(57)【要約】本発明は，半導体基板の表面に対してマイクロ波を利用したプラズマにより，プラズマ酸化処理とプラズマ窒化処理とを同時に行い，さらに必要に応じて，上述のようなプラズマ酸窒化処理による絶縁膜形成の後，当該絶縁膜に対してさらにプラズマ窒化処理を行う。これによって，電気的特性が良好な絶縁膜（シリコン酸化膜）を形成することができる。
2004070816.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理容器内の半導体基板に対して，プラズマを用いて処理を行うプラズマ処理方法において，
前記半導体基板の表面に対して酸化処理と窒化処理とを同時に行う絶縁膜形成工程を有する。
【請求項２】
請求項１のプラズマ処理方法において，
前記絶縁膜形成工程の後，当該絶縁膜に対して更に窒化処理を施す工程を有する。
【請求項３】
処理容器内の半導体基板に対して，プラズマを用いて絶縁膜を形成するプラズマ処理方法において，
少なくとも不活性ガスと酸素と窒素ガスとを同一処理時に供給するガス供給工程と，
当該供給されるガスとマイクロ波とによりプラズマを励起するプラズマ励起工程とを有する。
【請求項４】
請求項３のプラズマ処理方法において，
前記プラズマ励起工程の後，さらに少なくとも不活性ガスと窒素ガスとを同一処理時に供給するガス供給工程と，当該供給されるガスとマイクロ波とによりプラズマを励起するプラズマ励起工程とを有する。
【請求項５】
請求項３のプラズマ処理方法において，
前記プラズマの電子密度は，１．０×１０１２（１／ｃｍ３）以上で，前記プラズマの電子温度は，１．０（ｅＶ）以下である。
【請求項６】
請求項３のプラズマ処理方法において，
酸素と窒素ガスとの流量比率を変えて，絶縁膜中の窒素濃度のピークを変化させる。
【請求項７】
請求項６のプラズマ処理方法において，
酸素と窒素ガスとの流量比率は，１：４〜１：６である。
【請求項８】
半導体デバイスに使用される半導体基板であって，
少なくとも不活性ガスと酸素と窒素ガスとを同一処理時に供給するガス供給工程と，当該供給されるガスとマイクロ波とによりプラズマを励起するプラズマ励起工程とによって形成された絶縁膜を有する。
【請求項９】
請求項８の半導体基板において，
酸素と窒素ガスとの流量比率が，１：４〜１：６である。
【請求項１０】
シリコン基板と，当該シリコン基板の表面に形成された絶縁膜とを有する半導体基板において，
前記絶縁膜の表面からシリコン基板との界面に至る厚さ方向に窒素が拡散し，
前記絶縁膜の表面よりも前記界面に近いところに窒素分布のピークを有する。
【請求項１１】
シリコン基板と，当該シリコン基板の表面に形成された絶縁膜とを含む半導体基板において，
前記絶縁膜の表面からシリコン基板との界面に至る厚さ方向に窒素が拡散し，
前記絶縁膜の表面近傍と前記界面近傍との２箇所に窒素分布のピークを有する。
【請求項１２】
半導体基板に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において，
前記半導体基板を収容する処理容器と，
前記処理容器にマイクロ波を導入するマイクロ波導入部と，
前記処理容器に処理ガスを供給するガス供給部とを備え，
前記ガス供給部は，前記処理容器に対して同時期に酸素と窒素を供給し，
前記半導体基板の表面に対して酸化処理と窒化処理とを同時に行うことによって，絶縁膜を形成する。
【請求項１３】
請求項１２のプラズマ処理装置において，
前記ガス供給部は，前記半導体基板の酸化・窒化処理の後に，前記処理容器に窒素を供給して，前記絶縁膜に対してさらに窒化処理を施す。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】    本発明は，プラズマを用いて半導体基板表面に絶縁膜を形成するプラズマ処理方法及びそれによって製造される半導体基板，並びにプラズマ処理方法を実施するためのプラズマ処理装置に関するものである。
発明の背景
これまで，シリコン基板上に形成される絶縁膜は，１０００℃以上の高温で酸化処理を行うことによって形成される熱酸化膜を用いることが多かった。最近では，微細化技術の進展により，ＳｉとＯの反応が熱エネルギーのみで進行するこの種の酸化膜（絶縁膜）の厚さも減少させる必要が生じてきている。
ところが，高温での熱酸化処理による絶縁膜の形成方法によると，厚さが薄くなるにつれて，リーク電流等が増大して信頼性の高い絶縁膜を得ることが困難になってきた。また，絶縁膜を通して電流を流し，読み書きを行う不揮発性メモリに対しては，絶縁膜中にトラップされる正孔又は電子により，メモリ特性の劣化が起こり問題である。特に，正孔トラップは製品の信頼性に影響を与えると考えられている。
この問題を解決するために，熱酸化法とは反応メカニズムの異なる，プラズマを用いた活性な原子状酸素（以下，「酸素ラジカル」という）による酸化処理が現実化されている。この方法によると，プラズマの電子温度を低温に保った状態で酸化膜を形成することができ，その結果，被処理基板や処理装置の内壁の損傷を軽減することが可能となった。また，ホールトラップの低減から，信頼性を損なうことなく厚みの薄い酸化膜の形成ができるようになってきた。
プラズマを用いた酸化膜形成方法としては，日本国特許公開公報の特開平１１−２９３４７０号公報に記載されたものがある。この方法によれば，処理室内にシリコン含有ガスおよび酸素含有ガスを導入してこれらガスのプラズマを生成し，基板にシリコン酸化膜を堆積して成膜するシリコン酸化膜の成膜方法において，前記シリコン含有ガスおよび酸素含有ガス以外に，水素ガスを処理室内に導入して，処理室内に水素を含有するプラズマを生成する。これにより，熱酸化膜に匹敵する良好な膜質を得ることができるとされている。
しかし，プラズマを用いて基板表面に形成された酸化膜（絶縁膜）は，高温酸化処理による酸化膜に比べて電子トラップ特性が悪く，そのため電気的なストレスに弱くなり，製品としての特性が劣化すると考えられる。
一方で，熱酸化膜の諸特性を改良する目的で，熱酸化の後に熱窒化が行われることがある。窒化は，熱酸化時に発生する不完全なＳｉＯの結合を補うので，結果諸特性が改善すると考えられている。しかし，熱窒化法では，窒素の深さ方向分布が基板界面部に偏り，一様な酸化膜の改善としては不十分である。そこで，電気的なストレスに弱いプラズマ酸化膜の特性向上のために，熱酸化・窒化膜と同様にプラズマ酸化処理後に窒化処理を行う方法が検討されている。
【発明の開示】
本発明は，上記のような状況に鑑みてなされたものであり，電気的特性が良好な絶縁膜（シリコン酸窒化膜）を形成する方法及び，当該方法によって製造される半導体基板，並びにプラズマ処理装置を提供することを目的とする。
上記の目的を達成するために，本発明の第１の態様に係るプラズマ処理方法においては，半導体基板の表面に対してプラズマ酸化処理とプラズマ窒化処理とを同時に行う。これにより，形成される絶縁膜のトラップ特性が改善される。なお，酸化と窒化を同時に行うとは，少なくともそれぞれの処理が安定的に行われている主な処理の期間が同時期になされることを言い，それぞれの処理の開始と終わりとは時間的に異なっていてもよい。
プラズマの電子密度は，１．０×１０１２（１／ｃｍ３）以上で，電子温度は，１．０（ｅＶ）以下であることが好ましい。またプラズマソースは，マイクロ波を利用したものは，これらの値の電子密度，電子温度を有するプラズマを容易に生成することが可能である。しかもマイクロ波を利用したプラズマは，平坦でフラットなプラズマ領域を形成することができ，本発明のような酸窒化膜を形成するのに適している。
上述のようなプラズマ酸窒化処理による絶縁膜形成の後，当該絶縁膜に対して更にプラズマ窒化処理を施してもよい。これにより，熱窒化，熱酸窒化処理では制御困難な，窒素の深さ方向の分布制御が可能となる。また，酸化・窒化の同時処理において，酸素ガス混合比の制御によっても，窒素分布の制御が可能である。
酸素と窒素ガスとの混合比，すなわち流量比率を変えれば，絶縁膜中の窒素濃度のピークを変化させることが可能である。したがってこの場合には，前記したような，絶縁膜形成後にプラズマ窒化処理を施す必要はない。発明者の知見によれば，酸素と窒素ガスとの流量比率を，１：４〜１：６に設定すれば，後述のように，窒素の濃度ピークを基板との界面側と絶縁膜の表面側に各々形成することができる。
本発明の第２の態様に係る半導体基板は，絶縁膜の表面からシリコン基板との界面に至る厚さ方向に窒素が拡散し，絶縁膜の表面よりも界面に近いところに窒素分布のピークを有する。あるいは，絶縁膜の表面近傍と界面近傍との２箇所に窒素分布のピークを有する。これにより，プラズマ形成された絶縁膜のトラップ特性が改善された絶縁膜を有する半導体基板を得ることが可能となる。このような構造を有する半導体基板においては，後工程での不必要な再酸化を防ぎ，また注入される不純物に対してバリアを有することとなる。そのため，半導体製造工程の条件に影響を受けにくい，安定した絶縁膜を備えた半導体基板を得ることができる。
本発明の第３の態様は，半導体基板に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において，前記半導体基板を収容する処理容器と，前記処理容器にマイクロ波を導入するマイクロ波導入部と，前記処理容器に処理ガスを供給するガス供給部とを備え，前記ガス供給部は，前記処理容器に対して同時期に酸素と窒素を供給し，前記半導体基板の表面に対して酸化処理と窒化処理とを同時に行うことによって，絶縁膜を形成するものである。
かかる場合，前記ガス供給部は，前記半導体基板の酸化・窒化処理の後に，前記処理容器に窒素を供給して，前記絶縁膜に対して更に窒化処理を施すことが可能に構成されていてもよい。
このようなプラズマ処理装置によれば，前記したプラズマ処理方法を好適に実施することができ，また前記した半導体基板を好適に製造することが可能である。
【図面の簡単な説明】図１は，本発明の実施例に係るプラズマ処理装置の構成の一例を示す概略図（断面図）である。
図２（Ａ），（Ｂ）は，実施例１のプラズマ処理工程の一部を示す概略図である。
図３（Ａ）は，トラップ特性を説明する図であり，（Ｂ）は，一例としてトラップ特性を測定する概略を示した図である。
図４は，各種絶縁膜のトラップ特性を示すグラフである。
図５は，絶縁破壊に至るまでの経時変化特性を示した表である。
図６（Ａ），（Ｂ）は，実施例２のプラズマ処理工程の一部を示す概略図である。
図７は，本発明の実施例１による絶縁膜中の窒素分布を示すグラフである。
図８は，本発明の実施例２による絶縁膜中の窒素分布を示すグラフである。
【発明を実施するための最良の形態】    図１は，本発明で用いられるプラズマ基板処理装置１０の概略的構成の一例を示す。本発明で使用されるプラズマ処理装置１０は，被処理基板としてのシリコンウエハＷを保持する基板保持台１２が備えられた処理容器１１を有し，処理容器１１内の気体（ガス）は排気ポート１１Ａおよび１１Ｂから，図示されない排気ポンプを介して排気される。なお，基板保持台１２は，シリコンウエハＷを加熱するヒータ機能を有している。
処理容器１１の装置上方には，基板保持台１２上のシリコンウエハＷに対応して開口部が設けられている。この開口部は，石英やアルミナからなる誘電体板１３により塞がれている。誘電体板１３の上部（外側）には，アンテナとして機能するスロット板１４が配置されている。スロット板１４の更に上部（外側）には，石英，アルミナ，窒化アルミニウム等からなる誘電体板１５が配置されている。この誘電体板１５は，遅波板又は波長短縮板と呼ばれることがある。誘電体板１５の上部（外側）には，冷却プレート１６が配置されている。冷却プレート１６の内部には，冷媒が流れる冷媒路１６ａが設けられている。また，処理容器１１の上端中央には，マイクロ波を導入する同軸導波管１８が設けられている。
基板保持台１２の周囲には，アルミニウムからなるガスバッフル板（仕切り板）２６が配置されている。ガスバッフル板２６の下面には石英カバー２８が設けられている。
処理容器１１の内壁には，プラズマ処理に使用されるガスを導入するためのガスノズル２２が設けられている。同様に，処理容器１１の内壁の内側には，容器全体を囲むように温度調整媒体流路２４が形成されている。
このプラズマ処理装置１０を用いて本発明を実施する一例を次に示す。まず，半導体基板となるシリコンウエハＷをプラズマ処理装置１０の処理容器１１中にセットした後，排気ポート１１Ａ，１１Ｂを介して処理容器１１内部の空気の排気が行われ，処理容器１１の内部が所定の処理圧に設定される。その後，シリコンウエハＷがセットされた処理容器１１中に，ガスノズル２２から，不活性ガスと酸素ガスと窒素ガスとが予め混合されて導入される。これらのガスは，ガスノズル２２を複数個備えて，個々のノズルから別々に処理容器１１に導入されても良い。あるいは，個々のガスを通す複数の配管がガスノズル２２付近で一本にまとめられ，ノズル付近でそれらのガスが混合されながら導入されても良い。いずれにせよ，同一のプラズマ処理機会にこれらのガスが同時に存在するように供給されるならば，どのような方法で供給されても構わない。
一方，同軸導波管１８を通って供給される数ＧＨｚの周波数のマイクロ波が，誘電体板１５，スロット板１４，誘電体板１３を介して処理容器１１中に導入される。このマイクロ波によりプラズマが励起され，不活性ガスと酸素と窒素との混合ガスから，酸素ラジカルと窒素ラジカルとが生成される。
このときのプラズマの電子密度は，１．０×１０１２（１／ｃｍ３）以上で，電子温度は，１．０（ｅＶ）以下であることが好ましい。これによって，形成される酸窒化膜に対するダメージを抑えることができる。
この点，例えば他の高密度生成用のプラズマソース，例えばＥＣＲブラズマでは，基板に対してプラズマダメージを与える可能性が高い。すなわち，基板に対して不必要な電荷を蓄積させたしまったり，あるいは形成したＳｉ−Ｎ−Ｏの連鎖を断ち切ってしまうおそれがあり，良質な酸窒化膜が形成できなくなる。
したがって，実施例のようにマイクロ波を利用した高密度，低電子温度のプラズマで処理すれば，そのような不必要な電荷を蓄積させたしまったり，形成したＳｉ−Ｎ−Ｏの連鎖を断ち切ってしまうおそれはないので，良質な酸窒化膜が形成できる。
またそのような高密度，低電子温度のプラズマであるから，プラズマに対してシリコンウエハＷを接近して配置することができ，成膜速度の低下を抑えることができる。
すなわち従来のプラズマソース，例えばＥＣＲブラズマでは，高エネルギーであるため，シリコンウエハＷはプラズマ領域から比較的離して配置する必要があったが，そうすると，発生した酸素ラジカルがシリコンウエハＷに到達する前にその寿命が早く尽きてしまい確率が高く，それによって成膜速度の低下をもたらしていた。
この点実施例では，マイクロ波を利用したプラズマによって処理しているので，プラズマに対してシリコンウエハＷを接近して配置することができ，その結果，酸素ラジカルの寿命が尽きる前に，多くの酸素ラジカルをシリコンウエハＷに対して到達させることができる。したがって，成膜速度が低下せず，好適な酸化膜，酸窒化膜を形成することが可能になっている。
シリコン基板２１の表面に達した酸素ラジカルと窒素ラジカルとは，図２（Ｂ）に示されるようにシリコン基板２１の表面を酸化窒化処理し，所望の厚み（例えば，〜１０ｎｍ）のシリコン酸窒化膜２２を形成する。このようにして，酸化と窒化とが同時に行われ形成された絶縁膜を有する半導体基板（実施例１）が得られる。
一方，比較のために，熱酸化膜を有する半導体基板（従来例）と；プラズマ酸化した後にプラズマ窒化した絶縁膜を有する半導体基板（比較例１）と；
プラズマ酸化膜のみを有する半導体基板（比較例２）を用意した。そして，前述の実施例１と併せてトラップ（ＴＲＡＰ）特性を測定し比較評価した。その結果を，図４（Ａ），（Ｂ）に示す。
電子のトラップの仕組みは，図３（Ａ）に例示されている。例えば，フラッシュメモリ３０の書き換え時には，半導体基板３１から絶縁膜（酸化膜）３２を通して浮遊ゲート３３に電子が引き込まれる。この時，絶縁膜３２の膜質が悪いと，この絶縁膜中に電子３５が多く留まり，次第に電子（−）が通らなくなる。このような現象をトラップと言い，この例では，フラッシュメモリ３０が書き換えられた後，このトラップされた電子３５によりメモリの書き込み特性が劣化する。
トラップ特性の測定は，たとえば図３（Ｂ）のように半導体基板をＭＯＳキャパシタ３６にして測定する。このＭＯＳキャパシタは，前述のように形成したシリコン基板２１に絶縁膜（酸化膜）２２を設け，その上に一定電流を流せるように電極３７を設けることによって成形される。この電極３７と半導体基板２１との間の電位差を測定することでトラップ特性を測定する。
Ｎ−ＭＯＳキャパシタを用いた場合，電極３７に負電圧を印加し，電圧の経時変化を測定する。一般的に，測定するデータは図４（Ａ），（Ｂ）に大別され，測定初期（図４Ｂ）には，ホールとラップが観測され，以降の測定（図４Ａ）からは電子とラップが観測される。半導体基板と電極間に印加された初期の電圧値は，時間の経過とともに徐々にマイナス側にシフトする。シフトした電圧値が大きいほどトラップされた電子が多くなったことを示し，電子が絶縁膜を通り難くなっていく。これが前述のようなフラッシュメモリだとすると，書き込みの際に，トラップが大きいほど電子が通りにくくなっていくため，書き込みしにくくなり，結果的に書き込み特性が劣化したように見える。
図４は，このようにして測定した電子のトラップ特性を，初期の電圧値からの偏差の関係を示すことで表したものである。横軸は規格化された時間を表し，縦軸は初期の電圧値からの偏差（Ｖｇ−ｓｈｉｆｔ）を示している。この偏差は，印加された初期の電圧値と，時間の経過とともに変化する絶縁膜の両端間の測定電圧との差である。従って，電子トラップが増加するとマイナス側にシフトすることを示している。
実線は，従来例の熱酸化膜によるものを示し，一点差線は，本発明の実施例１によるプラズマ酸化とプラズマ窒化とを同時に行い生成したプラズマ酸窒化膜（絶縁膜）を有する半導体基板を示している。また，二点差線は，プラズマ酸化した後プラズマ窒化して生成した比較例１の絶縁膜を持つ半導体基板を示しており，点線（破線）は，プラズマ酸化膜を有する比較例２の半導体基板をそれぞれ示している。図より分かるように，実施例１は従来の熱酸化膜とほぼ同等の良好な特性を有しているのに対して，いずれの比較例も電子トラップ量が多く絶縁膜の性能としては不十分であることが分かる。
一方，一般的な電気的特性を比較する目的で，電荷を印加したり電流を流したりしたときに絶縁破壊に至るまでの経時変化特性（ＴＤＤ  Ｂ：Ｔｉｍｅ  Ｄｅｐｅｎｄｅｎｔ  Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｂｒｅａｋｄｏｗｎ）および，リーク（ＬＥＡＫ）電流について前記試料それぞれについて求めたもの図５の表に示す。ここでは，熱酸化膜での値を基準として相対評価している。なお，この表には，より総合的に絶縁膜の特性が把握できるように，図４に示したトラップ特性も定性的な表現にして付記した。
この結果より分かるように，ＴＤＤＢ，リーク電流いずれにおいても，プラズマによって得られた絶縁膜は，相対的に従来の熱酸化膜と同等かそれ以上の特性を示している。ＴＤＤＢについては本発明による実施例１は特に良好であり，また，リーク電流については，プラズマによって形成された絶縁膜が，従来例を凌ぐ良好な特性を示している。また，絶縁膜の寿命（ＴＤＤＢ）は，ホールとラップが支配的要因であるとも考えられており，電子とラップと併せて少ないほど，良好な絶縁膜といえる。
次に，このプラズマ処理装置１０を用いて本発明を実施する別の一例を以下に示す。
前述の実施例１で得られた半導体基板を処理容器１１から取り出すことなく，引き続き処理容器１１中にセットしたままにしておく。実施例１の際に使用したガス等を，排気ポート１１Ａ，１１Ｂを介して処理容器１１から排気する。その後，処理容器１１中に，ガスノズル２２から不活性ガスと窒素ガスとが予め混合されて導入される。
一方，同軸導波管１８を通って供給される数ＧＨｚの周波数のマイクロ波が，誘電体板１５，スロット板１４，誘電体板１３を介して処理容器１１中に導入される。このマイクロ波によりプラズマが励起され，既に導入されている不活性ガスと窒素との混合ガスから，窒素ラジカルが生成される。
半導体基板の表面に達した窒素ラジカルは，図６（Ｂ）に示されるように半導体基板の表面にある絶縁膜２２を更に窒化処理し，所望の厚み（例えば，〜１０ｎｍ）のシリコン酸窒化膜２２Ａを形成する。このようにして，酸化と窒化とが同時に行われた後，更に窒化処理が行われた絶縁膜２２Ａを有する半導体基板（実施例２）が得られる。
このようにして得られた本発明による半導体基板について，絶縁膜の厚さ方向の窒素の分布状況を調べたものを図７に示す。図７において，横軸はエッチング時間を示している。絶縁膜の厚さ方向距離に対応し，時間が多くなるほど多くエッチングされ，絶縁膜の表面から遠ざかって深くなっていくことが示されている。縦軸は，窒素の相対的なスペクトル強度を示しており，強度が強いほど，窒素がたくさん分布し存在していることを示している。
図７は，実施例１についての窒素分布を示し，少なくとも絶縁膜の表面から半導体基板との界面に至る厚さ方向に窒素が拡散しており，表面よりも界面に近いところに窒素分布のピークがある。これにより，トラップ特性が良好な絶縁膜を備えた半導体基板を得ることができる。
図８は，実施例２についての窒素分布を示し，絶縁膜中の窒素の分布ピークが，表面近傍と界面近傍との２箇所にできているのが確認できる。これにより，プラズマ形成された絶縁膜のトラップ特性が改善される他，後工程での再酸化を防ぎ，注入される不純物に対してバリアとなる。このため，半導体製造工程の条件に影響を受けにくい，安定した絶縁膜を備えた半導体基板を得ることができる。
そして，この実施例２においては，適宜処理条件を設定することで，窒素分布のピーク位置を変えることが出来る。これにより，従来の高温酸窒化処理では制御困難だった窒素分布の絶縁膜厚さ方向に対する制御も可能となる。
実施例２のように酸化と窒化とが同時に行われた後に，さらに窒化処理が行なわなくとも，図８に示したような，絶縁膜中の窒素の分布ピークが，表面近傍と界面近傍との２箇所にできている絶縁膜を形成することが可能である。
すなわち，まず処理容器１１内で酸素と不活性ガスをプラズマ化して，シリコンウエハＷに対して酸化膜を形成する。次いで，不活性ガスと，酸素と窒素ガスの混合ガスを処理容器１１内に導入し，プラズマ化して，シリコンウエハＷに対して酸窒化処理して，酸窒化膜の形成を行う。例えば８ｎｍの絶縁膜を形成する場合，酸化膜の厚さは６ｎｍ，酸窒化膜の厚さを２ｎｍとする。このとき，酸素と窒素ガスの混合ガスの流量費は，１：４〜１：６ぐらいに設定する。
そうすると，絶縁膜中の窒素の分布ピークが，表面近傍と界面近傍との２箇所にできている絶縁膜を形成することが可能である。
以上説明したように，本発明によれば，半導体基板の表面に対してプラズマ酸化処理とプラズマ窒化処理とを同時に行うため，形成される絶縁膜のトラップ特性が改善される。また，ＴＤＤＢやリーク電流で見ると従来よりも遥かに良好な絶縁膜を得ることができる。
更に，上記のようなプラズマ酸化・窒化処理の後に，更にプラズマ窒化処理をした場合には，高温の酸窒化処理では制御困難な窒素の深さ方向の分布の制御が可能となる。その結果，用途に応じて適切な特性の酸窒化膜を得られることになる。
以上のように，本発明によると，低温で絶縁膜を形成したにもかかわらず，熱酸化膜に匹敵するかそれ以上の電気特性と信頼性を有する半導体基板を得ることができる。
【産業上の利用可能性】    本発明は，半導体デバイス，特に不揮発性メモリの絶縁膜の形成に有用である。
【符号の説明】
１０  プラズマ処理装置
１１  プラズマ処理容器
１２  基板保持台
２１  シリコン基板
２２  シリコン酸化膜
【図１】
2004070816.tif 000003
【図２】
2004070816.tif 000004
【図３】
2004070816.tif 000005
【図４】
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【図５】
2004070816.tif 000007
【図６】
2004070816.tif 000008
【図７】
2004070816.tif 000009
【図８】
2004070816.tif 000010
【国際調査報告】
2004070816.tif 000011
2004070816.tif 000012