(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
データを格納するメモリと、格納されるべきデータをデータスクランブル用キーコードに従って暗号化して前記メモリから出力するデータスクランブル回路とを具備した半導体記憶装置において、
逐次更新されるデータスクランブル用キーコードを格納する第１格納部を有する前記メモリと、
前記第１格納部から取出した第１のデータスクランブル用キーコードに応じた擬似乱数を発生させ、発生させた擬似乱数を第２のデータスクランブル用キーコードとして前記データスクランブル回路に供給する擬似乱数発生回路と、
前記第１格納部から取出した第１のデータスクランブル用キーコードと前記第２のデータスクランブル用キーコードとを演算して、第３のデータスクランブル用キーコードを作製し、前記第１格納部に書き込むことにより、前記第１のデータスクランブル用キーコードを前記第３のデータスクランブル用キーコードに更新する演算回路とを設けたことを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項２】
データを格納するメモリと、格納されるべきデータをデータスクランブル用キーコードに従って暗号化して前記メモリから出力するデータスクランブル回路と、前記データスクランブル用キーコードを初期キーコードに従って暗号化して前記メモリから出力するキーコードスクランブル回路とを具備した半導体記憶装置において、
逐次更新されるデータスクランブル用キーコードを格納する第１格納部と前記初期キーコードを格納する第２格納部とを有する前記メモリと、
前記第１格納部から取出した第１のデータスクランブル用キーコードに応じた擬似乱数を発生させ、発生させた擬似乱数を第２のデータスクランブル用キーコードとして前記データスクランブル回路に供給する擬似乱数発生回路と、
前記第１格納部から取出した第１のデータスクランブル用キーコードと前記第２のデータスクランブル用キーコードとを演算して、第３のデータスクランブル用キーコードを作製し、前記第１格納部に書き込むことにより、前記第１のデータスクランブル用キーコードを前記第３のデータスクランブル用キーコードに更新する演算回路とを設けたことを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項３】
前記データスクランブル用キーコードの更新は、前記半導体記憶装置に供給される電源が立ち上がる際に行なわれることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体記憶装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、秘密保持機構を備えた電気的にデータの書き換えが可能な不揮発性半導体記憶装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
フラッシュメモリに代表される不揮発性半導体記憶装置は、電気的にデータの書き換えが可能で、かつ電源を切った状態でもデータを保持することができるためデータ格納用の記憶装置として広範囲に使用されている。
この際、不揮発性半導体記憶装置には、システムを所望の手順に従って動作させるためのプログラムや、個人情報や、著作権で保護された情報等が格納されることがある。
これらの情報を第三者が不正に読み出したり書き換えを行ったりすることは秘密情報保護の点で好ましくない。
そこで不揮発性半導体記憶装置には秘密保護のためにセキュリティ回路が搭載されている。
【０００３】
図２は従来の不揮発性半導体記憶装置の構成を示す回路図である。
不揮発性半導体記憶装置１００ａはデータを格納するＲＯＭ等のメモリ１０と、メモリ１０からのデータの読み出しあるいはメモリ１０へのデータの書き込みに際してデータに暗号化処理を施してセキュリティ機能を付加するためのスクランブル回路３０とから構成されている。スクランブル回路３０のセキュリティ解除はＭＰＵ２００からのキーコードによって行われる。
【０００４】
このようなセキュリティ機能を有する半導体記憶装置として、特許文献１乃至３に記載されているものが知られている。
特許文献１に記載されている半導体記憶装置では、カラムラッチ回路にセキュリティ機能を解除するためのパスワードを格納し、カラムラッチ回路に格納されたパスワードと解除コード格納部に格納されているセキュリティ解除コードとのベリファイ動作を行い、パスワードとセキュリティ解除コードとが一致すればセキュリティ機能の解除を行うように構成している。
【０００５】
また特許文献２に記載されている半導体記憶装置では、不揮発性半導体メモリに記憶するデータを暗号化する暗号化手段を設け、データを暗号化してフラッシュメモリに記憶するようにして記憶されるデータのセキュリティを強化している。
【０００６】
特許文献３に記載されている半導体記憶装置では、メモリ部の記憶データを読み出す際に入力コードが書き込まれた場合、この入力コードを予め記憶された暗証コードと比較し、それらが一致した場合にのみ出力される読み出し許可信号に従ってメモリ部の記憶データの読み出しを許可するようにしてセキュリティ機能を強化している。
【特許文献１】特開２００４−５９４１
【特許文献２】特開２００１−５１９０３
【特許文献３】特開２００１−１２５８３２
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述した従来の不揮発性半導体記憶装置においては、特定のキーコードによってデータスクランブルを行うことによりセキュリティ機能を実行している。
そのためプログラムは単一のキーコードによるスクランブルのため解析が容易であった。
本発明は、上述した問題点に鑑みてなされたものでセキュリティ機能用のキーコードの解析が困難な半導体記憶装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、データを格納するメモリと、格納されるべきデータをデータスクランブル用キーコードに従って暗号化して前記メモリから出力するデータスクランブル回路とを具備した半導体記憶装置において、逐次更新されるデータスクランブル用キーコードを格納する第１格納部を有する前記メモリと、前記第１格納部から取出した第１のデータスクランブル用キーコードに応じた擬似乱数を発生させ、発生させた擬似乱数を第２のデータスクランブル用キーコードとして前記データスクランブル回路に供給する擬似乱数発生回路と、前記第１格納部から取出した第１のデータスクランブル用キーコードと前記第２のデータスクランブル用キーコードとを演算して、第３のデータスクランブル用キーコードを作製し、前記第１格納部に書き込むことにより、前記第１のデータスクランブル用キーコードを前記第３のデータスクランブル用キーコードに更新する演算回路とを設けたことを特徴とする。
このように構成することにより、データスクランブル用キーコードは逐次更新されてメモリに格納される。
【０００９】
また本発明は、データを格納するメモリと、格納されるべきデータをデータスクランブル用キーコードに従って暗号化して前記メモリから出力するデータスクランブル回路と、前記データスクランブル用キーコードを初期キーコードに従って暗号化して前記メモリから出力するキーコードスクランブル回路とを具備した半導体記憶装置において、逐次更新されるデータスクランブル用キーコードを格納する第１格納部と前記初期キーコードを格納する第２格納部とを有する前記メモリと、前記第１格納部から取出した第１のデータスクランブル用キーコードに応じた擬似乱数を発生させ、発生させた擬似乱数を第２のデータスクランブル用キーコードとして前記データスクランブル回路に供給する擬似乱数発生回路と、前記第１格納部から取出した第１のデータスクランブル用キーコードと前記第２のデータスクランブル用キーコードとを演算して、第３のデータスクランブル用キーコードを作製し、前記第１格納部に書き込むことにより、前記第１のデータスクランブル用キーコードを前記第３のデータスクランブル用キーコードに更新する演算回路とを設けたことを特徴とする。
このように構成することにより、データスクランブル用キーコード自体に他のコード（初期キーコード）によりスクランブルをかけているためよりセキュリティが向上する。
【００１０】
更に本発明は、前記データスクランブル用キーコードの更新は、前記半導体記憶装置に供給される電源が立ち上がる際に行われるようにすることも出来る。
これにより、電源を立ち上げるたびにキーコードが自動的に更新される。
【発明の効果】
【００１１】
本発明では、データスクランブル用キーコードは常に変化するため読み出して解析することが困難となる。
従って、セキュリティ機能の強化された半導体記憶装置を実現することが出来る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
図１は本発明による不揮発性半導体記憶装置の一実施例を示すブロック回路図である。
本発明の半導体記憶装置１００ｂでは、データを格納するメモリ５０とデータスクランブル回路５１の他に、擬似乱数発生回路５２及び演算回路５４を有する点で図２に示す従来の回路構成と構成を異にしている。
【００１３】
またスクランブル回路５１に供給されるキーコードは図２に示す場合と異なりメモリ５０の側から供給される。
メモリ５０はデータを格納するためのデータ格納部５０ａと、データスクランブル用キーコードを格納するための第１格納部５０ｂ及び初期キーコードを格納しておくための第２格納部５０ｃとから構成されている。
【００１４】
第１格納部５０ｂにはデータスクランブル用キーコードが格納されており、電源が立ち上がると第１格納部５０ｂから、格納されていた第１のデータスクランブル用キーコードが取り出され擬似乱数発生回路５２に伝送される。
擬似乱数発生回路５２では、この第１のデータスクランブル用キーコードに応じた乱数を第２のデータスクランブル用キーコードとしてデータスクランブル回路５１に供給する。
すなわち第２のデータスクランブル用キーコードが確定キーコード５３となるわけである。
【００１５】
さらに第１格納部５０ｂから取り出した第１のデータスクランブル用キーコードと確定キーコードとなった第２のデータスクランブル用キーコードとは演算回路５４により演算されて第３のデータスクランブル用キーコードとなり第１格納部５０ｂに書き込まれる。
これにより、第１格納部５０ｂに格納されていた第１のデータスクランブル用キーコードは第３のデータスクランブル用キーコードにより更新される。
【００１６】
このように、データスクランブル用キーコードの更新は半導体記憶装置１００ｂに供給される電源が立ち上がる際に行われるように構成されている。
したがって、電源立ち上げの度にデータスクランブル回路５１に供給されるキーコードは変化するので、キーコードの第三者による解析は困難となる。
【００１７】
また確定キーコード５３は外部のＭＰＵ２０に伝達する必要があるが、その際には別途、キーコードスクランブル回路５５を設け、第２格納部５０ｃに予め格納されている初期キーコードによりスクランブルをかけて取り出すようにすればさらにセキュリティを上げることができる。
なお初期キーコード自体は電源が立ち上がるたびに変化するようには構成されていない。
【００１８】
なおデータスクランブル回路５１及びキーコードスクランブル回路５５を介して取り出されるデータや確定キーコードは、読み出し回路５６を介してＭＰＵ２０に取り出されるが、その際この読み出し回路５６にキーコード読み出し信号を供給することにより取り出しが行われる。
【００１９】
なお、本発明の擬似乱数発生回路５２の構成は周知の回路構成を採用することができ、第１格納部５０ｂから取り出したキーコードに応じてそれを任意に振り替えて第２のデータスクランブル用キーコードを作成する機能を有するものであればどのような回路構成を採用してもよい。
【００２０】
また、演算回路５４の構成も周知の回路構成を採用することができ、第１のデータスクランブル用キーコードと第２のデータスクランブル用キーコードとに演算を施して第３のデータスクランブル用キーコードを作成することが出来る回路構成であればどのような構成であってもよい。
さらに、データスクランブル用キーコードの更新は電源が立ち上がる際に行うように構成したが、これに限定されるものではなく、例えば一定時間ごとに更新が行われるようにすることも可能である。
【００２１】
このように本発明の半導体記憶装置ではデータスクランブル用キーコードが半導体記憶装置の内部から供給されること及びデータスクランブル用キーコードが所定のタイミングで更新されるためセキュリティ機能がより強化される。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明における不揮発性半導体記憶装置の構成を示す回路図。
【図２】従来の不揮発性半導体記憶装置の構成を示す回路図。
【符号の説明】
【００２３】
５０    メモリ
５０ａ    データ格納部
５０ｂ    第１格納部
５０ｃ    第２格納部
５１    データスクランブル回路
５２    擬似乱数発生回路
５３    確定キーコード
５４    演算回路
５５    キーコードスクランブル回路
５６    読み出し回路
【図１】
0005133041.tif 000002
【図２】
0005133041.tif 000003