(57)【要約】本発明は光透過性および導電性がバランス良く改善された透明導電性基板を提供する。本発明による透明導電性基板は、透明な基体と、この基体上に形成された導電性の金属酸化物膜とを含み、この金属酸化物膜は錫およびフッ素を含有する。この金属酸化物膜をＳＩＭＳにより測定した深さ方向プロファイルにおいて、錫の感度に対するフッ素の感度の比の最大値Ｉｍａｘから最小値Ｉｍｉｎを引いた値は０．１５以上であり、Ｉｍａｘは１よりも大きく、Ｉｍｉｎは１よりも小さい。また、Ｉｍａｘを示す位置はＩｍｉｎを示す位置よりも金属酸化物膜の表面に近い。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明な基体と、前記基体上に形成された導電性の金属酸化物膜とを含み、前記金属酸化物膜が錫およびフッ素を含有し、前記金属酸化物膜をＳＩＭＳにより測定した深さ方向プロファイルにおいて、前記錫の感度に対する前記フッ素の感度の比の最大値Ｉｍａｘから最小値Ｉｍｉｎを引いた値が０．１５以上であり、前記Ｉｍａｘが１よりも大きく、前記Ｉｍｉｎが１よりも小さく、かつ前記Ｉｍａｘを示す位置が前記Ｉｍｉｎを示す位置よりも前記金属酸化物膜の表面に近い透明導電性基板。
【請求項２】
６００ｎｍ以上９００ｎｍ以下の波長範囲における前記金属酸化物膜の光吸収係数の平均値が５００ｃｍ−１以下である請求項１に記載の透明導電性基板。
【請求項３】
前記金属酸化物膜の膜厚が１μｍ以下である請求項１に記載の透明導電性基板。
【請求項４】
前記基体と前記金属酸化物膜との間に下地膜をさらに含む請求項１に記載の透明導電性基板。
【請求項５】
前記金属酸化物膜が、酸化錫を主成分とする請求項１に記載の透明導電性基板。
【請求項６】
前記基体がガラス板である請求項１に記載の透明導電性基板。
【請求項７】
請求項１に記載の透明導電性基板を含む光電変換素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本発明は、透明な基体とその上に形成された金属酸化物膜とを含む透明導電性基板、およびこの基板を含む光電変換素子に関する。
【背景技術】
【０００２】  ガラス等の透明な基体と、その上に形成された導電性の金属酸化物膜とを含む透明導電性基板は、金属酸化物膜上に機能性薄膜が形成された状態で様々なデバイスに使用されている。デバイスの例には、光センサー、太陽電池等の光電変換素子、液晶ディスプレイ、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）ディスプレイ、プラズマディスプレイ、ＦＥＤ（Ｆｉｅｌｄ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ｄｉｓｐｌａｙ）等の画像表示装置、発光ダイオード、固体レーザー等の発光装置が含まれる。透明導電性基板は、建築物や車両の窓、店舗用冷蔵庫の扉等に、Ｌｏｗ−Ｅ（Ｌｏｗ−Ｅｍｉｓｓｉｖｉｔｙ）ガラス、電磁波遮蔽ガラス、曇り止めガラス等として用いられることもある。透明導電性基板は、複写機の原稿台としても有用である。【０００３】  光電変換素子は、電気エネルギーと光エネルギーとを一方から他方へと変換する。例えば、シリコン薄膜系太陽電池素子は、透明導電性基板の金属酸化物膜上に、光電変換機能を有するシリコン膜と電極膜（裏面電極膜）とが順次形成された構成を有し、太陽光エネルギーを電気エネルギーに変換する。透明導電性基板における光の反射および吸収、金属酸化物膜の電気抵抗に起因する損失は、太陽光エネルギーから電気エネルギーへの変換効率を低下させる。【０００４】  光電変換素子に代表される各用途では、透明導電性基板に対し、光透過性と導電性との両立が求められている。光透過性および導電性は、それぞれ単独に改善するのは容易であるが、バランス良く改善することは容易ではない。【０００５】  金属酸化物膜、例えば酸化錫膜、に適当なドーパント、例えばフッ素、を添加して電気抵抗を低下させることは公知である。ドーパントは、金属酸化物膜の導電性を向上させるが、金属酸化物膜の光透過性を低下させる。【０００６】  酸化錫膜の改善に関する従来の提案は、例えば、特開昭６２−２１１９６６号公報、特開昭６２−２１３２８１号公報、特開平１−９６０４４号公報、特開平９−４０４４２号公報に開示されている。しかし、光透過性と導電性とをバランス良く改善するという点については、従来の改善はいずれも不十分であった。
【発明の開示】
【０００７】  本発明の目的は、光透過性および導電性がバランス良く改善された透明導電性基板を提供することにある。
【０００８】  発明者の検討によると、膜の表面近傍に、従来の技術常識から導かれる適切な範囲を遙かに超える程度にフッ素を偏らせて存在させると、膜中のフッ素は、膜の光透過性を大きく低下させることなく導電性を十分に向上させる。この効果を得るためには、二次イオン質量分析法（Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ  Ｉｏｎ  Ｍａｓｓ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ、以下「ＳＩＭＳ」という）による深さ方向のプロファイルにおいて、錫（Ｓｎ）の感度（詳しくは、ＳＩＭＳ測定により得られるｌｏｇ（カウント／秒）を単位とする値）よりもフッ素（Ｆ）の感度が高くなる範囲が生じる程度にフッ素を添加しなければならない。この程度までの高濃度の添加は、従来知られていた「ドーパント」としての適切な添加量からは逸脱するが、膜の表面近傍における超高濃度のフッ素は、膜中における電荷担体（キャリアー）の移動度の向上に寄与する。そして、この金属酸化物膜において、フッ素濃度が極めて高い層の基板側にフッ素濃度が低い層を確保すると、光透過性と導電性との両立が可能となる。
【０００９】  即ち、本発明の透明導電性基板は、透明な基体と、この基体上に形成された導電性の金属酸化物膜とを含み、この金属酸化物膜が錫およびフッ素を含有し、この金属酸化物膜をＳＩＭＳにより測定した深さ方向プロファイルにおいて、錫の感度に対するフッ素の感度の比の最大値Ｉｍａｘから最小値Ｉｍｉｎを引いた値が０．１５以上であり、Ｉｍａｘが１よりも大きく、Ｉｍｉｎが１よりも小さく、かつＩｍａｘを示す位置がＩｍｉｎを示す位置よりも金属酸化物膜の表面（基体と反対側の面）に近いことを特徴とする。さらに、本発明は、上記透明導電性基板を含む光電変換素子を提供する。
【００１０】  本発明によれば、金属酸化物膜におけるキャリアの移動度が向上するため、光の吸収率を高めるキャリア濃度を上げることなく膜の導電性を改善できる。従って、光透過性および導電性がバランス良く改善された透明導電性基板を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】［図１］図１は、本発明の導電性基板を製造するための装置の構成の一例を示す図である。
［図２］図２は、本発明の導電性基板の一例を示す断面図である。
［図３］図３は、本発明の光電変換素子の一例を示す断面図である。
［図４］図４は、比較例１の導電性基板について、ＳＩＭＳ測定により得た深さ方向プロファイルである。
［図５］図５は、比較例２の導電性基板について、ＳＩＭＳ測定により得た深さ方向プロファイルである。
［図６］図６は、実施例１の導電性基板について、ＳＩＭＳ測定により得た深さ方向プロファイルである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】  本発明の透明導電性基板に含まれる金属酸化物膜では、その一部でフッ素含有率が異常に高くなる程度に、膜の厚さ方向においてフッ素分布が大きく偏っている。具体的にはＳＩＭＳ測定による深さ方向プロファイルでの錫に対するフッ素の感度比をＩとすると、このプロファイルにおける最大の感度比Ｉｍａｘは、１よりも大、好ましくは１．１以上、さらに好ましくは１．２以上、となる程度に大きい。一方、最小の感度比Ｉｍｉｎは、１未満、好ましくは０．９５以下、である。ＩｍａｘとＩｍｉｎとの差は、０．１５以上、好ましくは０．２以上である。【００１３】  発明者の実験により、この程度にフッ素を偏在させると膜中のキャリアの移動度が向上することが明らかになった。この理由の詳細は十分には明らかではないが、敢えて推測すれば、金属酸化物結晶の粒界欠陥がフッ素でターミネートされてキャリアの散乱が減少することが、フッ素濃度が高い部分でのキャリアの移動度向上に寄与していると考えられる。これに対し、膜中のフッ素が少ない部分からは良好な光透過性が得られる。これらの部分を組み合わせると、高度の光透過性と高度の導電性とを兼ね備えた膜が得られる。【００１４】  後述するように（比較例２参照）、ＩｍａｘとＩｍｉｎとの差が０．１５以上となる程度にフッ素濃度に偏りがあっても、Ｉｍａｘが１よりも大きくなければ、キャリアの移動度はほとんど変化しない。ドーパントしては想定しがたい程度の高濃度にまでフッ素を局部的に添加することにより、キャリアの移動度は顕著に改善できる。【００１５】  一般に、導電膜の光吸収性および導電性については、式１および式２で表現できる。【００１６】  式１  α＝β×ｎ
式２  ρ＝１／（ｃ×ｎ×μ）【００１７】  ここで、αは光吸収係数、βは定数、ｎはキャリア濃度、ρは比抵抗、ｃは定数、μは移動度である。【００１８】  式１および式２における変数はキャリア濃度と移動度のみである。ｎ（キャリア濃度）が小さくなると、α（光吸収率）が低下して光透過性が向上するが、同時にρ（比抵抗）が大きくなって導電性が低下する。しかし、μ（移動度）が大きくなると、ρが小さくなって導電性が向上するが、αは変化しないため、光透過性は維持される。従って、μを向上させることにより、透明導電性基板の光透過性と導電性とをバランス良く改善することが可能となる。【００１９】  本発明では、ＳＩＭＳ測定による深さ方向プロファイルにおいて、Ｉｍａｘを示す位置がＩｍｉｎを示す位置よりも膜表面に近くなるように調整されている。Ｉｍａｘを示す位置が表面により近くすると、金属酸化物膜の導電性がさらに改善される。【００２０】  金属酸化物膜は、例えば、酸化インジウム、酸化チタン、酸化ケイ素および酸化錫から選ばれる少なくとも一つを含む膜、特に酸化錫を主成分とする膜、とするとよい。本明細書において、「主成分」とは、慣用に従い、５０重量％以上を占める成分をいう。酸化錫を主成分とする膜には、少なくともフッ素が上述の分布となるようにドープされ、導電性が改善される。【００２１】  金属酸化物膜の厚さは、透明導電性基板への要求特性に応じて適宜調整すればよいが、膜剥離を抑制するためには１μｍ以下が好ましく、１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下がより好ましい。【００２２】  金属酸化物膜の特性は用途に応じて調整すればよい。光電変換素子に供する場合、金属酸化物膜の比抵抗は、１×１０−４Ω・ｃｍ以上１５×１０−４Ω・ｃｍ以下が好適である。また、６００ｎｍ以上９００ｎｍ以下の波長範囲における金属酸化物膜の光吸収係数の平均値は５００ｃｍ−１以下が好ましい。本発明を適用すれば、上記程度の要求特性は容易に両立できる。【００２３】  上記程度にフッ素含有率に偏りがある金属酸化物膜は、フッ素含有率が異なる２以上の層を堆積して得るとよい。１つの層においてフッ素含有率に分布を付与してもよいが、所望の分布を安定して得るにはフッ素含有率が異なる層を堆積する方法が優れている。【００２４】  金属酸化物膜の成膜法に特に制限はないが、金属酸化物膜は、原料の熱分解酸化反応を伴う方法、例えば、スプレー法、化学蒸着法（ＣＶＤ）法により成膜することが好ましい。スプレー法としては、溶液スプレー法、分散液スプレー法、粉末スプレー法等が挙げられる。しかし、スプレー法は、液滴等の大きさ、噴霧量、排気量の制御が難しいため、良質の金属酸化物膜を形成しがたい。金属酸化物膜の成膜法としては、ＣＶＤ法が適している。【００２５】  熱分解酸化反応により酸化錫を得るための原料としては、例えば、四塩化錫、ジメチル錫ジクロライド、ジブチル錫ジクロライド、テトラメチル錫、テトラブチル錫、ジオクチル錫ジクロライド、モノブチル錫トリクロライド、ジブチル錫ジアセテートが挙げられる。酸化チタンを得るための原料としては、例えば、四塩化チタン、チタンイソプロポキシドが挙げられる。【００２６】  ＣＶＤ法における原料ガスにはさらに酸化剤が添加される。酸化剤としては、例えば、酸素、水、水蒸気、乾燥空気を用いればよい。酸化剤としては、水蒸気を含むことが好ましい。【００２７】  フッ素を添加するためには、さらにフッ素含有化合物を添加する必要がある。フッ素含有化合物としては、例えば、フッ化水素、トリフルオロ酢酸、ブロモトリフルオロメタン、ジクロロジフルオロメタンが挙げられる。フッ素含有化合物の添加量が同じであっても、その種類、成膜温度、装置、錫化合物に対する水の比率等により、膜に添加されるフッ素の量が相違することには注意する必要がある。従って、例えば１を超えるＩｍａｘを実現する成膜条件は、予め実験により定めておくことが好ましい。好ましいフッ素化合物はフッ化水素である。【００２８】  熱分解酸化反応は、高温に加熱された基体上で進行する。基体の表面温度は４００〜８００℃が好ましい。基体の表面温度を６００℃以上とすると、金属酸化物薄膜が、容易に結晶化して導電性が得やすくなり、成膜速度も向上する。【００２９】  フロート法によるガラス板製造工程において、溶融錫浴上にあって、温度が６００℃以上のガラスリボン上で、金属酸化物膜を形成する方法（以下、「オンラインＣＶＤ法」という）によれば、基体の加熱が不要であり、良質の金属酸化物膜を大きな面積の基体上に成膜できる。【００３０】  ＣＶＤ法によりフッ素がドープされた酸化物膜を形成するための好ましい原料ガスには、四塩化錫、水蒸気、フッ化水素が含まれる。この原料ガスによる成膜では、基体の表面に到達する前に、四塩化錫が水蒸気により酸化されて原料ガス中に固体の酸化錫が生成することが問題となる。この固体の酸化錫が蓄積すると配管が閉塞されるため、この反応は、オンラインＣＶＤ法を用いるような量産設備において大きな問題をもたらす。【００３１】  塩化水素は四塩化錫の酸化を抑制するため、ＣＶＤ法による原料ガスには塩化水素をさらに添加するとよい。塩化水素は、四塩化錫と水蒸気とが混合される前にこれらの少なくとも一方に混合しておくとよい。四塩化錫に対する塩化水素の混合比率は、モル比で１未満、さらに０．２未満が好適である。【００３２】  金属酸化物膜は、基体上に直接形成してもよいが、基体上に形成した下地膜の表面に形成してもよい。基体と金属酸化物膜との間に介在する下地膜は、基体および金属酸化物膜の有利な性能を生かし、それぞれの不利な性能、あるいは両者の組合せによって惹起される不利な特性を緩和することを可能にする。アルカリ成分を含有するガラス板を基体とする場合、アルカリ成分の拡散を防止するために下地膜を形成することが好ましい。この下地膜は、バリア膜と呼ばれることがある。バリア膜としては、酸化ケイ素膜が適している。【００３３】  下地膜は、その目的に応じ、２以上の層により構成してもよい。２以上の層からなる下地膜の好ましい例としては、基板側から、結晶性の酸化物からなる第１下地層と、アルカリ成分のバリア機能を有する第２下地層とをこの順に形成した下地膜が挙げられる。第１下地層としては酸化錫膜が、第２下地層としては酸化ケイ素膜がそれぞれ適している。第１下地層の膜厚は１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下が、第２下地層の膜厚は１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下が、それぞれ好���しい。【００３４】  基体の種類に特に制限はないが、一般にはガラス板が好ましい。【００３５】  図１に、オンラインＣＶＤ法で使用する装置の構成を示す。溶融されたガラス原料が、溶融炉（フロート窯）１１からフロートバス１２へと流れ出し、溶融錫浴１５上を移動しながらガラスリボン１０へと成形され、さらにローラ１７により引き上げられて徐冷炉１３へと送り込まれる。徐冷炉１３で固化したガラスリボンは、図示を省略する切断装置により、所定の大きさのガラス板へと切断される。フロートバス１２内には、ガラスリボン１０の表面から所定距離を隔てて、所定個数のコータ１６（図示した形態では、３つのコータ１６ａ、１６ｂ、１６ｃ）が配置されている。これらのコータからは原料ガスが供給され、ガラスリボン１０上に、例えば下地膜および金属酸化物膜が順次形成される。コータの数は、形成すべき層数や膜の厚みに応じてさらに増やしてもよい。フロートバス１２から搬出されたガラスリボン１０上に、例えばスプレー法により、さらに追加の薄膜を形成してもよい。【００３６】  図２に、本発明による透明導電性基板の一形態を示す。この透明導電性基板では、基体１上に、第１下地層２ａ、第２下地層２ｂが順次形成され、第２下地層２ｂ上に、バッファ層３、第１導電膜４、第２導電膜５からなる金属酸化物膜が形成されている。バッファ層３は、結晶成長の起点を多く含み、金属酸化物膜の成長を容易にする役割を担う。バッファ層３は、導電膜４，５よりも相対的に小さい成膜速度を適用して形成するとよい。【００３７】  図３に、図２の透明導電性基板を用いた光電変換素子の一形態を示す。この光電変換素子では、第２導電膜５上に、光電変換層６〜８、裏面電極膜（背面電極膜）９が順次形成されている。光電変換層は、光反応性の半導体薄膜層により構成される。光電変換層としては、アモルファスシリコン系の半導体薄膜、非単結晶シリコン系の結晶性半導体薄膜、またはこれらを組み合わせた半導体薄膜が、一般に使用される。光電変換層は、例えば、ｐ型シリコン半導体膜６、ｉ型シリコン半導体膜７、ｎ型シリコン半導体膜８の順に積層するとよい。裏面電極膜９としては、金属薄膜が一般に使用される。光電変換層８と裏面電極膜９との間に、金属酸化物薄膜をさらに配置して裏面電極膜９の安定化を図ってもよい。
【実施例】
【００３８】  以下、本発明を実施例により説明するが、本発明は以下の実施例により制限されるものではない。【００３９】  （ＳＩＭＳ測定）
アルバックファイ社製ＳＩＭＳ「ＰＨ１６６００」を用い、金属酸化物膜における錫、フッ素等の元素の分布（デプスプロファイル）を測定した。金属酸化物膜のスパッタリング条件は、２．０×１０−７Ｐａの酸素雰囲気下、スパッタ電圧４ｋＶ、スパッタ電流１５０ｎＡ、スパッタ範囲３００μｍ□×０．７（６３０００μｍ２）とした。得られたデプスプロファイルから、深さｘにおける錫感度（Ｓｎｘ）に対するフッ素感度（Ｆｘ）の比Ｉｘ（Ｉｘ＝Ｆｘ／Ｓｎｘ）を測定した。また、金属酸化物膜におけるＩｘの最大値Ｉｍａｘ、最小値Ｉｍｉｎをそれぞれ求めた。なお、金属酸化物膜の基体側の境界は、下地膜に存在するシリコン（Ｓｉ）の感度が上昇を開始する位置により定めた。【００４０】  （比較例１）
図１と同様の装置を用いたオンラインＣＶＤ法により、ガラスリボン上に、下地膜および金属酸化物膜をこの順に形成した。フロートバス内には、バス外よりもやや高圧に維持されるように、９８体積％の窒素と２体積％の水素とを供給し、バス内を非酸化性雰囲気に保持した。【００４１】  最上流側に位置する第１コータから、四塩化錫（蒸気）、水蒸気、塩化水素、窒素およびヘリウムからなる原料ガスを供給し、ガラスリボン上に厚さ５５ｎｍの酸化錫膜（第１下地層）を堆積した。第２コータから、モノシラン、エチレン、酸素および窒素からなる原料ガスを供給し、酸化錫膜上に厚さ３０ｎｍの酸化ケイ素膜（第２下地層）を堆積した。【００４２】  引き続き、第３コータから、四塩化錫（蒸気）０．５３モル％、水蒸気４２．４モル％、塩化水素０．０６モル％および窒素（残部）からなる原料ガスを供給し、第２下地層の上に厚さ９０ｎｍの酸化錫膜（バッファ層）を形成した。第４コータから、四塩化錫（蒸気）３．５モル％、水蒸気３５．２モル％、フッ化水素０．０５モル％、塩化水素０．１７モル％および窒素（残部）からなる原料ガスを供給し、バッファ層の上に、フッ素がドープされた酸化錫膜（ＳｎＯ２：Ｆ膜、第１導電膜）を形成した。第５コータから、四塩化錫（蒸気）２．６モル％、水蒸気３９．６モル％、フッ化水素０．１５モル％、塩化水素０．１３モル％および窒素（残部）からなる原料ガスを供給し、第１導電膜の上に、フッ素がドープされた酸化錫膜（ＳｎＯ２：Ｆ膜、第２導電膜）を形成した。フッ素がドープされた酸化錫膜（ＳｎＯ２：Ｆ膜）の厚さ、即ち、第１導電膜と第２導電膜との合計膜厚、は約８５０ｎｍである。【００４３】  こうして得た透明導電性基板では、波長６００〜９００ｎｍにおける酸化錫膜の光吸収係数の平均値は３７４ｃｍ−１、比抵抗は１１．８×１０−４Ω・ｃｍであった。【００４４】  図４に、比較例１の透明導電性基板についてのＳＩＭＳ測定結果を示す。Ｉｍａｘ＝０．９９、Ｉｍｉｎ＝０．９０であり、その差は０．０９であった。【００４５】  （比較例２）
第４コータから、四塩化錫（蒸気）３．９モル％、水蒸気３９．１モル％、塩化水素０．２１モル％および窒素（残部）からなる原料ガスを供給し、第５コータから、四塩化錫（蒸気）３．４モル％、水蒸気５０．７モル％、フッ化水素０．５９モル％および窒素（残部）からなる原料ガスを供給した以外は、比較例１と同様にして、透明導電性基板を得た。フッ素がドープされた酸化錫膜（ＳｎＯ２：Ｆ膜）の合計膜厚は約８８７ｎｍとなった。【００４６】  こうして得た透明導電性基板では、波長６００〜９００ｎｍにおける酸化錫膜の光吸収係数の平均値は３２６ｃｍ−１、比抵抗は１０．５×１０−４Ω・ｃｍであった。【００４７】  図５に、比較例２の透明導電性基板についてのＳＩＭＳ測定結果を示す。Ｉｍａｘ＝０．７６、Ｉｍｉｎ＝０．５８であり、その差は０．１８であった。【００４８】  キャリア濃度を測定し、移動度を算出したところ、比較例２の透明導電性基板は、比較例１の透明導電性基板に対し、１．１３倍のキャリア濃度と１．０９倍のキャリア移動度とを有していた。
【実施例１】
【００４９】  第４コータから、四塩化錫（蒸気）３．２モル％、水蒸気３１．９モル％、塩化水素０．１７モル％および窒素（残部）からなる原料ガスを供給し、第５コータから、四塩化錫（蒸気）３．４モル％、水蒸気５０．３６モル％、フッ化水素１．１７モル％および窒素（残部）からなる原料ガスを供給した以外は、比較例１と同様にして、透明導電性基板を得た。フッ素がドープされた酸化錫膜（ＳｎＯ２：Ｆ膜）の合計膜厚は、約９６０ｎｍとなった。【００５０】  こうして得た透明導電性基板では、波長６００〜９００ｎｍにおける酸化錫膜の光吸収係数の平均値は３４９ｃｍ−１、比抵抗は８．６×１０−４Ω・ｃｍであった。【００５１】  図６に、実施例１の透明導電性基板についてのＳＩＭＳ測定結果を示す。Ｉｍａｘ＝１．２１、Ｉｍｉｎ＝０．９１であり、その差は０．３０であった。Ｉｍａｘを示す位置はＩｍｉｎを示す位置よりも浅く（膜の表面に近く）、Ｉｍａｘを示す位置からＩｍｉｎを示す位置にかけて、フッ素の感度は、単調に減少している。膜の表面にごく近い範囲において、フッ素を始めとする元素の感度は減少しているが、これは、金属酸化物の表面の凹凸の影響である。【００５２】  この透明導電性基板は、比較例１の透明導電性基板に対し、１．０４倍のキャリア濃度と１．３４倍のキャリア移動度とを有していた。【００５３】  以上の結果を表１および表２にまとめて示す。【００５４】  比較例２では、膜中のフッ素は表面近傍に偏っているが（図５）、表面近傍のフッ素濃度が高くないため（Ｉｍａｘ＜１）、移動度がほとんど改善されていない。これに対し、実施例１では、表面近傍のフッ素濃度を極度に高くしたため（Ｉｍａｘ＞１）、移動度が大きく向上している。実施例１の透明導電性基板は、１０×１０−４Ω・ｃｍ以下の比抵抗と、３５０ｃｍ−１以下の光吸収係数とを兼ね備えている。【００５５】
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【００５６】
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【産業上の利用可能性】
【００５７】  以上のとおり、本発明は、光透過性および導電性がバランス良く改善された透明導電性基板を提供するものとして、上記に例示した各種デバイス、窓ガラス等の分野、特に光電変換素子の分野において、大きな利用価値を有する。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【国際調査報告】
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