(57)【要約】コア基材（１１０）の両面の粗面化された基材面（１１０Ｓ）に、それぞれ、セミアディティブ法にて配線層（１９１，１９２）を１層だけ設ける。コア基材に配設したスルーホール（１８０）を介して前記コア基材の両側の配線層の配線が電気的に接続されている。スルーホールは、コア基材にレーザにて形成された貫通孔からなり、貫通孔内はめっき形成された導通部（１９３）で充填されている。所定の端子部（１７０）を露出させた状態で、コア基材両面がソルダーレジスト（１６０）により覆われる。スルーホールの外表面および配線層の配線部の外表面側は、機械的研磨、化学機械的研磨等により、平坦化処理されている。
2004103039.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
両面に粗面化された基材面を有するコア基材と、
コア基材の各基材面に設けられた配線層とを備え、
各配線層同志はコア基材に設けられた貫通孔を介して導通されていることを特徴とする両面配線基板。
【請求項２】
貫通孔内には導通部が充てんされていることを特徴とする請求項１記載の両面配線基板。
【請求項３】
コア基材の両面に設けられた各配線層に、端子部を露出させた状態でソルダーレジストを設けたことを特徴とする請求項２記載の両面配線基板。
【請求項４】
コア基材の両面に設けられた各配線層の外面は、貫通孔の導通部の外面とともに平坦化処理されていることを特徴とする請求項２記載の両面配線基板。
【請求項５】
コア基材の両面の基材面の表面粗さは、各々十点平均粗さＲｚＪＩＳが２μｍ〜１０μｍの範囲内にあることを特徴とする請求項２記載の両面配線基板。
【請求項６】
両面配線基板は、半導体パッケージ用の両面配線基板であることを特徴とする請求項２記載の両面配線基板。
【請求項７】
コア基材の一面側の端子部は、半導体チップと接続するための接続パッドとなっており、
他面側の端子部は外部回路と接続するための外部接続端子となっていることを特徴とする請求項３記載の両面配線基板。
【請求項８】
コア基材の両面に設けられた端子部は、内側から外側に向って順に配置されたＮｉめっき層と、Ａｕめっき層とを有することを特徴とする請求項３記載の両面配線基板。
【請求項９】
貫通孔内面に導電めっき層が設けられ、貫通孔内にレジストが充てんされていることを特徴とする請求項１記載の両面配線基板。
【請求項１０】
コア基材の両面に設けられた各配線層に、端子部を露出させた状態でソルダーレジストを設けたことを特徴とする請求項９記載の両面配線基板。
【請求項１１】
コア基材の両面の基材面の表面粗さは、各々十点平均粗さＲｚＪＩＳが２μｍ〜１０μｍの範囲内にあることを特徴とする請求項９記載の両面配線基板。
【請求項１２】
両面配線基板は、半導体パッケージ用の両面配線基板であることを特徴とする請求項９記載の両面配線基板。
【請求項１３】
コア基材の一面側の端子部は、半導体チップと接続するための接続パッドとなっており、
他面側の端子部は外部回路と接続するための外部接続端子となっていることを特徴とする請求項１０記載の両面配線基板。
【請求項１４】
コア基材の両面に設けられた端子部は、内側から外側に向って順に配置されたＮｉめっき層と、Ａｕめっき層とを有することを特徴とする請求項１０記載の両面配線基板。
【請求項１５】
コア基材の貫通孔は断面が略台形形状を有することを特徴とする請求項１記載の両面配線基板。
【請求項１６】
コア基板の貫通孔は一端から内部に向ってその孔径が減少し断面が第１台形形状を有するとともに、内部から他端に向ってその孔径が増加し断面が第２台形形状を有することを特徴とする請求項１記載の両面配線基板。
【請求項１７】
貫通孔の第１台形形状は、第２台形形状より大きな形状を有することを特徴とする請求項１６記載の両面配線基板。
【請求項１８】
両面に粗面化された基材面を有するコア基材と、コア基材の各基材面に設けられた配線層とを備え、各配線層同志はコア基材に設けられた貫通孔を介して導通されている両面配線基板の製造方法において、
コア基材用の絶縁性樹脂フィルムの両面に、粗面を有するＣｕ箔をこの粗面が絶縁性樹脂フィルム側を向くようにして圧着積層する工程と、
絶縁性樹脂フィルム上のＣｕ箔をエッチング除去して、Ｃｕ箔の粗面を絶縁性樹脂フィルムの両面に転写することによりコア基材を作製する工程と、
このコア基材に貫通孔をレーザにより形成する工程と、
コア基材の両面および貫通孔内面に無電解めっきを施して、無電解めっき層を形成する工程と、
コア基材の両面にレジストパターンを形成し、無電解めっき層を通電層として電解Ｃｕめっきを施し、電解Ｃｕめっき層を形成する工程と、
レジストパターンを除去した後、外方へ露出する不要の無電解めっき層をフラッシュエッチングにより除去する工程と、
を備えたことを特徴とする両面配線基板の製造方法。
【請求項１９】
電解Ｃｕめっき層を形成する際、電解めっき層により貫通孔内に充てんされる導電部を形成することを特徴とする請求項１８記載の両面配線基板の製造方法。
【請求項２０】
無電解めっき層を形成する前に、貫通孔内面にデスミア処理を施すことを特徴とする請求項１９記載の両面配線基板の製造方法。
【請求項２１】
電解Ｃｕめっき層に対して、機械的研磨あるいは化学機械的研磨を行って、電解Ｃｕめっき層を平坦化することを特徴とする請求項１９記載の両面配線基板の製造方法。
【請求項２２】
無電解めっき層をフラッシュエッチングにより除去した後、コア基材の両面の電解Ｃｕめっき層上に感光性のソルダーレジストを塗布してソルダーレジスト層を形成する工程と、
ソルダーレジスト層をマスキング露光し、現像して電解Ｃｕめっき層の一部を露出させて端子部を形成する工程と、
を更に備えたことを特徴とする請求項１９記載の両面配線基板の製造方法。
【請求項２３】
絶縁性樹脂フィルムに圧着されるＣｕ箔の粗面は、十点平均粗さＲｚＪＩＳが２μｍ〜１０μｍの表面粗さを有することを特徴とする請求項１９記載の両面配線基板の製造方法。
【請求項２４】
コア基材の一方の面にレーザを過剰に反射しない当て板を配置し、コア基材の他方の面からレーザ照射を行なってコア基材に貫通孔を形成することを特徴とする請求項１９記載の両面配線基板の製造方法。
【請求項２５】
端子部表面に、順にＮｉめっきおよびＡｕめっきを施すことを特徴とする請求項２２記載の両面配線基板の製造方法。
【請求項２６】
電解Ｃｕめっき層を形成する際、コア基材の両面にドライフィルムレジストを設け、マスキング露光を行い、現像してレジストパターンを形成することを特徴とする請求項１９記載の両面配線基板の製造方法。
【請求項２７】
無電解めっき層をフラッシュエッチングにより除去した後、コア基材の両面の電解Ｃｕめっき層上に感光性のソルダーレジストを塗布してソルダーレジスト層を形成するとともに、絶縁樹脂部により貫通孔を充てんする工程と、
ソルダーレジスト層をマスキング露光し、現像して電解Ｃｕめっき層の一部を露出させて端子部を形成する工程と、
を更に備えたことを特徴とする請求項１８記載の両面配線基板の製造方法。
【請求項２８】
絶縁性樹脂フィルムに圧着されるＣｕ箔の粗面は、十点平均粗さＲｚＪＩＳが２μｍ〜１０μｍの表面粗さを有することを特徴とする請求項２７記載の両面配線基板の製造方法。
【請求項２９】
コア基材の一方の面にレーザを過剰に反射しない当て板を配置し、コア基材の他方の面からレーザ照射を行なってコア基材に貫通孔を形成することを特徴とする請求項２７記載の両面配線基板の製造方法。
【請求項３０】
端子部表面に、順にＮｉめっきおよびＡｕめっきを施すことを特徴とする請求項２７記載の両面配線基板の製造方法。
【請求項３１】
電解Ｃｕめっき層を形成する際、コア基材の両面にドライフィルムレジストを設け、マスキング露光を行い、現像してレジストパターンを形成することを特徴とする請求項２７記載の両面配線基板の製造方法。
【請求項３２】
両面に粗面化された基材面を有するコア基材と、コア基材の各基材面に設けられた配線層とを備え、各配線層同志はコア基材に設けられた貫通孔を介して導通されている両面配線基板と、
この両面配線基板の一側に絶縁樹脂部を介して設けられた追加配線基板とを備え、
追加配線基板は両面に基材面を有する追加コア基材と、追加コア基材の各基材面に設けられた追加配線層とを備え、各追加配線層同志は追加コア基材に設けられた追加貫通孔を介して導通されていることを特徴とする多層配線基板。
【請求項３３】
両面配線基板と追加配線基板はバンプを介して接続されていることを特徴とする請求項３２記載の多層配線基板。
【請求項３４】
バンプは両面配線基板の貫通孔に対応する位置に設けられていることを特徴とする請求項３３記載の多層配線基板。
【請求項３５】
両面配線基板の貫通孔には導通部が充てんされていることを特徴とする請求項３４記載の多層配線基板。
【請求項３６】
両面に粗面化された基材面を有するコア基材と、コア基材の各基材面に設けられた配線層とを備え、各配線層同志はコア基材に設けられた貫通孔を介して導通されている両面配線基板と、
この両面配線基板の両側に絶縁樹脂部を介して設けられた追加配線層と、を備えたことを特徴とする多層配線基板。
【請求項３７】
各追加配線層に、追加端子部を露出させた状態で追加絶縁樹脂部を設けたことを特徴とする請求項３６記載の多層配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本発明は、コア基材の両面に配線層を設け、コア基材に配設した貫通孔を介して両面の配線層を電気的に接続し、且つ、所定の端子部を露出させた状態で、その両面を覆うソルダーレジストを配設した両面配線基板、およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】  近年、電子機器の益々の小型化や軽量化に対応する為、多層のプリント基板（以下、多層配線基板とも言う）においては、従来の貼り合わせ型のプリント基板に比べて、微細な配線パターンを高密度に収容できるものとして、コア基材の両面に配線層を配設したコア基板を用い、該コア基材の両面に、順に絶縁層、配線層からなるビルドアップ層を、更に積層形成していくビルドアップ方式の、ビルドアップ型の多層配線基板（以下ビルドアップ基板とも言う）が、各種開発されており、その作製法も種々である。【０００３】  また、電子機器の小型化に対応するために、電子機器に搭載される半導体部品を高密度に実装することが要求されており、半導体デバイスの性能向上に伴なう要求として、半導体チップをフェースダウン構造にてマザーボード等の配線回路基板に実装するフリップチップ方式が注目されている。【０００４】  このような中、ビルドアップ型の多層配線基板（ビルドアップ基板）をインターポーザとして用い、該両面配線基板に半導体チップをフリップチップ方式式あるいはワイヤボンディング方式で実装することも行われるようになってきた。【０００５】  例えば、図９に示すように、多層配線基板１０のソルダーレジスト１２上にフェースダウンで半導体チップ２０をフリップチップ方式にて半田バンプ２１にて接合して搭載し、半導体チップ２０と多層配線基板１０のソルダーレジスト１２間の空隙にアンダーフィル３０を充填し、更に封止用樹脂４０により半導体チップ２０と、半田バンプ２１と、配線部材１１とを封止している。
尚、フリップチップとはベアチップにＡｕや半田のバンプという接続突起をつけたものからなり、多ピンで高周波特性や小型化の要求から、端子は、通常、エリアアレイ状で、実装性も狭ピッチのものが採用されている。【０００６】  フリップチップ法はＩＢＭにより１９６３年に実用化された方法で、フリップチップのバンプを介して回路基板の配線電極と接続するものであり、チップマウウントと電気的接続とを一度に行なうため、チップのピン数が増えても組み立てに要する時間が増えず、多ピン対応に優れた接続方式と言える。【０００７】  ここで、１例として、従来のビルドアップ基板におけるコア基板の製造方法を、図７に基づいて簡単に説明しておく。【０００８】  先ず、コア材７１１の両面に銅箔７１２を配設した銅張積層板７１０に、ドリルマシンを用いて機械的にスルーホール７１５を形成する。（図７（ａ））【０００９】  次に、スルーホール７１５内を洗浄し、無電解めっきにより全面に所定の厚みで銅めっき層７２０を形成して、スルーホール７１５（図７（ａ））内を導電化し、その後、電解銅めっきにより全面に所定の厚みで銅めっき銅めっき層７３０を形成して、スルーホール７１５内を電気的に接続させる。（図７（ｂ））【００１０】  次いで、スルーホール７１５内に導電性金属材料あるいは非導電性ペーストからなる充填材料７４０を充填し、物理的研磨による表面平滑処理を行なう。（図７（ｃ））【００１１】  その後、ドライフィルムレジストあるいは液状レジストにより成膜処理を行ない、所定のパターン露光、現像を行なってレジストパターンを形成する。次にこのレジストパターンをマスクとして銅めっき層７３０、無電解銅７２０、銅箔７１２をパターンエッチングすることにより、めっきスルーホール部７５０、所望の回路配線（図示せず）を形成して、コア基板７６０が形成される。（図７（ｄ））【００１２】  この後、このようにして、製造されたコア基板７６０（図７（ｄ））の両面に、ビルドアップ法により高密度配線を形成して、ビルドアップ多層配線基板を形成する。このビルドアップ多層配線基板は、半導体パッケージ用のインターポーザとして、例えば、図８に示すようにして用いる。
図８に示される多層配線基板８１０は、以下のように製造することができる。【００１３】  即ち、コア基板７６０（図７（ｄ））の両面にガラスクロスエポキシ樹脂（プリプレグ）ないし樹脂の絶縁層８５１、８５１ａを形成し、炭酸ガスレーザ、もしくは、ＵＶ−ＹＡＧレーザを用いてコア基板７６０上のめっきスルーホール７５０（図７（ｄ））や回路配線の所望箇所が露出するように小径の孔部を各絶縁層８５１、８５１ａの所定位置に形成する。【００１４】  そして、洗浄後、孔部内に無電解めっきにより導電層を形成し、ドライフィルムレジストをラミネートして所定のパターンをマスクとして、上記の孔部を含む露出部に電解めっきによりビア８７１を形成して１層目のビルドアップ層を形成する。【００１５】  この操作を繰り返して複数のビルドアップ層（図示例では両面に各２層）を形成して多層配線基板８１０が製造される。【００１６】  そして、半導体チップ搭載側のビルドアップ層には、必要な配線とともに、半導体チップ搭載用の接続パッド８６５が形成されている。【００１７】  次いで、接続用パッド部８６５、８５５を開口して、ソルダーレジスト８８５を配設しておく。【００１８】  このような多層配線基板８１０では、半導体チップ搭載用の接続パッド８６５に半田等の金属バンプ８９１を介して半導体チップ８９０を搭載することができる。【００１９】  また、多層配線基板８１０の裏面側外部接続端子８８０が設けられており、プリント配線板（マザーボード等）に搭載することができる。
尚、図８は、多層配線基板の一部を、簡略化して示したものである。
勿論、図８に示すビルドアップ多層配線基板に半導体チップをワイヤボンディング接続して、該多層配線基板を半導体パッケージ用のインターポーザとして用いることもできる。【００２０】  図７に示す従来の方法により形成されたコア基板７６０は、メカニカルドリルでスルーホールを形成し、サブトラクティブ法で配線を形成しているため、スルーホール径／ランド径としては、１５０μｍ／３５０μｍレベルより小さくすることが困難であり、また、サブトラクティブ法によるライン形成のため、ライン／スペースとしては、５０μｍ／５０μｍ以下の製造が困難である。【００２１】  このようなコア基板７６０だけでは、配線の密度を上げられないために、現実的には、図８に示すようなビルドアップ層２層、あるいは１層を設けたビルドアップ多層配線基板を、半導体パッケージ用のインターポーザとして用いることにより、高密度配線、配線の引き回し限界に対応している。しかしながら、このようなビルドアップ多層配線基板の作製には工程数が多く、コストアップに直接的に結びついている。【００２２】  しかも、図８に示すような配線基板では、スルーホールにおいて電力損失が大きく、高周波を必要とする用途には不向きであった。
特願２００２−２９９６６５号（特開００００−００００）参照。【００２３】  上記のように、従来のサブトラックティブ法により形成されたコア基板をそのまま半導体パッケージ用の配線基板として用いるには、配線密度の問題面、配線の引き回しの面で問題があり実用的ではない。現状では、コア基板の両面にビルトアップ層を形成したビルドアップ多層配線基板をパッケージ用の配線基板として用いているが、このようなビルドアップ多層配線基板の作製の工程は長く、煩雑となり、コスト高にもなり、また、スルーホールにおいて電力損失が大きく、高周波の入出力を必要とする用途には不向きであり、対応が求められていた。
【発明の開示】
【００２４】  本発明はこれに対応するもので、高密度実装に対応でき、且つ、従来のビルドアップ多層配線基板より、生産性の面で優れ、更に、高周波の入出力の電力損失の問題を解決できるパッケージ用の配線基板を提供することを目的とする。
【００２５】  特に、半導体チップ組み立てにおけるワイヤーボンディングやフリップチップ接合の際に横滑りがおきにくく、充填タイプのスルーホール上のへこみ（デントとも言う）がない構造で、且つ、配線厚のばらつきを均一にすることができるパッケージ用の配線基板を、確実に提供することを目的とする。
【００２６】  同時に、このような配線基板を製造するの配線基板製造方法を提供することを目的とする。
【００２７】  本発明は、両面に粗面化された基材面を有するコア基材と、コア基材の各基材面に設けられた配線層とを備え、各配線層同志はコア基材に設けられた貫通孔を介して導通されていることを特徴とする両面配線基板である。
【００２８】  本発明は、貫通孔内には導通部が充てんされていることを特徴とする両面配線基板である。
【００２９】  本発明は、コア基材の両面に設けられた各配線層に、端子部を露出させた状態でソルダーレジストを設けたことを特徴とする両面配線基板である。
【００３０】  本発明は、コア基材の両面に設けられた各配線層の外面は、貫通孔の導通部の外面とともに平坦化処理されていることを特徴とする両面配線基板である。
【００３１】  本発明は、コア基材の両面の基材面の表面粗さは、各々十点平均粗さＲｚＪＩＳが２μｍ〜１０μｍの範囲内にあることを特徴とする両面配線基板である。
【００３２】  本発明は、両面配線基板は、半導体パッケージ用の両面配線基板であることを特徴とする両面配線基板である。
【００３３】  本発明は、コア基材の一面側の端子部は、半導体チップと接続するための接続パッドとなっており、他面側の端子部は外部回路と接続するための外部接続端子となっていることを特徴とする両面配線基板である。
【００３４】  本発明は、コア基材の両面に設けられた端子部は、内側から外側に向って順に配置されたＮｉめっき層と、Ａｕめっき層とを有することを特徴とする両面配線基板である。
尚、ここでの平坦化処理は、貫通孔の外表面を含み各配線層の配線部の外表面側が、いずれも、同一平面上にあり、且つフラット面となるようにするためのものである。この平坦化処理は、機械的研磨あるいは化学機械的研磨により行われる。パッケージ用配線基板の場合、基板内において各表面は同一平面から±５μｍ以内のばらつき範囲にその位置を抑えられる。
【００３５】  また、ここでの十点平均粗さＲｚＪＩＳは、ＪＩＳ  ＢＯ６０１−２００１による定義ないし表示による。
これによれば、粗さ曲線からその平均線の方向に基準長さだけを抜き取る。この抜き取り部分の平均線から縦倍率の方向に測定した、最も高い山頂から５番めまでの山頂の標高の絶対値の平均値と、最も低い谷底から５番めの谷底の標高の絶対値の平均値との和を求めこの値をマイクロメータ（μｍ）で表したものを十点平均粗さＲｚＪＩＳと言い、ここでは、基準長さを０．２５ｍｍとした。
【００３６】  また、上記において、コア基板の両面に端子部を露出させた状態でソルダーレジストを設けることにより、所定の端子部領域のみを露出するようにソルダーレジストに開口を設けることができる。更に所定の端子部領域を露出し、且つ、配線基板の半導体チップ搭載領域全体を開口するようにソルダーレジストを設けてもよい。
【００３７】  本発明は、貫通孔内面に導電めっき層が設けられ、貫通孔内にレジストが充てんされていることを特徴とする両面配線基板である。
【００３８】  本発明は、コア基材の両面に設けられた各配線層に、端子部を露出させた状態でソルダーレジストを設けたことを特徴とする両面配線基板である。
【００３９】  本発明は、コア基材の両面の基材面の表面粗さは、各々十点平均粗さＲｚＪＩＳが２μｍ〜１０μｍの範囲内にあることを特徴とする両面配線基板である。
【００４０】  本発明は、両面配線基板は、半導体パッケージ用の両面配線基板であることを特徴とする両面配線基板である。
【００４１】  本発明は、コア基材の一面側の端子部は、半導体チップと接続するための接続パッドとなっており、他面側の端子部は外部回路と接続するための外部接続端子となっていることを特徴とする両面配線基板である。
【００４２】  本発明は、コア基材の両面に設けられた端子部は、内側から外側に向って順に配置されたＮｉめっき層と、Ａｕめっき層とを有することを特徴とする両面配線基板である。
尚、ここでの十点平均粗さＲｚＪＩＳは、ＪＩＳ  ＢＯ６０１−２００１による定義ないし表示による。
【００４３】  これによれば、粗さ曲線からその平均線の方向に基準長さだけを抜き取る。この抜き取り部分の平均線から縦倍率の方向に測定した、最も高い山頂から５番めまでの山頂の標高の絶対値の平均値と、最も低い谷底から５番めの谷底の標高の絶対値の平均値との和を求めこの値をマイクロメータ（μｍ）で表したものを十点平均粗さＲｚＪＩＳと言い、ここでは、基準長さを０．２５ｍｍとした。
【００４４】  本発明は、コア基材の貫通孔は断面が略台形形状を有することを特徴とする両面配線基板である。
【００４５】  本発明は、コア基板の貫通孔は一端から内部に向ってその孔径が減少し断面が第１台形形状を有するとともに、内部から他端に向ってその孔径が増加し断面が第２台形形状を有することを特徴とする両面配線基板である。
【００４６】  本発明は、貫通孔の第１台形形状は、第２台形形状より大きな形状を有することを特徴とする両面配線基板である。
【００４７】  本発明は、両面に粗面化された基材面を有するコア基材と、コア基材の各基材面に設けられた配線層とを備え、各配線層同志はコア基材に設けられた貫通孔を介して導通されている両面配線基板の製造方法において、コア基材用の絶縁性樹脂フィルムの両面に、粗面を有するＣｕ箔をこの粗面が絶縁性樹脂フィルム側を向くようにして圧着積層する工程と、絶縁性樹脂フィルム上のＣｕ箔をエッチング除去して、Ｃｕ箔の粗面を絶縁性樹脂フィルムの両面に転写することによりコア基材を作製する工程と、このコア基材に貫通孔をレーザにより形成する工程と、コア基材の両面および貫通孔内面に無電解めっきを施して、無電解めっき層を形成する工程と、コア基材の両面にレジストパターンを形成し、無電解めっき層を通電層として電解Ｃｕめっきを施し、電解Ｃｕめっき層を形成する工程と、レジストパターンを除去した後、外方へ露出する不要の無電解めっき層をフラッシュエッチングにより除去する工程と、を備えたことを特徴とする両面配線基板の製造方法である。
【００４８】  本発明は、電解Ｃｕめっき層を形成する際、電解めっき層により貫通孔内に充てんされる導電部を形成することを特徴とする両面配線基板の製造方法である。
【００４９】  本発明は、無電解めっき層を形成する前に、貫通孔内面にデスミア処理を施すことを特徴とする両面配線基板の製造方法である。
【００５０】  本発明は、電解Ｃｕめっき層に対して、機械的研磨あるいは化学機械的研磨を行って、電解Ｃｕめっき層を平坦化することを特徴とする両面配線基板の製造方法である。
【００５１】  本発明は、無電解めっき層をフラッシュエッチングにより除去した後、コア基材の両面の電解Ｃｕめっき層上に感光性のソルダーレジストを塗布してソルダーレジスト層を形成する工程と、ソルダーレジスト層をマスキング露光し、現像して電解Ｃｕめっき層の一部を露出させて端子部を形成する工程と、を更に備えたことを特徴とする両面配線基板の製造方法である。
【００５２】  本発明は、絶縁性樹脂フィルムに圧着されるＣｕ箔の粗面は、十点平均粗さＲｚＪＩＳが２μｍ〜１０μｍの表面粗さを有することを特徴とする両面配線基板の製造方法である。
【００５３】  本発明は、コア基材の一方の面にレーザを過剰に反射しない当て板を配置し、コア基材の他方の面からレーザ照射を行なってコア基材に貫通孔を形成することを特徴とする両面配線基板の製造方法である。
【００５４】  本発明は、端子部表面に、順にＮｉめっきおよびＡｕめっきを施すことを特徴とする両面配線基板の製造方法である。
【００５５】  本発明は、電解Ｃｕめっき層を形成する際、コア基材の両面にドライフィルムレジストを設け、マスキング露光を行い、現像してレジストパターンを形成することを特徴とする両面配線基板の製造方法である。
【００５６】  本発明は、無電解めっき層をフラッシュエッチングにより除去した後、コア基材の両面の電解Ｃｕめっき層上に感光性のソルダーレジストを塗布してソルダーレジスト層を形成するとともに、ソルダーレジストにより貫通孔を充てんする工程と、ソルダーレジスト層をマスキング露光し、現像して電解Ｃｕめっき層の一部を露出させて端子部を形成する工程と、を更に備えたことを特徴とする両面配線基板の製造方法である。
【００５７】  本発明は、絶縁性樹脂フィルムに圧着されるＣｕ箔の粗面は、十点平均粗さＲｚＪＩＳが２μｍ〜１０μｍの表面粗さを有することを特徴とする両面配線基板の製造方法である。
【００５８】  本発明は、コア基材の一方の面にレーザを過剰に反射しない当て板を配置し、コア基材の他方の面からレーザ照射を行なってコア基材に貫通孔を形成することを特徴とする両面配線基板の製造方法である。
【００５９】  本発明は、端子部表面に、順にＮｉめっきおよびＡｕめっきを施すことを特徴とする両面配線基板の製造方法である。
【００６０】  本発明は、電解Ｃｕめっき層を形成する際、コア基材の両面にドライフィルムレジストを設け、マスキング露光を行い、現像してレジストパターンを形成することを特徴とする両面配線基板の製造方法である。
【００６１】  ここでは、端子部、ランド部、接続用配線等を総称して配線部という。配線と言った場合、接続用配線の他に端子部、ランド部を含む場合もある。
【００６２】  電解Ｃｕめっき層を平坦化することにより、電解Ｃｕめっき層の表面側が、いずれも、同一平面上にあり、且つフラット面となるようにする。このような平坦化は、機械的研磨あるいは化学機械的研磨により、パッケージ用配線基板の場合、基板内において各表面を、前記同一平面から±５μｍ以内のばらつき範囲にその位置を抑えることにより行なわれる。
【００６３】  本発明の両面配線基板は、このような構成にすることにより、高密度実装に対応でき、且つ、従来のビルドアップ多層配線基板に比較して、生産性の点および高周波の入出力の電力損失の点で優れたパッケージ用の配線基板の提供を可能としている。
【００６４】  詳しくは、スルーホールは、レーザにてコア基材に形成された貫通孔を有し、貫通孔のその径は１５０μｍ以下となっている。
勿論、１５０μよりも大きい貫通孔を形成することもできる。
【００６５】  また、レーザによりコア基材に貫通孔を形成した場合、レーザ照射側の孔径を大、レーザ照射側とは反対側の孔径を小とする断面台形形状に形成することができる。めっきによりコア基材の貫通孔を充填する際、充填がし易く、めっきにより貫通孔領域も平坦状になるため、貫通孔領域も平坦状にしてソルダーレジストをその両面に配設することができる。結局、レーザによりコア基材に貫通孔を形成することにより、その作製における作業性が良く、また、優れた品質となる。
【００６６】  また、スルーホールの貫通孔はめっき形成された導通部で充填され、貫通孔領域も平坦状になるため、端子部（パッドとも言う）をスルーホール領域に設けることができる。
【００６７】  即ち、パッドオンスルーホール設計が可能で、設計の自由度が大きくなるともに、配線密度の向上が可能となる。
【００６８】  従来のコア基板においては、貫通孔を作製するためメカニカルドリルを用いており、その径を１５０μｍ以下とすることはできなかった。
【００６９】  また、コア基材の両面を粗面化してセミアデティブ法による配線形成が可能となり、配線がセミアディティブ法にて形成されていることにより、微細な、高い密度の配線の作製を可能としている。
【００７０】  更に、貫通孔領域も平坦状となり、ソルダーレジストを塗布せずに配線層を多層化する場合、平坦なスルーホール上へビルドアップ法によるビア（バイアホール）の配置を確実に行うことが可能となる。また、銅箔を絶縁層を介してコア基材の配線層側に積層し、銅箔をフォトエッチング法にて処理し配線層を形成し、且つバンプを配線層間の接続手段とする多層化方法を確実に行うことができる。
【００７１】  これにより、半導体パッケージ用の両面配線基板として用いた場合、図７（ｄ）に示すようなコア基板を半導体パッケージ用のインターポーザとした場合には得られない配線の引き回しが可能となる。１層以上のビルドアップ層を配置したビルドアップ多層配線基板によるパッケージ用配線基板に代わり、本発明の両面配線基板を用いることが可能となる。
【００７２】  特に、スルーホールの外表面を含み各配線層の配線部の外表面側は、機械的研磨、あるいは化学機械的研磨により、平坦化処理が施されている。このことにより、半導体チップ組み立てにおけるワイヤーボンデイングやフリップチップ接合の際に横滑りがおきにくく、充填タイプのスルーホール上のへこみ（デント）がない構造で、且つ、配線厚のばらつきを均一にすることができる。
【００７３】  また、コア基材の両側の粗面化されたコア基材面の十点平均粗さＲｚＪＩＳとしては、２μｍ〜１０μｍの範囲が実用レベルからは好ましい。
【００７４】  ＲｚＪＩＳが２μｍより小の場合は配線との密着強度が充分でなくなり、ＲｚＪＩＳを１０μｍより大きくすると、コア基材面の凹凸が配線の形状に影響し、配線の微細化を阻害する要因となるとともに電解Ｃｕ箔の製造における負荷も大きくなる。
【００７５】  本発明の両面配線基板は、ビルドアップ多層配線基板に比較して、生産性の面で優れたものである。
【００７６】  本発明の両面配線基板として、一方の面にはフリップチップ方式あるいはワイヤボンディング方式により半導体チップを搭載するための接続パッドを有し、他方の面には外部回路と接続するための外部接続端子を有する形態が挙げられる。
【００７７】  この場合、所定の端子部領域のみを露出するようにソルダーレジストに開口を設けたものや、所定の端子部領域を露出し、且つ、配線基板の半導体チップ搭載領域全体を開口する形態のものが挙げられる。
【００７８】  特に、スルーホール領域が平坦であり、ソルダーレジストを配しない状態で、直接チップの搭載が可能となる。
【００７９】  直接チップを搭載する場合、チップ側バンプの制約が無くなるため、フリップチップ接続に有利である。チップマウント時に、スルーホール側での気泡巻き込みが起きない。
通常、端子部は順に、Ｎｉめっき層、Ａｕめっき層が施されている。
【００８０】  また、本発明の両面配線基板において、その両面にソルダーレジストを設けない状態のものに対し、その両面にビルドアップ層を形成することができる。このことにより、コア基板の配線が高密度となり、スルーホール上も配線が可能なため、従来より、少ない層数で高密度な配線基板を構成できる。
【００８１】  本発明においては、レーザにてコア基材に貫通孔を形成する。レーザ加工機は位置精度がよいため、ランドとスルーホールの位置ずれをカバーするためのランド径のマージンを削減でき、スルーホールの小径化とあわせてランド径を２５０μｍ以下にすることを可能とする。
【００８２】  また、樹脂層と配線の密着強度を確保するための、具体的な手法が明らかになったため、セミアディティブ工法の採用が可能となった。
【００８３】  コア基材用の絶縁性の樹脂層の両面に、電解Ｃｕ箔の粗面の形状を転写形成することにより、所望の粗面を形成することができるようになる。
【００８４】  これにより、本発明の両面配線基板においては、最小ライン／スペースとして、２０μｍ／２０μｍのものが形成できることを確認している。
【００８５】  本発明の両面配線基板の製造方法は、このような構成にすることにより、具体的には、コア基材の両面に配線を設け、コア基材に配設しためっき層を充填したスルーホールを介してコア基材の両面の配線を電気的に接続する。且つ、所定の端子部を露出させた状態で、コア基材の両面を覆うソルダーレジストを配設する。スルーホールは、レーザにてコア基材に形成された貫通孔を有し、貫通孔内にスルーホールめっきが施され、且つ、めっきにて貫通孔を充填している。コア基材に配線がセミアディティブ法にて形成される。
【００８６】  これにより、高密度実装に対応でき、且つ、従来のビルドアップ多層配線基板に比較して、生産性の点、品質の点で優れたパッケージ用の配線基板の製造方法の提供を可能としている。
【００８７】  詳しくは、コア基材用の絶縁性の樹脂層の両面に、電解Ｃｕ箔の粗面の形状を転写形成することにより、所望の粗面を形成することができるようになる。配線はセミアディティブ法にてコア基材との密着強度を十分に確保して形成される。
【００８８】  また、前記コア基材の粗面形成方法は、適用できる材料の制約が少なく、コア基材用の絶縁性の樹脂層としての樹脂の選択範囲を広くしている。
【００８９】  また、スルーホール用の貫通孔は、レーザにてコア基材に形成される。貫通孔はその台形状の断面形状により、貫通孔をめっきにて充填する際、充填し易いものとなる。且つ、貫通孔領域の表面も十分平坦に形成できる。
【００９０】  特に、選択めっき工程の後でレジストパターンを除去前、あるいは、レジストパターンを除去後で不要の無電解めっき層をフラッシュエッチング除去する前、あるいは、不要の無電解めっき層をフラッシュエッチング除去した後に、電解Ｃｕめっき層を機械的研磨、あるいは化学機械的研磨により平坦化する。この平坦化処理により選択めっき工程によりめっき形成された配線部、パッド部、スルーホール部の断面形状を平坦化する。具体的には、配線部、パッド部、スルーホール部の外側表面について、同一平面からのずれのばらつきを±５μｍ内に抑える。
【００９１】  選択めっき工程によりめっき形成された配線部、パッド部は外側にかまぼこ状断面形状となるが、これをほぼ矩形とすることができる。また、選択めっき工程によりめっき形成された充填タイプのスルーホール部はその断面形状は中央部で基板側にへこむが、これを平坦にすることができる。
【００９２】  このように、機械的研磨、あるいは化学機械的研磨を行うことにより、導体チップ組み立てにおけるワイヤーボンディングやフリップチップ接合の際に横滑りがおきにくく、充填タイプのスルーホール上のへこみ（デント）をなくすことができる。且つ、配線厚のばらつきを均一にすることができる。
【００９３】  機械的研磨、あるいは化学機械的研磨を行わない場合、図１０（ａ）、図１０（ｂ）、図１０（ｃ）にそれぞれ示すように、接続用配線９１０、端子部（パッドとも言う）９２０の断面形状は、外表面側にかまぼこ状になる。このときランド部を含むスルーホール部９３０の断面形状は、中央部が基板側にへこむことがあるが、これらの表面部を機械的研磨、あるいは化学機械的研磨することにより、図１０（ａ１）、図１０（ｂ１）、図１０（ｃ１）にそれぞれ示すように、接続用配線９１０、端子部（パッドとも言う）９２０、スルーホール部９３０の外表面側は平坦化される。
尚、ここでは、端子部、ランド部、接続用配線等を総称して配線部と言い、配線と言った場合、接続用配線の他に端子部、ランド部を含む。
【００９４】  また、本発明の両面配線基板の製造方法においては、スルーホール領域における凹みは少なく、特に、機械的研磨あるいは化学機械的研磨を施した場合にはスルーホール領域における凹みを発生せず平坦にソルダーレジストを両面に配設できる。このような製造方法により作製された両面配線基板を用い、これに半導体チップを搭載した場合、チップとの間に気泡が入り込み、半導体装置の信頼性を損ねるといった問題が発生しない。このため、プロセスの負加を軽減することができるようになった。
【００９５】  本発明の両面配線基板は、このような構成にすることにより、高密度実装に対応でき、且つ、従来のビルドアップ多層配線基板に比較して、生産性の面で優れたパッケージ用の配線基板の提供を可能としている。
【００９６】  詳しくは、スルーホールは、レーザにてコア基材に形成された貫通孔を有し、その径は１５０μｍ以下となっている。
勿論、１５０μｍよりも大きい貫通孔を形成することもできる。
【００９７】  また、レーザにてコア基材に貫通孔を形成した場合、貫通孔の断面形状をレーザ照射側の孔径を大、レーザ照射側とは反対側の孔径を小とする台形形状に形成することができる。このためソルダーレジストをコア基材の貫通孔に充填する際、充填し易い。また貫通孔領域でも、ソルダーレジストを、凹みが少なく、十分平坦に、配線基板の両面に配設することができる。結局、レーザにてコア基材に貫通孔が形成されていることにより、その作製における作業性が良く、また、優れた品質面となる。
【００９８】  従来のコア基板においては、スルーホール作製にメカニカルドリルを用いており、その径を１５０μｍ以下とすることはできなかった。
【００９９】  また、コア基材の両面を粗面化してセミアデティブ法による配線形成を可能としている。また配線がセミアディティブ法にて形成されていることにより、微細な、高い密度の配線の作製を可能としている。
【０１００】  これにより、半導体パッケージ用の両面配線基板として用いた場合、図７（ｄ）に示すようなコア基板を半導体パッケージ用のインターポーザとした場合には得られない配線の引き回しを可能としている。また１層以上のビルドアップ層を配設したビルドアップ多層配線基板によるパッケージ用配線基板に代わり、本発明の両面配線基板を用いることを可能としている。
【０１０１】  コア基材の両側の粗面化された基材面の十点平均粗さＲｚＪＩＳとしては、２μｍ〜１０μｍの範囲が実用レベルからは好ましい。
【０１０２】  ＲｚＪＩＳが２μｍより小の場合は配線との密着強度が充分でなくなり、ＲｚＪＩＳが１０μｍより大きくすると、基材面の凹凸が配線の形状に影響し、配線の微細化を阻害する要因となるとともに電解Ｃｕ箔の製造における負荷も大きくなる。
勿論、本発明の両面配線基板は、ビルドアップ多層配線基板より、生産性の面で優れたものである。
【０１０３】  本発明の両面配線基板として、一方の面にはフリップチップ方式あるいはワイヤボンディング方式により半導体チップと接続するための接続パッドを有し、他方の面には外部回路と接続するための外部接続端子を有する形態が挙げられる。
通常、端子部は順に、Ｎｉめっき層、Ａｕめっき層が施されている。
【０１０４】  本発明においては、レーザにてコア基材に貫通孔を形成しているもので、レーザ加工機は位置精度がよいため、ランドとスルーホールの位置ずれをカバーするためのランド径のマージンを削減でき、スルーホールの小径化とあわせてランド径を２５０μｍ以下にすることを可能とする。
【０１０５】  また、樹脂層と配線の密着強度を確保するための、具体的な手法が明らかになったため、セミアディティブ工法の採用が可能となった。
【０１０６】  コア基材用の絶縁性の樹脂層の両面に、電解Ｃｕ箔の粗面の形状を転写形成することにより、所望の粗面を形成することができる。
【０１０７】  これにより、本発明の両面配線基板においては、最小のライン／スペースとして２０μｍ／２０μｍのものが形成できる。
【０１０８】  本発明の両面配線基板の製造方法は、コア基材の両面に配線を設け、コア基材に配設したスルーホールを介して両面の配線を電気的に接続し、且つ、所定の端子部を露出させた状態で、その両面を覆うソルダーレジストを配設した両面配線基板を作製することができる。スルーホールは、レーザにてコア基材に形成された貫通孔を有し、貫通孔内にスルーホールめっきが施され、更に該貫通孔は前記絶縁樹脂部で充填されている。配線はセミアディティブ法にて形成される。
【０１０９】  詳しくは、コア基材用の絶縁性の樹脂層の両面に、電解Ｃｕ箔の粗面の形状を転写形成することにより、所望の粗面を形成することができ、配線はセミアディティブ法にて形成される。
【０１１０】  また、スルーホール用の貫通孔は、レーザにてコア基材に形成され、その台形状の断面形状から、該貫通孔をソルダーレジストを充填する際、充填し易いものとなり、且つ、貫通孔領域の表面も十分平坦に形成できる。
また、コア基材用の絶縁性の樹脂層としての樹脂の選択範囲を広くしている。
【０１１１】  これにより、高密度実装に対応でき、且つ、従来のビルドアップ多層配線基板に比較して、生産性の面で優れたパッケージ用の配線基板の製造方法の提供を可能としている。
【０１１２】  本発明は、両面に粗面化された基材面を有するコア基材と、コア基材の各基材面に設けられた配線層とを備え、各配線層同志はコア基材に設けられた貫通孔を介して導通されている両面配線基板と、この両面配線基板の一側に絶縁樹脂部を介して設けられた追加配線基板とを備え、追加配線基板は両面に基材面を有する追加コア基材と、追加コア基材の各基材面に設けられた追加配線層とを備え、各追加配線層同志は追加コア基材に設けられた追加貫通孔を介して導通されていることを特徴とする多層配線基板である。
【０１１３】  本発明は、両面配線基板と追加配線基板はバンプを介して接続されていることを特徴とする多層配線基板である。
【０１１４】  本発明は、バンプは両面配線基板の貫通孔に対応する位置に設けられていることを特徴とする多層配線基板である。
【０１１５】  本発明は、両面配線基板の貫通孔には導通部が充てんされていることを特徴とする多層配線基板である。
【０１１６】  本発明は、両面に粗面化された基材面を有するコア基材と、コア基材の各基材面に設けられた配線層とを備え、各配線層同志はコア基材に設けられた貫通孔を介して導通されている両面配線基板と、この両面配線基板の両側に絶縁樹脂部を介して設けられた追加配線層と、を備えたことを特徴とする多層配線基板である。
【０１１７】  本発明は、各追加配線層に、追加端子部を露出させた状態で追加絶縁樹脂部を設けたことを特徴とする多層配線基板である。
【図面の簡単な説明】
【０１１８】
【図１】図１（ａ）は本発明の両面配線基板の第１の実施の形態を示す一部断面図。図１（ｂ）は図１（ａ）に示す第１の実施の形態の変形例を示す図。
【図２】図２（ａ）〜（ｇ）は図１（ａ）に示す第１の実施の形態の製造工程の一部を示した工程断面。
【図３】図３（ａ）〜（ｄ）は図２（ａ）〜（ｇ）に続く工程を示した工程断面図。
【図４】図４（ａ）〜（ｆ）は比較例の製造工程の一部を示した工程断面図。
【図５】図５（ａ）〜（ｇ）は図４（ａ）〜（ｆ）に続く工程を示した工程断面図。
【図６】図６（ａ）〜（ｄ）は図５（ａ）〜（ｇ）に続く工程を示した工程断面図。
【図７】図７（ａ）〜（ｄ）は従来のコア基板の製造方法の工程断面図。
【図８】図８は従来の多層配線基板の概略断面図。
【図９】図９は多層配線基板を使用した半導体パッケージを示した概略断面図。
【図１０】図１０（ａ）〜（ｃ）は機械的研磨の前の断面形状を示す図。図１０（ａ１）〜（ｃ１）は、それぞれ、対応する機械的研磨の後の断面形状を示す図。
【図１１】図１１（ａ）は本発明の両面配線基板の第２の実施の形態を示す一部断面図。図１１（ｂ）は図１１（ａ）に示す第２の実施の形態例の変形例を示す図。
【図１２】図１２（ａ）〜（ｇ）は図１１（ａ）に示す実施の形態例の製造工程の一部を示した工程断面図。
【図１３】図１３（ａ）〜（ｄ）は図１２（ａ）〜（ｇ）に続く工程を示した工程断面図。
【図１４】図１４（ａ）〜（ｆ）は比較例の製造工程の一部を示した工程断面図。
【図１５】図１５（ａ）〜（ｄ）は図１４（ａ）〜（ｆ）に続く工程を示した工程断面図。
【図１６】図１６はコア基材に設けられた貫通孔の変形例を示す図。
【図１７】図１７は本発明による多層配線基板を示す図。
【図１８】図１８は他の多層配線基板を示す図。
【発明を実施するための最良の形態】
【０１１９】第１の実施の形態
本発明の第１の実施の形態を図に基づいて説明する。
図１（ａ）は本発明の両面配線基板の第１の実施の形態の一部断面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）に示す第１の実施の形態の変形例であり、図２は図１（ａ）に示す第１の実施の形態の製造工程の一部を示した工程断面図であり、図３は図２に続く工程を示した工程断面図であり、図４は比較例の製造工程の一部を示した工程断面図であり、図５は図４に続く工程を示し、更に図６は図５に続く工程を示した工程断面図であり、図１０は機械的研磨工程を説明するための各部の断面形状を示した図であり、図１０（ａ）、図１０（ｂ）、図１０（ｃ）は機械的研磨の前の断面形状を示し、図１０（ａ１）、図１０（ｂ１）、図１０（ｃ１）は、それぞれ、対応する機械的研磨の後の断面形状を示している。【０１２０】  図１〜図６、図１０中、符号１１０はコア基材、符号１１０Ｈはスルーホールの貫通孔、符号１１０Ｓは基材面、符号１１５は電解Ｃｕ箔、符号１２０はレーザ光、符号１３０は無電解めっき層、符号１４０はレジスト、符号１４５は開口、符号１５０は電解Ｃｕめっき層、符号１６０はソルダーレジスト、符号１６５は開口、符号１７０は接続用パッド（単に端子部とも言う）、符号１７０ａは外部接続パッド（単に端子部とも言う）、符号１７１はＮｉめっき層、符号１７２はＡｕめっき層、符号１７５、１７５ａは端子部、符号１８０はスルーホール、符号１９１、１９２は配線、符号１９３は（スルーホールの）導通部、符号２１０はコア基材、符号２１１Ｈは（スルーホールの）貫通孔、符号２１５ａは電解Ｃｕ箔、符号２１５はエッチングにより薄肉化された電解Ｃｕ箔、符号２３０、２３５は無電解めっき層、符号２４０、２４５は電解Ｃｕめっき層、符号２５０は絶縁性インク硬化物（樹脂インク硬化物）、符号２６０はレジスト、符号２６５は開口、符号２７０はソルダーレジスト、符号２７５は開口、符号２８０はスルーホール、符号２９１、２９２は配線、符号２９３はスルーホールの導通部、符号２９５、２９５ａは端子部、符号２９６はＮｉめっき層、符号２９７は金めっき層、符号９１０、９１０ａは接続用配線、符号９２０、９２０ａは端子部（パッドとも言う）、符号９３０、９３０ａはスルーホール部、符号９３１はへこみ（デントとも言う）、符号９３２、９３２ａはランド、符号９３５は（スルーホールの）導通部、符号９５０は絶縁基材部である。【０１２１】  はじめに、本発明の両面配線基板の第１の実施の形態の例を図１（ａ）に基づいて説明する。
本発明による両面配線基板は、両面に粗面化された基材面１１０Ｓを有するコア基材１１０と、コア基材１１０の各基材面１１０Ｓに設けられた配線層１９１、１９２とを備えている。すなわち両面配線基板は後に述べる図２〜図３に示す工程にて作製されるもので、コア基材１１０の両側の粗面化された基材面１１０Ｓに、それぞれ、セミアディティブ法にて形成された配線層１９１、１９２を１層だけ設け、コア基材１１０に設けられた貫通孔１１０Ｈからなるスルーホール１８０を介して前記コア基材１１０の両面の配線層１９１、１９２、すなわち配線１９１と配線１９２とを電気的に接続して構成されている。また、配線層１９１、１９２に所定の端子部１７０、１７０ａが接続され、コア基材１１０の両面に、端子部１７０、１７０ａを露出させた状態で、ソルダーレジスト１６０が設けられている。このような両面配線基板は、半導体パッケージ用の両面配線基板であって、図９に示すような半導体パッケージにおいて、インターポーザとしての多層配線基板１０に置き代わり使用される。【０１２２】  スルーホール１８０は、レーザにてコア基材１１０の貫通孔１１０Ｈからなり、貫通孔１１０Ｈ内にスルーホールめっきを施し、このスルーホールめっきにより貫通孔１１０Ｈを充填して導通部１９３が設けられている。またこの導通部１９３に対応してソルダーレジスト１６０の開口１６５が形成されている。【０１２３】  上述のように、コア基材１１０の一方の面（配線１９１側の面）には半田バンプ２１を介してフリップチップ方式あるいはワイヤボンディング方式により半導体チップ２０を搭載するための接続パッド（端子部）１７０が設けられ、他方の面（配線１９２側の面）には外部回路と接続するための外部接続端子（端子部）１７０ａが設けられている。
勿論、接続パッド１７０と外部接続端子１７０ａをコア基材１１０のどちらの面に設けるかは自由に選択できる。【０１２４】  接続パッド（端子部）１７０、外部接続端子（端子部）１７０ａは、いずれも、無電解めっき層１３０上に形成された電解Ｃｕめっき層１５０と、この電解Ｃｕめっき層１５０上に設けられ、ソルダーレジスト１６０の開口を埋めるように、順に形成されたＮｉめっき層１７１およびＡｕめっき層１７２とを有している。
尚、コア基材１１０の基材面１１０Ｓ表面の十点平均粗さＲｚＪＩＳは、２μｍ〜１０μｍの範囲となっている。基材面１１０ＳのＲｚＪＩＳがこの範囲をとることにより、基材面１１０Ｓに対して配線１９１、１９２の密着強度が向上し、配線の微細化を達成できる。このためその製造の面からも実用レベルと言える。【０１２５】  コア基材１１０としては、耐熱性の熱硬化型の絶縁性樹脂層に、適宜、、ガラスクロス、アラミド不織布、液晶ポリマー不織布、多孔質ポリテトラフルオロエチレン布（例えば、商品名ゴアテックス）等が混入されたものが用いられる。【０１２６】  樹脂層としては、シアネート系樹脂、ＢＴレジン（ビスマレイミドとトリアジンからなる樹脂）、エポキシ樹脂、ＰＰＥ（ポリフェニレンエーテル）等が挙げられる。【０１２７】  テストによれば、樹脂層として、日立製６７９Ｆシリーズ（シアネート系樹脂）を用いた場合、コア基材１１０の基材面１１０ＳのＲｚが５μｍでピール強度は８００ｇ／ｃｍ（ＪＩＳＣ５０１２−１９８７８．１）であった。【０１２８】  後述するが、コア基材１１０の樹脂層の表面１１０Ｓは、電解Ｃｕ箔１１５（図２）のめっき面側をコア基材１１０に熱圧着して硬化させて形成されている。電解Ｃｕ箔１１５のめっき面の粗形状がコア基材１１０の基材面１１０Ｓに転写され（後に説明する図２〜図３の工程参照）、コア基材１１０の基材面１１０Ｓと配線１９１、１９２とは密着性が良好となっている。【０１２９】  スルーホール１８０は、レーザにてコア基材１１０に設けられた貫通孔１１０Ｈからなり、通常、ＣＯ２レーザあるいはＵＶレーザにより、コア基材１１０にスルーホール形成用の貫通孔１１０Ｈが形成され、貫通孔１１０Ｈの径は１５０ｎｍ以下となる。【０１３０】  配線１９１、１９２、スルーホールの導電部１９３等を形成する電解Ｃｕめっき層１５０は、公知のブラインドビア充填用のめっき方法で形成される。【０１３１】  配線部１９１，１９２は、導電性の面からは、厚さ５μｍ〜３０μｍ程度が好ましいが、その作製においてめっき充填を確実に行うため、例えば、コア基材１１０の厚さ１００μｍで、貫通孔１１０Ｈのレーザ照射側の孔径１００μｍ、反対側の孔径７０μｍの場合、通常は、配線１９１、１９２の厚さ１０μｍ〜３０μｍ程度となる。【０１３２】  無電解めっき層１３０は、無電解Ｎｉめっき、無電解Ｃｕめっき等公知の方法により形成されるもので、配線１９１、１９２、スルーホールの導通部１９３を形成するための電解Ｃｕめっき１５０を施す際の、通電層となるものである。無電解めっき層１３０は所定の厚さがあり、フラッシュエッチングにて、他を損傷せずに容易に除去できる厚さであれば良い。【０１３３】  図１（ｂ）に示す両面配線基板は、図１（ａ）に示す両面配線基板において、端子１７０、１７０ａにおけるＮｉめっき層１７１、Ａｕめっき層１７２がない状態のものであり、場合によっては、この状態で出荷される。
各構成部分については、図１（ａ）に示す両面配線基板と同じで、説明は省く。【０１３４】  次に、図１（ａ）に示す第１の例の両面配線基板の製造方法を図２、図３に基づいて説明する。
尚、これを以って、本発明に両面配線基板の製造方法の実施の形態の説明に代える。【０１３５】  先ず、コア基材用の絶縁性の樹脂層（絶縁性樹脂フィルム）１１０の両面に、それぞれ、その電解めっき形成された粗面を有する電解Ｃｕ箔１１５を、この粗面を樹脂層１１０側に向けて圧着積層することにより３層構造の加工用素材１１０ａを作製して準備する。（図２（ａ））
ここでは、絶縁性樹脂フィルム１１０として熱硬化型の樹脂層を用い、樹脂フィルム１１０の両面に電解Ｃｕ箔１１５を熱圧着する。【０１３６】  コア基材１１０の材料としては、絶縁性樹脂に、適宜、ガラスクロス、アラミド不織布、液晶ポリマー不織布、多孔質ポリテトラフルオロエチレン（例えば、商品名ゴアテックス）等が混入されたものが用いられる。【０１３７】  絶縁性樹脂としては、シアネート系樹脂、ＢＴレジン（ビスマレイミドとトリアジンからなる樹脂）、エポキシ樹脂、ＰＰＥ（ポリフェニレンエーテル）等が用いられる。【０１３８】  次いで、絶縁性樹脂フィルム１１０の両面の電解Ｃｕ箔１１５をエッチング除去し、電解Ｃｕ箔１１５の表面状態が転写形成された基材面１１０Ｓを有するコア基材１１０を形成する。（図２（ｂ））
電解Ｃｕ箔１１５に対するエッチングは塩化第二鉄溶液、あるいは、塩化第二銅溶液、あるいは、アルカリエッチング液にて行う。【０１３９】  洗浄後、レーザ光１２０を選択的に照射して、コア基材１１０にスルーホール形成用の貫通孔１１０Ｈを形成する。（図２（ｃ））
レーザ光１２０としては、ＣＯ２レーザあるいはＵＶレーザが、コア基材１１０の材質に合せて用いられる。【０１４０】  コア基材１１０の一方の面にレーザ光１２０を過剰に反射しない黒色等の当て板１２０ａを配設し、他方の面からレーザ光１２０の照射を行う。このことにより、レーザにてコア基材１１０に貫通孔１１０Ｈを形成する。この場合、レーザ光１２０の照射側の貫通孔１１０Ｈの孔径を大、レーザ光１２０の照射側とは反対側の孔径を小として、貫通孔１１０Ｈの断面を台形形状に形成することができる。【０１４１】  例えば、ＣＯ２レーザを用いた場合、１００μｍ厚のシアネート系樹脂を用いたコア基材１１０に、照射側の孔径を１００μｍ、レーザ光１２０の照射側とは反対側の孔径を７０μｍとする貫通孔１１０Ｈを設けることができる。【０１４２】  これにより、後に行う電解めっき１５０をコア基材１１０の貫通孔１１０Ｈに充填する際、電解めっき１５０を充填し易くなる。更にコア基材１１０の両面にソルダーレジスト１６０を設ける際、貫通孔１１０Ｈ領域を平坦状にしてソルダーレジスト１６０を設けている。【０１４３】  また、従来のコア基板においては、スルーホール作製にメカニカルドリルを用いており、その径を１５０μｍ以下とすることはできなかったが、本発明によれば、レーザによりコア基材１１０に貫通孔１１０Ｈを形成するので、１５０μｍ以下の孔径の貫通孔１１０Ｈを形成することができる。【０１４４】  貫通孔１１０Ｈの最小孔径は、炭酸ガスレーザで８０μｍ、ＵＶ−ＹＡＧレーザで２５μｍ程度まで可能である。【０１４５】  次いで、コア基材１１０の貫通孔１１０Ｈ内の加工残渣を除去するデスミア処理を行った後、貫通孔１１０Ｈの表面を含むコア基材１１０の全面に無電解めっきを施して、通電層としての無電解めっき層１３０を形成する。（図２（ｄ））
無電解めっきとしては、公知の無電解Ｃｕめっき、無電解Ｎｉめっきが適用できる。【０１４６】  次いで、コア基材１１０の両面に、配線１９１、１９２あるいはスルーホール１８０の導通部１９３を形成するための所定領域を露出するように開口１４５を設けてレジスト１４０を形成する。（図２（ｅ））【０１４７】  次に無電解めっき層１３０を通電層として、電解Ｃｕめっきを施し、配線１９１、１９２、および貫通孔１１０Ｈを充填する導通部１９３を電解Ｃｕめっき層１５０にて選択的に形成する。（図２（ｆ））
無電解めっき層１３０は、無電解Ｎｉめっき、無電解Ｃｕめっき等公知の方法により形成されるもので、配線１９１、１９２を形成するための電解Ｃｕめっき層１５０を形成する際の通電層となる厚さがあり、後に行うフラッシュエッチングにて、他を損傷せずに容易に除去できる厚さであれば良い。【０１４８】  レジスト１４０としては、所望の解像性を有し、耐めっき性があり、処理性の良いものであれば特に限定はされない。
通常は、レジスト１４０として、ドライフィルムレジストが扱い易いため用いられる。【０１４９】  次いで、レジスト１４０を除去した（図２（ｇ））後、露出している不要の無電解めっき層１３０を、フラッシュエッチングにて除去する。（図３（ａ））
無電解めっき層１３０を除去するためのエッチング液としては、過水硫酸、過硫酸、塩酸、硝酸、シアン系、有機系エッチング液が挙げられる。【０１５０】  次いで、コア基材１１０の両面に感光性のソルダーレジストを塗布し、コア基材１１０の両面にソルダーレジスト層１６０を形成する。（図３（ｂ））【０１５１】  次いで、ソルダーレジスト層１６０を所定のフォトマスク等を用いてマスクマスキング露光し、現像し、端子部１７０、１７０ａを露出させる。（図３（ｃ））【０１５２】  次いで、端子部１７０、１７０ａ表面に、順に、Ｎｉめっき層１７１、Ａｕめっき層１７２を形成する。（図３（ｄ））このようにして、本例の両面配線基板が形成される。
尚、図１（ａ）に示す両面配線基板の比較例として、図７に示す従来のコア基板と同様、コア基材の両面に配線を１層だけ配設し、且つ、メカニカルドリルにてコア基材に貫通孔を設け、スルーホールめっきを施して両面の配線を電気的に接続した両面配線基板について説明する。この場合、絶縁性インキ（樹脂インク）がコア基材のスルーホール形成用の貫通孔に充填され、コア基材の両面の配線がソルダーレジストで覆われる。このような比較例としてのパッケージ用両面配線基板を図４〜図６により簡単に説明する。【０１５３】  先ず、コア基材２１０の両面に電解Ｃｕ箔２１５ａを熱圧着積層することにより３層構造を有し、図２（ａ）に示すものと同じ加工用素材２１０ａを準備する（図４（ａ））。コア基材２１０の両面に設けられた電解Ｃｕ箔２１５ａをエッチングにより所望の厚さに薄化する（図４（ｂ））、次にメカニカルドリルにて加工用素材２１０ａにスルーホール用の貫通孔２１１Ｈを開け（図４（ｃ））、バリを除去するための研磨処理、デスミア処理を経て、無電解めっきを施し無電解めっき層２３０を設ける（図４（ｄ））。次に無電解めっき層を通電層２３０として電解Ｃｕめっきを施し、コア基材２１０の両面に電解Ｃｕめっき層２４０を設け、貫通孔２１１Ｈ内に導通部２９３を形成する。（図４（ｅ））【０１５４】  次いで、コア基材２１０の両面側からあるいは片面側から、スルーホール用の貫通孔２１１Ｈを熱硬化性の絶縁性インク（樹脂インク）で埋め、熱をかけて硬化し、スルーホール形成用の貫通孔２１１Ｈを絶縁性インク硬化物２５０で充填する。（図４（ｆ））【０１５５】  次いで、絶縁性インク硬化物２５０を研磨した（図５（ａ））後、コア基材２１０の両面からハーフエッチングして、コア基材２１０の表面部の電解めっき層２４０、無電解めっき層２３０を除去し（図５（ｂ））、更に、薄化した電解Ｃｕ箔２１５の面から突出した縁性インク硬化物２５０を研磨して平坦にする。（図５（ｃ））【０１５６】  次いで、コア基材２１０の両面全面に無電解めっきを施して無電解めっき層２３５を設け（図５（ｄ））、更に、電解Ｃｕめっきを施して電解Ｃｕめっき層２４５を設け、この電解Ｃｕめっき層を、配線を形成するための所定の厚さにする。（図５（ｅ））【０１５７】  次いで、コア基材２１０の両面に、それぞれ、所定領域に開口２６５を設けて耐エッチング用のレジスト２６０を形成する（図５（ｆ））。次にレジスト２６０の開口２６５から露出した、電解めっき層２４５、無電解めっき層２３５、薄化された電解Ｃｕ箔２１５を塩化第二鉄溶液等のエッチング液によりエッチング除去する（図５（ｇ））。その後レジスト２６０を除去し（図６（ａ））、コア基材２１０の両面から感光性のソルダーレジスト２７０を塗布する。（図６（ｂ））【０１５８】  この後、ソルダーレジスト２７０の端子形成領域２７５を、フォトリソ法により開口し（図６（ｃ））、露出した電解Ｃｕめっき層２４５上にＮｉめっき層２９６、Ａｕめっき層２９７を順次設け、このようにして比較例の両面配線基板を得ることができる。（図６（ｄ））【０１５９】  しかし、この製造方法における、配線の形成は、予め用意し薄化された電解Ｃｕ箔２１５、無電���めっき層２３５、電解Ｃｕめっき層２４５エッチングして配線形成を行う。このためこの製造方法は、基本的には、配線部をエッチング形成するサブトラックティブ法を主とした、図７に示す方法と同様の配線を形成するものであり、配線の微細化、高密度化には対応できない。【０１６０】  従って両面配線基板におけるライン／スペースとしては、５０μｍ／５０μｍレベル以下の製造が困難である。
また、メカニカルドリルにより、コア基材２１０にスルーホール形成用の貫通孔２１１Ｈを形成するため、その径は大きくなる。このため図７（ｄ）に示す従来のコア基板と同様スルーホール径／ランド径としては、１５０μｍ／３５０μｍレベルより小とすることができない。【０１６１】  また、ビルドアップ多層配線基板の作製の工程は長く、煩雑となり、コスト高にもなり、また、スルーホールにおいて電力損失が大きく、高周波の入出力を必要とする用途には不向きである。【０１６２】  即ち、比較例の両面配線基板では、前記の種々の問題を有し、高密度実装のパッケージ用基板としては対応できない。【０１６３】  次に、本発明の両面配線基板の実施の形態の変形例を挙げる。
変形例による両面配線基板は、図１乃至図３において、コア基材１１０のうちスルーホール１１０Ｈの外表面および各配線層の配線部１９１、１９２の外表面が、機械的研磨、あるいは化学機械的研磨により、平坦化処理されている。【０１６４】  機械的研磨、あるいは化学機械的研磨により、スルーホール１１０Ｈの表面、および各配線層の配線１９１、１９２の外表面側が平坦化されている。このような構造にすることにより、両面配線基板は、半導体チップ組み立てにおけるワイヤーボンデインングやフリップチップ接合の際に横滑りがおきにくく、充填タイプのスルーホール上のへこみ（デント）がない構造で、且つ、配線厚のばらつきを均一にすることができる。
特に、パッケージ用基板として用いられた場合には有効である。【０１６５】  両面配線基板の製造方法の変形例としては、例えば、図２、図３に示す両面配線基板の製造方法において、選択めっき工程の後でレジストパターンを除去する前（図２（ｆ）の状態に相当）、あるいは、レジストパターンを除去した後で不要の無電解めっき層をフラッシュエッチング除去する前（図２（ｇ）に相当）、あるいは、不要の無電解めっき層をフラッシュエッチング除去した後（図３（ａ）に相当）に、選択めっき工程により選択的にめっき形成する電解Ｃｕめっき層１５０を平坦化するために、機械的研磨、あるいは化学機械的研磨を行うものが挙げられるが、研磨以外は、上述した製造方法と同じでここでは説明を省略する。【０１６６】  機械的研磨としてはバフ研磨当が用いられ、最近では化学機械的研磨（ＣＭＰとも言う）が各処理に用いられる。【０１６７】  電解Ｃｕめっき層１５０を平坦化することにより、電解Ｃｕめっき層１５０の平坦性は±（０．０５〜０．５μｍ）のばらつき範囲に抑えることができる。【０１６８】  尚、研磨の終点検出方式としては、回転トルクによる判定方式や静電容量による判定方式等がある。【０１６９】  変形例としては、図１（ｂ）に示す両面配線基板のように、端子部にＮｉめっき層およびＡｕめっき層を設けなくてもよい。場合によっては、この状態で両面配線基板が出荷される。【０１７０】  その製造方法は、図１（ａ）に示す両面配線基板の製造方法において、端子部１７０、１７０ａに対してめっきを施さない方法がとられる。【０１７１】  本発明は、上記のように高密度実装に対応でき、且つ、従来のビルドアップ多層配線基板より、生産性の面で優れ、更に、高周波の入出力の電力損失の問題を解決できるパッケージ用の配線基板の提供を可能とした。【０１７２】  特に、半導体チップ組み立てにおけるワイヤーボンディングやフリップチップ接合の際に横滑りがおきにくく、充填タイプのスルーホール上のへこみ（デント）がない構造で、且つ、配線厚のばらつきを均一にすることができるパッケージ用の配線基板の提供を確実にできるものとした。【０１７３】  同時に、このような配線基板を製造する配線基板製造方法の提供を可能にした。【０１７４】  ランドの小径化およびラインの微細化により、従来、コア基材の両面にそれぞれサブトラックティブ法にて形成された配線層１層をコア基板を設け、更に、各配線層上に、配線層をめっき形成するアディティブ法にて配線層を１層形成していた。このような構造を有し、ＣＳＰやスタックパッケージに用いられていた。配線４層構造の従来の両面配線基板を、コア基材の両面にそれぞれ配線層を１層だけ配した、配線２層構造の本発明の両面配線基板で置き代えることが可能となった。【０１７５】  本発明の両面配線基板は、従来の配線４層構造のものに比べ、構造が簡単で、その作製工程数も減り、生産性の面、高周波の入出力の電力損失の面で優れている。【０１７６】第２の実施の形態
本発明の第２の実施の形態を図に基づいて説明する。
図１１（ａ）は本発明の両面配線基板の第２の実施の形態例を示す一部断面図であり、図１１（ｂ）は図１１（ａ）に示す実施の形態例の変形例であり、図１２は図１１（ａ）に示す実施の形態の製造工程の一部を示した工程断面図であり、図１３は図１２に続く工程を示した工程断面図であり、図１４は比較例の製造工程の一部を示した工程断面図であり、図１５は図１４に続く工程を示した工程断面図である。【０１７７】  図１１〜図１５中、符号１１０はコア基材、符号１１０Ｈはスルホールの貫通孔、符号１１０Ｓは基材面、符号１１５は電解Ｃｕ箔、符号１２０はレーザ光、符号１３０は無電解めっき層、符号１４０はレジスト、符号１４５は開口、符号１５０は電解Ｃｕめっき層、符号１６０はソルダーレジスト、符号１６５は開口、符号１７０は接続用パッド（単に端子部とも言う）、符号１７０ａは外部接続パッド（単に端子部とも言う）、符号１７１はＮｉめっき層、符号１７２はＡｕめっき層、符号１７５、１７５ａは端子部、符号１８０はスルーホール、符号１８０ａはスルーホール形成領域、符号１９１、１９２は配線、符号１９３ａはスルーホールの導通部、符号２１０はコア基材、符号２１１Ｈはスルホールの貫通孔、符号２１５ａは電解Ｃｕ箔、符号２１５はエッチングにより薄肉化された電解Ｃｕ箔、符号２３０は無電解めっき層、符号２４０は電解Ｃｕめっき層、符号２５０はレジスト、符号２５５は開口、符号２６０はソルダーレジスト、符号２６１は凹部、符号２６５は開口、符号２７０、２７０ａは端子部、符号２７１はＮｉめっき層、符号２７２は金めっき層、符号２８０はスルーホール、符号２８０ａはスルーホール形成領域、符号２９１、２９２は配線、符号２９３はスルーホールの導通部である。【０１７８】  はじめに、本発明の両面配線基板の第２の実施の形態の例を図１１（ａ）に基づいて説明する。
本発明による両面配線基板は、両面に粗面化された基材面１１０Ｓを有するコア基材１１０と、コア基材１１０の各基材面１１０Ｓに設けられた配線層１９１、１９２とを備えている。すなわち両面配線基板は、後に述べる図１２〜図１３に示す工程にて作製されるもので、コア基材１１０の両側の粗面化された基材面１１０Ｓに、それぞれ、セミアディティブ法にて形成された配線層１９１、１９２を１層だけ設け、コア基材１１０に設けられた貫通孔１１０Ｈからなるスルーホール１８０を介して前記コア基材１１０の両側の配線層１９１、１９２、すなわちの配線１９１と配線１９２とを電気的に接続して構成されている。また、配線層１９１、１９２に所定の端子部１７０、１７０ａが接続され、コア基材１１０の両面に、所定の端子部１７０、１７０ａを露出させた状態で、ソルダーレジスト１６０が設けられている。このような両面配線基板は半導体パッケージ用の両面配線基板であって、図９に示すような半導体パッケージにおいて、インターポーザとしての多層配線基板１０に置き代わり使用される。【０１７９】  スルーホール１８０は、レーザにて開孔されたコア基材１１０の貫通孔１１０Ｈからなり、貫通孔１１０Ｈ内にスルーホールめっきが施されて導通部１９３ａを形成し、更に貫通孔１１０Ｈがソルダーレジスト１６０により充填されている。【０１８０】  上述のように、コア基板の一方の面（配線１９１側の面）にはフリップチップ方式あるいはワイヤボンディング方式により半導体チップと接続するための接続パッド（端子部）１７０が設けられ、他方の面（配線１９２側の面）には外部回路と接続するための外部接続端子（端子部）１７０ａが設けられている。【０１８１】  勿論、接続パッド１７０と外部接続端子１７０ａをコア基材１１０のどちらの面に設けるかは自由に選択できる。【０１８２】  接続パッド（端子部）１７０、外部接続端子（端子部）１７０ａは、いずれも、無電解めっき層１３０上に形成された電解Ｃｕめっき層１５０と、この電解Ｃｕめっき層１５０上に設けられ、ソルダーレジスト１６０の開口を埋めるように、順に形成されたＮｉめっき層１７１およびＡｕめっき層１７２とを有している。【０１８３】  尚、コア基材１１０の基材面１１０Ｓの表面の十点平均粗さＲｚＪＩＳは、２μｍ〜１０μｍの範囲となっている。基材面１１０ＳのＲｚＪＩＳがこの範囲をとることにより、基材面１１０Ｓに対して配線１９１、１９２の密着強度が向上し、配線の微細化を達成できる。このためその製造の面からも実用レベルと言える。【０１８４】  コア基材１１０としては、耐熱性の熱硬化型の絶縁性樹脂層に、適宜、ガラスクロス、アラミド不織布、液晶ポリマー不織布、ゴアテックス等が混入されたものが用いられる。【０１８５】  樹脂層としては、シアネート系樹脂、ＢＴレジン、エポキシ樹脂、ＰＰＥ（ポリフェニレンエーテル）等が挙げられる。【０１８６】  テストによれば、樹脂層として、日立製６７９Ｆシリーズ（シアネート系樹脂）を用いた場合、コア基材１１０の基材面１１０ＳのＲｚＪＩＳが５μｍでピール強度は８００ｇ／ｃｍ（ＪＩＳＣ５０１２−１９８７  ８．１）であった。【０１８７】  後述するが、コア基材１１０の樹脂層の表面１���０Ｓは、電解Ｃｕ箔１１５（図１２）のめっき面側をコア基材１１０に熱圧着して硬化させて形成されている。電解Ｃｕ箔１１５（図１２）のめっき面の粗形状がコア基材１１０の基材面１１０Ｓに転写され（後に説明する図１２〜図１３の工程参照）、コア基材１１０の基材面１１０Ｓと配線１９１、１９２とは密着性が良好となっている。【０１８８】  スルーホール１８０は、レーザにてコア基材１１０に設けられた貫通孔１１０Ｈからなり、通常、ＣＯ２レーザあるいはＵＶレーザにより、コア基材１１０にスルーホール形成用の貫通孔１１０Ｈが形成され、貫通孔１１０Ｈの径は１５０ｎｍ以下となる。【０１８９】  配線１９１、１９２、スルーホールの導電部１９３ａ等を形成する電解Ｃｕめっき層１５０は、公知の電解Ｃｕめっき方法で形成され、導電性の面からその厚さは５μｍ〜３０μｍ程度となっている。【０１９０】  無電解めっき層１３０は、無電解Ｎｉめっき、無電解Ｃｕめっき等公知の方法により形成されるもので、配線１９１、１９２、スルーホールの導通部１９３ａを形成するために電解Ｃｕめっきを施す際の通電層となるものである。無電解めっき層１３０は所定の厚さがあり、フラッシュエッチングにて、他を損傷せずに容易に除去できる厚さであれば良い。【０１９１】  図１１（ｂ）に示す両面配線基板は、図１１（ａ）の両面配線基板において、端子１７０、１７０ａにおけるＮｉめっき層１７１、Ａｕめっき層１７２がない状態のものであり、場合によっては、この状態で出荷される。
各部については、図１１（ａ）の両面配線基板と同じで、説明は省く。【０１９２】  次に、図１１（ａ）に示す両面配線基板の製造方法を図１２、図１３に基づいて説明する。
尚、これを以って、本発明に両面配線基板の製造方法の実施の形態の説明に代える。【０１９３】  先ず、コア基材用の絶縁性の樹脂層（絶縁性樹脂フィルム）１１０の両面に、それぞれ、その電解めっき形成された粗面を有する電解Ｃｕ箔を、この粗面を樹脂層側に向けて圧着積層することにより３層構造の加工用素材１１０ａを作製して準備する。（図１２（ａ））
ここでは、絶縁性樹脂フィルム１１０として、熱硬化型の樹脂層を用い、樹脂フィルム１１０の両面に電解Ｃｕ箔を熱圧着する。【０１９４】  コア基材１１０の材料としては、絶縁性の樹脂に、適宜、ガラスクロス、アラミド不織布、液晶ポリマー不織布、ゴアテックス等が混入されたものが用いられる。【０１９５】  絶縁性の樹脂としては、シアネート系樹脂、ＢＴレジン、エポキシ樹脂、ＰＰＥ（ポリフェニレンエーテル）等が用いられる。【０１９６】  次いで、絶縁性フィルム１１０の両面の電解Ｃｕ箔１１５をエッチング除去し、電解Ｃｕ箔１１５の表面状態が転写形成された基材面１１０Ｓを有するコア基材１１０を形成する。（図１２（ｂ））
電解Ｃｕ箔１１５に対するエッチングは、塩化第二鉄溶液、あるいは、塩化第二銅溶液、あるいは、アルカリエッチング液にて行う。【０１９７】  洗浄後、レーザ光１２０を選択的に照射して、コア基材１１０にスルーホール形成用の貫通孔１１０Ｈを形成する。（図１２（ｃ））
レーザ光１２０としては、ＣＯ２レーザあるいはＵＶレーザが、コア基材１１０の材質に合せて用いられる。【０１９８】  コア基材１１０の一方の面にレーザ光１２０を過剰に反射しない黒色等の当て板１２０ａを配設し、他方の面からレーザ光１２０の照射を行うことにより、レーザにてコア基材１１０に貫通孔１１０Ｈを形成する。この場合、貫通孔１１０Ｈの断面形状は、レーザ光１２０の照射側の孔径が大、レーザ光１２０の照射側とは反対側の孔径が小とする台形形状に形成される。
例えば、ＣＯ２レーザを用いた場合、１００μｍ厚のシアネート系樹脂を用いたコア基材１１０に、照射側の孔径を１００μｍ、レーザ光１２０の照射側とは反対側の孔径を７０μｍとする貫通孔１１０Ｈを設けることができる。【０１９９】  これにより、後に行う、ソルダーレジスト１６０によりコア基材１１０の貫通孔１１０Ｈを充填する際、ソルダーレジスト１６０を充填し易くなる。また、貫通孔１１０Ｈの領域が平坦化され、ソルダーレジスト１６０がコア基材１１０の両面に配設される。【０２００】  また、従来のコア基板においては、スルーホール作製にメカニカルドリルを用いており、その径を１５０μｍ以下とすることはできなかったが、本発明によれば、レーザによりコア基材１１０に貫通孔１１０Ｈを形成するので、１５０μｍ以下の孔径の貫通孔１１０Ｈを形成することができる。【０２０１】  貫通孔１１０Ｈの最小孔径は、炭酸ガスレーザで８０μｍ、ＵＶ−ＹＡＧレーザで２５μｍ程度まで可能である。【０２０２】  次いで、コア基材１１０の貫通孔１１０Ｈ内の加工残渣を除去するデスミア処理を行った後、貫通孔１１０Ｈの表面を含むコア基材１１０の全面に無電解めっきを施して、通電層としての無電解めっき層１３０を形成する。（図１２（ｄ））
無電解めっきとしては、公知の無電解Ｃｕめっき、無電解Ｎｉめっきが適用できる。【０２０３】  次いで、コア基材１１０の両面に配線１９１、１９２およびスルーホール１８０の導通部１９３ａを形成する所定領域を露出するように開口１４５を設けてレジスト１４０を形成する（図１２（ｅ））。次に無電解めっき層１３０を通電層として、電解Ｃｕめっきを施し、配線１９１、１９２および貫通孔１１０Ｈ内面の導通部１９３ａを電解Ｃｕめっき層１５０にて選択的に形成する。（図１２（ｆ））
無電解めっき層１３０は、無電解Ｎｉめっき、無電解Ｃｕめっき等公知の方法により形成されるもので、配線１９１、１９２を形成するための電解Ｃｕめっき層１５０を形成する際の、通電層となる厚さがあり、後に行うフラッシュエッチングにて、他を損傷せずに容易に除去できる厚さであれば良い。【０２０４】  レジスト１４０としては、所望の解像性を有し、耐めっき性があり、処理性の良いものであれば特に限定はされない。【０２０５】  通常は、レジスト１４０として、ドライフィルムレジストが扱い易いため用いられる。【０２０６】  次いで、レジスト１４０を除去した（図１２（ｇ））後、露出している不要の無電解めっき層１３０を、フラッシュエッチングにて除去する。（図１３（ａ））
無電解めっき層１３０を除去するためのエッチング液としては、過水硫酸、過硫酸、塩酸、硝酸、シアン系、有機系エッチング液が挙げられる。【０２０７】  次いで、コア基材１１０の両面に感光性のソルダーレジストを塗布し、コア基材１１０の貫通孔１１０Ｈを埋めて、コア基材１１０の両面にソルダーレジスト層１６０を形成する。（図１３（ｂ））
貫通孔１１０Ｈの孔径が大きい配線１９１側からコア基材１１０に対して感光性のソルダーレジストを塗布した場合、ソルダーレジストは、貫通孔１１０Ｈの孔径の小さな配線１９２側には容易に通過せず、充填がし易く、且つ、スルーホール１８０の形成領域を含むコア基材１１０両面に平坦状にソルダーレジストを設けることができる。【０２０８】  次いで、ソルダーレジスト層１６０を所定のフォトマスク等を用いてマスクマスキング露光し、現像し、端子部１７０、１７０ａを露出させる。（図１３（ｃ））
次いで、端子部１７０、１７０ａ表面に、順に、電解Ｎｉめっき層１７１、Ａｕめっき層１７２を形成する。（図１３（ｄ））
このようにして、本例の両面配線基板が形成される。
尚、図１１（ａ）に示す両面配線基板の比較例として、図１７に示す従来のコア基板と同様、コア基材の両面に配線を１層だけ配設し、且つ、メカニカルドリルにてコア基材に貫通孔を設け、スルーホールめっきを施して両面の配線を電気的に接続した両面配線基板について説明する。この場合、ソルダーレジストが基材のスルーホール形成用の貫通孔に充填され、コア基材１１０両面の配線がソルダーレジストで覆われる。このような比較例としてのパッケージ用両面配線基板を図１４、図１５により簡単に説明する。【０２０９】  先ず、コア基材２１０の両面に電解Ｃｕ箔２１５ａを熱圧着積層することにより、３層構造を有する加工用素材を準備する（図１４（ａ））。コア基材２１０の両面に設けられた電解Ｃｕ箔２１５ａをエッチングにより所望の厚さに薄化する（図１４（ｂ））。次にメカニカルドリルにて加工用素材２１０ａにスルーホール用の貫通孔２１１Ｈを開け（図１４（ｃ））、バリを除去するための研磨処理、デスミア処理を経て、無電解めっきを施し無電解めっき層２３０を設ける（図１４（ｄ））。次に無電解めっき層２３０を通電層として電解Ｃｕめっきを施し、コア基材２１０の両面に電解めっき層２４０を設け、貫通孔２１１Ｈ内に導電部２９３ａを形成する。（図１４（ｅ））【０２１０】  次いで、コア基材２１０の両面に、それぞれ、所定領域２５５を開口して、耐エッチング用のレジスト２５０を形成する（図１４（ｆ））。その後レジスト２５０の開口２５５から露出した、電解めっき層２４０、無電解めっき層２３０、薄化された電解Ｃｕ箔２１５を塩化第二鉄溶液等のエッチング液によりエッチング除去する（図１５（ａ））。次にコア基材２１０の両面から感光性のソルダーレジスト２６０を塗布し、この際、同時にコア基材２１０の貫通孔２１０Ｈをソルダーレジスト２６０で充填する。（図１５（ｂ））【０２１１】  その後、ソルダーレジスト２６０の端子部形成領域２６５を、フォトリソ法により開口し（図１５（ｃ））、露出した電解Ｃｕめっき層２４０上に電解Ｎｉめっき層２７１および電解Ａｕめっき層２７２を設けて、比較例の両面配線基板を得ることができる。（図１５（ｄ））【０２１２】  しかし、この製造方法における、配線の形成は、予め用意していた電解Ｃｕ箔２１５、無電解めっき層２３０、電解Ｃｕめっき層２４０をエッチングして配線形成を行う。このためこの製造方法は、基本的には、配線部をエッチング形成するサブトラックティブ法を主とした、図７に示す方法と同様の配線を形成するものであり、配線の微細化、高密度化には対応できない。【０２１３】  従って、両面配線基板におけるライン／スペースとしては、５０μｍ／５０μｍレベル以下の製造が困難である。また、メカニカルドリルにより、コア基材２１０にスルーホール形成用の貫通孔２１１Ｈを形成するため、その径は大きくなり、図７（ｄ）に示す従来のコア基板と同様スルーホール径／ランド径として１５０μｍ／３５０μｍレベルより小とすることができない。【０２１４】  また、メカニカルドリルにより、スルーホール形成用の貫通孔を形成するため、その径は大きくなる。このため、ソルダーレジストを該貫通孔２１１Ｈに充填しても、ソルダーレジスト２���０に凹部２６１が発生する。このような両面配線基板を用いた場合、この凹部２６１と搭載したチップの間に気泡が入り込み、半導体装置の信頼性を損ねるといった問題を生じたり、得意先での半導体チップ組み立て工程に負荷がかかると言う問題が発生する。【０２１５】  即ち、比較例の両面配線基板では、高密度実装のパッケージ用基板としては前記問題を有し、対応できない。【０２１６】  本発明は、上記のように、高密度実装に対応でき、且つ、従来のビルドアップ多層配線基板より、生産性の面で優れたパッケージ用の配線基板の提供を可能とした。【０２１７】  同時に、このような配線基板を製造するの配線基板製造方法の提供を可能にした。【０２１８】  特に、ランドの小径化およびラインの微細化により、従来、コア基材の両面にそれぞれサブトラックティブ法にて形成された配線層１層をコア基板を設け、更に、各配線層上に、配線層をめっき形成するアディティブ法にて配線層を１層形成していた。このような構造を有し、ＣＳＰやスタックパッケージに用いられていた、配線４層構造の従来の両面配線基板を、コア基材の両面にそれぞれ配線層を１層だけ配した配線２層構造の本発明の両面配線基板で置き代えることが可能となった。【０２１９】  本発明の両面配線基板は、従来の配線４層構造のものに比べ、構造が簡単で、その作製工程数も減り、生産性の面で優れている。【０２２０】  また、本発明の両面配線基板においては、従来、問題となっていたソルダーレジストの凹みが解消されるため、得意先でのプロセスの付加を軽減することができるようになった。【０２２１】本発明の変形例
次に本発明の変形例について図１６乃至図１８により説明する。
図１６に示す変形例は、コア基材１１０に設けられた貫通孔１１０Ｈの断面形状が異なるのみであり、他は上述した第１の実施の形態および第２の実施の形態と略同一である。【０２２２】  コア基材１１０は絶縁性樹脂と、この絶縁性樹脂中に混入されたガラスクロス、アラミド不織布、液晶ポリマー不織布、多孔質ポリテトラフルオロエチレン等を有している。そしてレーザ光１２０をコア基材１１０に照射することにより、貫通孔１１０Ｈが得られる。この場合、レーザ光１２０のエネルギを調整することにより、貫通孔１１０Ｈは図１６に示すような断面形状を有する。【０２２３】  すなわち図１６において、貫通孔１１０Ｈの断面形状３０５は、貫通孔１１０Ｈの一端３０１から内部に向ってその孔径が減少する第１台形形状３０５ａと、貫通孔１１０Ｈの内部から他端３０２に向ってその孔径が増加する第２台形形状３０５ｂとを有している。この場合、第１台形形状３０５ａと第２台形形状３０５ｂとは、貫通孔１１０Ｈの内部地点３０７を境として一端３０１側と他端３０２側に区画されている。【０２２４】  このように貫通孔１１０Ｈの断面形状３０５が、一端３０１側の第１台形形状３０５ａと他端３０２側の第２台形形状３０５ｂとからなるので、一端３０１側から電解めっきを充てんして導電部１９３を形成する場合（図２（ｆ）参照）、電解めっきが第１台形形状３０５ａの内部地点３０７に向って絞られながら供給されるため確実に第１台形形状３０５ａ内に充填される。その後内部地点３０７から電解めっきが第２台形形状３０５ｂ側へ拡張しながらスムーズに供給されるため、第２台形形状３０５ｂ内に電解めっきが確実に充てんされる。【０２２５】  次に図１７によりビルドアップタイプの多層配線基板３１０について説明する。図１７に示すように多層配線基板３１０は、上述した両面配線基板３００と、両面配線基板３００の両側に絶縁樹脂部１６０を介して設けられた追加配線層３１１、３１２とを備えている。【０２２６】  このうち、両面配線基板３００は、両面に粗面化された基材面１１０Ｓを有するコア基材１１０と、コア基材１１０の各基材面１１０Ｓに設けられた配線層１９１、１９２とを備えている。またコア基材１１０にはスルーホール１８０を構成する貫通孔１１０Ｈが形成され、配線層１９１、１９２同志は貫通孔１１０Ｈ内に充てんされた導通部１９３を介して導通されている。またコア基材１１０の基材面１１０Ｓおよび貫通孔１１０Ｈには無電解めっき層１３０が設けられている。【０２２７】  また配線層１９１、１９２は開口１６５を有する絶縁樹脂部１６０により覆われており、追加配線層３１１、３１２は絶縁樹脂部１６０の開口１６５を介して配線層１９１、１９２に接続されている。さらに追加配線層３１１，３１２上には、開口３１３ａを有する追加絶縁樹脂部３１３が設けられている。追加配線層３１１、３１２のうち開口３１３ａに対応する部分が追加端子部３１３ａとなる。【０２２８】  図１７に示す多層配線基板３１０において、４層の配線層３１１、１９１、１９２、３１２が設けられている。【０２２９】  次に図１８により、バンプ突き当てタイプの多層配線基板３２０について説明する。図１８に示すように、多層配線基板��２０は、上述した両面配線基板３００と、この両面配線基板３００の上側に絶縁樹脂部１６０を介して設けられた追加配線基板３２１とを備えている。【０２３０】  このうち、両面配線基板３００は、両面粗面化された基板面１１０Ｓを有するコア基材１１０と、コア基材１１０の各基材面１１０Ｓに設けられた配線層１９１、１９２とを備えている。またコア基材１１０にはスルーホール１８０を構成する貫通孔１１０Ｈが形成され、配線層１９１、１９２同志は貫通孔１１０Ｈ内に充てんされた導通部１９３を介して導通されている。またコア基材１１０の基材面１１０Ｓおよび貫通孔１１０Ｈには、無電解めっき層１３０が設けられている。【０２３１】  また配線層１９１、１９２は開口１６５を有する絶縁樹脂部１６０により覆われており、絶縁樹脂部１６０の開口１６５内には導通部１９３に連通するバンプ３２８が設けられている。【０２３２】  他方、追加配線基板３２１は両面に基材面３２２Ｓを有する追加コア基材３２２と、追加コア基材３２２の各基材面３２２Ｓに設けられた配線層３２４、３２６とを備えている。さらに追加コア基材３２２には追加貫通孔３２３が設けられ、追加貫通孔３２３内面には導通層３２３ａが形成されるとともに、追加貫通孔３２３内部にはレジスト３２５が充てんされている。【０２３３】  また追加配線基板３２１の配線層３２４は、開口３３０ａを有する追加絶縁樹脂部３３０により覆われている。【０２３４】  なお、バンプ３２８は両面配線基板３００の貫通孔１１０Ｈ内に充てんされた導電部１９３上に配置されて、この導通部１９３に連通している。また追加配線基板３２１の追加貫通孔３２３もバンプ３２８に対応する位置に設けられている。【０２３５】  さらに両面配線基板３００の配線層１９１および導通部１９３は、追加配線基板３２１の配線層３２６にバンプ３２８を介して接続されている。また両面配線基板３００と追加配線基板３２１との間には、配線３２６およびバンプ３２８を覆う追加絶縁樹脂部３３１が設けられている。【０２３６】  図１８に示す多層配線基板３２０において、４層の配線層３２４、３２６、１９１、１９２が設けられている。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【国際調査報告】
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