(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にｎ型窒化物半導体層、活性層及びｐ型窒化物半導体層を順次形成し、前記ｐ型
窒化物半導体層上に透明電極を形成した窒化物半導体発光素子であって、
前記透明電極は、電気伝導度の異なる複数の透明伝導性酸化膜によって形成された透明
伝導性酸化物多層膜であり、
前記透明伝導性酸化物多層膜は、第１酸化膜、第２酸化膜、第３酸化膜を順次積層した
積層構造をしており、前記第１、第２及び第３酸化膜はＩＴＯ膜であり、前記第２酸化膜
の電気伝導度は前記第１酸化膜及び前記第３酸化膜の電気伝導度より高いように前記第２酸化膜は前記第１及び第３酸化膜と相違するＳｎ組成を有し、
前記透明伝導性酸化物多層膜の最上層及び最下層は、前記第１酸化膜または前記第３酸
化膜であることを特徴とする窒化物半導体発光素子。
【請求項２】
前記透明伝導性酸化物多層膜は、前記第１酸化膜、前記第２酸化膜、前記第３酸化膜の３層構造を一つの周期として反復積層した多層構造をしていることを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項３】
前記ｐ型窒化物半導体層と前記透明伝導性酸化物多層膜との間に、コンタクト金属層をさらに形成したことを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項４】
前記コンタクト金属層は、Ｎｉ、Ａｕ、Ｐｔ及びＰｄから成る群のうちの少なくとも一つから選択された材料によって形成されていることを特徴とする請求項３に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項５】
基板上にｎ型窒化物半導体層、活性層及びｐ型窒化物半導体層を順次形成する段階と、
前記ｐ型窒化物半導体層上に異なる電気伝導度を有する透明伝導性酸化膜を複数積層して透明伝導性酸化物多層膜を形成する段階とを含み、
前記透明伝導性酸化物多層膜の形成段階において、第１酸化膜、第２酸化膜、第３酸化膜を順次積層した積層構造を形成し、前記第１、第２及び第３酸化膜はＩＴＯ膜であり、前記第２酸化膜の電気伝導度は前記第１酸化膜及び前記第３酸化膜の電気伝導度より高いように、前記第２酸化膜は前記第１及び第３酸化膜と相違するＳｎ組成を有し、
前記透明伝導性酸化物多層膜の最上層及び最下層は、前記第１酸化膜または前記第３酸化膜であることを特徴とする窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項６】
前記透明伝導性酸化物多層膜の形成段階において、前記第１酸化膜、前記第２酸化膜、前記第３酸化膜の３層構造を一つの周期として反復積層することを特徴とする請求項５に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項７】
前記透明伝導性酸化物多層膜を形成する前に、前記ｐ型窒化物半導体層上にコンタクト金属層を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項５または請求項６に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項８】
前記コンタクト金属層はＮｉ、Ａｕ、Ｐｔ及びＰｄから成る群のうちの少なくとも一つから選択された材料によって形成されていることを特徴とする請求項７に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は窒化物半導体発光素子に係り、特に高い発光効率を得ることが出来ると共に動作電圧が低く、静電気放電（Ｅｌｅｃｔｒｏｓｔａｔｉｃ  Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ；ＥＳＤ）耐性の高い窒化物半導体発光素子及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、ＩＩＩ−Ｖ窒化物半導体（以下、単に窒化物半導体と称する）材料を用いたＬＥＤ（発光ダイオード）或いはＬＤ（レーザダイオード）が開発されており、青色または緑色波長帯の光を得るための発光素子に多く使用され、電光板、照明装置などの各種製品の光源として応用されている。上記ＩＩＩ−Ｖ窒化物半導体は通常ＩｎｘＡｌｙＧａ（１−ｘ−ｙ）Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を有するＧａＮ系物質から成っている。
このような窒化物半導体発光素子を製造するためには、ｐ側電極とｐ型窒化物半導体との間に良質のオーミック接触（ｏｈｍｉｃ  ｃｏｎｔａｃｔ）を形成することが非常に重要である。ここで、特許文献１では、ｐ型窒化物半導体に対するオーミック接触層として、Ｎｉ／Ａｕ等を使用している。しかし、Ｎｉ／Ａｕ層は透過度が低いため、発光効率が低下してしまうという問題点を有している。
【０００３】
図１は、従来の窒化物半導体発光素子の構造を示す断面図である。図１を参照すると、従来の窒化物半導体発光素子１０は、サファイア基板１１の上にＧａＮバッファ層１２、ｎ型ＧａＮ系クラッド層１３、ＩｎＧａＮ／ＧａＮの単一量子井戸構造または多重量子井戸構造の活性層１４、ｐ型ＧａＮ系クラッド層１５を順次積層させている。そして、メサ蝕刻によって露出されたｎ型ＧａＮ系クラッド層１３の上面にはｎ側電極２１が形成されている。一方、ｐ型ＧａＮ半導体とのオーミック接触のため、ｐ型ＧａＮ系クラッド層１５とｐ側電極パッド２２との間にはＮｉ／Ａｕから成る透明電極１８が形成されている。
この透明電極１８は、電流注入面積を多少増加させ、オーミック接触を形成して順方向電圧を低くする効果を有する。しかし、Ｎｉ／Ａｕで構成された透明電極１８は、活性層１４で発生した光の波長帯域で約６０％という低い透過率しかなく、これに伴って発光効率が低下してしまう。
【０００４】
そこで、このような問題点を克服すべく、特許文献２などでは、約９０％以上の透過率を有するＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）系列の透明伝導性酸化膜をｐ側領域の透明電極として使用することが提案されている（図２参照）。
しかし、この場合、ＩＴＯ透明電極はｐ型窒化物半導体とは良好なオーミック接触を形成することが出来ず、これによって動作電圧が高くなってしまうという問題点が生じる。
また、特許文献３では、ＩＴＯ層とｐ型窒化物半導体層との間にＮｉ、Ａｕ等の金属層を形成することにより、透過率を高く確保しつつｐ型窒化物半導体層とのオーミック接触特性を改善することが出来ることを開示している。
図２のグラフは、様々な材料における透過率を示す図である。図２に示すように、ＩＴＯ／Ｎｉ層の透過率はＩＴＯの透過率とＮｉ／Ａｕの透過率との間の範囲にある。
【０００５】
しかしながら、上述した従来技術によると、ｐ側ボンディング電極が形成された領域に電流が集中する現象が発生して発光特性が不均一になってしまうという問題点がある。また、局部的に集中した電流により、発光素子は静電気放電（ＥＳＤ）に対しての耐性が弱くなってしまう。さらに、より優れた性能の発光素子を実現するためには、動作電圧特性と発光効率量子の両方をさらに改善する必要がある。
【０００６】
【特許文献１】米国特許第５，５６３，４２２号
【特許文献２】米国特許第６，６９３，３５２号
【特許文献３】米国特許第６，８１８，４６７号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述した課題を解決するために、本発明の目的は、電流拡散効果によって発光効率、動作電圧特性及びＥＳＤ耐性をさらに改善した窒化物半導体発光素子を提供することにある。
【０００８】
さらに、本発明の他の目的は、発光効率、動作電圧特性及びＥＳＤ耐性をさらに向上させることの出来る窒化物半導体発光素子の製造方法を提供することにある。 
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上述した技術的課題を解決するために、本発明の窒化物半導体発光素子は、基板上にｎ型窒化物半導体層、活性層及びｐ型窒化物半導体層を順次形成し、前記ｐ型窒化物半導体層上に透明電極を形成した窒化物半導体発光素子であって、前記透明電極は、電気伝導度の異なる複数の透明伝導性酸化膜によって形成された透明伝導性酸化物多層膜であることを特徴とする。
これにより、透明伝導性酸化物多層膜が電流を拡散させる役割をする。
【００１０】
また、本発明の窒化物半導体発光素子では、透明伝導性酸化膜をＩＴＯ、ＺｎＯ、ＭｇＯ及びＩｎＯから成る群のうちの少なくとも一つから選択した物質によって形成することを特徴とする。
【００１１】
これにより、透明伝導性酸化膜の電気伝導度は酸素空孔（ｖａｃａｎｃｙ）濃度の変化または構成元素の組成変化によって異なるようにすることが出来る。例えば、透明伝導性酸化膜をＩＴＯ膜とすることができ、このＩＴＯ膜の電気伝導度は酸素空孔濃度またはＳｎ組成によって調節することが出来る。
【００１２】
さらに、本発明の窒化物半導体発光素子の透明伝導性酸化物多層膜は、電気伝導度が異なる複数の透明伝導性酸化膜によって形成された酸化膜群を複数反復して形成したことを特徴とする。
【００１３】
これにより、透明伝導性酸化物多層膜を、第１酸化膜、第２酸化膜、第３酸化膜の積層構造とし、前記第２酸化膜の電気伝導度は前記第１酸化膜及び第３酸化膜の電気伝導度より低くすることが出来る。また、前記第２酸化膜の電気伝導度は前記第１酸化膜及び第３酸化膜の電気伝導度より高くすることもできる。
即ち、透明伝導性酸化物多層膜は、高伝導度層、低伝導度層、高伝導度層という順の積層構造とするか、或いは低伝導度層、高伝導度層、低伝導度層という順の積層構造とすることができる。
【００１４】
また、本発明の窒化物半導体発光素子の透明伝導性酸化物多層膜は、第１酸化膜、第２酸化膜、第３酸化膜の３層構造を一つの周期として反復積層した多層構造をしており、前記第２酸化膜の電気伝導度は前記第１酸化膜及び第３酸化膜の電気伝導度より低く、前記第１酸化膜の電気伝導度と前記第３酸化膜の電気伝導度はそれぞれ異なることを特徴とする。
【００１５】
さらに、本発明の窒化物半導体発光素子の透明伝導性酸化物多層膜は、第１酸化膜、第２酸化膜、第３酸化膜の３層構造を一つの周期として反復積層した多層構造をしており、前記第２酸化膜の電気伝導度は前記第１酸化膜及び第３酸化膜の電気伝導度より高く、前記第１酸化膜の電気伝導度と前記第３酸化膜の電気伝導度はそれぞれ異なることを特徴とする。
【００１６】
また、本発明の窒化物半導体発光素子では、ｐ型窒化物半導体層と透明伝導性酸化物多層膜との間にコンタクト金属層をさらに形成したことを特徴とする。このコンタクト金属層はＮｉ、Ａｕ、Ｐｔ及びＰｄから成る群のうちの少なくとも一つから選択された材料によって形成されている。このコンタクト金属層により、ｐ型窒化物半導体層との間のオーミック接触特性をさらに向上させることができる。
【００１７】
本発明の他の目的を達成するために、本発明の窒化物半導体発光素子の製造方法は、基板上にｎ型窒化物半導体層、活性層及びｐ型窒化物半導体層を順次形成する段階と、前記ｐ型窒化物半導体層上に異なる電気伝導度を有する透明伝導性酸化膜を複数積層して透明伝導性酸化物多層膜を形成する段階とを含むことを特徴とする。
【００１８】
また、本発明の窒化物半導体発光素子では、透明伝導性酸化膜をＩＴＯ、ＺｎＯ、ＭｇＯ及びＩｎＯから成る群のうちの少なくとも一つから選択した物質によって形成することを特徴とする。
【００１９】
これにより、透明伝導性酸化物多層膜の形成段階において、異なる酸素空孔濃度または異なる構成元素による組成を有する透明伝導性酸化膜を積層することが出来る。例えば、異なる酸素空孔濃度のＩＴＯ膜を積層したり、異なるＳｎ組成を有するＩＴＯ膜を積層することが可能である。さらに、酸素空孔濃度は透明伝導性酸化膜形成時における酸素分圧によって調節することが出来る。
【００２０】
また、本発明の窒化物半導体発光素子の製造方法では、透明伝導性酸化物多層膜の形成段階において、第１酸化膜、第２酸化膜、第３酸化膜の積層構造を形成し、前記第２酸化膜の電気伝導度は前記第１酸化膜及び第３酸化膜の電気伝導度より低くすることを特徴とする。さらに、透明伝導性酸化物多層膜の形成段階において、第１酸化膜、第２酸化膜、第３酸化膜の積層構造を形成し、前記第２酸化膜の電気伝導度は前記第１酸化膜及び第３酸化膜の電気伝導度より高くすることを特徴とする。
【００２１】
また、本発明の窒化物半導体発光素子の製造方法では、前記透明伝導性酸化物多層膜の形成段階において、第１酸化膜、第２酸化膜、第３酸化膜の３層構造を一つの周期として反復積層し、前記第２酸化膜の電気伝導度は前記第１酸化膜及び第３酸化膜の電気伝導度より低く、前記第１酸化膜の電気伝導度と前記第３酸化膜の電気伝導度を異なるようにしたことを特徴とする。
【００２２】
さらに、本発明の窒化物半導体発光素子の製造方法では、前記透明伝導性酸化物多層膜の形成段階において、第１酸化膜、第２酸化膜、第３酸化膜の３層構造を一つの周期として反復積層し、前記第２酸化膜の電気伝導度は前記第１酸化膜及び第３酸化膜の電気伝導度より高く、前記第１酸化膜の電気伝導度と前記第３酸化膜の電気伝導度を異なるようにしたことを特徴とする。
【００２３】
また、本発明の窒化物半導体発光素子の製造方法では、透明伝導性酸化物多層膜を形成する前に、前記ｐ型窒化物半導体層上にコンタクト金属層を形成する段階をさらに含むことを特徴とする。このコンタクト金属層はＮｉ、Ａｕ、Ｐｔ及びＰｄから成る群のうちの少なくとも一つから選択された材料によって形成されている。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、ｐ型窒化物半導体層の上に異なる電気伝導度を有する透明伝導性酸化膜を複数積層したので、電流拡散効果を得ることが出来る。これによって、発光効率を高くして動作電圧を低くすることができ、ＥＳＤ耐性を改善することが出来る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、添付した図面を参照して本発明に係る窒化物半導体発光素子の一実施形態を説明する。ただし、ここで説明する実施形態は様々な形態に変形することができ、本発明の範囲が以下に説明する実施形態に限定されるものではない。本発明の実施形態は当業界において平均的な知識を有している者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。従って、図面における要素の形状及び大きさ等はより明確な説明のために誇張することができ、図面上の同一符号で表示される要素は同一要素である。
【００２６】
図３は、本発明の一実施形態に係る窒化物半導体発光素子の構造を示す断面図である。図３を参照すると、窒化物半導体発光素子１００は、サファイア等からなる基板１０１上にｎ型窒化物半導体層１０３、活性層１０５、ｐ型窒化物半導体層１０７を順次積層し、このｐ型窒化物半導体層１０７の上には複数の透明伝導性酸化膜１１０ａ，１１０ｂ，１１０ｃを含む透明伝導性酸化物多層膜１１０が透明電極として形成されている。さらに、透明伝導性酸化物多層膜１１０の上にはｐ側電極パッド１２０が形成されている。ただし、説明の便宜上、図３においてｎ側電極の部分は簡略化して図示しない。
【００２７】
ここで、透明伝導性酸化物多層膜１１０は、例えばＩＴＯ、ＺｎＯ、ＭｇＯ及びＩｎＯから成る群のうちの少なくとも一つから選択された物質によって形成されている。特に、非常に高い透過率を有するＩＴＯで形成することが好ましい。
【００２８】
また、透明伝導性酸化物多層膜１１０を構成する複数の透明伝導性酸化膜１１０ａ〜１１０ｃは異なる電気伝導度を有する。このように異なる電気伝導度を有する透明伝導性酸化膜１１０ａ〜１１０ｃを積層して透明伝導性酸化物多層膜１１０を形成すると、透明伝導性酸化物多層膜１１０は電流を拡散させる機能を発揮する。即ち、狭い領域のｐ側電極パッド１２０を通じて電流が注入された場合に、その電流が透明伝導性酸化物多層膜１１０を通過していく過程において横方向へ効果的に分散させることが可能となる。
【００２９】
このような電流拡散効果（ｃｕｒｒｅｎｔ  ｓｐｒｅａｄｉｎｇ  ｅｆｆｅｃｔ）によって、電流はより広い領域の活性層１０５へ注入され、これによって発光効率が高くなり動作電圧は低くなる。また、異なる電気伝導度を有する酸化膜の積層物、即ち透明伝導性酸化物多層膜１１０による電流拡散効果によって電流集中現象を抑えることができ、これによって外部静電気による損傷が低減される。従って、本実施形態の窒化物半導体発光素子１００ではＥＳＤ耐性をさらに改善することが出来る。
【００３０】
透明伝導性酸化膜１１０ａ，１１０ｂ，１１０ｃの電気伝導度は、膜内に存在する酸素空孔（ｖａｃａｎｃｙ）の濃度によって調節することが出来る。透明伝導性酸化膜の酸素空孔は電荷キャリアを供給する役割をしている。従って、透明伝導性酸化膜１１０ａ〜１１０ｃの酸素空孔濃度が高いほどキャリア濃度は高くなり、これによって電気伝導度が増加することになる。
【００３１】
透明伝導性酸化膜１１０ａ〜１１０ｃの酸素空孔濃度は、透明伝導性酸化膜１１０ａ〜１１０ｃを形成する時の酸素分圧によって調節することが出来る。即ち、透明伝導性酸化膜１１０ａ〜１１０ｃの形成時に酸素分圧を増加させることにより、膜内の酸素空孔濃度を減少させることが出来る。
図４は、ＩＴＯ膜の形成時における酸素分圧に対するＩＴＯ膜の比抵抗（ρ）、移動度（μ）及びキャリア濃度（ｎ）を示すグラフである。図４に図示したように、酸素分圧が高くなるにしたがって比抵抗（ρ）は大きくなり（即ち、電気伝導度は低くなり）、キャリア濃度（ｎ）は低くなる。これは、酸素分圧が高いほど酸素空孔が減少するからである。一方、キャリアの移動度（μ）は酸素分圧とは関係なくほぼ一定である。一般的に、ＩＴＯ膜形成時における酸素分圧が高いほどＩＴＯ膜の電気伝導度は低くなるが、ＩＴＯ膜の透明度または透過度は高くなる（図４及び図５のグラフ参照）。
【００３２】
透明伝導性酸化膜１１０ａ，１１０ｂ，１１０ｃの電気伝導度は、構成元素の組成変化によっても調節することが可能である。例えば、ＩＴＯ膜の電気伝導度はＩＴＯ膜の構成元素であるＳｎ組成を変化させることによって調節することが出来る。
【００３３】
透明伝導性酸化物多層膜１１０を構成する透明伝導性酸化膜１１０ａ〜１１０ｃの積層数は２層以上であればよく、特に制限はない。例えば、透明伝導性酸化物多層膜１１０は、電気伝導度が異なる複数の透明伝導性酸化膜によって酸化膜群を形成し、この酸化膜群を複数反復して積層するようにしてもよい。
【００３４】
好ましくは、透明伝導性酸化物多層膜１１０を構成する透明伝導性酸化膜１１０ａ〜１１０ｃは、高伝導度層、低伝導度層、高伝導度層の順に積層した積層構造にするか、あるいは低伝導度層、高伝導度層、低伝導度層の順に積層した積層構造にする。このように、相対的に高い電気伝導度の酸化膜と相対的に低い電気伝導度の酸化膜を交代に配置するように構成したことにより、透明伝導性酸化物多層膜１１０における電流分散効果をさらに高くすることができる。このような多層膜構成の一例を図５のグラフに示す。図５を参照すると、ＩＴＯ多層膜は５個のＩＴＯ層を含んでおり（図５の横軸参照）、このＩＴＯ多層膜では低伝導度層（第１層）、高伝導度層（第２層）、低伝導度層（第３層）、高伝導度層（第４層）、低伝導度層（第５層）の順に積層されている。
【００３５】
図６及び図７は、本発明の他の実施形態に係るＩＴＯ多層膜の面抵抗分布を示すグラフである。図６を参照すると、ＩＴＯ多層膜は、第１層、第２層、第３層の３層構造の酸化膜群（第２層の電気伝導度は第１層及び第３層の電気伝導度より高く、第１層の電気伝導度と第３層の電気伝導度は異なる）が一定の周期で反復積層された多層構造となっている。図６では第１層の面抵抗が第３層の面抵抗より高くなるように示しているが、それとは逆に第１層の面抵抗が第３層の面抵抗より低くなるようにすることも可能である。
【００３６】
図７を参照すると、ＩＴＯ多層膜は、第１層、第２層、第３層の３層構造の酸化膜群（第２層の電気伝導度は第１層及び第３層の電気伝導度より低く、第１層の電気伝導度と第３層の電気伝導度は異なる）が一定の周期で反復積層された多層構造となっている。図７では第１層の面抵抗が第３層の面抵抗より低くなるように示しているが、それとは逆に第１層の面抵抗が第３層の面抵抗より高くなるようにすることも可能である。
【００３７】
このように異なる電気伝導度を有する３層構造の酸化膜群を反復積層してＩＴＯ多層膜を形成することにより、一部の領域に電流が集中する現象を防止して実質的に広い面積に電流を拡散させて行き渡らせることが可能となる。これによって、発光の均一性、動作電圧特性及びＥＳＤ耐性を改善することが出来る。
【００３８】
図８は、本発明の他の実施形態に係る窒化物半導体発光素子の構造を示す断面図である。図８を参照すると、窒化物半導体発光素子２００は、ｐ型窒化物半導体層１０７と透明伝導性酸化物多層膜１１０との間にコンタクト金属層１０８をさらに含むようにしたことを除いては、上述した実施形態の窒化物半導体発光素子１００と同様である。このコンタクト金属層１０８は、ｐ型窒化物半導体層１０７とのオーミック接触特性をさらに向上させる役割をする。コンタクト金属層１０８は、例えばＮｉ、Ａｕ、Ｐｔ及びＰｄから成る群のうちの少なくとも一つから選択された材料によって形成することが出来る。
【００３９】
次に、本発明に係る窒化物半導体発光素子の製造方法を説明する。ただし、本発明の窒化物半導体発光素子の製造方法は、ｎ側電極とｐ側電極が同じサイドに配置された水平型発光素子の場合だけではなく、ｎ側電極とｐ側電極が対向して配置された垂直型発光素子の場合にも適用することが出来る。
【００４０】
先ず、サファイア基板などの基板１０１上にＭＯＣＶＤ、ＨＶＰＥ等の蒸着法を利用してｎ型窒化物半導体層１０３、活性層１０５、ｐ型窒化物半導体層１０７を成長させる（図３参照）。このとき良質の窒化物半導体結晶を得るためにｎ型窒化物半導体層１０３の形成前に基板１０１上にバッファ層を形成することが好ましい。その後、ｐ型窒化物半導体層１０７の上に例えば、反応性スパッタリング法を利用して前述の透明伝導性酸化物多層膜１１０を形成する。即ち、異なる電気伝導度を有する透明伝導性酸化膜１１０ａ〜１１０ｃを蒸着する。この際、酸素分圧を異なるようにしたり、構成元素の組成（例えば、ＩＴＯ膜蒸着時にはＳｎ組成）を異なるようにすることによって、透明伝導性酸化膜１１０ａ〜１１０ｃの電気伝導度を変化させる。その後、透明伝導性酸化物多層膜１１０の上にｐ側電極パッド１２０を形成する。
【００４１】
また、より優れたオーミック接触を実現するために、透明伝導性酸化物多層膜１１０を蒸着する前に、ｐ型窒化物半導体層１０７の上にＮｉ、Ａｕ、ＰｔまたはＰｄ等で形成されたコンタクト金属層１０８を蒸着するようにしてもよい（図８参照）。さらに、電流拡散効果をより増大させるために、透明伝導性酸化物多層膜１１０の形成時に、相対的に高い電気伝導度を有する酸化膜と相対的に低い電気伝導度を有する酸化膜を交代に積層することも出来る（図５参照）。また、電気伝導度が異なる複数の透明伝導性酸化膜によって酸化膜群を形成し、この酸化膜群を複数反復して積層することも可能である。
【００４２】
本発明は上述の実施形態及び添付の図面によって限定されるものではなく、添付の請求範囲によって限定しようとする。請求範囲に記載された本発明の技術的思想を外れない範囲内で多様な形態への置換、変形及び変更が可能ということは当技術分野の通常の知識を有している者には自明である。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】従来の窒化物半導体発光素子の構造を示す断面図である。
【図２】種々の透明電極材料の透過率を示すグラフである。
【図３】本発明の一実施形態に係る窒化物半導体発光素子の構造を示す断面図である。
【図４】ＩＴＯ膜形成時における酸素分圧に対するＩＴＯ膜の比抵抗、キャリア移動度及びキャリア濃度を示すグラフである。
【図５】本発明の一実施形態に係るＩＴＯ多層膜の面抵抗及び透過度の分布を示すグラフである。
【図６】本発明の他の実施形態に係るＩＴＯ多層膜の面抵抗分布を示すグラフである。
【図７】本発明の他の実施形態に係るＩＴＯ多層膜の面抵抗分布を示すグラフである。
【図８】本発明の他の実施形態に係る窒化物半導体発光素子の構造を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４４】
１０  窒化物半導体発光素子
１１  サファイア基板
１２  ＧａＮバッファ層
１３  ｎ型ＧａＮ系クラッド層
１４  活性層
１５  ｐ型ＧａＮ系クラッド層
１８  透明電極
２１  ｎ側電極
２２  ｐ側電極パッド
１００  窒化物半導体発光素子
１０１  基板
１０３  ｎ型窒化物半導体層
１０５  活性層
１０７  ｐ型窒化物半導体層
１０８  コンタクト金属層
１１０  透明伝導性酸化物多層膜
１１０ａ〜１１０ｃ  透明伝導性酸化膜
１２０  ｐ側電極
【図１】
0005175463.tif 000002
【図２】
0005175463.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
0005175463.tif 000007
【図７】
0005175463.tif 000008
【図８】
0005175463.tif 000009