(57)【要約】本発明は、有機発光素子材料及びこの材料に使用される蛍光性化合物に関する。本発明の有機発光素子材料は、蛍光スペクトルの少なくとも一部が６００〜７００ｎｍの波長領域に存在する蛍光性化合物を少なくとも１種含有する有機発光素子材料であって、前記蛍光性化合物が、特定の式で表されるｐ−フェニレンジアミンン誘導体であるか、特定の式で表されるキナクリドン誘導体である有機発光素子材料である。本発明の蛍光性化合物は、フルカラー又はエリアカラーの表示装置に好適に使用できる。【特許請求の範囲】
【請求項１】
蛍光スペクトルの少なくとも一部が６００〜７００ｎｍの波長領域に存在する蛍光性化合物を少なくとも１種含有する有機発光素子材料であって、前記蛍光性化合物が下記一般式（１）で表されるｐ−フェニレンジアミンン誘導体である有機発光素子材料。
一般式（１）
2004067674.tif 000017
式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基又はアリール基を表し、Ｒ５はアルキル基を表す。
【請求項２】
一般式（１）において、Ｒ５が低級アルキル基（炭素数１〜４）であり、
Ａ：Ｒ１が第３級アルキル基（炭素数４または５）であり、Ｒ２およびＲ３が水素原子であるか、
Ｂ：Ｒ１およびＲ３が第３級アルキル基（炭素数４または５）であり、Ｒ２が水素原子であるか、
Ｃ：Ｒ１およびＲ３が水素原子であり、Ｒ２が直鎖アルキル基（炭素数５〜１０）であるか、または、
Ｄ：Ｒ１がアルコキシ基（炭素数１〜３）であり、Ｒ２が水素原子であり、Ｒ３がアリール基（炭素数６〜１０）である、請求項１記載の有機発光素子材料。
【請求項３】
蛍光スペクトルの少なくとも一部が５００〜６００ｎｍの波長領域に存在する蛍光性化合物を少なくとも１種含有する有機発光素子材料であって、前記蛍光性化合物が下記一般式（２）で表されるキナクリドン誘導体である有機発光素子材料。
一般式（２）
2004067674.tif 000018
式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基又はアリール基を表し、Ｒ４はアリール基が結合したアルキレン基を表す。
【請求項４】
一般式（２）において、
Ａ：Ｒ１が第３級アルキル基（炭素数４または５）であり、Ｒ２およびＲ３が水素原子であり、Ｒ４がアラルキル基（炭素数７〜１１）であるか、
Ｂ：Ｒ１およびＲ３が第３級アルキル基（炭素数４または５）であり、Ｒ２が水素原子であり、Ｒ４がアラルキル基（炭素数７〜１１）であるか、
Ｃ：Ｒ１およびＲ３が水素原子であり、Ｒ２が直鎖アルキル基（炭素数５〜１０）であり、Ｒ４がアラルキル基（炭素数７〜１１）であるか、または、
Ｄ：Ｒ１がアルコキシ基（炭素数１〜３）であり、Ｒ２が水素原子であり、Ｒ３がアリール基（炭素数６〜１０）であり、Ｒ４がアラルキル基（炭素数７〜１１）である、請求項３記載の有機発光素子材料。
【請求項５】
下記一般式（３）で表されるｐ−フェニレンジアミンン誘導体。
一般式（３）
2004067674.tif 000019
式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基又はアリール基を表し、Ｒ５はアルキル基を表す。
【請求項６】
Ｒ１が第３級ブチル基であり、Ｒ２およびＲ３が水素原子であり、Ｒ５がメチル基であるか、
Ｒ１およびＲ３が第３級ブチル基であり、Ｒ２が水素であり、Ｒ５がメチル基であるか、
Ｒ１およびＲ３が水素原子であり、Ｒ２がｎ−ヘプチル基又はｎ−オクチル基であり、Ｒ５がメチル基であるか、または
Ｒ１がメトキシ基であり、Ｒ２が水素原子であり、Ｒ３がフェニル基であり、Ｒ５がメチル基である
請求項５記載のｐ−フェニレンジアミンン誘導体。
【請求項７】
下記一般式（４）で表されるキナクリドン誘導体。
一般式（４）
2004067674.tif 000020
式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基又はアリール基を表し、Ｒ４はアリール基が結合したアルキレン基を表す。
【請求項８】
Ｒ１が第３級ブチル基であり、Ｒ２およびＲ３が水素原子であり、Ｒ４がα−ナフチルメチル基であるか、
Ｒ１およびＲ３が第３級ブチル基であり、Ｒ２が水素であり、Ｒ４がα−ナフチルメチル基であるか、
Ｒ１およびＲ３が水素原子であり、Ｒ２がｎ−ヘプチル基又はｎ−オクチル基であり、Ｒ４がα−ナフチルメチル基であるか、または
Ｒ１がメトキシ基であり、Ｒ２が水素原子であり、Ｒ３がフェニル基であり、Ｒ４がα−ナフチルメチル基である
請求項７記載のキナクリドン誘導体。
【請求項９】
下記一般式（１）で表されるｐ−フェニレンジアミンン誘導体を発光材料とすることを特徴とする有機発光素子。
一般式（１）
2004067674.tif 000021
式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基又はアリール基を表し、Ｒ５はアルキル基を表す。
【請求項１０】
下記一般式（２）で表されるキナクリドン誘導体を発光材料とすることを特徴とする有機発光素子。
一般式（２）
2004067674.tif 000022
式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基又はアリール基を表し、Ｒ４はアリール基が結合したアルキレン基を表す。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】  本発明は有機発光素子材料、この材料に使用される蛍光性化合物及び有機発光素子に関する。
【背景技術】  有機発光素子及びこの素子に使用される蛍光性化合物は数多く公開されている。キナクリドン誘導体をドープした発光層は、緑色に発光するＥＬ素子として使用できるが、キンクリドン誘導体は種々の特性を改良することが望まれる。具体的には、例えば、特開２０００−３１５５７９号公報に開示されたＮ，Ｎ’−ジメチルキナクリドンは、蒸着するのに高い温度を必要し、又、均一な蒸着層の形成が難しい。加えて、Ｎ，Ｎ’−ジメチルキナクリドンは有機溶媒に対する十分な溶解性を有さず、また、ポリマーとの相溶性も改良を要する。
【発明の開示】
本発明が解決しようとする１つの課題は、赤としての色純度に優れ、高輝度に発光可能であり、より低い温度で安定に蒸着することができ、均一な発光層が形成できる有機発光素子材料を提供することである。
本発明が解決しようとする別の課題は、緑としての色純度に優れ、高輝度に発光可能であり、より低い温度で安定に蒸着することができ、均一な発光層が形成できる有機発光素子材料を提供することである。
本発明の他の課題は、上記の有機発光素子素材に使用するための新規な蛍光性化合物を提供することである。
本発明の上記の課題は、以下の手段により解決された。
（１）蛍光スペクトルの少なくとも一部が６００〜７００ｎｍの波長領域に存在する蛍光性化合物を少なくとも１種含有する有機発光素子材料であって、前記蛍光性化合物が下記一般式（１）で表されるｐ−フェニレンジアミン誘導体である有機発光素子材料、
一般式（１）
2004067674.tif 000002
式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基又はアリール基を表し、Ｒ５はアルキル基を表す。
（２）蛍光スペクトルの少なくとも一部が５００〜６００ｎｍの波長領域に存在する蛍光性化合物を少なくとも１種含有する有機発光素子材料であって、前記蛍光性化合物が下記一般式（２）で表されるキナクリドン誘導体である有機発光素子材料。
一般式（２）
2004067674.tif 000003
式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基又はアリール基を表し、Ｒ４はアルキル基又はアルコキシ基で置換されても良いアリール基が結合したメチレン基を表す。
本発明によれば、赤色及び／又は緑色に発光可能な有機発光素子及びそれに使用するための蛍光性化合物を提供することができる。本発明の蛍光性化合物は、従来品よりも低い温度で蒸着することができ、良好な赤色及び／又は緑色に発光可能な有機発光素子を提供することができる。本発明の蛍光性化合物は、塗布方式により、赤色及び／又は緑色に発光可能な有機発光素子とすることもできる。
本発明の蛍光性化合物は、フルカラー又はエリアカラーの表示装置に好適に使用できる。
【図面の簡単な説明】  第１図は、合成例１で得られたｐ−フェニレンジアミン誘導体４のＩＲ吸収スペクトルである。
第２図は、合成例１で得られたｐ−フェニレンジアミン誘導体４のＮＭＲスペクトルである。
第３図は、合成例１で得られたｐ−フェニレンジアミン誘導体４の蛍光スペクトルである。
第４図は、合成例１で得られたキナクリドン誘導体７のＩＲ吸収スペクトルである。
第５図は、合成例１で得られたキナクリドン誘導体７のＮＭＲスペクトルである。
第６図は、合成例１で得られたキナクリドン誘導体７の蛍光スペクトルである。
第７図は、合成例２で得られたｐ−フェニレンジアミン誘導体の蛍光スペクトルである。
第８図は、合成例３で得られたｐ−フェニレンジアミン誘導体の蛍光スペクトルである。
第９図は、合成例４で得られたｐ−フェニレンジアミン誘導体の蛍光スペクトルである。
第１０図は、合成例５で得られたｐ−フェニレンジアミン誘導体の蛍光スペクトルである。
【発明を実施するための最良の形態】  以下に本発明の有機発光素子素材を説明する。
本発明の赤色発光素子素材は、前記の一般式（１）で表されるｐ−フェニレンジアミン誘導体である。
一般式（１）において、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基又はアリール基を表し、Ｒ５はアルキル基を表す。Ｒ１〜Ｒ３又はＲ５が採りうるアルキル基は、好ましくは炭素数（Ｃ）１〜８のアルキル基を表す。Ｒ１〜Ｒ３が採りうるアルコキシ基は、好ましくは炭素数（Ｃ）１〜５のアルコキシ基である。Ｒ１〜Ｒ３が採りうるアリール基は、好ましくは炭素数（Ｃ）６〜１２のアリール基である。
一般式（１）で示されるｐ−フェニレンジアミン誘導体の好ましい置換基を以下に説明する。
以下の表１においてＡ〜Ｄの１つで示されるＲ１、Ｒ２及びＲ３の組み合わせが好ましい。
2004067674.tif 000004
上記の組み合わせＡ又はＢにおいて、Ｒ１及び／又はＲ３のアルキル基は、好ましくは、炭素数（Ｃ）１〜８のアルキル基を表し、より好ましくは直鎖アルキル基よりも分岐アルキル基が好ましく、第３級アルキル基が最も好ましい。この３級アルキル基の特に好ましい例は、炭素数（Ｃ）４〜８の３級アルキル基であり、ｔｅｒｔ−ブチル基及びｔｅｒｔ−アミル基が例示できる。
上記の組み合わせＣにおいて、直鎖アルキル基は、炭素数１〜１０の範囲を取りうるが、炭素数５〜１０のアルキル基が好ましく、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基が例示できる。
上記の組み合わせＤにおいて、アルコキシ基は炭素数１〜５の範囲を取りうるが炭素数１〜３が好ましく、メトキシ基、エトキシ基が例示できる。この組み合わせＤにおいて、アリール基は炭素数６〜１０であり、フェニル基が例示できる。
上記の組合せＡ〜Ｄにおいて、Ｒ５は直鎖の低級アルキル（炭素数１〜５）が好ましく、メチル基、エチル基などが例示できる。
Ｒ１〜Ｒ３又はＲ５の採るアルキル基、アルコキシ基又はアリール基は、１つ以上の置換基で置換されていても良い。
一般式（１）で示されるｐ−フェニレンジアミン誘導体は、１，４−シクロヘキサジオン−２，５−ジカルボキシレートとアニリン類を、下式のように脱水反応を施した後、脱水素することにより得られる。目的物の精製は定法に従い、再結晶等によることができる。以下に、脱水工程及び脱水素工程を説明する。
（脱水工程）
2004067674.tif 000005
式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基又はアリール基を表し、Ｒ５はアルキル基を表す。
（脱水素工程）
2004067674.tif 000006
式中のＲ１、Ｒ２及びＲ３及びＲ５は脱水工程と同義である。
脱水反応では、１，４−シクロヘキサジオン−２，５−ジカルボキシレートとアニリン類を脱水剤の存在下で反応させる。
１，４−シクロヘキサジオン−２，５−ジカルボキシレートとしては、ジメチルエステル、ジエチルエステルなどが挙げられる。
１，４−シクロヘキサジオン−２，５−ジカルボキシレート１モルに対するアニリン類の仕込み比は適宜選択できるが、シクロヘキサジオン１モルに対してアニリン類１〜６ｍｏｌ使用することが好ましく、２〜２．５ｍｏｌ使用することがさらに好ましい。
脱水工程に使用する溶媒としては、特に限定されないが、酸触媒としての酢酸、エチルアルコール、ＩＰＡなどが挙げられる。これらの溶媒は単独または２種以上を組み合わせて使用することができる。この中でも、酸触媒とエチルアルコールの混合溶媒が好ましい。
脱水反応の温度は、適宜選択できるが、１００〜１４０℃が好ましく、１１０〜１２０℃がさらに好ましい。脱水反応の時間は、反応温度に依存するが、１〜１２時間が好ましく、２〜６時間がさらに好ましい。
脱水素工程に使用する脱水素剤としては、無機又は有機の脱水素剤が使用でき、濃硫酸、９５％硫酸、ｐ−トルエンスルフォン酸、リン酸などが例示できる。この中でも、濃硫酸を用いることが好ましい。
脱水素剤の使用量は、適宜選択できるが、反応原料１００重量部に対して０．５〜１０重量部添加するのが好ましく、１〜２重量部がさらに好ましい。
脱水素工程に使用する溶媒も適宜選択できるが、ｏ−ジクロロベンゼン、シクロヘキサノンなどが例示できる。この中でも、ｏ−ジクロロベンゼンを用いることが好ましい。
脱水素反応の温度も反応原料に応じて選択は１００〜１８０℃が好ましく、１４０〜１７０℃がさらに好ましい。
脱水素反応の時間は１〜６時間が好ましく、２〜４時間がさらに好ましい。
上記の脱水反応及び脱水素反応により得られるｐ−フェニレンジアミン誘導体は、６００〜７００ｎｍの波長範囲に蛍光成分を有する蛍光性化合物である。この蛍光性化合物自体の蛍光極大が約６００ｎｍ〜約６３０ｎｍの波長範囲に存在するｐ−フェニレンジアミン誘導体が赤色発光の有機発光素子材料として好ましい。
本発明の緑色発光素子素材は、一般式（２）で表されるキナクリドン誘導体である。
一般式（２）
2004067674.tif 000007
式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基又はアリール基を表し、Ｒ４はアリール基が結合したアルキレン基を表す。
一般式（２）で示されるキナクリドン誘導体の好ましい置換基を以下に説明する。
以下の表２においてＡ〜Ｄの１つで示されるＲ１、Ｒ２及びＲ３の組み合わせが最も好ましい。
2004067674.tif 000008
上記の組み合わせＡ又はＢにおいて、Ｒ１及び／又はＲ３のアルキル基は、好ましくは、炭素数（Ｃ）１〜８のアルキル基を表し、より好ましくは直鎖アルキル基よりも分岐アルキル基が好ましく、第３級アルキル基が最も好ましい。この３級アルキル基の特に好ましい例は、炭素数４〜８の３級アルキル基であり、ｔｅｒｔ−ブチル基及びｔｅｒｔ−アミル基が例示できる。
上記の組み合わせＣにおいて、直鎖アルキル基は、炭素数１〜１０の範囲を取りうるが、炭素数５〜１０のアルキル基が好ましく、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基が例示できる。
上記の組み合わせＤにおいて、アルコキシ基は炭素数１〜５の範囲を取りうるが炭素数１〜３が好ましく、メトキシ基、エトキシ基が例示できる。この組み合わせＤにおいて、アリール基は炭素数６〜１０であり、フェニル基が例示できる。
一般式（２）で表されるキナクリドン誘導体において、Ｒ４はアラルキル基（アリールアルキル基）であって、アリール成分は炭素数１〜２０であって、フェニル基、ナフチル基又はアントリル基が好ましい。アラルキル基のアルキレン成分は、低級（炭素数１〜４）アルキレン基であって、好ましくはメチレン基である。アラルキル基の合計炭素数は７〜１１であることが特に好ましい。
Ｒ４の好ましい具体例としては、ベンジル基、ｏ−トリルメチレン基、ｍ−トリルメチレン基、ｐ−トリルメチレン基、α−ナフチルメチレン基、β−ナフチルメチレン基、９−アントリルメチレン基、９−アントリルエチレン基が挙げられる。
上記のＲ１〜Ｒ３の組合せＡ〜Ｄにおいて、Ｒ４の好ましい例はこの段落に記載した通りである。
一般式（２）において、Ｒ１〜Ｒ３及びＲ４の採りうるアルキル基、アルコキシ基、アリール基又はアラルキル基は、１以上の置換基を有していても良い。
本発明のキナクリドン誘導体は、前記の一般式（１）の化合物を出発物質として、これをＮ−アルキル化及び閉環の各工程を施すことにより得られる。
以下にこの各工程を式により示す。
（Ｎ−アルキル化工程）
2004067674.tif 000009
（閉環工程）
2004067674.tif 000010
以下、Ｎ−アルキル化工程及び閉環工程について説明する。
Ｎ−アルキル化工程に使用するＮ−アルキル化剤としては、各種のアルキル化剤が使用できる。代表的なアルキル化剤はハロゲン化アルキルがあり、ハロゲン化物Ｒ４Ｘ（ここで、Ｒ４は上記のＲ４と同義であり、Ｘはハロゲン原子を示し、好ましくは塩素、臭素である。）が好ましい。すなわち、Ｒ４Ｃｌ又はＲ４Ｂｒが好ましい。本発明で使用できる塩化アルキルとしては、塩化ベンジル、臭化ベンジル、α−クロロ−ｏ−キシレン、α−クロロ−ｍ−キシレン、α−クロロ−ｐ−キシレン、１−クロロメチルナフタレン、２−クロロメチルナフタレン、９−クロロメチルアントラセンなどが例示できる。
Ｎ−アルキル化剤の使用量は、被アルキル化原料に対して化学両論的に過剰であれば良く、通常原料１ｍｏｌに対して１〜８ｍｏｌ添加することが好ましく、４〜７ｍｏｌがさらに好ましい。
Ｎ−アルキル化反応に用いる溶媒としては、極性溶媒が好ましく、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡＣ）などが例示できる。この中でも、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドが好ましい。
Ｎ−アルキル化反応の温度は適宜選択できるが、１２０〜１８０℃が好ましく、１５０〜１７０℃がさらに好ましい。
Ｎ−アルキル化反応の時間は反応温度により変化するが、６〜３６時間が好ましく、１８〜２４時間がさらに好ましい。
閉環反応に用いる縮合剤として、ｐ−トルエンスルホン酸一水和物、ドデシルベンゼンスルフォン酸などが挙げられる。この中でもｐ−トルエンスルホン酸一水和物が好ましい。
縮合剤の使用量は、Ｎ−アルキル化工程で得られた原料１ｍｏｌに対して２〜８ｍｏｌ添加することが好ましく、５〜７ｍｏｌがさらに好ましい。
閉環工程に使用する溶媒としては、ｏ−ジクロロベンゼン、ニトロベンゼンなどが挙げられる。この中でも、ｏ−ジクロロベンゼンが好ましい。
閉環反応の温度は、通常１２０〜１８０℃の範囲で選択でき、１５０〜１７０℃が好ましい。
閉環反応の時間は、反応温度に依存するが、通常６〜３６時間であり、１８〜２４時間が好ましい。
目的とするキナクリドン誘導体は、１，４−ジオキサン等の溶媒から再結晶法により精製できる。
上記のＮ−アルキル化及び閉環反応により得られるキナクリドン誘導体は、５００〜６００ｎｍの波長範囲に蛍光成分を有する蛍光性化合物である。
そのＤＭＡＣ中での蛍光極大が約５３０ｎｍ〜約５６０ｎｍの波長範囲に存在するキナクリドン誘導体が緑色発光の有機発光素子材料として好ましい。
本発明の合成方法を具体的に合成例１〜９に示す。理解の便宜上、以下に合成例１の諸反応を以下のスキームに示す。
（脱水工程）
2004067674.tif 000011
（脱水素工程）
2004067674.tif 000012
（Ｎ−アルキル化工程）
2004067674.tif 000013
（閉環工程）
2004067674.tif 000014
（合成例１）
（２−ｔｅｒｔ−ブチルアニリン（Ｈ２ＮＣ６Ｈ４Ｃ（ＣＨ３）３）と１，４−シクロヘキサジオン−２，５−ジカルボキシレイト（Ｃ１０Ｈ１２Ｏ６）の脱水反応）
１０００ｍｌの３口フラスコにＨ２ＮＣ６Ｈ４Ｃ（ＣＨ３）３２５．０ｇ（１．７×１０−１ｍｏｌ）を入れ、Ｃ１０Ｈ１２Ｏ６１３．６ｇ（６．０×１０−２ｍｏｌ）を加えて、更に酢酸、エチルアルコール各々２５０ｍｌ加えた。シリコーンオイルバスを用いて１１５℃まで加熱攪拌し、４時間反応させた。反応終了後、室温まで冷却し、生成物をガラスフィルターを用いて濾過した。フィルター内に残った固形物をメチルアルコール、酢酸エチル、石油エーテルで順次洗浄した後、真空乾燥し、目的中間体３をオレンジ色粉体（２９．５ｇ）として得た。化学構造をＩＲ吸収スペクトル及びＮＭＲスペクトルにより確認した。
（上記脱水反応で得られた生成物の脱水素反応）
１０００ｍｌの３口フラスコに脱水反応で得られた上記の生成物２０．０ｇを入れ、ｏ−ジクロロベンゼン５００ｍｌを加えて、室温で９５％硫酸０．４ｇを徐々に滴下し３０分間攪拌した。シリコーンオイルバスを用いて１６０℃まで加熱攪拌し、２時間反応させた。反応終了後、室温まで冷却し、反応混合物を氷の中に投入した。分液ロートを用いてクロロホルム抽出を３回行い、水洗浄を２回行った後、クロロホルム抽出液を無水硫酸ナトリウムにより乾燥した後濾過した。抽出液をエバポレーターを用いて濃縮乾固させた。得られた固形物をトルエンに溶解させた後再結晶させてガラスフィルターを用いて濾過し、フィルター内に残った固形物をメチルアルコール、石油エーテルで順次洗浄した後、真空乾燥させた。目的物４を融点が２６０℃の赤色紛体として得た。収量１３．１ｇ。
ＩＲチャートは図１に示した通りである。
ＮＭＲチャートは図２に示した通りである。
蛍光スペクトルは図３に示した通りである。
（Ｎ−アルキル化反応）
５００ｍｌの耐圧瓶に合成例１の脱水素生成物１０．０ｇ（２．１×１０−３ｍｏｌ）入れ、１−クロロメチルナフタレン（Ｃ１０Ｈ７ＣＨ２Ｃｌ）２１．７ｇ（１．２×１０−１ｍｏｌ）を加え、更に、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）３００ｍｌを加えた。シリコーンオイルバスを用いて１６０℃まで加熱し、２０時間反応させた。反応終了後室温まで冷却し、生成物をエバポレーターにより濃縮した後、反応混合物を氷水に投入し水酸化ナトリウムで中性にした。分液ロート用いてクロロホルム抽出を３回行い、水洗浄を２回行った後、クロロホルム抽出液を無水硫酸ナトリウムにより乾燥した後濾過し、抽出液をエバポレーターにより濃縮乾固させた。得られた固形物をメチルアルコール、石油エーテルで順次洗浄した後、真空乾燥した。中間体６を赤褐色紛体として得た。収量３．６ｇ。
（上記アルキル化反応生成物の閉環反応）
５００ｍｌの３口フラスコに閉環生成物５．０ｇ（６．５×１０−３ｍｏｌ）を入れ、ｐ−トルエンスルホン酸一水和物６．９ｇ（３．９×１０−２ｍｏｌ）を加え、更にｏ−ジクロロベンゼン２００ｍｌ加えた。シリコーンオイルバスを用いて１６０℃まで加熱撹拌し、２０時間反応させた。反応終了後、生成物をエバポレーターを用いて濃縮乾固させた。ガラスフィルターを用いて濾過し、フィルター内に残った固形物をメチルアルコール、アセトン、石油エーテルで順次洗浄した後、真空乾燥させた。融点が３４０℃の紫黒色粉体２．０ｇを得た。目的物７であることを、ＩＲ吸収スペクトル（図４）及びＮＭＲスペクトル（図５）により確認した。酢酸エチル中での蛍光スペクトルは図６に示した通りである。
（合成例２〜５）
合成例１において、アニリン類を表２に記載したとおりに変更した以外は、合成例１と同様にして対応するｐ−フェニレンジアミン誘導体を得た。
原料の仕込み比、収量並びに脱水素生成物の融点及び色は表３に示したとおりである。
2004067674.tif 000015
（合成例６）
上記の合成例２で得られたｐ−フェニレンジアミン誘導体を原料にする以外は、全く合成例１と同様にしてＮ−アルキル化反応を行い、得られたＮ−アルキル化反応生成物を閉環反応させて、キナクリドン誘導体を得た。融点３５６℃であった。
（合成例７〜９）
上記の合成例３〜５で得られたｐ−フェニレンジアミン誘導体を原料にする以外は、全く合成例１と同様にしてＮ−アルキル化反応を行い、得られたＮ−アルキル化反応生成物を閉環反応させて、キナクリドン誘導体を得ることができる。
（有機発光素子）
次に、本発明の有機発光素子に関して説明する。本発明の有機発光素子は、一対の電極間に１以上の有機層を有する有機発光素子であって、前記１以上の有機層のうち少なくとも１層が前記有機発光素子材料を含有することを特徴とする。前記有機発光素子は、蛍光スペクトルの少なくとも一部が６００〜７００ｎｍの波長領域に存在する蛍光性化合物、又は蛍光スペクトルの少なくとも一部が５００〜６００ｎｍの波長領域に存在する蛍光性化合物を含むが、前記蛍光性化合物としては、前記一般式（１）又は（２）のいずれかで表される化合物から選ばれる少なくとも１種であるのが好ましい。有機発光素子としても、前記一般式（１）又は（２）のいずれかで表される有機発光素子材料として好ましい置換基群が好ましい。
前記有機発光素子材料を含有する有機層は、電子注入層、電子輸送層、正孔注入層、正孔輸送層及び発光層のいずれであってもよく、これら層のうち２以上の機能を備えた層であってもよい。中でも、前記蛍光性化合物からの発光を利用する形態、即ち前記有機発光素子材料を少なくとも発光層に含有する形態、及び、前記蛍光性化合物を電荷輸送材料として利用する形態、即ち前記有機発光素子材料を少なくとも電荷輸送層に含有する形態が好ましい。
本発明の有機発光素子のシステム、駆動方法、利用形態など特に問わないが、駆動方法の代表的なものとしては、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子の態様を挙げることができる。
前記有機発光材料を含有する有機層の形成方法としては、特に限定されるものではなく、抵抗加熱蒸着、電子ビーム、スパッタリング、分子積層法、塗布法、インクジェット法及び印刷法などの方法が利用できる。特性面、製造面から前記有機層は蒸着法又は塗布法により形成されているのが好ましく、特に、蒸着時の熱分解回避の点からも、前記有機層は塗布法により形成されているのが好ましい。前記有機層を塗布法により形成する場合、前記有機発光素子材料を有機溶媒に溶解及び／又は分散させ、塗布液を調製し、電極表面上または所定の層上に塗布して形成する。前記塗布液の調製時に、前記有機発光素子材料とともに樹脂成分を使用してもよい。前記樹脂成分としては例えば、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメタクリレート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニレンオキシド、ポリブタジエン、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、炭化水素樹脂、ケトン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアミド、エチルセルロース、酢酸ビニル、ＡＢＳ樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂及びシリコン樹脂などが挙げられる。
本発明の有機発光素子は一対の電極間に少なくとも発光層を有し、前記発光層のほか正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層、保護層などを有してもよく、またこれらの各層はそれぞれ他の機能を備えたものであってもよい。各層の形成にはそれぞれ種々の材料を用いることができる。また、前述した様に、前記有機材料は、いずれの層に含有されていてもよいが、中でも発光層及び／又は電荷輸送層に含有されているのが好ましい。
前記一対の電極のうち陽極は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層等に正孔を供給するものであり、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物又はこれらの混合物等を用いることができる。好ましくは仕事関数が４ｅＶ以上の材料である。具体例としては酸化スズ、酸化亜鉛、酸化インジウム及び酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等の導電性金属酸化物；金、銀、クロム及びニッケル等の金属；これらの金属と導電性金属酸化物との混合物または積層物；ヨウ化銅及び硫化銅などの無機導電性物質；ポリアニリン、ポリチオフェン及びポリピロールなどの有機導電性材料及びこれらとＩＴＯとの積層物：等が挙げられる。好ましくは、導電性金属酸化物であり、特に、生産性、高導電性、透明性等の点からＩＴＯが好ましい。陽極の膜厚は材料により適宜選択可能であるが、通常１０ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５０ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１００ｎｍ〜５００ｎｍである。
前記陽極は通常、ソーダライムガラス、無アルカリガラス、透明樹脂基板などの上に層形成したものが用いられる。ガラスを用いる場合、その材質については、ガラスからの溶出イオンを少なくするため、無アルカリガラスを用いることが好ましい。また、ソーダライムガラスを用いる場合、シリカなどのバリアコートを施したものを使用することが好ましい。基板の厚みは、機械的強度を保つのに十分であれば特に制限はないが、ガラスを用いる場合には、通常０．２ｍｍ以上、好ましくは０．７ｍｍ以上のものを用いる。
前記陽極の作製には材料によって種々の方法が用いられるが、例えばＩＴＯの場合、電子ビーム法、スパッタリング法、抵抗加熱蒸着法、化学反応法（ゾルーゲル法など）、酸化インジウムスズの分散物の塗布などの方法で膜形成される。尚、前記陽極を形成した後洗浄等の処理を施すことにより、前記有機発光素子の駆動電圧を下げたり、発光効率を高めることができる。例えば、陽極としてＩＴＯ電極を用いる場合、ＵＶ−オゾン処理及びプラズマ処理等が効果的である。
前記一対の電極のうち陰極は、電子注入層、電子輸送層、発光層などに電子を供給するものであり、電子注入層、電子輸送層、発光層などの負極と隣接する層との密着性やイオン化ポテンシャル、安定性等を考慮して選ばれる。陰極の材料としては金属、合金、金属ハロゲン化物、金属酸化物、電気伝導性化合物またはこれらの混合物を用いることができる。より具体的には、アルカリ金属（例えばＬｉ、Ｎａ、Ｋ等）及びそのフッ化物、アルカリ土類金属（例えばＭｇ、Ｃａ等）及びそのフッ化物、金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム−カリウム合金またはそれらの混合金属、リチウム−アルミニウム合金またはそれらの混合金属、マグネシウム−銀合金またはそれらの混合金属、インジウム、イッテリビウム等の希土類金属等が挙げられる。好ましくは仕事関数が４ｅＶ以下の材料であり、より好ましくはアルミニウム、リチウム−アルミニウム合金またはそれらの混合金属、マグネシウム−銀合金またはそれらの混合金属等である。前記陰極は、上記化合物及び混合物の単層構造だけでなく、上記化合物及び混合物を含む積層構造を取ることもできる。陰極の膜厚は材料により適宜選択可能であるが、通常１０ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５０ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１００ｎｍ〜１μｍである。前記陰極の作製には電子ビーム法、スパッタリング法、抵抗加熱蒸着法、塗布法などの方法が用いられ、金属を単体で蒸着することも、二成分以上を同時に蒸着することもできる。さらに、複数の金属を同時に蒸着して合金電極を形成することも可能であり、またあらかじめ調整した合金を蒸着させてもよい。
前記陽極及び前記陰極のシート抵抗は低い方が好ましく、数百Ω／□以下が好ましい。
前記発光層は、電界印加時に陽極または正孔注入層、正孔輸送層から正孔を注入することができると共に陰極または電子注入層、電子輸送層から電子を注入することができる機能や、注入された電荷を移動させる機能、正孔と電子の再結合の場を提供して発光させる機能を有する層である。本発明において、前記発光層に含有される発光材料は、本発明の有機発光素子材料であるのが好ましい。その他、前記発光材料としては、例えばベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、スチリルベンゼン誘導体、ポリフェニル誘導体、ジフェニルブタジエン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、ナフタルイミド誘導体、クマリン誘導体、ペリレン誘導体、ペリノン誘導体、オキサジアゾール誘導体、アルダジン誘導体、ピラリジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、ビススチリルアントラセン誘導体、ピロロピリジン誘導体、チアジアゾロピリジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、スチリルアミン誘導体、芳香族ジメチリディン化合物、８−キノリノール誘導体の金属錯体や希土類錯体に代表される各種金属錯体等、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン等のポリマー化合物、有機シラン誘導体等が挙げられる。これらは、１種を単独で用いても、２種以上を併用してもよい。
前記発光層の膜厚は特に限定されるものではないが、通常１ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍである。前記発光層の形成方法は、特に限定されるものではないが、抵抗加熱蒸着、電子ビーム、スパッタリング、分子積層法、塗布法（スピンコート法、キャスト法、ディップコート法など）、インクジェット法、ＬＢ法及び印刷法などの方法が用いられ、好ましくは抵抗加熱蒸着及び塗布法である。前記塗布法にて前記発光層を形成する場合、塗布液の調製時に樹脂成分を使用してもよく、該樹脂成分としては前述の樹脂成分と同様のものを使用できる。
本発明の有機発光素子は正孔注入層及び／又は正孔輸送層を有していてもよい。前記正孔注入層及び前記正孔注入層に含有される材料としては、陽極から正孔を注入する機能、正孔を輸送する機能、陰極から注入された電子を障壁する機能のいずれかを有するものであればよい。その具体例としては、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）誘導体、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、有機シラン誘導体及び本発明の化合物等が挙げられる。これらは１種を単独で用いても、２種以上を併用してもよい。
前記正孔注入層及び前記正孔輸送層の膜厚は各々特に限定されるものではないが、通常１ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍである。前記正孔注入層及び正孔輸送層は各々上述した材料の１種または２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成または異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。また、前記正孔注入層及び正孔輸送層の各々の形成方法としては、真空蒸着法やＬＢ法、前記正孔注入輸送剤を溶媒に溶解または分散させて塗布する方法（スピンコート法、キャスト法、ディップコート法など）、インクジェット法、印刷法が用いられる。前記塗布法にて前記正孔注入層及び正孔輸送層を各々形成する場合、塗布液の調製時に樹脂成分を使用してもよく、該樹脂成分としては前述の有機層の形成時に使用可能な樹脂成分と同様のものを使用できる。
本発明の有機発光素子は電子注入層及び／又は電子輸送層を有していてもよい。前期電子注入層及び前記電子輸送層に各々含有される材料は、陰極から電子を注入する機能、電子を輸送する機能、陽極から注入された正孔を障壁する機能のいずれか有しているものであればよい。その具体例としては、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、８−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、有機シラン誘導体及び本発明の有機発光素子材料等が挙げられる。これらの材料は１種を単独で用いても、２種以上を併用してもよい。
電子注入層及び電子輸送層の膜厚は各々特に限定されるものではないが、通常１ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍである。電子注入層及び電子輸送層は各々上述した材料の１種または２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成または異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。また、電子注入層及び電子輸送層の各々の形成方法としては、真空蒸着法やＬＢ法、前記電子注入輸送剤を溶媒に溶解または分散させて塗布する方法（スピンコート法、キャスト法、ディップコート法など）、インクジェット法、印刷法などが用いられる。前記塗布法にて前記電子注入層及び電子輸送層を各々形成する場合、塗布液の調製時に樹脂成分を使用してもよく、該樹脂成分として前述の有機層の形成時に使用可能な樹脂成分と同様のものを使用できる。
本発明の有機発光素子は保護層を有していてもよい。前期保護層に含有される材料としては、水分や酸素等の素子劣化を促進するものが素子内に入ることを抑止する機能を有しているものであればよい。その具体例としては、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ等の金属、ＭｇＯ、ＳｉＯ、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＧｅＯ、ＮｉＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、Ｆｅ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、ＴｉＯ２等の金属酸化物、ＭｇＦ２、ＬｉＦ、ＡｌＦ３、ＣａＦ２等の金属フッ化物、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポリウレア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロエチレンとの共重合体、テトラフルオロエチレンと少なくとも１種のコモノマーとを含むモノマー混合物を共重合させて得られる共重合体、共重合主鎖に環状構造を有する含フッ素共重合体、吸水率１％以上の吸水性物質、吸水率０．１％以下の防湿性物質等が挙げられる。
前記保護層の形成方法についても特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、ＭＢＥ（分子線エピタキシ）法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法（高周波励起イオンプレーティング法）、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、ガスソースＣＶＤ法、塗布法及び印刷法を適用できる。
【実施例】  以下に本発明の具体的実施例を述べるが、本発明の実施態様はこれらに限定されるものではない。
【実施例１】  以下の緑色発光素子を作製した。
ＩＴＯ基板（５０×５０ｍｍ、三容真空工業（株）製）をアセトンで１０分間かけて超音波洗浄した後に２−プロパノールで１０分間超音波洗浄し、窒素気流により乾燥させた。その後に、フォト・サーフェス・プロセッサー（セン特殊光源（株）製、波長２５．４ｎｍ）で５分間ＵＶを照射してＩＴＯ基板の洗浄を行った。
洗浄したＩＴＯ基板を真空蒸着装置（大亜真空技研（株）ＵＳＤ−Ｍ２−４６型）にセットし、４×１０−６ｔｏｒｒ以下の減圧下にα−ＮＰＤ層を４５ｎｍの厚みに蒸着し、次いで合成例１で得られたキナクリドン誘導体（緑色発光化合物）がトリス（８−キノリナート）アルミニウム（Ａｌｑ３）中に濃度が０．８％になるようにドーピングしてなる発光層２０ｎｍ蒸着し、さらにＡＬｑ３を２０ｎｍ積層し、最後に、アルミ合金製電極（Ａｌ：Ｌｉ＝９９：１（重量比）、（株）高純度化学研究所製）を１５０ｎｍの厚みに蒸着して、緑色発光素子を製造した。
この発光素子につき、（株）トプコン製のＢＭ−７  Ｆａｓｔで徐々に電圧を上げながら輝度及び色度を測定した。その結果、電圧１３Ｖ、および電流５０ｍＡで、輝度５３，０００Ｃｄ／ｍ２、色度Ｘが０．３１、色度Ｙが０．５９の結果が得られた。発光極大波長は５４５ｎｍｎｍであった。
【実施例２】  別の緑色発光素子を作製した。
合成例１で得られたキナクリドン誘導体を使用する替わりに合成例６で得られたキナクリドン誘導体を用いる以外は、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。得られた緑色有機ＥＬ素子について実施例１と同様に発光波長を測定したところ、発光極大波長ＥＬｍａｘ＝５３２ｎｍの緑色の発光が観測された。
【実施例３】  赤色発光素子の作製
実施例１において合成例１で得られたキナクリドン誘導体を使用する替わりに合成例３で得られたｐ−ジフェニルアミン誘導体を使用する以外は、同様にして、赤色発光素子を作製する。良好な赤色発光が観測される。
【実施例４】  塗布型の緑色発光素子を作製した。
５ｍｌのメスフラスコに、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（以下、「ＰＶＫ」という。関東化学（株）製）７０．０ｍｇ、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−オキリジアゾール（以下、「ＢＮＤ」という。ランカスター製、精製品）３０．０ｍｇ、上記の合成例１により得られたキナクリドン誘導体（以下、「色素Ａ」という。）０．３ｍｇを量り取り、ジクロロエタンを加えて５ｍｌになるように溶液を調製した。この溶液に超音波を（株）エスエヌディ製超音波洗浄器ＵＳ−２を使用して２０分間かけることにより十分に溶解した。
ＩＴＯ基盤を、アセトンで１０分間超音波洗浄した後、ＩＰＡで１０分間超音波洗浄し、窒素気流中で乾燥させた。乾燥した基盤を、セン特殊光源（株）製フォト−サーフェイス・プロセッサーＰＬ１６−１１０を使用して５分間ＵＶ−オゾン処理を行った。表面処理の終わったＩＴＯ基盤を、ミカサ（株）製スピンコーター１Ｈ−Ｄ７にセットし、調製しておいた溶液を滴下し製膜した。製膜の終わった基盤は、５０℃の恒温槽中で３０分乾燥させた後、大亜真空技研（株）製高真空蒸着装置ＶＤＳ−Ｍ２−４６型を使用してアルミニウム（Ａｌ：Ｌｉ＝９９：１ｗｔ％、（株）高純度科学研究所製）電極を、４×１０−６Ｔｏｒｒ以下で約１５０ｎｍ蒸着し、ＥＬ素子を製作した。
製作した素子は、（株）トプコン製ＦａｓｔＢＭ−７で１秒間に１Ｖずつ電圧を上げて光学特性を測定した。結果を表４に示す。
2004067674.tif 000016
【実施例５】  （塗布型の赤色発光素子）
実施例４において合成例１により得られたキナクリドン誘導体を使用する替わりに合成例３により得られたｐ−フェニレンジアミン誘導体を使用する以外は全く同様にして、赤色発光素子を製作することができる。
【図１】
2004067674.tif 000023
【図２】
2004067674.tif 000024
【図３】
2004067674.tif 000025
【図４】
2004067674.tif 000026
【図５】
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【図６】
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【図７】
2004067674.tif 000029
【図８】
2004067674.tif 000030
【図９】
2004067674.tif 000031
【図１０】
2004067674.tif 000032
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月28日(2004.10.28)
【手続補正００１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【書類名】特許請求の範囲
【請求項１】蛍光スペクトルの少なくとも一部が６００〜７００ｎｍの波長領域に存在する蛍光性化合物を少なくとも１種含有する有機発光素子材料であって、前記蛍光性化合物が下記一般式（１）で表されるｐ−フェニレンジアミシン誘導体である有機発光素子材料。
一般式（１）
2004067674.tif 000033
式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基又はアリール基を表し、Ｒ５はアルキル基を表す。
【請求項２】一般式（１）において、Ｒ５が低級アルキル基（炭素数１〜４）であり、
Ａ：Ｒ１が第３級アルキル基（炭素数４または５）であり、Ｒ２およびＲ３が水素原子であるか、
Ｂ：Ｒ１およびＲ３が第３級アルキル基（炭素数４または５）であり、Ｒ２が水素原子であるか、
Ｃ：Ｒ１およびＲ３が水素原子であり、Ｒ２が直鎖アルキル基（炭素数５〜１０）であるか、または、
Ｄ：Ｒ１がアルコキシ基（炭素数１〜３）であり、Ｒ２が水素原子であり、Ｒ３がアリール基（炭素数６〜１０）である、請求項１記載の有機発光素子材料。
【請求項３】（削除）
【請求項４】蛍光スペクトルの少なくとも一部が５００〜６００ｎｍの波長領域に存在する蛍光性化合物を少なくとも１種含有する有機発光素子材料であって、前記蛍光性化合物が下記一般式（２）：
一般式（２）
2004067674.tif 000034
（式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基又はアリール基を表し、Ｒ４はアリール基が結合したアルキレン基を表す。）
で表され、一般式（２）において、
Ａ：Ｒ１が第３級アルキル基（炭素数４または５）であり、Ｒ２およびＲ３が水素原子であり、Ｒ４がアラルキル基（炭素数７〜１１）であるか、
Ｂ：Ｒ１およびＲ３が第３級アルキル基（炭素数４または５）であり、Ｒ２が水素原子であり、Ｒ４がアラルキル基（炭素数７〜１１）であるか、
Ｃ：Ｒ１およびＲ３が水素原子であり、Ｒ２が直鎖アルキル基（炭素数５〜１０）であり、Ｒ４がアラルキル基（炭素数７〜１１）であるか、または、
Ｄ：Ｒ１がアルコキシ基（炭素数１〜３）であり、Ｒ２が水素原子であり、Ｒ３がアリール基（炭素数６〜１０）であり、Ｒ４がアラルキル基（炭素数７〜１１）である、
キナクリドン誘導体である、前記有機発光素子材料。
【請求項５】（削除）
【請求項６】下記一般式（３）：
一般式（３）
2004067674.tif 000035
（式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基又はアリール基を表し、Ｒ５はアルキル基を表す。）
で表されるｐ−フェニレンジアミシン誘導体であって、
Ｒ１が第３級ブチル基であり、Ｒ２およびＲ３が水素原子であり、Ｒ５がメチル基であるか、
Ｒ１およびＲ３が第３級ブチル基であり、Ｒ２が水素であり、Ｒ５がメチル基であるか、
Ｒ１およびＲ３が水素原子であり、Ｒ２がｎ−ヘプチル基又はｎ−オクチル基であり、Ｒ５がメチル基であるか、または
Ｒ１がメトキシ基であり、Ｒ２が水素原子であり、Ｒ３がフェニル基であり、Ｒ５がメチル基である、
前記ｐ−フェニレンジアミシン誘導体。
【請求項７】下記一般式（４）：
一般式（４）
2004067674.tif 000036
（式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基又はアリール基を表し、Ｒ４はアリール基が結合したアルキレン基を表す。）
で表されるキナクリドン誘導体であって、
Ａ：Ｒ１が第３級アルキル基（炭素数４または５）であり、Ｒ２およびＲ３が水素原子であり、Ｒ４がアラルキル基（炭素数７〜１１）であるか、
Ｂ：Ｒ１およびＲ３が第３級アルキル基（炭素数４または５）であり、Ｒ２が水素原子であり、Ｒ４がアラルキル基（炭素数７〜１１）であるか、
Ｃ：Ｒ１およびＲ３が水素原子であり、Ｒ２が直鎖アルキル基（炭素数５〜１０）であり、Ｒ４がアラルキル基（炭素数７〜１１）であるか、または、
Ｄ：Ｒ１がアルコキシ基（炭素数１〜３）であり、Ｒ２が水素原子であり、Ｒ３がアリール基（炭素数６〜１０）であり、Ｒ４がアラルキル基（炭素数７〜１１）であり、
Ｒ４が、ｏ−トリルメチル基、ｍ−トリルメチル基、ｐ−トリルメチル基、α−ナフチルメチル基、β−ナフチルメチル基、９−アントリルメチル基、及び９−アントリルエチル基からなる群から選ばれる、
前記キリクリドン誘導体。
【請求項８】Ｒ１が第３級ブチル基であり、Ｒ２およびＲ３が水素原子であり、Ｒ４がα−ナフチルメチル基であるか、
Ｒ１およびＲ３が第３級ブチル基であり、Ｒ２が水素であり、Ｒ４がα−ナフチルメチル基であるか、
Ｒ１およびＲ３が水素原子であり、Ｒ２がｎ−ヘプチル基又はｎ−オクチル基であり、Ｒ４がα−ナフチルメチル基であるか、または
Ｒ１がメトキシ基であり、Ｒ２が水素原子であり、Ｒ３がフェニル基であり、Ｒ４がα−ナフチルメチル基である、
請求項７記載のキナクリドン誘導体。
【請求項９】下記一般式（１）で表されるｐ−フェニレンジアミシン誘導体を発光材料とすることを特徴とする有機発光素子。
一般式（１）
2004067674.tif 000037
式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基又はアリール基を表し、Ｒ５はアルキル基を表す。
【請求項１０】下記一般式（２）：
一般式（２）
2004067674.tif 000038
（式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基又はアリール基を表し、Ｒ４はアリール基が結合したアルキレン基を表す。）
で表されるキナクリドン誘導体を発光材料とすることを特徴とする有機発光素子であって、一般式（２）において、
Ａ：Ｒ１が第３級アルキル基（炭素数４または５）であり、Ｒ２およびＲ３が水素原子であり、Ｒ４がアラルキル基（炭素数７〜１１）であるか、
Ｂ：Ｒ１およびＲ３が第３級アルキル基（炭素数４または５）であり、Ｒ２が水素原子であり、Ｒ４がアラルキル基（炭素数７〜１１）であるか、
Ｃ：Ｒ１およびＲ３が水素原子であり、Ｒ２が直鎖アルキル基（炭素数５〜１０）であり、Ｒ４がアラルキル基（炭素数７〜１１）であるか、または、
Ｄ：Ｒ１がアルコキシ基（炭素数１〜３）であり、Ｒ２が水素原子であり、Ｒ３がアリール基（炭素数６〜１０）であり、Ｒ４がアラルキル基（炭素数７〜１１）である、
前記有機発光素子。
【請求項１１】Ｒ１が第３級ブチル基であり、Ｒ２およびＲ３が水素原子であり、Ｒ４がα−ナフチルメチル基であるか、
Ｒ１およびＲ３が第３級ブチル基であり、Ｒ２が水素であり、Ｒ４がα−ナフチルメチル基であるか、
Ｒ１およびＲ３が水素原子であり、Ｒ２がｎ−ヘプチル基又はｎ−オクチル基であり、Ｒ４がα−ナフチルメチル基であるか、または
Ｒ１がメトキシ基であり、Ｒ２が水素原子であり、Ｒ３がフェニル基であり、Ｒ４がα−ナフチルメチル基である、
請求項４記載の有機発光素子材料。
【請求項１２】下記一般式（３）：
一般式（３）
2004067674.tif 000039
（式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基又はアリール基を表し、Ｒ５はアルキル基を表す。）
で表されるｐ−フェニレンジアミシン誘導体であって、
Ｒ１が第３級アミル基であり、Ｒ２およびＲ３が水素原子であり、Ｒ５がメチル基であるか、
Ｒ１およびＲ３が第３級アミル基であり、Ｒ２が水素であり、Ｒ５がメチル基であるか、
Ｒ１およびＲ３が水素原子であり、Ｒ２がｎ−ヘプチル基であり、Ｒ５がメチル基であるか、または
Ｒ１がエトキシ基であり、Ｒ２が水素原子であり、Ｒ３がフェニル基であり、Ｒ５がメチル基である、
前記ｐ−フェニレンジアミシン誘導体。




【国際調査報告】
2004067674.tif 000040
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