(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
実装面を有し、前記実装面に電子部品が実装された基板と、
前記電子部品を覆うように前記基板に装着されたシールド部材とを備え、
前記シールド部材は、
前記実装面と対向する領域側からの平面視における外形形状が四角形状とされた枠部を有し、前記枠部が前記実装面に半田接合されたシールドフレームと、
前記シールドフレームを外側から覆うように配置され、前記実装面と対向する領域側からの平面視における外形形状が四角形状とされた天面部、および、前記天面部の外周に立設された側部を有し、前記側部が前記シールドフレームの枠部に取り付けられたシールドカバーとを含んでおり、
前記実装面と対向する領域側からの平面視において、前記シールドカバーの天面部の４隅のうちの所定の隅に、前記所定の隅をなす２辺に沿うようにＬ字型のスリットが形成されていることを特徴とする回路モジュール。
【請求項２】
前記シールドカバーの天面部の４隅の全てに前記Ｌ字型のスリットが形成されていることを特徴とする請求項１に記載の回路モジュール。
【請求項３】
前記シールドフレームの枠部および前記シールドカバーの側部のそれぞれに嵌合部が設けられており、
前記シールドフレームの枠部および前記シールドカバーの側部にそれぞれ設けられた前記嵌合部が互いに嵌合していることを特徴とする請求項１または２に記載の回路モジュール。
【請求項４】
前記シールドフレームの枠部に設けられた前記嵌合部が嵌合突起であるとともに、前記シールドカバーの側部に設けられた前記嵌合部が嵌合穴であることを特徴とする請求項３に記載の回路モジュール。
【請求項５】
前記基板が多層配線基板であり、
前記シールドフレームの枠部が半田接合される半田接合部分を横切るように引き回された所定の配線層が存在する場合には、前記実装面に設けられた最上層の配線層ではなくて下層の配線層が前記所定の配線層とされることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の回路モジュール。
【請求項６】
前記シールドフレームの枠部で囲まれた領域を跨ぐように架設された架設部を前記シールドフレームがさらに有していることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の回路モジュール。
【請求項７】
前記シールドフレームの架設部の所定部分が前記実装面に向かって延ばされていることによって、前記シールドフレームの架設部の所定部分が前記実装面の面内に立設されたようになっていることを特徴とする請求項６に記載の回路モジュール。
【請求項８】
前記シールドフレームの架設部および前記シールドカバーの天面部のそれぞれに嵌合部が設けられており、
前記シールドフレームの架設部および前記シールドカバーの天面部にそれぞれ設けられた前記嵌合部が互いに嵌合していることを特徴とする請求項７に記載の回路モジュール。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれかに記載の回路モジュールを備えていることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路モジュールおよびそれを備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＩＣなどの電子部品を基板に実装し、その基板に実装した電子部品をシールドケースで覆った回路モジュールが知られている。このような従来の回路モジュールでは、通常、シールドケースは基板に装着されることで保持されている。そして、基板に対するシールドケースの装着は、たとえば、リフロー炉を用いた半田接合によってなされる（たとえば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第３７１４０８８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記した従来の回路モジュールでは、基板とシールドケースとを半田接合するリフロー工程の際に、シールドケースの全体が加熱されるので、シールドケースに大きく反りが発生する。このため、シールドケースに対する加熱が解除されても、シールドケースに発生した反りが残り、基板とシールドケースとの間でなされる半田接合が接合不良となってしまう。すなわち、従来の回路モジュールでは、基板に対するシールドケースの装着が確実に行われないという問題がある。
【０００５】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、基板に対するシールド部材の装着を確実に行うことが可能な回路モジュールおよびそれを備えた電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、本発明の第１の局面による回路モジュールは、実装面を有し、その実装面に電子部品が実装された基板と、電子部品を覆うように基板に装着されたシールド部材とを備えている。そして、シールド部材は、実装面と対向する領域側からの平面視における外形形状が四角形状とされた枠部を有し、その枠部が実装面に半田接合されたシールドフレームと、シールドフレームを外側から覆うように配置され、実装面と対向する領域側からの平面視における外形形状が四角形状とされた天面部、および、天面部の外周に立設された側部を有し、その側部がシールドフレームの枠部に取り付けられたシールドカバーとを含んでいる。また、実装面と対向する領域側からの平面視において、シールドカバーの天面部の４隅のうちの所定の隅に、その所定の隅をなす２辺に沿うようにＬ字型のスリットが形成されている。
【０００７】
第１の局面による回路モジュールでは、上記のようなシールド部材（シールドフレームとシールドカバーとからなる部材）を用いることによって、基板の実装面にシールドフレームの枠部を半田接合するとともに、そのシールドフレームを外側から覆うようにシールドカバーを配置し、シールドフレームの枠部にシールドカバーの側部を取り付けることにより、基板に対してシールド部材が装着された状態にすることができる。
【０００８】
この場合、シールドフレームは大面積の板状部分（反りが発生し易い部分）を持たない骨組み構造体であるので、回路モジュールの製造工程（あるいは、回路モジュールを別基板に半田接合する工程）においてシールドフレームが加熱されたとしても、シールドフレームには殆ど反りが発生しない。もちろん、シールドフレームに対する加熱の解除後（シールドフレームの冷却時）にシールドフレームに反りが発生することも殆どない。
【０００９】
また、シールドカバーの天面部の４隅のうちの所定の隅にはその所定の隅をなす２辺に沿うようにＬ字型のスリットが形成されているので、回路モジュールの製造工程（あるいは、回路モジュールを別基板に半田接合する工程）においてシールドカバーが加熱されたとしても、シールドカバーの天面部と側部との間の温度差はそれほど大きくならず、シールドカバーに発生する反りが小さく抑えられる。このため、シールドカバーに対する加熱の解除後（シールドカバーの冷却時）に、シールドカバーに反りが発生したままになってしまうのを抑制することができる。したがって、シールドカバーの側部はシールドフレームの枠部に取り付けられているが、そのシールドフレームの枠部が基板の実装面から離れる方向に強く引っ張られることはない。
【００１０】
さらに、シールドカバーの天面部の所定の隅にその所定の隅をなす２辺に沿ってＬ字型のスリットを形成すると、シールドカバーの天面部と側部とが部分的に分断される。これにより、シールドカバーの天面部に反りが発生したとしても、そのシールドカバーの天面部に発生した反りに追従してシールドカバーの側部（シールドカバーの側部が取り付けられているシールドフレームの枠部）が浮き上がってしまうのも抑制される。
【００１１】
これらの結果、基板の実装面とシールドフレームの枠部との間でなされている半田接合が接合不良となるのを回避することができる。すなわち、基板に対するシールド部材の装着を確実に行うことが可能となる。
【００１２】
それに加えて、第１の局面による回路モジュールでは、上記のようなシールド部材（シールドフレームとシールドカバーとからなる部材）を用いることによって、実際に電子部品を覆うシールドカバーを基板に半田接合する必要がなくなる。すなわち、基板にシールド部材を装着した後であっても、シールドカバーについては容易に取り外せる。これにより、たとえば、基板にシールド部材を装着した後、電子部品の欠品や短絡などのマウント不良を検査しなければならない場合に、マウント不良の検査を簡単に行うことができる。なお、シールドフレームは骨組み構造体であるので、その骨組みの隙間を介してマウント不良の検査を行える。したがって、シールドフレームを取り外す必要はない。
【００１３】
第１の局面による回路モジュールにおいて、シールドカバーの天面部の４隅の全てにＬ字型のスリットが形成されていることが好ましい。このように構成すれば、シールドカバーに発生する反りをさらに小さくすることができる。
【００１４】
第１の局面による回路モジュールにおいて、シールドフレームの枠部およびシールドカバーの側部のそれぞれに嵌合部が設けられており、シールドフレームの枠部およびシールドカバーの側部にそれぞれ設けられた嵌合部が互いに嵌合していることが好ましい。このように構成すれば、シールドフレームに対するシールドカバーの取り付けが確実になされた状態になる。
【００１５】
シールドフレームの枠部およびシールドカバーの側部のそれぞれに嵌合部が設けられている構成において、シールドフレームの枠部に設けられた嵌合部が嵌合突起であるとともに、シールドカバーの側部に設けられた嵌合部が嵌合穴であることが好ましい。このように構成すれば、シールドフレームの枠部の嵌合突起をシールドカバーの側部の嵌合穴に挿入するだけでよくなるので、シールドフレームに対するシールドカバーの取り付け作業が容易になる。もちろん、シールドフレームからのシールドカバーの取り外し作業についても容易になる。
【００１６】
第１の局面による回路モジュールにおいて、基板が多層配線基板であり、シールドフレームの枠部が半田接合される半田接合部分を横切るように引き回された所定の配線層が存在する場合には、実装面に設けられた最上層の配線層ではなくて下層の配線層が所定の配線層とされることが好ましい。このように構成すれば、所定の配線層を引き回すための切り欠き（開口）をシールドフレームの枠部に形成する必要がないので、基板の実装面に対するシールドフレームの枠部の半田接合を全周にわたって行うことができる。このため、基板の実装面とシールドフレームの枠部との間でなされる半田接合が強固になり、より一層、シールドフレームに反りが発生し難くなる。
【００１７】
第１の局面による回路モジュールにおいて、シールドフレームの枠部で囲まれた領域を跨ぐように架設された架設部をシールドフレームがさらに有していることが好ましい。このように構成すれば、剛性が高く、反りが発生し難いシールドフレームを容易に得ることができる。
【００１８】
シールドフレームが架設部をさらに有している構成において、シールドフレームの架設部の所定部分が実装面に向かって延ばされていることによって、そのシールドフレームの架設部の所定部分が実装面の面内に立設されたようになっていることが好ましい。このように構成すれば、シールド壁となる部材を別途準備することなく、基板の実装面の面内にシールド壁（シールドフレームの架設部の所定部分）が立設された状態にすることができる。
【００１９】
シールドフレームの架設部の所定部分をシールド壁として利用する構成において、シールドフレームの架設部およびシールドカバーの天面部のそれぞれに嵌合部が設けられており、シールドフレームの架設部およびシールドカバーの天面部にそれぞれ設けられた嵌合部が互いに嵌合していることが好ましい。このように構成すれば、シールドフレームの架設部とシールドカバーの天面部とが密着するので、シールドフレームの架設部の所定部分によるシールドがより効果的に行われる。
【００２０】
本発明の第２の局面による電子機器は、上記した第１の局面による回路モジュールを備えている。このように構成すれば、電子機器に備えられた回路モジュールに不具合（基板に対するシールド部材の装着不良）が発生するのを抑制することができる。
【発明の効果】
【００２１】
以上のように、本発明によれば、容易に、基板に対するシールド部材の装着を確実に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の一実施形態による回路モジュールの概略を示した斜視図である。
【図２】図１に示した回路モジュールの一部品であるシールドフレームの詳細構造を説明するための平面図（基板の実装面にシールドフレームの枠部が半田接合された状態を示した平面図）である。
【図３】図１に示した回路モジュールの一部品であるシールドフレームの詳細構造を説明するための側面図（基板の実装面にシールドフレームの枠部が半田接合された状態を示した側面図）である。
【図４】図１に示した回路モジュールの一部品であるシールドカバーの詳細構造を説明するための平面図である。
【図５】図１に示した回路モジュールの一部品であるシールドカバーの詳細構造を説明するための側面図（シールドフレームとシールドカバーとの間の嵌合箇所を示した側面図）である。
【図６】図２の破線で囲まれた領域１００の平面図（シールドフレームの枠部が半田接合される半田接合部分における配線層の引き回し状態を示した平面図）である。
【図７】図２の２００−２００線に沿った断面図（シールドフレームの架設部の所定部分がシールド壁として利用されている状態を示した断面図）である。
【図８】図１に示した回路モジュールを備えた電子機器（地上波デジタルチューナ）の構成を説明するためのブロック図である。
【図９】本発明の効果を確認するために行った実験を説明するための平面図（比較例１のシールドカバーの平面図）である。
【図１０】本発明の効果を確認するために行った実験を説明するための平面図（比較例２のシールドカバーの平面図）である。
【図１１】本発明の効果を確認するために行った実験を説明するためのグラフ（リフロー工程時の温度と時間との関係を示したグラフ）である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下に、図１〜図７を参照して、本発明の一実施形態による回路モジュール１０の構成について説明する。
【００２４】
本実施形態の回路モジュール１０は、図１に示すように、種々の電子機器に内蔵される小型のものであって、多層配線基板１と、シールド部材２とを備えている。多層配線基板１は、本発明の「基板」の一例であり、たとえば、ガラスエポキシ基板などの有機基板からなっている。また、シールド部材２は、たとえば、洋白板（銅と亜鉛とニッケルとを含む合金板）からなっている。
【００２５】
多層配線基板１は、配線層が設けられた実装面１ａを有し、実装面１ａと対向する領域側から平面的に見た場合（以下、単に平面視と言う）の外形形状が略四角形状とされている。また、多層配線基板１の実装面１ａには複数個の電子部品３が実装されており、外部機器から電子部品３への電気信号の送信（あるいは、電子部品３から外部機器への電気信号の送信）が配線層を介して行われるようになっている。なお、多層配線基板１の実装面１ａに実装される電子部品３としては、ＩＣ、メモリ、トランジスタおよび抵抗などであり、個数や種類は用途に応じて変更される。また、電子部品３の実装方法としては、電子部品３の端子を配線層に半田付けする場合もあるし、電子部品３の端子をスルーホールに挿入して半田付けする場合もある。
【００２６】
そして、この多層配線基板１にシールド部材２が装着され、それによって、多層配線基板１の実装面１ａに実装された複数個の電子部品３がシールド部材２で覆われている。
【００２７】
シールド部材２は、互いに別部材であるシールドフレーム２１およびシールドカバー２２を含んでいる。そして、シールドフレーム２１が多層配線基板１に取り付けられ、そのシールドフレーム２１を外側から覆うようにシールドカバー２２がシールドフレーム２１に取り付けられることによって、多層配線基板１にシールド部材２が装着された状態となっている。なお、図１に示すシールドフレーム２１およびシールドカバー２２はそれらの概略を表したものであって、シールドフレーム２１の詳細な構造は図２および図３に示され、シールドカバー２２の詳細な構造は図４および図５に示されている。
【００２８】
シールドフレーム２１は、図２および図３に示すように、平面視における外形形状が略四角形状（額縁形状）とされた枠部２１ａと、その枠部２１ａで囲まれた領域を跨ぐように架設された略十字形状の架設部２１ｂとを有している。すなわち、シールドフレーム２１は、大面積の板状部分（反りが発生し易い部分）を持たない骨組み構造体であると言える。そして、シールドフレーム２１は、その枠部２１ａが多層配線基板１の実装面１ａに半田接合されることにより、多層配線基板１に取り付けられた状態となっている。
【００２９】
ここで、図６に示すように、多層配線基板１には数多くの配線層Ｗが引き回されるが、用途によっては、半田接合部分（シールドフレーム２１の枠部２１ａが半田接合される部分）Ｐを横切るように配線層Ｗを引き回す場合がある。
【００３０】
この場合、半田接合部分Ｐを横切る配線層Ｗが最上層の配線層（多層配線基板１の実装面１ａに設けられた配線層）Ｗ１であれば、配線層Ｗを引き回すための切り欠き（開口）をシールドフレーム２１の枠部２１ａに形成しなければならない。したがって、シールドフレーム２１の枠部２１ａに形成される切り欠きの幅の大きさ分だけ、多層配線基板１の実装面１ａとシールドフレーム２１の枠部２１ａとの間の半田による接合箇所が減ってしまう。
【００３１】
このため、本実施形態では、最上層の配線層Ｗ１と下層の配線層Ｗ２とをスルーホールＴＨを介して接続し、最上層の配線層Ｗ１ではなくて下層の配線層Ｗ２が半田接合部分Ｐを横切るようにしている。すなわち、半田接合部分Ｐに配線層Ｗが露出されないようにしており、それによって、シールドフレーム２１の枠部２１ａへの切り欠きの形成を不要としている。そして、多層配線基板１の実装面１ａに対するシールドフレーム２１の枠部２１ａの半田接合を全周にわたって行うようにしている。
【００３２】
図２および図３に戻って、シールドフレーム２１の枠部２１ａには円柱状の嵌合突起２１ｃが形成されており、後述するシールドカバー２２の側部２２ｂに形成された嵌合穴２２ｃに嵌合されるようになっている。また、シールドフレーム２１の架設部２１ｂにも円柱状の嵌合突起２１ｄが形成されており、後述するシールドカバー２２の天面部２２ａに形成された嵌合穴２２ｄに嵌合されるようになっている。なお、嵌合突起２１ｃおよび２１ｄは、本発明の「嵌合部」の一例である。
【００３３】
さらに、シールドフレーム２１の架設部２１ｂは、その所定部分２１ｅが多層配線基板１の実装面１ａに向かって略垂直に延びるように曲げられている。このため、図７に示すように、多層配線基板１の実装面１ａの面内にシールドフレーム２１の架設部２１ｂの所定部分２１ｅが壁状に立設されたようになっている。そして、本実施形態では、このシールドフレーム２１の架設部２１ｂの所定部分２１ｅをシールド壁として機能させている。すなわち、図７に示す電子部品３を電子部品３ａおよび３ｂに分類して説明すると、シールドフレーム２１の架設部２１ｂの所定部分２１ｅによって、電子部品３ａと電子部品３ｂとの間を仕切っている。
【００３４】
図４および図５に移って、シールドカバー２２は、平面視における外形形状が略四角形状とされた天面部２２ａと、その天面部２２ａの外周に立設された側部２２ｂとを有している。そして、シールドカバー２２の側部２２ｂには開口形状が円形状とされた嵌合穴２２ｃが形成されており、シールドカバー２２の側部２２ｂの嵌合穴２２ｃにシールドフレーム２１の枠部２１ａの嵌合突起２１ｃが嵌合されている。これによって、シールドフレーム２１に対するシールドカバー２２の取り付けがなされている。このシールドカバー２２の側部２２ｂに形成された嵌合穴２２ｃは、本発明の「嵌合部」の一例である。
【００３５】
なお、シールドフレーム２１に対するシールドカバー２２の取り付けは、シールドカバー２２の側部２２ｂの嵌合穴２２ｃにシールドフレーム２１の枠部２１ａの嵌合突起２１ｃが嵌合されることのみによってなされている。このため、シールドカバー２２の側部２２ｂの嵌合穴２２ｃとシールドフレーム２１の枠部２１ａの嵌合突起２１ｃとの嵌合を解除すれば、シールドフレーム２１からシールドカバー２２が取り外される。すなわち、シールドフレーム２１に対してシールドカバー２２が着脱可能になっていると言える。
【００３６】
また、シールドカバー２２の天面部２２ａには、開口形状が円形状とされた嵌合穴２２ｄが形成されている。そして、そのシールドカバー２２の天面部２２ａの嵌合穴２２ｄにシールドフレーム２１の架設部２１ｂの嵌合突起２１ｄが嵌合されることにより、シールドフレーム２１の架設部２１ｂとシールドカバー２２の天面部２２ａとが密着している。なお、嵌合穴２２ｄは、本発明の「嵌合部」の一例である。
【００３７】
このように、シールドフレーム２１の架設部２１ｂとシールドカバー２２の天面部２２ａとが密着していれば、シールドフレーム２１の架設部２１ｂの所定部分２１ｅをシールド壁として機能させる場合（図７参照）、電子部品３ａと電子部品３ｂとの間のシールドが確実になる。
【００３８】
また、図４に示すように、シールドカバー２２の天面部２２ａには、開口形状が円形状とされた放熱穴２２ｅが形成されている。これにより、シールドカバー２２の天面部２２ａの放熱穴２２ｅを介して、シールドカバー２２の内側の熱が放熱される。
【００３９】
さらに、本実施形態では、シールドカバー２２の天面部２２ａに、嵌合穴２２ｄおよび放熱穴２２ｅに加えて、Ｌ字型のスリット２２ｆが形成されている。シールドカバー２２の天面部２２ａに対するＬ字型のスリット２２ｆの形成数は４つとされており、シールドカバー２２の天面部２２ａの平面視における４隅のそれぞれにＬ字型のスリット２２ｆが１つずつ配置されている。そして、それらシールドカバー２２の天面部２２ａのＬ字型のスリット２２ｆは、シールドカバー２２の天面部２２ａの平面視における２辺に沿った状態となっている。
【００４０】
このようなＬ字型のスリット２２ｆをシールドカバー２２の天面部２２ａの平面視における４隅にそれぞれ形成し、かつ、シールドカバー２２の天面部２２ａの平面視における２辺に沿った状態にしておくと、シールドカバー２２が加熱されたとしても、シールドカバー２２の天面部２２ａと側部２２ｂとの間の温度差はそれほど大きくはならない。
【００４１】
具体的には、図４および図５に示したシールドカバー２２と同じ構造のシールドカバーを作製し、そのシールドカバーを２６５℃のホットプレートで加熱して温度測定を行ったところ、図中の領域Ａ〜Ｄの各領域における温度は以下の表１のようになった。なお、比較対照するために、図４および図５に示したシールドカバー２２からＬ字型のスリット２２ｆを省略した構造のシールドカバーを作製し、そのシールドカバーについても同様の条件で温度測定を行った。
【００４２】
【表１】
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表１を参照して、スリット有りのシールドカバーおよびスリット無しのシールドカバーのそれぞれの側部（領域Ｄ）の温度は、共に２００℃〜２２５℃となった。一方で、スリット有りのシールドカバーの天面部（領域Ａ、領域Ｂおよび領域Ｃ）の温度は１５０℃〜２２５℃となったのに対し、スリット無のシールドカバーの天面部（領域Ａおよび領域Ｂ）の温度は１２５℃〜１７５℃となった。
【００４３】
次に、本実施形態の回路モジュール１０の製造方法について説明する。
【００４４】
まず、多層配線基板１の実装面１ａに半田ペーストを塗布し、その半田ペーストを介して、電子部品３およびシールドフレーム２１（枠部２１ａ）を多層配線基板１の実装面１ａにそれぞれ搭載する。この後、リフロー炉を用いて、半田ペーストを溶融するとともに硬化させる。このようにして、多層配線基板１の実装面１ａに電子部品３を半田接合するとともに、多層配線基板１の実装面１ａにシールドフレーム２１の枠部２１ａを半田接合する。
【００４５】
続いて、自動検査機または目視によって、電子部品３の欠品および短絡などのマウント不良を検査する。このとき、シールドフレーム２１が骨組み構造体であるので、その骨組みの隙間を介してマウント不良の検査を行う。
【００４６】
その後、シールドフレーム２１の枠部２１ａの嵌合突起２１ｃをシールドカバー２２の側部２２ｂの嵌合穴２２ｃに嵌合させることによって、シールドフレーム２１にシールドカバー２２を取り付ける。また、同時に、シールドフレーム２１の架設部２１ｂの嵌合突起２１ｄをシールドカバー２２の天面部２２ａの嵌合穴２２ｄに嵌合させる。
【００４７】
これにより、本実施形態の回路モジュール１０が完成される。
【００４８】
そして、この回路モジュール１０は、リフロー炉を用いて、種々の電子機器に組み込まれる別基板（ユーザの商品基板など）に半田接合される。
【００４９】
なお、本実施形態の回路モジュール１０が搭載される電子機器としては、地上波デジタル放送を受信する地上波デジタルチューナなどが挙げられる。この地上波デジタルチューナは、図８に示すように、アンテナ１１から送信された信号を受けるフロントエンド回路１２、ＯＦＤＭ復調回路１３および誤りビット訂正回路１４などを含む。そして、地上波デジタルチューナから出力される信号は、画像／音声復号化部１５およびＲＦモジュレータ部１６を経て表示部１７に伝わるようになっている。
【００５０】
また、本実施形態の回路モジュール１０が搭載される電子機器としては、パーソナルコンピュータ（タブレット型端末などを含む）や携帯電話（ＰＨＳなどを含む）などであってもよいし、もちろん、これら以外の電子機器であってもよい。
【００５１】
本実施形態では、上記のようなシールド部材２（シールドフレーム２１とシールドカバー２２とからなる部材）を用いることによって、多層配線基板１の実装面１ａにシールドフレーム２１の枠部２１ａを半田接合するとともに、そのシールドフレーム２１を外側から覆うようにシールドカバー２２を配置し、シールドフレーム２１の枠部２１ａにシールドカバー２２の側部２２ｂを取り付けることにより、多層配線基板１に対してシールド部材２が装着された状態になる。
【００５２】
この場合、シールドフレーム２１は大面積の板状部分（反りが発生し易い部分）を持たない骨組み構造体であるので、回路モジュール１０の製造工程（あるいは、回路モジュール１０を別基板に半田接合する工程）においてシールドフレーム２１が加熱されたとしても、シールドフレーム２１には殆ど反りが発生しない。もちろん、シールドフレーム２１に対する加熱の解除後（シールドフレーム２１の冷却時）にシールドフレーム２１に反りが発生することも殆どない。
【００５３】
また、シールドカバー２２の天面部２２ａの４隅のうちの所定の隅（本実施形態では、４隅の全て）にはその所定の隅をなす２辺に沿うようにＬ字型のスリット２２ｆが形成されているので、回路モジュール１０の製造工程（あるいは、回路モジュール１０を別基板に半田接合する工程）においてシールドカバー２２が加熱されたとしても、シールドカバー２２の天面部２２ａと側部２２ｂとの間の温度差はそれほど大きくならず、シールドカバー２２に発生する反りが小さく抑えられる。このため、シールドカバー２２に対する加熱の解除後（シールドカバー２２の冷却時）に、シールドカバー２２に反りが発生したままになってしまうのを抑制することができる。したがって、シールドカバー２２の側部２２ｂはシールドフレーム２１の枠部２１ａに取り付けられているが、そのシールドフレーム２１の枠部２１ａが多層配線基板１の実装面１ａから離れる方向に強く引っ張られることはない。
【００５４】
さらに、シールドカバー２２の天面部２２ａの所定の隅にその所定の隅をなす２辺に沿ってＬ字型のスリット２２ｆを形成すると、シールドカバー２２の天面部２２ａと側部２２ｂとが部分的に分断される。これにより、シールドカバー２２の天面部２２ａに反りが発生したとしても、そのシールドカバー２２の天面部２２ａに発生した反りに追従してシールドカバー２２の側部２２ｂ（シールドカバー２２の側部２２ｂが取り付けられているシールドフレーム２１の枠部２１ａ）が浮き上がってしまうのも抑制される。
【００５５】
これらの結果、多層配線基板１の実装面１ａとシールドフレーム２１の枠部２１ａとの間でなされている半田接合が接合不良となるのを回避することができる。すなわち、多層配線基板１に対するシールド部材２の装着を確実に行うことが可能となる。
【００５６】
それに加えて、本実施形態では、上記のようなシールド部材２（シールドフレーム２１とシールドカバー２２とからなる部材）を用いることによって、実際に電子部品３を覆うシールドカバー２２を多層配線基板１に半田接合する必要がなくなる。すなわち、多層配線基板１にシールド部材２を装着した後であっても、シールドカバー２２については容易に取り外せる。これにより、たとえば、多層配線基板１にシールド部材２を装着した後、電子部品３の欠品や短絡などのマウント不良を検査しなければならない場合に、マウント不良の検査を簡単に行うことができる。なお、シールドフレーム２１は骨組み構造体であるので、その骨組みの隙間を介してマウント不良の検査を行える。したがって、シールドフレーム２１を取り外す必要はない。
【００５７】
また、本実施形態では、上記のように、シールドフレーム２１の枠部２１ａに嵌合突起２１ｃを形成するとともに、シールドカバー２２の側部２２ｂに嵌合穴２２ｃを形成することによって、シールドフレーム２１の枠部２１ａの嵌合突起２１ｃをシールドカバー２２の側部２２ｂの嵌合穴２２ｃに嵌合させることにより、シールドフレーム２１に対するシールドカバー２２の取り付けが確実になされた状態にすることができる。
【００５８】
さらに、このような方法によってシールドフレーム２１に対するシールドカバー２２の取り付けが行われるようにすれば、シールドフレーム２１の枠部２１ａの嵌合突起２１ｃをシールドカバー２２の側部２２ｂの嵌合穴２２ｃに挿入するだけでよくなるので、シールドフレーム２１に対するシールドカバー２２の取り付け作業が容易になる。もちろん、シールドフレーム２１からのシールドカバー２２の取り外し作業についても容易になる。
【００５９】
また、本実施形態では、上記のように、配線層Ｗのうちの最上層の配線層（多層配線基板１の実装面１ａに設けられた配線層）Ｗ１ではなくて下層の配線層Ｗ２が半田接合部分（シールドフレーム２１の枠部２１ａが半田接合される部分）Ｐを横切るようにすることによって、配線層Ｗを引き回すための切り欠き（開口）をシールドフレーム２１の枠部２１ａに形成する必要がないので、多層配線基板１の実装面１ａに対するシールドフレーム２１の枠部２１ａの半田接合を全周にわたって行うことができる。これにより、多層配線基板１の実装面１ａとシールドフレーム２１の枠部２１ａとの間でなされる半田接合が強固になり、より一層、シールドフレーム２１に反りが発生し難くなる。
【００６０】
また、本実施形態では、上記のように、シールドフレーム２１の枠部２１ａで囲まれた領域を跨ぐように架設部２１ｂを架設することによって、剛性が高く、反りが発生し難いシールドフレーム２１を容易に得ることができる。
【００６１】
そして、そのシールドフレーム２１の架設部２１ｂの所定部分２１ｅを多層配線基板１の実装面１ａに向かって延ばすことによって、シールド壁となる部材を別途準備することなく、多層配線基板１の実装面１ａの面内にシールド壁（シールドフレーム２１の架設部２１ｂの所定部分２１ｅ）が立設された状態にすることができる。
【００６２】
また、シールドフレーム２１の架設部２１ｂの所定部分２１ｅをシールド壁として機能させる場合において、シールドフレーム２１の架設部２１ｂに嵌合突起２１ｄを形成するとともに、シールドカバー２２の天面部２２ａに嵌合穴２２ｄを形成し、シールドフレーム２１の架設部２１ｂの嵌合突起２１ｄをシールドカバー２２の天面部２２ａの嵌合穴２２ｄに嵌合させることによって、シールドフレーム２１の架設部２１ｂとシールドカバー２２の天面部２２ａとが密着するので、シールドフレーム２１の架設部２１ｂの所定部分２１ｅによるシールドがより効果的に行われる。
【００６３】
次に、上記した効果を確認するために行った実験について説明する。
【００６４】
この確認実験では、実施例として、上記実施形態のシールドカバー２２と同じ構造のシールドカバーを用いた回路モジュールを作製した（作製数：１５個）。また、比較対照するために、比較例１として、上記実施形態のシールドカバー２２の構造において、Ｌ字型のスリット２２ｆが省略されたシールドカバー（図９参照）を用いて回路モジュールを作製した（作製数：６１個）。さらに、比較例２として、上記実施形態のシールドカバー２２の構造において、Ｌ字型のスリット２２ｆに代えて、４つの直線状のスリット２２ｇが十字型に配置されたシールドカバー（図１０参照）を用いて回路モジュールを作製した（作製数：１０個）。
【００６５】
なお、各例の回路モジュールを作製する際のリフロー工程では、図１１に示すような条件で行った。具体的に言うと、期間Ｔ１は予備加熱を行う期間であり、加熱時間を６０秒〜１２０秒とし、加熱温度を１３０℃〜１８０℃とした。また、期間Ｔ２は本加熱を行う期間であり、加熱時間を３０秒〜６０秒とし、加熱温度を２３０℃以上とした。ただし、ピーク温度を２５０℃とし、その時間を１０秒以下とした。
【００６６】
そして、実施例、比較例１および比較例２のそれぞれについてシールドカバーに発生する反りを検査したところ、実施例では、反りの発生率が０％であった。その一方、比較例１では、６１個のうちの１３個に反りが発生し、反りの発生率が２１．３％となった。また、比較例２では、１０個のうちの４個に反りが発生し、反りの発生率が４０％と非常に高くなった。
【００６７】
今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
【００６８】
たとえば、上記実施形態では、シールドカバーの天面部の４隅のうちの全てにＬ字型のスリットを形成するようにしたが、本発明はこれに限らず、シールドカバーの天面部の４隅のうちの対角をなす一対の隅にＬ字型のスリットを１つずつ（合計２つ）形成するようにしてもよい。あるいは、シールドカバーの天面部の４隅のうちの１つの隅にのみＬ字型のスリットを形成するようにしてもよいし、シールドカバーの天面部の４隅のうちの３つの隅にＬ字型のスリットを形成するようにしてもよい。
【符号の説明】
【００６９】
１  多層配線基板（基板）
１ａ  実装面
２  シールド部材
３  電子部品
２１  シールドフレーム
２１ａ  枠部
２１ｂ  架設部
２１ｃ、２１ｄ  嵌合突起（嵌合部）
２１ｅ  所定部分
２２  シールドカバー
２２ａ  天面部
２２ｂ  側部
２２ｃ、２２ｄ  嵌合穴（嵌合部）
２２ｅ  放熱穴
２２ｆ  Ｌ字型のスリット
Ｐ  半田接合部分
Ｗ  配線層
Ｗ１  最上層の配線層
Ｗ２  下層の配線層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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