(57)【要約】下記式（１）2005023784.tif 000027［式中、Ｒはヒドロキシル基の保護基を示し、Ｚは下記式（２）又は（３）2005023784.tif 000028（式中、Ｒ′は炭化水素基又は隣接する酸素原子との結合部位に炭素原子を有する複素環式基を示す）で表される基を示す］で表されるＮ−置換カルバミン酸誘導体を加熱して［但し、Ｚが式（３）で表される基の場合は、温度９５〜１４５℃の範囲で加熱して］、下記式（４）2005023784.tif 000029（式中、Ｒは前記に同じ）で表されるＮ，Ｎ′，Ｎ″−トリ置換イソシアヌル酸を生成させるＮ，Ｎ′，Ｎ″−トリ置換イソシアヌル酸の製造方法。この方法によれば、Ｎ，Ｎ′，Ｎ″−トリ置換イソシアヌル酸を簡便に高い収率で製造することができる。
2005023784.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（１）
2005023784.tif 000016
［式中、Ｒはヒドロキシル基の保護基を示し、Ｚは下記式（２）又は（３）
2005023784.tif 000017
（式中、Ｒ′は炭化水素基又は隣接する酸素原子との結合部位に炭素原子を有する複素環式基を示す）
で表される基を示す］
で表されるＮ−置換カルバミン酸誘導体を加熱して［但し、Ｚが式（３）で表される基の場合は、温度９５〜１４５℃の範囲で加熱して］、下記式（４）
2005023784.tif 000018
（式中、Ｒは前記に同じ）
で表されるＮ，Ｎ′，Ｎ″−トリ置換イソシアヌル酸を生成させるＮ，Ｎ′，Ｎ″−トリ置換イソシアヌル酸の製造方法。
【請求項２】
下記式（Ｃ）
2005023784.tif 000019
（式中、Ｒはヒドロキシル基の保護基を示す）
で表されるＯ−置換ヒドロキシルアミン又はその塩と、（Ｉ）下記式（Ａ）で表される化合物若しくは式（Ｂ）で表される化合物
2005023784.tif 000020
（式中、Ｘはハロゲン原子を示し、ＹはＮＨ２又はＯＲ′を示す。Ｒ′は炭化水素基又は隣接する酸素原子との結合部位に炭素原子を有する複素環式基を示す）
、又は（ＩＩ）ジメチルカーボネート、尿素若しくはホスゲンと下記式（Ｄ）
2005023784.tif 000021
（式中、Ｒ′は前記に同じ）
で表されるヒドロキシ化合物とを加熱して、下記式（４）
2005023784.tif 000022
（式中、Ｒは前記に同じ）
で表されるＮ，Ｎ′，Ｎ″−トリ置換イソシアヌル酸を生成させるＮ，Ｎ′，Ｎ″−トリ置換イソシアヌル酸の製造方法。
【請求項３】
下記式（５）
2005023784.tif 000023
で表されるカルボニルジイミダゾールと、下記式（６）
2005023784.tif 000024
（式中、Ｒはヒドロキシル基の保護基を示す）
で表されるＯ−置換ヒドロキシルアミン又はその塩とを反応させた後、さらに９５〜１４５℃の範囲で加熱して、下記式（４）
2005023784.tif 000025
（式中、Ｒは前記に同じ）
で表されるＮ，Ｎ′，Ｎ″−トリ置換イソシアヌル酸を生成させるＮ，Ｎ′，Ｎ″−トリ置換イソシアヌル酸の製造方法。
【請求項４】
塩基存在下で反応を行う請求の範囲第１項〜第３項の何れかの項に記載のＮ，Ｎ′，Ｎ″−トリ置換イソシアヌル酸の製造方法。
【請求項５】
Ｒが置換基を有していてもよいアリールメチル基である請求の範囲第１項〜第４項の何れかの項に記載のＮ，Ｎ′，Ｎ″−トリ置換イソシアヌル酸の製造方法。
【請求項６】
Ｒ′が置換基を有していてもよい芳香族性環式基である請求の範囲第１項又は第２項記載のＮ，Ｎ′，Ｎ″−トリ置換イソシアヌル酸の製造方法。
【請求項７】
下記式（４）
2005023784.tif 000026
（式中、Ｒはヒドロキシル基の保護基を示す）
で表されるＮ，Ｎ′，Ｎ″−トリ置換イソシアヌル酸を、アルコールを含む溶剤を用いて、晶析、リパルプ、及び洗浄から選択された少なくとも１つの精製手段により精製する工程を含むＮ，Ｎ′，Ｎ″−トリ置換イソシアヌル酸の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】  本発明は、吸着剤や種々の反応の触媒又はそれらの前駆体、樹脂類の中間体などとして有用なＮ，Ｎ′，Ｎ″−トリ置換イソシアヌル酸の製造方法に関する。
【背景技術】  従来、Ｎ，Ｎ′，Ｎ″−トリヒドロキシイソシアヌル酸は、二酸化硫黄の吸着剤（例えば、特開平４−２５０８１９号公報、特表平６−５０２３４９号公報参照）及び酸化触媒（例えば、国際公開第ＷＯ０３／５５６００号パンフレット参照）として利用されている。
一方、Ｎ，Ｎ′，Ｎ″−トリアルキルイソシアヌル酸の製造方法としては、例えば、塩基等の存在下、加熱によりイソシアネートを３量化する方法が知られている。しかし、同様の方法でＮ，Ｎ′，Ｎ″−トリヒドロキシイソシアヌル酸やＮ，Ｎ′，Ｎ″−トリアルコキシイソシアヌル酸を製造しようとしても、原料となるヒドロキシイソシアネートやアルコキシイソシアネートの存在が単離されたプロダクトとして確認されていないため、上記方法をそのまま適用することはできない。
また、ヒドロキシイソシアネート等価体として、水酸基を保護したアルコキシイソシアネートの誘導体を３量化することによりＮ，Ｎ′，Ｎ″−トリアルコキシイソシアヌル酸を製造する方法がいくつか知られている。アンゲバンテ  ヘミー（Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．）１９６１，７３，６５７には、カルボニルジイミダゾールとＯ−ベンジルヒドロキシルアミンとを反応させた後、９０℃に加熱することによりＮ，Ｎ′，Ｎ″−トリス（ベンジルオキシ）イソシアヌル酸が得られることが開示されている。国際公開第ＷＯ０３／５５６００号パンフレットにも同様の方法が開示されているが、Ｎ，Ｎ′，Ｎ″−トリス（ベンジルオキシ）イソシアヌル酸の収率は１９％と低い。また、Ｎ，Ｎ′，Ｎ″−トリアルコキシイソシアヌル酸の製造に利用する反応として、クロアティカケミカ  アクタ（Ｃｒｏａｔ．Ｃｈｅｍ．Ａｃｔａ）２０００，７３，５６９には、ベンゾトリアゾール、ホスゲン、及びＯ−ベンジルヒドロキシルアミンを用いる反応が、カナディアン  ジャーナル  オブ  ケミストリー（Ｃａｎａｄｉａｎ．Ｊ．Ｃｈｅｍ．）１９６０，３８，３４３には、ホスゲンとＯ−アルキルヒドロキシルアミンとを反応させトリエチルアミンで処理する方法が、テトラヘドロン  レター（Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ  Ｌｅｔｔ．）１９６８，４０，４３１５には、メチルアジドフォルメートと光による反応が、ジャーナル  オブ  オーガニック  ケミストリー（Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．）１９６５，３０，１２６８には、ナトリウムジエチルＮ−アルコキシフォスフォルアミデートと二酸化炭素を用いた反応がそれぞれ開示されている。
【発明の開示】
しかしながら、これらの方法は、原料が複雑であったり、得られるＮ，Ｎ′，Ｎ″−トリアルコキシイソシアヌル酸の収率が十分でなかったり、反応時や後処理の操作性に劣り、必ずしも満足できるものではなかった。
従って、本発明の目的は、Ｎ，Ｎ′，Ｎ″−トリ置換イソシアヌル酸を簡便に高い収率で製造する方法を提供することにある。
本発明の他の目的は、高い純度のＮ，Ｎ′，Ｎ″−トリ置換イソシアヌル酸を高い収率で製造する方法を提供することにある。
本発明者は、上記目的を達成するため鋭意検討した結果、原料としてＮ−置換カルバミン酸エステルを用いるか、或いは特定のＮ−置換カルバミン酸誘導体を特定の温度範囲内で加熱することにより、Ｎ，Ｎ′，Ｎ″−トリ置換イソシアヌル酸を高い収率で簡易に製造しうることを見いだし、本発明を完成した。
すなわち、本発明は、下記式（１）
2005023784.tif 000003
［式中、Ｒはヒドロキシル基の保護基を示し、Ｚは下記式（２）又は（３）
2005023784.tif 000004
（式中、Ｒ′は炭化水素基又は隣接する酸素原子との結合部位に炭素原子を有する複素環式基を示す）
で表される基を示す］
で表されるＮ−置換カルバミン酸誘導体を加熱して［但し、Ｚが式（３）で表される基の場合は、温度９５〜１４５℃の範囲で加熱して］、下記式（４）
2005023784.tif 000005
（式中、Ｒは前記に同じ）
で表されるＮ，Ｎ′，Ｎ″−トリ置換イソシアヌル酸を生成させるＮ，Ｎ′，Ｎ″−トリ置換イソシアヌル酸の製造方法を提供する。
本発明は、また、下記式（Ｃ）
2005023784.tif 000006
（式中、Ｒはヒドロキシル基の保護基を示す）
で表されるＯ−置換ヒドロキシルアミン又はその塩と、（Ｉ）下記式（Ａ）で表される化合物若しくは式（Ｂ）で表される化合物
2005023784.tif 000007
（式中、Ｘはハロゲン原子を示し、ＹはＮＨ２又はＯＲ′を示す。Ｒ′は炭化水素基又は隣接する酸素原子との結合部位に炭素原子を有する複素環式基を示す）
、又は（ＩＩ）ジメチルカーボネート、尿素若しくはホスゲンと下記式（Ｄ）
2005023784.tif 000008
（式中、Ｒ′は前記に同じ）
で表されるヒドロキシ化合物とを加熱して、下記式（４）
2005023784.tif 000009
（式中、Ｒは前記に同じ）
で表されるＮ，Ｎ′，Ｎ″−トリ置換イソシアヌル酸を生成させるＮ，Ｎ′，Ｎ″−トリ置換イソシアヌル酸の製造方法を提供する。
本発明は、さらに、下記式（５）
2005023784.tif 000010
で表されるカルボニルジイミダゾールと、下記式（６）
2005023784.tif 000011
（式中、Ｒはヒドロキシル基の保護基を示す）
で表されるＯ−置換ヒドロキシルアミン又はその塩とを反応させた後、さらに９５〜１４５℃の範囲で加熱して、下記式（４）
2005023784.tif 000012
（式中、Ｒは前記に同じ）
で表されるＮ，Ｎ′，Ｎ″−トリ置換イソシアヌル酸を生成させるＮ，Ｎ′，Ｎ″−トリ置換イソシアヌル酸の製造方法を提供する。
上記各製造方法において、反応は塩基存在下で行ってもよい。
前記Ｒは、好ましくは置換基を有していてもよいアリールメチル基であり、前記Ｒ′は、好ましくは置換基を有していてもよい芳香族性環式基である。
本発明は、また、下記式（４）
2005023784.tif 000013
（式中、Ｒはヒドロキシル基の保護基を示す）
で表されるＮ，Ｎ′，Ｎ″−トリ置換イソシアヌル酸を、アルコールを含む溶剤を用いて、晶析、リパルプ、及び洗浄から選択された少なくとも１つの精製手段により精製する工程を含むＮ，Ｎ′，Ｎ″−トリ置換イソシアヌル酸の製造方法を提供する。
なお、本明細書において、「ヒドロキシル基の保護基」には、後に脱離してヒドロキシル基を生成させる基のほか、脱離を目的としない基も含まれる。
本発明の製造方法によれば、Ｎ，Ｎ′，Ｎ″−トリ置換イソシアヌル酸を簡便に高い収率で得ることができる。また、高純度のＮ，Ｎ′，Ｎ″−トリ置換イソシアヌル酸を高い収率で得ることができる。こうして得られるＮ，Ｎ′，Ｎ″−トリ置換イソシアヌル酸は、吸着剤や種々の反応の触媒などとして広い範囲で利用できる。
【発明を実施するための最良の形態】  本発明では、原料として、前記式（１）で表されるＮ−置換カルバミン酸誘導体を用いる。式（１）中、Ｒはヒドロキシル基の保護基を示し、Ｚは前記式（２）又は（３）で表される基を示す。式（２）中、Ｒ′は炭化水素基又は隣接する酸素原子との結合部位に炭素原子を有する複素環式基を示す。
前記Ｒにおけるヒドロキシル基の保護基としては、有機合成の分野で慣用のヒドロキシル基の保護基を用いることができる。このような保護基として、例えば、アルキル基（例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、ｔ−ブチル基などのＣ１−３０（好ましくはＣ１−２０）アルキル基など）、アルケニル基（例えば、アリル基など）、シクロアルキル基（例えば、シクロヘキシル基など）、アリール基（例えば、２，４−ジニトロフェニル、トリメチルフェニル基など）、アラルキル基（例えば、置換基を有していてもよいアリールメチル基など）などの炭素数１〜３０（好ましくは炭素数１〜２０）の炭化水素基；置換メチル基（例えば、メトキシメチル、ｔ−ブトキシメチル、メチルチオメチル、ベンジルオキシメチル、２−メトキシエトキシメチル、２，２，２−トリクロロエトキシメチル、ビス（２−クロロエトキシ）メチル、２−（トリメチルシリル）エトキシメチル基など）、置換エチル基（例えば、１−エトキシエチル、１−メチル−１−メトキシエチル、１−イソプロポキシエチル、２，２，２−トリクロロエチル、２−メトキシエチル、１−［メトキシエトキシ］エチル基など）、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基、１−ヒドロキシアルキル基（例えば、１−ヒドロキシエチル、１−ヒドロキシヘキシル、１−ヒドロキシデシル、１−ヒドロキシヘキサデシル、１−ヒドロキシ−１−フェニルメチル基など）等のヒドロキシル基とアセタール又はヘミアセタール基を形成可能な炭素数２〜２０の基などが挙げられる。
他のヒドロキシル基の保護基としては、例えば、アシル基（例えば、ホルミル、アセチル、プロピオニル、ブチリル、イソブチリル、バレリル、ピバロイル、ヘキサノイル、ヘプタノイル、オクタノイル、ノナノイル、デカノイル、ラウロイル、ミリストイル、パルミトイル、ステアロイル基などのＣ１−２０脂肪族アシル基等の脂肪族飽和又は不飽和アシル基；アセトアセチル基；シクロペンタンカルボニル、シクロヘキサンカルボニル基などのシクロアルカンカルボニル基等の脂環式アシル基；ベンゾイル、ナフトイル基などの芳香族アシル基など）、スルホニル基（メタンスルホニル、エタンスルホニル、トリフルオロメタンスルホニル、ベンゼンスルホニル、ｐ−トルエンスルホニル、ナフタレンスルホニル基など）、アルコキシカルボニル基（例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、ｔ−ブトキシカルボニル基などのＣ１−４アルコキシ−カルボニル基など）、アラルキルオキシカルボニル基（例えば、ベンジルオキシカルボニル基、ｐ−メトキシベンジルオキシカルボニル基など）、置換又は無置換カルバモイル基（例えば、カルバモイル、メチルカルバモイル、フェニルカルバモイル基など）、無機酸（硫酸、硝酸、リン酸、ホウ酸など）からＯＨ基を除した基、ジアルキルホスフィノチオイル基（例えば、ジメチルホスフィノチオイル基など）、ジアリールホスフィノチオイル基（例えば、ジフェニルホスフィノチオイル基など）、置換シリル基（例えば、トリメチルシリル、トリエチルシリル、ｔ−ブチルジメチルシリル、トリベンジルシリル、トリフェニルシリル基などのトリＣ１−１０炭化水素基置換シリル基など）、複素環式基などが挙げられる。
好ましいＲには、例えば、炭化水素基；置換メチル基、置換エチル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基等のヒドロキシル基とアセタール又はヘミアセタール基を形成可能な基；アシル基；アラルキルオキシカルボニル基；置換シリル基などが含まれる。なかでも、置換基を有していてもよいアリールメチル基等の炭化水素基が好ましく用いられる。
置換基を有していてもよいアリールメチル基としては、例えば、下記式（ａ）
2005023784.tif 000014
（式中、Ｒａ及びＲｂは水素原子又は炭化水素基を示し、Ａｒはアリール基を示す）
で表されるアリールメチル基が挙げられる。Ｒａ及びＲｂにおける炭化水素基としては、例えば、アルキル基（メチル、エチル、イソプロピル、ｔ−ブチル基などのＣ１−４アルキル基等）、アルケニル基（ビニル、アリル基などのＣ２−４アルケニル基等）、アルキニル基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基（フェニル基、ナフチル基等）などが挙げられる。Ａｒにおけるアリール基としては、フェニル、ナフチル、アントリル、フェナントリル基などの芳香族炭化水素基、ピリジン基などの芳香族性複素環式基が挙げられる。
Ｒａ、Ｒｂ及びＡｒは置換基を有していてもよく、このような置換基としては、例えば、ハロゲン原子、炭化水素基（アルキル基、アリール基、シクロアルキル基等）、アルコキシ基（例えば、メトキシ基等のＣ１−４アルコキシ基などのアルコキシ基、フェノキシ基などのアリールオキシ基等）、カルボキシル基、置換オキシカルボニル基（メトキシカルボニル、エトキシカルボニル基などのＣ１−４アルコキシ−カルボニル基などのアルコキシカルボニル基等）、アシル基、アシルオキシ基（アセチルオキシ基等）、ニトロ基、ヒドロキシル基、メルカプト基、、置換チオ基、置換又は無置換カルバモイル基、シアノ基、置換又は無置換アミノ基（アミノ基、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ基などのＮ，Ｎ−ジＣ１−４アルキルアミノ基等）、スルホ基、複素環式基、これらが結合した基などが挙げられる。
Ａｒが有する置換基のうち少なくとも２つが互いに結合して、Ａｒを構成する炭素原子と共に芳香族性又は非芳香族性環を形成してもよい。このような環としては、例えば５〜１２員の芳香族性又は非芳香族性環、特に６〜１０員環程度の炭化水素環（縮合炭素環、橋かけ炭素環を含む）又は複素環（ｐ縮合複素環、橋かけ複素環を含む）などが挙げられる。このような環は、例えば、アルキル基、ハロアルキル基、ヒドロキシル基、アルコキシ基、カルボキシル基、置換オキシカルボニル基、アシル基、アシルオキシ基、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、ハロゲン原子などの置換基を有していてもよい。
代表的な置換基を有していてもよいアリールメチル基としては、ベンジル；２，６−ジクロロベンジル、３−ブロモベンジルなどのハロベンジル；２−ニトロベンジルなどのニトロベンジル；ジフェニルメチル、トリフェニルメチル基などが挙げられる。好ましくは炭素数７〜２０程度のアリールメチル基が用いられる。
前記Ｒ′における炭化水素基としては、例えば、アルキル基（メチル、エチル、イソプロピル、ｔ−ブチル基などのＣ１−４アルキル基等）、アルケニル基（ビニル、アリル基などのＣ１−４アルケニル基等）、アルキニル基、脂環式炭化水素基（シクロヘキシル基など）、芳香族炭化水素基（フェニル、ナフチル、アントリル、フェナントリル基など）、これらが複数個結合した基（ベンジル、フェネチル基などのアラルキル基など）などの炭素数１〜３０（好ましくは炭素数１〜２０）の炭化水素基などが挙げられる。
前記Ｒ′における隣接する酸素原子との結合部位に炭素原子を有する複素環式基を構成する複素環には、芳香族性複素環及び非芳香族性複素環が含まれる。このような芳香族性複素環としては、例えば、ヘテロ原子として酸素原子を含む複素環（例えば、フラン、テトラヒドロフラン、オキサゾール、イソオキサゾールなどの５員環、４−オキソ−４Ｈ−ピラン、テトラヒドロピラン、モルホリンなどの６員環、ベンゾフラン、イソベンゾフラン、４−オキソ−４Ｈ−クロメン、クロマン、イソクロマンなどの縮合環など）、ヘテロ原子としてイオウ原子を含む複素環（例えば、チオフェン、チアゾール、イソチアゾール、チアジアゾールなどの５員環、４−オキソ−４Ｈ−チオピランなどの６員環、ベンゾチオフェンなどの縮合環など）、ヘテロ原子として窒素原子を含む複素環（例えば、ピロール、ピロリジン、ピラゾール、イミダゾール、トリアゾールなどの５員環、ピリジン、ピリダジン、ピリミジン、ピラジン、ピペリジン、ピペラジンなどの６員環、インドール、インドリン、キノリン、アクリジン、ナフチリジン、キナゾリン、プリンなどの縮合環など）などが挙げられる。
これらの炭化水素基及び隣接する酸素原子との結合部位に炭素原子を有する複素環式基は、置換基を有していてもよい。置換基としては、例えば、前記式（ａ）におけるＲａ等が有していてもよい置換基と同様の基、すなわち、ハロゲン原子、炭化水素基、アルコキシ基、カルボキシル基、置換オキシカルボニル基、アシル基、アシルオキシ基、ニトロ基、ヒドロキシル基、メルカプト基、、置換チオ基、置換又は無置換カルバモイル基、シアノ基、置換又は無置換アミノ基、スルホ基、複素環式基、これらが結合した基などが挙げられる。これらの置換基のうち少なくとも２つが互いに結合して、炭化水素基又は複素環式基を構成する原子と共に、前記Ａｒが有する置換基が形成してもよい芳香族性又は非芳香族性環と同様の環を形成してもよい。
好ましいＲ′としては、加熱による−ＯＲ′の脱離が容易であり、反応速度を促進する点で、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基及び置換基を有していてもよい芳香族性複素環式基、すなわち、置換基を有していてもよい芳香族性環式基が挙げられる。代表的な置換基を有していてもよい芳香族性環式基としては、フェニル、クロロフェニル、トリル、キシリル、メトキシフェニル、ニトロフェニル、ナフチル、２−フラニル、４−ピリジル基などが挙げられる。好ましくは炭素数６〜２０程度の芳香族性環式基が用いられる。
前記式（１）で表されるＮ−置換カルバミン酸誘導体のうち、Ｚが式（２）で表される基である化合物（Ｎ−置換カルバミン酸エステル）は、例えば、（ｉ）前記式（Ａ）で表される化合物（例えば、ハロギ酸エステルやハロギ酸アミド）又は式（Ｂ）で表される化合物（例えば、炭酸エステルや尿素、カルバミン酸エステル）と、式：ＲＯ−ＮＨ２  （Ｃ）で表されるＯ−置換ヒドロキシルアミン又はその塩との反応、（ｉｉ）ジメチルカーボネート、尿素又はホスゲンと、式：Ｒ′ＯＨ  （Ｄ）で表されるヒドロキシ化合物、及び式：ＲＯ−ＮＨ２  （Ｃ）で表されるＯ−置換ヒドロキシルアミン又はその塩との反応、（ｉｉｉ）前記式（Ａ）で表される化合物（例えば、ハロギ酸エステル）又は式（Ｂ）で表される化合物（例えば、炭酸エステル）とヒドロキシルアミン（ＨＯ−ＮＨ２）又はその塩との反応により生成した下記式（Ｅ）
2005023784.tif 000015
（式中、Ｒ′は前記に同じ）
で表されるカルバミン酸エステルと、式：ＲＸ  （Ｆ）（式中、Ｘはハロゲン原子を示す。Ｒは前記に同じ）で表されるアルキルハライド又は二重結合性化合物（例えば、Ｒに対応するアルケン類等）との反応などを用いて製造することができる。例えば、前記（ｉ）の反応を用いることにより、クロロギ酸フェニルなどのハロギ酸エステルとＯ−ベンジルヒドロキシルアミン塩酸塩とから、Ｎ−ベンジルオキシカルバミン酸フェニルなどのＮ−ベンジルオキシカルバミン酸エステルを生成することができる。
前記（ｉ）〜（ｉｉｉ）の反応は、必要に応じて塩基、あるいは触媒（エステル交換触媒等）の存在下で行われる。このような塩基としては、例えば、酢酸ナトリウム、ピリジン、ナトリウムエトキシドなどの後述の塩基として例示のものを利用できる。塩基の使用量は、反応を阻害しない範囲で適宜選択できるが、Ｏ−置換ヒドロキシルアミン又はその塩に対して、通常０〜１０当量、好ましくは０〜５当量、より好ましくは０〜２当量程度である。
上記反応は、溶媒の存在下で行ってもよい。溶媒としては、反応に不活性なものであれば特に限定されず、後述の溶媒として例示のものを利用できる。
反応温度は、例えば、−２０〜１００℃、好ましくは０〜６０℃、より好ましくは０〜４０℃である。反応は、常圧、減圧、加圧下の何れであってもよいが、通常、常圧で行われる。反応は、回分式、半回分式、連続式などのいずれの方法により行うこともできる。
反応終了後、反応生成物は、必要に応じて、例えば、濾過、濃縮、蒸留、抽出、晶析、再結晶、カラムクロマトグラフィーなどの分離手段や、これらを組み合わせた分離手段により分離精製できる。
上記（ｉ）〜（ｉｉｉ）の反応により、対応するＮ−置換カルバミン酸エステルが得られる。なお、本発明において原料として用いるＮ−置換カルバミン酸エステルは、上記製造方法に限られず、他の方法により製造されたものであってもよい。
前記式（１）で表されるＮ−置換カルバミン酸誘導体のうち、Ｚが式（３）で表される基である化合物は、例えば、（ｉｖ）前記式（５）で表されるカルボニルジイミダゾールと、前記式（６）で表されるＯ−置換ヒドロキシルアミン又はその塩との反応により製造することができる。Ｏ−置換ヒドロキシルアミンの塩としては、例えば、塩酸塩、リン酸塩、硫酸塩、硝酸塩、シュウ酸塩等が挙げられる。前記反応におけるカルボニルジイミダゾールの使用量は、特に限定されないが、Ｏ−置換ヒドロキシルアミン又はその塩に対して、通常０．０１〜１０当量、好ましくは０．１〜５当量、より好ましくは０．５〜２当量程度である。
上記の反応は塩基共存下で行ってもよい。特に、原料としてＯ−置換ヒドロキシルアミンの塩を用いる場合には、塩基を添加することが好ましい。塩基としては後述の塩基を使用できる。これらの塩基は単独で又は２種以上を組み合わせて使用できる。
塩基の使用量は、反応を阻害しない範囲で適宜選択できるが、Ｏ−置換ヒドロキシルアミン又はその塩に対して、通常０〜１０当量、好ましくは０〜５当量、より好ましくは０〜２当量程度である。
上記の反応は、溶媒の存在下で行ってもよい。溶媒としては、反応に不活性なものであれば特に限定されず、例えば後述の溶媒を使用できる。溶媒の使用量は、反応を損なわない範囲で適宜選択されるが、Ｏ−置換ヒドロキシルアミン又はその塩１００重量部に対して、通常１００〜１００００重量部、好ましくは２００〜８０００重量部、より好ましくは３００〜５０００重量部程度である。
反応温度は、例えば、−２０〜１００℃、好ましくは０〜６０℃、より好ましくは０〜４０℃である。反応は、常圧、減圧、加圧下の何れであってもよいが、通常、常圧で行われる。反応は、回分式、半回分式、連続式などのいずれの方法により行うこともできる。
反応終了後、反応生成物は、必要に応じて、例えば、濾過、濃縮、蒸留、抽出、晶析、再結晶、カラムクロマトグラフィーなどの分離手段や、これらを組み合わせた分離手段により分離精製できる。
上記方法により、カルボニルジイミダゾールとＯ−置換ヒドロキシルアミン又はその塩から、対応するＮ−置換カルバミン酸誘導体が得られる。なお、本発明において原料として用いるＮ−置換カルバミン酸誘導体［Ｚが式（３）で表される基である化合物］は、上記製造方法に限られず、他の方法により製造されたものであってもよい。
本発明では、式（１）で表されるＮ−置換カルバミン酸誘導体を加熱して［但し、Ｚが式（３）で表される基の場合は、温度９５〜１４５℃の範囲で加熱して］、前記式（４）で表されるＮ，Ｎ′，Ｎ″−トリ置換イソシアヌル酸を生成させる（以下、「製造方法１」と称する場合がある）。前記Ｎ−置換カルバミン酸誘導体は、単離精製したものであってもよく、Ｎ−置換カルバミン酸誘導体を含む反応混合物やその濃縮物等であってもよい。すなわち、例えば、式（５）で表されるカルボニルジイミダゾールと、式（６）で表されるＯ−置換ヒドロキシルアミン又はその塩とを反応させて得られる反応混合物やその濃縮物を温度９５〜１４５℃の範囲で加熱して、式（４）で表されるＮ，Ｎ′，Ｎ″−トリ置換イソシアヌル酸を生成させてもよい。
本発明の製造方法１において、反応は、好ましくは塩基の存在下で行われる。塩基の添加により、上記の反応速度を向上させることができる。塩基としては、無機塩基及び有機塩基を利用でき、例えば、トリエチルアミン、４−ジメチルアミノピリジン（ＤＭＡＰ）、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン（ＤＢＵ）、トリエチレンジアミン（１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン；ＤＡＢＣＯ）、１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］−５−ノネン（ＤＢＮ）、ヘキサメチレンテトラミン、テトラメチルエチレンジアミン、トリオクチルアミン、ジメチルアニリン、Ｎ−メチルピロリジン、Ｎ−メチルピペリジン、４−メチルモルフォリン等の３級アミン；ピリジン、ルチジン、ピコリン、イミダゾールなどの窒素含有芳香族性複素環化合物；水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ金属の水酸化物；水酸化カルシウム、水酸化マグネシウム等のアルカリ土類金属の水酸化物；酸化マグネシウム、酸化カルシウムなどのアルカリ金属又はアルカリ土類金属の酸化物；炭酸水素カリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム等のアルカリ金属又はアルカリ土類金属の炭酸塩類；酢酸ナトリウムや酢酸カリウム等のアルカリ金属又はアルカリ土類金属のカルボン酸塩類；ナトリウムメトキシド、カリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、カリウムエトキシド、ｔ−ブトキシナトリウム、ｔ−ブトキシカリウム等のアルカリ金属又はアルカリ土類金属のアルコキシド類などが挙げられる。これらの塩基は単独で又は２種以上を組み合わせて使用できる。なかでも、トリエチルアミン、４−ジメチルアミノピリジンなどの３級アミン；ルチジン、ピコリンなどの窒素含有芳香族性複素環化合物などが好ましい。塩基は基質（反応原料）由来の塩基であってもよい。
塩基の使用量は、反応を阻害しない範囲で適宜選択できるが、Ｎ−置換カルバミン酸誘導体に対して、通常０〜１０当量（例えば、０．０１〜１０当量）、好ましくは０〜５当量（例えば、０．１〜５当量）、より好ましくは０〜２当量（例えば、０．５〜２当量）程度である。
反応は、溶媒の存在下で行ってもよい。溶媒としては、原料に対して不活性なものであれば特に限定されず、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン、ニトロベンゼン、クロロベンゼンなどの置換基を有していてもよい芳香族炭化水素類；ペンタン、ヘキサン、ヘプタンなどの脂肪族炭化水素類；シクロヘキサン、メチルシクロヘキサンなどの置換基を有していてもよい脂環式炭化水素類；酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル類；ジエチルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ジフェニルエーテルなどのエーテル類；四塩化炭素、クロロホルム、塩化メチレンなどのハロゲン化炭化水素；アセトニトリル、ベンゾニトリルなどのニトリル類；Ｎ，Ｎ′−ジメチルホルムアミドなどの有機溶媒及びこれらの混合物が挙げられる。溶媒の使用量は、反応を損なわない範囲で適宜選択されるが、Ｎ−置換カルバミン酸誘導体１００重量部に対して、通常０〜１００００重量部（例えば０〜８０００重量部）、好ましくは０〜５０００重量部であり、さらに好ましくは（特にＮ−置換カルバミン酸誘導体がＮ−置換カルバミン酸エステルの場合）０〜１０００重量部、特に好ましくは０〜３００重量部程度である。
反応温度は、例えば、２０〜２００℃、好ましくは４０〜１６０℃、より好ましくは６０〜１４０℃である。反応温度が低すぎると転化率が低下しやすく、反応温度が高すぎると生成物が分解しやすくなり、何れの場合も収率が低くなる。但し、原料が、式（１）においてＺが式（３）で表される基である化合物の場合には、反応温度は９５〜１４５℃の範囲である。この場合、温度が９５℃より低いと反応速度が遅く、１４５℃を超えると生成物としてのＮ，Ｎ′，Ｎ″−トリ置換イソシアヌル酸が分解してしまい収率が低下する。この場合には、反応温度は、好ましくは１００〜１４０℃程度である。
反応は、常圧、減圧、加圧下の何れであってもよいが、通常、常圧で行われる。反応は、回分式、半回分式、連続式などのいずれの方法により行うこともできる。
上記方法により、前記式（１）で表されるＮ−置換カルバミン酸誘導体が３量化して、前記式（４）で表されるＮ，Ｎ′，Ｎ″−トリ置換イソシアヌル酸が生成する。この際、式（１）においてＺが式（２）で表される基であるＮ−置換カルバミン酸エステルの場合には、エステルの−ＯＲ′基が加熱によりアルコール又はフェノールとして脱離して３量化する。
なお、式（４）におけるＲがヒドロキシル基の保護基であるＮ，Ｎ′，Ｎ″−トリアルコキシイソシアヌル酸は、さらに、Ｒにおけるヒドロキシル基の保護基を脱保護することにより、式（４）におけるＲが水素原子であるＮ，Ｎ′，Ｎ″−トリヒドロキシイソシアヌル酸へ変換することができる。具体的には、例えば、Ｎ，Ｎ′，Ｎ″−トリス（ベンジルオキシ）イソシアヌル酸にパラジウム触媒などの水素化分解触媒と水素とを作用させることにより、Ｎ，Ｎ′，Ｎ″−トリヒドロキシイソシアヌル酸を生成できる。また、Ｒがアルキル基、置換メチル基、置換エチル基、アシル基、置換シリル基等であるＮ，Ｎ′，Ｎ″−トリ置換イソシアヌル酸を加水分解することにより、Ｎ，Ｎ′，Ｎ″−トリヒドロキシイソシアヌル酸を生成できる。
また、本発明では、式：ＲＯ−ＮＨ２  （Ｃ）で表されるＯ−置換ヒドロキシルアミン又はその塩と、（Ｉ）前記式（Ａ）で表される化合物若しくは式（Ｂ）で表される化合物、又は（ＩＩ）ジメチルカーボネート、尿素若しくはホスゲンと式：Ｒ′ＯＨ  （Ｄ）で表されるヒドロキシ化合物とを加熱して、前記式（４）で表されるＮ，Ｎ′，Ｎ″−トリ置換イソシアヌル酸を生成させることもできる（以下、「製造方法２」と称する場合がある）。Ｏ−置換ヒドロキシルアミンの塩としては前記のものを使用できる。前記式（Ａ）で表される化合物には、例えば、ハロギ酸エステル、ハロギ酸アミドが含まれる。前記式（Ｂ）で表される化合物には、例えば、炭酸エステル、尿素、カルバミン酸エステルが含まれる。
この反応は、好ましくは塩基存在下で行われ、溶媒存在下で行ってもよい。また、必要に応じて、反応系に触媒（エステル交換触媒等）を添加してもよい。反応に用いられる塩基の種類及び使用量、溶媒の種類及び使用量、温度範囲は、前記製造方法１に例示の条件を採用できる。反応は、常圧、減圧、加圧下の何れであってもよい。炭酸エステルを原料として用いる場合には、常圧又は減圧下で、副生するアルコール類又はフェノール類を留去しながら反応を行うと、一般に収率が向上する。反応は、回分式、半回分式、連続式などのいずれの方法により行うこともできる。
上記方法により、式（Ｃ）で表されるＯ−置換ヒドロキシルアミンと、式（Ａ）で表される化合物又は式（Ｂ）で表される化合物とから、式（４）で表されるＮ，Ｎ′，Ｎ″−トリ置換イソシアヌル酸が生成する。また、式（Ｃ）で表されるＯ−置換ヒドロキシルアミン、ジメチルカーボネート又は尿素、及び式（Ｄ）で表されるヒドロキシ化合物から、式（４）で表されるＮ，Ｎ′，Ｎ″−トリ置換イソシアヌル酸が生成する。このように、製造方法２によれば、炭酸エステル等とＯ−置換ヒドロキシルアミンから一工程で目的のＮ，Ｎ′，Ｎ″−トリ置換イソシアヌル酸を得ることができる。
反応終了後、反応生成物は、例えば、濾過、濃縮、蒸留、抽出、晶析、再結晶、カラムクロマトグラフィーなどの分離手段や、これらを組み合わせた分離手段により分離精製できる。
本発明の他の製造方法は、式（４）で表されるＮ，Ｎ′，Ｎ″−トリ置換イソシアヌル酸を、アルコールを含む溶剤を用いて、晶析、リパルプ、及び洗浄から選択された少なくとも１つの精製手段により精製する工程を含んでいる。精製手段としては、晶析、リパルプ、及び洗浄を単独又は組み合わせて用いてもよい。
精製に供する粗Ｎ，Ｎ′，Ｎ″−トリ置換イソシアヌル酸としては、例えば、式（１）で表されるＮ−置換カルバミン酸誘導体を加熱することにより生成した生成物（反応混合物又はその処理物等）などが挙げられる。この精製方法は、Ｒが置換基を有していてもよいアリールメチル基の場合に特に有用である。
前記アルコールを含む溶剤としては、式（１）で表されるＮ−置換カルバミン酸誘導体（及びその原料）やＲ′ＯＨ等の未反応原料、イミダゾールやＲ′ＯＨ等の副生物、添加した塩基等が溶解しやすく、生成物としての式（４）で表されるＮ，Ｎ′，Ｎ″−トリ置換イソシアヌル酸が溶解しにくい溶剤であるのが好ましく、例えば炭素数１〜６の低級アルコールを含む溶剤、特にメタノールを含む溶剤が好適である。このような溶剤を用いることにより、反応生成物としてのＮ，Ｎ′，Ｎ″−トリ置換イソシアヌル酸が精製工程において溶剤中に溶解することにより損失することを防ぐことができる。アルコールを含む溶剤中のアルコール濃度は、例えば３０重量％以上、好ましくは５０重量％以上、さらに好ましくは８０重量％以上である。
晶析処理に供する被処理物としては、例えば、式（１）で表されるＮ−置換カルバミン酸誘導体を加熱することにより生成した生成物を含む混合物や、式（５）で表されるカルボニルジイミダゾールと式（６）で表されるＯ−置換ヒドロキシルアミン又はその塩とを反応させ、さらに加熱することにより生成した生成物を含む混合物（以下、これらの混合物を「加熱後の反応混合物」と称する場合がある）等が挙げられる。晶析は、例えば、Ｎ，Ｎ′，Ｎ″−トリ置換イソシアヌル酸をアルコールを含む溶剤に加熱下に溶解した後、冷却したり、Ｎ，Ｎ′，Ｎ″−トリ置換イソシアヌル酸を含む溶液とアルコールを含む溶剤とを混合することにより行われる。
リパルプ処理に供する被処理物としては、例えば、前記加熱後の反応混合物、前記晶析処理したＮ，Ｎ′，Ｎ″−トリ置換イソシアヌル酸（例えば、晶析後、溶媒をデカンテーション、濾過等で取り除いた後のＮ，Ｎ′，Ｎ″−トリ置換イソシアヌル酸等）などが挙げられる。リパルプ用溶媒の使用量は、Ｎ，Ｎ′，Ｎ″−トリ置換イソシアヌル酸に対して、例えば１〜２００重量倍、好ましくは５〜１００重量倍、さらに好ましくは１０〜５０重量倍程度である。リパルプ処理を施す際の温度は、一般には０〜１００℃、好ましくは１０〜６０℃程度である。リパルプ処理は適当な容器中で行われる。リパルプ処理は複数回行ってもよい。処理済みの液（リパルプ液）は、デカンテーション等により除去される。
洗浄処理に供する被処理物としては、例えば、前記加熱後の反応混合物、前記晶析処理したＮ，Ｎ′，Ｎ″−トリ置換イソシアヌル酸（例えば、晶析後、溶媒をデカンテーション、濾過等で取り除いた後のＮ，Ｎ′，Ｎ″−トリ置換イソシアヌル酸等）や前記リパルプ処理を施したＮ，Ｎ′，Ｎ″−トリ置換イソシアヌル酸（例えば、リパルプ処理後、溶媒をデカンテーション等で取り除いた後のＮ，Ｎ′，Ｎ″−トリ置換イソシアヌル酸等）などが挙げられる。洗浄用溶媒の使用量は、Ｎ，Ｎ′，Ｎ″−トリ置換イソシアヌル酸に対して、例えば１〜１００重量倍、好ましくは２〜２０重量倍程度である。洗浄処理を施す際の温度は、一般には０〜１００℃、好ましくは１０〜６０℃程度である。洗浄処理は適当な容器中で行われる。洗浄処理は複数回行ってもよい。処理済みの液（洗浄液）は、デカンテーション、濾過等により除去される。
上記晶析、リパルプ、又は洗浄処理を施して得られたＮ，Ｎ′，Ｎ″−トリ置換イソシアヌル酸は、さらに水洗等を行ってもよいし、その後乾燥処理に付してもよい。
前記精製工程によれば、反応生成物に付着している未反応原料やイミダゾール等の副生物、添加した塩基等を効率よく除去しうるため、高純度のＮ，Ｎ′，Ｎ″−トリ置換イソシアヌル酸を得ることができる。精製されたＮ，Ｎ′，Ｎ″−トリ置換イソシアヌル酸の純度は、例えば９５％以上である。
【実施例】  以下に、実施例に基づいて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例により限定されるものではない。
製造例１
Ｎ−ベンジルオキシカルバミン酸フェニルの製造
フラスコに、Ｏ−ベンジルヒドロキシルアミン塩酸塩３．１９ｇ（２０ｍｍｏｌ）、ピリジン３．１６ｇ（４０ｍｍｏｌ）、アセトニトリル４０ｍｌを加え、窒素雰囲気下、０℃で撹拌した。滴下ロートからクロロギ酸フェニル３．１３ｇ（２０ｍｍｏｌ）を、反応液温度を０〜２℃に保ちながら滴下した後、２５℃で２時間撹拌した。得られた反応混合物を濃縮し、酢酸エチル５０ｍｌを加え、沈殿物を濾過した後、沈殿物を酢酸エチル３０ｍｌで洗浄した。濾液を、０．５Ｎ塩酸水溶液４０ｍｌ、水２０ｍｌ、飽和食塩水２０ｍｌで順次洗浄した。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し、濃縮後、さらに真空ポンプで溶媒を除去した。残渣にヘキサン２０ｍｌを加え、粉砕した後濾過し、ヘキサン１０ｍｌで洗浄した後、吸引乾燥を１時間行った。次いで、減圧下、８０℃で１２時間加熱乾燥することにより、Ｎ−ベンジルオキシカルバミン酸フェニルの微黄色結晶を、４．５６ｇ（収率９４％）得た。
［Ｎ−ベンジルオキシカルバミン酸フェニルのスペクトルデータ］
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，５００ＭＨｚ）ｄ：４．９６（ｓ，２Ｈ，ＣＨ２），７．１０−７．１６（ｍ，２Ｈ，ＡｒＨ），７，２０−７．２６（ｍ，１Ｈ，ＡｒＨ），７．３２−７．４６（ｍ，７Ｈ，ＡｒＨ），７．６３（ｂｒｓ，１Ｈ，ＮＨ）
１３Ｃ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６，１２５ＭＨｚ）ｄ：１５５．３，１５０．３，１３５．１，１２９．４，１２９．３，１２８．８，１２８．６，１２５．８，１２１．３，７８．８
［実施例１］
Ｏ−ベンジルヒドロキシルアミン塩酸塩１．６０ｇ（１０ｍｍｏｌ）、ピリジン１．５８ｇ（２０ｍｍｏｌ）、アセトニトリル２０ｍｌを加え、窒素雰囲気下、０℃で撹拌した。クロロギ酸フェニル１．５７ｇ（１０ｍｍｏｌ）を、反応液温度を０〜２℃に保ちながら滴下した後、２５℃で２時間撹拌した。得られた反応混合物を濃縮し、酢酸エチルを加え、沈殿物を濾過した後、Ｎ−ベンジルオキシカルバミン酸フェニルを含む濾液を濃縮した。得られた濃縮残渣に、４−ジメチルアミノピリジン（ＤＭＡＰ）１．２２ｇ（１０ｍｍｏｌ）を加え、１２０℃のバスで２０分間加熱した。冷却後、メタノールを１０ｍｌ加え、３０分間撹拌した。沈殿物を濾過し、メタノール１０ｍｌで洗浄した後、吸引乾燥を１時間行った。次いで、減圧下、８０℃で１２時間加熱乾燥することにより、Ｎ，Ｎ′，Ｎ″−トリス（ベンジルオキシ）イソシアヌル酸の白色結晶を、１．２２ｇ（収率８２％）得た。
［Ｎ，Ｎ′，Ｎ″−トリス（ベンジルオキシ）イソシアヌル酸のスペクトルデータ］
１Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６，５００ＭＨｚ）ｄ：５．１１（ｓ，６Ｈ，ＣＨ２），７．４−７．５（ｍ，９Ｈ，ＡｒＨ），７．５−７．６（ｍ，６Ｈ，ＡｒＨ）
１３Ｃ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６，１２５ＭＨｚ）ｄ：１４５．０，１３３．６，１２９．７，１２９．２，１２８．５，７８．６
［実施例２］
冷却管、温度計、滴下ロートを備えた５００ｍｌの４つ口フラスコに、Ｏ−ベンジルヒドロキシルアミン塩酸塩１６．０ｇ（１００ｍｍｏｌ）、ピリジン１５．８ｇ（２０ｍｍｏｌ）、アセトニトリル２００ｍｌを加え、窒素雰囲気下、０℃で撹拌した。滴下ロートからクロロギ酸フェニル１５．７ｇ（１００ｍｍｏｌ）を、反応液温度を０〜２℃に保ちながら滴下した後、氷浴を外して２時間撹拌した。得られた反応混合物を濃縮し、酢酸エチル５００ｍｌを加え、沈殿物を濾過した。沈殿物を酢酸エチル３００ｍｌで洗浄した後、Ｎ−ベンジルオキシカルバミン酸フェニルを含む濾液を濃縮した。得られた濃縮残渣に、４−ジメチルアミノピリジン（ＤＭＡＰ）１２．２ｇ（１００ｍｍｏｌ）を加え、９０℃のバスにつけ撹拌した。反応温度がピークに達した時点（９６℃）でバス温度を１２０℃に上昇し、トータルで２０分間加熱した。冷却後、メタノールを１００ｍｌ加え、２０分間撹拌した。沈殿物を濾過し、メタノール１００ｍｌで洗浄した後、吸引乾燥を１時間行った。次いで、減圧下、８０℃で１２時間加熱乾燥することにより、Ｎ，Ｎ′，Ｎ″−トリス（ベンジルオキシ）イソシアヌル酸の白色結晶を、１１．２ｇ（収率７５％）得た。
［実施例３］
製造例１で得られたＮ−ベンジルオキシカルバミン酸フェニル１．２２ｇ（５ｍｍｏｌ）に、４−ジメチルアミノピリジン（ＤＭＡＰ）０．６１ｇ（５ｍｍｏｌ）を加え、１２０℃のバスで２０分間加熱した。冷却後、メタノール６ｍｌを加え、２０分間撹拌した。沈殿物を濾過し、メタノール６ｍｌで洗浄した後、吸引乾燥を１時間行った。次いで、減圧下、８０℃で１２時間加熱乾燥することにより、Ｎ，Ｎ′，Ｎ″−トリス（ベンジルオキシ）イソシアヌル酸の白色結晶を、０．６１ｇ（収率８１％）得た。
［実施例４］
実施例１において、塩基としてＤＭＡＰの代わりにトリエチルアミン（ＴＥＡ）１０ｍｍｏｌを用いた点以外は実施例１と同様の操作を行い、Ｎ，Ｎ′，Ｎ″−トリス（ベンジルオキシ）イソシアヌル酸の白色結晶を、１．０４ｇ（収率７０％）得た。
［実施例５］
実施例１において、塩基としてＤＭＡＰの代わりにトリエチレンジアミン（ＴＥＤＡ）１０ｍｍｏｌを用いた点以外は実施例１と同様の操作を行い、Ｎ，Ｎ′，Ｎ″−トリス（ベンジルオキシ）イソシアヌル酸の白色結晶を、０．６７ｇ（収率４５％）得た。
［実施例６］
実施例１において、塩基としてＤＭＡＰの代わりにイミダゾール１０ｍｍｏｌを用いた点以外は実施例１と同様の操作を行い、Ｎ，Ｎ′，Ｎ″−トリス（ベンジルオキシ）イソシアヌル酸の白色結晶を、０．６３ｇ（収率４２％）得た。
［実施例７］
実施例１において、塩基としてＤＭＡＰの代わりにルチジン１０ｍｍｏｌを用いた点以外は実施例１と同様の操作を行い、Ｎ，Ｎ′，Ｎ″−トリス（ベンジルオキシ）イソシアヌル酸の白色結晶を、０．４６ｇ（収率３１％）得た。
［実施例８］
実施例１において、塩基としてＤＭＡＰの代わりに１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン（ＤＢＵ）１０ｍｍｏｌを加え、１２０℃の代わりに９０℃で３０分加熱した点以外は実施例１と同様の操作を行い、Ｎ，Ｎ′，Ｎ″−トリス（ベンジルオキシ）イソシアヌル酸の白色結晶を、０．４２ｇ（収率２８％）得た。
［実施例９］
実施例１において、塩基としてのＤＭＡＰを１５ｍｍｏｌ用いた点以外は実施例１と同様の操作を行い、Ｎ，Ｎ′，Ｎ″−トリス（ベンジルオキシ）イソシアヌル酸の白色結晶を、０．９４ｇ（収率６３％）得た。
［実施例１０］
実施例１において、塩基としてのＤＭＡＰを５ｍｍｏｌ用いた点以外は実施例１と同様の操作を行い、Ｎ，Ｎ′，Ｎ″−トリス（ベンジルオキシ）イソシアヌル酸の白色結晶を、０．６５ｇ（収率４４％）得た。
［実施例１１］
実施例１において、１２０℃の代わりに１４０℃で１０分加熱した点以外は実施例１と同様の操作を行い、Ｎ，Ｎ′，Ｎ″−トリス（ベンジルオキシ）イソシアヌル酸の白色結晶を、０．９９ｇ（収率６６％）得た。
［実施例１２］
実施例１において、１２０℃の代わりに９０℃で３０分加熱した点以外は実施例１と同様の操作を行い、Ｎ，Ｎ′，Ｎ″−トリス（ベンジルオキシ）イソシアヌル酸の白色結晶を、０．９９ｇ（収率６６％）得た。
［実施例１３］
実施例１において、１２０℃の代わりに１６０℃で加熱した点以外は実施例１と同様の操作を行い、Ｎ，Ｎ′，Ｎ″−トリス（ベンジルオキシ）イソシアヌル酸の白色結晶を、０．３４ｇ（収率２３％）得た。
［実施例１４］
炭酸ジフェニル２．１４ｇ（１０ｍｍｏｌ）、Ｏ−ベンジルヒドロキシルアミン１．２１ｇ（１０ｍｍｏｌ）、４−ジメチルアミノピリジン（ＤＭＡＰ）１．２２ｇ（１０ｍｍｏｌ）を加え、１２０℃のバスで２０分間加熱した。冷却後、メタノールを１０ｍｌ加え、３０分間撹拌した。沈殿物を濾過し、メタノール１０ｍｌで洗浄した後、吸引乾燥を１時間行った。次いで、減圧下、８０℃で１２時間加熱乾燥することにより、Ｎ，Ｎ′，Ｎ″−トリス（ベンジルオキシ）イソシアヌル酸の白色結晶を、０．３９ｇ（収率２６％）得た。
［実施例１５］
実施例１４において、反応圧力を１００ｍｍＨｇの減圧下にした点以外は実施例１４と同様の操作を行い、Ｎ，Ｎ′，Ｎ″−トリス（ベンジルオキシ）イソシアヌル酸の白色結晶を、０．６９ｇ（収率４６％）得た。
［実施例１６］
炭酸ジフェニル２１．４ｇ（１００ｍｍｏｌ）、Ｏ−ベンジルヒドロキシルアミン塩酸塩１６．０ｇ（１００ｍｍｏｌ）、４−ジメチルアミノピリジン（ＤＭＡＰ）２４．４ｇ（２００ｍｍｏｌ）を加え、１２０℃のバスで３０分間加熱した。冷却後、メタノールを１００ｍｌ加え、３０分間撹拌した。沈殿物を濾過し、メタノール１００ｍｌで洗浄した後、吸引乾燥を１時間行った。次いで、減圧下、８０℃で１２時間加熱乾燥することにより、Ｎ，Ｎ′，Ｎ″−トリス（ベンジルオキシ）イソシアヌル酸の白色結晶を、１０．２ｇ（収率６９％）得た。
［実施例１７］
炭酸ジフェニル２．１４ｇ（１０ｍｍｏｌ）、Ｏ−ベンジルヒドロキシルアミン塩酸塩１．６０ｇ（１０ｍｍｏｌ）、トリエチルアミン２．０２ｇ（２０ｍｍｏｌ）を加え、１００℃のバスで２０分間加熱した。冷却後、メタノールを１０ｍｌ加え、３０分間撹拌した。沈殿物を濾過し、メタノール１０ｍｌで洗浄した後、吸引乾燥を１時間行った。次いで、減圧下、８０℃で１２時間加熱乾燥することにより、Ｎ，Ｎ′，Ｎ″−トリス（ベンジルオキシ）イソシアヌル酸の白色結晶を、０．７７ｇ（収率５２％）得た。
［実施例１８］
冷却管、温度計、セプタム、回転子を備えた５００ｍｌの４つ口フラスコを窒素パージしたところへ、Ｏ−ベンジルヒドロキシルアミン塩酸塩２３．９ｇ（１５０ｍｍｏｌ）、カルボニルジイミダゾール２６．８ｇ（１６５ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）２５０ｍｌを加え、窒素雰囲気下、１０℃で６時間撹拌し、１−（Ｎ−ベンジルオキシカルバモイル）イミダゾールを生成させた。析出した結晶を濾過し、１−（Ｎ−ベンジルオキシカルバモイル）イミダゾールを含む濾液を濃縮した。得られた濃縮液を１２０℃で２０分間反応させた。冷却後、ここにメタノール１００ｍｌを加え０．５時間撹拌した。結晶を濾過し、メタノール１００ｍｌで洗浄した後、吸引乾燥を１時間行った。次いで、減圧下、８０℃で１２時間加熱乾燥することにより、純度９８％のＮ，Ｎ′，Ｎ″−トリス（ベンジルオキシ）イソシアヌル酸の白色結晶を、１２．３ｇ（収率５５％）得た。
［Ｎ，Ｎ′，Ｎ″−トリス（ベンジルオキシ）イソシアヌル酸のスペクトルデータ］
１Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６，５００ＭＨｚ）δ：５．１１（ｓ，６Ｈ，ＣＨ２），７．４−７．５（ｍ，９Ｈ，ＡｒＨ），７．５−７．６（ｍ，６Ｈ，ＡｒＨ）
１３Ｃ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６，１２５ＭＨｚ）δ：１４５．０，１３３．６，１２９．７，１２９．２，１２８．５，７８．５
ＭＳ（ＦＡＢ＋）ｍ／ｚ  ４４８（（Ｍ＋Ｈ）＋，２１），３７１（１６），１８１（２２），１２９（１２），９１（１００），５７（１１）
比較例１
実施例１８において、濃縮液の反応（加熱）を１２０℃の代わりに１５０℃で行った以外は、実施例１８と同様の操作を行ったところ、純度９６％のＮ，Ｎ′，Ｎ″−トリス（ベンジルオキシ）イソシアヌル酸の白色結晶を、１．０ｇ（収率４．５％）得た。
【国際調査報告】
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