(57)【要約】導電部所有体５００の表面に被覆膜１００を形成する工程と、上記被覆膜１００が形成された導電体５００上に感光性膜１１０を形成する工程と、上記感光性膜１１０を、凹部又は凸部のパターンに対応するパターンに露光する工程と、上記露光された感光性膜１１０を現像する工程と、上記現像された感光性膜１１０をベーキングする工程とを有する電子装置の製造方法。該製造方法により、金属膜が必要以上に除去されてしまう現象を防止又は緩和する。
2004061521.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の平衡電極電位を有する第１の金属又は金属化合物を含有する第１の導電部と、第２の平衡電極電位を有する第２の金属又は金属化合物を含有し、前記第１の導電部に電気的に接続された第２の導電部とを有する第１の導電部所有体であって、前記第１及び第２の導電部が表面に露出した第１の導電部所有体を形成する工程、
前記第１の導電部所有体の前記表面に被覆膜を形成する工程、
前記被覆膜が形成された第１の導電部所有体上に感光性膜を形成する工程、
前記感光性膜を所定の露光パターンに露光する工程、及び
前記露光された感光性膜を現像する工程、
を有する電子装置製造方法。
【請求項２】
前記第１の導電部所有体を形成する工程が、
支持体上に、前記第１の導電部に前記第２の導電部が重なるように前記第１及び第２の導電部を形成する工程を有する請求項１に記載の電子装置製造方法。
【請求項３】
前記第１の導電部所有体を形成する工程が、
前記第１及び第２の導電部を形成する工程の前に、前記支持体上に絶縁膜を形成する工程を有する請求項２に記載の電子装置製造方法。
【請求項４】
前記第１の導電部所有体を形成する工程が、前記第１の導電部が絶縁膜の孔を通じて前記第２の導電部に電気的に接続されるように、前記第１及び第２の導電部を形成する工程を有する請求項１に記載の電子装置製造方法。
【請求項５】
前記絶縁膜を形成する工程が、窒化シリコン又は二酸化シリコンを有する絶縁膜を形成する工程であり、
前記被覆膜を形成する工程が、酸化モリブデンクロムを含む被覆膜を形成する工程である請求項３又は４に記載の電子装置製造方法。
【請求項６】
第１の平衡電極電位を有する第１の金属又は金属化合物を含有する第１の導電部と、第２の平衡電極電位を有する第２の金属又は金属化合物を含有し、前記第１の導電部に電気的に接続された第２の導電部とを有する第２の導電部所有体であって、前記第１及び第２の導電部が表面に露出した第２の導電部所有体を形成する工程、
前記第２の導電部所有体の前記表面に感光性膜を形成する工程、
前記感光性膜を所定の露光パターンに露光する工程、及び
前記露光された感光性膜を現像する工程、
を有する電子装置製造方法であって、
前記第２の導電部所有体を形成する工程が、前記第１及び第２の導電部に電気的に接続された犠牲電極を有する前記第２の導電部所有体であって、前記犠牲電極が前記表面に露出した前記第２の導電部所有体を形成する工程である電子装置製造方法。
【請求項７】
前記犠牲電極が前記第１及び第２の導電部のうちの一方に直に接続されている請求項６に記載の電子装置製造方法。
【請求項８】
前記犠牲電極が前記第１及び第２の導電部のうちの一方に一体成形されている請求項６に記載の電子装置製造方法。
【請求項９】
前記第２の導電部所有体を形成する工程が、
前記第１の導電部に前記第２の導電部が重なるように前記第１及び第２の導電部を形成する工程を有する請求項６乃至８のうちのいずれか１項に記載の電子装置製造方法。
【請求項１０】
前記第２の導電部所有体を形成する工程が、前記第１の導電部が絶縁膜の孔を通じて前記第２の導電部に電気的に接続されるように、前記第１及び第２の導電部を形成する工程を有する請求項６乃至８のうちのいずれか１項に記載の電子装置製造方法。
【請求項１１】
第１の平衡電極電位を有する第１の金属又は金属化合物を含有する第１の導電部と、第２の平衡電極電位を有する第２の金属又は金属化合物を含有し、前記第１の導電部に電気的に接続された導電膜とを有する第３の導電部所有体であって、前記導電膜が表面に露出した第３の導電部所有体を形成する工程、及び
前記第２の金属又は金属化合物を含有し前記第１の導電部に電気的に接続された第２の導電部が形成されるように、前記導電膜をウエットエッチングする工程、
を有する電子装置製造方法であって、
前記ウエットエッチング工程が、前記第２の導電部の他に、前記第１の導電部に電気的に接続された犠牲電極が形成されるように、前記導電膜をウエットエッチングする電子装置製造方法。
【請求項１２】
前記導電膜が前記第１の導電部を覆うように形成され、
前記ウエットエッチング工程が、前記第１の導電部の少なくとも一部を露出するように、前記導電膜をウエットエッチングする請求項１１に記載の電子装置製造方法。
【請求項１３】
前記ウエットエッチング工程の後、前記第１の導電部の一部を除去する工程を有する請求項１１又は１２に記載の電子装置製造方法。
【請求項１４】
第１の平衡電極電位を有する第１の金属又は金属化合物を含有する第１の導電部と、第２の平衡電極電位を有する第２の金属又は金属化合物を含有し、前記第１の導電部に電気的に接続された第２の導電部とを有する第１の基体、
前記第１の基体に形成された下地層、及び
前記下地層の表面に形成された、複数の凹部又は凸部を有する反射部、
を有する電子装置であって、
前記下地層が、
前記複数の凹部又は凸部に対応する位置に設けられた被覆部、及び
感光性材料により形成された、前記被覆部を覆う下地層本体、
を有する電子装置。
【請求項１５】
前記第１の基体が、
支持体、
前記支持体上に形成された第１の導電部、及び
前記第１の導電部に重なるように形成された前記第２の導電部、
を有する請求項１４に記載の電子装置。
【請求項１６】
前記第１の導電部が絶縁膜上に形成された請求項１５に記載の電子装置。
【請求項１７】
前記第１の基体が、
支持体、
前記支持体上に形成された前記第１の導電部、
前記第１の導電部と前記第２の導電部とを電気的に接続するための孔を有する絶縁膜、及び
前記孔を通じて前記第１の導電部に電気的に接続された前記第２の導電部、
を有する請求項１４に記載の電子装置。
【請求項１８】
前記絶縁膜が窒化シリコン又は二酸化シリコンを有し、前記被覆部は酸化モリブデンクロムを有することを特徴とする請求項１６又は１７に記載の電子装置。
【請求項１９】
第１の平衡電極電位を有する第１の金属又は金属化合物を含有する第１の導電部、
第２の平衡電極電位を有する第２の金属又は金属化合物を含有し、前記第１の導電部に電気的に接続された第２の導電部、及び
前記第１及び第２の導電部に電気的に接続された犠牲電極、
を有する電子装置。
【請求項２０】
前記犠牲電極が前記第１及び第２の導電部のうちの一方に直に接続されている請求項１９に記載の電子装置。
【請求項２１】
前記犠牲電極が前記第１及び第２の導電部のうちの一方に一体成形されている請求項１９に記載の電子装置。
【請求項２２】
前記犠牲電極が前記第１及び第２の金属又は金属化合物を含有する請求項１９乃至２１のうちのいずれか１項に記載の電子装置。
【請求項２３】
前記第１の導電部に前記第２の導電部が重なるように形成されている請求項１９乃至２２のうちのいずれか１項に記載の電子装置。
【請求項２４】
前記第１及び第２の導電部の組み合わせが、ゲート電極、ゲートバス、ソース電極又はソースバスの少なくとも一部を構成する請求項１５、１６又は２３に記載の電子装置。
【請求項２５】
前記第１の導電部が前記第１の金属又は金属化合物としてモリブデンを有し、前記第２の導電部が前記第２の金属又は金属化合物としてアルミニウムを有する請求項２４に記載の電子装置。
【請求項２６】
前記第１の導電部が、絶縁膜の孔を通じて前記第２の導電部に電気的に接続されている請求項１９乃至２２のうちのいずれか１項に記載の電子装置。
【請求項２７】
前記第１の導電部がゲート端子の少なくとも一部を構成し、前記第２の導電部がゲートバスの少なくとも一部を構成する請求項１５、１６又は２６に記載の電子装置。
【請求項２８】
前記第１の導電部がソース端子の少なくとも一部を構成し、前記第２の導電部がＥＳＤトランジスタのゲート電極の少なくとも一部を構成する請求項１５、１６又は２６に記載の電子装置。
【請求項２９】
前記第１の導電部が前記第１の金属又は金属化合物として酸化インジウムを含有し、前記第２の導電部が、前記第２の金属又は金属化合物としてアルミニウム又はモリブデンを含有する請求項２７又は２８に記載の電子装置。
【請求項３０】
前記電子装置が第３の導電部を有し、
前記第１の導電部が前記第３の導電部の一部を覆う請求項１９に記載の電子装置。
【請求項３１】
前記第３の導電部がゲート端子の少なくとも一部を構成する請求項３０に記載の電子装置。
【請求項３２】
請求項１４乃至３１のうちのいずれか１項に記載の電子装置を備えた画像表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】  本発明は、電気的に接続された複数の導電部を有する電子装置の製造方法及びその方法が適用された電子装置に関する。
【背景技術】  反射型液晶表示装置や半透過型液晶表示装置等の反射体が形成される液晶表示装置では、反射体に凹部又は凸部を持たせるために、反射体を形成する前に、多数の凹部又は凸部を有する下地層が形成される。下地層の材料には感光性材料が用いられている。下地層を形成する場合、支持体上に感光性材料を塗布し、ベーキングすることによって感光性膜を形成し、この感光性膜を露光し、現像することによって感光性膜がパターニングされる。
感光性膜が塗布される支持体の表面には、通常、ゲートバスやゲート端子等を構成する種々の導電膜が露出している。従って、その感光性膜を露光、現像すると、感光性膜の現像時に感光性膜の不要な部分が現像液によって除去され、その結果、感光性膜で覆われていた種々の導電膜が露出し、現像液がこの露出した種々の導電膜に接触する。このように、現像液が種々の導電膜に接触してしまうと、感光性膜が必要以上に除去されたり、現像液に接触した導電膜が損傷を受けてしまうという現象が生じる場合がある。
上記の例では、現像液が種々の導電膜に接触したときの様子について説明したが、例えば、金属膜をウエットエッチングするときにエッチング液が種々の導電部に接触したときにも、金属膜が必要以上に除去されてしまうという現象が生じる場合がある。
【発明の開示】
本発明の目的は、感光性膜が必要以上に除去される現象を防止又は緩和する電子装置製造方法、及びこの方法が適用された電子装置を提供することにある。
本発明の他の目的は、現像液に接触した導電膜が損傷を受けてしまう現象を防止又は緩和する電子装置製造方法、及びこの方法が適用された電子装置を提供することにある。
本発明の更に他の目的は、金属膜が必要以上に除去されてしまうという現象を防止又は緩和する電子装置製造方法、及びこの方法が適用された電子装置を提供することにある。
上記目的を達成する本発明の第１の電子装置製造方法は、第１の平衡電極電位を有する第１の金属又は金属化合物を含有する第１の導電部と、第２の平衡電極電位を有する第２の金属又は金属化合物を含有し、前記第１の導電部に電気的に接続された第２の導電部とを有する第１の導電部所有体であって、前記第１及び第２の導電部が表面に露出した第１の導電部所有体を形成する工程、前記第１の導電部所有体の前記表面に被覆膜を形成する工程、前記被覆膜が形成された第１の導電部所有体上に感光性膜を形成する工程、前記感光性膜を所定の露光パターンに露光する工程、及び前記露光された感光性膜を現像する工程、を有する。
本発明の第１の導電部装置製造方法では、感光性膜を形成する前に、基板の表面に被覆膜が形成される。従って、感光性膜を現像することによって感光性膜の不要な部分が除去されても、被覆膜で覆われた導電部は、現像液には接触しない。この結果、この被覆膜で覆われた導電部はアノード又はカソードとして作用せず、電池反応を生じなくすることができる。このように電池反応を生じなくすることによって、感光性膜が必要以上に除去されたり、導電部が損傷を受けることを防止することができる。
ここで、前記第１の導電部所有体を形成する工程は、支持体上に、前記第１の導電部に前記第２の導電部が重なるように前記第１及び第２の導電部を形成する工程を有することができる。この場合、前記第１の導電部所有体を形成する工程は、前記第１及び第２の導電部を形成する工程の前に、前記支持体上に絶縁膜を形成する工程を有することができる。
また、前記第１の導電部所有体を形成する工程は、前記第１の導電部が絶縁膜の孔を通じて前記第２の導電部に電気的に接続されるように、前記第１及び第２の導電部を形成する工程を有することもできる。
また、本発明の第１の電子装置製造方法において、前記絶縁膜を形成する工程が、窒化シリコン又は二酸化シリコンを有する絶縁膜を形成する工程である場合、前記被覆膜を形成する工程が、酸化モリブデンクロムを含む被覆膜を形成する工程とすることが好ましい。
被覆膜が絶縁膜を覆っている場合、被覆膜をエッチングすることによって、絶縁膜の一部が露出する。このときに、被覆膜だけでなく絶縁膜も一緒にエッチングされてしまうと、絶縁膜が損傷を受け、絶縁膜の機能に悪影響を与える恐れがある。従って、被覆膜の材料のエッチング速度と、絶縁膜の材料のエッチング速度との比（エッチング選択比）は、十分大きいことが要求される。この目的を達成するためには、絶縁膜の材料に、例えば窒化シリコン又は二酸化シリコンが使用されている場合は、被覆膜の材料としては酸化モリブデンクロムを好適に使用することができる。エッチング選択比の違いのため、酸化モリブデンクロムを除去することによって窒化シリコン又は二酸化シリコンが露出しても、窒化シリコン又は二酸化シリコンはほとんどエッチングされない。従って、絶縁膜の機能を良好に保つことができる。
本発明の第２の電子装置製造方法は、第１の平衡電極電位を有する第１の金属又は金属化合物を含有する第１の導電部と、第２の平衡電極電位を有する第２の金属又は金属化合物を含有し、前記第１の導電部に電気的に接続された第２の導電部とを有する第２の導電部所有体であって、前記第１及び第２の導電部が表面に露出した第２の導電部所有体を形成する工程、前記第２の導電部所有体の前記表面に感光性膜を形成する工程、前記感光性膜を所定の露光パターンに露光する工程、及び前記露光された感光性膜を現像する工程、を有する電子装置製造方法であって、前記第２の導電部所有体を形成する工程が、前記第１及び第２の導電部に電気的に接続された犠牲電極を有する前記第２の導電部所有体であって、前記犠牲電極が前記表面に露出した前記第２の導電部所有体を形成する工程である。
本発明の第２の導電部装置製造方法では、第２の導電部所有体の表面に露出している第１及び第２の導電部は、それぞれ第１及び第２の平衡電極電位を有する第１及び第２の金属又は金属化合物を含有している。更に、このような第１及び第２の導電部が表面に露出した導電部所有体に、感光性膜が形成される。従って、この感光性膜を現像することによって感光性膜の一部が除去され、この結果第１及び第２の導電部が現像液に接触してしまうと、これら第１及び第２の導電部がアノード又はカソードとして作用し電池反応が生じる。導電部においてこの電池反応が促進すると、導電部自体が損傷を受けたり、感光性膜が必要以上に除去される恐れがある。従って、導電部では、電池反応はできるだけ促進されないようにすることが望まれる。そこで、本発明の第２の導電部装置製造方法では、第２の導電部所有体は、第１及び第２の導電部に電気的に接続された犠牲電極を備えており、この第２の導電部所有体の表面には犠牲電極が露出している。第２の導電部所有体の表面に犠牲電極が露出しているため、この第２の導電部所有体に感光性膜を形成し、この感光性膜を現像すると、第１及び第２の導電部だけでなく犠牲電極も露出し、犠牲電極が一時的に現像液に接触する。従って、感光性膜を現像することによって第１及び第２の導電部が現像液に接触したとしても、犠牲電極も現像液に接触しているため、この第１及び第２の導電部だけでなく犠牲電極もアノード又はカソードとして作用し、この結果、第１及び第２の導電部だけでなく犠牲電極でも電池反応が起きる。本発明の第２の導電部装置製造方法において、もし犠牲電極を形成しないと仮定すると、電池反応の起こる場所は第１及び第２の導電部にだけ集中するが、実際は犠牲電極を備えているため、電池反応の起こる場所を第１及び第２の導電部だけでなく犠牲電極にも分散させることができる。この結果、第１及び第２の導電部での電池反応は促進されにくくなり、感光性膜が必要以上に除去されたり、導電部が損傷を受けることを防止又は抑制することができる。
犠牲電極は、例えば、第１及び第２の導電部のうちの一方に直に接続されてもよく、又は第１及び第２の導電部のうちの一方に一体成形されていてもよい。
ここで、第２の導電部所有体を形成する工程は、例えば、第１の導電部に前記第２の導電部が重なるように前記第１及び第２の導電部を形成する工程を有したり、又は第１の導電部が絶縁膜の孔を通じて前記第２の導電部に電気的に接続されるように、前記第１及び第２の導電部を形成する工程を有することができる。
本発明の第３の電子装置製造方法は、第１の平衡電極電位を有する第１の金属又は金属化合物を含有する第１の導電部と、第２の平衡電極電位を有する第２の金属又は金属化合物を含有し、前記第１の導電部に電気的に接続された導電膜とを有する第３の導電部所有体であって、前記導電膜が表面に露出した第３の導電部所有体を形成する工程、及び前記第２の金属又は金属化合物を含有し前記第１の導電部に電気的に接続された第２の導電部が形成されるように、前記導電膜をウエットエッチングする工程、を有する電子装置製造方法であって、前記ウエットエッチング工程が、前記第２の導電部の他に、前記第１の導電部に電気的に接続された犠牲電極が形成されるように、前記導電膜をウエットエッチングする。
本発明の第３の導電部装置製造方法では、ウエットエッチング工程によって、第２の導電部だけでなく第１の導電部もエッチング液に接触し、第１及び第２の導電部がアノード又はカソードとなって電池反応が生じる場合がある。この電池反応が生じると、第２の導電部の材料のエッチング速度が速くなり、第２の導電部を所望の寸法にすることが困難になる。従って、第２の導電部が所望の寸法を有することができるように、電池反応はできるだけ促進されないことが望まれる。そこで、本発明の第３の導電部装置製造方法では、上記ウエットエッチング工程が、上記第２の導電部の他に、上記第１の導電部に電気的に接続された犠牲電極が形成されるように、上記導電膜をウエットエッチングしている。第２の導電部の他に犠牲電極を形成するため、導電膜をウエットエッチングすることによって、第１及び第２の導電部だけでなく犠牲電極も一時的にエッチング液に接触した状態となる。従って、第１及び第２の導電部だけでなく犠牲電極もアノード又はカソードとして作用するため、第１及び第２の導電部だけでなく犠牲電極でも電池反応が起き、電池反応の起こる場所を第１及び第２の導電部だけでなく犠牲電極にも分散させることができる。この結果、第２の導電部での電池反応は促進されにくくなり、導電膜を、所望の形状を有する第２の導電部が形成されるように容易にウエットエッチングすることができる。
本発明の第３の電子装置製造方法は、例えば、前記導電膜が前記第１の導電部を覆うように形成され、前記ウエットエッチング工程が、前記第１の導電部の少なくとも一部を露出するように、前記導電膜をウエットエッチングする場合に、特に有効である。ウエットエッチング工程の後、第１の導電部の一部は除去される場合もある。
本発明の第１の電子装置は、第１の平衡電極電位を有する第１の金属又は金属化合物を含有する第１の導電部と、第２の平衡電極電位を有する第２の金属又は金属化合物を含有し、前記第１の導電部に電気的に接続された第２の導電部とを有する第１の基体、前記第１の基体に形成された下地層、及び前記下地層の表面に形成された、複数の凹部又は凸部を有する反射部、を有する電子装置であって、前記下地層が、前記複数の凹部又は凸部に対応する位置に設けられた被覆部、及び感光性材料により形成された、前記被覆部を覆う下地層本体、を有する。
また、本発明の第２の電子装置は、第１の平衡電極電位を有する第１の金属又は金属化合物を含有する第１の導電部、第２の平衡電極電位を有する第２の金属又は金属化合物を含有し、前記第１の導電部に電気的に接続された第２の導電部、及び前記第１及び第２の導電部に電気的に接続された犠牲電極、を有する。
また、本発明の画像表示装置は、上記の電子装置を備えている。
【図面の簡単な説明】    図１は、トップゲート構造を有する反射型液晶表示装置に用いられる本発明の第１実施形態のＴＦＴアレイ基板２０の一部平面図である。
図２は、図１のＩ−Ｉ方向から見た断面図である。
図３は、ソースバス３及びゲートバスの端部５１等が形成された基板の一部平面図である。
図４は、図３のＩＩ−ＩＩ方向から見た断面図である。
図５は、ａ−Ｓｉ層７及びゲート絶縁膜８が形成された基板の一部平面図である。
図６は、図５のＩＩＩ−ＩＩＩ方向の断面図である。
図７は、導電膜９３が形成された基板の断面図である。
図８は、ＭｏＣｒ膜９１とＡｌＣｕ膜９２とがパターニングされた直後の基板の一部平面図である。
図９は、図８に示すＩＶ−ＩＶ方向の断面図である。
図１０は、ＭｏＣｒ不要部２６ａがウエットエッチングされた後の基板を示す断面図である。
図１１は、導電部所有体Ａを示す断面図である。
図１２は、従来のやり方で形成された下地層及びその下地層の上に形成された反射電極１３が設けられた基板の断面図である。
図１３は、感光性膜が形成された基板の断面図である。
図１４は、図１３に示す感光性膜を現像した直後の基板の断面図である。
図１５は、図１４に示す領域Ｒ１の拡大図である。
図１６は、図１４に示す領域Ｒ２の拡大図である。
図１７は、被覆膜が形成された基板を示す断面図である。
図１８は、感光性膜１１０が形成された基板の断面図である。
図１９は、感光性膜１１０が現像された後の基板の断面図である。
図２０は、突起１１０’がポストベークされた後の基板の断面図である。
図２１は、被覆膜１００がエッチングされた後の基板の断面図である。
図２２は、平坦化膜１２が形成された基板の断面図である。
図２３は、ボトムゲート構造を有する反射型液晶表示装置に用いられる本発明の第２実施形態のＴＦＴアレイ基板２００の一部断面図である。
図２４は、ゲート電極２０１、ゲート絶縁膜２０２、ａ−Ｓｉ層２０３及び保護膜２０４が形成された基板を示す断面図である。
図２５は、導電膜が形成された基板の断面図である。
図２６は、ＩＴＯ膜２０５とＭｏＣｒ膜２０６とをウエットエッチングした後の基板の断面図である。
図２７は、被覆膜２０９が形成された基板を示す断面図である。
図２８は、多数の突起２１０が形成された基板を示す断面図である。
図２９は、トップゲート構造を有する反射型液晶表示装置に用いられる本発明による第３実施形態のＴＦＴアレイ基板３００の一部平面図である。
図３０は、図２９のＩ−Ｉ方向から見た断面図である。
図３１は、図２９のＩＩ−ＩＩ方向から見た断面図である。
図３２は、ゲートバス端部５１及び犠牲電極６０等が形成された基板の一部平面図である。
図３３は、図３２のＩＩＩ−ＩＩＩ方向から見た断面図である。
図３４は、図３２のＩＶ−ＩＶ方向から見た断面図である。
図３５は、基板１上にａ−Ｓｉ層７及びゲート絶縁膜８が形成された基板の一部平面図である。
図３６は、図３５のＶ−Ｖ方向から見た断面図である。
図３７は、図３５のＶＩ−ＶＩ方向から見た断面図である。
図３８は、導電膜９３が形成された基板の断面図である。
図３９は、導電膜９３が形成された基板の断面図である。
図４０は、ＭｏＣｒ膜９１とＡｌＣｕ膜９２とがウエットエッチングされた後の基板の一部平面図である。
図４１は、図４０のＶＩＩ−ＶＩＩ方向から見た断面図である。
図４２は、図４０のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ方向から見た断面図である。
図４３は、突起１１が形成された直後の基板の一部平面図である。
図４４は、ゲートバス端部５１等が形成された基板の一部平面図である。
図４５は、図４４のＩ−Ｉ方向から見た断面図である。
図４６は、図４４のＩＩ−ＩＩ方向から見た断面図である。
図４７は、ａ−Ｓｉ膜７及び絶縁膜８が形成された基板の一部平面図である。
図４８は、図４７のＩＩＩ−ＩＩＩ方向から見た断面図である。
図４９は、図４７のＩＶ−ＩＶ方向から見た断面図である。
図５０は、導電膜９３が形成された基板の断面図である。
図５１は、導電膜９３が形成された基板の断面図である。
図５２は、導電膜９３がパターニングされた後の基板の一部平面図である。
図５３は、図５２のＶ−Ｖ方向から見た断面図である。
図５４は、図５２のＶＩ−ＶＩ方向から見た断面図である。
図５５は、ＭｏＣｒ不要部２６ａ及び２６ｂがウエットエッチングされた後の基板を示す断面図である。
図５６は、ＭｏＣｒ不要部２６ａ及び２６ｂがウエットエッチングされた後の基板を示す断面図である。
図５７は、トップゲート構造を有する反射型液晶表示装置に用いられる本発明による第４実施形態のＴＦＴアレイ基板４００の一部平面図である。
図５８は、図５７のＩ−Ｉ方向から見た断面図である。
図５９は、図５７のＩＩ−ＩＩ方向から見た断面図である。
図６０は、ソースバス１９１及び犠牲電極１７１等が形成された基板の一部平面図である。
図６１は、図６０のＩＩＩ−ＩＩＩ方向から見た断面図である。
図６２は、図６０のＩＶ−ＩＶ方向から見た断面図である。
図６３は、ガラス基板１上にａ−Ｓｉ層１５３及び１６３とゲート絶縁膜１６０とが形成された基板の一部平面図である。
図６４は、図６３のＶ−Ｖ方向から見た断面図である。
図６５は、図６１のＶＩ−ＶＩ方向から見た断面図である。
図６６は、導電膜１７７が形成された基板の断面図である。
図６７は、導電膜１７７が形成された基板の断面図である。
図６８は、ＭｏＣｒ膜１７５とＡｌＣｕ膜１７６とがパターニングされた後の基板の一部平面図である。
図６９は、図６８のＶＩＩ−ＶＩＩ方向から見た断面図である。
図７０は、突起１１が形成された直後の基板の一部平面図である。
図７１は、ソースバス１９１等が形成された基板の一部平面図である。
図７２は、図７１のＩ−Ｉ方向から見た断面図である。
図７３は、図７１のＩＩ−ＩＩ方向から見た断面図である。
図７４は、ａ−Ｓｉ層１５３及び１６３とゲート絶縁膜１６０とが形成された基板の一部平面図である。
図７５は、図７４のＩＩＩ−ＩＩＩ方向から見た断面図である。
図７６は、図７４のＩＶ−ＩＶ方向から見た断面図である。
図７７は、導電膜１７７が形成された基板の断面図である。
図７８は、導電膜１７７が形成された基板の断面図である。
図７９は、導電膜１７７がパターニングされた後の基板の一部平面図である。
図８０は、図７９のＶ−Ｖ方向から見た断面図である。
図８１は、図７９のＶＩ−ＶＩ方向から見た断面図である。
図８２は、ＭｏＣｒ不要部２６ａ及び２６ｂがウエットエッチングされた後の基板を示す断面図である。
図８３は、ＭｏＣｒ不要部２６ａ及び２６ｂがウエットエッチングされた後の基板を示す断面図である。
図８４は、トップゲート構造を有する反射型液晶表示装置に用いられる本発明による第５実施形態のＴＦＴアレイ基板５００の一部平面図である。
図８５は、図８４のＩ−Ｉ方向から見た断面図である。
図８６は、図８４のＩＩ−ＩＩ方向から見た断面図である。
図８７は、ゲート端子６等が形成された基板の一部平面図である。
図８８は、図８７のＩＩＩ−ＩＩＩ方向から見た断面図である。
図８９は、ａ−Ｓｉ層７、ゲート絶縁膜８、ゲート電極９及びゲートバス本体部５２が形成された基板の一部平面図である。
図９０は、図８９のＩＶ−ＩＶ方向から見た断面図である。
図９１は、下地層が形成された基板の一部平面図である。
図９２は、図９１のＶ−Ｖ方向から見た断面図である。
図９３は、図９１のＶＩ−ＶＩ方向から見た断面図である。
図９４は、ゲート絶縁膜８がドライエッチングされた後の基板を示す断面図である。
図９５は、ゲート絶縁膜８がドライエッチングされた後の基板を示す断面図である。
図９６は、Ａｇ膜１３０が形成された基板の断面図である。
図９７は、Ａｇ膜１３０が形成された基板の断面図である。
図９８は、Ａｇ膜１３０をウエットエッチングした直後の基板の一部平面図である。
図９９は、図９８の基板のＶＩＩ−ＶＩＩ方向から見た断面図である。
図１００は、図９８の基板のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ方向から見た断面図である。
【発明を実施するための最良の形態】  以下、本発明の実施形態について、液晶表示装置に用いられるＴＦＴアレイ基板を製造する場合を取り上げて説明するが、本発明は、液晶表示装置に用いられるＴＦＴアレイ基板以外にも適用することができる。
［実施形態１］
図１は、トップゲート構造を有する反射型液晶表示装置に用いられる本発明の第１実施形態のＴＦＴアレイ基板２０の一部平面図、図２は、図１のＩ−Ｉ方向から見た断面図である。尚、本実施形態では、反射型の液晶表示装置について説明しているが、例えば半透過型の液晶表示装置にも適用することができる。
図１及び図２の左側はＴＦＴ及び反射電極１３等が形成される表示領域であり、図１及び図２の右側はゲート端子６が形成される周辺領域である。説明の便宜上、これら表示領域及び周辺領域は概略的に示されていることに注意されたい。
以下、図１及び図２に示すＴＦＴアレイ基板２０の製造方法について説明する。
先ずガラス基板１上に、ソース電極２、ソースバス３、ドレイン電極４、ゲートバスの端部５１及びゲート端子６を形成する（図３参照）。
図３は、ソースバス３及びゲートバスの端部５１等が形成された基板の一部平面図、図４は、図３のＩＩ−ＩＩ方向から見た断面図である。
図３に示すように、表示領域には、ソース電極２、ソースバス３及びドレイン電極４が形成されている。ソースバス３はｙ方向に延在するように形成されており、ソース電極２はこのソースバス３に繋がるように形成されている。また、周辺領域にはゲート端子６とゲートバスの端部（以下、「ゲートバス端部」という）５１とが形成されている。ゲート端子６はゲートバス端部５１に繋がるように形成されている。ゲートバス端部５１は、後述するゲートバス５の本体部５１０（図１０参照）に接続される接続部５１ａと、この接続部５１ａからゲート端子６にまで延在する延長部５１ｂとを有する。ソース電極２、ソースバス３、ドレイン電極４及びゲートバス端部５１は、ＩＴＯを含有するＩＴＯ部２５とＭｏＣｒを含有するＭｏＣｒ部２６との二層構造を有している。このような二層構造のソース電極２、ソースバス３、ドレイン電極４及びゲートバス端部５１は、基板１上にＭｏＣｒ膜／ＩＴＯ膜の二層膜を形成し、この二層膜をパターニングすることにより形成されている。このように、これらゲートバス端部５１等をＩＴＯ部２５の単層構造ではなく、ＩＴＯ部２５とＭｏＣｒ部２６との二層構造とすることによって、これらゲートバス端部５１等の抵抗を低くすることができる。ここでは、ゲートバス端部５１の接続部５１ａ及び５１ｃはＩＴＯ部２５とＭｏＣｒ部２６との二層構造を有しているが、接続部５１ａ及び５１ｃをＩＴＯ部２５のみの単層構造としてもよい。この場合、ゲートバス端部５１の接続部５１ａ及び５１ｃがＩＴＯ部２５のみの単層構造であっても、ゲートバス端部５１の延長部５１ｂをＩＴＯ部２５とＭｏＣｒ部２６との二層構造とすることによって、ゲートバス端部５１自体の抵抗値を十分に低くすることができる。ただし、十分に低い抵抗値が得られるのであれば、ゲートバス端部５１等はＩＴＯ部２５のみの単層構造であってもよい。
また、ゲート端子６はゲートバス端部５１に繋がるように形成されているが、このゲート端子６はＭｏＣｒ部２６の一部分２６ａ（図３にクロスハッチングで示されている部分）で覆われていることに注意されたい。ゲート端子６にとってこのＭｏＣｒ部２６の一部分２６ａ（以下、ＭｏＣｒ不要部２６ａと呼ぶ）は不要であり、このため、このＭｏＣｒ不要部２６ａは除去されなければならない。しかしながら、図３及び図４に示す状態においてＭｏＣｒ不要部２６ａを除去しようとすると、ＭｏＣｒ不要部２６ａを除去するための専用のフォトリソ工程が必要となり、製造工程数が増大する。そこで、製造工程数を増大させずにＴＦＴアレイ基板が製造できるように、ＭｏＣｒ不要部２６ａを直ぐに除去するのではなく、先にａ−Ｓｉ層及びゲート絶縁膜を形成する。尚、ＩＴＯ部２５とＭｏＣｒ部２６との二層体α１（図４参照）は、ゲート端部５１、ゲート端子６及びＭｏＣｒ不要部２６ａを構成している。
図５は、ａ−Ｓｉ層７及びゲート絶縁膜８が形成された基板の一部平面図、図６は、図５のＩＩＩ−ＩＩＩ方向の断面図である。
ａ−Ｓｉ層７を形成した後、ゲート絶縁膜８が形成される。このゲート絶縁膜８は、孔８ａ、８ｂ及び８ｃを有する。孔８ａはドレイン電極４を露出するための孔である。孔８ｂは、ゲートバス端部５１の接続部５１ａを露出するための孔である。孔８ｃは、ゲート端子６を覆っているＭｏＣｒ不要部２６ａを露出するための孔である。
ゲート絶縁膜８を形成した後、ゲート電極等の材料を用いて導電膜を形成する（図７参照）。
図７は、導電膜９３が形成された基板の断面図である。
ここでは、導電膜９３は、Ｃｒが添加されＭｏを主成分とする材料からなる膜（以下、ＭｏＣｒ膜と呼ぶ）９１と、Ｃｕが添加されＡｌを主成分とする材料からなる膜（以下、ＡｌＣｕ膜と呼ぶ）９２とから構成される。このようにＭｏＣｒ膜９１とＡｌＣｕ膜９２とを形成した後、これらの膜９１及び９２はリソグラフィ技術によってパターニングされる（図８参照）。
図８は、ＭｏＣｒ膜９１とＡｌＣｕ膜９２とがパターニングされた直後の基板の一部平面図、図９は、図８に示すＩＶ−ＩＶ方向の断面図である。
図８及び図９には、導電膜９３（図７参照）をパターニングするためのレジスト膜Ｒｅｓが図示されている。レジスト膜Ｒｅｓを形成した後に導電膜９３をウエットエッチングすることによって、レジスト膜Ｒｅｓの下にはゲート電極９とゲートバスの本体部（以下、「ゲートバス本体部」と呼ぶ）５１０とが形成される。また、導電膜９３（図７参照）をウエットエッチングすることによって、導電膜９３の不要な部分が除去され、この結果、ＭｏＣｒ部２６のＭｏＣｒ不要部２６ａが露出する。先に説明したように、このＭｏＣｒ不要部２６ａはゲート端子６には不要であるので、ＭｏＣｒ不要部２６ａが露出したら、レジスト膜Ｒｅｓを剥離する前に、このＭｏＣｒ不要部２６ａも一緒にウエットエッチングする（図１０参照）。
図１０は、ＭｏＣｒ不要部２６ａがウエットエッチングされた後の基板を示す断面図である。
ＭｏＣｒ不要部２６ａをウエットエッチングすることにより、ゲート端子６を露出させることができる。また、ＭｏＣｒ不要部２６ａをウエットエッチングすることによって、このＭｏＣｒ不要部２６ａと同じ材料であるゲート電極４のＭｏＣｒ部２６の一部もウエットエッチングされる。ウエットエッチングが終了した後、レジスト膜Ｒｅｓが剥離され、図１１に示す導電部所有体Ａが製造される。
尚、ここでは、ゲート端子６を露出するために、ＭｏＣｒ不要部２６ａを除去する前にゲート絶縁膜８を形成し（図５及び図６参照）、導電膜９３をウエットエッチングする工程でＭｏＣｒ不要部２６ａのウエットエッチングも一緒に行うことによって、ゲート端子６を露出させている。しかしながら、ゲート絶縁膜８を形成する前に、図４に示す二層体α１のＭｏＣｒ不要部２６ａを除去してゲート端子６を露出させておいてもよい。ただし、ゲート絶縁膜８を形成する前に、ゲート端子６を露出させる場合は、製造工程が増加するので、図３乃至図１０を参照しながら説明したように、導電膜９３をウエットエッチングする工程で、ＭｏＣｒ不要部２６ａのウエットエッチングも行うことが好ましい。
図１１に示すように、レジスト膜Ｒｅｓ２を剥離した後、反射電極を形成する前に、この反射電極に所望の反射特性を持たせるための下地層を形成する。しかしながら、この下地層を従来のやり方で形成すると以下のような問題が生じる。この問題について、図１２乃至図１６を参照しながら説明する。
図１２は、従来のやり方で形成された下地層及びその下地層の上に形成された反射電極１３が設けられた基板の断面図である。
下地層は、感光性樹脂を材料として形成された多数の突起１１と、この突起１１を覆うように形成された平坦化膜１２とから構成される。平坦化膜１２の下に多数の突起１１が存在しているため、この平坦化膜１２の表面に凹凸が設けられる。平坦化膜１２の表面にこのような凹凸を設けておくことによって、反射電極１３の表面にも凹凸を設けることができ、この結果、反射電極１３の反射特性を向上させることが可能となる。以下に、突起１１をどのようにして形成しているかについて、図１３及び図１４を参照しながら説明する。
図１３は、感光性膜が形成された基板の断面図、図１４は、図１３に示す感光性膜を現像した直後の基板の断面図である。
図１２に示す突起１１を形成するためには、先ず、ゲート電極９が形成された基板の表面に感光性樹脂を塗布し、塗布した感光性樹脂をプリベークすることによって感光性膜１１０を形成する。その後、感光性膜を突起１１に対応する部分が残るように露光及び現像する。感光性膜１１０をこのように露光及び現像することにより、断面が略矩形状の多数の突起１１０’が形成される（図１４参照）。多数の突起１１０’の形成後、この突起１１０’をポストベークすることにより、突起１１０’の材料である感光性樹脂が溶融し、断面がドーム形状の多数の突起１１（図１２参照）が形成される。しかしながら、上記のやり方で突起１１を形成しようとすると、突起１１０’が所望の寸法よりも小さくなるという問題や、ゲート端子６の抵抗値が高くなってしまうという問題が生じる。以下に、突起１１０’が所望の寸法よりも小さくなる理由を図１５を参照しながら考察し、次に、ゲート端子６の抵抗値が高くなってしまう理由を図１６を参照しながら考察する。
図１５は、図１４に示す領域Ｒ１の拡大図である。
感光性膜１１０（図１３参照）から多数の突起１１０’（図１４参照）を形成するためには、感光性膜１１０の不要な部分を除去する必要がある。この目的のため、感光性膜１１０の不要な部分は、現像工程において現像液により除去される。このように感光性膜１１０の不要な部分が現像液によって除去されると、ゲート電極９が露出し、ゲート電極９が一時的に現像液に浸された状態になる。ゲート電極９はＭｏＣｒ膜９１’及びＡｌＣｕ膜９２’から構成されているため、多量のＡｌ及びＭｏを含有している。Ａｌ及びＭｏの平衡電極電位は式（１）の関係で表される。
Ａｌ＜Ｍｏ    …（１）
ＭｏＣｒ膜９１’及びＡｌＣｕ膜９２’が現像液に接触すると、現像液は電解質溶液であることから、反応式（２）及び（３）で表される電池反応が起きると考えられる。
Ａｌ  →  Ａｌ３＋＋３ｅ−    …（２）
２ｅ−＋２Ｈ２Ｏ  →  Ｈ２＋２ＯＨ−    …（３）
Ａｌの平衡電極電位はＭｏの平衡電極電位よりも小さいため、ＡｌＣｕ膜９２’はアノードとして作用し、電子（ｅ−）を放出する反応式（２）が優先的に生じると考えられる。一方、ＭｏＣｒ膜９１’はカソードとして作用し、電子を受け取る反応式（３）が優先的に生じると考えられる。尚、反応式（３）の左辺のＨ２Ｏは現像液の主成分であるＨ２Ｏを表す。
反応式（２）の反応が起こることによって、Ａｌ３＋が発生するとともに電子（ｅ−）が発生する。発生した電子の一部は、ＡｌＣｕ膜９２’からＭｏＣｒ膜９１’を経由して現像液中のＨ２Ｏと反応し、この結果、反応式（３）に示すように、Ｈ２とともにＯＨ−が生じる。このように反応式（３）で表される反応が生じた場合、ＯＨ−が生じるため、ＭｏＣｒ膜９１’の近傍はアルカリ濃度が高くなる。このようにアルカリ濃度が高くなると、現像液が感光性膜１１０を除去するスピードは速くなるため、ＭｏＣｒ膜９１’の近傍では、感光性樹脂の除去が加速度的に進行する。この結果、ＭｏＣｒ膜９１’の近傍に位置する突起１１０’の材料が必要以上に除去され、所望の寸法より小さくなると考えられる。
また、周辺領域では、以下のような現象が生じると考えられる。
図１６は、図１４に示す領域Ｒ２の拡大図である。
感光性膜１１０を現像すると、周辺領域では、突起１１０’が形成される一方で、ゲートバス本体部５１０及びゲート端子６が露出する。従って、周辺領域側では、ゲートバス本体部５１０とゲート端子６とが一時的に現像液に浸された状態になる。ゲートバス本体部５１０はＭｏＣｒ膜９１’及びＡｌＣｕ膜９２’（図８参照）から構成されているため多量のＡｌ及びＭｏを含んでおり、一方、ゲート端子６の材料にはＩＴＯが用いられているためゲート端子６にはＩｎ２Ｏ３が含まれている。これらＡｌ、Ｍｏ及びＩｎ２Ｏ３の平衡電極電位の大きさは（４）式で表される。
Ａｌ＜Ｍｏ＜Ｉｎ２Ｏ３    …（４）
（４）式で表されるように、平衡電極電位が最も小さいのはＡｌであり、平衡電極電位が最も大きいのはＩｎ２Ｏ３である。従って、ゲートバス本体部５１０とゲート端子６とが現像液に浸された状態になることにより、反応式（５）及び（６）で表される電池反応が生じると考えられる。
Ａｌ→Ａｌ３＋＋３ｅ−    …（５）
Ｉｎ２Ｏ３＋６ｅ−＋３Ｈ２Ｏ  →  ２Ｉｎ＋６ＯＨ−    …（６）
平衡電極電位が最も小さいのはＡｌであり、平衡電極電位が最も大きいのはＩｎ２Ｏ３であるため、ＡｌＣｕ膜９２’側では反応式（５）が優先的に生じ、ＩＴＯ側（即ち、ゲート端子６側）では反応式（６）が優先的に生じると考えられる。
（５）の反応が起こることによって、Ａｌ３＋が発生するとともに電子（ｅ−）が発生する。この発生した電子の一部は、ＡｌＣｕ膜９２’からＭｏＣｒ膜９１’を経由してゲート端子６に流入する。このゲート端子６に流入したｅ−によって、ゲート端子６において、反応式（６）に示すようにＩｎ２Ｏ３からＩｎが生成される反応が生じる。このようなＩｎの生成はゲート端子６の損傷を引き起こし、この結果ゲート端子６の抵抗値が高くなると考えられる。
上記の考察から、本願発明者は、突起１１０’自体が剥離してしまう原因は反応式（２）及び（３）が起きるためであり、一方、ゲート端子６の抵抗値が高くなってしまう原因は反応式（５）及び（６）が起きるためであると考えた。そこで、第１実施形態では、反応式（２）、（３）、（５）及び（６）が起きないように、以下の様にして下地層を形成している。この下地層の形成方法について図１７乃至図２２を参照しながら説明する。
図１７は、被覆膜が形成された基板を示す断面図である。
第１実施形態では、感光性膜１１０（図１３参照）を形成する前に、被覆膜１００を形成する。この被覆膜１００は、ゲート電極９、ゲートバス本体部５１０及びゲート端子６が形成された基板１の全面を覆うように形成される。被覆膜１００を形成した後に、感光性膜１１０を形成する（図１８参照）。
図１８は、感光性膜１１０が形成された基板の断面図である。
この感光性膜１１０は、感光性樹脂を塗布し、この塗布した感光性樹脂をプリベークすることによって形成される。感光性膜１１０を形成した後、この感光性膜１１０を露光及び現像する（図１９参照）。
図１９は、感光性膜１１０が現像された後の基板の断面図である。
感光性膜１１０は、略円柱形状の多数の突起１１０’が形成されるように露光及び現像される。ゲート電極９及びゲートバス本体部５１０は被覆膜１００で覆われているため、感光性膜１１０を現像している間に、ゲート電極９及びゲートバス本体部５１０が含む金属Ｍｏ及びＡｌが現像液に浸されることが防止される。従って、反応式（２）及び（３）が起こることが確実に防止され、この結果、現像液によって突起１１０’の材料が必要以上に除去されることが確実に防止される。
また、ゲートバス本体部５１０及びゲート端子６は被覆膜１００で覆われているため、感光性膜１１０を現像している間に、ゲートバス本体部５１０に含有されるＭｏ及びＡｌ並びにゲート端子６に含有されるＩｎ２Ｏ３が現像液に浸されることが防止される。従って、反応式（５）及び（６）が起こることが確実に防止され、この結果、ゲート端子６の抵抗値が高くなってしまうことが防止される。
突起１１０’を形成した後、これらの突起１１０’をポストベークする（図２０参照）。
図２０は、突起１１０’がポストベークされた後の基板の断面図である。
突起１１０’をポストベークすることにより、突起１１０’が溶融し、略円柱形状の突起１１０’から半球形状の突起１１が形成される。尚、図２０では、ドレイン電極４及びゲート端子６は被覆膜１００で覆われているが、ドレイン電極４は後述する反射電極１３（図１参照）に電気的に接続される必要があり、一方、ゲート端子６はゲートドライバ（図示せず）に電気的に接続される必要がある。従って、ドレイン電極４及びゲート端子６が被覆膜１００で覆われたままであると、ドレイン電極４と反射電極１３との電気的接続及びゲート端子６とゲートドライバとの電気的接続を確保することができない。そこで、多数の突起１１を形成した後、ドレイン電極４及びゲート端子６を露出させるために、これらの突起１１をエッチングマスクとして、被覆膜１００をエッチングする（図２１参照）。
図２１は、被覆膜１００がエッチングされた後の基板の断面図である。
突起１１をエッチングマスクとして被覆膜１００をエッチングすることにより、突起１１の各々の下に被覆膜１００の膜片１０が残るとともにドレイン電極４及びゲート端子６が露出する。ここで、注意しておきたいことは、被覆膜１００の材料にどのような材料を選択するかということである。被覆膜１００をエッチングする場合、ドレイン電極４及びゲート端子６に被覆膜１００の残渣が残らないようにするために、通常、被覆膜１００はオーバエッチングされる。従って、例えば、被覆膜１００の材料を、この被覆膜１００の直下に存在するゲート絶縁膜８の材料と同じ材料にしてしまうと、被覆膜１００をエッチングすることによって、被覆膜１００だけでなく、エッチングされてはならないゲート絶縁膜８もエッチングされてしまい、ＴＦＴ等の信頼性が低下する恐れがある。従って、被覆膜１００の材料のエッチング速度と、ゲート絶縁膜８の材料のエッチング速度との比（エッチング選択比）は、十分大きいことが要求される。このエッチング選択比が十分大きければ、被覆膜１００をオーバエッチングしても、ゲート絶縁膜８がほとんどエッチングされないようにすることができる。例えば、ゲート絶縁膜８の材料がＳｉＮｘ又はＳｉＯ２の場合、被覆膜１００の材料は例えば酸化モリブデンクロムが好ましい。
被覆膜１００をエッチングした後、平坦化膜１２を形成する（図２２参照）。
図２２は、平坦化膜１２が形成された基板の断面図である。
この平坦化膜１２は、ドレイン電極４の一部を露出させるための孔１２ａを有する。平坦化膜１２の下には多数の突起１１が存在しているため、この平坦化膜１２の表面には、多数の突起１１の形状を反映して多数の凹凸が形成される。
下地層を形成した後、Ａｌを主成分とするＡｌ膜を形成し、このＡｌ膜をパターニングすることにより、各画素領域に反射電極１３を形成する（図１及び図２参照）。このようにしてＴＦＴアレイ基板２０が形成される。
以上説明したように、本実施形態では、感光性膜１１０を形成する前に被覆膜１００を形成しているため（図１７参照）、感光性膜１１０を現像している間、ゲート電極９、ゲートバス本体部５１０及びゲート端子６は被覆膜１００によって現像液から保護されている。従って、感光性膜１１０を現像しても、反応式（２）及び（３）並びに反応式（５）及び（６）が起こることが確実に防止され、突起１１０’（又は突起１１）の材料が必要以上に除去される問題及びゲート端子６の抵抗値が高くなるという問題を回避することができる。
尚、第１実施形態では、反応式（２）及び（３）が起きることを防止するために、被覆膜１００は、ゲート電極９（及びゲートバス本体部５１０）を構成するＭｏＣｒ膜９１’とＡｌＣｕ膜９２’との両方を覆うように形成されている。しかしながら、ＭｏＣｒ膜９１’とＡｌＣｕ膜９２’との両方を被覆膜１００で覆わなくても、ＭｏＣｒ膜９１’とＡｌＣｕ膜９２’とのうちのいずれか一方のみを覆えば、反応式（２）及び（３）が起きることを防止できることに注意されたい。但し、ＭｏＣｒ膜９１’とＡｌＣｕ膜９２’とのうちのいずれか一方のみを覆うように被覆膜１００を形成するよりも、ＭｏＣｒ膜９１’とＡｌＣｕ膜９２’との両方を覆うように被覆膜１００を形成する方が容易に行えるため、第１実施形態では、被覆膜１００を、ＭｏＣｒ膜９１’とＡｌＣｕ膜９２’との両方を覆うように形成している。
また、第１実施形態では、反応式（５）及び（６）が起きることを防止するために、被覆膜１００は、ゲートバス本体部５１０とゲート端子６との両方を覆うように形成されている。しかしながら、ゲートバス本体部５１０とゲート端子６との全てを被覆膜１００で覆わなくても、ゲートバス本体部５１０とゲート端子６とのうちのいずれか一方のみを覆えば、反応式（５）及び（６）が起きることを防止できることにも注意されたい。
更に、第１実施形態では、導電膜９３をＡｌＣｕ膜９２／ＭｏＣｒ膜９１の二層構造としているため、ゲート電極９及びゲートバス本体部５１０は、ＡｌＣｕ膜９２’／ＭｏＣｒ膜９１’の二層構造を有している。しかしながら、ゲート電極９及びゲートバス本体部５１０が、ＡｌＣｕ膜９２’／ＭｏＣｒ膜９１’の二層構造の代わりに、例えば、ＡｌＣｕ膜／ＭｏＣｒ膜／ＡｌＣｕ膜の三層構造であっても、本発明を適用することができる。このような三層構造であっても、被覆膜１００でこの三層構造の積層膜を覆うことによって、やはり、上記の反応式（２）、（３）、（５）及び（６）が起きることを防止できる。
また、第１実施形態では、ゲート端子６の材料としてＩＴＯが使用された場合について説明したが、ＩＴＯに代えて例えばＩＺＯ使用された場合でも、本発明を適用することによって、上記の反応式（２）、（３）、（５）及び（６）が起きることを防止できる。
［実施形態２］
図２３は、ボトムゲート構造を有する反射型液晶表示装置に用いられる本発明の第２実施形態のＴＦＴアレイ基板２００の一部断面図である。
以下、ＴＦＴアレイ基板２００の製造方法について説明する。
先ずガラス基板１上に、ゲート電極２０１、ゲート絶縁膜２０２、ａ−Ｓｉ層２０３及び保護膜２０４を形成する（図２４参照）。
図２４は、ゲート電極２０１、ゲート絶縁膜２０２、ａ−Ｓｉ層２０３及び保護膜２０４が形成された基板を示す断面図である。
保護膜２０４を形成した後、ソース電極等の材料を用いて導電膜を形成する。
図２５は、導電膜が形成された基板の断面図である。
ここでは、導電膜として、ＩＴＯ膜２０５とＭｏＣｒ膜２０６との二層膜が形成される。このようにＩＴＯ膜２０５とＭｏＣｒ膜２０６とを形成した後、これらの層２０５及び２０６をウエットエッチングする。
図２６は、ＩＴＯ膜２０５とＭｏＣｒ膜２０６とをウエットエッチングした後の基板の断面図である。
ＩＴＯ膜２０５とＭｏＣｒ膜２０６とを連続的にウエットエッチングすることにより、ウエットエッチングされたＩＴＯ膜２０５’とＭｏＣｒ膜２０６’とからなるソース電極２０７、ドレイン電極２０８及びソースバス（図示せず）が形成される。
このようにソース電極２０７及びドレイン電極２０８等を形成した後、反射電極２１２を形成する前に、反射電極２１２（図２３参照）の下地層を形成する。しかしながら、この下地層を従来のやり方で形成しようとすると、下地層の材料である感光性樹脂を現像している間に、ＩＴＯ膜２０５’とＭｏＣｒ膜２０６’とが現像液に浸された状態となり、以下に示すような電池反応が生じると考えられる。
Ｍｏ  →  Ｍｏ３＋＋３ｅ−・・・（７）
Ｉｎ２Ｏ３＋６Ｈ＋＋６ｅ−  →  ２Ｉｎ＋３Ｈ２Ｏ・・・（８）
Ｍｏの平衡電極電位は、Ｉｎ２Ｏ３の平衡電極電位より小さいため（式（４）参照）、ＭｏＣｒ膜２０６’側において電子を生成する反応式（７）が優先的に起こると考えられる。反応式（７）の反応が起こることによって、Ｍｏ３＋が発生するとともに電子（ｅ−）が発生する。この発生した電子の一部は、ＭｏＣｒ膜２０６’からＩＴＯ膜２０５’に到達し、ＩＴＯ膜２０５’で反応式（８）に示すような化学反応が起き、この結果Ｉｎが生成すると考えられる。このようなＩｎの発生はＩＴＯ膜２０５’の抵抗を高くし、結局ソース電極２０７及びドレイン電極２０８等を高抵抗にするという問題がある。
そこで、第２実施形態では、ソース電極２０７及びドレイン電極２０８等を形成した後、感光性樹脂を塗布する前に、第１実施形態と同様に被覆膜を形成する。
図２７は、被覆膜２０９が形成された基板を示す断面図である。
ゲート絶縁膜２０２の材料がＳｉＮｘ又はＳｉＯ２の場合、被覆膜２０９の材料として、例えば酸化モリブデンクロムが好ましい。被覆膜２０９を形成した後、図１８乃至図２０を参照しながら説明したやり方と同様のやり方で、多数の突起を形成する（図２８参照）。
図２８は、多数の突起２１０が形成された基板を示す断面図である。
多数の突起２１０を形成した後、これらの多数の突起２１０をエッチングマスクとして被覆膜２０９をエッチングする。このエッチングによって、図２３に示すように、突起２１０の下に被覆膜２０９の膜片２０９’が残る。被覆膜２０９をエッチングした後、平坦化膜２１１（図２３参照）を形成し、反射電極２１２が形成される（図２３参照）。このようにして、ＴＦＴアレイ基板２００が製造される。
第２実施形態においては、突起２１０の材料である感光性樹脂を塗布する前に、被覆膜２０９を形成しているため、突起２１０の材料である感光性樹脂を現像している間、ＭｏＣｒ膜２０６’及びＩＴＯ膜２０５’が現像液に浸されることが確実に防止される。従って、反応式（７）及び（８）で表される反応は起きず、ＩＴＯ膜２０５’が損傷を受けることが防止される。この結果、ソース電極２０７、ドレイン電極２０８及びソースバス（図示せず）を低抵抗に保持することができる。
また、第２実施形態では、反応式（７）及び（８）が起きることを防止するために、被覆膜２０９は、ソース電極２０７等を構成するＩＴＯ膜２０５’とＭｏＣｒ膜２０６’との両方を覆うように形成されている。しかしながら、ＩＴＯ膜２０５’及びＭｏＣｒ膜２０６’の両方を被覆膜２０９で覆わなくても、ＩＴＯ膜２０５’とＭｏＣｒ膜２０６’とのうちのいずれか一方のみを覆えば、反応式（７）及び（８）が起きることを防止することができることに注意されたい。但し、ＩＴＯ膜２０５’及びＭｏＣｒ膜２０６’とのうちのいずれか一方のみを覆うように被覆膜２０９を形成するよりも、ＩＴＯ膜２０５’とＭｏＣｒ膜２０６’との両方を覆うように被覆膜２０９を形成する方が容易に行えるため、第２実施形態では、被覆膜２０９を、ＩＴＯ膜２０５’とＭｏＣｒ膜２０６’との両方を覆うように形成している。
［実施形態３］
図２９は、トップゲート構造を有する反射型液晶表示装置に用いられる本発明による第３実施形態のＴＦＴアレイ基板３００の一部平面図、図３０は、図２９のＩ−Ｉ方向から見た断面図、図３１は、図２９のＩＩ−ＩＩ方向から見た断面図である。
図２９の左側はＴＦＴ及び反射電極１３等が形成される表示領域であり、右側はゲート端子６が形成される周辺領域である。説明の便宜上、これら表示領域及び周辺領域は概略的に示されていることに注意されたい。
以下、ＴＦＴアレイ基板３００の製造方法について説明する。
先ずガラス基板１上に、ソース電極２、ソースバス３、ドレイン電極４、ゲートバス端部５１、ゲート端子６及び犠牲電極６０を形成する（図３２参照）。
図３２は、ゲートバス端部５１及び犠牲電極６０等が形成された基板の一部平面図、図３３は、図３２のＩＩＩ−ＩＩＩ方向から見た断面図、図３４は、図３２のＩＶ−ＩＶ方向から見た断面図である。
図３２に示すように、表示領域には、ソース電極２、ソースバス３及びドレイン電極４が形成されている。ソースバス３はｙ方向に延在するように形成されており、ソース電極２はこのソースバス３に繋がるように形成されている。また、周辺領域には、ゲートバス端部５１、ゲート端子６及び犠牲電極６０が形成されている。ゲートバス端部５１は、後述するゲートバス本体部５１０（図４０及び図４１参照）に直に接続される接続部５１ａと、この接続部５１ａからゲート端子６にまで延在する延長部５１ｂとを有している。また、犠牲電極６０は、犠牲電極本体部６０ａと、後述するゲートバス本体部５１０に接続される犠牲電極接続部６０ｂとを有する。犠牲電極６０は、ゲート端子６よりも表示領域に近い位置に形成されている。この犠牲電極６０自体は、ＴＦＴアレイ基板３００の回路動作に寄与するものではない。しかしながら、この犠牲電極６０は、ＴＦＴアレイ基板３００の製造中にゲート端子６が損傷してしまうことを防止する作用を有する。この犠牲電極６０がＴＦＴアレイ基板３００の製造中にどのようにしてゲート端子６の損傷を防止するかについては後に詳述する。
図３３に示すように、ソース電極２、ソースバス３、ドレイン電極４、ゲートバス端部５１は、ＩＴＯを含有するＩＴＯ部２５とＭｏＣｒを含有するＭｏＣｒ部２６とからなる二層構造を有している。このように、これらゲートバス端部５１等をＩＴＯ部２５の単層構造ではなく、ＩＴＯ部２５とＭｏＣｒ部２６との二層構造とすることによって、これらゲートバス端部５１等の抵抗を低くすることができる。ここでは、ゲートバス端部５１の接続部５１ａはＩＴＯ部２５とＭｏＣｒ部２６との二層構造を有しているが、接続部５１ａをＩＴＯ部２５のみの単層構造としてもよい。この場合、ゲートバス端部５１の接続部５１ａがＩＴＯ部２５のみの単層構造であっても、ゲートバス端部５１の延長部５１ｂをＩＴＯ部２５とＭｏＣｒ部２６との二層構造とすることによって、ゲートバス端部５１自体の抵抗値を十分に低くすることができる。ただし、十分に低い抵抗値が得られるのであれば、ゲートバス端部５１等はＩＴＯ部２５のみの単層構造であってもよい。
また、図３４に示すように、犠牲電極６０は、犠牲電極接続部６０ｂのみがＩＴＯ部２５とＭｏＣｒ部２６との二層構造を有しており、犠牲電極本体部６０ａは、ＩＴＯ部２５のみから構成されている。ゲート端子６はＩＴＯ部２５のみから構成されている。
これら犠牲電極６０等を形成した後、ａ−Ｓｉ層及びゲート絶縁膜を形成する（図３５乃至図３７参照）。
図３５は、基板１上にａ−Ｓｉ層７及びゲート絶縁膜８が形成された基板の一部平面図、図３６は、図３５のＶ−Ｖ方向から見た断面図、図３７は、図３５のＶＩ−ＶＩ方向から見た断面図である。
ａ−Ｓｉ層７を形成した後、ａ−Ｓｉ層７が形成された基板１にゲート絶縁膜８が形成される。このゲート絶縁膜８は孔８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄ及び８ｅを有するようにパターニングされている。孔８ａはドレイン電極４を露出するための孔である。孔８ｂは犠牲電極接続部６０ｂを露出するための孔である。孔８ｃは犠牲電極本体部６０ａを露出するための孔である。孔８ｄはゲートバス端部５１の接続部５１ａを露出するための孔である。孔８ｅはゲート端子６を露出するための孔である。
このような孔８ａ乃至８ｅを有するゲート絶縁膜８を形成した後、ゲート電極及びゲートバス本体部の材料を用いて導電膜を形成する（図３８及び図３９参照）。
図３８及び図３９は、導電膜９３が形成された基板の断面図である。図３８は、図３６に対応する断面図であり、図３９は、図３７に対応する断面図である。
導電膜９３は、Ｍｏを主成分としＣｒが添加された材料からなるＭｏＣｒ膜９１と、Ａｌを主成分としＣｕが添加された材料からなるＡｌＣｕ膜９２とを有する。このようにＭｏＣｒ膜９１とＡｌＣｕ膜９２とを形成した後、これらの膜９１及び９２をウエットエッチングする（図４０乃至図４２参照）。
図４０は、ＭｏＣｒ膜９１とＡｌＣｕ膜９２とがウエットエッチングされた後の基板の一部平面図、図４１は、図４０のＶＩＩ−ＶＩＩ方向から見た断面図、図４２は、図４０のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ方向から見た断面図である。
ＡｌＣｕ膜９２とＭｏＣｒ膜９１とを連続的にウエットエッチングすることにより、図４１に示すように、ＭｏＣｒ膜９１’とＡｌＣｕ膜９２’との二層構造を有するゲート電極９及びゲートバス本体部５１０が形成される。ゲートバス本体部５１０は図４０に示すようにｘ方向に延在するように形成されている。このゲートバス本体部５１０の末端５１０ａは、ゲート絶縁膜８の孔８ｄ（図３６参照）を通じてゲートバス端部５１の接続部５１ａに接続されている。ゲートバス端部５１とゲートバス本体部５１０とによってゲートバス５が構成される。また、ゲートバス本体部５１０は、末端５１０ａから表示領域に向かう途中位置に、幅が広くなっている幅広部５１０ｂを有する。この幅広部５１０ｂは、ゲート絶縁膜８の孔８ｂ（図３６参照）を通じて犠牲電極接続部６０ｂに接続されている。ゲート電極９はゲートバス本体部５１０に繋がるように形成されている。
また、ＡｌＣｕ膜９２及びＭｏＣｒ膜９１をウエットエッチングすることにより、ゲート端子６及び犠牲電極本体部６０ａが露出する。
このようにしてゲート電極９及びゲートバス本体部５１０を形成した後、反射電極１３の下地層を構成する突起１１（図４３参照）を形成する。
図４３は、突起１１が形成された直後の基板の一部平面図である。尚、突起１１は白丸で示されていることに注意されたい。
突起１１は、ゲート電極９及びゲートバス本体部５１０が形成された基板に感光性膜を形成し、この感光性膜を突起１１のパターンが残るように、露光、現像及びベーキングすることによって形成される。現像工程中、感光性膜の不要な部分は現像液により除去され、この結果、感光性膜で覆われていたゲート電極９及びゲートバス本体部５１０の各々の一部が露出する。従って、ゲート電極９及びゲートバス本体部５１０は一時的に現像液に浸された状態となる。また、感光性膜の、犠牲電極本体部６０ａとゲート端子６とを覆っていた部分も、現像液により完全に除去され、この結果、犠牲電極本体部６０ａ及びゲート端子６も一時的に現像液に浸された状態となる。ゲート電極９及びゲートバス本体部５１０はＭｏＣｕ膜９１’とＡｌＣｕ膜９２’とから構成されているため、Ａｌ及びＭｏを含有している。一方、ゲート端子６及び犠牲電極本体部６０ａはＩｎ２Ｏ３を含有している。これらの金属Ａｌ、Ｍｏ及びＩｎ２Ｏ３の平衡電極電位は（４）式で表されるため、平衡電極電位が最も小さいのはＡｌであり、一方、平衡電極電位が最も大きいのはＩｎ２Ｏ３である。従って、露出したゲート電極９及びゲートバス本体部５１０等が現像液に浸されることにより、図１６の説明において参照した反応式（５）及び（６）で表される電池反応が起きると考えられる。以下に、反応式（５）及び（６）を再度示す。
Ａｌ→Ａｌ３＋＋３ｅ−    …（５）
Ｉｎ２Ｏ３＋６ｅ−＋３Ｈ２Ｏ  →  ２Ｉｎ＋６ＯＨ−    …（６）
ＡｌはＩｎ２Ｏ３よりも平衡電極電位が小さいため、ゲート電極９及びゲートバス本体部５１０のＡｌＣｕ膜９２’では電子（ｅ−）を放出する反応式（５）が優先的に起きると考えられる。ここで、ゲート電極９及びゲートバス本体部５１０を構成するＡｌＣｕ膜９２’を、図４３に示すように、ゲート端子６の近傍部分Ａ、犠牲電極６０の近傍部分Ｂ、及び表示領域の部分Ｃの３つの部分に分け、各部分Ａ，Ｂ及びＣで生成する電子の挙動について以下に考察する。
部分Ａはゲート端子６と犠牲電極６０との間に形成されているため、この部分Ａで生じる電子は、ゲート端子６及び犠牲電極６０に流入すると考えられる。一方、部分Ｂ及びＣで生じた電子の大部分は、ゲート端子６に向かって流れるが、このゲート端子６に向かう途中位置には、このゲート端子６と同じ材料で形成された犠牲電極６０が形成されている。従って、部分Ｂ及びＣで生じた電子の大部分は、ゲート端子６に流入する前に、ゲートバス本体部５１０の幅広部５１０ｂを経由して犠牲電極６０に流入すると考えられる。つまり、部分Ｂ及びＣで生じた電子の大部分は犠牲電極６０に流入し、ゲート端子６に流入する電子はわずかであると考えられる。また、部分Ａ内のＡｌＣｕ膜９２’の長さは、部分Ｃ内のＡｌＣｕ膜９２’の長さに比べて十分に長い。従って、反応式（５）によって部分Ａで生じる電子の数は、部分Ｃで生じる電子の数よりも十分に多いと考えることができる。上記のことから、部分Ａ、Ｂ及びＣの全体で生じる電子の大部分は、犠牲電極６０に流入すると考えることができる。従って、犠牲電極６０では反応式（６）は起きやすいが、ゲート端子６では反応式（６）は起きにくく、その結果、犠牲電極６０は大きな損傷を受けるが、一方、ゲート端子６では損傷を受けにくいと考えられる。
このように、第３実施形態では、感光性膜を現像したときに、ゲート端子６だけでなく犠牲電極本体部６０ａも露出させているが、ここで、ゲート端子６のみが露出し、犠牲電極本体部６０ａは露出しないと仮定してみる。この場合、犠牲電極本体部６０ａは現像液に接触しないため、反応式（６）は、ゲート端子６で集中して起き、その結果、ゲート端子６は多大な損傷を受けることが考えられる。
しかしながら、上記のように、第３実施形態では、ゲート端子６だけでなく犠牲電極本体部６０ａも露出するため、犠牲電極６０がゲート端子６の犠牲となって損傷を受ける。この犠牲電極６０自体はＴＦＴアレイ基板３００の動作には全く関与しない電極である。従って、犠牲電極６０が損傷を受けてもＴＦＴアレイ基板３００の動作には影響がない。また、犠牲電極６０がゲート端子６の犠牲となって損傷を受けるため、ゲート端子６はほとんど損傷を受けず、ゲート端子６の抵抗値は低く保持される。従って、犠牲電極６０を形成しておくことによって、ＴＦＴアレイ基板３００の動作に影響を与えずにゲート端子６の抵抗値を低く保持することができる。尚、犠牲電極６０の犠牲電極本体部６０ａの面積が小さすぎると、犠牲電極６０は、ゲート端子６を電池反応から保護する機能を十分に発揮することができないので、犠牲電極６０の犠牲電極本体部６０ａの面積は、広いことが好ましい。
上記の説明では、犠牲電極６０の働きによって、ＡｌＣｕ膜９２’とゲート端子６（Ｉｎ２Ｏ３）との間の電池反応が起きにくくなることについて記載したが、ここで、犠牲電極６０が、ＡｌＣｕ膜９２’とＭｏＣｕ膜９１’との間の電池反応に与える影響についても考察してみる。ＡｌＣｕ膜９２’とＭｏＣｕ膜９１’との間では、反応式（２）及び（３）（ＡｌとＭｏとの間の電池反応）が起こると考えられる。しかしながら、式（４）に表したように、Ｍｏの平衡電極電位は、Ｉｎ２Ｏ３の平衡電極電位よりも小さい値を有する。従って、ＡｌＣｕ膜９２’とＭｏＣｕ膜９１’との間の電池反応（反応式（２）及び（３））は、ＡｌＣｕ膜９２’と犠牲電極６０（Ｉｎ２Ｏ３）との間の電池反応（反応式（５）及び（６））よりも起きにくい。つまり、ＭｏＣｒ膜９１’及びＡｌＣｕ膜９２’が犠牲電極６０に電気的に接続されていることによって、ＭｏＣｒ膜９１’とＡｌＣｕ膜９２’との間の反応式（２）及び（３）は生じにくくなっている。従って、反応式（２）及び（３）が原因で突起１１の材料が必要以上に除去されるという現象を生じにくくすることもできる。
図４３に示すように突起１１を形成した後、平坦化膜１２を形成する（図２９乃至図３１参照）。このようにして、突起１１及び平坦化膜１２からなる下地層が形成される。下地層を形成した後、反射電極１３（図２９乃至図３１参照）が形成される。このようにして、ＴＦＴアレイ基板３００が製造される。
第３実施形態では、ＴＦＴアレイ基板３００の回路動作に全く寄与しない犠牲電極６０をゲートバス本体部５１０に接続することにより、犠牲電極６０がゲート端子６の犠牲となって反応式（６）による損傷を受ける。従って、ゲート端子６が損傷を受けることを効率よく防止でき、ゲート端子６を低抵抗に保持することが可能となる。
尚、上記の例では、突起１１を形成する前に犠牲電極６０の犠牲電極本体部６０ａを露出させることができるようにするため、図３２乃至図４２を参照しながら説明した手順で、犠牲電極６０の犠牲電極本体部６０ａが露出した基板を製造している。しかしながら、別のやり方でも突起１１を形成する前に犠牲電極６０の犠牲電極本体部６０ａを露出させることができる。以下に、この別のやり方の一例について、図４４乃至図５６を参照しながら説明する。
図４４は、ゲートバス端部５１等が形成された基板の一部平面図、図４５は、図４４のＩ−Ｉ方向から見た断面図、図４６は、図４４のＩＩ−ＩＩ方向から見た断面図である。
図４４に示すように、表示領域には、ソース電極２、ソースバス３及びドレイン電極４が形成されている。ソースバス３はｙ方向に延在するように形成されており、ソース電極２はこのソースバス３に繋がるように形成されている。また、周辺領域には、ゲートバス端部５１、ゲート端子６及び犠牲電極６０が形成されている。これらソースバス３及びゲートバス端部５１等は、基板１にＩＴＯ膜／ＭｏＣｒ膜の二層膜を形成し、このＩＴＯ膜とＭｏＣｒ膜とを同一形状にパターニングすることにより形成されている。このため、ゲート端子６はＭｏＣｒ部２６の一部分２６ａ（図４４にクロスハッチングで示されている部分）で覆われ、犠牲電極本体部６０ａはＭｏＣｒ部２６の一部分２６ｂ（図４４にクロスハッチングで示されている部分）で覆われている。しかしながら、ゲート端子６及び犠牲電極本体部６０ａにとってＭｏＣｒ部２６の一部分２６ａ及び２６ｂは不要であり、このため、ＭｏＣｒ部２６の一部分２６ａ（以下、「ＭｏＣｒ不要部２６ａ」と呼ぶ）及び２６ｂ（以下、「ＭｏＣｒ不要部２６ｂ」と呼ぶ）は、除去しなければならない。しかしながら、図４４乃至図４６に示す状態においてＭｏＣｒ不要部２６ａ及び２６ｂを除去しようとすると、ＭｏＣｒ不要部２６ａ及び２６ｂを除去するための専用のフォトリソ工程が必要となり、製造工程数が増大する。そこで、製造工程数を増大させずにＴＦＴアレイ基板が製造できるように、ＭｏＣｒ不要部２６ａ及び２６ｂを直ぐに除去するのではなく、先にａ−Ｓｉ層及びゲート絶縁膜を形成する。
尚、ＩＴＯ部２５とＭｏＣｒ部２６との二層体α３（図４５参照）は、ゲート端部５１、ゲート端子６及びＭｏＣｒ不要部２６ａを構成している。また、ＩＴＯ部２５とＭｏＣｒ部２６との二層体β１（図４６参照）は、犠牲電極６０及びＭｏＣｒ不要部２６ｂを構成している。
図４７は、ａ−Ｓｉ膜７及び絶縁膜８が形成された基板の一部平面図、図４８は、図４７のＩＩＩ−ＩＩＩ方向から見た断面図、図４９は、図４７のＩＶ−ＩＶ方向から見た断面図である。
ａ−Ｓｉ層７を形成した後、ａ−Ｓｉ層７が形成された基板１の表面を覆うようにゲート絶縁膜８が形成される。このゲート絶縁膜８は孔８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄ及び８ｅを有する。孔８ａはドレイン電極４を露出するための孔である。孔８ｂは犠牲電極接続部６０ｂを露出するための孔である。孔８ｃは犠牲電極本体部６０ａを覆うＭｏＣｒ不要部２６ｂを露出するための孔である。孔８ｄはゲートバス端部５１の接続部５１ａを露出するための孔である。孔８ｅはゲート端子６を覆うＭｏＣｒ不要部２６ａを露出するための孔である。
このような孔８ａ乃至８ｅを有するゲート絶縁膜８を形成した後、ゲート電極及びゲートバス本体部を形成するために、図３８及び図３９に示したような導電膜９３を形成する（図５０及び図５１参照）。
図５０及び図５１は、導電膜９３が形成された基板の断面図である。図５０は、図４８に対応する断面図であり、図５１は、図４９に対応する断面図である。
導電膜９３は、ＭｏＣｒ膜９１とＡｌＣｕ膜９２との二層構造を有する。このようにＡｌＣｕ膜９２／ＭｏＣｒ膜９１の導電膜９３を形成した後、この導電膜９３をフォトリソグラフィ技術を用いてパターニングする（図５２乃至図５４参照）。
図５２は、導電膜９３がパターニングされた後の基板の一部平面図、図５３は、図５２のＶ−Ｖ方向から見た断面図、図５４は、図５２のＶＩ−ＶＩ方向から見た断面図である。
導電膜９３はウエットエッチングされ、レジスト膜Ｒｅｓで覆われている導電膜９３の部分は除去されずに残るが、レジスト膜Ｒｅｓで覆われていない導電膜９３の部分は除去される。この結果、レジスト膜Ｒｅｓの下にはゲート電極９及びゲートバス本体部５１０が形成されるとともに、ＭｏＣｒ不要部２６ａ及び２６ｂが露出する。ここで、ゲート端子６はＭｏＣｒ不要部２６ａで覆われており、犠牲電極本体部６０ａはＭｏＣｒ不要部２６ｂで覆われていることに注意されたい。ゲート端子６にとってこのＭｏＣｒ不要部２６ａは不要であるため、このＭｏＣｒ不要部２６ａは除去される必要がある。一方、犠牲電極６０がゲート端子６の損傷を抑制するように機能するには図４３を参照しながら説明したように犠牲電極本体部６０ａは露出している必要があるため、ＭｏＣｒ不要部２６ｂも除去される必要がある。そこで、導電膜９３をウエットエッチングした後、ＭｏＣｒ不要部２６ａ及び２６ｂもウエットエッチングする（図５５及び図５６参照）。
図５５及び図５６は、ＭｏＣｒ不要部２６ａ及び２６ｂがウエットエッチングされた後の基板を示す断面図である。図５５は、図５３に対応する断面図であり、図５６は、図５４に対応する断面図である。
導電膜９３のＭｏＣｒ膜９１をエッチングした後、ＭｏＣｒ不要部２６ａ及び２６ｂもエッチングすることによって、ＭｏＣｒ不要部２６ａ及び２６ｂが除去され、ゲート端子６及び犠牲電極本体部６０ａが表面に露出した導電部所有体Ｄが製造される。ＭｏＣｒ不要部２６ａ及び２６ｂを上記のようにしてエッチングすることにより、このＭｏＣｒ不要部２６ａ及び２６ｂを除去するための専用のフォトリソグラフィ工程を行わなくてもゲート端子６及び犠牲電極本体部６０ａを露出させることができる。ＭｏＣｒ不要部２６ａ及び２６ｂを除去した後、レジスト膜Ｒｅｓを剥離する。
レジスト膜Ｒｅｓの剥離後、下地層及び反射電極が形成される。
この例では、導電膜９３をエッチングした直後（即ち、ゲート電極９及びゲートバス本体部５１０が形成された直後）では、犠牲電極本体部６０ａはまだＭｏＣｒ不要部２６ｂで覆われている（図５２参照）が、このＭｏＣｒ不要部２６ｂは、導電膜９３のエッチングに続いて連続的にエッチングされる。従って、下地層の突起１１を形成する前に、犠牲電極本体部６０ａを露出させることができ、ゲート端子６が損傷を受けにくくなるようにすることができる。
また、第３実施形態では、ゲート端子６の材料としてＩＴＯが使用された場合について説明したが、ＩＴＯに代えて例えばＩＺＯ使用された場合でも、本発明を適用することによって、突起１１の材料が必要以上に除去されるという現象を生じにくし、更にゲート端子６が損傷を受けにくくなるようにすることができる。
［実施形態４］
図５７は、トップゲート構造を有する反射型液晶表示装置に用いられる本発明による第４実施形態のＴＦＴアレイ基板４００の一部平面図、図５８は、図５７のＩ−Ｉ方向から見た断面図、図５９は、図５７のＩＩ−ＩＩ方向から見た断面図である。
図５７の左側はＴＦＴ及び反射電極等が形成される表示領域であり、右側は、ＥＳＤトランジスタ及びソース端子１８１等が形成される周辺領域である。このＥＳＤトランジスタは、表示領域内の各画素毎に設けられるＴＦＴトランジスタの静電破壊を防止するためのものである。説明の便宜上、これら表示領域及び周辺領域は概略的に示されていることに注意されたい。
以下、ＴＦＴアレイ基板４００の製造方法について説明する。
先ずガラス基板１上に、ソースバス犠牲電極等を形成する（図６０参照）。
図６０は、ソースバス１９１及び犠牲電極１７１等が形成された基板の一部平面図、図６１は、図６０のＩＩＩ−ＩＩＩ方向から見た断面図、図６２は、図６０のＩＶ−ＩＶ方向から見た断面図である。
基板１の表示領域内には、ＴＦＴトランジスタのソース電極１５１及びドレイン電極１５２が形成されている。周辺領域には、ＥＳＤトランジスタのソース電極１６１及びドレイン電極１６２と、犠牲電極１７１と、ソース端子１８１とが形成されている。更に、表示領域から周辺領域に渡ってソースバス１９１が、ｘ方向に延在するように形成されている。ＴＦＴトランジスタのソース電極１５１、ＥＳＤトランジスタのソース電極１６１、犠牲電極１７１及びソース端子１８１は、ソースバス１９１に繋がるように形成されている。犠牲電極１７１は犠牲電極本体部１７１ａと犠牲電極接続部１７１ｂとを有しており、犠牲電極本体部１７１ａは犠牲電極接続部１７１ｂを通じてソースバス１９１に接続されている。
ＴＦＴトランジスタのソース電極１５１及びドレイン電極、ＥＳＤトランジスタのソース電極１６１及びドレイン電極１６２、並びにソースバス１９１は、ＩＴＯ部２５とＭｏＣｒ部２６とからなる二層構造を有している。このように、これらソースバス１９１等をＩＴＯ部２５の単層構造ではなく、ＩＴＯ部２５とＭｏＣｒ部２６との二層構造とすることによって、これらソースバス１９１等の抵抗を低くすることができる。犠牲電極１７１は、犠牲電極接続部１７１ｂのみがＩＴＯ部２５とＭｏＣｒ部２６とからなる二層構造を有しており、犠牲電極本体部１７１ａは、ＩＴＯ部２５のみから構成されている。ソース端子１８１はＩＴＯ部２５のみから構成されている。尚、ＩＴＯ部２５とＭｏＣｒ部２６との二層体α４（図６１参照）は、ソースバス１９１、ソース端子１８１及び犠牲電極１７１を構成している。
このような犠牲電極１７１等は、基板１上にＭｏＣｒ膜／ＩＴＯ膜の二層膜を形成し、この二層膜を、図６０乃至図６２に示す形状にパターニングすることにより形成することができる。
犠牲電極１７１等を形成した後、ａ−Ｓｉ層及びゲート絶縁膜を形成する（図６３乃至図６５参照）。
図６３は、ガラス基板１上にａ−Ｓｉ層１５３及び１６３とゲート絶縁膜１６０とが形成された基板の一部平面図、図６４は、図６３のＶ−Ｖ方向から見た断面図、図６５は図６１のＶＩ−ＶＩ方向から見た断面図である。
表示領域には、ＴＦＴトランジスタのソース電極１５１とドレイン電極１５２との間にａ−Ｓｉ層１５３が形成され、周辺領域には、ＥＳＤトランジスタのソース電極１６１とドレイン電極１６２との間にａ−Ｓｉ層１６３が形成される。このようにａ−Ｓｉ層１５３及び１６３を形成した後、ａ−Ｓｉ層１５３及び１６３が形成された基板１にゲート絶縁膜１６０が形成される。このゲート絶縁膜１６０は孔１６０ａ、１６０ｂ、１６０ｃ、１６０ｄ及び１６０ｅを有するようにパターニングされている。孔１６０ａはドレイン電極１５２を露出するための孔である。孔１６０ｂはＥＳＤトランジスタのドレイン電極１６２を露出するための孔である。孔１６０ｃはソースバス１９１を露出するための孔である。孔１６０ｄは犠牲電極本体部１７１ａを露出するための孔である。孔１６０ｅはソース端子１８１を露出するための孔である。
このような孔１６０ａ、１６０ｂ、１６０ｃ、１６０ｄ及び１６０ｅを有するゲート絶縁膜１６０を形成した後、ゲートバス及びＥＳＤ配線等の材料を用いて導電膜を形成する（図６６及び図６７参照）。
図６６及び図６７は、導電膜１７７が形成された基板の断面図である。図６６は、図６４に対応する断面図であり、図６７は、図６５に対応する断面図である。
導電膜１７７は、Ｍｏを主成分としＣｒが添加された材料からなるＭｏＣｒ膜１７５と、Ａｌを主成分としＣｕが添加された材料からなるＡｌＣｕ膜１７６とを有する。このようにＭｏＣｒ膜１７５とＡｌＣｕ膜１７６とを形成した後、これらの膜１７５及び１７６をパターニングしてゲートバス等を形成する（図６８及び図６９参照）。
図６８は、ＭｏＣｒ膜１７５とＡｌＣｕ膜１７６とがパターニングされた後の基板の一部平面図、図６９は、図６８のＶＩＩ−ＶＩＩ方向から見た断面図である。
ＡｌＣｕ膜１７６及びＭｏＣｒ膜１７５はウエットエッチングされ、これによって、表示領域にはＴＦＴトランジスタのゲート電極（以下、「ＴＦＴゲート電極」と呼ぶ）１５４及びゲートバス１５５が形成され、周辺領域には、ＥＳＤトランジスタのゲート電極（以下、単に「ＥＳＤゲート電極」と呼ぶ）１６４及びＥＳＤ配線１６５が形成される。これらＴＦＴゲート電極１５４、ゲートバス１５５、ＥＳＤゲート電極１６４及びＥＳＤ配線１６５は、エッチングされたＭｏＣｒ膜１７５’とＡｌＣｕ膜１７６’とからなる二層構造を有する（図６９参照）。ゲートバス１５５は、図６８に示すように、ｙ方向に延在するように形成されており、ゲート電極１５４はこのゲートバス１５５に繋がるように形成されている。ＥＳＤゲート電極１６４は、ゲート絶縁膜１６０の孔１６０ｃ（図６４参照）を通じてソースバス１９１に接続されている。ＥＳＤ配線１６５は、ゲート絶縁膜１６０の孔１６０ｂ（図６４参照）を通じてＥＳＤトランジスタのドレイン電極１６２に接続されている。
また、ＡｌＣｕ膜１７６及びＭｏＣｒ膜１７５がウエットエッチングされることにより、ソース端子１８１及び犠牲電極本体部１７１ａが露出する。
このようにＥＳＤゲート電極１６４等を形成した後、反射電極に所望の反射特性を持たせるための下地層を構成する突起（図７０参照）を形成する。
図７０は、突起１１が形成された直後の基板の一部平面図である。尚、突起１１は白丸で示されていることに注意されたい。
突起１１は、ＥＳＤゲート電極１６４が形成された基板に感光性膜を形成し、この感光性膜を突起１１のパターンが残るように、露光、現像及びベーキングすることによって形成される。現像工程中、感光性膜の不要な部分は現像液により除去され、この結果、感光性膜で覆われていたＴＦＴゲート電極１５４、ゲートバス１５５、ＥＳＤゲート電極１６４及びＥＳＤ配線１６５の各々の一部が露出する。従って、ＴＦＴゲード電極１５４、ゲートバス１５５、ＥＳＤゲート電極１６４及びＥＳＤ配線１６５は、一時的に現像液に浸された状態となる。また、ソース端子１８１及び犠牲電極本体部１７１ａを覆っていた感光性膜の部分は現像液により完全に除去されるため、ソース端子１８１及び犠牲電極本体部１７１ａも一時的に現像液に浸された状態となる。ＴＦＴゲート電極１５４、ゲートバス１５５及びＥＳＤ配線１６５はソース端子１８１に接続されていないが、ＥＳＤゲート電極１６４はソースバス１９１を通じてソース端子１８１に接続されている。このＥＳＤゲート電極１６４は、ＭｏＣｕ膜１７５’とＡｌＣｕ膜１７６’とから構成されているため（図６９参照）、Ａｌ及びＭｏを含有している。また、このＥＳＤゲート電極１６４に電気的に接続されているソース端子１８１はＩｎ２Ｏ３を含有している。これらのＡｌ、Ｍｏ及びＩｎ２Ｏ３の平衡電極電位は（４）式で表されるため、平衡電極電位が最も小さいのはＡｌであり、一方、平衡電極電位が最も大きいのはＩｎ２Ｏ３である。従って、露出したＥＳＤゲート電極１６４及びソース端子１８１が一時的に現像液に浸されることにより、図１６の説明において参照した反応式（５）及び（６）で表される電池反応が起きると考えられる。以下に、反応式（５）及び（６）を再度示す。
Ａｌ→Ａｌ３＋＋３ｅ−    …（５）
Ｉｎ２Ｏ３＋６ｅ−＋３Ｈ２Ｏ  →  ２Ｉｎ＋６ＯＨ−    …（６）
ＡｌはＩｎ２Ｏ３よりも平衡電極電位が小さいため、ＥＳＤゲート電極１６４を構成するＡｌＣｕ膜１７６’では、電子（ｅ−）が発生する反応式（５）が優先的に起きると考えられる。この発生した電子の大部分はソースバス１９１を経由してソース端子１８１に向かって流れるが、このソース端子１８１に向かう途中位置には、ソース端子１８１と同じ材料で形成された犠牲電極１７１が形成されている。従って、電子の大部分はソース端子１８１に流入せずに犠牲電極１７１に流入し、この結果、犠牲電極１７１は反応式（６）が原因となって大きな損傷を受けるが、ソース端子１８１では損傷を受けにくいと考えられる。
このように、第４実施形態では、ソース端子１８１だけでなく犠牲電極本体部１７１ａも露出するため、犠牲電極１７１がソース端子１８１の犠牲となって損傷を受ける。しかしながら、この犠牲電極１７１自体はＴＦＴアレイ基板４００の動作には全く関与しない電極である。従って、犠牲電極１７１が損傷を受けてもＴＦＴアレイ基板４００の動作には影響がない。また、犠牲電極１７１がソース端子１８１の犠牲となって損傷を受けるため、ソース端子１８１は損傷を受けにくく、ソース端子１８１の抵抗値は低く保持される。従って、犠牲電極１７１を形成しておくことによって、ＴＦＴアレイ基板４００の動作に影響を与えずにソース端子１８１の抵抗値を低く保持することができる。
上記の説明では、犠牲電極１７１の働きによって、ＥＳＤゲート電極１６４のＡｌＣｕ膜１７６’とソース端子１８１（Ｉｎ２Ｏ３）との間の電池反応が起きにくくなることについて記載したが、ここで、犠牲電極１７１が、ＥＳＤゲート電極１６４のＡｌＣｕ膜１７６’とＭｏＣｕ膜１７５’との間の電池反応に与える影響についても考察してみる。ＡｌＣｕ膜１７６’とＭｏＣｕ膜１７５’との間では、反応式（２）及び（３）（ＡｌとＭｏとの間の電池反応）が起こると考えられる。しかしながら、式（４）に表したように、Ｍｏの平衡電極電位は、Ｉｎ２Ｏ３の平衡電極電位よりも小さい値を有する。従って、ＡｌＣｕ膜１７６’とＭｏＣｕ膜１７５’との間の電池反応（反応式（２）及び（３））は、ＡｌＣｕ膜１７６’と犠牲電極１７１（Ｉｎ２Ｏ３）との間の電池反応（反応式（５）及び（６））よりも起きにくい。つまり、ＭｏＣｒ膜１７５’及びＡｌＣｕ膜１７６’が犠牲電極１７１に電気的に接続されていることによって、ＭｏＣｒ膜１７５’とＡｌＣｕ膜１７６’との間の反応式（２）及び（３）は生じにくくなっている。従って、反応式（２）及び（３）が原因で突起１１の材料が必要以上に除去されるという現象を生じにくくすることもできる。
図７０に示すように突起１１を形成した後、平坦化膜１２（図５７、図５８及び図５９参照）を形成する。このようにして、突起１１及び平坦化膜１２からなる下地層が形成される。下地層を形成した後、反射電極１３（図５７、図５８及び図５９参照）が形成される。このようにして、ＴＦＴアレイ基板４００が製造される。
第４実施形態では、ＴＦＴアレイ基板４００の回路動作に全く寄与しない犠牲電極１７１を、ソースバス１９１を通じてＥＳＤゲート電極１６４に電気的に接続することにより、犠牲電極１７１がソース端子１８１の犠牲となって反応式（６）による損傷を受ける。従って、ソース端子１８１が損傷を受けることを効率よく防止でき、ソース端子１８１を低抵抗に保持することが可能となる。
尚、上記の例では、突起１１を形成する前に犠牲電極１７１の犠牲電極本体部１７１ａを露出させることができるようにするため、図６０乃至図６９を参照しながら説明した手順で、犠牲電極１７１の犠牲電極本体部１７１ａが露出した基板を製造している。しかしながら、別のやり方でも突起１１を形成する前に犠牲電極１７１の犠牲電極本体部１７１ａを露出させることができる。以下に、この別のやり方の一例について、図７１乃至図５６を参照しながら説明する。
図７１は、ソースバス１９１等が形成された基板の一部平面図、図７２は、図７１のＩ−Ｉ方向から見た断面図、図７３は、図７１のＩＩ−ＩＩ方向から見た断面図である。
基板１の表示領域内には、ＴＦＴトランジスタのソース電極１５１及びドレイン電極１５２が形成されている。周辺領域には、ＥＳＤトランジスタのソース電極１６１及びドレイン電極１６２と、犠牲電極１７１と、ソース端子１８１とが形成されている。また、表示領域から周辺領域に渡ってソースバス１９１が形成されている。これらソースバス１９１等は、基板１にＩＴＯ膜／ＭｏＣｒ膜の二層膜を形成し、このＩＴＯ膜とＭｏＣｒ膜とを同一形状にパターニングすることにより形成されている。このため、ソース端子１８１はＭｏＣｒ部２６の一部分２６ａ（図７１にクロスハッチングで示されている部分）で覆われ、犠牲電極本体部１７１ａはＭｏＣｒ部２６の一部分２６ｂ（図７１にクロスハッチングで示されている部分）で覆われている。しかしながら、ソース端子１８１及び犠牲電極本体部１７１ａにとってＭｏＣｒ部２６の一部分２６ａ及び２６ｂは不要であり、このため、ＭｏＣｒ部２６の一部分２６ａ（以下、「ＭｏＣｒ不要部２６ａ」と呼ぶ）及び２６ｂ（以下、「ＭｏＣｒ不要部２６ｂ」と呼ぶ）は、除去しなければならない。しかしながら、図７１乃至図７３に示す状態においてＭｏＣｒ不要部２６ａ及び２６ｂを除去しようとすると、ＭｏＣｒ不要部２６ａ及び２６ｂを除去するための専用のフォトリソ工程が必要となり、製造工程数が増大する。そこで、製造工程数を増大させずにＴＦＴアレイ基板が製造できるように、ＭｏＣｒ不要部２６ａ及び２６ｂを直ぐに除去するのではなく、先にａ−Ｓｉ層及びゲート絶縁膜を形成する（図７４乃至図８３参照）。尚、ＩＴＯ部２５とＭｏＣｒ部２６との二層体α５（図７２参照）は、ソースバス１９１、ソース端子１８１、犠牲電極１７１、ＭｏＣｒ不要部２６ａ及び２６ｂを構成している。
図７４は、ａ−Ｓｉ層１５３及び１６３とゲート絶縁膜１６０とが形成された基板の一部平面図、図７５は、図７４のＩＩＩ−ＩＩＩ方向から見た断面図、図７６は、図７４のＩＶ−ＩＶ方向から見た断面図である。
表示領域には、ＴＦＴトランジスタのソース電極１５１とドレイン電極１５２との間にａ−Ｓｉ層１５３が形成され、周辺領域には、ＥＳＤトランジスタのソース電極１６１とドレイン電極１６２との間にａ−Ｓｉ層１６３が形成される。このようにａ−Ｓｉ層１５３及び１６３を形成した後、ａ−Ｓｉ層１５３及び１６３が形成された基板１にゲート絶縁膜１６０が形成される。このゲート絶縁膜１６０は孔１６０ａ、１６０ｂ、１６０ｃ、１６０ｄ及び１６０ｅを有するようにパターニングされている。孔１６０ａはドレイン電極１５２を露出するための孔である。孔１６０ｂはＥＳＤトランジスタのドレイン電極１６２を露出するための孔である。孔１６０ｃはソースバス１９１を露出するための孔である。孔１６０ｄは犠牲電極本体部１７１ａを覆っているＭｏＣｒ不要部２６ｂを露出するための孔である。孔１６０ｅはソース端子１８１を覆っているＭｏＣｒ不要部２６ａを露出するための孔である。
このような孔１６０ａ、１６０ｂ、１６０ｃ、１６０ｄ及び１６０ｅを有するゲート絶縁膜１６０を形成した後、ゲートバス等の材料を用いて導電膜を形成する（図７７及び図７８参照）。
図７７及び図７８は、導電膜１７７が形成された基板の断面図である。図７７は、図７５に対応する断面図であり、図７８は、図７６に対応する断面図である。
導電膜１７７は、ＭｏＣｒ膜１７５とＡｌＣｕ膜１７６との二層構造を有する。このようにＡｌＣｕ膜１７６／ＭｏＣｒ膜１７５の導電膜１７７を形成した後、この導電膜１７７をフォトリソグラフィ技術を用いてパターニングする（図７９乃至図８１参照）。
図７９は、導電膜１７７がパターニングされた後の基板の一部平面図、図８０は、図７９のＶ−Ｖ方向から見た断面図、図８１は、図７９のＶＩ−ＶＩ方向から見た断面図である。
導電膜１７７はウエットエッチングされ、レジスト膜Ｒｅｓで覆われている導電膜１７７の部分は除去されずに残るが、レジスト膜Ｒｅｓで覆われていない導電膜１７７の部分は除去される。この結果、レジスト膜Ｒｅｓの下にはＴＦＴゲート電極１５４、ゲートバス１５５、ＥＳＤ配線１６５、ＥＳＤゲート電極１６４が形成されるとともに、ＭｏＣｒ不要部２６ａ及び２６ｂが露出する。ここで、ソース端子１８１はＭｏＣｒ不要部２６ａで覆われており、犠牲電極本体部１７１ａはＭｏＣｒ不要部２６ｂで覆われていることに注意されたい。ソース端子１８１にとってこのＭｏＣｒ不要部２６ａは不要であるため、このＭｏＣｒ不要部２６ａは除去される必要がある。一方、犠牲電極１７１がソース端子１８１の損傷を抑制するように機能するには図７０を参照しながら説明したように犠牲電極本体部１７１ａは露出している必要があるため、ＭｏＣｒ不要部２６ｂも除去される必要がある。そこで、導電膜１７７をウエットエッチングした後、ＭｏＣｒ不要部２６ａ及び２６ｂもウエットエッチングする（図８２及び図８３参照）。
図８２及び図８３は、ＭｏＣｒ不要部２６ａ及び２６ｂがウエットエッチングされた後の基板を示す断面図である。図８２は、図８０に対応する断面図であり、図８３は、図８１に対応する断面図である。
導電膜１７７のＭｏＣｒ膜１７５をエッチングした後、ＭｏＣｒ不要部２６ａ及び２６ｂもエッチングすることによって、ＭｏＣｒ不要部２６ａ及び２６ｂが除去され、ソース端子１８１及び犠牲電極本体部１７１ａが露出した導電部所有体Ｆが製造される。ＭｏＣｒ不要部２６ａ及び２６ｂを上記のようにエッチングすることによって、このＭｏＣｒ不要部２６ａ及び２６ｂを除去するための専用のフォトリソグラフィ工程を行わなくてもソース端子１８１及び犠牲電極本体部１７１ａを露出させることができる。ＭｏＣｒ不要部２６ａ及び２６ｂを除去した後、レジスト膜Ｒｅｓが剥離される。
レジスト膜Ｒｅｓの剥離後、下地層及び反射電極が形成される。
この例では、導電膜１７７をエッチングした直後（即ち、ＥＳＤゲート電極１６４等が形成された直後）では、犠牲電極本体部１７１ａはまだＭｏＣｒ不要部２６ｂで覆われている（図８１参照）が、このＭｏＣｒ不要部２６ｂは、導電膜１７７のエッチングに続いて連続的にエッチングされる。従って、下地層の突起１１を形成する前に、犠牲電極本体部１７１ａを露出させることができ、ソース端子１８１の損傷を抑制することができる。
また、第４実施形態では、ソース端子１８１の材料としてＩＴＯが使用された場合について説明したが、ＩＴＯに代えて例えばＩＺＯ使用された場合でも、本発明を適用することによって、突起１１の材料が必要以上に除去されるという現象を生じにくし、更にソース端子１８１が損傷を受けにくくなるようにすることができる。
［実施形態５］
図８４は、トップゲート構造を有する反射型液晶表示装置に用いられる本発明による第５実施形態のＴＦＴアレイ基板５００の一部平面図、図８５は、図８４のＩ−Ｉ方向から見た断面図、図８６は、図８４のＩＩ−ＩＩ方向から見た断面図である。
図８４の左側はＴＦＴ及び反射電極１３等が形成される表示領域であり、右側はゲート端子６が形成される周辺領域である。説明の便宜上、これら表示領域及び周辺領域は概略的に示されていることに注意されたい。
以下、ＴＦＴアレイ基板５００の製造方法について説明する。
先ずガラス基板１上に、ソース電極２、ソースバス３、ドレイン電極４、ゲートバス端部５１及びゲート端子６を形成する（図８７及び図８８参照）。
図８７は、ゲート端子６等が形成された基板の一部平面図、図８８は、図８７のＩＩＩ−ＩＩＩ方向から見た断面図である。
表示領域には、ソース電極２、ソースバス３及びドレイン電極４が形成される。ソースバス３はｙ方向に延在するように形成されており、ソース電極２はこのソースバス３に繋がるように形成されている。また、周辺領域には、ゲートバス端部５１及びゲート端子６が形成される。ゲート端子６はゲートバス端部５１に繋がるように形成されている。ゲートバス端部５１は、後述するゲートバス架橋部５３（図９８及び図９９参照）に接続される第１の接続部５１ａと、後述する犠牲電極１４（図９８及び図１００参照）に接続される第２の接続部５１ｃと、これら接続部５１ａ及び５１ｃからゲート端子６にまで延在する延在部５１ｂとを有する。ソース電極２、ソースバス３、ドレイン電極４及びゲートバス端部５１は、ＩＴＯを含有するＩＴＯ部２５とＭｏＣｒを含有するＭｏＣｒ部２６との二層構造を有している。このような二層構造のソース電極２、ソースバス３、ドレイン電極４及びゲートバス端部５１は、基板１上にＭｏＣｒ膜／ＩＴＯ膜の二層膜を形成し、この二層膜をパターニングすることにより形成されている。このように、これらゲートバス端部５１等をＩＴＯ部２５の単層構造ではなく、ＩＴＯ部２５とＭｏＣｒ部２６との二層構造とすることによって、これらゲートバス端部５１等の抵抗を低くすることができる。ここでは、ゲートバス端部５１の接続部５１ａはＩＴＯ部２５とＭｏＣｒ部２６との二層構造を有しているが、接続部５１ａをＩＴＯ部２５のみの単層構造としてもよい。この場合、ゲートバス端部５１の接続部５１ａがＩＴＯ部２５のみの単層構造であっても、ゲートバス端部５１の延長部５１ｂをＩＴＯ部２５とＭｏＣｒ部２６との二層構造とすることによって、ゲートバス端部５１自体の抵抗値を十分に低くすることができる。尚、十分に低い抵抗値が得られるのであれば、ゲートバス端部５１等はＩＴＯ部２５のみの単層構造であってもよい。
また、ゲート端子６はゲートバス端部５１に繋がるように形成されているが、このゲート端子６はＭｏＣｒ部２６の一部分２６ａ（図８７にクロスハッチングで示されている部分）で覆われていることに注意されたい。ゲート端子６にとってこのＭｏＣｒ部２６の一部分２６ａ（以下、ＭｏＣｒ不要部２６ａと呼ぶ）は不要であり、このため、このＭｏＣｒ不要部２６ａは除去されなければならない。しかしながら、図８７及び図８８に示す状態においてＭｏＣｒ不要部２６ａを除去しようとすると、ＭｏＣｒ不要部２６ａを除去するための専用のフォトリソ工程が必要となり、製造工程数が増大する。そこで、製造工程数を増大させずにＴＦＴアレイ基板が製造できるように、ＭｏＣｒ不要部２６ａを直ぐに除去するのではなく、先にａ−Ｓｉ層等を形成する。尚、ＩＴＯ部２５とＭｏＣｒ部２６との二層体α６（図８８参照）は、ゲートバス端部５１、ゲート端子６及びＭｏＣｒ不要部２６ａを構成している。
図８９は、ａ−Ｓｉ層７、ゲート絶縁膜８、ゲート電極９及びゲートバス本体部５２が形成された基板の一部平面図、図９０は、図８９のＩＶ−ＩＶ方向から見た断面図である。
ゲートバス端部５１等を形成した後（図８７及び図８８参照）、ａ−Ｓｉ層７及びゲート絶縁膜８が形成し、このゲート絶縁膜８上に、ゲート電極９及びゲートバス本体部５２が形成される。ゲートバス本体部５２は、図８９に示すようにｘ方向に延在するように形成されている。このゲートバス本体部５２は、後述するゲートバス架橋部５３（図９８及び図９９参照）に接続される接続部５２ａを有する。このように、ゲート電極９及びゲートバス本体部５２を形成した後、反射電極に所望の反射特性を持たせるための下地層を形成する。
図９１は、下地層が形成された基板の一部平面図、図９２は、図９１のＶ−Ｖ方向から見た断面図、図９３は、図９１のＶＩ−ＶＩ方向から見た断面図である。
ゲート電極９及びゲートバス本体部５２を形成した後、多数の突起１１（図９２参照）と、この多数の突起１１を覆う平坦化膜１２とが形成される。このようにして、突起１１と平坦化膜１２とからなる下地層が形成される。この平坦化膜１２は孔１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ及び１２ｅを有する。孔１２ａはドレイン電極４に対応する位置に形成された孔である。孔１２ｂはゲートバス本体部５２の接続部５２ａを露出するための孔である。孔１２ｃはゲートバス端部５１の接続部５１ａに対応する位置に形成された孔である。孔１２ｄはゲートバス端部５１の接続部５１ｃに対応する位置に形成された孔である。孔１２ｅはゲート端子６を覆うＭｏＣｒ部２６のＭｏＣｒ不要部２６ａに対応する位置に形成された孔である。
このようにして、突起１１と平坦化膜１２とを有する下地層が形成される。下地層の形成後、この下地層をエッチングマスクとして、ゲート絶縁膜８をドライエッチングする（図９４及び図９５参照）。
図９４及び図９５は、ゲート絶縁膜８がドライエッチングされた後の基板を示す断面図である。図９４は図９２に対応する断面図であり、図９５は図９３に対応する断面図である。
下地層をエッチングマスクとして、ゲート絶縁膜８をドライエッチングすることにより、このゲート絶縁膜８に、平坦化膜１２の孔１２ａ、１２ｃ、１２ｄ及び１２ｅそれぞれに対応する孔８ａ、８ｃ、８ｄ及び８ｅが形成される。孔８ａはドレイン電極４を露出するための孔である。孔８ｃは、ゲートバス端部５１の接続部５１ａを露出するための孔である。孔８ｄは、ゲートバス端部５１の接続部５１ｃを露出するための孔である。孔８ｅは、ゲート端子６を覆うＭｏＣｒ不要部２６ａを露出するための孔である。平坦化膜１２の孔１２ｂに対応するゲート絶縁膜８の部分は、ゲートバス本体部５２の接続部５２ａで保護されているため、エッチングされない。
このようにゲート絶縁膜８をエッチングした後、反射電極１３等を形成するためのＡｇ膜を形成する（図９６及び図９７参照）。
図９６及び図９７は、Ａｇ膜１３０が形成された基板の断面図である。図９６は図９４に対応する断面図であり、図９７は図９５に対応する断面図である。
Ａｇ膜１３０は、ドレイン電極４、ゲートバス本体部５２の接続部５２ａ、ゲートバス端部５１の接続部５１ａ、ゲートバス端部５１の接続部５１ｃ、及びＭｏＣｒ不要部２６ａに接続される。
以上のようにして、Ａｇ膜１３０を有する導電膜所有体Ｇが製造される。
このようにＡｇ膜１３０を形成した後、このＡｇ膜１３０をフォトリソグラフィ工程を用いてウエットエッチングする（図９８乃至１００参照）。
図９８は、Ａｇ膜１３０をウエットエッチングした直後の基板の一部平面図、図９９は、図９８の基板のＶＩＩ−ＶＩＩ方向から見た断面図、図１００は、図９８の基板のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ方向から見た断面図である。
Ａｇ膜１３０をウエットエッチングすることによって、レジスト膜Ｒｅｓの下に反射電極１３、ゲートバス架橋部５３及び犠牲電極１４が形成される。ゲートバス架橋部５３を形成することにより、ゲートバス端部５１とゲートバス本体部５２とが電気的に接続される。ゲートバス端部５１、ゲートバス本体部５２及びゲートバス架橋部５３によって、ゲートバス５が構成される。犠牲電極１４は、ゲートバス端部５１の接続部５１ｃを通じて、ゲート端子６に電気的に接続されている。また、Ａｇ膜１３０をウエットエッチングすることによって、Ａｇ膜１３０の不要な部分は除去されるため、ゲート端子６を覆っているＭｏＣｒ不要部２６ａが露出する。
ここで注意しなければならないことは、Ａｇ膜１３０をウエットエッチングすることにより、反射電極１３及びゲートバス架橋部５３だけでなく、犠牲電極１４も形成されることである。以下に、反射電極１３及びゲートバス架橋部５３だけでなく犠牲電極１４も形成する理由について説明する。
上述したように、Ａｇ膜１３０をウエットエッチングすることによって、Ａｇ膜１３０で覆われていたＭｏＣｒ不要部２６ａが露出する。このＭｏＣｒ不要部２６ａが露出した直後では、反射電極１３の側端面１３ａ、ゲートバス架橋部５３の側端面５３ａ及び犠牲電極１４の側端面１４ａと、ＭｏＣｒ不要部２６ａとがエッチング液に接触する。反射電極１３、ゲートバス架橋部５３及び犠牲電極１４の材料であるＡｇと、ＭｏＣｒ不要部２６ａの材料であるＭｏとの平衡電極電位の関係は（９）式で表される。
Ｍｏ＜Ａｇ    …（９）
ゲートバス架橋部５３及び犠牲電極１４は、ＭｏＣｒ不要部２６ａに電気的に接続されており、エッチング液は電解質溶液である。従って、ゲートバス架橋部５３及び犠牲電極１４とＭｏＣｒ不要部２６ａとがエッチング液に接触すると、反応式（１０）及び（１１）で表される電池反応が生じると考えられる。
Ｍｏ  →  Ｍｏ３＋＋３ｅ−・・・（１０）
３Ｈ＋＋ＮＯ３−＋２ｅ−  →  ＨＮＯ３＋Ｈ２Ｏ  ・・・（１１）
ここで、反応式（１１）のＮＯ３−は、エッチング液に含まれているイオンである。
Ｍｏの平衡電極電位はＡｇの平衡電極電位よりも小さいため、ＭｏＣｒ不要部２６ａ側では、電子を放出する反応式（１０）が優先的に生じると考えられる。発生した電子（ｅ−）の一部は、ＭｏＣｒ不要部２６ａからＡｇを主成分とするゲートバス架橋部５３に流入し、この流入した電子は、エッチング液に含まれているＮＯ３−と反応し、反応式（１１）を促進する。Ａｇ膜１３０のエッチングは、反応式（１１）が生じることによって進行するものであり、このため、反応式（１１）が促進されると、Ａｇ膜１３０のエッチング速度が増大する。従って、もし、犠牲電極１４が存在しないと仮定すると、反応式（１１）の反応がゲートバス架橋部５３の近傍で集中して起き、この結果、ゲートバス架橋部５３のエッチング速度が増大し、ゲートバス架橋部５３の寸法が所望の値よりも更に小さくなってしまうことが考えられる。このようにゲートバス架橋部５３が所望の寸法よりも小さくなると、ゲートバス架橋部５３が高抵抗になったり、最悪の場合、ゲートバス本体部５２とゲートバス端部５１との間の電気的接続を確保することができない場合が生じる。
これに対して、第５実施形態では、Ａｇ膜１３０をウエットエッチングするときにゲートバス架橋部５３の他に犠牲電極１４も形成しているため、ＭｏＣｒ不要部２６ａは、ゲートバス架橋部５３だけでなく犠牲電極１４にも電気的に接続されている。従って、反応式（１１）が、ゲートバス架橋部５３の近傍だけでなく、犠牲電極１４の近傍でも生じ、この結果、反応式（１１）がゲートバス架橋部５３で集中して起こることが防止される。従って、犠牲電極１４を備えることにより、ゲートバス架橋部５３のエッチング速度の増加を緩和することができ、所望の寸法を有するゲートバス架橋部５３を形成することが可能となる。
Ａｇ膜１３０をウエットエッチングすることによって、ＭｏＣｒ部２６のＭｏＣｒ不要部２６ａが露出したら、ＭｏＣｒ不要部２６ａをドライエッチングする。ＭｏＣｒ不要部２６ａをドライエッチングすることによって、このＭｏＣｒ不要部２６ａを除去するための専用のフォトリソ工程を行わなくてもゲート端子６を露出させることができる。ＭｏＣｒ部２６のＭｏＣｒ不要部２６ａをドライエッチングした後、レジスト膜Ｒｅｓを剥離する。このようにして、図８４乃至図８６に示すＴＦＴアレイ基板５００が製造される。
また、第５実施形態では、反射電極１３及びゲートバス架橋部５３を形成するために、Ａｇ膜１３０を形成したが、Ａｇ膜の代わりに、例えばＡｇ合金を有するＡｇ合金膜を形成することができる。Ａｇ合金膜をウエットエッチングするときに、反射電極及びゲートバス架橋部の他に犠牲電極が形成されるように、Ａｇ合金膜をウエットエッチングすることによって、所望の寸法を有するゲートバス架橋部を形成することが可能となる。
【産業上の利用の可能性】
本発明によれば、感光性膜が必要以上に除去される現象を防止又は緩和する電子装置製造方法、及びこの方法が適用された電子装置が得られる。
また、本発明によれば、現像液に接触した導電膜が損傷を受けてしまう現象を防止又は緩和する電子装置製造方法、及びこの方法が適用された電子装置が得られる。
更に、本発明によれば、金属膜が必要以上に除去されてしまうという現象を防止又は緩和する電子装置製造方法、及びこの方法が適用された電子装置が得られる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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【図４８】
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【図４９】
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【図５０】
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【図５１】
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【図５２】
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【図５３】
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【図５４】
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【図５５】
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【図５６】
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【図５７】
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【図５８】
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【図５９】
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【図６０】
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【図６１】
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【図６２】
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【図６３】
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【図６４】
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【図６５】
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【図６６】
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【図６７】
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【図６８】
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【図６９】
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【図７０】
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【図７１】
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【図７２】
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【図７３】
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【図７４】
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【図７５】
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【図７６】
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【図７７】
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【図７８】
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【図７９】
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【図８０】
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【図８１】
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【図８２】
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【図８３】
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【図８４】
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【図８５】
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【図８６】
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【図８７】
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【図８８】
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【図８９】
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【図９０】
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【図９１】
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【図９２】
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【図９３】
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【図９４】
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【図９５】
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【図９６】
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【図９７】
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【図９８】
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【図９９】
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【図１００】
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【国際調査報告】
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