(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハロゲン含有化学種（ｈａｌｏｇｅｎ−ｃｏｎｔａｉｎｉｎｇ  ｓｐｅｃｉｅｓ）による腐食（ｃｏｒｒｏｓｉｏｎ）に対してアルミニウム表面を保護するための表面を有する、半導体プロセスにおいて有用な製品（ａｒｔｉｃｌｅ  ｏｆ  ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｅ）であって、
ａ）ゼロないし１．５重量％の範囲内のマグネシウム濃度を有し、且つ、合計で０．２重量％以下（ｎｏ  ｇｒｅａｔｅｒ  ｔｈａｎ）のマグネシウム以外の不純物濃度を有するアルミニウムからなる本体（ｂｏｄｙ）と；
ｂ）該アルミニウムからなる本体の上（ｏｖｅｒｌｙｉｎｇ）で物品の表面の下（ｂｅｎｅａｔｈ）のハロゲン化マグネシウム化合物からなる層、該ハロゲン化マグネシウム化合物からなる層は、物品の表面から本体内へのハロゲン原子の浸透（ｐｅｎｅｔｒａｔｉｏｎ）を抑制するように少なくとも０．００２５ミクロンの厚さで、且つ連続的（ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ）であり；
ｃ）ハロゲン化マグネシウム化合物からなる層の上の、酸化アルミニウムまたは窒化アルミニウムの層；とからなることを特徴とする製品。
【請求項２】
前記ハロゲン化マグネシウム層が、弗化マグネシウムからなる請求項１記載の製品。
【請求項３】
ハロゲン含有化学種による腐食に対してアルミニウム表面を保護するための表面を有する、半導体プロセスにおいて有用な製品であって、
ａ）０．１重量％〜１．５重量％の範囲内のマグネシウム濃度を有し、且つ、合計で０．２重量％以下のマグネシウム以外の不純物濃度を有するアルミニウムからなる外部領域（ｅｘｔｅｒｉｏｒ  ｒｅｇｉｏｎ）を有するアルミニウム本体（ｂｏｄｙ）と；
ｂ）前記アルミニウムからなる外部領域の部分の上（ｕｐｏｎ）、または下（ｕｎｄｅｒｌｙｉｎｇ）のハロゲン化マグネシウム保護層と；
ｃ）前記アルミニウム本体の外部領域の上にハロゲン化マグネシウム保護層が存在するとき、
前記ハロゲン化マグネシウム保護層の上の、酸化アルミニウムまたは窒化アルミニウムの層で、
前記アルミニウム本体の外部領域の下にハロゲン化マグネシウム保護層が存在するとき、前記アルミニウム本体のアルミニウムからなる外部領域の上の、酸化アルミニウムまたは窒化アルミニウムの層である；とからなることを特徴とする製品。
【請求項４】
前記外部領域が、アルミニウム本体の表面全体を包囲（ｅｎｃｏｍｐａｓｓ）している請求項３記載の製品。
【請求項５】
前記ハロゲン化マグネシウム層が、弗化マグネシウムからなる請求項３記載の製品。
【請求項６】
ハロゲン含有化学種による腐食に対してアルミニウム表面を保護するための部分を少なくとも一部に有する外部表面（ｅｘｔｅｒｉｏｒ  ｓｕｒｆａｃｅ）を有する、半導体プロセスにおいて有用なアルミニウム製の（ａｌｕｍｉｎｕｍ−ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）物品であって；
ハロゲン含有化学種による腐食に対してアルミニウム表面を保護するための前記外部表面の部分の上（ｕｐｏｎ）、または下（ｕｎｄｅｒｌｙｉｎｇ）のハロゲン化マグネシウム保護層であって、該ハロゲン化マグネシウム層が少なくとも０．００２５ミクロンの厚さを有し；
前記ハロゲン化マグネシウム層に直ちに隣接する（ｉｍｍｅｄｉａｔｅｌｙ  ａｄｊａｃｅｎｔ）前記アルミニウム製の物品が、０．２重量％未満の可動性（ｍｏｂｉｌｅ）不純物原子の濃度を示すことを特徴とする該アルミニウム製の物品。
【請求項７】
前記ハロゲン化マグネシウム層が、厚さ０．００２５ミクロンないし２ミクロンの範囲にある請求項６記載のアルミニウム製の物品。
【請求項８】
前記物品の外部表面の全体が、前記腐食に対してアルミニウム表面を保護する請求項６記載のアルミニウム製の物品。
【請求項９】
前記物品の外部表面の腐食に対してアルミニウム表面を保護するための部分が、前記ハロゲン化マグネシウム保護層上を覆う（ｏｖｅｒｌｉｅｓ）酸化アルミニウムまたは窒化アルミニウムからなる膜を含む請求項６記載のアルミニウム製の物品。
【請求項１０】
前記膜が前記物品の前記外部表面の全体の上を覆う（ｏｖｅｒｌｉｅｓ）請求項９記載のアルミニウム製の物品。
【請求項１１】
前記アルミニウム製の物品中のマグネシウム含有量が、ゼロないし１．５重量％の範囲である請求項６記載のアルミニウム製の物品。
【請求項１２】
前記アルミニウム製の物品中のマグネシウム含有量が、ゼロないし１．５重量％の範囲である請求項６または９に記載のアルミニウム製の物品。
【請求項１３】
前記マグネシウム含有量が、０．３重量％〜１．２重量％の範囲である請求項６または９に記載のアルミニウム製の物品。
【請求項１４】
前記マグネシウム含有量が、０．３重量％〜０．８重量％の範囲である請求項６または９に記載のアルミニウム製の物品。
【請求項１５】
前記アルミニウム製の物品中に存在する前記可動性不純物原子は、シリコン、鉄、銅、クロム、および亜鉛からなる群から選ばれ、前記物品中の前記可動性不純物原子の含有量は０．２重量％未満である請求項６記載のアルミニウム製の物品。
【請求項１６】
前記可動性不純物原子が、遷移金属、半導体、および半導体化合物を形成可能な原子を含むように拡張される（ｅｘｐａｎｄｅｄ）請求項１５記載のアルミニウム製の物品。
【請求項１７】
前記アルミニウム製の物品中に存在する前記可動性不純物原子は、シリコン、鉄、銅、クロム、および亜鉛からなる群から選ばれ、前記物品中の前記可動性不純物原子の含有量は０．２重量％未満である請求項１１記載のアルミニウム製の物品。
【請求項１８】
前記可動性不純物原子が、遷移金属、半導体、および半導体化合物を形成可能な原子を含むように拡張される（ｅｘｐａｎｄｅｄ）請求項１７記載のアルミニウム製の物品。
【請求項１９】
前記アルミニウム製の物品中に存在する前記可動性不純物原子は、シリコン、鉄、銅、クロム、および亜鉛からなる群から選ばれ、前記物品中の前記可動性不純物原子の含有量は０．２重量％未満である請求項１２記載のアルミニウム製の物品。
【請求項２０】
前記可動性不純物原子が、遷移金属、半導体、および半導体化合物を形成可能な原子を含むように拡張される（ｅｘｐａｎｄｅｄ）請求項１９記載のアルミニウム製の物品。
【請求項２１】
前記ハロゲン化マグネシウムが、弗化マグネシウムである請求項６記載のアルミニウム製の物品。
【請求項２２】
前記ハロゲン化マグネシウムが、弗化マグネシウムである請求項１９記載のアルミニウム製の物品。
【請求項２３】
前記ハロゲン化マグネシウムが、弗化マグネシウムである請求項９，１１，１２，１７，１８，２０のいずれか一項に記載のアルミニウム製の物品。
【請求項２４】
ハロゲン含有化学種による腐食に対してアルミニウム表面を保護するための部分を少なくとも一部に有する外部表面（ｅｘｔｅｒｉｏｒ  ｓｕｒｆａｃｅ）を有する、半導体プロセスにおいて有用なアルミニウム製の（ａｌｕｍｉｎｕｍ−ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）物品を製作する方法であって、
ａ）マグネシウムを０．１重量％〜１．５重量％の範囲の濃度で含み、且つ、シリコン、鉄、銅、クロム、および亜鉛からなる群から選ばれた可動性不純物原子を０．２重量％未満含有するアルミニウム製の物品を用意（ｐｒｏｖｉｄｉｎｇ）し；
ｂ）少なくとも、耐腐食性とすべき前記アルミニウム製物品の外部表面の部分を、厚さが少なくとも０．００２５ミクロンのハロゲン化マグネシウム層の形成を許容するのに充分な時間の間および充分な温度においてハロゲン含有化学種と接触させる；ことを特徴とする方法。
【請求項２５】
前記ハロゲン含有化学種が、弗素を含有する請求項２４記載の方法。
【請求項２６】
ｃ）少なくとも、耐腐食性とすべき前記アルミニウム製物品の外部表面の前記部分の上に（ｏｖｅｒ）、酸化アルミニウムまたは窒化アルミニウムの層を設ける（ａｐｐｌｙｉｎｇ）ステップを更に含む請求項２４記載の方法。
【請求項２７】
ｃ）少なくとも、耐腐食性とすべき前記アルミニウム製物品の外部表面の前記部分の上に（ｏｖｅｒ）、酸化アルミニウムまたは窒化アルミニウムの層を設ける（ａｐｐｌｙｉｎｇ）ステップを更に含む請求項２５記載の方法。
【請求項２８】
前記可動性不純物原子が、遷移金属、半導体、および半導体化合物を形成可能な原子を含むように拡張される（ｅｘｐａｎｄｅｄ）請求項２４記載の方法。
【請求項２９】
前記ハロゲン含有化学種が、弗素を含有する請求項２８記載の方法。
【請求項３０】
ｃ）少なくとも、耐腐食性とすべき前記アルミニウム製物品の外部表面の前記部分の上に（ｏｖｅｒ）、酸化アルミニウムまたは窒化アルミニウムの層を設ける（ａｐｐｌｙｉｎｇ）ステップを更に含む請求項２８記載の方法。
【請求項３１】
ｃ）少なくとも、耐腐食性とすべき前記アルミニウム製物品の外部表面の前記部分の上に（ｏｖｅｒ）、酸化アルミニウムまたは窒化アルミニウムの層を設ける（ａｐｐｌｙｉｎｇ）ステップを更に含む請求項２９記載の方法。
【請求項３２】
ハロゲン含有化学種による腐食に対してアルミニウム表面を保護するための部分を少なくとも一部に有する外部表面（ｅｘｔｅｒｉｏｒ  ｓｕｒｆａｃｅ）を有する、半導体プロセスにおいて有用なアルミニウム製の（ａｌｕｍｉｎｕｍ−ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）物品を製作する方法であって、
ａ）マグネシウムを０．１重量％〜１．５重量％の範囲の濃度で含み、且つ、シリコン、鉄、銅、クロム、および亜鉛からなる群から選ばれた可動性不純物原子を０．２重量％未満含有するアルミニウム製の物品を用意（ｐｒｏｖｉｄｉｎｇ）し；
ｂ）少なくとも、耐腐食性とすべき前記アルミニウム製物品の外部表面の前記部分の上に（ｏｖｅｒ）、酸化アルミニウムまたは窒化アルミニウムの層を設け（ａｐｐｌｙｉｎｇ）；
ｃ）少なくとも、耐腐食性とすべき前記アルミニウム製物品の外部表面の前記部分を、前記酸化アルミニウムまたは窒化アルミニウムの層と前記アルミニウム製物品の表面との間に厚さが少なくとも０．００２５ミクロンのハロゲン化マグネシウム層の形成を許容するのに充分な時間の間および充分な温度においてハロゲン含有化学種と接触させる；ことを特徴とする方法。
【請求項３３】
前記可動性不純物原子が、遷移金属、半導体、および半導体化合物を形成可能な原子を含むように拡張される（ｅｘｐａｎｄｅｄ）請求項３２記載の方法。
【請求項３４】
前記ハロゲン含有化学種が、弗素を含有する請求項３３記載の方法。
【請求項３５】
ハロゲン含有化学種による腐食に対してアルミニウム表面を保護するための部分を少なくとも一部に有する外部表面（ｅｘｔｅｒｉｏｒ  ｓｕｒｆａｃｅ）を有する、半導体プロセスにおいて有用なアルミニウム製の（ａｌｕｍｉｎｕｍ−ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）物品を製作する方法であって、
ａ）マグネシウムを０．１重量％〜１．５重量％の範囲の濃度で含み、且つ、シリコン、鉄、銅、クロム、および亜鉛からなる群から選ばれた可動性不純物原子を０．２重量％未満含有するアルミニウム製の物品を用意（ｐｒｏｖｉｄｉｎｇ）し；
ｂ）少なくとも、耐腐食性とすべき前記アルミニウム製物品の外部表面の前記部分の上に（ｏｎ）ハロゲン化マグネシウムの保護上層（ｏｖｅｒｌｙｉｎｇ  ｌａｙｅｒ）を形成し、該ハロゲン化マグネシウム層は少なくとも０．００２５ミクロンの厚さを有する；ことを特徴とする方法。
【請求項３６】
前記ハロゲン化マグネシウムの上層が、ａ）少なくとも、ハロゲン含有化学種による腐食に対してアルミニウム表面を保護すべき前記外部表面の部分の上に（ｕｐｏｎ）、物理的気相堆積およびイオン注入からなる群から選ばれる手法を用いて、マグネシウムの層を堆積し；
ｂ）前記マグネシウム層を、厚さが少なくとも０．００２５ミクロンのハロゲン化マグネシウム層の形成を許容するのに充分な時間の間および充分な温度においてハロゲン含有化学種と接触させる；ことにより形成される請求項３５記載の方法。
【請求項３７】
前記ハロゲン含有化学種が、弗素を含有する請求項３６記載の方法。
【請求項３８】
ｃ）少なくとも、耐腐食性とすべき前記アルミニウム製物品の外部表面の前記部分の上に（ｏｖｅｒ）、酸化アルミニウムまたは窒化アルミニウムの層を設ける（ａｐｐｌｙｉｎｇ）ステップを更に含む請求項３６記載の方法。
【請求項３９】
ｃ）少なくとも、耐腐食性とすべき前記アルミニウム製物品の外部表面の前記部分の上に（ｏｖｅｒ）、酸化アルミニウムまたは窒化アルミニウムの層を設ける（ａｐｐｌｙｉｎｇ）ステップを更に含む請求項３７記載の方法。
【請求項４０】
前記可動性不純物原子が、遷移金属、半導体、および半導体化合物を形成可能な原子を含むように拡張される（ｅｘｐａｎｄｅｄ）請求項３５記載の方法。
【請求項４１】
ｃ）少なくとも、耐腐食性とすべき前記アルミニウム製物品の外部表面の前記部分の上に（ｏｖｅｒ）、酸化アルミニウムまたは窒化アルミニウムの層を設ける（ａｐｐｌｙｉｎｇ）ステップを更に含む請求項４０記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エッチングまたはクリーニングのためのハロゲン含有化学種（halogen-containing species）を用いる半導体プロセス装置内において該物品を腐食（corrosion ）から保護するハロゲン化マグネシウム（magnesium halide）層を有するアルミニウム物品に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体プロセス（semicoductor processing ）は、数多くの異なる化学的および物理的プロセスを含み、これにより微細な集積回路（integrated circuits ）が基板上に形成される。この集積回路は、種々の材料の相互に関係づけられた（interrelated）パターンの多層を使用して構成されている。該集積回路内の材料は、化学的気相堆積（cmemical vapor deposition ）、物理的気相堆積、およびエピタキシャル成長によって形成される。該材料層のいくつかは、ホトレジスト・マスク、およびウエットないしドライエッチング技術を用いてパターンニングされる。パターンは、特別な位置におけるドーパントの注入（implantation）によって層の範囲内で形成される。該集積回路がその上に形成されている基板は、シリコン、ガリウム砒素、ガラス、ないし他の適当な材料であってもよい。
【０００３】
集積回路を製造するために用いられるプロセスの多くは、ハロゲンガス、ハロゲン含有ガス、またはハロゲン含有液体を利用している。これに加え、集積回路を形成するために使われるプロセスは、プロセス装置の表面上に、汚染堆積物（contaminant deposits）を残すので、そのような堆積物は、通常、少くとも１つのハロゲン含有ガスを用いるプラズマ・クリーニングやドライエッチングを用いて除去される。
【０００４】
アルミニウムは、時にはその導電性に基づき、そして一般的には加工の容易性および妥当な価格における利用性に基づき、半導体製作装置のための構成材料（construction material ）として広く使用されている。しかしながら、アルミニウムは、塩素、弗素、臭素等のハロゲンとの反応を受け易く、例えばＡｌＣｌ3 （または、Ａｌ2 Ｃｌ6 ）またはＡｌＦ3 、またはＡｌＢｒ3 （またはＡｌ2Ｂｒ6 ）を生成する。該アルミニウム−弗素化合物が、プロセス装置部分（parts ）の表面からフレーキングにより落ちる（flake off ）可能性があり、該部分自体の侵食（eroding away）を起こし、そしてプロセス・チャンバー（および、該チャンバーの中で生産される部品）の粒子コンタミネーションの源として作用する。アルミニウムおよび塩素を含む化合物の大部分、およびアルミニウムと臭素を含む化合物の多くは、半導体プロセス条件下で気体状（gaseous ）であり、アルミニウム構造を残し、且つ該構造を不安定にし、疑わしい保全性（integrity ）を有する表面を与える空隙（voids ）を形成する。
【０００５】
プロセス装置内のアルミニウム表面を保護する好ましい手段は、陽極処理（anodized）アルミニウムコーティングであった。陽極処理は、アルミニウム表面上に多孔性酸化アルミニウムの一体化された（integral）コーティングを生成する電解酸化（electrolytic oxidation）プロセスである。陽極処理されたアルミニウムコーティングの使用にもかかわらず、陽極処理されたアルミニウム部分（例えば、ＣＶＤリアクター・チャンバー中のサセプター）の寿命は、プラズマクリーニング環境における陽極処理された膜の分解ないし劣化（degradation ）のために制限される。アルミニウム表面上の陽極処理された膜保護層の故障ないし破壊（failure ）は、該リアクター・チャンバー中におけるパーティクル（particulate ）の過剰発生をもたらし、故障したアルミニウム部分を置換するための、および該チャンバーの残りの部分からパーティクルをクリーニングするためのメンテナンス停止時間（downtime）が必要となる。１９９１年８月１３日に発行されたMiyashita らの米国特許第５, ０３９, ３８８は、半導体処理チャンバー内でペアとして（in pairs）用いられるプラズマ形成電極を記述している。該電極は、電極表面上にクロム酸陽極膜（chromic acid anodic film）を有するアルミニウム合金または高純度アルミニウムから形成される。該クロム酸陽極処理された表面は、弗素含有ガスの存在下でプラズマ処理プロセス中で用いられた際の耐久性を、著しく改善すると言われている。該電極は、ＪＩＳ１０５０、１１００、３００３、５０５２、５０５３および６０６１等の高純度アルミニウム、または２〜６重量％のマグネシウムを含むＡｇ−Ｍｇ合金等の同様の合金から形成されていると記述されている。
【０００６】
上述した種類の装置メンテナンスには重大な費用がかかるのみならず、現在では例えば、約５００〜５, ０００のシリコン・ウエハのどこかにおいて、処理後のＣＶＤチャンバー中でサセプターを置き換えることが必要となる。サセプターは典型的には、約５, ０００ドル〜６, ０００ドル程度にまで高いコストがかかる。該サセプター中で有意な（significant ）表面欠陥が発達するならば、これらの欠陥は、該サセプター頂上の（atop）のシリコン・ウエハを通して翻訳（translate ）され、該シリコン・ウエハ上に堆積された膜の中にストレスを発生させる可能性がある。堆積された膜中のストレスは、ウエハ上に製作されたデバイスを仕様（specification ）外のものとする可能性がある。ウエハの上のすべてのデバイスの損失は、５万ドル〜６万ドル程度に高いコストとなる可能性がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ハロゲン原子とイオンによる、およびハロゲン含有化合物による攻撃からアルミニウム表面を保護するための手段を有することは、非常に望ましい。これは、アルミニウムから製作された半導体装置部分の寿命を増大させ、装置メンテナンスの費用を減らし、そしてこのような装置がプロセス操作の間に故障した際に生じる、デバイスの損失を減らす。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
我々は、半導体プロセス装置内で腐食性のハロゲン含有化学種に晒されたアルミニウム物品（サセプター等）の腐食は、最適のマグネシウム含有量を有する高純度アルミニウム−マグネシウム合金から、該物品を製作することによって避けられることを見出した。該物品をハロゲン含有化学種に晒した際には、保護性のハロゲン化マグネシウム層が該物品の表面の下に（beneath ）形成される。該保護性の層は、ハロゲンが基部（base）アルミニウム・ベースに浸透する（penetrating ）のを防いで、腐食とひび割れ(cracking ）から該物品を保護する。
【０００９】
ハロゲン化マグネシウム層を摩耗（abrasion）から保護するために、該物品は、該ハロゲン化マグネシウム層の上に（over、に硬い凝集性（cohesive）のコーティングをも含むことが好ましい。好ましい凝集性のコーティングは、酸化アルミニウムまたは窒化アルミニウムであり、これは、該アルミニウム物品がハロゲン含有化学種に晒されて上記ハロゲン化マグネシウム層を形成する前に、従来の陽極処理プロセスによって形成することができる。
【００１０】
アルミニウム物品のマグネシウム含有量は、該物品の全体にわたって（throughout）、または、少くとも耐腐食性とされるべき表面下の物品の領域において、約０. １％〜１. ５重量％の範囲にあるべきである。該アルミニウムの不純物含有量は、０. ２％未満であるべきであり、好ましくは、これより遥かに少なくあるべきである。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】金属性のサセプターのみならず、穴あきガス入口およびＲＦ電極の組合せとして作用する金属性のプレートを含むＣＶＤリアクター・チャンバーを模式的に示す図面である。これらの半導体装置部分の個々は、本発明のハロゲン化マグネシウム保護層を含むように製作することができる。この該代替手段として、これらの部分は、本発明の保護層を形成可能なアルミニウム−マグネシウム合金から製作することができる。
【図２】陽極処理されたアルミニウム膜の構造を説明する図である。
【図３】半導体装置の製作に使用される標準的なアルミニウム材料の表面の上の陽極処理されたアルミニウム保護膜の故障をもたらすところの、弗化アルミニウム・ノジュールの発達を説明する図である。
【図４】半導体装置の製作に使用される標準的なアルミニウム材料の表面の上の陽極処理されたアルミニウム保護膜の故障をもたらすところの、弗化アルミニウム・ノジュールの発達を説明する図である。
【図５】半導体装置の製作に使用される標準的なアルミニウム材料の表面の上の陽極処理されたアルミニウム保護膜の故障をもたらすところの、弗化アルミニウム・ノジュールの発達を説明する図である。
【図６】半導体装置の製作に使用される標準的なアルミニウム材料の表面の上の陽極処理されたアルミニウム保護膜の故障をもたらすところの、弗化アルミニウム・ノジュールの発達を説明する図である。
【図７】均一でなく、構造的に安定してもいない弗化アルミニウム膜であって、該アルミニウム部分の使用によりフレーキング脱落する弗化アルミニウム膜の形成によるアルミニウム部分表面の漸進的な浸食を説明する図である。
【図８】陽極処理されたアルミニウムの最上層、その下（underlying）のハロゲン化マグネシウムの層、および基部表面としてのアルミニウム−マグネシウム合金を含む、本発明の最も好ましい構造を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
（発明の解析的基礎）
図１は、化学的気相堆積（ＣＶＤ）またはエッチング等の半導体基板製作プロセスのために使用される、従来のリアクター・チャンバー１００を示す。このようなプロセスは、典型的には、該チャンバー内の構成要素（components）を腐食性のハロゲン含有化学種に晒す。特に腐食性のものは、チャンバー構成要素をプラズマ・クリーニングするために用いられるガス混合物、例えば、ＣＦ4 とＮ2Ｏとの混合物、またはＣ2 Ｆ6 とＯ2 との混合物である。チャンバー構成要素は、ＣＶＤまたはエッチング・プロセスにおける高温（典型的には２００℃〜５００℃）と、定期的な（periodic）チャンバー・クリーニングにおける腐食性のハロゲンガス混合物とに、交互に晒される。
【００１３】
ある種のチャンバー構成要素、例えば、穴あき（perforated）プレート１１０（これは、プロセス・ガスをチャンバー内に供給（deliver ）する機能、およびプラズマを励起するためのＲＦ電極としての機能の双方を果たす）、およびサセプター１１２（これは、半導体基板１１４を支持し、そして、しばしばＲＦ電極としても機能する）は、従来においては陽極処理されたアルミニウムで構成される。一般に使用されるアルミニウム材料は、Ａｌ１１００とＡｌ６０６１である。
【００１４】
アルミニウム上の陽極処理コーティング（酸化アルミニウム）は、該アルミニウムを腐食から保護することを意図している。しかしながら、我々は、酸化物保護層が比較的に多孔性であることを見出した。図２は、アルミニウム基部２１６上の、１０〜１４ミクロンの厚さを有する酸化アルミニウム層２００を示す。該酸化物は、従来の電解陽極処理プロセスによって形成された。アルミニウム基部２１６のすぐ上に横たわっている（immediately overlying ）該酸化物層の部分は、ほんの１００〜５０００オングストロームの厚さを有する密な（dense ）バリヤー層２１０である。該酸化物層の残りの部分は、直径で１００〜２０００オングストローム程度の孔（pores ）２１４を有する六角形（hexagonal ）のセル２１２のマトリックスである。これらの孔は、大部分のハロゲン原子よりより大きい。例えば、弗素原子は、直径で約５オングストローム程である。このように、多孔性セル２１２のマトリックス下の薄いバリヤー層２１０のみが、半導体プロセスチャンバー内で一般に使用される腐食性のハロゲン含有ガス混合物から、基部アルミニウム合金２１６を保護する。
【００１５】
陽極処理（酸化アルミニウム）コーティングの故障は、典型的には、ピンホールおよび「ひび割れ」の形で起こる。該「ひび割れ」は、次に、該保護性コーティングのフレーキング（flaking off ）をもたらす。
【００１６】
酸化物コーティングの付加的な故障メカニズムは、該酸化物下の析出（precipitates）のノジュール（nodule）の形成であり、これは結局は、該酸化物層にストレスを与え、ひびを入れる。図３〜６は、標準的な市販のアルミニウム−マグネシウム合金Ａｌ６０６１から形成されたアルミニウムサセプターを、ＣＶＤチャンバーの構成要素をクリーニングするために用いられる標準のプロセスに長時間供された際の、故障モード（failure modes ）の研究において撮影された、実際の顕微鏡写真に基づいている。具体的には、テスト下のサセプターは、ＣＦ4およびＮ2 Ｏを供給された真空チャンバー内で約４２５℃に維持された。高周波電源（RF power supply ）は、該ガス混合物をプラズマ状態に励起し、そして負のＤＣバイアス電圧が該サセプター上に維持された。
【００１７】
上記Ａｌ６０６１の合金は、約０. ８重量％のマグネシウム、および合計量が約１. ８〜２. ２重量％他の不純物とを含有している。主要な不純物は、優勢（prevalence）な順に、シリコン、鉄、銅、クロム、マンガン、および亜鉛である。図３〜６は、上部（overlying ）酸化物コーティング３１４中のピンホールを浸透して、該アルミニウム中の不純物と反応して弗化物または塩化物化合物を形成する、弗素（または、塩素）原子によって引き起こされた、アルミニウム物品３００内のノジュールの形成を説明している。ノジュールの成長は、該酸化物コーティングにストレスを与え、更には、より大きなひび割れをもたらし、該酸化物下に、より多くの弗素または塩素の侵入を許し、より大きなノジュールの成長さえ許容する可能性もある。
【００１８】
図３は、弗素（または、塩素）原子が、ピンホールを通して、あるいは拡散のいずれかによって、酸化アルミニウムコーティング３１４のバリア層３１３を浸透して、該アルミニウム３１２の中のシリコン不純物と反応して、四弗化珪素（または、四塩化珪素）のノジュール３１０を形成する、ノジュールの開始を示す。図４中で示されるように、ノジュール３１０の成長は、酸化物層３１４にストレスを与え、ひび割れ３１８を引き起こす可能性がある。このようなストレスは、ＣＶＤプロセスのために用いられる高温、典型的には２００°〜５００℃、によって更に悪化する。該ひび割れ３１８は、矢印３１９で示されるように、揮発性のＳｉＦ4 （またはＳｉＣｌ4 ）が蒸発することを許容し、図５中に示されるように、該アルミニウム中でより大きな空隙（void）３２０さえも形成する。該ひび割れは、また、矢印３１６で示されるように、より多くの弗素（または塩素）が該アルミニウムを浸透することを許容する。
【００１９】
図５は、ひび割れ３１８を通じた弗素または塩素３１６の更なる浸透により、陽極処理された層３１４の下に弗化アルミニウムＡｌＦ3 （または塩化アルミニウムＡｌＣｌ3 ）ノジュール３２２を生成する、ノジュール３２２の更なる発達を示す。結局は、該ノジュール３２２は、陽極処理された層３１４に充分な力を及ぼし、陽極処理された層３１４からのフレーキングを起こして、図６中に示されるように、ノジュール３２２を露出させる。
【００２０】
これらのテストに用いられるアルミニウム基部３１２は、酸化物層を浸透した弗素が該酸化物の下に弗化マグネシウム３２４の層を形成するのに充分なマグネシウム含有量（約０. ８重量％）を有していた。しかしながら、該アルミニウム中の他の不純物（約２重量％）の過大な濃度のために、損害を与えるノジュール３１０および３２２が形成され、基部アルミニウム中への弗素の浸透を防ぐのに充分な弗化マグネシウム層が構築されることが可能となる前に、該酸化物中にひび割れ３１８を引き起こした。このようなテストから、我々は、腐食の防止は、以下に述べる最適なマグネシウム含有量のみならず、基部アルミニウム中の低い不純物含有量を必要とする、との結論に達した。
【００２１】
該アルミニウム中の鉄、銅、クロムおよび亜鉛不純物の存在も、該不純物がアルミニウムの表面の近くで拡散して、酸化物層を浸透した弗素または塩素原子と反応する際に、問題を起こす。結果として生ずる金属弗化物または塩化物化合物は、上述したＳｉＦ4 またはＳｉＣｌ4 化合物ほどには揮発性でない。しかしながら、それらは、ＭｇＦ2 またはＭｇＣ１2 のそれと大きく異なるそれらの熱膨張係数のために、ストレスを発生させる。これらのストレスは、上述したそれらに似ている酸化物層の中で、ひび割れに引き起こす可能性がある。
【００２２】
図７は、上記したＡｌ６０６１より遥かに低いマグネシウム含有量（我々のサンプル中では０. ０２３重量％）を有し、且つ、若干より高い不純物含有量たる約３重量％を有し、主要な不純物が約０. ５重量％の鉄を有するアルミニウムであるＡｌ１１００から製作されたサセプター４００上における、同様のＣＦ4 およびＮ2 Ｏプラズマクリーニング・プロセスの影響をテストした際に、我々が観察した故障メカニズムを説明している。Ａｌ１１００は、酸化物層４１４を浸透して基部アルミニウム４１０中に至るハロゲン原子の量を制限することが可能な、ＭｇＦ2 （またはＭｇＣ１2 ）の保護層を形成するたに充分なマグネシウムを含有していない。したがって、弗素（または、塩素）が酸化物層中のピンホールを浸透して、その下の（underlying）アルミニウム４１０と反応する時間の間（over time ）、ＡｌＦ3 （または、ＡｌＣｌ3 ）の厚い層４１２が構築される。該酸化物中のピンホールの分布は不均一であるため、ハロゲン化アルミニウム層４１２の厚さは、これに対応して不均一となる。この厚さの不均一性は、ストレスを引き起こし；実際に、該ハロゲン化アルミニウム層の輪郭（contour ）が速く変化する点（points）で、該ストレスは圧縮性（compressive ）から張力性（tensile ）に変化する可能性がある。このようなストレスは、該酸化物層４１４の部分４１６をフレーキングさせ、これにより、その下にあるアルミニウムを、加速された腐食に晒す可能性がある。
【００２３】
（発明性のある耐腐食性材料および製作法：概観）本発明によれば、アルミニウム（または、アルミニウム−マグネシウム合金）物品は、ハロゲン化マグネシウム（好ましくは弗化マグネシウム）の耐腐食性保護層を備えている。本発明は、更に、アルミニウム物品にわたって（throughout）または少くとも該物品の表面に隣接する領域中で、該アルミニウムが可動性の不純物（mobile impurity ）原子の非常に低い濃度を有することを要求する。
【００２４】
本発明のアルミニウム物品は、半導体製作装置中でエッチング・プロセスおよびＣＶＤチャンバー・クリーニングプロセスにおいて典型的に用いられるハロゲン含有化学種（Ｃ１2 、Ｆ2 、ＮＦ3 、ＣＦ4 、ＣＨＦ3 、Ｃ2 Ｆ6 、ＨＦ、ＢＣｌ3 等）によって引き起こされる腐食に耐える。ハロゲン化マグネシウム層は、ハロゲン原子またはイオンが該層を浸透して、その下のアルミニウムと反応して上述したような化合物であって、アルミニウム物品中でストレスおよびひび割れを起こす可能性がある化合物を形成することを防止する。
【００２５】
（アルミニウムの不純物含有量）上述したように、アルミニウムとマグネシウム以外の可動性不純物の低い濃度は、該物品表面のひび割れおよびフレーキングをもたらす可能性のある、アルミニウム内のノジュールおよび空隙の形成を防止する。可動性の不純物とは、本発明において、アルミニウム・マトリックスの中で容易に拡散する可能性がある、アルミニウムまたはマグネシウム以外の化学種を意味する。このような可動性の不純物は、半導体化合物を形成する可能性がある金属、遷移金属、半導体および元素、例えば、ガリウム、アンチモン、テルル、砒素およびポロニウム等を含む。
【００２６】
理想的には、可動性の不純物濃度は、アルミニウム物品の表面に拡散する不純物の確率が低くなるのに充分な程度に、低くあるべきである。該物品が操作されるであろう温度が高くなれば、不純物の可動性は高くなる。したがって、不純物がより深くから該表面に拡散しそうになるため、不純物含有量は、より低くなければならない。与えられた不純物化学種のアルミニウム中での可動性が高くなる程、または、半導体プロセスに使用される温度におけるその蒸気圧が高くなる程、その濃度は低くなければならない。もちろん、特に半導体プロセスにダメージを与えると考えられる化学種、例えば、ナトリウム、亜鉛、貴金属、アルカリ土類金属等、は特に低い濃度であるべきである。
【００２７】
与えられた不純物濃度において、同じ濃度がより数多くの異なる不純物化学種からなるよりも、単一の不純物化学種がこの濃度の大部分を構成することは、一般には、より有害である。同じ種類の不純物は、いくつかの異なる種類の不純物の同じ量に比べて、より集合（aggregate ）して単一の大きなノジュールを形成し易い。
【００２８】
許容しうる不純物濃度に影響を及ぼすもう一つのファクターは、該不純物がアルミニウム材料中で均一な空間的分布を一般には有しないということである。したがって、もし物品がそれから製作されるべきアルミニウムが、ある包括的（overall ）不純物濃度を有しているならば、該物品中の不純物が表面付近で平均的濃度よりも高い濃度を有し、これにより不純物が表面に移行（migrating ）して欠陥を生じるという統計的な危険があることとなる。この統計的な危険を減らすためには、他の場合に必要とされるより、更に低い不純物濃度が好ましい。
【００２９】
我々は、約０. ６重量％のシリコン、および次第に（progressively ）より小さい量の鉄、銅、およびクロムを不純物として有するＡｌ６０６１を用いて、１２のサセプターを製作することによって、本発明をテストした。我々は、シリコンが表面に拡散して欠陥を生じたため、大部分のサセプターが短い寿命しか有しなかったことを見出した。しかしながら、いくつかのサセプターは、統計的変動（statistical variation ）により、遥かに低い不純物含有量を有しており、そしてそれらは例外的に長い寿命を有していた。したがって、我々は、本発明を実践するために使われるアルミニウムは、０. ２重量％より悪くない可動性の不純物の濃度を有するべきであり、不純物によって引き起こされる欠陥のより低い確率には０. １％、更には０. ０５％を有するべきであると推定した。好ましくは、どれか１つの可動性の不純物化学種も、これらの量の半分を越える構成とするべきではない。
【００３０】
（ハロゲン化マグネシウム保護層を形成ためのプロセス）本発明の新規なプロセスによれば、アルミニウム物品のためのハロゲン化マグネシウム保護層は、該アルミニウム内の特定の（specified ）最適範囲の内にマグネシウムの濃度を取り込み、次いで、該マグネシウムがハロゲンと反応してハロゲン化マグネシウム層を形成するように、該物品をハロゲン含有化学種に晒すことにより、形成される。マグネシウムは該物品全体に取り込まれてもよく、あるいは、マグネシウムは該物品の表面に隣接して保護層が形成されるべき領域のみに組み込まれてもよい。ハロゲン化マグネシウム層が形成されている方法の説明の後、マグネシウムの最適な濃度範囲を以下に説明する。
【００３１】
ハロゲン化マグネシウム層は、最初は、該物品をハロゲン含有反応性化学種、最も好ましくは弗素、または、次に好ましくは塩素を含む環境にさらすことによって形成される。以下の記載においては、塩素あるいは他のハロゲンが弗素に置き代わり得ると理解のもとで、弗素について言及する。
【００３２】
我々は、ＣＦ4 、Ｃ2 Ｆ6 、ＮＦ3 等の弗素前駆体（precursor ）を含むエッチングまたはクリーニング・ガス混合物を用いる、プラズマエッチングまたはプラズマクリーニング・プロセスを行うように設計された従来型の反応チャンバーを好ましく用いる。弗化マグネシウム層の形成の速度は、弗素の利用可能度（availability）によってでなく、該表面へのマグネシウム拡散の速度によって制限されるため、同じリアクター・チャンバーを同じガス混合物を使用してクリーニングすることに通常用いるであろうレベルの約半分のＲＦパワーレベルで、弗素含有プラズマを励起させる。弗素イオンが物品の表面に向かって加速され、そしてよりよく浸透するように、負のバイアス電圧をアルミニウムに印加することが好ましい。よく知られているように、負のバイアス電圧は、該物品に直列接続（series−connected ）キャパシタを介して連結された高周波電源、またはＤＣ電源のいずれによっても、印加することが可能である。
【００３３】
最初の弗化マグネシウム層形成中の物品の温度は、物品の表面に拡散するマグネシウムが、それが弗素と反応する前に蒸発することを防ぐために、マグネシウムの蒸発温度より充分に下であることが好ましい。マグネシウムの蒸発は、アルミニウム物品（例えば、サセプター）の保全性（integrity ）にとって有害ではない。しかしながら、蒸発したマグネシウムは、真空チャンバー内で表面上に黒い膜を堆積させる。もし生産エッチングまたはＣＶＤチャンバーが最初の弗化マグネシウム層を堆積させるために使われるならば、黒い膜がチャンバー表面上に堆積することは、容認できなくなる可能性がある。
【００３４】
より重要なことには、もしチャンバー内にいくらかでも酸素が存在すると、蒸発したマグネシウムは酸化されて好ましくないパーティクルを形成する。したがって、最初のＭｇＦ2 層を形成するために用いられるハロゲン含有ガス混合物は、可能な限り少量の酸素を含むべきである。他の不純物も、弗化マグネシウム層中への他の化合物の取込みを防止するために、最小化されるべきである。好ましくは、これは１Ｔｏｒｒ未満（below ）の圧力で該チャンバーを操作することによって、容易化される。
【００３５】
以下でより充分に記述されるように、我々は、弗化マグネシウム層が形成されるより前に、酸化アルミニウム層または他の凝集性の保護層をアルミニウム物品の表面上に適用することが、マグネシウムの蒸発を著しく阻害し、該弗化マグネシウム層を形成している間に、より高い温度の使用を許容することを見出した。
【００３６】
逆に、該温度を低減することは、物品のアルミニウム本体内でのマグネシウムの可動性を低減させ、２つの好ましくない結果をもたらす。第一に、該温度がマグネシウム蒸発点より下に低減されるにつれて、マグネシウムの可動性は、鉄、シリコン等のより可動性の小さい不純物のそれぞれの可動性より速く減退するように見える。したがって、該温度をできる限り高く維持しておくことは、マグネシウムの表面への拡散を優先的に最大化させ、弗素が該不純物よりもむしろマグネシウムと反応するようになるように見える。第２に、該マグネシウムの可動性を低減させることは、最初の弗化マグネシウム層を形成するために必要とされる時間を延長させる。反応チャンバーは高価な資本機器（capital equipment ）であるため、該チャンバーが半導体ウエハ処理より最初のハロゲン化マグネシウム層の形成に貢献している（dedicated to）時間を最小化することは、望ましい。
【００３７】
したがって、該アルミニウム中の可動性不純物のハロゲン化物の形成によって引き起こされるハロゲン化マグネシウム層中の欠陥を避けるため、および保護層形成プロセスの速度を最大にするために、制御されたヒータは、該物品をマグネシウムの蒸発を防止するために充分な、ちょうど低い温度に、好ましく該物品を維持する。我々は、１５０°〜３２５℃の温度範囲をより好む。
【００３８】
特に、もし最初の弗化マグネシウム層が形成される前に、アルミニウム物品を（以下に記述するように）陽極処理するならば、我々は最初のＭｇＦ2 層の形成の間、２５０°ないし３００℃の温度をむしろ好む。しかしながら、陽極処理を行わず、あるいは他の保護コーティングを該アルミニウムに適用しないならば、我々は、マグネシウムの過大な蒸発を避けるために、最初のＭｇＦ2 層の形成の間、約１７５℃の温度を好む。
【００３９】
最初の、連続的な弗化マグネシウムの層が形成された後、この連続の層はマグネシウムの蒸発を抑制し、このゆえに該物品の温度は上昇する可能性がある。我々は、低い最初の温度で約２５オングストロームのＭｇＦ2 の層を形成するのを好む。ＭｇＦ2 が層が形成する速度は、アルミニウム物品中のマグネシウム濃度および該物品の温度を強力に増大させる機能である。２重量％のマグネシウム含有量を有するアルミニウム・サセプター上で実行されたテストにおいては、ＭｇＦ2 の２５オングストロームの層を形成するのに約７０分かかった。このプロセスは、それがアルミニウム物品の本体からＭｇＦ2 層が形成されるべき表面へのマグネシウムの拡散に依存するために、非常に遅い。
【００４０】
最初の連続的なＭｇＦ2 層が形成された後、アルミニウム物品は、ＣＶＤまたはエッチング反応チャンバー等の半導体プロセス・チャンバー中の生産サービス（production service）中に置くことができる。ＭｇＦ2 層は、ＣＶＤおよびエッチングプロセスにおいて典型的な高温（２００°〜５００℃）でのマグネシウムと不純物の脱ガス（outgassing）を抑制し、これにより、このような脱ガスによって引き起こされるパーティクルを低減する。さらに、エッチング・プロセスないしチャンバークリーニング・プロセスの間に、ハロゲン含有エッチング剤に晒された際に、ＭｇＦ2 層は、該ハロゲンがアルミニウム本体に浸透して欠陥を引き起こすことを防止する。
【００４１】
特に、該物品が弗素含有エッチング剤に晒された際には、弗素は、アルミニウム本体からマグネシウム弗化物層の境界に移行する如何なるマグネシウムとも反応して、これにより保護性の弗化マグネシウム層の厚さを次第に（progressively ）増大させる。数百の弗素チャンバークリーニングサイクルに晒された後、アルミニウムの隣接する領域においてフリーのマグネシウムが枯渇するため、該弗化マグネシウム層は成長をストップする。例えば、２重量％のマグネシウムを有するアルミニウムでは、該層が約２ミクロンに厚くなったときにＭｇＦ2 層は成長を停止し、そして、フリーのマグネシウムが枯渇したその下の領域は、１００〜２００ミクロン程度の厚さであった。
【００４２】
（マグネシウム含有量）前述したように、ハロゲン化マグネシウム層（好ましくはＭｇＦ2 層）を表面に隣接するアルミニウム物品の領域に形成するための上記プロセスは、該マグネシウムが弗素と反応する前に、該領域に取り込まれるべき一定の最適範囲内でのマグネシウム濃度を必要とする。該マグネシウム濃度は、以下の要件に基づく。もし該濃度が低過ぎるならば、弗化マグネシウム層は不連続となるか、あるいはその下のアルミニウム層を腐食から保護するのに不充分な密度となる（すなわち、ハロゲン化学種がＭｇＦ2 層を浸透してその下のアルミニウムと反応するのを妨ぐためには不充分となる）。該アルミニウム物品の中で存在しなければならないマグネシウム量の上の絶対的な下限は、所望の厚さ（例えば、１ミクロン）のＭｇＦ2 層の質量（mass）から計算することができる。ＭｇＦ2 は約７０重量％のＭｇであるため、アルミニウム物品は、所望のＭｇＦ2 層の質量の少なくとも７０％に等しい合計のＭｇ質量を含まなければならない。この計算は、アルミニウム中の１００％のＭｇが該表面に移行してＭｇＦ2 層中に取り込まれて、それによって該アルミニウムのフリーのマグネシウムを完全に枯渇させると、この計算は仮定している。この仮定は現実的でないため、実際にはより高いＭｇ含有量を用いるべきである。
【００４３】
逆に、アルミニウム中の最も好ましいマグネシウム含有量は、もしマグネシウム濃度があまりに高いならば、半導体デバイス製作のためのＣＶＤまたはエッチングチャンバーに用いられるアルミニウム物品（サセプター等）が典型的に遭遇する高温時および減圧下では特に、マグネシウム原子は該物品の表面から脱ガス、あるいは蒸発する。
【００４４】
更なる考察は、連続的なＭｇＦ2 層を形成するには低過ぎるＭｇ含有量の極端な限界と、マグネシウムの脱ガスによるプロセス・チャンバーのコンタミネーションを避けるには高過ぎるＭｇ含有量との間の、マグネシウム含有量の選択に影響を及ぼす。これらの限界の間では、より高いＭｇ含有量が、該物品に好適な”自己回復性”（self-healing property ）を与え、そこにおいては、該物品の表面の小さな傷（scratches）は、アルミニウム物品がエッチングまたはチャンバークリーニングプロセスにおいて弗素に晒された際の、該傷における新たなＭｇＦ2 層の形成により治癒される。逆に、より低いＭｇ含有量は、該物品がＭｇを脱ガスする傾向を低減し、それにより、該物品がＣＶＤまたはエッチングプロセスチャンバーないで生産サービスに供される前に形成されなければならない最初の連続的なＭｇＦ2 層の厚さを低減ないし除去する。
【００４５】
我々は、重量で約０. １％から約１. ５％へののマグネシウム濃度が、これらの要求を満たすことを見出した。我々のテストによれば、約１５０℃を越える温度、約１Ｔｏｒｒ未満の圧力では、半導体プロセスチャンバー内に放出される許容されると考えられるマグネシウムまたは酸化マグネシウムの量に依存して、マグネシウムの表面蒸発が約１. ２％から約１. ５％の濃度で問題となることが示されている。逆に、我々は、重さで約０. １％未満のマグネシウム濃度は、適切な腐食保護性を与えるＭｇＦ2 層を生成しないと考える。好ましくは、該物品のこの表面隣接領域におけるマグネシウム濃度が、約０. ３重量％から約１. ２重量％まで、より好ましくは約０. ３重量％から０. ８重量％であるべきである。
【００４６】
前述したように、必要なマグネシウム含有量は、該アルミニウム物品全体、または表面に隣接するアルミニウム物品の領域の中だけに取り込まれることができる。もっとも単純で現在好ましい代替手段（alternative ）は、必要なマグネシウム含有量を有するアルミニウム−マグネシウム合金の物品全体を作ることである。該合金も、上記で特定された低い可動性不純物濃度、すなわち、約０. ２重量％未満、より好ましくは遥かに少ない濃度を有しなければならない。現在、標準の合金が不適当なため、このような合金は、特別にアルミニウム供給元へ注文する必要がある。例えば、そのマグネシウム含有量が０. ０２５％だけであり、且つその不純物含有量は過大であるため、Ａｌ１１００は不適当である。Ａｌ６０６１は、過大なマグネシウム含有量と過大な不純物とを有する。
【００４７】
必要なマグネシウム濃度を該アルミニウムの中に取り込む一つの可能な方法は、該物品を従来のキャスティング方法によって製作し、その供給原料（feed stock）として、高純度マグネシウム材料および高純度アルミニウム材料の両方を使用することである。好ましくは、該アルミニウム材料は、０．０５％以下の不純物を有するべきであり、該マグネシウム材料は０. １％以下の不純物を有するべきである。このような高純度材料は、商業的に容易に入手可能である。マグネシウムのアルミニウムに対する割合は、上述した好ましいマグネシウム濃度に等しくあるべきである。
【００４８】
好ましさではやや劣る代替手段は、高純度アルミニウム合金の物品を作り、そして、表面隣接の物品の領域中でマグネシウム濃度を増大させることである。例えば、スパッタリング、熱的蒸発等のマグネシウム物理的気相堆積（ＰＶＤ）により、またはマグネシウム・イオン注入によってさえも、該物品の外層（outerlayer ）にマグネシウムを取り込むことができる。注入ないし堆積されたマグネシウムの質量は、所望のＭｇＦ2 層の質量の少なくとも７０％、より好ましくは、前述した理由に基づき、これより遥かに大きくあるべきである。
【００４９】
（ハロゲン化マグネシウム層上の保護層）図８に示すように、該アルミニウム物品５１０の最大保護のために、上記ハロゲン化マグネシウム保護層５１２と、従来の陽極処理層（酸化アルミニウムＡｌ2 ２０3 ）等の凝集性の材料５１４の上層（overlying layer ）とを組合せることが好ましい。該ハロゲン化マグネシウム層を無保護のままににしておく不利益は、およそ１０００オングストローム（０. １ミクロン）を超える厚さでは、該ハロゲン化マグネシウムは比較的柔らかくて非凝集性であるため、機械的摩耗または温度ストレスを受けた際にはハロゲン化マグネシウム粒子が容易にフレーキング（flaking off ）することである。ハロゲン化マグネシウム上に強く、凝集性の材料の層を設けることは、ハロゲン含有環境による腐食へのハロゲン化マグネシウムの優れた抵抗性の利益を保持しつつ、該ハロゲン化マグネシウムをダメージから保護する。
【００５０】
該ハロゲン化マグネシウムの柔らかさにもかかわらず、図８に示された構造は、ハロゲン化マグネシウム層がハロゲン含有環境に晒された際に再生する（regrow）ため、保護層における小さい傷（scratches ）ないし切り傷（nicks ）が自己回復的であるという利点を有する。
【００５１】
最も好ましくは、該凝集性の層は酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）であり、そして、次に好ましくは窒化アルミニウム（ＡｌＮ）である。Ａｌ2 Ｏ3 層は、従来の電解的陽極処理プロセスによって形成することができる。ＡｌＮ層は、窒素ガスの存在下の高温または窒素プラズマでのスパッタリングまたは蒸気堆積により物品上にアルミニウム膜を堆積する従来の反応性アルミニウム堆積プロセスによってアルミニウム上に堆積することができる。（以下の説明にわたって、我々は、「陽極処理（anodize ）」という用語を、ＡｌＮが従来の「陽極処理」の用語の意味には含まれないけれども、アルミニウム物品上のＡｌ2 Ｏ3 またはＡｌＮコーティング形成を含むように用いる。）
アルミニウム物品を陽極処理することの更なる長所は、Ａｌ2 Ｏ3 およびＡｌＮが酸素に対して非透過性だということである。酸素の浸透を防止することは、該アルミニウムの表面拡散するマグネシウムが所望のハロゲン化マグネシウムよりはむしろ酸化マグネシウムを形成することを防止するために有利である。Ａｌ2 Ｏ3 およびＡｌＮは、チャンバー中で作られる半導体を汚染する可能性のあるマグネシウムおよび他の不純物の、半導体プロセス・チャンバー中への脱ガスを抑制する。
【００５２】
（前述したように、「ハロゲン化マグネシウム保護層形成のためのプロセス」の下で）ハロゲン化マグネシウム層を形成する前に、アルミニウム物品上に、酸化アルミニウムまたは窒化アルミニウムのコーティングを形成することが特に好ましい。先行するパラグラフ中で説明したように、酸化アルミニウムおよび窒化アルミニウムは高度に酸素非透過性であり、そして、それらはマグネシウムの脱ガスを抑制する。したがって、もしハロゲン化マグネシウム層が形成される前のアルミニウム物品に、Ａｌ2 Ｏ3 またはＡｌＮコーティングが適用されるならば、該酸化または窒化アルミニウムは、該物品の表面へ拡散するマグネシウムが、所望のハロゲン化マグネシウム保護層よりはむしろ酸化マグネシウムを形成することを防止する。したがって、最初の低温ハロゲン化マグネシウム層形成のステップは、この最初のステップのために必要な時間を低減するために、より高い温度で実行されてもよい。特に、この最初のステップのための我々の現在好ましい温度は、もし該物品が陽極処理をされないならば１７５℃であり、それが陽極処理をされるならば、２５０°〜３００℃である。
【００５３】
実際は、上層たるＡｌ2 Ｏ3 かＡｌＮは、この最初の低温ハロゲン化マグネシウム層形成ステップの必要性をも排除でき、最初のハロゲン化マグネシウム層を形成するために低温で該物品の処理を開始する非生産的な活動に該チャンバーを流用（diverting ）することなく、陽極処理されたアルミニウム物品がチャンバー中で半導体プロセスのために直ちに使用されるようにもできる。該物品は半導体プロセス・チャンバー内で（例えば、クリーニングまたはエッチング・プロセスの間）ハロゲンに晒されているため、該ハロゲンは、該酸化または窒化アルミニウム層を通して拡散して、アルミニウム中のマグネシウムと反応してＡｌ2 Ｏ3 またはＡｌＮのすぐ下にハロゲン化マグネシウム層を形成する。
【００５４】
他方、アルミニウム物品を半導体基板処理に必要とされる高温に晒す前に、比較的低い温度で最初に弗化マグネシウム層を形成することのよい理由がある。弗化マグネシウムは、アルミニウムと酸化アルミニウムの中間の熱膨張係数を有するため、酸化アルミニウム・コーティングと基部アルミニウムとの間の弗化マグネシウム層は、温度変化によるストレスの傾き（gradient）を低減する。したがって、温度ストレスによって陽極処理コーティングがひび割れする危険を低減するためには、アルミニウム物品を半導体基板処理温度に晒す前に、低い温度、例えば２５０℃で約２５オングストロームの厚さの弗化マグネシウムの層を酸化アルミニウムの下に形成することが好ましい。
【００５５】
酸化アルミニウムおよび窒化アルミニウムは弗素に対して透過性であるため、Ａｌ2 Ｏ3 またはＡｌＮ層の下にＭｇＦ2 層を形成することは容易である。第１に、アルミニウム物品は、従来の陽極処理プロセスによって陽極処理をされる。次いで、該陽極処理物品は、「ハロゲン化マグネシウム保護層形成のためのプロセス」の下で前述したプロセスにしたがって、弗素含有環境に晒される。該弗素は陽極処理層に浸透し、表面へ拡散するマグネシウムと反応して、該陽極処理コーティングのすぐ下に（directly underneath ）ＭｇＦ2 層を形成する.もし、何等かの理由によって、該酸化または窒化アルミニウムコーティングを形成する前にハロゲン化マグネシウム層を形成することが望まれるならば、これは以下に述べるようにして達成することが可能である。第１に、該物品を前述した「ハロゲン化マグネシウム保護層形成のためのプロセス」の下でハロゲン含有化学種に晒すことによって、ハロゲン化マグネシウム層を形成する。第２に、従来のスパッタリングまたは気相堆積プロセスを使用して、ハロゲン化マグネシウム層上にアルミニウム膜か酸化アルミニウム膜を堆積する。もしアルミニウム膜が堆積されたならば、それは従来の陽極処理プロセスを使用して陽極処理されるべきである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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