(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板処理装置の処理容器内において基板を載置するとともに加熱する基板加熱機能を有する基板載置機構であって、
基板を載置する基体と基体に設けられ基板を加熱する第１の発熱体とを有する基板載置台と、
一端が前記基板載置台に接合され、他端が前記処理容器に取り付けられ、筒状をなす支持部材と、
前記支持部材の内側に設けられ、管と、前記管の内部に挿通された第２の発熱体とからなり、前記支持部材を加熱する加熱手段と
を具備し、
前記加熱手段は、前記支持部材内の上端部を周回しており、輻射により前記支持部材を加熱することを特徴とする、基板載置機構。
【請求項２】
前記加熱手段は、前記管として石英ガラス管を用い、前記第２の発熱体としてカーボンワイヤーを用いたカーボンヒーターであることを特徴とする、請求項１に記載の基板載置機構。
【請求項３】
前記加熱手段は、前記管として石英ガラス管を用い、前記第２の発熱体としてタングステンフィラメントを用いたハロゲンランプであることを特徴とする、請求項１に記載の基板載置機構。
【請求項４】
前記加熱手段は、上下方向に屈曲しながら周回していることを特徴とする、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の基板載置機構。
【請求項５】
前記支持部材は、前記基板載置台の中央部に設けられていることを特徴とする、請求項１から請求項４に記載の基板載置機構。
【請求項６】
前記加熱手段が前記基板載置台の温度に応じて前記基板載置台と前記支持部材の接合部近傍を加熱するように制御する制御手段をさらに具備することを特徴とする、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の基板載置機構。
【請求項７】
基板を収容し、内部が減圧保持される処理容器と、
前記処理容器内に設けられ、前記基板が載置され、請求項１から請求項６のいずれかに記載された構成を有する基板載置機構と、
前記処理容器内で基板に所定の処理を施す処理機構と
を具備することを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、成膜装置等の基板処理装置において処理容器内で半導体ウエハ等の基板を載置して加熱する基板加熱機能を有する基板載置機構およびそれを用いた基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造においては、被処理基板である半導体ウエハに対して、ＣＶＤ成膜処理やプラズマエッチング処理のような真空処理を施す工程が存在するが、その処理に際しては被処理基板である半導体ウエハを所定の温度に加熱する必要があるため、基板載置台を兼ねたヒーターを用いて半導体ウエハを加熱している。【０００３】
このようなヒーターとしては従来からステンレスヒーター等が用いられてきたが、近年、上記処理に用いられるハロゲン系ガスによる腐蝕が生じにくく、熱効率が高いセラミックヒーターが提案されている（特許文献１等）。このようなセラミックヒーターは、被処理基板を載置する載置台として機能するＡｌＮ等の緻密質セラミックス焼結体からなる基体の内部に、高融点金属からなる発熱体を埋設した構造を有している。【０００４】
このようなセラミックヒーターからなる基板載置台を基板処理装置に適用する場合には、セラミック製の筒状の支持部材の一端を基板載置台の裏面に接合し、他端をチャンバーの底部に接合する。この支持部材の内部には、発熱体に給電するための給電線が設けられており、発熱体の端子にこの給電線がつながっていて、外部に設けられた電源からこの給電線および給電端子を介して発熱体に給電される。【０００５】
ところで、このようなセラミックヒーターからなる基板載置台は、支持部材との接合部近傍に給電端子があるため、その部分において発熱体の密度が低くならざるを得ない。また、基板載置台の支持部材との接合部は、支持部材を介した熱伝導により熱が逃げやすい。このため、基板載置台の接合部周辺にクールスポット（周辺に比べ温度が低い領域）ができ、その部分で熱応力集中が生じ、それに起因した接合部の割れが無視できない頻度で生じてしまう。これを回避するために、基板載置台に埋設された発熱体により接合部周辺の温度を上昇させると、基板載置台の基板載置面における温度分布をプロセスに対して最適化することができない。【０００６】
このような接合部の熱応力を緩和して割れを解消する技術が特許文献２，３に開示されているが、これらは、主に支持部材に複雑な加工を施す必要がある。また、近時、半導体ウエハの大型化にともない基板載置台も大型化しており、このような支持部材の形状による熱応力の緩和には限界があり、確実に割れを防止することが困難である。
【特許文献１】特開平７−２７２８３４号公報
【特許文献２】特開２００１−２５０８５８号公報
【特許文献３】特開２００３−２８９０２４号公報
【発明の開示】
【０００７】
本発明の目的は、基板載置台の基板載置面における温度分布を適切に維持しつつ、基板載置台と支持部材との間の割れを確実に防止することができる基板載置機構を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、そのような基板載置機構を用いた基板処理装置を提供することにある。
【０００８】
本発明の第１の観点によれば、基板処理装置の処理容器内において基板を載置するとともに加熱する基板加熱機能を有する基板載置機構であって、基板を載置する基体と基体に設けられ基板を加熱する第１の発熱体とを有する基板載置台と、一端が前記基板載置台に接合され、他端が前記処理容器に取り付けられ、筒状をなす支持部材と、前記支持部材の内側に設けられ、管と、前記管の内部に挿通された第２の発熱体とからなり、前記支持部材を加熱する加熱手段とを具備し、前記加熱手段は、前記支持部材内の上端部を周回しており、輻射により前記支持部材を加熱することを特徴とする、基板載置機構が提供される。
【０００９】
本発明の第２の観点によれば、基板を収容し、内部が減圧保持される処理容器と、前記処理容器内に設けられ、前記基板が載置され、上記第１の観点の構成を有する基板載置機構と、前記処理容器内で基板に所定の処理を施す処理機構とを具備することを特徴とする基板処理装置が提供される。
【００１０】
上記第１の観点または第２の観点において、前記加熱手段は、前記管として石英ガラス管を用い、前記第２の発熱体としてカーボンワイヤーを用いたカーボンヒーターであってもよいし、前記管として石英ガラス管を用い、前記第２の発熱体としてタングステンフィラメントを用いたハロゲンランプであってもよい。
【００１１】
前記加熱手段は、上下方向に屈曲しながら周回している構成とすることができる。
【００１２】
前記支持部材は、前記基板載置台の中央部に設けられるように構成することができる。また、前記加熱手段が前記基板載置台の温度に応じて前記基板載置台と前記支持部材の接合部近傍を加熱するように制御する制御手段をさらに具備する構成とすることができる。
【００１３】
本発明によれば、基板載置台を支持する支持部材を加熱する加熱手段を、管と、その管の内部に挿通された第２の発熱体とからなる構成とし、筒状をなす支持部材の内側の上端部を周回するように設け、基板載置台により基板を加熱している際に、加熱手段により支持部材を輻射により加熱するので、基板載置台から支持部材への放熱を阻止することができ、基板載置台と支持部材との間の接合部の熱応力が解消される。このため、接合部での割れを確実に防止することができる。また、基板を加熱するための発熱体とは別個の加熱手段による加熱により基板載置台の放熱を阻止するので、発熱体による加熱を最適化することができ、基板載置台の載置面の温度分布を適切に維持することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の一実施形態に係るウエハ載置機構を適用したＣＶＤ成膜装置を示す概略断面図。
【図２】本発明の一実施形態に係るウエハ載置機構を拡大して示す拡大断面図。
【図３】本発明の一実施形態に係るウエハ載置機構に支持部材の加熱手段として適用されたカーボンヒーターの構造を示す断面図。
【図４】上記カーボンヒーターを示す平面図。
【図５】本発明の一実施形態に係るウエハ載置機構のウエハ載置台を加熱する発熱体および支持部材を加熱するカーボンヒーターの制御系の一例を示すブロック図。
【図６】従来のウエハ載置機構を用いた場合の状態を説明するための模式図。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、添附図面を参照して本発明の実施形態について説明する。
ここでは、本発明に係る基板載置機構をＣＶＤ成膜装置に適用した例について説明する。【００１６】
図１は、本発明の一実施形態に係るウエハ載置機構を適用したＣＶＤ成膜装置を示す概略断面図である。このＣＶＤ成膜装置１００は、気密に構成された略円筒状のチャンバー２と、チャンバー２の底壁２ｂから下方に突出して設けられた排気室３とを有しており、これらチャンバー２と排気室３により一体的な処理容器が構成される。チャンバー２内には被処理体である半導体ウエハ（以下、単にウエハと記す）Ｗを水平状態にして載置し、かつ加熱するための、ウエハ載置機構１０が設けられている。このウエハ載置機構１０は、ウエハ載置面を有し、後述するように発熱体が埋設されたウエハ載置台１１と、処理容器を構成する排気室３の底部から上方に延びウエハ載置台１１の中央を支持する円筒状の支持部材１２とを有している。また、チャンバー２の外側にはウエハ載置台１１の発熱体等に給電するための電源５が設けられており、この電源５から接続室２０を介して発熱体等に給電される。電源５にはコントローラ７が接続されており、電源５からの給電量を制御してウエハ載置台１１等の温度制御を行うようになっている。この制御系の詳細については後述する。さらに、ウエハ載置台１１の外縁部にはウエハＷをガイドするためのガイドリング６が設けられている。【００１７】
チャンバー２の天壁２ａには、シャワーヘッド３０が設けられている。このシャワーヘッド３０は、上段ブロック体３０ａ、中段ブロック体３０ｂ、下段ブロック体３０ｃで構成されている。上段ブロック体３０ａの上面には、第１のガス導入口３１と、第２のガス導入口３２とが形成されており、下段ブロック体３０ｃにはガス吐出孔３３と３４とが交互に形成されている。【００１８】
第１および第２のガス導入口３１、３２には、それぞれガス供給機構４０から延びるガス供給配管３５、３６が接続されており、ガス供給機構４０から例えばＴｉＣｌ４ガスおよびＮＨ３ガスが、それぞれこれらガス供給配管３５、３６を通って第１のガス導入口３１および第２のガス導入口３２からシャワーヘッド３０内に導入され、各ブロック体内に形成されたガス通路を通って、それぞれガス吐出孔３３および３４から別個に吐出されるようになっている。つまり、第１のガス導入口３１から導入されたガスと第２のガス導入口３２から導入されたガスがシャワーヘッド３０内では混合せず、別個のガス吐出孔３３および３４から吐出された後に混合されるポストミックスタイプとなっている。【００１９】
前記排気室３は、チャンバー２の底壁２ｂの中央部に形成された円形の穴４を覆うように下方に向けて突出しており、その側面には排気管５１が接続されており、この排気管５１には排気装置５２が接続されている。そしてこの排気装置５２を作動させることによりチャンバー２内を所定の真空度まで減圧することが可能となっている。【００２０】
ウエハ載置台１１には、ウエハＷを支持して昇降させるための３本（２本のみ図示）のウエハ支持ピン５３がウエハ載置台１１の表面に対して突没可能に設けられ、これらウエハ支持ピン５３は支持板５４に固定されている。そして、ウエハ支持ピン５３は、エアシリンダ等の駆動機構５５により支持板５４を介して昇降される。【００２１】
チャンバー２の側壁には、真空に保持された図示しない搬送室との間でウエハＷの搬入出を行うための搬入出口５６と、この搬入出口５６を開閉するゲートバルブ５７とが設けられている。【００２２】
次に、ウエハ載置機構１０について図２の拡大断面図を参照して詳細に説明する。
上述したように、ウエハ載置機構１０は、ウエハ載置台１１と、ウエハ載置台１１を支持する円筒状の支持部材１２とを有している。ウエハ載置台１１は、セラミックヒーターとして構成されており、ＡｌＮ、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＣ、ＳｉＯ２等のセラミック材料からなる基体１１ａと、基体１１ａ内に埋設された、例えばＷ、Ｍｏ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｎｂ、Ｔａ等の高融点金属またはこれらの化合物からなる発熱体１３とを有している。発熱体１３は２ゾーンに分かれており、ウエハ載置台１１の中央部分において、各ゾーンの発熱体１３は、それに給電するための給電端子部１４に接続されている。なお、給電端子部１４は、各ゾーンの発熱体１３に２つずつ設けられているが、図２では便宜上、各ゾーンの発熱体１３について１つずつ合計２つのみ描いている。【００２３】
支持部材１２もウエハ載置台１１と同様、ＡｌＮ、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＣ、ＳｉＯ２等のセラミック材料からなり、支持部材１２はウエハ載置台１１の裏面の中央に接合されている。支持部材１２の内側には、鉛直方向に延在する４本の給電ロッド１５（２本のみ図示）が設けられており、その上端部は給電端子部１４に接続され、下端部は支持部材１２の下端に排気室３の下方へ突出するように取り付けられた接続室２０内に延びている。給電ロッド１５はＮｉ合金等の耐熱金属材料で構成されている。【００２４】
支持部材１２の内側には、また、鉛直方向に延材する２本の熱電対１６ａ，１６ｂが設けられている。熱電対１６ａの上端部はウエハ載置台１１に埋設され、一方、熱電対１６ｂの上端部は支持部材１２の上端部に配置されている。また、これらの下端部は接続室２０内に延びている。熱電対１６ａは、ウエハ載置台１１の温度を検出し、ウエハ温度のフィードバック制御に用いられる。また、熱電対１６ｂは、後述するカーボンヒーターの温度制御に用いられる。【００２５】
支持部材１２の内側には、さらに、支持部材１２を加熱する加熱手段であるカーボンヒーター１７が設けられている。カーボンヒーター１７は支持部材１２内を鉛直方向に延在する２本（図４参照）の給電部１８と、給電部１８の先端に設けられた発熱部１９とを有している。図３に示すように、給電部１８は石英ガラス管４１と、その中に挿通された給電ロッド４２とを有している。また、発熱部１９は、給電部１８の石英ガラス管４１よりも小径の石英ガラス管４３と、その内部に挿通され、給電線に接合された発熱体であるカーボンワイヤー４４とを有している。そして、発熱部１９は、図２および、平面図である図４に示すように、支持部材１２内の上端部を上下方向に屈曲しながら、かつ、給電ロッド１５および熱電対１６ａ，１６ｂに干渉しないように、周回している。これにより、ウエハ載置台１１と支持部材１２との接合部近傍を有効かつ均一に加熱することができる。なお、２本の給電部１８の間は支持棒１８ａにより連結されており、また、発熱部１９は、支持棒１８ａと平行にその直径に相当する部分に設けられた支持棒１９ａにより支持されている。これら支持棒１８ａ，１９ａによりカーボンヒーター１７の変形を防止している。【００２６】
支持部材１２の底部にはフランジ状をなす絶縁体からなる底蓋２１が取付部材２１ａおよびネジ２１ｂにより取り付けられており、この底蓋２１に給電ロッド１５、熱電対１６ａ，１６ｂ、カーボンヒーター１７が挿通される孔が鉛直に設けられている。また、接続室２０は円筒状をなし、その上端にフランジ２０ａが形成されており、このフランジ２０ａが底蓋２１と排気室３の底壁とによって狭持されている。フランジ２０ａと排気室３の底壁との間はリングシール部材２３ａにより気密にシールされており、フランジ２０ａと底蓋２１との間は２つのリングシール部材２３ｂによって気密にシールされている。そして、接続室２０内において、給電ロッド１５、カーボンヒーター１７が電源５から延びる給電線４５に接続され、熱電対１６ａ，１６ｂがコントローラ７から延びる配線４６に接続されている。【００２７】
次に、成膜装置１００の全体の制御系について説明する。
成膜装置１００の各構成部は、プロセスコントローラ６０に接続されて制御される構成となっている。プロセスコントローラ６０には、工程管理者が成膜装置１００を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードや、成膜装置１００の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等からなるユーザーインターフェイス６１が接続されている。【００２８】
また、プロセスコントローラ６０には、成膜装置１００で実行される各種処理をプロセスコントローラ６０の制御にて実現するための制御プログラムや、処理条件に応じてプラズマエッチング装置の各構成部に処理を実行させるためのプログラムすなわちレシピが格納された記憶部６２が接続されている。レシピはハードディスクや半導体メモリに記憶されていてもよいし、ＣＤＲＯＭ、ＤＶＤ等の可搬性の記憶媒体に収容された状態で記憶部６２の所定位置にセットするようになっていてもよい。さらに、他の装置から、例えば専用回線を介してレシピを適宜伝送させるようにしてもよい。【００２９】
そして、必要に応じて、ユーザーインターフェイス６１からの指示等にて任意のレシピを記憶部６２から呼び出してプロセスコントローラ６０に実行させることで、プロセスコントローラ６０の制御下で、成膜装置１００での所望の処理が行われる。【００３０】
次に、発熱体１３およびカーボンヒーター１７の制御系について図５を参照しながら説明する。上記コントローラ７は、載置台１１の温度コントロールを行うための第１コントロール部７ａとカーボンヒーター１７による加熱温度をコントロールするための第２コントロール部７ｂとを有している。一方、電源５は、発熱体１３に給電するための第１電源部５ａと、カーボンヒーター１７に給電するための第２電源部５ｂとを有している。第１コントロール部７ａおよび第２コントロール部７ｂは、上位のコントローラであるプロセスコントローラ６０により制御されるようになっている。第１コントロール部７ａは、熱電対１６ａの検出信号を受け、その検出信号とプロセスコントローラ６０の指令に基づき、第１電源部５ａに指令を与え、発熱体１３への給電を制御する。第２コントロール部７ｂは、熱電対１６ｂの検出信号を受け、その検出信号とプロセスコントローラ６０の指令に基づき、第２電源部５ｂに指令を与え、カーボンヒーター１７への給電を制御する。プロセスコントローラ６０は、カーボンヒーター１７がウエハ載置台１１の温度に応じてウエハ載置台１１と支持部材１２接合部近傍を加熱するように、第１コントロール部７ａおよび第２コントロール部７ｂを制御する。【００３１】
なお、カーボンヒーター１７は、後述するようにウエハ載置台１１を断熱してクールスポットを形成しないことを目的とするものであり、ウエハ載置台１１のような厳密な制御は必要がないこと、および支持部材１２の内部の挿入物による干渉を極力回避することが必要であること等の観点から、熱電対１６ｂを設けずにカーボンヒーター１７を電圧によるオープンループ制御により温度制御するようにしてもよい。【００３２】
以上のように構成される成膜装置１００においては、まず、ウエハ載置台１１に埋設された発熱体１３に電源５の第１電源部５ａから給電することにより、ウエハ載置台１１を例えば７００℃程度に加熱し、排気装置５２により処理容器１内を引き切り状態としておき、ゲートバルブ５７を開にして真空状態の図示しない搬送室から搬入出口５６を介してウエハＷをチャンバー２内へ搬入し、ウエハ載置台１１の上面にウエハＷを載置し、ゲートバルブ５７を閉じる。この状態で、ガス供給機構４０から、ガス供給配管３５、３６を介して、成膜ガスを所定流量でシャワーヘッド３０に供給し、シャワーヘッド３０からチャンバー２内に供給することにより、ウエハＷの表面で反応を生じさせて所定の膜を成膜する。例えば成膜ガスとしてＴｉＣｌ４ガスおよびＮＨ３ガスを用いることにより、ウエハ載置台１１上のウエハＷの表面で、ＴｉＣｌ４ガスおよびＮＨ３ガスを反応させて、熱ＣＶＤによりＴｉＮ膜を形成する。【００３３】
従来は、この成膜処理の際に、支持部材１２の加熱は行っておらず、そのため以下のような不都合が生じていた。すなわち、支持部材１２の上端が直接ウエハ載置台１１に接合され、かつ支持部材１２の下端が大気側に接している接続室２０に接続されているため、ウエハ載置台１１の熱が熱伝導により支持部材１２を介して大気側へ放熱される。また、ウエハ載置台１１の支持部材１２が接合されている中央部は、給電端子が存在しているため、発熱体の密度を上げることができない。このため、図６に示すように、ウエハ載置台１１と支持部材１２との接合部周辺に、クールスポットＣが形成され、この部分での熱応力集中が原因となって接合部近傍の割れが無視できない頻度で生じてしまう。これを回避するために、発熱体１３により接合部の加熱を強化する場合には、温度が高くなりやすいウエハ中央部の加熱を強化することとなり、ウエハ載置台１１の載置面の温度分布を最適化することができない。【００３４】
これに対して、本実施形態では、支持部材１２を加熱する加熱手段として支持部材１２の内側にカーボンヒーター１７を設け、ウエハ載置台１１と支持部材１２との接合部近傍を加熱するようにしたので、ウエハ載置台１１の支持部材１２を介した放熱を阻止することができ、クールスポットが形成されないようにすることができる。また、このようにウエハ載置台１１の加熱とは独立してカーボンヒーター１７により支持部材１２を加熱することによりクールスポットを解消するので、発熱体１３によりウエハ載置台１１をプロセスに最適な温度に制御することができる。【００３５】
また、支持部材１２の内側にカーボンヒーター１７を設け、その輻射熱により支持部材１２の接合部近傍部分を加熱するので、既存の設備を何ら変更なく設置することができ、設置が容易である。クールスポットを解消するためには支持部材１２にヒーターを埋設する方法も考えられるが、その場合には、肉厚の薄い部分にヒーターを埋設することになり製造が困難であり、肉厚の変化する部分に熱応力が集中して、そこを起点として割れが発生するおそれもある。したがって、本実施形態のように支持部材１２の内側にカーボンヒーター１７を設け、輻射熱で支持部材１２を加熱する構成は有利である。【００３６】
また、加熱手段として用いたカーボンヒーター１７の石英ガラス管４１および石英ガラス管４３、ならびにカーボンワイヤー４４は、純度が高く不純物をほとんど含まないので、有機物汚染はもちろんのこと、金属汚染物のコンタミネーションもほとんど発生しないという利点がある。また、カーボンヒーター１７の外側部分を構成する石英ガラスは加工が容易であり、狭い支持部材１２の内部に収容可能で、かつ、支持部材１２内の挿入物に干渉せず、しかも均一に加熱可能な形状を容易に得ることができる。【００３７】
カーボンヒーター１７による加熱温度は、ウエハ載置台１１の温度とは必ずしも一致している必要はなく、ある程度加熱できればウエハ載置台１１から支持部材１２への熱伝導を低下させクールスポットでの熱応力を低減することができる。例えば、ウエハ載置台１１の温度制御を７００℃で行っている場合、カーボンヒーター１７の設定温度が５００℃であっても十分に効果がある。ただし、より効果を高める観点からは、カーボンヒーター１７を、接合部近傍の温度がウエハ載置台１１と同じ温度になるように温度制御することが好ましい。【００３８】
なお、本発明は上記実施形態に限定されることなく種々変形可能である。例えば、上記実施形態では、支持部材の加熱手段であるカーボンヒーターの発熱部を屈曲しながら周回する状態で設けたが、必要な範囲を所望の均一性で加熱することができれば、そのような状態に限らず、例えば螺旋状に設ける等、他の状態で配置してもよい。【００３９】
また、支持部材の内部に配置するために加工が容易なカーボンヒーターを加熱手段として用いたが、支持部材１２に収容可能であれば他の加熱手段を用いてもよい。特に、ハロゲンランプは輻射熱により７００℃程度に加熱することができ、不純物の影響も少なく、加熱効率も良好であるため好ましい。ハロゲンランプを用いる場合には、図３に示すカーボンヒーターの構造である、石英ガラス管４３内に発熱体であるカーボンワイヤーを設けた構造と基本的に同様の構造、すなわち、石英ガラス管内に発熱体を設け、この発熱体として例えばタングステンフィラメントを設けた構造をとることができ、これを図２に示すような形状またはその他任意の形状に屈曲させたものを用いることができる。【００４０】
また、他の加熱手段として上記輻射熱により加熱するものに限らず、熱伝導により加熱するものであってもよい。このような熱伝導により加熱する加熱手段としては、抵抗加熱ヒーターを用いることができる。抵抗加熱ヒーターとしても図３と同様の構造、すなわち石英管内に発熱体を設けた構造を採用することができ、発熱体としてタングステン等の高融点金属からなる抵抗発熱体を用いることができる。そして、これを図２に示すような形状またはその他任意の形状に屈曲させたものを用いることができる。また、石英管に代えて、Ｎｉ、ステンレス鋼、ハステロイ（登録商標）等の金属で作製した管を用いてもよい。さらに、抵抗加熱ヒーターとして高融点金属発熱体からなるワイヤーを任意の形状に屈曲したものを用いることもできる。【００４１】
さらに、上記実施形態では、支持部材を加熱する加熱手段を支持部材の内側に配置した例について示したが、処理雰囲気が腐食性の低いものであれば支持部材の外側から加熱するものであってもよいし、支持部材の形状によっては、その内部に埋設するようにしてもよい。ただし、設置の容易性の点、および腐食を考慮しなくてもよい点から、上記実施形態のように加熱手段を支持部材の内側に設けることが好ましい。【００４２】
また、上記実施形態では、支持部材をウエハ載置台のほぼ中央に設けた場合について示したが、これに限らず、例えば支持部材をウエハ載置台の周辺部に複数設けた構成でもよく、その場合にも同様の効果を奏することができる。【００４３】
さらに、上記実施形態では、本発明に係る基板載置機構をＣＶＤ成膜装置に用いた場合について示したが、これに限定されることなく、基板を加熱して処理する処理装置全般に用いることができる。基板として半導体ウエハを用いた場合について示したが、液晶表示基板のようなフラットパネルディスプレイ基板等、他の基板にも適用できることは言うまでもない。
【産業上の利用可能性】
【００４４】
本発明は、熱ＣＶＤ等、チャンバー内で基板を基板載置台に載置し、載置台が支持部材で支持された構造の基板載置機構を用いて基板の加熱処理を行う処理全般に適用可能である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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