(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体集積回路の製造過程において堆積工程後に実行する研磨工程に対して、研磨結果を予測して評価する研磨予測評価装置であって、
製造予定の回路レイアウトを部分領域に分割する分割部と、
前記部分領域の各々について、前記堆積工程の実行後の堆積高を前記回路レイアウトの階層ごとに予測する予測部と、
同一階層において前記部分領域の堆積高の予測値を周辺の部分領域の堆積高の予測値と比較して前記研磨工程に対する評価値を算出し、評価対象の部分領域の堆積高の予測値を当該部分領域の下位層の該当部分領域の堆積高の予測値と比較して積層を考慮した積層評価値を算出し、前記評価値もしくは前記積層評価値が所定の閾値以上である場合に当該部分領域が危険部分であると評価する評価部と、
を備えたことを特徴とする研磨予測評価装置。
【請求項２】
前記評価部は、評価対象の部分領域の堆積高の予測値と周辺の部分領域の堆積高の予測値との差が閾値以上である場合、もしくは、評価対象の部分領域の堆積高の予測値と当該部分領域の下位層の部分領域の堆積高の予測値との差が閾値以上である場合に警告出力を行う
ことを特徴とする請求項１に記載の研磨予測評価装置。
【請求項３】
前記予測部は、前記部分領域内の配線密度と配線周囲長から前記堆積工程を実行した後の堆積高の予測値を求める
ことを特徴とする請求項１または２に記載の研磨予測評価装置。
【請求項４】
前記評価部は、評価対象の部分領域の評価値と、当該部分領域の下位層の該当部分領域の評価値との差を前記積層評価値として算出する
ことを特徴とする請求項１、２または３に記載の研磨予測評価装置。
【請求項５】
前記評価部による評価結果に基づいて、前記回路レイアウトの変更を行うレイアウト変更手段
をさらに備えたことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載の研磨予測評価装置。
【請求項６】
半導体集積回路の製造過程において堆積工程後に実行する研磨工程に対して、研磨結果を予測して評価する研磨予測評価方法であって、
製造予定の回路レイアウトを部分領域に分割する分割工程と、
前記部分領域の各々について、前記堆積工程の実行後の堆積高を前記回路レイアウトの階層ごとに予測する予測工程と、
同一階層において前記部分領域の堆積高の予測値を周辺の部分領域の堆積高の予測値と比較して前記研磨工程に対する評価値を算出し、評価対象の部分領域の堆積高の予測値を当該部分領域の下位層の該当部分領域の堆積高の予測値と比較して積層を考慮した積層評価値を算出し、前記評価値もしくは前記積層評価値が所定の閾値以上である場合に当該部分領域が危険部分であると評価する評価工程と、
を含んだことを特徴とする研磨予測評価方法。
【請求項７】
半導体集積回路の製造過程において堆積工程後に実行する研磨工程に対して、研磨結果の予測評価をコンピュータに実行させる研磨予測評価プログラムであって、
製造予定の回路レイアウトを部分領域に分割する分割ステップと、
前記部分領域の各々について、前記堆積工程の実行後の堆積高を前記回路レイアウトの階層ごとに予測する予測部と、
同一階層において前記部分領域の堆積高の予測値を周辺の部分領域の堆積高の予測値と比較して前記研磨工程に対する評価値を算出し、評価対象の部分領域の堆積高の予測値を当該部分領域の下位層の該当部分領域の堆積高の予測値と比較して積層を考慮した積層評価値を算出し、前記評価値もしくは前記積層評価値が所定の閾値以上である場合に当該部分領域が危険部分であると評価する評価ステップと、
をコンピュータに実行させることを特徴とする研磨予測評価プログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体集積回路の製造過程において堆積工程後に実行する研磨工程に対して、研磨結果を予測して評価する研磨予測評価技術に関し、特に研磨自体のシミュレーションを行なうことなく研磨結果を予測評価する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路の製造では、ウェハに対して露光、エッチング、堆積（メッキ）、研磨を繰り替えして積層構造を構築することで、所望の回路を形成する。この時、一枚のウェハ上に複数の半導体集積回路を同時に形成することで、生産性を高めている。
【０００３】
特に近年では、ウェハ径を大きくして一度に作成する回路数を増大することが求められている。しかし、ウェハの大型化が進むにつれて、ウェハの中心部と周辺部とで均一な加工を施すことは難しくなり、かつ一方で、回路の微細化が進められ、高精度な加工が要求されている。
【０００４】
例えば、近年主流の銅配線においては、絶縁物上に配線溝を生成し、これに銅メッキを施して溝を銅で埋めるＥＣＰ（ Electro-Chemical Plating）を行なっているが、配線溝と同時に絶縁物上全体をも銅メッキで覆ってしまうので、配線パターンを露出するための研磨にＣＭＰ(Chemical Mechanical Polishing)を用いる。
【０００５】
このＣＭＰの結果、ウェハ上に大きな高低差が存在してしまうと、銅配線の高さがばらつきや銅残りによる配線ショートなどが生じる。いずれの場合も、性能の劣化や歩留まりの低下が発生する。
【０００６】
また、単層では問題ないケースでも積層によって問題が発生するケースがある。特に、下層が周囲より低く、上層が周囲より高いケースにおいて、このような問題が生じやすい。
【０００７】
従来は、実際に製造を行い、エラーが発生した後にレイアウトの修正を行っていた。これは実際にウェハを作成するため、費用や時間のコストの面からも非常に効率が悪い。そのため、ＣＭＰをシミュレーションして製造前に予測・修正する手法が出てきている（例えば特許文献１参照）。
【０００８】
【特許文献１】特開２００３−２２４０９８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、実際にチップを作って修正する場合には費用・時間のコストの増大を招いていた。また、危険箇所を含んだまま製造することで、歩留まりは1割程度落ち込むこともあった。
【００１０】
ＣＭＰシミュレーションを用いた際には製造は行わないで済むため、ある程度のコスト削減にはつながる。しかし、シミュレーションはチップのサイズなどによっては数時間から一日程度時間がかかる。危険箇所の修正の際にはＣＭＰのシミュレーションを何度も走らせる必要があり、トータルのシミュレーション時間が数日から数週間かかるケースもあった。
【００１１】
すなわち、従来の技術では、ＣＭＰの結果を得るまでに時間がかかり、ひいては最適な回路レイアウトを決めるまでに時間が多大な時間が必要となるという問題点があった。
【００１２】
本発明は上述した従来技術にかかる問題点を解消し、課題を解決するためになされたものであり、研磨工程の結果を短時間で予測・評価し、もってレイアウト修正を高速化して短時間で歩留まりを向上可能な研磨予測評価装置、研磨予測評価方法、研磨予測評価プログラムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本研磨予測評価装置、研磨予測評価方法、研磨予測評価プログラムは、半導体集積回路の製造過程において堆積工程後に実行する研磨工程に対して、研磨結果を予測して評価する研磨予測評価を行なうにあたり、製造予定の回路レイアウトを部分領域に分割し、部分領域の各々について、堆積工程の実行後の堆積高を予測し、部分領域の堆積高の予測値を周辺の部分領域の堆積高の予測値と比較して研磨工程に対する評価値を算出する。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、処理に要する時間の短い堆積工程シミュレーションを利用して研磨工程の予測評価を行なうので、研磨工程の結果を短時間で予測・評価し、もってレイアウト修正を高速化して短時間で歩留まりを向上可能な研磨予測評価装置、研磨予測評価方法、研磨予測評価プログラムを得ることができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下に、本発明にかかる研磨予測評価装置、研磨予測評価方法、研磨予測評価プログラムの実施例を図面に基づいて詳細に説明する。
【実施例１】
【００１６】
図１は、本実施例１にかかるＬＳＩ（大規模集積回路）製造システムの概要構成を示す概要構成図である。図１に示したようにＬＳＩ製造システム１０は、レイアウト設計装置１１、製造装置１２、ＣＭＰエラーチェック装置１３、研磨予測評価装置２０を有する。
【００１７】
レイアウト設計装置１１は、ＬＳＩの回路レイアウトを設計する装置であり、設計した回路レイアウトをまず研磨予測評価装置２０に出力する。研磨予測評価装置２０は、回路レイアウトからＣＭＰの実行結果を予測して評価し、評価結果をレイアウト設計装置１１に返す。
【００１８】
レイアウト設計装置１１は、研磨予測評価装置２０の評価結果が不十分であればレイアウトの修正を行なって再度研磨予測評価装置２０に出力する。そして、予測評価の結果が良好となった回路レイアウトを製造装置１２に出力する。
【００１９】
製造装置１２は、レイアウト設計装置１１から取得した回路レイアウトに基づいてＬＳＩを製造する。ここでは、製造装置１２は、１層ごと（露光、エッチング、堆積（メッキ）、研磨の一巡）にＣＭＰエラーチェック装置１３によって実際の研磨実行後の状態を評価し、レイアウト設計装置１１に戻す。
【００２０】
レイアウト設計装置１１は、ＣＭＰエラーチェック装置１３の表か結果を回路レイアウトに反映し、最終的なレイアウトを決定し、例えば量産ラインに渡す。
【００２１】
研磨予測評価装置２０は、その内部にメッシュ分割部２１、ＥＣＰ演算部２２、危険度評価部２３、ＥＣＰモデル２４および危険度算出式２５を有する。
【００２２】
メッシュ分割部２１は、レイアウト設計装置１１から受け取った回路レイアウトをメッシュ分割する。ＥＣＰ演算部２は、ＥＣＰモデル２４を用いて、分割した各メッシュついてＥＣＰを実行した後の堆積高を算出する。なお、ＥＣＰ実行後の堆積高を求めるＥＣＰモデルとしては、配線密度と配線周囲長に基づいて算出するモデルが知られている。
【００２３】
危険度評価部２３は、メッシュの堆積高の予測値を周辺のメッシュの堆積高の予測値と比較してＣＭＰ工程に対する評価値を算出し、算出結果からＣＭＰの危険度を判定する。
【００２４】
このＣＭＰの評価と危険度について、図２を参照してさらに説明する。図２では、ＣＭＰの結果、表面に凹凸ができている。凸部はＥＣＰによって堆積した銅が残ったことによって生じており、銅配線の間を絶縁すべき酸化物（例えば酸化シリコン）の上に残った銅が配線ショートの原因となる。また、凹部はＥＣＰによって堆積した銅を削りすぎたことによって生じており、配線抵抗が大きくなり、回路性能悪化の原因となる。
【００２５】
ＣＭＰによる削れ量は、配線密度に加え、配線の幅によっても変化する。図３に示したように、配線密度が５０％であっても、配線幅が大きい場合には配線部分が大きく削られる。これは、銅が酸化物に対して削れ易いことによる。配線密度が小さい場合も、酸化物の幅も小さくなるので全体として削れ易くなる。これに対して、配線密度が中程度である場合、酸化物の幅がＣＭＰに対して十分に頑健であり、かつ適切な間隔で配置されることとなるので、削れ量は小さくなる。
【００２６】
そこで、研磨予測評価装置２０では、ＥＣＰ（メッキ）の高さ（銅の堆積量）が伝搬し、ＣＭＰによる研磨後の高さに影響することを利用し、堆積高の周囲との高低差を評価値、すなわちＣＭＰの結果を評価し、配線ショートや回路性能悪化が発生する危険度を示す値として求める。
【００２７】
具体的には、図４に示したように、対象箇所が高く、周囲が低い場合に危険度が高いと判定する。対象箇所の堆積高が高くとも、周囲が高い場合には危険度は低く、同様に対象箇所の堆積高が低くとも周囲も低い場合には危険度が低いと判定する。
【００２８】
さらに、ＣＭＰ後の凹凸が積層によって増幅される点も考慮し、下層の高さの差についても評価を行なう。図５に示したように、下層が低く、上層が高いケースでは、元々銅が残りやすい部分が、底面が周囲よりも低下していることからさらに残りやすくなる。そのため、配線ショートによる故障が生じる可能性があがる。
【００２９】
また、下層が高く、上層が低いケースでは、元々銅が削れ易い部分が、底面が周囲より上昇していることからさらに削れ易くなる。そのため、配線の高さが低くなり、性能低下が生じる可能性があがる。
【００３０】
これに対し、下層と上層がともに高いケース、および下層と上層とがともに低いケースでは、比較的配線ショートや性能低下は起こりにくい。そこで、研磨予測評価装置２０では、メッシュの評価値を下層の評価値と比較して、積層を考慮した積層評価値を求める。
【００３１】
つぎに図６のフローチャートを参照し、ＬＳＩ製造システム全体の処理動作について説明する。図６に示したように、まずレイアウト設計装置１１がレイアウトの設計を行なった（ステップＳ１０１）後、研磨予測評価装置２０が危険度判定処理を実行する（ステップＳ１０２）。
【００３２】
その結果、閾値以上の危険度が出力された場合には研磨予測評価装置２０は危険度エラーを出力し（ステップＳ１０３，Ｙｅｓ）、危険度エラーを受けたレイアウト設計装置１１は再度レイアウト設計を行なう（ステップＳ１０１）。
【００３３】
一方、危険度が閾値未満であったならば（ステップＳ２０３，Ｎｏ）、製造装置１２による製造を実行し（ステップＳ２０４）、ＣＭＰエラーチェック装置１３によるＣＭＰエラーチェックを行なう（ステップＳ２０５）。
【００３４】
その結果、ＣＭＰエラーチェック装置１３がＣＭＰエラーを出力した場合（ステップＳ２０５，Ｙｅｓ）には、レイアウト設計装置１１は再度レイアウト設計を行なう（ステップＳ１０１）。そして、ＣＭＰエラーチェック装置１３がＣＭＰエラーを出力しなかった場合（ステップＳ２０５，Ｎｏ）に、適切な回路レイアウトが得られた物として処理を終了する。
【００３５】
つぎに図７のフローチャートを参照し、研磨予測評価装置２０による危険度判定処理の具体的な処理動作について説明する。図７に示したように、研磨予測評価装置２０はレイアウト設計装置１１が出力したレイアウトデータから、判定対象となるレイヤ（層）を選択する（ステップＳ２０１）。初期値としては、最下層のレイヤを選択する。
【００３６】
つぎに、メッシュ分割部２１が判定対象レイヤをメッシュ分割する（ステップＳ２０２）。ＥＣＰ演算部２２は、処理対象のメッシュを選択し（ステップＳ２０３）、ＥＣＰシミュレーションによって対象メッシュの堆積高を算出する（ステップＳ２０４）。
【００３７】
その後、ＥＣＰ演算部２２は、全てのメッシュについて堆積高算出が終了したか否かを判定し（ステップＳ２０５）、終了していなければ（ステップＳ２０５，Ｎｏ）、メッシュの選択に戻る（ステップＳ２０３）。
【００３８】
全てのメッシュについて堆積高の算出が終了した場合（ステップＳ２０５，Ｙｅｓ）、つぎに危険度評価部２３が処理対象のメッシュを選択し（ステップＳ２０６）、対象メッシュの危険度算出を行なう（ステップＳ２０７）。
【００３９】
その後、危険度評価部２３は、全てのメッシュについて危険度算出が終了したか否かを判定し（ステップＳ２０８）、終了していなければ（ステップＳ２０８，Ｎｏ）、メッシュの選択に戻る（ステップＳ２０６）。
【００４０】
全てのメッシュについて危険度の算出が終了した場合（ステップＳ２０９，Ｙｅｓ）、全ての層に対して処理が終了したか否かを判定し（ステップＳ２０９）、終了していなければ（ステップＳ２０９，Ｎｏ）判定対象レイヤの選択に戻って一つ上のレイヤを選択する（ステップＳ２０１）。
【００４１】
そして、全てのレイヤについて判定が終了ならば（ステップＳ２０９，Ｙｅｓ）、算出結果を出力して（ステップＳ２１０）、処理を終了する。
【００４２】
つぎに危険度算出式の具体例について説明する。研磨予測評価装置２０は、ＬＳＩチップをメッシュ状に区切り、周囲とのメッキ高低差が急峻なメッシュを危険箇所とするが、周囲数メッシュの平均値との差、偏差など様々な手法を適用可能である。
【００４３】
対象メッシュの堆積高と周囲の平均堆積高との差の絶対値を危険度（評価値）の値とし、２００ｎｍ以上である場合に「危険度エラー」を出力する場合、図８に示したように対象メッシュ（中央）の堆積高が＋１００、隣接するメッシュの堆積高が−５０、その周囲の堆積高が−８０であるとすると、平均を(-50*8 + -80*16 + 100) / 25 = -63.2(nm)として求めると、対象メッシュの単層危険度は100-(-63.2) = 163.2となる。
【００４４】
また、平均に周囲1マスは(x1.0), 周囲2マスは(x0.5)の重み付け を行なって(-50*8 + (-80)*16*0.5 + 100) / (1 + 8 + 16*0.5) = -55.3 として求めると、対象メッシュの単層危険度は100-(-55.2) = 155.3となる。
【００４５】
また、下層の数値との差で積層の指標を導出する際には、対象メッシュ単層危険度と下層の単層危険度との差をとればよい。例えば、対象メッシュの単層危険度が163.2、下層の単層危険度が-70であるとすると、積層危険度は、163.2 - (-70) = 233.2(nm)となる。
【００４６】
ここで、危険度エラーの判定閾値が絶対値200nm以上であるするならば、積層危険度233.2となったことで危険度エラーが出力されることとなる。
【００４７】
なお、ここでは一層下の単層危険度を考慮する場合について説明したが、さらに下層の影響を考慮することもできる。この場合、１層下は x1.0、2層下にはx0.2などのようにして層毎に重み付けをおこなってもよい。
【００４８】
図９は研磨予測評価装置の入出力データの具体例について説明する説明図である。図９に示したデータは、層（Ｌａｙ）、メッシュ座標ｘ、メッシュ座標ｙ、銅密度ｄｅｎｓ，配線周囲長ｅｄｇｅ(ｎｍ)、堆積高ｅｃｐ(ｎｍ)、単層危険度Ｆ１(ｎｍ)、積層危険度Ｆ２(ｎｍ)を有している。
【００４９】
ここで、銅密度と配線周囲長は、ＥＣＰやＣＭＰのシミュレーションに必要な値であり、レイアウトデータから求める。堆積高は、銅密度と配線周囲長、ＥＣＰモデルより導出する。そして単層危険度と積層危険度は、堆積高と上述した危険度評価式を元に導出する。なお、図９のデータは、チップサイズ8.5cm x 8.5cm, 7層、メッシュサイズ10umを想定したデータであり、最終データがＬａｙ＝７，Ｘ＝８４９，Ｙ＝８４９のデータとなっている。
【００５０】
上述してきたように、本実施例１に示したＬＳＩ製造システムでは、研磨予測評価装置２０が回路レイアウトをメッシュ分割し、各メッシュの堆積高をシミュレーションし、ＥＣＰ堆積高の変化から危険度を判定している。
【００５１】
ＥＣＰのシミュレーション（もしくはＥＣＰの指標）は、ＣＭＰのシミュレーションに比して短時間で求められる。そのため、ＣＭＰの結果を短時間で予測・評価し、もってレイアウト修正を高速化して短時間で歩留まりを向上することができる。
【００５２】
具体的には、トータルで数分程度にレイアウト最適化を行うことが可能であり、製造前にエラーを検出することで、歩留まりの１〜２割の向上が見込まれる。また、コスト(手直し数週間)削減の効果が得られる。
【００５３】
ＣＭＰシミュレーションによるチェックでは、ＧＤＳ（回路レイアウトを格納したデータベース）からのデータ抽出の所要時間２時間 に加え、ＣＭＰシミュレーションに８時間、さらにレイアウトを手直しするごとに１０時間が必要であった。これに対し、本実施例による危険度チェックでは、ＧＤＳからのデータ抽出に２時間、危険度チェックに１０分、レイアウトを手直しするごとに ２．２時間程度で完了する。
【実施例２】
【００５４】
図１０は、本実施例２にかかるＬＳＩ（大規模集積回路）製造システムの概要構成を示す概要構成図である。図１０に示したようにＬＳＩ製造システム１０ａは、レイアウト設計装置１１ａ、製造装置１２、ＣＭＰエラーチェック装置１３、研磨予測評価装置２０ａを有し、また研磨予測評価装置２０ａはメッシュ分割部２１、ＥＣＰ演算部２２、危険度評価部２３ａ、ＥＣＰモデル２４、危険度算出式２５およびダミーメタル配置部２６を有する。
【００５５】
ここで、レイアウト設計装置１１ａ、研磨予測評価装置２０ａ、危険度評価部２３ａおよびダミーメタル配置部２６以外の構成および動作は、図１に示したＬＳＩ製造システム１０ａと同様であるので、同一の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
【００５６】
レイアウト設計装置１１ａは、回路レイアウトを示すレイアウトデータを研磨予測評価装置２０ａに出力する際にダミーメタルに関する情報を含めて出力する。さらに、レイアウト設計装置１１ａは、研磨予測評価装置２０ａからダミーメタルの配置に関する指示を受けてダミーメタルの配置を変更する。
【００５７】
危険度評価部２３ａとダミーメタル配置部２６による危険度判定処理の具体的な処理動作を図１１に示したフローチャートに基づいて説明する。図１１に示したステップＳ３０１〜Ｓ３１０の処理内容は、それぞれ図７に示したステップＳ２０１〜Ｓ２１０と同一である。
【００５８】
図１１に示した処理動作では、一つの層の全メッシュについて危険度の算出が終了した場合（ステップＳ３０８，Ｙｅｓ）に、その層の全てのメッシュの危険度が許容範囲内（閾値以下）であるか否かを判定する（ステップＳ３１１）。
【００５９】
そして、全てのメッシュの危険度が許容範囲内である（ステップＳ３１１，Ｙｅｓ）ならば、ステップＳ３０９に移行するが、危険度が許容範囲外のメッシュが存在する場合（ステップＳ３１１，Ｎｏ）にはダミーメタル配置部２６によるダミーメタル配置変更を実行する。
【００６０】
ダミーメタル配置部２６は、まず同一レイヤに規定回数のダミーメタル配置変更をおこなったかを判定し（ステップＳ３１２）、既に規定回数のダミーメタル配置を行なったならば、過去に試行したダミーメタルの配置のうち、最適な配置を選択した上でステップＳ３０９に移行する。
【００６１】
一方、ダミーメタル配置変更の試行回数が指定回数未満である倍（ステップＳ３１２，Ｎｏ）、ダミーメタルの配置変更を実行し（ステップＳ３１４）、メッシュ選択（ステップＳ３０１）に戻ってＥＣＰのシミュレーションからやりおなす。
【００６２】
この結果、危険度が許容範囲内のダミー配置、もしくは規定回数のうちで最善のダミー配置を得ることができる。その際、下層の危険度が考慮されるので、積層による影響を考慮した上で、ダミーメタル配置を最適化することができる。
【００６３】
例えば、あるメッシュの単層危険度が１６３．２、下層の単層危険度が−７０であり、危険度エラーの判定閾値が絶対値２００であった場合、積層危険度は２３３．２となって閾値を超える。この例では、ダミーメタルは位置を変更し、対象メッシュの単層危険度を３３．２以上下げることで、危険度エラーの出力を回避することができる。
【００６４】
図１２は研磨予測評価装置２０ａの入出力データの具体例について説明する説明図である。図１２に示したデータは、層（Ｌａｙ）、メッシュ座標ｘ、メッシュ座標ｙ、銅密度ｄｅｎｓ，配線周囲長ｅｄｇｅ(ｎｍ)、堆積高ｅｃｐ(ｎｍ)、単層危険度Ｆ１(ｎｍ)、積層危険度Ｆ２(ｎｍ)に加え、ダミー挿入可能面積Ｄａｒｅａ、ダミー銅密度Ｄｄｅｎｓ，ダミー配線周囲長Ｄｅｄｇｅ(ｎｍ)、最良積層危険度ｂｅｓｔ、最良積層危険度を得られたダミー銅密度Ｂｄｅｎｓおよびダミー配線周囲長Ｂｅｄｇｅを有している。
【００６５】
このデータの作成について図１２〜図１７を参照して説明する。図１２は、レイアウト設計装置１１ａが作成したデータから得られたデータであり、層（Ｌａｙ）、メッシュ座標ｘ、メッシュ座標ｙ、銅密度ｄｅｎｓ，配線周囲長ｅｄｇｅ(ｎｍ)、ダミー挿入可能面積Ｄａｒｅａ、ダミー銅密度Ｄｄｅｎｓ，ダミー配線周囲長Ｄｅｄｇｅ(ｎｍ)のみに値が入っている。
【００６６】
ＥＣＰ演算部２２と危険度評価部２３ａは、図１３に示したデータを用いてＥＣＰのシミュレーションと危険度のチェックを行い、堆積高ｅｃｐ(ｎｍ)、単層危険度Ｆ１(ｎｍ)、積層危険度Ｆ２(ｎｍ)の値を埋めていく（図１４）。
【００６７】
その後、危険度が閾値以上であるエラー箇所を検出し（図１５、lay,x,y=7,500,234）、エラーしたメッシュに対してダミーメタル配置変更、シミュレーション、危険度算出を繰り返して最良積層危険度ｂｅｓｔ、最良積層危険度を得られたダミー銅密度Ｂｄｅｎｓおよびダミー配線周囲長Ｂｅｄｇｅを求めて項目を埋める。
【００６８】
このデータをレイアウト設計装置１１ａに返すことで、回路レイアウトをアップデートする。図１７においては、lay,x,y=7,500,234のダミー銅密度Ｄｄｅｎｓ，ダミー配線周囲長Ｄｅｄｇｅ、堆積高ｅｃｐ(ｎｍ)、単層危険度Ｆ１(ｎｍ)、積層危険度Ｆ２(ｎｍ)の値、そしてlay,x,y=7,500,235の単層危険度Ｆ１(ｎｍ)、積層危険度Ｆ２(ｎｍ)の値が更新されている。
【００６９】
上述してきたように、本実施例２に示したＬＳＩ製造システムでは、ＥＣＰ堆積高の変化から危険度を判定し、ダミー配置の最適化を行なっているので、レイアウト変更の手直しの手間を減少することができる。また、ＧＤＳからのデータ抽出回数についても減少する。
【００７０】
具体的には、ＬＳＩチップの１０％の領域でダミーメタル配置を１０回変更する場合、１０ｍｉｎ×９０％ ＋（１０ｍｉｎ×１０％）×１０＝ １９ｍｉｎ、さらにデータ抽出に２時間かかるので計２時間１９分が所要時間となる。
【００７１】
これに対し、ＣＭＰシミュレーションを用いて同様のダミーメタル配置変更をおこなうことを考えると、ＥＣＰはメッシュひとつの変更の影響がメッシュの中で閉じるが、ＣＭＰはメッシュひとつの変更がチップ全体に影響するので、毎回チップ全面のシミュレーションを行わなければならないので、チップの１０％の領域でダミー１０回変更として概算すると、８時間×数千回以上の計算時間が必要となる。
【００７２】
以上の実施例を含む実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。
【００７３】
（付記１）半導体集積回路の製造過程において堆積工程後に実行する研磨工程に対して、研磨結果を予測して評価する研磨予測評価装置であって、
製造予定の回路レイアウトを部分領域に分割する分割部と、
前記部分領域の各々について、前記堆積工程の実行後の堆積高を予測する予測部と、
前記部分領域の堆積高の予測値を周辺の部分領域の堆積高の予測値と比較して前記研磨工程に対する評価値を算出する評価部と、
を備えたことを特徴とする研磨予測評価装置。
【００７４】
（付記２）前記評価部は、評価対象の部分領域の堆積高の予測値と周辺の部分領域の堆積高の予測値との差が閾値以上である場合に警告出力を行うことを特徴とする付記１に記載の研磨予測評価装置。
【００７５】
（付記３）前記予測部は、前記部分領域内の配線密度と配線周囲長から前記堆積工程を実行した後の堆積高の予測値を求めることを特徴とする付記１または２に記載の研磨予測評価装置。
【００７６】
（付記４）前記評価部は、評価対象の部分領域の堆積高と、当該部分領域の下の層の堆積高とを用いて、積層を考慮した積層評価値をさらに求めることを特徴とする付記１〜３のいずれか一つに記載の研磨予測評価装置。
【００７７】
（付記５）前記評価部は、評価対象の部分領域の評価値と、当該部分領域の下の層の評価値との差を前記積層評価値として算出することを特徴とする付記４に記載の研磨予測評価装置。
【００７８】
（付記６）前記評価部による評価結果に基づいて、前記回路レイアウトの変更を行うレイアウト変更手段をさらに備えたことを特徴とする付記１〜５のいずれか一つに記載の研磨予測評価装置。
【００７９】
（付記７）前記レイアウト変更手段は、前記回路レイアウトに対し、回路の電気特性に影響を与えることなく堆積に対する物理特性を変化させるダミーメタルの配置を行なうことを特徴とする付記６に記載の研磨予測評価装置。
【００８０】
（付記８）半導体集積回路の製造過程において堆積工程後に実行する研磨工程に対して、研磨結果を予測して評価する研磨予測評価方法であって、
製造予定の回路レイアウトを部分領域に分割する分割工程と、
前記部分領域の各々について、前記堆積工程を実行した後の堆積高を予測する予測工程と、
前記部分領域の堆積高の予測値を周辺の部分領域の堆積高の予測値と比較して前記研磨工程に対する評価値を算出する評価工程と、
を含んだことを特徴とする研磨予測評価方法。
【００８１】
（付記９）半導体集積回路の製造過程において堆積工程後に実行する研磨工程に対して、研磨結果の予測評価をコンピュータに実行させる研磨予測評価プログラムであって、
製造予定の回路レイアウトを部分領域に分割する分割ステップと、
前記部分領域の各々について、前記堆積工程を実行した後の堆積高を予測する予測ステップと、
前記部分領域の堆積高の予測値を周辺の部分領域の堆積高の予測値と比較して前記研磨工程に対する評価値を算出する評価ステップと、
をコンピュータに実行させることを特徴とする研磨予測評価プログラム。
【産業上の利用可能性】
【００８２】
以上のように、本発明は、研磨工程の予測評価に有用であり、特に評価の高速化によるレイアウト修正の最適化の支援に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００８３】
【図１】実施例１にかかるＬＳＩ製造システムの概要構成を示す概要構成図である。
【図２】ＣＭＰの評価と危険度について説明する説明図である。
【図３】ＣＭＰの削れ量について説明する説明図である。
【図４】ＥＣＰに基づく危険度評価について説明する説明図である。
【図５】積層を考慮した危険度評価について説明する説明図である。
【図６】図１に示したＬＳＩ製造システムの処理動作を説明するフローチャートである。
【図７】図６に示した危険度判定処理を詳細に説明するフローチャートである。
【図８】ＥＣＰ堆積高の分布例について説明する説明図である。
【図９】研磨予測評価装置の入出力データについて説明する説明図である。
【図１０】実施例２にかかるＬＳＩ製造システムの概要構成を示す概要構成図である。
【図１１】図１０に示した研磨予測評価部による危険度判定処理について説明するフローチャートである。
【図１２】図１０に示した研磨予測評価装置の入出力データについて説明する説明図である。
【図１３】入力された回路レイアウトデータについて説明する説明図である。
【図１４】ＥＣＰシミュレーションおよび危険度評価によるデータの変化について説明する説明図である。
【図１５】エラー箇所の検出について説明する説明図である。
【図１６】最適ダミーデータの作成について説明する説明図である。
【図１７】最適ダミーデータに基づくデータの更新について説明する説明図である。
【符号の説明】
【００８４】
１０，１０ａ  ＬＳＩ製造システム
１１，１１ａ  レイアウト設計装置
１２    製造装置
１３    ＣＭＰエラーチェック装置
２０，２０ａ    研磨予測評価装置
２１    メッシュ分割部
２２    ＥＣＰ演算部
２３，２３ａ    危険度評価部
２４    ＥＣＰモデル
２５    危険度算出式
２６    ダミーメタル配置部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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