(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
１チップ単位でイオン注入領域を定める開口部が形成された所定の平面度を有する導電性のマスク部材を、面内２軸方向に移動可能なステージ上のウェーハに対し所定の間隙をおいて対向配置し、イオン注入すべき前記ウェーハの各々のチップ領域毎に前記マスク部材との位置合わせを行ってから、前記開口部を介して前記チップ領域にイオンを注入するイオン注入方法であって、
前記マスク部材に対して前記ウェーハを相対移動させることで前記開口部に前記各チップ領域を位置合わせする毎に、待機位置から前記開口部の直上方の作動位置へレーザー変位計を移動させ、前記開口部を介して前記チップ領域にレーザー光を照射しその反射光を検出することにより前記作動位置を基準とした前記チップ領域の高さレベルを測定することで、前記チップ領域と前記マスク部材との間隙を検出し
前記開口部に前記各チップ領域を位置合わせする毎に、前記ステージに設けられた圧電体によって、前記チップ領域の高さレベルを所定のレベルに調整することで前記間隙を所定値へ調整し、
前記レーザー変位計を前記待機位置へ退避させた後、前記開口部を介して前記チップ領域にイオンを注入する
ことを特徴とするイオン注入方法。
【請求項２】
ウェーハを支持するステージと、
前記ウェーハに対して所定の間隙をおいて対向配置され、１チップ単位でイオン注入領域を定める開口部が形成された所定の平面度を有する導電性のマスク部材と、
前記ステージに接続され、前記マスク部材に対して前記ステージを面内２軸方向に移動させることで前記開口部に前記ウェーハのチップ領域を位置合わせする駆動機構と、
前記開口部の直上方の作動位置と、前記作動位置から離間した待機位置との間で移動可能であり、前記開口部を介して前記チップ領域にレーザー光を照射し、その反射光を検出することにより前記作動位置を基準とした当該チップ領域の高さレベルを測定することで前記チップ領域と前記マスク部材との間隙を検出するレーザー変位計と、
前記レーザー変位計の検出結果が出力される制御部と、前記ステージに設けられ、前記検出結果に基づいて前記制御部によって駆動される圧電体とを有し、前記間隙を所定値へ調整する間隙調整手段と、
前記マスク部材の前記開口部を介して前記チップ領域にイオンを注入するイオン注入手段と
を備えたイオン注入装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、イオン注入方法およびイオン注入装置に関し、更に詳しくは、１チップ単位でイオン注入領域を定める開口部が形成された導電性のマスク部材を介して、ウェーハにイオンを注入するイオン注入方法およびイオン注入装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
イオン注入法（イオン打込み法）は公知のように、半導体製造プロセスにおける不純物元素のドーピング工程に用いられ、注入量や注入深さを精密に制御できる等の特徴があり、現在では半導体プロセスに不可欠な技術となっている。
【０００３】
イオン注入法では、Ｂ，Ｐ，Ａｓ等の注入すべき不純物元素のイオンからなるイオンビームを所定のエネルギーに加速して、ウェーハに照射する。このとき、イオンビームは直進性を有するので、マスクを用いて目的の領域（イオン注入領域）にのみイオンを注入することが可能である。
【０００４】
従来より、上記マスクとしてウェーハ上に形成したレジストマスクを用いている。レジストマスクは、感光性樹脂を主体とする材料を公知のスピンコータを用いてウェーハ上に均等な厚さに塗布した後、当該レジスト膜に対してイオン注入領域に対応する露光パターンを焼付け、公知のスピンデベロッパを用いた現像処理を行うことにより、イオン注入領域のみが外部へ露出したレジストパターンとして形成される。そして、イオン注入が行われた後は、レジストマスクをプラズマアッシング（灰化）処理および硫酸・過酸化水素水を用いた湿式処理を施して除去し、更に次なるイオン注入工程に備えて、異なるパターンのレジストマスクを上記の工程で形成するようにしている。
【０００５】
上記のようにレジストマスクを用いるイオン注入では、イオン注入工程の前処理、後処理においてレジストの処理に要する工程が多数存在するため、これらのレジスト処理に関連する工程が、半導体プロセスの複雑化、高コスト化をもたらしている。
【０００６】
そこで、特開２０００−３８８１号公報には、図７に示すようにウェーハＷの上方に開口部Ｍａを有する導電性のマスク部材Ｍを所定の間隙ｄをおいて配置し、マスク部材Ｍを介してウェーハＷの表面にイオンＩを打ち込み、イオン注入層Ａを形成する技術が開示されている。これによれば、イオン注入の打ち分けを行う場合には、各イオン注入毎にそれ専用のマスク部材Ｍを用いて必要なイオン注入層Ａを形成することが可能となる。
【０００７】
したがって、上記公報に記載のマスク部材を複数種用意することによって、従来必要とされたレジストマスクの形成工程が不要となり、上記マスク部材の交換だけで所望のイオン注入処理がなし得るとの理由から、半導体プロセスの簡素化および低コスト化が期待される。
【０００８】
上記マスク部材は、ウェーハを構成する材料（例えばシリコン）を主要構成材料とする薄板からなり、開口部の形成範囲は、当該マスク部材の反りの影響を回避する等の観点から、ウェーハ上の１チップ分に相当する面積範囲に形成されるのが望ましい。したがって、ウェーハをマスク部材に対して相対移動させることにより、ウェーハ上の全チップに対してイオンを注入することになる。
【０００９】
一方、ウェーハとマスク部材との間には、所定の間隙を形成する必要がある。イオンの入射角に応じて、間隙の大小がイオン注入領域に対するイオン照射領域の変動をもたらすからである。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
ここで、イオン注入工程へ導入されるウェーハ自体の平面度（平坦度）が問題となる。すなわち、ウェーハ上にアルミニウム等の金属配線層が形成されていると、例えば周縁部が中央部よりも１０〜２０μｍ程度反り上がり、マスク部材に対してウェーハを位置合わせする際に上記所定の間隙を維持できるチップと維持できないチップが存在することになるので、ウェーハ面内における位置合わせ精度の低下及び注入領域の広がりを招く。この問題は、ウェーハＷが大面積化するほど顕著となる。
【００１１】
また、マスク部材とウェーハとの間隙を十数μｍ程度に設定してイオン注入する場合には、図８に示すようにマスク部材ＭとウェーハＷ上面とが互いに接触して、素子を破壊するおそれもある。
【００１２】
本発明は上述の問題に鑑みてなされ、ウェーハ上の全チップに対して、マスク部材との所定の間隙を維持して適正なイオン注入を行うことができるイオン注入方法およびイオン注入装置を提供することを課題とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
以上の課題を解決するに当たり、本発明に係るイオン注入方法は、１チップ単位でイオン注入領域を定める開口部が形成された導電性のマスク部材をウェーハに対し所定の間隙をおいて対向配置し、各チップ毎に前記マスク部材との位置合わせを行ってから、前記マスク部材を介して前記ウェーハにイオンを注入するイオン注入方法であって、前記マスク部材に対して前記各チップを位置合わせする毎に、前記ウェーハと前記マスク部材との間隙を検出し、前記間隙を所定値へ調整する工程を有することを特徴とする。
【００１４】
本発明では、各チップ領域をマスク部材と位置合わせする毎に、これらの間隙を検出し、これが所定値にない場合は所定値となるように当該間隙を調整するようにしている。これにより、ウェーハ上の全チップに対してマスク部材との所定の間隙を確保してイオン注入を行うことができ、ウェーハ面内の位置合わせ精度の低下及び注入領域の広がりを防止することができる。また、マスク部材とウェーハとの接触を回避して、素子の破壊を防止することができる。
【００１５】
なお、ウェーハとマスク部材との間隙を検出する方法としては、レーザー変位計を用いてマスク部材に対向するウェーハの面（チップ領域）の高さを検出する方法を採用ことによって、容易に実施することが可能である。
【００１６】
また、１チップ単位でイオン注入領域を定める開口部が形成された導電性のマスク部材をウェーハに対し所定の間隙をおいて対向配置し、各チップ毎に前記マスク部材との位置合わせを行ってから、前記マスク部材を介して前記ウェーハにイオンを注入するイオン注入方法であって、あらかじめ、前記ウェーハの面内高さ分布を各チップ領域毎に測定しておき、この測定結果に基づいて、前記位置合わせ毎に、前記ウェーハと前記マスク部材との間隙を所定値へ調整することも可能である。
【００１７】
更に、本発明に係るイオン注入装置は、ウェーハを支持するステージと、前記ウェーハに対して所定の間隙をおいて配置され、１チップ単位でイオン注入領域を定める開口部が形成された導電性のマスク部材と、前記マスク部材を保持するホルダと、前記マスク部材を介して前記ウェーハにイオンを注入するイオン注入手段とを備えたイオン注入装置において、前記マスク部材に対して前記ウェーハを位置合わせする毎に前記ウェーハと前記マスク部材との間隙を検出する間隙検出手段と、前記間隙検出手段の出力に基づいて前記間隙を所定値へ調整する間隙調整手段とを有することを特徴とする。
【００１８】
本発明では、各チップ領域をマスク部材と位置合わせする毎に、これらの間隙を検出し、これが所定値にない場合は所定値となるように当該間隙を調整する作用を行う。これにより、ウェーハ上の全チップに対してマスク部材との所定の間隙を確保してイオン注入を行うことができ、ウェーハ面内の位置合わせ精度の低下及び注入領域の広がりを防止することができる。また、マスク部材とウェーハとの接触を回避して、素子の破壊を防止することができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の各実施の形態について図面を参照して説明する。
【００２０】
図１は本発明の第１の実施の形態によるイオン注入装置の構成を示している。イオン注入装置１０は、高電圧ターミナル１０Ａと、ビームライン１０Ｂと、エンドステーション１０Ｅとを備えた真空系からなる。シールドボックスＳ内に位置する高電圧ターミナル１０Ａは、公知構成のイオン源１、質量分離器２および、スリット３ａ，３ｂ間に位置するビーム遮断器３を収容している。ビーム遮断器３は、電圧が印加されることによりイオンビームＬを跳ね上げ、スリット３ｂへ向かうイオンビームＬを一時的に遮断する。
【００２１】
高電圧ターミナルとシールドボックスＳとの間には公知構成の加速管４が取り付けられており、その後段となるビームライン１０Ｂには、集束レンズ５ａと、イオンビームＬをＸ，Ｙ方向に電磁的に微小角度スキャンするオクタポール・スキャナー６と、コンタミネーション粒子除去を兼ねたビーム平行化マグネット７と、集束レンズ５ｂが設けられている。そして、ビームライン１０Ｂの終端部には、その外周に設けたコイルによってイオンビームＬの電流を電磁気的に計測する非接触ビーム電流計８が取り付けられている。
【００２２】
イオンビームＬのスキャンにはオクタポール・スキャナー６以外の電磁偏向型スキャナーを使用してもよく、また、Ｘ，Ｙ静電偏向型スキャナーを使用してもよい。マグネット７は、ビーム経路中の残留ガスと衝突して電荷が変化したイオンや中性粒子を除去する作用を行う。
【００２３】
エンドステーション１０Ｅには、ウェーハＷに対するイオンビームＬの照射領域を決定するマスク部９が取り付けられている。マスク部９は、図２に示すようにウェーハＷに対し１チップ単位でイオン注入領域を定める開口部２１ａが形成された導電性のマスク部材２１と、マスク部材２１を静電チャック２２を介して保持するホルダ２３と、ホルダ２３を機械的にＸ，Ｙ及びＺ方向へ所定距離駆動可能な駆動部２４とから構成される。駆動部２４はパルスモータを駆動源に有し、主としてマスク部材２１の交換時に作動する。図１を参照して、マスク部９の下方にはイオンビームＬの電流を測定するためのファラデー・カップ１２が配置され、このファラデー・カップ１２による測定値を基準として上記非接触ビーム電流計８が校正される。
【００２４】
マスク部９の直下方位置には、ビーム密度分布モニター１１と、ウェーハＷを支持するステージ（プラテン）１３のいずれか一方が挿入可能とされる。ビーム密度分布モニター１１は、微小なファラデー・カップが二次元に配置された測定ヘッドを有するものであるが、それ以外の方法によるもので構成されてもよい。ビーム密度分布モニター１１は、イオン注入の前にイオンビームＬのスキャン領域とマスク部９との整合性、およびマスク部９内におけるビーム電流の密度分布の測定を行うためのものであり、スキャン領域が不適切な場合にはオクタポール・スキャナー６によるスキャンの振幅が調整され、電流の密度分布が一様でない場合には、ビームスキャン速度調整または集束レンズ５ａの励磁電流が調整される。
【００２５】
ステージ１３には、ウェーハＷのツイスト角度を調整する回転機構１４が取り付けられており、これらステージ１３及び回転機構１４は支持柱１５を介して、Ｘ方向（図において左右方向）へ機械的に高速移動可能なＸ方向駆動機構１６に取り付けられている。Ｘ方向駆動機構１６は、Ｙ方向（紙面垂直方向）へ機械的に高速移動可能なＹ方向駆動機構１７に取り付けられている。なお、回転機構１４は圧電体を、Ｘ，Ｙ方向駆動機構１６，１７はパルスモータを駆動源としてそれぞれ有し、ウェーハＷの搬送および、マスク部材に対するウェーハＷの位置合わせ（アライメント）時に駆動される。
【００２６】
また、図２に示したように、ステージ１３にはウェーハＷを保持する静電チャック２６と、ウェーハＷを静電チャック２６とともにＺ方向（マスク部材２１に対して近接又は離間する方向）に微動調整可能な圧電体２７とが設けられている。圧電体２７は、本発明に係る間隙調整手段として構成され、本実施の形態では図３に示すようにウェーハＷの面内において等角度間隔で３箇所に配置されている。
【００２７】
次に、図４を参照して、本発明に係る間隙検出手段について説明する。
【００２８】
本実施の形態における間隙検出手段は、マスク部材２１と対向するウェーハＷのチップ領域の高さレベルを測定するレーザー変位計３１を含む構成とされる。図４において一点鎖線で示す待機位置から実線で示すマスク部材２１の直上方の作動位置へ移動し、この位置を基準位置として開口部２１ａを介してレーザー光ＬをウェーハＷへ照射し、その反射光を検出する。この検出結果は、圧電体２７を制御する制御部３２へ供給され、ウェーハ被検出面の高さレベルが判断される。制御部３２はウェーハ被検出面の高さレベルが所定レベルでないと判断したときは圧電体２７を駆動し、ウェーハ被検出面の高さレベルを所定レベルに調整する。これにより、マスク部材２１とウェーハＷとの間隙ｄが所定値へ調整される。
【００２９】
レーザー変位計３１は、ウェーハＷに対するイオン注入が行われるときは待機位置で待機し、マスク部材２１に対するウェーハＷの位置合わせが行われる毎に作動位置へ移動して、上述したウェーハＷの高さレベルの検出を行うように構成されている。また、マスク部材２１の開口部２１ａを介してレーザー光Ｌを照射するようにしているが、開口部２１ａが小さい場合は別途レーザー光透過用の窓をマスク部材２１に設けるようにしてもよい。
【００３０】
次に、以上のように構成される本実施の形態の作用について説明する。
【００３１】
ステージ１３上へ載置されたウェーハＷは、静電チャック２６により吸着保持され、Ｘ，Ｙ方向駆動機構１６，１７によりマスク部材２１の直下方へ移動される。そして、あらかじめ設定された制御シーケンスに基づいて、最初にイオン注入すべきチップ領域がマスク部材２１に対して位置合わせされる。
【００３２】
位置決めされたウェーハＷとマスク部材２１との間隙検出は、レーザー変位計３１によるウェーハＷの高さレベルを測定することにより行われる。すなわち本実施の形態では、マスク部材２１が所定の平面度を備えているものとみなし、マスク部材２１に対向するウェーハＷのチップ領域の高さレベルから一義的に、マスク部材２１とウェーハＷとの間隙ｄを決定し、所定の間隙に調整する。本実施の形態では、上記所定の間隙を例えば１５μｍとしている。ウェーハＷのレベル測定が終了した後、レーザー変位計３１は待機位置へ移動する。
【００３３】
マスク部材２１とウェーハＷとの間隙調整は、圧電体２７に対する制御部３２からの電圧供給でなされ、数μｍ〜数十μｍの範囲で調整可能である。本実施の形態では、全ての圧電体２７に対して共通に電圧供給するようにしているが、個々別々に電圧を調整することにより、これら圧電体２７によって所定範囲でウェーハＷをティルトさせるようにしてもよい。
【００３４】
続いて、イオン注入を開始する。イオン源１で生成されたイオン種の中から質量分離器２により選択された所望のイオンからなるイオンビームＬは、加速管４で所定のエネルギーに加速された後、集束レンズ５ａ、オクタポール・スキャナー６、マグネット７、集束レンズ５ｂを介してウェーハＷへ照射される。
【００３５】
ウェーハＷに対するイオンの注入領域は、マスク部材２１の開口部２１ａにより規制される。すなわち、マスク部材２１が従来のレジストマスクとしての機能を行う。
【００３６】
所定時間経過後、ビーム遮断器３へ電圧が印加され、ビームライン１０Ｂへ向かうイオンビームＬが遮断される。その間、ウェーハＷはＸ，Ｙ方向駆動機構１６，１７等の駆動により水平移動され、次なるチップ領域がマスク部材２１と位置合わせされる。続いて、レーザー変位計３１が作動位置へ移動し、位置合わせされたチップ領域の高さレベルの測定を行う。ウェーハＷの反り等により当該レベルが所定値にない場合は、制御部３２を介して圧電体２７を駆動し、マスク部材２１との間隙ｄが所定値となるようにウェーハＷの高さレベルを調整する。その後、ビーム遮断器３への電圧印加が解除され、当該チップ領域へマスク部材２１を介してイオンビームＬが照射される。
【００３７】
以上のように、本実施の形態では、ウェーハＷの各チップ領域をマスク部材２１と位置合わせする毎に、これらの間隙ｄを検出し、当該間隙ｄを所定値へ調整する工程を具備しているため、全チップに対してマスク部材２１との所定の間隙を維持してイオン注入を行うことができ、これにより、ウェーハＷに反りが生じている場合でも、全チップに対して適正なイオン注入が可能となり、ウェーハ面内の位置合わせ精度の低下及び注入領域の広がりを防止することができる。また、マスク部材２１とウェーハＷとの接触を回避することができる。
【００３８】
図５は、本発明の第２の実施の形態を示している。なお、図において上述の第１の実施の形態と対応する部分については同一の符号を付し、その詳細な説明は省略するものとする。
【００３９】
すなわち本実施の形態では、ウェーハＷとマスク部材２１との間の静電容量を検出することにより、ウェーハＷとマスク部材２１との間隙ｄを検出するようにしている。
【００４０】
マスク部材２１のウェーハＷとの対向面（マスク部材２１の下面）には、開口部２１ａの形成領域を囲むように環状の絶縁層３４が形成され、その上にアルミニウム等の導体膜３５が形成されている。絶縁層３４および導体膜３５からなる層は全体として例えば１μｍ程度の厚さに形成される。絶縁層３４および導体膜３５の形成には、半導体プロセスに用いられる微細加工技術を適用することができる。導体膜３５およびウェーハＷはそれぞれ導線３８，３９を介して検出器３６に接続され、検出器３６は間隙調整の際に変化するマスク部材２１とウェーハＷとの間の静電容量の変化を検出するように構成されている。
【００４１】
イオン注入すべきウェーハＷ上のチップ領域とマスク部材２１との位置合わせが行われる毎に、ウェーハＷとマスク部材２１との間隙ｄが検出されるのは、上述した第１の実施の形態と同様である。ウェーハＷとマスク部材２１との間の静電容量の大きさは公知のように間隙ｄの大きさに反比例して変化するので、この静電容量の大きさから容易に間隙ｄを検出でき、かつ、間隙ｄを所定値へ調整することができる。間隙ｄの調整は、検出器３６の出力を受ける制御部３７を介して圧電体２７への電圧印加によりなされる。
【００４２】
なお、マスク部材２１とウェーハＷとの間の静電容量の大きさは、導体膜３５とウェーハＷとの間に所定の交流電圧を印加したときのインピーダンスの大きさから検出することができる。
【００４３】
本実施の形態によれば、上述の第１の実施の形態と同様な効果を得ることができるとともに、簡素な構成でマスク部材２１とウェーハＷとの間隙検出を行うことが可能である。
【００４４】
図６Ａ，Ｂは、本発明の第３の実施の形態を示している。なお、上述の第１の実施の形態と対応する部分については同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。
【００４５】
本実施の形態では、イオン注入する前に、あらかじめウェーハＷの表面高さ分布を各チップ領域毎に測定しておき、この測定結果に基づいてマスク部材２１とウェーハＷの各チップ領域とを位置合わせする毎に、これらの間隙ｄを所定値へ調整するようにしている。
【００４６】
ウェーハＷの表面高さ分布測定は、例えば図６Ａに示すように測定台４２上にウェーハＷを載せ、その上からレーザー変位計４１のレーザー光ＬをウェーハＷの全面にスキャンすることにより行われる。測定された高さ分布は、図６Ｂに示すように各チップ領域ごとにマッピング表示し、例えばｘ，ｙ直交座標系で各チップ領域を特定しその高さを記憶する。なお図６Ｂは、周縁部が中央部に比べて若干反り上がったウェーハＷの高さ分布を示している。
【００４７】
イオン注入を行う際は、各チップ領域がマスク部材２１と位置合わせされる毎に、対応する高さ測定データに基づいて間隙ｄを自動調整することにより、全チップに対して所定の間隙の大きさを均等に確保することができ、ウェーハ面内の位置合わせ精度の低下や注入領域の広がりを防止することができる。
【００４８】
以上、本発明の各実施の形態について説明したが、勿論、本発明はこれらに限定されることなく、本発明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。
【００４９】
例えば以上の第１，第２の実施の形態では、マスク部材２１とウェーハＷとの間隙ｄを検出する方法として、レーザー変位計３１を用いたウェーハＷの高さレベルを測定する方法、マスク部材２１とウェーハＷとの間の静電容量の大きさを検出する方法を採用したが、これに限らず、例えばマスク部材２１とウェーハＷとの間へレーザー光を斜めに入射し、マスク部材２１の下面およびウェーハＷの上面で反射して出射したレーザー光の位相のズレ等に基づいて間隙ｄを検出することも可能である。
【００５０】
また、以上の第３の実施の形態では、ウェーハＷの高さ分布のみを測定するようにしたが、これに加えて、マスク部材２１の反り分布も同様な手法で測定し、その分布データを間隙調整の基準とすれば、より高精度な間隙調整を行うことが可能となる。また、この場合、イオン注入処理を続けることによりマスク部材２１が熱により変形が生じるが、この変形データをもあらかじめデータベース化して間隙調整の参照データとするようにしてもよい。
【００５１】
更に以上の第３の実施の形態では、レーザー変位計４１を用いてウェーハＷの高さ分布を測定するようにしたが、これとは別の手段、例えば公知の触針式膜厚計を用いることも可能である。
【００５２】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、ウェーハ上の全チップに対してマスク部材との所定の間隙を確保してイオン注入を行うことができ、ウェーハ面内の位置合わせ精度の低下や注入領域の広がりを防止することができる。また、マスク部材とウェーハとの接触を回避することができる。
【００５３】
また、本発明によれば、マスク部材とウェーハとの間の間隙調整を高精度に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態によるイオン注入装置の全体図である。
【図２】図１における要部の拡大図である。
【図３】図２における要部の平面図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態による間隙検出手段を示す側面図である。
【図５】本発明の第２の実施の形態による間隙検出手段を示す側面図である。
【図６】本発明の第３の実施の形態を説明する図であり、Ａはウェーハ面の高さ分布を測定するときの様子を示し、Ｂはその測定結果に基づいて作成したウェーハ面の１チップ当たりの高さ分布マップを示す。
【図７】従来のマスク部材を使用したイオン注入装置の要部の側面図である。
【図８】従来技術の問題点を説明するマスク部材とウェーハの側面図である。
【符号の説明】
１０    イオン注入装置
１３    ステージ
１６    Ｘ方向駆動機構
１７    Ｙ方向駆動機構
２１    マスク部材
２１ａ  開口部
２７    圧電体（間隙調整手段）
３１    レーザー変位計（間隙検出手段）
３２    制御部
３４    絶縁層
３５    導体膜
３６    検出器（間隙検出手段）
３７    制御部
４１    レーザー変位計
Ｌ      イオンビーム
Ｗ      ウェーハ
【図１】
0005142114.tif 000002
【図２】
0005142114.tif 000003
【図３】
0005142114.tif 000004
【図４】
0005142114.tif 000005
【図５】
0005142114.tif 000006
【図６】
0005142114.tif 000007
【図７】
0005142114.tif 000008
【図８】
0005142114.tif 000009