(57)【要約】本発明は、低コストを実現できるとともに、簡単な工程で作成することが可能な光モジュール及びその製造方法に関するものである。光モジュール１００は、ダイパッド１０１と、複数のリード１０２と、ダイパッド１０１上に載置された第１のプラットフォーム１１０及び第２のプラットフォーム１２０とを備えている。第１のプラットフォーム本体１１１には少なくとも光ファイバ１１３が固定されており、第２のプラットフォーム本体１２１上には少なくとも光ファイバ１１３を介して送信すべき光信号を発生するライトエミッター１２４が搭載されている。
2004042444.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイパッドと、前記ダイパッド上に搭載された第１及び第２のプラットフォーム本体を含む少なくとも二つのプラットフォーム本体と、前記第１のプラットフォーム本体に固定された光ファイバと、前記第２のプラットフォーム本体上に搭載され前記光ファイバを介して送信すべき光信号を発生するライトエミッターとを備えることを特徴とする光モジュール。
【請求項２】
前記第１のプラットフォーム本体上に搭載され前記光ファイバを介して受信する光信号を光電変換する受信用フォトダイオードと、前記受信用フォトダイオードと前記ライトエミッターとの間において前記光ファイバを分断するように設けられたフィルタとをさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の光モジュール。
【請求項３】
前記光ファイバの一端を収容するフェルールをさらに備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の光モジュール。
【請求項４】
前記第２のプラットフォーム本体に搭載され、前記ライトエミッターの発光強度をモニタリングするモニタ用フォトダイオードをさらに備えることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の光モジュール。
【請求項５】
前記第１及び第２のプラットフォーム本体の少なくとも一部及び前記ダイパッドの少なくとも一部を一体的に覆う封止部材をさらに備えることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の光モジュール。
【請求項６】
前記第１のプラットフォーム本体と前記第２のプラットフォーム本体が前記ダイパッド上において並列に配置されていることを特徴とする請求項５に記載の光モジュール。
【請求項７】
前記第１のプラットフォーム本体が前記第２のプラットフォーム本体上に載置されていることを特徴とする請求項５に記載の光モジュール。
【請求項８】
前記光ファイバ、前記受信用フォトダイオード、前記ライトエミッター又は前記フィルタの少なくとも一部を覆うシリコーンジェルをさらに備えることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の光モジュール。
【請求項９】
前記モニタ用フォトダイオードの出力を受けてその信号を処理し、及び／又は、前記ライトエミッターを駆動する少なくとも一つのＩＣをさらに備えることを特徴とする請求項１乃至８に記載の光モジュール。
【請求項１０】
前記ＩＣが前記第２のプラットフォーム本体上又は前記第１のプラットフォーム本体上に搭載されていることを特徴とする請求項９に記載の光モジュール。
【請求項１１】
前記ＩＣが前記ダイパッド上に搭載されていることを特徴とする請求項９に記載の光モジュール。
【請求項１２】
少なくとも一部が前記封止部材によって覆われた複数のリードをさらに備えることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の光モジュール。
【請求項１３】
前記複数のリードは、前記封止部材からなるパッケージ本体から導出されていることを特徴とする請求項１２に記載の光モジュール。
【請求項１４】
前記複数のリードは、前記封止部材からなるパッケージ本体の実装面において終端していることを特徴とする請求項１２に記載の光モジュール。
【請求項１５】
前記ダイパッドは、前記プラットフォーム本体から見て、前記封止部材からなるパッケージ本体の実装面とは反対側の面に位置していることを特徴とする請求項１乃至１４のいずれか１項に記載の光モジュール。
【請求項１６】
前記ダイパッドがプリント基板上に設けられていることを特徴とする請求項１乃至１５のいずれか１項に記載の光モジュール。
【請求項１７】
光信号を送受信するための光モジュールの製造方法であって、送信すべき光信号を発生するライトエミッターを少なくとも備える第２のプラットフォーム本体をダイパッド上に搭載する工程と、光ファイバ、前記光ファイバを介して受信する光信号を光電変換する受信用フォトダイオード及び送信すべき光信号と受信する光信号とを分離するフィルタを少なくとも備える第１のプラットフォーム本体を前記ダイパッド上又は前記第２のプラットフォーム本体上に搭載する工程と、前記光ファイバの前記ライトエミッターと反対側の端部が露出するように、前記第２のプラットフォーム本体及び第１のプラットフォーム本体を封止部材によって封止する工程とを備えることを特徴とする光モジュールの製造方法。
【請求項１８】
前記第２のプラットフォーム本体を前記ダイパッド上に搭載した後スクリーニングテストを行い、その後、前記第１のプラットフォーム本体を前記ダイパッド上に搭載することを特徴とする請求項１７に記載の光モジュールの製造方法。
【請求項１９】
前記光ファイバ、前記受信用フォトダイオード、前記ライトエミッター又は前記フィルタの少なくとも一部を覆うシリコーンジェルを塗布する工程をさらに備えることを特徴とする請求項１７又は１８に記載の光モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】  本発明は光モジュール及びその製造方法に関し、さらに詳細には、簡単な工程で作成することができ、且つ、低コストを実現可能な光モジュール及びその製造方法に関する。
【背景技術】  近年におけるインターネットの発展により、人々は多くの情報にリアルタイムにアクセスし、また多くの情報を扱うことが可能となっている。情報の伝送には、銅線、光ファイバ、無線通信等が用いられているが、大容量の情報を高速に伝送するためには光ファイバが特に優れており、今後、各家庭に光ファイバが敷設されることになるものと予想される。
しかしながら、端末側における情報処理には光信号ではなく電気信号が用いられることから、端末間を光ファイバにより接続する場合には、光ファイバと端末との間にいわゆる光モジュールを介在させる必要がある。光モジュールは、光ファイバより受信した光信号を電気信号に変換して端末に供給するとともに、端末より与えられた電気信号を光信号に変換して光ファイバに供給するための装置であり、従来より種々のタイプの光モジュールが提案されている。
第２６図は、従来の光モジュールの構造を示す概略図である。
第２６図に示す光モジュール１０は、ＷＤＭ（波長分割多重）方式による送受信が可能な光モジュールであり、ＷＤＭフィルタ１１と、レーザダイオード（ＬＤ）１２と、フォトダイオード（ＰＤ）１３と、光学レンズ１４，１５とがパッケージ１６に収容された構造を有する。ＷＤＭフィルタ１１は、送信に用いられる波長（例えば約１．３μｍ）の光を透過し、受信に用いられる波長（例えば約１．５５μｍ）の光を反射する光学フィルタであり、光路上に配置されている。レーザダイオード１２は、供給された電気信号を光信号に変換するための素子であり、レーザダイオード１２より発せられた例えば波長約１．３μｍの光は、光学レンズ１４及びＷＤＭフィルタ１１を介して光ファイバ１７へ供給される。また、フォトダイオード１３は、受信した光信号を電気信号に変換するための素子であり、光ファイバ１７より供給された例えば波長約１．５５μｍの光は、ＷＤＭフィルタ１１によって反射した後、光学レンズ１５を介してフォトダイオード１３に与えられ、電気信号に変換される。これにより、光ファイバ１７より受信した光信号を電気信号に変換して端末に供給するとともに、端末より与えられた電気信号を光信号に変換して光ファイバ１７に供給することが可能となる。尚、以上例示した光の波長は、第２６図に示す光モジュール１０が各家庭に配置された端末に設けられる場合であり、基地局側に光モジュール１０が配置される場合には、送信に用いられる波長と受信に用いられる波長が逆となる。
しかしながら、第２６図に示すタイプの光モジュール１０は、各素子の位置決めに高い精度が要求され、場合によっては人手による微調整等を行う必要がある。このため製造効率が低く、大量生産に適さないという問題があった。
第２７図は、従来の他のタイプの光モジュールの構造を示す概略図である。
第２７図に示す光モジュール２０はいわゆる埋め込み型光導波路型の光モジュールであり、基板２１と、基板２１上に設けられたクラッド層２２と、クラッド層２２の所定の領域に設けられたコア領域２３ａ〜２３ｃと、基板２１及びクラッド層２２に設けられた溝に挿入されたＷＤＭフィルタ２４と、コア領域２３ｂの末端に隣接して設けられたレーザダイオード２５と、コア領域２３ｃの末端に隣接して設けられたフォトダイオード２６と、レーザダイオード２５の出力をモニタリングするモニタ用フォトダイオード２７とを備えている。このようなタイプの光モジュールにおいては、クラッド層２２及びコア領域２３ａからなる光導波路が図示しない光ファイバに接続され、これによってＷＤＭ（波長分割多重）方式による送受信が行われる。
つまり、レーザダイオード２５より発せられた送信波長（例えば約１．３μｍ）の光は、クラッド層２２及びコア領域２３ｂからなる光導波路を伝搬した後、ＷＤＭフィルタ２４を介してクラッド層２２及びコア領域２３ａからなる光導波路に供給され、図示しない光ファイバへ送出される。また、図示しない光ファイバより供給された受信波長（例えば約１．５５μｍ）の光は、クラッド層２２及びコア領域２３ａからなる光導波路を伝搬した後、ＷＤＭフィルタ２４を介してクラッド層２２及びコア領域２３ｃからなる光導波路に供給され、最終的にフォトダイオード２６に与えられる。また、レーザダイオード２５の出力は、モニタ用フォトダイオード２７によってモニタリングされ、これによってレーザダイオード２５の出力が最適化される。
このようなタイプの光モジュール２０は、第２６図に示すタイプの光モジュール１０に比べて小型であり、且つ、人手による微調整等を行う必要がないため量産性が高いが、非常に高価であり、しかも光ファイバと光導波路との接続に高い精度が要求されるという問題があった。このため、簡単な工程で作成することができ、且つ、低コストを実現可能な光モジュールが望まれている。
【発明の開示】
したがって、本発明の目的は、改良された光モジュール及びその製造方法を提供することである。
また、本発明の他の目的は、低コストを実現可能な光モジュール及びその製造方法を提供することである。
また、本発明のさらに他の目的は、簡単な工程で作成することが可能な光モジュール及びその製造方法を提供することである。
本発明のかかる目的は、ダイパッドと、前記ダイパッド上に搭載された第１及び第２のプラットフォーム本体を含む少なくとも二つのプラットフォーム本体と、前記第１のプラットフォーム本体に固定された光ファイバと、前記第２のプラットフォーム本体上に搭載され前記光ファイバを介して送信すべき光信号を発生するライトエミッターとを備えることを特徴とする光モジュールによって達成される。
本発明によれば、少なくとも光ファイバが搭載された第１のプラットフォームと、ライトエミッターが搭載された第２のプラットフォームとを別個に作製することができるので、設計変更が容易となる。また、第１のプラットフォームと第２のプラットフォームとをダイパッド上において離れて搭載すれば、ライトエミッターから発生する熱が第１のプラットフォーム側に伝わりにくくなるので、信頼性を高めることが可能となり、さらに、製造時において各工程の温度制御が容易となる。例えば、第２のプラットフォーム本体を先に搭載し、ライトエミッター等を固定した後で、第１のプラットフォーム本体を固定すれば、ライトエミッター等を固定する際に与える熱の影響を第１のプラットフォーム上の各部品は全く受けることなく製造することが可能となる。さらに、ダイパッド上にまず第２のプラットフォームを搭載し、スクリーニングテストを行ってから第１のプラットフォームを搭載すれば、初期不良を有する仕掛品に対して無駄な工程を施す必要がなく、製造コストを抑制することが可能となる。
尚、前記第１のプラットフォーム本体と前記第２のプラットフォーム本体を前記ダイパッド上において並列に配置しても構わないし、前記第１のプラットフォーム本体を前記第２のプラットフォーム本体上に載置しても構わない。いずれの場合においても、ダイパッド上にまず第２のプラットフォームを搭載し、スクリーニングテストを行ってから第１のプラットフォームを搭載すれば、初期不良を有する仕掛品に対して無駄な工程を施す必要がなくなる。
本発明の好ましい実施態様において、前記光モジュールは、前記第１のプラットフォーム本体上に搭載され前記光ファイバを介して受信する光信号を光電変換する受信用フォトダイオードと、前記受信用フォトダイオードと前記ライトエミッターとの間において前記光ファイバを分断するように設けられたフィルタとをさらに備えている。また、前記光モジュールは、前記光ファイバの一端を収容するフェルールをさらに備えている。
本発明のさらに好ましい実施態様において、前記光モジュールは、前記第２のプラットフォーム本体に搭載され、前記ライトエミッターの発光強度をモニタリングするモニタ用フォトダイオードをさらに備えている。これによれば、ライトエミッターの発光強度を最適化することができるばかりでなく、容易にスクリーニングテストを行うことが可能となる。
本発明のさらに好ましい実施態様において、前記光モジュールは、前記第１及び第２のプラットフォーム本体の少なくとも一部及び前記ダイパッドの少なくとも一部を一体的に覆う封止部材をさらに備えている。これによれば、ダイパッド上に搭載された少なくとも二つのプラットフォーム本体が一体的に封止されていることから、その取り扱いが非常に簡易である。しかも、従来の光モジュールとは異なり人手による微調整等が不要であることから製造効率が高く、また、埋め込み型光導波路を用いた光モジュールとは異なり比較的低コストを実現可能である。
本発明のさらに好ましい実施態様において、前記光モジュールは、前記光ファイバ、前記受信用フォトダイオード、前記ライトエミッター又は前記フィルタの少なくとも一部を覆うシリコーンジェルをさらに備えている。これによれば、光ファイバ、受信用フォトダイオード、ライトエミッター及び／又はフィルタを効果的に保護することが可能となる。
本発明のさらに好ましい実施態様において、前記光モジュールは、前記モニタ用フォトダイオードの出力を受けてその信号を処理し、及び／又は、前記ライトエミッターを駆動する少なくとも一つのＩＣをさらに備えている。この場合、前記ＩＣが前記第２のプラットフォーム本体上又は前記第１のプラットフォーム本体上に搭載されてもよく、前記ＩＣが前記ダイパッド上に搭載されていても構わない。
本発明のさらに好ましい実施態様において、前記光モジュールは、少なくとも一部が前記封止部材によって覆われた複数のリードをさらに備えている。これによれば、通常の半導体デバイスと同様、プリント基板上に実装することができるので、その取り扱いが非常に簡易となる。この場合、前記複数のリードは、前記封止部材からなるパッケージ本体から導出されていてもよいし、パッケージ本体の実装面において終端させても構わない。リードをパッケージ本体の実装面において終端させれば、プリント基板等への実装面積をより削減することができるので、最終製品をより小型化することが可能となる。
本発明のさらに好ましい実施態様において、前記ダイパッドは、前記プラットフォーム本体から見て、前記封止部材からなるパッケージ本体の実装面とは反対側の面に位置している。これによれば、パッケージ本体の上面側に位置するダイパッドがヒートシンクとして機能することから、非常に高い放熱特性を得ることができる。これにより、最終製品の信頼性の向上を実現することが可能となる。
尚、前記ダイパッドはプリント基板上に設けられていても構わない。
本発明の前記目的はまた、光信号を送受信するための光モジュールの製造方法であって、送信すべき光信号を発生するライトエミッターを少なくとも備える第２のプラットフォーム本体をダイパッド上に搭載する工程と、光ファイバ、前記光ファイバを介して受信する光信号を光電変換する受信用フォトダイオード及び送信すべき光信号と受信する光信号とを分離するフィルタを少なくとも備える第１のプラットフォーム本体を前記ダイパッド上又は前記第２のプラットフォーム本体上に搭載する工程と、前記光ファイバのライトエミッターと反対側の端部が露出するように、前記第２のプラットフォーム本体及び第１のプラットフォーム本体を封止部材によって封止する工程とを備えることを特徴とする光モジュールの製造方法によっても達成される。
本発明によれば、ライトエミッターを備えるＬＥプラットフォームと受信用フォトダイオード等を備えるＰＤプラットフォームをダイパッド上に搭載し、これらを一体的に封止していることから、作製された光モジュールの取り扱いが非常に簡易である。しかも、従来の光モジュールとは異なり人手による微調整等が不要であることから製造効率が高く、また、埋め込み型光導波路を用いた光モジュールとは異なり比較的低コストを実現可能である。
本発明の好ましい実施態様においては、前記第２のプラットフォーム本体を前記ダイパッド上に搭載した後スクリーニングテストを行い、その後、前記第１のプラットフォーム本体を前記ダイパッド上に搭載する。これによれば、初期不良を有する仕掛品について無駄な工程を施す必要がなく、製造コストを抑制することが可能となる。
本発明のさらに好ましい実施態様においては、前記光ファイバ、前記受信用フォトダイオード、前記ライトエミッター又は前記フィルタの少なくとも一部を覆うシリコーンジェルを塗布する工程をさらに備えている。これによれば、光ファイバ、受信用フォトダイオード、ライトエミッター及び／又はフィルタを効果的に保護することが可能となる。
【図面の簡単な説明】  第１図は、本発明の好ましい実施態様にかかる光モジュール１００の主要部分の構造を概略的に示す略平面図である。
第２図は、光モジュール１００の主要部分の構造を概略的に示す略側面図である。
第３図は、第１のプラットフォーム（ＰＤプラットフォーム）１１０の構造を概略的に示す斜視図である。
第４図は、第２のプラットフォーム（ＬＥプラットフォーム）１２０の構造を概略的に示す斜視図である。
第５図（ａ）は、光モジュール１００の外観を示す略上面図であり、第５図（ｂ）は、（ａ）に示すＡ−Ａ線に沿った略断面図である。
第６図は、光モジュール１００をプリント基板等に実装した状態を示す略上面図である。
第７図は、光モジュール１００の製造するための一工程（リードフレーム１０５の準備）を示す図である。
第８図は、光モジュール１００の製造するための一工程（プリモールド）を示す図である。
第９図は、光モジュール１００の製造するための一工程（リードフレーム１０５の所定部分１０５ｂ，１０５ｃ，１０５ｄの切断）を示す図である。
第１０図は、光モジュール１００の製造するための一工程（ＬＥプラットフォーム１２０の搭載）を示す図である。
第１１図は、光モジュール１００の製造するための一工程（ＰＤプラットフォーム１１０の搭載）を示す図である。
第１２図は、本発明の好ましい他の実施態様にかかる光モジュール２００の主要部分の構造を概略的に示す略平面図である。
第１３図は、光モジュール２００の主要部分の構造を概略的に示す略側面図である。
第１４図は、本発明の好ましいさらに他の実施態様にかかる光モジュール３００の主要部分の構造を概略的に示す略平面図である。
第１５図は、光モジュール３００の主要部分の構造を概略的に示す略側面図である。
第１６図は、本発明の好ましいさらに他の実施態様にかかる光モジュール４００の主要部分の構造を概略的に示す略平面図である。
第１７図は、光モジュール４００の主要部分の構造を概略的に示す略側面図である。
第１８図（ａ）は、本発明の好ましいさらに他の実施態様にかかる光モジュール５００の外観を示す略上面図であり、第１８図（ｂ）は、第１８図（ａ）に示すＢ−Ｂ線に沿った略断面図である。
第１９図（ａ）は、本発明の好ましいさらに他の実施態様にかかる光モジュール６００の外観を示す略上面図であり、第１９図（ｂ）は、第１９図（ａ）に示すＣ−Ｃ線に沿った略断面図である。
第２０図は、本発明にかかる光モジュールを内蔵する光コネクタの好ましい一例を示す外観図である。
第２１図は、本発明にかかる光モジュールを内蔵する光コネクタの好ましい他の例を示す外観図である。
第２２図は、ＰＤプラットフォーム及びＬＥプラットフォームをプリント基板上に搭載した実施態様による光モジュール８００の主要部を示す上面図である。
第２３図は、光モジュール８００の構造を概略的に示す略底面図である。
第２４図は、光モジュール８００を樹脂モールドした状態を示す上面図である。
第２５図は、光モジュール８００を樹脂モールドした状態を示す側面図である。
第２６図は、従来の光モジュールの構造を示す概略図である。
第２７図は、従来の他のタイプの光モジュールの構造を示す概略図である。
【発明を実施するための最良の形態】  以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施態様について詳細に説明する。
第１図は、本発明の好ましい実施態様にかかる光モジュール１００の構造を概略的に示す略平面図であり、第２図は、光モジュール１００の構造を概略的に示す略側面図である。以下に詳述するが、本実施態様にかかる光モジュール１００は最終的に樹脂封止され、主要部分が樹脂で覆われてしまうことから、第１図及び第２図には樹脂が取り除かれた状態が示されている。第１図及び第２図においてＭで示されている領域が最終的に樹脂封止される部分である。
第１図及び第２図に示すように、本実施態様にかかる光モジュール１００は、ダイパッド１０１と、複数のリード１０２と、ダイパッド１０１上に載置された第１のプラットフォーム１１０及び第２のプラットフォーム１２０とを備えている。
ダイパッド１０１及びリード１０２は、リードフレームを切断加工またはエッチング処理することにより形成された部分であり、いずれも金属によって構成されている。金属の種類については特に限定されないが、通常のリードフレームに用いられる金属、例えば、銅を主成分とする合金や、４２−ａｌｌｏｙ（Ａ４２）等鉄を主成分とする合金のように、導電性、熱伝導性、機械的強度等に優れた合金を用いることが好ましい。ダイパッド１０１及びリード１０２の厚みは、これらに求められる機械的強度を確保可能な範囲で薄く設定され、特に限定されるものではないが０．１ｍｍ〜０．２５ｍｍに設定することが好ましい。ダイパッド１０１の面積については、載置される第１のプラットフォーム１１０及び第２のプラットフォーム１２０の底面積に基づいて設定される。
第１のプラットフォーム１１０は、光ファイバを介して供給される光信号を電気信号に変換するために必要な各種部品が搭載されたプラットフォームであり、その単体の斜視図は、第３図に示されている。
第１図乃至第３図に示すように、第１のプラットフォーム１１０は、シリコン等からなる第１のプラットフォーム本体１１１と、第１のプラットフォーム本体１１１の上面に設けられた溝１１２と、溝１１２内に収容された光ファイバ１１３と、光ファイバ１１３の一端に設けられたフェルール１１４と、溝１１２を横切るように第１のプラットフォーム本体１１１の上面に設けられたスリット１１５と、スリット１１５に挿入されたＷＤＭフィルタ１１６と、第１のプラットフォーム本体１１１の上面に搭載された受信用フォトダイオード１１７及び受信用ＩＣ１１８と、第１のプラットフォーム本体１１１の上面や受信用フォトダイオード１１７及び受信用ＩＣ１１８等の上面に設けられたボンディングパッド１１９とを備えている。なお、本実施態様及び後述する他の実施態様においては、第１のプラットフォームをＰＤ（Ｐｈｏｔｏｄｉｏｄｅ）プラットフォームということがあり、第１のプラットフォーム本体をＰＤプラットフォーム本体ということがある。
ＰＤプラットフォーム本体１１１は、シリコン等からなるブロック体である。ＰＤプラットフォーム本体１１１のうち、フェルール１１４が載置される部分には切り欠き１１１ａが設けられており、かかる切り欠き１１１ａによってフェルール１１４が支持される。このような切り欠き１１１ａは、化学的なエッチングや機械的なダイシングによって形成することが可能である。尚、図示しないが、ＰＤプラットフォーム本体１１１の上面には、酸化膜や窒化膜等の絶縁皮膜が形成されており、一部のボンディングパッド１１９や、受信用フォトダイオード１１７等が接続されるパッド電極・配線等は、いずれもこの絶縁皮膜上に設けられる。
溝１１２は、光ファイバ１１３を保持するための案内溝であり、光ファイバ１１３を収容可能な程度に十分な幅及び深さに設定されている。溝１１２についても、化学的なエッチングや機械的なダイシングによって形成することが可能である。溝１１２内に収容された光ファイバ１１３は、図示しない接着剤によって固定される。
光ファイバ１１３は、広く知られているように、コアとこれを取り囲むように設けられたクラッドからなる繊維状の光導波路であり、両者の屈折率の差を利用して光の伝搬を行うことが可能である。光ファイバ１１３の末端部は研磨により平滑面となっている。
フェルール１１４は、広く知られているように、光ファイバ１１３を保持可能な筒状体であり、光ファイバ１１３の一方の末端部はフェルール１１４内において終端している。これにより、末端部が研磨された他の光ファイバをフェルール１１４に挿入することによって、これら２つの光ファイバを光学的に結合させることが可能となる。
スリット１１５は、溝１１２を横切るようにＰＤプラットフォーム本体１１１の上面に設けられており、その幅及び深さは、この中に挿入されるＷＤＭフィルタ１１６のサイズに応じて設定される。スリット１１５の幅が必要以上に広すぎると回折損失が増大することから、特にスリット１１５の幅は、ＷＤＭフィルタ１１６の厚みよりも僅かに大きい程度に設定される。スリット１１５は、フェルール１１４側から光ファイバ１１３を伝搬する光がＷＤＭフィルタ１１６によって反射した場合に、その反射光がＰＤプラットフォーム本体１１１の上面方向に向かうよう、所定の角度をもって形成されている。特に限定されるものではないが、スリット１１５の角度としては、垂直面に対して３０°程度の角度に設定することが好ましい。スリット１１５についても化学的なエッチングや機械的なダイシングによって形成することが可能であるが、切り欠き１１１ａや溝１１２とは異なり、所定の角度を持って形成する必要があること、並びに、同時に光ファイバ１１３を切断する必要があることから、機械的なダイシングによって形成することが好ましい。
ＷＤＭフィルタ１１６は、送信に用いられる波長（例えば約１．３μｍ）の光を透過し、受信に用いられる波長（例えば約１．５５μｍ）の光を反射する光学フィルタである。ＷＤＭフィルタ１１６は、上述の通り所定の角度を持って形成されたスリット１１５内に挿入されていることから、フェルール１１４側から光ファイバ１１３を伝搬する受信波長の光をＰＤプラットフォーム本体１１１の上面方向に反射する一方、ＬＥプラットフォーム１２０側から光ファイバ１１３を伝搬する送信波長の光をフェルール１１４側へそのまま透過させる。尚、ＷＤＭフィルタ１１６が挿入されたスリット１１５は、図示しない光学樹脂によって満たされ、これによってＷＤＭフィルタ１１６はスリット１１５内に確実に固定される。
受信用フォトダイオード１１７は、ＷＤＭフィルタ１１６によって反射した受信波長の光をその底面において検出し、これを電気信号に変換する素子であり、溝１１２を跨ぐように、ＷＤＭフィルタ１１６からの反射光を受光可能な位置に搭載される。
受信用ＩＣ１１８は、少なくとも受信用フォトダイオード１１７の出力を受け、その信号を処理するための装置である。受信用ＩＣ１１８と受信用フォトダイオード１１７との間のデータの授受はＰＤプラットフォーム本体１１１の上面に設けられた配線パターン（図示せず）を介して行われ、受信用ＩＣ１１８と図示しない端末との間のデータの授受は、ボンディングパッド１１９及びリード１０２を介して行われる。また、第１図及び第３図に示すように受信用フォトダイオード１１７自体にボンディングパッド１１９を設ければ、受信用フォトダイオード１１７と図示しない端末との間における一部のデータの授受や電源供給を直接行うことができる。尚、本実施態様においては、ＰＤプラットフォーム１１０に１個の受信用ＩＣ１１８を搭載しているが、受信用ＩＣの搭載数としては１個に限定されず、２個以上であっても構わない。また、ＰＤプラットフォーム１１０に搭載されない他のＩＣによって受信用フォトダイオード１１７からの信号を処理する場合には、かかる受信用ＩＣ１１８を省略することも可能である。
以上が第１のプラットフォーム（ＰＤプラットフォーム）１１０の構成である。
第２のプラットフォーム１２０は、端末側より供給される電気信号を光信号に変換し、これを光ファイバ１１３を介して送出するために必要な各種部品が搭載されたプラットフォームであり、その単体の斜視図は、第４図に示されている。尚、第４図は、ダイパッド１０１に搭載される前の状態を示しており、このため第４図にはまだ光ファイバ１１３等は示されていない。
第１図、第２図及び第４図に示すように、第２のプラットフォーム１２０は、シリコン等からなる第２のプラットフォーム本体１２１と、第２のプラットフォーム本体１２１の上面に設けられたＶ溝１２２と、Ｖ溝１２２の末端部分を横切るように第２のプラットフォーム本体１２１の上面に設けられたトレンチ１２３と、第２のプラットフォーム本体１２１の上面に搭載されたライトエミッター１２４、モニタ用フォトダイオード１２５及び送信用ＩＣ１２６と、第２のプラットフォーム本体１２１の上面やモニタ用フォトダイオード１２５及び送信用ＩＣ１２６等の上面に設けられたボンディングパッド１２７とを備えている。なお、本実施態様及び後述する他の実施態様においては、第２のプラットフォームをＬＥ（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｅｒ）プラットフォームということがあり、第１のプラットフォーム本体をＬＥプラットフォーム本体ということがある。
ＬＥプラットフォーム本体１２１は、ＰＤプラットフォーム本体１１１と同様、シリコン等からなるブロック体である。図示しないが、ＬＥプラットフォーム本体１２１についても、その上面には、酸化膜や窒化膜等の絶縁皮膜が形成されており、一部のボンディングパッド１２７や、ライトエミッター１２４等が接続されるパッド電極・配線等は、いずれもこの絶縁皮膜上に設けられる。
Ｖ溝１２２は、これに沿って載置される光ファイバ１１３を正確に位置決めするための案内溝であり、光ファイバ１１３の端面がライトエミッター１２４の光出射面に正確に対向するよう、その形状が設定されている。Ｖ溝１２２についても、化学的なエッチングや機械的なダイシングによって形成することが可能であるが、光ファイバ１１３の位置決めを正確に行う必要があることから、化学的なエッチングによって形成することが好ましい。
トレンチ１２３は、Ｖ溝１２２の終端部を垂直面とするために設けられる。すなわち、Ｖ溝１２２を化学的なエッチングによって形成すると、その終端部もテーパー形状となってしまい、この場合、光ファイバ１１３の端面とライトエミッター１２４の光出射面とを正確に対向させることができなくなってしまう。光ファイバ１１３の端面とライトエミッター１２４の光出射面とを正確に対向させるためには、Ｖ溝１２２の終端部が垂直面である必要があり、これを実現するためにトレンチ１２３が設けられる。トレンチ１２３も、化学的なエッチングや機械的なダイシングによって形成することが可能である。
ライトエミッター１２４は、光ファイバ１１３へ送出する光を発生するための素子であり、レーザダイオード（ＬＤ）や発光ダイオード（ＬＥＤ）を用いることができる。ライトエミッター１２４は対向する２つの光出射面を有しており、その一方の光出射面はＶ溝１２２側に位置し、他方の光出射面はモニタ用フォトダイオード１２５側に位置している。したがって、ライトエミッター１２４が発する光の一部はＶ溝１２２によって位置決めされた光ファイバ１１３に供給され、残りはモニタ用フォトダイオード１２５に供給される。
モニタ用フォトダイオード１２５は、ライトエミッター１２４の他方の光出射面からの光を受光してその強度をモニタリングするために用いられる。モニタ用フォトダイオード１２５の出力は送信用ＩＣ１２６に供給され、これによってライトエミッター１２４の発光強度が最適化される。
送信用ＩＣ１２６は、少なくとも端末からの送信信号及びモニタ用フォトダイオード１２５の出力を受け、これら信号を処理してライトエミッター１２４を駆動するための装置である。送信用ＩＣ１２６とライトエミッター１２４及びモニタ用フォトダイオード１２５との間のデータの授受はＬＥプラットフォーム本体１２１の上面に設けられた配線パターン（図示せず）を介して行われ、送信用ＩＣ１２６と図示しない端末との間のデータの授受は、ボンディングパッド１２７及びリード１０２を介して行われる。また、第１図及び第４図に示すようにモニタ用フォトダイオード１２５等にボンディングパッド１２７を設ければ、モニタ用フォトダイオード１２５と図示しない端末との間における一部のデータの授受や電源供給を直接行うことができる。尚、本実施態様においては、ＬＥプラットフォーム１２０に１個の送信用ＩＣ１２６を搭載しているが、送信用ＩＣの搭載数としては１個に限定されず、２個以上であっても構わない。また、ＬＥプラットフォーム１２０に搭載されない他のＩＣによってライトエミッター１２４を駆動する場合には、かかる送信用ＩＣ１２６を省略することも可能である。
以上のような構成を有するＰＤプラットフォーム１１０及びＬＥプラットフォーム１２０をダイパッド１０１上に並べて載置し、第１図に示すようにボンディングパッド１１９，１２７とリード１０２とをボンディングワイヤ１０３によって接続し、さらに、領域Ｍを樹脂封止することによって本実施態様にかかる光モジュール１００が完成する。
第５図（ａ）は、本実施態様にかかる光モジュール１００の外観を示す略上面図であり、第５図（ｂ）は、第５図（ａ）に示すＡ−Ａ線に沿った略断面図である。第５図（ａ），（ｂ）に示すように、本実施態様にかかる光モジュール１００は、樹脂からなる略直方体形状のパッケージ本体１０４と、パッケージ本体１０４の対向する２つの面から導出され、パッケージ本体１０４の実装面１０４ａ方向に折り曲げられた複数のリード１０２と、リード１０２の導出面とは異なる面から導出されたフェルール１１４とからなる外観を有している。つまり、パッケージングされた通常の半導体デバイスと類似する外観を有している。このため、通常の半導体デバイスと同様、プリント基板上に実装することができ、その取り扱いは非常に簡易である。
第６図は、光モジュール１００をプリント基板等に実装した状態を示す略上面図である。第６図に示すように、本実施態様にかかる光モジュール１００をプリント基板等に実装する場合、プリント基板等の表面に設けられた電極パターン３１と光モジュール１００のリード１０２とを半田等によって電気的及び機械的に接続するとともに、フェルール１１４内に他の光ファイバ３２を挿入し、固定する。これにより、光モジュール１００は、電極パターン３１を介して所定の端末装置と電気通信を行うことが可能となるとともに、光ファイバ３２を介して他の端末と光通信を行うが可能となる。
次に、本実施態様にかかる光モジュール１００の製造方法について説明する。
まず、ＰＤプラットフォーム１１０の製造方法について説明する。ＰＤプラットフォーム１１０の製造においては、まずＰＤプラットフォーム本体１１１となるシリコン等のブロック体を用意し、その上面に酸化膜や窒化膜等の絶縁皮膜を形成し、さらに、絶縁皮膜上にボンディングパッド１１９等の電極や配線パターンを形成した後、化学的なエッチングや機械的なダイシングによってＰＤプラットフォーム本体１１１に切り欠き１１１ａ及び溝１１２を形成する。但し、絶縁皮膜及び電極等の形成の前に、切り欠き１１１ａ及び溝１１２の形成を行っても構わないし、絶縁皮膜を形成した後、切り欠き１１１ａ及び溝１１２の形成を行い、その後電極等を形成しても構わない。
一方、両端面が研磨された光ファイバ１１３を別途用意し、その一端をフェルール１１４に挿入し固定する。このようにして一端にフェルール１１４が設けられた光ファイバ１１３を溝１１２内に収容し、接着剤によって光ファイバ１１３を溝１１２内に固定する。このとき、第３図に示すように、光ファイバ１１３がＰＤプラットフォーム本体１１１より所定の長さだけ飛び出した状態とする必要がある。
次に、化学的なエッチングや機械的なダイシング、好ましくは機械的なダイシングによってスリット１１５を形成し、この中にＷＤＭフィルタ１１６を挿入する。そして、スリット１１５の空隙部分を光学樹脂によって埋め、ＷＤＭフィルタ１１６をスリット１１５内に固定する。
そして、ＰＤプラットフォーム本体１１１上に設けられた電極パターン上に受信用フォトダイオード１１７及び受信用ＩＣ１１８を搭載することにより、ＰＤプラットフォーム１１０が完成する。
次に、ＬＥプラットフォーム１２０の製造方法について説明する。ＬＥプラットフォーム１２０の製造においては、ＰＤプラットフォーム１１０の製造と同様、まずＬＥプラットフォーム本体１２１となるシリコン等のブロック体を用意し、その上面に酸化膜や窒化膜等の絶縁皮膜を形成し、さらに、絶縁皮膜上にボンディングパッド１２７等の電極や配線パターンを形成した後、化学的なエッチングや機械的なダイシング、好ましくは化学的なエッチングによってＬＥプラットフォーム本体１２１にＶ溝１２２を形成した後、化学的なエッチングや機械的なダイシング、好ましくは機械的なダイシングによってＬＥプラットフォーム本体１２１にトレンチ１２３を形成する。但し、絶縁皮膜及び電極等の形成の前に、Ｖ溝１２２及びトレンチ１２３の形成を行っても構わないし、絶縁皮膜を形成した後、Ｖ溝１２２及びトレンチ１２３の形成を行い、その後電極等を形成しても構わない。しかしながら、トレンチ１２３については少なくともＶ溝１２２の形成後に行う必要がある。
そして、ＬＥプラットフォーム本体１２１上に設けられた電極パターン上にライトエミッター１２４、モニタ用フォトダイオード１２５及び送信用ＩＣ１２６を搭載することにより、ＬＥプラットフォーム１２０が完成する。
次に、このようにして作製されたＰＤプラットフォーム１１０及びＬＥプラットフォーム１２０のダイパッド１０１への搭載方法について説明する。
まず、第７図に示すように、ダイパッド１０１及びリード１０２を含むリードフレーム１０５を用意する。このようなリードフレーム１０５は、金属板の打ち抜き加工又はエッチング加工によって作製することが可能である。次に、第８図に示すように、ＰＰＳ（ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅｓｕｌｆｉｄｅ）等の樹脂１０６によって、ダイパッド１０１とリード１０２の一方の先端部分とを連結し、さらに、各リード１０２とリードフレーム１０５の外枠１０５ａとを連結する（プリモールド）。
このようなプリモールドを行った後、第９図に示すように、リードフレーム１０５のうちダイパッド１０１とリード１０２とを接続している部分１０５ｂ、リード１０２同士を接続している部分１０５ｃ、さらにはリード１０２とリードフレーム１０５の外枠１０５ａとの間の部分１０５ｄをそれぞれ切断し、これにより、ダイパッド１０１、リード１０２及びリードフレーム１０５の外枠部分を互いに電気的に分離する。この状態においても、樹脂１０６によってダイパッド１０１とリード１０２、さらには、リード１０２とリードフレーム１０５の外枠部分１０５ａとが連結されていることから、機械的には一体的な状態が保たれている。
次に、第１０図に示すように、ダイパッド１０１の所定の部分にＬＥプラットフォーム１２０を搭載し、ボンディングパッド１２７と所定のリード１０２とをボンディングワイヤ１０３によって電気的に接続する。次に、この状態において、ボンディングワイヤ１０３に接続されたリード１０２を介してＬＥプラットフォーム１２０に電気信号を送信し、スクリーニングテストを行う。スクリーニングテストは、ライトエミッター１２４に例えば数百ｍＡの動作電流を数時間に亘って流し続けることによって初期不良のあるライトエミッター１２４を発見することを目的とするテストであり、モニタ用フォトダイオード１２５より得られる検出信号の強度を監視することによって、ライトエミッター１２４の初期不良を発見することができる。以降の製造工程は、スクリーニングテストをパスした仕掛品についてのみ行われ、スクリーニングテストにおいてライトエミッター１２４等の初期不良が発見された仕掛品には、以降の工程は施されない。これによって、無駄な工程を省くことができる。
スクリーニングテストをパスした場合、第１１図に示すようにダイパッド１０１の所定の部分にＰＤプラットフォーム１１０を搭載し、光ファイバ１１３をＶ溝１２２に沿って配置することにより、光ファイバ１１３の端面をライトエミッター１２４の発光面に正確に対向させる。次に、Ｖ溝１２２に載置された光ファイバ１１３に接着剤１２８（第１図及び第２図参照）を塗布し、これを硬化させることによって、光ファイバ１１３をＶ溝１２２に固定する。接着剤１２８の材料としては、特に限定されるものではないが、熱硬化性又は紫外線硬化性樹脂を用いることができる。また、接着剤１２８の代わりに、シリコンや石英等の蓋によって光ファイバ１１３を固定しても構わない。
次に、ボンディングパッド１１９と所定のリード１０２とをボンディングワイヤ１０３によって電気的に接続した後、受信用フォトダイオード１１７やライトエミッター１２４等の全ての光学素子上に図示しないシリコーンジェルを塗布する。かかるシリコーンジェルは、主に、ライトエミッター１２４と光ファイバ１１３間における光信号の伝搬を確保するとともに、ライトエミッター１２４等の各光学素子を外部からの機械的ストレスから保護する緩衝材としての役割を果たし、外部からの機械的ストレスはシリコーンジェルによって吸収される。
そして、第１図及び第２図に示す領域Ｍを樹脂モールドし、リード１０２を切断することによって光モジュール１００が完成する。
このように、本実施態様による光モジュール１００は、一つのダイパッド１０１上にＰＤプラットフォーム１１０とＬＥプラットフォーム１２０が搭載され、これらが一体的に樹脂封止されていることから、その取り扱いが非常に簡易である。しかも、第２６図に示した従来の光モジュール１０とは異なり人手による微調整等が不要であることから製造効率が高く、また、第２７図に示した従来の埋め込み型光導波路を用いた光モジュール２０とは異なり比較的低コストを実現可能である。
また、ダイパッド１０１上にまずＬＥプラットフォーム１２０を搭載し、その後ＰＤプラットフォーム１１０を搭載すれば、ＬＥプラットフォーム１２１本体上にライトエミッター１２４等を搭載する際に与えられる熱がＰＤプラットフォーム１１０に影響を与えることがないので、製造時において各工程の温度制御が容易となる。
さらに、本実施態様による光モジュール１００の製造においては、ダイパッド１０１上にまずＬＥプラットフォーム１２０を搭載し、スクリーニングテストを行ってからＰＤプラットフォーム１１０を搭載しているので、初期不良を有する仕掛品について無駄な工程を施す必要がなく、製造コストを抑制することが可能となる。
尚、上記光モジュール１００においては、受信用ＩＣ１１８をＰＤプラットフォーム本体１１１上に搭載し、送信用ＩＣ１２６をＬＥプラットフォーム本体１２１上に搭載しているが、本発明においては、これらＩＣをダイパッド１０１上に搭載しても構わない。次に、受信用ＩＣ及び送信用ＩＣをダイパッド１０１上に搭載した実施態様について説明する。
第１２図は、本発明の好ましい他の実施態様にかかる光モジュール２００の構造を概略的に示す略平面図であり、第１３図は、光モジュール２００の構造を概略的に示す略側面図である。尚、光モジュール２００についても最終的に樹脂封止され、主要部分が樹脂で覆われてしまうことから、第１２図及び第１３図には樹脂が取り除かれた状態が示されている。さらに、第１２図及び第１３図においては、リード及びボンディングワイヤについての図示も省略されている。
第１２図及び第１３図に示すように、本実施態様にかかる光モジュール２００は、上記実施態様にかかる光モジュール１００と同様に、ダイパッド２０１上に載置されたＰＤプラットフォーム２１０及びＬＥプラットフォーム２２０とを備えているが、受信用ＩＣ２１８及び送信用ＩＣ２２６がダイパッド２０１上に搭載されている点において上記実施態様にかかる光モジュール１００と相違している。その他については光モジュール１００と同様である。
本実施態様にかかる光モジュール２００は、上記実施態様にかかる光モジュール１００と同様の効果を得ることができるとともに、受信用ＩＣ２１８及び送信用ＩＣ２２６がＰＤプラットフォーム本体２１１及びＬＥプラットフォーム本体２２１ではなく、ダイパッド２０１上に載置されていることから、これらプラットフォーム本体２１１，２２１を小型化することができる。このため、材料コストを削減することができるばかりでなく、所定の加工を施したシリコンウェハ等を分割することにより複数のプラットフォーム本体２１１，２２１を多数個取りする場合には、一度により多くのプラットフォーム本体２１１，２２１を作製することができることから、製造コストを削減することも可能となる。
尚、本実施態様にかかる光モジュール２００においては、２個のＩＣをダイパッド２０１上に搭載しているが、ダイパッド２０１上に搭載するＩＣの数は１個でもよいし、３個以上であっても構わない。また、所定のＩＣをダイパッド２０１に搭載するとともに、他のＩＣをＰＤプラットフォーム本体２１１及び／又はＬＥプラットフォーム本体２２１上に搭載しても構わない。
また、上記光モジュール１００（２００）においては、ＰＤプラットフォーム１１０（２１０）とＬＥプラットフォーム１２０（２２０）とをいずれもダイパッド１０１（２０１）上に搭載しているが、本発明において、ＰＤプラットフォームをダイパッドではなくＬＥプラットフォーム上に搭載しても構わない。次に、ＰＤプラットフォームをＬＥプラットフォーム上に搭載した実施態様について説明する。
第１４図は、本発明の好ましいさらに他の実施態様にかかる光モジュール３００の構造を概略的に示す略平面図であり、第１５図は、光モジュール３００の構造を概略的に示す略側面図である。尚、光モジュール３００についても最終的に樹脂封止され、主要部分が樹脂で覆われてしまうことから、第１４図及び第１５図には樹脂が取り除かれた状態が示されている。さらに、第１４図及び第１５図においては、リード及びボンディングワイヤについての図示も省略されている。
第１４図及び第１５図に示すように、本実施態様にかかる光モジュール３００は、上記実施態様にかかる光モジュール１００と同様、ダイパッド３０１上に搭載されたＰＤプラットフォーム３１０及びＬＥプラットフォーム３２０とを備えているが、ＰＤプラットフォーム３１０がダイパッド３０１上ではなく、ＬＥプラットフォーム３２０のＬＥプラットフォーム本体３２１が有する搭載領域３２１ａ上に搭載されている点において上記実施態様にかかる光モジュール１００と相違している。その他については光モジュール１００と同様である。
本実施態様にかかる光モジュール３００は、上記実施態様にかかる光モジュール１００と同様の効果を得ることができるとともに、ＰＤプラットフォーム３１０とＬＥプラットフォーム３２０がほぼ一体的となることから、熱応力によりダイパッド３０１が多少変形した場合であっても、ライトエミッター１２４と光ファイバ１１３との位置関係が変化し難いという利点を有する。
さらに、上記光モジュール１００（２００，３００）においては、光信号の送信機能と受信機能の両方を備えているが、本発明においては、光モジュールが送信機能のみを備えていても構わない。
第１６図は、本発明の好ましい他の実施態様にかかる光モジュール４００の構造を概略的に示す略平面図であり、第１７図は、光モジュール４００の構造を概略的に示す略側面図である。尚、光モジュール４００についても最終的に樹脂封止され、主要部分が樹脂で覆われてしまうことから、第１６図及び第１７図においては樹脂が取り除かれた状態が示されている。さらに、第１６図及び第１７図においては、リード及びボンディングワイヤについての図示も省略されている。
第１６図及び第１７図に示すように、本実施態様にかかる光モジュール４００は、光信号の送信機能のみを備えている点が上記各実施態様にかかる光モジュールと相違している。すなわち、第１のプラットフォーム本体１１１には、ＷＤＭフィルタ１１６、受信用フォトダイオード１１７、受信用ＩＣなどが搭載されておらず、ＷＤＭフィルタ１１６が挿入されるスリット１１５も有していない。さらに本実施態様においては、フェルール１１４に収容された状態の光ファイバではなく、光ファイバ素線４１３ａが第１のプラットフォーム本体１１１上に直接搭載されている。その他の構成については光モジュール１００と同様である。一般に光ファイバは被覆されており、第１のプラットフォーム本体１１１から飛び出している部分の光ファイバ４１３の被覆４１３ｂはそのまま残されるが、第１のプラットフォーム本体１１１上に搭載される部分の被覆４１３ｂは除去され、第１のプラットフォーム本体１１１上に形成されたＶ溝内には光ファイバ素線４１３ａが固定される。
本実施態様にかかる光モジュール４００によれば、受信機能が不要な場合であっても、上記各実施態様にかかる光モジュール１００乃至３００と同様の効果を得ることができる。すなわち、第２のプラットフォーム本体上にライトエミッター等を搭載する際に与えられる熱が第１のプラットフォームに悪影響を与えることを防止することができ、さらにはダイパッド上に第２のプラットフォームを搭載し、スクリーニングテストを行った後に、第１のプラットフォームを搭載することが可能となる。さらに本実施態様によれば、受信機能が不要になる分だけ部品点数が少なく、光ファイバの先端部をフェルールに収容する手間も不要となるため、製造工程を簡単化することができ、製造コストを低減することが可能となる。
さらに、本発明による光モジュールのパッケージ形状としては、第５図に示すパッケージ形状に限定されず、他のパッケージ形状を採用しても構わない。次に、他のパッケージ形状を用いた実施態様について説明する。
第１８図（ａ）は、本発明の好ましいさらに他の実施態様にかかる光モジュール５００の外観を示す略底面図であり、第１８図（ｂ）は、第１８図（ａ）に示すＢ−Ｂ線に沿った略断面図である。本実施態様にかかる光モジュール５００は、上記実施態様にかかる光モジュール１００と比べ、パッケージ形状が異なる他は同様の構成を有している。すなわち、ダイパッド１０１上にＰＤプラットフォーム１１０とＬＥプラットフォーム１２０が搭載された構成を有している。
第１８図（ａ），（ｂ）に示すように、本実施態様にかかる光モジュール５００のパッケージは、光モジュール１００のパッケージと同様、樹脂からなる略直方体形状のパッケージ本体５０４を有しているが、リード５０２がパッケージ本体５０４から突出しておらず、パッケージ本体５０４の実装面５０４ａにおいて終端している。本実施態様によれば、光モジュール１００に比べ、プリント基板等への実装面積をより削減することができるので、最終製品をより小型化することが可能となる。
第１９図（ａ）は、本発明の好ましいさらに他の実施態様にかかる光モジュール６００の外観を示す略上面図であり、第１９図（ｂ）は、第１９図（ａ）に示すＣ−Ｃ線に沿った略断面図である。本実施態様にかかる光モジュール６００についても、上記実施態様にかかる光モジュール１００と比べ、パッケージ形状が異なる他は同様の構成を有している。すなわち、ダイパッド１０１上にＰＤプラットフォーム１１０とＬＥプラットフォーム１２０が搭載された構成を有している。
第１９図（ａ），（ｂ）に示すように、本実施態様にかかる光モジュール６００のパッケージは、上記実施態様にかかる光モジュール５００のパッケージと同様、樹脂からなる略直方体形状のパッケージ本体６０４及びパッケージ本体６０４の実装面６０４ａにおいて終端するリード６０２を有しているとともに、パッケージ本体６０４の上面、すなわち、パッケージ本体６０４の実装面６０４ａとは反対側の面においてダイパッド１０１の裏面が露出している。つまり、本実施態様においては、ダイパッド１０１、ＰＤプラットフォーム１１０及びＬＥプラットフォーム１２０からなる部分が光モジュール１００とが上下逆に配置されており、ダイパッド１０１の裏面がパッケージ本体６０４の上面において露出するように樹脂封止されている。
本実施態様によれば、上記光モジュール５００と同様、プリント基板等への実装面積をより削減することができるばかりでなく、パッケージ本体６０４の上面において露出したダイパッド１０１がヒートシンクとして機能することから、非常に高い放熱特性を得ることができる。これにより、最終製品の小型化と信頼性の向上を実現することが可能となる。尚、本実施態様では、ダイパッド１０１の裏面を直接露出させているが、ダイパッド１０１の裏面に別途ヒートシンク部材を貼り付け、これを露出させることにより放熱を行っても構わない。
次に、本発明にかかる光モジュールを内蔵する光コネクタの好ましい外形について説明する。
第２０図は、本発明にかかる光モジュールを内蔵する光コネクタの好ましい一例を示す外観図である。第２０図に示す例による光コネクタ７００は、本発明にかかる光モジュール（図示せず）とこれを収容する筐体７０１とを備えており、筐体７０１のうち幅が狭くなっている接続部分７０１ａの一端からはフェルール１１４が突出し、さらに、接続部分７０１ａの側面には係止部７０２が設けられている。これにより、第２０図に示す光コネクタ７００は、接続部分７０１ａを着脱可能な他の光コネクタ（図示せず）の接続部分に挿入し、係止部７０２によって両者を固定することによってこれら光コネクタ同士を光学的及び機械的に接続することが可能となる。
第２１図は、本発明にかかる光モジュールを内蔵する光コネクタの好ましい他の例を示す外観図である。第２１図に示す例による光コネクタ７２０は、第２０図に示した光コネクタ７００とは異なり、筐体７２１に狭くなっている部分がなく、フェルール１１４が突出している部分自体が接続部分７２１ａを構成している。第２１図に示す光コネクタ７２０においても、接続部分７２１ａを着脱可能な他の光コネクタ（図示せず）の接続部分に挿入し、係止部７２２によって両者を固定することによってこれら光コネクタ同士を光学的及び機械的に接続することが可能となる。
さらに、本発明においてＰＤプラットフォーム及びＬＥプラットフォームを搭載するための部材としては、リードフレームのダイパッドに限定されず、ＰＤプラットフォーム及びＬＥプラットフォームを機械的に保持可能であり、且つ、ある程度の放熱性を有している限り、他の部材を用いても構わない。
第２２図は、ＰＤプラットフォーム及びＬＥプラットフォームをプリント基板上に搭載した実施態様による光モジュール８００を示す上面図であり、第２３図はその底面図である。本実施態様にかかる光モジュール８００についても、最終的に樹脂封止され主要部分が樹脂で覆われてしまうことから、第２２図及び第２３図には樹脂が取り除かれた状態が示されている。
第２２図に示すように、本実施態様においては、ＰＤプラットフォーム１１０及びＬＥプラットフォーム１２０がプリント基板８０１の上面に設けられたダイパッド８０２に搭載されており、ボンディングパッド１１９，１２７は、ボンディングワイヤ１０３を介してプリント基板８０１の上面に設けられたボンディングパッド８０３に接続されている。プリント基板８０１の材料としては、特に限定されるものではないが、樹脂やセラミックを用いることが好ましい。ダイパッド８０２やボンディングパッド８０３は、プリント基板８０１の表面のメタライズによって構成することが可能である。フェルール１１４については、第２２図に示すようにプリント基板８０１から突出した状態とすることが好ましい。
プリント基板８０１の底面には、第２３図に示すように、それぞれボンディングパッド８０３に接続された外部電極８０４が設けられており、他のプリント基板等に実装される場合には、かかる外部電極８０４を介して電気的に接続される。ボンディングパッド８０３と外部電極８０４との接続は、プリント基板８０１内に設けられた内部配線を（図示せず）介して行われる。外部電極８０４についても、プリント基板８０１の底面のメタライズによって構成することが可能である。
第２４図は、本実施態様にかかる光モジュール８００を樹脂モールドした状態を示す上面図であり、第２５図はその側面図である。第２４図及び第２５図に示すように、ダイパッド８０２及びボンディングパッド８０３の表面は最終的に樹脂８０５で覆われ、これによってＰＤプラットフォーム１１０やＬＥプラットフォーム１２０等の機能部分が保護される。ここで、第２４図及び第２５図に示すように、樹脂８０５の側面には係止部８０６を設けることが好ましく、このような係止部８０６を設ければ、本実施態様にかかる光モジュール８００を他の光コネクタ（図示せず）の接続部分に挿入し、係止部８０６によって両者を固定することによってこれら光コネクタ同士を光学的及び機械的に接続することが可能となる。このように、樹脂８０５の側面に係止部８０６を設ければ、光モジュール８００自体を着脱可能な光コネクタとして用いることが可能となる。
本発明は、以上の実施態様に限定されることなく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲内で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。
例えば、上記各実施態様においては、第１のプラットフォームや第２のプラットフォームを樹脂によって封止しているが、封止部材としては樹脂に限定されるものではなく、他の封止部材を用いても構わない。
以上説明したように、本発明にかかる光モジュールは、一つのダイパッド上に第１のプラットフォームと第２のプラットフォームが搭載され、各プラットフォームが独立していることから、その取り扱いが非常に簡易である。しかも、ダイパッド上にまず第２のプラットフォームを搭載し、その後第１のプラットフォームを搭載すれば、第２のプラットフォーム本体上にライトエミッター等を搭載する際に与えられる熱が第１のプラットフォームに影響を与えることがないので、製造時において各工程の温度制御が容易となる。
さらに、ダイパッド上にまず第２のプラットフォームを搭載し、スクリーニングテストを行ってから第１のプラットフォームを搭載すれば、初期不良を有する仕掛品について無駄な工程を施す必要がなく、製造コストを抑制することが可能となる。
また、従来の光モジュールとは異なり人手による微調整等が不要であることから製造効率が高く、また、埋め込み型光導波路を用いた光モジュールとは異なり比較的低コストを実現可能である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【国際調査報告】
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