(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
信号の読み書きを行うためのヘッド部に電気的に接続される配線回路基板であって、
第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上に間隔をおいて形成される第１および第２の配線パターンと、
前記第１および第２の配線パターンを覆うように前記第１の絶縁層上に形成される第２の絶縁層と、
前記第１および第２の配線パターンの上方を覆うように前記第２の絶縁層上に形成される金属層と、
前記第２の絶縁層上において前記金属層を覆うように形成される第３の絶縁層と、
前記第３の絶縁層上に形成される第３および第４の配線パターンと、
前記第３および第４の配線パターンを覆うように前記第３の絶縁層上に形成される第４の絶縁層とを備え、
前記第１および第２の配線パターンは、第１の信号線路対を構成し、前記第３および第４の配線パターンは第２の信号線路対を構成し、
前記第１および第２の信号線路対のうち一方は前記ヘッド部への書込み電流が流れる書込用信号線路対であり、前記第１および第２の信号線路対のうち他方は前記ヘッド部からの読取り電流が流れる読取用信号線路対であることを特徴とする配線回路基板。
【請求項２】
前記第１の配線パターンと前記第３の配線パターンとは前記金属層を挟んで対向するように配置され、前記第２の配線パターンと前記第４の配線パターンとは前記金属層を挟んで対向するように配置されることを特徴とする請求項１記載の配線回路基板。
【請求項３】
長尺状の金属基板をさらに備え、
前記第１の絶縁層は、前記金属基板上に形成されることを特徴とする請求項１または２記載の配線回路基板。
【請求項４】
信号の読み書きを行うためのヘッド部に電気的に接続される配線回路基板の製造方法であって、
第１の絶縁層上に間隔をおいて第１および第２の配線パターンを形成する工程と、
前記第１および第２の配線パターンを覆うように前記第１の絶縁層上に第２の絶縁層を形成する工程と、
前記第１および第２の配線パターンの上方を覆うように前記第２の絶縁層上に金属層を形成する工程と、
前記金属層を覆うように前記第２の絶縁層上に第３の絶縁層を形成する工程と、
前記第３の絶縁層上に第３および第４の配線パターンを形成する工程と、
前記第３および第４の配線パターンを覆うように前記第３の絶縁層上に第４の絶縁層を形成する工程とを備え、
前記第１および第２の配線パターンは第１の信号線路対を構成し、前記第３および第４の配線パターンは第２の信号線路対を構成し、
前記第１および第２の信号線路対のうち一方は前記ヘッド部への書込み電流が流れる書込用信号線路対であり、前記第１および第２の信号線路対のうち他方は前記ヘッド部からの読取り電流が流れる読取用信号線路対であることを特徴とする配線回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線回路基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスクドライブ装置等のドライブ装置にはアクチュエータが用いられる。このようなアクチュエータは、回転軸に回転可能に設けられるアームと、アームに取り付けられる磁気ヘッド用のサスペンション基板とを備える。サスペンション基板は、磁気ディスクの所望のトラックに磁気ヘッドを位置決めするための配線回路基板である。
【０００３】
図５は、従来のサスペンション基板の一例を示す縦断面図である。図５のサスペンション基板９００においては、金属基板９０２上に絶縁層９０３が形成されている。絶縁層９０３上には、一対の書込用導体Ｗ１，Ｗ２および一対の読取用導体Ｒ１，Ｒ２が順に並ぶように形成されている。
【０００４】
導体Ｗ１，Ｗ２，Ｒ１，Ｒ２の一端はそれぞれ磁気ヘッド（図示せず）に接続される。また、導体Ｗ１，Ｗ２，Ｒ１，Ｒ２の他端はそれぞれ書込用および読取用の電気回路（図示せず）に電気的に接続されている。
【０００５】
このサスペンション基板９００において、書込用導体Ｗ１，Ｗ２に書込み電流が流れると、電磁誘導により読取用導体Ｒ１，Ｒ２に誘導起電力が発生する。
【０００６】
ここで、書込用導体Ｗ１，Ｗ２と読取用導体Ｒ１との間の距離は、書込用導体Ｗ１，Ｗ２と読取用導体Ｒ２との間の距離よりも小さい。これにより、読取用導体Ｒ１，Ｒ２に発生する誘導起電力に差が生じる。その結果、読取用導体Ｒ１，Ｒ２に電流が流れる。すなわち、書込用導体Ｗ１，Ｗ２と読取用導体Ｒ１，Ｒ２との間でクロストークが生じる。
【０００７】
そこで、特許文献１では、書込用導体Ｗ１，Ｗ２と読取用導体Ｒ１，Ｒ２との間のクロストークの発生を防止するために、図６に示す配線回路基板が提案されている。
【０００８】
図６は、従来のサスペンション基板の他の例を示す縦断面図である。このサスペンション基板９１０においては、金属基板９０２上に第１の絶縁層９０４が形成されている。第１の絶縁層９０４上には、書込用導体Ｗ２および読取用導体Ｒ２が距離Ｌ１離間するように形成されている。
【０００９】
第１の絶縁層９０４上には、書込用導体Ｗ２および読取用導体Ｒ２を覆うように第２の絶縁層９０５が形成されている。第２の絶縁層９０５上には、読取用導体Ｒ２の上方位置で書込用導体Ｗ１が形成され、書込用導体Ｗ２の上方位置で読取用導体Ｒ１が形成されている。
【００１０】
上下に位置する読取用導体Ｒ１と書込用導体Ｗ２との間の距離、および上下に位置する読取用導体Ｒ２と書込用導体Ｗ１との間の距離は、ともにＬ２である。
【００１１】
上記構成を有する図６のサスペンション基板９１０においては、書込用導体Ｗ１，Ｗ２と読取用導体Ｒ１との間の距離が、書込用導体Ｗ１，Ｗ２と読取用導体Ｒ２との間の距離とそれぞれほぼ等しい。これにより、書込用導体Ｗ１，Ｗ２に書込み電流が流れる場合には、読取用導体Ｒ１，Ｒ２に発生する誘導起電力の大きさがほぼ等しくなると考えられる。
【００１２】
しかしながら、このサスペンション基板９１０においては、読取用導体Ｒ１と書込用導体Ｗ１との間の材料と、読取用導体Ｒ２と書込用導体Ｗ２との間の材料とが異なる。具体的には、読取用導体Ｒ１と書込用導体Ｗ１との間の材料は空気であり、読取用導体Ｒ２と書込用導体Ｗ２との間の材料は絶縁材料である。
【００１３】
この場合、空気と絶縁材料との比誘電率が異なるので、読取用導体Ｒ１と書込用導体Ｗ１との間の寄生容量と、読取用導体Ｒ２と書込用導体Ｗ２との間の寄生容量とが異なる。これにより、書込用導体Ｗ１，Ｗ２の特性インピーダンスが互いに異なり、読取用導体Ｒ１，Ｒ２の特性インピーダンスが互いに異なる。
【００１４】
その結果、書込用導体Ｗ１，Ｗ２に書込み電流が流れる場合には、読取用導体Ｒ１，Ｒ２の間で電位差が発生し、読取用導体Ｒ１，Ｒ２の間に電流が流れる。したがって、図６のサスペンション基板９１０においても、書込用導体Ｗ１，Ｗ２と読取用導体Ｒ１，Ｒ２との間のクロストークの発生を防止することは困難である。
【特許文献１】特開２００４−１３３９８８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
図６のサスペンション基板９１０においては、例えば第２の絶縁層９０５上で書込用導体Ｗ１および読取用導体Ｒ１を覆うように第２の絶縁層９０５と同じ比誘電率を有する新たな絶縁層を形成することにより、書込用導体Ｗ１，Ｗ２と読取用導体Ｒ１，Ｒ２との間のクロストークの発生を防止することできると考えられる。
【００１６】
しかしながら、このような構成においても、実際には、書込用導体Ｗ１，Ｗ２と読取用導体Ｒ１，Ｒ２との間のクロストークの発生を十分に防止することができない。
【００１７】
本発明の目的は、複数の信号線路対間でのクロストークの発生を十分に防止できる配線回路基板およびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
（１）第１の発明に係る回路基板は、信号の読み書きを行うためのヘッド部に電気的に接続される配線回路基板であって、第１の絶縁層と、第１の絶縁層上に間隔をおいて形成される第１および第２の配線パターンと、第１および第２の配線パターンを覆うように第１の絶縁層上に形成される第２の絶縁層と、第１および第２の配線パターンの上方を覆うように第２の絶縁層上に形成される金属層と、第２の絶縁層上において金属層を覆うように形成される第３の絶縁層と、第３の絶縁層上に形成される第３および第４の配線パターンと、第３および第４の配線パターンを覆うように第３の絶縁層上に形成される第４の絶縁層とを備え、第１および第２の配線パターンは、第１の信号線路対を構成し、第３および第４の配線パターンは第２の信号線路対を構成し、第１および第２の信号線路対のうち一方はヘッド部への書込み電流が流れる書込用信号線路対であり、第１および第２の信号線路対のうち他方はヘッド部からの読取り電流が流れる読取用信号線路対であるものである。
【００１９】
この配線回路基板においては、第１の絶縁層上に間隔をおいて第１および第２の配線パターンが形成され、第１および第２の配線パターンを覆うように第１の絶縁層上に第２の絶縁層が形成され、第１および第２の配線パターンの上方を覆うように第２の絶縁層上に金属層が形成される。また、金属層を覆うように第２の絶縁層上に第３の絶縁層が形成され、第３の絶縁層上に第３および第４の配線パターンが形成され、第３および第４の配線パターンを覆うように第３の絶縁層上に第４の絶縁層が形成される。
【００２０】
ここで、この配線回路基板においては、第１および第２の配線パターンが第１の信号線路対を構成し、第３および第４の配線パターンが第２の信号線路対を構成する。さらに、第１および第２の配線パターンの上方を覆うように金属層が設けられている。すなわち、金属層は、第１の信号線路対と第２の信号線路対との間に設けられている。第１および第２の信号線路対のうち一方はヘッド部への書込み電流が流れる書込用信号線路対であり、第１および第２の信号線路対のうち他方はヘッド部からの読取り電流が流れる読取用信号線路対である。
【００２１】
これにより、配線回路基板の使用時には、第１の信号線路対と第２の信号線路対との間のクロストークの発生が十分に防止される。
【００２２】
（２）第１の配線パターンと第３の配線パターンとは金属層を挟んで対向するように配置され、第２の配線パターンと第４の配線パターンとは金属層を挟んで対向するように配置されてもよい。
【００２３】
この場合、第１の信号線路対と第２の信号線路対との間のクロストークの発生がより十分に防止される。
【００２４】
（３）配線回路基板は、長尺状の金属基板をさらに備え、第１の絶縁層は、金属基板上に形成されてもよい。
【００２５】
この場合、配線回路基板をハードディスクドライブ装置等のドライブ装置のサスペンション基板として用いることができる。
【００２６】
そして、第１の信号線路対を構成する第１および第２の配線パターン、および第２の信号線路対を構成する第３および第４の配線パターンにより、磁気ディスクに対する情報の書込みおよび読取りを行うことができる。
【００２７】
これにより、第１の信号線路対と第２の信号線路対との間のクロストークの発生が十分に防止されるので、書込み時および読取り時にエラーが発生することが確実に防止される。
【００２８】
（４）第２の発明に係る配線回路基板の製造方法は、信号の読み書きを行うためのヘッド部に電気的に接続される配線回路基板の製造方法であって、第１の絶縁層上に間隔をおいて第１および第２の配線パターンを形成する工程と、第１および第２の配線パターンを覆うように第１の絶縁層上に第２の絶縁層を形成する工程と、第１および第２の配線パターンの上方を覆うように第２の絶縁層上に金属層を形成する工程と、金属層を覆うように第２の絶縁層上に第３の絶縁層を形成する工程と、第３の絶縁層上に第３および第４の配線パターンを形成する工程と、第３および第４の配線パターンを覆うように第３の絶縁層上に第４の絶縁層を形成する工程とを備え、第１および第２の配線パターンは第１の信号線路対を構成し、第３および第４の配線パターンは第２の信号線路対を構成し、第１および第２の信号線路対のうち一方はヘッド部への書込み電流が流れる書込用信号線路対であり、第１および第２の信号線路対のうち他方はヘッド部からの読取り電流が流れる読取用信号線路対であるものである。
【００２９】
この配線回路基板の製造方法によれば、第１の絶縁層上に間隔をおいて第１および第２の配線パターンが形成され、第１および第２の配線パターンを覆うように第１の絶縁層上に第２の絶縁層が形成され、第１および第２の配線パターンの上方を覆うように第２の絶縁層上に金属層が形成される。また、金属層を覆うように第２の絶縁層上に第３の絶縁層が形成され、第３の絶縁層上に第３および第４の配線パターンが形成され、第３および第４の配線パターンを覆うように第３の絶縁層上に第４の絶縁層が形成される。
【００３０】
このようにして作製された配線回路基板においては、第１および第２の配線パターンが第１の信号線路対を構成し、第３および第４の配線パターンが第２の信号線路対を構成する。さらに、第１および第２の配線パターンの上方を覆うように金属層が設けられている。すなわち、金属層は、第１の信号線路対と第２の信号線路対との間に設けられている。第１および第２の信号線路対のうち一方はヘッド部への書込み電流が流れる書込用信号線路対であり、第１および第２の信号線路対のうち他方はヘッド部からの読取り電流が流れる読取用信号線路対である。
【００３１】
これにより、配線回路基板の使用時には、第１の信号線路対と第２の信号線路対との間のクロストークの発生が十分に防止される。
【発明の効果】
【００３２】
本発明によれば、配線回路基板の使用時には、第１の信号線路対と第２の信号線路対との間のクロストークの発生が十分に防止される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
以下、本発明の実施の形態に係る配線回路基板およびその製造方法について図面を参照しながら説明する。以下、本発明の実施の形態に係る配線回路基板の一例として、ハードディスクドライブ装置のアクチュエータに用いられるサスペンション基板の構造およびその作製方法について説明する。
【００３４】
（１−１）サスペンション基板の構造
図１は本発明の一実施の形態に係るサスペンション基板の上面図であり、図２は図１のサスペンション基板１のＡ−Ａ線縦断面図である。
【００３５】
図１に示すように、サスペンション基板１は、金属製の長尺状基板により形成されるサスペンション本体部１０を備える。サスペンション本体部１０上には、太い実線で示すように、書込用配線パターンＷ１、読取用配線パターンＲ１、書込用配線パターンＷ２および読取用配線パターンＲ２が形成されている。
【００３６】
サスペンション本体部１０の先端部には、Ｕ字状の開口部１１を形成することにより磁気ヘッド搭載部（以下、タング部と呼ぶ）１２が設けられている。タング部１２は、サスペンション本体部１０に対して所定の角度をなすように破線Ｒの箇所で折り曲げ加工される。タング部１２の端部には４つの電極パッド２１，２２，２３，２４が形成されている。
【００３７】
サスペンション本体部１０の他端部には４つの電極パッド３１，３２，３３，３４が形成されている。タング部１２上の電極パッド２１〜２４とサスペンション本体部１０の他端部の電極パッド３１〜３４とは、それぞれ配線パターンＷ１，Ｒ１，Ｗ２，Ｒ２により電気的に接続されている。また、サスペンション本体部１０には複数の孔部Ｈが形成されている。
【００３８】
サスペンション基板１において、複数の配線パターンＷ１，Ｗ２，Ｒ１，Ｒ２の形成領域には、各配線パターンＷ１，Ｗ２，Ｒ１，Ｒ２を覆うように、複数の層からなる絶縁層４０が形成されている。
【００３９】
図２に示すように、絶縁層４０は、第１、第２、第３および第４の絶縁層４１，４２，４３，４４からなる。サスペンション本体部１０上には第１の比誘電率を有する第１の絶縁層４１が形成されている。
【００４０】
第１の絶縁層４１上には、図示しない磁気ディスクに対して情報の書込みを行うための書込用配線パターンＷ１，Ｗ２が形成されている。書込用配線パターンＷ１，Ｗ２は、所定の間隔で互いに平行に並んでいる。
【００４１】
さらに、第１の絶縁層４１上には、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２を覆うように、第２の絶縁層４２が形成されている。
【００４２】
書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の上方を覆うように、第２の絶縁層４２上にグランド層ＧＬが形成されている。また、第２の絶縁層４２上には、グランド層ＧＬを覆うように第３の絶縁層４３が形成されている。
【００４３】
第３の絶縁層４３上には、書込用配線パターンＷ１の上方位置に読取用配線パターンＲ１が形成され、書込用配線パターンＷ２の上方位置に読取用配線パターンＲ２が形成されている。
【００４４】
さらに、第３の絶縁層４３上には、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２を覆うように、第４の絶縁層４４が形成されている。
【００４５】
サスペンション基板１を備える図示しないハードディスク装置においては、磁気ディスクに対する情報の書込み時に一対の書込用配線パターンＷ１，Ｗ２に電流が流れる。また、磁気ディスクに対する情報の読取り時に一対の読取用配線パターンＲ１，Ｒ２に電流が流れる。
【００４６】
（１−２）サスペンション基板の製造
サスペンション基板１の製造方法を説明する。以下では、図１のタング部１２、電極パッド２１〜２４，３１〜３４、および孔部Ｈの形成工程についての説明は省略する。
【００４７】
図３および図４は、本発明の一実施の形態に係るサスペンション基板１の製造工程を示す縦断面図である。初めに、図３（ａ）に示すように、ステンレス鋼（ＳＵＳ）からなる長尺状基板をサスペンション本体部１０として用意する。そして、サスペンション本体部１０上に主としてポリイミド樹脂からなる第１の絶縁層４１を形成する。
【００４８】
サスペンション本体部１０としては、ステンレス鋼に代えてアルミニウム（Ａｌ）等の他の材料からなる長尺状基板を用いてもよい。サスペンション本体部１０の厚みｔ１は例えば５μｍ以上５０μｍ以下であり、１０μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましい。第１の絶縁層４１の厚みｔ２は例えば３μｍ以上２０μｍ以下であり、５μｍ以上１５μｍ以下であることが好ましい。
【００４９】
続いて、図３（ｂ）に示すように、第１の絶縁層４１上に銅（Ｃｕ）からなる書込用配線パターンＷ１，Ｗ２を形成する。書込用配線パターンＷ１，Ｗ２は所定の間隔で互いに平行となるように形成する。
【００５０】
書込用配線パターンＷ１，Ｗ２は、例えばセミアディティブ法を用いて形成してもよく、サブトラクティブ法等の他の方法を用いて形成してもよい。
【００５１】
書込用配線パターンＷ１，Ｗ２は、銅に限らず、金（Ａｕ）、アルミニウム等の他の金属、または銅合金、アルミニウム合金等の合金を用いて形成することができる。
【００５２】
書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の厚みｔ３は例えば３μｍ以上１６μｍ以下であり、６μｍ以上１３μｍ以下であることが好ましい。書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の幅ｓ１，ｓ２は例えば５μｍ以上３０μｍ以下であり、１０μｍ以上２５μｍ以下であることが好ましい。
【００５３】
書込用配線パターンＷ１と書込用配線パターンＷ２との間の間隔ｄ１は、例えば５μｍ以上１００μｍ以下であり、１０μｍ以上６０μｍ以下であることが好ましい。
【００５４】
上記構成において、第１の絶縁層４１と書込用配線パターンＷ１，Ｗ２との間にそれぞれ金属薄膜を形成してもよい。この場合、第１の絶縁層４１と書込用配線パターンＷ１，Ｗ２との密着性が向上される。
【００５５】
その後、図３（ｃ）に示すように、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２を覆うように第１の絶縁層４１上に主としてポリイミド樹脂からなる第２の絶縁層４２を形成する。
【００５６】
第２の絶縁層４２の厚みｔ４は例えば４μｍ以上２０μｍ以下であり、７μｍ以上１７μｍ以下であることが好ましい。また、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の上面から第２の絶縁層４２の上面までの厚みｈ１は、例えば１μｍ以上５μｍ以下である。
【００５７】
次に、図３（ｄ）に示すように、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の上方を覆うように第２の絶縁層４２上に銅（Ｃｕ）からなるグランド層ＧＬを形成する。グランド層ＧＬは、例えば電解めっき法を用いて形成してもよく、スパッタリング法等の他の方法を用いて形成してもよい。
【００５８】
グランド層ＧＬの厚みｔ５は例えば１μｍ以上１０μｍ以下であり、３μｍ以上８μｍ以下であることが好ましい。なお、グランド層ＧＬは、銅に限らず、金（Ａｕ）、アルミニウム等の他の金属、または銅合金、アルミニウム合金等の合金を用いて形成することができる。
【００５９】
次に、図４（ｅ）に示すように、グランド層ＧＬを覆うように第２の絶縁層４２上に主としてポリイミド樹脂からなる第３の絶縁層４３を形成する。第３の絶縁層４３の厚みｔ６は例えば４μｍ以上２０μｍ以下であり、６μｍ以上１５μｍ以下であることが好ましい。
【００６０】
図４（ｆ）に示すように、第３の絶縁層４３上に銅からなる読取用配線パターンＲ１，Ｒ２を形成する。ここで、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２は、それぞれ書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の上方位置に形成する。これにより、書込用配線パターンＷ１の上面と読取用配線パターンＲ１の下面とが対向し、書込用配線パターンＷ２の上面と読取用配線パターンＲ２の下面とが対向する。
【００６１】
読取用配線パターンＲ１，Ｒ２は、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２と同様にして形成する。書込用配線パターンＷ２および読取用配線パターンＲ２は、銅に限らず、金（Ａｕ）、アルミニウム等の他の金属、または銅合金、アルミニウム合金等の合金を用いて形成することができる。
【００６２】
読取用配線パターンＲ１，Ｒ２の厚みｔ７は例えば３μｍ以上１６μｍ以下であり、６μｍ以上１３μｍ以下であることが好ましい。読取用配線パターンＲ１，Ｒ２の幅ｓ３，ｓ４は例えば５μｍ以上３０μｍ以下であり、１０μｍ以上２５μｍ以下であることが好ましい。
【００６３】
読取用配線パターンＲ１と読取用配線パターンＲ２との間の間隔ｄ２は、例えば５μｍ以上１００μｍ以下であり、１０μｍ以上６０μｍ以下であることが好ましい。
【００６４】
第３の絶縁層４３と読取用配線パターンＲ１，Ｒ２との間にそれぞれ金属薄膜を形成してもよい。この場合、第３の絶縁層４３と読取用配線パターンＲ１，Ｒ２との密着性が向上される。
【００６５】
最後に、図４（ｇ）に示すように、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２を覆うように第３の絶縁層４３上に、ポリイミド樹脂からなる第４の絶縁層４４を形成する。
【００６６】
第４の絶縁層４４の厚みｔ８は例えば４μｍ以上２０μｍ以下であり、７μｍ以上１７μｍ以下であることが好ましい。また、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２の上面から第４の絶縁層４４の上面までの厚みｈ２は、例えば１μｍ以上５μｍ以下である。
【００６７】
上記のように、サスペンション本体部１０上に複数の配線パターンＷ１，Ｗ２，Ｒ１，Ｒ２および絶縁層４０を形成することにより、サスペンション基板１が完成する。
【００６８】
サスペンション基板１においては、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の幅ｓ１，ｓ２が互いに等しく、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２の幅ｓ３，ｓ４も互いに等しい。
【００６９】
書込用配線パターンＷ１および読取用配線パターンＲ１の幅ｓ１，ｓ３は互いに等しくてもよいし、異なってもよい。書込用配線パターンＷ２と読取用配線パターンＲ２との幅ｓ２，ｓ４も互いに等しくてもよいし、異なってもよい。
【００７０】
（１−３）効果
本実施の形態に係るサスペンション基板１においては、第１の絶縁層４１上において第２の絶縁層４２に覆われるように書込用配線パターンＷ１，Ｗ２が設けられる。また、第３の絶縁層４３上において第４の絶縁層４４に覆われるように読取用配線パターンＲ１，Ｒ２が設けられる。さらに、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２と読取用配線パターンＲ１，Ｒ２との間において第２の絶縁層４２および第３の絶縁層４３に覆われるようにグランド層ＧＬが設けられる。
【００７１】
これにより、サスペンション基板１の使用時には、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２と読取用配線パターンＲ１，Ｒ２との間のクロストークの発生が十分に防止される。
【００７２】
したがって、サスペンション基板１を備える図示しないハードディスク装置においては、磁気ディスクに対する情報の書込み時および読取り時にエラーが発生することが確実に防止される。
【００７３】
（１−４）他の実施の形態
上記実施の形態においては、書込用配線パターンＷ１と読取用配線パターンＲ１とが互いに対向しかつ書込用配線パターンＷ２と読取用配線パターンＲ２とが互いに対向しているが、書込用配線パターンＷ１と読取用配線パターンＲ１とが互いに対向していなくてもよく、書込用配線パターンＷ２と読取用配線パターンＲ２とが互いに対向していなくてもよい。
【００７４】
なお、書込用配線パターンＷ１と書込用配線パターンＷ２との中線と読取用配線パターンＲ１と読取用配線パターンＲ２との中線とが重なるように配線パターンＷ１，Ｗ２，Ｒ１，Ｒ２が設けられることが好ましい。
【００７５】
上記実施の形態においては、第１の絶縁層４１上に書込用配線パターンＷ１，Ｗ２が設けられ、第３の絶縁層４３上に読取用配線パターンＲ１，Ｒ２が設けられているが、第１の絶縁層４１上に読取用配線パターンＲ１，Ｒ２が設けられ、第３の絶縁層４３上に書込用配線パターンＷ１，Ｗ２が設けられてもよい。
【００７６】
また、サスペンション本体部１０は設けなくてもよい。
【００７７】
また、第１〜第４の絶縁層４１〜４４には、ポリイミド樹脂に代えてエポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂等の他の樹脂材料を用いてもよい。
【００７８】
また、第１〜第４の絶縁層４１〜４４がそれぞれ異なる絶縁材料により形成されてもよい。
【００７９】
（１−５）  請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
【００８０】
上記実施の形態においては、書込用配線パターンＷ１が第１の配線パターンの例であり、書込用配線パターンＷ２が第２の配線パターンの例であり、読取用配線パターンＲ１が第３の配線パターンの例であり、読取用配線パターンＲ２が第４の配線パターンの例であり、グランド層ＧＬが金属層の例であり、サスペンション本体部１０が金属基板の例であり、タング部１２がヘッド部の例である。
【００８１】
請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
【産業上の利用可能性】
【００８２】
本発明は、種々の電気機器または電子機器等に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８３】
【図１】本発明の一実施の形態に係るサスペンション基板の平面図である。
【図２】図１のサスペンション基板のＡ−Ａ線縦断面図である。
【図３】本発明の一実施の形態に係るサスペンション基板の製造工程を示す図である。
【図４】本発明の一実施の形態に係るサスペンション基板の製造工程を示す図である。
【図５】従来のサスペンション基板の一例を示す縦断面図である。
【図６】従来のサスペンション基板の他の例を示す縦断面図である。
【符号の説明】
【００８４】
１  サスペンション基板
１０  サスペンション本体部
１２  タング部
４１  第１の絶縁層
４２  第２の絶縁層
４３  第３の絶縁層
４４  第４の絶縁層
ＧＬ  グランド層
Ｗ１，Ｗ２  書込用配線パターン
Ｒ１，Ｒ２  読取用配線パターン
【図１】
0005139102.tif 000002
【図２】
0005139102.tif 000003
【図３】
0005139102.tif 000004
【図４】
0005139102.tif 000005
【図５】
0005139102.tif 000006
【図６】
0005139102.tif 000007