(57)【要約】液浸露光装置は、パターンの像を基板Ｗに投影する投影光学系ＰＬと、投影光学系ＰＬの末端の光学素子４と基板Ｗとの間に液体７を供給する装置５とを備える。液体７による浸食を防止するために、光学素子４の表面には酸化物から形成された耐浸食性膜が形成されている。ステップ・アンド・リピート方式のような一括露光やステップ・アンド・スキャン方式のような走査型露光が液浸状態で行われても、投影光学系の所望の性能を長期間に渡って維持することができる。
2004053959.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定パターンを基板上に投影して基板を露光する投影光学系に用いられる光学素子であって：
前記投影光学系の基板側末端に装着される光学素子の基体であって、該光学素子と基板との間に液体が維持された状態で露光が行われる光学素子の基体と；
前記液体による浸食を防止するために前記光学素子の基体の少なくとも一部の表面に形成された耐浸食性膜と；を有する光学素子。
【請求項２】
前記耐浸食性膜は、酸化物膜である請求項１に記載の光学素子。
【請求項３】
前記酸化物膜が、酸化ケイ素膜及び酸化アルミニウム膜の少なくとも一方である請求項２に記載の光学素子。
【請求項４】
前記光学素子の基体が、蛍石である請求項１に記載の光学素子。
【請求項５】
前記露光に用いられる光が、ＡｒＦレーザ光である請求項１に記載の光学素子。
【請求項６】
前記液体が純水である請求項１に記載の光学素子。
【請求項７】
所定パターンの像を液体を介して基板に投影することによって基板を露光する露光装置であって：
前記パターンの像を基板に投影する投影光学系と；
前記投影光学系の基板側の端部に装着された光学素子と；
前記光学素子と前記基板との間に前記液体を供給する装置と；を備え、
前記光学素子が、基体と、該基体の浸食を防止するために該基体の少なくとも一部の表面に形成された耐浸食性膜とを有する露光装置。
【請求項８】
前記耐浸食性膜は、酸化物膜である請求項７に記載の露光装置。
【請求項９】
前記耐浸食性膜は、酸化物多層膜である請求項８に記載の露光装置。
【請求項１０】
前記酸化物膜が、酸化ケイ素膜及び酸化アルミニウム膜の少なくとも一方であることを特徴とする請求項８に記載の露光装置。
【請求項１１】
前記光学素子の基体は、蛍石である請求項７に記載の露光装置。
【請求項１２】
前記露光に用いられる光が、ＡｒＦレーザ光である請求項１１に記載の露光装置。
【請求項１３】
前記液体が純水である請求項７に記載の露光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】  本発明は、例えば、半導体素子、撮像素子（ＣＣＤ等）、液晶表示素子、又は薄膜磁気ヘッド等のデバイスを製造するためのリソグラフィ工程でマスクパターンを感光性の基板上に転写するために用いられる投影露光装置に関し、更に詳しくは液浸法を用いた投影露光装置に関する。また、本発明は、当該投影露光装置に用いられる光学素子に関する。
【背景技術】  半導体素子等の製造において、マスクとしてのレチクルのパターン像を、投影光学系を介して、感光性の基板としてのレジストが塗布されたウエハ（又はガラスプレート等）上の各ショット領域に転写する投影露光装置が使用されている。従来、投影露光装置としてステップ・アンド・リピート方式の縮小投影型の露光装置（ステッパ）が多用されていたが、最近ではレチクルとウエハとを同期走査して露光を行うステップ・アンド・スキャン方式の投影露光装置も注目されている。
投影露光装置に搭載されている投影光学系の解像度は、使用する露光波長が短くなるほど、また投影光学系の開口数が大きいほど高くなる。そのため、集積回路の微細化に伴い投影露光装置で使用される露光波長は年々短波長化するとともに、投影光学系の開口数も増大している。現在、主流の露光波長は、ＫｒＦエキシマレーザによる２４８ｎｍであるが、更に短波長のＡｒＦエキシマレーザによる１９３ｎｍも実用化されている。
また、露光を行う際には、解像度と同様に焦点深度（ＤＯＦ）も重要となる。解像度Ｒ及び焦点深度δはそれぞれ以下の式で表される。
Ｒ＝ｋ１・λ／ＮＡ            …（１）
δ＝ｋ２・λ／ＮＡ２          …（２）
ここで、λは露光波長、ＮＡは投影光学系の開口数、ｋ１，ｋ２はプロセス係数である。（１）式、（２）式より、解像度Ｒを高めるために、露光波長λを短くして、開口数ＮＡを大きくすると、焦点深度δが狭くなることが分かる。従来、投影露光装置では、オートフォーカス方式によりウエハの表面を投影光学系の像面に合わせ込んで露光を行っていたが、そのためには焦点深度δはある程度広いことが望ましい。そこで、焦点深度を実質的に広くする方法として、位相シフトレチクル法、変形照明法、多層レジスト法等が提案されている。
上記のように、従来の投影露光装置では、露光光の短波長化、及び投影光学系の開口数の増大に伴い焦点深度が狭くなってきている。また、半導体集積回路の一層の高集積化に対応するために、露光波長の更なる短波長も研究されている。しかしながら、このままでは焦点深度が狭くなり過ぎて、露光動作時のマージンが不足する恐れがある。
そこで、実質的に露光波長を短くし且つ焦点深度を広くする方法として、液浸法が提案されている。これは、投影光学系の下面とウエハ表面との間を水、又は有機溶媒等の液体で満たし、液体中での露光光の波長が、空気中の１／ｎ倍（ｎは液体の屈折率で通常１．２〜１．６程度）になることを利用して解像度を向上すると共に、焦点深度を約ｎ倍に拡大するというものである。
この液浸法を、ステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置にそのまま適用しようとすると、１つのショット領域の露光を終了した後、次のショット領域にウエハをステップ移動する際に、投影光学系とウエハとの間から液体が漏れ出てしまうため、再び液体を供給しなければならず、また、漏れた液体の回収も困難になるという不都合がある。また、液浸法をステップ・アンド・スキャン方式の投影露光装置に適用しようとすると、ウエハを移動させながら露光を行うため、ウエハを移動させている間も投影光学系とウエハとの間に液体を満たしておく必要がある。投影光学系と液体とが接するために、液体と接した投影光学系の先端部が液体によって浸食される可能性がある。投影光学系の先端には対物レンズが装着されており、この対物レンズが浸食されると、所望の光学性能が得られなくなるおそれがある。
本発明は、斯かる点に鑑み、液浸露光が行われる露光装置の投影露光系に好適に用いられる光学素子を提供することを目的とする。また、本発明はそのような光学素子が搭載された液浸露光用の投影露光装置を提供することを目的とする。
本発明の第１の態様に従えば、所定パターンを基板上に投影して基板を露光する投影光学系に用いられる光学素子であって：
前記投影光学系の基板側末端に装着される光学素子の基体であって、該光学素子と基板との間に液体が維持された状態で露光が行われる光学素子の基体と；
前記液体による浸食を防止するために前記光学素子の基体の少なくとも一部の表面に形成された耐浸食性膜と；を有する光学素子が提供される。
本発明の光学素子の基体の表面には耐浸食性膜が形成されているので、液浸露光が行われても、光学素子の液体との接触による浸食、腐蝕、溶解などが防止される。それゆえ、投影光学系の先端に装着された光学素子が、繰り返しあるいは連続的に液体にさらされるステップ・アンド・リピート方式のような一括露光やステップ・アンド・スキャン方式のような走査型露光が液浸状態で行われても、投影光学系の所望の性能を長期間に渡って維持することができる。
本発明の第２の態様に従えば、所定パターンの像を液体を介して基板に投影することによって基板を露光する露光装置であって：
前記パターンの像を基板に投影する投影光学系と；
前記投影光学系の基板側の端部に装着された光学素子と；
前記光学素子と前記基板との間に前記液体を供給する装置と；を備え、
前記光学素子が、基体と、該基体の浸食を防止するために該基体の少なくとも一部の表面に形成された耐浸食性膜とを有する露光装置が提供される。
本発明の露光装置の投影光学系の先端に装着された光学素子の基体の表面には耐浸食性膜が形成されているので、液浸露光が行われても、光学素子の液体との接触による浸食、腐蝕、溶解などが防止される。それゆえ、投影光学系の先端に装着された光学素子が、繰り返しあるいは連続的に液体にさらされるステップ・アンド・リピート方式のような一括露光やステップ・アンド・スキャン方式のような走査型露光が液浸状態で行われても、露光装置の所望の光学特性を長期間に渡って維持することができる。これにより、広い焦点深度を維持した状態での露光が実現される。
【図面の簡単な説明】  図１は、本発明における投影露光装置の概略構成図である。
図２は、図１の投影光学系ＰＬの光学素子４の先端部４ＡとＸ方向用の排出ノズル及び流入ノズルとの位置関係を示した図である。
図３は、図１の投影光学系ＰＬの光学素子４の先端部４ＡとＹ方向から液体の供給及び回収を行う排出ノズル及び流入ノズルとの位置関係を示した図である。
図４は、図１の光学素子４とウエハＷとの間への液体７の供給及び回収の様子を示す要部拡大図である。
図５は、本発明の第２実施形態において使用される投影露光装置の投影光学系ＰＬＡの下端部、液体供給装置５、及び液体回収装置６等を示す正面図である。
図６は、図５の投影光学系ＰＬＡの光学素子３２の先端部３２ＡとＸ方向用の排出ノズル及び流入ノズルとの位置関係を示す図である。
図７は、図５の投影光学系ＰＬＡの光学素子３２の先端部３２ＡとＹ方向から液体の供給及び回収を行う排出ノズル及び流入ノズルとの位置関係を示す図である。
図８は、本発明の光学素子の概略構成図である。
図９は、光学素子が蛍石のみで構成されている場合の、ＡｒＦエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）における反射率と入射角との関係を示した図である。
図１０は、蛍石基体上に各層が形成された光学素子１０５の場合の、ＡｒＦエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）における反射率と入射角との関係を示した図である。
【発明を実施するための最良の形態】  以下に、本発明の光学素子及びその光学素子を用いた投影露光装置の実施形態について、図を用いて説明するが、本発明はこれに限定されない。
まず、本発明の光学素子について、図８〜図１０を参照しながら説明する。図８に、本発明の光学素子１０５の断面構造を示す。光学素子１０５は、蛍石（ＣａＦ２）基体１０１上に、ＳｉＯ２層１０２、Ａｌ２Ｏ３層１０３及びＳｉＯ２層１０４がこの順に積層されている。これらの層または最表面のＳｉＯ２層が耐浸食性膜（耐蝕性膜）として機能する。蛍石基体１０１は、レンズ状に成形されており、厚さ２０ｍｍである。ＳｉＯ２層１０２、Ａｌ２Ｏ３層１０３及びＳｉＯ２層１０４の光学的膜厚は、それぞれ、設計主波長λ（例えば、λ＝１９３ｎｍ）に対して０．３７λ、０．０５λ及び０．３７λとなるように形成されている。各層は、緻密な膜の形成を可能とする点で、知られたスパッタ法を用いた。なお、成膜方法はスパッタ法に限らず、緻密な膜を形成することができれば、イオンビームアシスト法、イオンプレーティング法、加熱蒸着法等を用いてもよい。また、上記耐浸食性膜は基体１０１の両側にそれぞれ設けてもよく、基体１０１の光照射部分にだけ設けてもよい。
［反射率特性の調査］
上記のようにして得られた光学素子１０５への光の入射角に対する反射率特性について調査した。光学素子１０５（以下、光学素子Ａという）との比較のために、ＳｉＯ２層及びＡｌ２Ｏ３層が積層されていない蛍石基体、すなわち、蛍石基体だけから構成された光学素子（以下、光学素子Ｂという）を用意した。光学素子Ａと光学素子Ｂに、それぞれ、入射角を変化しながら、露光装置の露光光として用いられる波長１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザ光を照射して、その反射率を測定した。得られた結果を図９及び１０に示す。なお、反射光は互いに直交するＳ偏光とＰ偏光とについて測定した。
図９は、光学素子Ｂの入射角に対する反射率特性を示すグラフである。図９に示すように、光学素子Ｂに対するＳ偏光とＰ偏光との平均反射率は、光学素子が使用される最大入射角４０度までの全ての領域において、約０．０４％以下であった。
図１０は、光学素子Ａの入射角に対する反射率特性を示すグラフである。図１０に示すように、Ｓ偏光とＰ偏光との平均反射率は、本光学素子が使用される最大入射角４０度までの全ての領域において、約０．０４％以下であった。
即ち、光学素子Ａは、蛍石のみで構成されている光学素子Ｂと同様に、光学素子として使用される全ての入射角領域においてＳ偏光とＰ偏光との平均反射率が低い値を示しており、光学素子Ｂに代えて、投影露光装置の投影光学系の先端部に搭載し得ることが分かる。
［耐浸食性の評価］
次に、光学素子Ａ及び光学素子Ｂをそれぞれ７０℃の純水に３時間浸すことによって耐浸食性の加速試験を実施した。浸食前後における光学素子の表面粗さをＡＦＭ（原子間力顕微鏡）及び接触式粗さ測定機を用いて測定した。７０℃の純水に３時間浸すことは、室温の純水に約１０日間浸すことに相当すると考えられる。
蛍石のみで構成された光学素子Ｂを、上記純水に浸す前の表面粗さは、３ÅＲＭＳであった。光学素子Ｂの純水に浸した後の表面粗さは、約３０００ÅＲＭＳであったので、約１０００倍の粗さに浸食しされたことが分かる。このように光学素子表面の表面粗さが３０００ÅＲＭＳであると、光の散乱が多く発生するため、光学素子の透過率が低下するともに、設定光路からのずれが生じるために意図した所望の光学性能を発揮することができなくなる。
一方、本発明に従う光学素子Ａの上記純水に浸す前の表面粗さは１１ÅＲＭＳであった。この光学素子Ａの純水に浸した後の表面粗さは１４ÅＲＭＳであった。従って、純水に浸した前後で光学素子の表面粗さに殆ど変化が無いことが分かる。それゆえ、光学素子Ａは、純水に浸された後、すなわち、液浸露光を行っても所望の光学性能を維持することができる。これは、蛍石基板表面上に形成された酸化物皮膜が純水に対する耐浸食性を備えるために、蛍石基板の浸食を防止しているからであると考えられる。
本実施形態の光学素子Ａでは、蛍石基体上に酸化物からなる３層の多層膜を形成したが、ＳｉＯ２（光学膜厚：０．５５λ）、Ａｌ２Ｏ３等の単層膜を形成した場合でも、同様の効果が得られることが分かった。なお、耐浸食性の多層膜または単層膜の膜厚は、特に限定されないが、蛍石基板表面の膜のカバー性能を確保し且つ角度反射防止性能を確保するという観点から、５０Å〜２０００Åが望ましい。
また、本実施形態では、蛍石基板上にＳｉＯ２層やＡｌ２Ｏ３層を形成したが、これらに代えてあるいはこれらと共にＹＦ３，ＭｇＦ２，ＬａＦ３等のフッ化物層を単層または組み合わせて形成してもよい。
次に、上記実施形態の光学素子が適用された投影露光装置を説明する第２の実施形態について、図１〜図４を参照しながら説明する。本実施形態の投影露光装置は、基板のショット領域を一括露光するステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置である。
図１は、本実施形態の投影露光装置の概略構成図である。図１において、露光光源としてのＡｒＦエキシマレーザ光源、オプティカル・インテグレータ（ホモジナイザー）、視野絞り、コンデンサレンズ等を含む照明光学系１から射出された波長１９３ｎｍの紫外パルス光よりなる露光光ＩＬは、レチクルＲに設けられたパターンを照明する。レチクルＲのパターンは、両側（又はウエハＷ側に片側）テレセントリックな投影光学系ＰＬを介して所定の投影倍率β（βは例えば１／４，１／５等）でフォトレジストが塗布されたウエハＷ上の露光領域に縮小投影される。なお、露光光ＩＬとしては、ＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）、Ｆ２レーザ光（波長１５７ｎｍ）や水銀ランプのｉ線（波長３６５ｎｍ）等を使用してもよい。以下の説明で、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸに平行な方向をＺ軸とし、Ｚ軸に垂直な平面内で図１の紙面に垂直な方向をＹ軸とし、図１の紙面に平行にＸ軸とする。
レチクルＲはレチクルステージＲＳＴ上に保持され、レチクルステージＲＳＴにはＸ方向、Ｙ方向、回転方向にレチクルＲを微動する機構が組み込まれている。レチクルステージＲＳＴの２次元的な位置、及び回転角はレーザ干渉計（不図示）によってリアルタイムに計測され、この計測値に基づいて主制御系１４がレチクルＲの位置決めを行う。
一方、ウエハＷはウエハホルダ（不図示）を介してウエハＷのフォーカス位置（Ｚ方向の位置）及び傾斜角を制御するＺステージ９上に固定されている。Ｚステージ９は投影光学系ＰＬの像面と実質的に平行なＸＹ平面に沿って移動するＸＹステージ１０上に固定され、ＸＹステージ１０はベース１１上に載置されている。Ｚステージ９は、ウエハＷのフォーカス位置（Ｚ方向の位置）、及び傾斜角を制御してウエハＷ上の表面をオートフォーカス方式、及びオートレベリング方式で投影光学系ＰＬの像面に合わせ込み、ＸＹステージ１０はウエハＷのＸ方向、及びＹ方向の位置決めを行う。Ｚステージ９（ウエハＷ）の２次元的な位置、及び回転角は、移動鏡１２の位置としてレーザ干渉計１３によってリアルタイムに計測されている。この計測結果に基づいて主制御系１４からウエハステージ駆動系１５に制御情報が送られ、これに基づいてウエハステージ駆動系１５は、Ｚステージ９、ＸＹステージ１０の動作を制御する。露光時にはウエハＷ上の各ショット領域を順次露光位置にステップ移動し、レチクルＲのパターン像を露光する動作がステップ・アンド・リピート方式で繰り返される。
本実施形態の投影露光装置では、露光波長を実質的に短くして解像度を向上すると共に、焦点深度を実質的に広くするために、液浸法を適用した。そのため、少なくともレチクルＲのパターン像をウエハＷ上に転写している間は、ウエハＷの表面と投影光学系ＰＬの先端面（下面）との間に所定の液体７を満たしておく。投影光学系ＰＬは、前記実施形態で製造した光学素子４を含む複数の光学素子とそれらの光学素子を収納する鏡筒３とを有し、光学素子４は鏡筒のウエハ側の端部（下端）に光学素子４が露出するように装着されている（図４，５参照）。このように装着されていることにより、光学素子４のみが液体７が接触するように構成されている。これによって、金属よりなる鏡筒３の腐食等を防止している。液体７として、本実施形態では純水を使用した。純水は、半導体製造工場等で容易に大量に入手できると共に、ウエハ上のフォトレジストや光学レンズ等に対する悪影響がない利点がある。また、純水は環境に対する悪影響がないと共に、不純物の含有量が極めて低いため、ウエハの表面を洗浄する作用も期待できる。
また、波長が２００ｎｍ程度の露光光に対する純水（水）の屈折率ｎはほぼ１．４７〜１．４４程度と言われており、ＡｒＦエキシマレーザ光の波長１９３ｎｍは、ウエハＷ上では１／ｎ、即ち約１３１〜１３４ｎｍ程度に短波長化されて高い解像度が得られる。更に、焦点深度は空気中に比べて約ｎ倍、即ち約１．４７〜１．４４倍程度に拡大されるため、空気中で使用する場合と同程度の焦点深度が確保できればよい場合には、投影光学系ＰＬの開口数をより増加させることができ、この点でも解像度が向上する。
液体７は、その液体を収容するタンク、加圧ポンプ、温度制御装置等からなる液体供給装置５によって、所定の排出ノズル等を介してウエハＷ上に温度制御された状態で供給される。また、ウエハＷ上に供給された液体７は、液体が収容されるタンク及び吸引ポンプ等からなる液体回収装置６によって、所定の流入ノズル等を介して回収される。液体７の温度は、例えば本実施形態の投影露光装置が収納されているチャンバ内の温度と同程度に設定されている。本実施形態の投影露光装置には、投影光学系ＰＬの光学素子４の先端部をＸ方向に挟むように先端部が細くなった排出ノズル２１ａ、及び先端部が広くなった２つの流入ノズル２３ａ，２３ｂ（図２参照）が配置されている。排出ノズル２１ａは供給管２１を介して液体供給装置５に接続され、流入ノズル２３ａ，２３ｂは回収管２３を介して液体回収装置６に接続されている。更に、上記１対の排出ノズル２１ａ及び流入ノズル２３ａ，２３ｂを光学素子４の先端部の中心に対して略１８０°回転した位置に他の１対の排出ノズル及び流入ノズル、並びに光学素子４の先端部をＹ方向に挟むように配置された２対の排出ノズル及び流入ノズルも配置されている（図２及び図３参照）。
図２は、図１の投影光学系ＰＬの光学素子４の先端部４Ａ及びウエハＷと、その先端部４ＡをＸ方向に挟む２対の排出ノズル及び流入ノズルとの位置関係を示した図である。図２において、先端部４Ａの＋Ｘ方向側に排出ノズル２１ａが、−Ｘ方向側に流入ノズル２３ａ，２３ｂがそれぞれ配置されている。また、流入ノズル２３ａ，２３ｂは先端部４Ａの中心を通りＸ軸に平行な軸に対して扇状に開いた形で配置されている。さらに、１対の排出ノズル２１ａ及び流入ノズル２３ａ，２３ｂを先端部４Ａの中心に対して略１８０°回転した位置で、異なる１対の排出ノズル２２ａ及び流入ノズル２４ａ，２４ｂが配置されている。排出ノズル２２ａは供給管２２を介して液体供給装置５に接続され、流入ノズル２４ａ，２４ｂは回収管２４を介して液体回収装置６に接続されている。
また、図３は、図１の投影光学系ＰＬの光学素子４の先端部４Ａと、その先端部４ＡをＹ方向に挟む２対の排出ノズル及び流入ノズルとの位置関係を示す。図３において、先端部４Ａの＋Ｙ方向側に排出ノズル２７ａが、−Ｙ方向側に流入ノズル２９ａ，２９ｂがそれぞれ配置されている。排出ノズル２７ａは供給管２７を介して液体供給装置５に、流入ノズル２９ａ，２９ｂは回収管２９を介して液体回収装置６にそれぞれ接続されている。また、１対の排出ノズル２７ａ及び流入ノズル２９ａ，２９ｂを先端部４Ａの中心に対して略１８０°回転した位置に１対の排出ノズル２８ａ及び流入ノズル３０ａ，３０ｂが配置されている。排出ノズル２８ａは供給管２８を介して液体供給装置５に、流入ノズル３０ａ，３０ｂは回収管３０を介して液体回収装置６にそれぞれ接続されている。液体供給装置５は、供給管２１，２２，２７，２８の少なくとも一つを介して光学素子４の先端部４ＡとウエハＷとの間に温度制御された液体を供給し、液体回収装置６は回収管２３，２４，２９，３０の少なくとも一つを介してウエハＷ上に供給された液体を回収する。
次に、液体７の供給方法及び回収方法について説明する。
図２において、実線で示す矢印２５Ａの方向（−Ｘ方向）にウエハＷをステップ移動させる際には、液体供給装置５は、供給管２１、及び排出ノズル２１ａを介して光学素子４の先端部４ＡとウエハＷとの間に液体７を供給する。そして、液体回収装置６は、回収管２３及び流入ノズル２３ａ，２３ｂを介してウエハＷ上から液体７を回収する。このとき、液体７はウエハＷ上を矢印２５Ｂの方向（−Ｘ方向）に流れており、ウエハＷと光学素子４との間には液体７が安定な状態で満たされている。
一方、２点鎖線で示す矢印２６Ａの方向（＋Ｘ方向）にウエハＷをステップ移動させる際には、液体供給装置５は供給管２２、及び排出ノズル２２ａを使用して光学素子４の先端部４ＡとウエハＷとの間に液体７を供給し、液体回収装置６は回収管２４及び流入ノズル２４ａ，２４ｂを使用して液体７を回収する。このとき、液体７はウエハＷ上を矢印２６Ｂの方向（＋Ｘ方向）に流れており、ウエハＷと光学素子４との間には液体７が安定した状態で満たされている。このように、本実施形態の投影露光装置では、Ｘ方向に互いに反転した２対の排出ノズルと流入ノズルとを設けているため、ウエハＷを＋Ｘ方向、又は−Ｘ方向のいずれの方向に移動する場合にも、ウエハＷと光学素子４との間に液体７を安定した状態で満たしておくことができる。
また、本実施形態の露光装置では、液体７がウエハＷ上を流れるため、ウエハＷ上に異物が付着している場合であっても、その異物を液体７により流し去ることができる。また、液体７は液体供給装置５により所定の温度に調整されているため、ウエハＷ表面の温度調整が行われて、露光の際に生じる熱によるウエハの熱膨張に起因する重ね合わせ精度等の低下を防ぐことができる。従って、ＥＧＡ（エンハンスト・グローバル・アライメント）方式のアライメントのように、アライメントから露光までの間にある程度の時間がある場合であっても、その間に生じ得るウエハの熱膨張による重ね合わせ精度の低下を防ぐことができる。また、本実施形態の投影露光装置では、ウエハＷを移動させる方向と同じ方向に液体７が流れているため、異物や熱を吸収した液体を光学素子４の先端部４Ａの直下の露光領域上に滞留させることなく回収することができる。
また、ウエハＷをＹ方向にステップ移動させる際にはＹ方向から液体７の供給及び回収を行う。即ち、図３において実線で示す矢印３１Ａの方向（−Ｙ方向）にウエハをステップ移動させる際には、液体供給装置５は供給管２７、排出ノズル２７ａを介して液体を供給し、液体回収装置６は回収管２９及び流入ノズル２９ａ，２９ｂを使用して液体の回収を行なう。これにより、液体は光学素子４の先端部４Ａの直下の露光領域上を矢印３１Ｂの方向（−Ｙ方向）に流れる。また、ウエハを２点鎖線で示す矢印３３Ａの方向（＋Ｙ方向）にステップ移動させる際には、供給管２８、排出ノズル２８ａ、回収管３０及び流入ノズル３０ａ，３０ｂを使用して液体の供給及び回収が行われる。これにより、液体は先端部４Ａの直下の露光領域上を矢印３３Ｂの方向（＋Ｙ方向）に流れる。よって、ウエハＷをＸ方向に移動する場合と同様に、ウエハＷを＋Ｙ方向、又は−Ｙ方向のいずれの方向に移動する場合であっても、ウエハＷと光学素子４の先端部４Ａとの間に液体７を安定した状態で満たすことができる。
なお、Ｘ方向、又はＹ方向から液体７の供給及び回収を行うノズルだけでなく、例えば斜めの方向から液体７の供給及び回収を行うためのノズルを設けてもよい。
次に、液体７の供給量及び回収量の制御方法について説明する。図４は、投影光学系ＰＬの光学素子４とウエハＷとの間への液体の供給及び回収の様子を示す。図４において、ウエハＷは矢印２５Ａの方向（−Ｘ方向）に移動しており、排出ノズル２１ａより供給された液体７は、矢印２５Ｂの方向（−Ｘ方向）に流れ、流入ノズル２３ａ，２３ｂにより回収される。光学素子４とウエハＷとの間に存在する液体７の量をウエハＷの移動中でも一定に保つため、本実施形態では液体７の供給量Ｖｉ（ｍ３／ｓ）と回収量Ｖｏ（ｍ３／ｓ）とを等しくし、また、液体７の供給量Ｖｉ、及び回収量ＶｏをＸＹステージ１０（ウエハＷ）の移動速度ｖに比例するように調整した。即ち、主制御系１４は液体７の供給量Ｖｉ及び回収量Ｖｏを、以下の式により決定する。
Ｖｉ＝Ｖｏ＝Ｄ・ｖ・ｄ                      …（３）
ここで、図１に示すように、Ｄは光学素子４の先端部の直径（ｍ）、ｖはＸＹステージ１０の移動速度（ｍ／ｓ）、ｄは投影光学系ＰＬの作動距離（ワーキング・ディスタンス、光学素子４の最下面とウエハＷ表面との距離）（ｍ）である。ＸＹステージ１０をステップ移動するときの速度ｖは、主制御系１４により設定される。また、Ｄ及びｄは予め主制御系１４に入力（記憶）されているため、（３）式に基づいて液体７の供給量Ｖｉ、及び回収量Ｖｏを調整することにより、図４の光学素子４とウエハＷとの間には常時液体７が満たされた状態となる。
なお、投影光学系ＰＬの作動距離ｄは、投影光学系ＰＬとウエハＷとの間に液体７を安定して存在させるためには、できるだけ狭くすることが望ましい。しかしながら、作動距離ｄが小さ過ぎるとウエハＷの表面が光学素子４に接触する恐れがあるため、或る程度の余裕を持つ必要がある。そこで、作動距離ｄは、一例として２ｍｍ程度に設定される。
次に、本発明の第３の実施形態を、図５〜図７を参照しながら説明する。本実施形態では、上記実施形態の光学素子がステップ・アンド・スキャン方式の投影露光装置に適用されている。
図５は、本実施形態の投影露光装置の投影光学系ＰＬＡの下部、液体供給装置５、及び液体回収装置６等を示す正面図である。なお、図４と同一又は同等の構成要素については同一の符号を付して示す。図５において、投影光学系ＰＬＡの鏡筒３Ａの最下端の光学素子３２は、先端部３２Ａが走査露光に必要な部分だけを残してＹ方向（非走査方向）に細長い矩形状に形成されている。光学素子３２は、第１実施形態で製造した光学素子と同様の耐浸食性膜を蛍石基体上に有する光学素子である。走査露光時には、先端部３２Ａの直下の矩形の露光領域にレチクルの一部のパターン像が投影され、投影光学系ＰＬＡに対して、レチクル（不図示）が−Ｘ方向（又は＋Ｘ方向）に速度Ｖで移動するのに同期して、ＸＹステージ１０を介してウエハＷが＋Ｘ方向（又は−Ｘ方向）に速度β・Ｖ（βは投影倍率）で移動する。そして、１つのショット領域への露光終了後に、ウエハＷのステッピングによって次のショット領域が走査開始位置に移動し、以下ステップ・アンド・スキャン方式で各ショット領域への露光が順次行われる。
本実施形態においても、液浸法の適用によって、走査露光中は光学素子３２とウエハＷの表面との間に液体７が満たされる。液体７の供給及び回収は、第２の実施形態と同様にして、それぞれ液体供給装置５及び液体回収装置６を用いて行われる。
図６は、投影光学系ＰＬＡの光学素子３２の先端部３２Ａと液体７をＸ方向に供給、回収するための排出ノズル及び流入ノズルとの位置関係を示した図である。図６において、光学素子３２の先端部３２Ａの形状はＹ方向に細長い矩形になっており、投影光学系ＰＬＡの光学素子３２の先端部３２ＡをＸ方向に挟むように＋Ｘ方向側に３個の排出ノズル２１ａ〜２１ｃが配置され、−Ｘ方向側に２個の流入ノズル２３ａ，２３ｂが配置されている。
そして、排出ノズル２１ａ〜２１ｃは供給管２１を介して液体供給装置５に接続され、流入ノズル２３ａ，２３ｂは回収管２３を介して液体回収装置６に接続されている。また、排出ノズル２１ａ〜２１ｃと流入ノズル２３ａ，２３ｂとを先端部３２Ａの中心に対して略１８０°回転した位置に、排出ノズル２２ａ〜２２ｃと流入ノズル２４ａ，２４ｂとを配置している。排出ノズル２１ａ〜２１ｃと流入ノズル２４ａ，２４ｂとはＹ方向に交互に配列され、排出ノズル２２ａ〜２２ｃと流入ノズル２３ａ，２３ｂとはＹ方向に交互に配列されている。排出ノズル２２ａ〜２２ｃは供給管２２を介して液体供給装置５に接続され、流入ノズル２４ａ，２４ｂは回収管２４を介して液体回収装置６に接続されている。
そして、実線の矢印で示す走査方向（−Ｘ方向）にウエハＷを移動させて走査露光を行う場合には、供給管２１、排出ノズル２１ａ〜２１ｃ、回収管２３、及び流入ノズル２３ａ，２３ｂを使用して液体供給装置５及び液体回収装置６によって液体７の供給及び回収を行い、光学素子３２とウエハＷとの間を満たすように−Ｘ方向に液体７を流す。また、２点鎖線の矢印で示す方向（＋Ｘ方向）にウエハＷを移動させて走査露光を行う場合には、供給管２２、排出ノズル２２ａ〜２２ｃ、回収管２４、及び流入ノズル２４ａ，２４ｂを使用して液体７の供給及び回収を行い、光学素子３２とウエハＷとの間を満たすように＋Ｘ方向に液体７を流す。走査方向に応じて液体７を流す方向を切り換えることにより、＋Ｘ方向、又は−Ｘ方向のいずれの方向にウエハＷを走査する場合にも、光学素子３２の先端部３２ＡとウエハＷとの間を液体７により満たすことができる。これにより、高い解像度及び広い焦点深度で露光することができる。
また、液体７の供給量Ｖｉ（ｍ３／ｓ）及び回収量Ｖｏ（ｍ３／ｓ）は、以下の式により決定する。
Ｖｉ＝Ｖｏ＝ＤＳＹ・ｖ・ｄ          …（４）
ここで、ＤＳＹは光学素子３２の先端部３２ＡのＸ方向の長さ（ｍ）である。これによって、走査露光中においても光学素子３２とウエハＷとの間に液体７を安定した状態で満たすことができる。
なお、ノズルの数や形状は特に限定されるものでなく、例えば先端部３２Ａの長辺について２対のノズルで液体７の供給又は回収を行うようにしてもよい。なお、この場合には、＋Ｘ方向、又は−Ｘ方向のいずれの方向からも液体７の供給及び回収を行うことができるようにするため、排出ノズルと流入ノズルとを上下に並べて配置してもよい。
また、ウエハＷをＹ方向にステップ移動させる際には、第２の実施形態と同様に、Ｙ方向から液体７の供給及び回収を行う。
図７は、投影光学系ＰＬＡの光学素子３２の先端部３２ＡとＹ方向用の排出ノズル及び流入ノズルとの位置関係を示した図である。図７において、ウエハを走査方向に直交する非走査方向（−Ｙ方向）にステップ移動させる場合には、Ｙ方向に配列された排出ノズル２７ａ、及び流入ノズル２９ａ，２９ｂを使用して液体７の供給及び回収を行い、また、ウエハを＋Ｙ方向にステップ移動させる場合には、Ｙ方向に配列された排出ノズル２８ａ、及び流入ノズル３０ａ，３０ｂを使用して液体７の供給及び回収を行う。また、液体７の供給量Ｖｉ（ｍ３／ｓ）及び回収量Ｖｏ（ｍ３／ｓ）は、以下の式により決定する。
Ｖｉ＝Ｖｏ＝ＤＳＸ・ｖ・ｄ          …（５）
ここで、ＤＳＸは光学素子３２の先端部３２ＡのＹ方向の長さ（ｍ）である。第２の実施形態と同様に、Ｙ方向にステップ移動させる際にもウエハＷの移動速度ｖに応じて液体７の供給量を調整することにより、光学素子３２とウエハＷとの間を液体７により満たし続けることができる。
以上のようにウエハＷを移動させる際には、その移動方向に応じた方向に液体を流すことにより、ウエハＷと投影光学系ＰＬの先端部との間を液体７により満たし続けることができる。
なお、上記の実施の形態において液体７として使用される液体は特に純水に限定されるものではなく、露光光に対する透過性があってできるだけ屈折率が高く、また、投影光学系やウエハ表面に塗布されているフォトレジストに対して安定なもの（例えばセダー油等）を使用することができる。
なお、本発明は上述の実施の形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り得ることは勿論である。
本発明の光学素子の基体はレンズ形状としたが、これに限られず、従来の蛍石レンズと液体との間にカバーガラスとして、蛍石の板状基板に成膜したものを用いてもよい。
【産業上の利用可能性】  本発明の投影露光装置によれば、投影光学系の先端部が液体によって浸食されないので、浸食された光学素子を交換するために装置の稼動を止めることがない。これにより、微細パターンを有する最終製品を効率よく生産することができる。また、本発明の光学素子は、浸食されないので、光学特性が安定している。本発明の光学素子を搭載した投影露光装置を用いることにより、安定した品質の最終製品を生産することができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【国際調査報告】
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