(57)【要約】厚いアルミニウム板からなる底板（６１）と天板（６２）と第一側板（６３）と第二側板（６４）と第三側板（６５）と第四側板（６６）とが四辺で組付られＴＩＧ法で溶接されて、耐圧筐体（２２）は直方体の箱形状に構築される。天板（６２）と第一側板（６３）とのＴＩＧ溶接時、天板（６２）の空洞部（７２）が没設された側の端面が第一側板（６３）の位置決め部（７１）が突設された側の主面に当接される。天板（６２）の空洞部（７２）の部位のエッジが位置決め部（７１）に突き当てられ、隅肉溶接部（７５）が天板（６２）と位置決め部（７１）とが画成する隅部にＴＩＧ溶接法によって形成される。ＴＩＧ溶接される天板の空洞部と位置決め部とは熱容量が小さいので、大熱伝導率のアルミニウム板でも隅肉溶接部を形成できる。隅肉溶接部は接触面間が構成するスリットを塞ぐので、耐圧筐体は真空性能等を維持できる。
2004086474.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一の母材と第二の母材との接合部が、溶接部、空洞部および接触部の順に配置されており、前記溶接部の厚さが前記接触部の厚さよりも薄く設定されていることを特徴とする容器。
【請求項２】
前記接触部も溶接部位を有することを特徴とする請求の範囲第１項記載の容器。
【請求項３】
前記空洞部から前記母材の表面に通じる通路が開設されていることを特徴とする請求の範囲第１項記載の容器。
【請求項４】
前記溶接部は、第一の母材の主面に突設された位置決め部と第二の母材とを溶接することを特徴とする請求の範囲第１項記載の容器。
【請求項５】
前記容器内側が前記溶接部になり、前記容器外側が前記接触部となるように配置されることを特徴とする請求の範囲第１項記載の容器。
【請求項６】
前記空洞部から前記母材の表面に通じる通路が開設されていることを特徴とする請求の範囲第２項記載の容器。
【請求項７】
前記溶接部は、第一の母材の主面に突設された位置決め部と第二の母材とを溶接することを特徴とする請求の範囲第２項記載の容器。
【請求項８】
前記容器内側が前記溶接部になり、前記容器外側が前記接触部となるように配置されることを特徴とする請求の範囲第２項記載の容器。
【請求項９】
基板を処理する処理室と、
この処理室に隣接し待機室を形成する容器であって、第一の母材と第二の母材との接合部が、溶接部、空洞部および接触部の順に配置されており、前記溶接部の厚さが前記接触部の厚さよりも薄く設定されている容器と、
を備えていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１０】
前記接触部も溶接部位を有することを特徴とする請求の範囲第９項記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記空洞部から前記母材の表面に通じる通路が開設されていることを特徴とする請求の範囲第９項記載の基板処理装置。
【請求項１２】
前記溶接部は、第一の母材の主面に突設された位置決め部と第二の母材とを溶接することを特徴とする請求の範囲第９項記載の基板処理装置。
【請求項１３】
前記容器内側が前記溶接部になり、前記容器外側が前記接触部となるように配置されることを特徴とする請求の範囲第９項記載の基板処理装置。
【請求項１４】
第一の母材と第二の母材との接合部が、溶接部、空洞部および接触部の順に配置されており、前記溶接部の厚さが前記接触部の厚さよりも薄く設定されている容器を備えていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１５】
前記接触部も溶接部位を有することを特徴とする請求の範囲第１４項記載の基板処理装置。
【請求項１６】
前記空洞部から前記母材の表面に通じる通路が開設されていることを特徴とする請求の範囲第１４項記載の基板処理装置。
【請求項１７】
前記溶接部は、第一の母材の主面に突設された位置決め部と第二の母材とを溶接することを特徴とする請求の範囲第１４項記載の基板処理装置。
【請求項１８】
前記容器内側が前記溶接部になり、前記容器外側が前記接触部となるように配置されることを特徴とする請求の範囲第１４項記載の基板処理装置。
【請求項１９】
複数の基板を基板保持具に収納し処理する処理室と、
この処理室の下方に位置し前記処理室に隣接し前記基板保持具を搬入搬出する待機室を形成する容器であって、第一の母材と第二の母材との接合部が、溶接部、空洞部および接触部の順に配置されている容器と、
を備えていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２０】
前記接触部も溶接部位を有することを特徴とする請求の範囲第１９項記載の基板処理装置。
【請求項２１】
前記空洞部から前記母材の表面に通じる通路が開設されていることを特徴とする請求の範囲第１９項記載の基板処理装置。
【請求項２２】
前記溶接部は、第一の母材の主面に突設された位置決め部と第二の母材とを溶接することを特徴とする請求の範囲第１９項記載の基板処理装置。
【請求項２３】
前記容器内側が前記溶接部になり、前記容器外側が前記接触部となるように配置されることを特徴とする請求の範囲第１９項記載の基板処理装置。
【請求項２４】
基板を基板保持具で保持して処理する処理室と、この処理室に隣接した待機室を形成する容器であって、第一の母材と第二の母材との接合部が、溶接部、空洞部および接触部の順に配置されており、前記溶接部の厚さが前記接触部の厚さよりも薄く設定されている容器とを備えている基板処理装置が使用されて基板に処理が施される半導体装置の製造方法であって、
前記待機室において前記基板が前記基板保持具に保持されるステップと、
前記基板保持具が前記待機室から前記処理室に搬入されるステップと、
前記処理室において前記基板に処理が施されるステップと、
前記基板保持具が前記処理室から前記待機室に搬出されるステップと、
を備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２５】
第一の母材と第二の母材との接合部が、溶接部、空洞部および接触部の順に配置されており、前記溶接部の厚さが前記接触部の厚さよりも薄く設定された容器を溶接する容器の溶接方法であって、
前記接触部を溶接した後に前記溶接部を形成させることを特徴とする容器の溶接方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】  本発明は、基板処理装置に関し、特に、処理室に隣接した待機室を形成する真空容器に係り、例えば、半導体集積回路装置（以下、ＩＣという。）の製造方法においてＩＣが作り込まれる半導体ウエハ（以下、ウエハという。）にＣＶＤ膜を形成する成膜工程に利用して有効なものに関する。
【背景技術】  ウエハに窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）や酸化シリコン（ＳｉＯｘ）およびポリシリコン等を堆積（デポジション）するＩＣの製造方法の成膜工程においては、複数枚のウエハをボートに保持した状態で成膜する処理室が形成されたプロセスチューブと、このプロセスチューブの真下に形成されてボートが処理室に対する搬入搬出を待機する待機室と、ボートを昇降させて処理室に搬入搬出するボートエレベータとを備えているバッチ式縦形ホットウオール形減圧ＣＶＤ装置が、広く使用されている。
従来のこの種のＣＶＤ装置として、待機室を大気圧未満の圧力に耐える真空容器（ロードロックチャンバと称されている。）で形成したロードロック方式のバッチ式縦形ホットウオール形減圧ＣＶＤ装置（以下、ロードロック式ＣＶＤ装置という。）がある（例えば、特許第３２３９９７７号参照）。
ロードロック方式とは、ゲートバルブ等の隔離バルブを用いて処理室と搬入搬出室とを隔離し、処理室への空気の流入を防止したり、温度や圧力等の外乱を小さくして処理を安定化させる方式、である。
一般に、大気圧未満の圧力に耐える必要上、ロードロック式ＣＶＤ装置における待機室を形成するロードロックチャンバ（真空容器）は、機械的強度の大きい構造用鋳鉄やステンレス鋼が使用されて構築されているために、重量が大きくなるという問題点がある。
そこで、ロードロック式ＣＶＤ装置におけるロードロックチャンバを軽量で耐腐食性のアルミニウムを使用して構築することが、考えられる。しかし、アルミニウムの熱伝導率（０℃で２３６Ｗ／ｍ・Ｋ、１００℃で２４０Ｗ／ｍ・Ｋ）はステンレス鋼の熱伝導率（０〜１００℃で１６．３Ｗ／ｍ・Ｋ）に比べて大きいために、ＴＩＧ（ｔｕｎｇｕｓｔｅｎ  ｉｎｅｒｔ  ｇａｓ）溶接法やＭＩＧ（ｍｅｔａｌ  ｉｎｅｒｔ  ｇａｓ）溶接法では、通常、板厚２０ｍｍ以上の材料に対して真空シール溶接を施工することは非常に困難であるという問題点がある。
一般に、アルミニウムからなる真空容器を溶接法を使用せずに構築する方法としては、アルミニウムの塊から削り出す製造方法やアルミダイキャスト法がある。しかし、削り出す方向の深さや金型の大きさに限度が存在するとともに、削り出す深さや金型の大きさが大きくなると、材料費が膨大になるために、これらの方法を大容量の真空容器の製造方法に採用することは現実的ではない。
本発明の目的は、軽量かつ低コストな容器であって、溶接法によって製造可能な容器と、これを使用した基板処理装置および半導体装置の製造方法を提供することにある。
【発明の開示】
本発明に係る容器は、第一の母材と第二の母材との接合部が、溶接部、空洞部および接触部の順に配置されており、前記溶接部の厚さが前記接触部の厚さよりも薄く設定されていることを特徴とする。
本発明によれば、溶接部の厚さが接触部の厚さよりも薄く設定されていることにより、溶接部の熱容量が小さくなるために、アルミニウム等の熱伝導率が大きい部材であっても溶接することができる。
【図面の簡単な説明】  第１図は、本発明の一実施の形態であるロードロック式ＣＶＤ装置の全体を示す一部省略斜視図である。
第２図は、その主要部を示す側面断面図である。
第３図は、同じくボート搬入時を示す背面断面図である。
第４図は、本発明の一実施の形態である耐圧筐体を示す分解斜視図である。
第５図は、耐圧筐体の溶接方法を示しており、（ａ）は母材の全体を示す分解斜視図、（ｂ）は溶接前の断面図、（ｃ）は溶接後の断面図である。
第６図は、本発明の他の実施の形態を示しており、（ａ）は溶接前の断面図、（ｂ）は溶接後の断面図である。
第７図は、本発明の他の実施の形態をそれぞれ示す各溶接後の断面図である。
【発明を実施するための最良の形態】  以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。
本実施の形態において、本発明に係る基板処理装置は、ＩＣの製造方法にあってウエハにＣＶＤ膜を形成する成膜工程に使用されるロードロック式ＣＶＤ装置（ロードロック方式のバッチ式縦形ホットウオール形減圧ＣＶＤ装置）として構成されており、本発明に係る容器は、その待機室を形成するロードロックチャンバとして構成されている。
第１図に示されているように、ロードロック式ＣＶＤ装置１０は筐体１１を備えており、筐体１１の前面にはカセット授受ユニット１２が設備されている。カセット授受ユニット１２はウエハ１のキャリアであるカセット２を二台載置することができるカセットステージ１３を備えており、カセットステージ１３は外部搬送装置（図示せず）によって搬送されて来たカセット２がカセットステージ１３に垂直姿勢（カセット２に収納されたウエハ１が垂直になる状態）で載置されると、９０度回転することにより、カセット２を水平姿勢に変換させるように構成されている。カセットステージ１３の後側にはカセットエレベータ１４が設置されており、カセットエレベータ１４はカセット移載装置１５を昇降させるように構成されている。カセットエレベータ１４の後側にはスライドステージ１６によって横行されるカセット棚１７が設置されており、カセット棚１７の上方にはバッファカセット棚１８が設置されている。バッファカセット棚１８の後側にはクリーンエアを筐体１１の内部に流通させるクリーンユニット１９が設置されている。また、カセット棚１７の後側にはウエハ１を複数枚一括して、または、一枚宛移載することができるウエハ移載装置（ｗａｆｅｒ  ｔｒａｎｓｆｅｒ  ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ）２０が回転および昇降可能に設備されている。
筐体１１の後端部の下部には大気圧未満の圧力に排気する排気管２１を有するロードロックチャンバ（以下、耐圧筐体という。）２２が設置されており、耐圧筐体２２はボートが待機する待機室２３を形成している。後述するように、耐圧筐体２２は複数枚のアルミニウム板が直方体の箱形状に組み付けられてＴＩＧ溶接法によって固定された真空容器として構成されている。耐圧筐体２２の前面壁にはウエハ搬入搬出口２４が開設されており、ウエハ搬入搬出口２４はロードロックドア２５によって開閉されるようになっている。第２図に示されているように、耐圧筐体２２の天井壁にはボート搬入搬出口２６が開設されており、耐圧筐体２２の天井壁の下面にはシールリング２７がボート搬入搬出口２６を取り囲むように敷設されている。ボート搬入搬出口２６はシャッタ２８によって開閉されるようになっている。耐圧筐体２２の上にはヒータユニット２９が垂直方向に設置されており、ヒータユニット２９の内部にはプロセスチューブ３１が同心円に設置されている。
第３図に示されているように、されプロセスチューブ３１は互いに同心円に配置されたアウタチューブ３２とインナチューブ３３とを備えており、アウタチューブ３２は石英ガラスや炭化シリコン（ＳｉＣ）が使用されて上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に一体成形されており、インナチューブ３３は石英ガラスや炭化シリコンが使用されて上下両端が開口された円筒形状に形成されている。インナチューブ３３の筒中空部は処理室３４を形成しており、処理室３４はボートによって同心的に整列した状態に保持された複数枚のウエハが搬入され得るように構成されている。インナチューブ３３の下端開口は被処理基板としてのウエハの最大外径よりも大きな口径に設定されている。アウタチューブ３２とインナチューブ３３との隙間によって円形環状の排気路３５が形成されている。
第３図に示されているように、アウタチューブ３２の下端にはマニホールド３８がアウタチューブ３２と同心円に配設されており、マニホールド３８はステンレス鋼が使用されて上下両端開口の短尺円筒形状に形成されている。アウタチューブ３２はマニホールド３８が耐圧筐体２２に支持されることによって垂直に支持された状態になっている。マニホールド３８の側壁の上側部分には、他端が真空排気装置（図示せず）に接続された大口径の排気管３６の一端が接続されており、排気管３６はアウタチューブ３２とインナチューブ３３との隙間によって形成された排気路３５を排気するようになっている。インナチューブ３３の処理室３４の下側空間にはガス導入管３７が連通するように挿入されており、ガス導入管３７の他端は原料ガスや窒素ガス等のガスを供給するガス供給装置（図示せず）に接続されている。
第３図に示されているように、待機室２３に設置されたボートエレベータ４０のアーム４１にはベース４２が垂直に昇降されるように支持されている。ベース４２の上にはシールキャップ４３が若干の隙間をとって平行に配置されて水平に支持されている。シールキャップ４３はマニホールド３８の外径と略等しい円盤形状に形成されてマニホールド３８の下端面に密着して炉口をシールするように構成されている。ベース４２の中心線上にはボート回転駆動用モータ４４によって回転される回転軸４５が、垂直方向に挿通されて軸受装置４６によって回転自在に支承されており、回転軸４５の上端にはボート５０が垂直に立脚されて固定されている。
ボート５０は上下で一対の端板５１および５２と、両端板５１、５２間に垂直に配設された複数本の保持部材５３とを備えており、各保持部材５３には複数条の保持溝５４が長手方向に等間隔に配されて互いに同一平面内において開口するようにそれぞれ刻設されている。そして、ウエハ１は複数条の保持溝５４間に外周辺部が挿入されることにより、水平にかつ互いに中心を揃えた状態に整列されてボート５０に保持されるようになっている。
ここで、前記構成に係るロードロック式ＣＶＤ装置を使用した本発明の一実施の形態である半導体装置の製造方法における成膜工程を説明する。
複数枚のウエハ１が収納されたカセット２は、カセット授受ユニット１２のカセットステージ１３に外部搬送装置によって供給される。供給されたカセット２はカセットステージ１３が９０度回転することにより水平姿勢になる。水平姿勢になったカセット２はカセット棚１７またはバッファカセット棚１８へカセット移載装置１５によって搬送されて移載される。
これから成膜すべきカセット２に収納されたウエハ１は、耐圧筐体２２のウエハ搬入搬出口２４を通して待機室２３にウエハ移載装置２０によって搬入され、ボート５０に装填（チャージング）される。この際には、第２図に示されているように、ボート搬入搬出口２６がシャッタ２８によって閉鎖されることにより、処理室３４の高温雰囲気が待機室２３に流入することは防止されている。このため、装填途中のウエハ１および装填されたウエハ１が高温雰囲気に晒されることはなく、ウエハ１が高温雰囲気に晒されることによる自然酸化等の弊害の派生は防止されることになる。
予め指定された枚数のウエハ１がボート５０へ装填されると、ウエハ搬入搬出口２４はロードロックドア２５によって閉鎖され、待機室２３が所定の真空度（例えば、２００Ｐａ）に真空引きされる。この真空引きにより、待機室２３の酸素や水分が除去される。待機室２３は耐圧筐体２２によって形成されているので、大気圧以下に減圧されても変形することはない。次に、待機室２３に窒素ガス等の不活性ガスが供給されて、待機室２３が不活性ガスによってパージされることにより大気圧（約１０万Ｐａ）に戻される。その後、ボート搬入搬出口２６がシャッタ２８によって開放される。これにより、外乱が処理室３４に侵入するのを防止することができる。
次いで、ボートエレベータ４０のアーム４１にシールキャップ４３を介して支持されたボート５０が、プロセスチューブ３１の処理室３４にボート搬入搬出口２６から搬入（ボートローディング）されて行く。第３図に示されているように、ボート５０が上限に達すると、シールキャップ４３の上面の周辺部がボート搬入搬出口２６をシール状態に閉塞するために、プロセスチューブ３１の処理室３４は気密に閉じられた状態になる。
その後、プロセスチューブ３１の処理室３４は気密に閉じられた状態で、所定の圧力となるように排気管３６によって排気され、ヒータユニット２９によって所定の温度に加熱され、所定の原料ガスがガス導入管３７によって所定の流量だけ供給される。これにより、予め設定された処理条件に対応する熱処理がウエハ１に施される。この際、ボート５０がボート回転駆動用モータ４４によって回転されることにより、原料ガスがウエハ１の表面に均一に接触されるため、ウエハ１にはＣＶＤ膜が均一に形成される。
予め設定された処理時間が経過すると、待機室２３が窒素ガスによってパージされた後に、ボートエレベータ４０のアーム４１にシールキャップ４３を介して支持されたボート５０がプロセスチューブ３１の処理室３４から搬出（アンボートローディング）される。
ボート５０が処理室３４から待機室２３に搬出されると、ボート搬入搬出口２６がシャッタ２８によって閉鎖され、待機室２３のウエハ搬入搬出口２４がロードロックドア２５によって開放される。その後、ボート５０の処理済みウエハ１はウエハ移載装置２０によって脱装（ディスチャージング）されるとともに、空のカセット２に収納される。所定枚数の処理済のウエハ１が収納されたカセット２はカセット授受ユニット１２にカセット移載装置１５によって移載される。
以降、前述した作用が繰り返されることによって、例えば、２５枚、５０枚、７５枚、１００枚、１５０枚ずつ、ウエハ１がロードロック式ＣＶＤ装置１０によってバッチ処理されて行く。
以下、本発明の特徴である容器としての耐圧筐体２２の構成および溶接方法を第４図以降について詳細に説明する。
第４図に示されているように、耐圧筐体２２は底板６１と天板６２と第一側板６３と第二側板６４と第三側板６５と第四側板６６とを備えており、これらの板が互いに四辺において突き合わされた状態でＴＩＧ法によって溶接されて直方体の箱形状に構築されている。底板６１と天板６２と第一側板６３と第二側板６４と第三側板６５と第四側板６６とはいずれもアルミニウムによって、厚さが２０ｍｍ以上の平板形状に形成されている。底板６１と天板６２とは外形が互いに等しい略正方形にそれぞれ形成されており、天板６２にはボート搬入搬出口２６が開設されている。第一側板６３と第二側板６４と第三側板６５と第四側板６６とは外形が互いに等しい略長方形にそれぞれ形成されており、第一側板６３にはウエハ搬入搬出口２４が開設されている。第二側板６４には保守点検口６７が大きく開設されており、この保守点検口６７はドア（図示せず）によって通常は閉塞されるようになっている。第四側板６６には排気管等の取り付け時に使用される取付孔６８が開設されている。なお、底板６１と天板６２と第一側板６３と第二側板６４と第三側板６５と第四側板６６とには、仮止めのための各ボルト挿通孔６９と各雌ねじ穴７０とがそれぞれ適宜に配設されている。
次に、底板６１と天板６２と第一側板６３と第二側板６４と第三側板６５と第四側板６６との間のＴＩＧ溶接法は、互いに同様であるので、天板６２と第一側板６３との間の溶接箇所を一例にして説明する。
第５図に示されているように、第一の母材としての第一側板６３における天板６２が溶接される側の主面の一方の短辺の近傍には、略正方形の細長い棒形状に形成された位置決め部７１が端辺に平行に敷設されている。第二の母材としての天板６２における第一側板６３に突合される端面には、断面が長方形で両端が閉塞した細長い溝形状の空洞部７２が内側となる主面に寄った位置において主面と平行に没設されており、天板６２の空洞部７２の一端部に対向する位置には、リークチェック孔７３が空洞部７２の内外を連通させるように開設されている。第一側板６３の厚さｂおよび天板６２の厚さｂはいずれも、大気圧以下の所定の真空度下に耐え得るように２０ｍｍ以上の厚さに設定されている。空洞部７２から位置決め部７１との接触面までの厚さａおよび位置決め部７１の厚さａは７ｍｍ程度に設定されている。つまり、位置決め部７１の厚さａは天板６２の第一側板６３との接触部７４の厚さよりも薄く設定されている。空洞部７２の溝の深さｃは、１５ｍｍ程度に設定されている。
天板６２と第一側板６３とのＴＩＧ溶接法の実施に際し、第５図（ｂ）に示されているように、天板６２の空洞部７２が没設された側の接触部７４が第一側板６３の位置決め部７１が突設された側の主面に当接されるとともに、天板６２の空洞部７２の部位のエッジが位置決め部７１に突き当てられる。この状態において、天板６２と第一側板６３とはボルト挿通孔６９に挿通されて雌ねじ穴７０にねじ込まれたボルト（図示せず）によって仮止めされる。なお、仮止め方法はボルト挿通孔６９とボルトとのねじ止め方法に限らず、スポット溶接等の他の仮止め手段を使用してもよいし、場合によっては省略してもよい。
次いで、第５図（ｃ）に示されているように、隅肉溶接部７５が天板６２の空洞部７２の部位のエッジの上側部分と第一側板６３の位置決め部７１の上面とが画成する隅部にＴＩＧ溶接法によって形成される。このＴＩＧ溶接に際し、天板６２および第一側板６３は厚さが２０ｍｍ以上のアルミニウム板材によって形成されている。しかし、隅肉溶接部７５が形成される天板６２の空洞部７２の部位および第一側板６３の位置決め部７１の厚さａはいずれも７ｍｍ程度に形成されていることにより、ＴＩＧ溶接法のアークの熱によって加熱される部分の熱容量が小さくなっているために、熱伝導率が大きいアルミニウムからなる天板６２および第一側板６３であっても隅肉溶接部７５を適正に形成することができる。この隅肉溶接部７５は天板６２のエッジと第一側板６３の位置決め部７１との接触面間が構成するスリットを塞いだ状態に形成されるとともに、ビードの表面が比較的に滑らかに形成されるために、内外の漏洩を確実に防止することができる。つまり、この隅肉溶接部７５は耐圧筐体２２の真空性能や不純物およびパーティクルの発生防止性能を確実に維持することができる。
ところで、ロードロック式ＣＶＤ装置における待機室を形成する耐圧筐体は、大気圧未満の圧力に耐える必要上、機械的強度の大きい構造用鋳鉄やステンレス鋼が使用されて構築されるのが、一般的である。ロードロック式ＣＶＤ装置の耐圧筐体の強度を彎曲面形状（所謂アーチ形状や卵殻形状）等の特殊な耐圧形状や耐圧構造ではなく、壁の厚さで確保しようとすると、構造用鋳鉄やステンレス鋼によって構築された耐圧筐体の重量はきわめて大きくなるために、運搬等の作業性が低下する。加えて、構造用鋳鉄には腐食の問題がある。腐食を防止するために、構造用鋳鉄の耐圧筐体にメッキ処理を施す場合には、メッキ処理後に溶接することができないことや、溶接後の耐圧筐体の外径寸法によってはメッキ槽に入らない等の問題点がある。
これに対して、比重の小さいアルミニウムは同等の強度で重量が構造用鋳鉄およびステンレス鋼の略半分になるために、耐圧筐体を厚さの大きいアルミニウム板を使用して構築しても、重量は構造用鋳鉄およびステンレス鋼の半分に低減することができる。しかも、ステンレス鋼との比較ではアルミニウムはステンレス鋼と重量単価が略同じであるために、材料費も略半分に低減することができる。かつまた、アルミニウムは切削加工性が良好であるために、加工費を低減することができる。耐腐食性の観点においては、アルミニウムは表面に形成される強固な自然酸化膜によって通常の大気中では腐食を防止することができる。つまり、ロードロック式ＣＶＤ装置の耐圧筐体をアルミニウムを使用して構築すると、耐圧筐体の重量を低減することができるとともに、コストを低減することができる。
一般に、板材を用いて耐圧筐体を構築する場合にはＴＩＧ溶接法が多用される。このＴＩＧ溶接法の実施に際して、母材同士を耐圧筐体の外面側から溶接すると、母材同士の合わせ面のスリットが耐圧筐体の内面側に露出した状態になる。この耐圧筐体の内面側のスリットはガス溜まりになるために、比較的に高い真空度においては必要圧力到達時間の遅延につながったり、不純物やパーティクルの発生源になり、好ましくない結果をもたらす。母材同士の合わせ面のスリットが耐圧筐体の内側に残らない溶接方法としては、電子ビーム溶接法および真空ブレージング法が、考えられる。
しかし、電子ビーム溶接法においては、ビームが内面に抜けた場合には抜けた場所がリーク箇所になるので、ビームの抜けを防止するための重なり部を形成する必要があり、結局、その重なり部が耐圧筐体の内部のスリットを形成してしまうという問題点がある。
真空ブレージング法によれば、内面にフィレットを形成することにより内面側のスリットの発生を回避することができる。しかし、一部の特殊なアルミニウムを除いて、一般的なアルミニウムに対しての技術は未だ確立していない。
これに対して、ＴＩＧ溶接法によれば、母材同士の合わせ面のスリットを塞ぐような形でビードが形成され、かつ、ビードの表面も比較的に滑らかに形成されるので、耐圧筐体の内面側においてＴＩＧ溶接法を実施することにより、良好な耐圧性能を発揮する耐圧筐体を構築することができる。
以上のことから、ロードロック式ＣＶＤ装置の耐圧筐体をアルミニウム板を母材にしてＴＩＧ溶接法によって構築すると、性能や重量および経済性の観点において優れた耐圧筐体を提供することができる。しかしながら、アルミニウムの熱伝導率（０℃で２３６Ｗ／ｍ・Ｋ、１００℃で２４０Ｗ／ｍ・Ｋ）はステンレス鋼の熱伝導率（０〜１００℃で１６．３Ｗ／ｍ・Ｋ）に比べて約１４倍も大きいために、ＴＩＧ溶接法では板厚２０ｍｍ以上の材料に対して真空シール溶接を施工することは非常に困難であるという問題点がある。すなわち、アルミニウムの母材は熱伝導率が大きいために、局部加熱が難しく、母材が溶けない場合がある。１５０℃程度まで充分に予熱すれば、ＴＩＧ溶接法が可能になるかもしれないが、内面側のスリットの防止のために、耐圧筐体の内部でＴＩＧ溶接法を実施する場合には、作業者の人体に及ぼす悪影響を考えると、１５０℃程度の予熱は不可能である。
本実施の形態においては、ＴＩＧ溶接法が実施される第一の母材である第一側板６３および第二の母材である天板６２は、厚さが２０ｍｍ以上のアルミニウム板によって形成されている。しかし、隅肉溶接部７５が形成される天板６２の空洞部７２の部位のエッジの上側部分および第一側板６３の位置決め部７１の厚さａはいずれも７ｍｍ程度に形成されているので、第一の母材である第一側板６３と第二の母材である天板６２とを１５０℃程度まで予熱せずにＴＩＧ溶接法によって溶接することができる。すなわち、隅肉溶接部７５がＴＩＧ溶接法によって形成される天板６２の空洞部７２の部位および第一側板６３の位置決め部７１の厚さａは７ｍｍ程度に形成されていることにより、ＴＩＧ溶接法のアークの熱によって加熱される部分の熱容量が小さくなっているために、熱伝導率が大きく厚みが２０ｍｍ以上のアルミニウム板からなる天板６２および第一側板６３であっても隅肉溶接部７５を適正に形成することができる。
前記実施の形態によれば、次の効果が得られる。
１）  隅肉溶接部が形成される第一の母材の空洞部に対向する部位および第二の母材の位置決め部の厚さを７ｍｍ程度に形成することにより、ＴＩＧ溶接法のアークの熱によって加熱される部分の熱容量を小さく抑制することができるので、熱伝導率が大きく厚みが２０ｍｍ以上のアルミニウム板からなる第一の母材と第二の母材とであっても、１５０℃程度以上までも予熱しなくともＴＩＧ溶接法をもって溶接することができる。
２）  ロードロック式ＣＶＤ装置の耐圧筐体をアルミニウムを使用して構築することにより、耐圧筐体の重量を低減することができるとともに、コストを低減することができる。
３）  ロードロック式ＣＶＤ装置の耐圧筐体をアルミニウム板を母材にして耐圧筐体の内面側においてＴＩＧ溶接法を実施することにより、ＴＩＧ溶接法のビードによって母材同士の合わせ面のスリットを塞ぐことができるので、耐圧筐体に良好な耐圧性能を発揮させることができるとともに、不純物やパーティクルの発生を防止することができる。
４）  耐圧筐体の壁を構成するアルミニウム板の厚さを２０ｍｍ以上に設定することにより、耐圧筐体の機械的強度を増加させることができるので、耐圧筐体の耐圧性能を充分に高めることができる。
５）  ロードロック式ＣＶＤ装置の耐圧筐体をアルミニウム板を使用してＴＩＧ溶接法をもって構築することにより、アルミニウムの塊の削り出しやアルミダイキャスト法によって耐圧筐体を構築する場合に比べて、製造コストを低減することができる。
６）  リークチェック孔を母材に形成した空洞部の内外を連通させるように開設することにより、リークチェック用の検査ガス（ヘリウムガス）を空洞部にリークチェック孔から充填させることができるので、溶接部のリーク検査を容易に実施することができる。
なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。
例えば、第６図（ｂ）に示されているように、第一の母材（第一側板）と第二の母材（天板）との接触部における外面側に位置する溶接部位としての補強溶接部７９を形成してもよい。第６図（ａ）においては、第一側板６３の端面における天板６２が溶接される側と反対側の主面とのエッジと、天板６２における第一側板６３が溶接されるエッジとには、互いに協働して開先部７８を形成するＣ面取り部７６、７７がそれぞれ形成されており、第６図（ａ）に示されているように、補強溶接部７９は開先部７８に形成されている。
この補強溶接部７９の溶接に際して、第６図（ａ）に示されているように、天板６２の空洞部７２が没設された側の接触部７４が第一側板６３の位置決め部７１が突設された側の主面に当接されるとともに、天板６２の空洞部７２の部位のエッジが位置決め部７１に突き当てられる。補強溶接部７９は耐圧筐体２２の外面側に形成されるので、補強溶接部７９の溶接に際しては、予熱が可能で真空シールも必要としない。したがって、強制的に溶着金属を移行させるＭＩＧ溶接法を使用することもできる。この補強溶接部７９を形成することにより、耐真空強度を高めることができるので、耐圧筐体の大形化に容易に対処することができる。
次いで、第６図（ｂ）に示されているように、隅肉溶接部７５が天板６２の空洞部７２の部位のエッジの上側部分と第一側板６３の位置決め部７１の上面とが画成する隅部にＴＩＧ溶接法によって形成される。このＴＩＧ溶接に際し、天板６２および第一側板６３は厚さが２０ｍｍ以上のアルミニウム板材によって形成されているが、隅肉溶接部７５が形成される天板６２の空洞部７２の部位および第一側板６３の位置決め部７１の厚さａはいずれも７ｍｍ程度に形成されていることにより、ＴＩＧ溶接法のアークの熱によって加熱される部分の熱容量が小さくなっているために、熱伝導率が大きいアルミニウムからなる天板６２および第一側板６３であっても隅肉溶接部７５を適正に形成することができる。この隅肉溶接部７５は天板６２のエッジと第一側板６３の位置決め部７１との接触面間が構成するスリットを塞いだ状態に形成されるとともに、ビードの表面が比較的に滑らかに形成されるために、内外の漏洩を確実に防止することができる。つまり、この隅肉溶接部７５は耐圧筐体２２の真空性能や不純物およびパーティクルの発生防止性能を確実に維持することができる。
なお、補強溶接部７９を形成してから、隅肉溶接部７５を施工することにより、天板６２と第一側板６３とは補強溶接部７９によって固定された状態になっているので、隅肉溶接部７５については安定したＴＩＧ溶接を施工することができる。
位置決め部および空洞部は第７図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）に示されているように構成してもよい。
第７図（ａ）においては、空洞部７２Ａは第一の母材である第一側板６３に突設された第一側板６３よりも厚さの薄い位置決め部７１Ａと、第二の母材である天板６２に突設された天板６２よりも厚さの薄い位置決め部７１Ａ’とによって形成されている。
第７図（ｂ）においては、空洞部７２Ｂは第一の母材である第一側板６３に突設された第一側板６３よりも厚さが薄くかつＣ面取り部を有する位置決め部７１Ｂと、第二の母材である天板６２に突設された天板６２よりも厚さが薄くかつＣ面取り部を有する位置決め部７１Ｂ’とによって断面が正方形に形成されている。
第７図（ｃ）においては、空洞部７２Ｂは第一の母材である第一側板６３に突設されたＣ面取り部を有する位置決め部７１Ｂと、第二の母材である天板６２に突設されたＣ面取り部を有する位置決め部７１Ｂ’とによって断面が正方形に形成されており、第一の母材である第一側板６３と第二の母材である天板６２とがＣ面取りされた接触部７４Ｃによって接触されている。
第７図（ｄ）においては、第一の母材の端面と第二の母材の端面同士が接合する端面にそれぞれ没設されて突き合わされた第一母材および第二母材よりも厚さの薄い細長い溝同士によって空洞部７２Ｄが形成されており、突き合わせ溶接部７５Ｄが第一の母材および第二の母材の主面における空洞部７２Ｄ側に位置する主面に形成されている。
第一の母材および第二の母材は、アルミニウムを使用して形成するに限らず、他の金属を使用して形成してもよい。特に、熱伝導率が０℃で４０３Ｗ／ｍ・Ｋ、１００℃で３９５Ｗ／ｍ・Ｋである銅のように、熱伝導率が４０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の金属を使用して形成する場合において、本発明は優れた効果を発揮する。
前記実施の形態ではロードロック式ＣＶＤ装置の場合について説明したが、本発明は、容器を備えた基板処理装置全般に適用することができる。
前記実施の形態ではＩＣの製造方法において、ウエハにＣＶＤ膜を成膜する成膜工程について説明したが、本発明は、酸化工程や拡散工程、リフロー工程、アニーリング工程ような熱処理（ｔｈｅｒｍａｌ  ｔｒｅａｔｍｅｎｔ）工程等の半導体装置の製造方法の各種の工程全般に適用することができる。
前記実施の形態では容器がロードロック式ＣＶＤ装置の耐圧筐体に使用される場合について説明したが、本発明は、他の真空容器や高圧タンク等の容器全般に適用することができる。
以上説明したように、本発明によれば、容器をアルミニウムのような熱伝導率が大きい材料を使用して溶接によって構成することができるので、容器の性能を確保しつつ軽量化や経済性を向上させることができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【国際調査報告】
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