(57)【要約】温度変化に対する減光量の変動が小さな光減衰器、および情報の記録および再生特性の優れた光ヘッド装置を提供する。透明電極１０３，１０４間に液晶層１０７が挟持され螺旋状分子の液晶素子と、偏光状態によって透過率が異なる偏光ビームスプリッタ１１０とを備える光減衰器において、液晶の常光屈折率（ｎｏ）および異常光屈折率（ｎｅ）と、透明基板面に対する液晶分子１０８の角度（θｐｔ）と、液晶層１０７の厚さ（ｄ）と、光の波長（λ）との間で、（１）式で定義される条件式のＡの値が０．５から１．５までの範囲を満たすように、各要素を構成する。2004079436.tif 000018ただし、2004079436.tif 000019
2004079436.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２枚の透明基板の対向するそれぞれの面に透明電極が形成されるとともに、前記透明電極間には液晶層が挟持され、かつ前記液晶層内の液晶分子の方向が前記液晶層の厚さ方向の軸の回りに螺旋状に捩じれている液晶素子と、入射する光の偏光状態によって透過率が異なる、少なくとも一つの偏光性透過素子とを備える光減衰器において、
前記液晶素子を構成する液晶の常光屈折率（ｎｏ）および異常光屈折率（ｎｅ）、前記透明基板に近接した液晶分子の透明基板面に対する角度（θｐｔ）、液晶層の厚さ（ｄ）、および入射する光の波長（λ）の間で、（１）式により定義する第１条件式において、Ａの値が０．５から１．５までの範囲を満たすように構成されていることを特徴とする光減衰器。
2004079436.tif 000015
ただし、
2004079436.tif 000016
【請求項２】
２枚の前記透明基板に近接した液晶分子それぞれの２つの配向方向がなす角度（θｔ）、前記光減衰器に入射する光量（Ｐｉｎ）、および前記光減衰器から出射する光量（Ｐｏｕｔ）の間で、（２）式により定義する第２条件式を満たす（ただし、減光定数Ｂが−６０、角度変数Ｃの値が６０から９０の範囲）ように構成されている請求の範囲１に記載の光減衰器。
2004079436.tif 000017
【請求項３】
前記偏光性透過素子を二つ有し、前記偏光性透過素子が前記液晶の光の入射側と光の出射側にそれぞれ一つずつ配置されている請求の範囲１または２に記載の光減衰器。
【請求項４】
二つの前記偏光性透過素子のうち少なくとも一つが、入射する光の偏光方向によって回折効率の異なる偏光回折素子とされている請求の範囲３に記載の光減衰器。
【請求項５】
二つの前記偏光性透過素子のうち少なくとも一つが、前記液晶素子と一体化されている請求の範囲３または４に記載の光減衰器。
【請求項６】
前記液晶素子はネマテック液晶を備えている請求の範囲１から５のいずれかに記載の光減衰器。
【請求項７】
前記透明基板はガラスからなる請求の範囲１から６のいずれかに記載の光減衰器。
【請求項８】
光源と、この光源からの出射光を光記録媒体上に集光するための集光手段と、集光された出射光の光記録媒体からの反射光を検出する光検出器と、光源と光記録媒体との間の光路中または光記録媒体と光検出器との間の光路中に、印加電圧によって透過する光の光量を変化させる光減衰器と、この光減衰器に電圧を印加する電圧制御手段とを備える情報の再生および／または記録のための光ヘッド装置において、
前記光減衰器が請求の範囲１から７のいずれかに記載の光減衰器であることを特徴とする光ヘッド装置。
【請求項９】
前記光ヘッド装置が光記録媒体の情報の再生および記録を行なう光ヘッド装置であって、光記録媒体上に情報の再生のために集光される光量Ｐ１の、情報の記録のために集光される光量Ｐ２に対する比Ｐ１／Ｐ２が、０．２〜０．８の範囲の値である請求の範囲８に記載の光ヘッド装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】  本発明は光減衰器および光ヘッド装置に関し、特に光記録媒体による情報の記録および再生のために使用する光ヘッド装置、および光ヘッド装置に搭載する光減衰器に関する。
【背景技術】  近時、光を照射させることにより情報の記録および／または再生を行うことができる光記録媒体が広く利用されている。このような光記録媒体としては、例えば記録する情報に応じて微細な凹凸パターンが基板上に形成された再生専用のＣＤ−ＲＯＭなどが知られている。
また、この光記録媒体としては、例えばＭＯディスクのように磁気カー効果を利用して情報の再生が行われる光磁気ディスクや、相変化材料により形成された信号記録層を備える相変化型ディスク、さらにＣＤ−Ｒのように有機色素材料により形成された信号記録層に記録マークを形成しこの記録マークでの反射率の違いを検出させることで情報の再生を行う追記型の光ディスクなどが知られている。
一方、前述した各種の光ディスクに各種の情報を記録および／または再生するため、光ヘッド装置を備えた記録再生装置も各種開発されている。ＣＤ−Ｒなどの光記録媒体による情報の記録および／または再生を行う光ヘッド装置においては、対物レンズなどにより光記録媒体上に集光される光量は、情報の記録時には大きく、情報の再生時には小さくする必要がある。
従来、この必要性を満たすため、光を出射する半導体レーザへの注入電流を変化させて半導体レーザからの出射光量を変化させていた。しかし、使用する半導体レーザによっては、出射光量を減少させるため注入電流を小さくしたとき、ノイズが増加したり、出射光量が不安定になるなどの問題があった。
この光ヘッド装置に光減衰器を併用させることにより、ノイズの少ない高品質なレーザ光を小さなパワーで光ディスクに照射し、ノイズを可及的に抑えた高品質な情報の記録および／または再生などを行う構成のものが提案されている（例えば、特開２００２−２６０２６９号公報）。
また、このような光ヘッド装置に使用する光減衰器として、例えば偏光ビームスプリッタ（ＰＢＳ）と液晶素子とを組み合わせた構成のものが知られており、その液晶素子では、所定の電圧を印加することにより、入射するレーザ光の偏光状態を変化させ、その偏光状態に応じて偏光ビームスプリッタを通過し、光記録媒体へ入射するレーザ光の透過割合を制御する構成となっている。
【発明の開示】
環境温度が変化した場合、液晶の常光屈折率と異常光屈折率とが変化することから、液晶素子を用いた光減衰器による減衰量が変化する問題があった。
また、光減衰器を搭載した光ヘッド装置において、液晶素子に入射する光の、偏光方向などの偏光状態が変化した場合、光記録媒体に到達する透過光量が大きく変化するため、液晶素子への入射光の偏光方向を精度よく制御する必要があり、偏光方向調整のためのコストアップと歩留り低下を招いていた。
本発明は、２枚の透明基板の対向するそれぞれの面に透明電極が形成されるとともに、前記透明電極間には液晶層が挟持され、かつ前記液晶層内の液晶分子の方向が前記液晶層の厚さ方向の軸の回りに螺旋状に捩じれている液晶素子と、入射する光の偏光状態によって透過率が異なる、少なくとも一つの偏光性透過素子とを備える光減衰器において、前記液晶素子を構成する液晶の常光屈折率（ｎｏ）および異常光屈折率（ｎｅ）、前記透明基板に近接した液晶分子の透明基板面に対する角度（θｐｔ）、液晶層の厚さ（ｄ）、および入射する光の波長（λ）の間で、（１）式により定義する第１条件式において、Ａの値が０．５から１．５までの範囲を満たすように構成されている光減衰器を提供する。
2004079436.tif 000003
2004079436.tif 000004
ただし、
2004079436.tif 000005
また、２枚の前記透明基板に近接した液晶分子それぞれの２つの配向方向がなす角度（θｔ）、前記光減衰器に入射する光量（Ｐｉｎ）、および前記光減衰器から出射する光量（Ｐｏｕｔ）の間で、（２）式により定義する第２条件式を満たす（ただし、減光定数Ｂが−６０、角度変数Ｃの値が６０から９０の範囲）ように構成されている上記の光減衰器を提供する。
2004079436.tif 000006
また、前記偏光性透過素子を二つ有し、前記偏光性透過素子が前記液晶の光の入射側と光の出射側にそれぞれ一つずつ配置されている上記の光減衰器を提供する。
また、二つの前記偏光性透過素子のうち少なくとも一つが、入射する光の偏光方向によって回折効率の異なる偏光回折素子とされている上記の光減衰器を提供する。
また、二つの前記偏光性透過素子のうち少なくとも一つが、前記液晶素子と一体化されている上記の光減衰器を提供する。
また、前記液晶素子はネマテック液晶を備えている上記の光減衰器を提供する。
また、前記透明基板はガラスからなる上記の光減衰器を提供する。
また、光源と、この光源からの出射光を光記録媒体上に集光するための集光手段と、集光された出射光の光記録媒体からの反射光を検出する光検出器と、光源と光記録媒体との間の光路中または光記録媒体と光検出器との間の光路中に、印加電圧によって透過する光の光量を変化させる光減衰器と、この光減衰器に電圧を印加する電圧制御手段とを備える光ヘッド装置において、前記光減衰器が上記の光減衰器であることを特徴とする光ヘッド装置を提供する。
さらに、前記光ヘッド装置が光記録媒体の情報の再生および記録を行なう光ヘッド装置であって、光記録媒体上に情報の再生のために集光される光量Ｐ１の、情報の記録のために集光される光量Ｐ２に対する比Ｐ１／Ｐ２が、０．２〜０．８の範囲の値である上記の光ヘッド装置を提供する。
【図面の簡単な説明】  図１は、本発明の光減衰器の一例を示す側面図である。
図２は、液晶部の配向方向、偏光性透過素子の透過軸を示す図である。
図３は、ツイスト角（θｔ）が６０度の場合の、シミュレーション実験の結果を示すグラフである。
図４は、ツイスト角（θｔ）が４２度の場合の、シミュレーション実験の結果を示すグラフである。
図５は、ツイスト角（θｔ）が１０度の場合の、シミュレーション実験の結果を示すグラフである。
図６は、減光量を２０±３％とした場合の、シミュレーション実験の結果を示すグラフである。
図７は、減光量を８０±３％とした場合の、シミュレーション実験の結果を示すグラフである。
図８は、液晶の複屈折量（△ｎ）が０．１０８の場合の、シミュレーション実験の結果を示すグラフである。
図９は、液晶の複屈折量（△ｎ）が０．１３６の場合の、シミュレーション実験の結果を示すグラフである。
図１０は、本発明の光ヘッド装置の一例を示す概略構成図である。
図１１は、液晶層に印加する電圧に対する光減衰器を透過する光強度の関係を、液晶部に対する入射偏光方向の角度ずれ量をパラメータとして示したグラフである。
図１２は、本発明の光減衰器の他の例を示す側面図である。
図１３は、入射側に偏光性透過素子を配置した場合の、本光減衰器への入射偏光方向ずれと光強度比と関係の測定の一例を示すグラフである。
【発明を実施するための最良の形態】  図１に本発明の光減衰器の一例を示す。ガラス、プラスチックなどの透明基板１０１、１０２上にＩＴＯなどの透明電極１０３、１０４を施す。更にポリイミド等の配向膜１０５、１０６を成膜し、ラビング等の配向処理を施した後、２枚の透明基板を均一な間隔のギャップを設けて対向するように配置し、周辺を接着剤（図示せず）などで接着してセル構造とする。セル内には液晶を封入して液晶層１０７とする。液晶としては例えばネマティック液晶などが使用でき、カイラル材を添加してもよい。
透明電極１０３、１０４には外部から電圧を印加できるような電圧制御部１０９を接続し、液晶部１３０が形成されている。液晶の分子１０８はポリイミドと液晶層との境界面にてポリイミド面に対して角度をなすように配向処理を行ってもよく、この角度をプレチルト角（θｐｔ）とする。液晶分子の方向は液晶層の厚さ方向の軸の回りに螺旋状に捩じれている。偏光性透過素子１１０は、入射する光の偏光状態によって透過率が異なる素子である。図１においては、減衰される光は透明基板１０１側から液晶部１３０に入射し、透明基板１０２より出射した後、偏光性透過素子１１０に入射する。偏光性透過素子１１０は、少なくとも光の進行方向に対して液晶部１３０の後段に配置することが好ましい。
図２に、液晶層と各透明基板上の配向膜との各境界面における液晶分子の各々の配向方向２０２、２０３と、偏光性透過素子の透過軸２０１との関係を示す。本光減衰器に入射する光は直線偏光でＸ軸方向に偏光している。液晶部１３０の光入射側の透明基板側の配向膜（図１中１０５）と液晶層との境界面における液晶分子の配向方向２０２とＸ軸とのなす角度をプレツイスト角（図２中θｐ）とし、各々の配向方向２０２、２０３のなす角度をツイスト角（図２中θｔ）とする。プレツイスト角、ツイスト角に制限は無いが、作製の容易さからツイスト角は５〜９０度が好ましい。また、液晶の常光屈折率をｎｏ、異常光屈折率をｎｅとし、液晶層の厚さをｄとする。減光する光の波長をλとする。
液晶層に閾値電圧以下の電圧を印加した場合、液晶部を通過した光の偏光は直線偏光から変換され一般的には楕円偏光となる。次に、電圧を印加し液晶分子を駆動して例えば電界方向に液晶の分子方向を揃えたとする。この場合液晶部に入射した直線偏光は、偏光状態を変えることなくそのまま液晶部を通過する。液晶部に印加する電圧を制御することにより液晶部を通過した光の偏光状態を変化させることができ、その後偏光性透過素子を通過した光の光量を制御できる。
ここで、液晶層を厚さｄ方向にＮ等分し、光学軸方向が少しずつ捩れたＮ枚の一軸性複屈折板の集まりと考える。液晶層の厚さ方向に、すなわち厚さ方向の仮想軸の周りに液晶分子が捩れていないとしたときの位相差Γを次式で表す。
2004079436.tif 000007
ここで、
2004079436.tif 000008
捩れは厚さ方向に均一であると仮定すると、Ｎ等分した複屈折板のそれぞれの位相差はΓ／Ｎである。液晶部に入射する光の偏光状態、液晶部を通過した光の偏光状態をストークスパラメータ表示とし、それぞれＳｉｎ、Ｓｏｕｔとすると、
2004079436.tif 000009
と表記され、これらはミュラー行列を用いて、
2004079436.tif 000010
ここで
2004079436.tif 000011
と表記される。
偏光性透過素子の透過率が、Ｘ軸方向が１００％、Ｙ軸方向が０％の一軸性の理想的な偏光子であるとすると、本光減衰器の透過率Ｐｏｕｔは、
2004079436.tif 000012
となり、ｎｏ、ｎｅ、ｄ、θｔ、θｐ、θｐｔ、λの関数になる。Ｐｏｕｔを計算することで、本減衰器の所望の減衰率を得ることができる。
図３、図４、図５にシミュレーション結果を示す。各結果において、液晶の複屈折量（△ｎ）＝０．１００５、波長（λ）＝４０５ｎｍとした。ここで、△ｎのことを複屈折量と定義する。ツイスト角（θｔ）は、図３、４、５の結果においてそれぞれ６０度、４２度、１０度である。各グラフの横軸は液晶層の厚さ（ｄ）すなわちセルギャップ、縦軸はプレツイスト角（θｐ）であり、減光量が５０±３％の減光量となる液晶層の厚さとプレツイスト角との関係を曲線で表した。減光量が５０±３％の減光量となる、液晶層の厚さに対するプレツイスト角の分布（解分布）はツイスト角（θｔ）の大きさにより変化し、特にツイスト角（θｔ）＝４２度の場合（図４の場合）解の分布が広くなっていることがわかる。
特に液晶層の厚さが３．５μｍ付近において解の分布の広がりが大きい。解の分布が広いことは、パラメータの製造ばらつきに対する許容幅が増すことと、特に環境温度によって液晶の屈折率が変化した際の減光量の変動を抑えることができ大変好ましい。
同様に減光量２０±３％、８０±３％について計算した結果、同じく解分布が広くとれるツイスト角（θｔ）が存在しており、各減光量に対して、６０度、２４度である。シミュレーション結果を、それぞれ図６、図７に示す。減光量５０％±３％の場合（図４の場合）と同様に特に液晶層の厚さが３．５μｍ付近において解分布の広い領域が存在する。
次に液晶の複屈折量（△ｎ）が０．１０８と０．１３６の場合について、減光量５０±３％で解分布が広くなるツイスト角（θｔ）を計算すると△ｎ＝０．１００５の場合と同様にツイスト角（θｔ）が４２度となった。結果を図８、図９に示す。特に解分布が広くなっている液晶層の厚さは△ｎが大きくなると小さくなる傾向であり、シミュレーションを繰り返した結果、△ｎ、ｄ、λとの間に、
2004079436.tif 000013
（Ａは、０．５から１．５であり、好ましくは０．７５〜０．９５である。）の関係があり、またその場合のツイスト角（θｔ）は、透過率（Ｐｏｕｔ）との間に
2004079436.tif 000014
、
（Ｂは−６０、Ｃは６０から９０、好ましくは６５から７５までの値をとる）の関係があることがわかった。
これらの条件を満たすように液晶部のパラメータ（ｎｏ、ｎｅ、ｄ、θｔ、θｐ、θｐｔ）を選び、液晶部を作製すれば、パラメータの製造ばらつきに対する許容幅が増し、特に環境温度の変化に対して液晶の屈折率が変化した際の減光量の変動を抑えることができる。
次に、図１の光減衰器において入射する光の偏光方向が変化した場合を考える。例えば、入射する光が直線偏光で図２においてＸ軸方向に偏光しているときにＺ軸を中心に偏光方向が回転した場合に、液晶層に印加する電圧に対する光減衰器を透過する光強度の一例を図１１に示す。図１１中３つのグラフは、入射する直線偏光の偏光方向とＸ軸方向との相対的ずれが各々３度、０度、−３度の３通りの場合を示している。この様に偏光方向の相対的ずれにより、電圧０Ｖ付近の光強度が変化する。
すなわち、本光減衰器を使用する場合、例えば液晶層に各々５Ｖ、０Ｖの電圧を印加することにより透過する光強度を高めたり（５Ｖ）、弱めたり（０Ｖ）する場合、入射する直線偏光の偏光方向とＸ軸方向との相対的ずれにより各々の電圧での光強度の比が変化する。反対に光強度の比を変化させないように入射する直線偏光の偏光方向を精密に制御する必要が生じる。
本発明の光減衰器の他の例を図１２に示す。なお、図１において用いられている符号と同じものは同じ要素を示す。液晶部の光の入射側（透明基板１０１側）に第２の偏光性透過素子１２０を配置することにより、本光減衰器に入射する光の偏光方向が変化した場合、第２の偏光性透過素子１２０により液晶部に入射する光の偏光は安定するため、前述光強度比は変化せず大変好ましい。入射側に偏光性透過素子を配置した場合の、本光減衰器への入射偏光方向ずれと光強度比の測定の一例を、偏光性透過素子を配置しない場合の結果とともに図１３に示す。
また、偏光性透過素子は、ポリマーに色素を添加後延伸する等した吸収型偏光子や、ワイヤグレーティング、偏光ビームスプリッタのように偏光方向により光路を変化させ実質透過率を変化させるものも使用できる。特に、入射する光の偏光方向によって回折効率の異なる偏光回折素子は薄型化が可能であり、また液晶部との一体化による小型化も容易であり好ましい。偏光回折素子としては、液晶や高分子液晶またはニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）等の複屈折媒体を用いて作製できる。
また、液晶部と偏光性透過素子とを一体化することは小型軽量化、部品点数の削減等ができ大変好ましい。
また、このようにして作製した光減衰器を光ヘッド装置に搭載した一例を図１０に示す。本発明の光減衰器は、液晶素子３、偏光性透過素子４、１２として、コリメートレンズ２と１／４波長板８の間に設置されている。半導体レーザ１より出射された光はコリメートレンズ２により平行光とされ偏光性透過素子１２を透過後、液晶素子３を透過する。電圧制御装置１１を用いて液晶素子３には外部から電圧を印加できる。液晶素子３を透過した光は、偏光性透過素子４を透過する。偏光性透過素子４は、この素子に入射した光が出射する際に、光記録媒体に向けて出射する光量を入射光の偏光方向によって変化させるものであり、偏光ビームスプリッタ、プリズムまたはワイヤグレーティングを含め回折格子、偏向回折素子などを用いることができる。図１０の例では、偏光性透過素子４として偏光ビームスプリッタを、偏光性透過素子１２として偏光回折素子を用いた。また、偏光性透過素子４、１２は液晶素子３に貼り付け一体化できる。偏光性透過素子４を透過した光は、１／４波長板８を透過後、アクチュエータ６に搭載された集光レンズ５により光記録媒体７上に集光される。
光記録媒体７で反射された光は上記の光路を逆に進む。図１０の例では、偏光性透過素子４として偏光ビームスプリッタを用いているので、光路を逆に進む光は偏光性透過素子４により反射された後、集光レンズ９により集光されて光検出器１０に到達する。このとき、液晶素子３に（実際には、液晶素子を構成する透明基板の表面に形成された透明電極に）複数の異なる電圧を印加することにより、液晶素子３を透過した光の偏光方向を変化させ、偏光性透過素子４を通過して光記録媒体に集光する光量を変えることができる。
光記録媒体の情報の再生のために光記録媒体上に集光される光量Ｐ１の、光記録媒体の情報の記録のために集光される光量Ｐ２に対する比Ｐ１／Ｐ２は、０．２〜０．８の範囲の値とするのがよいが、さらに０．３〜０．６の範囲の値とすることが好ましい。この光量比であると、光記録媒体への情報の記録時には光量を１００％にして充分に情報の記録ができ、一方再生時には光量を記録時の光量に対して２０〜８０％（すなわち０．２〜０．８）の範囲の値とし、さらに３０％〜５０％（すなわち０．３〜０．６）の範囲の値とすると、光記録媒体に情報を書き込むことなくＳ／Ｎを大きく取りながら情報の再生ができるので好ましい。
以下に、実施例を示す。
波長４０５ｎｍで使用する減光率３６．５％の光減衰器を作成した。以下作製の詳細を図１、図２を用いて説明する。まず液晶部については、図１において厚さ１．０ｍｍのガラスの透明基板１０１および１０２に、スパッタ法によりＩＴＯからなる透明導電膜を厚さ３０ｎｍ成膜し、フォトリソグラフィおよびウエットエッチングによりパターニングして透明電極１０３、１０４を形成した。透明基板１０１と１０２の透明電極１０３、１０４上には厚さ約５０ｎｍのポリイミドの配向膜１０５、１０６をフレキソ印刷法により塗布し、その後焼成した。ポリイミド膜の配向膜１０５、１０６に対して布によるラビングの配向処理を施した。このとき液晶分子１０８は、液晶層１０７の厚さ方向の軸の回りに捩じられるようにした。透明基板１０１にスクリーン印刷法によりエポキシ系のシール材（図示せず）を印刷した。エポキシ系のシール材（図示せず）には、液晶層の厚さを維持するための直径３．６μｍのファイバスペーサを３％（質量比換算。以下同じ。）、および透明基板１０１と１０２との間の導電性を得るために表面に導電性コーティングを施した直径４μｍのプラスチック球を２％、それぞれを混合した。透明基板１０１と１０２とを重ねて位置合わせした後、１７０度の温度にて、６×１０４Ｎ／ｍ２の圧力で圧着しセルを形成した。作成したセルに真空注入法によりネマテック液晶を注入し液晶層１０７とし、注入口をＵＶ接着剤（図示せず）にて封止して外形８ｍｍ×１０ｍｍ角の液晶素子を作成した。この液晶素子は、透明電極１０３、１０４を介して外部から液晶層に電圧を印加できる。液晶素子（光減衰器の液晶部）のパラメータは、θｐ＝−１０度、θｔ＝５０度、△ｎ＝０．１００５、ｄ＝３．６とした。
作成された液晶素子を、図１０に示すように光ヘッド装置に組み込んだ。液晶素子３は、光ヘッド装置に配された偏光性透過素子４である偏光ビームスプリッタと偏光性透過素子１２である偏光回折素子との間に設置され、この液晶素子は電圧制御装置１１からの出力電圧によって制御された。半導体レーザ１からの出射光は、コリメートレンズ２、偏光性透過素子１２、液晶素子３、偏光性透過素子４である偏光ビームスプリッタ、１／４波長板８の順に透過し、アクチュエータ６に保持された集光レンズ５を透過して光記録媒体７上に集光される。集光された光は光記録媒体７により反射され、集光レンズ５、１／４波長板８の順に透過し偏光方向が９０度変化された後、偏光ビームスプリッタにより反射され集光レンズ９により光検出器１０に導かれた。
このとき、液晶素子３に電圧を印加し光記録媒体７の位置に光検出器を配置し集光された光の光量を測定したところ、液晶素子に印加する電圧が０．４Ｖｒｍｓ（１ｋＨｚの矩形交流）のときは３７％（電圧１０Ｖｒｍｓ（１ｋＨｚの矩形交流）を印加した際の光量を１００％とした）であり、液晶に印加する電圧により光記録媒体７に集光される光の光量を変化させることができた。この光ヘッド装置を用いて、光記録媒体に情報を記録するときは、液晶素子３に電圧を１０Ｖｒｍｓ（１ｋＨｚ矩形交流）を印加し、光記録媒体７に集光された光の光量を大きくし、光記録媒体７から情報を再生するときは、半導体レーザ１の出力は変化させずに、液晶素子３に電圧を０．４Ｖｒｍｓ（１ｋＨｚの矩形交流）とし光記録媒体７に集光された光の光量を３７％に減光する。こうして低ノイズで情報の再生が行われた。また、環境温度を１０℃から６０℃の間で変化させたが、減光量の変動は小さく抑えられていることを確認した。
【産業上の利用可能性】  本発明においては、環境温度の変化に対する減衰量の変動が小さい光減衰器、また入射する光の偏光方向などの偏光状態の変化に対する減衰量の変動が小さい光減衰器、および情報の記録および再生特性の優れた上記光減衰器を搭載した光ヘッド装置を提供できる。
また、本光減衰器は波長１５５０ｎｍ帯等の近赤外波長領域においても、例えば光通信システムにおける可変光減衰器などにも利用できる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【国際調査報告】
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