(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイパッドと、内端部を１つの前記ダイパッドに臨ませ、前記ダイパッドから離れる方向に延在し、互いに並列配置され互いにタイバーによって連結された２本の外部端子とを連結支持したリードフレームであって、第１サイドバーと第２サイドバーとを間隔隔てて平行に長手方向に延在させ、個々の製品に供される前記ダイパッド及び前記２本の外部端子を長手方向に並べて多数製品分連結支持し、前記ダイパッドが第１サイドバーに連結支持されて第２サイドバー側に延出し、前記外部端子が第２サイドバーに連結支持されて第１サイドバー側に延出し、隣り合う外部端子同士を多数製品分連続して連結するタイバーを備えたリードフレームを用い、
（１）前記ダイパッドの上面に半導体素子の下面電極を接続させて当該半導体素子をダイボンディングするダイボンディング工程と、
前記半導体素子の上面電極と前記内端部とを内部リードで接続する内部接続工程と、
前記ダイパッドの下面、前記タイバー及び少なくともこれに結合する部分から外側の前記外部端子を露出して前記半導体素子、前記内部リード及び前記内端部を封止する封止樹脂体を形成する樹脂封止工程と、
隣り合う製品相当部分間に配置されるタイバーの両端を前記外部端子から切断分離するタイバーカット工程とを備え、
（２）前記ダイボンディング工程において、少なくとも２つの半導体素子をダイボンディングし、前記内部接続工程において、２つの前記半導体素子の上面電極を異なる前記内端部に前記内部リードで接続し、かつ、
前記タイバーカット工程において、前記２本の外部端子間のタイバーのみを切除する特定パンチ及び前記特定パンチと独立し前記隣り合う製品相当部分間に配置されるタイバーの両端を前記外部端子から切断分離する他のパンチと、前記２本の外部端子間のタイバー及び隣り合う製品相当部分間に配置されるタイバーに対応した位置にパンチの抜き孔が形成されたダイとを付設したタイバーカットプレス金型を用いてプレスカットすることにより、前記２本の外部端子間のタイバーを切除して、２アーム回路構成を得、
（３）上記（２）により２アーム回路構成を得た後又は得る前に、前記タイバーカット工程において、前記特定パンチを前記タイバーカットプレス金型から除去し前記他のパンチ及び前記ダイを付設した状態の当該タイバーカットプレス金型を用いてプレスカットすることにより、前記２本の外部端子間のタイバーを残して、１アーム回路構成を得る樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記タイバーカットプレス金型の上金型に、前記特定パンチを付設して行う請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記リードフレームは、前記外部端子の下面が前記ダイパッドの下面の存在面より上側に存在するものであり、
第２サイドバーを前記外部端子から切断分離する第２サイドバーカット工程と、
プレス成形により、前記外部端子の外端部の下面が前記ダイパッドの下面と略同一平面に存在するように、前記外部端子を曲成するフォーミング工程と、
第１サイドバーから製品固体を切断分離して、個々の樹脂封止型半導体装置を得る固体分離工程と、
をさらに備える請求項１又は請求項２に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子と、前記半導体素子を搭載するダイパッドと、前記半導体素子を封止する封止樹脂体と、外部と接続するための外部端子と、前記外部端子と前記半導体素子とをつなぐ内部リードとを有する樹脂封止型半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
かかる樹脂封止型半導体装置は、特許文献１にも記載されている。特許文献１にも記載されるように、金属板であるダイパッドの上面に半導体素子がダイボンディングされ、半導体素子の下面電極がダイパッドに接続される。ダイパッドの下面は、封止樹脂体から露出している。
外部端子は、ダイパッドより高い位置でダイパッドと平行にして封止樹脂体から延出し、クランク状に曲成される。これにより、外部端子の外端部の下面がダイパッドの下面と略同一平面に配置される。かかる構造により、樹脂封止型半導体装置の面実装が可能となる。すなわち、ダイパッドの下面と外部端子外端部の下面とを電気回路基板の電極面に合わせて本樹脂封止型半導体装置を電気回路基板上に配置し、外部端子とダイパッドとをそれぞれ電気回路基板に半田付けして電気回路基板に実装することができる。
【０００３】
特許文献１に記載の樹脂封止型半導体装置においては、ダイパッドに２つの半導体素子を搭載しており、外部端子は２本独立に設けられ、各外部端子が内部リードを介して各半導体素子の各上面電極に接続されている。
２つの半導体素子それぞれのカソード電極をダイパッドに接続することで、図１３(a)に示すように、カソードコモン型の樹脂封止型半導体装置が構成される。図１３(a)に示す樹脂封止型半導体装置１０１は、２つの半導体素子（ダイオード）ｃ１，ｃ２を封止樹脂体内に有しており、ダイパッドによるカソード電極Ｋと、２本独立の外部端子による各アノード電極Ａ１，Ａ２を半導体素子ｃ１，ｃ２の各アノードに対応して構成している。かかる樹脂封止型半導体装置１０１は、いわゆる２アーム回路構成に分類される。
一方、図１３(b)に示すように、２つのアノード電極Ａ１，Ａ２を電気回路基板上の共通の電極１０２に接続して実質的に１アーム回路構成のものとして使用する場合がある。この場合、図１３(c)に示す１アーム回路と回路的に等価である。もちろん、１アーム回路構成の樹脂封止型半導体装置についても需要がある。
【０００４】
特許文献２には、樹脂封止型半導体装置を共通のリードフレームを用いて１アーム回路構成と２アーム回路構成とに造り分ける製造方法が記載されている。
特許文献２に記載の製造方法によれば、ダイパッドから延びる第１のリード片（同文献中符号２）の両側に、第２のリード片（３）、第３のリード片（４）を平行に配置し、第１のリード片（２）と第２のリード片（３）及び第３のリード片（４）とがタイバー（８）で連結されたリードフレームを使用し、第２のリード片（３）及び第３のリード片（４）のうちいずれか一方と第１のリード片（２）との連結タイバーを切除することで、１アーム回路構成を得、第２のリード片（３）及び第３のリード片（４）の双方と第１のリード片（２）との連結タイバーを切除することで、２アーム回路構成を得る。
【特許文献１】特開２００６−２０２９７６号公報
【特許文献２】特開平６−５７５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
リードフレームを用いた製造方法においてタイバーの切除は、一般的にプレスカットにより行われる。タイバーのプレスカットはタイバーカットプレス金型にセットされた上金型と下金型とによって行われる。封止樹脂体が形成されたリードフレームのタイバーを切除するには、封止樹脂体が形成されたリードフレームを下金型に載置し、上金型をリードフレームに押圧して、パンチによってタイバーを切除する。 パンチは、切除位置に予め金型に付設される。
特許文献２に記載の製造方法によれば、１アーム回路構成を得るときに切除しないで残すタイバーであって２アーム回路構成を得るときには切除する部分があるだけでなく、２アーム回路構成を得るときに切除せずに残すタイバーであって１アーム回路構成を得るときには切除する部分もある。すなわち、１アーム回路構成を得るためのパンチ構成の全部が２アーム回路構成を得るためのパンチ構成に含まれない。
したがって、特許文献２に記載の製造方法によれば、１アーム回路構成を得るときと、２アーム回路構成を得るときとで、それぞれに合ったパンチ構成を用意しなければならず、そのために製造の設備及び作業の面で負担がある。 
【０００６】
本発明は以上の従来技術における問題に鑑みてなされたものであって、面実装型の樹脂封止型半導体装置を共通のリードフレームを用いて１アーム回路構成と２アーム回路構成とに造り分けるにあたり、切除するタイバーのプレスカットのために必要となるパンチ構成が多様化せず、製造の設備効率及び作業効率が良好な樹脂封止型半導体装置の製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
以上の課題を解決するための請求項１記載の発明は、ダイパッドと、内端部を１つの前記ダイパッドに臨ませ、前記ダイパッドから離れる方向に延在し、互いに並列配置され互いにタイバーによって連結された２本の外部端子とを連結支持したリードフレームであって、第１サイドバーと第２サイドバーとを間隔隔てて平行に長手方向に延在させ、個々の製品に供される前記ダイパッド及び前記２本の外部端子を長手方向に並べて多数製品分連結支持し、前記ダイパッドが第１サイドバーに連結支持されて第２サイドバー側に延出し、前記外部端子が第２サイドバーに連結支持されて第１サイドバー側に延出し、隣り合う外部端子同士を多数製品分連続して連結するタイバーを備えたリードフレームを用い、
（１）前記ダイパッドの上面に半導体素子の下面電極を接続させて当該半導体素子をダイボンディングするダイボンディング工程と、
前記半導体素子の上面電極と前記内端部とを内部リードで接続する内部接続工程と、
前記ダイパッドの下面、前記タイバー及び少なくともこれに結合する部分から外側の前記外部端子を露出して前記半導体素子、前記内部リード及び前記内端部を封止する封止樹脂体を形成する樹脂封止工程と、
隣り合う製品相当部分間に配置されるタイバーの両端を前記外部端子から切断分離するタイバーカット工程とを備え、
（２）前記ダイボンディング工程において、少なくとも２つの半導体素子をダイボンディングし、前記内部接続工程において、２つの前記半導体素子の上面電極を異なる前記内端部に前記内部リードで接続し、かつ、
前記タイバーカット工程において、前記２本の外部端子間のタイバーのみを切除する特定パンチ及び前記特定パンチと独立し前記隣り合う製品相当部分間に配置されるタイバーの両端を前記外部端子から切断分離する他のパンチと、前記２本の外部端子間のタイバー及び隣り合う製品相当部分間に配置されるタイバーに対応した位置にパンチの抜き孔が形成されたダイとを付設したタイバーカットプレス金型を用いてプレスカットすることにより、前記２本の外部端子間のタイバーを切除して、２アーム回路構成を得、
（３）上記（２）により２アーム回路構成を得た後又は得る前に、前記タイバーカット工程において、前記特定パンチを前記タイバーカットプレス金型から除去し前記他のパンチ及び前記ダイを付設した状態の当該タイバーカットプレス金型を用いてプレスカットすることにより、前記２本の外部端子間のタイバーを残して、１アーム回路構成を得る樹脂封止型半導体装置の製造方法である。
【０００８】
請求項２記載の発明は、前記タイバーカットプレス金型の上金型に、前記特定パンチを付設して行う請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法である。
【０００９】
請求項３記載の発明は、前記リードフレームは、前記外部端子の下面が前記ダイパッドの下面の存在面より上側に存在するものであり、
第２サイドバーを前記外部端子から切断分離する第２サイドバーカット工程と、
プレス成形により、前記外部端子の外端部の下面が前記ダイパッドの下面と略同一平面に存在するように、前記外部端子を曲成するフォーミング工程と、
第１サイドバーから製品固体を切断分離して、個々の樹脂封止型半導体装置を得る固体分離工程と、
をさらに備える請求項１又は請求項２に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法である。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、２本の外部端子間のタイバーのみを切除する特定パンチをタイバーカットプレス金型に付設するか、付設しないかを選択することによって、面実装型の樹脂封止型半導体装置を共通のリードフレームを用いて１アーム回路構成（特定パンチ不使用時）と２アーム回路構成（特定パンチ使用時）とに造り分けることができ、１アーム回路構成を得るためのパンチ構成の全部が２アーム回路構成を得るためのパンチ構成に含まれるから、切除するタイバーのプレスカットのために必要となるパンチ構成が多様化せず、製造の設備効率及び作業効率が向上するという効果がある。  
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下に本発明の一実施形態につき図面を参照して説明する。以下は本発明の一実施形態であって本発明を限定するものではない。
【００１２】
ここで、図を参照して本樹脂封止型半導体装置の製造方法につき説明する。
図１(a)に示すリードフレーム１０を用いる。
リードフレーム１０は、Ｃｕを主成分とする導電性材料からなる。リードフレーム１０は、第１サイドバー１０ａと第２サイドバー１０ｂとを間隔隔てて平行に長手方向に延在させ、その各端に連続するエンドバー１０ｃ，１０ｄにより長尺四辺形枠状に構成されている。リードフレーム１０は、その枠内にダイパッド１及び２本の外部端子３Ｌ，３Ｒを長手方向に並べて多数製品分連結支持している。
【００１３】
ダイパッド１，１，・・・は、第１サイドバー１０ａに連結支持されて第２サイドバー１０ｂ側に延出している。ダイパッド１は第１サイドバー１０ａから垂直方向内側に延びる支持リード１０ｅによって第１サイドバー１０ａに連結され支持されている。
【００１４】
外部端子３Ｌ，３Ｒ，３Ｌ，３Ｒ，・・・は、第２サイドバー１０ｂに連結支持されて第１サイドバー１０ａ側に延出している。１つのダイパッド１に対して２本の外部端子３Ｌ，３Ｒが対向するように延出している。外部端子３Ｌ，３Ｒ，３Ｌ，３Ｒ，・・・は、第２サイドバー１０ｂから垂直方向内側に延びる支持リード１０ｆによって第２サイドバー１０ｂに連結され支持されている。
また、外部端子３Ｌ，３Ｒ，３Ｌ，３Ｒ，・・・は、長手方向に延在するタイバー１１によって隣り合う外部端子同士が連続して連結されている。一番端の外部端子３Ｌ，３Ｒに関しては、タイバー１１により隣接するエンドバー１０ｃ，１０ｄに連結される。外部端子３Ｌ，３Ｒ，３Ｌ，３Ｒ，・・・は、これらのタイバー１１により、定位置に固定される。
外部端子３Ｌ，３Ｒの内端部３ａはパッドエリアを形成している。外部端子３Ｌ，３Ｒは、その内端部３ａをダイパッド１に臨ませ、ダイパッド１から離れる方向に延在し、互いに並列配置される。
【００１５】
まず、図１(b)に示すように、ダイパッド１の上面パッドエリアに半田を塗布して２つの半導体素子ｃ１，ｃ２をダイボンディングする（ダイボンディング工程）。なお、１アーム回路構成を作製する場合には、図１(c)に示すように、１つのダイパッド１に１つの半導体素子ｃをボンディングしても良い。
本実施形態では、半導体素子ｃ１，ｃ２のカソード電極を下面にしてダイパッド１に接続する。図１(b)に示すように、ダイパッド１に搭載された半導体素子ｃ１，ｃ２の上面にアノード電極ｃＡが配置される。
半導体素子ｃ１，ｃ２としては、ショットキーバリアダイオード、高速、高耐圧ＰＮダイオード等を適用する。
【００１６】
次に、図２に示すように、半導体素子ｃ１，ｃ２と外部端子３Ｌ，３Ｒの内端部３ａとを内部リード４，４で接続する（内部接続工程）。
すわなわち、半導体素子ｃ１，ｃ２のアノード電極ｃＡと、外部端子３Ｌ，３Ｒの内端部３ａのパッドエリアとに半田を塗布し、これらの間に架け渡すように導電性の平板状の内部リード４，４，・・・を搭載する。
１半導体素子搭載の場合は、１つのアノード電極ｃＡに２つの内部リード４，４を接続しても良いし、内部リード４，４が互いに連結されたごとくの一体で任意の形状のものを使用しても良い。
もちろん、内部リードとしてＡｌワイヤ等のボンディングワイヤを用いてもよい。
【００１７】
次に、図３に示すように、封止樹脂体２を形成する（樹脂封止工程）。すなわち、ダイパッド１の下面、タイバー１１及び少なくともこれ（タイバー１１）に結合する部分から外側の外部端子３Ｌ，３Ｒを露出して（すなわち、タイバー１１に結合する部分も露出する）、半導体素子ｃ１，ｃ２、内部リード４，４及び内端部３ａ，３ａを封止する封止樹脂体２を形成する。封止樹脂体２の形成は射出成形装置により行うことができる。内部リード４と内端部３ａとの接合部も封止するので、内端部３ａも封止樹脂体２内に封止される。なお、図３(c)に示すように、外部端子３Ｌ，３Ｒ及びタイバー１１は、ダイパッド１より高い位置で、ダイパッド１と略平行に配置されている。この配置は、図１に示す状態からのものである。
【００１８】
次に、タイバーカット工程を行う。タイバーカット工程は、タイバーカットプレス金型を用いてプレスカットすることにより行う。上金型にパンチを付設する。パンチを、以下の切断するタイバーに対応した位置にそれぞれ付設する。下金型には、パンチの抜き孔が形成されたダイを付設する。そして、タイバーカットプレス金型に上金型と下金型とをセットする。その後、封止樹脂体２が形成されたリードフレーム１０を下金型に載置し、上金型をリードフレームに押圧して、上金型に付設されたパンチによってタイバーを切除する。 
１アーム回路構成を得る場合は、図４(a)(b)に示すように、隣り合う製品相当部分間に配置されるタイバー１１ｂの両端を一の製品相当部分の外部端子３Ｌとその隣の製品相当部分の外部端子３Ｒとから切断分離する（タイバーカット工程−１アーム時）。なお、エンドバー１０ｃ，１０ｄから延出するタイバー１１も外部端子３Ｌ，３Ｒから切断分離する。したがって、これらの切除するタイバーに対応した位置にパンチを付設し、２本の外部端子３Ｌ，３Ｒ間のタイバー１１ａに対応した位置にはパンチを付設しない。タイバー１１ａを切除するパンチを除去した状態のタイバーカットプレス金型を用いる。しかし、上記ダイとしては、タイバー１１ａに対応した位置にもパンチの抜き孔が形成されたものを用いる。
図４(b)に示すように、一の製品相当部分内の外部端子３Ｌ，３Ｒ間に残存するタイバー１１aは製品の一部を構成する。すなわち、タイバー１１aは２本の外部端子３Ｌ，３Ｒ同士を連結する連結バーとなって、外部端子３Ｌ，３Ｒとともに一体のアノード電極部品となる。
【００１９】
次に、図４(c)に示すように、支持リード１０ｆを切断して、第２サイドバー１０ｂから外部端子３Ｌ，３Ｒ，３Ｌ，３Ｒ，・・・を切断分離する（第２サイドバーカット工程）。
【００２０】
次に、図５に示すように、外部端子３Ｌ，３Ｒ及びタイバー１１aをフォーミング加工する（フォーミング工程）。フォーミング加工はプレス成型法の一つである。フォーミング装置の上型と下型とで、外部端子３Ｌ，３Ｒ及びタイバー１１aを挟み込み押圧して、外部端子３Ｌ，３Ｒ及びタイバー１１aを曲成する。曲成後の外部端子３Ｌ，３Ｒ及びタイバー１１aの曲線形状は、図８に示したとおりである。２本の外部端子３Ｌ，３Ｒの間に残存するタイバー１１ａと結合する外部端子の部分を第１曲成部３ｂとして、当該タイバー１１ａもろとも曲成する。同時に、第１曲成部３ｂと逆折の第２曲成部３ｃを第１曲成部３ｂより外端側に形成する。これにより、外部端子の外端部３ｄの下面をダイパッド１の下面と略同一平面に存在させる。
次に、支持リード１０ｅを切断して、第１サイドバー１０ａから製品固体を切断分離し、１アーム回路構成の樹脂封止型半導体装置を得る（固体分離工程）。
【００２１】
以上のようにして得られた１アーム回路構成の樹脂封止型半導体装置は、図６〜図８に示すように、外部端子３Ｌ，３Ｒは２本で、１本１本３Ｌ，３Ｒがそれぞれ、ダイパッド１より高い位置でダイパッド１と略平行にして封止樹脂体２から延出している。その延出方向、すなわち、外端方向に沿って連なる上面が凸の第１曲成部３ｂ、下面が凸の第２曲成部３ｃを介してクランク状に曲成されることにより、第２曲成部３ｃに連なる外端部３ｄがダイパッド１と略平行に配置される。それとともに、外端部３ｄの下面がダイパッド１の下面と略同一平面に配置される。ここで、上下、高さの区別はダイパッドの下面を基準にしている。
【００２２】
２アーム回路構成を得る場合は、上記の１アーム回路構成製作時のタイバーカットプレス金型の上金型にタイバー１１ａを切除するパンチを加えて付設する。かかる状態のタイバーカットプレス金型を用いてプレスカットすることにより、図９(a)(b)に示すように、タイバー１１ｂ及びタイバー１１ａを切除する（タイバーカット工程−２アーム時）。なお、上記と同様にエンドバー１０ｃ，１０ｄから延出するタイバー１１も外部端子３Ｌ，３Ｒから切断分離する。上記ダイとしては、タイバー１１ａに対応した位置にもパンチの抜き孔が形成されたものを用いているから、このダイを変更する必要は無く、１アーム回路構成製作用から２アーム回路構成製作用にタイバーカットプレス金型を変更するためには、ただタイバー１１ａを切除するパンチを加えて付設するだけでよい。
その後、上記の第２サイドバーカット工程（図９(c)）、フォーミング工程（図１０）、固体分離工程を上述と同様に（但し、タイバー１１ａに関する部分を除く）実施して、２アーム回路構成の樹脂封止型半導体装置を得る。
【００２３】
以上のようにして得られた２アーム回路構成の樹脂封止型半導体装置は、図１１、図１２及び図８に示すように、外部端子３Ｌ，３Ｒは２本で、１本１本３Ｌ，３Ｒがそれぞれ、ダイパッド１より高い位置でダイパッド１と略平行にして封止樹脂体２から延出している。その延出方向、すなわち、外端方向に沿って連なる上面が凸の第１曲成部３ｂ、下面が凸の第２曲成部３ｃを介してクランク状に曲成されることにより、第２曲成部３ｃに連なる外端部３ｄがダイパッド１と略平行に配置される。それとともに、外端部３ｄの下面がダイパッド１の下面と略同一平面に配置される。ここで、上下、高さの区別はダイパッドの下面を基準にしている。
【００２４】
その後、１アーム回路構成を得るためには、タイバー１１ａを切除するパンチを上金型から取り外しの上実施すればよいし、さらにその後、２アーム回路構成を得るためには、タイバー１１ａを切除するパンチを上金型に取り付けた上で実施すればよい。したがって、他の変更を要さず、製造の設備効率及び作業効率が良好である。
【００２５】
以上のようにして得られた樹脂封止型半導体装置は、いずれも面実装が可能である。
以上の製造方法によれば、２本の外部端子３Ｌ，３Ｒ間のタイバー１１ａのみを切除する特定パンチをタイバーカットプレス金型に付設するか、付設しないかを選択することによって、面実装型の樹脂封止型半導体装置を共通のリードフレーム１０を用いて１アーム回路構成（特定パンチ不使用時）と２アーム回路構成（特定パンチ使用時）とに造り分けることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の一実施形態に係り、リードフレームの上面図(a)、１つのダイパッドに２つの半導体素子を搭載した状態のリードフレームの上面図(b)、及び１つのダイパッドに他の形態の１つの半導体素子を搭載した状態のリードフレームの上面図(c)である。
【図２】本発明の一実施形態に係り、１つのダイパッドに２つの半導体素子と外部端子とを内部リードで接続した状態のリードフレームの上面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係り、樹脂封止工程を終えた樹脂封止型半導体装置の半完成体の上面図(a)、下面図（ｂ）及び側断面図(c)である。
【図４】本発明の一実施形態に係り、１アーム回路構成を得るためのタイバーカット工程の実施前(a)及び実施後(b)、外部端子切り離し状態(c)を示す工程説明図である。
【図５】本発明の一実施形態に係り、１アーム回路構成に対するフォーミング工程実施後の状態を示す上面図(a)及び下面図(b)である。
【図６】本発明の一実施形態に係る１アーム回路構成の樹脂封止型半導体装置の上面図である。
【図７】本発明の一実施形態に係る１アーム回路構成の樹脂封止型半導体装置の下面図である。
【図８】本発明の一実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の側面図である（１アーム回路構成及び２アーム回路構成共通）。
【図９】本発明の一実施形態に係り、２アーム回路構成を得るためのタイバーカット工程の実施前(a)及び実施後(b)、外部端子切り離し状態(c)を示す工程説明図である。
【図１０】本発明の一実施形態に係り、２アーム回路構成に対するフォーミング工程実施後の状態を示す上面図(a)及び下面図(b)である。
【図１１】本発明の一実施形態に係る２アーム回路構成の樹脂封止型半導体装置の上面図である。
【図１２】本発明の一実施形態に係る２アーム回路構成の樹脂封止型半導体装置の下面図である。
【図１３】カソードコモン型の樹脂封止型半導体装置の構成図(a)、これを１アーム型として使用する場合の構成図(b)、及びその等価回路図(c)である。
【符号の説明】
【００２７】
１     ダイパッド
２     封止樹脂体
３Ｌ，３Ｒ    外部端子
４     内部リード
１０   リードフレーム
１０ａ 第１サイドバー
１０ｂ 第２サイドバー
１１   タイバー
１１a  タイバー
１１b  タイバー
ｃ     半導体素子
ｃ１，ｃ２    半導体素子
【図１】
0005341389.tif 000002
【図２】
0005341389.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
0005341389.tif 000007
【図７】
0005341389.tif 000008
【図８】
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【図９】
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【図１０】
0005341389.tif 000011
【図１１】
0005341389.tif 000012
【図１２】
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【図１３】
0005341389.tif 000014