(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化亜鉛を含む酸化物系成分と、炭素系成分とを有し、
アルミニウム、ガリウム、インジウム、チタニウム、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、イットリウム及び希土類元素から成る群より選ばれた少なくとも１種の元素を有し、
上記元素の含有割合が１．０〜１０．０質量％であり、
上記酸化物系成分の表面の一部に上記炭素系成分を積層して成ることを特徴とするスパッタリング複合ターゲット。
【請求項２】
上記炭素系成分は、カーボンチップである請求項１に記載のスパッタリング複合ターゲット。
【請求項３】
上記酸化物系成分の最大面積をターゲット表面積とし、該ターゲット表面積１００％に対して、上記炭素系成分が占める面積比が２〜１５％であることを特徴とする請求項１または２に記載のスパッタリング複合ターゲット。
【請求項４】
上記酸化物系成分が焼結体であり、上記炭素系成分が非焼結体であることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載のスパッタリング複合ターゲット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スパッタリング複合ターゲットに関し、詳しくは、電気抵抗が低く、良好な導電性を有する酸化亜鉛（ＺｎＯ）系の透明導電膜の製造に好適なスパッタリング複合ターゲットに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、太陽電池や、液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ等のフラットパネルディスプレイ（以下「ＦＰＤ」という。）等には、Ｉｎ２Ｏ３系（例えばＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２系、以下「ＩＴＯ」という）膜やＺｎＯ系（例えばＺｎＯ−Ａｌ２Ｏ３系、以下「ＡＺＯ」という）膜が使用されている。
これらの透明導電膜を形成する方法としては、スパッタリングターゲットを原料として、基板上にスパッタリング法によって透明導電膜を形成する方法が知られている（例えば特許文献１）。
【０００３】
ＩＴＯは、比抵抗が低いので透明導電膜として多く使用されているが、主成分であるＩｎ２Ｏ３は高価であり、また、資源として希少である等の問題があることから、近年では、ＺｎＯ系の透明導電膜の開発が盛んに行われている。
ＺｎＯ系の透明導電膜は、ＺｎＯにＡｌをドープしたＡＺＯを中心として、様々な種類の添加剤や成膜方法等が検討されているが、成膜安定性、導電安定性の点では、未だＩＴＯに及ばず、透明導電膜の主流はＩＴＯ系に譲っているのが現状である。
【０００４】
ＺｎＯ系の透明導電膜は、ドープする添加剤と共に、酸素欠陥が導電性キャリアとして重要な役割を担うため、透明導電膜の抵抗を低くくし、導電安定性を向上させるためには、成膜中の酸素量（酸素欠陥量）の調整が重要な事項となっている。
【０００５】
透明導電膜中の酸素量を調整する方法としては、透明導電膜の組成を成分として有する酸化物系ターゲットとＢ２Ｈ６等を含むスパッタガスとを用いて、水素を含む還元性雰囲気中でスパッタし、透明導電膜中にホウ素をドープする方法が挙げられる（特許文献２）。
また、酸化亜鉛粉末に酸化ガリウム粉末を添加した混合粉末を所定の温度で焼結し、その後還元して、酸素欠陥を有するスパッタリングターゲット用ＺｎＯ−Ｇａ２Ｏ３系焼結体を得て、このスパッタリングターゲットを用いて、ＧＺＯ膜を形成する方法が挙げられる（特許文献３，４）。
また、酸化物をスパッタリングターゲットとして用い、不活性ガスに水素及び／又は有機ガスを導入した雰囲気中で、直流電力に高周波電力を重畳したスパッタ電圧を用いたマグネトロンスパッタリング法により、酸化過剰な状態を抑制して、抵抗率や抵抗分布が改善された透明導電膜を製造する方法が挙げられる（特許文献５）。
【０００６】
【特許文献１】特開平６−１７２９９５号公報
【特許文献２】国際公開第９２／１８９９０号パンフレット
【特許文献３】特開平１０−２９７９６６号公報
【特許文献４】特開平１０−２９７９６２号公報
【特許文献５】特開２００７−１５４２５５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、上記特許文献３及び４に記載されているように、酸素欠陥を有するスパッタリングターゲットを用いてＺｎＯ系の透明導電膜を形成すると、スパッタの初期段階では、成膜中への酸素欠陥の導入が確保されるものの、スパッタする時間が長くなるにつれて成膜中に導入されない残留酸素が逆にターゲット中に導入されるようになり、成膜中に導入される酸素欠陥量を長期的に一定に保つことが困難となる。
【０００８】
また、上記特許文献２及び５に記載されているように、スパッタガスに還元性ガス（水素等を含む還元性雰囲気）を用いてＺｎＯ系の透明導電膜を形成すると、必然的に還元性雰囲気中に含まれる水素イオンがターゲットに打ち込まれることになり、スパッタする時間の変化（長短）によって、ターゲット及びスパッタ雰囲気の変化を回避できず、ターゲット及びスパッタ雰囲気の変化により、透明導電膜中に導入される酸素欠陥量を長期的に一定に保つことが困難となる。
スパッタリングは、通常、真空にしたチャンバー内に基板及びターゲットを設置して行われるが、チャンバー内を真空にするために、例えばクライオポンプ等のためこみ式ポンプ（固体表面に気体分子を吸着して気相から気体分子を除去する形式のポンプ）が使用される。還元性雰囲気でスパッタリングを行うと、還元性雰囲気中に含まれる水素ガスの影響によりクライオポンプの再生間隔を短くする必要があり、効率的な成膜が困難になるという問題もある。
【０００９】
本発明は、上記した従来の課題に着目してなされたものであり、安定して一定量の酸素欠陥を透明導電膜に導入することができ、光透過率が良好であり、低い電気抵抗及び良好な導電性を有する透明導電膜を形成するスパッタリング複合ターゲットを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者らは、上記目的を達成すべく鋭意検討した結果、酸化亜鉛と炭素分とを併用することにより、上記目的を達成できることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【００１１】
本発明のスパッタリング複合ターゲットは、
酸化亜鉛を含む酸化物系成分と、炭素系成分とを有し、
アルミニウム、ガリウム、インジウム、チタニウム、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、イットリウム及び希土類元素から成る群より選ばれた少なくとも１種の元素を有し、
元素の含有割合が１．０〜１０．０質量％であり、
酸化物系成分の表面の一部に炭素系成分を積層して成ることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、酸化亜鉛を含む酸化物系成分と、炭素系成分とを有するスパッタリング複合ターゲットを用いることによって、安定した一定量の酸素欠陥を透明導電膜に導入することができ、光透過率が良好であり、低い電気抵抗及び良好な導電性を有するＺｎＯ系の透明導電膜を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明のスパッタリング複合ターゲット及びこれを用いた透明導電膜の製造方法について詳細に説明する。なお、本明細書において、濃度及び含有量等についての「％」は特記しない限り質量百分率を表すものとする。
【００１６】
本発明のスパッタリング複合ターゲットは、酸化亜鉛を含む酸化物系成分と、炭素系成分とを有するものである。
酸化物系成分は、酸化亜鉛から成るものでもよく、酸化亜鉛以外のものを含むものでもよい。酸化物系成分としては、例えば酸化亜鉛のチップ、酸化亜鉛粉末から成る焼結体、この焼結体に後述する特定の元素をドープしたもの、又は、酸化亜鉛粉末と後述する特定の元素を含む酸化物粉末を混合して焼結した焼結体等を用いることができる。
【００１７】
炭素系成分は、炭素を含むものであればよく、例えば炭素粉末や、スパッタリング用のカーボンチップ、Ａｌ４Ｃ３、ＮｂＣ、ＴａＣ、ＴｉＣ等のカーバイド材料等を用いることができる。
スパッタリング複合ターゲットが炭素系成分を有することにより、安定した一定量の酸素欠陥を透明導電膜中に導入することができる。
酸素欠陥が導入されるメカニズムは明らかではないが、ＺｎＯを含む酸化物系成分中の酸素（Ｏ）が、炭素系成分中のＣと結びついてＣＯ又はＣＯ２となって放出されることにより、スパッタリングする時間や雰囲気変化等にかかわらず、安定した一定量の酸素欠陥が透明導電膜中に導入されると推測する。
透明導電膜に安定した一定量の酸素欠陥が導入され、この酸素欠陥が導電性キャリアとして機能するため、安価な材料であるＺｎＯ系の材料を用いて、ＩＴＯ系の透明導電膜と同程度かそれ以上に電気抵抗が低く、良好な導電性を有する透明導電膜を得ることができる。
炭素系成分の他に、ホウ素系成分を複合ターゲットとして用いることも考えられたが、ホウ素系成分を複合ターゲットに用いると、透明導電膜の電気抵抗が高くなり、導電性が劣化した。
【００１８】
スパッタリング複合ターゲットは、酸化物系成分と炭素系成分とが一体となっているものでもよく、酸化物系成分と炭素系成分とが各々別体となっているものでもよい。
酸化物系成分及び炭素系成分が各々別体である場合は、これらを共にスパッタリングすることが好ましい。
なお、本明細書において「共に」とは、別体のスパッタリング複合ターゲットを略同時にスパッタリングする意味のことをいい、多少時間的なずれがある場合であっても、同一の還元性雰囲気中で別体のスパッタリング複合ターゲットをスパッタリングすることをいう。
【００１９】
酸化物系成分及び炭素系成分が各々別体の場合は、例えば酸化物系成分として上記の焼結体を用い、炭素系成分として非焼結体等を用いることができる。
また、酸化物系成分及び炭素系成分が各々別体の場合は、スパッタリング複合ターゲットとして、酸化物系成分の表面の少なくとも一部に炭素系成分を積層したものを用いることが好ましい。
次に、酸化物系成分及び炭素系成分が各々別体のスパッタリング複合ターゲットの例を説明する。
【００２０】
図１は、本発明のスパッタリング複合ターゲットの実施形態の一例を示す図である。
図１に示すように、本例のスパッタリング複合ターゲット１は、円盤状の酸化物系成分（例えばＺｎＯ）２と、所定の角度を有する扇形状の４つの炭素系成分（例えばカーボンチップ）３ａ〜３ｄとを有するものである。
スパッタリング複合ターゲット１は、酸化物系成分２の表面に、その中心部から所定の角度で放射線上に、扇形状の４つの炭素系成分３ａ〜３ｄを積層したものである。
炭素系成分３ａ〜３ｄは、スパッタリングにより形成される透明導電膜中に均等に酸素欠陥が導入されるように、酸化物系成分２の表面に等角度又は等間隔で配置することが好ましい。
なお、図１では、４つの扇形状の炭素系成分３ａ〜３ｄを、円盤状の酸化物系成分２の表面に配置した例を示したが、酸化物系成分２や炭素系成分３ａ〜３ｄの数、形状又は配列方法は、本例に限定されない。
【００２１】
本例のスパッタリング複合ターゲット１は、酸化物系成分２の最大面積をターゲット表面積とした場合に、該ターゲット表面積１００％に対して、炭素系成分３が占める面積比（図１中、炭素系成分３ａ〜３ｄの合計面積比）が２〜１５％であることが好ましい。
スパッタリング複合ターゲットにおいて、炭素系成分が占める面積比が２％未満であると、スパッタリング複合ターゲットを用いて得られた透明導電膜の電気抵抗が低くならず、炭素系成分を用いた効果が発揮されない場合がある。一方、該面積比が１５％を超えると、カーボンが透明導電膜中に取り込まれてしまい、得られた透明導電膜の電気抵抗が高くなり、導電性が低下する場合がある。
【００２２】
次に、酸化物系成分と炭素系成分とが一体となっているスパッタリング複合ターゲットの例を説明する。
スパッタリング複合ターゲットが酸化物系成分と炭素系成分とが一体となっているものである場合は、酸化物系成分１００重量部に対して、炭素系成分を０．８〜７．５重量部含有することが好ましい。
炭素系成分の含有量が０．８重量部未満であると、得られる透明導電膜の電気抵抗が低くならず、炭素系成分を用いた効果が発揮されない場合があり、７．５重量部を超えると、炭素が透明導電膜中に取り込まれてしまい、得られた透明導電膜の電気抵抗が高くなって、導電性が低下する場合がある。
【００２３】
スパッタリング複合ターゲットは、３〜５価の元素、具体的にはアルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、チタニウム（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、イットリウム（Ｙ）及び希土類元素から成る群より選ばれた少なくとも１種の元素を有することが好ましい。
スパッタリング複合ターゲットが上記金属元素を有するものであると、優れた電導性を有する透明導電膜を得ることができる。
上記元素は酸化物系成分中にドープしてもよく、上記元素を含む金属又は酸化物等を用いてもよい。
【００２４】
スパッタリング複合ターゲット中の上記元素の含有割合は、１．０〜１０．０％であることが好ましい。熱的に安定な透明導電膜が得られるようにするためには、上記元素の含有割合は２％程度であることが好ましい。
【００２５】
次に、本発明の透明導電膜の製造方法を図面に基づき説明する。
本発明の透明導電膜の製造方法は、酸化亜鉛を含む酸化物系成分と、炭素系成分とを有するスパッタリング複合ターゲットを用いて、基板上に透明導電膜を形成する。
【００２６】
図２は、一般的なＲＦ（高周波）マグネトロンスパッタリング装置の概略構成を示す図である。
図２に示すように、ＲＦマグネトロンスパッタリング装置１０は、チャンバー１１内に、基板４を保持する基板ホルダー１２と、ターゲット１を保持するターゲットホルダー１３とが対向配置されている。ターゲットホルダー１３には、基板４とターゲット１との間に高周波（例えば１３．５６ＨＭｚ）の電圧を印加する電源１５が接続されている。
ターゲットホルダー１３は、図示を省略した磁石及びヨークと、冷却水等の冷媒を循環させる配管１４とを備えている。
【００２７】
また、ＲＦマグネトロンスパッタリング装置１０は、チャンバー１１の外部に、該チャンバー１１内にスパッタリング時のプロセスガスを供給するためのガスボンベ１６と、チャンバー１１内を真空にするためのクライオポンプ等の排気ポンプ１７とを備えている。ガスボンベ１６とチャンバー１１とは、供給配管１８で連結され、この供給配管１８には、スパッタガスの供給量を調節する流量調節弁１９が設けられている。
なお、図２においては、１つのガスボンベ１６を設けた例を示したが、複数種類のガスを混合したスパッタガスを使用する場合は、複数のガスボンベを設け、該ガスボンベから複数のガスをチャンバー内に供給するようにしてもよい。
【００２８】
図２に示す例のスパッタリング装置を用いて、透明導電膜を製造する方法について説明する。
まず、基板ホルダー１２に基板４をセットする。
基板４は、例えば表面が清浄な透明のガラス基板、又は、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）及びポリオレフィン（ＰＯ）から成る群より選ばれた少なくとも１種の透明な樹脂基板を用いることができる。
【００２９】
次に、ターゲットホルダー１３に、例えば図１に示すスパッタリング複合ターゲット１をセットする。スパッタリング複合ターゲット１は、酸化物系成分２を第１ターゲットとし、炭素系成分３を第２ターゲットとし、第１ターゲット上に第２ターゲットを積層して用いる。
【００３０】
次に、チャンバー１１内を排気ポンプ１６により排気し真空にする。
その後、排気を継続しながらチャンバー１内にガスボンベ１６からスパッタガスを導入し、チャンバー１１内が一定の雰囲気圧力になるようにする。スパッタガスは、例えば不活性ガスであるＡｒガスを用いることが好ましく、Ａｒガスと必要に応じてＯ２ガスを所定量混合した混合ガス等を用いてもよい。
ガス流量は、１０〜５０ｓｃｃｍが好ましくは、ガス圧は、０．５〜２．０Ｐａが好ましい。
【００３１】
次に、電源１４からターゲットホルダー１３を介してスパッタリング複合ターゲット１と基板４との間に高周波（１３．５６ＭＨｚ）の電圧を印加し、ＲＦ放電によりチャンバー１１内にプラズマを発生させる。
そして、電源１４から８０〜１２０Ｗ、具体的には１００Ｗの電力を印加して、基板４を加熱することなくスパッタリングを開始し、スパッタ時間１０分間、室温（２０±５℃）で、基板４上に厚さ２００ｎｍ程度の透明導電膜を形成する。
【００３２】
本発明の透明導電膜の製造方法によれば、スパッタする時間を１〜５０時間と変化させた場合であっても、室温（２０±５℃）で、８．０×１０−４Ω・ｃｍ未満、好ましくは５．０×１０−４Ω・ｃｍ未満、より好ましくは２．０×１０−４Ω・ｃｍ以下、具体的には、１．０×１０−４Ω・ｃｍ以下の低い膜電気抵抗を有するＺｎＯ系の透明導電膜を得ることができる。
また、スパッタリング複合ターゲットに含まれる炭素系成分の面積比及び含有量が上記範囲内のものであれば、光透過率が８０％以上の透明導電膜を得ることができる。
【００３３】
図３に示すＲＦマグネトロンスパッタ装置を用いて透明導電膜を製造することも可能である。
図３は、他例のＲＦマグネトロンスパッタ装置１０の概略構成を示す図である。なお、図３において、図２と同様の部材には、同一の符号を付した。
図３に示すＲＦマグネトロンスパッタ装置１０は、酸化物系成分を含有する第１ターゲット２’と、炭素系成分を含有する第２ターゲット３’をそれぞれ異なる位置に配置する２つのターゲットホルダー１３ａ，１３ｂを備えたものである。
この２つのターゲットホルダー１３ａ，１３ｂに、各々第１ターゲット２’、第２ターゲット３’を設置して、スパッタリング複合ターゲット１’とし、第１ターゲット２’と第２ターゲット３’を共に略同時にスパッタリングしてもよい。
なお、均質な透明導電膜を形成するために、基板ホルダー１２を所定の速度で回転させるようにしてもよい。
また、図３においては、ターゲットホルダー１３ａ，１３ｂに各々電源１５ａ，１５ｂを接続した例を示したが、１つの電源からターゲットホルダー１３ａ，１３ｂの両方に電圧を印加するようにしてもよい。
また、スパッタリング複合ターゲット１は、図１〜３に示す例に限らず、酸化物系成分２と炭素系成分３とを一体化したものを用いてもよい。
【００３４】
本発明によれば、スパッタ時間に拘わらず、安定した一定の酸素欠陥を透明導電膜に導入することができ、Ｉｎ２Ｏ３系の材料と比較して安価なＺｎＯ系の材料を用いて、ＩＴＯと同等程度の優れた低い電気抵抗及び良好な導電性を有する透明導電膜を得ることができる。
本発明によって得られる透明導電膜は、太陽電池や、ＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）、ＰＤＰ（Ｐｌａｓｍａ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｐａｎｅｌ）等のＦＰＤ（Ｆｌａｔ  Ｐａｎｅｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）に好適に用いることができる。
【実施例】
【００３５】
以下、本発明を実施例、参考例及び比較例により更に詳細に説明するが、本発明はこれら実施例
に限定されるものではない。
【００３６】
（実施例１）
図２に示すＲＦ（高周波）マグネトロンスパッタ装置を用いて、ターゲットホルダーに、直径４インチ×厚さ４ｍｍの酸化亜鉛から成る焼結体であるＺｎＯ成分を設置し、このＺｎＯ成分上に、ＺｎＯ成分の最大表面積１００％に対して、金属Ａｌを面積比で３％になるように設置した。
ＺｎＯ＋Ａｌ成分の上に、ＺｎＯ＋Ａｌ成分の最大表面積をターゲット表面積とし、該ターゲット表面積１００％に対して、カーボンチップ（Ｃ）を面積比で６％になるように設置し、スパッタリング複合ターゲットとした。
【００３７】
次に、基板ホルダーに、厚さ１ｍｍのガラス基板を設置した。
そして、チャンバー内を排気ポンプで真空にした後、スパッタガスとして、流量１５ｓｃｃｍ、ガス圧１ＰａのＡｒガスをチャンバー内に導入した。
その後、基板を加熱することなく、室温（２０±５℃）で、電源により１００Ｗの高周波（１３．５６ＭＨｚ）の電圧を、基板及びスパッタリング複合ターゲットの間に印加し、スパッタ時間１０分間で、基板上に厚さ２００ｎｍの透明導電膜を形成した。
得られた透明導電膜の電気抵抗を４端子法測定機により測定した。透明導電膜の電気抵抗は、１．０×１０−４Ω・ｃｍであった。また、透明導電膜の光透過率は、８５％であった。
トータルして５０時間スパッタした後、上記と同様に１０分間スパッタを行い、透明導電膜を製造した場合においても、透明導電膜の電気抵抗は１×１０−４Ω・ｃｍ程度であった。
【００３８】
（実施例２）
スパッタリング複合ターゲットとして、実施例１と同様のＺｎＯ＋Ａｌ成分のターゲット表面積１００％に対して、カーボンチップ（Ｃ）を面積比で２％になるように設置したものを用いたこと以外は、実施例１と同様にして、透明導電膜を形成した。
透明導電膜の電気抵抗は、１．０×１０−４Ω・ｃｍであり、光透過率は、８５％であった。
【００３９】
（実施例３）
スパッタリング複合ターゲットとして、実施例１と同様のＺｎＯ＋Ａｌ成分のターゲット表面積１００％に対して、カーボンチップ（Ｃ）を面積比で１５％になるように設置したものを用いたこと以外は、実施例１と同様にして、透明導電膜を形成した。
透明導電膜の電気抵抗は、１．０×１０−４Ω・ｃｍであり、光透過率は、８０％であった。
【００４０】
（参考例４〜６）
ＺｎＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｃ（グラファイト）を以下の比率で粉体混合し、焼結等により一体化したスパッタリング複合ターゲットを用いたこと以外は、実施例１と同様にして透明導電膜を形成した。
参考例４；ＺｎＯ：Ａｌ2Ｏ3：Ｃ（グラファイト）＝９７．２％：２．０％：０．８％
参考例５；ＺｎＯ：Ａｌ2Ｏ3：Ｃ（グラファイト）＝９５．５％：２．０％：２．５％
参考例６；ＺｎＯ：Ａｌ2Ｏ3：Ｃ（グラファイト）＝９１．５％：１．９％：６．７％
上記参考例４〜６のスパッタリング複合ターゲットを用いて得られた透明導電膜は、いずれも電気抵抗が１．０×１０−４Ω・ｃｍ（参考例４〜６）であり、光透過率が８５％（参考例４〜６）であった。
【００４１】
（比較例１）
直径４インチ×厚さ４ｍｍのＺｎＯ成分をスパッタリングターゲットとしたこと以外は、実施例１と同様にして、透明導電膜を形成した。
得られた透明導電膜の電気抵抗は、３×１０−１Ω・ｃｍであり、光透過率は、８５％であった。
【００４２】
（比較例２）
直径４インチ×厚さ４ｍｍのＺｎＯ成分上に、ＺｎＯ成分の最大表面積１００％に対して、金属Ａｌ成分を面積比で３％になるように設置したものをスパッタリングターゲットとしたこと以外は、実施例１と同様にして、透明導電膜を形成した。
透明導電膜の電気抵抗は、８×１０−４Ω・ｃｍであり、光透過率は、８５％であった。
【００４３】
（比較例３，４，５）
金属Ａｌの代わりに、金属Ｔａ，金属Ｎｂ，希土類元素（具体的にはＴａ）を含む化合物を用いたスパッタリングターゲットを用いて、比較例２と同様にして、透明導電膜を形成した。
透明導電膜の電気抵抗は、いずれも８×１０−４Ω・ｃｍ以上であり、光透過率は、いずれも８５％であった。
【００４４】
〔結果の考察〕
実施例１〜３、参考例４〜６のスパッタリング複合ターゲットを用いて製造した透明導電膜は、いずれも電気抵抗が１×１０−４Ω・ｃｍ以下と低く、基板を高温（例えば２００℃）に加熱することなく室温で、且つ、ＺｎＯ系の安価な材料を用いて、ＩＴＯと同程度かそれ以上に低い電気抵抗及び良好な導電性を有する透明導電膜を得ることができた。
また、スパッタを５０時間行った後であっても、得られる透明導電膜の電気抵抗が１×１０−４Ω・ｃｍと変わらず、スパッタの再現性が良好であることが確認できた。
一方、比較例１〜５のスパッタリングターゲットを用いると、得られた透明導電膜の電気抵抗が３×１０−１Ω・ｃｍ又は８×１０−４Ω・ｃｍ以上と高く、ＩＴＯと同程度の電気抵抗を有する透明導電膜を得ることができなかった。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明のスパッタリング複合ターゲットの実施形態の一例を示す平面図である。
【図２】一般的なＲＦマグネトロンスパッタ装置の概略構成を示す図である。
【図３】他例のＲＦマグネトロンスパッタ装置の概略構成を示す図である。
【符号の説明】
【００４６】
１、１’…スパッタリング複合ターゲット、２，２’…酸化物系成分、３，３’，３ａ〜３ｄ…炭素系成分、４…基板、１０…ＲＦマグネトロンスパッタ装置、１１…チャンバー、１２…基板ホルダー、１３，１３ａ，１３ｂ…ターゲットホルダー、１４…配管、１５…電源、１６…ガスボンベ、１７…排気ポンプ、１８…供給配管、１９…流量調節弁
【図１】
0005134382.tif 000002
【図２】
0005134382.tif 000003
【図３】
0005134382.tif 000004