(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の配線基板と第２の配線基板の間に電気絶縁層が配設され、第１の配線基板の前記電気絶縁層の側または第２の配線基板の前記電気絶縁層の側に実装された部品を前記電気絶縁層に埋設するとともに、前記電気絶縁層に形成されて前記第１の配線基板と前記第２の配線基板には形成されていない第１のインナービアによって第１の配線基板と第２の配線基板の間を電気接続した部品内蔵モジュールであって、
前記電気絶縁層の端面で半円柱状の切断面が露出し前記第１の配線基板と前記第２の配線基板には形成されていない第２のインナービアを備え、前記第２のインナービアは基準電位に接続されており、かつ、前記第２のインナービアに接続された導電性膜を前記電気絶縁層の端面に設けた
部品内蔵モジュール。
【請求項２】
第２の配線基板の前記電気絶縁層の側とは反対側の面に実装された部品を樹脂材料でモールドするとともに、
前記電気絶縁層の端面と前記樹脂材料の表面に第２のインナービアに接続された導電性膜を設けた
請求項１記載の部品内蔵モジュール。
【請求項３】
前記導電性膜は、金属材料をめっき、蒸着、スパッタリング、ＣＶＤの何れかの手段で形成された
請求項１または請求項２に記載の部品内蔵モジュール。
【請求項４】
前記第１，第２のインナービアは、導電性樹脂ペーストで構成されている
請求項１〜請求項３の何れか１項に記載の部品内蔵モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体等の能動部品、コンデンサ等の受動部品を電気絶縁層に内蔵した部品内蔵モジュールおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器に対する高性能化および小型化の要求に伴って、電子機器に用いられる配線基板もまた小型高密度のものが望まれている。このような要求に対して、従来のスルホール構造を有するガラス・エポキシ基板では、高密度実装化への対応ができなくなりつつある。このため、高密度実装を実現する手段として、ＬＳＩ間や部品間を最短距離で接続できるインナービア接続法を採用した高密度実装基板の開発が進められている。
【０００３】
このようなインナービア接続法を採用した高密度実装基板として、樹脂基板およびセラミック基板が一般的である。樹脂基板は樹脂系材料によって構成されるため、熱伝導性が低い。このため、回路部品実装がより高密度になればなるほど部品から発生する熱を放熱させることは困難となる。一方、セラミック基板は、熱伝導性が高いため放熱性には優れているがコスト高となる。
【０００４】
こうしたことから、最近、注目されているのが、無機質フィラーと熱硬化性樹脂との混合物を基板材料にした高密度実装基板が提案されている（例えば特許文献１参照）。
この高密度実装基板は、前述した樹脂基板およびセラミック基板と同様にインナービア接続ができ、高密度配線が可能であるばかりでなく、基板材料に熱伝導性の高い無機質フィラーが含まれているので、樹脂基板よりも放熱性に優れている。しかもセラミック基板のように１０００℃以上の高温における製造プロセスが不要であるため、設備コストがかからない。さらに半導体等の能動部品やコンデンサ等の受動部品を基板に内蔵することができるので、より高密度、高性能化が期待できる。
【０００５】
図１０は特許文献２の部品内蔵モジュールを示す。
図１０（ａ）は部品内蔵モジュールの断面図、図１０（ｂ）は平面図で、無機フィラー及び熱硬化性樹脂を含む混合物からなる電気絶縁層３０３を備えている。電気絶縁層３０３の下面は配線基板３０１で覆われ、電気絶縁層３０３の上面は配線基板３０２で覆われている。配線基板３０１，３０２のそれぞれの両面には配線パターンが形成され、配線基板３０１，３０２の前記電気絶縁層３０３側の面にはビア受けランド３２０が形成されている。
【０００６】
配線基板３０１の配線パターン上には、バンプ３０５により半導体ベアチップなどの部品３０４が接合されており、この部品３０４は電気絶縁層３０３に埋め込まれている。電気絶縁層３０３には熱硬化の導電性樹脂ペースト材料で構成されるインナービア３０６が設けられており、このインナービア３０６とビア受けランド３２０を介して配線基板３０１，３０２の間を電気的に接続している。
【０００７】
電気絶縁層３０３の周部には、同様にシールド用インナービア３０７が高密度に設けられており、このシールド用インナービア３０７とビア受けランド３２０を介してアース接続（ＧＮＤ：グランド接続）されている。
【０００８】
このインナービア３０６，３０７は機能目的が異なるが同じ材料構成で同時形成される。配線基板３０１，３０２の表面の配線パターンには必要に応じて回路部品（図示せず）が接合されて３次元実装モジュールとなる。
【０００９】
図１１は、図１０の部品内蔵モジュールを多面取りするための大判基板状態を示したものである。切断ライン３０８をダイシング等の方法によりモジュール単位に切断を行う。３１９はダイシング時のブレード厚みに応じた切断幅である。
【００１０】
この部品内蔵モジュールは、以下のようにして製造される。
まずインナービア３０６，３０７を形成した未硬化の電気絶縁層３０３を準備する。この電気絶縁層３０３は、未硬化のエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂とアルミナなどの無機質フィラーとを混合したシート状の材料で構成される。インナービア３０６，３０７は、レーザまたはパンチャーなどの装置によって電気絶縁層３０３に貫通孔を形成し、熱硬化性樹脂と銅や銀等の導電性金属粉とを含む導電性樹脂ペーストを貫通孔に充填して形成する。
【００１１】
そして配線基板３０１の配線パターン上に部品３０４がフリップチップ接合して実装する。
次いで、内蔵用部品が実装された配線基板３０１、インアービアが形成された電気絶縁層３０３、配線基板３０２を順番に積層し、更に熱プレス用装置（図示せず）にセットする。これを熱プレス装置を用いて加熱と加圧を行うことで、電気絶縁層３０３が溶融して軟化することで内蔵回路部品３０４を電気絶縁層３０３に埋め込む。その後、電気絶縁層３２０の熱硬化性樹脂の硬化温度よりも高い温度で加熱を行うことで、熱硬化性樹脂を硬化させ配線基板と一体化させることで、前述した図１０に示した部品内蔵モジュールが得られる。
【特許文献１】特開平１１−２２０２６２号公報
【特許文献２】特開２００６−２１０８７０公報（図１，図２）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
このような従来の部品内蔵モジュールでは、構造上の課題と、回路部品３０４を電気絶縁層３０３に埋設する際に生じるいくつかの解決すべき課題がある。
図１０（ａ）で示すように、未硬化の電気絶縁層３０３内に回路部品３０４を埋め込む際には、加熱、加圧すると、電気絶縁層３０３が含有する未硬化の熱硬化性樹脂が軟化して流動し易くなるので、回路部品３０４を容易に埋め込むことができる。
【００１３】
電気絶縁層３０３のインナービア３０６は、両配線基板３０１，３０２のビアランド３２０で圧縮されることにより低抵抗なビア接続が得られる。また、内蔵される回路部品３０４が高周波動作部品でノイズを発生し易い、あるいは外乱ノイズの影響を受け易い時に、シールドビア３０７を電気絶縁層３０３の外周部に設けることでシールド効果を得ることができる。
【００１４】
しかしながら、シールド効果を得るためにはインナービア３０７を、電気絶縁層３０３の外周部に高密度に形成する必要がある。このためモジュールサイズが大きくなる。インナービアの貫通孔を加工する工数が大きくなるなどの課題がある。
【００１５】
また、熱プレス時に軟化した熱硬化性樹脂は、プレス圧力の影響を受け基板の中心からその材料物性に応じて放射状に流動する。その際、電気絶縁層３０３に形成されたインナービア３０６，３０７も流れて位置ずれや曲がりを生じる恐れがある。それによって、インナービア３０６，３０７とビアランド３２０との接続抵抗が高くなり、信頼性に悪影響を及ぼすという問題が生じる。
【００１６】
インナービア３０６，３０７の状態を検査するためには、製造工程においてＸ線透過装置を用いて斜め透過像を評価する必要がある。
本発明は、電気絶縁層に形成されたインナービアの位置ずれや曲がりを簡単に評価できる構造の部品内蔵モジュールとその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明の請求項１記載の部品内蔵モジュールは、第１の配線基板と第２の配線基板の間に電気絶縁層が配設され、第１の配線基板の前記電気絶縁層の側または第２の配線基板の前記電気絶縁層の側に実装された部品を前記電気絶縁層に埋設するとともに、前記電気絶縁層に形成されて前記第１の配線基板と前記第２の配線基板には形成されていない第１のインナービアによって第１の配線基板と第２の配線基板の間を電気接続した部品内蔵モジュールであって、前記電気絶縁層の端面で半円柱状の切断面が露出し前記第１の配線基板と前記第２の配線基板には形成されていない第２のインナービアを備え、前記第２のインナービアは基準電位に接続されており、かつ、前記第２のインナービアに接続された導電性膜を前記電気絶縁層の端面に設けたことを特徴とする。
【００１９】
本発明の請求項２記載の部品内蔵モジュールは、請求項１において、第２の配線基板の前記電気絶縁層の側とは反対側の面に実装された部品を樹脂材料でモールドするとともに、前記電気絶縁層の端面と前記樹脂材料の表面に第２のインナービアに接続された導電性膜を設けたことを特徴とする。
【００２０】
本発明の請求項３記載の部品内蔵モジュールは、請求項１または請求項２において、前記導電性膜は、金属材料をめっき、蒸着、スパッタリング、ＣＶＤの何れかの手段で形成されたことを特徴とする。
【００２１】
本発明の請求項４記載の部品内蔵モジュールは、請求項１〜請求項３の何れかにおいて、前記第１，第２のインナービアは、導電性樹脂ペーストで構成されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、小型で耐ノイズ性を高めた部品内蔵モジュールを提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、本発明にかかる実施の形態の部品内蔵モジュールについて図面を参照しながら説明する。
（実施の形態１）
図１は本発明の実施の形態１を示す。
【００２７】
図１（ａ）は部品内蔵モジュールの断面図であり、図１（ｂ）はＡ−Ａに沿った平面断面図である。
この部品内蔵モジュールは、７０重量％以上９５重量％以下の無機フィラー及び５重量％以上３０重量％以下の熱硬化性樹脂を含む混合物からなる電気絶縁層３を備えている。電気絶縁層３の下面は多層の配線基板１で覆われ、電気絶縁層３の上面は多層の配線基板２で覆われている。配線基板１，２のそれぞれの両面には配線パターンが形成され、配線基板１，２の前記電気絶縁層３側の面にはビア受けランド２０が形成されている。
【００２８】
配線基板１の配線パターン上には、半導体ベアチップなどの部品４がバンプ５によりフリップチップ接合されており、この部品４は電気絶縁層３に埋め込まれている。
電気絶縁層３には、熱硬化の導電性樹脂ペースト材料で構成される第１のインナービアとしてのインナービア６が設けられており、このインナービア６とビア受けランド２０を介して配線基板１，２の間を電気的に接続している。インナービア６は、部品４を囲んで複数個設けられる。無機フィラー及び熱硬化性樹脂を選択することによって、電気絶縁層３の線膨張係数、熱伝導度、及び誘電率等を容易に制御することができる。
【００２９】
電気絶縁層３の無機フィラーとして例えば、アルミナ、マグネシア、窒化ホウ素、窒化アルミ、窒化珪素、フッ素樹脂及びシリカ等を用いることができる。アルミナ、窒化ホウ素及び窒化アルミを用いると、従来のガラス・エポキシ基板よりも熱伝導度の高い基板が製作可能となり、部品４の発熱を効果的に放熱させることができる。特にアルミナを用いるとコストが安いという利点も得られる。シリカを用いると、電気絶縁層３の線膨張係数が部品４としてのシリコン半導体に近づき、温度変化によるクラックの発生等を防止することができるため、半導体チップを直接実装するフリップチップ実装時に好ましい。
【００３０】
またシリカは、誘電率の低い電気絶縁層が得られ、比重も軽いため、携帯電話装置等の高周波用モジュール基板として好ましい。窒化珪素やフッ素樹脂を用いても誘電率の低い電気絶縁層が得られる。また、窒化ホウ素を用いると線膨張係数を低減できる。
【００３１】
電気絶縁層３の熱硬化性樹脂として、耐熱性の高いエポキシ樹脂やフェノール樹脂、シアネート樹脂を用いると、電気絶縁層３の耐熱性が向上する。また、誘電正接の低いフッ素樹脂、ＰＴＦＥ樹脂（四フッ化エチレン樹脂）、ＰＰＯ樹脂（ポリフェニレンオキサイド）、ＰＰＥ樹脂（ポリフェニレンエーテル）を含む樹脂、もしくはそれらの樹脂を変性させた樹脂を用いると、電気絶縁層３の高周波特性が向上する。
【００３２】
配線基板１，２の配線パターンは、電気伝導性を有する物質からなり、例えば、金属箔や導電性樹脂組成物により構成することができる。金属箔を用いるとエッチング等により微細な配線パターンを容易に形成できる。また、離型フィルムを用いた転写等により配線パターンを形成することができる。
【００３３】
また、配線パターンを導電性樹脂組成物により構成する場合、金、銀、銅、パラジュウム及びニッケル等の金属粉やカ―ボン粉を用いることにより、電気抵抗が低い配線パターンを印刷により容易に形成できる。
【００３４】
さらに、これらの配線パターンの表面にめっき処理をすることにより、耐食性や電気伝導性を向上させることができる。さらに、配線パターンの電気絶縁層３との接触面を粗化することで、電気絶縁層３との接着性を高めることができる。
【００３５】
部品４としての半導体チップは、例えばトランジスタ、ＩＣ及びＬＳＩ等の半導体素子により構成する。半導体素子は、半導体ベアチップであってもよい。配線パターンと部品４とは、例えば導電性接着剤、異方性導電フィルム（ＡＣＦ）、を用いたフリップチップボンディングにより接続する。また、バンプ５を形成して接続してもよい。また、電気絶縁層３によって部品４を外気から遮断することができるため、湿度による信頼性低下を防止することができる。また、電気絶縁層３の材料としてフィラーと熱硬化性樹脂との混合物を用いると、セラミック基板と異なり、高温で焼成する必要がなく、部品４を内蔵することが容易である。
【００３６】
インナービア６は、配線基板１，２の配線パターン間を接続する機能を有する導電性粉末と熱硬化性樹脂との混合物で構成する。例えば、金、銀、銅又はニッケル等の金属粉末やカ―ボン粉末と熱硬化性樹脂との混合物を用いることができる。熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂またはシアネート樹脂を用いることができる。エポキシ樹脂は、耐熱性が高いため特に好ましい。金属粉末は、金、銀、銅またはニッケルが好ましく、銅は導電性が高いのみならずマイグレーションも少ないため特に好ましい。銅を銀で被覆した金属粉を用いても、マイグレーションの少なさと導電性の高さとの両方の特性を満たすことができる。
【００３７】
電気絶縁層３の外周部には、この電気絶縁層３の端面で切断面が露出した第２のインナービアとしてのインナービア７が設けられている。インナービア７は、インナービア６と同じ材料で構成することが好ましい。インナービア７は後述するように、部品４が発生する高周波ノイズおよび、外部ノイズの影響による部品４の誤動作を防止するためのシールドの接続端子として用いる。
【００３８】
インナービア７は、電気絶縁層３の端面で切断面が露出した半円柱状に形成されており、配線基板１および２のアース接続されていることが好ましい。
このように構成したため、インナービア７が半円柱状で電気絶縁層３の端面に形成すればよいことから、部品内蔵面積を拡大またはモジュールサイズを小型化できる。
【００３９】
（実施の形態２）
図２は本発明の実施の形態２を示す。
図２（ａ）は部品内蔵モジュールの断面図であり、図２（ｂ）はＡ−Ａに沿った平面断面図である。
【００４０】
実施の形態１と異なる点は、電気絶縁層３の端面から配線基板１，２の端面に掛けてノイズシールド層となる導電性膜１０が形成されており、この導電性膜１０がインナービア７を介してアース接続（ＧＮＤ：グランド接続）されている点である。導電性膜１０は、めっき、スパッタリング、蒸着、ＣＶＤ（Chemical vapor deposition ）等の方法により膜状に形成されている。
【００４１】
このように構成したため、部品内蔵モジュール端面に形成するシールド層となる導電性膜１０と、配線基板１，２とのアース接続がインナービア７の断面を介して行えるため、接続面積が広く安定した接続を得ることができる。
【００４２】
また、図１０に示した従来例のように、インナービアを周辺に配列するだけでシールド効果を得る場合に比較して、この実施の形態では導電性膜１０とインナービア７との組み合わせでシールド効果を達成しているため、インナービア７の数は少なくて済み、加工工数を削減できる。さらには、インナービアを半円柱状でモジュール端面に形成すればよいことから、部品内蔵面積を拡大またはモジュールサイズを小型化できる。
【００４３】
（実施の形態３）
図３は本発明の実施の形態３を示す。
図３は部品内蔵モジュールの断面図で、実施の形態２と異なる点は、配線基板２の表層に部品８を実装し、配線基板２の表層に部品８を樹脂材料９によってモールドするとともに、電気絶縁層３の端面から配線基板１，２の端面に掛けて、さらに樹脂材料９の表面に掛けて、ノイズシールド層となる導電性膜１０が形成されており、この導電性膜１０がインナービア７を介してアース接続（ＧＮＤ：グランド接続）されている点である。内蔵した部品４および表層に実装した部品８を共々モジュール全体をシールド構造とすることができる。
【００４４】
導電性膜１０は、めっき、スパッタリング、蒸着、ＣＶＤ（Chemical vapor deposition ）等の方法により膜状に形成されている。
このように構成したため、部品内蔵モジュール端面に形成するシールド層となる導電性膜１０と、配線基板１，２とのアース接続がインナービア７の断面を介して行えるため、接続面積が広く安定した接続を得ることができる。
【００４５】
また、図１０に示した従来例のように、インナービアを周辺に配列するだけでシールド効果を得る場合に比較して、この実施の形態では導電性膜１０とインナービア７との組み合わせでシールド効果を達成しているため、インナービア７の数は少なくて済み、加工工数を削減できる。さらには、インナービアを半円柱状でモジュール端面に形成すればよいことから、部品内蔵面積を拡大またはモジュールサイズを小型化できる。
【００４６】
上記の各実施の形態において、本実施の形態ではインナービア６，７を導電性樹脂ペーストで形成した例を示したが、本発明はこれに限定されず、スルホールめっき等で形成してもよい。導電性膜１０は半円柱状のインナービア７と並列して配線基板１，２の断面に現れる配線パターンと接続してもよい。
【００４７】
また、部品４を電気絶縁層３に内蔵した例を示したが、抵抗、コンデンサ、インダクタ等の受動部品を内蔵してもよい。
（実施の形態４）
図４〜図８は、図３に示した実施の形態３の部品内蔵モジュールの具体的な製造方法を示している。
【００４８】
図４（ａ）から図５（ｉ）は部品内蔵モジュール製造工程を説明する断面図である。
図４（ａ）の電気絶縁層３は、７０重量％以上９５重量％以下の無機フィラー及び５重量％以上３０重量％以下の熱硬化性樹脂を含む混合物からなる、厚み０．６ｍｍの未硬化状態である。電機絶縁層３の表面に、電気絶縁層の表面保護とインナービアの突起部を形成する目的でＰＥＴ、ＰＰＳ、ＰＥＮなどで構成される厚み０．０１〜０．０３ｍｍ程度の保護フィルム１１をラミネートする。その後、レーザやパンチャーの手段により直径０．０５〜０．３ｍｍ程度のインナービアホール１２を加工する。
【００４９】
次いで、図４（ｂ）および図４（ｃ）に示すように、インナービアホール１２に導電性樹脂ペーストを印刷充填する。さらに、保護フィルム１１を剥離除去することで、電気絶縁層３の表面から飛び出たインナービア６，７を備えた電気絶縁シート１３を得ることができる。
【００５０】
図４（ｄ）は積層工程を示すもので、配線基板１の配線パターン上に厚み０．０５〜０．５ｍｍの部品４がバンプ５によりフリップチップ実装されている。配線基板１、インナービア６，７を形成した電気絶縁シート１３、配線基板２を順次積層する。なお、電気絶縁シート１３に部品４を内蔵するためのキャビティを形成してもよい。
【００５１】
図４（ｅ）に示すように配線基板と電気絶縁シートを積層した後、熱プレスを行うことで部品内蔵基板１４が完成する。熱プレスは配線基板１，２の表面を熱プレス機（図示せず）により、例えば温度２００℃、圧力３ＭＰａで加熱加圧する。この際、電気絶縁シートが一端軟化して部品４を埋め込むと共に、配線基板１，２と接着して硬化する。また、電気絶縁樹脂シートに形成されたインナービア６，７は、熱プレスの際に電気絶縁シートからの飛び出し量と、配線基板のビア受けランド２０の厚みにて圧縮接合され、配線基板１と配線基板２の間の安定した電気的接続を得ることができる。
【００５２】
図５（ｆ）は部品内蔵基板１４の表面配線パターン上に部品８の実装を行った図で、さらに熱硬化性の樹脂材料９にて部品８のモールドを行い、図５（ｇ）に示すように多面配置した基板を形成する。
【００５３】
図５（ｈ）は上述のように構成された部品内蔵基板を、モジュール単位に溝加工を行うための工程説明図である。ダイシング装置のブレード１７にてモジュールサイズにハーフダイシングを行う。なお、周辺の捨て部分となるラインは完全に切断してもよい。この際、切断溝となるブレードの歯幅１８を考慮して大判基板に対するモジュールの配置が設計段階で決定される。特に切断端面にインナービア７が半円柱状に残るようインナービア７を配置するよう設計する。図５（ｉ）と図６（ａ）とはモジュール単位に切断溝１９をハーフダイシングした図である。
【００５４】
図６（ｂ）は切断溝をハーフダイシングした際のＢ−Ｂ線に沿った平面断面図である。モジュール間に配置するインナービア７は図のように距離ｄだけ少しずらして配置することで問題なく構成できる。
【００５５】
次に、切断した端面に露出したインナービア７の形状を外観検査することによって、電気絶縁層３の内部のインナービア６の出来栄えを評価する。
図７から図９は本発明の実施の形態３に係る部品内蔵モジュールの検査に用いる半円柱状インナービアの断面図である。
【００５６】
図７（ａ１）は正常なインナービア７の状態を示す断面図で、図７（ａ２）は図７（ａ１）の矢印Ｊ方向から見た電気絶縁層３の端面の正面図である。
同様に、図７（ｂ１）（ｃ１）（ｄ１）はそれぞれ不良な種々のインナービア７の状態を示す断面図で、図７（ｂ２）（ｃ２）（ｄ２）は図７（ｂ１）（ｃ１）（ｄ１）の矢印Ｊ方向から見た電気絶縁層３の端面の正面図である。
【００５７】
更に詳しく説明すると、
図７（ａ１）（ａ２）は正常な状態を示している。
図７（ｂ１）（ｂ２）はインナービアホールに導電性樹脂ペーストを印刷充填する際に気泡が発生した状態を示すもので、半円柱状の切断断面に気泡が現れ異常が検出できる。
【００５８】
図７（ｃ１）（ｃ２）は積層ずれなどの原因によりインナービアの位置が設計位置からずれた状態を示すもので、半円柱状の切断断面は細くなり検出できる。
図７（ｄ１）（ｄ２）は熱プレス工程において電気絶縁層が軟化した際に樹脂流れが発生に伴いインナービアにも曲がりが発生した状態を示すもので、半円柱状の切断断面は鼓状となり検出できる。
【００５９】
従来では、上下配線基板の間の電気的な接続は図１（ｂ）に示すインナービア６のようにモジュール内に配置されるため外観検査はできないので、Ｘ線透過装置のような設備を用いて時間を掛けてビアの品質状態を検査する必要があったが、この実施の形態では、電気絶縁層３の端面に露出したインナービア７の切断面を外観検査することにより、電気絶縁層３の内部のインナービア６の出来栄えを評価することができ、従来のようなＸ線透過装置などの高価な検査ツールが不要となる。
【００６０】
インナービア６の検査に合格した多面配置の基板に対して以降の処理が実施される。
図８（ａ）に示すように樹脂モールドのエッジを必要に応じて面取りを行った後、樹脂モールド表面および切断端面に図８（ｂ）に示すように導電性膜１０を形成する。導電性膜は金属材料を、めっき、蒸着、スパッタリングなどの方法で形成する。
【００６１】
これにより導電性膜１０が電気絶縁層３の端面に形成された半円柱状のインナービア７を介してアースに電気的に接続されることで、部品内蔵モジュール全体がシールドできる。その後、図８（ｃ）に示すようにハーフダイシング部分を完全切断して部品内蔵モジュールに個片化する。
【００６２】
実施の形態４では実施の形態３の部品内蔵モジュールの場合を例に挙げて、その製造方法を説明したが、実施の形態１，実施の形態２に示した部品内蔵モジュールも同様に製造してインナービア６の出来栄えを評価することができる。
【００６３】
（実施の形態５）
実施の形態４の説明では、検査用の半円柱状インナービアを部品内蔵モジュール側の切断端面に残す設定としたが、図９に示すように切断溝１９の切断幅１９ａに対して基板周辺部（捨て部分）に残るようにインナービア７の配置設計を行い、切断後の基板周辺部（捨て部分）端面の半円柱状ビアを検査して、電気絶縁層３の内部のインナービア６の出来栄えを評価することもでき、従来のようなＸ線透過装置などの高価な検査ツールが不要となる。
【００６４】
なお、検査用の半円柱状インナービアを部品内蔵モジュール側の切断端面に残すよう設定するとともに、基板周辺部（捨て部分）に残るようにインナービア７の配置設計を行い、部品内蔵モジュール側の切断端面に露出したインナービア７の切断面、または基板周辺部（捨て部分）に残ったインナービア７の切断面を検査して、電気絶縁層３の内部のインナービア６の出来栄えを評価することもできる。
【産業上の利用可能性】
【００６５】
本発明は、部品内蔵モジュールの製造の信頼性を、Ｘ線透過装置のような設備を用いずに、しかも時間を掛けて検査しなくても判定することができ、量産化の実現に寄与できる。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】本発明に係わる実施の形態１の部品内蔵モジュールの断面図
【図２】本発明に係わる実施の形態２の部品内蔵モジュールの断面図
【図３】本発明に係わる実施の形態３の部品内蔵モジュールを説明するための断面図
【図４】本発明に係わる実施の形態４における部品内蔵モジュール製造方法の多面配置した基板の作成工程を説明するための断面図
【図５】同実施の形態において多面配置した基板に表面実装し、表面実装部品を樹脂モールドと、モジュール単位にハーフダイシングする工程を説明するための断面図
【図６】同実施の形態においてモジュール単位にハーフダイシング工程まで進めた多面配置した基板の断面図および平面図
【図７】同実施の形態においてインナービア検査工程を説明するための断面図と電気絶縁層の端面の正面図
【図８】同実施の形態において導電性膜形成工程を説明するための断面図
【図９】本発明に係わる実施の形態５の部品内蔵モジュール検査における、インナービア配置の一例を説明するためのインナービア平面図
【図１０】従来の部品内蔵モジュールの断面図と平面図
【図１１】従来の製造方法における多面配置した基板の切断時の平面図
【符号の説明】
【００６７】
１，２    配線基板
３    電気絶縁層
４，８    部品
６    インナービア（第１のインナービア）
７    インナービア（第２のインナービア）
９    樹脂材料
１０    導電性膜
１１    保護フィルム
１２    インナービアホール
１３    電気絶縁シート
１４    部品内蔵基板
１７    ダイシング装置のブレード
１９    切断溝
２０    ビア受けランド
２１    気泡
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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