(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に複数のストリートが格子状に形成されているとともに該複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハの裏面に装着されウエーハの外径より大きい外径を有する接着フィルムを、環状のフレームに装着されたダイシングテープの表面に貼着された状態でデバイスに沿って破断するウエーハの裏面に装着された接着フィルムの破断方法であって、
該接着フィルムの外周部におけるウエーハの外周縁よりはみ出した領域に放射状の複数の分割溝を形成した後に、該ダイシングテープを拡張して接着フィルムをデバイスに沿って破断するとともに、該接着フィルムの外周部におけるウエーハの外周縁よりはみ出した領域を該放射状の複数の分割溝に沿って分離する、
ことを特徴とするウエーハの裏面に装着された接着フィルムの破断方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面に複数のストリートが格子状に形成されているとともに該複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハの裏面に装着された接着フィルムを、デバイスに沿って破断するウエーハの裏面に装着された接着フィルムの破断方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に形成されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって区画された複数の領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスを形成し、該デバイスが形成された各領域をストリートに沿って分割することにより個々のデバイスを製造している。
【０００３】
個々に分割されたデバイスは、その裏面にエポキシ樹脂等で形成された厚さ２０〜４０μｍのダイアタッチフィルムと称するダイボンディング用の接着フィルムが装着され、この接着フィルムを介してデバイスを支持するダイボンディングフレームに加熱圧着することによりボンディングされる。デバイスの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを装着する方法としては、半導体ウエーハの裏面に接着フィルムを貼着し、この接着フィルムを介して半導体ウエーハをダイシングテープに貼着した後、半導体ウエーハの表面に形成されたストリートに沿って切削ブレードにより接着フィルムとともに切断することにより、裏面に接着フィルムが装着されたデバイスを形成している。（例えば、特許文献１参照。）
【特許文献１】特開２０００−１８２９９５号公報
【０００４】
しかるに、切削ブレードにより半導体ウエーハとともに接着フィルムを切断すると、切削ブレードに接着フィルムが絡まり、切断されたデバイスの切断面に欠けやクラックが発生するとともに、接着フィルムに髭状のバリが発生してワイヤボンディングの際に断線の原因になるという問題がある。
【０００５】
近年、携帯電話やパソコン等の電気機器はより軽量化、小型化が求められており、より薄いデバイスが要求されている。より薄くデバイスを分割する技術として所謂先ダイシング法と称する分割技術が実用化されている。この先ダイシング法は、ウエーハの表面からストリートに沿って所定の深さ（デバイスの仕上がり厚さに相当する深さ）の分割溝を形成し、その後、表面に分割溝が形成されたウエーハの裏面を研削して該裏面に分割溝を表出させ個々のデバイスに分離する技術であり、デバイスの厚さを５０μｍ以下に加工することが可能である。
【０００６】
しかるに、先ダイシング法によってウエーハを個々のデバイスに分割する場合には、ウエーハの表面からストリートに沿って所定の深さの分割溝を形成した後にウエーハの裏面を研削して該裏面に分割溝を表出させるので、ダイボンディング用の接着フィルムを前もってウエーハの裏面に装着することができない。従って、先ダイシング法によって分割されたデバイスをダイボンディングフレームにボンディングする際には、デバイスとダイボンディングフレームとの間にボンド剤を挿入しながら行わなければならず、ボンディング作業を円滑に実施することができないという問題がある。
【０００７】
このような問題を解消するために、先ダイシング法によって個々のデバイスに分割されたウエーハの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを装着し、この接着フィルムを介してウエーハをダイシングテープに貼着した後、ダイシングテープを拡張することにより接着フィルムを分割溝に沿って破断する方法が提案されている。（例えば、特許文献２参照。）
【特許文献２】特開２００４−１９３２４１号公報
【０００８】
一方、近年ウエーハに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を用い、分割すべき領域の内部に集光点を合わせてパルスレーザー光線を照射するレーザー加工方法も試みられている。このレーザー加工方法を用いた分割方法は、ウエーハの裏面から内部に集光点を合わせてウエーハに対して透過性を有する波長（例えば１０６４ｎｍ）のパルスレーザー光線を照射し、ウエーハの内部にストリートに沿って変質層を連続的に形成し、この変質層が形成されることによって強度が低下したストリートに沿って外力を作用せしめることにより、ウエーハを分割するものである。
【０００９】
また、ウエーハに対して吸収性を有する波長（例えば３５５ｎｍ）のパルスレーザー光線をストリートに沿って照射し、ストリートに沿ってレーザー加工溝を形成した後、ストリートに沿って外力を作用せしめることにより、ウエーハを分割する方法も実用化されている。
【００１０】
上記レーザー加工方法を用いてストリートに沿って変質層またはレーザー加工溝が形成されたウエーハの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを装着し、この接着フィルムを介してウエーハをダイシングテープに貼着した後、ダイシングテープを拡張することにより変質層またはレーザー加工溝が形成されることによって強度が低下せしめられたストリートに沿って個々のデバイスに分割されるとともに、接着フィルムを分割された各デバイスの外周縁に沿って破断する方法が提案されている。（例えば、特許文献３参照。）
【特許文献３】特開２００４−２７３８９５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
ダイボンディング用の接着フィルムは、ウエーハの裏面全面に確実に装着するためにウエーハの外径より大きく形成されている。このため、接着フィルムが貼着されたダイシングテープを拡張して接着フィルムを各デバイスに沿って破断すると、ウエーハの外周縁からはみ出している接着フィルムが破壊して飛散し、その破片がデバイスの表面に付着する。このデバイスの表面に付着した接着フィルムの破片は除去することが困難であり、デバイスの品質を低下させるという問題がある。
【００１２】
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術課題は、接着フィルムが貼着されたダイシングテープを拡張して接着フィルムを各デバイスに沿って破断する際に、接着フィルムの破片がデバイスの表面に付着しないようにしたウエーハの裏面に装着された接着フィルムの破断方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、表面に複数のストリートが格子状に形成されているとともに該複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハの裏面に装着されウエーハの外径より大きい外径を有する接着フィルムを、環状のフレームに装着されたダイシングテープの表面に貼着された状態でデバイスに沿って破断するウエーハの裏面に装着された接着フィルムの破断方法であって、
該接着フィルムの外周部におけるウエーハの外周縁よりはみ出した領域に放射状の複数の分割溝を形成した後に、該ダイシングテープを拡張して接着フィルムをデバイスに沿って破断するとともに、該接着フィルムの外周部におけるウエーハの外周縁よりはみ出した領域を該放射状の複数の分割溝に沿って分離する、
ことを特徴とするウエーハの裏面に装着された接着フィルムの破断方法が提供される。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、接着フィルムの外周部におけるウエーハの外周縁よりはみ出した領域に放射状の複数の分割溝を形成した後、ダイシングテープを拡張して接着フィルムをデバイスに沿って破断するとともに、接着フィルムの外周部におけるウエーハの外周縁よりはみ出した領域を放射状の複数の分割溝に沿って分離するので、接着フィルムの外周部におけるウエーハの外周縁よりはみ出した領域は扇状のフィルム片に分離されるため、接着フィルムがランダムに破壊され破片が飛散することはなく、デバイスの表面に接着フィルムの破片が付着することはない。従って、接着フィルムの破片がデバイスの表面に付着することによるデバイスの品質の低下を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明によるウエーハの裏面に装着された接着フィルムの破断方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
【００１８】
ここで、裏面に接着フィルムが装着されたウエーハの形態について説明する。
図１の(a)および(b)には、所謂先ダイシング法によって個々のデバイスに分割された半導体ウエーハ２の裏面にダイボンディング用の接着フィルム３が装着されるとともに、該接着フィルム３側が環状のフレームFに装着されたダイシングテープTの表面に貼着され、半導体ウエーハ２の表面に貼着された保護テープ４が剥離された状態が示されている。図１の(a)および(b)に示す半導体ウエーハ２は、表面２ａに複数のストリート２１が格子状に形成されているとともに該複数のストリート２１によって区画された複数の領域にデバイス２２が形成されている。この半導体ウエーハ２を所謂先ダイシング法によって個々のデバイスに分割するには、切削装置を用いて半導体ウエーハ２の表面２ａに形成されたストリート２１に沿って所定深さ（デバイスの仕上がり厚さに相当する深さ）の分割溝２３を形成する（分割溝形成工程）。次に、分割溝２３が形成された半導体ウエーハ２の表面に保護テープ４を貼着し、半導体ウエーハ２の裏面を研削して、分割溝を裏面に表出させることにより個々のデバイス２２に分割する（分割溝表出工程）。このようにして個々のデバイス２２に分割された半導体ウエーハ２の裏面２ｂにダイボンディング用の接着フィルム３を装着するとともに該接着フィルム３側を環状のフレームFに装着されたダイシングテープTの表面に貼着する。次に、図１の(a)に示すように半導体ウエーハ２の表面に貼着された保護テープ４を剥離する。
【００１９】
上記接着フィルム３は、厚さ２０〜４０μｍのエポキシ樹脂フィルムからなり、８０〜２００°Ｃの温度で加熱しつつ半導体ウエーハ２の裏面２ｂに押圧して装着される。この接着フィルム３は、半導体ウエーハ２の裏面全面に確実に装着するために半導体ウエーハ２の外径より大きく形成されている。従って、図１の(a)に示すように接着フィルム３の外周部３０は、半導体ウエーハ２の外周縁からはみ出た状態となる。なお、ダイシングテープの表面に予め接着フィルムが貼着された接着フィルム付きのダイシングテープを用いることができる。この場合、上述したように先ダイシング法によって個々のデバイスに分割された半導体ウエーハ２の裏面を環状のフレームに装着された接着フィルム付きのダイシングテープの接着フィルム上に載置し、８０〜２００°Ｃの温度で加熱しつつ接着フィルム３を半導体ウエーハ２０の裏面２０ｂに押圧して装着する。上記環状のフレームＦは、例えば厚さが１mmのステンレス鋼によって環状に形成されている。上記ダイシングテープＴは、図示の実施形態においては厚さが７０μｍのポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）からなるシート基材の表面に粘着糊が厚さが５μｍ程度塗布されている。
【００２０】
図２の(a)および(b)には、ストリート２１に沿って内部に変質層２４が形成された半導体ウエーハ２の裏面にダイボンディング用の接着フィルム３が装着されるとともに、該接着フィルム３側が環状のフレームFに装着されたダイシングテープTの表面に貼着された状態が示されている。半導体ウエーハ２の内部にストリート２１に沿って変質層２４を形成するには、半導体ウエーハ２の裏面２ｂ側から内部に集光点を合わせてウエーハに対して透過性を有する波長（例えば１０６４ｎｍ）のパルスレーザー光線をストリート２１に沿って照射し、半導体ウエーハ２の内部にストリート２１に沿って変質層２４を連続的に形成する（変質層形成工程）。このようにしてストリート２１に沿って内部に変質層２４が形成された半導体ウエーハ２の裏面２ｂにダイボンディング用の接着フィルム３を装着するとともに該接着フィルム３側を環状のフレームFに装着されたダイシングテープTの表面に貼着する。
【００２１】
図３の(a)および(b)には、ストリート２１に沿ってレーザー加工溝２５が形成された半導体ウエーハ２の裏面にダイボンディング用の接着フィルム３が装着されるとともに、該接着フィルム３側が環状のフレームFに装着されたダイシングテープTの表面に貼着された状態が示されている。半導体ウエーハ２にストリート２１に沿ってレーザー加工溝２５を形成するには、例えば半導体ウエーハ２の裏面２ｂにダイボンディング用の接着フィルム３を装着するとともに該接着フィルム３側を上述した環状のフレームFに装着されたダイシングテープTの表面に貼着する。次に、半導体ウエーハ２の表面２ａ側からウエーハに対して吸収性を有する波長（例えば３５５ｎｍ）のパルスレーザー光線をストリート２１に沿って照射し、ストリート２１に沿ってレーザー加工溝２５を形成する（レーザー加工溝形成工程）。
【００２２】
以上のようにして、半導体ウエーハ２の裏面２ｂにダイボンディング用の接着フィルム３を装着するとともに該接着フィルム３側を環状のフレームFに装着されたダイシングテープTの表面に貼着したならば、接着フィルム３の外周部における半導体ウエーハ２の外周縁からはみ出した領域３０に放射状の複数の分割溝を形成する分割溝形成工程を実施する。この分割溝形成工程について図４の(a)および(b)を参照して説明する。図４の(a)および(b)に示す実施形態は、分割溝形成工程をレーザー加工装置５を用いて実施する例である。即ち、レーザー加工装置５のチャックテーブル５１上に環状のフレームFに装着されたダイシングテープTを載置し、図示しない吸引手段を作動してチャックテーブル５１上にダイシングテープTを介してダイボンディング用の接着フィルム３および半導体ウエーハ２を吸引保持する。そして、環状のフレームFをチャックテーブル４１に配設された図示しないクランプによって固定する。次に、図４の(a)に示すようにチャックテーブル５１を移動してレーザー光線照射手段の集光器５２の直下に接着フィルム３における半導体ウエーハ２の外周縁との境界部を位置付ける。そして、集光器４２からパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル５１を矢印X1示す方向に移動し、図４の(b)に示すように接着フィルム３の外周縁（図４の(b)において左端）が集光器５２の直下に達したらレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル５１の移動を停止する。この結果、図４の(b)に示すように接着フィルム３の外周部における半導体ウエーハ２の外周縁からはみ出した領域３０に放射方向（径方向）に分割溝３１が形成される。
【００２３】
上記分割溝形成工程は、例えば以下の加工条件で行われる。
レーザー光線の光源  ：ＹＶＯ４レーザーまたはＹＡＧレーザー
波長                ：３５５ｎｍ
繰り返し周波数      ：５０ｋＨｚ
平均出力            ：１W
集光スポット径      ：φ５μｍ
【００２４】
上述した分割溝形成工程を実施したならば、チャックテーブル５１を所定角度(例えば１０度)回動し（インデックス工程）、上記分割溝形成工程を実施する。以後、インデックス工程と分割溝形成工程を繰り返し実施することにより、図５に示すように接着フィルム３の外周部における半導体ウエーハ２の外周縁からはみ出した領域３０に放射状の複数の分割溝３１を形成することができる。
【００２５】
なお、上述した実施形態においては、分割溝形成工程をレーザー加工によって実施した例を示したが、分割溝形成工程はカッターを用いて実施してもよい。
【００２６】
なお、図３に示すように半導体ウエーハ２のストリート２１に沿ってレーザー加工溝２５を形成する場合には、上記分割溝形成工程はレーザー加工溝形成工程を実施する前に実施してもよい。
【００２７】
上述したように分割溝形成工程を実施したならば、環状のフレームFに装着されたダイシングテープTを拡張して接着フィルム３を各デバイスに沿って破断するとともに、接着フィルム３の外周部における半導体ウエーハ２の外周縁からはみ出した領域３０を放射状に形成された複数の分割溝３１に沿って分離するテープ拡張工程を実施する。このテープ拡張工程は、図示の実施形態においては図６に示すテープ拡張装置６を用いて実施する。図６に示すテープ拡張装置６は、上記環状のフレームFを保持するフレーム保持手段６１と、該フレーム保持手段６１に保持された環状のフレームFに装着されたダイシングテープTを拡張するテープ拡張手段６２を具備している。フレーム保持手段６１は、環状のフレーム保持部材６１１と、該フレーム保持部材６１１の外周に配設された固定手段としての複数のクランプ６１２とからなっている。フレーム保持部材６１１の上面は環状のフレームＦを載置する載置面６１１ａを形成しており、この載置面６１１ａ上に環状のフレームFが載置される。そして、載置面６１１ａ上に載置された環状のフレームFは、クランプ６１２によってフレーム保持部材６１１に固定される。このように構成されたフレーム保持手段６１は、テープ拡張手段６２によって上下方向に進退可能に支持されている。
【００２８】
テープ拡張手段６２は、上記環状のフレーム保持部材６１１の内側に配設される拡張ドラム６２１を具備している。この拡張ドラム６２１は、環状のフレームFの内径より小さく該環状のフレームFに装着されたダイシングテープTに貼着される接着フィルム３の外径より大きい内径および外径を有している。また、拡張ドラム６２１は、下端に支持フランジ６２２を備えている。図示の実施形態におけるテープ拡張手段６２は、上記環状のフレーム保持部材６１１を上下方向に進退可能な支持手段６３を具備している。この支持手段６３は、上記支持フランジ６２２上に配設された複数のエアシリンダ６３１からなっており、そのピストンロッド６３２が上記環状のフレーム保持部材６１１の下面に連結される。このように複数のエアシリンダ６３１からなる支持手段６３は、図６および図７の(a)に示すように環状のフレーム保持部材６１１を載置面６１１ａが拡張ドラム６２１の上端と略同一高さとなる基準位置と、図７の(b)に示すように環状のフレーム保持部材６１１を載置面６１１ａが拡張ドラム６２１の上端から図において所定量下方の拡張位置に選択的に移動せしめる。
【００２９】
図示の実施形態におけるテープ拡張装置６は以上のように構成されており、このテープ拡張装置６を用いて、上述した環状のフレームFに装着されたダイシングテープTを拡張し、接着フィルム３をデバイスに沿って破断するとともに、接着フィルム３の外周部における半導体ウエーハ２の外周縁からはみ出した領域３０を放射状に形成された複数の分割溝３１に沿って分離するテープ拡張工程について、主に図７を参照して説明する。
上記図５に示すように分割溝形成工程が実施された接着フィルム３（半導体ウエーハ２の裏面２ｂに装着されている）が貼着されたダイシングテープTを介して支持した環状のフレームFを図７の（ａ）に示すようにフレーム保持手段６１を構成するフレーム保持部材６１１の載置面６１１ａ上に載置し、クランプ６１２によってフレーム保持部材６１１に固定する(フレーム保持工程)。このとき、フレーム保持部材６１１は図７の（ａ）に示す基準位置に位置付けられている。
【００３０】
次に、複数のエアシリンダ６３１を作動して、フレーム保持部材６１１を図７の（b）に示す拡張位置まで下降せしめる。従って、フレーム保持部材６１１の載置面６１１a上に固定されている環状のフレームFも下降するため、図７の（b）に示すように環状のフレームFに装着されたダイシングテープTは拡張ドラム６２１の上端縁に当接して拡張せしめられる（テープ拡張工程）。この結果、ダイシングテープTに貼着されている接着フィルム３には放射状に引張力が作用する。このようにして、ダイシングテープTに貼着されている接着フィルム３に放射状の引張力が作用すると、上記図１に示すように半導体ウエーハ２が個々のデバイス２２に分割されている場合には、デバイス２２間の間隔が広げられる。この結果、接着フィルム３は各デバイス２２の外周縁に沿って破断されるとともに、接着フィルム３の外周部における半導体ウエーハ２の外周縁からはみ出した領域３０は、図７の（c）に拡大して示すように分割溝３１が広げられ半導体ウエーハ２の外周縁部で破断されて扇状のフィルム片３００に分離されダイシングテープTに貼着された状態で維持される。
【００３１】
また、上記図２または図３に示すように半導体ウエーハ２のストリート２１に沿って変質層２４またはレーザー加工溝２５が形成されている場合には、上記のようにダイシングテープTに貼着されている接着フィルム３に放射状の引張力が作用すると、半導体ウエーハ２は変質層２４またはレーザー加工溝２５が形成されることによって強度が低下せしめられたストリート２１に沿って個々のデバイス２２に分割される。そして、接着フィルム３は分割された各デバイス２２の外周縁に沿って破断されるとともに、接着フィルム３の外周部における半導体ウエーハ２の外周縁からはみ出した領域３０は上記図７の（c）と同様に半導体ウエーハ２の外周縁部で破断されて扇状のフィルム片に分離されダイシングテープTに貼着された状態で維持される。
【００３２】
上述したテープ拡張工程において接着フィルム３を各デバイス２２の外周縁に沿って破断する際には、接着フィルム３の外周部における半導体ウエーハ２の外周縁からはみ出した領域３０に放射状の複数の分割溝３１が形成されているので、扇状のフィルム片３００に分離されるため、接着フィルム３がランダムに破壊して破片が飛散することはなく、デバイス２２の表面に接着フィルム３の破片が付着することはない。
【００３３】
上述したようにテープ拡張工程を実施したならば、図８に示すようにピックアップ装置７を作動しピックアップコレット７１によって所定位置に位置付けられたデバイス２２をピックアップ（ピックアップ工程）し、図示しないトレーまたはダイボンディング工程に搬送する。
【００３４】
次に、本発明によるウエーハの裏面に装着された接着フィルムの破断方法の他の実施形態について、図９および図１０を参照して説明する。
図９に示す実施形態においては、外周部に放射状の複数の分割溝が形成された接着フィルムを用いる。即ち、図９の(a)に示すように接着フィルム３は、半導体ウエーハ２の外径より大きい外径を有し、その外周部には放射状の複数の分割溝３１が形成されている。なお、放射状の複数の分割溝３１は、レーザー加工によって形成してもよく、カッター等を用いて形成してもよい。また、放射状の複数の分割溝３１は、中心部まで形成してもよい。このように形成された接着フィルム３を図９の(b)に示すように例えば上述した先ダイシング法によって個々のデバイスに分割された半導体ウエーハ２の裏面２ｂに貼着し、８０〜２００°Ｃの温度で加熱しつつ半導体ウエーハ２の裏面２ｂに装着する。次に、図９の(c)に示すように環状のフレームＦに装着されたダイシングテープＴに貼着する。そして、半導体ウエーハ２の表面に貼着された保護テープ４を剥離する。
【００３５】
図１０に示す実施形態は、ダイシングテープの表面に予め接着フィルムが貼着された接着フィルム付きのダイシングテープを用いる。即ち、図１０の(a)に示すように環状のフレームＦに装着されたダイシングテープＴに貼着されている接着フィルム３の外周部には、上記図９に示す接着フィルム３と同様に予め放射状の複数の分割溝３１が形成されている。このようにダイシングテープＴに貼着されている接着フィルム３に図１０の(b)に示すように例えば上述した先ダイシングによって個々のデバイスに分割された半導体ウエーハ２の裏面２ｂを貼着し、８０〜２００°Ｃの温度で加熱しつつ半導体ウエーハ２の裏面２ｂを装着する。そして、半導体ウエーハ２の表面に貼着された保護テープ４を剥離する。
【００３６】
以上のようにして、環状のフレームＦに装着されたダイシングテープＴに半導体ウエーハ２の裏面２bを接着フィルム３（外周部に放射状の複数の分割溝３１が形成されている）を介して貼着したならば、上記テープ拡張装置６を用いて上述したテープ拡張工程を実施する。この結果、上述した図１乃至図７に示す実施形態を同様に接着フィルム３は各デバイス２２の外周縁に沿って破断されるとともに、接着フィルム３の外周部における半導体ウエーハ２の外周縁からはみ出した領域が扇状のフィルム片となって分離されダイシングテープTに貼着された状態で維持される。従って、上記図１乃至図７に示す実施形態と同様の作用効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】裏面にダイボンディング用の接着フィルムが装着された半導体ウエーハが環状のフレームに装着されたダイシングテープに貼着された状態を示す第１の実施形態の斜視図。
【図２】裏面にダイボンディング用の接着フィルムが装着された半導体ウエーハが環状のフレームに装着されたダイシングテープに貼着された状態を示す第２の実施形態の斜視図。
【図３】裏面にダイボンディング用の接着フィルムが装着された半導体ウエーハが環状のフレームに装着されたダイシングテープに貼着された状態を示す第３の実施形態の斜視図。
【図４】本発明によるウエーハの裏面に装着された接着フィルムの破断方法における分割溝形成工程の説明図。
【図５】図４に示す分割溝形成工程が実施された接着テープがダイシングテープを介して環状のフレームに支持されている状態を示す斜視図。
【図６】本発明によるウエーハの裏面に装着された接着フィルムの破断方法におけるテープ拡張工程を実施するテープ拡張装置の斜視図。
【図７】本発明によるウエーハの裏面に装着された接着フィルムの破断方法におけるテープ拡張工程の説明図。
【図８】本発明によるウエーハの裏面に装着された接着フィルムの破断方法におけるピックアップ工程を示す説明図。
【図９】本発明によるウエーハの裏面に装着された接着フィルムの破断方法に用いる接着フィルムおよび接着フィルムを半導体ウエーハの裏面に装着するとともに環状のフレームに装着されたダイシングテープに貼着工程を示す説明図。
【図１０】本発明によるウエーハの裏面に装着された接着フィルムの破断方法に用いる接着フィルムの他の実施形態および接着フィルムに半導体ウエーハの裏面を装着する工程を示す説明図。
【符号の説明】
【００３８】
２：半導体ウエーハ
２１：ストリート
２２：デバイス
３：接着フィルム
３１：分割溝
４：保護テープ
５：レーザー加工装置
５１：チャックテーブル
５２：集光器
６：テープ拡張装置
６１：フレーム保持手段
６１１：フレーム保持部材
６２：テープ拡張手段
６２１：拡張ドラム
６３：支持手段
６３１：エアシリンダ
F：環状のフレーム
T：ダイシングテープ
【図１】
0005133660.tif 000002
【図２】
0005133660.tif 000003
【図３】
0005133660.tif 000004
【図４】
0005133660.tif 000005
【図５】
0005133660.tif 000006
【図６】
0005133660.tif 000007
【図７】
0005133660.tif 000008
【図８】
0005133660.tif 000009
【図９】
0005133660.tif 000010
【図１０】
0005133660.tif 000011