(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
有機発光層と、
前記有機発光層を挟持する上部電極及び下部電極とを有し、
前記上部電極が透明電極であり、他方は反射電極であり、前記上部電極側より光が取り出され、
前記有機発光層は湿式法で形成され、
前記有機発光層と基板の間に正孔輸送層を有し、
前記有機発光層と前記上部電極の間に電子注入層を有し、
前記正孔輸送層は近紫外光より長い波長の光により、光硬化されており、
前記正孔輸送層は、オニウム塩類或いはトシレート類を含み、
前記有機発光層は、表面に撥水性を有するバンク層により画素ごとに分離され、
前記正孔輸送層上のみに前記有機発光層が設けられていることを特徴とする有機発光表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光表示装置に係る。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機発光表示装置が次世代平面型表示装置として注目されている。この有機発光表示装置は、自発光，広視野角，高速応答特性といった優れた特性を有する。有機発光素子は、一例としては、ガラス基板上にＩＴＯ等の透明電極，正孔輸送層，発光層，電子輸送層等からなる有機層、及び低仕事関数の反射電極が形成されて構成される。発光光は電極を透過して基板側裏面から取り出している。
【０００３】
有機発光表示装置では、各有機層を真空蒸着法で形成することにより、高効率，長寿命が実現できるようになってきた。例えば、非特許文献１では、R. Meerheimらにより、初期５００ｃｄ／ｍ2の輝度であれば、１５０万時間以上の輝度半減時間を有する赤色有機発光素子が真空蒸着法にて作製できることが開示されている。
【０００４】
一方、真空蒸着法を用いずに有機発光表示装置を作製する方法として、スピンコート法やインクジェット法により有機層を形成する方法がある。インクジェット法などの印刷法により、有機層を形成することができると、真空蒸着法で形成する際に必要な蒸着メタルマスクが不要である。そのためより簡便に有機発光表示装置を作製することができる。このような湿式法で形成された有機発光装置の寿命や効率は真空蒸着法で形成された有機発光素子と比較して小さい。非特許文献２には、高分子材料を用いて、スピンコート法にて形成された赤色有機発光素子の寿命は初期５００ｃｄ／ｍ2で約１０万時間と開示されている。
【０００５】
有機発光素子は多層積層構造である。特許文献１には、溶液からその多層積層構造を画素単位に形成する方法として、撥水性のバンクを用いる方法が開示されている。この方法では、バンク層表面を撥水性とし、溶液がバンク上に形成されないようにし、画素内に膜を形成する。製膜時の乾燥を不活性雰囲気で行うことにより、製膜時にバンク表面の撥水性が消失し、薄膜形成位置が乱れず連続製膜できる。
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−９５５１２号公報
【非特許文献１】Appl. Phys. Lett., 89, 061111(2006)
【非特許文献２】IDW’06、p.441(2006)
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記の特許文献１のように不活性雰囲気で印刷した膜を乾燥すると、バンク表面の撥水性が劣化せず、積層構造を形成することができる。しかしながら、不活性雰囲気で製膜工程を実施しなければならないことは、製造上大きな制約となる。装置を酸素のある雰囲気に設置できるようになると、より簡便な製造工程となる。本発明の目的は、酸素のある雰囲気中で有機層を形成できる有機発光表示装置を得ることにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
有機発光表示装置は、基板と、有機発光層と、前記有機発光層を挟持する上部電極及び下部電極とを有し、前記上部及び下部電極のいずれか一方が透明電極であり、他方は反射電極であり、その有機発光層と基板の間に電荷輸送層を有する。
【０００９】
また、撥水処理されたバンク層を下部電極と上部電極の間に有する。撥水処理されたバンク層は溶液から湿式法で有機膜を形成する際、有機膜が所望の画素内に形成されるために、必要である。
【００１０】
上記目的を達成するための本願発明の特徴は、電荷輸送層として、近紫外光以上の長波長光により、光硬化する材料を用いることにある。ここでいう、近紫外光以上の長波長光とは、所謂ＵＶ−Ａ（３１５−４００ｎｍ）及び可視光のことを言い、つまり波長が３１５ｎｍ以上の光である。電荷輸送層として、具体的には光開始剤として長波長光で硬化を開始するものを使用することがよい。具体的には、オニウム塩類，トシレート類，リン，硫黄，ヨウ素を含有する硬化剤がよく、これらを混合して用いることも可能である。オニウム塩としては、４−ヒドロキシフェニルジメチルスルホニウムｐ−トルエンスルフォナート、４−ヒドロキシフェニルジメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネートなどが挙げられる。また、トシレート類としては、２，６−ジニトロベンジルトシレートなどのニトロベンジルトシレート類やベンゾイントシレート類が挙げられる。リンを含む硬化剤としては、ジフェニル（２，４，６−メチルベンゾイル）フォスフィンオキサイドやビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）フォスフィンオキサイドなどが挙げられる。ヨウ素を含む硬化剤としては、ジフェニルヨードニウムｐ−トルエンスルホナートやジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモネートなどが挙げられる。電荷輸送の働きを奏する化合物として、Ｔｉ，Ｃｅ，Ｎｄ，Ｚｒの酸化物が例示される。また、これらの酸化物膜を均一化し、ひび割れ等の不具合を解消しやすくするため、親油性スメクタイトを混合することが好ましい。
【００１１】
長波長光により光硬化する材料よりなる電荷輸送層は、電荷輸送層材料を硬化させるときに空気中で近紫外光以上の長波長光を照射しても、オゾンが発生することがない。従って、オゾン発生により、バンク表面の撥水性を劣化させずにおくことができる。勿論、この波長領域の光によって、バンク表面の撥水性をもたらすＣ−Ｆ結合が切断されることもない。従って、電荷輸送層を形成した後にもバンク表面の撥水性を維持し、その後の発光層の形成もバンク表面の撥水性を利用して行うことができる。なお、光硬化させた電荷輸送層は溶媒への溶解性が減少しているため、その上に発光層を湿式法で形成することができる。
【００１２】
近紫外光以上の長波長光を酸素のある雰囲気で照射しても、オゾンが発生することはなく、また、オゾンが分解することもない。また、勿論バンク表面の撥水性をもたらすＣ−Ｆ結合が切断されることもない。そのため、バンク表面の撥水性を損なうことなく、電荷輸送層を形成することができる。
【００１３】
本発明の有機発光表示装置は、上部電極が透明電極のトップエミッション型、下部電極が透明電極のボトムエミッション型のいずれの場合にも適用できる。
【００１４】
また、上記本発明の目的を達成する有機発光表示装置の製造方法は、基板上に反射電極，電荷輸送層，有機発光層，透明電極の順に形成する有機発光表示装置の製造方法であって、前記電荷輸送層を近紫外光以上に長い波長の光により硬化させる工程を有することを特徴とする有機発光表示装置の製造方法にある。
【発明の効果】
【００１５】
上記構成によれば、酸素のある雰囲気中で有機層を形成できる有機発光表示装置を提供できる。また、有機発光表示装置の製造工程を簡便にすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の有機発光表示装置の実施例について、さらに詳細を説明する。
【実施例１】
【００１７】
図１は下部電極側から発光光を取り出すボトムエミッション型の有機発光表示装置の画素部の断面図の構成例である。図１では、ガラス基板１の上に、第一層間絶縁膜２，第二層間絶縁膜３，電源線４，画像信号線５，第三層間絶縁膜６，透明電極（下部電極）７，バンク８，有機ＥＬ層９，電子注入層１０，上部電極１１が上記の順で配置された構造を示す。図２は有機ＥＬ層９の画素中央部の断面構造である。下から順に正孔注入層１２，正孔輸送層１３，有機発光層１４で構成されている。
【００１８】
本実施例では、正孔輸送層１３に近紫外光以上の長波長光により光硬化する材料を用いることを特徴とする。
【００１９】
透明電極７としては、透明性と高い仕事関数を有する材料を用いることができる。例としては、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）の他、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）などの導電性酸化物，仕事関数の大きい金属（薄いＡｇ層）等の陽極材料が挙げられる。本実施例では、透明電極７を使用した。透明電極のパターン形成はフォトリソグラフィーを用いて行うことができる。
【００２０】
バンク８としては、ポリイミド樹脂，アクリル樹脂などの各種樹脂を用いることができる。本実施例では、感光性のポリイミド樹脂を用いる。バンク８は、塗布形成後、所定のフォトマスクを用いて、露光現像して形成することができる。バンクの表面には撥水性処理を施す。例えば、バンクの表面にフッ素系ガスのプラズマ処理を行い、バンク表面をフッ素化することにより撥水性処理を行う。
【００２１】
正孔注入層１２としては、ポリピロール系材料やトリフェニルアミン系ポリマーなどの材料を用いることができる。本実施例では、ＰＥＤＯＴ（poly(3,4-ethylene dioxythiophene)：ＰＳＳ（polystyrene sulfonate）である。正孔注入層１２はインクジェット法を用いることにより形成する。バンク表面が撥水処理されているため、透明電極の上部にのみ正孔注入層を設けることができる。
【００２２】
正孔輸送層１３としては、ポリマー，架橋剤，光重合開始剤よりなる。ポリマーの例としては、アリールアミン系，ポリフルオレン系，ポリパラフェニレン系，ポリアリーレン系，ポリカルバゾール系の各種ポリマーが挙げられる。架橋剤としては、オキセタン系，エポキシ系，ビニルエーテル系化合物などを用いることができる。本実施例では、ポリマーとしてアリールアミン系ポリマー、架橋剤としてオキセタン系化合物を用い、光重合開始剤として、オニウム塩類である、トリアリルスルフォニウム塩を用いたものである。上記の材料の溶液をインクジェット法を用いて塗布し、正孔輸送層を形成する。バンク表面に撥水処理がなされているため、上記の正孔注入層上にのみ、正孔輸送層を形成することができる。正孔輸送層は、近紫外光以上の長波長光を照射することにより、重合反応を起こし、不溶化させる。この光照射による重合反応は、空気の存在下で行うことができる。
【００２３】
有機発光層１４としては、ポリフルオレン系，ポリパラフェニレン系，ポリアリーレン系，ポリカルバゾール系高分子や、発光材料と電荷輸送材料の両方の機能をもつ所謂デンドリマー型の材料を用いることができる。また、所謂低分子系材料を用いることができる。その場合、ホスト材料として、カルバゾール誘導体，フルオレン誘導体などを用いることが好ましい。また、ドーパントとしては、Ｉｒ，Ｐｔ錯体等を用いることができる。これらのドーパントは先程の発光性ポリマーに分散して用いることができる。本実施例では、有機発光層としてポリフルオレン系ポリマーを用いる。バンクの撥水性が維持されているため、インクジェット法を用いて溶液から有機発光層を形成することにより、正孔輸送層上のみに有機発光層を設けることができた。
【００２４】
電子注入層１０は有機発光層１４に電子を供給する層である。電子注入層としては、Ｂａ，ＬｉＦ，Ｃａやそれらの積層体、またトリス（８−キノリノラト）アルミニウム誘導体や、オキサジアゾール誘導体，トリアゾール誘導体，フラーレン誘導体，フェナントロリン誘導体，キノリン誘導体などの単体やそれらをアルカリ金属やテトラチアフルバレン誘導体，ピロリンＢなどでドーピングした材料などを用いることができる。本実施例では、電子注入層１０の材料はバリウムを真空蒸着法で全面に形成して用いた。
【００２５】
上部電極１１にはＡｌを用いた。材料はこれに限られるわけではなく、ＭｇＡｇ合金，Ａｇなども用いることができる。
【００２６】
上記構成によれば、透明電極の上部にのみ正孔注入層，正孔輸送層，有機発光層を設けることができた。
【００２７】
〔比較例１〕
なお、比較例として、上記の実施例の正孔輸送層１３に含まれる光重合開始剤を１−ヒドロキシーシクロヘキシルーフェニルーケトンに変更した。また、上記の正孔輸送層１３の形成プロセスのうちの光硬化を、酸素存在下で２５０ｎｍ付近の紫外光（ＵＶ−Ｃ）を照射することにより行った。その結果、バンク表面の撥水性が劣化し、有機発光層１４をインクジェット法で形成すると、バンク上にも有機発光層が形成され、不均一な膜しか得られなかった。
【実施例２】
【００２８】
図３は、所謂トップエミッション構造の有機発光表示装置の画素部の断面図の構成例である。図１との違いは、上部電極が透明電極であり、上部透明電極側から発光光を取り出す構成となっている点である。図３は、ガラス基板２１の上に、第一層間絶縁膜２２，第二層間絶縁膜２３，電源線２４，画像信号線２５，第三層間絶縁膜２６，平坦化層２７，下部電極２８，バンク２９，有機ＥＬ層３０，電子注入層３１，透明電極（上部電極）３２の順に配置された構造を示す。図４は有機ＥＬ層３０の画素中央部の断面図である。下から順に正孔注入層４１，正孔輸送層４２，有機発光層４３で構成されている。
【００２９】
本実施例では、下部電極２８にはＡｌ／ＩＴＯ積層電極を用いた。下部電極を構成する材料の例としては、他にＣｒ，Ａｇ，Ａｌや、それらとＩＺＯとの積層膜等を用いることができる。下部電極２８は、上記薄膜をフォトリソグラフィー等により加工して形成される。
【００３０】
バンク２９は、実施例１と同様にポリイミド樹脂，アクリル樹脂などの各種樹脂を用いて構成される。本実施例では、感光性のポリイミド樹脂である。これらの樹脂の塗布膜を形成し、所定のフォトマスクを用いて、露光現像して形成することができる。バンクの表面には撥水性処理を施す。例えば、バンクの表面にフッ素系ガスのプラズマ処理を行い、バンク表面をフッ素化することにより撥水性処理を行う。
【００３１】
正孔注入層４１としては、ポリピロール系材料やトリフェニルアミン系ポリマーなどの材料を用いることができる。本実施例では、ＰＥＤＯＴ（poly（３，4-ethylene dioxythiophene）：ＰＳＳ（polystyrene sulfonate）である。正孔注入層４１はインクジェット法を用いることにより形成する。バンク表面が撥水処理されているため、透明電極の上部にのみ正孔注入層を設けることができる。
【００３２】
正孔輸送層４２としては、ポリマー，架橋剤，光重合開始剤よりなる。ポリマーの例としては、アリールアミン系，ポリフルオレン系，ポリパラフェニレン系，ポリアリーレン系，ポリカルバゾール系の各種ポリマーが挙げられる。架橋剤としては、オキセタン系，エポキシ系，ビニルエーテル系化合物などを用いることができる。本実施例では、ポリマーとしてアリールアミン系ポリマー，架橋剤としてオキセタン系化合物を用い、光重合開始剤としてスルフォニウム塩類を用いたものである。上記の材料の溶液をインクジェット法を用いて塗布し、正孔輸送層を形成する。バンク表面に撥水処理がなされているため、上記の正孔注入層上にのみ、正孔輸送層を形成することができる。正孔輸送層は、近紫外光以上の長波長光を照射することにより、重合反応を起こし、不溶化させる。この光照射による重合反応は、空気の存在下で行うことができる。
【００３３】
有機発光層４３としては、ポリフルオレン系，ポリパラフェニレン系，ポリアリーレン系，ポリカルバゾール系高分子や、発光材料と電荷輸送材料の両方の機能をもつ所謂デンドリマー型の材料を用いることができる。また、所謂低分子系材料を用いることができる。その場合、ホスト材料として、カルバゾール誘導体，フルオレン誘導体などを用いることが好ましい。また、ドーパントとしては、Ｉｒ，Ｐｔ錯体等を用いることができる。これらのドーパントは先程の発光性ポリマーに分散して用いることができる。本実施例では、有機発光層としてポリフルオレン系ポリマーを用いる。先の正孔輸送層の形成時にもバンクの撥水性が維持されているため、インクジェット法を用いて溶液から有機発光層を形成することにより、正孔輸送層上のみに有機発光層を設けることができた。
【００３４】
電子注入層３１は有機発光層４３に電子を供給する層である。電子注入層としては、Ｂａ，ＬｉＦ，Ｃａやそれらの積層体、またトリス（８−キノリノラト）アルミニウム誘導体や、オキサジアゾール誘導体，トリアゾール誘導体，フラーレン誘導体，フェナントロリン誘導体，キノリン誘導体などの単体やそれらをアルカリ金属やテトラチアフルバレン誘導体、ピロリンＢなどでドーピングした材料などを用いることができる。本実施例では、電子注入層３１の材料はバリウムを真空蒸着法で全面に形成して用いた。
【００３５】
透明電極３２にはＩｎ−Ｚｎ−Ｏ膜（以下、ＩＺＯ膜と略記）を用いた。勿論この材料に限られるわけではなく、光透過性の高い電極であればよい。ＩＺＯ以外でもＩＴＯ，ＺｎＯなどの透明電極やＣｒ，Ａｇ等の薄膜電極でもよい。
【実施例３】
【００３６】
図５は、所謂トップアノード型トップエミッション構造有機発光表示装置の画素部の断面図の構成例である。図３との違いは、上部電極が陽極電極で、上部透明電極側から発光光を取り出す構成である。図５の例は、ガラス基板５１の上に、第一層間絶縁膜５２，第二層間絶縁膜５３，電源線５４，画像信号線５５，第三層間絶縁膜５６，平坦化層５７，下部電極５８，バンク５９，有機ＥＬ層６０，正孔注入層６１，透明電極６２の順に配置された構造である。図６は有機ＥＬ層６０の画素中央部の断面図である。下から順に電子輸送層７１，有機発光層７２，正孔輸送層７３で構成されている。
【００３７】
本実施例では、下部電極５８にはＡｌＮｉ合金を用いた。下部電極に用いる材料はこれに限られるわけではなく、Ａｌ，ＡｌＮｄ合金，ＡｌＳｉ合金やＡｌ／ＩＴＯ積層膜なども用いることができる。下部電極は、上記薄膜をフォトリソグラフィー等により加工して形成される。
【００３８】
バンク５９は、実施例１と同様に感光性のポリイミド樹脂，アクリル樹脂などの各種樹脂を用いて構成される。本実施例では、感光性のポリイミド樹脂である。これらの樹脂の塗布膜を形成し、所定のフォトマスクを用いて、露光現像して形成することができる。バンクの表面には撥水性処理を施す。例えば、バンクの表面にフッ素系ガスのプラズマ処理を行い、バンク表面をフッ素化することにより撥水性処理を行う。
【００３９】
電子輸送層７１は、Ｔｉ，Ｃｅ，Ｎｄ，Ｚｒの酸化物等とすることが好ましい。本実施例では、チタン化合物と親油性スメクタイトを使用した。チタン化合物は所謂チタニアゾルである。具体的には、テトラ−ｉ−プロポキシチタン，テトラ−ｎ−ブトキシチタン，テトラキス（２−エチルヘキシル）チタン，テトラヘプタデカオキシチタン，テトラステアリルオキシチタン，ジ−ｉ−プロポキシ・ビス（アセチルアセトナト）チタン，ジ−ｉ−プロポキシ・ビス（トリエタノールアミナト）チタン，ジ−ｎ−ブトキシ・ビス（トリエタノールアミナト）チタン，ジ−ｉ−ヒドロキシ・ビス（カルボキシメチルメトキシ）チタン，テトラキス（１−ｎ−プロピル−２−エチルプロポキシ）チタン等の化合物が挙げられる。
【００４０】
このような材料を用いることにより、低温で電子輸送層を形成できる。
【００４１】
親油性のスメクタイトとしては、コープケミカル製親油性スメクタイトＳＡＮ，ＳＡＮ３１６，ＳＴＮ，ＳＥＮ，ＳＰＮ等が挙げられる。また、親水性のスメクタイトにアルキル基を有するシランカップリング剤（例えばヘキサトリメトキシシラン，デシルトリメトキシシラン，フェニルトリメトキシシラン等）を作用させることにより親水性のスメクタイトを親油性に変換させたものを用いることができる。これらの溶解した溶液を塗布し、１００℃程度の温度で加熱させる。これにより、チタニアゾルが酸化チタンに変化する。
【００４２】
有機発光層７２はポリフルオレン系，ポリパラフェニレン系，ポリアリーレン系，ポリカルバゾール系高分子や、発光材料と電荷輸送材料の両方の機能をもつ所謂デンドリマー型の材料を用いることができる。また、所謂低分子系材料を用いることができる。その場合、ホスト材料として、カルバゾール誘導体，フルオレン誘導体などを用いることが好ましい。また、ドーパントとしては、Ｉｒ，Ｐｔ錯体等を用いることができる。これらのドーパントは先程の発光性ポリマーに分散して用いることができる。本実施例では、有機発光層としてポリフルオレン系ポリマーを用いる。溶液をインクジェット法を用いて塗布し、有機発光層を形成した。先の電子輸送層の形成時の硬化温度は低温であるため、バンクの撥水性は維持されている。そのため、電子輸送層上のみに有機発光層を形成することができた。
【００４３】
正孔輸送層７３は４，４′−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（α−ＮＰＤ）を用いた。真空蒸着法により、全面に形成した。用いる材料は上記に限定されるわけではなく、Ｎ，Ｎ′−ビス（３一メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−［１，１′−ビフェニル］−４，４′ジアミン（ＴＰＤ）、４，４′，４″−トリ（Ｎ−カルバゾリル）トリフェニルアミン（ＴＣＴＡ）、１，３，５−トリス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）フェニルアミノ］ベンゼン（ｐ−ＤＰＡ−ＴＤＡＢ）でもよい。また、もちろんこれらの材料に限られるわけではなく、その他のトリフェニルアミン誘導体でもよい。また、これらの材料を２種以上併用しても差し支えない。
【００４４】
正孔注入層６１には正孔輸送材料として４，４′−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（α−ＮＰＤ）を、ドーパントとして、テトラフルオローテトラシアノキノジメタン（Ｆ４−ＴＣＮＱ）を共蒸着して用いた。真空蒸着法により、全面に形成した。用いる材料は上記の材料に限られるわけではなく、正孔輸送材料としては、Ｎ，Ｎ′−ビス（３一メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−［１，１′−ビフェニル］−４，４′−ジアミン（ＴＰＤ）、４，４′，４″−トリ（Ｎ−カルバゾリル）トリフェニルアミン（ＴＣＴＡ）、１，３，５−トリス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）フェニルアミノ］ベンゼン（ｐ−ＤＰＡ−ＴＤＡＢ）でもよい。また、もちろんこれらの材料に限られるわけではなく、その他のトリフェニルアミン誘導体でもよい。また、これらの材料を２種以上併用しても差し支えない。ドーパントも上記のＦ４−ＴＣＮＱに限られるわけではなく、キノン系化合物などを用いることができる。また、上記のような有機材料ではなく、Ｖ2Ｏ5やＭＯ3などの無機材料も用いることができる。
【００４５】
透明電極６２には、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ膜（以下、ＩＺＯ膜と略記）を用いた。勿論この材料に限られるわけではなく、光透過性の高い電極であればよい。ＩＺＯ以外でもＩＴＯ，ＺｎＯなどの透明電極やＣｒ，Ａｇ等の薄膜電極でもよい。
【産業上の利用可能性】
【００４６】
本発明を用いれば、有機発光表示装置を簡便に作製可能であり、テレビや各種情報端末等の表示装置に利用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明に係る有機発光装置の画素部の断面図である。
【図２】図１の画素中央部の有機ＥＬ層の断面図である。
【図３】本発明に係る有機発光装置の他の実施例の画素部の断面図である。
【図４】本発明に係る有機発光装置の他の実施例の画素中央部の有機ＥＬ層の断面図である。
【図５】本発明に係る有機発光装置の他の実施例の画素部の断面図である。
【図６】本発明に係る有機発光装置の他の実施例の画素中央部の有機ＥＬ層の断面図である。
【符号の説明】
【００４８】
１，２１，５１  ガラス基板
２，２２，５２  第一層間絶縁膜
３，２３，５３  第二層間絶縁膜
４，２４，５４  電源線
５，２５，５５  画像信号線
６，２６，５６  第三層間絶縁膜
７，３２，６２  透明電極
８，２９，５９  バンク
９，３０，６０  有機ＥＬ層
１０，３１  電子注入層
１１  上部電極
１２，４１，６１  正孔注入層
１３，４２，７３  正孔輸送層
１４，４３，７２  有機発光層
２７，５７  平坦化層
２８，５８  下部電極
７１  電子輸送層
【図１】
0005244378.tif 000002
【図２】
0005244378.tif 000003
【図３】
0005244378.tif 000004
【図４】
0005244378.tif 000005
【図５】
0005244378.tif 000006
【図６】
0005244378.tif 000007