(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線周波数スイッチ用の補助電圧生成ユニットであって、
それぞれ第１の制御信号及び第２の制御信号を受信するように構成された第１の入力及び第２の入力であって、前記第１の制御信号及び前記第２の制御信号は、前記無線周波数スイッチの複数のパスのうちの何れの１つが有効にされるかを制御する、第１の入力及び第２の入力と、
前記第１の制御信号及び前記第２の制御信号のうちの少なくとも一方から得られた、前記無線周波数スイッチを動作させるために使用される補助電圧を出力するように構成された少なくとも１つの出力であって、前記補助電圧は、前記第１及び第２の制御信号のうちの少なくとも一方を受信するインバータに電力供給するために使用される電圧を含む、少なくとも１つの出力と、
を有する補助電圧生成ユニット。
【請求項２】
前記補助電圧は前記無線周波数スイッチのバイアス電圧を更に含む、請求項１に記載の補助電圧生成ユニット。
【請求項３】
前記第１又は第２の制御信号の電圧レベルを低下させるように構成されたダイオードを有する回路、を更に有する請求項１に記載の補助電圧生成ユニット。
【請求項４】
前記ダイオードは、分圧器として動作するように構成されている、請求項３に記載の補助電圧生成ユニット。
【請求項５】
無線周波数（ＲＦ）スイッチであって、
ＲＦコモン端子、第１のＲＦ出力、及び第２のＲＦ出力と、
当該ＲＦスイッチの第１のパス内で前記ＲＦコモン端子と前記第１のＲＦ出力との間に配置された第１の半導体スイッチングデバイスと、
当該ＲＦスイッチの第２のパス内で前記ＲＦコモン端子と前記第２のＲＦ出力との間に配置された第２の半導体スイッチングデバイスと、
前記第１及び第２のパスに沿った少なくとも１つのノードに印加されるバイアス電圧と、
前記第１及び第２のパスのうちの一方に接続され、第３の半導体スイッチングデバイスを有する分岐と、
前記第３の半導体スイッチングデバイスの制御端子に接続された出力を有するインバータと、
を有し、
前記バイアス電圧は、前記第１及び第２の半導体スイッチングデバイスをそれぞれ制御する第１及び第２の制御信号のうちの少なくとも一方から取得され、
前記インバータの電源電圧は、前記第１及び前記第２の制御信号のうちの少なくとも一方から取得される、
ＲＦスイッチ。
【請求項６】
前記バイアス電圧及び前記電源電圧を生成するように構成された電圧生成ユニットを更に有する請求項５に記載のＲＦスイッチ。
【請求項７】
前記電圧生成ユニットは複数のダイオードを有する、請求項６に記載のＲＦスイッチ。
【請求項８】
前記複数のダイオードは分圧器として構成されている、請求項７に記載のＲＦスイッチ。
【請求項９】
前記電圧生成ユニットは、ソースフォロワとして回路内に配置された少なくとも１つのトランジスタを有し、前記バイアス電圧は該ソースフォロワから取得される、請求項６に記載のＲＦスイッチ。
【請求項１０】
前記バイアス電圧及び前記電源電圧は相異なる、請求項５に記載のＲＦスイッチ。
【請求項１１】
前記バイアス電圧は約１．６Ｖであり、前記電源電圧は約２．６Ｖである、請求項５に記載のＲＦスイッチ。
【請求項１２】
無線周波数スイッチ用の補助電圧を取得する方法であって、
前記無線周波数スイッチの複数のパスのうち１つを有効にするために使用される第１及び第２の制御信号を受信し、
前記第１及び前記第２の制御信号のうちの少なくとも一方から、前記無線周波数スイッチによって使用される補助電圧を生成し、且つ
前記補助電圧を前記無線周波数スイッチの所定の位置に印加することを有し、
前記補助電圧は、前記第１及び第２の制御信号のうちの少なくとも一方の反転形を前記無線周波数スイッチの構成要素に供給するインバータに電力供給するために使用される電圧を含む、
方法。
【請求項１３】
前記補助電圧は、前記無線周波数スイッチの前記複数のパスのうちの少なくとも１つをバイアスするバイアス電圧を更に含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
第１の補助電圧は、前記無線周波数スイッチの前記複数のパスのうちの少なくとも１つをバイアスするバイアス電圧であり、第２の補助電圧は、前記インバータに電力供給するために使用される前記電圧であり、前記第１及び第２の補助電圧は相異なる、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記第１の補助電圧は約１．６Ｖであり、前記第２の補助電圧は約２．６Ｖである、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記補助電圧を生成することは、前記第１及び第２の制御信号のうちの少なくとも一方を分圧器に印加することを有する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１７】
前記分圧器は複数のダイオードを有する、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記無線周波数スイッチは、シリコンベースの無線周波数スイッチである、請求項１に記載の補助電圧生成ユニット。
【請求項１９】
前記ＲＦスイッチは、シリコンベースのＲＦスイッチである、請求項５に記載のＲＦスイッチ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はソリッドステート無線周波数スイッチに関する。より具体的には、本発明は、スイッチ制御信号若しくは電圧からバイアス電圧及びその他の補助電圧を取得する手法に関する。
【背景技術】
【０００２】
無線周波数（ＲＦ）スイッチは、多くの有線通信システム及び無線通信システムにおける重要な構成要素である。ＲＦスイッチは、例えば携帯電話、無線ポケットベル、無線基盤（インフラ）機器、衛星通信機器、及びケーブルテレビジョン機器など、様々な通信装置内に見出される。周知のように、ＲＦスイッチの性能は、挿入損失及びスイッチ・アイソレーションを含む任意数の動作性能パラメータのうちの何れかによって特徴付けられ得る。しばしば、複数の性能パラメータが密接に結び付いており、ＲＦスイッチ部品の設計においては、他を犠牲にして、何れか１つのパラメータが重要視され得る。ＲＦスイッチ設計において重要なその他の特性には、ＲＦスイッチの集積化の容易さ及び度合い（又はレベル）、複雑性、歩留まり、リターンロス、そして当然ながら、製造コストがある。
【０００３】
図５は、従来技術に係るシュードモルフィック（pseudomorphic；格子整合型）高電子移動度トランジスタ（ｐＨＥＭＴ）ＲＦスイッチ５００を示している。スイッチ５００は、ＲＦコモン入力ノードＲＦＣ（５０１）と、２つＲＦ出力ノードＲＦ１（５０２）及びＲＦ２（５０３）とを含んでいる。ノード５０１−５０３の各々に、カップリング／ＤＣ阻止キャパシタも示されているが、説明の便宜上ここでは無視する。当業者に認識されるように、このようなキャパシタは、ＤＣ電流の通過を妨げるが、ＡＣ信号には目立った影響を及ぼさない。
【０００４】
さらに、図示のように、幾つかのトランジスタＭ５１、Ｍ５２、Ｍ５３及びＭ５４が、ＲＦＣ  ５０１とＲＦ１  ５０２との間、又はＲＦＣ  ５０１とＲＦ２  ５０３との間でのＲＦ通信を実現するように構成される。具体的には、ＲＦＣ  ５０１とＲＦ１  ５０２との間にＭ５１が配置され、ＲＦ１  ５０２とグランドとの間にＭ５２が配置され、ＲＦＣ  ５０１とＲＦ２  ５０３との間にＭ５３が配置され、ＲＦ２  ５０３とグランドとの間にＭ５４が配置されている。トランジスタＭ５１−Ｍ５４の各々は、それぞれのドレイン端子とソース端子との間に接続されたバイパス抵抗（参照符号を付していない）を含んでいる。
【０００５】
それぞれＭ５１及びＭ５３のゲートに印加される２つの制御電圧ＶＣ１及びＶＣ２が、ＲＦＣ５０１に入力されるＲＦ  ＡＣ信号によって何れのパス（経路）（ＲＦＣからＲＦ１、又はＲＦＣからＲＦ２）が用いられるかを制御する。図示した構成において、ＶＣ１は３．３Ｖであり、これはＭ５１をターンオンさせている。ＶＣ２は０Ｖであり、これはＭ５３をターンオフさせている。この構成において、ＲＦパスはＲＦＣからＲＦ１へと設定されている。Ｍ５２及びＭ５４は、何れのパス（ＲＦＣからＲＦ１、又はＲＦＣからＲＦ２）が選択されるかに応じて、アイソレーション分岐又はシャント分岐の何れかを実現するように動作する。すなわち、ＶＣ１がｈｉｇｈ（高）（３．３Ｖ）のとき、ＶＣ１Ｂ（Ｍ５２のゲートに印加される制御電圧）は、例えば０Ｖなどのｌｏｗ（低）になるよう制御される。ＶＣ１Ｂがｌｏｗの場合、Ｍ５２はオフであり、それにより、ＲＦＣ  ５０１とＲＦ１  ５０２との間のパスをアイソレートする。その一方で、ＶＣ２Ｂはｈｉｇｈ又はＶＣ１に等しく設定され、故に、Ｍ５４をターンオンさせて、出力ノードＲＦ２  ５０３とグランドとの間にＡＣ信号シャントを作り出す。その結果、ＲＦ２  ５０３が、ＲＦＣ  ５０１で受信されたＡＣ信号を出力するように選択されないとき、ＲＦ２  ５０３に信号が存在しない（あるいは、非常に小さい）ことが確保される。これらの制御電圧ＶＣ１、ＶＣ１Ｂ、ＶＣ２及びＶＣ２Ｂは、それぞれの抵抗（やはり参照符号を付していない）を介して印加される。
【０００６】
図５に示したスイッチのハイパワー（高電力）動作では、ノード５２５の電圧は、制御スイッチＭ５１を正のＶｇｓオーバードライブ（ＶＣ１−“ノード５２５の電圧”）で順バイアスさせるだけでなく、ハイパワー電圧スイング（揺動）中のターンオンを回避するように制御スイッチＭ５３の十分な逆バイアス（０−“ノード５２５の電圧”）を維持するよう、十分に高くなければならない。
【０００７】
デプレッションｐＨＥＭＴデバイスの場合、閾値電圧（Ｖｔｈ）は約−１Ｖである。ｐＨＥＭＴデバイスにおける比較的大きいリーク電流に起因して、２つの背中合わせのダイオード５２０、５２１がキルヒホッフ電圧法則（Kirchoff  Voltage  Law；ＫＶＬ）ノードを形成する。具体的には、ＶＣ１＝３．３Ｖの場合、ダイオード５２０での電圧降下はおよそ０．７Ｖであるので、ノード５２５に２．６Ｖの電圧が生じる。ノード５２５の電圧が２．６Ｖであると、Ｍ５２（逆バイアスされる）のＶｇｓは、０Ｖ−２．６Ｖ、すなわち、−２．６Ｖである。ここでポイントとなるのは、リーク電流の結果、ノード５２５は、ハイパワーＲＦスイッチ動作を扱うのに好適な２．６Ｖに設定され、従って、ｐＨＥＭＴデバイスを用いて実装されるハイパワーＲＦスイッチを支援するのに補助バイアスは必要ないということである。
【０００８】
ｐＨＥＭＴデバイスに基づくＲＦスイッチと異なり、シリコンに基づくＲＦスイッチでは、遙かに小さいリーク電流が認められる。故に、ハイパワーの状況で動作するシリコンベースＲＦスイッチは、適切に動作するために特別なバイアス回路及びバイアス電圧を必要とする。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】米国特許第７４６０８５２号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
従って、シリコンベースＲＦスイッチデバイスにおいてそのようなバイアス回路及びバイアス電圧を提供するコスト効率の良い手法を実現することが望まれる。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の実施形態により、無線周波数スイッチ用の補助電圧生成ユニットが提供される。当該補助電圧生成ユニットは、それぞれ第１の制御信号及び第２の制御信号を受信するように構成された第１の入力及び第２の入力であり、前記第１の制御信号及び前記第２の制御信号は、前記無線周波数スイッチの複数のパスのうちの何れの１つが有効にされるかを制御する、第１の入力及び第２の入力と、前記第１の制御信号及び前記第２の制御信号のうちの少なくとも一方から得られた、前記無線周波数スイッチを動作させるために使用される補助電圧、を出力するように構成された少なくとも１つの出力とを含む。補助電圧は、バイアス電圧、及び／又は、選択された分岐をアイソレーション分岐又はシャント分岐として動作させるために用いられるインバータに電力供給するために使用される電圧とし得る。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
以下の詳細な説明及び添付の図面を参酌した当業者は、本発明をより容易に理解することになる。
【図１】本発明の一実施形態に係るＶＢＩＡＳ及びＶＲＥＧの生成ユニットを含んだＲＦスイッチを示す図である。
【図２Ａ】本発明の実施形態に係るＶＢＩＡＳ及びＶＲＥＧの生成ユニットを実現し得る回路を示す図である。
【図２Ｂ】本発明の実施形態に係るＶＢＩＡＳ及びＶＲＥＧの生成ユニットを実現し得る回路を示す図である。
【図２Ｃ】本発明の実施形態に係るＶＢＩＡＳ及びＶＲＥＧの生成ユニットを実現し得る回路を示す図である。
【図２Ｄ】本発明の実施形態に係るＶＢＩＡＳ及びＶＲＥＧの生成ユニットを実現し得る回路を示す図である。
【図２Ｅ】本発明の実施形態に係るＶＢＩＡＳ及びＶＲＥＧの生成ユニットを実現し得る回路を示す図である。
【図３】本発明の実施形態に従って実行され得る一連の動作を示す図である。
【図４】本発明の実施形態に従って実行され得る一連の動作を示す図である。
【図５】ハイパワー動作のために補助電圧を必要としない、ｐＨＥＭＴにより実装される従来技術に係るＲＦスイッチを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
図１を参照するに、単極３投スイッチとして構成されたシリコンベーストランジスタＲＦスイッチ１００が示されている。このようなスイッチでは、ＲＦＣ  １０１からの３つのＲＦパス、すなわち、ＲＦＣ  １０１からＲＦ１  １０２へのパス、ＲＦＣ  １０１からＲＦ２  １０３へのパス、及びＲＦＣ  １０１からＲＦ３  １０４へのパスが規定され得る。
【００１４】
スイッチ１００においても、スイッチ５００においてのように、何れのパスが有効にされてＲＦ信号が通ることが許されるかを制御するために、幾つかのトランジスタが使用される。スイッチ１００の場合、トランジスタＭ１１、Ｍ１３及びＭ１５は、メインのパスコントローラとして使用され、トランジスタＭ１２、Ｍ１４及びＭ１６は、所与のパスをアイソレートするか、あるいは非選択パスのＡＣシャントパスを有効にするか、を行うように制御される。しかしながら、図５のスイッチ５００と異なり、スイッチ１００のトランジスタはシリコンベースのトランジスタである。
【００１５】
表１は、ＲＦスイッチ１００を制御するために使用される制御電圧ＶＣ１、ＶＣ２及びＶＣ３を示している。対応する制御信号ＶＣ１Ｂ、ＶＣ２Ｂ及びＶＣ３Ｂは、ＶＣ１、ＶＣ２及びＶＣ３を好適なインバータ１５０を介して渡すことによって、ＶＣ１、ＶＣ２及びＶＣ３を反転したものとなるようにされている。
【００１６】
【表１】
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より具体的には、例えば、ＲＦ信号をＲＦＣ  １０１からＲＦ１  １０２へと通らせるために、ＶＣ１がｈｉｇｈに設定され、ＶＣ２及びＶＣ３がｌｏｗに設定される。ＲＦ信号をＲＦＣ  １０１からＲＦ２  １０３へと通らせるためには、ＶＣ２がｈｉｇｈに設定され、ＶＣ１及びＶＣ３がｌｏｗに設定される。そして、ＲＦ信号をＲＦＣ  １０１からＲＦ３  １０４へと通らせるためには、ＶＣ３がｈｉｇｈに設定され、ＶＣ１及びＶＣ２がｌｏｗに設定される。
【００１７】
シリコンベースのトランジスタにおいては、ゲートリーク電流は一般的に非常に小さい。故に、ノード１２５（ＲＦＣ  １０１とＲＦ１  １０２との間の、スイッチ１００の一番上のパス内に示されている）の電圧は、ほぼ常に０Ｖに近くなる。何故なら、例えば、Ｍ１２を跨いで配置されるバイパス抵抗がＤＣ阻止キャパシタを介してグランドに接続されているためである。（ノード１２５は一例として用いており、当業者に認識されるように、ここでの説明はスイッチ１００のその他の分岐内の対応するノードにも等しく当てはまる。）しかしながら、ノード１２５が０Ｖ  ＤＣに維持されると、スイッチはハイパワーの状況で正常に動作しない。ちょうど図５のｐＨＥＭＴ実装においてのように、ノード１２５は、（スイッチ１００の一番上の分岐の場合に）Ｍ１１の順バイアスとＭ１２の逆バイアスとを保証するために、０Ｖより高い電圧に設定されることが好ましい。
【００１８】
ノード１２５に所望の電圧を獲得してスイッチ１００のハイパワー動作をサポートするため、別個の電圧源を用いて、スイッチ１００の各分岐及びパス内の複数のノードにバイアス信号“ＶＢＩＡＳ”が印加される。一番上の分岐又はパスを例にとると、ＶＢＩＡＳは、ＲＦＣ  １０１とＭ１１との間、ノード１２５、及びＭ１２とグランドとの間に印加されている。ＶＢＩＡＳは、１．６Ｖ程度又はそれ以上とし得る。ＶＢＩＡＳがこのように印加されるとき、そのそれぞれのパス、アイソレーション／シャント分岐を含むスイッチのセグメント全体が、印加されるＶＢＩＡＳ電圧のレベルにバイアスされる。結果として、シリコンベースＲＦスイッチ１００は、ハイパワーの状況で適切に動作することができる。
【００１９】
さらに（図５には示されていない）、インバータ１５０は、アイソレーション／シャント分岐を動作させるように信号ＶＣ１Ｂ、ＶＣ２Ｂ及びＶＣ３Ｂを提供するために電力供給されなければならない。図１において、それぞれのインバータ１５０への供給電力は、“ＶＲＥＧ”を付した電圧によって供給される。インバータ１５０の出力は、入力信号ＶＣ１、ＶＣ２、ＶＣ３の反転であり、スイッチ１００の各パスのシャント／アイソレーション分岐に提供されるＶＣ１Ｂ、ＶＣ２Ｂ及びＶＣ３Ｂがもたらされる。
【００２０】
本発明の一実施形態によれば、図１に更に示すように、ＶＢＩＡＳ／ＶＲＥＧ生成ユニット２００が設けられる。後述するように、ＶＢＩＡＳ／ＶＲＥＧ生成ユニット２００は、スイッチ回路自体の一部として製造されることができる。ＶＢＩＡＳ／ＶＲＥＧ生成ユニット２００は、入力ＶＣ１、ＶＣ２及びＶＣ３（多数の制御信号が存在してもよい）を受け取り、これらの制御信号のうちの少なくとも１つから、上述のように使用されるＶＢＩＡＳ及びＶＲＥＧに適した電圧を生成する。一実施形態において、生成されるＶＢＩＡＳは約１．６Ｖであり、生成されるＶＲＥＧは約２．６Ｖである。
【００２１】
図２Ａ−２Ｃは、ＶＢＩＡＳ／ＶＲＥＧ生成ユニット２００の内部回路が取り得る実施形態を示している。例えば、図２Ａは、複数のダイオード２８０を有する分圧器を示している。ＶＣ１が３．３Ｖであり且つＶＣ２及びＶＣ３が０Ｖであると仮定すると、好適な数のダイオードを有する分圧器により、所望のＶＢＩＡＳ電圧レベルを提供することができる。
【００２２】
図２Ｂは、図２Ａに示したものと同様の他の一実施形態を示している。しかしながら、この実施形態は更に、ソースフォロワとして構成されたトランジスタ２８１−２８３を含んでおり、これらのソースフォロワは、ダイオードによる実装される分圧器からの電圧の印加によってターンオンされ、且つそれぞれＶＣ１、ＶＣ２及びＶＣ３に接続されたドレインノードを有するように構成されている。常にＶＣ１、ＶＣ２又はＶＣ３のうちの何れか１つがｈｉｇｈであるので、常にトランジスタ２８１−２８３のうちの何れか１つがＶＢＩＡＳを供給することになる。４つ以上の分岐を有するスイッチの場合、この回路に更なる制御信号ＶＣ４、・・・、ＶＣｎを追加して、ＶＢＩＡＳ信号の電力を供給することが可能な“ｈｉｇｈ”の制御信号が常に少なくとも１つ存在するようにすることができる。
【００２３】
複数のダイオード２８０のそれら自体は、独立したｐ−ｎ接合を有するもの、ダイオードとして動作するように接続されたＮＭＯＳ若しくはＰＭＯＳ、又はダイオードとして動作するように接続されたバイポーラトランジスタなどを含め、如何なる手法で形成されてもよい。また、トランジスタ２８１−２８３は、生来のＭＯＳとしてもよいし、電流源としての能力を高めるよう標準ＭＯＳとしてもよい。このようなデバイスは、スイッチ１００が製造されるのと同じ半導体基板に形成されることが可能であり、それにより製造コストが削減される。
【００２４】
図２Ｃは、ＶＢＩＡＳ電圧を供給するために使用し得る第３の実施形態を示している。この特定の構成においては、複数の抵抗２９０を有する分圧器が設けられ、ノード２９２からＶＢＩＡＳが取られる。当業者に認識されるように、ＶＢＩＡＳに所望される電圧レベルが得られるように抵抗の値を選定することができる。
【００２５】
図２Ｄは、ＶＲＥＧを生成するための、ＶＢＩＡＳ／ＶＲＥＧ生成ユニット２００内の回路が取り得る実装例を示している。図示した構成において、３つのダイオード２９５−２９７が、それぞれ、ＶＣ１、ＶＣ２及びＶＣ３に接続されるように構成されている。従って、ＶＣ１、ＶＣ２又はＶＣ３がｈｉｇｈであるとき、結合されたダイオード２９５、２９６又は２９７で電圧降下が発生し、所望のＶＲＥＧ電圧を得ることができる。故に、例えば、３．３Ｖ程度のＶＣ１、ＶＣ２及びＶＣ３を用いると、ＶＲＥＧ電圧は３．３Ｖ−０．７Ｖ＝２．６Ｖとなり、これは図１に示したインバータ１５０に電力供給するのに十分である。
【００２６】
図２Ｅは、ＶＲＥＧを生成する回路が取り得る他の一実装例を示している。図示した回路において、ＶＲＥＧは、複数のダイオード１乃至ｎを有する分圧器を介して取得される。ＶＲＥＧは、ＶＲＥＧ＝ＶＣ１×（ｎ／ｎ＋１）、又はＶＲＥＧ＝ＶＣ２×（ｎ／ｎ＋１）として計算され得る。ＶＣ３も起源となる電圧として使用され得る。
【００２７】
以上に基づき、当業者に認識されるように、本発明の実施形態は、適正動作のためのＶＢＩＡＳ電圧及び／又はＶＲＥＧ電圧を得るために外部電圧を必要とすることなく、ハイパワーの状況で動作することが可能なシリコンベースのＲＦスイッチを実現し得る。本発明の実施形態によれば、ＶＢＩＡＳ及びＶＲＥＧは、ＲＦコモンすなわち入力ノードから出力ノードまでＲＦ信号がスイッチの何れのパスを使用するかを制御するために使用される制御信号（例えば、ＶＣ１、ＶＣ２、ＶＣｎ）から直接的に取得される。ＶＣ１、ＶＣ２、ＶＣｎは、例えば、集積回路として実装されるＲＦスイッチに見られる得るピンである。ＶＢＩＡＳ及び／又はＶＲＥＧを供給するために更なるピンを用いる必要はなく、このような集積回路のパッケージング及び全体の回路レイアウトが単純化され、コストの削減がもたらされ得る。
【００２８】
図３は、本発明の実施形態に従って実行され得る一連の動作を示している。図３の説明に関して、図１、特に、ＶＢＩＡＳ／ＶＲＥＧ生成回路２００を参照することができる。ステップ３１０にて、制御信号が受信される。制御信号は、例えば、ＲＦスイッチの選択されたパス／分岐を有効にするために使用される制御信号とし得る。上述の説明において、そのような制御信号は例えばＶＣ１、ＶＣ２などに相当し得る。ステップ３１２にて、上記制御信号のうちの少なくとも１つから、少なくとも１つの補助電圧が生成される。上述の例において、補助電圧は、ＲＦスイッチの１つ以上のパス／分岐をバイアスするために使用されるＶＢＩＡＳ電圧、及び／又はＶＣ１、ＶＣ２などの反転形を得るために用いられるインバータに電力供給するために使用されるＶＲＥＧ電圧に相当し得る。ステップ３１４にて、該少なくとも１つの補助電圧が出力される。
【００２９】
図４は、本発明の実施形態に従って実行され得る他の一連の動作を示している。ステップ４１０にて、複数のパスのうちＲＦ信号を通すために介される１つを選択するため、ＲＦスイッチのパスに第１及び第２のパス制御信号が印加される。ステップ４１２にて、第１及び第２の制御信号のうちの少なくとも一方を用いて、少なくとも１つの補助電圧が生成される。そして、ステップ４１４にて、該少なくとも１つの補助電圧が、ＲＦスイッチの所定のノードに印加される。
【００３０】
当業者に認識されるように、補助電圧は、ＲＦスイッチのそれぞれの分岐に沿った特定のノードを、ハイパワー動作に耐えるのに十分な電圧レベルに維持するために印加されるＶＢＩＡＳ、又は、ＲＦスイッチ内でアイソレーション分岐若しくはシャント分岐を有効にするために制御信号を反転することに用いられるインバータに電力供給するために使用され得るＶＲＥＧ電圧とし得る。何れの場合も、制御信号を用いて補助電圧を生成することにより、例えばシリコンベースＲＦスイッチの設計を単純化することが可能である。すなわち、外部供給される別個のＶＢＩＡＳ及びＶＲＥＧは不要である。
【００３１】
最も実用的且つ好適な実施形態であると現時点で考えられる実施形態に関して本発明を説明してきたが、理解されるように、本発明は上述の実施形態に限定されるものではない。むしろ、本発明は、最も広い解釈に一致すべき添付の請求項の精神及び範囲内に含まれる様々な変形及び類似構成に及ぶものであって、そのような全ての変形及び類似構成を包含するものである。
【符号の説明】
【００３２】
１００  ＲＦスイッチ
１０１  入力ノード
１０２、１０３、１０４  出力ノード
１５０  インバータ
２００  ＶＢＩＡＳ／ＶＲＥＧ生成ユニット
２８０  ダイオード
２８１、２８２、２８３  トランジスタ
２９０  抵抗
２９５、２９６、２９７  ダイオード
【図１】
0005330560.tif 000003
【図２Ａ】
0005330560.tif 000004
【図２Ｂ】
0005330560.tif 000005
【図２Ｃ】
0005330560.tif 000006
【図２Ｄ】
0005330560.tif 000007
【図２Ｅ】
0005330560.tif 000008
【図３】
0005330560.tif 000009
【図４】
0005330560.tif 000010
【図５】
0005330560.tif 000011