(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの図形から構成される複数のセルがチップ領域に定義されたレイアウトデータを記憶する記憶部と、
前記レイアウトデータを分散処理する複数の処理領域の境界を定義する処理領域境界情報を入力し、前記処理領域境界情報を用いて、前記処理領域にマージン幅を付した複数のセル抽出枠を決定するセル抽出枠決定部と、
セル抽出枠毎に、前記レイアウトデータに定義された複数のセルの中から他の処理領域内にセル基準位置が配置されながらも当該処理領域のセル抽出枠に跨るセルを抽出するセル抽出部と、
抽出されたセルの内、前記処理領域よりも小さいサイズで前記チップ領域を仮想分割し、いずれかの処理領域に属するように定義された複数のサブフィールド領域内に位置するセル内の前記図形を複数の部分図形に分割して異なる当該処理領域に分配する図形分配部と、
前記処理領域毎に、分配された部分図形のデータを分散処理するデータ処理部と、
データ処理後の出力データに基づいて、荷電粒子ビームを用いて試料に前記複数のセルが示すパターンを描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする描画装置。
【請求項２】
前記セル抽出枠決定部は、複数の方向について、前記処理領域の境界と前記処理領域からはみ出すサブフィールド領域の境界との差分をそれぞれ演算し、前記複数の方向について演算された複数の差分の中から最大値を前記マージン幅として設定することを特徴とする請求項１記載の描画装置。
【請求項３】
前記セル抽出枠決定部は、前記サブフィールド領域の幅寸法を前記マージン幅として設定することを特徴とする請求項１記載の描画装置。
【請求項４】
前記セル抽出枠決定部は、複数の方向について、前記処理領域の境界と前記処理領域からはみ出すサブフィールド領域の境界との差分をそれぞれ演算し、前記複数の方向について演算された複数の差分をそれぞれの方向のマージン幅として設定することを特徴とする請求項１記載の描画装置。
【請求項５】
少なくとも１つの図形から構成される複数のセルがチップ領域に定義されたレイアウトデータを分散処理する複数の処理領域の境界を定義する処理領域境界情報を入力し、前記処理領域境界情報を用いて、前記処理領域にマージン幅を付した複数のセル抽出枠を決定する工程と、
セル抽出枠毎に、前記レイアウトデータに定義された複数のセルの中から他の処理領域枠内にセル基準位置が配置されながらも当該処理領域のセル抽出枠に跨るセルを抽出する工程と、
抽出されたセルの内、前記処理領域よりも小さいサイズで前記チップ領域を仮想分割し、いずれかの処理領域に属するように定義された複数のサブフィールド領域内に位置するセル内の前記図形を複数の部分図形に分割して異なる当該処理領域に分配する工程と、
前記処理領域毎に、分配された部分図形のデータを出力する工程と、
を備えたことを特徴とする描画用データの処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、描画装置及び描画用データの処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの微細化の進展を担うリソグラフィ技術は半導体製造プロセスのなかでも唯一パターンを生成する極めて重要なプロセスである。近年、ＬＳＩの高集積化に伴い、半導体デバイスに要求される回路線幅は年々微細化されてきている。これらの半導体デバイスへ所望の回路パターンを形成するためには、高精度の原画パターン（レチクル或いはマスクともいう。）が必要となる。ここで、電子線（電子ビーム）描画技術は本質的に優れた解像性を有しており、高精度の原画パターンの生産に用いられる。
【０００３】
図１２は、従来の可変成形型電子線描画装置の動作を説明するための概念図である。
可変成形型電子線（ＥＢ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｂｅａｍ）描画装置は、以下のように動作する。まず、第１のアパーチャ４１０には、電子線３３０を成形するための矩形例えば長方形の開口４１１が形成されている。また、第２のアパーチャ４２０には、開口４１１を通過した電子線３３０を所望の矩形形状に成形するための可変成形開口４２１が形成されている。荷電粒子ソース４３０から照射され、開口４１１を通過した電子線３３０は、偏向器により偏向される。そして、可変成形開口４２１の一部を通過して、ステージ上に搭載されたレジスト材が塗布された試料に照射される。ステージは、描画中、所定の一方向（例えば、Ｘ方向とする）に連続的に移動している。このように、開口４１１と可変成形開口４２１との両方を通過できる矩形形状が、試料３４０の描画領域に描画される。開口４１１と可変成形開口４２１との両方を通過させ、任意形状を作成する方式を可変成形方式という。
【０００４】
図１３は、従来のチップ領域を処理領域とサブフィールド領域に仮想分割した場合の一例を示す概念図である。かかる電子ビーム描画を行なうにあたり、まず、半導体集積回路のレイアウトが設計され、レイアウトデータが生成される。試料となる基板に複数のチップを描画する際には、複数のチップがマージ処理され、１つのチップ領域２１０に変換される。このようにして生成されたレイアウトデータに定義されたパターンを描画するにあたって、まずは、データ処理を分散処理にて行うための複数の処理領域２２０に仮想分割される。他方、処理領域２２０より小さい偏向器の偏向可能サイズでサブフィールド（ＳＦ）領域２３０が設定される。これらは、チップ領域２１０の基準位置２１１からそれぞれのサイズで分割される。処理領域２２０のサイズとＳＦ領域２３０のサイズは異なり、処理領域２２０のサイズがＳＦ領域２３０のサイズの整数倍とは限らないので、ＳＦ領域２３０が複数の処理領域２２０に跨る場合が発生し得る。このような処理領域２２０の境界を跨るＳＦ領域２３０については、描画されないパターン（パターン抜け）を無くすために双方の処理領域に定義させて、描画する際に、パターンが重ならないように処理を行うといった方法が行われていた。
【０００５】
図１４は、双方の処理領域にＳＦ領域を定義した場合の一例を示す概念図である。
図１４では、３つの処理領域２２２，２２４，２２６について一例として示している。それぞれの処理領域についてＳＦ領域を定義すると、右側の図のようになる。２つの処理領域２２２，２２４については、跨るＳＦ領域２３２が２つの処理領域２２２，２２４の両方に重複して定義される。また、２つの処理領域２２４，２２６については、跨るＳＦ領域２３４が２つの処理領域２２４，２２６の両方に重複して定義される。しかしながら、パターンの微細化、及び膨大化に伴い、跨るＳＦ領域２３２やＳＦ領域２３４が多数存在するようになると次のような問題が生じることになる。ＳＦ領域２３２やＳＦ領域２３４は、描画装置の偏向器の偏向可能領域であるため、ＳＦ領域が変われば、その都度、偏向器用のアンプのセトリング時間が必要となる。そのため、重複させている跨るＳＦ領域２３２やＳＦ領域２３４が多数存在するようになるとその分だけセトリング時間が必要となり、描画時間に加算されることになる。そのため、ＳＦサイズが小さくなればなるほど跨るＳＦ領域数が増え、描画時間が長くなりスループットが低下するといった問題が生じる。そこで、今度は、跨るＳＦ領域については重複させず、一方の処理領域にだけ従属させることで描画時間の短縮を図ることが検討されている。
【０００６】
図１５は、一方の処理領域にＳＦ領域を定義した場合の一例を示す概念図である。
図１５では、３つの処理領域２２２，２２４，２２６について一例として示している。左の図は図１４の左の図と同じである。それぞれの処理領域についてＳＦ領域を定義すると、右側の図のようになる。２つの処理領域２２２，２２４に跨るＳＦ領域２３２を処理領域２２２にだけ定義させる。２つの処理領域２２４，２２６に跨るＳＦ領域２３４を処理領域２２４にだけ定義させる。このように分割された状態で、２つの処理領域２２２，２２４に跨るパターンが定義された場合、以下にように処理されることになる。
【０００７】
図１６は、２つの処理領域に跨るセルが定義された場合の一例を示す概念図である。
図１６において、少なくとも１つの図形から構成されるセル２４２が処理領域２２２に定義される。そして、セル２４４が処理領域２２４に配置されている。そのうちのセル２４２については、処理領域２２４に跨っている。ここでは、各セルの左下の角を基準位置として、基準位置が位置する処理領域に定義させている。そして、処理領域別に分けた場合、跨るセル２４２については、双方の処理領域２２２，２２４に重複して定義させる。そして、以下のようにセルを分割して描画する。
【０００８】
図１７は、図１６における跨るセルを分割する場合の一例を示す概念図である。
図１６に示したように、跨るセル２４２は、双方の処理領域２２２，２２４に重複して定義しているが、それぞれの処理領域に属するＳＦ領域２３６，２３８の境界でセルを分割し、自己の処理領域に属するＳＦ内の部分だけ定義するように分配する。図１７では、セル２４２内の図形を２つの部分図形２５２，２５４に分割し、部分図形２５２を処理領域２２２に、部分図形２５４を処理領域２２４に定義する。この処理によりパターンが重複して描画されないようにすることができる（例えば、特許文献１参照）。しかしながら、このようにＳＦの境界で単純にセルを分割すると、処理領域２２４にだけ定義されていたセル２４４についてもＳＦ領域２３６，２３８の境界で２つの部分図形２５６，２５７に分割されることになる。しかし、セル２４４は、処理領域２２４にだけにしか定義されていないので、部分図形２５７がどこにも定義されずに抜けてしまうといった問題が生じる。このように、跨るＳＦ領域を一方の処理領域にだけ定義するようにすると、処理領域２２４内に位置しながらも該当するＳＦ領域２３８から外れてしまった部分についてはパターン抜けが生じることになる。
【特許文献１】特開２００７−２４２８２３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上述したように、複数の処理領域に跨るＳＦ領域を一方にだけ定義させ、複数の処理領域に跨るセルについては双方に定義した上で、ＳＦ境界で跨るセルを分割するとパターン抜けが生じる場合があるといった問題があった。パターン抜けが生じると描画が終了しても描画された基板は使用することができない。
【００１０】
本発明は、かかる問題点を克服し、パターン抜けが生じないようにデータを処理することが可能な描画装置及び描画用データの処理方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の一態様における描画装置は、
少なくとも１つの図形から構成される複数のセルがチップ領域に定義されたレイアウトデータを記憶する記憶部と、
レイアウトデータを分散処理する複数の処理領域の境界を定義する処理領域境界情報を入力し、処理領域境界情報を用いて、処理領域にマージン幅を付した複数のセル抽出枠を決定するセル抽出枠決定部と、
セル抽出枠毎に、レイアウトデータに定義された複数のセルの中から他の処理領域枠内にセル基準位置が配置されながらも当該処理領域のセル抽出枠に跨るセルを抽出するセル抽出部と、
抽出されたセルの内、前記処理領域よりも小さいサイズでチップ領域を仮想分割し、いずれかの処理領域に属するように定義された複数のサブフィールド領域内に位置するセル内の前記図形を複数の部分図形に分割して異なる当該処理領域に分配する図形分配部と、
処理領域毎に、分配された部分図形のデータを分散処理するデータ処理部と、
データ処理後の出力データに基づいて、荷電粒子ビームを用いて試料に複数のセルが示すパターンを描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする。
【００１２】
処理領域にマージン幅を付した複数のセル抽出枠で跨るセルを抽出することにより、サブフィールド領域内に位置しながら抽出されないセルを無くすことができる。そのため、セル部分を分配する際に、パターン抜けが発生することを防止できる。
【００１３】
セル抽出枠決定部は、複数の方向について、処理領域の境界と処理領域からはみ出すサブフィールド領域の境界との差分をそれぞれ演算し、複数の方向について演算された複数の差分の中から最大値をマージン幅として設定すると好適である。
【００１４】
或いは、セル抽出枠決定部は、複数の方向について、処理領域の境界と処理領域からはみ出すサブフィールド領域の境界との差分をそれぞれ演算し、複数の方向について演算された複数の差分をそれぞれの方向に対してマージン幅として設定しても好適である。
【００１５】
或いは、セル抽出枠決定部は、サブフィールド領域の幅寸法をマージン幅として設定しても好適である。
【００１６】
本発明の一態様における描画用データの処理方法は、
少なくとも１つの図形から構成される複数のセルがチップ領域に定義されたレイアウトデータを分散処理する複数の処理領域の境界を定義する処理領域境界情報を入力し、処理領域境界情報を用いて、処理領域にマージン幅を付した複数のセル抽出枠を決定する工程と、
セル抽出枠毎に、レイアウトデータに定義された複数のセルの中から他の処理領域枠内にセル基準位置が配置されながらも当該処理領域のセル抽出枠に跨るセルを抽出する工程と、
抽出されたセルの内、前記処理領域よりも小さいサイズでチップ領域を仮想分割し、いずれかの処理領域に属するように定義された複数のサブフィールド領域内に位置するセル内の前記図形を複数の部分図形に分割して異なる当該処理領域に分配する工程と、
処理領域毎に、分配された部分図形のデータを出力する工程と、
を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、パターン抜けが生じないようにデータを処理することができる。その結果、跨るＳＦ領域を双方の処理領域に定義させる場合よりも描画時間を短縮しながらパターン抜けを発生させずに描画することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、各実施の形態では、荷電粒子ビームの一例として、電子ビームを用いた構成について説明する。但し、荷電粒子ビームは、電子ビームに限るものではなく、イオンビーム等の荷電粒子を用いたビームでも構わない。また、荷電粒子ビーム描画装置の一例として、特に、可変成形型の電子ビーム描画装置について説明する。以下、電子ビーム描画装置を一例として説明するが、これに限るものではなく、レーザマスク描画装置についても同様に当てはめることができる。
【００１９】
実施の形態１．
図１は、実施の形態１における描画装置の構成を示す概念図である。
図１において、描画装置１００は、描画部１５０と制御部１６０を備えている。描画装置１００は、荷電粒子ビーム描画装置の一例である。描画装置１００は、試料１０１に所定のパターンを描画する。描画部１５０は、描画室１０３と描画室１０３の上部に配置された電子鏡筒１０２を備えている。電子鏡筒１０２内には、電子銃２０１、照明レンズ２０２、第１のアパーチャ２０３、投影レンズ２０４、偏向器２０５、第２のアパーチャ２０６、対物レンズ２０７、主偏向器２０８及び副偏向器２０９を有している。そして、描画室１０３内には、ＸＹステージ１０５が配置され、ＸＹステージ１０５上に描画対象となる試料１０１が配置される。試料１０１として、例えば、半導体装置が形成されるウェハにパターンを転写する露光用のマスクが含まれる。また、このマスクは、例えば、まだ何もパターンが形成されていないマスクブランクスが含まれる。制御部１６０は、制御計算機ユニット１１０，１３０、磁気ディスク装置１４０，１４２，１４４、及び制御回路１４６を有している。制御計算機ユニット１１０，１３０、磁気ディスク装置１４０，１４２，１４４、及び制御回路１４６は、図示しないバスにより互いに接続されている。制御計算機ユニット１１０内には、データ入力部１１２、セル抽出枠決定部１１４、セル抽出部１１６、サブフィールド分割部１１８（図形分配部）、データ出力部１２０、及びメモリ１２２が配置されている。また、制御計算機ユニット１３０内には、複数のＣＰＵ１３２と複数のメモリ１３４が配置されている。ここで、制御計算機ユニット１１０内のデータ入力部１１２、セル抽出枠決定部１１４、セル抽出部１１６、サブフィールド分割部１１８、及びデータ出力部１２０の各機能の処理をソフトウェアにより実施させても構わない。或いは、データ入力部１１２、セル抽出枠決定部１１４、セル抽出部１１６、サブフィールド分割部１１８、及びデータ出力部１２０の各機能は、電気的な回路によるハードウェアにより構成されても構わない。或いは、電気的な回路によるハードウェアとソフトウェアとの組合せにより実施させても構わない。或いは、かかるハードウェアとファームウェアとの組合せでも構わない。また、ソフトウェアにより、或いはソフトウェアとの組合せにより実施させる場合には、制御計算機ユニット１１０に入力される情報或いは演算処理中及び処理後の各情報はその都度メモリ１２２に記憶される。図１では、本実施の形態１を説明する上で必要な構成部分以外については記載を省略している。描画装置１００にとって、通常、必要なその他の構成が含まれても構わないことは言うまでもない。
【００２０】
図２は、実施の形態１におけるチップ領域を処理領域とサブフィールド領域に仮想分割した場合の一例を示す概念図である。上述したように、電子ビーム描画を行なうにあたり、まず、半導体集積回路のレイアウトが設計され、レイアウトデータが生成される。試料となる基板に複数のチップを描画する際には、複数のチップがマージ処理され、一点鎖線で示す１つのチップ領域１０に変換される。このようにして生成されたレイアウトデータに定義されたパターンを描画するにあたって、まずは、データ処理を分散処理にて行うための複数の処理領域２０（図２において実線で示す）に基準位置１１を基準に仮想分割される。複数の処理領域２０でチップ領域１０を覆うように設定する。描画装置は、ｘ方向に向かって処理領域２０毎に描画を行ない、ｘ方向最後の処理領域２０まで描画した後に、ｙ方向に移動し、次のｘ方向に並ぶ処理領域２０列を順に描画する。そのため、処理領域２０のｙ方向の幅寸法は主偏向器２０８の偏向可能なサイズとすると好適である。他方、処理領域２０より小さい副偏向器２０９の偏向可能サイズでサブフィールド（ＳＦ）領域３０（図２において点線で示す）が基準位置１１を基準に設定される。複数のＳＦ領域３０全体でチップ領域１０を覆うように設定する。ＳＦ領域３０は、処理領域２０よりも小さいサイズでチップ領域１０が仮想分割された領域であり、いずれかの処理領域２０に属するように定義される。そして、描画装置１００では、主偏向器２０８で１つのＳＦ領域３０の例えば中心に電子ビーム２００を偏向し、副偏向器２０９で該当するＳＦ領域３０内の所望する位置にビームを偏向させることで描画が行われる。これらは、チップ領域１０の基準位置１１からそれぞれのサイズで分割される。処理領域２０のサイズとＳＦ領域３０のサイズは異なり、処理領域２０のサイズがＳＦ領域３０のサイズの整数倍とは限らないので、ＳＦ領域３０が複数の処理領域２０に跨る場合が発生し得る。
【００２１】
図３は、実施の形態１における描画方法の要部工程を示すフローチャート図である。まず、磁気ディスク装置１４０には、レイアウトデータが外部より転送され、格納（記憶）される。磁気ディスク装置１４０，１４２，１４４は、記憶部の一例となる。レイアウトデータでは、少なくとも１つの図形から構成される複数のセルがチップ領域１０に定義されている。複数のセルの中には、複数の処理領域２０に跨るセルも含まれる。そして、制御計算機ユニット１１０において、描画用データの処理が開始される。
【００２２】
ステップ（Ｓ）１０２において、データ入力部１１２は、複数の処理領域２０の境界を定義する処理領域境界情報を入力する。また、ＳＦ領域３０の幅寸法等が定義されたＳＦ情報も一緒に入力する。
【００２３】
Ｓ１０４において、セル抽出枠決定部１１４は、データ入力部１１２から処理領域境界情報を入力する。そして、処理領域境界情報を用いて、処理領域２０にマージン幅を付した複数のセル抽出枠を決定する。
【００２４】
図４は、実施の形態１におけるマージン幅の決定方法の一例を示す図である。
セル抽出枠決定部１１４は、ＳＦ領域２０の幅寸法をマージン８０のマージン幅として設定する。すなわち、マージン幅を固定値として設定する。データ入力部１１２により入力されたＳＦ情報を用いて、ＳＦ領域３０の幅寸法はかかるＳＦ情報から得ればよい。そして、設定されたマージン幅を処理領域の境界７２に付加する。或いは、以下のようにマージン幅を設定しても好適である。
【００２５】
図５は、実施の形態１におけるマージン幅の決定方法の他の一例を示す図である。
セル抽出枠決定部１１４は、複数の方向について、処理領域２０の境界７２と処理領域２０からはみ出すＳＦ領域３０の境界との差分、或いは、処理領域２０の境界と処理領域２０の内側に位置するＳＦ領域３０の境界との差分をそれぞれ動的に演算し、複数の方向について演算された複数の差分をそれぞれの方向のマージン幅８４，８６として設定しても好適である。或いは、以下のようにマージン幅を設定しても好適である。
【００２６】
図６は、実施の形態１における処理領域とＳＦ領域との位置関係の一例を示す概念図である。セル抽出枠決定部１１４は、複数の方向について、処理領域２０の境界と処理領域２０からはみ出すＳＦ領域３０の境界との差分、或いは、処理領域２０の境界と処理領域２０の内側に位置するＳＦ領域３０の境界との差分をそれぞれ動的に演算する。そして、複数の方向について演算された複数の差分をそれぞれの方向のマージン幅を得る。図６では、上辺マージンと下辺マージンと左辺マージンと右辺マージンとを示している。そして、セル抽出枠決定部１１４は、複数の方向について演算された複数の差分の中から最大値をマージン幅として設定する。
【００２７】
図７は、実施の形態１におけるマージンが付加された処理領域の一例を示す図である。
例えば、図６では、左辺マージンが最大値となるので、左辺マージンと同じ幅だけ、上下辺と右辺にマージン２６を付加する。ここでは、上辺と右辺についてはマージンが処理領域２０の外側に付加され、下辺と左辺については内側に付加される場合を示している。
【００２８】
以上のように少なくとも、処理領域２０の境界と処理領域２０からはみ出すＳＦ領域３０の境界との差分、或いは、処理領域２０の境界と処理領域２０の内側に位置するＳＦ領域３０の境界との差分だけマージンが付加されていれば、部分図形の抜けを防止することができる。
【００２９】
Ｓ１０６において、セル抽出部１１６は、セル抽出枠毎に、レイアウトデータに定義された複数のセルの中から他の処理領域枠内にセル基準位置が配置されながらも当該処理領域のセル抽出枠に跨るセルと当該処理領域のセル抽出枠内にセル基準位置が配置されるセルとを抽出する。
図８は、実施の形態１における２つの処理領域に跨るセルが定義された場合の一例を示す概念図である。
図８において、処理領域２２にはマージン２６が付加されている。よって、処理領域２２にマージン２６を付加した領域がセル抽出枠２３となる。処理領域２４にマージンを付加したセル抽出枠については記載を省略している。ここで、各セルの左下の角部をセル基準位置とすると、セル４２は処理領域２２に定義される。そして、セル４４は、処理領域２４内に基準位置が位置することになるので、処理領域２４に定義される。また、セル４４は、処理領域２２のマージン２６内に基準位置が位置するので、処理領域２２にも定義される。セル４４は、他の処理領域枠内にセル基準位置が配置されながらも当該処理領域のセル抽出枠２３に跨るセルとなる。他方、セル４２は、セル抽出枠２３内にセル基準位置が配置されながらも処理領域２４にマージンを付加した図示しないセル抽出枠に跨るセルとなる。よって、セル抽出枠毎に、セル抽出枠内にセル基準位置が配置されるセルと他の処理領域枠内にセル基準位置が配置されながらも当該処理領域のセル抽出枠に跨るセルを抽出する。これを処理領域別に分けた場合、セル４２，４４は、双方の処理領域２２，２４のセル抽出枠で重複して抽出されることになる。ここでは、各セルの左下の角を基準位置として、基準位置が位置する処理領域に定義させている。図８では、各処理領域の左下の角を基準位置６２，６４として、基準位置６２，６４から各セル４２，４４の基準位置を定義する例を示している。
【００３０】
Ｓ１０８において、サブフィールド分割部１１８は、抽出されたセルの内、当該処理領域に属するように定義された複数のサブフィールド領域内に位置するセル内の図形部分を当該処理領域に分配する。
【００３１】
図９は、図８における跨るセルを分割する場合の一例を示す概念図である。
図８に示したように、双方のセル抽出枠を跨るセル４２，４４は、双方の処理領域２２，２４のセル抽出枠で重複して抽出されるが、それぞれの処理領域に属するＳＦ領域３６，３８の境界で、サブフィールド分割部１１８はセル４２，４４を分割する。そして、自己の処理領域に属するＳＦ領域３６，３８内の部分だけ該当する処理領域に定義するように分配する。図９では、セル４２内の図形を２つの部分図形５２，５４に分割し、部分図形５２を処理領域２２に、部分図形５４を処理領域２４に分配し、定義する。そして、セル４４内の図形を２つの部分図形５６，５８に分割し、部分図形５６を処理領域２２に、部分図形５８を処理領域２４に分配し、定義する。以上のように構成することで、定義されたＳＦ領域３６が処理領域２２からはみ出している場合でそのはみ出たＳＦ領域３６内に位置する部分図形５６が存在する場合でも部分図形５６を処理領域２２に定義させることができる。よって、パターン抜けを防止することができる。
【００３２】
図１０は、マージンを付加する場合としない場合とで抽出されるセルの違いを説明するための概念図である。
図１０（ａ）に示すように、マージン幅を付加していない処理領域２８で領域内セルと跨るセルとを抽出した場合、実線で示す１０個のセル４６が抽出され、点線で示す６つのセルが抽出されないことになる。これに対し、図１０（ｂ）に示すように、マージン２９を付加した処理領域２８で示すセル抽出枠２７で領域内セルと跨るセルとを抽出した場合、実線で示す１２個のセル４６が抽出され、点線で示す４つのセルが抽出されないことになる。すなわち、Ａで示す２つのセルが新たに抽出されることになる。かかるＡで示すセルは、処理領域２８内には位置せず、処理領域２８に定義されるＳＦ領域内に跨る可能性の高いセルである。よって、図示しない隣の処理領域に定義されるＳＦ領域との境界で分割された場合、処理領域２８内か否かで抽出するとパターン抜けとなってしまう可能性が大きい。しかし、実施の形態１では、セル抽出枠２７で抽出することでかかるパターン抜けとなってしまう可能性が大きいセル（Ａで示す）をも漏らさず抽出することができる。
【００３３】
Ｓ１１０において、データ出力部１２０は、処理領域毎に、分配されたセルのデータを磁気ディスク装置１４２に出力する。そして、磁気ディスク装置１４２は、入力した各セルのデータを格納（記憶）する。
【００３４】
Ｓ１１２において、データ処理部の一例となる制御計算機ユニット１３０は、処理領域毎に、磁気ディスク装置１４２から分配されたセルのデータを読み出し、処理領域毎に分配されたセルのデータを分散処理する。具体的には、複数のＣＰＵ１３２と各ＣＰＵ１３２に対応するメモリ１３４とで、並列処理すればよい。そして、データ処理されて装置内フォーマットに変換されたデータ（ショットデータ）は磁気ディスク装置１４４に出力され、格納される。そして、制御回路１４６は、磁気ディスク装置１４４からショットデータを読み出し、描画部１５０を制御して描画を行うことになる。
【００３５】
Ｓ１１４において、描画部１５０は、データ処理後の出力データに基づいて、電子ビームを用いて試料１０１に複数のセルが示すパターンを描画する。具体的には以下のように動作する。
【００３６】
電子銃２０１から出た電子ビーム２００は、照明レンズ２０２により例えば長方形の穴を持つ第１のアパーチャ２０３全体を照明する。ここで、電子ビーム２００をまず例えば長方形に成形する。そして、第１のアパーチャ２０３を通過した第１のアパーチャ像の電子ビーム２００は、投影レンズ２０４により第２のアパーチャ２０６上に投影される。かかる第２のアパーチャ２０６上での第１のアパーチャ像の位置は、偏向器２０５によって制御され、ビーム形状と寸法を変化させることができる。そして、第２のアパーチャ２０６を通過した第２のアパーチャ像の電子ビーム２００は、対物レンズ２０７により焦点を合わせ、主偏向器２０８により所望する処理領域中の所望するＳＦ領域上に偏向され、副偏向器２０９によりＳＦ領域中の所望する位置に偏向されることにより所望する位置に照射される。
【００３７】
また、以上の説明において、「〜部」或いは「〜工程」と記載したものは、コンピュータで動作可能なプログラムにより構成することができる。或いは、ソフトウェアとなるプログラムだけではなく、ハードウェアとソフトウェアとの組合せにより実施させても構わない。或いは、ファームウェアとの組合せでも構わない。また、プログラムにより構成される場合、プログラムは、磁気ディスク装置、磁気テープ装置、ＦＤ、或いはＲＯＭ（リードオンリメモリ）等の記録媒体に記録される。
【００３８】
以上、具体例を参照しつつ実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。
【００３９】
図１１は、実施の形態１におけるチップ領域を処理領域とサブフィールド領域に仮想分割した場合の他の一例を示す概念図である。複数の処理領域２１（図１１において実線で示す）は、同じ長さ（ｘ方向：図１１の水平方向）で仮想分割される必要はなく、データ量に応じて適宜長さを可変にしても構わない。複数の処理領域２１でチップ領域１０を覆うように基準位置１１を基準に設定する点は図２と同様である。処理領域２１のｙ方向（図１１の上方向）の幅寸法は主偏向器２０８の偏向可能なサイズとすると好適である。ＳＦ領域３０（図１１において点線で示す）は、図２と同様である。
【００４０】
また、装置構成や制御手法等、本発明の説明に直接必要しない部分等については記載を省略したが、必要とされる装置構成や制御手法を適宜選択して用いることができる。例えば、描画装置１００を制御する制御部構成については、記載を省略したが、必要とされる制御部構成を適宜選択して用いることは言うまでもない。
【００４１】
その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全ての描画装置及び描画用データの処理方法は、本発明の範囲に包含される。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】実施の形態１における描画装置の構成を示す概念図である。
【図２】実施の形態１におけるチップ領域を処理領域とサブフィールド領域に仮想分割した場合の一例を示す概念図である。
【図３】実施の形態１における描画方法の要部工程を示すフローチャート図である。
【図４】実施の形態１におけるマージン幅の決定方法の一例を示す図である。
【図５】実施の形態１におけるマージン幅の決定方法の他の一例を示す図である。
【図６】実施の形態１における処理領域とＳＦ領域との位置関係の一例を示す概念図である。
【図７】実施の形態１におけるマージンが付加された処理領域の一例を示す図である。
【図８】実施の形態１における２つの処理領域に跨るセルが定義された場合の一例を示す概念図である。
【図９】図８における跨るセルを分割する場合の一例を示す概念図である。
【図１０】マージンを付加する場合としない場合とで抽出されるセルの違いを説明するための概念図である。
【図１１】実施の形態１におけるチップ領域を処理領域とサブフィールド領域に仮想分割した場合の他の一例を示す概念図である。
【図１２】従来の可変成形型電子線描画装置の動作を説明するための概念図である。
【図１３】従来のチップ領域を処理領域とサブフィールド領域に仮想分割した場合の一例を示す概念図である。
【図１４】双方の処理領域にＳＦ領域を定義した場合の一例を示す概念図である。
【図１５】一方の処理領域にＳＦ領域を定義した場合の一例を示す概念図である。
【図１６】２つの処理領域に跨るセルが定義された場合の一例を示す概念図である。
【図１７】図１６における跨るセルを分割する場合の一例を示す概念図である。
【符号の説明】
【００４３】
１０，２１０  チップ領域
２０，２１，２２，２４，２８，２２０，２２２，２２４，２２６  処理領域
２３，２７  セル抽出枠
３０，３６，３８，２３０，２３２，２３４，２３６，２３８  ＳＦ領域
４２，４４，４６，２４２，２４４  セル
５２，５４，５６，５８，２５２，２５４，２５６，２５７  部分図形
１１，６２，６４，２１１  基準位置
７２  境界
２６，２９，８０  マージン
８４，８６  マージン幅
１００  描画装置
１０１，３４０  試料
１０２  電子鏡筒
１０３  描画室
１０５  ＸＹステージ
１１０，１３０  制御計算機ユニット
１１２  データ入力部
１１４  セル抽出枠決定部
１１６  セル抽出部
１１８  セル分配部
１２０  データ出力部
１２２  メモリ
１３２  ＣＰＵ
１３４  メモリ
１４０，１４２，１４４  磁気ディスク装置
１４６  制御回路
１５０  描画部
１６０  制御部
２００  電子ビーム
２０１  電子銃
２０２  照明レンズ
２０３，４１０  第１のアパーチャ
２０６，４２０  第２のアパーチャ
２０４  投影レンズ
２０５  偏向器
２０７  対物レンズ
２０８  主偏向器
２０９  副偏向器
３３０  電子線
４１１  開口
４２１  可変成形開口
４３０  荷電粒子ソース
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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