(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理容器と、前記処理容器内に配置され、被処理体を保持する保持部材を含む容器内部材とを備え、塩素を含むガスを用いて前記被処理体上に薄膜の成膜処理を行う、前記処理容器に天然石英が用いられた基板処理装置のメタル汚染低減方法であって、
前記塩素を含むガスを用いて前記被処理体上に薄膜の成膜処理を行う前に、前記処理容器内の内壁、及び前記容器内部材の表面上を、塩素を含まないガスを用いて形成したシリコン酸化膜でプリコートすることを特徴とする基板処理装置のメタル汚染低減方法。
【請求項２】
前記シリコン酸化膜の膜厚は４００ｎｍ以上とすることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置のメタル汚染低減方法。
【請求項３】
前記被処理体上に成膜される薄膜中の銅を１×１０１０ａｔｏｍｓ／ｃｍ２オーダー〜３×１０１０ａｔｏｍｓ／ｃｍ２オーダーとすることを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置のメタル汚染低減方法。
【請求項４】
前記塩素を含まないガスは、モノシランであることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の基板処理装置のメタル汚染低減方法。
【請求項５】
前記基板処理装置は、被処理体に対して酸素又は窒素を含有する薄膜を成膜する成膜装置であって、前記被処理体への成膜処理時に、前記塩素を含むガスと、前記酸素又は窒素を含むガスとを供給し、前記酸素又は窒素を含有する薄膜を成膜することを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の基板処理装置のメタル汚染低減方法。
【請求項６】
前記プリコートは、前記塩素を含まないガスと酸素を含むガスとを用いて行い、
前記基板処理装置に用いられた天然石英に含まれている銅を酸化銅とし、前記酸化銅の上を、前記塩素を含まないガスと前記酸素を含有するガスとを用いて形成されたシリコン酸化膜で覆うことを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の基板処理装置のメタル汚染低減方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハ等の被処理体にＳｉＯ２等の薄膜を成膜するなどの処理を施す基板処理装置に係わり、特に、基板処理装置内のメタル汚染を低減するメタル汚染低減方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程においては、シリコンウエハに代表される半導体ウエハに対してＳｉＯ２等薄膜を成膜する成膜工程が存在する。成膜工程においては、縦型のバッチ式熱処理装置にて複数の半導体ウエハに対して一括して化学蒸着法（ＣＶＤ）により成膜する技術が用いられている。
【０００３】
半導体装置の微細化・高集積化が進展しており、この進展に伴い、良質なＳｉＯ２等の薄膜が求められるようになってきた。良質な薄膜を実現可能な技術として、薄膜のソースとなるソースガス、例えば、Ｓｉソースと酸化剤とを交互に供給しながら原子層レベル、又は分子層レベルで交互に繰り返し成膜するＡＬＤ、又はＭＬＤ手法を用いてＳｉＯ２膜を成膜する技術が、例えば、特許文献１に記載されている。
【０００４】
また、処理容器内をプリコートする技術が、特許文献２乃至５に記載されている。
【０００５】
半導体デバイスの製造工程においては、シリコンウエハに代表される半導体ウエハに対してＳｉＯ２等薄膜を成膜する成膜工程が存在する。成膜工程においては、縦型のバッチ式熱処理装置にて複数の半導体ウエハに対して一括して化学蒸着法（ＣＶＤ）により成膜する技術が用いられている。
【特許文献１】特開２００３−７７００号公報
【特許文献２】特開平９−２４６２５６号公報
【特許文献３】特開２００２−３１３７４０号公報
【特許文献４】特開２００３−１８８１５９号公報
【特許文献５】特開平９−１７１９６８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ＳｉＯ２等の薄膜の品質への要求は、年々高まってきている。薄膜の特性を左右する大きな要因の一つに、薄膜のメタル汚染が挙げられる。メタル汚染の汚染源は、処理チャンバ内に紛れ込んだメタルである。処理チャンバに紛れ込むメタル汚染の一つに、処理チャンバの構成材料である溶融石英（天然石英）中に取り込まれていたメタルが揮発することが挙げられる。揮発量が微量であり、処理チャンバ内への飛散量が許容範囲に収まるのであれば何等問題は無い。しかしながら、飛散量の許容範囲は、年々狭まっているのが実情である。
【０００７】
今後、許容範囲の狭まりが益々進んでしまうと、現状のままでは、処理チャンバ内に飛散するメタル、例えば、銅を許容範囲内に抑えこむことが困難である。
【０００８】
この発明は、処理チャンバの構成材料に取り込まれていたメタルが揮発することを抑制でき、飛散量の許容範囲の狭まりにも対応することが可能な基板処理装置のメタル汚染低減方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、この発明の一態様に係る基板処理装置のメタル低減方法は、処理容器と、前記処理容器内に配置され、被処理体を保持する保持部材を含む容器内部材とを備え、塩素を含むガスを用いて前記被処理体上に薄膜の成膜処理を行う、前記処理容器に天然石英が用いられた基板処理装置のメタル汚染低減方法であって、
前記塩素を含むガスを用いて前記被処理体上に薄膜の成膜処理を行う前に、前記処理容器内の内壁、及び前記容器内部材の表面上を、塩素を含まないガスを用いて形成したシリコン酸化膜でプリコートする。
【発明の効果】
【００１０】
この発明によれば、処理チャンバの構成材料に取り込まれていたメタルが揮発することを抑制でき、飛散量の許容範囲の狭まりにも対応することが可能な基板処理装置のメタル汚染低減方法を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、添付図面を参照しながら本発明の一実施形態を説明する。
【００１２】
図１は成膜装置の一例を示す縦断面図、図２は図１に示す成膜装置の横断面図、図３は図１に示す成膜装置のガスの供給タイミングの一例を示すタイミング図である。
【００１３】
成膜装置１００は、下端が開口された有天井の円筒体状の処理容器１を有している。この処理容器１の全体は、例えば、石英により形成されており、この処理容器１内の天井には、石英製の天井板２が設けられて封止されている。また、この処理容器１の下端開口部には、例えばステンレススチールにより円筒体状に成形されたマニホールド３がＯリング等のシール部材４を介して連結されている。
【００１４】
上記マニホールド３は処理容器１の下端を支持しており、このマニホールド３の下方から被処理体として多数枚、例えば５０〜１００枚の半導体ウエハＷを多段に載置可能な石英製のウエハボート５が処理容器１内に挿入可能となっている。このウエハボート５は３本の支柱６を有し（図２参照）、支柱６に形成された溝により多数枚のウエハＷが支持されるようになっている。
【００１５】
このウエハボート５は、石英製の保温筒７を介してテーブル８上に載置されており、このテーブル８は、マニホールド３の下端開口部を開閉する例えばステンレススチール製の蓋部９を貫通する回転軸１０上に支持される。
【００１６】
そして、この回転軸１０の貫通部には、例えば磁性流体シール１１が設けられており、回転軸１０を気密にシールしつつ回転可能に支持している。また、蓋部９の周辺部とマニホールド３の下端部との間には、例えばＯリングよりなるシール部材１２が介設されており、これにより処理容器１内のシール性を保持している。
【００１７】
上記の回転軸１０は、例えばボートエレベータ等の昇降機構（図示せず）に支持されたアーム１３の先端に取り付けられており、ウエハボート５および蓋部９等を一体的に昇降して処理容器１内に対して挿脱されるようになっている。なお、上記テーブル８を上記蓋部９側へ固定して設け、ウエハボート５を回転させることなくウエハＷの処理を行うようにしてもよい。
【００１８】
また、成膜装置１００は、成膜処理に使用する成膜ガスとして、処理容器１内へ酸素含有ガス、例えばＮ２Ｏガスを供給する酸素含有ガス供給機構１４ａと、処理容器１内へシリコンソースガス、例えばジクロルシラン（ＤＣＳ）ガスを供給するシリコンソースガス供給機構１４ｂと、を有している。
【００１９】
また、成膜装置１００は、パージガスとして、処理容器１内へ不活性ガス、例えば窒素（Ｎ２）ガスを供給するパージガス供給機構１６を有している。
【００２０】
酸素含有ガス供給機構１４ａは、酸素含有ガス供給源１７ａと、ガス供給源１７ａから酸素含有ガスを導くガス配管に接続され、マニホールド３の側壁を内側へ貫通して上方向へ屈曲されて垂直に延びる石英管よりなる分散ノズル１９とを有している。分散ノズル１９の垂直部分には、複数のガス吐出孔１９ａが所定の間隔を隔てて形成されており、各ガス吐出孔１９ａから水平方向に処理容器１に向けて略均一に酸素含有ガス、例えばＮ２Ｏガスを吐出することができるようになっている。酸素含有ガスを導くガス配管には、開閉弁１８ａ、及びマスフローコントローラのような流量制御器１８ｂが設けられており、流量を制御しつつ、酸素含有ガスが分散ノズル１９に供給されるようになっている。
【００２１】
シリコンソースガス供給機構１４ｂは、シリコン含有ガス供給源１７ｂと、ガス供給源１７ｂからシリコン含有ガスを導くガス配管に接続され、分散ノズル１９と同様に、マニホールド３の側壁を内側へ貫通して上方向へ屈曲されて垂直に延びる石英管よりなる分散ノズル２４とを有している。分散ノズル２４の垂直部分にも、処理容器１内に水平方向に均一にシリコン含有ガス、例えばＤＣＳガスを吐出できるように、複数のガス吐出孔２４ａが形成されている。シリコンソースガスを導くガス配管にも、開閉弁１８ｃ、及び流量制御器１８ｄが設けられており、酸素含有ガスと同様に、流量を制御しつつ、シリコンソースガスが分散ノズル２４に供給される。
【００２２】
パージガス供給機構１６は、パージガス供給源２５と、パージガス供給源２５からパージガスを導くガス配管に接続され、マニホールド３の側壁を貫通して設けられたノズル２７とを有している。
【００２３】
パージガスを導くガス配管にも、開閉弁２６ａ、並びに流量制御器２６ｂが接続されており、パージガスも流量が制御されつつ、ノズル２７に供給されるようになっている。
【００２４】
処理容器１内の、分散ノズル１９、及び２４と反対側の部分には、処理容器１内を真空排気するための排気口３７が設けられている。排気口３７は処理容器１の側壁を上下方向へ削りとることによって細長く形成されている。処理容器１の排気口３７に対応する部分には、排気口３７を覆うように断面がコの字状に成形された排気口カバー部材３８が溶接により取り付けられている。排気口カバー部材３８は、処理容器１の側壁に沿って上方に延びており、処理容器１の上方にガス出口３９を規定している。ガス出口３９には、図示せぬ真空ポンプ等を含む真空排気機構が接続される。図示せぬ真空排気機構は、処理容器１内を真空引きする。
【００２５】
処理容器１の外周には筒体状の加熱装置４０が設けられている。加熱装置４０は処理容器１を囲むように設けられており、処理容器１、及びその内部に収容された被処理体、例えば、半導体ウエハＷを加熱する。
【００２６】
成膜装置１００の各構成部の制御、例えば開閉バルブ１８ａ、１８ｃ、２６ａの開閉による各ガスの供給並びに停止、流量制御器１８ｂ、１８ｄ、２６ｂによる流量の制御、加熱装置４０の制御等は、例えばマイクロプロセッサ（コンピュータ）からなるコントローラ５０により行われる。コントローラ５０には、オペレータが成膜装置１００を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードや、成膜装置１００の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等からなるユーザーインターフェース５１が接続されている。
【００２７】
コントローラ５０には記憶部５２が接続されている。記憶部５２は、成膜装置１００で実行される各種処理をコントローラ５０の制御にて実現するための制御プログラムや、処理条件に応じて成膜装置１００の各構成部に処理を実行させるためのプログラムすなわちレシピが格納される。レシピは、例えば記憶部５２の中の記憶媒体に記憶される。記憶媒体は、ハードディスクや半導体メモリであってもよいし、ＣＤ-ＲＯＭ、ＤＶＤ、フラッシュメモリ等の可搬性のものであってもよい。また、他の装置から、例えば専用回線を介してレシピを適宜伝送させるようにしてもよい。レシピは、必要に応じて、ユーザーインターフェース５１からの指示等にて記憶部５２から読み出され、読み出されたレシピに従った処理をコントローラ５０が実行することで、成膜装置１００は、コントローラ５０の制御のもと、所望の処理が実施される。
【００２８】
成膜装置１００による成膜処理は、以下のように実施される。
【００２９】
図３はガスの供給タイミングを示すタイミングチャートである。本例は、処理容器１内に、シリコンソースガスと酸素含有ガスとを交互に供給することで、半導体ウエハＷにシリコン酸化膜を成膜する例である。
【００３０】
まず、常温において、例えば５０〜１００枚の半導体ウエハＷが搭載された状態のウエハボート５を予め所定の温度に制御された処理容器１内に、処理容器１の下方から上昇させることによりロードする。半導体ウエハＷの一例は、直径３００ｍｍのものである。次いで、蓋部９を用いて、マニホールド３の下端開口部を閉じ、処理容器１内を密閉空間とする。次いで、処理容器１内を真空引きして所定のプロセス圧力に維持するととともに、加熱装置４０への供給電力を制御して、ウエハ温度を上昇させてプロセス温度に維持し、ウエハボート５を回転させた状態で成膜処理を開始する。
【００３１】
この際の成膜処理は、図３に示すように、シリコンソースガスを処理容器１に供給して半導体ウエハＷ上にシリコンを吸着させる工程Ｓ１と、酸素含有ガスとして例えばＯ３ガスを処理容器１に供給してシリコンを酸化させる工程Ｓ２とを交互に繰り返す。これらの工程Ｓ１とＳ２との間では、処理容器１内から残留ガスを除去する工程Ｓ３が実施される。これら工程Ｓ１乃至Ｓ３におけるプロセス温度は、例えば、１００〜４００℃に設定される。このように、シリコンソースガスと酸素含有ガスとを、処理容器１内に交互に供給することで、半導体ウエハ上に、シリコン酸化膜が成膜される。
【００３２】
ところで、処理容器１等は、溶融石英、即ち天然石英を用いて形成されている。天然石英には元々、不純物が含まれている。特に、問題となる不純物は銅である。銅は、半導体装置を製造する際の汚染物の一つである。銅が、例えば、層間絶縁膜中に拡散してしまうと、層間絶縁膜の絶縁性が損なわれたりする。
【００３３】
天然石英に元々含まれている不純物が処理容器１の外に出てこないようにするために、処理容器１の内壁をシリコン酸化膜でプリコートすることが行われる。本件出願の発明者らは、ジクロルシラン（ＤＣＳ）ガスを用い、Ｎ２Ｏガスを酸化剤としてシリコン酸化膜を形成し、処理容器１の内壁をプリコートした。本明細書では、ＤＣＳを用い、Ｎ２Ｏガスを酸化剤としてシリコン酸化膜を形成するプロセスを、ＤＣＳ−ＨＴＯプロセスという。
【００３４】
ＤＣＳ−ＨＴＯプロセスにてシリコン酸化膜を処理容器１の内壁、及び容器内部材の表面上に６００ｎｍ累積させた。この成膜装置を用いて、膜中不純物分析を目的として、温度７８０℃のＤＣＳ−ＨＴＯプロセスにより、半導体ウエハ上にシリコン酸化膜を成膜した。半導体ウエハ上に成膜したシリコン酸化膜を、ＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ−Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ）発光分析法を用いて、膜中の銅の量を分析した。しかしながら、ＤＣＳ−ＨＴＯプロセスを用いて処理容器１の内壁にシリコン酸化膜を６００ｎｍ累積した場合でも、半導体ウエハ上に形成したシリコン酸化膜中の銅の量は５×１０１０ａｔｏｍｓ／ｃｍ２であり、予想以上に減らなかった。
【００３５】
本件発明者らは、この原因として、プリカーサーであるＤＣＳが塩素、即ち活性度が高いハロゲンを含んでおり、処理容器１等を構成する天然石英中に含まれた銅を塩化銅として揮発させてしまうことを突きとめた。このため、ＤＣＳ−ＨＴＯプロセスによりシリコン酸化膜の累積を重ねても、処理容器１の内壁等には塩化銅を含んだシリコン酸化膜が形成されつづけるから、処理容器１内への銅の飛散がなかなか減らないのである。
【００３６】
そこで、本件発明者らは、プリカーサーにハロゲンを含まないもの、本例では、モノシラン（ＭＳ：ＳｉＨ４）をプリカーサーに用い、Ｎ２Ｏガスを酸化剤としてシリコン酸化膜を形成し、処理容器１の内壁をプリコートした。本明細書では、ＭＳを用い、Ｎ２Ｏガスを酸化剤としてシリコン酸化膜を形成するプロセスを、ＭＳ−ＨＴＯプロセスという。また、プリコートとは、ウエハ上への本成膜前に実施する処理容器１内（炉内）安定化工程のことを指す。このプリコートは、処理容器１内にウエハが無い状態で行われる。
【００３７】
本例では、ＭＳ−ＨＴＯプロセスにてシリコン酸化膜を処理容器１の内壁、及び容器内部材（ウエハボート５、支柱６、保温筒７、テーブル８、及び蓋部９の処理容器１内に曝される面等）上に６００ｎｍ累積させた。この成膜装置を用いて、膜中不純物分析を目的として、上記同様、温度７８０℃のＤＣＳ−ＨＴＯプロセスにより、半導体ウエハ上にシリコン酸化膜を成膜し、ＩＣＰ発光分析法を用いて半導体ウエハ上のシリコン酸化膜中の銅の量を分析した。この場合、半導体ウエハ上に形成したシリコン酸化膜中の銅の量は、６００ｎｍ累積で、３×１０１０ａｔｏｍｓ／ｃｍ２まで低下した。これを図４Ａに示す。
【００３８】
図４Ａに示すように、ＭＳ−ＨＴＯプリコート（６００ｎｍ累積）によれば、半導体ウエハ上のシリコン酸化膜中から、銅を約３×１０１０ａｔｏｍｓ／ｃｍ２オーダーまで減らすことができた。ちなみに、ＤＣＳ−ＨＴＯプリコート（６００ｎｍ累積）によれば、図４Ａ中に丸印で示すように、銅は約５×１０１０ａｔｏｍｓ／ｃｍ２オーダーまでにしかなっていない。図４Ｂに評価に使用した成膜装置の概略断面を示す。
【００３９】
図４Ｂに示すように、評価に使用した成膜装置は、縦型のバッチ式成膜装置であり、処理容器１の内壁や、容器内部材上にＭＳ−ＨＴＯプリコートが施されたものである。
【００４０】
また、膜中の銅の量の評価は、図４Ｂに示すように、ウエハボート５に保持された半導体ウエハＷのうち、最上部のもの（トップウエハ）と、最下部のもの（ボトムウエハ）とで実施した。
【００４１】
本例では、図４Ａにも示されているように、トップウエハの方がボトムウエハよりも膜中の銅の量が少ない。これは、縦型のバッチ式成膜装置では、処理容器１の下部のほうに、ＭＳ−ＨＴＯプリコートがされ難い部分、例えば、容器内部材である保温筒（断熱材）７のように温度が低い部分があり、温度が低い部分においてはＭＳ−ＨＴＯが厚く堆積されなかったため、と推測される。例えば、図４Ａ中の矢印Ａに示すように、累積膜厚が２００ｎｍのとき、ボトムウエハでは、約８×１０１０ａｔｏｍｓ／ｃｍ２程度の銅が含まれ、累積膜厚と膜中の銅との関係を示す予想曲線から大きく外れている。これは、温度が低い部分においてＭＳ−ＨＴＯが厚く堆積されなかったことが原因、と推測される。
【００４２】
しかしながら、図４Ａに示すように、累積膜厚が４００ｎｍ以上になると、トップウエハの場合と同様に、銅の量が、約３×１０１０ａｔｏｍｓ／ｃｍ２オーダーまで減少している。ＭＳ−ＨＴＯは、例えば、４００ｎｍ以上堆積させれば、処理容器１の内部に、例え、温度が高い部分と低い部分とがあっても何等問題は無くなる。
【００４３】
また、ＭＳ−ＨＴＯプリコートの際に容器内部材の下部の部分を、上部に持ってきてプリコートすれば、容器内部材の下部にも十分に厚いＭＳ−ＨＴＯを成膜することができる。このようにすれば、ボトムウエハでも、トップウエハと同等レベルまで膜中の銅の減少効果を期待することも可能である。
【００４４】
このように本実施形態によれば、ＭＳ−ＨＴＯプロセスを用いて、処理容器１の内壁及び容器内部材の表面上に、ハロゲンを含まないガスでシリコン酸化膜を成膜しておくことにより、半導体ウエハ上に成膜される薄膜から、銅の量を減らすことができる。
【００４５】
この理由は、酸化膜堆積速度がＤＣＳ−ＨＴＯプロセスよりも速く、かつ、使用ガスにハロゲン、例えば、塩素を含まないＭＳ−ＨＴＯプロセスを用いて、処理容器１の内壁及び容器内部材の表面をプリコートする。これにより、不純物である銅が、ＭＳ−ＨＴＯプロセスで成膜されたシリコン酸化膜中に酸化銅として塗り込まれる。酸化銅は、塩化銅よりも拡散速度が遅い。つまり、不純物の多い天然石英表面とシリコン酸化膜との間に、安定な酸化銅を形成し、さらに、その上に不純物の少ないシリコン酸化膜で厚く塗り込む。
【００４６】
本実施形態によれば、天然石英上に酸化銅を形成し、さらに酸化銅を、ハロゲンを含まないプリカーサーを用いて形成したシリコン酸化膜（合成石英）で覆う構成を有することで、処理容器１の内壁及び容器内部材の表面、即ちガス接触面を、例えば、塩化銅等を含まないシリコン酸化膜（合成石英）で覆うことができる。
【００４７】
よって、処理チャンバの構成材料、例えば、天然石英中に取り込まれていたメタルが揮発することを抑制でき、飛散量の許容範囲の狭まりにも対応することが可能な成膜装置を提供できる。図５に、本実施形態を適用した成膜装置の一例を示しておく。
【００４８】
図５に示すように、処理容器１の内壁や容器内部材の表面には、ＭＳ−ＨＴＯプロセスを用いて成膜したシリコン酸化膜５０が形成されている。
【００４９】
以上、この発明を一実施形態に従って説明したが、この発明は上記一実施形態に限定されることなく、種々変形可能であるし、上記一実施形態が唯一の実施形態でもない。
【００５０】
例えば、上記実施形態では本発明を複数の半導体ウエハを搭載して一括して成膜を行うバッチ式の成膜装置に適用した例を示したが、これに限らず、一枚のウエハ毎に成膜を行う枚葉式の成膜装置に適用することもできる。
【００５１】
また、上記実施形態では、被処理体に対して酸素を含有する薄膜、例えば、シリコン酸化膜を成膜する成膜装置を例示したが、例えば、被処理体に対して窒素を含有する薄膜、例えば、シリコン窒化膜を成膜する成膜装置であっても良い。例えば、シリコン窒化膜を成膜する場合には、成膜用ガス（プリカーサー）としてＤＣＳを用い、窒素を含むガスとしてＮＨ３を用いれば良い。また、薄膜に対して酸窒化することも可能であり、この場合には被処理体上に酸窒化膜、例えばシリコン酸窒化膜を成膜することができる。酸化、又は窒化、又は酸窒化される物質としては、シリコンに限られるものではなく、ハフニウム、ジルコニウム等、半導体装置に使用される金属材料であれば良い。
【００５２】
また、上記実施形態では、汚染物として、天然石英中からの銅の飛散を抑制するようにしたが、上記実施形態は、ハロゲンを含まないプリカーサーを用いて、処理容器１の内壁や容器内部材をプリコートするので、銅以外の汚染物、例えば、天然石英中に含まれたアルミニウム等の飛散も抑制することができる。
【００５３】
さらに、上記実施形態は、成膜装置に限らず、膜の累積ができない酸化プロセス、即ち熱酸化装置にも適用することができる。
【００５４】
また、被処理体としては、半導体ウエハに限定されず、ＬＣＤガラス基板等の他の基板にも本発明を適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】この発明の実施に使用される成膜装置の一例を示す縦断面図
【図２】この発明の実施に使用される成膜装置の一例を示す横断面図
【図３】成膜処理におけるガスの供給のタイミングを示すタイミングチャート
【図４】この発明の一実施形態に係るメタル汚染低減方法を示す図
【図５】処理容器の近傍を拡大して示す断面図
【符号の説明】
【００５６】
１…処理容器、２…天井板、３…マニホールド、５…ウエハボート、６…支柱、７…保温筒、８…テーブル、９…蓋部、１４ａ…酸素含有ガス供給機構、１４ｂ…シリコンソースガス供給機構、１６…パージガス供給機構、Ｗ…半導体ウエハ（被処理体）
【図１】
0005201934.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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