(57)【要約】ビアホールが設けられた低誘電率膜の低誘電率膜の上側または下側に窒素非含有絶縁膜を挟んで窒素含有絶縁膜が形成されている電子デバイス、および、ビアホールが設けられた低誘電率膜の上側に、膜密度１．３ｇ／ｃｍ３以下の低密度絶縁膜が設けられている電子デバイスである。  また、低誘電率膜の上側または下側に窒素非含有絶縁膜を挟んで窒素含有絶縁膜が形成されており、ホールが形成された低誘電率膜の上側に化学増幅型レジストを形成し、当該レジストを用いて前記ホールと接続する凹部を形成する工程を備えている電子デバイスの製造方法および、低誘電率膜の上側に膜密度１．３ｇ／ｃｍ３以下の低密度絶縁膜を形成し、ホールが形成された低誘電率膜の上側に化学増幅型レジストを形成し、当該レジストを用いて前記ホールと接続する凹部を形成する工程を備えている電子デバイスの製造方法である。
2004090974.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ホールを有する低誘電率膜と、
前記低誘電率膜の下側に形成された窒素非含有絶縁膜と、
前記窒素非含有絶縁膜の下側に形成された窒素含有絶縁膜とを備えていることを特徴とする電子デバイス。
【請求項２】
請求項１において、
前記ホールは前記窒素非含有絶縁膜及び前記窒素含有絶縁膜のそれぞれを貫通しており、
前記ホールの下側において前記ホールと接続する下層配線をさらに備え、
前記ホールの接続領域を除く前記下層配線の上面は前記窒素含有絶縁膜によって覆われていることを特徴とする電子デバイス。
【請求項３】
請求項１において、
前記低誘電率膜の下面と前記窒素非含有絶縁膜の上面とは接していることを特徴とする電子デバイス。
【請求項４】
請求項１において、
前記低誘電率膜は炭素含有シリコン酸化膜又はポーラス膜であることを特徴とする電子デバイス。
【請求項５】
請求項４において、
前記炭素含有シリコン酸化膜はＳｉＯＣ膜であることを特徴とする電子デバイス。
【請求項６】
ホールを有する低誘電率膜と、
前記低誘電率膜の上側に形成された窒素非含有絶縁膜と、
前記窒素非含有絶縁膜の上側に形成された窒素含有絶縁膜とを備えていることを特徴とする電子デバイス。
【請求項７】
請求項６において、
前記窒素含有絶縁膜は反射防止膜であり、
前記窒素含有絶縁膜、前記窒素非含有絶縁膜、及び前記低誘電率膜のうちの少なくとも上部に、前記ホールと接続する凹部が設けられていることを特徴とする電子デバイス。
【請求項８】
請求項６において、
前記低誘電率膜の上面と前記窒素非含有絶縁膜の下面とは接していることを特徴とする電子デバイス。
【請求項９】
請求項６において、
前記低誘電率膜は炭素含有シリコン酸化膜又はポーラス膜であることを特徴とする電子デバイス。
【請求項１０】
請求項９において、
前記炭素含有シリコン酸化膜はＳｉＯＣ膜であることを特徴とする電子デバイス。
【請求項１１】
ホールを有する低誘電率膜と、
前記低誘電率膜の下側に形成された第１の窒素非含有絶縁膜と、
前記低誘電率膜の上側に形成された第２の窒素非含有絶縁膜とを備え、
前記ホールは前記第１の窒素非含有絶縁膜を貫通しており、
前記第２の窒素非含有絶縁膜、及び前記低誘電率膜のうちの少なくとも上部に、前記ホールと接続する凹部が設けられていることを特徴とする電子デバイス。
【請求項１２】
請求項１１において、
前記低誘電率膜の下面と前記第１の窒素非含有絶縁膜の上面とは接していることを特徴とする電子デバイス。
【請求項１３】
請求項１１において、
前記低誘電率膜の上面と前記第２の窒素非含有絶縁膜の下面とは接していることを特徴とする電子デバイス。
【請求項１４】
請求項１１において、
前記低誘電率膜は炭素含有シリコン酸化膜又はポーラス膜であることを特徴とする電子デバイス。
【請求項１５】
請求項１４において、
前記炭素含有シリコン酸化膜はＳｉＯＣ膜であることを特徴とする電子デバイス。
【請求項１６】
ホールを有する低誘電率膜と、
前記低誘電率膜の上側に形成された膜密度１．３ｇ／ｃｍ３以下の低密度絶縁膜とを備えていることを特徴とする電子デバイス。
【請求項１７】
請求項１６において、
前記低密度絶縁膜は窒素を含むことを特徴とする電子デバイス。
【請求項１８】
請求項１６において、
前記低誘電率膜の下側に形成された窒素含有絶縁膜をさらに備えていることを特徴とする電子デバイス。
【請求項１９】
請求項１６において、
前記低誘電率膜は炭素含有シリコン酸化膜又はポーラス膜であることを特徴とする電子デバイス。
【請求項２０】
請求項１９において、
前記炭素含有シリコン酸化膜はＳｉＯＣ膜であることを特徴とする電子デバイス。
【請求項２１】
窒素含有絶縁膜の上に窒素非含有絶縁膜及び低誘電率膜を順次形成する工程と、
前記低誘電率膜にホールを形成する工程と、
前記ホールが形成された前記低誘電率膜の上に化学増幅型レジストを塗布し、該塗布された化学増幅型レジストに対して露光及び現像を行なうことによって、前記ホールが形成された領域を含む所定の領域に開口部を持つレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜をマスクとして前記低誘電率膜に対してエッチングを行なって、前記ホールと接続する凹部を形成する工程とを備えていることを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項２２】
請求項２１において、
前記窒素含有絶縁膜は下層配線を覆うように形成されていることを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項２３】
請求項２１において、
前記ホールを形成する工程は、前記低誘電率膜及び前記窒素非含有絶縁膜に前記ホールを形成する工程を含み、
前記凹部を形成する工程よりも後に、前記ホールの下側の前記窒素含有絶縁膜を除去する工程を備えていることを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項２４】
請求項２１において、
前記窒素非含有絶縁膜はＣＶＤ法により堆積されることを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項２５】
請求項２１において、
前記ホールを形成する工程と前記レジスト膜を形成する工程との間に、前記ホール内にダミープラグを形成する工程をさらに備えていることを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項２６】
請求項２１において、
前記低誘電率膜は炭素含有シリコン酸化膜又はポーラス膜であることを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項２７】
請求項２６において、
前記炭素含有シリコン酸化膜はＳｉＯＣ膜であることを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項２８】
低誘電率膜の上に窒素非含有絶縁膜及び窒素含有絶縁膜を順次形成する工程と、
前記窒素非含有絶縁膜及び前記窒素含有絶縁膜が設けられた前記低誘電率膜にホールを形成する工程と、
前記ホールが形成された前記低誘電率膜の上側に化学増幅型レジストを塗布し、該塗布された化学増幅型レジストに対して露光及び現像を行なうことによって、前記ホールが形成された領域を含む所定の領域に開口部を持つレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜をマスクとして前記低誘電率膜に対してエッチングを行なって、前記ホールと接続する凹部を形成する工程とを備えていることを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項２９】
請求項２８において、
前記レジスト膜を形成する工程において、前記窒素含有絶縁膜は反射防止膜として機能することを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項３０】
請求項２８において、
前記窒素非含有絶縁膜はＣＶＤ法により堆積されることを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項３１】
請求項２８において、
前記ホールを形成する工程と前記レジスト膜を形成する工程との間に、前記ホール内にダミープラグを形成する工程をさらに備えていることを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項３２】
請求項２８において、
前記低誘電率膜は炭素含有シリコン酸化膜又はポーラス膜であることを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項３３】
請求項３２において、
前記炭素含有シリコン酸化膜はＳｉＯＣ膜であることを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項３４】
第１の窒素非含有絶縁膜の上に低誘電率膜及び第２の窒素非含有絶縁膜を順次形成する工程と、
前記第２の窒素非含有絶縁膜が設けられた前記低誘電率膜にホールを形成する工程と、
前記ホールが形成された前記低誘電率膜の上側に化学増幅型レジストを塗布し、該塗布された化学増幅型レジストに対して露光及び現像を行なうことによって、前記ホールが形成された領域を含む所定の領域に開口部を持つレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜をマスクとして前記低誘電率膜に対してエッチングを行なって、前記ホールと接続する凹部を形成する工程とを備えていることを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項３５】
請求項３４において、
前記第１の窒素非含有絶縁膜及び前記第２の窒素非含有絶縁膜はＣＶＤ法により堆積されることを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項３６】
請求項３４において、
前記ホールを形成する工程と前記レジスト膜を形成する工程との間に、前記ホール内にダミープラグを形成する工程をさらに備えていることを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項３７】
請求項３４において、
前記低誘電率膜は炭素含有シリコン酸化膜又はポーラス膜であることを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項３８】
請求項３７において、
前記炭素含有シリコン酸化膜はＳｉＯＣ膜であることを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項３９】
低誘電率膜の上に、膜密度１．３ｇ／ｃｍ３以下の低密度絶縁膜を形成する工程と、
前記低密度絶縁膜が設けられた前記低誘電率膜にホールを形成する工程と、
前記ホールが形成された前記低誘電率膜の上側に化学増幅型レジストを塗布し、該塗布された化学増幅型レジストに対して露光及び現像を行なうことによって、前記ホールが形成された領域を含む所定の領域に開口部を持つレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜をマスクとして前記低誘電率膜に対してエッチングを行なって、前記ホールと接続する凹部を形成する工程とを備えていることを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項４０】
請求項３９において、
前記低密度絶縁膜を形成する工程よりも後に、前記低密度絶縁膜に対して熱処理を行なうか又はエネルギー波を照射する工程を備えていることを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項４１】
請求項４０において、
前記エネルギー波は電子ビーム又は紫外線であることを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項４２】
請求項３９において、
前記低誘電率膜は炭素含有シリコン酸化膜又はポーラス膜であることを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項４３】
請求項４２において、
前記炭素含有シリコン酸化膜はＳｉＯＣ膜であることを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】  本発明は、電子デバイス及びその製造方法に関し、特に配線形成技術に関するものである。
【背景技術】  近年、集積回路の高集積化に伴い、配線間隔が狭小化しているため、配線間に生じる電気寄生容量が増大してきている。一方、高速動作を求められる集積回路では、配線間の電気寄生容量を小さくすることが必要とされている。
そこで、配線間の電気寄生容量を低減させるために、配線間の絶縁膜の比誘電率を低減させる方法が検討されてきた。配線間の電気寄生容量を最も低減できる方法として、例えば、配線間の絶縁膜として、シリコン酸化膜よりも誘電率の小さい材料からなる膜（つまり低誘電率膜）、例えば炭素含有シリコン酸化膜又はポーラス膜等を用いる方法が提案されている。炭素含有シリコン酸化膜は、体積が大きいアルキル基やフェニル基の形で炭素を膜中に含有している。その結果、炭素含有シリコン酸化膜の密度（約１．０〜１．３ｇ／ｃｍ３）はシリコン酸化膜の密度（約２．３ｇ／ｃｍ３）と比べて小さくなると共に、炭素含有シリコン酸化膜の比誘電率（約２．０〜３．０）もシリコン酸化膜の比誘電率（３．９〜４．３）と比べて小さくなる。
ところで、例えばシリコン酸化膜等の従来の配線間の絶縁膜と比べて、炭素含有シリコン酸化膜等の低誘電率膜の膜密度が低いため、低誘電率膜は大気暴露された際に大気中に存在する窒素等を膜中に吸収しやすい。その結果、例えばビアホールが設けられた炭素含有シリコン酸化膜上において、上層金属配線用の溝パターンを形成するためのフォトリソグラフィー工程を実施した場合には、次のような問題が生じる。すなわち、ビアホール近傍に塗布されたフォトレジストについては十分な現像を行なえず、その結果、不要なフォトレジスト残りが発生するので、所望の溝パターンを形成することができない。この問題が起こる理由は次の通りである。すなわち、ビアホールが設けられている炭素含有シリコン酸化膜中に存在するアミン、又は炭素含有シリコン酸化膜の下側に形成されたシリコン窒化炭化膜中の窒素に由来する塩基性物質等が、ビアホールを通って炭素含有シリコン酸化膜上のフォトレジスト（化学増幅型レジスト）中に拡散してくる。その結果、レジスト中の塩基濃度が上昇するため、溝パターン形成のための露光時にレジスト中の酸発生材から生じた酸が中和されてしまうので、例えばアクリル系レジスト等における連続的な酸発生反応が進行しなくなって現像不良が起こる。尚、このような現象はレジストポイズニングと呼ばれている。レジストポイズニングが起こると、例えば下層金属配線と上層金属配線とが正常に接続されなくなる事態、つまり配線不良が生じる。
それに対して、例えば非特許文献１（フェヨール（Ｍ．Ｆａｙｏｌｌｅ）他、２００２年・インターナショナル・インターコネクト・テクノロジー・コンファレンス予稿集（Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ  ｏｆ  ｔｈｅ  ２００２  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ）、３９〜４１ページ）に、レジストポイズニングを防止する配線構造及びその製造方法が開示されている。
図７は、非特許文献１に開示された、従来の電子デバイスの配線構造を示す断面図である。
図７に示すように、シリコン基板（図示省略）上に形成された、シリコン酸化膜からなる第１の絶縁膜１中に、バリアメタル膜２ａ及び銅膜２ｂからなる下層金属配線２が形成されている。下層金属配線２の上及び第１の絶縁膜１の上には、シリコン炭化膜からなる第２の絶縁膜３が形成されている。第２の絶縁膜３の上には、炭素含有シリコン酸化膜からなる第３の絶縁膜４が形成されている。第３の絶縁膜４の上には、シリコン炭化膜からなる第４の絶縁膜５が形成されている。第４の絶縁膜５の上には、炭素含有シリコン酸化膜からなる第５の絶縁膜６が形成されている。第２の絶縁膜３及び第３の絶縁膜４には、下層金属配線２に達するビアホール７が形成されていると共に、第４の絶縁膜５及び第５の絶縁膜６には、ビアホール７に達する配線溝８が形成されている。ビアホール７及び配線溝８には、バリアメタル膜９及び銅膜１０が順次形成されており、それによってビアプラグ１１及び上層金属配線１２が形成されている。ビアプラグ１１は、下層金属配線２と上層金属配線１２とを接続する。
図８（ａ）〜（ｆ）は、非特許文献１に開示された、従来の電子デバイスの製造方法、つまり図７に示す電子デバイスを製造するための方法の各工程を示す断面図である。
まず、図８（ａ）に示すように、シリコン基板（図示省略）上に第１の絶縁膜１を形成した後、第１の絶縁膜１に、バリアメタル膜２ａ及び銅膜２ｂからなる下層金属配線２を埋め込む。
次に、図８（ｂ）に示すように、第１の絶縁膜１の上及び下層金属配線２の上に、シリコン炭化膜からなる第２の絶縁膜３、炭素含有シリコン酸化膜からなる第３の絶縁膜４、シリコン炭化膜からなる第４の絶縁膜５、炭素含有シリコン酸化膜からなる第５の絶縁膜６、及びシリコン炭化膜からなる第６の絶縁膜１３を順次堆積する。
次に、第６の絶縁膜１３の上にフォトレジストを塗布し、該塗布されたフォトレジストに対してフォトリソグラフィーを行なうことにより、ホールパターンを持つレジスト膜（図示省略）を形成する。その後、該レジスト膜をマスクとして、第６の絶縁膜１３及び第５の絶縁膜６に対して順次ドライエッチングを行なった後、アッシングによりフォトレジストを除去する。これにより、図８（ｃ）に示すように、第６の絶縁膜１３及び第５の絶縁膜６に、ビアホール７（図８（ｅ）参照）と対応するホール１４が形成される。
次に、第６の絶縁膜１３の上にフォトレジストを塗布し、該塗布されたフォトレジストに対してフォトリソグラフィーを行なうことにより、所望の溝パターンを持つレジスト膜１５、具体的には配線溝８（図８（ｅ）参照）と対応する開口部１５ａを有するレジスト膜１５を形成する。
次に、溝パターンを持つレジスト膜１５、並びにホールパターンを持つ第６の絶縁膜１３及び第５の絶縁膜６をそれぞれマスクとして、第６の絶縁膜１３、第５の絶縁膜６、第４の絶縁膜５及び第３の絶縁膜４に対して順次ドライエッチングを行なう。これにより、図８（ｅ）に示すように、第３の絶縁膜４にビアホール７が形成されると共に第４の絶縁膜５及び第５の絶縁膜６に配線溝８が形成される。但し、前述のドライエッチングの後、レジスト膜１５を除去して洗浄を行ない、その後、それぞれシリコン炭化膜からなる第２の絶縁膜３（ビアホール７の形成領域）、第４の絶縁膜５（配線溝８の形成領域）及び第６の絶縁膜１３を全面エッチバックにより同時に除去する。これにより、図８（ｅ）に示すように、所望のビアホール７及び配線溝８が形成される。
次に、ビアホール７及び配線溝８が完全に埋まるように第５の絶縁膜６の上に、バリアメタル膜９及び銅膜１０を順次堆積した後、配線溝８の外側のバリアメタル膜９及び銅膜１０をＣＭＰ（ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）により除去する。これにより、図８（ｆ）に示すように、ビアホール７にビアプラグ１１が形成されると共に配線溝８に上層金属配線１２が形成される。
非特許文献１においては、第２の絶縁膜３、第４の絶縁膜５及び第６の絶縁膜１３として、窒素を含まないシリコン炭化膜を用いることによって、ホール１４を経由したアミン等の拡散に起因するレジストポイズニングを抑制できることが報告されている。
しかしながら、前述の従来の配線構造においては、レジストポイズニング対策のために、シリコン窒化炭化膜に代えて、シリコン窒化炭化膜よりも膜質の悪い、窒素非含有のシリコン炭化膜を用いているため、リーク電流が多くなるという問題がある。また、シリコン炭化膜の膜安定性が悪いため、該膜を堆積した後に放置していると、膜質の経時変化が起こるという問題もある。
【発明の開示】
前記に鑑み、本発明は、配線間絶縁膜におけるリーク電流の増大や膜質の経時変化を抑制しながらレジストポイズニングを防止することを目的とする。
前記の目的を達成するために、本発明に係る第１の電子デバイスは、ホールを有する低誘電率膜と、低誘電率膜の下側に形成された窒素非含有絶縁膜と、窒素非含有絶縁膜の下側に形成された窒素含有絶縁膜とを備えている。
第１の電子デバイスによると、配線間絶縁膜である低誘電率膜と、その下側の窒素含有絶縁膜との間に窒素非含有絶縁膜が設けられている。すなわち、低誘電率膜と窒素含有絶縁膜とが直接接触することがないため、低誘電率膜中に窒素が取り込まれることを抑制できる。このため、ホールが形成された低誘電率膜の上に化学増幅型レジストを塗布した際にホールを経由してアミン等が低誘電率膜からレジスト中に拡散すること、つまりレジストポイズニングを防止できる。また、低誘電率膜の下側に膜質の良い窒素含有絶縁膜（例えばシリコン窒化炭化膜）が設けられているため、リーク電流の増大又は膜質の経時変化を防止できる。
また、第１の電子デバイスによると、窒素非含有絶縁膜を例えばプラズマＣＶＤ（ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により堆積することによって、その下側の窒素含有絶縁膜の膜質を安定化させることができるので、窒素含有絶縁膜中に含まれる窒素が遊離しにくくなる。その結果、低誘電率膜中に窒素が取り込まれることをより確実に抑制できる。
尚、本明細書において、窒素非含有絶縁膜とは、膜中に含まれる窒素が１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満の絶縁膜を意味する。
第１の電子デバイスにおいて、ホールは窒素非含有絶縁膜及び窒素含有絶縁膜のそれぞれを貫通しており、該ホールの下側においてホールと接続する下層配線をさらに備え、ホールの接続領域を除く下層配線の上面は窒素含有絶縁膜によって覆われていることが好ましい。
このようにすると、窒素含有絶縁膜として、酸素を含まない絶縁膜を用いることにより、下層配線の酸化を防止することができる。
第１の電子デバイスにおいて、低誘電率膜の下面と窒素非含有絶縁膜の上面とは接していることが好ましい。
このようにすると、低誘電率膜中に窒素が取り込まれることをより確実に抑制できる。
本発明に係る第２の電子デバイスは、ホールを有する低誘電率膜と、低誘電率膜の上側に形成された窒素非含有絶縁膜と、窒素非含有絶縁膜の上側に形成された窒素含有絶縁膜とを備えている。
第２の電子デバイスによると、配線間絶縁膜である低誘電率膜と、その上側の窒素含有絶縁膜との間に窒素非含有絶縁膜が設けられている。すなわち、低誘電率膜と窒素含有絶縁膜とが直接接触することがない。このため、低誘電率膜中に窒素が取り込まれることを抑制できるので、ホールが形成された低誘電率膜の上側に化学増幅型レジストを塗布した際にホールを経由してアミン等が低誘電率膜からレジスト中に拡散すること、つまりレジストポイズニングを防止できる。また、低誘電率膜の上側に膜質の良い窒素含有絶縁膜（例えばシリコン窒化炭化膜）が設けられているため、リーク電流の増大又は膜質の経時変化を防止できる。
また、第２の電子デバイスによると、低誘電率膜の上に窒素非含有絶縁膜を挟んで窒素含有絶縁膜が設けられているため、低誘電率膜の形成後に窒素を含む雰囲気（プラズマ等）に低誘電率膜が直接さらされることがない。このため、低誘電率膜中に窒素が取り込まれることをより確実に抑制できる。
第２の電子デバイスにおいて、窒素含有絶縁膜は反射防止膜であり、窒素含有絶縁膜、窒素非含有絶縁膜、及び低誘電率膜のうちの少なくとも上部に、ホールと接続する凹部が設けられていることが好ましい。
このようにすると、ホール又は凹部を形成するためのリソグラフィー時に、例えば有機材料からなる反射防止膜を新たに設ける必要がなくなるので、工程数を削減できる。
第２の電子デバイスにおいて、低誘電率膜の上面と窒素非含有絶縁膜の下面とは接していることが好ましい。
このようにすると、低誘電率膜中に窒素が取り込まれることをより確実に抑制できる。
本発明に係る第３の電子デバイスは、ホールを有する低誘電率膜と、低誘電率膜の下側に形成された第１の窒素非含有絶縁膜と、低誘電率膜の上側に形成された第２の窒素非含有絶縁膜とを備え、ホールは第１の窒素非含有絶縁膜を貫通しており、第２の窒素非含有絶縁膜、及び低誘電率膜のうちの少なくとも上部に、ホールと接続する凹部が設けられている。
第３の電子デバイスによると、配線間絶縁膜である低誘電率膜の上下にそれぞれ窒素非含有絶縁膜が設けられているため、低誘電率膜中に窒素が取り込まれることを確実に抑制できる。このため、低誘電率膜にホールを形成した後、該ホールと接続する凹部を形成するためのリソグラフィ工程で低誘電率膜の上側に化学増幅型レジストを塗布した際に、ホールを経由してアミン等が低誘電率膜からレジスト中に拡散すること、つまりレジストポイズニングを防止できる。
第３の電子デバイスにおいて、低誘電率膜の下面と第１の窒素非含有絶縁膜の上面とは接していることが好ましい。
このようにすると、低誘電率膜中に窒素が取り込まれることをより確実に抑制できる。
第３の電子デバイスにおいて、低誘電率膜の上面と第２の窒素非含有絶縁膜の下面とは接していることが好ましい。
このようにすると、低誘電率膜中に窒素が取り込まれることをより確実に抑制できる。
本発明に係る第４の電子デバイスは、ホールを有する低誘電率膜と、低誘電率膜の上側に形成された膜密度１．３ｇ／ｃｍ３以下の低密度絶縁膜とを備えている。
第４の電子デバイスによると、配線間絶縁膜である低誘電率膜の上側に低密度絶縁膜が形成されているため、低誘電率膜中に取り込まれた窒素や低密度絶縁膜自身に存在する窒素が、低密度絶縁膜を通って外部に排出されやすくなる。このため、低誘電率膜に設けられたホール内にアミン等が集中して拡散してくることがないので、低誘電率膜の上側に化学増幅型レジストを塗布した際にホール近傍のレジストにおける単位体積当たりのアミン等の量が極めて少なくなり、その結果、レジストポイズニングを防止できる。尚、第４の電子デバイスにおいて、低密度絶縁膜の密度は、該膜の安定性を考慮すると、０．４ｇ／ｃｍ３以上であることが好ましい。
第４の電子デバイスにおいて、低密度絶縁膜は窒素を含むことが好ましい。
このようにすると、低密度絶縁膜の膜質が良くなるので、リーク電流の増大又は膜質の経時変化を防止できる。
第４の電子デバイスにおいて、低誘電率膜の下側に形成された窒素含有絶縁膜をさらに備えていることが好ましい。
このようにすると、窒素含有絶縁膜の膜質が良いので、リーク電流の増大又は膜質の経時変化を防止できる。
第１、第２、第３又は第４の電子デバイスにおいて、低誘電率膜は炭素含有シリコン酸化膜又はポーラス膜であることが好ましい。
このようにすると、配線間の容量を確実に低減できる。また、炭素含有シリコン酸化膜としてはＳｉＯＣ膜を用いてもよい。
本発明に係る第１の電子デバイスの製造方法は、窒素含有絶縁膜の上に窒素非含有絶縁膜及び低誘電率膜を順次形成する工程と、低誘電率膜にホールを形成する工程と、ホールが形成された低誘電率膜の上に化学増幅型レジストを塗布し、該塗布された化学増幅型レジストに対して露光及び現像を行なうことによって、ホールが形成された領域を含む所定の領域に開口部を持つレジスト膜を形成する工程と、該レジスト膜をマスクとして低誘電率膜に対してエッチングを行なって、ホールと接続する凹部を形成する工程とを備えている。
第１の電子デバイスの製造方法によると、窒素含有絶縁膜の上に窒素非含有絶縁膜を挟んで形成された低誘電率膜にホールを形成した後、低誘電率膜の上に化学増幅型レジストを塗布する。すなわち、低誘電率膜と窒素含有絶縁膜との間に窒素非含有絶縁膜が設けられているため、低誘電率膜と窒素含有絶縁膜とが直接接触することがない。このため、低誘電率膜中に窒素が取り込まれることを抑制できるので、ホールが形成された低誘電率膜の上に化学増幅型レジストを塗布した際にホールを経由してアミン等がレジスト中に拡散すること、つまりレジストポイズニングを防止できる。また、低誘電率膜の下側に膜質の良い窒素含有絶縁膜（例えばシリコン窒化炭化膜）を設けているため、リーク電流の増大又は膜質の経時変化を防止できる。
また、第１の電子デバイスの製造方法によると、窒素非含有絶縁膜を例えばプラズマＣＶＤ法により堆積することによって、その下側の窒素含有絶縁膜の膜質を安定化させることができるので、窒素含有絶縁膜中に含まれる窒素が遊離しにくくなる。その結果、低誘電率膜中に窒素が取り込まれることをより確実に抑制できる。
第１の電子デバイスの製造方法において、窒素含有絶縁膜は下層配線を覆うように形成されていることが好ましい。
このようにすると、窒素含有絶縁膜として、酸素を含まない絶縁膜を用いることにより、下層配線の酸化を防止することができる。
第１の電子デバイスの製造方法において、ホールを形成する工程は、低誘電率膜及び窒素非含有絶縁膜にホールを形成する工程を含み、凹部を形成する工程よりも後に、ホールの下側の窒素含有絶縁膜を除去する工程を備えていることが好ましい。
このようにすると、ホールの下側に設けられた配線や素子等にエッチングダメージやアッシングダメージ（例えば配線や素子等の表面の酸化）が生じることを防止できる。
本発明に係る第２の電子デバイスの製造方法は、低誘電率膜の上に窒素非含有絶縁膜及び窒素含有絶縁膜を順次形成する工程と、窒素非含有絶縁膜及び窒素含有絶縁膜が設けられた低誘電率膜にホールを形成する工程と、ホールが形成された低誘電率膜の上側に化学増幅型レジストを塗布し、該塗布された化学増幅型レジストに対して露光及び現像を行なうことによって、ホールが形成された領域を含む所定の領域に開口部を持つレジスト膜を形成する工程と、該レジスト膜をマスクとして低誘電率膜に対してエッチングを行なって、ホールと接続する凹部を形成する工程とを備えている。
第２の電子デバイスの製造方法によると、低誘電率膜の上に窒素非含有絶縁膜及び窒素含有絶縁膜を順次形成した後、低誘電率膜にホールを形成し、その後、低誘電率膜の上側に化学増幅型レジストを塗布する。すなわち、低誘電率膜と窒素含有絶縁膜との間に窒素非含有絶縁膜が設けられているため、低誘電率膜と窒素含有絶縁膜とが直接接触することがない。このため、低誘電率膜中に窒素が取り込まれることを抑制できるので、ホールが形成された低誘電率膜の上に化学増幅型レジストを塗布した際にホールを経由してアミン等がレジスト中に拡散すること、つまりレジストポイズニングを防止できる。また、低誘電率膜の上側に膜質の良い窒素含有絶縁膜（例えばシリコン窒化炭化膜）を設けているため、リーク電流の増大又は膜質の経時変化を防止できる。
また、第２の電子デバイスの製造方法によると、低誘電率膜の上に窒素非含有絶縁膜を挟んで窒素含有絶縁膜を設けるため、低誘電率膜の形成後に窒素を含む雰囲気（プラズマ等）に低誘電率膜が直接さらされることがない。このため、低誘電率膜中に窒素が取り込まれることをより確実に抑制できる。
第２の電子デバイスの製造方法において、レジスト膜を形成する工程で窒素含有絶縁膜は反射防止膜として機能することが好ましい。
このようにすると、凹部を形成するためのリソグラフィー時に、例えば有機材料からなる反射防止膜を新たに設ける必要がなくなるので、工程数を削減できる。
本発明に係る第３の電子デバイスの製造方法は、第１の窒素非含有絶縁膜の上に低誘電率膜及び第２の窒素非含有絶縁膜を順次形成する工程と、第２の窒素非含有絶縁膜が設けられた低誘電率膜にホールを形成する工程と、ホールが形成された低誘電率膜の上側に化学増幅型レジストを塗布し、該塗布された化学増幅型レジストに対して露光及び現像を行なうことによって、ホールが形成された領域を含む所定の領域に開口部を持つレジスト膜を形成する工程と、該レジスト膜をマスクとして低誘電率膜に対してエッチングを行なって、ホールと接続する凹部を形成する工程とを備えている。
第３の電子デバイスの製造方法によると、上下にそれぞれ窒素非含有絶縁膜が設けられた低誘電率膜にホールを形成した後、低誘電率膜の上に化学増幅型レジストを塗布する。このため、低誘電率膜中に窒素が取り込まれることを確実に抑制できるので、ホールが形成された低誘電率膜の上に化学増幅型レジストを塗布した際にホールを経由してアミン等がレジスト中に拡散すること、つまりレジストポイズニングを防止できる。
第１、第２又は第３の電子デバイスの製造方法において、窒素非含有絶縁膜はＣＶＤ法により堆積されることが好ましい。
このようにすると、窒素非含有絶縁膜として、例えばＴＥＯＳを用いたプラズマＣＶＤ法によりシリコン酸化膜を形成した場合、該シリコン酸化膜の密度（約２．３ｇ／ｃｍ３）は炭素含有シリコン酸化膜等の低誘電率膜の密度よりも高くなる。このため、該シリコン酸化膜からなる窒素非含有絶縁膜が窒素に対するバリア層として機能するので、低誘電率膜中に窒素が取り込まれることをより確実に抑制できる。
第１、第２又は第３の電子デバイスの製造方法において、ホールを形成する工程とレジスト膜を形成する工程との間に、ホール内にダミープラグを形成する工程をさらに備えていることが好ましい。
このようにすると、例えば有機材料からなるダミープラグによって、低誘電率膜と窒素非含有絶縁膜との界面部を含むホールの壁面を覆うことができる。すなわち、該界面部やホール壁面のダメージ層がダミープラグによって覆われるため、該界面部又は該ダメージ層からホール内への窒素の拡散を抑制できるので、レジストポイズニングをより確実に防止できる。
本発明に係る第４の電子デバイスの製造方法は、低誘電率膜の上に、膜密度１．３ｇ／ｃｍ３以下の低密度絶縁膜を形成する工程と、低密度絶縁膜が設けられた低誘電率膜にホールを形成する工程と、ホールが形成された低誘電率膜の上側に化学増幅型レジストを塗布し、該塗布された化学増幅型レジストに対して露光及び現像を行なうことによって、ホールが形成された領域を含む所定の領域に開口部を持つレジスト膜を形成する工程と、該レジスト膜をマスクとして低誘電率膜に対してエッチングを行なって、ホールと接続する凹部を形成する工程とを備えている。
第４の電子デバイスの製造方法によると、低誘電率膜の上に低密度絶縁膜を形成した後、低誘電率膜にホールを形成し、その後、低誘電率膜の上側に化学増幅型レジストを塗布する。このため、低誘電率膜中に取り込まれた窒素や低密度絶縁膜自身に存在する窒素が、低密度絶縁膜を通って外部に排出されやすくなる。このため、低誘電率膜に設けられたホール内にアミン等が集中して拡散してくることがないので、低誘電率膜の上側に化学増幅型レジストを塗布した際にホール近傍のレジストにおける単位体積当たりのアミン等の量が極めて少なくなり、その結果、レジストポイズニングを防止できる。尚、第４の電子デバイスの製造方法において、低密度絶縁膜の密度は、該膜の安定性を考慮すると、０．４ｇ／ｃｍ３以上であることが好ましい。
第４の電子デバイスの製造方法において、低密度絶縁膜を形成する工程よりも後に、低密度絶縁膜に対して熱処理を行なうか又はエネルギー波を照射する工程を備えていることが好ましい。
このようにすると、低密度絶縁膜の膜質を安定化させることができると共に、低誘電率膜中の窒素又は低密度絶縁膜中の窒素を低密度絶縁膜を通して外部により多く排出することができる。このとき、エネルギー波が電子ビーム又は紫外線であると、前述の効果が確実に得られる。
第１、第２、第３又は第４の電子デバイスの製造方法において、低誘電率膜は炭素含有シリコン酸化膜又はポーラス膜であることが好ましい。
このようにすると、配線間の容量を確実に低減できる。また、炭素含有シリコン酸化膜としてはＳｉＯＣ膜を用いてもよい。
【図面の簡単な説明】  図１は本発明の第１の実施形態に係る電子デバイスの配線構造を示す断面図である。
図２（ａ）〜（ｆ）は本発明の第１の実施形態に係る電子デバイスの製造方法の各工程を示す断面図である。
図３は比較例に係る電子デバイスの配線構造を示す断面図である。
図４（ａ）〜（ｆ）は比較例に係る電子デバイスの製造方法の各工程を示す断面図である。
図５は本発明の第２の実施形態に係る電子デバイスの配線構造を示す断面図である。
図６（ａ）〜（ｆ）は本発明の第２の実施形態に係る電子デバイスの製造方法の各工程を示す断面図である。
図７は従来の電子デバイスの配線構造を示す断面図である。
図８（ａ）〜（ｆ）は従来の電子デバイスの製造方法の各工程を示す断面図である。
【発明を実施するための最良の形態】第１の実施形態
以下、本発明の第１の実施形態に係る電子デバイス及びその製造方法について、図面を参照しながら説明する。
図１は、第１の実施形態に係る電子デバイスの配線構造を示す断面図である。
図１に示すように、例えばシリコンからなる基板１００上に形成された下層絶縁膜１０１中に、例えばタンタルナイトライド／タンタル積層膜１０２ａ及び銅膜１０２ｂからなる下層金属配線１０２が形成されている。下層金属配線１０２の上及び下層絶縁膜１０１の上には、例えばシリコン窒化炭化膜からなる第１の窒素含有絶縁膜１０３が形成されている。第１の窒素含有絶縁膜１０３の上には、例えばシリコン酸化膜からなる第１の窒素非含有絶縁膜１０４が形成されている。第１の窒素非含有絶縁膜１０４の上には、例えば炭素含有シリコン酸化膜からなる低誘電率膜１０５が形成されている。低誘電率膜１０５の上には、例えばシリコン酸化膜からなる第２の窒素非含有絶縁膜１０６が形成されている。第２の窒素非含有絶縁膜１０６の上には、例えば窒化シリコン酸化膜からなる第２の窒素含有絶縁膜１０７が形成されている。第１の窒素含有絶縁膜１０３、第１の窒素非含有絶縁膜１０４及び低誘電率膜１０５（下部）には、下層金属配線１０２に達するビアホール１０８が形成されている。低誘電率膜１０５（上部）、第２の窒素非含有絶縁膜１０６及び第２の窒素含有絶縁膜１０７には、ビアホール１０８と接続する配線溝１０９が形成されている。ビアホール１０８及び配線溝１０９には、タンタルナイトライド／タンタル積層膜１１０及び銅膜１１１が順次形成されており、それによってビアプラグ１１２及び上層金属配線１１３が形成されている。ビアプラグ１１２は、下層金属配線１０２と上層金属配線１１３とを接続する。
図２（ａ）〜（ｆ）は、第１の実施形態に係る電子デバイスの製造方法、つまり図１に示す電子デバイスを製造するための方法の各工程を示す断面図である。
まず、図２（ａ）に示すように、例えばシリコンからなる基板１００上に、例えばシリコン酸化膜からなる下層絶縁膜１０１を形成した後、下層絶縁膜１０１に、例えばタンタルナイトライド／タンタル積層膜１０２ａ及び銅膜１０２ｂからなる下層金属配線１０２を埋め込む。具体的には、下層絶縁膜１０１の形成後、下層絶縁膜１０１の上に、下層金属配線用の溝パターンを持つレジスト膜（図示省略）をフォトリソグラフィー法により形成し、その後、該レジスト膜をマスクとして下層絶縁膜１０１に対してドライエッチングを行なって配線溝を形成する。その後、該配線溝が完全に埋まるように下層絶縁膜１０１の上にタンタルナイトライド／タンタル積層膜１０２ａ及び銅膜１０２ｂを順次堆積した後、該配線溝の外側の積層膜１０２ａ及び銅膜１０２ｂをＣＭＰにより除去して下層金属配線１０２を形成する。
次に、図２（ａ）に示すように、下層絶縁膜１０１の上及び下層金属配線１０２の上に、例えばシリコン窒化炭化膜からなる厚さ５０ｎｍの第１の窒素含有絶縁膜１０３を堆積する。
次に、図２（ｂ）に示すように、第１の窒素含有絶縁膜１０３の上に、例えばシリコン酸化膜からなる厚さ５０ｎｍの第１の窒素非含有絶縁膜１０４を堆積する。このとき、例えばＴＥＯＳを用いたプラズマＣＶＤ法により、第１の窒素非含有絶縁膜１０４となるシリコン酸化膜を堆積する。その後、第１の窒素非含有絶縁膜１０４の上に、例えば炭素含有シリコン酸化膜からなる厚さ４５０ｎｍの低誘電率膜１０５を堆積した後、低誘電率膜１０５の上に、例えばシリコン酸化膜からなる厚さ３０ｎｍの第２の窒素非含有絶縁膜１０６を堆積する。このとき、例えばＴＥＯＳを用いたプラズマＣＶＤ法により、第２の窒素非含有絶縁膜１０６となるシリコン酸化膜を堆積する。その後、第２の窒素非含有絶縁膜１０６の上に、例えば窒化シリコン酸化膜からなる厚さ５０ｎｍの第２の窒素含有絶縁膜１０７を堆積する。ここで、第２の窒素含有絶縁膜１０７となる窒化シリコン酸化膜は、後のフォトリソグラフィ工程で反射防止膜として機能する。また、反射防止膜となる窒化シリコン酸化膜の膜厚は、０．１８μｍよりも大きいルールでは６０ｎｍ以上で且つ１００ｎｍ以下であることが好ましく、０．１８μｍ以下のルールでは３０ｎｍ以上で且つ７０ｎｍ以下であることが好ましい。尚、第２の窒素含有絶縁膜１０７として窒化シリコン酸化膜以外の他の材料膜を用いた場合には、第２の窒素含有絶縁膜１０７の光学膜厚（＝［第２の窒素含有絶縁膜１０７の屈折率の実部］×［第２の窒素含有絶縁膜１０７の膜厚（物理膜厚）］）を、［窒化シリコン酸化膜の屈折率の実部］により除した値が前述の範囲となるように第２の窒素含有絶縁膜１０７の膜厚を設定することが好ましい。
次に、第２の窒素含有絶縁膜１０７の上にフォトレジストを塗布し、該塗布されたフォトレジストに対してフォトリソグラフィーを行なうことにより、ホールパターンを持つレジスト膜（図示省略）を形成する。その後、該レジスト膜をマスクとして、第２の窒素含有絶縁膜１０７、第２の窒素非含有絶縁膜１０６、低誘電率膜１０５及び第１の窒素非含有絶縁膜１０４に対して順次ドライエッチングを行なった後、アッシングによりフォトレジストを除去する。これにより、図２（ｃ）に示すように、ビアホール１０８が形成される。
次に、図２（ｄ）に示すように、ビアホール１０８に、例えば有機材料からなるダミープラグ１１４を形成する。本実施形態では、ダミープラグ１１４の上面が、低誘電率膜１０５と第２の窒素非含有絶縁膜１０６との界面よりも高くなるように、ダミープラグ１１４を形成する。尚、本実施形態において、ダミープラグ１１４の形成は必須工程ではない。その後、第２の窒素含有絶縁膜１０７の上にフォトレジストを塗布し、該塗布されたフォトレジストに対してフォトリソグラフィー（露光及び現像）を行なうことにより、所望の溝パターンを持つレジスト膜１１５、具体的には配線溝１０９（図２（ｅ）参照）と対応する開口部１１５ａを有するレジスト膜１１５を形成する。ここで、開口部１１５ａの形成領域は、ビアホール１０８が形成された領域を含む。
次に、ダミープラグ１１４及び溝パターンを持つレジスト膜１１５をマスクとして、第２の窒素含有絶縁膜１０７、第２の窒素非含有絶縁膜１０６及び低誘電率膜１０５（上部）に対して順次ドライエッチングを行なう。これにより、図２（ｅ）に示すように、ビアホール１０８と接続する配線溝１０９が形成される。但し、前述のドライエッチングの後、ダミープラグ１１４及びレジスト膜１１５を除去して洗浄を行なう。
次に、シリコン窒化炭化膜からなる第１の窒素含有絶縁膜１０３におけるビアホール１０８の下側部分を全面エッチバックにより除去する。その後、ビアホール１０８及び配線溝１０９が完全に埋まるように第２の窒素含有絶縁膜１０７の上に、タンタルナイトライド／タンタル積層膜１１０及び銅膜１１１を順次堆積した後、配線溝１０９の外側の積層膜１１０及び銅膜１１１をＣＭＰにより除去する。これにより、図２（ｆ）に示すように、ビアホール１０８にビアプラグ１１２が形成されると共に配線溝１０９に上層金属配線１１３が形成される。尚、第２の窒素含有絶縁膜１０７及び第２の窒素非含有絶縁膜１０６については最終的に必ずしも残存させる必要がないので、前述の全面エッチバック又はＣＭＰによりこれらを完全に又は部分的に除去してもよい。
以上に説明したように、第１の実施形態によると、低誘電率膜（炭素含有シリコン酸化膜）１０５と、その下側の第１の窒素含有絶縁膜（シリコン窒化炭化膜）１０３との間に第１の窒素非含有絶縁膜１０４を挟んでいるため、第１の窒素含有絶縁膜１０３を用いているにも関わらず、後述する３つの理由によってレジストポイズニングを抑制することができる。
（１）第１の窒素含有絶縁膜１０３と低誘電率膜１０５とが直接接触することがないため、低誘電率膜１０５中に窒素が取り込まれることを抑制できる。このため、配線溝１０９を形成するためのリソグラフィ工程においてビアホール１０８を経由してアミン等がレジスト中に拡散すること、つまりレジストポイズニングを防止できる。
（２）第１の窒素非含有絶縁膜１０４として、例えばＴＥＯＳを用いたプラズマＣＶＤ法によりシリコン酸化膜を形成するため、該シリコン酸化膜の密度（約２．３ｇ／ｃｍ３）は低誘電率膜１０５つまり炭素含有シリコン酸化膜の密度よりも高くなる。このため、該シリコン酸化膜からなる第１の窒素非含有絶縁膜１０４が窒素に対するバリア層として機能するので、低誘電率膜１０５中に窒素が取り込まれることをより確実に抑制できる。
（３）第１の窒素非含有絶縁膜１０４をプラズマＣＶＤ法を用いて堆積するため、その下側の第１の窒素含有絶縁膜１０３つまりシリコン窒化炭化膜の膜質を安定化させることができるので、第１の窒素含有絶縁膜１０３中に含まれる窒素が遊離しにくくなる。具体的には、シリコン窒化炭化膜が、酸素を含んだプラズマにさらされるため、シリコン窒化炭化膜の表面部が酸化されて、その膜密度が高くなり、その結果、該表面部が、シリコン窒化炭化膜中の窒素の拡散バリアとして機能する。従って、低誘電率膜１０５中に窒素が取り込まれることをより確実に抑制できる。
第１の実施形態においては、以上に述べた効果によって、レジストポイズニングを抑制しながら、低誘電率膜１０５の下側に、膜質の良い第１の窒素含有絶縁膜１０３（例えばシリコン窒化炭化膜）を設けることができる。従って、リーク電流の増大又は膜質の経時変化を防止できる。また、第１の窒素含有絶縁膜１０３となるシリコン窒化炭化膜は酸素を含まないため、下層金属配線１０２を構成する銅膜１０２ｂ上に第１の窒素含有絶縁膜１０３を堆積した場合に銅膜１０２ｂが酸化することはない。
また、第１の実施形態によると、低誘電率膜（炭素含有シリコン酸化膜）１０５と、その上側の第２の窒素含有絶縁膜（窒化シリコン酸化膜）１０７との間に第２の窒素非含有絶縁膜１０６を挟んでいるため、第２の窒素含有絶縁膜１０７を用いているにも関わらず、後述する３つの理由によってレジストポイズニングを抑制することができる。
（１）第２の窒素含有絶縁膜１０７と低誘電率膜１０５とが直接接触することがないため、低誘電率膜１０５中に窒素が取り込まれることを抑制できる。このため、配線溝１０９を形成するためのリソグラフィ工程においてビアホール１０８を経由してアミン等がレジスト中に拡散すること、つまりレジストポイズニングを防止できる。
（２）第２の窒素非含有絶縁膜１０６として、例えばＴＥＯＳを用いたプラズマＣＶＤ法によりシリコン酸化膜を形成するため、該シリコン酸化膜の密度（約２．３ｇ／ｃｍ３）は低誘電率膜１０５つまり炭素含有シリコン酸化膜の密度よりも高くなる。このため、該シリコン酸化膜からなる第２の窒素非含有絶縁膜１０６が窒素に対するバリア層として機能するので、低誘電率膜１０５中に窒素が取り込まれることをより確実に抑制できる。
（３）低誘電率膜１０５の上に第２の窒素非含有絶縁膜１０６を挟んで第２の窒素含有絶縁膜１０７を設けるため、低誘電率膜１０５の形成後に窒素を含む雰囲気（プラズマ等）に低誘電率膜１０５が直接さらされることがない。このため、低誘電率膜１０５中に窒素が取り込まれることをより確実に抑制できる。
第１の実施形態においては、以上に述べた効果によって、レジストポイズニングを抑制しながら、低誘電率膜１０５の上側に、膜質の良い第２の窒素含有絶縁膜１０７（例えばシリコン窒化炭化膜）を設けることができる。従って、リーク電流の増大又は膜質の経時変化を防止できる。また、第２の窒素含有絶縁膜１０７として、反射防止効果を有する窒化シリコン酸化膜を用いるため、ビアホール１０８及び配線溝１０９を形成するためのリソグラフィー時に、例えば有機材料からなる反射防止膜を新たに設ける必要がなくなるので、工程数を削減できる。このとき、レジストに対する第２の窒素含有絶縁膜１０７の選択比の確保も容易になるので、第２の窒素含有絶縁膜１０７のエッチングが容易になる。また、前述のように、配線溝１０９の形成時に反射防止膜を塗布する必要が無いため、ダミープラグ１１４の上面を、形成しようとする配線溝１０９の底面と同等の高さに設定しておくことができる。このため、配線溝１０９を形成するためのエッチングを行なったときに、配線溝１０９の底面におけるビアホール１０８の近傍にフェンス状の残さが生じる事態を防止することができる。
また、第１の実施形態によると、配線溝１０９の形成が終わるまで、ビアホール１０８の下側に、言い換えると、下層金属配線１０２の上側に第１の窒素含有絶縁膜１０３を残存させている。このため、エッチングやアッシングによる下層金属配線１０２のダメージ（例えば下層金属配線１０２の表面の酸化）を低減できる。
また、第１の実施形態によると、配線溝１０９を形成するためのフォトリソグラフィを行なう前に、ビアホール１０８にダミープラグ１１４を形成する。このため、ダミープラグ１１４によって、低誘電率膜１０５と第１及び第２の窒素非含有絶縁膜１０４及び１０６との界面部を含むビアホール１０８の壁面を覆うことができる。すなわち、該界面部やビアホール１０８の壁面のダメージ層がダミープラグ１１４によって覆われるため、該界面部又は該ダメージ層からビアホール１０８内への窒素の拡散を抑制できるので、レジストポイズニングをより確実に防止できる。また、ビアホール１０８にダミープラグ１１４を設けておくことによって、塗布されるレジストの表面を平坦化できるので、フォトリソグラフィによって得られるパターンの精度を向上させることができる。
尚、第１の実施形態において、第２の窒素含有絶縁膜１０７として、反射防止効果を持つ窒化シリコン酸化膜を用いたが、これに代えて、窒素を含む（正確には膜中に含まれる窒素が１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上である）他の種類の絶縁膜を用いてもよい。例えば、第２の窒素含有絶縁膜１０７としてシリコン窒化膜を用いた場合、ビアホール１０８又は配線溝１０９を形成するためのエッチング工程で第２の窒素含有絶縁膜１０７をハードマスクとして用いることができる。これは、低誘電率膜１０５としてポーラス膜や炭素含有濃度のさらに高い膜等（つまり誘電率のさらに低い絶縁膜）を用いる場合に有効である。また、第２の窒素含有絶縁膜１０７として、シリコン窒化炭化膜（ＳｉＣＮ膜）を用いてもよい。
また、第１の実施形態において、第１の窒素含有絶縁膜１０３としてシリコン窒化炭化膜を用いたが、これに代えて、窒素を含む他の種類の絶縁膜、例えばシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）を用いてもよい。
また、第１の実施形態において、第１の窒素非含有絶縁膜１０４又は第２の窒素非含有絶縁膜１０６としてシリコン酸化膜を用いたが、これに代えて、窒素を含まない（正確には膜中に含まれる窒素が１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満である）他の種類の絶縁膜、例えば酸素添加シリコン炭化膜（ＳｉＣＯ膜）又はシリコン炭化膜（ＳｉＣ膜）を用いてもよい。
また、第１の実施形態において、低誘電率膜１０５となる炭素含有シリコン酸化膜としては、例えばＳｉＯＣ膜を用いることができる。
また、第１の実施形態において、低誘電率膜１０５（その下面）と第１の窒素非含有絶縁膜１０４（その上面）とが直接接していたが、低誘電率膜１０５と第１の窒素非含有絶縁膜１０４との間にさらに他の窒素非含有絶縁膜を設けてもよい。同様に、低誘電率膜１０５（その上面）と第２の窒素非含有絶縁膜１０６（その下面）とが直接接していたが、低誘電率膜１０５と第２の窒素非含有絶縁膜１０６との間にさらに他の窒素非含有絶縁膜を設けてもよい。
また、第１の実施形態において、ビアプラグ１１２により接続される下層金属配線１０２及び上層金属配線１１３からなる配線構造の形成を対象としたが、本発明はこれに限定されるものではない。例えばコンタクトプラグにより接続されるトランジスタ（その拡散層）及びキャパシタ（その下部電極）からなるメモリセル構造の形成を対象としてもよいことは言うまでもない。
比較例
以下、第１の実施形態に対する比較例として、低誘電率膜と窒素含有絶縁膜とが直接接した配線間絶縁膜構造を持つ電子デバイス及びその製造方法について説明する（東  和幸  他、２００２年・インターナショナル・インターコネクト・テクノロジー・コンファレンス予稿集（Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ  ｏｆ  ｔｈｅ  ２００２  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ）、１５〜１７ページ  参照）。
図３は、比較例に係る電子デバイスの配線構造を示す断面図である。
図３に示すように、シリコン基板（図示省略）上に形成された第１の絶縁膜２１中に、タンタルナイトライド／タンタル積層膜２２ａ及び銅膜２２ｂからなる下層金属配線２２が形成されている。下層金属配線２２の上及び第１の絶縁膜２１の上には、シリコン窒化炭化膜からなる第２の絶縁膜（窒素含有絶縁膜）２３が形成されている。第２の絶縁膜２３の上には、炭素含有シリコン酸化膜からなる第３の絶縁膜（低誘電率膜）２４が形成されている。第３の絶縁膜２４の上には、シリコン酸化膜からなる第４の絶縁膜２５が形成されている。第４の絶縁膜２５は、窒素汚染のないプラズマを用いて形成されている。第２の絶縁膜２３及び第３の絶縁膜２４（少なくとも下部）には、下層金属配線２２に達するビアホール２６が形成されている。第３の絶縁膜２４（上部）及び第４の絶縁膜２５には、ビアホール２６と接続する配線溝２７が形成されている。ビアホール２６及び配線溝２７には、タンタルナイトライド／タンタル積層膜２８及び銅膜２９が順次形成されており、それによってビアプラグ３０及び上層金属配線３１が形成されている。ビアプラグ３０は、下層金属配線２２と上層金属配線３１とを接続する。
図４（ａ）〜（ｆ）は、比較例に係る電子デバイスの製造方法、つまり図３に示す電子デバイスを製造するための方法の各工程を示す断面図である。
まず、図４（ａ）に示すように、シリコン基板（図示省略）上に第１の絶縁膜２１を形成した後、第１の絶縁膜２１に、タンタルナイトライド／タンタル積層膜２２ａ及び銅膜２２ｂからなる下層金属配線２２を埋め込む。
次に、図４（ｂ）に示すように、第１の絶縁膜２１の上及び下層金属配線２２の上に、シリコン窒化炭化膜からなる第２の絶縁膜２３を堆積した後、第２の絶縁膜２３に対してプラズマ処理を行なって第２の絶縁膜２３の膜質を安定化させる。続いて、第２の絶縁膜２３の上に、炭素含有シリコン酸化膜からなる第３の絶縁膜２４を堆積する。その後、第３の絶縁膜２４の上に、シリコン酸化膜からなる第４の絶縁膜２５をプラズマＣＶＤ法により堆積した後、第４の絶縁膜２５の上に有機反射防止膜３２を形成する。尚、第４の絶縁膜２５は、下地となる第３の絶縁膜２４に対して窒素汚染のない前処理を行なった後に窒素汚染のないプラズマを用いて形成される。
次に、有機反射防止膜３２の上にフォトレジストを塗布し、該塗布されたフォトレジストに対してフォトリソグラフィーを行なうことにより、ホールパターンを持つレジスト膜（図示省略）を形成する。その後、該レジスト膜をマスクとして、有機反射防止膜３２、第４の絶縁膜２５及び第３の絶縁膜２４に対して順次ドライエッチングを行なった後、アッシングによりフォトレジスト及び有機反射防止膜３２を除去する。これにより、図４（ｃ）に示すように、ビアホール２６が形成される。
次に、図４（ｄ）に示すように、ビアホール２６が完全に埋まるように第４の絶縁膜２５の上に下層レジスト膜３３を堆積した後、下層レジスト膜３３の上に、ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ  ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）膜３４を形成する。その後、ＳＯＧ膜３４の上にフォトレジストを塗布し、該塗布されたフォトレジストに対してフォトリソグラフィーを行なうことにより、所望の溝パターンを持つ上層レジスト膜３５、具体的には配線溝２７（図４（ｅ）参照）と対応する開口部３５ａを有する上層レジスト膜３５を形成する。
次に、溝パターンを持つ上層レジスト膜３５をマスクとして、ＳＯＧ膜３４に対してドライエッチングを行なう。続いて、パターン化された（溝パターンを持つ）ＳＯＧ膜３４をマスクとして、下層レジスト膜３３、第４の絶縁膜２５及び第３の絶縁膜２４（上部）に対して順次ドライエッチングを行なう。これにより、図４（ｅ）に示すように、ビアホール２６と接続する配線溝２７が形成される。但し、前述のドライエッチングの後、上層レジスト膜３５、ＳＯＧ膜３４及び下層レジスト膜３３を除去して洗浄を行なう。
次に、第２の絶縁膜２３におけるビアホール２６の下側部分を全面エッチバックにより除去する。その後、ビアホール２６及び配線溝２７が完全に埋まるように第４の絶縁膜２５の上に、タンタルナイトライド／タンタル積層膜２８及び銅膜２９を順次堆積した後、配線溝２９の外側の積層膜２８及び銅膜２９をＣＭＰにより除去する。これにより、図４（ｆ）に示すように、ビアホール２６にビアプラグ３０が形成されると共に配線溝２７に上層金属配線３１が形成される。
前述のように、比較例においては、第２の絶縁膜２３つまりシリコン窒化炭化膜をプラズマ処理により安定化させることにより、レジストポイゾニングの抑制を図っている。
しかしながら、比較例においては、シリコン窒化炭化膜中に残存する不安定な窒素又はプラズマ処理のばらつきに起因して、シリコン窒化炭化膜（第２の絶縁膜２３）から、該膜と直接接する第３の絶縁膜（低誘電率膜）２４中に窒素が拡散する。このため、配線溝２７を形成するためのリソグラフィ工程においてビアホール２６を経由してアミン等がレジスト中に拡散すること、つまりレジストポイズニングを十分に防止することはできない。
また、比較例においては、窒素汚染のない前処理を行なった後に、第３の絶縁膜（低誘電率膜）２４の上に、窒素汚染のないプラズマを用いて第４の絶縁膜２５つまりシリコン酸化膜を形成し、それによりレジストポイゾニングの抑制を図っている。しかしながら、シリコン酸化膜には反射防止効果はないため、ビアホール２６を形成するためのパターンをリソグラフィーにより形成する際に有機反射防止膜３２を設ける必要がある。ところが、有機反射防止膜３２の塗布膜厚が大きいことにより、且つ、フォトレジストに対して有機反射防止膜３２の選択比を確保しにくいことにより、ビアホール２６を形成するためのエッチングの実施が困難になる。また、前述のように、配線溝２７を形成するためのパターンをリソグラフィーにより形成する際に、下層レジスト膜３３、ＳＯＧ膜３４及び上層レジスト膜３５を組み合わせて用いるので、配線溝２７を形成するためのエッチングの実施が困難になる。また、この場合、リソグラフィー工程で寸法ずれや合わせずれが発生すると、ＳＯＧ膜３４を用いているためにパターンの再生を行なうことが困難になる。その理由は、レジスト膜と異なり、アッシング等によりＳＯＧ膜３４を容易に除去することができないからである。尚、下層レジスト膜３３、ＳＯＧ膜３４及び上層レジスト膜３５の組み合わせに代えて有機反射防止膜を設けた場合には、前述のビアホール２６を形成するためのエッチングの場合と同様の問題が生じる。
ところで、誘電率のさらに低い（具体的には比誘電率εが２．８未満の）低誘電率膜を用いる場合、該低誘電率膜の上にシリコン窒化膜等の窒素含有絶縁膜を形成して該窒素含有絶縁膜をエッチング時のハードマスクとして用いるプロセスは、フォトレジストに対する低選択比を実現できる点及びアッシングダメージを防止できる点で有効である。ところが、比較例では、窒素を含むプラズマを用いないでシリコン酸化膜を低誘電率膜上に設ける構造及びプロセス以外は許容されないので、言い換えると、低誘電率膜上に窒素含有絶縁膜を形成できないので、今後の絶縁膜の低誘電率化を考慮した場合には不利である。また、比較例では、前述のシリコン酸化膜の比誘電率が４．２程度と高いため、配線間容量が増大してしまうという問題があるので、将来的に絶縁膜に求められる低誘電率化の点でも不利である。
それに対して、第１の実施形態によると、低誘電率膜１０５と、その下側の第１の窒素含有絶縁膜１０３との間に第１の窒素非含有絶縁膜１０４を挟み、且つ低誘電率膜１０５と、その上側の第２の窒素含有絶縁膜１０７との間に第２の窒素非含有絶縁膜１０６を挟む構造（図１参照）によって、以上に述べたような比較例の問題点が全て解決されるという顕著な効果が得られる。
第２の実施形態
以下、本発明の第２の実施形態に係る電子デバイス及びその製造方法について、図面を参照しながら説明する。
図５は、第２の実施形態に係る電子デバイスの配線構造を示す断面図である。
図５に示すように、例えばシリコンからなる基板２００上に形成された下層絶縁膜２０１中に、例えばタンタルナイトライド／タンタル積層膜２０２ａ及び銅膜２０２ｂからなる下層金属配線２０２が形成されている。下層金属配線２０２の上及び下層絶縁膜２０１の上には、例えばシリコン窒化炭化膜からなる窒素含有絶縁膜２０３が形成されている。窒素含有絶縁膜２０３の上には、例えば炭素含有シリコン酸化膜からなる低誘電率膜２０４が形成されている。低誘電率膜２０４の上には、膜密度１．３ｇ／ｃｍ３以下の低密度絶縁膜（低密度キャップ膜）２０５が形成されている。窒素含有絶縁膜２０３及び低誘電率膜２０４（下部）には、下層金属配線２０２に達するビアホール２０６が形成されている。低誘電率膜２０４（上部）及び低密度キャップ膜２０５には、ビアホール２０６と接続する配線溝２０７が形成されている。ビアホール２０６及び配線溝２０７には、タンタルナイトライド／タンタル積層膜２０８及び銅膜２０９が順次形成されており、それによってビアプラグ２１０及び上層金属配線２１１が形成されている。
図６（ａ）〜（ｆ）は、第２の実施形態に係る電子デバイスの製造方法、つまり図５に示す電子デバイスを製造するための方法の各工程を示す断面図である。
まず、図６（ａ）に示すように、例えばシリコンからなる基板２００上に、例えばシリコン酸化膜からなる下層絶縁膜２０１を形成した後、下層絶縁膜２０１に、例えばタンタルナイトライド／タンタル積層膜２０２ａ及び銅膜２０２ｂからなる下層金属配線２０２を埋め込む。
次に、図６（ｂ）に示すように、下層絶縁膜２０１の上及び下層金属配線２０２の上に、例えばシリコン窒化炭化膜又はシリコン窒化膜からなる厚さ５０ｎｍの窒素含有絶縁膜２０３を堆積する。その後、窒素含有絶縁膜２０３の上に、例えば炭素含有シリコン酸化膜からなる厚さ４５０ｎｍの低誘電率膜２０４を堆積する。続いて、低誘電率膜２０４の上に、膜密度が１．３ｇ／ｃｍ３以下であり且つ厚さが５０ｎｍである低密度キャップ膜２０５を形成する。その後、低密度キャップ膜２０５の上に例えば有機材料を塗布して第１の反射防止膜２１２を形成する。
次に、第１の反射防止膜２１２の上にフォトレジストを塗布し、該塗布されたフォトレジストに対してフォトリソグラフィーを行なうことにより、ホールパターンを持つレジスト膜（図示省略）を形成する。その後、該レジスト膜をマスクとして、第１の反射防止膜２１２、低密度キャップ膜２０５及び低誘電率膜２０４に対して順次ドライエッチングを行なった後、アッシングによりフォトレジスト及び第１の反射防止膜２１２を除去する。これにより、図６（ｃ）に示すように、ビアホール２０６が形成される。
次に、図６（ｄ）に示すように、ビアホール２０６が完全に埋まるように低密度キャップ膜２０５の上に例えば有機材料を塗布して第２の反射防止膜２１３を形成する。その後、第２の反射防止膜２１３の上にフォトレジストを塗布し、該塗布されたフォトレジストに対してフォトリソグラフィー（露光及び現像）を行なうことにより、所望の溝パターンを持つレジスト膜２１４、具体的には配線溝２０７（図６（ｅ）参照）と対応する開口部２１４ａを有するレジスト膜２１４を形成する。ここで、開口部２１４ａの形成領域は、ビアホール２０６が形成された領域を含む。
次に、溝パターンを持つレジスト膜２１４をマスクとして、第２の反射防止膜２１３、低密度キャップ膜２０５及び低誘電率膜２０４（上部）に対して順次ドライエッチングを行なう。これにより、図６（ｅ）に示すように、ビアホール２０６と接続する配線溝２０７が形成される。但し、前述のドライエッチングの後、残存する第２の反射防止膜２１３及びレジスト膜２１４を除去して洗浄を行なう。
次に、シリコン窒化炭化膜からなる窒素含有絶縁膜２０３におけるビアホール２０６の下側部分を全面エッチバックにより除去する。その後、ビアホール２０６及び配線溝２０７が完全に埋まるように低密度キャップ膜２０５の上に、タンタルナイトライド／タンタル積層膜２０８及び銅膜２０９を順次堆積した後、配線溝２０７の外側の積層膜２０８及び銅膜２０９をＣＭＰにより除去する。これにより、図６（ｆ）に示すように、ビアホール２０６にビアプラグ２１０が形成されると共に配線溝２０７に上層金属配線２１１が形成される。尚、低密度キャップ膜２０５については最終的に必ずしも残存させる必要がないので、前述の全面エッチバック又はＣＭＰによりこれを完全に又は部分的に除去してもよい。
以上に説明したように、第２の実施形態によると、低誘電率膜（炭素含有シリコン酸化膜）２０４の上に低密度キャップ膜２０５が形成されている。このため、低誘電率膜２０４中に取り込まれた窒素、窒素含有絶縁膜２０３中の窒素又は低密度キャップ膜２０５自身に存在する窒素が、低密度キャップ膜２０５を通って外部に排出されやすくなる。このため、低誘電率膜２０４に設けられたビアホール２０６内にアミン等が集中して拡散してくることがないので、配線溝２０７を形成するためのリソグラフィ工程においてビアホール２０６の近傍のレジストにおける単位体積当たりのアミン等の量が極めて少なくなり、その結果、レジストポイズニングを防止できる。
第２の実施形態においては、以上に述べた効果によって、レジストポイズニングを抑制しながら、低誘電率膜２０４の下側に、膜質の良い窒素含有絶縁膜２０３（例えばシリコン窒化炭化膜）を設けることができる。従って、リーク電流の増大又は膜質の経時変化を防止できる。また、窒素含有絶縁膜２０３となるシリコン窒化炭化膜は酸素を含まないため、下層金属配線２０２を構成する銅膜２０２ｂ上に窒素含有絶縁膜２０３を堆積した場合に銅膜２０２ｂが酸化することはない。
また、第２の実施形態によると、配線溝２０７の形成が終わるまで、ビアホール２０６の下側に、言い換えると、下層金属配線２０２の上側に窒素含有絶縁膜２０３を残存させている。このため、エッチングやアッシングによる下層金属配線２０２のダメージ（例えば下層金属配線２０２の表面の酸化）を低減できる。
また、第２の実施形態によると、配線溝２０７を形成するためのフォトリソグラフィを行なう前に、ビアホール２０６に第２の反射防止膜２１３を埋め込む。このため、第２の反射防止膜２１３によって、ビアホール２０６の壁面を覆うことができる。すなわち、ビアホール２０６の壁面のダメージ層が第２の反射防止膜２１３によって覆われるため、該ダメージ層からビアホール２０６内への窒素の拡散を抑制できるので、レジストポイズニングをより確実に防止できる。
尚、第２の実施形態において、低密度キャップ膜２０５として使用できる絶縁膜の種類は、膜密度が１．３ｇ／ｃｍ３以下であれば特に限定されるものではない。但し、低密度キャップ膜２０５として、密度のみならず誘電率も低い膜、例えばポーラス膜等を用いた場合、配線間容量を低減できる。具体的には、ＨＳＱ（ｈｙｄｒｏｇｅｎ  ｓｉｌｓｅｓｑｕｉｏｘａｎｅ）膜、又はＤｏｗＣｏｒｎｉｎｇ社製のＸＬＫ膜（密度：約０．９ｇ／ｃｍ３）等のポーラス膜を用いてもよい。また、低密度キャップ膜２０５が窒素を含む場合、低密度キャップ膜２０５の膜質が良くなるので、リーク電流の増大又は膜質の経時変化を防止できる。一方、低密度キャップ膜２０５は炭素を含まないことが好ましい。その理由は、ＳｉＯＣ膜等の炭素含有膜に対してアッシングを行なった場合、該膜から炭素が脱離してリーク電流が流れやすくなるからである。また、低密度キャップ膜２０５の密度は、該膜の安定性を考慮すると、０．４ｇ／ｃｍ３以上であることが好ましい。
また、第２の実施形態において、低密度キャップ膜２０５として塗布膜、例えば前述のＨＳＱ膜等のポーラス膜を用いた場合、低密度キャップ膜２０５の形成後に、低密度キャップ膜２０５に対して、例えば３００〜４００℃程度の熱処理を行なうか又はＥＢ（ｅｌｅｃｔｏｒｏｎ  ｂｅａｍ）キュア若しくはＤＵＶ（遠紫外線）キュアを行なうことが好ましい。このようにすると、低密度キャップ膜２０５の膜質を安定化させることができると共に、窒素含有絶縁膜２０３中の窒素、低誘電率膜２０４中の窒素又は低密度キャップ膜２０５中の窒素を低密度キャップ膜２０５を通して外部により多く排出することができる。尚、低密度キャップ膜２０５に対して、ＥＢやＤＵＶに代えて、低密度キャップ膜２０５の膜質を安定化することができる、ＤＵＶ以外の他の光又は他のエネルギー波を照射してもよい。
また、第２の実施形態において、低誘電率膜２０４としては、例えばＳｉＯＣ膜等の炭素含有シリコン酸化膜、Ｓｉｌｋ膜、又はＭＳＱ（ｍｅｔｈｙｌ  ｓｉｌｓｅｓｑｕｉｏｘａｎｅ）膜等のポーラス膜を用いることができる。
また、第２の実施形態において、ビアプラグ２１０により接続される下層金属配線２０２及び上層金属配線２１１からなる配線構造の形成を対象としたが、本発明はこれに限定されるものではない。例えばコンタクトプラグにより接続されるトランジスタ（その拡散層）及びキャパシタ（その下部電極）からなるメモリセル構造の形成を対象としてもよいことは言うまでもない。
【産業上の利用可能性】  本発明は、電子デバイス及びその製造方法に関し、例えば多層配線構造の形成に適用した場合に、リソグラフィ工程でのレジストポイズニングの発生を防止できるという顕著な効果が得られる。
【図１】
2004090974.tif 000003
【図２】
2004090974.tif 000004
【図３】
2004090974.tif 000005
【図４】
2004090974.tif 000006
【図５】
2004090974.tif 000007
【図６】
2004090974.tif 000008
【図７】
2004090974.tif 000009
【図８】
2004090974.tif 000010
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月16日(2005.3.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ホールを有する低誘電率膜と、
前記低誘電率膜の下側に形成された窒素非含有絶縁膜と、
前記窒素非含有絶縁膜の下側に形成された窒素含有絶縁膜とを備えていることを特徴とする電子デバイス。
【請求項２】
請求項１において、
前記ホールは前記窒素非含有絶縁膜及び前記窒素含有絶縁膜のそれぞれを貫通しており、
前記ホールの下側において前記ホールと接続する下層配線をさらに備え、
前記ホールの接続領域を除く前記下層配線の上面は前記窒素含有絶縁膜によって覆われていることを特徴とする電子デバイス。
【請求項３】
請求項１において、
前記低誘電率膜の下面と前記窒素非含有絶縁膜の上面とは接していることを特徴とする電子デバイス。
【請求項４】
請求項１において、
前記低誘電率膜は炭素含有シリコン酸化膜又はポーラス膜であることを特徴とする電子デバイス。
【請求項５】
請求項４において、
前記炭素含有シリコン酸化膜はＳｉＯＣ膜であることを特徴とする電子デバイス。
【請求項６】
ホールを有する低誘電率膜と、
前記低誘電率膜の上側に形成された窒素非含有絶縁膜と、
前記窒素非含有絶縁膜の上側に形成された窒素含有絶縁膜とを備えていることを特徴とする電子デバイス。
【請求項７】
請求項６において、
前記窒素含有絶縁膜は反射防止膜であり、
前記窒素含有絶縁膜、前記窒素非含有絶縁膜、及び前記低誘電率膜のうちの少なくとも上部に、前記ホールと接続する凹部が設けられていることを特徴とする電子デバイス。
【請求項８】
請求項６において、
前記低誘電率膜の上面と前記窒素非含有絶縁膜の下面とは接していることを特徴とする電子デバイス。
【請求項９】
請求項６において、
前記低誘電率膜は炭素含有シリコン酸化膜又はポーラス膜であることを特徴とする電子デバイス。
【請求項１０】
請求項９において、
前記炭素含有シリコン酸化膜はＳｉＯＣ膜であることを特徴とする電子デバイス。
【請求項１１】
ホールを有する低誘電率膜と、
前記低誘電率膜の下側に形成された第１の窒素非含有絶縁膜と、
前記低誘電率膜の上側に形成された第２の窒素非含有絶縁膜とを備え、
前記ホールは前記第１の窒素非含有絶縁膜を貫通しており、
前記第２の窒素非含有絶縁膜、及び前記低誘電率膜のうちの少なくとも上部に、前記ホールと接続する凹部が設けられていることを特徴とする電子デバイス。
【請求項１２】
請求項１１において、
前記低誘電率膜の下面と前記第１の窒素非含有絶縁膜の上面とは接していることを特徴とする電子デバイス。
【請求項１３】
請求項１１において、
前記低誘電率膜の上面と前記第２の窒素非含有絶縁膜の下面とは接していることを特徴とする電子デバイス。
【請求項１４】
請求項１１において、
前記低誘電率膜は炭素含有シリコン酸化膜又はポーラス膜であることを特徴とする電子デバイス。
【請求項１５】
請求項１４において、
前記炭素含有シリコン酸化膜はＳｉＯＣ膜であることを特徴とする電子デバイス。
【請求項１６】
ホールを有する低誘電率膜と、
前記低誘電率膜の上側に形成された膜密度１．３ｇ／ｃｍ3 以下の低密度絶縁膜とを備えていることを特徴とする電子デバイス。
【請求項１７】
請求項１６において、
前記低密度絶縁膜は窒素を含むことを特徴とする電子デバイス。
【請求項１８】
請求項１６において、
前記低誘電率膜の下側に形成された窒素含有絶縁膜をさらに備えていることを特徴とする電子デバイス。
【請求項１９】
請求項１６において、
前記低誘電率膜は炭素含有シリコン酸化膜又はポーラス膜であることを特徴とする電子デバイス。
【請求項２０】
請求項１９において、
前記炭素含有シリコン酸化膜はＳｉＯＣ膜であることを特徴とする電子デバイス。
【請求項２１】
窒素含有絶縁膜の上に窒素非含有絶縁膜及び低誘電率膜を順次形成する工程と、
前記低誘電率膜にホ−ルを形成する工程と、
前記ホ−ルが形成された前記低誘電率膜の上に化学増幅型レジストを塗布し、該塗布された化学増幅型レジストに対して露光及び現像を行なうことによって、前記ホ−ルが形成された領域を含む所定の領域に開口部を持つレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜をマスクとして前記低誘電率膜に対してエッチングを行なって、前記ホ−ルと接続する凹部を形成する工程とを備えていることを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項２２】
請求項２１において、
前記窒素含有絶縁膜は下層配線を覆うように形成されていることを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項２３】
請求項２１において、
前記ホ−ルを形成する工程は、前記低誘電率膜及び前記窒素非含有絶縁膜に前記ホ−ルを形成する工程を含み、
前記凹部を形成する工程よりも後に、前記ホ−ルの下側の前記窒素含有絶縁膜を除去する工程を備えていることを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項２４】
請求項２１において、
前記窒素非含有絶縁膜はＣＶＤ法により堆積されることを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項２５】
請求項２１において、
前記ホ−ルを形成する工程と前記レジスト膜を形成する工程との間に、前記ホ−ル内にダミープラグを形成する工程をさらに備えていることを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項２６】
請求項２１において、
前記低誘電率膜は炭素含有シリコン酸化膜又はポーラス膜であることを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項２７】
請求項２６において、
前記炭素含有シリコン酸化膜はＳｉＯＣ膜であることを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項２８】
低誘電率膜の上に窒素非含有絶縁膜及び窒素含有絶縁膜を順次形成する工程と、
前記窒素非含有絶縁膜及び前記窒素含有絶縁膜が設けられた前記低誘電率膜にホ−ルを形成する工程と、
前記ホ−ルが形成された前記低誘電率膜の上側に化学増幅型レジストを塗布し、該塗布された化学増幅型レジストに対して露光及び現像を行なうことによって、前記ホ−ルが形成された領域を含む所定の領域に開口部を持つレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜をマスクとして前記低誘電率膜に対してエッチングを行なって、前記ホ−ルと接続する凹部を形成する工程とを備えていることを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項２９】
請求項２８において、
前記レジスト膜を形成する工程において、前記窒素含有絶縁膜は反射防止膜として機能することを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項３０】
請求項２８において、
前記窒素非含有絶縁膜はＣＶＤ法により堆積されることを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項３１】
請求項２８において、
前記ホ−ルを形成する工程と前記レジスト膜を形成する工程との間に、前記ホ−ル内にダミープラグを形成する工程をさらに備えていることを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項３２】
請求項２８において、
前記低誘電率膜は炭素含有シリコン酸化膜又はポーラス膜であることを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項３３】
請求項３２において、
前記炭素含有シリコン酸化膜はＳｉＯＣ膜であることを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項３４】
第１の窒素非含有絶縁膜の上に低誘電率膜及び第２の窒素非含有絶縁膜を順次形成する工程と、
前記第２の窒素非含有絶縁膜が設けられた前記低誘電率膜にホ−ルを形成する工程と、
前記ホ−ルが形成された前記低誘電率膜の上側に化学増幅型レジストを塗布し、該塗布された化学増幅型レジストに対して露光及び現像を行なうことによって、前記ホ−ルが形成された領域を含む所定の領域に開口部を持つレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜をマスクとして前記低誘電率膜に対してエッチングを行なって、前記ホ−ルと接続する凹部を形成する工程とを備えていることを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項３５】
請求項３４において、
前記第１の窒素非含有絶縁膜及び前記第２の窒素非含有絶縁膜はＣＶＤ法により堆積されることを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項３６】
請求項３４において、
前記ホ−ルを形成する工程と前記レジスト膜を形成する工程との間に、前記ホ−ル内にダミープラグを形成する工程をさらに備えていることを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項３７】
請求項３４において、
前記低誘電率膜は炭素含有シリコン酸化膜又はポーラス膜であることを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項３８】
請求項３７において、
前記炭素含有シリコン酸化膜はＳｉＯＣ膜であることを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項３９】
低誘電率膜の上に、膜密度１．３ｇ／ｃｍ3 以下の低密度絶縁膜を形成する工程と、
前記低密度絶縁膜が設けられた前記低誘電率膜にホ−ルを形成する工程と、
前記ホ−ルが形成された前記低誘電率膜の上側に化学増幅型レジストを塗布し、該塗布された化学増幅型レジストに対して露光及び現像を行なうことによって、前記ホ−ルが形成された領域を含む所定の領域に開口部を持つレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜をマスクとして前記低誘電率膜に対してエッチングを行なって、前記ホ−ルと接続する凹部を形成する工程とを備えていることを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項４０】
請求項３９において、
前記低密度絶縁膜を形成する工程よりも後に、前記低密度絶縁膜に対して熱処理を行なうか又はエネルギー波を照射する工程を備えていることを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項４１】
請求項４０において、
前記エネルギー波は電子ビーム又は紫外線であることを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項４２】
請求項３９において、
前記低誘電率膜は炭素含有シリコン酸化膜又はポーラス膜であることを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項４３】
請求項４２において、
前記炭素含有シリコン酸化膜はＳｉＯＣ膜であることを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子デバイス及びその製造方法に関し、特に配線形成技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、集積回路の高集積化に伴い、配線間隔が狭小化しているため、配線間に生じる電気寄生容量が増大してきている。一方、高速動作を求められる集積回路では、配線間の電気寄生容量を小さくすることが必要とされている。
【０００３】
そこで、配線間の電気寄生容量を低減させるために、配線間の絶縁膜の比誘電率を低減させる方法が検討されてきた。配線間の電気寄生容量を最も低減できる方法として、例えば、配線間の絶縁膜として、シリコン酸化膜よりも誘電率の小さい材料からなる膜（つまり低誘電率膜）、例えば炭素含有シリコン酸化膜又はポーラス膜等を用いる方法が提案されている。炭素含有シリコン酸化膜は、体積が大きいアルキル基やフェニル基の形で炭素を膜中に含有している。その結果、炭素含有シリコン酸化膜の密度（約１．０〜１．３ｇ／ｃｍ3 ）はシリコン酸化膜の密度（約２．３ｇ／ｃｍ3 ）と比べて小さくなると共に、炭素含有シリコン酸化膜の比誘電率（約２．０〜３．０）もシリコン酸化膜の比誘電率（３．９〜４．３）と比べて小さくなる。
【０００４】
ところで、例えばシリコン酸化膜等の従来の配線間の絶縁膜と比べて、炭素含有シリコン酸化膜等の低誘電率膜の膜密度が低いため、低誘電率膜は大気暴露された際に大気中に存在する窒素等を膜中に吸収しやすい。その結果、例えばビアホールが設けられた炭素含有シリコン酸化膜上において、上層金属配線用の溝パターンを形成するためのフォトリソグラフィー工程を実施した場合には、次のような問題が生じる。すなわち、ビアホール近傍に塗布されたフォトレジストについては十分な現像を行なえず、その結果、不要なフォトレジスト残りが発生するので、所望の溝パターンを形成することができない。この問題が起こる理由は次の通りである。すなわち、ビアホールが設けられている炭素含有シリコン酸化膜中に存在するアミン、又は炭素含有シリコン酸化膜の下側に形成されたシリコン窒化炭化膜中の窒素に由来する塩基性物質等が、ビアホールを通って炭素含有シリコン酸化膜上のフォトレジスト（化学増幅型レジスト）中に拡散してくる。その結果、レジスト中の塩基濃度が上昇するため、溝パターン形成のための露光時にレジスト中の酸発生材から生じた酸が中和されてしまうので、例えばアクリル系レジスト等における連続的な酸発生反応が進行しなくなって現像不良が起こる。尚、このような現象はレジストポイズニングと呼ばれている。レジストポイズニングが起こると、例えば下層金属配線と上層金属配線とが正常に接続されなくなる事態、つまり配線不良が生じる。
【０００５】
それに対して、例えば非特許文献１（フェヨール（Ｍ．Ｆａｙｏｌｌｅ）他、２００２年・インターナショナル・インターコネクト・テクノロジー・コンファレンス予稿集（Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ  ｏｆ  ｔｈｅ  ２００２  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ）、３９〜４１ページ）に、レジストポイズニングを防止する配線構造及びその製造方法が開示されている。
【０００６】
図７は、非特許文献１に開示された、従来の電子デバイスの配線構造を示す断面図である。
【０００７】
図７に示すように、シリコン基板（図示省略）上に形成された、シリコン酸化膜からなる第１の絶縁膜１中に、バリアメタル膜２ａ及び銅膜２ｂからなる下層金属配線２が形成されている。下層金属配線２の上及び第１の絶縁膜１の上には、シリコン炭化膜からなる第２の絶縁膜３が形成されている。第２の絶縁膜３の上には、炭素含有シリコン酸化膜からなる第３の絶縁膜４が形成されている。第３の絶縁膜４の上には、シリコン炭化膜からなる第４の絶縁膜５が形成されている。第４の絶縁膜５の上には、炭素含有シリコン酸化膜からなる第５の絶縁膜６が形成されている。第２の絶縁膜３及び第３の絶縁膜４には、下層金属配線２に達するビアホール７が形成されていると共に、第４の絶縁膜５及び第５の絶縁膜６には、ビアホール７に達する配線溝８が形成されている。ビアホール７及び配線溝８には、バリアメタル膜９及び銅膜１０が順次形成されており、それによってビアプラグ１１及び上層金属配線１２が形成されている。ビアプラグ１１は、下層金属配線２と上層金属配線１２とを接続する。
【０００８】
図８（ａ）〜（ｆ）は、非特許文献１に開示された、従来の電子デバイスの製造方法、つまり図７に示す電子デバイスを製造するための方法の各工程を示す断面図である。
【０００９】
まず、図８（ａ）に示すように、シリコン基板（図示省略）上に第１の絶縁膜１を形成した後、第１の絶縁膜１に、バリアメタル膜２ａ及び銅膜２ｂからなる下層金属配線２を埋め込む。
【００１０】
次に、図８（ｂ）に示すように、第１の絶縁膜１の上及び下層金属配線２の上に、シリコン炭化膜からなる第２の絶縁膜３、炭素含有シリコン酸化膜からなる第３の絶縁膜４、シリコン炭化膜からなる第４の絶縁膜５、炭素含有シリコン酸化膜からなる第５の絶縁膜６、及びシリコン炭化膜からなる第６の絶縁膜１３を順次堆積する。
【００１１】
次に、第６の絶縁膜１３の上にフォトレジストを塗布し、該塗布されたフォトレジストに対してフォトリソグラフィーを行なうことにより、ホールパターンを持つレジスト膜（図示省略）を形成する。その後、該レジスト膜をマスクとして、第６の絶縁膜１３及び第５の絶縁膜６に対して順次ドライエッチングを行なった後、アッシングによりフォトレジストを除去する。これにより、図８（ｃ）に示すように、第６の絶縁膜１３及び第５の絶縁膜６に、ビアホール７（図８（ｅ）参照）と対応するホール１４が形成される。
【００１２】
次に、第６の絶縁膜１３の上にフォトレジストを塗布し、該塗布されたフォトレジストに対してフォトリソグラフィーを行なうことにより、所望の溝パターンを持つレジスト膜１５、具体的には配線溝８（図８（ｅ）参照）と対応する開口部１５ａを有するレジスト膜１５を形成する。
【００１３】
次に、溝パターンを持つレジスト膜１５、並びにホールパターンを持つ第６の絶縁膜１３及び第５の絶縁膜６をそれぞれマスクとして、第６の絶縁膜１３、第５の絶縁膜６、第４の絶縁膜５及び第３の絶縁膜４に対して順次ドライエッチングを行なう。これにより、図８（ｅ）に示すように、第３の絶縁膜４にビアホール７が形成されると共に第４の絶縁膜５及び第５の絶縁膜６に配線溝８が形成される。但し、前述のドライエッチングの後、レジスト膜１５を除去して洗浄を行ない、その後、それぞれシリコン炭化膜からなる第２の絶縁膜３（ビアホール７の形成領域）、第４の絶縁膜５（配線溝８の形成領域）及び第６の絶縁膜１３を全面エッチバックにより同時に除去する。これにより、図８（ｅ）に示すように、所望のビアホール７及び配線溝８が形成される。
【００１４】
次に、ビアホール７及び配線溝８が完全に埋まるように第５の絶縁膜６の上に、バリアメタル膜９及び銅膜１０を順次堆積した後、配線溝８の外側のバリアメタル膜９及び銅膜１０をＣＭＰ（chemical mechanical polishing ）により除去する。これにより、図８（ｆ）に示すように、ビアホール７にビアプラグ１１が形成されると共に配線溝８に上層金属配線１２が形成される。
【００１５】
非特許文献１においては、第２の絶縁膜３、第４の絶縁膜５及び第６の絶縁膜１３として、窒素を含まないシリコン炭化膜を用いることによって、ホール１４を経由したアミン等の拡散に起因するレジストポイズニングを抑制できることが報告されている。
【非特許文献１】フェヨール（Ｍ．Ｆａｙｏｌｌｅ）他、２００２年・インターナショナル・インターコネクト・テクノロジー・コンファレンス予稿集（Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ  ｏｆ  ｔｈｅ  ２００２  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ）、３９〜４１ページ
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
しかしながら、前述の従来の配線構造においては、レジストポイズニング対策のために、シリコン窒化炭化膜に代えて、シリコン窒化炭化膜よりも膜質の悪い、窒素非含有のシリコン炭化膜を用いているため、リーク電流が多くなるという問題がある。また、シリコン炭化膜の膜安定性が悪いため、該膜を堆積した後に放置していると、膜質の経時変化が起こるという問題もある。
【００１７】
前記に鑑み、本発明は、配線間絶縁膜におけるリーク電流の増大や膜質の経時変化を抑制しながらレジストポイズニングを防止することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
前記の目的を達成するために、本発明に係る第１の電子デバイスは、ホールを有する低誘電率膜と、低誘電率膜の下側に形成された窒素非含有絶縁膜と、窒素非含有絶縁膜の下側に形成された窒素含有絶縁膜とを備えている。
【００１９】
第１の電子デバイスによると、配線間絶縁膜である低誘電率膜と、その下側の窒素含有絶縁膜との間に窒素非含有絶縁膜が設けられている。すなわち、低誘電率膜と窒素含有絶縁膜とが直接接触することがないため、低誘電率膜中に窒素が取り込まれることを抑制できる。このため、ホールが形成された低誘電率膜の上に化学増幅型レジストを塗布した際にホールを経由してアミン等が低誘電率膜からレジスト中に拡散すること、つまりレジストポイズニングを防止できる。また、低誘電率膜の下側に膜質の良い窒素含有絶縁膜（例えばシリコン窒化炭化膜）が設けられているため、リーク電流の増大又は膜質の経時変化を防止できる。
【００２０】
また、第１の電子デバイスによると、窒素非含有絶縁膜を例えばプラズマＣＶＤ（chemical vapor deposition ）法により堆積することによって、その下側の窒素含有絶縁膜の膜質を安定化させることができるので、窒素含有絶縁膜中に含まれる窒素が遊離しにくくなる。その結果、低誘電率膜中に窒素が取り込まれることをより確実に抑制できる。
【００２１】
尚、本明細書において、窒素非含有絶縁膜とは、膜中に含まれる窒素が１×１０19ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 未満の絶縁膜を意味する。
【００２２】
第１の電子デバイスにおいて、ホールは窒素非含有絶縁膜及び窒素含有絶縁膜のそれぞれを貫通しており、該ホールの下側においてホールと接続する下層配線をさらに備え、ホールの接続領域を除く下層配線の上面は窒素含有絶縁膜によって覆われていることが好ましい。
【００２３】
このようにすると、窒素含有絶縁膜として、酸素を含まない絶縁膜を用いることにより、下層配線の酸化を防止することができる。
【００２４】
第１の電子デバイスにおいて、低誘電率膜の下面と窒素非含有絶縁膜の上面とは接していることが好ましい。
【００２５】
このようにすると、低誘電率膜中に窒素が取り込まれることをより確実に抑制できる。
【００２６】
本発明に係る第２の電子デバイスは、ホールを有する低誘電率膜と、低誘電率膜の上側に形成された窒素非含有絶縁膜と、窒素非含有絶縁膜の上側に形成された窒素含有絶縁膜とを備えている。
【００２７】
第２の電子デバイスによると、配線間絶縁膜である低誘電率膜と、その上側の窒素含有絶縁膜との間に窒素非含有絶縁膜が設けられている。すなわち、低誘電率膜と窒素含有絶縁膜とが直接接触することがない。このため、低誘電率膜中に窒素が取り込まれることを抑制できるので、ホールが形成された低誘電率膜の上側に化学増幅型レジストを塗布した際にホールを経由してアミン等が低誘電率膜からレジスト中に拡散すること、つまりレジストポイズニングを防止できる。また、低誘電率膜の上側に膜質の良い窒素含有絶縁膜（例えばシリコン窒化炭化膜）が設けられているため、リーク電流の増大又は膜質の経時変化を防止できる。
【００２８】
また、第２の電子デバイスによると、低誘電率膜の上に窒素非含有絶縁膜を挟んで窒素含有絶縁膜が設けられているため、低誘電率膜の形成後に窒素を含む雰囲気（プラズマ等）に低誘電率膜が直接さらされることがない。このため、低誘電率膜中に窒素が取り込まれることをより確実に抑制できる。
【００２９】
第２の電子デバイスにおいて、窒素含有絶縁膜は反射防止膜であり、窒素含有絶縁膜、窒素非含有絶縁膜、及び低誘電率膜のうちの少なくとも上部に、ホールと接続する凹部が設けられていることが好ましい。
【００３０】
このようにすると、ホール又は凹部を形成するためのリソグラフィー時に、例えば有機材料からなる反射防止膜を新たに設ける必要がなくなるので、工程数を削減できる。
【００３１】
第２の電子デバイスにおいて、低誘電率膜の上面と窒素非含有絶縁膜の下面とは接していることが好ましい。
【００３２】
このようにすると、低誘電率膜中に窒素が取り込まれることをより確実に抑制できる。
【００３３】
本発明に係る第３の電子デバイスは、ホールを有する低誘電率膜と、低誘電率膜の下側に形成された第１の窒素非含有絶縁膜と、低誘電率膜の上側に形成された第２の窒素非含有絶縁膜とを備え、ホールは第１の窒素非含有絶縁膜を貫通しており、第２の窒素非含有絶縁膜、及び低誘電率膜のうちの少なくとも上部に、ホールと接続する凹部が設けられている。
【００３４】
第３の電子デバイスによると、配線間絶縁膜である低誘電率膜の上下にそれぞれ窒素非含有絶縁膜が設けられているため、低誘電率膜中に窒素が取り込まれることを確実に抑制できる。このため、低誘電率膜にホールを形成した後、該ホールと接続する凹部を形成するためのリソグラフィ工程で低誘電率膜の上側に化学増幅型レジストを塗布した際に、ホールを経由してアミン等が低誘電率膜からレジスト中に拡散すること、つまりレジストポイズニングを防止できる。
【００３５】
第３の電子デバイスにおいて、低誘電率膜の下面と第１の窒素非含有絶縁膜の上面とは接していることが好ましい。
【００３６】
このようにすると、低誘電率膜中に窒素が取り込まれることをより確実に抑制できる。
【００３７】
第３の電子デバイスにおいて、低誘電率膜の上面と第２の窒素非含有絶縁膜の下面とは接していることが好ましい。
【００３８】
このようにすると、低誘電率膜中に窒素が取り込まれることをより確実に抑制できる。
【００３９】
本発明に係る第４の電子デバイスは、ホールを有する低誘電率膜と、低誘電率膜の上側に形成された膜密度１．３ｇ／ｃｍ3 以下の低密度絶縁膜とを備えている。
【００４０】
第４の電子デバイスによると、配線間絶縁膜である低誘電率膜の上側に低密度絶縁膜が形成されているため、低誘電率膜中に取り込まれた窒素や低密度絶縁膜自身に存在する窒素が、低密度絶縁膜を通って外部に排出されやすくなる。このため、低誘電率膜に設けられたホール内にアミン等が集中して拡散してくることがないので、低誘電率膜の上側に化学増幅型レジストを塗布した際にホール近傍のレジストにおける単位体積当たりのアミン等の量が極めて少なくなり、その結果、レジストポイズニングを防止できる。尚、第４の電子デバイスにおいて、低密度絶縁膜の密度は、該膜の安定性を考慮すると、０．４ｇ／ｃｍ3 以上であることが好ましい。
【００４１】
第４の電子デバイスにおいて、低密度絶縁膜は窒素を含むことが好ましい。
【００４２】
このようにすると、低密度絶縁膜の膜質が良くなるので、リーク電流の増大又は膜質の経時変化を防止できる。
【００４３】
第４の電子デバイスにおいて、低誘電率膜の下側に形成された窒素含有絶縁膜をさらに備えていることが好ましい。
【００４４】
このようにすると、窒素含有絶縁膜の膜質が良いので、リーク電流の増大又は膜質の経時変化を防止できる。
【００４５】
第１、第２、第３又は第４の電子デバイスにおいて、低誘電率膜は炭素含有シリコン酸化膜又はポーラス膜であることが好ましい。
【００４６】
このようにすると、配線間の容量を確実に低減できる。また、炭素含有シリコン酸化膜としてはＳｉＯＣ膜を用いてもよい。
【００４７】
本発明に係る第１の電子デバイスの製造方法は、窒素含有絶縁膜の上に窒素非含有絶縁膜及び低誘電率膜を順次形成する工程と、低誘電率膜にホ−ルを形成する工程と、ホ−ルが形成された低誘電率膜の上に化学増幅型レジストを塗布し、該塗布された化学増幅型レジストに対して露光及び現像を行なうことによって、ホ−ルが形成された領域を含む所定の領域に開口部を持つレジスト膜を形成する工程と、該レジスト膜をマスクとして低誘電率膜に対してエッチングを行なって、ホ−ルと接続する凹部を形成する工程とを備えている。
【００４８】
第１の電子デバイスの製造方法によると、窒素含有絶縁膜の上に窒素非含有絶縁膜を挟んで形成された低誘電率膜にホールを形成した後、低誘電率膜の上に化学増幅型レジストを塗布する。すなわち、低誘電率膜と窒素含有絶縁膜との間に窒素非含有絶縁膜が設けられているため、低誘電率膜と窒素含有絶縁膜とが直接接触することがない。このため、低誘電率膜中に窒素が取り込まれることを抑制できるので、ホールが形成された低誘電率膜の上に化学増幅型レジストを塗布した際にホールを経由してアミン等がレジスト中に拡散すること、つまりレジストポイズニングを防止できる。また、低誘電率膜の下側に膜質の良い窒素含有絶縁膜（例えばシリコン窒化炭化膜）を設けているため、リーク電流の増大又は膜質の経時変化を防止できる。
【００４９】
また、第１の電子デバイスの製造方法によると、窒素非含有絶縁膜を例えばプラズマＣＶＤ法により堆積することによって、その下側の窒素含有絶縁膜の膜質を安定化させることができるので、窒素含有絶縁膜中に含まれる窒素が遊離しにくくなる。その結果、低誘電率膜中に窒素が取り込まれることをより確実に抑制できる。
【００５０】
第１の電子デバイスの製造方法において、窒素含有絶縁膜は下層配線を覆うように形成されていることが好ましい。
【００５１】
このようにすると、窒素含有絶縁膜として、酸素を含まない絶縁膜を用いることにより、下層配線の酸化を防止することができる。
【００５２】
第１の電子デバイスの製造方法において、ホ−ルを形成する工程は、低誘電率膜及び窒素非含有絶縁膜にホ−ルを形成する工程を含み、凹部を形成する工程よりも後に、ホ−ルの下側の窒素含有絶縁膜を除去する工程を備えていることが好ましい。
【００５３】
このようにすると、ホールの下側に設けられた配線や素子等にエッチングダメージやアッシングダメージ（例えば配線や素子等の表面の酸化）が生じることを防止できる。
【００５４】
本発明に係る第２の電子デバイスの製造方法は、低誘電率膜の上に窒素非含有絶縁膜及び窒素含有絶縁膜を順次形成する工程と、窒素非含有絶縁膜及び窒素含有絶縁膜が設けられた低誘電率膜にホ−ルを形成する工程と、ホ−ルが形成された低誘電率膜の上側に化学増幅型レジストを塗布し、該塗布された化学増幅型レジストに対して露光及び現像を行なうことによって、ホ−ルが形成された領域を含む所定の領域に開口部を持つレジスト膜を形成する工程と、該レジスト膜をマスクとして低誘電率膜に対してエッチングを行なって、ホ−ルと接続する凹部を形成する工程とを備えている。
【００５５】
第２の電子デバイスの製造方法によると、低誘電率膜の上に窒素非含有絶縁膜及び窒素含有絶縁膜を順次形成した後、低誘電率膜にホールを形成し、その後、低誘電率膜の上側に化学増幅型レジストを塗布する。すなわち、低誘電率膜と窒素含有絶縁膜との間に窒素非含有絶縁膜が設けられているため、低誘電率膜と窒素含有絶縁膜とが直接接触することがない。このため、低誘電率膜中に窒素が取り込まれることを抑制できるので、ホールが形成された低誘電率膜の上に化学増幅型レジストを塗布した際にホールを経由してアミン等がレジスト中に拡散すること、つまりレジストポイズニングを防止できる。また、低誘電率膜の上側に膜質の良い窒素含有絶縁膜（例えばシリコン窒化炭化膜）を設けているため、リーク電流の増大又は膜質の経時変化を防止できる。
【００５６】
また、第２の電子デバイスの製造方法によると、低誘電率膜の上に窒素非含有絶縁膜を挟んで窒素含有絶縁膜を設けるため、低誘電率膜の形成後に窒素を含む雰囲気（プラズマ等）に低誘電率膜が直接さらされることがない。このため、低誘電率膜中に窒素が取り込まれることをより確実に抑制できる。
【００５７】
第２の電子デバイスの製造方法において、レジスト膜を形成する工程で窒素含有絶縁膜は反射防止膜として機能することが好ましい。
【００５８】
このようにすると、凹部を形成するためのリソグラフィー時に、例えば有機材料からなる反射防止膜を新たに設ける必要がなくなるので、工程数を削減できる。
【００５９】
本発明に係る第３の電子デバイスの製造方法は、第１の窒素非含有絶縁膜の上に低誘電率膜及び第２の窒素非含有絶縁膜を順次形成する工程と、第２の窒素非含有絶縁膜が設けられた低誘電率膜にホ−ルを形成する工程と、ホ−ルが形成された低誘電率膜の上側に化学増幅型レジストを塗布し、該塗布された化学増幅型レジストに対して露光及び現像を行なうことによって、ホ−ルが形成された領域を含む所定の領域に開口部を持つレジスト膜を形成する工程と、該レジスト膜をマスクとして低誘電率膜に対してエッチングを行なって、ホ−ルと接続する凹部を形成する工程とを備えている。
【００６０】
第３の電子デバイスの製造方法によると、上下にそれぞれ窒素非含有絶縁膜が設けられた低誘電率膜にホールを形成した後、低誘電率膜の上に化学増幅型レジストを塗布する。このため、低誘電率膜中に窒素が取り込まれることを確実に抑制できるので、ホールが形成された低誘電率膜の上に化学増幅型レジストを塗布した際にホールを経由してアミン等がレジスト中に拡散すること、つまりレジストポイズニングを防止できる。
【００６１】
第１、第２又は第３の電子デバイスの製造方法において、窒素非含有絶縁膜はＣＶＤ法により堆積されることが好ましい。
【００６２】
このようにすると、窒素非含有絶縁膜として、例えばＴＥＯＳを用いたプラズマＣＶＤ法によりシリコン酸化膜を形成した場合、該シリコン酸化膜の密度（約２．３ｇ／ｃｍ3 ）は炭素含有シリコン酸化膜等の低誘電率膜の密度よりも高くなる。このため、該シリコン酸化膜からなる窒素非含有絶縁膜が窒素に対するバリア層として機能するので、低誘電率膜中に窒素が取り込まれることをより確実に抑制できる。
【００６３】
第１、第２又は第３の電子デバイスの製造方法において、ホ−ルを形成する工程とレジスト膜を形成する工程との間に、ホ−ル内にダミープラグを形成する工程をさらに備えていることが好ましい。
【００６４】
このようにすると、例えば有機材料からなるダミープラグによって、低誘電率膜と窒素非含有絶縁膜との界面部を含むホ−ルの壁面を覆うことができる。すなわち、該界面部やホ−ル壁面のダメージ層がダミープラグによって覆われるため、該界面部又は該ダメージ層からホ−ル内への窒素の拡散を抑制できるので、レジストポイズニングをより確実に防止できる。
【００６５】
本発明に係る第４の電子デバイスの製造方法は、低誘電率膜の上に、膜密度１．３ｇ／ｃｍ3 以下の低密度絶縁膜を形成する工程と、低密度絶縁膜が設けられた低誘電率膜にホ−ルを形成する工程と、ホ−ルが形成された低誘電率膜の上側に化学増幅型レジストを塗布し、該塗布された化学増幅型レジストに対して露光及び現像を行なうことによって、ホ−ルが形成された領域を含む所定の領域に開口部を持つレジスト膜を形成する工程と、該レジスト膜をマスクとして低誘電率膜に対してエッチングを行なって、ホ−ルと接続する凹部を形成する工程とを備えている。
【００６６】
第４の電子デバイスの製造方法によると、低誘電率膜の上に低密度絶縁膜を形成した後、低誘電率膜にホールを形成し、その後、低誘電率膜の上側に化学増幅型レジストを塗布する。このため、低誘電率膜中に取り込まれた窒素や低密度絶縁膜自身に存在する窒素が、低密度絶縁膜を通って外部に排出されやすくなる。このため、低誘電率膜に設けられたホール内にアミン等が集中して拡散してくることがないので、低誘電率膜の上側に化学増幅型レジストを塗布した際にホール近傍のレジストにおける単位体積当たりのアミン等の量が極めて少なくなり、その結果、レジストポイズニングを防止できる。尚、第４の電子デバイスの製造方法において、低密度絶縁膜の密度は、該膜の安定性を考慮すると、０．４ｇ／ｃｍ3 以上であることが好ましい。
【００６７】
第４の電子デバイスの製造方法において、低密度絶縁膜を形成する工程よりも後に、低密度絶縁膜に対して熱処理を行なうか又はエネルギー波を照射する工程を備えていることが好ましい。
【００６８】
このようにすると、低密度絶縁膜の膜質を安定化させることができると共に、低誘電率膜中の窒素又は低密度絶縁膜中の窒素を低密度絶縁膜を通して外部により多く排出することができる。このとき、エネルギー波が電子ビーム又は紫外線であると、前述の効果が確実に得られる。
【００６９】
第１、第２、第３又は第４の電子デバイスの製造方法において、低誘電率膜は炭素含有シリコン酸化膜又はポーラス膜であることが好ましい。
【００７０】
このようにすると、配線間の容量を確実に低減できる。また、炭素含有シリコン酸化膜としてはＳｉＯＣ膜を用いてもよい。
【発明の効果】
【００７１】
本発明によると、配線間絶縁膜におけるリーク電流の増大や膜質の経時変化を抑制しながらレジストポイズニングを防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００７２】
（第１の実施形態）
以下、本発明の第１の実施形態に係る電子デバイス及びその製造方法について、図面を参照しながら説明する。
【００７３】
図１は、第１の実施形態に係る電子デバイスの配線構造を示す断面図である。
【００７４】
図１に示すように、例えばシリコンからなる基板１００上に形成された下層絶縁膜１０１中に、例えばタンタルナイトライド／タンタル積層膜１０２ａ及び銅膜１０２ｂからなる下層金属配線１０２が形成されている。下層金属配線１０２の上及び下層絶縁膜１０１の上には、例えばシリコン窒化炭化膜からなる第１の窒素含有絶縁膜１０３が形成されている。第１の窒素含有絶縁膜１０３の上には、例えばシリコン酸化膜からなる第１の窒素非含有絶縁膜１０４が形成されている。第１の窒素非含有絶縁膜１０４の上には、例えば炭素含有シリコン酸化膜からなる低誘電率膜１０５が形成されている。低誘電率膜１０５の上には、例えばシリコン酸化膜からなる第２の窒素非含有絶縁膜１０６が形成されている。第２の窒素非含有絶縁膜１０６の上には、例えば窒化シリコン酸化膜からなる第２の窒素含有絶縁膜１０７が形成されている。第１の窒素含有絶縁膜１０３、第１の窒素非含有絶縁膜１０４及び低誘電率膜１０５（下部）には、下層金属配線１０２に達するビアホール１０８が形成されている。低誘電率膜１０５（上部）、第２の窒素非含有絶縁膜１０６及び第２の窒素含有絶縁膜１０７には、ビアホール１０８と接続する配線溝１０９が形成されている。ビアホール１０８及び配線溝１０９には、タンタルナイトライド／タンタル積層膜１１０及び銅膜１１１が順次形成されており、それによってビアプラグ１１２及び上層金属配線１１３が形成されている。ビアプラグ１１２は、下層金属配線１０２と上層金属配線１１３とを接続する。
【００７５】
図２（ａ）〜（ｆ）は、第１の実施形態に係る電子デバイスの製造方法、つまり図１に示す電子デバイスを製造するための方法の各工程を示す断面図である。
【００７６】
まず、図２（ａ）に示すように、例えばシリコンからなる基板１００上に、例えばシリコン酸化膜からなる下層絶縁膜１０１を形成した後、下層絶縁膜１０１に、例えばタンタルナイトライド／タンタル積層膜１０２ａ及び銅膜１０２ｂからなる下層金属配線１０２を埋め込む。具体的には、下層絶縁膜１０１の形成後、下層絶縁膜１０１の上に、下層金属配線用の溝パターンを持つレジスト膜（図示省略）をフォトリソグラフィー法により形成し、その後、該レジスト膜をマスクとして下層絶縁膜１０１に対してドライエッチングを行なって配線溝を形成する。その後、該配線溝が完全に埋まるように下層絶縁膜１０１の上にタンタルナイトライド／タンタル積層膜１０２ａ及び銅膜１０２ｂを順次堆積した後、該配線溝の外側の積層膜１０２ａ及び銅膜１０２ｂをＣＭＰにより除去して下層金属配線１０２を形成する。
【００７７】
次に、図２（ａ）に示すように、下層絶縁膜１０１の上及び下層金属配線１０２の上に、例えばシリコン窒化炭化膜からなる厚さ５０ｎｍの第１の窒素含有絶縁膜１０３を堆積する。
【００７８】
次に、図２（ｂ）に示すように、第１の窒素含有絶縁膜１０３の上に、例えばシリコン酸化膜からなる厚さ５０ｎｍの第１の窒素非含有絶縁膜１０４を堆積する。このとき、例えばＴＥＯＳを用いたプラズマＣＶＤ法により、第１の窒素非含有絶縁膜１０４となるシリコン酸化膜を堆積する。その後、第１の窒素非含有絶縁膜１０４の上に、例えば炭素含有シリコン酸化膜からなる厚さ４５０ｎｍの低誘電率膜１０５を堆積した後、低誘電率膜１０５の上に、例えばシリコン酸化膜からなる厚さ３０ｎｍの第２の窒素非含有絶縁膜１０６を堆積する。このとき、例えばＴＥＯＳを用いたプラズマＣＶＤ法により、第２の窒素非含有絶縁膜１０６となるシリコン酸化膜を堆積する。その後、第２の窒素非含有絶縁膜１０６の上に、例えば窒化シリコン酸化膜からなる厚さ５０ｎｍの第２の窒素含有絶縁膜１０７を堆積する。ここで、第２の窒素含有絶縁膜１０７となる窒化シリコン酸化膜は、後のフォトリソグラフィ工程で反射防止膜として機能する。また、反射防止膜となる窒化シリコン酸化膜の膜厚は、０．１８μｍよりも大きいルールでは６０ｎｍ以上で且つ１００ｎｍ以下であることが好ましく、０．１８μｍ以下のルールでは３０ｎｍ以上で且つ７０ｎｍ以下であることが好ましい。尚、第２の窒素含有絶縁膜１０７として窒化シリコン酸化膜以外の他の材料膜を用いた場合には、第２の窒素含有絶縁膜１０７の光学膜厚（＝［第２の窒素含有絶縁膜１０７の屈折率の実部］×［第２の窒素含有絶縁膜１０７の膜厚（物理膜厚）］）を、［窒化シリコン酸化膜の屈折率の実部］により除した値が前述の範囲となるように第２の窒素含有絶縁膜１０７の膜厚を設定することが好ましい。
【００７９】
次に、第２の窒素含有絶縁膜１０７の上にフォトレジストを塗布し、該塗布されたフォトレジストに対してフォトリソグラフィーを行なうことにより、ホールパターンを持つレジスト膜（図示省略）を形成する。その後、該レジスト膜をマスクとして、第２の窒素含有絶縁膜１０７、第２の窒素非含有絶縁膜１０６、低誘電率膜１０５及び第１の窒素非含有絶縁膜１０４に対して順次ドライエッチングを行なった後、アッシングによりフォトレジストを除去する。これにより、図２（ｃ）に示すように、ビアホール１０８が形成される。
【００８０】
次に、図２（ｄ）に示すように、ビアホール１０８に、例えば有機材料からなるダミープラグ１１４を形成する。本実施形態では、ダミープラグ１１４の上面が、低誘電率膜１０５と第２の窒素非含有絶縁膜１０６との界面よりも高くなるように、ダミープラグ１１４を形成する。尚、本実施形態において、ダミープラグ１１４の形成は必須工程ではない。その後、第２の窒素含有絶縁膜１０７の上にフォトレジストを塗布し、該塗布されたフォトレジストに対してフォトリソグラフィー（露光及び現像）を行なうことにより、所望の溝パターンを持つレジスト膜１１５、具体的には配線溝１０９（図２（ｅ）参照）と対応する開口部１１５ａを有するレジスト膜１１５を形成する。ここで、開口部１１５ａの形成領域は、ビアホール１０８が形成された領域を含む。
【００８１】
次に、ダミープラグ１１４及び溝パターンを持つレジスト膜１１５をマスクとして、第２の窒素含有絶縁膜１０７、第２の窒素非含有絶縁膜１０６及び低誘電率膜１０５（上部）に対して順次ドライエッチングを行なう。これにより、図２（ｅ）に示すように、ビアホール１０８と接続する配線溝１０９が形成される。但し、前述のドライエッチングの後、ダミープラグ１１４及びレジスト膜１１５を除去して洗浄を行なう。
【００８２】
次に、シリコン窒化炭化膜からなる第１の窒素含有絶縁膜１０３におけるビアホール１０８の下側部分を全面エッチバックにより除去する。その後、ビアホール１０８及び配線溝１０９が完全に埋まるように第２の窒素含有絶縁膜１０７の上に、タンタルナイトライド／タンタル積層膜１１０及び銅膜１１１を順次堆積した後、配線溝１０９の外側の積層膜１１０及び銅膜１１１をＣＭＰにより除去する。これにより、図２（ｆ）に示すように、ビアホール１０８にビアプラグ１１２が形成されると共に配線溝１０９に上層金属配線１１３が形成される。尚、第２の窒素含有絶縁膜１０７及び第２の窒素非含有絶縁膜１０６については最終的に必ずしも残存させる必要がないので、前述の全面エッチバック又はＣＭＰによりこれらを完全に又は部分的に除去してもよい。
【００８３】
以上に説明したように、第１の実施形態によると、低誘電率膜（炭素含有シリコン酸化膜）１０５と、その下側の第１の窒素含有絶縁膜（シリコン窒化炭化膜）１０３との間に第１の窒素非含有絶縁膜１０４を挟んでいるため、第１の窒素含有絶縁膜１０３を用いているにも関わらず、後述する３つの理由によってレジストポイズニングを抑制することができる。
（１）第１の窒素含有絶縁膜１０３と低誘電率膜１０５とが直接接触することがないため、低誘電率膜１０５中に窒素が取り込まれることを抑制できる。このため、配線溝１０９を形成するためのリソグラフィ工程においてビアホール１０８を経由してアミン等がレジスト中に拡散すること、つまりレジストポイズニングを防止できる。
（２）第１の窒素非含有絶縁膜１０４として、例えばＴＥＯＳを用いたプラズマＣＶＤ法によりシリコン酸化膜を形成するため、該シリコン酸化膜の密度（約２．３ｇ／ｃｍ3 ）は低誘電率膜１０５つまり炭素含有シリコン酸化膜の密度よりも高くなる。このため、該シリコン酸化膜からなる第１の窒素非含有絶縁膜１０４が窒素に対するバリア層として機能するので、低誘電率膜１０５中に窒素が取り込まれることをより確実に抑制できる。
（３）第１の窒素非含有絶縁膜１０４をプラズマＣＶＤ法を用いて堆積するため、その下側の第１の窒素含有絶縁膜１０３つまりシリコン窒化炭化膜の膜質を安定化させることができるので、第１の窒素含有絶縁膜１０３中に含まれる窒素が遊離しにくくなる。具体的には、シリコン窒化炭化膜が、酸素を含んだプラズマにさらされるため、シリコン窒化炭化膜の表面部が酸化されて、その膜密度が高くなり、その結果、該表面部が、シリコン窒化炭化膜中の窒素の拡散バリアとして機能する。従って、低誘電率膜１０５中に窒素が取り込まれることをより確実に抑制できる。
【００８４】
第１の実施形態においては、以上に述べた効果によって、レジストポイズニングを抑制しながら、低誘電率膜１０５の下側に、膜質の良い第１の窒素含有絶縁膜１０３（例えばシリコン窒化炭化膜）を設けることができる。従って、リーク電流の増大又は膜質の経時変化を防止できる。また、第１の窒素含有絶縁膜１０３となるシリコン窒化炭化膜は酸素を含まないため、下層金属配線１０２を構成する銅膜１０２ｂ上に第１の窒素含有絶縁膜１０３を堆積した場合に銅膜１０２ｂが酸化することはない。
【００８５】
また、第１の実施形態によると、低誘電率膜（炭素含有シリコン酸化膜）１０５と、その上側の第２の窒素含有絶縁膜（窒化シリコン酸化膜）１０７との間に第２の窒素非含有絶縁膜１０６を挟んでいるため、第２の窒素含有絶縁膜１０７を用いているにも関わらず、後述する３つの理由によってレジストポイズニングを抑制することができる。
（１）第２の窒素含有絶縁膜１０７と低誘電率膜１０５とが直接接触することがないため、低誘電率膜１０５中に窒素が取り込まれることを抑制できる。このため、配線溝１０９を形成するためのリソグラフィ工程においてビアホール１０８を経由してアミン等がレジスト中に拡散すること、つまりレジストポイズニングを防止できる。
（２）第２の窒素非含有絶縁膜１０６として、例えばＴＥＯＳを用いたプラズマＣＶＤ法によりシリコン酸化膜を形成するため、該シリコン酸化膜の密度（約２．３ｇ／ｃｍ3 ）は低誘電率膜１０５つまり炭素含有シリコン酸化膜の密度よりも高くなる。このため、該シリコン酸化膜からなる第２の窒素非含有絶縁膜１０６が窒素に対するバリア層として機能するので、低誘電率膜１０５中に窒素が取り込まれることをより確実に抑制できる。
（３）低誘電率膜１０５の上に第２の窒素非含有絶縁膜１０６を挟んで第２の窒素含有絶縁膜１０７を設けるため、低誘電率膜１０５の形成後に窒素を含む雰囲気（プラズマ等）に低誘電率膜１０５が直接さらされることがない。このため、低誘電率膜１０５中に窒素が取り込まれることをより確実に抑制できる。
【００８６】
第１の実施形態においては、以上に述べた効果によって、レジストポイズニングを抑制しながら、低誘電率膜１０５の上側に、膜質の良い第２の窒素含有絶縁膜１０７（例えばシリコン窒化炭化膜）を設けることができる。従って、リーク電流の増大又は膜質の経時変化を防止できる。また、第２の窒素含有絶縁膜１０７として、反射防止効果を有する窒化シリコン酸化膜を用いるため、ビアホール１０８及び配線溝１０９を形成するためのリソグラフィー時に、例えば有機材料からなる反射防止膜を新たに設ける必要がなくなるので、工程数を削減できる。このとき、レジストに対する第２の窒素含有絶縁膜１０７の選択比の確保も容易になるので、第２の窒素含有絶縁膜１０７のエッチングが容易になる。また、前述のように、配線溝１０９の形成時に反射防止膜を塗布する必要が無いため、ダミープラグ１１４の上面を、形成しようとする配線溝１０９の底面と同等の高さに設定しておくことができる。このため、配線溝１０９を形成するためのエッチングを行なったときに、配線溝１０９の底面におけるビアホール１０８の近傍にフェンス状の残さが生じる事態を防止することができる。
【００８７】
また、第１の実施形態によると、配線溝１０９の形成が終わるまで、ビアホール１０８の下側に、言い換えると、下層金属配線１０２の上側に第１の窒素含有絶縁膜１０３を残存させている。このため、エッチングやアッシングによる下層金属配線１０２のダメージ（例えば下層金属配線１０２の表面の酸化）を低減できる。
【００８８】
また、第１の実施形態によると、配線溝１０９を形成するためのフォトリソグラフィを行なう前に、ビアホール１０８にダミープラグ１１４を形成する。このため、ダミープラグ１１４によって、低誘電率膜１０５と第１及び第２の窒素非含有絶縁膜１０４及び１０６との界面部を含むビアホ−ル１０８の壁面を覆うことができる。すなわち、該界面部やビアホ−ル１０８の壁面のダメージ層がダミープラグ１１４によって覆われるため、該界面部又は該ダメージ層からビアホ−ル１０８内への窒素の拡散を抑制できるので、レジストポイズニングをより確実に防止できる。また、ビアホ−ル１０８にダミープラグ１１４を設けておくことによって、塗布されるレジストの表面を平坦化できるので、フォトリソグラフィによって得られるパターンの精度を向上させることができる。
【００８９】
尚、第１の実施形態において、第２の窒素含有絶縁膜１０７として、反射防止効果を持つ窒化シリコン酸化膜を用いたが、これに代えて、窒素を含む（正確には膜中に含まれる窒素が１×１０19ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 以上である）他の種類の絶縁膜を用いてもよい。例えば、第２の窒素含有絶縁膜１０７としてシリコン窒化膜を用いた場合、ビアホール１０８又は配線溝１０９を形成するためのエッチング工程で第２の窒素含有絶縁膜１０７をハードマスクとして用いることができる。これは、低誘電率膜１０５としてポーラス膜や炭素含有濃度のさらに高い膜等（つまり誘電率のさらに低い絶縁膜）を用いる場合に有効である。また、第２の窒素含有絶縁膜１０７として、シリコン窒化炭化膜（ＳｉＣＮ膜）を用いてもよい。
【００９０】
また、第１の実施形態において、第１の窒素含有絶縁膜１０３としてシリコン窒化炭化膜を用いたが、これに代えて、窒素を含む他の種類の絶縁膜、例えばシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）を用いてもよい。
【００９１】
また、第１の実施形態において、第１の窒素非含有絶縁膜１０４又は第２の窒素非含有絶縁膜１０６としてシリコン酸化膜を用いたが、これに代えて、窒素を含まない（正確には膜中に含まれる窒素が１×１０19ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 未満である）他の種類の絶縁膜、例えば酸素添加シリコン炭化膜（ＳｉＣＯ膜）又はシリコン炭化膜（ＳｉＣ膜）を用いてもよい。
【００９２】
また、第１の実施形態において、低誘電率膜１０５となる炭素含有シリコン酸化膜としては、例えばＳｉＯＣ膜を用いることができる。
【００９３】
また、第１の実施形態において、低誘電率膜１０５（その下面）と第１の窒素非含有絶縁膜１０４（その上面）とが直接接していたが、低誘電率膜１０５と第１の窒素非含有絶縁膜１０４との間にさらに他の窒素非含有絶縁膜を設けてもよい。同様に、低誘電率膜１０５（その上面）と第２の窒素非含有絶縁膜１０６（その下面）とが直接接していたが、低誘電率膜１０５と第２の窒素非含有絶縁膜１０６との間にさらに他の窒素非含有絶縁膜を設けてもよい。
【００９４】
また、第１の実施形態において、ビアプラグ１１２により接続される下層金属配線１０２及び上層金属配線１１３からなる配線構造の形成を対象としたが、本発明はこれに限定されるものではない。例えばコンタクトプラグにより接続されるトランジスタ（その拡散層）及びキャパシタ（その下部電極）からなるメモリセル構造の形成を対象としてもよいことは言うまでもない。
【００９５】
（比較例）
以下、第１の実施形態に対する比較例として、低誘電率膜と窒素含有絶縁膜とが直接接した配線間絶縁膜構造を持つ電子デバイス及びその製造方法について説明する（東  和幸  他、２００２年・インターナショナル・インターコネクト・テクノロジー・コンファレンス予稿集（Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ  ｏｆ  ｔｈｅ  ２００２  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ）、１５〜１７ページ  参照）。
【００９６】
図３は、比較例に係る電子デバイスの配線構造を示す断面図である。
【００９７】
図３に示すように、シリコン基板（図示省略）上に形成された第１の絶縁膜２１中に、タンタルナイトライド／タンタル積層膜２２ａ及び銅膜２２ｂからなる下層金属配線２２が形成されている。下層金属配線２２の上及び第１の絶縁膜２１の上には、シリコン窒化炭化膜からなる第２の絶縁膜（窒素含有絶縁膜）２３が形成されている。第２の絶縁膜２３の上には、炭素含有シリコン酸化膜からなる第３の絶縁膜（低誘電率膜）２４が形成されている。第３の絶縁膜２４の上には、シリコン酸化膜からなる第４の絶縁膜２５が形成されている。第４の絶縁膜２５は、窒素汚染のないプラズマを用いて形成されている。第２の絶縁膜２３及び第３の絶縁膜２４（少なくとも下部）には、下層金属配線２２に達するビアホール２６が形成されている。第３の絶縁膜２４（上部）及び第４の絶縁膜２５には、ビアホール２６と接続する配線溝２７が形成されている。ビアホール２６及び配線溝２７には、タンタルナイトライド／タンタル積層膜２８及び銅膜２９が順次形成されており、それによってビアプラグ３０及び上層金属配線３１が形成されている。ビアプラグ３０は、下層金属配線２２と上層金属配線３１とを接続する。
【００９８】
図４（ａ）〜（ｆ）は、比較例に係る電子デバイスの製造方法、つまり図３に示す電子デバイスを製造するための方法の各工程を示す断面図である。
【００９９】
まず、図４（ａ）に示すように、シリコン基板（図示省略）上に第１の絶縁膜２１を形成した後、第１の絶縁膜２１に、タンタルナイトライド／タンタル積層膜２２ａ及び銅膜２２ｂからなる下層金属配線２２を埋め込む。
【０１００】
次に、図４（ｂ）に示すように、第１の絶縁膜２１の上及び下層金属配線２２の上に、シリコン窒化炭化膜からなる第２の絶縁膜２３を堆積した後、第２の絶縁膜２３に対してプラズマ処理を行なって第２の絶縁膜２３の膜質を安定化させる。続いて、第２の絶縁膜２３の上に、炭素含有シリコン酸化膜からなる第３の絶縁膜２４を堆積する。その後、第３の絶縁膜２４の上に、シリコン酸化膜からなる第４の絶縁膜２５をプラズマＣＶＤ法により堆積した後、第４の絶縁膜２５の上に有機反射防止膜３２を形成する。尚、第４の絶縁膜２５は、下地となる第３の絶縁膜２４に対して窒素汚染のない前処理を行なった後に窒素汚染のないプラズマを用いて形成される。
【０１０１】
次に、有機反射防止膜３２の上にフォトレジストを塗布し、該塗布されたフォトレジストに対してフォトリソグラフィーを行なうことにより、ホールパターンを持つレジスト膜（図示省略）を形成する。その後、該レジスト膜をマスクとして、有機反射防止膜３２、第４の絶縁膜２５及び第３の絶縁膜２４に対して順次ドライエッチングを行なった後、アッシングによりフォトレジスト及び有機反射防止膜３２を除去する。これにより、図４（ｃ）に示すように、ビアホール２６が形成される。
【０１０２】
次に、図４（ｄ）に示すように、ビアホール２６が完全に埋まるように第４の絶縁膜２５の上に下層レジスト膜３３を堆積した後、下層レジスト膜３３の上に、ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ  ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）膜３４を形成する。その後、ＳＯＧ膜３４の上にフォトレジストを塗布し、該塗布されたフォトレジストに対してフォトリソグラフィーを行なうことにより、所望の溝パターンを持つ上層レジスト膜３５、具体的には配線溝２７（図４（ｅ）参照）と対応する開口部３５ａを有する上層レジスト膜３５を形成する。
【０１０３】
次に、溝パターンを持つ上層レジスト膜３５をマスクとして、ＳＯＧ膜３４に対してドライエッチングを行なう。続いて、パターン化された（溝パターンを持つ）ＳＯＧ膜３４をマスクとして、下層レジスト膜３３、第４の絶縁膜２５及び第３の絶縁膜２４（上部）に対して順次ドライエッチングを行なう。これにより、図４（ｅ）に示すように、ビアホール２６と接続する配線溝２７が形成される。但し、前述のドライエッチングの後、上層レジスト膜３５、ＳＯＧ膜３４及び下層レジスト膜３３を除去して洗浄を行なう。
【０１０４】
次に、第２の絶縁膜２３におけるビアホール２６の下側部分を全面エッチバックにより除去する。その後、ビアホール２６及び配線溝２７が完全に埋まるように第４の絶縁膜２５の上に、タンタルナイトライド／タンタル積層膜２８及び銅膜２９を順次堆積した後、配線溝２９の外側の積層膜２８及び銅膜２９をＣＭＰにより除去する。これにより、図４（ｆ）に示すように、ビアホール２６にビアプラグ３０が形成されると共に配線溝２７に上層金属配線３１が形成される。
【０１０５】
前述のように、比較例においては、第２の絶縁膜２３つまりシリコン窒化炭化膜をプラズマ処理により安定化させることにより、レジストポイゾニングの抑制を図っている。
【０１０６】
しかしながら、比較例においては、シリコン窒化炭化膜中に残存する不安定な窒素又はプラズマ処理のばらつきに起因して、シリコン窒化炭化膜（第２の絶縁膜２３）から、該膜と直接接する第３の絶縁膜（低誘電率膜）２４中に窒素が拡散する。このため、配線溝２７を形成するためのリソグラフィ工程においてビアホール２６を経由してアミン等がレジスト中に拡散すること、つまりレジストポイズニングを十分に防止することはできない。
【０１０７】
また、比較例においては、窒素汚染のない前処理を行なった後に、第３の絶縁膜（低誘電率膜）２４の上に、窒素汚染のないプラズマを用いて第４の絶縁膜２５つまりシリコン酸化膜を形成し、それによりレジストポイゾニングの抑制を図っている。しかしながら、シリコン酸化膜には反射防止効果はないため、ビアホール２６を形成するためのパターンをリソグラフィーにより形成する際に有機反射防止膜３２を設ける必要がある。ところが、有機反射防止膜３２の塗布膜厚が大きいことにより、且つ、フォトレジストに対して有機反射防止膜３２の選択比を確保しにくいことにより、ビアホール２６を形成するためのエッチングの実施が困難になる。また、前述のように、配線溝２７を形成するためのパターンをリソグラフィーにより形成する際に、下層レジスト膜３３、ＳＯＧ膜３４及び上層レジスト膜３５を組み合わせて用いるので、配線溝２７を形成するためのエッチングの実施が困難になる。また、この場合、リソグラフィー工程で寸法ずれや合わせずれが発生すると、ＳＯＧ膜３４を用いているためにパターンの再生を行なうことが困難になる。その理由は、レジスト膜と異なり、アッシング等によりＳＯＧ膜３４を容易に除去することができないからである。尚、下層レジスト膜３３、ＳＯＧ膜３４及び上層レジスト膜３５の組み合わせに代えて有機反射防止膜を設けた場合には、前述のビアホール２６を形成するためのエッチングの場合と同様の問題が生じる。
【０１０８】
ところで、誘電率のさらに低い（具体的には比誘電率εが２．８未満の）低誘電率膜を用いる場合、該低誘電率膜の上にシリコン窒化膜等の窒素含有絶縁膜を形成して該窒素含有絶縁膜をエッチング時のハードマスクとして用いるプロセスは、フォトレジストに対する低選択比を実現できる点及びアッシングダメージを防止できる点で有効である。ところが、比較例では、窒素を含むプラズマを用いないでシリコン酸化膜を低誘電率膜上に設ける構造及びプロセス以外は許容されないので、言い換えると、低誘電率膜上に窒素含有絶縁膜を形成できないので、今後の絶縁膜の低誘電率化を考慮した場合には不利である。また、比較例では、前述のシリコン酸化膜の比誘電率が４．２程度と高いため、配線間容量が増大してしまうという問題があるので、将来的に絶縁膜に求められる低誘電率化の点でも不利である。
【０１０９】
それに対して、第１の実施形態によると、低誘電率膜１０５と、その下側の第１の窒素含有絶縁膜１０３との間に第１の窒素非含有絶縁膜１０４を挟み、且つ低誘電率膜１０５と、その上側の第２の窒素含有絶縁膜１０７との間に第２の窒素非含有絶縁膜１０６を挟む構造（図１参照）によって、以上に述べたような比較例の問題点が全て解決されるという顕著な効果が得られる。
【０１１０】
（第２の実施形態）
以下、本発明の第２の実施形態に係る電子デバイス及びその製造方法について、図面を参照しながら説明する。
【０１１１】
図５は、第２の実施形態に係る電子デバイスの配線構造を示す断面図である。
【０１１２】
図５に示すように、例えばシリコンからなる基板２００上に形成された下層絶縁膜２０１中に、例えばタンタルナイトライド／タンタル積層膜２０２ａ及び銅膜２０２ｂからなる下層金属配線２０２が形成されている。下層金属配線２０２の上及び下層絶縁膜２０１の上には、例えばシリコン窒化炭化膜からなる窒素含有絶縁膜２０３が形成されている。窒素含有絶縁膜２０３の上には、例えば炭素含有シリコン酸化膜からなる低誘電率膜２０４が形成されている。低誘電率膜２０４の上には、膜密度１．３ｇ／ｃｍ3 以下の低密度絶縁膜（低密度キャップ膜）２０５が形成されている。窒素含有絶縁膜２０３及び低誘電率膜２０４（下部）には、下層金属配線２０２に達するビアホール２０６が形成されている。低誘電率膜２０４（上部）及び低密度キャップ膜２０５には、ビアホール２０６と接続する配線溝２０７が形成されている。ビアホール２０６及び配線溝２０７には、タンタルナイトライド／タンタル積層膜２０８及び銅膜２０９が順次形成されており、それによってビアプラグ２１０及び上層金属配線２１１が形成されている。
【０１１３】
図６（ａ）〜（ｆ）は、第２の実施形態に係る電子デバイスの製造方法、つまり図５に示す電子デバイスを製造するための方法の各工程を示す断面図である。
【０１１４】
まず、図６（ａ）に示すように、例えばシリコンからなる基板２００上に、例えばシリコン酸化膜からなる下層絶縁膜２０１を形成した後、下層絶縁膜２０１に、例えばタンタルナイトライド／タンタル積層膜２０２ａ及び銅膜２０２ｂからなる下層金属配線２０２を埋め込む。
【０１１５】
次に、図６（ｂ）に示すように、下層絶縁膜２０１の上及び下層金属配線２０２の上に、例えばシリコン窒化炭化膜又はシリコン窒化膜からなる厚さ５０ｎｍの窒素含有絶縁膜２０３を堆積する。その後、窒素含有絶縁膜２０３の上に、例えば炭素含有シリコン酸化膜からなる厚さ４５０ｎｍの低誘電率膜２０４を堆積する。続いて、低誘電率膜２０４の上に、膜密度が１．３ｇ／ｃｍ3 以下であり且つ厚さが５０ｎｍである低密度キャップ膜２０５を形成する。その後、低密度キャップ膜２０５の上に例えば有機材料を塗布して第１の反射防止膜２１２を形成する。
【０１１６】
次に、第１の反射防止膜２１２の上にフォトレジストを塗布し、該塗布されたフォトレジストに対してフォトリソグラフィーを行なうことにより、ホールパターンを持つレジスト膜（図示省略）を形成する。その後、該レジスト膜をマスクとして、第１の反射防止膜２１２、低密度キャップ膜２０５及び低誘電率膜２０４に対して順次ドライエッチングを行なった後、アッシングによりフォトレジスト及び第１の反射防止膜２１２を除去する。これにより、図６（ｃ）に示すように、ビアホール２０６が形成される。
【０１１７】
次に、図６（ｄ）に示すように、ビアホール２０６が完全に埋まるように低密度キャップ膜２０５の上に例えば有機材料を塗布して第２の反射防止膜２１３を形成する。その後、第２の反射防止膜２１３の上にフォトレジストを塗布し、該塗布されたフォトレジストに対してフォトリソグラフィー（露光及び現像）を行なうことにより、所望の溝パターンを持つレジスト膜２１４、具体的には配線溝２０７（図６（ｅ）参照）と対応する開口部２１４ａを有するレジスト膜２１４を形成する。ここで、開口部２１４ａの形成領域は、ビアホール２０６が形成された領域を含む。
【０１１８】
次に、溝パターンを持つレジスト膜２１４をマスクとして、第２の反射防止膜２１３、低密度キャップ膜２０５及び低誘電率膜２０４（上部）に対して順次ドライエッチングを行なう。これにより、図６（ｅ）に示すように、ビアホール２０６と接続する配線溝２０７が形成される。但し、前述のドライエッチングの後、残存する第２の反射防止膜２１３及びレジスト膜２１４を除去して洗浄を行なう。
【０１１９】
次に、シリコン窒化炭化膜からなる窒素含有絶縁膜２０３におけるビアホール２０６の下側部分を全面エッチバックにより除去する。その後、ビアホール２０６及び配線溝２０７が完全に埋まるように低密度キャップ膜２０５の上に、タンタルナイトライド／タンタル積層膜２０８及び銅膜２０９を順次堆積した後、配線溝２０７の外側の積層膜２０８及び銅膜２０９をＣＭＰにより除去する。これにより、図６（ｆ）に示すように、ビアホール２０６にビアプラグ２１０が形成されると共に配線溝２０７に上層金属配線２１１が形成される。尚、低密度キャップ膜２０５については最終的に必ずしも残存させる必要がないので、前述の全面エッチバック又はＣＭＰによりこれを完全に又は部分的に除去してもよい。
【０１２０】
以上に説明したように、第２の実施形態によると、低誘電率膜（炭素含有シリコン酸化膜）２０４の上に低密度キャップ膜２０５が形成されている。このため、低誘電率膜２０４中に取り込まれた窒素、窒素含有絶縁膜２０３中の窒素又は低密度キャップ膜２０５自身に存在する窒素が、低密度キャップ膜２０５を通って外部に排出されやすくなる。このため、低誘電率膜２０４に設けられたビアホール２０６内にアミン等が集中して拡散してくることがないので、配線溝２０７を形成するためのリソグラフィ工程においてビアホール２０６の近傍のレジストにおける単位体積当たりのアミン等の量が極めて少なくなり、その結果、レジストポイズニングを防止できる。
【０１２１】
第２の実施形態においては、以上に述べた効果によって、レジストポイズニングを抑制しながら、低誘電率膜２０４の下側に、膜質の良い窒素含有絶縁膜２０３（例えばシリコン窒化炭化膜）を設けることができる。従って、リーク電流の増大又は膜質の経時変化を防止できる。また、窒素含有絶縁膜２０３となるシリコン窒化炭化膜は酸素を含まないため、下層金属配線２０２を構成する銅膜２０２ｂ上に窒素含有絶縁膜２０３を堆積した場合に銅膜２０２ｂが酸化することはない。
【０１２２】
また、第２の実施形態によると、配線溝２０７の形成が終わるまで、ビアホール２０６の下側に、言い換えると、下層金属配線２０２の上側に窒素含有絶縁膜２０３を残存させている。このため、エッチングやアッシングによる下層金属配線２０２のダメージ（例えば下層金属配線２０２の表面の酸化）を低減できる。
【０１２３】
また、第２の実施形態によると、配線溝２０７を形成するためのフォトリソグラフィを行なう前に、ビアホール２０６に第２の反射防止膜２１３を埋め込む。このため、第２の反射防止膜２１３によって、ビアホ−ル２０６の壁面を覆うことができる。すなわち、ビアホ−ル２０６の壁面のダメージ層が第２の反射防止膜２１３によって覆われるため、該ダメージ層からビアホ−ル２０６内への窒素の拡散を抑制できるので、レジストポイズニングをより確実に防止できる。
【０１２４】
尚、第２の実施形態において、低密度キャップ膜２０５として使用できる絶縁膜の種類は、膜密度が１．３ｇ／ｃｍ3 以下であれば特に限定されるものではない。但し、低密度キャップ膜２０５として、密度のみならず誘電率も低い膜、例えばポーラス膜等を用いた場合、配線間容量を低減できる。具体的には、ＨＳＱ（hydrogen silsesquioxane ）膜、又はＤｏｗＣｏｒｎｉｎｇ社製のＸＬＫ膜（密度：約０．９ｇ／ｃｍ3 ）等のポーラス膜を用いてもよい。また、低密度キャップ膜２０５が窒素を含む場合、低密度キャップ膜２０５の膜質が良くなるので、リーク電流の増大又は膜質の経時変化を防止できる。一方、低密度キャップ膜２０５は炭素を含まないことが好ましい。その理由は、ＳｉＯＣ膜等の炭素含有膜に対してアッシングを行なった場合、該膜から炭素が脱離してリーク電流が流れやすくなるからである。また、低密度キャップ膜２０５の密度は、該膜の安定性を考慮すると、０．４ｇ／ｃｍ3 以上であることが好ましい。
【０１２５】
また、第２の実施形態において、低密度キャップ膜２０５として塗布膜、例えば前述のＨＳＱ膜等のポーラス膜を用いた場合、低密度キャップ膜２０５の形成後に、低密度キャップ膜２０５に対して、例えば３００〜４００℃程度の熱処理を行なうか又はＥＢ（electoron beam）キュア若しくはＤＵＶ（遠紫外線）キュアを行なうことが好ましい。このようにすると、低密度キャップ膜２０５の膜質を安定化させることができると共に、窒素含有絶縁膜２０３中の窒素、低誘電率膜２０４中の窒素又は低密度キャップ膜２０５中の窒素を低密度キャップ膜２０５を通して外部により多く排出することができる。尚、低密度キャップ膜２０５に対して、ＥＢやＤＵＶに代えて、低密度キャップ膜２０５の膜質を安定化することができる、ＤＵＶ以外の他の光又は他のエネルギー波を照射してもよい。
【０１２６】
また、第２の実施形態において、低誘電率膜２０４としては、例えばＳｉＯＣ膜等の炭素含有シリコン酸化膜、Ｓｉｌｋ膜、又はＭＳＱ（methyl silsesquioxane ）膜等のポーラス膜を用いることができる。
【０１２７】
また、第２の実施形態において、ビアプラグ２１０により接続される下層金属配線２０２及び上層金属配線２１１からなる配線構造の形成を対象としたが、本発明はこれに限定されるものではない。例えばコンタクトプラグにより接続されるトランジスタ（その拡散層）及びキャパシタ（その下部電極）からなるメモリセル構造の形成を対象としてもよいことは言うまでもない。
【産業上の利用可能性】
【０１２８】
本発明は、電子デバイス及びその製造方法に関し、例えば多層配線構造の形成に適用した場合に、リソグラフィ工程でのレジストポイズニングの発生を防止できるという顕著な効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【０１２９】
【図１】図１は本発明の第１の実施形態に係る電子デバイスの配線構造を示す断面図である。
【図２】図２（ａ）〜（ｆ）は本発明の第１の実施形態に係る電子デバイスの製造方法の各工程を示す断面図である。
【図３】図３は比較例に係る電子デバイスの配線構造を示す断面図である。
【図４】図４（ａ）〜（ｆ）は比較例に係る電子デバイスの製造方法の各工程を示す断面図である。
【図５】図５は本発明の第２の実施形態に係る電子デバイスの配線構造を示す断面図である。
【図６】図６（ａ）〜（ｆ）は本発明の第２の実施形態に係る電子デバイスの製造方法の各工程を示す断面図である。
【図７】図７は従来の電子デバイスの配線構造を示す断面図である。
【図８】図８（ａ）〜（ｆ）は従来の電子デバイスの製造方法の各工程を示す断面図である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【国際調査報告】
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