(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理体の表面に設けられ、温度が変化する雰囲気中で被処理体を処理する際の物理量を計測する物理量計測装置であって、
前記物理量の変化に応じて抵抗値が変化する物理量センサと、
予め定められた抵抗値を有し、且つ前記物理量の変化に対する抵抗値の変化量が前記物理量センサの抵抗値の変化量に比べて小さいダミーセンサと、
前記物理量センサと計測回路とを接続する第１の配線と、
前記ダミーセンサと前記計測回路とを接続する第２の配線と、を有し、
被処理体の温度変化に対する、前記第１の配線の抵抗値の変化量と前記第２の配線の抵抗値の変化量との比率が一定であり、
前記第１の配線と前記第２の配線は、少なくとも被処理体が搬送されながら熱処理を行われる搬送方向に延伸し、
被処理体の搬送中において、前記第１の配線と前記第２の配線はそれぞれ同一の温度環境下に配置され、
前記物理量は、被処理体の温度、または前記雰囲気のガス流量及び流速であり、
前記物理量センサは、被処理体の温度を測定する温度センサ、またはガス流量及び流速を計測する熱式流量計であることを特徴とする、物理量計測装置。
【請求項２】
被処理体の温度変化に対する、前記第１の配線の抵抗値の変化量と前記第２の配線の抵抗値の変化量とは同一であることを特徴とする、請求項１に記載の物理量計測装置。
【請求項３】
前記第１の配線の断面積と前記第２の配線の断面積は同一であって、
前記第１の配線と前記第２の配線は、それぞれ平行に配置されていることを特徴とする、請求項２に記載の物理量計測装置。
【請求項４】
前記熱処理は、フォトリソグラフィー処理における熱処理であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の物理量計測装置。
【請求項５】
前記被処理体はフラットパネルディスプレイ用基板であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の物理量計測装置。
【請求項６】
被処理体の表面に設けられ、被処理体の搬送方向に温度が変化する雰囲気中で当該被処理体を搬送しながら処理する際の物理量を計測する物理量計測装置であって、
前記物理量の変化に応じて抵抗値が変化する物理量センサと、
予め定められた抵抗値を有し、且つ前記物理量の変化に対する抵抗値の変化量が前記物理量センサの抵抗値の変化量に比べて小さいダミーセンサと、
前記物理量センサと計測回路とを接続する第１の配線と、
前記ダミーセンサと前記計測回路とを接続する第２の配線と、を有し、
前記第１の配線の材質と前記第２の配線の材質は同一であり、
前記第1の配線の長さと前記第２の配線の長さは同一であり、
前記第１の配線の断面積と前記第２の配線の断面積は同一であり、
前記第１の配線と前記第２の配線は、少なくとも被処理体の搬送方向に延伸し、且つそれぞれ平行に配置され、
前記物理量は、被処理体の温度、または前記雰囲気のガス流量及び流速であり、
前記物理量センサは、被処理体の温度を測定する温度センサ、またはガス流量及び流速を計測する熱式流量計であることを特徴とする、物理量計測装置。
【請求項７】
被処理体の表面に設けられた物理量計測装置を用いて、温度が変化する雰囲気中で被処理体を処理する際の物理量を計測する物理量計測方法であって、
前記物理量計測装置は、
前記物理量の変化に応じて抵抗値が変化する物理量センサと、
予め定められた抵抗値を有し、且つ前記物理量の変化に対する抵抗値の変化量が前記物理量センサの抵抗値の変化量に比べて小さいダミーセンサと、
前記物理量センサと計測回路とを接続する第１の配線と、
前記ダミーセンサと前記計測回路とを接続する第２の配線と、を有し、
被処理体の温度変化に対する、前記第１の配線の抵抗値の変化量と前記第２の配線の抵抗値の変化量との比率が一定であり、
前記雰囲気の温度は被処理体の搬送方向に変化し、且つ前記第１の配線と前記第２の配線は少なくとも被処理体の搬送方向に延伸し、
被処理体の搬送中において、前記第１の配線と前記第２の配線はそれぞれ同一の温度環境下にあり、
前記物理量は、被処理体の温度、または前記雰囲気のガス流量及び流速であり、
前記物理量センサは、被処理体の温度を測定する温度センサ、またはガス流量及び流速を計測する熱式流量計であり、
前記被処理体を搬送しながら熱処理を行い、
前記物理量計測方法は、
前記第１の配線と前記第２の配線をそれぞれ前記雰囲気中に配置し、
前記計測回路において、前記物理量センサの抵抗値と前記第１の配線の抵抗値を含む第１の抵抗値を測定し、
前記計測回路において、前記ダミーセンサの抵抗値と前記第２の配線の抵抗値を含む第２の抵抗値を測定し、
前記第２の抵抗値から前記ダミーセンサの抵抗値を減じて、前記第２の配線の抵抗値を算出し、
前記第２の配線の抵抗値に基づいて、前記第１の配線の抵抗値を算出し、
前記第１の抵抗値から前記第１の配線の抵抗値を減じて、前記物理量センサの抵抗値を算出し、
前記物理量センサの抵抗値に基づいて前記物理量を計測することを特徴とする、物理量計測方法。
【請求項８】
被処理体の温度変化に対する、前記第１の配線の抵抗値の変化量と前記第２の配線の抵抗値の変化量とは同一であることを特徴とする、請求項７に記載の物理量計測方法。
【請求項９】
前記第１の配線の断面積と前記第２の配線の断面積は同一であって、
前記第１の配線と前記第２の配線は、それぞれ平行に配置されていることを特徴とする、請求項８に記載の物理量計測方法。
【請求項１０】
前記熱処理は、フォトリソグラフィー処理における熱処理であることを特徴とする、請求項７〜９のいずれかに記載の物理量計測方法。
【請求項１１】
前記被処理体はフラットパネルディスプレイ用基板であることを特徴とする、請求項７〜１０のいずれかに記載の物理量計測方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被処理体の表面に設けられ、温度が変化する雰囲気中で被処理体を処理する際の物理量を計測する物理量計測装置、及び当該物量計測装置を用いた物理量計測方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えばフラットパネルディスプレイの製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程では、フラットパネルディスプレイ用のガラス基板上にレジスト膜を形成するレジスト塗布処理、レジスト膜に所定のパターンを露光する露光処理、露光されたレジスト膜を現像する現像処理、ガラス基板の熱処理等の各種処理が行われている。
【０００３】
上述したレジスト膜の所定のパターンは、下地の被処理膜のパターン形状を定めるものであり、厳格な寸法で形成する必要がある。このため、上記各処理を適切に行う必要があるが、例えば熱処理ではガラス基板の温度や処理雰囲気の圧力等を厳密に管理する必要がある。そこで、これら温度や圧力などの物理量を計測することが行われている。
【０００４】
かかる物理量の計測は、例えばガラス基板上に設けられた計測装置を用いて行われる。具体的には、計測装置として、例えばサーミスタ等のように物理量の変化に応じて抵抗値が変化するセンサ、抵抗値を測定することによって、物理量を計測する計測回路、センサと計測回路とを接続する配線などがガラス基板上に設けられている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平６−１６３３４０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ここで、ガラス基板のフォトリソグラフィー処理では、例えば複数の搬送ローラ上で搬送中のガラス基板に対して所定の処理が行われる。そして、例えばガラス基板に熱処理を行う際には、例えば図９に示すように複数の搬送ローラＲ上のガラス基板Ｇが熱処理装置のチャンバ５００内に搬送され、当該チャンバ５００内を搬送中のガラス基板Ｇに熱処理が行われる。このとき、チャンバ５００内の雰囲気Ｔ１の温度は例えば１３０℃であり、チャンバ５００外の雰囲気Ｔ２の温度は例えば室温の２３℃となっている。
【０００７】
また、例えばガラス基板Ｇの温度を計測するため、上述した特許文献１のとおり、ガラス基板Ｇの表面には計測装置５１０が設けられている。計測装置５１０は、センサ５１１、計測回路５１２及び配線５１３を有している。配線５１３は、例えばセンサ５１１の両端部にそれぞれ接続される２線の配線（図示せず）を有している。また、配線５１３は、例えばガラス基板Ｇの搬送方向に延伸している。
【０００８】
しかしながら、かかる場合、センサ５１１の抵抗値に配線５１３の抵抗値が重畳し、計測回路５１２においてガラス基板Ｇの温度を適切に計測することができなかった。
【０００９】
また、配線５１３の抵抗値を推定し、計測回路５１２において測定される抵抗値から当該配線５１３の抵抗値を減じてセンサ５１１の抵抗値を測定することも考えられるが、配線５１３の抵抗値を推定することは困難である。例えばガラス基板Ｇがチャンバ５００内に搬送される際、ガラス基板Ｇの先端部側はチャンバ５００内にあるものの、ガラス基板Ｇの尾端部側はチャンバ５００外にある。そうすると、配線５１３において、先端部５１３ａ、中央部５１３ｂ、尾端部５１３ｃの温度がそれぞれ異なる。例えば先端部５１３ａは１３０℃に昇温しているが、尾端部５１３ｃは２３℃であり、中央部５１３ｂは２３℃〜１３０℃の間の温度、例えば８０℃となる。そして、ガラス基板Ｇが搬送されるに伴い、先端部５１３ａ、中央部５１３ｂ、尾端部５１３ｃの範囲や温度が変化するため、配線５１３の抵抗値も変化する。このため、配線５１３の抵抗値を推定するのは困難となる。そうすると、計測回路５１２において測定される抵抗値から配線５１３の抵抗値を減じても、センサ５１１の抵抗値を適切に測定することができない。したがって、配線５１３の抵抗値の重畳を回避することができず、ガラス基板Ｇの温度が実温度よりも高温側に計測され、適切に計測することができない。
【００１０】
しかも、近年のガラス基板Ｇの大型化に伴い、当該ガラス基板Ｇ上に設けられる配線５１３も長くなるため、このような配線５１３の抵抗値の重畳を回避することはより困難な状況になっている。
【００１１】
さらに、例えばセンサ５１１と計測回路５１２とを、直線状に延伸せず蛇行する配線５１４により接続する場合がある。配線５１４は、例えばセンサ５１１の両端部にそれぞれ接続される２線の配線（図示せず）を有している。かかる場合、配線５１４が配線５１３と同じ配線長を有していても、これら配線５１４と配線５１３が配置される温度環境が異なるため、配線５１４の抵抗値と配線５１３の抵抗値は異なる。このため、配線５１４の抵抗値を推定することは難しく、配線５１４の抵抗値の重畳を回避することは困難である。したがって、ガラス基板Ｇの温度を適切に計測することができない。
【００１２】
なお、このような配線５１３、５１４の抵抗値の重畳を抑制するため、当該配線５１３、５１４をそれぞれ４線の配線にすることも考えられる。すなわち、センサ５１１の抵抗値を測定するために、センサ５１１よりも極めて高い抵抗値を有する電圧測定部を当該センサ５１１に接続する。そして、センサ５１１に定電流を流して、電圧測定部がセンサ５１１の抵抗値を測定する。しかしながら、かかる場合、ガラス基板Ｇ上の計測回路５１２の構成が複雑になり、また計測回路５１２におけるスイッチの切り替え等の制御が複雑になる。さらに高温環境下では、電圧測定部での抵抗値が低下するため、センサ５１１の抵抗値を適切に測定することができない。
【００１３】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、温度が変化する雰囲気中で被処理体を処理する際の物理量を適切に計測することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
前記の目的を達成するため、本発明は、被処理体の表面に設けられ、温度が変化する雰囲気中で被処理体を処理する際の物理量を計測する物理量計測装置であって、前記物理量の変化に応じて抵抗値が変化する物理量センサと、予め定められた抵抗値を有し、且つ前記物理量の変化に対する抵抗値の変化量が前記物理量センサの抵抗値の変化量に比べて小さいダミーセンサと、前記物理量センサと計測回路とを接続する第１の配線と、前記ダミーセンサと前記計測回路とを接続する第２の配線と、を有し、
被処理体の温度変化に対する、前記第１の配線の抵抗値の変化量と前記第２の配線の抵抗値の変化量との比率が一定であり、前記第１の配線と前記第２の配線は、少なくとも被処理体が搬送されながら熱処理を行われる搬送方向に延伸し、被処理体の搬送中において、前記第１の配線と前記第２の配線はそれぞれ同一の温度環境下に配置され、
前記物理量は、被処理体の温度、または前記雰囲気のガス流量及び流速であり、前記物理量センサは、被処理体の温度を測定する温度センサ、またはガス流量及び流速を計測する熱式流量計であることを特徴としている。
【００１５】
本発明によれば、計測回路において、物理量センサの抵抗値と第１の配線の抵抗値を含む第１の抵抗値を測定する。また計測回路において、ダミーセンサの抵抗値と第２の配線の抵抗値を含む第２の抵抗値を測定する。そして、第２の抵抗値からダミーセンサの抵抗値を減じて、第２の配線の抵抗値を算出する。このとき、ダミーセンサは予め定められた抵抗値を有し、且つ物理量の温度変化に対する抵抗値の変化量が物理量センサの抵抗値の変化量に比べて小さいため、第２の配線の抵抗値を適切に算出できる。そして、被処理体の温度変化に対する、第１の配線の抵抗値の変化量と第２の配線の抵抗値の変化量との比率が一定であるため、上記算出された第２の配線の抵抗値に基づいて、第１の配線の抵抗値を算出できる。そして、計測回路において測定された第１の抵抗値から上記算出された第１の配線の抵抗値を減じて、物理量センサの抵抗値を算出する。そうすると、この物理量センサの抵抗値に基づいて、物理量を適切に計測することができる。
【００１６】
被処理体の温度変化に対する、前記第１の配線の抵抗値の変化量と前記第２の配線の抵抗値の変化量とは同一であってもよい。かかる場合、前記第１の配線の断面積と前記第２の配線の断面積は同一であって、前記第１の配線と前記第２の配線は、それぞれ平行に配置されていてもよい。なお、本発明において、第１の配線と第２の配線の抵抗値の変化量の「同一」の比率には、全く同じ値の比率に加えて、僅かに異なるが誤差の範囲内の比率も含まれる。同様に、第１の配線と第２の配線の「同一」の断面積には、全く同じ断面積に加えて、僅かに異なるが誤差の範囲内の断面積も含まれる。
【００１８】
前記熱処理は、フォトリソグラフィー処理における熱処理であってもよい。
【００１９】
前記被処理体はフラットパネルディスプレイ用基板であってもよい。
【００２１】
別な観点による本発明は、被処理体の表面に設けられ、被処理体の搬送方向に温度が変化する雰囲気中で当該被処理体を搬送しながら処理する際の物理量を計測する物理量計測装置であって、
前記物理量の変化に応じて抵抗値が変化する物理量センサと、予め定められた抵抗値を有し、且つ前記物理量の変化に対する抵抗値の変化量が前記物理量センサの抵抗値の変化量に比べて小さいダミーセンサと、前記物理量センサと計測回路とを接続する第１の配線と、前記ダミーセンサと前記計測回路とを接続する第２の配線と、を有し、
前記第１の配線の材質と前記第２の配線の材質は同一であり、前記第1の配線の長さと前記第２の配線の長さは同一であり、前記第１の配線の断面積と前記第２の配線の断面積は同一であり、前記第１の配線と前記第２の配線は、少なくとも被処理体の搬送方向に延伸し、且つそれぞれ平行に配置され、
前記物理量は、被処理体の温度、または前記雰囲気のガス流量及び流速であり、
前記物理量センサは、被処理体の温度を測定する温度センサ、またはガス流量及び流速を計測する熱式流量計であることを特徴としている。
【００２２】
また別な観点による本発明は、被処理体の表面に設けられた物理量計測装置を用いて、温度が変化する雰囲気中で被処理体を処理する際の物理量を計測する物理量計測方法であって、
前記物理量計測装置は、前記物理量の変化に応じて抵抗値が変化する物理量センサと、予め定められた抵抗値を有し、且つ前記物理量の変化に対する抵抗値の変化量が前記物理量センサの抵抗値の変化量に比べて小さいダミーセンサと、前記物理量センサと計測回路とを接続する第１の配線と、前記ダミーセンサと前記計測回路とを接続する第２の配線と、を有し、被処理体の温度変化に対する、前記第１の配線の抵抗値の変化量と前記第２の配線の抵抗値の変化量との比率が一定であり、前記雰囲気の温度は被処理体の搬送方向に変化し、且つ前記第１の配線と前記第２の配線は少なくとも被処理体の搬送方向に延伸し、被処理体の搬送中において、前記第１の配線と前記第２の配線はそれぞれ同一の温度環境下にあり、前記物理量は、被処理体の温度、または前記雰囲気のガス流量及び流速であり、前記物理量センサは、被処理体の温度を測定する温度センサ、またはガス流量及び流速を計測する熱式流量計であり、
前記被処理体を搬送しながら熱処理を行い、
前記物理量計測方法は、
前記第１の配線と前記第２の配線をそれぞれ前記雰囲気中に配置し、前記計測回路において、前記物理量センサの抵抗値と前記第１の配線の抵抗値を含む第１の抵抗値を測定し、前記計測回路において、前記ダミーセンサの抵抗値と前記第２の配線の抵抗値を含む第２の抵抗値を測定し、前記第２の抵抗値から前記ダミーセンサの抵抗値を減じて、前記第２の配線の抵抗値を算出し、前記第２の配線の抵抗値に基づいて、前記第１の配線の抵抗値を算出し、前記第１の抵抗値から前記第１の配線の抵抗値を減じて、前記物理量センサの抵抗値を算出し、前記物理量センサの抵抗値に基づいて前記物理量を計測することを特徴としている。
【００２３】
被処理体の温度変化に対する、前記第１の配線の抵抗値の変化量と前記第２の配線の抵抗値の変化量とは同一であってもよい。かかる場合、前記第１の配線の断面積と前記第２の配線の断面積は同一であって、前記第１の配線と前記第２の配線は、それぞれ平行に配置されていてもよい。
【００２５】
前記熱処理は、フォトリソグラフィー処理における熱処理であってもよい。
【００２６】
前記被処理体はフラットパネルディスプレイ用基板であってもよい。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によれば、温度が変化する雰囲気中で被処理体を処理する際の物理量を適切に計測することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本実施の形態にかかる物理量計測装置が設けられたガラス基板を処理する塗布現像処理システムの構成の概略を示す平面図である。
【図２】加熱処理装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図３】加熱処理装置及び物理量計測装置の構成の概略を示す横断面図である。
【図４】ガラス基板の温度を計測する方法における各工程を示したフローチャートである。
【図５】他の実施の形態にかかる物理量計測装置の構成の概略を示す平面図である。
【図６】他の実施の形態にかかる物理量計測装置の構成の概略を示す平面図である。
【図７】（ａ）は本実施例におけるガラス基板の温度を計測したグラフであり、（ｂ）は図７（ａ）の一部を拡大したグラフである。
【図８】（ａ）は比較例におけるガラス基板の温度を計測したグラフであり、（ｂ）は図８（ａ）の一部を拡大したグラフである。
【図９】従来の加熱処理装置及び計測装置の構成の概略を示す横断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下、本発明の実施の形態について説明する。図１は、本実施の形態にかかる物理量計測装置が設けられた被処理体としてのガラス基板を処理する塗布現像処理システム１の構成の概略を示す平面図である。なお、本実施の形態では、物理量計測装置が物理量としてガラス基板Ｇの温度を測定する場合について説明する。また、ガラス基板Ｇはフラットパネルディスプレイ用の基板であり、例えば平面視において３０００ｍｍ×３０００ｍｍの四角形状を有している。
【００３１】
塗布現像処理システム１は、図１に示すように例えば複数のガラス基板Ｇをカセット単位で外部に対して搬入出するためのカセットステーション２と、フォトリソグラフィー工程の中で枚葉式に所定の処理を施す各種処理装置が配置された処理ステーション３と、処理ステーションに３に隣接して設けられ、処理ステーション３と露光装置４との間でガラス基板Ｇの受け渡しを行うインターフェイスステーション５とを一体に接続した構成を有している。
【００３２】
カセットステーション２には、カセット載置台１０が設けられ、当該カセット載置台１０は、複数のカセットＣをＸ方向（図１中の上下方向）に一列に載置自在になっている。カセットステーション２には、搬送路１１上をＸ方向に向かって移動可能な基板搬送体１２が設けられている。基板搬送体１２は、カセットＣに収容されたガラス基板Ｇの配列方向（Ｚ方向；鉛直方向）にも移動自在であり、Ｘ方向に配列された各カセットＣ内のガラス基板Ｇに対して選択的にアクセスできる。
【００３３】
基板搬送体１２は、Ｚ軸周りのθ方向に回転可能であり、後述する処理ステーション３側のエキシマＵＶ照射装置２０や冷却処理装置３３に対してもアクセスできる。
【００３４】
処理ステーション３は、例えばＹ方向（図１の左右方向）に延伸する２列の搬送ラインＡ、Ｂを備えている。搬送ラインＡは処理ステーション３の正面側（Ｘ方向負方向側（図１の下側））に配置され、搬送ラインＢは処理ステーション３の背面側（Ｘ方向正方向側（図１の上方側））に配置されている。
【００３５】
搬送ラインＡには、図２及び図３に示すように搬送ローラＲが搬送ラインＡに沿った方向に並べて配置されている。各搬送ローラＲは、搬送ラインＡに沿った方向と直角方向に延伸する中心軸を回転軸として回転自在に構成されている。また、複数の搬送ローラＲのうち、少なくとも一の搬送ローラＲには、例えばモータなどを内蔵した駆動機構（図示せず）が設けられている。そして、これら搬送ローラＲによって、ガラス基板Ｇを水平方向に直線的に搬送することができる。なお、図２及び図３は後述する加熱処理装置２２の周辺について図示しているが、上述した複数の搬送ローラＲは、図１に示す装置２０〜２８間に配置されている。また、搬送ラインＢにおいても、上述した構成の複数の搬送ローラＲが配置されている。
【００３６】
搬送ラインＡには、図１に示すようにカセットステーション２側からインターフェイスステーション５側に向けて順に、例えばガラス基板Ｇ上の有機物を除去するエキシマＵＶ照射装置２０、ガラス基板Ｇを洗浄するスクラバ洗浄装置２１、ガラス基板Ｇを加熱処理する熱処理装置としての加熱処理装置２２、ガラス基板Ｇを冷却処理する冷却処理装置２３、ガラス基板Ｇにレジスト液を塗布するレジスト塗布処理装置２４、ガラス基板Ｇを減圧乾燥する減圧乾燥装置２５、加熱処理装置２６、冷却処理装置２７及びガラス基板Ｇを一時的に待機させるアウトステージ２８が直線的に一列に配置されている。
【００３７】
搬送ラインＢには、インターフェイスステーション５側からカセットステーション２側に向けて順に、例えばガラス基板Ｇを現像処理する現像処理装置３０、ガラス基板Ｇの脱色処理を行うｉ線ＵＶ照射装置３１、加熱処理装置３２及び冷却処理装置３３が直線状に一列に配置されている。
【００３８】
搬送ラインＡのアウトステージ２８と搬送ラインＢの現像処理装置３０との間には、この間のガラス基板Ｇの搬送を行う搬送体４０が設けられている。この搬送体４０は、後述するインターフェイスステーション５のエクステンションクーリング装置６０に対してもガラス基板Ｇを搬送できる。
【００３９】
インターフェイスステーション５には、例えば冷却機能を有しガラス基板Ｇの受け渡しを行うエクステンションクーリング装置６０と、ガラス基板Ｇを一時的に収容するバッファカセット６１と、外部装置ブロック６２が設けられている。外部装置ブロック６２には、ガラス基板Ｇに生産管理用のコードを露光するタイトラーと、ガラス基板Ｇの周辺部を露光する周辺露光装置が設けられている。インターフェイスステーション５には、上記エクステンションクーリング装置６０、バッファカセット６１、外部装置ブロック６２及び露光装置４に対して、ガラス基板Ｇを搬送可能な基板搬送体６３が設けられている。
【００４０】
次に、上述した加熱処理装置２２、２６、３２の構成について説明する。加熱処理装置２２は、図２及び図３に示すようにチャンバ７０を有している。チャンバ７０は、搬送ラインＡに沿って設けられた複数の搬送ローラＲのうち、一部の搬送ローラＲを覆うように設けられている。チャンバ７０の上流側の側面にはガラス基板Ｇの搬入口７１が形成され、チャンバ７０の下流側の側面にはガラス基板Ｇの搬出口７２が形成されている。搬入口７１と搬出口７２には、それぞれ開閉シャッタ（図示せず）が設けられている。
【００４１】
チャンバ７０の内部であって搬送ローラＲの上方には、熱板８０が配置されている。熱板８０の内部には、例えば給電により発熱するヒータ８１が設けられており、熱板８０を所定の設定温度に調節できる。また、熱板８０は、ガラス基板Ｇの幅方向に延伸し、搬送ローラＲ上を搬送中のガラス基板Ｇを表面側から加熱できる。なお、加熱処理装置２２には、内部の雰囲気を排気する排気管（図示せず）が接続されている。また、図示の例では、熱板８０はガラス基板Ｇを表面側から加熱しているが、ガラス基板Ｇを裏面側から加熱するようにしてもよい。すなわち、熱板は、搬送ローラＲと同じ高さに配置されていてもよく、あるいは搬送ローラＲの下方に配置されていてもよい。さらに、これら熱板を両方配置することによって、ガラス基板Ｇを表面と裏面の両側から加熱してもよい。
【００４２】
チャンバ７０内の雰囲気Ｔ１の温度は、熱板８０によって例えば１３０℃になっている。また、チャンバ７０外の雰囲気Ｔ２の温度は例えば２３℃となっている。そして、加熱処理装置２２では、搬送ローラＲ上でガラス基板Ｇを搬送しながら、当該ガラス基板Ｇに加熱処理が行われる。したがって、ガラス基板Ｇがチャンバ７０内に搬送される際、ガラス基板Ｇの周辺の雰囲気の温度は、当該ガラス基板Ｇの搬送方向に変化する。
【００４３】
なお、加熱処理装置２６、３２の構成については、上述した加熱処理装置２２と同様であるので説明を省略する。
【００４４】
次に、ガラス基板Ｇの表面に設けられ、物理量としてガラス基板Ｇの温度を計測する物理量計測装置について説明する。図３に示すように物理量計測装置９０は、例えばプロセッサ、メモリ、アンプ、スイッチなどを備えた計測回路９１を有している。なお、計測回路９１で測定される抵抗値などのデータは、当該計測回路９１内のメモリに保存されてもよいし、例えば無線によって計測回路９１から外部のコンピュータ等に出力されてもよい。
【００４５】
物理量計測装置９０は、ガラス基板Ｇの温度の変化に応じて抵抗値が変化する物理量センサとしての温度センサ９２を有している。温度センサ９２には、例えば測温抵抗体（ＲＴＤ；Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｄｅｔｅｃｔｏｒ）やサーミスタなどが用いられる。また、温度センサ９２の抵抗温度係数（ＴＣＲ；Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ  ｏｆ  Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）は例えば３８５０ｐｐｍであり、例えば１３０℃における温度センサ９２の抵抗値は１５００Ωである。そして、温度センサ９２は、ガラス基板Ｇの温度の測定点に複数配置されている。計測回路９１と温度センサ９２とは、第１の配線９３によって接続されている。第１の配線９３は、例えば温度センサ９２の両端部にそれぞれ接続される２線の配線（図示せず）を有している。また、第１の配線９３は、例えばガラス基板Ｇの搬送方向（搬送ラインＡに沿った方向）に直線状に延伸している。さらに、第１の配線９３には、例えば銅線が用いられる。かかる場合、第１の配線９３のＴＣＲは例えば４３３０ｐｐｍである。
【００４６】
また温度センサ９２の近傍には、ダミーセンサ９４が設けられている。ダミーセンサ９４には、例えば精密抵抗が用いられる。そして、ダミーセンサ９４は、予め定められた抵抗値、例えば１０００Ωを有している。またダミーセンサ９４は、ガラス基板Ｇの温度変化に対する抵抗値の変化量が温度センサ９２の抵抗値の変化量に比べて小さい。より好ましくは、ダミーセンサ９４には、ガラス基板Ｇの温度変化に対する抵抗値が殆ど変化しない、すなわちＴＣＲが０ｐｐｍ又は極めて小さい抵抗体が用いられる。計測回路９１とダミーセンサ９４とは、第２の配線９５によって接続されている。第２の配線９５は、例えばダミーセンサ９４の両端部にそれぞれ接続される２線の配線（図示せず）を有している。また、第２の配線９５は、例えばガラス基板Ｇの搬送方向（搬送ラインＡに沿った方向）に直線状に延伸している。さらに、第２の配線９５には、例えば銅線が用いられる。かかる場合、第２の配線９５のＴＣＲは例えば４３３０ｐｐｍである。なお、ダミーセンサ９４における予め定められた抵抗値は本実施の形態の形態に限定されず、０Ω以上の種々の値を取り得る。
【００４７】
このように第１の配線９３と第２の配線９５は、それぞれ平行に配置され、その長さが同一である。また、第１の配線９３の断面積と第２の配線９５の断面積も同一である。さらに、第１の配線９３の材質と第２の配線９５の材質も同一である。しかも、第１の配線９３と第２の配線９５はガラス基板Ｇの搬送方向に同一の温度環境下に配置されている。したがって、ガラス基板Ｇの温度変化に対する、第１の配線９３における第１の配線抵抗値ＲＷ１の変化量と、第２の配線９５における第２の配線抵抗値ＲＷ２の変化量とは同一である。すなわち、ガラス基板Ｇの温度変化に関わらず、第１の配線抵抗値ＲＷ１と第２の配線抵抗値ＲＷ２とは同一となる。なお、これら第１の配線抵抗値ＲＷ１と第２の配線抵抗値ＲＷ２との「同一」には、全く同じ値の抵抗値に加えて、僅かに異なるが誤差の範囲内の抵抗値も含まれる。
【００４８】
以上の塗布現像処理システム１には、図１に示すように制御部１００が設けられている。制御部１００は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、塗布現像処理システム１における基板処理を実行するプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、物理量計測装置９０における物理量の計測を実行するプログラムも格納されている。なお、前記プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、その記憶媒体Ｈから制御部１００にインストールされたものであってもよい。
【００４９】
次に、以上のように構成された塗布現像処理システム１を用いて行われるガラス基板Ｇの基板処理について説明する。
【００５０】
先ず、カセットステーション２のカセットＣ内の複数のガラス基板Ｇが、基板搬送体１２によって、順次処理ステーション３のエキシマＵＶ照射装置２０に搬送される。ガラス基板Ｇは、直線的な搬送ラインＡに沿って搬送され、エキシマＵＶ照射装置２０、スクラバ洗浄装置２１、加熱処理装置２２、冷却処理装置２３、レジスト塗布処理装置２４、減圧乾燥装置２５、加熱処理装置２６及び冷却処理装置２７に順に搬送され、各処理装置において所定の処理が施される。冷却処理の終了したガラス基板Ｇは、アウトステージ２８に搬送される。その後、ガラス基板Ｇは、搬送体４０によって、インターフェイスステーション５に搬送され、基板搬送体６３によって露光装置４に搬送される。
【００５１】
露光装置４において露光処理の終了したガラス基板Ｇは、基板搬送体６３によってインターフェイスステーション５に戻され、搬送体４０によって処理ステーション３の現像処理装置３０に搬送される。ガラス基板Ｇは、直線的な搬送ラインＢに沿って搬送され、現像処理装置３０、ｉ線ＵＶ照射装置３１、加熱処理装置３２と冷却処理装置３３に順に搬送され、各処理装置において所定の処理が施される。冷却処理装置３３において冷却処理の終了したガラス基板Ｇは、基板搬送体１２によってカセットステーション２のカセットＣに戻されて、一連のフォトリソグラフィー工程が終了する。
【００５２】
次に、上述した加熱処理装置２２、２６、３２においてガラス基板Ｇを加熱処理する際に、物理量計測装置９０を用いてガラス基板Ｇの温度を計測する方法について説明する。図４は、ガラス基板Ｇの温度を計測する方法における主な工程を示したフローチャートである。なお、本実施の形態では、例えば図３に示したようにガラス基板Ｇの先端部側がチャンバ７０内にあるものの、ガラス基板Ｇの尾端部側がチャンバ７０外にある場合について説明する。かかる場合、ガラス基板Ｇの搬送方向に雰囲気の温度が変化し、当該ガラス基板Ｇの温度も搬送方向に変化する。
【００５３】
先ず、計測回路９１において、温度センサ９２の抵抗値ＲＴと第１の配線９３における第１の配線抵抗値ＲＷ１とを含む第１の抵抗値Ｒ１を測定する（図４の工程Ｓ１）。すなわち、第１の抵抗値Ｒ１は下記式（１）によって表される。また、計測回路において、ダミーセンサ９４の抵抗値ＲＤと第２の配線９５における第２の配線抵抗値ＲＷ２とを含む第２の抵抗値Ｒ２を測定する（図４の工程Ｓ２）。すなわち、第２の抵抗値Ｒ２は下記式（２）によって表される。
Ｒ１＝ＲＴ＋ＲＷ１・・・・（１）
Ｒ２＝ＲＤ＋ＲＷ２・・・・（２）
【００５４】
ここで、ダミーセンサ９４の抵抗値ＲＤは、予め定められた抵抗値であって、ＴＣＲが小さく、ガラス基板Ｇの温度変化に対する抵抗値が殆ど変化しない。したがって、上記（２）に基づき、第２の抵抗値Ｒ２からダミーセンサ９４の抵抗値ＲＤを減ずると、ガラス基板Ｇの温度変化に関わらず第２の配線抵抗値ＲＷ２を適切に算出することができる（図４の工程Ｓ３）。
【００５５】
そして、ガラス基板Ｇの温度変化に関わらず、第１の配線抵抗値ＲＷ１と第２の配線抵抗値ＲＷ２とは同一の値であるため、上記算出された第２の配線抵抗値ＲＷ２から第１の配線抵抗値ＲＷ１を算出することができる（図４の工程Ｓ４）。そして、上記式（１）に基づき、第１の抵抗値Ｒ１から第１の配線抵抗値ＲＷ１を減じて、温度センサ９２の抵抗値ＲＴを算出する（図４の工程Ｓ５）。そして、この温度センサの抵抗値ＲＴに基づいて、ガラス基板Ｇの温度を適切に計測することができる（図４の工程Ｓ６）。
【００５６】
以上のように本実施の形態によれば、ダミーセンサ９４と第２の配線９５を用いることによって、温度センサ９２の抵抗値ＲＴに対する第１の配線抵抗値ＲＷ１の重畳を回避することができる。特にガラス基板Ｇが大型化し、ガラス基板Ｇの搬送に伴う第１の配線抵抗値ＲＷ１の変化量が大きい場合であっても、当該第１の配線抵抗値ＲＷ１の重畳を回避することができる。したがって、温度センサ９２の抵抗値ＲＴを適切に測定することができ、ガラス基板Ｇの温度を適切に計測することができる。
【００５７】
なお、ダミーセンサ９４はＴＣＲが小さいほど好ましいが、少なくともガラス基板Ｇの温度変化に対する抵抗値ＲＤの変化量が温度センサ９２の抵抗値ＲＴの変化量に比べて小さければ、工程Ｓ３において第２の配線抵抗値ＲＷ２を従来よりも適切に算出できる。
【００５８】
以上の実施の形態では、ダミーセンサ９４は温度センサ９２毎に設けられていたが、例えば複数の第１の配線９３の形状及び配置が同一の場合、複数の温度センサ９２毎に１つのダミーセンサ９４を設けてもよい。かかる場合、各第１の配線９３における第１の配線抵抗値ＲＷ１が同一になるため、工程Ｓ４において１本の第２の配線９５における第２の配線抵抗値ＲＷ２から複数の第１の配線抵抗値ＲＷ１を算出できる。そして、工程Ｓ５において温度センサ９２の抵抗値ＲＴを適切に算出することができ、温度センサ９２の抵抗値ＲＴに対する第１の配線抵抗値ＲＷ１の重畳を回避することができる。
【００５９】
また、以上の実施の形態では、第１の配線９３と第２の配線９５はそれぞれガラス基板Ｇの搬送方向に沿って直線状に延伸し、ガラス基板Ｇの温度変化に対する、第１の配線抵抗値ＲＷ１と第２の配線抵抗値ＲＷ２とは同一の値であったが、これら配線抵抗値ＲＷ１、ＲＷ２を同一にする構成は本実施の形態に限定されない。
【００６０】
例えば図５に示すように第１の配線９３と第２の配線９５は、それぞれ蛇行し、且つそれぞれ平行に配置されていてもよい。かかる場合でも、ガラス基板Ｇの温度変化に対する、第１の配線抵抗値ＲＷ１と第２の配線抵抗値ＲＷ２とを同一の値にでき、温度センサ９２の抵抗値ＲＴに対する第１の配線抵抗値ＲＷ１の重畳を回避できる。
【００６１】
また、例えば図６に示すように第１の配線９３と第２の配線９５は、それぞれ蛇行し、且つ線対称に配置されていてもよい。かかる場合でも、ガラス基板Ｇの温度変化に対する、第１の配線抵抗値ＲＷ１と第２の配線抵抗値ＲＷ２とを同一の値にでき、温度センサ９２の抵抗値ＲＴに対する第１の配線抵抗値ＲＷ１の重畳を回避できる。
【００６２】
以上の実施の形態では、ガラス基板Ｇの温度変化に対する、第１の配線抵抗値ＲＷ１と第２の配線抵抗値ＲＷ２とは同一の値であったが、第１の配線抵抗値ＲＷ１の変化量と第２の配線抵抗値ＲＷ２の変化量との比率が一定であればよい。
【００６３】
例えば第１の配線９３の断面積が第２の配線９５の断面積の２倍の場合、第１の配線抵抗値ＲＷ１の変化量に対する第２の配線抵抗値ＲＷ２の変化量の比率は１／２で一定となる。かかる場合、工程Ｓ３において第２の配線抵抗値ＲＷ２が算出されると、工程Ｓ４において上記比率に基づき第１の配線抵抗値ＲＷ１が算出される。したがって、温度センサ９２の抵抗値ＲＴに対する第１の配線抵抗値ＲＷ１の重畳を回避することができる。
【００６４】
また例えば第１の配線９３の配線長が第２の配線９５の配線長の２倍の場合、第１の配線抵抗値ＲＷ１の変化量に対する第２の配線抵抗値ＲＷ２の変化量の比率は１／２で一定となる。かかる場合でも、上述と同様に温度センサ９２の抵抗値ＲＴに対する第１の配線抵抗値ＲＷ１の重畳を回避することができる。
【００６５】
以上の実施の形態では、物理量計測装置９０において物理量としてガラス基板Ｇの温度を形成したが、当該物理量計測装置９０では他の物理量も計測することができる。すなわち、物理量センサとして温度センサ９２を用いる代わりに、他の物理量センサを用いてもよい。
【００６６】
例えば物理量センサとして熱式流量計を用いた場合、物理量計測装置９０において処理雰囲気のガス流量及び流速を計測することがきる。また、物理量センサとして熱式圧力計や抵抗式圧力計を用いた場合、処理雰囲気の圧力を計測することができる。また、物理量センサとして抵抗式ひずみ計を用いた場合、ガラス基板Ｇのひずみを計測することができる。また、物理量センサとして抵抗式加速度計を用いた場合、搬送ローラＲ上を搬送中のガラス基板Ｇの揺れを計測することができる。
【００６７】
このように物理量の変化に応じて抵抗値が変化するような物理量センサを用いた場合において、本発明のようにダミーセンサ９４と第２の配線９５を用いると、物理量センサの抵抗値に対する第１の配線抵抗値ＲＷ１の重畳を回避することができる。したがって、物理量センサの抵抗値を適切に測定することができ、物理量を適切に計測することができる。
【００６８】
以上の実施の形態では、被処理体としてガラス基板Ｇを用いた場合について説明したが、ガラス基板Ｇ以外の他の被処理体にも本発明を適用することができる。例えば半導体ウェハやフォトマスク用のマスクレチクルなどの他の被処理体にも本発明を適用できる。特に半導体ウェハは近年大型化しており、当該半導体ウェハ上に設けられる第１の配線９３の配線長も長くなっている。このため、第１の配線抵抗値ＲＷ１の重畳を回避することはより困難になってきている。したがって、このような大型の半導体ウェハに対して本発明を適用するのは有用である。さらに、このような製品基板以外の被処理体、例えばダミー基板等にも本発明を適用することができる。
【００６９】
また、以上の実施の形態では、塗布現像処理システム１においてガラス基板Ｇにフォトリソグラフィー処理を行う場合について説明したが、その他の処理を行う場合にも本発明を適用することができる。例えばハンダリーフロー炉においてプリント基板に処理を行う場合にも本発明を適用することができる。
【００７０】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【実施例】
【００７１】
以下、本発明の物理量計測装置を用いた場合に、物理量を適切に計測する効果について比較例を挙げて説明する。本実施例と比較例では、図２に示した加熱処理装置２２にガラス基板Ｇを搬送し、当該ガラス基板Ｇの温度を計測する。加熱処理装置２２のチャンバ７０内の温度は１３０℃に設定されている。また、被処理体のガラス基板Ｇは、平面視において３０００ｍｍ×３０００ｍｍの大きさの四角形状を有している。ガラス基板Ｇは、同時に製造する液晶パネルの取り数に応じて、大きさが変わるだけでなく、長方形状を有したりもする。
【００７２】
本実施例では、図３に示した物理量計測装置９０を用いた。温度センサ９２にはＲＴＤを用い、１６点の温度センサ９２をガラス基板Ｇ上に配置した。また、ダミーセンサ９４にはＴＣＲが５ｐｐｍの精密抵抗を用い、各温度センサ９２に隣接するように配置した。第１の配線９３と第２の配線９５には、それぞれ径が０．４ｍｍの銅線をＰＴＦＥ被覆したものを使用した。また、第１の配線９３と第２の配線は、それぞれ平行に配置した。
【００７３】
そして、すべての温度センサ９２がチャンバ７０内に入ったところで、上述した工程Ｓ１〜Ｓ６を行い、各温度センサ９２における温度を計測した。その結果を図７に示す。
【００７４】
図７（ａ）の横軸は時間を示し、縦軸は各温度センサ９２における温度を示している。図７（ｂ）は、図７（ａ）の一部を拡大したものである。図７を参照すると、全ての温度センサ９２の温度は１２９．９５℃〜１３０．０５℃の範囲内であって、ガラス基板Ｇの実温度１３０℃からの差異は±０．０５℃であった。したがって、本実施例ではガラス基板Ｇの温度を適切に計測することができた。
【００７５】
一方、比較例では、図９に示した計測装置５１０を用いた。センサ５１１にはＲＴＤを用い、１６点のセンサ５１１をガラス基板Ｇ上に配置した。配線５１３には、径が０．４ｍｍの銅線をＰＴＦＥ被覆したものを使用した。
【００７６】
そして、すべてのセンサ５１１がチャンバ５００内に入ったところで各センサ５１１における温度を計測した。その結果を図８に示す。
【００７７】
図８（ａ）の横軸は時間を示し、縦軸は各センサ５１１における温度を示している。図８（ｂ）は、図８（ａ）の一部を拡大したものである。図８を参照すると、全てのセンサ５１１の温度は１３０℃〜１３７℃の範囲内であって、ガラス基板Ｇの実温度１３０℃からの差異は７℃であった。したがって、この比較例によればガラス基板Ｇの温度を適切に計測することができなかった。これは、上述したようにセンサ５１１の抵抗値に配線５１３の抵抗値が重畳したためであると考えられる。
【００７８】
以上より、本発明によれば、温度センサ９２の抵抗値ＲＴに対する第１の配線９３の抵抗値ＲＷ１の重畳を回避し、ガラス基板Ｇの温度を適切に計測できることが分かった。
【符号の説明】
【００７９】
１    塗布現像処理システム
２２、２６、３２  加熱処理装置
７０  チャンバ
９０  物理量計測装置
９１  計測回路
９２  温度センサ
９３  第１の配線
９４  ダミーセンサ
９５  第２の配線
１００  制御部
Ａ、Ｂ  搬送ライン
Ｇ    ガラス基板
Ｒ    搬送ローラ
Ｔ１    チャンバ内の雰囲気
Ｔ２    チャンバ外の雰囲気
【図１】
0005314664.tif 000002
【図２】
0005314664.tif 000003
【図３】
0005314664.tif 000004
【図４】
0005314664.tif 000005
【図５】
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【図６】
0005314664.tif 000007
【図７】
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【図８】
0005314664.tif 000009
【図９】
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