(57)【要約】本発明は、消費電力を抑えるとともに、光と磁場で情報が記録される光記憶媒体の高記憶密度化と情報アクセスの高速化を実現する光磁気ヘッド、および光磁気記憶装置を提供することを目的とする。光磁気ヘッドおよび光磁気記憶装置に、トラッキング方向の長さが周方向の長さよりも長い内径で光の光路を取り囲む磁性体と、トラッキング方向の長さが周方向の長さよりも長い形状の内周を有する薄膜コイルとを備える。トラッキング制御に関係しない周方向の長さを短くして、磁性体が光路を取り囲む部分および薄膜コイルの内周を小さくすることによって、薄膜コイルのインダクタンスが減少するとともに磁界の発生効率が上昇するため、消費電力が減少し、さらに光記憶媒体の情報アクセスの高速化を実現することができる。
2004107336.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に線状のトラックが設けられた、光の照射および磁場の印加を受けることにより該トラックに沿って情報が記録される光記憶媒体に、光の照射および磁場の印加を行う光磁気ヘッドにおいて、
光を前記光記憶媒体上に集光する集光手段と、
前記集光手段によって前記光記憶媒体上に集光される光の光路を、該集光手段と該光記憶媒体との間で取り囲んだ磁性体と、
前記磁性体と前記光記憶媒体との間で前記光路を取り巻いた導線からなる、該光記憶媒体に磁場を印加する薄膜コイルと、
前記光路を通って前記磁性体および前記薄膜コイル越しに集光される光によって前記光記憶媒体上に形成される集光スポットを、前記トラックが延びる方向に垂直なトラッキング方向に対して制御して、該集光スポットを該トラックに追従させる制御手段とを備え、
前記磁性体は、前記トラックが延びる方向の長さよりも前記トラッキング方向の方が長い内径で前記光路を取り囲んだものであり、
前記薄膜コイルは、前記トラックが延びる方向の長さよりも前記トラッキング方向の長さの方が長い形状の内周を有するものであることを特徴とする光磁気ヘッド。
【請求項２】
前記集光手段がレンズであることを特徴とする請求項１記載の光磁気ヘッド。
【請求項３】
前記光記憶媒体上に近接し、あるいは接触する、前記磁性体と前記薄膜コイルとを搭載したスライダをさらに備え、
前記集光手段が、前記スライダ上に搭載された１つ以上のレンズと、前記スライダとは離れて配置された１つ以上のレンズからなる複合レンズであり、
前記制御手段が、前記複合レンズを構成するレンズのうち、前記スライダとは離れて配置されたレンズの位置を制御することによって前記集光スポットを前記トラックに追従させるものであることを特徴とする請求項１記載の光磁気ヘッド。
【請求項４】
表面に線状のトラックが設けられ、光の照射および磁場の印加を受けることにより該トラックに沿って情報が記録される光記憶媒体に対し、光の照射および磁場の印加によって情報アクセスを行う光磁気記憶装置において、
光を前記光記憶媒体上に集光する集光手段と、
前記集光手段によって前記光記憶媒体上に集光される光の光路を、該集光手段と該光記憶媒体との間で取り囲んだ磁性体と、
前記磁性体と前記光記憶媒体との間で前記光路を取り巻いた導線からなる、該光記憶媒体に磁場を印加する薄膜コイルと、
前記光路を通って前記磁性体および前記薄膜コイル越しに集光される光によって前記光記憶媒体上に形成される集光スポットを、前記トラックが延びる方向に垂直なトラッキング方向に対して制御して、該集光スポットを該トラックに追従させる制御手段とを備え、
前記磁性体は、前記トラックが延びる方向の長さよりも前記トラッキング方向の方が長い内径で前記光路を取り囲んだものであり、
前記薄膜コイルは、前記トラックが延びる方向の長さよりも前記トラッキング方向の長さの方が長い形状の内周を有するものであることを特徴とする光磁気記憶装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】  本発明は、光の照射および磁場の印加を受けることにより情報が記録される光記憶媒体に光の照射および磁場の印加を行う光磁気ヘッド、および光記憶媒体に対して情報アクセスを行う光磁気記憶装置に関する。
【背景技術】  従来より、音声信号や画像信号を記憶する大容量の記憶媒体として、ＣＤ，ＣＤ−ＲＷ，ＣＤ−Ｒ，ＤＶＤ−ＲＡＭ，ＰＤ，ＭＯ，ＭＤ等といった情報記憶媒体が広く使われている。特に、光と磁場で情報アクセスが行われる光記憶媒体は、情報の書き換えが可能な高記憶密度媒体として注目されている。また、近年におけるコンピュータの高性能化に伴い、そのような光記憶媒体における記憶密度の飛躍的な向上や、光記憶媒体に対する情報再生や情報記録をより高速に行うための光磁気記憶装置の開発が望まれている。
光記憶媒体の高記憶密度化を実現する技術としては、情報に応じた光変調によって光記憶媒体に情報を記録する光変調方式に換えて、情報に応じた磁界変調によって情報を記録する磁界変調方式を採用する方法や、光を集光するレンズを高ＮＡ化する方法、あるいは、近い将来の実用化が期待されている、短波長（主として青紫色）のレーザ光源を用いる方法などが知られている。
また、上記の磁界変調方式を用いた光磁気記憶装置で情報アクセスの高速化を実現するためには、光記録媒体に光を集光する光学系と、磁界を発生させる磁気ヘッドを、光記録媒体から見て同一の側に配置する表面記録型の構成を有することが望ましく、このような表面記録型の光磁気記憶装置の開発がさかんに行われている（例えば、特許文献１、特許文献２、および特許文献３参照）。
この表面記録型の光磁気記憶装置においては、磁気ヘッドに内蔵されるコイルとして薄膜コイルを適用し、磁気ヘッドを光記憶媒体になるべく近接させて効率よく磁界を印加したり、磁気ヘッドに磁性体を搭載して、磁界の発生効率を向上させたり、磁気コイルに高周波電流を印加するなどして、さらなる高速な情報アクセスおよび記憶密度の向上が図られている。
【特許文献１】        特開２０００−７６７２４号公報
【特許文献２】        特開平１１−１６２０３４号公報
【特許文献３】        特開平９−１４７４４０号公報
しかし、磁気ヘッドを光記憶媒体に近づけるには限度があるうえ、磁気ヘッドと光記憶媒体との間を近づけすぎると、その隙間に塵などが挟まって、光記憶媒体が回転されたときなどに光記憶媒体を傷つけてしまう恐れがある。駆動周波数が高くなると、磁性体にうず損失、ヒステリシス損失が発生するため、コイルの消費電力が上昇し、またインダクタンスが低下することになる（うず電流による磁界が本来の磁界を抑制する）。消費電力が大きくなるとコイル部位全体の温度を上昇させ、インダクタンスが低下すると、定格電流に対する発生磁界が低下してしまうという問題がある。
【発明の開示】
本発明は、上記事情に鑑み、消費電力を抑えるとともに、光記憶媒体の情報アクセスの高速化を実現する光磁気ヘッド、および光磁気記憶装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成する本発明の光磁気ヘッドは、表面に線状のトラックが設けられた、光の照射および磁場の印加を受けることによりトラックに沿って情報が記録される光記憶媒体に、光の照射および磁場の印加を行う光磁気ヘッドにおいて、
光を光記憶媒体上に集光する集光手段と、
集光手段によって光記憶媒体上に集光される光の光路を、集光手段と光記憶媒体との間で取り囲んだ磁性体と、
磁性体と光記憶媒体との間で光路を取り巻いた導線からなる、光記憶媒体に磁場を印加する薄膜コイルと、
光路を通って磁性体および薄膜コイル越しに集光される光によって光記憶媒体上に形成される集光スポットを、トラックが延びる方向に垂直なトラッキング方向に対して制御して、集光スポットをトラックに追従させる制御手段とを備え、
磁性体は、トラックが延びる方向の長さよりもトラッキング方向の方が長い内径で光路を取り囲んだものであり、
薄膜コイルは、トラックが延びる方向の長さよりもトラッキング方向の長さの方が長い形状の内周を有するものであることを特徴とする。
光記憶媒体に情報を読み書きする際には、回転された光記憶媒体に磁場を印加するとともに、光記憶媒体上の情報アクセスを行う位置に光を照射することが行われる。このとき、光記憶媒体の偏心等により、光記憶媒体上の誤った位置の情報を読み書きしまう恐れがある。このような不具合を防ぐために、光記憶媒体上に形成される集光スポットを、トラックが延びる方向（以下では、この方向を周方向と称する）に対して垂直なトラッキング方向に対して制御して、集光スポットをトラックに追従させるトラッキング制御が行われている。
また、光記憶媒体の高記録密度化や情報アクセスの高速化を実現するため、近年では、磁界を発生させる磁気ヘッドと、光記録媒体に光を集光する光学系とを光記憶媒体に対して同じ側（記録面側）に一体的に搭載する、いわゆる表面記録型の光磁気ヘッドが用いられてきている。表面記録型の光磁気ヘッドにおいては、さらなる高記録密度化や情報アクセスの高速化を図るため、薄膜コイルや磁性体を搭載することが行われており、通常、光学系から発せられた光は、磁性体の中心部分に設けられた透過孔および薄膜コイルの軸を通って、妨げられることなく光記憶媒体上に集光される。ここで、従来の光磁気ヘッドにおいては、磁性体の透過孔および薄膜コイルの内孔は、光束の断面の形状に合わせた円形形状を有していることが一般的であり、それらの内径には、光の光束径と、薄膜コイルや磁性体を形成する各種部品の大きさ等の公差、光学ヘッドを組み立てる際に生じるずれ等の公差、およびトラッキング制御における光束の移動量などが加味されている。
本発明の光磁気ヘッドにおいて、薄膜コイルの内周および磁性体が光路を取り囲む部分の内径は、周方向の長さよりもトラッキング方向の長さの方が長い。例えば、トラッキング方向の長さが「トラッキング制御における光の移動量＋光の光束径＋各種公差」で、周方向の長さが「光の光束径＋各種公差」になるように、薄膜コイルの内周および磁性体が光路を取り囲む部分の内径を設計することにより、「トラッキング制御における光の移動量」を加味しない周方向の長さが短い分だけ、薄膜コイルおよび磁性体が光路を取り囲む部分の内径が小さくなる。薄膜コイルおよび磁性体の周方向の内径が小さくなると、磁界の発生効率を向上させることができ、その結果、定格電流を抑えることが可能となる。よって、コイルの消費電力を低減させることが実現できる。また、コイルのインダクタンスも減少するため、光記憶媒体の情報アクセスを向上させることが可能となる。
また、本発明の光磁気ヘッドにおいて、上記の集光手段がレンズであるという形態は好適な一形態である。
このような集光手段を適用することによって、確実に光記憶媒体上に光を集光することができる。
また、本発明の光磁気ヘッドは、
光記憶媒体上に近接し、あるいは接触する、磁性体と薄膜コイルとを搭載したスライダをさらに備え、
集光手段が、スライダ上に搭載された１つ以上のレンズと、スライダとは離れて配置された１つ以上のレンズからなる複合レンズであり、
制御手段が、複合レンズを構成するレンズのうち、スライダとは離れて配置されたレンズの位置を制御することによって集光スポットをトラックに追従させるものであるという形態も好適な一形態である。
スライダ上とスライダ以外の位置にそれぞれ配置されたレンズを備えることによって、複数段階でさらに精度よく光を集光することができる。また、スライダ以外の位置に配設されたレンズを動かしてトラッキング制御等を行うことにより、スライダ上のレンズを移動させる必要がなくなるため、スライダを光記憶媒体に近接させることができる。このように薄膜コイルを含むスライダと光記憶媒体とを近づけることで、光記憶媒体に磁界を印加する効率をさらに向上させることができる。
また、本発明の光磁気記憶装置は、
表面に線状のトラックが設けられ、光の照射および磁場の印加を受けることによりトラックに沿って情報が記録される光記憶媒体に対し、光の照射および磁場の印加によって情報アクセスを行う光磁気記憶装置において、
光を光記憶媒体上に集光する集光手段と、
集光手段によって光記憶媒体上に集光される光の光路を、集光手段と光記憶媒体との間で取り囲んだ磁性体と、
磁性体と光記憶媒体との間で前記光路を取り巻いた導線からなる、光記憶媒体に磁場を印加する薄膜コイルと、
光路を通って磁性体および薄膜コイル越しに集光される光によって光記憶媒体上に形成される集光スポットを、トラックが延びる方向に垂直なトラッキング方向に対して制御して、集光スポットをトラックに追従させる制御手段とを備え、
磁性体は、トラックが延びる方向の長さよりもトラッキング方向の方が長い内径で光路を取り囲んだものであり、
薄膜コイルは、トラックが延びる方向の長さよりもトラッキング方向の長さの方が長い形状の内周を有するものであることを特徴とする。
このような磁性体や薄膜コイル等を有する光学ヘッドを用いることによって、コイルの消費電力、ひいては光磁気記憶装置の消費電力を抑えるとともに、光磁気記憶装置の情報アクセスの高速化を実現することができる。
【図面の簡単な説明】  図１は、本発明の光磁気ヘッドの一実施形態が組み込まれた、本発明の光磁気記憶装置の一実施形態を示す図である。
図２は、図１に示す光磁気記憶装置のハードウェア構成の一部を示した図である。
図３は、光磁気ヘッドからＭＯディスクに向けてビーム光を照射するときのＭＯディスクの記録面を示す図である。
図４は、光磁気ヘッドとその周辺要素を表す正面図である。
図５は、光磁気ヘッドとその周辺要素を表す斜視図である。
図６は、図４および図５に示すスライダのＡ−Ａ’間の断面図である。
図７は、図６に示す薄膜コイルを第１レンズおよび第２レンズが配設された側から見た図である。
図８は、図６に示す磁性体を第１レンズおよび第２レンズが配設された側から見た図である。
図９は、ＭＯディスクに対して情報アクセスを行う手順を示すフローチャートである。
図１０は、本発明の第２実施形態における光磁気ヘッドの一部を示す図である。
【発明を実施するための最良の形態】  以下、本発明の実施形態について説明する。
図１は、本発明の光磁気ヘッドの一実施形態が組み込まれた、本発明の光磁気記憶装置の一実施形態を示す図である。
ここに例示した光磁気記憶装置１００には、光磁気記憶装置１００の土台となるアルミニウム合金製のドライブベース１１０が備えられており、ドライブベース１１０はフレーム１２０に取り付けられている。また、ドライブベース１１０には、トップカバー１３０およびボトムカバー（図示省略）がそれぞれねじ止めされている。
フレーム１２０には、フロントパネル１４０が取り付けられており、このフロントパネル１４０には、本発明にいう光記憶媒体の一例に相当する光磁気（ＭＯ）ディスクを内蔵したＭＯディスクカートリッジが光磁気記憶装置１００内に挿入されるための挿入口１４１が設けられている。
光磁気記憶装置１００の、フロントパネル１４０が取り付けられた前端に対する後端には、光磁気記憶装置１００をコンピュータ等といった機器と電気的に接続するためのコネクタ１５０が搭載されている。
図２は、図１に示す光磁気記憶装置のハードウェア構成の一部を示した図である。
この光磁気記憶装置１００には、図２の各要素を制御するマイクロプロセッサユニット（Ｍｉｃｒｏ  Ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ  Ｕｎｉｔ：ＭＰＵ）１１、ＭＯディスクから読み取られた再生データとＭＯディスクに書き込む記録データの誤り制御を行う光ディスクコントローラ１２、記録データをレーザダイオード１４に適した書込信号に変換、もしくは磁界発生信号を発するライトＬＳＩ回路１３、レーザ光を発するレーザダイオード１４、レーザ光がＭＯディスク上で反射された反射光から各種信号（後述する）を検出する光検出器１６、ＭＯディスクに記録された情報を表すＭＯ信号を光ディスクコントローラ１２に適した再生データに変換するリードＬＳＩ回路１５、光磁気記憶装置１００と外部装置とのデータ移送を担う、図１に示すコネクタ１５０に相当するインタフェース２０、スピンドルモータ２２およびアクチュエータ２４を制御するデジタルシグナルプロセッサ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｓｉｇｎａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ：ＤＳＰ）２１、ＭＯディスクを保持して回転させるスピンドルモータ２２、ＭＯディスクに磁場を印加する薄膜コイル２３、およびレンズなどの位置を調整してレーザ光をＭＯディスク上に集光させるアクチュエータ２４等が備えられている。このレーザダイオード１４、薄膜コイル２３、およびアクチュエータ２４等は、後述する光磁気ヘッドを構成している。
ここで、光検出器１６で検出される各種信号について説明する。
図３は、光磁気ヘッドからＭＯディスクに向けてビーム光を照射するときのＭＯディスクの記録面を示している。
ＭＯディスク６０は、記録面６１上に複数のトラック６２が設けられており、このトラック６２に沿って情報が記録されている。ＭＯディスク６０は、矢印Ｐ１の方向に高速回転されており、後述する光磁気ヘッドによって、レーザ光Ｌと磁場が印加されている。レーザ光Ｌは、記録面６１上で反射されて再び光磁気ヘッドに入力され、その反射光は、図２に示す光検出器１６の前段に搭載された、ビームスプリッタやプリズム（図示しない）によって、フォーカス制御用、トラッキング制御用、およびＭＯ信号用の３つの光に分光される。光検出器１６では、これら３つの光から、以下に示す各種信号が検出される。
分光された光のうちの１つであるフォーカス制御用の光は、ＭＯディスク６０上にレーザ光Ｌの焦点を合わせるフォーカス制御に使用される。ＭＯディスク６０は、図２のスピンドルモータ２２によって回転するため、回転時に発生する面振れ等により光磁気ヘッド１０との間の距離が変動しやすい。ＭＯディスク６０がレンズの高さ方向（ｚ方向）に動いてしまうと、光磁気ヘッド１０内のレンズによって集光された集光スポットＬＰのスポット径が大きくなり、レーザ光ＬがＭＯディスク６０上の所望の位置以外にも照射されてしまい、情報を正しく読み書きできないという不具合が生じる。光検出器１６では、フォーカス制御用の光から、ＭＯディスク６０の位置が合焦位置からどれだけずれているかを表す信号（ＦＥＳ：フォーカスエラーシグナル）が検知され、図２のアクチュエータ２４では、そのＦＥＳに従って、レンズの高さ方向（ｚ方向）の位置が修正される。
また、反射光が分光された光のうち、トラッキング制御用の光は、集光スポットＬＰの位置を、情報を読み書きするトラック６２に追従させるトラッキング制御に使用される光である。フォーカス制御が、レンズの高さ方向（ｚ方向）の位置を制御する動作であるのに対し、トラッキング制御は、トラック６２が延びる周方向（ｙ方向）に対し垂直なトラッキング方向（ｘ方向）の位置を制御する動作である。例えば、ＭＯディスク６０が回転されることにより、ＭＯディスク６０の偏心等により、集光スポットＬＰがトラック６２に追従されていない場合、ＭＯディスク６０上の誤った位置に情報を読み書きしてしまう恐れがある。このような不具合を防ぐため、トラッキング制御用の光から、集光スポットＬＰの位置とトラック６２との誤差を表す信号（ＴＥＳ：トラックエラーシグナル）が検知され、アクチュエータ２４において、ＴＥＳに従って、レンズのトラッキング方向（ｘ方向）の位置が修正される。
また、反射光が分光された光のうち、ＭＯ信号用の光からは、ＭＯディスク６０に読み書きされる情報を表すＭＯ信号が検知される。このＭＯ信号を基に、ＭＯディスク６０に記録された情報が読み取られる。
光検出器１６では、以上のような３種類の信号が検出される。
ここで、光磁気記憶装置１００における本発明の実施形態としての特徴は、主として光磁気ヘッドにある。
図４は、光磁気ヘッドとその周辺要素を表す正面図であり、図５は、光磁気ヘッドとその周辺要素を表す斜視図である。
図４には、キャリッジ３０とスライダ４０とを備えた光磁気ヘッド１０、図２にも示すスピンドルモータ２２、および図２に示すレーザダイオード１４や光検出器１６などを内部に備えた固定光学部５０が示されている。
キャリッジ３０は、レール３４に沿って移動されることによって、固定光学部５０内のレーザダイオード１４から発せられたレーザ光Ｌを、ＭＯディスク６０の記録面６１上の情報アクセスを行う位置に移動させるシーク制御を行う。このキャリッジ３０には、レーザ光ＬをＭＯディスク６０に照射し、ＭＯディスク６０の記録面６１で反射されたレーザ光Ｌを固定光学部５０に返す反射ミラー３３と、レーザ光ＬをＭＯディスク６０上に集光する高ＮＡ光学系の第１レンズ３２と、第１レンズ３２を移動させる、図２にも示すアクチュエータ２４が搭載されている。また、本実施形態においては、アクチュエータ２４によって第１レンズ３２の位置が移動されることにより、上述したフォーカス制御およびトラッキング制御が行われる。このアクチュエータ２４は、本発明にいう制御手段の一例に相当する。
スライダ４０は、サスペンション３１を介してキャリッジ３０に搭載されており、スライダ４０には、キャリッジ３０内の第１レンズ３２で集光されたレーザ光Ｌをさらに集光する高ＮＡ光学系の第２レンズ４１や、ＭＯディスク６０に磁場を印加する薄膜コイル２３（図２参照）などが備えられている。ＭＯディスク６０が回転されることによって、スライダ４０が浮上されており、これによってスライダ４０とＭＯディスク６０との間の距離が安定して保たれている。このスライダ４０は、本発明にいうスライダの一例に相当する。また、第１レンズ３２および第２レンズ４１は、本発明にいう集光手段の一例に相当するとともに、本発明にいうレンズの一例に相当する。さらに、第１レンズ３２は、本発明にいう「スライダとは離れて配置されたレンズ」の一例にあたり、第２レンズ４１は、本発明にいう「スライダ上に搭載されたレンズ」の一例に相当する。
また、図５に示すように、スライダ４０の側面には、スライダ４０内に搭載された薄膜コイル２３と、ライトＬＳＩ回路１３から供給された駆動電流を薄膜コイル２３に誘導する引き出し線３５が接続されている。
図６は、図４および図５に示すスライダのＡ−Ａ’間の断面図である。
図６に示すように、スライダ４０は、光を透過するガラス基板２６と、光透過性の透明な絶縁層２７とで構成されている。ガラス基板２６の、第１レンズ３２と対向する面上には第２レンズ４１が搭載されている。絶縁層２７の内部の、ガラス基板２６に近い側には、中央部分に孔２５ａが設けられた磁性体２５が搭載されており、磁性体２５は、レーザ光Ｌの光路を孔２５ａが取り囲むように配設されている。この磁性体２５の材質としては、ここでは一般的なＮｉ−Ｆｅ合金が採用されているが、本発明にいう磁性体の材質はこれに限らない。また、絶縁層２７の内部の、ＭＯディスク６０に近い側には、内孔２３ａがレーザ光の光路上に配置されるように薄膜コイル２３が搭載されている。スライダ４０は、ＭＯディスク６０が高速回転することで矢印Ｐ２の方向に流れる空気によって、ＭＯディスク６０から近接した位置で浮上している。第１レンズ３２および第２レンズ４１を通ってきたレーザ光Ｌは、ガラス基板２６および絶縁層２７を透過し、磁性体２５の孔２５ａと薄膜コイル２３の内孔２３ａとを通って、ＭＯディスク６０上に集光される。
図７は、図６に示す薄膜コイルを第１レンズおよび第２レンズが配設された側から見た図である。
薄膜コイル２３は、内孔２５ａを導線が取り巻いて形成されている。薄膜コイル２３の内孔２３ａを通るレーザ光Ｌは、上述したトラッキング制御によって、点線で示す光束Ｌ１の位置から光束Ｌ２の位置までの間で移動される。内孔２３ａのトラッキング方向（ｘ方向）の長さは、光束径ｗ１とトラッキング制御時のレーザ光Ｌの移動距離とを考慮した長さｈ１に各種公差を加えた長さであり、内孔２３ａの周方向（ｙ方向）の長さは、光束の幅ｗ１に各種公差を加えた長さを有している。内孔２３ａは、トラッキング制御時のレーザ光Ｌの移動距離の分だけ、周方向の長さがトラッキング方向の長さよりも短い。薄膜コイル２３は、本発明にいう薄膜コイルの一例に相当する。
図８は、図６に示す磁性体を第１レンズおよび第２レンズが配設された側から見た図である。
磁性体２５の孔２５ａを通るレーザ光Ｌは、薄膜コイル２３と同様に、上述したトラッキング制御によって、点線で示す光束Ｌ１の位置から光束Ｌ２の位置までの間で移動される。孔２５ａも薄膜コイル２３の内周２３ａと同様に、トラッキング方向（ｘ方向）の長さは、上述したトラッキング制御時のレーザ光Ｌの移動距離が考慮されており、周方向（ｙ方向）の長さはその移動距離が考慮されていない。したがって、孔２５ａも、周方向の長さがトラッキング方向の長さよりも短い。磁性体２５は、本発明にいう磁性体の一例に相当する。
従来の光磁気ヘッドにおいては、薄膜コイルの内周および磁性体の中央部分に設けられた光透過用の孔は、トラッキング方向および周方向ともに「光束径とトラッキング制御時のレーザ光Ｌの移動距離と各種公差」が考慮された長さを有する円形であることが一般的である。図７および図８に示すように、本実施形態においては、薄膜コイル２３の内孔２３ａおよび磁性体２５の孔２５ａともに、トラッキング制御に関係しない周方向の長さには「トラッキング制御時のレーザ光Ｌの移動距離」が考慮されておらず、その分、従来の光磁気ヘッドにおける薄膜コイルの内周および磁性体の光透過用の孔よりも、薄膜コイル２３の内周および磁性体２５の孔２５ａの方が小さくなっている。薄膜コイル２３の内孔２３ａを小さくすると、薄膜コイル２３のインダクタンスが減少するため、光記憶媒体の情報アクセスの高速化が実現される。また、磁性体２５の孔２５ａを小さくすることによって、薄膜コイル２３の磁界発生効率が向上し、薄膜コイル２３の消費電力を抑えることができる。
また、本実施形態の光磁気記憶装置１００においては、いわゆる表面記憶型の光磁気ヘッド１０が採用されている。表面記憶型の光磁気ヘッド１０は、スライダ２７とＭＯディスク６０との間の距離が非常に近いため、薄膜コイル２３の内孔２３ａおよび磁性体２５の孔２５ａを通るレーザ光Ｌの光束径を小さくすることができる。したがって、薄膜コイル２３の内孔２３ａおよび磁性体２５の孔２５ａを、光束径に合わせてさらに小さくすることができる。
ここで、本実施形態の光磁気記憶装置１００において、ＭＯディスク６０に情報アクセスを行う手順について説明する。
図９は、ＭＯディスクに対して情報アクセスを行う手順を示すフローチャートである。以下では、図９に従って、ＭＯディスク６０に情報を記録する場合の手順を中心に説明する。
図２に示すＭＰＵ１１は、スピンドルモータ２２に駆動制御信号を送り、スピンドルモータ２２は、その駆動制御信号に従ってＭＯディスク６０を高速回転させる（図９のステップＳ１）。
ＭＯディスク６０が回転されると、レーザダイオード１４は一定のレーザ光Ｌを発する（図９のステップＳ２）。また、ＭＰＵ１１からは、ＭＯディスク６０上の情報を記録する位置を表す位置信号も発せられ、図４に示すキャリッジ３０は、レール３４に沿って移動することによって上述したシーク制御を行い、レーザダイオード１４で発せられたレーザ光Ｌを、ＭＯディスク６０上の位置信号が表す位置に集光する。
このとき、図２のライトＬＳＩ回路１３からは、記録される情報に合わせた磁場を発生させる磁界発生信号が発せられ、薄膜コイル２３に磁界発生信号に応じた駆動電流が供給されて、薄膜コイル２３からＭＯディスク６０に磁界が印加される（図９のステップＳ３）。
また、光検出器１６では、ＭＯディスク６０上でレーザ光Ｌが反射された反射光を基に、ＦＥＳ、ＴＥＳ、ＭＯ信号が検出される。
各種信号の検出は、ＭＯディスク６０が回転している間、継続的に行われる。まず、これらの信号のうちＦＥＳを使って、上述した一連のフォーカス制御が行われ（図９のステップＳ４）、ＭＯディスク６０上にレーザ光Ｌが集光される。
続いて、検出された信号のうちＴＥＳを使って、上述したトラッキング制御が行われ（図９のステップＳ５）、ＭＯディスク６０上のトラックに、図６の第１レンズ３２および第２レンズ４１で集光されたレーザ光Ｌによる集光スポットＬＰが追従される。
フォーカス制御およびトラッキング制御が行われると、情報の記録が開始される。光ディスクコントローラ１２において、記録データにチェックビットなどが付加され、ライトＬＳＩ回路１３では、その記録データがレーザダイオード１４に適した書込信号に変換される。この書込信号は、レーザダイオード１４に送られて、レーザダイオード１４から書込信号に応じたレーザ光Ｌが発せられ、このレーザ光Ｌ、および薄膜コイル２３から印加された磁場によって情報が書き込まれる（図９のステップＳ６）。
以上のようにして、情報の記録が行われる。
ＭＯディスク６０に記録された情報を再生する場合には、まず、ＭＰＵ１１によって発せられた位置信号に従ってシーク制御が行われ、図２に示すスピンドルモータ２２によって、ＭＯディスク６０が高速回転される（図９のステップＳ１）。続いて、レーザダイオード１４によって、一定のレーザ光Ｌが発せられる（図９のステップＳ２）。
ここで、情報の再生の場合には、磁場の印加（図９のステップＳ３）は省略され、ステップＳ４に進む。
情報を記録する場合と同様に、光検出器１６では、ＦＥＳ、ＴＥＳが検出される。尚、情報の再生の場合には、ＦＥＳおよびＴＥＳに加えて、ＭＯ信号も検出される。さらに、これらＦＥＳおよびＴＥＳに従って、フォーカス制御（図９のステップＳ４）、およびトラッキング制御（図９のステップＳ５）が行われ、その状態において検出されたＭＯ信号を基に、ＭＯディスク６０に記録された情報が読み取られる（図９のステップＳ６）。
検出されたＭＯ信号は、図２のリードＬＳＩ回路１５に送られて、光ディスクコントローラ１２に適した再生データに変換される。
光ディスクコントローラ１２では、再生データに含まれるチェックビットを用いて再生データの誤りが検出され、誤り制御が施された再生データはインタフェース２０を介してホストコンピュータ等に送られる。
以上のようにして、ＭＯディスク６０に対して情報アクセスが行われる。
以上で、本発明の第１実施形態の説明を終了し、次に、本発明の第２実施形態について説明する。重複を避けるため、以下では、第１実施形態と同じ構成を有する要素には同じ符号を付して説明を省略し、第１実施形態との相違点に注目して説明する。
この第２実施形態は、図６に示す第１実施形態と異なり、スライダが備えられておらず、第１レンズ３２および第２レンズ４１は一体的に搭載されている。
図１０は、本発明の第２実施形態における光磁気ヘッドの一部を示す図である。
本実施形態の光磁気ヘッドは、移動部８０の内部に、第１レンズ３２、第２レンズ４１、磁性体２５および薄膜ヘッド２３などがいっしょに搭載されており、アクチュエータ８１は、第１レンズ３２ではなく移動部８０に取り付けられている。
また、本実施形態の光磁気ヘッドには、図４に示す反射ミラー３３の換わりに、図示しないミラー駆動部によって回動されるガルバノミラー８２が備えられている。このガルバノミラー８２は、本発明にいう制御手段の一例に相当する。
図６に示す第１実施形態においては、アクチュエータ２４が第１レンズ３２の位置を移動させることによって、上述したフォーカス制御およびトラッキング制御が行われたが、本実施形態においては、アクチュエータ８１が移動部８０を移動させることによって、フォーカス制御が行われる。トラッキング制御については、移動部８０では行われず、ガルバノミラー８２によって行われる。
図２に示す光検出器１６でフォーカス制御用のＦＥＳが検出されると、図１０に示すアクチュエータ８１は、ＦＥＳに従って、ＭＯディスク６０に対して遠近方向に移動部８０を移動させ、フォーカス制御を行う。
また、光検出器１６でトラッキング制御用のＴＥＳが検出されると、図示しないミラー駆動部は、ＴＥＳに従って、ガルバノミラー８２を回動させてトラッキング制御を行う。
図６に示す浮上型のスライダ２７を備えた第１実施形態の光磁気ヘッド１０においては、ＭＯディスク６０が回転することによってスライダ２７が浮上し、ＭＯディスク６０と光磁気ヘッド１０との間の距離が近接して保たれるのに対し、図１０に示す本実施形態の光磁気ヘッドにおいては、アクチュエータ８１が移動部８０を移動させることにより、ＭＯディスク６０と光磁気ヘッドとの間の距離が一定に保たれる。したがって、本実施形態の光磁気ヘッドは、第１実施形態の光磁気ヘッド１０と比べて、ＭＯディスク６０との間の距離が大きくなり、ＭＯディスク６０に磁界を印加する効率が低下してしまうため、光磁気記憶装置全体の消費電力が大きくなってしまう。しかし、ＭＯディスク６０と光磁気ヘッドとの間に塵などの不要物が挟まりにくく、ＭＯディスク６０が回転されたときにＭＯディスク６０を傷つけてしまう不具合を防ぐことができる。
以上で、本発明の実施形態についての説明を終了する。
なお、上記では、本発明にいう光記憶媒体の一例としてＭＯディスクが示されているが、本発明にいう光記憶媒体はＤＶＤなどであってもよい。
また、上記では、本発明にいう集光手段の一例として、レンズが用いられる例が示されているが、本発明にいう集光手段は、例えば、回折素子などでもよい。
また、上記では、本発明にいう磁性体の一例として、中央部分に孔が設けられ、その孔で光の光路を取り囲む磁性体の例が示されているが、本発明にいう磁性体は、例えば、複数の線状の磁性体が放射状に配置されて光の光路を取り囲むものであってもよい。
また、上記では、本発明にいうコイルの一例として、光の光路を長円形に取り巻いたコイルの例が示されているが、本発明にいうコイルは、例えば光の光路を楕円形に取り巻いたものであってもよい。
さらに、上記では、本発明にいう磁性体の一例として、光の光路を長円形に取り囲んだ磁性体の例が示されているが、本発明にいう磁性体は、例えば光の光路を楕円形に取り囲んだものであってもよい。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【国際調査報告】
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