(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
イオンビームを照射するイオン銃と、
このイオン銃へ電力を供給する電源装置と、
複数種類のガスのそれぞれを上記イオン銃へ導入する複数のマスフロー調整器と、
上記電源装置に接続され、この電源装置から上記イオン銃へ供給される供給電力を制御するイオン銃制御手段と、
上記マスフロー調整器に接続され、このマスフロー調整器から上記イオン銃へ導入されるガス流量を制御するマスフロー制御手段と、を備え、
被成膜体上に、上記イオン銃を用いたイオンアシスト法によって高屈折率層と低屈折率層からなる多層反射防止膜を成膜する際に用いられるイオン銃システムであって、
上記マスフロー制御手段は、上記高屈折率層と上記低屈折率層とを形成する間に、複数種類の上記ガスのそれぞれの導入流量の設定値を、上記イオン銃が安定稼動する範囲において段階的に変更して、他の設定値に変更する機能を備えたことを特徴とするイオン銃システム。
【請求項２】
上記マスフロー制御手段は、上記高屈折率層と上記低屈折率層とを形成する間に、複数種類のガスのそれぞれの導入流量の設定値を、上記イオン銃が安定稼動する範囲において、同期を取りつつ段階的に変更して、他の設定値に変更する機能を備えたことを特徴とする請求項１に記載のイオン銃システム。
【請求項３】
上記マスフロー制御手段は、上記高屈折率層と上記低屈折率層とを形成する間に、複数種類のガスのそれぞれの導入流量の設定値を、上記イオン銃が安定稼動する範囲において、総流量を一定に保持しつつ段階的に変更して、他の設定値に変更する機能を備えたことを特徴とする請求項１または２に記載のイオン銃システム。
【請求項４】
上記イオン銃制御手段は、上記高屈折率層と上記低屈折率層とを形成する間に、上記イオン銃へ供給される加速電流値、加速電圧値のそれぞれの設定値を、上記イオン銃が安定稼動する範囲において段階的に変更して、他の設定値に変更する機能を備えたことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のイオン銃システム。
【請求項５】
上記イオン銃制御手段は、上記高屈折率層と上記低屈折率層とを形成する間に、上記イオン銃へ供給される加速電流値、加速電圧値のそれぞれの設定値を、上記イオン銃が安定稼動する範囲において段階的に変更して、
３０ｍＡ≦加速電流値≦７０ｍＡ、１００Ｖ≦加速電圧値≦１６０Ｖ
の値に一旦設定し、その後、他の設定値に段階的に変更する機能を備えたことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のイオン銃システム。
【請求項６】
上記高屈折率層と上記低屈折率層とを形成する間に、上記イオン銃制御手段によるイオン銃への加速電流値及び加速電圧値の設定値変更と、上記マスフロー制御手段によるイオン銃への導入ガス流量の設定値変更とを、並行して実施することを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載のイオン銃システム。
【請求項７】
上記高屈折率層と上記低屈折率層とを形成する間に、上記イオン銃制御手段によるイオン銃への加速電流値及び加速電圧値の設定値の変更と、上記マスフロー制御手段によるイオン銃への導入ガス流量の設定値の変更との少なくとも一方は、それぞれの総変更時間を分割した分割単位時間毎に上記設定値を分割変更することで、上記総変更時間内に上記設定値を段階的に変更し、
上記分割単位時間が、１秒以下の時間に設定されることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載のイオン銃システム。
【請求項８】
被成膜体を内部に保持する蒸着室と、
この蒸着室内に設置され、蒸着原料を加熱して気化させて上記成膜体に蒸着させる加熱源と、
上記蒸着室内に設置され、照射するイオンビームにより上記成膜体への上記蒸着をアシストするイオン銃システムとを有する蒸着装置であって、
上記イオン銃システムが、請求項１乃至７のいずれかに記載のイオン銃システムであることを特徴とする蒸着装置。
【請求項９】
レンズ基材上に、イオン銃を用いたイオンアシスト法によって高屈折率層と低屈折率層からなる多層反射防止膜を成膜する際に、上記イオン銃へ供給される加速電流値及び加速電圧値のそれぞれの設定値と、上記イオン銃へそれぞれ導入される複数種類のガスの導入流量の設定値とを、上記高屈折率層と上記低屈折率層とを形成する際に異ならせるレンズの製造方法において、
上記高屈折率層と上記低屈折率層とを形成する間に、複数種類の上記ガスのそれぞれの導入流量の設定値を、上記イオン銃が安定稼動する範囲において段階的に変更して、他の設定値に変更することを特徴とするレンズの製造方法。
【請求項１０】
上記高屈折率層と上記低屈折率層とを形成する間に、複数種類のガスのそれぞれの導入流量の設定値を、上記イオン銃が安定稼動する範囲において、同期を取りつつ段階的に変更して、他の設定値に変更することを特徴とする請求項９に記載のレンズの製造方法。
【請求項１１】
上記高屈折率層と上記低屈折率層とを形成する間に、複数種類のガスのそれぞれの導入流量の設定値を、上記イオン銃が安定稼動する範囲において、総流量を一定に保持しつつ段階的に変更して、他の設定値に変更することを特徴とする請求項９または１０に記載のレンズの製造方法。
【請求項１２】
上記高屈折率層と上記低屈折率層とを形成する間に、イオン銃へ供給される加速電流値、加速電圧値のそれぞれの設定値を、上記イオン銃が安定稼動する範囲において段階的に変更して、他の設定値に変更することを特徴とする請求項９乃至１１のいずれかに記載のレンズの製造方法。
【請求項１３】
上記高屈折率層と上記低屈折率層とを形成する間に、イオン銃へ供給される加速電流値、加速電圧値のそれぞれの設定値を、上記イオン銃が安定稼動する範囲において段階的に変更して、
３０ｍＡ≦加速電流値≦７０ｍＡ、１００Ｖ≦加速電圧値≦１６０Ｖ
の値に一旦設定し、その後、他の設定値に段階的に変更することを特徴とする請求項９乃至１２のいずれかに記載のレンズの製造方法。
【請求項１４】
上記高屈折率層と上記低屈折率層とを形成する間に、イオン銃への加速電流値及び加速電圧値の設定値変更と、上記イオン銃への導入ガス流量の設定値変更とを、並行して実施することを特徴とする請求項９乃至１３のいずれかに記載のレンズの製造方法。
【請求項１５】
上記高屈折率層と上記低屈折率層とを形成する間に、イオン銃への加速電流値及び加速電圧値の設定値と、イオン銃への導入ガス流量の設定値との少なくとも一方を、それぞれの総変更時間を分割した分割単位時間毎に上記設定値を分割変更することで、上記総変更時間内に上記設定値を段階的に変更し、
上記分割単位時間を、１秒以下の時間に設定することを特徴とする請求項９乃至１４のいずれかに記載のレンズの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、イオン銃システム、このイオン銃システムを備えた蒸着装置、及びイオンアシスト法を用いてレンズに多層反射防止膜を成膜してレンズを製造するレンズの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
イオンアシスト法を用いて、プラスチックレンズ上に多層反射防止膜を施すことが知られている。その例として、特許文献１の実施例７〜１０には、多層反射防止膜を構成する全ての層（高屈折率層、低屈折率層）の成膜に、イオンアシスト法を用いる旨が記載されている。その際、多層反射防止膜を構成する高屈折率層及び低屈折率層のイオンアシスト法による成膜条件（加速電圧、加速電流、使用ガスの流量の設定値）は、それぞれ異なっている。
【特許文献１】特開２００４−２０６０２４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
特許文献１では、低屈折率層におけるイオンアシスト法による成膜条件（加速電圧、加速電流、使用ガスの流量の設定値）から、高屈折率層におけるイオンアシスト法による成膜条件に変更する場合、また、高屈折率層におけるイオンアシスト法による成膜条件から、低屈折率層におけるイオンアシスト法による成膜条件に変更する場合、どのようにして変更するかについては記載されていない。【０００４】
イオンアシスト法で用いるイオン銃は、何の制御もなく加速電圧、加速電流、使用ガスの流量等の設定値を変更すると、これらの加速電圧、加速電流、使用ガスの流量の値に急激な変化が起こり、イオン銃が異常停止する恐れがある。【０００５】
そこで、低屈折率層におけるイオンアシスト法による成膜条件（加速電圧、加速電流、使用ガスの流量の設定値）と、高屈折率層におけるイオンアシスト法による成膜条件との間で、一方の成膜条件から他方の成膜条件へ変更する場合には、一度、現在の設定値をリセットして値を０（ゼロ）にし、その後、意図する他の設定値に変更する方法が採用されている（図５参照）。このため、イオンアシスト法による成膜条件が低屈折率層と高屈折率層とで異なる多層反射防止膜を成膜する場合には、通常、多大な時間を必要とするものであった。【０００６】
本発明の目的は、上述の事情を考慮してなされたものであり、被成膜体に成膜される膜の性能を損なうことなく、成膜時間を短縮できるイオン銃システム、及びこのイオン銃システムを備えた蒸着装置を提供することにある。  本発明の他の目的は、レンズ基材に成膜される多層反射防止膜の性能を損なうことなく、この多層反射防止膜の成膜時間を短縮できるレンズの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
請求項１に記載の発明に係るイオン銃システムは、イオンビームを照射するイオン銃と、このイオン銃へ電力を供給する電源装置と、複数種類のガスのそれぞれを上記イオン銃へ導入する複数のマスフロー調整器と、上記電源装置に接続され、この電源装置から上記イオン銃へ供給される供給電力を制御するイオン銃制御手段と、上記マスフロー調整器に接続され、このマスフロー調整器から上記イオン銃へ導入されるガス流量を制御するマスフロー制御手段と、を備え、被成膜体上に、上記イオン銃を用いたイオンアシスト法によって高屈折率層と低屈折率層からなる多層反射防止膜を成膜する際に用いられるイオン銃システムであって、上記マスフロー制御手段は、上記高屈折率層と上記低屈折率層とを形成する間に、複数種類の上記ガスのそれぞれの導入流量の設定値を、上記イオン銃が安定稼動する範囲において段階的に変更して、他の設定値に変更する機能を備えたことを特徴とするものである。
【０００８】
請求項２に記載の発明に係るイオン銃システムは、請求項１に記載の発明において、上記マスフロー制御手段は、上記高屈折率層と上記低屈折率層とを形成する間に、複数種類のガスのそれぞれの導入流量の設定値を、上記イオン銃が安定稼動する範囲において、同期を取りつつ段階的に変更して、他の設定値に変更する機能を備えたことを特徴とするものである。
【０００９】
請求項３に記載の発明に係るイオン銃システムは、請求項１または２に記載の発明において、上記マスフロー制御手段は、上記高屈折率層と上記低屈折率層とを形成する間に、複数種類のガスのそれぞれの導入流量の設定値を、上記イオン銃が安定稼動する範囲において、総流量を一定に保持しつつ段階的に変更して、他の設定値に変更する機能を備えたことを特徴とするものである。
【００１０】
請求項４に記載の発明に係るイオン銃システムは、請求項１乃至３のいずれかに記載の発明において、上記イオン銃制御手段は、上記高屈折率層と上記低屈折率層とを形成する間に、上記イオン銃へ供給される加速電流値、加速電圧値のそれぞれの設定値を、上記イオン銃が安定稼動する範囲において段階的に変更して、他の設定値に変更する機能を備えたことを特徴とするものである。
【００１１】
請求項５に記載の発明に係るイオン銃システムは、請求項１乃至４のいずれかに記載の発明において、上記イオン銃制御手段は、上記高屈折率層と上記低屈折率層とを形成する間に、上記イオン銃へ供給される加速電流値、加速電圧値のそれぞれの設定値を、上記イオン銃が安定稼動する範囲において段階的に変更して、３０ｍＡ≦加速電流値≦７０ｍＡ、１００Ｖ≦加速電圧値≦１６０Ｖの値に一旦設定し、その後、他の設定値に段階的に変更する機能を備えたことを特徴とするものである。
【００１２】
請求項６に記載の発明に係るイオン銃システムは、請求項１乃至５のいずれかに記載の発明において、上記高屈折率層と上記低屈折率層とを形成する間に、上記イオン銃制御手段によるイオン銃への加速電流値及び加速電圧値の設定値変更と、上記マスフロー制御手段によるイオン銃への導入ガス流量の設定値変更とを、並行して実施することを特徴とするものである。
【００１３】
請求項７に記載の発明に係るイオン銃システムは、請求項１乃至６のいずれかに記載の発明において、上記高屈折率層と上記低屈折率層とを形成する間に、上記イオン銃制御手段によるイオン銃への加速電流値及び加速電圧値の設定値の変更と、上記マスフロー制御手段によるイオン銃への導入ガス流量の設定値の変更との少なくとも一方は、それぞれの総変更時間を分割した分割単位時間毎に上記設定値を分割変更することで、上記総変更時間内に上記設定値を段階的に変更し、上記分割単位時間が、１秒以下の時間に設定されることを特徴とするものである。
【００１４】
請求項８に記載の発明に係る蒸着装置は、被成膜体を内部に保持する蒸着室と、この蒸着室内に設置され、蒸着原料を加熱して気化させて上記成膜体に蒸着させる加熱源と、上記蒸着室内に設置され、照射するイオンビームにより上記成膜体への上記蒸着をアシストするイオン銃システムとを有する蒸着装置であって、上記イオン銃システムが、請求項１乃至７のいずれかに記載のイオン銃システムであることを特徴とするものである。【００１５】
請求項９に記載の発明に係るレンズの製造方法は、レンズ基材上に、イオン銃を用いたイオンアシスト法によって高屈折率層と低屈折率層からなる多層反射防止膜を成膜する際に、上記イオン銃へ供給される加速電流値及び加速電圧値のそれぞれの設定値と、上記イオン銃へそれぞれ導入される複数種類のガスの導入流量の設定値とを、上記高屈折率層と上記低屈折率層とを形成する際に異ならせるレンズの製造方法において、上記高屈折率層と上記低屈折率層とを形成する間に、複数種類の上記ガスのそれぞれの導入流量の設定値を、上記イオン銃が安定稼動する範囲において段階的に変更して、他の設定値に変更することを特徴とするものである。【００１６】
請求項１０に記載の発明に係るレンズの製造方法は、請求項９に記載の発明において、上記高屈折率層と上記低屈折率層とを形成する間に、複数種類のガスのそれぞれの導入流量の設定値を、上記イオン銃が安定稼動する範囲において、同期を取りつつ段階的に変更して、他の設定値に変更することを特徴とするものである。【００１７】
請求項１１に記載の発明に係るレンズの製造方法は、請求項９または１０に記載の発明において、上記高屈折率層と上記低屈折率層とを形成する間に、複数種類のガスのそれぞれの導入流量の設定値を、上記イオン銃が安定稼動する範囲において、総流量を一定に保持しつつ段階的に変更して、他の設定値に変更することを特徴とするものである。【００１８】
請求項１２に記載の発明に係るレンズの製造方法は、請求項９乃至１１のいずれかに記載の発明において、上記高屈折率層と上記低屈折率層とを形成する間に、イオン銃へ供給される加速電流値、加速電圧値のそれぞれの設定値を、上記イオン銃が安定稼動する範囲において段階的に変更して、他の設定値に変更することを特徴とするものである。【００１９】
請求項１３に記載の発明に係るレンズの製造方法は、請求項９乃至１２のいずれかに記載の発明において、上記高屈折率層と上記低屈折率層とを形成する間に、イオン銃へ供給される加速電流値、加速電圧値のそれぞれの設定値を、上記イオン銃が安定稼動する範囲において段階的に変更して、３０ｍＡ≦加速電流値≦７０ｍＡ、１００Ｖ≦加速電圧値≦１６０Ｖの値に一旦設定し、その後、他の設定値に段階的に変更することを特徴とするものである。【００２０】
請求項１４に記載の発明に係るレンズの製造方法は、請求項９乃至１３のいずれかに記載の発明において、上記高屈折率層と上記低屈折率層とを形成する間に、イオン銃への加速電流値及び加速電圧値の設定値変更と、上記イオン銃への導入ガス流量の設定値変更とを、並行して実施することを特徴とするものである。【００２１】
請求項１５に記載の発明に係るレンズの製造方法は、請求項９乃至１４のいずれかに記載の発明において、上記高屈折率層と上記低屈折率層とを形成する間に、イオン銃への加速電流値及び加速電圧値の設定値と、イオン銃への導入ガス流量の設定値との少なくとも一方を、それぞれの総変更時間を分割した分割単位時間毎に上記設定値を分割変更することで、上記総変更時間内に上記設定値を段階的に変更し、上記分割単位時間を、１秒以下の時間に設定することを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００２２】
請求項１、２、３、７または８に記載の発明によれば、マスフロー制御手段は、複数種類のガスのそれぞれの導入流量の設定値を、イオン銃が安定稼動する範囲において段階的に変更して、他の設定値に変更する機能を備えている。このように、マスフロー制御手段が、ガス流量の設定値を段階的に変更して他の設定値に変更し、一旦ゼロに設定した後に他の設定値に変更することがないので、イオン銃を用いて被成膜体に成膜する成膜時間を、膜の性能を損なうことなく短縮できる。また、ガスの導入流量の設定値を変更する際にイオン銃の安定稼動が確保されるので、この設定値の変更時に、イオン銃が異常停止する事態を確実に回避できる。【００２３】
請求項４、７または８に記載の発明によれば、イオン銃制御手段は、イオン銃へ供給される加速電流値、加速電圧値のそれぞれの設定値を、イオン銃が安定稼動する範囲において段階的に変更して、他の設定値に変更する。このように、イオン銃制御手段が、加速電流値、加速電圧値のそれぞれの設定値を段階的に変更して他の設定値に変更し、一旦ゼロに設定した後に他の設定値に変更することがないので、イオン銃を用いて被成膜体に成膜する成膜時間を、膜の性能を損なうことなく短縮できる。また、加速電流値、加速電圧値のそれぞれの設定値を変更する際にイオン銃の安定稼動が確保されるので、これらの設定値の変更時に、イオン銃が異常停止する事態を確実に回避できる。【００２４】
請求項５に記載の発明によれば、イオン銃制御手段は、イオン銃へ供給される加速電流値、加速電圧値の設定値をそれぞれ他の設定値に変更する前に、３０ｍＡ≦加速電流値≦７０ｍＡ、１００Ｖ≦加速電圧値≦１６０Ｖの値に一旦設定する、所謂パワーダウンを実施する。このため、このパワーダウン実施中に他の機器のエラーが発生した場合にも、イオン銃から照射されるイオンビームによって、被成膜体に既に成膜された膜に影響を与えることを極力回避できる。【００２５】
請求項６に記載の発明によれば、イオン銃制御手段によるイオン銃への加速電流値及び加速電圧値の設定値変更と、マスフロー制御手段によるイオン銃への導入ガス流量の設定値変更とを並行して実施することから、イオン銃への設定値の変更を短時間に実施でき、成膜時間を短縮できる。【００２６】
請求項９、１０、１１または１５に記載の発明によれば、多層反射防止膜の高屈折率層と低屈折率層とを形成する間に、複数種類のガスのそれぞれの導入流量の設定値を、イオン銃が安定稼動する範囲において段階的に変更して、他の設定値に変更する。このように、ガス流量の設定値を段階的に変更して他の設定値に変更し、一旦ゼロに設定した後に他の設定値に変更することがないので、イオン銃を用いてレンズ基材へ成膜する多層反射防止膜の成膜時間を、膜の性能を損なうことなく短縮できる。また、ガスの導入流量の設定値を変更する際にイオン銃の安定稼動が確保されるので、この設定値の変更時に、イオン銃が異常停止する事態を確実に回避できる。【００２７】
請求項１２または１５に記載の発明によれば、多層反射防止膜の高屈折率層と低屈折率層とを形成する間に、イオン銃へ供給される加速電流値、加速電圧値のそれぞれの設定値を、イオン銃が安定稼動する範囲において段階的に変更して、他の設定値に変更する。このように、加速電流値、加速電圧値のそれぞれの設定値を段階的に変更して他の設定値に変更し、一旦ゼロに設定した後に他の設定値に変更することがないので、イオン銃を用いてレンズ基材に成膜する多層反射防止膜の成膜時間を、膜の性能を損なうことなく短縮できる。また、加速電流値、加速電圧値のそれぞれの設定値を変更する際にイオン銃の安定稼動が確保されるので、これらの設定値の変更時に、イオン銃が異常停止する事態を確実に回避できる。【００２８】
請求項１３に記載の発明によれば、多層反射防止膜の高屈折率層と低屈折率層とを形成する間に、イオン銃へ供給される加速電流値、加速電圧値の設定値をそれぞれ他の設定値に変更する前に、３０ｍＡ≦加速電流値≦７０ｍＡ、１００Ｖ≦加速電圧値≦１６０Ｖの値に一旦設定する、所謂パワーダウンを実施する。このため、このパワーダウン実施中に他の機器のエラーが発生した場合にも、イオン銃から照射されるイオンビームによって、被成膜体に既に成膜された膜に影響を与えることを極力回避できる。【００２９】
請求項１４に記載の発明によれば、多層反射防止膜の高屈折率層と低屈折率層とを形成する間に、イオン銃への加速電流値及び加速電圧値の設定値変更と、イオン銃への導入ガス流量の設定値変更とを並行して実施することから、イオン銃への設定値の変更を短時間に実施でき、成膜時間を短縮できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下、本発明を実施するための最良の形態を、図面に基づき説明する。【００３１】
図１は、眼鏡用プラスチックレンズに反射防止膜や撥水コート等の薄膜を連続的に形成する連続型真空蒸着システム１に、本発明を適用した一例を示す。この連続型真空蒸着システム１は、成型された被製膜体としての眼鏡用レンズ（以下、単にレンズとする）に、真空蒸着室内で蒸着物質を蒸着させて、反射防止膜と撥水膜等を連続的に形成するものである。【００３２】
図１は、連続型真空蒸着システム１の概要を示す概略図である。この連続型真空蒸着システム１には、レンズ２０を加熱する予熱装置１００と、反射防止膜をレンズ２０に形成する第１蒸着装置２００と、反射防止膜を形成したレンズ２０に撥水膜等を形成する第２蒸着装置３００を備えている。また、予熱装置１００、第１蒸着装置２００、第２蒸着装置３００には、所定の真空度を満たすように真空装置（例えば図２の符号８）が配設される。【００３３】
連続型真空蒸着システム１におけるレンズ２０の成膜処理の概略について説明する。
まず、複数のレンズ２０を円盤状のコートドーム２に配置し、１ロットを構成する。そして、コートドーム２は予熱装置１００の支持台１０１に乗せられる。コートドーム２を支持台１０１と共に上昇させて、予熱装置１００の底部から予熱装置１００内に移動する。コートドーム２及び支持台１０１の上昇が完了すると、支持台１０１の下部を支持する開閉台１０３によって予熱装置１００の底部が封止される。また、コートドーム２は、連続型真空蒸着システム１に設けられた搬送手段（図１には不図示）に支持されて、予熱装置１００から第１蒸着装置２００を経て第２蒸着装置３００まで搬送可能となっている。また、搬送手段に支持された状態のコートドーム２は、図示しないアクチュエータにより回転可能となっている。【００３４】
予熱装置１００は、制御装置１２によって駆動されるヒータ（ハロゲンヒータなど）１０２によってコートドーム２のレンズ２０を予熱する。予熱が完了すると、制御装置１２は搬送手段を駆動して、コートドーム２を第１蒸着装置２００へ搬送する。【００３５】
第１蒸着装置２００では、複数の蒸着原料４１、４２を、加熱源としての電子銃３０、３１で加熱し蒸発させて、レンズ２０に主に反射防止膜を形成する。なお、電子銃３０、３１の駆動や蒸着原料４１、４２の選択は、制御装置１２によって制御される。また、第１蒸着装置２００には、薄膜の形成状況を監視するための光学式膜厚計１０が備えられ、監視結果は制御装置１２へ送られて電子銃３０、３１の制御などに供される。【００３６】
反射防止膜の形成が完了すると、制御装置１２は搬送手段を駆動して、コートドーム２を第２蒸着装置３００へ搬送する。第２蒸着装置３００には、昇降可能な開閉台３０３上にコートドーム２を支持する支持台３０１が移動可能に配置されている。第１蒸着装置２００から搬送されてきたコートドーム２は、搬送手段により第２蒸着装置３００に更に搬送される。【００３７】
第２蒸着装置３００の開閉台３０３上には、制御装置１２によって制御されるヒータ（ハロゲンヒータなど）３０２と、このヒータ３０２により加熱される蒸着原料３４０が配置され、コートドーム２に配置されたレンズ２０に撥水膜を形成する。レンズ２０への撥水膜の形成が完了すると、開閉台３０３が下降して全工程の処理が完了する。この後、コートドーム２は支持台３０１から搬送され、コートドーム２上のレンズ２０は次工程へ運ばれる。【００３８】
図２は第１蒸着装置２００と制御装置１２を示す。
第１蒸着装置２００の蒸着室２０１内では、予熱装置１００から搬送された、レンズ２０を備えるコートドーム２が、蒸着室２０１内の上部に位置決めされて保持される。【００３９】
蒸着室２０１の下部には、蒸着原料（成膜材料）４１、４２を収容するルツボやハースで構成される容器４０を有するハース部４００と、容器の蒸着原料４１、４２に電子ビームを当てて気化させる加熱源としての電子銃３０、３１と、蒸着原料４１、４２の蒸気を選択的に遮断する電子銃用シャッター５と、蒸着する薄膜の強度や膜質（緻密性など）を改善するためにイオンビームを照射して蒸着をアシストするイオン銃１４と、蒸着した薄膜の強度や膜質を改善するために蒸着室２０１内にガスを充填するガス発生装置（ガスユニット）１５と、などが設けられている。
【００４０】
なお、電子銃用シャッター５にはアクチュエータ（図示省略）が設けられ、後述の制御装置１２によって制御される。また、蒸着原料４１、４２は異なる種類の物質で、例えば、蒸着原料４１が低屈折率物質で、蒸着原料４２が高屈折率物質である。  【００４１】
蒸着室２０１の上部のコートドーム２の近傍には、コートドーム２に保持された被成膜体としてのレンズ２０の温度を計測するための基板温度計６が設けられ、さらに、蒸着室２０１内の真空度を計測するための真空計７、及び蒸着室２０１内を排気するための排気ユニット(真空装置)８が設けられている。また、蒸着室２０１の上部のコートドーム２の近傍には、このコートドーム２に保持されたレンズ２０を加熱するためのヒータ９が設けられている。このヒータ９はハロゲンヒータなどで構成される。
【００４２】
蒸着室２０１の上部には、所定の位置に薄膜の形成状況を検出する光学式膜厚計１０の構成要素たるモニターガラス５１が設置される。このモニターガラス５１は、蒸着室２０１内の所定の位置に配置されて、蒸着原料４１、４２の蒸気を受けることが可能となっている。【００４３】
さらに、蒸着室２０１の外部上方には、コートドーム２に対し所定の位置に設定されたモニターガラス５１の反射率を測定する光学式膜厚計１０が設けられている。光学式膜厚計１０は、膜厚モニター１１を介して制御装置１２に接続される。この光学式膜厚計１０からは光量データ（光量値）として、照射光の光量に対する反射光の光量の比が制御装置１２へ出力される。【００４４】
制御装置１２は、シーケンサユニットが主体であるが、更にこれに指令を送るＣＰＵ、メモリ、ディスク装置など（いわゆるコンピュータ）を備え、後述するように、それ全体で予熱装置１００、第１蒸着装置２００、第２蒸着装置３００の各機器の制御を行う。例えば、制御装置１２は、電子銃３０、３１やヒータ３０２への供給電力を制御して、レンズ２０に薄膜を形成する。【００４５】
このため、制御装置１２には、キーボードやマウスなどで構成された入力部１２ａが接続されるとともに、上述の電子銃３０、３１、シャッター５、真空装置８、ヒータ９、イオン銃１４、ガス発生装置１５等の制御対象と、基板温度計６、真空計７、光学式膜厚計１０（膜厚モニタ１１）等のセンサが接続されており、制御装置１２は、各センサからの入力情報等に基づいて上記制御対象を制御する。さらに制御装置１２には、予熱装置１００のヒータ１０２、第２蒸着装置３００のヒータ３０２、予熱装置１００から第１蒸着装置２００を経て第２蒸着装置３００までコートドーム２を搬送する前記搬送手段５００、予熱装置１００及び第２蒸着装置３００の開閉台１０３、３０３の昇降装置（図示省略）がそれぞれ接続される。【００４６】
制御装置１２は、真空計７の情報に基づいて真空装置８を制御し、蒸着室２０１内を所定の真空度にする。また、制御装置１２は、基板温度計６の情報に基づいてヒータ９を制御し、被成膜体であるレンズ２０を所定の温度にする。そして、制御装置１２は、上記光学式膜厚計１０のモニターガラス５１に形成された薄膜の時々刻々の光学膜厚に依存する時々刻々の光量値が、基準光量値データ格納手段に格納された値と等しくなるように、電子銃３０、３１に印加する電力（電流及び／又は電圧）を制御する場合もある。また、形成する薄膜の種類や気化させる蒸着原料４１、４２の種類に応じて、イオン銃１４によるイオンビーム照射やガス発生装置１５によるガスの充填を行う。【００４７】
ここで、コートドーム２は、レンズ２０に反射防止膜等が蒸着されるように、レンズ２０を保持する保持手段である。そして、複数のレンズ２０が同時に蒸着できるよう、コートドーム２は曲面を有する円盤形状であり、所定の曲率を有している。また、コートドーム２は、図示しないアクチュエータにより回転可能となっており、主には、蒸着室２０１内で加熱されて気化し拡散される蒸発物の分布のばらつきを低減させるために回転する。【００４８】
電子銃３０、３１は、容器に収納された蒸着原料（物質）４１、４２を、これらの蒸着原料４１、４２の溶融温度まで加熱することにより蒸発させて、レンズ２０及びモニターガラス５１に蒸着原料（物質）を蒸着・堆積させて薄膜を形成する。また、容器４０は、蒸着物質４１、４２を保持するために用いられる水冷式のルツボやハースライナである。  【００４９】
電子銃用シャッター５は、蒸着を開始するとき開き、または終了するときに閉じるように制御されるもので、薄膜の制御を行いやすくするものである。ヒータ９は、レンズ２０に蒸着される薄膜の密着性などの物性を良好にするため、レンズ２０を適切な温度に加熱する加熱手段である。【００５０】
光学式膜厚計１０は、上記コートドーム２のほぼ中心部に保持されたモニターガラス５１に所定の波長の光を照射し、その反射光を測定する。モニターガラス５１に形成される薄膜は、各レンズ２０に形成される薄膜に従属していると考えられるので、各レンズ２０に形成される薄膜を推測できる（再現できる）情報を得ることができる。このモニタガラス５１に形成される膜厚を、受光センサが検出した光量のピークの数に基づいて測定して、成膜の進行を検出することができる。【００５１】
さて、上述の第１蒸着装置２００における蒸着室２０１に設置されたイオン銃１４を備えるイオン銃システム６０は、前述のごとく、イオン銃１４から照射するイオンビームによってレンズ２０への蒸着をアシストし、蒸着した薄膜の強度や緻密性などの膜質を改善するものである。このイオン銃システム６０は、図２及び図３に示すように、イオン銃１４、電源装置６１、ガスボンベ６２及び６３、マスフロー調整器６４及び６５、並びに制御装置１２を有して構成される。【００５２】
上記電源装置６１は、イオン銃１４へ電力を供給するものである。また、ガスボンベ６２及び６３は、それぞれが単一、あるいは混合のガス（例えばＯ２ガス、Ａｒガス）を貯蔵したものである。これらのガスボンベは、それぞれが単一、あるいは混合のガスを貯蔵する１種または３種以上のガスボンベであってもよい。また、マスフロー調整器６４は、ガスボンベ６２からイオン銃１４へ、マスフロー調整器６５はガスボンベ６３からイオン銃１４へ、それぞれ導入されるガスの流量を調整するものである。これらのマスフロー調整器も、ガスボンベの数に対応して１個または３個以上設置されてもよい。【００５３】
制御装置１２は、電源装置６１、マスフロー調整器６４及び６５に接続され、イオン銃システム６０に関する機能として、イオン銃制御手段としての機能と、マスフロー制御手段としての機能とを有する。イオン銃制御手段としての機能は、電源装置６１からイオン銃１４へ供給される供給電力を制御するものであり、イオン銃１４への電源のＯＮ、ＯＦＦを含む。また、マスフロー制御手段としての機能は、マスフロー調整器６４、６５から
イオン銃１４へそれぞれ導入されるガス流量を制御するものである。
【００５４】
ところで、第１蒸着装置２００において、イオン銃システム６０を用いたイオンアシスト法によってレンズ２０に成膜される多層反射防止膜は、高屈折率層と低屈折率層とが積層されて構成される。このような多層反射防止膜には、低屈折率層を成膜するときの成膜条件と、高屈折率層を成膜するときの成膜条件とが異なる場合があり、これらの各層を成膜する間に上記成膜条件を変更する必要がある。上記成膜条件は、電源装置６１からイオン銃１４へ供給される加速電流、加速電圧、バイアス電流の各設定値と、マスフロー調整器６４、６５を経てイオン銃１４へ導入される１または複数種類（本実施の形態では２種）のガスの流量の各設定値である。【００５５】
そこで、イオン銃制御手段として機能する制御装置１２は、複数種類のガス（例えばＯ２ガス、Ａｒガス）のそれぞれの導入流量の設定値を、イオン銃１４が安定稼動する範囲において段階的に変更して、意図する他の設定値に変更する。例えば、イオン銃制御手段として機能する制御装置１２は、上記２種類のガス流量を、イオン銃１４が安定稼動する範囲において、独立ではなく同期を取りつつ段階的に変更する。この場合の同期の取り方は、例えば一方のガス流量を増大した後に他方のガス流量を減少させたり、両者の総ガス流量を一定流量に保持した状態で、それぞれのガス流量を変更することなどである。  【００５６】
また、マスフロー制御手段として機能する制御装置１２は、イオン銃１４へ供給される加速電流、加速電圧、バイアス電流の各設定値を、イオン銃１４が安定稼動する範囲において段階的に変更して、意図する他の設定値に変更するものである。この場合、マスフロー制御手段として機能する制御装置１２は、イオン銃１４が安定稼動する範囲において、加速電流、加速電圧、バイアス電流の各設定値を段階的に変更して、パワーダウン設定値（３０ｍＡ≦加速電流≦７０ｍＡ、１００Ｖ≦加速電圧≦１６０Ｖ、５０ｍＡ≦バイアス電流≦１２０ｍＡ）の範囲に一旦設定し（つまりパワーダウン）、その後に意図する他の設定値に段階的に変更してもよい。このパワーダウンは適宜実行され、省略してもよい。【００５７】
上述のパワーダウンによって、このパワーダウン中に第１蒸着装置２００における他の機器にエラーが発生しても、イオン銃１４からの出力状態が低減されているので、このイオン銃１４から照射されるイオンビームにより蒸着済みの薄膜層へ悪影響を及ぼすことが回避される。また、イオン銃１４からのイオンビームを遮るために、イオン銃用シャッター６６（図２）を、例えば上記パワーダウン時などに閉じることによって、蒸着済みの薄膜層への悪影響を確実に回避することが可能となる。【００５８】
そして、上述の加速電流、加速電圧、バイアス電流の設定値変更と、ガス導入流量の設定値変更とは、並行して同時進行で実施される。これにより、イオン銃１４への上述の設定値変更のトータル時間が短縮される。【００５９】
また、加速電流、加速電圧、バイアス電流の設定値の変更は、総変更時間を分割した分割単位時間毎に上記設定値を分割して変更することで、総変更時間において上記設定値を段階的に変更させる。同様に、ガス導入流量の設定値の変更も、総変更時間を分割した分割単位時間毎に上記設定値を分割して変更することで、総変更時間において上記設定値を段階的に変更させる。【００６０】
上記総変更時間は、イオン銃１４によるアシストを実施しないで異なる蒸着層（低屈折率層と高屈折率層）を形成する間に必要な層間処理時間の範囲内に設定される。この層間処理時間は、異なる蒸着層を形成する間に必要な、電子銃の加熱時間や、電子銃用シャッターの開閉時間、膜厚計の設定変更時間などである。具体的には、上記層間処理時間は約１２〜３０秒以内である。従って、総変更時間は、少なくとも３０秒以内、好ましくは約１０〜２０秒程度に設定される。また、上記分割単位時間は、イオン銃システム６０の安定稼動状態を保持するために１秒以内、好ましくは２００〜３００ｍ秒程度以内に設定される。１秒を超えるとイオン銃１４が不安定状態となり、異常停止してしまう恐れがあるからである。【００６１】
上記総変更時間、分割単位時間及び分割回数は、時間的許容変更幅及び分割許容変更幅に基づいて設定される。ここで、時間的許容変更幅は、イオン銃システム６０が安定稼動するために１秒間当たりに許容される変更幅である。また、分割許容変更幅は、イオン銃システム６０が安定稼動するために１分割当りに許容される変更幅である。【００６２】
上記時間的許容変更幅は、導入ガス流量が通常、４．０ｓｃｃｍ／秒以下、好ましくは２．０〜３．０ｓｃｃｍ／秒以下であり、加速電流が７０ｍＡ／秒以下、好ましくは４０ｍＡ／秒以下であり、加速電圧が１４０Ｖ／秒以下、好ましくは８０Ｖ／秒以下であり、バイアス電流が１２０ｍＡ／秒、好ましくは７０ｍＡ／秒以下である。ここで、上記「ｓｃｃｍ」はＳｔａｎｄａｒｄ  ｃｃ／ｍｉｎの略であり、１ａｔｍ（大気圧、１０１３Ｐａ）、２０℃の環境下に置かれたときの１分間に流れる気体の体積である。【００６３】
分割許容変更幅は、導入ガス流量が通常、０．２ｓｃｃｍ／分割以下、好ましくは０．０５〜０．１ｓｃｃｍ／分割以下であり、加速電流が３．０ｍＡ／分割以下、好ましくは１．０ｍＡ／分割以下であり、加速電圧が６．０Ｖ／分割以下、好ましくは２．０Ｖ／分割以下であり、バイアス電流が５．１ｍＡ／分割、好ましくは１．７ｍＡ／分割以下である。【００６４】
例えば、加速電圧の設定値を２００Ｖから６００Ｖに変更する場合、時間的許容変更幅は１４０Ｖ／秒以下であることから、総変更時間は約３秒間必要であり、余裕をみて４秒間とする。このように、加速電圧の設定値を２００Ｖから６００Ｖに４秒間で変更したとすると、１秒間当たり１００Ｖ変更することになる。このとき、分割許容変更幅が６．０Ｖ／分割以下であることから、１秒間当たりに１００Ｖの変更が許される分割数は１００Ｖ÷６．０Ｖ、余裕をみて１００Ｖ÷５．０Ｖ＝２０分割である。従って、分割単位時間は０．０５秒となる。この結果、加速電圧の設定値を２００Ｖから６００Ｖに４秒間で変更するときには、分割回数は２０分割×４＝８０分割となる。【００６５】
次に、イオン銃システム６０を用いてレンズ２０に多層反射防止膜を成膜する工程（図４）を、従来の工程（図５）と比較して説明する。図３及び図４に示すように、制御装置１２は、まず、マスフロー調整器６４及び６５において、ガス導入流量の設定値を設定値Ａ１に設定する（Ｓ１）。次に、制御装置１２は、マスフロー調整器６４及び６５への指令によりマスフローガス導入を開始させる（Ｓ２）。実際には、マスフロー調整器６４と６５とでガス導入流量の設定値は異なるが、この異なったガス流量の設定値を総じて設定値Ａ１とした。以下の設定値Ａ２についても同様である。【００６６】
マスフロー調整器６４及び６５により、イオン銃１４へのガス導入流量が設定値Ａ１となるように調整された時点で、制御装置１２は、電源装置６１において、加速電流、加速電圧、バイアス電流の設定値を設定値Ｂ１とする（Ｓ３）。次に、制御装置１２は、電源装置６１に指令して、イオン銃１４を開始させる（Ｓ４）。なお、上述の加速電流、加速電圧、バイアス電流の設定値も実際には異なるが、この異なった各設定値を総じて設定値Ｂ１とした。以下の設定値Ｂ２についても同様である。【００６７】
電源装置６１により、イオン銃１４へ供給される加速電流、加速電圧及びバイアス電流が設定値Ｂ１となるように調整された時点で、電子銃３０、３１及びイオン銃１４の作用により、レンズ２０の表面に蒸着原料４１を蒸着させて低屈折率層を成膜する（Ｓ５）。【００６８】
この低屈折率層の成膜終了後、制御装置１２は、マスフロー調整器６４及び６５において、導入ガス流量の設定値を設定値Ａ２に変更する（Ｓ６）。これらのマスフロー調整器６４及び６５は、イオン銃１４へ導入されるガス流量を設定値Ａ２となるように調整する。【００６９】
このガス導入流量の設定値変更及びガス導入流量の設定値Ａ２への調整と並行して、制御装置１２は、電源装置６１において加速電流、加速電圧、バイアス電流の設定値をパワーダウン設定値に変更する（Ｓ７）。電源装置６１は、イオン銃１４への加速電流、加速電圧、バイアス電流をパワーダウン設定値となるように調整する。その後、制御装置１２は、電源装置６１において、加速電流、加速電圧、バイアス電流の設定値を設定値Ｂ２に設定する（Ｓ８）。電源装置６１は、イオン銃１４への加速電流、加速電圧、バイアス電流を設定値Ｂ２となるように調整する。【００７０】
この状態で、電子銃３０、３１及びイオン銃１４の作用により、レンズ２０の表面に蒸着原料４２を蒸着させて高屈折率層を成膜する（Ｓ９）。この高屈折率層の成膜終了後、制御装置１２は、マスフロー調整器６４及び６５において、導入ガス流量の設定値を設定値Ａ１に変更する（Ｓ１０）。マスフロー調整器６４及び６５は、イオン銃１４へ導入されるガス流量を設定値Ａ１となるように調整する。【００７１】
このガス導入流量の設定値変更及びガス導入流量の設定値Ａ１への調整と並行して、制御装置１２は、電源装置６１において、加速電流、加速電圧、バイアス電流の設定値をパワーダウン設定値に変更する（Ｓ１１）。電源装置６１は、イオン銃１４への加速電流、加速電圧、バイアス電流を上記パワーダウン設定値となるように調整する。その後、制御装置１２は、電源装置６１において、加速電流、加速電圧、バイアス電流の設定値を設定値Ｂ１に設定する（Ｓ１２）。電源装置６１は、イオン銃１４の加速電流、加速電圧、バイアス電流を設定値Ｂ１となるように調整する。【００７２】
この状態で、電子銃３０、３１及びイオン銃１４の作用により、レンズ２０の表面に蒸着原料４１を蒸着させて低屈折率層を成膜する（Ｓ１３）。その後、制御装置１２は、レンズ２０に更に層を施すか否かを判断し（Ｓ１４）、施さなければ成膜工程を終了する。更に高屈折率層を施す場合には、ステップＳ６及びＳ７へ進む。【００７３】
尚、ステップＳ７及びＳ１１のパワーダウンは省略してもよい。この場合には、ステップＳ８及びＳ１２において、加速電流、加速電圧、バイアス電流の設定値をパワーダウン設定値に落とすことなく、次の層（低屈折率層、高屈折率層）を蒸着するための設定値に段階的に変更する。【００７４】
これに対し、従来の成膜工程（図５）では、ステップＳ２１〜Ｓ２４は、本実施形態のステップＳ１〜Ｓ４（図４）と同様であり、レンズ２０に低屈折率層を成膜する（Ｓ２５）。この低屈折率層の成膜後、電源装置６１への指令によりイオン銃１４を停止させ（Ｓ２６）、マスフロー調整器６４及び６５によるガス導入を停止させる（Ｓ２７）。【００７５】
次に、ステップＳ２８〜Ｓ３１において、上記ステップＳ２１〜Ｓ２４と同様にして、ガス流量の設定値を設定値Ａ２に変更し（Ｓ２９）、この設定値Ａ２になるようにガス流量を調整する。更に、加速電流、加速電圧、バイアス電流の設定値を設定値Ｂ２に変更し（Ｓ３１）、この設定値Ｂ２になるように加速電流、加速電圧、バイアス電流を調整する。【００７６】
この状態で、レンズ２０に高屈折率層を成膜する（Ｓ３２）。この高屈折率層の成膜後、電源装置６１への指令によりイオン銃１４を停止させ（Ｓ３３）、マスフロー調整器６４及び６５によるガス導入を停止させる（Ｓ３４）。次に、ステップＳ３５〜Ｓ３８において、ステップＳ２１〜Ｓ２４と同様な工程を実施して、レンズ２０の表面に低屈折率層を成膜する（Ｓ３９）。【００７７】
この低屈折率層の成膜後、電源装置６１への指令によりイオン銃１４を停止させ（Ｓ４０）、マスフロー調整器６４及び６５によるガス導入を停止させる（Ｓ４１）。レンズ２０の表面に更に層を施すか否かを判断し（Ｓ４２）、施さない場合には成膜工程を終了する。更に高屈折率層を施す場合には、ステップＳ２８へ進む。【００７８】
以上のように構成されたことから、上記実施の形態によれば、次の効果（１）〜（４）を奏する。
（１）マスフロー制御手段として機能する制御装置１２は、マスフロー調整器６４及び６５におけるガスの導入流量の設定値を、イオン銃１４が安定稼動する範囲において段階的に変更して、意図する他の設定値に変更する機能を備えている。このように、制御装置１２は、マスフロー調整器６４及び６５におけるガス流量の設定値を段階的に変更して他の設定値に変更し、これらのマスフロー調整器６４及び６５によるガス導入を一旦停止させた後に他の設定値に変更することがない。従って、イオン銃システム６０を用いてレンズ２０に多層反射防止膜を成膜する成膜時間を、膜の性能を損なうことなく短縮できる。また、ガスの導入流量の設定値を変更する際にイオン銃１４の安定稼動が確保されるので、この設定値の変更時に、イオン銃１４が異常停止する事態を確実に回避できる。【００７９】
（２）イオン銃制御手段として機能する制御装置１２は、電源装置６１における加速電流、加速電圧、バイアス電流のそれぞれの設定値を、イオン銃１４が安定稼動する範囲において段階的に変更して、意図する他の設定値に変更する。このように、制御装置１２は、電源装置６１における加速電流、加速電圧、バイアス電流のそれぞれの設定値を段階的に変更して他の設定値に変更し、電源装置６１への指令によりイオン銃１４を一旦停止した後に他の設定値に変更することがない。従って、イオン銃システム６０を用いてレンズ２０に多層反射防止膜を成膜する成膜時間を、膜の性能を損なうことなく短縮できる。また、加速電流、加速電圧、バイアス電流のそれぞれの設定値を変更する際にイオン銃１４の安定稼動が確保されるので、これらの設定値の変更時に、イオン銃１４が異常停止する事態を確実に回避できる。【００８０】
（３）イオン銃制御手段として機能する制御装置１２は、イオン銃１４へ供給される加速電流、加速電圧、バイアス電流のそれぞれの設定値を、層（低屈折率層、高屈折率層）を蒸着するための他の設定値に変更する前に、パワーダウン設定値に一旦設定するパワーダウンを実施する。このため、このパワーダウン実施中に他の機器のエラーが発生した場合にも、イオン銃１４から照射されるイオンビームによって、レンズ２０に既に成膜された低屈折率層、高屈折率層に悪影響を与えることを極力回避できる。【００８１】
（４）イオン銃制御手段として機能する制御装置１２によるイオン銃１４の加速電流、加速電圧、バイアス電流の設定値変更と、マスフロー制御手段として機能する制御装置１２によるイオン銃１４への導入ガス流量の設定値変更とを並行して同時に実施することから、設定値変更のトータル時間を短時間にでき、成膜時間を短縮できる。
【実施例】
【００８２】
以下、本発明を実施例により更に説明する。
イオン銃からのイオンビームを利用して、プラスチックレンズの表面に低屈折率層と高屈折率層とを蒸着して積層し、多層反射防止膜を成膜した。表１に示すように、低屈折率層は第１層、第３層、第５層及び第７層であり、高屈折率層は第２層、第４層及び第６層である。第８層は撥水コートである。
低屈折率層の蒸着原料のうちエポライト７０Ｐは、プロピレングリコールジグリシジルエーテル、分子量１８８、共栄社化学（株）製である。また、表１中のＭ１は無機物質、ＣＭ２はケイ素非含有有機化合物である。【００８３】
表１にも示すように、イオン銃の成膜条件（イオン銃への導入ガス流量、加速電流、加速電圧、バイアス電流の各設定値）は、低屈折率層の蒸着時と高屈折率層の蒸着時とで大きく異なり、各層を蒸着する度に変更される。また、表１には示されていないが、実施例１及び２において、パワーダウン設定値は、加速電流が６０ｍＡ、加速電圧が１２０Ｖ、バイアス電流が１００ｍＡである。【００８４】
本実施例１及び２では、低屈折率層または高屈折率層の蒸着時の加速電流、加速電圧、バイアス電流の設定値を上記パワーダウン設定値に変更する際の総変更時間は５秒、分割単位時間は２５ｍ秒、分割回数は２００回であった。また、低屈折率層の蒸着と高屈折率層の蒸着との間で、導入ガス流量の設定値を変更する際の総変更時間は５秒、分割単位時間は２５ｍ秒、分割回数は２００回であった。このようにして、上述の各種設定値の変更を滑らかに実施した。【００８５】
【表１】
0005235659.tif 000002
【００８６】
以上、本発明を実施の形態及び実施例に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【００８７】
【図１】本発明に係るレンズの製造方法の一実施形態が適用された連続型真空蒸着システムを示す概略図である。
【図２】図１の第１蒸着装置を示す構成図である。
【図３】図２のイオン銃システムを示す構成図である。
【図４】図３のイオン銃システムを用いてレンズに多層反射防止膜を成膜する工程を示すフローチャートである。
【図５】従来のイオン銃システムを用いてレンズに多層反射防止膜を成膜する工程を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００８８】
１２  制御装置（イオン銃制御手段、マスフロー制御手段）
１４  イオン銃
２０  レンズ（被成膜体）
３０、３１  電子銃（加熱源）
６０  イオン銃システム
６１  電源装置
６４、６５  マスフロー調整器
２００  第１蒸着装置
２０１  蒸着室
【図１】
0005235659.tif 000003
【図２】
0005235659.tif 000004
【図３】
0005235659.tif 000005
【図４】
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【図５】
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