(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空容器と、前記真空容器内に配置された第１及び第２の電極と、前記第１の電極に真空容器外から高周波電力を供給する給電機構と、前記第２の電極を基準電位に接続する機構とを備え、前記第１及び第２の電極間にガスを流した状態でプラズマを形成して製膜又はエッチングを行うプラズマ処理装置であって、
前記給電機構は、前記真空容器外から供給される高周波電力を前記第１の電極に給電する中心導体と、前記真空容器内における前記中心導体の全周を、空間ギャップを介して囲むように配置され、分解可能な複数の金属構造体からなる外周導体とを備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
前記中心導体は、前記複数の金属構造体で形成される空間に配置されると共に前記外周導体から絶縁された固定体に固定され、前記複数の金属構造体のうち着脱可能な所定の金属構造体を取り外した状態で前記外周導体外から前記中心導体の固定箇所にアクセス可能にしたことを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記外周導体の内側に所定の剛性を有する骨材を配設することを特徴とする請求項１又は請求項２記載のプラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマを利用して薄膜堆積（薄膜形成）やエッチング等の処理を行うプラズマ処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、プラズマを利用した薄膜形成（堆積膜形成）やエッチングは、多くの技術分野で適用されている。その装置構成としては、例えば容量結合型の平行平板プラズマＣＶＤ装置もしくはエッチング装置等が挙げられる。真空容器内に流すガスを、例えばＳｉＨ４に代表される製膜ガスとすれば薄膜が堆積され、例えばＣＦ４に代表されるエッチングガスとすればエッチングが行われる。ここでは、ＳｉＨ４を主体としたガスによって基板上にＳｉ系薄膜を形成するプラズマＣＶＤ法によって、薄膜太陽電池を製造する例を挙げることとする。
【０００３】
図５は、従来の容量結合型の平行平板プラズマＣＶＤ装置（プラズマ処理装置の一種）の模式図である。このプラズマ処理装置１は、真空容器２の内部に、高周波電源３および整合回路４から給電線５を通して高周波電力が供給される高周波電極６と、この高周波電極６に対向する接地電極７とが配置されている。真空容器２と給電線５とは、電気的に互いに絶縁されている。なお、接地電極７は、必ずしも接地電位である必要はなく、目的に応じて直流、もしくは高周波電圧の印加が可能な機構が設けられても良い。給電線５と高周波電極６との接続部位は、高周波電極６の中心部である場合が多く、かつ、給電線５と高周波電極６とは垂直に接続される場合が多い。この場合、外部から真空容器２内に電力を供給する機構（高周波電源３と整合回路４を含む）が真空容器２に対して図５の側部位置に配置される。
【０００４】
上述のようなプラズマ処理装置１を用いて薄膜を形成する手順について説明する。
まず、真空容器２内を図示しない排気機構で或る程度の真空まで真空引きを行ない、その後に必要に応じて基板８を加熱する図示しないヒーターによって基板８の加熱を行なう。真空引き直後の場合、真空容器２の内壁面や基板８の表面等に水分等が吸着している場合が多く、これらの不純物が十分に脱ガスされない状態で薄膜形成を行なうと、膜中に大量の不純物が含まれてしまい、膜質の低下につながる。そこで、真空容器２内の脱ガスを促進する目的のために、薄膜形成前に図示しないガス導入ラインからガスを導入し、図示しない圧力制御器と図示しない製膜ガス排気ラインによって真空容器２内を一定の圧力に保持したまま真空容器２内の加熱（ベーキング）を行なう。ベーキング中に流すガスは、Ｈ２等の熱伝導性が比較的良いガス、Ｈｅ，Ａｒ等の不活性ガス、或いは製膜を行なう際に流す製膜ガス等を採用する。脱ガス後に、基板温度を製膜する際の基板温度に設定し、場合によっては数種類の製膜ガスを適当な流量比で混合した混合ガスを真空容器２内に流して適当な圧力で保持した後に、高周波電極６に電力を供給し、高周波電極６と接地電極７との間にプラズマを発生させて基板８上に薄膜形成を行う。例えば種々の製膜条件で基板上に多層膜を形成し、薄膜太陽電池等を製造する。
【０００５】
ところで、図５に示すプラズマ処理装置１では、外部から真空容器２内に電力を供給する機構（高周波電源３と整合回路４を含む）が真空容器２に対して側部位置に配置されているが、これに限定されるものではない。また、真空容器２の内部には、一組の高周波電極６と接地電極７しか設置できないわけでなく、複数の高周波電極及び複数の接地電極を設置することができる。
【０００６】
図６は、真空容器内に電力を供給する機構を真空容器に対して上部位置に配置し、真空容器の内部に複数の高周波電極及び複数の接地電極を設置したプラズマ処理装置の模式図である。真空容器２の内部には、高周波電極及び接地電極の組が２組設置されており、各々の高周波電極６ａ，６ｂに対して配置された高周波電源３ａ，３ｂから整合回路４ａ，４ｂ及び給電線５ａ，５ｂを通してそれぞれ独立に電力を供給することが可能な構成とされている。
【０００７】
このような構成を採ることにより、高周波電極及び接地電極の組が一組しかない場合に比べ、処理能力を２倍にすることができる。
【０００８】
図６に示すように、給電線５ａ、５ｂが高周波電極６ａ，６ｂの中心部近傍で接続配置される場合には、給電線５ａ，５ｂの形状は、構成上の制約により、図５に示すような直線状の形状にすることができない。図６に示す例では、Ｌ状の形状となされている。給電線５ａ，５ｂの形状は、外部から真空容器２内に電力を供給する機構を設置する箇所、並びに、給電線５ａ，５ｂと高周波電極６ａ，６ｂとの接続位置で決まるが、高周波電力を用いる場合には、給電線５ａ，５ｂの長さや形状に応じたインダクタンス成分が存在し、整合回路４ａ，４ｂと給電線５ａ，５ｂとの接続点で過大な電圧が発生するので、給電線５ａ，５ｂをできるだけ広く短くして接続することが好ましい。
【０００９】
給電線の材質としては銀や銅等、抵抗率の低い金属が選択されることが多く、その形状は線状，板状，或いは円柱状のものが選択されることが多い。電源として高周波電力を用い、給電線が長くなる場合、給電線には高電圧が生じ、真空容器内外で様々な影響がでる。例えば、給電線がプラズマ印加環境の反応室内に存在する場合には、給電線の周囲も反応ガスで満たされており、給電線と適当な距離だけ離れた部位に接地電位を有する反応室壁体（真空容器２の壁体）等があると、給電線と反応室壁体との間で放電が生じやすくなり、パワーロスやプラズマが生じた領域近傍における薄膜の付着やエッチングが生じる等の不具合が発生する。また整合回路に高電圧が印加され、整合回路内で絶縁破壊が生じやすくなるといった不具合が発生する。また、給電線５ａ，５ｂと高周波電極６ａ，６ｂとの間の電磁気的な干渉から高周波電極６ａ，６ｂの高周波電位分布が不均一化する傾向にあるが、高周波電極６ａ，６ｂの高周波電位分布の均一性は薄膜の膜厚均一性に影響し、高周波電位分布の不均一化が激しくなると薄膜の膜厚均一性が悪化する。
【００１０】
従来、真空容器内の不要な放電対策として、高周波電圧が印加される高周波電極と給電線との間にシールド板を挿入する構造が提案されている（例えば、特許文献１参照）。図７に示すように、特許文献１に記載されたプラズマ処理装置では、シールド板９を高周波電圧が印加される電極と給電線との間に挿入し、シールド板９の両端を接地電位部に接続させ、電磁気的な干渉を弱くすることで、良好なプラズマ処理を行なうこととしている。
【００１１】
図６に示すように、真空容器２の内部の中央部において電極背面を対向させた一対の高周波電極６ａ，６ｂの中央部に接続される給電線５ａ，５ｂをシールドする場合、図７に示す構造のシールド板９では対応できない。少なくとも、各給電線５ａ，５ｂの全周をシールド構造体でそれぞれ囲み込むシール構造が必要である。
【特許文献１】特開２００６−２６１３６３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、真空容器の内部において各給電線の全周をそれぞれ囲み込むシールド構造体では、給電線を固定体に固定している固定部材の増し締めや、固定体の交換等のメンテナンス施工性が悪いという問題がある。
【００１３】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、高周波電極に給電を行う主給電線の外周を囲う外周導体を分割構造として、給電構造全体を取り外すことなく、外周導体の内部に配置された主給電線に対する作業を行うことができ、固定体の交換等のメンテナンス施工性を改善することができるプラズマ処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明のプラズマ処理装置は、真空容器と、前記真空容器内に配置された第１及び第２の電極と、前記第１の電極に真空容器外から高周波電力を供給する給電機構と、前記第２の電極を基準電位に接続する機構とを備え、前記第１及び第２の電極間にガスを流した状態でプラズマを形成して製膜又はエッチングを行うプラズマ処理装置であって、前記給電機構は、前記真空容器外から供給される高周波電力を前記第１の電極に給電する中心導体と、前記真空容器内における前記中心導体の全周を、空間ギャップを介して囲むように配置され、分解可能な複数の金属構造体からなる外周導体とを備えたことを特徴とする。
【００１５】
この構成によれば、中心導体の全周を囲む外周導体が、分解可能な複数の金属構造体で構成されるので、一部の金属構造体を取り外すことにより中心導体を固定体に固定している固定部材の増し締めや、固定体の交換等のメンテナンスを容易に行うことができる。
【００１６】
また本発明は、上記プラズマ処理装置において、前記中心導体は、前記複数の金属構造体で形成される空間に配置されると共に前記外周導体から絶縁された固定体に固定され、前記複数の金属構造体のうち着脱可能な所定の金属構造体を取り外した状態で前記外周導体外から前記中心導体の固定箇所にアクセス可能にしたことを特徴とする。
【００１７】
この構成により、複数の金属構造体のうち着脱可能な所定の金属構造体を取り外した状態で前記外周導体外から前記中心導体の固定箇所にアクセス可能になり、中心導体を固定体に固定している固定部材の増し締めや、固定体の交換等のメンテナンスを容易に行うことができる。
【００１８】
上記プラズマ処理装置において、前記外周導体の内側に所定の剛性を有する骨材を配設する構成としても良い。これにより、給電構造全体の剛性が増すので、地絡・感電等に対する安全上の空間絶縁を確保することができ、しかも安定した給電特性を実現することができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、高周波電極に給電を行う主給電線の外周を囲う外周導体が分割可能で、給電構造全体を取り外すことなく、外周導体の内部に配置された主給電線に対する作業を行うことができ、固定体の交換等のメンテナンス施工性を改善することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の実施の形態について添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本実施の形態に係るプラズマＣＶＤ装置の構成を示す模式図である。このプラズマＣＶＤ装置１０は、真空容器１１内に第１の電極となる高周波電極及び第２の電極となる接地電極の組が２組設置されている。一方の高周波電極１２ａと接地電極１３ａとが対向配置されると共に、他方の高周波電極１２ｂと接地電極１３ｂとが対向配置されている。接地電極１３ａ，１３ｂは接地機構１８ａ，１８ｂを介してそれぞれ接地されているが、所定電位の基準電位に接続するように構成しても良い。真空容器１１外には各高周波電極１２ａ，１２ｂに対応して高周波電源１４ａ，１４ｂが設けられている。高周波電源１４ａ，１４ｂはそれぞれ対応する中心導体１５ａ，１５ｂを介して高周波電極１２ａ，１２ｂに接続されている。なお、高周波電源１４ａ，１４ｂと中心導体１５ａ，１５ｂとの間には高周波電力を効率よく中心導体１５ａ，１５ｂへ入力するため、インピーダンス整合部１６ａ，１６ｂが設けられている。接地電極１３ａ，１３ｂの電極面上には、被処理体としての可撓性基板１７ａ，１７ｂを設置するための機構（図示せず）が配設されており、接地電極１３ａ，１３ｂ内には可撓性基板１７ａ，１７ｂを加熱するための加熱機構（図示せず）が配設されている。
【００２１】
上記中心導体１５ａ，１５ｂの構造についてさらに詳しく説明する。中心導体１５ａ，１５ｂは、給電フランジ接続側給電線２３ａ，２３ｂ、主給電線２４ａ，２４ｂ、電極接続側給電線２５ａ，２５ｂで構成されている。給電フランジ２１ａ，２１ｂが真空容器１１の上部に形成されたポートに絶縁材を介してそれぞれ気密に取り付けられている。真空容器１１外に露出した給電フランジ２１ａ，２１ｂの一端面に連結導体板２２ａ，２２ｂの一端部が連結されている。該連結導体板２２ａ，２２ｂの他端部はインピーダンス整合部１６ａ，１６ｂに接続されている。真空容器１１内では給電フランジ２１ａ，２１ｂの容器内に露出した他端面に対して断面Ｌ字型をなす給電フランジ接続側給電線２３ａ，２３ｂの一端部が螺子等の固定部材で固定されている。給電フランジ接続側給電線２３ａ，２３ｂの他端部には板状の主給電線２４ａ，２４ｂの一端部が螺子等の固定部材で固定されている。主給電線２４ａ，２４ｂは真空容器１１内のポート付近から真空容器１１の中央部付近までの間に配設されている。主給電線２４ａ，２４ｂの他端部は真空容器１１内の中央部付近において電極接続側給電線２５ａ，２５ｂの一端部に螺子等の固定部材で固定されている。電極接続側給電線２５ａ，２５ｂの他端部は高周波電極１２ａの中央部に螺子等の固定部材で固定されている。主給電線２４ａ，２４ｂは絶縁性の固定体２６ａ，２６ｂに固定されている。
【００２２】
このように、中心導体１５ａ，１５ｂは、給電フランジ２１ａ，２１ｂ、給電フランジ接続側給電線２３ａ，２３ｂ、主給電線２４ａ，２４ｂ、電極接続側給電線２５ａ，２５ｂが、螺子等の固定部材で順次連結された構造をなしている。
【００２３】
本実施の形態は、真空容器１１の内部において各中心導体１５ａ，１５ｂの周囲を、空間ギャップを介して囲んでシールドする分割可能な構造体からなる外周導体３０ａ、３０ｂを設けている。外周導体３０ａ、３０ｂは、先端部から主給電線２４ａ，２４ｂ付近を囲む胴体部分は概略４角柱状をなしている。また、給電フランジ２１ａ，２１ｂの端面と給電フランジ接続側給電線２３ａ，２３ｂとの連結部付近は、給電フランジ２１ａ，２１ｂ、給電フランジ接続側給電線２３ａ，２３ｂとの干渉を避けるために水平方向に突出した収納部４０ａ，４０ｂを形成している。収納部４０ａ，４０ｂには、給電フランジ２１ａ，２１ｂの端面と給電フランジ接続側給電線２３ａ，２３ｂとの連結部へアクセスするための開口部４１ａ，４１ｂが形成されている。
【００２４】
図２は図１に示すＡ−Ａ線矢視断面図である。外周導体３０ａ、３０ｂは、金属板が断面Ｕ字状をなすように折り曲げ加工された第１の金属構造体３１と、金属板の両側を垂直に折り曲げて第１の金属構造体３１の開口部を塞ぐように組みあわされた第２の金属構造体３２とからなる。主給電線２４ａ，２４ｂは固定体２６ａ，２６ｂに固定されていて、該固定体２６ａ，２６ｂは第１の金属構造体３１側に固定されている。外周導体３０ａ、３０ｂは、第１の金属構造体３１と第２の金属構造体３２とに分割可能に構成されている。第１の金属構造体３１及び第２の金属構造体３２は、銅、アルミニウム等の低抵抗材料で構成することができる。
【００２５】
中心導体１５ａ，１５ｂは、インピーダンスマッチングを図る必要があり、適切な導体サイズの選定、及び中心導体と外周導体間距離の確保することにより、最適なインダクタンス、キャパシタンスとする必要がある。この場合、中心導体１５ａ，１５ｂと外周導体３０ａ，３０ｂの距離は、絶縁材からなる固定体２６ａ，２６ｂで調節する必要がある。固定体２６ａ，２６ｂの材質としては、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）やポリアミドイミド（ＰＡＩ）などの誘電体を選定するのが望ましいが、耐熱性の高いセラミックを選定する場合もある。
【００２６】
図３は電極接続側給電線２５ａの端部と高周波電極１２ａとの連結構造を示す図である。もう一方の電極接続側給電線２５ｂと高周波電極１２ｂとの連結構造も同様の構成であるので、ここでは片側のみ説明する。
電極接続側給電線２５ａの端部６１に対して、ガイドピン６３ａ，６３ｂを有する角形状フランジ６２を固定部材６４ａ，６４ｂで連結固定している。高周波電極１２ａの背面側に設けた角溝部６５に角形状フランジ６２を嵌め込むとともに、ガイドピン挿入孔を有するフランジ６６で高周波電極１２ａを挟持した状態で、電極正面側から角形状フランジ６２側面に螺合する締結部材６７を締め込むことにより、高周波電極１２ａ正面側から給電線１５ａ（２５ａ）と高周波電極１２ａを接続する構成としている。
【００２７】
かかる構成により、高周波電極１２ａ正面側から、角形状フランジ６２とフランジ６６にて、高周波電極１２ａを挟みこむ形で、電極接続側給電線２５ａと高周波電極１２ａとを接続することができる。高周波電極１２ａ正面側から高周波電極１２ａと電極接続側給電線２５ａの接続が可能となるため、高周波電極１２ａ背面側の電極接続側給電線２５ａ接続スペースを節減でき、真空容器１１を小型化できる。また、高周波電極１２ａ背面側に設けた角溝部６５により、角形状フランジ６２の共回りを防止することにより、電極接続側給電線２５ａがねじりトルクにより変形することを防止できる。更に、ガイドピン６３ａ，６３ｂの長さ調節を行なうことにより、高周波電極１２ａの接続ホールから前面側への引き出しが可能となるとともに、角形状フランジ６２とガイドピン挿入孔を有するフランジ６６の芯合わせを容易に行なうことができる。ガイドピン６３ａ，６３ｂは、高周波電極１２ａと電極接続側給電線２５ａの接続完了後、プラズマ処理を行う場合には、放電集中の原因となり、成膜に影響がでる可能性もあり、取り外すことが望ましく、ねじ接続等によりガイドピンを着脱できる構成とする。
【００２８】
以上のように構成されたプラズマＣＶＤ装置では、真空容器１１内を図示しない排気機構で或る程度の真空まで真空引きを行ない、その後に必要に応じて基板１７ａ，１７ｂを加熱する図示しないヒーターによって基板１７ａ，１７ｂの加熱を行なう。真空容器１１内の脱ガスを促進する目的のために、薄膜形成前に図示しないガス導入ラインからガスを導入し、図示しない圧力制御器と図示しない製膜ガス排気ラインによって真空容器１１内を一定の圧力に保持したまま真空容器１１内の加熱（ベーキング）を行なう。ベーキング中に流すガスは、Ｈ２等の熱伝導性が比較的良いガス、Ｈｅ，Ａｒ等の不活性ガス、或いは製膜を行なう際に流す製膜ガス等を採用する。脱ガス後に、基板温度を製膜する際の基板温度に設定し、場合によっては数種類の製膜ガスを適当な流量比で混合した混合ガスを真空容器１１内に流して適当な圧力で保持した後に、高周波電極１２ａ，１２ｂに高周波電力を供給し、高周波電極１２ａ，１２ｂと接地電極１３ａ，１３ｂとの間にプラズマを発生させて基板１７ａ，１７ｂ上に薄膜形成を行う。
【００２９】
このとき、高周波電源１４ａ，１４ｂで発生する高周波電力がインピーダンス整合部１６ａ，１６ｂにて効率よく中心導体１５ａ，１５ｂへ入力される。各中心導体１５ａ，１５ｂは高周波電力を給電フランジ２１ａ，２１ｂから真空容器１１内に取り込み、給電フランジ接続側給電線２３ａ，２３ｂ、主給電線２４ａ，２４ｂ、電極接続側給電線２５ａ，２５ｂを伝搬して高周波電極１２ａ，１２ｂへ伝えられる。
【００３０】
中心導体１５ａ，１５ｂは外周導体３０ａ、３０ｂにより周囲が囲まれているので、中心導体１５ａ，１５ｂと高周波電極１２ａ，１２ｂとの間の電磁気的な干渉を弱めることができる。これにより、高周波電極１２ａ，１２ｂの高周波電位分布の均一性を保つことができ、製膜される薄膜の膜厚均一性を改善することができる。
【００３１】
また、本実施の形態では外周導体３０ａ、３０ｂが第１の金属構造体３１と第２の金属構造体３２とに分割可能に構成されているので、固定体２６ａ，２６ｂとは分離して第２の金属構造体３２だけを着脱することができる。第２の金属構造体３２を取り外すことで、主給電線２４ａ，２４ｂを固定体２６ａ，２６ｂ及び各給電線２３ａ，２３ｂ、２５ａ，２５ｂに連結している固定部材が外部からアクセス可能に露出する。これにより、作業者は、給電構造全体を取り外すことなく、固定部材の増し締めや、固定体２６ａ，２６ｂの交換等のメンテナンスを容易に行うことができる。
【００３２】
図４は外周導体の変形例を示す図であり、図２と同様に図１に示すＡ−Ａ線矢視断面に相当する図である。外周導体５０ａ，５０ｂは、概略４角柱状をなしており、その内の対向する２辺に沿って長尺なフラットバー５１，５２を対向配置している。フラットバー５１，５２は銅、アルミニウム等の低抵抗材料で構成している。対応配置されたフラットバー５１，５２の一方の側辺に対して第１の金属構造体５３が配置され、フラットバー５１，５２の他方の側辺に対して第２の金属構造体５４が配置されている。第１の金属構造体５３は、フラットバー５１，５２の間隔よりも十分長い寸法を有し、フラットバー５１，５２の一方の側辺で垂直にフラットバー側へ折り曲げて断面Ｕ字形状をなすようにしている。第１の金属構造体５３には固定体２６ａ，２６ｂが固定されている。第２の金属構造体５４は、第１の金属構造体５３と同一形状をなしておりフラットバー５１，５２の他方の側辺で垂直にフラットバー側へ折り曲げて断面Ｕ字形状をなすようにしている。第２の金属構造体５４は、フラットバー５１，５２に対して着脱自在に取り付けられている。第１及び第２の金属構造体５３，５４は銅、アルミニウム等の低抵抗材料で構成している。
【００３３】
このような外周導体５０ａ，５０ｂによれば、フラットバー５１，５２が骨材となって給電構造全体の剛性が増すので、地絡・感電等に対する安全上の空間絶縁を確保することができる。また、インピーダンスに係るコンデンサ容量を決める主給電線２４ａ，２４ｂと外周導体５０ａ，５０ｂとの空間ギャップの変動を抑えることができ、安定した給電特性を実現することができる。
【００３４】
以上の説明では、真空容器１１内に高周波電極及び接地電極の組が２組設置されている構造を説明したが、図５、図７に示すように高周波電極及び接地電極の組が１組の場合についても同様に適用可能である。
【産業上の利用可能性】
【００３５】
本発明は、大面積成膜を行なう大型のプラズマＣＶＤ設備に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明の一実施の形態に係るプラズマＣＶＤ装置の構成を示す模式図
【図２】図１に示すＡ−Ａ線矢視断面図
【図３】上記一実施の形態における電極接続側給電線と高周波電極との連結構造を示す図
【図４】上記一実施の形態における外周導体の変形例を示す図
【図５】従来の容量結合型の平行平板プラズマＣＶＤ装置の模式図
【図６】真空容器内部に高周波電極及び接地電極を２組設置したプラズマ処理装置の模式図
【図７】真空容器内に放電対策を施した従来のプラズマ処理装置の模式図
【符号の説明】
【００３７】
１０…プラズマＣＶＤ装置
１１…真空容器
１２ａ，１２ｂ…高周波電極
１３ａ，１３ｂ…接地電極
１４ａ，１４ｂ…高周波電源
１５ａ，１５ｂ…中心導体
１６ａ，１６ｂ…インピーダンス整合部
１７ａ，１７ｂ…可撓性基板
１８ａ，１８ｂ…接地機構
２１ａ，２１ｂ…給電フランジ
２２ａ，２２ｂ…連結導体板
２３ａ，２３ｂ…給電フランジ接続側給電線
２４ａ，２４ｂ…主給電線
２５ａ，２５ｂ…電極接続側給電線
２６ａ，２６ｂ…固定体
３０ａ、３０ｂ、５０ａ、５０ｂ、…外周導体
３１、５３…第１の金属構造体
３２、５４…第２の金属構造体
５１、５２…フラットバー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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