(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
素子基板上に複数の画素回路を有する回路層を形成する工程と、
前記回路層を覆うように前記回路層上に下部絶縁膜を形成する工程と、
前記下部絶縁膜上に絶縁性膜を形成する工程と、
前記絶縁性膜に露光、現像およびベークを行って、端部に位置する側面の上端部と端部に位置する側面の下端部とを結んだ斜線と前記素子基板の上面とのなす角度αが４５°以下の平坦化膜を形成する工程と、
前記下部絶縁膜上および前記平坦化膜上に導電性膜を形成する工程と、
前記導電性膜上にレジストを塗布する工程と、
前記レジストに露光、現像およびベークを行って、所定の形状にパターニングしたレジストを得るとともに、前記平坦化膜の端部の角部を含む近傍上にレジスト残を生じない工程と、
前記パターニングしたレジストをエッチングマスクとして用いて前記導電性膜のエッチングを行い、前記パターニングしたレジストを除去することにより、所定の形状の下部電極を形成するとともに、前記平坦化膜の端部の角部を含む近傍上に残存導電性膜を生じない工程と、
前記下部絶縁膜上、前記平坦化膜上および前記下部電極上に、絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜に露光、現像およびベークを行って、所定の形状にパターニングした上部絶縁膜を得る工程と、
前記下部電極上および前記上部絶縁膜上の前記複数の画素回路と重なる領域にそれぞれ発光素子を形成する工程と、
を含むことを特徴とする画像表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記平坦化膜の端部に位置する側面の上端部と下端部とを結んだ斜線を基板表面上に投影したときの線分の長さを、前記上端部における前記平坦化膜の膜厚の３倍以上の長さに形成すること
を特徴とする請求項１に記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記平坦化膜の端部に位置する側面は傾斜状または階段状を成すこと
を特徴とする請求項１または請求項２に記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記平坦化膜は、絶縁性膜を形成する工程と、該絶縁性膜に対して光を照射する工程と、前記絶縁性膜を現像液に浸漬させることにより前記絶縁性膜を光の照射パターンに加工する工程と、を経て形成され、
前記絶縁性膜に対して光を照射する際に、前記平坦化膜の端部に位置する側面に対応する領域の光量を、前記平坦化膜の端部に位置する側面の上端部近傍に対応する領域と、前記平坦化膜の端部に位置する側面の下端部近傍に対応する領域とで異ならせることにより前記角度αを設定したこと
を特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか１つに記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記発光素子が有機ＥＬ素子であること
を特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか１つに記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５に記載の画像表示装置の製造方法において、
前記素子基板と、該素子基板に対向する封止基板とを封止材で接着する工程と、
をさらに含むことを特徴とする画像表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画像表示装置およびその製造方法に関するものであり、短絡、誤動作、電圧低下等の不具合が抑制され、生産性および信頼性に優れた画像表示装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、有機ＥＬ表示装置は発光素子を多数形成した素子基板に封止基板を被せ、封止材を用いて素子基板と封止基板とを接着し、これによって形成されたマザー基板を個々の表示装置に切断することにより作製している。そして、有機ＥＬ表示装置においては、個々の表示装置の素子基板における少なくとも１辺の周縁部に、ドライバＩＣが実装される回路層、あるいはＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）等の外部接続部材等が電気的に接続される回路層が設けられている（たとえば、特許文献１参照）。
【０００３】
ところで、このような有機ＥＬ表示装置においては、発光素子の下部電極は平坦であることが望まれる。しかしながら、発光素子の下側（素子基板側）には種々の画素回路が設けられた回路層が設けられており、該回路層の表面は平坦ではない。そこで、平坦化膜（一般には有機感光剤）を回路層の上に設け、該平坦化膜上に下部電極を形成している。
【０００４】
ここで、従来の有機ＥＬ表示装置の製造方法について簡単に説明する。まず、図１７に示すように素子基板２１２上に回路層２１８を形成し、該回路層２１８を絶縁するために該回路層２１８を覆うように下部絶縁膜２２０を形成する。その後、下部絶縁膜２２０上に有機膜からなる絶縁性膜を形成し、該絶縁性膜を露光マスクを用いて露光し、さらに現像、ベークを行って図１７に示すように所定の形状の平坦化膜２２２を形成する。ここで、従来の有機ＥＬ表示装置においては、平坦化膜２２２の側面のテーパー角度αは４５°よりも大きく形成される。ここで、平坦化膜２２２の側面のテーパー角度αとは、素子基板２１２と平坦化膜２２２の側面とのなす角度であり、図１７においては下部絶縁膜２２０の上面と平坦化膜２２２の側面とがなす角度でも同じである。
【０００５】
つぎに、図１８に示すように、下部電極となる導電性膜２２４ａを素子基板２１２上の一面に形成し、図１９に示すように該導電性膜２２４ａ上にレジスト３０２を塗布する。次いで、露光マスク３０４を用いて該レジスト３０２を露光し、さらに現像、ベークを行って図２０に示すように所定の形状にパターニングしたレジスト３０２を得る。
【０００６】
そして、このパターニングしたレジスト３０２をエッチングマスクとして用いて導電性膜２２４ａのエッチングを行い、図２１に示すように平坦化膜２２２上に所定の形状の下部電極２２４を形成する。その後、レジスト３０２を除去する。レジスト３０２を除去後の状態を図２１に示す。
【０００７】
【特許文献１】特開２００５−７８９４６号公報（図２）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記従来の技術によれば、平坦化膜は、後のフォトリソグラフィー工程で用いられるフォトレジストと同じオーダーの膜厚であるため、後の工程で露光残りや残膜が生じることがある。そして、平坦化膜の側面と絶縁膜との角部にレジスト残が発生することによって、該レジストパターンによってエッチングされる発光素子の下部電極用金属層においては意図しない金属残存層が発生する。
【０００９】
前記の図面を用いて説明すると、図１９のＢ′に示すように、平坦化膜２２２の側面の勾配が急であるために、該側面のレジスト３０２が厚く形成される。この場合、該レジスト３０２の露光、現像後においては、図２０のＣ′に示すように、平坦化膜２２２の側面の角部に意図しないレジスト残３０２ａが発生する。
【００１０】
そして、この状態で導電性膜２２４ａのエッチングが行われるため、図２１のＤ′に示すようにレジスト３０２ａに覆われた部分の導電性膜２２４ａがエッチングされずに導電性膜２２４ｂとして残存する。この導電性膜２２４ｂは、レジスト３０２ａの除去後も除去されることなく図２２のＥ′に示すように残存する。
【００１１】
そして、この金属残存層（残存導電性膜）が発生した場合には、短絡、誤動作、電圧低下等の不具合が発生する虞があり、歩留まり低下が懸念される。
【００１２】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、短絡、誤動作、電圧低下等の不具合が抑制された、生産性および信頼性に優れた画像表示装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明にかかる画像表示装置の製造方法は、素子基板上に複数の画素回路を有する回路層を形成する工程と、前記回路層を覆うように前記回路層上に下部絶縁膜を形成する工程と、前記下部絶縁膜上に絶縁性膜を形成する工程と、前記絶縁性膜に露光、現像およびベークを行って、端部に位置する側面の上端部と端部に位置する側面の下端部とを結んだ斜線と前記素子基板の上面とのなす角度αが４５°以下の平坦化膜を形成する工程と、前記下部絶縁膜上および前記平坦化膜上に導電性膜を形成する工程と、前記導電性膜上にレジストを塗布する工程と、前記レジストに露光、現像およびベークを行って、所定の形状にパターニングしたレジストを得るとともに、前記平坦化膜の端部の角部を含む近傍上にレジスト残を生じない工程と、前記パターニングしたレジストをエッチングマスクとして用いて前記導電性膜のエッチングを行い、前記パターニングしたレジストを除去することにより、所定の形状の下部電極を形成するとともに、前記平坦化膜の端部の角部を含む近傍上に残存導電性膜を生じない工程と、前記下部絶縁膜上、前記平坦化膜上および前記下部電極上に、絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜に露光、現像およびベークを行って、所定の形状にパターニングした上部絶縁膜を得る工程と、前記下部電極上および前記上部絶縁膜上の前記複数の画素回路と重なる領域にそれぞれ発光素子を形成する工程と、を含むことを特徴とする。
【００１４】
また、上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明にかかる画像表示装置は、素子基板と、前記素子基板上に形成された、複数の画素回路を有する回路層と、前記回路層を覆うように前記回路層上に形成された下部絶縁膜と、前記下部絶縁膜上に形成された平坦化膜と、前記平坦化膜上に形成された下部電極と、前記下部電極上に形成された上部絶縁膜と、前記下部電極上および前記上部絶縁膜上の前記複数の画素回路と重なる領域にそれぞれ形成された発光素子と、を備え、前記平坦化膜の端部に位置する側面の上端部と下端部とを結んだ斜線と前記素子基板の上面とのなす角度αが４５°以下であり、前記平坦化膜の端部の角部を含む近傍上に残存導電成膜が生じていないことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
この発明によれば、素子基板上の回路層を覆って平坦化膜を形成する際に、該平坦化膜の側面と素子基板とのなす角度αを４５°以下に形成することにより、平坦化膜上における不要な金属層の残存を抑制し、該残存金属層に起因した短絡、誤動作、電圧低下等の不具合が抑制された、生産性および信頼性に優れた画像表示装置を実現可能である、という効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下に、本発明にかかる画像表示装置およびその製造方法の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は以下の記述に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。また、以下の図面においては、各図面間の縮尺および各部材間の縮尺は理解の容易のため実際とは異なる場合がある。
【００１７】
実施の形態
図１−１〜図１−３は、本発明の実施の形態にかかる画像表示装置であり、たとえば携帯情報端末などの表示部に用いられる有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す図である。図１−１は実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置の周辺部における概略構成を示す断面図である。また、図１−２は実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置の画素部における概略構成を示す断面図である。また、図１−３は本実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す平面図である。
【００１８】
図１−１〜図１−３に示すように、本実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置は、素子基板１２と、有機ＥＬ素子２３を素子基板１２上にマトリクス状に配列してなる表示領域１０と、ガラス等からなり素子基板１２に対向して設けられた封止基板１４と、を備えている。
【００１９】
封止基板１４は透明性の基板からなり、たとえばプラスチックやガラスを用いることができる。素子基板１２も、たとえばプラスチックやガラスを用いることができるが、本実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置はトップエミッションの有機ＥＬ表示装置であるため、素子基板１２は透光性の基板でなくても良い。
【００２０】
また、素子基板１２と封止基板１４との間には、表示領域１０を取り囲み、素子基板１２と封止基板１４とを接合（接着）するための封止材１６が備えられている。これにより、表示領域１０は、素子基板１２と封止基板１４と封止材１６とにより外気から遮断される形で封止されている。封止材１６としては、たとえば光硬化性または熱硬化性のアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂、シリコン系樹脂等をそれぞれ用いることができる。
【００２１】
素子基板１２上には各種回路（図示せず）が形成された回路層１８が形成されている。また、素子基板１２の周囲４辺のうちの一辺側には、封止基板１４よりも外方に突出した突出領域が設けられ、有機ＥＬ素子２３を点灯駆動するためのドライバＩＣが実装され、ＦＰＣ等の外部接続部材が電気的に接続される回路層３２が該突出領域に設けられている。
【００２２】
さらに該回路層１８および回路層３２を絶縁するために回路層１８上および回路層３２上に下部絶縁膜２０が形成されている。そして、回路層１８上の平坦化を行うために回路層１８上の下部絶縁膜２０を覆って平坦化膜２２が形成され、該平坦化膜２２の上に有機ＥＬ素子２３が形成されている。
【００２３】
ここで、本実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置においては、平坦化膜２２の側面のテーパー角度αが４５°以下に形成されている。ここで、平坦化膜２２の側面のテーパー角度とは、素子基板１２と平坦化膜２２の側面とのなす角度であり、図１−１においては下部絶縁膜２０の上面と平坦化膜２２の側面とがなす角度でも同じである。すなわち、本実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置においては、平坦化膜２２の側面の勾配が小さく構成されている。また、図１−１に示した本実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置においては、平坦化膜２２の側面は略一律な勾配を有する斜面とされている。
【００２４】
また、本実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置においては、平坦化膜２２の側面を構成する斜面の上端部と下端部を素子基板上に投影したときの線分の長さＬが、平坦化膜２２の膜厚ｔの３倍以上とされている。
【００２５】
そして、本実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置においては、図１−１に示すように、平坦化膜２２の端部の角部を含む近傍に下部電極２４の形成用の金属層の残存が生じていない。
【００２６】
有機ＥＬ素子２３の基本構造は、有機層２８が下部電極２４と上部電極３０とに挟まれた構造である。下部電極２４は、発光箇所以外は有機層２８および上部絶縁膜２６により上部電極３０と絶縁されている。一般的には素子基板１２上に形成される下部電極２４が陽極であり、該有機層２８を挟んで下部電極２４と相対して形成される上部電極が陰極である。上部電極３０は透明電極または半透明電極を使用する。有機層２８はホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層などの複数層で構成する場合が多い。
【００２７】
以上のように構成された本実施の形態にかかる画像表示装置である有機ＥＬ表示装置においては、平坦化膜２２の端部の角部を含む近傍に金属残存層（残存導電性膜）が生じていない。これにより、本実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置においては、金属残存層（残存導電性膜）に起因した短絡、誤動作、電圧低下等の不具合が防止され、製造歩留まりに優れた有機ＥＬ表示装置が実現されている。
【００２８】
従来の有機ＥＬ表示装置においては、平坦化膜の側面のテーパー角度αは４５°よりも大きく形成されている。平坦化膜は、後のフォトリソグラフィー工程で用いられるフォトレジストと同じオーダーの膜厚であるため、平坦化膜の側面のテーパー角度αが４５°よりも大きい場合には、後の工程で平坦化膜の端部の角部に露光残りや残膜が生じることがある。
【００２９】
ここで、平坦化膜の端部の角部にレジスト残が発生した場合には、該レジストパターンによってエッチングされる発光素子の下部電極層用金属層においては意図しない金属残存層が発生する。そして、この金属残存層（残存導電性膜）が発生した場合には、短絡、誤動作、電圧低下等の不具合が発生する虞があり、歩留まり低下が懸念される。
【００３０】
そこで、本実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置においては、上述したように平坦化膜２２の側面のテーパー角度αが４５°以下に構成されている。これにより、平坦化膜２２の端部の角部を含む近傍に金属残存層（残存導電性膜）が生じることを防止している。
【００３１】
すなわち、本実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置においては、平坦化膜２２の側面のテーパー角度αを４５°以下に設定することにより、下部電極２４形成時に平坦化膜２２の上斜面上にレジストが適正な厚みで形成され、該レジストの露光、現像後においても平坦化膜２２の端部の角部を含む近傍に不要なレジスト残が発生しない。これにより、下部電極用の導電性膜をエッチングして下部電極２４を形成する際の、レジスト残に起因した金属残存層（残存導電性膜）の発生が良好に防止される。
【００３２】
したがって、本実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置によれば、金属残存層（残存導電性膜）が発生することが良好に防止し、該金属残存層（残存導電性膜）に起因した短絡、誤動作、電圧低下等の不具合が防止された生産性および信頼性に優れた有機ＥＬ表示装置を実現できる。
【００３３】
また、平坦化膜２２の側面を構成する斜面の上端部と下端部を素子基板上に投影したときの線分の長さＬは、平坦化膜２２の膜厚ｔの３倍以上とすることが好ましい。この線分の長さＬが平坦化膜２２の膜厚ｔの３倍以上である場合には、平坦化膜２２の側面のテーパー角度αが２０°以下となり、この角度であれば平坦化膜２２の端部の角部を含む近傍に不要なレジスト残が発生することをより確実に防止することができる。
【００３４】
つぎに上記のような本実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置の製造方法について図２〜図１６を参照ながら説明する。
【００３５】
まず、素子基板１２および封止基板１４を準備する。素子基板１２および封止基板１４としては、たとえばガラスなどの光透過性の基板を準備する。そして、図２に示すように各種回路（図示せず）が形成された回路層１８を素子基板１２上に形成する。また、図２に示すように素子基板１２の周囲４辺のうちの一辺側には、有機ＥＬ素子２３を点灯駆動するためのドライバＩＣが実装され、ＦＰＣ等の外部接続部材が電気的に接続される回路層３２を形成する。
【００３６】
つぎに、回路層１８および回路層３２を絶縁するために、図２に示すように該回路層１８および回路層３２を覆うように回路層１８上および回路層３２上に下部絶縁膜２０を形成する。その後、回路層１８上、回路層３２上および下部絶縁膜２０上に有機膜からなる絶縁性膜２２ａを形成する。
【００３７】
そして、図３に示すように露光マスク１００を用いて有機膜からなる絶縁性膜２２ａを露光し、さらに現像、ベークを行って図４に示すように平坦化膜２２を形成する。このとき、図４のＡに示すように回路層３２側の側面のテーパー角度αが４５°以下の平坦化膜２２を形成する。
【００３８】
ここで、この平坦化膜２２の側面の形成方法としては、代表的なものとして３つ考えられる。なお、以下の３つの方法は、絶縁性膜２２ａがポジ型樹脂により形成されている場合の例である。
【００３９】
まず第１の方法は、図３に示すように、露光マスク１００の一部（平坦化膜２２の側面に対応する部分）を、マスクの遮光領域を形成する光学濃度を適切な値とすることにより露光マスク１００ａよりも多くの光量が通過できるハーフトーンマスク１００ｂ、１００ｃに変更する方法がある。この方法によれば、ハーフトーンマスク１００ｂ、１００ｃの直下領域で絶縁性膜２２ａの感光度合いを、完全に絶縁性膜２２ａが除去される領域と平坦化膜２２が形成される領域との間の中間的なものとすることができ、平坦化膜２２の端部に所定の傾斜を有する側面を形成することができる。なお、ハーフトーンマスク１００ｂ、１００ｃ内においても通過する光量に勾配を設けることにより、略一律な勾配を有する斜面を形成することができる。
【００４０】
第２の方法は、上述のハーフトーンマスク１００ｂ、１００ｃの代わりに、露光機の解像度未満の直径を有する微細な穴が形成されたスリットマスクを採用する方法である。スリット部分を、露光マスク１００ａよりも多くの光量が通過可能な状態とすることにより、平坦化膜２２の端部に斜面を形成する方法である。この場合もスリット部分においても通過する光量に勾配を設けることにより、略一律な勾配を有する斜面を形成することができる。
【００４１】
第３の方法は、露光を短い露光時間で複数回に分けて行い、形成する平坦化膜２２の厚みに応じて露光時間を制御して露光するという手法である。これらの方法のうち、第１および第２の方法は、プロセスを簡素に維持したまま平坦化膜２２の端部に斜面を形成可能であるため、好ましい。
【００４２】
なお、上述した方法は、本実施形態のように、例えば絶縁性膜２２ａがポジ型樹脂により形成されている場合、露光した部分の絶縁性膜２２ａが除去される。それ故、平坦化膜２２の側面を傾斜させるには、平坦化膜２２の側面に対応する領域の光量を、平坦化膜２２の側面の上端部近傍に対応する領域の光量よりも多く、平坦化膜２２の側面の下端部近傍に対応する領域の光量よりも少なくなるように設定する。一方、絶縁性膜２２ａがネガ型樹脂により形成されている場合、露光した部分の絶縁性膜２２ａが残存する。それ故、平坦化膜２２の側面を傾斜させるには、平坦化膜２２の側面に対応する領域の光量を、平坦化膜２２の側面の上端部近傍に対応する領域の光量よりも少なく、平坦化膜２２の側面の下端部近傍に対応する領域の光量よりも多くなるように設定する。
【００４３】
また、本実施の形態における製造方法においては、平坦化膜２２の側面を構成する斜面の上端部と下端部を素子基板上に投影したときの線分の長さＬを、平坦化膜２２の膜厚ｔの３倍以上として形成している。この線分の長さＬを平坦化膜２２の膜厚ｔの３倍以上とすることにより、平坦化膜２２の側面のテーパー角度αを２０°以下とすることができる。これは、非露光部から完全露光部までの距離を平坦化膜２２の膜厚ｔの３倍以上の所定の距離に設定することにより実現できる。
【００４４】
つぎに、図５に示すように、下部電極２４となる導電性膜２４ａを形成し、図６に示すように該導電性膜２４ａ上にレジスト１０２を塗布する。そして、露光マスク１０４を用いて該レジスト１０２を露光し、さらに現像、ベークを行って図７に示すように所定の形状にパターニングしたレジスト１０２を得る。
【００４５】
このとき、平坦化膜２２における回路層３２側の側面のテーパー角度αを４５°以下に形成しているため、図６のＢに示すように該側面上においてレジストが適正な厚みで形成され、該レジストの露光、現像後においても図７のＣに示すように平坦化膜２２の端部の角部を含む近傍に不要なレジスト残が発生しない。
【００４６】
そして、このパターニングしたレジスト１０２をエッチングマスクとして用いて図８に示すように導電性膜２４ａのエッチングを行い、レジスト１０２を除去することにより図９に示すように所定の形状の下部電極２４を形成する。このとき、上述したように平坦化膜２２の端部の角部を含む近傍に不要なレジスト残が発生しないため、図８のＤに示すように導電性膜２４ａのエッチング時に、レジスト残に起因した金属残存層（残存導電性膜）が発生しない。したがって、所定の形状の下部電極２４が得られ、図９のＥに示すように平坦化膜２２の端部の角部を含む近傍に金属残存層（残存導電性膜）が発生しない。
【００４７】
ついで、図１０に示すように、下部絶縁膜２０上、平坦化膜２２上および下部電極２４上に、上部絶縁膜２６となる絶縁膜２６ａを形成する。そして、図１１に示すように露光マスク１０６を用いて該絶縁膜２６ａを露光し、さらに現像、ベークを行って図１２に示すように所定の形状にパターニングした上部絶縁膜２６を得る。
【００４８】
つづいて、図１３に示すように下部電極２４上および上部絶縁膜２６上に有機層２８を形成し、さらに上部絶縁膜２６上および有機層２８上に上部電極３０を形成し、有機ＥＬ素子２３を形成する。上述した有機ＥＬ素子２３の各層は、たとえば周知の真空蒸着によって形成することができる。
【００４９】
その後、図１４に示すように素子基板１２の有機ＥＬ素子２３と封止基板１４の一面とが対向するように、略同等の大きさの素子基板１２と封止基板１４とを対向させ、素子基板１２と封止基板１４の周縁部に封止材１６を設けて有機ＥＬ素子２３を封止する。
【００５０】
封止は、真空中または不活性ガス中で行う。不活性ガスとしては、例えば窒素ガスやアルゴンガスを用いる。不活性ガス中で封止を行うのは、有機ＥＬ素子が酸素や水分で劣化するため、封止する際に有機ＥＬ表示装置内に酸素や水分が入るのを防ぐためである。
【００５１】
そして、回路層３２を露出させるために、図１５に示すように素子基板１２の周囲４辺のうちの回路層３２が設けられた一辺側において、封止基板１４を切断する。封止基板１４の切断は、たとえば図１４において記号Ｆで示した位置で行う。以上の工程を経ることによって、本実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置が製造される。
【００５２】
なお、上述した本実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置の製造方法によれば、平坦化膜２２の形成時の形状パターンの変更により形成することができるため、既存の製造工程や部材に与える影響を小さく抑えた形で実現することができる。
【００５３】
また、上記においては、平坦化膜２２の側面が略一律な勾配を有する斜面により構成される場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、たとえば図１６に示すように平坦化膜２２の側面を階段状とすることも可能である。この場合においても、平坦化膜２２の側面の上端部と下端部とを結ぶ斜線と素子基板１２の上面との間のなす角度αが４５°以下に設定されていれば、上記と同様の効果を得ることが可能である。
【産業上の利用可能性】
【００５４】
以上のように、本発明にかかる画像表示装置の製造方法は、短絡、誤動作、電圧低下等の不具合を抑制した、生産性および信頼性に優れた画像表示装置の製造に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１−１】本発明の実施の形態にかかる画像表示装置の周辺部における概略構成を示す断面図である。
【図１−２】本発明の実施の形態にかかる画像表示装置の画素部における概略構成を示す断面図である。
【図１−３】本発明の実施の形態にかかる画像表示装置の概略構成を示す平面図である。
【図２】本発明の実施の形態にかかる画像表示装置の周辺部における製造工程を説明する断面図である。
【図３】本発明の実施の形態にかかる画像表示装置の周辺部における製造工程を説明する断面図である。
【図４】本発明の実施の形態にかかる画像表示装置の周辺部における製造工程を説明する断面図である。
【図５】本発明の実施の形態にかかる画像表示装置の周辺部における製造工程を説明する断面図である。
【図６】本発明の実施の形態にかかる画像表示装置の周辺部における製造工程を説明する断面図である。
【図７】本発明の実施の形態にかかる画像表示装置の周辺部における製造工程を説明する断面図である。
【図８】本発明の実施の形態にかかる画像表示装置の周辺部における製造工程を説明する断面図である。
【図９】本発明の実施の形態にかかる画像表示装置の周辺部における製造工程を説明する断面図である。
【図１０】本発明の実施の形態にかかる画像表示装置の周辺部における製造工程を説明する断面図である。
【図１１】本発明の実施の形態にかかる画像表示装置の周辺部における製造工程を説明する断面図である。
【図１２】本発明の実施の形態にかかる画像表示装置の周辺部における製造工程を説明する断面図である。
【図１３】本発明の実施の形態にかかる画像表示装置の周辺部における製造工程を説明する断面図である。
【図１４】本発明の実施の形態にかかる画像表示装置の周辺部における製造工程を説明する断面図である。
【図１５】本発明の実施の形態にかかる画像表示装置の周辺部における製造工程を説明する断面図である。
【図１６】本発明の実施の形態にかかる他の画像表示装置の周辺部における概略構成を示す断面図である。
【図１７】従来の画像表示装置の製造工程を説明する断面図である。
【図１８】従来の画像表示装置の製造工程を説明する断面図である。
【図１９】従来の画像表示装置の製造工程を説明する断面図である。
【図２０】従来の画像表示装置の製造工程を説明する断面図である。
【図２１】従来の画像表示装置の製造工程を説明する断面図である。
【図２２】従来の画像表示装置の製造工程を説明する断面図である。
【符号の説明】
【００５６】
１０  表示領域
１２  素子基板
１４  封止基板
１６  封止材
１８  回路層
２０  下部絶縁膜
２２  平坦化膜
２２ａ  絶縁性膜
２３  有機ＥＬ素子
２４  下部電極
２４ａ  導電性膜
２６  上部絶縁膜
２６ａ  絶縁膜
２８  有機層
３０  上部電極
３２  回路層
１００  露光マスク
１００ａ  露光マスク
１００ｂ  露光マスク
１００ｃ  露光マスク
１０２  レジスト
１０４  露光マスク
１０６  露光マスク
２１２  素子基板
２１８  回路層
２２０  下部絶縁膜
２２２  平坦化膜
２２４  下部電極
２２４ａ  導電性膜
２２４ｂ  導電性膜
３０２  レジスト
３０２ａ  レジスト残
３０４  露光マスク
【図１−１】
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【図１−２】
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【図１−３】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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