(57)【要約】有機半導体層のパターンの形成が容易である有機半導体素子及びその製造方法を提供する。基板２上に、第１電極を含む第１構造部３と、半導体特性を有する有機化合物を含む有機半導体層４と、第２電極を含む第２構造部５と、を順に設ける。第２構造部５は、所定のパターンに形成する。第２構造部５は、耐エッチング特性を有するマスク部を含み、該マスク部をマスクとして有機半導体層のエッチング処理を行う。マスク部は第２電極としても良い。
2004110105.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極を含む第１構造部と、半導体特性を有する有機化合物を含む有機半導体層と、前記有機半導体層を介して前記第１構造部に対向し且つ第２電極を含む第２構造部と、を含む半導体素子であって、
前記第２構造部は、耐エッチング特性を有する材料からなるマスク部を含み、
前記有機半導体層は前記マスク部をマスクとしてエッチング処理されてパターン形成されていることを特徴とする有機半導体素子。
【請求項２】
前記マスク部は前記第２電極であることを特徴とする請求項１記載の有機半導体素子。
【請求項３】
前記第２電極と前記第１電極との間に短絡防止層が設けられていることを特徴とする請求項１記載の有機半導体素子。
【請求項４】
前記有機半導体層は、エレクトロルミネセンス特性を有する発光層を含む有機機能層であることを特徴とする請求項１記載の有機半導体素子。
【請求項５】
前記第２構造部は前記有機機能層を封止している封止部を含むことを特徴とする請求項４記載の有機半導体素子。
【請求項６】
前記マスク部は前記封止部であることを特徴とする請求項５記載の有機半導体素子。
【請求項７】
前記第１構造部は、前記第１電極とは離間して配置されている第３電極を含み、
前記第２構造部は、前記有機半導体層上に設けられた絶縁層を含むことを特徴とする請求項１記載の有機半導体素子。
【請求項８】
前記マスク部は前記絶縁層であることを特徴とする請求項７記載の有機半導体素子。
【請求項９】
第１電極を含む第１構造部と、半導体特性を有する有機化合物を含む有機半導体層と、前記有機半導体層を介して前記第１構造部に対向し且つ第２電極を含む第２構造部と、を含む半導体素子の製造方法であって、
前記第１構造部を形成する第１構造部形成工程と、
前記第１構造部上に前記有機半導体層を形成する有機半導体層形成工程と、
前記有機半導体層上に第２構造部を形成する第２構造部形成工程と、を含み、
前記第２構造部形成工程は、耐エッチング特性を有する材料からなるマスク部を形成するマスク部形成工程と、前記マスク部をマスクとして前記有機半導体層のエッチング処理を行うエッチング工程と、を含むことを特徴とする有機半導体素子の製造方法。
【請求項１０】
前記マスク部形成工程は、前記第２電極を形成する第２電極形成工程であることを特徴とする請求項９記載の有機半導体素子の製造方法。
【請求項１１】
前記第１構造部形成工程と第２構造部形成工程の間に、短絡防止層形成工程が含まれることを特徴とする請求項９記載の有機半導体素子の製造方法。
【請求項１２】
前記有機半導体層形成工程は、エレクトロルミネセンス特性を有する発光層を含む有機機能層を形成する工程であることを特徴とする請求項９記載の有機半導体素子の製造方法。
【請求項１３】
前記第２構造部形成工程は封止部を形成する封止部形成工程を含むことを特徴とする請求項１２記載の有機半導体素子の製造方法。
【請求項１４】
前記マスク部形成工程は前記封止部形成工程であることを特徴とする請求項１３記載の有機半導体素子の製造方法。
【請求項１５】
前記第１構造部形成工程は前記第１電極を形成する第１電極形成工程と、前記第１電極から離間した位置に第３電極を形成する第３電極形成工程とを含み、
前記第２構造部形成工程は、前記有機半導体層上に絶縁層を形成する絶縁層形成工程を含むことを特徴とする請求項９記載の有機半導体素子の製造方法。
【請求項１６】
前記マスク部形成工程は前記絶縁層形成工程であることを特徴とする請求項１５記載の有機半導体素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】  本発明は、半導体特性を有する有機化合物を含む有機半導体素子及びその製造方法に関する。
【背景技術】  無機材料又は有機材料からなる薄膜のパターンを形成する方法として、フォトエッチング法、マスクを用いた蒸着法等が知られている。
フォトエッチング法は、基板に薄膜を形成した後、薄膜上にフォトレジストを所定のパターンで形成し、ウエットエッチング処理若しくはドライエッチング処理によってレジストに覆われていない薄膜部分を除去し、レジストを剥離して薄膜のパターンを形成する方法である。
マスクを用いた蒸着法は、基板に所定の開口のパターンを有するマスクを密着し、該開口を通して薄膜材料を蒸着し、該マスクを除去して基板上に薄膜のパターンを形成する方法である。
上記方法を用いて、ＬＳＩ等の半導体装置や、ＬＣＤ、有機エレクトロルミネセンス（以下有機ＥＬと称する）等の表示装置などが形成されている。
【発明の開示】
上記した従来技術の薄膜形成方法を用いてパターンを有する薄膜を複数層に積層する場合、薄膜を形成する毎にマスク及びレジストを除去する工程が必要である。
レジストの除去は溶剤等の薬品を使用する故、薄膜材料に耐薬品性がない場合、フォトエッチング法を用いて該薄膜材料からなる層のパターンを形成することは困難である。
またマスクを除去する際に、マスクに付着した蒸着材料がマスクから脱落し、当該脱落物が薄膜を汚染する場合がある。
本発明が解決しようとする課題には、前述した問題が１例として挙げられる。
本発明の有機半導体素子は、第１電極を含む第１構造部と、半導体特性を有する有機化合物を含む有機半導体層と、前記有機半導体層を介して前記第１構造部に対向し且つ第２電極を含む第２構造部と、を含む半導体素子であって、前記第２構造部は、耐エッチング特性を有する材料からなるマスク部を含み、前記有機半導体層は前記マスク部をマスクとしてエッチング処理されてパターン形成されていることを特徴とする。
本発明の有機半導体素子の製造方法は、第１電極を含む第１構造部と、半導体特性を有する有機化合物を含む有機半導体層と、前記有機半導体層を介して前記第１構造部に対向し且つ第２電極を含む第２構造部と、を含む半導体素子の製造方法であって、前記第１構造部を形成する第１構造部形成工程と、前記第１構造部上に前記有機半導体層を形成する有機半導体層形成工程と、前記有機半導体層上に第２構造部を形成する第２構造部形成工程と、を含み、前記第２構造部形成工程は、耐エッチング特性を有する材料からなるマスク部を形成するマスク部形成工程と、前記マスク部をマスクとして前記有機半導体層のエッチング処理を行うエッチング工程と、を含むことを特徴とする。
【図面の簡単な説明】図１は、本発明による有機半導体素子を示す断面図である。
図２は、本発明による有機半導体素子の変形例を示す断面図である。
図３は、本発明による有機半導体素子の変形例を示す断面図である。
図４は、本発明による有機半導体素子の製造方法の処理工程を順に示す断面図である。
図５は、等方的なエッチングを行った場合に発生するサイドエッチングを示す断面図である。
図６は、本発明による有機半導体素子の製造方法の変形例を示す断面図である。
図７は、本発明による有機ＥＬ表示パネルの製造方法を示す断面図である。
図８は、本発明によるフルカラー表示パネルの製造方法を示す断面図である。
図９は、本発明によるフルカラー表示パネルの製造方法の変形例を示す断面図である。
図１０は、本発明による有機ＥＬ表示パネルの製造方法の変形例を示す断面図である。
図１１は、本発明による有機ＥＬ表示パネルの製造方法の変形例を示す断面図である。
図１２は、本発明による有機ＥＬ表示パネルの製造方法の変形例を示す断面図である。
図１３は、本発明による有機ＴＦＴの製造方法を示す断面図である。
発明を実施するための形態
以下、本発明の実施例を図面を参照しつつ説明する。
図１に示す如く、本発明による有機半導体素子１は、樹脂等の基板材料からなる基板２を有する。基板２は、少なくともその表面に絶縁特性を有するものであれば良く、例えばガラス、表面が酸化しているシリコンウエーハ等の絶縁材料からなることとしても良い。なお、基板２は可撓性を有しても良い。また、基板２は透明であっても良い。
基板２上には、第１電極を含む第１構造部３が設けられている。第１電極は、金属等の低抵抗材料からなる。なお、第１構造部３は透明材料からなることとしても良い。また、防湿性を有する材料からなる保護層を含むこととしても良い。
第１構造部３上の一部には、半導体特性を有する有機化合物を含む有機半導体層４が設けられている。有機半導体層４は、エレクトロルミネセンス特性を有する発光層を含むこととしても良い。また、該発光層の発光効率を向上させるための機能層が含まれても良い。該機能層は、低分子有機化合物又は高分子有機化合物からなる有機化合物層を含み、低分子化合物からなる層と高分子化合物からなる層を組合わせて形成しても良い。
有機半導体層４の上に、第２電極を含む第２構造部５が設けられている。第２電極は、金属等の低抵抗の材料からなる。また、第２構造部５は、透明であっても良い。第２構造部５は、絶縁特性を有する絶縁層が含まれても良い。
第２構造部５は、有機半導体層３と比較して耐腐食特性等の耐エッチング特性に優れた材料からなるマスク部を含む。マスク部は、金属及び金属酸化物等の無機化合物からなることとしても良い。第２電極がマスク部であっても良い。
かかる構成の有機半導体素子１は、マスク部をマスクとしてエッチング処理を行うことによって有機半導体層のパターンが形成されている。かかる構成の有機半導体素子は、有機半導体層とマスク部の間に位置ずれがない。
有機半導体層が発光層を含む場合、上記の如き有機半導体素子は有機ＥＬ素子となる。
なお、第２構造部５は、有機半導体素子の劣化を防止する等の機能を備えた保護部を有することとしても良い。保護部は、樹脂、金属酸化物、金属窒化物等の防湿性を有する材料からなることとしても良い。また、該保護部は、上記材料からなる層を複数積層して形成されても良い。
上記の如き保護部が、マスク部であっても良い。例えば図２に示す如く、有機半導体装置１Ａは、第２構造部が第２電極６及び保護層７から構成されている。保護層７をマスクとしてエッチング処理を行っている故、有機半導体層４のパターンは、保護層７のパターンに応じて形成できる。かかる構成によれば、保護部のパターンを変更することによって有機半導体素子の形状を変更することができる。
なお、第１構造部は、複数の電極を含むこととしても良い。例えば図３に示す如く、第１構造部は第１電極８及び第３電極９から構成され、第１電極８及び第３電極９がソース電極およびドレイン電極であるとしても良い。また、第２構造部が、有機半導体層４上に設けられているゲート絶縁層１０と、ゲート絶縁層１０上に設けられているゲート電極１１と、を含むこととしても良い。かかる構成の有機半導体素子は、有機薄膜トランジスタ（以下有機ＴＦＴと称する）となる。
次に上記の如き有機半導体素子の製造方法について説明する。
図４に示す如く、本発明による有機半導体デバイスの製造方法は、基板２上に電極を含む第１構造部３を形成する第１構造部形成工程（図４（ａ））を含む。第１構造部形成工程は、スパッタ法、ＣＶＤ法、印刷法等を用いる成膜手段によって第１構造部を形成する工程である。該成膜手段は、フォトエッチング法等の薄膜パターン形成方法を用いて、薄膜のパターンを形成するパターン形成手段が含まれても良い。
第１構造部３上の少なくとも一部に有機半導体層４を成膜する有機半導体層形成工程（図４（ｂ））を行う。有機半導体層形成工程は、スピンコート法、ブレードコート法、蒸着法、印刷法、インクジェット法など種々の成膜方法を用いて有機半導体層４を成膜する工程である。高分子化合物等の蒸着法の適用が難しい材料の場合は、スピンコート法やブレードコート法を用いることで、膜厚が均一である有機半導体層４を形成することができる。なお、有機半導体層４の形成は、上記の如き成膜方法を組合わせて行っても良い。
有機半導体層４の上に、電極を含む第２構造部５を形成する第２構造部形成工程（図４（ｃ））を行う。第２構造部５を支持する有機半導体層４は、一般的に耐熱性を有しない故、第２構造部形成工程は、有機半導体層を高温に加熱する工程を含まないことが好ましく、例えば蒸着法を用いた成膜手段によって成膜する工程としても良い。
第２構造部形成工程は、耐エッチング特性を有する材料からなるマスク部を形成するマスク部形成工程を含む。マスク部形成工程は、例えば第２電極を形成する第２電極形成工程であっても良い。
マスク部形成工程後、マスク部に覆われていない有機半導体層４をエッチングによって除去するエッチング工程（図４（ｄ））を実施する。エッチング工程は、乾式エッチング法若しくは湿式エッチング法を用いたエッチング手段が使用できる。
乾式エッチングは、活性ガス（エッチングガス）で対象物を化学的若しくは物理的にエッチングする方法である。エッチングガスとして、例えばオゾン（Ｏ３）、酸素（Ｏ２）、アルゴン（Ａｒ）、四フッ化炭素（ＣＦ４）、若しくはこれらの混合ガスがある。乾式エッチングによるエッチング工程は、例えば酸素を含む気体に紫外線（ＵＶ）を照射することにより発生したオゾンで有機化合物を分解する工程である。また、乾式エッチング工程は、プラズマ化したガスを有機化合物に曝して、該有機化合物を分解する工程としても良い。また、エッチング工程は、イオン化したエッチングガスを加速して衝突させることによりエッチングを行うリアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）工程としても良い。
湿式エッチングは、有機化合物からなる薄膜を溶解できるエッチング液で対象物を化学的若しくは物理的に除去する方法である。エッチング液は、例えば有機半導体層が溶解できる有機溶媒である。また、エッチング液は、有機半導体層の有機化合物を分解する成分を含むこととしても良い。
なお、上記の如き乾式エッチング及び湿式エッチングの何れであっても、エッチング工程は、被エッチング基板の周囲に水分がない環境で行うことが好ましく、例えば不活性ガスが充填された環境若しくは真空中で行う。かかる状態でエッチングを行うことによって、有機半導体が水分により劣化することを防止できる。
有機半導体層が耐熱性を有さない場合、エッチング工程において加熱による材料の劣化を防止する必要がある。例えば、エッチング工程の最高温度が、有機層のガラス転移温度（Ｔｇ）、融点、昇華温度よりも低い温度に設定されることが好ましい。
エッチング工程において、マスク部がエッチングガス及びエッチング液に曝されると、マスク部に劣化が発生する場合がある。例えば、マスク部が金属などの酸化され易い材料である場合、オゾン等の酸化性物質を用いてエッチングを行うと、当該金属が酸化してしまう。マスク部の酸化を防止するには、酸化性物質を用いないか若しくは小なる濃度とすることが好ましい。
また、有機半導体層と同時にマスク部の一部が除去される場合、マスク部を貫通する微細な孔が形成される等の損傷がマスク部に発生する。かかる損傷は、マスク部に対するエッチング速度／有機機能層に対するエッチング速度で示されるエッチングレート比が大であるほど発生し易い。従って、エッチングレート比は、１／５以下とすることが好ましく、１／２０以下が更に好ましく、１／１００以下が最も好ましい。なお、マスク部の厚さは、エッチングレート比を参照し、エッチングによって除去される厚さを考慮して決定される。
なお、エッチング工程は、マスク部に覆われていない部分の有機半導体層の一部をエッチングによって除去することとしても良い。例えば、有機半導体層が複数の有機化合物層からなる場合、エッチング工程は、少なくとも１層の有機化合物層をエッチングする工程としても良い。
エッチング工程以降に、防湿性を有する材料からなる保護層等の機能層を更に形成することとしても良い。
上記の如き工程を経て有機半導体素子１が得られる（図４（ｅ））。
かかる成膜方法によれば、マスク部が、エッチングを実施する際にマスクとして作用し且つ有機半導体素子を構成していることから、別にマスクを作製する工程が不用である。また、従来技術で実施されているマスク除去工程が不用である故、工程数を削減することができる。
また、溶剤や水に曝さなくてもパターンを形成することができる故、耐水性を有さない材料からなる有機半導体層のパターン形成ができる。
なお、エッチング工程におけるエッチングが等方的に進行する場合、図５に示す如く、マスク部１３を支持する有機半導体層４は、マスク部１３の端部から横方向へエッチングが進行する、いわゆるサイドエッチングによって、マスク部１３の幅よりも小となる。
マスク部１３が第２電極である場合、第２電極の端部と第１電極１２の間で放電による短絡が発生する。かかる短絡を防止するための短絡防止層が、第２電極と第１電極の間に設けられても良い。短絡防止層を形成する短絡防止層形成工程は、第１構造部形成工程と第２構造部形成工程の間に実施する。
例えば、図６に示す如く、第１電極形成工程後（図６（ａ））に絶縁材料からなる短絡防止層１４を形成する短絡防止層形成工程（図６（ｂ））を実施しても良い。短絡防止層形成工程は、例えばスパッタ法等の成膜方法で成膜した後にフォトエッチング法を用いたパターン形成手段によって、第１電極１２上に短絡防止層１４を形成する工程であっても良い。また、短絡防止層形成工程は、感光性材料を配した後に所定パターンに光を照射して短絡防止層１４を形成する工程であっても良い。短絡防止層１４の材料として、耐エッチング特性を有する金属酸化物、金属窒化物等の無機化合物が用いられる。また、ポリイミド、フォトレジスト等の有機化合物が絶縁層材料として使用されても良い。
短絡防止層形成工程後、有機機能層形成工程（図６（ｃ））と第２電極形成工程（図６（ｄ））とを順に実施して、第２電極をマスクとしてエッチング（図６（ｅ））を行い、有機半導体素子１Ｂが得られる。
次に、上記の如き製造方法を用いて、複数の有機ＥＬ素子を含む有機ＥＬ表示パネルの製造方法について説明する。
図７に示す如く、透明なガラスからなる基板２上に陽極１５を形成する陽極形成工程（図７（ａ））を行う。陽極形成工程は、スパッタ法を用いて１５００Åの厚さのインジウム−スズ酸化物（以下ＩＴＯと称する）層を成膜する成膜工程と、かかるＩＴＯ層を所定のパターンに形成するパターン形成工程とを含む。パターン形成工程は、例えば東京応化工業社製のフォトレジストＡＺ６１１２をＩＴＯ層上に所定のパターンで形成し、塩化第２鉄水溶液と塩酸の混合溶液中に浸漬して、レジストに覆われていない部分のＩＴＯを除去する工程である。
なお陽極は、インジウム−亜鉛酸化物（以下ＩＺＯと称する）、Ａｕ、Ｐｄ等の仕事関数が大である材料からなることとしても良い。
陽極１５が設けられた基板２上に、外部回路と接続を行うための引出し電極１６を設ける引出し電極形成工程（図７（ｂ））を行う。引出し電極形成工程は、スパッタ法を用いて１５００Åの厚さのクロム（Ｃｒ）層を成膜する成膜工程と、該Ｃｒ層を所定のパターンに形成するパターン形成工程とを含む。パターン形成工程は、例えば東京応化工業社製のフォトレジストＡＺ６１１２をＣｒ層上に所定のパターンで形成し、硝酸セリウムアンモン水溶液中に浸漬して、レジストに覆われていない部分のＣｒを除去する工程である。
引出し電極形成工程後、少なくとも１層以上の発光層を含む有機機能層１７を形成する有機機能層形成工程（図７（ｃ））を行う。有機機能層は、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層等の機能層を含んでも良い。当該機能層は、ＬｉＦ等の無機化合物を含むこととしても良い。
有機機能層形成工程は、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）有機溶媒に溶解され且つ酸が添加されたポリアニリン誘導体の溶液をスピンコートし、基板の略全面に形成する工程を含む。次に２５０Åの厚さのα−ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ｄｉ−１−ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｙｌ−Ｎ，Ｎ’−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−（１，１’−ｂｉｐｈｅｎｙｌ）−４，４’−ｄｉａｍｉｎｅ）と、６００Åの厚さのＡｌｑ３（ｔｒｉｓ（８−ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎｅ）ａｌｕｍｉｎｕｍ）と、を順に積層する工程を行う。かかる積層工程は、例えばマスクを用いた蒸着法を用いて画素領域に形成する工程である。
有機機能層形成工程は、引出し電極１６上の有機機能層１７を一部除去して窓部１８を形成する窓部形成工程（図７（ｄ））を含む。窓部形成工程は、例えばレーザ光を有機機能層に照射する工程である。レーザ光の波長は、有機機能層を支持する引出し電極及び基板の光吸収率が低い波長を用いることが好ましい。レーザ光が引出し電極等に吸収されて発生する熱によって、有機機能層が損傷することを抑制できるからである。例えばＹＡＧレーザの第２高調波である５３２ｎｍの光が使用できる。なお、窓部の形成は、窓部以外の部分をマスクで覆って乾式エッチングを行うことによっても良い。
有機機能層形成工程後、有機機能層１７上に陰極１９を形成する陰極形成工程（図７（ｅ））を実施する。陰極形成工程において、陰極１９は窓部１８を介して引出し電極１６に接続するように形成される。陰極は、陽極形成工程と同様の工程で形成することができる。しかしながら、陰極を支える下地は、熱や溶剤に弱い有機機能層であることから、例えば蒸着法等の有機機能層を傷めない工程で形成されることが好ましい。陰極は、Ａｌ、Ａｌ−Ｌｉ合金、Ｍｇ−Ａｇ合金等の仕事関数が小である材料からなることとしても良い。
陰極形成工程後、陰極１９をマスクとして有機機能層１７をエッチング処理するエッチング工程（図７（ｆ））を行う。エッチング工程は、例えば乾式エッチング工程である。乾式エッチング工程は、例えばプラズマ化した酸素ガスとレジストを反応させる、いわゆるプラズマアッシングを用いてエッチングを行う工程である。また、オゾンガスを用いてレジストと反応させるオゾンアッシングであっても良い。
一般に金属等の無機材料からなる陰極材料は、有機機能層に比べて耐エッチング特性が高い。従って、陰極をマスクとして有機機能層をエッチング処理することができる。
上記工程を経て、有機ＥＬ表示パネル２０が得られる。かかる製造方法によれば、表示パネルの表示領域のパターン形成がマスクの除去工程を行うことなくエッチング工程のみで形成することができる故、製造工程の削減ができる。また、表示領域の形成と同時に陰極と引出し電極の接続も行うことができる。
なお、有機ＥＬ表示パネルがパッシブマトリクスである場合、陽極及び陰極は各々ストライプ状に形成される故、高精細なパターンに形成することが好ましい。従って、陽極形成工程及び陰極形成工程は、例えばレーザ照射によってパターンを形成する工程を含むこととしても良い。また、断面形状が逆テーパ形状となっている隔壁を陽極上に形成する工程が含まれても良い。
また、引出し電極の形成及び陰極と引出し電極の接続は、エッチング工程後に実施することとしても良い。例えば、エッチング工程終了後、引出し電極を形成し、陰極と引出し電極を電気的に接続する接続部材を設けることとしても良い。また、陰極が、酸化等による劣化や損傷が発生しない材料からなる場合、引出し電極を設けなくても良い。
変形例として、複数の発色光を発する有機ＥＬ表示パネルの製造方法について示す。例として、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の３色を発する画素領域が設けられているフルカラー表示パネルの製造工程を示す。
図８に示す如く、フルカラー表示パネルの製造工程は、基板上に陽極１５を形成する陽極形成工程（図８（ａ））を含む。陽極形成工程後、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の各発色材料を含む有機機能層が形成される。
有機機能層は、上記３色を発色する材料のうち共通する材料からなる共通層２１を形成する共通層形成工程（図８（ｂ））と、各色毎に異なる発色材料を含む発色層（２２Ｒ、２２Ｇ、２２Ｂ）を各々画素領域に設ける発色層形成工程（図８（ｃ））と、によって形成される。
共通層形成工程は、スピンコート法等を用いた成膜手段によって基板全面に共通層を形成する工程である。発色層形成工程は、インクジェット法等を用いた成膜手段によって共通層上に発色層のパターンを形成する工程である。なお、印刷法、マスクを用いる蒸着法等の成膜手段を用いて、発色層の形成を実施しても良い。
なお、有機機能層形成工程は、発色層形成工程を実施した後に共通層形成工程を実施する工程としても良い。
有機機能層形成後、各画素領域に陰極（１９Ｒ、１９Ｇ、１９Ｂ）を形成する陰極形成工程（図８（ｄ））と、陰極をマスクとしてエッチング処理を行うエッチング工程（図８（ｅ））と、を順に実施して、フルカラー表示パネル２３が得られる。
なお、フルカラー表示パネルの製造方法は、図９に示す如き製造工程としても良い。当該製造工程は、陽極形成工程後（図９（ａ））、赤色（Ｒ）を発色する発色材料を含む赤色有機機能層２４を形成する（図９（ｂ））工程を含む。赤色有機機能層２４上に、赤色陰極１９Ｒを形成する赤色陰極形成工程（図９（ｃ））を行う。赤色陰極１９Ｒは、赤色画素領域に形成される。赤色陰極１９Ｒをマスクとしてエッチング処理を実施し、赤色画素領域を形成する（図９（ｄ））。
赤色画素が形成された後、緑色（Ｇ）を発色する発色材料を含む緑色有機機能層２５がスピンコート法等を用いた成膜手段によって配される。緑色有機機能層２５の緑色画素領域に、緑色陰極１９Ｇを形成する緑色陰極形成工程（図９（ｅ））を行う。緑色陰極１９Ｇをマスクとしてエッチング処理を実施して（図９（ｆ））、緑色画素領域が形成される。
緑色画素領域を形成した後、青色（Ｂ）を発色する発色材料を含む青色有機機能層２６を形成し、青色画素領域に、青色陰極１９Ｂを形成する青色陰極形成工程（図９（ｇ））を行う。青色陰極１９Ｂをマスクとしてエッチング処理を実施し、青色画素領域が形成される。上記工程によって、フルカラー表示パネル２３Ａが得られる（図９（ｈ））。
なお、有機ＥＬ表示パネルの製造工程には、有機機能層を封止する封止工程が含まれても良い。図１０に示す如く、基板２上に陽極１５、有機機能層１７、陰極１９を順に形成した後（図１０（ａ）〜（ｃ））、有機機能層１７を覆う封止層２７を形成する封止工程（図１０（ｄ））を実施する。封止工程は、ＣＶＤ法を用いて窒化シリコンからなる封止層を形成する工程としても良い。封止層は、耐エッチング特性を有する材料からなる。また封止層は、防湿性を有することが好ましい。有機機能層が防湿性を有する封止層に覆われることによって、水分による有機機能層の劣化の発生を防止することができるからである。
封止層形成後、封止層２７をマスクとしてエッチング工程（図１０（ｅ））を実施して、有機ＥＬ表示パネル２０Ａが得られる。封止層が設けられていることにより、エッチング中における有機機能層の劣化を防止できる。
なお封止工程は、封止缶を基板に接着することによって有機機能層を封止する工程としても良い。例えば図１１に示す如く、封止缶による封止工程は、基板２上に陽極１５を設け（図１１（ａ））、陽極１５上に有機機能層１７を形成した後（図１１（ｂ））に実施する。
有機機能層１７の一部を除去して封止缶を接着する接着領域２８を設ける接着領域形成工程（図１１（ｃ））を実施する。接着領域２８の形成は、例えば乾式エッチング法、レーザ光の照射による除去法が使用できる。
接着領域形成工程後、陰極形成工程（図１１（ｄ））を実施し、接着領域２８に接着剤２９を配して封止缶３０を接着する（図１１（ｅ））。封止缶３０は、凹部を有し且つ防湿性を有する材料からなる。例えばガラス板、ステンレス材から形成されても良い。また、凹部内にＢａＯからなる乾燥剤３１を貼り付けても良い。封止缶の接着は、例えば紫外線硬化型のエポキシ系樹脂を含む接着剤を用いて行うこととしても良い。また、接着剤は耐エッチング特性を有することが好ましい。
封止缶３０をマスクとしてエッチング処理を実施して有機ＥＬ表示パネル２０Ｂが得られる（図１１（ｆ））。
なお、陰極の端部と陽極との間に絶縁特性を有する材料からなる短絡防止層を形成してもよい。例えば、図１２に示す如く、陽極形成工程後（図１２（ａ））に短絡防止層３２を形成する短絡防止層形成工程（図１２（ｂ））を実施する。
短絡防止層形成工程は、例えばスピンコート法を用いる成膜手段によって日立化成社製ポリイミドＰＩＸ−１４００を基板上に配し、当該ポリイミド層を加熱によって固着する成膜工程を含む。成膜工程後、該ポリイミド層のパターンを形成するパターン形成工程が実施される。パターン形成工程は、例えば東京応化工業社製のフォトレジストＡＺ６１１２を該ポリイミド層上で所定のパターンに形成し、東京応化工業社製ＮＭＤ−３を用いてレジストの現像及び該ポリイミド層のエッチングを行う工程を含む。エッチング後、レジストは基板を酢酸ブチルに浸漬することによって除去され、該ポリイミド層は焼成される。
短絡防止層形成工程後、有機機能層形成工程（図１２（ｃ））と陰極形成工程（図１２（ｄ））とを順に実施する。陰極１９をマスクとしてエッチング処理を行い（図１２（ｅ））、有機ＥＬ表示パネル２０Ｃが得られる。
なお、上記実施例の有機ＥＬ表示パネルは、基板から陰極、有機機能層、陽極の順に設けて構成しても良い。
本発明による有機半導体素子を用いたＴＦＴの製造方法について説明する。
図１３に示す如く、基板２上にソース電極３３及びドレイン電極３４を形成する（図１３（ａ））。当該ソース・ドレイン電極形成工程は、例えばスパッタ法によって２０００Åの厚さの金（Ａｕ）からなる薄膜を形成する成膜工程と、金薄膜上にフォトレジストのパターンを形成するレジストパターン形成工程を含む。レジストのパターンが形成された基板をヨード液に浸漬してレジストに覆われていない部分の金をエッチングによって除去するエッチング工程も含まれる。エッチング工程後に、基板をアセトンに浸漬してレジストが除去され、基板上にソース電極及びドレイン電極のパターンが形成される。
なおソース電極及びドレイン電極は、低抵抗材料からなる。例えばＡｌ、Ａｇ、Ｃｕ等の金属、合金、導電性ポリマーからなることとしてもよい。
ソース・ドレイン電極形成工程後に、蒸着法等の成膜方法を用いて有機半導体層３５を形成する有機半導体層形成工程（図１３（ｂ））を行う。有機半導体層は、例えば１０００Åのペンタセン層である。なお有機半導体層は、電子輸送特性若しくは正孔輸送特性を有する材料を含む。例えば、チオフェン、フタロシアニン、オリゴチオフェン、ポリチオフェン若しくはこれらの誘導体を用いても良い。
有機半導体層形成工程後、ゲート絶縁層３６を設けるゲート絶縁層形成工程（図１３（ｃ））を行う。かかるゲート絶縁層形成工程は、例えばマスクを用いたスパッタ法によって２０００Åの窒化シリコン膜を形成する工程である。チャンネル部分にチャンネル方向の幅１ｍｍのゲート絶縁膜が得られる。
ゲート絶縁層は、絶縁性が高い材料であることが望ましい。ゲート絶縁層として、金属酸化物、金属窒化物等の無機物、ポリイミド、フォトレジスト等の樹脂が使用できる。また、これらを組合わせても良い。また、耐エッチング特性を有することが好ましい。
ゲート絶縁層３６をマスクとして有機半導体層３５をエッチングするエッチング工程（図１３（ｄ））を行う。エッチング工程は、プラズマアッシング法を用いてエッチング処理を行う工程であり、例えば平行平板型のプラズマアッシング装置が使用できる。
エッチング工程終了後、絶縁層上にゲート電極３７を形成するゲート電極形成工程（図１３（ｅ））を行う。ゲート電極形成工程は、マスクを用いたスパッタ法で１０００ÅのＣｒ層を形成し、チャンネル部にチャンネル長方向の幅０．５ｍｍのゲート電極のパターンを形成する工程である。
以上の工程を経て、有機ＴＦＴ３８が完成する。
なお、ゲート電極形成工程はエッチング工程前に実施することとしても良い。また、エッチング工程はゲート電極をマスクとしても良い。ゲート電極をマスクとすることによって、ゲート絶縁層形成工程はパターン形成工程が不要となり、工程数の削減ができる。
また、ソース電極若しくはドレイン電極とゲート電極との間の短絡を防止する短絡防止層が設けられても良い。短絡防止層を設ける短絡防止層形成工程は、ソース・ドレイン電極形成工程とゲート電極形成工程との間に実施する。例えば、ソース・ドレイン電極形成工程後、ソース電極及びドレイン電極上に短絡防止層を設けることとしても良い。
第１電極を含む第１構造部と、半導体特性を有する有機化合物を含む有機半導体層と、前記有機半導体層を介して前記第１構造部に対向し且つ第２電極を含む第２構造部と、を含む半導体素子であって、前記第２構造部は、耐エッチング特性を有する材料からなるマスク部を含み、前記有機半導体層は前記マスク部をマスクとしてエッチング処理されてパターン形成されていることを特徴とする有機半導体素子によれば、有機半導体層のパターンが有機半導体素子を構成するマスク部のパターンを用いて形成することから、マスク部と有機半導体層のパターンが不整合となることはない故、安定して有機半導体素子を製造することができる。
第１電極を含む第１構造部と、半導体特性を有する有機化合物を含む有機半導体層と、前記有機半導体層を介して前記第１構造部に対向し且つ第２電極を含む第２構造部と、を含む半導体素子の製造方法であって、前記第１構造部を形成する第１構造部形成工程と、前記第１構造部上に前記有機半導体層を形成する有機半導体層形成工程と、前記有機半導体層上に第２構造部を形成する第２構造部形成工程と、を含み、前記第２構造部形成工程は、耐エッチング特性を有する材料からなるマスク部を形成するマスク部形成工程と、前記マスク部をマスクとして前記有機半導体層のエッチング処理を行うエッチング工程と、を含むことを特徴とする有機半導体素子の製造方法によれば、有機半導体層のパターンを形成するマスク部が有機半導体素子を構成する部材となることから、マスクを除去する工程が不要である故、工程数を削減することができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【国際調査報告】
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