(57)【要約】開磁路構造でありながら、全体構成や製造工程を簡略化でき、またコストの上昇も抑えることのできるインバータトランスを提供する。  複数の棒状磁心２３ａ、２３ｂ、２３ｃにそれぞれ巻回された一次巻線２４ａ、２４ｂ、２４ｃ及び二次巻線２５ａ、２５ｂ、２５ｃが、漏洩インダクタンスを有する。前記それぞれの棒状磁心２３ａ、２３ｂ、２３ｃに巻かれた一次巻線２４ａ、２４ｂ、２４ｃは、該一次巻線２４ａ、２４ｂ、２４ｃに流れる電流によってそれぞれの磁心に発生する磁束の方向が、隣接する磁心に発生する磁束に対して、互いに逆向きになるような巻き方で巻線されている。
2004109723.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
直流を交流に変換するインバータ回路に備えられて、一次側に入力された交流電圧を変圧して二次側に出力する、複数の棒状磁心にそれぞれ卷回された一次巻線及び二次巻線が漏洩インダクタンスを有するインバータトランスにおいて、前記それぞれの棒状磁心に巻かれた一次巻線に流れる電流によって、それぞれの磁心に発生する磁束の方向が、隣接する磁心に発生する磁束に対して互いに逆向きになるような巻き方で一次巻線が巻線されていることを特徴とするインバータトランス。
【請求項２】
前記棒状磁心及び前記棒状磁心に卷回された前記一次、二次巻線からなる複数の巻線組付体について、その外面部における前記棒状磁心の軸方向の少なくとも一部が磁性体及び該磁性体を含有する樹脂からなる磁性体樹脂で被覆されていることを特徴とする請求項１に記載のインバータトランス。
【請求項３】
前記磁性体樹脂の被覆は、前記巻線組付体の略全外面部に行われていることを特徴とする請求項２に記載のインバータトランス。
【請求項４】
前記磁性体樹脂の被覆は、前記巻線組付体の両端部及び／又は前記巻線組付体の前記一次、二次巻線の隣接部分に行われていることを特徴とする請求項２に記載のインバータトランス。
【請求項５】
前記複数の巻線組付体及び前記磁性体樹脂からなるトランス本体の外面部の少なくとも一部に、前記磁性体樹脂に比して飽和磁束密度が大きい外面部材を配置したことを特徴とする請求項１から４の何れかに記載のインバータトランス。
【請求項６】
前記外面部材は、前記磁性体樹脂に比して磁気抵抗が小さい値とされることを特徴とする請求項５に記載のインバータトランス。
【請求項７】
前記外面部材は、前記トランス本体の外周部に沿う断面略コ字形又は断面略円弧状をなし、前記トランス本体の外周部を覆うことを特徴とする請求項５又は６に記載のインバータトランス。
【請求項８】
前記外面部材は複数部材からなり、組合せられて前記トランス本体を覆うように箱状をなすことを特徴とする請求項５又は６に記載のインバータトランス。
【請求項９】
前記外面部材は、焼結体で構成されていることを特徴とする請求項５から８の何れかに記載のインバータトランス。
【請求項１０】
前記磁性体樹脂は、比透磁率が前記棒状磁心の比透磁率より小さいことを特徴とする請求項１から９の何れかに記載のインバータトランス。
【請求項１１】
前記磁性体は、Ｍｎ−Ｚｎフェライト、Ｎｉ−Ｚｎフェライト、又は鉄粉であることを特徴とする請求項２から１０の何れかに記載のインバータトランス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本発明は、液晶ディスプレイの画面照明用光源などに用いられる冷陰極蛍光管を点灯するインバータ回路に用いられるインバータトランスに関するものである。
【背景技術】
【０００２】  近年、パーソナルコンピュータ等のディスプレイ装置として液晶ディスプレイ（以下、ＬＣＤという。）が広く使用されるようになってきた。このＬＣＤは発光機能を持たないので、バックライト方式やフロントライト方式の画面照明用の光源を必要としており、このような光源には、冷陰極蛍光管（以下、ＣＣＦＬという。）を使用しているのが一般的である。この種のＣＣＦＬの放電、点灯には、例えば長さ約５００ｍｍのＣＣＦＬの場合、放電開始時に６０ｋＨｚ、１６００Ｖ程度の高周波電圧を発生させるインバータ回路が用いられている。このインバータ回路は、ＣＣＦＬの放電後には、ＣＣＦＬに印加される電圧を、放電維持のために必要な１２００Ｖ程度の電圧まで下げるように制御している。インバータ回路には閉磁路構造のインバータトランスとバラストコンデンサーを用いるものがあるが、このインバータ回路は前記インバータトランス以外にバラストコンデンサーが必要なために、小型化と低価格化を阻害し、ＣＣＦＬの放電後でも放電開始時の電圧を維持しなければならず安全性においても良くない。近年はバラストコンデンサーの変わりにバラストインダクタンスの役割を果たす漏洩インダクタンスを有する、所謂、開磁路構造のインバータトランスが用いられている。【０００３】  このようなインバータ回路に用いられる、漏洩インダクタンスを有する開磁路構造のインバータトランスとしては、従来から、棒状（Ｉ形状）の磁心を用いたインバータトランスがある。また、棒状磁心と枠形（ロの字状）の磁心を組み合わせたインバータトランスもある（例えば特許文献１参照。）。【０００４】  前記漏洩インダクタンスを有するインバータトランスの等価回路は、図１９に示すようなものである。図１９において、符号１は、損失がない１：ｎの理想的トランス、符号Ｌ１、Ｌ２は漏洩インダクタンス、Ｌｓは相互インダクタンス、符号２はＣＣＦＬである。このような図１９に示した等価回路を有するインバータトランスでは、漏洩インダクタンスＬ１、Ｌ２がバラストインダクタンスの役割を果たし、閉磁路構造の前記インバータトランス以外にバラストコンデンサーを用いなくとも、ＣＣＦＬ２を正常に点灯することができる。【０００５】  開磁路構造のインバータトランスの従来例として、図２０に示すような棒状（Ｉ形状）の磁心を用いたインバータトランスがある。図２０に示すインバータトランス１では、筒状のボビン４の軸方向に延びて形成される空孔部５に、点線で示すように棒状磁心３が挿入されている。ボビン４には、一次巻線６、二次巻線７が巻回されており、一次巻線６の端子ピン８を搭載した端子台９、二次巻線７の端子ピン７０を搭載した端子台１１が設けられている。また、二次側に誘起される電圧は高圧なので、二次巻線７はボビン４の仕切板１２により分割して巻回され、沿面放電を阻止している。このような、棒状磁心を用いたインバータトランスは、四角形などの閉じた形状に形成した磁心に巻線を巻回して構成される構造のインバータトランス（図示せず）に比べて構造が簡単である。しかし、棒状磁心からは周囲の空間に磁束が漏洩しており、特にその両端からの漏洩磁束は大きい。【０００６】  別の構造として、棒状磁心の周囲��囲むようにロの字状の磁心を配置したインバータトランスが従来からある。図２１に示すインバータトランス１Ａはその一例であり、ロの字状の磁心１３と棒状磁心３を組合せて磁心を構成したものである。筒状のボビン１４の空孔部（符号省略）に棒状磁心３を挿入し、ボビン１４に一次巻線６と二次巻線７を巻回し、棒状磁心３をロの字状の磁心１３の嵌合溝１５に嵌合した構造となっている。そして、嵌合溝１５の部分には非磁性体のギャップシートが挿入されていて、ロの字状の磁心１３と棒状磁心３の間に空隙を設けた構造として、所定の漏洩インダクタンスをもつようにしている。この場合、周囲に漏洩する磁束はロの字状の磁心を通るので、該ロの字状の磁心がないときに比べると小さくなる。
【特許文献１】特開２００２−３５３０４４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】  インバータトランスとして、このような漏洩インダクタンスを持つものを用いる場合、漏洩磁束があるために、周辺に配置された部品や配線に影響を与えたりノイズを放射したりする可能性がある。そのために、周辺に配置される部品や配線を、漏洩磁束が少ない方向に配置しなければならないなど、部品配置上の制限を受ける。その結果、製品が大きくなったり、特性が劣化したりする場合がある。また、インバータトランスの周囲の漏洩磁束が通る位置に磁性体が置かれていると、前記漏洩磁束がその磁性体を通過したりして磁路に影響を受け、漏洩インダクタンスが変化したり、あるいは変動して不安定になったりしてインバータトランスの特性に変動を生じ、インバータの動作が変化する場合がある。【０００８】  このように、枠形やロの字状の磁心を用いずに棒状磁心のみで構成した場合には、インバータトランスの構造は簡単となるが、漏洩磁束の分布範囲が広がることになる。また、漏洩インダクタンスの大きさの調整が困難である。一方、ロの字状の磁心を用いると、棒状磁心のみで構成した場合に比べて、漏洩磁束の分布範囲は狭くなるが、ロの字状の磁心の成形や加工などの工程が必要となる。またトランス製造時の組立工程においても、漏洩インダクタンスの調整のために、棒状磁心とロの字状の磁心との間にギャップシートを挿入するなどの工程が必要となるために複雑で手間がかかる。【０００９】  上述したように、従来のインバータトランスでは、棒状磁心を用いたものは周囲に大きな漏洩磁束が発生する。従来、このような漏洩磁束を発生する製品が他の部品に影響しないように、また他の部品から影響を受けないようにするために、当該漏洩磁束を発生する製品を、磁気シールドする方法が一般的に知られている。しかし、当該漏洩磁束を発生する製品を磁気シールドすると、製品そのものが大きくなると共に、磁気シールドをするための容器が必要になり、コスト高にもなる。また、前記容器内に漏洩磁束を発生する製品を固定したり、該容器からリード線などを取り出したりすることも必要になり、製造工程が複雑になり低価格化を阻害する。更に、漏洩磁束を発生する製品と磁気シールドをするための容器との取り付けが不完全な場合も生じ、製品の信頼性を低下する場合がある。また、ロの字状の磁心を付加した場合には、付加しない場合に比べて漏洩磁束は減少するものの、トランスの構造や製造工程が複雑になり、コストが上昇するという問題点があった。【００１０】  本発明は、開磁路構造でありながら、かかる問題を解決して全体構成や製造工程も従来のロの字状の磁心による開磁路構造のものに比べて簡略化でき、またコストの上昇も抑えることのできるインバータトランスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】  請求項１記載の発明は、直流を交流に変換するインバータ回路に備えられて、一次側に入力された交流電圧を変圧して二次側に出力する、複数の棒状磁心にそれぞれ卷回された一次巻線及び二次巻線が漏洩インダクタンスを有するインバータトランスにおいて、前記それぞれの棒状磁心に巻かれた一次巻線に流れる電流によって、それぞれの磁心に発生する磁束の方向が、隣接する磁心に発生する磁束に対して互いに逆向きになるような巻き方で一次巻線が巻線されていることを特徴とする。
請求項２記載の発明は、請求項１に記載のインバータトランスにおいて、前記棒状磁心及び前記棒状磁心に卷回された前記一次、二次巻線からなる複数の巻線組付体について、その外面部における前記棒状磁心の軸方向の少なくとも一部が磁性体及び該磁性体を含有する樹脂からなる磁性体樹脂で被覆されていることを特徴とする。【００１２】  請求項３記載の発明は、請求項２に記載のインバータトランスにおいて、前記磁性体樹脂の被覆は、前記巻線組付体の略全外面部に行われていることを特徴とする。
請求項４記載の発明は、請求項２に記載のインバータトランスにおいて、前記磁性体樹脂の被覆は、前記巻線組付体の両端部及び／又は前記巻線組付体の前記一次、二次巻線の隣接部分に行われていることを特徴とする。【００１３】  請求項５記載の発明は、請求項１から４の何れかに記載のインバータトランスにおいて、前記複数の巻線組付体及び前記磁性体樹脂からなるトランス本体の外面部の少なくとも一部に、前記磁性体樹脂に比して飽和磁束密度が大きい外面部材を配置したことを特徴とする。
請求項６記載の発明は、請求項５に記載のインバータトランスにおいて、前記外面部材は、前記磁性体樹脂に比して磁気抵抗が小さい値とされることを特徴とする。【００１４】  請求項７記載の発明は、請求項５又は６に記載のインバータトランスにおいて、前記外面部材は、前記トランス本体の外周部に沿う断面略コ字形又は断面略円弧状をなし、前記トランス本体の外周部を覆うことを特徴とする。
請求項８記載の発明は、請求項５又は６に記載のインバータトランスにおいて、前記外面部材は複数部材からなり、組合せられて前記トランス本体を覆うように箱状をなすことを特徴とする。【００１５】  請求項９記載の発明は、請求項５から８の何れかに記載のインバータトランスにおいて、前記外面部材は、焼結体で構成されていることを特徴とする。
請求項１０記載の発明は、請求項１から９の何れかに記載のインバータトランスにおいて、前記磁性体樹脂は、比透磁率が前記棒状磁心の比透磁率より小さいことを特徴とする。
請求項１１記載の発明は、請求項２から１０の何れかに記載のインバータトランスにおいて、前記磁性体は、Ｍｎ−Ｚｎフェライト、Ｎｉ−Ｚｎフェライト、又は鉄粉であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】  請求項１から１１に記載の発明によれば、直流を交流に変換するインバータ回路に備えられて、一次側に入力された交流電圧を変圧して二次側に出力する、複数の棒状磁心にそれぞれ卷回された一次巻線及び二次巻線が漏洩インダクタンスを有するインバータトランスにおいて、前記それぞれの棒状磁心に巻かれた一次巻線に流れる電流によって、それぞれの磁心に発生する磁束の方向が、隣接する磁心に発生する磁束に対して互いに逆向きになるような巻き方で一次巻線が巻線されていることにより、インバータトランスの周囲に広がる漏洩磁束が小さくなり、インバータトランスの周辺に配置された部品や配線に与える影響を小さくできる。また周囲に金属などがあってもインバータトランスの特性が影響を受けにくくなるため、インバータトランスの漏洩インダクタンスを安定に保つことが可能となる。
また、二次巻線には同一方向の電圧が誘起され、二次巻線間に印加される電圧の差がなくなり、インバータトランスの絶縁耐圧を低くすることができる。その結果、部品点数が削減されると共に、装置の小型化が図れ、ひいては装置の低廉化を図ることができる。【００１７】  請求項２から４に記載の発明によれば、前記棒状磁心の全部又は一部が、磁性体樹脂で被覆されていることにより、棒状磁心のみで構成する場合に比べて、インバータトランスの周囲に広がる漏洩磁束が小さくなり、インバータトランスの周辺に配置された部品や配線に与える影響を小さくできる。また、周囲に金属などがあっても、インバータトランスの特性が影響を受けにくくなるため、インバータトランスの漏洩インダクタンスを安定に保つことが可能となる。【００１８】  また、請求項２から４に記載の発明によれば、外面側に、磁性体樹脂が配置されることにより、磁気シールドするための容器が不必要になり、コスト増にならない。また、前記容器内に漏洩磁束を発生するインバータトランスを固定したり、該容器からリード線などを取り出したりすることも不必要になり、製造工程が簡単になると共に、磁性体樹脂によりインバータトランス全体を樹脂成形することが可能となり、これに伴ない、機械的な強度が増し製品の信頼性を高めることができる。【００１９】  請求項５から９に記載の発明によれば、前記複数の巻線組付体及び前記磁性体樹脂からなるトランス本体の外面部の少なくとも一部に、前記磁性体樹脂に比して飽和磁束密度が大きい外面部材を配置しており、棒状磁心から漏洩して磁性体樹脂の中を通って外側へ漏れた磁束の大部分は外面部材を通ることになる。このため、トランス本体を外面部材で被覆しない場合に比べて、インバータトランスの外部に漏れる磁束をより効率よく低減することができるので、磁性体樹脂のみで外側へ漏れる磁束の低減を行う場合に比して、全体の断面積を小さくすることができ、ひいてはインバータトランスの小型化を図ることができる。【００２０】  更に、請求項１０記載の発明によれば、磁性体樹脂の比透磁率などの磁気特性や、磁性体樹脂で覆う厚さや範囲を調整することにより、回路の動作の最適条件に合わせて巻線の巻数や漏洩インダクタンスなどを調整することができる。その結果、インバータトランスの一次巻線や二次巻線の巻数及び棒状磁心の形状、特性を変えず、漏洩インダクタンスの大きさを調整することで各種のインバータトランスに適用できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００２１】［図１］本発明の第１の実施形態を説明する図である。
［図２］本発明の実施形態における巻線の状態とそれによって発生される磁束の向きを説明する図である。
［図３］本発明の実施形態における一次巻線Ｗ１の卷回方法を示す図である。
［図４］本発明の実施形態における磁界の大きさの測定位置を模式的に説明する図である。
［図５］本発明の実施形態において図４における測定点Ａの特性結果を示す図である。
［図６］本発明の実施形態において図４における測定点Ｂの特性結果を示す図である。
［図７］本発明の第２の実施形態を示す上面図（ａ）、正面図（ｂ）及び部分断面図（ｃ）並びに第３の実施形態を示す正面図（ｄ）及び部分断面図（ｅ）である。
［図８］本発明の第４の実施形態示す上面図（ａ）、正面図（ｂ）並びに第５の実施形態を示す正面図（ｃ）である。
［図９］本発明の第６の実施形態を示す上面図（ａ）、当該第６の実施形態で用いる外面部材を示す斜視図（ｂ）及び当該第６の実施形態を示す正面図（ｃ）である。
［図１０］本発明の第７の実施形態を示す上面図（ａ）、当該第７の実施形態で用いる外面部材を示す斜視図（ｂ）及び当該第７の実施形態を示す正面図（ｃ）である。
［図１１］本発明の第８の実施形態を示す上面図（ａ）、正面図（ｂ）、当該第８の実施形態で用いる外面部材を示す斜視図（ｃ）、当該第８の実施形態のトランス本体と異なるタイプのトランス本体を用いた例を示す正面図（ｄ）である。
［図１２］本発明の第９の実施形態を示す上面図（ａ）、正面図（ｂ）及び当該第９の実施形態で用いる外面部材を示す斜視図（ｃ）、並びに第１０の実施形態を示す正面図（ｄ）及び当該第１０の実施形態で用いる外面部材を示す斜視図（ｅ）である。
［図１３］本発明の第１１の実施形態を示す部分断面の上面図（ａ）、（ａ）のＡ−Ａ線に沿う断面図（ｂ）及び第１２の実施形態を（ｂ）に対応して示す断面図（ｃ）、並びに第１３の実施形態で用いる外面部材及び板状部材を示す斜視図（ｄ）である。
［図１４］本発明の第１４の実施形態を示す上面図（ａ）、正面図（ｂ）である。
［図１５］本発明の第１５の実施形態を示す上面図（ａ）、正面図（ｂ）、並びに当該第１５の実施形態のトランス本体と異なるタイプのトランス本体を用いた例を示す正面図（ｃ）である。
［図１６］本発明の第１６の実施形態を示す上面図（ａ）、正面図（ｂ）、並びに第１７の実施形態を示す正面図（ｃ）である。
［図１７］本発明の第１８の実施形態を示す上面図（ａ）、当該第１８の実施形態で用いる外面部材を示す斜視図（ｂ）及び当該第６の実施形態を示す正面図（ｃ）並びに第１９の実施形態を示す正面図（ｄ）である。
［図１８］本発明の第２０の実施形態を示す上面図（ａ）、正面図（ｂ）、並びに第２１の実施形態を示す正面図（ｃ）である。
［図１９］漏洩インダクタンスを有するインバータトランスの等価回路である。
［図２０］棒状磁心を用いたインバータトランスの従来例である。
［図２１］棒状磁心を用いたインバータトランスの他の従来例である。
【符号の説明】
【００２２】６    磁性体樹脂
１０、２０、４０  インバータトランス
２３（２３ａ、２３ｂ、２３ｃ）  磁心
２４（２４ａ、２４ｂ、２４ｃ）、Ｗ１  一次巻線
２５（２５ａ、２５ｂ、２５ｃ）、Ｗ２  二次巻線
２６（２６ａ、２６ｂ、２６ｃ）  ボビン
３８ａ、３９ａ  一次、二次巻線端子台
４０ａ、４１ａ  端子ピン
５６、５６Ａ〜５６ＩＩ  外面部材
５７ａ、４ｂ  仕切板
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】  以下、本発明の第１の実施形態について図１に基づいて説明する。図１の実施形態は、１個のインバータトランス１０で３本の冷陰極蛍光管を同時に点灯させるように構成したものである。なお、後述するように、それぞれの棒状磁心２３（２３ａ、２３ｂ、２３ｃ）に巻かれた一次巻線２４（２４ａ、２４ｂ、２４ｃ）に流れる電流によって、前記それぞれの磁心２３（２３ａ、２３ｂ、２３ｃ）に発生する磁束の方向が、隣接する磁心に発生する磁束に対して、互いに逆向きになるような巻き方で、前記一次巻線２４（２４ａ、２４ｂ、２４ｃ）が巻線されていれば、これ以外の数の冷陰極蛍光管を点灯する場合であってもよく、その場合には前記棒状磁心の数を冷陰極蛍光管の数にあわせて変更する。【００２４】  以下説明の簡略化のために、特に必要がない場合、それぞれの一次巻線２４（２４ａ、２４ｂ、２４ｃ）をＷ１、それぞれの二次巻線２５（２５ａ、２５ｂ、２５ｃ）をＷ２、３本の矩形筒状のボビン２６（２６ａ、２６ｂ、２６ｃ）をボビン２６、３本の棒状磁心２３（２３ａ、２３ｂ、２３ｃ）を磁心２３として説明する。【００２５】  図１における第１の実施形態のインバータトランス１０は、ＣＣＦＬを３本点灯するインバータトランスである。３本のボビン２６は、同一形状に構成されている。３本の磁心２３は、前記３本のボビン２６の内側を軸方向に貫通する穴の中にそれぞれ挿入されている。なお、３本のボビン２６は、それぞれが嵌め合わされて互いに一体化されている。前記磁心２３は軟磁性材料であるＭｎ−Ｚｎフェライトなどからなり、比透磁率は例えば２０００である。インバータトランス１０は、３本の磁心２３と、一次巻線Ｗ１と二次巻線Ｗ２それぞれを巻回した３本のボビン２６、該ボビン２６の両端面に嵌合される一次巻線端子台３８ａ、二次巻線端子台３９ａとから大略構成されている。前記一次巻線端子台３８ａ、二次巻線端子台３９ａは絶縁材からなり、ボビン２６を介在して相互に最も離れた位置に設けられている。一次巻線端子台３８ａ、二次巻線端子台３９ａには端子ピン４０ａ、４１ａが、それぞれ支持固定されている。【００２６】  一次巻線端子台３８ａには、一次巻線Ｗ１から一次巻線端子ピン４０ａへ接続するリード線（図示省略）用の孔部（図示省略）または溝（図示省略）が設けられている。一次巻線Ｗ１の一端は一次巻線端子ピン４０ａに接続される。同様に二次巻線端子台３９ａには、二次巻線Ｗ２から二次巻線端子ピン４１ａへ接続するリード線（図示省略）用の孔部（図示省略）または溝（図示省略）が設けられている。前記リード線は絶縁物で被覆された状態で孔部に通されるか、または溝に埋め込まれるかして、充分な沿面距離及び絶縁性を保つようにしている。【００２７】  それぞれのボビン２６の一次巻線Ｗ１と二次巻線Ｗ２を巻くために、前記一次巻線Ｗ１の巻線部と二次巻線Ｗ２の巻線部の間には、区切りのための仕切板５７ａで区分けされる２つの巻線部が設けられている。各一次巻線Ｗ１及び各二次巻線Ｗ２は、３つの筒状のボビン２６に設けられた前記２つの巻線部の外周にそれぞれ巻回されている。即ち、各一次巻線Ｗ１は、一次巻線端子台３８ａと仕切板５７ａとの間に、各二次巻線Ｗ２は、二��巻線端子台３９ａと仕切板５７ａとの間に卷回されている。【００２８】  ここで、上記二次巻線Ｗ２はボビン２６の軸方向に沿って巻回されるが、二次巻線Ｗ２が高電圧を発生するために、ボビン２６はその軸方向で二次巻線端子台３９ａと仕切板５７ａとの間が複数セクションに分割され、各セクション間には、絶縁性の仕切板４ｂが設けられ、沿面放電の阻止に必要な沿面距離が保持されている。前記仕切板４ｂには図示しない切欠が形成されており、仕切板４ｂを間にした両セクションの二次巻線Ｗ２は、この切欠を通して接続されている。他の二次巻線Ｗ２についても同様である。【００２９】  前記インバータトランス１０の作用について以下に説明する。磁心２３で発生した磁束は、磁心２３の外に漏洩し、漏洩インダクタンスを有するように作用する。即ち、磁心２３で構成される磁路は閉磁路を形成しておらず、このインバータトランス１０は、実質的に漏洩インダクタンスを有する開磁路構造になっている。そのため、磁心２３の全体を通って一次巻線Ｗ１と二次巻線Ｗ２の両方に鎖交する磁束だけでなく、一次巻線Ｗ１のみ、又は二次巻線Ｗ２のみに鎖交して、一次巻線Ｗ１と二次巻線Ｗ２の間の電磁気的な結合に寄与しない漏洩磁束が発生して、漏洩インダクタンスが生じる。前記漏洩インダクタンスがバラストインダクタンスとして作用し、二次巻線Ｗ２に接続されたＣＣＦＬを正常に放電、点灯することができる。【００３０】  しかし、前記漏洩磁束は、漏洩インダクタンスに作用する以外に、磁心２３から外に出て当該インバータトランス１０の近傍にある機器に悪影響を与えるために、この漏洩磁束は、当該インバータトランス１０から拡散しないほうがよい。本発明は、かかる問題点を解決するために、前記それぞれの磁心２３に巻かれた一次巻線Ｗ１に流れる電流によって、それぞれの磁心に発生する磁束の方向が隣接する磁心に発生する磁束に対して、互いに逆向きになるように一次巻線Ｗ１を巻線し、漏洩磁束が当該インバータトランス１０から拡散しないようにしたものである。【００３１】  以下、図２により、前記図１のように卷回されたインバータトランス１０の一次巻線Ｗ１の作用について説明する。前記３個の磁心２３の互いに隣り合わない磁心２３ａ、２３ｃ（第１グループの磁心）にそれぞれに卷回されている一次巻線Ｗ１に流れる電流によって、当該第１グループの磁心２３ａ、２３ｃそれぞれに発生される磁束Φ１、Φ３の向きは、互いに同方向である。前記第１グループの磁心に発生される磁束Φ１、Φ３と、第１グループの磁心に挟まれて配置されている磁心２３ｂ（第２グループの磁心）に発生される磁束Φ２とは、互いに逆方向である。【００３２】  前記のように各磁束Φ１、Φ２、Φ３を発生するための一次巻線Ｗ１の巻回方法は、図３（ａ）、図３（ｂ）に示すように、２種類ある。即ち、図３（ａ）に示すように、一次巻線Ｗ１の卷回方向を全て同一とし、前記第１グループの一次巻線Ｗ１と第２グループに印加される電圧ｅの極性を、逆にする方法がある。また、図３（ｂ）に示すように、第１グループと第２グループの一次巻線Ｗ１の卷回方向を互いに逆方向とし、第１グループの一次巻線Ｗ１と第２グループの一次巻線Ｗ１に印加される電圧ｅの極性を、同一にする方法がある。何れの場合も、第１グループの磁心２３ａ、２３ｃに隣り合う第２グループの磁心２３ｂに発生される磁束Φ２の向きは、前記第１グループの磁心２３ａ、２３ｃに発生される磁束Φ１、Φ３に対して、当該第２グループの磁心２３ｂにおいて互いに逆方向になる。【００３３】  それぞれの磁心２３を通る磁束Φ１、Φ２、Φ３を全て同じ方向とした場合は、磁心２３の両端部分から外部に出る磁束は互いに反発し、その大部分は隣り合う磁心を通らずに、周辺の空間へ拡散して漏洩し、漏洩磁束が増加する。しかし前述したように、第１の実施形態は、前記第１グループの磁心に発生される磁束Φ１、Φ３と、第１グループの磁心に挟まれて配置されている第２グループの磁心２３ｂに発生される磁束Φ２とを、互いに逆方向にすることにより、棒状磁心の両端部分から外部に出る磁束のうち、互いに隣り合う棒状磁心２３ａと２３ｂ、２３ｂと２３ｃを通る磁束は、互いに反発せず、互いに隣り合う磁心を通る割合が増加する。その結果、インバータトランスの周辺の空間へ拡散して漏洩する漏洩磁束が減少する。このため、周囲の部品や配線に影響を与えることが少なくなる。なお、本実施形態において、棒状磁心の数は３本として説明したが、隣り合う棒状磁心を通る磁束の向きが、上述した関係を満たすものであれば、棒状磁心の数はこれ以外の複数であってもよい。【００３４】  また、二次巻線Ｗ２は、以下のように卷回する。即ち、前記第１グループ及び第２グループの各磁心２３に卷回されている、二次巻線Ｗ２に誘起される電圧の極性が、同一極性となるように卷回する。例えば、第１グループの一次巻線Ｗ１と第２グループの一次巻線Ｗ１とが、図３（ａ）あるいは図３（ｂ）のいずれかに示すように卷回されている場合であっても、前記それぞれの磁心２３に巻かれた一次巻線Ｗ１に流れる電流によって、それぞれの磁心に発生する磁束の方向が、隣接する磁心に発生する磁束に対して、互いに逆向きになるように一次巻線Ｗ１が巻線されているので、前記磁束によって二次巻線Ｗ２に誘起される電圧の極性が、同一極性となるためには、逆向きに磁束が発生している磁心に卷回する二次巻線Ｗ２の卷回方向を逆にする。【００３５】  前述したように、例えばインバータトランス１０の二次巻線には、ＣＣＦＬの点灯時に１６００Ｖ程度の高周波電圧が、又、ＣＣＦＬの放電を維持するのに１２００Ｖ程度の電圧が必要である。しかし、前述したように一次巻線Ｗ１と二次巻線Ｗ２の巻線方向及び、一次巻線Ｗ１の印加電圧の極性を定めることにより、二次巻線Ｗ２には同一方向の電圧が誘起され、二次巻線間に印加される電圧の差がなくなり、絶縁耐圧が増し安全性が高められる。【００３６】  図４、図５、図６により前記第１の実施形態に係るインバータトランス１０の特性について説明する。図５、図６における巻線の極性は、図３（ａ）と同一である。即ち、磁心２３に卷回されている一次巻線Ｗ１は、全て同方向に卷回されており、磁心２３ｂの二次巻線Ｗ２は、磁心２３ａ、２３ｃとは逆方向に卷回されている。また、一次巻線Ｗ１それぞれに印加される一次電圧の極性は、磁心２３ｂのみ逆極性である。このようにして前記それぞれの棒状磁心２３に巻かれた一次巻���Ｗ１に流れる電流によって、それぞれの磁心に発生する磁束の方向が、隣接する磁心に発生する磁束に対して、互いに逆向きになるようにした。磁界の大きさの測定位置については、図４に示すように、インバータトランス１０を水平に置いたときに、巻線の上面の中央部から上方ｄＹ方向へ距離ｄ１だけ離れた場所（測定点Ａ）及び巻線の側面の中央部から水平方向かつ磁心の軸方向と垂直なｄＸ方向に距離ｄ２だけ離れた場所（測定点Ｂ）で測定した。【００３７】  測定点Ａで測定した磁界の大きさを図５に、測定点Ｂで測定した磁界の大きさを図６にそれぞれ示す。漏れ磁束による磁界は、距離ｄが大きくなるとともに減少し、おおよそ距離ｄの２乗に反比例している。本実施例によるインバータトランスと従来のように、それぞれの棒状磁心２３に巻かれた一次巻線Ｗ１に流れる電流によって、それぞれの磁心に発生する磁束の方向が同じ方向としたインバータトランスの漏れ磁束を比較すると、本実施例のインバータトランスを用いることにより測定点Ａ、測定点Ｂともに測定される磁界は小さくなっており、特に測定点Ａの磁界は図５に示されているように大きく減少している。【００３８】  ｄＹ方向及びｄＸ方向へ、それぞれ距離が２ｃｍ離れたときの磁界の大きさの値を比較すると、従来のインバータトランスでは、測定点Ａの磁界の大きさは９１Ａ／ｍ、測定点Ｂの磁界の大きさは６２Ａ／ｍであったのに対して、本実施形態によるインバータトランスを使用したときは、測定点Ａの磁界の大きさは６．９Ａ／ｍ、測定点Ｂの磁界の大きさは３６Ａ／ｍであった。このように、本発明は、インバータトランスの漏れ磁束による周辺の磁界を減少するという効果がある。特に、巻線の上面の中央部から上方ｄＹ方向に対して、その効果が大きい。巻線の側面の中央部から水平方向かつ磁心の軸方向と垂直なｄＸ方向に対しての効果が少ないのは、両端の磁心２３ａ、２３ｃから横方向に漏洩する磁束が周囲に拡散されるためである。【００３９】  前記第１の実施形態において実現した効果を高める第２、第３の実施形態について図７を用いて説明する。図７（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示したインバータトランス４０（第２の実施形態）、図７（ｄ）、（ｅ）に示したインバータトランス４０（第３の実施形態）は、前記漏洩磁束の拡散を更に減少させる実施形態である。図７において、図１と同一箇所については同一符号を付して、説明を省略する。
図７のインバータトランス４０（第２、第３の実施形態）では、磁心２３、ボビン２６、一次巻線Ｗ１及び二次巻線Ｗ２、ボビン２６の両端面に嵌合される一次巻線端子台３８ａ、二次巻線端子台３９ａから構成される部分は、その周囲の全体（第３の実施形態）又は一部（第２の実施形態）が磁性体樹脂６で被覆されている。【００４０】  図７（ａ）、（ｂ）、（ｃ）において、棒状磁心２３ａ、ボビン２６ａ、一次巻線２４ａ、二次巻線２５ａ及びその周囲の絶縁樹脂５０から第１巻線組付体５１ａが構成され、棒状磁心２３ｂ、ボビン２６ｂ、一次巻線２４ｂ、二次巻線２５ｂ及びその周囲の絶縁樹脂５０から第２巻線組付体５１ｂが構成され、棒状磁心２３ｃ、ボビン２６ｃ、一次巻線２４ｃ、二次巻線２５ｃ及びその周囲の絶縁樹脂５０から第３巻線組付体５１ｃが構成され、第１巻線組付体５１ａ、第２巻線組付体５１ｂ及び第３巻線組付体５１ｃから巻線組付体５１が構成されている。
そして、巻線組付体５１は、第１、第２、第３巻線組付体５１ａ、５１ｂ、５１ｃの相互間を含め、その全周の低部（図７（ａ）紙面裏側、図７（ｂ）下側、図７（ｃ）下側）を除いた部分が包み込まれるようにして磁性体樹脂６で被覆されている。この場合、磁性体樹脂６は、少なくとも前記棒状磁心２３ａ、２３ｂ、２３ｃの一方の端から他方の端までを含めて覆い、さらに一次巻線端子台３８ａ、二次巻線端子台３９ａの一部を覆っている。【００４１】  なお、巻線組付体５１に対する磁性体樹脂６の被覆は、第３の実施形態（図７（ｄ）、（ｅ））のように、その全周を包み込むように行なってもよい〔すなわち、後述するようにトランス本体をトランス本体５５Ａ（図７（ｄ）に示す。）として構成してもよい〕し、巻線組付体５１の全周の上面部に対して行なってもよいし、側部又は下面部に対して行なってもよい〔すなわち、後述するようにトランス本体をトランス本体５５Ｂ（図７（ａ）、（ｂ）に示す。）として構成してもよい。〕。【００４２】  この磁性体樹脂６は、Ｍｎ−Ｚｎフェライトを焼結した後に粉砕した粉末からなる磁性体と、例えば熱硬化性のエポキシ樹脂とを混練機で混ぜ合わせて作られるものであり、混合したＭｎ−Ｚｎフェライト粉末の量は体積比で８０％である。
このインバータトランス４０では、磁心２３ａ、ボビン２６ａ、一次巻線２４ａ及び二次巻線２５ａの構成体、磁心２３ｂ、ボビン２６ｂ、一次巻線２４ｂ及び二次巻線２５ａの構成体、並びに磁心２３ｃ、ボビン２６ｃ、一次巻線２４ｃ及び二次巻線２５ｃの構成体にそれぞれ絶縁樹脂５０を施して、第１巻線組付体５１ａ、第２巻線組付体５１ｂ及び第３巻線組付体５１ｃ（すなわち、巻線組付体５１）を形成し、この後に、成形あるいは塗布などにより磁性体樹脂６で覆い、例えば１５０℃前後で加熱して硬化させる。【００４３】  なお、磁性体樹脂６に含有される磁性体は、Ｍｎ−Ｚｎフェライトに限られず、Ｎｉ−Ｚｎフェライトの粉末や、鉄粉などの磁性体でもよく、又樹脂材料は、ナイロン、その他の樹脂を用いても同様の効果を得ることができる。また、磁性体樹脂６の比透磁率は、棒状磁心２３から出る漏洩磁束に対するシールド効果を保ちながら、開磁路構造という条件を満たすような値が選ばれる。本実施形態では、磁性体樹脂６の比透磁率は棒状磁心２３の比透磁率に比べて十分に小さくされている。前記磁性体樹脂６の比透磁率は、使用する磁性体の特性、あるいは磁性体と樹脂の混合比率を変えるなどの方法によって調整することができ、例えばＭｎ−Ｚｎフェライトや、Ｎｉ−Ｚｎフェライトの場合には数十、鉄粉などの磁性体では数百である。【００４４】  第２の実施形態のインバータトランス４０は、図７の上面図（ａ）、正面図（ｂ）及び断面図（ｃ）に示すように、磁心２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、ボビン２６ａ、２６ｂ、２６ｃ、一次巻線２４ａ、２４ｂ、２４ｃ及び二次巻線２５ａ、２５ｂ、２５ｃを含んで構成される巻線組付体５１（第１巻線組付体５１ａ、第２巻線組付体５１ｂ及び第３巻線組付体５１ｃ）の周囲の上面と側面のみが、磁性体樹脂６により被覆されている。
また、図７の正面図（ｄ）及び断面図（ｅ）に第３の実施形態を示すが、この第３の実施形態のインバータトランス４０は、巻線組付体５１（第１巻線組付体５１ａ、第２巻線組付体５１ｂ及び第３巻線組付体５１ｃ）の周囲の上面と側面及び下面、即ち前記巻線組付体５１の全周が磁性体樹脂６により被覆されている。なお、第２の実施形態と同様に第１、第２、第３巻線組付体５１ａ、５１ｂ、５１ｃの相互間も磁性体樹脂６により被覆されている。【００４５】  第２、第３の実施形態の両インバータトランス４０，４０において、軸方向は、少なくとも磁心２３ａ、２３ｂ、２３ｃ（巻線組付体５１）の一方の端から他方の端および一次、二次巻線端子台３８ａ、３９ａの一部が、前記磁性体樹脂６により被覆されている。なお、前記第２、第３の実施形態において、棒状磁心２３ａ、２３ｂ、２３ｃ（前記巻線組付体５１）は、１つの磁性体樹脂６で覆われているが、本発明はこれに限らず、３つの磁性体樹脂６で棒状磁心２３ａ（第１巻線組付体５１ａ）、棒状磁心２３ｂ（第２巻線組付体５１ｂ）、棒状磁心２３ｃ（第３巻線組付体５１ｃ）をそれぞれ別に覆ってもよい。
前記第２の実施形態のインバータトランス４０及び第３の実施形態のインバータトランス４０の作用について以下に説明する。【００４６】  磁性体樹脂６の比透磁率が棒状磁心２３の比透磁率に比べて十分に小さいので、棒状磁心２３で発生した磁束は、その磁気抵抗の差により磁性体樹脂６を全て通らず、一部が棒状磁心２３及び磁性体樹脂６の外に漏洩し、漏洩インダクタンスを有するように作用する。即ち、棒状磁心２３と磁性体樹脂６で構成される磁路は、閉磁路を形成しておらず、このインバータトランス４０は、実質的に漏洩インダクタンスを有する開磁路構造になっている。そのため、棒状磁心２３の全体を通って一次巻線Ｗ１と二次巻線Ｗ２の両方に鎖交する磁束だけでなく、一次巻線Ｗ１のみ、又は二次巻線Ｗ２のみに鎖交して、一次巻線Ｗ１と二次巻線Ｗ２の間の電磁気的な結合に寄与しない漏洩磁束が発生して、漏洩インダクタンスが生じる。このようなインバータトランス４０の動作は、磁性体樹脂６にて被覆されていない開磁路構造の場合と同様であり、前記漏洩インダクタンスがバラストインダクタンスとして作用し、二次巻線Ｗ２に接続された冷陰極蛍光管（ＣＣＦＬ）を正常に放電、点灯することができる。【００４７】  従来のインバータトランスとは異なり、第２、第３の実施形態は、巻線組付体５１の周囲を磁性体樹脂６で覆うことにより、前記漏洩インダクタンスがバラストインダクタンスとして作用すると共に、棒状磁心２３から漏洩した磁束の多くは、磁性体樹脂６の中を通り、磁性体樹脂６の外側へ漏れる磁束は低減される。その結果、インバータトランスから周辺へ漏れ出る漏洩磁束の範囲が狭められる。特に、図７で示す第２、第３の実施形態の場合には、図４で示したｄＸ方向の漏洩磁束が低減できるので、前記それぞれの棒状磁心２３に巻かれた一次巻線Ｗ１に流れる電流によって、それぞれの磁心に発生する磁束の方向が、隣接する磁心に発生する磁束に対して、互いに逆向きになるような巻き方で巻線されている。一次巻線Ｗ１の漏洩磁束の低減効果に、磁性体樹脂６による漏洩磁束の低減効果が加わり、より一層、漏洩磁束が低減される。【００４８】  巻線組付体５１の下面が磁性体樹脂６により被覆されていない、図７（ａ）、（ｂ）、（ｃ）で示される第２の実施形態では、インバータトランスが配設される基板、あるいは筐体の材料が磁性体でない材料により形成されている場合に有効である。即ち、インバータトランスが配設される基板、あるいは筐体の材料が磁性体でない場合には、棒状磁心２３から漏洩した磁束はその影響を受けて磁路が変らず、従って特性の変動、変化が少ない。一方、巻線組付体５１の下面以外の側面と上面とが磁性体樹脂６により被覆されているので、インバータトランスから周辺へ漏れ出る漏洩磁束の範囲が狭められ、他に影響を与えることなく漏洩インダクタンスを有するように作用すると共に、巻線組付体５１の下面が磁性体樹脂６により被覆されていないことにより、インバータトランスの高さを低くできる効果がある。【００４９】  また、図７（ｄ）、（ｅ）で示す第３の実施形態のように、磁心２３、ボビン２６一次巻線Ｗ１及び二次巻線Ｗ２から構成される部分（巻線組付体５１）の周囲の、上面と側面及び下���、即ち前記構成部分（巻線組付体５１）の全周が、前記磁性体樹脂６により被覆されていると共に、少なくとも磁心２３の両端間が前記磁性体樹脂６により被覆されている場合には、インバータトランスが配設される基板、あるいは、筐体の材料が磁性体により形成されている場合に有効である。即ち、全周が前記磁性体樹脂６により被覆されている結果、インバータトランスが配設される下面にも磁気シールド作用が生じ、棒状磁心２３から漏洩した磁束は、下面にある磁気材料の影響を受けて磁路が変らず、従って特性の変動、変化が少ない。【００５０】  インバータの動作を最適化するためには、インバータトランス４０の一次巻線Ｗ１、二次巻線Ｗ２の巻数、漏洩インダクタンスなどを調整する必要があるが、漏洩磁束の磁路の磁気特性を変化させることによって漏洩インダクタンスの特性は変化する。本発明のインバータトランス４０においては、磁性体樹脂６の比透磁率などの磁気特性や磁性体樹脂６で覆う厚さや範囲を調整し、回路の動作の最適条件に合わせて巻線の巻数や漏洩インダクタンスなどを調整する。その結果、インバータトランス４０の一次巻線Ｗ１、二次巻線Ｗ２の巻数及び棒状磁心２３の形状、特性を変えず、漏洩インダクタンスの大きさを調整することで各種のインバータトランスに適用できる効果がある。【００５１】  前記第２、第３の実施形態では、何れの場合も、少なくとも磁心２３の両端間が前記磁性体樹脂６により被覆されていたが、磁性体樹脂６で覆う範囲は漏洩インダクタンスを有するように作用するものであれば、必ずしも全体を覆う必要はなく一部分のみを覆うようにしてもよい。本発明の第４、第５の実施形態に係るインバータトランスは、かかる場合の実施形態であり、以下、図８を用いて第４、第５の実施形態を説明する。なお、図１又は図７と同等の部分、部材については図１又は図７と同等の符号を付し、その説明は、適宜、省略する。この第４、第５の実施形態は、図８に示すように、棒状磁心２３の略中央の部分を除く両端部の全部または一部が、磁性体樹脂６で被覆されている。即ち、少なくとも棒状磁心２３の両端部分を含み、巻線用ボビン２６、巻線用端子台３８ａ、３９ａの一部を含んで磁性体樹脂６で覆うようにしたものである。【００５２】  なお、第４の実施形態（図８（ａ）、（ｂ））は、前記第２の実施形態（図７（ａ）、（ｂ）、（ｃ））と同様に上面と側面のみが前記磁性体樹脂６により被覆されている場合である。即ち、第４の実施形態のインバータトランス２０は、棒状磁心２３（巻線組付体５１）の略中央の部分を除く両端部５１１における上面と側面のみが、磁性体樹脂６で被覆されている。
また、図８（ｃ）に第５の実施形態を示すが、この第５の実施形態は、前記第３の実施形態（図７（ｄ）、（ｅ））と同様に巻線組付体５１の上面と側面及び下面、即ち全周が前記磁性体樹脂６により被覆されている場合である。即ち、第５の実施形態のインバータトランス２０は、棒状磁心２３（巻線組付体５１）の略中央の部分を除く両端部５１１の全周が磁性体樹脂６で被覆されている。磁性体樹脂６で被覆されている範囲が上面、側面のみ及び下面を含む全周の場合における効果は、第３の実施形態と同様である。【００５３】  前記第４、第５の実施形態のように、棒状磁心２３（巻線組付体５１）の両端部５１１の全部又は一部が磁性体樹脂６で被覆されることによって、磁性体樹脂６がシールド作用をなし、棒状磁心２３の両端部分から出た磁束ΦＲは、主として磁性体樹脂６の中を通り、隣の棒状磁心通るようになる。その結果、棒状磁心２３の両端部分から周辺の空間に広がる漏洩磁束ΦＳは、磁性体樹脂６の部分がない場合と比較して、低減される。この第４、第５の実施形態によるインバータトランス２０も第２、第３の実施形態のものと同じく開磁路構造であるため、一次巻線Ｗ１、二次巻線Ｗ２に漏洩インダクタンスが生じ、これがバラストインダクタンスとして働いてＣＣＦＬを正常に点灯することができる。【００５４】  なお、前記第４、第５の実施形態において、棒状磁心２３（巻線組付体５１）の略中央の部分を除く両端部５１１はそれぞれ、１つの磁性体樹脂６で被覆されているが、これに代えて３つの磁性体樹脂６で、棒状磁心２３ａ（巻線組付体５１ａ）、棒状磁心２３ｂ（巻線組付体５１ｂ）及び棒状磁心２３ｃ（巻線組付体５１ｃ）の略中央の部分を除く両端部５１１を、それぞれ別に被覆してもよい。前記第４の実施形態のインバータトランス４０及び第５の実施形態のインバータトランス４０においては、磁性体樹脂６の比透磁率などの磁気特性や磁性体樹脂６で被覆する厚さや範囲を調整し、回路の動作の最適条件に合わせて巻線の巻数や漏洩インダクタンスなどを調整する。【００５５】  第４、第５の実施形態のように、棒状磁心２３（巻線組付体５１）の略中央の部分を除く両端部５１１を、磁性体樹脂６で覆うことにより、棒状磁心２３の両端部分から周辺の空間に広がる漏洩磁束ΦＳが低減され、インバータトランス２０の両端部に配設される部品が、前記漏洩磁束ΦＳの影響を受けないと共に、両端部に配設される部品からの磁束の影響を受けず、特性の変動、変化が少ない。また、両端部に磁性体を有する部品が配設された場合の影響を除去できる。【００５６】  また、第４、第５の実施形態において、巻線組付体５１（第１巻線組付体５１ａ、第２巻線組付体５１ｂ及び第３巻線組付体５１ｃ）における仕切板５７ａが配置された部分（一次巻線２４ａ及び二次巻線２５ａが隣接する部分）〔以下、仕切板配置部分５２という。〕の外周部を、磁性体樹脂６により被覆するように構成してもよい。この場合、仕切板配置部分５２は、漏れ磁束の発生量が多い部分であり、当該仕切板配置部分５２が磁性体樹脂６により被覆されることにより、インバータトランス４０から周辺へ漏れ出る磁束の量をより抑制することができる。
このように仕切板配置部分５２を磁性体樹脂６により被覆することは、前記第４、第５の実施形態（巻線組付体５１の両端部５１１を磁性体樹脂６により被覆しているインバータトランス）において用いるのみならず、単独で行なうようにしてもよい。【００５７】  次に、本発明の第６の実施形態のインバータトランスを図９に基づいて説明する。
なお、図１、図７及び図８に示す部分、部材と同等の部分、部材には同一の符号を付し、その説明は適宜省略する。この第６の実施形態のインバータトランス４０は、第３の実施形態（図７（ｄ））と同様に、第１、第２、第３巻線組付体５１ａ、５１ｂ、５１ｃの相互間も含め、巻線組付体５１の全周が磁性体樹脂６により被覆され、巻線組付体５１及び磁性体樹脂６によりトランス本体５５を構成している。【００５８】  以下、便宜上、適宜、このように巻線組付体５１の全周を磁性体樹脂６が被覆するトランス本体５５を、トランス本体５５Ａといい、巻線組付体５１の外周部の下面部以外の部分を磁性体樹脂６が被覆するトランス本体５５をトランス本体５５Ｂ〔図７（ａ）、（ｂ）参照〕という。
そして、トランス本体５５Ａの外面部（トランス本体５５の周囲の上面、側面、下面並びに正面及び背面の一次巻線端子台３８ａ、二次巻線端子台３９ａを除いた部分）は、磁性体樹脂６に比して飽和磁束密度が大きい外面部材５６により被覆されている。この場合、外面部材５６は、例えばＭｎ−Ｚｎフェライト又はＮｉ−Ｚｎフェライトからなる焼結体で構成され、磁性体樹脂６に比して飽和磁束密度が大きい値とされている。また、外面部材５６は、磁性体樹脂６に比して磁気抵抗が小さい値とされている。【００５９】  外面部材５６は、トランス本体５５Ａを収納する凹部５６ｈを有する第１外面部材５６ａと、凹部５６ｈを覆うようにして第１外面部材５６ａに載置され、第１外面部材５６ａと共にトランス本体５５Ａを覆う第２外面部材５６ｂと、から大略構成され、第１外面部材５６ａ及び第１外面部材５６ａが組合せられて中空の箱状をなしている。
第１外面部材５６ａは、図９（ｂ）、（ｃ）に示すように、下面板５８と、下面板５８の両側に垂設された側板５９と、下面板５８の正面側〔図９（ａ）下側〕、背面側〔図９（ａ）上側１〕〕に垂設された正面板６０及び背面板６１と、からなっている。正面板６０及び背面板６１には矩形の切欠６２（背面板６１の切欠６２の図示は省略する。）が形成されており、切欠６２を通して一次巻線端子台３８ａ、二次巻線端子台３９ａの一部が外部に配置されるようになっている。すなわち、外面部材５６は、一次巻線端子台３８ａ、二次巻線端子台３９ａ部分のみを除いてトランス本体５５Ａを被覆するようにしている。【００６０】  この第６の実施形態のインバータトランス４０によれば、トランス本体５５Ａを覆うように、磁性体樹脂６に比して飽和磁束密度が大きい外面部材５６（焼結体）を設けたので、棒状磁心２３ａ、２３ｂ、２３ｃから漏洩して磁性体樹脂６の中を通り磁性体樹脂６の外側へ漏れた磁束の大部分は外面部材５６を通ることになる。このため、磁性体樹脂６のみを設けた場合に比して、インバータトランス４０の外部に漏れる磁束をより効率よく低減することができるので、磁性体樹脂６のみで外側へ漏れる磁束の低減を行う場合に比して、全体の断面積を小さくすることができ、ひいてはインバータトランス４０の小型化を図ることができる。【００６１】  この場合、外面部材５６は、磁性体樹脂６に比して磁気抵抗が小さい値とされているので、磁性体樹脂６の外側へ漏れた磁束が、より効率よく外面部材５６を通ることになるので、インバータトランス４０から外側への磁束の漏れがより低減され、これに伴ない、インバータトランス４０の小型化をより進めることが可能となる。
第６の実施形態のインバータトランス４０は、次のように作製される。
すなわち、第１外面部材５６ａの切欠６２形成部分に一次巻線端子台３８ａ、二次巻線端子台３９ａを載置するようにして、巻線組付体５１を凹部５６ｈに収納し、この状態で、凹部５６ｈ内に磁性体樹脂６を充填するようにして巻線組付体５１に対してモールド処理を施す。次に、磁性体樹脂６を例えば１５０℃前後で加熱して硬化させ、巻線組付体５１と、巻線組付体５１の周囲に被覆された磁性体樹脂６とからなるトランス本体５５Ａを凹部５６ｈ内に得る。【００６２】  続いて、トランス本体５５Ａが収納された凹部５６ｈを閉じるように、第１外面部材５６ａに第２外面部材５６ｂを重ねてトランス本体５５Ａの外面部を第１外面部材５６ａと共に被覆し、上述した第６の実施形態のインバータトランス４０を得る。
この第６の実施形態では、凹部５６ｈ内に磁性体樹脂６を充填するようにして巻線組付体５１に対してモールド処理を施すことができるので、作製し易く、生産性の向上を図ることができる。【００６３】  なお、この第６の実施形態のインバータトランス４０において、第２外面部材５６ｂを廃止し、外面部材を第１外面部材５６ａのみで構成するようにしてもよい。
第６の実施形態（図９）では、トランス本体５５Ａの外面部（トランス本体５５の周囲の上面、両側面、下面並びに正面の二次巻線端子台３９ａを除いた部分及び背面の一次巻線端子台３８ａを除いた部分）を覆える形状の外面部材５６を用い、当該トランス本体５５Ａの外面部を前記外面部材５６により被覆する場合を例にしたが、本発明はこれに限られない。例えば、トランス本体５５Ａに代えて前記トランス本体５５Ｂを用いてもよいし、次の図１０（第７の実施形態）、図１１（第８の実施形態）、図１２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）（第９の実施形態）、図１２（ｄ）（第１０の実施形態）、図１３（第１１の実施形態）、図１４（第１２の実施形態）、図１５（ａ）、（ｂ）（第１３の実施形態）、図１５（ｃ）（第１４の実施形態）に示すように構成してもよい。【００６４】  第７の実施形態では、外面部材５６Ａが、図１０（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すように、矩形筒状をなしている。この外面部材５６Ａは、トランス本体５５Ａの外周部（トランス本体５５の周囲の上面、側面、下面）を被覆するようにしている。外面部材５６Ａは、磁性体樹脂６に比して飽和磁束密度が大きい値とされている。また、外面部材５６Ａは、磁性体樹脂６に比して磁気抵抗が小さい値とされている。
第７の実施形態では、第６の実施形態に比して、トランス本体５５Ａの外面部のうち正面及び背面が被覆されていないものの、トランス本体５５Ａの外面部の大部分が外面部材５６Ａで被覆されているので、インバータトランス４０の外部に漏れる磁束の低減を良好に果し、ひいてはインバータトランス４０の小型化を図ることができる。また、外面部材５６Ａは、磁性体樹脂６に比して磁気抵抗が小さい値とされている分、インバータトランス４０の外部への磁束の漏れが少なくなり、ひいてはインバータトランス４０の小型化をより進めることが可能となる。【００６５】  第８の実施形態では、外面部材５６Ｂが、図１１（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すように、上面板６３と、その両側部に垂設された側板６４とからなり、トランス本体５５Ｂの外周部に沿う断面略コ字形をなしている。この外面部材５６Ｂは、トランス本体５５Ｂの外周部（トランス本体５５Ｂの周囲の上面、側面）を被覆するようにしている。外面部材５６Ｂは、磁性体樹脂６に比して飽和磁束密度が大きい値とされている。また、外面部材５６Ｂは、磁性体樹脂６に比して磁気抵抗が小さい値とされている。
第８の実施形態では、第７の実施形態に比して、トランス本体５５Ｂの外周部のうち下面が被覆されていないものの、トランス本体５５Ｂの外周部の大部分が外面部材５６Ｂで被覆されているので、インバータトランス４０の外部に漏れる磁束の低減を良好に果し、ひいてはインバータトランス４０の小型化を図ることができる。また、外面部材５６Ｂは、磁性体樹脂６に比して磁気抵抗が小さい値とされている分、インバータトランス４０の外部への磁束の漏れが少なくなり、ひいてはインバータトランス４０の小型化を進めることが可能となる。【００６６】  この第８の実施形態では、外面部材５６Ｂがトランス本体５５Ｂの外周部に沿う断面略コ字形をなしている場合を例にしたが、トランス本体５５Ｂの外周部が略円弧状をなしている場合、外面部材をそれに合わせて断面略円弧状に形成するようにしてもよい。
第８の実施形態におけるトランス本体５５Ｂに代えて、図１１（ｄ）に示すように、トランス本体５５Ａ（巻線組付体５１の全周を磁性体樹脂６が被覆するトランス本体５５）を用いてもよい。【００６７】  第９の実施形態では、外面部材５６Ｃが、図１２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すように、上面板６３に、トランス本体５５Ｂの仕切板５７ａの配置部分（仕切板配置部分５２を含む部分。以下、仕切板含有部分５２Ａという。）に臨む架橋板６５を残して２つの窓（符号省略）を形成し、架橋板６５が仕切板含有部分５２Ａを被覆し、かつ上面板６３の両端側部分６６がトランス本体５５Ｂの両端側部分６７を被覆するようにしている。外面部材５６Ｃは、磁性体樹脂６に比して飽和磁束密度が大きい値とされている。【００６８】  上述したように仕切板配置部分５２は、漏れ磁束の発生量が多い部分であるが、当該仕切板配置部分５２を含む仕切板含有部分５２Ａの外周部を架橋板６５が被覆するので、仕切板含有部分５２Ａを通して漏洩する磁束は大部分が外面部材５６を通ることとなり、仕切板配置部分５２から漏洩する磁束について、インバータトランス４０から周辺へ漏れ出ることを良好に抑制できる。また、上面板６３の両端側部分６６がトランス本体５５Ａの両端側部分６７を被覆するので、その分、インバータトランス４０から周辺へ漏れ出る磁束の低減をさらに進めることができる。【００６９】  第１０の実施形態では、外面部材５６Ｄが、図１２（ｄ）及び（ｅ）に示すように、第９の実施形態の外面部材５６Ｃ〔図１２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）〕に比して、架橋板６５を廃止し、一つの窓を形成した構造を有している。
また、図１３（ａ）、（ｂ）に示すように、巻線組付体５１の仕切板配置部分５７における上面部及び側部が磁性体樹脂６で被覆されるトランス本体５５（このタイプのトランス本体を、適宜、トランス本体５５Ｃ´という。）に、図１２（ｅ）のような外面部材５６Ｄを用いるようにしても良い（第１１の実施形態）。
また、図１３（ｃ）に示すように、巻線組付体５１の仕切板配置部分５７における全周（上面部、側部及び下面部）が磁性体樹脂６で被覆されるトランス本体５５（このタイプのトランス本体を、適宜、トランス本体５５Ｄ´という。）に、図９（ｄ）に示すようなトランス本体５５Ａを用いるようにしてもよい（第１２の実施形態）。
また、図１３（ｄ）に示すように、巻線組付体５１に外面部材５６Ｄ〔図１２（ｅ）参照〕を装着したあと、板状部材６５ａを装着しても良い。このとき板状部材６５ａの材質は外面部材５６Ｄ〔図１２（ｅ）参照〕と同等、または磁性体樹脂６と同等にされている（第１３の実施形態）。
第１４の実施形態では外面部材５６Ｅが、図１４（ａ）、（ｂ）に示すように、上面視長方形の板状をなし、トランス本体５５Ｂの下面部に配置され、トランス本体５５Ｂの下面部を被覆するようにしている。外面部材５６Ｅは、磁性体樹脂６に比して飽和磁束密度が大きい値とされている。なお、第１４の実施形態において、トランス本体５５Ｂに代えてトランス本体５５Ａを用いるようにしてもよい。【００７０】  第１５の実施形態では、外面部材５６Ｆは、図１５（ａ）、（ｂ）に示すように、第１、第２の板状外面部材５６ｃ、５６ｄからなり、それぞれトランス本体５５Ｂの両側部６７に配置されて当該両側部を被覆する。外面部材５６Ｆ（第１、第２の板状外面部材５６ｃ、５６ｄ）は、磁性体樹脂６に比して飽和磁束密度が大きい値とされている。なお、第１２の実施形態において、図１５（ｃ）に示すように、トランス本体５５Ｂに代えてトランス本体５５Ａを用いてもよい。【００７１】  第１６の実施形態では、図１６（ａ）、（ｂ）に示すように、外面部材５６Ｇが、第１、第２の断面コ字形外面部材５６ｅ，５６ｆからなり、それぞれトランス本体５５Ｂの両端側部分６７の上面部及び側部を被覆するようにしている。外面部材５６Ｇ（第１、第２の断面コ字形外面部材５６ｅ，５６ｆ）は、磁性体樹脂６に比して飽和磁束密度が大きい値とされている。なお、第１６の実施形態において、トランス本体５５Ｂに代えてトランス本体５５Ａを用いてもよい。【００７２】  第１７の実施形態では、図１６（ｃ）に示すように、外面部材５６Ｈが、第１、第２の断面ロ字形外面部材５６ｇ、５６ｈからなり、それぞれトランス本体５５Ａの両端側部分６７の上面部、側部及び下面部を被覆するようにしている。外面部材５６Ｈ（第１、第２の断面ロ字形外面部材５６ｇ、５６ｈ）は、磁性体樹脂６に比して飽和磁束密度が大きい値とされている。第１７の実施形態において、トランス本体５５Ａに代えてトランス本体５５Ｂを用いてもよい。【００７３】  上述した図７ないし図１２に示す実施形態（第２〜第１０の実施形態）及び図１４ないし図１６に示す実施形態（第１４〜第１７の実施形態）では、トランス本体５５としては、トランス本体５５Ａ（巻線組付体５１の全周を磁性体樹脂６が被覆する）である場合、又はトランス本体５５Ｂ（巻線組付体５１の外周部の下面部以外の部分を磁性体樹脂６が被覆する）である場合を例にし、また、図１３に示す実施形態（第１１〜第１３の実施形態）では、トランス本体５５Ｃ´又はトランス本体５５Ｄ´である場合を例にしたが、これに限らず、他のタイプのトランス本体５５に外面部材５６を用いるようにしてもよい。【００７４】  例えば、図１７（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すように、巻線組付体５１の両端部５１１及び仕切板配置部分５２における上面部及び側部が磁性体樹脂６で被覆されるトランス本体５５（このタイプのトランス本体を、適宜、トランス本体５５Ｃという。）に、断面コ字形の外面部材５６Ｂを用いるようにしてもよい（第１８の実施形態）。また、図１７（ｄ）に示すように、巻線組付体５１の両端部５１１〔図１７（ａ）参照〕及び仕切板配置部分５２における全周（上面部、側部及び下面部）が磁性体樹脂６で被覆され���トランス本体５５（このタイプのトランス本体を、適宜、トランス本体５５Ｄという。）に、断面コ字形の外面部材５６Ｂ（図１７（ｂ））を用いるようにしてもよい（第１９の実施形態）。【００７５】  また、図１８（ａ）、（ｂ）に示すように、第１、第２の板状外面部材５６ｃ、５６ｄ（外面部材５６Ｆ）を、トランス本体５５Ｃに用いるようにしてもよい（第２０の実施形態）。また、図１７（ｃ）に示すように、第１、第２の板状外面部材５６ｃ、５６ｄを、トランス本体５５Ｄに用いるようにしてもよい（第２１の実施形態）。
【産業上の利用可能性】
【００７６】  開磁路構造でありながら、全体構成や製造工程を簡略化でき、またコストの上昇も抑えることのできるインバータトランスを提供することができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【国際調査報告】
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