され、前記樹脂絶縁層の主面に占める前記導体層の面積率を、前記製品形成領域に占める前記製品部側導体層の面積率の最高値と最低値との間に設定したことを特徴とする多層配線基板の中間製品がある。
【０００８】
従って、手段１の多層配線基板の中間製品によれば、樹脂絶縁層の主面に占める導体層の面積率が、製品形成領域に占める製品部側導体層の面積率の最高値と最低値との間に設定されるため、各層の樹脂絶縁層の主面に占める導体層の面積率のバラツキが小さくなる。その結果、各層の熱膨張係数差が小さくなるとともに、熱膨張係数差に起因する熱応力も小さくなるため、製品部側導体層に部品を接続する際に上記の熱応力が加わったとしても、中間製品が反りにくくなる。ゆえに、中間製品から得られる製品の歩留まりを向上させることができる。
【０００９】
上記課題を解決するための別の手段（手段２）としては、複数の樹脂絶縁層を積層した構造を有し、製品となるべき製品部が平面方向に沿って複数配置された製品形成領域と、その製品形成領域の周囲を取り囲む枠部とからなり、それぞれの樹脂絶縁層の主面に、導体層として前記製品部内の領域に形成された製品部側導体層と前記枠部内の領域に形成された枠部側導体層とが設けられ、前記製品部内の領域における前記樹脂絶縁層と前記製品部側導体層とを交互に積層した構造を有し、同一の前記樹脂絶縁層を主体として形成され、同一方向に拡径したビアのみによりそれぞれの前記製品部側導体層が接続される多層配線基板の中間製品であって、前記複数の樹脂絶縁層のうち少なくとも１つの樹脂絶縁層上における前記枠部内の領域に、前記枠部側導体層が存在しない複数のスリット状の非形成領域が前記製品部の外形線に沿って設定された切断予定線の延長線上に配置され、前記製品形成領域に占める前記製品部側導体層の面積率が同一ではなく、前記製品形成領域に占める前記製品部側導体層の面積率が大きいものほど、それと同一面内に存在する前記枠部に占める前記枠部側導体層の面積率が小さく設定され、前記樹脂絶縁層の主面に占める前記導体層の面積率のバラツキを、１５％以内に設定したことを特徴とする配線基板の中間製品がある。
【００１０】
従って、手段２の多層配線基板の中間製品によれば、樹脂絶縁層の主面に占める導体層の面積率のバラツキが、１５％以内に設定されて小さくなる。その結果、各層の熱膨張係数差が小さくなるとともに、熱膨張係数差に起因する熱応力も小さくなるため、製品部側導体層に部品を接続する際に上記の熱応力が加わったとしても、中間製品が反りにくくなる。ゆえに、中間製品から得られる製品の歩留まりを向上させることができる。
【００１１】
ここで、「前記製品形成領域に占める前記製品部側導体層の面積率」とは、製品形成領域の表面において所定の領域を設定した場合にその領域に占める製品部側導体層の比率（露出比率）のことをいうものとする。同様に、「前記枠部に占める前記枠部側導体層の面積率」とは、枠部の表面において所定の領域を設定した場合にその領域に占める枠部側導体層の比率（露出比率）のことをいうものとする。さらに、「前記樹脂絶縁層の主面に占める前記導体層の面積率」とは、樹脂絶縁層の主面において所定の領域を設定した場合にその領域に占める導体層の比率（露出比率）のことをいうものとする。
【００１２】
前記枠部に占める前記枠部側導体層の面積率はいずれも限定されるべきではないが、例えば５０％以上に設定することがよい。仮に、枠部側導体層の面積率が５０％未満であると、製品形成領域と枠部との熱膨張係数差が大きくなり、その熱膨張係数差に起因する熱応力も大きくなるため、熱応力の影響を受けて中間製品に反りが生じてしまう可能性がある。
【００１３】
なお、前記樹脂絶縁層の主面に占める前記導体層の面積率を、全て同一となるように設定することが好ましい。このようにすれば、樹脂絶縁層の主面に占める導体層の面積率のバラツキが殆どなくなるため、各層の熱膨張係数を略一定にすることができる。ゆえに、各層の熱膨張係数差に起因して発生する熱応力がほぼ零となるため、上記の熱応力に起因する中間製品の反りを極めて小さくすることができる。なお、「前記樹脂絶縁層の主面に占める前記導体層の面積率を、全て同一となるように設定」したとは、面積率を完全に同一にしたことだけでなく、面積率を略同一にしたことも含むものとする。
【００１４】
また、前記多層配線基板が、コア基板を有さず、前記製品部内の領域における前記樹脂絶縁層と前記製品部側導体層とを交互に積層した構造を有し、同一の前記樹脂絶縁層を主体として形成され、同一方向に拡径したビアのみによりそれぞれの前記製品部側導体層を接続する配線基板である場合、強度を十分に確保することができず、多層配線基板の中間製品の反りがより顕著になる。よって、多層配線基板がコア基板を有しない場合に、樹脂絶縁層の主面に占める導体層の面積率を製品形成領域に占める製品部側導体層の面積率の最高値と最低値との間に設定したり、樹脂絶縁層の主面に占める導体層の面積率のバラツキを１５％以内に設定したりすれば、より効果的に中間製品の反りを防止することができる。
【００１５】
ここで、「多層配線基板の中間製品」とは、多層配線基板の完成品に対する概念であって、具体的には、製品形成領域から枠部を除去するとともに、製品形成領域を製品部の外形線に沿って設定された切断予定線に沿って切断することにより、製品部同士を分割する分離工程が完了していない状態の多層配線基板のことを指す。一般的に、多層配線基板の中間製品、製品形成領域及び製品部は、いずれも平面視略矩形状となるように形成される。また、製品部の面積は、製品形成領域の面積に比べてかなり小さく設定される。従って、製品形成領域内には、製品部が例えば数十個から数百個配置される。
【００１６】
一方、「枠部」は、製品とはならず製造時に製品形成領域から分離、除去されてしまう部分であって、製品形成領域の周囲を取り囲んでいる。前記枠部には、枠部側導体層がいわゆるダミー導体層として形成されている。
【００１７】
また、多層配線基板の中間製品は、複数の樹脂絶縁層を積層した構造を有する。前記樹脂絶縁層は、絶縁性、耐熱性、耐湿性等を考慮して適宜選択することができる。前記樹脂絶縁層の形成材料の好適例としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリプロピレン樹脂などの熱可塑性樹脂等が挙げられる。そのほか、これらの樹脂とガラス繊維（ガラス織布やガラス不織布）やポリアミド繊維等の有機繊維との複合材料、あるいは、連続多孔質ＰＴＦＥ等の三次元網目状フッ素系樹脂基材にエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を含浸させた樹脂−樹脂複合材料等を使用してもよい。なお、樹脂絶縁層には、層間接続のためのビア導体を形成するために、あらかじめビア穴が形成されていてもよい。
【００１８】
前記導体層（前記製品部側導体層及び前記枠部側導体層）は、サブトラクティブ法、セミアディティブ法、フルアディティブ法などといった公知の手法によって、樹脂絶縁層の主面にパターン形成される。前記製品部側導体層及び前記枠部側導体層の形成に用いられる金属材料の例としては、銅、銅合金、ニッケル、ニッケル合金、スズ、スズ合金などが挙げられる。
【００１９】
なお、前記複数の樹脂絶縁層のうち少なくとも１つの樹脂絶縁層上における前記枠部内の領域に、前記枠部側導体層が存在しない複数のスリット状の非形成領域を前記製品部の外形線に沿って設定された切断予定線の延長線上に配置するとともに、前記製品形成領域に占める前記製品部側導体層の面積率が大きくなるに従って、前記非形成領域の幅を大きく設定することにより、前記樹脂絶縁層の主面に占める前記導体層の面積率を、前記製品形成領域に占める前記製品部側導体層の面積率の最高値と最低値との間に設定してもよい。このようにした場合、一般的に等間隔に配置される製品部に合わせて複数の非形成領域が配置されるため、複数の非形成領域を互いに等間隔に配置しやすくなる。その結果、枠部に占める枠部側導体層の面積率を枠部のどの部分においても均一にしやすくなり、ひいては、樹脂絶縁層の主面に占める導体層の面積率のバラツキをよりいっそう小さくすることができる。その結果、各層の熱膨張係数差がよりいっそう小さくなるとともに、熱膨張係数差に起因する熱応力もよりいっそう小さくなるため、上記の熱応力が多層配線基板の中間製品に加わったとしても、中間製品がよりいっそう反りにくくなる。
【００２０】
ここで、前記複数のスリット状の非形成領域は、前記複数の樹脂絶縁層のうち少なくとも１つの樹脂絶縁層上に配置される。非形成領域の深さは、特に限定される訳ではないが、例えば、枠部の幅（枠部と製品形成領域との境界部分から枠部の外周縁までの距離）と等しく設定されていてもよい。即ち、枠部側導体層は、複数の非形成領域によって分断されていてもよい。
【００２１】
また、前記枠部側導体層をメッシュ状に形成するとともに、前記製品形成領域に占める前記製品部側導体層の面積率が大きくなるに従って、前記枠部側導体層の線幅を細く設定することにより、前記樹脂絶縁層の主面に占める前記導体層の面積率を、前記製品形成領域に占める前記製品部側導体層の面積率の最高値と最低値との間に設定してもよい。このようにした場合、パターン設計の負担を軽減できるため高コスト化の防止を達成しやすくなる。
【００２２】
ここで、メッシュ状の枠部側導体層は、導体層がある領域と導体層がない領域とが規則的に連続するものであれば何でもよいが、パターン設計負担の軽減という観点から、複数のラインパターンを交差させてなるものが好適である。より具体的にいうと、メッシュ状の枠部側導体層は、互いに等間隔に配置された複数の第１ラインパターンと、同じく互いに等間隔に配置された複数の第２ラインパターンとを垂直に交差させてなるものが好ましい。この場合、ラインパターンの線幅は特に限定されるべきではないが、例えば０．１ｍｍ以上１．５ｍｍ以下、さらには０．２ｍｍ以上１．３ｍｍ以下、特には０．３ｍｍ以上１．０ｍｍ以下に設定されることが好適である。
【００２３】
上記課題を解決するための別の手段（手段３）としては、複数の樹脂絶縁層を積層した構造を有し、製品となるべき製品部が平面方向に沿って複数配置された製品形成領域と、その製品形成領域の周囲を取り囲む枠部とからなり、それぞれの樹脂絶縁層の主面に、導体層として前記製品部内の領域に形成された製品部側導体層と前記枠部内の領域に形成された枠部側導体層とが設けられ、前記製品形成領域に占める前記製品部側導体層の面積率が同一ではなく、前記製品形成領域に占める前記製品部側導体層の面積率が大きいものほど、それと同一面内に存在する前記枠部に占める前記枠部側導体層の面積率が小さく設定され、前記樹脂絶縁層の主面に占める前記導体層の面積率を、前記製品形成領域に占める前記製品部側導体層の面積率の最高値と最低値との間に設定した多層配線基板の中間製品を準備する準備工程と、前記製品形成領域から前記枠部を除去するとともに、前記製品形成領域における切断予定線に沿って切断することにより、前記製品部同士を分割する分離工程とを含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法がある。
【００２４】
従って、手段３の多層配線基板の製造方法によれば、準備工程において、樹脂絶縁層の主面に占める導体層の面積率を製品形成領域に占める製品部側導体層の面積率の最高値と最低値との間に設定した中間製品を準備することにより、各層の樹脂絶縁層の主面に占める導体層の面積率のバラツキが小さくなる。その結果、各層の熱膨張係数差が小さくなるとともに、熱膨張係数差に起因する熱応力も小さくなる。よって、準備工程後に製品部側導体層に対して部品を接続する際に、上記の熱膨張係数差に起因する熱応力が多層配線基板の中間製品に加わったとしても、中間製品が反りにくくなるため、中間製品から得られる多層配線基板の歩留まりを向上させることができる。
【００２５】
上記課題を解決するための別の手段（手段４）としては、複数の樹脂絶縁層を積層した構造を有し、製品となるべき製品部が平面方向に沿って複数配置された製品形成領域と、その製品形成領域の周囲を取り囲む枠部とからなり、それぞれの樹脂絶縁層の主面に、導体層として前記製品部内の領域に形成された製品部側導体層と前記枠部内の領域に形成された枠部側導体層とが設けられ、前記製品部内の領域における前記樹脂絶縁層と前記製品部側導体層とを交互に積層した構造を有し、同一の前記樹脂絶縁層を主体として形成され、同一方向に拡径したビアのみによりそれぞれの前記製品部側導体層が接続され、前記複数の樹脂絶縁層のうち少なくとも１つの樹脂絶縁層上における前記枠部内の領域に、前記枠部側導体層が存在しない複数のスリット状の非形成領域が前記製品部の外形線に沿って設定された切断予定線の延長線上に配置され、前記製品形成領域に占める前記製品部側導体層の面積率が同一ではなく、前記製品形成領域に占める前記製品部側導体層の面積率が大きいものほど、それと同一面内に存在する前記枠部に占める前記枠部側導体層の面積率が小さく設定され、前記樹脂絶縁層の主面に占める前記導体層の面積率のバラツキを、１５％以内に設定した多層配線基板の中間製品を準備する準備工程と、前記製品形成領域から前記枠部を除去するとともに、前記製品形成領域における切断予定線に沿って切断することにより、前記製品部同士を分割する分離工程とを含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法がある。
【００２６】
従って、手段４の多層配線基板の製造方法によれば、準備工程において、樹脂絶縁層の主面に占める導体層の面積率のバラツキを１５％以内に設定した中間製品を準備することにより、各層の樹脂絶縁層の主面に占める導体層の面積率のバラツキが小さくなる。その結果、各層の熱膨張係数差が小さくなるとともに、熱膨張係数差に起因する熱応力も小さくなる。よって、準備工程後に製品部側導体層に対して部品を接続する際に、上記の熱膨張係数差に起因する熱応力が多層配線基板の中間製品に加わったとしても、中間製品が反りにくくなるため、中間製品から得られる多層配線基板の歩留まりを向上させることができる。
【００２７】
以下、手段３，４にかかる多層配線基板の製造方法について説明する。
【００２８】
準備工程では、前記樹脂絶縁層の主面に占める前記導体層の面積率を、前記製品形成領域に占める前記製品部側導体層の面積率の最高値と最低値との間に設定した多層配線基板の中間製品、または、前記樹脂絶縁層の主面に占める前記導体層の面積率のバラツキを、１５％以内に設定した多層配線基板の中間製品を準備する。
【００２９】
なお、前記準備工程としては、片面に金属箔を有する基材上に前記複数の樹脂絶縁層を積層する積層工程と、前記積層工程後、前記基材を除去して前記金属箔を露出させる基材除去工程と、前記基材除去工程後、前記金属箔に対するパターニングを行うパターニング工程と、前記パターニング工程後、最表層の前記樹脂絶縁層の主面に形成された前記導体層上に部品接続用のはんだバンプを形成するはんだバンプ形成工程とからなる工程などが挙げられる。
【００３０】
ここで、金属箔としては、例えば、銀、金、白金、銅、チタン、アルミニウム、パラジウム、ニッケル、タングステンのいずれかからなるものを挙げることができる。特に金属箔は、銅からなることが好ましい。このようにすれば、金属箔が他の材料からなる場合よりも、金属箔の低抵抗化が図られるとともに、金属箔の導電性が向上する。
【００３１】
また、前記はんだバンプ形成工程では、最表層の前記樹脂絶縁層上に形成された前記製品部側導体層上に部品接続用のはんだバンプを形成する。このはんだバンプを介して製品部側導体層と部品との電気的接続が図られる。
【００３２】
前記はんだバンプをなす金属としては、搭載される部品の接続端子の材質等に応じて適宜選択すればよいが、９０Ｐｂ−１０Ｓｎ、９５Ｐｂ−５Ｓｎ、４０Ｐｂ−６０ＳｎなどのＰｂ−Ｓｎ系はんだ、Ｓｎ−Ｓｂ系はんだ、Ｓｎ−Ａｇ系はんだ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系はんだ、Ａｕ−Ｇｅ系はんだ、Ａｕ−Ｓｎ系はんだなどが挙げられる。
【００３３】
また、好適な前記部品としては、コンデンサ、半導体集積回路素子（ＩＣチップ）、半導体製造プロセスで製造されたＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）素子などを挙げることができる。さらに、ＩＣチップとしては、ＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）、ＳＲＡＭ（Static Random Access Memory ）などを挙げることができる。ここで、「半導体集積回路素子」とは、主としてコンピュータのマイクロプロセッサ等として使用される素子をいう。
【００３４】
その後、製品形成領域から枠部を除去するとともに、製品形成領域を製品部の外形線に沿って設定された切断予定線に沿って切断することにより、製品部同士を分割する分離工程を行えば、複数ピースの製品（多層配線基板）を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
以下、本発明を具体化した一実施形態を図面に基づき詳細に説明する。
【００３６】
図１は、本実施形態のコアレス配線基板１０１（多層配線基板）を示す概略断面図である。コアレス配線基板１０１は、コア基板を有さず、エポキシ樹脂からなる３層の樹脂絶縁層４１，４２，４３と銅からなる配線層５１とを交互に積層した構造を有する配線基板である。樹脂絶縁層４１〜４３は、同一の厚さ（４８μｍ）及び材料からなる層間絶縁層である。
【００３７】
コアレス配線基板１０１の主面１０２（第３層の樹脂絶縁層４３の主面４７）には、端子パッド５２がアレイ状に配置されている。さらに、樹脂絶縁層４３の主面４７はソルダーレジスト１２８によってほぼ全体的に覆われている。このソルダーレジスト１２８には、各端子パッド５２を露出させる開口部１２９が形成されている。各端子パッド５２の表面上には、複数のはんだバンプ１３０が配設されている。各はんだバンプ１３０は、矩形平板状をなすＩＣチップ１３１（部品）の面接続端子１３２に電気的に接続されている。なお、各端子パッド５２及び各はんだバンプ１３０が形成されている領域は、ＩＣチップ１３１を搭載可能なＩＣチップ搭載領域１３３である。
【００３８】
図１に示されるように、コアレス配線基板１０１の裏面１０３（第１層の樹脂絶縁層４１の下面）には、ＢＧＡ用パッド５３がアレイ状に配設されている。また、樹脂絶縁層４１の下面は、ソルダーレジスト１４２によってほぼ全体的に覆われている。ソルダーレジスト１４２には、各ＢＧＡ用パッド５３を露出させる開口部１４５が形成されている。各ＢＧＡ用パッド５３の表面上には、複数のはんだバンプ１５５が配設されており、各はんだバンプ１５５により、コアレス配線基板１０１は図示しないマザーボード上に実装される。
【００３９】
さらに、各樹脂絶縁層４１〜４３には、それぞれビア穴１４６及びビア導体１４７が設けられている。各ビア穴１４６は、逆円錐台形状をなし、各樹脂絶縁層４１〜４３に対してＹＡＧレーザまたは炭酸ガスレーザを用いた穴あけ加工を施すことで形成される。各ビア導体１４７は、同一方向（図１では上方向）に拡径した導体であって、各配線層５１、前記端子パッド５２及びＢＧＡ用パッド５３を相互に電気的に接続している。
【００４０】
次に、コアレス配線基板１０１の中間製品１１について説明する。
【００４１】
図２，図３に示されるように、コアレス配線基板１０１の中間製品１１は、縦２１３．６ｍｍ×横５２．０ｍｍの平面視略矩形状であって、製品形成領域２８と、その製品形成領域２８の周囲を取り囲む枠部２９とからなっている。製品形成領域２８には、製品（コアレス配線基板１０１）となるべき正方形状の製品部２７が平面方向に沿って５個配置されている。また、枠部２９は、製品形成領域２８を取り囲むように配置される４つの縁部３０と、縁部３０同士の接続部分に位置する４つの角部３１とを有している。
【００４２】
図３に示されるように、前記各樹脂絶縁層４１〜４３の主面４５〜４７における製品部２７内の領域には、製品部側導体層である前記配線層５１（厚さ１５μｍ）が形成されている。さらに、最表層の樹脂絶縁層４３の主面４６における製品部２７内の領域には、製品部側導体層である前記各端子パッド５２（厚さ１５μｍ）が形成され、最表層の樹脂絶縁層４１の下面における製品部２７内の領域には、前記各ＢＧＡ用パッド５３（厚さ１５μｍ）が形成されている。また、各樹脂絶縁層４１〜４３の主面４５〜４７における枠部２９内の領域には、枠部側導体層５４（厚さ１５μｍ）が形成されている。枠部側導体層５４は、枠部２９内の略全体の領域において略矩形枠状に形成されたプレーン状導体である。枠部側導体層５４は、いずれも最終製品に残るものではなく、いわばダミー導体層と言うべきものである。
【００４３】
図２，図３に示されるように、このコアレス配線基板１０１の中間製品１１は、各製品部２７の外形線１２０に沿って切断される。このような外形線１２０に沿った線のことを切断予定線１２１と定義する。詳述すると、各製品部２７同士を互いに分割するための切断予定線１２１は、隣接する製品部２７の外形線１２０同士の間に設定されている。また、前記製品形成領域２８から枠部２９を分離するための切断予定線１２１は、製品部２７の外形線１２０と枠部側導体層５４の内周縁との間であって、製品形成領域２８と枠部２９との境界部分に設定されている。
【００４４】
そして図２に示されるように、全ての樹脂絶縁層４１〜４３上における枠部２９内の領域には、枠部側導体層５４が存在しない複数の非形成領域６１が配置されている。各非形成領域６１は、前記各縁部３０において互いに等間隔に配置されるとともに、切断予定線１２１の延長線上に配置されたスリット状の領域である。そして、各非形成領域６１の一部は、縁部３０と前記角部３１との境界部分に配置されている。なお、各非形成領域６１は、枠部２９の内周縁及び外周縁において開口しているため、各非形成領域６１の長さは、枠部側導体層５４の幅（枠部側導体層５４の内周縁から枠部側導体層５４の外周縁までの距離）と等しく設定されている。即ち、枠部側導体層５４は、各非形成領域６１によって分断されている。また、各非形成領域６１の幅は、隣接する製品部２７の外形線１２０同士の間隔、及び、製品部２７の外形線１２０と枠部側導体層５４の内周縁との間隔と等しく設定されている。
【００４５】
なお本実施形態では、製品形成領域２８に占める前記製品部側導体層の面積率Ａ１が、各層ごとに同一ではないように設定されている。具体的に言うと、第１層の樹脂絶縁層４１の主面４５上では、前記製品形成領域２８に占める製品部側導体層（配線層５１）の面積率Ａ１が８６％に設定されている。また、第２層の樹脂絶縁層４２の主面４６上では、製品形成領域２８に占める製品部側導体層（配線層５１）の面積率Ａ１が６４％に設定され、第３層の樹脂絶縁層４３の主面４７上では、製品形成領域２８に占める製品部側導体層（配線層５１及び端子パッド５２）の面積率Ａ１が７８％に設定されている。よって、面積率Ａ１の最高値は８６％となり、面積率Ａ１の最低値は６４％となる。
【００４６】
また本実施形態では、樹脂絶縁層に設けられた製品部側導体層の面積率Ａ１が大きくなるに従って、その樹脂絶縁層の主面と同一面内に存在する前記非形成領域６１の幅が大きく設定されるとともに、前記枠部２９に占める前記枠部側導体層５４の面積率Ａ２が小さく設定される。具体的に言うと、第１層の樹脂絶縁層４１の主面４５上では、面積率Ａ１が最も大きいため、非形成領域６１の幅が最も大きい値（０．９ｍｍ）に設定されるとともに、面積率Ａ２が最も小さい値（６０％）に設定される。また、第２層の樹脂絶縁層４２の主面４６上では、面積率Ａ１が最も小さいため、非形成領域６１の幅が最も小さい値（０．３ｍｍ）に設定されるとともに、面積率Ａ２が最も大きい値（１００％）に設定される。さらに、第３層の樹脂絶縁層４３の主面４７上では、面積率Ａ１が２番目に大きいため、非形成領域６１の幅が２番目に大きい値（０．６ｍｍ）に設定されるとともに、面積率Ａ２が２番目に大きい値（８６％）に設定される。なお、枠部２９に占める枠部側導体層５４の面積率Ａ２は、５０％以上に設定されている。
【００４７】
さらに本実施形態では、各樹脂絶縁層４１〜４３の主面４５〜４７に占める導体層（製品部側導体層及び枠部側導体層５４の全て）の面積率Ａ３が、面積率Ａ１の最高値（８６％）と最低値（６４％）との間に設定されている。具体的に言うと、第１層の樹脂絶縁層４１の主面４５に占める導体層（配線層５１及び枠部側導体層５４）の面積率Ａ３が、８０％に設定されている。また、第２層の樹脂絶縁層４２の主面４６に占める導体層（配線層５１及び枠部側導体層５４）の面積率Ａ３が７２％に設定され、第３層の樹脂絶縁層４３の主面４７に占める導体層（配線層５１、端子パッド５２及び枠部側導体層５４）の面積率Ａ３が８０％に設定されている。つまり、最上層の樹脂絶縁層４１の主面４５に占める導体層の面積率Ａ３と、最下層の樹脂絶縁層４３の主面４７に占める導体層の面積率Ａ３とが、互いに同一となっている。また、各樹脂絶縁層４１〜４３の主面４５〜４７に占める面積率Ａ３のバラツキは、８％となるため、面積率Ａ３はほぼ同一となる。
【００４８】
次に、コアレス配線基板１０１の製造方法について説明する。
【００４９】
準備工程では、図２，図３に示したようなコアレス配線基板１０１の中間製品１１を作製し、あらかじめ準備しておく。コアレス配線基板１０１の中間製品１１は以下のように作製される。まず、図４に示されるように、ガラスエポキシ基板などの十分な強度を有する支持基板７０を準備する。次に、支持基板７０上に、エポキシ樹脂からなるシート状の絶縁樹脂基材を半硬化の状態で貼り付けて下地樹脂絶縁層７１を形成することにより、支持基板７０及び下地樹脂絶縁層７１からなる基材６９を得る。そして、図５に示されるように、基材６９の片面（具体的には下地樹脂絶縁層７１の上面）に、積層金属シート体７２を配置する。ここで、半硬化の状態の下地樹脂絶縁層７１上に積層金属シート体７２を配置することにより、以降の製造工程で積層金属シート体７２が下地樹脂絶縁層７１から剥がれない程度の密着性が確保される。積層金属シート体７２は、２枚の銅箔７３，７４（金属箔）を剥離可能な状態で密着させてなる。具体的には、金属めっき（例えば、クロムめっき）を介して各銅箔７３，７４を積層することで積層金属シート体７２が形成されている。
【００５０】
その後、図６に示されるように、積層金属シート体７２上にシート状の絶縁樹脂基材４０を積層し、真空圧着熱プレス機（図示略）を用いて真空下にて加圧加熱することにより、絶縁樹脂基材４０を硬化させて第１層の樹脂絶縁層４１を形成する（積層工程）。そして、図７に示されるように、レーザ加工を施すことによって樹脂絶縁層４１の所定の位置にビア穴１４６を形成し、次いで各ビア穴１４６内のスミアを除去するデスミア処理を行う。その後、従来公知の手法に従って無電解銅めっき及び電解銅めっきを行うことで、各ビア穴１４６内にビア導体１４７を形成する。さらに、従来公知の手法（例えばセミアディティブ法）によってエッチングを行うことで、中間製品１１の製品部２７内となる領域における樹脂絶縁層４１上に配線層５１をパターン形成する（図８参照）。これと同時に、中間製品１１の枠部２９内となる領域における樹脂絶縁層４１上に、枠部側導体層５４をパターン形成するとともに、枠部側導体層５４が存在しない複数の非形成領域６１を形成する。
【００５１】
また、第２層，第３層の樹脂絶縁層４２，４３及び配線層５１についても、上述した第１層の樹脂絶縁層４１及び配線層５１と同様の手法によって形成し、樹脂絶縁層４１上に積層していく。そして、端子パッド５２が形成された樹脂絶縁層４３上に感光性エポキシ樹脂を塗布して硬化させることにより、ソルダーレジスト１２８を形成する。次に、所定のマスクを配置した状態で露光及び現像を行い、ソルダーレジスト１２８に開口部１２９をパターニングする。以上の製造工程によって、支持基板７０上に積層金属シート体７２、樹脂絶縁層４１〜４３及び配線層５１を積層した積層体８０を形成する（図９，図１０参照）。なお図９に示されるように、積層体８０において積層金属シート体７２上に位置する領域が、コアレス配線基板１０１の中間製品１１となるべき配線積層部８１となる。また図１０に示されるように、積層体８０には、中間製品１１を平面方向に沿って３個配置したブロック８２が平面方向に沿って２個配置され、各ブロック８２の周囲が周囲部８３によって取り囲まれている。
【００５２】
続く第１分離工程では、積層体８０をダイシング装置（図示略）により切断し、各ブロック８２の周囲領域を除去する。この際、図１０に示すように、各ブロック８２とその周囲部８３との境界において、配線積層部８１の下方にある下地樹脂絶縁層７１及び支持基板７０ごと切断する。これにより、各ブロック８２同士が分割され、２個のブロック８２（図１１参照）となる。
【００５３】
次に、各ブロック８２において基材６９を除去し、銅箔７３を露出させる（基材除去工程）。具体的に言うと、積層金属シート体７２における２枚の銅箔７３，７４の界面にて剥離して、配線積層部８１を支持基板７０から分離する（図１２参照）。そして、図１３に示されるように、配線積層部８１（樹脂絶縁層４１）の裏面１０３（下面）上にある銅箔７３に対してエッチングによるパターンニングを行うことにより、最表層の樹脂絶縁層４１における前記製品部２７内の領域にＢＧＡ用パッド５３を形成する（パターニング工程）。その後、図１４に示されるように、ＢＧＡ用パッド５３が形成された樹脂絶縁層４１上に感光性エポキシ樹脂を塗布して硬化させることにより、配線積層部８１の裏面１０３を覆うようにソルダーレジスト１４２を形成する（ソルダーレジスト形成工程）。次に、所定のマスクを配置した状態で露光及び現像を行い、ソルダーレジスト１４２に開口部１４５をパターニングする。
【００５４】
次に、最表層の樹脂絶縁層４３上に形成された複数の端子パッド５２上に、ＩＣチップ接続用のはんだバンプ１３０を形成する（はんだバンプ形成工程）。具体的には、図示しないはんだボール搭載装置を用いて各端子パッド５２上にはんだボールを配置した後、はんだボールを所定の温度に加熱してリフローすることにより、各端子パッド５２上にはんだバンプ１３０を形成する。同様に、配線積層部８１の裏面１０３側に形成されている複数のＢＧＡ用パッド５３上にもはんだバンプ１５５を形成する。
【００５５】
続く第２分離工程では、ダイシング装置（図示略）を用いて、ブロック８２を中間製品１１同士の境界線に沿って切断する。これにより、各中間製品１１同士が分割され、図２，図３に示したコアレス配線基板１０１の中間製品１１を得ることができる。
【００５６】
続くＩＣチップ搭載工程では、中間製品１１を構成する各製品部２７（コアレス配線基板１０１）のＩＣチップ搭載領域１３３にそれぞれＩＣチップ１３１を載置する。このとき、ＩＣチップ１３１側の面接続端子１３２と、製品部２７側のはんだバンプ１３０とを位置合わせするようにする。そして、加熱して各はんだバンプ１３０をリフローすることにより、面接続端子１３２とはんだバンプ１３０とが接合され、製品部２７にＩＣチップ１３１が搭載される。
【００５７】
続く第３分離工程では、従来周知の切断装置などを用いて製品形成領域２８から枠部２９を切断除去するとともに、製品形成領域２８における切断予定線１２１に沿って切断する。これにより、製品部２７同士が分割され、複数ピースのコアレス配線基板１０１となる（図１参照）。
【００５８】
次に、コアレス配線基板の中間製品の反りについての評価方法及びその結果を説明する。
【００５９】
まず、複数の測定用サンプル（図１５参照）を次のように準備した。本実施形態の中間製品１１を切断して、縦及び横の長さを半分にした測定用サンプルを準備し、これを実施例１とした。なお実施例１は、第１層（樹脂絶縁層４１）、第２層（樹脂絶縁層４２）及び第３層（樹脂絶縁層４３）の主面に占める導体層の面積率Ａ３のバラツキを１５％以内（８％）に設定した測定用サンプルである。また、面積率Ａ３のバラツキを０％に設定した測定用サンプルを準備し、これを比較例１，２，３とした。さらに、面積率Ａ３のバラツキを１５％よりも大きく設定した測定用サンプルを準備し、これを比較例４，５，６，７，８，９とした。なお、比較例４の面積率Ａ３のバラツキは２２％に設定され、比較例５の面積率Ａ３のバラツキは１７％に設定され、比較例６〜９の面積率Ａ３のバラツキは１７％に設定されている。
【００６０】
次に、各測定用サンプル（実施例１、比較例１〜９）を室温（２５℃）から１９０℃に加熱した。そして、各測定用サンプルの反り量をそれぞれ測定した。具体的には、測定用サンプルを支持台（図示略）上に載置し、支持台の表面から測定用サンプルにおいて持ち上がり量が最も大きい箇所までの高さを、反り量として測定した。
【００６１】
反り量の測定を行った結果、比較例４の反り量が１０．３μｍ、比較例５の反り量が７．７μｍ、比較例６の反り量が８．０μｍ、比較例７の反り量が８．２μｍ、比較例８の反り量が８．５μｍ、比較例９の反り量が８．７μｍとなった。一方、実施例１の反り量が２．７μｍ、比較例１〜３の反り量が０μｍとなった。以上により、実施例１、比較例１〜３の反り量は、比較例４〜９の反り量よりも小さいことが確認された。従って、面積率Ａ３のバラツキを１５％以内とすれば、中間製品に反りが生じにくくなることが証明された。
【００６２】
また、複数の測定用サンプル（図１６参照）を次のように準備した。各測定用サンプルでは、製品形成領域２８に占める製品部側導体層の面積率Ａ１が一定（第１層で８６％、第２層で６４％、第３層で７８％）に設定されるとともに、枠部２９に占める枠部側導体層５４の面積率Ａ２が複数通りに設定されている。例えば、各樹脂絶縁層４１〜４３上において面積率Ａ２を５０％以上に設定した測定用サンプルを準備し、これを実施例２とした。なお、実施例２の面積率Ａ２は、第１層で７７％、第２層及び第３層で１００％に設定されている。また、樹脂絶縁層４１上において面積率Ａ２を５０％未満に設定した測定用サンプルを準備し、これを比較例１０とした。なお、比較例１０の面積率Ａ２は、第１層で４３％、第２層で１００％、第３層で６９％に設定されている。さらに、樹脂絶縁層４１，４３上において面積率Ａ２を５０％未満に設定した測定用サンプルを準備し、これを比較例１１とした。なお、比較例１１の面積率Ａ２は、第１層で１％、第２層で７３％、第３層で２６％に設定されている。また、各樹脂絶縁層４１〜４３上において面積率Ａ２を５０％未満に設定した測定用サンプルを準備し、これを比較例１２〜１６とした。なお、比較例１２の面積率Ａ２は各層で４０％に設定され、比較例１３の面積率Ａ２は各層で３０％に設定され、比較例１４の面積率Ａ２は各層で２０％に設定され、比較例１５の面積率Ａ２は各層で１０％に設定され、比較例１６の面積率Ａ２は各層で０％に設定されている。
【００６３】
次に、各測定用サンプル（実施例２、比較例１０〜１６）を室温（２５℃）から１９０℃に加熱し、各測定用サンプルの反り量をそれぞれ測定した。反り量の測定を行った結果、比較例１０の反り量が４．５μｍ、比較例１１の反り量が１３．８μｍ、比較例１２の反り量が９．０μｍ、比較例１３の反り量が９．２μｍ、比較例１４の反り量が９．４μｍ、比較例１５の反り量が９．７μｍ、比較例１６の反り量が１０．０μｍとなった。一方、実施例２の反り量は２．０μｍとなった。以上により、実施例２の反り量は、比較例１０〜１６の反り量よりも小さいことが確認された。従って、各樹脂絶縁層４１〜４３上において面積率Ａ２を５０％以上に設定すれば、中間製品に反りが生じにくくなることが証明された。
【００６４】
従って、本実施形態によれば以下の効果を得ることができる。
【００６５】
（１）本実施形態のコアレス配線基板１０１の中間製品１１では、各樹脂絶縁層４１〜４３の主面４５〜４７に占める導体層の面積率Ａ３のバラツキが、８％に設定されることで小さくなる。その結果、各層の熱膨張係数差が小さくなるとともに、熱膨張係数差に起因する熱応力も小さくなるため、ＩＣチップ１３１の接続に用いたはんだバンプ１３０が冷却される際に上記の熱応力が加わったとしても、中間製品１１が反りにくくなる。ゆえに、中間製品１１から得られる製品（コアレス配線基板１０１）の歩留まりを向上させることができる。
【００６６】
（２）本実施形態では、それぞれの樹脂絶縁層４１〜４３上において、製品部側導体層（配線層５１や端子パッド５２）をパターン形成すると同時に、枠部側導体層５４（及び非形成領域６１）をパターン形成しているため、コアレス配線基板１０１の製造工程を短縮することができる。また、非形成領域６１が、スリット状という比較的単純な形状の領域であるため、パターン設計の負担を軽減することができ、コアレス配線基板１０１の高コスト化を防止しやすくなる。
【００６７】
なお、本実施形態を以下のように変更してもよい。
【００６８】
・上記実施形態の非形成領域６１は、枠部２９において製品部２７の外形線１２０に沿って設定された切断予定線１２１の延長線上に配置されていたが、切断予定線１２１の延長線から平面方向にずれた位置に配置されていてもよい。
【００６９】
・上記実施形態のコアレス配線基板１０１の中間製品１１では、プレーン状に形成された枠部側導体層５４が枠部２９内の領域に形成されていたが、枠部側導体層を枠部側導体層５４とは異なる形態の枠部側導体層とした中間製品であってもよい。図１７は、その中間製品１５１を示している。この中間製品１５１においては、メッシュ状に形成された枠部側導体層１５２が枠部２９内の領域に形成されている。この場合、製品形成領域２８に占める製品部側導体層の面積率Ａ１が大きくなるに従って、枠部側導体層５４の線幅を細く設定することにより、各樹脂絶縁層４１〜４３の主面４５〜４７に占める導体層の面積率Ａ３が、面積率Ａ１の最高値と最低値との間に設定される。このようにした場合、パターン設計の負担を軽減できるため高コスト化の防止を達成しやすくなる。
【００７０】
・上記実施形態のコアレス配線基板１０１の製造方法では、最表層の樹脂絶縁層４４上に形成された複数の端子パッド５２上に、ＩＣチップ接続用のはんだバンプ１３０を形成していたが、端子パッド５２をマザーボード等の他の接続部品に実装されるＢＧＡ用パッドとし、ＢＧＡ用パッド上にはんだバンプを形成してもよい。この場合、配線積層部８１の裏面１０３側にはＩＣチップ接続用の端子パッドが形成される。
【００７１】
・上記実施形態の製品部側導体層形成工程では、銅箔７３に対してエッチングによるパターニングを行うことによってＢＧＡ用パッド５３を形成していた。しかし、銅箔７３をエッチングによって完全に除去した後で、別途ＢＧＡ用パッド５３を形成するようにしてもよい。
【００７２】
・上記実施形態の積層工程において、銅箔７３上にＢＧＡ用パッド５３となる金属層を形成した後で、樹脂絶縁層４１を形成してもよい。この場合、樹脂絶縁層４１に金属層を露出させるビア穴１４６を形成した後、ビア穴１４６内にビア導体１４７を形成する。このようにすれば、銅箔７３をエッチングによって完全に除去して金属層を露出させ、金属層をＢＧＡ用パッド５３とすることができる。
【００７３】
次に、前述した実施形態によって把握される技術的思想を以下に列挙する。
【００７４】
（１）複数の樹脂絶縁層を積層した構造を有し、製品となるべき製品部が平面方向に沿って複数配置された製品形成領域と、その製品形成領域の周囲を取り囲む枠部とからなり、それぞれの樹脂絶縁層の主面に、導体層として前記製品部内の領域に形成された製品部側導体層と前記枠部内の領域に形成された枠部側導体層とが設けられている多層配線基板の中間製品であって、前記製品形成領域に占める前記製品部側導体層の面積率が同一ではなく、前記製品形成領域に占める前記製品部側導体層の面積率が大きいものほど、それと同一面内に存在する前記枠部に占める前記枠部側導体層の面積率が小さく設定され、前記樹脂絶縁層の主面に占める前記導体層の面積率を、前記製品形成領域に占める前記製品部側導体層の面積率の最高値と最低値との間に設定し、最上層の樹脂絶縁層の主面に占める前記導体層の面積率と、最下層の樹脂絶縁層の主面に占める前記導体層の面積率とを、互いに同一となるように設定したことを特徴とする多層配線基板の中間製品。
【００７５】
（２）コア基板を有さず、同一の樹脂絶縁層を主体として形成され、製品となるべき製品部が平面方向に沿って複数配置された製品形成領域と、その製品形成領域の周囲を取り囲む枠部とからなり、それぞれの樹脂絶縁層の主面に、導体層として前記製品部内の領域に形成された製品部側導体層と前記枠部内の領域に形成された枠部側導体層とが設けられ、前記製品部内の領域における前記樹脂絶縁層と前記製品部側導体層とを交互に積層した構造を有し、同一方向に拡径したビアのみによりそれぞれの前記製品部側導体層を接続する多層配線基板の中間製品であって、前記製品形成領域に占める前記製品部側導体層の面積率が同一ではなく、前記製品形成領域に占める前記製品部側導体層の面積率が大きいものほど、それと同一面内に存在する前記枠部に占める前記枠部側導体層の面積率が小さく設定され、前記樹脂絶縁層の主面に占める前記導体層の面積率を、前記製品形成領域に占める前記製品部側導体層の面積率の最高値と最低値との間に設定したことを特徴とする多層配線基板の中間製品。
【図面の簡単な説明】
【００７６】
【図１】本実施形態におけるコアレス配線基板の概略構成を示す概略断面図。
【図２】コアレス配線基板の中間製品を示す概略平面図。
【図３】図２のＡ−Ａ線断面図。
【図４】コアレス配線基板の製造方法を示す説明図。
【図５】コアレス配線基板の製造方法を示す説明図。
【図６】コアレス配線基板の製造方法を示す説明図。
【図７】コアレス配線基板の製造方法を示す説明図。
【図８】コアレス配線基板の製造方法を示す説明図。
【図９】コアレス配線基板の製造方法を示す説明図。
【図１０】コアレス配線基板の製造方法を示す説明図。
【図１１】コアレス配線基板の製造方法を示す説明図。
【図１２】コアレス配線基板の製造方法を示す説明図。
【図１３】コアレス配線基板の製造方法を示す説明図。
【図１４】コアレス配線基板の製造方法を示す説明図。
【図１５】実施例１及び比較例２〜９の各層の面積率を示す表。
【図１６】実施例２及び比較例１０〜１６の各層の面積率を示す表。
【図１７】他の実施形態におけるコアレス配線基板の中間製品を示す概略平面図。
【符号の説明】
【００７７】
１１，１５１…多層配線基板の中間製品
２７…製品部
２８…製品形成領域
２９…枠部
４１，４２，４３…樹脂絶縁層
４５，４６，４７…樹脂絶縁層の主面
５１…導体層及び製品部側導体層としての配線層
５２…導体層及び製品部側導体層としての端子パッド
５４，１５２…導体層としての枠部側導体層
６１…非形成領域
６９…基材
７３，７４…金属箔としての銅箔
１０１…多層配線基板としてのコアレス配線基板
１２０…外形線
１２１…切断予定線
１３０…はんだバンプ
１３１…部品としてのＩＣチップ
１４６…ビアとしてのビア穴
１４７…ビアとしてのビア導体
Ａ１…製品部側導体層の面積率
Ａ２…枠部側導体層の面積率
Ａ３…導体層の面積率
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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