(57)【要約】波長領域が２００〜３５０ｎｍの短波長のレーザ光を用いても電気光学変調器等の劣化が生じにくく、所望の露光が確実に得られる信頼性が高い露光装置、露光方法、更にこれらを利用したスタンパの製造方法、光記録媒体の製造方法を提供する。レーザ光変調部１４を構成する電気光学変調器２０の周囲に窒素ガス（パージガス）を供給するためのパージガス供給手段２２を備えた。
2004095139.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
波長領域が２００〜３５０ｎｍのレーザ光を発振するためのレーザ発振器と、前記レーザ光の強度を変調するための電気光学変調器と、該電気光学変調器の周囲にパージガスを供給するためのパージガス供給手段と、を備えることを特徴とする露光装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記電気光学変調器の入光部及び出光部の少なくとも一方を覆うと共に前記レーザ光の光路近傍が開口したカバーを備え、前記パージガス供給手段が前記カバー内に前記パージガスを供給するようにしたことを特徴とする露光装置。
【請求項３】
請求項１において、
前記レーザ光の強度を測定するためのフォトディテクタを備え、前記パージガス供給手段は、前記フォトディテクタの周囲にパージガスを供給するようにしたことを特徴とする露光装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記フォトディテクタの入光部を覆うと共に前記レーザ光の光路近傍が開口したカバーを備え、前記パージガス供給手段が前記カバー内に前記パージガスを供給するようにしたことを特徴とする露光装置。
【請求項５】
波長領域が２００〜３５０ｎｍのレーザ光を発振するためのレーザ発振器と、前記レーザ光の強度を測定するためのフォトディテクタと、該フォトディテクタの周囲にパージガスを供給するためのパージガス供給手段と、を備えることを特徴とする露光装置。
【請求項６】
請求項５において、
前記フォトディテクタの入光部を覆うと共に前記レーザ光の光路近傍が開口したカバーを備え、前記パージガス供給手段が前記カバー内に前記パージガスを供給するようにしたことを特徴とする露光装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかにおいて、
前記パージガス供給手段は、前記パージガスとして窒素ガス及びドライエアのいずれかを供給するようにしたことを特徴とする露光装置。
【請求項８】
波長領域が２００〜３５０ｎｍのレーザ光を発振するレーザ発振工程と、電気光学変調器の周囲にパージガスを供給しつつ該電気光学変調器で前記レーザ光の強度を変調するレーザ光強度変調工程と、被加工体に前記強度が変調されたレーザ光を照射して露光する露光工程と、を含むことを特徴とする露光方法。
【請求項９】
請求項８において、
前記レーザ光強度変調工程は、前記レーザ光の光路近傍が開口するように前記電気光学変調器の入光部及び出光部の少なくとも一方をカバーで覆いつつ該カバー内に前記パージガスを供給するようにしたことを特徴とする露光方法。
【請求項１０】
請求項８において、
前記レーザ光強度変調工程は、フォトディテクタの周囲にパージガスを供給しつつ該フォトディテクタで前記レーザ光の強度を測定し、この測定結果に基づいて前記レーザ光の強度を変調するようにしたことを特徴とする露光方法。
【請求項１１】
請求項１０において、
前記レーザ光強度変調工程は、前記レーザ光の光路近傍が開口するように前記フォトディテクタの入光部をカバーで覆いつつ該カバー内に前記パージガスを供給するようにしたことを特徴とする露光方法。
【請求項１２】
波長領域が２００〜３５０ｎｍのレーザ光を発振するレーザ発振工程と、フォトディテクタの周囲にパージガスを供給しつつ該フォトディテクタで前記レーザ光の強度を測定し、この測定結果に基づいて前記レーザ光の強度を変調するレーザ光強度変調工程と、被加工体に前記強度が変調された、レーザ光を照射して露光する露光工程と、を含むことを特徴とする露光方法。
【請求項１３】
請求項１２において、
前記レーザ光強度変調工程は、前記レーザ光の光路近傍が開口するように前記フォトディテクタの入光部をカバーで覆いつつ該カバー内に前記パージガスを供給するようにしたことを特徴とする露光方法。
【請求項１４】
請求項８乃至１３のいずれかにおいて、
前記レーザ光強度変調工程は、前記パージガスとして窒素ガス及びドライエアのいずれかを供給するようにしたことを特徴とする露光方法。
【請求項１５】
請求項８乃至１３のいずれかに記載の露光方法を用いて原盤を作製する原盤作製工程と、前記原盤を用いて光記録媒体製造用のスタンパを作製するスタンパ作製工程と、を含むことを特徴とするスタンパの製造方法。
【請求項１６】
請求項１４に記載の露光方法を用いて原盤を作製する原盤作製工程と、前記原盤を用いて光記録媒体製造用のスタンパを作製するスタンパ作製工程と、を含むことを特徴とするスタンパの製造方法。
【請求項１７】
請求項８乃至１３のいずれかに記載の露光方法を用いて原盤を作製する原盤作製工程と、前記原盤を用いて光記録媒体製造用のスタンパを作製するスタンパ作製工程と、前記スタンパを用いて光記録媒体を作製する光記録媒体作製工程と、を含むことを特徴とする光記録媒体の製造方法。
【請求項１８】
請求項１４に記載の露光方法を用いて原盤を作製する原盤作製工程と、前記原盤を用いて光記録媒体製造用のスタンパを作製するスタンパ作製工程と、前記スタンパを用いて光記録媒体を作製する光記録媒体作製工程と、を含むことを特徴とする光記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】  本発明は、例えば、光記録媒体を製造するための原盤の作製等に用いられる露光装置及び露光方法、スタンパの製造方法及び光記録媒体の製造方法に関する。
【背景技術】  従来、光記録媒体を製造するための原盤は一般的に、ガラス基板にフォトレジストを塗布してピット、グルーブに相当する部位を露光し、現像処理等を施して露光部分又は非露光部分を除去することにより作製されている。
このような光記録媒体の原盤を作製するための露光装置として、レーザ発振器と、ＥＯＭ（Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｏｐｔｉｃ  Ｍｏｄｕｌａｔｏｒ）と称されるレーザ光の強度を変調するための電気光学変調器と、を備えた露光装置が知られている（例えば、特開平９−１６１２９８号公報、特開２００１−６０３３３号公報参照。）。
尚、このような露光装置は、一般的にレーザ光の強度を測定するためのフォトディテクタを備え、レーザ光の強度の制御等に利用している。又、レーザ光の変調の態様により、電気光学変調器と共に、ＡＯＭ（Ａｃｏｕｓｔｏ−Ｏｐｔｉｃ  Ｍｏｄｕｌａｔｏｒ）と称される音響光学変調器、が併用されることもある。
レーザ発振器としては、波長領域が３５１〜４５８ｎｍのＡｒ（アルゴン）レーザ、Ｋｒ（クリプトン）レーザを発振するものが多く用いられていた。
【発明の開示】
ここで、近年、光記録媒体の高記録密度化に伴う精密な露光のため、波長領域が２００〜３５０ｎｍの短波長のレーザ光が必要とされる場合がある。一例を示すと、波長が２５０ｎｍ程度の深紫外レーザが用いられることがある。
しかしながら、このような短波長のレーザ光を用いると、電気光学変調器が劣化し、光透過率が低下して、充分な出力が得られず、露光精度が低下することがあった。又、電気光学変調器は高価であるため、劣化した電気光学変調器を交換することにより、設備コストが大幅に増加するという問題がある。
尚、レーザ光は、電気光学変調器の一部だけを透過して、該透過部だけに劣化が生じ、他の部分は劣化しないので、電気光学変調器の設置位置をずらしながら劣化した部分を避けてレーザ光が透過するように使用すれば、電気光学変調器の入光部、出光部が全体的に劣化するまで電気光学変調器を使用することができる。即ち、電気光学変調器の耐用期間がそれだけ長くなるため、設備コストの増加を抑制しうる。しかしながら、電気光学変調器の設置位置をずらした場合、光軸の調整等のため、作業に手間がかかるので生産性が低下すると共に、露光の信頼性に欠けるという問題がある。
又、波長領域が２００〜３５０ｎｍのレーザ光を用いると、フォトディテクタにも劣化が生じて光透過率が低下し、レーザ光の強度を正確に測定できなくなり、これにより、レーザ光の強度の制御が不適切となり、所望の露光が得られないこともあった。
本発明は、以上の問題点に鑑みてなされたものであって、波長領域が２００〜３５０ｎｍの短波長のレーザ光を用いても電気光学変調器等の劣化が生じにくく、所望の露光が確実に得られる信頼性が高い露光装置、露光方法、更にこれらを利用したスタンパの製造方法、光記録媒体の製造方法を提供することをその課題とする。
本発明は、電気光学変調器等の周囲にパージガスを供給することにより、電気光学変調器等の劣化を制限したものである。
電気光学変調器等の周囲にパージガスを供給することにより、電気光学変調器等の劣化が制限されるメカニズムは必ずしも明らかではないが、概ね次のように推定される。
レーザ光による電気光学変調器等の劣化は、レーザ光のエネルギが供給されることにより、空気中の水分と電気光学変調器等とが反応して発生すると考えられる。従来はレーザ光の波長が比較的長く、エネルギ密度が低かったため、電気光学変調器等と空気中の水分とを反応させるだけのエネルギが供給されることがなかったのに対し、従来よりも波長が短いレーザ光を用いるようになったため、エネルギ密度が高くなり、電気光学変調器等と空気中の水分とを反応させるだけのエネルギが供給され、電気光学変調器等の劣化が発生するようになったと考えられる。
これに対し、電気光学変調器等の周囲にパージガスを供給することにより、電気光学変調器等に触れる空気を低減できるので、エネルギ密度が高いレーザ光を用いても電気光学変調器等と空気中の水分とが接触・反応しにくくなり、電気光学変調器等の劣化が制限されると推定される。
尚、電気光学変調器等は、波長が２００〜３００ｎｍ以下のレーザ光を用いた場合に特に劣化しやすい傾向がある。言い換えれば、波長領域が２００〜３００ｎｍ以下のレーザ光を用いる場合に、本発明は特に有効である。
即ち、以下の発明により上記課題を解決したものである。
（１）波長領域が２００〜３５０ｎｍのレーザ光を発振するためのレーザ発振器と、前記レーザ光の強度を変調するための電気光学変調器と、該電気光学変調器の周囲にパージガスを供給するためのパージガス供給手段と、を備えることを特徴とする露光装置。
（２）前記電気光学変調器の入光部及び出光部の少なくとも一方を覆うと共に前記レーザ光の光路近傍が開口したカバーを備え、前記パージガス供給手段が前記カバー内に前記パージガスを供給するようにしたことを特徴とする前記（１）の露光装置。
（３）前記レーザ光の強度を測定するためのフォトディテクタを備え、前記パージガス供給手段は、前記フォトディテクタの周囲にパージガスを供給するようにしたことを特徴とする前記（１）又は（２）の露光装置。
（４）波長領域が２００〜３５０ｎｍのレーザ光を発振するためのレーザ発振器と、前記レーザ光の強度を測定するためのフォトディテクタと、該フォトディテクタの周囲にパージガスを供給するためのパージガス供給手段と、を備えることを特徴とする露光装置。
（５）前記フォトディテクタの入光部を覆うと共に前記レーザ光の光路近傍が開口したカバーを備え、前記パージガス供給手段が前記カバー内に前記パージガスを供給するようにしたことを特徴とする前記（３）又は（４）の露光装置。
（６）前記パージガス供給手段は、前記パージガスとして窒素ガス及びドライエアのいずれかを供給するようにしたことを特徴とする前記（１）乃至（５）のいずれかの露光装置。
（７）波長領域が２００〜３５０ｎｍのレーザ光を発振するレーザ発振工程と、電気光学変調器の周囲にパージガスを供給しつつ該電気光学変調器で前記レーザ光の強度を変調するレーザ光強度変調工程と、被加工体に前記強度が変調されたレーザ光を照射して露光する露光工程と、を含むことを特徴とする露光方法。
（８）前記レーザ光強度変調工程は、前記レーザ光の光路近傍が開口するように前記電気光学変調器の入光部及び出光部の少なくとも一方をカバーで覆いつつ該カバー内に前記パージガスを供給するようにしたことを特徴とする前記（７）の露光方法。
（９）前記レーザ光強度変調工程は、フォトディテクタの周囲にパージガスを供給しつつ該フォトディテクタで前記レーザ光の強度を測定し、この測定結果に基づいて前記レーザ光の強度を変調するようにしたことを特徴とする前記（７）又は（８）の露光方法。
（１０）波長領域が２００〜３５０ｎｍのレーザ光を発振するレーザ発振工程と、フォトディテクタの周囲にパージガスを供給しつつ該フォトディテクタで前記レーザ光の強度を測定し、この測定結果に基づいて前記レーザ光の強度を変調するレーザ光強度変調工程と、被加工体に前記強度が変調されたレーザ光を照射して露光する露光工程と、を含むことを特徴とする露光方法。
（１１）前記レーザ光強度変調工程は、前記レーザ光の光路近傍が開口するように前記フォトディテクタの入光部をカバーで覆いつつ該カバー内に前記パージガスを供給するようにしたことを特徴とする前記（９）又は（１０）の露光方法。
（１２）前記レーザ光強度変調工程は、前記パージガスとして窒素ガス及びドライエアのいずれかを供給するようにしたことを特徴とする前記（７）乃至（１１）のいずれかの露光方法。
尚、本明細書においてレーザ光という用語は、可視領域の電磁波に限定されず、不可視領域の電磁波を含む意義で用いることとする。
本発明によれば、波長領域が２００〜３５０ｎｍの短波長のレーザ光を用いても電気光学変調器等に劣化が生じにくく、所望の露光を確実に行うことが可能となるという優れた効果がもたらされる。
【図面の簡単な説明】  図１は、本発明の第１実施形態に係る露光装置の全体構造の概要を模式的に示すブロック図である。
図２は、本発明の第２実施形態に係る露光装置における電気光学変調器の周辺の拡大図である。
図３は、本発明の第３実施形態に係る露光装置におけるフォトディテクタの周辺の拡大図である。
図４は、本発明の実施例における電気光学変調器の初期出力に対する出力比率と使用日数との関係を示すグラフである。
図５は、本発明の実施例におけるレーザ光の実際の強さに対するフォトディテクタの表示値と使用日数との関係を示すグラフである。
図６は、比較例における電気光学変調器の初期出力に対する出力比率と使用日数との関係を示すグラフである。
図７は、比較例におけるレーザ光の実際の強さに対するフォトディテクタの表示値と使用日数との関係を示すグラフである。
図８は、前記第１実施形態に係る露光装置の作用を示すフローチャートである。
図９は、前記第１実施形態に係る光記録媒体の作製手順の概略を示すフローチャートである。
図１０は、前記第１実施形態に係る原盤の加工出発体の構造を模式的に示す側断面図である。
図１１は、所定のパターンで露光された同原盤の加工中間体を模式的に示す側断面図である。
図１２は、凹凸パターンが形成された同原盤の構造を模式的に示す側断面図である。
図１３は、同原盤に導電膜が形成された状態を模式的に示す側断面図である。
図１４は、同導電膜上に電解メッキ層が形成された状態を模式的に示す側断面図である。
図１５は、同電解メッキ層及び前記導電膜を前記原盤から剥離した状態を模式的に示す側断面図である。
図１６は、前記原盤から作製されたスタンパの構造を模式的に示す側断面図である。
図１７は、同スタンパを用いた基板の射出成形工程を模式的に示す側断面図である。
図１８は、同基板を含む光記録媒体の構造を模式的に示す側断面図である。
【発明を実施するための最良の形態】  以下、本発明の第１実施形態について図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本第１実施形態に係る露光装置の全体構造の概要を模式的に示すブロック図である。
露光装置１０は、レーザ発振器１２と、レーザ光の強度を変調するためのレーザ光変調部１４と、原盤１６からの反射光に基づいて原盤１６における照射位置を測定するための照射位置測定部１８と、を備えている。
この露光装置１０は、レーザ光変調部１４を構成する電気光学変調器２０の周囲にパージガスを供給するためのパージガス供給手段２２を備えることを特徴としている。他の構成については、従来の露光装置と同様であるが、本発明の理解のため全体構造についても簡単に説明することとする。
レーザ発振器１２は、波長が（２００〜３５０ｎｍの範囲内の）約２５０ｎｍの深紫外レーザ光を発振するように構成されている。レーザ発振器１２と、電気光学変調器２０と、の間には、ビームスプリッタ２４と、ミラー２６とがこの順でレーザ光を反射して案内するように配設されている。尚、ビームスプリッタ２４は、入射されるレーザ光の一部を透過させるハーフミラーで構成されており、ビームスプリッタ２４を透過するレーザ光の光路上にはミラー２８が配設され、更にミラー２８の反射光の光路上にはフォトディテクタ３０が配設されている。
レーザ光変調部１４は、前記電気光学変調器２０と、偏光ビームスプリッタ３２と、ビームスプリッタ３４と、縮小レンズ３６と、音響光学変調器３８と、拡大レンズ４０と、がこの順でレーザ光を案内するように構成されている。尚、ビームスプリッタ３４は、レーザ光の一部を反射して縮小レンズ３６に出射し、一部を透過させるハーフミラーで構成されており、ビームスプリッタ３４を透過するレーザ光の光路上には、フォトディテクタ４１が配設されている。
尚、電気光学変調器２０には、該電気光学変調器２０の屈折率を調節するに電気信号を発振するための図示しない電気信号発振器が備えられ、音響光学変調器３８には、該音響光学変調器３８の屈折率を調節する超音波信号を発振するための図示しない超音波信号発振器が備えられている。
拡大レンズ４０と、原盤１６との間には、ビームスプリッタ４２と、シャッタ４４と、ビームスプリッタ４６と、ビームエキスパンダ４８と、ミラー５０と、縮小レンズ５２と、がこの順でレーザ光を案内するように配設されている。尚、ビームスプリッタ４２は、レーザ光の一部を反射してシャッタ４４に出射し、一部を透過させるハーフミラーで構成されており、ビームスプリッタ４２を透過するレーザ光の光路上には、フォトディテクタ５３が配設されている。
又、原盤１６に照射されたレーザ光の一部は原盤１６に反射されて、上記と逆の経路でビームスプリッタ４６に入射するが、該ビームスプリッタ４６を透過しないで該ビームスプリッタ４６に反射される。ビームスプリッタ４６と、照射位置測定部１８と、の間にはミラー５４と、ミラー５６と、がこの順で反射光を案内するように配設されている。
照射位置測定部１８は、ニュートラルデンシティフィルタ５８と、縮小レンズ６０と、ＣＩＤ（Ｃｈａｒｇｅ  Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  Ｄｅｖｉｃｅ）素子６２とがこの順で配設され、該ＣＩＤ素子６２で照射位置を検出するように構成されている。
パージガス供給手段２２は、窒素ガス（パージガス）を貯留するためのボンベ６４と、電気光学変調器２０の近傍に配設されたノズル６６と、音響光学変調器３８の近傍に配設されたノズル６８と、フォトディテクタ３０の近傍に配設されたノズル７０と、フォトディテクタ４１の近傍に配設されたノズル７２と、フォトディテクタ５３の近傍に配設されたノズル７４と、これらを連結する配管７６と、を有して構成されている。
次に、図８に示されるフローチャートに沿って露光装置１０の作用について説明する。
尚、パージガス供給手段２２のボンベ６４から配管７６及びノズル６６、６８、７０、７２、７４を介して、電気光学変調器２０、音響光学変調器３８、フォトディテクタ３０、４１、５３の周囲に窒素ガスを継続して供給しておく。
この状態で、まず、レーザ発振器１２からレーザ光を発振する（Ｓ１０２）。発振されたレーザ光はビームスプリッタ２４及びミラー２６に反射されて電気光学変調器２０に入射し、強度が変調される（Ｓ１０４）。強度が変調されたレーザ光は、偏光ビームスプリッタ３２に出射される。尚、ビームスプリッタ２４に入射したレーザ光の一部はビームスプリッタ２４を透過してミラー２８に反射され、フォトディテクタ３０に入射する。
電気光学変調器２０、フォトディテクタ３０は周囲が窒素ガスで覆われているので空気中の水分と接触しにくく、エネルギ密度が高い短波長のレーザ光が入射しても空気中の水分と反応しにくい。即ち、劣化が抑制される。
電気光学変調器２０を透過したレーザ光は、更に偏光ビームスプリッタ３２を透過してビームスプリッタ３４に反射され、縮小レンズ３６で径が絞られて音響光学変調器３８に入射し、強度が変調されて拡大レンズ４０に出射され、平行なレーザ光に復元される。尚、ビームスプリッタ３４に入射したレーザ光の一部はビームスプリッタ３４を透過してフォトディテクタ４１に入射する。
拡大レンズ４０を透過したレーザ光は、ビームスプリッタ４２でシャッタ４４の方向に反射される。ビームスプリッタ４２に入射したレーザ光も一部がビームスプリッタ４２を透過してフォトディテクタ５３に入射する。
音響光学変調器３８、フォトディテクタ４１、フォトディテクタ５３も周囲が窒素ガスで覆われているので空気中の水分と接触しにくく、エネルギ密度が高い短波長のレーザ光が入射しても、劣化が抑制される。
ここで、レーザ光変調部１４の変調作用について簡単に説明しておく。レーザ光変調部１４は、電気光学変調器２０及び音響光学変調器３８においてレーザ光を２段階で変調することにより、様々な態様の変調を実現することができる。一例を示すと、電気光学変調器２０においてレーザ光のノイズを除去してレーザ光の強度を安定な状態に保持し、音響光学変調器３８において光記録媒体のピット、グルーブのパターンに相当する強弱を付与することができる。又、電気光学変調器２０において光記録媒体のピット、グルーブのパターンに相当する強弱を付与し、音響光学変調器３８においてレーザ光の強度の精密な調整を行うこともできる。
又、フォトディテクタ３０、４１で電気光学変調器２０における変調前後のレーザ光の強度を測定して、電気光学変調器２０に付与する電気信号をフィードバック制御することができる。同様に、フォトディテクタ４１、５３で音響光学変調器３８における変調前後のレーザ光の強度を測定して、音響光学変調器３８に付与する超音波信号をフィードバック制御することができる。フォトディテクタ３０、４１、５３はいずれも劣化が抑制されているので、電気光学変調器２０、音響光学変調器３８における変調を精密に制御することができる。
シャッタ４４を透過したレーザ光は、ビームスプリッタ４６を透過し、ビームエキスパンダ４８で径が調整されてミラー５０で反射され、更に縮小レンズ５２で径が絞られて原盤１６に照射される（Ｓ１０６）。
電気光学変調器２０、音響光学変調器３８の劣化が抑制されているので、所望の強度のレーザ光が確実に原盤１６に照射され、原盤１６上のフォトレジストを所望のパターンに精密、且つ、確実に露光することができる。
尚、原盤１６に照射されたレーザ光の一部は原盤１６に反射され、縮小レンズ５２、ミラー５０、ビームエキスパンダ４８を介してビームスプリッタ４６に入射し、該ビームスプリッタ４６で反射される。ビームスプリッタ４６で反射されたレーザ光は、更にミラー５４、５６で反射され、ニュートラルデンシティフィルタ５８に入射し、均一に強度が弱められる。ニュートラルデンシティフィルタ５８を透過したレーザ光は縮小レンズ６０で径が絞られてＣＩＤ素子６２に入射し、ＣＩＤ素子６２は照射位置を検出する。この検出結果に基づいて照射位置の補正が行われる。
次に、以上の露光方法を利用した光記録媒体の製造方法について図９のフローチャートに沿って説明する。
まず、原盤１６を作製する（Ｓ２０２）。原盤１６は、図１０に示されるようにガラス基板１６Ａ上にスピンコート法等でフォトレジスト１６Ｂを塗布し、上記の露光方法で、図１１に示されるようにグルーブの螺旋軌道に相当するパターンでフォトレジスト１６Ｂにレーザー光線を照射し、現像処理を施して図１２に示されるようにフォトレジスト１６Ｂにおける露光部を除去して凹凸パターンを形成することにより得られる。尚、ネガ型のフォトレジストを用いて非露光部を除去し、凹凸パターンを形成してもよい。
次に、原盤１６を用いてスタンパ９２を作製する（Ｓ２０４）。まず原盤１６の凹凸パターン上にスピンコート法で錫及び塩化パラジウムを含むコロイド状の触媒を塗布し、酸で洗浄することにより錫を除去する。これにより原盤１６の表面にパラジウムが析出する。このように表面にパラジウムが析出した原盤１６を（無電解の）ニッケルメッキ液に浸漬するとパラジウムが触媒となってニッケルが析出する。このように析出したニッケルが触媒として作用し、更にニッケルが連続的に析出し、図１３に示されるように原盤１６上に導電膜９２Ａが形成される。
更に、原盤１６をスルファミン酸ニッケル溶液中に浸漬し、導電膜９２Ａを電極として通電することによりニッケルの膜を成長させて、図１４に示されるような電解メッキ層９２Ｂを形成する。次に、電解メッキ層９２Ｂ及び導電膜９２Ａを図１５に示されるように、一体で原盤１６から剥離する。尚、この際、フォトレジスト１６Ｂもガラス基板１６Ａから一体で剥離される。このフォトレジスト１６Ｂを洗浄することにより、図１６に示されるようなスタンパ９２が得られる。
次に、スタンパ９２を用いて光記録媒体を作製する（Ｓ２０６）。図１７に示されるように、スタンパ９２を型９６内に配設して樹脂素材を射出成形することにより図１８に示されるような基板９４が得られる。基板９４には、原盤１６と等しい凹凸パターンが形成される。
このようにして得られた基板９４の凹凸パターン上に反射層、記録層等の機能層（図示省略）を形成し、更に、透光性のカバー層９７を形成することにより、光記録媒体９８が得られる。
尚、スタンパ９２をメタルマスタとして用いて、上記電解メッキ層９２Ｂの形成と同様の手法で、スタンパ９２にニッケルの膜を形成し、凹凸パターンを転写して剥離することによりスタンパを作製することもできる。このスタンパを用いて基板を形成すれば、原盤１６と逆の凹凸パターンを光記録媒体の基板に形成することができる。
次に、本発明の第２実施形態について説明する。
図２は、本第２実施形態の電気光学変調器２０の周辺の構造を示す拡大図である。
本第２実施形態は、前記第１実施形態に対し、電気光学変調器２０の入光部２０Ａを覆うカバー８０Ａと、出光部２０Ｂを覆うカバー８０Ｂとを備え、パージガス供給手段２２がカバー８０Ａ、８０Ｂ内に窒素ガスを供給するようにしたことを特徴としている。尚、カバー８０Ａ、８０Ｂは、レーザ光を遮断しないように、いずれもレーザ光の光路近傍が開口している。パージガス供給手段２２は、カバー８０Ａ、８０Ｂ内に連通するノズル６６Ａ、６６Ｂを備えている。他の構成については前記第１実施形態と同様であるので説明を省略する。
このように、電気光学変調器２０の入光部２０Ａ、出光部２０Ｂをカバー８０Ａ、８０Ｂで覆うことにより、窒素ガスの拡散を制限して入光部２０Ａ、出光部２０Ｂの周囲を確実に窒素ガスで満たすことができ、入光部２０Ａ、出光部２０Ｂの劣化を確実に防止することができる。
又、窒素ガスが拡散しにくくなるので、窒素ガスの消費量を抑制し、稼動コストを低減することができる。
次に、本発明の第３実施形態について説明する。
図３は、本第３実施形態のフォトディテクタ３０の周辺の構造を示す拡大図である。
本第３実施形態は、前記第１実施形態に対し、フォトディテクタ３０の入光部３０Ａを覆うと共にレーザ光の光路近傍が開口したカバー９０を備え、パージガス供給手段２２のノズル７０がカバー９０に連通し、カバー９０内に窒素ガスを供給するようにしたことを特徴としている。尚、フォトディテクタ４１、５３についても同様にカバーが設けられているが、構成はフォトディテクタ３０と同様であるので説明及び図示を省略する。又、各フォトディテクタの周辺以外の構成については前記第１実施形態と同様であるので説明を省略する。
木第３実施形態も前記第２実施形態と同様に、窒素ガスの拡散を制限してフォトディテクタ３０の入光部３０Ａの周囲を確実に窒素ガスで満たすことができ、入光部３０Ａの劣化を確実に防止することができる。又、窒素ガスの消費量を抑制し、稼動コストを低減することができる。
フォトディテクタ４１、５３についても同様である。
尚、前記第１〜第３実施形態において、パージガス供給手段２２は、電気光学変調器２０、音響光学変調器３８、フォトディテクタ３９、４１、５３の周囲に窒素ガスを供給するように構成されているが、本発明はこれに限定されるものではなく、これらの一部だけが劣化しやすく、他は劣化しにくい場合には、劣化しやすい要素に窒素ガスを供給するためのノズルだけを設けるようにして、他のノズルは省略した構成としてもよい。例えば、電気光学変調器２０、音響光学変調器３８だけが劣化しやすく、フォトディテクタ３０、４１、５３が劣化しにくい場合には、フォトディテクタ３０、４１、５３の周囲に窒素ガスを供給するためのノズルは省略した構成としてもよい。一方、フォトディテクタ３０、４１、５３及び音響光学変調器３８が劣化しやすく、電気光学変調器２０が劣化しにくい場合には、電気光学変調器２０の周囲に窒素ガスを供給するためのノズルは省略した構成としてもよい。
又、前記第１〜第３実施形態において、パージガス供給手段２２は、共通のボンベ６４から各ノズル６６、７２等に窒素ガスを供給する構成とされているが、本発明はこれに限定されるものではなく、複数のボンベを備え、複数の系統で各ノズル６６、７２等に窒素ガスを供給する構成としてもよい。即ち、電気光学変調器２０、音響光学変調器３８等の周囲に窒素ガスを供給し、これらに接触する空気を低減できればパージガス供給手段の構成は特に限定されない。
又、前記第１〜第３実施形態において、パージガスとして窒素ガスを用いているが、本発明はこれに限定されるものではなく、水分を含有しないガスであれば、例えば、炭酸ガス、ドライエア等の他のパージガスを用いるようにしてもよい。
又、前記第１〜第３実施形態において、露光装置１０は、光記録媒体を製造するための原盤１６の作製に用いられているが、本発明はこれに限定されるものではなく、波長領域が２００〜３５０ｎｍのレーザ光による露光であれば、用途は特に限定されない。
【実施例】  上記第１実施形態により、電気光学変調器２０、フォトディテクタ３０、４１、５３の周囲に窒素ガスを約５リットル／分の流量で供給し、レーザ発振器１２から波長が約２５０ｎｍの深紫外レーザを発振した。尚、電気光学変調器２０、フォトディテクタ３０、４１、５３の設置位置は一定に固定した。
図４は、電気光学変調器２０の初期出力に対する出力比率と使用日数との関係を示すグラフである。図５は、レーザ光の実際の強さに対するフォトディテクタ３０の表示値と使用日数との関係を示すグラフである。
［比較例］
電気光学変調器２０、フォトディテクタ３０、４１、５３の周囲に窒素ガスを供給しないで、レーザ発振器１２から波長が約２５０ｎｍの深紫外レーザを発振した。他の条件は上記実施例と同様とした。
図６は、電気光学変調器２０の初期出力に対する出力比率と使用日数との関係を示すグラフである。図７は、レーザ光の実際の強さに対するフォトディテクタ３０の表示値と使用日数との関係を示すグラフである。
図４及び図６より、使用日数に伴う実施例の電気光学変調器２０の出力の低下は、比較例の電気光学変調器２０の出力の低下の４０％程度であり、実施例は比較例に対し電気光学変調器２０の劣化が大幅に抑制されていることがわかる。
又、図５及び図７より、比較例のフォトディテクタ３０は使用日数の増加に伴い表示値が低下する傾向があるのに対し、実施例のフォトディテクタ３０は表示値に若干のばらつきがあるものの使用日数と共に表示値が低下する傾向はなく、フォトディテクタ３０の劣化が防止されていることがわかる。
【産業上の利用の可能性】
本発明は、例えば、光記録媒体を製造するための原盤の作製等に用いられる露光装置に利用することができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【国際調査報告】
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