(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
リソグラフィ装置の液浸スペースを液浸液で少なくとも部分的に充填する液浸システムと、
前記リソグラフィ装置の部分の汚染のタイプ及び／又はレベルを検出するインジケータと、
第１クリーナおよび第２クリーナを含む複数の異なるクリーナのうち少なくとも１つのクリーナを含む洗浄液を前記リソグラフィ装置の部分に供給する洗浄液供給システムと、
前記インジケータが検出した前記部分の汚染のタイプ及び／又はレベルに基づいて流体キャリアと混合するための前記第１クリーナと前記第２クリーナとの混合比率を決定し、決定した混合比率で前記流体キャリアに前記第１クリーナと前記第２クリーナとを混合した混合物を前記洗浄液として前記リソグラフィ装置の前記部分に提供するコントローラと、
を備える液浸型リソグラフィ装置。
【請求項２】
前記複数の異なるクリーナのうち１つが、石鹸、アルカリ性流体、酸及び溶剤で構成されたグループから選択された少なくとも１つを含む、請求項１に記載の液浸型リソグラフィ装置。
【請求項３】
前記複数の異なるクリーナのうち１つが石鹸を含む、請求項１に記載の液浸型リソグラフィ装置。
【請求項４】
前記複数の異なるクリーナのうち１つが、１つ又は複数のグリコールエーテル、エステル、アルコール及びケトンから選択された少なくとも１つの溶剤を含む、請求項１に記載の液浸型リソグラフィ装置。
【請求項５】
前記複数の異なるクリーナのうち１つがジエチレングリコールモノブチルエーテル及び／又はエトキシ化第二Ｃ１２−１４−アルコールを含む、請求項１に記載の液浸型リソグラフィ装置。
【請求項６】
前記液浸システムから前記液浸液を受ける第一ドレインと、前記洗浄液を受ける第二ドレインと、前記液浸液及び前記洗浄液のいずれが前記液浸システムから流出するかに応じて、前記液浸システムから流出した液体を前記第一ドレイン及び前記第二ドレインのいずれかに誘導するスイッチと、をさらに備える、請求項１に記載の液浸型リソグラフィ装置。
【請求項７】
前記液浸液を浄化する液体浄化システムと、
前記液浸システムからの前記液浸液を、前記液体浄化システムを通して前記液浸システムに誘導するか、又は、前記洗浄液供給システムからの前記洗浄液を前記液体浄化システムの少なくとも一部を迂回して前記液浸システムに誘導するか、を切り換えるスイッチと、を備える、請求項１に記載の液浸型リソグラフィ装置。
【請求項８】
前記スイッチは、
第一導管を介して前記液体浄化システムへと前記液浸液を誘導するか、または、前記第一導管とは別個の、前記液体浄化システムを迂回する第二導管を介して前記洗浄液供給システムへ前記液浸液を誘導するか、を切り換える、
請求項７に記載の液浸型リソグラフィ装置。
【請求項９】
基板を支持するサポートと、
パターン付き放射ビームを前記基板のターゲット部分に投影する投影システムと、
前記投影システムと前記基板及び／又はサポートの間の空間を液浸液で少なくとも部分的に充填する液体封じ込め構造と、を備える、
請求項１乃至８のいずれか一項に記載の液浸型リソグラフィ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本出願は２００７年１２月２０日に出願され、参照により全体が本明細書に組み込まれる米国仮特許出願第６１／００８，２９９号に対する優先権を主張する。
【０００２】
[0002]  本発明はリソグラフィ装置及びリソグラフィ装置内の汚染を除去又は防止する方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
[0003]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ又は幾つかのダイの一部を備える）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料（レジスト）の層への結像により行われる。一般的に、１枚の基板は、順次パターンが与えられる互いに近接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。従来のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に１回で露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、基板を所定の方向(「スキャン」方向）と平行あるいは逆平行にスキャンしながら、パターンを所定の方向（「スキャン」方向）に放射ビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを具備している。パターンを基板にインプリントすることによっても、パターニングデバイスから基板へとパターンを転写することが可能である。
【０００４】
[0004]  投影システムの最終要素と基板の間の空間を充填するように、リソグラフィ投影装置内の基板を水などの比較的高い屈折率を有する液に液浸することが提案されている。液体は蒸留水でよいが、別の液体を使用することもできる。本明細書の実施形態は、液体について説明されている。しかし、別の流体、特に湿潤性流体、非圧縮性流体及び／又は屈折率が空気より高い、望ましくは屈折率が水より高い流体が適切なことがある。例えばハイドロフルオロカーボンなどの炭化水素である。そのポイントは、露光放射は液体中の方が波長が短いので、結像する形体の小型化を可能にすることである。（液体の効果は、システムの有効開口数（ＮＡ）を大きくでき、焦点深さも大きくすることと見なすこともできる。）固体粒子（例えば石英）が懸濁している水などの、他の液浸液も提案されている。粒子はナノ粒子のサイズでよく、これが懸濁している液体の屈折率を上げる濃度で提供することができる。
【０００５】
[0005]  しかし、基板を、又は基板と基板テーブルを液体の浴槽に浸すこと（例えば参照により全体が本明細書に組み込まれる米国特許ＵＳ４，５０９，８５２号参照）は、スキャン露光中に加速すべき大きい塊の液体があることでもある。これには、追加のモータ又はさらに強力なモータが必要であり、液体中の乱流が望ましくない予測不能な効果を引き起こすことがある。
【０００６】
[0006]  提案されている解決法の１つは、液体供給システムが、液体封じ込めシステムを使用して、基板の局所区域に、及び投影システムの最終要素と基板の間にのみ液体を提供することである（基板は通常、投影システムの最終要素より大きい表面積を有する）。これを配置構成するために提案されている１つの方法が、国際ＰＣＴ特許出願公開ＷＯ９９／４９５０４号で開示されている。図２及び図３に図示されているように、液体が少なくとも１つの入口ＩＮによって基板上に、好ましくは最終要素に対する基板の動作方向に沿って供給され、投影システムの下を通過した後に少なくとも１つの出口ＯＵＴによって除去される。つまり、基板が−Ｘ方向にて要素の下でスキャンされると、液体が要素の＋Ｘ側にて供給され、−Ｘ側にて取り上げられる。図２は、液体が入口ＩＮを介して供給され、低圧源に接続された出口ＯＵＴによって要素の他方側で取り上げられる構成を概略的に示したものである。図２の図では、液体が最終要素に対する基板の動作方向に沿って供給されるが、こうである必要はない。最終要素の周囲に配置された入口及び出口の様々な方向及び数が可能であり、一例が図３に図示され、ここでは各側に４組の入口と出口が、最終要素の周囲の規則的パターンで設けられる。
【発明の概要】
【０００７】
[0007]  トップコート材料、レジスト又は両方の粒子を除去することによって発生する汚染など、リソグラフィ装置の汚染の問題に対応する必要がある。様々なタイプの汚染があり、リソグラフィ装置を洗浄すべき程度及び使用すべきクリーナのタイプは、存在する汚染のタイプに依存することがある。現在の洗浄方法は通常、インライン洗浄ができず、したがってそれを終了させるには装置に有意の停止時間を引き起こすことがある。
【０００８】
[0008]  本発明の実施形態によれば、液浸スペースを液浸液で少なくとも部分的に充填する液浸システムを含む液浸型リソグラフィ装置が提供される。装置は、リソグラフィ装置の部分を洗浄すべきかを示すインジケータ、及びクリーナを含む洗浄液をリソグラフィ装置の部分に供給する洗浄液供給システムも含む。クリーナは、複数の異なるクリーナのうち少なくとも１つである。クリーナ又は各クリーナ又はクリーナの組合せは、リソグラフィ装置の部分にある様々なタイプ及び／又はレベルの汚染物質を洗浄するように構成される。装置は、インジケータから受信した表示に基づいて、複数のクリーナのうちいずれをリソグラフィ装置の部分に提供するかを制御するコントローラも含む。
【０００９】
[0009]  本発明の実施形態によれば、液浸型リソグラフィ装置のインライン洗浄キャビネットが提供される。インライン洗浄キャビネットは、洗浄流体を液浸型リソグラフィ装置に提供する流体出口を含む。キャビネットは、流体出口と流体連絡している複数のクリーナ供給デバイスも含む。クリーナ供給デバイスはそれぞれ、クリーナを流体出口に供給する。キャビネットは、洗浄流体がクリーナの少なくとも１つを含むように、液浸型リソグラフィ装置内にある汚染物質のレベル及び／又はタイプに基づいて、複数のクリーナ供給デバイスを制御するコントローラも含む。
【００１０】
[0010]  本発明の実施形態によれば、液浸型リソグラフィ装置の洗浄方法が提供される。方法は、液浸型リソグラフィ装置内の汚染を感知することを含む。方法は、感知に応答して、複数の洗浄モードから洗浄モードを選択することも含む。方法は、選択された洗浄モードに基づいて、クリーナを洗浄システムから液浸型リソグラフィ装置の汚染された部分に提供することをさらに含む。
【００１１】
[0011]  本発明の実施形態によれば、洗浄流体をインライン洗浄キャビネットから液浸型リソグラフィ装置に供給する方法が提供される。方法は、第一クリーナをインライン洗浄キャビネットに供給し、第二クリーナをインライン洗浄キャビネットに供給し、液浸型リソグラフィ装置内の汚染の量及び／又はタイプを検出することを含む。方法は、検出に基づいて流体キャリアと混合するために、第一クリーナと第二クリーナの比率を割り出し、流体キャリアと第一クリーナ及び／又は第二クリーナとの混合物を液浸型リソグラフィ装置に供給することも含む。
【００１２】
[0012]  本発明の実施形態によれば、液浸型リソグラフィシステムが提供される。システムは、液浸型リソグラフィ装置、液体供給システム、及び洗浄システムを含む。リソグラフィ装置は、基板を支持するサポート、及びパターン付き放射ビームを基板のターゲット部分に投影する投影システムを含む。リソグラフィ装置は、投影システムと基板及び／又はサポートの間の空間を液体で少なくとも部分的に充填する液体封じ込め構造も含む。液体供給システムは、液体を液体封じ込め構造に供給する。洗浄システムは、少なくとも１つのクリーナを液浸型リソグラフィ装置に供給する。洗浄システムは、液体供給システム及び液体封じ込め構造と流体連絡している。
【００１３】
[0013]  本発明の実施形態によれば、液浸型リソグラフィ装置が提供される。装置は、基板を支持するサポート、及びパターン付き放射ビームを基板のターゲット部分に投影する投影システムを含む。装置は、投影システムと基板及び／又はサポートの間の空間を液体で少なくとも部分的に充填する液浸システムも含む。装置は、リソグラフィ装置の少なくとも部分を洗浄する洗浄シーケンスを開始する信号を生成する汚染インジケータを、さらに含む。装置は、洗浄液をリソグラフィ装置の部分に提供する洗浄液供給システムも含み、洗浄液供給システムは複数の異なるクリーナを備え、各クリーナ又はクリーナの組合せは、リソグラフィ装置の部分内にある異なるタイプ及び／又はレベルの汚染を洗浄するように構成される。
【００１４】
[0014]  本発明の実施形態によれば、基板を支持するサポート、及びパターン付き放射ビームを基板のターゲット部分に投影する投影システムを含む液浸型リソグラフィ装置が提供される。装置は、投影システムと基板及び／又はサポートの間の空間を液浸液で少なくとも部分的に充填する液浸システムも含む。装置は、洗浄液をリソグラフィ装置の部分に提供する洗浄液供給システム、及び液浸液か洗浄液が液浸システムから流出するかに応じて、液浸液を第一ドレインに、洗浄液を第二ドレインに誘導するドレインスイッチをさらに含む。
【００１５】
[0015]  本発明の実施形態によれば、基板を支持するサポートを含む液浸型リソグラフィ装置が提供される。装置は、パターン付き放射ビームを基板のターゲット部分に投影する投影システムも含む。装置は、投影システムと基板及び／又はサポートの間の空間を液浸液で少なくとも部分的に充填する液浸システムをさらに含む。装置は、洗浄液をリソグラフィ装置の部分に提供する洗浄液供給システムも含む。液体浄化システムを通して液浸液を誘導し、浄化システムの少なくとも一部を迂回して洗浄液を誘導するように、スイッチが構築及び構成される。
【００１６】
[0016]  本発明の実施形態によれば、基板を支持するサポートを含む液浸型リソグラフィ装置が提供される。装置は、パターン付き放射ビームを基板のターゲット部分に投影する投影システムも含む。装置は、投影システムと基板及び／又はサポートの間の空間を液浸液で少なくとも部分的に充填する液浸システムをさらに含む。装置は、第一導管を介して洗浄液をリソグラフィ装置の部分に提供する洗浄液供給システムも含む。第一導管とは別個の第二導管を介して、液浸液を液体浄化システムへと直接誘導し、洗浄液供給システムを通して液浸液を誘導するように、スイッチが構築及び構成される。
【００１７】
[0017]  本発明の実施形態によれば、液浸型リソグラフィ装置を洗浄する方法が提供される。方法は、液浸型リソグラフィ装置内の汚染を感知し、クリーナを洗浄システムから液浸型リソグラフィ装置へと提供することを含む。方法は、リソグラフィ装置内の液体浄化システムの少なくとも一部をクリーナで迂回し、クリーナで液浸型リソグラフィ装置の部分を洗浄することも含む。
【００１８】
[0018]  本明細書で使用する「クリーナ」は、表面を洗浄することができる任意のタイプの流体を含む。「流体」という用語は、気体、液体又はその任意の組合せ、例えば給湿された気体及び溶解気体を含む液体、又は任意の他の流れる流体、例えば超臨界流体又はネマチック相液晶を含む。本明細書で使用する「洗浄流体」という用語は、通常は低濃度のクリーナとキャリア流体との組合せを指す。本明細書で使用する「洗浄液」という用語は、主に液体である流体と組み合わされているクリーナを指す。本明細書で使用する「液浸流体」及び「液浸液」という用語は、基板の露光中にパターン付き放射ビームが通過する流体を指す。
【００１９】
[0019]  次に、本発明の実施形態を添付の略図を参照しながら、ほんの一例として説明する。図面では対応する参照記号は対応する部品を示している。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】[0020]  本発明の実施形態によるリソグラフィ装置を示した図である。
【図２】[0021]  リソグラフィ投影装置内で使用する液体供給システムを示した図である。
【図３】[0021]  リソグラフィ投影装置内で使用する液体供給システムを示した図である。
【図４】[0022]  リソグラフィ投影装置内で使用するさらなる液体供給システムを示した図である。
【図５】[0023]  さらなる液体供給システムを示した図である。
【図６ａ】[0024]  液体除去デバイスを示した図である。
【図６ｂ】[0024]  液体除去デバイスを示した図である。
【図６ｃ】[0024]  液体除去デバイスを示した図である。
【図７】[0025]  本発明の実施形態による液浸型リソグラフィシステムを示した略図である。
【図８】[0026]  本発明の実施形態による洗浄液供給システムを示した略図である。
【図９】[0027]  本発明の実施形態による液浸型リソグラフィシステムを示した略図である。
【図１０】[0028]  本発明の実施形態による液浸型リソグラフィシステムを示した略図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
[0029]  図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示したものである。この装置は、放射ビームＢ（例えばＵＶ放射又はＤＵＶ放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構成され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第一ポジショナＰＭに接続された支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第二ポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴと、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つ又は複数のダイを含む）に投影するように構成された投影システム（例えば屈折投影レンズシステム）ＰＳとを備える。
【００２２】
[0030]  照明システムは、放射の誘導、整形、又は制御を行うための、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気型等の光学コンポーネント、又はその任意の組み合わせなどの種々の型光学コンポーネントを含んでいてもよい。
【００２３】
[0031]  パターニングデバイス支持構造は、パターニングデバイスの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスを保持する。パターニングデバイス支持構造は、パターニングデバイスを保持するために、機械的、真空、静電気等のクランプ技術を使用することができる。パターニングデバイス支持構造は、例えばフレーム又はテーブルでよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。パターニングデバイス支持構造は、パターニングデバイスが例えば投影システムなどに対して確実に所望の位置にくるようにできる。本明細書において「レチクル」又は「マスク」という用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義と見なすことができる。
【００２４】
[0032]  本明細書において使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分における所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特別な機能層に相当する。
【００２５】
[0033]  パターニングデバイスは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型(alternating)位相シフトマスク、ハーフトーン型(attenuated)位相シフトマスクのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小さなミラーのマトリクス配列を使用し、そのミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを与える。
【００２６】
[0034]  本明細書において使用する「投影システム」という用語は、例えば使用する露光放射、又は液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システム及び静電気光学システム、又はその任意の組合せを含む任意の型投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において「投影レンズ」という用語を使用した場合、これはさらに一般的な「投影システム」という用語と同義と見なされる。
【００２７】
[0035]  ここに示している本装置は透過タイプである（例えば透過マスクを使用する）。あるいは、装置は反射タイプでもよい（例えば上記で言及したような型プログラマブルミラーアレイを使用する、又は反射マスクを使用する）。
【００２８】
[0036]  リソグラフィ装置は２つ（デュアルステージ）又はそれ以上の基板テーブル（及び／又は２つ以上のパターニングデバイス支持構造）を有するタイプでよい。このような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブル及び／又は支持構造を並行して使用するか、１つ又は複数の他のテーブル及び／又は支持構造を露光に使用している間に１つ又は複数のテーブル及び／又は支持構造で予備工程を実行することができる。
【００２９】
[0037]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受ける。放射源とリソグラフィ装置とは、例えば放射源がエキシマレーザである場合に、それぞれ別々の構成体であってもよい。このような場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエクスパンダなどを備えるビームデリバリシステムＢＤの助けにより、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへと渡される。他の事例では、例えば放射源が水銀ランプの場合は、放射源がリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤとともに放射システムと呼ぶことができる。
【００３０】
[0038]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調節するアジャスタＡＤを備えていてもよい。通常、イルミネータの瞳面における強度分布の外側及び／又は内側半径範囲（一般にそれぞれ、σ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。また、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの他の種々のコンポーネントを備えていてもよい。また、イルミネータを用いて放射ビームを調整し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。
【００３１】
[0039]  放射ビームＢは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ上に保持されたパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスによってパターンが与えられる。放射ビームＢはパターニングデバイスＭＡを通り抜けて、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームを集束する投影システムＰＳを通過する。第二ポジショナＰＷ及び位置センサＩＦ（例えば干渉計デバイス、リニアエンコーダ又は容量センサ）の助けにより、基板テーブルＷＴを、例えば放射ビームＢの経路において様々なターゲット部分Ｃに位置決めするように正確に移動できる。同様に、第一ポジショナＰＭ及び別の位置センサ（図１には明示されていない）を使用して、例えばマスクライブラリから機械的に検索した後に、又はスキャン中に、放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めすることができる。一般的に、パターニングデバイス支持構造ＭＴの移動は、第一ポジショナＰＭの部分を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）を用いて実現できる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第二ポジショナＰＷの部分を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールの助けにより実現できる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、パターニングデバイス支持構造ＭＴをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、固定してもよい。パターニングデバイスＭＡ及び基板Ｗは、パターニングデバイスアラインメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アラインメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アラインメントマークは、専用のターゲット部分を占有するが、ターゲット部分の間の空間に配置してもよい（スクライブレーンアラインメントマークと呼ばれる）。同様に、パターニングデバイスＭＡ上に複数のダイを設ける状況では、パターニングデバイスアラインメントマークをダイ間に配置してもよい。
【００３２】
[0040]  図示のリソグラフィ装置は以下のモードのうち少なくとも１つにて使用可能である。
【００３３】
[0041]  １．ステップモードにおいては、パターニングデバイス支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに与えたパターン全体が１回でターゲット部分Ｃに投影される（すなわち１回の静止露光）。次に、別のターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴがＸ方向及び／又はＹ方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、１回の静止露光で像が形成されるターゲット部分Ｃのサイズが制限される。
【００３４】
[0042]  ２．スキャンモードにおいては、パターニングデバイス支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは同期的にスキャンされる一方、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する（つまり１回の動的露光）。パターニングデバイス支持構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）及び像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、１回の動的露光におけるターゲット部分の（非スキャン方向における）幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分の（スキャン方向における）高さが決まる。
【００３５】
[0043]  ３．別のモードでは、パターニングデバイス支持構造ＭＴはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルＷＴを移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルＷＴを移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したような型プログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。
【００３６】
[0044]  上述した使用モードの組合せ及び／又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。
【００３７】
[0045]  局所液体供給システムＩＨがある液浸リソグラフィの解決法が、図４に図示されている。液体が、投影システムＰＬのいずれかの側にある２つの溝入口ＩＮに供給され、入口ＩＮの半径方向外側に構成された複数の別個の出口ＯＵＴによって除去される。入口ＩＮ及びＯＵＴは、中心に穴があり、投影される投影ビームが通る板に配置することができる。液体は、投影システムＰＬの一方側にある１つの溝入口ＩＮによって供給されて、投影システムＰＬの他方側にある複数の別個の出口ＯＵＴによって除去され、これによって投影システムＰＬと基板Ｗの間に液体の薄膜の流れが生じる。どの組合せの入口ＩＮと出口ＯＵＴを使用するかの選択は、基板Ｗの動作方向によって決定することができる（他の組合せの入口ＩＮ及び出口ＯＵＴは動作しない）。
【００３８】
[0046]  提案されている局所液体供給システムの解決法を有する別の液浸リソグラフィの解決法は、液体供給システムに液体封じ込め構造（又はいわゆる液浸フード）ＩＨを提供することである。液体封じ込め構造ＩＨは、図１に示すように、投影システムＰＳの最終要素と基板テーブルＷＴの間にある空間の境界の少なくとも部分に沿って延在する。液体封じ込め構造は、投影システムに対してＸＹ面では実質的に静止していてよいが、Ｚ方向（光軸の方向）には多少の相対運動があってよい。液体封じ込め構造と基板の表面の間に、シールを形成することができる。実施形態では、シールはガスシールなどの非接触シールである。
【００３９】
[0047]  図５を参照すると、リザーバ１１が、投影システムの像フィールドの周囲で基板の非接触シールを形成し、したがって液体が封じ込められて、基板表面と投影システムの最終要素との間の液浸空間又はリザーバ１１を充填する。リザーバ１１は、投影システムＰＬの最終要素の下方に配置され、それを囲む液体封じ込め構造１２によって少なくとも部分的に形成される。投影システムの下方で、液体封じ込め構造１２内の空間に、液体を入れる。液体封じ込め構造１２は、投影システムの最終要素の少し上まで延在し、液体のバッファが提供されるように、液体レベルが最終要素の上まで上昇する。液体封じ込め構造１２は、その上端が実施形態では投影システム又はその最終要素の形状に非常に一致することができ、例えば円形でよい内周を有する。底部では、内周は像フィールドの形状に非常に一致し、例えば長方形であるが、そうである必要はない。
【００４０】
[0048]  液体は、液体封じ込め構造１２の底部と基板Ｗの表面との間のガスシール１６によってリザーバ内に封じ込められる。ガスシールは、気体、例えば空気又は合成空気又はＮ2又は不活性ガスよって形成される。気体は、圧力下で入口１５を介して液体封じ込め構造１２と基板の間のギャップに提供される。気体は第一出口１４を介して抽出される。ガス入口１５への過剰圧力、出口１４の真空レベル、及びギャップの幾何学的形状は、明確に構成される。この構成は、液体を封じ込める内側への高速の気体流を提供することが望ましい。入口及び／又は出口は、空間１１を囲む環状溝でよい。溝は連続的又は不連続的でよい。このようなシステムが、米国特許出願公開ＵＳ２００４−０２０７８２４号で開示されている。
【００４１】
[0049]  それぞれが参照により全体が本明細書に組み込まれる欧州特許出願公開ＥＰ１，４２０，３００号及び米国特許出願公開ＵＳ２００４−０１３６４９４号では、ツイン又はデュアルステージ液浸リソグラフィ装置の概念が開示されている。このような装置には、基板を支持する２つのテーブルが設けられる。第一位置にあるテーブルで、液浸液がない状態でレベリング測定を実行し、液浸液が存在する第二位置にあるテーブルで、露光を実行する。あるいは、装置は、１つのテーブルのみを有する。
【００４２】
[0050]  図６ａ及び図６ｂは、後者が前者の一部の拡大図であるが、液浸フードＩＨと基板Ｗの間の液体を除去するために液浸システム内で使用できる液体除去デバイス２０を示している。液体除去デバイス２０は、わずかに低圧ｐcに維持され、液浸液で充填されたチャンバを備える。チャンバの下面は多孔質部材２１で形成される。多孔質部材２１は、例えば５μｍから５０μｍの範囲の直径ｄholeという小さい穴を多数有する有孔板又は薄い板で形成される。下面は、例えば基板Ｗの表面などの液体が除去される表面から、１ｍｍ未満、望ましくは５０μｍから３００μｍの範囲のギャップ高さｈgapに維持される。実施形態では、多孔質部材２１は少なくともわずかに親液性、つまり水の場合は親水性で、水などの液浸液に対して９０°未満の接触角を有する。
【００４３】
[0051]  低圧ｐcは、多孔質部材２１の穴に形成されたメニスカス２２によって、気体が液体除去デバイスのチャンバに引き込まれることが実質的に防止されるような圧力である。しかし、多孔質部材２１が表面Ｗ上の液体と接触すると、流れを制限するメニスカスがなくなり、液体が液体除去デバイスのチャンバに自由に流入することができる。このようなデバイスは、基板Ｗの表面から液体の大部分を除去することができるが、図面に示すように、液体の薄膜が残ることがある。
【００４４】
[0052]  液体の除去を改良するか、最大限にするために、多孔質部材２１は可能な限り薄くなければならない。液体の圧力ｐgapとチャンバ内の圧力ｐcとの圧力差は可能な限り高くなければならない。ｐcとギャップ内の気体の圧力ｐairとの圧力差は、有意の量の気体が液体除去デバイス２０に引き込まれるのを防止するのに十分なほど低くなければならない。液体除去デバイスに気体が引き込まれるのを防止することが常に可能なわけではないが、多孔質部材は、振動を引き起こし得る大きい不均一な流れを防止する。電気鋳造、フォトエッチング及び／又はレーザ切断によって作成されたマイクロシーブを、多孔質部材２１として使用することができる。適切なシーブを、オランダのEerbeekのStock veco B.V.が作成している。他の多孔質板又は多孔質材料の中実ブロックも使用することができる。しかし、孔のサイズは、使用中に経験する圧力差でメニスカスを維持するのに適切でなければならない。
【００４５】
[0053]  このような液体除去デバイスを、多くのタイプの液体封じ込め構造１２に組み込むことができる。一例が、米国特許出願公開ＵＳ２００６−００３８９６８号に開示されているように、図６ｃに図示されている。図６ｃは、投影システムＰＳ（図６ｃには図示せず）の露光フィールドの周囲の少なくとも一部にリング（本明細書では、リングは円形、長方形又は任意の他の形状でよい）を形成する液体封じ込め構造１２の一方側の断面図である。この実施形態では、液体除去デバイス２０は、液体封じ込め構造１２の下側の最内縁付近にリング形チャンバ３１によって形成される。チャンバ３１の下面は、以上で説明したように多孔質部材３０で形成される。リング形チャンバ３１は適切な１つ又は複数のポンプに接続されて、チャンバから液体を除去する、及び／又は所望の低圧を維持する。使用時には、チャンバ３１は液体で一杯であるが、明快さを期して空の状態で図示されている。
【００４６】
[0054]  リング形チャンバ３１の外側には、気体抽出リング３２及び気体供給リング３３がある。気体供給リング３３はその下部分に連続的又は不連続的でよい狭いスリットを有し、スリットから逃げる気体がガスナイフ３４を形成するような圧力で、例えば空気、人工空気又はフラッシングガスなどの気体が供給される。ガスナイフを形成する気体は、気体抽出リング３２に接続された適切な真空ポンプによって抽出することができる。その結果となる気体流が、残留した液体を全て内側に押しやり、ここで液体除去デバイス及び／又は真空ポンプで除去することができ、これは液浸液及び／又は小さい液体小滴の蒸気に耐性がなければならない。しかし、液体の大部分は液体除去デバイス２０によって除去されるので、真空システムを介して除去される少量の液体が、振動を引き起こし得る不安定な流れを引き起こさない。
【００４７】
[0055]  チャンバ３１、気体抽出リング３２、気体供給リング３３及び他のリングは、本明細書ではリングと説明されているが、これが露光フィールドを囲むか、完全である必要はない。実施形態では、このような入口及び出口は、例えば図２、図３及び図４に示すように、単純に露光フィールドの１つ又は複数の側に沿って部分的に延在する円形、長方形又は他のタイプの要素でよい。
【００４８】
[0056]  図６ｃに示す装置では、ガスナイフを形成する気体の大部分は、気体抽出リング３２を介して抽出される。多少の気体が液浸フードの周囲の環境へと流入し、干渉計位置測定システムＩＦを潜在的に妨害することがある。これは、ガスナイフの外側に追加の気体抽出リングを設けることによって防止することができる。
【００４９】
[0057]  このような単相抽出機を液浸フード又は液体封じ込めシステム又は液体供給システム内で使用できる方法のさらなる例が、例えば欧州特許出願公開ＥＰ１，６２８，１６３号及び米国特許出願公開ＵＳ２００６−０１５８６２７号に見られる。大部分の出願では、多孔質部材が液体供給システムの下側にある。基板Ｗが投影システムＰＳの下方で移動できる最高速度は、少なくとも部分的に多孔質部材２１を通して液体を除去する効率によって決定される。１つの問題は、幾つかの穴が、結像中に基板から分離されたレジストなどの残骸によって閉塞されることである。これは、液体供給システム又は液浸フードから液体が漏れずに、基板及び／又は基板テーブルを動かすことができる最高速度を低下させることがある。
【００５０】
[0058]  上述し、図面で図示した液体封じ込め構造の実施形態は例として提供されたもので、いかなる意味でも制限するものではない。例えば、液体封じ込めシステムは、ガスナイフ及び／又は液体抽出機の実施形態など、米国特許出願公開第２００７−０２６８４６６号に開示された特徴を含むことができる。
【００５１】
[0059]  図１を参照すると、本発明の実施形態のリソグラフィ装置１は、基板テーブルＷＴ、又は存在する場合は基板Ｗ、液浸封じ込め構造ＩＨ及び投影システムＰＳによって規定された液浸空間を有する液浸システムを備える。液浸封じ込め構造ＩＨ、投影システムＰＳ及び／又は基板テーブルＷＴの表面など、液浸流体と接触する表面の１つ又は複数の汚染は、除去しないと時間とともに蓄積する。
【００５２】
[0060]  図７は、図１のリソグラフィ装置１、さらに洗浄液供給システム２００を含む液浸型リソグラフィシステム１００の実施形態を示す。液浸型リソグラフィシステム１００は液浸液供給システム３００も含むことができる。洗浄液は、洗浄液供給システムによって、液浸流体と接触するリソグラフィ装置の表面に供給することができる。洗浄液は、汚染物質の蓄積を防止する、及び／又はこのような表面上に存在する汚染物質を除去するのに役立つことができる。
【００５３】
[0061]  リソグラフィ装置１は、汚染インジケータＣＩを含んでよい。汚染インジケータＣＩは、洗浄が望ましいという表示を提供するために使用することができる。例えば、汚染インジケータＣＩは、以前の洗浄動作以降にリソグラフィ装置１内で露光されている基板の数を数えるカウンタを含むことができる。汚染インジケータＣＩは、特定数の基板が露光された場合に、リソグラフィ装置の部分であるコントローラに信号を提供するように構成することができる。特定数は、経験的なデータに基づいて割り出すか、液浸流体と接触する材料のタイプに基づいて予想される汚染レベルに基づいて割り出すことができる。実施形態では、汚染インジケータＣＩは、以前の洗浄動作以降に経過した時間を追跡するように構成することができる。汚染インジケータＣＩは、特定量の時間が経過した後に、信号をコントローラ１４０に提供することができる。実施形態では、汚染インジケータＣＩはコントローラ１４０の部分である。
【００５４】
[0062]  汚染インジケータＣＩは代替的又は追加的に、リソグラフィ装置内又はその近傍に位置して、汚染の量及び／又はタイプを検出するように構成された１つ又は複数のセンサＳと連絡することができる。センサＳは、液体封じ込め構造の中又はその上に位置してよい。実施形態では、センサＳは、液浸流体中の汚染粒子を計数するように構成されたインライン粒子カウンタでよい。汚染インジケータＣＩは、インライン粒子カウンタが実行した測定の長期傾向分析を提供するように構成することができる。汚染インジケータＣＩは、特定の予め決定されたレベルの粒子に到達した場合に信号を提供することができる。特定の予め決定された継続時間でこのレベルの粒子が検出されると、信号を提供することができる。リソグラフィ装置内の１つ又は複数の他のセンサを使用して、汚染インジケータをトリガし、洗浄動作を開始できるように信号をコントローラに提供することができる。例えば、液体封じ込め構造の液体閉じ込め性能が汚染により劣化していることを示すために、液体封じ込め構造の温度測定値を監視することができる。このようなセンサが、参照により全体が本明細書に組み込まれた２００７年９月２７日出願の米国仮特許出願第６０／９６０，３８６号に記載されている。
【００５５】
[0063]  液浸液供給システム３００は、リソグラフィ装置１で使用する液浸液を準備するように構築及び構成された様々なコンポーネントを含むことができる。実施形態では、液浸液は超純水でよく、液浸液供給システム３００は、液浸液供給システム３００に供給されている水の純度を改良するために使用できる１つ又は複数の様々なフィルタを含むことができる。実施形態では、液浸液供給システム３００は、１つの使用点キャビネット３０２内に含むことができる。
【００５６】
[0064]  図７に示すように、液浸液供給システム３００は、洗浄液供給システム２００と流体連絡し、洗浄液供給システム２００は、リソグラフィ装置１と流体連絡している。実施形態では、液浸液供給システム３００から流出する液体が洗浄液供給システム２００を迂回するように、液浸液供給システム３００は、リソグラフィ装置１と直接流体連絡することができる。液浸液供給システム３００は、洗浄液供給システム２００も封入するエンクロージャ内に位置してよい。洗浄液供給システム２００は、リソグラフィ装置１も封入するエンクロージャ内に位置してよい。実施形態では、液浸リソグラフィシステム１００は、１つのエンクロージャ内に封入することができる。
【００５７】
[0065]  図８は、洗浄液供給システム２００の実施形態をさらに詳細に示す。図示のように、洗浄液供給システム２００は、１つの使用点キャビネット２０２、入口２１０、出口２１２、及び入口２１０を出口２１２に接続する導管２１４を含む。本明細書で使用する「導管」('conduit')という言葉は、流体を１つの位置から別の位置へと搬送するのに適切な任意の構成を有することができ、いかなる意味でも制限するとは見なされない。入口２１０は液浸液供給システム３００と流体連絡し、出口はリソグラフィ装置１と流体連絡している。洗浄液供給システム２００は、複数のクリーナ源又は供給源２２０、２２２、２２４を含む。図８には３つのクリーナ源が図示されているが、洗浄液供給システム２００内に含まれるクリーナ源は、これより多いか、少なくてもよい。図８の各クリーナ源２２０、２２２、２２４は、コンテナ内の洗浄液供給システム２００に設けられるか、導管を介して外部の源から設けることができる。クリーナ源２２０、２２２、２２４を表すボックスは、実際のコンテナの形態であるか、より大きい供給源への接続部の形態で、クリーナの源を概略的に図示している。
【００５８】
[0066]  クリーナ源２２０、２２２、２２４毎に、混合器２３２を介してクリーナ源２２０、２２２、２２４を導管２１４に接続する個々の導管内に、クリーナ供給デバイス２２６、２２８、２３０を設けることができる。クリーナ供給デバイス２２６、２２８、２３０は、個々のクリーナを特定の流量及び／又は特定の継続時間で混合器２３２に提供するように構成される。流量及び／又は継続時間は、リソグラフィ装置内で実行しなければならない洗浄のタイプ及び／又は洗浄の継続時間によって決定することができる。クリーナ供給デバイス２２６、２２８、２３０はそれぞれ、ポンプ、弁、又は個々のクリーナ源２２０、２２２、２２４からの個々のクリーナの流れを制御するために使用できる任意の他のタイプのデバイスを含むことができる。実施形態では、クリーナ供給デバイスの少なくとも１つが、窒素などの気体で加圧された加圧供給コンテナとの組合せで使用される質量流量コントローラを含むことができる。
【００５９】
[0067]  洗浄液供給システム２００はコントローラ２４０を含んでよい。コントローラ２４０は、図７に示すようにリソグラフィ装置１の部分であるか、それに付随するコントローラ１４０と連絡している。以上で検討したように、汚染インジケータＣＩが汚染の存在又は洗浄が望ましいことを示した場合、信号をコントローラ１４０に送信することができる。これで、コントローラ１４０は信号をコントローラ２４０に送信し、特定のタイプの洗浄を実行すべきであることを示すことができる。実施形態では、汚染インジケータＣＩはコントローラ２４０と直接連絡することができる。コントローラ２４０は、図８に示すようにクリーナ供給デバイス２２６、２２８、２３０と連絡し、以下でさらに詳細に説明するように、リソグラフィ装置１内で所望される洗浄のタイプに従って、クリーナ供給デバイス２２６、２２８、２３０の動作を制御するように構成することができる。
【００６０】
[0068]  洗浄液供給システム２００は、入口２１０に入る液体の流れを制御し、入口２１０に入る液体が混合器２３２に流入するか、迂回路２１６を介して混合器２３２を迂回するかを制御するように構築及び構成された流れ制御デバイス２５０を含むことができる。流れ制御デバイス２５０は３方弁、ポンプ、又は洗浄液供給システム２００に入る液体の流れの量及び／又は方向を制御できる任意の他のデバイスを含むことができる。流れ制御デバイス２５０はコントローラ２４０と信号で連絡することができ、したがってコントローラ２４０は洗浄液供給システム２００に入る液体の流れを制御することができる。例えば、リソグラフィ装置１が露光状態で動作すべき場合、コントローラ２４０は、混合器２３２を迂回し、クリーナが一切混合されずに液体をリソグラフィ装置１に提供できるように、信号を流れ制御デバイス２５０に提供することができる。実施形態では、迂回路が提供されず、クリーナが混合器２３２に提供されていない場合、洗浄液供給システム２００に入る液体が混合器を通って流れることができる。
【００６１】
[0069]  洗浄液供給システム２００の構成により、リソグラフィ装置１内で、特に液浸流体がリソグラフィ装置の部分、例えば液体封じ込め構造、投影システム及び／又は基板テーブルと接触する位置で、様々な洗浄モードを実行可能にすることができる。例えば、軽度の、又はそれほど攻撃的ではない洗浄を実行すべき状況に合わせて、洗浄モードを構成することができる。このような洗浄モードは、特定数の基板露光の後、又は特定の使用回数の後に、汚染センサによってリソグラフィ装置内で特に検出されている汚染物質が最小限であるか、ない場合でも、日常洗浄に適切なことがある。センサがリソグラフィ装置内に汚染を検出した場合など、より攻撃的な洗浄が望ましい状況には、別の洗浄モードを構成することができる。特定の予め決定された洗浄要求に基づく追加の洗浄モードを提供することができる。コントローラ２４０は、様々な洗浄モードで予めプログラムし、どの洗浄モードが望ましいかに応じて、適切な洗浄供給デバイス２２６、２２８、２３０のうち１つ又は複数を作動させるように構成することができる。実施形態では、コントローラ２４０は使用者が再プログラムするか、プログラム可能にすることができる。
【００６２】
[0070]  システムは、汚染インジケータＣＩが洗浄を始動する信号を提供していない場合でも、使用者が洗浄モードを始動できるように構成されたユーザインタフェース２０４を含むことができる。ユーザインタフェース２０４は、汚染表示ＣＩ及び／又はセンサＳによってコントローラ１４０、２４０に提供されている情報を使用者に提供するように構成されたディスプレイを含むことができる。ユーザインタフェース２０４はコントローラ１４０と信号で連絡することができ、したがって使用者が洗浄モードを始動すると、洗浄モードの開始前に、リソグラフィ装置１内で適切な予防措置を執ることができる。これで、コントローラ１４０がコントローラ２４０に信号を送り、リソグラフィ装置１に洗浄液を受ける準備が整ったら、洗浄モードを開始する。これはシステムに追加の融通性を与えることができ、したがってオフラインの汚染検出方法がリソグラフィ装置内に汚染があり得ることを示した場合、使用者は洗浄サイクルを始動することができる。
【００６３】
[0071]  クリーナ源２２０によって提供されたクリーナは、元素の水素Ｈと酸素Ｏで構成された成分、例えば過酸化水素Ｈ2Ｏ2などの水溶性洗浄成分で構成するか、それで基本的に構成することができる。この材料は、汚染を除去するために効果的な洗浄作用を有し、それでも装置に損傷を引き起こす可能性は低下する。過酸化水素での洗浄は、例えばレジスト及びトップコートなど、基板上に存在する有機プロセス層に由来する破片又は他の粒子を除去するために特に効果的である。過酸化水素は、取り扱いが比較的安全で単純な材料でもあり、これより酸化性の他の材料ほどコンポーネント表面を腐食しない。単独で使用する場合の過酸化水素の適切な濃度は、最大１０％であり、実施形態では０．１％から５％である。通常、使用できる濃度は２．５％である。
【００６４】
[0072]  洗浄源２２２によって提供されるクリーナは、オゾンＯ3で構成されるか、それで基本的に構成することができる。実施形態では、リソグラフィ装置に提供される洗浄液はオゾンを含む。オゾンは、例えば参照により全体が本明細書に組み込まれる２００７年７月２４日出願の米国特許出願第６０，９３５，０３７号に記載されているように、現場で発生させるか、外部のオゾン源を使用することができる。オゾンの濃度は、１ｐｐｍから５０ｐｐｍから選択、例えば１ｐｐｍから２０ｐｐｍから選択、又は１ｐｐｍから１０ｐｐｍから選択することができる。
【００６５】
[0073]  実施形態では、洗浄液は洗浄源２２０からの過酸化水素及び洗浄源２２２からのオゾンを含む超純水で構成するか、それで基本的に構成することができ、これは一般的にperoxoneとして知られるクリーナを生成する。例えばコントローラ２４０が、リソグラフィ装置を洗浄するためにより積極的な洗浄モードを使用すべきだと決定した場合、コントローラ２４０は１つ又は複数のクリーナ供給デバイス２２６、２２８、２３０に信号を送り、適切な量の個々のクリーナを洗浄源２２０、２２２、２２４から混合器へと提供することができる。例えば、過酸化水素とオゾンの組合せは、部分的に自然反応して、高い酸化性の種ＯＨ（ヒドロキシルラジカル）を生成する反応性混合物である。この組合せは、ＵＶ放射を加えずにＯＨラジカルを生成することができるので有利である。したがって、液浸空間の濡れた表面を全部洗浄することができ、洗浄は、ＵＶ放射に露光できる表面に限定されない。peroxoneでの洗浄は、酸素、オゾン、及び過酸化水素などのこれより弱い洗浄剤で除去することが困難なような多くのタイプの汚染物質に効果的である。
【００６６】
[0074]  洗浄液中のオゾンの典型的な濃度は、０．１ｐｐｍから２０ｐｐｍから選択され、例えば少なくとも１ｐｐｍ、２ｐｐｍ又は少なくとも５ｐｐｍである。オゾンの濃度は通常、１５ｐｐｍ又は１２ｐｐｍでよい。約１０ｐｐｍが望ましい。洗浄液中の過酸化水素の典型的な濃度は、０．１ｐｐｍから１０ｐｐｍから選択され、例えば少なくとも０．５ｐｐｍ又は少なくとも１ｐｐｍである。過酸化水素の濃度は通常、８ｐｐｍ又は５ｐｐｍでよい。約２ｐｐｍの過酸化水素が望ましい。peroxone混合物は、過酸化水素とオゾンの濃度が０．２：１から０．５：１の比率で使用する場合、さらに効果的なことがある。実施形態では、混合物の成分の濃度は、２．５ｐｐｍの過酸化水素と１０ｐｐｍのオゾンでよい。
【００６７】
[0075]  実施形態では、クリーナ源２２０、２２２、２２４の少なくとも１つは、洗剤、石鹸、酸、アルカリなどの別のクリーナ、又は無極性有機溶剤又は極性有機溶剤などの溶剤、又はリソグラフィ装置に適切な任意の他のクリーナを含むことができる。例えば、クリーナは、ジエチレングリコールモノブチルエーテル及び／又はエトキシ化第二Ｃ１２−１４−アルコール、例えばアルディルオキシポリエチレンオキシエタノールを含んでよい。実施形態では、クリーナは水、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、及びエトキシ化第二Ｃ１２−１４−アルコール、例えばＴＬＤＲ−Ａ００１又はＴＬＤＲ−Ａ００１−Ｃ４の混合物でよく、これはTokyo Ohko Kogyo Co., Ltd.が製造している。コントローラ２４０は、別の洗浄モードでこのようなクリーナを提供するようにプログラムすることができ、これは使用者が規定することができる。
【００６８】
[0076]  実施形態では、クリーナは水と、１つ又は複数のグリコールエーテル、エステル、アルコール及びケトンから選択した溶剤と界面活性剤を含むことができる。実施形態では、水は清浄であり、例えば水は超純水でよい。溶剤は、除去される汚染物質との十分な整合を有するように選択しなければならない。これは例えば、ハンセン理論（例えばCharles M. HansenによるHansen Solubility Parameters第２版、CRC press、ISBN 0-8493-7248参照）を使用して割り出すことができる。通常溶剤は、ハンセン理論を使用して割り出した少なくとも５０％の整合を有する（つまりハンセン溶解度球の中心近くに位置する）。使用される溶剤は通常、水中で完全に混合可能でもある。実施形態では、溶剤は水中で１０重量％を超える溶解度を有してよい。実施形態では、溶剤は３８℃、例えば７０℃又は約９３℃を上回る引火点を有してよい。
【００６９】
[0077]  洗浄流体に使用するグリコールエーテルは、プロピレングリコールメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、ジプロピレングリコールメチルエーテル（ＤＰＧＭＥ）、トリプロピレングリコールメチルエーテル（ＴＰＧＭＥ）、プロピレングリコールエチルエーテル（ＰＧＥＥ）、プロピレングリコールノルマルプロピルエーテル（ＰＧＰＥ）、ジプロピレングリコールノルマルプロピルエーテル（ＤＰＧＰＥ）、プロピレングリコールノルマルブチルエーテル（ＰＧＢＥ）、ジプロピレングリコールノルマルブチルエーテル（ＤＰＧＢＥ）、トリプロピレングリコールメチルエーテル（ＴＰＧＢＥ）及びプロピレングリコール第三ブチルエーテルなどのプロピレングリコールエーテルと、ジエチレングリコールメチルエーテル（ＤＥＧＭＥ）、ジエチレングリコールエーテルエーテル（ＤＥＧＥＥ）、ジエチレングリコールプロピルエーテル（ＤＥＧＰＥ）、エチレングリコールブチルエーテル（ＥＧＢＥ）及びジエチレングリコールブチルエーテル（ＤＥＧＢＥ）などのエチレングリコールエーテルと、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）及びジプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＤＰＧＭＥＡ）などのプロピレングリコールエーテルアセテートと、エチレングリコールブチルエーテルアセテート（ＥＧＢＥＡ）及びジエチレングリコールブチルエーテルアセテート（ＤＥＧＥＡ）などのエチレングリコールエーテルアセテートと、を含んでよい。実施形態では、グリコールエーテルはＤＥＧＢＥ、ＤＥＧＰＥ、ＰＧＭＥ及びＤＰＧＭＥから選択することができる。実施形態では、グリコールエーテルはＤＥＧＢＥである。
【００７０】
[0078]  洗浄流体に使用するエステルは、エステルの機能を有する化合物を含むことができる。適切な化合物は乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチル、ガンマブチロラクトン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸ｔ−ブチル及び酢酸ガンマブチロールを含む。実施形態では、エステルは二塩基エステルである。実施形態では、エステルは乳酸エチル又は乳酸ブチルである。
【００７１】
[0079]  洗浄流体に使用するケトンは、シクロヘキサノン又はジアセトンアルコールを含むことができる。
【００７２】
[0080]  洗浄流体に使用するアルコールは、メタノール、エタノール、イソプロパノールなどのプロパノール、ｔ−ブチルアルコール、４−メチル−２−ペンタノール及びシクロヘキサノールを含むことができる。
【００７３】
[0081]  実施形態では、溶剤は１つ又は複数のグリコールエーテル又はエステルから選択される。１つの実施形態では、溶剤は１つ又は複数のグリコールエーテルから選択される。
【００７４】
[0082]  実施形態では、溶剤はＤＥＧＢＥ又は乳酸エチルから選択される。実施形態では、溶剤はＤＥＧＢＥである。
【００７５】
[0083]  実施形態では、界面活性剤は１つ又は複数の非イオン、陽イオン又は陰イオン界面活性剤から選択される。実施形態では、界面活性剤は１つ又は複数の非イオン界面活性剤から選択される。実施形態では、界面活性剤は、分子量が１０００から３０００の酸化エチレン／酸化プロピレンブロック共重合体である非イオン界面活性剤を含む。適切な界面活性剤は、ＢＡＳＦからの  Ｐｌｕｒｏｎｉｃ（登録商標）Ｌ６１である。実施形態では、界面活性剤はＡｉｒ  ＰｒｏｄｕｃｔｓのＥｎｖｉｒｏｇｅｎ（登録商標）ＡＤ０１などの消泡湿潤剤を含む。
【００７６】
[0084]  実施形態では、洗浄流体はｐＨ調整剤をさらに含む。ｐＨ調整剤が存在する場合は、これを使用して、洗浄流体のｐＨを確実に７から１０に、例えば８から１０又は９から１０にすることができる。適切なｐＨ調整剤は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム又は燐酸緩衝液などの無機塩基を含んでよい。溶液のｐＨが上昇すると、汚染物質と表面の間の接着力を低下させることができ、したがってその結果、洗浄をさらに効率的にすることができる。しかし、ｐＨが１０を超えるまで上昇することは通常、回避しなければならない。というのは、例えばレンズなどのリソグラフィ装置の部品に損傷を引き起こすことがあるからである。
【００７７】
[0085]  実施形態では、洗浄流体には窒素を含む化合物がなくてよい。実施形態では、洗浄流体はアンモニア及びアミンがなくてよい。これらの化合物は揮発性アルカリであり、フォトレジストの処理に悪影響を及ぼすことがある。
【００７８】
[0086]  実施形態では、クリーナ源の少なくとも１つは酸素を含むことができる。洗浄液中の酸素濃度は、最高１０ｐｐｍ、例えば最高５ｐｐｍ又は最高２ｐｐｍでよい。最高酸素濃度は、大気を使用した最高酸素飽和度である。酸素を富化した混合気を使用することができ、これはより高い飽和レベルを達成することができる。酸素を富化した混合気をして、最高５０ｐｐｍの濃度を達成することができる。クリーナとして酸素を使用することは、安全性の観点から非常に有益なことがある。さらに、ＵＶ放射を適用することにより、酸素を現場で活性化して、オゾンなどのより酸化性の洗浄種にすることができる。その結果、既知の洗浄剤では除去が困難なことがある部分的に炭化した材料などの汚染物質を除去することなど、効果的な洗浄を達成することができる。
【００７９】
[0087]  実施形態では、本発明の実施形態の洗浄液の洗浄力は、洗浄液のＵＶ照射によって増大させることができる。超純水及び酸素を含む洗浄液の場合は、現場で液浸空間にオゾンを発生するので、このような照射が特に望ましい。オゾンは、ＯＨラジカルなどの非常に酸化性の種を提供するために、リソグラフィ装置内でさらに活性化することができる。洗浄液が過酸化水素及び／又はオゾンを含む実施形態では、照射しなくても洗浄が非常に効果的である。しかし、ＵＶ照射は、高度に反応性のＯＨラジカルの形成を可能にするか、増大させ、それによって洗浄効果を改良することができる。例えば、ＯＨ種が存在すると、液浸空間内で炭化した、又は部分的に炭化した汚染物質の洗浄が改良される。
【００８０】
[0088]  使用するＵＶ放射は、装置の投影システムによって、又は低圧水銀灯又はエキシマレーザなどの別個のＵＶ放射源によって提供することができる。適切な波長は通常、約２５０ｎｍ以下である。洗浄液中にオゾンが存在する場合は、２２０ｎｍ未満の波長が望ましい。というのは、２２０ｎｍを超える波長はオゾンの破壊を誘発し、酸素にするからである。実施形態では、１９３ｎｍの波長の放射を使用することができる。
【００８１】
[0089]  ＵＶ放射をクリーナと組み合わせて使用してはならない実施形態では、クリーナがリソグラフィ装置に供給されようとしていることを示す信号をリソグラフィ装置のコントローラ１４０へと提供するように、コントローラ２４０を構成することができる。それに応答して、コントローラ１４０は、洗浄液がリソグラフィ装置を通って流れる時に、放射源をオフに切り換えるか、他の方法で放射が洗浄液に到達するのを防止することができる。
【００８２】
[0090]  出口２１２を介して洗浄液供給システム２００を出る洗浄液は、例えばリソグラフィ装置を通して洗浄液をフラッシュすることによって、液浸空間に供給することができる。洗浄液は、液浸液と同じ入口システム、例えば図２、図３及び図４に示すような入口ＩＮ又は図５の入口１３を使用して、液浸空間に供給することができる。実施形態では、洗浄液は、基板テーブルなどのリソグラフィ装置内に位置する専用の洗浄ステーションに供給することができる。したがって、液浸空間を通る洗浄液の連続的な流れを使用することができる。フラッシュプロセスは、任意の望ましい時間長だけ継続することができるが、洗浄効果を提供するには、例えば最長半時間、例えば１５分間、最長１０分間、又はわずか最長５分間のフラッシュで十分であることが予想される。洗浄液は追加的又は代替的に、液浸空間に供給し、フラッシュするか、ポンプで汲み出すまでに、ある期間（例えば最長１５分間、最長１０分間又は最長５分間）だけその空間に保持しておくことができる。このプロセスを１回又は複数回繰り返してよい。
【００８３】
[0091]  洗浄後、液浸空間は超純水で濯ぐことができる。本明細書で説明した１つ又は複数の洗浄液の利点は、超純水で濯ぐことによって、洗浄液の全痕跡を除去することが容易なことである。したがって、濯ぎは例えば半時間で終了することができる。
【００８４】
[0092]  したがって洗浄プロセス全体を、装置の最長停止時間がわずか１時間という状態で終了することができる。したがって、洗浄をより頻繁に実行することができる。頻繁な洗浄は、汚染レベルを常に非常に低レベルに維持できるという利点を有する。所望に応じて、本明細書で説明した洗浄プロセスを、機械的噴霧又は超音波洗浄技術など、これほど頻繁ではない１つ又は複数のオフラインでよい洗浄プロセスと組み合わせて実行することができる。しかし、本明細書で説明する洗浄プロセス及び／又は洗浄液を使用することの利点は、このようなオフライン洗浄方法を実行する頻度を低下させるか、このようなオフラインの技術を完全になくすことができることである。
【００８５】
[0093]  実施形態では、基板がない状態で洗浄を実行することができる。つまり、基板テーブルＷＴが洗浄液に曝露している。図１に示すように、基板テーブルの部分のみが、通常は液浸空間の部分である。実施形態では、基板テーブルの様々な部分が洗浄液に曝露するように、洗浄液が液浸空間内にある間に、基板テーブルを移動させることができる。これによって、実質的に基板テーブル全体を洗浄可能にすることができる。基板テーブルは、液浸流体の汚染物質源になることがある。基板が存在しない状態での洗浄では、基板テーブルが液浸システムの他の表面を相互汚染できることがある。実施形態では、基板が基板テーブルの所定の位置にあるか、基板テーブル上にダミー基板がある状態で、洗浄を実行することができる。
【００８６】
[0094]  洗浄液供給システムの全ての実施形態は、リソグラフィ装置に供給されているクリーナの濃度を割り出す１つ又は複数のセンサを有することができる。センサは、洗浄液供給システム２００の出口２１２付近、又は洗浄液供給システム２００をリソグラフィ装置１に接続する導管に配置することができる。
【００８７】
[0095]  洗浄液は、液浸空間の表面及び／又は液浸流体と接触する他の表面の汚染を除去するために、液体封じ込め構造を通過することができる。使用済み洗浄液は、溶解した気体を含むことがあり、次に例えば液体封じ込め構造に閉じ込められた空気とともに、液体封じ込め構造を出て、出口システムに流入することができる。出口流体は、次に液体相と気体相を分離する分離器を通過することができる。オゾンが存在する場合はこれを除去するチャコールフィルタを気体が通過した後に到達するガスブリードを介して、気体相を放出することができる。使用済み洗浄液からオゾンを除去するために、他の方法を使用してもよい。例えば、ＵＶ放射破壊装置ランプの照明下を気体相が通過するにつれ、オゾンを除去することができる。次に、液体相が脱ガス装置を通過することができ、これが溶解したオゾンを除去する。任意の適切なタイプの脱ガス装置を使用することができる。例えば膜系脱ガス装置、空気混入脱ガス装置又は柱形脱ガス装置である。次に、脱ガス装置を出た液体を排液することができる。
【００８８】
[0096]  図７に示すように、ドレインスイッチ４００を使用して、リソグラフィ装置を出る液体の流れを複数の異なるドレインＤ１、Ｄ２のうち少なくとも１つに誘導することができる。２つのドレインが図示されているが、追加のドレインを使用してよい。図示の実施形態は、いかなる意味でも制限的ではない。ドレインスイッチ４００は、コントローラ２４０及び／又はコントローラ１４０に連絡していてよい。ドレインスイッチ４００は、リソグラフィ装置と流体連絡している少なくとも１つの入口、及びそれぞれがドレインＤ１、Ｄ２と流体連絡している出口を有するマニホルドを含んでよい。図示の実施形態では、マニホルドは３方弁であるが、任意の適切な構成を使用することができる。
【００８９】
[0097]  ドレインＤ１の１つは、３方弁又は使用者が流体をリサイクルサイクルに、又は廃棄用の廃棄物ドレインに誘導できるようにする任意の他のタイプのマニホルドをさらに含むことができる。このようなリサイクルシステムは、冷却目的で、又は液浸液としても、リソグラフィ装置又は任意の他の装置で流体を再使用できるように使用することができる。このようなリサイクルシステムの潜在的な利点は、停止時間を短縮し、動作速度を改良することによって、リソグラフィ装置の運転費用を削減することを含む。また、ドレインスイッチ４００を含めると、通常の液体（例えば水）のドレイン内にクリーナが存在することを回避することができる。他方のドレインＤ２は、リソグラフィ装置を出た洗浄液を含め、自身を通って流れる全ての液体を安全に廃棄するように構築及び構成することができる。ドレインＤ２は、ストリッパ、又は廃棄物ドレイン内で最終的に廃棄する前に液体をさらに処理できる任意の他のデバイスに接続することができる。実施形態では、図４に示す２つの廃棄物ドレインは、同じ廃棄物ドレインでよい。
【００９０】
[0098]  ドレインスイッチ４００をコントローラ１４０、２４０と信号で連絡させることによって、洗浄シーケンスが開始すると、洗浄液がドレインＤ１ではなくドレインＤ２へと流れることができるように、ドレインＤ１、Ｄ２を切り換えることができる。代替的又は追加的に、コントローラ１４０、２４０と連絡しているセンサＳＤをリソグラフィ装置の出口とドレインスイッチ４００の間に配置することができる。センサＳＤは、ドレインスイッチ４００を適切な構成へと切り換えられるように、ドレインスイッチ４００へと流れる液体中にクリーナがあるか否かを検出するように構成することができる。このような構成は、液体がさらなる処理のために適切なドレインへと流れることができるようにする。例えば、液体をリサイクルする場合は、液体がリサイクルするほど十分に純粋であるかを割り出すために、汚染物質（例えばクリーナ）の特定の閾値を使用することができる。液体が閾値を超える汚染物質を含む場合は、液体を廃棄物ドレインへと誘導することができる。特定の閾値は予め決定していてよい。
【００９１】
[0099]  実施形態では、液浸リソグラフィシステム１００は複数のドレインスイッチを含むことができ、これはリソグラフィ装置の複数の出口と流体連絡し、コントローラ１４０と信号で連絡している。このような構成では、冷却流体などのリソグラフィ装置で使用する他の流体を、使用者が規定できる適切なドレインへと誘導できるようにすることができる。
【００９２】
[00100]  図９に示すように、液浸リソグラフィシステム１００は、洗浄液がリソグラフィ装置１の液体浄化システム１５５の少なくとも一部を迂回できるように構築及び構成されたスイッチ１５０を含むことができる。図示の実施形態では、液体浄化システム１５５は熱交換器１６０及び粒子フィルタ１７０を含む。液体浄化システム１５５は、自身を通って流れる液体の溶解気体含有率を低下させるように構成された少なくとも１つの脱ガスユニット（図示せず）も含むことができる。熱交換器１６０及び粒子フィルタ１７０は通常、比較的大きい容積を有して、比較的低い流速を提供し、これによって化学物質をフラッシュするのが困難になることがある。リソグラフィ装置１を露光モードで動作させる前に、リソグラフィ装置１から洗浄液をフラッシュすることが望ましい。
【００９３】
[00101]  リソグラフィ装置１から洗浄液をフラッシュするのにかかる継続時間を短縮するか、最短に抑えるために、洗浄液が熱交換器１６０及び粒子フィルタ１７０を通過するのを防止することが望ましい。コントローラ１４０は、洗浄液供給システム２００のコントローラ２４０が洗浄モードを開始した場合に、信号をスイッチ１５０に提供して、洗浄液の流れを迂回路１８０へと誘導するように構成することができる。スイッチ１５０は、図示のように３方弁の形態か、任意のタイプの適切なマニホルドでよい。３方弁などの弁１９０を迂回路１８０の端部に設けて、液体浄化システム１５５の迂回部分を出る経路に流路を再結合することができる。次に、洗浄液は液体封じ込め構造ＩＨなどのリソグラフィ装置の他の部分へと流れることができる。洗浄モードの最後に、同じ流路を、つまり迂回路１８０を通して、液浸液などのクリーナを含まない流体、又は任意の他の適切な流体でフラッシュすることができる。
【００９４】
[00102]  図１０は、洗浄液供給システム２００からの洗浄液を、図７及び図９に示す液浸リソグラフィシステム１００の実施形態と比較して、液体封じ込め構造ＩＨにさらに近いリソグラフィ装置１内の位置へと送出するように構築及び構成された液浸リソグラフィシステム５００の実施形態を示す。図示のように、洗浄液供給システム２００は、入口２１０に入る液体の流れを制御し、入口２１０に入る液体が混合器２３２に流入するか、迂回路５１６を介して混合器２３２を迂回するかを制御するように構築及び構成された流れ制御デバイス５５０を含むことができる。実施形態では、流れ制御デバイス５５０は、洗浄液供給システムの部分ではない、液体供給システム３００の部分である、又は液体供給システム３００と洗浄液供給システム２００の間に配置することができる。
【００９５】
[00103]  流れ制御デバイス５５０は３方弁、ポンプ、又は洗浄液供給システム２００に入る液体の流れの量及び／又は方向を制御できる任意の他のデバイスを含むことができる。流れ制御デバイス５５０は、コントローラ２４０が洗浄液供給システム２００に入る液体の流れを制御することができるように、コントローラ２４０（以下で検討）と信号で連絡することができる。例えば、リソグラフィ装置１が低圧状態で動作する場合、コントローラ２４０は、混合器２３２を迂回し、クリーナが混合しない状態で液体をリソグラフィ装置１に提供できるように、流れ制御デバイス５５０に信号を提供することができる。
【００９６】
[00104]  図１０に示すように、迂回路５１６は流れ制御デバイス５５０から液体浄化システム１５５へと延在し、その詳細については以上で検討している。したがって、迂回路５１６は、迂回路５１６が洗浄液供給システム２００からのクリーナで汚染できないように、洗浄液供給システム２００を迂回するように構成される。別個の導管１２が洗浄液供給システム２００内の混合器２３２から、液体浄化システム１５５の下流に配置された流れ制御デバイス５３０へと延在する。以下でさらに詳細に検討するように、液体封じ込め構造ＩＨから洗浄液をフラッシュするために必要な時間の量を短縮できるように、流れ制御デバイス５３０は、リソグラフィ装置１内の液体封じ込め構造ＩＨの近傍に配置することが望ましい。
【００９７】
[00105]  図示のように、別の流れ制御デバイス５４０を流れ制御デバイス５３０と液体封じ込め構造ＩＨの間に配置し、自身を通過する液体の流れを液体封じ込め構造ＩＨへ、又は導管５５２を介してドレインスイッチ５６０へと誘導するように構成する。ドレインスイッチ５６０は３方弁、又は以上で検討したようにドレインスイッチに入る液体の流れをリサイクルシステムへ、又は廃棄物ドレインへと誘導できる任意の他のタイプの流れ制御デバイスでよい。
【００９８】
[00106]  動作時には、液浸リソグラフィ装置が基板に曝露する場合、流れ制御デバイス５５０は液体供給システム３００から入口２１０を介して受けた液体を、迂回路５１６を介して液体浄化システム１５５へと誘導するように構成することができる。液体が液体浄化システムを通過した後、これは流れ制御デバイス５３０、５４０を通って液体封じ込め構造ＩＨへと流れることができる。所望に応じて、液体が液体封じ込めシステムＩＨではなく、ドレインスイッチ５６０へと流れることができるように、流れ制御デバイス５４０を切り換えることができる。液体が汚染されていない場合は、これをリサイクルシステムへと誘導することができるが、液体中に汚染が検出された場合は、液体を廃棄物ドレインへと誘導することができる。
【００９９】
[00107]  液体封じ込めシステムＩＨを洗浄することが望ましい場合、流れ制御デバイス５５０は、入口２１０を介して液体供給システム３００から受けた液体を混合器２３２へと誘導するように信号を送り、ここで以上で検討した洗浄剤の１つ又は複数の、以上で検討したように液体と混合することができる。その結果の洗浄液は、次に流れ制御デバイス５３０へ、さらに流れ制御デバイス５４０を通って液体封じ込めシステムＩＨへと流れることができる。洗浄サイクルが終了すると、流れ制御デバイス５３０は、導管５１２からの洗浄液の流れを遮断し、液体浄化システム１５５からの液体によってリソグラフィ装置１からの残りの洗浄液を全てフラッシュできるようにすることができる。それとほぼ同時に、流れ制御デバイス５５０は、入口２１０を通って流れる液体の方向を切り換えて、混合器２３２ではなく迂回路５１６に入れることができる。流れ制御デバイス５４０及びドレインスイッチ５６０は、クリーナの痕跡を有する液体を全て廃棄物ドレインへと誘導できるように制御することもできる。
【０１００】
[00108]  液体供給システム３００からの液体が、洗浄流体を液浸リソグラフィ装置１へと送出するのに使用するのと同じ導管ではなく、別個の導管５１６を通ってリソグラフィ装置１へと流れることが可能になることにより、液浸リソグラフィ装置１から洗浄流体をフラッシュするのにかかる時間の量を短縮することができる。
【０１０１】
[00109]  本明細書の各実施形態のフィーチャは、適宜、１つ又は複数の他の実施形態のフィーチャと組み合わせることができる。
【０１０２】
[00110]  第一の態様では、液浸空間を液浸液で少なくとも部分的に充填するように構成された液浸システムと、リソグラフィ装置の部分を洗浄すべきかを示すように構成されたインジケータと、クリーナを含む洗浄液をリソグラフィ装置の部分に供給するように構成された洗浄液供給システムとを備え、クリーナは複数の異なるクリーナのうち少なくとも１つであり、各クリーナ又はクリーナの組合せは、リソグラフィ装置の部分内にある異なるタイプ及び／又はレベルの汚染を洗浄するように構成され、インジケータから受信した表示に基づいて、複数のクリーナのいずれをリソグラフィ装置の部分に提供するかを制御するように構成されたコントローラを備える液浸型リソグラフィ装置が提供される。任意選択で、液浸型リソグラフィ装置は、インライン洗浄キャビネットをさらに備え、複数の異なるクリーナ及びコントローラがインライン洗浄キャビネット内に配置される。液浸型リソグラフィ装置は、液浸液が液浸空間を部分的に充填する前に、インライン洗浄キャビネットを通過するように構成することが望ましい。任意選択で、複数の異なるクリーナのうち１つは過酸化水素を含む。任意選択で、複数の異なるクリーナのうち１つはオゾンを含む。供給されるクリーナはperoxoneであることが望ましい。任意選択で、複数の異なるクリーナのうち１つは、石鹸、アルカリ性流体、及び酸で構成されたグループから選択された少なくとも１つ、及び溶剤を含む。複数の異なるクリーナのうち１つは石鹸を含むことが望ましい。複数の異なるクリーナのうち１つは、１つ又は複数のグリコールエーテル、エステル、アルコール及びケトンから選択された少なくとも１つの溶剤を含むことが望ましい。任意選択で、複数の異なるクリーナのうち１つは、ジエチレングリコールモノブチルエーテル及び／又はエトキシ化第二Ｃ１２−１４−アルコールを含む。任意選択で、インジケータは、ｉ）以前の洗浄動作以降に露光した基板の数を計数するように構成された露光カウンタ、ｉｉ）以前の洗浄動作以降の継続時間を計時するように構成されたタイマ、ｉｉｉ）特定の時間量にわたって液浸システムを励起した汚染物質粒子の数を計数するように構成された粒子カウンタ、及びｉｖ）リソグラフィ装置内の特定の汚染レベルを感知するように構成されたセンサ、で構成されたグループから選択された少なくとも１つを備える。任意選択で、液浸型リソグラフィ装置は、液浸システムから液浸液を受けるように構成された第一ドレイン、洗浄液を受けるように構成された第二ドレイン、及び液浸液か洗浄液が液浸システムから流出するかに応じて、液浸システムから流出する液体を第一ドレイン又は第二ドレインへと誘導するように構成されたスイッチをさらに備える。第一ドレインは、液浸システムを再使用するために液浸液を浄化するように構成された液浸液リサイクルシステムに接続することが望ましい。
【０１０３】
[00111]  第二の態様では、液浸型リソグラフィ装置のインライン洗浄キャビネットが提供され、インライン洗浄キャビネットは、洗浄流体を液浸型リソグラフィ装置へと提供するように構築及び構成された流体出口と、流体出口と流体連絡し、それぞれがクリーナを流体出口に供給するように構築及び構成された複数のクリーナ供給デバイスと、洗浄流体がクリーナのうち少なくとも１つを含むように、液浸型リソグラフィ装置内の汚染のレベル及び／又はタイプに基づいて複数のクリーナ供給デバイスを制御するように構成されたコントローラと、を備える。任意選択で、インライン洗浄キャビネットは、液浸型リソグラフィ装置内で使用する液浸流体を受けるように構築及び構成され、流体出口と流体連絡している流体入口、及び流体入口、複数のクリーナ供給デバイス及び流体出口と流体連絡し、クリーナのうち少なくとも１つを液浸流体と混合するように構築及び構成された混合器をさらに備え、混合器は、コントローラと信号で連絡している。液浸流体は超純水であることが望ましい。任意選択で、コントローラは、液浸型リソグラフィ装置のコントローラと連絡するように構成する。インライン洗浄キャビネットのコントローラは、液浸型リソグラフィ装置内で露光が実行されている場合に、洗浄流体が流体出口から流出するのを防止するように構成することが望ましい。任意選択で、クリーナのうち少なくとも１つは過酸化水素を含む。インライン洗浄キャビネットは、過酸化水素の保存コンテナをさらに備えることが望ましい。任意選択で、クリーナのうち少なくとも１つはオゾンを含む。インライン洗浄キャビネットはオゾン発生装置を備えることが望ましい。任意選択で、クリーナのうち少なくとも１つはジエチレングリコールモノブチルエーテル及び／又はエトキシ化第二Ｃ１２−１４−アルコールを含む。任意選択で、コントローラは、液浸型リソグラフィ装置内の汚染インジケータと連絡するように構成され、汚染インジケータは、液浸型リソグラフィ装置内の汚染のレベル及び／又はタイプを検出するように構成される。
【０１０４】
[00112]  第三の態様では、液浸型リソグラフィ装置を洗浄する方法が提供され、方法は、液浸型リソグラフィ装置内の汚染を感知し、感知に応答して複数の洗浄モードから洗浄モードを選択し、選択された洗浄モードに基づいて洗浄システムからのクリーナを液浸型リソグラフィ装置の汚染部分に提供することを含む。任意選択で、複数の洗浄モードはそれぞれ、異なるクリーナに対応する。任意選択で、選択は、感知された汚染のタイプ及び／又はレベルに基づく。任意選択で、複数の洗浄モードのうち１つで提供されるクリーナは、過酸化水素を含む。複数の洗浄モードのうち１つで提供されるクリーナは、peroxoneを含むことが望ましい。任意選択で、複数の洗浄モードのうち１つで提供されるクリーナは、オゾン、アルカリ、石鹸及び酸で構成されたグループから選択された少なくとも１つを含む。複数の異なるクリーナのうち１つは石鹸を含むことが望ましい。複数の異なるクリーナのうち１つは、１つ又は複数のグリコールエーテル、エステル、アルコール及びケトンから選択された少なくとも１つの溶剤を含むことが望ましい。任意選択で、複数の洗浄モードのうち１つで提供されるクリーナは、ジエチレングリコールモノブチルエーテル及び／又はエトキシ化第二Ｃ１２−１４−アルコールを含む。任意選択で、方法は、クリーナが液浸型リソグラフィ装置から複数のドレインのうち１つへと流れるように、ドレインスイッチを１つの位置から別の位置へと切り換えることをさらに含む。任意選択で、洗浄システムはインライン洗浄キャビネット内に配置され、インライン洗浄キャビネットは液浸型リソグラフィ装置と流体連絡している。任意選択で、方法は、クリーナを液浸型リソグラフィ装置に提供されている流体と混合することをさらに含む。流体は超純水を含むことが望ましい。
【０１０５】
[00113]  第四の態様では、洗浄流体をインライン洗浄キャビネットから液浸型リソグラフィ装置へと供給する方法が提供され、方法は、第一クリーナをインライン洗浄キャビネットに供給し、第二クリーナをインライン洗浄キャビネットに供給し、液浸型リソグラフィ装置内の汚染の量及び／又はタイプを検出し、検出に基づいて、流体キャリアと混合する第一クリーナと第二クリーナの比率を割り出し、流体キャリアと第一クリーナ及び／又は第二クリーナとの混合物を液浸型リソグラフィ装置に供給することを含む。任意選択で、方法は、流体キャリアをインライン洗浄キャビネットに供給することをさらに含む。任意選択で、方法は、液浸型リソグラフィ装置の動作に基づいて、混合物を液浸型リソグラフィ装置にいつ供給するかを制御することをさらに含む。方法は、液浸型リソグラフィ装置内で露光動作を実行している場合に、混合物が液浸型リソグラフィ装置に供給されるのを防止することをさらに含むことが望ましい。任意選択で、方法は、第一クリーナ及び／又は第二クリーナを流体キャリアと混合することをさらに含む。第一クリーナは過酸化水素を含むことが望ましく、混合することは、混合物が約１％の過酸化水素を含むように、過酸化水素を流体キャリアと混合することを含む。第一クリーナは過酸化水素を含み、第二クリーナはオゾンを含むことが望ましく、混合することは、混合物が約３ｐｐｍから約５ｐｐｍの過酸化水素及び約１０ｐｐｍのオゾンを含むように、過酸化水素とオゾンを混合する。第二クリーナを供給することは、オゾンを発生することを含むことが望ましい。任意選択で、流体キャリアは超純水を含む。任意選択で、方法は、検出に基づいて複数の洗浄モードから洗浄モードを選択することをさらに含み、比率は、選択された洗浄モードに基づいて割り出される。
【０１０６】
[00114]  第五の態様では、液浸型リソグラフィシステムが提供され、システムは、基板を支持するように構築及び構成されたサポート、パターン付き放射ビームを基板のターゲット部分に投影するように構築及び構成された投影システム、及び投影システムと基板及び／又はサポートの間の空間を液体で少なくとも部分的に充填するように構成された液体封じ込め構造を備える液浸型リソグラフィ装置と、液体を液体封じ込め構造に供給するように構築及び構成された液体供給システムと、クリーナを液浸型リソグラフィ装置に供給するように構築及び構成され、液体供給システム及び液体封じ込め構造と流体連絡している洗浄システムと、を具備する。任意選択で、洗浄システムは複数の異なるクリーナを含み、各クリーナ又はクリーナの組合せは、リソグラフィ装置の部分にある異なるタイプ及び／又はレベルの汚染を洗浄するように構成され、センサから受信した入力に基づいて、複数のクリーナのいずれをリソグラフィ装置に提供するかを制御するように構成されたコントローラをさらに含む。複数の異なるクリーナのうち１つは過酸化水素を含むことが望ましい。複数の異なるクリーナのうち１つはオゾンを含むことが望ましい。複数の異なるクリーナのうち１つは石鹸、アルカリ性流体、及び酸で構成されたグループから選択された少なくとも１つ、及び溶剤を含むことが望ましい。複数の異なるクリーナのうち１つは石鹸を含むことが望ましい。複数の異なるクリーナのうち１つは１つ又は複数のグリコールエーテル、エステル、アルコール及びケトンから選択された少なくとも１つの溶剤を含むことが望ましい。複数の異なるクリーナのうち１つは、ジエチレングリコールモノブチルエーテル及び／又はエトキシ化第二Ｃ１２−１４−アルコールを含むことが望ましい。洗浄システムはインライン洗浄キャビネットを備えることが望ましい。インライン洗浄キャビネットは、クリーナを含む洗浄流体を液浸型リソグラフィ装置に提供するように構築及び構成された流体出口と、流体出口と流体連絡し、それぞれがクリーナを流体出口に供給するように構築及び構成された複数のクリーナ供給デバイスと、洗浄流体が複数のクリーナ供給デバイスからのクリーナの少なくとも１つを含むように、液浸型リソグラフィ装置内の汚染のレベル及び／又はタイプに基づいて複数のクリーナ供給デバイスを制御するように構成されたコントローラと、を備えることが望ましい。任意選択で、液浸型リソグラフィシステムはエンクロージャをさらに備え、液体供給システム及び洗浄システムがエンクロージャ内に配置される。任意選択で、液浸型リソグラフィシステムはエンクロージャをさらに備え、洗浄システム及び液浸型リソグラフィ装置がエンクロージャ内に配置される。
【０１０７】
[00115]  第六の態様では、液浸型リソグラフィ装置が提供され、装置は、基板を支持するように構築及び構成されたサポートと、パターン付き放射ビームを基板のターゲット部分に投影するように構築及び構成された投影システムと、投影システムと基板及び／又はサポートの間の空間を液浸液で少なくとも部分的に充填するように構成された液浸システムと、リソグラフィ装置の少なくとも部分を洗浄するように構成された洗浄シーケンスを始動する信号を生成するように構築及び構成された汚染インジケータと、リソグラフィ装置の部分に洗浄液を提供するように構成された洗浄液供給システムと、を備え、洗浄液供給システムは複数の異なるクリーナを備え、各クリーナ又はクリーナの組合せは、リソグラフィ装置の部分にある異なるタイプ及び／又はレベルの汚染を洗浄するように構成されている。任意選択で、インジケータは、ｉ）以前の洗浄動作以降に露光した基板の数を計数するように構成された露光カウンタ、ｉｉ）以前の洗浄動作以降の継続時間を計時するように構成されたタイマ、ｉｉｉ）特定の時間量にわたって液浸システムを励起した汚染物質粒子の数を計数するように構成された粒子カウンタ、及びｉｖ）リソグラフィ装置内の特定の汚染レベルを感知するように構成されたセンサ、で構成されたグループから選択された少なくとも１つを備える。任意選択で、液浸型リソグラフィ装置は、液浸システムから液浸液を受けるように構成された第一ドレインと、洗浄シーケンス中に提供される洗浄液を受けるように構成された第二ドレインと、液浸液か洗浄液が液浸システムから流出するかに応じて、液浸システムを流出する液体を第一ドレイン又は第二ドレインに誘導するように構成されたスイッチと、をさらに備える。第一ドレインは、液浸システムで再使用するために液浸液を浄化するように構成された液浸液リサイクルシステムに接続することが望ましい。
【０１０８】
[00116]  第七の態様では、基板を支持するように構築及び構成されたサポートと、パターン付き放射ビームを基板のターゲット部分に投影するように構築及び構成された投影システムと、投影システムと基板及び／又はサポートの間の空間を液体で少なくとも部分的に充填するように構成された液浸システムと、洗浄液をリソグラフィ装置の部分に提供するように構成された洗浄液供給システムと、液浸液か洗浄液が液浸システムから流出するかに応じて、液浸液を第一ドレインに、洗浄液を第二ドレインに誘導するように構築及び構成されたドレインスイッチと、を備える液浸型リソグラフィ装置が提供される。
【０１０９】
[00117]  第八の態様では、液浸型リソグラフィ装置が提供され、装置は、基板を支持するように構築及び構成されたサポートと、パターン付き放射ビームを基板のターゲット部分に投影するように構築及び構成された投影システムと、投影システムと基板及び／又はサポートの間の空間を浸漬液で少なくとも部分的に充填するように構成された液浸システムと、クリーニング液をリソグラフィ装置の部分に提供するように構成された洗浄液供給システムと、液体浄化システムを通って液浸液を誘導し、液体浄化システムの少なくとも一部では洗浄液が迂回するように誘導するように構築及び構成されたスイッチと、を備える。任意選択で、浄化システムの一部は熱交換器を備える。任意選択で、浄化システムの一部は粒子フィルタを備える。
【０１１０】
[00118]  第九の態様では、液浸型リソグラフィ装置が提供され、装置は、基板を支持するように構築及び構成されたサポートと、パターン付き放射ビームを基板のターゲット部分に投影するように構築及び構成された投影システムと、投影システムと基板及び／又はサポートの間の空間を液浸液で少なくとも部分的に充填するように構成された液浸システムと、第一導管を介して洗浄液をリソグラフィ装置の部分に提供するように構成された洗浄液供給システムと、第一導管とは別個の第二導管を介して液浸液を液体浄化システムへと直接誘導し、洗浄液供給システムを通って液浸液を誘導するように構築及び構成されたスイッチと、を備える。
【０１１１】
[00119]  第十の態様では、液浸型リソグラフィ装置を洗浄する方法が提供され、方法は、液浸型リソグラフィ装置内の汚染を感知し、クリーナを洗浄システムから液浸型リソグラフィ装置へと提供し、リソグラフィ装置内の液体浄化システムの少なくとも一部をクリーナで迂回し、液浸型リソグラフィ装置の部分をクリーナで洗浄することを含む。任意選択で、迂回することは、熱交換器を迂回することを含む。任意選択で、迂回することは、粒子フィルタを迂回することを含む。
【０１１２】
[00120]  本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることは言うまでもない。例えば、これは、集積光学装置、磁気ドメインメモリ用誘導及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどである。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ、「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことは、当業者に明らかである。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、計測ツール及び／又は検査ツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに、基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板を指すことができる。
【０１１３】
[00121]  本明細書で使用する「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ若しくは１２６ｎｍ、又はの波長を有する）を含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。
【０１１４】
[00123]  「レンズ」という用語は、状況が許せば、屈折及び反射光学部品を含む様々な型光学部品のいずれか、又はその組合せを指す。
【０１１５】
[00123]  以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。例えば、本発明の実施形態は、上記で開示したような方法を述べる機械読み取り式命令の１つ又は複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、又はこのようなコンピュータプログラムを内部に記憶したデータ記憶媒体（例えば半導体メモリ、磁気又は光ディスク）の形態をとることができる。さらに、機械読み取り式命令を、２つ以上のコンピュータプログラムで実現することができる。２つ以上のコンピュータプログラムを、１つ又は複数の異なるメモリ及び／又はデータ記憶媒体に記憶することができる。
【０１１６】
[00124]  上述したコントローラは、信号を受信、処理及び送信する任意の適切な構成を有することができる。例えば、各コントローラは、上述した方法の機械読み取り式命令を含むコンピュータプログラムを実行するために、１つ又は複数の処理装置を含むことができる。コントローラは、このようなコンピュータプログラムを記憶するデータ記憶媒体及び／又はこのような媒体を受けるハードウェアも含むことができる。
【０１１７】
[00125]  本発明の１つ又は複数の実施形態は、液浸液を槽の形態で提供するか、基板の局所表面区域にのみ提供するか、封じ込めないかにかかわらず、任意の液浸リソグラフィ装置に、特に排他的ではないが上述したタイプに適用することができる。封じ込めない構成では、液浸液は基板及び／又は基板テーブルの表面上に流れることができ、したがって基板テーブル及び／又は基板の覆われていないほぼ全表面が濡れる。このように封じ込められていない液浸システムでは、液体供給システムは液浸液を封じ込めない、又はある割合の液浸液の封じ込めを提供することができるが、液浸液をほぼ完全には封じ込めない。
【０１１８】
[00126]  本明細書で想定するような液浸システムは、広義に解釈されたい。特定の実施形態では、これは投影システムと基板及び／又は基板テーブルの間の空間に液体を提供する機構又は構造の組合せでよい。これは、１つ又は複数の構造、１つ又は複数の液体入口、１つ又は複数の気体入口、１つ又は複数の気体出口、及び／又は液体を空間に提供する１つ又は複数の液体出口の組合せを備えてよい。実施形態では、空間の表面が基板及び／又は基板テーブルの一部であるか、空間の表面は基板及び／又は基板テーブルの表面を完全に覆うか、空間が基板及び／又は基板テーブルを囲んでよい。液浸システムは任意選択で、液体の位置、量、品質、形状、流量又は任意の他の特徴を制御する１つ又は複数の要素をさらに含んでよい。装置を制御する１つ又は複数の制御要素を設けることができる。コントローラは、１つ又は複数のコンピュータプログラムを実行するように動作できる処理装置を有することができる。
【０１１９】
[00127]  装置に使用される液浸液は、使用される露光放射の所望の特性及び波長に従って様々な組成を有することができる。１９３ｎｍという露光波長では、超純水又は水性組成を使用することができ、この理由から、液浸液を水と呼ぶことがあり、親水性、疎水性、湿度などの水に関連する用語を使用することができるが、より包括的であると見なされたい。このような用語は、フッ素を含む炭化水素など、使用可能な他の屈折率が高い液体にも拡張されるものとする。
【０１２０】
[00128]  以上の説明は例示的であり、限定するものではない。したがって、請求の範囲から逸脱することなく、説明されたような本発明を変更できることが、当業者には明白である。
【０１２１】
[00129]
１．液浸型リソグラフィ装置であって、
液浸空間を液浸液で少なくとも部分的に充填する液浸システムと、
前記リソグラフィ装置の部分を洗浄すべきかを示すインジケータと、
クリーナを含む洗浄液を前記リソグラフィ装置の前記部分に供給する洗浄液供給システムであって、前記クリーナが複数の異なるクリーナのうち少なくとも１つであり、各クリーナ又はクリーナの組合せが前記リソグラフィ装置の前記部分にある異なるタイプ及び／又はレベルの汚染を洗浄するように構成される、洗浄液供給システムと
前記インジケータから受信した表示に基づいて、前記複数のクリーナのいずれを前記リソグラフィ装置の前記部分に提供するかを制御するコントローラと、
を備える液浸型リソグラフィ装置。
２．インライン洗浄キャビネットをさらに備え、前記複数の異なるクリーナ及び前記コントローラが前記インライン洗浄キャビネット内に配置される、請求項１に記載の液浸型リソグラフィ装置。
３．前記液浸液が、前記液浸空間を部分的に充填する前に、前記インライン洗浄キャビネットを通過するように構成される、請求項２に記載の液浸型リソグラフィ装置。
４．前記複数の異なるクリーナのうち１つが過酸化水素を含む、請求項１に記載の液浸型リソグラフィ装置。
５．前記複数の異なるクリーナのうち１つがオゾンを含む、請求項１に記載の液浸型リソグラフィ装置。
６．供給される前記クリーナがperoxoneである、請求項５に記載の液浸型リソグラフィ装置。
７．前記インジケータが、ｉ）以前の洗浄動作以降に露光した基板の数を計数する露光カウンタ、ｉｉ）以前の洗浄動作以降の継続時間を計時するタイマ、ｉｉｉ）特定の時間量にわたって前記液浸システムを励起した汚染物質粒子の数を計数する粒子カウンタ、及びｉｖ）前記リソグラフィ装置内の特定の汚染レベルを感知するセンサ、で構成されたグループから選択された少なくとも１つを備える、請求項１に記載の液浸型リソグラフィ装置。
８．前記液浸システムから前記液浸液を受ける第一ドレインと、前記洗浄液を受ける第二ドレインと、前記液浸液か前記洗浄液が前記液浸システムから流出するかに応じて、前記液浸システムを流出した液体を前記第一ドレイン又は第二ドレインへ誘導するスイッチと、をさらに備える、請求項１に記載の液浸型リソグラフィ装置。
９．前記第一ドレインが、前記液浸システムで再使用するために前記液浸液を浄化する液浸液リサイクルシステムに接続される、請求項８に記載の液浸型リソグラフィ装置。
【図１】
0005331472.tif 000002
【図２】
0005331472.tif 000003
【図３】
0005331472.tif 000004
【図４】
0005331472.tif 000005
【図５】
0005331472.tif 000006
【図６ａ】
0005331472.tif 000007
【図６ｂ】
0005331472.tif 000008
【図６ｃ】
0005331472.tif 000009
【図７】
0005331472.tif 000010
【図８】
0005331472.tif 000011
【図９】
0005331472.tif 000012
【図１０】
0005331472.tif 000013