(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被加工物を保持する保持面を有するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物の上面を研削する研削手段と、該チャックテーブルに保持された被加工物の厚みを計測する接触式の厚み計測器と、該チャックテーブルに保持された被加工物の厚みを計測する非接触式の厚み計測器と、該接触式の厚み計測器と該非接触式の厚み計測器からの検出信号に基づいて該研削手段を制御する制御手段と、を具備する研削装置において、
制御手段は、該接触式の厚み計測器によって該チャックテーブルに保持された被加工物の加工前の厚み（Ｔ１）を計測する第１の加工前の厚み計測工程と、該非接触式の厚み計測器によって該チャックテーブルに保持された被加工物の加工前の厚み（Ｔ２）を計測する第２の加工前の厚み計測工程と、該第１の加工前の厚み計測工程によって計測された被加工物の加工前の厚み（Ｔ１）と該第２の加工前の厚み計測工程によって計測された被加工物の加工前の厚み（Ｔ２）に基づいて該非接触式の厚み計測器による計測値を補正する補正値（Ｔ１／Ｔ２）を求める補正値演算工程と、該非接触式の厚み計測器を作動してチャックテーブルの保持面に保持された被加工物の厚みを計測しつつ該研削手段を作動して該チャックテーブルの保持面に保持された被加工物を研削する研削工程と、該非接触式の厚み計測器によって計測された被加工物の厚み（Ｔ０）に該補正値（Ｔ１／Ｔ２）を乗算した値が所定値に達したら該研削手段による研削を終了する研削終了工程を実行する、
ことを特徴とする研削装置。
【請求項２】
該非接触式の厚み計測器は、被加工物に対して透過性を有する波長のレーザー光線を照射する発光手段と、該発光手段から被加工物に照射されたレーザー光線の反射光を受光する受光手段とを具備し、該受光手段が被加工物に照射されたレーザー光線における被加工物の表面で反射された反射光の位置と被加工物の裏面で反射された反射光の位置の間隔を計測して被加工物の厚みを求める、請求項１記載の研削装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエーハ等の被加工物を所定の厚さに研削する研削装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、半導体デバイス製造工程においては、略円板形状であるウエーハの表面に格子状に形成されたストリート（分割予定ライン）によって区画された複数の領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスを形成し、該デバイスが形成された各領域を分割予定ラインに沿って分割することにより個々のデバイスを製造している。なお、ウエーハは、一般に個々のチップに分割する前にその裏面を研削装置によって研削して所定の厚さに形成されている。
【０００３】
ウエーハの厚みを検出する方法としては、表面高さを検出する計測用の接触針をウエーハを保持するチャックテーブルの保持面に接触させてチャックテーブルの保持面の高さ位置HIを求め、次にチャックテーブルの保持面に保持されたウエーハの研削面(上面)に接触針を接触させてウエーハの上面の高さ位置H2を検出しつつ、H2−HIを演算してウエーハの厚みTを求めている。(例えば、特許文献１参照)。
【特許文献１】特許第２９９３８２１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
而して、上述したウエーハの厚みを検出する方法においては、計測用の接触針をウエーハの被研削面に接触させるために、被研削面にリング状の傷がつきウエーハの品質を低下させるという問題がある。特に、ウエーハを形成するインゴットから切り出されたウエーハの表面および裏面を研削して、表面にデバイスを形成する基素ウエーハを研削する場合には、上記リング状の傷がその後に実施する鏡面加工に悪影響を及ぼす原因となる。
【０００５】
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術課題は、被加工物の被研削面に傷を付けることなく所定の厚さに研削することができる研削装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、被加工物を保持する保持面を有するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物の上面を研削する研削手段と、該チャックテーブルに保持された被加工物の厚みを計測する接触式の厚み計測器と、該チャックテーブルに保持された被加工物の厚みを計測する非接触式の厚み計測器と、該接触式の厚み計測器と該非接触式の厚み計測器からの検出信号に基づいて該研削手段を制御する制御手段と、を具備する研削装置において、
制御手段は、該接触式の厚み計測器によって該チャックテーブルに保持された被加工物の加工前の厚み(T1)を計測する第１の加工前の厚み計測工程と、該非接触式の厚み計測器によって該チャックテーブルに保持された被加工物の加工前の厚み(T2)を計測する第２の加工前の厚み計測工程と、該第１の加工前の厚み計測工程によって計測された被加工物の加工前の厚み(T1)と該第２の加工前の厚み計測工程によって計測された被加工物の加工前の厚み(T2)に基づいて該非接触式の厚み計測器による計測値を補正する補正値（T1／T2）を求める補正値演算工程と、該非接触式の厚み計測器を作動してチャックテーブルの保持面に保持された被加工物の厚みを計測しつつ該研削手段を作動して該チャックテーブルの保持面に保持された被加工物を研削する研削工程と、該非接触式の厚み計測器によって計測された被加工物の厚み(T0)に該補正値（T1／T2）を乗算した値が所定値に達したら該研削手段による研削を終了する研削終了工程を実行する、
ことを特徴とする研削装置が提供される。
【０００７】
上記非接触式の厚み計測器は、被加工物に対して透過性を有する波長のレーザー光線を照射する発光手段と、該発光手段から被加工物に照射されたレーザー光線の反射光を受光する受光手段とを具備し、被加工物に照射されたレーザー光線における被加工物の表面で反射された反射光の位置と被加工物の裏面で反射された反射光の位置の間隔を計測して被加工物の厚みを求める。
【発明の効果】
【００１１】
本発明による研削装置においては、非接触式の厚み計測器によって被加工物の厚み（Ｔ０）を計測しているので、被加工物の被研削面に傷がつくことはない。そして、非接触式の厚み計測器によって計測された被加工物の厚み（Ｔ０）は、接触式の厚み計測器によって計測された被加工物の加工前の厚み（Ｔ１）と非接触式の厚み計測器によって計測された被加工物の加工前の厚み（Ｔ２）に基づいて求められた非接触式の厚み計測器による計測値の補正値（Ｔ１／Ｔ２）によって補正されるので、被加工物の材質によって屈折率が異なっても被加工物の正確な厚み（Ｔ）に研削することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明による研削方法および研削装置の好適な実施形態について、添付図面を参照して更に詳細に説明する。
図１には、本発明に従って構成された研削装置１の斜視図が示されている。図１に示す研削装置１は、全体を番号２で示す装置ハウジングを具備している。この装置ハウジング２は、細長く延在する直方体形状の主部２１と、該主部２１の後端部（図１において右上端）に設けられ実質上鉛直に上方に延びる直立壁２２とを有している。直立壁２２の前面には、上下方向に延びる一対の案内レール２２１、２２１が設けられている。この一対の案内レール２２１、２２１に研削手段としての研削ユニット３が上下方向に移動可能に装着されている。
【００１３】
研削ユニット３は、移動基台３１と該移動基台３１に装着されたスピンドルユニット４を具備している。移動基台３１は、後面両側に上下方向に延びる一対の脚部３１１、３１１が設けられており、この一対の脚部３１１、３１１に上記一対の案内レール２２１、２２１と摺動可能に係合する被案内溝３１２、３１２が形成されている。このように直立壁２２に設けられた一対の案内レール２２１、２２１に摺動可能に装着された移動基台３１の前面には前方に突出した支持部３１３が設けられている。この支持部３１３に研削手段としてのスピンドルユニット４が取り付けられる。
【００１４】
研削手段としてのスピンドルユニット４は、支持部３１３に装着されたスピンドルハウジング４１と、該スピンドルハウジング４１に回転自在に配設された回転スピンドル４２と、該回転スピンドル４２を回転駆動するための駆動源としてのサーボモータ４３とを具備している。スピンドルハウジング４１に回転可能に支持された回転スピンドル４２は、一端部(図１において下端部)がスピンドルハウジング４１の下端から突出して配設されており、その一端(図１において下端)にホイールマウント４４が設けられている。そして、このホイールマウント４４の下面に研削ホイール5が取り付けられる。この研削ホイール5は、環状の砥石基台５１と、該砥石基台５１の下面に装着された研削砥石５２からなる複数のセグメントとによって構成されており、砥石基台５１が締結ネジ５３によってホイールマウント４４に装着される。上記サーボモータ４３は、後述する制御手段１０によって制御される。
【００１５】
図示の研削装置１は、上記研削ユニット３を上記一対の案内レール２２１、２２１に沿って上下方向（後述するチャックテーブルの保持面に対して垂直な方向）に移動せしめる研削ユニット送り機構６を備えている。この研削ユニット送り機構６は、直立壁２２の前側に配設され実質上鉛直に延びる雄ねじロッド６１を具備している。この雄ねじロッド６１は、その上端部および下端部が直立壁２２に取り付けられた軸受部材６２および６３によって回転自在に支持されている。上側の軸受部材６２には雄ねじロッド６１を回転駆動するための駆動源としてのパルスモータ６４が配設されており、このパルスモータ６４の出力軸が雄ねじロッド６１に伝動連結されている。移動基台３１の後面にはその幅方向中央部から後方に突出する連結部（図示していない）も形成されており、この連結部には鉛直方向に延びる貫通雌ねじ穴（図示していない）が形成されており、この雌ねじ穴に上記雄ねじロッド６１が螺合せしめられている。従って、パルスモータ６４が正転すると移動基台３１即ち研磨ユニット３が下降即ち前進せしめられ、パルスモータ６４が逆転すると移動基台３１即ち研削ユニット３が上昇即ち後退せしめられる。なお、パルスモータ６４は、後述する制御手段１０によって制御される。
【００１６】
上記ハウジング２の主部２１にはチャックテーブル機構７が配設されている。チャックテーブル機構７は、チャックテーブル７１と、該チャックテーブル７１の周囲を覆うカバー部材７２と、該カバー部材７２の前後に配設された蛇腹手段７３および７４を具備している。チャックテーブル７１は、図示しない回転駆動手段によって回転せしめられるようになっており、その上面（保持面）に被加工物であるウエーハを図示しない吸引手段を作動することにより吸引保持するように構成されている。また、チャックテーブル７１は、図示しないチャックテーブル移動手段によって図１に示す被加工物載置域７０aと上記スピンドルユニット４を構成する研削ホイール5と対向する研削域７０bとの間で移動せしめられる。蛇腹手段７３および７４はキャンパス布の如き適宜の材料から形成することができる。蛇腹手段７３の前端は主部２１の前面壁に固定され、後端はカバー部材７２の前端面に固定されている。蛇腹手段７４の前端はカバー部材７２の後端面に固定され、後端は装置ハウジング２の直立壁２２の前面に固定されている。チャックテーブル７１が矢印７１ａで示す方向に移動せしめられる際には蛇腹手段７３が伸張されて蛇腹手段７４が収縮され、チャックテーブル７１が矢印７１ｂで示す方向に移動せしめられる際には蛇腹手段７３が収縮されて蛇腹手段７４が伸張せしめられる。
【００１７】
図示の研削装置１は、上記カバー部材７２に配設されチャックテーブル７１に保持された後述する被加工物の厚みを測定する接触式の厚み計測器８を具備している。この非接触式の厚み計測器８は、一般に用いられている厚み計測器でよく、計測用の接触針８１を備え、該計測用の接触針８１を被計測物の表面に接触させることにより被加工物の表面の高さ位置信号を後述する制御手段１０に出力する。
【００１８】
図示の研削装置１は、上記カバー部材７２に配設されチャックテーブル７１に保持された被加工物の厚みを測定する非接触式の厚み計測器９を具備している。この非接触式の厚み計測器９は、図２に示すように上記カバー部材７２に配設された計測ケース９１を具備している。この計測ケース９１は、垂直に立設された支持部９１１と、支持部９１１の上端から水平に伸びる該水平部９１２と、該水平部９１２の端部から下方に延びる計測部９１３とからなっており、支持部９１１が上記カバー部材７２に回動可能に支持されている。なお、支持部９１１は、図示しない回動駆動手段によって回動せしめられるように構成されている。従って、計測ケース９１は、図示しない回動駆動手段によって支持部９１１を回動することにより、計測部９１３が支持部９１１を中心として揺動せしめられる。
【００１９】
上記計測ケース９１の計測部９１３の下端には、外周部が下方に突出する環状のカバー部９１３aが形成されている。このように形成された計測ケース９１の計測部９１３には、発光手段９２と、該発光手段９２によって照射された光を受光する受光手段９３が配設されているとともに、下面に透明版９４が配設されている。発光手段９２は、図３に示すようにレーザーダイオード(LD)９２１と集光レンズ９２２を具備している。レーザーダイオード(LD)９２１は、後述する被加工物に対して透過性を有する波長、例えば１１００nmの波長を有するレーザー光線を発振する。このレーザーダイオード(LD)９２１から発振されたレーザー光線は、集光レンズ９２２によって集光され、図３に示すように透明版９４を通して上記チャックテーブル７１上に保持される被加工物としての基素ウエーハＷに所定の入射角θをもって照射する。基素ウエーハＷに照射されたレーザー光線は、図３に示すように基素ウエーハＷの上面で反射するとともに、基素ウエーハＷを透過した光が基素ウエーハＷの下面で反射する。
【００２０】
上記受光手段９３は、図示の実施形態においてはCCDラインセンサー９３１を具備しており、上記発光手段９２から照射されたレーザー光線が基素ウエーハＷで正反射する位置に配設されている。受光手段９３を構成するCCDラインセンサー９３１は、その検出信号を制御手段１０に送る。
【００２１】
図２に示すように上記計測ケース９１には計測部９１３の下面に開口する流体通路９１４が設けられており、この流体通路９１４が流体供給手段９５に接続されている。この流体供給手段９５は、例えば純水を送給する純水送給手段９５１と、該純水送給手段９５１と上記流体通路９１４とを接続する配管９５２に配設された電磁開閉弁９５３とからなっている。上記制御手段１０は、発光素子９２１や電磁開閉弁９５３を制御するとともに、CCDラインセンサー９３１からの受信信号および上記接触式の厚み計測器８からの検出信号に基いて上記研削手段としてのスピンドルユニット４のパルスモータ６４やサーボモータ４３等を制御する。
【００２２】
ここで、上述した非接触式の厚み計測器９を構成する発光手段９２と受光手段９３の作用について、図３を参照して説明する。
発光手段９２から基素ウエーハＷに照射されたレーザー光線は、被加工物Ｗの上面で反射するとともに、基素ウエーハＷを透過した光が基素ウエーハＷの下面で反射する。この基素ウエーハＷの上面で反射した光と、基素ウエーハＷの下面で反射した光を受光手段９３のCCDラインセンサー９３１によって受光し、その間隔(L)と入射角θに基づいて被加工物Ｗの厚みとして求めることができる。しかるに、基素ウエーハＷはその材質によって屈折率が異なるため、基素ウエーハＷの厚みを正確に計測することが困難である。従って、基素ウエーハＷの厚みを正確に計測するには後述するように補正する。
【００２３】
図示の研削装置１は以上のように構成されており、以下、上記研削装置１を用いてウエーハを形成するインゴットから切り出された基素ウエーハＷを所定の厚さに研削する研削方法について説明する。
基素ウエーハＷは、図１に示す記研磨装置１における被加工物載置域７０aに位置付けられているチャックテーブル７１上に載置され、図示しない吸引手段を作動することによってチャックテーブル７１上に吸引保持される。チャックテーブル７１上に基素ウエーハＷを吸引保持したならば、制御手段１０は上記接触式の厚み計測器８を作動してチャックテーブル７１に保持された基素ウエーハＷの加工前の厚み(T1)を計測する第１の加工前の厚み計測工程を実施する。
【００２４】
第１の加工前の厚み計測工程は、図４の(a)に示すように接触式の厚み計測器８の計測用の接触針８１をチャックテーブル７１の上面に接触させ、その高さ位置信号(H1)を制御手段１０に送る。なお、このチャックテーブル７１の高さ位置の計測は、吸着テーブル７１４上に基素ウエーハＷを保持する前に、チャックテーブル７１の上面である保持面に接触式の厚み計測器８の計測用の接触針８１を接触させて実施してもよい。次に、図４の(b)に示すように接触式の厚み計測器８の計測用の接触針８１をチャックテーブル７１の上面に保持された基素ウエーハＷの上面に接触させ、その高さ位置信号(H2)を制御手段１０に送る。制御手段１０は、接触式の厚み計測器８から送られた上記高さ位置信号(H1)および高さ位置信号(H2)に基いて、チャックテーブル７１の上面に保持された基素ウエーハＷの上面の高さ位置(H2)からチャックテーブル７１の上面の高さ位置(H1)を減算して基素ウエーハＷの厚み(T1)(T1＝H2−H1)を求める。このようにして求めた基素ウエーハＷの厚み(T1)は、制御手段１０のメモリーに格納される。
【００２５】
次に、制御手段１０は、上記非接触式の厚み計測器９を作動してチャックテーブル７１に保持された基素ウエーハＷの加工前の厚み(T2)を計測する第２の加工前の厚み計測工程を実施する。即ち、制御手段１０は図３に示すように、図示しない回動駆動手段を作動し非接触式の厚み計測器９の計測ケース９１を構成する支持部９１１を回動して、計測部９１３をチャックテーブル７１上に保持された基素ウエーハＷの上方に位置付け、発光手段９２および受光手段９３を作動する。そして、制御手段１０は、発光手段９２から照射されたレーザー光線が基素ウエーハＷの上面で反射し受光手段９３としてのCCDラインセンサー９３１に受光された位置と、基素ウエーハＷの下面で反射した光をCCDラインセンサー９３１に受光された位置との間隔(L)と入射角θに基づいて基素ウエーハＷの加工前の厚み(T2)(T2＝（cosθ／sin2θ）×L)を求める。
【００２６】
上記第２の加工前の厚み計測工程によって求められた基素ウエーハＷの加工前の厚み(T2)は、上述したように基素ウエーハＷの材質によって屈折率が異なるため、基素ウエーハＷの正確な厚みとはいえない。即ち、基素ウエーハＷの材質固有の屈折率を上記厚み(T2)の計算式に乗じることにより基素ウエーハＷの正確な厚みを求めることができるが、基素ウエーハＷの正確な屈折率を知ることが困難であるため、便宜的に屈折率を１として厚みを求めているので、上記厚み(T2)は基素ウエーハＷの正確な厚みとはいえない。そこで、制御手段１０は、上記第１の加工前の厚み計測工程によって計測された被加工物の加工前の厚み(T1)と第２の加工前の厚み計測工程によって計測された被加工物の加工前の厚み(T2)に基づいて非接触式の厚み計測器９による計測値を補正する補正値（T1／T2）を求める補正値演算工程を実施する。このようにして求めた補正値（T1／T2）は、制御手段１０のメモリーに格納される。
【００２７】
上述したように非接触式の厚み計測器９による計測値を補正する補正値（T1／T2）求め、この補正値（T1／T2）によって非接触式の厚み計測器９が計測した厚みを補正することにより、基素ウエーハＷの正確な厚みを求めることが可能となる。次に、制御手段１０は、非接触式の厚み計測器９を作動してチャックテーブル７１の上面（保持面）に保持された基素ウエーハＷの厚みを計測しつつ研削手段を作動してチャックテーブル７１の上面（保持面）に保持された基素ウエーハＷを研削する研削工程を実施する。即ち、制御手段１０は基素ウエーハＷを保持したチャックテーブル７１の図示しない移動手段を作動し、チャックテーブル７１を図１において矢印７１ａで示す方向に移動して研削域７０bに位置付け、図５に示すように研削ホイール5の複数の研削砥石５２の外周縁がチャックテーブル７１の回転中心を通過するように位置付ける。
【００２８】
このように研削ホイール5とチャックテーブル７１に保持された基素ウエーハＷが所定の位置関係にセットされ、非接触式の厚み計測器９の計測ケース９１を構成する計測部９１３を上述した計測位置に位置付けたならば、制御手段１０は図示しない回転駆動手段を駆動してチャックテーブル７１を図５において矢印Aで示す方向に例えば３００rpmの回転速度で回転するとともに、上記サーボモータ４３を駆動して研削ホイール5を矢印Bで示す方向に例えば６０００ｒｐｍの回転速度で回転する。そして、制御手段９は、研削ユニット送り機構６のパルスモータ６４を正転駆動し研削ホイール5を下降（研削送り）して複数の研削砥石５２を基素ウエーハＷの上面である被研削面に所定の圧力で押圧する。この結果、基素ウエーハＷのである被研削面が研削される（研削工程）。
【００２９】
上記研削工程においては、非接触式の厚み計測器９によって基素ウエーハＷの厚み(T0)が測定されている。なお、基素ウエーハＷの厚み(T0)を計測している際には、制御手段１０は純水送給手段９５１の電磁開閉弁９５３が附勢(ONして開路する。この結果、純水送給手段９５１から純水が配管９５２および流体通路９１４を介して計測部９１３の下面と基素ウエーハＷの上面（被研削面）との間に供給される。このように計測部９１３の下面と基素ウエーハＷの上面（被研削面）との間に純水を供給することにより、研削によって発生するコンタミの影響を排除することができる。
【００３０】
非接触式の厚み計測器９によって計測される基素ウエーハＷの厚み(T0)は、上述した発光手段９２から照射されたレーザー光線が基素ウエーハＷの上面で反射し受光手段９３としてのCCDラインセンサー９３１に受光された位置と、基素ウエーハＷの下面で反射した光がCCDラインセンサー９３１に受光された位置との間隔(L)と入射角θに基づいて算出される。即ち、基素ウエーハＷの厚み(T0)は、(T0＝（cosθ／sin2θ）×L)となる。しかるに、非接触式の厚み計測器９によって計測される基素ウエーハＷの厚み(T0)は、上述したように基素ウエーハＷの屈折率によって異なるので、基素ウエーハＷの正確な厚みとはいえない。そこで、制御手段１０は基素ウエーハＷの厚み(T0)に上記補正値（T1／T2）を乗算して基素ウエーハＷの厚み(T)（T＝T0×（T1／T2））を求める。そして、制御手段１０は、基素ウエーハＷの厚み(T)（T＝T0×（T1／T2））が所定値に達したら、研削ユニット送り機構６のパルスモータ６４を逆転駆動し研削ホイール5を上昇せしめる（切削終了工程）。この結果、研削ホイール5による研削作用は終了する。
【００３１】
以上のように、研削工程においては非接触式の厚み計測器９によって基素ウエーハＷの厚み(T0)を計測しているので、基素ウエーハＷの被研削面に傷がつくことはない。そして、非接触式の厚み計測器９によって計測された基素ウエーハＷの厚み(T0)は、上記補正値（T1／T2）によって補正されるので、基素ウエーハＷの材質によって屈折率が異なっても基素ウエーハＷの正確な厚み(T)に研削することができる。
【００３２】
次に、上記非接触式の厚み計測器９に替えて非接触式の研削量計測器を用いた例について、図６を参照して説明する。なお、非接触式の研削量計測器以外は上記研削装置１を構成する各部材と同一である。
図６に示す非接触式の研削量計測器９aは、上記計測ケース９１を構成する計測部９１３に配設され上記基素ウエーハＷに対して透過性を有する波長、例えば１１００nmの波長を有するレーザー光線を発振する発光手段としてのレーザーダイオード(LD)９１aと、該レーザーダイオード(LD)９１aから発振されたレーザー光線を図において下方に分光するビームスプリッター９２aと、該ビームスプリッター９２aによって分光されたレーザー光線を集光してチャックテーブル７１に保持された基素ウエーハＷに向けて照射する集光レンズ９３aと、該集光レンズ９３aから照射されたレーザー光線が基素ウエーハＷの上面および下面で反射した反射光を上記ビームスプリッター９２aを介して受光する干渉カウンタ９４aとからなっており、該干渉カウンタ９４aによってカウントされた干渉数を上記制御手段１０に送る。
【００３３】
図６に示す非接触式の研削量計測器９aは以上のように構成されており、以下その作用について説明する。
レーザーダイオード(LD)９１aから発振されたレーザー光線は、ビームスプリッター９２aによって分光され、集光レンズ９３aによって集光されてチャックテーブル７１に保持された基素ウエーハＷに照射される。基素ウエーハＷに照射されたレーザー光線は、基素ウエーハＷの上面および下面で反射し、集光レンズ９３aおよびビームスプリッター９２aを介して干渉カウンタ９４aに到達する。ここで、干渉カウンタ９４aに到達する反射光について説明する。基素ウエーハＷが研削されずに上面の高さ位置が変化しない場合には、基素ウエーハＷの上面と下面で反射した反射光の光波は同一周期で推移する。一方、基素ウエーハＷが研削され上面の高さ位置が変化すると、基素ウエーハＷの上面と下面で反射した反射光の光波は次第に周期がずれてくる。図示の実施形態においては、レーザーダイオード(LD)９１aから発振されるレーザー光線は波長(α)が１１００nmに設定されているので、基素ウエーハＷが１１００nm研削される都度、基素ウエーハＷの上面で反射した反射光の光波と基素ウエーハＷの下面で反射した反射光の光波が干渉することになる。従って、この干渉回数(n)を干渉カウンタ９４aによってカウントし、干渉回数(n)に波長(α)を乗算することにより研削量（n×α）を求めることができる。
【００３４】
図６に示す非接触式の研削量計測器９aを備えた上記研削装置１を用いてウエーハを形成するインゴットから切り出された基素ウエーハＷを所定の厚さに研削する研削方法について説明する。
上記接触式の厚み計測器８を作動してチャックテーブル７１に保持された基素ウエーハＷの加工前の厚み(T1)を計測する加工前の厚み計測工程は、上述した実施形態の第１の加工前の厚み計測工程と同様に実施する。
【００３５】
次に、研削手段を作動してチャックテーブル７１の上面（保持面）に保持された基素ウエーハＷを研削する研削工程を上述した実施形態と同様実施する。
この研削工程においては、非接触式の研削量計測器９aによって上述したように研削量（n×α）を求めている。この研削量（n×α）を求めることにより、上記加工前の厚み計測工程によって計測された基素ウエーハＷの加工前の厚み(T1)から研削量（n×α）を減算することにより、現在の基素ウエーハＷの厚み(T)を求める（T＝T1−（n×α））ことができる。そして、現在の基素ウエーハＷの厚み(T)（T＝T1−（n×α））が 所定値に達したら、制御手段１０は研削ユニット送り機構６のパルスモータ６４を逆転駆動し研削ホイール5を上昇せしめる（切削終了工程）。この結果、研削ホイール5による研削作用は終了する。なお、基素ウエーハＷの厚みを計測している際には、制御手段１０は純水送給手段９５１の電磁開閉弁９５３が附勢(ONして開路する。この結果、純水送給手段９５１から配管９５２および純水が流体通路９１４を介して計測部９１３の下面と基素ウエーハＷの上面（被研削面）との間に供給される。このように研削工程においては非接触式の研削量計測器９aによって基素ウエーハＷの上面（被研削面）を計測して研削量（n×α）を求め、加工前の厚み計測工程によって計測された基素ウエーハＷの加工前の厚み(T1)から研削量（n×α）を減算することにより、現在の基素ウエーハＷの厚み(T)（T＝T1−（n×α））を求めることができるので、基素ウエーハＷの被研削面に傷がつくことはない。
【００３６】
次に、上記図６に示す非接触式の研削量計測器９aに替えて他の非接触式の研削量計測器を用いた例について、図７を参照して説明する。なお、非接触式の研削量計測器以外は上記研削装置１を構成する各部材と同一である。
図７に示す非接触式の研削量計測器９bは、上記計測ケース９１を構成する計測部９１３に配設され上記基素ウエーハＷに対して非透過性を有する波長、例えば６５０nmの波長を有するレーザー光線を発振する発光手段としてのレーザーダイオード(LD)９１bと、該レーザーダイオード(LD)９１bから発振されたレーザー光線を図７において下方と右方に分光するビームスプリッター９２ｂと、該ビームスプリッター９２ｂによって図7において下方に分光されたレーザー光線を集光してチャックテーブル７１に保持された基素ウエーハＷに向けて照射する集光レンズ９３ｂと、ビームスプリッター９２ｂによって図７において右方に分光されたレーザー光線を反射するミラー９４bと、該集光レンズ９３bから照射されたレーザー光線が基素ウエーハＷの上面で反射した反射光を上記ビームスプリッター９２bを介して受光するとともに上記反射するミラー９４bによって反射された反射光を上記ビームスプリッター９２bを介して受光する干渉カウンタ９５bとからなっており、該干渉カウンタ９５bによってカウントされた干渉数を上記制御手段１０に送る。
【００３７】
図７に示す非接触式の研削量計測器９bは以上のように構成されており、以下その作用について説明する。
レーザーダイオード(LD)９１bから発振されたレーザー光線は、ビームスプリッター９２aによって図７において下方に分光され、集光レンズ９３bによって集光されてチャックテーブル７１に保持された基素ウエーハＷに照射される。基素ウエーハＷに照射されたレーザー光線は、基素ウエーハＷの上面で反射し、集光レンズ９３bおよびビームスプリッター９２bを介して干渉カウンタ９５bに到達する。一方、ビームスプリッター９２ｂによって図７において右方に分光されたレーザー光線は、ミラー９４bによって反射され、その反射光がビームスプリッター９２bを介して干渉カウンタ９５bに到達する。ここで、干渉カウンタ９５bに到達する上記２つの反射光について説明する。基素ウエーハＷが研削されずに上面の高さ位置が変化しない場合には、基素ウエーハＷの上面で反射した反射光とミラー９４bによって反射された反射光の光波は同一周期で推移する。一方、基素ウエーハＷが研削され上面の高さ位置が変化すると、基素ウエーハＷの上面で反射した反射光の光波は次第に周期がずれてくる。図示の実施形態においては、レーザーダイオード(LD)９１bから発振されるレーザー光線は波長(α)が６５０nmに設定されているので、基素ウエーハＷが６５０n m研削される都度、基素ウエーハＷの上面で反射した反射光の光波とミラー９４bによって反射された反射光の光波が干渉することになる。従って、この干渉回数(n)を干渉カウンタ９５bによってカウントし、干渉回数(n)に波長(α)を乗算することにより研削量（n×α）を求めることができる。
【００３８】
図７に示す非接触式の研削量計測器９bを備えた上記研削装置１を用いてウエーハを形成するインゴットから切り出された基素ウエーハＷを所定の厚さに研削する研削方法について説明する。
上記接触式の厚み計測器８を作動してチャックテーブル７１に保持された基素ウエーハＷの加工前の厚み(T1)を計測する加工前の厚み計測工程は、上述した実施形態の第１の加工前の厚み計測工程と同様に実施する。
【００３９】
次に、研削手段を作動してチャックテーブル７１の上面（保持面）に保持された基素ウエーハＷを研削する研削工程を上述した実施形態と同様実施する。
この研削工程においては、非接触式の研削量計測器９bによって上述したように研削量（n×α）を求めている。この研削量（n×α）を求めることにより、上記加工前の厚み計測工程によって計測された基素ウエーハＷの加工前の厚み(T1)から研削量（n×α）を減算することにより、現在の基素ウエーハＷの厚み(T)（T＝T1−（n×α））を求めることができる。そして、現在の基素ウエーハＷの厚み(T)（T＝T1−（n×α））が所定値に達したら、制御手段１０は研削ユニット送り機構６のパルスモータ６４を逆転駆動し研削ホイール5を上昇せしめる（切削終了工程）。この結果、研削ホイール5による研削作用は終了する。なお、基素ウエーハＷの厚みを計測している際には、制御手段１０は純水送給手段９５１の電磁開閉弁９５３が附勢(ONして開路する。この結果、純水送給手段９５１から配管９５２および純水が流体通路９１４を介して計測部９１３の下面と基素ウエーハＷの上面（被研削面）との間に供給される。このように研削工程においては非接触式の研削量計測器９bによって基素ウエーハＷの上面（被研削面）を計測して研削量（n×α）を求め、加工前の厚み計測工程によって計測された基素ウエーハＷの加工前の厚み(T1)から研削量（n×α）を減算することにより、現在の基素ウエーハＷの厚み(T)を求める（T＝T1−（n×α））ことができるので、基素ウエーハＷの被研削面に傷がつくことはない。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明に従って構成された研削装置の斜視図。
【図２】図１に示す研削装置に装備される非接触式の厚み計測器の構成ブロック図。
【図３】図２に示す非接触式の厚み計測器の計測部を拡大して示す断面図。
【図４】図１に示す研削装置に装備される接触式の厚み計測器を用いて実施する第１の加工前の厚み計測工程の説明図。
【図５】図１に示す研削装置を用いて実施する研削工程の説明図。
【図６】図１に示す研削装置に装備ざれる非接触式の研削量計測器の一実施形態を示す構成ブロック図。
【図７】図１に示す研削装置に装備ざれる非接触式の研削量計測器の他の実施形態を示す構成ブロック図。
【符号の説明】
【００４１】
２：装置ハウジング
３：研削ユニット
３１：移動基台
４：スピンドルユニット
４１：スピンドルハウジング
４２：回転スピンドル
４３：サーボモータ
４４：ホイールマウント
５：研削ホイール
５１：砥石基台
５２：研削砥石
６：研削ユニット送り機構
６４：パルスモータ
７：チャックテーブル機構
７１：チャックテーブル
８：接触式の厚み計測器
８１：計測用の接触針
９：非接触式の厚み計測器
９１：計測ケース
９２：発光手段
９２１：レーザーダイオード(LD)
９２２：集光レンズ
９３：受光手段
９３１：CCDラインセンサー
９４：透明版
９５：流体供給手段
９５１：純水送給手段
９５３：電磁開閉弁
１０：制御手段
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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