(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の面から他方の面に貫通する第１の開口部が設けられた基板上に、前記基板の一方の面および前記第１の開口部を覆うように絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上にソースおよびドレインを有する薄膜トランジスタを形成し、
前記基板と前記薄膜トランジスタを覆うように層間絶縁膜を形成し、
前記薄膜トランジスタのソースおよびドレインの一方に達するように、前記層間絶縁膜に第２の開口部を形成し、
前記第１の開口部上に設けられるように、前記層間絶縁膜に第３の開口部を形成し、
前記第２の開口部を介して前記ソースおよびドレインの一方と接続し、前記第３の開口部に形成されるように、前記層間絶縁膜上、前記第２の開口部および前記第３の開口部に導電膜を形成し、
前記基板を他方の面から薄膜化することによって、前記第３の開口部に設けられた前記導電膜の一部を露出させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
一方の面から他方の面に貫通する第１の開口部が設けられた基板上に、前記基板の一方の面および前記第１の開口部を覆うように絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上にソースおよびドレインを有する薄膜トランジスタを形成し、
前記基板と前記薄膜トランジスタを覆うように層間絶縁膜を形成し、
前記薄膜トランジスタのソースおよびドレインの一方に達するように、前記層間絶縁膜に第２の開口部を形成し、
前記層間絶縁膜上および前記第２の開口部に第１の導電膜を形成し、
前記第１の開口部上に設けられるように、前記層間絶縁膜に第３の開口部を形成し、
前記第１の導電膜と接続し、前記第３の開口部に形成されるように、前記層間絶縁膜上に第２の導電膜を形成し、
前記基板を他方の面から薄膜化することによって、前記第３の開口部に設けられた前記第２の導電膜の一部を露出させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項２において、
前記第２の導電膜は、スクリーン印刷法、液滴吐出法またはディスペンサ法で形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第２の開口部より前記第３の開口部を大きく形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記第１の開口部は、前記基板にレーザ光を照射して形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記第３の開口部は、レーザ光を照射して形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
基板の一方の面に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上にソースおよびドレインを有する薄膜トランジスタを形成し、
前記基板と前記薄膜トランジスタを覆うように層間絶縁膜を形成し、
前記薄膜トランジスタのソースおよびドレインの一方に達するように、前記層間絶縁膜に第１の開口部を形成し、
前記第１の開口部と異なる位置に、前記基板の一方の面から他方の面に貫通するように第２の開口部を形成し、
前記ソースおよびドレインの一方と接続し、前記第２の開口部における基板に接するように、前記層間絶縁膜上、前記第１の開口部および前記第２の開口部に導電膜を形成し、
前記基板を他方の面から薄膜化することによって、前記第２の開口部に設けられた導電膜の一部を露出させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
基板の一方の面に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上にソースおよびドレインを有する薄膜トランジスタを形成し、
前記基板と前記薄膜トランジスタを覆うように層間絶縁膜を形成し、
前記薄膜トランジスタのソースおよびドレインの一方に達するように、前記層間絶縁膜に第１の開口部を形成し、
前記層間絶縁膜上および前記第１の開口部に第１の導電膜を形成し、
前記第１の開口部と異なる位置に、前記基板の一方の面から他方の面に貫通するように第２の開口部を形成し、
前記第１の導電膜と接続し、前記第２の開口部における基板と接するように、前記層間絶縁膜上および前記第２の開口部に第２の導電膜を形成し、
前記基板を他方の面から薄膜化することによって、前記第２の開口部に設けられた前記第２の導電膜の一部を露出させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項８において、
前記第２の導電膜は、スクリーン印刷法、液滴吐出法またはディスペンサ法で形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項７乃至請求項９のいずれか一項において、
前記第１の開口部より前記第２の開口部を大きく形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項７乃至請求項１０のいずれか一項において、
前記第２の開口部は、前記基板にレーザ光を照射して形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一項において、
前記基板の薄膜化は、研削処理、研磨処理または化学処理によるエッチングにより行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置およびその作製方法に関し、特に基板の一方の面上に設けられた半導体素子が当該基板を介して基板の他方の面において電気的に接続可能な半導体装置およびその好適な作製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ガラス等の剛性を有する基板に半導体素子を形成することによって、ＬＣＤ、有機ＥＬなどのディスプレイおよびフォトセンサー、太陽電池などの光電変換素子等の用途としての半導体装置の開発が盛んに行われている。また、Ｓｉウエハを用いて半導体素子を形成することによって、携帯電話等の用途としての半導体装置の開発が行われている。この他にも非接触でデータを送受信する半導体装置（ＲＦＩＤ（Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ  Ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）タグ、ＩＤタグ、ＩＣタグ、ＩＣチップ、ＲＦ（Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）タグ、無線タグ、電子タグ、無線チップともよばれる）の開発が盛んに進められている。このような半導体装置の作製にガラス等の剛性を有する基板またはＳｉ等の半導体基板等のいずれを用いるにしろ、半導体装置の薄膜化や小型化等が求められている。
【０００３】
半導体装置を薄膜化する方法としては、例えば、基板を研削、研磨する方法または化学反応を利用して基板をエッチングする方法等（例えば、特許文献１参照）が行われている。
【特許文献１】特開２００２−８７８４４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、一般的に、上述した方法を用いて基板の薄膜化を行った場合には、基板の一方の面に半導体素子が設けられており、基板を通して、基板の一方の面に設けられた半導体素子と基板の他方の面との間を導通させる方法は確立されていなかった。そのため、薄膜化した半導体素子を積層させることは可能であっても、積層させた半導体素子を電気的に接続する場合には配線の引き回し等が必要となり、それ以上に付加価値を高めることが難しい状況にあった。
【０００５】
本発明は上記問題を鑑み、基板上に設けられた半導体素子を複数積層させた場合であっても、積層した半導体素子が基板を通して電気的に接続可能となる半導体装置およびその作製方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の半導体装置の作製方法は、基板の一方の面に選択的に凹部または基板の一方の面から他方の面に貫通する開口部を形成し、基板の一方の面および凹部または開口部を覆うようにトランジスタを有する素子群を形成し、基板を他方の面から薄膜化することによって、凹部または開口部に形成された素子群を露出させることを特徴としている。基板を薄膜化する手段としては、基板の他方の面から研削処理、研磨処理、化学処理によるエッチング等を行うことによって基板を部分的に除去することによって行うことができる。なお、これらの薄膜化する手段は、組み合わせて行うこともできる。例えば、基板の他方の面から研削処理を行った後に、続けて基板の他方の面から研磨処理を行うことができる。
【０００７】
また、本発明の半導体装置の他の作製方法として、一方の面に選択的に凹部が設けられた基板上に、一方の面および凹部を覆うように下地膜として機能する絶縁膜を形成し、絶縁膜上に半導体膜を形成し、半導体膜の上方にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成し、半導体膜にソースまたはドレイン領域として機能する不純物領域を形成し、半導体膜およびゲート電極を覆うように第１の層間絶縁膜を形成し、第１の層間絶縁膜を選択的にエッチングすることによって、半導体膜の不純物領域に達する第１の開口部を形成し、凹部の上方に設けられた第１の層間絶縁膜を除去することによって、第２の開口部を形成し、第１の開口部および第２の開口部に選択的に導電膜を形成し、第１の層間絶縁膜および導電膜を覆うように第２の層間絶縁膜を形成し、基板を他方の面から薄膜化することによって、第２の開口部に設けられた導電膜を露出させることを特徴としている。他にも、上記構成において、基板の一方の面に凹部が設けられた基板でなく一方の面から他方の面に貫通する開口部を有する基板を用いてもよい。
【０００８】
また、本発明の半導体装置の他の作製方法として、上記構成において、第１の開口部より第２の開口部を大きく形成することを特徴としている。なお、開口部が大きいとは、開口部の深さや、深さ方向に対して垂直な方向における開口部の幅（面積）が大きいことをいう。また、上記構成において、第１の開口部に形成する導電膜と第２の開口部に形成する導電膜を異なる方法、材料で形成しても良い。例えば、第１の開口部にＣＶＤ法やスパッタ法等を用いて選択的に導電膜を形成した後に、第２の開口部にスクリーン印刷法、液滴吐出法またはディスペンサ法等を用いて選択的に導電膜を形成してもよい。
【０００９】
また、本発明の半導体装置の他の作製方法として、一方の面から他方の面に貫通する第１の開口部が設けられた基板上に、一方の面および第１の開口部を覆うように下地膜として機能する絶縁膜を形成し、絶縁膜上に半導体膜を形成し、半導体膜の上方にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成し、半導体膜にソースまたはドレイン領域として機能する不純物領域を形成し、半導体膜およびゲート電極を覆うように第１の層間絶縁膜を形成し、第１の層間絶縁膜を選択的にエッチングすることによって、半導体膜の不純物領域に達する第２の開口部を形成し、第１の開口部の上方に設けられた第１の層間絶縁膜を除去することによって、第３の開口部を形成し、第２の開口部および第３の開口部に選択的に導電膜を形成し、第１の層間絶縁膜および導電膜を覆うように第２の層間絶縁膜を形成し、基板を他方の面から薄膜化することによって、第３の開口部に設けられた導電膜を露出させることを特徴としている。
【００１０】
また、本発明の半導体装置の他の作製方法として、一方の面から他方の面に貫通する第１の開口部が設けられた基板上に、一方の面および第１の開口部を覆うように下地膜として機能する絶縁膜を形成し、絶縁膜上に半導体膜を形成し、半導体膜の上方にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成し、半導体膜にソースまたはドレイン領域として機能する不純物領域を形成し、半導体膜およびゲート電極を覆うように第１の層間絶縁膜を形成し、第１の層間絶縁膜を選択的にエッチングすることによって、半導体膜の不純物領域に達する第２の開口部を形成し、第２の開口部に選択的に第１の導電膜を形成し、第１の開口部の上方に設けられた第１の層間絶縁膜を除去することによって、第３の開口部を形成し、第３の開口部に選択的に第２の導電膜を形成し、第１の層間絶縁膜、第１の導電膜および第２の導電膜を覆うように第２の層間絶縁膜を形成し、基板を他方の面から薄膜化することによって、第３の開口部に設けられた第２の導電膜を露出させることを特徴としている。
【００１１】
本発明の半導体装置は、一方の面から他方の面に貫通して設けられた開口部を有する基板と、基板の一方の面上および開口部に設けられた素子群とを有し、基板の他方の面において、開口部に設けられた素子群の少なくとも一部が露出し、基板が１μｍ以上１００μｍ以下であることを特徴としている。
【００１２】
また、本発明の半導体装置の他の構成は、一方の面から他方の面に貫通して設けられた開口部を有する基板と、基板の一方の面上に設けられたトランジスタと、開口部に設けられた導電膜とを有し、トランジスタと導電膜は電気的に接続され、基板の他方の面において、開口部に設けられた導電膜の少なくとも一部が露出し、基板の厚さが１μｍ以上１００μｍ以下であることを特徴としている。
【発明の効果】
【００１３】
本発明により、半導体素子が設けられた基板の反対側の面において、当該基板を介して半導体素子と電気的に接続することができるため、半導体素子のレイアウトの自由度が向上する。また、半導体素子を多層に接続させて積層することにより、半導体装置の小型化、高性能化を達成することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
本発明の実施の形態について、図面を用いて以下に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する本発明の構成において、同じものを指す符号は異なる図面間で共通して用い説明を省略する場合がある。
【００１５】
本発明の半導体装置の一例として、基板の一方（第１）の面（以下、「表面」とも記す）上に設けられた半導体素子を有し、当該半導体素子が基板を介して基板の他方（第２）の面（以下、「裏面」と記す）において電気的に接続可能な構造が挙げられる。具体的には、表面から裏面に貫通して設けられた開口部を有する基板の表面上にトランジスタ等の半導体素子を設け、当該開口部を介して半導体素子と基板の裏面側とで電気的に接続が可能となっている。
【００１６】
以下に、本発明の半導体装置の作製方法の一例に関して図面（図１、図２）を参照して説明する。なお、図２は、図１の斜視図に相当する。
【００１７】
まず、基板１０１を用意し、表面をフッ酸（ＨＦ）、アルカリまたは純水を用いて洗浄する（図１（Ａ））。
【００１８】
基板１０１としては、ガラス基板、石英基板、セラミック基板またはステンレスを含む金属基板等を用いる事ができる。また、Ｓｉ等の半導体基板を用いてもよい。他にもポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）に代表されるプラスチックやアクリル等の可撓性を有する合成樹脂からなる基板を用いることも可能である。また、このような基板であれば、その面積や形状、大きな制限が無いため、例えば、１辺が１メートル以上であって、矩形状のものを用いれば、生産性を格段に向上させることが可能となる。このような利点は円形のシリコン基板を用いる場合と比較すると、大きな優位点である。なお、基板の表面を、あらかじめ研磨処理を施して平坦化しておいても良い。
【００１９】
次に、基板１０１の一方の面に凹部１０２を形成する。凹部１０２は、基板１０１にエッチングやレーザ光の照射等を行うことによって、選択的に形成することができる（図１（Ｂ）、図２（Ａ））。なお、基板１０１の表面に凹部ではなく、基板１０１の一方の面（表面）から他方の面（裏面）に貫通する開口部を形成してもよい。
【００２０】
凹部１０２の形状（開口部を形成する場合は開口部の形状）はどのように設けてもよく、例えば、線状、円状または矩形状等に形成することができる。例えば、凹部１０２の寸法（開口部を形成する場合は開口部の寸法）として、深さを１μｍ以上〜１００μｍ以下、好ましくは２μｍ以上〜５０μｍ以下とし、幅を１０μｍ以上〜１０ｍｍ以下、好ましくは１００μｍ以上〜１ｍｍ以下に形成すると好ましい。なお、基板に形成する凹部または開口部において、深さ方向にテーパー状となるように形成してもよい。
【００２１】
次に、基板１０１の表面上に素子群１０３を形成する（図１（Ｃ）、図２（Ｂ））。なお、素子群１０３は、基板１０１に形成された凹部１０２にも少なくとも一部が充填されるように設ける。
【００２２】
素子群１０３としては、例えば、トランジスタやダイオード等の半導体素子から構成されている。トランジスタとしては、ガラス等の剛性を有する基板上に形成された半導体膜をチャネルとして利用する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、Ｓｉ等の半導体基板上に当該基板をチャネルとして利用する電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）または有機材料をチャネルとして利用する有機ＴＦＴ等で設けることができる。また、ダイオードとしては、可変容量ダイオード、ショットキーダイオードまたはトンネルダイオード等の各種ダイオードを適用することができる。本発明では、これらのトランジスタやダイオード等を用いることよって、ＣＰＵ、メモリ、マイクロプロセッサまたは温度センサー、湿度センサーまたはバイオセンサー等の各種センサー等のありとあらゆる集積回路を設けることができる。また、素子群１０３は、トランジスタ等の半導体素子に加えてアンテナを有する形態もとりうる。素子群１０３にアンテナを設けた半導体装置は、アンテナで発生した交流の電圧を用いて動作を行い、またアンテナに印加する交流の電圧を変調することによって、非接触で外部機器（リーダ／ライタ）とデータの送受信を行うことが可能となる。なお、アンテナは、トランジスタを有する集積回路とともに形成してもよいし、集積回路とは別個に形成した後に電気的に接続するように設けてもよい。
【００２３】
素子群１０３として、トランジスタを設ける場合、好適には、基板１０１の表面上（凹部１０２を除いた部分）にトランジスタを形成し、凹部１０２に当該トランジスタと電気的に接続した導電膜を形成する。
【００２４】
次に、基板１０１を薄膜手段１０４により薄膜化する（図１（Ｄ）、図２（Ｃ））。ここでは、基板１０１の薄膜化は、基板１０１の裏面から薄膜手段１０４により当該基板１０１の薄膜化を行い、凹部１０２に設けられた素子群１０３が露出するまで行う。
【００２５】
薄膜手段１０４としては、研削処理、研磨処理または化学処理によるエッチング等を用いることができる。研削処理は、砥石の粒子を用いて被処理物の表面（ここでは、基板１０１の他方の面）を削り取り平滑にする。研磨処理は、研磨布紙や研磨砥粒等の研磨材を用いて被処理物の表面を塑性的平滑作用または摩擦的みがき作用によって平滑にする。また、化学処理は、薬剤を用いて被処理物に化学エッチングを行う。なお、研磨処理としては、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）を用いてもよい。
【００２６】
例えば、基板１０１の他方の面に研削処理を行い、その後さらに基板１０１の他方の面に研磨処理を行うことによって基板１０１の薄膜化を行うことができる。また、研削処理、研磨処理の一方または両方を行った後に、化学処理を用いてさらにエッチングを行うことによって基板の薄膜化または除去を行ってもよい。基板１０１としてガラス基板を用いる場合には、化学処理として弗化水素酸を含む薬液を用いた化学エッチングを行うことができる。なお、基板１０１の薄膜化を行う場合には、得られる半導体装置が可撓性を有するように、薄膜化により残存する基板の厚さを１００μｍ以下、好ましくは５０μｍ以下、より好ましくは３０μｍ以下にするとよい。また、薄膜化により残存する基板は、半導体装置の耐性を保ち且つ外部からの不純物元素や水分等が半導体素子に侵入することを防ぐ保護膜として機能するため、基板の厚さを１μｍ以上、好ましくは２μｍ以上、より好ましくは４μｍ以上にするとよい。
【００２７】
また、研削処理、研磨処理または化学処理を用いたエッチングを行って基板１０１の薄膜化を行う場合、基板１０１と開口部に設けられた素子群１０３とにエッチングの選択比がある場合には、素子群１０３をストッパーとして用いることができる。例えば、基板１０１に形成された凹部１０２に素子群１０３の一部である導電膜を設ける場合、当該導電膜の材料を基板１０１に比べて物理的強度、化学的強度が高い物質で設けることにより、基板１０１の薄膜化において当該導電膜をストッパーとして利用することができる。
【００２８】
以上の工程を経て、本発明の半導体装置を作製することができる（図１（Ｅ）、図２（Ｄ））。なお、図１（Ｅ）で示す半導体装置は、基板１０１の薄膜化により得られた基板１０６と、当該基板１０６の一方の面上に形成された素子群１０３が設けられている。また、基板１０６には当該基板１０６を貫通して開口部１０５が設けられており、当該開口部１０５に素子群１０３の一部が充填されているため、素子群１０３の一部は、基板１０６の他方の面（裏面）において露出した状態となっている。そのため、本発明で示す半導体装置は、基板１０６の裏面側において基板を介して素子群１０３と電気的に接続することが可能となる。
【００２９】
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の半導体装置の作製方法の一例に関して図面を参照してより具体的に説明する。
【００３０】
まず、基板２０１の一方の表面からエッチングやレーザ光の照射等により、選択的に凹部２０２を形成する（図３（Ａ））。なお、基板２０１の表面に凹部ではなく、基板２０１の一方の面（表面）から他方の面（裏面）に貫通する開口部を形成してもよい。また、凹部２０２の形状（開口部を形成する場合は開口部の形状）はどのように設けてもよく、例えば、線状、円状または矩形状等に形成することができる。凹部２０２の寸法（開口部を形成する場合は開口部の寸法）として、深さを１μｍ以上１００μｍ以下、好ましくは２μ以上５０μｍ以下とし、幅を１０μｍ以上１０ｍｍ以下、好ましくは１００μｍ以上１ｍｍ以下に形成すると好ましい。なお、基板に形成する凹部または開口部において、深さ方向にテーパー状となるように形成してもよい。
【００３１】
次に、基板２０１上に下地膜として機能する絶縁膜２０３を形成し、当該絶縁膜２０３上に半導体膜２０４を形成する（図３（Ｂ））。なお、絶縁膜２０３および半導体膜２０４は、凹部２０２にも形成される。
【００３２】
絶縁膜２０３としては、ＣＶＤ法やスパッタ法等を用いて、酸化珪素（ＳｉＯｘ）膜、窒化珪素（ＳｉＮｘ）膜、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ）膜、窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ）（ｘ＞ｙ）膜等の酸素または窒素を有する絶縁膜の単層構造、またはこれらの積層構造で設けることができる。例えば、絶縁膜２０３を２層構造で設ける場合、１層目の絶縁膜として窒化酸化珪素膜で設け、２層目の絶縁膜として酸化窒化珪素膜を設けるとよい。また、絶縁膜２０３を３層構造で設ける場合、１層目の絶縁膜として酸化窒化珪素膜を設け、２層目の絶縁膜として窒化酸化珪素膜を設け、３層目の絶縁膜として酸化窒化珪素膜を設けるとよい。このように、下地膜として機能する絶縁膜２０３を形成することによって、基板２０１からＮａなどのアルカリ金属やアルカリ土類金属が、半導体膜２０４中に拡散し、半導体素子の特性に悪影響を及ぼすのを抑制することができる。
【００３３】
半導体膜２０４としては、非晶質（アモルファス）半導体またはセミアモルファス半導体（ＳＡＳ）で形成することができる。また多結晶半導体膜を用いていても良い。ＳＡＳは、非晶質と結晶構造（単結晶、多結晶を含む）の中間的な構造を有し、自由エネルギー的に安定な第３の状態を有する半導体であって、短距離秩序を持ち格子歪みを有する結晶質な領域を含んでいる。少なくとも膜中の一部の領域には、０．５〜２０ｎｍの結晶領域を観測することができ、珪素を主成分とする場合にはラマンスペクトルが５２０ｃｍ−１よりも低波数側にシフトしている。Ｘ線回折では珪素結晶格子に由来するとされる（１１１）、（２２０）の回折ピークが観測される。未結合手（ダングリングボンド）を終端するために水素またはハロゲンを少なくとも１原子％またはそれ以上含ませている。ＳＡＳは、珪素を含む気体をグロー放電分解（プラズマＣＶＤ）して形成する。珪素を含む気体としては、ＳｉＨ４、その他にもＳｉ２Ｈ６、ＳｉＨ２Ｃｌ２、ＳｉＨＣｌ３、ＳｉＣｌ４、ＳｉＦ４などを用いることが可能である。またＧｅＦ４を混合させても良い。この珪素を含む気体をＨ２、または、Ｈ２とＨｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｎｅから選ばれた一種または複数種の希ガス元素で希釈してもよい。希釈率は２〜１０００倍の範囲。圧力は概略０．１Ｐａ〜１３３Ｐａの範囲、電源周波数は１ＭＨｚ〜１２０ＭＨｚ、好ましくは１３ＭＨｚ〜６０ＭＨｚである。基板加熱温度は３００℃以下でよい。膜中の不純物元素として、酸素、窒素、炭素などの大気成分の不純物は１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下とすることが望ましく、特に、酸素濃度は５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、好ましくは１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下とする。ここでは、スパッタ法、ＣＶＤ法等を用いてシリコン（Ｓｉ）を主成分とする材料（例えばＳｉｘＧｅ１−ｘ等）で非晶質半導体膜を形成し、当該非晶質半導体膜をレーザ結晶化法、ＲＴＡ又はファーネスアニール炉を用いる熱結晶化法、結晶化を助長する金属元素を用いる熱結晶化法などの結晶化法により結晶化させる。また、他にも、ＤＣバイアスを印加して熱プラズマを発生することにより、当該熱プラズマを半導体膜に作用させることによって半導体膜の結晶化を行うことも可能である。
【００３４】
次に、半導体膜２０４を選択的にエッチングすることによって、島状の半導体膜２０６ａ〜２０６ｃを形成し、当該島状の半導体膜２０６ａ〜２０６ｃを覆うようにゲート絶縁膜２０７を形成する（図３（Ｃ））。
【００３５】
ゲート絶縁膜２０７としては、ＣＶＤ法やスパッタ法等により、酸化珪素（ＳｉＯｘ）膜、窒化珪素（ＳｉＮｘ）膜、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ）膜、窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ）（ｘ＞ｙ）膜等の酸素または窒素を有する絶縁膜の単層構造、またはこれらの積層構造で設けることができる。また、他にも島状の半導体膜２０６ａ〜２０６ｄに酸素雰囲気下（例えば、酸素（Ｏ２）と希ガス（Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅの少なくとも一つを含む）雰囲気下または酸素と水素（Ｈ２）と希ガス雰囲気下）または窒素雰囲気下（例えば、窒素（Ｎ２）と希ガス（Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅの少なくとも一つを含む）雰囲気下または窒素と水素と希ガス雰囲気下またはＮＨ３と希ガス雰囲気下）で高密度プラズマ処理で島状の半導体膜２０６ａ〜２０６ｃの表面を酸化処理または窒化処理することによって、ゲート絶縁膜を形成することもできる。高密度プラズマ処理により島状の半導体膜２０６ａ〜２０６ｃに酸化処理または窒化処理を行うことによって形成される酸化処理層または窒化処理層から形成されるゲート絶縁膜は、ＣＶＤ法やスパッタ法等により形成された絶縁膜と比較して膜厚等が均一性に優れ、且つ緻密な膜を有している。
【００３６】
次に、ゲート絶縁膜２０７上にゲート電極２０８ａ〜２０８ｃを選択的に形成した後、当該ゲート電極２０８ａ〜２０８ｃを覆うように絶縁膜２１０、絶縁膜２１１を形成することによって、薄膜トランジスタ２０５ａ〜２０５ｃを設ける（図３（Ｄ））。なお、ここでは、薄膜トランジスタ２０５ａ〜２０５ｃは、それぞれ半導体膜２０６ａ〜２０６ｃの一部をチャネル領域として利用し、ゲート電極２０８ａ〜２０８ｃの側面に接するようにそれぞれサイドウォール２０９ａ〜２０９ｃ（以下、「絶縁膜２０９ａ〜２０９ｃ」とも記す）が設けられている。また、ｎチャネル型の薄膜トランジスタ２０５ａ、２０５ｃでは、絶縁膜２０９ａ、２０９ｃの下方に位置する半導体膜２０６ａ、２０６ｃにＬＤＤ領域が設けられている。具体的には、ソースまたはドレイン領域とチャネル領域との間にＬＤＤ領域が形成されている。
【００３７】
ゲート電極２０８ａ〜２０８ｃとしては、ＣＶＤ法やスパッタ法等により、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、ニオブ（Ｎｂ）等から選択された元素またはこれらの元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料の単層構造または積層構造で設けることができる。また、リン等の不純物元素をドーピングした多結晶珪素に代表される半導体材料により形成することもできる。例えば、窒化タンタルとタングステンとの積層構造で設けることができる。
【００３８】
絶縁膜２０９ａ〜２０９ｃとしては、ＣＶＤ法やスパッタ法等により、酸化珪素（ＳｉＯｘ）膜、窒化珪素（ＳｉＮｘ）膜、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ）膜、窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ）（ｘ＞ｙ）膜等の酸素または窒素を有する絶縁膜やＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）等の炭素を含む膜の単層構造、またはこれらの積層構造で設けることができる。
【００３９】
絶縁膜２１０としては、ＣＶＤ法やスパッタ法等により、酸化珪素（ＳｉＯｘ）膜、窒化珪素（ＳｉＮｘ）膜、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ）膜、窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ）（ｘ＞ｙ）膜等の酸素または窒素を有する絶縁膜やＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）等の炭素を含む膜の単層構造、またはこれらの積層構造で設けることができる。
【００４０】
絶縁膜２１１としては、ＣＶＤ法やスパッタ法等により、酸化珪素（ＳｉＯｘ）膜、窒化珪素（ＳｉＮｘ）膜、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ）膜、窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ）（ｘ＞ｙ）膜等の酸素または窒素を有する絶縁膜やＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）等の炭素を含む膜、エポキシ、ポリイミド、ポリアミド、ポリビニルフェノール、ベンゾシクロブテン、アクリル等の有機材料またはシロキサン樹脂等のシロキサン材料からなる単層または積層構造で設けることができる。なお、シロキサン材料とは、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む材料に相当する。シロキサンは、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成される。置換基として、少なくとも水素を含む有機基（例えばアルキル基、芳香族炭化水素）が用いられる。置換基として、フルオロ基を用いることもできる。または置換基として、少なくとも水素を含む有機基と、フルオロ基とを用いてもよい。なお、図３における半導体装置において、絶縁膜２１０を設けずにゲート電極２０８ａ〜２０８ｃを覆うように絶縁膜２１１を直接設けることも可能である。
【００４１】
次に、絶縁膜２１１、絶縁膜２１０等を選択的に除去することにより、薄膜トランジスタ２０５ａ〜２０５ｃのソースまたはドレイン領域となる半導体膜２０６ａ〜２０６ｃの一部に達する開口部２１２ａ〜２１２ｆを形成する（図３（Ｅ））。
【００４２】
次に、凹部２０２の上方に形成された絶縁膜２１１等を選択的に除去することにより、基板２０１の表面に凹部が形成されるように開口部２１３を形成する（図４（Ａ））。なお、開口部２１３は基板２０１の表面に少なくとも凹部が形成されるように形成すればよく、絶縁膜２１１の一部を選択的に除去してもよいし、絶縁膜２１１、絶縁膜２１０および絶縁膜２０３を選択的に除去してもよい。また、ここでは、開口部２１２ａ〜２１２ｆを形成した後に開口部２１３を形成する例を示したが、開口部２１２ａ〜２１２ｆと同時に開口部２１３を形成してもよいし、開口部２１３を形成した後に開口部２１２ａ〜２１２ｆを形成することもできる。また、開口部２１２ａ〜２１２ｆを形成し、当該開口部２１２ａ〜２１２ｆに選択的に導電膜を形成した後に開口部２１３を形成することもできる。開口部２１２ａ〜２１２ｆまたは開口部２１３の形成方法としては、フォトリソグラフ工程を用いたエッチングにより形成してもよいし、レーザ光を照射して形成してもよい。
【００４３】
次に、開口部２１２ａ〜２１２ｆ、開口部２１３中に選択的に導電膜２１４を形成し、当該導電膜２１４を覆うように保護膜として機能する絶縁膜２１５を形成する（図４（Ｂ））。
【００４４】
導電膜２１４としては、ＣＶＤ法、スパッタ法、スクリーン印刷法、液滴吐出法またはディスペンサ法等により、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、マンガン（Ｍｎ）、ネオジウム（Ｎｄ）、炭素（Ｃ）から選ばれた一種の元素または当該元素を複数含む合金からなる単層構造または積層構造を用いることができる。例えば、当該元素を複数含む合金からなる導電膜として、例えばＣとＴｉを含有したＡｌ合金、Ｎｉを含有したＡｌ合金、ＣとＮｉを含有したＡｌ合金、ＣとＭｎを含有したＡｌ合金等を用いることができる。また、積層構造で設ける場合、例えば、ＡｌをＴｉで挟んで積層（Ｔｉ、Ａｌ、Ｔｉの積層）させることによって設けることができる。
【００４５】
また、開口部２１３が大きい場合や開口部２１３に設けられた導電膜２１４の段切れ等の接続不良が懸念される場合には、開口部２１３に導電膜２１４を設けた後に、再度開口部２１３に選択的に導電材料を設けることが好ましい。例えば、ＣＶＤ法やスパッタ法等を用いて開口部２１２ａ〜２１２ｆおよび開口部２１３に選択的に導電膜２１４を形成した後に、スクリーン印刷法、液滴吐出法またはディスペンサ法等を用いて開口部２１３に設けられた導電膜２１４上に導電材料１８６を設ける。ここでは、図５（Ａ）に示すように、スクリーン印刷法を用いて、メッシュ１８１上のペースト１８４をスキージ１８３により押して移動させながら、乳剤１８２に設けられた開口部１８５からペースト１８４を押し出すことによって、開口部２１３に導電材料１８６を形成する。他にも、開口部２１２ａ〜２１２ｆにＣＶＤ法やスパッタ法を用いて導電膜２１４を設けた後に、開口部２１３にスクリーン印刷法、液滴吐出法またはディスペンサ法等を用いて選択的に導電材料１８６を設けてもよい（図５（Ｂ））。このように、開口部２１３にスクリーン印刷法、液滴吐出法またはディスペンサ法等を用いて選択的に導電材料を形成することにより、開口部２１３の導電膜の段切れ等の防止や開口部２１３の底部まで導電材料を充填することが可能となる。
【００４６】
絶縁膜２１５としては、ＣＶＤ法やスパッタ法等により、酸化珪素（ＳｉＯｘ）膜、窒化珪素（ＳｉＮｘ）膜、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ）膜、窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ）（ｘ＞ｙ）膜等の酸素または窒素を有する絶縁膜やＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）等の炭素を含む膜、エポキシ、ポリイミド、ポリアミド、ポリビニルフェノール、ベンゾシクロブテン、アクリル等の有機材料やシロキサン樹脂等のシロキサン材料からなる単層または積層構造で設けることができる。
【００４７】
次に、基板２０１の他方の面（絶縁膜２０３が設けられた面と反対側の面）に研削処理、研磨処理または化学処理によるエッチング等を行うことにより基板２０１の薄膜化を行う（図４（Ｃ））。ここでは、研削手段２１６を用いて基板２０１の他方の面を研削する例を示している。また、研削処理後にさらに基板２０１の表面に研磨処理を行うことによって、基板２０１の他方の面の形状を均一化することができる。また、研削処理、研磨処理を行った後に、化学処理を用いてさらにエッチングを行うことによって基板の薄膜化を行ってもよい。
【００４８】
基板２０１の薄膜化は、開口部２１３に設けられた導電膜２１４、導電材料１８６の一方または両方が露出するまで行う（図４（Ｄ））。そのため、開口部２１３において、導電膜２１４の下方に絶縁膜２１０、絶縁膜２０３等がある場合には、基板２０１の薄膜化と同時に、絶縁膜２１０、絶縁膜２０３を研削処理、研磨処理または化学処理によるエッチング等により除去する。また、基板２０１としてガラス基板を用いる場合には、化学処理として弗化水素酸を含む薬液を用いた化学エッチングを行うことができる。なお、基板２０１の薄膜化を行う場合には、得られる半導体装置が可撓性を有するように、基板の厚さを１００μｍ以下、好ましくは５０μｍ以下、より好ましくは３０μｍ以下にするとよい。また、基板２０１は、半導体装置の耐性を保ち且つ外部からの不純物元素や水分等が半導体素子に侵入することを防ぐ保護膜として機能するため、基板の厚さを１μｍ以上、好ましくは２μｍ以上、より好ましくは４μｍ以上にするとよい。
【００４９】
以上の工程を経て、薄膜トランジスタが形成された基板の面とは反対側の面で、基板を介して当該薄膜トランジスタと電気的に接続可能な半導体装置を得ることができる。
【００５０】
なお、上記図３、図４では、基板上に薄膜トランジスタを形成した例を示したが、薄膜トランジスタの他にも、Ｓｉ等の半導体基板上に当該基板をチャネルとして利用する電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）または有機材料をチャネルとして利用する有機ＴＦＴ等で設けることができる。
【００５１】
また、本発明の半導体装置に含まれる薄膜トランジスタの構造は上述した構造に限られない。例えば、上記図３（Ｄ）では、ｎチャネル型の薄膜トランジスタ２０５ａ、２０５ｃの側面にそれぞれ形成された絶縁膜２０９ａ、２０９ｃの下方に位置する半導体膜２０６ａ、２０６ｃにＬＤＤ領域を設け、ｐチャネル型の薄膜トランジスタ２０５ｂにはＬＤＤ領域を設けていないが、両方にＬＤＤ領域を設けた構成としてもよいし、両方にＬＤＤ領域およびサイドウォールを設けない構造（図６（Ａ））とすることもできる。また、薄膜トランジスタの構造として上述した構造に限られず、チャネル形成領域が１つ形成されるシングルゲート構造でもよいし、２つ形成されるダブルゲート構造または３つ形成されるトリプルゲート構造等のマルチゲート構造を用いることができる。また、ボトムゲート構造としてもよいし、チャネル形成領域の上下にゲート絶縁膜を介して配置された２つのゲート電極を有するデュアルゲート型としてもよい。また、ゲート電極を第１の導電膜２１７ａ〜２１７ｃと当該第１の導電膜２１７ａ〜２１７ｃ上に設けられる第２の導電膜２１８ａ〜２１８ｃとの積層構造で形成する場合、当該第１の導電膜２１７ａ〜２１７ｃをテーパー状で形成し、第１の導電膜２１７ａ〜２１７ｃに重なり第２の導電膜２１８ａ〜２１８ｃには重ならないようにＬＤＤ領域を形成する構造（図６（Ｂ））とすることもできる。また、ゲート電極を第１の導電膜２１７ａ〜２１７ｃと当該第１の導電膜２１７ａ〜２１７ｃ上に設けられる第２の導電膜２１８ａ〜２１８ｃとの積層構造で形成する場合、第２の導電膜２１８ａ〜２１８ｃの側面に接し且つ第１の導電膜２１７ａ〜２１７ｃの上方にサイドウォールを形成する構造（図６（Ｃ））とすることも可能である。また、上記構成において、半導体膜のソースまたはドレイン領域として機能する不純物領域をＮｉ、Ｃｏ、Ｗ、Ｍｏ等のシリサイドで設けることも可能である。
【００５２】
なお、本実施の形態において示した構成は、組み合わせて利用することができる。つまり、図３〜図６で示した材料や作製方法等は自由に組み合わせて行うことができる。
【００５３】
（実施の形態２）
本実施の形態では、上記実施の形態で示した半導体装置の作製方法と異なる作製方法に関して図面を参照して説明する。
【００５４】
まず、基板２０１の一方の表面上に下地膜として機能する絶縁膜２０３を介して半導体膜２０４を形成する（図７（Ａ））。
【００５５】
次に、半導体膜２０４をチャネル領域として利用する薄膜トランジスタ２０５ａ〜２０５ｃを形成し、当該薄膜トランジスタ２０５ａ〜２０５ｃを覆うように絶縁膜２１０、絶縁膜２１１を形成する（図７（Ｂ））。
【００５６】
次に、絶縁膜２１１、絶縁膜２１０等を選択的に除去することにより、薄膜トランジスタ２０５ａ〜２０５ｃのソースまたはドレイン領域となる半導体膜２０６ａ〜２０６ｃの一部に達する開口部２１２ａ〜２１２ｆを形成する（図７（Ｃ））。
【００５７】
次に、絶縁膜２０３、絶縁膜２１０、絶縁膜２１１および基板２０１等を選択的に除去することにより、基板２０１の表面に凹部が形成されるように開口部２１３を形成する（図７（Ｄ））。なお、開口部２１３は、開口部２１２ａ〜開口部２１２ｆの形成前に設けてもよい。
【００５８】
その後、上記実施の形態で示した方法を用いて、導電膜２１４および絶縁膜２１５を形成した後に基板２０１を薄膜化することによって、薄膜トランジスタが形成された基板の面とは反対側の面で当該薄膜トランジスタと電気的に接続可能な半導体装置を得ることができる（図７（Ｅ））。なお、導電膜２１４は、図７（Ｄ）で形成された基板の凹部の表面に接するように形成する。
【００５９】
つまり、図７に示した半導体装置の作製方法では、開口部２１２ａ〜２１２ｆの形成前または形成後に基板２０１の表面に凹部が形成されるように開口部を形成する。そのため、上記実施の形態１に示した方法と比較して工程を簡略化できるといった利点を有している。
【００６０】
また、本実施の形態の他の構成として、基板２０１を貫通させるように開口部を形成してもよい。この場合の作製方法の一例に関して図８を用いて以下に説明する。
【００６１】
まず、図７（Ｃ）と同様に基板２０１上に薄膜トランジスタ２０５ａ〜２０５ｃおよび開口部２１２ａ〜２１２ｆを形成し、ＣＶＤ法またはスパッタ法等を用いて導電膜２１４を形成する（図８（Ａ））。
【００６２】
次に、絶縁膜２０３、絶縁膜２１０、絶縁膜２１１および基板２０１等を選択的に除去することにより、基板２０１が貫通するように開口部２１３を形成する（図８（Ｂ））。開口部２１３は、開口部２１２ａ〜２１２ｆを形成する前に設けてもよいし、開口部２１２ａ〜２１２ｆに導電膜２１４を形成する前に設けてもよい。
【００６３】
次に、開口部２１３に導電材料１８６を形成する（図８（Ｃ））。ここでは、スクリーン印刷法を用いて開口部２１３に導電材料１８６を選択的に設けた例を示しているが、上述したように導電膜２１４と同時に設けてもよいし、導電膜２１４を設けた後に導電材料１８６を積層させて設けることも可能である。また、開口部２１３に設ける導電膜は、絶縁膜２０３より下方に設ければよく、開口部２１３を全て充填させてもよいし、一部を充填させるように設けてもよい。つまり、開口部２１３における基板２０１の表面と接するように導電膜を設ければよい。
【００６４】
その後、上記実施の形態で示したように、基板２０１の他方の面（裏面）から研削処理、研磨処理、化学処理によるエッチング等を行うことによって、基板２０１を薄膜化し、開口部に設けられた導電膜（ここでは導電材料１８６）を露出させる。以上の工程を経て、基板の裏面側において基板を介して基板の表面に形成された薄膜トランジスタ等の半導体素子と電気的に接続可能な半導体装置を得ることができる（図８（Ｄ））。
【００６５】
なお、本実施の形態は上記実施の形態と自由に組み合わせて行うことができる。つまり、上記実施の形態で示した材料や作製方法は、本実施の形態でも組み合わせて利用することができるし、本実施の形態で示した材料や形成方法も上記実施の形態でも組み合わせて利用することができる。
【００６６】
（実施の形態３）
本発明の半導体装置は、上記実施の形態で示した作製方法を用いることにより、基板の一方の面に半導体素子が設けられ、当該半導体素子と基板の裏面側とで電気的に接続が可能となっている。以下に、本発明の半導体装置の使用形態に関して説明する。
【００６７】
まず、複数の機能が集積された半導体装置の使用形態に関して図１０を参照して説明する。
【００６８】
図１０（Ａ）に示す半導体装置は、導電膜３０２が設けられた基板３０１上に上記実施の形態で示したいずれかの構造を有する半導体装置３０３が接着されることにより設けられている。ここでは、複数の半導体装置３０３ａ〜３０３ｄが導電膜３０２と電気的に接続するように基板３０１上に設けられている。基板３０１と半導体装置３０３ａ〜３０３ｄとの接着は、接着性を有する樹脂３１２により行い、半導体装置３０３ａ〜３０３ｄと導電膜３０２との電気的な接続は、接着性を有する樹脂３１２に含まれた導電性粒子３１１を介して行うことができる。また、他にも、半導体装置３０３ａ〜３０３ｄと導電膜３０２との電気的な接続を、銀ペースト、銅ペーストまたはカーボンペースト等の導電性接着剤、ＡＣＰ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｐａｓｔｅ）等の異方性導電性接着剤、ＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ）等の導電性フィルムや半田接合等を用いて行うこともできる。
【００６９】
半導体装置３０３ａ〜３０３ｄと導電膜３０２との電気的な接続は、図１０（Ｂ）に示すように、基板３０１に設けられた開口部を介して、基板３０１の裏面（薄膜トランジスタ等の半導体素子が設けられた面の反対側の面）に露出した導電膜２１４と導電膜３０２とが導電性粒子３１１を介して行われている。半導体装置３０３ａ〜３０３ｄの各々は、中央処理ユニット（ＣＰＵ、Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）、メモリ、ネットワーク処理回路、ディスク処理回路、画像処理回路、音声処理回路、電源回路、温度センサー、湿度センサー、赤外線センサー等から選択された１つまたは複数として機能する。
【００７０】
また、本実施の形態では、複数の半導体装置３０３を多層に設けることも可能である。この場合も、半導体装置の基板３０１の裏面に設けられた導電膜２１４と薄膜トランジスタ等の半導体素子とを電気的に接続することにより多層に設けることができる（図１０（Ｃ））。このように、複数の半導体装置を多層に設けることによって、複数の半導体装置を電気的に接続して設ける場合であっても、高集積化、小型化が可能となる。
【００７１】
また、本発明の半導体装置は、非接触でデータの送受信が可能な半導体装置（ＲＦＩＤ（Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ  Ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）タグ、ＩＤタグ、ＩＣタグ、ＩＣチップ、ＲＦ（Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）タグ、無線タグ、電子タグ、無線チップともよばれる）への適用が可能である。
【００７２】
上記図４で示した作製方法において、基板２０１を薄膜化する前（図４（Ｂ））に、絶縁膜２１５上にトランジスタ２０５ａ〜２０５ｃの少なくとも一つと電気的に接続するようにアンテナとして機能する導電膜２１９を形成する。そして、当該導電膜２１９を覆うように保護膜として機能する絶縁膜２２３を形成し、続けて基板２０１を薄膜化または除去することによって、可撓性を有し非接触でデータの送受信が可能な半導体装置を作製することができる（図１１（Ａ））。
【００７３】
導電膜２１９としては、ＣＶＤ法、スパッタ法、スクリーン印刷やグラビア印刷等の印刷法、液滴吐出法、ディスペンサ法等を用いて、導電性材料により形成する。導電性材料は、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）から選択された元素、又はこれらの元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料で、単層構造又は積層構造で形成する。
【００７４】
絶縁膜２２３としては、ＣＶＤ法やスパッタ法等により、酸化珪素（ＳｉＯｘ）膜、窒化珪素（ＳｉＮｘ）膜、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ）膜、窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ）（ｘ＞ｙ）膜等の酸素または窒素を有する絶縁膜やＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）等の炭素を含む膜の単層または積層構造で形成することができる。また、スピンコート法、スクリーン印刷法、液滴吐出法等により、エポキシ、ポリイミド、ポリアミド、ポリビニルフェノール、ベンゾシクロブテン、アクリル等の有機材料やシロキサン樹脂等のシロキサン材料からなる単層または積層構造で設けることができる。
【００７５】
なお、アンテナとして機能する導電膜２１９は、他にも、半導体素子とは別個に形成した後に電気的に接続するように設けることもできる。例えば、上記図４で示した作製方法において、基板２０１を薄膜化する前（図４（Ｂ））に、基板２２１に設けられたアンテナとして機能する導電膜２１９と基板２０１上に設けられたトランジスタ等の半導体素子とを電気的に接続するように貼り合わせ、続けて基板２０１を薄膜化または除去することによって、可撓性を有し、非接触でデータの送受信が可能な半導体装置を作製することができる（図１１（Ｂ））。
【００７６】
基板２２１としては、あらかじめプラスチック等の可撓性を有する材料を用いてもよいし、基板２０１と基板２２１を貼り合わせた後に両方の基板の薄膜化または除去を行うことも可能であり、この場合基板２０１と同様の材料を用いることができる。また、アンテナとして機能する導電膜２１９が設けられた基板２２１からなる層２３５ａと基板２０１上に設けられたトランジスタ等の半導体素子からなる層２３５ｂとの接着は、接着性を有する樹脂３１２により行い、導電膜２１４とアンテナとして機能する導電膜２１９との電気的な接続は、接着性を有する樹脂３１２に含まれた導電性粒子３１１を介して行うことができる。また、他にも、導電膜２１４とアンテナとして機能する導電膜２１９との電気的な接続を、銀ペースト、銅ペーストまたはカーボンペースト等の導電性接着剤、ＡＣＰ等の導電性を有する接着剤、ＡＣＦ等の導電性を有するフィルムや半田接合等を用いて行うこともできる。
【００７７】
また、アンテナとして機能する導電膜２１９を半導体素子とは別個に形成した後に電気的に接続する場合、基板２０１の裏面に設けられた導電膜２１４と電気的に接続することも可能である（図１１（Ｃ））。このように基板２０１の裏面側を用いてアンテナとして機能する導電膜２１９とトランジスタ等の半導体素子を電気的に接続することにより、半導体素子の上方に記憶素子やセンサー素子を設けることができる。ここでは、第１の導電膜２３１、素子２３２および第２の導電膜２３３の積層構造で形成される記憶素子部２３０を設けた例を示している。素子２３２としては、電気的作用、光学的作用または熱的作用等により、その性質や状態が変化する材料を用いることができる。例えば、ジュール熱による溶融、絶縁破壊等によりその性質や状態が変化し、下部電極と上部電極とが短絡（ショート）することができる材料を用いればよい。そのため素子２３２に用いる層の厚さは、５ｎｍ〜１００ｎｍ、好ましくは１０ｎｍ〜６０ｎｍとするとよい。
【００７８】
素子２３２として、例えば、有機化合物層を用いることができる。有機化合物層は、液滴吐出法、スピンコート法または蒸着法等により形成する。有機化合物層に用いる有機材料としては、例えば、４、４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ］−ビフェニル（略称：α−ＮＰＤ）や４，４’−ビス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニル−アミノ］−ビフェニル（略称：ＴＰＤ）や４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニル−アミノ）−トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニル−アミノ］−トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）や４，４’−ビス（Ｎ−（４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｍ−トリルアミノ）フェニル）−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）などの芳香族アミン系（即ち、ベンゼン環−窒素の結合を有する）の化合物、ポリビニルカルバゾール（略称：ＰＶＫ）やフタロシアニン（略称：Ｈ２Ｐｃ）、銅フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）、バナジルフタロシアニン（略称：ＶＯＰｃ）等のフタロシアニン化合物等を用いることができる。これら材料は、正孔輸送性の高い物質である。
【００７９】
また、他にも有機材料として、例えばトリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ３）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］−キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）−４−フェニルフェノラト−アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）等キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等からなる材料や、ビス［２−（２’−ヒドロキシフェニル）ベンゾオキサゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＯＸ）２）、ビス［２−（２’−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ）２）などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体などの材料も用いることができる。これら材料は、電子輸送性が高い物質である。
【００８０】
さらに、金属錯体以外にも、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３−ビス［５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−フェニル−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−（４−エチルフェニル）−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ｐ−ＥｔＴＡＺ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）等の化合物等を用いることができる。
【００８１】
また、有機化合物層は、単層構造であっても、積層構造であってもよい。積層構造の場合、上記材料から選んで積層構造とすることができる。また上記有機材料と、発光材料とを積層してもよい。発光材料として、４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−［２−（１，１，７，７−テトラメチルジュロリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン（略称：ＤＣＪＴ）、４−（ジシアノメチレン）−２−ｔ−ブチル−６−［２−（１，１，７，７−テトラメチルジュロリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン、ペリフランテン、１，４−ビス［２−（１０−メトキシ）−（１，１，７，７−テトラメチルジュロリジン−９−イル）エテニル］―２，５−ジシアノベンゼン、Ｎ，Ｎ’−ジメチルキナクリドン（略称：ＤＭＱｄ）、クマリン６、クマリン５４５Ｔ、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ３）、９，９’−ビアントリル、９，１０−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡ）や９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、２，５，８，１１−テトラ−ｔ−ブチルペリレン（略称：ＴＢＰ）等がある。
【００８２】
また、上記発光材料を分散してなる層を用いてもよい。発光材料を分散してなる層において、母体となる材料としては、９，１０−ジ（２−ナフチル）−２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）等のアントラセン誘導体、４，４’−ビス（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）等のカルバゾール誘導体、ビス［２−（２’−ヒドロキシフェニル）ピリジナト］亜鉛（略称：Ｚｎｐｐ２）、ビス［２−（２’−ヒドロキシフェニル）ベンゾオキサゾラト］亜鉛（略称：ＺｎＢＯＸ）などの金属錯体等を用いることができる。また、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ３）、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）−４−フェニルフェノラト−アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）等を用いることができる。
【００８３】
このような有機材料は、熱的作用等によりその性質を変化させるため、ガラス転移温度（Ｔｇ）が５０℃から３００℃、好ましくは８０℃から１２０℃であるとよい。
【００８４】
また、有機材料や発光材料に金属酸化物を混在させた材料を用いてもよい。なお金属酸化物を混在させた材料とは、上記有機材料または発光材料と、金属酸化物とが混合した状態、または積層された状態を含む。具体的には複数の蒸着源を用いた共蒸着法により形成された状態を指す。このような材料を有機無機複合材料と呼ぶことができる。
【００８５】
例えば、正孔輸送性の高い物質と、金属酸化物を混在させる場合、当該金属酸化物にはバナジウム酸化物、モリブデン酸化物、ニオブ酸化物、レニウム酸化物、タングステン酸化物、ルテニウム酸化物、チタン酸化物、クロム酸化物、ジルコニウム酸化物、ハフニウム酸化物、タンタル酸化物を用いると好ましい。
【００８６】
また、電子輸送性の高い物質と、金属酸化物を混在させる場合、当該金属酸化物にはリチウム酸化物、カルシウム酸化物、ナトリウム酸化物、カリウム酸化物、マグネシウム酸化物を用いると好ましい。
【００８７】
有機化合物層には、電気的作用、光学的作用又は熱的作用により、その性質が変化する材料を用いればよいため、例えば光を吸収することによって酸を発生する化合物（光酸発生剤）をドープした共役高分子を用いることもできる。共役高分子として、ポリアセチレン類、ポリフェニレンビニレン類、ポリチオフェン類、ポリアニリン類、ポリフェニレンエチニレン類等を用いることができる。また、光酸発生剤としては、アリールスルホニウム塩、アリールヨードニウム塩、ｏ−ニトロベンジルトシレート、アリールスルホン酸ｐ−ニトロベンジルエステル、スルホニルアセトフェノン類、Ｆｅ−アレン錯体ＰＦ６塩等を用いることができる。
【００８８】
なお、ここでは、素子２３２として、有機化合物材料を用いた例を示したが、これに限られない。例えば、結晶状態と非晶質状態の間で可逆的に変化する材料や第１の結晶状態と第２の結晶状態の間で可逆的に変化する材料等の相変化材料を用いることができる。また、非晶質状態から結晶状態にのみ変化する材料を用いることも可能である。
【００８９】
結晶状態と非晶質状態の間で可逆的に変化する材料とは、ゲルマニウム（Ｇｅ）、テルル（Ｔｅ）、アンチモン（Ｓｂ）、硫黄（Ｓ）、酸化テルル（ＴｅＯｘ）、Ｓｎ（スズ）、金（Ａｕ）、ガリウム（Ｇａ）、セレン（Ｓｅ）、インジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）、Ｃｏ（コバルト）及び銀（Ａｇ）から選択された複数を有する材料であり、例えば、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ−Ｓ、Ｔｅ−ＴｅＯ２−Ｇｅ−Ｓｎ、Ｔｅ−Ｇｅ−Ｓｎ−Ａｕ、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｎ、Ｓｎ−Ｓｅ−Ｔｅ、Ｓｂ−Ｓｅ−Ｔｅ、Ｓｂ−Ｓｅ、Ｇａ−Ｓｅ−Ｔｅ、Ｇａ−Ｓｅ−Ｔｅ−Ｇｅ、Ｉｎ−Ｓｅ、Ｉｎ−Ｓｅ−Ｔｌ−Ｃｏ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｉｎ−Ｓｅ−Ｔｅ、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料が挙げられる。また、第１の結晶状態と第２の結晶状態の間で可逆的に変化する材料とは、銀（Ａｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、インジウム（Ｉｎ）、アンチモン（Ｓｂ）、セレン（Ｓｅ）及びテルル（Ｔｅ）から選択された複数を有する材料であり、例えば、Ａｇ−Ｚｎ、Ｃｕ−Ａｌ−Ｎｉ、Ｉｎ−Ｓｂ、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｓｅ、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅが挙げられる。この材料の場合、相変化は２つの異なる結晶状態の間で行われる。また、非晶質状態から結晶状態にのみ変化する材料とは、テルル（Ｔｅ）、酸化テルル（ＴｅＯｘ）、アンチモン（Ｓｂ）、セレン（Ｓｅ）及びビスマス（Ｂｉ）から選択された複数を有する材料であり、例えば、Ｔｅ−ＴｅＯ２、Ｔｅ−ＴｅＯ２−Ｐｄ、Ｓｂ２Ｓｅ３／Ｂｉ２Ｔｅ３が挙げられる。
【００９０】
第１の導電膜２３１、第２の導電膜２３３としては、ＣＶＤ法、スパッタ法、スクリーン印刷法、液滴吐出法またはディスペンサ法等により、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、マンガン（Ｍｎ）、ネオジウム（Ｎｄ）、炭素（Ｃ）から選ばれた一種の元素または当該元素を複数含む合金からなる単層構造または積層構造を用いることができる。他にも、インジウム錫酸化物膜（ＩＴＯ膜）、珪素を含有したインジウム錫酸化物膜、酸化亜鉛（ＺｎＯ）膜、窒化チタン膜、クロム膜、タングステン膜、Ｚｎ膜、Ｐｔ膜などの単層膜の他、窒化チタンとアルミニウムを主成分とする膜との積層、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜と窒化チタン膜との３層構造等を用いることができる。なお、積層構造とすると、配線としての抵抗も低くすることができる。
【００９１】
次に、ＩＣカードとして機能する半導体装置の使用形態に関して説明する（図１２）。
【００９２】
基板３２１上には、半導体装置３２３が接着されて設けられている。具体的には、半導体装置３２３に含まれる半導体素子と基板３２１上に設けられたアンテナとして機能する導電膜３２２が、電気的に接続されることによって設けられている（図１２（Ａ））。
【００９３】
半導体素子とアンテナとして機能する導電膜３２２との電気的な接続は、半導体素子が設けられた基板の裏面（半導体素子が設けられた面と反対側の面）に位置する導電材料１８６と電気的に接続することにより行われる（図１２（Ｃ）、（Ｄ））。ここでは、基板２０１上に設けられた薄膜トランジスタ３３５に電気的に接続された導電材料１８６とアンテナとして機能する導電膜３２２とを基板２０１の裏面側において、導電性粒子３１１を介して電気的に接続することができる（図１２（Ｃ））。半導体素子に設けるトランジスタは、薄膜トランジスタに限られず、他にも、Ｓｉ等の半導体基板３３１上に当該半導体基板３３１をチャネル領域として利用するトランジスタ３３６に電気的に接続された導電材料１８６とアンテナとして機能する導電膜３２２とを半導体基板３３１の裏面側において、導電性粒子３１１を介して電気的に接続することができる（図１２（Ｄ））。
【００９４】
また、基板３２１としてプラスチック等の可撓性を有する基板を用いることにより、ＩＣカードとして機能する半導体装置も湾曲させることができるため、付加価値を付けたＩＣカードを提供することができる（図１２（Ｂ））。
【００９５】
次に、非接触でデータのやりとりが可能である半導体装置の動作に関して図面を参照して以下に説明する。
【００９６】
半導体装置８０は、非接触でデータを交信する機能を有し、高周波回路８１、電源回路８２、リセット回路８３、クロック発生回路８４、データ復調回路８５、データ変調回路８６、他の回路の制御を行う制御回路８７、記憶回路８８およびアンテナ８９を有している（図１３（Ａ））。高周波回路８１はアンテナ８９より信号を受信して、データ変調回路８６より受信した信号をアンテナ８９から出力する回路であり、電源回路８２は受信信号から電源電位を生成する回路であり、リセット回路８３はリセット信号を生成する回路であり、クロック発生回路８４はアンテナ８９から入力された受信信号を基に各種クロック信号を生成する回路であり、データ復調回路８５は受信信号を復調して制御回路８７に出力する回路であり、データ変調回路８６は制御回路８７から受信した信号を変調する回路である。また、制御回路８７としては、例えばコード抽出回路９１、コード判定回路９２、ＣＲＣ判定回路９３および出力ユニット回路９４が設けられている。なお、コード抽出回路９１は制御回路８７に送られてきた命令に含まれる複数のコードをそれぞれ抽出する回路であり、コード判定回路９２は抽出されたコードとリファレンスに相当するコードとを比較して命令の内容を判定する回路であり、ＣＲＣ回路は判定されたコードに基づいて送信エラー等の有無を検出する回路である。
【００９７】
また、記憶回路としては１つに限定されず、複数設けてもよく、ＳＲＡＭ、フラッシュメモリ、ＲＯＭまたはＦｅＲＡＭ等や有機化合物層を記憶素子部に用いたものを用いることができる。
【００９８】
次に、本発明の非接触でデータの交信が可能な半導体装置の動作の一例について説明する。まず、アンテナ８９により無線信号が受信される。無線信号は高周波回路８１を介して電源回路８２に送られ、高電源電位（以下、ＶＤＤと記す）が生成される。ＶＤＤは半導体装置８０が有する各回路に供給される。また、高周波回路８１を介してデータ復調回路８５に送られた信号は復調される（以下、復調信号）。さらに、高周波回路８１を介してリセット回路８３およびクロック発生回路８４を通った信号及び復調信号は制御回路８７に送られる。制御回路８７に送られた信号は、コード抽出回路９１、コード判定回路９２およびＣＲＣ判定回路９３等によって解析される。そして、解析された信号にしたがって、記憶回路８８内に記憶されている半導体装置の情報が出力される。出力された半導体装置の情報は出力ユニット回路９４を通って符号化される。さらに、符号化された半導体装置８０の情報はデータ変調回路８６を通って、アンテナ８９により無線信号に載せて送信される。なお、半導体装置８０を構成する複数の回路においては、低電源電位（以下、ＶＳＳ）は共通であり、ＶＳＳはＧＮＤとすることができる。
【００９９】
このように、リーダ／ライタから半導体装置８０に信号を送り、当該半導体装置８０から送られてきた信号をリーダ／ライタで受信することによって、半導体装置のデータを読み取ることが可能となる。
【０１００】
また、半導体装置８０は、各回路への電源電圧の供給を電源（バッテリー）を搭載せず電磁波により行うタイプとしてもよいし、電源（バッテリー）を搭載して電磁波と電源（バッテリー）により各回路に電源電圧を供給するタイプとしてもよい。
【０１０１】
上記実施の形態で示した構成を用いることによって、折り曲げることが可能な半導体装置を作製することが可能となるため、曲面を有する物体に貼り付けて設けることが可能となる。
【０１０２】
次に、可撓性を有する非接触でデータのやりとりが可能な半導体装置の使用形態の一例について説明する。表示部３２１０を含む携帯端末の側面には、リーダ／ライタ３２００が設けられ、品物３２２０の側面には半導体装置３２３０が設けられる（図１３（Ｂ））。品物３２２０が含む半導体装置３２３０にリーダ／ライタ３２００をかざすと、表示部３２１０に品物の原材料や原産地、生産工程ごとの検査結果や流通過程の履歴等、更に商品の説明等の商品に関する情報が表示される。また、商品３２６０をベルトコンベアにより搬送する際に、リーダ／ライタ３２４０と、商品３２６０に設けられた半導体装置３２５０を用いて、該商品３２６０の検品を行うことができる（図１３（Ｃ））。このように、システムに半導体装置を活用することで、情報の取得を簡単に行うことができ、高機能化と高付加価値化を実現する。また、上記実施の形態で示したように、曲面を有する物体に貼り付けた場合であっても、半導体装置に含まれるトランジスタ等の損傷を防止し、信頼性の高い半導体装置を提供することが可能となる。
【０１０３】
また、上述した非接触データのやりとりが可能である半導体装置における信号の伝送方式は、電磁結合方式、電磁誘導方式またはマイクロ波方式等を用いることができる。伝送方式は、実施者が使用用途を考慮して適宜選択すればよく、伝送方式に伴って最適なアンテナを設ければよい。
【０１０４】
例えば、半導体装置における信号の伝送方式として、電磁結合方式または電磁誘導方式（例えば１３．５６ＭＨｚ帯）を適用する場合には、磁界密度の変化による電磁誘導を利用するため、アンテナとして機能する導電膜を輪状（例えば、ループアンテナ）、らせん状（例えば、スパイラルアンテナ）に形成する。
【０１０５】
また、半導体装置における信号の伝送方式として、マイクロ波方式（例えば、ＵＨＦ帯（８６０〜９６０ＭＨｚ帯）、２．４５ＧＨｚ帯等）を適用する場合には、信号の伝送に用いる電磁波の波長を考慮してアンテナとして機能する導電層の長さ等の形状を適宜設定すればよく、例えば、アンテナとして機能する導電膜を線状（例えば、ダイポールアンテナ（図２０（Ａ）））、平坦な形状（例えば、パッチアンテナ（図２０（Ｂ）））またはリボン型の形状（図２０（Ｃ）、（Ｄ））等に形成することができる。また、アンテナとして機能する導電膜の形状は線状に限られず、電磁波の波長を考慮して曲線状や蛇行形状またはこれらを組み合わせた形状で設けてもよい。
【０１０６】
アンテナとして機能する導電膜は、ＣＶＤ法、スパッタ法、スクリーン印刷やグラビア印刷等の印刷法、液滴吐出法、ディスペンサ法、メッキ法等を用いて、導電性材料により形成する。導電性材料は、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）ニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）から選択された元素、又はこれらの元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料で、単層構造又は積層構造で形成する。
【０１０７】
例えば、スクリーン印刷法を用いてアンテナとして機能する導電膜を形成する場合には、粒径が数ｎｍから数十μｍの導電体粒子を有機樹脂に溶解または分散させた導電性のペーストを選択的に印刷することによって設けることができる。導電体粒子としては、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）およびチタン（Ｔｉ）等のいずれか一つ以上の金属粒子やハロゲン化銀の微粒子、または分散性ナノ粒子を用いることができる。また、導電性ペーストに含まれる有機樹脂は、金属粒子のバインダー、溶媒、分散剤および被覆材として機能する有機樹脂から選ばれた一つまたは複数を用いることができる。代表的には、エポキシ樹脂、珪素樹脂等の有機樹脂が挙げられる。また、導電膜の形成にあたり、導電性のペーストを押し出した後に焼成することが好ましい。例えば、導電性のペーストの材料として、銀を主成分とする微粒子（例えば粒径１ｎｍ以上１００ｎｍ以下）を用いる場合、１５０〜３００℃の温度範囲で焼成することにより硬化させて導電膜を得ることができる。また、はんだや鉛フリーのはんだを主成分とする微粒子を用いてもよく、この場合は粒径２０μｍ以下の微粒子を用いることが好ましい。はんだや鉛フリーはんだは、低コストであるといった利点を有している。
【０１０８】
また、上述した材料以外にも、セラミックやフェライト等をアンテナに適用してもよいし、他にもマイクロ波帯において誘電率および透磁率が負となる材料（メタマテリアル）をアンテナに適用することも可能である。
【０１０９】
また、電磁結合方式または電磁誘導方式を適用する場合であって、アンテナを備えた半導体装置を金属に接して設ける場合には、当該半導体装置と金属との間に透磁率を備えた磁性材料を設けることが好ましい。アンテナを備えた半導体装置を金属に接して設ける場合には、磁界の変化に伴い金属に渦電流が流れ、当該渦電流により発生する反磁界によって、磁界の変化が弱められて通信距離が低下する。そのため、半導体装置と金属との間に透磁率を備えた材料を設けることにより金属の渦電流を抑制し通信距離の低下を抑制することができる。なお、磁性材料としては、高い透磁率を有し高周波損失の少ないフェライトや金属薄膜を用いることができる。
【０１１０】
また、アンテナを設ける場合には、１枚の基板上にトランジスタ等の半導体素子とアンテナとして機能する導電膜を直接作り込んで設けてもよいし、半導体素子とアンテナとして機能する導電膜を別々の基板上に設けた後に、電気的に接続するように貼り合わせることによって設けてもよい。
【０１１１】
なお、上述した以外にも可撓性を有する半導体装置の使用形態は広範にわたり、非接触で対象物の履歴等の情報を明確にし、生産・管理等に役立てる商品であればどのようなものにも適用することができる。例えば、紙幣、硬貨、有価証券類、証書類、無記名債券類、包装用容器類、書籍類、記録媒体、身の回り品、乗物類、食品類、衣類、保健用品類、生活用品類、薬品類及び電子機器等に設けて使用することができる。これらの例に関して図１４を用いて説明する。
【０１１２】
紙幣、硬貨とは、市場に流通する金銭であり、特定の地域で貨幣と同じように通用するもの（金券）、記念コイン等を含む。有価証券類とは、小切手、証券、約束手形等を指す（図１４（Ａ））。証書類とは、運転免許証、住民票等を指す（図１４（Ｂ））。無記名債券類とは、切手、おこめ券、各種ギフト券等を指す（図１４（Ｃ））。包装用容器類とは、お弁当等の包装紙、ペットボトル等を指す（図１４（Ｄ））。書籍類とは、書物、本等を指す（図１４（Ｅ））。記録媒体とは、ＤＶＤソフト、ビデオテープ等を指す（図１４（Ｆ））。乗物類とは、自転車等の車両、船舶等を指す（図１４（Ｇ））。身の回り品とは、鞄、眼鏡等を指す（図１４（Ｈ））。食品類とは、食料品、飲料等を指す。衣類とは、衣服、履物等を指す。保健用品類とは、医療器具、健康器具等を指す。生活用品類とは、家具、照明器具等を指す。薬品類とは、医薬品、農薬等を指す。電子機器とは、液晶表示装置、ＥＬ表示装置、テレビジョン装置（テレビ受像機、薄型テレビ受像機）、携帯電話機等を指す。
【０１１３】
紙幣、硬貨、有価証券類、証書類、無記名債券類等に半導体装置を設けることにより、偽造を防止することができる。また、包装用容器類、書籍類、記録媒体等、身の回り品、食品類、生活用品類、電子機器等に半導体装置を設けることにより、検品システムやレンタル店のシステムなどの効率化を図ることができる。乗物類、保健用品類、薬品類等に半導体装置を設けることにより、偽造や盗難の防止、薬品類ならば、薬の服用の間違いを防止することができる。半導体装置の設け方としては、物品の表面に貼ったり、物品に埋め込んだりして設ける。例えば、本ならば紙に埋め込んだり、有機樹脂からなるパッケージなら当該有機樹脂に埋め込んだりするとよい。可撓性を有する半導体装置を用いることによって、紙等に設けた場合であっても、当該半導体装置に含まれる素子の破損等を防止することができる。
【０１１４】
このように、包装用容器類、記録媒体、身の回り品、食品類、衣類、生活用品類、電子機器等に半導体装置を設けることにより、検品システムやレンタル店のシステムなどの効率化を図ることができる。また乗物類に半導体装置を設けることにより、偽造や盗難を防止することができる。また、動物等の生き物に埋め込むことによって、個々の生き物の識別を容易に行うことができる。例えば、家畜等の生き物にセンサーを備えた半導体装置を埋め込むことによって、生まれた年や性別または種類等はもちろん現在の体温等の健康状態を容易に管理することが可能となる。
【０１１５】
また、上記以外にも、圧力を検出する素子を含む半導体装置を生き物の心臓付近に貼り付けて、心拍数を測定してもよい。また、ヒトに適用することによって、人体の健康管理、疾病の予防予測に活用することができる。また、インターネット等のネットワークを用いて、リーダ／ライタで読み取った生体情報を得ることにより、本発明の半導体装置を在宅医療監視システムなどに活用することができる。その具体例を図２１に示す。
【０１１６】
個体５５１に、物理量や化学量を検出可能な半導体装置５５２を携帯させる。半導体装置５５２は、人体に貼り付けて設けてもよいし、埋め込んで設けてもよく、個体５５１が適宜選択して設ければよい。また、血液や脈拍等は個体差があるため個体５５１にあわせた半導体装置５５２を設ける。このように、個体５５１に半導体装置５５２を携帯させることにより、半導体装置５５２によって検出された個体５５１の生体情報をリーダ／ライタ５５３で読み取りコンピュータ等の装置５５４の表示部５５５に表示することができる。さらに、読み取られた生体情報は、インターネット等のネットワークを用いることによって、リアルタイムで自宅５５０から医療機関５６０に送信することができる。
【０１１７】
医療機関５６０は、送信されてきたデータをコンピュータ等の装置５６１で受信することにより、個体５５１の情報を監視、管理する。また、個体５５１の担当医・専門医は、送信されてきた情報をもとに個体５５１の診断を行うことができる。
【０１１８】
このように、個体５５１の健康状態に係る物理量または化学量の変化が定期的に検出され、医療機関５６０に送信されるため、自宅５５０に居ながら医療機関５６０が個体５５１の健康状態を監視することが可能となる。そのため、個体５５１に異常が認められた場合には、迅速に医師を派遣して精密な検査を行うことができる。
【０１１９】
また、個体５５１が常に半導体装置５５２を携帯している場合には、携帯電話等の情報機器にリーダ／ライタを搭載することによって、外出先においても常時個体５５１の健康状態を把握することができる。また、個体５５１に異常が認められた場合には、個体５５１の生体情報を管理している医療機関５６０と個体５５１の付近にある医療機関５７０が情報のやりとりを行うことによって、迅速に個体５５１のもとに医師を派遣し処置することができる。これは、特に個体５５１が、外出している場合に、自宅以外の場所で異常が認められた場合に有効となる。
【０１２０】
また、このように定期的に個体５５１の生体情報を管理することによって、個体５５１に不足しているものを改善することも可能である。例えば、個体５５１の生体情報をコンピュータ等の装置５５４によって管理、分析することにより、現在の個体５５１に不足しているビタミンがある場合には、そのことを表示部５５５に表示して注意を促すと共に摂取すべき食材等を表示させることも可能である。
【０１２１】
以上のように、本発明の半導体装置５５２を個体に常に携帯させておくことにより、個人の健康状態を自分自身のみならず医療機関等も把握することが可能となり、病気等を未然に防止し、不慮の病気や事故が発生した場合であっても迅速に最善の対処を行うことができる。
【０１２２】
なお、上述した半導体装置に封止処理を行うことも可能である。例えば、図１１（Ｃ）に示す構造に第１のシート材３３７（フィルム、基板ともよぶ）と第２のシート材３３８を用いて封止処理を行うことによって、外部から半導体素子へ混入する不純物元素や水分等を抑制することができる（図９）。
【０１２３】
封止に用いる第１のシート材３３７、第２のシート材３３８としては、ポリプロピレン、ポリエステル、ビニル、ポリフッ化ビニル、塩化ビニルなどからなるフィルム、繊維質な材料からなる紙、基材フィルム（ポリエステル、ポリアミド、無機蒸着フィルム、紙類等）と接着性合成樹脂フィルム（アクリル系合成樹脂、エポキシ系合成樹脂等）との積層フィルム等を利用することができる。また、フィルムは、被処理体と加熱処理と加圧処理が行われるものであり、加熱処理と加圧処理を行う際には、フィルムの最表面に設けられた接着層か、又は最外層に設けられた層（接着層ではない）を加熱処理によって溶かし、加圧により接着する。また、第１のシート材３３７と第２のシート材３３８の表面には接着層が設けられていてもよいし、接着層が設けられていなくてもよい。接着層は、熱硬化樹脂、紫外線硬化樹脂、エポキシ樹脂系接着剤、樹脂添加剤等の接着剤を含む層に相当する。また、封止後に内部への水分等の侵入を防ぐために封止するシート材にシリカコートを行うことが好ましく、例えば、接着層とポリエステル等のフィルムとシリカコートを積層させたシート材を利用することができる。
【０１２４】
また、第１のシート材３３７、第２のシート材３３８として、静電気等を防止する帯電防止対策を施したフィルム（以下、帯電防止フィルムと記す）を用いることもできる。帯電防止フィルムとしては、帯電防止可能な材料を樹脂中に分散させたフィルム、及び帯電防止可能な材料が貼り付けられたフィルム等が挙げられる。帯電防止可能な材料が設けられたフィルムは、片面に帯電防止可能な材料を設けたフィルムであってもよいし、両面に帯電防止可能な材料を設けたフィルムであってもよい。さらに、片面に帯電防止可能な材料が設けられたフィルムは、帯電防止可能な材料が設けられた面をフィルムの内側になるように層に貼り付けてもよいし、フィルムの外側になるように貼り付けてもよい。なお、帯電防止可能な材料はフィルムの全面、あるいは一部に設けてあればよい。ここでの帯電防止可能な材料としては、金属、インジウムと錫の酸化物（ＩＴＯ）、両性界面活性剤や陽イオン性界面活性剤や非イオン性界面活性剤等の界面活性剤を用いることができる。また、他にも帯電防止材料として、側鎖にカルボキシル基および４級アンモニウム塩基をもつ架橋性共重合体高分子を含む樹脂材料等を用いることができる。これらの材料をフィルムに貼り付けたり、練り込んだり、塗布したりすることによって帯電防止フィルムとすることができる。帯電防止フィルムで封止を行うことによって、商品として取り扱う際に、外部からの静電気等によって半導体素子に悪影響が及ぶことを抑制することができる。
【０１２５】
また、封止処理は、第１のシート材３３７または第２のシート材３３８のいずれか一方を用いてどちらか一方の面の封止を選択的に行ってもよい。他にも、第１のシート材３３７の代わりにガラス基板を用いて封止を行ってもよく、この場合、ガラス基板が保護膜として機能し、外部から半導体素子に侵入する水分や不純物元素を抑制することができる。
【０１２６】
なお、本実施の形態は、上記実施の形態と自由に組み合わせて行うことができる。つまり、上記実施の形態で示した材料や形成方法は、本実施の形態でも組み合わせて利用することができるし、本実施の形態で示した材料や形成方法も上記実施の形態でも組み合わせて利用することができる。
【０１２７】
（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の半導体装置の使用形態について上記実施の形態とは異なる構造に関して図面を参照して説明する。具体的には、表示手段を有する半導体装置に関して説明する。
【０１２８】
まず、表示手段として、画素部に発光素子を設けた場合に関して図１６を参照して説明する。なお、図１６（Ａ）は本発明の半導体装置の一例を示す上面図を示しており、図１６（Ｂ）は図１６（Ａ）をａ−ｂ間とｃ−ｄ間で切断した断面図を示している。
【０１２９】
図１６（Ａ）に示すように、本実施の形態で示す半導体装置は、基板５０１上に設けられた走査線駆動回路５０２、信号線駆動回路５０３および画素部５０４等を有している。また、画素部５０４を基板５０１と共に挟むように対向基板５０６が設けられている。走査線駆動回路５０２、信号線駆動回路５０３および画素部５０４には、基板５０１上に上記実施の形態で示したいずれかの構造を有する薄膜トランジスタが設けられている。また、基板５０１と対向基板５０６は、シール材５０５により貼り合わされている。
【０１３０】
走査線駆動回路５０２および信号線駆動回路５０３は、外部入力端子となるＦＰＣ５０７からビデオ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号等を受け取る。また、ここではＦＰＣ（ｆｌｅｘｉｂｌｅ  ｐｒｉｎｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ）しか図示されていないが、このＦＰＣにはプリント配線基板が取り付けられていても良い。また、ここでは信号線駆動回路５０３または走査線駆動回路５０２を構成する薄膜トランジスタとして、上記実施の形態で示したように、薄膜トランジスタを積層させた構造とすることができる。薄膜トランジスタを積層させて設けることによって、信号線駆動回路５０３または走査線駆動回路５０２が占有する面積を小さくすることができるため、画素部５０４の面積を広く形成することが可能となる。
【０１３１】
図１６（Ｂ）は、図１６（Ａ）のａ−ｂ間とｃ−ｄ間の断面の模式図を示しており、ここでは、基板５０１上に信号線駆動回路５０３と画素部５０４に含まれる薄膜トランジスタが設けられている場合を示している。信号線駆動回路５０３は、上記実施の形態で示したいずれかの構造を有するｎ型の薄膜トランジスタ５１０ａとｐ型の薄膜トランジスタ５１０ｂとを組み合わせたＣＭＯＳ回路が形成されている。さらに、薄膜トランジスタ５１０ａ、５１０ｂの上方には、薄膜トランジスタ５１０ｃが薄膜トランジスタ５１０ｂと導電膜２１４を介して電気的に接続するように積層して設けられている。
【０１３２】
なお、薄膜トランジスタ５１０ｃと薄膜トランジスタ５１０ｂとの接続は、上記実施の形態で示したいずれかの方法で行うことができる。ここでは、基板２０１の一方の面上に設けられた薄膜トランジスタ５１０ｃが、当該基板２０１に形成された開口部を介して基板２０１の他方の面において薄膜トランジスタ５１０ｂと電気的に接続されている。
【０１３３】
また、走査線駆動回路５０２や信号線駆動回路５０３等の駆動回路を形成する薄膜トランジスタは、公知のＣＭＯＳ回路、ＰＭＯＳ回路もしくはＮＭＯＳ回路で形成しても良い。また、本実施の形態では、基板５０１上に走査線駆動回路５０２や信号線駆動回路５０３等の駆動回路を形成したドライバー一体型を示すが、必ずしもその必要はなく、基板５０１上ではなく外部に形成することもできる。
【０１３４】
また、画素部５０４は、発光素子５１６と当該発光素子５１６を駆動するための薄膜トランジスタ５１１とを含む複数の画素により形成されている。薄膜トランジスタ５１１は、上記実施の形態で示したいずれかの構造を有する薄膜トランジスタを適用することができる。また、ここでは、薄膜トランジスタ５１１のソースまたはドレイン領域に接続されている導電膜５１２に接続するように第１の電極５１３が設けられ、当該第１の電極５１３の端部を覆うように絶縁膜５０９が形成されている。絶縁膜５０９は、複数の画素において隔壁として機能している。
【０１３５】
絶縁膜５０９として、ここでは、ポジ型の感光性アクリル樹脂膜を用いることにより形成する。また、カバレッジを良好なものとするため、絶縁膜５０９は、当該絶縁膜５０９の上端部または下端部に曲率を有する曲面が形成されるように設ける。例えば、絶縁膜５０９の材料としてポジ型の感光性アクリルを用いた場合、絶縁膜５０９の上端部のみに曲率半径（０．２μｍ〜３μｍ）を有する曲面を持たせることが好ましい。絶縁膜５０９としては、感光性の光によってエッチャントに不溶解性となるネガ型、或いは光によってエッチャントに溶解性となるポジ型のいずれも使用することができる。他にも、絶縁膜５０９としてエポキシ、ポリイミド、ポリアミド、ポリビニルフェノール、ベンゾシクロブテン等の有機材料やシロキサン樹脂等のシロキサン材料からなる単層または積層構造で設けることができる。また、上記実施の形態で示したように、絶縁膜５０９にプラズマ処理を行い、当該絶縁膜５０９を酸化または窒化することによって、絶縁膜５０９の表面を改質して緻密な膜を得ることも可能である。絶縁膜５０９の表面を改質することによって、当該絶縁膜５０９の強度が向上し開口部等の形成時におけるクラックの発生やエッチング時の膜減り等の物理的ダメージを低減することが可能となる。また、絶縁膜５０９の表面が改質されることによって、当該絶縁膜５０９上に設けられる発光層５１４との密着性等の界面特性が向上する。
【０１３６】
また、図１６に示す半導体装置は、第１の電極５１３上に発光層５１４が形成され、当該発光層５１４上に第２の電極５１５が形成されている。これら第１の電極５１３、発光層５１４および第２の電極５１５の積層構造により発光素子５１６が設けられている。
【０１３７】
第１の電極５１３および第２の電極５１５は、一方を陽極として用い、他方を陰極として用いる。
【０１３８】
陽極として用いる場合には、仕事関数の大きい材料を用いることが望ましい。例えば、ＩＴＯ膜、珪素を含有したインジウム錫酸化物膜、酸化インジウムに２〜２０ｗｔ％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合したターゲットを用いてスパッタ法により形成した透明導電膜、酸化亜鉛（ＺｎＯ）膜、窒化チタン膜、クロム膜、タングステン膜、Ｚｎ膜、Ｐｔ膜などの単層膜の他、窒化チタンとアルミニウムを主成分とする膜との積層、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜と窒化チタン膜との３層構造等を用いることができる。なお、積層構造とすると、配線としての抵抗も低く、良好なオーミックコンタクトがとれ、さらに陽極として機能させることができる。
【０１３９】
陰極として用いる場合には、仕事関数の小さい材料（Ａｌ、Ａｇ、Ｌｉ、Ｃａ、またはこれらの合金ＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬｉ、ＣａＦ２、または窒化カルシウム）を用いることが好ましい。なお、陰極として用いる電極を透光性とする場合には、電極として、膜厚を薄くした金属薄膜と、透明導電膜（ＩＴＯ、珪素を含有したインジウム錫酸化物、酸化インジウムに２〜２０ｗｔ％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合したターゲットを用いてスパッタ法により形成した透明導電膜、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等）との積層を用いるのが良い。
【０１４０】
ここでは第１の電極５１３を陽極として透光性を有するＩＴＯを用い、基板５０１側から光を取り出す構造とする。なお、第２の電極５１５に透光性を有する材料を用いることにより対向基板５０６側から光を取り出す構造としてもよいし、第１の電極５１３および第２の電極５１５を透光性を有する材料で設けることによって、基板５０１および対向基板５０６の両側に光を取り出す構造（両面射出）とすることも可能である。
【０１４１】
また、発光層５１４は、低分子系材料、中分子材料（オリゴマー、デンドリマーを含む）、または高分子（ポリマーともいう）材料等による単層または積層構造を、蒸着マスクを用いた蒸着法、インクジェット法、スピンコート法等の公知の方法によって形成することができる。
【０１４２】
また、ここではシール材５０５で対向基板５０６を基板５０１と貼り合わせることにより、基板５０１、対向基板５０６、およびシール材５０５で囲まれた空間５０８に本発明の発光素子５１６が備えられた構造になっている。なお、空間５０８には、不活性気体（窒素やアルゴン等）が充填される場合の他、シール材５０５で充填される構成も含むものとする。
【０１４３】
なお、シール材５０５にはエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、この材料はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、対向基板５０６に用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ  Ｐｌａｓｔｉｃｓ）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、マイラー、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。
【０１４４】
なお、画素部を有する半導体装置としては、上述したように画素部に発光素子用いた構成に限られず、画素部に液晶を用いた半導体装置も含まれる。画素部に液晶を用いた場合の半導体装置を図１７に示す。
【０１４５】
図１７は、液晶を画素部に有する半導体装置の一例を示しており、導電膜５１２および第１の電極５１３を覆うように設けられた配向膜５２１と対向基板５０６側に設けられた配向膜５２３との間に液晶５２２が設けられている。また、第２の電極５２４が対向基板５０６に設けられており、第１の電極５１３と第２の電極５２４間に設けられた液晶に加える電圧を制御して光の透過率を制御することにより像の表示を行う。また、液晶５２２中に第１の電極５１３と第２の電極５２４との間の距離（セルギャップ）を制御するためにスペーサ５２５が設けられている。なお、薄膜トランジスタ５１０ａ、５１０ｂ、５１０ｃまたは５１１としては、上記実施の形態で示したいずれかの構造を適用することができる。
【０１４６】
このように、本実施の形態で示す半導体装置の使用形態としては、画素部を発光素子で設けることもできるし、液晶で設けることもできる。
【０１４７】
また、上記図１６、図１７では、基板上に走査線駆動回路や信号線駆動回路等の駆動回路を作り込んで形成するドライバー一体型を示したが、基板上に直接作り込むのではなく基板に貼り合わせて形成することもできる。この場合の表示装置の一例に関して図１５を参照して説明する。なお、図１５（Ｂ）は図１５（Ａ）におけるＡ−Ｂ間の断面の模式図を示している。
【０１４８】
基板５０１上に半導体素子５３１ａが接着して設けられ、接続フィルムとして機能するＦＰＣ５０７上に半導体素子５３１ｂが接着して設けられている。画素部５０４と半導体素子５３１ａとは、基板５０１上の導電膜５３２を介して接続されている。半導体素子５３１ａと半導体素子５３１ｂとは、基板５０１上の導電膜５３３とＦＰＣ５０７上の導電膜５３４を介して接続されている。これらの導電膜の接続には、導電性粒子３１１を含む樹脂３１２を用いることができる。他にも上述したように、銀ペースト、銅ペーストまたはカーボンペースト等の導電性接着剤、ＡＣＰ等の導電性を有する接着剤、ＡＣＦ等の導電性を有するフィルムや半田接合等を用いて行うこともできる。また、基板５０１と対向基板５０６とは、シール材５０５により接着されている。
【０１４９】
次に、上記画素部を有する半導体装置の利用形態について図面を参照して説明する。
【０１５０】
上記画素部を有する半導体装置の利用形態として、ビデオカメラ、デジタルカメラ等のカメラ、ゴーグル型ディスプレイ（ヘッドマウントディスプレイ）、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオ、オーディオコンポ等）、コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話機、携帯型ゲーム機または電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはＤＶＤ（ｄｉｇｉｔａｌ  ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  ｄｉｓｃ）等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置）などの電子機器が挙げられる。それらの具体例を以下に示す。
【０１５１】
図１８（Ａ）はテレビ受像機であり、筐体２００１、支持台２００２、表示部２００３、スピーカー部２００４、ビデオ入力端子２００５等を含む。本実施の形態または上記実施の形態に示した半導体装置の構造や作製方法を表示部２００３や駆動回路等に適用することによって、本発明の半導体装置の使用形態の一つであるテレビ受像機を作製することができる。
【０１５２】
図１８（Ｂ）はデジタルカメラであり、本体２１０１、表示部２１０２、受像部２１０３、操作キー２１０４、外部接続ポート２１０５、シャッター２１０６等を含む。本実施の形態または上記実施の形態に示した半導体装置の構造や作製方法を表示部２１０２や駆動回路等に適用することによって、本発明の半導体装置の使用形態の一つであるデジタルカメラを作製することができる。
【０１５３】
図１８（Ｃ）はコンピュータであり、本体２２０１、筐体２２０２、表示部２２０３、キーボード２２０４、外部接続ポート２２０５、ポインティングマウス２２０６等を含む。本実施の形態または上記実施の形態に示した半導体装置の構造や作製方法を表示部２２０３や駆動回路等に適用することによって、本発明の半導体装置の使用形態の一つであるコンピュータを作製することができる。
【０１５４】
図１８（Ｄ）はモバイルコンピュータであり、本体２３０１、表示部２３０２、スイッチ２３０３、操作キー２３０４、赤外線ポート２３０５等を含む。本実施の形態または上記実施の形態に示した半導体装置の構造や作製方法を表示部２３０２や駆動回路等に適用することによって、本発明の半導体装置の使用形態の一つであるモバイルコンピュータを作製することができる。
【０１５５】
図１８（Ｅ）は記録媒体を備えた携帯型の画像再生装置（ＤＶＤ再生装置など）であり、本体２４０１、筐体２４０２、表示部Ａ２４０３、表示部Ｂ２４０４、記録媒体（ＤＶＤ等）読み込み部２４０５、操作キー２４０６、スピーカー部２４０７等を含む。表示部Ａ２４０３は主として画像情報を表示し、表示部Ｂ２４０４は主として文字情報を表示する。本実施の形態または上記実施の形態に示した半導体装置の構造や作製方法を表示部Ａ２４０３や表示部Ｂ２４０４や駆動回路等に適用することによって、本発明の半導体装置の使用形態の一つである画像再生装置を作製することができる。なお、記録媒体を備えた画像再生装置にはゲーム機器なども含まれる。
【０１５６】
図１８（Ｆ）はビデオカメラであり、本体２６０１、表示部２６０２、筐体２６０３、外部接続ポート２６０４、リモコン受信部２６０５、受像部２６０６、バッテリー２６０７、音声入力部２６０８、操作キー２６０９、接眼部２６１０等を含む。本実施の形態または上記実施の形態に示した半導体装置の構造や作製方法を表示部２６０２や駆動回路等に適用することによって、本発明の半導体装置の使用形態の一つであるビデオカメラを作製することができる。
【０１５７】
図１８（Ｇ）は携帯電話機であり、本体２７０１、筐体２７０２、表示部２７０３、音声入力部２７０４、音声出力部２７０５、操作キー２７０６、外部接続ポート２７０７、アンテナ２７０８等を含む。本実施の形態または上記実施の形態１〜４に示した半導体装置の構造や作製方法を表示部２７０３や駆動回路等に適用することによって、本発明の半導体装置の使用形態の一つである携帯電話機を作製することができる。
【０１５８】
また、本発明の半導体装置は、基板を薄膜化することによって、可撓性を有する状態とすることができる。以下に、画素部を有し且つ可撓性を有する半導体装置の具体例に関して図面を参照して説明する。
【０１５９】
図１９（Ａ）はディスプレイであり、本体４１０１、支持台４１０２、表示部４１０３を含む。表示部４１０３は可撓性を有する基板を用いて形成されており、軽量で薄型のディスプレイを実現できる。また、表示部４１０３を湾曲させることも可能であり、支持台４１０２から取り外して湾曲した壁に沿ってディスプレイを取り付けることも可能である。このように、可撓性を有するディスプレイは、フラットな面はもちろん湾曲した部分にも設けることが可能となるため、様々な用途に用いることができる。本実施の形態または上記実施の形態で示した可撓性を有する半導体装置を表示部４１０３や回路等に用いることによって、本発明の半導体装置の使用形態の一つである可撓性を有するディスプレイを作製することができる。
【０１６０】
図１９（Ｂ）は巻き取り可能なディスプレイであり、本体４２０１、表示部４２０２を含む。本体４２０１および表示部４２０２は可撓性を有する基板を用いて形成されているため、ディスプレイを折り畳んだり、巻き取ったりして持ち運ぶことが可能である。そのため、ディスプレイが大型である場合でも折り畳んだり、巻き取ったりして鞄に入れて持ち運ぶことができる。本実施の形態または上記実施の形態で示した可撓性を有する半導体装置を表示部４２０２や回路等に用いることによって、本発明の半導体装置の使用形態の一つである、軽量、薄型の大型のディスプレイを作製することができる。
【０１６１】
図１９（Ｃ）は、シート型のコンピュータであり、本体４４０１、表示部４４０２、キーボード４４０３、タッチパッド４４０４、外部接続ポート４４０５、電源プラグ４４０６等を含んでいる。表示部４４０２は可撓性を有する基板を用いて形成されており、軽量で薄型のコンピュータを実現できる。また、本体４４０１の部分に収納スペースを設けることによって表示部４４０２を本体に巻き取って収納することが可能である。また、キーボード４４０３も可撓性を有するように設けることによって、表示部４４０２と同様に本体４４０１の収納スペースに巻き取って収納することができ、持ち運びが便利になる。また、使用しない場合にも折り畳むことによって場所をとらずに収納することが可能となる。本実施の形態または上記実施の形態で示した可撓性を有する半導体装置を表示部４４０２や回路等に用いることによって、本発明の半導体装置の使用形態の一つである、軽量、薄型のコンピュータを作製することができる。
【０１６２】
図１９（Ｄ）は、２０〜８０インチの大型の表示部を有する表示装置であり、本体４３００、操作部であるキーボード４３０１、表示部４３０２、スピーカー４３０３等を含む。また、表示部４３０２は可撓性を有する基板を用いて形成されており、キーボード４３０１を取り外して本体４３００を折り畳んだり巻き取ったりして持ち運ぶことが可能である。また、キーボード４３０１と表示部４３０２との接続は無線で行うことができ、例えば、湾曲した壁に沿って本体４３００を取り付けながらキーボード４３０１で無線によって操作することができる。本実施の形態または上記実施の形態で示した可撓性を有する半導体装置を表示部４３０２や回路等に用いることによって、本発明の半導体装置の使用形態の一つである、軽量、薄型の大型表示装置を作製することができる。
【０１６３】
図１９（Ｅ）は電子ブックであり、本体４５０１、表示部４５０２、操作キー４５０３等を含む。またモデムが本体４５０１に内蔵されていても良い。表示部４５０２は可撓性基板を用いて形成されており、折り曲げたり巻き取ったりすることができる。そのため、電子ブックの持ち運びも場所をとらずに行うことができる。さらに、表示部４５０２は文字等の静止画像はもちろん動画も表示することが可能となっている。本実施の形態または上記実施の形態で示した可撓性を有する半導体装置を表示部４５０２や回路等に用いることによって、本発明の半導体装置の使用形態の一つである、軽量、薄型の電子ブックを作製することができる。
【０１６４】
図１９（Ｆ）はＩＣカードであり、本体４６０１、表示部４６０２、接続端子４６０３等を含む。表示部４６０２は可撓性基板を用いて軽量、薄型のシート状になっているため、カードの表面に張り付けて形成することができる。また、ＩＣカードを非接触でデータの受信が行える場合に外部から取得した情報を表示部４６０２に表示することが可能となっている。本実施の形態または上記実施の形態で示した可撓性を有する半導体装置を表示部４６０２や回路等に用いることによって、本発明の半導体装置の使用形態の一つである、軽量、薄型のＩＣカードを作製することができる。
【０１６５】
以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子機器や情報表示手段に用いることが可能である。なお、本実施の形態は上記実施の形態と自由に組み合わせて行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【０１６６】
【図１】本発明の半導体装置の作製方法の一例を示す図。
【図２】本発明の半導体装置の作製方法の一例を示す図。
【図３】本発明の半導体装置の作製方法の一例を示す図。
【図４】本発明の半導体装置の作製方法の一例を示す図。
【図５】本発明の半導体装置の作製方法の一例を示す図。
【図６】本発明の半導体装置に含まれる薄膜トランジスタの一例を示す図。
【図７】本発明の半導体装置の作製方法の一例を示す図。
【図８】本発明の半導体装置の作製方法の一例を示す図。
【図９】本発明の半導体装置の使用形態の一例を示す図。
【図１０】本発明の半導体装置の使用形態の一例を示す図。
【図１１】本発明の半導体装置の使用形態の一例を示す図。
【図１２】本発明の半導体装置の使用形態の一例を示す図。
【図１３】本発明の半導体装置の使用形態の一例を示す図。
【図１４】本発明の半導体装置の使用形態の一例を示す図。
【図１５】本発明の半導体装置の使用形態の一例を示す図。
【図１６】本発明の半導体装置の使用形態の一例を示す図。
【図１７】本発明の半導体装置の使用形態の一例を示す図。
【図１８】本発明の半導体装置の使用形態の一例を示す図。
【図１９】本発明の半導体装置の使用形態の一例を示す図。
【図２０】本発明の半導体装置の使用形態の一例を示す図。
【図２１】本発明の半導体装置の使用形態の一例を示す図。
【符号の説明】
【０１６７】
１０１  基板
１０２  凹部
１０３  素子群
１０４  薄膜手段
１０５  開口部
１０６  基板
１８１  メッシュ
１８２  乳剤
１８３  スキージ
１８４  ペースト
１８５  開口部
１８６  導電材料
２０１  基板
２０２  凹部
２０３  絶縁膜
２０４  半導体膜
２０５ａ  薄膜トランジスタ
２０５ｂ  薄膜トランジスタ
２０５ｃ  薄膜トランジスタ
２０６ａ  半導体膜
２０６ｂ  半導体膜
２０６ｃ  半導体膜
２０７  ゲート絶縁膜
２０８ａ  ゲート電極
２０８ｂ  ゲート電極
２０８ｃ  ゲート電極
２０９ａ  絶縁膜
２０９ｂ  絶縁膜
２０９ｃ  絶縁膜
２１０  絶縁膜
２１１  絶縁膜
２１２ａ  開口部
２１２ｂ  開口部
２１２ｃ  開口部
２１２ｄ  開口部
２１２ｅ  開口部
２１２ｆ  開口部
２１３  開口部
２１４  導電膜
２１５  絶縁膜
２１６  研削手段
２１７ａ  第１の導電膜
２１７ｂ  第１の導電膜
２１７ｃ  第１の導電膜
２１８ａ  第２の導電膜
２１８ｂ  第２の導電膜
２１８ｃ  第２の導電膜
２１９  導電膜
２２０  絶縁膜
２２１  基板
２２３  絶縁膜
２３１  第１の導電膜
２３２  素子
２３３  第２の導電膜
３０１  基板
３０２  導電膜
３０３  半導体装置
３０３ａ  半導体装置
３０３ｂ  半導体装置
３０３ｃ  半導体装置
３０３ｄ  半導体装置
３１１  導電性粒子
３１２  樹脂
３２１  基板
３２２  導電膜
３２３  半導体装置
３３１  半導体基板
３３５  薄膜トランジスタ
３３６  トランジスタ
３３７  第１のシート材
３３８  第２のシート材
８０  半導体装置
８１  高周波回路
８２  電源回路
８３  リセット回路
８４  クロック発生回路
８５  データ復調回路
８６  データ変調回路
８７  制御回路
８８  記憶回路
８９  アンテナ
９１  コード抽出回路
９２  コード判定回路
９３  ＣＲＣ判定回路
９４  出力ユニット回路
３２１０  表示部
３２００  リーダ／ライタ
３２２０  品物
３２３０  半導体装置
３２５０  半導体装置
３２６０  商品
５０１  基板
５０２  走査線駆動回路
５０３  信号線駆動回路
５０４  画素部
５０５  シール材
５０６  対向基板
５０７  ＦＰＣ
５０９  絶縁膜
５１０ａ  薄膜トランジスタ
５１０ｂ  薄膜トランジスタ
５１０ｃ  薄膜トランジスタ
５１１  薄膜トランジスタ
５１２  導電膜
５１３  第１の電極
５１４  発光層
５１５  第２の電極
５１６  発光素子
５２１  配向膜
５２２  液晶
５２３  配向膜
５２４  第２の電極
５２５  スペーサ
５３１ａ  半導体素子
５３１ｂ  半導体素子
５３２  導電膜
５３３  導電膜
５３４  導電膜
５５２  半導体装置
５５３  リーダ／ライタ
５５５  表示部
２００１  筐体
２００２  支持台
２００３  表示部
２００４  スピーカー部
２００５  ビデオ入力端子
２１０１  本体
２１０２  表示部
２１０３  受像部
２１０４  操作キー
２１０５  外部接続ポート
２１０６  シャッター
２２０１  本体
２２０２  筐体
２２０３  表示部
２２０４  キーボード
２２０５  外部接続ポート
２２０６  ポインティングマウス
２３０１  本体
２３０２  表示部
２３０３  スイッチ
２３０４  操作キー
２３０５  赤外線ポート
２４０１  本体
２４０２  筐体
Ａ２４０３  表示部
Ｂ２４０４  表示部
２４０５  読み込み部
２４０６  操作キー
２４０７  スピーカー部
２６０１  本体
２６０２  表示部
２６０３  筐体
２６０４  外部接続ポート
２６０５  リモコン受信部
２６０６  受像部
２６０７  バッテリー
２６０８  音声入力部
２６０９  操作キー
２６１０  接眼部
２７０１  本体
２７０２  筐体
２７０３  表示部
２７０４  音声入力部
２７０５  音声出力部
２７０６  操作キー
２７０７  外部接続ポート
２７０８  アンテナ
４１０１  本体
４１０２  支持台
４１０３  表示部
４２０１  本体
４２０２  表示部
４４０１  本体
４４０２  表示部
４４０３  キーボード
４４０４  タッチパッド
４４０５  外部接続ポート
４４０６  電源プラグ
４３００  本体
４３０１  キーボード
４３０２  表示部
４３０３  スピーカー
４５０１  本体
４５０２  表示部
４５０３  操作キー
４５０１  本体
４５０２  表示部
４５０３  操作キー
４６０１  本体
４６０２  表示部
４６０３  接続端子
【図１】
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【図２】
0005127178.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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