(57)【要約】支持基板（１）、有機ＥＬ素子（２）、第１のパッシベーション層（３）、第２のパッシベーション層（４）、有機ＥＬ素子（２）が発する光の色を調整及び／又は変換する色変換層（５）及び透光性基板（６）を、この順序で設けた有機エレクトロルミネッセンス表示装置。この装置では、パッシベーション層が２層設けられているため、ピンホールのパスを効果的に遮断することができ、封止性が高まり、非発光領域が形成されにくくなる。従って、ダークスポット等の非発光部分の発生が少なく、耐久性に優れた有機ＥＬ表示装置が得られる。
2004036960.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板、
有機エレクトロルミネッセンス素子、
第１のパッシベーション層、
第２のパッシベーション層、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子が発する光の色を調整及び／又は変換する色変換層、及び
透光性基板を、この順序で設けた有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項２】
前記第１のパッシベーション層の膜厚をＴ１とし、前記第２のパッシベーション層の膜厚をＴ２としたとき、Ｔ１＋Ｔ２が、
０．００１μｍ＜Ｔ１＋Ｔ２＜２００μｍ
を満たす請求の範囲第１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項３】
前記第１のパッシベーション層と、前記第２のパッシベーション層との間に中間層を設けた請求の範囲第１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項４】
前記中間層が、不活性流体からなる請求の範囲第３項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項５】
前記色変換層が、蛍光媒体を含む請求の範囲第１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項６】
支持基板上に、有機エレクトロルミネッセンス素子及び第１のパッシベーション層を設けて第１の基板を形成し、
透光性基板上に、前記有機エレクトロルミネッセンス素子が発する光の色を調整及び／又は変換する色変換層及び第２のパッシベーション層を設けて第２の基板を形成し、
前記第１の基板と、前記第２の基板とを、前記第１のパッシベーション層と、前記第２のパッシベーション層とが対向するように貼り合わせる有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】  本発明は、民生用及び工業用のディスプレイ、具体的には、携帯電話、ＰＤＡ、カーナビ、モニター、ＴＶ等のディスプレイとして好適な、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】  有機ＥＬ表示装置は、互いに対向する電極間に有機発光媒体を挟持した有機ＥＬ素子から構成されている。有機ＥＬ素子の両電極間に電圧を印加すると、一方の電極から注入された電子と他方の電極から注入されたホールとが、有機発光媒体中の有機発光層で再結合する。有機発光層中の有機発光分子は、再結合エネルギーによりいったん励起状態となり、その後、励起状態から基底状態に戻る。この際に放出されるエネルギーを光として取り出すことにより、有機ＥＬ発光素子は発光する。
このような発光原理を有する有機ＥＬ素子から構成された有機ＥＬ表示装置は、完全固体素子であり、視認性に優れ、軽量化、薄膜化が図れ、その上、わずか数ボルトという低電圧で駆動させることができる。このため、有機ＥＬ表示装置は、カラーディスプレイとしての利用が期待され、現在盛んに研究されている。
図５及び図６に、従来の有機ＥＬ表示装置の一例を示す。
図５に示す有機ＥＬ表示装置（例えば、米国特許第６２６８６９５号明細書及び特開２０００−２２３２６４号公報参照。）では、支持基板１上にＴＦＴ７と下部電極２２が形成され、さらに、この上に順次、絶縁部材８、有機発光媒体２１、上部電極２３、パッシベーション層３、平坦化層９及び色変換層５が設けられ、最上面に透光性基板６が設けられている。下部電極２２、有機発光媒体２１及び上部電極２３により有機ＥＬ素子２が構成される。パッシベーション層３は、封止の機能を有し、色変換層５から発生する不望物や、これに含まれる不純物等が浸透して、有機ＥＬ素子２に移行するのを防ぐ。
図６に示す有機ＥＬ表示装置（例えば、特開平１０−１２３８３号公報、特開平８−２７９３９４号公報及び特開平１１−２６０５６２号公報参照。）では、支持基板１上にＴＦＴ７と下部電極２２が形成され、さらに、この上に順次、絶縁部材８、有機発光媒体２１、上部電極２３、パッシベーション層４、平坦化層９及び色変換層５が設けられ、最上面に透光性基板６が設けられている。
これらの有機ＥＬ表示装置は、有機ＥＬ素子の支持基板を基準とした場合、いわゆる上取出型であり、有機ＥＬ素子２が発した光を色変換層５で調整及び／又は変換して所望の光を透光性基板６側から取り出している。尚、図中の矢印は、光の取出し方向を示す。
これらの有機ＥＬ表示装置は、いずれも耐久性の点を改良する必要がある。即ち、図５に示す有機ＥＬ表示装置では、有機ＥＬ素子２を構成する有機発光媒体２１がダメージを受けやすい有機物であるため、有機ＥＬ素子２上にパッシベーション層３を成膜する際の条件を厳しくすることができない。また、パッシベーション層３を成膜する際に有機発光媒体から揮発成分が発生する場合があった。このため、緻密かつピンホールレスのパッシベーション層３が得られない場合があり、その結果、色変換層５から発生する水分、モノマー成分等の揮発成分が、パッシベーション層３を透過して、有機ＥＬ素子２の発光領域に、ダークスポット等の非発光領域を形成し易くなり、耐久性の高い有機ＥＬ表示装置が得られないことがあった。
同様に、図６に示す有機ＥＬ表示装置では、色変換層５がダメージを受けやすい有機物を含むため、色変換層５上にパッシベーション層４を成膜する際の条件を厳しくすることができない。また、パッシベーション層４を成膜する際に色変換層５から揮発成分が発生する場合があった。このため、緻密かつピンホールレスのパッシベーション層４が得られない場合があり、その結果、色変換層５から発生する水分、モノマー成分等の揮発成分が、パッシベーション層４を透過して、有機ＥＬ素子２の発光領域に、ダークスポット等の非発光領域を形成し易くなり、耐久性の高い有機ＥＬ表示装置が得られないことがあった。
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、ダークスポット等の非発光部分の発生が少なく、耐久性に優れた有機ＥＬ表示装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【発明の開示】
本発明によれば、以下の有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法が提供される。
［１］支持基板、
有機エレクトロルミネッセンス素子、
第１のパッシベーション層、
第２のパッシベーション層、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子が発する光の色を調整及び／又は変換する色変換層、及び
透光性基板を、この順序で設けた有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
［２］前記第１のパッシベーション層の膜厚をＴ１とし、前記第２のパッシベーション層の膜厚をＴ２としたとき、Ｔ１＋Ｔ２が、
０．００１μｍ＜Ｔ１＋Ｔ２＜２００μｍ
を満たす［１］に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
［３］前記第１のパッシベーション層と、前記第２のパッシベーション層との間に中間層を設けた［１］又は［２］に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
［４］前記中間層が、不活性流体からなる［３］に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
［５］前記色変換層が、蛍光媒体を含む［１］〜［４］のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
［６］支持基板上に、有機エレクトロルミネッセンス素子及び第１のパッシベーション層を設けて第１の基板を形成し、
透光性基板上に、前記有機エレクトロルミネッセンス素子が発する光の色を調整及び／又は変換する色変換層及び第２のパッシベーション層を設けて第２の基板を形成し、
前記第１の基板と、前記第２の基板とを、前記第１のパッシベーション層と、前記第２のパッシベーション層とが対向するように貼り合わせる有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
尚、本発明において、本発明の作用効果を損なわない限り、各構成部材間に他の介在層を設けることができる。
【図面の簡単な説明】  図１は、本発明の有機ＥＬ表示装置の一実施形態を説明するための模式図である。
図２は、ポリシリコンＴＦＴの形成工程を示す図である。
図３は、ポリシリコンＴＦＴを含む電気スイッチ接続構造を示す回路図である。
図４は、ポリシリコンＴＦＴを含む電気スイッチ接続構造を示す平面透視図である。
図５は、従来の有機ＥＬ表示装置の構成を示す模式図である。
図６は、従来の有機ＥＬ表示装置の構成を示す模式図である。
【発明を実施するための最良の形態】  以下、図面を参照して、本発明の有機ＥＬ表示装置について説明する。
図１は、本発明の有機ＥＬ表示装置の一実施形態を示す模式図である。
この図に示す有機ＥＬ表示装置では、支持基板１上にＴＦＴ７と下部電極２２が形成され、さらに、この上に順次、絶縁部材８、有機発光媒体２１、上部電極２３、第１のパッシベーション層３、第２のパッシベーション層４、平坦化層９及び色変換層５が形成され、最上面に透光性基板６が設けられている。下部電極２２、有機発光媒体２１及び上部電極２３により有機ＥＬ素子２が構成される。光の取出し方向を示す矢印が示すように、この装置は、支持基板１と反対側から光を取り出す上取出型である。
この装置では、下部電極２２と上部電極２３の間に電圧が印加されると、これら電極に挟まれた、有機発光媒体２１が発光し、その光が第１のパッシベーション層３及び第２のパッシベーション層４を透過して色変換層５に達する。色変換層５は、必要に応じて、有機ＥＬ素子２が発する光の色を調整及び／又は変換してそれぞれ赤、緑、青色の光を発する。これら三色の光が透光性基板６を通して外に取り出される。
この装置では、パッシベーション層として、第１のパッシベーション層３と、第２のパッシベーション層４の２層が設けられているため、一方のパッシベーション層においてピンホールが発生したとしても、もう一方のパッシベーション層においてピンホールのパスを効果的に遮断することができるため、封止性が高まり、非発光領域が形成されにくくなる。その結果、相乗効果的に、耐久性の高い有機ＥＬ表示装置を得ることができる。
尚、パッシベーション層３及び４は、同一でもよく、また、異なっていてもよい。パッシベーション層の構成材料及び厚みについては後述する。
次に、この有機ＥＬ表示装置の製造方法について説明する。
まず、従来公知の方法により、支持基板１上に有機ＥＬ素子２及び絶縁部材８を形成し、さらに、第１のパッシベーション層３で封止して、有機ＥＬ素子基板（第１の基板）を製造する。
一方、従来公知の方法により、透光性基板６上に色変換層５を形成し、平坦化層９により平坦化した後、これらを第２のパッシベーション層４で封止して、色変換基板（第２の基板）を製造する。
次に、有機ＥＬ素子基板と色変換基板とを、第１のパッシベーション層３と、第２のパッシベーション層４とが対向するように貼り合わせ、本実施形態の有機ＥＬ表装置を製造する。尚、両基板を貼り合わせる時は、接着剤等を適宜使用することができる。
この製造方法では、有機ＥＬ素子基板及び色変換基板のそれぞれがパッシベーション層で封止されているため、製造ライン中における有機成分の溶出やガス等の発生を抑制することができる。また、それぞれの基板への水分吸湿を考慮する必要がなくなり湿度管理も容易となる。さらに、これらの基板を、ガラス基板と同様に扱えるため、取扱いが容易であり、それぞれ基板の製造後に洗浄操作を行うこともできる。
従って、本実施形態の製造方法では、例えば、基板上に各層を積層して製造する方法よりも、製造時の取扱いが容易となり、製造効率も向上する。
尚、本発明は、本実施形態に限定されず、種々の変更を行うことができる。例えば、第１のパッシベーション層３と、第２のパッシベーション層４との間に中間層（例えば、接着層、応力緩和層等）を設けることができる。適当な中間層を設けることにより、例えば、有機ＥＬ素子基板及び色変換基板の応力差（機械的、熱的）を緩和するだけでなく、第１のパッシベーション層３と、第２のパッシベーション層４との接触による破壊を防止することができる。中間層の成分は特に制限されないが、不活性流体からなることが好ましい。不活性流体とは、有機ＥＬ素子２の陰極に対して酸化性がなく、有機ＥＬ素子２の有機物に浸透、溶解等しない流体のことであり、具体的には、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガスや、フッ化炭化水素、シリコンオイル等の不活性液体等が挙げられる。このうち、好ましくは、フッ化炭化水素である。
応力緩和層の場合、透明性を有し、ヤング率が小さく、高伸張率を示す高弾性体からなることが好ましい。例えば、シリコーンゴム等の各種ゴムやゲル等である。応力を緩和するためには、ヤング率が０．１〜１０ＭＰａであることが好ましい。応力緩和層が光取出側にあるときは、透過率が５０％以上であることが好ましい。応力緩和層の厚さは、応力や衝撃を十分に吸収できれば特に制限されないが、好ましくは、ほぼ均一な厚さであり、有機ＥＬ表示装置を薄型化するため、薄いことが好ましい。例えば、０．００１μｍ〜２００μｍの範囲が好ましく、０．０１μｍ〜１０μｍの範囲がより好ましい。０．００１μｍより薄いと、応力や衝撃が十分に吸収できないおそれがあり、２００μｍより厚いと、混色による色再現性の低下や、視野角依存性が大きくなり、有機ＥＬ表示装置の表示品質が著しく低下するおそれがある。応力緩和層は、塗布（スピンコーター、ロールコーター）等により形成できる。
応力緩和層を、散在したスペーサと、スペーサ間の空隙を充填する充填剤とにより構成してもよい。スペーサの材料としては、シリカスペーサ、プラスチックスペーサ、ガラス等が挙げられ、充填剤としては、液状シリコーン等が挙げられる。スペーサは、液晶ディスプレイ製造装置のスペーサ散布装置等により形成できる。
尚、中間層として、上記のスペーサとは別に、隔壁、乾燥剤等を介在させても良い。また、窒化炭素等の有機膜も応力緩和のための中間層として介在させてもよい。
また、パッシベーション層は、３層以上設けることもできる。
さらに、本実施形態では、ＴＦＴを備えた装置の例について説明したが、本発明は、ＴＦＴを備えていない装置に適用しても好適である。
以下、本実施形態における有機ＥＬ表示装置の各構成部材について説明する。その他特に記載していない限り、通常の部材及び構成を使用できる。これらは、本発明の装置の構成において最適なものを適宜選択することができる。
１．支持基板
有機ＥＬ表示装置における支持基板は、有機ＥＬ素子等を支持するための部材であり、機械強度や寸法安定性に優れていることが好ましい。
このような支持基板の材料としては、例えば、ガラス板、金属板、セラミックス板あるいはプラスチック板（例えば、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シリコン樹脂、フッ素樹脂、ポリエーテルサルフォン樹脂）等が挙げられる。
また、これらの材料からなる支持基板は、有機ＥＬ表示装置内への水分の侵入を防ぐため、さらに無機膜を形成したり、フッ素樹脂を塗布したりして、防湿処理や疎水性処理を施してあることが好ましい。
本発明では、特に、有機発光媒体への水分の侵入を避けるため、支持基板における含水率及びガス透過係数を小さくすることが好ましい。具体的には、支持基板の含水率を０．０００１重量％以下とし、かつ、ガス透過係数を１×１０−１３ｃｃ・ｃｍ／ｃｍ２・ｓｅｃ．ｃｍＨｇ以下とすることが好ましい。
尚、本発明では、支持基板と反対側、即ち、上部電極側からＥＬ発光を取り出すため、支持基板は、必ずしも透明性を有する必要はない。
２．有機ＥＬ素子
通常、有機ＥＬ素子は、有機発光媒体と、これを挟持する上部電極及び下部電極とにより構成されている。以下、有機ＥＬ素子の各構成要素について、（１）有機発光媒体、（２）上部電極及び（３）下部電極の順に説明する。
（１）有機発光媒体
有機発光媒体は、電子と正孔とが再結合してＥＬ発光が可能な有機発光層を含む媒体である。この有機発光媒体は、例えば、陽極上に以下の▲１▼〜▲７▼のいずれかに示す各層を積層して構成することができる。
▲１▼有機発光層
▲２▼正孔注入層／有機発光層
▲３▼有機発光層／電子注入層
▲４▼正孔注入層／有機発光層／電子注入層
▲５▼有機半導体層／有機発光層
▲６▼有機半導体層／電子障壁層／有機発光層
▲７▼正孔注入層／有機発光層／付着改善層
尚、上記▲１▼〜▲７▼の構成のうち、▲４▼の構成が、より高い発光輝度が得られ、耐久性にも優れているので特に好ましい。
（ｉ）有機発光層
有機発光層の発光材料としては、例えば、ｐ−クオーターフェニル誘導体、ｐ−クィンクフェニル誘導体、ベンゾジアゾール系化合物、ベンゾイミダゾール系化合物、ベンゾオキサゾール系化合物、金属キレート化オキシノイド化合物、オキサジアゾール系化合物、スチリルベンゼン系化合物、ジスチリルピラジン誘導体、ブタジエン系化合物、ナフタルイミド化合物、ペリレン誘導体、アルダジン誘導体、ピラジリン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、ピロロピロール誘導体、スチリルアミン誘導体、クマリン系化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、８−キノリノール誘導体を配位子とする金属錯体、ポリフェニル系化合物等の一種単独又は二種以上の組合せが挙げられる。
また、これらの有機発光材料のうち、芳香族ジメチリディン系化合物としての、４，４−ビス（２，２−ジ−ｔ−ブチルフェニルビニル）ビフェニル（ＤＴＢＰＢＢｉと略記する。）や４，４’−ビス（２，２−ジフェニルビニル）ビフェニル（ＤＰＶＢｉと略記する。）及びこれらの誘導体がより好ましい。
さらに、ジスチリルアリーレン骨格等を有する有機発光材料をホスト材料とし、当該ホスト材料に、ドーパントとしての青色から赤色までの強い蛍光色素、例えば、クマリン系材料、あるいはホストと同様の蛍光色素をドープした材料を併用することも好適である。より具体的には、ホスト材料として、上述したＤＰＶＢｉ等を用い、ドーパントとして、１，４−ビス［４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチリルベンゼン）］（ＤＰＡＶＢと略記する。）等を用いることが好ましい。
（ｉｉ）正孔注入層
正孔注入層には、１×１０４〜１×１０６Ｖ／ｃｍの電圧を印加した場合に測定される正孔移動度が１×１０−６ｃｍ２／Ｖ・秒以上であって、イオン化エネルギーが５．５ｅＶ以下である化合物を使用することが好ましい。このような正孔注入層を設けることにより、有機発光層への正孔注入が良好となり、高い発光輝度が得られたり、あるいは、低電圧駆動が可能となる。
このような正孔注入層の構成材料としては、具体的に、ポルフィリン化合物、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、縮合芳香族環化合物、例えば、４，４−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（ＮＰＤと略記する。）や、４，４´，４´´−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡと略記する。）等の有機化合物が挙げられる。
また、正孔注入層の構成材料として、ｐ型−Ｓｉやｐ型−ＳｉＣ等の無機化合物を使用することも好ましい。
尚、上述した正孔注入層と、陽極層との間、あるいは、上述した正孔注入層と、有機発光層との間に、導電率が１×１０−１０Ｓ／ｃｍ以上の有機半導体層を設けることも好ましい。このような有機半導体層を設けることにより、さらに有機発光層への正孔注入がより良好となる。
（ｉｉｉ）電子注入層
電子注入層には、１×１０４〜１×１０６Ｖ／ｃｍの電圧を印加した場合に測定される電子移動度がＩ×１０−６ｃｍ２／Ｖ・秒以上であって、イオン化エネルギーが５．５ｅＶを超える化合物を使用することが好ましい。このような電子注入層を設けることにより、有機発光層への電子注入が良好となり、高い発光輝度が得られたり、あるいは、低電圧駆動が可能となる。
このような電子注入層の構成材料としては、具体的に、８−ヒドロキシキノリンの金属錯体（Ａｌキレート：Ａｌｑ）、又はその誘導体、あるいは、オキサジアゾール誘導体が挙げられる。
（ｉｖ）付着改善層
付着改善層は、このような電子注入層の一形態とみなすことができる。即ち、付着改善層は、電子注入層のうち、特に、陰極との接着性が良好な材料からなる層であり、８−ヒドロキシキノリンの金属錯体又はその誘導体等から構成することが好ましい。
尚、上述した電子注入層に接して、導電率が１×１０−１０Ｓ／ｃｍ以上の有機半導体層を設けることも好ましい。このような有機半導体層を設けることにより、さらに有機発光層への電子注入性が良好となる。
（ｖ）有機発光媒体の厚さ
有機発光媒体の厚さについては特に制限はないが、例えば、５ｎｍ〜５μｍとすることが好ましい。有機発光媒体の厚さが５ｎｍ未満となると、発光輝度や耐久性が低下する場合がある。一方、５μｍを超えると、印加電圧の値が高くなる場合がある。有機発光媒体の厚さは、１０ｎｍ〜３μｍとすることがより好ましく、２０ｎｍ〜１μｍとすることがさらに好ましい。
（２）上部電極
本実施形態では、上部電極は、表示領域全面にわたって連続して設けられている。
上部電極は、有機ＥＬ素子の構成に応じて、陽極層又は陰極層に該当する。陽極層に該当する場合には、正孔の注入を容易にするため、仕事関数の大きい材料、例えば、４．０ｅＶ以上の材料を使用することが好ましい。また、陰極層に該当する場合には、電子の注入を容易にするため、仕事関数の小さい材料、例えば４．０ｅＶ未満の材料を使用することが好ましい。
また、上取出型の有機ＥＬ表示装置では上部電極を介して光を取り出すため、上部電極は透明性を有する必要がある。従って、上部電極が陽極層に該当する場合、例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、インジウム銅（ＣｕＩｎ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化アンチモン（Ｓｂ２Ｏ３、Ｓｂ２Ｏ４、Ｓｂ２Ｏ５）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）等の一種単独、又は、二種以上の組合せを用いることができる。
尚、本実施形態では、透明性を損なわない範囲で、上部電極の低抵抗化を図るため、Ｐｔ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒ、Ｔａ、Ａｌ等の金属を一種単独、又は、二種以上組合せて添加することも好ましい。
また、上部電極の構成材料として、光透過性金属膜、非縮体の半導体、有機導電体、半導性炭素化合物等からなる群から選択される少なくとも一つの構成材料から選択することができる。例えば、有機導電体としては、導電性共役ポリマ、酸化剤添加ポリマ、還元剤添加ポリマ、酸化剤添加低分子又は還元剤添加低分子であることが好ましい。
尚、有機導電体に添加する酸化剤としては、ルイス酸、例えば、塩化鉄、塩化アンチモン、塩化アルミニウム等が挙げられる。また、同様に、有機導電体に添加する還元剤としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ化合物、アルカリ土類化合物又は希土類等が挙げられる。さらに、導電性共役ポリマとしては、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ルイス酸添加アミン化合物等が挙げられる。
また、非縮体の半導体としては、例えば、酸化物、窒化物又はカルコゲナイド化合物であることが好ましい。
また、炭化化合物としては、例えば、非晶質Ｃ、グラファイト又はダイヤモンドライクＣであることが好ましい。
さらに、無機半導体としては、例えば、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＳＳｅ，ＭｇＳ、ＭｇＳＳｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ又はＣｄＳＳｅであることが好ましい。
上部電極の厚さは、面抵抗等を考慮して定めることが好ましい。例えば、上部電極の厚さを５０〜５，０００ｎｍとするのが好ましく、１００ｎｍ以上とするのがより好ましい。上部電極をこのような厚さにすると、均一な厚さ分布や、ＥＬ発光において６０％以上の光透過率が得られるとともに、上部電極の面抵抗を１５Ω／□以下、より好ましくは、１０Ω／□以下とすることができる。
（３）下部電極
本実施形態では、下部電極は、画素ごとに、平面パターンで個別に分離配置されている。
下部電極は、有機ＥＬ表示装置の構成に応じて、陰極層又は陽極層に該当する。例えば、下部電極が陰極層に該当する場合には、電子の注入を容易にするため、仕事関数の小さい材料、例えば、４．０ｅＶ未満の金属、合金、電気導電性化合物又はこれらの混合物あるいは含有物を使用することが好ましい。
そのような材料としては、例えば、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、セシウム、マグネシウム、リチウム、マグネシウム−銀合金、アルミニウム、酸化アルミニウム、アルミニウム−リチウム合金、インジウム、希土類金属、これら金属と有機発光媒体材料との混合物、及び、これらの金属と電子注入層材料との混合物等からなる電極材料を一種単独、又は、二種以上組み合わせて使用することが好ましい。
尚、本発明では、上部電極の側から発光と取り出すので、下部電極の材料については必ずしも透明性を有する必要はない。むしろ、一つの好ましい形態として、光吸収性の導電材料から形成するとよい。このように構成すれば、有機ＥＬ表示装置の表示コントラストをより向上させることができる。また、その場合の好ましい光吸収性の導電材料としては、半導性の炭素材料、有色性の有機化合物、又は、前述した還元剤及び酸化剤の組合せの他、有色性の導電性酸化物（例えば、ＶＯｘ、ＭｏＯｘ、ＷＯｘ等の遷移金属酸化物）が挙げられる。
下部電極の厚さについても、上部電極と同様に特に制限されるものではないが、例えば、１０〜１，０００ｎｍとするのが好ましく、１０〜２００ｎｍとするのがより好ましい。
３．絶縁部材
本実施形態の有機ＥＬ表示装置における絶縁部材（電気絶縁膜）は、有機ＥＬ素子の近傍又は周辺に設けられる。そして、絶縁部材は、有機ＥＬ表示装置全体としての高精細化、有機ＥＬ素子の下部電極と上部電極との短絡防止に用いられる。また、ＴＦＴにより有機ＥＬ素子を駆動する場合、絶縁部材は、ＴＦＴを保護したり、有機ＥＬ素子の下部電極を平坦面に成膜するための下地としても用いられる。
従って、絶縁部材は、必要に応じて隔壁、スペーサ、平坦化膜等と称する場合があり、本発明では、それらを包含するものとする。
本実施形態では、画素ごとに分離配置して設けられた下部電極どうしの間を埋めるように、絶縁部材を設けている。即ち、絶縁部材は、画素どうしの境界に沿って設けられている。
絶縁部材の材料としては、通常、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素化ポリイミド樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、メラミン樹脂、環状ポリオレフィン、ノボラック樹脂、ポリケイ皮酸ビニル、環化ゴム、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリスチレン、フェノール樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、マレイン酸樹脂、ポリアミド樹脂等が挙げられる。
また、絶縁部材を無機酸化物から構成する場合、好ましい無機酸化物として、酸化ケイ素（ＳｉＯ２又はＳｉＯｘ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３又はＡｌＯｘ）、酸化チタン（ＴｉＯ３又はＴｉＯｘ）、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３又はＹＯｘ）、酸化ゲルマニウム（ＧｅＯ２又はＧｅＯｘ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、ホウ酸（Ｂ２Ｏ３）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）、酸化バリウム（ＢａＯ）、酸化鉛（ＰｂＯ）、ジルコニア（ＺｒＯ２）、酸化ナトリウム（Ｎａ２Ｏ）、酸化リチウム（Ｌｉ２Ｏ）、酸化カリウム（Ｋ２Ｏ）等が挙げられる。
尚、上記の無機化合物中のｘは、１≦ｘ≦３である。
また、絶縁部材に耐熱性が要求される場合には、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素化ポリイミド、環状オレフィン、エポキシ樹脂、無機酸化物を使用することが好ましい。
尚、これら絶縁部材は、有機質の場合、感光性基を導入してフォトリソグラフィー法で所望のパターンに加工するか、印刷手法によって所望のパターンに形成することができる。
絶縁部材の厚さは、表示の精細度、有機ＥＬ素子と組み合わせられる他の部材の凹凸にもよるが、１０ｎｍ〜１ｍｍとすることが好ましい。このような厚さにすれば、ＴＦＴ等の凹凸を十分に平坦化できる。
絶縁部材の厚さは、１００ｎｍ〜１００μｍとすることがより好ましく、１００ｎｍ〜１０μｍとすることがさらに好ましい。
４．パッシベーション層
パッシベーション層の材料としては、透明樹脂、封止液及び透明無機物が挙げられる。発明では、第１及び第２のパッシベーション層の構成材料は、同一でも異なっていてもよい。また、各パッシベーション層は、単層構造でも多層構造であってもよい。
パッシベーション層を構成する材料として用いることができる透明樹脂としては、ポリフェニルメタクリレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリ−ｏ−クロロスチレン、ポリ−ｏ−ナフチルメタクリレート、ポリビニルナフタレン、ポリビニルカルバゾール、フルオレン骨格含有ポリエステル等が挙げられる。
また、パッシベーション層の材料に透明樹脂を用いる場合、これを紫外線硬化型樹脂や、可視光硬化型樹脂、熱硬化型樹脂又はそれらを用いた接着剤から構成することも好ましい。これらの具体例としては、ラックストラックＬＣＲ０２７８や、０２４２Ｄ（いずれも東亜合成（株）製）、ＴＢ３１０２（エポキシ系：スリーボンド（株）製）、ベネフィックスＶＬ（アクリル系：アーデル（株）製）等の市販品が挙げられる。
また、パッシベーション層を構成する材料として用いることができる透明無機物としては、ＳｉＯ２、ＳｉＯｘ、ＳｉＯｘＮｙ、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＯｘＮｙ、ＴｉＯ２、ＴｉＯｘ、ＳｉＡｌＯｘＮｙ、ＴｉＡｌＯｘ、ＴｉＡｌＯｘＮｙ、ＳｉＴｉＯｘ、ＳｉＴｉＯｘＮｙ（式中、ｘは０．１〜４、ｙは０．１〜３が好ましい）が挙げられる。また、ソーダ−石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸塩ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、パイレックスガラス、バイコールガラス、ケイ素酸化物，ホウ素酸化物及びアルミニウム酸化物を少なくとも含むガラス、ケイ素酸化物，ホウ素酸化物，アルミニウム酸化物及びアルカリ金属酸化物を少なくとも含むガラス、ケイ素酸化物，ホウ素酸化物，アルミニウム酸化物及びアルカリ土類金属酸化物を少なくとも含むガラス、ケイ素酸化物，ホウ素酸化物，アルミニウム酸化物及び希土類元素金属酸化物を少なくとも含むガラス等が挙げられる。これらのガラスは、原子半径の大きい元素を中心に、原子半径の小さい元素で３次元の網目構造を形成するので、一層緻密性の高いパッシベーション層が形成されるので好ましい。
これらの透明無機物と透明樹脂とを１以上の繰り返し積層されたものも好ましい。ピンホールを形成した透明無機物の膜を透明樹脂で充填、平坦化するので、ピンホールの発生を抑制できる。
また、これらの透明無機物と、窒化炭素とを１以上繰り返し積層されたものも好ましい。透明無機物の応力を窒化炭素にて吸収し、耐熱衝撃性を高め、クラック等を抑制することができる。
尚、パッシベーション層の材料に透明無機物を用いる場合には、特に有機ＥＬ素子を劣化させないように、低温（１００℃以下）で、成膜速度を遅くして成膜するのが好ましく、具体的にはスパッタリング、対向ターゲットスパッタリング、蒸着、ＣＶＤ等の方法が好ましい。
また、これらの透明無機物は、非晶質（アモルファス）であることが、水分、酸素、低分子モノマー等の遮断効果が高く、有機ＥＬ素子の劣化を制御するので好ましい。
また、パッシベーション層を構成する材料として用いることができる封止液としては、フッ素化炭化水素、フッ素化オレフィンのオリゴマー等が挙げられる。
尚、芳香族環含有化合物、フルオレン骨格含有化合物、臭素含有化合物又はイオウ含有化合物、さらに、高屈折率の化合物、例えば、アルコキシチタン等の金属化合物（ジメトキシチタンや、ジエトキシチタン）、アルコキシチタン等を添加して屈折率を調整してもよい。
また、パッシベーション層の厚さについては特に制限はないが、好ましくは、第１のパッシベーション層の膜厚をＴ１とし、第２のパッシベーション層の膜厚をＴ２としたとき、Ｔ１＋Ｔ２が、０．００１μｍ＜Ｔ１＋Ｔ２＜２００μｍを満たすようにする。０．００１μｍ以下では、パッシベーション層が単原子層に近づき、島状構造等になって、緻密性を維持できなくなり、パッシベーション効果（有機発光媒体又は色変換層の揮発分のブロック）が得られなくなる場合がある。一方、２００μｍ以上では、マルチカラー、フルカラー表示とするため、異なる色変換層を、各有機ＥＬ画素に対して配置した場合、対応する有機ＥＬ画素と色変換層の距離が大きくなり、有機ＥＬ画素の発光が対応しない色変換層に入光しやすくなるので、混色による色再現性低下や、視野角依存性が大きくなって、有機ＥＬ表示装置の表示品質が著しく低下する場合がある。
より好ましくは、０．０１μｍ＜Ｔ１＋Ｔ２＜１０μｍである。
第一のパッシベーション膜は有機ＥＬ素子と密着し、第２のパッシベーション膜は色変換層と密着していることが好ましい。
５．平坦化層
透明基板上に設けられた色変換層を平坦化する平坦化層は、透光性を有する材料で構成される。平坦化層の材料としては、例えば、パッシベーション層の材料と同じものを使用することが好ましい。
また、平坦化層の厚さは、色変換層を平坦化できれば特に制限されないが、有機ＥＬ表示装置を薄型化するため、薄いことが好ましい。例えば、色変換層を含めて、厚さ１μｍ〜１０μｍの範囲が好ましい。
６．色変換層
有機ＥＬ素子が発する光の色を調整及び／又は変換する色変換層としては、▲１▼カラーフィルタ単独の場合、▲２▼蛍光媒体単独の場合、又は、▲３▼カラーフィルタと蛍光媒体とを組み合わせた場合の三通りの場合が挙げられる。
色変換層は、蛍光媒体を含むことが好ましい。蛍光媒体を含むと、本来の有機ＥＬ光にない発光色を創出したり、弱い色の光を強めることが可能になり、有機ＥＬ表示装置の発光効率（消費電力）を低減することができる。
上記▲１▼〜▲３▼のうち、▲３▼カラーフィルタと蛍光媒体とを組み合わせた場合が、三原色の各色を発光させるにあたり、低電力で輝度の向上を図ることができ、さらに、表示の色純度が良く、又色バランスの向上を図ることもできるので特に好適である。
例えば、有機ＥＬ素子で青色の光を発光する場合、青色画素では、青色カラーフィルタのみを設け、緑色の画素では、青色光を緑色光に変換する蛍光媒体と緑色カラーフィルタとを設け、さらに、赤色の画素では、青色光を赤色光に変換する蛍光媒体と赤色カラーフィルタとを組み合わせて設けるとよい。
以下、カラーフィルタ及び蛍光媒体の構成等についてそれぞれ説明する。
（１）カラーフィルタ
カラーフィルタは、光を分解又はカットして色調整又はコントラストを向上させる機能を有する。
カラーフィルタの材料としては、例えば、下記色素又は、当該色素をバインダー樹脂中に溶解又は分散させた固体状態のものを挙げることができる。
赤色（Ｒ）色素：
ペリレン系顔料、レーキ顔料、アゾ系顔料、キナクリドン系顔料、アントラキノン系顔料、アントラセン系顔料、イソインドリン系顔料、イソインドリノン系顔料ジケトピロロピロール系顔料等の単品及び少なくとも二種類以上の混合物が使用可能である。
緑色（Ｇ）色素：
ハロゲン多置換フタロシアニン系顔料、ハロゲン多置換銅フタロシアニン系顔料、トリフェルメタン系塩基性染料、アゾ系顔料、イソインドリン系顔料、イソインドリノン系顔料等の単品及び少なくとも二種類以上の混合物が使用可能である。
青色（Ｂ）色素：
銅フタロシアニン系顔料、インダンスロン系顔料、インドフェノール系顔料、シアニン系顔料、ジオキサジン系顔料等の単品及び少なくとも二種類以上の混合物が使用可能である。
カラーフィルタの材料のバインダー樹脂としては、透明な（可視光領域における透過率５０％以上）材料を使用することが好ましい。例えば、ポリメチルメタクリレート、ポリアクリレート、ポリカーボネート、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ヒドロキシエチルセルロース、カルボキシメチルセルロース等の透明樹脂（高分子）等が挙げられ、これらの１種又は２種以上の混合使用が可能である。
また、カラーフィルタの形成にインクジェット法等の印刷法を用いる場合には、透明樹脂を用いた印刷インキ（メジウム）を使用することができる。例えば、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、マレイン酸樹脂、ポリアミド樹脂のモノマー、オリゴマー、ポリマーからなる組成物、また、ポリメチルメタクリレート、ポリメタアクリレート、ポリカーボネート、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ヒドロキシエチルセルロース、カルボキシメチルセルロース等の透明樹脂を、１種又は２種以上用いることができる。
カラーフィルタの形成にフォトリソグラフィー法を用いる場合は、感光性樹脂を使用することが好ましい。例えば、アクリル酸系、メタクリル酸系、ポリケイ皮酸ビニル系、環化ゴム系等の反応性ビニル基を有する光硬化型レジスト材料等が挙げられ、これらの１種又は２種以上の混合使用が可能である。
蛍光媒体が、蛍光色素とこのような樹脂からなるときは、蛍光色素と樹脂と適当な溶剤とを混合、分散又は可溶化させて液状物とし、この液状物をスピンコート、ロールコート、キャスト法等の方法で成膜し、その後、フォトリソグラフィ法で所望の蛍光媒体のパターンにパターニングしたり、インクジェット、スクリーン印刷等の方法で所望のパターンにパターニングして、蛍光媒体を形成するのが好ましい。
カラーフィルタの厚さは、特に制限されるものではないが、例えば、１０ｎｍ〜１，０００μｍとすることが好ましく、０．５μｍ〜５００μｍとすることがより好ましく、１μｍ〜１００μｍとすることがさらに好ましい。
（２）蛍光媒体
蛍光媒体は、有機ＥＬ素子の発光を吸収して、より長波長の蛍光を発光する機能を有する。
各蛍光媒体は、有機ＥＬ素子の発光領域、例えば、上部電極と下部電極との交差部分の位置に対応して配置してあることが好ましい。上部電極と下部電極との交差部分における有機発光層が発光すると、その光を各蛍光媒体が受光して、異なる色（波長）の発光を外部に取り出すことが可能になる。
蛍光媒体の構成材料は特に制限されるものではないが、例えば、蛍光色素及び樹脂、又は蛍光色素のみからなり、蛍光色素及び樹脂は、蛍光色素を顔料樹脂及び／又はバインダー樹脂中に溶解又は分散させた固形状態のものを挙げることができる。
具体的な蛍光色素について説明すると、有機ＥＬ素子における近紫外光から紫色の発光を青色発光に変換する蛍光色素としては、１，４−ビス（２−メチルスチリル）ベンゼン（以下Ｂｉｓ−ＭＢＳ）、トランス−４，４′−ジフェニルスチルベン（以下ＤＰＳ）等のスチルベン系色素、７−ヒドロキシ−４−メチルクマリン（以下クマリン４）等のクマリン系色素が挙げられる。
有機ＥＬ素子における青色、青緑色又は白色の発光を緑色発光に変換する場合の蛍光色素については、例えば、２，３，５，６−１Ｈ，４Ｈ−テトラヒドロ−８−トリフロルメチルキノリジノ（９，９ａ，１−ｇｈ）クマリン（以下クマリン１５３）、３−（２′−ベンゾチアゾリル）−７−ジエチルアミノクマリン（以下クマリン６）、３−（２′−ベンズイミダゾリル）−７−Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノクマリン（以下クマリン７）等のクマリン色素、その他クマリン色素系染料であるベーシックイエロー５１、また、ソルベントイエロー１１、ソルベントイエロー１１６等のナフタルイミド色素が挙げられる。
有機ＥＬ素子における青色から緑色までの発光、又は白色の発光を、橙色から赤色までの発光に変換する場合の蛍光色素については、例えば、４−ジシアノメチレン−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチルリル）−４Ｈ−ピラン（以下ＤＣＭ）等のシアニン系色素、１−エチル−２−（４−（ｐ−ジメチルアミノフェニル）−１，３−ブタジエニル）−ピリジニウム−パークロレート（以下ピリジン１）等のピリジン系色素、ローダミンＢ、ローダミン６Ｇ等のローダミン系色素、その他にオキサジン系色素、ベーシックバイオレット１１、クマリン６等が挙げられる。
また、各種染料（直接染料、酸性染料、塩基性染料、分散染料等）も蛍光性があれば蛍光色素として選択することが可能である。
蛍光色素をポリメタクリル酸エステル、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル酢酸ビニル共重合体、アルキッド樹脂、芳香族スルホンアミド樹脂、ユリア樹脂、メラニン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂等の顔料樹脂中にあらかじめ練り込んで顔料化したものでもよい。
さらに、蛍光色素として、金属化合物等の無機化合物からなり、可視光を吸収し、吸収した光よりも長い蛍光を発する無機蛍光体も使用できる。無機蛍光体の表面には、バインダー樹脂への分散性向上のため、例えば、長鎖アルキル基や燐酸等の有機物で表面を修飾してあってもよい。
具体的には、以下の無機蛍光体を用いることができる。
（ａ）金属酸化物に遷移金属イオンをドープしたもの
Ｙ２Ｏ３、Ｇｄ２Ｏ３、ＺｎＯ、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２、Ｚｎ２ＳｉＯ４等の金属酸化物に、Ｅｕ２＋、Ｅｕ３＋、Ｃｅ３＋、Ｔｂ３＋等の、可視光を吸収する遷移金属イオンをドープしたものが挙げられる。
（ｂ）金属カルコゲナイド物に遷移金属イオンをドープしたもの
ＺｎＳ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ等の金属カルコゲナイド化物に、Ｅｕ２＋、Ｅｕ３＋、Ｃｅ３＋、Ｔｂ３＋等の可視光を吸収する遷移金属イオンをドープしたものが挙げられる。
（ｃ）半導体のバンドギャップを利用し、可視光を吸収、発光するもの
ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＩｎＰ等の半導体微粒子が挙げられる。これらは、特表２００２−５１０８６６号公報等の文献で知られているように、粒径をナノサイズ化することにより、バンドギャップを制御し、その結果、吸収−蛍光波長を変えることができる。
無機蛍光体においては、ＳやＳｅ等が、バインダー樹脂の反応成分により引き抜かれることを防止するため、シリカ等の金属酸化物や有機物等で表面修飾してもよい。例えば、ＣｄＳｅ微粒子の表面を、ＺｎＳのような、よりバンドギャップエネルギーの高い半導体材料のシェルで被覆してもよい。これにより中心微粒子内に発生する電子の閉じ込め効果を発現しやすくなる。
尚、上記の蛍光色素は、一種単独で使用してもよく、また、二種以上を組み合わせて使用してもよい。
バインダー樹脂については、カラーフィルタと同様のバインダー樹脂を使用できる。
また、蛍光媒体の形成方法も、カラーフィルタと同様の形成方法を使用できる。
蛍光媒体の厚さは、特に制限されるものではないが、例えば、１０ｎｍ〜１，０００μｍとすることが好ましく、０．１μｍ〜５００μｍとすることがより好ましく、５μｍ〜１００μｍとすることがさらに好ましい。
７．透明基板
透明基板は、有機発光媒体内部への水分侵入を防止するために、少なくとも有機ＥＬ表示装置の発光領域を覆うように設けることが好ましい。
このような透明基板としては、支持基板と同種の材料を用いることができる。特に、水分や酸素の遮断効果の高いガラス板又はセラミックス基板を用いることができる。また、透明基板の形態についても、特に制限されるものでなく、例えば、板状やキャップ状とすることが好ましい。そして、例えば、板状とした場合、その厚さを０．０１〜５ｍｍとすることが好ましい。
さらに、透明基板は、支持基板の一部に溝等を設けておき、それに圧入して固定することも好ましいし、あるいは、光硬化型の接着剤等を用いて、支持基板の一部に固定することも好ましい。
【実施例】
【実施例１】（１）ＴＦＴ基板の作製
図２（ａ）〜（ｉ）は、ポリシリコンＴＦＴの形成工程を示す図である。また、図３は、ポリシリコンＴＦＴを含む電気スイッチ接続構造を示す回路図であり、図４は、ポリシリコンＴＦＴを含む電気スイッチ接続構造を示す平面透視図である。
まず、１１２ｍｍ×１４３ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板２（ＯＡ２ガラス、日本電気硝子（株）製）上に、減圧ＣＶＤ（Ｌｏｗ  Ｐｒｅｓｓｕｒｅ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ，ＬＰＣＶＤ）等の手法により、α−Ｓｉ層４０を積層した（図２（ａ））。次に、ＫｒＦ（２４８ｎｍ）レーザ等のエキシマーレーザをα−Ｓｉ層４０に照射して、アニール結晶化を行い、ポリシリコンとした（図２（ｂ））。このポリシリコンを、フォトリソグラフィー式により、アイランド状にパターン化した（図２（ｃ））。得られたアイランド化ポリシリコン４１及び基板２の表面に、絶縁ゲート材料４２を化学蒸着（ＣＶＤ）等により積層して、ゲート酸化物絶縁層４２とした（図２（ｄ））。次に、ゲート電極４３を、蒸着又はスパッタリングで成膜して形成し（図２（ｅ））、ゲート電極４３をパターニングするとともに、陽極酸化を行った（図２（ｆ）〜（ｈ））。さらに、イオンドーピング（イオン注入）により、ドーピング領域を形成し、それにより活性層を形成して、ソース４５及びドレイン４７とし、ポリシリコンＴＦＴを形成した（図２（ｉ））。この際、ゲート電極４３（及び図４の走査電極５０、コンデンサ５７の底部電極）をＡｌ、ＴＦＴのソース４５及びドレイン４７をｎ＋型とした。
次に、得られた活性層上に、層間絶縁膜（ＳｉＯ２）を５００ｎｍの膜厚でＣＲＣＶＤ法にて形成した後、信号電極線５１及び共通電極線５２、コンデンサ上部電極５７（Ａｌ）の形成と、第２のトランジスタ（Ｔｒ２）５６のソース電極と共通電極との連結、第１のトランジスタ（Ｔｒ１）５５のドレインと信号電極との連結を行った（図３、図４）。各ＴＦＴと各電極の連結は、適宜、層間絶縁膜ＳｉＯ２を弗酸によるウェットエッチングにより開口して行った。
次に、ＣｒとＩＴＯを順次、スパッタリングにより、それぞれ２０００Å、１３００Åで成膜した。この基板上にポジ型レジスト（ＨＰＲ２０４：富士フィルムアーチ製）をスピンコートし、９０μｍ×３２０μｍのドット状のパターンになるようなフォトマスクを介して、紫外線露光し、ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムヒドロキシド）の現像液で現像し、１３０℃でベークし、レジストパターンを得た。
次に、４７％臭化水素酸からなるＩＴＯエッチャントにて、露出している部分のＩＴＯをエッチングし、次に硝酸セリウムアンモニウム／過塩素酸水溶液（ＨＣＥ：長瀬産業製）にて、Ｃｒをエッチングした。次に、レジストを、エタノールアミンを主成分とする剥離液（Ｎ３０３：長瀬産業製）で処理して、Ｃｒ／ＩＴＯパターン（下部電極：陽極）を得た。
この際、Ｔｒ２  ５６と下部電極１０が開口部５９を介して接続された（図４）。
次に、第二の層間絶縁膜として、ネガ型レジスト（Ｖ２５９ＢＫ：新日鉄化学社製）をスピンコートし、紫外線露光し、ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムヒドロキシド）の現像液で現像した。次に、１８０℃でベークして、Ｃｒ／ＩＴＯのエッジを被覆した（ＩＴＯの開口部が７０μｍ×２００μｍ）有機膜の層間絶縁膜を形成した（図示せず）。
（２）有機ＥＬ素子の作製
このようにして得られた層間絶縁膜付き基板を、純水及びイソプロピルアルコール中で超音波洗浄し、Ａｉｒブローにて乾燥後、ＵＶ洗浄した。
次に、ＴＦＴ基板を、有機蒸着装置（日本真空技術製）に移動し、基板ホルダーに基板を固定した。尚、予め、それぞれのモリブテン製の加熱ボートに、正孔注入材料として、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（ＮＰＤ）、発光材料のホストとして、４，４’−ビス（２，２−ジフェニルビニル）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）、ドーパントとして、１，４−ビス［４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチリルベンゼン）］（ＤＰＡＶＢ）、電子注入材料及び陰極として、トリス（８−キノリノール）アルミニウム（Ａｌｑ）とＬｉをそれぞれ仕込み、さらに陰極の取出し電極として、ＩＺＯ（前出）ターゲットを別のスパッタリング槽に装着した。
その後、真空槽を６．６５×１０−５Ｐａまで減圧にした後、以下の順序で正孔注入層から陰極まで途中で真空を破らず一回の真空引きで順次積層した。
まず、正孔注入層としては、ＭＴＤＡＴＡを蒸着速度０．１〜０．３ｎｍ／秒、膜厚６０ｎｍ及び、ＮＰＤを蒸着速度０．１〜０．３ｎｍ／秒、膜厚２０ｎｍ、発光層としては、ＤＰＶＢｉとＤＰＡＶＢをそれぞれ蒸着速度０．１〜０．３ｎｍ／秒、蒸着速度０．０３〜０．０５ｎｍ／秒を共蒸着して膜厚５０ｎｍ、電子注入層としては、Ａｌｑを蒸着速度０．１〜０．３ｎｍ／秒、膜厚２０ｎｍ、さらに、陰極として、ＡｌｑとＬｉをそれぞれ蒸着速度０．１〜０．３ｎｍ／秒、０．００５ｎｍ／秒で共蒸着し、膜厚を２０ｎｍとした。
次に、基板をスパッタリング槽に移動し、陰極の取り出し電極としてＩＺＯを、成膜速度０．１〜０．３ｎｍ／秒で、膜厚２００ｎｍとし、有機ＥＬ素子を作製した。
（３）パッシベーション層の作製と有機ＥＬ素子基板の作製
次に、パッシベーション層として、有機ＥＬ素子の上部電極上に、透明無機膜として、ＳｉＯｘＮｙ（Ｏ／Ｏ＋Ｎ＝５０％：Ａｔｏｍｉｃ  ｒａｔｉｏ）を、低温ＣＶＤにより、２００ｎｍの厚さで成膜した。これにより、有機ＥＬ素子基板を得た。
（４）色変換基板の作製
１０２ｍｍ×１３３ｍｍ×１．１ｍｍの支持基板（透明基板）（ＯＡ２ガラス：日本電気硝子社製）上に、ブラックマトリックス（ＢＭ）の材料として、Ｖ２５９ＢＫ（新日鉄化学社製）をスピンコートし、格子状のパターンになるようなフォトマスクを介して紫外線露光し、２％炭酸ナトリウム水溶液で現像後、２００℃でベークして、ブラックマトリックス（膜厚１．５μｍ）のパターンを形成した。
次に、青色カラーフィルタの材料として、銅フタロシアニン系顔料を含むＶ２５９Ｂ（新日鉄化学社製）をスピンコートし、長方形（９０μｍライン、２４０μｍギャップ）のストライプパターンが３２０本得られるようなフォトマスクを介して、ＢＭに位置合わせして紫外線露光し、２％炭酸ナトリウム水溶液で現像後、２００℃でベークして、青色カラーフィルタ（膜厚１．５μｍ）のパターンを形成した。
次に、緑色カラーフィルタの材料として、臭化フタロシアニン系アゾ系顔料を含むＶ２５９Ｇ（新日鉄化学社製）をスピンコートし、長方形（９０μｍライン、２４０μｍギャップ）のストライプパターンが３２０本得られるようなフォトマスクを介して、ＢＭに位置合わせして紫外線露光し、２％炭酸ナトリウム水溶液で現像後、２００℃でベークして、青色カラーフィルタの隣に緑色カラーフィルタ（膜厚１．５μｍ）のパターンを形成した。
次に、赤色カラーフィルタの材料として、ジケトピロロピアート系アゾ系顔料を含むＶ２５９Ｒ（新日鉄化学社製）をスピンコートし、長方形（９０μｍライン、２４０μｍギャップ）のストライプパターンが３２０本得られるようなフォトマスクを介して、ＢＭに位置合わせして紫外線露光し、２％炭酸ナトリウム水溶液で現像後、２００℃でベークして、青色カラーフィルタと緑色カラーフィルタの間に赤色カラーフィルタ（膜厚１．５μｍ）のパターンを形成した。
次に、緑色蛍光媒体の材料として、０．０４ｍｏｌ／ｋｇ（対固形分）となる量のクマリン６をアクリル酸系ネガ型フォトレジスト（Ｖ２５９ＰＡ、固形分濃度５０％：新日鉄化学社製）に溶解させたインキを調製した。
このインキを、先の基板上にスピンコートし、緑色カラーフィルタ上を紫外線露光し、２％炭酸ナトリウム水溶液で現像後、２００℃でベークして、緑色カラーフィルタ上に緑色変換膜のパターン（膜厚１０μｍ）を形成した。
次に、赤色蛍光媒体の材料として、クマリン６：０．５３ｇ、ベーシックバイオレット１１：１．５ｇ、ローダミン６Ｇ：１．５ｇを、アクリル酸系ネガ型フォトレジスト（Ｖ２５９ＰＡ、固形分濃度５０％：新日鉄化学社製）：１００ｇに溶解させたインキを調製した。
このインキを、先の基板上にスピンコートし、赤色カラーフィルタ上を紫外線露光し、２％炭酸ナトリウム水溶液で現像後、１８０℃でベークして、赤色カラーフィルタ上に赤色変換膜のパターン（膜厚１０μｍ）を形成した。
次に、平坦化膜として、アクリル酸系熱硬化性樹脂（Ｖ２５９ＰＨ：新日鉄化学製）を先の基板上にスピンコートし、１８０℃でベークして平坦化膜（膜厚１２μｍ）を形成した。
次に、平坦化膜上に、パッシベーション層として、ＳｉＯｘＮｙ（Ｏ／Ｏ＋Ｎ＝５０％：Ａｔｏｍｉｃ  ｒａｔｉｏ）を、低温ＣＶＤにより、２００ｎｍの厚さで成膜した。これにより、色変換基板を得た。
（５）上下基板の貼合わせ
作製した有機ＥＬ素子基板と色変換基板を、乾燥窒素を流通させたドライボックス内に移動し、有機ＥＬ素子基板の表示部（発光部）周辺にカチオン型光硬化型接着剤（スリーボンド製３１０２）をディスペンサーにて塗布した。
次に、有機ＥＬ素子基板と色変換基板を、位置合わせマークに合わせて、光照射にて貼り合わせ、表示部に相当する部分には、予め脱気処理した不活性液体（フッ化炭化水素：スリーエム製ＦＣ７０）を充填した。
（６）有機ＥＬ表示装置の信頼性評価
このようにして、アクティブ有機ＥＬ表示装置（図１）を作製し、その下部電極（ＩＴＯ／Ｃｒ）と上部電極（ＩＺＯ）に、Ｄｃ７Ｖの電圧を印加（下部電極：（＋）、上部電極：（−））したところ、各電極の交差部分（画素）が発光した。
次に、本装置について、８５℃保存試験を５００時間実施し、発光画素領域の縮小率（％）を顕微鏡観察にて測定したところ、３％であり、耐久性に優れた有機ＥＬ表示装置が得られたことを確認した。尚、縮小率（％）は、以下のようにして求めた。
縮小率（％）＝（保存試験前の発光画素面積−保存試験後の発光画素面積）
×１００／保存試験前の発光画素面積
比較例１
実施例１において、色変換基板上に、パッシベーション層を形成しなかったこと以外は、同一の条件にて、有機ＥＬ表示装置（図５）を作製し、信頼性評価を実施した。
その結果、発光画素領域の縮小率は１２％であり、実施例に比べ、有機ＥＬ表示装置の耐久性が劣った。
比較例２
実施例１において、有機ＥＬ素子基板上に、パッシベーション層を形成しなかったこと以外は、同一の条件にて、有機ＥＬ表示装置（図６）を作製し、信頼性評価を実施した。
その結果、発光画素領域の縮小率は、１０％であり、実施例に比べ、有機ＥＬ表示装置の耐久性が劣った。
以上より、有機ＥＬ素子基板上及び色変換基板上にパッシベーション層を形成することにより、有機ＥＬ表示装置の耐久性が向上することを確認した。評価結果を表１に示す。
2004036960.tif 000003
【産業上の利用可能性】  本発明によれば、ダークスポット等の非発光部分の発生が少なく、耐久性に優れた有機ＥＬ表示装置及びその製造方法を提供することができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【国際調査報告】
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