(57)【要約】表面粗さが小さく低コストな磁気記録媒体及び磁気記録媒体の製造方法を提供する。軟磁性層１６を、基板１２側の第１の軟磁性層２６と、記録層２０側の第２の軟磁性層２８と、を積層してなる構成とし、第２の軟磁性層２８における記録層２０側の面２８Ａの表面粗さが、基板１２のベース面１２Ａの表面粗さよりも小さく、且つ、第１の軟磁性層２６における記録層２０側の面２６Ａの表面粗さよりも小さくなるように第２の軟磁性層２８を形成する。
2005031714.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも片面がベース面とされた基板の前記ベース面上に軟磁性層、記録層がこの順で形成された磁気記録媒体であって、
前記基板と、前記記録層と、の間に中間層が設けられ、該中間層における前記記録層側の面の表面粗さが、前記基板のベース面の表面粗さよりも小さいことを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
請求項１において、
前記軟磁性層が前記中間層を兼ねることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項３】
請求項２において、
前記軟磁性層は、前記基板側の第１の軟磁性層と、前記記録層側の第２の軟磁性層と、が積層された構成とされ、該第２の軟磁性層における前記記録層側の面の表面粗さが、前記基板のベース面の表面粗さよりも小さく、且つ、前記第１の軟磁性層における前記記録層側の面の表面粗さよりも小さいことを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項４】
少なくとも片面がベース面とされた基板の前記ベース面上に記録層が形成された磁気記録媒体であって、
前記基板と、前記記録層と、の間に中間層が前記記録層に接して設けられ、該中間層における前記記録層側の面の表面粗さが、前記基板のベース面の表面粗さよりも小さいことを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかにおいて、
前記中間層における前記記録層側の面の中心線平均粗さが１ｎｍ以下であることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項６】
少なくとも片面がベース面とされた基板の前記ベース面上に軟磁性層、記録層がこの順で形成された磁気記録媒体の製造方法であって、
前記基板の方向にバイアスパワーを印加しつつ該基板のベース面上に中間層を、その表面粗さが前記基板のベース面の表面粗さよりも小さくなるように形成する中間層形成工程と、該中間層上に前記記録層を形成する記録層形成工程と、を含んでなることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項７】
少なくとも片面がベース面とされた基板の前記ベース面上に軟磁性層、記録層がこの順で形成された磁気記録媒体の製造方法であって、
前記基板のベース面上に中間層を形成する中間層形成工程と、該中間層の表面をドライエッチングにより加工し、その表面粗さが前記基板のベース面の表面粗さよりも小さくなるように平坦化する中間層平坦化工程と、該中間層上に前記記録層を形成する記録層形成工程と、を含んでなることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項８】
請求項６又は７において、
前記中間層形成工程において前記中間層として前記軟磁性層を形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項９】
少なくとも片面がベース面とされた基板の前記ベース面上に記録層が形成された磁気記録媒体の製造方法であって、
前記基板の方向にバイアスパワーを印加しつつ該基板のベース面上に中間層を、その表面粗さが前記基板のベース面の表面粗さよりも小さくなるように形成する中間層形成工程と、該中間層上に接して前記記録層を形成する記録層形成工程と、を含んでなることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１０】
請求項６又は９において、
前記中間層形成工程と、前記記録層形成工程と、の間に、前記中間層の表面をドライエッチングにより平坦化する中間層平坦化工程が設けられたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１１】
少なくとも片面がベース面とされた基板の前記ベース面上に記録層が形成された磁気記録媒体の製造方法であって、
前記基板のベース面上に中間層を形成する中間層形成工程と、該中間層の表面をドライエッチングにより加工し、その表面粗さが前記基板のベース面の表面粗さよりも小さくなるように平坦化する中間層平坦化工程と、該中間層上に接して前記記録層を形成する記録層形成工程と、を含んでなることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１２】
請求項６、７、９、１１のいずれかにおいて、
中心線平均粗さが１ｎｍ以下となるように前記中間層の表面を仕上げるようにしたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１３】
請求項８において、
中心線平均粗さが１ｎｍ以下となるように前記中間層の表面を仕上げるようにしたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１４】
少なくとも片面がベース面とされた基板の前記ベース面上に軟磁性層、記録層がこの順で形成された磁気記録媒体の製造方法であって、
前記基板のベース面上にスパッタリング法及びメッキ法のいずれかにより軟磁性材料を成膜して第１の軟磁性層を形成する第１の軟磁性層形成工程と、前記基板の方向にバイアスパワーを印加しつつ前記第１の軟磁性層上に軟磁性材料を成膜し、前記基板のベース面の表面粗さよりも表面粗さが小さい第２の軟磁性層を形成する第２の軟磁性層形成工程と、該第２の軟磁性層上に前記記録層を形成する記録層形成工程と、を含んでなることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１５】
少なくとも片面がベース面とされた基板の前記ベース面上に軟磁性層、記録層がこの順で形成された磁気記録媒体の製造方法であって、
前記基板のベース面上にスパッタリング法及びメッキ法のいずれかにより軟磁性材料を成膜して第１の軟磁性層を形成する第１の軟磁性層形成工程と、前記基板の方向にバイアスパワーを印加しつつ前記第１の軟磁性層上に軟磁性材料を成膜して第２の軟磁性層を形成する第２の軟磁性層形成工程と、該第２の軟磁性層の表面をドライエッチングにより加工して、表面粗さが前記基板のベース面の表面粗さよりも小さくなるように該第２の軟磁性層の表面を平坦化する軟磁性層平坦化工程と、該第２の軟磁性層上に前記記録層を形成する記録層形成工程と、を含んでなることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１６】
請求項１４又は１５において、
中心線平均粗さが１ｎｍ以下となるように前記第２の軟磁性層の表面を仕上げるようにしたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本発明は、例えばハードディスク等の磁気記録媒体及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】  磁気記録媒体は、記録・読取精度を高めるため、表面粗さを極力小さくすることが重要である。例えば、ハードディスクの場合、浮上式ヘッドが主流となっており、良好な記録・読取精度を得るためには、表面粗さを極力小さくし、浮上式ヘッドと磁気記録媒体とのギャップを微小範囲内に保持することが重要である。【０００３】  従来、ハードディスク等の磁気記録媒体の製造工程では、基板の両面又は片面のベース面をＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）法等で研磨して平坦に仕上げ、この基板のベース面上に記録層、保護層等をスパッタリング法等で積層することにより、磁気記録媒体全体としての表面粗さを極力小さくするようにしている（例えば、特開平５−３１４４７１号公報、特開平９−２３１５６２号公報参照）。
【発明の開示】
【０００４】  しかしながら、従来の基板の平坦化は、所望の表面粗さに仕上げるために基板のベース面を複数回繰り返し研磨する必要があり、生産効率が低いという問題があった。
【０００５】  特に、ＣＭＰ法を用いる場合、基板のベース面を複数回繰り返し研磨する毎にスラリーを除去するための洗浄を行う必要があり、生産効率を大幅に低下させる要因となっていた。
【０００６】  更に、従来の基板は生産効率が低いため、磁気記録媒体のコストのうち、基板のコストの比率が高かった。
【０００７】  又、基板のベース面を平坦に仕上げても配向層、軟磁性層等を積層する過程で表面粗さが次第に大きくなり、最終的な磁気記録媒体全体の表面粗さが許容範囲を超えてしまうことがある。
【０００８】  例えば、近年、面記録密度の向上を図るべく、垂直記録タイプのハードディスクが増加しており、このような垂直記録型のハードディスクは基板と記録層との間に記録層よりも厚い軟磁性層が設けられるため、磁気記録媒体全体としての表面粗さが大きくなりやすい傾向がある。
【０００９】  更に、面記録密度の一層の向上を実現しうる磁気記録媒体の候補として、例えば、記録層が凹凸パターンで形成されたディスクリートタイプ等の磁気記録媒体が注目されているが、凹凸パターンで形成された記録層は表面粗さが更に大きくなりやすい。
【００１０】  尚、記録層の表面をＣＭＰ法等で研磨することにより、記録層が凹凸パターンで形成された磁気記録媒体の表面粗さを小さくしうるが、薄い記録層の研磨は実際上、制御等が困難であると共に液剤の化学的作用等により、記録層が変質して磁気特性が悪化しうるという問題がある。更に、このような研磨工程を採用すると生産効率が低下するという問題がある。
【００１１】  又、面記録密度の向上に伴い磁気ヘッドの浮上高さは低くなる傾向にあり、浮上高さが低くなるにつれて従来は問題とならなかった大きさの表面粗さであっても、磁気記録媒体の記録・読取精度を大きく低下させることがある。
【００１２】  本発明は、以上の問題点に鑑みてなされたものであって、表面粗さが小さく低コストな磁気記録媒体及び磁気記録媒体の製造方法を提供することをその課題とする。
【００１３】  本発明は、基板と、記録層と、の間に、記録層側の面の表面粗さが、基板のベース面の表面粗さよりも小さい中間層を設けることにより表面粗さが小さく低コストな磁気記録媒体を実現したものである。即ち、基板よりも磁気記録媒体の表面に近いところに平坦な中間層を設けることで、表面粗さが小さい磁気記録媒体を効率良く、低コストで製造することができる。又、記録層は、平坦な中間層に倣って平坦な形状で形成されるので、記録層の表面を平坦化するための加工が不要であり、又、仮に加工が必要な場合でも、その加工量を抑制することができるので、記録層の劣化を防止することができる。
【００１４】  尚、軟磁性層を備える垂直記録型の磁気記録媒体の場合、軟磁性層が中間層を兼ねる構成とするとよい。軟磁性層は、記録層よりも著しく厚いので、軟磁性層の表面を平坦化のために加工しても、磁気特性に対する影響は小さく抑制される。
【００１５】  尚、ＣＭＰ法のようなウェットプロセスによらず、イオンビームエッチング、反応性イオンエッチング、反応性イオンビームエッチング等のドライプロセスを用いて平坦化することで、軟磁性層等の中間層の特性の劣化を更に抑制することができる。
【００１６】  又、本発明は、中間層である軟磁性層が、第１の軟磁性層と、該第１の軟磁性層上に形成された第２の軟磁性層と、を有してなる構成とし、第２の軟磁性層の表面粗さを、第１の軟磁性層における前記記録層側の面の表面粗さよりも小さく、且つ、前記基板のベース面の表面粗さよりも小さくすることで、表面粗さが小さく低コストな磁気記録媒体を実現したものである。
【００１７】  例えば、基板のベース面上にスパッタリング法又はメッキ法により第１の軟磁性層を形成することで、他の層よりも著しく厚い軟磁性層を効率良く形成することができる。又、例えばバイアススパッタリング法等のバイアスパワーを印加する成膜手法により、第１の軟磁性層上に第２の軟磁性層を形成することで、第２の軟磁性層の凸部を選択的にエッチングしつつ第２の軟磁性層の成膜が進行し、表面粗さが小さい第２の軟磁性層を形成することができる。このように表面粗さが小さい第２の軟磁性層上に記録層等を形成することで、表面粗さが小さい磁気記録媒体を効率良く、低コストで製造することができる。更に、第２の軟磁性層をイオンビームエッチング等で平坦化することで、表面粗さが小さい磁気記録媒体を効率良く、低コストで確実に製造することができる。
【００１８】  又、本発明は、バイアスパワーを印加する成膜手法で中間層を形成したり、中間層の表面をイオンビームエッチング、反応性イオンエッチング、反応性イオンビームエッチング等のドライエッチングで平坦化することで表面粗さが小さく低コストな磁気記録媒体を実現したものである。即ち、ウェットプロセスによらず、バイアスパワーを印加する成膜手法で平坦な中間層を形成したりドライエッチングにより中間層を平坦化することで、表面粗さが小さい磁気記録媒体を効率良く、低コストで製造することができる。又、これらの加工手法を記録層の形成や記録層の加工のために用いないので記録層の劣化を抑制することができる。
【００１９】  即ち、次のような本発明により、上記課題の解決を図ったものである。
【００２０】（１）少なくとも片面がベース面とされた基板の前記ベース面上に軟磁性層、記録層がこの順で形成された磁気記録媒体であって、前記基板と、前記記録層と、の間に中間層が設けられ、該中間層における前記記録層側の面の表面粗さが、前記基板のベース面の表面粗さよりも小さいことを特徴とする磁気記録媒体。
【００２１】（２）（１）において、前記軟磁性層が前記中間層を兼ねることを特徴とする磁気記録媒体。
【００２２】（３）（２）において、前記軟磁性層は、前記基板側の第１の軟磁性層と、前記記録層側の第２の軟磁性層と、が積層された構成とされ、該第２の軟磁性層における前記記録層側の面の表面粗さが、前記基板のベース面の表面粗さよりも小さく、且つ、前記第１の軟磁性層における前記記録層側の面の表面粗さよりも小さいことを特徴とする磁気記録媒体。
【００２３】（４）少なくとも片面がベース面とされた基板の前記ベース面上に記録層が形成された磁気記録媒体であって、前記基板と、前記記録層と、の間に中間層が前記記録層に接して設けられ、該中間層における前記記録層側の面の表面粗さが、前記基板のベース面の表面粗さよりも小さいことを特徴とする磁気記録媒体。
【００２４】（５）（１）乃至（４）のいずれかにおいて、前記中間層における前記記録層側の面の中心線平均粗さが１ｎｍ以下であることを特徴とする磁気記録媒体。
【００２５】（６）少なくとも片面がベース面とされた基板の前記ベース面上に軟磁性層、記録層がこの順で形成された磁気記録媒体の製造方法であって、前記基板の方向にバイアスパワーを印加しつつ該基板のベース面上に中間層を、その表面粗さが前記基板のベース面の表面粗さよりも小さくなるように形成する中間層形成工程と、該中間層上に前記記録層を形成する記録層形成工程と、を含んでなることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【００２６】（７）少なくとも片面がベース面とされた基板の前記ベース面上に軟磁性層、記録層がこの順で形成された磁気記録媒体の製造方法であって、前記基板のベース面上に中間層を形成する中間層形成工程と、該中間層の表面をドライエッチングにより加工し、その表面粗さが前記基板のベース面の表面粗さよりも小さくなるように平坦化する中間層平坦化工程と、該中間層上に前記記録層を形成する記録層形成工程と、を含んでなることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【００２７】（８）（６）又は（７）において、前記中間層形成工程において前記中間層として前記軟磁性層を形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【００２８】（９）少なくとも片面がベース面とされた基板の前記ベース面上に記録層が形成された磁気記録媒体の製造方法であって、前記基板の方向にバイアスパワーを印加しつつ該基板のベース面上に中間層を、その表面粗さが前記基板のベース面の表面粗さよりも小さくなるように形成する中間層形成工程と、該中間層上に接して前記記録層を形成する記録層形成工程と、を含んでなることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【００２９】（１０）（６）又は（９）において、前記中間層形成工程と、前記記録層形成工程と、の間に、前記中間層の表面をドライエッチングにより平坦化する中間層平坦化工程が設けられたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【００３０】（１１）少なくとも片面がベース面とされた基板の前記ベース面上に記録層が形成された磁気記録媒体の製造方法であって、前記基板のベース面上に中間層を形成する中間層形成工程と、該中間層の表面をドライエッチングにより加工し、その表面粗さが前記基板のベース面の表面粗さよりも小さくなるように平坦化する中間層平坦化工程と、該中間層上に接して前記記録層を形成する記録層形成工程と、を含んでなることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【００３１】（１２）（６）、（７）、（９）、（１１）のいずれかにおいて、中心線平均粗さが１ｎｍ以下となるように前記中間層の表面を仕上げるようにしたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【００３２】（１３）（８）において、中心線平均粗さが１ｎｍ以下となるように前記中間層の表面を仕上げるようにしたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【００３３】（１４）少なくとも片面がベース面とされた基板の前記ベース面上に軟磁性層、記録層がこの順で形成された磁気記録媒体の製造方法であって、前記基板のベース面上にスパッタリング法及びメッキ法のいずれかにより軟磁性材料を成膜して第１の軟磁性層を形成する第１の軟磁性層形成工程と、前記基板の方向にバイアスパワーを印加しつつ前記第１の軟磁性層上に軟磁性材料を成膜し、前記基板のベース面の表面粗さよりも表面粗さが小さい第２の軟磁性層を形成する第２の軟磁性層形成工程と、該第２の軟磁性層上に前記記録層を形成する記録層形成工程と、を含んでなることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【００３４】（１５）少なくとも片面がベース面とされた基板の前記ベース面上に軟磁性層、記録層がこの順で形成された磁気記録媒体の製造方法であって、前記基板のベース面上にスパッタリング法及びメッキ法のいずれかにより軟磁性材料を成膜して第１の軟磁性層を形成する第１の軟磁性層形成工程と、前記基板の方向にバイアスパワーを印加しつつ前記第１の軟磁性層上に軟磁性材料を成膜して第２の軟磁性層を形成する第２の軟磁性層形成工程と、該第２の軟磁性層の表面をドライエッチングにより加工して、表面粗さが前記基板のベース面の表面粗さよりも小さくなるように該第２の軟磁性層の表面を平坦化する軟磁性層平坦化工程と、該第２の軟磁性層上に前記記録層を形成する記録層形成工程と、を含んでなることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【００３５】（１６）（１４）又は（１５）において、中心線平均粗さが１ｎｍ以下となるように前記第２の軟磁性層の表面を仕上げるようにしたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【００３６】  尚、本出願において、「イオンビームエッチング」という用語は、例えばイオンミリング等の、イオン化したガスを被加工体に照射して除去する加工方法の総称という意義で用いることとし、イオンビームを絞って照射する加工方法に限定しない。
【００３７】  又、本出願において「磁気記録媒体」という用語は、情報の記録、読み取りに磁気のみを用いるハードディスク、フロッピー（登録商標）ディスク、磁気テープ等に限定されず、磁気と光を併用するＭＯ（Ｍａｇｎｅｔｏ  Ｏｐｔｉｃａｌ）等の光磁気記録媒体、磁気と熱を併用する熱アシスト型の記録媒体も含む意義で用いることとする。
【図面の簡単な説明】
【００３８】［図１］本発明の第１実施形態に係る磁気記録媒体の構造を模式的に示す側断面図である。
［図２］同磁気記録媒体の製造工程の概要を示すフローチャートである。
［図３］同磁気記録媒体の基板のプレス成形後の形状を模式的に示す側断面図である。
［図４］同基板上に下地層を形成した状態を模式的に示す側断面図である。
［図５］同下地層上に第１の軟磁性層を形成した状態を模式的に示す側断面図である。
［図６］同第１の軟磁性層上に第２の軟磁性層を形成した状態を模式的に示す側断面図である。
［図７］同第２の軟磁性層上に配向層を形成した状態を模式的に示す側断面図である。
［図８］同配向層上に記録層を形成した状態を模式的に示す側断面図である。
［図９］本発明の第１実施形態に係る磁気記録媒体の製造工程の概要を示すフローチャートである。
［図１０］同磁気記録媒体の構造を模式的に示す側断面図である。
［図１１］同磁気記録媒体の製造過程における第２の軟磁性層を平坦化した状態を模式的に示す側断面である。
［図１２］本発明の第３実施形態に係る磁気記録媒体の構造を模式的に示す側断面図である。
［図１３］同磁気記録媒体の製造工程の概要を示すフローチャートである。
［図１４］同磁気記録媒体の製造過程における軟磁性層を平坦化した状態を模式的に示す側断面である。
［図１５］本発明の第４実施形態に係る磁気記録媒体の構造を模式的に示す側断面図である。
［図１６］本発明の第１実施例に係る磁気記録媒体の基板のベース面の表面状態を拡大して示すＡＦＭ写真である。
［図１７］同磁気記録媒体の第１の軟磁性層の表面状態を拡大して示すＡＦＭ写真である。
［図１８］本発明の第１実施例に係る磁気記録媒体の第２の軟磁性層の表面状態を拡大して示すＡＦＭ写真である。
［図１９］本発明の第３実施例に係る磁気記録媒体の第１の軟磁性層の表面状態を拡大して示すＡＦＭ写真である。
［図２０］本発明の第６実施例に係る磁気記録媒体の第２の軟磁性層の表面状態を拡大して示すＡＦＭ写真である。
［図２１］本発明の第３実施形態に係る磁気記録媒体の他の製造工程例の概要を示すフローチャートである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３９】  以下、本発明の好ましい実施形態について図面を参照して詳細に説明する。【００４０】  図１に示されるように、本実施形態に係る磁気記録媒体１０は、片面がベース面１２Ａとされた基板１２のベース面１２Ａ上に、下地層１４、軟磁性層（中間層）１６、配向層１８、記録層２０、保護層２２、潤滑層２４がこの順で形成された垂直記録型である。【００４１】  磁気記録媒体１０は、軟磁性層１６が、基板１２側の第１の軟磁性層２６と、記録層２０側の第２の軟磁性層２８と、が積層された構成とされ、該第２の軟磁性層２８における記録層２０側の面２８Ａの表面粗さが、基板１２のベース面１２Ａの表面粗さよりも小さく、且つ、第１の軟磁性層２６における記録層２０側の面２６Ａの表面粗さよりも小さいことを特徴としている。他の構成については従来の磁気記録媒体と同様であるので、説明を適宜省略することとする。【００４２】  基板１２は、材料がガラスで、厚さが０．２〜２ｍｍである。【００４３】  下地層１４は、材料がＴａ（タンタル）、Ｃｒ（クロム）又はＣｒ合金で、厚さが３０〜２０００ｎｍである。【００４４】  軟磁性層１６は、第１の軟磁性層２６及び第２の軟磁性層２８の材料が共にＦｅ（鉄）合金又はＣｏ（コバルト）合金で、第１の軟磁性層２６及び第２の軟磁性層２８の合計の厚さが５０〜３００ｎｍである。第１の軟磁性層２６は、第２の軟磁性層２８よりも厚く形成されている。【００４５】  配向層１８は、材料がＣｒ、非磁性のＣｏＣｒ（コバルト−クロム）合金、ＭｇＯ（酸化マグネシウム）、Ｔｉ（チタン）等で、厚さが３〜３０ｎｍである。【００４６】  記録層２０は、材料がＣｏ（コバルト）合金で、厚さが５〜３０ｎｍである。【００４７】  保護層２２は、材料がダイヤモンドライクカーボンで、厚さが１〜５ｎｍである。尚、本出願において「ダイヤモンドライクカーボン（以下、「ＤＬＣ」という）」という用語は、炭素を主成分とし、アモルファス構造であって、ビッカース硬度測定で２００〜８０００ｋｇｆ／ｍｍ２程度の硬さを示す材料という意義で用いることとする。【００４８】  潤滑層２４は、材料がＰＦＰＥ（パーフロロポリエーテル）で、厚さが１〜２ｎｍである。【００４９】  次に、図２のフローチャートを参照しつつ、磁気記録媒体１０の製造方法について説明する。【００５０】  まず、基板１２を成形する（Ｓ１０２）。具体的には、ガラスを加熱して溶融状態とし、プレス成形により板状に成形する。これにより、図３に示されるような、ベース面１２Ａの中心線平均粗さが約１０〜２０ｎｍの基板１２が得られる。【００５１】  次に、図４に示されるように、基板１２のベース面１２Ａ上にスパッタリング法により、下地層１４を形成する（Ｓ１０４）。下地層１４は表面が、基板１２のベース面１２Ａの表面形状に倣った形状に形成される。【００５２】  次に、図５に示されるように、下地層１４上にスパッタリング法又はメッキ法により、第１の軟磁性層２６を形成する（Ｓ１０６）。第１の軟磁性層２６は表面２６Ａが、下地層１４の表面形状に倣った形状に形成される。【００５３】  次に、図６に示されるように、第１の軟磁性層２６上にバイアススパッタリング法により、第２の軟磁性層２８を形成する（Ｓ１０８）。この際、スパッタリングによる成膜作用と、既に成膜された第２の軟磁性層２８の一部をバイアスパワーで付勢されるスパッタリングガスがエッチングするエッチング作用と、が同時に進行し、成膜作用がエッチング作用を上回ることで成膜が進行する。スパッタリングによる成膜作用は、第１の軟磁性層２６の表面２６Ａの形状に倣って第２の軟磁性層２８を成膜する傾向があるが、エッチング作用は、膜の突出した部位を他の部位よりも選択的に早く除去する傾向があるので、このエッチング作用により第２の軟磁性層２８は表面の凹凸が抑制されて成膜される。これにより、第２の軟磁性層２８の表面２８Ａの中心線平均粗さは約０．５〜２ｎｍとなり、基板１２のベース面１２Ａの表面粗さよりも小さく、且つ、第１の軟磁性層２６における記録層２０側の面２６Ａの表面粗さよりも小さくなる。【００５４】  次に、スパッタリング法により、図７に示されるように、第２の軟磁性層２８の表面２８Ａ上に配向層１８を形成する（Ｓ１１０）。配向層１８は、第２の軟磁性層２８の表面２８Ａの形状に倣って、表面が平坦な形状に形成される。更に、スパッタリング法により、図８に示されるように、配向層１８上に記録層２０を形成する（Ｓ１１２）。配向層１８、記録層２０は、第２の軟磁性層２８の表面２８Ａの形状に倣って、表面が平坦な形状に形成される。【００５５】  次に、記録層２０上にＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により保護層２２を形成し（Ｓ１１４）、保護層２２上に、ディッピング法により潤滑層２４を形成する（Ｓ１１６）する。これにより、前記図１に示される磁気記録媒体１０が完成する。保護層２２、潤滑層２４も、第２の軟磁性層２８の表面２８Ａの形状に倣って、表面が平坦な形状に形成される。【００５６】  このように、本実施形態に係る磁気記録媒体１０は、従来のような基板の研磨によらず、軟磁性層１６を二層構成とし、第１の軟磁性層２６に第２の軟磁性層２８をバイアススパッタリング法で成膜することで、記録層４２、保護層２２、潤滑層２４の表面粗さを小さく抑制しており、生産効率が良く、低コストである。【００５７】  特に、他の層よりも厚く、磁気記録媒体１０の表面に近い位置に配設される軟磁性層１６の表面粗さを抑制することで、磁気記録媒体の表面粗さを低減する効果が高められている。【００５８】  又、バイアススパッタリング法により平坦な第２の軟磁性層２８を形成しており、記録層２０を平坦化したり、記録層２０を形成するためにバイアスパワーを印加する、エッチング作用がある成膜手法を用いていないので記録層２０の劣化を防止することができる。【００５９】  尚、第２の軟磁性層２８の形成に用いるバイアススパッタリング法は平坦化効果を有する反面、エッチング作用がある分だけ成膜速度が遅いが、第１の軟磁性層２６の形成には、バイアススパッタリング法よりも成膜速度が速いスパッタリング法又はメッキ法を用いているので生産効率が良い。【００６０】  尚、本第１実施形態において、バイアススパッタリング法を用いて第２の軟磁性層２８を形成しているが、本発明はこれに限定されるものではなく、基板の方向にバイアスパワーを印加しつつ基板の表面に軟磁性材を成膜できれば成膜手法は特に限定されず、例えばバイアスパワーを印加するＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、ＩＢＤ（Ｉｏｎ  Ｂｅａｍ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）等の他の成膜手法を用いて第２の軟磁性層２８を形成してもよい。【００６１】  次に本発明の第２実施形態について説明する。【００６２】  本第２実施形態は、図９のフローチャートに示されるように、前記第１実施形態における第２の軟磁性層成膜工程（Ｓ１０８）と、記録層形成工程（Ｓ１１０）との間に、第２の軟磁性層２８の表面２８Ａをイオンビームエッチングで加工して、更に平坦化する第２の軟磁性層平坦化工程（Ｓ２０２）を設けたことを特徴としており、前記第１実施形態に係る磁気記録媒体１０よりも表面粗さが小さい、図１０に示される磁気記録媒体５０を得るようにしたものである。他の構成については、前記第１実施形態と同様であるので図１〜図８と同一符号を付することとして説明を適宜省略する。【００６３】  まず、前記第１実施形態と同様に基板１２のベース面１２Ａ上に下地層１４、第１の軟磁性層２６を形成し、更にバイアススパッタリング法により第２の軟磁性層２８を成膜する（図６参照）。第２の軟磁性層２８は、表面２８Ａの表面粗さが、基板１２のベース面１２Ａの表面粗さよりも小さく、且つ、第１の軟磁性層２６における記録層２０側の面２６Ａの表面粗さよりも小さく形成される。【００６４】  次に、成膜された第２の軟磁性層２８（図６参照）の表面２８Ａに対して傾斜した方向からＡｒ（アルゴン）等のイオンビームを照射して、第２の軟磁性層２８の表面２８を除去しつつ平坦化する。この際、イオンビームの入射角は−１０〜１５°の範囲とすることが好ましい。ここで「入射角」とは、第２の軟磁性層２８の表面２８Ａに対する入射角度であって、被加工体の表面とイオンビームの中心軸とが形成する角度という意義で用いることとする。例えば、イオンビームの中心軸が第２の軟磁性層２８の表面２８Ａと平行である場合、入射角は０°である。【００６５】  イオンビームエッチングは、表面の突出した部位を他の部位よりも選択的に早く除去する傾向があるので、図１１に示されるように、第２の軟磁性層２８は表面２８Ａが更に平坦化されて中心線平均粗さＲａは、約０．１〜１ｎｍとなる。【００６６】  この第２の軟磁性層２８の表面２８Ａ上に、上記第１実施形態と同様に、配向層１８（Ｓ１１０）、記録層２０（Ｓ１１２）、保護層２２（Ｓ１１４）、潤滑層２４（Ｓ１１６）を形成することにより、前記図１０に示される磁気記録媒体５０が完成する。【００６７】  このように、バイアススパッタリング法で成膜した第２の軟磁性層２８の表面２８Ａをイオンビームエッチング法で更に平坦化することで、磁気記録媒体５０の表面粗さを前記第１実施形態に係る磁気記録媒体１０の表面粗さよりも小さく抑制することができる。【００６８】  尚、前記第１及び第２実施形態は、軟磁性層１６が、第１の軟磁性層２６上に第２の軟磁性層２８を形成した二層構成であるが、本発明はこれに限定されるものではなく、三層以上の構成の軟磁性層としてもよい。【００６９】  又、本第２実施形態において、第２の軟磁性層２８の表面２８Ａをイオンビームエッチング法で平坦化しているが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば反応性イオンエッチング、反応性イオンビームエッチング等の他のドライエッチングの手法を用いて第２の軟磁性層２８の表面２８Ａを平坦化してもよい。【００７０】  次に本発明の第３実施形態について説明する。【００７１】  図１２に示されるように、本第３実施形態に係る磁気記録媒体６０は、前記第１実施形態、第２実施形態に係る磁気記録媒体１０、５０が二層構成の軟磁性層１６を有しているのに対し、単層の軟磁性層（中間層）６２を有し、該単層の軟磁性層６２の表面６２Ａの表面粗さが基板１２のベース面１２Ａの表面粗さよりも小さく抑制されたことを特徴としている。【００７２】  他の構成については、前記第１及び第２実施形態と同様であるので図１〜図１１と同一符号を付することとして説明を適宜省略する。【００７３】  磁気記録媒体６０は、図１３のフローチャートに示される製造方法により得られる。まず、前記第１実施形態と同様に基板１２のベース面１２Ａ上にスパッタリング法又はメッキ法により下地層１４、軟磁性層６２を形成する（Ｓ３０２、図５参照）。【００７４】  次に、前記第２実施形態における第２の軟磁性層平坦化工程（Ｓ２０２）と同様の要領で軟磁性層６２の表面６２Ａをイオンビームエッチングで加工し、図１４に示されるように、単層の軟磁性層３２を平坦化する（Ｓ３０４）。これにより、軟磁性層６２の表面６２Ａの中心線平均粗さＲａは、約０．１〜１ｎｍとなり、基板１２のベース面１２Ａの表面粗さよりも小さくなる。【００７５】  この軟磁性層６２上に、上記第１及び第２実施形態と同様に、配向層１８（Ｓ１１０）、記録層２０（Ｓ１１２）、保護層２２（Ｓ１１４）、潤滑層２４（Ｓ１１６）を形成することにより、前記図１２に示される磁気記録媒体６０が得られる。【００７６】  本第３実施形態も、ドライプロセス（イオンビームエッチング）で軟磁性層３２を平坦化しているので、従来のＣＭＰ法のようなウェットプロセスを用いる製造方法に対し、磁気記録媒体用を効率良く、低コストで製造することができる。又、軟磁性層の形成は単層の軟磁性層の成膜で足りるので、この点でも生産効率を高めることができる。【００７７】  尚、本第３実施形態において、単層の軟磁性層６２の表面６２Ａをイオンビームエッチング法で平坦化しているが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば反応性イオンエッチング、反応性イオンビームエッチング等の他のドライエッチングの手法を用いて単層の軟磁性層６２の表面６２Ａを平坦化してもよい。【００７８】  又、本第３実施形態において、スパッタリング法又はメッキ法により単層の軟磁性層６２を形成し（Ｓ３０２）、軟磁性層６２の表面６２Ａをイオンビームエッチングで平坦化（Ｓ３０４）しているが、図２１のフローチャートに示されるように、バイアススパッタリング法により表面６２Ａが平坦な単層の軟磁性層６２を形成（Ｓ３０６）してもよい。又、この場合、更にイオンビームエッチング等のドライエッチングで単層の軟磁性層６２を平坦化してもよい。【００７９】  以上説明した第１〜第３実施形態のうち、いずれの製造方法を採用���るかは、要求される磁気記録媒体の表面粗さ等に応じて適宜選択すればよい。【００８０】  次に、本発明の第４実施形態について説明する。【００８１】  本第４実施形態は、図１５に示されるような磁気記録媒体７０に係るものであり、この磁気記録媒体７０は、前記第２実施形態に係る磁気記録媒体５０に対し、記録層７２が多数の記録要素７２Ａに分割された構成とされ、記録要素７２Ａの間の凹部に非磁性材７４が充填されたディスクリートトラックタイプである。尚、記録要素７２Ａの間の凹部の側面及び底面には隔膜７６が形成されている。他の構成については前記第２実施形態と同様であるので、図１０及び図１１と同じ符号を付することとして説明を省略することとする。【００８２】  非磁性材７４は、材料がＳｉＯ２（二酸化ケイ素）等である。又、隔膜７６は、材料が前述のＤＬＣと呼称される硬質炭素膜である。【００８３】  この磁気記録媒体７０は、前記第１及び第２実施形態と同様の要領で、基板１２上に、下地層１４、軟磁性層１６、配向層１８、連続記録層（図示省略）、及び複数のマスク層（図示省略）、レジスト層（図示省略）等を形成し、リソグラフィ、ドライエッチングの手法を用いて連続記録層を多数の記録要素７２Ａに分割して記録層７２を形成してから、ＣＶＤ法等により隔膜７６を形成し、更にバイアススパッタリング法等により非磁性材７４を記録要素７２Ａの間の凹部に充填し、イオンビームエッチング等により平坦化してから、前記第１及び第２実施形態と同様の要領で、保護層２２、潤滑層２４を形成することにより得られる。【００８４】  尚、本発明の理解に特に必要とは思われないため、連続記録層を分割加工するためのマスク層、レジスト層の材料、リソグラフィ、ドライエッチング等の手法等については説明を省略する。【００８５】  磁気記録媒体７０も、前記第２実施形態に係る磁気記録媒体５０と同様に、表面粗さを小さく抑制しつつ効率良く低コストで製造することが可能である。【００８６】  尚、前記第１〜第４実施形態において、軟磁性層の材料としてＦｅ（鉄）合金又はＣｏ（コバルト）合金が例示されているが、本発明はこれに限定されるものではなく、バイアスパワーを印加する成膜手法、ドライエッチングによる加工に適した軟磁性材料であれば、軟磁性層の材料は特に限定されない。【００８７】  又、前記第１〜第４実施形態において、磁気記録媒体１０、５０、６０、７０は、基板１２の片面がベース面１２Ａとされ、片面に記録層等が形成されているが、本発明はこれに限定されるものではなく、基板の両面をベース面として、基板の両面にメッキ法又はスパッタリング法により第１の軟磁性層を形成し、更にバイアススパッタリング法等により第２の軟磁性層を形成して、記録層等を形成すれば、両面の表面粗さが小さい磁気記録媒体を効率良く低コストで製造することができる。第２の軟磁性層の表面は更にイオンビームエッチング等のドライエッチングで平坦化してもよい。【００８８】  又、基板の両面に軟磁性層を形成してイオンビームエッチング等のドライエッチングで平坦化して、記録層等を形成してもよい。又、基板の一方のベース面上に単層の軟磁性層を形成してドライエッチングで平坦化し、他方のベース���上に二層構成の軟磁性層を形成してもよい。【００８９】  又、前記第１〜第４実施形態は、本発明の一部の適用例を示したものであり、本発明は、軟磁性層を有する他の種々の構成の磁気記録媒体も、表面粗さを抑制しつつ効率良く低コストで製造することができる。【００９０】  例えば、前記第１〜第４実施形態において、基板１２の材料はガラスであるが、本発明はこれに限定されるものではなく、基板の材料としてＡｌ２Ｏ３（アルミナ）、Ｓｉ（ケイ素）、ＳｉＯ２（二酸化ケイ素）、グラシーカーボン、樹脂等を含む非磁性材料を用いてもよい。【００９１】  又、前記第１〜第４実施形態において、記録層２０（７２）の材料はＣｏＣｒ合金であるが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、鉄属元素（Ｃｏ、Ｆｅ（鉄）、Ｎｉ）を含む他の合金、これらの積層体等の他の材料の記録層で構成される磁気記録媒体の製造のためにも本発明を適用可能である。【００９２】  又、前記第１〜第４実施形態において、基板１２と軟磁性層１６（６２）との間に下地層１４が形成されているが、本発明はこれに限定されるものではなく、基板１２と軟磁性層１６（６２）との間に設ける層の構成は、磁気記録媒体の種類に応じて適宜変更すればよい。例えば基板１２と軟磁性層１６（６２）との間に複数の層を形成してもよい。又、軟磁性層を基板上に直接形成してもよい。【００９３】  又、前記第１〜第４実施形態において、軟磁性層１６（６２）と記録層２０（７２）との間に配向層１８が形成されているが、本発明はこれに限定されるものではなく、軟磁性層１６（６２）と記録層２０（７２）との間に設ける層の構成は、磁気記録媒体の種類に応じて適宜変更すればよい。例えば軟磁性層１６（６２）と記録層２０（７２）との間に複数の層を形成してもよい。又、中間層である軟磁性層１６（６２）上に記録層２０（７２）を直接形成してもよい。【００９４】  又、前記第１〜第４実施形態において、軟磁性層１６（６２）の表面２８Ａ（６２Ａ）の表面粗さを基板１２のベース面１２Ａの表面粗さよりも小さくすることで、表面粗さが小さい磁気記録媒体１０（５０、６０、７０）を得ているが、例えば、下地層１４や配向層１８等の、基板１２と記録層２０（７２）との間の他の中間層の表面粗さを、基板１２のベース面１２Ａの表面粗さよりも小さくすることで、表面粗さが小さい磁気記録媒体を実現してもよい。この場合も、表面粗さが小さい磁気記録媒体を効率良く、低コストで製造することができ、又、記録層の劣化を防止することができる。尚、表面粗さが基板１２のベース面１２Ａの表面粗さよりも小さい中間層が設けられる位置が磁気記録媒体の表面に近い程、磁気記録媒体の表面粗さを小さくする効果が高いと考えられるので、軟磁性層１６や配向層１８のように、記録層に近い位置に設けられる層が、表面粗さが基板１２のベース面１２Ａの表面粗さよりも小さい中間層であることが好ましい。尚、軟磁性層は他の層と比較して著しく厚く、中間層を軟磁性層よりも基板側に設けると、磁気記録媒体の表面粗さを小さくする効果が減殺されるため、軟磁性層よりも磁気記録媒体の表面に近い層、又は軟磁性層自体が、表面粗さが基板１２のベース面１２Ａの表面粗さよりも小���い中間層であることが望ましい。又、磁気記録媒体の表面粗さを小さくする効果を高めるためには、表面粗さが基板１２のベース面１２Ａの表面粗さよりも小さい中間層は、記録層と接する位置に設けられる層であることがより好ましい。【００９５】  又、前記第４実施形態において、磁気記録媒体７０は記録要素７２Ａがトラックの径方向に微細な間隔で並設された垂直記録型のディスクリートトラックタイプの磁気記録媒体であるが、本発明はこれに限定されるものではなく、記録要素がトラックの周方向（セクタの方向）に微細な間隔で並設された磁気ディスク、トラックの径方向及び周方向の両方向に微細な間隔で並設された磁気ディスク、記録要素が螺旋形状をなす磁気ディスクの製造についても本発明は当然適用可能である。又、ＭＯ等の光磁気ディスク、磁気と熱を併用する熱アシスト型の記録ディスクに対しても本発明は適用可能である。【００９６】  又、前記第１〜第４実施形態において、磁気記録媒体１０（５０、６０、７０）は、垂直記録型の記録ディスクであるが、面内記録型の記録ディスクに対しても本発明は適用可能である。
【実施例１】
【００９７】  前記第１実施形態のとおり、磁気記録媒体１０を作製し、作製過程において第２の軟磁性層２８の表面粗さを測定した。具体的には、まず、直径が約２１．６ｍｍ、厚さが約０．３８ｍｍで内径が約６．０ｍｍの中心孔を有するガラス製の基板１２をプレス成形した。この基板１２のベース面１２ＡをＡＦＭ（原子間力顕微鏡）で撮像したところ図１６に示されるような画像が得られた。図１６に基づいて、基板１２のベース面１２Ａの表面の中心線平均粗さＲａを求めたところ、約１２．３７ｎｍだった。【００９８】  次に、スパッタリング法により、基板１２のベース面１２Ａ上に、材料がＴａの下地層１４を約３０ｎｍの厚さで成膜した。更に、スパッタリング法により、下地層１４上に材料がＣｒの電極膜を約２０ｎｍの厚さで成膜してから、電解メッキ法により第１の軟磁性層２６を成膜した。具体的には、ｐＨ４のスルファミン酸ニッケル及びスルファミン酸鉄の混合液を用い、温度５０℃で約１５０ｎｍの厚さに成膜した。第１の軟磁性層２６の表面２６ＡをＡＦＭ（原子間力顕微鏡）で撮像したところ図１７に示されるような画像が得られた。図１７に基づいて、第１の軟磁性層２６の表面２６Ａの表面の中心線平均粗さＲａを求めたところ、約７．６４ｎｍだった。即ち、第１の軟磁性層２６は、基板１２のベース面１２Ａよりも表面粗さが小さかった。【００９９】  次に、バイアススパッタリング法により、第１の軟磁性層２６上に、第２の軟磁性層２８を約１００ｎｍの厚さで成膜した。バイアススパッタリングにはＡｒガスを用い、バイアススパッタリング条件を以下のように設定した。【０１００】  Ａｒ流量    ：１００ｓｃｃｍ
ガス圧      ：１．０Ｐａ
投入電力      ：５００Ｗ
基板バイアス電圧：２５０Ｗ【０１０１】  第２の軟磁性層２８の表面をＡＦＭ（原子間力顕微鏡）で撮像し、この撮像画像（図示省略）に基づいて、第２の軟磁性層２８の表面の中心線平均粗さＲａを求めたところ、約０．７２ｎｍだった。即ち、基板１２のベース面１２Ａの表面粗さに対して、第２の軟磁性層２８の表面粗さが大幅に低減されていることが確認された。
【実施例２】
【０１０２】  前記第２実施形態のとおり、磁気記録媒体５０を作製し、作製過程において第２の軟磁性層２８の表面粗さを測定した。具体的には、上記実施例１と同様の工程で第１の軟磁性層２６、第２の軟磁性層２８を成膜し、第２の軟磁性層２８の表面をイオンビームエッチングで平坦化した。イオンビームエッチングにはＡｒガスを用い、イオンビームエッチング条件は以下のように設定し、基板１２を回転させながら加工した。【０１０３】  Ａｒガス流量    ：１１ｓｃｃｍ
ガス圧        ：０．０５Ｐａ
ビーム電圧      ：５００Ｖ
ビーム電流      ：５００ｍＡ
サプレッサー電圧  ：４００Ｗ
イオンビーム入射角：３°【０１０４】  第２の軟磁性層２８の表面をＡＦＭ（原子間力顕微鏡）で撮像したところ図１８に示されるような画像が得られた。図１８に基づいて、第２の軟磁性層２８の表面の中心線平均粗さＲａを求めたところ、約０．４６ｎｍだった。即ち、実施例１よりも、第２の軟磁性層２８の表面粗さが更に低減されていることが確認された。
【実施例３】
【０１０５】  上記実施例１に対し、第１の軟磁性層２６をスパッタリング法により約１５０ｎｍの厚さに成膜した。尚、下地層１４上に電極膜は成膜しなかった。他の条件は、上記実施例１と同様とした。第１の軟磁性層２６の表面２６ＡをＡＦＭ（原子間力顕微鏡）で撮像したところ図１９に示されるような画像が得られた。図１９に基づいて、第１の軟磁性層２６の表面２６Ａの表面の中心線平均粗さＲａを求めたところ、約１４．１２ｎｍだった。即ち、第１の軟磁性層２６は、基板１２のベース面１２Ａよりも表面粗さが大きかった。【０１０６】  次に、実施例１と同様にバイアススパッタリング法により、第１の軟磁性層２６上に、第２の軟磁性層２８を約１００ｎｍの厚さで成膜し、第２の軟磁性層２８の表面をＡＦＭ（原子間力顕微鏡）で撮像し、この撮像画像（図示省略）に基づいて、第２の軟磁性層２８の表面の中心線平均粗さＲａを求めたところ、約０．８８ｎｍだった。即ち、基板１２のベース面１２Ａの表面粗さに対して、第２の軟磁性層２８の表面粗さが大幅に低減されていることが確認された。
【実施例４】
【０１０７】  上記実施例２に対し、第１の軟磁性層２６、第２の軟磁性層２８を（上記実施例１に代えて）上記実施例３と同様の工程で成膜し、第２の軟磁性層２８の表面をイオンビームエッチングで平坦化して、磁気記録媒体５０を作製し、作製過程において第２の軟磁性層２８の表面粗さを測定した。他の条件は、上記実施例２と同様とした。【０１０８】  第２の軟磁性層２８の表面をＡＦＭ（原子間力顕微鏡）で撮像し、この撮像画像（図示省略）に基づいて、第２の軟磁性層２８の表面の中心線平均粗さＲａを求めたところ、約０．５５ｎｍだった。即ち、実施例３よりも、第２の軟磁性層２８の表面粗さが更に低減されていることが確認された。
【実施例５】
【０１０９】  前記第３実施形態のとおり、単層の軟磁性層６２を有する磁気記録媒体６０を作製し、作製過程において軟磁性層６２の表面粗さを測定した。具体的には、軟磁性層６２を成膜するまでの工程は、上記実施例１における第１の軟磁性層２６を形成するまでの工程と同様とし、成膜した軟磁性層６２の表面をイオンビームエッチングで平坦化した。【０１１０】  軟磁性層６２の表面をＡＦＭ（原子間力顕微鏡）で撮像し、この撮像画像（図示省略）に基づいて、第２の軟磁性層２８の表面の中心線平均粗さＲａを求めたところ、約０．７２ｎｍだった。即ち、基板１２のベース面１２Ａの表面粗さに対して、軟磁性層６２の表面粗さが大幅に低減されていることが確認された。
【実施例６】
【０１１１】  上記実施例５に対し、軟磁性層６２を成膜するまでの工程は、（上記実施例１に代えて）上記実施例３における第１の軟磁性層２６を形成するまでの工程と同様とし、成膜した軟磁性層６２の表面をイオンビームエッチングで平坦化して、磁気記録媒体６０を作製し、作製過程において軟磁性層６２の表面粗さを測定した。他の条件は、上記実施例５と同様とした。【０１１２】  軟磁性層６２の表面をＡＦＭ（原子間力顕微鏡）で撮像したところ図２０に示されるような画像がえられた。図２０に基づいて、第２の軟磁性層２８の表面の中心線平均粗さＲａを求めたところ、約０．７６ｎｍだった。即ち、基板１２のベース面１２Ａの表面粗さに対して、軟磁性層６２の表面粗さが大幅に低減されていることが確認された。【０１１３】  以上の実施例１〜６の測定結果を表１に対比して示す。【０１１４】
2005031714.tif 000003
2005031714.tif 000004
【０１１５】  表１より、実施例１〜６はいずれも、第２の軟磁性層２８（軟磁性層６２）の表面の中心線平均粗さが１ｎｍ以下に抑制されており、良好なヘッド浮上が得られるだけの充分な平坦性を有していることがわかる。【０１１６】  又、軟磁性層を二層構成とし、第２の軟磁性層２８をバイアススパッタリング法を用いて成膜してから、更に、イオンビームエッチングで平坦化することで、第２の軟磁性層２８の表面粗さを特に小さくできることがわかる。【０１１７】  又、軟磁性層が単層でも、軟磁性層の表面をイオンビームエッチングで平坦化すれば、イオンビームエッチングで平坦化する前の二層構成の軟磁性層よりも、表面粗さを小さくできることがわかる。【０１１８】  又、第１の軟磁性層２６（軟磁性層６２）の成膜手法としてメッキ法を用いることで、スパッタリング法を用いる場合よりも、成膜後の第１の軟磁性層２６（軟磁性層６２）の表面粗さを小さくでき、これにより、第２の軟磁性層２８（軟磁性層６２）の表面粗さを小さくできることがわかる。
【産業上の利用可能性】
【０１１９】  本発明は、表面粗さが小さい磁気記録媒体を効率良く、低コストで製造するために利用できる。
【図１】
2005031714.tif 000005
【図２】
2005031714.tif 000006
【図３】
2005031714.tif 000007
【図４】
2005031714.tif 000008
【図５】
2005031714.tif 000009
【図６】
2005031714.tif 000010
【図７】
2005031714.tif 000011
【図８】
2005031714.tif 000012
【図９】
2005031714.tif 000013
【図１０】
2005031714.tif 000014
【図１１】
2005031714.tif 000015
【図１２】
2005031714.tif 000016
【図１３】
2005031714.tif 000017
【図１４】
2005031714.tif 000018
【図１５】
2005031714.tif 000019
【図１６】
2005031714.tif 000020
【図１７】
2005031714.tif 000021
【図１８】
2005031714.tif 000022
【図１９】
2005031714.tif 000023
【図２０】
2005031714.tif 000024
【図２１】
2005031714.tif 000025
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月14日(2005.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも片面がベース面とされた基板の前記ベース面上に軟磁性層、記録層がこの順で形成された磁気記録媒体であって、
前記記録層は凹凸パターンで形成され、前記基板と、前記記録層と、の間に中間層が設けられ、該中間層における前記記録層側の面の表面粗さが、前記基板のベース面の表面粗さよりも小さいことを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
請求項１において、
前記軟磁性層が前記中間層を兼ねることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項３】
少なくとも片面がベース面とされた基板の前記ベース面上に軟磁性層、記録層がこの順で形成された磁気記録媒体であって、
前記軟磁性層は、前記基板側の第１の軟磁性層と、前記記録層側の第２の軟磁性層と、が積層された構成とされ、該第２の軟磁性層における前記記録層側の面の表面粗さが、前記基板のベース面の表面粗さよりも小さく、且つ、前記第１の軟磁性層における前記記録層側の面の表面粗さよりも小さいことを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項４】
少なくとも片面がベース面とされた基板の前記ベース面上に記録層が形成された磁気記録媒体であって、
前記記録層は凹凸パターンで形成され、前記基板と、前記記録層と、の間に中間層が前記記録層に接して設けられ、該中間層における前記記録層側の面の表面粗さが、前記基板のベース面の表面粗さよりも小さく、且つ、該中間層における前記記録層側の面の中心線平均粗さが１ｎｍ以下であることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項５】
請求項１又は２において、
前記中間層における前記記録層側の面の中心線平均粗さが１ｎｍ以下であることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項６】
請求項３において、
前記第２の軟磁性層における前記記録層側の面の中心線平均粗さが１ｎｍ以下であることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項７】
少なくとも片面がベース面とされた基板の前記ベース面上に軟磁性層、記録層がこの順で形成された磁気記録媒体の製造方法であって、
前記基板の方向にバイアスパワーを印加しつつ該基板のベース面上に中間層を、その表面粗さが前記基板のベース面の表面粗さよりも小さくなるように形成する中間層形成工程と、該中間層上に前記記録層を形成する記録層形成工程と、を含んでなることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項８】
少なくとも片面がベース面とされた基板の前記ベース面上に軟磁性層、記録層がこの順で形成された磁気記録媒体の製造方法であって、
前記基板のベース面上に中間層を形成する中間層形成工程と、該中間層の表面をドライエッチングにより加工し、その表面粗さが前記基板のベース面の表面粗さよりも小さくなるように平坦化する中間層平坦化工程と、該中間層上に前記記録層を形成する記録層形成工程と、を含んでなることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項９】
請求項７又は８において、
前記中間層形成工程において前記中間層として前記軟磁性層を形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１０】
少なくとも片面がベース面とされた基板の前記ベース面上に記録層が形成された磁気記録媒体の製造方法であって、
前記基板の方向にバイアスパワーを印加しつつ該基板のベース面上に中間層を、その表面粗さが前記基板のベース面の表面粗さよりも小さくなるように形成する中間層形成工程と、該中間層上に接して前記記録層を形成する記録層形成工程と、を含んでなることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１１】
請求項７又は１０において、
前記中間層形成工程と、前記記録層形成工程と、の間に、前記中間層の表面をドライエッチングにより平坦化する中間層平坦化工程が設けられたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１２】
少なくとも片面がベース面とされた基板の前記ベース面上に記録層が形成された磁気記録媒体の製造方法であって、
前記基板のベース面上に中間層を形成する中間層形成工程と、該中間層の表面をドライエッチングにより加工し、その表面粗さが前記基板のベース面の表面粗さよりも小さくなるように平坦化する中間層平坦化工程と、該中間層上に接して前記記録層を形成する記録層形成工程と、を含んでなることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１３】
請求項７、８、１０、１２のいずれかにおいて、
中心線平均粗さが１ｎｍ以下となるように前記中間層の表面を仕上げるようにしたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１４】
請求項９において、
中心線平均粗さが１ｎｍ以下となるように前記中間層の表面を仕上げるようにしたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１５】
少なくとも片面がベース面とされた基板の前記ベース面上に軟磁性層、記録層がこの順で形成された磁気記録媒体の製造方法であって、
前記基板のベース面上にスパッタリング法及びメッキ法のいずれかにより軟磁性材料を成膜して第１の軟磁性層を形成する第１の軟磁性層形成工程と、前記基板の方向にバイアスパワーを印加しつつ前記第１の軟磁性層上に軟磁性材料を成膜し、前記基板のベース面の表面粗さよりも表面粗さが小さい第２の軟磁性層を形成する第２の軟磁性層形成工程と、該第２の軟磁性層上に前記記録層を形成する記録層形成工程と、を含んでなることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１６】
少なくとも片面がベース面とされた基板の前記ベース面上に軟磁性層、記録層がこの順で形成された磁気記録媒体の製造方法であって、
前記基板のベース面上にスパッタリング法及びメッキ法のいずれかにより軟磁性材料を成膜して第１の軟磁性層を形成する第１の軟磁性層形成工程と、前記基板の方向にバイアスパワーを印加しつつ前記第１の軟磁性層上に軟磁性材料を成膜して第２の軟磁性層を形成する第２の軟磁性層形成工程と、該第２の軟磁性層の表面をドライエッチングにより加工して、表面粗さが前記基板のベース面の表面粗さよりも小さくなるように該第２の軟磁性層の表面を平坦化する軟磁性層平坦化工程と、該第２の軟磁性層上に前記記録層を形成する記録層形成工程と、を含んでなることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１７】
請求項１５又は１６において、
中心線平均粗さが１ｎｍ以下となるように前記第２の軟磁性層の表面を仕上げるようにしたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年6月19日(2006.6.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも片面がベース面とされた基板の前記ベース面上に軟磁性層、記録層がこの順で形成された磁気記録媒体であって、
前記軟磁性層は、前記基板側の第１の軟磁性層と、前記記録層側の第２の軟磁性層と、が積層された構成とされ、該第２の軟磁性層における前記記録層側の面の中心線平均粗さが１ｎｍ以下で、前記基板のベース面の中心線平均粗さよりも小さく、且つ、前記第１の軟磁性層における前記記録層側の面の中心線平均粗さよりも小さいことを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
少なくとも片面がベース面とされた基板の前記ベース面上に軟磁性層、記録層がこの順で形成された磁気記録媒体の製造方法であって、
前記基板のベース面上にスパッタリング法及びメッキ法のいずれかにより軟磁性材料を成膜して第１の軟磁性層を形成する第１の軟磁性層形成工程と、前記基板の方向にバイアスパワーを印加しつつ前記第１の軟磁性層上に軟磁性材料を成膜し、前記記録層側の面の中心線平均粗さが１ｎｍ以下で前記基板のベース面の中心線平均粗さよりも小さい第２の軟磁性層を形成する第２の軟磁性層形成工程と、該第２の軟磁性層上に前記記録層を形成する記録層形成工程と、を含んでなることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３】
少なくとも片面がベース面とされた基板の前記ベース面上に軟磁性層、記録層がこの順で形成された磁気記録媒体の製造方法であって、
前記基板のベース面上にスパッタリング法及びメッキ法のいずれかにより軟磁性材料を成膜して第１の軟磁性層を形成する第１の軟磁性層形成工程と、前記基板の方向にバイアスパワーを印加しつつ前記第１の軟磁性層上に軟磁性材料を成膜して第２の軟磁性層を形成する第２の軟磁性層形成工程と、該第２の軟磁性層の表面をドライエッチングにより加工して、該第２の軟磁性層における前記記録層側の面の中心線平均粗さが１ｎｍ以下で前記基板のベース面の中心線平均粗さよりも小さくなるように該第２の軟磁性層の表面を平坦化する軟磁性層平坦化工程と、該第２の軟磁性層上に前記記録層を形成する記録層形成工程と、を含んでなることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばハードディスク等の磁気記録媒体及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気記録媒体は、記録・読取精度を高めるため、表面粗さを極力小さくすることが重要である。例えば、ハードディスクの場合、浮上式ヘッドが主流となっており、良好な記録・読取精度を得るためには、表面粗さを極力小さくし、浮上式ヘッドと磁気記録媒体とのギャップを微小範囲内に保持することが重要である。
【０００３】
従来、ハードディスク等の磁気記録媒体の製造工程では、基板の両面又は片面のベース面をＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）法等で研磨して平坦に仕上げ、この基板のベース面上に記録層、保護層等をスパッタリング法等で積層することにより、磁気記録媒体全体としての表面粗さを極力小さくするようにしている（例えば、特開平５−３１４４７１号公報、特開平９−２３１５６２号公報参照）。
【発明の開示】
【０００４】
しかしながら、従来の基板の平坦化は、所望の表面粗さに仕上げるために基板のベース面を複数回繰り返し研磨する必要があり、生産効率が低いという問題があった。
【０００５】
特に、ＣＭＰ法を用いる場合、基板のベース面を複数回繰り返し研磨する毎にスラリーを除去するための洗浄を行う必要があり、生産効率を大幅に低下させる要因となっていた。
【０００６】
更に、従来の基板は生産効率が低いため、磁気記録媒体のコストのうち、基板のコストの比率が高かった。
【０００７】
又、基板のベース面を平坦に仕上げても配向層、軟磁性層等を積層する過程で表面粗さが次第に大きくなり、最終的な磁気記録媒体全体の表面粗さが許容範囲を超えてしまうことがある。
【０００８】
例えば、近年、面記録密度の向上を図るべく、垂直記録タイプのハードディスクが増加しており、このような垂直記録型のハードディスクは基板と記録層との間に記録層よりも厚い軟磁性層が設けられるため、磁気記録媒体全体としての表面粗さが大きくなりやすい傾向がある。
【０００９】
更に、面記録密度の一層の向上を実現しうる磁気記録媒体の候補として、例えば、記録層が凹凸パターンで形成されたディスクリートタイプ等の磁気記録媒体が注目されているが、凹凸パターンで形成された記録層は表面粗さが更に大きくなりやすい。
【００１０】
尚、記録層の表面をＣＭＰ法等で研磨することにより、記録層が凹凸パターンで形成された磁気記録媒体の表面粗さを小さくしうるが、薄い記録層の研磨は実際上、制御等が困難であると共に液剤の化学的作用等により、記録層が変質して磁気特性が悪化しうるという問題がある。更に、このような研磨工程を採用すると生産効率が低下するという問題がある。
【００１１】
又、面記録密度の向上に伴い磁気ヘッドの浮上高さは低くなる傾向にあり、浮上高さが低くなるにつれて従来は問題とならなかった大きさの表面粗さであっても、磁気記録媒体の記録・読取精度を大きく低下させることがある。
【００１２】
本発明は、以上の問題点に鑑みてなされたものであって、表面粗さが小さく低コストな磁気記録媒体及び磁気記録媒体の製造方法を提供することをその課題とする。
【００１３】
本発明は、基板と、記録層と、の間に、記録層側の面の表面粗さが、基板のベース面の表面粗さよりも小さい中間層を設けることにより表面粗さが小さく低コストな磁気記録媒体を実現したものである。即ち、基板よりも磁気記録媒体の表面に近いところに平坦な中間層を設けることで、表面粗さが小さい磁気記録媒体を効率良く、低コストで製造することができる。又、記録層は、平坦な中間層に倣って平坦な形状で形成されるので、記録層の表面を平坦化するための加工が不要であり、又、仮に加工が必要な場合でも、その加工量を抑制することができるので、記録層の劣化を防止することができる。
【００１４】
尚、軟磁性層を備える垂直記録型の磁気記録媒体の場合、軟磁性層が中間層を兼ねる構成とするとよい。軟磁性層は、記録層よりも著しく厚いので、軟磁性層の表面を平坦化のために加工しても、磁気特性に対する影響は小さく抑制される。
【００１５】
尚、ＣＭＰ法のようなウェットプロセスによらず、イオンビームエッチング、反応性イオンエッチング、反応性イオンビームエッチング等のドライプロセスを用いて平坦化することで、軟磁性層等の中間層の特性の劣化を更に抑制することができる。
【００１６】
又、本発明は、中間層である軟磁性層が、第１の軟磁性層と、該第１の軟磁性層上に形成された第２の軟磁性層と、を有してなる構成とし、第２の軟磁性層の表面粗さを、第１の軟磁性層における前記記録層側の面の表面粗さよりも小さく、且つ、前記基板のベース面の表面粗さよりも小さくすることで、表面粗さが小さく低コストな磁気記録媒体を実現したものである。
【００１７】
例えば、基板のベース面上にスパッタリング法又はメッキ法により第１の軟磁性層を形成することで、他の層よりも著しく厚い軟磁性層を効率良く形成することができる。又、例えばバイアススパッタリング法等のバイアスパワーを印加する成膜手法により、第１の軟磁性層上に第２の軟磁性層を形成することで、第２の軟磁性層の凸部を選択的にエッチングしつつ第２の軟磁性層の成膜が進行し、表面粗さが小さい第２の軟磁性層を形成することができる。このように表面粗さが小さい第２の軟磁性層上に記録層等を形成することで、表面粗さが小さい磁気記録媒体を効率良く、低コストで製造することができる。更に、第２の軟磁性層をイオンビームエッチング等で平坦化することで、表面粗さが小さい磁気記録媒体を効率良く、低コストで確実に製造することができる。
【００１８】
又、本発明は、バイアスパワーを印加する成膜手法で中間層を形成したり、中間層の表面をイオンビームエッチング、反応性イオンエッチング、反応性イオンビームエッチング等のドライエッチングで平坦化することで表面粗さが小さく低コストな磁気記録媒体を実現したものである。即ち、ウェットプロセスによらず、バイアスパワーを印加する成膜手法で平坦な中間層を形成したりドライエッチングにより中間層を平坦化することで、表面粗さが小さい磁気記録媒体を効率良く、低コストで製造することができる。又、これらの加工手法を記録層の形成や記録層の加工のために用いないので記録層の劣化を抑制することができる。
【００１９】
即ち、次のような本発明により、上記課題の解決を図ったものである。
【００２０】
（１）少なくとも片面がベース面とされた基板の前記ベース面上に軟磁性層、記録層がこの順で形成された磁気記録媒体であって、前記基板と、前記記録層と、の間に中間層が設けられ、該中間層における前記記録層側の面の表面粗さが、前記基板のベース面の表面粗さよりも小さいことを特徴とする磁気記録媒体。
【００２１】
（２）  （１）において、前記軟磁性層が前記中間層を兼ねることを特徴とする磁気記録媒体。
【００２２】
（３）  （２）において、前記軟磁性層は、前記基板側の第１の軟磁性層と、前記記録層側の第２の軟磁性層と、が積層された構成とされ、該第２の軟磁性層における前記記録層側の面の表面粗さが、前記基板のベース面の表面粗さよりも小さく、且つ、前記第１の軟磁性層における前記記録層側の面の表面粗さよりも小さいことを特徴とする磁気記録媒体。
【００２３】
（４）少なくとも片面がベース面とされた基板の前記ベース面上に記録層が形成された磁気記録媒体であって、前記基板と、前記記録層と、の間に中間層が前記記録層に接して設けられ、該中間層における前記記録層側の面の表面粗さが、前記基板のベース面の表面粗さよりも小さいことを特徴とする磁気記録媒体。
【００２４】
（５)  （１）乃至（４）のいずれかにおいて、前記中間層における前記記録層側の面の中心線平均粗さが１ｎｍ以下であることを特徴とする磁気記録媒体。
【００２５】
（６）少なくとも片面がベース面とされた基板の前記ベース面上に軟磁性層、記録層がこの順で形成された磁気記録媒体の製造方法であって、前記基板の方向にバイアスパワーを印加しつつ該基板のベース面上に中間層を、その表面粗さが前記基板のベース面の表面粗さよりも小さくなるように形成する中間層形成工程と、該中間層上に前記記録層を形成する記録層形成工程と、を含んでなることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【００２６】
（７）少なくとも片面がベース面とされた基板の前記ベース面上に軟磁性層、記録層がこの順で形成された磁気記録媒体の製造方法であって、前記基板のベース面上に中間層を形成する中間層形成工程と、該中間層の表面をドライエッチングにより加工し、その表面粗さが前記基板のベース面の表面粗さよりも小さくなるように平坦化する中間層平坦化工程と、該中間層上に前記記録層を形成する記録層形成工程と、を含んでなることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【００２７】
（８）  （６）又は（７）において、前記中間層形成工程において前記中間層として前記軟磁性層を形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【００２８】
（９）少なくとも片面がベース面とされた基板の前記ベース面上に記録層が形成された磁気記録媒体の製造方法であって、前記基板の方向にバイアスパワーを印加しつつ該基板のベース面上に中間層を、その表面粗さが前記基板のベース面の表面粗さよりも小さくなるように形成する中間層形成工程と、該中間層上に接して前記記録層を形成する記録層形成工程と、を含んでなることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【００２９】
（１０）  （６）又は（９）において、前記中間層形成工程と、前記記録層形成工程と、の間に、前記中間層の表面をドライエッチングにより平坦化する中間層平坦化工程が設けられたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【００３０】
（１１）少なくとも片面がベース面とされた基板の前記ベース面上に記録層が形成された磁気記録媒体の製造方法であって、前記基板のベース面上に中間層を形成する中間層形成工程と、該中間層の表面をドライエッチングにより加工し、その表面粗さが前記基板のベース面の表面粗さよりも小さくなるように平坦化する中間層平坦化工程と、該中間層上に接して前記記録層を形成する記録層形成工程と、を含んでなることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【００３１】
（１２）  （６）、（７）、（９）、（１１）のいずれかにおいて、中心線平均粗さが１ｎｍ以下となるように前記中間層の表面を仕上げるようにしたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【００３２】
（１３）  （８）において、中心線平均粗さが１ｎｍ以下となるように前記中間層の表面を仕上げるようにしたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【００３３】
（１４）少なくとも片面がベース面とされた基板の前記ベース面上に軟磁性層、記録層がこの順で形成された磁気記録媒体の製造方法であって、前記基板のベース面上にスパッタリング法及びメッキ法のいずれかにより軟磁性材料を成膜して第１の軟磁性層を形成する第１の軟磁性層形成工程と、前記基板の方向にバイアスパワーを印加しつつ前記第１の軟磁性層上に軟磁性材料を成膜し、前記基板のベース面の表面粗さよりも表面粗さが小さい第２の軟磁性層を形成する第２の軟磁性層形成工程と、該第２の軟磁性層上に前記記録層を形成する記録層形成工程と、を含んでなることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【００３４】
（１５）少なくとも片面がベース面とされた基板の前記ベース面上に軟磁性層、記録層がこの順で形成された磁気記録媒体の製造方法であって、前記基板のベース面上にスパッタリング法及びメッキ法のいずれかにより軟磁性材料を成膜して第１の軟磁性層を形成する第１の軟磁性層形成工程と、前記基板の方向にバイアスパワーを印加しつつ前記第１の軟磁性層上に軟磁性材料を成膜して第２の軟磁性層を形成する第２の軟磁性層形成工程と、該第２の軟磁性層の表面をドライエッチングにより加工して、表面粗さが前記基板のベース面の表面粗さよりも小さくなるように該第２の軟磁性層の表面を平坦化する軟磁性層平坦化工程と、該第２の軟磁性層上に前記記録層を形成する記録層形成工程と、を含んでなることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【００３５】
（１６）  （１４）又は（１５）において、中心線平均粗さが１ｎｍ以下となるように前記第２の軟磁性層の表面を仕上げるようにしたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【００３６】
尚、本出願において、「イオンビームエッチング」という用語は、例えばイオンミリング等の、イオン化したガスを被加工体に照射して除去する加工方法の総称という意義で用いることとし、イオンビームを絞って照射する加工方法に限定しない。
【００３７】
又、本出願において「磁気記録媒体」という用語は、情報の記録、読み取りに磁気のみを用いるハードディスク、フロッピー（登録商標）ディスク、磁気テープ等に限定されず、磁気と光を併用するＭＯ（Ｍａｇｎｅｔｏ  Ｏｐｔｉｃａｌ）等の光磁気記録媒体、磁気と熱を併用する熱アシスト型の記録媒体も含む意義で用いることとする。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の第１実施形態に係る磁気記録媒体の構造を模式的に示す側断面図である。
【図２】同磁気記録媒体の製造工程の概要を示すフローチャートである。
【図３】同磁気記録媒体の基板のプレス成形後の形状を模式的に示す側断面図である。
【図４】同基板上に下地層を形成した状態を模式的に示す側断面図である。
【図５】同下地層上に第１の軟磁性層を形成した状態を模式的に示す側断面図である。
【図６】同第１の軟磁性層上に第２の軟磁性層を形成した状態を模式的に示す側断面図である。
【図７】同第２の軟磁性層上に配向層を形成した状態を模式的に示す側断面図である。
【図８】同配向層上に記録層を形成した状態を模式的に示す側断面図である。
【図９】本発明の第２実施形態に係る磁気記録媒体の製造工程の概要を示すフローチャートである。
【図１０】同磁気記録媒体の構造を模式的に示す側断面図である。
【図１１】同磁気記録媒体の製造過程における第２の軟磁性層を平坦化した状態を模式的に示す側断面である。
【図１２】本発明の第３実施形態に係る磁気記録媒体の構造を模式的に示す側断面図である。
【図１３】同磁気記録媒体の製造工程の概要を示すフローチャートである。
【図１４】同磁気記録媒体の製造過程における軟磁性層を平坦化した状態を模式的に示す側断面である。
【図１５】本発明の第４実施形態に係る磁気記録媒体の構造を模式的に示す側断面図である。
【図１６】本発明の第１実施例に係る磁気記録媒体の基板のベース面の表面状態を拡大して示すＡＦＭ写真である。
【図１７】同磁気記録媒体の第１の軟磁性層の表面状態を拡大して示すＡＦＭ写真である。
【図１８】本発明の第１実施例に係る磁気記録媒体の第２の軟磁性層の表面状態を拡大して示すＡＦＭ写真である。
【図１９】本発明の第３実施例に係る磁気記録媒体の第１の軟磁性層の表面状態を拡大して示すＡＦＭ写真である。
【図２０】本発明の第６実施例に係る磁気記録媒体の第２の軟磁性層の表面状態を拡大して示すＡＦＭ写真である。
【図２１】本発明の第３実施形態に係る磁気記録媒体の他の製造工程例の概要を示すフローチャートである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３９】
以下、本発明の好ましい実施形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００４０】
図１に示されるように、本実施形態に係る磁気記録媒体１０は、片面がベース面１２Ａとされた基板１２のベース面１２Ａ上に、下地層１４、軟磁性層（中間層）１６、配向層１８、記録層２０、保護層２２、潤滑層２４がこの順で形成された垂直記録型である。
【００４１】
磁気記録媒体１０は、軟磁性層１６が、基板１２側の第１の軟磁性層２６と、記録層２０側の第２の軟磁性層２８と、が積層された構成とされ、該第２の軟磁性層２８における記録層２０側の面２８Ａの表面粗さが、基板１２のベース面１２Ａの表面粗さよりも小さく、且つ、第１の軟磁性層２６における記録層２０側の面２６Ａの表面粗さよりも小さいことを特徴としている。他の構成については従来の磁気記録媒体と同様であるので、説明を適宜省略することとする。
【００４２】
基板１２は、材料がガラスで、厚さが０．２〜２ｍｍである。
【００４３】
下地層１４は、材料がＴａ（タンタル）、Ｃｒ（クロム）又はＣｒ合金で、厚さが３０〜２０００ｎｍである。
【００４４】
軟磁性層１６は、第１の軟磁性層２６及び第２の軟磁性層２８の材料が共にＦｅ（鉄）合金又はＣｏ（コバルト）合金で、第１の軟磁性層２６及び第２の軟磁性層２８の合計の厚さが５０〜３００ｎｍである。第１の軟磁性層２６は、第２の軟磁性層２８よりも厚く形成されている。
【００４５】
配向層１８は、材料がＣｒ、非磁性のＣｏＣｒ（コバルト−クロム）合金、ＭｇＯ（酸化マグネシウム）、Ｔｉ（チタン）等で、厚さが３〜３０ｎｍである。
【００４６】
記録層２０は、材料がＣｏ（コバルト）合金で、厚さが５〜３０ｎｍである。
【００４７】
保護層２２は、材料がダイヤモンドライクカーボンで、厚さが１〜５ｎｍである。尚、本出願において「ダイヤモンドライクカーボン（以下、「ＤＬＣ」という）」という用語は、炭素を主成分とし、アモルファス構造であって、ビッカース硬度測定で２００〜８０００ｋｇｆ／ｍｍ２程度の硬さを示す材料という意義で用いることとする。
【００４８】
潤滑層２４は、材料がＰＦＰＥ（パーフロロポリエーテル）で、厚さが１〜２ｎｍである。
【００４９】
次に、図２のフローチャートを参照しつつ、磁気記録媒体１０の製造方法について説明する。
【００５０】
まず、基板１２を成形する（Ｓ１０２）。具体的には、ガラスを加熱して溶融状態とし、プレス成形により板状に成形する。これにより、図３に示されるような、ベース面１２Ａの中心線平均粗さが約１０〜２０ｎｍの基板１２が得られる。
【００５１】
次に、図４に示されるように、基板１２のベース面１２Ａ上にスパッタリング法により、下地層１４を形成する（Ｓ１０４）。下地層１４は表面が、基板１２のベース面１２Ａの表面形状に倣った形状に形成される。
【００５２】
次に、図５に示されるように、下地層１４上にスパッタリング法又はメッキ法により、第１の軟磁性層２６を形成する（Ｓ１０６）。第１の軟磁性層２６は表面２６Ａが、下地層１４の表面形状に倣った形状に形成される。
【００５３】
次に、図６に示されるように、第１の軟磁性層２６上にバイアススパッタリング法により、第２の軟磁性層２８を形成する（Ｓ１０８）。この際、スパッタリングによる成膜作用と、既に成膜された第２の軟磁性層２８の一部をバイアスパワーで付勢されるスパッタリングガスがエッチングするエッチング作用と、が同時に進行し、成膜作用がエッチング作用を上回ることで成膜が進行する。スパッタリングによる成膜作用は、第１の軟磁性層２６の表面２６Ａの形状に倣って第２の軟磁性層２８を成膜する傾向があるが、エッチング作用は、膜の突出した部位を他の部位よりも選択的に早く除去する傾向があるので、このエッチング作用により第２の軟磁性層２８は表面の凹凸が抑制されて成膜される。これにより、第２の軟磁性層２８の表面２８Ａの中心線平均粗さは約０．５〜２ｎｍとなり、基板１２のベース面１２Ａの表面粗さよりも小さく、且つ、第１の軟磁性層２６における記録層２０側の面２６Ａの表面粗さよりも小さくなる。
【００５４】
次に、スパッタリング法により、図７に示されるように、第２の軟磁性層２８の表面２８Ａ上に配向層１８を形成する（Ｓ１１０）。配向層１８は、第２の軟磁性層２８の表面２８Ａの形状に倣って、表面が平坦な形状に形成される。更に、スパッタリング法により、図８に示されるように、配向層１８上に記録層２０を形成する（Ｓ１１２）。配向層１８、記録層２０は、第２の軟磁性層２８の表面２８Ａの形状に倣って、表面が平坦な形状に形成される。
【００５５】
次に、記録層２０上にＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により保護層２２を形成し（Ｓ１１４）、保護層２２上に、ディッピング法により潤滑層２４を形成する（Ｓ１１６）する。これにより、前記図１に示される磁気記録媒体１０が完成する。保護層２２、潤滑層２４も、第２の軟磁性層２８の表面２８Ａの形状に倣って、表面が平坦な形状に形成される。
【００５６】
このように、本実施形態に係る磁気記録媒体１０は、従来のような基板の研磨によらず、軟磁性層１６を二層構成とし、第１の軟磁性層２６に第２の軟磁性層２８をバイアススパッタリング法で成膜することで、記録層２０、保護層２２、潤滑層２４の表面粗さを小さく抑制しており、生産効率が良く、低コストである。
【００５７】
特に、他の層よりも厚く、磁気記録媒体１０の表面に近い位置に配設される軟磁性層１６の表面粗さを抑制することで、磁気記録媒体の表面粗さを低減する効果が高められている。
【００５８】
又、バイアススパッタリング法により平坦な第２の軟磁性層２８を形成しており、記録層２０を平坦化したり、記録層２０を形成するためにバイアスパワーを印加する、エッチング作用がある成膜手法を用いていないので記録層２０の劣化を防止することができる。
【００５９】
尚、第２の軟磁性層２８の形成に用いるバイアススパッタリング法は平坦化効果を有する反面、エッチング作用がある分だけ成膜速度が遅いが、第１の軟磁性層２６の形成には、バイアススパッタリング法よりも成膜速度が速いスパッタリング法又はメッキ法を用いているので生産効率が良い。
【００６０】
尚、本第１実施形態において、バイアススパッタリング法を用いて第２の軟磁性層２８を形成しているが、本発明はこれに限定されるものではなく、基板の方向にバイアスパワーを印加しつつ基板の表面に軟磁性材を成膜できれば成膜手法は特に限定されず、例えばバイアスパワーを印加するＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、ＩＢＤ（Ｉｏｎ  Ｂｅａｍ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）等の他の成膜手法を用いて第２の軟磁性層２８を形成してもよい。
【００６１】
次に本発明の第２実施形態について説明する。
【００６２】
本第２実施形態は、図９のフローチャートに示されるように、前記第１実施形態における第２の軟磁性層成膜工程（Ｓ１０８）と、記録層形成工程（Ｓ１１０）との間に、第２の軟磁性層２８の表面２８Ａをイオンビームエッチングで加工して、更に平坦化する第２の軟磁性層平坦化工程（Ｓ２０２）を設けたことを特徴としており、前記第１実施形態に係る磁気記録媒体１０よりも表面粗さが小さい、図１０に示される磁気記録媒体５０を得るようにしたものである。他の構成については、前記第１実施形態と同様であるので図１〜図８と同一符号を付することとして説明を適宜省略する。
【００６３】
まず、前記第１実施形態と同様に基板１２のベース面１２Ａ上に下地層１４、第１の軟磁性層２６を形成し、更にバイアススパッタリング法により第２の軟磁性層２８を成膜する（図６参照）。第２の軟磁性層２８は、表面２８Ａの表面粗さが、基板１２のベース面１２Ａの表面粗さよりも小さく、且つ、第１の軟磁性層２６における記録層２０側の面２６Ａの表面粗さよりも小さく形成される。
【００６４】
次に、成膜された第２の軟磁性層２８（図６参照）の表面２８Ａに対して傾斜した方向からＡｒ（アルゴン）等のイオンビームを照射して、第２の軟磁性層２８の表面２８Ａを除去しつつ平坦化する。この際、イオンビームの入射角は−１０〜１５°の範囲とすることが好ましい。ここで「入射角」とは、第２の軟磁性層２８の表面２８Ａに対する入射角度であって、被加工体の表面とイオンビームの中心軸とが形成する角度という意義で用いることとする。例えば、イオンビームの中心軸が第２の軟磁性層２８の表面２８Ａと平行である場合、入射角は０°である。
【００６５】
イオンビームエッチングは、表面の突出した部位を他の部位よりも選択的に早く除去する傾向があるので、図１１に示されるように、第２の軟磁性層２８は表面２８Ａが更に平坦化されて中心線平均粗さＲａは、約０．１〜１ｎｍとなる。
【００６６】
この第２の軟磁性層２８の表面２８Ａ上に、上記第１実施形態と同様に、配向層１８（Ｓ１１０）、記録層２０（Ｓ１１２）、保護層２２（Ｓ１１４）、潤滑層２４（Ｓ１１６）を形成することにより、前記図１０に示される磁気記録媒体５０が完成する。
【００６７】
このように、バイアススパッタリング法で成膜した第２の軟磁性層２８の表面２８Ａをイオンビームエッチング法で更に平坦化することで、磁気記録媒体５０の表面粗さを前記第１実施形態に係る磁気記録媒体１０の表面粗さよりも小さく抑制することができる。
【００６８】
尚、前記第１及び第２実施形態は、軟磁性層１６が、第１の軟磁性層２６上に第２の軟磁性層２８を形成した二層構成であるが、本発明はこれに限定されるものではなく、三層以上の構成の軟磁性層としてもよい。
【００６９】
又、本第２実施形態において、第２の軟磁性層２８の表面２８Ａをイオンビームエッチング法で平坦化しているが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば反応性イオンエッチング、反応性イオンビームエッチング等の他のドライエッチングの手法を用いて第２の軟磁性層２８の表面２８Ａを平坦化してもよい。
【００７０】
次に本発明の第３実施形態について説明する。
【００７１】
図１２に示されるように、本第３実施形態に係る磁気記録媒体６０は、前記第１実施形態、第２実施形態に係る磁気記録媒体１０、５０が二層構成の軟磁性層１６を有しているのに対し、単層の軟磁性層（中間層）６２を有し、該単層の軟磁性層６２の表面６２Ａの表面粗さが基板１２のベース面１２Ａの表面粗さよりも小さく抑制されたことを特徴としている。
【００７２】
他の構成については、前記第１及び第２実施形態と同様であるので図１〜図１１と同一符号を付することとして説明を適宜省略する。
【００７３】
磁気記録媒体６０は、図１３のフローチャートに示される製造方法により得られる。まず、前記第１実施形態と同様に基板１２のベース面１２Ａ上にスパッタリング法又はメッキ法により下地層１４、軟磁性層６２を形成する（Ｓ３０２、図５参照）。
【００７４】
次に、前記第２実施形態における第２の軟磁性層平坦化工程（Ｓ２０２）と同様の要領で軟磁性層６２の表面６２Ａをイオンビームエッチングで加工し、図１４に示されるように、単層の軟磁性層６２を平坦化する（Ｓ３０４）。これにより、軟磁性層６２の表面６２Ａの中心線平均粗さＲａは、約０．１〜１ｎｍとなり、基板１２のベース面１２Ａの表面粗さよりも小さくなる。
【００７５】
この軟磁性層６２上に、上記第１及び第２実施形態と同様に、配向層１８（Ｓ１１０）、記録層２０（Ｓ１１２）、保護層２２（Ｓ１１４）、潤滑層２４（Ｓ１１６）を形成することにより、前記図１２に示される磁気記録媒体６０が得られる。
【００７６】
本第３実施形態も、ドライプロセス（イオンビームエッチング）で軟磁性層６２を平坦化しているので、従来のＣＭＰ法のようなウェットプロセスを用いる製造方法に対し、磁気記録媒体用を効率良く、低コストで製造することができる。又、軟磁性層の形成は単層の軟磁性層の成膜で足りるので、この点でも生産効率を高めることができる。
【００７７】
尚、本第３実施形態において、単層の軟磁性層６２の表面６２Ａをイオンビームエッチング法で平坦化しているが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば反応性イオンエッチング、反応性イオンビームエッチング等の他のドライエッチングの手法を用いて単層の軟磁性層６２の表面６２Ａを平坦化してもよい。
【００７８】
又、本第３実施形態において、スパッタリング法又はメッキ法により単層の軟磁性層６２を形成し（Ｓ３０２）、軟磁性層６２の表面６２Ａをイオンビームエッチングで平坦化（Ｓ３０４）しているが、図２１のフローチャートに示されるように、バイアススパッタリング法により表面６２Ａが平坦な単層の軟磁性層６２を形成（Ｓ３０６）してもよい。又、この場合、更にイオンビームエッチング等のドライエッチングで単層の軟磁性層６２を平坦化してもよい。
【００７９】
以上説明した第１〜第３実施形態のうち、いずれの製造方法を採用するかは、要求される磁気記録媒体の表面粗さ等に応じて適宜選択すればよい。
【００８０】
次に、本発明の第４実施形態について説明する。
【００８１】
本第４実施形態は、図１５に示されるような磁気記録媒体７０に係るものであり、この磁気記録媒体７０は、前記第２実施形態に係る磁気記録媒体５０に対し、記録層７２が多数の記録要素７２Ａに分割された構成とされ、記録要素７２Ａの間の凹部に非磁性材７４が充填されたディスクリートトラックタイプである。尚、記録要素７２Ａの間の凹部の側面及び底面には隔膜７６が形成されている。他の構成については前記第２実施形態と同様であるので、図１０及び図１１と同じ符号を付することとして説明を省略することとする。
【００８２】
非磁性材７４は、材料がＳｉＯ２（二酸化ケイ素）等である。又、隔膜７６は、材料が前述のＤＬＣと呼称される硬質炭素膜である。
【００８３】
この磁気記録媒体７０は、前記第１及び第２実施形態と同様の要領で、基板１２上に、下地層１４、軟磁性層１６、配向層１８、連続記録層（図示省略）、及び複数のマスク層（図示省略）、レジスト層（図示省略）等を形成し、リソグラフィ、ドライエッチングの手法を用いて連続記録層を多数の記録要素７２Ａに分割して記録層７２を形成してから、ＣＶＤ法等により隔膜７６を形成し、更にバイアススパッタリング法等により非磁性材７４を記録要素７２Ａの間の凹部に充填し、イオンビームエッチング等により平坦化してから、前記第１及び第２実施形態と同様の要領で、保護層２２、潤滑層２４を形成することにより得られる。
【００８４】
尚、本発明の理解に特に必要とは思われないため、連続記録層を分割加工するためのマスク層、レジスト層の材料、リソグラフィ、ドライエッチング等の手法等については説明を省略する。
【００８５】
磁気記録媒体７０も、前記第２実施形態に係る磁気記録媒体５０と同様に、表面粗さを小さく抑制しつつ効率良く低コストで製造することが可能である。
【００８６】
尚、前記第１〜第４実施形態において、軟磁性層の材料としてＦｅ（鉄）合金又はＣｏ（コバルト）合金が例示されているが、本発明はこれに限定されるものではなく、バイアスパワーを印加する成膜手法、ドライエッチングによる加工に適した軟磁性材料であれば、軟磁性層の材料は特に限定されない。
【００８７】
又、前記第１〜第４実施形態において、磁気記録媒体１０、５０、６０、７０は、基板１２の片面がベース面１２Ａとされ、片面に記録層等が形成されているが、本発明はこれに限定されるものではなく、基板の両面をベース面として、基板の両面にメッキ法又はスパッタリング法により第１の軟磁性層を形成し、更にバイアススパッタリング法等により第２の軟磁性層を形成して、記録層等を形成すれば、両面の表面粗さが小さい磁気記録媒体を効率良く低コストで製造することができる。第２の軟磁性層の表面は更にイオンビームエッチング等のドライエッチングで平坦化してもよい。
【００８８】
又、基板の両面に軟磁性層を形成してイオンビームエッチング等のドライエッチングで平坦化して、記録層等を形成してもよい。又、基板の一方のベース面上に単層の軟磁性層を形成してドライエッチングで平坦化し、他方のベース面上に二層構成の軟磁性層を形成してもよい。
【００８９】
又、前記第１〜第４実施形態は、本発明の一部の適用例を示したものであり、本発明は、軟磁性層を有する他の種々の構成の磁気記録媒体も、表面粗さを抑制しつつ効率良く低コストで製造することができる。
【００９０】
例えば、前記第１〜第４実施形態において、基板１２の材料はガラスであるが、本発明はこれに限定されるものではなく、基板の材料としてＡｌ２Ｏ３（アルミナ）、Ｓｉ（ケイ素）、ＳｉＯ２（二酸化ケイ素）、グラシーカーボン、樹脂等を含む非磁性材料を用いてもよい。
【００９１】
又、前記第１〜第４実施形態において、記録層２０（７２）の材料はＣｏＣｒ合金であるが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、鉄属元素（Ｃｏ、Ｆｅ（鉄）、Ｎｉ）を含む他の合金、これらの積層体等の他の材料の記録層で構成される磁気記録媒体の製造のためにも本発明を適用可能である。
【００９２】
又、前記第１〜第４実施形態において、基板１２と軟磁性層１６（６２）との間に下地層１４が形成されているが、本発明はこれに限定されるものではなく、基板１２と軟磁性層１６（６２）との間に設ける層の構成は、磁気記録媒体の種類に応じて適宜変更すればよい。例えば基板１２と軟磁性層１６（６２）との間に複数の層を形成してもよい。又、軟磁性層を基板上に直接形成してもよい。
【００９３】
又、前記第１〜第４実施形態において、軟磁性層１６（６２）と記録層２０（７２）との間に配向層１８が形成されているが、本発明はこれに限定されるものではなく、軟磁性層１６（６２）と記録層２０（７２）との間に設ける層の構成は、磁気記録媒体の種類に応じて適宜変更すればよい。例えば軟磁性層１６（６２）と記録層２０（７２）との間に複数の層を形成してもよい。又、中間層である軟磁性層１６（６２）上に記録層２０（７２）を直接形成してもよい。
【００９４】
又、前記第１〜第４実施形態において、軟磁性層１６（６２）の表面２８Ａ（６２Ａ）の表面粗さを基板１２のベース面１２Ａの表面粗さよりも小さくすることで、表面粗さが小さい磁気記録媒体１０（５０、６０、７０）を得ているが、例えば、下地層１４や配向層１８等の、基板１２と記録層２０（７２）との間の他の中間層の表面粗さを、基板１２のベース面１２Ａの表面粗さよりも小さくすることで、表面粗さが小さい磁気記録媒体を実現してもよい。この場合も、表面粗さが小さい磁気記録媒体を効率良く、低コストで製造することができ、又、記録層の劣化を防止することができる。尚、表面粗さが基板１２のベース面１２Ａの表面粗さよりも小さい中間層が設けられる位置が磁気記録媒体の表面に近い程、磁気記録媒体の表面粗さを小さくする効果が高いと考えられるので、軟磁性層１６や配向層１８のように、記録層に近い位置に設けられる層が、表面粗さが基板１２のベース面１２Ａの表面粗さよりも小さい中間層であることが好ましい。尚、軟磁性層は他の層と比較して著しく厚く、中間層を軟磁性層よりも基板側に設けると、磁気記録媒体の表面粗さを小さくする効果が減殺されるため、軟磁性層よりも磁気記録媒体の表面に近い層、又は軟磁性層自体が、表面粗さが基板１２のベース面１２Ａの表面粗さよりも小さい中間層であることが望ましい。又、磁気記録媒体の表面粗さを小さくする効果を高めるためには、表面粗さが基板１２のベース面１２Ａの表面粗さよりも小さい中間層は、記録層と接する位置に設けられる層であることがより好ましい。
【００９５】
又、前記第４実施形態において、磁気記録媒体７０は記録要素７２Ａがトラックの径方向に微細な間隔で並設された垂直記録型のディスクリートトラックタイプの磁気記録媒体であるが、本発明はこれに限定されるものではなく、記録要素がトラックの周方向（セクタの方向）に微細な間隔で並設された磁気ディスク、トラックの径方向及び周方向の両方向に微細な間隔で並設された磁気ディスク、記録要素が螺旋形状をなす磁気ディスクの製造についても本発明は当然適用可能である。又、ＭＯ等の光磁気ディスク、磁気と熱を併用する熱アシスト型の記録ディスクに対しても本発明は適用可能である。
【００９６】
又、前記第１〜第４実施形態において、磁気記録媒体１０（５０、６０、７０）は、垂直記録型の記録ディスクであるが、面内記録型の記録ディスクに対しても本発明は適用可能である。
【実施例１】
【００９７】
前記第１実施形態のとおり、磁気記録媒体１０を作製し、作製過程において第２の軟磁性層２８の表面粗さを測定した。具体的には、まず、直径が約２１．６ｍｍ、厚さが約０．３８ｍｍで内径が約６．０ｍｍの中心孔を有するガラス製の基板１２をプレス成形した。この基板１２のベース面１２ＡをＡＦＭ（原子間力顕微鏡）で撮像したところ図１６に示されるような画像が得られた。図１６に基づいて、基板１２のベース面１２Ａの表面の中心線平均粗さＲａを求めたところ、約１２．３７ｎｍだった。
【００９８】
次に、スパッタリング法により、基板１２のベース面１２Ａ上に、材料がＴａの下地層１４を約３０ｎｍの厚さで成膜した。更に、スパッタリング法により、下地層１４上に材料がＣｒの電極膜を約２０ｎｍの厚さで成膜してから、電解メッキ法により第１の軟磁性層２６を成膜した。具体的には、ｐＨ４のスルファミン酸ニッケル及びスルファミン酸鉄の混合液を用い、温度５０℃で約１５０ｎｍの厚さに成膜した。第１の軟磁性層２６の表面２６ＡをＡＦＭ（原子間力顕微鏡）で撮像したところ図１７に示されるような画像が得られた。図１７に基づいて、第１の軟磁性層２６の表面２６Ａの表面の中心線平均粗さＲａを求めたところ、約７．６４ｎｍだった。即ち、第１の軟磁性層２６は、基板１２のベース面１２Ａよりも表面粗さが小さかった。
【００９９】
次に、バイアススパッタリング法により、第１の軟磁性層２６上に、第２の軟磁性層２８を約１００ｎｍの厚さで成膜した。バイアススパッタリングにはＡｒガスを用い、バイアススパッタリング条件を以下のように設定した。
【０１００】
Ａｒ流量        ：１００ｓｃｃｍ
ガス圧          ：１．０Ｐａ
投入電力        ：５００Ｗ
基板バイアス電圧：２５０Ｖ
【０１０１】
第２の軟磁性層２８の表面をＡＦＭ（原子間力顕微鏡）で撮像し、この撮像画像（図示省略）に基づいて、第２の軟磁性層２８の表面の中心線平均粗さＲａを求めたところ、約０．７２ｎｍだった。即ち、基板１２のベース面１２Ａの表面粗さに対して、第２の軟磁性層２８の表面粗さが大幅に低減されていることが確認された。
【実施例２】
【０１０２】
前記第２実施形態のとおり、磁気記録媒体５０を作製し、作製過程において第２の軟磁性層２８の表面粗さを測定した。具体的には、上記実施例１と同様の工程で第１の軟磁性層２６、第２の軟磁性層２８を成膜し、第２の軟磁性層２８の表面をイオンビームエッチングで平坦化した。イオンビームエッチングにはＡｒガスを用い、イオンビームエッチング条件は以下のように設定し、基板１２を回転させながら加工した。
【０１０３】
Ａｒガス流量      ：１１ｓｃｃｍ
ガス圧            ：０．０５Ｐａ
ビーム電圧        ：５００Ｖ
ビーム電流        ：５００ｍＡ
サプレッサー電圧  ：４００Ｖ
イオンビーム入射角：３°
【０１０４】
第２の軟磁性層２８の表面をＡＦＭ（原子間力顕微鏡）で撮像したところ図１８に示されるような画像が得られた。図１８に基づいて、第２の軟磁性層２８の表面の中心線平均粗さＲａを求めたところ、約０．４６ｎｍだった。即ち、実施例１よりも、第２の軟磁性層２８の表面粗さが更に低減されていることが確認された。
【実施例３】
【０１０５】
上記実施例１に対し、第１の軟磁性層２６をスパッタリング法により約１５０ｎｍの厚さに成膜した。尚、下地層１４上に電極膜は成膜しなかった。他の条件は、上記実施例１と同様とした。第１の軟磁性層２６の表面２６ＡをＡＦＭ（原子間力顕微鏡）で撮像したところ図１９に示されるような画像が得られた。図１９に基づいて、第１の軟磁性層２６の表面２６Ａの表面の中心線平均粗さＲａを求めたところ、約１４．１２ｎｍだった。即ち、第１の軟磁性層２６は、基板１２のベース面１２Ａよりも表面粗さが大きかった。
【０１０６】
次に、実施例１と同様にバイアススパッタリング法により、第１の軟磁性層２６上に、第２の軟磁性層２８を約１００ｎｍの厚さで成膜し、第２の軟磁性層２８の表面をＡＦＭ（原子間力顕微鏡）で撮像し、この撮像画像（図示省略）に基づいて、第２の軟磁性層２８の表面の中心線平均粗さＲａを求めたところ、約０．８８ｎｍだった。即ち、基板１２のベース面１２Ａの表面粗さに対して、第２の軟磁性層２８の表面粗さが大幅に低減されていることが確認された。
【実施例４】
【０１０７】
上記実施例２に対し、第１の軟磁性層２６、第２の軟磁性層２８を（上記実施例１に代えて）上記実施例３と同様の工程で成膜し、第２の軟磁性層２８の表面をイオンビームエッチングで平坦化して、磁気記録媒体５０を作製し、作製過程において第２の軟磁性層２８の表面粗さを測定した。他の条件は、上記実施例２と同様とした。
【０１０８】
第２の軟磁性層２８の表面をＡＦＭ（原子間力顕微鏡）で撮像し、この撮像画像（図示省略）に基づいて、第２の軟磁性層２８の表面の中心線平均粗さＲａを求めたところ、約０．５５ｎｍだった。即ち、実施例３よりも、第２の軟磁性層２８の表面粗さが更に低減されていることが確認された。
【実施例５】
【０１０９】
前記第３実施形態のとおり、単層の軟磁性層６２を有する磁気記録媒体６０を作製し、作製過程において軟磁性層６２の表面粗さを測定した。具体的には、軟磁性層６２を成膜するまでの工程は、上記実施例１における第１の軟磁性層２６を形成するまでの工程と同様とし、成膜した軟磁性層６２の表面をイオンビームエッチングで平坦化した。
【０１１０】
軟磁性層６２の表面をＡＦＭ（原子間力顕微鏡）で撮像し、この撮像画像（図示省略）に基づいて、軟磁性層６２の表面の中心線平均粗さＲａを求めたところ、約０．７２ｎｍだった。即ち、基板１２のベース面１２Ａの表面粗さに対して、軟磁性層６２の表面粗さが大幅に低減されていることが確認された。
【実施例６】
【０１１１】
上記実施例５に対し、軟磁性層６２を成膜するまでの工程は、（上記実施例１に代えて）上記実施例３における第１の軟磁性層２６を形成するまでの工程と同様とし、成膜した軟磁性層６２の表面をイオンビームエッチングで平坦化して、磁気記録媒体６０を作製し、作製過程において軟磁性層６２の表面粗さを測定した。他の条件は、上記実施例５と同様とした。
【０１１２】
軟磁性層６２の表面をＡＦＭ（原子間力顕微鏡）で撮像したところ図２０に示されるような画像がえられた。図２０に基づいて、軟磁性層６２の表面の中心線平均粗さＲａを求めたところ、約０．７６ｎｍだった。即ち、基板１２のベース面１２Ａの表面粗さに対して、軟磁性層６２の表面粗さが大幅に低減されていることが確認された。
【０１１３】
以上の実施例１〜６の測定結果を表１に対比して示す。
【０１１４】
【表１】
2005031714.tif 000026
【０１１５】
表１より、実施例１〜６はいずれも、第２の軟磁性層２８（軟磁性層６２）の表面の中心線平均粗さが１ｎｍ以下に抑制されており、良好なヘッド浮上が得られるだけの充分な平坦性を有していることがわかる。
【０１１６】
又、軟磁性層を二層構成とし、第２の軟磁性層２８をバイアススパッタリング法を用いて成膜してから、更に、イオンビームエッチングで平坦化することで、第２の軟磁性層２８の表面粗さを特に小さくできることがわかる。
【０１１７】
又、軟磁性層が単層でも、軟磁性層の表面をイオンビームエッチングで平坦化すれば、イオンビームエッチングで平坦化する前の二層構成の軟磁性層よりも、表面粗さを小さくできることがわかる。
【０１１８】
又、第１の軟磁性層２６（軟磁性層６２）の成膜手法としてメッキ法を用いることで、スパッタリング法を用いる場合よりも、成膜後の第１の軟磁性層２６（軟磁性層６２）の表面粗さを小さくでき、これにより、第２の軟磁性層２８（軟磁性層６２）の表面粗さを小さくできることがわかる。
【産業上の利用可能性】
【０１１９】
本発明は、表面粗さが小さい磁気記録媒体を効率良く、低コストで製造するために利用できる。
【国際調査報告】
2005031714.tif 000027
2005031714.tif 000028
2005031714.tif 000029
2005031714.tif 000030