(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
合金組成において、Gaを0.0005質量％以上0.0027質量％以下含有し、
Ti含有量CTi(質量％)、Zr含有量CZr(質量％)及びV含有量CV(質量％)が0.00035≦CTi＋CZr＋CV≦0.0015なる関係を満たし、かつB含有量が0.0002質量％以下であり、
残部がAl及び不可避的不純物からなり、
表面より深さ5nmまでの層のGa含有量AGa(質量％)と深さ5nmより内部のGa含有量BGa(質量％)との比AGa/BGaが3以下であり、且つ電流密度急増電位(E)が-770mV vs S.C.Eより貴で、-710mV vs S.C.Eより卑である電解コンデンサ電極用アルミニウム材。
【請求項２】
合金組成において、アルミニウム純度が99.98質量％以上であって、Znを0.0002質量％以上含有し、且つZn含有量CZn(質量％)及びGa含有量CGa(質量％)が0.0056≦6CGa＋7CZn≦0.0245なる関係を満たしており、Feを0.0008質量％以上0.004質量％以下、Siを0.0008質量％以上0.004質量％以下、Cuを0.001質量％以上0.008質量％以下、Pbを0.00003質量％以上0.0002質量％以下含有している請求項１に記載の電解コンデンサ電極用アルミニウム材。
【請求項３】
Znを0.0002質量％以上0.0007質量％未満含有する請求項２に記載の電解コンデンサ電極用アルミニウム材。
【請求項４】
Gaの下限値が0.0008質量％以上である請求項３に記載の電解コンデンサ電極用アルミニウム材。
【請求項５】
Gaの下限値が0.001質量％以上である請求項３に記載の電解コンデンサ電極用アルミニウム材。
【請求項６】
請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載されたアルミニウム材に、エッチングを実施する工程を含むことを特徴とする電解コンデンサ用電極材の製造方法。
【請求項７】
エッチングの少なくとも一部が直流電解エッチングである請求項６に記載の電解コンデンサ用電極材の製造方法。
【請求項８】
請求項６または請求項７に記載の製造方法によって製造されたアルミニウム電解コンデンサ用陽極材。
【請求項９】
電極材として請求項６または請求項７に記載の製造方法によって製造されたアルミニウム電極材が用いられていることを特徴とするアルミニウム電解コンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、電解コンデンサ電極用アルミニウム材、電解コンデンサ用電極材の製造方法、アルミニウム電解コンデンサ用陽極材及びアルミニウム電解コンデンサに関する。
【０００２】
なお、この明細書において、「アルミニウム」の語はアルミニウム及びその合金の両者を含む意味で用い、またアルミニウム材には少なくともアルミニウム箔、アルミニウム板及びこれらの成形体が含まれる。
【背景技術】
【０００３】
近年、電子機器の小型化に伴い、電子機器に組み込まれる電解コンデンサ電極用アルミニウム箔についても静電容量の向上が要望されている。
【０００４】
通常、電解コンデンサ電極に使用されるアルミニウム材は、拡面率を高めて静電容量を向上させるためにエッチング処理される。そして、エッチング処理により形成されるエッチピットは高密度且つ均一で深いほど拡面率が高くなる。よって、アルミニウム材にはエッチング適性を改善すべくエッチング処理の前工程として様々な処理が行われている。
【０００５】
例えば、最終焼鈍前の水和処理と最終焼鈍での結晶性酸化膜の形成処理、最終焼鈍前の酸化処理等である（例えば特許文献１及び２）。
【０００６】
また、Zn、Mn、Cu、Fe、Si、Ga、Pb、Mg、B、V、Ti、Zr、Ni、C、P等の種々の元素の含有量を規定して高静電容量を得る方法も提案されている（例えば特許文献３及び４）。
【０００７】
さらに、最終焼鈍後のアルミニウム箔の飽和電流密度と電流密度急増電位について規定し、規定された範囲内の酸化皮膜は表面溶解が抑えられ、静電容量が高いという報告や(例えば特許文献５）、アルミニウム材料内部の孔食電位が-760〜-735mVであり、表面の孔食電位がこれより10〜60mV低い箔は均一に深いエッチングが形成されるという報告もある(例えば特許文献６)。
【特許文献１】特公昭５８−３４９２５号公報
【特許文献２】特開平３−１２２２６０号公報
【特許文献３】特開平２-２７０９２８号公報
【特許文献４】特開平５−５１４５号公報
【特許文献５】特開平１１-３６０３２号公報
【特許文献６】特開平４-１４３２４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上述したような取り組みだけでは、昨今の電解コンデンサの高静電容量化の要求に対して十分な満足を得るものではなかった。特に、特許文献３及び特許文献４に記載された微量元素の含有量制御という技術に関しては、改善の余地がある。
【０００９】
また、特許文献５に記載された飽和電流密度と電流密度急増電位の規定については、表層の酸化膜の特性を規定するものであり、アルミニウム材中の微量含有元素との関係については検討されていない。
【００１０】
また、特許文献６では、表層の孔食電位について、内部よりも卑にすることの重要性が強調されているが、最近のエッチングでは電解エッチングの前に前処理として表層を除去することが多く、表層の制御と共に内部の制御が重要になってきており、表層のみの制御では高容量化に対して、十分なものではなかった。
【００１１】
尚且つ、近年ではエッチングメーカーでは高静電容量とともにコストダウンの要求が益々強くなっており、高静電容量と低コストを共に達成できるようなアルミニウム材が望まれている。
【００１２】
本発明は、このような技術背景に鑑み、三層電解法により精製されたアルミニウム塊よりも安価な偏析法により精製されたアルミニウム塊を多く用いた場合であっても、深いエッチピットを高密度かつ均一に発生させて確実に拡面率を高め、静電容量の増大を図ることができる電解コンデンサ電極用アルミニウム材、電解コンデンサ用電極材の製造方法、アルミニウム電解コンデンサ用陽極材及びアルミニウム電解コンデンサを提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
前記目的は以下の手段によって達成される。
【００１４】
（１）合金組成において、Gaを0.0005質量％以上含有し、表面より深さ5nmまでの層のGa含有量AGa(質量％)と深さ5nmより内部のGa含有量BGa(質量％)との比AGa/BGaが3以下であり、且つ電流密度急増電位(E)が-770mV vs S.C.Eより貴で、-710mV vs S.C.Eより卑である電解コンデンサ電極用アルミニウム材。
【００１５】
（２）合金組成において、アルミニウム純度が99.98質量％以上であって、Znを0.0002質量％以上含有し、且つZn含有量CZn(質量％)及びGa含有量CGa(質量％)が0.0056≦6CGa＋7CZn≦0.0245なる関係を満たしている前項１に記載の電解コンデンサ電極用アルミニウム材。
【００１６】
（３）Feを0.0008質量％以上0.004質量％以下、Siを0.0008質量％以上0.004質量％以下、Cuを0.001質量％以上0.008質量％以下、Pbを0.00003質量％以上0.0002質量％以下含有している前項２に記載の電解コンデンサ電極用アルミニウム材。
【００１７】
（４）Ti含有量CTi(質量％)、Zr含有量CZr(質量％)及びV含有量CV(質量％)が0.00035≦CTi＋CZr＋CV≦0.0015なる関係を満たし、かつB含有量が0.0002質量％以下、Fe、Si、Cu、Ga、Zn、Pb、Ti、Zr、V以外の不純物が各々0.001質量％以下である請求項２または前項３に記載の電解コンデンサ電極用アルミニウム材。
【００１８】
（５）Znを0.0002質量％以上0.0007質量％未満含有する前項２ないし前項４のいずれか１項に記載の電解コンデンサ電極用アルミニウム材。
【００１９】
（６）さらに、Gaを0.0008質量％以上含有する前項５に記載の電解コンデンサ電極用アルミニウム材。
【００２０】
（７）さらに、Gaを0.001質量％以上含有する前項５に記載の電解コンデンサ電極用アルミニウム材。
【００２１】
（８）前項１ないし前項７のいずれか１項に記載されたアルミニウム材に、エッチングを実施する工程を含むことを特徴とする電解コンデンサ用電極材の製造方法。
【００２２】
（９）エッチングの少なくとも一部が直流電解エッチングである前項８に記載の電解コンデンサ用電極材の製造方法。
【００２３】
（１０）前項８または前項９に記載の製造方法によって製造されたアルミニウム電解コンデンサ用陽極材。
【００２４】
（１１）電極材として前項８または前項９に記載の製造方法によって製造されたアルミニウム電極材が用いられていることを特徴とするアルミニウム電解コンデンサ。
【発明の効果】
【００２５】
前項（１）に記載された発明によれば、合金組成において、Gaを0.0005質量％以上含有し、表面より深さ5nmまでの層のGa含有量AGa(質量％)と深さ5nmより内部のGa含有量BGa(質量％)との比AGa/BGaが3以下であり、且つ電流密度急増電位(E)が−770mV vs S.C.Eより貴で、−710mV vs S.C.Eより卑であるから、深いエッチピットを高密度かつ均一に発生させて確実に拡面率を高め、静電容量の増大を図ることができる。しかも、Gaを0.0005質量％以上含有するから、三層電解法よりも安価な偏析法により精製されたアルミニウム塊を多く用いることができ、高静電容量と低コストの要求を併せて実現することができる。
【００２６】
前項（２）に記載された発明によれば、合金組成において、アルミニウム純度が99.98質量％以上であって、Znを0.0002質量％以上含有し、且つZn含有量CZn(質量％)及びGa含有量CGa(質量％)が0.0056≦6CGa＋7CZn≦0.0245なる関係を満たしているから、さらに深くて均一なエッチピットを発生させることができ、さらに静電容量の増大を図ることができる。
【００２７】
前項（３）に記載された発明によれば、Feを0.0008質量％以上0.004質量％以下、Siを0.0008質量％以上0.004質量％以下、Cuを0.001質量％以上0.008質量％以下、Pbを0.00003質量％以上0.0002質量％以下含有しているから、エッチピットの不均一な形成や局部的な発生を抑制しつつエッチピットを成長でき、さらに静電容量を増大できる。
【００２８】
前項（４）に記載された発明によれば、Ti含有量CTi(質量％)、Zr含有量CZr(質量％)及びV含有量CV(質量％)が0.00035≦CTi＋CZr＋CV≦0.0015なる関係を満たし、かつB含有量が0.0002質量％以下、Fe、Si、Cu、Ga、Zn、Pb、Ti、Zr、V以外の不純物が各々0.001質量％以下であるから、エッチピットの不均一な形成や局部的な集中形成を防止し得て、静電容量を増大できる。
【００２９】
前項（５）に記載された発明によれば、Znを0.0002質量％以上0.0007質量％未満含有するから、優れた静電容量を得ることができる。
【００３０】
前項（６）に記載された発明によれば、さらにGaを0.0008質量％以上含有するから、さらに優れた静電容量を得ることができる。
【００３１】
前項（７）に記載された発明によれば、さらにGaを0.001質量％以上含有するから、さらに優れた静電容量を得ることができる。
【００３２】
前項（８）に係る発明によれば、エッチングにより大きな静電容量を有する電解コンデンサ用電極材を製造することができる。
【００３３】
前項（９）に係る発明によれば、エッチングの少なくとも一部を直流エッチングで行うことにより、深くて太い多数のトンネル状ピットを生成することができ、アルミニウム材の組成を規定したことによる前記効果を効率的に発揮させることができる。
【００３４】
前項（１０）に係る発明によれば、高静電容量のアルミニウム電解コンデンサ用陽極材となし得る。
【００３５】
前項（１１）に係る発明によれば、高静電容量のアルミニウム電解コンデンサとなし得る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３６】
本発明に係る電解コンデンサ電極用アルミニウム材において、物性の限定理由、各元素の添加意義および含有量の限定理由は次のとおりである。
【００３７】
まず、アルミニウム材の合金組成において、Ｇａを0.0005質量％以上含有し、表面層(表面より深さ5nmまでの層)のGa含有量AGa(質量％)と深さ5nmより内部のGa含有量BGa(質量％)との比AGa/BGaは3以下であり、且つ電流密度急増電位(E)が-770mV vs S.C.Eより貴で、-710mV vs S.C.Eより卑であることに限定されるのは、次の理由による。
【００３８】
即ち、Gaはアルミニウム材中に固溶し、一段目エッチングのエッチピットの均一化に寄与することができるため、0.0005質量％以上含有させる必要がある。0.0005質量％未満では、この効果が十分ではないうえ、精製コストの面で不利である。しかしながら、Ga含有量が増加していくと電流密度急増電位(E)が貴な方向に移行する。そのため、表面層のGa含有量AGa(質量％)が内部のGa含有量BGa(質量％)との比AGa/BGaで3を超えて濃化すると、表面層では電位が貴になり過ぎてしまうので、逆に、一段目エッチング時のピット発生を妨げ、不均一にする。よって、表面層のGa含有量AGa(質量％)と内部のGa含有量BGa(質量％)との比AGa/BGaは3以下にする必要がある。
【００３９】
電解コンデンサ用アルミニウム箔のエッチピット発生を促進し、表面積を拡大させることでよく知られているPbの場合は、表面層(表面より深さ5nmまでの層)に約1000倍濃化し、拡面効果を発揮するが、Gaの場合は表層に濃化することなく内部のアルミニウム中に固溶することにより、Pbほどの改善効果はないもののピット均一化に寄与するのである。
【００４０】
なお、Gaは偏析法を用いた精製を行う場合、特に平衡分配係数が大きいため、精製効率が良くない。経済的な面から考えて、好ましいGaの範囲は0.0008質量％以上であり、最適範囲は0.001質量％以上である。
【００４１】
また、電流密度急増電位(E)については、-770mV vs S.C.Eより卑になると、材料自体の溶解性が向上し過ぎるため好ましくない。Gaが表面層に濃化する場合、内部では希薄になってしまうため、電流密度急増電位(E)は卑に移行してしまう。表面層のGa含有量と深さ5nmより内部のGa含有量との比を3以下に制御するには、最終焼鈍の条件が大きく影響し、520℃以上の高温で4時間以上の保持を行う必要がある。電流密度急増電位(E)が-710mVより貴になると均一なピットの発生を妨げるので良くない。電流密度急増電位(E)の好ましい範囲は-765mV〜-740mVである。
【００４２】
アルミニウム純度は99.98質量％以上が好ましく、99.98質量％未満では不純物量が多くなって、微量添加元素の含有量を制御しても、エッチング時に過溶解が生じやすくなりエッチング特性が低下する。
【００４３】
合金組成において、Znは0.0002質量％以上含有されるのが好ましい。Znを0.0002質量％未満に抑えようとすると、精製コストの面で不利であるため、経済的に効果的でない。
【００４４】
Znは最終焼鈍後には約5倍程度表層に濃化し、粒界に偏析しやすいという特徴がある。そのため、Znの含有量の最適範囲は0.0002質量％以上、0.0007質量％未満である。
【００４５】
Zn,Gaはそれぞれの上記含有量に加えて、Zn含有量CZn(質量％)及びGa含有量CGa(質量％)が0.0056≦6CGa＋7CZn≦0.0245なる関係を満たしていることが望ましい。アルミニウム材中のGa、Znはアルミニウムマトリックス中に固溶することにより、二段目エッチング時のアルミニウム材の溶解性を増して、エッチピットの拡面効果を促進し、静電容量を増大させる。この効果は、6CGa＋7CZnが0.0056より小さいと十分でない。また、6CGa＋7CZnが0.0245より大きくなると、過溶解を引き起こすので、好ましくない。好ましくは0.0056≦6CGa＋7CZn≦0.0210の範囲であり、最適範囲は0.0056≦6CGa＋7CZn≦0.0189である。
【００４６】
アルミニウム材の化学組成において、Siは再結晶時の結晶粒の粗大化を防止する効果がある。含有量が0.0008質量％未満では前記効果に乏しく、0.004質量％を超えるとエッチピットの分布が不均一になる恐れがあるため、0.0008〜0.004質量％に規定するのが良い。さらにSi含有量の好ましい上限値は0.003質量％である。
【００４７】
Feはアルミニウムに不可避的に含有される元素であり、多量に含有していると最終焼鈍温度によってはＡｌ−Ｆｅ系の析出物を形成してエッチピットの形成を不均一にする恐れがある。Fe含有量が0.004質量％を超えるとＡｌ−Ｆｅ系の析出物を形成しやすくなり、0.0008質量％未満に規制するのは精製コストの面で不利であるため、0.0008〜0.004質量％とするのが良い。さらにFe含有量の好ましい上限値は0.003質量％である。
【００４８】
Cuは、アルミニウムマトリックス中に固溶することにより、アルミニウム材の溶解性を増してエッチピットの成長を促進し、静電容量を増大させる。含有量が0.001質量％未満ではその効果に乏しく、0.008質量％を超えると過溶解となり、エッチング特性を阻害する恐れがあるため、0.001〜0.008質量％の範囲に規定するのが良い。Cu含有量の好ましい下限値は0.003質量％であり、好ましい上限値は0.007質量％である。
【００４９】
Pbは、最終焼鈍時にアルミニウム材表面に濃化し、エッチング初期のエッチピット発生を均一化し、局部的なエッチピット発生を抑制する。0.00003質量％未満では前記効果に乏しく、0.0002質量％を超えるとアルミニウム表面の溶解が激しくなり静電容量が却って低下するため、含有量を0.00003〜0.0002質量％の範囲とするのが良い。Ｐｂ含有量の好ましい下限値は0.00004質量％であり、好ましい上限値は0.00015質量％である。
【００５０】
Ti、ZrおよびVは、Ti含有量CTi(質量％)、Zr含有量CZr(質量％)及びV含有量CV(質量％)が0.00035≦CTi＋CZr＋CV≦0.0015なる関係を満たすようにするのが良い。Ti,Zr,Vのような包晶系元素は偏析法を用いた精製塊を用いる場合、含有量が多くなる元素である。これらの元素はアルミニウムと金属間化合物を形成しやすく、合計で0.0015質量％を超えて含有すると、析出してエッチピットの形成を不均一にする恐れがあり、0.00035質量％未満にするのは、精製コストの面で不利であるため好ましくない。合計含有量の好ましい上限値は0.0011質量％である。
【００５１】
また、B含有量は0.0002質量％以下に規制するのが良い。BはTi、ZrおよびVと化合物を形成すると、エッチピットを局部的に集中発生させるおそれがあるため、可及的に少ないことが好ましく、0.0002質量％以下に規制する。Ｂ含有量の好ましい上限値は0.000１質量％である。
【００５２】
なお、Fe、Si、Cu、Ga、Zn、Pb、Ti、Zr、V以外の不純物は各々0.001質量％以下とするのがよい。各々の不純物が0.001質量％より多くなると、アルミニウム材の溶解性が増し、過溶解となるので好ましくない。
【００５３】
本発明に係る電解コンデンサ電極用アルミニウム材の製造方法は、Gaを0.0005質量％以上含有し、表面より深さ5nmまでの層のGa含有量と深さ5nmより内部のGa含有量との比が3以下であり、且つ電流密度急増電位(E)が-770mV vs S.C.Eより貴で、-710mV vs S.C.Eより卑であるアルミニウム材を製造できる方法であれば特に限定されることはない。
【００５４】
一例を挙げると、二個の冷却ロールの間にアルミニウム溶湯を連続的に挿入し、シート状の鋳塊を得る連続鋳造圧延法が有効である。この方法によれば、1×103℃／sec以上の冷却速度にて、鋳造できるため、鋳塊でのGaの偏析が極力少なくなり、Gaが均一に分布した状態にすることが可能となる。これによって、最終焼鈍時にGaが均一に拡散分布しやすくなるため、箔表面への偏析も起きにくくなる。連続鋳造圧延材の厚さは5mm以上25mm以下とするのが望ましい。この鋳塊が薄いと冷間加工度が不足して、アルミニウム材を直流エッチングする場合に重要となる立方体方位占有率が低くなってしまう。連続鋳造圧延後の冷間圧延、中間焼鈍、最終焼鈍は常法にて行えばよい。場合により、連続鋳造圧延後に、均質化処理、熱間圧延を行い、最終のアルミニウム材の立方体方位占有率を向上させることも可能である。
【００５５】
また、アルミニウム塊の精製は、安価な偏析法により行うのが望ましい。三層電解法により精製されたアルミニウム塊よりも安価な偏析法により精製された低コストのアルミニウム塊を多く用いても、深いエッチピットを高密度かつ均一に発生させて確実に拡面率を高め、静電容量の増大を図ることができ、高静電容量と低コストを共に達成できる。
【００５６】
また、アルミニウム材の厚さは限定されない。箔と称される200μｍ以下のものも、それ以上の厚いものも本発明に含まれる。
【００５７】
本発明に係るアルミニウム材は、拡面率向上のためのエッチングが施されて、電解コンデンサ用電極材として使用される。エッチング処理条件は特に限定されないが、好ましくは直流エッチング法を採用するのが良い。直流エッチング法によって、前記焼鈍において生成が促進されたエッチピットの核となる部分において、深く太くエッチングされ、多数のトンネル状ピットが生成され、高静電容量が実現される。
【００５８】
エッチング処理後、望ましくは化成処理を行って陽極材とするのが良く、特に、中圧用および高圧用の電解コンデンサ電極材として用いるのが良いが、陰極材として用いることを妨げるものではない。また、この電極材を用いた電解コンデンサは大きな静電容量を実現できる。
【実施例】
【００５９】
次に、この発明の具体的実施例について説明する。
【００６０】
箔の製造に際しては、まず、表１に示した組成のアルミニウム合金を連続鋳造圧延して厚さ20mmの帯板状とした。そして、これらを600℃×5hrの条件で均質化処理し、その温度から圧下率：75％で1パス熱間圧延し、圧延後直ちに水冷した。その後、冷間圧延、中間焼鈍を経て厚さ100μｍの箔に圧延し、脱脂洗浄後に、Ar雰囲気中にて表２に示す条件で最終焼鈍を行った。
【００６１】
これらの各箔について、表面層のGa含有量と内部のGa含有量との比及び分極測定時の電流密度急増電位(E)を求めた。
【００６２】
箔の片面から5nmの深さまでの領域（表面層）におけるGa含有量は以下の方法により、測定した。
【００６３】
まず、試験材50cm2の試験片を採取し、この試験片を50℃、0.02質量％NaOH水溶液に浸漬して表面層（表面から5nm深さ）を溶解させ、さらに試験片を1.3mol/l硝酸水溶液で洗浄し、洗浄液を前記NaOH水溶液と混合した。溶解厚さの定量は、プラズマ発光分光分析によるAl溶解量測定値に依った。また、溶解液をICP-MS(誘導結合プラズマ質量分析)によって、表面層のGa量を測定した。内部のGa含有量は、まず箔を1mol／ｌのHCｌ水溶液中に15分間浸漬し、さらに1質量％HF水溶液中に30秒間浸漬、イオン交換水にて水洗後に80℃で乾燥させ、GDMS(グロー放電質量分析)によって、Ga量を測定した。以上の測定結果より、表面層のGa含有量と内部のGa含有量の比（Ga濃度の比）を算出した。算出結果を表２に示す。
【００６４】
また、電流密度急増電位(E)は以下の方法により、測定した。
【００６５】
まず、試験材を50℃、5質量％NaOH水溶液に30秒間浸漬し、水洗し、30質量％HNO3水溶液に60秒間浸漬後、イオン交換水にて、水洗した。この処理のあと、直ちに、あらかじめ100ml/minでN2ガスを30分間以上吹き込みを行い、十分に脱気した40℃、2.67質量％AlCl3水溶液にアルミニウム箔を浸漬し、5分間放置した。その後、自然電位から貴な方向に電位掃引速度20mV/minでアノード分極して電位―電流曲線を得た。測定時に、対極にはプラチナ、照合電極には、飽和カロメル電極（S.C.E）を用いた。この電位―電流密度曲線から、電流密度急増電位(E)を以下のようにして求めた。
１）電位-電流密度曲線(A)を求める(図１)。
２）この電位-電流密度曲線において、電位-900mV vs S.C.E.以上−600 mV vs S.C.E.以下の範囲にて電流密度(mA/cm2)の最小変化率を示す直線(B)、即ち最小変化率を示す位置で接線を引く。
３）電位-電流密度曲線において、電位−900mV vs S.C.E.以上−600 mV vs S.C.E.以下の範囲にて電流密度(mA/cm2)の最大変化率を示す直線(C)、即ち最大変化率を示す位置で接線を引く。
４）(B)、(C)の交点を(P)とし、(P)に対応する電位(E)を電流密度急増電位とする。  
このようにして求めた電流密度急増電位(E)の測定結果を表２に示す。
【００６６】
また、エッチングは以下の方法により行った。
【００６７】
HCl：1mol/lとH2SO4：3.5mol／lを含む液温：75℃の水溶液に浸漬した後、電流密度：0.2Ａ／cｍ2で電解処理を施した。電解処理後のアルミニウム材をさらに前記組成の塩酸−硫酸混合水溶液に90℃にて600秒間浸漬し、エッチングされたアルミニウム材を得た。得られたアルミニウム材を化成電圧：270ＶにてEIAJ規格に従い化成処理して陽極材とし、静電容量を測定した。その結果を比較例No.１の静電容量を１００としたときの相対比較にて、併せて表２に示す。
【００６８】
【表１】
0005117673.tif 000002
【００６９】
【表２】
0005117673.tif 000003
【００７０】
表２の結果より、表面層のGa含有量と内部のGa含有量との比、分極測定時の電流密度急増電位(E)、アルミニウム材の組成が本発明の範囲内にある実施例1〜２５は、これらが本発明範囲を逸脱する比較例１〜２に比べて、エッチングにより静電容量を増大し得ることを確認した。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】電流密度急増電位を求めるための電位―電流密度曲線を示す図である。
【図１】
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