(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の第１の機能層と、
前記第１の機能層上の反射層と、
前記反射層上の断熱層と、
前記第１の機能層及び前記断熱層上の第２の機能層と、
前記第２の機能層上の光吸収層と、
前記光吸収層上の材料層と、を有し、
前記断熱層が有する材料の熱伝導率は、前記反射層が有する材料の熱伝導率および前記光吸収層が有する材料の熱伝導率よりも低く、
前記基板に照射される光の波長をλ、前記基板の屈折率をｎ０、前記第１の機能層及び前記第２の機能層の屈折率をｎ１、前記反射層の屈折率をｎ２、前記光吸収層の屈折率をｎ３とすると、
ｎ２は、ｎ０及びｎ１より大きい値であり、
前記第１の機能層は、膜厚が、
ｎ０＜ｎ１のとき          λ・ｍａ１／４ｎ１（ただし、ｍａ１＝偶数）
ｎ１＜ｎ０のとき          λ・ｍａ２／４ｎ１（ただし、ｍａ２＝奇数）
である領域を有し、
前記第１の機能層と前記第２の機能層とが積層された領域は、膜厚が、
ｎ０＜ｎ１＜ｎ３のとき          λ・ｍｂ１／４ｎ１（ただし、ｍｂ１＝奇数）
ｎ０＜ｎ１、ｎ３＜ｎ１のとき    λ・ｍｂ２／４ｎ１（ただし、ｍｂ２＝偶数）
ｎ１＜ｎ０、ｎ１＜ｎ３のとき    λ・ｍｂ３／４ｎ１（ただし、ｍｂ３＝偶数）
ｎ３＜ｎ１＜ｎ０のとき          λ・ｍｂ４／４ｎ１（ただし、ｍｂ４＝奇数）
である領域を有することを特徴とする成膜用基板。
【請求項２】
基板上の第１の機能層と、
前記第１の機能層上の反射層と、
前記反射層上の断熱層と、
前記基板及び前記断熱層上の第２の機能層と、
前記第２の機能層上の光吸収層と、
前記光吸収層上の材料層と、を有し、
前記断熱層が有する材料の熱伝導率は、前記反射層が有する材料の熱伝導率および前記光吸収層が有する材料の熱伝導率よりも低く、
前記基板に照射される光の波長をλ、前記基板の屈折率をｎ０、前記第１の機能層の屈折率をｎ１’、前記第２の機能層の屈折率をｎ１’’、前記反射層の屈折率をｎ２、前記光吸収層の屈折率をｎ３とすると、
ｎ２は、ｎ０及びｎ１’より大きい値であり、
前記第１の機能層は、膜厚が、
ｎ０＜ｎ１’のとき        λ・ｍａ３／４ｎ１’（ただし、ｍａ３＝偶数）
ｎ１’＜ｎ０のとき        λ・ｍａ４／４ｎ１’（ただし、ｍａ４＝奇数）
である領域を有し、
前記第２の機能層は、膜厚が、
ｎ０＜ｎ１’’＜ｎ３のとき                  λ・ｍｂ５／４ｎ１’’（ただし、ｍｂ５＝奇数）
ｎ３＜ｎ１’’＜ｎ０のとき                  λ・ｍｂ６／４ｎ１’’（ただし、ｍｂ６＝奇数）
ｎ１’’＜ｎ０、ｎ１’’＜ｎ３のとき        λ・ｍｂ７／４ｎ１’’（ただし、ｍｂ７＝偶数）
ｎ０＜ｎ１’’、ｎ３＜ｎ１’’のとき        λ・ｍｂ８／４ｎ１’’（ただし、ｍｂ８＝偶数）
である領域を有することを特徴とする成膜用基板。
【請求項３】
基板上の機能層と、
前記機能層上の反射層と、
前記反射層上の断熱層と、
前記機能層及び前記断熱層上の光吸収層と、
前記光吸収層上の材料層と、を有し、
前記断熱層が有する材料の熱伝導率は、前記反射層が有する材料の熱伝導率および前記光吸収層が有する材料の熱伝導率よりも低く、
前記機能層は、前記反射層と重なる第１の領域と、前記反射層と重ならない第２の領域と、を有し、
前記基板に照射される光の波長をλ、前記基板の屈折率をｎ０、前記機能層の屈折率をｎ１’’’、前記反射層の屈折率をｎ２、前記光吸収層の屈折率をｎ３とすると、
ｎ２は、ｎ０及びｎ１’’’より大きい値であり、
前記第１の領域は、膜厚が、
ｎ０＜ｎ１’’’のとき      λ・ｍａ５／４ｎ１’’’（ただし、ｍａ５＝偶数）
ｎ１’’’＜ｎ０のとき      λ・ｍａ６／４ｎ１’’’（ただし、ｍａ６＝奇数）
である領域を有し、
前記第２の領域は、膜厚が、
ｎ０＜ｎ１’’’＜ｎ３のとき                    λ・ｍｂ１３／４ｎ１’’’（ただし、ｍｂ１３＝奇数）
ｎ１’’’＜ｎ０、ｎ１’’’＜ｎ３のとき        λ・ｍｂ１４／４ｎ１’’’（ただし、ｍｂ１４＝偶数）
ｎ０＜ｎ１’’’、ｎ３＜ｎ１’’’のとき        λ・ｍｂ１５／４ｎ１’’’（ただし、ｍｂ１５＝偶数）
ｎ３＜ｎ１’’’＜ｎ０のとき                    λ・ｍｂ１６／４ｎ１’’’（ただし、ｍｂ１６＝奇数）
である領域を有することを特徴とする成膜用基板。
【請求項４】
請求項１又は２において、
前記第１の機能層は、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、又は窒化酸化珪素を有し、
前記第２の機能層は、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、又は窒化酸化珪素を有することを特徴とする成膜用基板。
【請求項５】
請求項３において、
前記機能層は、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、又は窒化酸化珪素を有することを特徴とする成膜用基板。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記材料層は、第１の材料を有する層と、前記第１の材料を有する層上の、第２の材料を有する層と、を有し、
前記第１の材料は、前記第２の材料よりも昇華温度が低いことを特徴とする成膜用基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、成膜可能な材料の成膜に用いる成膜用基板およびこれを用いた発光装置の作製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
薄型軽量、高速応答性、直流低電圧駆動などの特徴を有する有機化合物を発光体として用いた発光素子は、次世代のフラットパネルディスプレイへの応用が期待されている。特に、発光素子をマトリクス状に配置した表示装置は、従来の液晶表示装置と比較して、視野角が広く視認性が優れる点に優位性があると考えられている。
【０００３】
発光素子の発光機構は、一対の電極間にＥＬ層を挟んで電圧を印加することにより、陰極から注入された電子および陽極から注入された正孔がＥＬ層の発光中心で再結合して分子励起子を形成し、その分子励起子が基底状態に緩和する際にエネルギーを放出して発光するといわれている。励起状態には一重項励起と三重項励起が知られ、発光はどちらの励起状態を経ても可能であると考えられている。
【０００４】
発光素子を構成するＥＬ層は、少なくとも発光層を有する。また、ＥＬ層は、発光層の他に、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層などを有する積層構造とすることもできる。
【０００５】
また、ＥＬ層を形成するＥＬ材料は低分子系（モノマー系）材料と高分子系（ポリマー系）材料に大別される。一般に、低分子系材料は蒸着法を用いて成膜され、高分子系材料はインクジェット法などを用いて成膜されることが多い。
【０００６】
蒸着法の場合に用いられる蒸着装置は、基板を設置する基板ホルダと、ＥＬ材料、つまり蒸着材料を封入したルツボ（または蒸着ボート）と、ルツボ内のＥＬ材料を加熱するヒーターと、昇華するＥＬ材料の拡散を防止するシャッターとを有しており、ヒーターにより加熱されたＥＬ材料が昇華し、基板に成膜される構成となっている。
【０００７】
しかし、実際には均一に膜を成膜するために、被成膜基板を回転させることや、基板とルツボとの間の距離を一定以上離すことが必要となる。また、複数のＥＬ材料を用いてメタルマスクなどのマスクを介した塗り分けを行う場合には、異なる画素間の間隔を広く設計し、画素間に設けられる絶縁物からなる隔壁（バンク）の幅を広くすることが必要となるなど発光素子を含む発光装置の高精細化（画素数の増大）及び小型化に伴う各表示画素ピッチの微細化を進める上で大きな課題となっている。
【０００８】
従って、フラットパネルディスプレイとして、より高精細化や高信頼性を図るために、これらの課題を解決すると共に生産性の向上や低コスト化を図ることが要求されている。
【０００９】
これに対して、レーザ熱転写により、発光素子のＥＬ層を形成する方法が提案されている（特許文献１参照）。特許文献１では、支持基板上に、低反射層と高反射層から構成される光熱変換層と、転写層を有する転写用基板について記載されている。このような転写用基板にレーザ光を照射することにより、転写層を素子作成用基板に転写することができる。
【００１０】
しかしながら、特許文献１の転写用基板では、基板の片側に高反射層および低反射層が積層して形成されている。そのため、高反射層を用いたとしても、ある程度の熱の吸収が生じるため、レーザ光の熱量が大きいときに、低反射層上の転写層だけでなく、高反射層上の転写層も転写されてしまう可能性がある。
【００１１】
また、特許文献１の図３に記載された構成では、［００４１］段落にも記載されているように、低反射層と高反射層との間に隙間がないようにしなければならず、高精度のパターニングが必要となる。
【００１２】
また、特許文献１の図７に記載された構成では、低反射層をパターニングしておき、その後全面に高反射層を形成し、その後、転写層を形成している。この構成では、レーザ光を吸収し加熱された低反射層からの熱は、高反射層を介して転写層に伝わる構成となっているため、所望の転写層だけでなく、その周りの転写層も転写されてしまう可能性がある。
【特許文献１】特開２００６−３０９９９５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
そこで、成膜を行う場合において、照射するレーザ光の波長に合わせて成膜用基板上の所望の材料が選択的に成膜されることを可能にし、材料の利用効率を高めることによって製造コストを低減させると共に、均一性の高い膜を成膜することが可能な成膜用基板を提供することを目的とする。
【００１４】
また、この様な成膜用基板を用いることで、発光装置の高精細化（画素数の増大）及び小型化に伴う各表示画素ピッチの微細化を進めることが可能である発光装置の作製方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
成膜の際に成膜用基板に照射されるレーザ光の波長にあわせて、同一基板上の所望の位置にレーザ光が選択的に照射されるよう制御することができる成膜用基板である。
【００１６】
なお、成膜用基板は、基板上に形成された第１の機能膜と、第１の機能膜上に形成された開口部を有する反射層と、反射層上に形成された断熱層と、第１の機能膜および断熱層上に形成された第２の機能膜と、第２の機能膜上に形成された光吸収層と、光吸収層上に形成された材料層とを有し、反射層と重なる位置にある第１の機能膜は、反射膜であり、第１の機能膜と第２の機能膜との積層膜は、反射防止膜であることを特徴とする。
【００１７】
なお、上記構成において、第１の機能膜は、単層で光を反射する反射膜として機能し、第１の機能膜と第２の機能膜との積層膜が、光の反射を防止する反射防止膜として機能する。従って、反射膜となる第１の機能膜の膜厚、および反射防止膜となる第１の機能膜と第２の機能膜の積層膜の膜厚は、光の波長をλ、基板の屈折率をｎ０（λ）、第１の機能膜の屈折率および第２の機能膜の屈折率をｎ１（λ）、反射層の屈折率をｎ２（λ）、光吸収層の屈折率をｎ３（λ）とした時、下記のように定義される。但し、反射層の屈折率（ｎ２（λ））は、上述した屈折率、ｎ０（λ）、ｎ１（λ）よりも大きい値を示すものとする。
１）ｎ０＜ｎ１のとき
反射膜：第１の機能膜の膜厚＝λ・ｍａ１／４ｎ１
（ただし、ｍａ１＝偶数）
（ｉ）ｎ１＜ｎ３のとき
反射防止膜：第１の機能膜の膜厚＋第２の機能膜の膜厚＝λ・ｍｂ１／４ｎ１
（ただし、ｍｂ１＝奇数）
（ｉｉ）ｎ３＜ｎ１のとき
反射防止膜：第１の機能膜の膜厚＋第２の機能膜の膜厚＝λ・ｍｂ２／４ｎ１
（ただし、ｍｂ２＝偶数）
２）ｎ１＜ｎ０のとき
反射膜：第１の機能膜の膜厚＝λ・ｍａ２／４ｎ１
（ただし、ｍａ２＝奇数）
（ｉ）ｎ１＜ｎ３のとき
反射防止膜：第１の機能膜の膜厚＋第２の機能膜の膜厚＝λ・ｍｂ３／４ｎ１
（ただし、ｍｂ３＝偶数）
（ｉｉ）ｎ３＜ｎ１のとき
反射防止膜：第１の機能膜の膜厚＋第２の機能膜の膜厚＝λ・ｍｂ４／４ｎ１
（ただし、ｍｂ４＝奇数）
【００１８】
また、別の構成を有する成膜用基板は、基板上に形成された開口部を有する第１の機能膜と、第１の機能膜上に形成された反射層と、反射層上に形成された断熱層と、基板および断熱層上に形成された第２の機能膜と、第２の機能膜上に形成された光吸収層と、光吸収層上に形成された材料層とを有し、第１の機能膜は、反射膜であり、第２の機能膜は、反射防止膜であることをすることを特徴とする。
【００１９】
なお、上記構成において、第１の機能膜は、単層で光を反射する反射膜として機能し、第２の機能膜も単層で光の反射を防止する反射防止膜として機能する。従って、反射膜となる第１の機能膜、および反射防止膜となる第２の機能膜の膜厚は、光の波長をλ、基板の屈折率をｎ０、第１の機能膜の屈折率をｎ１’、第２の機能膜の屈折率をｎ１’’、  反射層の屈折率をｎ２（λ）、光吸収層の屈折率をｎ３（λ）とした時、下記のように定義される。但し、反射層の屈折率（ｎ２（λ））は、上述した屈折率、ｎ０（λ）、ｎ１’（λ）よりも大きい値を示すものとする。
１）ｎ０＜ｎ１’のとき
反射膜：第１の機能膜の膜厚＝λ・ｍａ３／４ｎ１’
（ただし、ｍａ３＝偶数）
（ｉ）ｎ０＜ｎ１’’＜ｎ３のとき
反射防止膜：第２の機能膜の膜厚＝λ・ｍｂ５／４ｎ１’’
（ただし、ｍｂ５＝奇数）
（ｉｉ）ｎ３＜ｎ１’’＜ｎ０のとき
反射防止膜：第２の機能膜の膜厚＝λ・ｍｂ６／４ｎ１’’
（ただし、ｍｂ６＝奇数）
（ｉｉｉ）ｎ１’’＜ｎ０、ｎ１’’＜ｎ３のとき
反射防止膜：第２の機能膜の膜厚＝λ・ｍｂ７／４ｎ１’’
（ただし、ｍｂ７＝偶数）
（ｉｖ）ｎ０＜ｎ１’’、ｎ３＜ｎ１’’のとき
反射防止膜：第２の機能膜の膜厚＝λ・ｍｂ８／４ｎ１’’
（ただし、ｍｂ８＝偶数）
２）ｎ１’＜ｎ０のとき
反射膜：第１の機能膜の膜厚＝λ・ｍａ４／４ｎ１’
（ただし、ｍａ４＝奇数）
（ｉ）ｎ０＜ｎ１’’＜ｎ３のとき
反射防止膜：第２の機能膜の膜厚＝λ・ｍｂ９／４ｎ１’’
（ただし、ｍｂ９＝奇数）
（ｉｉ）ｎ３＜ｎ１’’＜ｎ０のとき
反射防止膜：第２の機能膜の膜厚＝λ・ｍｂ１０／４ｎ１’’
（ただし、ｍｂ１０＝奇数）
（ｉｉｉ）ｎ１’’＜ｎ０、ｎ１’’＜ｎ３のとき
反射防止膜：第２の機能膜の膜厚＝λ・ｍｂ１１／４ｎ１’’
（ただし、ｍｂ１１＝偶数）
（ｉｖ）ｎ０＜ｎ１’’  、ｎ３＜ｎ１’’のとき
反射防止膜：第２の機能膜の膜厚＝λ・ｍｂ１２／４ｎ１’’
（ただし、ｍｂ１２＝偶数）
【００２０】
また、第１の機能膜及び第２の機能膜には、透光性を有する材料を用いることが好ましい。具体的には、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、窒化酸化珪素などを用いることができる。
【００２１】
上記構成における反射層は、光に対する反射率が８５％以上であることを特徴とし、反射層の膜厚は、１００ｎｍ以上であることが好ましい。また、反射層には、アルミニウム、銀、金、白金、銅、アルミニウムを含む合金、銀を含む合金、または酸化インジウム−酸化スズのいずれかを含むことを特徴とする。
【００２２】
上記構成における断熱層に用いる材料の熱伝導率は、反射層および光吸収層に用いる材料の熱伝導率よりも小さいことを特徴とする。また、断熱層の膜厚は、１０ｎｍ以上２μｍ以下であることを特徴とする。また、断熱層は、酸化チタン、酸化珪素、窒化酸化珪素、酸化ジルコニウムのいずれかを含むことを特徴とする。
【００２３】
上記構成における光吸収層は、光に対する反射率が７０％以下であることを特徴とする。なお、光吸収層の膜厚は、５０ｎｍ以上であることを特徴とする。また、光吸収層は、金属窒化物を用いることを特徴とする。具体的には、窒化チタン、窒化タンタル、窒化タングステン、窒化モリブデンなどを用いることを特徴とする。
【００２４】
上記構成において、材料層は有機化合物からなることを特徴とする。なお、材料層が、発光性材料またはキャリア輸送性材料の一方または両方を含む場合も本発明に含めることとする。
【００２５】
また、発光装置の作製方法は、上述した成膜用基板を用いた発光装置の作製方法であって、第１の機能膜と、第１の機能膜に接して形成された開口部を有する反射層と、反射層に接して形成された断熱層と、第１の機能膜および断熱層に接して形成された第２の機能膜と、第２の機能膜に接して形成された光吸収層と、光吸収層に接して形成された材料層とを少なくとも有する成膜用基板である第１の基板の一方の面と、第２の基板の被成膜面とを対向させ、かつ近接させた状態で配置し、第１の基板の他方の面側からレーザ光を照射し、反射層の開口部と重なる位置にある材料層の一部を選択的に加熱し、材料層を第２の基板の被成膜面に成膜することを特徴とする。
【００２６】
なお、上記構成において、反射層と重なる位置にある第１の機能膜は、反射膜であり、第１の機能膜と第２の機能膜との積層膜は、反射防止膜であることを特徴とする。
【００２７】
また、発光装置の作製方法は、開口部を有する第１の機能膜と、第１の機能膜に接して形成された反射層と、反射層に接して形成された断熱層と、第１の基板および断熱層に接して形成された第２の機能膜と、第２の機能膜に接して形成された光吸収層と、光吸収層に接して形成された材料層とを少なくとも有する成膜用基板である第１の基板の一方の面と、第２の基板の被成膜面とを対向させ、かつ近接させた状態で配置し、第１の基板の他方の面側からレーザ光を照射し、第１の機能膜の開口部と重なる位置にある材料層を選択的に加熱し、材料層の一部を第２の基板の被成膜面に成膜することを特徴とする。
【００２８】
なお、上記構成において、第１の機能膜は、反射膜であり、第２の機能膜は、反射防止膜であることを特徴とする。
【００２９】
なお、上記各構成において、前記光吸収層が金属窒化物で形成される場合には、第１の基板に照射される光は、４００ｎｍ以上６００ｎｍ以下の波長のレーザ光であることが好ましい。例えば、４８８ｎｍ、５１４ｎｍ、５２７ｎｍ、５３２ｎｍ、５６１ｎｍの波長のレーザ光を用いることができる。
【００３０】
また、上述したレーザは、パルスレーザであっても連続発振（ＣＷ：ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ−ｗａｖｅ）レーザであっても良い。また、レーザスポットの形状は、線状または矩形状とすることが好ましい。
【００３１】
また、本発明は、発光素子を有する発光装置だけでなく、発光装置を有する電子機器も範疇に含めるものである。従って、本明細書中における発光装置とは、画像表示デバイス、発光デバイス、もしくは光源（照明装置含む）を指す。また、発光装置にコネクター、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  ｐｒｉｎｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）テープもしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ  Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｐａｃｋａｇｅ）が取り付けられたモジュール、ＴＡＢテープやＴＣＰの先にプリント配線板が設けられたモジュール、または発光素子にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）方式によりＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むものとする。
【発明の効果】
【００３２】
成膜用基板は、レーザ光を用いた成膜の際に選択的に所望の位置にレーザを照射させることができるので、材料の利用効率を高めることができ、平坦でムラのない膜を成膜することが可能であり、微細なパターン形成も可能となる。従って、成膜用基板を用いた成膜方法により作製される発光装置の製造コストを低減させることができると共に優れた特性の発光装置を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
以下、本発明の実施の態様について図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることが可能である。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００３４】
（実施の形態１）
本実施の形態１では、本発明の一態様である成膜用基板および成膜用基板を用いた成膜方法について説明する。なお、本実施の形態１では、成膜用基板を用いて発光素子のＥＬ層を形成する場合について説明する。
【００３５】
本実施の形態に係る成膜用基板の構造について、図１を用いて説明する。図１（Ａ）に示すように、支持基板である第１の基板１０１上に第１の機能膜１０２が形成されている。そして、第１の機能膜１０２上には、反射層１０３および断熱層１０４が積層されており、反射層１０３および断熱層１０４は、開口部１０８を有している。
【００３６】
また、第１の機能膜１０２および断熱層１０４上には、第２の機能膜１０５が形成されており、第２の機能膜１０５の一部は、開口部１０８を埋めるように形成されている。
【００３７】
さらに、第２の機能膜１０５上には、光吸収層１０６が形成され、光吸収層１０６上には材料層１０７が形成されている。図１（Ａ）において、第１の機能膜１０２、第２の機能膜１０５、光吸収層１０６、および材料層１０７は、第１の基板１０１の全面に形成されている。
【００３８】
なお、成膜の際に、第１の基板１０１に照射された光は、第１の基板１０１を透過する必要があることから、第１の基板１０１は、光の透過率が高い基板であることが好ましい。また、熱伝導率が低い材料であることが好ましい。熱伝導率が低いことにより、照射された光から得られる熱を効率よく成膜に用いることができるためである。第１の基板１０１としては、例えば、ガラス基板、石英基板、無機材料を含むプラスチック基板などを用いることができる。
【００３９】
また、図１（Ａ）に示す構造の成膜用基板の場合において、第１の機能膜１０２は、単層で光を反射する反射膜として機能し、第１の機能膜１０２と第２の機能膜１０５との積層膜が、光の反射を防止する反射防止膜として機能する。
【００４０】
第１の基板１０１上に形成される第１の機能膜１０２が反射膜として機能する為に第１の機能膜１０２の膜厚は、成膜用基板に照射する光の波長をλ、第１の基板１０１の屈折率をｎ０（λ）、第１の機能膜１０２の屈折率および第２の機能膜１０５の屈折率をｎ１（λ）、反射層１０３の屈折率をｎ２（λ）とした時、下記のように定義される。なお、図１（Ａ）に示す構造の場合には、第１の機能膜１０２の屈折率と第２の機能膜１０５の屈折率は同じであるとする。また、反射層１０３の屈折率（ｎ２（λ））は、上述した他の屈折率、ｎ０（λ）、ｎ１（λ）よりも大きい値を示すものとする。
【００４１】
１）ｎ０＜ｎ１のとき
第１の機能膜１０２の膜厚＝λ・ｍａ１／４ｎ１（ただし、ｍａ１＝偶数）
２）ｎ１＜ｎ０のとき
第１の機能膜１０２の膜厚＝λ・ｍａ２／４ｎ１（ただし、ｍａ２＝奇数）
【００４２】
また、第１の機能膜１０２には、透光性を有する材料、好ましくは１０％以上の透過率を有する材料を用いることが好ましい。具体的には、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、窒化酸化珪素などを用いることができる。なお、第１の機能膜１０２に用いることができる透光性材料である窒化珪素、窒化酸化珪素、酸化窒化珪素の波長に対する屈折率を図６に示す。
【００４３】
また、反射層１０３は、成膜の際、光吸収層１０６の一部分に選択的に光を照射するために、それ以外の部分に照射される光を反射するための層である。よって、反射層１０３は、照射する光に対して高い反射率を有する材料で形成されていることが好ましい。具体的には、反射層１０３は、照射される光に対して、反射率が８５％以上、さらに好ましくは、反射率が９０％以上であることが好ましい。
【００４４】
また、反射層１０３に用いることができる材料としては、例えば、銀、金、白金、銅、アルミニウムを含む合金（例えば、アルミニウム−チタン合金、アルミニウム−ネオジム合金）、銀を含む合金（銀−ネオジム合金）、または酸化インジウム−酸化スズなどを用いることができる。
【００４５】
なお、反射層１０３は、種々の方法を用いて形成することができる。例えば、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法、真空蒸着法などにより形成することができる。また、反射層１０３の膜厚は、材料により異なるが、１００ｎｍ以上とすることが好ましい。１００ｎｍ以上の膜厚とすることにより、照射した光が反射層を透過することを抑制することができる。
【００４６】
断熱層１０４は、成膜の際に照射された光のうち、反射層１０３によって反射された光の一部が熱となって反射層１０３に残った場合に、その熱が後に形成される光吸収層１０６および材料層１０７に伝わるのを防ぐための層である。従って、ここでの断熱層１０４は、熱伝導率の低い材料を用いる必要がある。具体的には、断熱層１０４は、熱伝導率が反射層１０３および光吸収層１０６を形成する材料よりも低い材料を用いる必要がある。
【００４７】
また、断熱層１０４に用いる材料としては、例えば、酸化チタン、酸化珪素、窒化酸化珪素、酸化ジルコニウム等を用いることができる。
【００４８】
なお、断熱層１０４は、種々の方法を用いて形成することができる。例えば、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法、真空蒸着法、ＣＶＤ法などにより形成することができる。また、断熱層１０４の膜厚は、材料により異なるが、１０ｎｍ以上２μｍ以下とすることが好ましく、より好ましくは、１００ｎｍ以上６００ｎｍ以下とする。１０ｎｍ以上２μｍ以下の膜厚とすることにより、反射層１０３に存在する熱が光吸収層１０６や材料層１０７に伝わるのを遮断する効果を有する。
【００４９】
本実施の形態では、反射層１０３および断熱層１０４には、開口部１０８が形成されている。開口部１０８を形成する際に種々の方法を用いることができるが、ドライエッチングを用いることが好ましい。ドライエッチングを用いることにより、微細なパターンを形成することができる。
【００５０】
断熱層１０４および第１の機能膜１０２上には、第２の機能膜１０５が形成される。第２の機能膜１０５には、透光性を有する材料、好ましくは１０％以上の透過率を有する材料を用いることが好ましい。具体的には、酸化珪素（ＳｉＯ２）、窒化珪素（ＳｉＮ）、酸化窒化珪素（ＳｉＯＮ）、窒化酸化珪素（ＳｉＮＯ）などを用いることができる。また、先に形成した第１の機能膜１０２と第２の機能膜１０５に用いる材料は同じであっても良い。また、第２の機能膜１０５に用いることができる透光性材料である窒化珪素（ＳｉＮ）、窒化酸化珪素（ＳｉＮＯ）、酸化窒化珪素（ＳｉＯＮ）の膜厚に対する屈折率を図６に示す。
【００５１】
ここで形成される第２の機能膜１０５と先に形成された第１の機能膜１０２との積層膜が反射防止膜として機能する為に、第１の機能膜１０２と第２の機能膜１０５の積層膜の膜厚は、成膜用基板に照射する光の波長をλ、第１の基板１０１の屈折率をｎ０（λ）、第１の機能膜１０２の屈折率および第２の機能膜１０５の屈折率をｎ１（λ）、光吸収層１０６の屈折率をｎ３（λ）とした時、下記のように定義される。なお、図１（Ａ）に示す構造の場合には、第１の機能膜１０２の屈折率と第２の機能膜１０５の屈折率は同じであるとする。ただし、第１の機能膜１０２の屈折率と第２の機能膜１０５の屈折率が異なる場合には、第１の機能膜１０２と第２の機能膜１０５との積層膜が反射防止膜となるように適宜設定すればよい。
【００５２】
１）ｎ０＜ｎ１＜ｎ３のとき
第１の機能膜１０２の膜厚＋第２の機能膜１０５の膜厚＝λ・ｍｂ１／４ｎ１
（ただし、ｍｂ１＝奇数）
２）ｎ０＜ｎ１、ｎ３＜ｎ１のとき
第１の機能膜１０２の膜厚＋第２の機能膜１０５の膜厚＝λ・ｍｂ２／４ｎ１
（ただし、ｍｂ２＝偶数）
３）ｎ１＜ｎ０、ｎ１＜ｎ３のとき
第１の機能膜１０２の膜厚＋第２の機能膜１０５の膜厚＝λ・ｍｂ３／４ｎ１
（ただし、ｍｂ３＝偶数）
４）ｎ３＜ｎ１＜ｎ０のとき
第１の機能膜１０２の膜厚＋第２の機能膜１０５の膜厚＝λ・ｍｂ４／４ｎ１
（ただし、ｍｂ４＝奇数）
【００５３】
光吸収層１０６は、成膜の際に照射された光を吸収する層である。よって、光吸収層１０６は、照射する光に対して低い反射率を有し、高い吸収率を有する材料で形成されていることが好ましい。具体的には、光吸収層１０６は、照射される光に対して、７０％以下の反射率を示すことが好ましい。
【００５４】
また、光吸収層１０６に金属窒化物を用いる。具体的には、窒化チタン、窒化タンタル、窒化モリブデン、窒化タングステンなどを用いることができる。なお、光吸収層１０６は一層に限らず複数の層により構成されていてもよい。
【００５５】
また、光吸収層１０６は、種々の方法を用いて形成することができる。例えば、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法、真空蒸着法などにより形成することができる。
【００５６】
また、光吸収層１０６の膜厚は、材料によって異なるが、照射した光が透過しない膜厚（好ましくは１００ｎｍ以上２μｍ以下）であることが好ましい。特に、光吸収層１０６の膜厚を２００ｎｍ以上６００ｎｍ以下とすることで、照射した光を効率良く吸収して発熱させることができる。また、光吸収層１０６の膜厚を２００ｎｍ以上６００ｎｍ以下とすることで、被成膜基板上への成膜を精度良く行うことができる。
【００５７】
なお、光吸収層１０６は、材料層１０７に含まれる材料の昇華温度まで加熱できるのであれば、照射する光の一部が透過してもよい。ただし、一部が透過する場合には、材料層１０７に含まれる材料として、光によって分解しない材料を用いることが必要である。
【００５８】
さらに、反射層１０３と光吸収層１０６の反射率は差が大きいほど好ましい。具体的には、照射する光の波長に対して、反射率の差が２５％以上、より好ましくは３０％以上であることが好ましい。
【００５９】
材料層１０７は、被成膜基板上に成膜させる材料を含んで形成される層である。そして、成膜用基板に光を照射することにより、材料層１０７に含まれる材料が加熱され、被成膜基板上に成膜される。
【００６０】
なお、材料層１０７に含まれる材料としては、成膜可能な材料であれば、有機化合物、無機化合物にかかわらず、種々の材料を用いることができるが、本実施の形態で示すように発光素子のＥＬ層を形成する場合には、ＥＬ層を形成する成膜可能な材料を用いることとする。例えば、ＥＬ層を形成する発光性材料、キャリア輸送性材料などの有機化合物の他、ＥＬ層を構成するキャリア輸送層やキャリア注入層の他、発光素子の電極などに用いられる金属酸化物、金属窒化物、ハロゲン化金属、金属単体といった無機化合物を用いることもできる。なお、ＥＬ層を形成する成膜可能な材料の詳細については、実施の形態４において詳述するので、それを参考にすることとし、ここでの説明は省略する。
【００６１】
また、材料層１０７は、複数の材料を含んでいてもよい。また、材料層１０７は、単層でもよいし、複数の層が積層されていてもよい。なお、材料層１０７が積層構造を有する場合には、第１の基板１０１側に昇華温度（または、蒸着可能な温度）の低い材料を含むように積層することが好ましい。このような構成とすることにより、積層構造を有する材料層１０７による成膜を効率良く行うことができる。
【００６２】
また、材料層１０７は、種々の方法により形成される。例えば、湿式法であるスピンコート法、スプレーコート法、インクジェット法、ディップコート法、キャスト法、ダイコート法、ロールコート法、ブレードコート法、バーコート法、グラビアコート法、又は印刷法等を用いることができる。また、乾式法である真空蒸着法、スパッタリング法等を用いることができる。
【００６３】
湿式法を用いて材料層１０７を形成する場合には、所望の材料を溶媒に溶解あるいは分散させ、溶液あるいは分散液を調整すればよい。溶媒は、材料を溶解あるいは分散させることができ、且つ材料と反応しないものであれば特に限定されない。例えば、クロロホルム、テトラクロロメタン、ジクロロメタン、１，２−ジクロロエタン、或いはクロロベンゼンなどのハロゲン系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、ｎ−プロピルメチルケトン、或いはシクロヘキサノンなどのケトン系溶媒、ベンゼン、トルエン、或いはキシレンなどの芳香族系溶媒、酢酸エチル、酢酸ｎ−プロピル、酢酸ｎ−ブチル、プロピオン酸エチル、γ−ブチロラクトン、或いは炭酸ジエチルなどのエステル系溶媒、テトラヒドロフラン、或いはジオキサンなどのエーテル系溶媒、ジメチルホルムアミド、或いはジメチルアセトアミドなどのアミド系溶媒、ジメチルスルホキシド、ヘキサン、又は水等を用いることができる。また、これらの溶媒複数種を混合して用いてもよい。湿式法を用いることにより、材料の利用効率を高めることができ、製造コストを低減させることができる。
【００６４】
なお、材料層１０７によって被成膜基板上に形成される膜の膜厚および均一性を制御する場合には、材料層１０７の膜厚および均一性は制御される必要がある。しかし、被成膜基板上に形成される膜の膜厚および均一性に影響しないのであれば、材料層１０７は必ずしも均一の層である必要はない。例えば、微細な島状に形成されていてもよいし、凹凸を有する層状に形成されていてもよい。
【００６５】
次に、図１（Ｂ）に示すように、第１の基板１０１の一方の面であって、第１の機能膜１０２、反射層１０３、断熱層１０４、第２の機能膜１０５、光吸収層１０６、および材料層１０７が形成された面に対向する位置に、被成膜基板である第２の基板１０９を配置する。第２の基板１０９は、所望の層が成膜される被成膜基板である。なお、ここでは、成膜用基板を用いて発光素子のＥＬ層を形成する場合について説明するため、第２の基板１０９上には、発光素子の一方の電極となる第１の電極１１０、および絶縁物１１１が形成されている。そして、第１の基板１０１と第２の基板１０９とを至近距離、具体的には第１の基板１０１上の材料層１０７の表面と、第２の基板１０９表面との距離ｄを、０ｍｍ以上２ｍｍ以下、好ましくは０ｍｍ以上０．０５ｍｍ以下、さらに好ましくは０ｍｍ以上０．０３ｍｍ以下となるように近づけて対向させる。
【００６６】
なお、距離ｄは、第１の基板１０１上の材料層１０７の表面と、第２の基板１０９表面との距離で定義する。従って、第２の基板１０９上に何らかの層（例えば、電極として機能する導電層や隔壁として機能する絶縁物等）が形成されている場合、距離ｄは、第１の基板１０１上の材料層１０７の表面と、第２の基板１０９上に形成された層の最表面との距離で定義する。ただし、第１の基板１０１上の材料層１０７の表面や、第２の基板１０９上に形成された層の最表面が凹凸を有する場合における距離ｄは、第１の基板１０１上の材料層１０７の表面と、第２の基板１０９上に形成された層の最表面との間の最も短い距離で定義することとする。
【００６７】
次に、図１（Ｃ）に示すように第１の基板１０１の裏面（第１の機能膜１０２、反射層１０３、断熱層１０４、第２の機能膜１０５、光吸収層１０６、および材料層１０７が形成されていない面）側から光１１２を照射する。このとき、第１の基板１０１上に形成された反射層１０３と重なる位置にある第１の機能膜１０２、および反射層１０３に照射された光は反射されるが、開口部１０８に照射された光は、反射防止膜として機能する第１の機能膜１０２と第２の機能膜１０５との積層膜を透過し、光吸収層１０６に吸収される。そして、光吸収層１０６は、吸収した光から得た熱を材料層１０７に含まれる材料に与えることにより昇華させ、第２の基板１０９上に形成された第１の電極１１０上に材料を成膜する。これにより、第２の基板１０９上に発光素子のＥＬ層１１３が形成される。
【００６８】
なお、照射する光１１２としては、４００ｎｍ以上６００ｎｍ以下の波長のレーザ光を用いる。例えば、４８８ｎｍ、５１４ｎｍ、５２７ｎｍ、５３２ｎｍ、５６１ｎｍの波長のレーザ光を用いることができる。レーザ光を用いることにより、光吸収層１０６における熱変換が効率よく行われ、材料を効率よく成膜することができる。
【００６９】
また、レーザ光には、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザ、エキシマレーザなどの気体レーザ、単結晶のＹＡＧ、ＹＶＯ４、フォルステライト（Ｍｇ２ＳｉＯ４）、ＹＡｌＯ３、ＧｄＶＯ４、若しくは多結晶（セラミック）のＹＡＧ、Ｙ２Ｏ３、ＹＶＯ４、ＹＡｌＯ３、ＧｄＶＯ４に、ドーパントとしてＮｄ、Ｙｂ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｔａのうち１種または複数種添加されているものを媒質とするレーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライトレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザ等の固体レーザのうち一種または複数種から発振されるものを用いることができる。また、上記固体レーザから発振される第２高調波や第３高調波を用いることもできる。なお、レーザ媒体が固体である固体レーザを用いると、メンテナンスフリーの状態を長く保てるという利点や、出力が比較的に安定している利点を有している。
【００７０】
また、上述したレーザは、パルスレーザであっても連続発振（ＣＷ：ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ−ｗａｖｅ）レーザであっても良い。また、レーザスポットの形状は、線状または矩形状とすることが好ましい。
【００７１】
ここでは、照射された光による輻射熱を利用するのではなく、照射された光を吸収した光吸収層１０６が材料層１０７に熱を与えることが特徴である。従って、光が照射された部分の光吸収層１０６から光が照射されていない部分の光吸収層１０６へ、面方向に熱が伝わることにより、加熱される材料層１０７の範囲が広がることのないように、光の照射時間は、短くすることが好ましい。
【００７２】
また、光照射による成膜は、減圧雰囲気下で行うことが好ましい。従って、成膜室内を５×１０−３Ｐａ以下、好ましくは１０−６Ｐａ以上１０−４Ｐａ以下の雰囲気とすることが好ましい。
【００７３】
また、図２（Ａ）には、第１の基板１０１と第２の基板１０９との距離ｄが０ｍｍの場合について示す。つまり、第１の基板１０１上に形成された材料層１０７と、第２の基板１０９上に形成された層のうちの最表層である絶縁物１１１とが接する場合について示す。このように距離ｄを小さくすることで、必要以上の材料消費を防ぐことができるので、材料の利用効率を向上させることができる。また、図２（Ｂ）に示すように光を照射した際に、第２の基板１０９上に成膜される膜の形状を精度良く形成することができる。ただし、第２の基板１０９の表面に凹凸がない場合には、第１の基板１０１上の材料層１０７と第２の基板１０９の被成膜面が接しないようにすることが好ましい。
【００７４】
また、成膜用基板の構造は、図１（Ａ）に示す構造に加えて、図３（Ａ）に示す構造としても良い。図３（Ａ）に示す構造は、第１の基板２０１上に順次形成された第１の機能膜２０２、反射層２０３、断熱層２０４を順次積層した後、開口部２０８を形成し、第１の基板２０１および断熱層２０４上に第２の機能膜２０５を形成し、第２の機能膜２０５上に光吸収層２０６、および材料層２０７が順次積層された構造である。
【００７５】
なお、図３（Ａ）に示す構造の成膜用基板の場合において、第１の機能膜２０２は、光を反射する反射膜として機能し、第２の機能膜２０５は、光の反射を防止する反射防止膜として機能する。
【００７６】
第１の機能膜２０２が反射膜として機能する為に第１の機能膜２０２の膜厚は、成膜用基板に照射する光の波長をλ、第１の基板２０１の屈折率をｎ０（λ）、第１の機能膜２０２の屈折率をｎ１’（λ）、反射層２０３の屈折率をｎ２（λ）とした時、下記のように定義される。また、反射層２０３の屈折率（ｎ２（λ））は、上述した他の屈折率、ｎ０（λ）、ｎ１’（λ）よりも大きい値を示すものとする。
【００７７】
１）ｎ０＜ｎ１’のとき
第１の機能膜２０２の膜厚＝λ・ｍａ３／４ｎ１’（ただし、ｍａ３＝偶数）
２）ｎ１’＜ｎ０のとき
第１の機能膜２０２の膜厚＝λ・ｍａ４／４ｎ１’（ただし、ｍａ４＝奇数）
【００７８】
また、第２の機能膜２０５が反射防止膜として機能する為に第２の機能膜２０５の膜厚は、成膜用基板に照射する光の波長をλ、第１の基板２０１の屈折率をｎ０（λ）、第２の機能膜２０５の屈折率をｎ１’’（λ）、光吸収層２０６の屈折率をｎ３（λ）とした時、下記のように定義される。
【００７９】
１）ｎ０＜ｎ１’’＜ｎ３のとき
第２の機能膜２０５の膜厚＝λ・ｍｂ５／４ｎ１’’（ただし、ｍｂ５＝奇数）
２）ｎ３＜ｎ１’’＜ｎ０のとき
第２の機能膜２０５の膜厚＝λ・ｍｂ６／４ｎ１’’（ただし、ｍｂ６＝奇数）
３）ｎ１’’＜ｎ０、ｎ１’’＜ｎ３のとき
第２の機能膜２０５の膜厚＝λ・ｍｂ７／４ｎ１’’（ただし、ｍｂ７＝偶数）
４）ｎ０＜ｎ１’’  、ｎ３＜ｎ１’’のとき
第２の機能膜２０５の膜厚＝λ・ｍｂ８／４ｎ１’’（ただし、ｍｂ８＝偶数）
【００８０】
また、図３（Ａ）における反射層２０３、断熱層２０４、光吸収層２０６、材料層２０７の構成は、図１（Ａ）に示す反射層１０３、断熱層１０４、光吸収層１０６、材料層１０７の構成と同じであるとする。
【００８１】
なお、図３（Ａ）に示した成膜用基板の場合も図１（Ａ）で説明した成膜用基板の場合と同様であり、図３（Ｂ）に示すように、第１の基板２０１の一方の面であって、第１の機能膜２０２、反射層２０３、断熱層２０４、第２の機能膜２０５、光吸収層２０６、および材料層２０７が形成された面に対向する位置に、被成膜基板である第２の基板２０９を配置する。第２の基板２０９上には、発光素子の一方の電極となる第１の電極２１０、および絶縁物２１１が形成されている。
【００８２】
そして、図３（Ｃ）に示すように第１の基板２０１の裏面（第１の機能膜２０２、反射層２０３、断熱層２０４、第２の機能膜２０５、光吸収層２０６、および材料層２０７が形成されていない面）側から光２１２を照射する。このとき、第１の基板２０１上に形成された第１の機能膜２０２、および反射層２０３に照射された光は反射されるが、開口部２０８に照射された光は、反射防止膜として機能する第２の機能膜２０５を透過し、光吸収層２０６に吸収される。そして、光吸収層２０６は、吸収した光から得た熱を材料層２０７に含まれる材料に与えることにより昇華させ、第２の基板２０９上に形成された第１の電極２１０上に材料を成膜する。これにより、第２の基板２０９上に発光素子のＥＬ層２１３が形成される。
【００８３】
さらに、成膜用基板の構造は、図３（Ｄ）に示す構造としても良い。図３（Ｄ）に示す構造は、第１の基板３０１上に膜厚の部分的に異なる第１の機能膜３０２を形成し、反射層３０３、断熱層３０４を順次積層した後、開口部３０８を形成し、第１の機能膜３０２および断熱層３０４上に光吸収層３０６、および材料層３０７が順次積層された構造である。
【００８４】
なお、図３（Ｄ）に示す構造の成膜用基板の場合において、第１の機能膜３０２のうちの反射層３０３と重なる部分である領域ａ（３０５ａ）は、光を反射する反射膜として機能し、第１の機能膜３０２のうちの反射層３０３と重ならない部分である領域ｂ（３０５ｂ）は、光の反射を防止する反射防止膜として機能する。
【００８５】
第１の機能膜３０２の領域ａ（３０５ａ）が反射膜として機能する為に第１の機能膜３０２の領域ａ（３０５ａ）の膜厚は、成膜用基板に照射する光の波長をλ、第１の基板３０１の屈折率をｎ０（λ）、第１の機能膜３０２の屈折率をｎ１’’’（λ）、反射層３０３の屈折率をｎ２（λ）とした時、下記のように定義される。また、反射層３０３の屈折率（ｎ２（λ））は、上述した他の屈折率、ｎ０（λ）、ｎ１’’’（λ）よりも大きい値を示すものとする。
【００８６】
１）ｎ０＜ｎ１’’’のとき
第１の機能膜の領域ａ（３０５ａ）における膜厚＝λ・ｍａ５／４ｎ１’’’
（ただし、ｍａ５＝偶数）
２）ｎ１’’’＜ｎ０のとき
第１の機能膜の領域ａ（３０５ａ）における膜厚＝λ・ｍａ６／４ｎ１’’’
（ただし、ｍａ６＝奇数）
【００８７】
また、第１の機能膜３０２の領域ｂ（３０５ｂ）が反射防止膜として機能する為に第１の機能膜３０２の領域ｂ（３０５ｂ）における膜厚は、成膜用基板に照射する光の波長をλ、第１の基板３０１の屈折率をｎ０（λ）、第１の機能膜３０２の屈折率をｎ１’’’（λ）、光吸収層３０６の屈折率をｎ３（λ）とした時、下記のように定義される。
【００８８】
１）ｎ０＜ｎ１’’’＜ｎ３のとき
第１の機能膜の領域ｂ（３０５ｂ）における膜厚＝λ・ｍｂ１３／４ｎ１’’’
（ただし、ｍｂ１３＝奇数）
２）ｎ１’’’＜ｎ０、  ｎ１’’’＜ｎ３のとき
第１の機能膜の領域ｂ（３０５ｂ）における膜厚＝λ・ｍｂ１４／４ｎ１’’’
（ただし、ｍｂ１４＝偶数）
３）ｎ０＜ｎ１’’’、ｎ３＜ｎ１’’’のとき
第１の機能膜の領域ｂ（３０５ｂ）における膜厚＝λ・ｍｂ１５／４ｎ１’’’
（ただし、ｍｂ１５＝偶数）
４）ｎ３＜ｎ１’’’＜ｎ０のとき
第１の機能膜の領域ｂ（３０５ｂ）における膜厚＝λ・ｍｂ１６／４ｎ１’’’
（ただし、ｍｂ１６＝奇数）
【００８９】
また、本実施の形態では、第２の基板１０９、２０９が、第１の基板１０１、２０１の下方に位置する場合を図示したが、本発明はこれに限定されない。基板の設置する向きは適宜設定することができる。
【００９０】
本実施の形態で示した成膜用基板は、レーザ光を用いた成膜の際に選択的に所望の位置にレーザ光を照射させることができるので、材料の利用効率を高めることができ、平坦でムラのない膜を成膜することが可能であり、微細なパターン形成も可能となる。従って、本実施の形態で示した成膜用基板を用いて作製される発光装置の製造コストを低減させることができると共に優れた特性の発光装置を得ることができる。
【００９１】
（実施の形態２）
本実施の形態２では、実施の形態１で説明した成膜用基板を複数用いて、発光素子のＥＬ層を形成することにより、フルカラー表示が可能な発光装置の作製方法について説明する。
【００９２】
実施の形態１では、１回の成膜工程で、被成膜基板である第２の基板上に形成された複数の電極上には、全て同一の材料からなるＥＬ層を形成する場合について示したが、本実施の形態２では、第２の基板上に形成された複数の電極上には、３種類の発光の異なるＥＬ層のいずれかが形成される場合について説明する。
【００９３】
まず、実施の形態１において図１（Ａ）に示した成膜用基板を３枚用意する。ただし、それぞれの成膜用基板には、発光の異なるＥＬ層を形成するための材料を含む材料層が形成されている。具体的には、赤色発光を示すＥＬ層（ＥＬ層（Ｒ））を形成するための材料を含む材料層（Ｒ）を有する第１の成膜用基板と、緑色発光を示すＥＬ層（ＥＬ層（Ｇ））を形成するための材料を含む材料層（Ｇ）を有する第２の成膜用基板と、青色発光を示すＥＬ層（ＥＬ層（Ｂ））を形成するための材料を含む材料層（Ｂ）を有する第３の成膜用基板とを用意する。
【００９４】
また、実施の形態１において図１（Ｂ）に示した複数の第１の電極を有する被成膜基板を１枚用意する。なお、被成膜基板上の複数の第１の電極は、その端部が絶縁物で覆われているため、発光領域は、第１の電極の一部であって、絶縁物と重ならずに露呈している領域に相当する。
【００９５】
まず、１回目の成膜工程として、図１（Ｂ）と同様に被成膜基板と第１の成膜用基板とを重ね、位置合わせをする。なお、被成膜基板には、位置合わせ用のマーカを設けることが好ましい。また、第１の成膜用基板にも位置合わせ用のマーカを設けることが好ましい。なお、第１の成膜用基板には、光吸収層が設けられているため、位置合わせのマーカ周辺の光吸収層は予め除去しておくことが好ましい。また、第１の成膜用基板には、材料層（Ｒ）が設けられているため、位置合わせのマーカ周辺の材料層（Ｒ）も予め除去しておくことが好ましい。
【００９６】
そして、第１の成膜用基板の裏面（図１（Ａ）に示す第１の機能膜１０２、反射層１０３、断熱層１０４、第２の機能膜１０５、光吸収層１０６、および材料層１０７が形成されていない面）側から光を照射する。光吸収層が、照射された光を吸収して材料層（Ｒ）に熱を与えることで、材料層（Ｒ）に含まれる材料を昇華させ、被成膜基板上の一部の第１の電極上にＥＬ層（Ｒ）を形成する。そして、１回目の成膜を終えたら、第１の成膜用基板は、被成膜基板と離れた場所へ移動させる。
【００９７】
次いで、２回目の成膜工程として、被成膜基板と第２の成膜用基板とを重ね、位置合わせをする。第２の成膜用基板には、１回目の成膜時で使用した第１の成膜用基板とは１画素分ずらして開口部が形成されている。
【００９８】
そして、第２の成膜用基板の裏面（図１（Ａ）に示す第１の機能膜１０２、反射層１０３、断熱層１０４、第２の機能膜１０５、光吸収層１０６、および材料層１０７が形成されていない面）側から光を照射する。光吸収層が、照射された光を吸収して材料層（Ｇ）に熱を与えることで、材料層（Ｇ）に含まれる材料を昇華させ、被成膜基板上の一部であって、１回目の成膜でＥＬ層（Ｒ）が形成された第１の電極のとなりの第１の電極上にＥＬ層（Ｇ）を形成する。そして、２回目の成膜を終えたら、第２の成膜用基板は、被成膜基板と離れた場所へ移動させる。
【００９９】
次いで、３回目の成膜工程として、被成膜基板と第３の成膜用基板とを重ね、位置合わせをする。第３の成膜用基板には、１回目の成膜時で使用した第１の成膜用基板とは２画素分ずらして反射層の開口部が形成されている。
【０１００】
そして、第３の成膜用基板の裏面（図１（Ａ）に示す第１の機能膜１０２、反射層１０３、断熱層１０４、第２の機能膜１０５、光吸収層１０６、および材料層１０７が形成されていない面）側から光を照射する。この３回目の成膜を行う直前の様子が図４（Ａ）の上面図に相当する。図４（Ａ）において、反射層４０１は開口部４０２を有している。従って、第３の成膜用基板の反射層４０１の開口部４０２を透過した光は、断熱層を透過して、光吸収層に吸収される。また、被成膜基板の第３の成膜用基板の開口部４０２と重なる領域には、第１の電極が形成されている。なお、図４（Ａ）中に点線で示した領域の下方には、既に１回目の成膜により形成されたＥＬ層（Ｒ）４１１と２回目の成膜により形成されたＥＬ層（Ｇ）４１２が位置している。
【０１０１】
そして、図４（Ｂ）に示すように、３回目の成膜により、ＥＬ層（Ｂ）４１３が形成される。光吸収層が、照射された光を吸収して材料層（Ｂ）に熱を与えることで、材料層（Ｂ）に含まれる材料を昇華させ、被成膜基板上の一部であって、２回目の成膜でＥＬ層（Ｇ）４１２が形成された第１の電極のとなりの第１の電極上にＥＬ層（Ｂ）４１３が形成される。３回目の成膜を終えたら、第３の成膜用基板は、被成膜基板と離れた場所へ移動させる。
【０１０２】
こうしてＥＬ層（Ｒ）４１１、ＥＬ層（Ｇ）４１２、ＥＬ層（Ｂ）４１３を一定の間隔をあけて同一の被成膜基板上に形成することができる。そして、これらの層上に第２の電極を形成することによって、発光素子を形成することができる。
【０１０３】
以上の工程で、同一基板上に異なる発光を示す発光素子が形成されることにより、フルカラー表示が可能な発光装置を形成することができる。
【０１０４】
図４では、成膜用基板に形成された反射層の開口部４０２の形状を矩形とした例を示したが、特に限定されず、ストライプ状の開口部としても良い。ストライプ状の開口部とした場合、同じ発光色となる発光領域の間にも成膜が行われるが、絶縁物４１４の上に形成されるため、絶縁物４１４と重なる部分は発光領域とはならない。
【０１０５】
また、画素の配列も特に限定されず、図５（Ａ）に示すように、１つの画素形状を多角形、例えば六角形としてもよく、ＥＬ層（Ｒ）５１１、ＥＬ層（Ｇ）５１２、ＥＬ層（Ｂ）５１３を配置してフルカラーの発光装置を実現させることもできる。なお、図５（Ａ）に示す多角形の画素を形成するために、図５（Ｂ）に示す多角形の開口部５０２を有する反射層５０１を有する成膜用基板を用いて成膜すればよい。
【０１０６】
本実施の形態２に示すフルカラー表示が可能な発光装置の作製において、本実施の形態で用いる成膜用基板は、レーザ光を用いた成膜の際に選択的に所望の位置にレーザ光を照射させることができるので、材料の利用効率を高めることができ、平坦でムラのない膜を成膜することが可能であり、微細なパターン形成も可能となる。従って、本実施の形態で示した成膜用基板を用いて作製される発光装置の製造コストを低減させることができると共に優れた特性の発光装置を得ることができる。
【０１０７】
なお、本実施の形態２に示す構成は、実施の形態１に示した構成を適宜組み合わせて用いることができる。
【０１０８】
（実施の形態３）
本実施の形態では、発光装置の作製を可能とする成膜装置の例について説明する。
【０１０９】
図７はレーザを用いた成膜装置の一例を示す斜視図である。射出されるレーザ光はレーザ発振装置７０３（ＹＡＧレーザ装置、エキシマレーザ装置など）から出力され、ビーム形状を矩形状とするための第１の光学系７０４と、整形するための第２の光学系７０５と、平行光線にするための第３の光学系７０６とを通過し、反射ミラー７０７で光路が成膜用基板７０１に対して垂直となる方向に曲げられる。その後、成膜用基板にレーザビームを照射する。
【０１１０】
なお、本実施の形態３に示す成膜用基板の構成は、実施の形態１の図１（Ａ）で説明したものと同様であることとする。すなわち、基板上に第１の機能膜１０２が形成された第１の層７１０、反射層１０３、断熱層１０４、第２の機能膜１０５が形成された第２の層７１１、光吸収層１０６が形成された第３の層７１２、および材料層１０７が形成された第４の層７１３を含む構成を有する。また、第２の層７１１に含まれる反射層１０３および断熱層１０４は、開口部７１４を有している。
【０１１１】
また、光源となるレーザ光としては、４００ｎｍ以上６００ｎｍ以下の波長のレーザ光を用いる。例えば、４８８ｎｍ、５１４ｎｍ、５２７ｎｍ、５３２ｎｍ、５６１ｎｍの波長のレーザ光を用いることができる。レーザ光を用いることにより、光吸収層１０６における熱変換が効率よく行われ、材料を効率よく昇華させることができる。
【０１１２】
また、レーザ光には、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザ、エキシマレーザなどの気体レーザ、単結晶のＹＡＧ、ＹＶＯ４、フォルステライト（Ｍｇ２ＳｉＯ４）、ＹＡｌＯ３、ＧｄＶＯ４、若しくは多結晶（セラミック）のＹＡＧ、Ｙ２Ｏ３、ＹＶＯ４、ＹＡｌＯ３、ＧｄＶＯ４に、ドーパントとしてＮｄ、Ｙｂ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｔａのうち１種または複数種添加されているものを媒質とするレーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライトレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザ等の固体レーザのうち一種または複数種から発振されるものを用いることができる。また、上記固体レーザから発振される第２高調波や第３高調波を用いることもできる。
【０１１３】
また、レーザは、パルスレーザであっても連続発振（ＣＷ：ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ−ｗａｖｅ）レーザであっても良い。
【０１１４】
また、成膜用基板７０１に照射されるレーザスポットの形状は、線状または矩形状とすることが好ましい。また、大面積基板を用いる場合には、処理時間を短縮するため、レーザスポットの長辺を２０ｃｍ〜１００ｃｍとすることが好ましい。また、図７に示すレーザ発振装置及び光学系を複数設置して大面積の基板を短時間に処理してもよい。具体的には、複数のレーザ発振装置からレーザビームをそれぞれ照射して基板１枚における処理面積を分担してもよい。
【０１１５】
なお、図７は一例であり、レーザ光の光路に配置する各光学系や電気光学素子の位置関係は特に限定されない。例えば、レーザ発振装置７０３を成膜用基板７０１の上方に配置し、レーザ発振装置７０３から射出するレーザ光が成膜用基板７０１の主平面に垂直な方向となるように配置すれば、反射ミラー７０７を用いずともよい。また、各光学系は、集光レンズ、ビームエキスパンダ、ホモジナイザ、または偏光子などを用いればよく、これらを組み合わせてもよい。また、各光学系としてスリットを組み合わせてもよい。
【０１１６】
被照射面上でレーザビームの照射領域を２次元的に、適宜、走査させることによって、基板の広い面積に照射を行う。走査するために、レーザビームの照射領域と基板とを相対的に移動させる。ここでは、基板を保持している基板ステージ７０９をＸＹ方向に移動させる移動手段（図示しない）で走査を行う。
【０１１７】
また、制御装置７１６は、基板ステージ７０９をＸＹ方向に移動させる移動手段も制御できるように連動させることが好ましい。さらに、制御装置７１６は、レーザ発振装置７０３も制御できるように連動させることが好ましい。さらに、制御装置７１６は、位置マーカを認識するための撮像素子７０８を有する位置アライメント機構と連動させることが好ましい。なお、位置アライメント機構は、成膜用基板７０１と、被成膜基板７００の位置合わせを行う。
【０１１８】
また、成膜用基板７０１と被成膜基板７００の基板間隔である距離ｄは、成膜用基板７０１上に形成された材料層の表面と、被成膜基板７００の表面との距離で定義する。また、被成膜基板７００上に何らかの層（例えば、電極として機能する導電層や隔壁として機能する絶縁物等）が形成されている場合、距離ｄは、成膜用基板７０１上の材料層の表面と、被成膜基板７００上に形成された層の表面との距離で定義する。ただし、成膜用基板７０１上の材料層の表面や、被成膜基板７００或いは被成膜基板７００上に形成された層の表面に凹凸を有する場合における距離ｄは、成膜用基板７０１上の材料層の表面と、被成膜基板７００或いは被成膜基板７００上に形成された層の最表面との間の最も短い距離で定義することとする。なお、距離ｄは、０ｍｍ以上２ｍｍ以下、好ましくは０ｍｍ以上０．０５ｍｍ以下、さらに好ましくは０ｍｍ以上０．０３ｍｍ以下とする。また、被成膜基板７００に隔壁となる絶縁物が設けられている場合には、絶縁物と材料層７１５を接触させて配置してもよい。
【０１１９】
図７に示す成膜装置を用いて成膜を行う場合には、少なくとも成膜用基板７０１と被成膜基板７００を真空チャンバー内に配置する。また、図７に示す構成を全て真空チャンバー内に設置してもよい。
【０１２０】
また、図７に示す成膜装置は、被成膜基板７００の成膜面が上を向いた、所謂フェイスアップ方式の成膜装置の例を示しているが、フェイスダウン方式の成膜装置とすることもできる。また、被成膜基板７００が大面積基板である場合、基板の自重により基板の中心が撓んでしまうことを抑えるために、被成膜基板７００の主平面を水平面に対して垂直に立てる、所謂縦置き方式の装置とすることもできる。
【０１２１】
また、被成膜基板７００を冷却する冷却手段をさらに設けることで、プラスチック基板などの可撓性基板を被成膜基板７００に用いることができる。
【０１２２】
また、本実施の形態に示した成膜装置を複数設け、マルチチャンバー型の成膜装置にすることができる。勿論、他の成膜方法の成膜装置との組み合わせも可能である。また、本実施の形態に示した成膜装置を直列に複数並べて、インライン型の成膜装置にすることもできる。
【０１２３】
また、本実施の形態で説明した成膜装置を用いて発光装置を作製する場合において、成膜用基板を用いることでレーザ光を用いた成膜の際に選択的に所望の位置にレーザ光を照射させることができるので、材料の利用効率を高めることができ、平坦でムラのない膜を成膜することが可能であり、微細なパターン形成も可能となる。従って、本実施の形態で示した成膜用基板を用いて作製される発光装置の製造コストを低減させることができると共に優れた特性の発光装置を得ることができる。
【０１２４】
なお、本実施の形態３に示す構成は、実施の形態１〜実施の形態２に示した構成を適宜組み合わせて用いることができる。
【０１２５】
（実施の形態４）
本実施の形態では、発光素子および発光装置を作製する方法について説明する。
【０１２６】
例えば、図８（Ａ）、（Ｂ）に示す発光素子を作製することができる。図８（Ａ）に示す発光素子は、基板８０１上に第１の電極８０２、発光層８１３のみで形成されたＥＬ層８０３、第２の電極８０４が順に積層して設けられている。第１の電極８０２及び第２の電極８０４のいずれか一方は陽極として機能し、他方は陰極として機能する。陽極から注入される正孔及び陰極から注入される電子がＥＬ層８０３で再結合して、発光を得ることができる。本実施の形態において、第１の電極８０２は陽極として機能する電極であり、第２の電極８０４は陰極として機能する電極であるとする。
【０１２７】
また、図８（Ｂ）に示す発光素子は、図８（Ａ）のＥＬ層８０３が複数の層が積層された構造である場合を示しており、具体的には、第１の電極８０２側から正孔注入層８１１、正孔輸送層８１２、発光層８１３、電子輸送層８１４、および電子注入層８１５が順次設けられている。なお、ＥＬ層８０３は、図８（Ａ）に示すように少なくとも発光層８１３を有していれば機能するため、これらの層を全て設ける必要はなく、必要に応じて適宜選択して設ければよい。
【０１２８】
図８に示す基板８０１には、絶縁表面を有する基板または絶縁基板を適用する。具体的には、アルミノシリケートガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラスのような電子工業用に使われる各種ガラス基板、石英基板、セラミック基板又はサファイヤ基板等を用いることができる。
【０１２９】
また、第１の電極８０２および第２の電極８０４は、様々な金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることができる。具体的には、例えば、酸化インジウム−酸化スズ（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸化インジウム−酸化亜鉛（ＩＺＯ：Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム等が挙げられる。この他、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、または金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等が挙げられる。
【０１３０】
これらの材料は、通常スパッタリング法により成膜される。例えば、酸化インジウム−酸化亜鉛は、酸化インジウムに対し１〜２０ｗｔ％の酸化亜鉛を加えたターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。また、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウムは、酸化インジウムに対し酸化タングステンを０．５〜５ｗｔ％、酸化亜鉛を０．１〜１ｗｔ％含有したターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。その他、ゾル−ゲル法などを応用して、インクジェット法、スピンコート法などにより作製してもよい。
【０１３１】
また、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、アルミニウムを含む合金等を用いることができる。その他、仕事関数の小さい材料である、元素周期表の第１族または第２族に属する元素、すなわちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、およびマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金（アルミニウム、マグネシウムと銀との合金、アルミニウムとリチウムの合金）、ユーロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属およびこれらを含む合金等を用いることもできる。
【０１３２】
アルカリ金属、アルカリ土類金属、これらを含む合金の膜は、真空蒸着法を用いて形成することができる。また、アルカリ金属またはアルカリ土類金属を含む合金はスパッタリング法により形成することも可能である。また、銀ペーストなどをインクジェット法などにより成膜することも可能である。また、第１の電極８０２および第２の電極８０４は、単層膜に限らず、積層膜で形成することもできる。
【０１３３】
なお、ＥＬ層８０３で発光する光を外部に取り出すため、第１の電極８０２または第２の電極８０４のいずれか一方、または両方が光を通過するように形成する。例えば、インジウム錫酸化物等の透光性を有する導電材料を用いて形成するか、或いは、銀、アルミニウム等を数ｎｍ乃至数十ｎｍの厚さとなるように形成する。また、膜厚を薄くした銀、アルミニウムなどの金属薄膜と、ＩＴＯ膜等の透光性を有する導電材料を用いた薄膜との積層構造とすることもできる。
【０１３４】
なお、本実施の形態で示す発光素子のＥＬ層８０３（正孔注入層８１１、正孔輸送層８１２、発光層８１３、電子輸送層８１４又は電子注入層８１５）は、実施の形態１で示した成膜方法を適用して形成することができる。また、電極を実施の形態１で示した成膜方法を適用して形成することもできる。
【０１３５】
例えば、図８（Ａ）に示す発光素子を形成する場合、実施の形態１で示した成膜用基板の材料層をＥＬ層８０３を形成する材料で形成し、この成膜用基板を用いて基板８０１上の第１の電極８０２上にＥＬ層８０３を形成する。そして、ＥＬ層８０３上に第２の電極８０４を形成することにより、図８（Ａ）に示す発光素子を得ることができる。
【０１３６】
発光層８１３としては種々の材料を用いることができる。例えば、蛍光を発光する蛍光性化合物や燐光を発光する燐光性化合物を用いることができる。
【０１３７】
発光層８１３に用いることのできる燐光性化合物としては、例えば、青色系の発光材料として、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）テトラキス（１−ピラゾリル）ボラート（略称：ＦＩｒ６）、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：ＦＩｒｐｉｃ）、ビス［２−（３’，５’ビストリフルオロメチルフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：Ｉｒ（ＣＦ３ｐｐｙ）２（ｐｉｃ））、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：ＦＩｒａｃａｃ）などが挙げられる。また、緑色系の発光材料として、トリス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）３）、ビス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ａｃａｃ））、ビス（１，２−ジフェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｂｉ）２（ａｃａｃ））、ビス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｚｑ）２（ａｃａｃ））などが挙げられる。また、黄色系の発光材料として、ビス（２，４−ジフェニル−１，３−オキサゾラト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｄｐｏ）２（ａｃａｃ））、ビス［２−（４’−パーフルオロフェニルフェニル）ピリジナト］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐ−ＰＦ−ｐｈ）２（ａｃａｃ））、ビス（２−フェニルベンゾチアゾラト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔ）２（ａｃａｃ））などが挙げられる。また、橙色系の発光材料として、トリス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｑ）３）、ビス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｑ）２（ａｃａｃ））などが挙げられる。また、赤色系の発光材料として、ビス［２−（２’−ベンゾ［４，５−α］チエニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ３’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔｐ）２（ａｃａｃ））、ビス（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｉｑ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス［２，３−ビス（４−フルオロフェニル）キノキサリナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）２（ａｃａｃ））、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン白金（ＩＩ）（略称：ＰｔＯＥＰ）等の有機金属錯体が挙げられる。また、トリス（アセチルアセトナト）（モノフェナントロリン）テルビウム（ＩＩＩ）（略称：Ｔｂ（ａｃａｃ）３（Ｐｈｅｎ））、トリス（１，３−ジフェニル−１，３−プロパンジオナト）（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＤＢＭ）３（Ｐｈｅｎ））、���リス［１−（２−テノイル）−３，３，３−トリフルオロアセトナト］（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＴＴＡ）３（Ｐｈｅｎ））等の希土類金属錯体は、希土類金属イオンからの発光（異なる多重度間の電子遷移）であるため、燐光性化合物として用いることができる。
【０１３８】
発光層８１３に用いることのできる蛍光性化合物としては、例えば、青色系の発光材料として、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルスチルベン−４，４’−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｓ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡＰＡ）などが挙げられる。また、緑色系の発光材料として、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＢＰｈＡ）、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＢＰｈＡ）、９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−Ｎ−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ−フェニルアントラセン−２−アミン（略称：２ＹＧＡＢＰｈＡ）、Ｎ，Ｎ，９−トリフェニルアントラセン−９−アミン（略称：ＤＰｈＡＰｈＡ）などが挙げられる。また、黄色系の発光材料として、ルブレン、５，１２−ビス（１，１’−ビフェニル−４−イル）−６，１１−ジフェニルテトラセン（略称：ＢＰＴ）などが挙げられる。また、赤色系の発光材料として、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）テトラセン−５，１１−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＴＤ）、７，１３−ジフェニル−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）アセナフト［１，２−ａ］フルオランテン−３，１０−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＡＦＤ）などが挙げられる。
【０１３９】
また、発光層８１３として、発光性の高い物質（ドーパント材料）を他の物質（ホスト材料）に分散させた構成を用いることもできる。発光性の高い物質（ドーパント材料）を他の物質（ホスト材料）に分散させた構成を用いるにより、発光層の結晶化を抑制することができる。また、発光性の高い物質の濃度が高いことによる濃度消光を抑制することができる。
【０１４０】
発光性の高い物質を分散させる物質としては、発光性の高い物質が蛍光性化合物の場合には、蛍光性化合物よりも一重項励起エネルギー（基底状態と一重項励起状態とのエネルギー差）が大きい物質を用いることが好ましい。また、発光性の高い物質が燐光性化合物の場合には、燐光性化合物よりも三重項励起エネルギー（基底状態と三重項励起状態とのエネルギー差）が大きい物質を用いることが好ましい。
【０１４１】
発光層８１３に用いるホスト材料としては、例えば４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｑ）、４，４’−ビス［Ｎ−（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＦＬＤＰＢｉ）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）などの他、４，４’−ジ（９−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、９−［４−（９−カルバゾリル）フェニル］−１０−フェニルアントラセン（略称：ＣｚＰＡ）などが挙げられる。
【０１４２】
また、ドーパント材料としては、上述した燐光性化合物や蛍光性化合物を用いることができる。
【０１４３】
発光層８１３として、発光性の高い物質（ドーパント材料）を他の物質（ホスト材料）に分散させた構成を用いる場合には、成膜用基板上の材料層として、ホスト材料とゲスト材料とを混合した層を形成すればよい。または、成膜用基板上の材料層として、ホスト材料を含む層とドーパント材料を含む層とが積層した構成としてもよい。このような構成の材料層を有する成膜用基板を用いて発光層８１３を形成することにより、発光層８１３は発光材料を分散させる物質（ホスト材料）と発光性の高い物質（ドーパント材料）とを含み、発光材料を分散させる物質（ホスト材料）に発光性の高い物質（ドーパント材料）が分散された構成となる。なお、発光層８１３として、２種類以上のホスト材料とドーパント材料を用いてもよいし、２種類以上のドーパント材料とホスト材料を用いてもよい。また、２種類以上のホスト材料及び２種類以上のドーパント材料を用いてもよい。
【０１４４】
また、図８（Ｂ）に示す発光素子を形成する場合には、ＥＬ層８０３（正孔注入層８１１、正孔輸送層８１２、電子輸送層８１４、および電子注入層８１５）のそれぞれの層を形成する材料で形成された材料層を有する実施の形態１で示した成膜用基板を各層毎に用意し、各層の成膜毎に異なる成膜用基板を用いて、実施の形態１で示した方法により、基板８０１上の第１の電極８０２上にＥＬ層８０３を形成する。そして、ＥＬ層８０３上に第２の電極８０４を形成することにより、図８（Ｂ）に示す発光素子を得ることができる。なお、この場合には、ＥＬ層８０３の全ての層に実施の形態１で示した方法を用いることもできるが、一部の層のみに実施の形態１で示した方法を用いても良い。
【０１４５】
例えば、正孔注入層８１１としては、モリブデン酸化物やバナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等を用いることができる。この他、フタロシアニン（略称：Ｈ２Ｐｃ）や銅フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）等のフタロシアニン系の化合物、或いはポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等の高分子等によっても正孔注入層８１１を形成することができる。
【０１４６】
また、正孔注入層８１１として、正孔輸送性の高い物質と電子受容性を示す物質を含む層を用いることができる。正孔輸送性の高い物質と電子受容性を示す物質とを含む層は、キャリア密度が高く、正孔注入性に優れている。また、正孔輸送性の高い物質と電子受容性を示す物質とを含む層を、陽極として機能する電極に接する正孔注入層として用いることにより、陽極として機能する電極材料の仕事関数の大小に関わらず、様々な金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることができる。
【０１４７】
正孔輸送性の高い物質と電子受容性を示す物質を含む層は、例えば、正孔輸送性の高い物質を含む層と電子受容性を示す物質を含む層とが積層された材料層を有する成膜用基板を用いることにより形成することができる。
【０１４８】
正孔注入層８１１に用いる電子受容性を示す物質としては、７，７，８，８−テトラシアノ−２，３，５，６−テトラフルオロキノジメタン（略称：Ｆ４−ＴＣＮＱ）、クロラニル等を挙げることができる。また、遷移金属酸化物を挙げることができる。また元素周期表における第４族から第８族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電子受容性が高いため好ましい。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。
【０１４９】
正孔注入層８１１に用いる正孔輸送性の高い物質としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）など、種々の化合物を用いることができる。なお、正孔注入層に用いる正孔輸送性の高い物質としては、１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質であることが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。以下では、正孔注入層８１１に用いることのできる正孔の輸送性の高い物質を具体的に列挙する。
【０１５０】
例えば、正孔注入層８１１に用いることのできる芳香族アミン化合物としては、例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）やＮ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）等を用いることができる。また、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−メチルフェニル）（ｐ−トリル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ｐ−フェニレンジアミン（略称：ＤＴＤＰＰＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、４，４’−ビス（Ｎ−｛４−［Ｎ’−（３−メチルフェニル）−Ｎ’−フェニルアミノ］フェニル｝−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）、１，３，５−トリス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ベンゼン（略称：ＤＰＡ３Ｂ）等を挙げることができる。
【０１５１】
正孔注入層８１１に用いることのできるカルバゾール誘導体としては、具体的には、３−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）等を挙げることができる。
【０１５２】
また、正孔注入層８１１に用いることのできるカルバゾール誘導体としては、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、１，３，５−トリス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴＣＰＢ）、９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、１，４−ビス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］−２，３，５，６−テトラフェニルベンゼン等を用いることができる。
【０１５３】
また、正孔注入層８１１に用いることのできる芳香族炭化水素としては、例えば、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（１−ナフチル）アントラセン、９，１０−ビス（３，５−ジフェニルフェニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ビス（４−フェニルフェニル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＢＡ）、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、９，１０−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン（略称：ｔ−ＢｕＡｎｔｈ）、９，１０−ビス（４−メチル−１−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＭＮＡ）、９，１０−ビス［２−（１−ナフチル）フェニル］−２−ｔｅｒｔ−ブチル−アントラセン、９，１０−ビス［２−（１−ナフチル）フェニル］アントラセン、２，３，６，７−テトラメチル−９，１０−ジ（１−ナフチル）アントラセン、２，３，６，７−テトラメチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン、９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ジフェニル−９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ビス（２−フェニルフェニル）−９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ビス［（２，３，４，５，６−ペンタフェニル）フェニル］−９，９’−ビアントリル、アントラセン、テトラセン、ルブレン、ペリレン、２，５，８，１１−テトラ（ｔｅｒｔ−ブチル）ペリレン等が挙げられる。また、この他、ペンタセン、コロネン等も用いることができる。このように、１×１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有し、炭素数１４〜４２である芳香族炭化水素を用いることがより好ましい。
【０１５４】
なお、正孔注入層８１１に用いることのできる芳香族炭化水素は、ビニル骨格を有していてもよい。ビニル基を有している芳香族炭化水素としては、例えば、４，４’−ビス（２，２−ジフェニルビニル）ビフェニル（略称：ＤＰＶＢｉ）、９，１０−ビス［４−（２，２−ジフェニルビニル）フェニル］アントラセン（略称：ＤＰＶＰＡ）等が挙げられる。
【０１５５】
これら正孔輸送性の高い物質を含む層と、電子受容性を示す物質を含む層とが積層された材料層を有する成膜用基板を用いることで、正孔注入層８１１を形成することができる。電子受容性を示す物質として金属酸化物を用いた場合には、第１の基板８０１上に正孔輸送性の高い物質を含む層を形成した後、金属酸化物を含む層を形成することが好ましい。金属酸化物は、正孔輸送性の高い物質よりも分解温度または成膜着温度が高い場合が多いためである。このような構成の成膜源とすることにより、正孔輸送性の高い物質と金属酸化物とを効率良く昇華させることができる。また、成膜した膜において局所的な濃度の偏りを抑制することができる。また、正孔輸送性の高い物質と金属酸化物の両方を溶解させるまたは分散させる溶媒は種類が少なく、混合溶液を形成しにくい。よって、湿式法を用いて混合層を直接形成することは困難である。しかし、成膜方法を用いることにより、正孔輸送性の高い物質と金属酸化物とを含む混合層を容易に形成することができる。
【０１５６】
また、正孔輸送性の高い物質と電子受容性を示す物質とを含む層は、正孔注入性だけでなく、正孔輸送性も優れているため、上述した正孔注入層８１１を正孔輸送層として用いてもよい。
【０１５７】
また、正孔輸送層８１２は、正孔輸送性の高い物質を含む層であり、正孔輸送性の高い物質としては、例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢまたはα−ＮＰＤ）やＮ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）などの芳香族アミン化合物等を用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質である。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。なお、正孔輸送性の高い物質を含む層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。
【０１５８】
電子輸送層８１４は、電子輸送性の高い物質を含む層であり、例えば、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）など、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等を用いることができる。また、この他ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンズオキサゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＯＸ）２）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ）２）などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いることができる。さらに、金属錯体以外にも、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）や、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ０１）バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）なども用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を電子輸送層として用いても構わない。また、電子輸送層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。
【０１５９】
また、電子注入層８１５としては、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）等のようなアルカリ金属化合物、又はアルカリ土類金属化合物を用いることができる。さらに、電子輸送性を有する物質とアルカリ金属又はアルカリ土類金属が組み合わされた層も使用できる。例えばＡｌｑ中にマグネシウム（Ｍｇ）を含有させたものを用いることができる。なお、電子注入層として、電子輸送性を有する物質とアルカリ金属又はアルカリ土類金属を組み合わせた層を用いることは、第２の電極８０４からの電子注入が効率良く起こるためより好ましい。
【０１６０】
なお、ＥＬ層８０３は、層の積層構造については特に限定されず、電子輸送性の高い物質または正孔輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、正孔注入性の高い物質、バイポーラ性（電子及び正孔の輸送性の高い物質）の物質等を含む層と、発光層とを適宜組み合わせて構成すればよい。
【０１６１】
ＥＬ層８０３で得られた発光は、第１の電極８０２または第２の電極８０４のいずれか一方または両方を通って外部に取り出される。従って、第１の電極８０２または第２の電極８０４のいずれか一方または両方は、透光性を有する電極である。第１の電極８０２のみが透光性を有する電極である場合、光は第１の電極８０２を通って基板８０１側から取り出される。また、第２の電極８０４のみが透光性を有する電極である場合、光は第２の電極８０４を通って基板８０１と逆側から取り出される。第１の電極８０２および第２の電極８０４がいずれも透光性を有する電極である場合、光は第１の電極８０２および第２の電極８０４を通って、基板８０１側および基板８０１と逆側の両方から取り出される。
【０１６２】
なお、図８では、陽極として機能する第１の電極８０２を基板８０１側に設けた構成について示したが、陰極として機能する第２の電極８０４を基板８０１側に設けてもよい。
【０１６３】
また、ＥＬ層８０３の形成方法としては、実施の形態１で示した成膜方法を用いればよく、他の成膜方法と組み合わせてもよい。また、各電極または各層ごとに異なる成膜方法を用いて形成しても構わない。乾式法としては、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法などが挙げられる。また、湿式法としては、インクジェット法またはスピンコート法などが挙げられる。
【０１６４】
本実施の形態５に係る発光素子は、上述した方法によるＥＬ層の形成が可能であり、それにより、高精度な膜が効率よく形成される為、発光素子の特性向上のみならず、歩留まり向上やコストダウンを図ることができる。
【０１６５】
なお、本実施の形態４に示す構成は、実施の形態１〜実施の形態３に示した構成を適宜組み合わせて用いることができる。
【０１６６】
（実施の形態５）
本実施の形態５では、実施の形態４で説明した発光素子を用いて形成される発光装置について説明する。
【０１６７】
まず、パッシブマトリクス型の発光装置について、図９、図１０を用いて説明することとする。
【０１６８】
パッシブマトリクス型（単純マトリクス型ともいう）の発光装置は、ストライプ状（帯状）に並列された複数の陽極と、ストライプ状に並列された複数の陰極とが互いに直交するように設けられており、その交差部に発光層が挟まれた構造となっている。従って、選択された（電圧が印加された）陽極と選択された陰極との交点にあたる画素が点灯することになる。
【０１６９】
図９（Ａ）は、封止前における画素部の上面図を示す図であり、図９（Ａ）中の鎖線Ａ−Ａ’で切断した断面図が図９（Ｂ）であり、鎖線Ｂ−Ｂ’で切断した断面図が図９（Ｃ）である。
【０１７０】
基板９０１上には、下地絶縁層として絶縁層９０４を形成する。なお、下地絶縁層が必要でなければ特に形成しなくともよい。絶縁層９０４上には、ストライプ状に複数の第１の電極９１３が等間隔で配置されている。また、第１の電極９１３上には、各画素に対応する開口部を有する隔壁９１４が設けられ、開口部を有する隔壁９１４は絶縁材料（感光性または非感光性の有機材料（ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、レジストまたはベンゾシクロブテン）、またはＳＯＧ膜（例えば、アルキル基を含むＳｉＯｘ膜））で構成されている。なお、各画素に対応する開口部が発光領域９２１となる。
【０１７１】
開口部を有する隔壁９１４上に、第１の電極９１３と交差する互いに平行な複数の逆テーパ状の隔壁９２２が設けられる。逆テーパ状の隔壁９２２はフォトリソグラフィ法に従い、未露光部分がパターンとして残るポジ型感光性樹脂を用い、パターンの下部がより多くエッチングされるように露光量または現像時間を調節することによって形成する。
【０１７２】
開口部を有する隔壁９１４及び逆テーパ状の隔壁９２２を合わせた高さは、ＥＬ層及び第２の電極９１６の膜厚より大きくなるように設定する。これにより、複数の領域に分離されたＥＬ層、具体的には赤色発光を示す材料で形成されたＥＬ層（Ｒ）（９１５Ｒ）、緑色発光を示す材料で形成されたＥＬ層（Ｇ）（９１５Ｇ）、青色発光を示す材料で形成されたＥＬ層（Ｂ）（９１５Ｂ）と、第２の電極９１６とが形成される。なお、複数に分離された領域は、それぞれ電気的に独立している。
【０１７３】
第２の電極９１６は、第１の電極９１３と交差する方向に伸長する互いに平行なストライプ状の電極である。なお、逆テーパ状の隔壁９２２上にもＥＬ層及び第２の電極９１６を形成する導電層の一部が形成されるが、ＥＬ層（Ｒ）（９１５Ｒ）、ＥＬ層（Ｇ）（９１５Ｇ）、ＥＬ層（Ｂ）（９１５Ｂ）、及び第２の電極９１６とは分断されている。なお、本実施の形態におけるＥＬ層は、少なくとも発光層を含む層であって、発光層の他に正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、又は電子注入層等を含んでいてもよい。
【０１７４】
ここでは、ＥＬ層（Ｒ）（９１５Ｒ）、ＥＬ層（Ｇ）（９１５Ｇ）、ＥＬ層（Ｂ）（９１５Ｂ）を選択的に形成し、３種類（赤（Ｒ）、青（Ｇ）、緑（Ｂ））の発光が得られるフルカラー表示可能な発光装置を形成する例を示している。なお、ＥＬ層（Ｒ）（９１５Ｒ）、ＥＬ層（Ｇ）（９１５Ｇ）、ＥＬ層（Ｂ）（９１５Ｂ）は、それぞれ互いに平行なストライプパターンで形成されている。これらのＥＬ層を形成するには、上記実施の形態１および実施の形態２に示す成膜方法を適用すればよい。
【０１７５】
また、必要であれば、封止缶や封止のためのガラス基板などの封止材を用いて封止する。ここでは、封止基板としてガラス基板を用い、シール材などの接着材を用いて基板と封止基板とを貼り合わせ、シール材などの接着材で囲まれた空間を密閉なものとしている。密閉された空間には、充填材や、乾燥した不活性ガスを充填する。また、発光装置の信頼性を向上させるために、基板と封止材との間に乾燥材などを封入してもよい。乾燥材によって微量な水分が除去され、十分乾燥される。また、乾燥材としては、酸化カルシウムや酸化バリウムなどのようなアルカリ土類金属の酸化物のような化学吸着によって水分を吸収する物質を用いることが可能である。なお、他の乾燥材として、ゼオライトやシリカゲル等の物理吸着によって水分を吸着する物質を用いてもよい。
【０１７６】
ただし、発光素子を覆って接する封止材が設けられ、十分に外気と遮断されている場合には、乾燥材は、特に設けなくともよい。
【０１７７】
次に、図９に示したパッシブマトリクス型の発光装置にＦＰＣなどを実装した場合の上面図を図１０に示す。
【０１７８】
図１０において、基板１００１上に形成される画像表示を構成する画素部は、走査線群とデータ線群が互いに直交するように交差している。
【０１７９】
ここで、図９における第１の電極９１３が、図１０の走査線１００３に相当し、図９における第２の電極９１６が、図１０のデータ線１００２に相当し、逆テーパ状の隔壁９２２が隔壁１００４に相当する。データ線１００２と走査線１００３の間にはＥＬ層が挟まれており、領域１００５で示される交差部が画素１つ分となる。
【０１８０】
なお、走査線１００３は配線端で接続配線１００８と電気的に接続され、接続配線１００８が入力端子１００７を介してＦＰＣ１００９ｂに接続される。また、データ線は入力端子１００６を介してＦＰＣ１００９ａに接続される。
【０１８１】
また、必要であれば、射出面に偏光板、又は円偏光板（楕円偏光板を含む）、位相差板（λ／４板、λ／２板）、カラーフィルタなどの光学フィルムを適宜設けてもよい。また、偏光板又は円偏光板に反射防止膜を設けてもよい。例えば、表面の凹凸により反射光を拡散し、映り込みを低減できるアンチグレア処理を施すことができる。
【０１８２】
なお、図１０では、駆動回路を基板上に設けない例を示したが、本発明は特に限定されず、基板上に駆動回路を有するＩＣチップを実装させてもよい。
【０１８３】
また、ＩＣチップを実装させる場合、画素部の周辺（外側）の領域に、画素部へ各信号を伝送する駆動回路が形成されたデータ線側ＩＣ、走査線側ＩＣをＣＯＧ方式によりそれぞれ実装する。ＣＯＧ方式以外の実装技術としてＴＣＰやワイヤボンディング方式を用いて実装してもよい。ＴＣＰはＴＡＢテープにＩＣを実装したものであり、ＴＡＢテープを素子形成基板上の配線に接続してＩＣを実装する。データ線側ＩＣ、および走査線側ＩＣは、シリコン基板を用いたものであってもよいし、ガラス基板、石英基板もしくはプラスチック基板上にＴＦＴで駆動回路を形成したものであってもよい。また、片側に一つのＩＣを設けた例を説明しているが、片側に複数個に分割して設けても構わない。
【０１８４】
次に、アクティブマトリクス型の発光装置の例について、図１１を用いて説明する。なお、図１１（Ａ）は発光装置を示す上面図であり、図１１（Ｂ）は図１１（Ａ）を鎖線Ａ−Ａ’で切断した断面図である。本実施の形態に係るアクティブマトリクス型の発光装置は、素子基板１１１０上に設けられた画素部１１０２と、駆動回路部（ソース側駆動回路）１１０１と、駆動回路部（ゲート側駆動回路）１１０３と、を有する。画素部１１０２、駆動回路部１１０１、及び駆動回路部１１０３は、シール材１１０５によって、素子基板１１１０と封止基板１１０４との間に封止されている。
【０１８５】
また、素子基板１１１０上には、駆動回路部１１０１、及び駆動回路部１１０３に外部からの信号（例えば、ビデオ信号、クロック信号、スタート信号、又はリセット信号等）や電位を伝達する外部入力端子を接続するための引き回し配線１１０８が設けられる。ここでは、外部入力端子としてＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）１１０９を設ける例を示している。なお、ここではＦＰＣしか図示されていないが、このＦＰＣにはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光装置本体だけでなく、それにＦＰＣもしくはＰＷＢが取り付けられた状態をも含むものとする。
【０１８６】
次に、断面構造について図１１（Ｂ）を用いて説明する。素子基板１１１０上には駆動回路部及び画素部が形成されているが、ここでは、ソース側駆動回路である駆動回路部１１０１と、画素部１１０２が示されている。
【０１８７】
駆動回路部１１０１はｎチャネル型ＴＦＴ１１２３とｐチャネル型ＴＦＴ１１２４とを組み合わせたＣＭＯＳ回路が形成される例を示している。なお、駆動回路部を形成する回路は、種々のＣＭＯＳ回路、ＰＭＯＳ回路もしくはＮＭＯＳ回路で形成しても良い。また、本実施の形態では、基板上に駆動回路を形成したドライバー一体型を示すが、必ずしもその必要はなく、基板上ではなく外部に駆動回路を形成することもできる。
【０１８８】
また、画素部１１０２はスイッチング用ＴＦＴ１１１１と、電流制御用ＴＦＴ１１１２と電流制御用ＴＦＴ１１１２の配線（ソース電極又はドレイン電極）に電気的に接続された第１の電極１１１３とを含む複数の画素により形成される。なお、第１の電極１１１３の端部を覆って絶縁物１１１４が形成されている。ここでは、ポジ型の感光性アクリル樹脂を用いることにより形成する。
【０１８９】
また、上層に積層形成される膜の被覆性を良好なものとするため、絶縁物１１１４の上端部または下端部に曲率を有する曲面が形成されるようにするのが好ましい。例えば、絶縁物１１１４の材料としてポジ型の感光性アクリル樹脂を用いた場合、絶縁物１１１４の上端部に曲率半径（０．２μｍ〜３μｍ）を有する曲面を持たせることが好ましい。また、絶縁物１１１４として、感光性の光によってエッチャントに不溶解性となるネガ型、或いは光によってエッチャントに溶解性となるポジ型のいずれも使用することができ、有機化合物に限らず無機化合物、例えば、酸化シリコン、酸窒化シリコン等、の両者を使用することができる。
【０１９０】
第１の電極１１１３上には、ＥＬ層１１００及び第２の電極１１１６が積層形成されている。なお、第１の電極１１１３をＩＴＯ膜とし、第１の電極１１１３と接続する電流制御用ＴＦＴ１１１２の配線として窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜との積層膜、或いは窒化チタン膜、アルミニウムを主成分とする膜、窒化チタン膜との積層膜を適用すると、配線としての抵抗も低く、ＩＴＯ膜との良好なオーミックコンタクトがとれる。なお、ここでは図示しないが、第２の電極１１１６は外部入力端子であるＦＰＣ１１０９に電気的に接続されている。
【０１９１】
ＥＬ層１１００は、少なくとも発光層が設けられており、発光層の他に正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層又は電子注入層を適宜設ける構成とする。第１の電極１１１３、ＥＬ層１１００及び第２の電極１１１６との積層構造で、発光素子１１１５が形成されている。
【０１９２】
また、図１１（Ｂ）に示す断面図では発光素子１１１５を１つのみ図示しているが、画素部１１０２において、複数の発光素子がマトリクス状に配置されているものとする。画素部１１０２には、３種類（Ｒ、Ｇ、Ｂ）の発光が得られる発光素子をそれぞれ選択的に形成し、フルカラー表示可能な発光装置を形成することができる。また、カラーフィルタと組み合わせることによってフルカラー表示可能な発光装置としてもよい。
【０１９３】
さらにシール材１１０５で封止基板１１０４を素子基板１１１０と貼り合わせることにより、素子基板１１１０、封止基板１１０４、およびシール材１１０５で囲まれた空間１１０７に発光素子１１１５が備えられた構造になっている。なお、空間１１０７には、不活性気体（窒素やアルゴン等）が充填される場合の他、シール材１１０５で充填される構成も含むものとする。
【０１９４】
なお、シール材１１０５にはエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、これらの材料はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、封止基板１１０４に用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ  Ｐｌａｓｔｉｃｓ）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。
【０１９５】
以上のようにして、発光装置を得ることができる。アクティブマトリクス型の発光装置は、ＴＦＴを作製するため、１枚あたりの製造コストが高くなりやすいが、上述した方法を適用することで、発光素子を形成する際の材料のロスを大幅に低減させることが可能である。よって、製造コストの低減を図ることができる。
【０１９６】
また、上述した方法を適用することで、発光素子を構成するＥＬ層を容易に形成することができると共に、発光素子を有する発光装置を容易に作製することができる。また、平坦でムラのない膜の成膜や微細なパターン形成が可能となるため、高精細な発光装置を得ることができる。さらに、レーザ光を用いた成膜の際に選択的に所望の位置にレーザを照射することができるので、材料の利用効率を高めることができ、発光装置の製造コストを低減させることができる。
【０１９７】
なお、本実施の形態５に示す構成は、実施の形態１〜実施の形態４に示した構成を適宜組み合わせて用いることができる。
【０１９８】
（実施の形態６）
本実施の形態では、発光装置を用いて完成させた様々な電子機器について、図１２を用いて説明する。
【０１９９】
発光装置を適用した電子機器として、テレビジョン、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ（ヘッドマウントディスプレイ）、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオ、オーディオコンポ等）、ノート型コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはデジタルビデオディスク（ＤＶＤ）等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうる表示装置を備えた装置）、照明器具などが挙げられる。これらの電子機器の具体例を図１２に示す。
【０２００】
図１２（Ａ）は表示装置であり、筐体８００１、支持台８００２、表示部８００３、スピーカー部８００４、ビデオ入力端子８００５等を含む。発光装置をその表示部８００３に用いることにより作製される。なお、表示装置は、パーソナルコンピュータ用、ＴＶ放送受信用、広告表示用などの全ての情報表示用装置が含まれる。これらは、主に発光装置の成膜工程における材料の利用効率向上、および製造効率向上を図ることができるので、表示装置の製造における製造コストの低減、および生産性の向上を図ることができ、安価な表示装置を提供することができる。
【０２０１】
図１２（Ｂ）はコンピュータであり、本体８１０１、筐体８１０２、表示部８１０３、キーボード８１０４、外部接続ポート８１０５、マウス８１０６等を含む。なお、コンピュータは、発光装置をその表示部８１０３に用いることにより作製される。これらは、主に発光装置の成膜工程における材料の利用効率向上、および製造効率向上を図ることができるので、コンピュータの製造における製造コストの低減、および生産性の向上を図ることができ、安価なコンピュータを提供することができる。
【０２０２】
図１２（Ｃ）はビデオカメラであり、本体８２０１、表示部８２０２、筐体８２０３、外部接続ポート８２０４、リモコン受信部８２０５、受像部８２０６、バッテリー８２０７、音声入力部８２０８、操作キー８２０９、接眼部８２１０等を含む。なお、ビデオカメラは、発光装置をその表示部８２０２に用いることにより作製される。これらは、主に発光装置の成膜工程における材料の利用効率向上、および製造効率向上を図ることができるので、ビデオカメラの製造における製造コストの低減、および生産性の向上を図ることができ、安価なビデオカメラを提供することができる。
【０２０３】
図１２（Ｄ）は卓上照明器具であり、照明部８３０１、傘８３０２、可変アーム８３０３、支柱８３０４、台８３０５、電源８３０６を含む。なお、卓上照明器具は、発光装置を照明部８３０１に用いることにより作製される。なお、照明器具には天井固定型の照明器具または壁掛け型の照明器具なども含まれる。これらは、主に発光装置の成膜工程における材料の利用効率向上、および製造効率向上を図ることができるので、卓上照明器具の製造における製造コストの低減、および生産性の向上を図ることができ、安価な卓上照明器具を提供することができる。
【０２０４】
ここで、図１２（Ｅ）は携帯電話であり、本体８４０１、筐体８４０２、表示部８４０３、音声入力部８４０４、音声出力部８４０５、操作キー８４０６、外部接続ポート８４０７、アンテナ８４０８等を含む。なお、携帯電話は、発光装置をその表示部８４０３に用いることにより作製される。これらは、主に発光装置の成膜工程における材料の利用効率向上、および製造効率向上を図ることができるので、携帯電話の製造における製造コストの低減、および生産性の向上を図ることができ、安価な携帯電話を提供することができる。
【０２０５】
また、図１３も携帯電話であり、図１３（Ａ）が正面図、図１３（Ｂ）が背面図、図１３（Ｃ）が展開図である。本体１３０１は、電話と携帯情報端末の双方の機能を備えており、コンピュータを内蔵し、音声通話以外にも様々なデータ処理が可能な所謂スマートフォンである。
【０２０６】
本体１３０１は、筐体１３０２及び筐体１３０３の二つの筐体で構成されている。筐体１３０２には、表示部１３０４、スピーカー１３０５、マイクロフォン１３０６、操作キー１３０７、ポインティングデバイス１３０８、カメラ用レンズ１３０９、外部接続端子１３１０、イヤホン端子１３１１等を備え、筐体１３０３には、キーボード１３１２、外部メモリスロット１３１３、カメラ用レンズ１３１４、ライト１３１５等を備えている。また、アンテナは筐体１３０２内部に内蔵されている。
【０２０７】
また、上記構成に加えて、非接触ＩＣチップ、小型記録装置等を内蔵していてもよい。
【０２０８】
表示部１３０４には、上記実施の形態に示される発光装置を組み込むことが可能であり、使用形態に応じて表示の方向が適宜変化する。表示部１３０４と同一面上にカメラ用レンズ１３１４を備えているため、テレビ電話が可能である。また、表示部１３０４をファインダーとし、カメラ用レンズ１３１４及びライト１３１５で静止画及び動画の撮影が可能である。スピーカー１３０５、及びマイクロフォン１３０６は音声通話に限らず、テレビ電話、録音、再生等が可能である。
【０２０９】
操作キー１３０７では、電話の発着信、電子メール等の簡単な情報入力、画面のスクロール、カーソル移動等が可能である。更に、重なり合った筐体１３０２と筐体１３０３（図１３（Ａ））は、スライドし、図１３（Ｃ）のように展開し、携帯情報端末として使用できる。この場合、キーボード１３１２、ポインティングデバイス１３０８を用い円滑な操作が可能である。外部接続端子１３１０はＡＣアダプタ及びＵＳＢケーブル等の各種ケーブルと接続可能であり、充電及びパーソナルコンピュータ等とのデータ通信が可能である。また、外部メモリスロット１３１３に記録媒体を挿入しより大量のデータ保存及び移動に対応できる。
【０２１０】
また、上記機能に加えて、赤外線通信機能、テレビ受信機能等を備えたものであってもよい。
【０２１１】
なお、上述した携帯電話は、発光装置をその表示部１３０４に用いることにより作製される。これらは、主に発光装置の成膜工程における材料の利用効率向上、および製造効率向上を図ることができるので、携帯電話の製造における製造コストの低減、および生産性の向上を図ることができ、安価な携帯電話を提供することができる。
【０２１２】
以上のようにして、発光装置を適用して電子機器や照明器具を得ることができる。発光装置の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。
【０２１３】
なお、本実施の形態６に示す構成は、実施の形態１〜実施の形態５に示した構成を適宜組み合わせて用いることができる。
【実施例１】
【０２１４】
本実施例では、成膜用基板の光吸収層に用いる金属窒化物の反射率について測定した結果を示す。
【０２１５】
なお、反射率の測定の際には、ガラス基板上に金属窒化物（窒化チタン、窒化タンタル、窒化タングステン）を２００ｎｍの膜厚で形成したものを用い、３００ｎｍから８００ｎｍの波長の光に対する反射率の測定を行った。測定結果を図１４に示す。
【０２１６】
図１４からは、金属窒化物が、４００ｎｍから６００ｎｍの波長の光に対して、およそ５５％以下の低い反射率を示すことが分かる。従って、金属窒化物により形成された光吸収層を有する成膜用基板を用いて、４００ｎｍ以上６００ｎｍ以下の波長の光を用いて成膜を行う場合には、金属窒化物以外の物質で光吸収層を形成する場合に比べて、光吸収層における光の吸収率を高めることができるので、成膜の際の効率を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【０２１７】
【図１】成膜用基板及び成膜方法を説明する図。
【図２】成膜用基板及び成膜方法を説明する図。
【図３】成膜用基板及び成膜方法を説明する図。
【図４】成膜方法について説明する図。
【図５】成膜方法について説明する図。
【図６】屈折率のデータを示す図。
【図７】成膜装置について説明する図。
【図８】発光素子について説明する図。
【図９】パッシブマトリクス型の発光装置を示す図。
【図１０】パッシブマトリクス型の発光装置を示す図。
【図１１】アクティブマトリクス型の発光装置を示す図。
【図１２】電子機器を示す図。
【図１３】電子機器を示す図。
【図１４】実施例１について説明する図。
【符号の説明】
【０２１８】
１０１    第１の基板
１０２    第１の機能膜
１０３    反射層
１０４    断熱層
１０５    第２の機能膜
１０６    光吸収層
１０７    材料層
１０８    開口部
１０９    第２の基板
１１０    第１の電極
１１１    絶縁物
１１２    光
１１３    ＥＬ層
１１３    光吸収層
２０１    第１の基板
２０２    第１の機能膜
２０３    反射層
２０４    断熱層
２０５    第２の機能膜
２０６    光吸収層
２０７    材料層
２０８    開口部
２０９    第２の基板
２１０    第１の電極
２１１    絶縁物
２１２    光
２１３    ＥＬ層
３０１    第１の基板
３０２    第１の機能膜
３０３    反射層
３０４    断熱層
３０６    光吸収層
３０７    材料層
３０８    開口部
４０１    反射層
４０２    開口部
４１１    ＥＬ層（Ｒ）
４１２    ＥＬ層（Ｇ）
４１３    ＥＬ層（Ｂ）
４１４    絶縁物
５０１    反射層
５０２    開口部
５１１    ＥＬ層（Ｒ）
５１２    ＥＬ層（Ｇ）
５１３    ＥＬ層（Ｂ）
７００    被成膜基板
７０１    成膜用基板
７０３    レーザ発振装置
７０４    第１の光学系
７０５    第２の光学系
７０６    第３の光学系
７０７    反射ミラー
７０８    撮像素子
７０９    基板ステージ
７１０    第１の層
７１１    第２の層
７１２    第３の層
７１３    第４の層
７１４    開口部
７１５    材料層
７１６    制御装置
８０１    基板
８０２    第１の電極
８０３    ＥＬ層
８０４    第２の電極
８１１    正孔注入層
８１２    正孔輸送層
８１３    発光層
８１４    電子輸送層
８１５    電子注入層
９０１    基板
９０４    絶縁層
９１３    第１の電極
９１４    隔壁
９１５    ＥＬ層
９１６    第２の電極
９２１    発光領域
９２２    隔壁
１００１    基板
１００２    データ線
１００３    走査線
１００４    隔壁
１００５    領域
１００６    入力端子
１００７    入力端子
１００８    接続配線
１１００    ＥＬ層
１１０１    駆動回路部（ソース側駆動回路）
１１０２    画素部
１１０３    駆動回路部（ゲート側駆動回路）
１１０４    封止基板
１１０５    シール材
１１０７    空間
１１０８    配線
１１０９    ＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）
１１１０    素子基板
１１１１    スイッチング用ＴＦＴ
１１１２    電流制御用ＴＦＴ
１１１３    第１の電極
１１１４    絶縁物
１１１５    発光素子
１１１６    第２の電極
１１２３    ｎチャネル型ＴＦＴ
１１２４    ｐチャネル型ＴＦＴ
１３０１    本体
１３０２    筐体
１３０３    筐体
１３０４    表示部
１３０５    スピーカー
１３０６    マイクロフォン
１３０７    操作キー
１３０８    ポインティングデバイス
１３０９    カメラ用レンズ
１３１０    外部接続端子
１３１１    イヤホン端子
１３１２    キーボード
１３１３    外部メモリスロット
１３１４    カメラ用レンズ
１３１５    ライト
８００１    筐体
８００２    支持台
８００３    表示部
８００４    スピーカー部
８００５    ビデオ入力端子
８１０１    本体
８１０２    筐体
８１０３    表示部
８１０４    キーボード
８１０５    外部接続ポート
８１０６    マウス
８２０１    本体
８２０２    表示部
８２０３    筐体
８２０４    外部接続ポート
８２０５    リモコン受信部
８２０６    受像部
８２０７    バッテリー
８２０８    音声入力部
８２０９    操作キー
８２１０    接眼部
８３０１    照明部
８３０２    傘
８３０３    可変アーム
８３０４    支柱
８３０５    台
８３０６    電源
８４０１    本体
８４０２    筐体
８４０３    表示部
８４０４    音声入力部
８４０５    音声出力部
８４０６    操作キー
８４０７    外部接続ポート
８４０８    アンテナ
【図１】
0005112281.tif 000002
【図２】
0005112281.tif 000003
【図３】
0005112281.tif 000004
【図４】
0005112281.tif 000005
【図５】
0005112281.tif 000006
【図６】
0005112281.tif 000007
【図７】
0005112281.tif 000008
【図８】
0005112281.tif 000009
【図９】
0005112281.tif 000010
【図１０】
0005112281.tif 000011
【図１１】
0005112281.tif 000012
【図１２】
0005112281.tif 000013
【図１３】
0005112281.tif 000014
【図１４】
0005112281.tif 000015