(57)【要約】ＭｇＯからなる誘電体保護層１４と赤色、緑色、青色の各蛍光体層２５Ｒ、２５Ｇ及び２５Ｂとが形成されたプラズマディスプレイパネルにおいて、全ての蛍光体層をＩＶ属元素、遷移金属、アルカリ金属又はアルカリ土類金属を含まないものとするか、又は全ての蛍光体層について、ＩＶ属元素、遷移金属、アルカリ金属又はアルカリ土類金属の含有率を規定する。これにより、誘電体保護層１４のインピーダンスの経時的な変動を抑制し、又は前記変動の方向性を揃えることができ、プラズマディスプレイパネルにおける黒ノイズの発生を抑制することができるようになる。
2004038753.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板が、その間に放電空間を有する状態で対向配置され、前記放電空間を臨むようにＭｇＯからなる誘電体保護層と赤色、緑色、青色の各蛍光体層とが形成されてなるプラズマディスプレイパネルにおいて、
３色全ての蛍光体層を構成する各蛍光体は、その組成中にＩＶ族元素を含まない
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項２】
前記全ての蛍光体層は、それぞれがＩＶ族元素を含まない物質のみから構成されている
ことを特徴とする請求の範囲第１項に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３】
一対の基板が、その間に放電空間を有する状態で対向配置され、前記放電空間を臨むようにＭｇＯからなる誘電体保護層と赤色、緑色、青色の各蛍光体層とが形成されてなるプラズマディスプレイパネルにおいて、
３色全ての蛍光体層中には、ＩＶ族元素が含まれている
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項４】
前記全ての蛍光体層中におけるＩＶ族元素の含有比率は、５０００質量ｐｐｍ以下である
ことを特徴とする請求の範囲第３項に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項５】
前記全ての蛍光体層中におけるＩＶ族元素の含有比率は、１００質量ｐｐｍ以上５０００質量ｐｐｍ以下である
ことを特徴とする請求の範囲第３項に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項６】
３色の蛍光体層の内、少なくとも１色の蛍光体層を構成する蛍光体には、組成中にＩＶ族元素を含むものが用いられている
ことを特徴とする請求の範囲第３項に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項７】
前記全ての蛍光体層中におけるＩＶ族元素の含有比率は、１００質量ｐｐｍ以上５００００質量ｐｐｍ以下であって、且つ、各蛍光体層で相互に略同一である
ことを特徴とする請求の範囲第３項に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項８】
前記全ての蛍光体層中におけるＩＶ族元素は、各蛍光体層間で２００００質量ｐｐｍ以内の比率バラツキとなるように含まれている
ことを特徴とする請求の範囲第７項に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項９】
前記全ての蛍光体層を構成する各蛍光体には、組成中にＩＶ族元素を含むものが選択的に用いられている
ことを特徴とする請求の範囲第７項に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１０】
前記各蛍光体の組成中に含まれるＩＶ族元素は、全ての蛍光体層で同一である
ことを特徴とする請求の範囲第９項に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１１】
前記ＩＶ族元素は、Ｓｉである
ことを特徴とする請求の範囲第１項または第３項に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１２】
前記各蛍光体の組成は、赤色がＹ２ＳｉＯ５：Ｅｕ、緑色がＺｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ、青色がＹ２ＳｉＯ３：Ｃｅである
ことを特徴とする請求の範囲第１１項に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１３】
前記ＩＶ族元素は、前記全ての蛍光体層中において、各々を構成する蛍光体とは別の化合物として含まれる
ことを特徴とする請求の範囲第３項に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１４】
一対の基板が、その間に放電空間を有する状態で対向配置され、前記放電空間を臨むようにＭｇＯからなる誘電体保護層と赤色、緑色、青色の各蛍光体層とが形成されてなるプラズマディスプレイパネルにおいて、
３色全ての蛍光体層を構成する各蛍光体は、その組成中にＷ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉの何れも含まない
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項１５】
前記全ての蛍光体層は、それぞれがＷ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉの何れも含まない物質のみから構成されている
ことを特徴とする請求の範囲第１４項に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１６】
一対の基板が、その間に放電空間を有する状態で対向配置され、前記放電空間を臨むようにＭｇＯからなる誘電体保護層と赤色、緑色、青色の各蛍光体層とが形成されてなるプラズマディスプレイパネルにおいて、
３色全ての蛍光体層中には、遷移金属が含まれている
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項１７】
前記全ての蛍光体層中における遷移金属の含有比率は、３００００質量ｐｐｍ以下である
ことを特徴とする請求の範囲第１６項に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１８】
前記全ての蛍光体層中における遷移金属の含有比率は、５００質量ｐｐｍ以上３００００質量ｐｐｍ以下である
ことを特徴とする請求の範囲第１６項に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１９】
３色の蛍光体層の内、少なくとも１色の蛍光体層を構成する蛍光体には、組成中に遷移金属を含むものが用いられている
ことを特徴とする請求項第１６項に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項２０】
前記遷移金属は、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉの中から選択される少なくとも一種である
ことを特徴とする請求の範囲第１６項に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項２１】
全ての蛍光体層中における前記遷移金属の含有比率は、３００質量ｐｐｍ以上１２００００質量ｐｐｍ以下であり、且つ、各蛍光体層で相互に略同一である
ことを特徴とする請求の範囲第２０項に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項２２】
全ての蛍光体層中における前記遷移金属は、各色蛍光体層間で４００００質量ｐｐｍ以内の比率バラツキとなるように含まれている
ことを特徴とする請求の範囲第２１項に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項２３】
全ての蛍光体層を構成する各蛍光体には、組成中に前記遷移金属を含むものが選択的に用いられている
ことを特徴とする請求の範囲第２１項に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項２４】
各蛍光体の組成中に含まれる前記遷移金属は、全ての蛍光体層で同一である
ことを特徴とする請求の範囲第２３項に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項２５】
一対の基板が、その間に放電空間を有する状態で対向配置され、前記放電空間を臨むようにＭｇＯからなる誘電体保護層と赤色、緑色、青色の各蛍光体層とが形成されてなるプラズマディスプレイパネルにおいて、
３色全ての蛍光体層を構成する各蛍光体は、その組成中にアルカリ金属およびＭｇ以外のアルカリ土類金属の何れも含まない
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項２６】
前記全ての蛍光体層は、それぞれがアルカリ金属およびＭｇ以外のアルカリ土類金属の何れも含まない物質のみから構成されている
ことを特徴とする請求の範囲第２５項に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項２７】
一対の基板が、その間に放電空間を有する状態で対向配置され、前記放電空間を臨むようにＭｇＯからなる誘電体保護層と赤色、緑色、青色の各蛍光体層とが形成されてなるプラズマディスプレイパネルにおいて、
全ての蛍光体層中には、アルカリ金属およびＭｇ以外のアルカリ土類金属の少なくとも一方が含まれている
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項２８】
前記全ての蛍光体層中におけるアルカリ金属およびＭｇ以外のアルカリ土類金属の合計含有比率は、６００００質量ｐｐｍ以下である
ことを特徴とする請求の範囲第２７項に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項２９】
前記全ての蛍光体層中におけるアルカリ金属およびＭｇ以外のアルカリ土類金属の合計含有比率は、１０００質量ｐｐｍ以上６００００質量ｐｐｍ以下である
ことを特徴とする請求の範囲第２７項に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３０】
３色の蛍光体層の内、少なくとも１色の蛍光体層を構成する蛍光体には、組成中にアルカリ金属およびＭｇ以外のアルカリ土類金属の少なくとも一方を含むものが用いられている
ことを特徴とする請求の範囲第２９項に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３１】
前記全ての蛍光体層中におけるアルカリ金属およびアルカリ土類金属（ただし、Ｍｇを除く。）の合計含有比率は、３００質量ｐｐｍ以上１２００００質量ｐｐｍ以下であって、且つ、各蛍光体層間で相互に略同一である
ことを特徴とする請求の範囲第２７項に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３２】
前記全ての蛍光体層におけるアルカリ金属およびＭｇ以外のアルカリ土類金属は、各蛍光体層間で合計として４００００質量ｐｐｍ以内の比率バラツキとなるように含まれている
ことを特徴とする請求の範囲第３１項に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３３】
前記全ての蛍光体層を構成する各蛍光体には、組成中にアルカリ金属またはＭｇ以外のアルカリ土類金属を含むものが選択的に用いられている
ことを特徴とする請求の範囲第３１項に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３４】
前記全ての蛍光体層中には、同一のアルカリ金属およびＭｇ以外のアルカリ土類金属の少なくとも一方が含まれている
ことを特徴とする請求の範囲第３１項に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３５】
一対の基板が、その間に放電空間を有する状態で対向配置され、前記放電空間を臨むようにＭｇＯからなる誘電体保護層と赤色、緑色、青色の各蛍光体層とが形成されてなるプラズマディスプレイパネルにおいて、
３色全ての蛍光体層を構成する各蛍光体は、その組成中にＩＶ族元素、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、アルカリ金属、Ｍｇ以外のアルカリ土類金属の何れも含まない
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項３６】
前記全ての蛍光体層は、それぞれがＩＶ族元素、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、アルカリ金属、Ｍｇ以外のアルカリ土類金属  の何れも含まない物質のみから構成されている
ことを特徴とする請求の範囲第３５項に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３７】
前記誘電体保護層中には、ＩＶ族元素が含まれている
ことを特徴とする請求の範囲第１項、第３項、第１４項、第１６項、第２５項、第２７項、第３５項の何れかに記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３８】
前記誘電体保護層中におけるＩＶ族元素の含有比率は、５００質量ｐｐｍ以上２０００質量ｐｐｍ以下である
ことを特徴とする請求の範囲第３７項に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３９】
前記誘電体保護層中には、遷移金属が含まれている
ことを特徴とする請求の範囲第１項、第３項、第１４項、第１６項、第２５項、第２７項、第３５項の何れかに記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項４０】
前記誘電体保護層中における遷移金属の含有比率は、１５００質量ｐｐｍ以上６０００質量ｐｐｍ以下である
ことを特徴とする請求の範囲第３９項に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項４１】
前記誘電体保護層中には、アルカリ金属およびアルカリ土類金属の少なくとも一方が含まれている
ことを特徴とする請求の範囲第１項、第３項、第１４項、第１６項、第２５項、第２７項、第３５項の何れかに記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項４２】
前記蛍光体層における放電空間側の面の少なくとも一部領域は、紫外線の透過率が８０％以上であって、且つ、発光駆動における放電によっても、当該蛍光体層を構成する元素の内の前記誘電体保護層が有する放電特性を劣化させる元素が放電空間に飛散するのを抑制する機能を有する蛍光体保護膜で被覆されている
ことを特徴とする請求の範囲第３項、第１６項、第２７項の何れかに記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項４３】
前記蛍光体保護膜は、１０００質量ｐｐｍ以上のＩＶ族元素、３００００質量ｐｐｍ以上の遷移金属、６００００質量ｐｐｍ以上のアルカリ金属またはアルカリ土類金属（ただし、Ｍｇを除く。）の少なくとも１種を含有する蛍光体層の放電側の面を被覆する
ことを特徴とする請求の範囲第４２項に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項４４】
前記蛍光体保護膜は、全ての蛍光体層における表面を被覆している
ことを特徴とする請求の範囲第４２項に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項４５】
前記蛍光体保護膜は、ＭｇＦ２を主成分として構成されている
ことを特徴とする請求の範囲第４２項に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項４６】
前記蛍光体保護膜は、ＭｇＯを主成分とする第１層と、ＭｇＦ２を主成分とする第２層との積層構造を有し、前記第１層が放電空間を臨むよう形成されている
ことを特徴とする請求の範囲第４２項に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項４７】
前記第１層の層厚みは、前記第２層の層厚みよりも薄い
ことを特徴とする請求の範囲第４６項に記載のプラズマディスプレイパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】  本発明は、表示デバイス等に用いるプラズマディスプレイパネルに関し、特に、駆動が長期に及んだ場合の画質劣化を抑制するための技術に関する。
【背景技術】  近年、ディスプレイには、高精細化、大画面化およびフラット化などが要求されており、種々のディスプレイが開発されている。その中でも、代表的なディスプレイとしてプラズマディスプレイパネル（以下、「ＰＤＰ」という。）などのガス放電パネルが注目されている。
ＰＤＰは、前面パネルと背面パネルとが間に隔壁を介して対向配置され、互いの外周部で封止され、両パネル間に形成された空  間（放電空間）に放電ガス（例えば、５３．２〜７９．８ｋＰａのＮｅ−Ｘｅ系ガス）が封入され構成されている。前面パネルは、前面ガラス基板と、この面上にストライプ状に形成された複数の表示電極、これを覆う誘電体ガラス層、さらにその上を覆う誘電体保護層（ＭｇＯ）を有している。
一方、背面パネルは、背面ガラス基板と、この面上にストライプ状に形成された複数のアドレス電極と、これを覆う誘電体ガラス層、誘電体ガラス層の層上であって各アドレス電極間に立設された隔壁とを有している。さらに、背面パネルには、隣り合う隔壁と誘電体ガラス層とで形成される溝部分には、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色蛍光体層が壁面上に形成されている。各蛍光体層を構成する蛍光体としては、一般に、赤色としてＹ２Ｏ３：Ｅｕ、緑色としてＺｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ、青色としてＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ２＋などがそれぞれ用いられている。中でも、緑色蛍光体には、駆動時にパネルの輝度を向上させるべく、その組成中に珪素（Ｓｉ）を含むものが用いられることがある。
上記ＰＤＰでは、基本的に点灯／非点灯の２値をもって駆動されるため、各色について１フィールドを複数のサブフィールドに分割して点灯時間を時分割し、その組み合わせによって中間階調を表現する方法（フィールド内時分割階調表示方式）が用いられている。各サブフィールドには、点灯させようとする放電セルに対して書き込みを行うアドレス期間、アドレス期間の後に、放電を維持するサスティン期間という一連の動作からなるＡＤＳ（Ａｄｄｒｅｓｓ  Ｄｉｓｐｌａｙ−Ｐｅｒｉｏｄ  Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ）方式によって、パネルに画像を表示するようになっている。
上述のように、ＰＤＰの発光駆動においては、アドレス期間に選択された放電セルにおける誘電体保護層の表面に壁電荷が形成され、サスティン期間に放電を生じることによって画像の表示を行うのであるが、壁電荷の蓄積量は、誘電体保護層のインピーダンスによって影響を受ける。よって、誘電体保護層のインピーダンスが所定の値よりも低すぎても、また逆に高すぎても、サスティン期間に正常に放電を生じない、所謂、黒ノイズの発生を生じることがある。また、インピーダンスが高すぎる場合には、サスティン期間における放電を発生させるために、高い電圧を印加する必要が生じ、消費電力が大きくなる。
ここで、誘電体保護層中にＳｉなどのＩＶ族元素や、マンガン（Ｍｎ）、ニッケル（Ｎｉ）などの遷移金属、あるいはアルカリ金属、アルカリ土類金属などを添加することによって、誘電体保護層のインピーダンスを所望の値にし、誘電体保護層における電子放出特性を最適に設定する技術が開発されている（特開平１０−３３４８０９号公報）。
しかしながら、ＰＤＰでは、複数の放電セルの内の一部において、駆動時間の経過とともに誘電体保護層のインピーダンスが初期の設定値から徐々に変動して行くという問題が生じることがある。このように駆動時間の経過とともに誘電体保護層のインピーダンスが変動すると、駆動が長期に及んだ場合には、サスティン期間において点灯させようとする放電セルで放電が生じない、所謂、黒ノイズが発生するに至る。このような現象は、上記公報に開示されたＰＤＰのように、製造時において、誘電体保護層中にＳｉなどを添加した場合にも、同様に生じ得る。
【発明の開示】
本発明は、上記課題を解決しようとなされたものであって、パネル全体の高い発光輝度を得ることが出来るとともに、駆動時間の経過によっても誘電体保護層のインピーダンスの変動に起因する黒ノイズの発生を抑制することによって、駆動時間の長短に関わりなく高画質が維持可能なプラズマディスプレイパネルを提供することを目的とする。
本発明者らは、上記従来のＰＤＰにおいて、駆動が長期に及んだときに顕著となる黒ノイズの発生原因が、駆動中に誘電体保護層の表面へのＳｉ、亜鉛（Ｚｎ）、酸素（Ｏ）、Ｍｎ等の元素の付着にあることを突き止めた。これら黒ノイズの発生原因となる元素は、ＰＤＰの製造段階で主に蛍光体層中に含有されていたものであり、駆動時の放電による影響を受けてこれらが放電空間中に飛散し、誘電体保護層の表面に付着するものである。誘電体保護層の表面にこれら元素が付着して行き、その付着量が一定のレベルに達した時点で誘電体保護層のインピーダンスが本来あるべき範囲から逸脱してしまう。
しかも、誘電体保護層のインピーダンスは、構成する各蛍光体の組成などの違いによってＲ、Ｇ、Ｂの各放電セル間でバラツキをもって変動するので、例え駆動電圧等を調整したとしても、黒ノイズの発生をパネル全体で抑制することは出来ない。
このような研究開発から得られた事項を踏まえ、本発明は、ＰＤＰの駆動が長期に及んだ場合における誘電体保護層のインピーダンスの変動を、駆動方法の調整等をもって黒ノイズの発生を抑えることができるようにコントロールすることを趣旨とするものである。具体的には、以下に示すような構成を特徴とする。
（１）一対の基板が、その間に放電空間を有する状態で対向配置され、放電空間を臨むようにＭｇＯからなる誘電体保護層と赤色、緑色、青色の各蛍光体層とが形成されてなるＰＤＰにおいて、３色全ての蛍光体層を構成する各蛍光体は、その組成中にＩＶ族元素を含まないことを特徴とする。
上記（１）のＰＤＰでは、３色全ての蛍光体に、その組成中にＩＶ族元素を含んでいないので、駆動が長期に及んでも放電空間中に各蛍光体層からＩＶ族元素の飛散が少なく抑えられ、誘電体保護層の表面に付着するＩＶ族元素の量が少ない。即ち、蛍光体層中における蛍光体以外の部分にＩＶ族元素が不純物レベルで添加されていたとしても、蛍光体層中でも質量比率で最も大きな部分を占める蛍光体としてその組成中にＩＶ族元素を含まないことにより、誘電体保護層の放電特性に与える影響は実質的にないといってよい。よって、本発明のＰＤＰでは、設計段階で設定された誘電体保護層のインピーダンスが駆動によって変動することがない。
従って、上記（１）のＰＤＰでは、設計段階で誘電体保護層のインピーダンスを適正範囲内に設定しておけば、駆動中に黒ノイズの発生が増加することはなく、駆動が長期に及んだ場合にも黒ノイズによる画質劣化を招きにくい。
（２）上記（１）のＰＤＰにおいて、構成要素中の蛍光体だけでなく、蛍光体層の構成要素の全てをＩＶ族元素を含まないものとすれば、駆動による誘電体保護層の放電特性の変動を限りなく０とすることが出来るので望ましい。
（３）一対の基板が、その間に放電空間を有する状態で対向配置され、放電空間を臨むようにＭｇＯからなる誘電体保護層と赤色、緑色、青色の各蛍光体層とが形成されてなるＰＤＰにおいて、３色全ての蛍光体層中には、ＩＶ族元素が含まれていることを特徴とする。
上記（３）のＰＤＰは、３色全ての蛍光体層にＩＶ族元素が含まれているので、駆動における放電により各蛍光体層からは放電空間に対してＩＶ族元素が飛散することになるが、３色全ての蛍光体層にＩＶ族元素を含むこととしたので、３色の蛍光体層からのＩＶ族元素体層からのＩＶ族元素の飛散特性を同様とすることができる。よって、このＰＤＰでは、駆動によりＩＶ族元素が飛散することになるが、全ての放電セルで同様に誘電体保護層の表面にＩＶ族元素が付着する。これより、（３）のＰＤＰでは、Ｒ、Ｇ、Ｂ各色の放電セルに対応する誘電体保護層のインピーダンスの経時的な変動の方向性を全体として揃えることができる。
また、（３）のＰＤＰでは、蛍光体層中にＩＶ族元素を含んでいるので、駆動中に蛍光体層から放電空間に飛散したＩＶ族元素が誘電体保護層の表面に付着し、これによって１パルスあたりの実質の放電時間を延ばす効果を得ることが出来る。よって、蛍光体層中に全くＩＶ族元素を含まない場合に比べて、パネルの発光輝度を向上させることが出来る。よって、（３）のＰＤＰでは、経時的なインピーダンスの収束を予測して、経時的に駆動電圧を調整することにより、黒ノイズが発生するのを抑制することが出来る。
従って、本発明のＰＤＰでは、蛍光体層へのＩＶ族元素の含有によりパネルの発光輝度の向上を図ることが出来るとともに、駆動時間が長期に及んだ場合にも、優れた画質を維持することが出来る。
（４）上記（３）のＰＤＰにおいて、全ての蛍光体層中におけるＩＶ族元素の含有比率を５０００（質量ｐｐｍ）以下の範囲としておけば、駆動による誘電体保護層のインピーダンスの変動を実質的にＩＶ族元素を全く含まない蛍光体層を備える場合と同様とすることが出来るので、望ましい。また、（４）のＰＤＰでは、全ての蛍光体層に微量ではあるがＩＶ族元素を含有するので、パネルの発光輝度を高く維持することが出来る。
なお、ＩＶ族元素の含有比率を５０００（質量ｐｐｍ）以下とすれば望ましい理由については、後述の確認実験で確認している。
（５）ＩＶ族元素の含有比率については、上述のように５０００（質量ｐｐｍ）以下に規定すれば望ましいが、微量のＩＶ族元素を含有させることによる輝度向上の効果を得るために、その下限を１００（質量ｐｐｍ）とすることがより望ましい。
（６）上記（３）のＰＤＰにおいて、３色の蛍光体層の内、少なくとも１色の蛍光体層を構成する蛍光体には、その組成中にＩＶ族元素を含むものが用いられている構成とすることが望ましい。即ち、蛍光体の組成中にＩＶ族元素が含まれているようにすれば、以下の点から望ましい。
例えば、蛍光体層を形成する過程において、蛍光体ペーストの中に異物を混入させた場合には、混合の工程が完全でない場合に混合容器の上下などで異物の分布状態が異なった状態となることが生じ得る。また、一般に、焼成の工程において、層の表面部分で異物の分布比率が小さく、層の内部で分布比率が大きくなる傾向がある。このように蛍光体層の厚み方向に異物の分布にムラが生じると、ＰＤＰの駆動が長期に及んだ場合に誘電体保護層のインピーダンスが安定せず、面内でバラツキを生じ、基板間でバラツキを生じる。
これに対して、上記（６）のＰＤＰのように、蛍光体の組成中にＩＶ族元素を含む場合には、蛍光体の量に比例して添加物であるＩＶ族元素が存在し、上述のような問題が大幅に軽減できるという効果が得られる。
（７）上記（３）のＰＤＰにおいて、全ての蛍光体層中におけるＩＶ族元素の含有比率を１００（質量ｐｐｍ）以上５００００（質量ｐｐｍ）以下であって、各蛍光体層で相互に略同一であることを特徴とする。
（７）に係るＰＤＰでは、各蛍光体層に１００（質量ｐｐｍ）以上５００００（質量ｐｐｍ）以下の比率でＩＶ族元素を含み、この含有比率は、上記（４）のＰＤＰにおける含有比率に比べて、上限が約１０倍となっており、パネルの発光輝度という面から優れている。
また、（７）のＰＤＰは、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色の蛍光体層中におけるＩＶ族元素の含有比率を略同一としているので、駆動が長期に及んだ場合における誘電体保護層のインピーダンスをより均一に収束させることが出来る。よって、（７）のＰＤＰでは、上記（３）のＰＤＰと同様よりも、予め設定しておく経時的な駆動電圧の調整が容易となり、黒ノイズの発生がより効果的に抑制される。
従って、本発明のＰＤＰでは、パネルの高い発光輝度を維持し、駆動初期から長期駆動時において優れた画質を維持するのにより優れている。
（８）上記（７）のＰＤＰにおいて、含有比率のバラツキを２００００（質量ｐｐｍ）以内に規定しておけばインピーダンスの収束性という面から望ましい。
（９）上記（７）のＰＤＰにおいて、全ての蛍光体層を構成する各蛍光体には、組成中にＩＶ族元素を含むものが選択的に用いられていることを特徴とする。このＰＤＰは、上記（７）の優位性に加えて、上記（６）の優位性をも併せ持つ。
（１０）上記（９）のＰＤＰにおいて、全ての蛍光体層における蛍光体を、その組成中に同一のＩＶ族元素を含むものから選択して用いれば、誘電体保護層のインピーダンスの変動の方向性を揃えるという面から望ましい。
（１１）上記（１）または（３）のＰＤＰにおいて、ＩＶ族元素としてのＳｉを採用すれば、パネルの発光輝度の向上、黒ノイズの発生抑制の両面から望ましい。
（１２）上記（１１）のＰＤＰにおいて、具体的な蛍光体の組成としては、赤色がＹ２ＳｉＯ５：Ｅｕ、緑色がＺｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ、青色がＹ２ＳｉＯ３：Ｃｅとすることができる。
（１３）上記（３）のＰＤＰにおいて、各蛍光体層中におけるＩＶ族元素は、蛍光体とは別の化合物として含まれることとしても同様の効果を得ることが出来る。
このように、蛍光体層中におけるＩＶ族元素の含有比率を上記数値に規定する（含有比率が０質量ｐｐｍ、即ち、ＩＶ族元素を含まない場合も含む。）ことにより、パネルの発光輝度の向上を図りながら、パネルを長期にわたって駆動した場合の黒ノイズの発生を抑制することが出来る。含有比率を規定することにより上記優位性を得られるのは、蛍光体層中にＩＶ族元素の含有比率を規定する場合以外に、遷移金属（Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ）、アルカリ金属、アルカリ土類金属（ただし、Ｍｇを除く。）を含有比率を規定する場合にも同様に得ることが出来る。以下の（１４）〜（３４）にこれらについて記載する。
（１４）一対の基板が、その間に放電空間を有する状態で対向配置され、放電空間を臨むようにＭｇＯからなる誘電体保護層と赤色、緑色、青色の各蛍光体層とが形成されてなるＰＤＰにおいて、３色全ての蛍光体層を構成する各蛍光体は、その組成中にＷ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉの何れも含まないことを特徴とする。
（１５）上記（１４）のＰＤＰにおいて、全ての蛍光体層は、それぞれがＷ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉの何れも含まない物質のみから構成されていることを特徴とする。
（１６）一対の基板が、その間に放電空間を有する状態で対向配置され、放電空間を臨むようにＭｇＯからなる誘電体保護層と赤色、緑色、青色の各蛍光体層とが形成されてなるＰＤＰにおいて、３色全ての蛍光体層中には、遷移金属が含まれていることを特徴とする。
（１７）上記（１６）のＰＤＰにおいて、全ての蛍光体層中における遷移金属の含有比率は、３００００（質量ｐｐｍ）以下であることを特徴とする。
（１８）上記（１６）のＰＤＰにおいて、全ての蛍光体層中における遷移金属の含有比率は、５００（質量ｐｐｍ）以上３００００（質量ｐｐｍ）以下であることを特徴とする。
（１９）上記（１６）のＰＤＰにおいて、３色の蛍光体層の内、少なくとも１色の蛍光体層を構成する蛍光体には、組成中に遷移金属を含むものが用いられていることを特徴とする。
（２０）上記（１６）のＰＤＰにおいて、遷移金属は、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉの中から選択される少なくとも一種であることを特徴とする。
（２１）上記（２０）のＰＤＰにおいて、全ての蛍光体層中における遷移金属の含有比率は、３００（質量ｐｐｍ）以上１２００００（質量ｐｐｍ）以下であって、且つ、各蛍光体層で相互に略同一であることを特徴とする。
（２２）上記（２１）のＰＤＰにおいて、全ての蛍光体層中における遷移金属は、各色蛍光体層間で４００００（質量ｐｐｍ）以内の比率バラツキとなるように含まれていることを特徴とする。
（２３）上記（２１）のＰＤＰにおいて、全ての蛍光体層を構成する各蛍光体には、組成中に遷移金属を含むものが選択的に用いられていることを特徴とする。
（２４）上記（２３）のＰＤＰにおいて、各蛍光体の組成中に含まれる遷移金属は、全ての蛍光体層で同一であることを特徴とする。
（２５）一対の基板が、その間に放電空間を有する状態で対向配置され、放電空間を臨むようにＭｇＯからなる誘電体保護層と赤色、緑色、青色の各蛍光体層とが形成されてなるＰＤＰにおいて、３色全ての蛍光体層を構成する各蛍光体は、その組成中にアルカリ金属およびアルカリ土類金属（ただし、Ｍｇを除く。）の何れも含まないことを特徴とする。
（２６）上記（２５）のＰＤＰにおいて、全ての蛍光体層は、それぞれがアルカリ金属およびアルカリ土類金属（ただし、Ｍｇを除く。）の何れも含まない物質のみから構成されていることを特徴とする。
（２７）一対の基板が、その間に放電空間を有する状態で対向配置され、放電空間を臨むようにＭｇＯからなる誘電体保護層と赤色、緑色、青色の各蛍光体層とが形成されてなるＰＤＰにおいて、全ての蛍光体層中には、アルカリ金属およびアルカリ土類金属（ただし、Ｍｇを除く。）の少なくとも一方が含まれていることを特徴とする。
（２８）上記（２７）のＰＤＰにおいて、全ての蛍光体層中におけるアルカリ金属およびアルカリ土類金属（ただし、Ｍｇを除く。）の合計含有比率は、６００００（質量ｐｐｍ）以下であることを特徴とする。
（２９）上記（２７）のＰＤＰにおいて、全ての蛍光体層中におけるアルカリ金属およびアルカリ土類金属（ただし、Ｍｇを除く。）の合計含有比率は、１０００（質量ｐｐｍ）以上６００００（質量ｐｐｍ）以下であることを特徴とする。
（３０）上記（２９）のＰＤＰにおいて、３色の蛍光体層の内、少なくとも１色の蛍光体層を構成する蛍光体には、組成中にアルカリ金属およびアルカリ土類金属（ただし、Ｍｇを除く。）の少なくとも一方を含むものが用いられていることを特徴とする。
（３１）上記（２７）のＰＤＰにおいて、全ての蛍光体層中におけるアルカリ金属およびアルカリ土類金属（ただし、Ｍｇを除く。）の合計含有比率は、３００（質量ｐｐｍ）以上１２００００（質量ｐｐｍ）以下であって、且つ、各蛍光体層間で相互に略同一であることを特徴とする。
（３２）上記（３１）のＰＤＰにおいて、全ての蛍光体層におけるアルカリ金属およびアルカリ土類金属（ただし、Ｍｇを除く。）は、各蛍光体層間で合計として４００００（質量ｐｐｍ）以内の比率バラツキとなるように含まれていることを特徴とする。
（３３）上記（３１）のＰＤＰにおいて、全ての蛍光体層を構成する各蛍光体には、組成中にアルカリ金属またはアルカリ土類金属（ただし、Ｍｇを除く。）を含むものが選択的に用いられていることを特徴とする。
（３４）上記（３１）のＰＤＰにおいて、全ての蛍光体層中には、同一のアルカリ金属およびアルカリ土類金属（ただし、Ｍｇを除く。）の少なくとも一方が含まれていることを特徴とする。
また、上記（１）、（１４）、（２５）の各ＰＤＰを考慮すると、次のような構成のＰＤＰにおいても上記のＰＤＰと同様の効果が得られる。
（３５）一対の基板が、その間に放電空間を有する状態で対向配置され、放電空間を臨むようにＭｇＯからなる誘電体保護層と赤色、緑色、青色の各蛍光体層とが形成されてなるＰＤＰにおいて、３色全ての蛍光体層を構成する各蛍光体は、その組成中にＩＶ族元素、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、アルカリ金属、アルカリ土類金属（ただし、Ｍｇを除く。）の何れも含まないことを特徴とする。
（３６）上記（３５）のＰＤＰにおいて、全ての蛍光体層は、それぞれがＩＶ族元素、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、アルカリ金属、アルカリ土類金属（ただし、Ｍｇを除く。）の何れも含まない物質のみから構成されていることを特徴とする。
また、駆動初期の段階における誘電体保護層のインピーダンスを適正範囲に設定し、高画質を実現するためには、以下のような構成を採用することが望ましい。
（３７）上記（１）、（３）、（１４）、（１６）、（２５）、（２７）、（３５）のＰＤＰにおいて、誘電体保護層中には、ＩＶ族元素が含まれていることを特徴とする。
（３８）上記（３７）のＰＤＰにおいて、誘電体保護層中におけるＩＶ族元素の含有比率は、５００（質量ｐｐｍ）以上２０００（質量ｐｐｍ）以下であることを特徴とする。
（３９）上記（１）、（３）、（１４）、（１６）、（２５）、（２７）、（３５）のＰＤＰにおいて、誘電体保護層中には、遷移金属が含まれていることを特徴とする。
（４０）上記（３９）のＰＤＰにおいて、誘電体保護層中における遷移金属の含有比率は、１５００（質量ｐｐｍ）以上６０００（質量ｐｐｍ）以下であることを特徴とする。
（４１）上記（１）、（３）、（１４）、（１６）、（２５）、（２７）、（３５）のＰＤＰにおいて、誘電体保護層中には、アルカリ金属およびアルカリ土類金属の少なくとも一方が含まれていることを特徴とする。なお、上記誘電体保護層中に含まれうる元素の内、アルカリ土類金属については、誘電体保護層の主な構成要素であるＭｇＯのＭｇが含まれるが、ここでいうアルカリ土類金属とは、このＭｇとは別の種類の元素が含まれているという意である。
さらに、以下のような構成とすることとした。
（４２）上記（３）、（１６）、（２７）のＰＤＰにおいて、蛍光体層における放電空間側の面の少なくとも一部領域は、紫外線の透過率が８０（％）以上であって、且つ、発光駆動における放電によっても、当該蛍光体層を構成する元素の内の誘電体保護層が有する放電特性を劣化させる元素が放電空間に飛散するのを抑制する機能を有する蛍光体保護膜で被覆されていることを特徴とする。
（４２）のＰＤＰでは、誘電体保護層蛍光体層における放電空間側の面の少なくとも一部領域が蛍光体保護膜によって被覆されているので、被覆された領域においては、駆動時における放電によって上記元素（例えば、ＩＶ族元素、遷移金属、アルカリ金属、アルカリ土類金属（ただし、Ｍｇを除く。）など）が放電空間中に飛散することがない。よって、（４２）のＰＤＰでは、設計段階で設定された誘電体保護層の放電特性（インピーダンス）を長期駆動した後にも維持することが出来、駆動が長期に及んだ場合の黒ノイズの発生による画質の劣化を抑制することが出来る。
また、（４２）のＰＤＰにおける蛍光体保護膜は、８０（％）以上の紫外線透過率を確保するよう形成されているので、放電空間で発生する紫外線が蛍光体保護膜によって遮られる割合が少なく、駆動初期におけるパネルの発光輝度は若干低下するものの、駆動が長期に及んだ場合の黒ノイズの発生を抑制する効果が大きい。
従って、（４２）のＰＤＰでは、パネル全体の高い発光輝度を維持しながら、駆動が長期に及んだ場合にあっても黒ノイズの発生が少なく、優れた画質が維持される。
なお、本発明に係るＰＤＰの構成については、必ずしも赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色の蛍光体層全てにＩＶ族元素、遷移金属、アルカリ金属、アルカリ土類金属（ただし、Ｍｇを除く。）などの元素を含んでいない場合にも、効果を奏することができる。例えば、Ｇ蛍光体層だけにＩＶ族元素であるＳｉなどを含み、他の蛍光体層には上記元素を含んでいないような場合にも、少なくともＧ蛍光体層の放電空間側の面を蛍光体保護膜で被覆する構成とすれば、パネル全体においては、駆動によって放電空間中にＩＶ族元素などが飛散することはない。また、このＰＤＰでは、Ｇ蛍光体層にＩＶ族元素などを含んでおり、Ｒ、Ｇ、Ｂ全ての放電セルでの駆動初期の発光輝度が高く、しかも、蛍光体保護膜の形成により駆動が長期に及んだ場合の黒ノイズの発生が抑制される。よって、このＰＤＰでは、駆動初期から駆動が長期に及ぶに至るまで、設計時に設定した高い画質を維持することが可能となる。
（４３）上記（４２）のＰＤＰにおいて、蛍光体保護膜は、１０００（質量ｐｐｍ）以上のＩＶ族元素、３００００（質量ｐｐｍ）以上の遷移金属、６００００（質量ｐｐｍ）以上のアルカリ金属またはアルカリ土類金属（ただし、Ｍｇを除く。）の少なくとも１種を含有する蛍光体層の放電側の面を被覆することを特徴とする。このように、高い比率で上記元素を含有する蛍光体層を蛍光体保護膜で被覆することによって、パネルの発光輝度の向上と、黒ノイズの発生抑制との両立を果たすのに、より望ましい。
（４４）上記（４２）のＰＤＰにおいて、蛍光体保護膜は、全ての蛍光体層における表面を被覆していることを特徴とする。
（４５）上記（４２）のＰＤＰにおいて、蛍光体保護膜は、ＭｇＦ２を主成分として構成されていることを特徴とする。
（４６）上記（４２）のＰＤＰにおいて、蛍光体保護膜は、ＭｇＯを主成分とする第１層と、ＭｇＦ２を主成分とする第２層との積層構造を有し、第１層が放電空間を臨むよう形成されていることを特徴とする。
（４６）のＰＤＰのように放電空間側にＭｇＯからなる第１層を、蛍光体層側にＭｇＦ２からなる第２層を配置することで、放電時における蛍光体保護膜自体の耐スパッタ性を向上させることが出来、トータルでの膜厚を薄く設定することも可能である。
（４７）上記（４６）のＰＤＰにおいて、第１層の層厚みが第２層の層厚みよりも薄いことを特徴とする。
このように第１層の層厚みを第２層の層厚みよりも薄く設定することにより、蛍光体保護膜の高透過率と耐スパッタ性の確保との両立を図ることが出来るので、望ましい。
【図面の簡単な説明】  図１；実施の形態１に係るＰＤＰ１の要部斜視図（一部断面図）である。
図２；確認実験における誘電体保護層のインピーダンスを測定するための装置構成を示す概略図である。
図３；確認実験における劣化加速試験装置の構成を示す概略図である。
図４；劣化試験時間と誘電体保護層のインピーダンスおよび発光輝度との関係を示す特性図である。
図５；蛍光体層中のＳｉの含有比率と劣化加速試験後における誘電体保護層のインピーダンスとの関係を示す特性図である。
図６；蛍光体層中のＷの含有比率と劣化加速試験後における誘電体保護層のインピーダンスとの関係を示す特性図である。
図７；実施の形態３に係るＰＤＰ３の要部斜視図（一部断面図）である。
図８；実施の形態４に係るＰＤＰ４の要部斜視図（一部断面図）である。
【発明を実施するための最良の形態】（実施の形態１）
１−１．ＰＤＰの構成
以下、本発明の実施の形態に係るＡＣ型ＰＤＰ（以下、単に「ＰＤＰ」という。）１の構成について、図１を参照しながら説明する。図１は、ＰＤＰ１の要部を抜き出して図示した要部斜視図である。ここで、ＰＤＰ１は、４０インチクラスのＶＧＡに適合する仕様を有するパネルであるが、本発明は、これに限定を受けるものではない。
図１に示すように、ＰＤＰ１は、間に間隔をあけて対向配置された前面パネル１０と背面パネルとから構成されている。
前面パネル１０の基板となる前面ガラス基板１１上には、表示電極１２（走査電極１２ａおよび維持電極１２ｂ）がストライプ状に形成されている。表示電極１２が形成された前面ガラス基板１１の面上には、全体を覆うように誘電体ガラス層１３が形成され、さらにこの上に誘電体保護層１４が形成されている。
なお、図示はしていないが、表示電極１２は、透明電極膜（ＩＴＯなど）からなる下層の上に、Ａｇ細線のバスラインが積層された構成を有する。
一方、背面パネル２０の基板となる背面ガラス基板２１上には、アドレス電極２２がストライプ状に形成されている。アドレス電極２２が形成された背面ガラス基板２１の面上には、全体を覆うように誘電体ガラス層２３が形成されている。そして、誘電体ガラス層２３の上には、隣り合うアドレス電極２２とアドレス電極２２との間隙に合わせて隔壁２４が突設されている。そして、誘電体ガラス層２３と隣り合う２条の隔壁２４とで形成される溝部分の壁面には、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の蛍光体層２５Ｒ、２５Ｇ、２５Ｂが溝毎に分けて形成されている。
各色蛍光体層２５Ｒ、２５Ｇ、２５Ｂは、主成分である蛍光体として、その組成にＩＶ族元素であるＳｉを含む以下のものを備えている。
赤色（Ｒ）；Ｙ２ＳｉＯ５：Ｅｕ
緑色（Ｇ）；Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ
青色（Ｂ）；Ｙ２ＳｉＯ３：Ｃｅ
前面パネル１０と背面パネル２０とは、誘電体保護層１４と蛍光体層２５Ｒ、２５Ｇ、２５Ｂとが向かい合うように、且つ、表示電極１２とアドレス電極２２とが交差する方向に配置され、外周誘電体保護層１４と、隔壁２４および蛍光体層２５Ｒ、２５Ｇ、２５Ｂとで囲まれる放電空間３０Ｒ、３０Ｇ、３０Ｂには、ヘリウム（Ｈｅ）、キセノン（Ｘｅ）、ネオン（Ｎｅ）などの不活性ガス成分からなる放電ガスが所定の圧力（例えば、５３．２〜７９．８ｋＰａ）で封入されている。
隣接する隔壁２４間は、放電空間３０Ｒ、３０Ｇ、３０Ｂであり、一対の走査電極１２ａおよび維持電極１２ｂと１本のアドレス電極２２とが放電空間３０Ｒ、３０Ｇ、３０Ｂを挟んで交差する領域が画像表示にかかるセルに対応する。そして、隣り合うＲ、Ｇ、Ｂの３つのセルで１画素が構成される。本実施の形態に係るＰＤＰ１では、例えば、セルピッチはｘ方向が１０８０（μｍ）、Ｙ方向が３６０（μｍ）である。隣り合うＲ、Ｇ、Ｂの３セルで１画素（例えば、１０８０μｍ×１０８０μｍ）が構成される。
１−２．ＰＤＰ１の製造方法
次に上記ＰＤＰ１の製造方法について、説明する。
（前面パネル１０の作製）
ソーダライムガラスからなる前面ガラス基板１１（例えば、厚さ約２．６ｍｍ）の一方の主表面全体に、スパッタ法を用いて厚さ約０．１２（μｍ）のＩＴＯ（酸化インジウムと酸化スズからなる透明導体）の膜を形成し、フォトリソグラフィー法を用いて幅１５０（μｍ）のストライプ状（間隔は、０．０５ｍｍ）とし、電極下層（不図示）を形成する。次に、この上に、感光性の銀（Ａｇ）ペーストを全面に塗布して膜を形成した後、フォトリソグラフィー法を用いて上記電極下層の上に幅３０（μｍ）のストライプ状としてＡｇバスライン（不図示）を形成する。そして、Ａｇバスラインを約５５０（℃）で焼成して表示電極１２が出来上がる。
次に、表示電極１２が形成された前面ガラス基板１１の面上に、軟化点が５５０〜６００（℃）の誘電体ガラス粉（酸化鉛系あるいは酸化ビスマス系）とブチルカルビトールアセテート等からなる有機バインダーを混合したペーストを全面塗布する。そして、これを乾燥させた後、５５０〜６５０（℃）で焼成して誘電体ガラス層１３を形成する。
次に、上記誘電体ガラス層１３の表面に対し、例えば、厚さ７００（ｎｍ）の誘電体保護層１４をＥＢ蒸着法を用いて形成する。具体的には、蒸着源としてペレット状のＭｇＯ（平均粒径３ｍｍ〜５ｍｍ、純度９９．９５％以上）を用い、ピアス式ガンを加熱源とする反応性ＥＢ蒸着法に基づき、真空度：６．５×１０−３（Ｐａ）、酸素導入量：１０（ｓｃｃｍ）、酸素分圧：９０（％）以上、レート：２（ｎｍ／ｓ）、基板温度：１５０（℃）の条件で行った。誘電体保護層１４の材料にはＭｇＯ、ＭｇＦ２、ＭｇＡｌＯの中から選ぶことができる。
なお、誘電体保護層１４の形成には、上記方法以外にもＣＶＤ（化学蒸着法）等の方法を用いてもよい。
（背面パネル２０の作製）
ソーダライムガラスからなる背面ガラス基板２１（例えば、厚さ約２．６ｍｍ）の一方の主表面全体に、感光性の銀（Ａｇ）ペーストを塗布（厚さ約５μｍ）して膜を形成した後、フォトリソグラフィー法を用いてストライプ状とし、これを約５５０（℃）で焼成することでアドレス電極２２を形成する。
次に、アドレス電極２２が形成された背面ガラス基板２１の面上に、上記前面パネル１０における誘電体ガラス層１３と同様の方法を用いて、誘電体ガラス層２３を形成する。ただし、背面パネル２０における誘電体ガラス層２３の形成にあたっては、中に酸化チタン（ＴｉＯ２）を含有させてもよい。
その後、鉛系のガラス材料を用いてガラスペーストを作製し、これをスクリーン印刷法によって複数回に分けて誘電体ガラス層２３の上にストライプ状に塗布し、焼成することによって隔壁２４が形成される。隔壁２４の形成箇所は、隣り合うアドレス電極２２とアドレス電極２２との間であり、その高さは、最終的に約６０〜１００（μｍ）である。なお、本実施の形態においては、隔壁２４を構成する鉛系ガラス材料にＳｉ成分が含まれていると、誘電体保護層１４のインピーダンス上昇を抑制する効果が高まるので望ましい。そして、Ｓｉ成分は、ガラスの組成中に含まれていても、ガラス材料中に添加してもよい。
隔壁２４が形成された背面ガラス基板２０では、隣り合う２条の隔壁２４と誘電体ガラス層２３とにより溝部が形成されるが、この溝部に対して上記各色蛍光体を含む蛍光体インクを溝毎に塗布する。
蛍光体インクは、各サーバ内に５０（質量％）となる量の上記各蛍光体を入れ、これにエチルセルローズ：０．１（質量％）、溶剤（α−ターピネオール）：４９（質量％）を投入し、サンドミルで攪拌混合して、粘度を１５×１０−３（Ｐａ・ｓ）に調整され作製される。このように作製された蛍光体インクを色毎にポンプに繋がれた容器に注入し、径６０（μｍ）のノズルからポンプの圧力を利用して各隔壁２４間の溝部壁面に噴射し、塗布する。蛍光体インクの塗布にあたっては、隔壁２４の長手方向に沿ってノズルを移動させ、ストライプ状となるようにする。
全ての隔壁２４間に各色蛍光体インクを塗布した後、背面ガラス基板２１を約５００（℃）で１０（ｍｉｎ．）程度焼成し、蛍光体層２５Ｒ、２５Ｇ、２５Ｂを形成する。これら蛍光体層２５Ｒ、２５Ｇ、２５Ｂに含まれる各蛍光体は、全てにＳｉが含まれており、上述の組成を有する。
（ＰＤＰ１の完成）
作製した前面パネル１０と背面パネル２０とを、封着用ガラスを用いて貼り合わせる。その後、放電空間３０Ｒ、３０Ｇ、３０Ｂの内部を高真空（１．０×１０−４Ｐａ）程度まで排気し、これに所定の圧力（ここでは、例えば、５３．２〜７９．８ｋＰａ）でＮｅ−Ｘｅ系やＨｅ−Ｎｅ−Ｘｅ−Ａｒ系などの放電ガスを封入する。
以上でＰＤＰ１が完成する。
１−３．ＰＤＰ１の基本動作
上記構成のＰＤＰ１は、表示電極１２およびアドレス電極２２に給電する不図示の駆動部によって駆動される。この駆動部では、各セルの発光をＯＮ／ＯＦＦの２値制御によって制御し、階調表現するために、外部からの入力画像である時系列の各フレームＦを、例えば６個のサブフレームに分割する。各サブフレームにおける輝度の相対比率が例えば１：２：４：８：１６：３２となるように重み付けをして、各サブフレームのサステイン（維持放電）の発光回数を設定する。各サブフレームは、リセット期間、アドレス期間、およびサステイン期間を割り当てる。
リセット期間とは、それ以前のセルの点灯による影響（蓄積された壁電荷による影響）を防ぐため、画面全体の壁電荷の消去（初期化）を行う期間である。すべての表示電極１２に面放電開始電圧を超える正極性のリセットパルスを印加する。これとともに、背面パネル２０側の帯電とイオン衝撃を防ぐために、すべてのアドレス電極２２に正極性パルスを印加する。印加パルスの立ち上がりと立ち下がりで、すべてのセルで強い面放電が生じ、全ての放電セルにおいてほとんどの壁電荷が消失し、画面全体が一様に非帯電状態となる。
アドレス期間は、サブフレームに分割された画像信号に基づいて選択されたセルのアドレッシング（点灯／不点灯の設定）を行う期間である。走査電極１２ａを接地電位に対して正電位にバイアスし、すべての維持電極１２ｂを負電位にバイアスする。この状態で、パネル上部最先におけるライン（一対の表示電極に対応する横一列の放電セル）から１ラインずつ順に各ラインを選択し、該当する維持電極１２ｂに負極性のスキャンパルスを印加する。また、点灯すべき放電セルに対応したアドレス電極２２に対して、正極性のアドレスパルスを印加する。アドレッシングでは放電は発生せず、点灯すべき放電セルのみに壁電荷が蓄積される。
サステイン期間は、階調レベルに応じた輝度を確保するために、設定された点灯状態を維持する期間である。不要の放電を防止するため、全てのアドレス電極２２を正極性の電位にバイアスし、  全ての維持電極１２ｂに正極性のサステインパルスを印加する。その後、走査電極１２ａと維持電極１２ｂとに対して交互にサステインパルスを印加し、所定期間放電を繰り返す。
なおリセット期間およびアドレス期間の長さは、輝度の重みに関わらず一定であるが、サステイン期間の長さは輝度の重みが大きいほど長い。つまり、各サブフレームの表示期間の長さは互いに異なる。
ＰＤＰ１ではこのようにＲ、Ｇ、Ｂ各色ごとのサブフレーム単位組み合わせにより、多色・多階調表示を実現している。
１−４．ＰＤＰ１が有する優位性
上記の構成を有する本実施の形態１のＰＤＰ１では、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色蛍光体層２５Ｒ、２５Ｇ、２５Ｂにおいて、その組成にＩＶ族元素であるＳｉを含む蛍光体を用いることにより、各色蛍光体層２５Ｒ、２５Ｇ、２５Ｂ中にＩＶ族元素（Ｓｉ元素）が１００（質量ｐｐｍ）以上５００００（質量ｐｐｍ）以下の比率であって、且つ、全ての蛍光体層２５Ｒ、２５Ｇ、２５Ｂにおいて同一の比率で含まれる。このような工夫を行うことで、誘電体保護層１４のインピーダンスが経時的に変化する方向が揃う効果が得られる。具体的には、ＩＶ族元素を全蛍光体層２５Ｒ、２５Ｇ、２５Ｂに添加することによって、Ｒ、Ｇ、Ｂすべての色に対応する放電セルにおいて、誘電体保護層１４のインピーダンスは経時的に同一程度に上昇することになる。これによって本実施の形態１では、Ｒ、Ｇ、Ｂ各色すべてに対応する誘電体保護層１４のインピーダンスの経時的変化量のバラツキが抑えられ、その変化の方向性を３色全てで一定に揃えることが出来るので、インピーダンスの変化に応じた駆動方法を経時的に採ることで黒ノイズの発生を抑制することが出来る。
このように、ＰＤＰ１では、例えば、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色の放電セルに対応する誘電体保護層１４のインピーダンス変化の程度を予測し、ＰＤＰ１を作製する際に予め駆動回路側において電圧設定マージンを若干高く設定、あるいは経時的にアドレス期間での印加電圧とサスティン期間での印加電圧のバランスを変更するなどすることによって、黒ノイズの発生を低減させる等、良好な画像表示性能を持続させるための非常に有効な対策が取れる。
なお、本発明では蛍光体の組成中にＳｉを存在させることとしたが、これ以外にも、Ｓｉ以外のＩＶ族元素、遷移金属、アルカリ金属、アルカリ土類金属（ただし、Ｍｇを除く。）を添加してもよいし、誘電体保護層１４を形成する際に、蛍光体以外で層中にこれらの元素を添加させてもよい。遷移金属は誘電体保護層１４のインピーダンスの低下を抑制する効果が得られる。これらのバリエーションについは後述の各実施例１〜４で述べる。
１−５．確認実験
ここでは上記実施の形態１と、その他の本発明の形態について各実施例および比較例（ＰＤＰと測定用試料）を作製し、確認実験を行った。
【実施例１】  以下、本発明の実施例１に係るＰＤＰの作製方法について説明する。
蛍光体層に用いるＲＧＢ各色蛍光体としては、赤色および青色蛍光体を、基材としてＳｉを含む材料を用いるものにした。
＜実施例１の各色蛍光体＞
赤色蛍光体：Ｙ２ＳｉＯ５；Ｅｕ
緑色蛍光体：Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ
青色蛍光体：Ｙ２ＳｉＯ３：Ｃｅ
（比較例１）
なお、比較対照するための比較例に係るＰＤＰについても作製した。これには、以下に示す蛍光体材料の組み合わせを使用した。
＜比較例１の各色蛍光体＞
赤色蛍光体；Ｙ２Ｏ３；Ｅｕ３＋
緑色蛍光体；Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ
青色蛍光体；ＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ２＋
他の工程は、実施の形態１と同様である。特に誘電体保護層を構成するＭｇＯは、上記した不純物の混入を抑える方法（チャンバ内でのＥｂ蒸着法）により形成した。
上記実施例１のＰＤＰの性能を調べるため、当該ＰＤＰと同様の性能を有するインピーダンス測定用試料と長時間劣化試験用試料を作製した。
（インピーダンス測定装置および劣化加速試験装置）
先ず、実験に用いたインピーダンス測定装置および劣化加速試験装置について、図２および図３を用いて説明する。
図２（ａ）に示すように、インピーダンス測定装置は、表面にＩＴＯからなる電極１１２が形成されたガラス基板１１１（５０ｍｍ×４０ｍｍ）と、同じく表面にＩＴＯからなる電極１２２が形成されたガラス基板１２２（５０ｍｍ×４０ｍｍ）とから構成されている。ガラス基板１１１とガラス基板１２１とは、電極１１２と電極１２２とが０．７（μｍ）の間隙を持って対向するように配置されている。電極１１２と電極１２２との間には、測定対象となる誘電体保護層１３０（厚さ７００ｎｍ）である。
図２（ｂ）に示すように、電極１１２は、共に蛇行パターンを有する電極１１２ａと電極１１２ｂとから構成されている。電極１１２ａと電極１１２ｂとの間の隙間は、上記ＰＤＰ１に合わせて５０（μｍ）とした。電極１１２ａ、１１２ｂの一端には、矩形状パターンのランドが形成されており、これにＬＣＲメータ１４０に繋がるリード線が接続されている。
ＬＣＲメータ１４０には、ガラス基板１２１の表面全体に形成された電極１２２から延びたリード線も接続されている。
インピーダンス測定は、上記装置において、誘電体保護層１３０をガラス基板１１１とガラス基板１２１との間に７００（ｋＰａ）の圧力をもって挟み込み、印加電圧：１（Ｖ）、周波数：１００（Ｈｚ）という条件で行なった。
そして、インピーダンスの測定は、後述の劣化加速試験の前後で行なった。インピーダンスについては、本発明者がＰＤＰにおける黒ノイズの発生を考慮しながら検討した結果、２２０（ｋΩ／ｃｍ２）以上３４０（ｋΩ／ｃｍ２）以下が許容範囲である。
次に、図３（ａ）に示すように、劣化加速試験装置のガラス基板３１１には、上記インピーダンス測定装置に用いたガラス基板１１１と同様のものを用いる。つまり、ガラス基板３１１には、その表面に図３（ｂ）に示すように電極３１２ａ、３１２ｂとからなる電極３１２が形成されている。
ガラス基板３２１（５０ｍｍ×４０ｍｍ）は、表面全体にわたってＩＴＯからなる電極３２２が形成されており、これを被覆するように誘電体ガラス層３２３が形成されている。そして、この表面には、後述の特性を有する蛍光体層３２５が形成される。また、この蛍光体層３２５の面上には、ＰＤＰ１のセルサイズである０．３６（ｍｍ）に対応してスペーサー（隔壁）３２４が形成されている。
ガラス基板３１１とガラス基板３２１とを、チャンバー３００内で誘電体保護層１３０を間に挟んだ状態で重ね合わせ、加重をかける。そして、ＴＭＰ３５０を用いて、チャンバー３００内を高真空（約１．０×１０−４Ｐａ）とした後、ガスボンベ３６０より所定の組成を有する放電ガスを充填する。
各電極３１２、３２２は、駆動回路３４０に接続されており、ＰＤＰ１と同様のパルスが印加されるようになっている。
上記状態において、駆動回路３４０から通常ＰＤＰにおいて使用される駆動周波数の５倍の周波数のパルスを連続印加し、劣化加速試験を実施した。そして、駆動初期と劣化試験後の各々において、そのパネルの画質を評価した。画質の評価には、次に示す表１の基準を適用した。
【表１】
2004038753.tif 000003
表１に示すように、画質の評価は、５段階評価で行い、レベルが高くなる方が優れた画質であることを示す。評価レベルが４および５のＰＤＰが実質的に出荷製品として許容レベルである。
（評価結果）
上記各測定・評価結果を、後述の実施例２〜４のデータとともに以下の表２、表３に示す。なお、表３中、誘電体保護層のインピーダンスは、５サンプルにわたり測定した平均値を示している。また、ＰＤＰに用いられる誘電体保護層の実質的な許容インピーダンス範囲は、量産不良の発生と設計条件から推測した想定インピーダンス値の上下３０（ｋΩ／ｃｍ２）の範囲である。例えば、想定インピーダンス値を２８０（ｋΩ／ｃｍ２）として駆動する場合、各色の蛍光体層に対応する誘電体保護層のインピーダンス変化が２５０（ｋΩ／ｃｍ２）以上３１０（ｋΩ／ｃｍ２）以下の範囲内に収まれば、黒ノイズは発生しない。この数値に基づいた判断基準によって、各ＰＤＰの性能評価を行う。
ここで言う「想定インピーダンス」とは、理想的にはＲ、Ｇ、Ｂの各蛍光体層に対応する誘電体保護層のインピーダンスの内、劣化試験前の最大値と、劣化試験後の最小値との和を２で割った値として導出することができる。
【表２】
2004038753.tif 000004
【表３】
2004038753.tif 000005
（考察）
まず表２のデータからは、緑色蛍光体のみがＳｉを含む組成の比較例１と、Ｒ、Ｇ、Ｂ全ての色の蛍光体組成にＳｉを含む実施例１で、駆動初期および劣化試験後の画質評価はほとんど同様であり、ともに良好な結果を示した。
しかしながら一方で、表３のインピーダンス測定結果からは、比較例１の場合、その各色蛍光体に対応する誘電体保護層のインピーダンスにバラツキが見られる。比較例１の想定インピーダンス値は２７０（ｋΩ／ｃｍ２）付近と考えられるが、これを基準として見た劣化試験後の比較例１のインピーダンスのバラツキは３０（ｋΩ／ｃｍ２）を超えている。このことからも推測されるように、比較例１は最終的に黒ノイズを誘発し、画質劣化に繋がっている。
これに対して実施例１では、劣化試験後の各蛍光体に対応する誘電体保護層のインピーダンスがほぼ揃っており、想定インピーダンス値を２３０（ｋΩ／ｃｍ２）とした場合のインピーダンスのバラツキも３０（ｋΩ／ｃｍ２）以内の範囲内に収まっており、安定した駆動が行われることが分かった。表２では、アドレス期間とサステイン期間の時間を短く設定する簡単な駆動調節によって、実施例１のＰＤＰは黒ノイズを発生しにくくなり、画質評価もレベル５となった。比較例１を含む従来のＰＤＰは、ＲおよびＢの蛍光体層とＧの蛍光体層のセルにそれぞれ対応する誘電体保護層のインピーダンスの差が大きすぎるため、このような駆動方法の調整の範囲で黒ノイズをなくすことは困難である。駆動方法まで最適化した後の比較では、生産バラツキを考慮すると、実施例１の構成が歩留まりも高くなるという効果がある。ＰＤＰの駆動は、誘電体保護層の想定インピーダンス範囲で設定される。通常の想定インピーダンス値は、２８０（ｋΩ／ｃｍ２）であるが、約２００（ｋΩ／ｃｍ２）以上３５０（ｋΩ／ｃｍ２）以下の範囲で想定インピーダンス値を変更することができる。
実施例１に示されるように、Ｒ、Ｇ、Ｂ各色に対応する誘電体保護層のインピーダンスが多少変化しても、各色間でのインピーダンス変化の差が小さければ、駆動回路で電圧値を調整することでレベル５の画質を維持できる。しかし比較例１のように、各色間でインピーダンス変化の差が大きいと高画質を維持できない。例えば実施例１の場合、誘電体保護層のインピーダンスが駆動初期のＲ、Ｇ、Ｂともに３１０（ｋΩ／ｃｍ２）、劣化試験後にともに約２３０（ｋΩ／ｃｍ２）であれば、駆動電圧の設定値を前記インピーダンスの変化に合わせて駆動中に切り替えることにより実現できる。一方、比較例１のように、劣化試験後のインピーダンスがＲが３１５（ｋΩ／ｃｍ２）、Ｇが２２５（ｋΩ／ｃｍ２）、Ｂが３１０（ｋΩ／ｃｍ２）のように極端にバラツキがあれば、実際には最大と最小の平均値である２７０（ｋΩ／ｃｍ２）付近に想定インピーダンス値を取るしかないが、その場合、各色蛍光体層に対応する誘電体保護層のインピーダンスが上下３０（ｋΩ／ｃｍ２）の想定インピーダンス内に入らないので、結果的に画質レベルは下がる。
【実施例２】  以下、本発明の実施例２に係るＰＤＰの作製方法について説明する。
本実施例２では、蛍光体材料として、蛍光体の化学組成自体にはＳｉを含まないものを用い、代わりに蛍光体層中に別途Ｓｉ化合物を添加する構成とした。
赤色蛍光体；Ｙ２Ｏ３；Ｅｕ３＋
緑色蛍光体；ＢａＡｌ１２Ｏ１９：Ｍｎ
青色蛍光体；ＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ２＋
なお、上記蛍光体組成の内、緑色蛍光体については、Ｂａ０．８２Ａｌ１２Ｏ１８．８２：Ｍｎ、あるいは、Ｂａ（１−Ｘ）Ａｌ１２Ｏ（２９−Ｘ）：Ｍｎと表記されることもあるが、その内容は、上記と同一である。本明細書においては、ＢａＡｌ１２Ｏ１９：Ｍｎと記載することとする。
蛍光体層の作製方法としては、まず上記各色蛍光体に対し、１０００（質量ｐｐｍ）の比率でＳｉＯ２粉末を混合させ、焼成・解砕し、振るいにかける。ＳｉＯ２等のＳｉ化合物の混合量によって、劣化試験後のインピーダンス低下量が変化する。実際には、Ｓｉ化合物が１００（質量ｐｐｍ）から１００００（質量ｐｐｍ）の間にある場合、想定インピーダンス値が設計しやすい範囲（約２００ｋΩ／ｃｍ２以上３５０ｋΩ／ｃｍ２以下）に入る。なお、Ｓｉ化合物の混合比率が１００（質量ｐｐｍ）より低くすることは、理論的には可能であるが、実際問題として１００（質量ｐｐｍ）より少ない量のＳｉ化合物を正確に添加すること量産性の点から難しい。
また、Ｓｉに限らず、その他のＩＶ族の元素を添加すれば同様の効果が望める。実際の製造工程としては、Ｇｅ化合物、具体的にはＧｅＯ２などが入手容易であり望ましい。
Ｓｉ化合物添加後は、実施の形態１と同様にして蛍光体層を作製することができる。インピーダンス測定用試料と劣化試験用試料は、単色の蛍光体層のみを形成した。全体的な試料の作製方法と各試験方法は、実施例１と同様である。得られたデータを上記表２、表３にまとめた。
（考察）
まず、表２に示すように、ＰＤＰ画質評価結果では、Ｒ、Ｇ、Ｂ全ての蛍光体層にＳｉ化合物を添加した実施例２の場合、劣化試験により、比較例１に比べて黒ノイズの発生が減少し、画質が向上していることがわかった。この実施例２の場合、想定インピーダンス値は２７０（ｋΩ／ｃｍ２）付近に設定できるが、劣化試験後の各インピーダンス数値はともに揃っており、想定インピーダンス値の設定によって良好な表示性能を呈することができる。これを裏付けするように、表３のインピーダンス評価結果からは、Ｒ、Ｇ、Ｂ全ての蛍光体層にＳｉ化合物を混合した実施例２の場合、劣化試験によっても誘電体保護層のインピーダンスの上昇が効果的に抑制され、適度な数値範囲に近づくことが分かる。
【実施例３】  以下、本発明の実施例３に係るＰＤＰの作製方法について説明する。
本実施例３の特徴は、Ｒ、Ｇ、Ｂの蛍光体層それぞれ少量（１０００質量ｐｐｍ）のＳｉを存在させ、且つ、ＭｇＯからなる誘電体保護層の中にもＳｉを含有させる構成としたことにある。
誘電体保護層の成膜工程は、以下の通りである。
蒸着源として、ペレット状のＭｇＯと、ペレット状もしくはパウダー状のＳｉ化合物（ＳｉＯ２、ＳｉＯ）を混合する。ここでは一例として、純度９９．９５（％）の平均粒径３（ｍｍ）のＭｇＯペレットに、１９００（質量ｐｐｍ）のＳｉＯ２パウダーを混合する。これを蒸着源とし、ピアス式ガンを加熱源に用いた反応性Ｅｂ蒸着法により蒸着する。このときの条件は、チャンバ内の真空度：６．５×１０−３（Ｐａ）、酸素導入流量：１０（ｓｃｃｍ）、酸素分圧：９０（％）以上、成膜レート：２．５（ｎｍ／ｓ）、最終膜厚：７００（ｎｍ）、基板温度：１５０（℃）とした。これにより、Ｓｉ濃度：７００（質量ｐｐｍ）の保護層が得られた。なお保護層中のＳｉ量は、ＭｇＯペレットに混合するＳｉＯ２の量を調整することで変更可能である。
なお蒸着源としては、ＭｇＯとＳｉ化合物との混合物を焼結体を用いてもよい。また、同様の焼結体をターゲットとするスパッタリングによってもＳｉを含むＭｇＯからなる誘電体保護層を成膜することも可能である。また、ペレット状またはパウダー状のＭｇＯとＮｉ化合物との混合物の焼結体を蒸着源として用いる方法により、Ｎｉを含有するＭｇＯからなる誘電体保護層を成膜することもできる。
本実施例３の誘電体保護層中のＳｉの含有量はＳｉＭＳ（二次イオン質量分析法）により測定した。
他の工程は、実施の形態１と同様に行った。インピーダンス測定用試料と劣化試験用試料は、単色の蛍光体層とＳｉを含む誘電体ガラス層を形成するほか、実施例１と同様に作製した。測定データに基づくＰＤＰの画像評価とインピーダンス評価、劣化試験は、それぞれ上記実施例１と同じ方法で行った。各データをまとめて表２、３に示す。
（考察）
まず上記表２からは、Ｒ、Ｇ、Ｂ全ての蛍光体に少量のＳｉ成分を混合させ、誘電体保護層中に７００（質量ｐｐｍ）の濃度で存在させた実施例３の場合、比較例１に比べて駆動初期の画質が向上するとともに、劣化試験後においてもレベル４ランクの画質が維持されることが分かった。アドレス期間とサステイン期間の時間を短く設定すると、本実施例３の仕様のＰＤＰでは黒ノイズが発生しなくなり、駆動初期、劣化試験後ともに画質評価も最高ランクであるレベル５にすることができた。なお本実施例３の想定インピーダンス値は、２６０（ｋΩ／ｃｍ２）に設定することができ、各インピーダンス値のバラツキは見られなかった。
次に、表３からは、実施例３はＲ、Ｇ、Ｂ全ての蛍光体に少量のＳｉを混合させ、誘電体保護層中に濃度７００（質量ｐｐｍ）の濃度で存在させた場合、劣化試験後でインピーダンスが若干低下するものの、その低下の幅は少なく、Ｒ、Ｇ、Ｂ全体で揃って安定している。したがって、駆動の設計が容易になるという効果が望める。本実施例３では、Ｓｉを蛍光体層と誘電体保護層に含有させる例を示したが、Ｓｉに限らず、他のＩＶ族元素でも同様の効果が望めることを別の実験により確認した。
【実施例４】  以下、本発明の実施例４に係るＰＤＰの作製方法について説明する。
本実施例４の特徴は、Ｒ、Ｇ、Ｂ蛍光体層にそれぞれ少量（１０００質量ｐｐｍ）のＮｉを存在させ、且つ、誘電体保護層のＭｇＯ中にはＳｉを含有させる構成としたことにある。
蛍光体は以下のものを使用した。
赤色蛍光体；Ｙ２Ｏ３；Ｅｕ３＋
緑色蛍光体；ＢａＡｌ１２Ｏ１９：Ｍｎ
青色蛍光体；ＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ２＋
以上の各蛍光体に対し、Ｎｉを適量含有させた。具体的には、各蛍光体粉末にＮｉＯ粉末を１０００（質量ｐｐｍ）の比率で混合、調合し、焼成、解砕、振るいに掛ける。ＮｉＯ粉末の添加量は１００〜１００００（質量ｐｐｍ）の範囲が制御し易い。このようにして、Ｎｉを含む蛍光体層を形成した。なおＮｉに限らず、各蛍光体に遷移金属を含有させてもよい。この場合、製造工程では遷移金属化合物、例えばＷＯ３を用いることができる。
次に、誘電体保護層はスパッタ法にて成膜した。蒸発源には、パウダ状のＳｉ化合物（例えばＳｉＯ２）をＭｇＯパウダに対して２７００（質量ｐｐｍ）の比率で混合・焼結した材料を用い、最終的にＳｉ濃度が１０００（質量ｐｐｍ）の誘電体保護層を形成した。Ｓｉ含有量は、ＳｉＭＳによって確認した。
なお、スパッタ法によりＭｇＯ中にＳｉを直接混入させてもよい。
スパッタの蒸発源には、このほかにＭｇＯとＮｉ化合物（ＮｉＯ）を混合・焼結して、Ｎｉを含有する誘電体保護層を形成してもよい。
インピーダンス測定試験、劣化試験はそれぞれ実施例１と同様に行った。そのデータを上記表２、表３にそれぞれ示した。
（考察）
先ず、表２からは、Ｒ、Ｇ、Ｂ全ての蛍光体層に少量のＮｉを含有させ、少量（１０００質量ｐｐｍ）のＳｉを誘電体保護層に含有させた場合、想定インピーダンス値は２８０（ｋΩ／ｃｍ２）に設定することができ、初期、劣化試験後ともに画質は最高ランクであるレベル５となることが分かった。
次に、表３の誘電体保護層（ＭｇＯ）インピーダンス評価結果から、実施例４は、駆動初期のインピーダンス値はやや低めであり、劣化試験により徐々に値が上昇するが、その上昇幅は小さく、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色で揃って想定インピーダンス値を２０（ｋΩ／ｃｍ２）上回った値で安定する。したがって本実施例３の場合、駆動設計が容易になるという効果が望める。
なお、実施例４では、Ｎｉを蛍光体層に存在させ、Ｓｉを誘電体保護層中に含有させた構成としたが、蛍光体層には他の遷移金属、ＭｇＯを主成分としてなる誘電体保護層には他のＩＶ族元素を含有させても、上記同様の効果が望めることが別の実験により明らかになっている。
また、蛍光体層または誘電体保護層に、遷移金属と、Ｓｉ等のＩＶ族元素をともに含有させる方法を採っても、駆動初期と長時間駆動後のインピーダンスを自由に設定できる効果が望め、放電特性を最適化して優れた画像表示を行うことができる。この場合、蛍光体層中には、質量比で、遷移金属がＩＶ族元素の３倍よりも多くなるようにする方が望ましい。一方、誘電体保護層中においては、質量比率で、遷移金属がＩＶ族元素の３倍より少なくなるようにするのが望ましい。これは、ＩＶ族元素のインピーダンス減少効果が、遷移金属によるインピーダンス上昇効果の約３倍であることに起因する。ＩＶ族元素は、インピーダンスの安定化の効果（温度変化のある場合にインピーダンスが大きく変化しない効果）があるので、誘電体保護膜中には遷移金属の１／３よりもややＩＶ族元素が多く含有する方がよい。
１−６．実施の形態１および上記各実施例に関するその他の事項
上記実施の形態１および各実施例では、誘電体保護層のインピーダンスの変化の影響を及ぼす材料としてＩＶ族元素あるいは遷移金属を用いる例を中心に説明したが、本発明はこれに限定するものではなく、誘電体保護層のインピーダンスに及ぼす影響はＩＶ族元素や遷移金属よりやや小さいものの、上記構成と同様の方法をもってアルカリ金属、Ｍｇを除くアルカリ土類金属を誘電体保護層および蛍光体層中に含有させても、ほぼ同様の効果が望める。これら元素を用いる場合には、以下のような数値範囲で設定することが望ましい。
（１）Ｒ、Ｇ、Ｂの全ての蛍光体層中におけるアルカリ金属およびアルカリ土類金属（ただし、Ｍｇを除く。）の合計含有比率を３００（質量ｐｐｍ）以上１２００００（質量ｐｐｍ）以下の範囲内に規定する。
（２）これらの元素（アルカリ金属、アルカリ土類金属（ただし、Ｍｇを除く。））の含有比率を、各蛍光体層間でのバラツキが４００００（質量ｐｐｍ）以内となるように規定する。
（３）これら元素（アルカリ金属、アルカリ土類金属（ただし、Ｍｇを除く。））を全ての蛍光体層中で同一にする。
（４）また、これら元素（アルカリ金属、アルカリ土類金属（ただし、Ｍｇを除く。））については、蛍光体層中に含まれていればよく、構成要素である蛍光体の組成中に含まれていてもよく、あるいは、層中における蛍光体以外の部分に含まれていてもよい。
また、本発明では、蛍光体層中にＳｉ等のＩＶ族元素を含ませ、誘電体保護層のインピーダンスの上昇を抑制する場合、上記劣化試験で調べたところ、誘電体保護層のインピーダンスに影響を与えるＩＶ族元素の含有量は１００（質量ｐｐｍ）以上であった。しかし、過剰にＩＶ族元素を含ませると劣化試験後のインピーダンス値が適正範囲より低くなってしまう。また、インピーダンスを適度に制御できるＩＶ族元素の添加量は５００００（質量ｐｐｍ）以下である。このことから、蛍光体層中におけるＩＶ族元素の添加量は、１００（質量ｐｐｍ）以上５００００（質量ｐｐｍ）以下が望ましいと考えられる。なお、これらの含有比率については、Ｒ、Ｇ、Ｂの全ての蛍光体層に対して略同一の比率でＩＶ族元素を含有させることを前提としている。
具体的には、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色蛍光体層にＳｉ等のＩＶ族元素を含む場合、各色間でのＩＶ族元素添加量のバラツキが２００００（質量ｐｐｍ）を超えると、劣化試験後の各色蛍光体層に対応する誘電体保護層のインピーダンスの差が大きくなる。よって、駆動が長期に及んだ場合の黒ノイズの発生を抑制するためには、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色蛍光体層におけるＩＶ族元素の含有比率のバラツキを上記数値に収めるようにすることが望ましい。
一方、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色蛍光体層に遷移金属を含有させる場合には、劣化試験後における誘電体保護層のインピーダンスに影響を与える添加量は３００（質量ｐｐｍ）であったが、余り多量に遷移金属を含有させると劣化試験後のインピーダンス値が適正範囲より高くなってしまう。インピーダンスを適度に制御できる遷移金属の含有比率は１２００００（質量ｐｐｍ）以下であることから、蛍光体層中における遷移金属の添加量は３００（質量ｐｐｍ）以上１２００００（質量ｐｐｍ）以下が望ましい。このとき、各色間での遷移金属添加量のバラツキが４００００（質量ｐｐｍ）以下となるようにしておくことが望ましい。
さらに、ＭｇＯからなる誘電体保護層にＳｉ等のＩＶ族元素を含有させる場合、劣化試験で調べたところ、インピーダンスに影響を与える含有比率は５００（質量ｐｐｍ）以上であった。また誘電体保護層にＮｉ等の遷移金属を含有させる場合、同様の試験を行ったところ、インピーダンスに影響を与える含有比率は１５００（質量ｐｐｍ）以上であった。これらの添加物の含有比率の上限は、６０００（質量ｐｐｍ）程度が好ましいことがインピーダンス測定実験により分かっている。
以上のように、誘電体保護層を構成するＭｇＯ中にＳｉ等のＩＶ族元素を５００（質量ｐｐｍ）以上２０００（質量ｐｐｍ）以下の範囲で含み、かつＲ、Ｇ、Ｂの各蛍光体層にＩＶ族元素を１００（質量ｐｐｍ）以上５００００（質量ｐｐｍ）以下の範囲で含有するＰＤＰとすれば、劣化試験後の各色蛍光体層に対応する誘電体保護層のインピーダンス差が小さくなり、黒ノイズの発生が抑制されて優れた画面表示がなされることとなる。
また、誘電体保護層中にＭｎ、Ｆｅ、ＣＯ、Ｎｉ等の遷移金属を１５００（質量ｐｐｍ）以上６０００（質量ｐｐｍ）以下の範囲で含み、且つ、Ｒ、Ｇ、Ｂの各蛍光体層に遷移金属を３００（質量ｐｐｍ）以上１２００００（質量ｐｐｍ）以下の範囲で含むＰＤＰとしても、上記と同様に劣化試験後の各色蛍光体層に対応する誘電体保護層のインピーダンス差が小さくなり、黒ノイズの発生が抑制されて優れた画面表示がなされることとなる。ここで、上述のように、誘電体保護層、蛍光体層にアルカリ金属またはアルカリ土類金属（ただし、Ｍｇを除く。）を含有させても、遷移金属を含有させる場合と同様の効果を奏することができるが、その望ましい含有比率についても、上記遷移金属の含有比率に準ずる。このようにアルカリ金属およびアルカリ土類金属（ただし、Ｍｇを除く。）を蛍光体層に含有させる場合にも、各色間における含有比率のバラツキを４００００（質量ｐｐｍ）以下となるようにしておくことが望ましい。
⇒９／２９付けでいただきました修正内容中では、上記部分が”４０００”となっておりましたが、”４００００”でよいかと思います。ご確認をお願いいたします。
また、上記実施例では蛍光体層もしくは誘電体保護層に、ＩＶ族元素あるいは遷移金属のいずれか１種類を存在させる例を示したが、各元素はそれぞれ複数種類にわたり存在させてもよい。また、ＩＶ族元素と遷移金属を両方存在させるようにしてもよい。
（実施の形態２）
２−１．ＰＤＰ２の構成
実施の形態２に係るＰＤＰ２の構成について、説明する。
本実施の形態に係るＰＤＰ２は、上記図１に示す実施の形態１に係るＰＤＰ１と基本的に同様の構成を有しており、主な相違点は蛍光体層２５Ｒ、２５Ｇ、２５Ｂの組成および誘電体保護層１４の組成である。よって、ＰＤＰ２における各構成要素については、ＰＤＰ１の各構成要素と同一の符号を付し、以下では、ＰＤＰ１との相違点を中心に、ＰＤＰ２の構成を説明する。
ＰＤＰ２は、以下に示す組成の蛍光体を主成分とするＲ、Ｇ、Ｂの各色蛍光体層２５Ｒ、２５Ｇ、２５Ｂを備える。
赤色蛍光体；Ｙ２Ｏ３：Ｅｕ
緑色蛍光体；後述の方法を用いて作製した蛍光体。
青色蛍光体；ＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｍｎ２＋
また、Ｒ蛍光体層２５ＲおよびＢ蛍光体層２５Ｂには、蛍光体以外の部分において、１００（質量ｐｐｍ）以上５０００（質量ｐｐｍ）以下の範囲内の比率でＩＶ族元素（例えば、Ｓｉ）が含有されている。各蛍光体層２５Ｒ、２５ＢへのＩＶ族元素の含有には、上記実施例２で説明した方法を用いることが出来る。
また、上記各色蛍光体の内、緑色蛍光体の製造方法については、後述する。
また、前面パネル１０に設けられる誘電体保護層１４には、１５００（質量ｐｐｍ）の比率でＩＶ族元素であるＳｉが含まれている。
２−２．ＰＤＰ２の製造方法
次に、ＰＤＰ２の製造方法について説明するが、製造方法に関しても、基本的には上記実施の形態１と同様であるので、その相違点を中心に説明する。
（前面パネル１０の作製）
前面ガラス基板１１の主表面上に、表示電極１２、誘電体ガラス層１３を形成するところまでは、上記実施の形態１と同様である。相違する点は、以下に示す誘電体保護層１４の形成方法にある。
上記誘電体ガラス層１３の表面に対し、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）と珪素化合物（例えば、二酸化珪素、一酸化珪素など）との混合物を蒸着源とする真空蒸着法を用いることにより、例えば、厚さ７００（ｎｍ）の誘電体保護層１４を形成する。具体的な蒸着源としては、例えば、粒径３〜５（ｍｍ）、純度９９．９５（％）以上のＭｇＯペレットに、二酸化珪素（ＳｉＯ２）を１０００（質量ｐｐｍ）の比率で混合した混合物を用いることができる。
また、具体的な蒸着方法としては、例えば、ピアス式ガンを加熱源とする反応性ＥＢ蒸着法を用いることができる。このときの成膜条件は、真空度：６．５×１０−３（Ｐａ）、酸素導入量：１０（ｓｃｃｍ）、酸素分圧：９０（％）以上、レート：２．５（ｎｍ／ｓ）、基板温度：１５０（℃）である。これにより、１５００（質量ｐｐｍ）の比率でＳｉを含有する誘電体保護層１４が形成される。
なお、誘電体保護層１４の形成には、上記ＥＢ蒸着法の他にＣＶＤ法（化学蒸着法）等を用いることもできる。また、誘電体保護層１４の主材料には、上記ＭｇＯ以外にも、ＭｇＦ２、ＭｇＡｌＯ等を用いることもできる。
（背面パネル２０の作製）
背面パネル２０の作製においても、背面ガラス基板２１の主表面上に、アドレス電極２２、誘電体ガラス層２３、隔壁２４を形成するところまでは上記実施の形態と同様の過程を経る。相違する点は、以下に示す蛍光体層２５Ｒ、２５Ｇ、２５Ｂの形成方法にある。
隔壁２４が形成された背面ガラス基板２１に対し、隣り合う２条の隔壁２４と誘電体ガラス層２３とにより溝部が形成されるが、この溝部に対して上記各色蛍光体を含む蛍光体インクを溝毎に塗布する。
蛍光体インクは、各サーバ内に５０（質量％）となる量の上記各蛍光体を入れ、これにエチルセルローズ：０．１（質量％）、溶剤（α−ターピネオール）：４９（質量％）を投入し、サンドミルで攪拌混合して、粘度を１５×１０−３（Ｐａ・ｓ）に調整され作製される。このように作製された蛍光体インクを色毎にポンプに繋がれた容器に注入し、径６０（μｍ）のノズルからポンプの圧力を利用して各隔壁２４間の溝部壁面に噴射し、塗布する。蛍光体インクの塗布にあたっては、隔壁２４の長手方向に沿ってノズルを移動させ、ストライプ状となるようにする。
全ての隔壁２４間に各色蛍光体インクを塗布した後、背面ガラス基板２１を約５００（℃）で１０（ｍｉｎ．）程度焼成し、蛍光体層２５Ｒ、２５Ｇ、２５Ｂを形成する。
以上で背面パネル２０が完成するが、以下では、本形態の特徴部分でもある緑色蛍光体の作製方法について、説明する。
（緑色蛍光体の作製方法）
先ず、緑色蛍光体を作製する第１段階としては、ＢａＡｌ１２Ｏ１９：Ｍｎの組成を有する通常の緑色蛍光体を作製する際に用いる材料（ＢａＣＯ３、ＭｎＯ２、Ａｌ２Ｏ３）を各々所定量用意し、これに珪素酸化物（例えば、ＳｉＯ２）を所定量添加し、全体を細かく砕く。ここで、珪素（Ｓｉ）化合物の添加量は、緑色の蛍光体層２５Ｇを形成したときに、層中におけるＳｉの比率が１００（質量ｐｐｍ）以上５０００（質量ｐｐｍ）以下の範囲内に収まるように逆算し設定される。
次に、第２段階としては、細かく砕かれた混合原料を焼成した後、再度細かく砕き、篩にかけて粒子径が一定範囲内にあるものを取り出す。つまり、蛍光体を作製する段階で同時に珪素化合物を添加する。
以上の過程を経て、緑色蛍光体が作製される。
（ＰＤＰ２の完成）
完成した前面パネル１０と背面パネル２０との封着には、上記実施の形態１と同様にして実施される。
そして、前面パネル１０あるいは背面パネル２０にガスの出し入れのために設けておいた孔を封止して、ＰＤＰ２が完成する。なお、放電ガス中におけるＸｅの含有量は、発光輝度を向上させる目的から５（体積％）以上に設定しておくことが望ましい。
ＰＤＰ２においては、例えば、４０インチクラスのＶＧＡに適合し、そのためにセルピッチが０．３６（ｍｍ）、走査電極１２ａおよび維持電極１２ｂの電極間間隔が０．１（ｍｍ）に設定されている。
２−３．ＰＤＰ２の駆動
ＰＤＰ２の駆動には、上記実施の形態１のＰＤＰ１と同一の駆動方法を採用する。よって、ここでの説明を省略する。
２−４．ＰＤＰ２の優位性
上述のようにＰＤＰ２では、表示電極１２（走査電極１２ａ、維持電極１２ｂ）およびアドレス電極２２の間で放電を発生し、放電ガスから発生する紫外線で蛍光体層２５の蛍光体を励起して蛍光発光する。
上述のように、本発明者らは、駆動が長期に及んだ場合の黒ノイズの発生による画質の劣化が次のようなメカニズムによるものであることを確認した。即ち、上記従来のＰＤＰでは、主に蛍光体層中の構成元素（例えば、Ｓｉなど）が放電空間中に放出され、これが前面パネルにおける誘電体保護層の表面に付着してゆく。これに伴って、誘電体保護層が有するインピーダンスが変動してゆく。駆動が長期に及んだ場合には、誘電体保護層のインピーダンスが所定の数値範囲から外れてしまうことがあり、点灯させようとするセルで点灯しない、所謂、黒ノイズを発生することになる。このような黒ノイズの発生は、ＰＤＰの画質を大きく低下させる。このような誘電体保護層におけるインピーダンスの変動は、Ｓｉ以外のＩＶ族元素、あるいは遷移金属、アルカリ金属、アルカリ土類金属（ただし、Ｍｇを除く。）が誘電体保護膜の表面に付着した場合でも同様に発生する。
また、駆動初期における誘電体保護層のインピーダンスを適正な値にするために、製造時に誘電体保護層にＳｉなどのＩＶ族元素を添加しているようなＰＤＰにおいても、駆動時間の経過とともに誘電体保護層のインピーダンスが変動して初期の値からずれてゆき、ある時間を経過した時点でインピーダンスが許容範囲から逸脱する。
これに対して、本実施の形態に係るＰＤＰ２では、赤色（Ｒ）および青色（Ｂ）の蛍光体層２５Ｒ、２５ＢにはＳｉを含んでいないとともに、緑色（Ｇ）の蛍光体層２５Ｇには１００（質量ｐｐｍ）以上５０００（質量ｐｐｍ）以下の範囲の含有比率でＩＶ族元素であるＳｉを含んでいる。このように、ＰＤＰ２は、蛍光体層２５Ｒ、２５Ｇ、２５ＢにＩＶ族元素であるＳｉを全く含まないか、あるいは、含むとしても上記数値範囲に規定するような極微量とすることにより、駆動が長期に及んでも誘電体保護層１４の表面に付着するＳｉの量が制限されることになる。そして、この制限された付着量では、誘電体保護層１４のインピーダンスがほとんど変動せず、設計段階で誘電体保護層のインピーダンスを適正範囲内に設定しておけば、黒ノイズの発生が顕著になることがない。この数値レベルについては、後述の実験にて確認している。
なお、緑色蛍光体層２５ＧにおけるＳｉの含有比率を０（質量ｐｐｍ）、つまり全くＳｉを含まないものとするには、組成中にＳｉを含まない緑色蛍光体を選択し、Ｓｉを含まない物質のみから層形成すればよいが、組成中にＳｉを全く含まない緑色蛍光体層はその輝度がＳｉを若干でも含む蛍光体層２５Ｇに比べて低い。よって、本実施の形態では、組成中にＳｉを含まない蛍光体を基材として、１００（質量ｐｐｍ）以上５０００（質量ｐｐｍ）以下の比率という微量のＳｉを添加した蛍光体を作製し、用いることとした。
なお、Ｓｉの含有比率を１００（質量ｐｐｍ）以上５０００（質量ｐｐｍ）以下の範囲に規定するのは、緑色蛍光体層２５Ｇだけでなくてもよく、赤色、青色蛍光体層２５Ｒ、２５Ｂにこれを適用してもよい。
ＰＤＰ２は、上述のように駆動が長期に及んだ場合にあっても誘電体保護層のインピーダンスがほとんど変動しないという優位性に加えて、製造段階で誘電体保護層１４に１５００（質量ｐｐｍ）の比率でＳｉを含有させることによって、駆動初期における誘電体保護層１４のインピーダンスを最適な値としている。
従って、ＰＤＰ２は、パネル輝度が高いとともに、駆動時間の長短に関わらず、誘電体保護層のインピーダンスが適正範囲に保持されるので、黒ノイズの発生が増加することがなく、優れた画質が維持される。
２−５．確認実験
ここでは、上記ＰＤＰ２における優位性を裏付けるための実験および蛍光体層への最適な各元素の含有比率を特定するための実験を行なった。
（インピーダンス測定装置および劣化加速試験装置）
実験に用いたインピーダンス測定装置および劣化加速試験装置については、上記実施の形態１における確認実験で用いた各装置と同一構成である。
（実験１）
先ず、実験１として、蛍光体層中に含有されるＳｉの比率と、誘電体保護層のインピーダンスおよび蛍光体層の輝度との関係を調べた。試験に用いたサンプルは、表４に示すようなものである。
【表４】
2004038753.tif 000006
表４に示す３種類のサンプルの内、サンプルＮｏ．２の蛍光体層は、上記実施の形態２のＰＤＰ２における緑色蛍光体層と同様の方法を用いて作製したものであり、サンプルＮｏ．３の蛍光体層は、Ｓｉの含有比率を７０００（質量ｐｐｍ）としたものである。誘電体保護層については、各サンプル共に上記ＰＤＰ２における誘電体保護層１４と同一の方法で作製した。ただし、誘電体保護層中にＳｉを含有させていない。
Ｎｏ．１〜３のサンプルを各５つずつ作製し、各々のサンプルについて誘電体保護層のインピーダンスを測定しておき、劣化加速試験を実施し、１００（ｈｒ）、２００（ｈｒ）というように一定時間毎に誘電体保護層を取り出してそのインピーダンスを測定した。
また、劣化加速試験における経過時間毎の発光輝度についてもそれぞれ測定した。サンプルＮｏ．１〜３の各種類における５つのサンプルの平均値を、測定結果として図４に示す。
図４に示すように、誘電体保護層のインピーダンスは、劣化加速試験開始前には、Ｎｏ．１〜３の全てが３１０（ｋΩ／ｃｍ２）となっている。ここで、製造時において、誘電体保護層には、Ｓｉを含有させていない。
蛍光体層にＳｉを全く含有していないサンプルＮｏ．１では、劣化加速試験の試験時間に関わらず、誘電体保護層のインピーダンスは一定（３１０ｋΩ／ｃｍ２〜３２０ｋΩ／ｃｍ２程度）となっている。
これに対して、蛍光体層に２００（質量ｐｐｍ）の比率でＳｉを含むサンプルでは、試験時間の経過とともに徐々に誘電体保護層のインピーダンスが低下した。
蛍光体層中のＳｉの含有比率が７０００（質量ｐｐｍ）のＮｏ．３のサンプルは、劣化加速試験開始直後から誘電体保護層のインピーダンスが大きく低下し始め、７００（ｈｒ）経過時には、約２３０（ｋΩ／ｃｍ２）まで低下している。
次に、図４に示すように、発光輝度については、４００（ｈｒ）経過時点まで蛍光体層中のＳｉの含有比率が７０００（質量ｐｐｍ）と最も高いＮｏ．３のサンプルが最も高く、次いでＮｏ．２のサンプル、最も低いのがＮｏ．１のサンプルとなっている。
ところが、試験時間が４００（ｈｒ）を超えると、Ｎｏ．３のサンプルにおける発光輝度は、急激に低下してゆき、Ｓｉの含有比率が２００（質量ｐｐｍ）のＮｏ．２のサンプルが最も高い発光輝度を有するようになる。
誘電体保護層のインピーダンスの安定性および発光輝度という２つの要因を総合的に検討した場合、蛍光体層に２００（質量ｐｐｍ）の比率でＳｉを含有するＮｏ．２のサンプルが最も優れていることが分かる。つまり、蛍光体層中におけるＳｉは、発光輝度という観点から極微量でも含有させることが望ましく、誘電体保護層のインピーダンスの安定性という点から含有比率を低く抑えておく必要があることが分かる。
なお、データとして記していないが、蛍光体層中のＳｉの含有比率を１００（質量ｐｐｍ）とした場合にも、発光輝度が上記Ｎｏ．２のサンプルとほとんど差異がないことを確認している。
（実験２）
次に、実験２として、蛍光体組成および層中のＳｉの含有比率および誘電体保護層中のＳｉの含有比率をそれぞれ変えたＮｏ．１１〜１４のサンプルを作製して劣化加速試験を５００（ｈｒ）行い、試験前後における誘電体保護層のインピーダンスを測定した。各サンプルの内容およびインピーダンスの測定結果を表５に示す。
【表５】
2004038753.tif 000007
また、上記Ｎｏ．１１〜１４のサンプルと同様の緑色蛍光体層および誘電体保護層を有するＰＤＰを各々作製し、これを上記劣化加速試験と同等の条件で試験を行なった際の試験前後における画質を目視にて評価した。ＰＤＰの内容（緑色蛍光体層、誘電体保護層）および画質の評価結果を表６に示す。
【表６】
2004038753.tif 000008
なお、表６中におけるＮｏ．Ｐ１１〜Ｐ１４のＰＤＰにおいて、上記表中に示した以外の構成部材は、上記実施の形態２に係るＰＤＰ２と同様である。
また、試験におけるパネルの画質評価基準は、上記表１に示す実施の形態１での確認実験における画質評価基準と同一である。
表５に示すように、蛍光体組成がＺｎ２ＳｉＯ４：ＭｎであるＮｏ．１１およびＮｏ．１２の両サンプルでは、劣化試験により誘電体保護層のインピーダンスが大きく低下し、駆動初期における誘電体保護層のインピーダンスを２６５（ｋΩ／ｃｍ２）に設定するために誘電体保護層中にＳｉを１５００（質量ｐｐｍ）の比率で含有させたＮｏ．１１のサンプルでは、劣化加速試験後のインピーダンスが許容範囲の下限値である２２０（ｋΩ／ｃｍ２）を割り込み、１９０（ｋΩ／ｃｍ２）となった。
これに対して、蛍光体層中におけるＳｉの含有比率が２００（質量ｐｐｍ）であるＮｏ．１３およびＮｏ．１４のサンプルでは、劣化加速試験前後でインピーダンスの変動がほとんどない。特に、Ｎｏ．１３のサンプルでは、劣化加速試験前後で２６０〜２６５（ｋΩ／ｃｍ２）という優れたインピーダンスが維持された。
次に、表６に示すように、Ｎｏ．Ｐ１１のＰＤＰサンプルでは、駆動初期（劣化加速試験前）にレベル５であった画質評価が、劣化加速試験後には、不合格レベルであるレベル２まで低下した。
Ｎｏ．Ｐ１２のＰＤＰサンプルでは、評価レベルが劣化加速試験前後で同じレベル４となってはいるが、上記表２から分かるとおり、駆動初期のレベル４はインピーダンスが許容範囲の上限値をとるものであり、対して劣化加速試験後のレベル４は下限値をとるものである。よって、このサンプルでは、劣化加速試験をもう少し（例えば、１００ｈｒ程度）継続して行なった場合には、誘電体保護層のインピーダンスが許容範囲の下限値を割り込むことが容易に推察される。
これに対して、Ｎｏ．Ｐ１３およびＮｏ．Ｐ１４のＰＤＰサンプルでは、駆動初期における画質レベルと劣化加速試験後における画質レベルに変化はなく、また、上記表２よりインピーダンスの変動もほとんどないことから、このまま劣化加速試験を継続しても容易に画質が劣化することがないと考えられる。
以上の結果より、蛍光体層中におけるＳｉの含有比率が高いＰＤＰでは、駆動が長期に及んだ場合に画質の劣化が大きいのに対して、蛍光体層中のＳｉの含有比率を２００（質量ｐｐｍ）という微量なものとしたＰＤＰでは、駆動が長期に及んだ場合であっても黒ノイズ発生による画質の劣化が少ないことが分かる。
なお、上記実験結果については、ＳｉだけでなくＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂなど（ＩＶ族元素全体）を蛍光体層中に含有させる構成を採用しても同様である。
（実験３）
次に、蛍光体層中におけるＳｉの含有比率の最適範囲を調べるための実験を行なった。
実験に用いたサンプルは、表７に示すＮｏ．２１〜２５までの５種類であって、それぞれ５つずつ作製し、上記実験２と同様に５００（ｈｒ）の劣化加速試験後における誘電体保護層のインピーダンスを測定した。
【表７】
2004038753.tif 000009
表７に示すように、本実験で用いたサンプルは、全部のサンプルの誘電体保護層に１５００（質量ｐｐｍ）の比率でＳｉを含有させ、劣化加速試験時に用いる緑色蛍光体層におけるＳｉの含有比率を５水準変えた。基材として用いた蛍光体材料は、上記実験１と同様に、ＢａＡｌ１２Ｏ１９：Ｍｎである。
劣化加速試験後における誘電体保護層のインピーダンス測定結果を図５に示す。図５では、Ｎｏ．２１〜２５の各水準の５つの測定結果を平均した値を示している。
図５に示すように、蛍光体層中におけるＳｉの含有比率が高くなればなるほど劣化加速試験後における誘電体保護層のインピーダンスは、低い値を示し、含有比率が５０００（質量ｐｐｍ）を超えるＮｏ．２５のサンプルでは、インピーダンスの許容範囲の下限値である２２０（ｋΩ／ｃｍ２）を下回ってしまった。
上記図５のデータより、誘電体保護層のインピーダンスを許容範囲の下限値以上に保つためには、５０００（質量ｐｐｍ）が蛍光体層中におけるＳｉの含有比率の上限値であることが分かる。これは、蛍光体層中におけるＳｉの含有比率が５０００（質量ｐｐｍ）を超えるＮｏ．２５のサンプルでは、５００（ｈｒ）の劣化加速試験によりインピーダンスが許容範囲の下限値より低下してしまう量のＳｉが誘電体保護層の表面に付着したためである。
上記実験１〜３から、蛍光体層中におけるＩＶ族元素の含有比率は、発光輝度および誘電体保護層のインピーダンスの安定という点から、２００（質量ｐｐｍ）以上５０００（質量ｐｐｍ）以下の範囲内が適当である。
（実験４）
上記実験１〜３では、蛍光体層中におけるＩＶ族元素について検討したが、本実験では、蛍光体層中の遷移金属であるタングステン（Ｗ）の含有比率と、誘電体保護層のインピーダンスとの関係について調べた。蛍光体層中における遷移金属の含有比率は、本発明者が研究した結果、５００（質量ｐｐｍ）以上であることが望ましいが、これは、上述のＳｉなどのＩＶ族元素と同様の理由からである。つまり、誘電体保護層の表面に遷移金属が付着していない場合には、パルスが印加されても比較的短時間で放電（発光）が終わってしまうが、遷移金属が付着している場合には、放電（発光）が比較的長時間持続する。
本実験では、蛍光体組成および層中のＷの含有比率および誘電体保護層中のＳｉおよびＷの含有比率をそれぞれ変えたＮｏ．３１〜３４のサンプルを作製して劣化加速試験を５００（ｈｒ）行い、上記実験２と同様に試験前後における誘電体保護層のインピーダンスを測定した。各サンプルの内容およびインピーダンスの測定結果を表８に示す。
【表８】
2004038753.tif 000010
なお、表８中において、Ｎｏ．３１、３３のサンプルの誘電体保護層にＷ（１０００質量ｐｐｍ）とともにＳｉ（２０００質量ｐｐｍ）も含有させているのは、誘電体保護層にＷだけを含有させるとそのインピーダンスが高くなり過ぎるためである。
なお、誘電体保護層中へのＳｉの含有については、必ずしも必要ではなく、誘電体保護層のインピーダンスを適正範囲の中心値により近ずけるために行うものである。
表８に示すように、蛍光体としてＣａＷＯ４：Ｐｂを有するＮｏ．３１、３２のサンプルでは、駆動初期と劣化加速試験後との間での誘電体保護層のインピーダンスの変動が大きく、誘電体保護層におけるＳｉおよびＷの含有と関わりなく劣化加速試験後のインピーダンスがインピーダンスの許容範囲の上限値を超えてしまっている。
これに対して、蛍光体層中に１０００（質量ｐｐｍ）の比率でＷを含有するＮｏ．３３、３４のサンプルでは、駆動初期と劣化加速試験後とでインピーダンスの値が５ポイントしか上昇しておらず、安定しているといえる。
また、予め誘電体保護層に２０００（質量ｐｐｍ）の比率のＳｉと１０００（質量ｐｐｍ）の比率のＷとを含有させたＮｏ．３３のサンプルでは、駆動初期における誘電体保護層のインピーダンスをより適正な数値に設定することができ、この傾向は劣化加速試験後も変わらなかった。
次に、上記Ｎｏ．３１〜３４のサンプルと同様の青色蛍光体層および誘電体保護層を有するＰＤＰを各々作製し、これを上記劣化加速試験と同等の条件で試験を行なった際の試験前後における画質を評価した。ＰＤＰの内容および画質の評価結果を表９に示す。
【表９】
2004038753.tif 000011
なお、表９中におけるＮｏ．Ｐ３１〜Ｐ３４のＰＤＰにおいて、上記表中に示した以外の構成部材は、上記実施の形態２に係るＰＤＰ２と同様である。
また、試験におけるパネルの画質評価基準は、上記実験２と同様に表１に示すものである。
表９に示すように、青色蛍光体層の蛍光体にＣａＷＯ４：Ｐｂを用いたＮｏ．Ｐ３１、Ｐ３２のサンプルでは、劣化加速試験後における画質評価レベルが不合格レベルであるレベル３となった。これは、上記表８に示す誘電体保護層のインピーダンスと整合している。
これに対して、Ｎｏ．Ｐ３３、Ｐ３４のサンプルでは、劣化加速試験によっても画質の劣化は認められず、優れた画質が維持された。特に、誘電体保護層中にＳｉおよびＷを含有するＮｏ．Ｐ３３のサンプルでは、作製時に誘電体保護層のインピーダンスを最適な値にチューニングしているので、劣化加速試験後も最高レベルであるレベル５が得られた。
上記実験結果より、蛍光体層中におけるＷは、その含有比率が高すぎるとＰＤＰの駆動が長期に及んだ場合に、誘電体保護層のインピーダンスを大きく上昇させ、黒ノイズの発生が顕著になることが分かる。そして、蛍光体層中のＷの含有比率を１０００（質量ｐｐｍ）に設定した誘電体保護層のインピーダンスは、劣化加速試験後にも安定しており、これを備えるＰＤＰの画質劣化も少ない。
なお、青色蛍光体層中に１０００（質量ｐｐｍ）の比率でＷを含有させる方法としては、上記実施の形態２と同様に、基材としてＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ２＋を用い、これにタングステン化合物（例えば、酸化タングステンなど）を添加して、混合、焼成、破砕などの過程を経て作製される。
（実験５）
次に、上記実験３と同様に、蛍光体層中におけるＷの含有比率の最適範囲を調べた。
実験に用いたサンプルは、Ｎｏ．４１〜４５までの蛍光体層中におけるＷの含有比率だけを変えた５種類であって、それぞれ５つずつ作製し、上記実験３と同様に５００（ｈｒ）の劣化加速試験後における誘電体保護層のインピーダンスを測定した。各サンプルの内容を表１０に示し、インピーダンス測定結果を図６に示す。
【表１０】
2004038753.tif 000012
表１０に示すように、Ｎｏ．４１〜４５の各サンプルにおける蛍光体層中のＷの含有比率は、それぞれ０、１００００、２００００、３００００、４００００（質量ｐｐｍ）である。
なお、全サンプルにおける誘電体保護層は、Ｗを含有せず、Ｓｉを１５００（質量ｐｐｍ）含有することで、駆動初期におけるインピーダンスが２７０（ｋΩ／ｃｍ２）となるように設定されている。
図６に示すように、蛍光体層中におけるＷの含有比率と劣化加速試験後の誘電体保護層のインピーダンスとは、相関関係を有しており、含有比率が高くなればなるほど劣化加速試験後のインピーダンスは高くなっている。そして、蛍光体層中におけるＷの含有比率が４００００（質量ｐｐｍ）であるＮｏ．４５のサンプルでは、劣化加速試験後に誘電体保護層のインピーダンスが許容範囲の上限値である３４０（ｋΩ／ｃｍ２）を超えてしまった。つまり、Ｎｏ．４５の蛍光体層を備えるＰＤＰでは、駆動が長期に及んだ場合、黒ノイズの発生が顕著となり、不合格レベルまで画質が劣化することが推測される。
この実験結果より、蛍光体層中におけるＷの含有比率の適正範囲は、５００（質量ｐｐｍ）以上３００００（質量ｐｐｍ）以下であることが分かる。
なお、上記実験では、蛍光体層中にＷを含有させることとしたが、これ以外にも、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉを蛍光体層中に含有させることが可能であり、その場合にも、含有比率の適正範囲および含有させることにより得られる効果もＷを含有させた場合と同様である。
また、実験データを記載していないが、蛍光体層中に１０００（質量ｐｐｍ）以上６００００（質量ｐｐｍ）以下の比率でアルカリ金属およびアルカリ土類金属（ただし、Ｍｇを除く。）の少なくとも一方を含有させても、駆動が長期に及んだ場合にも、黒ノイズの発生が少なく、画質劣化の少ないＰＤＰが得られる。
２−６．実施の形態２に関するその他の事項
上記実施の形態２では、蛍光体層２５Ｒ、Ｇ、Ｂに１００（質量ｐｐｍ）以上５０００（質量ｐｐｍ）以下の比率でＳｉを含有させたＰＤＰを一例に説明したが、確認実験などで示したとおり、Ｓｉ以外のＩＶ族元素を同様の比率で含有させることによっても同様の効果を得ることができる。
また、ＩＶ族元素以外にも、Ｗをはじめとする遷移金属を５００（質量ｐｐｍ）以上３００００（質量ｐｐｍ）以下の比率で含有させてもよいし、アルカリ金属およびアルカリ土類金属（ただし、Ｍｇを除く。）の少なくとも一方を１０００（質量ｐｐｍ）以上６００００（質量ｐｐｍ）以下の比率で含有させても同様の効果を得ることができる。
さらに、上記元素を組み合わせて蛍光体層に含有させても良い。
上記ＩＶ族元素などを蛍光体層中に含有させる方法は、ＰＤＰとなった際に蛍光体層中に含有されれば、上記方法に限定されるものではない。例えば、蛍光体とエチルセルローズ、α−ターピネオールなどとを混合して蛍光体インクを作製する時点で、上記元素を添加しても良い。ただし、この場合には、これら元素は蛍光体粒子の両面に付着された形で存在することになり、上記実施の形態１に比べて元素含有の均一性という点で若干劣る。
基材として用いる蛍光体は、上記実施の形態などに限定されるものではなく、例えば、Ｓｉを極微量（１００質量ｐｐｍ程度）含有させる場合には、組成中にＳｉを含まない蛍光体を用いることができる。他の元素を規定量含有させる場合にも、同様に含有させようとする元素を組成中に含まない蛍光体を基材として用いることができる。
また、上記実施の形態２では、蛍光体層２５Ｇ中におけるＩＶ族元素の含有比率を制限したが、放電空間３０Ｒ、Ｇ、Ｂを臨む他の部分、例えば、隔壁２４における蛍光体層２５で覆われていなう部分の各元素（ＩＶ族元素、遷移金属、アルカリ金属、アルカリ土類金属）の含有比率を制限しても効果的である。特に、隔壁２４の頂部や補助隔壁などにおける上記各元素の含有比率を制限しておけば誘電体保護層のインピーダンスの変動を抑制する上で一層効果的である。
また、上記実験結果より、Ｒ、Ｇ、Ｂの全ての蛍光体層を、ＩＶ族元素、遷移金属（Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ）、アルカリ金属、アルカリ土類金属（ただし、Ｍｇを除く。）を全く含有しない構成としても、駆動が長期に及んだ際の黒ノイズの発生を抑制するという目的を達成することは出来る。即ち、上記実施の形態２で規定したＩＶ族元素などの含有比率は、パネルの駆動時において、蛍光体層中に含有されたＩＶ族元素などが放電空間中に飛散した場合にも、誘電体保護層のインピーダンスに対して実質的に影響を及ぼさない範囲である。このことを考えると、全ての蛍光体層中に全くＩＶ族元素などを含有しないこととしても同様の効果を得ることが出来る。ただし、上記実験の考察でも説明したとおり、蛍光体層中に極微量の上記物質を含有させることによって、パネルの発光輝度の向上を図ることが出来るので望ましい。
なお、それぞれの組成中にＩＶ族元素、遷移金属（Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ）、アルカリ金属、アルカリ土類金属（ただし、Ｍｇを除く。）などを含まない蛍光体を構成要素として全ての蛍光体層を形成することにしても上記と実質的に同様の効果を得ることが出来る。即ち、蛍光体層中でも蛍光体が構成要素として大きな部分を占めるが、この大きな部分を占める蛍光体として、その組成中に上記元素を含まないことにすれば、駆動において誘電体保護層の放電特性の変動を実質的に抑制することが出来る。
（実施の形態３）
３−１．ＰＤＰ３の構成および優位性
実施の形態３に係るＰＤＰ３について、図７を用いて、上記実施の形態２との差異部分を主に説明する。
図７に示すように、本実施の形態に係るＰＤＰ３と上記実施の形態２に係るＰＤＰ２との差異は、背面パネル４０の構成である。
背面パネル４０において、背面ガラス基板２１、アドレス電極２２、誘電体ガラス層２３、隔壁２４などの構成は、上記ＰＤＰ２と同様であるが、蛍光体層２５の内の緑色蛍光体の組成、および隔壁２４における蛍光体層２５で被覆されていない部分に蛍光体保護膜２６が形成されている点が上記ＰＤＰ２とは異なる。
先ず、蛍光体層２５を構成する蛍光体の内、緑色蛍光体には、上記実施の形態１に係るＰＤＰ１で一般に用いられているのと同一のＺｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎの組成を有するものが用いられている。この蛍光体から構成される蛍光体層は、組成中に多量のＳｉを含有してしるため、１パルスあたりの実質的な可視光発光量が大きく、高い発光輝度を有する。
次に、蛍光体保護膜２６は、約１．０（μｍ）の膜厚で形成されたフッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）からなる薄膜である。この蛍  光体保護膜２６は、波長１４７（ｎｍ）の紫外線透過率が８５（％）である。ここで、蛍光体保護膜２６の紫外線透過率は、８０（％）以上確保しておけば、ＰＤＰとして実用上差し支えない。
上記蛍光体保護膜２６は、上記実施の形態２の製造過程を経て蛍光体層２５まで形成された背面ガラス基板２１に対して、ＥＢ蒸着法を用いて、蛍光体層２５が形成された面に膜厚１．０（μｍ）でＭｇＦ２を成膜することで形成される。
なお、本実施の形態に係るＰＤＰ３においては、前面パネル１０と背面パネル４０との間隙を上記ＰＤＰ２と同様にするために、隔壁２４の高さを蛍光体保護膜２６の膜厚分（１．０μｍ）だけ低くしておくことが望ましい。
上記構造を有するＰＤＰ３は、発光駆動時における放電によっても、蛍光体層中の元素（例えば、ＩＶ族元素、遷移金属、アルカリ金属、アルカリ土類金属など）が放電空間に飛散することがない。特に、上記のように緑色蛍光体層２５Ｇには、組成中にＳｉを含む蛍光体を構成要素として用いているので、層中に多量のＳｉが含有されることになるが、この層上を被覆する蛍光体保護膜２６の存在によって放電空間３０へのＳｉの飛散が抑制される。つまり、発光駆動時における放電によって蛍光体層中の種々の元素が放電空間へ向けて飛散しようとしても、蛍光体層２５の表面を被覆する蛍光体保護膜２６によって飛散が抑制される。
また、放電空間に隔壁２４が露出している場合には、極微量ではあるがその構成元素（例えば、Ｓｉなど）が飛散することがあるが、本実施の形態のＰＤＰ３では、隔壁２４と放電空間３０Ｒ、３０Ｇ、３０Ｂとが蛍光体保護膜２６によって遮蔽分離されているので、隔壁２４から放電空間３０への種々の元素の飛散も抑制される。
従って、このＰＤＰ３では、駆動によっても誘電体保護層１４のインピーダンスがほとんど変動せず、且つ、パネル全体としての発光輝度が高い。
なお、上記では、蛍光体保護膜２６を膜厚１．０（μｍ）で形成したが、本発明は、必ずしもこの膜厚に限定されるものではない。
３−２．確認実験
上記実施の形態３に係るＰＤＰ３の優位性を確認するために以下の実験を行なった。
先ず、蛍光体保護膜２６の有無による、劣化加速試験前後での誘電体保護層のインピーダンスの変動の相違を確認した。試験に用いたサンプルの内容およびインピーダンス測定結果を表１１に示す。
【表１１】
2004038753.tif 000013
表１１に示すように、Ｎｏ．５１、５２のサンプルは、蛍光体層上に上記実施の形態２と同様の蛍光体保護膜を形成し、対して、Ｎｏ．５３、５４のサンプルは、蛍光体層上に蛍光体保護膜を形成しなかった。
また、Ｎｏ．５１、５３のサンプルでは、誘電体保護層に１５００（質量ｐｐｍ）の比率でＳｉを含有させ、Ｎｏ．５２、５４のサンプルでは、含有させなかった。
なお、蛍光体層には、Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎの組成を有する緑色の蛍光体から形成したものを用いた。
表９に示すように、Ｎｏ．５３、５４のサンプルでは、劣化加速試験前後での誘電体保護層のインピーダンスの変動が大きく、誘電体保護層にＳｉを含有させたＮｏ．５３のサンプルでは、許容範囲の下限値ぎりぎりとなった。
これに対して、Ｎｏ．５１、５２のサンプルにおいては、駆動初期と劣化加速試験後とで誘電体保護層のインピーダンスの変動がほとんどない。
次に、蛍光体保護膜の有無とＰＤＰの画質との関係について調べた。サンプルの内容および画質評価結果を、表１２に示す。
【表１２】
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表１２に示すように、Ｎｏ．Ｐ５１〜５４のＰＤＰサンプルにおいて、蛍光体保護膜の有無および誘電体葆護層のＳｉの含有比率などについては、上記表９におけるＮｏ．５１〜５４と同様である。
表１２に示すように、Ｎｏ．Ｐ５３以外のサンプルでは、劣化加速試験後における画質が合格レベルとなっている。この中で、Ｎｏ．Ｐ５１、５４のサンプルでは、試験後の画質レベルが最高のレベル５であった。
しかし、上記表１１の結果と合わせて検討すると、Ｎｏ．Ｐ５４のサンプルは、劣化加速試験前後での誘電体保護層のインピーダンスの変動が４５ポイントとＮｏ．Ｐ５１、５２のサンプルに比べて格段に大きいことから、劣化加速試験を継続したとすると、画質が急激に劣化していくものと推察される。
従って、蛍光体層を覆うように蛍光体保護膜を形成したＰＤＰでは、駆動が長期に及んだ場合であっても、誘電体保護層のインピーダンスが大きく変動することがなく、黒ノイズにより画質の劣化が小さい。
３−３．実施の形態３に関するその他の事項
上記実施の形態３では、全ての蛍光体層２５を被覆するように蛍光体保護膜２６を形成することとしたが、必ずしも全ての蛍光体層２５の表面を被覆する必要はない。例えば、蛍光体層中にＩＶ族元素であるＳｉを含有する緑色蛍光体層の表面だけを被覆するようにしても、少なくとも駆動中にこの緑色蛍光体層からＳｉが放電空間に向けて飛散するのを抑制することが出来る。また、蛍光体層中に遷移金属、アルカリ金属、アルカリ土類金属（ただし、Ｍｇを除く。）などを含有している場合にも、本実施の形態に係る蛍光体保護膜を形成すれば、駆動における放電によって蛍光体層から放電空間に向け、上記元素が飛散するのを抑制することが出来る。
ここで、ＩＶ族元素、遷移金属、アルカリ金属、アルカリ土類金属（ただし、Ｍｇを除く。）を含有する蛍光体層の表面のみに蛍光体保護膜を形成した場合に得られる特に優れた効果について説明する。
蛍光体保護膜を形成するとその分だけ紫外線透過率の減少を招くので、Ｒ、Ｇ、Ｂの全ての蛍光体層の表面に蛍光体保護膜を形成した場合には、その分発光輝度が低下してしまうことになる。これに対して、上記では、ＩＶ族元素、遷移金属、アルカリ金属、アルカリ土類金属（ただし、Ｍｇを除く。）を含有する蛍光体層の表面のみに蛍光体保護膜をしているので、発光輝度が低下するのはＧの放電セルだけに限定され、パネル全体での発光輝度全体では発光輝度が向上する。そして、上記のようにＧの放電セルにおける発光輝度の低下した場合にも、駆動方法の設定やセルサイズの設計によって、各色放電セル間での輝度バランスをとることが可能である。
また、緑色蛍光体層においても、駆動における放電の影響を受けやすい部分のみを蛍光体保護膜２６で被覆する構成としてもよい。
また、蛍光体層に極微量なＩＶ族元素、遷移金属、アルカリ金属、アルカリ土類金属（ただし、Ｍｇを除く。）を含有する場合にあっても、本実施の形態に係るＰＤＰ３のように蛍光体保護膜で蛍光体層を被膜すれば効果を奏するが、上記実施の形態２などを考え合わせた場合に、蛍光体層中に高い比率で上記元素を含有するような場合には、蛍光体保護膜の形成が特に効果的である。例えば、ＩＶ族元素であれば、１０００（質量ｐｐｍ）を越えるような比率、遷移金属、アルカリ金属、アルカリ土類金属（ただし、Ｍｇを除く。）などであれば、６００００（質量ｐｐｍ）を越えるような比率、で含有されている場合には、特に有効である。
このように、設計時において高い比率で上記元素を含有させておくことでパネル全体の発光輝度の向上を図ることが出来、この蛍光体層を蛍光体保護膜で被覆しておくことで、駆動が長期に及んだ場合にも、誘電体保護層のインピーダンスの変動を抑制することが出来、黒ノイズでの画質劣化を少なくできる。
従って、本実施の形態における構成を採用することにより、パネル全体の高い発光輝度を得ることが出来るとともに、駆動時間の経過によっても誘電体保護層のインピーダンスの変動が少なく、駆動時間の長短に関わりなく黒ノイズの発生が少ない、高画質なＰＤＰを得ることが出来る。
（実施の形態４）
実施の形態４に係るＰＤＰ４について、図８を用いて説明する。
図８に示すように、本実施の形態４に係るＰＤＰ４は、背面パネル５０における蛍光体層２５を覆うように形成された蛍光体保護膜２７の構造に特徴を有している。具体的には、膜厚０．３（μｍ）のＭｇＦ２からなる下膜２７ａと、膜厚０．１（μｍ）のＭｇＯからなる上膜２７ｂとが積層されて蛍光体保護膜２７が形成されている。
他の構成については、上記実施の形態３に係るＰＤＰ３と同一である。
上記のような構成の蛍光体保護膜２７を有するＰＤＰ４では、上記実施の形態３に係るＰＤＰ３と同様に、発光駆動における放電による蛍光体層２５からの元素の飛散が抑制されるという優位性を有する。本実施の形態４に係るＰＤＰ４は、上記優位性に加えて、上膜２７ｂとして耐スパッタ性に優れるＭｇＯからなる膜を有しているので、下膜２７ａであるＭｇＦ２からなる膜の膜厚を０．３（μｍ）まで薄くすることが可能であり、紫外線（波長１４７ｎｍ）の透過率を８８（％）とすることができる。また、蛍光体保護膜２７は、上膜２７ｂの膜厚みを下膜２７ａの膜厚みよりも薄く設定されているので、高透過率と耐スパッタ性の確保との両立が実現される。よって、このＰＤＰ４では、駆動が長期に及んだ場合の黒ノイズの発生がより確実に抑制され、より安定的に高画質が維持される。
なお、本実施の形態４に係るＰＤＰ４においても、上記実施の形態３において説明したのと同様に、蛍光体保護膜の形成形態、あるいは、用いる材料について種々のバリエーションを採ることが可能である。
また、上記実施の形態３および実施の形態４に共通して、蛍光体層２５の面上に形成した蛍光体保護膜２６、２７についても、上記実施の形態３および実施の形態４の構成に限定されるものではない。例えば、許容される範囲で各膜の膜厚を変更しても良い。蛍光体保護膜２６、２７の各膜厚については、紫外線の透過率が８０（％）以上であれば発光輝度の面から差し支えないので、紫外線の透過率が８０（％）ぎりぎりになるまで膜厚を増加させてゆき、駆動時におけるより確実に蛍光体層からの元素の飛散を抑制可能な構成としても良い。
【産業上の利用の可能性】
本発明にかかるＰＤＰは、コンピュータやテレビ等の表示デバイス、特に高詳細・高輝度であって経時的にも画像品質の安定した表示デバイスを実現するのに有効である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【国際調査報告】
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