(57)【要約】析出物生成の原因物質をペリクル自体からあらかじめ排除することで、ＫｒＦ又はＡｒＦエキシマレーザ光を用いた露光をおこなっても、レーザ光照射時、及び保管中にフォトマスク上に異物の析出物の形成を防ぎ、正確なパターン精度を長期間維持することが可能なペリクルを提供する。ペリクル製造工程において、使用する構成部材、又は完成品を加熱又は減圧下等に置くことにより、使用する構成部材、又は完成品から発生する物質を、あらかじめ除去することである。【特許請求の範囲】
【請求項１】
ペリクルから発生する有機化合物成分を、２４ｈｒ、室温（２６℃）で１００ｍｌ／ｍｉｎの窒素気流で捕捉し、２，６−ジフェニル−ｐ−フェニレンオキサイド系のポーラスポリマービーズ吸着剤により吸着し、２６０℃×１５分加熱して熱脱着させ発生したガスを分析したときに検出される揮発性有機化合物の全重量が、ペリクル重量に対して０．５ｐｐｍ以下であるペリクル。
【請求項２】
ペリクルから発生する有機化合物成分を、２４ｈｒ、室温（２６℃）で１００ｍｌ／ｍｉｎの窒素気流で捕捉し、２，６−ジフェニル−ｐ−フェニレンオキサイド系のポーラスポリマービーズ吸着剤により吸着し、２６０℃×１５分加熱して熱脱着させ発生したガスを分析したときに検出される揮発性有機化合物の全重量が、ペリクル重量に対して０．５ｐｐｍ以下であるペリクルの製造方法であって、ペリクルを揮発性有機化合物を除去する工程を経ることを特徴とする該ペリクルの製造方法。
【請求項３】
ペリクルを製造するために用いられる部材から、揮発性有機化合物を除去する工程を経ることを特徴とする請求項２に記載のペリクルの製造方法。
【請求項４】
ペリクルから発生する有機化合物成分を、２４ｈｒ、室温（２６℃）で１００ｍｌ／ｍｉｎの窒素気流で捕捉し、２，６−ジフェニル−ｐ−フェニレンオキサイド系のポーラスポリマービーズ吸着剤により吸着し、２６０℃×１５分加熱して熱脱着させ発生したガスを分析したときに検出される揮発性有機化合物の全重量が、ペリクル重量に対して０．５ｐｐｍ以下であるペリクルが、フォトマスクに装着されているペリクルつきフォトマスク。
【請求項５】
ペリクルから発生する有機化合物成分を、２４ｈｒ、室温（２６℃）で１００ｍｌ／ｍｉｎの窒素気流で捕捉し、２，６−ジフェニル−ｐ−フェニレンオキサイド系のポーラスポリマービーズ吸着剤により吸着し、２６０℃×１５分加熱して熱脱着させ発生したガスを分析したときに検出される揮発性有機化合物の全重量が、ペリクル重量に対して０．５ｐｐｍ以下であるペリクルが装着された状態のフォトマスクを用いる半導体素子の製造方法。
【請求項６】
ペリクルから発生する有機化合物成分を、２４ｈｒ、室温（２６℃）で１００ｍｌ／ｍｉｎの窒素気流で捕捉し、２，６−ジフェニル−ｐ−フェニレンオキサイド系のポーラスポリマービーズ吸着剤により吸着し、２６０℃×１５分加熱して熱脱着させ発生したガスを分析したときに検出される揮発性有機化合物の全重量が、ペリクル重量に対して０．５ｐｐｍ以下であるペリクルの使用方法であって、半導体素子の製造工程において防塵のために用いられる該ペリクルの使用方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】  本発明は、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体素子や液晶表示素子等のパターニング用のフォトリソグラフィ工程における、フォトマスク防護用に使用するペリクルに関するものである。
【背景技術】  フォトリソグラフィー工程では、ガラス板表面に回路パターンを形成したフォトマスクやフォトマスクを使用し、レジストを塗布したシリコンウェファー上にその回路パターンを露光することにより転写する作業が行われる。この工程では、フォトマスク上の回路パターンに塵埃等の異物が付着した状態で露光が行われると、ウェファー上にも上記異物が転写されて不良製品のウェファーとなってしまう。特に露光をステッパーで行う場合には、ウェファー上に成形される全てのチップが不良となる可能性が高くなり、フォトマスクの回路パターンへの異物の付着は大きな問題であった。
このような問題を解決するために、フォトマスク上にペリクルを装着して、ペリクルを通して露光が行われている。この方法を用いると、フォトマスクの回路パターン上に、異物の侵入を防ぐことができ、仮にペリクル膜上に異物が付着するようなことがあったとしても、ウェファー上には転写されず、半導体素子等の製造時の歩留まりが向上する。
しかしながら、ペリクルを貼付して長期間の露光をおこなうと、ｇ線（４３６ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎｍ）の光源を使用する場合にはフォトマスク上に発生しない異物が、回路線幅の微細化に伴う露光光源の短波長化（ＫｒＦレーザを用いる露光では２４８ｎｍ、ＡｒＦレーザを用いる場合では１９３ｎｍ）の影響で、ペリクル−フォトマスク空間内、又はフォトマスクパターン上に析出物が生じることが認められた。この原因としては、フォトマスク洗浄時に使用される硫酸がフォトマスク表面上に残留し、この硫酸が大気中あるいはペリクル部材中に存在するアンモニアと反応し、異物となってフォトマスク上に析出することが考えられた。しかも、この析出反応は、露光光源が短波長となるにつれて促進されていたので、ペリクルに使用される材料からアンモニアを除去する方策が採られた。さらに、フォトマスク上の残硫酸濃度を極力低下させたり、ケースから亜硫酸ガス発生の低減等の対策が実施されたことにより、主に硫酸アンモニウム、塩化アンモニウム等の無機系物質の析出抑制に効果を上げることができた。
またこれと同時に、有機系物質に関しても対策を講じられた。これは昇華性を有する物質、例えば、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチルフェノール、ナフタレン、２，６−ジ−ｔ−ブチルフェノール、２，４−ジ−ｔ−ブチルフェノール、安息香酸等を含まない材料をあらかじめ選定することで、これらの物質がフォトマスク上に析出することが防止されている（特開昭６３−６４０４８）
ところが最近、上記の対策を講じたペリクル、フォトマスクの組合せでも、露光中あるいは露光後に異物が発生する問題が発生した。
これらの物質は、従来から行われている残硫酸濃度の低減、亜硫酸ガスの発生防止などにより無機系化合物を低減させること、あるいは昇華性を有する有機化合物を含まない材料を使用することにより、使用する材料中から除去する異物発生対策では解決することができなかった。
本発明の課題は、析出物生成の原因となる物質をペリクル自体からあらかじめ排除することで、ＫｒＦエキシマレーザ光又はＡｒＦエキシマレーザ光を用いた露光をおこなっても、レーザ光照射時、及び保管（ペリクルをフォトマスクに貼り付けた状態で次の使用時までケースに入れて収納しておくこと）時にフォトマスク上に異物の析出物の形成が無く、正確なパターン精度を長期間維持することが可能なペリクル、およびその製造方法を提供することである。
本発明の課題は、析出物生成の原因物質をペリクル自体からあらかじめ排除することで、ＫｒＦエキシマレーザ光又はＡｒＦエキシマレーザ光を用いた露光をおこなっても、レーザ光照射時、及び保管中にフォトマスク上に異物の析出物の形成が無く、正確なパターン精度を長期間維持することが可能なペリクル、およびその製造方法を提供することである。
【発明の開示】
発明者らは、上記の問題点を解決するために、問題となった異物を分析したところ、意外なことにエステル基、脂肪族基、炭化水素基等を含む揮発性の有機化合物であることを見出し、本発明に至った。今回異物の原因として確認された有機化合物は、従来は異物発生源としては特定されていなかったものである。
本発明は、ペリクルから発生する有機化合物成分を、２４ｈｒ、室温（２６℃）で１００ｍｌ／ｍｉｎの窒素気流で捕捉し、２，６−ジフェニル−ｐ−フェニレンオキサイド系のポーラスポリマービーズ吸着剤により吸着し、２６０℃×１５分加熱して熱脱着させ発生したガスを分析したときに検出される揮発性有機化合物の全重量が、ペリクル重量に対して０．５ｐｐｍ以下であるペリクルを提供する。
また、ペリクルから発生する有機化合物成分を、２４ｈｒ、室温（２６℃）で１００ｍｌ／ｍｉｎの窒素気流で捕捉し、２，６−ジフェニル−ｐ−フェニレンオキサイド系のポーラスポリマービーズ吸着剤により吸着し、２６０℃×１５分加熱して熱脱着させ発生したガスを分析したときに検出される揮発性有機化合物の全重量が、ペリクル重量に対して０．５ｐｐｍ以下であるペリクルの製造方法であって、ペリクルを揮発性有機化合物を除去する工程を経ることを特徴とする該ペリクルの製造方法を提供する。
ここで、ペリクルを製造するために用いられる部材から、揮発性有機化合物を除去する工程を経て製造することは好ましい態様の１つである。
さらに、本発明は、ペリクルから発生する有機化合物成分を、２４ｈｒ、室温（２６℃）で１００ｍｌ／ｍｉｎの窒素気流で捕捉し、２，６−ジフェニル−ｐ−フェニレンオキサイド系のポーラスポリマービーズ吸着剤により吸着し、２６０℃×１５分加熱して熱脱着させ発生したガスを分析したときに検出される揮発性有機化合物の全重量が、ペリクル重量に対して０．５ｐｐｍ以下であるペリクルが、フォトマスクに装着されているペリクルつきフォトマスクを提供する。
また、本発明は、ペリクルから発生する有機化合物成分を、２４ｈｒ、室温（２６℃）で１００ｍｌ／ｍｉｎの窒素気流で捕捉し、２，６−ジフェニル−ｐ−フェニレンオキサイド系のポーラスポリマービーズ吸着剤により吸着し、２６０℃×１５分加熱して熱脱着させ発生したガスを分析したときに検出される揮発性有機化合物の全重量が、ペリクル重量に対して０．５ｐｐｍ以下であるペリクルが装着された状態のフォトマスクを用いる半導体素子の製造方法を提供する。
本発明は、ペリクルから発生する有機化合物成分を、２４ｈｒ、室温（２６℃）で１００ｍｌ／ｍｉｎの窒素気流で捕捉し、２，６−ジフェニル−ｐ−フェニレンオキサイド系のポーラスポリマービーズ吸着剤により吸着し、２６０℃×１５分加熱して熱脱着させ発生したガスを分析したときに検出される揮発性有機化合物の全重量が、ペリクル重量に対して０．５ｐｐｍ以下であるペリクルの使用方法であって、半導体素子の製造工程において防塵のために用いられる該ペリクルの使用方法を提供する。
【発明を実施するための最良の形態】  ［ペリクル］
本発明のペリクルとは、従来公知のペリクル、例えば、アルミニウム等の金属から成るペリクル枠の一方の端部に接着剤を介してペリクル膜を張架し、他方の端部に粘着剤を塗布してフォトマスクに固定して使用するものである。ペリクル枠の内側には、公知の異物を固定化できる粘着剤が塗布されている場合がある。また、ペリクルを製造後、使用するまでの間において、粘着剤が塗布された面にライナーが付されている。
［ペリクルの製造方法］
本発明において、ＫｒＦ又はＡｒＦエキシマレーザ光を用いた露光をおこなっても、レーザ光照射時及び保管中にフォトマスク上に異物の析出物の形成を防ぎ、正確なパターン精度を長期間維持することが可能なペリクルを提供するためには、ペリクルから発生する揮発性有機化合物をあらかじめ除去した部材を用いて製造してもよいし、ペリクルを組み立て後に揮発性有機化合物成分を除去することによりペリクルを製造してもよい。
たとえば、ペリクルの製造においては枠の内側に異物を除去するために内壁塗布剤と言われる材料が塗布される。その後フォトマスクと密着させるために、枠の下側にフォトマスク粘着剤を塗布し、ライナーを貼り付けた後、膜を貼り付けるための接着剤をペリクル枠の上側へ塗布し、膜を貼り付け、通常はペリクル保管用のケースに収納される。これらの一連の製造工程において、揮発性有機化合物成分の除去は、ペリクルを製造する前の段階で各部材ごとに除去する処理を行っても良いが、製造後において、ペリクル、ケースごとにおこなっても良い。
［捕集される有機化合物］
本発明において、ペリクルに含まれている揮発性有機化合物成分とは、ペリクルに使用する、フォトマスク粘着剤、膜接着剤、内壁塗布剤中に微量に含まれているか、あるいは何らかの原因で生成する物質であって、飽和または不飽和の脂肪族炭化水素化合物、芳香族炭化水素であり、ケトン、エステル、カルボン酸などの官能基を有している場合がある。例えば、飽和又は不飽和の脂肪族炭化水素系化合物としては、ノナン、デカン、ウンデカン、１−ペンテン、２−メチルオクタン、４−メチルオクタン、ウンデセン、シクロオクタン、ドデセン、２−メチル−１−ウンデセン、ドデカン、テトラデカン、ペンタデカン、オクタデカン等があげられる。ケトン系化合物としてはアセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、２−メチル−３−ヘプタノン、２−ヘプタノン等があげられる。エステル系化合物としては、酢酸エチル、酢酸ブチル、ｎ−ブチルアセテート、メチルメタクリレート、等があげられる。アルコール類としては、イソプロパノール、ブタノール、２−エチルヘキサノール、プロピレングリコールモノメチルエーテル等があげられる。芳香族系化合物としてはトルエン、ｍ−キシレン、ｐ−キシレン、安息香酸、クメン等が挙げられる。
［揮発性有機化合物成分の除去］
本発明において、ペリクルから発生する揮発性有機化合物成分の濃度を減少させるためには、ペリクル又はペリクルの材料を、ガスの流通下に置き加熱しおよび／または減圧環境下に置く方法で行われる。
本発明において、ガスの流通下に置く場合に使用するガスは、特に限定する物ではないが、窒素、エアー、ヘリウム、アルゴン等がある。
本発明において、ガスの流速は特に限定するものではないが、好ましくは１ｍｌ／ｍｉｎから１０００ｍｌ／ｍｉｎのものが用いられる。これは、ガスの流量が少なすぎると、揮発性有機化合物成分の除去に時間がかかりすぎ、流量が多すぎると、ペリクルに異物が付着するためである。
本発明において、加熱する方法には、ペリクル、またはペリクルの各材料に光を照射する方法、直接温度を加える方法、超音波の様な振動を与える方法、圧力を加える方法等熱エネルギーへと変換される手段であれば特に制限されるものではない。このうち、光を照射する方法や、直接温度を加える方法が好ましく用いられる。これによりペリクルに含まれている揮発性有機化合物成分の濃度を減少させることが可能となる。
ここで、内壁塗布剤や、枠の下側塗布するフォトマスク粘着剤は、それ自身、揮発性物質が発生する原因となると考えられるので、異物を除去する処理を行う必要がある。その場合、材料をその分解温度以下の温度まで加熱することは異物除去にとっては有効である。通常は１００℃〜２００℃で加熱することが好ましく、さらに好ましくは１４０〜１８０℃で加熱される。また、この時窒素気流中で行うことは、材料の酸化を防止するのみならず、揮発性物質の除去には効率的である。さらに、減圧にして揮発性有機化合物を除去することは、処理温度の低減、処理時間の短縮の面から好ましい。通常は０．００１〜５５０００Ｐａで実施されるが好ましくは４５０００Ｐａ以下、さらに好ましくは３５０００Ｐａ以下で行うのが好ましい。またこれらの処理は、内壁塗布剤、フォトマスク粘着剤が複数の物質から構成される物である場合には、揮発性有機化合物を含む構成物を加熱、減圧して揮発性有機化合物を除去した後、内壁塗布剤、フォトマスク粘着剤を製造しても良いし、フォトマスク粘着剤を製造した後に揮発性有機化合物を除去しても良い。
完成したペリクルから揮発性有機化合物を除去するには、完成したペリクルの品質に影響を与えない温度で行う必要があり、結果として、加熱温度が制限されることになる。通常は、４０〜１００℃に加熱して処理されるが、温度を上げすぎると、ペリクル膜が変形し、回路パターン作成の障害が生じたり、また内壁塗布剤、フォトマスク粘着剤が変形し、フォトマスクに貼り付けた際完全に貼り付かず、防塵機能に障害となる場合がある。この場合、ペリクル各構成物から揮発性有機物を除去する際に加熱した温度まで上げることができないため、加熱する時間を調整する必要がある。
本発明において、ペリクルの各部材を加熱する温度は、４０℃から２００℃で、より好ましくは４０℃〜１８０℃あることが好ましい。さらにペリクルの状態で加熱する温度は、４０〜１００℃が好ましい。
本発明において、減圧環境下とは公知の真空ポンプを使用してなされるものであり、ペリクル、またはペリクルの各材料を減圧環境下におくことにより、揮発性有機化合物成分の濃度を減少させることが可能となる。
本発明において、ペリクルの材料（フォトマスク粘着剤、膜接着剤、内壁塗布剤）中に含まれる、揮発性有機化合物成分の濃度を減少させる方法としては、上記で述べた以外の方法としては、再沈精製することも有効である。
本発明において、揮発性有機化合物成分の濃度を測定する方法は、ガスクロマトグラフィー（ＧＣ）分析にておこなう。例えばガス発生量の少ないペリクルやペリクルを構成する部材から発生するガスの測定方法としては、ペリクルをガラス製の容器に入れ、一定温度に保ちながら容器内に一定時間ガスを流し、容器から出できたガスを、捕集管で集め、その物質量をＧＣ分析により定量する。
さらにペリクルの各材料の場合は、サーマルリソープションコールドトラップ（ＴＣＴ−ＧＣ）法により分析することができる。これは、ある重量のペリクルの各材料を、加熱機能を有する装置に入れ、加熱することで発生するガスを直接ＧＣ分析装置に注入し分析する方法である。
【実施例】  以下、実施例に基づき説明する。
（ガスの捕集方法）
ペリクル、ペリクルの部材等から発生する揮発性物質は、捕集材により捕集して分析することができる。捕集には吸着剤（２，６−ジフェニル−ｐ−フェニレンオキサイドをベースにした弱極性のポーラスポリマービーズ）を用いた。以下に用いた吸着剤の特性を下記に示す。
吸着剤の特性
比表面積（Ｓｐｅｃｉｆｉｃ  ｓｕｒｆａｃｅ  ａｒｅａ）    ３５ｍ２／ｇ
細孔容積（ｐｏｒｅ  ｖｏｌｕｍｅ）                      ２．４ｃｍ２／ｇ
平均細孔系（ａｖｅｒａｇｅ  ｐｏｒｅ  ｓｉｚｅ）        ２００ｎｍ
密度（Ｄｅｎｓｉｔｙ）                                  ０．２５ｇ／ｃｍ３
かかる吸着剤は、商品名ＴＥＮＡＸ−ＧＲ、またはＴＥＮＡＸ−ＴＡとして（ＧＬサイエンス社製）のものを用いることができる。以下の実施例においては、ペリクルから発生する有機化合物成分を、２４ｈｒ、室温（２６℃）で１００ｍｌ／ｍｉｎの窒素気流を３ｍｌ充填した捕集管（ＪＨＳ−１００Ａ用捕集管）に通過させ、サンプルとした。
サンプルのＧＣ装置への導入は、ヘッドスペースサンプラー（ＪＨＳ−１００Ａ（日本分析工業（製））を用い、捕集管を２６０℃×１５ｍｉｎ加熱して熱脱着させ発生したガスをＧＣ／ＭＳ法により分析した。ＧＣ／ＭＳ法の分析条件を表１に示した。
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【実施例１】  使用したオーブンは、異物がペリクルに付着することを防ぐためにクリーン度１００とした。ペリクルの完成品（１７．１３４１ｇ）を５０℃に設定したオーブン中に、大気圧下で２４ｈｒ、フォトマスク粘着剤からの揮発性有機化合物が最も除去できると考えられるライナーを剥がした状態で静置した。次にペリクルを、ガラス製チャンバー（２４ｃｍ×２４ｃｍ×８ｃｍ）に入れ、ボンベより窒素ガスを１００ｍｌ／ｍｉｎで流しながら、発生するガスを吸着剤（ＴＥＮＡＸ−ＧＲ）約３ｍｌを充填した捕集管に通過させ、有機物を吸着剤にて濃縮しサンプリングした。このサンプリングは、室温（２６℃）、２４ｈｒおこなった。捕集管でサンプリングしたものを２６０℃、１５ｍｉｎ加熱し、捕集物を熱脱着させ、発生したガスをＧＣ／ＭＳで分析した。分析結果を表に示した。ここに示してある数値は、絶対検量線法（トルエンを標準物質）により求められた各化合物の重量を、ペリクル１枚あたりの重量で割って算出したものである。結果を表２に示す。
ペリクルを加熱した結果、分析結果（後述の比較例１参照）より明らかなように、検出された化合物すべてにおいて減少しており、合計では処理前の約１／５になっている。これにより、加熱によってペリクルから発生する物質が減少していることがわかった。
次に、加熱済みペリクルをフォトマスクに貼り付け、５０℃のオーブンに３ｈｒ静置し、異物発生確認用のサンプルとした。その後ＡｒＦエキシマレーザ光を両サンプルに照射した。照射条件は、発信周波数５００Ｈｚ、エネルギー密度１ｍＪ／ｃｍ２／ｐｕｌｓｅで、２０００Ｊ／ｃｍ２まで照射した。その結果、加熱済みペリクルとを貼り付けたフォトマスク上及びペリクル膜には異物の析出は見られなかった。結果を表３に示す。
（比較例１）
実施例で、オーブン中で１２時間処理した以外は同様な処理を行った。これによって得られたペリクルのガス発生量について、表２に示した。
このようにして得られたペリクルを実施例１と同様にフォトマスクを貼り付け、ＡｒＦエキシマレーザ光を照射すると、ペリクル膜のレーザ光照射部が白く変色し、フォトマスク上に、直径０．２μｍ程度の異物の析出が確認された。結果を表３に示す。
（実施例２）  ペリクルフレームをフォトマスクに貼り付けるためのフォトマスク粘着剤を、２００℃まで加熱し、３５０００Ｐａの減圧環境下で４ｈｒ加熱処理し、あらかじめフォトマスク粘着剤から発生する物質を減少させた。このフォトマスク粘着剤から発生する物質量をＴＣＴ−ＧＣ法により測定した。フォトマスク粘着剤２０ｍｇに、１００℃の温度を３分間かけ、そこから発生するガスの量を測定した。その結果、未処理のフォトマスク粘着剤と比較して約１／８にまで発生するガス量は減少していた。
次に内壁塗布剤をアセトンに２０ｗｔ％になるように溶かしてナス型フラスコに入れた。その後、５０００Ｐａ、１２０℃の状態で６ｈｒ放置し、あらかじめ内壁塗布剤から発生する物質を減少させた。この内壁塗布剤から発生する物質量をＴＣＴ−ＧＣ法により測定した。内壁塗布剤２０ｍｇに、１００℃の温度を３分間かけ、そこから発生するガスの量を測定した。その結果、未処理の内壁塗布剤と比較して約１／５にまで発生するガス量は減少していた。
このフォトマスク粘着剤、及び内壁塗布剤を用いてペリクルを製造した。そして実施例１と同様にフォトマスクに貼り付け、５０℃のオーブンに３ｈｒ静置し、異物発生確認用のサンプルとした。このサンプルに実施例１と同様にＡｒＦレーザを照射した。その結果、１００、１０００、２０００、５０００、１００００、２００００Ｊ／ｃｍ２照射後に観察したが、いずれの場合においても、ペリクル膜及びフォトマスク上に異物の発生は観られなかった。
（比較例２）
未処理のフォトマスク粘着剤を用いてペリクルを製造した。そして実施例１と同様にフォトマスクに貼り付け、５０℃のオーブンに３ｈｒ静置し、異物発生確認用のサンプルとした。このサンプルに実施例１と同様にＡｒＦレーザを照射した。その結果、１００Ｊ／ｃｍ２照射後に観察したところ、ペリクル膜及びフォトマスク上、及びペリクル膜とフォトマスクの間に異物が発生しており、異物検査機で確認したところ２３０５個の異物が確認された。
（比較例３）
ペリクルを室温（約２５℃）で長期間（約１年程度）放置しておいた場合の結果を表に示す。
結果的に、Ｃ５Ｈ１０、メチルアクリレート、ブタノールは各０．０１ｐｐｍ以下までに減少していたが、他の揮発性有機化合物成分の量は殆ど変化はなかった。
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【産業上の利用可能性】  本発明のペリクルを使用すれば、ＫｒＦ又はＡｒＦエキシマレーザ光を用いた露光をおこなっても、レーザ光照射時、及び保管中にフォトマスク上に異物の析出物の形成を防ぎ、正確なパターン精度を長期間維持することができ、産業上利用上重要な意義を有する。
【国際調査報告】
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