(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持枠と、前記支持枠に支持部を介して支持される可動部とを含むセンサ素子と、
前記センサ素子の前記支持枠と電気的に接続される制御回路素子であると共に、前記支持枠の開口を覆うように前記センサ素子の上面上に固定されることにより前記センサ素子を保護する保護部材としても機能する半導体素子と、
弾力性を有する樹脂材料から構成され、少なくとも前記センサ素子および前記半導体素子を封止する第１樹脂封止層と、
前記第１樹脂封止層とは異なる材料から構成され、前記第１樹脂封止層を介して、前記センサ素子および前記半導体素子を封止する第２樹脂封止層と、
ダイパッドと、当該ダイパッドから分離されたリード端子とを含むリードフレームと、
を備え、
前記可動部および前記支持部は、平面的に見て、前記支持枠の内側の領域に配置されており、
前記半導体素子は、前記センサ素子の上面上に、前記可動部および前記支持部を覆うようにフリップチップ実装されており、
前記リード端子は、ボンディングワイヤを介して、前記センサ素子の前記支持枠と電気的に接続されており、
前記センサ素子は、前記支持枠の下面と前記可動部の下面が少なくとも一部で面一となるように形成されており、
前記ダイパッド上には、接着層を介して、前記センサ素子の前記支持枠が固定されており、かつ、
前記ダイパッドと前記センサ素子との間には、前記接着層によって、前記可動部の動き代を確保するために必要な高さを有する隙間部が形成されていることを特徴とする、半導体装置。
【請求項２】
前記センサ素子は、前記可動部の変位量に応じて加速度を検出する半導体加速度センサ素子であることを特徴とする、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記センサ素子の前記支持部には、ピエゾ抵抗素子が形成されていることを特徴とする、請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記センサ素子および前記半導体素子が前記第２樹脂封止層で封止されることによって、ＱＦＮ型またはＢＧＡ型のパッケージ形態に構成されていることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記リードフレームは、燐青銅または無酸素銅を含む銅またはその合金材料からなる金板によって構成されていることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記接着層は、はんだ材または銀ペーストからなることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記隙間部は、５０μｍ〜１００μｍの高さを有することを特徴とする、請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記接着層は、前記センサ素子の外周部の全周にわたって形成されていることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記センサ素子の前記可動部は、前記支持部を介して前記支持枠に支持されたコア部と、平面的に見て、当該コア部に一体的に連結された付随部とを含むことを特徴とする、請求項１〜８のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記センサ素子は、３軸方向の加速度を検出可能な加速度センサ素子から構成されていることを特徴とする、請求項１〜９のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記付随部と前記支持枠および前記支持部との間には、隙間が設けられていることを特徴とする、請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記隙間は、前記付随部が前記支持枠または前記支持部と接触しない程度の大きさに構成されていることを特徴とする、請求項１１に記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記半導体素子は、前記センサ素子によって検出された電気信号を増幅及び補正するとともに、加速度に比例した電圧として電気信号を出力する機能を有することを特徴とする、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記半導体素子は、前記センサ素子の開口よりも大きい平面積に構成されているとともに、主面の隅に突起電極が形成されていることを特徴とする、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１５】
前記突起電極は、Ａｕバンプからなることを特徴とする、請求項１４に記載の半導体装置。
【請求項１６】
前記突起電極と前記センサ素子の電極パッドとが電気的に接続するように、前記センサ素子の上面上に前記半導体素子が固定されていることを特徴とする、請求項１４または１５に記載の半導体装置。
【請求項１７】
前記センサ素子と前記半導体素子との間には、前記突起電極によって、５０μｍの高さを有する第２の隙間部が形成されていることを特徴とする、請求項１４〜１６のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１８】
前記半導体素子の外周部には、全周にわたって第２の接着層が形成されていることを特徴とする、請求項１〜１７のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１９】
前記第１樹脂封止層は、透明樹脂から構成されていることを特徴とする、請求項１〜１８のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項２０】
前記第１樹脂封止層は、ポッティングによって、前記ダイパッド上に、前記センサ素子および前記半導体素子を封止するように形成されていることを特徴とする、請求項１〜１９のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項２１】
前記半導体装置は、ＱＦＮ型またはＢＧＡ型のパッケージであることを特徴とする、請求項１〜２０のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項２２】
前記センサ素子が静電容量型の加速度センサ素子であることを特徴とする、請求項１〜２１のいずれか１項に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体装置に関し、特に、センサ素子を備えた半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、加速度を検出する加速度センサ素子（センサ素子）を備えた半導体装置が知られている（たとえば、特許文献１参照）。
【０００３】
上記特許文献１には、センサチップ（センサ素子）が樹脂封止された樹脂封止型の半導体装置が記載されている。このセンサチップ（センサ素子）には、加速度を受けて変位する可動部としての梁構造体がシリコン基板上に形成されている。また、梁構造体には可動電極が設けられているとともに、シリコン基板上には固定電極が設けられている。そして、可動電極と固定電極との間の変位に応じて変化する静電容量の変化により加速度を検出するようにセンサチップ（センサ素子）が構成されている。すなわち、上記したセンサチップは、静電容量型の加速度センサ素子に構成されている。
【０００４】
また、センサチップ（センサ素子）の上面には、梁構造体などを保護するための耐熱性樹脂シートが設けられている。これにより、センサチップ（センサ素子）を樹脂封止した場合でも、封止樹脂によって梁構造体の動作が妨げられるという不都合が生じるのを抑制することが可能となる。ここで、センサチップ（センサ素子）が搭載される半導体装置を、樹脂封止型の半導体装置に構成した場合には、内部に空間部を有するセラミックス製の保護ケースを用いて半導体装置を構成する場合に比べて、製造工程を簡素化できるという利点がある。なお、樹脂封止型の半導体装置は、一般的に、トランスファー成形法を用いて形成される。
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−３１３４９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記特許文献１に記載された従来の半導体装置では、トランスファー成形法によってセンサチップ（センサ素子）が樹脂封止される際に、センサチップ（センサ素子）に大きな応力が加わるという不都合がある。このため、梁構造体などを保護するための耐熱性樹脂シートが設けられている場合でも、センサチップ（センサ素子）に大きな応力が加わることによって、センサチップ（センサ素子）が破損したり、センサチップ（センサ素子）に歪みが加わったりするという不都合がある。特に、センサチップ（センサ素子）の側面部などには、耐熱性樹脂シートが設けられていないため、センサチップ（センサ素子）の側面部などに大きな応力が加わることによって、センサチップ（センサ素子）に歪みが加わるという不都合がある。これにより、センサチップ（センサ素子）の特性（素子特性）が低下するという問題点がある。
【０００７】
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の目的は、製造工程を簡素化するために樹脂封止型のパッケージ形態に構成した場合でも、センサ素子の素子特性が低下するのを抑制することが可能な半導体装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、この発明の一の局面による半導体装置は、支持枠と、支持枠に支持部を介して支持される可動部とを含むセンサ素子と、センサ素子を保護する保護部材と、少なくとも、センサ素子を封止する弾力性を有する第１樹脂封止層と、第１樹脂封止層とは異なる材料から構成され、第１樹脂封止層を介して、センサ素子を封止する第２樹脂封止層とを備えている。
【０００９】
この一の局面による半導体装置では、上記のように、弾力性を有する第１樹脂封止層で予めセンサ素子を封止しておくことによって、トランスファー成型法を用いて第２樹脂封止層でセンサ素子を封止した場合でも、成型時（樹脂封止時）にセンサ素子に加わる圧力を第１樹脂封止層により緩和することができるので、センサ素子に加わる応力を低減することができる。このため、センサ素子に大きな応力が加わるのを抑制することができるので、センサ素子に大きな応力が加わることに起因して、センサ素子が破損したり、センサ素子に歪みが加わったりするという不都合が生じるのを抑制することができる。これにより、製造工程を簡素化するために樹脂封止型のパッケージ形態に半導体装置を構成した場合でも、センサ素子の素子特性が低下するのを抑制することができる。なお、上記のように構成することによって、センサ素子を搭載した半導体装置を樹脂封止型のパッケージ形態に構成することができるので、製造工程を簡素化できることに加えて、半導体装置の製造コストを低減することもできる。
【００１０】
また、上記した構成では、センサ素子は保護部材によって保護されているので、第１樹脂封止層でセンサ素子を封止した場合でも、第１樹脂封止層によってセンサ素子の可動部の動作が妨げられるという不都合が生じるのを抑制することができる。このため、これによっても、センサ素子の素子特性が低下するのを抑制することができる。
【００１１】
なお、上記一の局面による半導体装置において、第１樹脂封止層はポッティングにより形成するのが好ましい。このように構成した場合には、第１樹脂封止層でセンサ素子を封止する際に、センサ素子に加わる応力（圧力）を容易に低減することができる。
【００１２】
上記一の局面による半導体装置において、好ましくは、センサ素子と電気的に接続された半導体素子をさらに備え、保護部材は、半導体素子から構成されている。このように構成すれば、半導体素子は、耐熱性樹脂シートなどに比べて強度が高いので、半導体素子でセンサ素子を保護することによって、容易に、センサ素子の素子特性の低下を抑制することができる。なお、本発明の半導体素子は、センサ素子の可動部の動きに基づいて検出される電気的な検出信号を増幅・補正して、物理量に比例した電圧として出力する制御回路素子などである。
【００１３】
この場合において、好ましくは、可動部および支持部は、平面的に見て、支持枠の内側の領域に配置されており、半導体素子は、センサ素子の上面上に、可動部および支持部を覆うようにフリップチップ実装されている。このように構成すれば、容易に、半導体素子とセンサ素子とを互いに電気的に接続することができるとともに、半導体素子によって、容易に、センサ素子の可動部および支持部を保護することができる。
【００１４】
上記一の局面による半導体装置において、好ましくは、センサ素子は、可動部の変位量に応じて加速度を検出する半導体加速度センサ素子である。このように構成すれば、良好な素子特性を有する樹脂封止型の加速度センサを容易に得ることができる。
【００１５】
この場合において、好ましくは、センサ素子の支持部には、ピエゾ抵抗素子が形成されている。このように構成すれば、センサ素子をピエゾ抵抗型の加速度センサ素子とすることができるので、静電容量型の加速度センサ素子に比べて、容易に、センサ素子を小型化することができる。これにより、センサ素子の素子特性の低下を抑制しながら、半導体装置の小型化を図ることができる。
【００１６】
上記一の局面による半導体装置において、好ましくは、センサ素子が第２樹脂封止層で封止されることによって、ＱＦＮ型またはＢＧＡ型のパッケージ形態に構成されている。このように構成すれば、センサ素子の素子特性の低下を抑制しながら、実装面積の小さい半導体装置を得ることができる。
【発明の効果】
【００１７】
以上のように、本発明によれば、製造工程を簡素化するために樹脂封止型のパッケージ形態に構成した場合でも、センサ素子の素子特性が低下するのを抑制することが可能な半導体装置を容易に得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明を具体化した実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００１９】
図１は、本発明の一実施形態による半導体装置の断面図である。図２は、図１に示した本発明の一実施形態による半導体装置のセンサ素子および制御回路素子の全体斜視図である。図３は、図１に示した本発明の一実施形態による半導体装置のセンサ素子および制御回路素子の分解斜視図である。図４〜図８は、図１に示した本発明の一実施形態による半導体装置の構造を説明するための図である。図１〜図８を参照して、本発明の一実施形態による半導体装置の構造について説明する。
【００２０】
一実施形態による半導体装置は、図１に示すように、製造工程を簡素化することが可能な樹脂封止型パッケージ（ＱＦＮ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｎｏｎ−Ｌｅａｄｅｄ  Ｐａｃｋａｇｅ）型のパッケージ）に構成されている。具体的には、一実施形態による半導体装置は、リードフレーム１と、リードフレーム１に装着されるセンサ素子１０と、センサ素子１０の上面上に実装される制御回路素子２０と、センサ素子１０および制御回路素子２０を封止する第１樹脂封止層３０と、第１樹脂封止層３０を介してセンサ素子１０および制御回路素子２０を封止する第２樹脂封止層４０とを備えている。なお、制御回路素子２０は、本発明の「保護部材」および「半導体素子」の一例である。
【００２１】
リードフレーム１は、たとえば、燐青銅や無酸素銅などの銅系（銅またはその合金）材料などからなる金属板によって構成されており、ダイパッド１ａと、ダイパッド１ａから分離された複数のリード端子１ｂとを含んでいる。このダイパッド１ａ上には、はんだ材や銀ペーストなどからなる接着層２を介して、センサ素子１０が固定されている。なお、ダイパッド１ａとセンサ素子１０との間には、接着層２によって、約５０μｍ〜約１００μｍの高さを有する隙間部３が形成されている。この隙間部３は、センサ素子１０の後述する重り部１２の動き代を確保するために設けられている。また、接着層２は、隙間部３への第１樹脂封止層３０の侵入を抑制するために、センサ素子１０の外周部の全周にわたって形成されている。
【００２２】
また、複数のリード端子１ｂの各々は、ボンディングワイヤ４を介して、センサ素子１０と電気的に接続されている。
【００２３】
また、センサ素子１０は、３軸方向の加速度を検出可能なピエゾ抵抗型の加速度センサ素子から構成されている。具体的には、図３および図６に示すように、センサ素子１０は、枠体部１１と、枠体部１１の内側に配置される重り部１２と、重り部１２の四方から所定の方向に延びるとともに、重り部１２を枠体部１１に揺動自在に支持する４つの撓み部１３とを備えている。なお、枠体部１１は、本発明の「支持枠」の一例であり、重り部１２は、本発明の「可動部」の一例である。また、撓み部１３は、本発明の「支持部」の一例である。
【００２４】
センサ素子１０の重り部１２は、図６〜図８に示すように、４つの撓み部１３を介して枠体部１１に支持された直方体状のコア部１２ａと、平面的に見て、コア部１２ａの四隅の各々に一体的に連結された直方体状の４つの付随部１２ｂとを含んでいる。また、付随部１２ｂの各々と枠体部１１および撓み部１３との間には、隙間が設けられている。この隙間は、加速度を受けて重り部１２が揺動した際に、付随部１２ｂが枠体部１１や撓み部１３と接触しない程度の大きさに構成されている。
【００２５】
一方、４つの撓み部１３の各々の表面には、複数のピエゾ抵抗素子１４が形成されている。このピエゾ抵抗素子１４は、外力（応力）が加わると抵抗値が変化する素子であり、加速度を受けて重り部１２が揺動した際の撓み部１３の変位を抵抗値の変化として検出する。すなわち、ピエゾ抵抗型の加速度センサ素子であるセンサ素子１０では、加速度が加わるとその加速度によって重り部１２が揺動し、重り部１２を支持している撓み部１３が変形する。そして、撓み部１３が変形することによって、撓み部１３に形成されているピエゾ抵抗素子１４に応力が加わり、ピエゾ抵抗素子１４の抵抗値が変化する。この抵抗値の変化を電気信号として検出することにより、半導体装置に加わった加速度が検出される。なお、上記したセンサ素子１０は、半導体プロセス技術を応用した微細加工技術（ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）技術）を用いて形成することができる。
【００２６】
また、制御回路素子２０は、センサ素子１０によって検出された電気信号を増幅及び補正するとともに、加速度に比例した電圧として電気信号を出力する機能を有している。この制御回路素子２０は、図１および図２に示すように、センサ素子１０の上面上にフリップチップ実装されている。具体的には、図３および図４に示すように、制御回路素子２０は、センサ素子１０の開口よりも大きい平面積に構成されているとともに、図４および図５に示すように、一方の主面の四隅にＡｕバンプからなる突起電極２１が形成されている。そして、この突起電極２１とセンサ素子１０の電極パッド（図示せず）とが電気的に接続するように、センサ素子１０の上面上に制御回路素子２０が固定されている。また、制御回路素子２０は、枠体部１１の開口（重り部１２および撓み部１３）を覆うように、センサ素子１０の上面上に固定されている。これにより、一実施形態による半導体装置では、制御回路素子２０によって、センサ素子１０の重り部１２および撓み部１３が保護されるように構成されている。
【００２７】
また、センサ素子１０の上面と制御回路素子２０との間には、図１および図５に示すように、突起電極２１によって、約５０μｍの高さを有する隙間部２２が形成されている。この隙間部２２も、センサ素子１０の重り部１２の動き代を確保するために設けられている。また、制御回路素子２０の外周部には、隙間部２２への第１樹脂封止層３０の侵入を抑制するために、全周にわたって接着層２３が形成されている。
【００２８】
ここで、本実施形態では、センサ素子１０および制御回路素子２０は、所定の弾力性を有する第１樹脂封止層３０によって樹脂封止されている。この第１樹脂封止層３０は、センサ素子１０および制御回路素子２０などに加わる応力を緩和することが可能な弾力性を有する樹脂材料から構成されている。具体的には、第１樹脂封止層３０は、透明樹脂（たとえば、エポキシ樹脂）などから構成されている。また、第１樹脂封止層３０は、ポッティングによって、ダイパッド１ａ上に、センサ素子１０および制御回路素子２０を封止するように形成されている。
【００２９】
また、本実施形態では、第２樹脂封止層４０は、第１樹脂封止層３０とは異なる材料であるエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂によって構成されており、トランスファー形成法などによって、第１樹脂封止層３０を介してセンサ素子１０および制御回路素子２０などを封止するように形成されている。
【００３０】
本実施形態では、上記のように、所定の弾力性を有する第１樹脂封止層３０でセンサ素子１０および制御回路素子２０を封止することによって、トランスファー成型法を用いて第２樹脂封止層４０でセンサ素子１０および制御回路素子２０を封止した際に、成型時（樹脂封止時）にセンサ素子１０に加わる圧力を第１樹脂封止層３０により緩和することができるので、センサ素子１０に加わる応力を低減することができる。このため、センサ素子１０に大きな応力が加わるのを抑制することができるので、センサ素子１０に大きな応力が加わることに起因して、センサ素子１０が破損したり、センサ素子１０に歪みが加わったりするという不都合が生じるのを抑制することができる。これにより、製造工程を簡素化するために樹脂封止型のパッケージ形態に半導体装置を構成した場合でも、センサ素子１０の素子特性が低下するのを抑制することができる。
【００３１】
また、上記した本実施形態の構成では、センサ素子１０の重り部１２および撓み部１３は制御回路素子２０によって保護されているので、第１樹脂封止層３０でセンサ素子１０を封止した場合でも、第１樹脂封止層３０によってセンサ素子１０の重り部１２の揺動動作が妨げられるという不都合が生じるのを抑制することができる。このため、これによっても、センサ素子１０の素子特性が低下するのを抑制することができる。
【００３２】
また、本実施形態では、第１樹脂封止層３０をポッティングにより形成することによって、第１樹脂封止層３０でセンサ素子１０および制御回路素子２０を封止する際に、センサ素子１０に加わる応力（圧力）を容易に低減することができる。
【００３３】
また、本実施形態では、制御回路素子２０を、センサ素子１０の上面上に、重り部１２および撓み部１３を覆うようにフリップチップ実装することによって、容易に、制御回路素子２０とセンサ素子１０とを互いに電気的に接続することができるとともに、制御回路素子２０によって、容易に、センサ素子１０の重り部１２および撓み部１３を保護することができる。
【００３４】
また、本実施形態では、センサ素子１０を、重り部１２の変位量に応じて加速度を検出するピエゾ抵抗型の半導体加速度センサ素子に構成することによって、センサ素子１０を静電容量型の加速度センサ素子から構成する場合に比べて、容易に、センサ素子１０を小型化することができる。これにより、センサ素子１０の素子特性の低下を抑制しながら、半導体装置の小型化を図ることができる。
【００３５】
また、本実施形態では、半導体装置をＱＦＮ型のパッケージ形態に構成することによって、センサ素子１０の素子特性の低下を抑制しながら、実装面積の小さい半導体装置を得ることができる。
【００３６】
なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
【００３７】
たとえば、上記実施形態では、半導体装置をＱＦＮ型のパッケージ形態に構成した例を示したが、本発明はこれに限らず、半導体装置をＱＦＮ型以外のＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）型のパッケージ形態に構成してもよい。また、ＱＦＮ型およびＢＧＡ型以外のパッケージ形態に構成してもよい。
【００３８】
また、上記実施形態では、制御回路素子によってセンサ素子を保護するように構成した例を示したが、本発明はこれに限らず、制御回路素子以外の保護部材を用いてセンサ素子を保護するように構成してもよい。
【００３９】
また、上記実施形態では、センサ素子を、ピエゾ抵抗型の加速度センサ素子に構成した例を示したが、本発明はこれに限らず、ピエゾ抵抗型以外の加速度センサ素子に構成してもよい。たとえば、センサ素子を、静電容量型の加速度センサ素子に構成してもよい。
【００４０】
また、上記実施形態では、３軸方向の加速度を検出するセンサ素子を用いた例を示したが、本発明はこれに限らず、１軸方向または２軸方向の加速度を検出するセンサ素子を用いてもよい。
【００４１】
また、上記実施形態では、第１樹脂封止層をポッティングによって形成した例を示したが、本発明はこれに限らず、ポッティング以外の方法を用いて第１樹脂封止層を形成してもよい。なお、第１樹脂封止層は、第２樹脂封止層の形成時に所定の弾力性を有していればよい。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の一実施形態による半導体装置の断面図である。
【図２】図１に示した本発明の一実施形態による半導体装置のセンサ素子および制御回路素子の全体斜視図である。
【図３】図１に示した本発明の一実施形態による半導体装置のセンサ素子および制御回路素子の分解斜視図である。
【図４】図１に示した本発明の一実施形態による半導体装置のセンサ素子および制御回路素子の平面図である。
【図５】図４の１００−１００線に沿った断面図である。
【図６】図１に示した本発明の一実施形態による半導体装置のセンサ素子の平面図である。
【図７】図６の２００−２００線に沿った断面図である。
【図８】図６の３００−３００線に沿った断面図である。
【符号の説明】
【００４３】
１                    リードフレーム
１ａ                  ダイパッド
１ｂ                  リード端子
２、２３              接着層
３、２２              隙間部
４                    ボンディングワイヤ
１０                  センサ素子
１１                  枠体部（支持枠）
１２                  重り部（可動部）
１２ａ                コア部
１２ｂ                付随部
１３                  撓み部（支持部）
１４                  ピエゾ抵抗素子
２０                  制御回路素子（保護部材、半導体素子）
２１                  突起電極
３０                  第１樹脂封止層
４０                  第２樹脂封止層
【図１】
0005172254.tif 000002
【図２】
0005172254.tif 000003
【図３】
0005172254.tif 000004
【図４】
0005172254.tif 000005
【図５】
0005172254.tif 000006
【図６】
0005172254.tif 000007
【図７】
0005172254.tif 000008
【図８】
0005172254.tif 000009