(57)【要約】基板２２と、基板２２上に形成され、電極２４と、電極２４上に形成された有機ＥＬ層２６と、有機ＥＬ層２６上に形成された電極３０とを有する有機ＥＬ素子と、有機ＥＬ素子上に形成され、有機ＥＬ層を封止する無機絶縁膜３４と、無機絶縁膜３４上に形成された基板３８とを有し、曲げ応力を加えたときの中立軸が無機絶縁膜３４と基板３８との界面近傍に位置するように、基板２２及び基板３８の材料及び厚さが設定されている。このよう表示装置を構成することにより、無機絶縁膜にクラックが入ることが防止され、有機ＥＬ素子を水分や酸素から効果的に遮断することができる。これにより、表示装置の信頼性を向上することができる。
2005027582.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と、
前記第１の基板上に形成された第１の電極と、前記第１の電極上に形成された有機ＥＬ層と、前記有機ＥＬ層上に形成された第２の電極とを有する有機ＥＬ素子と、
前記有機ＥＬ素子上に形成され、前記有機ＥＬ層を封止する第１の無機絶縁膜と、
前記第１の無機絶縁膜上に形成された第２の基板とを有し、
曲げ応力を加えたときの中立軸が前記第１の無機絶縁膜と前記第２の基板との界面近傍に位置するように、前記第１の基板及び前記第２の基板の材料及び厚さが設定されている
ことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
第１の基板と、
前記第１の基板上に形成された第１の電極と、前記第１の電極上に形成された有機ＥＬ層と、前記有機ＥＬ層上に形成された第２の電極とを有する有機ＥＬ素子と、
前記有機ＥＬ素子上に直に形成され、前記有機ＥＬ層を封止する第１の無機絶縁膜と、
前記第１の無機絶縁膜上に形成された第２の基板と
を有することを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求の範囲第１項又は第２項記載の表示装置において、
前記第１の基板の剛性と前記第２の基板の剛性とが同じである
ことを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求の範囲第１項乃至第３項のいずれか１項に記載の表示装置において、
前記第１の基板と前記有機ＥＬ素子との間に、前記有機ＥＬ層の下面側を覆うように形成された第２の無機絶縁膜を更に有する
ことを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求の範囲第１項乃至第４項のいずれか１項に記載の表示装置において、
前記第１の基板及び／又は前記第２の基板は、樹脂フィルムである
ことを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求の範囲第１項乃至第５項のいずれか１項に記載の表示装置において、
前記第１の基板は、前記第２の基板よりも大きい
ことを特徴とする表示装置。
【請求項７】
請求の範囲第６項記載の表示装置において、
前記第２の基板が形成された領域外の前記第１の基板上に、前記第１の電極及び前記第２の電極を外部回路に接続する端子領域が設けられている
ことを特徴とする表示装置。
【請求項８】
請求の範囲第１項乃至第７項のいずれか１項に記載の表示装置において、
前記第１の基板側の前記無機絶縁膜の界面から前記第１の基板の４０％の厚さに相当する前記第１の基板側の位置から、前記第２の基板側の前記無機絶縁膜の界面から前記第２の基板の４０％の厚さに相当する前記第２の基板側の位置までの間に、前記中立軸が位置している
ことを特徴とする表示装置。
【請求項９】
第１の基板上に、第１の電極を形成する工程と、
前記第１の電極上に、有機ＥＬ層を形成する工程と、
前記有機ＥＬ層上に、第２の電極を形成する工程と、
前記有機ＥＬ層を封止するように、第１の無機絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の無機絶縁膜上に、曲げ応力を加えたときの中立軸が前記第１の無機絶縁膜との界面近傍に位置するように材料及び厚さが設定された第２の基板を形成する工程と
を有することを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項１０】
請求の範囲第９項記載の表示装置の製造方法において、
前記第２の基板を形成する工程では、前記第１の基板と剛性が同じである前記第２の基板を形成する
ことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項１１】
請求の範囲第９項又は第１０項記載の表示装置の製造方法において、
前記第１の電極を形成する工程の前に、前記有機ＥＬ層の下面側を覆う第２の無機絶縁膜を形成する工程を更に有する
ことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項１２】
請求の範囲第１０項又は第１２項記載の表示装置の製造方法において、
前記有機ＥＬ層を形成する工程から前記第１の無機絶縁膜を形成する工程は、真空環境において連続して行う
ことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項１３】
請求の範囲第９項乃至第１２項のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法において、
前記第２の基板を形成する工程では、接着剤を塗布した前記第２の基板を湾曲しながら、前記第２の基板の一辺側から徐々に前記第１の基板上に貼り合わせる
ことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項１４】
請求の範囲第１３項記載の表示装置の製造方法において、
前記第２の基板を形成する工程は、真空環境にて行う
ことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項１５】
請求の範囲第９項乃至第１４項のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法において、
前記第２の基板は、前記第１の無機絶縁膜上に直に形成する
ことを特徴とする表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】  本発明は、表示装置及びその製造方法に係り、特に有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子を用いた自発光型の表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】  従来、フラットパネルディスプレイとしては液晶分子をシャッターとして用いる液晶表示装置が主流であった。近年、更なる極薄化・大画面化を達成するものとして、有機ＥＬ素子を用いた自発光型の表示装置が注目されている。
有機ＥＬ素子を用いた表示装置は、透明基板上に透明導電膜よりなるストライプ状の電極（陽極）と、金属薄膜よりなり陽極と直交するストライプ状の電極（陰極）と、これら電極間に形成された有機ＥＬ層とを有する素子が複数設けられた構造を有している。陽極と陰極とはマトリクス状に配されており、陽極と陰極の各交差部分が、それぞれ画素に対応している。所定の電極間に所定の駆動電圧を印加することにより、所定の画素を発光することができる。
このような有機ＥＬ素子は、液晶素子が２枚の基板間に狭持された液晶分子をシャッターとして利用するのと異なり、自己発光型であるため、視認性が高い、視野角依存性がない、可撓性を有するフィルム基板を用いることができる、液晶表示装置と比較して薄い・軽い、などの様々な利点がある。
一方、有機ＥＬ素子は、有機物を用いているが故に水分や酸素等と反応しやすく、これが特性劣化の原因となる。すなわち、有機ＥＬ層が空気中の水分や酸素と反応して腐食や酸化を生じると、この劣化部が非発光部（ダークスポット）となり、素子の発光機能を失ってしまう。このため、有機ＥＬ素子を外気から遮断するための種々の対策を講ずる必要がある。
このような対策を開示する先行技術文献としては、例えば、特許文献１（特開平１０−０１２３８５号公報）、特許文献２（特開２００２−０２５７６５号公報）、特許文献３（特開２００３−０１７２４４号公報）、特許文献４（特開２００３−０８６３５９号公報）がある。
特許文献１には、有機ＥＬ素子をガラス板や金属板により封止した表示装置が提案されている。しかしながら、この方法では、ガラス板の厚さや重量によって有機ＥＬ素子の特徴である薄く軽い構造を生かすことができない。
また、特許文献２乃至４には、有機ＥＬ素子上に、応力緩和のための樹脂膜と外気遮断のための無機膜とを積層し、この積層膜により有機ＥＬ素子を封止した薄型構造の表示装置が提案されている。しかしながら、外気を遮断する目的で設けられる無機膜としては、一般に、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン窒化酸化膜など、樹脂膜に比較して可撓性に劣る材料を用いている。このため、この層に応力が集中すると、クラック（割れ）が生じることがあった。例えば、有機ＥＬ素子が形成された基板を含む表示装置全体を曲げた場合、基板表面に最も応力が集中するため、表面に位置する無機膜に応力が集中して破断してしまう。このような無機膜のクラックは封止機能を失うこととなり、有機ＥＬ素子が劣化してしまう。また、無機膜の下層に設けられた樹脂膜は、無機膜と比較して透湿性・含水性が高いため、有機ＥＬ素子に接する樹脂膜によって有機ＥＬ素子の劣化を生じる虞がある。
また、例えば特許文献３に記載されているように、複数の樹脂膜と複数の無機膜とを繰り返し積層することにより耐湿性を向上することが考えられる。しかしながら、複数の樹脂膜と複数の無機膜とを繰り返し積層する構造では、製造工程数が増大し、製造コストの増加をもたらすことになる。
本発明の目的は、有機ＥＬ素子を用いた表示装置及びその製造方法に関し、有機ＥＬ素子の外気遮断性が高く且つ可撓性の高い表示装置の構造及びこのような構造を簡素なプロセスで低廉に実現しうる表示装置の製造方法を提供することにある。
【発明の開示】
上記目的は、第１の基板と、前記第１の基板上に形成され、第１の電極と、前記第１の電極上に形成された有機ＥＬ層と、前記有機ＥＬ層上に形成された第２の電極とを有する有機ＥＬ素子と、前記有機ＥＬ素子上に形成され、前記有機ＥＬ層を封止する第１の無機絶縁膜と、前記第１の無機絶縁膜上に形成された第２の基板とを有し、曲げ応力を加えたときの中立軸が前記第１の無機絶縁膜と前記第２の基板との界面近傍に位置するように、前記第１の基板及び前記第２の基板の材料及び厚さが設定されていることを特徴とする表示装置によって達成される。
また、上記目的は、第１の基板と、前記第１の基板上に形成され、第１の電極と、前記第１の電極上に形成された有機ＥＬ層と、前記有機ＥＬ層上に形成された第２の電極とを有する有機ＥＬ素子と、前記有機ＥＬ素子上に直に形成され、前記有機ＥＬ層を封止する第１の無機絶縁膜と、前記第１の無機絶縁膜上に形成された第２の基板とを有することを特徴とする表示装置によっても達成される。
また、上記目的は、第１の基板上に、第１の電極を形成する工程と、前記第１の基板上に、有機ＥＬ層を形成する工程と、前記有機ＥＬ層上に、第２の基板を形成する工程と、前記有機ＥＬ層を封止するように、第１の無機絶縁膜を形成する工程と、前記第１の無機絶縁膜上に、曲げ応力を加えたときの中立軸が前記第１の無機絶縁膜との界面近傍に位置するように材料及び厚さが設定された第２の基板を形成する工程とを有することを特徴とする表示装置の製造方法によっても達成される。
本発明によれば、有機ＥＬ素子を封止するための無機絶縁膜上に基板を形成することにより、曲げ応力を加えたときの中立軸を無機絶縁膜に近づけるので、無機絶縁膜にクラックが入ることが防止され、有機ＥＬ素子を水分や酸素から効果的に遮断することができる。これにより、表示装置の信頼性を向上することができる。
また、有機ＥＬ素子の上側に、有機絶縁膜を介さずに有機ＥＬ素子を封止するための無機絶縁膜を形成することにより、製造過程や製造後における水分や酸素による有機ＥＬ素子の劣化を抑制することができる。
また、有機ＥＬ素子の下側にも有機ＥＬ素子を封止するための無機絶縁膜を更に形成することにより、製造過程や製造後における水分や酸素による有機ＥＬ素子の劣化を更に抑制することができる。
また、有機ＥＬ層の形成から無機絶縁膜の形成までの一連の成膜工程を、連続した真空環境下にて行うので、製造途中において有機ＥＬ層が大気中の水分や酸素に曝されることなく無機絶縁膜により封止することができ、有機ＥＬ素子の特性劣化を更に抑制することができる。
【図面の簡単な説明】  図１は、本発明による表示装置の原理を説明する図（その１）である。
図２は、本発明による表示装置の原理を説明する図（その２）である。
図３は、本発明の第１実施形態による表示装置の構造を示す概略断面図である。
図４は、本発明の第１実施形態による表示装置の製造方法を示す工程断面図（その１）である。
図５は、本発明の第１実施形態による表示装置の製造方法を示す工程断面図（その２）である。
図６は、本発明の第２実施形態による表示装置の構造を示す概略断面図である。
図７は、本発明の第２実施形態による表示装置の製造方法を示す工程断面図である。
図８は、本発明の第３実施形態による表示装置の構造を示す概略断面図である。
図９は、本発明の第３実施形態による表示装置の製造方法を示す工程断面図である。
図１０は、本発明の第４実施形態による表示装置の構造を示す平面図である。
【発明を実施するための最良の形態】  ［本発明の原理］
本発明では、無機絶縁膜上に更に所定の基板を形成し、表示装置を曲げる際に生じる引張応力と圧縮応力とが釣り合って無応力状態となる中立軸を、無機絶縁膜の近傍に位置させることにより、有機絶縁膜に作用する曲げ応力を抑制する。
以下、本原理の詳細について説明する。
複数の層からなる積層体の中立軸の位置ｙｎ（底面からの距離）は、各層が一体となる剛体であって層間で滑りが生じないものと仮定すると、下記一般式により表される（例えば、機械工学便覧を参照）。ここで、Ｅはヤング率、Ａは断面積、ｙｚは底面から断面上の任意の点までの距離である。
2005027582.tif 000003
ここで、第１の基板１０上に無機絶縁膜１２が形成された第１の試料（図１Ａ）と、第１の基板１０上に無機絶縁膜１２と第２の基板１４とが形成された第２の試料（図１Ｂ）とを想定する。
第１の基板のヤング率をＥ１，厚さをｔ１、無機絶縁膜のヤング率をＥ２，厚さをｔ２、第２の基板のヤング率をＥ３，厚さをｔ３とすると、式（１）より、第１の試料の場合における中立軸までの距離ｙｎは、
2005027582.tif 000004
と表され、第２の試料の場合における中立軸までの距離ｙｎは、
2005027582.tif 000005
と表される。
この積層体に曲げモーメントＭを与え、曲率半径ｒの曲げ状態とするとき、無機絶縁膜に作用する応力σ２は、下記の連立方程式を満足する（例えば、機械工学便覧を参照）。ここで、ｙは、中立軸から評価点までの距離である。
2005027582.tif 000006
式（４）及び式（５）より、曲率半径ｒのとき、無機絶縁膜の表面側（第２の基板との界面側）に作用する最大応力σｍａｘは、ｙ＝｜ｔ１＋ｔ２−ｙｎ｜から、
2005027582.tif 000007
と表される。このとき、最大応力σｍａｘが無機絶縁膜の破壊強度σｃを超えないように、曲率半径ｒ及び中立軸までの距離ｙｎ、すなわち曲率半径ｒと各部材のヤング率Ｅ及び厚さｔを選択することで、無機絶縁膜の破壊を防止することができる。
なお、曲げ状態を示す曲率半径ｒについては、各部材のヤング率Ｅ及び厚さｔを選択して構成した結果、無機絶縁膜の破壊限界まで曲げられる寸法と捉えるのが適切である。したがって、可撓性を追求する構造（曲率半径ｒを極力小さくする構造）においては、各部材の適切なヤング率Ｅ及び厚さｔを選択することを必要とする。
式（６）から判るように、最大応力σｍａｘを極小とするには、中立軸から評価点までの距離ｙ（＝｜ｔ１＋ｔ２−ｙｎ｜）を極小にする必要がある。
第１の試料の場合、中立軸は第１の基板の断面中心付近にあり距離ｙが大きいのに対し（図２Ａ参照）、第２の試料の場合、中立軸は第１の基板と第２の基板との間にある無機絶縁膜近傍へ接近し、距離ｙが小さくなる（図２Ｂ参照）。したがって、第２の試料は、第１の試料と比較して、可撓性の高い構造となる。
特に、各基板厚に対して無機絶縁膜を薄膜（ｔ１，ｔ３≫ｔ２）とし、式（３）において無機絶縁膜の厚さｔ２の項を無視すると、中立軸から評価点までの距離ｙは以下のように表される。
2005027582.tif 000008
したがって、距離ｙを極小とするには、式（７）においてｙ＝０となる下記の条件が必要となる。
2005027582.tif 000009
このように、無機絶縁膜のクラックを最も効果的に防止する観点からは、式（８）の関係を満足するように、基板の材料及び膜厚を設定することが望ましい。すなわち第１の基板と第２の基板との有機ＥＬ素子を狭持する２つの基板は、剛性が同じであることが望ましい。但し、無機絶縁膜にクラックが生じるか否かは、中立軸からの距離のみならず、無機絶縁膜の材料や曲率半径等にも依存する。したがって、基板材料の選択や基板の厚さは、式（８）の関係を満たす条件を中心条件とし、無機絶縁膜の材料や曲率半径ｒに応じて範囲を適宜設定することが望ましい。
なお、本願発明者の検討によれば、無機絶縁膜から基板の厚さの４０％に相当する距離までの間に中立軸が位置するように、基板材料の選択や基板の厚さ等を設定することが望ましい。すなわち、第１の基板側の無機絶縁膜の界面から第１の基板の４０％の厚さに相当する第１の基板側の位置から、第２の基板側の無機絶縁膜の界面から第２の基板の４０％の厚さに相当する第２の基板側の位置までの間に、中立軸が位置することが望ましい。
有機ＥＬ素子を外気から遮断するための無機絶縁膜は、有機ＥＬ素子上に直に形成することが望ましい。有機ＥＬ素子と無機絶縁膜との間に樹脂膜などの有機絶縁膜を形成した場合、透湿性・含水性が高いという有機絶縁膜の性質により、製造工程等においてこの有機絶縁膜に水分が吸収され、この水分が後に有機ＥＬ素子の劣化を生じる原因となる。本発明の表示装置のように有機ＥＬ素子上に直に無機絶縁膜を形成することにより、水分の浸入を大幅に抑制することができる。
また、製造工程中における水分や酸素の混入やそれによる有機ＥＬ素子の劣化を防止する観点から、有機ＥＬ素子と無機絶縁膜とを連続する真空環境下で形成することが望ましい。これにより、有機ＥＬ素子を外気から完全に遮断して構成することができる。
また、第１の基板が樹脂フィルムのような有機材料の場合、第１の基板側からの水分や酸素の浸入をも遮断することが望ましい。これには、有機ＥＬ素子を形成する前に予め基板表面に無機絶縁膜を形成しておくことが有効である。
また、第２の基板を積層する際に、予め接着剤を塗布した第２の基板と、有機ＥＬ素子と無機絶縁膜とを積層した第１の基板とを、真空ラミネートすることにより、第１の基板と第２の基板との間に空隙がない一体構造を形成することができる。
なお、第１の基板及び第２の基板としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリカーボネート、非晶質ポリオレフィン等の樹脂材料を薄膜化した樹脂フィルムやセロハンなどの可撓性を有するものや、フレキシブル基板を適用することができる。
また、有機ＥＬ素子の陽極側の電極材料には、ＩＴＯ、ＡＴＯ（ＳｂをドープしたＳｎＯ２）、ＡＺＯ（ＡｌをドープしたＺｎＯ）等を用いることができる。
また、有機ＥＬ層は、発光層のみの単層構造、正孔輸送層と発光層又は発光層と電子輸送層の２層構造、正孔輸送層と発光層と電子輸送層との３層構造を適用することができる。
発光層としては、可視領域で蛍光特性を有し、成膜性の良い蛍光体からなるものが好ましく、キノリノールアルミ錯体（Ａｌｑ３：８−Ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎｅ  Ａｌｕｍｉｎｕｍ）、Ｂｅ−ベンゾキノリノール（ＢｅＢｑ２）、２，５−ビス（５，７−ジ−ｔ−ペンチル−２−ベンゾオキサゾリル）−１，３，４−チアジアゾール、４，４’−ビス（５，７−ベンチル−２−ベンゾオキサゾリル）スチルベン、４，４’−ビス〔５，７−ジ−（２−メチル−２−ブチル）−２−ベンゾオキサゾリル〕スチルベン、２，５−ビス（５，７−ジ−ｔ−ベンチル−２−ベンゾオキサゾリル）チオフィン、２，５−ビス（〔５−α，α−ジメチルベンジル〕−２−ベンゾオキサゾリル）チオフェン、２，５−ビス〔５，７−ジ−（２−メチル−２−ブチル）−２−ベンゾオキサゾリル〕−３，４−ジフェニルチオフェン、２，５−ビス（５−メチル−２−ベンゾオキサゾリル）チオフェン、４，４’−ビス（２−ベンゾオキサイゾリル）ビフェニル、５−メチル−２−〔２−〔４−（５−メチル−２−ベンゾオキサイゾリル）フェニル〕ビニル〕ベンゾオキサイゾリル、２−〔２−（４−クロロフェニル）ビニル〕ナフト〔１，２−ｄ〕オキサゾール等のベンゾオキサゾール系、２，２’−（ｐ−フェニレンジビニレン）−ビスベンゾチアゾール等のベンゾチアゾール系、２−〔２−〔４−（２−ベンゾイミダゾリル）フェニル〕ビニル〕ベンゾイミダゾール、２−〔２−（４−カルボキシフェニル）ビニル〕ベンゾイミダゾール等のベンゾイミダゾール系等の蛍光増白剤や、トリス（８−キノリノール）アルミニウム、ビス（８−キノリノール）マグネシウム、ビス（ベンゾ〔ｆ〕−８−キノリノール）亜鉛、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）アルミニウムオキシド、トリス（８−キノリノール）インジウム、トリス（５−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、８−キノリノールリチウム、トリス（５−クロロ−８−キノリノール）ガリウム、ビス（５−クロロ−８−キノリノール）カルシウム、ポリ〔亜鉛−ビス（８−ヒドロキシ−５−キノリノニル）メタン〕等の８−ヒドロキシキノリン系金属錯体やジリチウムエピンドリジオン等の金属キレート化オキシノイド化合物や、１，４−ビス（２−メチルスチリル）ベンゼン、１，４−（３−メチルスチリル）ベンゼン、１，４−ビス（４−メチルスチリル）ベンゼン、ジスチリルベンゼン、１，４−ビス（２−エチルスチリル）ベンゼン、１，４−ビス（３−エチルスチリル）ベンゼン、１，４−ビス（２−メチルスチリル）２−メチルベンゼン等のスチリルベンゼン系化合物や、２，５−ビス（４−メチルスチリル）ピラジン、２，５−ビス（４−エチルスチリル）ピラジン、２，５−ビス〔２−（１−ナフチル）ビニル〕ピラジン、２，５−ビス（４−メトキシスチリル）ピラジン、２，５−ビス〔２−（４−ビフェニル）ビニル〕ピラジン、２，５−ビス〔２−（１−ピレニル）ビニル〕ピラジン等のジスチルピラジン誘導体や、ナフタルイミド誘導体や、ペリレン誘導体や、オキサジアゾール誘導体や、アルダジン誘導体や、シクロペンタジエン誘導体や、スチリルアミン誘導体や、クマリン系誘導体や、芳香族ジメチリディン誘導体等を適用することができる。また、アントラセン、サリチル酸塩、ピレン、コロネン等を適用することもできる。
また、正孔輸送層としては、正孔移動度が高く、透明で成膜性の良いものが好ましく、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ジフェニル−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）、ポルフィン、テトラフェニルポルフィン銅、フタロシアニン、銅フタロシアニン、チタニウムフタロシアニンオキサイド等のポリフィリン化合物や、１，１−ビス｛４−（ジ−Ｐ−トリルアミノ）フェニル｝シクロヘキサン、４，４’，４’’−トリメチルトリフェニルアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（Ｐ−トリル）−Ｐ−フェニレンジアミン、１−（Ｎ，Ｎ−ジ−Ｐ−トリルアミノ）ナフタレン、４，４’−ビス（ジメチルアミノ）−２−２’−ジメチルトリフェニルメタン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニル−４，４’−ジアミノビフェニル、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ−ｍ−トリル−４，Ｎ，Ｎ−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−４，４’−ジアミン、４’−ジアミノビフェニル、Ｎ−フェニルカルバゾール等の芳香族第三級アミンや、４−ジ−Ｐ−トリルアミノスチルベン、４−（ジ−Ｐ−トリルアミノ）−４’−〔４−（ジ−Ｐ−トリルアミノ）スチリル〕スチルベン等のスチルベン化合物や、トリアゾール誘導体や、オキサジザゾール誘導体や、イミダゾール誘導体や、ポリアリールアルカン誘導体や、ピラゾリン誘導体や、ピラゾロン誘導体や、フェニレンジアミン誘導体や、アニールアミン誘導体や、アミノ置換カルコン誘導体や、オキサゾール誘導体や、スチリルアントラセン誘導体や、フルオレノン誘導体や、ヒドラゾン誘導体や、シラザン誘導体や、ポリシラン系アニリン系共重合体や、高分子オリゴマーや、スチリルアミン化合物や、芳香族ジメチリディン系化合物や、ポリ３−メチルチオフェン等の有機材料を適用することができる。また、ポリカーボネート等の高分子中に低分子の正孔輸送層用の有機材料を分散させた、高分子分散系の正孔輸送層も適用することができる。
また、電子輸送層としては、１，３−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル−１，３，４−オキサジアゾリル）フェニレン（ＯＸＤ−７）等のオキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン誘導体、ジフェニルキノン誘導体等を適用することができる。
また、有機ＥＬ素子の陰極側の電極材料には、仕事関数の低い金属若しくは合金、例えば、Ａｌ、Ｉｎ、Ｍｇ、Ｔｉ等の金属や、Ｍｇ−Ａｇ合金、Ｍｇ−Ｉｎ合金等のＭｇ合金や、Ａｌ−Ｌｉ合金、Ａｌ−Ｓｒ合金、Ａｌ−Ｂａ合金等のＡｌ合金等を適用することができる。
また、無機絶縁膜としては、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン窒化酸化膜等を適用することができる。
［第１実施形態］
本発明の第１実施形態による表示装置及びその製造方法について図３乃至図５を用いて説明する。図３は本実施形態による表示装置の構造を示す概略断面図４及び図５は本実施形態による表示装置の製造方法を示す工程断面図である。
はじめに、本実施形態による表示装置の構造について図３を用いて説明する。
ポリカーボネートよりなる基板２２上には、ＩＴＯよりなる陽極側の電極２４が形成されている。電極２４上には、α−ＮＰＤ（ジフェニルナフチルジアミン）よりなる正孔輸送層とＡｌｑ３（キノリノールアルミ錯体）よりなる発光層とを有する有機ＥＬ層２６が形成されている。有機ＥＬ層２６上には、Ａｌ−Ｌｉよりなる陰極側の電極３０が形成されている。これにより、電極２４と、有機ＥＬ層２６と、電極３０とを有する有機ＥＬ素子が構成されている。有機ＥＬ素子が形成された基板２２上には、有機ＥＬ層２６を封止するように、シリコン窒化酸化膜よりなる無機絶縁膜３４が形成されている。無機絶縁膜３４上には、セロハンよりなる基板３８が形成されている。
このように、本実施形態による表示装置は、有機ＥＬ素子上に、直に無機絶縁膜３４が形成されていることを一つの特徴としている。有機ＥＬ層２６と無機絶縁膜３４との間に樹脂膜などの有機絶縁膜を形成した場合、透湿性・含水性が高いという有機絶縁膜の特性により、製造過程等においてこの有機絶縁膜に水分が吸収され、この水分が後に有機ＥＬ素子の劣化を生じる原因となる虞がある。本実施形態による表示装置のように有機ＥＬ素子上に直に無機絶縁膜３４を形成することにより、水分の浸入を大幅に抑制することができる。
また、本実施形態による表示装置は、無機絶縁膜３４上に、基板３８が形成されていることをも一つの特徴としている。前述のように、無機絶縁膜３４のクラックを防止するためには、無機絶縁膜３４の場所を、中立軸に近づける必要がある。そこで、本実施形態による表示装置では、無機絶縁膜３４上に基板３８を形成し、中立軸を無機絶縁膜３４に近づけている。これにより、無機絶縁膜３４にクラックが入ることが防止され、有機ＥＬ素子を水分や酸素から効果的に遮断することができる。
次に、本実施形態による表示装置の製造方法について図４及び図５を用いて説明する。
まず、厚さ１ｍｍのガラス基板２０上に、基板２２を仮着する。基板２２としては、ポリカーボネートフィルムを適用することができる。ポリカーボネートフィルムとしては、例えば、帝人株式会社製、エレクリア（登録商標）、ＨＴ１００−６０Ｂを用いることができる。このポリカーボネートフィルムは、膜厚１００μｍであり、表面にＩＴＯ膜が形成されている。
次いで、リソグラフィー及びエッチングにより、ポリカーボネートフィルム上のＩＴＯ膜をパターニングし、ＩＴＯ膜よりなる電極２４を形成する（図４Ａ）。
次いで、真空蒸着法により、α−ＮＰＤよりなる正孔輸送層と、Ａｌｑ３よりなる発光層とを堆積し、合計膜厚１５０ｎｍの有機ＥＬ層２６を形成する。この際、所定の開口パターンを有するメタルマスク２８により覆った状態で真空蒸着を行うことにより、所望のパターンを有する有機ＥＬ層２６を形成する（図４Ｂ）。
次いで、真空蒸着法により、有機ＥＬ層２６上に、膜厚１００ｎｍのＡｌ−Ｌｉ合金を堆積し、Ａｌ−Ｌｉ合金よりなる電極３０を形成する。この際、所定の開口パターンを有するメタルマスク３２により覆った状態で真空蒸着を行うことにより、所望のパターンを有する電極３０を形成する（図４Ｃ）。
こうして、電極２４と、有機ＥＬ層２６と、電極３０とを有する有機ＥＬ素子を形成する。
次いで、プラズマコーティング法（住友重機械工業（株）製、ＰＣＳ装置）により、有機ＥＬ素子が形成された基板２２上に、例えば膜厚１５０ｎｍのシリコン窒化酸化膜よりなる無機絶縁膜３４を形成する。この際、所定の開口パターンを有するメタルマスク３６により覆った状態で堆積することにより、所望のパターンを有する無機絶縁膜３４を形成する（図５Ａ）。なお、無機絶縁膜３４は有機ＥＬ層２６を封止するためのものであり、有機ＥＬ層２６を完全に覆うように形成する。
シリコン窒化酸化膜の形成の際には、膜応力緩和や基板温度の影響による有機ＥＬ材料への影響を極力抑える必要がある。このような手段としては、例えば、１走査あたりの膜厚を３０ｎｍとして５回走査し、成膜待機時（走査間隔中）に基板を冷却しつつ成膜する方法が考えられる。このような方法により、無機絶縁膜３４にクラックを生じることなく、且つ基板温度を７５℃以下に抑えてピンホール等の欠陥のない均一な無機絶縁膜３４を形成することができる。
また、有機ＥＬ層２６の形成から無機絶縁膜３４の形成までの一連の成膜工程では、有機ＥＬ層２６が形成された基板を大気開放せずに連続した真空環境下にて成膜を行うことが望ましい。これにより、製造途中において、有機ＥＬ層２６が大気中の水分や酸素に曝されることなく無機絶縁膜３４により封止することができ、有機ＥＬ素子の特性劣化を抑制することができる。
次いで、無機絶縁膜３４上に、無機絶縁膜３４を覆うように基板３８を形成する（図５Ｂ）。基板３８としては、例えば膜厚５０μｍのセロハンテープ（ニチバン株式会社製）を用い、これを貼付することができる。
次いで、ガラス基板２０を除去することにより、図３に示す表示装置が製造される（図５Ｃ）。
上記製造方法により製造した表示装置に対して、曲率半径５ｍｍの曲げを施し、無機絶縁膜のクラック発生の有無を調査した。
基板２２として膜厚１００μｍのポリカーボネート（ヤング率１．９ＧＰａ）を、基板３８として膜厚５０μｍのセロハンテープ（ヤング率２．４ＧＰａ）を用いた上記構造では、中立軸から無機絶縁膜３４と基板３８との界面までの距離ｙは２１μｍとなり、無機絶縁膜３４にクラックは生じなかった。
比較のため、基板２２として膜厚１００μｍのポリカーボネート（ヤング率１．９ＧＰａ）を用い、基板３８として膜厚１００μｍのアルミテープ（ヤング率６９ＧＰａ）を用いた構造についても検討したところ、中立軸から無機絶縁膜３４と基板３８との界面までの距離ｙは４７μｍとなり、無機絶縁膜３４にクラックが生じた。基板３８としてアルミテープを用いたときにクラックが生じたのは、基板２２に対して基板３８の剛性が大きすぎるため、中立軸が基板３８側で無機絶縁膜３４から遠のいたことに起因する。
また、基板２２として膜厚１００μｍのポリカーボネート（ヤング率１．９ＧＰａ）を用い、基板３８を形成しない構造についても検討した。この場合、中立軸から無機絶縁膜３４表面までの距離ｙは４８μｍとなり、無機絶縁膜３４にクラックが生じた。
クラックを防止するための中立軸から無機絶縁膜３４の表面までの距離ｙの上限値は、素子の構成材料や曲率半径によって変化するため一概に規定することはできないが、上記検討結果から、無機絶縁膜３４として膜厚１５０ｎｍのシリコン窒化膜を用いる場合には、中立軸から無機絶縁膜３４表面までの距離ｙが４７μｍ未満になるように、望ましくは２１μｍ以下になるように、基板２２及び３８の材料及び膜厚を設定する必要があることが判る。
このように、本実施形態によれば、有機ＥＬ素子を封止するための無機絶縁膜上に基板を形成し、曲げ応力を加えたときの中立軸を無機絶縁膜に近づけるので、無機絶縁膜にクラックが入ることが防止され、有機ＥＬ素子を水分や酸素から効果的に遮断することができる。これにより、表示装置の信頼性を向上することができる。
また、有機ＥＬ素子の上側に、有機絶縁膜を介さずに、有機ＥＬ素子を封止するための無機絶縁膜を形成するので、製造過程や製造後における水分や酸素による有機ＥＬ素子の劣化を抑制することができる。
また、有機ＥＬ層の形成から無機絶縁膜の形成までの一連の成膜工程を、連続した真空環境下にて行うので、製造途中において有機ＥＬ層が大気中の水分や酸素に曝されることなく無機絶縁膜により封止することができ、有機ＥＬ素子の特性劣化を更に抑制することができる。
［第２実施形態］
本発明の第２実施形態による表示装置及びその製造方法について図６及び図７を用いて説明する。図６は本実施形態による表示装置の構造を示す概略断面図、図７は本実施形態による表示装置の製造方法を示す工程断面図である。なお、図３乃至図６に示す第１実施形態による表示装置及びその製造方法と同様の構成要素には同一の符号を付し説明を省略し或いは簡略にする。
はじめに、本実施形態による表示装置の構造について図６を用いて説明する。
ポリカーボネートよりなる基板２２上には、ＩＴＯよりなる陽極側の電極２４が形成されている。電極２４上には、α−ＮＰＤよりなる正孔輸送層とＡｌｑ３よりなる発光層とを有する有機ＥＬ層２６が形成されている。有機ＥＬ層２６上には、Ａｌ−Ｌｉよりなる陰極側の電極３０が形成されている。これにより、電極２４と、有機ＥＬ層２６と、電極３０とを有する有機ＥＬ素子が構成されている。有機ＥＬ素子が形成された基板２２上には、有機ＥＬ層２６を封止するように、シリコン窒化酸化膜よりなる無機絶縁膜３４が形成されている。無機絶縁膜３４上には、ポリカーボネートよりなる基板３８ａが形成されている。
このように、本実施形態よる表示装置は、無機絶縁膜３４上に形成された基板３８ａが、基板２２と同じ材料であるポリカーボネートにより構成されている他は、第１実施形態による表示装置と同様である。対向する基板２２，３８ａに、剛性が同じ材料を適用することにより、中立軸を基板２２と基板３８ａとの間の領域に容易に位置させることができる。これにより、中立軸を無機絶縁膜３４に近づけることができ、無機絶縁膜３４にクラックが生じることを防止することができる。
なお、剛性が同じであるとは、基板２２のヤング率をＥ１、厚さをｔ１、基板３８ａのヤング率をＥ２、厚さをｔ２として、
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の関係を満足する状態である。したがって、基板２２と基板３８ａとは、必ずしも同じ材料及び同じ厚さである必要はなく、式（９）の関係を満するように、基板２２，３８ａの材料及び厚さを適宜選択すればよい。
次に、本実施形態による表示装置の製造方法について図７を用いて説明する。
まず、図４Ａ乃至図５Ａに示す第１実施形態による表示装置の製造方法と同様にして、基板２２上に、有機ＥＬ素子及び無機絶縁膜３４を形成する。
次いで、例えば以下に示す方法により、無機絶縁膜３４上に、ポリカーボネートよりなる基板３８ａを形成する。
まず、膜厚１００μｍのポリカーボネートよりなる基板３８ａに、紫外線硬化型接着剤（例えば、ナガセケムテックス社製、ＸＮＲ５５１６）を全面に塗布する。次いで、真空ラミネートにより、接着剤の付着面が無機絶縁膜３４に接するように、基板２２と基板３８ａとを貼り合わせる（図６Ａ）。
基板３８ａを基板２２に貼り合わせる際には、図６Ａに示すように、基板３８ａを湾曲しながら、基板３８ａの一辺側から徐々に基板２２に貼り合わせる。これにより、気泡が入ることなく基板２２と基板３８ａとを貼り合わせることができる。真空中でこの作業を行うことにより、すなわち真空ラミネートを行うことにより、気泡の発生封入を抑制することができる。
なお、基板２２と基板３８ａとを貼り合わせる際、基板２２側を湾曲させると、基板２２の表面側に形成された無機絶縁膜３４に曲げ応力が集中してクラックが生じる虞がある。したがって、基板３８ａを貼り合わせる際には、基板３８ａを湾曲しながら貼り合わせることが望ましい。
この後、例えば波長３６５ｎｍの紫外線を例えば１８Ｊ／ｃｍ２で基板３８ａ側から照射し、接着剤を硬化させる（図６Ｂ）。
なお、基板３８ａを貼り合わせる上記工程は、有機ＥＬ層２６の形成から無機絶縁膜３４の形成までの一連の成膜工程から連続する真空系で処理することが望ましい。これにより、有機ＥＬ層が大気中の水分や酸素に曝されることなく、且つ基板２２と基板３８ａとの間に気泡を挟むことなく、２つの基板を一体の剛体に仕上げることができる。
次いで、基板３８ａを貼り合わせた後、ガラス基板２０を除去することにより、図６に示す表示装置を製造することができる。
上記製造方法により製造した表示装置に対して、曲率半径５ｍｍの曲げを施し、無機絶縁膜３４のクラック発生の有無を調査した。
基板２２として膜厚１００μｍのポリカーボネート（ヤング率１．９ＧＰａ）を、基板３８ａとして膜厚１００μｍのポリカーボネート（ヤング率１．９ＧＰａ）を用いた上記構造では、中立軸から無機絶縁膜３４と基板３８ａとの界面までの距離ｙは０．１μｍとなり、無機絶縁膜３４にクラックは生じなかった。
このように、本実施形態によれば、有機ＥＬ素子を、剛性が同じである２つの基板により狭持するので、曲げ応力を加えたときの中立軸を無機絶縁膜に近づけることができる。これにより、無機絶縁膜にクラックが入ることが防止され、有機ＥＬ素子を水分や酸素から効果的に遮断することができる。これにより、表示装置の信頼性を向上することができる。
また、有機ＥＬ素子の上面に、有機絶縁膜を介さずに、有機ＥＬ層を封止するための無機絶縁膜を形成するので、製造過程や製造後における水分や酸素による有機ＥＬ素子の劣化を抑制することができる。
また、有機ＥＬ層の形成から無機絶縁膜の形成までの一連の成膜工程を、連続した真空環境下にて行うので、製造途中において有機ＥＬ層が大気中の水分や酸素に曝されることなく無機絶縁膜により封止することができ、有機ＥＬ素子の特性劣化を更に抑制することができる。
［第３実施形態］
本発明の第３実施形態による表示装置及びその製造方法について図８及び図９を用いて説明する。図８は本実施形態による表示装置の構造を示す概略断面図、図９は本実施形態による表示装置の製造方法を示す工程断面図である。なお、図３乃至図７に示す第１及び第２実施形態による表示装置及びその製造方法と同様の構成要素には同一の符号を付し説明を省略し或いは簡略にする。
はじめに、本実施形態による表示装置の構造について図８を用いて説明する。
ポリカーボネートよりなる基板２２上には、シリコン窒化酸化膜よりなる無機絶縁膜４０が形成されている。無機絶縁膜４０上には、ＩＴＯよりなる陽極側の電極２４が形成されている。電極２４上には、α−ＮＰＤよりなる正孔輸送層とＡｌｑ３よりなる発光層とを有する有機ＥＬ層２６が形成されている。有機ＥＬ層２６上には、Ａｌ−Ｌｉよりなる陰極側の電極３０が形成されている。これにより、電極２４と、有機ＥＬ層２６と、電極３０とを有する有機ＥＬ素子が構成されている。有機ＥＬ素子が形成された基板２２上には、有機ＥＬ層２６を封止するように、シリコン窒化酸化膜よりなる無機絶縁膜３４が形成されている。無機絶縁膜３４上には、ポリカーボネートよりなる基板３８ａが形成されている。
このように、本実施形態よる表示装置は、基板２２と電極２４との間に無機絶縁膜４０が形成されている他は、第２実施形態による表示装置と同様である。基板２２と電極との間に無機絶縁膜４０を形成することにより、基板２２側からの外気遮断性を高め、水分や酸素等による有機ＥＬ素子の劣化を抑制することができる。
基板２２と電極２４との間に無機絶縁膜４０を設ける場合にも、無機絶縁膜３４上に基板３８ａを設けることにより、無機絶縁膜３４，４０のクラックを防止でき、有機ＥＬ素子に対する外気バリア膜としての機能を維持しつつ、可撓性の高い構造を実現することができる。
本実施形態による表示装置の構造は、基板２２が樹脂フィルムのような有機材料の場合、特に効果的である。
次に、本実施形態による表示装置の製造方法について図９を用いて説明する。
まず、厚さ１ｍｍのガラス基板２０上に、膜厚１００μｍのポリカーボネートよりなる基板２２を仮着する。
次いで、基板２２上に、プラズマコーティング法により、基板２２上に、例えば膜厚１５０ｎｍのシリコン窒化酸化膜よりなる無機絶縁膜４０を形成する。
シリコン窒化酸化膜の形成の際には、シリコン窒化酸化膜の膜応力緩和と基板温度抑制のため、１走査あたりの膜厚を３０ｎｍとして５回走査し、成膜待機時（走査間隔中）に基板を冷却しつつ成膜することが望ましい。これにより、無機絶縁膜３８にクラックを生じることなく、且つ基板温度を７５℃以下に抑えてピンホール等の欠陥のない均一な無機絶縁膜４０を形成することができる。
次いで、無機絶縁膜４０上に、例えばスパッタ法により、ＩＴＯ膜４２を形成する（図９Ａ）。
次いで、フォトリソグラフィー及びエッチングによりＩＴＯ膜４２をパターニングし、無機絶縁膜４０上に、ＩＴＯ膜４２よりなる電極２４を形成する（図９Ｂ）。
次いで、例えば図４Ｂ乃至図５Ａ及び図７Ａ乃至図７Ｃに示す第１及び第２実施形態による表示装置の製造方法と同様にして、表示装置を完成する（図９Ｃ）。
なお、有機ＥＬ層２６の形成から無機絶縁膜３４の形成までの一連の成膜工程では、基板を大気開放せずに連続した真空環境下にて成膜を行うことが望ましい。これにより、製造途中において、有機ＥＬ層２６が大気中の水分や酸素に曝されることなく無機絶縁膜３４，４０により封止することができ、有機ＥＬ素子の特性劣化を抑制することができる。
このように、本実施形態によれば、有機ＥＬ素子を、剛性が同じである２つの基板により狭持するので、曲げ応力を加えたときの中立軸を無機絶縁膜に近づけることができる。これにより、無機絶縁膜にクラックが入ることが防止され、有機ＥＬ素子を水分や酸素から効果的に遮断することができる。これにより、表示装置の信頼性を向上することができる。
また、有機ＥＬ素子の上側及び下側に、有機ＥＬ素子を封止するための無機絶縁膜をそれぞれ形成するので、製造過程や製造後における水分や酸素による有機ＥＬ素子の劣化を抑制することができる。
特に、下側の無機絶縁膜によって基板２２側からの外気遮断性を高めることができ、有機ＥＬ素子の特性劣化を更に抑制することができる。
［第４実施形態］
本発明の第４実施形態による表示装置について図１０を用いて説明する。図１０は本実施形態による表示装置の構造を示す平面図である。
本実施形態による表示装置は、単純マトリクス型の表示装置に、第２実施形態による表示装置の構造を適用したものである。
例えば膜厚１００μｍのポリカーボネートよりなる基板５０には、有機ＥＬ素子形成領域５２が設けられている。有機ＥＬ素子形成領域５２には、複数の有機ＥＬ素子がマトリクス状に配置されている。各有機ＥＬ素子は、例えば図６に示す第２実施形態による表示装置における有機ＥＬ素子であり、基板５０上に形成された陽極としての電極２４と、電極２４上に形成された有機ＥＬ層２６と、有機ＥＬ層２６上に形成された陰極としての電極３０と、有機ＥＬ層２６を覆うように形成された無機絶縁膜３４とを有している。電極２４と電極３０とは、互いに直交する方向に延在するストライプ形状を有しており、電極２４と電極３０との各交差部に、画素を構成する有機ＥＬ素子がそれぞれ形成されている。複数の有機ＥＬ素子が形成された基板５０上には、例えば膜厚１００μｍのポリカーボネートよりなる基板５４が形成されている。
基板５０には、行方向に延在する電極（例えば電極２４）に電気的に接続され、これに所定の駆動電圧を印加する配線を接続するための端子接続領域５６が設けられている。また、基板５０には、列方向に延在する電極（例えば電極３０）に電気的に接続され、これに所定の駆動電圧を印加する配線を接続するための端子接続領域５８が設けられている。端子接続領域５６，５８には、フレキシブルプリント板などの端子接続配線板６０，６２を介して、表示駆動回路６４が接続されている。
なお、有機ＥＬ素子形成領域の周辺部に端子接続領域５６，５８を配置する観点からは、基板５０の面積よりも基板５４の面積を小さくすることが望ましい。
行方向に延在する所定の電極２４と、列方向に延在する所定の電極３０との間に所定の駆動電圧を印加することにより、電極２４と電極３０との交差部に位置する有機ＥＬ層２６が発光する。表示駆動回路６４により、行方向に延在する電極２４と列方向に延在する電極３０とを適宜選択し、これら電極間に駆動電圧を印加することにより、有機ＥＬ素子形成領域に所望の画像を表示することができる。
本実施形態による表示装置では、基板５０，５４としてポリカーボネートフィルムを用いている。したがって、可撓性を有する表示装置を構成することができる。また、第２実施形態による表示装置の構造を適用し、曲げ応力を加えたときの中立軸が無機絶縁層３４に近づくように、基板５０，５４の材料及び膜厚を適宜選択しているので、無機絶縁層３４にクラックが生じるのを効果的に防止することができる。これにより、有機ＥＬ層２６の封止を完全にし、有機ＥＬ素子の特性劣化を抑制することができる。
［変形実施形態］
本発明は上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
例えば、上記実施形態では、基板としてポリカーボネートやセロハンを用い、無機絶縁膜としてシリコン窒化酸化膜を用いたが、本発明の表示装置に適用しうる基板や無機絶縁膜の材料は、これに限定されるものではない。基板の材料及び膜厚、無機絶縁膜の材料や膜厚は、表示装置に最大限必要とされる曲率半径の値等に応じて適宜選択することができる。
また、上記第４実施形態では、単純マトリクス型の表示装置について説明したが、各画素部に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等のスイッチング素子を設け、このスイッチング素子により有機ＥＬ素子に印加する駆動電圧を制御する、アクティブマトリクス型の表示装置を構成してもよい。
また、上記第４実施形態では、第２実施形態による表示装置における有機ＥＬ素子の構造を適用したが、第１実施形態或いは第３実施形態による表示装置における有機ＥＬ素子の構造を適用してもよい。
【産業上の利用の可能性】
本発明による表示装置及びその製造方法は、有機ＥＬ素子を用いた表示装置及びその製造方法に関おいて、有機ＥＬ素子の外気遮断性が高く且つ可撓性の高い表示装置の構造及びこのような構造を簡素なプロセスで低廉に実現しうる表示装置の製造方法を実現する。したがって、本発明は、可撓性が高く、薄く軽い表示装置への応用において極めて有用である。その他、折り畳み、巻き取り収納可能な表示装置への応用においても極めて有用である。
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【図３】
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【図６】
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【図８】
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【図１０】
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【国際調査報告】
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