(57)【要約】本発明の光磁気記録媒体基板製造方法は、プリグルーブ型面（３２ａ）を有する密着層（３２）を第１基板（３１）上に形成するための密着層形成工程と、プリグルーブ型面（３２ａ）上に軟磁性材料を成長させることにより、当該プリグルーブ型面（３２ａ）の凹凸形状が転写されたプリグルーブ面（１２ａ）を有する軟磁性部（１２）を密着層（３２）上に形成するための工程（図３Ａ）と、軟磁性部（１２）および第２基板（１１）を一体化するための工程（図３Ｂ）と、軟磁性部（１２）および密着層（３２）の間に作用する密着力を低下させ、軟磁性部（１２）から密着層（３２）および第１基板（３１）を分離するための分離工程（図３Ｃ）と、を含む。
2005034114.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プリグルーブ型面を有する密着層を第１基板上に形成するための密着層形成工程と、
前記プリグルーブ型面上に軟磁性材料を成長させることにより、当該プリグルーブ型面の凹凸形状が転写されたプリグルーブ面を有する軟磁性部を前記密着層上に形成するための工程と、
前記軟磁性部および第２基板を一体化するための工程と、
前記軟磁性部および前記密着層の間に作用する密着力を低下させ、前記軟磁性部から前記密着層および前記第１基板を分離するための分離工程と、を含む、光磁気記録媒体基板の製造方法。
【請求項２】
前記分離工程では、前記密着層を劣化させるための液体を当該密着層に作用させる、請求項１に記載の光磁気記録媒体基板の製造方法。
【請求項３】
前記分離工程では、前記密着層を劣化させるための電磁波を当該密着層に照射する、請求項１に記載の光磁気記録媒体基板の製造方法。
【請求項４】
前記第１基板は平坦面を有し、前記密着層形成工程では、前記密着層を構成するための材料を前記平坦面上に成長させて材料膜を形成した後、当該材料膜における前記第１基板とは反対の側にて前記プリグルーブ型面を形成する、請求項１に記載の光磁気記録媒体基板の製造方法。
【請求項５】
前記第１基板は凹凸面を有し、前記密着層形成工程では、前記密着層を構成するための材料を前記凹凸面上に成長させることにより、成長端にて前記プリグルーブ型面を有する材料膜を前記密着層として形成する、請求項１に記載の光磁気記録媒体基板の製造方法。
【請求項６】
プリグルーブ型面を有する密着層を第１基板上に形成するための工程、前記プリグルーブ型面上に軟磁性材料を成長させることにより、当該プリグルーブ型面の凹凸形状が転写されたプリグルーブ面を有する軟磁性部を前記密着層上に形成するための工程、前記軟磁性部および第２基板を一体化するための工程、および、前記軟磁性部および前記密着層の間に作用する密着力を低下させ、前記軟磁性部から前記密着層および前記第１基板を分離するための工程、を経て製造された光磁気記録媒体基板と、
記録機能および再生機能を担う記録磁性部を含み、且つ、前記光磁気記録媒体基板の前記プリグルーブ面上に設けられている、材料膜構造部と、を備える光磁気記録媒体。
【請求項７】
高分子量樹脂部と、プリグルーブ型面を有する低分子量樹脂部と、を有する第１基板における前記プリグルーブ型面上に軟磁性材料を成長させることにより、当該プリグルーブ型面の凹凸形状が転写されたプリグルーブ面を有する軟磁性部を前記第１基板上に形成するための工程と、
前記軟磁性部および第２基板を一体化するための工程と、
前記軟磁性部および前記低分子量樹脂部の間に作用する密着力を低下させ、前記軟磁性部から前記第１基板を分離するための分離工程と、を含む、光磁気記録媒体基板の製造方法。
【請求項８】
前記分離工程では、前記低分子量樹脂部を劣化させる液体を当該低分子量樹脂部に作用させる、請求項７に記載の光磁気記録媒体基板の製造方法。
【請求項９】
前記分離工程では、前記低分子量樹脂部を劣化させる電磁波を当該低分子量樹脂部に照射する、請求項７に記載の光磁気記録媒体基板の製造方法。
【請求項１０】
高分子量樹脂部と、プリグルーブ型面を有する低分子量樹脂部と、を有する第１基板における前記プリグルーブ型面上に軟磁性材料を成長させることにより、当該プリグルーブ型面の凹凸形状が転写されたプリグルーブ面を有する軟磁性部を前記第１基板上に形成するための工程、前記軟磁性部および第２基板を一体化するための工程、および、前記軟磁性部および前記低分子量樹脂部の間に作用する密着力を低下させ、前記軟磁性部から前記第１基板を分離するための工程、を経て製造された光磁気記録媒体基板と、
記録機能および再生機能を担う記録磁性部を含み、且つ、前記光磁気記録媒体基板の前記プリグルーブ面上に設けられている、材料膜構造部と、を備える光磁気記録媒体。
【請求項１１】
基板上に軟磁性材料を成長させることにより軟磁性膜を形成するための第１成長工程と、
開口部を有するレジストパターンを前記軟磁性膜上に形成するためのレジストパターン形成工程と、
前記開口部内にて軟磁性材料を成長させることにより、前記基板とは反対の側にプリグルーブ面を有する軟磁性部を形成するための第２成長工程と、を含む、光磁気記録媒体基板の製造方法。
【請求項１２】
前記第２成長工程より前に、Ｐｄよりもイオン化傾向の大きな元素を含む材料薄膜を前記軟磁性膜上に形成する、請求項１１に記載の光磁気記録媒体基板の製造方法。
【請求項１３】
前記第２成長工程より前に、Ｃｏ，Ｆｅ，およびＮｉよりもイオン化傾向の大きな元素を含む材料薄膜を前記軟磁性膜上に形成する、請求項１１に記載の光磁気記録媒体基板の製造方法。
【請求項１４】
前記レジストパターン形成工程より前に、前記軟磁性膜上に保護膜を形成する、請求項１１に記載の光磁気記録媒体基板の製造方法。
【請求項１５】
第１温度の下、基板の有するプリグルーブ型面上に軟磁性材料を成長させることにより、当該プリグルーブ型面の凹凸形状が転写されたプリグルーブ面を有する軟磁性部を前記第１基板上に形成するための軟磁性部形成工程と、
前記軟磁性部および第２基板を一体化するための工程と、
第２温度の下、前記軟磁性部から前記第１基板を分離するための分離工程と、を含み、
前記第１温度および前記第２温度の差は１０℃以下である、光磁気記録媒体基板の製造方法。
【請求項１６】
前記軟磁性部形成工程では、前記軟磁性部は溶液中にて前記第１基板上に形成され、前記分離工程は、相対湿度９０％以上の条件下で行われる、請求項１５に記載の光磁気記録媒体基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】  本発明は、軟磁性部を有する光磁気記録媒体を製造するのに用いることのできる基板の製造方法、および、軟磁性部を有する光磁気記録媒体に関する。
【背景技術】  近年、光磁気記録媒体が注目を集めている。光磁気記録媒体は、磁性材料における種々の磁気特性を利用して構成され、熱磁気的な記録および磁気光学効果を利用した再生という２つの機能を担う書換え可能な記録媒体である。光磁気記録媒体は、１または２以上の垂直磁化膜からなる記録磁性部を有し、当該記録磁性部内に設けられる記録層に信号が記録される。記録に際しては、対物レンズ（媒体に対面するレンズ）を介して集光されたレーザを照射することにより記録層の所定箇所を昇温させつつ、当該箇所に所定の磁界が印加される。このようにして、記録層において、磁化方向の変化として所定の信号が記録される。再生に際しては、この記録信号が、所定の光学系で読み取られる。
光磁気記録媒体の記録密度を向上するための一手法として、記録の際に媒体に対してレーザを照射する領域のサイズを、即ちスポット径を、小さくすることが知られている。スポットの小径化により、媒体のトラックピッチを短く設計したり、記録マーク長を短くすることが可能となり、その結果、高い記録密度を得ることが可能となる。照射レーザの波長を短くしたり、当該照射レーザを集光するための対物レンズの開口数ＮＡを大きくすることにより、スポット径を小さくすることができる。
レンズの開口数ＮＡが大きくなるほど当該レンズの焦点距離が短くなるところ、光磁気記録媒体の技術の分野においては、開口数ＮＡの大きなレンズを適用すべく、従来のバックイルミネーション方式に代えてフロントイルミネーション方式の実用化に対する要求が高い。
バックイルミネーション方式光磁気記録媒体では、記録および再生に際し、記録磁性部に対して透明な基板の側からレーザが照射される。当該透明基板は、媒体の剛性を確保するために相当程度の厚さを必要とするので、バックイルミネーション方式光磁気記録媒体に対しては、焦点距離のより短いレンズほど、即ち開口数ＮＡのより大きなレンズほど、採用するのが困難となる。
これに対し、フロントイルミネーション方式光磁気記録媒体では、記録および再生に際し、記録磁性部について基板とは反対の側に設けられている透明保護膜の側から、記録磁性部に対してレーザが照射される。当該透明保護膜は相当程度に薄く形成することができるので、フロントイルミネーション方式光磁気記録媒体は、焦点距離の短いレンズすなわち開口数ＮＡの大きなレンズを採用するうえで、バックイルミネーション方式媒体よりも好適なのである。
フロントイルミネーション方式光磁気記録媒体では、記録磁性部に含まれる記録層について、記録時における磁気記録ヘッド（電磁石または電磁コイル）からの磁界に対する感度を向上することを目的として、軟磁性層が設けられる場合がある。
図１５は、従来の光磁気記録媒体の一例である光磁気記録媒体Ｘ３の積層構成を表す。光磁気記録媒体Ｘ３は、基板９１と、記録磁性部９２と、軟磁性層９３と、プリグルーブ層９４と、熱伝導層９５と、誘電体層９６，９７と、保護膜９８とからなる積層構造を有し、フロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして構成されたものである。これらは、軟磁性層９３、プリグルーブ層９４、熱伝導層９５、誘電体層９６、記録磁性部９２、誘電体層９７、および保護膜９８の順で、基板９１の側から積層形成される。
記録磁性部９２は、熱磁気的な記録および磁気光学効果を利用した再生という２つの機能を担うことが可能な磁性構造を有し、再生方式に応じた１または２以上の垂直磁化膜よりなる。当該垂直磁化膜の一つは記録層である。軟磁性層９３は、高透磁率の磁性膜により構成され、当該磁性膜の膜面に平行な方向（面内方向）に磁化容易軸を有して磁化された面内磁化膜である。プリグルーブ層９４は、樹脂材料よりなり、熱伝導層９５との接触面においてプリグルーブ面９４ａ（図１５にて太線で表す）を有する。プリグルーブ面９４ａは、所望の寸法で形成されたランドグルーブ形状およびその他の凹凸形状（ピット形状など）を有する。熱伝導層９５は、記録磁性部９２にて発生する熱を基板９１側へと効率よく伝導するための部位である。誘電体層９６，９７は、記録磁性部９２に対する外部からの物理的および化学的な影響を回避するための部位である。保護膜９８は、記録磁性部９２を特に塵埃から保護するための部位であり、光透過性の樹脂材料よりなる。
光磁気記録媒体Ｘ３では、高透磁率の軟磁性層９３が存在するため、記録時において、磁気記録ヘッドから記録磁性部９２に印加される記録磁界の磁束は記録磁性部９２にて拡散せずに集中する傾向にある。すなわち、記録磁性部９２に含まれる記録層の記録磁界感度は、軟磁性層９３が存在しない場合よりも向上する。軟磁性層を有するこのような光磁気記録媒体については、例えば特開平３−１０５７４１号公報や特開平３−１３７８３７号公報に開示されている。
軟磁性層の存在に起因して記録層にて磁界が集中するという効果は、記録層と軟磁性層とが近接するほど、大きい。しかしながら、従来の光磁気記録媒体Ｘ３では、記録層を含む記録磁性部９２と軟磁性層９３との間にプリグルーブ層９４が介在している。プリグルーブ層９４は、一般に紫外線硬化性樹脂により構成されており、その表面にてランドグルーブ形状やピット形状を適切に形成するためには少なくとも１０μｍ以上の厚さが必要である。記録層を含む記録磁性部９２と軟磁性層９３とがこのように相当程度に離れているため、光磁気記録媒体Ｘ３では、磁界集中の程度は低い場合が多い。
記録磁性部９２から軟磁性層９３までの間にプリグルーブ層９４を設ける構成に代えて、記録磁性部９２からプリグルーブ層９４までの間に軟磁性層９３を設ける構成を採用すると、記録磁性部９２と軟磁性層９３との距離は、より短くなる。しかしながら、この場合、記録磁性部９２にて適切なランドグルーブ形状およびピット形状を形成することができず、その結果、実用的な光磁気記録媒体が得られない。
磁界集中の効果を得るためには、軟磁性層９３については１μｍ程度以上の厚さが必要である場合があり、スパッタリング法により１μｍ程度以上の厚さまで軟磁性材料をプリグルーブ層９４ないしプリグルーブ面９４ａ上に成膜すると、当該軟磁性層９３にて形成されるランドグルーブ形状およびピット形状は、プリグルーブ面９４ａのランドグルーブ形状およびピット形状から相当程度に変化して丸みをおびる。そのため、当該軟磁性層９３の上方に更に積層形成される記録磁性部９２において形成されるランドグルーブ形状およびピット形状の、プリグルーブ面９４ａのランドグルーブ形状およびピット形状からの逸脱は、極めて大きくなってしまう。加えて、スパッタリング法により１μｍ程度以上の厚さまで軟磁性材料をプリグルーブ層９４上に成膜すると、当該軟磁性層９３の成長端面の表面粗さは、相当程度に大きい。そのため、当該軟磁性層９３の上方に更に積層形成される記録磁性部９２の成長端面の表面粗さは不当に大きくなってしまう。
このように、記録磁性部９２からプリグルーブ層９４までの間に軟磁性層９３を設ける構成を採用すると、記録磁性部９２にて適切なランドグルーブ形状およびピット形状を形成することができないのである。記録磁性部９２にて適切にランドグルーブ形状およびピット形状を形成できない場合、良好な記録再生特性が得られない。例えば、充分に高いＣＮＲが得られない。
【発明の開示】
本発明は、このような事情の下で考え出されたものであって、記録層とその記録磁界感度を向上するための軟磁性部とが適切に近接して設けられた光磁気記録媒体を製造するのに用いることのできる基板の製造方法、および、当該基板を用いて製造することのできる光磁気記録媒体を、提供することを目的とする。
本発明の第１の側面によると光磁気記録媒体基板の製造方法が提供される。この方法は、プリグルーブ型面を有する密着層を第１基板上に形成するための密着層形成工程と、プリグルーブ型面上に軟磁性材料を成長させることにより、当該プリグルーブ型面の凹凸形状が転写されたプリグルーブ面を有する軟磁性部を密着層上に形成するための工程と、軟磁性部および第２基板を一体化するための工程と、軟磁性部および密着層の間に作用する密着力を低下させ、軟磁性部から密着層および第１基板を分離するための分離工程と、を含む。本発明の第１の側面におけるプリグルーブ型面とは、プリグルーブを形成する際に鋳型として機能する面であり、高精度に所望の寸法で形成された、少なくともランドグルーブ形状を含む凹凸形状を、有する。プリグルーブ型面の凹凸形状には、ピット形状などの他の凹凸情報が含まれていてもよい。プリグルーブ面とは、プリグルーブ型面の凹凸形状が直接に転写されて形成された面であり、プリグルーブ型面の凹凸形状を直接に反映する凹凸形状を有する。プリグルーブ面の凹凸形状には、少なくともランドグルーブ形状が含まれ、また、ピット形状などの他の凹凸情報が含まれていてもよい。密着層は、軟磁性部に対して充分な密着性を示す材料により構成される。
このような方法により得られる光磁気記録媒体基板では、軟磁性材料よりなる軟磁性部は、第２基板とは反対の側においてプリグルーブ面を有する。プリグルーブ面は、高い寸法精度で形成されたランドグルーブ形状を有する。このようなプリグルーブ面上に、記録層を含む所定の材料膜構造部を直接積層形成すると、軟磁性部および記録層は、プリグルーブ層を介さずに配置されることとなり、充分に近接し得る。また、記録層を含む所定の材料膜構造部はプリグルーブ面上に直接積層形成されるので、当該材料膜構造部は、適切なランドグルーブ形状を有し得る。プリグルーブ面がランドグルーブ形状以外の凹凸形状（例えばピット形状）を有する場合、当該プリグルーブ面上に直接積層形成される材料膜構造部は、ランドグルーブ形状以外の適切な凹凸形状も有し得る。軟磁性部の厚さを調節することにより、プリグルーブ面の上方に設けられる記録層の記録磁界感度を所望の程度に向上することができる。このように、本発明の第１の側面に係る方法により製造される基板を用いると、記録層とその記録磁界感度を向上するための軟磁性部とが適切に近接して設けられた光磁気記録媒体を製造することが可能である。
また、本発明の第１の側面においては、軟磁性部のプリグルーブ面を形成するための鋳型として機能するプリグルーブ型面は、軟磁性部ないしこれを構成する軟磁性材料に対して充分な密着性を示し得る材料よりなる密着層に設けられている。密着層構成材料は、使用される軟磁性材料に応じて選択される。軟磁性部形成工程において、当該密着層とこの上に堆積する軟磁性材料との間に充分な密着力が作用している状態では、密着層ないしプリグルーブ型面上にて軟磁性材料を充分な厚さにまで適切に成長させることができる。したがって、軟磁性部形成工程では、プリグルーブ面を有する軟磁性部を充分な厚さで形成することができる。一方、分離工程では、軟磁性部と密着層または第１基板とを分離する前に、軟磁性部に対する密着層の密着力を低下せしめる。そのため、当該密着層および第１基板と軟磁性部とを適切に分離することができる。このように、本発明の第１の側面に係る方法よると、プリグルーブ型面の凹凸形状が直接に転写されたプリグルーブ面を有する軟磁性部を備える光磁気記録媒体基板は、当該軟磁性材料に対する密着性が機能的に変化する材料により構成されてプリグルーブ型面を有する密着層を利用して、形成される。このような方法は、光磁気記録媒体を効率よく製造するうえで好適である。
本発明の第１の側面において、好ましくは、分離工程では、密着層を劣化させるための液体を当該密着層に作用させる。例えば、第１基板、密着層、軟磁性部、および第２基板を含む構造体を所定の溶液に浸漬し、密着層を分解または溶解せしめる。或は、分離工程では、密着層を劣化させるための電磁波を当該密着層に照射してもよい。電磁波には、紫外線やＸ線が含まれる。
好ましくは、第１基板は平坦面を有し、密着層形成工程では、密着層を構成するための材料を平坦面上に成長させて材料膜を形成した後、当該材料膜における第１基板とは反対の側にてプリグルーブ型面を形成する。或は、好ましくは、第１基板は凹凸面を有し、密着層形成工程では、密着層を構成するための材料を凹凸面上に成長させることにより、成長端にてプリグルーブ型面を有する材料膜を密着層として形成する。
本発明の第２の側面によると光磁気記録媒体が提供される。この光磁気記録媒体は、光磁気記録媒体基板および材料膜構造部を備える。光磁気記録媒体基板は、プリグルーブ型面を有する密着層を第１基板上に形成するための工程、プリグルーブ型面上に軟磁性材料を成長させることにより、当該プリグルーブ型面の凹凸形状が転写されたプリグルーブ面を有する軟磁性部を密着層上に形成するための工程、軟磁性部および第２基板を一体化するための工程、および、軟磁性部および密着層の間に作用する密着力を低下させ、軟磁性部から密着層および第１基板を分離するための工程、を経て製造されたものである。材料膜構造部は、記録機能および再生機能を担う記録磁性部を含み、且つ、光磁気記録媒体基板のプリグルーブ面上に設けられている。本発明における材料膜構造部は、複数の材料膜よりなる多層構造を有して光磁気記録媒体基板上に積層形成される部位である。
このような構成の光磁気記録媒体においては、高い寸法精度で形成されたランドグルーブ形状を有するプリグルーブ面は、光磁気記録媒体基板の軟磁性部に設けられており、当該プリグルーブ面に対して、他の軟磁性部を介さずに、記録磁性部（記録層を含む）を含む材料膜構造部は直接積層形成されている。そのため、記録磁性部において適切なランドグルーブ形状を実現することが可能であるとともに、当該記録磁性部に含まれる記録層と軟磁性部との距離を充分に短くすることが可能なのである。また、プリグルーブ面がランドグルーブ形状以外の凹凸形状（例えばピット形状）を有する場合、当該プリグルーブ面上に直接積層形成される材料膜構造部は、ランドグルーブ形状以外の適切な凹凸形状も有し得る。
本発明の第３の側面によると光磁気記録媒体の製造方法が提供される。この方法は、高分子量樹脂部と、プリグルーブ型面を有する低分子量樹脂部と、を有する第１基板におけるプリグルーブ型面上に軟磁性材料を成長させることにより、当該プリグルーブ型面の凹凸形状が転写されたプリグルーブ面を有する軟磁性部を第１基板上に形成するための工程と、軟磁性部および第２基板を一体化するための工程と、軟磁性部および低分子量樹脂部の間に作用する密着力を低下させ、軟磁性部から第１基板を分離するための分離工程と、を含む。
このような方法によると、第１の側面に係る方法によるのと同様の光磁気記録媒体基板を製造することができる。したがって、本発明の第３の側面によると、製造される光磁気記録媒体基板について、第１の側面に関して上述したのと同様の利益が得られる。
また、本発明の第３の側面においては、軟磁性部のプリグルーブ面を形成するための鋳型として機能するプリグルーブ型面は、軟磁性部ないしこれを構成する軟磁性材料に対して充分な密着性を示し得る材料よりなる低分子量樹脂部に設けられている。低分子量樹脂部構成材料は、使用される軟磁性材料に応じて選択される。軟磁性部形成工程において、当該低分子量樹脂部とこの上に堆積する軟磁性材料との間に充分な密着力が作用している状態では、低分子量樹脂部ないしプリグルーブ型面上にて軟磁性材料を充分な厚さにまで適切に成長させることができる。したがって、軟磁性部形成工程では、プリグルーブ面を有する軟磁性部を充分な厚さで形成することができる。一方、分離工程では、軟磁性部と第１基板を分離する前に、軟磁性部に対する低分子量樹脂部の密着力を低下せしめる。そのため、軟磁性部と第１基板ないし低分子量樹脂部とを適切に分離することができる。このように、本発明の第３の側面に係る方法よると、プリグルーブ型面の凹凸形状が直接に転写されたプリグルーブ面を有する軟磁性部を備える光磁気記録媒体基板は、当該軟磁性材料に対する密着性が機能的に変化する材料により構成されてプリグルーブ型面を有する低分子量樹脂部を利用して、形成される。このような方法は、光磁気記録媒体を効率よく製造するうえで好適である。
本発明の第３の側面において、好ましくは、分離工程では、低分子量樹脂部を劣化させる液体を当該低分子量樹脂部に作用させる。或は、分離工程では、低分子量樹脂部を劣化させる電磁波を当該低分子量樹脂部に照射してもよい。
本発明の第４の側面によると光磁気記録媒体が提供される。この光磁気記録媒体は、光磁気記録媒体基板および材料膜構造部を有する。光磁気記録媒体基板は、高分子量樹脂部と、プリグルーブ型面を有する低分子量樹脂部と、を有する第１基板におけるプリグルーブ型面上に軟磁性材料を成長させることにより、当該プリグルーブ型面の凹凸形状が転写されたプリグルーブ面を有する軟磁性部を第１基板上に形成するための工程、軟磁性部および第２基板を一体化するための工程、および、軟磁性部および低分子量樹脂部の間に作用する密着力を低下させ、軟磁性部から第１基板を分離するための工程、を経て製造されたものである。材料膜構造部は、記録機能および再生機能を担う記録磁性部を含み、且つ、光磁気記録媒体基板のプリグルーブ面上に設けられている。このような光磁気記録媒体によると、本発明の第２の側面に関して上述したのと同様の利益が得られる。
本発明の第５の側面によると光磁気記録媒体基板の製造方法が提供される。この方法は、基板上に軟磁性材料を成長させることにより軟磁性膜を形成するための第１成長工程と、開口部を有するレジストパターンを軟磁性膜上に形成するためのレジストパターン形成工程と、開口部内にて軟磁性材料を成長させることにより、基板とは反対の側にプリグルーブ面を有する軟磁性部を形成するための第２成長工程と、を含む。
このような方法により得られる光磁気記録媒体基板では、軟磁性材料よりなる軟磁性部は、基板とは反対の側においてプリグルーブ面を有する。プリグルーブ面は、高い寸法精度で形成されたランドグルーブ形状を有する。プリグルーブ面の凹凸形状には、ピット形状などの他の凹凸情報が含まれていてもよい。このようなプリグルーブ面上に、記録層を含む所定の材料膜構造部を直接積層形成すると、軟磁性部および記録層は、プリグルーブ層を介さずに配置されることとなり、充分に近接し得る。また、記録層を含む所定の材料膜構造部はプリグルーブ面上に直接積層形成されるので、当該材料膜構造部は、適切なランドグルーブ形状を有し得る。プリグルーブ面がランドグルーブ形状以外の凹凸形状（例えばピット形状）を有する場合、当該プリグルーブ面上に直接積層形成される材料膜構造部は、ランドグルーブ形状以外の適切な凹凸形状も有し得る。軟磁性部の厚さを調節することにより、プリグルーブ面の上方に設けられる記録層の記録磁界感度を所望の程度に向上することができる。このように、本発明の第５の側面に係る方法により製造される基板を用いると、記録層とその記録磁界感度を向上するための軟磁性部とが適切に近接して設けられた光磁気記録媒体を製造することが可能である。
本発明の第５の側面において、好ましくは、第２成長工程より前であってレジストパターン形成工程の前または後に、Ｐｄよりもイオン化傾向の大きな元素を含む材料薄膜を軟磁性膜上に形成する。或は、第２成長工程より前であってレジストパターン形成工程の前または後に、Ｃｏ，Ｆｅ，およびＮｉよりもイオン化傾向の大きな元素を含む材料薄膜を軟磁性膜上に形成してもよい。これらの構成は、第２成長工程にてレジストパターンの開口部内に軟磁性材料を堆積するに際して所定の無電解めっき法を採用するうえで好適である。また、第１成長工程の後であってレジストパターン形成工程より前においては、第２成長工程にて無電解めっき法を採用する場合に使用するめっき浴に対して軟磁性膜を防食すべく、軟磁性膜上に保護膜を形成してもよい。
本発明の第６の側面によると光磁気記録媒体の製造方法が提供される。この方法は、第１温度の下、基板の有するプリグルーブ型面上に軟磁性材料を成長させることにより、当該プリグルーブ型面の凹凸形状が転写されたプリグルーブ面を有する軟磁性部を第１基板上に形成するための軟磁性部形成工程と、軟磁性部および第２基板を一体化するための工程と、第２温度の下、軟磁性部から第１基板を分離するための分離工程と、を含み、第１温度および第２温度の差は１０℃以下である。このような方法によると、第１基板の熱膨張率と軟磁性部の熱膨張率との差に起因して分離工程が阻害されるのを回避することができる。
本発明の第６の側面において、好ましくは、軟磁性部形成工程では、軟磁性部は溶液中にて第１基板上に形成され、分離工程は、相対湿度９０％以上の条件下で行われる。このような構成は、軟磁性部形成工程にて例えば湿式めっき法を採用する場合に、軟磁性部形成工程および分離工程での第１基板および軟磁性部の膨張態様を近似させて良好な分離工程を行ううえで好適である。
【図面の簡単な説明】  図１は、本発明に基づいて製造するこのとできる光磁気記録媒体の部分断面図である。
図２Ａ〜図２Ｃは、本発明の第１の実施形態に係る基板製造方法の一部の工程を表す。
図３Ａ〜図３Ｃは、図２Ｃの後に続く工程を表す。
図４Ａおよび図４Ｂは、図１に示す光磁気記録媒体を製造するための、図３Ｃの後に続く工程を表す。
図５Ａ〜図５Ｃは、本発明の第２の実施形態に係る基板製造方法の一部の工程を表す。
図６Ａおよび図６Ｂは、図５Ｃの後に続く工程を表す。
図７Ａおよび図７Ｂは、本発明の第３の実施形態に係る基板製造方法の一部の工程を表す。
図８Ａおよび図８Ｂは、図７Ｂの後に続く工程を表す。
図９Ａ〜図９Ｃは、本発明の第５の実施形態に係る基板製造方法を表す。
図１０は、本発明に基づいて製造するこのとできる他の光磁気記録媒体の部分断面図である。
図１１Ａ〜図１１Ｃは、本発明の第４の実施形態に係る基板製造方法の一部の工程を表す。
図１２Ａ〜図１２Ｃは、図１１Ｃの後に続く工程を表す。
図１３Ａ〜図１３Ｃは、第４の実施形態に係る基板製造方法の一部の代替工程を表す。
図１４Ａおよび図１４Ｂは、図１２Ｃまたは図１３Ｃの後に続く工程を表す。
図１５は、軟磁性部を有する従来の光磁気記録媒体の積層構成を表す。
【発明を実施するための最良の形態】  図１は、本発明に基づいて製造することのできる光磁気記録媒体Ｘ１を表す。光磁気記録媒体Ｘ１は、基板Ｓ１と、記録磁性部２１と、熱伝導層２２と、誘電体層２３，２４と、保護膜２５とを備え、フロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして構成されている。
基板Ｓ１は、基材１１および軟磁性部１２を有し、これらは接着材３０を介して接合されている。基材１１は、例えば、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリメチルメタアクリレート（ＰＭＭＡ）樹脂、エポキシ樹脂、またはポリオレフィン樹脂よりなる。或は、基材１１としては、ガラス基板やアルミニウム合金基板を採用してもよい。
軟磁性部１２は、渦巻き状または同心円状のプリグルーブ１２ｂが所望の寸法で形成されたプリグルーブ面１２ａを有する。このプリグルーブ１２ｂを基に、本光磁気ディスクにおけるランドグルーブ形状が形成されている。軟磁性部１２は、大きな飽和磁化と小さな保磁力とを有する軟磁性材料よりなり、記録磁気ヘッドから発せられる磁界の磁束を記録磁性部２１に含まれる記録層にて集中させることによって当該記録層の記録磁界感度を向上させる機能を有する。このような軟磁性部１２は、例えば、ＦｅＣなどのＦｅ系材料、Ｃｏ系材料、パーマロイ、またはセンダストより構成することができる。より具体的には、軟磁性部１２は例えばＣｏＦｅＮｉよりなる。
軟磁性部１２を構成する軟磁性材料の飽和磁束密度をＢｓ（ｋＧａｕｓｓ）とし、軟磁性部１２の厚さをｔ（μｍ）とすると、軟磁性部１２は、下記式（１）を満たすのが好ましい。軟磁性部１２については、薄くても式（１）を満たすほどに飽和磁束密度が高い場合、或は、飽和磁束密度が小さくても式（１）を満たすほどに厚い場合、記録磁性部２１に含まれる後述の記録層における磁界集中の機能を充分に発揮することができる。
Ｂｓ×ｔ≧５（ｋＧａｕｓｓ・μｍ）          ・・・・（１）
記録磁性部２１は、熱磁気的な記録および磁気光学効果を利用した再生という２つの機能を担うことが可能な、１または２以上の磁性膜よりなる磁性構造を有し、ランドグルーブ形状のランド部および／またはグルーブ部にて、本媒体における情報トラックを構成する。例えば、記録磁性部２１は、記録機能および再生機能を併有する単一の記録層よりなる。或は、記録磁性部２１は、相対的に保磁力が大きくて記録機能を担う記録層と、再生用レーザにおけるカー回転角が相対的に大きくて再生機能を担う再生層とからなる、２層構造を有する。或は、記録磁性部２１は、ＭＳＲ方式、ＭＡＭＭＯＳ方式、またはＤＷＤＤ方式での再生を実現するための、記録層、再生層、およびこれらの間の中間層を含む３層以上の多層構造を有する。
記録磁性部２１のとり得る各構造における各層は、希土類元素と遷移金属とのアモルファス合金よりなり、垂直磁気異方性を有して垂直方向に磁化された垂直磁化膜である。垂直方向とは、各層を構成する磁性膜の膜面に対して垂直な方向をいう。希土類元素としては、Ｔｂ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｎｄ，またはＰｒなどを用いることができる。遷移金属としては、ＦｅやＣｏなどを用いることができる。
より具体的には、記録層は、例えば、所定の組成を有するＴｂＦｅＣｏ，ＤｙＦｅＣｏ，またはＴｂＤｙＦｅＣｏよりなる。再生層を設ける場合、当該再生層は、例えば、所定の組成を有するＧｄＦｅＣｏ，ＧｄＤｙＦｅＣｏ，ＧｄＴｂＤｙＦｅＣｏ，ＮｄＤｙＦｅＣｏ，ＮｄＧｄＦｅＣｏ，またはＰｒＤｙＦｅＣｏよりなる。中間層を設ける場合、当該中間層は、例えば、所定の組成を有するＧｄＦｅ，ＴｂＦｅ，ＧｄＦｅＣｏ，ＧｄＤｙＦｅＣｏ，ＧｄＴｂＤｙＦｅＣｏ，ＮｄＤｙＦｅＣｏ，ＮｄＧｄＦｅＣｏ，またはＰｒＤｙＦｅＣｏよりなる。各層の厚さは、記録磁性部２１に所望される磁性構造に応じて決定される。
熱伝導層２２は、レーザ照射時に記録磁性部２１などにて発生する熱を効率よく基板Ｓ１へ伝えるための部位であり、例えば、Ａｇ，Ａｇ合金（ＡｇＰｄＣｕＳｉ，ＡｇＰｄＣｕなど），Ａｌ合金（ＡｌＴｉ，ＡｌＣｒなど），Ａｕ，またはＰｔなどの高熱伝導材料よりなる。熱伝導層２２の厚さは、例えば１０〜５０ｎｍである。
誘電体層２３，２４は、記録磁性部２１に対する外部からの化学的影響を回避ないし抑制するための部位であり、例えば、ＳｉＮ，ＳｉＯ２，ＹＳｉＯ２，ＺｎＳｉＯ２，ＡｌＯ，またはＡｌＮよりなる。誘電体層２３の厚さは、例えば１０〜３０ｎｍである。誘電体層２４の厚さは、例えば３５〜５０ｎｍである。
保護膜２５は、光磁気記録媒体Ｘ１の記録用レーザおよび再生用レーザに対して充分な透過性を有する樹脂よりなり、その厚さは例えば１０〜４０μｍである。保護膜２５を構成するための樹脂としては、例えば、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）樹脂、エポキシ樹脂、またはポリオレフィン樹脂が挙げられる。
光磁気記録媒体Ｘ１は、軟磁性部１２から保護膜２５までの積層構造を基材１１の片面側のみに又は両面側に有する。また、記録磁性部２１、熱伝導層２２、誘電体層２３，２４、および保護膜２５は、光磁気記録媒体Ｘ１おいて、基板Ｓ１のプリグルーブ面１２ａ上に積層形成された材料膜構造部を構成する。当該材料膜構造部のうち熱伝導層２２がプリグルーブ面１２ａ上に直接積層されている。
図２Ａ〜図３Ｃは、本発明の第１の実施形態に係る基板製造方法を表す。本実施形態は、光磁気記録媒体用の上述の基板Ｓ１を製造するための一手法である。本実施形態においては、まず、図２Ａに示すような仮基板３１を用意する。仮基板３１は、平坦面３１ａを有し、樹脂材料、セラミック材料、または金属材料よりなる。平坦面３１ａは、所定の平滑化処理および清浄処理が施されている。樹脂材料としては、ポリカーボネート、アモルファスポリオレフィン、およびエポキシなどを採用することができる。セラミック材料としては、ガラスなどを採用することができる。金属材料としては、アルミニウム合金やマグネシウム合金などを採用することができる。
次に、図２Ｂに示すように、仮基板３１の平坦面３１ａ上に密着層３２を形成する。密着層３２を構材するための材料としては、軟磁性部１２の構成材料に対して良好な密着性を示すものを選択する。そのような材料としては、例えば、フォトレジスト、ソルダーレジスト、またはポリビニルアルコールを採用することができる。密着層３２の構成材料としては、光分解性を示す樹脂材料を採用してもよい。そのような樹脂材料としては、例えば、ポジ型フォトレジスト、ポジ型ソルダーレジスト、および、シリコンウエハダイシング用テープの接着層を構成する光分解型樹脂が、挙げられる。密着層３２の形成手法としては、スピンコート法、ディップコート法、または印刷法を採用することができる。密着層３２の厚さは例えば０．５〜１００μｍである。
次に、図２Ｃに示すように、密着層３２においてプリグルーブ型面３２ａを形成する。具体的には、紫外線照射または電子線照射により密着層３２の露出面の所定箇所を露光処理した後、当該露出面を現像処理することによって、所定寸法のランドグルーブ形状（凹凸形状）を有するプリグルーブ型面３２ａを形成する。プリグルーブ型面３２ａのランドグルーブ形状は、軟磁性部１２にて形成すべきプリグルーブ面１２ａのランドグルーブ形状に対応する。
このような手法に代えて、プリグルーブ型面３２ａの形成においては、ナノインプリント法を採用してもよい。ナノインプリント法においては、表面に所定のランドグルーブ形状を有する硬質スタンパを密着層３２に押圧することにより、硬質スタンパの当該ランドグルーブ形状を、密着層３２の露出面に転写する。これにより、密着層３２にてプリグルーブ型面３２ａが形成されることとなる。硬質スタンパは、例えばニッケルや石英ガラスよりなる。
また、本工程では、ランドグルーブ形状とともにランドグルーブ形状以外の凹凸形状（例えばピット形状）を有するように、プリグルーブ型面３２ａを形成してもよい。
基板Ｓ１の製造においては、次に、図３Ａに示すように、プリグルーブ型面３２ａ上に軟磁性部１２を形成する。軟磁性部１２は、例えばスパッタリング法や無電解めっき法により上掲の軟磁性材料をプリグルーブ型面３２ａ上に成長させることによって、形成することができる。軟磁性部１２には、密着層３２のプリグルーブ型面３２ａの凹凸形状が転写されたプリグルーブ面１２ａが形成される。図３Ａに示す軟磁性部１２の露出面上には、防食のための保護層を形成してもよい。保護層を構成する材料としては、銅、ニッケル、窒化ケイ素、および窒化アルミニウムなどから選択することができる。
次に、図３Ｂに示すように、軟磁性部１２に対し、または形成されている場合には保護層に対し、接着剤３０を介して基材１１を接合する。接着剤３０としては、紫外線硬化性樹脂を採用することができる。接着剤３０として紫外線硬化性樹脂を採用する場合、基材１１としては、紫外線透過性材料よりなるものが採用される。
次に、図３Ｃに示すように、基材１１および軟磁性部１２を含む構造体と、仮基板３１および密着層３２からなる構造体とを、分離する。
本分離工程においては、密着層３２の構成材料に応じて選択される溶液に対し、図３Ｂに示す構造体を浸漬する。密着層３２がフォトレジストまたはソルダーレジストよりなる場合、本工程で使用する溶液としては、例えばアセトン、メチルエチルケトン、およびキシレンを採用することができる。この場合、浸漬時間は例えば５分とし、溶液温度は例えば室温〜５０℃とする。密着層３２がポリビニルアルコールよりなる場合、本工程で使用する溶液としては水を採用することができる。この場合、浸漬時間は例えば５分とし、溶液温度は例えば室温〜７０℃とする。浸漬時には、当該溶液にて超音波を伝搬させてもよい。
密着層３２が光分解性樹脂材料よりなる場合には、本分離工程では、上述の浸漬手法に代えて、紫外線やＸ線などの所定の電磁波を密着層３２に照射する手法を採用することができる。
浸漬または電磁波照射により密着層３２を充分に劣化ないし溶解させた後、基材１１および軟磁性部１２を含む構造体と、仮基板３１および密着層３２からなる構造体とを、分離する。この後、軟磁性部１２のプリグルーブ面１２ａに密着層３２の残さが存在する場合には、酸素プラズマエッチングや酸素プラズマアッシングを行うことにより、当該残さを除去してもよい。
以上のようにして、プリグルーブ型面３２ａのランドグルーブ形状が転写されたプリグルーブ面１２ａを軟磁性部１２にて有する基板Ｓ１を、製造することができる。プリグルーブ型面３２ａがランドグルーブ形状以外の凹凸形状（例えばピット形状）を有する場合、プリグルーブ面１２ａには、ランドグルーブ形状以外の凹凸形状も転写されている。
上述の方法においては、軟磁性部１２のプリグルーブ面１２ａを形成するための鋳型として機能するプリグルーブ型面３２ａは、軟磁性部１２ないしこれを構成する軟磁性材料に対して充分な密着性を示し得る材料よりなる密着層３２に設けられている。密着層構成材料は、使用される軟磁性材料に応じて選択される。図３Ａを参照して上述した軟磁性部形成工程において、密着層３２とこの上に堆積する軟磁性材料との間に充分な密着力が作用している状態では、密着層３２ないしプリグルーブ型面３２ａ上にて軟磁性材料を充分な厚さにまで適切に成長させることができる。したがって、軟磁性部形成工程では、プリグルーブ面１２ａを有する軟磁性部１２を充分な厚さで形成することができる。
一方、図３Ｃを参照して上述した分離工程では、軟磁性部１２と密着層３２または仮基板３１とを分離する前に、軟磁性部１２に対する密着層３２の密着力を低下せしめる。そのため、密着層３２および仮基板３１と軟磁性部１２とを適切に分離することができる。
このように、本実施形態の基板製造方法によると、プリグルーブ型面３２ａの凹凸形状が直接に転写されたプリグルーブ面１２ａを有する軟磁性部１２を備える光磁気記録媒体用の基板Ｓ１は、軟磁性材料に対する密着性が機能的に変化する材料により構成されてプリグルーブ型面３２ａを有する密着層３２を利用して、形成される。このような方法は、例えば光磁気記録媒体Ｘ１を効率よく製造するうえで好適である。
図４Ａおよび図４Ｂは、基板Ｓ１を用いて光磁気記録媒体Ｘ１を製造する方法を表す。本方法においては、まず、図４Ａに示すように、基板Ｓ１におけるプリグルーブ面１２ａ上に、熱伝導層２２、誘電体層２３、記録磁性部２１、および誘電体層２４を、順次形成する。各層は、スパッタリング法により形成することができる。
次に、図４Ｂに示すように、誘電体層２４上に保護膜２５を形成する。保護膜２５の形成においては、まず、誘電体層２４上に液状の樹脂組成物を成膜する。成膜手法としてはスピンコート法を採用することができる。当該樹脂組成物としては、保護膜２５の構成材料として上掲した樹脂を主成分として含み、且つ、紫外線硬化性、熱硬化性、または触媒硬化性を有するものを使用する。次に、成膜された樹脂組成物を硬化させる。硬化手法としては、樹脂組成物の硬化特性に応じて、樹脂組成物に対する紫外線照射、樹脂の加熱、或は、樹脂に対して触媒を作用させる方法が採用される。触媒を利用する場合には、成膜時の樹脂組成物に対して予め当該触媒を添加しておく。このようにして、保護膜２５を形成することができる。
以上のようにして、光磁気記録媒体Ｘ１を製造することができる。軟磁性部１２から保護膜２５までの積層構造を基材１１の両面側に設ける場合には、更に、図３Ａ〜図４Ｂを参照して上述した一連の工程を、基材１１のもう一方の面の側について行う。
基板Ｓ１は、所望の寸法で高精度にプリグルーブ１２ｂが形成されたプリグルーブ面１２ａを有し、且つ、当該プリグルーブ面１２ａは、軟磁性部１２により構成されている。図４Ａを参照して上述した工程では、このようなプリグルーブ面１２ａに対して、軟磁性部を介さずに、熱伝導層２２、誘電体層２３、および記録磁性部２１が積層形成される。そのため、光磁気記録媒体Ｘ１の記録磁性部２１については、寸法精度の高いランドグルーブ形状を有するように適切に形成することができる。すなわち、記録磁性部２１については、不当に丸みをおびず且つ不当に大きな表面粗さを有さずに、形成することができる。加えて、熱伝導層２２、誘電体層２３、および記録磁性部２１は、プリグルーブ層を介さずに軟磁性部１２に対して直接積層形成されているので、記録磁性部２１に含まれる記録層と軟磁性部１２とは、充分に近接し得る。このように、基板Ｓ１を用いて製造される光磁気記録媒体Ｘ１においては、記録磁性部２１において適切なランドグルーブ形状を実現することが可能であるとともに、記録磁性部２１に含まれる記録層と軟磁性部１２との距離を充分に短くすることが可能なのである。
記録磁性部２１に含まれる記録層と軟磁性部１２との間の距離が短い光磁気記録媒体Ｘ１では、軟磁性部１２の存在に起因する磁界集中の効果を充分に享受できるので、記録層の記録磁界感度を効率よく向上することが可能である。記録層の記録磁界感度の向上は、記録時における磁気記録ヘッドによる印加磁界の低減を可能にし、その結果、より高周波での記録すなわち高速記録を適切に実現することが可能となる。このような高速記録化は、記録密度の高い光磁気記録媒体の実用化を図るうえで重要である。
図５Ａ〜図６Ｂは、本発明の第２の実施形態に係る基板製造方法を表す。本実施形態は、光磁気記録媒体用の上述の基板Ｓ１を製造するための一手法である。本実施形態においては、まず、図５Ａに示すような仮基板３３を用意する。仮基板３３は、軟磁性部１２にて形成すべきプリグルーブ面１２ａのランドグルーブ形状に応じた所定の凹凸面３３ａを有し、樹脂材料、セラミック材料、または金属材料よりなる。凹凸面３３ａは、所定の清浄処理が施されている。樹脂材料としては、ポリカーボネート、アモルファスポリオレフィン、およびエポキシなどを採用することができる。セラミック材料としては、ガラスなどを採用することができる。金属材料としては、アルミニウム合金やマグネシウム合金などを採用することができる。
次に、図５Ｂに示すように、仮基板３３の凹凸面３３ａ上に、所定寸法のランドグルーブ形状を成すプリグルーブ型面３４ａを有する密着膜３４を形成する。このプリグルーブ型面３４ａのランドグルーブ形状は、軟磁性部１２にて形成すべきプリグルーブ面１２ａのランドグルーブ形状に対応する。また、プリグルーブ型面３４ａは、ランドグルーブ形状とともにランドグルーブ形状以外の凹凸形状（例えばピット形状）を有していてもよい。密着膜３４は、スパッタリング法や無電解めっき法により所定の材料を凹凸面３３ａ上に成長させることによって、形成することができる。密着膜３４を構成する材料としては、酸化亜鉛または亜鉛である。酸化亜鉛および亜鉛は、軟磁性部１２を構成する軟磁性材料に対して良好な密着性を示す傾向にある。密着膜３４の厚さは例えば０．１〜０．５μｍである。
次に、図５Ｃに示すように、プリグルーブ型面３４ａ上に軟磁性部１２を形成する。軟磁性部１２は、例えばスパッタリング法や無電解めっき法により上掲の軟磁性材料をプリグルーブ型面３４ａ上に成長させることによって、形成することができる。軟磁性部１２には、密着膜３４のプリグルーブ型面３４ａの凹凸形状が転写されたプリグルーブ面１２ａが形成される。軟磁性部１２の露出面上には、防食のための保護層を形成してもよい。
次に、図６Ａに示すように、軟磁性部１２に対し、または形成されている場合には保護層に対し、例えば紫外線硬化性樹脂よりなる接着剤３０を介して、基材１１を接合する。
次に、図６Ｂに示すように、基材１１および軟磁性部１２を含む構造体と、仮基板３３および密着膜３４からなる構造体とを、分離する。具体的には、図６Ａに示す構造体を酸性水溶液に浸漬することにより、酸化亜鉛または亜鉛よりなる密着膜３４を当該酸性水溶液に溶解した後、基材１１および軟磁性部１２を含む構造体と、仮基板３３とを分離する。酸性水溶液としては、所定濃度の例えば塩酸や硝酸水溶液を使用することができる。この場合、浸漬時間は例えば５分とし、溶液温度は例えば室温〜５０℃とする。
分離の後、軟磁性部１２のプリグルーブ面１２ａに密着膜３４の残さが存在する場合には、酸素プラズマエッチングや酸素プラズマアッシングを行うことにより、当該残さを除去してもよい。
以上のようにして、プリグルーブ型面３４ａのランドグルーブ形状が転写されたプリグルーブ面１２ａを軟磁性部１２にて有する基板Ｓ１を、製造することができる。プリグルーブ型面３４ａがランドグルーブ形状以外の凹凸形状（例えばピット形状）を有する場合、プリグルーブ面１２ａには、ランドグルーブ形状以外の凹凸形状も転写されている。
本実施形態は、軟磁性部１２のプリグルーブ面１２ａを形成するための鋳型として機能するプリグルーブ型面３４ａは、軟磁性部１２ないしこれを構成する軟磁性材料に対して充分な密着性を示し得る材料よりなる密着膜３４に設けられている。密着膜構成材料は、使用される軟磁性材料に応じて選択される。図５Ｃを参照して上述した軟磁性部形成工程において、密着膜３４とこの上に堆積する軟磁性材料との間に充分な密着力が作用している状態では、密着膜３４ないしプリグルーブ型面３４ａ上にて軟磁性材料を充分な厚さにまで適切に成長させることができる。したがって、軟磁性部形成工程では、プリグルーブ面１２ａを有する軟磁性部１２を充分な厚さで形成することができる。
一方、図６Ｂを参照して上述した分離工程では、軟磁性部１２と密着膜３４または仮基板３３とを分離する前に、軟磁性部１２に対する密着膜３４の密着力を低下せしめる。そのため、密着膜３４および仮基板３３と軟磁性部１２とを適切に分離することができる。
このように、本実施形態の基板製造方法によると、プリグルーブ型面３４ａの凹凸形状が直接に転写されたプリグルーブ面１２ａを有する軟磁性部１２を備える光磁気記録媒体用の基板Ｓ１は、軟磁性材料に対する密着性が機能的に変化する材料により構成されてプリグルーブ型面３４ａを有する密着膜３４を利用して、形成される。このような方法は、例えば光磁気記録媒体Ｘ１を効率よく製造するうえで好適である。
図７Ａ〜図８Ｂは、本発明の第３の実施形態に係る基板製造方法を表す。本実施形態は、光磁気記録媒体用の上述の基板Ｓ１を製造するための一手法である。本実施形態においては、まず、図７Ａに示すような仮基板３５を用意する。仮基板３５は、コア部３５ａおよび外皮部３５ｂよりなり、外皮部３５ｂにて、プリグルーブ型面３５ｃを有する。コア部３５ａは、相対的に高分子量の樹脂材料よりなり、外皮部３５ｂは、相対的に低分子量の樹脂材料よりなる。外皮部３５ｂを構成する樹脂材料の平均分子量は、コア部３５ａを構成するそれの２分の１以下が好ましい。プリグルーブ型面３５ｃは、所定寸法のランドグルーブ形状を有し、当該ランドグルーブ形状は、軟磁性部１２にて形成すべきプリグルーブ面１２ａのランドグルーブ形状に対応する。プリグルーブ型面３５ｃは、ランドグルーブ形状とともにランドグルーブ形状以外の凹凸形状（例えばピット形状）を有していてもよい。また、プリグルーブ型面３５ｃは、所定の清浄処理が施されている。このような仮基板３５を構成する樹脂材料としては、例えばポリビニルアルコールを採用することができる。構成樹脂の分子量の異なるコア部３５ａおよび外皮部３５ｂを有するこのような仮基板３５は、例えば、樹脂射出成形技術における２色成形法により作製することができる。
本実施形態では、次に、図７Ｂに示すように、仮基板３５のプリグルーブ型面３５ｃ上に軟磁性部１２を形成する。軟磁性部１２は、例えばスパッタリング法や無電解めっき法により上掲の軟磁性材料をプリグルーブ型面３５ｃ上に成長させることによって、形成することができる。軟磁性部１２には、仮基板３５のプリグルーブ型面３５ｃの凹凸形状が転写されたプリグルーブ面１２ａが形成される。軟磁性部１２の露出面上には、防食のための保護層を形成してもよい。
次に、図８Ａに示すように、軟磁性部１２に対し、または形成されている場合には保護層に対し、例えば紫外線硬化性樹脂よりなる接着剤３０を介して、基材１１を接合する。
次に、図８Ｂに示すように、基材１１および軟磁性部１２を含む構造体と仮基板３５とを分離する。具体的には、外皮部３５ｂの構成樹脂材料に応じて選択される溶液に対し、図８Ａに示す構造体を浸漬することにより、仮基板３５の外皮部３５ｂを当該溶液に溶解した後、基材１１および軟磁性部１２を含む構造体と仮基板３５とを分離する。本工程で使用する溶液としては、例えば水、エチルアルコール、およびイソプロピルアルコールを採用することができる。浸漬時間は例えば５分とし、溶液温度は例えば室温〜５０℃とする。浸漬時には、当該溶液にて超音波を伝搬させてもよい。
外皮部３５ｂを光分解性樹脂材料により構成する場合には、本分離工程では、上述の浸漬手法に代えて、紫外線やＸ線などの所定の電磁波を外皮部３５ｂに照射する手法を採用することができる。
浸漬または電磁波照射により外皮部３５ｂを充分に劣化ないし溶解させた後、基材１１および軟磁性部１２を含む構造体と仮基板３５とを、分離する。この後、軟磁性部１２のプリグルーブ面１２ａに外皮部３５ｂの残さが存在する場合には、酸素プラズマエッチングや酸素プラズマアッシングを行うことにより、当該残さを除去してもよい。
以上のようにして、プリグルーブ型面３５ｃのランドグルーブ形状が転写されたプリグルーブ面１２ａを軟磁性部１２にて有する基板Ｓ１を、製造することができる。プリグルーブ型面３５ｃがランドグルーブ形状以外の凹凸形状（例えばピット形状）を有する場合、プリグルーブ面１２ａには、ランドグルーブ形状以外の凹凸形状も転写されている。
本実施形態では、プリグルーブ型面３５ｃは、仮基板３５において、分離工程にて劣化されて例えば除去される外皮部３５ｂに形成されている。分離工程では、仮基板３５と軟磁性部１２とを分離する前に、外皮部３５ｂを劣化せしめるため、仮基板３５と軟磁性部１２とを適切に分離することができる。
このように、本実施形態の基板製造方法によると、プリグルーブ型面３５ｃの凹凸形状が直接に転写されたプリグルーブ面１２ａを有する軟磁性部１２を備える光磁気記録媒体用の基板Ｓ１は、軟磁性材料に対する密着性が機能的に変化し得る材料により構成されてプリグルーブ型面３５ｃを有する外皮部３５ｂを利用して、形成される。このような方法は、例えば光磁気記録媒体Ｘ１を効率よく製造するうえで好適である。
図９Ａ〜図９Ｃは、本発明の第４の実施形態に係る基板製造方法を表す。本実施形態は、光磁気記録媒体用の上述の基板Ｓ１を製造するための一手法である。本実施形態においては、まず、図９Ａに示すように、仮基板３８上に軟磁性部１２を形成する。仮基板３８はプリグルーブ型面３８ａを有し、このプリグルーブ型面３８ａのランドグルーブ形状は、軟磁性部１２にて形成すべきプリグルーブ面１２ａのランドグルーブ形状に対応する。プリグルーブ型面３８ａは、ランドグルーブ形状とともにランドグルーブ形状以外の凹凸形状（例えばピット形状）を有していてもよい。仮基板３８は、樹脂材料、セラミック材料、または金属材料により一様に構成されていてもよいし、図２Ｃ、図５Ｂ、または図７Ａに示す構造体のような複合的な内部構造を有していてもよい。
軟磁性部１２は、例えばスパッタリング法や無電解めっき法により当該プリグルーブ型面３８ａ上に軟磁性材料を成長させることによって、形成することができる。軟磁性部１２には、仮基板３８のプリグルーブ型面３８ａの凹凸形状が転写されたプリグルーブ面１２ａが形成される。スパッタリング法を採用する場合、成膜時における仮基板３８の温度は例えば２０〜４０℃とする。一方、無電解めっき法を採用する場合、成膜時におけるめっき浴の温度は例えば４５〜９０℃とする。本工程の後、図９Ａに示す軟磁性部１２の露出面上には、防食のための保護層を形成してもよい。
本実施形態では、次に、図９Ｂに示すように、軟磁性部１２に対し、または形成されている場合には保護層に対し、例えば紫外線硬化性樹脂よりなる接着剤３０を介して基材１１を接合する。
次に、図９Ｃに示すように、基材１１および軟磁性部１２を含む構造体と、仮基板３８とを、分離する。本工程では、図９Ａを参照して上述した軟磁性部形成工程に近似した温度条件および／または湿度条件の下に、図９Ｂに示す構造体を充分に放置した後に、基板Ｓ１と仮基板３８とを分離する。
例えば、軟磁性部形成工程にてスパッタリング法を採用する場合、当該スパッタリング時の仮基板３８の温度と、分離工程における少なくとも仮基板３８および軟磁性部１２の温度との差を、１０℃以下とする。例えば、軟磁性部形成工程にて無電解めっき法を採用する場合、当該無電解めっき時のめっき浴の温度と、分離工程における環境温度との差を、１０℃以下とする。また、軟磁性部形成工程にて無電解めっき法を採用する場合、分離工程は、相対湿度９０％以上の環境下で行うのが好ましい。
両工程の温度や湿度を近似させることにより、両工程間での仮基板３８の膨張または収縮を低減できるとともに、両工程間での軟磁性部１２の膨張または収縮を低減でき、従って、本分離工程において、例えば軟磁性部１２が仮基板３８に対して相対的に不当に膨張または収縮することを回避することができる。それゆえ、分離工程において、軟磁性部１２と仮基板３８と適切に分離することが可能となるのである。
このように、本実施形態の基板製造方法によると、プリグルーブ型面３８ａの凹凸形状が直接に転写されたプリグルーブ面１２ａを有する軟磁性部１２を備える光磁気記録媒体用の基板Ｓ１を、適切に製造することができる。プリグルーブ型面３８ａがランドグルーブ形状以外の凹凸形状（例えばピット形状）を有する場合、プリグルーブ面１２ａには、ランドグルーブ形状以外の凹凸形状も転写されている。
図１０は、本発明に基づいて製造することのできる光磁気記録媒体Ｘ２を表す。光磁気記録媒体Ｘ２は、基板Ｓ２と、記録磁性部２１と、熱伝導層２２と、誘電体層２３，２４と、保護膜２５とを備え、フロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして構成されている。
基板Ｓ２は、基材１３、軟磁性部１４、およびこれらの間の密着層１５を有する。基材１３は、例えば、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリメチルメタアクリレート（ＰＭＭＡ）樹脂、エポキシ樹脂、またはポリオレフィン樹脂よりなる。或は、基材１３としては、ガラス基板やアルミニウム合金基板を採用してもよい。
軟磁性部１４は、渦巻き状または同心円状のプリグルーブ１４ｂが所望の寸法で形成されたプリグルーブ面１４ａを有する。このプリグルーブ１４ｂを基に、本光磁気ディスクにおけるランドグルーブ形状が形成されている。軟磁性部１４を構成する材料としては、軟磁性部１２の構成材料として上述しものを採用することができる。軟磁性部１４を構成する軟磁性材料の飽和磁束密度をＢｓ（ｋＧａｕｓｓ）とし、軟磁性部１４の厚さをｔ（μｍ）とすると、軟磁性部１４は、上記式（１）を満たすのが好ましい。
密着層１５は、基材１３に対する軟磁性部１４の密着力を確保するための部位であり、例えば、Ｔｉ，Ｃｒ，Ｗよりなる。密着層１５の厚さは例えば１０〜１００ｎｍであり、好ましくは２０〜５０ｎｍである。厚さが１０ｎｍより小さいと、密着力向上の効果を充分には得られない。厚さが１００ｎｍより大きいと、基材１３から密着層１５が剥離しやすくなる。
記録磁性部２１、熱伝導層２２、誘電体層２３，２４、および保護層２５については、光磁気記録媒体Ｘ１に関して上述したのと同様である。
光磁気記録媒体Ｘ２は、密着層１５から保護膜２５までの積層構造を基材１３の片面側のみに又は両面側に有する。また、記録磁性部２１、熱伝導層２２、誘電体層２３，２４、および保護膜２５は、光磁気記録媒体Ｘ２おいて、プリグルーブ面１４ａ上に積層形成された材料膜構造部を構成する。当該材料膜構造部のうち熱伝導層２２がプリグルーブ面１４ａ上に直接積層されている。
図１１Ａ〜図１２Ｂは、本発明の第５の実施形態に係る基板製造方法を表す。本実施形態は、光磁気記録媒体用の上述の基板Ｓ２を製造するための一手法である。本実施形態においては、まず、図１１Ａに示すように、平坦面１３ａを有する基材１３を用意する。基材１３の平坦面１３ａは、所定の平滑化処理および清浄処理が施されている。
次に、図１１Ｂに示すように、基材１３の平坦面１３ａ上に密着層１５を形成する。具体的には、密着層１５の上掲の構成材料を例えばスパッタリング法により平坦面１３ａ上に成膜する。
次に、図１１Ｃに示すように、密着層１５上に軟磁性膜１４ｃを形成する。具体的には、軟磁性部１４を構成するための軟磁性材料を所定の厚さに成膜する。成膜手法としては、スパッタリング法、電気めっき法、または無電解めっき法を採用することができる。
次に、図１２Ａに示すように、軟磁性膜１４ｃ上にレジストパターン３７を形成する。レジストパターン３７は、フォトレジストまたはソルダーレジストよりなり、軟磁性部１４にて形成すべきプリグルーブ面１４ａのランドグルーブ形状におけるランド部に対応する開口部３７ａを有する。また、レジストパターン３７は、例えばピット形状を形成するための、ランド部以外に対応する開口部を有していてもよい。レジストパターン３７の厚さは、形成すべき軟磁性部１４の厚さの１．５倍以上が好ましい。
次に、図１２Ｂに示すように、スパッタリング法、電気めっき法、または無電解めっき法により、レジストパターン３７の開口部３７ａ内に軟磁性材料１４ｄを堆積させることによって、プリグルーブ面１４ａを有する軟磁性部１４を形成する。
軟磁性部１４の形成においては、レジストパターン３７を形成する前に図１３Ａに示すように、保護膜としての薄膜１４ｅを軟磁性膜１４ｃ上に形成し、図１３Ｂに示すようにレジストパターン３７を形成し、図１３Ｃに示すように薄膜１４ｅ上に軟磁性材料１４ｄを堆積してもよい。
薄膜１４ｅの構成材料としては、軟磁性部１４を構成する軟磁性材料よりイオン化傾向の大きい金属材料（例えば亜鉛）、不働態酸化皮膜を形成しやすい金属材料（例えば、アルミニウム、マグネシウム、チタン、銅）、または、セラミックス（ホウ化物、炭化物、窒化物、酸化物、フッ化物）を採用することができる。この場合、薄膜１４ｅは、無電解めっき法により軟磁性材料１４ｄを堆積させる際に、めっき浴に対して軟磁性膜１４ｃを防食する機能を呈することができる。
軟磁性材料１４ｄの堆積手法として無電解めっき法を採用する場合には、薄膜１４ｅの構成材料としては、銅や亜鉛を採用してもよい。
薄膜１４ｅの構成材料として銅を採用する場合、軟磁性材料１４ｄの堆積に際して、まず、図１３Ｂに示す構造体を塩化パラジウム水溶液（０．０１〜０．１ｗｔ％、室温）に浸漬する。このとき、当該水溶液中のパラジウムと、薄膜１４ｅを構成する銅との置換めっき反応により、薄膜１４ｅ表面にてパラジウムが強固かつ均一に析出する。当該パラジウムは、後出のめっき成長における触媒核として機能する。次に、図１３Ｂに示す構造体を充分に水洗いした後、所定の組成を有するめっき浴に当該構造体を浸漬し、軟磁性材料１４ｄをめっき成長させる。めっき浴は、形成目的の軟磁性部１４の組成に応じて、所定濃度のコバルト、ニッケル、鉄、還元剤などを含む。
薄膜１４ｅを形成せずに、軟磁性膜１４ｃ上に直接に塩化パラジウム水溶液を作用させると、軟磁性膜１４ｃ表面に対する吸着力の弱いパラジウムは当該表面に均一には吸着しにくい傾向がある。軟磁性膜１４ｃ表面におけるパラジウムの吸着態様が疎らであると、その後の軟磁性めっき膜成長工程において、膜成長箇所にわたって成長速度すなわち膜厚に差が生じてしまう。これに対し、銅よりなる薄膜１４ｅを上述のように形成する場合には、パラジウムよりイオン化傾向の大きな銅とパラジウムとの置換反応を利用して、当該薄膜１４ｅ表面にパラジウム触媒核を均一に形成することができるので、当該薄膜１４ｅ上にて良好な軟磁性めっき膜を形成することが可能となるのである。銅以外であっても、パラジウムよりもイオン化傾向が大きい元素により薄膜１４ｅを形成する場合には、同様の効果が奏される。
薄膜１４ｅの構成材料として亜鉛を採用する場合、軟磁性材料１４ｄの堆積に際して、図１３Ｂに示す構造体を、所定の組成を有するめっき浴に浸漬し、軟磁性めっき膜を成長させる。めっき浴は、形成目的の軟磁性部１４の組成に応じて、所定濃度のコバルト、ニッケル、鉄、還元剤などを含む。本方法では、まず、めっき液中のコバルト、ニッケル、鉄と、薄膜１４ｅを構成する亜鉛との置換めっき反応により、薄膜１４ｅ表面にコバルト、ニッケル、および鉄が強固かつ均一に析出する。その後、めっき液中の還元剤の作用により、コバルト、ニッケル、および鉄が析出し続ける。本方法によると、パラジウム触媒核の吸着形成を行わなくとも、軟磁性材料１４ｄを堆積することができる。亜鉛以外であっても、コバルト、ニッケル、および鉄よりもイオン化傾向の大きな元素により薄膜１４ｅを形成する場合には、同様の効果が奏される。
本実施形態では、軟磁性部１４の形成の後、図１２Ｃに示すように、レジストパターン３７を除去する。例えば、図１２Ｂに示す構造体を所定の溶液に浸漬することにより、レジストパターン３７を除去する。除去するための溶液としては、例えばアセトン、メチルエチルケトン、およびキシレンを使用することができる。
以上のようにして、高い寸法精度のランドグルーブ形状を有するプリグルーブ面１４ａを軟磁性部１４にて有する基板Ｓ２を、製造することができる。レジストパターン３７がランドグルーブ形状以外の凹凸形状（例えばピット形状）に対応する開口部を有する場合には、プリグルーブ面１４ａは、ランドグルーブ形状以外の凹凸形状も有する。
基板Ｓ２を用いて光磁気記録媒体Ｘ２を製造する場合には、まず、図１４Ａに示すように、基板Ｓ２におけるプリグルーブ面１４ａ上に、熱伝導層２２、誘電体層２３、記録磁性部２１、および誘電体層２４を、順次形成する。各層は、スパッタリング法により形成することができる。
次に、図１４Ｂに示すように、図４Ｂを参照して上述したのと同様の手法により、誘電体層２４上に保護膜２５を形成する。密着層１５から保護膜２５までの積層構造を基材１３の両面側に設ける場合には、更に、図１１Ｂ〜図１４Ｂを参照して上述した一連の工程を、基材１３のもう一方の面の側について行う。以上のようにして、光磁気記録媒体Ｘ２を製造することができる。
基板Ｓ２は、所望の寸法で高精度にプリグルーブ１４ｂが形成されたプリグルーブ面１４ａを有し、且つ、当該プリグルーブ面１４ａは、軟磁性部１４により構成されている。図１４Ａを参照して上述した工程では、このようなプリグルーブ面１４ａに対して、軟磁性部を介さずに、熱伝導層２２、誘電体層２３、および記録磁性部２１が積層形成される。そのため、記録磁性部２１については、寸法精度の高いランドグルーブ形状を有するように適切に形成することができる。すなわち、記録磁性部２１については、不当に丸みをおびず且つ不当に大きな表面粗さを有さずに、形成することができる。加えて、熱伝導層２２、誘電体層２３、および記録磁性部２１は、プリグルーブ層を介さずに軟磁性部１４に対して直接積層形成されているので、記録磁性部２１に含まれる記録層と軟磁性部１４とは、充分に近接し得る。このように、基板Ｓ２を用いて製造される光磁気記録媒体Ｘ２においては、記録磁性部２１において適切なランドグルーブ形状を実現することが可能であるとともに、記録磁性部２１に含まれる記録層と軟磁性部１４との距離を充分に短くすることが可能なのである。
記録磁性部２１に含まれる記録層と軟磁性部１４との間の距離が短い光磁気記録媒体Ｘ２では、軟磁性部１４の存在に起因する磁界集中の効果を充分に享受できるので、記録層の記録磁界感度を効率よく向上することが可能である。記録層の記録磁界感度の向上は、記録時における磁気記録ヘッドによる印加磁界の低減を可能にし、その結果、より高周波での記録すなわち高速記録を適切に実現することが可能となる。このような高速記録化は、記録密度の高い光磁気記録媒体の実用化を図るうえで重要である。
【実施例１】  上述の第１の実施形態に準じて光磁気記録媒体用の基板を作製した。本実施例においては、まず、仮基板（ポリカーボネート製）の上に、密着層としてのフォトレジスト層（厚さ：１μｍ）を形成した（図２Ｂ）。具体的には、スピンコート法により基板表面にフォトレジストを成膜した後、当該フォトレジスト膜を加熱乾燥した。スピンコート法における回転数は５０００ｒｐｍとし、回転時間は６０秒とした。また、加熱乾燥はオーブンにて行い、加熱温度は１２０℃とし、加熱時間は３０分とした。
次に、フォトレジスト層に対して露光処理および現像処理を施すことにより、フォトレジスト層において、ランドグルーブ形状（渦巻き状、ランド幅：０．３μｍ、グルーブ幅：０．３μｍ、トラックピッチ：０．３μｍ、グルーブ深さ：５０ｎｍ）を有するプリグルーブ型面を形成した（図２Ｃ）。
次に、スパッタリング法により、フォトレジスト層のプリグルーブ型面上に所定組成のＣｏＦｅＮｉを成膜することによって、厚さ３０ｎｍの軟磁性薄膜を形成した。本スパッタリングでは、ＣｏＦｅＮｉターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスを使用し、スパッタガス圧力を０．５Ｐａとし、放電電力を１ｋＷとした。
次に、無電解めっき法により、所定組成のＣｏＦｅＮｉを軟磁性薄膜上に成膜することによって、最大厚さ５００ｎｍの軟磁性部を完成した（図３Ａ）。本工程では、所定組成のめっき浴を使用し、当該めっき浴の温度は６０℃とした。本実施例の軟磁性部は、上掲の式（１）を満たす構成を有していた。
次に、軟磁性部に対し、紫外線硬化性樹脂を介して平坦な基材（ポリカーボネート製）を貼り合せた後、紫外線照射により当該紫外線硬化性樹脂を硬化させた（図３Ｂ）。
次に、仮基板および基材が一体となった構造体をアセトン（３５℃）に５分間浸漬することによりフォトレジスト層を溶解ないし劣化させた後、軟磁性部および基材を含む構造体から、仮基板およびフォトレジスト層を分離した（図３Ｃ）。
次に、アッシング装置を使用して、軟磁性部の露出面に対して酸素プラズマによるアッシングを施した。
以上のようにして、プリグルーブ面を軟磁性部にて有する本実施例の光磁気記録媒体基板を作製した。
【実施例２】  上述の第１の実施形態に準じて光磁気記録媒体用の基板を作製した。本実施例においては、まず、仮基板（ポリカーボネート製）の上に、密着層としてのフォトレジスト層（厚さ：１μｍ）を形成した（図２Ｂ）。具体的には、スピンコート法により、光分解性を示すポジ型フォトレジストを基板表面に成膜した後、当該フォトレジスト膜を加熱乾燥した。スピンコートにおける回転数は５０００ｒｐｍとし、回転時間は６０秒とした。また、加熱乾燥はオーブン上にて行い、加熱温度は１２０℃とし、加熱時間は３０分とした。
次に、フォトレジスト層に対して露光処理および現像処理を施すことにより、フォトレジスト層において、ランドグルーブ形状（渦巻き状、ランド幅：０．３μｍ、グルーブ幅：０．３μｍ、トラックピッチ：０．３μｍ、グルーブ深さ：５０ｎｍ）を有するプリグルーブ型面を形成した（図２Ｃ）。
次に、実施例１と同様にして、プリグルーブ型面上にＣｏＦｅＮｉ軟磁性部（最大厚さ：５００ｎｍ）を形成した（図３Ａ）。この後、軟磁性部に対し、紫外線硬化性樹脂を介して平坦な基材（ポリカーボネート製）を貼り合せた後、紫外線照射により当該紫外線硬化性樹脂を硬化させた（図３Ｂ）。
次に、仮基板の側からフォトレジスト層に紫外線（波長：２５５ｎｍ）を照射することにより当該フォトレジスト層を劣化させた後、軟磁性部および基材を含む構造体から、仮基板およびフォトレジスト層を分離した（図３Ｃ）。
次に、アッシング装置を使用して、軟磁性部の露出面に対して酸素プラズマによるアッシングを施した。
以上のようにして、プリグルーブ面を軟磁性部にて有する本実施例の光磁気記録媒体基板を作製した。
【実施例３】  上述の第２の実施形態に準じて光磁気記録媒体用の基板を作製した。本実施例においては、まず、所定表面にてランドグルーブ形状（渦巻き状、ランド幅：０．３μｍ、グルーブ幅：０．３μｍ、トラックピッチ：０．３μｍ、グルーブ深さ：５０ｎｍ）を有する仮基板（ポリカーボネート製）の上に、スパッタリング法により、密着層としての酸化亜鉛膜（厚さ：５ｎｍ）を形成した（図５Ｂ）。この酸化亜鉛膜の露出面はプリグルーブ型面を構成する。本スパッタリングでは、ＺｎＯターゲットを用い、スパッタガスとして、アルゴンと酸素との混合ガスを使用し、スパッタガス圧力を０．５Ｐａとし、放電電力を１ｋＷとした。
次に、実施例１と同様にして、プリグルーブ型面上にＣｏＦｅＮｉ軟磁性部（最大厚さ：５００ｎｍ）を形成した（図５Ｃ）。
次に、軟磁性部に対し、紫外線硬化性樹脂を介して平坦な基材（ポリカーボネート製）を貼り合せた後、紫外線照射により当該紫外線硬化性樹脂を硬化させた（図６Ａ）。
次に、仮基板およびポリカーボネート基板が一体となった構造体を５％希釈塩酸（４５℃）に３分間浸漬することにより当該酸化亜鉛膜を溶解ないし劣化させた後、軟磁性部および基材を含む構造体から、仮基板およびフォトレジスト層を分離した（図６Ｂ）。
次に、アッシング装置を使用して、軟磁性部の露出面に対して酸素プラズマによるアッシングを施した。
以上のようにして、プリグルーブ面を軟磁性部にて有する本実施例の光磁気記録媒体基板を作製した。
【実施例４】  上述の第３の実施形態に準じて光磁気記録媒体用の基板を作製した。本実施例においては、まず、所定表面にてランドグルーブ形状（渦巻き状、ランド幅：０．３μｍ、グルーブ幅：０．３μｍ、トラックピッチ：０．３μｍ、グルーブ深さ：５０ｎｍ）を有する仮基板（ポリカーボネート製）を、いわゆる２色成形法により、作製した。仮基板構成材料としてはポリビニルアルコールを採用した。この仮基板は、相対的に高分子量の樹脂により構成されるコア部と、相対的に低分子量の樹脂により構成される外皮部とからなり、当該外皮部にてプリグルーブ型面を有する（図７Ａ）。
次に、実施例１と同様にして、プリグルーブ型面上にＣｏＦｅＮｉ軟磁性部（最大厚さ：５００ｎｍ）を形成した（図７Ｂ）。
次に、軟磁性部に対し、紫外線硬化性樹脂を介して平坦な基材（ポリカーボネート製）を貼り合せた後、紫外線照射により当該紫外線硬化性樹脂を硬化させた（図８Ａ）。
次に、仮基板および基材が一体となった構造体をアセトン（３５℃）に５分間浸漬することにより、仮基板の外皮部を溶解ないし劣化させた後、軟磁性部および基材を含む構造体から、仮基板を分離した（図８Ｂ）。
次に、アッシング装置を使用して、軟磁性部の露出面に対して酸素プラズマによるアッシングを施した。
以上のようにして、プリグルーブ面を軟磁性部にて有する本実施例の光磁気記録媒体基板を作製した。
【実施例５】  上述の第４の実施形態に準じて光磁気記録媒体用の基板を作製した。具体的には、まず、実施例１と同様にして、仮基板上へのフォトレジスト層の形成、フォトレジスト層へのプリグルーブ型面の形成、プリグルーブ型面上への軟磁性部の形成（めっき浴温度：６０℃）、および、軟磁性部への基材の接合を行い、図３Ｂに示すような構造体を作製した。次に、当該構造体を、６０℃および相対湿度９５％の環境下に１時間放置した後、軟磁性部および基材を含む構造体から、密着層および仮基板を分離した。このとき、剥離不良の発生率は０％であった。
以上のようにして、プリグルーブ面を軟磁性部にて有する本実施例の光磁気記録媒体基板を作製した。
なお、分離する前の放置時における環境条件を３０℃および相対湿度５０％とした以外は本実施例と同様にして基板を作製したところ、当該分離工程における剥離不良の発生率は３０％程度であった。
一方、実施例３と同様にして作製した図６Ａに示すような構造体、および、実施例４と同様にして作製した図８Ａに示すような構造体についても、６０℃および相対湿度９５％の環境下に１時間放置した後、軟磁性部および基材を含む構造体から、密着層および仮基板を分離したところ、剥離不良の発生率は０％であった。
【実施例６】  上述の第５の実施形態に準じて光磁気記録媒体用の基板を作製した。本実施例においては、まず、基板（ポリカーボネート製）の上に、スパッタリング法により、密着層としてのチタン層（厚さ：１０ｎｍ）を形成した（図１１Ｂ）。本スパッタリングでは、チタンターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスを使用し、スパッタガス圧力を０．５Ｐａとし、放電電力を１ｋＷとした。
次に、スパッタリング法により、チタン層上に所定組成のＣｏＦｅＮｉを成膜することによって、厚さ３０ｎｍの軟磁性薄膜を形成した。本スパッタリングでは、ＣｏＦｅＮｉターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスを使用し、スパッタガス圧力を０．５Ｐａとし、放電電力を１ｋＷとした。
次に、無電解めっき法により、所定組成のＣｏＦｅＮｉを軟磁性薄膜上に成膜させることによって、厚さ５００ｎｍに至るまで軟磁性膜を成長させた（図１１Ｃ）。
次に、当該軟磁性膜上に、所定の開口部を有するレジストパターンを形成した（図１２Ａ）。具体的には、まず、スピンコート法により、フォトレジストを５００ｎｍの厚さに塗布した。次に、当該フォトレジスト膜を、プリベークした後、露光処理および現像処理を施すことにより、レジストパターンを形成した。
次に、無電解めっき法により、レジストパターンの開口部内に軟磁性材料を堆積することによって、表面にプリグルーブ面を有する軟磁性部を完成した（図１２Ｂ）。本工程では、所定組成のＣｏＦｅＮｉめっき浴を使用し、当該めっき浴の温度は６０℃とした。
次に、レジストパターンに対して剥離液としてアセトンを作用させることにより、軟磁性部からレジストパターンを除去した（図１２Ｃ）。
以上のようにして、プリグルーブ面を軟磁性部にて有する本実施例の光磁気記録媒体基板を作製した。
【図１】
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【図１０】
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【図１５】
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【手続補正書】
【提出日】平成18年1月12日(2006.1.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プリグルーブ型面を有する密着層を第１基板上に形成するための密着層形成工程と、
前記プリグルーブ型面上に軟磁性材料を成長させることにより、当該プリグルーブ型面の凹凸形状が転写されたプリグルーブ面を有する軟磁性部を前記密着層上に形成するための工程と、
前記軟磁性部および第２基板を一体化するための工程と、
前記軟磁性部および前記密着層の間に作用する密着力を低下させ、前記軟磁性部から前記密着層および前記第１基板を分離するための分離工程と、を含む、光磁気記録媒体基板の製造方法。
【請求項２】
プリグルーブ型面を有する密着層を第１基板上に形成するための工程、前記プリグルーブ型面上に軟磁性材料を成長させることにより、当該プリグルーブ型面の凹凸形状が転写されたプリグルーブ面を有する軟磁性部を前記密着層上に形成するための工程、前記軟磁性部および第２基板を一体化するための工程、および、前記軟磁性部および前記密着層の間に作用する密着力を低下させ、前記軟磁性部から前記密着層および前記第１基板を分離するための工程、を経て製造された光磁気記録媒体基板と、
記録機能および再生機能を担う記録磁性部を含み、且つ、前記光磁気記録媒体基板の前記プリグルーブ面上に設けられている、材料膜構造部と、を備える光磁気記録媒体。
【請求項３】
高分子量樹脂部と、プリグルーブ型面を有する低分子量樹脂部と、を有する第１基板における前記プリグルーブ型面上に軟磁性材料を成長させることにより、当該プリグルーブ型面の凹凸形状が転写されたプリグルーブ面を有する軟磁性部を前記第１基板上に形成するための工程と、
前記軟磁性部および第２基板を一体化するための工程と、
前記軟磁性部および前記低分子量樹脂部の間に作用する密着力を低下させ、前記軟磁性部から前記第１基板を分離するための分離工程と、を含む、光磁気記録媒体基板の製造方法。
【請求項４】
高分子量樹脂部と、プリグルーブ型面を有する低分子量樹脂部と、を有する第１基板における前記プリグルーブ型面上に軟磁性材料を成長させることにより、当該プリグルーブ型面の凹凸形状が転写されたプリグルーブ面を有する軟磁性部を前記第１基板上に形成するための工程、前記軟磁性部および第２基板を一体化するための工程、および、前記軟磁性部および前記低分子量樹脂部の間に作用する密着力を低下させ、前記軟磁性部から前記第１基板を分離するための工程、を経て製造された光磁気記録媒体基板と、
記録機能および再生機能を担う記録磁性部を含み、且つ、前記光磁気記録媒体基板の前記プリグルーブ面上に設けられている、材料膜構造部と、を備える光磁気記録媒体。
【請求項５】
基板上に軟磁性材料を成長させることにより軟磁性膜を形成するための第１成長工程と、
開口部を有するレジストパターンを前記軟磁性膜上に形成するためのレジストパターン形成工程と、
前記開口部内にて軟磁性材料を成長させることにより、前記基板とは反対の側にプリグルーブ面を有する軟磁性部を形成するための第２成長工程と、を含む、光磁気記録媒体基板の製造方法。
【請求項６】
第１温度の下、基板の有するプリグルーブ型面上に軟磁性材料を成長させることにより、当該プリグルーブ型面の凹凸形状が転写されたプリグルーブ面を有する軟磁性部を前記第１基板上に形成するための軟磁性部形成工程と、
前記軟磁性部および第２基板を一体化するための工程と、
第２温度の下、前記軟磁性部から前記第１基板を分離するための分離工程と、を含み、
前記第１温度および前記第２温度の差は１０℃以下である、光磁気記録媒体基板の製造方法。
【国際調査報告】
2005034114.tif 000018
2005034114.tif 000019