(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ光を出射する複数のレーザを備え、前記複数のレーザから出射された複数のレーザ光を感光体上に走査させることによって前記感光体上に静電潜像を形成する光走査装置において、
前記複数のレーザ光を受光する受光手段と、
前記複数のレーザ各々のバイアス発光量に関するデータを記憶する記憶手段と、
前記複数のレーザのうちの代表レーザがバイアス発光状態に制御された際に前記受光手段が受光するレーザ光のバイアス発光量を測定する測定手段と、
前記測定手段により測定された前記代表レーザの前記バイアス発光量と前記記憶手段に記憶された前記代表レーザのバイアス発光量に関するデータとに基づいて前記記憶手段に記憶された前記複数のレーザ各々の前記バイアス発光量に関するデータを補正し、補正された前記複数のレーザのバイアス発光量に関するデータと前記複数のレーザ各々の必要光量に関するデータとに基づいて前記複数のレーザ各々に対応する光量目標値を決定する決定手段と、
前記複数のレーザ各々から出射されるレーザ光の光量を制御する際に前記受光手段が受光する受光光量が前記決定手段によって決定された前記光量目標値になるように前記複数のレーザ各々から出射されるレーザ光の光量を制御する駆動手段と、
を備えることを特徴とする光走査装置。
【請求項２】
画像データに基づいて前記複数のレーザ各々の発光画素数をカウントするカウンタと、
前記カウンタによる前記発光画素数のカウント値と前記光量目標値との変化量が最も大きいレーザを前記代表レーザとして特定する特定手段と、を備え、
前記測定手段は、前記特定手段によって特定されたレーザのみがバイアス発光状態に制御された際に前記受光手段が受光するレーザ光のバイアス発光量を測定する請求項１に記載の光走査装置。
【請求項３】
前記測定手段は、前記複数のレーザを個別にバイアス発光した状態において前記受光手段が受光した前記複数のレーザ各々のバイアス発光量に基づいて前記複数のレーザ各々のバイアス発光量に関するデータを生成し、生成した当該データを前記記憶手段に記憶させることを特徴とする請求項１に記載の光走査装置。
【請求項４】
前記カウンタは、発光させる画素に対応する前記画像データに基づいて前記カウント値をインクリメントし、発光させない画素に対応する画像データに基づいて前記カウント値をデクリメントすることを特徴とする請求項２に記載の光走査装置。
【請求項５】
前記決定手段は、前記複数のレーザのうち制御対象の１つのレーザの前記必要光量に関するデータ対してその他のレーザのバイアス発光量に関するデータを加算した値を前記制御対象の１つのレーザの光量制御をする際に前記受光手段に受光させる光量目標値に設定することを特徴とする請求項１乃至４いずれか１項に記載の光走査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画像形成装置に用いられる光走査装置に関し、特に、マルチビームの光量安定制御技術に特徴のある光走査装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
始に、図１１を用いて光走査装置の基本的な動作を説明する。
【０００３】
レーザ２０２から生成された光ビームは、コリメータレンズ２０３、シリンダレンズ２０４、ビーム整形スリット２１０を通り、回転するポリゴンミラー２０５へと入射する。
【０００４】
ポリゴンミラー２０５により反射された光ビームは、ｆθレンズ２０６、集光レンズ２０７を通り、回転する感光ドラム２０８上を走査する。そして、この一連の動作が繰り返されることにより、感光ドラム２０８上に静電潜像が形成される。
【０００５】
また、安定した画質を得るためには、レーザ２０２の光量変動を可能な限り少なくする必要があるため、複数のレーザ各々に対して光量安定制御（ＡＰＣ）を行う必要がある。
また、レーザ２０２に関して、近年では、走査速度の高速化を目的として、マルチビーム機構が一般的に用いられている。
【０００６】
一般的なマルチビーム機構は、図１２に示すように、複数のレーザ（２０２Ａ、２０２Ｂ、２０２Ｃ、２０２Ｄ）と１つの光量検知素子（ＰＤセンサ）２０１から構成される。
従って、１つのレーザに対してＡＰＣを行う際には、各レーザを時分割で発光させる（任意のレーザをＡＰＣする際は、他のレーザを消灯させる）必要がある。
【０００７】
しかしながら、近年では、レーザのパルス応答特性を改善するため、消灯時でも僅かながら発光させるバイアス発光制御を行っている。そのため、時分割で任意のレーザを光量安定制御している間も、他のレーザはバイアス発光しており、この光がＰＤセンサへ入射してしまう。
【０００８】
バイアス発光の光量は僅かであるが、レーザの本数が多くなればなるほど、全体のバイアス発光の光量が増加し、バイアス発光の光量がＡＰＣ精度に影響を与える恐れがある。
【０００９】
そこで、特許文献１に示すように、各ビームのバイアス発光量を測定し、その結果を時分割で、任意のレーザを光量安定制御する際の目標値に加算するという技術が提案されている。
【特許文献１】特開２００３−１６５２４５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ここで、ＡＰＣを行う時間は有限であることから、レーザの本数が多くなればなるほど、１ビーム当たりの光量安定制御時間を少なくせざるを得ない。
【００１１】
しかし、上記従来例の各ビームのバイアス発光量を測定し、その結果を時分割で任意のレーザを光量安定制御する際の目標値に加算するという技術は、バイアス発光量を測定するという操作を各ビームに対して実施する時間が必要になるため、実施は困難である。
【００１２】
本発明の目的は、複数のレーザの光量安定制御を短時間で、かつ精度良く行うことができる光走査装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的を達成するために、請求項１記載の光走査装置は、レーザ光を出射する複数のレーザを備え、前記複数のレーザから出射された複数のレーザ光を感光体上に走査させることによって前記感光体上に静電潜像を形成する光走査装置において、前記複数のレーザ光を受光する受光手段と、前記複数のレーザ各々のバイアス発光量に関するデータを記憶する記憶手段と、前記複数のレーザのうちの代表レーザがバイアス発光状態に制御された際に前記受光手段が受光するレーザ光のバイアス発光量を測定する測定手段と、前記測定手段により測定された前記代表レーザの前記バイアス発光量と前記記憶手段に記憶された前記代表レーザのバイアス発光量に関するデータとに基づいて前記記憶手段に記憶された前記複数のレーザ各々の前記バイアス発光量に関するデータを補正し、補正された前記複数のレーザのバイアス発光量に関するデータと前記複数のレーザ各々の必要光量に関するデータとに基づいて前記複数のレーザ各々に対応する光量目標値を決定する決定手段と、前記複数のレーザ各々から出射されるレーザ光の光量を制御する際に前記受光手段が受光する受光光量が前記決定手段によって決定された前記光量目標値になるように前記複数のレーザ各々から出射されるレーザ光の光量を制御する駆動手段と、を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の光走査装置によれば、複数のレーザの光量安定制御を短時間で、かつ精度良く行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１６】
図１は、本発明の実施の形態に係る光走査装置の要部ブロック図である。
【００１７】
図１において、光走査装置は、複数のレーザを走査して感光体上に画像を形成する。
【００１８】
光走査装置は、４つのレーザ（２０２Ａ、２０２Ｂ、２０２Ｃ、２０２Ｄ）、ＰＤセンサ２０１、レーザ駆動回路１０１、Ａ／Ｄ変換回路１０２、ビデオ回路１０３、４つの画素カウンタ（１０４Ａ、１０４Ｂ、１０４Ｃ、１０４Ｄ）を備える。
【００１９】
また、光走査装置は、４つの光量目標値メモリ（１０５Ａ、１０５Ｂ、１０５Ｃ、１０５Ｄ）、４つのＰＤメモリ（１０６Ａ、１０６Ｂ、１０６Ｃ、１０６Ｄ）、ＣＰＵ１０７を備える。
【００２０】
４つのレーザ（２０２Ａ、２０２Ｂ、２０２Ｃ、２０２Ｄ）は、レーザ駆動回路１０１から電流（ＩＬｄ１、ＩＬｄ２、ＩＬｄ３、ＩＬｄ４）が流れ込むことにより、レーザ光を発生する。
【００２１】
ＰＤセンサ２０１は、レーザ光が入射されることによりモニタ電流を発生する。そのモニタ電流は、Ａ／Ｄ変換回路１０２へ流れ込む。
【００２２】
Ａ／Ｄ変換回路１０２は、ＰＤセンサ２０１からのモニタ電流をＡ／Ｄ変換し、変換後のデータを４つのＰＤメモリ（１０６Ａ、１０６Ｂ、１０６Ｃ、１０６Ｄ）へ入力する。
４つのＰＤメモリ（１０６Ａ、１０６Ｂ、１０６Ｃ、１０６Ｄ）は、Ａ／Ｄ変換回路１０２によりＡ／Ｄ変換されたモニタ電流値を格納する。また、格納されたデータはＣＰＵ１０７により読み出される。
【００２３】
ビデオ回路１０３は、レーザ駆動回路１０１へコントロール信号（ＣＴＬＡ、ＣＴＬＢ、ＣＴＬＣ、ＣＴＬＤ）を送る。また、ビデオ回路１０３は、レーザ駆動回路１０１と４つの画素カウンタ（１０４Ａ、１０４Ｂ、１０４Ｃ、１０４Ｄ）へデータ信号（ＤＡＴＡＡ、ＤＡＴＡＢ、ＤＡＴＡＣ、ＤＡＴＡＤ）を送る。
【００２４】
レーザ駆動回路１０１は、ビデオ回路１０３からコントロール信号（ＣＴＬＡ、ＣＴＬＢ、ＣＴＬＣ、ＣＴＬＤ）とデータ信号（ＤＡＴＡＡ、ＤＡＴＡＢ、ＤＡＴＡＣ、ＤＡＴＡＤ）を受け取る。また、レーザ駆動回路１０１は、４つのレーザ（２０２Ａ、２０２Ｂ、２０２Ｃ、２０２Ｄ）へ、電流（ＩＬｄ１、ＩＬｄ２、ＩＬｄ３、ＩＬｄ４）を送る。
【００２５】
４つの光量目標値メモリ（１０５Ａ、１０５Ｂ、１０５Ｃ、１０５Ｄ）は、自身に格納されているデータを、レーザ駆動回路１０１、及びＣＰＵ１０７へ読み出す。
【００２６】
４つの画素カウンタ（１０４Ａ、１０４Ｂ、１０４Ｃ、１０４Ｄ）は、ビデオ回路１０３からのデータ信号（ＤＡＴＡＡ、ＤＡＴＡＢ、ＤＡＴＡＣ、ＤＡＴＡＤ）を元に、各々の画素をカウントする。そのカウント値は、ＣＰＵ１０７により読み出される。
【００２７】
ＣＰＵ１０７は、ＰＤメモリ（１０６Ａ、１０６Ｂ、１０６Ｃ、１０６Ｄ）の値を読み出すことができる。また、ＣＰＵ１０７は、光量目標値メモリ（１０５Ａ、１０５Ｂ、１０５Ｃ、１０５Ｄ）、画素カウンタ（１０４Ａ、１０４Ｂ、１０４Ｃ、１０４Ｄ）の値を読み出し、書き込むことができる。
【００２８】
レーザ駆動回路１０１は、ビデオ回路１０３からのコントロール信号（ＣＴＬＡ、ＣＴＬＢ、ＣＴＬＣ、ＣＴＬＤ）に応じて、データモード、ＡＰＣモード、バイアスＡＰＣモード、バイアス発光モード、消灯モードを切り替える機能を持つ。
【００２９】
以下に、レーザ駆動回路１０１のバイアス発光モード、ＡＰＣモード、バイアスＡＰＣモード、データ発光モード、消灯モード各々の動作を説明する。各モードにおいて４つのレーザダイオードの動作は同じであるため、ここではレーザＡ（２０２Ａ）に関して説明する。
【００３０】
まず、レーザＡをバイアス発光モードで制御した場合の動作について図２を用いて説明する。図２では、簡略化のため、バイアス発光モードをＢＩＡＳと記載している。
【００３１】
レーザ駆動回路１０１が、時刻ｔ０でバイアス発光モードにセットされると、レーザＡが消灯状態からバイアス発光する。バイアス発光の発光量は、バイアスＡＰＣ光量から演算によって求められた、非常に小さい値となっている。そして、一定時間後、時刻ｔ１でバイアス発光モードを終了すると、レーザＡは再び消灯状態となる。
【００３２】
今後は、レーザＡは、後述するＡＰＣモード、バイアスＡＰＣモード、データ発光モード、消灯モード以外の時間ではバイアス発光しているとする。
【００３３】
続いて、レーザＡをＡＰＣモードで制御した場合の動作について図３を用いて説明する。
【００３４】
レーザ駆動回路１０１が、時刻ｔ０でＡＰＣモードにセットされると、レーザＡがバイアス発光状態から強制発光する。そして、ＰＤセンサ２０１の発生する電流値を元に、レーザＡの光量をＡＰＣ光量となるよう制御する。そして、一定時間後、時刻ｔ１でＡＰＣモードを終了する。
【００３５】
この場合の一定時間（ｔ１−ｔ０）は任意に決められるが、レーザＡの光量がＡＰＣ光量に収束するのに十分な値を設定することが望ましい。ＡＰＣモードを終了すると、レーザＡは再びバイアス発光状態となる。
【００３６】
続いて、レーザＡをバイアスＡＰＣモードで制御した場合の動作について図４を用いて説明する。図４では、簡略化のため、バイアスＡＰＣモードをＢＡＰＣと記載している。
【００３７】
レーザ駆動回路１０１が、時刻ｔ０でバイアスＡＰＣモードにセットされると、レーザＡがバイアス発光状態から強制発光する。そして、ＰＤセンサ２０１の発生する電流値を元に、レーザＡの光量をバイアスＡＰＣ光量となるよう制御する。バイアスＡＰＣ光量は、ＡＰＣ光量と比較して小さいのが一般的である。
【００３８】
そこで、本実施の形態では、バイアスＡＰＣ光量はＡＰＣ光量の４分の１であるとした。そして、一定時間後、時刻ｔ１でバイアスＡＰＣモードを終了する。この場合の一定時間（ｔ１−ｔ０）は任意に決められるが、レーザＡの光量がバイアスＡＰＣ光量に収束するのに十分な値を設定することが望ましい。バイアスＡＰＣモードを終了すると、レーザＡは再びバイアス発光状態となる。
【００３９】
続いて、レーザＡをデータ発光モードで制御した場合の動作について図５を用いて説明する。図５では、簡略化のため、データ発光モードをＤＡＴＡと記載している。
【００４０】
レーザ駆動回路１０１が、時刻ｔ０でデータ発光モードにセットされると、画像データが「０」の場合はレーザＡがバイアス発光状態のまま、画像データが「１」の場合はレーザＡがバイアス発光状態からデータ発光状態となる。
【００４１】
この時のデータ発光量は、ＡＰＣ光量と同等の光量である。図５では、画像データが「０」のため、バイアス発光状態となっている。そして、時刻ｔ１で画像データが「１」となれば、レーザＡがバイアス発光状態からデータ発光状態となる。
【００４２】
そして、時刻ｔ２で画像データが「０」となれば、レーザＡがデータ発光状態からバイアス発光状態となる。そして、時刻ｔ３でデータ発光モードを終了すると、レーザＡはそのままバイアス発光状態となる。
【００４３】
続いて、レーザＡを消灯モードで制御した場合の動作について図６を用いて説明する。図６では、簡略化のため、消灯モードをＯＦＦと記載している。
【００４４】
レーザ駆動回路１０１が、時刻ｔ０で消灯モードにセットされると、レーザＡがバイアス発光状態から消灯する。そして、一定時間後、時刻ｔ１で消灯モードを終了すると、レーザＡは再びバイアス発光状態となる。
【００４５】
以上が、レーザ駆動回路１０１のバイアス発光モード、ＡＰＣモード、バイアスＡＰＣモード、データ発光モード、消灯モード各々の動作である。
【００４６】
バイアス光量、バイアスＡＰＣ光量、ＡＰＣ光量の関係を図７に示す。
【００４７】
図７において、横軸は電流、縦軸は光量とし、レーザの発光特性をプロットしている。上述した通り、バイアスＡＰＣ光量はＡＰＣ光量の４分の１であるとした。また、バイアス発光の発光量は、バイアスＡＰＣ光量から演算によって求められた、非常に小さい値となっている。
【００４８】
図８は、図１の光走査装置によって実行されるレーザ光量制御処理の手順を示すフローチャート、図９は、図１の光走査装置のシーケンス図である。
【００４９】
図８の処理は、図１におけるＣＰＵ１０７の制御の下に実行される。
【００５０】
図９において、横軸は時間を表している。縦軸は、レーザ（２０２Ａ、２０２Ｂ、２０２Ｃ、２０２Ｄ）、ＰＤメモリ（１０６Ａ、１０６Ｂ、１０６Ｃ、１０６Ｄ）、画素カウンタ（１０４Ａ、１０４Ｂ、１０４Ｃ、１０４Ｄ）、光量目標値メモリ（１０５Ａ、１０５Ｂ、１０５Ｃ、１０５Ｄ）を示す。
【００５１】
レーザ（２０２Ａ、２０２Ｂ、２０２Ｃ、２０２Ｄ）に関しては、レーザ駆動回路１０１からの制御状態の遷移を時間軸に沿って表している。
【００５２】
ＰＤメモリ（１０６Ａ、１０６Ｂ、１０６Ｃ、１０６Ｄ）に関しては、格納されているデータを時間軸に沿って表している。
【００５３】
画素カウンタ（１０４Ａ、１０４Ｂ、１０４Ｃ、１０４Ｄ）に関しては、格納されているカウント値を時間軸に沿って表している。
【００５４】
光量目標値メモリ（１０５Ａ、１０５Ｂ、１０５Ｃ、１０５Ｄ）に関しては、格納されているデータを時間軸に沿って表している。
【００５５】
図８のフローチャートにおいて、ステップＳ８０１で、４つのレーザ（２０２Ａ、２０２Ｂ、２０２Ｃ、２０２Ｄ）のバイアス発光量（バイアス光量）を測定する。ステップＳ８０１は、複数のレーザ各々のバイアス発光量を測定する第１の測定手段として機能する。
【００５６】
ビデオ回路１０３がコントロール信号（ＣＴＬＡ、ＣＴＬＢ、ＣＴＬＣ、ＣＴＬＤ）によりレーザ駆動回路１０１を次のように制御する。
【００５７】
まず、レーザＡ（２０２Ａ）のバイアス発光量を測定する。ビデオ回路１０３がコントロール信号（ＣＴＬＡ、ＣＴＬＢ、ＣＴＬＣ、ＣＴＬＤ）をレーザ駆動回路１０１へ送信し、レーザＡ（２０２Ａ）をバイアス発光モード（ＢＩＡＳ）にセットする。そして、他のレーザ（２０２Ｂ、２０２Ｃ、２０２Ｄ）を消灯モード（ＯＦＦ）にセットする。
【００５８】
この時、ＰＤセンサ２０１は、光量に応じた電流（モニタ電流）を発生し、このモニタ電流はＡ／Ｄ変換回路１０２へ流れ込む。Ａ／Ｄ変換回路１０２は、この電流値をＡ／Ｄ変換してＰＤメモリＡ（１０６Ａ）に格納する。
【００５９】
この一連の操作により、レーザＡ（２０２Ａ）のバイアス発光量が測定され、その値がＰＤメモリＡ（１０６Ａ）に格納されている状態となる。本実施の形態では、説明のためＰＤメモリＡ（１０６Ａ）に「５」が格納されたとする。
【００６０】
続いて、レーザＢ（２０２Ｂ）のバイアス発光量を測定する。ビデオ回路１０３がコントロール信号（ＣＴＬＡ、ＣＴＬＢ、ＣＴＬＣ、ＣＴＬＤ）をレーザ駆動回路１０１へ送信し、レーザＢ（２０２Ｂ）をバイアス発光モード（ＢＩＡＳ）にセットする。そして、他のレーザ（２０２Ａ、２０２Ｃ、２０２Ｄ）を消灯モード（ＯＦＦ）にセットする。
【００６１】
この時、ＰＤセンサ２０１は、光量に応じた電流（モニタ電流）を発生し、このモニタ電流はＡ／Ｄ変換回路１０２へ流れ込む。Ａ／Ｄ変換回路１０２は、この電流値をＡ／Ｄ変換してＰＤメモリＢ（１０６Ｂ）に格納する。
【００６２】
この一連の操作により、レーザＢ（２０２Ｂ）のバイアス発光量が測定され、その値がＰＤメモリＢ（１０６Ｂ）に格納されている状態となる。本実施の形態では、説明のためＰＤメモリＢ（１０６Ｂ）に「３」が格納されたとする。
【００６３】
続いて、レーザＣ（２０２Ｃ）のバイアス発光量を測定する。ビデオ回路１０３がコントロール信号（ＣＴＬＡ、ＣＴＬＢ、ＣＴＬＣ、ＣＴＬＤ）をレーザ駆動回路１０１へ送信し、レーザＣ（２０２Ｃ）をバイアス発光モード（ＢＩＡＳ）にセットする。そして、他のレーザ（２０２Ａ、２０２Ｃ、２０２Ｄ）を消灯モード（ＯＦＦ）にセットする。
【００６４】
この時、ＰＤセンサ２０１は、光量に応じた電流（モニタ電流）を発生し、このモニタ電流はＡ／Ｄ変換回路１０２へ流れ込む。Ａ／Ｄ変換回路１０２は、この電流値をＡ／Ｄ変換してＰＤメモリＣ（１０６Ｃ）に格納する。
【００６５】
この一連の操作により、レーザＣ（２０２Ｃ）のバイアス発光量が測定され、その値がＰＤメモリＣ（１０６Ｃ）に格納されている状態となる。本実施の形態では、説明のためＰＤメモリＣ（１０６Ｃ）に「３」が格納されたとする。
【００６６】
続いて、レーザＤ（２０２Ｄ）のバイアス発光量を測定する。ビデオ回路１０３がコントロール信号（ＣＴＬＡ、ＣＴＬＢ、ＣＴＬＣ、ＣＴＬＤ）をレーザ駆動回路１０１へ送信し、レーザＤ（２０２Ｄ）をバイアス発光モード（ＢＩＡＳ）にセットする。そして、他のレーザ（２０２Ａ、２０２Ｃ、２０２Ｄ）を消灯モード（ＯＦＦ）にセットする。
【００６７】
この時、ＰＤセンサ２０１は、光量に応じた電流（モニタ電流）を発生し、このモニタ電流はＡ／Ｄ変換回路１０２へ流れ込む。Ａ／Ｄ変換回路１０２は、この電流値をＡ／Ｄ変換してＰＤメモリＤ（１０６Ｄ）に格納する。
【００６８】
この一連の操作により、レーザＤ（２０２Ｄ）のバイアス発光量が測定され、その値がＰＤメモリＤ（１０６Ｄ）に格納されている状態となる。本実施の形態では、説明のためＰＤメモリＤ（１０６Ｄ）に「４」が格納されたとする。
【００６９】
続いて、ステップＳ８０２で、ＣＰＵ１０７がＰＤメモリ（１０６Ａ、１０６Ｂ、１０６Ｃ、１０６Ｄ）に格納された値を元に、光量目標値を決定する。ステップＳ８０２は、測定手段により測定されたバイアス発光量に基づいて、複数のレーザの光量目標値を決定する第１の決定手段として機能する。
【００７０】
本実施の形態では、光量目標値は、「ＬＤ（レーザ）の必要光量+他のＬＤのバイアス光量（他のＬＤのＰＤメモリに格納されている値）」で決定する。
【００７１】
ＬＤの必要光量を「１００」とすると、レーザＡ（２０２Ａ）の光量目標値は、以下のように決定される。即ち、「１００＋レーザＢ（２０２Ｂ）のバイアス光量（ＰＤメモリＢの値）＋レーザＣ（２０２Ｃ）のバイアス光量（ＰＤメモリＣの値）＋レーザＤ（２０２Ｄ）のバイアス光量（ＰＤメモリＤの値）」で決定され、値は「１１０」である。この値は、光量目標値メモリＡ（１０５Ａ）に格納される。
【００７２】
同様に、レーザＢ（２０２Ｂ）の光量目標値は、「１００＋レーザＡ（２０２Ａ）のバイアス光量＋レーザＣ（２０２Ｃ）のバイアス光量＋レーザＤ（２０２Ｄ）のバイアス光量」で決定され、値は「１１２」である。この値は、光量目標値メモリＢ（１０５Ｂ）に格納される。
【００７３】
同様に、レーザＣ（２０２Ｃ）の光量目標値は、「１００＋レーザＡ（２０２Ａ）のバイアス光量＋レーザＢ（２０２Ｂ）のバイアス光量＋レーザＤ（２０２Ｄ）のバイアス光量」で決定され、値は「１１２」である。この値は、光量目標値メモリＣ（１０５Ｃ）に格納される。
【００７４】
同様に、レーザＤ（２０２Ｄ）の光量目標値は、「１００＋レーザＡ（２０２Ａ）のバイアス光量＋レーザＢ（２０２Ｂ）のバイアス光量＋レーザＣ（２０２Ｃ）のバイアス光量」で決定され、値は「１１１」である。この値は、光量目標値メモリＤ（１０５Ｄ）に格納される。
【００７５】
続いて、ステップＳ８０３で、画像形成が開始され、発光画素数のカウントを開始する。ステップＳ８０３は、第１の決定手段により決定された光量目標値になるように、画像形成時に複数のレーザ各々の発光画素数をカウントするカウント手段として機能する。
【００７６】
ビデオ回路１０３が光量目標値メモリ（１０５Ａ、１０５Ｂ、１０５Ｃ、１０５Ｄ）を元に、レーザＡ（２０２Ａ）〜レーザＤ（２０２Ｄ）のＡＰＣ制御を行う。その後、制御状態をデータモード（ＤＡＴＡ）へ切り替え、ビデオ回路１０３からレーザ駆動回路１０１へデータ信号（ＤＡＴＡＡ、ＤＡＴＡＢ、ＤＡＴＡＣ、ＤＡＴＡＤ）の送信を開始する。
【００７７】
そして、データ信号（ＤＡＴＡＡ、ＤＡＴＡＢ、ＤＡＴＡＣ、ＤＡＴＡＤ）がＯＮとなる場合に値をインクリメントし、ＯＦＦとなった場合にデクリメントする画素カウンタ（１０４Ａ、１０４Ｂ、１０４Ｃ、１０４Ｄ）がカウントを開始する。
【００７８】
続いて、ステップＳ８０４で１ライン走査が終了すると、画素カウンタ（１０４Ａ、１０４Ｂ、１０４Ｃ、１０４Ｄ）のカウント値を比較する。
【００７９】
本実施の形態では、カウント値は、図９のように、レーザＡ（２０２Ａ）は「２０００」、レーザＢ（２０２Ｂ）は「３０００」、レーザＣ（２０２Ｃ）は「−１０００」、レーザＤ（２０２Ｄ）は「２０００」となっている。
【００８０】
そして、ＣＰＵ１０７が画素カウンタ（１０４Ａ、１０４Ｂ、１０４Ｃ、１０４Ｄ）の値を読み出し、それぞれのカウント値を比較する。そして、最も変化量が大きいＬＤを特定する（ステップＳ８０５）。本実施の形態では、レーザＢ（２０２Ｂ）が最もカウント値の変化量が大きいと判断される。
【００８１】
ステップＳ８０５は、カウント手段による発光画素数のカウント値と光量目標値との変化量が最も大きいレーザを特定する特定手段として機能する。
【００８２】
続いて、ステップＳ８０６で、最もカウント値の変化量が大きいＬＤのバイアス光量を測定する。測定は、ステップＳ８０２と同じ操作である。ステップＳ８０６は、特定手段により特定されたレーザのバイアス発光量を測定する第２の測定手段として機能する。
【００８３】
本実施の形態では、レーザＢ（２０２Ｂ）のバイアス光量を測定する。
【００８４】
レーザＢ（２０２Ｂ）をバイアス発光モード（ＢＩＡＳ）にセットし、他のレーザ（２０２Ａ、２０２Ｃ、２０２Ｄ）を消灯モード（ＯＦＦ）にセットする。この時、ＰＤセンサ２０１は、光量に応じた電流（モニタ電流）を発生し、このモニタ電流はＡ／Ｄ変換回路１０２へ流れ込む。Ａ／Ｄ変換回路１０２は、この電流値をＡ／Ｄ変換してＰＤメモリＢ（１０６Ｂ）に格納する。
【００８５】
この一連の操作により、レーザＢ（２０２Ｂ）のバイアス発光量が測定され、その値がＰＤメモリＢ（１０６Ｂ）に格納されている状態となる。本実施の形態では、説明のためＰＤメモリＢ（１０６Ｂ）に「２」が格納されたとする。
【００８６】
続いて、ステップＳ８０７で、ＣＰＵ１０７が、測定結果を元に新たな光量目標値を決定する。ステップＳ８０７は、第２の測定手段により測定されたバイアス発光量に基づいて、複数のレーザの前記光量目標値を決定する第２の決定手段として機能する。
【００８７】
本実施の形態では、ＣＰＵ１０７が、画素カウンタ（１０４Ａ、１０４Ｂ、１０４Ｃ、１０４Ｄ）の値と、ＰＤメモリＢの変化量から、新たな光量目標値を生成する。
【００８８】
具体的には、レーザＢ（２０２Ｂ）の画素カウンタ（１０４Ｂ）の値は「３０００」であり、ＰＤメモリＢの変化量は「−１」である（「３」から「２」に変化したため）。これに対して、レーザＡ（２０２Ａ）、レーザＣ（２０２Ｃ）、レーザＤ（２０２Ｄ）の画素カウンタ（１０４Ｄ）の値は「２０００」である。
【００８９】
従って、画素カウンタ（１０４Ａ、１０４Ｂ、１０４Ｃ、１０４Ｄ）の値と変化量が比例関係にあるとすれば、各レーザの変化量を以下のように推定できる。
【００９０】
即ち、レーザＡ（２０２Ａ）の変化量は、−０．６７（−１×２０００／３０００）、レーザＣ（２０２Ｃ）の変化量は、０．３３（−１×−１０００／３０００）、レーザＤ（２０２Ｄ）の変化量は、−０．６７（−１×２０００／３０００）と推定できる。
【００９１】
ＰＤメモリの分解能が１であるとすると、小数点以下を四捨五入し、レーザＡ（２０２Ａ）の変化量は「−１」、レーザＣ（２０２Ｃ）の変化量は「０」、レーザＤ（２０２Ｄ）の変化量は「−１」となる。
【００９２】
これらの値を、従来の値に加減算することで、ＰＤメモリＡの値は「４」、ＰＤメモリＣの値は「３」、ＰＤメモリＤの値は「３」に書き替えられる。
【００９３】
そして、ＣＰＵ１０７が、この書き替えられたＰＤメモリの値を元に、ステップＳ８０２で行った処理と同じ処理で光量目標値を生成する。
【００９４】
レーザＡ（２０２Ａ）の光量目標値は、「１００＋レーザＢ（２０２Ｂ）のバイアス光量＋レーザＣ（２０２Ｃ）のバイアス光量＋レーザＤ（２０２Ｄ）のバイアス光量」で決定され、値は「１０７」である。この値は、光量目標値メモリＡに格納される。
【００９５】
同様に、レーザＢ（２０２Ｂ）の光量目標値は、「１００＋レーザＡ（２０２Ａ）のバイアス光量＋レーザＣ（２０２Ｃ）のバイアス光量＋レーザＤ（２０２Ｄ）のバイアス光量」で決定され、値は「１１０」である。この値は、光量目標値メモリＢに格納される。
【００９６】
同様に、レーザＣ（２０２Ｃ）の光量目標値は、「１００＋レーザＡ（２０２Ａ）のバイアス光量＋レーザＢ（２０２Ｂ）のバイアス光量＋レーザＤ（２０２Ｄ）のバイアス光量」で決定され、値は「１０８」である。この値は、光量目標値メモリＣに格納される。
【００９７】
同様に、レーザＤ（２０２Ｄ）の光量目標値は、「１００＋レーザＡ（２０２Ａ）のバイアス光量＋レーザＢ（２０２Ｂ）のバイアス光量＋レーザＣ（２０２Ｃ）のバイアス光量」で決定され、値は「１０８」である。この値は、光量目標値メモリＤに格納される。
【００９８】
以上の一連の動作で、新たな光量目標値が光量目標値メモリ（１０５Ａ、１０５Ｂ、１０５Ｃ、１０５Ｄ）に設定される。
【００９９】
続いて、ステップＳ８０８で、画像形成が終了したかどうかを判断する。終了していないならば、ステップＳ８０３に戻り、ステップＳ８０３以降の処理を繰り返す。終了しているならば、本処理を終了する。
【０１００】
本実施の形態では、変化量が最も大きいＬＤを代表として選択する例を記載したが、変化量が任意の値以上であれば最も大きいものである必要は無い。例えば、任意の値に「２０００」を設定すれば、レーザＡ（２０２Ａ）、レーザＢ（２０２Ｂ）、レーザＣ（２０２Ｃ）のどれを選択しても良い。
【０１０１】
また、任意の値に「５０００」を設定した場合、該当するＬＤが無い状態になるが、この場合は、変化量が最も大きいレーザＢ（２０２Ｂ）を選択する。
【０１０２】
上記実施の形態では、測定結果と画素カウンタ（１０４Ａ、１０４Ｂ、１０４Ｃ、１０４Ｄ）の値を元に新たな光量目標値を決定する手法を用いたが、測定結果と、複数のレーザ各々の配置関係を元に新たな光量目標値を決定する手法を用いても良い。
【０１０３】
この手法を用いれば、各レーザの配置関係から代表ビームの相互影響も考慮して光量目標値を決定することで、精度を向上させることができる。
【０１０４】
例えば、レーザＢ（２０２Ｂ）の画素カウンタ（１０４Ａ、１０４Ｂ、１０４Ｃ、１０４Ｄ）の値が「５０００」で、レーザＣ（２０２Ｃ）の画素カウンタ（１０４Ａ、１０４Ｂ、１０４Ｃ、１０４Ｄ）の値が「０」であったとする。また、レーザＤ（２０２Ｄ）の画素カウンタ（１０４Ａ、１０４Ｂ、１０４Ｃ、１０４Ｄ）の値が「０」であったとする。
【０１０５】
レーザＢ（２０２Ｂ）を基準とした場合、レーザＢ（２０２Ｂ）が発光した際に発生する熱が、隣接するレーザＡ（２０２Ａ）とレーザＣ（２０２Ｃ）に１０％の影響を及ぼすとする。この場合、レーザＡ（２０２Ａ）、レーザＤ（２０２Ｄ）の熱は、画素カウンタ（１０４Ａ、１０４Ｂ、１０４Ｃ、１０４Ｄ）の値が「５００」の場合と等しくなる。
【０１０６】
そこで、レーザＢ（２０２Ｂ）の画素カウンタ（１０４Ａ、１０４Ｂ、１０４Ｃ、１０４Ｄ）の値の１０％をレーザＡ（２０２Ａ）とレーザＣ（２０２Ｃ）に加算する。このことで、画素カウンタ（１０４Ａ、１０４Ｂ、１０４Ｃ、１０４Ｄ）の値を「５００（=０+５０００×０．１）」とし、実際の相互影響も考慮することでより精度が向上する。
【０１０７】
また、測定結果と、複数のレーザ各々の温度特性を元に新たな光量目標値を決定する手法を用いても良い。例えば、レーザＢ（２０２Ｂ）の画素カウンタ（１０４Ａ、１０４Ｂ、１０４Ｃ、１０４Ｄ）の値が「５０００」で、レーザＡ（２０２Ａ）の画素カウンタ（１０４Ａ、１０４Ｂ、１０４Ｃ、１０４Ｄ）の値が「１０００」であったとする。
【０１０８】
本実施の形態によれば、レーザＡ（２０２Ａ）の変化量が「５」ならば、レーザＢ（２０２Ｂ）の変化量は「１」と算出される。ここで、例えば、レーザＡ（２０２Ａ）がレーザＢ（２０２Ｂ）に比べて熱の影響を受けにくい（温度特性が良い）とすると、レーザＡ（２０２Ａ）の変化量を「１以下」の値になるよう係数を持たせるようにすれば、より精度が向上する。
【０１０９】
また、画素カウンタ（１０４Ａ、１０４Ｂ、１０４Ｃ、１０４Ｄ）は、複数のレーザ各々の発光画素数を１単位としてカウントするものであった。しかし、近年では、画像の高精細化のために、１画素内でパルス幅変調（ＰＷＭ）を行っている装置も存在するため、このような場合、１画素を１単位とすると、発光時間に誤差が生ずる。
【０１１０】
具体的な例を図１０に示す。
【０１１１】
図１０では、一画素を１５分割したパルス幅変調（ＰＷＭ）の例を示している。
【０１１２】
（ａ）はＰＷＭ＝１５（１５／１５分割、即ち一画素）、（ｂ）はＰＷＭ＝７（７／１５分割、即ち約１／２画素）、（ｃ）はＰＷＭ＝０（０／１５分割、オフ状態）を示している。
【０１１３】
この時、画素のカウントを、１画素を１単位とすると、ＰＷＭ＝１５と、ＰＷＭ＝７の場合は、同じ１カウントとなる。しかし、実際の発光時間は異なっている。
【０１１４】
そこで、レーザが１画素内でパルス幅変調を行った場合に、レーザ各々の最小発光パルス幅（この場合は、１／１５画素）を１単位としてカウントする。この場合のカウント値は、ＰＷＭ＝１５では１５、ＰＷＭ＝７では７となり、カウント値と実際の発光時間の誤差を低減することができる。
【０１１５】
本発明では、バイアス発光量を測定するという操作を代表のビームに対して実施する。ここで、代表のビームは、バイアス発光量の変化量が最も大きいものを選択する。バイアス発光量の変化量が最も大きいものは、画像区間での発光データをモニタすることで特定する。なぜなら、バイアス発光量の変化量はチップ温度の変化量に依存する割合が大きく、また、チップ温度の変化量は、発光時間に拠る割合が高いためである。
【０１１６】
そして、代表ビームのバイアス発光量の測定結果を元に、他のビームのバイアス発光量の変化量を予測した制御を行う。これにより、短時間で、かつ全てのレーザの光量安定制御を精度良く行うことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０１１７】
【図１】本発明の実施の形態に係る光走査装置の要部ブロック図である。
【図２】図１の光走査装置におけるバイアス発光モードの説明図である。
【図３】図１の光走査装置におけるＡＰＣモードの説明図である。
【図４】図１の光走査装置におけるバイアスＡＰＣモードの説明図である。
【図５】図１の光走査装置におけるデータ発光モードの説明図である。
【図６】図１の光走査装置における消灯モードの説明図である。
【図７】図１の光走査装置におけるレーザに印加する電流と光量の関係を示す特性図である。
【図８】図１の光走査装置によって実行されるレーザ光量制御処理の手順を示すフローチャートである。
【図９】図１の光走査装置のシーケンス図である。
【図１０】図１の光走査装置におけるパルス幅変調の説明図である。
【図１１】光走査装置の基本的な構成図である。
【図１２】光走査装置における複数のレーザを示す図である。
【符号の説明】
【０１１８】
１０１  レーザ駆動回路
１０２  Ａ／Ｄ変換回路
１０３  ビデオ回路
１０４Ａ〜１０４Ｄ  画素カウンタ
１０５Ａ〜１０５Ｄ  光量目標値メモリ
１０６Ａ〜１０６Ｄ  ＰＤメモリ
１０７  ＣＰＵ
２０１  ＰＤセンサ
２０２Ａ〜２０２Ｄ  レーザ
【図１】
0005235507.tif 000002
【図２】
0005235507.tif 000003
【図３】
0005235507.tif 000004
【図４】
0005235507.tif 000005
【図５】
0005235507.tif 000006
【図６】
0005235507.tif 000007
【図７】
0005235507.tif 000008
【図８】
0005235507.tif 000009
【図９】
0005235507.tif 000010
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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