(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板に配置された固定極板と
複数の金属層および複数の前記金属層を連結する複数の金属栓を有する多層膜構造と、を備え、
前記多層膜構造と前記固定極板との間には音室になるチャンバーがあり、
複数の前記金属層はそれぞれ複数の金属パーツを有し、
前記金属層の複数の前記金属パーツと少なくとも一つの別の前記金属層の複数の前記金属パーツとは交差配列され、
前記多層膜構造が音圧に反応する際、直交する音波の前進方向に相互に向かい合って隙間がない平面が形成されることを特徴とする微小電気機械システム音圧センサーデバイス。
【請求項２】
支持構造をさらに備え、
前記支持構造は前記基板の上に固定され、かつ、前記多層膜構造に連結されることで前記多層膜構造を支持することを特徴とする請求項１に記載の微小電気機械システム音圧センサーデバイス。
【請求項３】
絶縁層をさらに備え、
前記絶縁層は前記支持構造と前記基板との間、または固定栓と前記基板との間に連結されることを特徴とする請求項２に記載の微小電気機械システム音圧センサーデバイス。
【請求項４】
前記多層膜構造は、隣り合う前記金属層が部分的に重なることを特徴とする請求項１に記載の微小電気機械システム音圧センサーデバイス。
【請求項５】
前記多層膜構造は、側辺に隙間を有することを特徴とする請求項１に記載の微小電気機械システム音圧センサーデバイス。
【請求項６】
前記基板は、少なくとも一列の排気孔を有することを特徴とする請求項１に記載の微小電気機械システム音圧センサーデバイス。
【請求項７】
前記金属層は、金、銀、チタン、タンタル、銅、アルミニウム、これら金属の炭化物、これら金属の酸化物またはこれら金属の窒化物のうち少なくとも一つから構成されることを特徴とする請求項１に記載の微小電気機械システム音圧センサーデバイス。
【請求項８】
前記金属栓は、タングステン、金、銀、チタン、タンタル、銅、アルミニウム、これら金属の炭化物、これら金属の酸化物またはこれら金属の窒化物のうち少なくとも一つから構成されることを特徴とする請求項１に記載の微小電気機械システム音圧センサーデバイス。
【請求項９】
基板を用意するステップと、
前記基板の上に固定極板を配置するステップと、
少なくとも一つの犠牲層を形成するステップと、
前記犠牲層の上に複数の金属パーツを有する複数の金属層を配置するステップと
複数の金属栓で複数の前記金属層を連結することによって多層膜構造を構築するステップと、
前記犠牲層をエッチングしてチャンバーを生成することによって微小電気機械システム音圧センサーデバイスの音室を構築するステップと、
を含むことを特徴とする微小電気機械システム音圧センサーデバイスの製造方法。
【請求項１０】
前記基板の上に支持構造を配置し、かつ、前記支持構造と前記多層膜構造とを連結することで前記多層膜構造を支持するステップをさらに含むことを特徴とする請求項９に記載の微小電気機械システム音圧センサーデバイスの製造方法。
【請求項１１】
前記支持構造と前記基板との間、または固定栓と前記基板との間に絶縁層を配置するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１０に記載の微小電気機械システム音圧センサーデバイスの製造方法。
【請求項１２】
前記多層膜構造は、隣り合う前記金属層が部分的に重なることを特徴とする請求項９に記載の微小電気機械システム音圧センサーデバイスの製造方法。
【請求項１３】
前記多層膜構造は、側辺に隙間を有することを特徴とする請求項９に記載の微小電気機械システム音圧センサーデバイスの製造方法。
【請求項１４】
前記犠牲層をエッチングするステップは、反応性イオンエッチング法、プラズマエッチング法またはフッ化水酸素の蒸気によるエッチングを採用し、等方性エッチングを行うことを特徴とする請求項９に記載の微小電気機械システム音圧センサーデバイスの製造方法。
【請求項１５】
前記基板に排気孔を形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項９に記載の微小電気機械システム音圧センサーデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）音圧センサーデバイスおよび製造方法に関し、詳しくは隣り合う金属層の間に金属パーツが交差配列された多層膜構造を有する音圧センサーデバイスおよびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図１に示すように、米国特許第７，２０２，１０１号により掲示された多層金属ＭＥＭＳ構造１０は、基板１１に形成され、かつ基板１１の上に形成された犠牲層１２と、固定極板１３と、犠牲層１４と、犠牲層１４の上に形成された第一金属層１５と、犠牲層１６と、犠牲層１６の上に形成された第二金属層１７と、犠牲層１８と、高分子ポリマーフィルムから構成されかつ金属層の密封に用いられる可動スペーサー１９とを備える。
【０００３】
上述した技術において、ＭＥＭＳ音圧センサーデバイスの性能を改善するために、第一金属層１５は網目状（mesh）の金属層に構成される。腐食性ガスは網目状の金属層によって複数の金属を通過し、犠牲層１２、１４、１６、１８の一部分に反応を起こし、一部分の犠牲層１２、１４、１６、１８を除去する。また、網目状の金属層の構成によって構造応力を改善することができる。
【０００４】
しかしながら、網目状の金属層を採用すれば音声センサーの感度を低下させ、応用範囲を制限してしまうため、音声センサーの感度を改善するには、犠牲層１２、１４、１６、１８の一部分が除去された後、蒸着技術に基づいて網目状の金属層の外側に高分子ポリマーを蒸着し、網目状の金属層を密封する必要がある。高分子ポリマーの蒸着工程は比較的特殊であるため、ＣＭＯＳ製造工程との統合に不利である。
【０００５】
ＭＥＭＳ音圧センサーデバイスに関わる技術は、上述した特許案のほかに米国特許第６，６２２，３６８号、米国特許第７，０４９，０５１号、米国特許第７，１９０，０３８号および米国特許第６，９３６，５２４号などにより提示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】米国特許第７，２０２，１０１号明細書
【特許文献２】米国特許第６，６２２，３６８号明細書
【特許文献３】米国特許第７，０４９，０５１号明細書
【特許文献４】米国特許第７，１９０，０３８号明細書
【特許文献５】米国特許第６，９３６，５２４号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、上述した先行技術の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、金属層が交差配列された多層膜構造を有する音圧センサーデバイスおよび製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述の目的を達成するために、本発明による微小電気機械システム音圧センサーデバイスは、基板、基板に配置された固定極板および多層膜構造を備える。多層膜構造は複数の金属層および複数の金属層を連結する複数の金属栓を有する。多層膜構造と固定極板との間には音室になるチャンバーを有する。複数の金属層はそれぞれ複数の金属パーツを有する。金属層の複数の金属パーツと少なくとも一つの別の金属層の複数の金属パーツとは交差配列されるため、多層膜構造に音圧が届く際、直交する音波の前進方向に相互に向かい合って隙間がない平面が形成される。
【０００９】
上述の目的を達成するために、本発明による微小電気機械システム音圧センサーデバイスの製造方法は、次の通りである。まず、基板を用意する。続いて、基板の上に固定極板を配置する。続いて、少なくとも一つの犠牲層を形成する。続いて、犠牲層の上に複数の金属パーツを有する複数の金属層を配置する。続いて、複数の金属栓で複数の金属層を連結することによって多層膜構造を構築する。そのうちの金属層の複数の金属パーツと少なくとも一つの別の金属層の複数の金属パーツとは交差配列されるため、多層膜構造に音圧が届く際、直交する音波の前進方向に相互に向かい合って隙間がない平面が形成される。続いて、犠牲層をエッチングしてチャンバーを生成することによって微小電気機械システム音圧センサーデバイスの音室を構築する。
【００１０】
上述した微小電気機械システム音圧センサーデバイスは、さらに支持構造を備える。支持構造は基板の上に固定され、かつ多層膜構造に連結されることで多層膜構造を支持する。
上述した微小電気機械システム音圧センサーデバイスは、さらに絶縁層を備える。絶縁層は支持構造と基板との間、または固定栓と基板との間に連結される。
上述した微小電気機械システム音圧センサーデバイスにおいて、平面図から見た多層膜構造は、隣り合う金属層が部分的に重なる。
【００１１】
上述した微小電気機械システム音圧センサーデバイスにおいて、多層膜構造は、側辺に隙間を置くことが好ましい。
上述した微小電気機械システム音圧センサーデバイスにおいて、基板は少なくとも一列の排気孔を有することが好ましい。
上述した微小電気機械システム音圧センサーデバイスにおいて、金属層は、金、銀、チタン、タンタル、銅、アルミニウム、以上の金属の炭化物、以上の金属の酸化物または以上の金属の窒化物などの材料のうちの少なくとも一つを採用することが好ましい。
【００１２】
上述した微小電気機械システム音圧センサーデバイスにおいて、金属栓は、タングステン、金、銀、チタン、タンタル、銅、アルミニウム、以上の金属の炭化物、以上の金属の酸化物または以上の金属の窒化物などの材料のうちの少なくとも一つを採用することが好ましい。
本発明の目的、技術内容、特徴および達成できる効果は以下の図面および具体的な実施形態の説明によって判明すると考えられる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】従来技術による多層金属ＭＥＭＳ構造を示す模式的断面図。
【図２Ａ】本発明の第１実施形態による微小電気機械システム音圧センサーデバイスの製造工程を示す模式的断面図。
【図２Ｂ】本発明の第１実施形態による微小電気機械システム音圧センサーデバイスの製造工程を示す模式的断面図。
【図２Ｃ】本発明の第１実施形態による微小電気機械システム音圧センサーデバイスの製造工程を示す模式的断面図。
【図２Ｄ】本発明の第１実施形態による微小電気機械システム音圧センサーデバイスの製造工程を示す模式的断面図。
【図２Ｅ】本発明の第１実施形態による微小電気機械システム音圧センサーデバイスの製造工程を示す模式的断面図。
【図２Ｆ】本発明の第１実施形態による微小電気機械システム音圧センサーデバイスの製造工程を示す模式的断面図。
【図２Ｇ】本発明の第１実施形態による微小電気機械システム音圧センサーデバイスの製造工程を示す模式的断面図。
【図２Ｈ】本発明の第１実施形態による微小電気機械システム音圧センサーデバイスの製造工程を示す模式的断面図。
【図２Ｉ】本発明の第１実施形態による微小電気機械システム音圧センサーデバイスの製造工程を示す模式的断面図。
【図２Ｊ】本発明の第１実施形態による微小電気機械システム音圧センサーデバイスを示す模式的断面図。
【図３】本発明の第２実施形態による微小電気機械システム音圧センサーデバイスを示す模式的断面図。
【図４】本発明の第３実施形態による微小電気機械システム音圧センサーデバイスを示す模式的断面図。
【図５Ａ】本発明の第４実施形態による微小電気機械システム音圧センサーデバイスの製造工程を示す模式図。
【図５Ｂ】本発明の第４実施形態による微小電気機械システム音圧センサーデバイスの製造工程を示す模式図。
【図５Ｃ】本発明の第４実施形態による微小電気機械システム音圧センサーデバイスの製造工程を示す模式図。
【図５Ｄ】本発明の第４実施形態による微小電気機械システム音圧センサーデバイスの製造工程を示す模式図。
【図５Ｅ】本発明の第４実施形態による微小電気機械システム音圧センサーデバイスの製造工程を示す模式図。
【図５Ｆ】本発明の第４実施形態による微小電気機械システム音圧センサーデバイスの製造工程を示す模式図。
【図５Ｇ】本発明の第４実施形態による微小電気機械システム音圧センサーデバイスの製造工程を示す模式図。
【図５Ｈ】本発明の第４実施形態による微小電気機械システム音圧センサーデバイスの製造工程を示す模式図。
【図５Ｉ】本発明の第４実施形態による微小電気機械システム音圧センサーデバイスの製造工程を示す模式図。
【図５Ｊ】本発明の第４実施形態による微小電気機械システム音圧センサーデバイスの製造工程を示す模式図。
【図６Ａ】本発明の第５実施形態による微小電気機械システム音圧センサーデバイスの製造工程を示す模式図。
【図６Ｂ】本発明の第５実施形態による微小電気機械システム音圧センサーデバイスの製造工程を示す模式図。
【図６Ｃ】本発明の第５実施形態による微小電気機械システム音圧センサーデバイスの製造工程を示す模式図。
【図６Ｄ】本発明の第５実施形態による微小電気機械システム音圧センサーデバイスの製造工程を示す模式図。
【図７Ａ】本発明の第６実施形態による微小電気機械システム音圧センサーデバイスの製造工程を示す模式図。
【図７Ｂ】本発明の第６実施形態による微小電気機械システム音圧センサーデバイスの製造工程を示す模式図。
【図７Ｃ】本発明の第６実施形態による微小電気機械システム音圧センサーデバイスの製造工程を示す模式図。
【図７Ｄ】本発明の第６実施形態による微小電気機械システム音圧センサーデバイスの製造工程を示す模式図。
【図７Ｅ】本発明の第６実施形態による微小電気機械システム音圧センサーデバイスの製造工程を示す模式図。
【図７Ｆ】本発明の第６実施形態による微小電気機械システム音圧センサーデバイスの製造工程を示す模式図。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明による微小電気機械システム音圧センサーデバイスおよびその製造方法を図面に基づいて説明する。図面では、製造工程、および層と層との上下順序関係を表示する。図面に示した形、厚さおよび幅は一定の比率で製作されるものではない。
【００１５】
（第１実施形態）
図２Ａから図２Ｊに示すのは、本発明の第１実施形態による微小電気機械システム音圧センサーデバイスの製造工程を示す断面図である。図２Ａに示すように、まず、基板２２を用意する。基板２２はシリコン基板であるが、これに限らない。図２Ｂに示すように、続いて基板２２に犠牲層２４を形成する。犠牲層２４は二酸化ケイ素、フッ素含有二酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、または炭化ケイ素などの誘電体材料から構成されるが、これに限らない。図２Ｃに示すように、続いて犠牲層２４内に固定栓２６を配置し、固定栓２６と基板２２とを連結する。固定栓２６の配置方法は半導体製造技術のうちのフォトリソグラフィ、エッチング、蒸着および化学機械研磨などの技術を採用することである。これらの技術はこの領域においての技術者が熟知したものであるため、詳細な説明を省略する。
【００１６】
図２Ｄに示すように、続いて犠牲層２４の上に固定極板２８を配置し、かつ複数の固定栓２６によって固定極板２８と基板２２とを連結する。固定極板２８は金属または多結晶シリコンなどの導電材料から構成され、かつＭＥＭＳ音圧センサーデバイスのうちの音圧感知に用いるコンデンサ底板になる。図２Ｅに示すように、続いて固定極板２８に犠牲層２４、金属栓３０および金属層３２を配置する。図２Ｆおよび図２Ｇに示すように、続いて金属層３２に別の犠牲層２４、別の金属栓３０および別の金属層３２を重ねる。図２Ｈに示すように、続いて金属層３２に別の犠牲層２４、別の金属栓３０および別の金属層３２を重ねる。図２Ｈに示したのは、支持構造３４およびＭＥＭＳ音圧センサーデバイスのうちの音圧感知に用いるコンデンサ極板の構築である。図２Ｈに示すように、コンデンサ極板は複数の金属層３２を有し、金属層３２は複数の金属パーツを有する。隣り合う金属層３２の金属パーツは交差配列されるため、本実施形態によるＭＥＭＳ音圧センサーデバイスのうちのコンデンサ極板に層と層とが重なり、平面図ではほぼ密着状態を呈する。一方、エッチング剤を浸透させ、犠牲層をエッチングするために側辺に隙間を置く。コンデンサ極板の金属層は数が二層に限らず、二層以上であってもよい。後ほど、図５から図７に基づいて例を挙げて説明を進める。一方、平面図での密着状態とは、金属層３２の複数の金属パーツと少なくとも一つの別の金属層３２の複数の金属パーツとが交差配列されるため、多層膜構造３６に音圧が届く際、直交する音波の前進方向に相互に向かい合って隙間がない平面が形成されるという意味である。
【００１７】
図２Ｉに示すように、ＭＥＭＳ音圧センサーデバイスのうちのコンデンサ極板が完成した後、等方性エッチングを進めて犠牲層２４を除去し、コンデンサ極板を分割することによって音圧感知に用いる多層膜構造３６を構築し、かつ、音室４０になるチャンバーを形成する。等方性エッチングは反応性イオンエッチング（Reactive Ion Etching； ＲＩＥ）、プラズマエッチング（plasma etch）またはフッ化水酸素の蒸気によるエッチングなどである。図に示すように、支持構造３４は基板２２の上に固定され、多層膜構造３６に連結されることで多層膜構造３６を支持する。
【００１８】
コンデンサ極板は多層膜構造３６によって大面積に応力が積み重なるような問題を避ける。本発明の構造は一枚の極板を面積の小さい複数のエリアに分割することによって構築されるが、平面図では、ほぼ密着状態を呈するため、音圧は上方からコンデンサ極板を十分に圧迫することができる。一方、製造工程において側辺に隙間を置くため、犠牲層２４をエッチングする利便性を有する。
【００１９】
図２Ｊは、第１実施形態によるＭＥＭＳ音圧センサーデバイスを示す断面図である。基板２２は図中の破線で表示された上表面２２１および下表面２２２を有する。誘導結合プラズマ（inductively coupled plasma、ＩＣＰ）または異方性エッチングによって下表面２２２から部分の基板２２を除去し、開口部４２を形成する。フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術によって開口部４２から上表面２２１までエッチングを行い、排気孔４４を形成する。排気孔４４は開口部４２に連絡し、音室４０の圧力調節に用いられる。
【００２０】
（第２実施形態）
図３に示すのは、本発明の第２実施形態である。第２実施形態によるＭＥＭＳ音圧センサーデバイスはさらに絶縁層４６を備える。絶縁層４６は支持構造３４と基板２２との間または／および固定線２６と基板２２との間に配置される。絶縁層４６は電気的接続の遮断に用いられるか接着層になる。
【００２１】
（第３実施形態）
図４に示すのは、本発明の第３実施形態である。第１実施形態との違いは次の通りである。第３実施形態において、支持構造３４はさらに複数の金属層３２の間に位置する犠牲層２４を有する。犠牲層２４は支持構造３４の強度を増強できるため、第３実施形態によるＭＥＭＳ音圧センサーデバイスは機械強度が比較的よい。
【００２２】
（第４実施形態）
図５Ａから図５Ｊに示すのは、本発明の第４実施形態である。第４実施形態における多層膜構造３６の具体的な実施形態を平面図および斜視図に基づいて説明する。図５Ａはコンデンサ極板の最下層の金属層５２を示す平面図である。説明の便をはかるために、この金属層５２を、製造工程のうちの第四金属層に例え、説明を進める。図５Ｂは図５Ａに示したエリア５０を示す斜視図である。図５Ａおよび図５Ｂに示すように、第四金属層５２は複数の金属パーツ５２１を有する。金属パーツ５２１は相互に隙間を置いて平行となるように配置される。
【００２３】
図５Ｃおよび図５Ｄは第四金属層５２の上に配置された複数の第一金属栓５３１を示す平面図および斜視図である。図５Ｅおよび図５Ｆは第一金属栓５３１の上に配置された第五金属層５４を示す平面図および斜視図である。図５Ｅおよび図５Ｆに示すように、第五金属層５４は複数の金属パーツ５４１を有する。金属パーツ５４１は相互に隙間を置いて平行となるように配置される。第五金属層５４の複数の金属パーツ５４１と第四金属層５２の複数の金属パーツ５２１とは相互に平行ではなく交差配列され、平面図では、部分的に重なる。
【００２４】
図５Ｇおよび図５Ｈは第五金属層５４の上に配置された複数の第二金属栓５５１を示す平面図および斜視図である。図５Ｉおよび図５Ｊは第二金属栓５５１の上に配置された第六金属層５６を示す平面図および斜視図である。図５Ｉおよび図５Ｊに示すように、第六金属層５６は複数の金属パーツ５６１を有する。金属パーツ５６１は相互に隙間を置いて平行となるように配置される。第六金属層５６の複数の金属パーツ５６１と第五金属層５４の複数の金属パーツ５４１とは交差配列される。このとき平面図では多層膜構造５８はほぼ密着状態を呈する。
【００２５】
（第５実施形態）
図６Ａから図６Ｄに示すのは、本発明の第５実施形態である。第５実施形態は多層膜構造３６の別の具体的な実施形態であり、第４実施形態との違いは隣り合う金属層の金属パーツの配列方式が異なることにある。図６Ａは第七金属層６２および第三金属栓６３１を平面図である。図６Ｂは図６Ａに示したエリア６０を示す斜視図である。図６Ａおよび図６Ｂに示すように、第七金属層６２は複数の金属パーツ６２１を有する。金属パーツ６２１は相互に隙間を置いて平行となるように配置される。
【００２６】
図６Ｃおよび図６Ｄは第三金属栓６３１の上に配置された第八金属層６４を示す平面図および斜視図である。図６Ｃおよび図６Ｄに示すように、第八金属層６４は複数の金属パーツ６４１を有する。金属パーツ６４１は相互に隙間を置いて平行となるように配置される。第八金属層６４の複数の金属パーツ６４１と第七金属層６２の複数の金属パーツ６２１とは交差配列される。このとき平面図では多層膜構造６８はほぼ密着状態を呈する。
【００２７】
（第６実施形態）
図７Ａから図７Ｆに示したのは第６実施形態である。第６実施形態における多層膜構造３６の具体的な実施形態を平面図および斜視図に基づいて説明する。上述した実施形態との違いは平面図では多層膜構造が完全密着状態を呈することにある。図７Ａは第九金属層７２を示す平面図である。図７Ｂは図７Ａに示したエリア７０を示す斜視図である。図７Ａおよび図７Ｂに示すように、第九金属層７２は複数の金属パーツ７２１を有する。金属パーツ７２１は相互に隙間を置いて平行となるように配置される。
【００２８】
図７Ｃおよび図７Ｄは第九金属層７２の上に配置された複数の第四金属栓７３１を示す平面図および斜視図である。図７Ｅおよび図７Ｆは第四金属栓７３１の上に配置された第十金属層７４を示す平面図および斜視図である。図７Ｅおよび図７Ｆに示すように、第十金属層７４は複数の金属パーツ７４１を有する。金属パーツ７４１は穴を有し、かつ相互に密着するように配列される。第十金属層７４の複数の金属パーツ７４１と第九金属層７２の複数の金属パーツ７２１とは交差配列される。このとき平面図では金属パーツ７４１の穴と複数の金属パーツ７２１の間の隙間とは重ならない。一方、第十金属層７４と第九金属層７２とは部分的に重なる。このとき平面図では多層膜構造７８はほぼ密着状態を呈する。
【００２９】
上述した実施形態において、金属層は、金、銀、チタン、タンタル、銅、アルミニウム、以上の金属の炭化物、以上の金属の酸化物または以上の金属の窒化物などの材料のうちの少なくとも一つから構成される。金属栓は、タングステン、金、銀、チタン、タンタル、銅、アルミニウム、以上の金属の炭化物、以上の金属の酸化物または以上の金属の窒化物などの材料のうちの少なくとも一つから構成される。
以上、本発明は、上記実施形態になんら限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の形態で実施可能である。
【符号の説明】
【００３０】
２２  ・・・・基板
２２１  ・・・上表面
２２２  ・・・下表面
２４  ・・・・犠牲層
２６  ・・・・固定栓
２８  ・・・・固定極板
３０  ・・・・金属栓
３２  ・・・・金属層
３４  ・・・・支持構造
３６  ・・・・多層膜構造
４０  ・・・・音室
４２  ・・・・開口部
４４  ・・・・排気孔
４６  ・・・・絶縁層
５０、６０、７０  ・・・エリア
５２  ・・・・第四金属層
５２１、５４１、５６１、６２１、６４１、７２１、７４１  ・・・金属パーツ
５３１  ・・・第一金属栓
５４  ・・・・第五金属層
５５１  ・・・第二金属栓
５６  ・・・・第六金属層
５８  ・・・・多層膜構造
６２  ・・・・第七金属層
６３１  ・・・第三金属栓
６４  ・・・・第八金属層
７２  ・・・・第九金属層
７３１  ・・・第四金属栓
７４  ・・・・第十金属層
【図１】
0005330558.tif 000002
【図２Ａ】
0005330558.tif 000003
【図２Ｂ】
0005330558.tif 000004
【図２Ｃ】
0005330558.tif 000005
【図２Ｄ】
0005330558.tif 000006
【図２Ｅ】
0005330558.tif 000007
【図２Ｆ】
0005330558.tif 000008
【図２Ｇ】
0005330558.tif 000009
【図２Ｈ】
0005330558.tif 000010
【図２Ｉ】
0005330558.tif 000011
【図２Ｊ】
0005330558.tif 000012
【図３】
0005330558.tif 000013
【図４】
0005330558.tif 000014
【図５Ａ】
0005330558.tif 000015
【図５Ｂ】
0005330558.tif 000016
【図５Ｃ】
0005330558.tif 000017
【図５Ｄ】
0005330558.tif 000018
【図５Ｅ】
0005330558.tif 000019
【図５Ｆ】
0005330558.tif 000020
【図５Ｇ】
0005330558.tif 000021
【図５Ｈ】
0005330558.tif 000022
【図５Ｉ】
0005330558.tif 000023
【図５Ｊ】
0005330558.tif 000024
【図６Ａ】
0005330558.tif 000025
【図６Ｂ】
0005330558.tif 000026
【図６Ｃ】
0005330558.tif 000027
【図６Ｄ】
0005330558.tif 000028
【図７Ａ】
0005330558.tif 000029
【図７Ｂ】
0005330558.tif 000030
【図７Ｃ】
0005330558.tif 000031
【図７Ｄ】
0005330558.tif 000032
【図７Ｅ】
0005330558.tif 000033
【図７Ｆ】
0005330558.tif 000034