(57)【要約】光磁気記録媒体（Ｘ１）は、プリグルーブ（１ｂ）が形成されたプリグルーブ面（１ａ）を有する樹脂基板（Ｓ１）と、記録機能および再生機能を担う記録磁性部（１１）と、樹脂基板（Ｓ１）から記録磁性部（１１）までの間に設けられている軟磁性めっき層（１２）と、樹脂基板（Ｓ１）および軟磁性めっき層（１２）の間に介在する、当該樹脂基板（Ｓ１）および軟磁性めっき層（１２）の接合性を高めるための密着層（１３）と、を備える。
2004059636.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プリグルーブが形成されたプリグルーブ面を有する樹脂基板と、
記録機能および再生機能を担う記録磁性部と、
前記樹脂基板から前記記録磁性部までの間に設けられている軟磁性めっき層と、
前記樹脂基板および前記軟磁性めっき層の間に介在する、当該樹脂基板および軟磁性めっき層の接合性を高めるための密着層と、を備える光磁気記録媒体。
【請求項２】
前記密着層は、ＡｌＣｒ，Ａｌ，Ｃｒ，Ｔｉ，ＦｅＣｏ，Ｎｉ，ＮｉＰ，Ｐｄ，ＳｉＮ，およびＳｉＯ２よりなる群から選択される材料を含む、請求項１に記載の光磁気記録媒体。
【請求項３】
前記密着層は、５〜３０ｎｍの厚さを有する、請求項１に記載の光磁気記録媒体。
【請求項４】
前記軟磁性めっき層はＣｏＮｉＦｅよりなる、請求項１に記載の光磁気記録媒体。
【請求項５】
樹脂基板と、
記録機能および再生機能を担う記録磁性部と、
前記樹脂基板から前記記録磁性部までの間に設けられている軟磁性めっき層と、
前記軟磁性めっき層から前記記録磁性部までの間に設けられているプリグルーブ層と、
前記樹脂基板および前記軟磁性めっき層の間に介在する、当該樹脂基板および軟磁性めっき層の接合性を高めるための密着層と、を備える光磁気記録媒体。
【請求項６】
前記密着層は、ＡｌＣｒ，Ａｌ，Ｃｒ，Ｔｉ，ＦｅＣｏ，Ｎｉ，ＮｉＰ，Ｐｄ，ＳｉＮ，およびＳｉＯ２よりなる群から選択される材料を含む、請求項５に記載の光磁気記録媒体。
【請求項７】
前記密着層は、５〜３０ｎｍの厚さを有する、請求項５に記載の光磁気記録媒体。
【請求項８】
前記軟磁性めっき層はＣｏＮｉＦｅよりなる、請求項５に記載の光磁気記録媒体。
【請求項９】
前記プリグルーブ層は樹脂材料よりなり、前記軟磁性めっき層および前記プリグルーブ層の間には、当該軟磁性めっき層およびプリグルーブ層の接合性を高めるための密着層が介在する、請求項５に記載の光磁気記録媒体。
【請求項１０】
プリグルーブが形成されたプリグルーブ面を有する樹脂基板における当該プリグルーブ面上に、ＡｌＣｒ，Ａｌ，Ｃｒ，Ｔｉ，ＦｅＣｏ，Ｎｉ，ＮｉＰ，Ｐｄ，ＳｉＮ，およびＳｉＯ２よりなる群から選択される材料をスパッタリング法により成膜することによって、密着層を形成するための工程と、
前記密着層上に、無電解めっき法により軟磁性材料を成膜することによって、軟磁性めっき層を形成するための工程、
記録機能および再生機能を担う記録磁性部を形成するための工程と、を含む、光磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１１】
樹脂基板の上に、ＡｌＣｒ，Ａｌ，Ｃｒ，Ｔｉ，ＦｅＣｏ，Ｎｉ，ＮｉＰ，Ｐｄ，ＳｉＮ，およびＳｉＯ２よりなる群から選択される材料をスパッタリング法により成膜することによって、密着層を形成するための工程と、
前記密着層上に、無電解めっき法により軟磁性材料を成膜することによって、軟磁性めっき層を形成するための工程と、
前記軟磁性めっき層上にプルグルーブ層を形成するための工程と、
記録機能および再生機能を担う記録磁性部を形成するための工程と、を含む、光磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１２】
樹脂基板の上に、ＡｌＣｒ，Ａｌ，Ｃｒ，Ｔｉ，ＦｅＣｏ，Ｎｉ，ＮｉＰ，Ｐｄ，ＳｉＮ，およびＳｉＯ２よりなる群から選択される材料をスパッタリング法により成膜することによって、第１の密着層を形成するための工程と、
前記密着層上に、無電解めっき法により軟磁性材料を成膜することによって、軟磁性めっき層を形成するための工程と、
前記軟磁性めっき層上に、ＡｌＣｒ，Ａｌ，Ｃｒ，Ｔｉ，ＦｅＣｏ，Ｎｉ，ＮｉＰ，Ｐｄ，ＳｉＮ，およびＳｉＯ２よりなる群から選択される材料をスパッタリング法により成膜することによって、第２の密着層を形成するための工程と、
前記第２の密着層上に、樹脂材料よりなるプルグルーブ層を形成するための工程と、
記録機能および再生機能を担う記録磁性部を形成するための工程と、を含む、光磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】  本発明は、軟磁性層を有する光磁気記録媒体、および、そのような光磁気記録媒体を製造するための方法に関する。
【背景技術】  近年、光磁気記録媒体が注目を集めている。光磁気記録媒体は、磁性材料における種々の磁気特性を利用して構成され、熱磁気的な記録および磁気光学効果を利用した再生という２つの機能を担う書換え可能な記録媒体である。光磁気記録媒体は、１または２以上の垂直磁化膜からなる記録磁性部を有し、当該記録磁性部における記録層に信号が記録される。記録に際しては、対物レンズを介して集光されたレーザを照射することにより記録層の所定箇所を昇温させつつ、当該箇所に所定の磁界が印加される。このようにして、記録層において磁化方向の変化として所定の信号が記録される。再生に際しては、この記録信号が、所定の光学系で読み取られる。
光磁気記録媒体の記録密度を向上するための手法の一つとして、記録処理の際に媒体に対してレーザを照射する領域のサイズ、即ちスポット径を、小さくすることが知られている。スポットの小径化により、媒体のトラックピッチを短く設計したり、記録マーク長を短くすることが可能となり、記録密度の向上を図ることができるのである。スポット径は、照射レーザの波長を短くしたり、当該照射レーザを集光するための対物レンズ（媒体に対面するレンズ）の開口数ＮＡを大きくすることにより、小さくすることができる。
レンズの開口数ＮＡが大きくなるほど当該レンズの焦点距離は短くなるところ、光磁気記録媒体の技術の分野においては、開口数ＮＡの大きなレンズを適用すべく、従来のバックイルミネーション方式に代えてフロントイルミネーション方式の実用化に対する要求が高い。
バックイルミネーション方式光磁気記録媒体では、記録処理や再生処理にて、記録磁性部に対して透明な基板の側からレーザが照射される。当該透明基板は、媒体の剛性を確保するために相当程度の厚さを必要とするので、バックイルミネーション方式光磁気記録媒体に対しては、焦点距離のより短いレンズほど即ち開口数ＮＡのより大きなレンズほど、採用するのが困難となる。
これに対し、フロントイルミネーション方式光磁気記録媒体では、記録処理や再生処理にて、記録磁性部について基板とは反対の側に設けられている透明保護膜の側から、当該記録磁性部に対してレーザが照射される。当該透明保護膜は相当程度に薄く形成することができるので、フロントイルミネーション方式光磁気記録媒体に対しては、焦点距離の短いレンズすなわち開口数ＮＡの大きなレンズを採用することが可能なのである。
フロントイルミネーション方式光磁気記録媒体では、記録磁性部に含まれる記録層について、記録時における磁気記録ヘッド（電磁石）からの磁界に対する感度を向上することを目的として、基板から記録磁性部までの間に軟磁性層が設けられる場合がある。そのような光磁気記録媒体については、例えば、特開平３−１０５７４１号公報や特開平３−１３７８３７号公報に開示されている。
図１５は、従来の光磁気記録媒体の一例である光磁気記録媒体Ｘ４の積層構成を表す。光磁気記録媒体Ｘ４は、基板Ｓ３と、記録磁性部９１と、軟磁性層９２と、プリグルーブ層９３と、熱伝導層９４と、誘電体層９５，９６と、保護膜９７とからなる積層構造を有し、フロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして構成されたものである。
記録磁性部９１は、熱磁気的な記録および磁気光学効果を利用した再生という２つの機能を担うことが可能な磁性構造を有し、再生方式に応じた１または２以上の垂直磁化膜よりなる。当該垂直磁化膜の一つは記録層である。軟磁性層９２は、高い透磁率を有する磁性膜により構成され、当該磁性膜の膜面に平行な方向（面内方向）に磁化容易軸を有して磁化された面内磁化膜である。プリグルーブ層９３は、樹脂材料よりなり、熱伝導層９４との接触面において、ランドグルーブ形成用の凹凸形状を有する層である。熱伝導層９４は、記録磁性部９１にて発生する熱を基板側に効率よく伝導するためのものである。誘電体層９５，９６は、記録磁性部９１に対する外部からの物理的および化学的な影響を回避するためのものである。保護膜９７は、記録磁性部９１を特に塵埃から保護するための部位であり、光透過性の樹脂材料よりなる。
従来の光磁気記録媒体Ｘ４の製造においては、まず、基板Ｓ３上に、スパッタリング法により軟磁性材料を成膜することによって軟磁性層９２が形成される。次に、いわゆる２Ｐ法により、軟磁性層９２上に樹脂材料よりなるプリグルーブ層９３が形成される。次に、プリグルーブ層９３上に、スパッタリング法により各々所定の材料を成膜することによって、熱伝導層９４、誘電体層９５、記録磁性部９１、および誘電体層９６が順次形成される。この後、スピンコーティング法により誘電体層９６上に紫外線硬化性樹脂が成膜され、当該樹脂膜を紫外線照射により硬化させることによって保護膜９７が形成される。
光磁気記録媒体Ｘ４では、高い透磁率を有する軟磁性層９２が存在するため、記録時において、磁気記録ヘッドから記録磁性部９１に印加される記録磁界の磁束は記録磁性部９１にて拡散せずに集中する傾向にある。したがって、記録磁性部９１に含まれる記録層の記録磁界感度は、軟磁性層９２が存在しない場合よりも向上している。
従来の光磁気記録媒体Ｘ４では、基板Ｓ３としてはガラス基板やアルミニウム基板が採用される場合が多い。ガラス基板やアルミニウム基板は比較的高価であるので、これらに代えて、比較的安価な樹脂基板の実用化が望まれる。しかしながら、従来の技術においては軟磁性層９２の形成手法としてはスパッタリング法が採用されており、基板Ｓ３が樹脂製である場合には、スパッタリング法により基板Ｓ３上に軟磁性層９２を適切に形成することができない場合が多い。
スパッタリング法による軟磁性層９２の形成においては、軟磁性材料の成膜時に基板Ｓ３を比較的高温に加熱する必要がある。基板Ｓ３が樹脂製である場合、軟磁性材料の成膜後に基板Ｓ３および軟磁性層９２が降温して収縮すると、樹脂材料と軟磁性材料とでは熱膨張率の差が大きいために、基板Ｓ３よりも収縮量の少ない軟磁性層９２に不当な応力が作用する。そのため、樹脂製の基板Ｓ３上にスパッタリング法により軟磁性層９２を形成すると、当該軟磁性層９２にてクラックや剥離が生じ易い。
一方、従来の光磁気記録媒体Ｘ４の工業的生産において良好なスループットを実現するという観点からは、相当程度の厚さが要求される軟磁性層９２の形成手法としては、スパッタリング法に代えて無電解めっき法を採用するのが好ましい。しかしながら、基板Ｓ３として樹脂基板を採用し、且つ、無電解めっき法により当該樹脂基板上に軟磁性材料を直接成膜すると、形成される軟磁性めっき層と樹脂基板との間にて、光磁気記録媒体において実用に耐え得るほどに充分な接合性が得られない。
【発明の開示】
本発明は、このような事情の下で考え出されたものであって、めっき法により形成される軟磁性めっき層と樹脂基板との間において良好な接合性を有するフロントイルミネーション方式光磁気記録媒体、および、そのような光磁気記録媒体を製造するための方法を、提供することを目的とする。
本発明の第１の側面によると光磁気記録媒体が提供される。この光磁気記録媒体は、プリグルーブが形成されたプリグルーブ面を有する樹脂基板と、記録機能および再生機能を担う記録磁性部と、樹脂基板から記録磁性部までの間に設けられている軟磁性めっき層と、樹脂基板および軟磁性めっき層の間に介在する、当該樹脂基板および軟磁性めっき層の接合性を高めるための密着層と、を備える。本光磁気記録媒体は、樹脂基板と記録磁性部との間に軟磁性層を有し、従って、本光磁気記録媒体の記録処理および再生処理では、基板とは反対の側から記録磁性部に対してレーザ照射が行われるフロントイルミネーション方式が採用される。
このような構成を有する光磁気記録媒体の製造においては、樹脂基板上に密着層が形成された後、当該密着層上に、めっき法により軟磁性めっき層が積層形成される。密着層は、樹脂材料よりなる基板との密着性に優れているとともに、軟磁性材料よりなるめっき膜との密着性に優れている材料よりなる。そのような材料としては、例えば、ＡｌＣｒ，Ａｌ，Ｃｒ，Ｔｉ，ＦｅＣｏ，Ｎｉ，ＮｉＰ，Ｐｄ，ＳｉＮ，およびＳｉＯ２が挙げられる。このような密着層が軟磁性めっき層および樹脂基板の間に介在しているので、本光磁気記録媒体では、当該軟磁性めっき層と樹脂基板との間において良好な接合性を得ることができるのである。
本発明の第１の側面に係る光磁気記録媒体においては、樹脂基板自体が、記録磁性部におけるランドグルーブ形状を形成するためのプリグルーブ層として機能するので、軟磁性めっき層と当該記録磁性部との間にプリグルーブ層を別途設ける必要はない。そのため、軟磁性めっき層および記録磁性部を近接させて、記録磁性部に含まれる記録層の記録磁界感度を向上させるという軟磁性めっき層の機能を効率よく発揮させることができる。
本発明の第１の側面に係る光磁気記録媒体においては、従来媒体にて採用されているガラス基板やアルミニウム基板に代えて比較的安価な樹脂基板が採用される。したがって、本光磁気記録媒体は、製造コストの低減を図るうえで好適である。
本発明の第１の側面に係る光磁気記録媒体においては、記録層の記録磁界感度を高めるための軟磁性層は、従来媒体の製造にて採用されているスパッタリング法に代えて、良好なスループットを実現することのできる無電解めっき法により形成することができる。したがって、本光磁気記録媒体は、製造効率の向上を図るうえで好適である。
本発明の第２の側面によると他の光磁気記録媒体が提供される。この光磁気記録媒体は、樹脂基板と、記録機能および再生機能を担う記録磁性部と、樹脂基板から記録磁性部までの間に設けられている軟磁性めっき層と、軟磁性めっき層から記録磁性部までの間に設けられているプリグルーブ層と、樹脂基板および軟磁性めっき層の間に介在する、当該樹脂基板および軟磁性めっき層の接合性を高めるための密着層と、を備える。本光磁気記録媒体は、樹脂基板と記録磁性部との間に軟磁性層を有し、従って、本光磁気記録媒体の記録処理および再生処理では、基板とは反対の側から記録磁性部に対してレーザ照射が行われるフロントイルミネーション方式が採用される。
このような構成を有する光磁気記録媒体の製造においては、樹脂基板上に密着層が形成された後、当該密着層上に、めっき法により軟磁性めっき層が積層形成される。密着層は、樹脂材料よりなる基板との密着性に優れているとともに、軟磁性材料よりなるめっき膜との密着性に優れている材料よりなる。したがって、本光磁気記録媒体では、第１の側面に係る光磁気記録媒体と同様に、当該軟磁性めっき層と樹脂基板との間において、良好な接合性を得ることができる。
本発明の第２の側面に係る光磁気記録媒体においては、プリグルーブ形成用のスタンパの凹凸形状が直接転写されたプリグルーブ層と記録磁性部とが近接している。このような構成は、高い寸法精度を有するランドグルーブ形状を記録磁性部にて実現するうえで好適である。
本発明の第２の側面に係る光磁気記録媒体においては、比較的安価な樹脂基板が採用されるので、本光磁気記録媒体は製造コストの低減を図るうえで好適である。また、本光磁気記録媒体においては、記録層の記録磁界感度を高めるための軟磁性層は、良好なスループットを実現することのできる無電解めっき法により形成することができるので、本光磁気記録媒体は製造効率の向上を図るうえで好適である。
本発明の第１および第２の側面においては、好ましくは、密着層は、ＡｌＣｒ，Ａｌ，Ｃｒ，Ｔｉ，ＦｅＣｏ，Ｎｉ，ＮｉＰ，Ｐｄ，ＳｉＮ，およびＳｉＯ２よりなる群から選択される材料を含む。このような構成は、樹脂基板との密着性に優れ且つ軟磁性めっき層との密着性に優れた密着層を得るうえで好適である。
好ましくは、密着層は５〜３０ｎｍの厚さを有する。軟磁性めっき層および樹脂基板の間の接合性の向上という密着層の機能は、その厚さが５ｎｍ以上で充分に発揮される傾向にある。一方、例えば、スパッタリング法により密着層を形成する場合には、樹脂基板に対しては、厚さ３０ｎｍを超える密着層を適切に形成できない傾向にある。
好ましくは、軟磁性めっき層はＣｏＮｉＦｅよりなる。ＣｏＮｉＦｅは、アモルファス軟磁性合金であり、光磁気記録媒体における記録層の記録磁界感度を向上するうえでは好適である。
本発明の第２の側面においては、好ましくは、プリグルーブ層は樹脂材料よりなり、且つ、本光磁気記録媒体は、軟磁性めっき層およびプリグルーブ層の間に、当該軟磁性めっき層およびプリグルーブ層の接合性を高めるための密着層を更に備える。プリグルーブ層が樹脂材料よりなる場合、軟磁性めっき層上にプリグルーブ層を直接設けると、両層の間において充分な接合性が得られない場合がある。本構成は、そのような不具合を回避するうえで好適である。
本発明の第３の側面によると光磁気記録媒体の製造方法が提供される。この方法は、プリグルーブが形成されたプリグルーブ面を有する樹脂基板における当該プリグルーブ面上に、ＡｌＣｒ，Ａｌ，Ｃｒ，Ｔｉ，ＦｅＣｏ，Ｎｉ，ＮｉＰ，Ｐｄ，ＳｉＮ，およびＳｉＯ２よりなる群から選択される材料をスパッタリング法により成膜することによって、密着層を形成するための工程と、密着層上に、無電解めっき法により軟磁性材料を成膜することによって、軟磁性めっき層を形成するための工程と、記録機能および再生機能を担う記録磁性部を形成するための工程と、を含む。記録磁性部は、軟磁性めっき層上に放熱部や誘電体層などを形成した後に形成される。
このような方法によると、本発明の第１の側面に係る光磁気記録媒体を適切に製造することができる。したがって、本発明の第３の側面によると、製造される光磁気記録媒体において、第１の側面に関して上述した効果が奏される。また、第３の側面によると、記録磁性部に含まれる軟磁性層めっき層の形成手法として、無電解めっき法が採用されるので、軟磁性層の形成において良好なスループットを実現することができる。
本発明の第４の側面によると光磁気記録媒体の他の製造方法が提供される。この方法は、樹脂基板の上に、ＡｌＣｒ，Ａｌ，Ｃｒ，Ｔｉ，ＦｅＣｏ，Ｎｉ，ＮｉＰ，Ｐｄ，ＳｉＮ，およびＳｉＯ２よりなる群から選択される材料をスパッタリング法により成膜することによって、密着層を形成するための工程と、密着層上に、無電解めっき法により軟磁性材料を成膜することによって、軟磁性めっき層を形成するための工程と、軟磁性めっき層上にプルグルーブ層を形成するための工程と、記録機能および再生機能を担う記録磁性部を形成するための工程と、を含む。プリグルーブ層は、プリグルーブが形成されたプリグルーブ面を基板とは反対の側に有する。記録磁性部は、プリグルーブ層上に放熱部や誘電体層などを形成した後に形成される。
このような方法によると、本発明の第２の側面に係る光磁気記録媒体を適切に製造することができる。したがって、本発明の第４の側面によると、製造される光磁気記録媒体において、第２の側面に関して上述した効果が奏される。また、第４の側面によると、記録磁性部に含まれる軟磁性層めっき層の形成手法として、無電解めっき法が採用されるので、軟磁性層の形成において良好なスループットを実現することができる。
本発明の第５の側面によると光磁気記録媒体の他の製造方法が提供される。この方法は、樹脂基板の上に、ＡｌＣｒ，Ａｌ，Ｃｒ，Ｔｉ，ＦｅＣｏ，Ｎｉ，ＮｉＰ，Ｐｄ，ＳｉＮ，およびＳｉＯ２よりなる群から選択される材料をスパッタリング法により成膜することによって、第１の密着層を形成するための工程と、密着層上に、無電解めっき法により軟磁性材料を成膜することによって、軟磁性めっき層を形成するための工程と、軟磁性めっき層上に、ＡｌＣｒ，Ａｌ，Ｃｒ，Ｔｉ，ＦｅＣｏ，Ｎｉ，ＮｉＰ，Ｐｄ，ＳｉＮ，およびＳｉＯ２よりなる群から選択される材料をスパッタリング法により成膜することによって、第２の密着層を形成するための工程と、第２の密着層上に、樹脂材料よりなるプルグルーブ層を形成するための工程と、記録機能および再生機能を担う記録磁性部を形成するための工程と、を含む。プリグルーブ層は、プリグルーブが形成されたプリグルーブ面を基板とは反対の側に有する。記録磁性部は、プリグルーブ層上に放熱部や誘電体層などを形成した後に形成される。
このような方法によると、本発明の第２の側面に係る光磁気記録媒体を適切に製造することができる。したがって、本発明の第５の側面によると、製造される光磁気記録媒体において、第２の側面に関して上述した効果が奏される。また、第５の側面によると、記録磁性部に含まれる軟磁性層めっき層の形成手法として、無電解めっき法が採用されるので、軟磁性層の形成において良好なスループットを実現することができる。
本発明の第３から第５の側面において、好ましくは、密着層は５〜３０ｎｍの厚さに形成される。好ましくは、軟磁性めっき層は、ＣｏＮｉＦｅを成膜することにより形成される。
【図面の簡単な説明】  図１は、本発明の第１の実施形態に係る光磁気記録媒体の部分断面図である。
図２は、図１に示す光磁気記録媒体の情報トラックにおける積層構成を表す。
図３Ａ〜図３Ｃは、図１に示す光磁気記録媒体の製造方法における一部の工程を表す。
図４Ａおよび図４Ｂは、図３Ｃの後に続く工程を表す。
図５は、本発明の第２の実施形態に係る光磁気記録媒体の部分断面図である。
図６は、図５に示す光磁気記録媒体の情報トラックにおける積層構成を表す。
図７Ａ〜図７Ｃは、図６に示す光磁気記録媒体の製造方法における一部の工程を表す。
図８Ａ〜図８Ｃは、図７Ｃの後に続く工程を表す。
図９Ａおよび図９Ｂは、図８Ｃの後に続く工程を表す。
図１０は、本発明の第３の実施形態に係る光磁気記録媒体の部分断面図である。
図１１は、図１０に示す光磁気記録媒体の情報トラックにおける積層構成を表す。
図１２は、実施例１の光磁気記録媒体の情報トラックにおける積層構成を表す。
図１３は、実施例２の光磁気記録媒体の情報トラックにおける積層構成を表す。
図１４は、実施例１の光磁気記録媒体におけるグルーブトラックおよびランドトラックについて、ビットエラーレートの記録磁界依存性を表す。
図１５は、軟磁性層を有する従来の光磁気記録媒体の積層構成を表す。
【発明を実施するための最良の形態】  図１は、本発明の第１の実施形態に係る光磁気記録媒体Ｘ１を表す。光磁気記録媒体Ｘ１は、樹脂基板Ｓ１と、記録磁性部１１と、軟磁性層１２と、密着層１３と、放熱部１４と、誘電体層１５と、保護膜１６とを備え、フロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして構成されたものである。
樹脂基板Ｓ１は、光磁気記録媒体Ｘ１の剛性を確保するための部位であり、所望の寸法でプリグルーブ１ｂが形成されたプリグルーブ面１ａを有する。このような樹脂基板Ｓ１は、例えば、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）樹脂、エポキシ樹脂、またはポリオレフィン樹脂よりなる。
記録磁性部１１は、本実施形態では、図２に示すように記録層１１ａおよび記録補助層１１ｂよりなる。
記録層１１ａは、情報トラックとして利用されるランド部および／またはグルーブ部において、熱磁気的な記録および磁気光学効果を利用した再生という２つの機能を担う部位であり、希土類元素と遷移金属とを含むアモルファス合金よりなり、且つ、垂直磁気異方性を有して垂直方向に磁化された垂直磁化膜である。垂直方向とは、層を構成する磁性膜の膜面に対して垂直な方向をいう。記録層１１ａを構成するアモルファス合金に含まれる希土類元素としては、Ｔｂ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｎｄ，またはＰｒなどを用いることができる。遷移金属としては、ＦｅやＣｏなどを用いることができる。より具体的には、記録層１１ａは、例えば、所定の組成を有するＴｂＦｅＣｏ，ＤｙＦｅＣｏ，またはＴｂＤｙＦｅＣｏよりなる。記録層１１ａの厚さは、例えば２５〜６５ｎｍである。
記録補助層１１ｂは、記録層１１ａとの間に交換結合力を生じて当該記録層１１ａの記録磁界感度を向上する機能を有する。記録補助層１１ｂは、希土類−遷移金属アモルファス合金よりなる垂直磁化膜である。
本発明では、記録磁性部１１について、以上のような構成に代えて、記録機能および再生機能を併有する単一の記録層のみにより構成してもよい。或は、磁性部は、相対的に保磁力が大きくて記録機能を担う記録層と、再生用レーザにおけるカー回転角が相対的に大きくて再生機能を担う再生層とからなる、２層構造を有してもよい。或は、磁性部は、ＭＳＲ方式再生、ＭＡＭＭＯＳ方式再生、またはＤＷＤＤ方式再生を実現するための、記録層、再生層、およびこれらの間の中間層よりなる３層構造を有してもよい。
これらのような磁性構造を有する磁性部を設ける場合、磁性部のとり得る各構造における各層は、希土類元素と遷移金属とのアモルファス合金よりなり、垂直磁気異方性を有して垂直方向に磁化された垂直磁化膜である。希土類元素としては、Ｔｂ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｎｄ，またはＰｒなどを用いることができる。遷移金属としては、ＦｅやＣｏなどを用いることができる。より具体的には、記録層は、上述のように、例えば、所定の組成を有するＴｂＦｅＣｏ，ＤｙＦｅＣｏ，またはＴｂＤｙＦｅＣｏよりなる。再生層を設ける場合、当該再生層は、例えば、所定の組成を有するＧｄＦｅＣｏ，ＧｄＤｙＦｅＣｏ，ＧｄＴｂＤｙＦｅＣｏ，ＮｄＤｙＦｅＣｏ，ＮｄＧｄＦｅＣｏ，またはＰｒＤｙＦｅＣｏよりなる。中間層を設ける場合、当該中間層は、例えば、所定の組成を有するＧｄＦｅ，ＴｂＦｅ，ＧｄＦｅＣｏ，ＧｄＤｙＦｅＣｏ，ＧｄＴｂＤｙＦｅＣｏ，ＮｄＤｙＦｅＣｏ，ＮｄＧｄＦｅＣｏ，またはＰｒＤｙＦｅＣｏよりなる。各層の厚さは、磁性部に所望される磁性構造に応じて決定される。
軟磁性層１２は、記録磁性部１１に含まれる記録層１１ａの記録磁界感度を高めるための部位であり、高い透磁率を有する軟磁性材料が無電解めっき法により成膜されて形成されたものである。軟磁性材料としては、例えばＣｏＮｉＦｅ、ＦｅＣｏ，およびＦｅＮｉなどが挙げられる。軟磁性層１２の厚さは、例えば２００〜１０００ｎｍである。
光磁気記録媒体Ｘ１の記録時において、保護膜１６の側から磁気記録ヘッドにより記録層１１ａに印加される記録磁界の磁束は、記録層１１ａの下方に軟磁性層１２が存在することに起因して、記録層１１ａにて拡散せずに集中する傾向にある。そのため、当該記録層１１ａの記録磁界感度は、軟磁性層１２が存在しない場合よりも向上している。
密着層１３は、無電解めっき法により形成される軟磁性層１２と樹脂基板Ｓ１との間に介在し、これらの間の接合性を高めるための部位であり、樹脂製の基材（樹脂基板Ｓ１）との密着性に優れており、且つ、軟磁性材料よりなるめっき膜（軟磁性層１２）との密着性に優れている材料よりなる。そのような材料としては、例えば、ＡｌＣｒ，Ａｌ，Ｃｒ，Ｔｉ，ＦｅＣｏ，Ｎｉ，ＮｉＰ，Ｐｄ，ＳｉＮ，およびＳｉＯ２が挙げられる。密着層１３の厚さは、５〜３０ｎｍである。
放熱部１４は、記録時および再生時のレーザ照射により記録磁性部１１などにて発生する熱を適切に基板Ｓ１へ伝えるための部位である。放熱部１４は、本実施形態では、図２に示すように、熱伝導層１４ａ，１４ｂおよび熱分布調整層１４ｃよりなる積層構造を有する。
熱伝導層１４ａ，１４ｂは、高熱伝導材料よりなる。当該高熱伝導材料としては、例えば、Ａｇ，Ａｇ合金，Ａｌ合金（ＡｌＴｉ，ＡｌＣｒなど），Ａｕ，またはＰｔを採用することができる。熱分布調整層１４ｃは、熱伝導層１４ａ，１４ｂよりも熱伝導率が低く、例えばＳｉＮよりなる。ＳｉＮよりなる熱分布調整層１４ｃは、基板Ｓと磁性部との間の誘電体層としても機能する。熱伝導層１４ａ，１４ｂの厚さは、例えば２０〜５０ｎｍであり、熱分布調整層１４ｃの厚さは、例えば２〜１０ｎｍである。
本発明では、放熱部１４について、このような構成に代えて、単一の熱伝導層により構成してもよいし、熱伝導層および熱分布調整層の２層構造を採用してもよい。
誘電体層１５は、記録磁性部１１に対する外部からの磁気的影響を回避ないし抑制するための部位であり、例えば、ＳｉＮ，ＳｉＯ２，ＹＳｉＯ２，ＺｎＳｉＯ２，ＡｌＯ，またはＡｌＮよりなる。誘電体層１５の厚さは、例えば３０〜６０ｎｍである。
保護膜１６は、光磁気記録媒体Ｘ１の記録用レーザおよび再生用レーザに対して充分な透過性を有する樹脂よりなり、例えば１０〜４０μｍの厚さを有する。保護膜１６を構成するための樹脂としては、例えば、アクリル樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、エポキシ樹脂、またはポリオレフィン樹脂が挙げられる。
図３および図４は、光磁気記録媒体Ｘ１の製造方法を表す。光磁気記録媒体Ｘ１の製造においては、まず、図３Ａに示すような、プリグルーブ１ｂが形成されたプリグルーブ面１ａを有する樹脂基板Ｓ１を用意する。樹脂基板Ｓ１は、従来の光ディスク原盤作製プロセスを経て作製されたＮｉ製スタンパを金型内に配設して行う樹脂射出成形により、成形されたものである。当該Ｎｉスタンパは、樹脂基板Ｓ１にてプリグルーブ１ｂを形成するための凹凸形状を有する。
次に、図３Ｂに示すように、樹脂基板Ｓ１におけるプリグルーブ面１ａの上に密着層１３を形成する。密着層１３を構成するための上掲の材料をスパッタリング法によりプリグルーブ面１ａ上に成膜することによって、密着層１３を形成することができる。
次に、図３Ｃに示すように、無電解めっき法により、密着層１３上に軟磁性層１２を形成する。具体的には、まず、密着層１３を表面に形成した樹脂基板Ｓ１を、塩化スズ水溶液（１〜５ｗｔ％、室温）に浸漬した後、充分な水洗を行う。当該水溶液に含まれる塩化スズは、密着層１３の表面に吸着し、後出のパラジウムの吸着核として機能する。次に、当該樹脂基板Ｓ１を塩化パラジウム水溶液（０．０１〜０．１ｗｔ％、室温）に浸漬した後、充分な水洗を行う。当該水溶液に含まれるパラジウムは、塩化スズを核として密着層１３の表面に吸着し、後出のめっき成長における触媒核として機能する。次に、所定の組成を有するめっき浴に当該基板Ｓ１を浸漬し、無電解めっき法により軟磁性めっき膜を成長させる。めっき浴は、形成目的の軟磁性層１２の組成に応じて、所定濃度のＣｏ，Ｎｉ，Ｆｅなどを含む。めっき浴は好ましくは所定濃度のＢを含む。
光磁気記録媒体Ｘ１の製造においては、次に、図４Ａに示すように、軟磁性層１２上に放熱部１４（熱伝導層１４ａ、熱分布調整層１４ｃ、熱伝導層１４ｂ）、記録磁性部１１（記録補助層１１ｂ、記録層１１ａ）、および誘電体層１５を順次形成する。各層は、スパッタリング法により形成することができる。
次に、図４Ｂに示すように、誘電体層１５上に保護膜１６を形成する。保護膜１６の形成においては、まず、誘電体層１５上に液状の樹脂組成物を成膜する。成膜手法としてはスピンコート法を採用することができる。当該樹脂組成物としては、保護膜１６の構成材料として上掲した樹脂を主成分として、紫外線硬化性を有するものを使用する。次に、紫外線照射により、当該樹脂膜を硬化させる。このようにして、保護膜１６を形成することができる。
以上のようにして、図１および図２に示す光磁気記録媒体Ｘ１を製造することができる。
光磁気記録媒体Ｘ１では、高い透磁率を有する軟磁性層１２が存在するため、記録時において、磁気記録ヘッドから記録層１１ａに印加される記録磁界の磁束は記録層１１ａにて拡散せずに集中する傾向にある。したがって、記録層１１ａの記録磁界感度は、軟磁性層１２が存在しない場合よりも向上している。
光磁気記録媒体Ｘ１の記録処理および再生処理では、保護膜１６の側から記録磁性部１１に対してレーザ照射が行われるところ、軟磁性層１２は、記録磁性部１１（記録層１１ａ）について保護膜１６とは反対の側に設けられているので、このようなフロントイルミネーション方式の記録処理および再生処理を阻害しない。
光磁気記録媒体Ｘ１の製造においては、樹脂基板Ｓ１上に密着層１３が形成された後、当該密着層１３上に、無電解めっき法により軟磁性層１２が積層形成される。密着層１３は、樹脂材料よりなる基板（樹脂基板Ｓ１）との密着性に優れ且つ軟磁性材料よりなるめっき膜（軟磁性層１２）との密着性に優れている材料よりなる。このような密着層１３が樹脂基板Ｓ１と軟磁性層１２との間に介在しているので、光磁気記録媒体Ｘ１では、樹脂基板Ｓ１と軟磁性層１２との間において、良好な接合性を達成することができる。
光磁気記録媒体Ｘ１では、樹脂基板Ｓ１自体が、記録磁性部１１におけるランドグルーブ形状を形成するためのプリグルーブ層として機能するので、軟磁性層１２と記録磁性部１１との間にプリグルーブ層を別途設ける必要はない。そのため、軟磁性層１２および記録磁性部１１を近接させて、記録層１１ａの記録磁界感度を向上させるという軟磁性層１２の機能を効率よく発揮させることができる。
光磁気記録媒体Ｘ１では、従来媒体にて採用されているガラス基板やアルミニウム基板に代えて比較的安価な樹脂基板が採用される。したがって、光磁気記録媒体Ｘ１は、製造コストの低減を図るうえで好適である。
光磁気記録媒体Ｘ１では、記録層１１ａの記録磁界感度を高めるための軟磁性層１２は、従来媒体の製造にて採用されているスパッタリング法に代えて、良好なスループットを実現することのできる無電解めっき法により形成される。したがって、光磁気記録媒体Ｘ１は、製造効率の向上を図るうえで好適である。
図５および図６は、本発明の第２の実施形態に係る光磁気記録媒体Ｘ２を表す。光磁気記録媒体Ｘ２は、樹脂基板Ｓ２と、記録磁性部１１と、軟磁性層１２と、密着層１３と、放熱部１４と、誘電体層１５と、保護膜１６と、プリグルーブ層１７とを備え、フロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして構成されたものである。
樹脂基板Ｓ２は、光磁気記録媒体Ｘ２の剛性を確保するための部位であり、平坦なディスク基板である。このような樹脂基板Ｓ２は、例えば、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）樹脂、エポキシ樹脂、またはポリオレフィン樹脂よりなる。
光磁気記録媒体Ｘ２の記録磁性部１１、軟磁性層１２、密着層１３、放熱部１４、誘電体層１５、および保護膜１６の構成については、光磁気記録媒体Ｘ１に関して上述したのと同一である。
プリグルーブ層１７は、樹脂材料よりなり、所望の寸法でプリグルーブ１７ｂが形成されたプリグルーブ面１７ａを有する。プリグルーブ層１７は、例えば、アクリル樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、エポキシ樹脂、またはポリオレフィン樹脂よりなる。
図７から図９は、光磁気記録媒体Ｘ２の製造方法を表す。光磁気記録媒体Ｘ２の製造においては、まず、図７Ａに示すような平坦な樹脂基板Ｓ２を用意する。樹脂基板Ｓ１は、従来の光ディスク原盤作製プロセスを経て作製されたＮｉ製スタンパを金型内に配設して行う樹脂射出成形により、成形されたものである。当該Ｎｉスタンパは、成形される樹脂基板Ｓ２の表面を平坦とすべく、平坦である。
次に、図７Ｂに示すように、樹脂基板Ｓ２上に密着層１３を形成する。密着層１３の形成手法は、第１の実施形態に関して図３Ｂを参照して上述したのと同様である。
次に、図７Ｃに示すように、無電解めっき法により、密着層１３上に軟磁性層１２を形成する。具体的な形成手法は、第１の実施形態に関して図３Ｃを参照して上述したのと同様である。
次に、図８Ａおよび図８Ｂに示すように、紫外線硬化性樹脂１７’を介して、軟磁性層１２にスタンパ２１を貼り合わせる。スタンパ２１は、透明であり、当該紫外線硬化性樹脂１７’にて形成すべきプリグルーブ１７ｂに対応する凹凸形状を有する。この後、軟磁性層１２にスタンパ２１が貼り合わされた状態で、スタンパ２１の側から紫外線硬化性樹脂１７’に対して紫外線を照射する。これにより、当該樹脂が硬化してプリグルーブ層１７が形成される。次に、図８Ｃに示すように、スタンパ２１をプリグルーブ層１７から剥離する。
次に、図９Ａに示すように、プリグルーブ層１７上に放熱部１４（熱伝導層１４ａ、熱分布調整層１４ｃ、熱伝導層１４ｂ）、記録磁性部１１（記録補助層１１ｂ、記録層１１ａ）、および誘電体層１５を順次形成する。各層は、スパッタリング法により形成することができる。
次に、図９Ｂに示すように、プリグルーブ層１７上に保護膜１６を形成する。保護膜１６の形成手法は、第１の実施形態に関して図４Ｂを参照して上述したのと同様である。
以上のようにして、図５および図６に示す光磁気記録媒体Ｘ２を製造することができる。
光磁気記録媒体Ｘ２では、光磁気記録媒体Ｘ１と同様に、記録層１１ａの記録磁界感度は、軟磁性層１２が存在しない場合よりも向上している。
光磁気記録媒体Ｘ２はフロントイルミネーション方式を採用するところ、軟磁性層１２は、記録磁性部１１（記録層１１ａ）について保護膜１６とは反対の側に設けられているので、フロントイルミネーション方式の記録処理および再生処理を阻害しない。
光磁気記録媒体Ｘ２の製造においては、樹脂基板Ｓ２上に密着層１３が形成された後、当該密着層１３上に、無電解めっき法により軟磁性層１２が積層形成される。密着層１３は、樹脂材料よりなる基板（樹脂基板Ｓ１）との密着性に優れ且つ軟磁性材料よりなるめっき膜（軟磁性層１２）との密着性に優れている材料よりなる。このような密着層１３が樹脂基板Ｓ２と軟磁性層１２との間に介在しているので、光磁気記録媒体Ｘ２では、樹脂基板Ｓ２と軟磁性層１２との間において、良好な接合性を達成することができる。
光磁気記録媒体Ｘ２では、プリグルーブ形成用のスタンパの凹凸形状が直接転写されたプリグルーブ層１７と記録層１１ａとが近接している。このような構成は、高い寸法精度を有するランドグルーブ形状を記録磁性部１１にて実現するうえで好適である。
光磁気記録媒体Ｘ２では、比較的安価な樹脂基板が採用されているので、光磁気記録媒体Ｘ２は、製造コストの低減を図るうえで好適である。
光磁気記録媒体Ｘ２では、記録層１１ａの記録磁界感度を高めるための軟磁性層１２は、良好なスループットを実現することのできる無電解めっき法により形成されるので、光磁気記録媒体Ｘ１は、製造効率の向上を図るうえで好適である。
図１０および図１１は、本発明の第３の実施形態に係る光磁気記録媒体Ｘ３を表す。光磁気記録媒体Ｘ３は、樹脂基板Ｓ２と、記録磁性部１１と、軟磁性層１２と、密着層１３，１８と、放熱部１４と、誘電体層１５と、保護膜１６と、プリグルーブ層１７とを備え、フロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして構成されたものである。光磁気記録媒体Ｘ３は、軟磁性層１２とプリグルーブ層１７との間に更に密着層１８を有する点を除いては、光磁気記録媒体Ｘ２と同一の構成を有する。
密着層１８は、無電解めっき法により形成される軟磁性層１２とプリグルーブ層１７との間に介在し、これらの間の接合性を高めるための部位である。密着層１８は、樹脂製のプリグルーブ層１７との密着性に優れており、且つ、無電解めっき法により形成された軟磁性層１２との密着性に優れている材料よりなる。そのような材料としては、例えば、ＡｌＣｒ，Ａｌ，Ｃｒ，Ｔｉ，ＦｅＣｏ，Ｎｉ，ＮｉＰ，Ｐｄ，ＳｉＮ，およびＳｉＯ２が挙げられる。密着層１８の厚さは、５〜３０ｎｍである。
このような構造の光磁気記録媒体Ｘ３は、軟磁性層１２を形成した後であり且つプリグルーブ層１７を形成する前に軟磁性層１２上に密着層１８を形成する工程を更に行う以外は、光磁気記録媒体Ｘ２と同様の工程を経て製造される。密着層１８の形成手法としては、スパッタリング法が採用される。
光磁気記録媒体Ｘ３においては、光磁気記録媒体Ｘ２に関して上述したのと同一の利益を享受することができる。
加えて、光磁気記録媒体Ｘ３では、軟磁性層１２との密着性に優れ且つ樹脂材料よりなるプリグルーブ層１７との密着性に優れる密着層１８が、当該軟磁性層１２およびプリグルーブ層１７の間に介在しているので、軟磁性層１２およびプリグルーブ層１７の間において、良好な接合性を達成することができる。
【実施例１】  図１２に示す積層構成を有するフロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして、本実施例の光磁気記録媒体を作製した。
本実施例の光磁気記録媒体の作製においては、まず、スパイラル状のプリグルーブを表面に有するポリカーボネート製の基板（直径：８６ｍｍ、厚さ：１．２ｍｍ、ランド幅：０．２７５μｍ、グルーブ幅：０．２７５μｍ、グルーブ深さ：５０ｎｍ）を作製した。具体的には、深さが５０ｎｍであり且つトラックピッチが０．２７５μｍのスパイラルパターンを表面に有するＮｉスタンパを金型内に配設して行う樹脂射出成形により、当該基板を成形した。
次に、基板におけるプリグルーブ面上に、ＤＣマグネトロンスパッタリング装置を使用して行うＤＣスパッタリング法により、Ｔｉを成膜することによって、厚さ３０ｎｍの密着層を形成した。本スパッタリングでは、Ｔｉターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスを使用し、スパッタガス圧力を０．５Ｐａとし、放電電力を４００Ｗとした。
次に、無電解めっき法により、密着層上に厚さ１０００ｎｍの軟磁性層を形成した。具体的には、まず、上述のようにして密着層が形成された基板を３ｗｔ％塩化スズ水溶液（３５℃）に１分間浸漬した後、純水で洗浄した。次に、当該基板を０．０５ｗｔ％塩化パラジウム水溶液（３５℃）に１分間浸漬した後、純水で洗浄した。次に、当該基板を、無電解めっき浴（５５℃）に所定時間浸漬した後、純水で洗浄した。本無電解めっき浴は、０．１ｗｔ％のジメチルアミンボラン、０．３ｗｔ％の硫酸ニッケル、０．３ｗｔ％の硫酸鉄、および３ｗｔ％の硫酸コバルトを含む水溶液である。このようにして、無電解めっき法により厚さ１０００ｎｍの軟磁性層（ＣｏＮｉＦｅ）を形成した。
次に、ＤＣスパッタリング法により、軟磁性層上にＡｇＰｄＣｕＳｉ合金を成膜することによって、厚さ１０ｎｍの第１の熱伝導層を形成した。具体的には、ＡｇＰｄＣｕ合金ターゲットとＳｉターゲットを用いたコスパッタリングを行い、スパッタガスとしてＡｒガスを使用し、スパッタガス圧力を０．５Ｐａとし、ＡｇＰｄＣｕ合金ターゲットについての放電電力を５００Ｗとし、Ｓｉターゲットについての放電電力を４０Ｗとした。
次に、ＤＣスパッタリング法により、第１の熱伝導層上にＳｉＮを成膜することによって、厚さ５ｎｍの熱分布調整層を形成した。具体的には、Ｓｉターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスおよびＮ２ガスを使用して行う反応性スパッタリングにより、基板上にＳｉＮを成膜した。本スパッタリングでは、ＡｒガスおよびＮ２ガスの流量比を３：１とし、スパッタガス圧力を１．５Ｐａとし、放電電力を８００Ｗとした。
次に、ＤＣスパッタリング法により、熱分布調整層上にＡｇＰｄＣｕＳｉ合金を成膜することにより、厚さ３０ｎｍの第２の熱伝導層を形成した。具体的なスパッタリング条件については、第１の熱伝導層の形成に関して上述したのと同一である。このようにして、第１の熱伝導層（ＡｇＰｄＣｕＳｉ、厚さ１０ｎｍ）、熱分布調整層（ＳｉＮ、厚さ５ｎｍ）、および第２の熱伝導層（ＡｇＰｄＣｕＳｉ、厚さ３０ｎｍ）からなる放熱部を形成した。
本実施例の光磁気記録媒体の作製においては、次に、ＤＣスパッタリング法により、第２の熱伝導層上にＧｄＦｅＣｏアモルファス合金（Ｇｄ２５Ｆｅ４９Ｃｏ２６）を成膜することにより、厚さ５ｎｍの記録補助層を形成した。本スパッタリングでは、ＧｄＦｅＣｏ合金ターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスを使用し、スパッタガス圧力を０．５Ｐａとし、スパッタ電力を５００Ｗとした。
次に、ＤＣスパッタリング法により、記録補助層上にＴｂＦｅＣｏアモルファス合金（Ｔｂ２３Ｆｅ６１Ｃｏ１６）を成膜することにより、厚さ２５ｎｍの記録層を形成した。本スパッタリングにおいては、ＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスを使用し、スパッタガス圧力を１．５Ｐａとし、放電電力を５００Ｗとした。このようにして、記録層（Ｔｂ２３Ｆｅ６１Ｃｏ１６、厚さ２５ｎｍ）および記録補助層（Ｇｄ２５Ｆｅ４９Ｃｏ２６、厚さ５ｎｍ）よりなり記録機能および再生機能を担う記録磁性部を形成した。
次に、記録層上にＳｉＮを成膜することにより、厚さ５０ｎｍの誘電体層を形成した。具体的には、Ｓｉターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスおよびＮ２ガスを使用して行う反応性スパッタリングにより、基板上にＳｉＮを成膜した。本スパッタリングでは、ＡｒガスおよびＮ２ガスの流量比を３：１とし、スパッタガス圧力を１．５Ｐａとし、放電電力を８００Ｗとした。
次に、誘電体層上に厚さ１５μｍの透明な保護膜を形成した。具体的には、まず、スピンコート法により、誘電体層上に紫外線硬化性樹脂（商品名：ダイキュアクリア、大日本インキ製）を１５μｍの厚さに成膜した。次に、紫外線照射により当該紫外線硬化性樹脂膜を硬化させ、誘電体層上に保護膜を形成した。以上のようにして、本実施例の光磁気記録媒体を作製した。
本実施例の光磁気記録媒体について、再生信号におけるビットエラーレート（ＢＥＲ）の記録磁界依存性を調べた。具体的には、まず、光磁気記録媒体（光磁気ディスク）における情報トラック（グルーブトラックおよびランドトラック）に対し、最短マーク長０．１５μｍのランダムな信号を記録した。当該記録処理は、所定の光ディスク評価装置を使用して磁界変調記録方式により行った。この評価装置における対物レンズの開口数ＮＡは０．８５であり、レーザ波長は４０５ｎｍである。当該記録処理では、レーザ走査速度を７．５ｍ／ｓとし、情報トラックごとにレーザ（レーザーパワー１８ｍＷ）を連続パルス照射しつつ、所定の印加磁界（記録磁界）を変調した。
次に、光磁気記録媒体におけるグルーブトラックのみを又はランドトラックのみを再生し、記録時の変調信号と再生時の復調信号とを比較することにより、記録変調信号に対する再生復調信号の誤り率をビットエラーレート（ＢＥＲ）として算出した。当該再生処理は、記録処理と同一の評価装置を使用して行い、レーザーパワーを１８ｍＷとし、レーザ走査速度を７．５ｍ／ｓとした。
このような記録処理およびその後の再生処理を、記録処理における印加磁界（記録磁界）を変化させて各記録磁界ごとに行い、各記録磁界におけるＢＥＲを測定した。各光磁気記録媒体におけるＢＥＲの記録磁界依存性を、図１４のグラフに掲げる。図１４のグラフにおいては、磁気記録ヘッドの発する記録磁界（Ｏｅ）を横軸にて表し、縦軸にてＢＥＲを表す。線Ｇは、グルーブトラックにおけるＢＥＲの記録磁界依存性を示す。線Ｌは、ランドトラックにおけるＢＥＲの記録磁界依存性を示す。
図１４のグラフによると、本実施例の光磁気記録媒体においては比較的高い記録磁界感度が達成されていることが理解できよう。また、グルーブトラックにおける記録層の方が、ランドトラックにおける記録層よりも、記録磁界感度が高いことが判る。
〔比較例１〕
樹脂基板と軟磁性層の間にＴｉ密着層が介在せずに樹脂基板上に軟磁性層が直接設けられている以外は、実施例１の光磁気記録媒体と同一の積層構成を有する光磁気記録媒体の作製を試みた。
まず、実施例１と同様にして、スパイラル状のプリグルーブを表面に有するポリカーボネート製の基板（直径：８６ｍｍ、厚さ：１．２ｍｍ、ランド幅：０．２７５μｍ、グルーブ幅：０．２７５μｍ、グルーブ深さ：５０ｎｍ）を作製した。
次に、実施例１と同様の無電解めっき法により、基板におけるプリグルーブ面上に軟磁性材料を成長させた。しかしながら、軟磁性めっき層を再現性よく形成することができなかった。軟磁性めっき層が形成することができた場合であっても、後に続く工程にて、基板表面から材料膜が剥離してしまった。そのため、光磁気記録媒体を作製することができなかった。
【実施例２】  図１３に示す積層構成を有するフロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして、本実施例の光磁気記録媒体を作製した。
本実施例の光磁気記録媒体の作製においては、まず、密着層が積層されるべき面が平坦なポリカーボネート製の基板（直径：８６ｍｍ、厚さ：１．２ｍｍ）を作製した。具体的には、プリグルーブパターンを有しない平坦なＮｉスタンパを金型内に配設して行う樹脂射出成形により、当該基板を成形した。
次に、基板における平坦面上に、実施例１と同様にして、密着層（Ｔｉ、厚さ：３０ｎｍ）および軟磁性層（ＣｏＮｉＦｅ、厚さ：１０００ｎｍ）を順次形成した。
次に、軟磁性層上に紫外線硬化性樹脂（商品名：ユピマー、三菱化学製）を塗布した後、当該樹脂に対して透明スタンパを軟磁性層に貼り合せた。この透明スタンパは、深さが５０ｎｍであり且つトラックピッチが０．２７５μｍのスパイラルパターンを、樹脂との接触面に有する。紫外線照射により樹脂を硬化させた後、スタンパを樹脂から剥がした。これにより、スタンパのスパイラルパターンが転写されて形成されたスパイラル状のプリグルーブを表面に有するプリグルーブ層（厚さ：１０μｍ、ランド幅：０．２７５μｍ、グルーブ幅：０．２７５μｍ、グルーブ深さ：５０ｎｍ）が形成された。
本光磁気記録媒体の作製においては、次に、プリグルーブ層上に、実施例１と同様にして、第１の熱伝導層（ＡｇＰｄＣｕＳｉ、厚さ：１０ｎｍ）、熱分布調整層（Ｓｉ、厚さ：５ｎｍ）、第２の熱伝導層（ＡｇＰｄＣｕＳｉ、厚さ：３０ｎｍ）、記録補助層（ＧｄＦｅＣｏ、厚さ：５ｎｍ）、記録層（ＴｂＦｅＣｏ、厚さ：２５ｎｍ）、誘電体層（ＳｉＮ、厚さ：５０ｎｍ）、および保護層（紫外線硬化性透明樹脂、厚さ：１５μｍ）を順次形成した。以上のようにして、本実施例の光磁気記録媒体を作製した。
本実施例の光磁気記録媒体について、実施例１と同様にして、ＢＥＲの記録磁界依存性を調べたところ、実施例１の光磁気記録媒体と略同様の特性が得られた。
【図１】
2004059636.tif 000003
【図２】
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【図５】
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【図６】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【手続補正書】
【提出日】平成17年3月8日(2005.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【書類名】  明細書
【特許請求の範囲】
【請求項１】  プリグルーブが形成されたプリグルーブ面を有する樹脂基板と、
記録機能および再生機能を担う記録磁性部と、
前記樹脂基板から前記記録磁性部までの間に設けられている軟磁性めっき層と、
前記樹脂基板および前記軟磁性めっき層の間に介在する、当該樹脂基板および軟磁性めっき層の接合性を高めるための密着層と、を備える光磁気記録媒体。
【請求項２】  樹脂基板と、
記録機能および再生機能を担う記録磁性部と、
前記樹脂基板から前記記録磁性部までの間に設けられている軟磁性めっき層と、
前記軟磁性めっき層から前記記録磁性部までの間に設けられているプリグルーブ層と、
前記樹脂基板および前記軟磁性めっき層の間に介在する、当該樹脂基板および軟磁性めっき層の接合性を高めるための密着層と、を備える光磁気記録媒体。
【請求項３】  プリグルーブが形成されたプリグルーブ面を有する樹脂基板における当該プリグルーブ面上に、ＡｌＣｒ，Ａｌ，Ｃｒ，Ｔｉ，ＦｅＣｏ，Ｎｉ，ＮｉＰ，Ｐｄ，ＳｉＮ，およびＳｉＯ2よりなる群から選択される材料をスパッタリング法により成膜することによって、密着層を形成するための工程と、
前記密着層上に、無電解めっき法により軟磁性材料を成膜することによって、軟磁性めっき層を形成するための工程と、
記録機能および再生機能を担う記録磁性部を形成するための工程と、を含む、光磁気記録媒体の製造方法。
【請求項４】  樹脂基板の上に、ＡｌＣｒ，Ａｌ，Ｃｒ，Ｔｉ，ＦｅＣｏ，Ｎｉ，ＮｉＰ，Ｐｄ，ＳｉＮ，およびＳｉＯ2よりなる群から選択される材料をスパッタリング法により成膜することによって、密着層を形成するための工程と、
前記密着層上に、無電解めっき法により軟磁性材料を成膜することによって、軟磁性めっき層を形成するための工程と、
前記軟磁性めっき層上にプルグルーブ層を形成するための工程と、
記録機能および再生機能を担う記録磁性部を形成するための工程と、を含む、光磁気記録媒体の製造方法。
【請求項５】  樹脂基板の上に、ＡｌＣｒ，Ａｌ，Ｃｒ，Ｔｉ，ＦｅＣｏ，Ｎｉ，ＮｉＰ，Ｐｄ，ＳｉＮ，およびＳｉＯ2よりなる群から選択される材料をスパッタリング法により成膜することによって、第１の密着層を形成するための工程と、
前記密着層上に、無電解めっき法により軟磁性材料を成膜することによって、軟磁性めっき層を形成するための工程と、
前記軟磁性めっき層上に、ＡｌＣｒ，Ａｌ，Ｃｒ，Ｔｉ，ＦｅＣｏ，Ｎｉ，ＮｉＰ，Ｐｄ，ＳｉＮ，およびＳｉＯ2よりなる群から選択される材料をスパッタリング法により成膜することによって、第２の密着層を形成するための工程と、
前記第２の密着層上に、樹脂材料よりなるプルグルーブ層を形成するための工程と、
記録機能および再生機能を担う記録磁性部を形成するための工程と、を含む、光磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【技術分野】
本発明は、軟磁性層を有する光磁気記録媒体、および、そのような光磁気記録媒体を製造するための方法に関する。
【０００２】
【背景技術】
近年、光磁気記録媒体が注目を集めている。光磁気記録媒体は、磁性材料における種々の磁気特性を利用して構成され、熱磁気的な記録および磁気光学効果を利用した再生という２つの機能を担う書換え可能な記録媒体である。光磁気記録媒体は、１または２以上の垂直磁化膜からなる記録磁性部を有し、当該記録磁性部における記録層に信号が記録される。記録に際しては、対物レンズを介して集光されたレーザを照射することにより記録層の所定箇所を昇温させつつ、当該箇所に所定の磁界が印加される。このようにして、記録層において磁化方向の変化として所定の信号が記録される。再生に際しては、この記録信号が、所定の光学系で読み取られる。
【０００３】
光磁気記録媒体の記録密度を向上するための手法の一つとして、記録処理の際に媒体に対してレーザを照射する領域のサイズ、即ちスポット径を、小さくすることが知られている。スポットの小径化により、媒体のトラックピッチを短く設計したり、記録マーク長を短くすることが可能となり、記録密度の向上を図ることができるのである。スポット径は、照射レーザの波長を短くしたり、当該照射レーザを集光するための対物レンズ（媒体に対面するレンズ）の開口数ＮＡを大きくすることにより、小さくすることができる。
【０００４】
レンズの開口数ＮＡが大きくなるほど当該レンズの焦点距離は短くなるところ、光磁気記録媒体の技術の分野においては、開口数ＮＡの大きなレンズを適用すべく、従来のバックイルミネーション方式に代えてフロントイルミネーション方式の実用化に対する要求が高い。
【０００５】
バックイルミネーション方式光磁気記録媒体では、記録処理や再生処理にて、記録磁性部に対して透明な基板の側からレーザが照射される。当該透明基板は、媒体の剛性を確保するために相当程度の厚さを必要とするので、バックイルミネーション方式光磁気記録媒体に対しては、焦点距離のより短いレンズほど即ち開口数ＮＡのより大きなレンズほど、採用するのが困難となる。
【０００６】
これに対し、フロントイルミネーション方式光磁気記録媒体では、記録処理や再生処理にて、記録磁性部について基板とは反対の側に設けられている透明保護膜の側から、当該記録磁性部に対してレーザが照射される。当該透明保護膜は相当程度に薄く形成することができるので、フロントイルミネーション方式光磁気記録媒体に対しては、焦点距離の短いレンズすなわち開口数ＮＡの大きなレンズを採用することが可能なのである。
【０００７】
フロントイルミネーション方式光磁気記録媒体では、記録磁性部に含まれる記録層について、記録時における磁気記録ヘッド（電磁石）からの磁界に対する感度を向上することを目的として、基板から記録磁性部までの間に軟磁性層が設けられる場合がある。そのような光磁気記録媒体については、例えば、特開平３−１０５７４１号公報や特開平３−１３７８３７号公報に開示されている。
【０００８】
図１５は、従来の光磁気記録媒体の一例である光磁気記録媒体Ｘ４の積層構成を表す。光磁気記録媒体Ｘ４は、基板Ｓ３と、記録磁性部９１と、軟磁性層９２と、プリグルーブ層９３と、熱伝導層９４と、誘電体層９５，９６と、保護膜９７とからなる積層構造を有し、フロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして構成されたものである。
【０００９】
記録磁性部９１は、熱磁気的な記録および磁気光学効果を利用した再生という２つの機能を担うことが可能な磁性構造を有し、再生方式に応じた１または２以上の垂直磁化膜よりなる。当該垂直磁化膜の一つは記録層である。軟磁性層９２は、高い透磁率を有する磁性膜により構成され、当該磁性膜の膜面に平行な方向（面内方向）に磁化容易軸を有して磁化された面内磁化膜である。プリグルーブ層９３は、樹脂材料よりなり、熱伝導層９４との接触面において、ランドグルーブ形成用の凹凸形状を有する層である。熱伝導層９４は、記録磁性部９１にて発生する熱を基板側に効率よく伝導するためのものである。誘電体層９５，９６は、記録磁性部９１に対する外部からの物理的および化学的な影響を回避するためのものである。保護膜９７は、記録磁性部９１を特に塵埃から保護するための部位であり、光透過性の樹脂材料よりなる。
【００１０】
従来の光磁気記録媒体Ｘ４の製造においては、まず、基板Ｓ３上に、スパッタリング法により軟磁性材料を成膜することによって軟磁性層９２が形成される。次に、いわゆる２Ｐ法により、軟磁性層９２上に樹脂材料よりなるプリグルーブ層９３が形成される。次に、プリグルーブ層９３上に、スパッタリング法により各々所定の材料を成膜することによって、熱伝導層９４、誘電体層９５、記録磁性部９１、および誘電体層９６が順次形成される。この後、スピンコーティング法により誘電体層９６上に紫外線硬化性樹脂が成膜され、当該樹脂膜を紫外線照射により硬化させることによって保護膜９７が形成される。
【００１１】
光磁気記録媒体Ｘ４では、高い透磁率を有する軟磁性層９２が存在するため、記録時において、磁気記録ヘッドから記録磁性部９１に印加される記録磁界の磁束は記録磁性部９１にて拡散せずに集中する傾向にある。したがって、記録磁性部９１に含まれる記録層の記録磁界感度は、軟磁性層９２が存在しない場合よりも向上している。
【００１２】
従来の光磁気記録媒体Ｘ４では、基板Ｓ３としてはガラス基板やアルミニウム基板が採用される場合が多い。ガラス基板やアルミニウム基板は比較的高価であるので、これらに代えて、比較的安価な樹脂基板の実用化が望まれる。しかしながら、従来の技術においては軟磁性層９２の形成手法としてはスパッタリング法が採用されており、基板Ｓ３が樹脂製である場合には、スパッタリング法により基板Ｓ３上に軟磁性層９２を適切に形成することができない場合が多い。
【００１３】
スパッタリング法による軟磁性層９２の形成においては、軟磁性材料の成膜時に基板Ｓ３を比較的高温に加熱する必要がある。基板Ｓ３が樹脂製である場合、軟磁性材料の成膜後に基板Ｓ３および軟磁性層９２が降温して収縮すると、樹脂材料と軟磁性材料とでは熱膨張率の差が大きいために、基板Ｓ３よりも収縮量の少ない軟磁性層９２に不当な応力が作用する。そのため、樹脂製の基板Ｓ３上にスパッタリング法により軟磁性層９２を形成すると、当該軟磁性層９２にてクラックや剥離が生じ易い。
【００１４】
一方、従来の光磁気記録媒体Ｘ４の工業的生産において良好なスループットを実現するという観点からは、相当程度の厚さが要求される軟磁性層９２の形成手法としては、スパッタリング法に代えて無電解めっき法を採用するのが好ましい。しかしながら、基板Ｓ３として樹脂基板を採用し、且つ、無電解めっき法により当該樹脂基板上に軟磁性材料を直接成膜すると、形成される軟磁性めっき層と樹脂基板との間にて、光磁気記録媒体において実用に耐え得るほどに充分な接合性が得られない。
【００１５】
【発明の開示】
本発明は、このような事情の下で考え出されたものであって、めっき法により形成される軟磁性めっき層と樹脂基板との間において良好な接合性を有するフロントイルミネーション方式光磁気記録媒体、および、そのような光磁気記録媒体を製造するための方法を、提供することを目的とする。
【００１６】
本発明の第１の側面によると光磁気記録媒体が提供される。この光磁気記録媒体は、プリグルーブが形成されたプリグルーブ面を有する樹脂基板と、記録機能および再生機能を担う記録磁性部と、樹脂基板から記録磁性部までの間に設けられている軟磁性めっき層と、樹脂基板および軟磁性めっき層の間に介在する、当該樹脂基板および軟磁性めっき層の接合性を高めるための密着層と、を備える。本光磁気記録媒体は、樹脂基板と記録磁性部との間に軟磁性層を有し、従って、本光磁気記録媒体の記録処理および再生処理では、基板とは反対の側から記録磁性部に対してレーザ照射が行われるフロントイルミネーション方式が採用される。
【００１７】
このような構成を有する光磁気記録媒体の製造においては、樹脂基板上に密着層が形成された後、当該密着層上に、めっき法により軟磁性めっき層が積層形成される。密着層は、樹脂材料よりなる基板との密着性に優れているとともに、軟磁性材料よりなるめっき膜との密着性に優れている材料よりなる。そのような材料としては、例えば、ＡｌＣｒ，Ａｌ，Ｃｒ，Ｔｉ，ＦｅＣｏ，Ｎｉ，ＮｉＰ，Ｐｄ，ＳｉＮ，およびＳｉＯ2が挙げられる。このような密着層が軟磁性めっき層および樹脂基板の間に介在しているので、本光磁気記録媒体では、当該軟磁性めっき層と樹脂基板との間において良好な接合性を得ることができるのである。
【００１８】
本発明の第１の側面に係る光磁気記録媒体においては、樹脂基板自体が、記録磁性部におけるランドグルーブ形状を形成するためのプリグルーブ層として機能するので、軟磁性めっき層と当該記録磁性部との間にプリグルーブ層を別途設ける必要はない。そのため、軟磁性めっき層および記録磁性部を近接させて、記録磁性部に含まれる記録層の記録磁界感度を向上させるという軟磁性めっき層の機能を効率よく発揮させることができる。
【００１９】
本発明の第１の側面に係る光磁気記録媒体においては、従来媒体にて採用されているガラス基板やアルミニウム基板に代えて比較的安価な樹脂基板が採用される。したがって、本光磁気記録媒体は、製造コストの低減を図るうえで好適である。
【００２０】
本発明の第１の側面に係る光磁気記録媒体においては、記録層の記録磁界感度を高めるための軟磁性層は、従来媒体の製造にて採用されているスパッタリング法に代えて、良好なスループットを実現することのできる無電解めっき法により形成することができる。したがって、本光磁気記録媒体は、製造効率の向上を図るうえで好適である。
【００２１】
本発明の第２の側面によると他の光磁気記録媒体が提供される。この光磁気記録媒体は、樹脂基板と、記録機能および再生機能を担う記録磁性部と、樹脂基板から記録磁性部までの間に設けられている軟磁性めっき層と、軟磁性めっき層から記録磁性部までの間に設けられているプリグルーブ層と、樹脂基板および軟磁性めっき層の間に介在する、当該樹脂基板および軟磁性めっき層の接合性を高めるための密着層と、を備える。本光磁気記録媒体は、樹脂基板と記録磁性部との間に軟磁性層を有し、従って、本光磁気記録媒体の記録処理および再生処理では、基板とは反対の側から記録磁性部に対してレーザ照射が行われるフロントイルミネーション方式が採用される。
【００２２】
このような構成を有する光磁気記録媒体の製造においては、樹脂基板上に密着層が形成された後、当該密着層上に、めっき法により軟磁性めっき層が積層形成される。密着層は、樹脂材料よりなる基板との密着性に優れているとともに、軟磁性材料よりなるめっき膜との密着性に優れている材料よりなる。したがって、本光磁気記録媒体では、第１の側面に係る光磁気記録媒体と同様に、当該軟磁性めっき層と樹脂基板との間において、良好な接合性を得ることができる。
【００２３】
本発明の第２の側面に係る光磁気記録媒体においては、プリグルーブ形成用のスタンパの凹凸形状が直接転写されたプリグルーブ層と記録磁性部とが近接している。このような構成は、高い寸法精度を有するランドグルーブ形状を記録磁性部にて実現するうえで好適である。
【００２４】
本発明の第２の側面に係る光磁気記録媒体においては、比較的安価な樹脂基板が採用されるので、本光磁気記録媒体は製造コストの低減を図るうえで好適である。また、本光磁気記録媒体においては、記録層の記録磁界感度を高めるための軟磁性層は、良好なスループットを実現することのできる無電解めっき法により形成することができるので、本光磁気記録媒体は製造効率の向上を図るうえで好適である。
【００２５】
本発明の第１および第２の側面においては、好ましくは、密着層は、ＡｌＣｒ，Ａｌ，Ｃｒ，Ｔｉ，ＦｅＣｏ，Ｎｉ，ＮｉＰ，Ｐｄ，ＳｉＮ，およびＳｉＯ2よりなる群から選択される材料を含む。このような構成は、樹脂基板との密着性に優れ且つ軟磁性めっき層との密着性に優れた密着層を得るうえで好適である。
【００２６】
好ましくは、密着層は５〜３０ｎｍの厚さを有する。軟磁性めっき層および樹脂基板の間の接合性の向上という密着層の機能は、その厚さが５ｎｍ以上で充分に発揮される傾向にある。一方、例えば、スパッタリング法により密着層を形成する場合には、樹脂基板に対しては、厚さ３０ｎｍを超える密着層を適切に形成できない傾向にある。
【００２７】
好ましくは、軟磁性めっき層はＣｏＮｉＦｅよりなる。ＣｏＮｉＦｅは、アモルファス軟磁性合金であり、光磁気記録媒体における記録層の記録磁界感度を向上するうえでは好適である。
【００２８】
本発明の第２の側面においては、好ましくは、プリグルーブ層は樹脂材料よりなり、且つ、本光磁気記録媒体は、軟磁性めっき層およびプリグルーブ層の間に、当該軟磁性めっき層およびプリグルーブ層の接合性を高めるための密着層を更に備える。プリグルーブ層が樹脂材料よりなる場合、軟磁性めっき層上にプリグルーブ層を直接設けると、両層の間において充分な接合性が得られない場合がある。本構成は、そのような不具合を回避するうえで好適である。
【００２９】
本発明の第３の側面によると光磁気記録媒体の製造方法が提供される。この方法は、プリグルーブが形成されたプリグルーブ面を有する樹脂基板における当該プリグルーブ面上に、ＡｌＣｒ，Ａｌ，Ｃｒ，Ｔｉ，ＦｅＣｏ，Ｎｉ，ＮｉＰ，Ｐｄ，ＳｉＮ，およびＳｉＯ2よりなる群から選択される材料をスパッタリング法により成膜することによって、密着層を形成するための工程と、密着層上に、無電解めっき法により軟磁性材料を成膜することによって、軟磁性めっき層を形成するための工程と、記録機能および再生機能を担う記録磁性部を形成するための工程と、を含む。記録磁性部は、軟磁性めっき層上に放熱部や誘電体層などを形成した後に形成される。
【００３０】
このような方法によると、本発明の第１の側面に係る光磁気記録媒体を適切に製造することができる。したがって、本発明の第３の側面によると、製造される光磁気記録媒体において、第１の側面に関して上述した効果が奏される。また、第３の側面によると、記録磁性部に含まれる軟磁性めっき層の形成手法として、無電解めっき法が採用されるので、軟磁性層の形成において良好なスループットを実現することができる。
【００３１】
本発明の第４の側面によると光磁気記録媒体の他の製造方法が提供される。この方法は、樹脂基板の上に、ＡｌＣｒ，Ａｌ，Ｃｒ，Ｔｉ，ＦｅＣｏ，Ｎｉ，ＮｉＰ，Ｐｄ，ＳｉＮ，およびＳｉＯ2よりなる群から選択される材料をスパッタリング法により成膜することによって、密着層を形成するための工程と、密着層上に、無電解めっき法により軟磁性材料を成膜することによって、軟磁性めっき層を形成するための工程と、軟磁性めっき層上にプルグルーブ層を形成するための工程と、記録機能および再生機能を担う記録磁性部を形成するための工程と、を含む。プリグルーブ層は、プリグルーブが形成されたプリグルーブ面を基板とは反対の側に有する。記録磁性部は、プリグルーブ層上に放熱部や誘電体層などを形成した後に形成される。
【００３２】
このような方法によると、本発明の第２の側面に係る光磁気記録媒体を適切に製造することができる。したがって、本発明の第４の側面によると、製造される光磁気記録媒体において、第２の側面に関して上述した効果が奏される。また、第４の側面によると、記録磁性部に含まれる軟磁性めっき層の形成手法として、無電解めっき法が採用されるので、軟磁性層の形成において良好なスループットを実現することができる。
【００３３】
本発明の第５の側面によると光磁気記録媒体の他の製造方法が提供される。この方法は、樹脂基板の上に、ＡｌＣｒ，Ａｌ，Ｃｒ，Ｔｉ，ＦｅＣｏ，Ｎｉ，ＮｉＰ，Ｐｄ，ＳｉＮ，およびＳｉＯ2よりなる群から選択される材料をスパッタリング法により成膜することによって、第１の密着層を形成するための工程と、密着層上に、無電解めっき法により軟磁性材料を成膜することによって、軟磁性めっき層を形成するための工程と、軟磁性めっき層上に、ＡｌＣｒ，Ａｌ，Ｃｒ，Ｔｉ，ＦｅＣｏ，Ｎｉ，ＮｉＰ，Ｐｄ，ＳｉＮ，およびＳｉＯ2よりなる群から選択される材料をスパッタリング法により成膜することによって、第２の密着層を形成するための工程と、第２の密着層上に、樹脂材料よりなるプルグルーブ層を形成するための工程と、記録機能および再生機能を担う記録磁性部を形成するための工程と、を含む。プリグルーブ層は、プリグルーブが形成されたプリグルーブ面を基板とは反対の側に有する。記録磁性部は、プリグルーブ層上に放熱部や誘電体層などを形成した後に形成される。
【００３４】
このような方法によると、本発明の第２の側面に係る光磁気記録媒体を適切に製造することができる。したがって、本発明の第５の側面によると、製造される光磁気記録媒体において、第２の側面に関して上述した効果が奏される。また、第５の側面によると、記録磁性部に含まれる軟磁性めっき層の形成手法として、無電解めっき法が採用されるので、軟磁性層の形成において良好なスループットを実現することができる。
【００３５】
本発明の第３から第５の側面において、好ましくは、密着層は５〜３０ｎｍの厚さに形成される。好ましくは、軟磁性めっき層は、ＣｏＮｉＦｅを成膜することにより形成される。
【００３６】
【発明を実施するための最良の形態】
図１は、本発明の第１の実施形態に係る光磁気記録媒体Ｘ１を表す。光磁気記録媒体Ｘ１は、樹脂基板Ｓ１と、記録磁性部１１と、軟磁性層１２と、密着層１３と、放熱部１４と、誘電体層１５と、保護膜１６とを備え、フロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして構成されたものである。
【００３７】
樹脂基板Ｓ１は、光磁気記録媒体Ｘ１の剛性を確保するための部位であり、所望の寸法でプリグルーブ１ｂが形成されたプリグルーブ面１ａを有する。このような樹脂基板Ｓ１は、例えば、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）樹脂、エポキシ樹脂、またはポリオレフィン樹脂よりなる。
【００３８】
記録磁性部１１は、本実施形態では、図２に示すように記録層１１ａおよび記録補助層１１ｂよりなる。
【００３９】
記録層１１ａは、情報トラックとして利用されるランド部および／またはグルーブ部において、熱磁気的な記録および磁気光学効果を利用した再生という２つの機能を担う部位であり、希土類元素と遷移金属とを含むアモルファス合金よりなり、且つ、垂直磁気異方性を有して垂直方向に磁化された垂直磁化膜である。垂直方向とは、層を構成する磁性膜の膜面に対して垂直な方向をいう。記録層１１ａを構成するアモルファス合金に含まれる希土類元素としては、Ｔｂ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｎｄ，またはＰｒなどを用いることができる。遷移金属としては、ＦｅやＣｏなどを用いることができる。より具体的には、記録層１１ａは、例えば、所定の組成を有するＴｂＦｅＣо，ＤｙＦｅＣо，またはＴｂＤｙＦｅＣоよりなる。記録層１１ａの厚さは、例えば２５〜６５ｎｍである。
【００４０】
記録補助層１１ｂは、記録層１１ａとの間に交換結合力を生じて当該記録層１１ａの記録磁界感度を向上する機能を有する。記録補助層１１ｂは、希土類−遷移金属アモルファス合金よりなる垂直磁化膜である。
【００４１】
本発明では、記録磁性部１１について、以上のような構成に代えて、記録機能および再生機能を併有する単一の記録層のみにより構成してもよい。或は、記録磁性部１１は、相対的に保磁力が大きくて記録機能を担う記録層と、再生用レーザにおけるカー回転角が相対的に大きくて再生機能を担う再生層とからなる、２層構造を有してもよい。或は、記録磁性部１１は、ＭＳＲ方式再生、ＭＡＭＭＯＳ方式再生、またはＤＷＤＤ方式再生を実現するための、記録層、再生層、およびこれらの間の中間層よりなる３層構造を有してもよい。
【００４２】
これらのような磁性構造を有する記録磁性部１１を設ける場合、記録磁性部１１のとり得る各構造における各層は、希土類元素と遷移金属とのアモルファス合金よりなり、垂直磁気異方性を有して垂直方向に磁化された垂直磁化膜である。希土類元素としては、Ｔｂ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｎｄ，またはＰｒなどを用いることができる。遷移金属としては、ＦｅやＣｏなどを用いることができる。より具体的には、記録層は、上述のように、例えば、所定の組成を有するＴｂＦｅＣо，ＤｙＦｅＣо，またはＴｂＤｙＦｅＣоよりなる。再生層を設ける場合、当該再生層は、例えば、所定の組成を有するＧｄＦｅＣо，ＧｄＤｙＦｅＣо，ＧｄＴｂＤｙＦｅＣо，ＮｄＤｙＦｅＣо，ＮｄＧｄＦｅＣо，またはＰｒＤｙＦｅＣоよりなる。中間層を設ける場合、当該中間層は、例えば、所定の組成を有するＧｄＦｅ，ＴｂＦｅ，ＧｄＦｅＣо，ＧｄＤｙＦｅＣо，ＧｄＴｂＤｙＦｅＣо，ＮｄＤｙＦｅＣо，ＮｄＧｄＦｅＣо，またはＰｒＤｙＦｅＣоよりなる。各層の厚さは、記録磁性部１１に所望される磁性構造に応じて決定される。
【００４３】
軟磁性層１２は、記録磁性部１１に含まれる記録層１１ａの記録磁界感度を高めるための部位であり、高い透磁率を有する軟磁性材料が無電解めっき法により成膜されて形成されたものである。軟磁性材料としては、例えばＣｏＮｉＦｅ、ＦｅＣｏ，およびＦｅＮｉなどが挙げられる。軟磁性層１２の厚さは、例えば２００〜１０００ｎｍである。
【００４４】
光磁気記録媒体Ｘ１の記録時において、保護膜１６の側から磁気記録ヘッドにより記録層１１ａに印加される記録磁界の磁束は、記録層１１ａの下方に軟磁性層１２が存在することに起因して、記録層１１ａにて拡散せずに集中する傾向にある。そのため、当該記録層１１ａの記録磁界感度は、軟磁性層１２が存在しない場合よりも向上している。
【００４５】
密着層１３は、無電解めっき法により形成される軟磁性層１２と樹脂基板Ｓ１との間に介在し、これらの間の接合性を高めるための部位であり、樹脂製の基材（樹脂基板Ｓ１）との密着性に優れており、且つ、軟磁性材料よりなるめっき膜（軟磁性層１２）との密着性に優れている材料よりなる。そのような材料としては、例えば、ＡｌＣｒ，Ａｌ，Ｃｒ，Ｔｉ，ＦｅＣｏ，Ｎｉ，ＮｉＰ，Ｐｄ，ＳｉＮ，およびＳｉＯ2が挙げられる。密着層１３の厚さは、５〜３０ｎｍである。
【００４６】
放熱部１４は、記録時および再生時のレーザ照射により記録磁性部１１などにて発生する熱を適切に基板Ｓ１へ伝えるための部位である。放熱部１４は、本実施形態では、図２に示すように、熱伝導層１４ａ，１４ｂおよび熱分布調整層１４ｃよりなる積層構造を有する。
【００４７】
熱伝導層１４ａ，１４ｂは、高熱伝導材料よりなる。当該高熱伝導材料としては、例えば、Ａｇ，Ａｇ合金，Ａｌ合金（ＡｌＴｉ，ＡｌＣｒなど），Ａｕ，またはＰｔを採用することができる。熱分布調整層１４ｃは、熱伝導層１４ａ，１４ｂよりも熱伝導率が低く、例えばＳｉＮよりなる。ＳｉＮよりなる熱分布調整層１４ｃは、基板Ｓ１と記録磁性部１１との間の誘電体層としても機能する。熱伝導層１４ａ，１４ｂの厚さは、例えば２０〜５０ｎｍであり、熱分布調整層１４ｃの厚さは、例えば２〜１０ｎｍである。
【００４８】
本発明では、放熱部１４について、このような構成に代えて、単一の熱伝導層により構成してもよいし、熱伝導層および熱分布調整層の２層構造を採用してもよい。
【００４９】
誘電体層１５は、記録磁性部１１に対する外部からの磁気的影響を回避ないし抑制するための部位であり、例えば、ＳｉＮ，ＳｉＯ2，ＹＳｉＯ2，ＺｎＳｉＯ2，ＡｌＯ，またはＡｌＮよりなる。誘電体層１５の厚さは、例えば３０〜６０ｎｍである。
【００５０】
保護膜１６は、光磁気記録媒体Ｘ１の記録用レーザおよび再生用レーザに対して充分な透過性を有する樹脂よりなり、例えば１０〜４０μｍの厚さを有する。保護膜１６を構成するための樹脂としては、例えば、アクリル樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、エポキシ樹脂、またはポリオレフィン樹脂が挙げられる。
【００５１】
図３および図４は、光磁気記録媒体Ｘ１の製造方法を表す。光磁気記録媒体Ｘ１の製造においては、まず、図３Ａに示すような、プリグルーブ１ｂが形成されたプリグルーブ面１ａを有する樹脂基板Ｓ１を用意する。樹脂基板Ｓ１は、従来の光ディスク原盤作製プロセスを経て作製されたＮｉ製スタンパを金型内に配設して行う樹脂射出成形により、成形されたものである。当該Ｎｉスタンパは、樹脂基板Ｓ１にてプリグルーブ１ｂを形成するための凹凸形状を有する。
【００５２】
次に、図３Ｂに示すように、樹脂基板Ｓ１におけるプリグルーブ面１ａの上に密着層１３を形成する。密着層１３を構成するための上掲の材料をスパッタリング法によりプリグルーブ面１ａ上に成膜することによって、密着層１３を形成することができる。
【００５３】
次に、図３Ｃに示すように、無電解めっき法により、密着層１３上に軟磁性層１２を形成する。具体的には、まず、密着層１３を表面に形成した樹脂基板Ｓ１を、塩化スズ水溶液（１〜５ｗｔ％、室温）に浸漬した後、充分な水洗を行う。当該水溶液に含まれる塩化スズは、密着層１３の表面に吸着し、後出のパラジウムの吸着核として機能する。次に、当該樹脂基板Ｓ１を塩化パラジウム水溶液（０．０１〜０．１ｗｔ％、室温）に浸漬した後、充分な水洗を行う。当該水溶液に含まれるパラジウムは、塩化スズを核として密着層１３の表面に吸着し、後出のめっき成長における触媒核として機能する。次に、所定の組成を有するめっき浴に当該基板Ｓ１を浸漬し、無電解めっき法により軟磁性めっき膜を成長させる。めっき浴は、形成目的の軟磁性層１２の組成に応じて、所定濃度のＣｏ，Ｎｉ，Ｆｅなどを含む。めっき浴は好ましくは所定濃度のＢを含む。
【００５４】
光磁気記録媒体Ｘ１の製造においては、次に、図４Ａに示すように、軟磁性層１２上に放熱部１４（熱伝導層１４ａ、熱分布調整層１４ｃ、熱伝導層１４ｂ）、記録磁性部１１（記録補助層１１ｂ、記録層１１ａ）、および誘電体層１５を順次形成する。各層は、スパッタリング法により形成することができる。
【００５５】
次に、図４Ｂに示すように、誘電体層１５上に保護膜１６を形成する。保護膜１６の形成においては、まず、誘電体層１５上に液状の樹脂組成物を成膜する。成膜手法としてはスピンコート法を採用することができる。当該樹脂組成物としては、保護膜１６の構成材料として上掲した樹脂を主成分として、紫外線硬化性を有するものを使用する。次に、紫外線照射により、当該樹脂膜を硬化させる。このようにして、保護膜１６を形成することができる。
【００５６】
以上のようにして、図１および図２に示す光磁気記録媒体Ｘ１を製造することができる。
【００５７】
光磁気記録媒体Ｘ１では、高い透磁率を有する軟磁性層１２が存在するため、記録時において、磁気記録ヘッドから記録層１１ａに印加される記録磁界の磁束は記録層１１ａにて拡散せずに集中する傾向にある。したがって、記録層１１ａの記録磁界感度は、軟磁性層１２が存在しない場合よりも向上している。
【００５８】
光磁気記録媒体Ｘ１の記録処理および再生処理では、保護膜１６の側から記録磁性部１１に対してレーザ照射が行われるところ、軟磁性層１２は、記録磁性部１１（記録層１１ａ）について保護膜１６とは反対の側に設けられているので、このようなフロントイルミネーション方式の記録処理および再生処理を阻害しない。
【００５９】
光磁気記録媒体Ｘ１の製造においては、樹脂基板Ｓ１上に密着層１３が形成された後、当該密着層１３上に、無電解めっき法により軟磁性層１２が積層形成される。密着層１３は、樹脂材料よりなる基板（樹脂基板Ｓ１）との密着性に優れ且つ軟磁性材料よりなるめっき膜（軟磁性層１２）との密着性に優れている材料よりなる。このような密着層１３が樹脂基板Ｓ１と軟磁性層１２との間に介在しているので、光磁気記録媒体Ｘ１では、樹脂基板Ｓ１と軟磁性層１２との間において、良好な接合性を達成することができる。
【００６０】
光磁気記録媒体Ｘ１では、樹脂基板Ｓ１自体が、記録磁性部１１におけるランドグルーブ形状を形成するためのプリグルーブ層として機能するので、軟磁性層１２と記録磁性部１１との間にプリグルーブ層を別途設ける必要はない。そのため、軟磁性層１２および記録磁性部１１を近接させて、記録層１１ａの記録磁界感度を向上させるという軟磁性層１２の機能を効率よく発揮させることができる。
【００６１】
光磁気記録媒体Ｘ１では、従来媒体にて採用されているガラス基板やアルミニウム基板に代えて比較的安価な樹脂基板が採用される。したがって、光磁気記録媒体Ｘ１は、製造コストの低減を図るうえで好適である。
【００６２】
光磁気記録媒体Ｘ１では、記録層１１ａの記録磁界感度を高めるための軟磁性層１２は、従来媒体の製造にて採用されているスパッタリング法に代えて、良好なスループットを実現することのできる無電解めっき法により形成される。したがって、光磁気記録媒体Ｘ１は、製造効率の向上を図るうえで好適である。
【００６３】
図５および図６は、本発明の第２の実施形態に係る光磁気記録媒体Ｘ２を表す。光磁気記録媒体Ｘ２は、樹脂基板Ｓ２と、記録磁性部１１と、軟磁性層１２と、密着層１３と、放熱部１４と、誘電体層１５と、保護膜１６と、プリグルーブ層１７とを備え、フロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして構成されたものである。
【００６４】
樹脂基板Ｓ２は、光磁気記録媒体Ｘ２の剛性を確保するための部位であり、平坦なディスク基板である。このような樹脂基板Ｓ２は、例えば、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）樹脂、エポキシ樹脂、またはポリオレフィン樹脂よりなる。
【００６５】
光磁気記録媒体Ｘ２の記録磁性部１１、軟磁性層１２、密着層１３、放熱部１４、誘電体層１５、および保護膜１６の構成については、光磁気記録媒体Ｘ１に関して上述したのと同一である。
【００６６】
プリグルーブ層１７は、樹脂材料よりなり、所望の寸法でプリグルーブ１７ｂが形成されたプリグルーブ面１７ａを有する。プリグルーブ層１７は、例えば、アクリル樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、エポキシ樹脂、またはポリオレフィン樹脂よりなる。
【００６７】
図７から図９は、光磁気記録媒体Ｘ２の製造方法を表す。光磁気記録媒体Ｘ２の製造においては、まず、図７Ａに示すような平坦な樹脂基板Ｓ２を用意する。樹脂基板Ｓ２は、従来の光ディスク原盤作製プロセスを経て作製されたＮｉ製スタンパを金型内に配設して行う樹脂射出成形により、成形されたものである。当該Ｎｉスタンパは、成形される樹脂基板Ｓ２の表面を平坦とすべく、平坦である。
【００６８】
次に、図７Ｂに示すように、樹脂基板Ｓ２上に密着層１３を形成する。密着層１３の形成手法は、第１の実施形態に関して図３Ｂを参照して上述したのと同様である。
【００６９】
次に、図７Ｃに示すように、無電解めっき法により、密着層１３上に軟磁性層１２を形成する。具体的な形成手法は、第１の実施形態に関して図３Ｃを参照して上述したのと同様である。
【００７０】
次に、図８Ａおよび図８Ｂに示すように、紫外線硬化性樹脂１７’を介して、軟磁性層１２にスタンパ２１を貼り合わせる。スタンパ２１は、透明であり、当該紫外線硬化性樹脂１７’にて形成すべきプリグルーブ１７ｂに対応する凹凸形状を有する。この後、軟磁性層１２にスタンパ２１が貼り合わされた状態で、スタンパ２１の側から紫外線硬化性樹脂１７’に対して紫外線を照射する。これにより、当該樹脂が硬化してプリグルーブ層１７が形成される。次に、図８Ｃに示すように、スタンパ２１をプリグルーブ層１７から剥離する。
【００７１】
次に、図９Ａに示すように、プリグルーブ層１７上に放熱部１４（熱伝導層１４ａ、熱分布調整層１４ｃ、熱伝導層１４ｂ）、記録磁性部１１（記録補助層１１ｂ、記録層１１ａ）、および誘電体層１５を順次形成する。各層は、スパッタリング法により形成することができる。
【００７２】
次に、図９Ｂに示すように、プリグルーブ層１７上に保護膜１６を形成する。保護膜１６の形成手法は、第１の実施形態に関して図４Ｂを参照して上述したのと同様である。
【００７３】
以上のようにして、図５および図６に示す光磁気記録媒体Ｘ２を製造することができる。
【００７４】
光磁気記録媒体Ｘ２では、光磁気記録媒体Ｘ１と同様に、記録層１１ａの記録磁界感度は、軟磁性層１２が存在しない場合よりも向上している。
【００７５】
光磁気記録媒体Ｘ２はフロントイルミネーション方式を採用するところ、軟磁性層１２は、記録磁性部１１（記録層１１ａ）について保護膜１６とは反対の側に設けられているので、フロントイルミネーション方式の記録処理および再生処理を阻害しない。
【００７６】
光磁気記録媒体Ｘ２の製造においては、樹脂基板Ｓ２上に密着層１３が形成された後、当該密着層１３上に、無電解めっき法により軟磁性層１２が積層形成される。密着層１３は、樹脂材料よりなる基板（樹脂基板Ｓ２）との密着性に優れ且つ軟磁性材料よりなるめっき膜（軟磁性層１２）との密着性に優れている材料よりなる。このような密着層１３が樹脂基板Ｓ２と軟磁性層１２との間に介在しているので、光磁気記録媒体Ｘ２では、樹脂基板Ｓ２と軟磁性層１２との間において、良好な接合性を達成することができる。
【００７７】
光磁気記録媒体Ｘ２では、プリグルーブ形成用のスタンパの凹凸形状が直接転写されたプリグルーブ層１７と記録層１１ａとが近接している。このような構成は、高い寸法精度を有するランドグルーブ形状を記録磁性部１１にて実現するうえで好適である。
【００７８】
光磁気記録媒体Ｘ２では、比較的安価な樹脂基板が採用されているので、光磁気記録媒体Ｘ２は、製造コストの低減を図るうえで好適である。
【００７９】
光磁気記録媒体Ｘ２では、記録層１１ａの記録磁界感度を高めるための軟磁性層１２は、良好なスループットを実現することのできる無電解めっき法により形成されるので、光磁気記録媒体Ｘ１は、製造効率の向上を図るうえで好適である。
【００８０】
図１０および図１１は、本発明の第３の実施形態に係る光磁気記録媒体Ｘ３を表す。光磁気記録媒体Ｘ３は、樹脂基板Ｓ２と、記録磁性部１１と、軟磁性層１２と、密着層１３，１８と、放熱部１４と、誘電体層１５と、保護膜１６と、プリグルーブ層１７とを備え、フロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして構成されたものである。光磁気記録媒体Ｘ３は、軟磁性層１２とプリグルーブ層１７との間に更に密着層１８を有する点を除いては、光磁気記録媒体Ｘ２と同一の構成を有する。
【００８１】
密着層１８は、無電解めっき法により形成される軟磁性層１２とプリグルーブ層１７との間に介在し、これらの間の接合性を高めるための部位である。密着層１８は、樹脂製のプリグルーブ層１７との密着性に優れており、且つ、無電解めっき法により形成された軟磁性層１２との密着性に優れている材料よりなる。そのような材料としては、例えば、ＡｌＣｒ，Ａｌ，Ｃｒ，Ｔｉ，ＦｅＣｏ，Ｎｉ，ＮｉＰ，Ｐｄ，ＳｉＮ，およびＳｉＯ2が挙げられる。密着層１８の厚さは、５〜３０ｎｍである。
【００８２】
このような構造の光磁気記録媒体Ｘ３は、軟磁性層１２を形成した後であり且つプリグルーブ層１７を形成する前に軟磁性層１２上に密着層１８を形成する工程を更に行う以外は、光磁気記録媒体Ｘ２と同様の工程を経て製造される。密着層１８の形成手法としては、スパッタリング法が採用される。
【００８３】
光磁気記録媒体Ｘ３においては、光磁気記録媒体Ｘ２に関して上述したのと同一の利益を享受することができる。
【００８４】
加えて、光磁気記録媒体Ｘ３では、軟磁性層１２との密着性に優れ且つ樹脂材料よりなるプリグルーブ層１７との密着性に優れる密着層１８が、当該軟磁性層１２およびプリグルーブ層１７の間に介在しているので、軟磁性層１２およびプリグルーブ層１７の間において、良好な接合性を達成することができる。
【００８５】
〔実施例１〕
図１２に示す積層構成を有するフロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして、本実施例の光磁気記録媒体を作製した。
【００８６】
本実施例の光磁気記録媒体の作製においては、まず、スパイラル状のプリグルーブを表面に有するポリカーボネート製の基板（直径：８６ｍｍ、厚さ：１．２ｍｍ、ランド幅：０．２７５μｍ、グルーブ幅：０．２７５μｍ、グルーブ深さ：５０ｎｍ）を作製した。具体的には、深さが５０ｎｍであり且つトラックピッチが０．２７５μｍのスパイラルパターンを表面に有するＮｉスタンパを金型内に配設して行う樹脂射出成形により、当該基板を成形した。
【００８７】
次に、基板におけるプリグルーブ面上に、ＤＣマグネトロンスパッタリング装置を使用して行うＤＣスパッタリング法により、Ｔｉを成膜することによって、厚さ３０ｎｍの密着層を形成した。本スパッタリングでは、Ｔｉターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスを使用し、スパッタガス圧力を０．５Ｐａとし、放電電力を４００Ｗとした。
【００８８】
次に、無電解めっき法により、密着層上に厚さ１０００ｎｍの軟磁性層を形成した。具体的には、まず、上述のようにして密着層が形成された基板を３ｗｔ％塩化スズ水溶液（３５℃）に１分間浸漬した後、純水で洗浄した。次に、当該基板を０．０５ｗｔ％塩化パラジウム水溶液（３５℃）に１分間浸漬した後、純水で洗浄した。次に、当該基板を、無電解めっき浴（５５℃）に所定時間浸漬した後、純水で洗浄した。本無電解めっき浴は、０．１ｗｔ％のジメチルアミンボラン、０．３ｗｔ％の硫酸ニッケル、０．３ｗｔ％の硫酸鉄、および３ｗｔ％の硫酸コバルトを含む水溶液である。このようにして、無電解めっき法により厚さ１０００ｎｍの軟磁性層（ＣｏＮｉＦｅ）を形成した。
【００８９】
次に、ＤＣスパッタリング法により、軟磁性層上にＡｇＰｄＣｕＳｉ合金を成膜することによって、厚さ１０ｎｍの第１の熱伝導層を形成した。具体的には、ＡｇＰｄＣｕ合金ターゲットとＳｉターゲットを用いたコスパッタリングを行い、スパッタガスとしてＡｒガスを使用し、スパッタガス圧力を０．５Ｐａとし、ＡｇＰｄＣｕ合金ターゲットについての放電電力を５００Ｗとし、Ｓｉターゲットについての放電電力を４０Ｗとした。
【００９０】
次に、ＤＣスパッタリング法により、第１の熱伝導層上にＳｉＮを成膜することによって、厚さ５ｎｍの熱分布調整層を形成した。具体的には、Ｓｉターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスおよびＮ2ガスを使用して行う反応性スパッタリングにより、基板上にＳｉＮを成膜した。本スパッタリングでは、ＡｒガスおよびＮ2ガスの流量比を３：１とし、スパッタガス圧力を１．５Ｐａとし、放電電力を８００Ｗとした。
【００９１】
次に、ＤＣスパッタリング法により、熱分布調整層上にＡｇＰｄＣｕＳｉ合金を成膜することにより、厚さ３０ｎｍの第２の熱伝導層を形成した。具体的なスパッタリング条件については、第１の熱伝導層の形成に関して上述したのと同一である。このようにして、第１の熱伝導層（ＡｇＰｄＣｕＳｉ、厚さ１０ｎｍ）、熱分布調整層（ＳｉＮ、厚さ５ｎｍ）、および第２の熱伝導層（ＡｇＰｄＣｕＳｉ、厚さ３０ｎｍ）からなる放熱部を形成した。
【００９２】
本実施例の光磁気記録媒体の作製においては、次に、ＤＣスパッタリング法により、第２の熱伝導層上にＧｄＦｅＣｏアモルファス合金（Ｇｄ25Ｆｅ49Ｃｏ26）を成膜することにより、厚さ５ｎｍの記録補助層を形成した。本スパッタリングでは、ＧｄＦｅＣｏ合金ターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスを使用し、スパッタガス圧力を０．５Ｐａとし、スパッタ電力を５００Ｗとした。
【００９３】
次に、ＤＣスパッタリング法により、記録補助層上にＴｂＦｅＣｏアモルファス合金（Ｔｂ23Ｆｅ61Ｃｏ16）を成膜することにより、厚さ２５ｎｍの記録層を形成した。本スパッタリングにおいては、ＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスを使用し、スパッタガス圧力を１．５Ｐａとし、放電電力を５００Ｗとした。このようにして、記録層（Ｔｂ23Ｆｅ61Ｃｏ16、厚さ２５ｎｍ）および記録補助層（Ｇｄ25Ｆｅ49Ｃｏ26、厚さ５ｎｍ）よりなり記録機能および再生機能を担う記録磁性部を形成した。
【００９４】
次に、記録層上にＳｉＮを成膜することにより、厚さ５０ｎｍの誘電体層を形成した。具体的には、Ｓｉターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスおよびＮ2ガスを使用して行う反応性スパッタリングにより、基板上にＳｉＮを成膜した。本スパッタリングでは、ＡｒガスおよびＮ2ガスの流量比を３：１とし、スパッタガス圧力を１．５Ｐａとし、放電電力を８００Ｗとした。
【００９５】
次に、誘電体層上に厚さ１５μｍの透明な保護膜を形成した。具体的には、まず、スピンコート法により、誘電体層上に紫外線硬化性樹脂（商品名：ダイキュアクリア、大日本インキ製）を１５μｍの厚さに成膜した。次に、紫外線照射により当該紫外線硬化性樹脂膜を硬化させ、誘電体層上に保護膜を形成した。以上のようにして、本実施例の光磁気記録媒体を作製した。
【００９６】
本実施例の光磁気記録媒体について、再生信号におけるビットエラーレート（ＢＥＲ）の記録磁界依存性を調べた。具体的には、まず、光磁気記録媒体（光磁気ディスク）における情報トラック（グルーブトラックおよびランドトラック）に対し、最短マーク長０．１５μｍのランダムな信号を記録した。当該記録処理は、所定の光ディスク評価装置を使用して磁界変調記録方式により行った。この評価装置における対物レンズの開口数ＮＡは０．８５であり、レーザ波長は４０５ｎｍである。当該記録処理では、レーザ走査速度を７．５ｍ/ｓとし、情報トラックごとにレーザ（レーザーパワー１８ｍＷ）を連続パルス照射しつつ、所定の印加磁界（記録磁界）を変調した。
【００９７】
次に、光磁気記録媒体におけるグルーブトラックのみを又はランドトラックのみを再生し、記録時の変調信号と再生時の復調信号とを比較することにより、記録変調信号に対する再生復調信号の誤り率をビットエラーレート（ＢＥＲ）として算出した。当該再生処理は、記録処理と同一の評価装置を使用して行い、レーザーパワーを１８ｍＷとし、レーザ走査速度を７．５ｍ/ｓとした。
【００９８】
このような記録処理およびその後の再生処理を、記録処理における印加磁界（記録磁界）を変化させて各記録磁界ごとに行い、各記録磁界におけるＢＥＲを測定した。各光磁気記録媒体におけるＢＥＲの記録磁界依存性を、図１４のグラフに掲げる。図１４のグラフにおいては、磁気記録ヘッドの発する記録磁界（Ｏｅ）を横軸にて表し、縦軸にてＢＥＲを表す。線Ｇは、グルーブトラックにおけるＢＥＲの記録磁界依存性を示す。線Ｌは、ランドトラックにおけるＢＥＲの記録磁界依存性を示す。
【００９９】
図１４のグラフによると、本実施例の光磁気記録媒体においては比較的高い記録磁界感度が達成されていることが理解できよう。また、グルーブトラックにおける記録層の方が、ランドトラックにおける記録層よりも、記録磁界感度が高いことが判る。
【０１００】
〔比較例１〕
樹脂基板と軟磁性層の間にＴｉ密着層が介在せずに樹脂基板上に軟磁性層が直接設けられている以外は、実施例１の光磁気記録媒体と同一の積層構成を有する光磁気記録媒体の作製を試みた。
【０１０１】
まず、実施例１と同様にして、スパイラル状のプリグルーブを表面に有するポリカーボネート製の基板（直径：８６ｍｍ、厚さ：１．２ｍｍ、ランド幅：０．２７５μｍ、グルーブ幅：０．２７５μｍ、グルーブ深さ：５０ｎｍ）を作製した。
【０１０２】
次に、実施例１と同様の無電解めっき法により、基板におけるプリグルーブ面上に軟磁性材料を成長させた。しかしながら、軟磁性めっき層を再現性よく形成することができなかった。軟磁性めっき層を形成することができた場合であっても、後に続く工程にて、基板表面から材料膜が剥離してしまった。そのため、光磁気記録媒体を作製することができなかった。
【０１０３】
〔実施例２〕
図１３に示す積層構成を有するフロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして、本実施例の光磁気記録媒体を作製した。
【０１０４】
本実施例の光磁気記録媒体の作製においては、まず、密着層が積層されるべき面が平坦なポリカーボネート製の基板（直径：８６ｍｍ、厚さ：１．２ｍｍ）を作製した。具体的には、プリグルーブパターンを有しない平坦なＮｉスタンパを金型内に配設して行う樹脂射出成形により、当該基板を成形した。
【０１０５】
次に、基板における平坦面上に、実施例１と同様にして、密着層（Ｔｉ、厚さ：３０ｎｍ）および軟磁性層（ＣｏＮｉＦｅ、厚さ：１０００ｎｍ）を順次形成した。
【０１０６】
次に、軟磁性層上に紫外線硬化性樹脂（商品名：ユピマー、三菱化学製）を塗布した後、当該樹脂に対して透明スタンパを軟磁性層に貼り合せた。この透明スタンパは、深さが５０ｎｍであり且つトラックピッチが０．２７５μｍのスパイラルパターンを、樹脂との接触面に有する。紫外線照射により樹脂を硬化させた後、スタンパを樹脂から剥がした。これにより、スタンパのスパイラルパターンが転写されて形成されたスパイラル状のプリグルーブを表面に有するプリグルーブ層（厚さ：１０μｍ、ランド幅：０．２７５μｍ、グルーブ幅：０．２７５μｍ、グルーブ深さ：５０ｎｍ）が形成された。
【０１０７】
本光磁気記録媒体の作製においては、次に、プリグルーブ層上に、実施例１と同様にして、第１の熱伝導層（ＡｇＰｄＣｕＳｉ、厚さ：１０ｎｍ）、熱分布調整層（Ｓｉ、厚さ：５ｎｍ）、第２の熱伝導層（ＡｇＰｄＣｕＳｉ、厚さ：３０ｎｍ）、記録補助層（ＧｄＦｅＣｏ、厚さ：５ｎｍ）、記録層（ＴｂＦｅＣｏ、厚さ：２５ｎｍ）、誘電体層（ＳｉＮ、厚さ：５０ｎｍ）、および保護層（紫外線硬化性透明樹脂、厚さ：１５μｍ）を順次形成した。以上のようにして、本実施例の光磁気記録媒体を作製した。
【０１０８】
本実施例の光磁気記録媒体について、実施例１と同様にして、ＢＥＲの記録磁界依存性を調べたところ、実施例１の光磁気記録媒体と略同様の特性が得られた。
【図面の簡単な説明】
【図１】
図１は、本発明の第１の実施形態に係る光磁気記録媒体の部分断面図である。
【図２】
図２は、図１に示す光磁気記録媒体の情報トラックにおける積層構成を表す。
【図３】
図３Ａ〜図３Ｃは、図１に示す光磁気記録媒体の製造方法における一部の工程を表す。
【図４】
図４Ａおよび図４Ｂは、図３Ｃの後に続く工程を表す。
【図５】
図５は、本発明の第２の実施形態に係る光磁気記録媒体の部分断面図である。
【図６】
図６は、図５に示す光磁気記録媒体の情報トラックにおける積層構成を表す。
【図７】
図７Ａ〜図７Ｃは、図６に示す光磁気記録媒体の製造方法における一部の工程を表す。
【図８】
図８Ａ〜図８Ｃは、図７Ｃの後に続く工程を表す。
【図９】
図９Ａおよび図９Ｂは、図８Ｃの後に続く工程を表す。
【図１０】
図１０は、本発明の第３の実施形態に係る光磁気記録媒体の部分断面図である。
【図１１】
図１１は、図１０に示す光磁気記録媒体の情報トラックにおける積層構成を表す。
【図１２】
図１２は、実施例１の光磁気記録媒体の情報トラックにおける積層構成を表す。
【図１３】
図１３は、実施例２の光磁気記録媒体の情報トラックにおける積層構成を表す。
【図１４】
図１４は、実施例１の光磁気記録媒体におけるグルーブトラックおよびランドトラックについて、ビットエラーレートの記録磁界依存性を表す。
【図１５】
図１５は、軟磁性層を有する従来の光磁気記録媒体の積層構成を表す。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2004059636.tif 000018
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１１】
2004059636.tif 000019
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月14日(2005.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】手続補正書
【補正対象項目名】手続補正１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、軟磁性層を有する光磁気記録媒体、および、そのような光磁気記録媒体を製造するための方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、光磁気記録媒体が注目を集めている。光磁気記録媒体は、磁性材料における種々の磁気特性を利用して構成され、熱磁気的な記録および磁気光学効果を利用した再生という２つの機能を担う書換え可能な記録媒体である。光磁気記録媒体は、１または２以上の垂直磁化膜からなる記録磁性部を有し、当該記録磁性部における記録層に信号が記録される。記録に際しては、対物レンズを介して集光されたレーザを照射することにより記録層の所定箇所を昇温させつつ、当該箇所に所定の磁界が印加される。このようにして、記録層において磁化方向の変化として所定の信号が記録される。再生に際しては、この記録信号が、所定の光学系で読み取られる。
【０００３】
光磁気記録媒体の記録密度を向上するための手法の一つとして、記録処理の際に媒体に対してレーザを照射する領域のサイズ、即ちスポット径を、小さくすることが知られている。スポットの小径化により、媒体のトラックピッチを短く設計したり、記録マーク長を短くすることが可能となり、記録密度の向上を図ることができるのである。スポット径は、照射レーザの波長を短くしたり、当該照射レーザを集光するための対物レンズ（媒体に対面するレンズ）の開口数ＮＡを大きくすることにより、小さくすることができる。
【０００４】
レンズの開口数ＮＡが大きくなるほど当該レンズの焦点距離は短くなるところ、光磁気記録媒体の技術の分野においては、開口数ＮＡの大きなレンズを適用すべく、従来のバックイルミネーション方式に代えてフロントイルミネーション方式の実用化に対する要求が高い。
【０００５】
バックイルミネーション方式光磁気記録媒体では、記録処理や再生処理にて、記録磁性部に対して透明な基板の側からレーザが照射される。当該透明基板は、媒体の剛性を確保するために相当程度の厚さを必要とするので、バックイルミネーション方式光磁気記録媒体に対しては、焦点距離のより短いレンズほど即ち開口数ＮＡのより大きなレンズほど、採用するのが困難となる。
【０００６】
これに対し、フロントイルミネーション方式光磁気記録媒体では、記録処理や再生処理にて、記録磁性部について基板とは反対の側に設けられている透明保護膜の側から、当該記録磁性部に対してレーザが照射される。当該透明保護膜は相当程度に薄く形成することができるので、フロントイルミネーション方式光磁気記録媒体に対しては、焦点距離の短いレンズすなわち開口数ＮＡの大きなレンズを採用することが可能なのである。
【０００７】
フロントイルミネーション方式光磁気記録媒体では、記録磁性部に含まれる記録層について、記録時における磁気記録ヘッド（電磁石）からの磁界に対する感度を向上することを目的として、基板から記録磁性部までの間に軟磁性層が設けられる場合がある。そのような光磁気記録媒体については、例えば、特開平３−１０５７４１号公報や特開平３−１３７８３７号公報に開示されている。
【０００８】
図１５は、従来の光磁気記録媒体の一例である光磁気記録媒体Ｘ４の積層構成を表す。光磁気記録媒体Ｘ４は、基板Ｓ３と、記録磁性部９１と、軟磁性層９２と、プリグルーブ層９３と、熱伝導層９４と、誘電体層９５，９６と、保護膜９７とからなる積層構造を有し、フロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして構成されたものである。
【０００９】
記録磁性部９１は、熱磁気的な記録および磁気光学効果を利用した再生という２つの機能を担うことが可能な磁性構造を有し、再生方式に応じた１または２以上の垂直磁化膜よりなる。当該垂直磁化膜の一つは記録層である。軟磁性層９２は、高い透磁率を有する磁性膜により構成され、当該磁性膜の膜面に平行な方向（面内方向）に磁化容易軸を有して磁化された面内磁化膜である。プリグルーブ層９３は、樹脂材料よりなり、熱伝導層９４との接触面において、ランドグルーブ形成用の凹凸形状を有する層である。熱伝導層９４は、記録磁性部９１にて発生する熱を基板側に効率よく伝導するためのものである。誘電体層９５，９６は、記録磁性部９１に対する外部からの物理的および化学的な影響を回避するためのものである。保護膜９７は、記録磁性部９１を特に塵埃から保護するための部位であり、光透過性の樹脂材料よりなる。
【００１０】
従来の光磁気記録媒体Ｘ４の製造においては、まず、基板Ｓ３上に、スパッタリング法により軟磁性材料を成膜することによって軟磁性層９２が形成される。次に、いわゆる２Ｐ法により、軟磁性層９２上に樹脂材料よりなるプリグルーブ層９３が形成される。次に、プリグルーブ層９３上に、スパッタリング法により各々所定の材料を成膜することによって、熱伝導層９４、誘電体層９５、記録磁性部９１、および誘電体層９６が順次形成される。この後、スピンコーティング法により誘電体層９６上に紫外線硬化性樹脂が成膜され、当該樹脂膜を紫外線照射により硬化させることによって保護膜９７が形成される。
【００１１】
光磁気記録媒体Ｘ４では、高い透磁率を有する軟磁性層９２が存在するため、記録時において、磁気記録ヘッドから記録磁性部９１に印加される記録磁界の磁束は記録磁性部９１にて拡散せずに集中する傾向にある。したがって、記録磁性部９１に含まれる記録層の記録磁界感度は、軟磁性層９２が存在しない場合よりも向上している。
【００１２】
従来の光磁気記録媒体Ｘ４では、基板Ｓ３としてはガラス基板やアルミニウム基板が採用される場合が多い。ガラス基板やアルミニウム基板は比較的高価であるので、これらに代えて、比較的安価な樹脂基板の実用化が望まれる。しかしながら、従来の技術においては軟磁性層９２の形成手法としてはスパッタリング法が採用されており、基板Ｓ３が樹脂製である場合には、スパッタリング法により基板Ｓ３上に軟磁性層９２を適切に形成することができない場合が多い。
【００１３】
スパッタリング法による軟磁性層９２の形成においては、軟磁性材料の成膜時に基板Ｓ３を比較的高温に加熱する必要がある。基板Ｓ３が樹脂製である場合、軟磁性材料の成膜後に基板Ｓ３および軟磁性層９２が降温して収縮すると、樹脂材料と軟磁性材料とでは熱膨張率の差が大きいために、基板Ｓ３よりも収縮量の少ない軟磁性層９２に不当な応力が作用する。そのため、樹脂製の基板Ｓ３上にスパッタリング法により軟磁性層９２を形成すると、当該軟磁性層９２にてクラックや剥離が生じ易い。
【００１４】
一方、従来の光磁気記録媒体Ｘ４の工業的生産において良好なスループットを実現するという観点からは、相当程度の厚さが要求される軟磁性層９２の形成手法としては、スパッタリング法に代えて無電解めっき法を採用するのが好ましい。しかしながら、基板Ｓ３として樹脂基板を採用し、且つ、無電解めっき法により当該樹脂基板上に軟磁性材料を直接成膜すると、形成される軟磁性めっき層と樹脂基板との間にて、光磁気記録媒体において実用に耐え得るほどに充分な接合性が得られない。
【発明の開示】
【００１５】
本発明は、このような事情の下で考え出されたものであって、めっき法により形成される軟磁性めっき層と樹脂基板との間において良好な接合性を有するフロントイルミネーション方式光磁気記録媒体、および、そのような光磁気記録媒体を製造するための方法を、提供することを目的とする。
【００１６】
本発明の第１の側面によると光磁気記録媒体が提供される。この光磁気記録媒体は、プリグルーブが形成されたプリグルーブ面を有する樹脂基板と、記録機能および再生機能を担う記録磁性部と、樹脂基板から記録磁性部までの間に設けられている軟磁性めっき層と、樹脂基板および軟磁性めっき層の間に介在する、当該樹脂基板および軟磁性めっき層の接合性を高めるための密着層と、を備える。本光磁気記録媒体は、樹脂基板と記録磁性部との間に軟磁性層を有し、従って、本光磁気記録媒体の記録処理および再生処理では、基板とは反対の側から記録磁性部に対してレーザ照射が行われるフロントイルミネーション方式が採用される。
【００１７】
このような構成を有する光磁気記録媒体の製造においては、樹脂基板上に密着層が形成された後、当該密着層上に、めっき法により軟磁性めっき層が積層形成される。密着層は、樹脂材料よりなる基板との密着性に優れているとともに、軟磁性材料よりなるめっき膜との密着性に優れている材料よりなる。そのような材料としては、例えば、ＡｌＣｒ，Ａｌ，Ｃｒ，Ｔｉ，ＦｅＣｏ，Ｎｉ，ＮｉＰ，Ｐｄ，ＳｉＮ，およびＳｉＯ2が挙げられる。このような密着層が軟磁性めっき層および樹脂基板の間に介在しているので、本光磁気記録媒体では、当該軟磁性めっき層と樹脂基板との間において良好な接合性を得ることができるのである。
【００１８】
本発明の第１の側面に係る光磁気記録媒体においては、樹脂基板自体が、記録磁性部におけるランドグルーブ形状を形成するためのプリグルーブ層として機能するので、軟磁性めっき層と当該記録磁性部との間にプリグルーブ層を別途設ける必要はない。そのため、軟磁性めっき層および記録磁性部を近接させて、記録磁性部に含まれる記録層の記録磁界感度を向上させるという軟磁性めっき層の機能を効率よく発揮させることができる。
【００１９】
本発明の第１の側面に係る光磁気記録媒体においては、従来媒体にて採用されているガラス基板やアルミニウム基板に代えて比較的安価な樹脂基板が採用される。したがって、本光磁気記録媒体は、製造コストの低減を図るうえで好適である。
【００２０】
本発明の第１の側面に係る光磁気記録媒体においては、記録層の記録磁界感度を高めるための軟磁性層は、従来媒体の製造にて採用されているスパッタリング法に代えて、良好なスループットを実現することのできる無電解めっき法により形成することができる。したがって、本光磁気記録媒体は、製造効率の向上を図るうえで好適である。
【００２１】
本発明の第２の側面によると他の光磁気記録媒体が提供される。この光磁気記録媒体は、樹脂基板と、記録機能および再生機能を担う記録磁性部と、樹脂基板から記録磁性部までの間に設けられている軟磁性めっき層と、軟磁性めっき層から記録磁性部までの間に設けられているプリグルーブ層と、樹脂基板および軟磁性めっき層の間に介在する、当該樹脂基板および軟磁性めっき層の接合性を高めるための密着層と、を備える。本光磁気記録媒体は、樹脂基板と記録磁性部との間に軟磁性層を有し、従って、本光磁気記録媒体の記録処理および再生処理では、基板とは反対の側から記録磁性部に対してレーザ照射が行われるフロントイルミネーション方式が採用される。
【００２２】
このような構成を有する光磁気記録媒体の製造においては、樹脂基板上に密着層が形成された後、当該密着層上に、めっき法により軟磁性めっき層が積層形成される。密着層は、樹脂材料よりなる基板との密着性に優れているとともに、軟磁性材料よりなるめっき膜との密着性に優れている材料よりなる。したがって、本光磁気記録媒体では、第１の側面に係る光磁気記録媒体と同様に、当該軟磁性めっき層と樹脂基板との間において、良好な接合性を得ることができる。
【００２３】
本発明の第２の側面に係る光磁気記録媒体においては、プリグルーブ形成用のスタンパの凹凸形状が直接転写されたプリグルーブ層と記録磁性部とが近接している。このような構成は、高い寸法精度を有するランドグルーブ形状を記録磁性部にて実現するうえで好適である。
【００２４】
本発明の第２の側面に係る光磁気記録媒体においては、比較的安価な樹脂基板が採用されるので、本光磁気記録媒体は製造コストの低減を図るうえで好適である。また、本光磁気記録媒体においては、記録層の記録磁界感度を高めるための軟磁性層は、良好なスループットを実現することのできる無電解めっき法により形成することができるので、本光磁気記録媒体は製造効率の向上を図るうえで好適である。
【００２５】
本発明の第１および第２の側面においては、好ましくは、密着層は、ＡｌＣｒ，Ａｌ，Ｃｒ，Ｔｉ，ＦｅＣｏ，Ｎｉ，ＮｉＰ，Ｐｄ，ＳｉＮ，およびＳｉＯ2よりなる群から選択される材料を含む。このような構成は、樹脂基板との密着性に優れ且つ軟磁性めっき層との密着性に優れた密着層を得るうえで好適である。
【００２６】
好ましくは、密着層は５〜３０ｎｍの厚さを有する。軟磁性めっき層および樹脂基板の間の接合性の向上という密着層の機能は、その厚さが５ｎｍ以上で充分に発揮される傾向にある。一方、例えば、スパッタリング法により密着層を形成する場合には、樹脂基板に対しては、厚さ３０ｎｍを超える密着層を適切に形成できない傾向にある。
【００２７】
好ましくは、軟磁性めっき層はＣｏＮｉＦｅよりなる。ＣｏＮｉＦｅは、アモルファス軟磁性合金であり、光磁気記録媒体における記録層の記録磁界感度を向上するうえでは好適である。
【００２８】
本発明の第２の側面においては、好ましくは、プリグルーブ層は樹脂材料よりなり、且つ、本光磁気記録媒体は、軟磁性めっき層およびプリグルーブ層の間に、当該軟磁性めっき層およびプリグルーブ層の接合性を高めるための密着層を更に備える。プリグルーブ層が樹脂材料よりなる場合、軟磁性めっき層上にプリグルーブ層を直接設けると、両層の間において充分な接合性が得られない場合がある。本構成は、そのような不具合を回避するうえで好適である。
【００２９】
本発明の第３の側面によると光磁気記録媒体の製造方法が提供される。この方法は、プリグルーブが形成されたプリグルーブ面を有する樹脂基板における当該プリグルーブ面上に、ＡｌＣｒ，Ａｌ，Ｃｒ，Ｔｉ，ＦｅＣｏ，Ｎｉ，ＮｉＰ，Ｐｄ，ＳｉＮ，およびＳｉＯ2よりなる群から選択される材料をスパッタリング法により成膜することによって、密着層を形成するための工程と、密着層上に、無電解めっき法により軟磁性材料を成膜することによって、軟磁性めっき層を形成するための工程と、記録機能および再生機能を担う記録磁性部を形成するための工程と、を含む。記録磁性部は、軟磁性めっき層上に放熱部や誘電体層などを形成した後に形成される。
【００３０】
このような方法によると、本発明の第１の側面に係る光磁気記録媒体を適切に製造することができる。したがって、本発明の第３の側面によると、製造される光磁気記録媒体において、第１の側面に関して上述した効果が奏される。また、第３の側面によると、記録磁性部に含まれる軟磁性めっき層の形成手法として、無電解めっき法が採用されるので、軟磁性層の形成において良好なスループットを実現することができる。
【００３１】
本発明の第４の側面によると光磁気記録媒体の他の製造方法が提供される。この方法は、樹脂基板の上に、ＡｌＣｒ，Ａｌ，Ｃｒ，Ｔｉ，ＦｅＣｏ，Ｎｉ，ＮｉＰ，Ｐｄ，ＳｉＮ，およびＳｉＯ2よりなる群から選択される材料をスパッタリング法により成膜することによって、密着層を形成するための工程と、密着層上に、無電解めっき法により軟磁性材料を成膜することによって、軟磁性めっき層を形成するための工程と、軟磁性めっき層上にプルグルーブ層を形成するための工程と、記録機能および再生機能を担う記録磁性部を形成するための工程と、を含む。プリグルーブ層は、プリグルーブが形成されたプリグルーブ面を基板とは反対の側に有する。記録磁性部は、プリグルーブ層上に放熱部や誘電体層などを形成した後に形成される。
【００３２】
このような方法によると、本発明の第２の側面に係る光磁気記録媒体を適切に製造することができる。したがって、本発明の第４の側面によると、製造される光磁気記録媒体において、第２の側面に関して上述した効果が奏される。また、第４の側面によると、記録磁性部に含まれる軟磁性めっき層の形成手法として、無電解めっき法が採用されるので、軟磁性層の形成において良好なスループットを実現することができる。
【００３３】
本発明の第５の側面によると光磁気記録媒体の他の製造方法が提供される。この方法は、樹脂基板の上に、ＡｌＣｒ，Ａｌ，Ｃｒ，Ｔｉ，ＦｅＣｏ，Ｎｉ，ＮｉＰ，Ｐｄ，ＳｉＮ，およびＳｉＯ2よりなる群から選択される材料をスパッタリング法により成膜することによって、第１の密着層を形成するための工程と、密着層上に、無電解めっき法により軟磁性材料を成膜することによって、軟磁性めっき層を形成するための工程と、軟磁性めっき層上に、ＡｌＣｒ，Ａｌ，Ｃｒ，Ｔｉ，ＦｅＣｏ，Ｎｉ，ＮｉＰ，Ｐｄ，ＳｉＮ，およびＳｉＯ2よりなる群から選択される材料をスパッタリング法により成膜することによって、第２の密着層を形成するための工程と、第２の密着層上に、樹脂材料よりなるプルグルーブ層を形成するための工程と、記録機能および再生機能を担う記録磁性部を形成するための工程と、を含む。プリグルーブ層は、プリグルーブが形成されたプリグルーブ面を基板とは反対の側に有する。記録磁性部は、プリグルーブ層上に放熱部や誘電体層などを形成した後に形成される。
【００３４】
このような方法によると、本発明の第２の側面に係る光磁気記録媒体を適切に製造することができる。したがって、本発明の第５の側面によると、製造される光磁気記録媒体において、第２の側面に関して上述した効果が奏される。また、第５の側面によると、記録磁性部に含まれる軟磁性めっき層の形成手法として、無電解めっき法が採用されるので、軟磁性層の形成において良好なスループットを実現することができる。
【００３５】
本発明の第３から第５の側面において、好ましくは、密着層は５〜３０ｎｍの厚さに形成される。好ましくは、軟磁性めっき層は、ＣｏＮｉＦｅを成膜することにより形成される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３６】
図１は、本発明の第１の実施形態に係る光磁気記録媒体Ｘ１を表す。光磁気記録媒体Ｘ１は、樹脂基板Ｓ１と、記録磁性部１１と、軟磁性層１２と、密着層１３と、放熱部１４と、誘電体層１５と、保護膜１６とを備え、フロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして構成されたものである。
【００３７】
樹脂基板Ｓ１は、光磁気記録媒体Ｘ１の剛性を確保するための部位であり、所望の寸法でプリグルーブ１ｂが形成されたプリグルーブ面１ａを有する。このような樹脂基板Ｓ１は、例えば、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）樹脂、エポキシ樹脂、またはポリオレフィン樹脂よりなる。
【００３８】
記録磁性部１１は、本実施形態では、図２に示すように記録層１１ａおよび記録補助層１１ｂよりなる。
【００３９】
記録層１１ａは、情報トラックとして利用されるランド部および／またはグルーブ部において、熱磁気的な記録および磁気光学効果を利用した再生という２つの機能を担う部位であり、希土類元素と遷移金属とを含むアモルファス合金よりなり、且つ、垂直磁気異方性を有して垂直方向に磁化された垂直磁化膜である。垂直方向とは、層を構成する磁性膜の膜面に対して垂直な方向をいう。記録層１１ａを構成するアモルファス合金に含まれる希土類元素としては、Ｔｂ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｎｄ，またはＰｒなどを用いることができる。遷移金属としては、ＦｅやＣｏなどを用いることができる。より具体的には、記録層１１ａは、例えば、所定の組成を有するＴｂＦｅＣо，ＤｙＦｅＣо，またはＴｂＤｙＦｅＣоよりなる。記録層１１ａの厚さは、例えば２５〜６５ｎｍである。
【００４０】
記録補助層１１ｂは、記録層１１ａとの間に交換結合力を生じて当該記録層１１ａの記録磁界感度を向上する機能を有する。記録補助層１１ｂは、希土類−遷移金属アモルファス合金よりなる垂直磁化膜である。
【００４１】
本発明では、記録磁性部１１について、以上のような構成に代えて、記録機能および再生機能を併有する単一の記録層のみにより構成してもよい。或は、記録磁性部１１は、相対的に保磁力が大きくて記録機能を担う記録層と、再生用レーザにおけるカー回転角が相対的に大きくて再生機能を担う再生層とからなる、２層構造を有してもよい。或は、記録磁性部１１は、ＭＳＲ方式再生、ＭＡＭＭＯＳ方式再生、またはＤＷＤＤ方式再生を実現するための、記録層、再生層、およびこれらの間の中間層よりなる３層構造を有してもよい。
【００４２】
これらのような磁性構造を有する記録磁性部１１を設ける場合、記録磁性部１１のとり得る各構造における各層は、希土類元素と遷移金属とのアモルファス合金よりなり、垂直磁気異方性を有して垂直方向に磁化された垂直磁化膜である。希土類元素としては、Ｔｂ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｎｄ，またはＰｒなどを用いることができる。遷移金属としては、ＦｅやＣｏなどを用いることができる。より具体的には、記録層は、上述のように、例えば、所定の組成を有するＴｂＦｅＣо，ＤｙＦｅＣо，またはＴｂＤｙＦｅＣоよりなる。再生層を設ける場合、当該再生層は、例えば、所定の組成を有するＧｄＦｅＣо，ＧｄＤｙＦｅＣо，ＧｄＴｂＤｙＦｅＣо，ＮｄＤｙＦｅＣо，ＮｄＧｄＦｅＣо，またはＰｒＤｙＦｅＣоよりなる。中間層を設ける場合、当該中間層は、例えば、所定の組成を有するＧｄＦｅ，ＴｂＦｅ，ＧｄＦｅＣо，ＧｄＤｙＦｅＣо，ＧｄＴｂＤｙＦｅＣо，ＮｄＤｙＦｅＣо，ＮｄＧｄＦｅＣо，またはＰｒＤｙＦｅＣоよりなる。各層の厚さは、記録磁性部１１に所望される磁性構造に応じて決定される。
【００４３】
軟磁性層１２は、記録磁性部１１に含まれる記録層１１ａの記録磁界感度を高めるための部位であり、高い透磁率を有する軟磁性材料が無電解めっき法により成膜されて形成されたものである。軟磁性材料としては、例えばＣｏＮｉＦｅ、ＦｅＣｏ，およびＦｅＮｉなどが挙げられる。軟磁性層１２の厚さは、例えば２００〜１０００ｎｍである。
【００４４】
光磁気記録媒体Ｘ１の記録時において、保護膜１６の側から磁気記録ヘッドにより記録層１１ａに印加される記録磁界の磁束は、記録層１１ａの下方に軟磁性層１２が存在することに起因して、記録層１１ａにて拡散せずに集中する傾向にある。そのため、当該記録層１１ａの記録磁界感度は、軟磁性層１２が存在しない場合よりも向上している。
【００４５】
密着層１３は、無電解めっき法により形成される軟磁性層１２と樹脂基板Ｓ１との間に介在し、これらの間の接合性を高めるための部位であり、樹脂製の基材（樹脂基板Ｓ１）との密着性に優れており、且つ、軟磁性材料よりなるめっき膜（軟磁性層１２）との密着性に優れている材料よりなる。そのような材料としては、例えば、ＡｌＣｒ，Ａｌ，Ｃｒ，Ｔｉ，ＦｅＣｏ，Ｎｉ，ＮｉＰ，Ｐｄ，ＳｉＮ，およびＳｉＯ2が挙げられる。密着層１３の厚さは、５〜３０ｎｍである。
【００４６】
放熱部１４は、記録時および再生時のレーザ照射により記録磁性部１１などにて発生する熱を適切に基板Ｓ１へ伝えるための部位である。放熱部１４は、本実施形態では、図２に示すように、熱伝導層１４ａ，１４ｂおよび熱分布調整層１４ｃよりなる積層構造を有する。
【００４７】
熱伝導層１４ａ，１４ｂは、高熱伝導材料よりなる。当該高熱伝導材料としては、例えば、Ａｇ，Ａｇ合金，Ａｌ合金（ＡｌＴｉ，ＡｌＣｒなど），Ａｕ，またはＰｔを採用することができる。熱分布調整層１４ｃは、熱伝導層１４ａ，１４ｂよりも熱伝導率が低く、例えばＳｉＮよりなる。ＳｉＮよりなる熱分布調整層１４ｃは、基板Ｓ１と記録磁性部１１との間の誘電体層としても機能する。熱伝導層１４ａ，１４ｂの厚さは、例えば２０〜５０ｎｍであり、熱分布調整層１４ｃの厚さは、例えば２〜１０ｎｍである。
【００４８】
本発明では、放熱部１４について、このような構成に代えて、単一の熱伝導層により構成してもよいし、熱伝導層および熱分布調整層の２層構造を採用してもよい。
【００４９】
誘電体層１５は、記録磁性部１１に対する外部からの磁気的影響を回避ないし抑制するための部位であり、例えば、ＳｉＮ，ＳｉＯ2，ＹＳｉＯ2，ＺｎＳｉＯ2，ＡｌＯ，またはＡｌＮよりなる。誘電体層１５の厚さは、例えば３０〜６０ｎｍである。
【００５０】
保護膜１６は、光磁気記録媒体Ｘ１の記録用レーザおよび再生用レーザに対して充分な透過性を有する樹脂よりなり、例えば１０〜４０μｍの厚さを有する。保護膜１６を構成するための樹脂としては、例えば、アクリル樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、エポキシ樹脂、またはポリオレフィン樹脂が挙げられる。
【００５１】
図３および図４は、光磁気記録媒体Ｘ１の製造方法を表す。光磁気記録媒体Ｘ１の製造においては、まず、図３Ａに示すような、プリグルーブ１ｂが形成されたプリグルーブ面１ａを有する樹脂基板Ｓ１を用意する。樹脂基板Ｓ１は、従来の光ディスク原盤作製プロセスを経て作製されたＮｉ製スタンパを金型内に配設して行う樹脂射出成形により、成形されたものである。当該Ｎｉスタンパは、樹脂基板Ｓ１にてプリグルーブ１ｂを形成するための凹凸形状を有する。
【００５２】
次に、図３Ｂに示すように、樹脂基板Ｓ１におけるプリグルーブ面１ａの上に密着層１３を形成する。密着層１３を構成するための上掲の材料をスパッタリング法によりプリグルーブ面１ａ上に成膜することによって、密着層１３を形成することができる。
【００５３】
次に、図３Ｃに示すように、無電解めっき法により、密着層１３上に軟磁性層１２を形成する。具体的には、まず、密着層１３を表面に形成した樹脂基板Ｓ１を、塩化スズ水溶液（１〜５ｗｔ％、室温）に浸漬した後、充分な水洗を行う。当該水溶液に含まれる塩化スズは、密着層１３の表面に吸着し、後出のパラジウムの吸着核として機能する。次に、当該樹脂基板Ｓ１を塩化パラジウム水溶液（０．０１〜０．１ｗｔ％、室温）に浸漬した後、充分な水洗を行う。当該水溶液に含まれるパラジウムは、塩化スズを核として密着層１３の表面に吸着し、後出のめっき成長における触媒核として機能する。次に、所定の組成を有するめっき浴に当該基板Ｓ１を浸漬し、無電解めっき法により軟磁性めっき膜を成長させる。めっき浴は、形成目的の軟磁性層１２の組成に応じて、所定濃度のＣｏ，Ｎｉ，Ｆｅなどを含む。めっき浴は好ましくは所定濃度のＢを含む。
【００５４】
光磁気記録媒体Ｘ１の製造においては、次に、図４Ａに示すように、軟磁性層１２上に放熱部１４（熱伝導層１４ａ、熱分布調整層１４ｃ、熱伝導層１４ｂ）、記録磁性部１１（記録補助層１１ｂ、記録層１１ａ）、および誘電体層１５を順次形成する。各層は、スパッタリング法により形成することができる。
【００５５】
次に、図４Ｂに示すように、誘電体層１５上に保護膜１６を形成する。保護膜１６の形成においては、まず、誘電体層１５上に液状の樹脂組成物を成膜する。成膜手法としてはスピンコート法を採用することができる。当該樹脂組成物としては、保護膜１６の構成材料として上掲した樹脂を主成分として、紫外線硬化性を有するものを使用する。次に、紫外線照射により、当該樹脂膜を硬化させる。このようにして、保護膜１６を形成することができる。
【００５６】
以上のようにして、図１および図２に示す光磁気記録媒体Ｘ１を製造することができる。
【００５７】
光磁気記録媒体Ｘ１では、高い透磁率を有する軟磁性層１２が存在するため、記録時において、磁気記録ヘッドから記録層１１ａに印加される記録磁界の磁束は記録層１１ａにて拡散せずに集中する傾向にある。したがって、記録層１１ａの記録磁界感度は、軟磁性層１２が存在しない場合よりも向上している。
【００５８】
光磁気記録媒体Ｘ１の記録処理および再生処理では、保護膜１６の側から記録磁性部１１に対してレーザ照射が行われるところ、軟磁性層１２は、記録磁性部１１（記録層１１ａ）について保護膜１６とは反対の側に設けられているので、このようなフロントイルミネーション方式の記録処理および再生処理を阻害しない。
【００５９】
光磁気記録媒体Ｘ１の製造においては、樹脂基板Ｓ１上に密着層１３が形成された後、当該密着層１３上に、無電解めっき法により軟磁性層１２が積層形成される。密着層１３は、樹脂材料よりなる基板（樹脂基板Ｓ１）との密着性に優れ且つ軟磁性材料よりなるめっき膜（軟磁性層１２）との密着性に優れている材料よりなる。このような密着層１３が樹脂基板Ｓ１と軟磁性層１２との間に介在しているので、光磁気記録媒体Ｘ１では、樹脂基板Ｓ１と軟磁性層１２との間において、良好な接合性を達成することができる。
【００６０】
光磁気記録媒体Ｘ１では、樹脂基板Ｓ１自体が、記録磁性部１１におけるランドグルーブ形状を形成するためのプリグルーブ層として機能するので、軟磁性層１２と記録磁性部１１との間にプリグルーブ層を別途設ける必要はない。そのため、軟磁性層１２および記録磁性部１１を近接させて、記録層１１ａの記録磁界感度を向上させるという軟磁性層１２の機能を効率よく発揮させることができる。
【００６１】
光磁気記録媒体Ｘ１では、従来媒体にて採用されているガラス基板やアルミニウム基板に代えて比較的安価な樹脂基板が採用される。したがって、光磁気記録媒体Ｘ１は、製造コストの低減を図るうえで好適である。
【００６２】
光磁気記録媒体Ｘ１では、記録層１１ａの記録磁界感度を高めるための軟磁性層１２は、従来媒体の製造にて採用されているスパッタリング法に代えて、良好なスループットを実現することのできる無電解めっき法により形成される。したがって、光磁気記録媒体Ｘ１は、製造効率の向上を図るうえで好適である。
【００６３】
図５および図６は、本発明の第２の実施形態に係る光磁気記録媒体Ｘ２を表す。光磁気記録媒体Ｘ２は、樹脂基板Ｓ２と、記録磁性部１１と、軟磁性層１２と、密着層１３と、放熱部１４と、誘電体層１５と、保護膜１６と、プリグルーブ層１７とを備え、フロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして構成されたものである。
【００６４】
樹脂基板Ｓ２は、光磁気記録媒体Ｘ２の剛性を確保するための部位であり、平坦なディスク基板である。このような樹脂基板Ｓ２は、例えば、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）樹脂、エポキシ樹脂、またはポリオレフィン樹脂よりなる。
【００６５】
光磁気記録媒体Ｘ２の記録磁性部１１、軟磁性層１２、密着層１３、放熱部１４、誘電体層１５、および保護膜１６の構成については、光磁気記録媒体Ｘ１に関して上述したのと同一である。
【００６６】
プリグルーブ層１７は、樹脂材料よりなり、所望の寸法でプリグルーブ１７ｂが形成されたプリグルーブ面１７ａを有する。プリグルーブ層１７は、例えば、アクリル樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、エポキシ樹脂、またはポリオレフィン樹脂よりなる。
【００６７】
図７から図９は、光磁気記録媒体Ｘ２の製造方法を表す。光磁気記録媒体Ｘ２の製造においては、まず、図７Ａに示すような平坦な樹脂基板Ｓ２を用意する。樹脂基板Ｓ２は、従来の光ディスク原盤作製プロセスを経て作製されたＮｉ製スタンパを金型内に配設して行う樹脂射出成形により、成形されたものである。当該Ｎｉスタンパは、成形される樹脂基板Ｓ２の表面を平坦とすべく、平坦である。
【００６８】
次に、図７Ｂに示すように、樹脂基板Ｓ２上に密着層１３を形成する。密着層１３の形成手法は、第１の実施形態に関して図３Ｂを参照して上述したのと同様である。
【００６９】
次に、図７Ｃに示すように、無電解めっき法により、密着層１３上に軟磁性層１２を形成する。具体的な形成手法は、第１の実施形態に関して図３Ｃを参照して上述したのと同様である。
【００７０】
次に、図８Ａおよび図８Ｂに示すように、紫外線硬化性樹脂１７’を介して、軟磁性層１２にスタンパ２１を貼り合わせる。スタンパ２１は、透明であり、当該紫外線硬化性樹脂１７’にて形成すべきプリグルーブ１７ｂに対応する凹凸形状を有する。この後、軟磁性層１２にスタンパ２１が貼り合わされた状態で、スタンパ２１の側から紫外線硬化性樹脂１７’に対して紫外線を照射する。これにより、当該樹脂が硬化してプリグルーブ層１７が形成される。次に、図８Ｃに示すように、スタンパ２１をプリグルーブ層１７から剥離する。
【００７１】
次に、図９Ａに示すように、プリグルーブ層１７上に放熱部１４（熱伝導層１４ａ、熱分布調整層１４ｃ、熱伝導層１４ｂ）、記録磁性部１１（記録補助層１１ｂ、記録層１１ａ）、および誘電体層１５を順次形成する。各層は、スパッタリング法により形成することができる。
【００７２】
次に、図９Ｂに示すように、プリグルーブ層１７上に保護膜１６を形成する。保護膜１６の形成手法は、第１の実施形態に関して図４Ｂを参照して上述したのと同様である。
【００７３】
以上のようにして、図５および図６に示す光磁気記録媒体Ｘ２を製造することができる。
【００７４】
光磁気記録媒体Ｘ２では、光磁気記録媒体Ｘ１と同様に、記録層１１ａの記録磁界感度は、軟磁性層１２が存在しない場合よりも向上している。
【００７５】
光磁気記録媒体Ｘ２はフロントイルミネーション方式を採用するところ、軟磁性層１２は、記録磁性部１１（記録層１１ａ）について保護膜１６とは反対の側に設けられているので、フロントイルミネーション方式の記録処理および再生処理を阻害しない。
【００７６】
光磁気記録媒体Ｘ２の製造においては、樹脂基板Ｓ２上に密着層１３が形成された後、当該密着層１３上に、無電解めっき法により軟磁性層１２が積層形成される。密着層１３は、樹脂材料よりなる基板（樹脂基板Ｓ２）との密着性に優れ且つ軟磁性材料よりなるめっき膜（軟磁性層１２）との密着性に優れている材料よりなる。このような密着層１３が樹脂基板Ｓ２と軟磁性層１２との間に介在しているので、光磁気記録媒体Ｘ２では、樹脂基板Ｓ２と軟磁性層１２との間において、良好な接合性を達成することができる。
【００７７】
光磁気記録媒体Ｘ２では、プリグルーブ形成用のスタンパの凹凸形状が直接転写されたプリグルーブ層１７と記録層１１ａとが近接している。このような構成は、高い寸法精度を有するランドグルーブ形状を記録磁性部１１にて実現するうえで好適である。
【００７８】
光磁気記録媒体Ｘ２では、比較的安価な樹脂基板が採用されているので、光磁気記録媒体Ｘ２は、製造コストの低減を図るうえで好適である。
【００７９】
光磁気記録媒体Ｘ２では、記録層１１ａの記録磁界感度を高めるための軟磁性層１２は、良好なスループットを実現することのできる無電解めっき法により形成されるので、光磁気記録媒体Ｘ１は、製造効率の向上を図るうえで好適である。
【００８０】
図１０および図１１は、本発明の第３の実施形態に係る光磁気記録媒体Ｘ３を表す。光磁気記録媒体Ｘ３は、樹脂基板Ｓ２と、記録磁性部１１と、軟磁性層１２と、密着層１３，１８と、放熱部１４と、誘電体層１５と、保護膜１６と、プリグルーブ層１７とを備え、フロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして構成されたものである。光磁気記録媒体Ｘ３は、軟磁性層１２とプリグルーブ層１７との間に更に密着層１８を有する点を除いては、光磁気記録媒体Ｘ２と同一の構成を有する。
【００８１】
密着層１８は、無電解めっき法により形成される軟磁性層１２とプリグルーブ層１７との間に介在し、これらの間の接合性を高めるための部位である。密着層１８は、樹脂製のプリグルーブ層１７との密着性に優れており、且つ、無電解めっき法により形成された軟磁性層１２との密着性に優れている材料よりなる。そのような材料としては、例えば、ＡｌＣｒ，Ａｌ，Ｃｒ，Ｔｉ，ＦｅＣｏ，Ｎｉ，ＮｉＰ，Ｐｄ，ＳｉＮ，およびＳｉＯ2が挙げられる。密着層１８の厚さは、５〜３０ｎｍである。
【００８２】
このような構造の光磁気記録媒体Ｘ３は、軟磁性層１２を形成した後であり且つプリグルーブ層１７を形成する前に軟磁性層１２上に密着層１８を形成する工程を更に行う以外は、光磁気記録媒体Ｘ２と同様の工程を経て製造される。密着層１８の形成手法としては、スパッタリング法が採用される。
【００８３】
光磁気記録媒体Ｘ３においては、光磁気記録媒体Ｘ２に関して上述したのと同一の利益を享受することができる。
【００８４】
加えて、光磁気記録媒体Ｘ３では、軟磁性層１２との密着性に優れ且つ樹脂材料よりなるプリグルーブ層１７との密着性に優れる密着層１８が、当該軟磁性層１２およびプリグルーブ層１７の間に介在しているので、軟磁性層１２およびプリグルーブ層１７の間において、良好な接合性を達成することができる。
【００８５】
〔実施例１〕
図１２に示す積層構成を有するフロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして、本実施例の光磁気記録媒体を作製した。
【００８６】
本実施例の光磁気記録媒体の作製においては、まず、スパイラル状のプリグルーブを表面に有するポリカーボネート製の基板（直径：８６ｍｍ、厚さ：１．２ｍｍ、ランド幅：０．２７５μｍ、グルーブ幅：０．２７５μｍ、グルーブ深さ：５０ｎｍ）を作製した。具体的には、深さが５０ｎｍであり且つトラックピッチが０．２７５μｍのスパイラルパターンを表面に有するＮｉスタンパを金型内に配設して行う樹脂射出成形により、当該基板を成形した。
【００８７】
次に、基板におけるプリグルーブ面上に、ＤＣマグネトロンスパッタリング装置を使用して行うＤＣスパッタリング法により、Ｔｉを成膜することによって、厚さ３０ｎｍの密着層を形成した。本スパッタリングでは、Ｔｉターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスを使用し、スパッタガス圧力を０．５Ｐａとし、放電電力を４００Ｗとした。
【００８８】
次に、無電解めっき法により、密着層上に厚さ１０００ｎｍの軟磁性層を形成した。具体的には、まず、上述のようにして密着層が形成された基板を３ｗｔ％塩化スズ水溶液（３５℃）に１分間浸漬した後、純水で洗浄した。次に、当該基板を０．０５ｗｔ％塩化パラジウム水溶液（３５℃）に１分間浸漬した後、純水で洗浄した。次に、当該基板を、無電解めっき浴（５５℃）に所定時間浸漬した後、純水で洗浄した。本無電解めっき浴は、０．１ｗｔ％のジメチルアミンボラン、０．３ｗｔ％の硫酸ニッケル、０．３ｗｔ％の硫酸鉄、および３ｗｔ％の硫酸コバルトを含む水溶液である。このようにして、無電解めっき法により厚さ１０００ｎｍの軟磁性層（ＣｏＮｉＦｅ）を形成した。
【００８９】
次に、ＤＣスパッタリング法により、軟磁性層上にＡｇＰｄＣｕＳｉ合金を成膜することによって、厚さ１０ｎｍの第１の熱伝導層を形成した。具体的には、ＡｇＰｄＣｕ合金ターゲットとＳｉターゲットを用いたコスパッタリングを行い、スパッタガスとしてＡｒガスを使用し、スパッタガス圧力を０．５Ｐａとし、ＡｇＰｄＣｕ合金ターゲットについての放電電力を５００Ｗとし、Ｓｉターゲットについての放電電力を４０Ｗとした。
【００９０】
次に、ＤＣスパッタリング法により、第１の熱伝導層上にＳｉＮを成膜することによって、厚さ５ｎｍの熱分布調整層を形成した。具体的には、Ｓｉターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスおよびＮ2ガスを使用して行う反応性スパッタリングにより、基板上にＳｉＮを成膜した。本スパッタリングでは、ＡｒガスおよびＮ2ガスの流量比を３：１とし、スパッタガス圧力を１．５Ｐａとし、放電電力を８００Ｗとした。
【００９１】
次に、ＤＣスパッタリング法により、熱分布調整層上にＡｇＰｄＣｕＳｉ合金を成膜することにより、厚さ３０ｎｍの第２の熱伝導層を形成した。具体的なスパッタリング条件については、第１の熱伝導層の形成に関して上述したのと同一である。このようにして、第１の熱伝導層（ＡｇＰｄＣｕＳｉ、厚さ１０ｎｍ）、熱分布調整層（ＳｉＮ、厚さ５ｎｍ）、および第２の熱伝導層（ＡｇＰｄＣｕＳｉ、厚さ３０ｎｍ）からなる放熱部を形成した。
【００９２】
本実施例の光磁気記録媒体の作製においては、次に、ＤＣスパッタリング法により、第２の熱伝導層上にＧｄＦｅＣｏアモルファス合金（Ｇｄ25Ｆｅ49Ｃｏ26）を成膜することにより、厚さ５ｎｍの記録補助層を形成した。本スパッタリングでは、ＧｄＦｅＣｏ合金ターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスを使用し、スパッタガス圧力を０．５Ｐａとし、スパッタ電力を５００Ｗとした。
【００９３】
次に、ＤＣスパッタリング法により、記録補助層上にＴｂＦｅＣｏアモルファス合金（Ｔｂ23Ｆｅ61Ｃｏ16）を成膜することにより、厚さ２５ｎｍの記録層を形成した。本スパッタリングにおいては、ＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスを使用し、スパッタガス圧力を１．５Ｐａとし、放電電力を５００Ｗとした。このようにして、記録層（Ｔｂ23Ｆｅ61Ｃｏ16、厚さ２５ｎｍ）および記録補助層（Ｇｄ25Ｆｅ49Ｃｏ26、厚さ５ｎｍ）よりなり記録機能および再生機能を担う記録磁性部を形成した。
【００９４】
次に、記録層上にＳｉＮを成膜することにより、厚さ５０ｎｍの誘電体層を形成した。具体的には、Ｓｉターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスおよびＮ2ガスを使用して行う反応性スパッタリングにより、基板上にＳｉＮを成膜した。本スパッタリングでは、ＡｒガスおよびＮ2ガスの流量比を３：１とし、スパッタガス圧力を１．５Ｐａとし、放電電力を８００Ｗとした。
【００９５】
次に、誘電体層上に厚さ１５μｍの透明な保護膜を形成した。具体的には、まず、スピンコート法により、誘電体層上に紫外線硬化性樹脂（商品名：ダイキュアクリア、大日本インキ製）を１５μｍの厚さに成膜した。次に、紫外線照射により当該紫外線硬化性樹脂膜を硬化させ、誘電体層上に保護膜を形成した。以上のようにして、本実施例の光磁気記録媒体を作製した。
【００９６】
本実施例の光磁気記録媒体について、再生信号におけるビットエラーレート（ＢＥＲ）の記録磁界依存性を調べた。具体的には、まず、光磁気記録媒体（光磁気ディスク）における情報トラック（グルーブトラックおよびランドトラック）に対し、最短マーク長０．１５μｍのランダムな信号を記録した。当該記録処理は、所定の光ディスク評価装置を使用して磁界変調記録方式により行った。この評価装置における対物レンズの開口数ＮＡは０．８５であり、レーザ波長は４０５ｎｍである。当該記録処理では、レーザ走査速度を７．５ｍ/ｓとし、情報トラックごとにレーザ（レーザーパワー１８ｍＷ）を連続パルス照射しつつ、所定の印加磁界（記録磁界）を変調した。
【００９７】
次に、光磁気記録媒体におけるグルーブトラックのみを又はランドトラックのみを再生し、記録時の変調信号と再生時の復調信号とを比較することにより、記録変調信号に対する再生復調信号の誤り率をビットエラーレート（ＢＥＲ）として算出した。当該再生処理は、記録処理と同一の評価装置を使用して行い、レーザーパワーを１８ｍＷとし、レーザ走査速度を７．５ｍ/ｓとした。
【００９８】
このような記録処理およびその後の再生処理を、記録処理における印加磁界（記録磁界）を変化させて各記録磁界ごとに行い、各記録磁界におけるＢＥＲを測定した。各光磁気記録媒体におけるＢＥＲの記録磁界依存性を、図１４のグラフに掲げる。図１４のグラフにおいては、磁気記録ヘッドの発する記録磁界（Ｏｅ）を横軸にて表し、縦軸にてＢＥＲを表す。線Ｇは、グルーブトラックにおけるＢＥＲの記録磁界依存性を示す。線Ｌは、ランドトラックにおけるＢＥＲの記録磁界依存性を示す。
【００９９】
図１４のグラフによると、本実施例の光磁気記録媒体においては比較的高い記録磁界感度が達成されていることが理解できよう。また、グルーブトラックにおける記録層の方が、ランドトラックにおける記録層よりも、記録磁界感度が高いことが判る。
【０１００】
〔比較例１〕
樹脂基板と軟磁性層の間にＴｉ密着層が介在せずに樹脂基板上に軟磁性層が直接設けられている以外は、実施例１の光磁気記録媒体と同一の積層構成を有する光磁気記録媒体の作製を試みた。
【０１０１】
まず、実施例１と同様にして、スパイラル状のプリグルーブを表面に有するポリカーボネート製の基板（直径：８６ｍｍ、厚さ：１．２ｍｍ、ランド幅：０．２７５μｍ、グルーブ幅：０．２７５μｍ、グルーブ深さ：５０ｎｍ）を作製した。
【０１０２】
次に、実施例１と同様の無電解めっき法により、基板におけるプリグルーブ面上に軟磁性材料を成長させた。しかしながら、軟磁性めっき層を再現性よく形成することができなかった。軟磁性めっき層を形成することができた場合であっても、後に続く工程にて、基板表面から材料膜が剥離してしまった。そのため、光磁気記録媒体を作製することができなかった。
【０１０３】
〔実施例２〕
図１３に示す積層構成を有するフロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして、本実施例の光磁気記録媒体を作製した。
【０１０４】
本実施例の光磁気記録媒体の作製においては、まず、密着層が積層されるべき面が平坦なポリカーボネート製の基板（直径：８６ｍｍ、厚さ：１．２ｍｍ）を作製した。具体的には、プリグルーブパターンを有しない平坦なＮｉスタンパを金型内に配設して行う樹脂射出成形により、当該基板を成形した。
【０１０５】
次に、基板における平坦面上に、実施例１と同様にして、密着層（Ｔｉ、厚さ：３０ｎｍ）および軟磁性層（ＣｏＮｉＦｅ、厚さ：１０００ｎｍ）を順次形成した。
【０１０６】
次に、軟磁性層上に紫外線硬化性樹脂（商品名：ユピマー、三菱化学製）を塗布した後、当該樹脂に対して透明スタンパを軟磁性層に貼り合せた。この透明スタンパは、深さが５０ｎｍであり且つトラックピッチが０．２７５μｍのスパイラルパターンを、樹脂との接触面に有する。紫外線照射により樹脂を硬化させた後、スタンパを樹脂から剥がした。これにより、スタンパのスパイラルパターンが転写されて形成されたスパイラル状のプリグルーブを表面に有するプリグルーブ層（厚さ：１０μｍ、ランド幅：０．２７５μｍ、グルーブ幅：０．２７５μｍ、グルーブ深さ：５０ｎｍ）が形成された。
【０１０７】
本光磁気記録媒体の作製においては、次に、プリグルーブ層上に、実施例１と同様にして、第１の熱伝導層（ＡｇＰｄＣｕＳｉ、厚さ：１０ｎｍ）、熱分布調整層（Ｓｉ、厚さ：５ｎｍ）、第２の熱伝導層（ＡｇＰｄＣｕＳｉ、厚さ：３０ｎｍ）、記録補助層（ＧｄＦｅＣｏ、厚さ：５ｎｍ）、記録層（ＴｂＦｅＣｏ、厚さ：２５ｎｍ）、誘電体層（ＳｉＮ、厚さ：５０ｎｍ）、および保護層（紫外線硬化性透明樹脂、厚さ：１５μｍ）を順次形成した。以上のようにして、本実施例の光磁気記録媒体を作製した。
【０１０８】
本実施例の光磁気記録媒体について、実施例１と同様にして、ＢＥＲの記録磁界依存性を調べたところ、実施例１の光磁気記録媒体と略同様の特性が得られた。
【図面の簡単な説明】
【０１０９】
【図１】図１は、本発明の第１の実施形態に係る光磁気記録媒体の部分断面図である。
【図２】図２は、図１に示す光磁気記録媒体の情報トラックにおける積層構成を表す。
【図３】図３Ａ〜図３Ｃは、図１に示す光磁気記録媒体の製造方法における一部の工程を表す。
【図４】図４Ａおよび図４Ｂは、図３Ｃの後に続く工程を表す。
【図５】図５は、本発明の第２の実施形態に係る光磁気記録媒体の部分断面図である。
【図６】図６は、図５に示す光磁気記録媒体の情報トラックにおける積層構成を表す。
【図７】図７Ａ〜図７Ｃは、図６に示す光磁気記録媒体の製造方法における一部の工程を表す。
【図８】図８Ａ〜図８Ｃは、図７Ｃの後に続く工程を表す。
【図９】図９Ａおよび図９Ｂは、図８Ｃの後に続く工程を表す。
【図１０】図１０は、本発明の第３の実施形態に係る光磁気記録媒体の部分断面図である。
【図１１】図１１は、図１０に示す光磁気記録媒体の情報トラックにおける積層構成を表す。
【図１２】図１２は、実施例１の光磁気記録媒体の情報トラックにおける積層構成を表す。
【図１３】図１３は、実施例２の光磁気記録媒体の情報トラックにおける積層構成を表す。
【図１４】図１４は、実施例１の光磁気記録媒体におけるグルーブトラックおよびランドトラックについて、ビットエラーレートの記録磁界依存性を表す。
【図１５】図１５は、軟磁性層を有する従来の光磁気記録媒体の積層構成を表す。
【手続補正２】
【補正対象書類名】手続補正書
【補正対象項目名】手続補正４
【補正方法】追加
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プリグルーブが形成されたプリグルーブ面を有する樹脂基板と、
記録機能および再生機能を担う記録磁性部と、
前記樹脂基板から前記記録磁性部までの間に設けられている軟磁性めっき層と、
前記樹脂基板および前記軟磁性めっき層の間に介在する、当該樹脂基板および軟磁性めっき層の接合性を高めるための密着層と、を備える光磁気記録媒体。
【請求項２】
樹脂基板と、
記録機能および再生機能を担う記録磁性部と、
前記樹脂基板から前記記録磁性部までの間に設けられている軟磁性めっき層と、
前記軟磁性めっき層から前記記録磁性部までの間に設けられているプリグルーブ層と、
前記樹脂基板および前記軟磁性めっき層の間に介在する、当該樹脂基板および軟磁性めっき層の接合性を高めるための密着層と、を備える光磁気記録媒体。
【請求項３】
プリグルーブが形成されたプリグルーブ面を有する樹脂基板における当該プリグルーブ面上に、ＡｌＣｒ，Ａｌ，Ｃｒ，Ｔｉ，ＦｅＣｏ，Ｎｉ，ＮｉＰ，Ｐｄ，ＳｉＮ，およびＳｉＯ2よりなる群から選択される材料をスパッタリング法により成膜することによって、密着層を形成するための工程と、
前記密着層上に、無電解めっき法により軟磁性材料を成膜することによって、軟磁性めっき層を形成するための工程と、
記録機能および再生機能を担う記録磁性部を形成するための工程と、を含む、光磁気記録媒体の製造方法。
【請求項４】
樹脂基板の上に、ＡｌＣｒ，Ａｌ，Ｃｒ，Ｔｉ，ＦｅＣｏ，Ｎｉ，ＮｉＰ，Ｐｄ，ＳｉＮ，およびＳｉＯ2よりなる群から選択される材料をスパッタリング法により成膜することによって、密着層を形成するための工程と、
前記密着層上に、無電解めっき法により軟磁性材料を成膜することによって、軟磁性めっき層を形成するための工程と、
前記軟磁性めっき層上にプルグルーブ層を形成するための工程と、
記録機能および再生機能を担う記録磁性部を形成するための工程と、を含む、光磁気記録媒体の製造方法。
【請求項５】
樹脂基板の上に、ＡｌＣｒ，Ａｌ，Ｃｒ，Ｔｉ，ＦｅＣｏ，Ｎｉ，ＮｉＰ，Ｐｄ，ＳｉＮ，およびＳｉＯ2よりなる群から選択される材料をスパッタリング法により成膜することによって、第１の密着層を形成するための工程と、
前記密着層上に、無電解めっき法により軟磁性材料を成膜することによって、軟磁性めっき層を形成するための工程と、
前記軟磁性めっき層上に、ＡｌＣｒ，Ａｌ，Ｃｒ，Ｔｉ，ＦｅＣｏ，Ｎｉ，ＮｉＰ，Ｐｄ，ＳｉＮ，およびＳｉＯ2よりなる群から選択される材料をスパッタリング法により成膜することによって、第２の密着層を形成するための工程と、
前記第２の密着層上に、樹脂材料よりなるプルグルーブ層を形成するための工程と、
記録機能および再生機能を担う記録磁性部を形成するための工程と、を含む、光磁気記録媒体の製造方法。
【国際調査報告】
2004059636.tif 000020
2004059636.tif 000021
2004059636.tif 000022
2004059636.tif 000023