(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被加熱物を収容する加熱室と、
前記加熱室内に高周波を供給する第１高周波電力供給手段および第２高周波電力供給手段と、前記第１高周波電力供給手段および第２高周波電力供給手段から前記加熱室に供給される前記高周波を制御する制御部とを有し、
前記第１高周波電力供給手段および前記第２高周波電力供給手段が、それぞれ、
発振部と、
前記発振部の出力を前記加熱室に供給する給電部と、
前記加熱室から前記発振部方向に戻る高周波反射電力を検知する電力検知部と、を備え、
前記制御部が、前記電力検知部からの検知信号に基づいて、前記第１高周波電力供給手段および第２高周波電力供給手段の前記給電部から供給される高周波を前記第１高周波電力供給手段および前記第２高周波電力供給手段毎に独立して制御する構成とし、
更に前記第１高周波電力供給手段および前記第２高周波電力供給手段における前記給電部が複数であるとともに、
前記第１高周波電力供給手段における前記給電部が前記加熱室において互いに対向する一対の壁面にそれぞれの励振電界または励振磁界の方向が一致するよう設けられ、
前記第２高周波電力供給手段における前記給電部が前記第１高周波電力供給手段における前記給電部が設けられた壁面とは別の壁面、かつ、互いに対向する一対の壁面にそれぞれの励振電界または励振磁界の方向が一致し、かつ、前記第１高周波電力供給手段の前記給電部の励振電界および励振磁界の方向と異なるよう設けられた構成とした高周波処理装置。
【請求項２】
被加熱物を収容する加熱室と、
前記加熱室内に高周波を供給する第１高周波電力供給手段および第２高周波電力供給手段と、前記第１高周波電力供給手段および第２高周波電力供給手段から前記加熱室に供給される前記高周波を制御する制御部とを有し、
前記第１高周波電力供給手段および前記第２高周波電力供給手段が、それぞれ、
発振部と、
前記発振部の出力を前記加熱室に供給する給電部と、
前記加熱室から前記発振部方向に戻る高周波反射電力を検知する電力検知部と、を備え、
前記制御部が、前記電力検知部からの検知信号に基づいて、前記第１高周波電力供給手段および第２高周波電力供給手段の前記給電部から供給される高周波を前記第１高周波電力供給手段および前記第２高周波電力供給手段毎に独立して制御する構成とし、
更に前記第１高周波電力供給手段および前記第２高周波電力供給手段における前記給電部が複数であるとともに、前記第１高周波電力供給手段における前記給電部および前記第２高周波電力供給手段における前記給電部が、前記加熱室における同一の壁面に前記第１高周波電力供給手段および前記第２高周波電力供給手段毎に励振電界または励振磁界の方向を一致させ、かつ、前記第１高周波電力供給手段および前記第２高周波電力供給手段間で励振電界および励振磁界の方向が異なるよう設けられた構成とした高周波処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被加熱物を加熱することができる高周波電力供給手段を備えた高周波処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の高周波を用いた高周波加熱装置は、半導体発振部と、発振部の出力を複数に分割する分配部と、分配された出力をそれぞれ増幅する複数の増幅部と、増幅部の出力を再合成する合成部とを有し、分配部と増幅部との間に位相器を設けたものが知られている（例えば特許文献１参照）。
【０００３】
前述した特許文献１に記載の高周波加熱装置では、位相器はダイオードのオンオフ特性により高周波の通過線路長を切り替える構成としている。また、合成部は９０度および１８０度ハイブリッドを用いることで合成部の出力を２つにすることができ、位相器を制御することで２出力の電力比を変化させたり、２出力間の位相を同相あるいは逆相にさせたりすることができるとされている。また、この種の高周波加熱装置は、一般には電子レンジに代表されるように高周波発生部にマグネトロンと称される真空管を用いている。
【特許文献１】特開昭５６−１３２７９３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、近年、高周波加熱装置を用いた調理を行う際に、無駄な電力を消費することなく短時間で所望の調理を行うために、加熱効率の向上が求められている。
【０００５】
本発明は、前述した要望を満たすためになされたものであり、その目的は、加熱効率を向上させることにより調理時間を短縮できる高周波処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の高周波処理装置は、被加熱物を収容する加熱室と、前記加熱室内に高周波を供給する第１高周波電力供給手段および第２高周波電力供給手段と、前記第１高周波電力供給手段および第２高周波電力供給手段から前記加熱室に供給される前記高周波を制御する制御部とを有し、前記第１高周波電力供給手段および前記第２高周波電力供給手段が、それぞれ、発振部と、前記発振部の出力を前記加熱室に供給する給電部と、前記加熱室から前記発振部方向に戻る高周波反射電力を検知する電力検知部と、を備え、前記制御部が、前記電力検知部からの検知信号に基づいて、前記第１高周波電力供給手段および第２高周波電力供給手段の前記給電部から供給される高周波を前記第１高周波電力供給手段および前記第２高周波電力供給手段毎に独立して制御する構成とし、更に前記第１高周波電力供給手段および前記第２高周波電力供給手段における前記給電部が複数であるとともに、前記第１高周波電力供給手段における前記給電部が前記加熱室において互いに対向する一対の壁面にそれぞれの励振電界または励振磁界の方向が一致するよう設けられ、前記第２高周波電力供給手段における前記給電部が前記第１高周波電力供給手段における前記給電部が設けられた壁面とは別の壁面、かつ、互いに対向する一対の壁面にそれぞれの励振電界または励振磁界の方向が一致し、かつ、前記第１高周波電力供給手段の前記給電部の励振電界および励振磁界の方向と異なるよう設けられた構成としてある。
【０００７】
この構成により、第１高周波電力供給手段の複数ある給電部は、発振部により発生させ加熱室に放射する高周波の励振電界または励振磁界の方向を一致させているので、放射された高周波は相互干渉する。放射される複数の高周波間で相互干渉するので、発振周波数や位相差を調整することにより加熱室内の電磁界分布や給電部を介して発振部方向へ戻る高周波反射電力などの高周波性能を調整できる。すなわち、様々な形状・大きさ・量・設置位置等の異なる被加熱物に対応した最適の高周波性能に設定、換言するとどのような形状、大きさ、量、設置位置であってもこの被加熱物に高周波が最大効率で集中するようにでき、加熱効率が大幅に向上して加熱時間の短縮や均一加熱が可能となる。
また、第１高周波電力供給手段と第２高周波電力供給手段の給電部間では、放射する高周波の励振電界および励振磁界の方向を異ならせているので、放射された高周波は相互干渉しない。第１高周波電力供給手段および第２高周波電力供給手段から放射される高周波間で相互干渉がないため、第１高周波電力供給手段により形成する加熱室内の電磁界分布や給電部を介して発振部方向へ戻る高周波反射電力などの高周波性能に第２高周波電力供給手段から放射される高周波は影響しない。また逆に第２高周波電力供給手段により形成される高周波性能に第１高周波電力供給手段から放射される高周波は影響しない。したがって各高周波電力供給手段によって作り出す高周波性能を低下させるようなことがなく、前記高周波の励振電界または励振磁界の方向を一致させたことによる効果をそのまま生かして加熱時間の短縮を維持することができるとともに、第２高周波電力供給手段により形成される高周波が加わってより一層の加熱時間短縮や均一加熱が可能となる。
【０００８】
また、前記第２高周波電力供給手段にも加熱室から発振部方向に戻る高周波反射電力を検知する電力検知部を設けるとともに給電部を複数設け、前記第２高周波電力供給手段の複数の給電部から前記加熱室へ放射される高周波の励振電界または励振磁界の方向を同じとし、かつ、制御部は第１、第２高周波電力供給手段のうちの少なくとも一つの電力検知部からの検知信号に基づいて、第１高周波電力供給手段および第２高周波電力供給手段の給電部から供給される高周波を制御する構成としてある。
【０００９】
この構成により、第２高周波電力供給手段からの高周波性能も第１高周波電力供給手段と同様発振周波数や位相差を調整することにより加熱室内の電磁界分布や給電部を介して発振部方向へ戻る高周波反射電力などの高周波性能を調整でき、この第２高周波電力供給手段からの高周波も、どのような形状、大きさ、量、設置位置であってもこの被加熱物に最大効率で集中するようになり、更なる加熱効率の向上が可能となって加熱時間の一層の短縮や均一加熱が可能となる。
また、第１高周波電力供給手段および前記第２高周波電力供給手段に設けられている電力検知部によって加熱室から戻る高周波反射電力を最小とする条件を前記第１高周波電力供給手段および前記第２高周波電力供給手段それぞれ独立して検知し、その検知結果に基づいて第１高周波電力供給手段および第２高周波電力供給手段の給電部から供給される高周波をそれぞれ独立して制御して、それぞれ前記第１高周波電力供給手段および前記第２高周波電力供給手段毎に独立した発振周波数などの最適条件で被加熱物を加熱することができるので、加熱性能の更なる向上を図ることができることとなる。
【００１０】
また、前記制御部が第１、第２高周波電力供給手段の各電力検知部からの検知信号に基づいて、第１高周波電力供給手段および第２高周波電力供給手段の給電部から供給される高周波を前記第１高周波電力供給手段および前記第２高周波電力供給手段毎に独立して制御可能な構成としてある。
【００１１】
この構成により、第１高周波電力供給手段および前記第２高周波電力供給手段に設けられている電力検知部によって加熱室から戻る高周波反射電力を最小とする条件を前記第１高周波電力供給手段および前記第２高周波電力供給手段それぞれ独立して検知し、その検知結果に基づいて第１高周波電力供給手段および第２高周波電力供給手段の給電部から供給される高周波をそれぞれ独立して制御して、それぞれ前記第１高周波電力供給手段および前記第２高周波電力供給手段毎に独立した発振周波数などの最適条件で被加熱物を加熱することができるので、加熱性能の向上を図ることができることとなる。
【００１２】
また、前記第１高周波電力供給手段における前記給電部が前記加熱室において互いに対向する一対の壁面にそれぞれの励振電界または励振磁界の方向が一致するよう設けられ、前記第２高周波電力供給手段における前記給電部が前記第１高周波電力供給手段における前記給電部が設けられた壁面とは別の壁面、かつ、互いに対向する一対の壁面にそれぞれの励振電界または励振磁界の方向が一致し、かつ、前記第１高周波電力供給手段の前記給電部の励振電界および励振磁界の方向と異なるよう設けられた構成を有している。
【００１３】
この構成により、第１高周波電力供給手段と第２高周波電力供給手段とが異なる対向する壁面にそれぞれ高周波電力供給手段毎で励振電界または励振磁界の方向が一致し、かつ、異なる高周波電力供給手段間で励振電界および励振磁界の方向が異なるよう設けられているので、第１高周波電力供給手段と第２高周波電力供給手段から供給される高周波の相互干渉が抑えられ、第１高周波電力供給手段による調理と、第２高周波電力供給手段による調理とを同時に行っても、相互の影響が少なく、最適な調理の進行を確保することができる。また、第１高周波電力供給手段および第２高周波電力供給手段をそれぞれ対向する壁面に設けているので、第１高周波電力供給手段と第２高周波電力供給手段の指向性が直交して相互の干渉を更に少なくする。更に、４壁面から高周波を供給するので、加熱を、満遍なく行うことができる。
【００１４】
また、本発明の高周波処理装置は、前記第１高周波電力供給手段における前記給電部および前記第２高周波電力供給手段における前記給電部が、前記加熱室における同一の壁面に前記第１高周波電力供給手段および前記第２高周波電力供給手段毎に励振電界または励振磁界の方向を一致させ、かつ、前記第１高周波電力供給手段および前記第２高周波電力供給手段間で励振電界および励振磁界の方向が異なるようそれぞれ設けられた構成を有している。
【００１５】
この構成により、第１高周波電力供給手段の給電部および第２高周波電力供給手段の給電部をすべて加熱室の同一壁面に設けたので、配線および構造が簡単になり、かつ、第１高周波電力供給手段および第２高周波電力供給手段間の相互干渉による影響を抑え、最適条件を組み合わせた加熱ができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明は、電力検知部によって加熱室の被加熱物を検知した結果に従い、第１高周波電力供給手段および／または第２高周波電力供給手段それぞれの最適条件で被加熱物を加熱することができ、加熱性能の向上を図ることができて、加熱時間の短縮、均一な加熱が可能な高周波処理装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の形態の高周波処理装置について、図面を用いて説明する。
図1は本発明の第１の実施の形態における高周波処理装置の構成図、図２（Ａ）は給電部による励振方向が同一の場合を示す説明図、図２（Ｂ）は給電部による励振方向が異なる場合を示す説明図である。
【００１８】
図１において、高周波発生部１は、第１高周波電力供給手段１Ａおよび第２高周波電力供給手段１Ｂを有している。第１高周波電力供給手段１Ａおよび第２高周波電力供給手段１Ｂは、それぞれ、半導体素子を用いて構成した発振部２ａ，２ｂ、発振部２ａ，２ｂの出力を２分配する電力分配部３ａ，３ｂ、電力分配部３ａ，３ｂそれぞれの出力を増幅する半導体素子を用いて構成した増幅部５ａ〜５ｄ、増幅部５ａ〜５ｄによって増幅された高周波出力を加熱室８内に放射する給電部７ａ〜７ｄを有している。また、電力分配部３ａ，３ｂと増幅部５ａ〜５ｄとを接続する高周波伝送路に挿入され入出力に任意の位相差を発生させる位相可変部４ａ〜４ｄ、発振部２ａ、２ｂと給電部７ａ〜７ｄとの間（ここでは、増幅部５ａ〜５ｄと給電部７ａ〜７ｄとの間）を接続する高周波伝送路に挿入され給電部７ａ〜７ｄから反射する電力を検知する電力検知部６ａ〜６ｄ、電力検知部６ａ〜６ｄによって検知される反射電力に応じて発振部２ａ，２ｂの発振周波数と位相可変部４ａ〜４ｄの位相量を制御する制御部１０とで構成している。
【００１９】
制御部１０は発振部２ａ、２ｂおよび位相可変部４ａ〜４ｄを制御することにより、第１高周波電力供給手段１Ａおよび第２高周波電力供給手段１Ｂを独立して別個に制御できるようになっている。なお、制御部１０には各種のスイッチを有する操作部１１が接続されており、使用者は操作部１１を通じて調理メニューを選択する。
【００２０】
また、本発明の高周波処理装置は、被加熱物を収納する略直方体構造からなる加熱室８を有し、加熱室８は金属材料からなる左壁面、右壁面、底壁面、上壁面、奥壁面および被加熱物を収納するために開閉する開閉扉(図示していない)と、被加熱物を載置する載置台から構成し、供給される高周波を内部に閉じ込めるように構成している。
【００２１】
そして、高周波発生部１の出力が伝送されその高周波を加熱室８内に放射供給する給電部７ａ〜７ｄが加熱室８を構成する壁面に配置されている。ここでは、第１高周波電力供給手段１Ａは一対（複数）の給電部７ａ、７ｂを加熱室８の上壁面と底面の略中央にそれぞれ配置し、第２高周波電力供給手段１Ｂの一対（複数）の給電部７ｃ，７ｄを対向構成の左壁面と右壁面の略中央にそれぞれ設けた構成をしている。すなわち、第１高周波電力供給手段１Ａの給電部７ａ、７ｂと、第２高周波電力供給手段１Ｂの給電部７ｃ、７ｄとは、異なる対向する壁面に設けられることになる。
【００２２】
なお、第１高周波電力供給手段１Ａにおける複数の給電部７ａ、７ｂの励振電界方向Ａが同じであり、かつ、第２高周波電力供給手段１Ｂにおける給電部７ｃ、７ｄの励振電界方向Ｂと異なるように配置されている。すなわち、図２（Ａ）に示すように、第１高周波電力供給手段１Ａにおける複数の給電部７ａ、７ｂの励振電界方向Ａを例えば奥行き方向に設定する場合には、第２高周波電力供給手段１Ｂにおける給電部７ｃ、７ｄの励振電界方向Ｂを上下方向に設定し、第１高周波電力供給手段１Ａと第２高周波電力供給手段１Ｂの励振電界方向を異ならせている。
【００２３】
このように、第１高周波電力供給手段１Ａの給電部７ａ、７ｂと第２高周波電力供給手段１Ｂの給電部７ｃ、７ｄとが異なる対向する壁面に設けられ、各給電部から放射される高周波の励振電界または励振磁界の方向を高周波電力供給手段毎に一致させ、更に、異なる高周波電力供給手段間で違えているので、第１高周波電力供給手段１Ａによる最適条件での加熱と、第２高周波電力供給手段１Ｂによる最適条件での加熱とを同時に行っても、相互間の干渉による影響を抑えることができ、両高周波電力供給手段それぞれで期待される最適な仕上がりの調理が行なえる。また、第１高周波電力供給手段および第２高周波電力供給手段をそれぞれ対向する壁面に設け４壁面から高周波を供給しているので、調理を、満遍なく行うことができる。
【００２４】
増幅部５ａ〜５ｄは、低誘電損失材料から構成した誘電体基板の片面に形成した導電体パターンにて回路を構成し、各増幅部の増幅素子である半導体素子を良好に動作させるべく各半導体素子の入力側と出力側にそれぞれ整合回路を配している。各々の機能ブロックを接続する高周波伝送路は、誘電体基板の片面に設けた導電体パターンによって特性インピーダンスが略５０Ωの伝送回路を形成している。
【００２５】
電力分配部３ａ，３ｂは、例えばウィルキンソン型分配器のような出力間に位相差を生じない同相分配器であってもよいし、ブランチライン型やラットレース型のような出力間に位相差を生じる分配器であってもかまわない。この電力分配部３ａ，３ｂによって各々の出力には発振部２ａ，２ｂから入力された高周波電力の略１／２の電力が伝送される。
【００２６】
また、位相可変部４ａ〜４ｄは、印加電圧に応じて容量が変化する容量可変素子を用いて構成し、各々の位相可変範囲は、０度から略１８０度の範囲としている。これによって位相可変部４ａ〜４ｄより出力される高周波電力の位相差は０度から±１８０度の範囲を制御することができる。
【００２７】
また、電力検知部６ａ〜６ｄは、加熱室８側から給電部７ａ〜７ｄを介して発振部２ａ、２ｂ方向に戻る高周波反射電力を抽出するものであり、電力結合度をたとえば約４０ｄＢとし、反射電力の約１／１００００の電力量を抽出する。この電力信号はそれぞれ、検波ダイオード(図示していない)で整流化しコンデンサ(図示していない)で平滑処理し、その出力信号を制御部１０に入力させている。
【００２８】
制御部１０は、使用者が直接入力する被加熱物９の加熱条件あるいは加熱中に被加熱物９の加熱状態から得られる加熱情報と電力検知部６ａ〜６ｄが検知した検知情報に基づいて、高周波発生部の構成要素である発振部２ａ，２ｂと増幅部５ａ〜５ｄのそれぞれに供給する駆動電力の制御や位相可変部４ａ〜４ｄに供給する電圧を制御して、加熱室８内に収納された被加熱物９を最適に加熱する。
【００２９】
また、高周波発生部１には主に増幅部５ａ〜５ｄに備えた半導体素子の発熱を放熱させる放熱手段(図示していない)を配する。
【００３０】
以上のように構成された高周波処理装置について、以下その動作、作用を説明する。
まず被加熱物９を加熱室８に収納し、その加熱条件を操作部１１から入力し、加熱開始キーを押す。加熱開始信号を受けた制御部１０の制御出力信号により高周波発生部１が動作を開始する。制御手段１０は、駆動電源（図示していない）を動作させて発振部２ａおよび２ｂに電力を供給する。この時、発振部２ａ、２ｂの初期の発振周波数は、たとえば２４００ＭＨｚに設定する電圧信号を供給し、発振が開始する。
【００３１】
発振部２ａ、２ｂを動作させると、その出力は電力分配部３ａ、３ｂにて各々略１／２分配され、４つの高周波電力信号となる。以降、駆動電源を制御して増幅部５ａ〜５ｄを動作させる。
そしてそれぞれの高周波電力信号は並列動作する増幅部５ａ〜５ｄ、電力検知部６ａ〜６ｄを経て給電部７ａ〜７ｄにそれぞれ出力され加熱室８内に放射される。このときの増幅部５ａ〜５ｄはそれぞれ１００Ｗ未満、たとえば５０Ｗの高周波電力を出力する。
【００３２】
加熱室８内に供給される高周波電力が被加熱物９に１００％吸収されると加熱室８からの高周波反射電力は０Ｗになるが、実際には被加熱物の種類・形状・量や被加熱物を含む加熱室８で決まるインピーダンスと、高周波発生部１の出力インピーダンスとの整合ずれにより、加熱室８側から給電部７ａ〜７ｄを介して発振部２ａ、２ｂ方向に反射する高周波反射電力が生じる。電力検出部６ａ〜７ｄは、この高周波反射電力を検出し、その電力量に比例した信号を検出するものであり、その検出信号を受けた制御部１０は、高周波反射電力が極小値となる発振周波数および位相差の選択を行う。
【００３３】
制御部１０は、発振部２ａおよび２ｂの発振周波数を２４００ＭＨｚから例えば１ＭＨｚピッチで、周波数可変範囲の上限である２５００ＭＨｚまで変化させながら電力検出部６ａ〜７ｄで高周波反射電力を検出することにより、高周波反射電力を最小とする発振周波数の情報を得る。同様に制御部１０は、位相可変部４ａ〜４ｄによって生じる位相差を０度から変化させながら電力検出部６ａ〜７ｄで高周波反射電力を検出することにより、高周波反射電力を最小とする位相差の情報を得る。
【００３４】
なお、第１高周波電力供給手段１Ａおよび第２高周波電力供給手段１Ｂ毎に励振電界または励振磁界の方向を一致させているので、給電部７ａと７ｂおよび、７ｃと７ｄの組合せで供給される高周波間で相互干渉が発生し、両高周波電力供給手段１Ａ、１Ｂ毎の周波数や位相差制御により、両高周波電力供給手段１Ａ、１Ｂそれぞれにより発生する加熱室８内の電磁界分布およびそれぞれへの高周波反射電力が影響を受けて変動する。
【００３５】
また、第１高周波電力供給手段１Ａおよび第２高周波電力供給手段１Ｂ間で励振電界および励振磁界の方向を異ならせているので、両高周波電力供給手段間で相互干渉による影響が抑えられ、第１高周波電力供給手段１Ａおよび第２高周波電力供給手段１Ｂそれぞれの最適条件で独立して加熱を行うことができる。
【００３６】
制御部１０はこの高周波反射電力が最も小さくなる発振部２ａ、２ｂおよび位相可変部４ａ〜４ｄの位相差の条件で制御するとともに発振出力を入力された加熱条件に対応した出力が得られるように制御する。これにより、各増幅部５ａ〜５ｄはそれぞれ所定の高周波電力を出力する。そして、それぞれの出力は給電部７ａ〜７ｄに伝送され加熱室８内に放射される。
【００３７】
このように動作することで様々な形状・大きさ・量の異なる被加熱物に対しても高周波反射電力が最も小さくなる条件で加熱を開始することができ、増幅部５ａ〜５ｄに備えられた半導体素子が高周波反射電力によって過剰に発熱することを防止でき熱的な破壊を回避することができる。
なお、上記の説明では、位相可変部を２つ挿入した例で説明したが、電力分配部３ａのいずれかの出力にのみ挿入し、その位相変化幅を０度から３６０度となるように構成することもできる。
【００３８】
また、第１、第２高周波電力供給手段に給電部を夫々設けて、夫々の給電部から加熱室へ放射される高周波の励振電界または励振磁界の方向を同じとし、かつ、制御部は第１、第２高周波電力供給手段の各電力検知部からの検知信号に基づいて、第１高周波電力供給手段および第２高周波電力供給手段の給電部から供給される高周波を独立して制御する構成としたが、高周波の制御は第１、第２高周波電力供給手段の一つとしてもよく、また、電力検知部はどちらか一方の高周波電力供給手段にのみ設けてその検知信号で両方の高周波電力供給手段を制御或は複数の給電部を有する高周波電力供給手段を制御してもよく、また、一方の高周波電力供給手段の給電部は一つとして単に高周波を供給するだけとしてもよく、本発明の趣旨の範囲で変更可能である。
【００３９】
以上、説明した高周波処理装置の制御方法によれば、第１高周波電力供給手段１Ａおよび２高周波電力供給手段１Ｂの給電部７ａ〜７ｄから加熱室８に供給され、被加熱物９を介して戻ってくる高周波反射電力を検知して情報を得て、検知結果に応じて制御部１０が第１高周波電力供給手段１Ａおよび第２高周波電力供給手段１Ｂの給電部７ａ〜７ｄをそれぞれの高周波反射電力を最小とする条件で制御して被加熱物９の加熱調理を行うので、加熱効率の向上を図ることができることとなる。この際、制御部１０は第１高周波電力供給手段１Ａと第２高周波電力供給手段１Ｂとを独立して別個に制御することができ、第１高周波電力供給手段１Ａと第２高周波電力供給手段１Ｂ間は相互干渉が少なく、それぞれの加熱に影響が出ないので、それぞれ検知した情報に基づいて、第１高周波電力供給手段１Ａおよび第２高周波電力供給手段１Ｂをそれぞれの最適条件で制御して、効率のよい調理を行うことができる。
【００４０】
次に、本発明にかかる高周波処理装置の第２実施形態について説明する。
図３は本発明の第２実施形態にかかる高周波処理装置を示す構成図である。なお、前述した第１実施形態にかかる高周波処理装置と共通する部位には同じ符号を付して、重複する説明を省略することとする。
【００４１】
図３に示すように、第２実施形態にかかる高周波処理装置は、加熱室８における互いに対向する一対の壁面のうちの一方（左壁面）に第１高周波電力供給手段１Ａにおける給電部７ａ、７ｂのうちの一方（７ａ）と、第２供給手１Ｂにおける給電部７ｃ、７ｄのうちの一方（７ｃ）とが設けられ、加熱室８における互いに対向する一対の壁面のうちの他方（右壁面）に第１高周波電力供給手段１Ａにおける給電部７ａ、７ｂのうちの他方（７ｂ）と、第２高周波電力供給手段１Ｂにおける給電部７ｃ、７ｄのうちの他方（７ｄ）とが設けられている。すなわち、第１高周波電力供給手段１Ａの給電部７ａ、７ｂと第２高周波電力供給手段１Ｂの給電部７ｃ、７ｄが同じ対向する壁面に設けられることとなる。
【００４２】
このように構成しても、前述した第１実施形態の場合と同様の作用効果を得ることができる。
【００４３】
なお、本発明の高周波処理装置は、前述した各実施形態に限定されるものでなく、適宜な変形，改良等が可能である。
【００４４】
また、給電部７ａ〜７ｄの配置は前述した図１および図３に示す場合に拘束されるものではなくいずれかの壁面に複数の給電部を設けてもよいし、対向面ではない例えば右壁面と底壁面のような隣接する組合せで対となる給電部を構成してもかまわない。例えば、第１高周波電力供給手段における給電部および第２高周波電力供給手段における給電部を、加熱室における同一の壁面にそれぞれ設けることもできる。これにより、第１高周波電力供給手段の給電部および第２高周波電力供給手段の給電部をすべて加熱室の同一壁面に設けたので、配線および構造が簡単になる。
【産業上の利用可能性】
【００４５】
以上のように、本発明にかかる高周波処理装置は、発振部により発生させた高周波を給電部を介して加熱室に供給する第１高周波電力供給手段と第２高周波電力供給手段を有し、第１高周波電力供給手段および第２高周波電力供給手段に設けられている電力検知部によって加熱室の被加熱物を検知し、第１高周波電力供給手段および第２高周波電力供給手段によって最適な条件で被加熱物を加熱することができ、加熱性能の向上を図ることができるという効果を有し、複数の最適な条件で被加熱物を加熱調理することができる高周波電力供給手段を備えた高周波処理装置等として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の第１の実施の形態における高周波処理装置の構成図
【図２】（Ａ）は給電部による励振方向が同一の場合を示す説明図、（Ｂ）は給電部による励振方向が異なる場合を示す説明図
【図３】本発明の第２実施形態にかかる高周波処理装置を示す構成図
【符号の説明】
【００４７】
１Ａ  第１高周波電力供給手段
１Ｂ  第２高周波電力供給手段
２ａ、２ｂ  発振部
６ａ〜６ｄ  電力検知部
７ａ〜７ｄ  給電部
８  加熱室
９  被加熱物
１０  制御部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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