(57)【要約】本発明は、フェライト磁器組成物の主成分が、一般式（Ｓｒ１−ｘＢａｘ）Ｏ・ｎ（Ｆｅ１−ｙＩｎｙ）２Ｏ３（０≦ｘ≦１．０、５．００＜ｎ≦６．００、０＜ｙ≦０．３０）、又は一般式（Ｓｒ１−ｘＢａｘ）Ｏ・ｎ（Ｆｅ１−ｚＡｌｚ）２Ｏ３（０≦ｘ≦１．０、５．００＜ｎ≦６．００、０＜ｚ≦０．３０）、又は一般式（Ｓｒ１−ｘＢａｘ）Ｏ・ｎ（Ｆｅ１−ｙ−ｚＩｎｙＡｌｚ）２Ｏ３（０≦ｘ≦１．０、５．００＜ｎ≦６．００、０＜ｙ≦０．３０、０＜ｚ≦０．３０）で表される。この組成物を使用して得られた非可逆回路素子は、１０ＧＨｚ以下や３０〜６０ＧＨｚのマイクロ波・ミリ波帯で使用しても十分な非可逆性を得ることができ、また磁器損失を小さくすることができ、マイクロ波・ミリ波帯で使用される無線装置に適している。
2004113250.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式｛（Ｓｒ１−ｘＢａｘ）Ｏ・ｎ（Ｆｅ１−ｙＩｎｙ）２Ｏ３｝（０≦ｘ≦１．００、５．００≦ｎ＜６．００、０＜ｙ≦０．３０）で表される主成分を含有していることを特徴とする非可逆回路素子用フェライト磁器組成物。
【請求項２】
一般式｛（Ｓｒ１−ｘＢａｘ）Ｏ・ｎ（Ｆｅ１−ｚＡｌｚ）２Ｏ３｝（０≦ｘ≦１．００、５．００≦ｎ＜６．００、０＜ｚ≦０．３０）で表される主成分を含有していることを特徴とする非可逆回路素子用フェライト磁器組成物。
【請求項３】
一般式｛（Ｓｒ１−ｘＢａｘ）Ｏ・ｎ（Ｆｅ１−ｙ−ｚＩｎｙＡｌｚ）２Ｏ３｝（０≦ｘ≦１．００、５．００≦ｎ＜６．００、０＜ｙ≦０．３０、０＜ｚ≦０．３０）で表される主成分を含有していることを特徴とする非可逆回路素子用フェライト磁器組成物。
【請求項４】
請求の範囲第１項乃至請求の範囲第３項のいずれかに記載の非可逆回路素子用フェライト磁器組成物において、副成分としてＣａ成分及びＣｏ成分のうちの少なくとも一方を含み、前記Ｃａ成分及びＣｏ成分の含有量が、前記主成分１モルに対し、総計で０．００１〜０．８モルであることを特徴とする非可逆回路素子用フェライト磁器組成物。
【請求項５】
請求の範囲第１項乃至請求の範囲第４項のいずれかに記載の非可逆回路素子用フェライト磁器組成物において、副成分としてＭｎ成分及びＺｒ成分のうちの少なくとも一方を含み、前記Ｍｎ成分及びＺｒ成分の含有量が、酸化物換算で、総計で１．５０重量％以下（０重量％を含まず）であることを特徴とする非可逆回路素子用フェライト磁器組成物。
【請求項６】
請求の範囲第１項乃至請求の範囲第５項のいずれかに記載の非可逆回路素子用フェライト磁器組成物で形成されたフェライト部材を備えていることを特徴とする非可逆回路素子。
【請求項７】
請求の範囲第６項記載の非可逆回路素子を備えていることを特徴とする無線装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】  本発明は非可逆回路素子用フェライト磁器組成物、非可逆回路素子、及び無線装置に関し、特に、周波数が数ＧＨｚ〜数１０ＧＨｚのマイクロ波・ミリ波帯（以下、単に、「マイクロ波帯」という）での使用に好適な非可逆回路素子用フェライト磁器組成物、該フェライト磁器組成物を使用して形成されたアイソレータやサーキュレータ等の非可逆回路素子、及び該非可逆回路素子を備えた無線装置に関する。
【背景技術】  携帯電話やミリ波レーダ等のマイクロ波帯に使用される非可逆回路素子としては、従来より、永久磁石で直流磁界を印加する非可逆回路素子が知られている。
該非可逆回路素子は、イットリウム鉄ガーネットＹ３Ｆｅ５Ｏ１２（以下、「ＹＩＧ」という）に代表されるガーネット系フェライトや、ＭｇフェライトやＮｉＣｕＺｎフェライトに代表されるスピネル系フェライトを使用し、希土類磁石やＳｒフェライト磁石等の永久磁石で直流磁界を印加し、駆動させている。
上記非可逆回路素子は、通常、数１００ＭＨｚ〜数ＧＨｚの極超短波・マイクロ波帯ではガーネット系フェライトが使用され、数１０ＧＨｚのマイクロ波帯ではスピネル系フェライトが使用されている。
すなわち、ガーネット系フェライトは、数１００ＭＨｚ〜数ＧＨｚの極超短波又はマイクロ波帯域では低磁界側で大きな磁気損失のピークがあるため、低磁気損失の非可逆回路素子を得ることができず、このため、強磁性共鳴ピークよりも高磁界側で駆動させている。
一方、スピネル系フェライトは、数１０ＧＨｚのマイクロ波帯で使用され、強磁性共鳴ピークよりも低磁界側で駆動させるのが一般的である。すなわち、数１０ＧＨｚのマイクロ波帯では、強磁性共鳴ピークと低磁界損失ピークとが十分に離れているため、低磁界で駆動させても十分に低い磁気損失を有する非可逆回路素子を得ることができ、また永久磁石ではスピネル系フェライト（飽和磁化約０．４Ｔ）を十分に飽和させるのが困難であることから、強磁性共鳴ピークよりも低磁界側で駆動させている。そして、磁場が発生すると、高周波磁界は直流磁界の方向に向かって右回りに旋回する正円偏波と左回りに旋回する負円偏波とが生じるが、該フェライトの複素透磁率μは正円偏波と負円偏波とで異なり、このような性質を利用して非可逆回路素子を実現している。
すなわち、フェライトの複素透磁率μは、数式（１）で表され、実数部μ′は磁化の応答、虚数部μ″は磁気損失を示している。
μ＝μ′−ｊμ″…（１）
複素透磁率μの実数部μ′は磁化の応答を示すことから、正円偏波透磁率μ＋の実数部μ＋′と負円偏波透磁率μ−の実数部μ−′との透磁率差Δμ（＝μ＋′−μ−′）の絶対値（以下、「絶対透磁率差｜Δμ｜」という）は非可逆性を示し、したがって、フェライトの特性は絶対透磁率差｜Δμ｜及び正円偏波透磁率μ＋の虚数部μ＋″で評価することができる。
ところで、数ＧＨｚのマイクロ波帯域で使用される携帯電話では、機器の更なる低背化、小型化、低コスト化が要請されており、これに伴い非可逆回路素子の低背化、小型化、低コスト化が要求されてきている。
しかしながら、ガーネット系フェライトでは、直流磁界を印加するための永久磁石が必要となるため、非可逆回路素子の低背化、小型化、低コスト化には限界がある。
また、数１０ＧＨｚのマイクロ波帯域では、非可逆回路素子を搭載した小型の無線ＬＡＮやミリ波レーダ等の無線装置が期待されるが、非可逆回路素子にスピネル系フェライトを使用した場合は、ガーネット系フェライトの場合と同様、永久磁石が必要となるため、非可逆回路素子の低背化、小型化、低コスト化には限界がある。
一方、一軸的な磁気異方性を有するＢａフェライト（ＢａＯ・６Ｆｅ２Ｏ３）やＳｒフェライト（ＳｒＯ・６Ｆｅ２Ｏ３）等の六方晶系のマグネトプランバイト型フェライトを使用した自己バイアス動作形の非可逆回路素子も従来から知られている。
該自己バイアス動作形の非可逆回路素子では、例えば、Ｂａフェライトは、１．４０×１０６Ａ／ｍの異方性磁界Ｈａを有し、また、Ｓｒフェライトは、１．５４×１０６Ａ／ｍの異方性磁界Ｈａを有していることから、永久磁石を要することなく前記異方性磁界Ｈａを駆動させて磁場を発生させている。
このようにマグネトプランバイト型フェライトを使用した自己バイアス動作形非可逆回路素子は、ガーネット系フェライトやスピネル系フェライトのような磁場印加用の永久磁石が不要であるため、非可逆回路素子の低背化・小型化や低コスト化の観点から有望視されている。
そして、このような永久磁石を必要としない自己バイアス動作形の非可逆回路素子として、アイソレータ（非可逆回路素子）を半導体チップと共にマイクロ波集積回路又はマイクロ波回路モジュール内に表面実装形式で実装した技術が提案されている（特開平１１−１７４０８号公報）。
しかしながら、従来の自己バイアス動作形の非可逆回路素子では、１０ＧＨｚ以下のマイクロ波帯では十分な非可逆性を得ることができず、また３０〜６０ＧＨｚのマイクロ波帯では磁気損失が大きいため、これらのマイクロ波帯での使用には適さないという問題点があった。
図１はマグネトプランバイト型フェライトの一例としてのＳｒフェライトの正負円偏波透磁率μ±の各透磁率成分μ＋′、μ＋″、μ−′、μ−″の周波数特性を示している。横軸は周波数（ＧＨｚ）、縦軸は正負円偏波透磁率μ±の透磁率成分μ＋′、μ＋″、μ−′、μ−″である。
また、図２はＳｒフェライトを自己バイアス動作形非可逆回路素子に使用した場合の透磁率差Δμを示している。横軸は周波数（ＧＨｚ）、縦軸は透磁率差Δμである。
この図１及び図２から明らかなように、１０〜３０ＧＨｚのマイクロ波帯域では強磁性共鳴ピークより高磁界側で駆動させることが可能であり、６０〜２００ＧＨｚのマイクロ波帯域では強磁性共鳴ピークより低磁界側で駆動させることが可能である。
しかしながら、図１に示すように、３０〜６０ＧＨｚのマイクロ波帯域では、正円偏波透磁率の虚数部μ＋″が、その閾値とされる０．０５から大幅に増大して磁気損失が大きくなり、低損失な非可逆回路素子が得られなくなる。
一方、図２に示すように、１０ＧＨｚ以下のマイクロ波帯域では、透磁率差Δμが０．１未満と小さく、所望の非可逆性を得ることができなくなる。
すなわち、従来の自己バイアス動作形非可逆回路素子では、１０ＧＨｚ以下のマイクロ波帯では所望の非可逆性を得ることができなくなり、一方３０〜６０ＧＨｚのマイクロ波帯では磁気損失が大きくなるという問題点があった。
本発明はこのような問題点に鑑みなされたものであって、１０ＧＨｚ以下や３０〜６０ＧＨｚのマイクロ波帯で使用しても十分な非可逆性を得ることが可能であり、また磁気損失を小さくすることが可能な非可逆回路素子用フェライト磁器組成物、該フェライト磁器組成物を使用して製造された自己バイアス形の非可逆回路素子、及び無線装置を提供することを目的とする。
【発明の開示】
本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意研究したところ、マグネトプランバイト型六方晶フェライトに含有されるＦｅ３＋の一部をＩｎ３＋で置換することにより、異方性磁界Ｈａを低下方向に制御することができ、これにより１０ＧＨｚ以下のマイクロ波帯でのフェライト磁器組成物の非可逆性を向上させることができ、さらには強磁性共鳴ピークの周波数を低周波側にシフトさせることができ、これにより３０〜６０ＧＨｚのマイクロ波帯での磁気損失を抑制することができるという知見を得た。
すなわち、本発明に係る非可逆回路素子用フェライト磁器組成物（以下、単に「フェライト磁器組成物」という）は、一般式｛（Ｓｒ１−ｘＢａｘ）Ｏ・ｎ（Ｆｅ１−ｙ−ｚＩｎｙ）２Ｏ３｝（０≦ｘ≦１．００、５．００≦ｎ＜６．００、０＜ｙ≦０．３０）で表される主成分を含有していることを特徴としている。
上記フェライト磁器組成物によれば、一般式｛（Ｓｒ１−ｘＢａｘ）Ｏ・ｎ（Ｆｅ１−ｙＩｎｙ）２Ｏ３｝（０≦ｘ≦１．００、５．００≦ｎ＜６．００、０＜ｙ≦０．３０）で表される主成分を含有しているので、１０ＧＨｚ以下や３０〜６０ＧＨｚのマイクロ波帯でも所望の非可逆性を得ることができ、磁気損失の小さなフェライト磁器組成物を得ることが可能となる。
また、従来より、３０〜６０ＧＨｚのマイクロ波帯では、非可逆性は良好であるが（図１、図２参照）、磁気損失が大きいという欠点があった。
そこで、本発明者らが鋭意研究を行ったところ、上述したＦｅ３＋の一部をＡｌ３＋で置換することにより、異方性磁界Ｈａを増加方向に制御することができ、これにより強磁性共鳴ピークの周波数を高周波側にシフトさせることができ、その結果、３０〜６０ＧＨｚのマイクロ波帯でも非可逆性を損なうことなく磁気損失を抑制することができるという知見を得た。
すなわち、本発明に係るフェライト磁器組成物は、一般式｛（Ｓｒ１−ｘＢａｘ）Ｏ・ｎ（Ｆｅ１−ｚＡｌｚ）２Ｏ３｝（０≦ｘ≦１．００、５．００≦ｎ＜６．００、０＜ｚ≦０．３０）で表される主成分を含有していることを特徴としている。
上記フェライト磁器組成物によれば、一般式｛（Ｓｒ１−ｘＢａｘ）Ｏ・ｎ（Ｆｅ１−ｚＡｌｚ）２Ｏ３｝（０≦ｘ≦１．００、５．００≦ｎ＜６．００、０＜ｚ≦０．３０）で表される主成分を含有しているので、３０〜６０ＧＨｚのマイクロ波帯でも磁気損失を低減することができ、斯かる周波数帯でも非可逆性が良好で低磁気損失のフェライト磁器組成物を得ることができる。
また、本発明者らの更なる鋭意研究の結果、Ｆｅ３＋の一部をＩｎ３＋及びＡｌ３＋で置換することにより、１０ＧＨｚ以下や３０〜６０ＧＨｚのマイクロ波帯で所望の非可逆性と低磁気損失を有するように調整されたフェライト磁器組成物を得ることができるという知見を得た。
すなわち、本発明に係るフェライト磁器組成物は、一般式｛（Ｓｒ１−ｘＢａｘ）Ｏ・ｎ（Ｆｅ１−ｙ−ｚＩｎｙＡｌｚ）２Ｏ３｝（０≦ｘ≦１．００、５．００≦ｎ＜６．００、０＜ｙ≦０．３０、０＜ｚ≦０．３０）で表される主成分を含有していることを特徴としている。
上記フェライト磁器組成物によれば、一般式｛（Ｓｒ１−ｘＢａｘ）Ｏ・ｎ（Ｆｅ１−ｙ−ｚＩｎｙＡｌｚ）２Ｏ３｝（０≦ｘ≦１．００、５．００≦ｎ＜６．００、０＜ｙ≦０．３０、０＜ｚ≦０．３０）で表される主成分を含有しているので、上記効果に加えて、異方性磁界Ｈａの変動を抑制しつつ飽和磁化Ｍｓを変動させることができ、これにより強磁性共鳴ピークや透磁率差を制御することができ、１０ＧＨｚ以下や３０〜６０ＧＨｚのマイクロ波帯でも所望の非可逆性と低磁気損失を有するフェライト磁器組成物を容易に得ることが可能となる。
ところで、非可逆回路素子では、永久磁石とフェライト磁器組成物との距離が短いほど、永久磁石に発生する渦電流損の影響を受けて伝送特性の悪化を招く。そしてこの渦電流は永久磁石の比抵抗率ρが小さいほど発生し易い。しかも、自己バイアス形の非可逆回路素子では、フェライト磁器組成物自身が磁界を発生するため、渦電流損の影響が非常に大きい。したがって、自己バイアス形の非可逆回路素子で伝送特性の悪化を回避するためには渦電流損を低くする必要があり、そのためにはフェライト磁器組成物の比抵抗率ρを大きくする必要がある。
そして、本発明者らが鋭意研究を重ねた結果、Ｃａ成分及びＣｏ成分のうちの少なくとも一方を、前記主成分１モルに対し、総計で０．００１〜０．８モル添加することにより、また、前記フェライト磁器組成物中のＭｎ成分及びＺｒ成分の総含有量が、酸化物換算で１．５重量％以下の範囲で添加することにより、比抵抗率ρを増大させることができるということが知見を得た。
すなわち、本発明のフェライト磁器組成物は、副成分としてＣａ成分及びＣｏ成分のうちの少なくとも一方を含み、Ｃａ成分及びＣｏ成分の含有量が、前記前記主成分１モルに対し、総計で０．００１〜０．８モル含有されていることを特徴とし、また、副成分としてＭｎ成分及びＺｒ成分のうちの少なくとも一方を含み、前記Ｍｎ成分及びＺｒ成分の含有量が、酸化物換算で、総計で１．５０重量％以下（０重量％を含まず）であることを特徴としている。
上記フェライト磁器組成物によれば、前記主成分１モルに対し、副成分としてのＣａ成分及びＣｏ成分のうちの少なくとも１種を０．００１〜０．８モル含有し、また、Ｍｎ成分及びＺｒ成分のうちの少なくとも１種を、酸化物換算で、総計で１．５０重量％以下（０重量％を含まず）の範囲で含有しているので、比抵抗率ρの大きなフェライト磁器組成物を得ることができ、これにより非可逆回路素子の永久磁石に発生する渦電流損の影響を小さくすることが可能となり、良好な伝送特性を有する自己バイアス形の非可逆回路素子を得ることができる。
本発明に係る非可逆回路素子は、前記フェライト磁器組成物で形成されたフェライト部材を備えていることを特徴としている。
上記非可逆回路素子によれば、数ＧＨｚ〜数１０ＧＨｚのマイクロ波帯でも所望の非可逆性を有し、磁気損失の小さく、かつ誘電損失ｔａｎδが低く、比抵抗率ρの大きな非可逆回路素子を得ることが可能となる。しかも、上記フェライト磁器組成物は、異方性磁界Ｈａを使用して駆動させることができるので、永久磁石を必要とせず、小型化・低背化や低コスト化が可能となる。
本発明に係る無線装置は、上記非可逆回路素子を備えていることを特徴としている。
上記無線装置によれば、上述した非可逆回路素子を備えているので、数ＧＨｚ〜数１０ＧＨｚのマイクロ波帯で磁気損失が小さく、所望の非可逆性を有し、かつ誘電損失ｔａｎδが低く、比抵抗率ρの大きな自己バイアス形の非可逆回路素子を具備した小型化・低背化や低コスト化がなされた携帯電話、ミリ波レーダ等の無線装置を得ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】  図１は、従来のＳｒフェライトの複素透磁率の各透磁率成分の周波数特性を示す図である。図２は、従来のＳｒフェライトの透磁率差Δμの周波数特性を示す図である。図３は、本発明に係るフェライト磁器組成物の透磁率差Δμの周波数特性を模式的に示した図である。図４は、本発明に係るフェライト磁器組成物の磁気共鳴半値幅を示す図である。図５は、本発明に係る非可逆回路素子の第１の実施の形態を示す斜視図である。図６は、本発明に係る非可逆回路素子の第２の実施の形態を示す正面図（ａ）及び要部平面図（Ａ−Ａ矢視図）である。図７は、本発明に係る非可逆回路素子の第３の実施の形態を示す斜視図である。図８は、本発明に係る非可逆回路素子の第４の実施の形態を示す斜視図である。図９は、本発明に係る非可逆回路素子の第５の実施の形態を示す斜視図である。図１０は、本発明に係る非可逆回路素子の第６の実施の形態を示す斜視図である。図１１は、本発明に係る非可逆回路素子の第７の実施の形態を示す平面図である。図１２は、本発明に係る非可逆回路素子の第８の実施の形態を示す斜視図である。図１３は、本発明に係る非可逆回路素子の第９の実施の形態を示す斜視図である。図１４は、本発明に係る無線装置の一実施の形態を示すシステム構成図である。
【発明を実施するための最良の形態】  次に、本発明の実施の形態を詳説する。
本発明の第１の実施の形態に係るフェライト磁器組成物は、下記一般式〔Ａ〕で表される。
（Ｓｒ１−ｘＢａｘ）Ｏ・ｎ（Ｆｅ１−ｙＩｎｙ）２Ｏ３…〔Ａ〕
ただし、ｘは０≦ｘ≦１．０、ｎは５．００≦ｎ＜６．００、ｙは０＜ｙ≦０．３０である。
すなわち、第１の実施の形態のフェライト磁器組成物は、一般式（Ｓｒ１−ｘＢａｘ）Ｏ・ｎＦｅ２Ｏ３（但し、０≦ｘ≦１．０）で表されるマグネトプラバント型フェライトにおいて、Ｆｅ３＋の一部をＩｎ３＋で置換している。
このようにＦｅ３＋の一部をＩｎ３＋で置換したのは以下の理由による。
マグネトプランバイト型フェライトでは、異方性磁界Ｈａを駆動させることにより磁場を発生させているが、本発明者らの実験結果により、Ｆｅ３＋の一部をＩｎ３＋で置換することにより、異方性磁界Ｈａを低下方向に制御することができることが分かった。例えば、マグネトプランバイト型であるＢａフェライトのＦｅ成分をＩｎ成分で置換すると、その異方性磁界ＨａはＢａフェライト自身の異方性磁界（１．４０×１０６（Ａ／ｍ））よりも減少する。そして、この際、飽和磁化Ｍｓも低下方向に変動する。
一方、内部磁界Ｈｉｎは、数式（２）で表され、強磁性共鳴ピークの周波数ω（＝２πｆｒ）は、数式（３）で表される。
Ｈｉｎ＝Ｈａ−Ｎ×Ｍｓ  …（２）
ω＝γ×Ｈｉｎ  …（３）
ここで、Ｎは反磁界係数、Ｍｓは飽和磁化（Ｔ）、γはジャイロ定数（＝２．２１×１０５ｍ／Ａ・ｓ）である。
したがって、数式（２）により異方性磁界Ｈａ及び飽和磁化Ｍｓの変動により内部磁界Ｈｉｎも適宜変動するため、数式（３）により強磁性共鳴ピークの周波数ωも変動する。
このように異方性磁界Ｈａが低下することにより、強磁性共鳴ピークの周波数ωが変動し、その結果、図３に示すように、正円偏波と負円偏波の実数部の透磁率差Δμの周波数特性が、仮想線で示す特性から、矢印Ｘで示すように、実線で示す特性に変移させることが可能となり、１０ＧＨｚ以下のマイクロ波帯で使用しても十分な非可逆性を有するフェライト磁器組成物を得ることが可能となる。
また、磁気損失を示す虚数部μ＋″は、図４に示すように内部磁界Ｈｉｎ（＝ω／γ）に対し、ローレンツ形の分布曲線になることが知られており、内部磁界Ｈｉｎを変化させることによって磁気共鳴ピークの半値幅ΔＨを小さくできると同時に、強磁性共鳴ピークの周波数ωを低周波側にシフトさせることができる。そしてその結果、虚数部μ＋″を低下させることができ、３０〜６０ＧＨｚでの磁気損失を抑制することが可能となる。
尚、本発明者らは、Ｆｅ３＋の一部をＳｎ４＋で置換することによっても同様の作用効果を得ることが可能であることを確認しているが、Ｆｅ３＋の一部をＳｎ４＋で置換した場合は電荷バランスが崩れるため、Ｚｎ２＋やＣｕ２＋等の２価の金属元素で電荷補正する必要があるのに対し、Ｉｎイオンは３価であるため、Ｆｅ３＋をＩｎ３＋で置換しても電荷バランスは崩れず、したがって２価の金属元素で電荷補正する必要はない。
尚、上記一般式〔Ａ〕で、ｙを０＜ｙ≦０．３０としたのは、ｙが０．３０を超えると、Ｉｎの含有量が過剰となる一方で、Ｆｅの含有量が過少となって磁気異方性を示さなくなり、非磁性体となって使用することができなくなるからである。
また、上記一般式〔Ａ〕で、ｎを５．００≦ｎ＜６．００としたのは、ｎがこの範囲外になると磁気異方性を示さなくなり、また異相が析出したり、焼結しにくくなり、更には十分な飽和磁化Ｍｓが得られなり、また比抵抗率ρも小さくなるからである。
そして、上記フェライト磁器組成物は以下のようにして製造される。
すなわち、最終生成物であるフェライト磁器組成物の成分組成が所定モル比となるように、フェライト素原料としてのバリウム化合物、ストロンチウム化合物、鉄化合物、及びインジウム化合物を適宜秤量して調合し、ボールミルで湿式混合した後、大気中で仮焼し、その後湿式粉砕して仮焼粉末を作製する。次いで、この仮焼粉末をバインダ樹脂と混練させてスラリー化し、磁場中で脱水成形した後、大気中で焼成し、これにより、上記一般式〔Ａ〕で表されるフェライト磁器組成物が製造される。
このように第１の実施の形態のフェライト磁器組成物は、マグネトプランバイト型フェライトのＦｅ３＋の一部をＩｎ３＋で置換しているので、１０ＧＨｚや３０〜６０ＧＨｚのマイクロ波帯域において、所望の非可逆性を有し、磁気損失が小さく、非可逆回路素子に好適なフェライト磁器組成物を得ることができる。
次に、本発明の第２の実施の形態に係るフェライト磁器組成物を詳説する。
第２の実施の形態に係るフェライト磁器組成物は、下記一般式〔Ｂ〕で表される。
（Ｓｒ１−ｘＢａｘ）Ｏ・ｎ（Ｆｅ１−ｚＡｌｚ）２Ｏ３…〔Ｂ〕
ただし、ｘは０≦ｘ≦１．０、ｎは５．００≦ｎ＜６．００、ｚは０＜ｚ≦０．３０である。
すなわち、第２の実施の形態のフェライト磁器組成物は、一般式（Ｓｒ１−ｘＢａｘ）Ｏ・ｎＦｅ２Ｏ３（但し、０≦ｘ≦１．０）で表されるマグネトプラバント型フェライトにおいて、Ｆｅ３＋の一部をＡｌ３＋で置換している。
このようにＦｅ３＋の一部をＡｌ３＋で置換したのは以下の理由による。
上述したようにマグネトプランバイト型フェライトでは、異方性磁界Ｈａを駆動させることにより磁場を発生させているが、本発明者らの実験結果により、Ｆｅ３＋の一部をＡｌ３＋で置換することにより、強磁性共鳴ピークの周波数ωを高周波側にシフトさせることができることが分った。すなわち、本第２の実施の形態においても、Ｆｅ３＋の一部をＡｌ３＋に置換することにより、上記第１の実施の形態と同様、磁気共鳴ピークの半値幅ΔＨを小さくすることができると共に、強磁性共鳴ピークの周波数ωを高周波側にシフトさせることができる。そしてその結果、３０〜６０ＧＨｚのマイクロ波帯での虚数部μ＋″を低下させることができ、磁気損失を抑制することが可能となる。
すなわち、ＢｒフェライトやＳｒフェライトのような従来のマグネトプランバイト型フェライトでは、３０〜６０ＧＨｚのマイクロ波帯では非可逆性は満足し得るものの、磁気損失が大きいという欠点があったが、本第２の実施の形態では、Ｆｅ３＋の一部をＡｌ３＋に置換することにより、３０〜６０ＧＨｚのマイクロ波帯においても磁気損失の抑制が可能であり、非可逆性と低磁気損失とを両立させることのできるフェライト磁器組成物を得ることが可能となる。
尚、上記一般式〔Ｂ〕で、ｚを０＜ｚ≦０．３０としたのは、Ｚが０．３０を超えると、Ａｌの含有量が過剰となる一方で、Ｆｅの含有量が過少となって磁気異方性を示さなくなり、非磁性体となって使用することができなくなるからである。
そして、第２の実施の形態のフェライト磁器組成物も、フェライト素原料についてインジウム化合物に代えてアルミニウム化合物を使用し、第１の実施の形態と略同様の方法・手順で上記一般式〔Ｂ〕で表されるフェライト磁器組成物を容易に製造することができる。
次に、本発明の第３の実施の形態に係るフェライト磁器組成物について詳説する。
第３の実施の形態に係るフェライト磁器組成物は、下記一般式〔Ｃ〕で表される。
（Ｓｒ１−ｘＢａｘ）Ｏ・ｎ（Ｆｅ１−ｙ−ｚＩｎｙＡｌｚ）２Ｏ３…〔Ｃ〕
ただし、ｘは０≦ｘ≦１．０、ｎは５．００≦ｎ＜６．００である。また、ｙ及びｚはそれぞれ０＜ｙ≦０．３０、０＜ｚ≦０．３０である。
すなわち、本第３の実施の形態では、Ｆｅ３＋の一部をＩｎ３＋及びＡｌ３＋の双方で置換している。
このようにＦｅ３＋の一部をＩｎ３＋及びＡｌ３＋の双方で置換することとしたのは以下の理由による。
Ｆｅ３＋の一部をＩｎ３＋で置換することにより、上述したように異方性磁界Ｈａを制御することができるが、これに加えてＦｅ３＋の一部をＡｌ３＋で置換することにより、制御された異方性磁界Ｈａの変動を抑制しつつ、飽和磁化Ｍｓを変動させることが可能となり、これにより飽和磁化Ｍｓに依存する強磁性共鳴ピークの周波数ω（上記数式（２）、（３）参照）や透磁率差Δμを微調整することが容易となり、１０ＧＨｚ以下や３０〜６０ＧＨｚのマイクロ波帯において、所望の非可逆性及び低磁気損失のフェライト磁器組成物を得ることが容易となる。
また、上記一般式〔Ｃ〕で、ｙ及びｚをそれぞれ０＜ｙ≦０．３０、０＜ｚ≦０．３０としたのは、ｙ及びｚが共に０．３０を超えると、Ｉｎ及びＡｌの含有量が過剰となる一方で、Ｆｅの含有量が過少となって磁気異方性を示さなくなり、非磁性体となって使用することができなくなるからである。
そして、第３の実施の形態のフェライト磁器組成物も、フェライト素原料としてバリウム化合物、ストロンチウム化合物、鉄化合物、インジウム化合物、及びアルミニウム化合物を使用し、第１の実施の形態と略同様の方法・手順で上記一般式〔Ｃ〕で表されるフェライト磁器組成物を容易に製造することができる。
このように本第３の実施の形態では、マグネトプランバイト型フェライトのＦｅ３＋の一部をＩｎ３＋及びＡｌ３＋で置換しているので、１０ＧＨｚや３０〜６０ＧＨｚのマイクロ波帯域において、所望の非可逆性を有し、磁気損失が小さく、非可逆回路素子に好適なフェライト磁器組成物を得ることができる。
尚、上述した製造過程において、Ｍｎ、Ｃｌ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｓ、Ｃａ、Ｃｒ、Ｂｉ等の不純物が０．４重量％未満で混入することがあり、また、湿式混合時にＺｒやＳｉ等の不純物が０．８重量％未満で混入することがあるが、本発明の特性に影響を与えるものではない。
また、本発明のフェライト磁器組成物は、上記実施の形態に限定に限定されることはなく、Ｃａ成分及びＣｏ成分のうちの少なくとも一方が、一般式〔Ａ〕〜〔Ｃ〕で表される主成分１モルに対し、総計で０．００１〜０．８モル含有するようにするのも好ましい。
この場合、フェライト磁器組成物は、下記一般式〔Ｄ〕〜〔Ｆ〕で表される。
（Ｓｒ１−ｘＢａｘ）Ｏ・ｎ（Ｆｅ１−ｙＩｎｙ）２Ｏ３＋αＣａ＋βＣｏ…〔Ｄ〕
（Ｓｒ１−ｘＢａｘ）Ｏ・ｎ（Ｆｅ１−ｚＡｌｚ）２Ｏ３＋αＣａ＋βＣｏ…〔Ｅ〕
（Ｓｒ１−ｘＢａｘ）Ｏ・ｎ（Ｆｅ１−ｙ−ｚＩｎｙＡｌｚ）２Ｏ３＋αＣａ＋βＣｏ…〔Ｆ〕
ここで、α、βは一般式〔Ｄ〕〜〔Ｆ〕で表される主成分１モルに対し、添加されるＣａ成分、及びＣｏ成分のモル数であり、下記数式〔Ｇ〕を充足している。
０．００１≦α＋β≦０．８  …〔Ｇ〕
非可逆回路素子では、永久磁石とフェライト磁器組成物との距離が短いほど、永久磁石に発生する渦電流損の影響を受けて伝送特性の悪化を招く。そしてこの渦電流は永久磁石の比抵抗率ρが小さいほど発生し易い。しかも、自己バイアス形の非可逆回路素子では、フェライト磁器組成物自身が磁界を発生するため、渦電流損の影響が非常に大きい。
しかるに、本発明者らの研究結果により、上記一般式〔Ｇ〕を充足するように所定量のＣａ成分及び／又はＣｏ成分を添加することにより、比抵抗率ρの大きなフェライト磁器組成物を得ることができ、これにより自己バイアス形の非可逆回路素子の渦電流損を低くすることができ、伝送特性の悪化を回避することができるということが分かった。
ここで、Ｃａ成分及びＣｏ成分の含有モル量α、βを上記数式〔Ｇ〕を充足するようにしたのは以下の理由による。
すなわち、前記主成分１モルに対し、Ｃａ成分及びＣｏ成分の含有モル量α、βの総計が０．００１モル未満の場合はＣａ成分及び／又はＣｏ成分の添加による比抵抗率ρの上昇効果を得ることができず、信号伝送損失も大きく、伝送特性の悪化を招くからであり、また、Ｃａ成分及びＣｏ成分の含有モル量α、βの総計が０．８モルを超えると比抵抗率ρは低下傾向となり、信号伝送損失も大きくなって伝送特性の悪化を招くおそれがあるからである。
また、上述した一般式〔Ａ〕〜〔Ｆ〕のフェライト磁器組成物中に、Ｍｎ成分及びＺｒ成分の含有量が、酸化物換算で、１．５重量％以下（０重量％を含まず）となるようにＭｎ成分及びＺｒ成分を添加することによっても比抵抗率ρを増大させることができ、かつ誘電損失ｔａｎδを低下させることができる。特に、一般式〔Ｄ〕〜〔Ｆ〕において、Ｍｎ成分及びＺｒ成分の含有量が１．５重量％以下（０重量％を含まず）となるように調製することにより、Ｃａ成分やＣｏ成分の添加効果と相俟ってより大きな比抵抗率ρを得ることが可能となる。
尚、この場合、Ｍｎ成分については主成分である焼結体中に含有されている場合、或いは焼結体にＭｎ化合物を添加する場合があり、またＺｒ成分については焼結体にＺｒ成分を添加する必要があるが、いずれにしてもフェライト磁器組成物中のＭｎ成分及びＺｒ成分が、酸化物換算で、１．５重量％以下（０重量％を含まず）となるように調製することにより、誘電損失ｔａｎδが低く、比抵抗率ρの大きなフェライト磁器組成物を得ることができ、これにより自己バイアス形の非可逆回路素子で更なる低渦電流損を図ることができ、良好な伝送特性を得ることができる。
特に、Ｍｎは１元素で複数の価数を有するため、電荷バランスを調整することが可能であり、高抵抗なマグネトプランバイト型フェライトを得る上で特に好ましい。
尚、Ｍｎ成分及びＺｒ成分の含有量が、酸化物換算で、総計１．５重量％を超えると、却って誘電損失ｔａｎδや比抵抗率ρの低下を招くおそれがあるため、Ｍｎ成分やＺｒ成分を添加する場合は、その含有量が総計で１．５重量％以下となるように制御する必要がある。
次に、上記フェライト磁器組成物を使用した非可逆回路素子について述べる。
図５は、本発明に係る非可逆回路素子の一実施の形態（第１の実施の形態）としての集中定数形サーキュレータを模式的に示した斜視図である。
該集中定数形サーキュレータは、マイクロストリップ線路１ａ、１ｂ、１ｃが互いに１２０℃間隔となるように交叉状に形成され、かつ、これらマイクロストリップ線路１ａ、１ｂ、１ｃの上下両面は絶縁体層２を介して上記フェライト磁器組成物で形成されたフェライト基板３と接触している。そして、マイクロストリップ線路１ａ、１ｂ、１ｃの端子部１ａ′、１ｂ′、１ｃ′には不図示のコンデンサが取り付けられ、フェライト基板３の有するインダクタンスと前記コンデンサとで共振周波数を調整している。
本第１の実施の形態では、例えば、マイクロストリップ線路１ａに電流を流すと、フェライト基板３にはマイクロストリップ線路１ａ、１ｂ、１ｃにより形成される交叉回路により一様な回転磁界が形成される。そして、マイクロ波フェライト３が上記フェライト磁器組成物で形成されているので、１０ＧＨｚ以下や３０〜６０ＧＨｚのマイクロ波帯で磁気損失が小さく十分な非可逆性を有するサーキュレータを得ることが可能となる。しかも、フェライト磁器組成物は、異方性磁界Ｈａにより駆動させているので、永久磁石等の外部磁界を必要とすることなく、サーキュレータの小型・低背化や低コスト化を図ることができる。
図６（ａ）は非可逆回路素子の第２の実施の形態としてのストリップ線路Ｙ接合形サーキュレータであり、図６（ｂ）は図６（ａ）のＡ−Ａ矢視図である。
本第２の実施の形態では、ストリップ線路４の分岐路４ａ、４ｂ、４ｃが円形状の中心部４ｄでＹ字状に接合されており、さらに前記分岐路４ａ、４ｂ、４ｃには補正用のコンデンサ部５ａ、５ｂ、５ｃが形成されている。そして、前記中心部４ｄの上下両面にはフェライト基板６が設けられると共に、該フェライト基板６が挟持状となるように分岐路４ａ、４ｂ、４ｃの上下両面には外部導体７ａ、７ｂが設けられている。
そして、例えば、ＴＭ１１０モードで共振する場合、分岐路４ａに入力された高周波磁界は、フェライト基板６を通過する際に矢印で示すように偏波面が回転し、分岐路４ｂにのみ出力され、サーキュレータを形成する。
本第２の実施の形態でも、フェライト基板６が上記フェライト磁器組成物で形成されているので、１０ＧＨｚ以下や３０〜６０ＧＨｚのマイクロ波帯で磁気損失が小さく十分な非可逆性を有する小型・低背化や低コスト化がなされたサーキュレータを得ることが可能となる。
図７は非可逆回路素子の第３の実施の形態としてのフェライト基板サーキュレータであって、フェライト基板９の表面にＹ字状のストリップ線路１０が形成されている。そして、本第３の実施の形態でも、第２の実施の形態と同様、例えば、ＴＭ１１０モードで共振する場合、分岐路１０ａに入力された高周波磁界は、フェライト基板９上を偏波面が回転し、分岐路１０ｂにのみ出力され、サーキュレータを形成する。
本第３の実施の形態でも、フェライト基板９が上記フェライト磁器組成物で形成されているので、１０ＧＨｚ以下や３０〜６０ＧＨｚのマイクロ波帯で磁気損失が小さく十分な非可逆性を有する小型・低背化や低コスト化がなされたサーキュレータを得ることが可能となる。
図８は非可逆回路素子の第４の実施の形態としての導波管形サーキュレータを模式的に示した斜視図であって、本第４の実施の形態では、Ｙ字状の導波管１１のＹ分岐の中心部に円柱状のフェライト柱１２が挿入されており、上記第２及び第３の実施の形態と略同様に動作し、サーキュレータを形成する。そして、フェライト柱１２が上記フェライト磁器組成物で形成されているので、１０ＧＨｚ以下や３０〜６０ＧＨｚのマイクロ波帯で磁気損失が小さく十分な非可逆性を有する小型・低背化や低コスト化がなされたサーキュレータを得ることが可能となる。
図９（ａ）は非可逆回路素子の第５の実施の形態としての非放射性誘電体線路Ｙ型サーキュレータを模式的に示した斜視図であり、図９（ｂ）は図９（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。尚、図９（ａ）では上下一対の金属板を省略している。
本第５の実施の形態では、誘電体ストリップ１３ａ、１３ｂ、１３ｃが互いに等間隔で１２０°に配設されると共に、一対の円盤状フェライト基板１４ａ、１４ｂが誘電体ストリップ１３ａ、１３ｂ、１３ｃの一方の端部により挟持され、さらに、誘電体ストリップ１３ａ、１３ｂ、１３ｃ及びフェライト基板１４ａ、１４ｂの上下両面に平板状の金属板１５ａ、１５ｂが設けられている。そして、フェライト基板１４ａ、１４ｂにより共振器を構成し、ＨＥ１１δモードで共振する。
本第５の実施の形態でも、フェライト基板１４ａ、１４ｂが上記フェライト磁器組成物で形成されているので、１０ＧＨｚ以下や３０〜６０ＧＨｚのマイクロ波帯で磁気損失が小さく十分な非可逆性を有する小型・低背化や低コスト化がなされたサーキュレータを得ることが可能となる。
図１０は非可逆回路素子の第６の実施の形態としてのファラデー回転形アイソレータを模式的に示した斜視図であって、該ファラデー回転形アイソレータは、支持誘電体１６に挿通されたフェライト棒１７と抵抗板１８ａ、１８ｂとが導波管１９内に収容されている。
そして、例えば、矢印Ｃ方向からのＴＥ１０モードの入力信号は方形−円形変換器２０ａによりＴＥ１１モードに変換される。入力信号の電界は抵抗板１８ａに垂直であるので吸収されずにフェライト棒１７に到達し、正負の円偏波に分解され、正円偏波と負円偏波との透磁率差Δμが位相定数の差となって偏波面が角度θだけ回転する。そして、その結果、フェライト棒１７を通過した入力信号は、抵抗板１８ｂと平行となり、入力信号は吸収される。
一方、矢印Ｄ方向からのＴＥ１０モードの入力信号は方形−円形変換器２０ｂによりＴＥ１１モードに変換される。そして、入力信号の電界は抵抗板１８ｂに垂直であるので吸収されずにフェライト棒１７に到達し、正負の円偏波に分解され、偏波面が角度θだけ回転する。フェライト棒１７を通過した入力信号は抵抗板１８ａと垂直となり導波管１９から出力され、これにより矢印Ｄ方向へのアイソレータが形成される。
そして、本第６の実施の形態でも、フェライト棒１７が上記フェライト磁器組成物で形成されているので、１０ＧＨｚ以下や３０〜６０ＧＨｚのマイクロ波帯で磁気損失が小さく十分な非可逆性を有する小型・低背化や低コスト化がなされたアイソレータを得ることが可能となる。
図１１は非可逆回路素子の第７の実施の形態としてのペリファリ・モード形アイソレータを模式的に示した斜視図であって、該第７の実施の形態は、上記フェライト磁器組成物で形成されたフェライト基板２１の表面に略台形状のストリップ線路２２が形成され、さらに、一部がストリップ線路２２の端部と重畳するようにフェライト基板２１の表面に抵抗体２３が形成されている。
そして、端子２４ａに高周波信号が入力すると、高周波磁界はファラデー効果により矢印Ｅに示すように、ストリップ線路２２の一方の端部を伝播して出力側に進んでゆき、端子２４ｂから出力する。一方、端子２４ｂに高周波信号が入力すると、抵抗体２３の方向に捩れて進行し、高周波信号は抵抗体２３により吸収され、これによりアイソレータを形成している。
そして、本第７の実施の形態でも、フェライト基板２１が上記フェライト磁器組成物で形成されているので、１０ＧＨｚ以下や３０〜６０ＧＨｚのマイクロ波帯で磁気損失が小さく十分な非可逆性を有する小型・低背化や低コスト化がなされたアイソレータを得ることが可能となる。
図１２（ａ）（ｂ）は非可逆回路素子の第８の実施の形態としての導波管共鳴形アイソレータを模式的に示す斜視図であって、フェライト棒２６ａ〜２６ｃが方形状の導波管２５の所定位置に挿入されている。
本第８の実施の形態では、導波管２５を基本モード、すなわちＴＥ１０モードで伝搬する場合、特定位置で高周波磁界は回転し、円偏波となる。そして円偏波には正の円偏波と負の円偏波とがあり、一方の円偏波、例えば正の円偏波が大きな磁気損失として作用する場合、他方の円偏波、例えば負の円偏波は減衰を受けることなく通過する。
そこで、図１２（ａ）（ｂ）に示すように、円偏波が発生する特定位置にフェライト棒２６ａ〜２６ｃを挿入することによってアイソレータを形成することができる。
本第８の実施の形態でも、フェライト棒２６ａ〜２６ｃが上記フェライト磁器組成物で形成されているので、１０ＧＨｚ以下や３０〜６０ＧＨｚのマイクロ波帯で磁気損失が小さく十分な非可逆性を有する小型・低背化や低コスト化がなされたアイソレータを得ることが可能となる。
図１３は非可逆回路素子の第９の実施の形態としての十字ストリップ線路共鳴型アイソレータである。
該第９の実施の形態では、誘電体２９ａ、２９ｂの一方の面に接地導体２７ａ、２７ｂが形成されると共に、誘電体２９の略中央部には円柱状のフェライト柱２８が埋設され、ストリップ線路３０が誘電体２９ａ、２９ｂに挟着されている。また、ストリップ線路３０は整合用のコンデンサ部３１を有すると共に、フェライト柱２８と当接可能となるように、ストリップ線路３０上にはλ／４共振器３２が形成されている。そして、本第９の実施の形態では、ストリップ線路３０とλ／４共振器３２との交点で円偏波が生じるので、図１０と同様の動作原理によりアイソレータが形成される。
本第９の実施の形態でも、フェライト柱２８が上記フェライト磁器組成物で形成されているので、１０ＧＨｚ以下や３０〜６０ＧＨｚのマイクロ波帯で磁気損失が小さく十分な非可逆性を有する小型・低背化や低コスト化がなされたアイソレータを得ることが可能となる。
図１４は本発明に係る無線装置の一実施の形態を示すシステム構成図であって、３１は図１０〜図１３で示されたアイソレータであり、３２は図５〜図９で示されたサーキュレータである。
すなわち、本無線装置は、変調信号が、電圧制御信号（Ｖｏｌｔａｇｅ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ  Ｏｓｃｉｌｌａｔｏｒ：ＶＣＯ）３３に入力されると、アイソレータ３１を経てカプラ３４に入力され、変調信号はカプラ３４によりサーキュレータ３２とミキサ３６とに分割され、サーキュレータ３２に入力された変調信号はアンテナ３５から送信される。
一方、アンテナ３５に入力された受信信号はサーキュレータ３２を経てミキサ３６に入力され、カプラ３４からの変調信号とミキシングされ、受信周波数が引き下げられてＩＦ信号（Ｉｎｔｅｒｍｅｄｉａｔｅ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ：中間周波数）を得ている。
本実施の形態では、上述したアイソレータ及びサーキュレータを使用しているので、数ＧＨｚ帯で使用される携帯電話や数１０ＧＨｚ帯で使用される無線ＬＡＮやミリ波レーダにおいても、磁気損失が小さく十分な非可逆性を有する小型・低背化や低コスト化が可能な無線装置を得ることが可能となる。
次に、本発明の実施例を具体的に説明する。
【実施例１】  表１の組成を有する一般式｛ＳｒＯ・ｎ（Ｆｅ１−ｙＩｎｙ）２Ｏ３｝で表されるフェライト磁器組成物を作製した。
すなわち、フェライト素原料としてＳｒＣＯ３（炭酸ストロンチウム）、Ｆｅ２Ｏ３（酸化鉄）、Ｉｎ２Ｏ３（酸化インジウム）を用意し、これらフェライト素原料を、０．００≦ｙ≦０．３１、ｎ＝５．５０となるように秤量して調合し、ボールミルで湿式混合した後、大気中で仮焼し、その後湿式粉砕して、比表面積が約５ｍ２／ｇの仮焼粉末を作製した。
次いで、この仮焼粉末を酢酸ビニル系バインダと混練してスラリーとし、このスラリーを磁場中で脱水成形し、その後大気中で焼成して焼結体を作製し、一般式｛ＳｒＯ・ｎ（Ｆｅ１−ｙＩｎｙ）２Ｏ３｝で表される試料番号１〜６のフェライト磁器組成物を得た。
次に、これら各試料の飽和磁化Ｍｓ、及び異方性磁界Ｈａを測定し、測定された飽和磁化Ｍｓ、及び異方性磁界Ｈａに基づいて周波数と複素透磁率との関係をシミュレーションし、１０ＧＨｚ及び４０ＧＨｚにおける透磁率差Δμ（非可逆性）、及び正円偏波複素透磁率の虚数部μ＋″（磁気損失）を求めた。
ここで、飽和磁化ＭｓはＶＳＭ（試料振動型磁化測定装置）で測定した。
また、異方性磁界Ｈａは以下のようにして求めた。すなわち、まず、ネットワークアナライザを使用し、反磁界係数Ｎが既知試料の磁気共鳴周波数ｆｒを外部磁界なしで測定し、数式（４）に基づいて異方性磁界Ｈａを算出した。
２πｆｒ＝γ・（Ｈａ−Ｎ・Ｍｓ）…（４）
ここで、γはジャイロ定数（＝２．２１×１０５ｍ／Ａ・ｓ）である。
さらに、高抵抗測定器を用いて四端子法で比抵抗率ρを測定した。
表１は各試料番号の組成と、飽和磁化Ｍｓ、異方性磁界Ｈａ、比抵抗率ρ、透磁率差Δμ、虚数部μ＋″を示している。
2004113250.tif 000003
試料番号１は、従来から使用されているＳｒフェライト（異方性磁界Ｈａ：１５３６ｋＡ／ｍ）であり、１０ＧＨｚでは透磁率差Δμが０．０５（＜０．１）と小さく、所望の非可逆性を得ることができない。また、４０ＧＨｚでは虚数部μ＋″が０．９６（≧０．０５）であり、磁気損失が大きい。
試料番号６は、ｙが０．３１であり、０．３０を超えているため、Ｆｅの含有量が過少となり、このため異方性磁界が「０」となって非可逆性を示さなくなった。
これに対して試料番号２〜５は、ｙが０＜ｙ≦０．３０、ｎが５．５０であるので、従来のＳｒフェライト（試料番号１）に比べて異方性磁界Ｈａを低下させることができ、これにより１０ＧＨｚ及び４０ＧＨｚの少なくともいずれか一方で絶対透磁率差｜Δμ｜が０．１以上となって所望の非可逆性を得ることができ、虚数部μ＋″も０．０５未満となって磁気損失を低減することができる。
すなわち、試料番号４、５は１０ＧＨｚ及び４０ＧＨｚの双方で絶対透磁率差｜Δμ｜が０．１以上となって所望の非可逆性を得ることができ、虚数部μ＋″も０となって磁気損失も生じず、これら双方のマイクロ波帯で使用できる非可逆回路素子を得ることが可能となる。
また、試料番号２は、４０ＧＨｚでは虚数部μ＋″が０．１９となって０．０５以上となり、磁気損失が大きくなるが、１０ＧＨｚでは虚数部μ＋″が０となって磁気損失が生じず、また、この１０ＧＨｚでは絶対透磁率差｜Δμ｜も０．１４（＞０．１）であり、所望の非可逆性を得ることができる。
また、試料番号３は、１０ＧＨｚでは虚数部μ＋″が０．４１となって０．０５以上であるため、磁気損失が大きくなるが、４０ＧＨｚでは虚数部μ＋″が０となって磁気損失が生じず、また、この４０ＧＨｚでは絶対透磁率差｜Δμ｜も０．５５（＞０．１）であり、所望の非可逆性を得ることができる。
【実施例２】  〔実施例１〕と同様の方法・手順で、表２に示すような組成を有する一般式｛ＳｒＯ・ｎ（Ｆｅ１−ｚＡｌｚ）２Ｏ３｝で表されるフェライト磁器組成物を作製した。
すなわち、フェライト素原料としてＳｒＣＯ３（炭酸ストロンチウム）、Ｆｅ２Ｏ３（酸化鉄）、Ａｌ２Ｏ３（酸化アルミニウム）を用意し、これらフェライト素原料を、０．００≦ｚ≦０．３１、ｎ＝５．５０となるように秤量して調合し、ボールミルで湿式混合した後、大気中で仮焼し、その後湿式粉砕して、比表面積が約５ｍ２／ｇの仮焼粉末を作製した。
次いで、この仮焼粉末を酢酸ビニル系バインダと混練してスラリーとし、このスラリーを磁場中で脱水成形し、その後大気中で焼成して焼結体を作製し、一般式｛ＳｒＯ・ｎ（Ｆｅ１−ｚＡｌｚ）２Ｏ３｝で表される試料番号１１〜１５のフェライト磁器組成物を得た。
次に、これら各試料について、〔実施例１〕と同様、飽和磁化Ｍｓ、異方性磁界Ｈａ、及び比抵抗率ρを測定し、測定された飽和磁化Ｍｓ及び異方性磁界Ｈａに基づき各試料の１０ＧＨｚ及び４０ＧＨｚにおける透磁率差Δμ（非可逆性）、正円偏波複素透磁率の虚数部μ＋″（磁気損失）を求めた。
表２は各試料番号の組成と、飽和磁化Ｍｓ、異方性磁界Ｈａ、比抵抗率ρ、透磁率差Δμ、虚数部μ＋″を示している。
2004113250.tif 000004
試料番号１１は、試料番号１（実施例１、表１）と同様、従来から使用されているＳｒフェライト（異方性磁界Ｈａ：１５３６ｋＡ／ｍ）であり、１０ＧＨｚでは透磁率差Δμが０．０５（＜０．１）と小さく、所望の非可逆性を得ることができない。また、４０ＧＨｚでは虚数部μ＋″が０．９６（≧０．０５）であり、磁気損失も大きい。
試料番号１５はｚが０．３１であり、０．３０を超えているため、Ｆｅの含有量が過少となり、このため異方性磁界が「０」となって非可逆性を示さなくなった。
これに対して試料番号１２〜１４は、ｚが０＜ｚ≦０．３０であるので、従来のＳｒフェライト（試料番号１１）に比べて異方性磁界Ｈａを増加させることができ、強磁性共鳴ピークの周波数が高周波側にシフトし、その結果、虚数部μ＋″も０となる。そして、１０ＧＨｚでは絶対透磁率差｜Δμ｜が０．１未満であり非可逆性を得ることはできないが、４０ＧＨｚでは絶対透磁率差｜Δμ｜は０．１以上であり、十分な非可逆性を得ることができる。すなわち、４０ＧＨｚのマイクロ波帯では非可逆性が良好で磁気損失の生じないフェライト磁器組成物を得ることができた。
【実施例３】  〔実施例１〕と同様の方法・手順で、表３に示すような組成を有する一般式｛（Ｓｒ１−ｘＢａｘ）Ｏ・ｎ（Ｆｅ１−ｙ−ｚＩｎｙＡｌｚ）２Ｏ３｝で表されるフェライト磁器組成物を作製した。
すなわち、フェライト素原料としてＳｒＣＯ３（炭酸ストロンチウム）、ＢａＣＯ３（炭酸バリウム）、Ｆｅ２Ｏ３（酸化鉄）、Ｉｎ２Ｏ３（酸化インジウム）、Ａｌ２Ｏ３（酸化アルミニウム）、を用意し、これらフェライト素原料を、０≦ｘ≦１．００、０．００≦ｙ≦０．３１、０．００≦ｚ≦０．３１、４．９０≦ｎ≦６．００となるように秤量して調合し、ボールミルで湿式混合した後、大気中で仮焼し、その後湿式粉砕して、比表面積が約５ｍ２／ｇの仮焼粉末を作製した。
次いで、この仮焼粉末を酢酸ビニル系バインダと混練してスラリーとし、このスラリーを磁場中で脱水成形し、その後大気中で焼成して焼結体を作製し、一般式｛（Ｓｒ１−ｘＢａｘ）Ｏ・ｎ（Ｆｅ１−ｙ−ｚＩｎｙＡｌｚ）２Ｏ３｝で表される試料番号２１〜３８のフェライト磁器組成物を得た。
次に、これら各試料について、〔実施例１〕と同様、飽和磁化Ｍｓ、異方性磁界Ｈａ、及び比抵抗率ρを測定し、測定された飽和磁化Ｍｓ及び異方性磁界Ｈａに基づき各試料の１０ＧＨｚ及び４０ＧＨｚにおける透磁率差Δμ（非可逆性）、正円偏波複素透磁率の虚数部μ＋″（磁気損失）を求めた。
表３は各試料番号の組成と、飽和磁化Ｍｓ、異方性磁界Ｈａ、比抵抗率ρ、透磁率差Δμ、虚数部μ＋″を示している。
2004113250.tif 000005
試料番号２１は、従来から使用されているＳｒフェライト（異方性磁界Ｈａ：１５３６ｋＡ／ｍ）であり、１０ＧＨｚでは透磁率差Δμが０．０５（＜０．１）と小さく、所望の非可逆性を得ることができない。また、４０ＧＨｚでは虚数部μ＋″が０．９６（≧０．０５）であり、磁気損失も大きい。
試料番号２５はｙが０．３１であり、試料番号２６は、ｙ及びｚが０．３１であり、０．３０を超えているため、Ｆｅの含有量が過少となり、このため異方性磁界が「０」となって非可逆性を示さなくなった。
また、試料番号３２は、ｎが４．９０であり、５．００未満であるため、異方性磁界Ｈａが「０」となって非可逆性を示さなくなり、また比抵抗率ρも８．５×１０６Ω・ｃｍと小さくなった。
また、試料番号３８は、ｎが６．００であるため、異方性磁界Ｈａが「０」となって非可逆性を示さなくなり、また比抵抗率ρも５．４×１０６Ω・ｃｍと小さくなった。
これに対して試料番号２２〜２４、２７〜３１、及び３３〜３７は、ｙ及びｚがそれぞれ０＜ｙ≦０．３０、０＜ｚ≦０．３０、ｎが５．００≦ｎ＜６．００であるので、１０ＧＨｚ及び４０ＧＨｚの少なくともいずれか一方で絶対透磁率差｜Δμ｜が０．１以上となって所望の非可逆性を得ることができ、虚数部μ＋″も０．０５未満となって磁気損失を低減することができる。
すなわち、試料番号２２、２７〜３１、及び３３〜３７は、１０ＧＨｚ及び４０ＧＨｚの双方で絶対透磁率差｜Δμ｜が０．１以上となって所望の非可逆性を得ることができ、虚数部μ＋″も０．０５未満となって磁気損失も小さく、これら双方のマイクロ波帯で使用できる非可逆回路素子を得ることが可能となる。
また、試料番号２３、２４は、１０ＧＨｚでは絶対透磁率差｜Δμ｜が０．１未満であり、所望の非可逆性を得ることができなくなるが、４０ＧＨｚでは絶対透磁率差｜Δμ｜も０．１以上であり、所望の非可逆性を得ることができ、虚数部μ＋″も０となって磁気損失が生じないことが分かる。
そして、Ｉｎ３＋及びＡｌ３＋の含有モル量、すなわちｙ及びｚを適宜調整することにより、試料番号２２、２７〜３１、及び３３〜３７のように１０ＧＨｚ及び４０ＧＨｚの双方で非可逆性と低磁気損失を両立させることのできるフェライト磁器組成物を得ることができる。
【実施例４】  表４の組成を有する一般式｛（Ｓｒ１−ｘＢａｘ）Ｏ・ｎ（Ｆｅ１−ｙ−ｚＩｎｙＡｌｚ）２Ｏ３＋αＣａ＋βＣｏ｝のフェライト磁器組成物を作製した。
すなわち、〔実施例１〕と略同様の方法・手順を使用し、フェライト素原料としてのＳｒＣＯ３（炭酸ストロンチウム）、ＢａＣＯ３（炭酸バリウム）、Ｆｅ２Ｏ３（酸化鉄）、Ｉｎ２Ｏ３（酸化インジウム）、Ａｌ２Ｏ３（酸化アルミニウム）がｘ＝０．２、ｎ＝５．５、ｙ＝０．１３、ｚ＝０．１３となるように秤量して調合し、ボールミルを使用して湿式混合した後、大気中で仮焼し、一般式｛（Ｓｒ１−ｘＢａｘ）Ｏ・ｎ（Ｆｅ１−ｙ−ｚＩｎｙＡｌｚ）２Ｏ３｝で表される仮焼粉末を作製した。
次いで、この仮焼粉末（主成分）１モルに対し、ＣａＣＯ３（炭酸カルシウム）、及びＣｏＯ（酸化コバルト）の含有量が、総計で０〜０．９０００モルとなるように添加し、湿式粉砕し、比表面積が約５ｍ２／ｇの仮焼粉砕品を作製した。
次いで、この仮焼粉砕品を酢酸ビニル系バインダ樹脂と混練させてスラリー化し、さらに磁場中で脱水成形機を使用して成形加工を施し、その後大気中で焼成処理を施し、一般式｛（Ｓｒ１−ｘＢａｘ）Ｏ・ｎ（Ｆｅ１−ｙ−ｚＩｎｙＡｌｚ）２Ｏ３＋αＣａ＋βＣｏ｝で表される試料番号４１〜６９のフェライト磁器組成物を得た。
次に、〔実施例１〕と同様、各試料の飽和磁化Ｍｓ、異方性磁界Ｈａ、１０ＧＨｚ及び４０ＧＨｚにおける透磁率差Δμ（非可逆性）、及び正円偏波複素透磁率の虚数部μ＋″（磁気損失）、比抵抗率ρを求めた。
さらに、各試料を、図７に示す非放射性誘電体線路Ｙ型サーキュレータに実装し、ネットワークアナライザを使用して信号伝送損失（挿入損失Ｉ．Ｌ）を測定した。
表４は各試料の組成と、飽和磁化Ｍｓ、異方性磁界Ｈａ、透磁率差Δμ、虚数部μ＋″、比抵抗率ρ、挿入損失Ｉ．Ｌ．を示している。
2004113250.tif 000006
各試料番号４１〜６９は、ｘ、ｙ、ｚ、及びｎが本発明範囲内であるので、絶対透磁率差｜Δμ｜が０．１以上となって所望の非可逆性を得ることができ、虚数部μ＋″も０．０５未満となって磁気損失を低減することができる。
しかしながら、試料番号４１、４２、４９、５６、６５は（α＋β）値が０．００１未満であるため、比抵抗率ρが１．９×１０９〜２．８×１０１０Ω・ｃｍと小さく、挿入損失Ｉ．Ｌ．も１．０６〜１．２４ｄＢと大きくなる。
また、試料番号４８、５５、６０、６４、６９は（α＋β）値が０．８を超えているため、比抵抗率ρが１．６×１０９〜２．９×１０１０Ω・ｃｍ以下と小さく、挿入損失Ｉ．Ｌ．も１．０６〜１．５９ｄＢと大きくなる。
これに対して試料番号４３〜４７、５０〜５５、５７〜５９、６１〜６３、６６〜６８は、（α＋β）値が０．００１０〜０．８００の範囲内にあるため、比抵抗率ρは４．５×１０１０〜１．８×１０１３Ω・ｃｍであり、また挿入損失Ｉ．Ｌ．が０．４６〜０．９９ｄＢであり、比抵抗率ρを増大させて挿入損失Ｉ．Ｌ．を低減することのできるフェライト磁器組成物を得ることができる。
【実施例５】  〔実施例４〕と同様の方法・手順で、表５の組成を有する一般式｛（Ｓｒ１−ｘＢａｘ）Ｏ・ｎ（Ｆｅ１−ｙＩｎｙ）２Ｏ３＋αＣａ＋βＣｏ｝（ｘ＝０、ｎ＝５．５、０≦ｙ≦０．３１、α＝β＝０．２５）で表される試料番号７１〜７６のフェライト磁器組成物を作製した。
また、比較例としてＣａ及びＣｏを添加していないフェライト磁器組成物を作製した。
次に、〔実施例１〕と同様、各試料の飽和磁化Ｍｓ、異方性磁界Ｈａ、１０ＧＨｚ及び４０ＧＨｚにおける透磁率差Δμ（非可逆性）、及び正円偏波複素透磁率の虚数部μ＋″（磁気損失）、比抵抗率ρを求めた。
表５は各試料番号の組成と、飽和磁化Ｍｓ、異方性磁界Ｈａ、透磁率差Δμ、虚数部μ＋″、比抵抗率ρを示している。
2004113250.tif 000007
試料番号７１は、従来のＳｒフェライトにＣａ成分及びＣｏ成分を添加したものであり、１０ＧＨｚでは絶対透磁率差｜Δμ｜が０．０４と小さく所望の非可逆性を得ることができない。また４０ＧＨｚでは虚数部μ＋″が０．９７（≧０．０５）であり、磁気損失が大きくなる。
試料番号７６は、ｙが０．３１であり、０．３０を超えているため、Ｆｅの含有量が過少となり、このため異方性磁界も「０」となって非可逆性を示さなくなる。
また、各試料番号７１〜７６から明らかなように、Ｃａ成分及びＣｏ成分を各０．２５モル添加することにより、添加しない場合に比べ、比抵抗率ρが飛躍的に増大することが分かる。
【実施例６】  〔実施例４〕と同様の方法・手順で、表６の組成を有する一般式｛（Ｓｒ１−ｘＢａｘ）Ｏ・ｎ（Ｆｅ１−ｚＡｌｚ）２Ｏ３＋αＣａ＋βＣｏ｝（ｘ＝０、ｎ＝５．５、０≦ｚ≦０．３１、α＝β＝０．２５）で表される試料番号８１〜８５のフェライト磁器組成物を作製した。
また、比較例としてＣａ及びＣｏを添加していないフェライト磁器組成物を作製した。
次に、〔実施例４〕と同様、各試料の飽和磁化Ｍｓ、異方性磁界Ｈａ、１０ＧＨｚ及び４０ＧＨｚにおける透磁率差Δμ（非可逆性）、及び正円偏波複素透磁率の虚数部μ＋″（磁気損失）、比抵抗率ρを求めた。
表６は各試料番号の組成と、飽和磁化Ｍｓ、異方性磁界Ｈａ、透磁率差Δμ、虚数部μ＋″、比抵抗率ρを示している。
2004113250.tif 000008
試料番号８１は、従来のＳｒフェライトにＣａ成分とＣｏ成分を添加したものであり、１０ＧＨｚでは絶対透磁率差｜Δμ｜が０．０４と小さく所望の非可逆性を得ることができない。また４０ＧＨｚでは虚数部μ＋″が４．９７（≧０．０５）であり、磁気損失が大きくなる。
試料番号８５は、ｚが０．３１であり、０．３０を超えているため、Ｆｅの含有量が過少となり、このため異方性磁界も「０」となって非可逆性を示さなくなる。
また、試料番号８１〜８５から明らかなように、Ｃａ成分及びＣｏ成分を各０．２５モル添加することにより、添加していない比較例に比べ、比抵抗率ρが飛躍的に増大することが分かる。
【実施例７】  〔実施例４〕と同様の方法・手順で、表６の組成を有する一般式｛（Ｓｒ１−ｘＢａｘ）Ｏ・ｎ（Ｆｅ１−ｙ−ｚＩｎｙＡｌｚ）２Ｏ３＋αＣａ＋βＣｏ｝（ｘ＝０、５．０≦ｎ≦６．０、０≦ｚ≦０．３１、０≦ｚ≦０．３１、α＝β＝０．２５）で表される試料番号９１〜１０８のフェライト磁器組成物を作製した。
また、比較例としてＣａ及びＣｏを添加していないフェライト磁器組成物を作製した。
次に、〔実施例４〕と同様、各試料の飽和磁化Ｍｓ、異方性磁界Ｈａ、１０ＧＨｚ及び４０ＧＨｚにおける透磁率差Δμ（非可逆性）、及び正円偏波複素透磁率の虚数部μ＋″（磁気損失）、比抵抗率ρを求めた。
表７は各試料番号の組成と、飽和磁化Ｍｓ、異方性磁界Ｈａ、透磁率差Δμ、虚数部μ＋″、比抵抗率ρを示している。
2004113250.tif 000009
試料番号９１は、従来のＳｒフェライトにＣａ成分とＣｏ成分を添加したものであり、１０ＧＨｚでは絶対透磁率差｜Δμ｜が０．０４と小さく所望の非可逆性を得ることができない。また４０ＧＨｚでは虚数部μ＋″が４．９８（≧０．０５）であり、磁気損失が大きくなる。
試料番号９５は、ｚが０．３１であり、０．３０を超えているため、Ｆｅの含有量が過少となり、このため異方性磁界も「０」となって非可逆性を示さなくなる。
試料番号９６は、ｙ及びｚが共に０．３１であり、０．３０を超えているため、Ｆｅの含有量が過少となり、このため異方性磁界も「０」となって非可逆性を示さなくなる。
また、試料番号１０２、１０８は、ｎが４．９又は６．０であり、５．０≦ｎ＜６．０の範囲外となるため、磁気異方性を示さなくなり、非可逆性を示さなくなる。
また、試料番号９１〜１０８から明らかなように、Ｃａ成分及びＣｏ成分を各０．２５モル添加することにより、添加していない比較例に比べ、比抵抗率ρが飛躍的に増大することが分かる。
【実施例８】  〔実施例１〕と同様の方法・手順で、表８に示すような組成のフェライト磁器組成物を作製した。
すなわち、フェライト素原料としてＳｒＣＯ３（炭酸ストロンチウム）、ＢａＣＯ３（炭酸バリウム）、Ｆｅ２Ｏ３（酸化鉄）、Ｉｎ２Ｏ３（酸化インジウム）、Ａｌ２Ｏ３（酸化アルミニウム）を使用し、ｘ＝０．１０、０．１１≦ｙ≦０．１３、０．０４≦ｚ≦０．０６、５．５０≦ｎ≦５．６０となるように秤量して調合し、ボールミルで湿式混合した後、大気中で仮焼した。次いで、この仮焼物にＭｎＯ及びＺｒＯ２を所定量添加し、湿式粉砕して比表面積が約５ｍ２／ｇの仮焼粉末を作製した。
次に、この仮焼粉末を酢酸ビニル系バインダと混練してスラリーとし、このスラリーを磁場中で脱水成形し、その後大気中で焼成して焼結体を作製し、Ｍｎ成分及びＺｒ成分を含有した一般式｛（Ｓｒ１−ｘＢａｘ）Ｏ・ｎ（Ｆｅ１−ｙ−ｚＩｎｙＡｌｚ）２Ｏ３｝で表される試料番号１１１〜１２２のフェライト磁器組成物を得た。
次に、〔実施例１〕と同様、比抵抗率ρ、各試料の１０ＧＨｚ及び４０ＧＨｚにおける透磁率差Δμ（非可逆性）、正円偏波複素透磁率の虚数部μ＋″（磁気損失）を求め、さらに誘電損失ｔａｎδを摂動法で測定した。
表８は各試料番号の組成と、透磁率差Δμ、虚数部μ＋″、誘電損失ｔａｎδ、比抵抗率ρを示している。
2004113250.tif 000010
試料番号１１６は、Ｍｎ成分とＺｒ成分の含有量の総計が１．５２重量％であり、１．５０重量％を超えているため、誘電損失ｔａｎδが２５×１０−４と大きく、また、比抵抗率ρも６．５×１０６Ω・ｃｍと小さくなっている。
また、試料番号１２２も、Ｍｎ成分とＺｒ成分の含有量の総計が１．６８重量％であり、１．５０重量％を超えているため、誘電損失ｔａｎδが３０×１０−４と大きく、また、比抵抗率ρも５．５×１０６Ω・ｃｍと小さくなっている。
これに対して試料番号１１１〜１１５、及び１１７〜１２１は、Ｍｎ成分とＺｒ成分の含有量の総計が１．５０重量％以下の範囲でＭｎ成分やＺｒ成分を添加しているので、誘電損失ｔａｎδが１．０×１０−４以下と小さく、また、比抵抗率ρも８．１×１０９〜６．８×１０１１Ω・ｃｍと大きくなっている。しかも、１０ＧＨｚ及び４０ＧＨｚで、絶対透磁率差｜Δμ｜が０．１以上なって所望の非可逆性を得ることができ、また、虚数部μ＋″が０．０５未満となって磁気損失を抑制できることが分った。
【実施例９】  〔実施例４〕と同様の方法・手順で、表９の組成を有する一般式｛（Ｓｒ１−ｘＢａｘ）Ｏ・ｎ（Ｆｅ１−ｙ−ｚＩｎｙＡｌｚ）２Ｏ３＋αＣａ＋βＣｏ｝（ｘ＝０、５．０≦ｎ≦６．０、０≦ｚ≦０．３１、０≦ｚ≦０．３１、α＝β＝０．２５）で表され、かつ所定量のＭｎＯ（酸化マンガン）及びＺｒＯ２（酸化ジルコニウム）を添加した試料番号１３２〜１４２のフェライト磁器組成物を作製した。
次に、〔実施例４〕と同様、各試料の１０ＧＨｚ及び４０ＧＨｚにおける透磁率差Δμ（非可逆性）、及び正円偏波複素透磁率の虚数部μ＋″（磁気損失）、比抵抗率ρを求めた。
表９は各試料の組成と、透磁率差Δμ、虚数部μ＋″、比抵抗率ρを示している。
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試料番号１３１〜１４２は、ｘ、ｙ、ｚ、及びｎが本発明範囲内であるので、絶対透磁率差｜Δμ｜が０．１以上となって所望の非可逆性を得ることができ、虚数部μ＋″も０．０５未満となって磁気損失を低減することができる。
しかしながら、試料番号１３６、１４２は、Ｍｎ成分及びＺｒ成分の含有量の総計がそれぞれ１．５２重量％、１．６８重量％であり、１．５０重量％を超えているので、比抵抗率ρがそれぞれ１．１×１０１０Ω・ｃｍ、９．５×１０９Ω・ｃｍと小さい。
これに対して試料番号１３１〜１３５、及び１３７〜１４１は、Ｃａ成分及びＣｏ成分に加え、Ｍｎ成分とＺｒ成分が、総計で１．５０重量％以下の範囲で添加されているので、比抵抗率ρが１．２×１０１３〜１．１×１０１５Ω・ｃｍと飛躍的に増大することが分かった。
【産業上の利用可能性】  以上詳述したよう本発明のフェライト磁器組成物は、１０ＧＨｚ以下や３０〜６０ＧＨｚのマイクロ波帯で使用しても十分な非可逆性を得ることができ、また磁気損失を小さくすることができるので、これらマイクロ波帯で使用されるサーキュレータやアイソレータ、及びこれらサーキュレータやアイソレータを搭載した無線装置に有用である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【国際調査報告】
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