(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（１）で表される化合物。
［ＨＯ−（ＣＨ２−Ｒ２−ＣＨ２Ｏ−Ａ−Ｏ）ｎ−ＣＨ２−Ｒ２−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２］ｐ−Ｒ１  （１）
式中ｎは０〜６の整数であり、Ａは−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２−で表される基である。Ｒ１はＣ６Ｈ６−ｐ、Ｃ６Ｈ５−ｑ−Ｏ−Ｃ６Ｈ５−ｒ、Ｃ１０Ｈ８−ｐの芳香族基である。ｐは３〜６の整数である。ｑ、ｒはそれぞれ０以上の整数であり、ｐ＝ｑ＋ｒである。Ｒ２は、−ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｘ（ＣＦ２Ｏ）ｙＣＦ２−又は−ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｚＣＦ２ＣＦ２−である。ｘ、ｙは、それぞれ０〜３０の実数である。ｚは１〜３０の実数である。
【請求項２】
ｘ、ｙが、それぞれ０〜２０であり、ｚが１〜２０である請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
式（１）の化合物を含有する潤滑剤。
［ＨＯ−（ＣＨ２−Ｒ２−ＣＨ２Ｏ−Ａ−Ｏ）ｎ−ＣＨ２−Ｒ２−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２］ｐ−Ｒ１  （１）
式中ｎは０〜６の整数であり、Ａは−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２−で表される基である。Ｒ１はＣ６Ｈ６−ｐ、Ｃ６Ｈ５−ｑ−Ｏ−Ｃ６Ｈ５−ｒ、Ｃ１０Ｈ８−ｐの芳香族基である。ｐは３〜６の整数である。ｑ、ｒはそれぞれ０以上の整数であり、ｐ＝ｑ＋ｒである。Ｒ２は、−ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｘ（ＣＦ２Ｏ）ｙＣＦ２−又は−ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｚＣＦ２ＣＦ２−である。ｘ、ｙは、それぞれ０〜３０の実数である。ｚは１〜３０の実数である。
【請求項４】
ｘ、ｙが、それぞれ０〜２０であり、ｚが１〜２０である請求項３に記載の潤滑剤。
【請求項５】
支持体上に少なくとも記録層、保護層を形成し、その表面に潤滑層を有する磁気ディスクにおいて、該潤滑層が下記式（１）で表される化合物を含有する磁気ディスク。
［ＨＯ−（ＣＨ２−Ｒ２−ＣＨ２Ｏ−Ａ−Ｏ）ｎ−ＣＨ２−Ｒ２−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２］ｐ−Ｒ１  （１）
式中ｎは０〜６の整数であり、Ａは−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２−で表される基である。Ｒ１はＣ６Ｈ６−ｐ、Ｃ６Ｈ５−ｑ−Ｏ−Ｃ６Ｈ５−ｒ、Ｃ１０Ｈ８−ｐの芳香族基である。ｐは３〜６の整数である。ｑ、ｒはそれぞれ０以上の整数であり、ｐ＝ｑ＋ｒである。Ｒ２は、−ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｘ（ＣＦ２Ｏ）ｙＣＦ２−又は−ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｚＣＦ２ＣＦ２−である。ｘ、ｙは、それぞれ０〜３０の実数である。ｚは１〜３０の実数である。
【請求項６】
ｘ、ｙが、それぞれ０〜２０であり、ｚが１〜２０である請求項５に記載の磁気ディスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、芳香族基と水酸基を有するパーフルオロポリエーテル化合物、これを含有する潤滑剤、ならびにこれを用いた磁気ディスクに関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気ディスクの記録密度の増大に伴い、記録媒体である磁気ディスクと情報の記録・再生を行うヘッドとの距離は殆ど接触するまで狭くなっている。磁気ディスク表面にはヘッドとの接触・摺動の際の摩耗抑制や、ディスク表面の汚染防止等の目的で、炭素保護膜や潤滑剤被膜が設けられている。
【０００３】
炭素保護膜は、一般にスパッタ法やＣＶＤ法で製膜される。ディスクの表面保護は、炭素保護膜と、この上層に位置する潤滑剤被膜の両者で担うことになるため、炭素保護膜と潤滑剤との相互作用が重要である。
【０００４】
潤滑剤としては一般に官能基を有するパーフルオロポリエーテルが用いられている。官能基としては、水酸基やアミノ基、さらにはシクロホスファゼン基などがある。具体的には、分子末端に水酸基を有する潤滑剤としてＳｏｌｖａｙ  Ｓｏｌｅｘｉｓ製のＦｏｍｂｌｉｎ  ＺＴＥＴＲＡＯＬ、さらには分子の一方の末端に水酸基、他方の末端にシクロホスファゼン基を有する松村石油研究所製のＰＨＯＳＦＡＲＯＬ  Ａ２０Ｈなどがある。さらに、分子末端に加えて分子鎖中にも水酸基を有する潤滑剤も提案されている（特許文献１参照）。
【０００５】
Ｆｏｍｂｌｉｎ  ＺＴＥＴＲＡＯＬは、分子両末端に位置する水酸基によりディスクへの良好な吸着性を示し、ディスクが高速回転しても飛散せず、潤滑剤被膜を維持することができる。また、ＰＨＯＳＦＡＲＯＬ  Ａ２０Ｈは、ディスクへの吸着に寄与する水酸基が分子の片末端に、さらにルイス酸によるパーフルオロポリエーテル主鎖の切断を抑制するシクロホスファゼン基が他方の末端に存在するため、ヘッドの部材中のＡｌ２Ｏ３による化合物の分解も抑制し、ディスク上で潤滑剤被膜を維持することができる（例えば、特許文献２参照）。
【０００６】
さらに、特許文献１では、ヘッドとディスクのスペーシングに対する潤滑剤の膜厚の影響について記されている。スペーシングを低減するには潤滑剤一分子分の膜厚を低減することが有効であり、分子末端に加えて分子鎖中にも水酸基を有する潤滑剤が、潤滑剤一分子分の膜厚を低減できると提案されている。この技術により潤滑剤一分子分の膜厚を低く維持した上で、潤滑剤の高分子量化が可能となり、潤滑剤の蒸発も防止できる。
【０００７】
しかし、潤滑剤が有する水酸基は、炭素保護膜上の水酸基との水素結合や、ダングリングボンド（未結合手）と共有結合を形成するため（例えば、非特許文献１）、分子中に多数の水酸基を有する化合物からなる潤滑剤被膜は、炭素保護膜に固着した被膜となる。潤滑剤被膜の固着化は、相反する特性である流動性の低下につながるため、ヘッドとディスクの接触確率が高くなる低スペーシング条件において、摺動耐久性が大きく不足する可能性がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００６−７０１７３
【特許文献２】米国特許第６６０８００９号
【非特許文献】
【０００９】
【非特許文献１】ＩＥＥＥ  Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ  ｏｎ  Ｍａｇｎｅｔｉｃｓ，ｖｏｌ.３７，Ｎｏ.２，Ｍａｒｃｈ  ２００１
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明の課題は、ヘッドとディスクのスペーシングの低減化に貢献でき、かつディスク表面で良好な流動性を示すことにより摺動耐久性を発現する化合物を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は以下の発明に係る。
１．式（１）で表される化合物。
［ＨＯ−（ＣＨ２−Ｒ２−ＣＨ２Ｏ−Ａ−Ｏ）ｎ−ＣＨ２−Ｒ２−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２］ｐ−Ｒ１  （１）
式中ｎは０〜６の整数であり、Ａは−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２−で表される基である。Ｒ１はＣ６Ｈ６−ｐ、Ｃ６Ｈ５−ｑ−Ｏ−Ｃ６Ｈ５−ｒ、Ｃ１０Ｈ８−ｐの芳香族基である。ｐは３〜６の整数である。ｑ、ｒはそれぞれ０以上の整数であり、ｐ＝ｑ＋ｒである。Ｒ２は、−ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｘ（ＣＦ２Ｏ）ｙＣＦ２−又は−ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｚＣＦ２ＣＦ２−である。ｘ、ｙは、それぞれ０〜３０の実数である。ｚは１〜３０の実数である。
【００１２】
２．式（１）の化合物を含有する潤滑剤。
３．支持体上に少なくとも記録層、保護層を形成し、その表面に潤滑層を有する磁気ディスクにおいて、該潤滑層が式（１）で表される化合物を含有する磁気ディスク。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の芳香族基と水酸基を有するパーフルオロポリエーテル化合物は、一分子あたりの膜厚低減と流動性という２つの課題を同時に解決する潤滑剤である。また、本発明の化合物を潤滑剤として用いた磁気ディスクは、ヘッドとディスクのスペーシングを低減でき、かつヘッドとディスクの接触摺動においても優れた耐久性を有する。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の磁気ディスクの構成を示す断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本発明の式（１）で表されるパーフルオロポリエーテルは、芳香族基と水酸基を有するパーフルオロポリエーテル化合物である。
【００１６】
式（１）で表される本発明の芳香族基と水酸基を有するパーフルオロポリエーテル化合物は、例えば以下の方法により合成される。
【００１７】
アルゴン雰囲気下、ＨＯＣＨ２−Ｒ２−ＣＨ２ＯＨで表される両末端に水酸基を有するパーフルオロポリエーテルを、ｔ−ブタノールおよびｔ−ブトキシカリウムとともに加熱攪拌する。反応温度は６０〜８０℃、好ましくは６５〜７０℃である。ここにエピハロヒドリン化合物、例えばエピブロモヒドリンを滴下し、３〜８時間、好ましくは４〜６時間、加熱攪拌を継続する。その後、例えば水洗、カラムクロマトグラフィーにより分画し、中間体化合物が得られる。これをアルゴン雰囲気下、金属ナトリウムとともに加熱攪拌する。反応温度は５０〜１００℃、好ましくは６０〜８０℃である。反応時間は１０〜７０時間、好ましくは２０〜５０時間である。パーフルオロポリエーテルに対して金属ナトリウムを０.７〜１当量使用するのが好ましい。つづいて、これにＸ１ｐ−Ｙで表されるハロゲン原子をｐ個有する芳香族化合物を加える。反応温度は５０〜１００℃、好ましくは６０〜８０℃である。反応時間は２０〜５０時間、好ましくは３０〜４０時間である。パーフルオロポリエーテルに対してハロゲン原子をｐ個有する芳香族化合物を０.２〜０.８当量使用するのが好ましい。反応は溶剤中で行ってもよい。その後、例えば水洗、カラムクロマトグラフィーにより分画し、目的とする化合物がフラクションとして得られる。
【００１８】
ＨＯＣＨ２−Ｒ２−ＣＨ２ＯＨで表される両末端に水酸基を有するパーフルオロポリエーテルとしては、例えば、ＨＯＣＨ２−ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｘ（ＣＦ２Ｏ）ｙＣＦ２−ＣＨ２ＯＨや、ＨＯＣＨ２−ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｚＣＦ２Ｃ
Ｆ２−ＣＨ２ＯＨを例示できる。ここでｘ、ｙは、それぞれ０〜３０の実数であり、好ましくは０〜２５、より好ましくは０〜２０、さらに好ましくは０〜１５である。ｚは１〜３０の実数であり、好ましくは１〜２５、より好ましくは１〜２０、さらに好ましくは１〜１５である。いずれも分子量分布を持つ化合物である。
【００１９】
Ｘ１ｐ−Ｙで表されるハロゲン原子を有する芳香族化合物において、Ｘ１は、例えば ＣＨ２Ｃｌ、ＣＨ２Ｂｒ、ＣＨ２Ｉを例示できる。Ｘ１の付加位置は、オルト、メタ、パラのいずれでも良い。ここでｐは３〜６の実数である。Ｙは、例えば−Ｃ６Ｈ６−ｐ、−Ｃ６Ｈ５−ｑ−Ｏ−Ｃ６Ｈ５−ｒ−（ここでｐ＝ｑ＋ｒ）、−Ｃ１０Ｈ８−ｐを例示できる。
【００２０】
式（１）で表される本発明の芳香族基と水酸基を有するパーフルオロポリエーテル化合物を潤滑剤として使用する場合には、ｎ＝０〜６が好ましく、より好ましくはｎ＝０〜３であり、さらに好ましくはｎ＝０〜２である。
【００２１】
本発明の化合物を磁気ディスク表面に塗布するには、化合物を溶剤に希釈して塗布する方法が好ましい。溶剤としては、例えば３Ｍ製ＰＦ−５０６０、ＰＦ−５０８０、ＨＦＥ−７１００，ＨＦＥ−７２００、ＤｕＰｏｎｔ製Ｖｅｒｔｒｅｌ−ＸＦ等が挙げられる。希釈後の化合物の濃度は１ｗｔ％以下、好ましくは０.００１〜０.１ｗｔ％である。
【００２２】
本発明の化合物を単独使用する以外にも、例えば松村石油研究所製のＰＨＯＳＦＡＲＯＬＡ２０Ｈや、Ｓｏｌｖａｙ  Ｓｏｌｅｘｉｓ製のＦｏｍｂｌｉｎ  ＺｄｏｌやＺｔｅｔｒａｏｌ、Ｚｄｏｌ  ＴＸ、ＡＭ、ダイキン工業製のＤｅｍｎｕｍ、Ｄｕｐｏｎｔ製のＫｒｙｔｏｘなどと任意の比率で混合して使用することもできる。
【００２３】
本発明の化合物は、磁気ディスク装置内の磁気ディスクとヘッドの低スペーシング化を実現し、さらに摺動耐久性を向上させるための潤滑剤としての用途が挙げられる。また、本発明の化合物は、分子末端の水酸基による炭素保護膜に存在する極性部位との相互作用、加えて分子鎖中の芳香族基による炭素保護膜に存在する炭素の不飽和結合との相互作用を形成することを特徴とする。従って、磁気ディスク以外にも炭素保護膜を有する磁気ヘッドや、光磁気記録装置、磁気テープ等や、カーボンファイバー、カーボンナノチューブ、プラスチックなどの有機材料の表面保護膜、さらにはＳｉ３Ｎ４、ＳｉＣ、ＳｉＯ２などの無機材料の表面保護膜としても応用できる。
【００２４】
本発明の磁気ディスクは、まず支持体１上に少なくとも１層以上の記録層２、その上に保護層３、更にその上に本発明の化合物を含有する潤滑層４を最外層として有する構成である。図１に本発明の磁気ディスク断面の模式図を示す。
支持体としてはアルミニウム合金、ガラス等のセラミックス、ポリカーボネート等が挙げられる。
【００２５】
磁気ディスクの記録層である磁性層の構成材料としては鉄、コバルト、ニッケル等の強磁性体を形成可能な元素を中心として、これにクロム、白金、タンタル等を加えた合金、又はそれらの酸化物が挙げられる。これらはメッキ法、或いはスパッタ法等で形成される。
保護層の材料はカーボン、ＳｉＣ、ＳｉＯ２等が挙げられる。これらはスパッタ法、或いはＣＶＤ法で形成される。
【００２６】
現在、流通している潤滑層の厚さは３０Å以下であるため、粘性が２０℃で１００ｍＰａ・ｓ程度以上の潤滑剤をそのまま塗布したのでは膜厚が大きくなりすぎる恐れがある。そこで塗布の際は溶剤に溶解したものを用いる。本発明の化合物を潤滑剤として単独で使用する場合も、他の潤滑剤と混合して使用する場合も、溶剤に溶解した方が必要な膜厚に制御しやすい。但し、濃度は塗布方法・条件、混合割合等により異なる。本発明の潤滑剤の膜厚は、５〜１５Åが好ましい。
【００２７】
下地層に対する潤滑剤の吸着を促進させるために、熱処理や紫外線処理を行うことができる。熱処理温度は、６０〜１５０℃、好ましくは８０〜１５０℃である。紫外線処理では、１８５ｎｍと２５４ｎｍの波長を主波長とする紫外線を用いるのが好ましい。
【００２８】
本発明の磁気ディスクは、ディスクを格納し、情報の記録・再生・消去を行うためのヘッドやディスクを回転するためのモーター等が装備されている磁気ディスクドライブとそのドライブを制御するための制御系からなる磁気ディスク装置に応用できる。磁気ディスク装置の記録方式としては、面内磁気記録、垂直磁気記録、熱アシスト磁気記録等が挙げられる。ディスクリートトラック型磁気ディスクやビットパターンド型磁気ディスクにも適用できる。
本発明の磁気ディスク、およびそれを応用した磁気ディスク装置の用途としては電子計算機、ワードプロセッサー等の外部メモリーが挙げられる。またナビゲーションシステム、ゲーム、携帯電話、ＰＨＳ等の各種機器、及びビルの防犯、発電所等の管理・制御システムの内部・外部記録装置等にも適用可能である。
【実施例】
【００２９】
以下、参考例、実施例および試験例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例等に限定されるものではない。なお、１９Ｆ−ＮＭＲは溶媒；なし、基準物質：主成分または微量不純物として含まれるＯＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏを−１２９.７ｐｐｍとして、１Ｈ−ＮＭＲは溶媒：なし、基準物質：Ｄ２Ｏの条件で測定した。
【００３０】
参考例１
ＨＯ−（ＣＨ２−Ｒ２−ＣＨ２Ｏ−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２−Ｏ）ｎ−ＣＨ２−Ｒ２−ＣＨ２−ＯＨ（中間体１、２、３）の合成
ここで、Ｒ２は−ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｚＣＦ２ＣＦ２−である。中間体１はｎ＝１、中間体２はｎ＝２、中間体３はｎ＝３である。
アルゴン雰囲気下、ＨＯＣＨ２−ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｚＣＦ２ＣＦ２−ＣＨ２ＯＨで表されるパーフルオロポリエーテル（４２ｇ）を、ｔ−ブタノール（１８ｇ）およびｔ−ブトキシカリウム（５.４ｇ）とともに７０℃で攪拌する。エピブロモヒドリン（３.３ｇ）を滴下し、４〜６時間攪拌を継続する。その後、水洗、超臨界抽出により５分画し、第２分画品として中間体１（１５ｇ）、第３分画品として中間体２（２６ｇ）、第４分画品として中間体３（１７ｇ）を得た。
【００３１】
参考例２
ＨＯ−（ＣＨ２−Ｒ２−ＣＨ２Ｏ−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２−Ｏ）ｎ−ＣＨ２−Ｒ２−ＣＨ２−ＯＨ（中間体４、５、６）の合成
ここで、Ｒ２は−ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｘ（ＣＦ２Ｏ）ｙＣＦ２−である。中間体４はｎ＝１、中間体５はｎ＝２、中間体６はｎ＝３である。
アルゴン雰囲気下、ＨＯＣＨ２−ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｘ（ＣＦ２Ｏ）ｙＣＦ２−ＣＨ２ＯＨで表されるパーフルオロポリエーテル（４２ｇ）を、ｔ−ブタノール（１８ｇ）およびｔ−ブトキシカリウム（５.４ｇ）とともに７０℃で攪拌する。エピブロモヒドリン（３.３ｇ）を滴下し、４〜６時間攪拌を継続する。その後、水洗、超臨界抽出により５分画し、第２分画品として中間体４（１７ｇ）、第３分画品として中間体５（２４ｇ）、第４分画品として中間体６（１３ｇ）を得た。
【００３２】
実施例１
［ＨＯ−ＣＨ２−Ｒ２−ＣＨ２Ｏ−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２−Ｒ２−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２］３−Ｒ１（化合物１）の合成
ここで、Ｒ１は下記式（ａ）で表される基であり、Ｒ２は−ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｚＣＦ２ＣＦ２−である。
【００３３】
【化１】
0005327855.tif 000002
【００３４】
アルゴン雰囲気下、参考例１で得られた中間体１（１５ｇ）を、金属ナトリウム（０.１５g）とともに８０℃で２４時間攪拌する。つづいて、これに１,３,５−トリスブロモメチルベンゼン（０.８ｇ）と３Ｍ製ＨＦＥ７３００を滴下し、８０℃で３５時間攪拌する。その後、水洗、カラムクロマトグラフィーにより３分画し、第２分画品として化合物１（５ｇ）を得た。
化合物１は、無色透明液体であり、２０℃での密度は、１.７ｇ／ｃｍ３であった。ＮＭＲを用いて行った化合物１の同定結果を示す。
【００３５】
化合物１
１９Ｆ−ＮＭＲ
δ＝−８６.４ｐｐｍ
〔１８Ｆ，−ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ−，−ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＨ〕，
δ＝−８６.２ｐｐｍ
〔６Ｆ，（−ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２）３−Ｃ６Ｈ３〕，
δ＝−８３.７ｐｐｍ
〔１３４Ｆ，−ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ−〕，
δ＝−１２９.７ｐｐｍ
〔６７Ｆ，−ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ−〕，
δ＝−１２７.５ｐｐｍ
〔６Ｆ，−ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＨ〕，
δ＝−１２４.３ｐｐｍ
〔１２Ｆ，−ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ−〕，
δ＝−１２３.６ｐｐｍ
〔６Ｆ，（−ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２）３−Ｃ６Ｈ３〕，
ｚ＝５.６
【００３６】
１Ｈ−ＮＭＲ
δ＝３.８５ｐｐｍ
〔６Ｈ，（−ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２）３−Ｃ６Ｈ３〕，
δ＝４.１８ｐｐｍ
〔６Ｈ，−ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＨ〕，
δ＝４.５０ｐｐｍ
〔２４Ｈ，−ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ−〕，
δ＝４.６３ｐｐｍ
〔６Ｈ，（−ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２）３−Ｃ６Ｈ３〕，
δ＝７.３７ｐｐｍ
〔３Ｈ，（−ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２）３−Ｃ６Ｈ３〕，
【００３７】
実施例２
（ＨＯ−ＣＨ２−Ｒ２−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２）３−Ｒ１（化合物２）の合成
ここで、Ｒ１は下記式（ａ）で表される基であり、Ｒ２は−ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｚＣＦ２ＣＦ２−である。
【００３８】
【化２】
0005327855.tif 000003
【００３９】
アルゴン雰囲気下、ＨＯＣＨ２−ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｚＣＦ２ＣＦ２−ＣＨ２ＯＨで表されるパーフルオロポリエーテル（５０ｇ）を、金属ナトリウム（０.５g）とともに８０℃で２４時間攪拌する。つづいて、これに１,３,５−トリスブロモメチルベンゼン（２.７ｇ）と３Ｍ製ＨＦＥ７３００を滴下し、８０℃で４８時間攪拌する。その後、水洗、カラムクロマトグラフィーにより３分画し、第２分画品として化合物２（１７ｇ）を得た。
化合物２は、無色透明液体であり、２０℃での密度は、１.６ｇ／ｃｍ３であった。ＮＭＲを用いて行った化合物２の同定結果を示す。
【００４０】
化合物２
１９Ｆ−ＮＭＲ
δ＝−８６.４ｐｐｍ
〔６Ｆ，−ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＨ〕，
δ＝−８６.２ｐｐｍ
〔６Ｆ，（−ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２）３−Ｃ６Ｈ３〕，
δ＝−８３.７ｐｐｍ
〔１２６Ｆ，−ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ−〕，
δ＝−１２９.７ｐｐｍ
〔６３Ｆ，−ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ−〕，
δ＝−１２７.５ｐｐｍ
〔６Ｆ，−ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＨ〕，
δ＝−１２３.６ｐｐｍ
〔６Ｆ，（−ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２）３−Ｃ６Ｈ３〕，
ｚ＝１０.５
【００４１】
１Ｈ−ＮＭＲ
δ＝３.８５ｐｐｍ
〔６Ｈ，（−ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２）３−Ｃ６Ｈ３〕，
δ＝４.１８ｐｐｍ
〔６Ｈ，−ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＨ〕，
δ＝４.６３ｐｐｍ
〔６Ｈ，（−ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２）３−Ｃ６Ｈ３〕，
δ＝７.３７ｐｐｍ
〔３Ｈ，（−ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２）３−Ｃ６Ｈ３〕，
【００４２】
実施例３
（ＨＯ−ＣＨ２−Ｒ２−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２）６−Ｒ１（化合物３）の合成
ここで、Ｒ１は下記式（ｂ）で表される基であり、Ｒ２は−ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｚＣＦ２ＣＦ２−である。
【００４３】
【化３】
0005327855.tif 000004
【００４４】
アルゴン雰囲気下、ＨＯＣＨ２−ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｚＣＦ２ＣＦ２−ＣＨ２ＯＨで表されるパーフルオロポリエーテル（５０ｇ）を、金属ナトリウム（０.９g）とともに８０℃で２４時間攪拌する。つづいて、これに１,２,３,４,５,６−ヘキサキスブロモメチルベンゼン（６.４ｇ）と３Ｍ製ＨＦＥ７３００を滴下し、８０℃で４８時間攪拌する。その後、水洗、カラムクロマトグラフィーにより精製し、化合物３（１３ｇ）を得た。
化合物３は、無色透明液体であり、２０℃での密度は、１.６ｇ／ｃｍ３であった。ＮＭＲを用いて行った化合物３の同定結果を示す。
【００４５】
化合物３
１９Ｆ−ＮＭＲ
δ＝−８６.４ｐｐｍ
〔１２Ｆ，−ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＨ〕，
δ＝−８６.２ｐｐｍ
〔１２Ｆ，（−ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２）６−Ｃ６〕，
δ＝−８３.７ｐｐｍ
〔１４４Ｆ，−ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ−〕，
δ＝−１２９.７ｐｐｍ
〔７２Ｆ，−ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ−〕，
δ＝−１２７.５ｐｐｍ
〔１２Ｆ，−ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＨ〕，
δ＝−１２３.６ｐｐｍ
〔１２Ｆ，（−ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２）６−Ｃ６〕，
ｚ＝６.０
【００４６】
１Ｈ−ＮＭＲ
δ＝３.８５ｐｐｍ
〔１２Ｈ，（−ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２）６−Ｃ６〕，
δ＝４.１８ｐｐｍ
〔１２Ｈ，−ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＨ〕，
δ＝４.６３ｐｐｍ
〔１２Ｈ，（−ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２）６−Ｃ６〕，
【００４７】
実施例４
［ＨＯ−ＣＨ２−Ｒ２−ＣＨ２Ｏ−ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２−Ｒ２−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２］３−Ｒ１（化合物４）の合成
ここで、Ｒ１は下記式（ａ）で表される基であり、Ｒ２は−ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｘ（ＣＦ２Ｏ）ｙＣＦ２−である。
【００４８】
【化４】
0005327855.tif 000005
【００４９】
アルゴン雰囲気下、参考例２で得られた中間体４（１５ｇ）を、金属ナトリウム（０.１５g）とともに８０℃で２４時間攪拌する。つづいて、これに１,３,５−トリスブロモメチルベンゼン（０.８ｇ）と３Ｍ製ＨＦＥ７３００を滴下し、８０℃で３５時間攪拌する。その後、水洗、カラムクロマトグラフィーにより３分画し、第２分画品として化合物４（５ｇ）を得た。
化合物４は、無色透明液体であり、２０℃での密度は、１.７ｇ／ｃｍ３であった。ＮＭＲを用いて行った化合物４の同定結果を示す。
【００５０】
化合物４
１９Ｆ−ＮＭＲ
δ＝−５２.１ｐｐｍ、−５３.７ｐｐｍ、−５５.４ｐｐｍ
〔６４Ｆ，−ＯＣＦ２Ｏ−〕，
δ＝−７７.９ｐｐｍ、−７９.９ｐｐｍ
〔６Ｆ，（−ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２）３−Ｃ６Ｈ３〕，
δ＝−７８．２，−８０．２ｐｐｍ
〔１２Ｆ，−ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２Ｏ−〕，
δ＝−８１.３ｐｐｍ、−８３.３ｐｐｍ
〔６Ｆ，−ＣＦ２ＣＨ２ＯＨ〕，
δ＝−８９.１ｐｐｍ、−９０.７ｐｐｍ
〔１３７Ｆ，−ＯＣＦ２ＣＦ２Ｏ−〕
ｘ＝５.７        ｙ＝５.３      
【００５１】
１Ｈ−ＮＭＲ
δ＝３.８５ｐｐｍ
〔６Ｈ，（−ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２）３−Ｃ６Ｈ３〕，
δ＝４.１８ｐｐｍ
〔６Ｈ，−ＣＦ２ＣＨ２ＯＨ〕，
δ＝４.５０ｐｐｍ
〔２４Ｈ，−ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２Ｏ−〕，
δ＝４.６３ｐｐｍ
〔６Ｈ，（−ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２）３−Ｃ６Ｈ３〕，
δ＝７.３７ｐｐｍ
〔３Ｈ，（−ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２）３−Ｃ６Ｈ３〕，
【００５２】
実施例５
（ＨＯ−ＣＨ２−Ｒ２−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２）３−Ｒ１（化合物５）の合成
ここで、Ｒ１は下記式（ａ）で表される基であり、Ｒ２は−ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｘ（ＣＦ２Ｏ）ｙＣＦ２−である。
【００５３】
【化５】
0005327855.tif 000006
【００５４】
アルゴン雰囲気下、ＨＯＣＨ２−ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｘ（ＣＦ２Ｏ）ｙＣＦ２−ＣＨ２ＯＨで表されるパーフルオロポリエーテル（５０ｇ）を、金属ナトリウム（０.５g）とともに８０℃で２４時間攪拌する。つづいて、これに１,３,５−トリスブロモメチルベンゼン（２.７ｇ）と３Ｍ製ＨＦＥ７３００を滴下し、８０℃で４８時間攪拌する。その後、水洗、カラムクロマトグラフィーにより３分画し、第２分画品として化合物５（１４ｇ）を得た。
化合物５は、無色透明液体であり、２０℃での密度は、１.７ｇ／ｃｍ３であった。ＮＭＲを用いて行った化合物５の同定結果を示す。
【００５５】
化合物５
１９Ｆ−ＮＭＲ
δ＝−５２.１ｐｐｍ、−５３.７ｐｐｍ、−５５.４ｐｐｍ
〔５６Ｆ，−ＯＣＦ２Ｏ−〕，
δ＝−７７.９ｐｐｍ、−７９.９ｐｐｍ
〔１２Ｆ，（−ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２）３−Ｃ６Ｈ３〕，
δ＝−８１.３ｐｐｍ、−８３.３ｐｐｍ
〔６Ｆ，−ＣＦ２ＣＨ２ＯＨ〕，
δ＝−８９.１ｐｐｍ、−９０.７ｐｐｍ
〔１２２Ｆ，−ＯＣＦ２ＣＦ２Ｏ−〕
ｘ＝１０.２        ｙ＝９.３      
【００５６】
１Ｈ−ＮＭＲ
δ＝３.８５ｐｐｍ
〔６Ｈ，（−ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２）３−Ｃ６Ｈ３〕，
δ＝４.１８ｐｐｍ
〔６Ｈ，−ＣＦ２ＣＨ２ＯＨ〕，
δ＝４.６３ｐｐｍ
〔６Ｈ，（−ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２）３−Ｃ６Ｈ３〕，
δ＝７.３７ｐｐｍ
〔３Ｈ，（−ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２）３−Ｃ６Ｈ３〕，
【００５７】
実施例６
（ＨＯ−ＣＨ２−Ｒ２−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２）６−Ｒ１（化合物６）の合成
ここで、Ｒ１は下記式（ｂ）で表される基であり、Ｒ２は−ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｘ（ＣＦ２Ｏ）ｙＣＦ２−である。
【００５８】
【化６】
0005327855.tif 000007
【００５９】
アルゴン雰囲気下、ＨＯＣＨ２−ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｘ（ＣＦ２Ｏ）ｙＣＦ２−ＣＨ２ＯＨで表されるパーフルオロポリエーテル（５０ｇ）を、金属ナトリウム（０.９g）とともに８０℃で２４時間攪拌する。つづいて、これに１,２,３,４,５,６−ヘキサキスブロモメチルベンゼン（６.４ｇ）と３Ｍ製ＨＦＥ７３００を滴下し、８０℃で４８時間攪拌する。その後、水洗、カラムクロマトグラフィーにより精製し、化合物６（１０ｇ）を得た。
化合物６は、無色透明液体であり、２０℃での密度は、１.７ｇ／ｃｍ３であった。ＮＭＲを用いて行った化合物６の同定結果を示す。
【００６０】
化合物６
１９Ｆ−ＮＭＲ
δ＝−５２.１ｐｐｍ、−５３.７ｐｐｍ、−５５.４ｐｐｍ
〔６５Ｆ，−ＯＣＦ２Ｏ−〕，
δ＝−７７.９ｐｐｍ、−７９.９ｐｐｍ
〔１２Ｆ，（−ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２）６−Ｃ６〕，
δ＝−８１.３ｐｐｍ、−８３.３ｐｐｍ
〔１２Ｆ，−ＣＦ２ＣＨ２ＯＨ〕，
δ＝−８９.１ｐｐｍ、−９０.７ｐｐｍ
〔１３４Ｆ，−ＯＣＦ２ＣＦ２Ｏ−〕
ｘ＝５.６        ｙ＝５.２      
【００６１】
１Ｈ−ＮＭＲ
δ＝３.８５ｐｐｍ
〔１２Ｈ，（−ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２）６−Ｃ６〕，
δ＝４.１８ｐｐｍ
〔１２Ｈ，−ＣＦ２ＣＨ２ＯＨ〕，
δ＝４.６３ｐｐｍ
〔１２Ｈ，（−ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＨ２）６−Ｃ６〕，
【００６２】
実施例７
単分子膜厚および拡散係数の測定
磁気ディスク上に塗布された潤滑剤の単分子膜厚（一分子あたりの膜厚）および拡散係数は、非特許文献２にも記載されているように、ディスク上での潤滑剤の拡散挙動をエリプソメーターで観察する際に確認される。単分子膜厚は、潤滑剤被膜のテラス部位の膜厚として得られる。拡散係数は、Ｔ時間後の潤滑剤の移動距離（Ｌ）を用いて、下記式から算出される。
【００６３】
【非特許文献２】Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｔｒｉｂｏｌｏｇｙ，Ｏｃｔｏｂｅｒ  ２００４，ｖｏｌ.１２６，ｐａｇｅ７５１
【００６４】
拡散係数（ｍｍ２／ｓ）＝Ｌ２／Ｔ
【００６５】
具体的には、実施例１〜３で合成した化合物１〜３を、それぞれＤｕＰｏｎｔ製Ｖｅｒｔｒｅｌ−ＸＦに溶解する。この溶液の化合物１、３の濃度はいずれも０.１重量％である。直径２.５インチの磁気ディスクの一部分（約１／４）をこの溶液に浸漬し、速度４ｍｍ／ｓで引き上げることにより、潤滑層として化合物１〜３が塗布された部分と塗布されていない部分からなるディスクを作製した。塗布された部分の平均膜厚は、３２Åであった。
上記のディスクを作製後すぐに、エリプソメーターに装着し、５０℃の温度条件下にて一定時間毎に塗布部と非塗布部の境界付近における膜厚の変化を測定し、形成するテラス部位の膜厚として潤滑剤の単分子膜厚を得た。さらに潤滑層の移動距離から拡散係数を得た。また、比較のために、分子鎖中と分子末端に水酸基を有する化合物７を使用した。
【００６６】
ＨＯ−（ＣＨ２−Ｒ３−ＣＨ２Ｏ−Ｅ−Ｏ）ｓ−ＣＨ２−Ｒ３−ＣＨ２−ＯＨ    （化合物７）
Ｅは−ＣＨ２−ＣＨ（ＯＨ）−ＣＨ２−で表される基である。Ｒ３は、−ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｔＣＦ２ＣＦ２−である。ｓは５、ｔは６.０である。
【００６７】
化合物１〜３、７の数平均分子量と単分子膜厚、および拡散係数を表１に記す。これらの結果から、本発明の芳香族基と水酸基を有するパーフルオロポリエーテル化合物は、分子末端と分子鎖中に水酸基を有する化合物７に比べて、同等の単分子膜厚を示しつつ、かつ高い拡散係数を示すことが確認された。
【００６８】
【表１】
0005327855.tif 000008
【００６９】
実施例８
磁気ディスクの作製
実施例１で得られた化合物１をＤｕＰｏｎｔ製Ｖｅｒｔｒｅｌ−ＸＦに溶解する。この溶液の化合物１の濃度は０.１重量％である。直径２.５インチの磁気ディスクをこの溶液に１分間浸漬し、速度２ｍｍ／ｓで引き上げた。その後１５０℃で１０分間乾燥し、塗布された化合物の膜厚をＦＴ−ＩＲで測定したところ、２０Åであった。これより、一分子あたりの膜厚を低減できる分子末端と分子鎖中に水酸基を有する化合物と同程度の単分子膜厚を示し、かつ高い拡散係数を示す本発明の化合物を有する磁気ディスクを作製できることが確認された。
【産業上の利用可能性】
【００７０】
本発明は、芳香族基と水酸基を有する新規なパーフルオロポリエーテル化合物、これを含有する潤滑剤、ならびにこれを用いた磁気ディスクを提供することができる。
【符号の説明】
【００７１】
１    支持体
２    記録層
３    保護層
４    潤滑層
【図１】
0005327855.tif 000009