(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン基板をサセプタに載置してエピタキシャル層を成長させることによりシリコンエピタキシャルウェーハを製造する方法において、少なくとも、
前記シリコン基板の裏面全面にシリコン酸化膜を形成する工程と、
前記シリコン基板の少なくともエッジ部に形成されたシリコン酸化膜を除去する工程と、
前記シリコン酸化膜を介して前記サセプタ上に前記シリコン基板を載置する工程とを含み、
該サセプタで前記シリコン酸化膜を介して前記シリコン基板を保持したまま、前記シリコン基板上にエピタキシャル層を成長させることを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項２】
前記シリコン基板がドーパントを含有する場合、前記シリコン酸化膜の除去工程において、前記シリコン酸化膜の除去領域を多くても裏主面の外周から内側に向かって１ｍｍまでとすることを特徴とする請求項１に記載のシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項３】
前記シリコン酸化膜を除去する工程は、鏡面研磨により行うことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項４】
前記シリコン酸化膜を形成する工程は、ＣＶＤ法により行うことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板をサセプタに載置してエピタキシャル成長装置内でシリコンエピタキシャル層を成長させることでシリコンエピタキシャルウェーハを製造する方法及びその方法によって製造されるシリコンエピタキシャルウェーハに関する。
【背景技術】
【０００２】
エピタキシャル成長技術は、バイポーラトランジスタやＭＯＳＬＳＩ等の集積回路の製造に用いられる単結晶薄膜層を気相成長させる技術であり、清浄な半導体単結晶基板上に基板の結晶方位に合せて均一な単結晶薄膜を成長させたり、ドーパント濃度差が大きい接合の急峻な不純物勾配を形成することができたりするので、極めて重要な技術である。
【０００３】
このようなエピタキシャル成長を行うための装置としては、縦型（パンケーキ型）、バレル型（シリンダー型）、さらに横型の３種類が一般的である。これらの成長装置の基本的な原理は共通している。この成長装置は単結晶シリコン基板を載置するためのエピタキシャル成長用サセプタを内部に備えた反応室や、反応室の外部に設けられるハロゲンランプ等からなる加熱手段等を備えて構成されており、縦型のうち１枚ずつ処理する装置を枚葉式エピタキシャル成長装置と呼んでいる。
【０００４】
ここで、例えばこの枚葉式エピタキシャル成長装置について図４を参照して説明する。図４は、従来より用いられている一般的な枚葉式エピタキシャル成長装置の一例を示す概略図である。
この枚葉式エピタキシャル成長装置４１は、表面にエピタキシャル層が積層されるシリコン基板４２が内部に配置される反応室４３を有しており、該反応室４３に原料ガス・キャリアガスを導入するためのガス導入口４４とガスを排出するガス排出口４５が設けられている。また、反応室４３内にはシリコン基板４２を載置するサセプタ４６を具備する。
また、少なくとも、反応室４３の外部には、シリコン基板４２を加熱する例えばハロゲンランプ等の加熱手段４８を備えている。
【０００５】
そして、図４に示す枚葉式エピタキシャル成長装置４１を用いて、シリコン基板４２上にエピタキシャル層を形成する一般的な方法について説明すると、まずサセプタ４６上に単結晶シリコン基板４２を載置し、サセプタ４６を支持する支持軸４９およびそれを回転（自転）させる不図示の回転機構によってシリコン単結晶基板４２を回転させつつ、加熱手段４８によって基板４２を所定の温度に加熱して、反応室４３内に、例えば水素等のキャリアガスで希釈したトリクロロシラン等の原料ガスを、所定時間、所定流量でガス導入口４４から供給することにより行われている。これにより基板４２上にエピタキシャル層を積層させたシリコンエピタキシャルウェーハを得ることができる。
【０００６】
上記シリコンエピタキシャルウェーハの製造において、品質の向上が従来から図られているが、その１つの方法として、サセプタに形成されたザグリ形状の変形がなされてきた。例えば特許文献１には、様々なサセプタが開示されている。このようなサセプタは、大きく分けて、基板の裏面のほぼ全面を支持するタイプと、基板の一部のみを支持するタイプに分けることができる（例えば特許文献１〜４参照）。
【０００７】
基板の裏面のほぼ全面を支持するタイプでは、ザグリの底面が平坦なものや、載置する基板の直径より小さめの直径を有する円柱状の凸部がザグリの底面に形成されているもの、また、基板と接触する部分がメッシュ状になっているもの等が挙げられる。
しかし、このようなタイプのサセプタは基板の裏面のほぼ全面と接触するため、基板の載置面（裏面）を傷つけてしまうという問題点があった。さらに基板の裏面に傷が残っていると、後のデバイス製造工程において発塵の原因となった。
【０００８】
一方、基板の一部のみを支持するタイプでは、リング状の凸部が載置される基板のエッジ部より内側に形成されたものや、ザグリの中央部にさらに凹部が形成されたデバイスの作製されない基板の外周部（エッジ部より内側）を保持するといったものがある。
しかし、このようなタイプのサセプタは基板の裏主面の全体を傷つけることはないが、一部分でしか基板を支持していないため、接触部での傷が深かったり、基板が撓んだり、基板のエッジ部からスリップが発生したりといった問題があった。
【０００９】
また特許文献５では、基板の裏面に発生する傷を低減するため、ザグリの外周に傾斜面を形成し、該傾斜面に基板のエッジ部が接触するように基板を支持するサセプタが開示されている。さらに特許文献６においては、リフトピンで基板の裏面を傷つけないよう、基板の裏面にシリコン酸化膜を形成することが開示されている。
しかし、このように基板の支持方法を工夫しても、デバイス製造工程における発塵の問題は、依然として発生していた。
【００１０】
【特許文献１】特開昭５９−５００９５号公報
【特許文献２】特開平５−２３８８８２号公報
【特許文献３】特開平７−５８０３９号公報
【特許文献４】特開２００４−３１９６２３号公報
【特許文献５】特開２００５−２３５９０６号公報
【特許文献６】特開２００３−１００８５５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明はこのような問題に鑑みてなされたもので、デバイス製造工程において発塵を低減できるシリコンエピタキシャルウェーハ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するため、本発明は、シリコン基板をサセプタに載置してエピタキシャル層を成長させることによりシリコンエピタキシャルウェーハを製造する方法において、少なくとも、前記シリコン基板の裏面全面にシリコン酸化膜を形成する工程と、前記シリコン基板の少なくともエッジ部に形成されたシリコン酸化膜を除去する工程と、前記シリコン酸化膜を介して前記サセプタ上に前記シリコン基板を載置する工程とを含み、該サセプタで前記シリコン酸化膜を介して前記シリコン基板を保持したまま、前記シリコン基板上にエピタキシャル層を成長させることを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【００１３】
また本発明は、シリコン基板上にエピタキシャル層を成長させたシリコンエピタキシャルウェーハであって、前記シリコン基板の少なくともエッジ部及び裏主面の外周から１ｍｍ内側までの領域は、サセプタによる接触傷がないものであることを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハを提供し、特に前記シリコン基板の裏面は、全面にわたってサセプタによる接触傷がないものが好ましい。
【００１４】
このように、基板のエッジ部を除く裏主面にシリコン酸化膜を有する基板を、該シリコン酸化膜を介してサセプタに載置してエピタキシャル層を形成することにより、シリコン基板の少なくともエッジ部及び裏主面の外周から１ｍｍ内側までの領域若しくは裏面の全面にわたってサセプタとの接触傷が発生することなくエピタキシャル層を成長させることができ、且つ、その後の工程においても、基板からの発塵を抑えることができる。そのため、ウェーハ製造やさらにデバイス製造の歩留まり及び品質を向上することができる。
【００１５】
そして、前記シリコン基板がドーパントを含有する場合、前記シリコン酸化膜の除去工程において、前記シリコン酸化膜の除去領域を多くても裏主面の外周から内側に向かって１ｍｍまでとすることが好ましい。
このように、シリコン基板がドーパントを含有する場合、除去するシリコン酸化膜は、多くても裏主面の外周から内側に向かって１ｍｍまでとすることで、エピタキシャル層の成長中にシリコン基板の裏面からのオートドープを抑制することができる。
【００１６】
この場合、前記シリコン酸化膜を除去する工程は、鏡面研磨により行うことが好ましく、また、前記シリコン基板のエッジ部は、鏡面であることが好ましい。
このように、鏡面研磨によりエッジ部のシリコン酸化膜を精度良く除去することができ、また、シリコン基板のエッジ部が鏡面であることにより、さらに発塵のないシリコンエピタキシャルウェーハを製造することができる。
【００１７】
さらに、前記シリコン酸化膜を形成する工程は、ＣＶＤ法により行うことが好ましい。
このように、ＣＶＤ法によりシリコン基板の裏面全面にシリコン酸化膜を形成することにより、簡単にＣＶＤシリコン酸化膜を形成することができる上に、エピタキシャル層を成長させた後、簡単にシリコン酸化膜を除去することができる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明に従うシリコンエピタキシャルウェーハ及びその製造方法であれば、シリコン基板の裏面にサセプタとの接触傷が発生することなくエピタキシャル層を成長させることができ、且つ、その後の工程においても、基板からの発塵を抑えることができる。従って、ウェーハ製造やさらにデバイス製造の歩留まり及びウェーハ製品の品質を向上することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
エピタキシャルウェーハ製造及びその後のデバイス製造での発塵は、エッジ部に堆積したポリシリコンや基板にある傷から直接発塵する他、シリコン酸化膜等の膜形成・除去プロセスで傷内部にシリコン酸化膜が残留し、これが剥離することにより発塵となる。そのため、従来から様々なサセプタが開発されてきた。しかし、いくらサセプタでの基板の支持方法を変更しても、デバイス製造工程での発塵の問題は解消することができなかった。
【００２０】
上記発塵の原因となる基板の傷について本発明者は鋭意研究を行った。
現在、直径３００ｍｍを越すシリコンエピタキシャルウェーハを製造するには、シリコン基板の裏主面の外周付近（エッジ部より内側）をサセプタで支持することにより、サセプタとの接触傷の発生を防止してきた。しかし、このような支持方法でもサセプタとの接触点で傷が発生してしまう。
基板裏主面の外周と接触して支持するタイプのサセプタでは、基板を載置して水素雰囲気中で１１００℃まで昇温すると、サセプタと基板が局所的に張り付き、次に温度を下げることで接着点が剥がれ、剥がれた部分が傷となるのである。
【００２１】
この傷を電子顕微鏡で観察すると、傷の内部に深いクラックを含んでいることを発見できた。傷の発生位置は、サセプタとの接触角度によるが、例えばザグリの外周部に形成された基板の設置部の傾きが１°であるサセプタは、傷が裏主面から１ｍｍの幅の間に発生し、設置部の角度を浅くすると、サセプタとの接触点が裏主面の外周よりさらに内側となり、接触点でやはり剥離により傷が発生する。
【００２２】
傷の防止手段としては、特許文献６のようにＣＶＤ酸化膜等によるサセプタとの接触部分の保護が考えられた。しかし、シリコン基板の裏主面の外周で支持するサセプタを使用する場合、裏主面の外周までさらにはエッジ部までＣＶＤ酸化膜が存在することとなり、好ましくなかった。それは、傷防止のためのシリコン酸化膜がエッジ部に存在すると、エピタキシャル層成長時にシリコン酸化膜上にポリシリコンが成長して、逆に発塵の原因となるからである。
【００２３】
そこでさらに本発明者は研究を重ね、エピタキシャル層を成長させる基板の裏面に傷をつけることなくシリコンエピタキシャルウェーハを製造し、後の工程でも発塵しないシリコンエピタキシャルウェーハを提供するには、サセプタにシリコン基板を直接接触させず、且つポリシリコンを成長させないようにすればよいことに想到し、本発明を完成させた。
【００２４】
以下、本発明の実施形態を、図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
図１は、本発明のシリコンエピタキシャルウェーハを製造する方法においてサセプタとの接触関係を詳細に示した断面図である。また、図３は、本発明にかかるシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法の工程フローを説明するための図である。
【００２５】
本発明のシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法は、まず、工程Ａにおいて用意されたシリコン基板Ｗの裏面の全面にシリコン酸化膜４を形成する。
このとき用意するシリコン基板Ｗは特に限定されない。
【００２６】
シリコン酸化膜４の形成は、特に限定されず熱酸化法でも行うことができるが、ＣＶＤ法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：化学的気相成長法）により行うことが好ましい。
このように、ＣＶＤ法でシリコン基板の裏面全面にシリコン酸化膜を形成することにより、簡単にＣＶＤシリコン酸化膜を形成することができる上に、エピタキシャル層を成長させた後、シリコンエピタキシャルウェーハを傷つけずに簡単にシリコン酸化膜を除去することができる。また例えば基板がドーパントを含んでいる場合、裏面（エピタキシャル層を形成しない面）にＣＶＤ法で作成されたシリコン酸化膜は緻密であるため、エピタキシャル層の成長中に基板に含んだドーパントの外方拡散を防止することができ、いわゆるエピタキシャル層のオートドープによる抵抗率変化を抑制することができる。
上記ＣＶＤ法の条件は限定されず、例えば常圧下で行うＣＶＤ法を適用することができる。
【００２７】
次に工程Ｂにおいて、図１及び図２のように、シリコン基板Ｗの少なくともエッジ部３に形成されたシリコン酸化膜４を除去する。図２は、シリコン酸化膜の除去が終了した直後の基板Ｗを裏からみた概略図である。
このときシリコン酸化膜は、エッジ部よりもさらに内側まで除去しても良いが、最低サセプタと接触する部分は残しておく必要がある。このシリコン酸化膜は、サセプタと基板が直接接触しないようにするためのものであるからである。
【００２８】
また、あまり基板の内側までシリコン酸化膜を除去しすぎると、例えば基板がボロン等のドーパントを高濃度に含有している場合は、エピタキシャル層を成長させる際に裏面から多量にドーパントが外方拡散して、シリコンエピタキシャル層のオートドープが進む恐れがある。そのため、オートドープが懸念される基板にエピタキシャル層を成長させる場合は、シリコン酸化膜の除去領域を多くても裏主面の外周１ａから内側に向かって１ｂまで１ｍｍとすることが好ましい。
このように、基板がドーパントを含む場合、裏主面に形成されたシリコン酸化膜をあまり内側まで除去しないことにより、成長中のエピタキシャル層のオートドープを抑制できる。
【００２９】
シリコン酸化膜４の除去は、例えば残留させるシリコン酸化膜上にマスクをしてＨＦに浸漬したり、裏面にシリコン酸化膜を形成した複数枚の基板をその表裏面の主面同士を重ね合わせて、例えば１００枚単位のバッチ式でエッジ部をＨＦ水溶液に浸漬することで行うことができる。しかし、製造されたシリコンエピタキシャルウェーハをさらに傷のないものとする場合は、シリコン酸化膜を除去する工程Ｂは、鏡面研磨により行うことが好ましい。
シリコン基板Ｗのエッジ部３に形成されたシリコン酸化膜４を鏡面研磨により除去することで、確実に酸化膜を除去して、エピタキシャル成長工程でポリシリコンの成長のないシリコンエピタキシャルウェーハを製造することができる。しかもエッジ部が平滑化するので、エピタキシャル工程において、エッジ部にノジュールと呼ばれるポリシリコンの異常成長を防止することができる。
【００３０】
続いて工程Ｃにおいて、工程Ｂで形成したシリコン酸化膜４を介してサセプタ１６上にシリコン基板Ｗを載置する。
このときサセプタ１６は、図３（Ｃ）のようにサセプタのザグリの中央に円柱状の凸部が形成されているものを使用することができる。また、本発明で使用するサセプタは、例えばリング状の凸部が中央に形成されているものであってもよい。
しかし本発明で使用するサセプタ１６は、基板Ｗをシリコン酸化膜４を介して支持するものでなければならない。そのため、ザグリである凹部の内側にさらに凹部が形成されており、ザグリの段差で、エッジ部、又は、基板Ｗの裏主面の外周から内側に向かって１ｍｍまで範囲で支持するサセプタは使用できない。
従って、ザグリの中央に円柱状やリング状の凸部が形成されているサセプタにおいても、その凸部の円柱若しくはリングの直径は、残留させたシリコン酸化膜より約１ｍｍから２ｍｍ程度小さいサセプタを使用することが好ましい。
【００３１】
シリコン基板Ｗのサセプタの載置位置は、図３にも示したように、ザグリの中央に基板Ｗが支持されるように載置する。
【００３２】
次に工程Ｄにおいて、サセプタ１６でシリコン酸化膜４を介してシリコン基板Ｗを保持したまま、シリコン基板Ｗの表面２にエピタキシャル層５を成長させる。
エピタキシャル層５は、例えば、図４で紹介したような枚葉式のエピタキシャル成長装置の反応室に上述のようなサセプタを配置して、裏面に酸化膜を形成したシリコン基板を保持してキャリアガス（水素）のみを供給し、基板Ｗを回転させながら、原料ガスの反応温度である１１３０℃にまで昇温させて、次に、エピタキシャル層の成長温度を約１１３０℃とし、反応ガスとしてのトリクロロシランと水素を一定の流量でガス導入口から供給することにより成長させることができる。反応時間及び、原料ガスの流量は、形成するエピタキシャル層の厚さに応じて適宜変更する。
【００３３】
この工程Ｄの後、シリコン酸化膜４を裏面から全部除去する工程Ｅを行い、シリコンエピタキシャルウェーハ１０を製造する。基板Ｗの裏面にシリコン酸化膜４を残す必要がある場合は、この工程Ｅは省略してもよい。
【００３４】
このように、基板Ｗの裏主面にシリコン酸化膜を有する基板を、該シリコン酸化膜を介してサセプタに載置してエピタキシャル層を形成することにより、シリコン基板の裏面にサセプタとの接触傷が発生することなくエピタキシャル層を成長させることができ、且つ、その後の工程においても、基板からの発塵を抑えることができる。そのため、ウェーハ製造やさらにデバイス製造の歩留まり及び品質を向上することができる。
さらに、エッジ部にシリコン酸化膜が残留していないので、エピタキシャル層成長時の無用なポリシリコンの成長を抑制することができる。
【００３５】
上記本発明の方法で製造されたシリコンエピタキシャルウェーハは、シリコン基板Ｗ上にエピタキシャル層５を成長させたシリコンエピタキシャルウェーハ１０であって、シリコン基板Ｗの少なくともエッジ部３及び裏主面の外周１ａから１ｍｍ内側１ｂまでの領域は、サセプタによる接触傷がないものである。
【００３６】
このようなサセプタとの接触傷がないシリコンエピタキシャルウェーハは、その後の工程においても、基板からの発塵を抑えることができる。そのため、ウェーハ製造やさらにデバイス製造の歩留まり及び品質を向上することができる。
【００３７】
特にシリコンエピタキシャルウェーハ１０のシリコン基板の裏面が全面にわたってサセプタによる接触傷がないものが好ましく、このようなシリコンエピタキシャルウェーハは、確実に基板のサセプタによる接触傷からの発塵を抑制することができる。
【００３８】
さらに、上記シリコンエピタキシャルウェーハは、シリコン基板Ｗのエッジ部が鏡面であるものが好ましく、これにより確実にポリシリコンの成長を防止できるとともに、ノジュールやクラウンの成長も防止され、さらに基板のエッジ部からの発塵を防止することができる。
【実施例】
【００３９】
以下、本発明の実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
（実施例１、２）
図３に示すフローでシリコンエピタキシャルウェーハの製造を行った。
【００４０】
まず、基板Ｗとして直径３００ｍｍ、ｐ型、ボロンドープ（６×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）のｐ＋シリコン単結晶で０．５ｍｍ幅のエッジ部３を有するシリコン単結晶基板を準備した。このとき、基板Ｗの裏主面１は直径２９９ｍｍである。
次に、シリコン基板Ｗの裏面全面に常圧下のＣＶＤ法により厚さ３５００Å（３５０ｎｍ）のＣＶＤシリコン酸化膜を形成した。
続いて、鏡面研磨により、基板のエッジ部及び裏主面の外周から１ｍｍ内側までの領域に形成されたＣＶＤ酸化膜を除去した。従って、基板の裏主面に形成されたＣＶＤ酸化膜４の直径は約２９７ｍｍとなった。
【００４１】
次に、シリコン基板Ｗをシリコン酸化膜４を介してサセプタ１６上に載置した。
このとき実施例１でのサセプタは、ザグリの直径が３０２ｍｍで該ザグリの中央に直径が２８０ｍｍで高さが０．０９ｍｍの円柱状の凸部を有するものを使用した（図３（Ｃ）参照）。また、実施例２でのサセプタは、ザグリの直径が３０２ｍｍで該ザグリの中央に外径が２９６ｍｍ、内径が２７９ｍｍで高さが０．０９ｍｍのリング状の凸部を有するものを使用した（不図示）。
【００４２】
続いて、枚葉式のエピタキシャル成長装置の反応室にキャリアガス（水素）のみを供給し、基板Ｗを回転させながら、原料ガスの反応温度である１１３０℃にまで昇温させて、エピタキシャル層の成長温度を約１１３０℃とし、反応ガスとしてトリクロロシラン（ＳｉＨＣｌ３）１０ＳＬＭ、水素（Ｈ２）５０ＳＬＭ、の流量でガス導入口から供給した。そして、基板Ｗ上に約５μｍの厚さのエピタキシャル層を形成した。
【００４３】
次に、基板Ｗの裏面に形成したＣＶＤ酸化膜４をＨＦで除去した。
これにより、基板Ｗの裏面全面にサセプタによる接触傷がないシリコンエピタキシャルウェーハが製造できた。
【００４４】
（比較例１）
まず、実施例で準備した基板Ｗと同様の仕様の基板Ｗを準備した（裏面ＣＶＤ酸化膜なし）。次に、サセプタのザグリ内に傾斜（約１°の角度）を持つ段差部分に基板Ｗを載置し、基板の裏主面外周から約１ｍｍ以内の範囲で基板を支持するようにした。
続いて、枚葉式のエピタキシャル成長装置の反応室にキャリアガス（水素）のみを供給し、基板Ｗを回転させながら、原料ガスの反応温度である１１３０℃にまで昇温させて、エピタキシャル層の成長温度を約１１３０℃とし、反応ガスとしてトリクロロシラン（ＳｉＨＣｌ３）１０ＳＬＭ、水素（Ｈ２）５０ＳＬＭ、の流量でガス導入口から供給した。そして、基板Ｗ上に約５μｍの厚さのエピタキシャル層を形成した。
【００４５】
これにより製造された比較例１のシリコンエピタキシャルウェーハにおいて、基板の裏面をハロゲン灯を使用して観察したところ、サセプタとの接触位置で多数の傷が発見された。
【００４６】
（比較例２）
まず、比較例１で準備した基板Ｗと同様の仕様の基板Ｗを準備した。次に、ザグリの直径が３０２ｍｍで該ザグリの中央に外径が２８０ｍｍ、内径が２７９ｍｍで高さが０．０９ｍｍのリング状の凸部を有するサセプタに基板Ｗを載置した。
続いて、枚葉式のエピタキシャル成長装置の反応室にキャリアガス（水素）のみを供給し、基板Ｗを回転させながら、原料ガスの反応温度である１１３０℃にまで昇温させて、エピタキシャル層の成長温度を約１１３０℃とし、反応ガスとしてトリクロロシラン（ＳｉＨＣｌ３）１０ＳＬＭ、水素（Ｈ２）５０ＳＬＭ、の流量でガス導入口から供給した。そして、基板Ｗ上に約５μｍの厚さのエピタキシャル層を形成した。
【００４７】
その結果、製造されたシリコンエピタキシャルウェーハにおいて、基板の裏主面にサセプタとの接触傷が観察された。さらに、接触部分にエピタキシャル層が成長し、基板の裏主面から高さが約５７ｎｍのシリコンの出っ張りが生じた部分も多く観察された。
【００４８】
（比較例３）
まず、比較例１で準備した基板Ｗと同様の仕様の基板Ｗを準備した。
次に、シリコン基板の裏面全面に常圧下のＣＶＤ法により厚さ３５００Å（３５０ｎｍ）のＣＶＤシリコン酸化膜を形成した。
【００４９】
次に、シリコン基板をシリコン酸化膜を介してサセプタ上に載置した。
このときサセプタは、ザグリの直径が３０２ｍｍで該ザグリの中央に直径が２９６ｍｍで高さが０．０９ｍｍの円柱状の凸部を有するものを使用した。
【００５０】
続いて、枚葉式のエピタキシャル成長装置の反応室にキャリアガス（水素）のみを供給し、基板Ｗを回転させながら、原料ガスの反応温度である１１３０℃にまで昇温させて、エピタキシャル層の成長温度を約１１３０℃とし、反応ガスとしてトリクロロシラン（ＳｉＨＣｌ３）１０ＳＬＭ、水素（Ｈ２）５０ＳＬＭ、の流量でガス導入口から供給した。そして、基板Ｗ上に約５μｍの厚さのエピタキシャル層を形成した。
【００５１】
次に、基板Ｗの裏面に形成したＣＶＤ酸化膜をＨＦで除去した。
これにより、シリコンエピタキシャルウェーハを製造したが、エッジ部にＣＶＤ酸化膜が残留していたため、エピタキシャル層成長中にポリシリコンが大量に発生し、製品として出荷できるものを得ることができなかった。
【００５２】
上記実施例１、２及び比較例１〜３で製造されたシリコンエピタキシャルウェーハについて、その裏面の傷の観測結果を下記表１に示す。
【００５３】
【表１】
0005347288.tif 000002
【００５４】
この表１の結果から、本発明のシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法であれば、シリコン基板の裏面にサセプタとの接触傷が発生することなくエピタキシャル層を成長させることができる。従って、その後の工程においても、基板からの発塵を抑えることができ、ウェーハ製造やさらにデバイス製造の歩留まり及びウェーハ製品の品質を向上することができる。
【００５５】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は単なる例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明のシリコンエピタキシャルウェーハを製造する方法においてサセプタとの接触関係を詳細に示した断面図。
【図２】基板を裏からみた概略図。
【図３】本発明にかかるシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法の工程フローを説明するための図。
【図４】一般的な枚葉式エピタキシャル成長装置の概略図。
【符号の説明】
【００５７】
１…裏主面、  １ａ…裏主面の外周、  １ｂ…裏主面の外周から１ｍｍ内側の円周、
２…表主面、  ３…エッジ部、  ４…シリコン酸化膜、  ５…エピタキシャル層、
１０…シリコンエピタキシャルウェーハ、  １６…サセプタ、
Ｗ…シリコン基板。
【図１】
0005347288.tif 000003
【図２】
0005347288.tif 000004
【図３】
0005347288.tif 000005
【図４】
0005347288.tif 000006