(57)【要約】製造コストを低減できると共に、特性が安定した誘電体共振器装置、発振器および送受信装置を提供する。  回路基板１の表面１Ａには伝送線路２を形成すると共に、裏面１Ｂにはグランド電極３を形成する。また、誘電体基板５の両面５Ａ，５Ｂに円形の開口部７をもった電極６を形成することによって、ＴＥ０１０モード共振器４を構成する。そして、回路基板１のグランド電極３とＴＥ０１０モード共振器４の電極６との間には絶縁層８を設けると共に、絶縁性接着剤９を用いてＴＥ０１０モード共振器４を回路基板１に取付ける。これにより、回路基板１とＴＥ０１０モード共振器４との間に部分的な剥離が生じたときでも、電流経路の変化がなく、特性を安定化することができる。
2005034280.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
グランド電極と伝送線路とが設けられた回路基板と、該回路基板のうちグランド電極と対向した位置に取付けられ前記伝送線路に結合した誘電体共振器とを備え、該誘電体共振器は、誘電体基板と、該誘電体基板の両面に形成され互いに対向する開口部を有する電極とによって構成してなる誘電体共振器装置において、
前記回路基板のグランド電極と誘電体共振器の電極との間にはこれらの間を絶縁する絶縁層を設け、前記誘電体共振器の開口部には当該誘電体共振器を前記回路基板に接合するための絶縁性接着剤を設ける構成としたことを特徴とする誘電体共振器装置。
【請求項２】
前記絶縁層は前記誘電体共振器の開口部を取囲んで形成してなる請求項１に記載の誘電体共振器装置。
【請求項３】
前記絶縁層には前記誘電体共振器の開口部内から外部に向けて前記絶縁性接着剤を導く逃し通路を設けてなる請求項２に記載の誘電体共振器装置。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載の誘電体共振器装置を用いた発振器。
【請求項５】
請求項１ないし３のいずれかに記載の誘電体共振器装置を用いた送受信装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本発明は、例えばマイクロ波、ミリ波等の高周波の電磁波（高周波信号）に使用して好適な誘電体共振器装置、発振器および送受信装置に関する。
【背景技術】
【０００２】  一般に、通信機装置、レーダ装置等の送受信装置に用いられる誘電体共振器装置として、グランド電極と伝送線路とが設けられた回路基板と、該回路基板のうちグランド電極と対向した位置に取付けられ前記伝送線路に結合した誘電体共振器とによって構成されたものが知られている（例えば、特許文献１参照）。【０００３】
【特許文献１】特開平１１−２１４９０８号公報
【０００４】  このような従来技術では、誘電体共振器は、例えば誘電体基板の両面に形成された電極に対して互いに対向する円形の開口部が設けられたＴＥ０１０モード共振器によって構成していた。そして、ＴＥ０１０モード共振器の電極と回路基板のグランド電極との間を電気的に接続することによって、ＴＥ０１０モード共振器の電極はグランド電位に保持されていた。【０００５】  ところで、上述した従来技術では、ＴＥ０１０モード共振器の電極と回路基板のグランド電極との間を導電性突起等を用いて電気的に接続していたから、例えば導電性突起としてバンプを用いるときには、該バンプを付着させるための専用の設備や工程が必要となり、製造コストが上昇する傾向がある。また、回路基板には安価な絶縁性樹脂材料等が用いられるのに対してＴＥ０１０モード共振器には高誘電率のセラミックス基板が用いられるから、回路基板とＴＥ０１０モード共振器との間に線膨張係数の差による熱応力が作用し、回路基板のグランド電極とＴＥ０１０モード共振器の電極との接合部分に剥離が生じることがある。この結果、接合部分の剥離によって電流経路が変化するから、ＴＥ０１０モード共振器の特性の変動が生じ易いという問題もある。
【発明の開示】
【０００６】  本発明は上述した従来技術の問題に鑑みなされたもので、本発明の目的は、製造コストを低減できると共に、特性が安定した誘電体共振器装置、発振器および送受信装置を提供することにある。
【０００７】  上述した課題を解決するために、本発明は、グランド電極と伝送線路とが設けられた回路基板と、該回路基板のうちグランド電極と対向した位置に取付けられ前記伝送線路に結合した誘電体共振器とを備え、該誘電体共振器は、誘電体基板の両面に形成され互いに対向する開口部を有する電極とによって構成してなる誘電体共振器装置に適用される。
【０００８】  そして、本発明が採用する構成の特徴は、前記回路基板のグランド電極と誘電体共振器の電極との間にはこれらの間を絶縁する絶縁層を設け、前記誘電体共振器の開口部には当該誘電体共振器を前記回路基板に接合するための絶縁性接着剤を設ける構成としたことにある。
【０００９】  本発明によれば、回路基板のグランド電極と誘電体共振器の電極との間にはこれらの間を絶縁する絶縁層を設けたから、線膨張係数の差によって接着剤が部分的に剥離した場合であっても、電流経路の変化が生じることがなく、特性を安定化することができる。また、回路基板のグランド電極と誘電体共振器の電極との間に絶縁層を挟むから、絶縁層によって回路基板の高さ方向に対して誘電体共振器を位置決めすることができ、伝送線路と誘電体共振器との結合量を安定化させることができる。
【００１０】  また、誘電体共振器と回路基板とは絶縁性接着剤を用いて接合するから、導電性接着剤を用いた場合に比べて、接着力を高めることができ、信頼性、耐久性を高めることができる。さらに、絶縁性接着剤は誘電体共振器の開口部に配置するから、例えば接着剤を誘電体共振器の周囲に設けた場合に比べて、接着剤が誘電体共振器の周囲に食み出すことがない。このため、接着剤の食み出し部分が誘電体共振器を収容するパッケージ等に干渉することがなく、小型のパッケージ等に適用することができる。また、接着剤を誘電体共振器の開口部内のいずれの位置に塗布してもよいから、作業性を向上することができる。
【００１１】  また、本発明では、前記絶縁層は前記誘電体共振器の開口部を取囲んで形成してもよい。
【００１２】  本発明によれば、絶縁層は誘電体共振器の開口部を取囲んで形成したから、絶縁層を回路基板のグランド電極と誘電体共振器の電極との間に挟持することによって、誘電体共振器の傾斜を防ぐことができ、伝送線路との結合特性を安定化させることができる。
【００１３】  この場合、本発明では、前記絶縁層には前記誘電体共振器の開口部内から外部に向けて前記絶縁性接着剤を導く逃し通路を設ける構成とするのが好ましい。
【００１４】  本発明によれば、絶縁層には誘電体共振器の開口部内から外部に向けて絶縁性接着剤を導く逃し通路を設けたから、余剰な絶縁性接着剤を逃し通路を用いて外部に導くことができ、誘電体共振器が絶縁層から離れるのを防止して特性を安定化することができる。また、例えば誘電体共振器をパッケージ内に収容する場合でも、逃し通路を用いて余剰な絶縁性接着剤をパッケージと干渉しない位置に導くことができる。
【００１５】  また、本発明による誘電体共振器装置を用いて発振器を構成してもよく、本発明による誘電体共振器装置を用いてレーダ装置、通信装置等の送受信装置を構成してもよい。
【００１６】  これにより、本発明による誘電体共振器装置を用いて発振器や送受信装置を構成したから、発振器等の特性安定化、信頼性向上および組立て作業性の向上を図ることができると共に、歩留まりを高めて製造コストを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】図１は第１の実施の形態による誘電体共振器装置を分解した状態で示す分解斜視図である。
【図２】図２は図１中のＴＥ０１０モード共振器を単体で示す平面図である。
【図３】図３はＴＥ０１０モード共振器を図２中の矢示ＩＩＩ−ＩＩＩ方向からみた断面図である。
【図４】図４は絶縁層と絶縁性接着剤を取付けた状態で回路基板を単体で示す底面図である。
【図５】図５は第１の実施の形態による誘電体共振器装置を図４中の矢示Ｖ−Ｖ方向からみた断面図である。
【図６】図６は第２の実施の形態による誘電体共振器装置の回路基板を単体で示す底面図である。
【図７】図７は第２の実施の形態による誘電体共振器装置を絶縁性接着剤を省いた状態で図６中の矢示ＶＩＩ−ＶＩＩ方向からみた断面図である。
【図８】図８は第３の実施の形態による発振器を分解した状態で示す分解斜視図である。
【図９】図９は図８中の発振器を示す等価回路図である。
【図１０】図１０は第４の実施の形態による通信機装置を示すブロック図である。
【符号の説明】
【００１８】  １，２１  回路基板
２，２４，３３  伝送線路
３  グランド電極
４，３７  ＴＥ０１０モード共振器
５  誘電体基板
６  電極
７  開口部
８  絶縁層
９  絶縁性接着剤
１１  逃し通路
４１  通信機装置（送受信装置）
５６  発振器
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】  以下、本発明の実施の形態による誘電体共振器装置、発振器および通信装置を、添付図面を参照しつつ詳細に説明する。【００２０】  まず、図１ないし図５は第１の実施の形態を示し、本実施の形態では、ＴＥ０１０モード共振器を用いた誘電体共振器装置を例に挙げて述べる。【００２１】  １は高周波信号の処理等を行う各種の回路が実装される回路基板で、該回路基板１は例えば絶縁性樹脂材料、セラミックス材料等の誘電体材料によって略平板状に形成され、表面１Ａと裏面１Ｂとを有している。【００２２】  ２は回路基板１の表面１Ａに２本平行に設けられた例えばマイクロストリップ線路からなる伝送線路で、該各伝送線路２は、帯状の導体パターンによって形成され、後述のＴＥ０１０モード共振器に結合する結合線路を構成している。【００２３】  ３は回路基板１の裏面１Ｂに設けられたグランド電極で、該グランド電極３は、回路基板１の裏面１Ｂを略全面に亘って覆っている。また、グランド電極３のうち回路基板１の中央側に位置する部位には円形の開口部３Ａが設けられ、該開口部３Ａ内には回路基板１が露出している。そして、開口部３Ａは、回路基板１を挟んで２本の伝送線路２と対向すると共に、後述のＴＥ０１０モード共振器４の開口部７と対向するものである。また、グランド電極３の開口部３Ａは、ＴＥ０１０モード共振器４の開口部７に比べて、例えば小さい直径寸法を有している。【００２４】  ４は誘電体共振器としてのＴＥ０１０モード共振器で、該ＴＥ０１０モード共振器４は後述の誘電体基板５および電極６によって構成されている。【００２５】  ５は誘電体基板で、該誘電体基板５は、例えば回路基板１よりも高い比誘電率をもったセラミックス材料等を用いて略四角形（例えば０．６ｍｍの厚さ寸法をもった一辺が３．３ｍｍ程度の正方形）の平板状に形成され、表面５Ａと裏面５Ｂとを有している。【００２６】  ６は誘電体基板５の両面５Ａ，５Ｂにそれぞれ形成された電極で、該各電極６は、例えば導電性金属材料を用いた薄膜によって形成され、誘電体基板５を挟んで互いに対向する開口部７を有すると共に、該開口部７を除いて誘電体基板５の両面５Ａ，５Ｂをそれぞれ覆っている。そして、誘電体基板５の表面５Ａ側の電極６は、後述の絶縁層８を介して回路基板１のグランド電極３に対面している。【００２７】  また、開口部７は、電極６の中央側に位置して略円形状の貫通穴によって形成されると共に、その内部には誘電体基板５が露出している。ここで、開口部７の直径寸法は、誘電体基板５内での共振周波数に対応した波長λｇに応じた値に設定されている。また、２つの開口部７は、誘電体基板５を挟んで互いに対向する位置に配置され、開口部７内にはＴＥ０１０モードに準じた共振モードが生じる構成となっている。そして、開口部７の中心位置は、グランド電極３の開口部３Ａの中心位置と略一致した位置に配置されている。【００２８】  ８は回路基板１のグランド電極３とＴＥ０１０モード共振器４の電極６との間に位置して開口部７を取囲んで形成された絶縁層で、該絶縁層８は、例えばレジスト材料等を用いて誘電体基板５（ＴＥ０１０モード共振器４）よりも広い範囲を覆う薄膜状に形成され、その中心位置には開��部３Ａと略同じ形状の開口部８Ａが形成されている。また、絶縁層８は、例えば略均一な厚さ寸法をもってグランド電極３の開口部３Ａの周囲に塗布されると共に、ＴＥ０１０モード共振器４の電極６に衝合している。これにより、絶縁層８は、回路基板１のグランド電極３とＴＥ０１０モード共振器４の電極６との間を絶縁すると共に、回路基板１に対してその厚さ寸法だけ離間した位置にＴＥ０１０モード共振器４を保持することができ、回路基板１の厚さ方向（高さ方向）に対してＴＥ０１０モード共振器４を位置決めしている。【００２９】  ９は回路基板１の開口部３ＡとＴＥ０１０モード共振器４の開口部７との間に設けられた絶縁性接着剤で、該絶縁性接着剤９は、例えば誘電体基板５よりも低い比誘電率を有すると共に、円形状をなす開口部３Ａ，７の略中心位置に配置され、回路基板１と誘電体基板５を接着している。これにより、ＴＥ０１０モード共振器４は、絶縁性接着剤９を用いて回路基板１の裏面１Ｂのうち開口部３Ａに対応した位置に固定され、開口部３Ａ等を通じて伝送線路２に結合する構成となっている。【００３０】  本実施の形態による誘電体共振器装置は上述の如き構成を有するもので、ＴＥ０１０モード共振器４の動作時には、開口部７の周縁間を結ぶ円周面がショート面（短絡面）をなすから、図２および図３に示すように開口部７内には円環状の電界Ｅが形成されると共に、該電界Ｅを取囲むドーナツ状の磁界Ｈが形成される。これにより、ＴＥ０１０モード共振器４内の高周波信号は、ＴＥ０１０モードに準じた共振モードで共振すると共に、図５に示す開口部３Ａ等を通じて伝送線路２と結合する。【００３１】  然るに、本実施の形態では、回路基板１のグランド電極３とＴＥ０１０モード共振器４の電極６との間にはこれらの間を絶縁する絶縁層８を設けたから、回路基板１と誘電体基板５との線膨張係数の差によって絶縁性接着剤９が部分的に剥離した場合であっても、電流経路の変化が生じることがなく、特性を安定化することができる。【００３２】  また、回路基板１のグランド電極３とＴＥ０１０モード共振器４の電極６との間に絶縁層８を挟むから、絶縁層８によって回路基板１の高さ方向に対してＴＥ０１０モード共振器４を位置決めすることができ、伝送線路２とＴＥ０１０モード共振器４との結合量を安定化させることができる。【００３３】  また、ＴＥ０１０モード共振器４と回路基板１とは絶縁性接着剤９を用いて接合するから、導電性接着剤を用いた場合に比べて、接着力を高めることができ、信頼性、耐久性を高めることができる。【００３４】  さらに、絶縁性接着剤９はＴＥ０１０モード共振器４の開口部７に配置するから、例えば接着剤をＴＥ０１０モード共振器４の周囲に設けた場合に比べて、絶縁性接着剤９がＴＥ０１０モード共振器４の周囲に食み出すことがない。このため、ＴＥ０１０モード共振器４をパッケージ等に収容する場合であっても、絶縁性接着剤９の食み出し部分がパッケージ等に干渉することがないから、小型のパッケージを用いることができ、装置全体を小型化することができる。また、絶縁性接着剤９はＴＥ０１０モード共振器４の開口部７内であればいずれの位置に塗布してもよいから、作業性を向上すること��できる。【００３５】  次に、図６および図７は第２の実施の形態による誘電体共振器装置を示し、本実施の形態の特徴は、絶縁層にＴＥ０１０モード共振器の開口部内から外部に向けて絶縁性接着剤を導く逃し通路を設けたことにある。なお、本実施の形態では、第１の実施の形態と同一の構成要素に同一の符号を付し、その説明を省略するものとする。【００３６】  １１は絶縁層８に設けられた２本の逃し通路で、該各逃し通路１１は、例えば開口部３Ａ，７の径方向外側に向けて延びる直線状の切欠きによって形成され、互いに逆方向に向けて延伸している。これにより、逃し通路１１は、絶縁層８を２分割すると共に、ＴＥ０１０モード共振器４の開口部７内から外部に向けて余剰の絶縁性接着剤９を導いている。【００３７】  かくして、本実施の形態でも第１の実施の形態とほぼ同様の作用効果を得ることができる。しかし、本実施の形態では、絶縁層８に逃し通路１１を設けたから、余剰の絶縁性接着剤９を逃し通路１１を通じてＴＥ０１０モード共振器４の開口部７内から外部に向けて排出することができる。このため、余剰の絶縁性接着剤９によってＴＥ０１０モード共振器４が絶縁層８から離れるのを防止することができるから、ＴＥ０１０モード共振器４と伝送線路２との結合量をほぼ一定に保つことができ、特性を安定化することができる。【００３８】  また、例えばＴＥ０１０モード共振器４をパッケージ（図示せず）内に収容する場合でも、逃し通路１１を用いて余剰な絶縁性接着剤９をパッケージと干渉しない位置に導くことができる。即ち、パッケージには逃し通路１１の外周端側（図６中のＴＥ０１０モード共振器４の左，右両側）に余剰な絶縁性接着剤９を収容する隙間を確保しておけばよく、他の部位はＴＥ０１０モード共振器４に近付けることができる。このため、パッケージを不必要に大きくする必要がなく、パッケージを含めた誘電体共振器装置全体を小型化することができる。【００３９】  なお、前記第２の実施の形態では、絶縁層８には逃し通路１１を２本設ける構成とした。しかし、本発明はこれに限らず、絶縁層には例えば逃し通路を１本だけ設ける構成としてもよく、３本以上の逃し通路を設ける構成としてもよい。【００４０】  次に、図８および図９は本発明の第３の実施の形態を示し、本実施の形態の特徴は、本発明の誘電体共振器装置を用いて発振器を構成したことにある。なお、本実施の形態では、第１の実施の形態と同一の構成要素に同一の符号を付し、その説明を省略するものとする。【００４１】  ２１は誘電体材料からなる回路基板で、該回路基板２１は、例えば誘電体基板５に比べて低い誘電率をもったセラミックス材料、樹脂材料等を用いて形成され、略四角形の平板状をなしている。また、回路基板２１の裏面側には略全面に亘ってグランド電極３が形成されると共に、該グランド電極３のうち後述の伝送線路２４，３３と対向する位置には、第１の実施の形態とほぼ同様に円形の開口部（図示せず）が形成されている。【００４２】  ２２は回路基板２１に設けられた発振回路部で、該発振回路部２２は、電界効果トランジスタ２３（以下、ＦＥＴ２３という）、マイクロストリップ線路からなる伝送線路２４等によって構成されている。そし���、発振回路部２２は、電源端子２１Ａを通じて電源電圧が供給され、後述のＴＥ０１０モード共振器３７によって設定された所定の発振周波数（共振周波数）の信号を発振すると共に、この信号を出力端子２１Ｂを通じて出力している。【００４３】  ここで、ＦＥＴ２３のゲート端子Ｇは、伝送線路２４の基端側に接続されている。また、ＦＥＴ２３のソース端子Ｓは、帰還周波数を制御するスタブ２５とバイアス用のコイル２６に接続されると共に、直流成分を遮断するためのカップルドライン２７を介して出力端子２１Ｂに接続されている。【００４４】  一方、ＦＥＴ２３のドレイン端子Ｄは、スタブ２８Ａとコイル２８Ｂとからなるフィルタ回路２８とバイアス抵抗２９とを介して電源端子２１Ａに接続されている。また、電源端子２１Ａにはサージ除去用のコンデンサ３０が接続されている。さらに、伝送線路２４の先端側には終端抵抗３１が接続されている。【００４５】  ３２は回路基板２１に設けられた周波数制御回路部で、該周波数制御回路部３２は、ＴＥ０１０モード共振器３７の近傍に配置されたマイクロストリップ線路からなる伝送線路３３と、該伝送線路３３の先端側に接続された変調素子としての可変容量ダイオード３４（バラクタダイオード）とによって大略構成されている。ここで、可変容量ダイオード３４は、そのカソード端子が伝送線路３３に接続されると共に、アノード端子がグランドに接続されている。また、伝送線路３３の基端側はフィルタ回路３５を介して制御入力端子２１Ｃに接続されると共に、制御入力端子２１Ｃはコンデンサ３６に接続されている。【００４６】  そして、周波数制御回路部３２は、制御入力端子２１Ｃに印加される制御電圧に応じて可変容量ダイオード３４の静電容量を変化させて、発振周波数（共振周波数）を制御している。【００４７】  ３７は回路基板２１の裏面側に取付けられたＴＥ０１０モード共振器で、該ＴＥ０１０モード共振器３７は、第１の実施の形態によるＴＥ０１０モード共振器４とほぼ同様に、誘電体基板５、電極６、開口部７によって大略構成されている。そして、ＴＥ０１０モード共振器３７は、回路基板２１を挟んだ伝送線路２４，３３と対向する位置に配置され、これらの伝送線路２４，３３を介して発振回路部２２と周波数制御回路部３２に接続されている。【００４８】  また、ＴＥ０１０モード共振器３７の電極６と回路基板２１のグランド電極３との間には第１の実施の形態と同様にレジスト材料等からなる絶縁層（図示せず）が設けられ、該絶縁層によってＴＥ０１０モード共振器３７の電極６と回路基板２１のグランド電極３との間は絶縁されている。さらに、ＴＥ０１０モード共振器３７の開口部７内には絶縁性接着剤９が設けられ、該絶縁性接着剤９を用いてＴＥ０１０モード共振器３７は回路基板２１に取付けられている。【００４９】  ３８はＴＥ０１０モード共振器３７と一緒に回路基板２１を収容するパッケージで、該パッケージ３８は、アルミナ等によって有底の箱状に形成されると共に、パッケージ３８の中央部にはＴＥ０１０モード共振器３７を収容する収容凹部３８Ａが形成されている。また、パッケージ３８は、回路基板２１等を収容した状態でその開口上部がニッケルメッキ等が施され��キャップ３９によって施蓋されるものである。【００５０】  本実施の形態による発振器は上述の如き構成を有するもので、次にその作動について説明する。【００５１】  電源端子２１Ａに駆動電圧が印加されると、ＦＥＴ２３のゲート端子Ｇには、ＴＥ０１０モード共振器３７の共振周波数に応じた信号が入力される。これにより、発振回路部２２とＴＥ０１０モード共振器３７とは帯域反射型発振回路を構成するから、ＦＥＴ２３は、ＴＥ０１０モード共振器３７の共振周波数に応じた信号を増幅し、出力端子２１Ｂを通じて外部に向けて出力する。【００５２】  また、ＴＥ０１０モード共振器３７には可変容量ダイオード３４からなる周波数制御回路部３２が接続されているから、制御入力端子２１Ｃに印加する制御電圧の値に応じて、ＴＥ０１０モード共振器３７の共振周波数を可変に設定することができる。これにより、発振器全体は電圧制御発振器（ＶＣＯ）として機能する。【００５３】  かくして、本実施の形態では、第１の実施の形態と同様のＴＥ０１０モード共振器３７を用いて電圧制御発振器を構成したから、発振器の特性安定化、信頼性向上および組立て作業性の向上を図ることができると共に、歩留まりを高めて製造コストを低減することができる。【００５４】  なお、第３の実施の形態では、ＴＥ０１０モード共振器装置３７として第１の実施の形態によるＴＥ０１０モード共振器を用いる構成としたが、第２の実施の形態によるＴＥ０１０モード共振器を用いる構成としてもよい。【００５５】  次に、図１０は本発明の第４の実施の形態を示し、本実施の形態の特徴は、本発明のＴＥ０１０モード共振器を備えた発振器を用いて送受信装置としての通信機装置を構成したことにある。【００５６】  ４１は本実施の形態による通信機装置で、該通信機装置４１は、例えば信号処理回路４２と、信号処理回路４２に接続され高周波の信号を出力または入力する高周波モジュール４３と、該高周波モジュール４３に接続して設けられアンテナ共用器４４（デュプレクサ）を介して高周波の信号を送信または受信するアンテナ４５とによって構成されている。【００５７】  そして、高周波モジュール４３は、信号処理回路４２の出力側とアンテナ共用器４４との間に接続された帯域通過フィルタ４６、増幅器４７、ミキサ４８、帯域通過フィルタ４９、電力増幅器５０によって送信側が構成されると共に、アンテナ共用器４４と信号処理回路４２の入力側に接続された帯域通過フィルタ５１、低雑音増幅器５２、ミキサ５３、帯域通過フィルタ５４、増幅器５５によって受信側が構成されている。そして、ミキサ４８，５３には例えば第３の実施の形態のように本発明のＴＥ０１０モード共振器を用いた発振器５６が接続されている。【００５８】  本実施の形態による通信機装置は上述の如き構成を有するもので、次にその作動について説明する。【００５９】  まず、送信時には、信号処理回路４２から出力された中間周波信号（ＩＦ信号）は、帯域通過フィルタ４６で不要な信号が除去された後、増幅器４７によって増幅されてミキサ４８に入力される。このとき、ミキサ４８は、この中間周波信号と発振器５６からの搬送波とを掛け合わせて高周波信号（ＲＦ信号）にアップコンバートする。そして、ミキサ４８から出力された高周波信号は、帯域通過フィルタ４９で不要な信号が除去された後、電力増幅器５０によって送信電力に増幅された後、アンテナ共用器４４を介してアンテナ４５から送信される。【００６０】  一方、受信時には、アンテナ４５から受信された高周波信号は、アンテナ共用器４４を介して帯域通過フィルタ５１に入力される。これにより、高周波信号は、帯域通過フィルタ５１で不要な信号が除去された後、低雑音増幅器５２によって増幅されてミキサ５３に入力される。このとき、ミキサ５３は、この高周波信号と発振器５６からの搬送波とを掛け合わせて中間周波信号にダウンコンバートする。そして、ミキサ５３から出力された中間周波信号は、帯域通過フィルタ５４で不要な信号が除去され、増幅器５５によって増幅された後、信号処理回路４２に入力される。【００６１】  かくして、本実施の形態によれば、放射が抑圧された本発明のＴＥ０１０モード共振器からなる発振器５６を用いて通信機装置を構成するから、第３の実施の形態とほぼ同様の作用効果を得ることができる。【００６２】  なお、前記第４の実施の形態では、本発明によるＴＥ０１０モード共振器を用いた発振器５６を通信機装置４１に適用した場合を例を挙げて説明したが、例えばレーダ装置等に適用してもよい。【００６３】  また、前記各実施の形態では、円形の開口部７を有するＴＥ０１０モード共振器４，３７を用いる構成とした。しかし、本発明はこれに限らず、例えば四角形等の他の形状の開口部を有する誘電体共振器を用いる構成としてもよい。【００６４】  さらに、前記各実施の形態では、ＴＥ０１０モード共振器４，３７を回路基板１，２１の両面のうち伝送線路２，２４，３３とは反対側に取付けるものとしたが、例えば回路基板のうち伝送線路と同じ側に取付ける構成としてもよい。【００６５】  また、前記各実施の形態では、伝送線路２，２４，３３としてマイクロストリップ線路を用いる構成としたが、例えばストリップ線路、コプレーナ線路等を用いる構成としてもよい。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【国際調査報告】
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