(57)【要約】所望の画像データに応じた電圧を、自発分極を有する強誘電性液晶に所定周期で印加して表示画像の書換えを行った（期間Ａ）後、強誘電性液晶に印加される全ての電圧を除去して（タイミングＣ）、その除去前の表示画像を維持する（期間Ｂ）。電圧印加を休止する直前のゲートの選択期間（強誘電性液晶への電圧印加時間）ｔ２を、通常表示におけるゲートの選択期間（強誘電性液晶への電圧印加時間）ｔ１より長くする。強誘電性液晶への電圧印加時間を長くすることにより、ゲート選択期間において液晶が十分に応答し、高いメモリ性を実現する。
2005012984.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも２枚の基板によって形成された空隙内に液晶物質が封入されており、夫々の画素に対応して前記液晶物質による光透過率を制御すべく電圧印加を選択／非選択制御するスイッチング素子が設けられており、前記スイッチング素子を介して前記液晶物質へ電圧を印加して画像表示を行う第１表示機能と、前記スイッチング素子を介した前記液晶物質への電圧印加を休止し、電圧印加を休止する直前の表示状態を保持する第２表示機能とを有する液晶表示装置において、前記第２表示機能を実行するために電圧印加を休止する直前の前記スイッチング素子の選択期間が、前記第１表示機能における前記スイッチング素子の選択期間より長いことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記第２表示機能を前記第１表示機能に戻すべく前記液晶物質への電圧印加を再開する前に全画素の表示を全て黒表示とするようにしたことを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項３】
全画素の表示を全て黒表示とする際の前記スイッチング素子の選択期間が、前記第１表示機能における前記スイッチング素子の選択期間より長いことを特徴とする請求項２記載の液晶表示装置。
【請求項４】
少なくとも２枚の基板によって形成された空隙内に液晶物質が封入されており、夫々の画素に対応して前記液晶物質による光透過率を制御すべく電圧印加を選択／非選択制御するスイッチング素子が設けられており、前記スイッチング素子を介して前記液晶物質へ電圧を印加して画像表示を行う第１表示機能と、前記スイッチング素子を介した前記液晶物質への電圧印加を休止し、電圧印加を休止する直前の表示状態を保持する第２表示機能とを有する液晶表示装置において、前記第２表示機能を実行するために電圧印加を休止する直前の前記スイッチング素子の非選択期間が、前記第１表示機能における前記スイッチング素子の非選択期間より長いことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
前記第２表示機能を前記第１表示機能に戻すべく前記液晶物質への電圧印加を再開する前に全画素の表示を全て黒表示とするようにしたことを特徴とする請求項４記載の液晶表示装置。
【請求項６】
全画素の表示を全て黒表示とする際の前記スイッチング素子の非選択期間が、前記通常表示機能における前記スイッチング素子の非選択期間より長いことを特徴とする請求項５記載の液晶表示装置。
【請求項７】
少なくとも２枚の基板によって形成された空隙内に液晶物質が封入されており、夫々の画素に対応して前記液晶物質による光透過率を制御すべく電圧印加を選択／非選択制御するスイッチング素子が設けられており、前記スイッチング素子を介して前記液晶物質へ電圧を印加して画像表示を行う第１表示機能と、前記スイッチング素子を介した前記液晶物質への電圧印加を休止し、電圧印加を休止する直前の表示状態を保持する第２表示機能とを有する液晶表示装置において、前記第２表示機能を実行するために電圧印加を休止する直前の前記スイッチング素子の選択期間が前記第１表示機能における前記スイッチング素子の選択期間より長い第１駆動方式と、前記第２表示機能を実行するために電圧印加を休止する直前の前記スイッチング素子の選択期間が前記第１表示機能における前記スイッチング素子の選択期間に等しい第２駆動方式とを切り換えて画像表示を行うようにしたことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項８】
少なくとも２枚の基板によって形成された空隙内に液晶物質が封入されており、夫々の画素に対応して前記液晶物質による光透過率を制御すべく電圧印加を選択／非選択制御するスイッチング素子が設けられており、前記スイッチング素子を介して前記液晶物質へ電圧を印加して画像表示を行う第１表示機能と、前記スイッチング素子を介した前記液晶物質への電圧印加を休止し、電圧印加を休止する直前の表示状態を保持する第２表示機能とを有する液晶表示装置において、前記第２表示機能を実行するために電圧印加を休止する直前の前記スイッチング素子の非選択期間が前記第１表示機能における前記スイッチング素子の非選択期間より長い第１駆動方式と、前記第２表示機能を実行するために電圧印加を休止する直前の前記スイッチング素子の非選択期間が前記第１表示機能における前記スイッチング素子の非選択期間に等しい第２駆動方式とを切り換えて画像表示を行うようにしたことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項９】
前記液晶物質の温度を測定する測定手段と、該測定手段の測定結果に応じて前記第１駆動方式及び第２駆動方式の切り換えを制御する手段とを備えることを特徴とする請求項７または８記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】  本発明は、液晶表示装置に関し、特に、自発分極を有する液晶を用いたメモリ表示機能を有するアクティブ駆動型の液晶表示装置に関する。
【背景技術】  近年のいわゆる情報化社会の進展に伴って、パーソナルコンピュータ，ＰＤＡ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ａｓｓｉｓｔａｎｔｓ）等に代表される電子機器が広く使用されるようになっている。このような電子機器の普及によって、オフィスでも屋外でも使用可能な携帯型の需要が発生しており、それらの小型・軽量化が要望されている。そのような目的を達成するための手段の一つとして液晶表示装置が広く使用されている。液晶表示装置は、単に小型・軽量化のみならず、バッテリ駆動される携帯型の電子機器の低消費電力化のためには必要不可欠な技術である。
液晶表示装置は大別すると反射型と透過型とに分類される。反射型は液晶パネルの前面から入射した光線を液晶パネルの背面で反射させてその反射光で画像を視認させる構成であり、透過型は液晶パネルの背面に備えられた光源（バックライト）からの透過光で画像を視認させる構成である。反射型は環境条件によって反射光量が一定しなくて視認性に劣るため、特に、マルチカラーまたはフルカラー表示を行うパーソナルコンピュータ等の表示装置としては一般的に、カラーフィルタを用いた透過型のカラー液晶表示装置が使用されている。
カラー液晶表示装置は、現在、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）などのスイッチング素子を用いたＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）型のものが広く使用されている。このＴＦＴ駆動のＴＮ型液晶表示装置は、ＳＴＮ（Ｓｕｐｅｒ  Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）型に比して表示品質は高いが、液晶パネルの光透過率が現状では数％と低いので、高い画面輝度を得るためには高輝度のバックライトが必要になる。このため、バックライトによる消費電力が大きくなってしまう。また、カラーフィルタを用いたカラー表示であるため、１画素を３個の副画素で構成しなければならず、高精細化が困難であり、その表示色純度も十分ではない。
このような問題を解決するために、本発明者等はフィールド・シーケンシャル方式の液晶表示装置を開発している（例えば、吉原敏明，他（Ｔ．Ｙｏｓｈｉｈａｒａ，ｅｔ．ａｌ．）：アイエルシーシー９８（ＩＬＣＣ  ９８）Ｐ１−０７４  １９９８年発行、吉原敏明，他（Ｔ．Ｙｏｓｈｉｈａｒａ，ｅｔ．ａｌ．）：エーエム−エルシーディ’９９ダイジェストオブテクニカルペーパーズ（ＡＭ−ＬＣＤ’９９  Ｄｉｇｅｓｔ  ｏｆ  Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ  Ｐａｐｅｒｓ，）１８５頁  １９９９年発行、吉原敏明，他（Ｔ．Ｙｏｓｈｉｈａｒａ，ｅｔ．ａｌ．）：エスアイディ’００ダイジェストオブテクニカルペーパーズ（ＳＩＤ’００  Ｄｉｇｅｓｔ  ｏｆ  Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ  Ｐａｐｅｒｓ，）１１７６頁  ２０００年発行など参照）。このフィールド・シーケンシャル方式の液晶表示装置は、カラーフィルタ方式の液晶表示装置と比べて、副画素を必要としないため、より精細度が高い表示が容易に実現可能であり、また、カラーフィルタを使わずに光源の発光色をそのまま表示に利用できるため、表示色純度にも優れる。更に光利用効率も高いので、消費電力が少なくて済むという利点も有している。しかしながら、フィールド・シーケンシャル方式の液晶表示装置を実現するためには、液晶の高速応答性（２ｍｓ以下）が必須である。
そこで、本発明者等は、上述したような優れた利点を有するフィールド・シーケンシャル方式の液晶表示装置、または、カラーフィルタ方式の液晶表示装置の高速応答化を図るべく、従来に比べて１００〜１０００倍の高速応答を期待できる自発分極を有する強誘電性液晶等の液晶のＴＦＴ等のスイッチング素子による駆動を研究開発している（例えば、特開平１１−１１９１８９号公報など）。強誘電性液晶は、電圧印加によってその液晶分子の長軸方向がチルト角だけ変化する。強誘電性液晶を挟持した液晶パネルを偏光軸が直交した２枚の偏光板で挾み、液晶分子の長軸方向の変化による複屈折を利用して、透過光強度を変化させる。
フィールド・シーケンシャル方式の液晶表示装置は、上述したように、カラーフィルタ方式の液晶表示装置に比べて、光利用効率が高く、消費電力の低減が可能であるが、バッテリー駆動の携帯機器にあっては、消費電力のより一層の低減化が求めれている。このような消費電力の低減化の要求は、カラーフィルタ方式の液晶表示装置においても同様である。
ここで、自発分極を有する強誘電性液晶等を用いた液晶表示装置における表示機能、特にメモリ表示機能について説明する。このような液晶表示装置にあっては、液晶に電圧を印加して所定周期にて表示画像の書換えを行う通常表示機能と、液晶への電圧印加を休止してその休止前の表示画像を維持するメモリ表示機能とが存在する。メモリ表示機能では、ＴＦＴ等のスイッチング素子により液晶に印加される全ての電圧を取り除いた後、その印加電圧を取り除く直前の表示状態をほぼ維持するため、液晶物質へ電圧を印加することなく画像表示が可能となり、大幅な消費電力の低減を図れる。よって、携帯機器への適用も可能となり、特に、静止画面が多い携帯機器についての消費電力の低減効果は大きくなる。
以下、自発分極を有する強誘電性液晶が持つメモリ機能について述べる。液晶パネルに電圧を印加し、その後印加を中止して電圧を除去し、電圧印加時の透過率と電圧除去６０秒後の透過率とを測定することを、印加する電圧の値を変えながら行ったときの測定結果の一例を第１図に示す。第１図では、横軸に印加した電圧（Ｖ）、縦軸に透過率（％）をとって測定結果を示しており、○−○は電圧印加時の透過率、△−△は電圧除去６０秒後の透過率を夫々表している。印加電圧を除去した後も、印加電圧と透過率との対応特性は変化しておらず、液晶パネルに印加されている電圧を除去しても、電圧印加時の表示状態に応じた透過率を維持していることが分かる。また、黒表示（透過率：略０％，印加電圧：略０Ｖ）は、電圧印加時と電圧印加時とにおいて変化がなく、表示状態を維持している。
また、液晶パネルについて電圧を除去した後の透過率の時間的変化を測定したときの測定結果を第２図に示す。第２図（ａ）に示すように、液晶パネルに５Ｖ，１００μｓのパルス波形の電圧を印加して、透過率を経時的に測定した。第２図（ｂ）では、横軸に時間（ｍｓ）、縦軸に透過率（任意単位）をとって測定した透過率を示している。電圧を印加した瞬間に透過率が急上昇し、その後徐々に減衰するが、電圧除去１００ｍｓ以降は減衰が見られず一定の透過率を維持し続けていることが分かる。
以上のことから、強誘電性液晶はメモリ機能を有しており、印加される電圧を除去した場合でも、その液晶分子は電圧印加除去前の安定している位置から他の安定した位置に移行することなく前の状態を保ち続けることが分かる。よって、このようなメモリ機能を有する強誘電性液晶を用いた液晶表示装置にあっては、一度１画面分の表示情報に対応する印加電圧を与えておくことにより、次の画面での表示情報に対応する印加電圧を与えるまでの間、電圧を印加し続けなくても、与えておいた印加電圧に応じた一定の表示を維持し続けることができる。従って、電圧を印加しなくても画面表示を維持することが可能となり、その印加不要に伴って消費電力を減らすことができる。
【発明の開示】
本発明は斯かる事情に鑑みてなされたものであり、消費電力の低減化を図れる液晶表示装置を提供することを目的とする。
本発明の他の目的は、液晶の十分な応答を行えて、高いメモリ性を実現できる液晶表示装置を提供することにある。
本発明の更に他の目的は、高いメモリ性を広い温度範囲で実現できる液晶表示装置を提供することにある
第１発明に係る液晶表示装置は、少なくとも２枚の基板によって形成された空隙内に液晶物質が封入されており、夫々の画素に対応して前記液晶物質による光透過率を制御すべく電圧印加を選択／非選択制御するスイッチング素子が設けられており、前記スイッチング素子を介して前記液晶物質へ電圧を印加して画像表示を行う第１表示機能と、前記スイッチング素子を介した前記液晶物質への電圧印加を休止し、電圧印加を休止する直前の表示状態を保持する第２表示機能とを有する液晶表示装置において、前記第２表示機能を実行するために電圧印加を休止する直前の前記スイッチング素子の選択期間が、前記第１表示機能における前記スイッチング素子の選択期間より長いことを特徴とする。
第１発明の液晶表示装置では、電圧印加を休止する直前のメモリ表示を行うためのデータ書込み走査によるスイッチング素子の選択期間（液晶物質への電圧印加時間）を、通常表示におけるスイッチング素子の選択期間（液晶物質への電圧印加時間）より長くする。メモリ表示を行う際に、スイッチング素子の選択期間（スイッチング素子がＴＦＴである場合には、ゲートをオンとする時間）を長くして、液晶物質への電圧印加時間を長くすることにより、選択期間において液晶が十分に応答し、高いメモリ性を実現する。特に、低温環境にあって液晶の応答性が劣化した場合、通常表示時のスイッチング素子の選択期間では十分なメモリ性を発揮できないが、選択期間を長くして電圧印加時間を長くすることにより、低温でも十分なメモリ性を発揮できる。
第４発明に係る液晶表示装置は、少なくとも２枚の基板によって形成された空隙内に液晶物質が封入されており、夫々の画素に対応して前記液晶物質による光透過率を制御すべく電圧印加を選択／非選択制御するスイッチング素子が設けられており、前記スイッチング素子を介して前記液晶物質へ電圧を印加して画像表示を行う第１表示機能と、前記スイッチング素子を介した前記液晶物質への電圧印加を休止し、電圧印加を休止する直前の表示状態を保持する第２表示機能とを有する液晶表示装置において、前記第２表示機能を実行するために電圧印加を休止する直前の前記スイッチング素子の非選択期間が、前記第１表示機能における前記スイッチング素子の非選択期間より長いことを特徴とする。
第４発明の液晶表示装置では、電圧印加を休止する直前のメモリ表示を行うためのデータ書込み走査によるスイッチング素子の非選択期間（スイッチング素子がＴＦＴである場合には、ゲートをオフする時間）を、通常表示におけるデータ書込み走査によるスイッチング素子の非選択期間（ゲートのオフ時間）より長くする。メモリ表示を行う際に、スイッチング素子の非選択期間（ゲートのオフ時間）を長くして、液晶物質が電界応答可能である時間を長くすることにより、非選択期間において液晶が十分に応答し、高いメモリ性を実現する。特に、低温環境にあって液晶の応答性が劣化した場合、通常表示時のスイッチング素子の非選択期間では十分なメモリ性を発揮できないが、非選択期間を長くして電圧印加時間を長くすることにより、低温でも十分なメモリ性を発揮できる。
第２発明に係る液晶表示装置は、第１発明において、前記第２表示機能を前記第１表示機能に戻すべく前記液晶物質への電圧印加を再開する前に全画素の表示を全て黒表示とするようにしたことを特徴とする。
第５発明に係る液晶表示装置は、第４発明において、前記第２表示機能を前記第１表示機能に戻すべく前記液晶物質への電圧印加を再開する前に全画素の表示を全て黒表示とするようにしたことを特徴とする。
第２発明または第５発明の液晶表示装置では、液晶物質への電圧印加を再開する場合、まず全画素の表示を全て黒表示とした後、表示データに応じた電圧を液晶物質へ印加する。よって、印加再開後に必ず黒ベースの表示となり、明瞭な表示が得られる。電圧印加を再開する際に全画素の表示を一旦黒表示としない場合には不都合が生じる。例えば、電圧無印加状態において維持しておいた表示が黒以外の表示、特に白表示である場合には、電圧印加を開始した際に白ベースの表示となって、所望の表示が得られなくなる。
第３発明に係る液晶表示装置は、第２発明において、全画素の表示を全て黒表示とする際の前記スイッチング素子の選択期間が、前記第１表示機能における前記スイッチング素子の選択期間より長いことを特徴とする。
第６発明に係る液晶表示装置は、第５発明において、全画素の表示を全て黒表示とする際の前記スイッチング素子の非選択期間が、前記通常表示機能における前記スイッチング素子の非選択期間より長いことを特徴とする。
第３発明または第６発明の液晶表示装置では、電圧印加再開時で全画素の表示を全て黒表示とする際に、黒データ書込み走査によるスイッチング素子の選択期間（液晶物質への電圧印加時間）または黒データ書込み走査によるスイッチング素子の非選択期間（ゲートのオフ時間）を、通常表示時のスイッチング素子の選択期間（液晶物質への電圧印加時間）または通常表示時のスイッチング素子の非選択期間（ゲートのオフ時間）より長くする。よって、確実に全画素が黒表示となる。
第７発明に係る液晶表示装置は、少なくとも２枚の基板によって形成された空隙内に液晶物質が封入されており、夫々の画素に対応して前記液晶物質による光透過率を制御すべく電圧印加を選択／非選択制御するスイッチング素子が設けられており、前記スイッチング素子を介して前記液晶物質へ電圧を印加して画像表示を行う第１表示機能と、前記スイッチング素子を介した前記液晶物質への電圧印加を休止し、電圧印加を休止する直前の表示状態を保持する第２表示機能とを有する液晶表示装置において、前記第２表示機能を実行するために電圧印加を休止する直前の前記スイッチング素子の選択期間が前記第１表示機能における前記スイッチング素子の選択期間より長い第１駆動方式と、前記第２表示機能を実行するために電圧印加を休止する直前の前記スイッチング素子の選択期間が前記第１表示機能における前記スイッチング素子の選択期間に等しい第２駆動方式とを切り換えて画像表示を行うようにしたことを特徴とする。
第７発明の液晶表示装置では、電圧印加を休止する直前のメモリ表示を行うためのデータ書込み走査によるスイッチング素子の選択期間（液晶物質への電圧印加時間）が通常表示におけるスイッチング素子の選択期間（液晶物質への電圧印加時間）より長い第１駆動方式と、電圧印加を休止する直前のメモリ表示を行うためのデータ書込み走査によるスイッチング素子の選択期間（液晶物質への電圧印加時間）が通常表示におけるスイッチング素子の選択期間（液晶物質への電圧印加時間）に等しい第２駆動方式とを切り換える。
第８発明に係る液晶表示装置は、少なくとも２枚の基板によって形成された空隙内に液晶物質が封入されており、夫々の画素に対応して前記液晶物質による光透過率を制御すべく電圧印加を選択／非選択制御するスイッチング素子が設けられており、前記スイッチング素子を介して前記液晶物質へ電圧を印加して画像表示を行う第１表示機能と、前記スイッチング素子を介した前記液晶物質への電圧印加を休止し、電圧印加を休止する直前の表示状態を保持する第２表示機能とを有する液晶表示装置において、前記第２表示機能を実行するために電圧印加を休止する直前の前記スイッチング素子の非選択期間が前記第１表示機能における前記スイッチング素子の非選択期間より長い第１駆動方式と、前記第２表示機能を実行するために電圧印加を休止する直前の前記スイッチング素子の非選択期間が前記第１表示機能における前記スイッチング素子の非選択期間に等しい第２駆動方式とを切り換えて画像表示を行うようにしたことを特徴とする。
第８発明の液晶表示装置では、電圧印加を休止する直前のメモリ表示を行うためのデータ書込み走査によるスイッチング素子の非選択期間（ゲートのオフ時間）が通常表示におけるスイッチング素子の非選択期間（ゲートのオフ時間）より長い第１駆動方式と、電圧印加を休止する直前のメモリ表示を行うためのデータ書込み走査によるスイッチング素子の非選択期間（ゲートのオフ時間）が通常表示におけるスイッチング素子の非選択期間（ゲートのオフ時間）に等しい第２駆動方式とを切り換える。
そして、第７発明または第８発明の液晶表示装置では、通常表示時と同等のスイッチング素子の選択期間または非選択期間では高いメモリ性を発揮できない場合には、第１駆動方式に切り換えて高いメモリ性を実現できるようにし、通常表示時と同等のスイッチング素子の選択期間または非選択期間でも高いメモリ性を発揮できる場合には、第２駆動方式に切り換えて消費電力の低減を実現する。
第９発明に係る液晶表示装置は、第７または第８発明において、前記液晶物質の温度を測定する測定手段と、該測定手段の測定結果に応じて前記第１駆動方式及び第２駆動方式の切り換えを制御する手段とを備えることを特徴とする。
第９発明の液晶表示装置では、液晶物質の温度に応じて、第１駆動方式及び第２駆動方式の切り換えを制御する。よって、低温環境である場合に、第１駆動方式に切り換えて高いメモリ性を確実に実現する。また、第１駆動方式に切り換える必要がない高温環境にあっては、第２駆動方式を実行して消費電力の低減化を図る。
本発明は、複数色の光を経時的に切り換えるフィールド・シーケンシャル方式の液晶表示装置にも、カラーフィルタを用いるカラーフィルタ方式の液晶表示装置にも適用可能である。前者のフィールド・シーケンシャル方式の液晶表示装置では、高精細、高色純度、高速応答性を有するカラー表示が可能であり、後者のカラーフィルタ方式の液晶表示装置では、容易にカラー表示を行える。
また、本発明は、透過型の液晶表示装置、反射型の液晶表示装置または半透過型の液晶表示装置の何れにも適用可能である。メモリ表示は、透過型の場合に消費電力の低減化を図れるが、半透過型または反射型とすることにより、消費電力の更なる低減化が可能になる。
本発明の液晶表示装置にあっては、液晶物質として、単安定または双安定の強誘電性液晶、特に双安定型の強誘電性液晶を用いることが好ましい。このような液晶を使用することにより、安定したメモリ表示が可能となる。
本発明の液晶表示装置にあっては、所望のタイミングでもって、液晶物質への電圧印加を休止するための機構を有することが好ましい。このような機構を有することにより、ライン走査によって表示を行う液晶表示装置においても、安定したメモリ表示が可能となる。特に、スイッチング素子を使用して強誘電性液晶を用いる液晶表示装置の場合、ハーフＶ字状の電気光学応答特性（一方の極性の電圧を印加した場合には高い透過率を示し、他方の極性の電圧を印加した場合には黒表示と見なせる程度の低い透過率を示す特性）を液晶が有している。このため各サブフレーム（フィールド・シーケンシャル方式の場合）または各フレーム（カラーフィルタ方式の場合）において、一方の極性の電圧及び他方の極性の電圧によるデータ書込み走査を２回以上行う。フィールド・シーケンシャル方式の場合に、各書込み走査における電圧の極性を全画素で同一にすることが好ましい。カラーフィルタ方式のの場合には、必ずしも全ての画素を同一極性の電圧で書込み走査する必要はないが、メモリ表示を行う際には、同一極性の電圧で書込み走査することが好ましい。そして、高い透過率を実現できる極性の電圧による書込み走査が終了し、次の他方の極性の電圧による書込み走査が始まる前の所望のタイミングで液晶物質への電圧印加を休止することにより、安定したメモリ表示を実現する。
本発明の液晶表示装置にあっては、表示のための光源の強度を表示形態に応じて変動させることが好ましい。つまり、メモリ表示時には、通常表示時に比べて、バックライト等の光源の出力強度を低くする。ハーフＶ字状の電気光学応答特性を有する液晶物質を用いる場合、メモリ表示時では、通常表示時に比べて約２倍の透過率を得ることができる。よって、メモリ表示時においては、光源の出力強度を下げても、通常表示と同等の輝度を実現でき、消費電力の低減化を図れる。このように、表示形態に応じて光源の出力強度を変動可能とすることにより、表示輝度の細かい調整が可能となり、光源による無駄な消費電力を抑えることが可能となる。
本発明の液晶表示装置にあっては、液晶物質への電圧印加を休止する直前に、電圧休止後に表示したい画像に応じた電圧を液晶物質へ印加しておく。従って、通常表示とは表示データが異なるメモリ表示用のデータを確実に書き込むことが可能となり、所望のメモリ表示を実現できる。
【図面の簡単な説明】  第１図は電圧印加時と電圧無印加時とにおける透過率の一例を示すグラフ、第２図はパルス電圧印加例とそれに伴う透過率の時間的変化とを示すグラフ、第３図は評価用の液晶パネルの擬似ＴＦＴ駆動を説明するための図、第４図はメモリ率と温度との関係を示すグラフ、第５図はメモリ率とゲート選択期間との関係を示すグラフ、第６図はメモリ率とゲート非選択期間との関係を示すグラフ、第７図は第１，第３実施の形態による液晶表示装置の液晶パネル及びバックライトの模式的断面図、第８図は第１，第３実施の形態による液晶表示装置の全体の構成例を示す模式図、第９図は強誘電性液晶の電気光学応答特性を示すグラフ、第１０図は第１，第３実施の形態による液晶表示装置の駆動シーケンスを示す図、第１１図は第１，第２実施の形態による液晶表示装置の駆動シーケンスを示す図、第１２図は黒ベースの透過率変化を説明するための図、第１３図は白ベースの透過率変化を説明するための図、第１４図は第２，第４実施の形態による液晶表示装置の液晶パネル及びバックライトの模式的断面図、第１５図は第２，第４実施の形態による液晶表示装置の全体の構成例を示す模式図、第１６図は第２，第４実施の形態による液晶表示装置の駆動シーケンスを示す図、第１７図は第３，第４実施の形態による液晶表示装置の駆動シーケンスを示す図、第１８図は第５，第６実施の形態による液晶表示装置の全体の構成例を示す模式図、第１９図は第５，第６実施の形態による液晶表示装置で切り換えられる駆動シーケンスを示す図である。
【発明を実施するための最良の形態】  本発明をその実施の形態を示す図面を参照して具体的に説明する。なお、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではない。
まず、本発明の特徴である、メモリ表示時の直前のゲートオン時間（スイッチング素子の選択期間）またはゲートオフ時間（スイッチング素子の非選択期間）の長さの最適値について説明する。
直径１５ｍｍの透明電極を有する２枚のガラス基板を洗浄した後、ポリイミドを塗布して２００℃で１時間焼成することにより、約２００Åのポリイミド膜を各透明電極に成膜した。このポリイミド膜の表面をレーヨン製の布でラビングし、互いのラビング方向が平行になるように２枚のガラス基板を重ね合わせ、平均粒径１．６μｍのシリカ製のスペーサでギャップを保持する空パネルを作製した。この空パネルにナフタレン系液晶を主成分とする強誘電性液晶物質（例えば、Ａ．Ｍｏｃｈｉｚｕｋｉ，ｅｔ．ａｌ．：Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃｓ，１３３，３５３（１９９１）に開示された物質）を封入して評価用の液晶パネルを作製した。封入した強誘電性液晶物質の自発分極の大きさは６ｎＣ／ｃｍ２であった。
そして、第３図に示すような評価装置により、作製した液晶パネルのメモリ率を評価した。具体的には、作製した液晶パネル（１個の液晶セルからなる）に外部からＦＥＴのスイッチングにより電圧を印加する擬似的なＴＦＴ駆動を実施して、バックライトからの光の液晶パネルによる透過光を光電子増倍管にて検出することにより、液晶パネルのメモリ率を評価した。メモリ率の定義は、電圧印加時の透過率（ゲートオフ期間における透過率）と電圧除去から６０秒後の透過率との比とした。
ゲート選択期間（ゲートオン）を５μｓ／ラインとし、ゲート非選択期間（ゲートオフ）を２．８ｍｓとし、印加電圧を＋５Ｖとした場合のメモリ率と温度との関係を第４図に示す。ゲート選択期間を５μｓ／ラインとした理由は、強誘電性液晶のＴＦＴ駆動において安定した中間調表示を実現するためには５〜１０μｓ／ライン以下の短いゲート選択期間が適しており、ゲート選択期間を５〜１０μｓ／ライン以下の短時間に設定することにより、速い画面書替えと安定した中間調表示とを実現できるからである。即ち、ＴＦＴ駆動の強誘電性液晶を用いた液晶表示装置の通常表示におけるゲート選択期間が５〜１０μｓ／ライン以下であるからである。
また、ゲート非選択期間（ゲートオフ）を２．８ｍｓとした理由は、フィールド・シーケンシャル方式におけるＲ，Ｇ，Ｂ各色のサブフレームの時間は１／１８０ｓ以下であり、１／１８０ｓの時間で２回のデータ書込み走査を行う場合、各書込み走査における各ラインのゲートオフ期間は１／３６０ｓ、つまり２．８ｍｓとなるからである。即ち、フィールド・シーケンシャル方式でのＴＦＴ駆動の強誘電性液晶を用いた液晶表示装置の通常表示におけるゲート非選択期間は、２．８ｍｓ以下であるからである。なお、カラーフィルタ方式では、通常表示におけるゲート非選択期間が８．３ｍｓ以下である。
第４図の結果から、２０℃〜４０℃の温度範囲では５０％〜８０％の高いメモリ率を示しているが、１５℃以下になると急激にメモリ率が低下して、メモリ表示を行えないことが分かる。
次に、種々の温度環境において、ゲート選択期間（ゲートオン）を変化させながらメモリ率の変化を測定した。その測定結果を第５図に示す。第５図の結果から、ゲート選択期間を長くすることにより、高いメモリ率を実現でき、−２０℃の低温においても高いメモリ率を実現できていることが分かる。これは、ゲート選択期間を長くすることにより、ゲート選択期間における液晶の応答性が高まり、低温化に伴う液晶の応答性劣化を補償できているためである。
以上のことから、ゲート選択期間を通常表示時の５〜１０μｓ／ラインより長くすることにより、広い温度範囲で高いメモリ率を実現でき、安定したメモリ表示が可能になることが分かる。メモリ表示を行う際に、温度に関係なく、ゲート選択期間を通常表示時の５〜１０μｓ／ラインより常に長くしても良いが、第４図及び第５図から、２０℃を境界としてゲート選択期間を長くするか否かを設定し、２０℃以下でのみゲート選択期間を通常表示時の５〜１０μｓ／ラインより長くすれば良いことが分かる。
また、種々の温度環境において、ゲート非選択期間（ゲートオフ）を変化させながらメモリ率の変化を測定した。その測定結果を第６図に示す。第６図の結果から、ゲート非選択期間を長くすることにより、高いメモリ率を実現でき、−２０℃の低温においても高いメモリ率を実現できていることが分かる。これは、ゲート非選択期間を長くすることにより、ゲート非選択期間における液晶の応答性が高まり、低温化に伴う液晶の応答性劣化を補償できているためである。
以上のことから、ゲート非選択期間を通常表示時の２．８ｍｓより長くすることにより、広い温度範囲で高いメモリ率を実現でき、安定したメモリ表示が可能になることが分かる。メモリ表示を行う際に、温度に関係なく、ゲート非選択期間を通常表示時の２．８ｍｓより常に長くしても良いが、第４図及び第６図から、２０℃を境界としてゲート非選択期間を長くするか否かを設定し、２０℃以下でのみゲート非選択期間を通常表示時の２．８ｍｓより長くすれば良いことが分かる。
まず、メモリ表示を行う際に、ゲート選択期間（液晶への電圧印加期間）を通常表示時より長くすることにより、高いメモリ率を確実に実現できる例を、第１，第２実施の形態として説明する。
（第１実施の形態）
第７図は第１実施の形態による液晶表示装置の液晶パネル１及びバックライト３０の模式的断面図、第８図はその液晶表示装置の全体の構成例を示す模式図である。第１実施の形態は、カラーフィルタ方式にてカラー表示を行う液晶表示装置である。
第７図及び第８図で示されているように、液晶パネル１は、上層（表面）側から下層（背面）側に、偏光フィルム２と、共通電極３及びマトリクス状に配列されたカラーフィルタ４を有するガラス基板５と、マトリクス状に配列された画素電極６を有するガラス基板７と、偏光フィルム８とをこの順に積層して構成されている。
これら共通電極３及び画素電極６間には、データドライバ，スキャンドライバ（図示せず）等を有する駆動部２０が接続されている。データドライバは、信号線２２を介してＴＦＴ２１と接続されており、スキャンドライバは、走査線２３を介してＴＦＴ２１と接続されている。ＴＦＴ２１はスキャンドライバによりオン／オフ制御される。また個々の画素電極６は、ＴＦＴ２１によりオン／オフ制御される。そのため、信号線２２及びＴＦＴ２１を介して与えられるデータドライバからの信号により、個々の画素の透過光強度が制御されるようになっている。
ガラス基板７上の画素電極６の上面には配向膜９が、共通電極３の下面には配向膜１０が夫々配置され、これらの配向膜９，１０間に強誘電性液晶である液晶物質が充填されて液晶層１１が形成されている。なお、１２は液晶層１１の層厚を保持するためのスペーサである。
バックライト３０は、液晶パネル１の下層（背面）側に位置し、発光領域を構成する導光及び光拡散板３１の端面に臨ませた状態で白色光を出射するＬＥＤアレイ３２が備えられている。このＬＥＤアレイ３２は、輝度の調整範囲が広く、輝度の調整が容易である。導光及び光拡散板３１はこのＬＥＤアレイ３２の各ＬＥＤから発光される白色光を自身の表面全体に導光すると共に上面へ拡散することにより、発光領域として機能する。なお、このバックライト３０（ＬＥＤアレイ３２）の点灯／非点灯及び輝度は、バックライト制御回路３３にて調整される。
ここで、第１実施の形態における液晶表示装置の具体例について説明する。画素電極６（６４０×３（ＲＧＢ）×４８０，対角３．２インチ）を有するＴＦＴ基板と、共通電極３及びＲＧＢのカラーフィルタ４を有する共通電極基板とを洗浄した後、ポリイミドを塗布して２００℃で１時間焼成することにより、約２００Åのポリイミド膜を配向膜９，１０として成膜した。
更に、これらの配向膜９，１０をレーヨン製の布でラビングし、両者間に平均粒径１．６μｍのシリカ製のスペーサ１２でギャップを保持した状態で重ね合わせて空パネルを作製した。この空パネルに、ＴＦＴ駆動時において第９図に示すようなハーフＶ字状の電気光学応答特性を示すナフタレン系液晶を主成分とする強誘電性液晶物質（例えば、Ａ．Ｍｏｃｈｉｚｕｋｉ，ｅｔ．ａｌ．：Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃｓ，１３３，３５３（１９９１）に開示された物質）を封入して液晶層１１とした。封入した強誘電性液晶物質の自発分極の大きさは６ｎＣ／ｃｍ２であった。
作製したパネルをクロスニコル状態の２枚の偏光フィルム２，８で、液晶層１１の強誘電性液晶分子の長軸方向が一方に傾いた場合に暗状態になるようにして挟んで液晶パネル１とした。この液晶パネル１とバックライト３０とを重ね合わせて、カラーフィルタ方式にてカラー表示を行えるようにした。
次に、第１実施の形態の具体的な動作例について説明する。第１０図及び第１１図は、その動作例における駆動シーケンスの一例を示すタイミングチャートである。第１０図（ａ）は液晶パネル１の各ラインの走査タイミング、第１０図（ｂ）はバックライト３０の点灯タイミングを示す。第１０図（ａ）に示すように、液晶パネル１に対して、各フレーム中に２回の画像データの書込み走査を行う。１回目のデータ書込み走査にあっては、明るい表示を実現できる極性でのデータ書込み走査を行い、２回目のデータ書込み走査では、１回目のデータ書込み走査とは極性が反対であって大きさが実質的に等しい電圧が印加される。これにより、１回目のデータ書込み走査に比べて暗い表示を実現でき、実質的には”黒表示”と見なせる。
また、第１１図（ａ）は所望の表示を得るために強誘電性液晶に印加する信号電圧の大きさ，第１１図（ｂ）はＴＦＴ２１のゲート電圧，第１１図（ｃ）は透過率を示している。第１１図では、ある選択したラインにおける駆動シーケンスを示している。強誘電性液晶に所定周期で電圧を印加して表示画像の書換えを行う通常表示機能（期間Ａ）と、強誘電性液晶への電圧印加を休止してその休止前の表示画像を維持するメモリ表示機能（期間Ｂ）とを行える。
ゲートオン電圧のタイミングで所望の画像に対応する電圧を各ライン毎に強誘電性液晶に印加することを行った後に、最終ラインの電圧印加が終了して最初のラインが選択される直前において、液晶パネル１に印加されている全ての電圧をオフにする（タイミングＣ）。但し、全ての電圧をオフにする直前の書込み走査では、電圧を印加しないときに維持表示したい所望の画像データに対応した電圧（信号電圧Ｄ）を印加する。
電圧を印加しない期間（期間Ｂ）では、強誘電性液晶のメモリ機能に基づいて透過率が保たれ、直前に印加された電圧（信号電圧Ｄ）に応じて表示画像が維持される。その後、異なる画像を表示するために、強誘電性液晶への電圧印加を再開する（タイミングＥ）。なおこの際、液晶パネル１の表示を全て黒表示にした後に、所望の表示データに対応した電圧を印加する。つまり、強誘電性液晶への電圧印加を再開する際には、まず最初に黒表示に対応した電圧（信号電圧Ｆ）を印加する。
第１実施の形態において、通常表示でのデータ書込み走査におけるゲート選択期間（ｔ１）は５μｓ／ラインとし、メモリ表示を行う直前のデータでのデータ書込み走査におけるゲート選択期間（ｔ２）は、前述した特性結果（第５図参照）に基づいて−１０℃まで良好なメモリ表示を実現することを目的として、１００μｓ／ラインとする。この際に、信号電圧の印加時間もゲート選択期間に応じて変化させる。
第１１図に示す駆動シーケンスに従って、ライン毎にＴＦＴ２１のスイッチングを介して電圧を印加し、最終ラインの電圧印加終了後の所望のタイミングで、液晶パネル１に印加されている全ての電圧をオフとした。そして、液晶パネル１への印加電圧値を変えながら、電圧印加時の透過率と電圧除去して６０秒後の透過率とを測定した。この測定結果は、第１図，第２図と同様の特性を呈した。よって、第１１図の駆動シーケンスにより、液晶パネル１に印加されている全ての電圧を除去することにより、電圧印加時の表示状態に応じた透過率を維持できていることが分かる。この結果、電圧印加を行わなくても画像表示が可能である、つまりメモリ表示機能を確実に行えることが分かる。
また、再び液晶パネル１への電圧印加を開始する際に、液晶パネル１の表示を全黒表示とした後、表示データに応じた電圧を液晶パネル１に印加する。これにより、動画表示を含む高品質のカラー表示を再び行うことができる。液晶パネル１の表示を全黒表示とする際にも、ゲート選択期間（ｔ３）を１００μｓ／ラインとし、液晶への電圧印加時間を通常表示時よりも長くして、確実な黒表示を実現できるようにする。
第１２図は、黒ベースの透過率変化を説明するための図であり、液晶分子４０は、最初第１２図（ａ）に示す如く偏光軸に沿って位置しており（実線で示す黒表示の位置）、電圧印加に応じてその位置と偏光軸からずれた位置（破線で示す白表示の位置）との間で向きを変える。この際の透過率変化の一例を第１２図（ｂ）に示す。一方、第１３図は、白ベースの透過率変化を説明するための図であり、液晶分子４０は、最初第１３図（ａ）に示す如く偏光軸からずれて位置しており（実線で示す白表示の位置）、電圧印加に応じてその位置と偏光軸に沿った位置（破線で示す黒表示の位置）との間で向きを変える。この際の透過率変化の一例を第１３図（ｂ）に示す。
電圧印加を再開する際に、液晶パネル１の表示を全黒表示とした後に、所望の表示データに応じた電圧を印加していく場合には、第１２図に示すように必ず黒ベースの表示になり、明瞭な表示を得ることができる。これに対して、電圧印加を再開する際に、液晶パネル１の表示を一旦全黒表示としない場合には不都合が生じる。例えば、電圧無印加状態において維持していた表示が黒以外の表示、特に白表示であった場合には、電圧印加を開始した際に、第１３図に示すように白ベースの表示になり、所望の表示を得ることができない。
次に、バックライト３０の輝度の調整について考察する。通常の電圧印加時（第１１図の期間Ａ）においては、正負の電圧が交互に液晶に印加される。ハーフＶ字状の電気光学応答特性を有する強誘電性液晶の場合、一方の極性の電圧印加時のみ光が透過するので、正電圧及び負電圧で印加される比率が１：１であるとき、平均の明るさは光透過時の約半分になる。一方、電圧無印加時における明るさは、常に一定である。よって、電圧を印加しないときの方が、電圧印加時よりも明るくなる場合がある。
このような問題を解決するために、第１実施の形態では、印加電圧の除去に同期して電圧無印加時のバックライト３０の輝度を通常表示時の７０％程度に低減して、明るさの調整を図る。このようにしても、画面輝度が低下することはない。このバックライト３０の輝度低減は、消費電力の低減にもつながり、意義が大きい。なお、電圧無印加時のバックライト３０の輝度は任意で良く、電圧を印加しないときの消費電力を更に低減したい場合には、バックライト３０の輝度を７０％程度以下に低減しても良いことは勿論である。電圧印加を再開した後は、バックライト３０の輝度を元に戻す。
以上のようにすることにより、電圧印加時と電圧無印加時とにおいて、同様の画像表示を実現することができた。電圧印加時の具体的な消費電力は、２．５Ｗであった。また、電圧無印加時の具体的な消費電力は１．３Ｗであり、低い消費電力であった。
（第２実施の形態）
第１４図は第２実施の形態による液晶表示装置の液晶パネル１及びバックライト３０の模式的断面図、第１５図はその液晶表示装置の全体の構成例を示す模式図である。第２実施の形態は、フィールド・シーケンシャル方式にてカラー表示を行う液晶表示装置である。第１４，１５図において、第７，８図と同一または同様な部分には同一番号を付している。
この液晶パネル１には、第１実施の形態（第７，８図）に見られるようなカラーフィルタは存在していない。また、バックライト３０は、液晶パネル１の下層（背面）側に位置し、発光領域を構成する導光及び光拡散板３１の端面に臨ませた状態でＬＥＤアレイ４２が備えられている。このＬＥＤアレイ４２は、導光及び光拡散板３１と対向する面に３原色、即ち赤，緑，青の各色を発光するＬＥＤ素子を１チップとした１０灯のＬＥＤを有する。そして、赤，緑，青の各サブフレームにおいては赤，緑，青のＬＥＤ素子をそれぞれ点灯させる。導光及び光拡散板３１はこのＬＥＤアレイ４２の各ＬＥＤからの光を自身の表面全体に導光すると共に上面へ拡散することにより、発光領域として機能する。
この液晶パネル１と、赤，緑，青の時分割発光が可能であるバックライト３０とを重ね合わせる。このバックライト３０の発光色、点灯タイミング及び輝度は、液晶パネル１に対する表示データに基づくデータ書込み走査に同期して、バックライト制御回路３５にて制御される。
第２実施の形態における液晶表示装置の具体例について説明する。画素電極６（６４０×４８０，対角３．２インチ）を有するＴＦＴ基板と、共通電極３を有する共通電極基板とを洗浄した後、ポリイミドを塗布して２００℃で１時間焼成することにより、約２００Åのポリイミド膜を配向膜９，１０として成膜した。更に、これらの配向膜９，１０をレーヨン製の布でラビングし、両者間に平均粒径１．６μｍのシリカ製のスペーサ１２でギャップを保持した状態で重ね合わせて空パネルを作製した。この空パネルに、ＴＦＴ駆動時において第９図に示すようなハーフＶ字状の電気光学応答特性を示すナフタレン系液晶を主成分とする強誘電性液晶物質（例えば、Ａ．Ｍｏｃｈｉｚｕｋｉ，ｅｔ．ａｌ．：Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃｓ，１３３，３５３（１９９１）に開示された物質）を封入して液晶層１１とした。封入した強誘電性液晶物質の自発分極の大きさは６ｎＣ／ｃｍ２であった。
作製したパネルをクロスニコル状態の２枚の偏光フィルム２，８で、液晶層１１の強誘電性液晶分子の長軸方向が一方に傾いた場合に暗状態になるようにして挟んで液晶パネル１とした。この液晶パネル１とバックライト３０とを重ね合わせて、フィールド・シーケンシャル方式にてカラー表示を行えるようにした。
次に、第２実施の形態の具体的な動作例について説明する。第１６図及び第１０図は、その動作例における駆動シーケンスの一例を示すタイミングチャートである。
第１６図（ａ）は液晶パネル１の各ラインの走査タイミング、第１６図（ｂ）はバックライト３０の赤，緑，青各色の点灯タイミングを示す。１フレームを３つのサブフレームに分割し、例えば第１６図（ｂ）に示すように第１番目のサブフレームにおいて赤色を発光させ、第２番目のサブフレームにおいて緑色を発光させ、第３番目のサブフレームにおいて青色を発光させる。一方、第１６図（ａ）に示すとおり、液晶パネル１に対しては赤，緑，青の各色のサブフレーム中に、２回の画像データの書込み走査を行う。１回目のデータ書込み走査にあっては、明るい表示を実現できる極性でのデータ書込み走査を行い、２回目のデータ書込み走査では、１回目のデータ書込み走査とは極性が反対であって大きさが実質的に等しい電圧が印加される。これにより、１回目のデータ書込み走査に比べて暗い表示を実現でき、実質的には”黒表示”と見なせる。
なお、第１０図に示す駆動シーケンスは、第１実施の形態と同様であるので、その詳細な説明は省略する。
第１実施の形態と同様に、ライン毎に液晶にＴＦＴ２１のスイッチングを介して電圧を印加し、最終ラインの電圧印加終了後の所望のタイミングで、液晶パネル１に印加されている全ての電圧をオフにする。但し、全ての電圧をオフにする直前のデータ書込み走査は、電圧無印加時において表示したい所望のモノクロ表示データの書込み走査とする。
第１実施の形態と同様に、通常表示でのデータ書込み走査におけるゲート選択期間（ｔ１）は５μｓ／ラインとし、メモリ表示を行う直前のデータ書込み走査におけるゲート選択期間（ｔ２）は１００μｓ／ラインとする。また、再び液晶パネル１への電圧印加を開始する際に、液晶パネル１の表示を全黒表示とした後、表示データに応じた電圧を液晶パネル１に印加する。液晶パネル１の表示を全黒表示とする際にも、ゲート選択期間（ｔ３）を１００μｓ／ラインとして、液晶への電圧印加時間を通常表示時よりも長くする。また、メモリ表示を行っている間は、通常表示時に比べて、バックライト３０の輝度を低減する。
このようにすることにより、電圧印加時には動画表示を含む高品質な表示を得ることができ、電圧除去時には、バックライト３０を白色光に切り換えて、更に輝度を所望の値に調整することにより、低い消費電力にてモノクロ表示を得ることができ、電圧印加再開後には動画表示を含む高品質な表示を再び得ることができる。電圧を印加する動画カラー表示時の具体的な消費電力は１．５Ｗであった。また、電圧を印加しないモノクロ表示時の具体的な消費電力は０．５３Ｗであり、低い消費電力であった。
次に、メモリ表示を行う際に、ゲート非選択期間（ゲートオフ期間）を通常表示時より長くすることにより、高いメモリ率を確実に実現できる例を、第３，第４実施の形態として説明する。
（第３実施の形態）
第３実施の形態は、カラーフィルタ方式にてカラー表示を行う液晶表示装置であり、その構成及び作製工程は上述した第１実施の形態（第７，８図）と同様であるので、その説明は省略する。
次に、第３実施の形態の具体的な動作例について説明する。第１０図及び第１７図は、その動作例における駆動シーケンスの一例を示すタイミングチャートである。なお、第１０図における駆動シーケンスに関しては、第１実施の形態と同様である。
第１７図（ａ）は所望の表示を得るために強誘電性液晶に印加する信号電圧の大きさ，第１７図（ｂ）はＴＦＴ２１のゲート電圧，第１７図（ｃ）は透過率を示している。第１７図では、ある選択したラインにおける駆動シーケンスを示している。強誘電性液晶に所定周期で電圧を印加して表示画像の書換えを行う通常表示機能（期間Ａ）と、強誘電性液晶への電圧印加を除去してその除去前の表示画像を維持するメモリ表示機能（期間Ｂ）とを行える点は、第１１図に示した駆動シーケンスと同様である。
第３実施の形態において、通常表示でのデータ書込み走査におけるゲート選択期間は５μｓ／ラインでゲート非選択（オフ）期間（Ｔ１）は８．３ｍｓとし、メモリ表示を行う直前のデータ書込み走査におけるゲート非選択（オフ）期間（Ｔ２）は、前述した特性結果（第６図参照）に基づいて−１０℃まで良好なメモリ表示を実現することを目的として、１０００ｍｓ以上とする、つまり、最終ラインの電圧印加した１０００ｍｓ後に、液晶パネル１に印加されている全ての電圧をオフにする。
第１７図に示す駆動シーケンスに従って、ライン毎にＴＦＴ２１のスイッチングを介して電圧を印加し、最終ラインの電圧印加終了後の所望のタイミングで、液晶パネル１に印加されている全ての電圧をオフとした。そして、液晶パネル１への印加電圧値を変えながら、電圧印加時の透過率と電圧除去して６０秒後の透過率とを測定した。この測定結果は、第１図，第２図と同様の特性を呈した。よって、第１７図の駆動シーケンスにより、液晶パネル１に印加されている全ての電圧を除去することにより、電圧印加時の表示状態に応じた透過率を維持できていることが分かる。この結果、電圧印加を行わなくても画像表示が可能である、つまりメモリ表示機能を確実に行えることが分かる。
また、再び液晶パネル１への電圧印加を開始する際に、液晶パネル１の表示を全黒表示とした後、表示データに応じた電圧を液晶パネル１に印加する。これにより、動画表示を含む高品質のカラー表示を再び行うことができる。液晶パネル１の表示を全黒表示とする際にも、ゲート非選択（オフ）期間（Ｔ３）を１０００ｍｓとして、通常表示時のゲート非選択（オフ）期間（Ｔ１）よりも長くし、確実な黒表示を実現できるようにする。なお、このようにする理由は、第１実施の形態で述べた通りである。
バックライト３０の輝度の調整について考察した場合、第３実施の形態でも、第１実施の形態と同様に、電圧を印加しないときの方が、電圧印加時よりも明るくなることが起こり得る。そこで、第１実施の形態と同様に、印加電圧の除去に同期して電圧無印加時のバックライト３０の輝度を通常表示時の７０％程度に低減して、明るさの調整を図る。
以上のようにすることにより、電圧印加時と電圧無印加時とにおいて、同様の画像表示を実現することができた。電圧印加時の具体的な消費電力は、２．４Ｗであった。また、電圧無印加時の具体的な消費電力は１．４Ｗであり、低い消費電力であった。
（第４実施の形態）
第４実施の形態は、フィールド・シーケンシャル方式にてカラー表示を行う液晶表示装置であり、その構成及び作製工程は上述した第２実施の形態（第１４，１５図）と同様であるので、その説明は省略する。
次に、第４実施の形態の具体的な動作例について説明する。第１６図及び第１７図は、その動作例における駆動シーケンスの一例を示すタイミングチャートである。なお、第１６図における駆動シーケンスに関しては、第２実施の形態と同様であり、また、第１７図における駆動シーケンスに関しては、第３実施の形態と同様である。
第３実施の形態と同様に、ライン毎に液晶にＴＦＴ２１のスイッチングを介して電圧を印加し、最終ラインの電圧印加終了後の所望のタイミングで、液晶パネル１に印加されている全ての電圧をオフにする。但し、全ての電圧をオフする直前のデータ書込み走査は、電圧無印加時において表示したい所望のモノクロ表示データの書込み走査とする。
第３実施の形態と同様に、通常表示でのデータ書込み走査におけるゲート非選択期間（Ｔ１）は２．８ｍｓとし、メモリ表示を行う直前のデータ書込み走査におけるゲート非選択期間（Ｔ２）は１０００ｍｓ以上とする。また、再び液晶パネル１への電圧印加を開始する際に、液晶パネル１の表示を全黒表示とした後、表示データに応じた電圧を液晶パネル１に印加する。液晶パネル１の表示を全黒表示とする際にも、ゲート非選択期間（Ｔ３）を１０００ｍｓとして通常表示時よりも長くする。また、メモリ表示を行っている間は、通常表示時に比べて、バックライト３０の輝度を低減する。
このようにすることにより、電圧印加時には動画表示を含む高品質な表示を得ることができ、電圧除去時には、バックライト３０を白色光に切り換えて、更に輝度を所望の値に調整することにより、低い消費電力にてモノクロ表示を得ることができ、電圧印加再開後には動画表示を含む高品質な表示を再び得ることができる。電圧を印加する動画カラー表示時の具体的な消費電力は、１．３Ｗであった。また、電圧を印加しないモノクロ表示時の具体的な消費電力は０．５１Ｗであり、低い消費電力であった。
（第５実施の形態）
第１８図は、第５実施の形態による液晶表示装置の全体の構成例を示す模式図である。第１８図において、第１５図と同一部分には同一番号を付してそれらの説明を省略する。
第１８図において、５１は、液晶パネル１の温度を測定する温度計であり、温度計５１は測定した温度値を駆動部２０へ出力する。駆動部２０は、第１駆動方式と第２駆動方式とを有しており、温度計５１で測定されたた温度に応じて、第１駆動方式及び第２駆動方式の何れか一方の駆動方式が選択される。具体的には、温度が２０℃以下である場合には第１駆動方式に切り換え、温度が２０℃より高い場合には第２駆動方式に切り換えられる。
第１駆動方式は、第１１図で示したように、メモリ表示機能を実行するために電圧印加を休止する直前のゲート選択期間（液晶物質への電圧印加時間：ｔ２）が通常表示時におけるゲート選択期間（液晶物質への電圧印加時間：ｔ１）より長い（ｔ２＞ｔ１）駆動方式である。第２駆動方式は、第１９図に示すように、メモリ表示機能を実行するために電圧印加を休止する直前のゲート選択期間（液晶物質への電圧印加時間：ｔ２）が通常表示時におけるゲート選択期間（液晶物質への電圧印加時間：ｔ１）に等しい（ｔ２＝ｔ１）駆動方式である。
第５実施の形態では、温度が２０℃以下である場合、通常表示時と同等のゲート選択期間（液晶物質への電圧印加時間）では高いメモリ性を発揮できないため、第１駆動方式に切り換えて、高いメモリ性の実現を図る。一方、温度が２０℃より高い場合、通常表示時と同等のゲート選択期間（液晶物質への電圧印加時間）でも高いメモリ性を発揮できるため、第２駆動方式に切り換えて、消費電力の低減化を図る。
（第６実施の形態）
第６実施の形態による液晶表示装置の全体の構成例は、第５実施の形態（第１８図）と同じである。温度計５１は、測定した温度値を駆動部２０へ出力する。駆動部２０は、第１駆動方式と第２駆動方式とを有している。
第１駆動方式は、第１７図で示したように、メモリ表示機能を実行するために電圧印加を休止する直前のゲート非選択期間（ゲートオフ期間：Ｔ２）が通常表示時におけるゲート非選択期間（ゲートオフ期間：Ｔ１）より長い（Ｔ２＞Ｔ１）駆動方式である。第２駆動方式は、第１９図に示すように、メモリ表示機能を実行するために電圧印加を休止する直前のゲート非選択期間（ゲートオフ期間：Ｔ２）が通常表示時におけるゲート非選択期間（ゲートオフ期間：Ｔ１）に等しい（Ｔ２＝Ｔ１）駆動方式である。
第６実施の形態では、温度が２０℃以下である場合、通常表示時と同等のゲート非選択期間（ゲートオフ期間）では高いメモリ性を発揮できないため、第１駆動方式に切り換えて、高いメモリ性の実現を図る。一方、温度が２０℃より高い場合、通常表示時と同等のゲート非選択期間（ゲートオフ期間）でも高いメモリ性を発揮できるため、第２駆動方式に切り換えて、消費電力の低減化を図る。
なお、第５，第６実施の形態では、フィールド・シーケンシャル方式の液晶表示装置を例として説明したが、第７，８図に構成を示したカラーフィルタ方式の液晶表示装置にも、温度に応じて駆動シーケンスを切り換える上述した手法を同様に適用できることは勿論である。
また、上述した例にあっては、透過型の液晶表示装置について説明したが、反射型または半透過型の液晶表示装置においても、本発明を同様に適用できることは言うまでもない。反射型または半透過型の液晶表示装置の場合、バックライトなどの光源を用いなくても表示可能であるため、メモリ表示機能と組み合わせることによって、消費電力を限りなく０に近付けることが可能となる。
【産業上の利用可能性】  以上詳述したように、本発明では、広い温度範囲において、メモリ表示機能を確実に行うことができる。また、必要に応じて駆動方式を切り換えることにより、高いメモリ性と消費電力の低減化とを両立することができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【国際調査報告】
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