(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化インジウムと酸化亜鉛および酸化錫を、それらの金属原子比において、
Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．８０〜０．９３
Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．０５〜０．１８
Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．０２〜０．１５
の割合で含有し、かつ全金属原子に対して０．５〜１０原子％の含有率で酸化モリブデンを含有する組成物からなる焼結体。
【請求項２】
請求項１に記載の焼結体からなるスパッタリング用ターゲット。
【請求項３】
請求項１に記載の焼結体からなるエレクトロンビーム用ターゲット。
【請求項４】
請求項１に記載の焼結体からなるイオンプレーティング用ターゲット。
【請求項５】
酸化インジウムと酸化亜鉛またはこれらと酸化錫を、それらの金属原子比において、
Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．８０〜０．９５
Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．０５〜０．２０
Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．００〜０．１５
の割合で含有し、かつ全金属原子に対して０．５〜１０原子％の含有率で酸化モリブデンを含有する組成物からなり、仕事関数が５．４５〜５．５０エレクトロンボルトである透明導電膜。
【請求項６】
酸化インジウムと酸化亜鉛および酸化錫を、それらの金属原子比において、
Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．８０〜０．９３
Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．０５〜０．１８
Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．０２〜０．１５
の割合で含有し、かつ全金属原子に対して０．５〜１０原子％の含有率で酸化モリブデンを含有する組成物からなり、仕事関数が５．４５〜５．５０エレクトロンボルトである透明導電膜。
【請求項７】
透明導電膜が、有機エレクトロルミネッセンス素子の陽極用透明導電膜である請求項５又は６のいずれかに記載の透明導電膜。
【請求項８】
ガラス表面に、請求項７に記載の透明導電膜を被覆してなる光線透過率が７５％以上、比抵抗が５ｍΩ・ｃｍ以下である透明導電ガラス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置用の透明導電膜の素材として有用性の高い金属酸化物の焼結体と、その焼結体からなる透明導電膜のスパッタリング用ターゲットおよびこのターゲットを用いて成膜してなる透明導電膜を被覆した透明導電ガラスならびに透明導電フィルムに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、表示装置として従来のＣＲＴよりも低消費電力化されかつ薄型で軽量化された液晶表示装置やエレクトロルミネッセンス表示装置、フィールドエミッションディスプレイなどが、事務機器や工場における制御システム用に開発されている。
【０００３】
このような平面発光ディスブレイ、例えばエレクトロルミネッセンス表示装置においては有機化合物を利用した有機エレクトロルミネッセンス素子の開発が著るしく進展している。この有機エレクトロルミネッセンス素子の構造としては、透明導電膜からなる陽極と陰極の間に、有機化合物層からなる発光層を形成してなる単層構造、あるいは陽極と陰極の間に、正孔輸送層と発光層の２層を形成した２層構造、さらには陽極と陰極の間に、正孔輸送層と発光層および電子輸送層を形成した３層構造などの素子構造を有するものがある。そして、このような有機エレクトロルミネッセンス素子は、いずれの素子構造を有する場合においても、陽極から注入された正孔と陰極から注入された電子が、正孔輸送層あるいは電子輸送層を介して発光層に到達し、この発光層においてこれら正孔と電子が再結合することにより発光するのである。
【０００４】
このように、有機エレクトロルミネッセンス素子の陽極から正孔輸送層を介して正孔が発光層に注入される際には、この陽極と正孔輸送層の間にエネルギー障壁ができるだけ少ないことが望ましい。このエネルギー障壁を少なくするためには、陽極材料の仕事関数と正孔輸送層に用いられている有機化合物の有するイオン化ポテンシャルの間の差を小さくすることが必要である。この正孔輸送層の形成に用いることの可能な正孔輸送物質としては、様々な有機化合物が提案されているが、それらの中でも芳香族アミン系の化合物、とくにトリフェニルアミン誘導体が優れた機能を有するものとして知られている。そして、このトリフェニルアミン誘導体であるトリフェニルアミンでは、そのイオン化ポテンシャルが５．５〜５．６エレクトロンボルトである。一方、透明導電膜としては、透明性がよくかつ電気抵抗が低いものとして、酸化インジウム−酸化錫（以下、ＩＴＯと略記する）がよく知られている。そして、このＩＴＯの仕事関数は４．６エレクトロンボルトである。したがって、このような一般的な材料からなる陽極と正孔輸送層との間においては、かなり大きいエネルギー障壁が存在することになる。
【０００５】
このようなことから、例えば、特許文献１においては、陽極と陰極との間に有機化合物層を設けた有機薄膜発光素子における陽極として、ＩＴＯよりも仕事関数の大きい金属酸化物からなる薄膜を用いることを提案している。しかしながら、この金属酸化物の薄膜からなる陽極は、その光線透過率がたとえば酸化ルテニウムの場合には１０％、酸化バナジウムの場合には２０％である。また、このような低い光線透過率を改良するため、ＩＴＯ膜の上に前記金属酸化物の３００オングストローム以下の超薄膜を積層して２層構造とすることも提案されているが、この場合においても、光線透過率は４０〜６０％程度であり、表示装置の透明電極としては、透明性が十分であるとはいえないという難点を有している。
【特許文献１】特開平９−６３７７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、このような状況に鑑み、有機エレクトロルミネッセンス素子などの表示装置用の透明電極として使用可能な高い透明性と、正孔輸送物質の有するイオン化ポテンシャルとの差の小なる仕事関数の値を有する焼結体と、その焼結体からなるターゲット、および該ターゲットを用いて成膜した透明導電ガラス、透明導電フィルムを提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者は、上記課題の解決のため鋭意研究を重ねた結果、酸化インジウムまたは酸化インジウムと酸化亜鉛および／または酸化錫を特定割合で含有し、かつ正４価以上の金属酸化物を特定割合で含有させた組成物の焼結体からなるターゲットを用いて形成した透明導電膜によれば、上記課題を解決することができることを見出し、これら知見に基づいて本発明を完成するに至った。
【０００８】
すなわち、本発明要旨は、下記のとおりである。
〔１〕酸化インジウムと酸化亜鉛および酸化錫を、それらの金属原子比において、
Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．８０〜０．９３
Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．０５〜０．１８
Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．０２〜０．１５
の割合で含有し、かつ全金属原子に対して０．５〜１０原子％の含有率で酸化モリブデンを含有する組成物からなる焼結体。
〔２〕前記〔１〕に記載の焼結体からなるスパッタリング用ターゲット。
〔３〕前記〔１〕に記載の焼結体からなるエレクトロンビーム用ターゲット。
〔４〕前記〔１〕に記載の焼結体からなるイオンプレーティング用ターゲット。
〔５〕酸化インジウムと酸化亜鉛またはこれらと酸化錫を、それらの金属原子比において、
Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．８０〜０．９５
Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．０５〜０．２０
Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．００〜０．１５
の割合で含有し、かつ全金属原子に対して０．５〜１０原子％の含有率で酸化モリブデンを含有する組成物からなり、仕事関数が５．４５〜５．５０エレクトロンボルトである透明導電膜。
〔６〕酸化インジウムと酸化亜鉛および酸化錫を、それらの金属原子比において、
Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．８０〜０．９３
Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．０５〜０．１８
Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．０２〜０．１５
の割合で含有し、かつ全金属原子に対して０．５〜１０原子％の含有率で酸化モリブデンを含有する組成物からなり、仕事関数が５．４５〜５．５０エレクトロンボルトである透明導電膜。
〔７〕透明導電膜が、有機エレクトロルミネッセンス素子の陽極用透明導電膜である前記〔５〕又は〔６〕のいずれかに記載の透明導電膜。
〔８〕ガラス表面に、前記〔７〕に記載の透明導電膜を被覆してなる光線透過率が７５％以上、比抵抗が５ｍΩ・ｃｍ以下である透明導電ガラス。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の焼結体によれば、透明性が高く、導電性にも優れるとともに、仕事関数の高い透明導電膜を形成することができる。また、この透明導電膜を有する透明導電ガラスまたは透明導電フィルムは、有機エレクトロルミネッセンス素子などの表示装置の電極に用いたとき、正孔の注入効率が高く、長期間安定した発光状態を維持することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明における透明導電膜形成用の焼結体は、酸化インジウムまたは酸化インジウムと酸化亜鉛および／または酸化錫を、それらの金属原子比において、
Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．８０〜１．００
Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｚｎ）＝０．００〜０．２０
Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．００〜０．２０
の割合で含有し、かつ全金属原子に対して０．５〜１０原子％の含有率で酸化ルテニウム、酸化モリブデンおよび酸化バナジウムから選択される金属酸化物を含有する組成物からなる焼結体である。
【００１１】
そして、より好ましい焼結体は、酸化インジウムと酸化亜鉛またはこれらと酸化錫を、それらの金属原子比において、
Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．８０〜１．００
Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．０５〜０．２０
Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．００〜０．２０
の割合で含有し、かつ全金属原子に対して０．５〜１０原子％の含有率で酸化ルテニウム、酸化モリブデンおよび酸化バナジウムから選択される金属酸化物を含有する組成物からなる焼結体である。
【００１２】
さらに、最も好ましい焼結体としては、酸化インジウムと酸化亜鉛および酸化錫を、それらの金属原子比において、
Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．８０〜１．００
Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．０５〜０．２０
Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．０２〜０．２０
の割合で含有し、かつ全金属原子に対して０．５〜１０原子％の含有率で酸化ルテニウム、酸化モリブデンおよび酸化バナジウムから選択される金属酸化物を含有する組成物からなる焼結体である。
【００１３】
本発明の焼結体において、その基本的な構成成分である酸化インジウムと酸化錫および酸化亜鉛の組成は、上記のとおり、酸化インジウム単独であってもよく、また酸化インジウムと少量の酸化亜鉛の混合物、あるいは酸化インジウムと少量の酸化亜鉛および少量の酸化錫の混合物であってもよい。そして、これら各成分の含有割合については、酸化インジウムは、その原子比が０．８０未満であると、得られる透明導電膜の表面抵抗が高くなる場合があり、耐熱性の低下を招くことがある。また、酸化亜鉛については、その原子比が０．０５未満であると、得られる透明導電膜のエッチング性が充分でないことがある。この場合には、スパッタリング成膜時に水や水素を少量添加することによりエッチング性の向上を図ることができる。また、酸化亜鉛の含有割合が０．２０を超えると、得られる透明導電膜の導電性が低下することがある。さらに、酸化錫については、その原子比が０．０２未満であると、ターゲットの導電性が低下する場合があり、この値が０．２０を超えると、得られる透明導電膜の表面抵抗が高くなることがあるからである。
【００１４】
また、上記の酸化インジウムまたは酸化インジウムと酸化亜鉛錫よび／または酸化錫からなる基本的な成分に、酸化ルテニウム、酸化モリブデンおよび酸化バナジウムから選択される金属酸化物を、組成物の全金属原子に対して０．５〜１０原子％の含有率となるように含有させてある。これら金属酸化物の含有率が０．５原子％未満であると、得られる透明導電膜の仕事関数を充分に高めることができず、またこの含有率が１０原子％を超えると、透明性の低下を招くことになる。これら金属酸化物の含有率のより好ましい範囲は、組成物の全金属原子に対して１〜７原子％、さらに好ましくは１〜５原子％である。
【００１５】
このように、酸化インジウムなどの基本的成分に対して、酸化ルテニウムや酸化モリブデン、酸化バナジウムのいずれか１種あるいは２種以上の添加成分を配合した焼結体を用いて成膜された透明導電膜は、その仕事関数の向上効果が得られ、これら添加成分の含有割合を上記範囲としたとき、５．４５エレクトロンボルト以上の値を有するようになる。この透明導電膜の仕事関数の値は、有機エレクトロルミネッセンス素子における発光物質や正孔輸送物質として用いる有機化合物のイオン化ポテンシャルの平均的な値である５．５〜５．６エレクトロンボルトとほぼ同じ水準である。したがって、この透明導電膜を有機エレクトロルミネッセンス素子の陽極として用いた場合、この陽極から正孔輸送層あるいは発光層に正孔を注入する際のエネルギー障壁が小さくなり、高い正孔注入効率が得られ、これに伴って、有機エレクトロルミネッセンス素子の駆動電圧の低電圧化が可能となるほか、エネルギー障壁の存在に由来する発熱が抑制され、長期間の安定した発光が可能になるのである。
【００１６】
つぎに、本発明の焼結体を製造する方法については、上記各金属酸化物の粉末を所定割合で混合し、これを混合粉砕機、例えば湿式ボールミルやビーズミル、超音波などにより、均一に混合・粉砕して、造粒した後、プレス成形により所望の形状に整形し、焼成により焼結すればよい。ここでの原料粉末の混合粉砕は、微細に粉砕するほどよいが、通常、平均粒径１μｍ以下となるように混合粉砕処理をしたものを使用すればよい。そして、この場合の焼成条件は、通常、１，２００〜１，５００℃、好ましくは１，２５０〜１，４８０℃において、１０〜７２時間、好ましくは２４〜４８時間焼成すればよい。また、この場合の昇温速度は、１〜５０℃／分間とすればよい。
【００１７】
そして、このように整形し焼結して得られたターゲットを用いて成膜する際に用いる透明基材としては、従来から用いられているガラス基板や、高い透明性を有する合成樹脂製のフィルム、シートが用いられる。このような合成樹脂としては、ポリカーボネート樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリアリレート樹脂などが好適である。
【００１８】
つぎに、上記ターゲットを用いて、透明導電膜を透明基材上にスパッタリング法により成膜するにあたっては、マグネトロンスパッタリング装置が好適に用いられる。そして、この装置を用いてスパッタリングにより成膜する際の条件としては、ターゲットの表面積や透明導電膜の膜厚によりプラズマの出力は変動するが、通常、このプラズマ出力を、ターゲットの表面積１ｃｍ2 あたり０．３〜４Ｗの範囲とし、成膜時間を５〜１２０分間とすることにより、所望の膜厚を有する透明導電膜が得られる。この透明導電膜の膜厚は、表示装置の種類によって異なるが、通常、２００〜６，０００オングストローム、好ましくは６００〜２，０００オングストロームである。
【００１９】
また、前記焼結体からなるターゲットを用いて、エレクトロンビーム装置やイオンプレーティング装置により成膜する場合においても、上記と同様な成膜条件下において、透明導電膜の成膜を行うことができる。このようにして得られる本発明の透明導電ガラスや透明導電フィルムは、成膜に用いた焼結体と同一組成からなる金属酸化物の組成物からなる透明導電膜を有し、その透明導電膜の透明性については、波長５００ｎｍの光の光線透過率が７５％を上回るものとなる。また、この透明導電膜の導電性についても、比抵抗において５ｍΩ・ｃｍ以下のものとなる。そして、上述のとおり、この透明導電膜の仕事関数は、従来から用いられてきたＩＴＯ膜よりも高い５．４５エレクトロンボルト以上の値を有している。
【００２０】
したがって、本発明の透明導電ガラスや透明導電フィルムは、有機エレクトロルミネッセンス素子をはじめとする各種の表示装置の透明電極として好適に用いることができる。
【実施例】
【００２１】
以下、本発明の実施例により本発明をさらに詳しく説明する。
〔参考例１〕
（１）焼結体の製造
原料として、酸化インジウムの粉末に、酸化ルテニウムの粉末をその金属原子比が、
Ｒｕ／（Ｉｎ＋Ｒｕ）＝０．０３
となるように混合して、湿式ボールミルに供給し、７２時間にわたり混合粉砕した。ついで、得られた粉砕物を造粒してから、直径４インチ、厚さ５ｍｍの寸法にプレス整形し、これを焼成炉に装入し１４００℃において、３６時間加圧焼成した。このようにして得られた焼結体は、その密度が６．８ｇ／ｃｍ3 であり、またバルク電気抵抗は０．８０ｍΩ・ｃｍであった。これら測定結果を第１表に示す。
【００２２】
（２）透明導電ガラスの製造
上記（１）において得られた焼結体より、直径４インチ、厚さ５ｍｍのスパッタリング用ターゲットを作製し、これをＤＣマグネトロンスパッタリング装置に装着して、室温においてガラス基板上に製膜した。ここでのスパッタ条件としては、雰囲気はアルゴンガスに適量の酸素ガスを混入して用い、スパッタ圧力３×１０-1Ｐａ、到達圧力５×１０-4Ｐａ、基板温度２５℃、投入電力１００Ｗ、成膜時間１４分間として行った。
【００２３】
このようにして得られた透明導電ガラス上の透明導電膜は、その厚みが１，２００オングストロームであり、非晶質であった。そして、この透明導電膜の光線透過率を分光光度計により波長５００ｎｍの光線について測定した結果、７９％であった。また、４探針法により測定した透明導電膜の比抵抗は、０．８４ｍΩ・ｃｍであり、導電性の高いものであった。さらに、仕事関数を紫外光電子分光法により測定した結果、５．５１エレクトロンボルトであった。これら透明導電膜の評価結果を第２表に示す。
【００２４】
〔参考例２〕
（１）焼結体の製造
参考例１の（１）において原料として用いた酸化ルテニウムに代えて、酸化モリブデンをその原子比において、
Ｍｏ／（Ｉｎ＋Ｍｏ）＝０．０７
となるように混合して用いた他は、参考例１の（１）と同様の操作をして焼結体を得た。ここで得られた焼結体の物性を第１表に示す。
（２）透明導電ガラスの製造
上記（１）で得られた焼結体を用いた他は、参考例１の（２）と同様にして、透明導電ガラスの製造をした。得られた透明導電ガラス上の透明導電膜の物性の評価結果を第２表に示す。
【００２５】
〔参考例３〕
（１）焼結体の製造
参考例１の（１）において原料として用いた酸化ルテニウムに代えて、酸化バナジウムをその原子比において、
Ｖ／（Ｉｎ＋Ｖ）＝０．０５
となるように混合して用いた他は、参考例１の（１）と同様の操作をして焼結体を得た。ここで得られた焼結体の物性を第１表に示す。
（２）透明導電ガラスの製造
上記（１）で得られた焼結体を用いた他は、参考例１の（２）と同様にして、透明導電ガラスの製造をした。得られた透明導電ガラス上の透明導電膜の物性の評価結果を第２表に示す。
【００２６】
〔参考例４〕
（１）焼結体の製造
原料として、酸化インジウムの粉末と酸化亜鉛の粉末とを、これらの金属原子比において、
Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．８３
Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．１７
となるように混合し、さらに、これに酸化ルテニウムを、それらの原子比で、
Ｒｕ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｒｕ）＝０．０２０
となるように混合したものを用いた他は、参考例１の（１）と同様にして、焼結体を製造した。ここで得られた焼結体の物性を第１表に示す。
（２）透明導電ガラスの製造
上記（１）において得られた焼結体を用いて、参考例１の（２）と同様にして透明導電ガラスを製造した。ここで得られた透明導電ガラス上に形成された透明導電膜の物性の測定結果を第２表に示す。
【００２７】
〔実施例１〕
（１）焼結体の製造
原料として、酸化インジウムの粉末と酸化亜鉛の粉末とを、これらの金属原子比において、
Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．８５
Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．１５
となるように混合し、さらに、これに酸化モリブデンを、それらの原子比で、
Ｍｏ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｍｏ）＝０．０２０
となるように混合したものを用いた他は、参考例１の（１）と同様にして、焼結体を製造した。ここで得られた焼結体の物性の測定結果を第１表に示す。
（２）透明導電ガラスの製造
上記（１）において得られた焼結体を用いて、参考例１の（２）と同様にして透明導電ガラスを製造した。ここで得られた透明導電ガラス上に形成された透明導電膜の物性の測定結果を第２表に示す。
【００２８】
〔参考例５〕
（１）焼結体の製造
原料として、酸化インジウムの粉末と酸化亜鉛の粉末とを、これらの金属原子比において、
Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．８５
Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．１５
となるように混合し、さらに、これに酸化バナジウムを、それらの原子比で、
Ｖ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｖ）＝０．０２０
となるように混合したものを用いた他は、参考例１の（１）と同様にして、焼結体を製造した。ここで得られた焼結体の物性の測定結果を第１表に示す。
（２）透明導電ガラスの製造
上記（１）において得られた焼結体を用いて、参考例１の（２）と同様にして透明導電ガラスを製造した。ここで得られた透明導電ガラス上に形成された透明導電膜の物性の測定結果を第２表に示す。
【００２９】
〔参考例６〕
（１）焼結体の製造
原料として、酸化インジウムの粉末と酸化亜鉛の粉末とを、これらの金属原子比において、
Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．９３
Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．０７
となるように混合し、さらに、これに酸化ルテニウムを、それらの原子比で、
Ｒｕ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｒｕ）＝０．０１５
となるように混合したものを用いた他は、参考例１の（１）と同様にして、焼結体を製造した。ここで得られた焼結体の物性を第１表に示す。
（２）透明導電ガラスの製造
上記（１）において得られた焼結体を用いて、参考例１の（２）と同様にして透明導電ガラスを製造した。ここで得られた透明導電ガラス上に形成された透明導電膜の物性の測定結果を第２表に示す。
【００３０】
〔実施例２〕
（１）焼結体の製造
原料として、酸化インジウムの粉末と酸化亜鉛の粉末とを、これらの金属原子比において、
Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．９０
Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．１０
となるように混合し、さらに、これに酸化モリブデンを、それらの原子比で、
Ｍｏ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｍｏ）＝０．０５０
となるように混合したものを用いた他は、参考例１の（１）と同様にして、焼結体を製造した。ここで得られた焼結体の物性の測定結果を第１表に示す。
（２）透明導電ガラスの製造
上記（１）において得られた焼結体を用いて、参考例１の（２）と同様にして透明導電ガラスを製造した。ここで得られた透明導電ガラス上に形成された透明導電膜の物性の測定結果を第２表に示す。
【００３１】
〔参考例７〕
（１）焼結体の製造
原料として、酸化インジウムの粉末と酸化亜鉛の粉末とを、これらの金属原子比において、
Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．９０
Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．１０
となるように混合し、さらに、これに酸化バナジウムを、それらの原子比で、
Ｖ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｖ）＝０．０７０
となるように混合したものを用いた他は、参考例１の（１）と同様にして、焼結体を製造した。ここで得られた焼結体の物性の測定結果を第１表に示す。
（２）透明導電ガラスの製造
上記（１）において得られた焼結体を用いて、参考例１の（２）と同様にして透明導電ガラスを製造した。ここで得られた透明導電ガラス上に形成された透明導電膜の物性の測定結果を第２表に示す。
【００３２】
〔参考例８〕
（１）焼結体の製造
原料として、酸化インジウムの粉末と酸化錫の粉末とを、これらの金属原子比において、
Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）＝０．８０
Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）＝０．２０
となるように混合し、さらに、これに酸化ルテニウムを、それらの原子比で、
Ｒｕ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｒｕ）＝０．０３０
となるように混合したものを用いた他は、参考例１の（１）と同様にして、焼結体を製造した。ここで得られた焼結体の物性の測定結果を第１表に示す。
（２）透明導電ガラスの製造
上記（１）において得られた焼結体を用いて、参考例１の（２）と同様にして透明導電ガラスを製造した。ここで得られた透明導電ガラス上に形成された透明導電膜の物性の測定結果を第２表に示す。
【００３３】
〔参考例９〕
（１）焼結体の製造
原料として、酸化インジウムの粉末と酸化錫の粉末とを、これらの金属原子比において、
Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）＝０．８０
Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）＝０．２０
となるように混合し、さらに、これに酸化モリブデンを、それらの原子比で、
Ｍｏ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｍｏ）＝０．０７０
となるように混合したものを用いた他は、参考例１の（１）と同様にして、焼結体を製造した。ここで得られた焼結体の物性の測定結果を第１表に示す。
（２）透明導電ガラスの製造
上記（１）において得られた焼結体を用いて、参考例１の（２）と同様にして透明導電ガラスを製造した。ここで得られた透明導電ガラス上に形成された透明導電膜の物性の測定結果を第２表に示す。
【００３４】
〔参考例１０〕
（１）焼結体の製造
原料として、酸化インジウムの粉末と酸化錫の粉末とを、これらの金属原子比において、
Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）＝０．８０
Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）＝０．２０
となるように混合し、さらに、これに酸化バナジウムを、それらの原子比で、
Ｖ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｖ）＝０．０５０
となるように混合したものを用いた他は、参考例１の（１）と同様にして、焼結体を製造した。ここで得られた焼結体の物性の測定結果を第１表に示す。
（２）透明導電ガラスの製造
上記（１）において得られた焼結体を用いて、参考例１の（２）と同様にして透明導電ガラスを製造した。ここで得られた透明導電ガラス上に形成された透明導電膜の物性の測定結果を第２表に示す。
【００３５】
〔参考例１１〕
（１）焼結体の製造
原料として、酸化インジウムの粉末と酸化錫の粉末とを、これらの金属原子比において、
Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）＝０．９０
Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）＝０．１０
となるように混合し、さらに、これに酸化ルテニウムを、それらの原子比で、
Ｒｕ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｒｕ）＝０．０２１
となるように混合したものを用いた他は、参考例１の（１）と同様にして、焼結体を製造した。ここで得られた焼結体の物性の測定結果を第１表に示す。
（２）透明導電ガラスの製造
上記（１）において得られた焼結体を用いて、参考例１の（２）と同様にして透明導電ガラスを製造した。ここで得られた透明導電ガラス上に形成された透明導電膜の物性の測定結果を第２表に示す。
【００３６】
〔参考例１２〕
（１）焼結体の製造
原料として、酸化インジウムの粉末と酸化錫の粉末とを、これらの金属原子比において、
Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）＝０．９０
Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）＝０．１０
となるように混合し、さらに、これに酸化モリブデンを、それらの原子比で、
Ｍｏ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｍｏ）＝０．０２０
となるように混合したものを用いた他は、参考例１の（１）と同様にして、焼結体を製造した。ここで得られた焼結体の物性の測定結果を第１表に示す。
（２）透明導電ガラスの製造
上記（１）において得られた焼結体を用いて、参考例１の（２）と同様にして透明導電ガラスを製造した。ここで得られた透明導電ガラス上に形成された透明導電膜の物性の測定結果を第２表に示す。
【００３７】
〔参考例１３〕
（１）焼結体の製造
原料として、酸化インジウムの粉末と酸化錫の粉末とを、これらの金属原子比において、
Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）＝０．９０
Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）＝０．１０
となるように混合し、さらに、これに酸化バナジウムを、それらの原子比で、
Ｖ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｖ）＝０．０２０
となるように混合したものを用いた他は、参考例１の（１）と同様にして、焼結体を製造した。ここで得られた焼結体の物性の測定結果を第１表に示す。
（２）透明導電ガラスの製造
上記（１）において得られた焼結体を用いて、参考例１の（２）と同様にして透明導電ガラスを製造した。ここで得られた透明導電ガラス上に形成された透明導電膜の物性の測定結果を第２表に示す。
【００３８】
〔参考例１４〕
（１）焼結体の製造
原料として、酸化インジウムの粉末と酸化亜鉛の粉末および酸化錫の粉末とを、これらの金属原子比において、
Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．８０
Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．１０
Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．１０
となるように混合し、さらに、これに酸化ルテニウムを、それらの原子比で、
Ｒｕ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ＋Ｒｕ）＝０．０２２
となるように混合したものを用いた他は、参考例１の（１）と同様にして、焼結体を製造した。ここで得られた焼結体の物性の測定結果を第１表に示す。
（２）透明導電ガラスの製造
上記（１）において得られた焼結体を用いて、参考例１の（２）と同様にして透明導電ガラスを製造した。ここで得られた透明導電ガラス上に形成された透明導電膜の物性の測定結果を第２表に示す。
【００３９】
〔実施例３〕
（１）焼結体の製造
原料として、酸化インジウムの粉末と酸化亜鉛の粉末および酸化錫の粉末とを、これらの金属原子比において、
Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．８０
Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．１０
Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．１０
となるように混合し、さらに、これに酸化モリブデンを、それらの原子比で、
Ｍｏ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ＋Ｍｏ）＝０．０５０
となるように混合したものを用いた他は、参考例１の（１）と同様にして、焼結体を製造した。ここで得られた焼結体の物性の測定結果を第１表に示す。
（２）透明導電ガラスの製造
上記（１）において得られた焼結体を用いて、参考例１の（２）と同様にして透明導電ガラスを製造した。ここで得られた透明導電ガラス上に形成された透明導電膜の物性の測定結果を第２表に示す。
【００４０】
〔参考例１５〕
（１）焼結体の製造
原料として、酸化インジウムの粉末と酸化亜鉛の粉末および酸化錫の粉末とを、これらの金属原子比において、
Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．８０
Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．１０
Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．１０
となるように混合し、さらに、これに酸化バナジウムを、それらの原子比で、
Ｖ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ＋Ｖ）＝０．０５０
となるように混合したものを用いた他は、参考例１の（１）と同様にして、焼結体を製造した。ここで得られた焼結体の物性の測定結果を第１表に示す。
（２）透明導電ガラスの製造
上記（１）において得られた焼結体を用いて、参考例１の（２）と同様にして透明導電ガラスを製造した。ここで得られた透明導電ガラス上に形成された透明導電膜の物性の測定結果を第２表に示す。
【００４１】
〔参考例１６〕
（１）焼結体の製造
原料として、酸化インジウムの粉末と酸化亜鉛の粉末および酸化錫の粉末とを、これらの金属原子比において、
Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．９０
Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．０７
Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．０３
となるように混合し、さらに、これに酸化ルテニウムを、それらの原子比で、
Ｒｕ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ＋Ｒｕ）＝０．０２５
となるように混合したものを用いた他は、参考例１の（１）と同様にして、焼結体を製造した。ここで得られた焼結体の物性の測定結果を第１表に示す。
（２）透明導電ガラスの製造
上記（１）において得られた焼結体を用いて、参考例１の（２）と同様にして透明導電ガラスを製造した。ここで得られた透明導電ガラス上に形成された透明導電膜の物性の測定結果を第２表に示す。
【００４２】
〔実施例４〕
（１）焼結体の製造
原料として、酸化インジウムの粉末と酸化亜鉛の粉末および酸化錫の粉末とを、これらの金属原子比において、
Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．９０
Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．０７
Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．０３
となるように混合し、さらに、これに酸化モリブデンを、それらの原子比で、
Ｍｏ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ＋Ｍｏ）＝０．０３５
となるように混合したものを用いた他は、参考例１の（１）と同様にして、焼結体を製造した。ここで得られた焼結体の物性の測定結果を第１表に示す。
（２）透明導電ガラスの製造
上記（１）において得られた焼結体を用いて、参考例１の（２）と同様にして透明導電ガラスを製造した。ここで得られた透明導電ガラス上に形成された透明導電膜の物性の測定結果を第２表に示す。
【００４３】
〔参考例１７〕
（１）焼結体の製造
原料として、酸化インジウムの粉末と酸化亜鉛の粉末および酸化錫の粉末とを、これらの金属原子比において、
Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．９０
Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．０７
Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．０３
となるように混合し、さらに、これに酸化バナジウムを、それらの原子比で、
Ｖ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ＋Ｖ）＝０．０３５
となるように混合したものを用いた他は、参考例１の（１）と同様にして、焼結体を製造した。ここで得られた焼結体の物性の測定結果を第１表に示す。
（２）透明導電ガラスの製造
上記（１）において得られた焼結体を用いて、参考例１の（２）と同様にして透明導電ガラスを製造した。ここで得られた透明導電ガラス上に形成された透明導電膜の物性の測定結果を第２表に示す。
【００４４】
〔参考例１８〕
参考例４の（１）と同様にして得た焼結体をターゲットとし、参考例４の（２）におけるスパッタリング時に、ガラス基板の温度を２１５℃に加熱してスパッタリングした他は、参考例４と同様にして、透明導電ガラスを製造した。ここで得られた透明導電ガラス上に形成された透明導電膜の物性を、参考例１の（２）と同様にして評価した。これら評価結果を第２表に示す。
【００４５】
〔参考例１９〕
参考例８の（１）と同様にして得た焼結体をターゲットとし、参考例８の（２）におけるスパッタリング時に、ガラス基板の温度を２１５℃に加熱してスパッタリングした他は、参考例８と同様にして透明導電ガラスを製造した。ここで得られた透明導電ガラス上に形成された透明導電膜の物性を、参考例１の（２）と同様にして評価した。これら評価結果を第２表に示す。
【００４６】
〔参考例２０〕
参考例８の（１）と同様にして得た焼結体をターゲットとし、参考例８の（２）におけるスパッタリング時に、水を２重量％添加してスパッタリングした他は、参考例８と同様にして透明導電ガラスを製造した。ここで得られた透明導電ガラス上に形成された透明導電膜の物性を、参考例１の（２）と同様にして評価した。これら評価結果を第２表に示す。また、このようにして得られた透明導電ガラスを、２１５℃において、１時間アニールした後の透明導電膜の物性を測定したところ、アニールの前後における物性の変化は見られなかった。
【００４７】
〔参考例２１〕
参考例４の（１）と同様にして得た焼結体をターゲットとし、参考例４の（２）で透明基材として用いたガラス基板に代えて、厚さ０．１ｍｍのポリカーボネート基板を透明基材として用いた他は、参考例４と同様にして、透明導電フィルムを製造した。ここで得られた透明導電フィルム上に形成された透明導電膜の物性を、参考例１の（２）と同様に測定した。それら結果を第２表に示す。
【００４８】
〔比較例１〕
原料として、酸化インジウムの粉末と酸化錫の粉末とを、これらの金属原子比において、
Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．８５
Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．１５
となるように混合した混合物を用い、添加成分である酸化ルテニウムなどは加えなかった他は、参考例１の（１）と同様の操作をして得られた焼結体を用いて、参考例１の（２）と同様にスパッタリングによる成膜をした。得られた透明導電ガラス上に形成された透明導電膜について評価した結果を、第２表に示す。
【００４９】
〔比較例２〕
原料として、酸化インジウムの粉末と酸化錫の粉末とを、これらの金属原子比において、
Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）＝０．９０
Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）＝０．１０
となるように混合した混合物を用い、添加成分である酸化ルテニウムなどは加えずに、参考例１の（１）と同様にして焼結体を得た。ついで、スパッタリング時に、ガラス基板の温度を２１５℃に加熱してスパッタリングした他は、参考例１の（２）と同様の操作をして透明導電ガラスを得た。このようにして得られた透明導電ガラスの上に形成された透明導電膜について評価した結果を第２表に示す。
【００５０】
【表１】
0005156591.tif 000002
【００５１】
【表２】
0005156591.tif 000003
【００５２】
【表３】
0005156591.tif 000004
【００５３】
【表４】
0005156591.tif 000005
【００５４】
【表５】
0005156591.tif 000006
【００５５】
【表６】
0005156591.tif 000007
【産業上の利用可能性】
【００５６】
本発明の焼結体からなる透明導電膜のスパッタリング用ターゲットは、表示装置用の透明導電膜の成膜に用いられ、この透明導電膜を有する透明導電ガラスまたは透明導電フィルムは、有機エレクトロルミネッセンス素子などの表示装置の透明電極として用いることができる。