(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
チップ抵抗器であって、
略直方体形状を呈する基板と、
基板の上面における互いに対向する長辺部に沿ってそれぞれ形成された一対の上面電極で、各上面電極の該長辺部に沿った方向の幅が該長辺部の長さよりも小さく形成され、該長辺部に沿った方向における中心位置を跨がないように偏って形成されている上面電極と、
該一対の上面電極間に蛇行状に形成された抵抗体と、
該基板の長辺部に沿った側方に形成され、該上面電極と接続して形成された側面電極で、基板の上面側に形成され上面電極と接続した上部構成部と、基板の側面側に形成された側部構成部と、基板の下面側に形成された下部構成部とを有し、断面略コ字状に形成された部分が該基板の長辺部に沿った領域における一部の領域のみに形成された側面電極と、
を有し、
基板の長辺部に沿った領域には、抵抗体における上面電極との接続領域以外の領域が最も長辺部に接近する最接近領域が設けられ、側面電極における断面略コ字状に形成された部分は、該最接近領域以外の領域に形成されていることを特徴とするチップ抵抗器。
【請求項２】
側面電極において、断面略コ字状に形成された部分の長さは、基板の長辺部の方向の長さの３０〜５０％であることを特徴とする請求項１に記載のチップ抵抗器。
【請求項３】
側面電極における上記長辺部の方向の一方の端部から他方の端部までの全ての領域が、断面略コ字状に形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のチップ抵抗器。
【請求項４】
側面電極が基板の長辺部の方向の一方の端部から他方の端部にまで形成され、断面略コ字状に形成された本体部と、上部構成部が形成されていない延出部とを有していることを特徴とする請求項１又は２に記載のチップ抵抗器。
【請求項５】
延出部が、基板の長辺部に沿って本体部の両側に形成されていることを特徴とする請求項４に記載のチップ抵抗器。
【請求項６】
延出部は、基板の側部に形成された側部構成部を有し、延出部の該側部構成部の上端は、基板の上端よりも低く形成されていることを特徴とする請求項４又は５に記載のチップ抵抗器。
【請求項７】
延出部は、基板の側部に形成された側部構成部を有し、延出部の該側部構成部の上端は、基板の上端と同じ高さに形成されていることを特徴とする請求項４又は５に記載のチップ抵抗器。
【請求項８】
基板の下面に一対の下面電極が設けられ、該一対の下面電極は、互いに対向して電極が形成される領域と、互いに対向して電極が形成されない領域とを有した構成となっていることを特徴とする請求項１又は２又は３又は４又は５又は６又は７に記載のチップ抵抗器。
【請求項９】
上記上面電極が互いに対角状に設けられていることを特徴とする請求項１又は２又は３又は４又は５又は６又は７又は８に記載のチップ抵抗器。
【請求項１０】
上記上面電極が互いに対向して設けられていることを特徴とする請求項１又は２又は３又は４又は５又は６又は７又は８に記載のチップ抵抗器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、チップ抵抗器に関するものであり、特に、耐サージ特性に優れたチップ抵抗器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、耐サージ特性に優れたチップ抵抗器として、図１８に示すように、絶縁基板１０上に蛇行状に形成された抵抗体２０と、抵抗体２０の端部の上面に設けられた一対の上面電極３０、３２とが設けられ、該一対の上面電極３０、３２は、これらが形成された辺部の長さよりも短い幅に形成されていることにより、上面電極３０、３２が形成されている辺部に沿ったスペースを抵抗体形成領域として有効に利用でき、抵抗体２０の面積を大きくすることができるので、チップ抵抗器のサイズを小型としつつ耐サージ特性に優れたチップ抵抗器が存在する（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００６−１９６９４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかし、図１８に示すチップ抵抗器においては、側面電極６０、６２が上面電極形成側の辺部に沿って絶縁基板１０の一方の端部から他方の端部にまで形成されており、また、辺部に沿ったスペースを有効利用した結果、抵抗体２０は、絶縁基板１０の辺部（長辺）近くにまで形成されていて、抵抗体が側面電極に近接して形成されているので、チップ抵抗器の両端に大きなサージ電圧が印加された場合に、抵抗体と側面電極との間に放電が発生するおそれがある。特に、上面電極が形成されている辺部に沿って該上面電極から離れた位置においては、側面電極との電位差が高くなっているので放電が発生するおそれがある。そのように抵抗体と側面電極間で放電が発生すると、抵抗体の抵抗値変化が許容範囲を超えてしまう等抵抗体の電気的特性が劣化してしまうおそれがある。
【０００４】
そこで、一対の上面電極が、これらが形成された辺部の長さよりも短い幅に形成されていて、抵抗体が、絶縁基板における電極部形成側の辺部近くにまで形成されたチップ抵抗器において、チップ抵抗器の両端に大きなサージ電圧が印加された場合でも、抵抗体と側面電極との間に放電の発生を防ぐことができるチップ抵抗器を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は上記問題点を解決するために創作されたものであって、第１には、チップ抵抗器であって、略直方体形状を呈する基板（絶縁基板としてもよい。他においても同じ）と、基板の上面における互いに対向する長辺部に沿ってそれぞれ形成された一対の上面電極で、各上面電極の該長辺部に沿った方向の幅が該長辺部の長さよりも小さく形成され、該長辺部に沿った方向における中心位置を跨がないように偏って形成されている上面電極と、該一対の上面電極間に蛇行状に形成された抵抗体と、該基板の長辺部に沿った側方に形成され、該上面電極と接続して形成された側面電極で、基板の上面側に形成され上面電極と接続した上部構成部と、基板の側面側に形成された側部構成部と、基板の下面側に形成された下部構成部とを有し、断面略コ字状に形成された部分が該基板の長辺部に沿った領域における一部の領域のみに形成された側面電極と、を有し、基板の長辺部に沿った領域には、抵抗体における上面電極との接続領域以外の領域が最も長辺部に接近する最接近領域が設けられ、側面電極における断面略コ字状に形成された部分は、該最接近領域以外の領域に形成されていることを特徴とする。
【０００６】
上記第１の構成のチップ抵抗器においては、側面電極における断面略コ字状に形成された部分が、該最接近領域以外の領域に形成されているので、抵抗体において側面電極との電位差の大きく、長辺部に最接近した部分は、側面電極とは対向しておらず、よって、チップ抵抗器の両端に大きなサージ電圧が印加された場合でも、側面電極と抵抗体間の放電が発生するのを防止することができ、抵抗体と側面電極間で放電が発生することにより、抵抗体の抵抗値変化が許容範囲を超えてしまう等抵抗体の電気的特性が劣化するのを防止することができる。
【０００７】
また、第２には、上記第１の構成において、側面電極において、断面略コ字状に形成された部分の長さは、基板の長辺部の方向の長さの３０〜５０％であることを特徴とする。よって、側面電極と抵抗体間の放電の防止と、上面電極との接続領域や配線基板に実装する際のハンダフィレットの領域の確保とを考慮して、適切な構成とすることができる。
【０００８】
また、第３には、上記第１又は第２の構成において、側面電極における上記長辺部の方向の一方の端部から他方の端部までの全ての領域が、断面略コ字状に形成されていることを特徴とする。
【０００９】
また、第４には、上記第１又は第２の構成において、側面電極が基板の長辺部の方向の一方の端部から他方の端部にまで形成され、断面略コ字状に形成された本体部と、上部構成部が形成されていない延出部とを有していることを特徴とする。
【００１０】
この第４の構成においては、延出部が設けられていることにより、配線基板に実装する際にフィレットを十分確保でき、配線基板との固着力を向上させることができる。
【００１１】
また、第５には、上記第４の構成において、延出部が、基板の長辺部に沿って本体部の両側に形成されていることを特徴とする。すなわち、側面電極の両側に延出部が設けられているので、側面電極の形成位置がずれた場合でも本来側面電極を形成しない領域に側面電極を形成してしまうのを防止することができる。
【００１２】
また、第６には、上記第４又は第５の構成において、延出部は、基板の側部に形成された側部構成部を有し、延出部の該側部構成部の上端は、基板の上端よりも低く形成されていることを特徴とする。これにより、抵抗体との放電を十分防止することができる。
【００１３】
また、第７には、上記第４又は第５の構成において、延出部は、基板の側部に形成された側部構成部を有し、延出部の該側部構成部の上端は、基板の上端と同じ高さに形成されていることを特徴とする。
【００１５】
また、第８には、上記第１から第７までのいずれかの構成において、基板の下面に一対の下面電極が設けられ、該一対の下面電極は、互いに対向して電極が形成される領域と、互いに対向して電極が形成されない領域とを有した構成となっていることを特徴とする。よって、互いに対向して電極が形成される領域により配線基板との接合強度を高めることができ、さらに、互いに対向して電極が形成されない領域により、基板と配線基板との熱膨張差が生じても、該領域に向かって基板の応力を逃すことができるので、チップ抵抗器と配線基板との間のはんだに応力が集中してはんだにクラックが入るのを防止することができる。
【００１６】
また、第９には、上記第１から第８までのいずれかの構成において、上記上面電極が互いに対角状に設けられていることを特徴とする。
【００１７】
また、第１０には、上記第１から第８までのいずれかの構成において、上記上面電極が互いに対向して設けられていることを特徴とする。
【００１８】
また、以下の構成としてもよい。すなわち、第１１の構成として、上記第１から第１０までのいずれかの構成において、上記上面電極は、上記長辺部と直角の方向である第２方向に、基板の該第２方向の長さの半分以下の長さを有し、基板の該第２方向における中心位置を跨がないように形成されていることを特徴とする。よって、抵抗体の抵抗路の長さを長く取ることができ、抵抗値の高いチップ抵抗器に適している。
【００１９】
また、第１２の構成として、上記第１から第１１までのいずれかの構成において、抵抗体における上面電極と重ならない部分の最大幅で、上記長辺部の方向と直角の方向である直角方向の最大幅が、上記一対の上面電極間の該直角方向の距離よりも長く形成されていることを特徴とする。これにより、上面電極が形成されている辺部に沿った領域も抵抗体形成領域に利用しているので、抵抗体の面積を大きくすることができるので、チップ抵抗器のサイズを小型としつつ耐サージ性に優れ、高電力化が可能なチップ抵抗器を得ることが可能となる。
【００２０】
また、第１３の構成として、上記第１から第１２までのいずれかの構成において、上記上面電極と抵抗体の接続部分においては、上面電極が抵抗体の上側に形成されていることを特徴とする。このように、上面電極と抵抗体の接続部分においては、上面電極が抵抗体の上側に形成されているので、上面電極との接続部分において抵抗体が上面電極に覆われた状態となるので、側面電極との接続のために上面電極を保護膜から露出させた場合でも、抵抗体が露出しないので、メッキを良好に行うことが可能となる。
【００２１】
また、第１４の構成として、上記第１３の構成において、上記チップ抵抗器が、抵抗体における上面電極から露出した部分を被覆する保護膜を有し、該保護膜は、上面電極の少なくとも一部が保護膜から露出するように形成されていることを特徴とする。このようにすることにより、抵抗体は、上面電極及び保護膜により完全に被覆されるので、抵抗体は完全に保護され、また、側面電極の表面に形成されるメッキが抵抗体に接することがないので、メッキを良好に行うことができる。なお、上面電極の少なくとも一部を保護膜から露出させるには、上面電極の形成位置に切欠部又は開口部を設けるのが好ましい。
【００２２】
また、第１５の構成として、上記第１４の構成において、上記保護膜における上面電極に対応する位置には、上面電極を保護膜から露出させるための切欠部又は開口部が形成されていて、該側面電極は、少なくとも該切欠部又は開口部により露出した上面電極と接続されていることを特徴とする。このように切欠部又は開口部が設けられていることにより、上面電極が露出して側面電極と接続された状態となっているので、側面電極と上面電極との接続状態を良好とすることができる。
【００２３】
また、第１６の構成として、上記第１から第１２までのいずれかの構成において、上記チップ抵抗器が、上記抵抗体を保護する保護膜を有し、上記上面電極と抵抗体の接続部分においては、抵抗体が上面電極の上側に形成されていて、抵抗体の上側には、抵抗体における保護膜から露出する部分を被覆するカバー電極が形成されていることを特徴とする。このようにカバー電極が設けられるので、抵抗体が露出することがなく、メッキを良好に行うことが可能となる。
【００２４】
また、第１７の構成として、上記第１から第１６までのいずれかの構成において、上記一対の上面電極における各上面電極の他方の上面電極側には、曲線状に湾曲した辺部である湾曲状部が形成されていることを特徴とする。よって、湾曲状部が形成されているので、上面電極間距離の差が小さくなり、また、該上面電極における他方の上面電極側には角部が形成されないので、上面電極における特定の領域への電流集中を軽減することができ、電気的特性、特に、負荷特性を向上させることが可能となる。
【００２５】
また、第１８の構成として、上記第１７の構成において、上記上面電極が、方形状の形状における他方の上面電極側の角部を含む領域を曲線状に切り欠くことにより、湾曲状部を有していることを特徴とする。
【００２６】
また、第１９の構成として、上記第１から第１８までのいずれかの構成において、上記一対の上面電極における各上面電極の他方の上面電極側には、該他方の上面電極側に傾斜した辺部である傾斜状部が形成されていることを特徴とする。
【００２７】
また、第２０の構成として、上記第１９の構成において、上記上面電極が、方形状の形状における他方の上面電極側の角部を含む領域を斜めに切り欠くことにより、傾斜状部を有していることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２８】
本発明に基づくチップ抵抗器によれば、側面電極における断面略コ字状に形成された部分が、該最接近領域以外の領域に形成されているので、抵抗体において側面電極との電位差の大きく、長辺部に最接近した部分は、側面電極とは対向しておらず、よって、チップ抵抗器の両端に大きなサージ電圧が印加された場合でも、側面電極と抵抗体間の放電が発生するのを防止することができ、抵抗体と側面電極間で放電が発生することにより、抵抗体の抵抗値変化が許容範囲を超えてしまう等抵抗体の電気的特性が劣化するのを防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
本発明においては、一対の上面電極が、これらが形成された辺部の長さよりも短い幅に形成されていて、抵抗体が、絶縁基板における電極部形成側の辺部近くにまで形成されたチップ抵抗器において、チップ抵抗器の両端に大きなサージ電圧が印加された場合でも、抵抗体と側面電極との間に放電の発生を防ぐことができるチップ抵抗器を提供するという目的を以下のようにして実現した。
【００３０】
すなわち、本発明に基づく実施例におけるチップ抵抗器Ａは、図１〜図５に示されるように構成され、絶縁基板（基板）１０と、抵抗体（機能素子）２０と、上面電極３０、３２と、保護膜４０と、下面電極５０、５２と、側面電極６０、６２と、メッキ７０、７２と、を有している。
【００３１】
なお、図１、図７〜図１０はチップ抵抗器の斜視図であり、図２は、チップ抵抗器の平面図であるが、これらは、厳密には、メッキ７０、７２を除いた状態の図である。また、図４は、チップ抵抗器Ａの平面図であるが、厳密には、保護膜４０と側面電極６０、６２とメッキ７０、７２とを除いた状態の図である。また、図５、図１１〜図１３は、チップ抵抗器の底面図であるが、厳密には、メッキ７０、７２と側面電極６０、６２を除いた状態の図である。
【００３２】
また、図面において、Ｙ１−Ｙ２方向は、Ｘ１−Ｘ２方向に直角な方向であり、Ｚ１−Ｚ２方向は、Ｘ１−Ｘ２方向及びＹ１−Ｙ２方向に直角な方向である。
【００３３】
ここで、上記絶縁基板１０は、含有率９６％程度のアルミナにて形成された絶縁体である。この絶縁基板１０は、直方体形状を呈しており、平面視すると、略長方形形状を呈している。この絶縁基板１０は、上記チップ抵抗器Ａの基礎部材、すなわち、基体として用いられている。
【００３４】
また、抵抗体２０は、絶縁基板１０の上面に設けられていて、蛇行状に形成されている。つまり、この抵抗体２０は、略Ｎ字状に形成されていて、帯状部２０ａ、２０ｃと、幅広部２０ｂと、接続部２０ｄ、２０ｅとを有している。すなわち、帯状部２０ａは、上面電極３２と接続され、Ｙ１−Ｙ２方向（「縦方向」、「絶縁基板の短手方向」としてもよい）に帯状に形成されている。また、帯状部２０ｃは、上面電極３０と接続され、Ｙ１−Ｙ２方向に帯状に形成されている。また、幅広部２０ｂは、帯状部２０ａと帯状部２０ｃの中間の位置に設けられていて、方形状の相対する角部を斜めに欠切した形状を呈している。なお、この幅広部２０ｂの形状は、相対する角部を斜めに欠切したものでなく、方形状の形状としてもよい。なお、この場合には、当然幅広部２０ｂが上面電極３０、３２と接しない形状とする必要がある。また、接続部２０ｄは、帯状を呈し、帯状部２０ａと幅広部２０ｂとを接続し、また、接続部２０ｅは、帯状を呈し、帯状部２０ｃと幅広部２０ｂとを接続する。また、幅広部２０ｂには、トリミング溝Ｔが形成される。
【００３５】
また、上面電極３０は、方形状を呈し、絶縁基板１０の上面の一方の長辺側の辺部に沿って形成され、該長辺側の辺部における一方の短辺側に偏った位置に形成されている。つまり、上面電極３０は、Ｙ２側の長辺側の辺部に沿った領域であって、絶縁基板の上面の角部の近くに形成されている。より具体的には、上面電極３０のＸ１−Ｘ２方向の中心位置と絶縁基板１０のＸ１側の端部間の距離α１は、絶縁基板１０のＸ１−Ｘ２方向（「横方向」、「絶縁基板の長手方向」、「長辺方向」としてもよい）の長さの半分よりも長くなっている。また、上面電極３０のＸ１−Ｘ２方向の中心位置と絶縁基板１０のＸ２側の端部間の距離α２は、当然絶縁基板１０のＸ１−Ｘ２方向の長さの半分よりも短くなっている。また、上面電極３０は、長辺に沿った方向に、絶縁基板の長辺の長さの半分以下（半分よりも小さいとしてもよい）の幅を有し、該長辺の中心位置（つまり、平面視の絶縁基板１０の長辺方向における中心位置、この中心位置が上記「基板の該辺部に沿った方向における中心位置」に当たる）を跨がないように偏って形成されているといえる。これにより、上面電極３０のＸ１側の端部と絶縁基板１０のＸ１側の端部間の距離は、絶縁基板１０のＸ１−Ｘ２方向の長さの半分よりも長くなっている。また、上面電極３０のＸ２側の端部と絶縁基板１０のＸ２側の端部間には、隙間が設けられているが、この隙間が設けられない構成でもよい。
【００３６】
また、上面電極３２は、上面電極３０と点対称の構成である。つまり、上面電極３２は、方形状を呈し、絶縁基板１０の上面の他方の長辺側の辺部に沿って形成され、該長辺側の辺部における他方の短辺側に偏った位置に形成されている。つまり、上面電極３２は、Ｙ１側の長辺側の辺部に沿った領域であって、絶縁基板の上面の角部の近くに形成されている。上面電極３２の具体的な構成は、点対称（チップ抵抗器Ａの平面視における中心点を介して点対称。他においても同じ）である以外は、上面電極３０と同様であるので詳しい説明を省略する。
【００３７】
また、上面電極３０、３２ともに、Ｙ１−Ｙ２方向の幅は、少なくとも絶縁基板１０のＹ１−Ｙ２方向の長さの半分以下（半分よりも小さいとしてもよい）となっていて、上面電極３０、３２は、平面視の絶縁基板１０の短辺方向における中心位置を跨がないように形成されている。この場合のＹ１−Ｙ２方向が第２方向となる。
【００３８】
以上のように、上面電極３０と上面電極３２とは、ともに絶縁基板１０の長辺に沿って形成されていて、上面電極３０と上面電極３２とは絶縁基板１０の対角位置、つまり、絶縁基板１０の平面視における中心位置を介して点対称の位置に形成されているといえる。なお、上面電極３０及び上面電極３２は、抵抗体２０との接続部分においては、抵抗体２０の上側に形成されている。
【００３９】
また、保護膜４０は、抵抗体２０及び上面電極３０、３２の上面に設けられていて、方形状の形状に方形状の切欠部を２つ設けた形状を呈している。つまり、保護膜４０は、方形状の形状に上面電極３０、３２の位置に対応する位置に方形状の切欠部４２、４４を形成した形状を呈し、抵抗体２０が露出しないように形成されている。上記切欠部４２、４４は、凹状に形成されているといえる。つまり、保護膜４０のＸ１−Ｘ２方向の長さは、絶縁基板１０のＸ１−Ｘ２方向の長さよりも若干短く形成されているが、抵抗体２０のＸ１−Ｘ２方向の最大幅よりも長く形成されているとともに、保護膜４０のＹ１−Ｙ２方向の長さは、絶縁基板１０のＹ１−Ｙ２方向の長さよりも若干短く形成されているが、抵抗体２０のＹ１−Ｙ２方向の最大幅よりも長く形成されている。なお、図４に示すように、保護膜４０と抵抗体２０とを平面視において比べると、帯状部２０ａ、２０ｃの端部は保護膜４０からはみ出すようになっているが、この部分は上面電極３０、３２にカバーされているので、抵抗体２０が露出することはない。なお、図１、図２、図４に示すように、平面視において、保護膜４０の外形が絶縁基板１０の外形よりも若干小さく形成されているが、これにより、分割時のバリを防止することができ、チップ抵抗器の形状が良好となる。なお、保護膜４０は、絶縁基板１０の端縁まで形成したものでもよい。
【００４０】
また、下面電極５０と下面電極５２とは、図３、図５に示すように、絶縁基板１０の底面に形成されていて、帯状を呈している。つまり、下面電極５０は、Ｙ２側の長辺に沿ってＸ１−Ｘ２方向に帯状に形成されていて、Ｘ１側の端部からＸ２側の端部にまで形成されている。また、下面電極５２は、Ｙ１側の長辺に沿ってＸ１−Ｘ２方向に帯状に形成されていて、Ｘ１側の端部からＸ２側の端部にまで形成されている。なお、下面電極５０、５２の長辺方向の長さは、絶縁基板１０の長辺の方向の長さよりも若干短くてもよい。
【００４１】
また、側面電極６０、６２は、上面電極の一部と、下面電極の一部と、保護膜４０の一部と、絶縁基板１０の側面や上面の一部を被覆するように断面略コ字状に層状に形成されているが、長手方向の一部にのみ形成されている点が通常と異なる。すなわち、図１〜図４に示すように、側面電極６０は、上面電極３０の一部と、下面電極５０の一部と、保護膜４０の一部と、絶縁基板１０の側面の一部や上面の一部を被覆するように断面略コ字状に層状に形成されており、側面電極６０を構成する上部構成部６０ａと側部構成部６０ｂと下部構成部６０ｃとはそれぞれ帯状に形成されている。特に、側面電極６０は、絶縁基板１０の長手方向の辺部において、一部にのみ形成されていて、絶縁基板１０の長手方向における上面電極３０形成側の領域（Ｘ２側の領域）に偏って形成されている。つまり、側面電極６０は、上面電極３０形成側の端部（Ｘ２側の端部）から長手方向に途中位置まで形成されていて、側面電極６０の一方の端部は絶縁基板１０のＸ２側の端部の位置であり、他方の端部は絶縁基板１０の長手方向の半分の位置を含めてＸ２側となっている。つまり、抵抗体２０との放電を防止する意味では、上面電極３０からの距離が長くなると電位差が大きくなるので、側面電極６０のＸ１側の端部と絶縁基板１０のＸ２側の端部との間の長さは、絶縁基板１０のＸ１−Ｘ２方向の長さの５０％以下とする。より具体的には、側面電極６０の他方の端部は、抵抗体２０における絶縁基板１０の長辺への最接近領域ＲよりもＸ２側に形成され、側面電極６０は、該最接近領域Ｒには形成されていない。つまり、図１〜図４の例で、最接近領域ＲのＸ２側の端部は、絶縁基板１０の長手方向の半分の位置よりもＸ２側となっているが、側面電極６０のＸ１側の端部は、最接近領域ＲのＸ２側の端部よりもＸ２側となっている。なお、側面電極６０のＸ１側の端部と絶縁基板１０のＸ２側の端部との間の長さ（側面電極６０の長さと同じ）は、絶縁基板１０のＸ１−Ｘ２方向の長さの５０％以下であるが、４５％未満であってもよい。また、上面電極との接続領域や配線基板に実装する際のハンダフィレットの領域を考えると、側面電極６０の長さは、絶縁基板１０のＸ１−Ｘ２方向の長さの３０％以上とするのが好ましい。
【００４２】
また、側面電極６２は、側面電極６０とは点対称に形成されていて、側面電極６２は、上面電極３２の一部と、下面電極５２の一部と、保護膜４０の一部と、絶縁基板１０の側面の一部や上面の一部を被覆するように断面略コ字状に層状に形成されており、側面電極６２を構成する上部構成部６２ａと側部構成部６２ｂと下部構成部６２ｃとはそれぞれ帯状に形成されている。つまり、側面電極６２は、絶縁基板１０の長手方向において、一部にのみ形成されていて、絶縁基板１０の長手方向における上面電極３２形成側の端部（Ｘ１側の端部）から長手方向に途中位置まで形成されていて、側面電極６２の一方の端部は絶縁基板１０のＸ１側の端部の位置であり、他方の端部は絶縁基板１０の長手方向の半分の位置よりもＸ１側となっている。より具体的には、側面電極６２の他方の端部は、抵抗体２０における絶縁基板１０の長辺への最接近領域ＲよりもＸ１側に形成され、側面電極６２は、該最接近領域Ｒには形成されていない。
【００４３】
なお、絶縁基板１０の上面側の長辺部に沿った領域において、側面電極６０、６２が形成されていない領域、つまり、図２におけるＷに示す領域が上記非形成領域に当たる。
【００４４】
なお、図２に示すように、側面電極６０は、保護膜４０に形成された切欠部４２の全てを被覆してはおらず、同様に、側面電極６２は、保護膜４０に形成された切欠部４４の全てを被覆してはいない。これにより、上面電極３０は側面電極６０により全て被覆されているものではなく、また、上面電極３２は側面電極６２により全て被覆されているものではない。
【００４５】
なお、図２に示す場合とは異なり、側面電極６０、６２の上部構成部の幅を大きくして、側面電極６０が切欠部４２を被覆し、側面電極層６２が切欠部４４を被覆するようにして、上面電極３０、３２が側面電極層６０、６２により被覆されるようにしてもよい。
【００４６】
なお、保護膜４０に切欠部４２、４４が形成されていて、上面電極３０は切欠部４２により保護膜４０から露出し、上面電極３２は切欠部４４により保護膜４０から露出しているので、側面電極６０は確実に上面電極３０と接続され、側面電極６２は確実に上面電極３２と接続されている。また、抵抗体２０と上面電極３０、３２との接続部分においては、抵抗体２０が上面電極３０、３２の下側に設けられているため、切欠部４２、４４からは上面電極が露出するので、側面電極との接続状態を良好とすることができる。つまり、抵抗体２０と上面電極３０、３２との接続部分において、抵抗体２０が上面電極３０、３２の上側に形成されていると、抵抗体２０が切欠部４２、４４から露出する可能性があり、そうすると、メッキ形成に際して抵抗体２０にメッキを施すことになり、抵抗体２０とメッキ７０、７２の接合が良好でないことからメッキ形成が正しく行うことができないおそれがあるが、本実施例の場合には、そのようなおそれがない。
【００４７】
また、メッキ７０は、ニッケルメッキ８０と、錫メッキ９０とから構成されていて、Ｙ２側の端部にそれぞれ設けられている。ニッケルメッキ８０は、保護膜４０の一部と、上面電極３０の一部と、側面電極６０と、下面電極５０の一部とを被覆するように形成されている。つまり、上面電極３０と側面電極６０と下面電極５０の露出部分を被覆するように形成されている。このニッケルメッキ８０は、電気メッキにより略均一の膜厚で配設されている。このニッケルメッキ８０は、ニッケルにて形成されており、上面電極３０等の内部電極のはんだ食われを防止するために形成されている。このニッケルメッキ８０は、ニッケル以外にも銅メッキが用いられる場合もある。また、錫メッキ９０は、ニッケルメッキ８０の上面を被覆するように略均一の膜厚で配設されている。この錫メッキ９０は、上記チップ抵抗器Ａの配線基板へのはんだ付けを良好に行うために形成されている。なお、この錫メッキ９０は、錫メッキ以外に、はんだが用いられる場合もある。
【００４８】
また、同様に、メッキ７２は、ニッケルメッキ８２と、錫メッキ９２とから構成されていて、Ｙ１側の端部にそれぞれ設けられている。ニッケルメッキ８２は、保護膜４０の一部と、上面電極３２の一部と、側面電極６２と、下面電極５２の一部とを被覆するように形成されている。つまり、上面電極３２と側面電極６２と下面電極５２の露出部分を被覆するように形成されている。このニッケルメッキ８２の上記以外の構成はニッケルメッキ８０と同様であるので説明を省略する。また、錫メッキ９２は、ニッケルメッキ８２の上面を被覆するように略均一の膜厚で配設されている。錫メッキ９２の上記以外の構成は、錫メッキ９０と同様であるの説明を省略する。
【００４９】
上記チップ抵抗器Ａの製造方法としては、通常のチップ固定抵抗器の製造方法とほぼ同様であるが、特に、上面電極３０と上面電極３２とを絶縁基板１０上に対角状に形成するとともに、側面電極６０、６２を絶縁基板１０の長手方向の一部にのみ形成する点が異なる。
【００５０】
つまり、複数の絶縁基板１０の大きさを有する大判の基板の下面に帯状に下面電極を形成する。次に、該基板の上面に所定の範囲に抵抗体を形成する。つまり、抵抗ペーストを印刷して乾燥した後に焼成することによって抵抗体２０を形成する（抵抗層形成工程）。続いて、上面電極をその一部を抵抗体２０に重ねるようにして形成する。つまり、上面電極ペーストをその一部を抵抗層２０に重ねるようにして印刷して乾燥した後に焼成して上記上面電極３０、３２を形成する。なお、隣接するチップ抵抗器における上面電極とともに１つの印刷領域で形成するのが好ましい。
【００５１】
続いて、抵抗体２０についてトリミングを行って抵抗値調整を行った後に、保護層４０を形成し、基板を一次分割する。その後、側面電極を形成する。つまり、側面電極用ペーストを印刷して乾燥した後に焼成（焼成ではなく硬化としてもよい）することにより側面電極を形成する。なお、側面電極は、上記のように、絶縁基板１０の長手方向の辺部において、一部にのみ形成されているが、そのように一部にのみ形成する方法としては、スクリーン印刷により形成する方法や、溝付きローラにより溝部分を側面電極を形成しない領域に対応させて印刷する方法や、スパッタ方式によりマスクを設けることにより選択的に側面電極を形成する方法等が考えられる。その後、二次分割を行い、個々のチップ片とした後に、メッキ７０、７２を形成する。
【００５２】
なお、このチップ抵抗器Ａの実装に際しては、従来と同様に、配線基板にチップ抵抗器Ａの側部にはんだにより形成したフィレットを設けることにより配線基板上のランドと接続させて実装を行う。なお、側面電極は絶縁基板１０の長手方向の辺部の一部にのみ形成されているので、フィレットは、側面電極が形成されている領域のみに形成されることになる。
【００５３】
上記構成のチップ抵抗器Ａにおいては、側面電極が、絶縁基板１０の長手方向の辺部において、一部にのみ形成されていて、絶縁基板１０の長手方向における上面電極３０形成側の領域に偏って形成されているので、抵抗体において側面電極との電位差の大きい部分は、側面電極とは対向しておらず、よって、側面電極と抵抗体間の放電が発生するのを防止することができる。特に、上記最接近領域Ｒは、側面電極との電位差が大きい領域であるが、その領域に側面電極が形成されておらず、側面電極と抵抗体とが近接していないので、側面電極と抵抗体間の放電が発生するのを防止することができる。よって、抵抗体と側面電極間で放電が発生することにより、抵抗体の抵抗値変化が許容範囲を超えてしまう等抵抗体の電気的特性が劣化するのを防止することができる。
【００５４】
また、側面電極６０、６２の長さが、絶縁基板の長辺部の方向の長さの３０〜５０％に構成されているので、側面電極と抵抗体間の放電の防止と、上面電極との接続領域や配線基板に実装する際のハンダフィレットの領域の確保とを考慮して、適切な構成とすることができる。つまり、側面電極と抵抗体間の放電の防止のためには側面電極の長さは短い方がよく、一方、上面電極との接続領域やハンダフィレットの領域を確保するには側面電極は長い方がよいのであるが、側面電極６０、６２の長さを絶縁基板の長さの３０〜５０％とすることにより、双方のバランスをとって最適な構成とすることができる。
【００５５】
また、上面電極が対角状に形成されているので、上面電極が形成されている辺部に沿ったスペースも抵抗体形成領域に有効に利用することができ、抵抗体の面積を大きくすることができるので、チップ抵抗器のサイズを小型としつつ耐サージ性に優れ、高電力化が可能なチップ抵抗器を得ることが可能となる。つまり、上面電極３０も上面電極３２も各上面電極が形成されている絶縁基板１０の辺部においてその一部にのみ設けられているので、図６に示すように、上面電極３０、３２のＸ１−Ｘ２方向の領域、すなわち、ハッチングに示す領域を得ることができ、この領域を抵抗体形成領域として利用することができる。つまり、上面電極が小さく形成されているので、その分抵抗体を大きく形成できるといえる。特に、上面電極３０は、Ｘ２側に偏った位置に設けられているので、上面電極３０においては、上面電極３０のＸ１側の領域を広く取ることができ、また、上面電極３２は、Ｘ１側に偏った位置に設けられているので、上面電極３２においては、上面電極３２のＸ２側の領域を広く取ることができる。つまり、抵抗体の形成領域を広く確保できることによって、抵抗体２０のＹ１−Ｙ２方向（長辺部の方向と直角の方向である直角方向）の最大長Ｎ（より厳密には、抵抗体２０において上面電極３０、３２と積層していない領域の最大長）は、上面電極３２と上面電極３０間のＹ１−Ｙ２方向の距離Ｍよりも大きくすることができる。
【００５６】
また、上面電極３０と上面電極３２とは対角状に設けられていて、絶縁基板１０の平面視における中心位置を介して点対称の位置に設けられているので、１８０度の回転方向には同一の構成となり、トリミングに際して１８０度回転してしまった場合でも正しくトリミング溝を形成することができる。
【００５７】
また、上記のように、保護膜４０に切欠部４２、４４を設けることにより、上面電極３０と側面電極６０との接続及び上面電極３２と側面電極６２との接続を良好にすることができるとともに、保護膜４０を絶縁基板１０上に大きく形成することができるので、これに伴い、抵抗体２０も大きく形成することができ、これによっても、耐サージ性を良好にすることができる。
【００５８】
なお、側面電極の構成は、上記の構成に限られず、以下の構成としてもよい。すなわち、図７に示すチップ抵抗器Ａ１においては、側面電極１６０、１６２は、側面電極６０、６２と比べて、さらに、延出部が設けられている。側面電極１６０と側面電極１６２とは互いに点対称で同様の構成であるので、側面電極１６２を例にとって説明すると、側面電極１６２は、本体部１６２ａと延出部１６２ｂとを有し、本体部１６２ａは、上記側面電極６２と同様の構成である。延出部１６２ｂは、本体部１６２ａの端部から連設され、長手辺部に沿って絶縁基板１０のＸ２側の端部位置にまで形成され、絶縁基板１０の下面と側面とに形成されている。延出部１６２ｂにおける絶縁基板１０の下側に形成された下部構成部は、本体部６２における絶縁基板１０の下側に形成された下部構成部と同じ幅に帯状に形成され、また、絶縁基板１０の側部に形成された側部構成部は、絶縁基板１０の下端から絶縁基板１０の厚みより短い幅に形成され、延出部１６２ｂの上端は、絶縁基板１０の上端よりも下側に設けられている。具体的には、延出部１６２ｂの上端は、絶縁基板１０の側面の上下方向の略中間位置にある。このように、延出部１６２ｂは、断面略Ｌ字状を呈しているといえる。この延出部１６２ｂの領域が、上記非形成領域に当たる。
【００５９】
上記の図７の構成においては、延出部１６２ｂが設けられているので、図１の例と比べて、配線基板に実装する際にフィレットを接続する領域を増やすことができ、配線基板との固着力を向上させることができる。なお、延出部１６２ｂの上端は、絶縁基板１０の上端よりも低い位置にあり、抵抗体２０とは十分離れているので、延出部１６２ｂと抵抗体２０との放電のおそれを防止することができる。
【００６０】
なお、チップ抵抗器Ａ１における側面電極以外の構成は、チップ抵抗器Ａと同様であるので詳しい説明を省略する。
【００６１】
また、側面電極を図８に示すチップ抵抗器Ａ２における側面電極２６０、２６２のような構成としてもよい。すなわち、側面電極２６０、２６２は、図７に示す側面電極と略同様の構成であるが、絶縁基板１０の上面電極形成側の端部の上側に側面電極を形成しない構成となっている。つまり、側面電極２６０と側面電極２６２とは互いに点対称で同様の構成であるので側面電極２６２を例にとって説明すると、側面電極２６２は、本体部２６２ａと延出部２６２ｂと延出部２６２ｃとを有し、本体部２６２ａのＸ２側のみならずＸ１側にも延出部が設けられている。つまり、図７の構成と比べて、本体部２６２ａは、１６２ａよりも短く形成され、本体部２６２ａに延出部２６２ｃが連設され、延出部２６２ｃは延出部２６２ｂと同様の構成であり、下部構成部と側部構成部とを有し、延出部２６２ｃの上端は、絶縁基板１０の上端よりも下側に設けられ、具体的には、延出部２６２ｂの上端は、絶縁基板１０の側面の上下方向の略中間位置にある。延出部２６２ｃの長さは、延出部２６２ｂの長さよりも短く形成されている。なお、この場合にも、本体部２６２ａのＸ２側の端部と絶縁基板１０のＸ１側の端部との間の長さは、絶縁基板１０のＸ１−Ｘ２方向の長さの５０％以下となっていて、また、本体部２６２ａ自体の長さは、絶縁基板１０のＸ１−Ｘ２方向の長さの３０％〜５０％となっている。
【００６２】
上記のように構成することにより、図７に示す側面電極１６２の本体部１６２ａの側部構成部の上側から上部構成部にかけて切欠部が形成された構成となっている。この延出部２６２ｂや延出部２６２ｃの領域が、上記非形成領域に当たる。
【００６３】
図８のような構成とすることにより、チップ抵抗器Ａ２の製造に際して、側面電極の形成位置がずれた場合でも本来側面電極を形成しない領域に側面電極を形成してしまうのを防止することができる。つまり、チップ抵抗器の製造に際して、Ｘ１−Ｘ２方向にチップ抵抗器がつながった状態の短冊状部材に対して側面電極を形成する際に、側面電極が図７の側面電極１６２のような構成であるとすると、Ｘ１−Ｘ２方向に側面電極の形成位置がずれてしまった場合に、側面電極の本体部が、隣接するチップ抵抗器の延出部の領域に形成されてしまい、延出部の領域に絶縁基板１０の上側まで伸びた部分が形成されてしまって、抵抗体との放電を発生させるおそれがあるが、図８のような構成とすることにより、側面電極がずれて形成された場合でも上記のようなおそれを防止することができる。
【００６４】
なお、チップ抵抗器Ａ２における側面電極以外の構成は、チップ抵抗器Ａと同様であるので詳しい説明を省略する。
【００６５】
また、側面電極を図９に示すチップ抵抗器Ａ３における側面電極３６０、３６２のような構成としてもよい。すなわち、側面電極３６０、３６２は、図８に示す側面電極と略同様の構成であるが、側面電極３６０、３６２の長手方向の両端が絶縁基板１０の端部にまで形成されておらず、側面電極３６０、３６２の長手方向の両端と絶縁基板１０の端部には間隔が形成されている。つまり、側面電極３６０と側面電極３６２とは互いに点対称で同様の構成であるので側面電極３６２を例にとって説明すると、側面電極３６２は、本体部３６２ａと延出部３６２ｂと延出部３６２ｃとを有し、側面電極３６０、３６２の長手方向の両端と絶縁基板１０の端部には間隔が形成されている。なお、この場合にも、本体部３６２ａのＸ２側の端部と絶縁基板１０のＸ１側の端部との間の長さは、絶縁基板１０のＸ１−Ｘ２方向の長さの５０％以下となっていて、また、本体部３６２ａ自体の長さは、絶縁基板１０のＸ１−Ｘ２方向の長さの３０％〜５０％となっている。この延出部３６２ｂや延出部３６２ｃの領域が、上記非形成領域に当たる。
【００６６】
なお、チップ抵抗器Ａ３における側面電極以外の構成は、チップ抵抗器Ａと同様であるので詳しい説明を省略する。チップ抵抗器Ａ３の構成によれば、図８に示すチップ抵抗器Ａ２の効果に加えて、短冊状のチップ抵抗器群を各チップ抵抗器ごとに分割する際に、側面電極がつながっていないため側面電極の端にバリが発生しないという効果がある。
【００６７】
また、側面電極を図１０に示すチップ抵抗器Ａ４における側面電極４６０、４６２のような構成としてもよい。すなわち、側面電極４６０、４６２は、図８に示す側面電極と略同様の構成であるが、側面電極の側部構成部の上端が絶縁基板の上端の位置まで形成されている点が異なる。つまり、側面電極４６０と側面電極４６２とは互いに点対称で同様の構成であるので側面電極４６２を例にとって説明すると、側面電極４６２は、本体部４６２ａと延出部４６２ｂとを有し、本体部４６２ａは、上部構成部と側部構成部と下部構成部とから断面略コ字状に形成されていて、側部構成部と下部構成部のＸ１側の端部は絶縁基板１０の端部にまで形成されているが、上部構成部のＸ１側の端部は絶縁基板１０の端部と間隔が形成されている。また、延出部４６２ｂは、本体部４６２ａの端部から連設されていて、長手辺部に沿って絶縁基板１０のＸ２側の端部位置にまで形成され、絶縁基板１０の下面と側面とに形成され、側面に形成された側部構成部の上端は、絶縁基板１０の上端位置にまで形成されている。また、下面に形成された下部構成部は、本体部４６２ａの下部構成部と同幅に連設されている。つまり、図１０に示す側面電極の構成は、図１８に示す従来の構成と比較すると、側面電極の上部構成部が上面電極３２に対応した一部の領域のみに形成されているといえる。
【００６８】
上記の図１０の構成においては、延出部４６２ｂが設けられているので、図１の例と比べて、配線基板に実装する際にフィレットと接続する領域を増やすことができ、図７〜図９の例と比べてもフィレットと接続する領域を増やすことができるので、配線基板との固着力を向上させることができる。なお、延出部４６２ｂの上端は、抵抗体２０とは離れているので、延出部４６２ｂと抵抗体２０との放電のおそれを防止することができる。
【００６９】
また、上記の説明においては、下面電極は、図５に示すように、絶縁基板１０の下面の長手辺に沿って絶縁基板１０の一方の端部から他方の端部にまで形成されているとして説明したが、これには限られず、図１１に示すように形成してもよい。
【００７０】
すなわち、下面電極５０と下面電極５２とは、ともに、絶縁基板１０の長辺に沿って長方形状に形成され、Ｘ１−Ｘ２方向の中心位置を跨いで形成されているものの、長手方向のいずれかに偏って形成されている。つまり、下面電極５０と下面電極５２とは互いに点対称で同様の構成であるので下面電極５０を例にとって説明すると、下面電極５０は、Ｙ２側の長辺に沿ってＸ１−Ｘ２方向の中心位置を跨いでＸ２側に偏って形成されており、Ｘ２側の端部とも間隔が形成されている。つまり、下面電極５０と絶縁基板１０のＸ１側の端部との間隔γ１は、下面電極５０と絶縁基板１０のＸ２側の端部との間隔γ２よりも大きく形成されている。下面電極５２は、下面電極５０と点対称に形成されており、下面電極５２は、Ｘ１側に偏って形成されている。なお、下面電極５０、５２は、Ｙ１−Ｙ２方向の中心位置を跨がずに形成されている。下面電極５０は側面電極６０（１６０、２６０、３６０、４６０）に接続され、下面電極５２は側面電極６２（１６２、２６２、３６２、４６２）に接続されている。
【００７１】
下面電極５０、５２は上記のように形成されているので、図１２に示すように、一対の下面電極は、互いに対向して電極が形成される領域Ｍ１と、互いに対向して電極が形成されない領域Ｍ２とを有した構成となる。よって、領域Ｍ１により配線基板との接合強度を高めることができ、さらに、領域Ｍ２により、チップ抵抗器絶縁基板と配線基板との熱膨張差が生じても、領域Ｍ２に向かって絶縁基板の応力を逃すことができるので、一対の電極における一方の電極が形成されていない角部領域に向かって相互に応力を逃すことができ、チップ抵抗器と配線基板との間のはんだに応力が集中してはんだにクラックが入るのを防止することができる。また、下面電極５０、５２は、絶縁基板１０の長手方向の端部とは間隔を介して形成されているので、下面電極の形成に際して長手方向にずれて形成された場合でも隣接するチップ抵抗器に誤って形成されるのを防止することができる。
【００７２】
なお、図１１の例では、下面電極がチップ抵抗器の長手辺に沿って形成されているとしたが、図１３に示すように、短手辺に沿って形成するものとしてもよい。つまり、図１３においては、下面電極５０、５２は、チップ抵抗器の短手辺に沿ってＹ１−Ｙ２方向に長方形状に形成され、Ｘ１−Ｘ２方向の中心位置を跨がず、かつ、Ｙ１−Ｙ２方向の中心位置を跨いだ状態で長手方向のいずれかに偏って短辺とは間隔を介して形成されている。すなわち、下面電極５０と下面電極５２とは互いに点対称で同様の構成であるので下面電極５０を例にとって説明すると、下面電極５０は、Ｘ２側の短辺に沿って形成され、Ｘ１−Ｘ２方向には中心位置を跨がずにＸ２側に偏って形成されており、Ｙ２側の端部は絶縁基板１０の端部位置にあり、Ｙ１側の端部は絶縁基板１０のＹ１側の端部とは間隔を介して形成され、Ｙ１−Ｙ２方向の中心位置を跨いで形成されている。下面電極５２は、下面電極５０と点対称に形成されており、下面電極５２は、Ｘ１側に偏って形成されている。下面電極５０は側面電極６０に接続され、下面電極５２は側面電極６２に接続されている。
【００７３】
図１３の構成において、下面電極５０、５２は上記のように形成されているので、図１１の構成と同様に、一対の下面電極は、互いに対向して電極が形成される領域と、互いに対向して電極が形成されない領域とを有した構成となり、図１１の構成の場合と同様の効果を得ることができ、また、下面電極５０、５２は、絶縁基板１０の長手方向の端部とは間隔を介して形成されているので、下面電極の形成に際して長手方向にずれて形成された場合でも隣接するチップ抵抗器に誤って形成されるのを防止することができる。
【００７４】
なお、上記チップ抵抗器Ａにおいて、図１、図２、図４に示すように、トリミング溝Ｔを２つ設けるものとして説明したが、１つとしてもよいし、３つ以上としてもよい。また、図１等に示すトリミング溝により形成される溝部の１つをトリミング溝の代わりに印刷パターンにより形成し、他をトリミングにより形成する等一部を印刷パターンにより形成してもよい。
【００７５】
また、上記チップ抵抗器Ａにおいて、保護膜４０には切欠部４２、４４が形成されているとしたが、切欠部４２、４４を有しない構成としてもよい。すなわち、保護膜４０を方形状としてもよい。この場合には、上面電極３０、３２を保護膜４０から露出させる必要があるので、保護膜４０の縦方向の幅は、図１、図２に示す場合よりも短くする必要がある。
【００７６】
また、上記に示す例においては、側面電極６０、６２が保護膜４０に接するものとして説明したが、側面電極６０、６２が保護膜４０に接しない構成としてもよい。
【００７７】
また、上記で説明したチップ抵抗器においては、抵抗体２０が縦方向に蛇行する形状であるとして説明したが、図１４に示すように横方向に蛇行する方向としてもよい。
【００７８】
つまり、図１４に示すチップ抵抗器Ａ１１においては、抵抗体２０は、帯状部１２０ａ、１２０ｂ、１２０ｃと、接続部１２０ｄと、幅広部１２０ｅとが形成されていて、帯状部１２０ａ、１２０ｂ、１２０ｃが横方向、すなわち、Ｘ１−Ｘ２方向に形成されていて、帯状部１２０ａと帯状部１２０ｂ間に接続部１２０ｄが形成され、帯状部１２０ｂと帯状部１２０ｃ間に幅広部１２０ｅが形成されていることにより、抵抗体２０が全体に蛇行状に形成されている。なお、この幅広部１２０ｅには、１本のトリミング溝Ｔが形成されている。
【００７９】
このチップ抵抗器Ａ１１において抵抗体２０以外の構成は上記チップ抵抗器Ａと同様の構成であるので、詳しい説明を省略する。つまり、側面電極の構成は、図１に示す構成であるが、チップ抵抗器Ａ１〜Ａ４における側面電極のような構成であってもよく、また、下面電極は、図５に示す構成であるが、図１１や図１３に示す構成であってもよい。
【００８０】
このチップ抵抗器Ａ１１においても、抵抗体と側面電極間で放電が発生することにより、抵抗体の抵抗値変化が許容範囲を超えてしまう等抵抗体の電気的特性が劣化するのを防止することができる。また、上面電極が対角状に形成されているので、上面電極が形成されている辺部に沿ったスペースも抵抗体形成領域に有効に利用することができ、抵抗体の面積を大きくすることができるので、チップ抵抗器のサイズを小型としつつ耐サージ性に優れたチップ抵抗器を得ることが可能となる。
【００８１】
また、抵抗体の形状として、図１５に示すように、縦方向の蛇行と横方向の蛇行とを有する構成としてもよい。
【００８２】
すなわち、図１５に示すチップ抵抗器Ａ１２における抵抗体２０は、縦方向（Ｙ１−Ｙ２方向）に形成された帯状部２２０ａと、縦方向に形成された帯状部２２０ｃと、横方向（Ｘ１−Ｘ２方向）に形成された帯状部２２０ｄと、横方向に形成された帯状部２２０ｆと、横方向に形成された帯状部２２０ｈと、帯状部２２０ａと帯状部２２０ｃ間を接続する帯状部２２０ｂと、帯状部２２０ｆと帯状部２２０ｈとを接続する接続部２２０ｇとを有して、抵抗体２０は、全体に蛇行状に形成されている。これにより、抵抗体２０には、帯状の溝部Ｒ１、Ｒ３やＬ字状の溝部Ｒ２が形成されている。なお、図１５に示す例では、蛇行パターンは抵抗体ペーストを印刷することにより形成され、溝部Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３も印刷により形成されているが、この溝部Ｒ１や溝部Ｒ２や溝部Ｒ３やそれらの一部を、抵抗値調整の際のトリミング溝により形成するようにしてもよい。
【００８３】
このチップ抵抗器Ａ１２において抵抗体２０以外の構成は上記チップ抵抗器Ａと同様の構成であるので、詳しい説明を省略する。つまり、側面電極の構成は、図１に示す構成であるが、チップ抵抗器Ａ１〜Ａ４における側面電極のような構成であってもよく、また、下面電極は、図５に示す構成であるが、図１１や図１３に示す構成であってもよい。
【００８４】
このチップ抵抗器Ａ１２においても、抵抗体と側面電極間で放電が発生することにより、抵抗体の抵抗値変化が許容範囲を超えてしまう等抵抗体の電気的特性が劣化するのを防止することができる。また、上面電極が対角状に形成されているので、上面電極が形成されている辺部に沿ったスペースも抵抗体形成領域に有効に利用することができ、抵抗体の面積を大きくすることができるので、チップ抵抗器のサイズを小型としつつ耐サージ性に優れたチップ抵抗器を得ることが可能となる。
【００８５】
また、上記の各チップ抵抗器における抵抗体の説明においては、抵抗体が平面視において蛇行状であるとして説明したが、これには限られず、図１６に示すように、方形状であってもよい。つまり、図１６に示すチップ抵抗器Ａ１３においては、抵抗体２０は、方形状（具体的には、長方形状）を呈し、対角線上の角部において上面電極３０、３２と接続している。なお、この場合においても、抵抗体２０と上面電極３０、３２との接続部分においては、抵抗体２０が上面電極３０、３２の下側となっている。また、側面電極６０、６２は、図１に示すチップ抵抗器Ａの側面電極と同様の構成である。なお、側面電極の構成は、チップ抵抗器Ａ１〜Ａ４における側面電極と同様の構成としてもよい。また、図１６において、保護膜４０は方形状を呈し、切欠部が形成されていない形状として示しているが、上記チップ抵抗器Ａのように対角位置に切欠部を設けるようにしてもよい。また、図１６においては、上面電極３０と接続している側面電極６０や上面電極３２と接続している側面電極６２は、保護膜４０と接していないが、側面電極６０、６２をよりＹ１−Ｙ２方向の中央よりまで伸ばして、側面電極６０、６２が保護膜４０の上面に接するような構成としてもよい。
【００８６】
また、上記の各チップ抵抗器においては、上面電極３０、３２のＹ１−Ｙ２方向の長さは、絶縁基板１０のＹ１−Ｙ２方向の長さの半分以下（又は半分よりも小さい）として説明したが、絶縁基板１０のＹ１−Ｙ２方向の長さの半分以上（又は半分よりも長い）としてもよい。このような構成であっても、絶縁基板１０の上面における長辺に沿った領域を抵抗体形成領域に利用することができ、抵抗体の面積を大きくすることができるので、チップ抵抗器のサイズを小型としつつ耐サージ性に優れたチップ抵抗器を得ることが可能となる。また、抵抗体が上面電極と接続する部分を長く取ることができるので、抵抗体全体を実質的な抵抗路として広く利用できるので、抵抗体における負荷を小さくすることができ、また、抵抗値の低いチップ抵抗器に適している。
【００８７】
また、チップ抵抗器Ａ１２を除く上記各チップ抵抗器においては、対角状に設けられた上面電極は平面視において右上方向と左下方向に形成されているものとして説明したが、左上方向と右下方向に形成してもよい。また、上記チップ抵抗器Ａ１２においては、対角状に設けられた上面電極は平面視において左上方向と右下方向に形成されているものとして説明したが、右上方向と左下方向に形成してもよい。
【００８８】
なお、図１４〜図１６は、チップ抵抗器の平面図であるが、厳密には、保護膜４０と側面電極６０、６２とメッキ７０、７２とを除いた状態の図であるといえる。
【００８９】
なお、上記の説明においては、上面電極３０、３２は、長辺に沿った方向に、絶縁基板の長辺の長さの半分以下（半分よりも小さいとしてもよい）の幅を有するとしたが、絶縁基板の長辺の長さの半分以上（半分を超えるとしてもよい）の幅を有し、該長辺の中心位置を跨ぐものとしてもよい。
【００９０】
また、上面電極３０のＸ１側の端部と絶縁基板１０のＸ１側の端部間の距離は、絶縁基板１０のＸ１−Ｘ２方向の長さの半分よりも長くなっているとしたが、絶縁基板１０のＸ１−Ｘ２方向の長さの半分以下の長さであるとしてもよい。また、上面電極３２のＸ２側の端部と絶縁基板１０のＸ２側の端部間の距離は、絶縁基板１０のＸ１−Ｘ２方向の長さの半分よりも長くなっているとしたが、絶縁基板１０のＸ１−Ｘ２方向の長さの半分以下の長さであるとしてもよい。
【００９１】
また、上記の説明において、２つの上面電極は互いに対角状に形成されているとしたが、対角状に形成されたものでなくてもよく、２つの上面電極が互いに対向する位置に設けられている場合でもよい。
【００９２】
すなわち、図１７に示すチップ抵抗器Ｂにおいては、上面電極３０と上面電極３２とは、互いに対向して設けられていて、上面電極３２は、チップ抵抗器Ａにおける上面電極３２と同様の構成であり、上面電極３０は、上面電極３２に対して対向して形成されていて、上面電極３２に対して線対称に形成されている。つまり、上面電極３０は、Ｘ１−Ｘ２方向の中心線を介して線対称に形成されている。
【００９３】
また、抵抗体２０は、方形状に帯状の切欠部を横方向に設けた形状となっていて、上面電極３０、３２の下側に形成されている。
【００９４】
また、保護膜４０は、抵抗体２０及び上面電極３０、３２の上面に設けられていて、方形状の形状に方形状の切欠部を２つ設けた形状を呈している。つまり、保護膜４０は、方形状の形状に上面電極３０、３２の位置に対応する位置に方形状の切欠部４２、４４を形成した形状を呈し、抵抗体２０が露出しないように形成されている。上記切欠部４２、４４は、凹状に形成されているといえる。つまり、保護膜４０のＸ１−Ｘ２方向の長さは、絶縁基板１０のＸ１−Ｘ２方向の長さよりも若干短く形成されているが、抵抗体２０のＸ１−Ｘ２方向の最大幅よりも長く形成されているとともに、保護膜４０のＹ１−Ｙ２方向の長さは、絶縁基板１０のＹ１−Ｙ２方向の長さよりも若干短く形成されているが、抵抗体２０のＹ１−Ｙ２方向の最大幅よりも長く形成されている。なお、図１７に示すように、保護膜４０と抵抗体２０とを平面視において比べると、切欠部４２、４４の箇所は保護膜４０からはみ出すようになっているが、この部分は上面電極３０、３２にカバーされているので、抵抗体２０が露出することはない。なお、切欠部４２と切欠部４４とは、互いに対向した位置に設けられていて、Ｘ１−Ｘ２方向には同じ位置に設けられているといえる。
【００９５】
また、側面電極６０、６２は、上面電極に対応した領域に互いに対向して形成されていて、上面電極６２は、チップ抵抗器Ａにおける上面電極６２と同様の構成である。また、上面電極６０は、Ｘ１−Ｘ２方向の中心線を介して線対称に形成されている。
【００９６】
このチップ抵抗器Ｂにおいても、絶縁基板１０の長手方向の辺部において、一部にのみ形成されていて、絶縁基板１０の長手方向における上面電極３０形成側の領域に偏って形成されているので、抵抗体において側面電極との電位差の大きい部分は、側面電極とは対向しておらず、よって、側面電極と抵抗体間の放電が発生するのを防止することができる。よって、抵抗体と側面電極間で放電が発生することにより、抵抗体の抵抗値変化が許容範囲を超えてしまう等抵抗体の電気的特性が劣化するのを防止することができる。
【００９７】
また、側面電極６０、６２の長さが、絶縁基板の長辺部の方向の長さの３０〜５０％に構成されているので、側面電極と抵抗体間の放電の防止と、上面電極との接続領域や配線基板に実装する際のハンダフィレットの領域の確保とを考慮して、適切な構成とすることができる。
【００９８】
また、上面電極が形成されている辺部において偏った位置に対向して形成されているので、上面電極が形成されている辺部に沿ったスペースも抵抗体形成領域に有効に利用することができ、抵抗体の面積を大きくすることができるので、チップ抵抗器のサイズを小型としつつ耐サージ性に優れ、高電力化が可能なチップ抵抗器を得ることが可能となる。
【００９９】
なお、上記の説明においては、抵抗体と上面電極の接続部分においては、抵抗体が上面電極の下側に形成されるとして説明したが、抵抗体が上面電極の上側になるように形成してもよい。
【０１００】
また、上記の説明においては、上面電極は、方形状であるとして説明したが、方形状の一部を欠切して湾曲状や傾斜状にしてもよい。つまり、一対の上面電極において、一方の上面電極における他方の上面電極側を湾曲状又は傾斜状とする。この場合に、湾曲状とはＲ面を形成するものといえ、傾斜状とはＣ面を形成するものといえる。
【０１０１】
つまり、対角状に設けられた一対の上面電極における各上面電極において、他方の上面電極側に湾曲状部が形成されているので、上面電極間距離の差が小さくなり、また、該上面電極における他方の上面電極側には角部が形成されないので、上面電極における特定の領域への電流集中を軽減することができ、電気的特性、特に、負荷特性をさらに向上させることが可能となる。すなわち、対角状に設けられた一対の上面電極が方形状である場合には、各上面電極において他方の上面電極側に角部が形成されていることから、上面電極間距離が差が大きく、上面電極間距離が短い部分に電流が集中し、また、角部が形成されていることから、角の部分に電流が集中する。これにより、上面電極における他方の上面電極側の角部の領域に電流が集中してしまい、電気特性が低下する場合があるが、上記のように、一対の上面電極において、一方の上面電極における他方の上面電極側を湾曲状又は傾斜状とすることにより、そのようなおそれを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１０２】
【図１】本発明の実施例に基づくチップ抵抗器の構成を示す斜視図である。
【図２】本発明の実施例に基づくチップ抵抗器の構成を示す平面図である。
【図３】本発明の実施例に基づくチップ抵抗器の断面図であり、特に、図２におけるＰ−Ｐ位置の断面図である。
【図４】本発明の実施例に基づくチップ抵抗器の構成を示す平面図である。
【図５】本発明の実施例に基づくチップ抵抗器の構成を示す底面図である。
【図６】本発明の実施例に基づくチップ抵抗器の作用を説明するための説明図である。
【図７】本発明の実施例に基づくチップ抵抗器の他の例の構成を示す斜視図である。
【図８】本発明の実施例に基づくチップ抵抗器の他の例の構成を示す斜視図である。
【図９】本発明の実施例に基づくチップ抵抗器の他の例の構成を示す斜視図である。
【図１０】本発明の実施例に基づくチップ抵抗器の他の例の構成を示す斜視図である。
【図１１】本発明の実施例に基づくチップ抵抗器の他の例の構成を示す底面図である。
【図１２】本発明の実施例に基づくチップ抵抗器の他の例の構成を示す底面図であり、特に、図１１の構成を説明するための底面図である。
【図１３】本発明の実施例に基づくチップ抵抗器の他の例の構成を示す底面図である。
【図１４】本発明の実施例に基づくチップ抵抗器の他の例の構成を示す平面図である。
【図１５】本発明の実施例に基づくチップ抵抗器の他の例の構成を示す平面図である。
【図１６】本発明の実施例に基づくチップ抵抗器の他の例の構成を示す平面図である。
【図１７】本発明の実施例に基づくチップ抵抗器の他の例の構成を示す平面図である。
【図１８】従来におけるチップ抵抗器の構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
【０１０３】
Ａ、Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ１１、Ａ１２、Ａ１３、Ｂ  チップ抵抗器
１０  絶縁基板
２０  抵抗体
３０、３２  上面電極
４０  保護膜
５０、５２  下面電極
６０、６２、１６０、１６２、２６０、２６２、３６０、３６２、４６０、４６２  側面電極
７０、７２  メッキ
１６２ａ、２６２ａ、３６２ａ、４６２ａ  本体部
１６２ｂ、２６２ｂ、２６２ｃ、３６２ｂ、３６２ｃ、４６２ｂ  延出部
【図１】
0005244342.tif 000002
【図２】
0005244342.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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