(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコンウェーハを雰囲気ガス中で熱処理することにより絶縁膜を形成する絶縁膜の形成方法において、
前記雰囲気ガスは窒素で希釈した酸素を使用し、かつ、全圧１ａｔｍのうち、酸素の分圧を０．５〜０．０１ａｔｍとし、前記熱処理は、前記雰囲気ガスの下、抵抗加熱炉を使用して７００〜９００℃の温度で前記シリコンウェーハに熱処理を施し、
前記絶縁膜として１０ｎｍ以下の膜厚のシリコン酸化膜を形成することを特徴とする絶縁膜の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体シリコンウェーハ表面に形成された半導体素子の絶縁膜を形成する方法及び該絶縁膜を具備する半導体素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体シリコンウェーハの主表面にはＭＯＳ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）キャパシタやトランジスタ等の半導体素子が形成される。それら半導体素子に形成されるゲート酸化膜等の絶縁膜は、半導体素子の高密度化に伴いその厚みが減る一方、電源電圧を低くすることは困難であるため、絶縁膜は高い電界強度の下で使用されている。そのためより品質の高い絶縁膜が必要とされている。
【０００３】
この絶縁膜の信頼性評価方法としてＧＯＩ（Ｇａｔｅ  Ｏｘｉｄｅ  Ｉｎｔｅｇｒｉｔｙ）評価がある（たとえば非特許文献１参照）。この評価は以下のような手順で行われる。まず、半導体シリコンウェーハ主表面に絶縁膜となるシリコン酸化膜を形成し、その直上にポリシリコン層を成長させた後、該ポリシリコン層を島状に残すようにエッチングする。これによりＭＯＳ構造のキャパシタが形成され、前記島状ポリシリコン層は電極として活用される。
【０００４】
このＭＯＳキャパシタのポリシリコン電極を通して絶縁膜に電圧を印加することにより、（絶縁破壊電圧／絶縁膜の厚み）で表される絶縁破壊電界強度を測定してＧＯＩ評価を行うのであるが、この絶縁破壊電界強度を測定する方法としては、ＴＺＤＢ（Ｔｉｍｅ  Ｚｅｒｏ  Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｂｒｅａｋｄｏｗｎ）法がある。この方法では、０〜１５ＭＶ／ｃｍ程度まで階段状に電界強度を変化させながら、ＭＯＳキャパシタに流れる電流値をモニタし、ＭＯＳキャパシタの絶縁膜が破壊されたとき、すなわちブレイクダウンしたときの電界強度を測定する。この絶縁破壊電界強度が所定の値以上、例えば８ＭＶ／ｃｍ以上である絶縁膜を良とし、そうでないものを不良として、印加したＭＯＳキャパシタ総数に対する良であったキャパシタ数の割合にもとづいて絶縁膜の品質を評価する。
【０００５】
このようにＧＯＩ評価においてＴＺＤＢ法は短時間で評価を行うことができる手法であるが、半導体素子の使用状態に応じた評価，即ち経時的な評価を行うことができないという問題があった。そのため、ＴＤＤＢ（Ｔｉｍｅ  Ｄｅｐｅｎｄｅｎｔ  Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｂｒｅａｋｄｏｗｎ）法という絶縁破壊耐圧測定法が用いられることがある。ＴＤＤＢ法とは、絶縁膜に一定の電圧ないしは電流を連続的に印加し続け、所定の時間間隔で電流ないしは電圧を検出して経時的な変化を求め、絶縁破壊に至るまでの時間、その経過等を詳細に評価する方法である。すなわち特定ストレス印加時の絶縁膜寿命を評価しており、ＦＬＡＳＨメモリはもとより各種デバイスの動作と密接な係わりがあり、より長寿命の酸化膜を形成することは先端デバイスのみならず、非常に大切なことである。
【０００６】
ＴＤＤＢ法による酸化膜寿命について、一定電流密度Ｊ（Ａ／ｃｍ２）をＭＯＳキャパシタに印加し、破壊までの時間ｔ（ｓｅｃ）を測定し、これらの積  Ｊ×ｔ＝Ｑ  をもって表現することが良く行なわれる。これは、絶縁膜が破壊されるまでに印加された電荷量Ｑｂｄ（Ｃ／ｃｍ２）である。この電荷量が大きい絶縁膜程長寿命・高信頼性といえる。
【０００７】
非特許文献１にもあるがこのＱｂｄは大きく３つのモードに分解される。一つは比較的短時間で破壊される初期不良と呼ばれるものであり、シリコン基板に存在するＣＯＰ（Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｏｒｉｇｉｎａｔｅｄ  Ｐａｒｔｉｃｌｅ）などが影響する。二つ目は真性破壊と呼ばれるもので、絶縁膜そのものがもつ寿命によるものである。最後の一つが真性破壊と初期不良の中間に位置するものである。初期不良低減はもちろん重要であるが、スクリーニング等で排除可能であり、寿命、すなわち長期信頼性の観点からは、より真性破壊領域が重要である。すなわちよりＱｂｄ値が大きい絶縁膜が求められる。
【０００８】
このようにＴＤＤＢ法などにより評価されるＱｂｄ等に代表されるように長期信頼性のある絶縁膜を形成することはデバイス作製上の観点から非常に有用である。
【０００９】
【非特許文献１】ＳＥＭＩ  ＳＴＡＮＤＡＲＤ  Ｍ６０
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、通常の絶縁膜の形成に用いる抵抗加熱炉をそのまま使用し、特別なガスなどを使うことなく信頼性の高い絶縁膜をシリコンウェーハ上に形成する方法及び該方法により絶縁膜の形成された半導体素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するため、本発明は、シリコンウェーハを雰囲気ガス中で熱処理することにより絶縁膜を形成する絶縁膜の形成方法において、
前記雰囲気ガスは窒素で希釈した酸素を使用し、前記熱処理は、前記雰囲気ガスの下、抵抗加熱炉を使用して７００〜９００℃の温度で前記シリコンウェーハに熱処理を施し、
前記絶縁膜として１０ｎｍ以下の膜厚のシリコン酸化膜を形成することを特徴とする絶縁膜の形成方法を提供する。
【００１２】
このように本発明は雰囲気ガスとして窒素で希釈した酸素を使用し、この雰囲気ガスの下、抵抗加熱炉を使用して７００〜９００℃の温度でシリコンウェーハに熱処理を施して、１０ｎｍ以下の膜厚のシリコン酸化膜を絶縁膜として形成する。
【００１３】
上記のように絶縁膜を形成する際、雰囲気ガスを酸素を窒素で希釈したものとすることにより、シリコンウェーハ表面付近に窒素が存在することにより、シリコン酸化膜／シリコン界面付近に空孔が供給され、シリコンが酸化されるときに放出される格子間シリコンを消滅させることが可能となり、この格子間シリコンによる体積変化を緩和することができる。従って、シリコン酸化膜／シリコン界面に生じるストレスを緩和することができる。また、実際のゲート酸化膜となって電気ストレス印加を受ける際、電子注入による酸化膜へのダメージをシリコン酸化膜中に窒素が存在することで、緩和することができる。
【００１４】
また、上記雰囲気ガスの下、抵抗加熱炉を使用して７００〜９００℃の温度でシリコンウェーハに熱処理を施すので、窒化膜を成長させることなく、また、コストを必要以上にかけることもなく、シリコン酸化膜を絶縁膜としてシリコンウェーハ上に形成することができる。
さらに、１０ｎｍ以下の膜厚のシリコン酸化膜を絶縁膜としてシリコンウェーハに形成すれば、シリコン酸化膜／シリコン界面に窒素を到達させることができ、窒素をシリコン酸化膜中に十分に拡散させることができる。
従って、通常の絶縁膜（シリコン酸化膜）の形成に用いる抵抗加熱炉をそのまま使用し、特別なガスを使うことなく信頼性の高い絶縁膜をシリコンウェーハ上に形成することができる。
【００１５】
この場合、前記雰囲気ガスは酸素の分圧を０．５〜０．０１ａｔｍとすることが好ましい。
このように、雰囲気ガス中の酸素分圧を０．５〜０．０１ａｔｍとすることにより、窒素による効果を十分に引き出すことができる。
【００１６】
また本発明は、前記絶縁膜の形成方法によって形成された絶縁膜を具備する半導体素子である。
このように、上記本発明の絶縁膜の形成方法によってシリコンウェーハ上に絶縁膜が形成された半導体素子であれば、絶縁膜形成時のシリコン酸化膜／シリコン界面に生じるストレスが緩和されており、さらには、ゲート酸化膜となって電気ストレス印加を受ける際、電子注入によるシリコン酸化膜へのダメージがシリコン酸化膜中の窒素により緩和されるので、より寿命の長い半導体素子となる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の絶縁膜の形成方法及び半導体素子であれば、特殊なガスを使用することなく従来からある設備を使用して信頼性の高い絶縁膜をシリコンウェーハ上に形成することができ、寿命のより長い半導体素子を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
図１は、本発明に係る方法により形成された絶縁膜を絶縁電界強度測定装置により評価する構成を示す図である。
図１の評価用ＭＯＳキャパシタ型半導体素子１は、半導体シリコンウェーハ３上に本発明の方法によって絶縁膜２が形成され、その上にポリシリコン電極４が形成されたものである。
【００１９】
まず、本発明に係る絶縁膜２の形成は、以下のような手順で形成される。
用意された半導体シリコンウェーハ３をボートに載置して抵抗加熱炉（不図示）に投入する。この抵抗加熱炉は、従来と同じものを使用することができ、横型炉でも縦型炉であってもよい。
【００２０】
次に雰囲気ガスを供給しながら、半導体シリコンウェーハ３に熱処理を施し、該ウェーハ３上にシリコン酸化膜からなる絶縁膜２を形成する。
このとき、供給する雰囲気ガスは窒素で希釈した酸素を使用する。
この窒素で希釈した酸素を雰囲気ガスとして使用すれば、一般的に使用されるガスを混合しているので、従来から使用されている抵抗加熱炉を適用することができ、特殊なガスを使用する場合に必要となる設備を省略することができる。
【００２１】
そして上記熱処理は、このような雰囲気ガスの下において、７００〜９００℃の温度で加熱される。
熱処理温度が７００℃より低温ではシリコンの酸化反応の進行が遅いため、必要とする酸化膜厚を得るのに時間がかかってしまい、コストがかさむ等の理由により実用的ではない。一方、窒素雰囲気中において９００℃より高温、特には１１００℃以上の高温にシリコンウェーハをさらすと、シリコンウェーハ上に熱窒化膜が成長することが知られている。すなわち、９００℃より高温で半導体シリコンウェーハ３を熱処理すると、絶縁膜としてシリコン酸化膜でなくシリコン窒化膜が形成する可能性がある。
従って、本発明では、絶縁膜としてシリコン酸化膜を形成することを目的としているため、本発明のように窒素で酸素を希釈した雰囲気ガスを使用し、シリコン酸化膜を絶縁膜２として形成するには、シリコン窒化膜が成長せず、実用的な７００〜９００℃の範囲の温度で熱処理する必要がある。
【００２２】
そして、１０ｎｍ以下の膜厚のシリコン酸化膜を絶縁膜として形成するため、例えば約２５０分程度、抵抗加熱炉で半導体シリコンウェーハ３を上記条件で熱処理を施す。
このとき、１０ｎｍより厚くシリコン酸化膜を形成すると、窒素がシリコン酸化膜中を拡散してシリコン酸化膜／シリコン界面に到達しにくくなるため、窒素による空孔の効果が期待出来ない。
従って、本発明では、シリコン酸化膜中に窒素を十分に拡散させるため、１０ｎｍ以下の膜厚でシリコン酸化膜を形成する。このような膜厚のシリコン酸化膜を絶縁膜とすれば、シリコン酸化膜中に十分に窒素が拡散された絶縁膜を形成することができ、発生する格子間シリコンによるウェーハ全体のストレスを緩和したり、デバイスを使用した際の電子注入によるシリコン酸化膜へのダメージを抑制するといった窒素による効果を得ることができる。
なお、本発明において、ＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ａｎｎｅａｌ）のような短時間の熱処理では、必要なシリコン酸化膜厚を得ることができない。
【００２３】
このように、絶縁膜の形成の際、窒素で酸素を希釈することにより空孔を供給し、シリコンが酸化されるときに放出される格子間シリコンを消滅させることが可能となる。また、酸化時に放出される格子間シリコンによる体積変化を緩和することが可能になり酸化膜／シリコン界面に生じるストレスを緩和することが可能である。
なお、シリコン酸化膜形成後に窒素中でアニールしても、本発明で得られるような窒素による効果と同等の効果を期待することは出来ない。
【００２４】
さらに本発明の雰囲気ガスは、酸素の分圧を０．５〜０．０１ａｔｍとすることが好ましい。
酸素分圧は、あまりに酸素が多いとシリコン酸化膜が急激に成長してしまうため、窒素が拡散しにくくなり、シリコン酸化膜／シリコン界面に窒素が到達し難くなる。そのため、酸素分圧が０．５ａｔｍ以下であれば、シリコン酸化膜／シリコン界面まで十分に窒素が行き渡り、窒素による効果をより発揮できる。
逆に酸素分圧の下限は、実際に装置で制御可能な量として０．０１ａｔｍ程度が下限となる。この分圧範囲の中で目的とする酸化膜厚の制御性等を勘案して酸素分圧を決定するのが好ましい。
【００２５】
上記絶縁膜２の形成方法によって形成された絶縁膜２を具備する半導体素子１であれば、絶縁膜形成時のシリコン酸化膜／シリコン界面に生じるストレスが緩和されており、さらには、ゲート酸化膜となって電気ストレス印加を受ける際、電子注入によるシリコン酸化膜へのダメージがシリコン酸化膜中に拡散した窒素により緩和されるので、より寿命の長い半導体素子となる。
【００２６】
従って、本発明の絶縁膜の形成方法及び半導体素子であれば、信頼性の高い絶縁膜を従来からある設備を使用し、また特殊なガスを使用することもなくシリコンウェーハ上に形成することができ、寿命のより長い半導体素子を得ることができる。
【００２７】
そして、本発明により形成された絶縁膜２を図１の絶縁電界強度測定装置５を用いてＴＤＤＢ特性の評価をするにあたっては、まず、絶縁膜２上に電極となるポリシリコン膜を成長させる。ポリシリコン膜は、熱処理炉から取り出した半導体シリコンウェーハ３をＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置に投入し、減圧下もしくは常圧下でモノシラン等の成長ガスを装置の反応容器内ヘ導入することにより成長させることができる。そして、フォトリソグラフィ技術とエッチング技術を用いて絶縁膜２上のポリシリコン膜を島状に形成し、ポリシリコン電極４として所望の位置に配置する。
【００２８】
複数のＭＯＳキャパシタ型半導体素子１をその主表面に配置された半導体シリコンウェーハ３は、絶縁破壊電界強度測定装置５のステージ（図示せず）上に載置される。そして、ＭＯＳキャパシタ型半導体素子１のポリシリコン電極４に前後左右移動自在に支持されているプローブ７の下端を接触させる。プローブ７は印加電圧の大きさを変化させることができる可変電源６の一端子に接続されており、一方、可変電源６の他端子は絶縁破壊電界強度測定装置５のステージに接続されている。
【００２９】
前述したように、ステージには半導体シリコン基板１が載置されているので、半導体シリコン基板１の背面はポリシリコン電極４に対応する電極として作用する。また、可変電源６にはその印加電圧を測定する電圧計８が並列接続されており、プローブ７と可変電源６との間には電流計９が介装されている。
【００３０】
測定にあたっては、まず、プローブ７をポリシリコン電極４に接触させる。ここでは定電流ＴＤＤＢ測定について説明するが、可変電源６はオンとなり、図３（ａ）に示すような一定の電流（そのときの時間に対する電圧の推移は図３（ｂ）に示す）を印加する。
図３は、定電流ＴＤＤＢ測定における電流、電圧の推移の一例を示す図であり、図３（ａ）は電流‐時間の関係であり、図３（ｂ）は電圧‐時間の関係である。
絶縁破壊電界強度測定装置５内には閾値電圧が予め設定されており、絶縁破壊が起こると電圧変化が起こり絶縁破壊した時間を求めることが出来る。このような操作を所定の位置にあるＭＯＳキャパシタ型半導体素子１全てに対して行なうことができる。
【実施例】
【００３１】
以下に本発明の実施例を挙げて、本発明をさらに詳細に説明するが、これらは本発明を限定するものではない。
＜絶縁膜の形成＞
（実施例）
ボロンをドープした直径２００ｍｍのＰ型半導体シリコンウェーハを準備し、鏡面研磨を施した（ＰＷ）。
そして、この鏡面研磨半導体シリコンウェーハを縦型ボートに載置して抵抗加熱熱処理炉に投入し、乾燥酸素雰囲気下（酸素分圧０．１ａｔｍ：希釈窒素）、約８００℃の温度でシリコン酸化膜が１０ｎｍ以上とならないように約２５０分間の熱処理を施した。これにより、厚さ５ｎｍのシリコン酸化膜が絶縁膜として前記ウェーハ主表面に形成された。
【００３２】
（比較例）
比較のため、実施例と同じ条件の鏡面研磨半導体シリコンウェーハを準備した。そしてこのウェーハを縦型ボートに載置して抵抗加熱熱処理炉に投入し、乾燥酸素雰囲気のみ（１００％酸素）の下、約８００℃で３２分間の熱処理をした。これにより、厚さ５ｎｍのシリコン酸化膜が絶縁膜として前記ウェーハ主表面に形成された。
【００３３】
＜絶縁膜評価用のＭＯＳキャパシタ型半導体素子の作製＞
次に、上記のように絶縁膜（ゲート酸化膜）の形成された実施例、比較例のウェーハをＣＶＤ炉に投入し、リンをドープしながらゲート酸化膜上にポリシリコン層を成長させた。この成長させたポリシリコン層厚さは約３００ｎｍで、抵抗値はシート抵抗にして約２５Ω／ｓｑ．であった。
【００３４】
続いて実施例と比較例のそれぞれのウェーハに、フォトリソグラフィ技術を用いたパターンニングとエッチングによるポリシリコン層除去を行い、ポリシリコン層を電極としたＭＯＳキャパシタを半導体シリコンウェーハ面内に１００個ずつ作製した。なお、フォトリソグラフィ後のポリシリコンエッチングは、フッ硝酸によるウエットエッチングで行った。
【００３５】
最後に、半導体シリコンウェーハ背面に形成されているシリコン酸化膜を除去するために、該半導体シリコンウェーハ主表面にレジストを塗布し、希フッ酸によるウエットエッチングを行って該ウェーハ背面のシリコン酸化膜を除去した。
そして、実施例、比較例のそれぞれにより形成された絶縁膜（ゲート酸化膜）を評価するためのＭＯＳキャパシタ型半導体素子（サンプル）を作製した。
【００３６】
＜絶縁膜の評価１＞
前記方法により作製された実施例、比較例のそれぞれのサンプルに対し、一定電流をゲート酸化膜が破壊するまで印加する定電流ＴＤＤＢ法を用いて、ゲート酸化膜に電界ストレスを印加した。印加した電流ストレスは０．００１Ａ／ｃｍ２であり測定温度は測定時間短縮もあり１００℃とした。測定には、フルオートプローバに接続したテスタを用いた。このとき、サンプルの電極面積は４ｍｍ２であった。
【００３７】
測定結果を絶縁膜の寿命を示すワイブルプロットとして図４に示す。
図４は、ＴＤＤＢ評価結果のワイブルプロットを示す図である。
この図４は上記ＴＤＤＢ法を用いた測定により得られた累積不良指数と電荷量Ｑｂｄの関係であり、累積不良指数の数値１は累積不良８０％を示している。また、電荷量Ｑｂｄの値は、定電流でＴＤＤＢ測定を行っており、Ｊ×ｔ＝Ｑの関係から、そのまま絶縁破壊までの時間と見ることができる。すなわち、同じ累積不良指数を見た場合、電荷量Ｑｂｄの値が大きいほど寿命の長い絶縁膜であると見ることができる。
【００３８】
上記実施例、比較例のサンプルについて図４を比較すると、窒素にて希釈した酸素雰囲気を使用して絶縁膜の形成を行なった実施例（実線）は、１００％酸素雰囲気にて絶縁膜の形成を行なった比較例（点線）より、真性領域でのＱｂｄが改善されている。これは、本発明のように窒素で酸素を希釈したことにより、シリコン酸化膜の膜質及びシリコン酸化膜／シリコン界面が改善されたことによるものである。
【００３９】
＜絶縁膜の評価２＞
また、酸化温度８００℃において種々の酸素分圧条件下で、絶縁膜に対するＱｂｄへの影響を調べた。その結果を図５に示す。
図５は、累積不良指数１（累積不良８０％）のときの電荷量Ｑｂｄ値と酸素分圧の関係を示す図である。
この図５より、酸素分圧が０．５ａｔｍ以下であれば窒素による効果を特に期待することができることが分かる。
尚、酸素分圧が０．１ａｔｍのときは上記実施例を示しており、酸素分圧が１ａｔｍのときは窒素で希釈しない１００％酸素のみの上記比較例を示している。
【００４０】
＜絶縁膜の評価３＞
さらに、実施例、比較例で作製したサンプルと同様のものを用意し、それぞれのシリコン酸化膜直下のシリコン層の結晶乱れをＩｎ−Ｐｌａｎｅ  Ｘ線回折により評価した。この評価は、リガク社製のＩｎ−Ｐｌａｎｅ  Ｘ線回折装置を使用した。その結果を図２に示す。
図２は、シリコン酸化膜直下のシリコン層結晶性乱れをロッキングカーブの半値幅で示した図である。
【００４１】
この格子乱れは、格子面傾斜と格子歪み（格子間隔の変化）の２つの成分からなっている。本結果より、図２を参照すれば、窒素で希釈した酸素を雰囲気ガスとして使用した実施例（図２真ん中の棒グラフ参照）の方が、１００％酸素雰囲気を使用した比較例（図２一番左の棒グラフ参照）より格子乱れが小さいことが分かる。
また、比較例のように１００％乾燥酸素雰囲気下で５ｎｍの酸化膜形成した後にさらに９２０℃、窒素雰囲気下でアニールを行なってみたが、格子乱れの回復は起こらなかった（図２一番右の棒グラフ参照）。この１００％酸素で酸化後窒素雰囲気下でアニールしても格子乱れの回復が起こらなかったのは、すでにＳｉＯ２ネットワークが形成されたあとであるためだと考えられる。
【００４２】
尚、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は単なる例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的思想に包含される。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明に係る方法により形成された絶縁膜を絶縁電界強度測定装置により評価する構成を示す図である。
【図２】シリコン酸化膜直下のシリコン層結晶性乱れをロッキングカーブの半値幅で示した図である。
【図３】定電流ＴＤＤＢ測定における電流、電圧の推移の一例を示す図であり、（ａ）は電流‐時間の関係、（ｂ）は電圧‐時間の関係である。
【図４】ＴＤＤＢ評価結果のワイブルプロットを示す図である。
【図５】酸素分圧とＱｂｄ値の関係を示す図である。
【符号の説明】
【００４４】
１…ＭＯＳキャパシタ型半導体素子、  ２…絶縁膜、
３…半導体シリコンウェーハ、  ４…ポリシリコン電極、
５…絶縁破壊電界強度測定装置、  ６…可変電源、  ７…プローブ、
８…電圧計、  ９…電流計。
【図１】
0005217353.tif 000002
【図２】
0005217353.tif 000003
【図３】
0005217353.tif 000004
【図４】
0005217353.tif 000005
【図５】
0005217353.tif 000006