(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターンが形成された型を基板上の樹脂に押し付け、前記型を前記樹脂から離型することによって、パターンを前記基板に転写するパターン転写装置であって、
前記型の除電を行う除電手段と、
前記型の電位を検出する電位検出手段と、を有し、
前記除電手段は、前記電位検出手段により検出された前記型の電位が許容値以下でない場合に前記型の除電を行うことを特徴とするパターン転写装置。
【請求項２】
パターンが形成された型を基板上の樹脂に押し付け、前記型を前記樹脂から離型することによって、パターンを前記基板に転写するパターン転写装置であって、
前記基板を保持して移動するステージと、
前記ステージに設けられた、前記型の除電を行う除電手段と、を有し、
前記ステージの移動により前記除電手段を移動させながら前記型の除電を行うことを特徴とするパターン転写装置。
【請求項３】
前記除電手段は、イオン化された気体を噴出する噴出手段と、前記イオン化された気体を回収する回収手段と、を有することを特徴とする請求項１又は２記載のパターン転写装置。
【請求項４】
前記除電手段は、前記ステージの上に配置されていることを特徴とする請求項２記載のパターン転写装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一に記載のパターン転写装置を用いて基板にパターンを転写するステップと、
前記パターンを転写された前記基板をエッチングするステップと、を有することを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パターン転写装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
紫外線、Ｘ線又は電子ビームによるリソグラフィーを用いた半導体デバイスへの微細パターンの形成方法に代わる技術として、ナノインプリントが知られている。ナノインプリントは、電子ビーム露光等によって、微細なパターンを形成した型（モールド）を、樹脂（レジスト）を塗布したウエハ等の基板に押し付ける（押印する）ことによって、基板上にパターンを転写する技術である。
【０００３】
ナノインプリントには幾つかの種類がある。その一つの方法として、従来から、光硬化法が提案されている。光硬化法は、紫外線硬化型の樹脂に透明なモールドを押し付けた状態で樹脂を感光、硬化させてからモールドを樹脂から剥離する方法である。この場合、モールドとしては紫外線を透過させる石英ガラスなどが使用される。
【０００４】
図１２は、従来のパターン転写装置によるパターン転写処理の動作遷移図である。図１２において、１はウエハ、６０は紫外線硬化型の樹脂、１０はモールドである。図１２（ａ）に示されるように、ウエハ１上に樹脂６０がディスペンサなどの樹脂吐出手段により滴下される。
【０００５】
次に、図１２（ｂ）に示されるように、モールド１０の微細な凹凸パターン面と樹脂６０とが対向する位置にウエハ１が移動した後、モールド１０が矢印Ｐ方向に下降することにより、樹脂６０に対して押し付ける。続いて、図１２（ｃ）に示されるように、モールド１０の押し付けが完了すると、図示しない光源によって紫外線がモールド１０を通して樹脂６０に照射される。
【０００６】
最後に、図１２（ｄ）に示されるように、モールド１０が矢印Ｒ方向に上昇することにより、紫外線の照射によって硬化した樹脂６０から離型され、パターンの転写が完了する。このとき、モールド１０が樹脂６０から離型する際に剥離帯電という現象が起きる。これは、図１２（ｄ）に示す、モールド１０にプラスの静電気が発生し、樹脂６０にマイナスの静電気が発生する現象である。モールド１０の材質は石英ガラスなどの紫外線を透過させる誘電体であるため、一度帯電すると発生した静電気は消滅することはなく、帯電状態が維持される。
【０００７】
このように樹脂からモールドを離型する場合にモールドに剥離帯電による静電気が発生して帯電すると、周囲の空気中のゴミが引き寄せられてモールドに付着する。このため、次のショットの転写ではモールドにゴミが付着した状態で樹脂への押し付けを行うことになり、ウエハにゴミを一緒に転写したり、又は、転写時にモールドの微細パターンを破壊するという問題がある。
【０００８】
この点に関し、特許文献１には、樹脂を型から引き離した後で、毎回、樹脂と型との間にイオン化された気体を導入し、型に発生した静電気を除去する技術が開示されている。
【特許文献１】特開２００７−９８７７９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、毎回、樹脂と型との間にイオン化された気体を導入する場合、静電気を除去するための時間が余分にかかり、パターン転写装置におけるスループットの低下を招く。
【００１０】
そこで、本発明は、スループットの点で有利なパターン転写装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の一側面としてのパターン転写装置は、パターンが形成された型を基板上の樹脂に押し付け、前記型を前記樹脂から離型することによって、パターンを前記基板に転写するパターン転写装置であって、前記型の除電を行う除電手段と、前記型の電位を検出する電位検出手段と、を有し、前記除電手段は、前記電位検出手段により検出された前記型の電位が許容値以下でない場合に前記型の除電を行う。
【００１３】
また、本発明の他の側面としてのデバイス製造方法は、前記パターン転写装置を用いて基板にパターンを転写するステップと、前記パターンを転写された前記基板をエッチングするステップと、を有する。
【００１４】
本発明の更なる目的又はその他の特徴は、以下、添付の図面を参照して説明される好ましい実施例等によって明らかにされるであろう。
【００１５】
例えば、本発明の他の側面としてのパターン転写装置は、パターンが形成された型を基板上の樹脂に押し付け、前記型を前記樹脂から離型することによって、パターンを前記基板に転写するパターン転写装置であって、前記基板を保持して移動するステージと、前記ステージに設けられた、前記型の除電を行う除電手段と、を有し、前記ステージの移動により前記除電手段を移動させながら前記型の除電を行う。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、スループットの点で有利なパターン転写装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施例について、図面を参照しながら詳細に説明する。各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。
【００１８】
以下、添付図面を参照して、本発明の実施例におけるパターン転写装置である光硬化型ナノインプリントのパターン転写装置について説明する。本実施例は、特に、半導体やＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍｓ）などを製造する微細加工装置に利用可能である。
【００１９】
本実施例のパターン転写装置は、パターンが形成された型を基板上の樹脂に押し付け、型を樹脂から離型することによってパターンを基板に転写するパターン転写装置である。なお、本実施例のパターン転写装置は、型を基板に押し付ける構成であるが、これに限定されるものではない。型と基板との相対的距離を近接させる構成であれば、例えば、基板を型に押し付けるものであってもよい。
【実施例１】
【００２０】
まず、本発明の実施例１について説明する。図１は、本発明の実施例に係るパターン転写装置の構成図である。
【００２１】
図１において、１はウエハ（基板）、２はウエハ１を保持するためのウエハチャックである。３は、ウエハ１のθ（ｚ軸回りの回転）方向位置の補正機能、ウエハ１のｚ位置の調整機能、及び、ウエハ１の傾きを補正するためのチルト機能を有する微動ステージである。微動ステージ３は、ウエハ１を所定の位置に位置決めするためのＸＹステージ４上に配置される。微動ステージ３及びＸＹステージ４は、ウエハ１を保持して移動する。
【００２２】
５は、ＸＹステージが載置されるベース定盤である。６は、微動ステージ３上にｘ及びｙ方向（ｙ方向は不図示）に取り付けられ、微動ステージ３の位置を計測するためにレーザ干渉計７からの光を反射する参照ミラーである。８ａ及び８ｂは、ベース定盤５上に屹立し、天板９を支える支柱である。
【００２３】
１０は、ウエハ１に転写されるパターンの形成されたモールド（型）である。１１は、モールド１０が設置された後、モールドチャックステージ１２に載置されるモールドチャックである。モールドチャックステージ１２は、モールド１０（モールドチャック１１）のθ（ｚ軸回りの回転）方向位置の補正機能及びモールド１０の傾きを補正するためのチルト機能を有する。
【００２４】
１３は、その一端がモールドチャックステージ１２に固定され、天板９を貫通するガイドバー１４ａ、１４ｂの他端を固定するガイドバープレートである。１５ａ及び１５ｂは、エアシリンダ又はリニアモータからなるリニアアクチュエータである。リニアアクチュエータ１５ａ、１５ｂは、ガイドバー１４ａ、１４ｂを図１中のｚ方向（上方向）に駆動して、モールドチャック１１に保持されたモールド１０をウエハ１に押し付け又は引き離す。
【００２５】
１６は、コリメータレンズ１７を通して、光硬化型の樹脂を感光させるためのＵＶ光を照射するＵＶ光源である。１８は、ウエハ１の表面に液状の樹脂を滴下する樹脂滴下ノズルである。２０は、ＵＶ光源１６の光路中にあるビームスプリッタである。ビームスプリッタ２０は、撮像系２１によりモールド１０の押し付け状態を観察するために使用される。なお、モールドチャック１１及びモールドチャックステージ１２は、ＵＶ光源１６から照射される光をモールド１０へと通過させる開口（不図示）をそれぞれ有する。
【００２６】
３０、３１はイオナイザのノズルである。イオナイザのノズル３０、３１は、モールド１０の除電を行う除電手段として用いられる。イオナイザのノズル３０、３１は、イオン化気体の噴出又は吸収（回収）を行う。イオナイザのノズル３０、３１は、微動ステージ３の上に配置されている。
【００２７】
次に、上記のように構成されたパターン転写装置のパターン転写動作について説明する。図３は、本実施例のパターン転写装置によるパターン転写処理のフローチャートである。
【００２８】
まず、パターン転写装置のＸＹステージ４を駆動し、ウエハ１が載置されたウエハチャック２を移動させ、ウエハ１上のパターン転写が行われる場所（ショット）を樹脂滴下ノズル１８の下に配置する（ステップＳ１）。そして、所定量の光硬化型樹脂（レジスト）をウエハ１上に滴下する（ステップＳ２）。
【００２９】
次に、当該ショットがモールド１０と対向する位置に配置されるように、再び、ＸＹステージ４を駆動してウエハチャック２を移動させる。そして、微動ステージ３によりウエハチャック２のｚ方向の高さと傾きを調整して、ウエハ１のショットの表面を装置の基準平面（不図示）に合わせる（ステップＳ３）。
【００３０】
続いて、リニアアクチュエータ１５ａ、１５ｂを駆動することにより、モールドチャックステージ１２を下降させ、モールド１０をウエハ１上に滴下された樹脂に押し付ける（ステップＳ４）。モールドチャック１１又はモールドチャックステージ１２には、複数のロードセル（不図示）が取り付けられている。モールドチャックステージ１２は、モールド１０の樹脂への押し付け力が所定値となるように、複数のロードセルの出力に応じて、モールドチャック１１の傾きを変化させる。また、リニアアクチュエータ１５ａ、１５ｂにより押し付け量を変えることにより、モールド１０の押し付け力が調整される（ステップＳ５、ステップＳ６）。
【００３１】
モールド１０の押し付け力の調整を行った後、ＵＶ光源１６によりＵＶ光の照射を行う（ステップＳ７）。所定時間のＵＶ光の照射が終わると、リニアアクチュエータ１５ａ、１５ｂを駆動することにより、モールドチャックステージ１２を上昇させ、ウエハ１からモールド１０を引き離す（ステップＳ８）。
【００３２】
続いて、モールド１０の除電を行う（ステップＳ９）。ここで、モールド１０の除電について説明する。図２は、本実施例のパターン転写装置における除電手段を含む要部断面図である。図２に示されるように、イオナイザのノズル３０、３１は、微動ステージ３の上に配置されている。
【００３３】
図３のステップＳ８でモールドの離型が終了すると、ステップＳ９では、図２（ａ）に示されるように、モールド１０のパターン面の一端にイオナイザのノズル３０が位置するように、ＸＹステージ４（微動ステージ３）を駆動する。次に、イオナイザのノズル３０からイオン化気体をモールド１０の一端に向けて（矢印Ｐの方向）に噴出させる。イオン化気体をモールド１０に向けて噴出させながら、ＸＹステージ４を矢印Ｍの方向に駆動し、モールド１０のパターン面の除電処理を行う。ＸＹステージ４を矢印Ｍの方向に駆動することにより、図２（ａ）に示されるモールド１０と微動ステージ３上のイオナイザのノズル３０、３１との位置関係は、図２（ｂ）に示されるように変化する。図２（ｂ）は、イオン化気体によるモールド１０の除電処理が完了した状態を示している。
【００３４】
イオナイザのノズル３１は、イオナイザのノズル３０から噴出されてモールド１０に当たって戻ってくるイオン化気体（矢印Ｑの方向）を吸引して回収する。また、イオナイザのノズル３１は、イオナイザのノズル３０から噴出されたイオン化気体によって吹き飛ばされたゴミがある場合、これらのゴミが周囲に飛散するのを防止するとともにゴミの回収も行う。
【００３５】
このように、除電手段としてのイオナイザのノズル３０、３１は、それぞれ、イオン化気体を噴出する噴出手段と、イオン化気体を回収する回収手段としての機能を有する。
【００３６】
イオン化気体の噴出と回収の動作は、イオナイザのノズル３０、３１のいずれでも可能に構成されている。ステップＳ９でのモールド除電処理の際、ＸＹステージ４の駆動量が最も少なくなるように、イオン化気体の噴出と回収のいずれの動作を実行するかが選択できる。
【００３７】
イオナイザのノズル３０、３１は、微動ステージ３及びＸＹステージ４が移動しながら除電を行う。除電処理時のＸＹステージ４の駆動速度は、モールド１０の材質と樹脂の組合せに応じて変えてもよい。例えば、帯電列表において相互に離れているモールドと樹脂の場合は帯電量も増える。このため、ＸＹステージ４の駆動速度をやや遅くする。一方、帯電列表において近い組合せの場合は帯電量が少ない。このため、ＸＹステージ４の駆動速度を少し早くする。
【００３８】
なお、イオナイザのノズル３０、３１から噴出される気体はイオン化気体に限定されるものではない。例えば、モールド１０の周囲より湿度の高い気体を噴出することによっても、イオン化気体と同様の除電効果が得られる。
【００３９】
モールド１０の除電が終わると、次のショットへの樹脂滴下を行うために、ＸＹステージ４を駆動し、ウエハチャック２を移動させる（ステップＳ１０）。これらの一連の処理をウエハ１上の全ショットのパターン転写が終了するまで繰り返す（ステップＳ１１）。全ショットのパターン転写が終了すると、ＸＹステージ４を駆動してウエハ１を所定の位置に移動させ（ステップＳ１２）、１枚のウエハのパターン転写が終了する。
【００４０】
以上、パターン転写処理のショットごとに、イオナイザを移動させてモールド全体の除電を行うことで、モールドの離型時に発生するモールドの剥離帯電状態を解消することができる。このため、次のショットの転写処理までにモールドへのゴミの付着を防止することが可能となる。
【実施例２】
【００４１】
次に、本発明の実施例２について説明する。図４（ａ）〜（ｅ）は、本実施例のパターン転写装置によるパターン転写処理の動作遷移図である。本図には、除電手段を含む要部のみが示されている。
【００４２】
図４において、１はウエハ、６０は樹脂（光硬化型樹脂）、１０はモールド、５０、５１はイオナイザのノズルである。イオナイザのノズル５０、５１は、例えば図１における天板９に固定され、モールドの周囲に複数配置されている。これらのノズルは、モールド１０の転写処理に伴う動きとは連動せず、ウエハ１からの高さは変化しない。転写処理のフローチャートは図３と同じで、まず図４（ａ）において、モールド１０の凹凸パターン面とウエハ１上に滴下された樹脂６０が対向する位置にウエハ１が移動する（図３のステップＳ３）。次に、図４（ｂ）のようにモールド１０が下降して、樹脂６０に対する押し付けを行い、図１のＵＶ光源１６によって紫外線がモールド１０を通して樹脂６０に照射される（図３のステップＳ４からステップＳ７）。続いて、図３のステップＳ８で、モールド１０が上昇することにより、樹脂６０から離型される。続く図３のステップＳ９のモールド除電では、図４（ｃ）に示すように、イオナイザのノズル５０からイオン化気体を噴出し（矢印Ａ）、イオナイザのノズル５１により噴出気体の吸引及び回収を行う（矢印Ｂ）。これにより、モールド１０と樹脂６０のギャップにイオン化気体を速やかに通過させ、モールド１０と樹脂６０の両方の除電を行う。この場合、イオナイザのノズル５０、５１は第１の実施例と同様にイオン化気体の噴出と回収の両方の動作が可能である。
【００４３】
また、イオナイザのノズル５０、５１からのイオン化気体の噴出と回収の時間、即ち除電処理時間は、モールド１０の材質と樹脂６０の組合せに応じて変えてもよい。例えば、帯電列表において相互に離れているモールド１０と樹脂６０の場合は帯電量も増えるため、除電処理時間を通常より長く設定する。一方、帯電列表において近い組合せの場合は帯電量が少ないため、除電処理時間を通常より短く設定する。パターン転写装置は、モールド１０の材質及び樹脂６０の組合せと除電処理時間との関係を規定するテーブルを有している。このテーブルは、パターン転写装置の内部又は外部に設けられた記憶部に予め保持されている。
【００４４】
なお、イオナイザのノズル５０、５１から噴出される気体は、イオン化気体に限定されるものではなく、除電効果が得られる他の気体を用いてもよい。例えば、モールド１０の周囲より湿度の高い気体を噴出することによっても、除電効果を得ることができる。
【００４５】
以上のように、モールド１０の周囲にイオナイザのノズル５０、５１の対を複数対（例えば２〜４対）配置することにより、モールド１０の除電に際して除電のためのＸＹステージ４の駆動が不要となる。
【００４６】
次に、本実施例のパターン転写装置による転写処理について説明する。図５は、本実施例の転写処理のフローチャートである。図５のフローチャートは、図３のフローチャートと比較して、ステップＳ９及びステップＳ１０のタイミングが異なっており、他の部分は図３と同一である。
【００４７】
図５に示されるように、本実施例の転写処理では、モールド１０の除電（ステップＳ９）と、次ショットへのＸＹステージ４の駆動（ステップＳ１０）とを並行して実行する。すなわち、除電手段によるモールド１０の除電は、モールド１０に対してウエハ１を移動させながら行われる。これらのステップＳ９、Ｓ１０の両方が実行されると、ゲートＧ１を通ってステップＳ１１に進む。このため、モールド１０の除電によるスループットの低下をさらに抑制することが可能となる。
【００４８】
また、本実施例では、ＸＹステージ４の駆動の方向に合わせて、イオナイザのノズル５０、５１によるイオン化気体の噴出及び回収の動作を選択可能に構成されている。図４（ｄ）に示されるように、ＸＹステージ４（ウエハ１及び樹脂６０）の駆動方向（矢印Ｍの方向）にあるイオナイザのノズル５１は、イオン化気体の吸引及び回収を行う。一方、ＸＹステージ４の駆動方向とは逆方向にあるイオナイザのノズル５０は、イオン化気体の噴出を行う。このような構成により、ＸＹステージ４の動きと連動してモールド１０のパターン面に沿ってイオン化気体が流れやすくなり、より容易にモールド１０を除電することができる。
【００４９】
また、本実施例では、図４（ｅ）に示されるように、モールド１０の姿勢をウエハ１の平面に対して傾けて離型する場合、離型が始まった方向（離型開始点）にあるノズル５０からイオン化気体を噴出させる。このような構成にすれば、モールド１０のパターン面に沿ってイオン化気体が流れやすくなり、より容易にモールドを除電することができる。
【実施例３】
【００５０】
次に、本発明の実施例３について説明する。図６は、本実施例のパターン転写装置における帯電検出手段を含む要部断面図である。図６（ａ）、（ｂ）は、それぞれ異なる実施形態を示している。
【００５１】
本図において、１０はモールド、１１はモールドチャック、１２はモールドチャックステージである。また、１１Ｈは、ＵＶ光源からの照射光をモールド１０へ通過させるためにモールドチャック１１に設けられた開口である。同様に、１２Ｈは、ＵＶ光源からの照射光をモールド１０へ通過させるためにモールドチャックステージ１２に設けられた開口である。
【００５２】
７０は、モールド１０の帯電状態を検出する表面電位センサである。表面電位センサは、モールド１０の電位を検出する電位検出手段として用いられる。ただし、モールド表面の電位を検出するものに限定されるものではなく、モールド１０の帯電状態を検出可能な帯電状態検出手段であればよい。
【００５３】
図６（ａ）の実施形態では、表面電位センサ７０はモールドチャック１１に内蔵されている。図６（ａ）に示される表面電位センサ７０は、モールド１０のパターン面の形成面とは反対側の面の表面電位を検出する。一方、図６（ｂ）の実施形態では、表面電位センサ７０は、モールドチャック１１のモールド１０搭載面に配置されている。図６（ｂ）に示される表面電位センサ７０は、モールド１０の側面の表面電位を検出する。いずれの実施形態でも、モールド１０の帯電量をモールド１０の表面電位として検出することができる。表面電位センサ７０により検出されたモールド１０の表面電位は、除電に必要な除電処理時間を決定するために用いられる。
【００５４】
次に、本実施例のパターン転写装置によるパターン転写処理について説明する。図７は、本実施例のパターン転写処理のフローチャートである。図７のフローチャートは、図３のフローチャートと比較して、ステップＳ８とステップＳ９の間にステップＳ９１が設けられている点が異なっており、他の部分は図３と同一である。
【００５５】
モールド１０の離型が完了してモールドチャック１１が上昇すると（ステップＳ８）、表面電位センサ７０によりモールド１０の表面電位が計測される（ステップＳ９１）。続いてステップＳ９では、ステップＳ９１で検出されたモールド１０の表面電位の値に応じた時間だけ、実施例１又は実施例２で説明した方法によりモールド１０の除電が実行される。このように、本実施例では、モールド１０の表面電位に応じて除電処理時間を変化させることができるため、スループットの低下を抑制することができる。
【００５６】
図８は、本実施例における別の実施形態であるパターン転写処理のフローチャートである。本実施形態が図７に示される実施形態と異なる点は、モールドの表面電位計測（ステップＳ９１）及びそれに続くモールドの除電（ステップＳ９）を、次のショットの樹脂滴下位置へのＸＹステージ駆動（ステップＳ１０）と並行して実行する点である。ステップＳ９とステップＳ１０の両方が完了すると、ゲートＧ１を通過してステップＳ１１へ進む。なお、本実施形態のステップＳ９におけるモールド除電は、実施例２で説明した方法により実行される。このように、本実施形態によれば、スループットの低下をさらに抑制することが可能になる。
【００５７】
以上のとおり、モールドの帯電量（表面電位）に応じて除電を行う除電処理時間を調整することにより、一定の固定時間で除電処理を実行する場合に比べて、スループットの低下を抑えることができる。さらに、除電処理をＸＹステージの駆動と並行に行うことで、スループットの低下をさらに抑制することが可能となる。
【実施例４】
【００５８】
次に、本発明の実施例４について説明する。図９は、実施例４のパターン転写装置によるパターン転写処理のフローチャートである。
【００５９】
図９に示されるパターン転写処理には、図７のパターン転写処理と同様に、表面電位センサ７０によりモールド表面電位を計測するステップ（ステップＳ９１）が含まれる。ただし、本実施例のパターン転写処理では、ステップＳ９１の後、モールド１０の表面電位が許容される所定値以下であるか否かの判定が行われる（ステップＳ９２）点で、図７のパターン転写処理とは異なる。
【００６０】
ステップＳ９２において、モールド１０の表面電位が許容される所定値以下である場合、「ｙｅｓ」を進み、次のショットへの樹脂滴下位置へＸＹステージを駆動させる（ステップＳ１０）。一方、モールド１０の表面電位が所定値以上である場合、「ｎｏ」を進み、実施例１又は実施例２で説明した方法によりモールド除電を実行する（ステップＳ９）。
【００６１】
このように、本実施例では、モールドの帯電量（表面電位）に応じて除電を行うか否かを判定する。すなわち、ゴミがモールドに付着している可能性が高いと考えられる程度の帯電量が計測された場合のみ、モールドの除電を行うように構成している。このように構成することにより、スループットの低下をより抑制することが可能となる。
【００６２】
図１０は、本実施例における別の実施形態であるパターン転写処理のフローチャートである。図１０のパターン転写処理では、モールド表面電位の計測からモールドの除電までの各処理を、次のショットの樹脂滴下位置へのＸＹステージ駆動と並列に実行するように構成した点で、図９のパターン転写処理とは異なる。すなわち、ステップＳ９１、ステップＳ９２、及び、ステップＳ９は、ステップＳ１０と並行して行われる。これらのステップが全て完了すると、ゲートＧ１を通過してステップＳ１１へ進む。なお、モールドの除電（ステップＳ９）は、実施例２と同様の方法により実行される。
【００６３】
このように、本実施形態によれば、ゴミの付着した可能性が高いと考えられる帯電量が計測された場合のみ除電処理を行い、かつ、除電処理をＸＹステージの駆動と並列に行う。このため、モールドの除電の有無に係らず、スループットを低下させることなくパターン転写処理を行うことができる。
【実施例５】
【００６４】
次に、本発明の実施例５について説明する。図１１は、本実施例におけるパターン転写装置の構成図である。
【００６５】
図１１のパターン転写装置は、微動ステージ３の上のイオナイザのノズル３０、３１（除電手段）がない点で、図１のパターン転写装置と異なる。また、図１１のパターン転写装置には、イオナイザのノズル３０、３１の代わりに、除電手段が天板９に固定されて設置されている。
【００６６】
図１１において、４０は、除電手段としてのフォトイオナイザである。フォトイオナイザ４０は、遮蔽空間となる除電ステーション４１（除電領域）と一体に構成され、天板９に固定されている。フォトイオナイザ４０は、除電ステーション４１の内部に載置されたモールド１０又はウエハ１に対して、軟Ｘ線を照射する。本図において、上記以外は図１と同様であり、図１と同じ機能を有するものには同じ番号を付し、その説明を省略する。
【００６７】
本図において、モールド１０を交換する場合、図示しない搬送手段によってモールドチャック１１に設置する前に、除電ステーション４１に搬送する。除電ステーション４１に搬送されたモールド１０は、フォトイオナイザ４０によって軟Ｘ線が照射され、除電される。これにより、新たにモールドチャック１１に設置されたモールド１０が既に帯電状態にある状況を回避できるため、転写処理の実行前にモールド１０にゴミが付着することを防止できる。
【００６８】
同様に、ウエハ１を交換する場合も、図示しない搬送手段によってウエハチャック２に設置する前に除電ステーション４１に搬送する。除電ステーション４１の内部でフォトイオナイザ４０による除電が行われることにより、転写処理の実行前にウエハ１にゴミが付着することを防止することができる。このとき、モールドについては、図２に示されるように、モールドチャック１１への設置後にＸＹステージ４を駆動して、実施例１の除電手段により除電を行ってもよい。
【００６９】
このように、本実施例のパターン転写装置は、モールド又はウエハの交換のための搬送時にモールド又はウエハの除電を行うフォトイオナイザ４０を有する。また、フォトイオナイザ４０は、モールド又はウエハの搬送経路に設けられた除電ステーション４１で除電を行う。このため、本実施例によれば、スループットの低下を抑制しながらパターンの転写処理を行うことができる。
【００７０】
デバイス（半導体集積回路素子、液晶表示素子等）は、前述のいずれかの実施例のパターン転写装置を用いて基板（ウエハ、ガラスプレート等）にパターンを転写する工程と、その基板をエッチングする工程と、他の周知の工程と、を経ることにより製造される。
【００７１】
以上のとおり、上記各実施例によれば、パターン転写時のモールドへのゴミの付着による転写不良やモールドのパターン破壊の発生のない、スループットを向上させたパターン転写装置を提供することができる。また、そのようなパターン転写装置を用いたデバイス製造方法を提供することができる。
【００７２】
以上、本発明の実施例を説明してきたが、本発明は上記実施例に限定されず、その要旨の範囲内において様々な変形及び変更が可能である。
【００７３】
上記各実施例では、光硬化型ナノインプリントのパターン転写装置に適用する場合を説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、本発明は熱硬化型ナノインプリントにも適用することができ、上記実施例と同様の効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】本発明の実施例におけるパターン転写装置の構成図である。
【図２】実施例１のパターン転写装置における除電手段を含む要部断面図である。
【図３】実施例１のパターン転写装置によるパターン転写処理のフローチャートである。
【図４】実施例２のパターン転写装置によるパターン転写処理の動作遷移図である。
【図５】実施例２のパターン転写装置によるパターン転写処理のフローチャートである。
【図６】実施例３のパターン転写装置における帯電検出手段を含む要部断面図である。
【図７】実施例３のパターン転写装置によるパターン転写処理のフローチャートである。
【図８】実施例３における別の実施形態であるパターン転写処理のフローチャートである。
【図９】実施例４のパターン転写装置によるパターン転写処理のフローチャートである。
【図１０】実施例４における別の実施形態であるパターン転写処理のフローチャートである。
【図１１】実施例５におけるパターン転写装置の構成図である。
【図１２】従来のパターン転写装置によるパターン転写処理の動作遷移図である。
【符号の説明】
【００７５】
１：ウエハ
２：ウエハチャック
３：微動ステージ
４：ＸＹステージ
５：ベース定盤
６：参照ミラー
７：レーザ干渉計
８ａ、８ｂ：支柱
９：天板
１０：モールド
１１：モールドチャック
１２：モールドチャックステージ
１３：ガイドバープレート
１４ａ、１４ｂ：ガイドバー
１５ａ、１５ｂ：リニアアクチュエータ
１６：ＵＶ光源
１７：コリメータレンズ
１８：樹脂滴下ノズル
２０：ビームスプリッタ
２１：撮像系
３０、３１、５０、５１：イオナイザのノズル
４０：フォトイオナイザ
４１：除電ステーション
６０：樹脂
７０：表面電位センサ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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