(57)【要約】２本の棒状の磁心３ａ、３ｂに一次巻線１ａ、１ｂ及び二次巻線２ａ、２ｂがそれぞれ巻回されおり、それぞれ巻かれた前記一次巻線１ａ、１ｂ及び二次巻線２ａ、２ｂが所定の漏洩インダクタンスを持つように前記棒状の磁心３ａ、３ｂの少なくとも両端を含む周囲の全部又は一部が磁性体樹脂６で覆われている。磁性体樹脂６の比透磁率は、棒状の磁心３ａ、３ｂの比透磁率に比べて十分に小さい。棒状の磁心３ａ、３ｂで発生した磁束は、一部が棒状の磁心３ａ、３ｂ及び磁性体樹脂６の外に漏洩し、漏洩インダクタンスを有するように作用し、これがバラストインダクタとして作用する。また、磁性体樹脂６の中を通り磁性体樹脂６の外側へ漏れる磁束が低減され周辺への影響を低減する。
2004109722.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
直流を交流に変換するインバータ回路に備えられて、一次側に入力された交流電圧を変圧して二次側に出力するインバータトランスにおいて、一次巻線と二次巻線とが巻回された棒状磁心を備えており、前記一次巻線及び二次巻線が所定の漏洩インダクタンスを持つように、前記一次、二次巻線及び前記棒状磁心からなる巻線組付体の少なくとも一部が磁性体及び該磁性体を含有する樹脂からなる磁性体樹脂で被覆されていることを特徴とするインバータトランス。
【請求項２】
前記磁性体樹脂の被覆は、前記巻線組付体の全体に行われていることを特徴とする請求項１に記載のインバータトランス。
【請求項３】
前記磁性体樹脂の被覆は、前記巻線組付体の両端部及び／又は前記巻線組付体の前記一次、二次巻線の隣接部分に行われていることを特徴とする請求項１に記載のインバータトランス。
【請求項４】
前記巻線組付体及び前記磁性体樹脂からなるトランス本体の外周部の少なくとも一部に、前記磁性体樹脂に比して飽和磁束密度が大きい外面部材を配置したことを特徴とする請求項１から３の何れかに記載のインバータトランス。
【請求項５】
前記外面部材は、前記磁性体樹脂に比して磁気抵抗が小さい値とされることを特徴とする請求項４に記載のインバータトランス。
【請求項６】
前記外面部材は、前記トランス本体の外周部に沿う断面略コ字形又は断面略円弧状をなし、前記トランス本体の外周部を覆うことを特徴とする請求項４又は５に記載のインバータトランス。
【請求項７】
前記外面部材は複数部材からなり、組合せられて前記トランス本体を覆うように箱状をなすことを特徴とする請求項４又は５に記載のインバータトランス。
【請求項８】
前記外面部材は、焼結体で構成されていることを特徴とする請求項４から７の何れかに記載のインバータトランス。
【請求項９】
前記磁性体樹脂は、比透磁率が前記棒状磁心の比透磁率より小さいことを特徴とする請求項１から８の何れかに記載のインバータトランス。
【請求項１０】
前記磁性体は、Ｍｎ−Ｚｎフェライト、Ｎｉ−Ｚｎフェライト、又は鉄粉であることを特徴とする請求項１から９の何れかに記載のインバータトランス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本発明は、液晶ディスプレイの画面照明用光源などに用いられる冷陰極蛍光管などの放電灯を点灯するインバータ回路に用いられるインバータトランスに関するものである。
【背景技術】
【０００２】  近年、パーソナルコンピュータ等のディスプレイ装置として液晶ディスプレイ（以下、ＬＣＤという。）が広く使用されるようになってきた。このＬＣＤは発光機能を持たないので、バックライト方式やフロントライト方式の画面照明用の光源を必要としており、このような光源には冷陰極蛍光管（以下、ＣＣＦＬという。）を使用しているのが一般的である。この種のＣＣＦＬの放電、点灯には、例えば長さ約５００ｍｍのＣＣＦＬの場合、放電開始時に６０ｋＨｚ、１６００Ｖ程度の高周波電圧を発生させるインバータ回路が用いられている。このインバータ回路は、ＣＣＦＬの放電後にはＣＣＦＬに印加される電圧を、放電維持のために必要な１２００Ｖ程度の電圧まで下げるように制御している。インバータ回路には、閉磁路構造のインバータトランスとバラストコンデンサーを用いるものがあるが、このインバータ回路は、前記インバータトランス以外にバラストコンデンサーが必要なために、小型化と低価格化を阻害し、ＣＣＦＬの放電後でも放電開始時の電圧を維持しなければならず安全性においても良くない。近年はバラストコンデンサーの代わりにバラストインダクタンスの役割を果たす漏洩インダクタンスを有する、所謂、開磁路構造のインバータトランスが用いられている。【０００３】  このようなインバータ回路に用いられる、漏洩インダクタンスを有する開磁路構造のインバータトランスとしては、従来から、棒状（Ｉ形状）の磁心を用いたインバータトランスがある。また、棒状磁心と枠形（ロの字状）の磁心を組み合わせたインバータトランスもある（例えば特許文献１参照。）。【０００４】  前記漏洩インダクタンスを有するインバータトランスの等価回路は、図１６に示すようなものである。図１６において、符号１００は、損失がない１：ｎの理想的トランス、符号Ｌ１、Ｌ２は漏洩インダクタンス、Ｌｓは相互インダクタンス、符号２はＣＣＦＬである。このような図１６に示した等価回路を有するインバータトランスでは、漏洩インダクタンスＬ１、Ｌ２がバラストインダクタンスの役割を果たし、閉磁路構造の前記インバータトランス以外にバラストコンデンサーを用いなくともＣＣＦＬ２を正常に点灯することができる。【０００５】  開磁路構造のインバータトランスの従来例として、図１７に示すような棒状（Ｉ形状）の磁心を用いたインバータトランスがある。図１７に示すインバータトランス１では、筒状のボビン４に軸方向に延びて形成される空孔部５に、点線で示すように棒状磁心３が挿入されている。ボビン４には、一次巻線６、二次巻線７が巻回されており、一次巻線６の端子ピン８を搭載した端子台９、二次巻線７の端子ピン１０を搭載した端子台１１が設けられている。また、二次側に誘起される電圧は高圧なので、二次巻線７はボビン４の仕切板１２により分割して巻回され、沿面放電を阻止している。このような、棒状磁心を用いたインバータトランスは、四角形などの閉じた形状に形成した磁心に巻線を巻回して構成される構造のインバータトランス（図示せず）に比べて構造が簡単である。しかし、棒状磁心からは周囲の空間に磁束が漏洩しており、特にその両端からの漏洩磁束は大きい。【０００６】  別の構造として、棒状磁心の周��を囲むようにロの字状の磁心を配置したインバータトランスが従来からある。図１８に示すインバータトランス１Ａはその一例であり、ロの字状の磁心１３と棒状磁心３を組み合わせて磁心を構成したものである。筒状のボビン１４の空孔部（符号省略）に棒状磁心３を挿入し、ボビン１４に一次巻線６と二次巻線７を巻回し、棒状磁心３をロの字状の磁心１３の嵌合溝１５に嵌合した構造となっている。そして、嵌合溝１５の部分には非磁性体のギャップシートが挿入されていて、ロの字状の磁心１３と棒状磁心３の間に空隙を設けた構造として、所定の漏洩インダクタンスをもつようにしている。この場合、周囲に漏洩する磁束はロの字状の磁心１３を通るので、漏洩磁束は図１７に示す棒状の磁心（Ｉ形状）に比べると小さくなる。
【特許文献１】特開２００２−３５３０４４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】  インバータトランスとして、このような漏洩インダクタンスを持つものを用いる場合、漏洩磁束があるために周辺に配置された部品や配線に影響を与えたりノイズを放射したりする可能性がある。そのために、周辺に配置される部品や配線を漏洩磁束が少ない方向に配置しなければならないなど、部品配置上の制限をうける。その結果、製品が大きくなったり、特性が劣化したりする場合がある。また、インバータトランスの周囲の漏洩磁束が通る位置に磁性体が置かれていると、前記漏洩磁束がその磁性体を通過したりして磁路に影響を受け、漏洩インダクタンスが変化したり、あるいは変動して不安定になったりしてインバータトランスの特性に変動を生じ、インバータの動作が変化する場合がある。【０００８】  このように、枠形やロの字状の磁心を用いずに棒状磁心のみで構成した場合にはインバータトランスの構造は簡単となるが、漏洩磁束の分布範囲が広がることになる。また、漏洩インダクタンスの大きさの調整が困難である。一方、ロの字状の磁心を用いると、棒状磁心のみで構成した場合に比べて漏洩磁束の分布範囲は狭くなるが、ロの字状の磁心の成形や加工などの工程が必要となる。またトランス製造時の組立工程においても、漏洩インダクタンスの調整のために、棒状磁心とロの字状の磁心との間にギャップシートを挿入するなどの工程が必要となるために複雑で手間がかかる。【０００９】  上述したように従来のインバータトランスでは、棒状磁心を用いたものは周囲に大きな漏洩磁束が発生する。従来、このような漏洩磁束を発生する製品が他の部品に影響しないように、また他の部品から影響を受けないようにするために、当該漏洩磁束を発生する製品を磁気シールドする方法が一般的に知られている。しかし、当該漏洩磁束を発生する製品を磁気シールドすると、製品そのものが大きくなると共に、磁気シールドをするための容器が必要になり、コスト高にもなる。また、前記容器内に漏洩磁束を発生する製品を固定したり、該容器からリード線などを取り出したりすることも必要になり、製造工程が複雑になり低価格化を阻害する。更に、漏洩磁束を発生する製品と磁気シールドをするための容器との取り付けが不完全な場合も生じ、製品の信頼性が低下する場合がある。また、ロの字状の磁心を付加した場合には付加しない場合に比べて漏洩磁束は減少するものの、トランスの構造や製造工程が複雑になりコストが上昇するという問題点があった。【００１０】  本発明は、開磁路構造でありながら、かかる問題を解決して全体構成や製造工程も従来のロの字状の磁心による開磁路構造のものに比べて簡略化でき、またコストの上昇も抑えることのできるインバータトランスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】  請求項１記載の発明は、直流を交流に変換するインバータ回路に備えられて、一次側に入力された交流電圧を変圧して二次側に出力するインバータトランスにおいて、一次巻線と二次巻線とが巻回された棒状磁心を備えており、前記一次巻線及び二次巻線が所定の漏洩インダクタンスを持つように、前記一次、二次巻線及び前記棒状磁心からなる巻線組付体の少なくとも一部が磁性体及び該磁性体を含有する樹脂からなる磁性体樹脂で被覆されていることを特徴とする。【００１２】  請求項２記載の発明は、請求項１に記載のインバータトランスにおいて、前記磁性体樹脂の被覆は、前記巻線組付体の全体に行われていることを特徴とする。
請求項３記載の発明は、請求項１に記載のインバータトランスにおいて、前記磁性体樹脂の被覆は、前記巻線組付体の両端部及び／又は前記巻線組付体の前記一次、二次巻線の隣接部分に行われていることを特徴とする。【００１３】  請求項４記載の発明は、請求項１から３の何れかに記載のインバータトランスにおいて、前記巻線組付体及び前記磁性体樹脂からなるトランス本体の外周部の少なくとも一部に、前記磁性体樹脂に比して飽和磁束密度が大きい外面部材を配置したことを特徴とする。
請求項５記載の発明は、請求項４に記載のインバータトランスにおいて、前記外面部材は、前記磁性体樹脂に比して磁気抵抗が小さい値とされることを特徴とする。【００１４】  請求項６記載の発明は、請求項４又は５に記載のインバータトランスにおいて、前記外面部材は、前記トランス本体の外周部に沿う断面略コ字形又は断面略円弧状をなし、前記トランス本体の外周部を覆うことを特徴とする。
請求項７記載の発明は、請求項４又は５に記載のインバータトランスにおいて、前記外面部材は複数部材からなり、組合せられて前記トランス本体を覆うように箱状をなすことを特徴とする。【００１５】  請求項８記載の発明は、請求項４から７の何れかに記載のインバータトランスにおいて、前記外面部材は、焼結体で構成されていることを特徴とする。
請求項９記載の発明は、請求項１から８の何れかに記載のインバータトランスにおいて、前記磁性体樹脂は、比透磁率が前記棒状磁心の比透磁率より小さいことを特徴とする。
請求項１０記載の発明は、請求項１から９の何れかに記載のインバータトランスにおいて、前記磁性体は、Ｍｎ−Ｚｎフェライト、Ｎｉ−Ｚｎフェライト、又は鉄粉であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】  請求項１から３に記載の発明によれば、直流を交流に変換するインバータ回路に備えられて、一次側に入力された交流電圧を変圧して二次側に出力するインバータトランスにおいて、一次巻線と二次巻線とが巻回された棒状磁心を備えており、前記一次巻線及び二次巻線が所定の漏洩インダクタンスを持つように、前記一次、二次巻線及び前記棒状磁心からなる巻線組付体の少なくとも一部が磁性体を含有する樹脂及び前記磁性体からなる磁性体樹脂で被覆されていることにより、巻線組付体を磁性体樹脂で被覆しない場合に比べてインバータトランスの周囲に広がる漏洩磁束が小さくなり、インバータトランスの周辺に配置された部品や配線に与える影響を小さくできる。また周囲に金属などがあってもインバータトランスの特性が影響を受けにくくなるため、インバータトランスの漏洩インダクタンスを安定に保つことが可能となる。【００１７】  請求項２に記載の発明によれば、前記磁性体樹脂の被覆は、前記巻線組付体の全体に行われていることにより、磁気シールドするための容器が不必要になり、コスト増にならない。また、前記容器内に漏洩磁束を発生するインバータトランスを固定したり、該容器からリード線などを取り出したりすることも不必要になり、製造工程が簡単になると共に、磁性体樹脂によりインバータトランス全体が樹脂成形される。その結果、機械的な強度が増し製品の信頼性を高めることができる。
更に、磁性体樹脂の比透磁率などの磁気特性や磁性体樹脂で覆う厚さや範囲を調整することにより回路の動作の最適条件に合わせて巻線の巻数や漏洩インダクタンスなどを調整することができる。その結果、インバータトランスの一次巻線や二次巻線の巻数及び棒状磁心の形状、特性を変えず、漏洩インダクタンスの大きさを調整することで各種のインバータトランスに適用できる効果がある。【００１８】  請求項４から１０に記載の発明によれば、巻線組付体及び前記からなるトランス本体の外周部の少なくとも一部に、前記磁性体樹脂に比して飽和磁束密度が大きい外面部材を配置したので、棒状磁心から漏洩して磁性体樹脂の中を通って外側へ漏れた磁束の大部分は外面部材を通ることになる。
このため、トランス本体を外面部材で被覆しない場合に比べて、インバータトランスの外部に漏れる磁束をより効率よく低減することができるので、磁性体樹脂のみで外側へ漏れる磁束の低減を行う場合に比して、全体の断面積を小さくすることができ、ひいてはインバータトランスの小型化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】［図１］本発明の第１の実施形態を示す上面図（ａ）と正面図（ｂ）及び第２の実施形態を示す正面図（ｃ）と部分断面図（ｄ）である。
［図２］本発明の第１の実施形態を示し、（ａ）はその斜視図、（ｂ）に示す棒状磁心及びその周囲の部材を示す断面図である。
［図３］本発明の磁界の大きさの測定位置を模式的に説明する図である。
［図４］本発明の実施例の特性結果を示す図である。
［図５］本発明の第３の実施形態を示す上面図（ａ）と正面図（ｂ）及び第４の実施形態を示す正面図（ｃ）である。
［図６］本発明の第５の実施形態を示す上面図（ａ）、この上面図（ａ）中ののＸ−Ｙ線に沿う断面図（ｂ）、正面図（ｃ）及び第５の実施形態に用いる外面部材５６を示す断面図（ｄ）である。
［図７］本発明の第６の実施形態を示す上面図（ａ）、この第６の実施形態に用いる外面部材５６を示す断面図（ｂ）、第６の実施形態を示す正面図（ｃ）である。
［図８］本発明の第７の実施形態を示す上面図（ａ）、この第７の実施形態に用いる外面部材５６を示す断面図（ｂ）、第７の実施形態におけるトランス本体５５を他のタイプのトランス本体５５に代えた例を示す正面図（ｃ）である。
［図９］本発明の第８の実施形態を示す上面図（ａ）、上面図（ａ）中のＸ−Ｙ線に沿う断面図（ｂ）、この第８の実施形態に用いる外面部材５６を示す斜視図（ｃ）、第９の実施形態に用いる外面部材５６を示す斜視図（ｄ）である。
［図１０］本発明の第１０の実施形態を示す上面図（ａ）、正面図（ｂ）である。
［図１１］本発明の第１１の実施形態を示す上面図（ａ）、正面図（ｂ）、第１１の実施形態におけるトランス本体５５Ｂをトランス本体５５Ａに代えた例を示す正面図（ｃ）である。
［図１２］本発明においての第１２の実施形態を示す上面図（ａ）、正面図（ｂ）、第１３の実施形態を示す正面図（ｃ）である。
［図１３］本発明の第１４の実施形態を示す一部断面の上面図（ａ）、第１４の実施形態に用いる外面部材を示す斜視図（ｂ）、第１４の実施形態を示す断面図（ｃ）、第１５の実施形態を示す断面図（ｄ）である。
［図１４］本発明の第１６の実施形態を示す上面図（ａ）、正面図（ｂ）、第１７の実施形態を示す正面図（ｃ）、外面部材及び板状部材を示す斜視図（ｄ）である。
［図１５］本発明の第１８の実施形態を示す上面図（ａ）、断面図（ｂ）、第１９の実施形態を示す断面図（ｃ）である。
［図１６］漏洩インダクタンスを有するインバータトランスの等価回路である。
［図１７］棒状磁心を用いたインバータトランスの従来例である。
［図１８］棒状磁心を用いたインバータトランスの他の従来例である。
【符号の説明】
【００２０】１ａ、１ｂ  一次巻線
２ａ、２ｂ  二次巻線
３ａ、３ｂ  磁心
４ａ  仕切板
５ａ、５ｂ  ボビン
６  磁性体樹脂
７、８  巻線用端子台
７ａ〜７ｆ  端子ピン
５６、５６Ａ〜５６Ｈ  外面部材
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】  以下、本発明の第１の実施形態について図１（ａ）、（ｂ）及び図２に基づいて説明する。なお、各図面で同一の部分には同一の符号を付している。この第１の実施形態は、１個のインバータトランスで２本の冷陰極蛍光管を同時に点灯させるように構成したものである。図１（ａ）、（ｂ）及び図２（ａ）、（ｂ）に示すように、このインバータトランス４０は、２本の棒状磁心３ａ、３ｂと、２つの一次巻線１ａ、１ｂ、及び２つの二次巻線２ａ、２ｂと、２本の矩形筒状ボビン５ａ、５ｂと、それらを覆う磁性体及び該磁性体を含有する樹脂からなる磁性体樹脂６と、絶縁材からなる巻線用端子台７、８とから大略構成される開磁路構造のものであり、矩形筒状ボビン５ａに巻回された一次、二次巻線１ａ，２ａと磁性体樹脂６との間、及び矩形筒状ボビン５ｂに巻回された一次、二次巻線１ｂ，２ｂと磁性体樹脂６との間には絶縁樹脂５０が介在されている。なお、これ以外に１以上の冷陰極蛍光管を点灯する場合であってもよく、その場合には前記棒状磁心の数を冷陰極蛍光管の数にあわせて変更するようにしてもよく、例えば、３本の冷陰極蛍光管を点灯する場合前記棒状磁心の数を３としてもよく、あるいは、１本の棒状磁心で複数本の冷陰極蛍光管を点灯するようにしてもよい。【００２２】  図１（ａ）、（ｂ）及び図２に示されているように、２つの棒状磁心３ａ、３ｂは、２本の矩形筒状ボビン５ａ、５ｂの内側を軸方向に貫通する穴の中にそれぞれ挿入されている。なお、２つのボビン５ａ、５ｂは、それぞれが嵌め合わされて一体化されている。棒状磁心３ａ、３ｂは強磁性体の軟磁性材料であるＭｎ−Ｚｎフェライトなどからなり、比透磁率は例えば２０００である。図１（ａ）、（ｂ）及び図２において、各一次巻線１ａ、１ｂ及び各二次巻線２ａ、２ｂは、２つの筒状のボビン５ａ、５ｂの外周に巻回されており、一次巻線と二次巻線を巻くためにそれぞれのボビンに設けられている２つの巻線部に一対の一次巻線と二次巻線が巻回されている。すなわち、２つのボビンのうち、一方のボビン５ａには一方の冷陰極蛍光管を点灯させるための一次巻線１ａと二次巻線２ａが巻回されており、もう一方のボビン５ｂには他方の冷陰極蛍光管を点灯させるための他の一次巻線１ｂと二次巻線２ｂが巻回されている。前記両一次巻線１ａ、１ｂの巻線部と二次巻線２ａ、２ｂの巻線部の間には、ボビン５ａ，５ｂにそれぞれ装着された区切りのための仕切板４ａが、それぞれ設けられている。即ち、両一次巻線１ａ、１ｂは、巻線用端子台７と仕切板４ａとの間に、両二次巻線２ａ、２ｂは、巻線用端子台８と仕切板４ａとの間に、それぞれ巻回されている。【００２３】  ここで、上記二次巻線２ａ、２ｂは、ボビン５ａ、５ｂの軸方向に沿って巻回されるが、二次巻線２ａ、２ｂが高電圧を発生するために、ボビン５ａ、５ｂはその軸方向で巻線用端子台８と仕切板４ａとの間が複数セクションに分割され、各セクション間には絶縁性の仕切板４ｂが設けられ、沿面放電の阻止に必要な沿面距離が保持されている。巻線用ボビン５ａ、５ｂを介在させた相互に最も離れた位置には、絶縁材からなる巻線用端子台７、８が取り付けられており、巻線用端子台７には端子ピン７ａ〜７ｆが支持固定され、巻線用端子台８には端子ピン８ａ〜８ｄが支持固定されている。一次巻線１ａ、１ｂの始端と終端は端子ピン７ａ〜７ｄに接続される。また、二次巻線２ａの始端と終端は各々端子ピン７ｅと８ａ又は８ｂに接続され、二次巻線２ｂの始端と終端は端子ピン７ｆと８ｃ又は８ｄに接続される。【００２４】  前記棒状磁心３ａ、ボビン５ａ、一次巻線１ａ、二次巻線２ａ及びその周囲の絶縁樹脂５０から第１巻線組付体５１ａが構成され、棒状磁心３ｂ、ボビン５ｂ、一次巻線１ｂ、二次巻線２ｂ及びその周囲の絶縁樹脂５０から第２巻線組付体５１ｂが構成され、第１巻線組付体５１ａ及び第２巻線組付体５１ｂから巻線組付体５１が構成されている。【００２５】  そして、巻線組付体５１は、その全周の低部（図１（ａ）紙面裏側、図１（ｂ）下側）を除いた部分が包み込まれるようにして磁性体樹脂６で被覆されている。この場合、磁性体樹脂６は、少なくとも前記棒状磁心３ａ、３ｂの一方の端から他方の端までを含めて覆い、さらに巻線用端子台７、８の一部を覆っている。
なお、巻線組付体５１に対する磁性体樹脂６の被覆は、後述する第２の実施形態のように、その全周（図１（ｃ））を包み込むように行なってもよいし、巻線組付体５１の全周の上面部に対して行なってもよいし、側部又は下面部に対して行なってもよい。【００２６】  磁性体樹脂６は、Ｍｎ−Ｚｎフェライトを焼結した後に粉砕した粉末からなる磁性体と、例えば熱硬化性のエポキシ樹脂とを混練機で混ぜ合わせて作られるものであり、混合したＭｎ−Ｚｎフェライト粉末の量は体積比で８０％である。前記磁心３ａ、ボビン５ａ、一次巻線１ａ及び二次巻線２ａの構成体、並びに前記磁心３ｂ、ボビン５ｂ、一次巻線１ｂ及び二次巻線２ｂの構成体にそれぞれ前記絶縁樹脂５０を施して、第１巻線組付体５１ａ及び第２巻線組付体５１ｂ（すなわち、巻線組付体５１）を形成し、この後に、成形あるいは塗布などにより後述するようにして前記磁性体樹脂６で覆い、例えば１５０℃前後で加熱して硬化させる。【００２７】  なお、磁性体樹脂６に含有される磁性体はＭｎ−Ｚｎフェライトに限られず、Ｎｉ−Ｚｎフェライトの粉末や、鉄粉などの磁性体であってもよく、また樹脂材料はナイロン、その他の樹脂を用いても同様の効果を得ることができる。また、磁性体樹脂６の比透磁率は、棒状磁心３ａ、３ｂから出る漏洩磁束に対するシールド効果を保ちながら開磁路構造という条件を満たすような値が選ばれる。磁性体樹脂６の比透磁率は、使用する磁性体の特性、あるいは磁性体と樹脂の混合比率を変えるなどの方法によって調整することができ、例えばＭｎ−Ｚｎフェライトや、Ｎｉ−Ｚｎフェライトの場合には数十、鉄粉などの磁性体では数百である。【００２８】  第１の実施形態のインバータトランス４０は、図１の上面図（ａ）と正面図（ｂ）及び図２の斜視図（ａ）と断面図（ｂ）で示すように、磁心３ａ、３ｂ、ボビン５ａ、５ｂ、一次巻線１ａ、１ｂ、及び二次巻線２ａ、２ｂを含んで構成される巻線組付体５１（第１巻線組付体５１ａ及び第２巻線組付体５１ｂ）の周囲の上面と側面のみが、前記磁性体樹脂６により被覆されている。【００２９】  また、図１の正面図（ｃ）に第２の実施形態を示すが、この第２の実施形態のインバータトランス４０は、磁心３ａ、３ｂ、ボビン５ａ、５ｂ、一次巻線１ａ、１ｂ、二次巻線２ａ、２ｂ及び絶縁樹脂５０を含んで構成される巻線組付体５１（第１巻線組付体５１ａ及び第２巻線組付体５１ｂ）の周囲の上面と側面及び下面、即ち前記巻線組付体５１の全周が前記磁性体樹脂６により被覆されている。【００３０】  第１、第２の実施形態の両インバータトランス４０，４０において、軸方向は、少なくとも磁心３ａ、３ｂの一方の端から他方の端および巻線用端子台７、８の一部が前記磁性体樹脂６により被覆されている。なお、前記第１、第２の実施形態において、棒状磁心３ａ、３ｂ（前記巻線組付体５１）は、１つの磁性体樹脂６で覆われているが、本発明はこれに限らず、２つの磁性体樹脂６で棒状磁心３ａ（第１巻線組付体５１ａ）と棒状磁心３ｂ（第２巻線組付体５１ｂ）とをそれぞれ別に覆ってもよい。【００３１】  前記第１、第２の実施形態のインバータトランス４０，４０の作用について以下に説明する。
磁性体樹脂６の比透磁率が棒状磁心３ａ、３ｂの比透磁率に比べて十分に小さいので、棒状磁心３ａ、３ｂで発生した磁束は、その磁気抵抗の差により磁性体樹脂６を全て通らず一部が棒状磁心３ａ、３ｂ及び磁性体樹脂６の外に漏洩し、漏洩インダクタンスを有するように作用する。【００３２】  即ち、棒状磁心３ａ、３ｂと磁性体樹脂６で構成される磁路は閉磁路を形成しておらず、このインバータトランス４０は実質的に漏洩インダクタンスを有する開磁路構造になっている。そのため、棒状磁心３ａ、３ｂの全体を通って一次巻線１ａ、１ｂと二次巻線２ａ、２ｂの両方に鎖交する磁束だけでなく、一次巻線１ａ、１ｂのみ、又は二次巻線２ａ、２ｂのみに鎖交して一次巻線１ａ、１ｂと二次巻線２ａ、２ｂの間の電磁気的な結合に寄与しない漏洩磁束が発生して、漏洩インダクタンスが生じる。このようなインバータトランス４０の動作は、磁性体樹脂６にてモールドされていない開磁路構造の場合と同様であり、前記漏洩インダクタンスがバラストインダクタンスとして作用し、二次巻線２ａ、２ｂに接続された冷陰極蛍光管（ＣＣＦＬ）を正常に放電、点灯することができる。【００３３】  前記漏洩インダクタンスがバラストインダクタンスとして作用するものの、従来のインバータトランスとは異なり、本第１、第２の実施形態のように巻線組付体５１の周囲を磁性体樹脂６で覆うことにより、棒状磁心３ａ、３ｂから漏洩した磁束の多くは、磁性体樹脂６の中を通り磁性体樹脂６の外側へ漏れる磁束は低減される。その結果、インバータトランス４０から周辺へ漏れ出る漏洩磁束の範囲が狭められる。【００３４】  特に、第１の実施形態（図１（ａ）、（ｂ）及び図２）のように、その下面が磁性体樹脂６により覆われていない場合では、インバータトランスが配設される基板、あるいは筐体の材料が磁性体でない材料により形成される時に有効である。即ち、インバータトランスが配設される基板、あるいは筐体の材料が磁性体でない場合には、棒状磁心３ａ、３ｂから漏洩した磁束はその影響を受けて磁路が変らず、従って特性の変動、変化が少ない。一方、その下面以外の側面と上面とが磁性体樹脂６により被覆されているので、インバータトランス４０から周辺へ漏れ出る漏洩磁束の範囲が狭められ、他に影響を与えることなく漏洩インダクタンスを有するように作用する。一方、その下面が磁性体樹脂６により覆われていないことによりインバータトランス４０の高さを低くできる効果がある。【００３５】  また、第２の実施形態（図１（ｃ））のように、磁心３ａ、３ｂ、ボビン５ａ、５ｂ、一次巻線１ａ、１ｂ、二次巻線２ａ、２ｂ及び絶縁樹脂５０を含んで構成される巻線組付体５１の周囲の上面と側面及び下面、即ち巻線組付体５１の全周が前記磁性体樹脂６により被覆され、少なくとも磁心３ａ、３ｂの両端間が前記磁性体樹脂６により被覆されている場合には、インバータトランスが配設される基板、あるいは筐体の材料が磁性体により形成されている場合に有効である。即ち、全周が前記磁性体樹脂６により被覆されている結果、インバータトランスが配設される下面にも磁気シールド作用が生じ、棒状磁心３ａ、３ｂから漏洩した磁束は、下面にある磁気材料の影響を受けて磁路���変らず、従って特性の変動、変化が少ない。【００３６】  インバータの動作を最適化するためには、インバータトランス４０の一次巻線１ａ、１ｂ及び二次巻線２ａ、２ｂの巻数や、漏洩インダクタンスなどを調整する必要があるが、漏洩磁束の磁路の磁気特性を変化させることによって漏洩インダクタンスの特性は変化する。本発明のインバータトランスにおいては、磁性体樹脂６の比透磁率などの磁気特性や磁性体樹脂６で覆う厚さや範囲を調整し、回路の動作の最適条件に合わせて巻線の巻数や漏洩インダクタンスなどを調整する。その結果、インバータトランス４０の一次巻線１ａ、１ｂや二次巻線２ａ、２ｂの巻数及び棒状磁心３ａ、３ｂの形状、特性を変えず、漏洩インダクタンスの大きさを調整することで各種のインバータトランスに適用できる効果がある。【００３７】  前記第１、第２の実施形態では、何れの場合も、少なくとも磁心３ａ、３ｂの両端間が前記磁性体樹脂６により覆われていたが、磁性体樹脂６で覆う範囲は漏洩インダクタンスを有するように作用するものであれば、必ずしも全体を覆う必要はなく一部分のみを覆うようにしてもよい。【００３８】  本発明の第３、第４の実施形態に係るインバータトランス４０，４０は、かかる場合の実施形態であり、以下、第３、第４の実施形態を図５に基づいて説明する。なお、図１又は図２と同等の部分、部材については図１又は図２と同等の符号を付し、その説明は、適宜、省略する。この第３、第４の実施形態は図５に示すように、棒状磁心３ａ、３ｂ（巻線組付体５１）の略中央の部分を除く両端部５１１の全周または一部が、磁性体樹脂６で被覆されている。即ち、少なくとも棒状磁心３ａ、３ｂの両端部分を含み、巻線用ボビン５ａ、５ｂ、巻線用端子台７、８の一部を含んで磁性体樹脂６で覆うようにしたものである。【００３９】  なお、第３の実施形態（図５（ａ）、（ｂ））は、前記第１の実施形態（図１（ａ）、（ｂ））と同様に上面と側面のみが前記磁性体樹脂６により被覆されている場合である。即ち棒状磁心３ａ、３ｂ（巻線組付体５１）の略中央の部分を除く両端部５１１が、磁性体樹脂６で被覆されている。また、図５（ｃ）に第４の実施形態を示すが、この第４の実施形態は、前記第２の実施形態（図１（ｃ））と同様に巻線組付体５１の上面と側面及び下面、即ち全周が前記磁性体樹脂６により被覆されている場合である。即ち棒状磁心３ａ、３ｂ（巻線組付体５１）の略中央の部分を除く両端部５１１の全周が磁性体樹脂６で被覆されている。磁性体樹脂６で被覆されている範囲が上面、側面のみ及び下面を含む全周の場合における効果は、第１の実施形態と同様である。【００４０】  棒状磁心３ａ、３ｂ（巻線組付体５１）の両端部分の全部又は一部が磁性体樹脂６で覆われることによって、磁性体樹脂６がシールド作用をなし、棒状磁心３ａ、３ｂの両端部分から出た漏洩磁束ΦＲは主として磁性体樹脂６の中を通るようになる。その結果、棒状磁心３ａ、３ｂの両端部分から周辺の空間に広がる漏洩磁束ΦＳは、磁性体樹脂６の部分がない場合と比較して漏洩磁束の量は低減される。この第４の実施形態によるインバータトランス４０も第１の実施形態のものと同じく開磁路構造であるため、一次巻線１��、１ｂや二次巻線２ａ、２ｂに漏洩インダクタンスが生じ、これがバラストインダクタンスとして働いてＣＣＦＬを正常に点灯することができる。【００４１】  なお、前記第３、第４の実施形態において、棒状磁心３ａ、３ｂの略中央の部分を除く両端部は、棒状磁心３ａ、３ｂが１つの磁性体樹脂６で覆われているが、本発明はこれに限らず、２つの磁性体樹脂６で棒状磁心３ａ（第１巻線組付体５１ａ）と棒状磁心３ｂ（第２巻線組付体５１ｂ）の略中央の部分を除く両端部５１１をそれぞれ別に覆ってもよい。前記第３、第４の実施形態のインバータトランス４０，４０においては、磁性体樹脂６の比透磁率などの磁気特性や磁性体樹脂６で覆う厚さや範囲を調整し、回路の動作の最適条件に合わせて巻線の巻数や漏洩インダクタンスなどを調整する。【００４２】  第３、第４の実施形態のように、磁性体樹脂６は、棒状磁心３ａ、３ｂの略中央の部分を除く両端部を磁性体樹脂６で覆うことにより、棒状磁心３ａ、３ｂの両端部分から周辺の空間に広がる漏洩磁束ΦＳが低減され、インバータトランス４０の両端部に配設される部品が、前記漏洩磁束ΦＳの影響を受けないと共に、両端部に配設される部品からの磁束の影響を受けず、特性の変動、変化が少ない。また、両端部に磁性体を有する部品が配設された場合の影響を除去できる。【００４３】  また、第３、第４の実施形態において、巻線組付体５１（第１巻線組付体５１ａ及び第２巻線組付体５１ｂ）における仕切板４ａが配置された部分（一次巻線１ａ及び二次巻線２ａが隣接する部分）〔以下、仕切板配置部分５２という。〕の外周部を、磁性体樹脂６により被覆するように構成してもよい。この場合、仕切板配置部分５２は、漏れ磁束の発生量が多い部分であり、当該仕切板配置部分５２が磁性体樹脂６により被覆されることにより、インバータトランス４０から周辺へ漏れ出る磁束の量をより抑制することができる。【００４４】  このように仕切板配置部分５２を磁性体樹脂６により被覆することは、前記第３、第４の実施形態（巻線組付体５１の両端部５１１を磁性体樹脂６により被覆しているインバータトランス）において用いるのみならず、単独で行なうようにしてもよい。【００４５】  次に、本発明の第５の実施形態のインバータトランスを図６に基づいて説明する。
なお、図１及び図２に示す部分、部材と同等の部分、部材には同一の符号を付し、その説明は適宜省略する。この第５の実施形態のインバータトランス４０，４０は、磁心３ａ、３ｂ、ボビン５ａ、５ｂ、一次巻線１ａ、１ｂ、二次巻線２ａ、２ｂ及び絶縁樹脂５０を含んで構成される巻線組付体５１の周囲の上面と側面及び下面、即ち巻線組付体５１の全周が磁性体樹脂６により被覆され（すなわち、巻線組付体５１及び磁性体樹脂６が第２の実施形態と略同等に構成され）、巻線組付体５１及び磁性体樹脂６によりトランス本体５５が構成されている。【００４６】  以下、便宜上、適宜、このように巻線組付体５１の全周を磁性体樹脂６が被覆するトランス本体５５を、トランス本体５５Ａといい、巻線組付体５１の外周部の下面部以外の部分を磁性体樹脂６が被覆するトランス本体５５をトランス本体５５Ｂ〔図８（ａ）、（ｃ）参照〕という。
そして、トランス本体５５Ａの外周部（トランス本体５５の周囲の上面、側面、下面並びに正面及び背面の巻線用端子台７，８を除いた部分）は、磁性体樹脂６に比して飽和磁束密度が大きい外面部材５６により被覆されている。この場合、外面部材５６は、例えばＭｎ−Ｚｎフェライト又はＮｉ−Ｚｎフェライトからなる焼結体で構成され、磁性体樹脂６に比して飽和磁束密度が大きい値とされている。また、外面部材５６は、磁性体樹脂６に比して磁気抵抗が小さい値とされている。【００４７】  外面部材５６は、トランス本体５５Ａを収納する凹部５７を有する第１外面部材５６ａと、凹部５７を覆うようにして第１外面部材５６ａに載置され、第１外面部材５６ａと共にトランス本体５５Ａを覆う第２外面部材５６ｂと、から大略構成され、第１外面部材５６ａ及び第１外面部材５６ａが組合せられて中空の箱状をなしている。【００４８】  第１外面部材５６ａは、図６（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）に示すように、下面板５８と、下面板５８の両側に垂設された側板５９と、下面板５８の正面側〔図６（ａ）下側〕、背面側〔図６（ａ）上側〕〕に垂設された正面板６０及び背面板６１と、からなっている。正面板６０及び背面板６１には矩形の切欠６２（背面板６１の切欠６２の図示は省略する。）が形成されており、切欠６２を通して巻線用端子台７，８の一部が外部に配置されるようになっている。すなわち、外面部材５６は、巻線用端子台７，８部分のみを除いてトランス本体５５Ａを被覆するようにしている。【００４９】  この第５の実施形態のインバータトランス４０によれば、トランス本体５５Ａを覆うように、磁性体樹脂６に比して飽和磁束密度が大きい外面部材５６（焼結体）を設けたので、棒状磁心３ａ、３ｂから漏洩して磁性体樹脂６の中を通り磁性体樹脂６の外側へ漏れた磁束の大部分は外面部材５６を通ることになる。このため、磁性体樹脂６のみを設けた場合に比して、インバータトランス４０の外部に漏れる磁束をより効率よく低減することができるので、磁性体樹脂６のみで外側へ漏れる磁束の低減を行う場合に比して、全体の断面積を小さくすることができ、ひいてはインバータトランス４０の小型化を図ることができる。【００５０】  この場合、外面部材５６は、磁性体樹脂６に比して磁気抵抗が小さい値とされているので、磁性体樹脂６の外側へ漏れた磁束が、より効率よく外面部材５６を通ることになるので、インバータトランス４０から外側への磁束の漏れがより低減され、これに伴ない、インバータトランス４０の小型化をより進めることが可能となる。【００５１】  第５の実施形態のインバータトランス４０は、次のように作製される。
すなわち、第１外面部材５６ａの切欠６２形成部分に巻線用端子台７，８を載置するようにして、巻線組付体５１を凹部５７に収納し、この状態で、凹部５７内に磁性体樹脂６を充填するようにして巻線組付体５１に対してモールド処理を施す。次に、磁性体樹脂６を例えば１５０℃前後で加熱して硬化させ、巻線組付体５１と、巻線組付体５１の周囲に被覆された磁性体樹脂６とからなるトランス本体５５Ａを凹部５７内に得る。【００５２】  続いて、トランス本体５５Ａが収納された凹部５７を閉じるように、第１外面部材５６ａに第２外面部材５６ｂを重ねてトランス本体５５Ａの外周部を第１外面部材５６ａと共に被覆し、上述した第５の実施形態のインバータトランス４０を得る。
この第５の実施形態では、凹部５７内に磁性体樹脂６を充填するようにして巻線組付体５１に対してモールド処理を施すことができるので、作製し易く、生産性の向上を図ることができる。【００５３】  なお、この第５の実施形態のインバータトランス４０において、第２外面部材５６ｂを廃止し、外面部材を第１外面部材５６ａのみで構成するようにしてもよい。
第５の実施形態（図６）では、トランス本体５５Ａの外周部（トランス本体５５の周囲の上面、側面、下面並びに正面及び背面の巻線用端子台７，８を除いた部分）を覆える形状の外面部材５６を用い、当該トランス本体５５Ａの外周部を前記外面部材５６により被覆する場合を例にしたが、本発明はこれに限られない。トランス本体５５Ａに代えて前記トランス本体５５Ｂを用いてもよいし、次の図７（第６の実施形態）、図８（第７の実施形態）、図９（ａ）、（ｂ）、（ｃ）（第８の実施形態）、図９（ｄ）（第９の実施形態）、図１０（第１０の実施形態）、図１１（第１１の実施形態）、図１２（ａ）、（ｂ）（第１２の実施形態）、図１２（ｃ）（第１３の実施形態）に示すように構成してもよい。【００５４】  第６の実施形態では、外面部材５６Ａが、図７（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すように、矩形筒状をなしている。この外面部材５６Ａは、トランス本体５５Ａの外周部（トランス本体５５の周囲の上面、側面、下面）を被覆するようにしている。外面部材５６Ａは、磁性体樹脂６に比して飽和磁束密度が大きい値とされている。また、外面部材５６Ａは、磁性体樹脂６に比して磁気抵抗が小さい値とされている。【００５５】  第６の実施形態では、第５の実施形態に比して、トランス本体５５Ａの外周部のうち正面及び背面が被覆されていないものの、トランス本体５５Ａの外周部の大部分が外面部材５６Ａで被覆されているので、インバータトランス４０の外部に漏れる磁束の低減を良好に果し、ひいてはインバータトランス４０の小型化を図ることができる。また、外面部材５６Ａは、磁性体樹脂６に比して磁気抵抗が小さい値とされている分、インバータトランス４０の外部への磁束の漏れが少なくなり、ひいてはインバータトランス４０の小型化をより進めることが可能となる。【００５６】  第７の実施形態では、外面部材５６Ｂが、図８（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すように、上面板６３と、その両側部に垂設された側板６４とからなり、トランス本体５５Ｂの外周部に沿う断面略コ字形をなしている。この外面部材５６Ｂは、トランス本体５５Ｂの外周部（トランス本体５５Ｂの周囲の上面、側面）を被覆するようにしている。外面部材５６Ｂは、磁性体樹脂６に比して飽和磁束密度が大きい値とされている。また、外面部材５６Ｂは、磁性体樹脂６に比して磁気抵抗が小さい値とされている。【００５７】  第７の実施形態では、第６の実施形態に比して、トランス本体５５Ｂの外周部のうち下面が被覆されていないものの、トランス本体５５Ｂの外周部の大部分が外面部材５６Ｂで被覆されているので、インバータトランス４０の外部に漏れる磁束の低減を良好に果し、ひいてはインバータトランス４０の小型化を図ることができる。また、外面部材５６Ｂは、磁性体樹脂６に比して磁気抵抗が小さい値とされている分、インバータトランス４０の外部への磁束の漏れが少なくなり、ひいてはインバータトランス４０の小型化を進めることが可能となる。【００５８】  この第７の実施の形態では、外面部材５６Ｂがトランス本体５５Ｂの外周部に沿う断面略コ字形をなしている場合を例にしたが、トランス本体５５Ｂの外周部が略円弧状をなしている場合、外面部材をそれに合わせて断面��円弧状に形成するようにしてもよい。
第７の実施形態におけるトランス本体５５Ｂに代えて、図８（ｄ）に示すように、トランス本体５５Ａ（巻線組付体５１の全周を磁性体樹脂６が被覆するトランス本体５５）を用いてもよい。【００５９】  第８の実施形態では、外面部材５６Ｃが、図９（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すように、上面板６３に、トランス本体５５Ａの仕切板４ａの配置部分（仕切板配置部分５２を含む部分。以下、仕切板含有部分５２Ａという。）に臨む架橋板６５を残して２つの窓（符号省略）を形成し、架橋板６５が仕切板含有部分５２Ａを被覆し、かつ上面板６３の両端側部分６６がトランス本体５５Ａの両端側部分６７を被覆するようにしている。外面部材５６Ｃは、磁性体樹脂６に比して飽和磁束密度が大きい値とされている。【００６０】  上述したように仕切板配置部分５２は、漏れ磁束の発生量が多い部分であるが、当該仕切板配置部分５２を含む仕切板含有部分５２Ａの外周部を架橋板６５及び外面部材５６における架橋板６５に連接する部分が被覆するので、仕切板含有部分５２Ａを通して漏洩する磁束は大部分が外面部材５６を通ることとなり、インバータトランス４０から周辺へ漏れ出る磁束の低減を良好に果すことができる。また、上面板６３の両端側部分６６がトランス本体５５Ａの両端側部分６７を被覆するので、その分、インバータトランス４０から周辺へ漏れ出る磁束の低減をさらに進めることができる。【００６１】  第９の実施形態では、外面部材５６Ｄが、図９（ｄ）に示すように、第８の実施形態の外面部材５６Ｃ〔図９（ａ）、（ｂ）、（ｃ）〕に比して、架橋板６５を廃止し、一つの窓を形成した構造を有している。【００６２】  第１０の実施形態では外面部材５６Ｅが、図１０（ａ）、（ｂ）に示すように、上面視長方形の板状をなし、トランス本体５５Ｂの下面部に配置され、トランス本体５５Ｂの下面部を被覆するようにしている。外面部材５６Ｅは、磁性体樹脂６に比して飽和磁束密度が大きい値とされている。第１０の実施形態において、トランス本体５５Ｂに代えてトランス本体５５Ａを用いるようにしてもよい。【００６３】  第１１の実施形態では、外面部材５６Ｆは、図１１（ａ）、（ｂ）に示すように、第１、第２の板状外面部材５６ｃ、５６ｄからなり、それぞれトランス本体５５Ｂの両側部に配置されて当該両側部を被覆する。外面部材５６Ｆ（第１、第２の板状外面部材５６ｃ、５６ｄ）は、磁性体樹脂６に比して飽和磁束密度が大きい値とされている。第１１の実施形態において、図１１（ｃ）に示すように、トランス本体５５Ｂに代えてトランス本体５５Ａを用いてもよい。【００６４】  第１２の実施形態では、図１２（ａ）、（ｂ）に示すように、外面部材５６Ｇが、第１、第２の断面コ字形外面部材５６ｅ，５６ｆからなり、それぞれトランス本体５５Ｂの両端側部分６７の上面部及び側部を被覆するようにしている。外面部材５６Ｇ（第１、第２の断面コ字形外面部材５６ｅ，５６ｆ）は、磁性体樹脂６に比して飽和磁束密度が大きい値とされている。
第１２の実施形態において、トランス本体５５Ｂに代えてトランス本体５５Ａを用いてもよい。【００６５】  第１３の実施形態では、図１２（ｃ）に示すように、外面部材５６Ｈが、第１、第２の断面ロ字形外面部材５６ｇ、５６ｈからなり、それぞれトランス本体５５Ａの両端側部分６７の上面部、側部及び下面部を被覆するようにしている。外面部材５６Ｈ（第１、第２の断面ロ字形外面部材５６ｇ、５６ｈ）は、磁性体樹脂６に比して飽和磁束密度が大きい値とされている。第１３の実施形態において、トランス本体５５Ａに代えてトランス本体５５Ｂを用いてもよい。【００６６】  上述した図６，図９ないし図１１に示す実施の形態では、トランス本体５５としては、トランス本体５５Ａ（巻線組付体５１の全周を磁性体樹脂６が被覆する）である場合、又はトランス本体５５Ｂ（巻線組付体５１の外周部の下面部以外の部分を磁性体樹脂６が被覆する）である場合を例にしたが、これに限らず、他のタイプのトランス本体５５に外面部材５６を用いるようにしてもよい。【００６７】  例えば、図１３（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すように、巻線組付体５１の両端部５１１及び仕切板配置部分５２における上面部及び側部が磁性体樹脂６で被覆されるトランス本体５５（このタイプのトランス本体を、適宜、トランス本体５５Ｃという。）に、断面コ字形の外面部材５６Ｂを用いるようにしてもよい（第１４の実施形態）。また、図１３（ｄ）に示すように、巻線組付体５１の両端部５１１〔図１３（ａ）参照〕及び仕切板配置部分５２における全周（上面部、側部及び下面部）が磁性体樹脂６で被覆されるトランス本体５５（このタイプのトランス本体を、適宜、トランス本体５５Ｄという。）に、断面コ字形の外面部材５６Ｂ（図１３（ｂ））を用いるようにしてもよい（第１５の実施形態）。【００６８】  また、図１４（ａ）、（ｂ）に示すように、巻線組付体５１の仕切板配置部分５２における上面部及び側部が磁性体樹脂６で被覆されるトランス本体５５（このタイプのトランス本体を、適宜、トランス本体５５Ｃ′という。）に、図９（ｄ）に示すような外面部材５６Ｄを用いるようにしても良い（第１６の実施形態）。
また、図１４（ｃ）に示すように、巻線組付体５１の仕切板配置部分５２における全周（上面部、側部及び下面部）が磁性体樹脂６で被覆されるトランス本体５５（このタイプのトランス本体を、適宜、トランス本体５５Ｄ′という。）に、図９（ｄ）に示すような外部部材５６Ｄを用いるようにしてもよい（第１７の実施形態）。
また、図１４（ｄ）に示すように、巻線組付体５１に外面部材５６Ｄ〔図９（ｄ）参照〕を装着したあと、磁性体樹脂６の代わりに板状部材６５ａを装着しても良い。このとき板状部材６５ａの材質は外面部材５６Ｄと同等、または磁性体樹脂６と同等にされている。
また、図１５（ａ）、（ｂ）に示すように、第１、第２の板状外面部材５６ｃ、５６ｄ（外面部材５６Ｆ）を、トランス本体５５Ｃに用いるようにしてもよい（第１８の実施形態）。
また、図１４（ｃ）に示すように、第１、第２の板状外面部材５６ｃ、５６ｄを、トランス本体５５Ｄに用いるようにしてもよい（第１９の実施形態）。
【実施例】
【００６９】  以下、前記第２の実施形態の実施例について説明する。インバータトランス４０の磁心３ａ、３ｂの高さ、幅はそれぞれ３ｍｍ、長さは３０ｍｍ、比透磁率が２０００のＭｎ−Ｚｎフェライトであり、磁性体樹脂６は、熱硬化性のエポキシ樹脂に比透磁率２０００のＭｎ−Ｚｎフェライト粉末を体積比８０％で混合したもので、比透磁率は略２０である。絶縁材からなる巻線用端子台７、８の高さは６ｍｍ、ボビン５ａ、５ｂの高さは３ｍｍ、各セクション間の絶縁性の仕切板４ｂの高さは２ｍｍである。該ボビン５ａ、５ｂには一次巻線１ａ、１ｂと二次巻線２ａ、２ｂが巻回され、その厚さは約０．５ｍｍである。【００７０】  かかる構成のインバータトランス４０を、図１（ｃ）で示した実施形態（第２の実施形態）のように前記磁性体樹脂６で以下のように覆った。磁心３ａ、３ｂ、ボビン５ａ、５ｂ、一次巻線１ａ、１ｂ、及び二次巻線２ａ、２ｂから構成される部分の周囲の上面と側面及び下面、即ち前記構成部分の全周および少なくとも磁心３ａ、３ｂの両端間が、前記磁性体樹脂６により被覆されている。具体的には、前記磁性体樹脂６を絶縁性の仕切板４ｂの先端から約３ｍｍの厚さになるように覆い、約１５０℃で熱硬化させた。【００７１】  前記実施例に基づくインバータを用いてＣＣＦＬを点灯させた時、インバータトランス４０から発生する漏洩磁束による周辺の磁界の大きさを測定した結果を図４に示す。比較のために、本実施例のように磁性体樹脂６によって覆われたものではなく、棒状磁心とロの字状の磁心を組み合わせた図１８に示した従来の構造のインバータトランスを使用したときの値も測定した。図３に示すように、インバータトランスを水平に置いたときに、巻線の上面の中央部から上方へ距離ｄだけ離れた場所で測定した。図４において、横軸は距離ｄ、縦軸は距離ｄにおける磁界の大きさである。【００７２】  図４に示すように漏れ磁束による磁界は距離ｄが大きくなるとともに減少し、おおよそ距離ｄの２乗に反比例している。図１８に示した従来のロの字状の磁心を用いたインバータトランスと本実施例による磁性体樹脂６で覆ったインバータトランス４０を比較すると、本実施例によるインバータトランス４０を用いたときの方が測定される磁界は小さい。例えば、距離ｄが２ｃｍのときの値を比較すると、従来のインバータトランスでは磁界の大きさは８９Ａ／ｍであるのに対して、本実施例によるインバータトランス４０を使用したときは８．１Ａ／ｍである。このように、本発明はインバータトランスの漏洩磁束による周辺の磁界を大幅に減少するという効果がある。
【産業上の利用可能性】
【００７３】  開磁路構造でありながら、全体構成や製造工程を簡略化でき、またコストの上昇も抑えることのできるインバータトランスを提供する。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【国際調査報告】
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