(57)【要約】メッキ法などといった簡易な製造技術によって作成することができ、渦電流の発生を抑えることができる磁界発生機、およびデータの高速な記録再生が可能な光磁気情報記憶装置を提供することを目的とし、内孔を取り巻いた環状のコイル３１１と、コイル３１１に重なるように、コイル３１１の内孔を中心とした放射状に配設された、コイル３１１とは絶縁された、磁性材料からなる、最大幅と最小幅との比が２倍以下である複数の磁性棒３１２とを有する。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
内孔を取り巻いた環状のコイルと、
前記コイルに重なるように、該コイルの内孔を中心とした放射状に配設された、該コイルとは絶縁された、磁性材料からなる、最大幅と最小幅との比が２倍以下である複数の磁性棒とを有することを特徴とする磁界発生機。
【請求項２】
前記磁性棒が、１．５（Ｔ）以上の飽和磁束密度を有する磁性材料からなり、厚さが３μｍ以下かつ幅が６μｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の磁界発生機。
【請求項３】
前記磁性棒が、前記コイルの内孔の縁から外縁までの幅の２倍以上の長さを有するものであることを特徴とする請求項１記載の磁界発生機。
【請求項４】
前記複数の磁性棒は、それら複数の磁性棒の総体積が、それら複数の磁性棒相互間の空間の総体積よりも少ないものであることを特徴とする請求項１記載の磁界発生機。
【請求項５】
前記磁性棒が、前記コイルに重なる位置に幅広の部分を有するものであることを特徴とする請求項１記載の磁界発生機。
【請求項６】
前記磁性棒が、５００以上の透磁率を有する磁性材料からなるものであることを特徴とする請求項１記載の磁界発生機。
【請求項７】
前記磁性棒が、ＣｏＮｉＦｅからなるものであることを特徴とする請求項１記載の磁界発生機。
【請求項８】
前記コイルの外縁から該コイルの外径の１／６以上を開けた位置に設けられた、前記磁性棒に熱的に接して該磁性棒の熱を奪うコイル外放熱体を備えたことを特徴とする請求項１記載の磁界発生機。
【請求項９】
前記コイル外放熱体が銅からなるものであることを特徴とする請求項８記載の磁界発生機。
【請求項１０】
前記複数の磁性棒の相互間に設けられ、該磁性棒と絶縁されて熱的に接し、該磁性棒の熱を奪う棒間放熱体を備えたことを特徴とする請求項１記載の磁界発生機。
【請求項１１】
前記棒間放熱体が銅からなるものであることを特徴とする請求項１０記載の磁界発生機。
【請求項１２】
前記コイルの外縁から該コイルの外径の１／６以上を開けた位置に設けられ、前記棒間放熱体に接合された、該棒間放熱体を介して前記磁性棒の熱を奪うコイル外放熱体を備えたことを特徴とする請求項１０記載の磁界発生機。
【請求項１３】
情報記録媒体に対し、光および磁場を用いて情報アクセスを行う光磁気情報記憶装置において、
光を発する光源と、
前記光源が発した光を情報記録媒体上に集光する集光レンズと、
前記集光レンズの前記情報記録媒体側に設けられ、該情報記録媒体上の、前記集光レンズが光を集光する位置に磁場を発生させる、内孔を取り巻いた環状のコイルと、
前記コイルと前記集光レンズとの間に、該コイルの内孔を中心とした放射状に配設された、該コイルとは絶縁された、磁性材料からなる、最大幅と最小幅との比が２倍以下である複数の磁性棒とを有することを特徴とする光磁気情報記憶装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】  本発明は、磁界を発生させる磁界発生機、および情報記録媒体に対し光および磁場を用いて情報アクセスを行う光磁気情報記憶装置に関する。
【背景技術】  従来より、音声信号や画像信号を記憶する大容量の記録媒体として、ＣＤ，ＣＤ−ＲＯＭ，ＣＤ−Ｒ，ＤＶＤ，ＰＤ，ＭＯ，ＭＤ等といった情報記録媒体が広く使われている。特に、光と磁場で情報アクセスが行われる光磁気情報記録媒体は、情報の書き換えが可能な高密度記録媒体として注目されており、さらなる高記録密度化などのために盛んに研究開発が行われている。また、そのような光磁気情報記録媒体に対する情報再生や情報記憶をより高速に行うための光磁気情報記憶装置の研究開発もさかんに行われている。
従来の光磁気情報記憶装置では、情報に応じた光変調によって記録媒体に情報を記録する光変調方式が採用されているが、上述したような高記録密度化に伴い、従来の光変調方式に替えて、情報に応じた磁界変調によって情報を記録する磁界変調方式を採用する傾向が生じている。磁界変調方式を採用した一般的な光磁気情報記憶装置では、半導体プロセスによって作製される薄膜コイルを用いて、変調された磁界を発生させる。
磁界変調方式を用いた光磁気情報記憶装置は、記録のためのレーザ光を集光することにより記録媒体の記録膜の温度をキューリー点に近づけ、その状態で、コイルによって発生された磁界を記録膜に印加することにより記録膜の磁化方向を情報に応じた方向に向けて情報を記録する。
このような磁界変調方式を用いた光磁気情報記憶装置で、大容量データの記録や再生を高速に実行するためには、記録媒体に光を集光する光学系と、磁界を発生させる磁気コイルを、記録媒体から見て同一の側に配置するフロントイルミネーションタイプの構成を有することが望ましく、この構成では、光学系と記録媒体との間に環状の磁気コイルが配置されるのが一般的である。
さらに、磁界の発生効率を上げるためには、磁気コイルの磁心として機能する磁性体層が磁気コイルと光学系との間に設けられた構成が有効であることが知られており、例えば特許文献１には、中央に孔が空いた円盤状の磁性体層が設けられた例が示されている。
【特許文献１】        特開平１０−３２０８６３号公報
このような磁性層が設けられている場合に磁気コイルを高周波数（例えば、５０ＭＨｚ）で駆動すると、この磁性層内には、磁性層の磁化変化に伴う渦電流が発生し、この渦電流が損失となって磁性体の温度を上昇させる。この温度上昇は、磁気コイルの温度上昇を招き、マイグレーションと称されるような、磁気コイルが細く痩せてしまって極端な場合には断線にいたる現象の原因となる場合がある。また、磁気コイルの温度上昇は、磁気コイルの抵抗を上昇させ、発熱による磁気コイルの損傷を招く。
このような渦電流による損失を低減させる技術として、磁性層を薄膜多層化する技術が提案されている。しかし、この薄膜多層構造の磁性層を作成するには、真空蒸着やスパッタ等といった高度な製造技術が必要であるため、製造コストの上昇や生産性の低下を招くという問題がある。
【発明の開示】
本発明は、上記事情に鑑み、メッキ法などといった簡易な製造技術によって作成することができ、渦電流の発生を抑えることができる磁界発生機、およびデータの高速な記録再生が可能な光磁気情報記憶装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成する本発明の磁界発生機は、
内孔を取り巻いた環状のコイルと、
コイルに重なるように、コイルの内孔を中心とした放射状に配設された、コイルとは絶縁された、磁性材料からなる、最大幅と最小幅との比が２倍以下である複数の磁性棒とを有することを特徴とする。
本発明の磁界発生機によれば、コイルによって発生された磁界が磁性棒によって増強されるとともに、磁性棒の棒状構造によって渦電流損失が小さく抑えられている。また、このような磁性棒の棒状構造は、メッキ法などといった簡易な製造技術によって作成することができ、製造コストも抑えられている。
本発明の磁界発生機は、上記磁性棒が、１．５（Ｔ）以上の飽和磁束密度を有する磁性材料からなり、厚さが３μｍ以下かつ幅が６μｍ以下であることが好適である。
このような寸法の磁性棒は、渦電流損失を効果的に低減させることができ、１．５（Ｔ）以上の飽和磁束密度を有することにより十分な磁界発生能力を得ることができる。
また、本発明の磁界発生機は、上記磁性棒が、コイルの内孔の縁から外縁までの幅の２倍以上の長さを有するものであることも好適である。
このような長さを有する磁性棒は、コイルが発生する磁界を効率よく増強することができる。
さらに、本発明の磁界発生機において、上記複数の磁性棒は、それら複数の磁性棒の総体積が、それら複数の磁性棒相互間の空間の総体積よりも少ないものであることが好適である。
このように磁性棒の総体積が制約されていると、コイルで発生する磁界に対して磁性棒で発生する反磁界が小さく、そのため、磁界発生機の磁性体における磁化が大きい。
さらに、本発明の磁界発生機は、上記磁性棒が、コイルに重なる位置に幅広の部分を有するものであることも好適である。
このような幅広の部分を有することにより、磁性棒は磁界を効率よく増強させることができる。
さらにまた、本発明の磁界発生機は、上記磁性棒が、５００以上の透磁率を有する磁性材料からなるものであることが望ましい。
磁性棒の本来的な機能である、磁界を増強させる機能を十分に発揮させつつ、十分に細い棒状構造による渦電流損失の低減も実現するためには、５００以上の高い透磁率を有する磁性材料を用いることが望ましい。
本発明の磁界発生機における典型的な上記磁性棒はＣｏＮｉＦｅからなるものである。
また、本発明の磁界発生機は、コイルの外縁からコイルの外径の１／６以上を開けた位置に設けられた、磁性棒に熱的に接して磁性棒の熱を奪うコイル外放熱体を備えることが好適である。
このようなコイル外放熱体によって磁性棒の熱が奪われることにより、磁界発生機の熱的な性能がより一層向上する。
本発明の磁界発生機における典型的なコイル外放熱体は銅からなるものである。
更に、本発明の磁界発生機は、上記複数の磁性棒の相互間に設けられ、磁性棒と絶縁されて熱的に接し、磁性棒の熱を奪う棒間放熱体を備えることも好適である。
このような棒間放熱体も磁性棒の熱を奪うので、磁界発生機の熱的な性能が向上する。
本発明の磁界発生機における典型的な棒間放熱体は銅からなるものである。
さらにまた、本発明の磁界発生機は、コイルの外縁からコイルの外径の１／６以上を開けた位置に設けられ、棒間放熱体に接合された、棒間放熱体を介して磁性棒の熱を奪うコイル外放熱体を備えることも好適である。
このような構成の磁界発生機では、棒間放熱体によって磁性棒の熱が奪われてコイル外放熱体へと効率よく伝達され、コイル外放熱体によって外部に放熱される。これにより、磁界発生機の熱的な性能が更に向上する。
上記目的を達成する本発明の光磁気情報記憶装置は、
情報記録媒体に対し、光および磁場を用いて情報アクセスを行う光磁気情報記憶装置において、
光を発する光源と、
光源が発した光を情報記録媒体上に集光する集光レンズと、
集光レンズの情報記録媒体側に設けられ、情報記録媒体上の、集光レンズが光を集光する位置に磁場を発生させる、内孔を取り巻いた環状のコイルと、
コイルと集光レンズとの間に、コイルの内孔を中心とした放射状に配設された、コイルとは絶縁された、磁性材料からなる、最大幅と最小幅との比が２倍以下である複数の磁性棒とを有することを特徴とする。
なお、本発明にいう光磁気情報記憶装置については、ここではその基本形態のみを示すのにとどめるが、これは単に重複を避けるためであり、本発明にいう光磁気情報記憶装置には、上記の基本形態のみではなく、前述した磁界発生機の各形態に対応する各種の形態が含まれる。
【図面の簡単な説明】  図１は、本発明の磁界発生機の一実施形態が組み込まれた、本発明の光磁気情報記憶装置の一実施形態を示す図である。
図２は、ヘッドの構成を表す斜視図である。
図３は、移動アセンブリの集光レンズ３００周辺を示す拡大図である。
図４は、磁気発生部の１／４構成図である。
図５は、磁気発生部の部分拡大図である。
図６は、比較例における磁界発生能力を表すグラフである。
図７は、本実施形態における磁界発生能力を表すグラフである。
図８は、渦電流損失の低減効果を表すグラフである。
図９は、本実施形態に備えられる磁心の作成方法の説明図である。
図１０は、別の実施形態における磁気発生部の１／４構成図である。
図１１は、磁気発生部の断面図である。
【発明を実施するための最良の形態】  以下、本発明の実施形態について説明する。
図１は、本発明の磁界発生機の一実施形態が組み込まれた、本発明の光磁気情報記憶装置の一実施形態を示す図である。
ここに例示した光磁気情報記憶装置１００には、光磁気情報記憶装置１００の土台となるアルミニウム合金製のドライブベース１１０が備えられており、ドライブベース１１０はフレーム１３０に取り付けられている。また、ドライブベース１１０には、トップカバー１４０およびボトムカバー（図示省略）がそれぞれねじ止めされている。
フレーム１３０には、フロントパネル１６０が取り付けられており、このフロントパネル１６０には、本発明にいう情報記録媒体の一例に相当する光磁気（ＭＯ）ディスクを内蔵したＭＯディスクカートリッジが光磁気情報記憶装置１００内に挿入されるための挿入口１６１が設けられている。
光磁気情報記憶装置１００の、フロントパネル１６０が取り付けられた前端に対する後端には、光磁気情報記憶装置１００をコンピュータ等といった機器と電気的に接続するためのコネクタ１７０が搭載されている。
光磁気情報記憶装置１００の内部には、ＭＯディスクを保持して回転させるスピンドルモータや、ＭＯディスクに対して光の照射や磁場の印加を行って情報の記録や再生を行うヘッドが搭載されている。
図２は、ヘッドの構成を表す斜視図である。
ヘッドは、ＭＯディスク２４０の半径方向に移動自在な移動アセンブリ１９０と、図１に示すドライブベース１１０に固定される固定アセンブリ２００とで構成されている。
固定アセンブリ２００には、情報の読み書きに用いられるレーザ光を発生する、本発明にいう光源の一例であるレーザダイオード２０２と、ＭＯディスク２４０が反射した光に含まれている、ＭＯディスク２４０に記憶されている情報に応じた信号を検出する光検出器２０３と、情報を記憶する場所としてＭＯディスク上に螺旋状に多数周設けられているトラックに対する集光スポットのずれを検出するための光検出器２０４と、集光スポットのフォーカスのずれを検出するための光検出器２０５が取り付けられている。
移動アセンブリ１９０は、一対の磁気回路２５０によって駆動され、一対のガイドレール２６０に沿ってＭＯディスク２４０の半径方向に移動する。移動アセンブリ１９０上には、ＭＯディスク２４０上に光を集光する集光レンズ３００や、集光レンズによる集光スポットの位置に磁界を発生させる磁気コイルや、集光レンズ３００の位置を微調整することによって、集光スポットのフォーカスを調整するとともに集光スポットをトラック上に位置させるアクチュエータなどが搭載されている。アクチュエータによる集光レンズ３００の位置の微調整は、上述した光検出器２０４，２０５によって検出されたずれに基づいて行われる。
また、移動アセンブリ１９０には、断面が四角形の筒口１９２が設けられており、固定アセンブリ２００のレーザダイオード１２によって発せられたレーザ光がこの筒口１９２から移動アセンブリ１９０内に入る。また、ＭＯディスク２４０が反射した光がこの筒口１９２から固定アセンブリ２００に戻る。さらに、移動アセンブリ１９０内の、筒口１９２の奥には、筒口１９２から入ったレーザ光を集光レンズ３００に入射させる立ち上げミラーも内蔵されている。
図３は、移動アセンブリの集光レンズ３００周辺を示す拡大図である。
ＭＯディスク２４０は、基板２４１と記録層２４２とで構成されており、上述した集光レンズは、半球レンズ３０１と非球面レンズ３０２とで構成されている。上述した固定アセンブリから導かれてきたレーザ光Ｌは、半球レンズ３０１と非球面レンズ３０２を経てＭＯディスク２４０上の記録層２４２に集光されて光スポットを形成する。
非球面レンズ３０２のＭＯディスク２４０側には、本発明の磁界発生機の一実施形態に相当する磁気発生部３１０が設けられており、記録層２４２上の、集光スポットが形成された位置に、記録層２４２に対して垂直な磁界を発生させる。
記録層２４２上の、集光スポットが形成された位置では、レーザ光Ｌの照射によって温度がキュリー点に達し、磁気発生部３１０が発生する磁界によって記録層２４２の磁区の磁化方向が、記録情報に応じた方向に決められる。これによってＭＯディスク２４０に情報が記録される。
磁気発生部３１０は、コイル３１１と磁心３１２と放熱体３１３とを有している。
図４は、磁気発生部の１／４構成図であり、図５は、磁気発生部の部分拡大図である。
コイル３１１は、本発明にいうコイルの一例に相当し、レーザ光Ｌが透過する内孔を取り囲む環状の形状を有する、いわゆる薄膜コイルである。このコイル３１１の内孔の径は２００μｍ、外径は６００μｍとなっており、従って、内孔の縁から外縁までの幅は２００μｍである。情報記録時には、コイル３１１に対し、記録情報に応じた向きに変化する電流が印加され、その電流が有する最大周波数は、記録データの転送速度を考慮すると２０ＭＨｚ以上になる。つまり、コイル３１１に流れる電流やコイル３１１が発生する磁界は、５０ｎｓ以下の短時間内で急速に反転することとなる。
磁心３１２は、本発明にいう磁性棒の一例に相当し、ＣｏＮｉＦｅからなり、厚さ３μｍで幅６μｍの棒状の形状を有している。これらの磁心３１２は、コイル３１１の内孔を中心として放射状に配置されており、各磁心３１２の長さは、コイル３１１の内孔の縁から外縁までの幅の２倍に当たる４００μｍとなっている。また、磁心３１２の総体積は、磁心３１２間の空間の総体積よりも少なくなっている。
コイル３１１によって発生された磁界の磁力線は、放射状に配置された磁心３１２に導かれてコイル３１１の内孔に集中し、ＭＯディスク上のスポット位置における磁界強度が増大する。磁心３１２を構成しているＣｏＮｉＦｅは１．５Ｔを越えるの飽和磁束密度を有する磁性材料であるので、磁心３１２は磁界強度を十分に増大させることができる。また、コイル３１１によって発生される磁界に対して磁心３１２は反磁界を生じるが、この反磁界が強いと磁心３１２の内部磁界が減衰して磁心３１２の磁化が抑えられ、磁心３１２による磁界強度の増大効果も抑えられてしまう。この反磁界の強度は磁心３１２の構造によって決まり、本実施形態では、磁心３１２が上述したような棒状の形状を有していて総体積が抑えられているため、磁心３１２の反磁界は小さく磁化が大きい。
各磁心３１２には、コイル３１１と重なる辺りに幅広部分３１２ａが設けられており、これにより、磁界強度の増大効果が更に向上している。
コイル３１１が発生する磁界が上述したように急速に反転すると、各３１２磁心には渦電流損失が生じて熱を発するが、本実施形態では各磁心３１２が棒状の形状を有しているため、磁力線に直交する断面の面積が小さく、渦電流損失や発熱が抑えられている。この結果、高い周波数でコイル３１１を駆動した場合であってもコイル３１１の消費電力を抑えてコイル３１１の温度上昇を回避することができる。このようにコイル３１１の温度上昇が回避された結果、コイル３１１はより強い磁界を発生することができる。大きな磁化を維持しつつ渦電流損失を低減するためには磁心３１２が最大幅と最小幅との比が２倍以下である棒状の形状を有していることが効果的である。
放熱体３１３は、本発明にいうコイル外放熱体の一例に相当し、コイル３１１が発生する磁界の反転に伴って渦電流を生じることを回避するために、コイル３１１の外径の１／６に当たる１００μｍという距離をコイル３１１の外縁から空けた位置に設けられている。この放熱体３１３は各磁心３１２と熱的に接触しており、各磁心３１２から熱を奪う。この放熱体３１３が設けられることにより、磁界発生部の熱特性は更に向上する。
ここで、上述した磁心３１２が相互に繋がりあった円環状の磁性層を有する比較例における磁界発生能力と、本実施形態における磁界発生能力とを比較して説明する。
図６は、比較例における磁界発生能力を表すグラフであり、図７は、本実施形態における磁界発生能力を表すグラフである。
これらのグラフの各横軸は、コイルの中心軸（即ち集光レンズの光軸）上の位置を、コイル中心を基準として表しており、縦軸は磁界強度を表している。また、各グラフにおいて、実線Ｌ１，Ｌ４は、透磁率（μ’）が１０００の磁性材料で磁心や磁性層が構成されている場合の磁界発生能力を表しており、破線Ｌ２，Ｌ５は、透磁率（μ’）が５００の磁性材料で磁心や磁性層が構成されている場合の磁界発生能力を表しており、一点鎖線Ｌ３，Ｌ６は、透磁率（μ’）が２００の磁性材料で磁心や磁性層が構成されている場合の磁界発生能力を表している。
図６に示すグラフでは、透磁率が２００から１０００までの範囲で異なっていても、磁界強度にはほとんど差がない。これは、円環状の磁性層における反磁界が大きいために、透磁率が大きくても、それに応じて反磁界が大きくなり、結局、磁性層の磁化はほぼ不変で、磁界強度もほぼ不変となることを意味している。
これに対し、図７に示すグラフでは、透磁率が２００から１０００までの範囲で異なっていると、磁界強度にも差が生じ、透磁率が５００を越えると、比較例と同程度の磁界強度を得ることができる。これは、棒状の磁心では反磁界が小さいため、透磁率が大きいと磁界強度も大きいことを意味している。磁界発生機の本来の目的からすると、磁界発生機の磁界発生能力は、比較例の磁界発生能力と同程度であることが望ましいので、磁心を構成する磁性材料としては、透磁率が５００を越える磁性材料であることが望ましい。また、比較例の磁界発生能力と同程度の磁界発生能力を維持しつつ、棒状の形状によって渦電流損失を低減させることが望まれ、厚さ３μｍで幅６μｍという細い棒状の形状で十分な磁界発生能力を得るためには１．５Ｔ以上の飽和磁束密度を有することが望ましい。このような透磁率や飽和磁束密度を有する磁性材料としては、例えばＣｏＮｉＦｅが存在する。なお、上述した透磁率や飽和磁束密度にはやや劣るものの、ＮｉＦｅも磁性材料として適している。
次に、棒状の磁心を採用することによる渦電流損失の低減効果について説明する。
図８は、渦電流損失の低減効果を表すグラフである。
この図８の横軸はコイルの駆動周波数を表しており、縦軸は、コイルの駆動によって生じる抵抗を表している。また、このグラフの実線Ｌ７は、上述した比較例において生じる抵抗を表しており、グラフの破線Ｌ８は、本実施形態において生じる抵抗を表しており、グラフの一点鎖線Ｌ９は、磁心や磁性層を有さないコイルのみで生じる抵抗を表している。
磁心や磁性層を有さないコイルのみの場合には、当然ながら渦電流は生じないが、表皮効果によって１００ＭＨｚ付近から抵抗が増加している。一方、比較例では、数ＭＨｚ付近から抵抗が急激に増加して行き、大きな渦電流損失が生じている。これらに対し、本実施形態では、数ＭＨｚ付近から抵抗が増加するものの、増加の程度は穏やかであり、渦電流損失の低減効果が得られている。
次に、本実施形態に備えられる磁心の作成方法について説明する。なお、磁界発生部における磁心以外の各構成部分については、メッキ処理や露光処理などを用いる半導体プロセスによって作成することができることが従来より知られているので、作成方法の説明は省略する。
図９は、本実施形態に備えられる磁心の作成方法の説明図である。
先ず、ガラス基板４０１として、所望の屈折率を有するものが選定され（ステップＳ１）、そのガラス基板４０１上に、磁性材料の層を形成するためのメッキベース（下地）４０２を、真空蒸着法もしくはスパッタ法によって成膜する（ステップＳ２）。この場合の下地４０２の厚さは数ｎｍ〜数十ｎｍで良い。
この下地４０２の上にレジスト４０３を塗布し、放射状にパターン化されたマスクを用いて露光現像を行う。その結果、マスクパターンと同一形状のレジスト４０３がメッキベース４０２上に残される（ステップＳ３）。
次に、メッキ処理によって、レジスト４０３で覆われた部分以外の下地４０２上に、磁性材料の層４０４が形成される（ステップＳ４）。その後、剥離液が用いられてレジスト４０４が除去される（ステップＳ５）。
次に、ミリング等によって下地４０２の厚さの分だけ全面が均等に削り取られて突部が互いに分離されることにより、上述した棒状の磁心３１２が形成される（ステップＳ６）。
次に、棒状の磁心３１２と、この後に積層される他の層とを絶縁するために、棒状の磁心３１２の上を覆うように、アルミナ等の絶縁材料の膜４０５を形成し（ステップＳ７）、さらに、アルミナ層４０６を成長させる（ステップＳ８）。
最後に、アルミナ層４０６の凹凸形状をＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈ）にて平坦化する処理を施す（ステップＳ９）。
以上説明したように、棒状の磁心等は、半導体プロセスの応用によって作成することができる。特に、磁心となる磁性材料の層を成長させる際には、コストの低いメッキ処理を用いることができるので、磁界発生部そのものの作成コストを押えることができる。
以下、上述した実施形態とは異なる別の実施形態について説明する。
この別の実施形態は、棒状の磁心の相互間に放熱体が埋め込まれる点を除いて、上述した実施形態とほぼ同様の実施形態であるので、以下では、相違点のみに着目して説明を行う。
図１０は、別の実施形態における磁気発生部の１／４構成図であり、図１１は、磁気発生部の断面図である。
ここに示す実施形態では、上述した棒状の磁心３１２の相互間に、Ｃｕからなる放熱体３１４が埋め込まれている。この放熱体３１４は、本発明にいう棒間放熱体の一例に相当し、図９に示す作成手順のステップＳ８で、アルミナ層に替えてＣｕ層が成長されることによって形成される。従って、磁心３１２と放熱体３１４との間には上述したアルミナの膜が存在し、絶縁されている。
また、磁心３１２間の放熱体３１４は、コイル３１１の周りに配備された放熱体３１３に対し、接合層３１５を介して接合されており、磁心３１２が発生する熱を奪ってコイル３１１周りの放熱体３１３に効率よく逃がすことができる。
なお、上記説明した各実施形態では、本発明にいう磁性棒の一例として、幅がほぼ一定の棒状の磁心が例示されているが、本発明にいう磁性棒は、最大幅と最小幅との比が２倍を越えない範囲内であれば、例えば一端に向かうに連れて徐々に太くなる形状であってもよい。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【手続補正書】
【提出日】平成16年12月10日(2004.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  内孔を取り巻いた環状のコイルと、
前記コイルに重なるように、該コイルの内孔を中心とした放射状に配設された、該コイルとは絶縁された、磁性材料からなる、最大幅と最小幅との比が２倍以下である複数の磁性棒とを有することを特徴とする磁界発生機。
【請求項２】  前記磁性棒が、１．５（Ｔ）以上の飽和磁束密度を有する磁性材料からなり、厚さが３μｍ以下かつ幅が６μｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の磁界発生機。
【請求項３】  前記磁性棒が、前記コイルの内孔の縁から外縁までの幅の２倍以上の長さを有するものであることを特徴とする請求項１記載の磁界発生機。
【請求項４】  前記複数の磁性棒は、それら複数の磁性棒の総体積が、それら複数の磁性棒相互間の空間の総体積よりも少ないものであることを特徴とする請求項１記載の磁界発生機。
【請求項５】  情報記録媒体に対し、光および磁場を用いて情報アクセスを行う光磁気情報記憶装置において、
光を発する光源と、
前記光源が発した光を情報記録媒体上に集光する集光レンズと、
前記集光レンズの前記情報記録媒体側に設けられ、該情報記録媒体上の、前記集光レンズが光を集光する位置に磁場を発生させる、内孔を取り巻いた環状のコイルと、
前記コイルと前記集光レンズとの間に、該コイルの内孔を中心とした放射状に配設された、該コイルとは絶縁された、磁性材料からなる、最大幅と最小幅との比が２倍以下である複数の磁性棒とを有することを特徴とする光磁気情報記憶装置。
【国際調査報告】
2004061837.tif 000014
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