(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
凹部を有する金属支持基板と、
前記凹部に形成され、前記金属支持基板よりも導電率の高いグランド層と、
前記金属支持基板上および前記グランド層上に形成された樹脂製の絶縁層と、
前記絶縁層上に形成された配線パターンと、を有するサスペンジョン基板であって、
前記グランド層と前記絶縁層との間には、有機皮膜からなる拡散防止層が形成されており、
前記金属支持基板の凹部は、その底面の表面粗さＲｚが、０．１μｍ〜１０μｍの範囲内であることを特徴とするサスペンション基板。
【請求項２】
前記金属支持基板の凹部の平均深さをＸとし、前記グランド層の平均厚さをＹとした場合に、Ｘ−Ｙの絶対値が、５μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載のサスペンション基板。
【請求項３】
前記グランド層と前記金属支持基板の凹部底面との間に、密着性向上層が形成されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のサスペンション基板。
【請求項４】
金属支持基板の表面に凹部を形成する凹部形成工程と、
前記凹部に前記金属支持基板よりも導電率の高いグランド層を形成するグランド層形成工程と、
前記グランド層上に有機皮膜からなる拡散防止層を形成する拡散防止層形成工程と、
前記金属支持基板上および前記拡散防止層上に樹脂製の絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、
前記絶縁層上に配線パターンを形成する配線パターン形成工程と、
を有するサスペンション基板の製造方法であって、
前記金属支持基板の凹部は、その底面の表面粗さＲｚが、０．１μｍ〜１０μｍの範囲内であることを特徴とするサスペンション基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）等に用いられるサスペンション基板に関し、詳しくは、伝送損失の低減を抑制でき、かつ、長期使用における基板信頼性に優れたサスペンション基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、インターネットの普及等によりパーソナルコンピュータの情報処理量の増大や情報処理速度の高速化が要求されてきており、それに伴って、パーソナルコンピュータに組み込まれているハードディスクドライブ（ＨＤＤ）も大容量化や情報伝達速度の高速化が必要となってきている。そして、このＨＤＤに用いられる磁気ヘッドを支持している磁気ヘッドサスペンションと呼ばれる部品も、従来の金ワイヤ等の信号線を接続するタイプから、ステンレスのばねに直接銅配線等の信号線が形成されている、いわゆるワイヤレスサスペンションと呼ばれる配線一体型（フレキシャー）に移行している。
【０００３】
近年、ＨＤＤの信号伝達速度および精度を向上させるために、より高周波数の電気信号が用いられる傾向があるが、周波数が高くなるにつれて信号強度減衰率（伝送損失）が大きくなるという問題があった。これは、金属支持基板として一般的に用いられるＳＵＳ等の導電率が低いことに起因するものであると考えられる。このような問題に対して、例えば、特許文献１においては、金属支持基板と絶縁層との間に、金属薄膜および金属箔を配置した配線回路基板が開示されている。また、特許文献２においては、金属支持基板と絶縁層との間に、貫通孔を有する金属箔を配置した配線回路基板が開示されている。これらは、金属支持基板と絶縁層との間に、導電性の良好な金属箔等を配置することにより、伝導損失を低減させるものであった。
【０００４】
しかしながら、これらの金属箔等は、いずれも金属支持基板の表面上に配置されたものであり、金属箔と、それを挟持する金属支持基板および絶縁層との間の密着性が低く、長期使用における基板信頼性が低いという問題があった。そのため、伝送損失の低減を抑制でき、かつ、長期使用における基板信頼性に優れたサスペンション基板が求められていた。
【０００５】
なお、サスペンション基板に設けられる配線パターンは、例えば特許文献３に記載されているスライダ・サスペンション装置のように、通常、記録用配線対と、再生用配線対を同一の平面内に配置してなるものである。
【特許文献１】特開２００６−２４５２２０号公報
【特許文献２】特開２００６−２７８７３４号公報
【特許文献３】特開２００５−１１３８７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、伝送損失の低減を抑制でき、かつ、長期使用における基板信頼性に優れたサスペンション基板を提供することを主目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明においては、凹部を有する金属支持基板と、上記凹部に形成され、上記金属支持基板よりも導電率の高いグランド層と、上記金属支持基板上および上記グランド層上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線パターンと、を有することを特徴とするサスペンション基板を提供する。
【０００８】
本発明によれば、グランド層が金属支持基板の凹部に埋め込まれた構造を有していることから、密着性を向上させることができる。その結果、長期使用における基板信頼性に優れたサスペンション基板とすることができる。
【０００９】
上記発明においては、上記金属支持基板の凹部の平均深さをＸとし、上記グランド層の平均厚さをＹとした場合に、Ｘ−Ｙの絶対値が、５μｍ以下であることが好ましい。ＸおよびＹの差が小さければ、金属支持基板およびグランド層の表面の段差が小さくなり、平坦性に優れ、膜厚の均一な絶縁層を形成することができ、インピーダンスの制御が容易になるからである。
【００１０】
上記発明においては、上記グランド層と上記金属支持基板の凹部底面との間に、密着性向上層が形成されていることが好ましい。グランド層と金属支持基板との密着性をさらに向上させることができるからである。
【００１１】
上記発明においては、上記グランド層と上記絶縁層との間に、上記グランド層の材料が上記絶縁層に拡散することを防止する拡散防止層が形成されていることが好ましい。例えばグランド層の材料が銅であり、絶縁層の材料がポリイミドである場合、銅がポリイミド中に拡散し、グランド層と絶縁層との密着性が低下する場合がある。また、環境試験において銅がポリイミド中にマイグレーションしてしまい、信頼性を損なう場合がある。そのため、密着性低下抑制、信頼性向上の観点から、拡散防止層を設けることが好ましい。
【００１２】
また、本発明においては、金属支持基板の表面に凹部を形成する凹部形成工程と、上記凹部に上記金属支持基板よりも導電率の高いグランド層を形成するグランド層形成工程と、上記金属支持基板上および上記グランド層上に絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、上記絶縁層上に配線パターンを形成する配線パターン形成工程と、を有することを特徴とするサスペンション基板の製造方法を提供する。
【００１３】
本発明によれば、金属支持基板に凹部を設けることにより、グランド層と金属支持基板との密着性に優れたサスペンション基板を得ることができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明においては、伝送損失の低減を抑制でき、かつ、長期使用における基板信頼性に優れたサスペンション基板を得ることができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明のサスペンション基板およびその製造方法について詳細に説明する。
【００１６】
Ａ．サスペンション基板
まず、本発明のサスペンション基板について説明する。本発明のサスペンション基板は、凹部を有する金属支持基板と、上記凹部に形成され、上記金属支持基板よりも導電率の高いグランド層と、上記金属支持基板上および上記グランド層上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線パターンと、を有することを特徴とするものである。
【００１７】
本発明によれば、グランド層が金属支持基板の凹部に埋め込まれた構造を有していることから、密着性を向上させることができる。その結果、長期使用における基板信頼性に優れたサスペンション基板とすることができる。なお、凹部を設けたことによる密着性の向上は、アンカー効果によるものであると考えられる。また、本発明によれば、グランド層が金属支持基板よりも高い導電率を有していることから、伝送損失の低減を抑制することができる。なお、本発明のサスペンション基板は、例えばハードディスクドライブ（ＨＤＤ）の磁気ヘッドサスペンション等に用いることができる。
【００１８】
次に、本発明のサスペンション基板について図面を用いて説明する。図１は、本発明のサスペンション基板の一例を示す概略断面図である。図１に示されるサスペンション基板は、凹部を有しＳＵＳからなる金属支持基板１と、その凹部に埋め込まれるように形成され、金属支持基板１よりも導電率の高い銅からなるグランド層２と、金属支持基板１上およびグランド層２上に形成されポリイミド（ＰＩ）からなる絶縁層３と、絶縁層３上に形成され銅からなる配線パターン４と、配線パターン４を覆うように形成されたカバー層５と、を有するものである。本発明においては、グランド層２が、金属支持基板１の凹部に埋め込まれるように形成されていることから、密着性に優れたサスペンション基板とすることができる。
【００１９】
また、図２に示すように、本発明においては、グランド層２と金属支持基板１の凹部底面との間に、密着性向上層６が形成されていても良く、グランド層２と絶縁層３との間に、グランド層２の材料が絶縁層３に拡散することを防止する拡散防止層７が形成されていても良い。
【００２０】
図３は、本発明のサスペンション基板の全体像を例示する概略平面図であり、便宜上、カバー層を省略してある。図３に示されるサスペンション基板は、金属支持基板（図示せず）、グランド層（図示せず）および絶縁層３が積層された構造を有しており、サスペンション基板の一方の先端には磁気ヘッドを実装するためのジンバル部１１が形成され、他方の先端には外部回路との接続を行うための外部接続端子領域１２が形成され、ジンバル部１１および外部接続端子領域１２を接続するための配線パターン４（配線４ａ〜４ｄ）が形成されている。本発明においては、配線４ａおよび４ｂ、並びに配線４ｃおよび４ｄを、それぞれ配線対と称する。これらの配線対は、一方が記録用であり、他方が再生用である。
以下、本発明のサスペンション基板について、サスペンション基板の部材と、サスペンション基板の構成とに分けて説明する。
【００２１】
１．サスペンション基板の部材
まず、本発明のサスペンション基板の部材について説明する。本発明のサスペンション基板は、少なくとも金属支持基板、グランド層、絶縁層および配線パターンを有するものである。さらに、必要に応じて、グランド層と金属支持基板との間に密着性向上層を有していても良く、グランド層と絶縁層との間に拡散防止層を有していても良い。
【００２２】
（１）金属支持基板
まず、本発明に用いられる金属支持基板について説明する。本発明に用いられる金属支持基板は、通常、適度なばね性を有するものである。上記金属支持基板の材料としては、ばね性および導電性を有していれば特に限定されるものではないが、例えばＳＵＳ、４２アロイ、銅、銅合金等を挙げることができ、中でもＳＵＳが好ましい。上記金属支持基板の厚さは、例えば１２μｍ〜７６μｍの範囲内であり、中でも１４μｍ〜２５μｍの範囲内であることが好ましい。
【００２３】
上記金属支持基板は、グランド層を埋め込むための凹部を有する。上記凹部が深過ぎると、金属支持基板の機械的強度が低くなる可能性があり、上記凹部が浅すぎると、凹部に形成されるグランド層が充分な電気特性を発揮できない可能性がある。本発明においては、上記凹部の深さが、上記金属支持基板の厚さに対して、例えば０．０５％〜５０％の範囲内、中でも０．５％〜４０％の範囲内、特に２．５％〜３０％の範囲内であることが好ましい。
【００２４】
また、上記凹部の平均深さは、通常０．０１μｍ以上であり、０．１μｍ以上が好ましく、０．５μｍ以上がより好ましく、１．０μｍ以上がさらに好ましく、２．０μｍ以上が特に好ましい。一方、上記凹部の平均深さは、１０μｍ以下が好ましく、８μｍ以下がより好ましく、６μｍ以下がさらに好ましい。上記平均深さは、レーザー顕微鏡測定機、接触式厚み測定機、３次元測定機で測定することができる。
【００２５】
本発明においては、凹部底面の表面粗さが大きいことが好ましい。アンカー効果がより顕著に発現し、金属支持基板およびグランド層の密着性がさらに向上するからである。凹部底面の表面粗さＲｚとしては、例えば０．１μｍ〜１０μｍの範囲内、中でも０．２μｍ〜５μｍの範囲内であることが好ましい。上記表面粗さは、例えばレーザー顕微鏡で測定することができる。
【００２６】
（２）グランド層
次に、本発明に用いられるグランド層について説明する。本発明に用いられるグランド層は、金属支持基板の凹部に形成されるものである。本発明においては、通常、凹部の底面全体にグランド層が形成される。また、上記グランド層は導電率が高く、金属支持基板よりも高い導電率を有する。グランド層の導電率をその逆数である比抵抗で示すと、特に限定されるものではないが、例えば１００×１０−８Ωｍ以下であることが好ましく、１．０×１０−８Ωｍ〜６０×１０−８Ωｍの範囲内であることがより好ましく、１．５×１０−８Ωｍ〜１０×１０−８Ωｍの範囲内であることが特に好ましい。
【００２７】
上記グランド層の材料としては、用いられる金属支持基板の材料よりも高い導電率を有していれば特に限定されるものではないが、例えば銅、ニッケル、金、銀、アルミ等を挙げることができ、中でも銅が好ましい。導電率が高く、安価だからである。また、例えばグランド層の材料が銅である場合は、酸化等による劣化が生じ易いが、このような材料を用いる場合は、グランド層が露出しないように、金属支持基板の凹部の幅を設計することが好ましい。
【００２８】
上記グランド層の平均厚さとしては、特に限定されるものではないが、例えば０．１μｍ〜１０μｍの範囲内、中でも０．２μｍ〜８μｍの範囲内、特に０．５μｍ〜６μｍの範囲内であることが好ましい。上記平均厚さは、蛍光Ｘ線測定機、レーザー顕微鏡測定機、接触式厚み測定機、３次元測定機で測定することができる。また、上記グランド層の形成方法については、後述する「Ｂ．サスペンション基板の製造方法」で詳細に説明する。
【００２９】
本発明においては、グランド層と金属支持基板の凹部底面との間に、密着性向上層が形成されていることが好ましい。グランド層と金属支持基板との密着性をさらに向上させることができるからである。また、例えばグランド層の材料が銅であり、金属支持基板の材料がＳＵＳである場合、銅がＳＵＳ中に拡散し、グランド層と金属支持基板との密着性が低下する場合があるが、上記密着性向上層は、これを防止することが可能であり、拡散防止機能も兼ね備えている。
【００３０】
上記密着性向上層の材料としては、例えば、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｚｎ、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｃｏ、並びに、それらの合金、酸化物および窒化物等を挙げることができ、中でもＮｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、並びに、それらの合金、酸化物および窒化物が好ましい。
【００３１】
上記密着性向上層の厚さとしては、特に限定されるものではないが、例えば０．００１μｍ〜５μｍの範囲内、中でも０．００５μｍ〜３μｍの範囲内、特に０．０１μｍ〜２μｍの範囲内であることが好ましい。また、上記密着性向上層を形成する方法としては、例えば、電解めっき法および無電解めっき法等のめっき法、スパッタリング法、蒸着法等を挙げることができ、中でも、めっき法およびスパッタリング法が好ましく、電解めっき法がより好ましい。特に、本発明においては、上記密着性向上層が、Ｎｉストライキめっき法により形成されたものであることが好ましい。
【００３２】
本発明においては、グランド層と絶縁層との間に、グランド層の材料が絶縁層に拡散することを防止する拡散防止層が形成されていることが好ましい。例えばグランド層の材料が銅であり、絶縁層の材料がポリイミドである場合、銅がポリイミド中に拡散し、グランド層と絶縁層との密着性が低下する場合がある。そのため、密着性低下抑制の観点から、拡散防止層を設けることが好ましい。
【００３３】
上記拡散防止層の種類としては、グランド層の材料が拡散することを抑制することができるものであれば特に限定されるものではないが、例えば有機皮膜および無機皮膜等を挙げることができる。上記有機皮膜としては、例えばジアゾール、トリアゾール、テトラゾール、それらの誘導体を含有する処理液による防錆皮膜等を挙げることができ、中でもイミダゾール、２−メチルイミダゾール、２−エチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、ベンズイミダゾール等が好ましい。上記無機皮膜としては、例えば、Ｃｒ膜、Ｎｉ膜、Ｚｎ膜、Ｔｉ膜、Ｍｏ膜、Ｗ膜、Ｖ膜、Ｃｏ膜、およびそれらの合金膜等を挙げることができ、中でもＮｉ膜、Ｃｒ膜およびそれらの合金膜が好ましい。
【００３４】
上記拡散防止層の厚さとしては、特に限定されるものではないが、例えば０．００１μｍ〜５μｍの範囲内、中でも０．００５μｍ〜３μｍの範囲内、特に０．０１μｍ〜２μｍの範囲内であることが好ましい。また、上記拡散防止層を形成する方法としては、例えば、有機皮膜を形成する場合は、上記アゾール類を含有する液にてディップ処理、スプレー処理により形成する方法等を挙げることができる。一方、無機皮膜を形成する場合は、無電解めっき法、電解めっき法、スパッタリング法、蒸着法等を挙げることができる。
【００３５】
（３）絶縁層
次に、本発明に用いられる絶縁層について説明する。本発明に用いられる絶縁層は、グランド層上に形成されるものである。なお、例えばグランド層の材料が銅である場合は、酸化等による劣化が生じ易いため、グランド層が露出しないように、絶縁層の幅をグランド層の幅よりも大きくすることが好ましい。
【００３６】
上記絶縁層の材料としては、所望の絶縁性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えばポリイミド樹脂、熱可塑ポリイミド樹脂等を挙げることができる。特に、本発明においては、上記絶縁層が、ポリイミド樹脂および熱可塑性ポリイミド樹脂からなる複合絶縁層であることが好ましい。上記絶縁層の厚さは、例えば５μｍ〜２０μｍの範囲内であり、中でも８μｍ〜１２μｍの範囲内であることが好ましい。
【００３７】
（４）配線パターン
次に、本発明に用いられる配線パターンについて説明する。本発明に用いられる配線パターンは、上記絶縁層上に形成され、電気信号を伝達するものである。上記配線パターンの材料としては、所望の導電性を有していれば特に限定されるものではないが、例えば銅、ニッケル、金、銀、アルミ等を挙げることができ、中でも銅が好ましい。上記配線パターンの厚さは、例えば５μｍ〜１５μｍの範囲内である。
【００３８】
本発明に用いられる配線パターンは、通常、記録用配線対と、再生用配線対とを有する。記録用配線対および再生用配線対は、絶縁層上に形成されるものであるが、これらの配線対間の距離としては、例えば２００μｍ以上、中でも２５０μｍ〜３０００μｍの範囲内、特に３００μｍ〜２０００μｍの範囲内であることが好ましい。配線対間のクロストークを低減できるからである。
【００３９】
（５）その他
本発明のサスペンション基板は、配線パターンを被覆するカバー層を有するものであっても良く、配線パターンの表面を保護するめっき処理層を有するものであっても良い。カバー層やめっき処理層については、一般的なサスペンション基板に用いられるものと同様であるので、ここでの説明は省略する。
【００４０】
２．サスペンション基板の構成
次に、本発明におけるサスペンション基板の構成について説明する。本発明のサスペンション基板は、金属支持基板に埋め込まれるように形成されたグランド層を有するものである。
【００４１】
ここで、図４に示すように、金属支持基板１の凹部の平均深さをＸとし、グランド層２の平均厚さをＹとする。なお、便宜上、絶縁層等は省略してある。この場合、ＸおよびＹの関係は特に限定されるものではなく、Ｘが大きくても良く、Ｙが大きくても良く、ＸおよびＹが同じであっても良い。
【００４２】
中でも、本発明においては、ＸおよびＹの差が小さいことが好ましい。具体的には、Ｘ−Ｙの絶対値が５μｍ以下であることが好ましく、２μｍ以下であることがより好ましく、０．５μｍ以下であることが特に好ましい。ＸおよびＹの差が小さければ、金属支持基板およびグランド層の表面の段差が小さくなり、平坦性に優れ、膜厚の均一な絶縁層を形成することができ、インピーダンスの制御が容易になるからである。
なお、グランド層の表面に、上述した拡散防止層および／または密着性向上層が形成されている場合は、その合計の膜厚をＹとして考慮する。
【００４３】
本発明においては、グランド層が、平面視上、少なくとも配線パターンと同じ形状で形成されていることが好ましい。すなわち、配線パターンの下に、少なくともグランド層が形成されていることが好ましい。中でも、本発明においては、配線の端部からグランド層の端部までの平均距離が、５０μｍ〜１００μｍの範囲内であることがより好ましく、６０μｍ〜９０μｍの範囲内であることがさらに好ましい。上記の範囲内であれば、グランド層が金属支持基板の全面に形成された場合と同様の電池特性を発揮することができ、かつ、サスペンション基板の低剛性化を図ることができるからである。なお、配線の端部からグランド層の端部までの距離について、図５を用いて説明すると、例えば配線４ａの端部からグランド層２の端部までの距離Ｗが、上記の距離に相当する。また、例えばグランド層の材料が銅である場合は、酸化等による劣化が生じ易いが、このような材料を用いる場合は、グランド層が露出しないように、絶縁層の寸法を設計することが好ましい。すなわち、グランド層の端部が、絶縁層の端部よりも内側になることが好ましい。
【００４４】
また、本発明においては、配線対毎にグランド層が形成されていても良い。具体的には図６に示すように、配線４ａおよび４ｂからなる配線対４１に対応するグランド層２１と、配線４ｃおよび４ｄからなる配線対４２に対応するグランド層２２と、を有するサスペンション基板等を挙げることができる。この場合、グランド層２１とグランド層２２との間で、金属支持基板１と絶縁層３が接していることから、この両者の密着性が優れている場合には、サスペンション基板全体としての密着性を向上させることができ、長期使用による基板信頼性に優れたサスペンション基板とすることができる。さらには、剛性の低いサスペンション基板を得ることができるという利点も有する。
【００４５】
Ｂ．サスペンション基板の製造方法
次に、本発明のサスペンション基板の製造方法について説明する。本発明のサスペンション基板の製造方法は、金属支持基板の表面に凹部を形成する凹部形成工程と、上記凹部に上記金属支持基板よりも導電率の高いグランド層を形成するグランド層形成工程と、上記金属支持基板上および上記グランド層上に絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、上記絶縁層上に配線パターンを形成する配線パターン形成工程と、を有することを特徴とするものである。
【００４６】
本発明によれば、金属支持基板に凹部を設けることにより、グランド層と金属支持基板との密着性に優れたサスペンション基板を得ることができる。その結果、長期使用における基板信頼性に優れたサスペンション基板とすることができる。
【００４７】
次に、本発明のサスペンション基板の製造方法について図面を用いて説明する。図７は、本発明のサスペンション基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。図７においては、まず、ＳＵＳからなる平坦な金属支持基板１を用意し（図７（ａ））、金属支持基板１の表面にレジスト膜を形成し、所定のパターンに露光し、現像することによって、レジストパターン１５を形成する（図７（ｂ））。その後、金属支持基板１の露出部分を塩化鉄系エッチング液によりエッチングすることにより、凹部を形成する（図７（ｃ））。
【００４８】
次に、金属支持基板１に形成された凹部に、Ｎｉストライクめっきを施すことにより、密着性向上層６を形成し（図７（ｄ））、その後、電解めっきによりＣｕからなるグランド層２を形成し（図７（ｅ））、その後、アゾール類を含有する薬品に浸漬させることにより、アゾール類を含有する有機防錆皮膜からなる拡散防止層７を形成する（図７（ｆ））。
【００４９】
次に、得られた拡散防止層７の上に、ポリイミドからなる絶縁層３をキャスティング法により形成する（図７（ｇ））。最後に、絶縁層３上に、配線パターン４を形成し、配線パターン４を覆うようにカバー層５を形成することにより、サスペンション基板を得る（図７（ｈ））
以下、本発明のサスペンション基板の製造方法について、工程ごとに説明する。
【００５０】
１．凹部形成工程
まず、本発明における凹部形成工程について説明する。本発明における凹部形成工程は、金属支持基板の表面に凹部を形成する工程である。金属支持基板の表面に凹部を形成する方法としては、所望の凹部を形成できる方法であれば特に限定されるものではないが、例えば、金属支持基板上にレジストパターンを形成し、露出する金属支持基板をエッチングする方法等を挙げることができる。
【００５１】
金属支持基板上にレジストパターンを形成する方法としては、例えば、ドライフィルムレジストで金属支持基板表面を被覆して、露光現像を行うことにより、エッチングしない領域にレジストパターンを形成する方法等が挙げられる。また、液状のレジストを塗布、乾燥させることによって、上記レジストパターンを形成しても良い。
【００５２】
金属支持基板をエッチングする方法としては、特に限定されるものではないが、通常、ウェットエッチングによる方法が用いられる。エッチング液の種類は、金属支持基板の材料に応じて、適宜選択することが好ましい。例えば、金属支持基板の材料がＳＵＳである場合は、塩化鉄系エッチング液を用いることが好ましい。なお、本発明においては、所望の凹部が形成できる程度にエッチングを行うことが好ましい。金属支持基板の凹部については、上記「Ａ．サスペンション基板」に記載した内容と同様であるので、ここでの説明は省略する。
【００５３】
２．グランド層形成工程
次に、本発明におけるグランド層形成工程について説明する。本発明におけるグランド層形成工程は、金属支持基板の凹部に金属支持基板よりも導電率の高いグランド層を形成する工程である。金属支持基板の凹部にグランド層を形成する方法は、所望のグランド層を形成できる方法であれば特に限定されるものではないが、例えば、めっき法、インクジェット法、スパッタリング法等を挙げることができる。
【００５４】
上記めっき法としては、電解めっき法および無電解めっきを挙げることができるが、中でも電解めっき法が好ましい。また、上記インクジェット法は、例えば製版処理が不要な金属ナノペーストを、インクジェットにより凹部に塗布し、焼結させる方法である。また、グランド層の形成方法は、アディティブ法およびサブトラクティブ法のいずれの方法であっても良い。
【００５５】
アディティブ法によるグランド層の形成方法としては、例えば、ドライフィルムレジスト等を用いて、凹部以外の金属支持基板の領域を被覆し、露出する凹部の表面に電解めっき法等によりグランド層を形成し、最後に、上記レジストパターンを除去する方法等を挙げることができる。
【００５６】
サブトラクティブ法によるグランド層の形成方法としては、例えば、金属支持基板の全面にグランド材料層を形成し、ドライフィルムレジスト等を用いて、グランド層が形成される領域にレジストパターンを形成し、その後、露出するグランド材料層を除去し、最後に、上記レジストパターンを除去する方法等を挙げることができる。
【００５７】
本発明においては、グランド層形成工程を行う前に、金属支持基板の凹部に密着性向上層を形成する密着性向上層形成工程を行うことが好ましい。グランド層と金属支持基板との密着性をさらに向上させることができるからである。金属支持基板の凹部に密着性向上層を形成する方法としては、例えば、電解めっき法および無電解めっき法等のめっき法、スパッタリング法、蒸着法等を挙げることができ、中でも、めっき法およびスパッタリング法が好ましく、電解めっき法がより好ましい。特に、本発明においては、Ｎｉストライキめっき法を行うことが好ましい。
【００５８】
本発明においては、グランド層形成工程を行った後に、グランド層上に、グランド層の材料が絶縁層に拡散することを防止する拡散防止層を形成する拡散防止層形成工程を行うことが好ましい。例えばグランド層の材料が銅であり、絶縁層の材料がポリイミドである場合、銅がポリイミド中に拡散し、グランド層と絶縁層との密着性が低下する場合がある。
また、環境試験において銅がポリイミド中にマイグレーションしてしまい、信頼性を損なう場合がある。そのため、密着性低下抑制、信頼性向上の観点から、拡散防止層を設けることが好ましい。
【００５９】
グランド層上に拡散防止層を形成する方法としては、例えばアゾール類を含有する薬品に浸漬させる方法等を挙げることができる。なお、上記グランド層、上記密着性向上層および上記拡散防止層等については、上記「Ａ．サスペンション基板」に記載した内容と同様であるので、ここでの説明は省略する。
【００６０】
３．絶縁層形成工程
次に、本発明における絶縁層形成工程について説明する。本発明における絶縁層形成工程は、金属支持基板上およびグランド層上に絶縁層を形成する工程である。なお、例えばグランド層の材料が銅である場合は、酸化等による劣化が生じ易いため、グランド層が露出しないように、絶縁層の幅をグランド層の幅よりも大きくすることが好ましい。
【００６１】
グランド層上に絶縁層を形成する方法としては、特に限定されるものではないが、例えば、絶縁層形成用樹脂を含有する塗工液をグランド層に塗布する方法、および絶縁層形成用樹脂をグランド層にラミネートする方法等を挙げることができる。
【００６２】
中でも、本発明においては、絶縁層形成用樹脂を含有する塗工液をグランド層に塗布する方法が好ましい。平坦性が良好な絶縁層を得ることができるからである。上述したように、本発明においては、金属支持基板の凹部にグランド層が形成されており、凹部の深さと、グランド層の厚さは任意に設定することができる。この場合、例えば図４に示すように、金属支持基板の表面と、グランド層の表面とに段差が生じる場合があるが、段差が生じた場合であっても、上記の塗工液の粘度等が適当であれば、段差の影響が少なくなり、平坦な表面を有する絶縁層を形成することができる。
なお、本工程により得られる絶縁層については、上記「Ａ．サスペンション基板」に記載した内容と同様であるので、ここでの説明は省略する。
【００６３】
４．配線パターン形成工程
次に、本発明における配線パターン形成工程について説明する。本発明における配線パターン形成工程は、絶縁層上に配線パターンを形成する工程である。絶縁層上に配線パターンを形成する方法は、特に限定されるものではないが、例えばめっき法等を挙げることができ、中でも電解めっき法が好ましい。また、配線パターンの形成方法は、アディティブ法およびサブトラクティブ法のいずれの方法であっても良い。
【００６４】
アディティブ法による配線パターンの形成方法としては、例えば、ドライフィルムレジスト等を用いて、絶縁層上に目的とする配線パターンとは逆のレジストパターンを形成し、露出する絶縁層の表面に電解めっき法等により配線パターンを形成し、最後に、上記レジストパターンを除去する方法等を挙げることができる。
【００６５】
サブトラクティブ法による配線パターンの形成方法としては、例えば、絶縁層の全面に配線材料層を形成し、ドライフィルムレジスト等を用いて、目的とする配線パターンと同じレジストパターンを形成し、その後、露出する配線材料層をウェットエッチング等により除去し、最後に、上記レジストパターンを除去する方法等を挙げることができる。
なお、本工程により得られる配線パターンについては、上記「Ａ．サスペンション基板」に記載した内容と同様であるので、ここでの説明は省略する。
【００６６】
５．その他
本発明のサスペンション基板の製造方法は、配線パターンを被覆するカバー層を形成するカバー層形成工程を有していても良く、配線パターンの表面を保護するめっき処理層を形成するめっき処理層形成工程を有していても良い。
【００６７】
上記カバー層を形成する方法としては、例えば、カバー層形成用樹脂を含有する塗工液を、配線パターンおよび絶縁層に塗布し乾燥させ、さらに必要に応じて硬化させる方法を挙げることができる。上記めっき処理層を形成する方法としては、例えば、電解めっき法および無電解めっき法等を挙げることができ、中でも電解めっき法が好ましい。
【００６８】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と、実質的に同一の構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる場合であっても本発明の技術的範囲に包含される。
【実施例】
【００６９】
以下、実施例を用いて、本発明をさらに具体的に説明する。
［実施例１］
厚みが２０μｍのＳＵＳからなる平坦な金属支持基板の表面に、ＤＦＲをラミネートした後、１００μｍの円形パターンにて露光し、現像することにより、上記パターンと反転したパターンを形成した。その後、金属支持基板の露出部分を塩化鉄エッチング液により、深さ２μｍの凹部を形成した。
次に金属支持基板に形成された凹部に、１０％の塩酸処理をした後、Ｎｉストライクめっきにより０．２μｍの厚みからなる密着性向上層を形成し、その後、電解銅めっきにより２μｍの厚みからなる銅グランド層を形成した。その後、水酸化ナトリウム水溶液にてＤＦＲを剥離し、密着性評価用サンプルを作製した。
【００７０】
［実施例２］
金属支持基板の凹部の深さを０．５μｍにして、電解銅めっきにより２μｍの銅グランド層を形成した以外は、実施例１と同様にして密着性評価用サンプルを作製した。
【００７１】
［実施例３］
金属支持基板の凹部の深さを１．０μｍにして、電解銅めっきにより２μｍの銅グランド層を形成した以外は、実施例１と同様にして密着性評価用サンプルを作製した。
【００７２】
［比較例１］
金属支持基板に凹部を形成せず、電解銅めっきにより２μｍの銅グランド層を形成した以外は、実施例１と同様にして密着性評価用サンプルを作製した。
【００７３】
［評価］
サイズ１．０ｃｍ×１．８ｃｍからなる、住友３Ｍ社製の「Scotch  Brand  Tape」テープを使用し、銅グランド層の密着性評価試験を行った。実施例１〜３の密着性評価用サンプルは、金属支持基板の凹部にグランド層が形成されているため、粗化によるアンカー効果を発揮し、剥離が生じなかった。一方、比較例１の密着性評価用サンプルは、粗化によるアンカー効果は発揮されず、容易に剥離した。
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】本発明のサスペンション基板の一例を示す概略断面図である。
【図２】本発明のサスペンション基板の他の例を示す概略断面図である。
【図３】本発明のサスペンション基板の全体像を例示する概略平面図である。
【図４】金属支持基板の凹部の深さと、グランド層の厚さとの関係を説明する説明図である。
【図５】配線の端部と、グランド層の端部との位置関係を説明する説明図である。
【図６】本発明のサスペンション基板の他の例を示す概略断面図である。
【図７】本発明のサスペンション基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。
【符号の説明】
【００７５】
１  …  金属支持基板
２  …  グランド層
３  …  絶縁層
４  …  配線パターン
５  …  カバー層
６  …  密着性向上層
７  …  拡散防止層
【図１】
0005202920.tif 000002
【図２】
0005202920.tif 000003
【図３】
0005202920.tif 000004
【図４】
0005202920.tif 000005
【図５】
0005202920.tif 000006
【図６】
0005202920.tif 000007
【図７】
0005202920.tif 000008