(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
側壁に取り囲まれて、内部で基板を処理するための処理チャンバと、
前記処理チャンバの内部で基板を保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段の周囲を取り囲む筒状のカップと、
前記処理チャンバの上方部に配置された給気部および前記処理チャンバの下方部に配置された排気部を有し、前記処理チャンバ内で渦状の気流が形成されるように、前記給気部から、前記処理チャンバの内部に向けて気体を供給するとともに、前記排気部から、前記処理チャンバの内部の雰囲気を排気する給排気手段とを含み、
前記給気部が、横方向に向けて気体を供給する横方向給気口を含み、
前記排気部が、前記処理チャンバ内の雰囲気を、横方向から吸い込んで排気する横方向排気口を含む、基板処理装置。
【請求項２】
側壁に取り囲まれて、内部で基板を処理するための処理チャンバと、
前記処理チャンバの内部で基板を保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段の周囲を取り囲む筒状のカップと、
前記処理チャンバの上方部に配置された給気部および前記処理チャンバの下方部に配置された排気部を有し、前記処理チャンバ内で渦状の気流が形成されるように、前記給気部から、前記処理チャンバの内部に向けて気体を供給するとともに、前記排気部から、前記処理チャンバの内部の雰囲気を排気する給排気手段とを含み、
前記給気部が、前記内壁に沿う方向に向けて気体を供給する内壁方向給気口を含み、
前記排気部が、前記処理チャンバ内の雰囲気を、前記内壁に沿う方向から吸い込んで排気する内壁方向排気口を含む、基板処理装置。
【請求項３】
前記内壁が、前記給気口から、前記処理チャンバの内部に供給された気体を案内して、前記渦状の気流が形成されるように整流する整流壁を含む、請求項１または２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
側壁に取り囲まれて、内部で基板を処理するための処理チャンバと、
前記処理チャンバの内部で基板を保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段の周囲を取り囲む筒状のカップと、
前記処理チャンバの上方部に配置された給気部および前記処理チャンバの下方部に配置された排気部を有し、前記処理チャンバ内で渦状の気流が形成されるように、前記給気部から、前記処理チャンバの内部に向けて気体を供給するとともに、前記排気部から、前記処理チャンバの内部の雰囲気を排気する給排気手段とを含み、
前記内壁が、前記給気口から、前記処理チャンバの内部に供給された気体を案内して、前記渦状の気流が形成されるように整流する整流壁を含む、基板処理装置。
【請求項５】
前記整流壁が、外方に凹む水平断面を有する凹湾曲面を含む、請求項４記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記凹湾曲面が、所定の鉛直軸線を中心とする円筒面である、請求項５記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記凹湾曲面が、所定の鉛直軸線を中心とするコーン状面である、請求項５記載の基板処理装置。
【請求項８】
側壁に取り囲まれて、内部で基板を処理するための処理チャンバと、
前記処理チャンバの内部で基板を保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段の周囲を取り囲む筒状のカップと、
前記処理チャンバの上方部に配置された給気部および前記処理チャンバの下方部に配置された排気部を有し、前記処理チャンバ内で渦状の気流が形成されるように、前記給気部から、前記処理チャンバの内部に向けて気体を供給するとともに、前記排気部から、前記処理チャンバの内部の雰囲気を排気する給排気手段とを含み、
前記給気部が、平面視で前記カップを挟む位置に、一対設けられている、基板処理装置。
【請求項９】
前記基板保持手段に保持された基板に上方から対向する対向部材をさらに含む、請求項１〜８のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記基板保持手段が、基板を水平姿勢で保持するものであり、
前記対向部材が、前記基板保持手段に保持された基板の上面に対向する水平面からなる基板対向面を有した板状の部材である、請求項９記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記基板保持手段に保持された基板と前記基板対向面との間に、不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段をさらに含む、請求項１０記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板などの基板に対して処理を施す基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置や液晶表示装置の製造工程では、半導体ウエハや液晶表示パネル用ガラス基板などの基板に対して処理液や処理ガスを用いた処理が行われる。たとえば、基板を１枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置では、処理チャンバ内に、筒状のカップと、カップ内に配置され基板を水平に保持して回転させるスピンチャックと、このスピンチャックに保持された基板の表面に処理液を供給する処理液ノズルとが収容されている。
【０００３】
基板に対する処理液処理時には、基板およびスピンチャックの回転によって、スピンチャック周辺に上昇気流が生じるおそれがある。処理液処理時に、その上昇気流によって処理液のミストが舞い上がり、処理液のミストが処理チャンバ内に拡散すると、処理チャンバの内壁や処理チャンバ内の部材が処理液のミストによって汚染される。これが処理室内で乾燥すると、パーティクルとなって雰囲気中に浮遊し、以後に処理される基板を汚染するおそれがある。そこで、処理チャンバの天面の中央部にＦＦＵ（ファンフィルタユニット）を設け、このＦＦＵの給気口から、下方に向けてクリーンエアを供給するとともに、カップ底面に形成された排気口からの排気を行い、カップ内に下降気流を形成している。それとともに、カップ外の処理チャンバ内空間での処理液ミスト等の舞い上がりを抑制するために、処理チャンバの底面に形成された排気口から処理チャンバ内雰囲気を排気することにより、排気口へと向かう下降気流を形成して、処理チャンバ内の雰囲気の置換を促進する構成が採用される。
【０００４】
処理チャンバ内には、たとえば、スピンチャックに保持される基板の表面（上面）に対向して、その基板の表面上の空間をその周囲から遮断するための遮断板が収容されている。遮断板は円板状に形成されており、スピンチャックの上方に配置されている。
【特許文献１】特開２００６−２０２９８３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが、ＦＦＵの給気口が遮断板の上方に形成されていると、遮断板がクリーンエアの流れを阻害して、処理チャンバ内の気流に乱れが生じ、たとえば、処理チャンバ内で雰囲気の対流が生じる。しかも、スピンチャックの回転中には、前述の上昇気流のために、処理チャンバ内の気流が乱される傾向にある。これらが主要因となって、カップ外の処理チャンバ内空間における安定した下降気流の形成は、必ずしも容易ではない。
【０００６】
処理チャンバ内の気流を安定化して、その内部雰囲気の置換を促進するためには、処理チャンバの底部の排気口からの排気に大きな排気能力が必要とされる。しかし、基板処理装置が設置される工場において準備可能な排気用力による制限のために、気流安定化のために必要な排気能力の確保が困難な場合もある。
そこで、この発明の目的は、排気口からの排気に大きな排気能力を必要とせずに、処理チャンバ内の雰囲気を良好に置換させることができる基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
請求項１記載の発明は、側壁（２，７２，８２）に取り囲まれて、内部で基板（Ｗ）を処理するための処理チャンバ（３，７１，８１）と、前記処理チャンバの内部で基板を保持する基板保持手段（４）と、前記基板保持手段の周囲を取り囲む筒状のカップ（５）と、前記処理チャンバの上方部に配置された給気部（４１，４２）および前記処理チャンバの下方部に配置された排気部（５１，５２）を有し、前記処理チャンバ内で渦状の気流が形成されるように、前記給気部から、前記処理チャンバの内部に向けて気体を供給するとともに、前記排気部から、前記処理チャンバの内部の雰囲気を排気する給排気手段（４１，４２，５１，５２）とを含み、前記給気部が、横方向（鉛直方向に交差する方向）に向けて気体を供給する横方向給気口（４３，４４）を含み、前記排気部が、前記処理チャンバ内の雰囲気を、横方向から吸い込んで排気する横方向排気口（５３，５４）を含む、基板処理装置（１，７０，８０）である 。
【０００８】
なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。
この構成によれば、処理チャンバ内に、渦状の気流が形成される。この渦状の気流は、カップ近くの領域では、カップのまわりを周回しつつ下降する。この渦状の気流が、処理チャンバ内において下降気流を阻害する部材とほとんど干渉しないので、部材との干渉に起因する乱気流（対流）がほとんど発生しない。そのため、たとえば、基板が回転している状況であっても、安定な渦状の下降気流を形成できる。これにより、大きな排気能力を必要とせずに、処理チャンバ内の雰囲気を良好に置換することができる。
【０００９】
また、処理チャンバの上方部に配置された横方向給気口から横方向に向けて気体が供給される。また、処理チャンバの下方部に配置された横方向排気口に向けて、横方向から気体が吸い込まれる。これにより、いわばプッシュ・プル型の換気を行うことができる。そして、給気の方向と排気の方向とが、いずれも渦流の形成を促進する方向であるので、処理チャンバ内を周回しながら下降する渦状の気流を効率的に形成することができる。
【００１０】
なお、横方向とは、水平方向だけでなく、水平方向に対して所定の角度（０°〜４０°）傾斜した傾斜方向をも含む趣旨である。
請求項２記載の発明は、側壁（２，７２，８２）に取り囲まれて、内部で基板（Ｗ）を処理するための処理チャンバ（３，７１，８１）と、前記処理チャンバの内部で基板を保持する基板保持手段（４）と、前記基板保持手段の周囲を取り囲む筒状のカップ（５）と、前記処理チャンバの上方部に配置された給気部（４１，４２）および前記処理チャンバの下方部に配置された排気部（５１，５２）を有し、前記処理チャンバ内で渦状の気流が形成されるように、前記給気部から、前記処理チャンバの内部に向けて気体を供給するとともに、前記排気部から、前記処理チャンバの内部の雰囲気を排気する給排気手段（４１，４２，５１，５２）とを含み、前記給気部が、前記内壁に沿う方向に向けて気体を供給する内壁方向給気口（４３，４４）を含み、前記排気部が、前記処理チャンバ内の雰囲気を、前記内壁に沿う方向から吸い込んで排気する内壁方向排気口（５３，５４）を含む、基板処理装置である。
【００１１】
この構成によれば、処理チャンバ内に、渦状の気流が形成される。この渦状の気流は、カップ近くの領域では、カップのまわりを周回しつつ下降する。この渦状の気流が、処理チャンバ内において下降気流を阻害する部材とほとんど干渉しないので、部材との干渉に起因する乱気流（対流）がほとんど発生しない。そのため、たとえば、基板が回転している状況であっても、安定な渦状の下降気流を形成できる。これにより、大きな排気能力を必要とせずに、処理チャンバ内の雰囲気を良好に置換することができる。
また、処理チャンバの上方部に配置された内壁方向給気口から内壁に沿って気体が供給される。また、処理チャンバの下方部に配置された内壁方向排気口に、内壁に沿う方向から気体が吸い込まれる。これにより、処理チャンバ内を周回しながら下降する渦状の気流の形成を促進することができる。
請求項３記載の発明は、前記内壁が、前記給気口から、前記処理チャンバの内部に供給された気体を案内して、前記渦状の気流が形成されるように整流する整流壁（６６，６７，６８，６９，７２Ａ，８２Ａ）を含む、請求項１または２に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、給気口から供給された気体が、整流壁により案内されて処理チャンバ内を周回するように整流される。このため、処理チャンバ内を周回する渦状の気流の形成を促進できる。
請求項４記載の発明は、側壁（２，７２，８２）に取り囲まれて、内部で基板（Ｗ）を処理するための処理チャンバ（３，７１，８１）と、前記処理チャンバの内部で基板を保持する基板保持手段（４）と、前記基板保持手段の周囲を取り囲む筒状のカップ（５）と、前記処理チャンバの上方部に配置された給気部（４１，４２）および前記処理チャンバの下方部に配置された排気部（５１，５２）を有し、前記処理チャンバ内で渦状の気流が形成されるように、前記給気部から、前記処理チャンバの内部に向けて気体を供給するとともに、前記排気部から、前記処理チャンバの内部の雰囲気を排気する給排気手段（４１，４２，５１，５２）とを含み、前記内壁が、前記給気口から、前記処理チャンバの内部に供給された気体を案内して、前記渦状の気流が形成されるように整流する整流壁（６６，６７，６８，６９，７２Ａ，８２Ａ）を含む、基板処理装置である。
この構成によれば、処理チャンバ内に、渦状の気流が形成される。この渦状の気流は、カップ近くの領域では、カップのまわりを周回しつつ下降する。この渦状の気流が、処理チャンバ内において下降気流を阻害する部材とほとんど干渉しないので、部材との干渉に起因する乱気流（対流）がほとんど発生しない。そのため、たとえば、基板が回転している状況であっても、安定な渦状の下降気流を形成できる。これにより、大きな排気能力を必要とせずに、処理チャンバ内の雰囲気を良好に置換することができる。
【００１２】
また、給気口から供給された気体が、整流壁により案内されて処理チャンバ内を周回するように整流される。このため、処理チャンバ内を周回する渦状の気流の形成を促進できる。
請求項５記載の発明は、前記整流壁が、外方に凹む水平断面を有する凹湾曲面（６６，６７，６８，６９，７２Ａ，８２Ａ）を含む、請求項４記載の基板処理装置である。
【００１３】
この構成によれば、前記給気口から供給された気体が、凹湾曲面により案内されて、この凹湾曲面に沿って湾曲状に整流される。これにより、処理チャンバ内を周回する渦状の気流が形成され易くなる。
請求項６記載の発明は、前記凹湾曲面が、所定の鉛直軸線を中心とする円筒面（７２Ａ）である、請求項５記載の基板処理装置である。
【００１４】
この構成によれば、給気口から供給された気体が、円筒面により案内されて、円弧状軌道に沿うように整流される。これにより、処理チャンバ内に、渦状の気流がより一層形成され易くなる。
請求項７記載の発明は、前記凹湾曲面が、所定の鉛直軸線を中心とするコーン状面（８２Ａ）である、請求項５記載の基板処理装置である。
【００１５】
この構成によれば、給気口から供給された気体が、コーン状面により案内されて、円弧状軌道に沿うように整流される。これにより、処理チャンバ内に、渦状の気流がより一層形成され易くなる。コーン状面は、所定の鉛直軸線から凹湾曲面までの水平距離が、下方に向かうに従って狭まるものであってもよい。この場合、処理チャンバの上方部だけでなく、処理チャンバの下方部においても、比較的強い気流を形成することができる。これにより、処理チャンバの全域で、渦状下降気流を安定化することができる。
【００１６】
請求項８記載の発明は、側壁（２，７２，８２）に取り囲まれて、内部で基板（Ｗ）を処理するための処理チャンバ（３，７１，８１）と、前記処理チャンバの内部で基板を保持する基板保持手段（４）と、前記基板保持手段の周囲を取り囲む筒状のカップ（５）と、前記処理チャンバの上方部に配置された給気部（４１，４２）および前記処理チャンバの下方部に配置された排気部（５１，５２）を有し、前記処理チャンバ内で渦状の気流が形成されるように、前記給気部から、前記処理チャンバの内部に向けて気体を供給するとともに、前記排気部から、前記処理チャンバの内部の雰囲気を排気する給排気手段（４１，４２，５１，５２）とを含み、前記給気部が、平面視で前記カップを挟む位置に、一対設けられている、基板処理装置である。
この構成によれば、処理チャンバ内に、渦状の気流が形成される。この渦状の気流は、カップ近くの領域では、カップのまわりを周回しつつ下降する。この渦状の気流が、処理チャンバ内において下降気流を阻害する部材とほとんど干渉しないので、部材との干渉に起因する乱気流（対流）がほとんど発生しない。そのため、たとえば、基板が回転している状況であっても、安定な渦状の下降気流を形成できる。これにより、大きな排気能力を必要とせずに、処理チャンバ内の雰囲気を良好に置換することができる。
また、前記給気部が、前記カップを挟む位置に一対設けられている。一対の給気部によって気体が供給されるので、渦状気流に対して効率的にモーメントを与えることができる。その結果、処理チャンバ内に、より強い渦状気流を形成することができる。
【００１７】
請求項９記載の発明は、前記基板保持手段に保持された基板に上方から対向する対向部材（２０）をさらに含む、請求項１〜８のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、給気口から処理チャンバ内に供給された気体は、渦状の下降気流を形成するので、基板保持手段の上方に配置される対向部材とはほとんど干渉しない。したがって、処理チャンバ内に形成される気流には、対向部材との干渉に起因する乱気流（対流）がほとんど発生しないから、処理チャンバ内の渦状下降気流は安定しており、処理チャンバ内の雰囲気を効率よく置換することができる。
【００１８】
請求項１０記載の発明は、前記基板保持手段が、基板を水平姿勢で保持するものであり、前記対向部材が、前記基板保持手段に保持された基板の上面に対向配置する水平面からなる基板対向面（２１）を有した板状の部材である、請求項９記載の基板処理装置である。
この構成によれば、処理チャンバ内に形成される渦状の気流は、水平面からなる基板対向面に沿って流れるので、対向部材とほとんど干渉しない。したがって、処理チャンバ内に、対向部材の干渉に起因する乱気流（対流）が生じることを抑制できるので、処理チャンバ内には安定した渦状下降気流が形成される。
【００１９】
請求項１１記載の発明は、前記基板保持手段に保持された基板と前記基板対向面との間に、不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段（２４，２５，２７）をさらに含む、請求項１０記載の基板処理装置である。
この構成によれば、基板保持手段に保持された基板の表面と基板対向面との間に、気体が供給される。
【００２０】
基板保持手段を取り囲むカップのまわりに渦状の気流が形成されるので、基板の表面と基板対向面との間の空間が、基板の側方領域と比較して負圧になるおそれがある。この場合、その基板の側方領域の雰囲気が、基板の表面と基板対向面との間の空間に流入するおそれがある。
そこで、基板の表面と基板対向面との間に不活性ガスを供給する。これにより、基板の表面と基板対向面との間の空間が、基板の側方領域と比較して負圧になることを防止することができる。このため、処理チャンバ内の気流をより一層安定化することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下では、本発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置１の構成を概念的に示す断面図である。
基板処理装置１は、クリーンルーム内に設置され、処理液を用いて、基板の一例である半導体ウエハＷ（以下、単に「ウエハＷ」という。）から汚染物質を除去するための洗浄処理を実行するための装置である。処理液としては、薬液やＤＩＷ（脱イオン化された水）を用いることができる。また、薬液が用いられる場合、この薬液として、ＳＣ１（アンモニア過酸化水素水混合液）、ＳＣ２（塩酸過酸化水素水混合液）、ＳＰＭ（sulfuric acid／hydrogen peroxide mixture：硫酸過酸化水素水混合液）、フッ酸、バファードフッ酸（Buffered  HF：フッ酸とフッ化アンモニウムとの混合液）、アンモニア水およびポリマ除去液などを例示することができる。
【００２２】
この基板処理装置１は、側壁２により区画されたほぼ直方体状の処理チャンバ３内に、ウエハＷをほぼ水平に保持するとともに、その中心を通るほぼ鉛直な回転軸線ＣまわりにウエハＷを回転させる基板回転手段としてのスピンチャック４と、このスピンチャック４を収容するカップ５と、スピンチャック４に保持されたウエハＷの表面（上面）に向けて、薬液を供給するための薬液ノズル６と、スピンチャック４に保持されたウエハＷの表面にＤＩＷを供給するためのＤＩＷノズル７とを備えている。
【００２３】
スピンチャック４は、モータ８と、このモータ８の回転駆動力によって鉛直軸線まわりに回転される円盤状のスピンベース９と、スピンベース９の周縁部の複数箇所にほぼ等間隔で設けられ、ウエハＷをほぼ水平な姿勢で挟持するための複数個の挟持部材１０とを備えている。これにより、スピンチャック４は、複数個の挟持部材１０によってウエハＷを挟持した状態で、モータ８の回転駆動力によってスピンベース９を回転させることにより、そのウエハＷを、ほぼ水平な姿勢を保った状態で、スピンベース９とともに回転軸線Ｃまわりに回転させることができる。スピンチャック４は、図２Ａおよび図２Ｂに示すように、平面視で、処理チャンバ３の中央部に配置されている。
【００２４】
なお、スピンチャック４としては、挟持式のものに限らず、たとえば、ウエハＷの裏面を真空吸着することにより、ウエハＷを水平な姿勢で保持し、さらにその状態で鉛直な回転軸線まわりに回転することにより、その保持したウエハＷを回転させることができる真空吸着式のもの（バキュームチャック）が採用されてもよい。
薬液ノズル６は、たとえば連続流の状態で薬液を吐出するストレートノズルであり、その吐出口を下方に向けた状態で、スピンチャック４の上方でほぼ水平に延びるアーム１１の先端に取り付けられている。このアーム１１の基端部は、カップ５の側方においてほぼ鉛直に延びたアーム支持軸１２の上端部に支持されている。アーム支持軸１２には、ノズル駆動機構１３が結合されており、このノズル駆動機構１３の駆動力によって、アーム支持軸１２を回動させて、スピンチャック４の上方でアーム１１を揺動させることができるようになっている。
【００２５】
薬液ノズル６には、薬液供給源からの薬液が供給される薬液供給管１４が接続されている。薬液供給管１４の途中部には、薬液ノズル６からの薬液の吐出／吐出停止を切り換えるための薬液バルブ１５が介装されている。
ＤＩＷノズル７は、たとえば、連続流の状態でＤＩＷを吐出するストレートノズルであり、スピンチャック４の上方で、その吐出口をウエハＷの回転中心付近に向けて固定的に配置されている。このＤＩＷノズル７には、ＤＩＷ供給源からのＤＩＷが供給されるＤＩＷ供給管１６が接続されている。ＤＩＷ供給管１６の途中部には、ＤＩＷノズル７からのＤＩＷの吐出／吐出停止を切り換えるためのＤＩＷバルブ１７が介装されている。
【００２６】
スピンチャック４の上方には、ウエハＷとほぼ同じ径を有する円板状の遮断板（対向部材）２０が設けられている。遮断板２０の下面には、スピンチャック４に保持されたウエハＷの表面（上面）と対向する水平面からなる基板対向面２１が形成されている。遮断板２０の上面には、スピンチャック４の回転軸線Ｃと共通の軸線に沿う回転軸２３が固定されている。この回転軸２３は中空に形成されていて、その内部には、ウエハＷの表面の中心部に向けて不活性ガスとしての窒素ガスを供給するための窒素ガス流通路（不活性ガス供給手段）２４が形成されている。窒素ガス流通路２４は、基板対向面２１に開口する窒素ガス吐出口（不活性ガス供給手段）２５を有している。この窒素ガス流通路２４には、窒素ガスバルブ（不活性ガス供給手段）２７を介して窒素ガスが供給されるようになっている。回転軸２３は、ほぼ水平に延びて設けられたアーム２８の先端付近に取り付けられている。
【００２７】
アーム２８には、遮断板２０を昇降させるための遮断板昇降駆動機構２９が結合されている。この遮断板昇降駆動機構２９により、遮断板２０を、スピンチャック４に保持されたウエハＷの表面に近接する近接位置（図１に二点鎖線で示す位置）と、スピンチャック４の上方に離間する離間位置（図１に実線で示す位置）との間で昇降させることができるようになっている。アーム２８には、また、遮断板２０をスピンチャック４によるウエハＷの回転にほぼ同期させて回転させるための遮断板回転駆動機構３０が結合されている。
【００２８】
カップ５は、ウエハＷの処理に用いられた後の薬液およびＤＩＷを処理するためのものであり、有底円筒容器状に形成されている。カップ５は、その底面から立ち上る円筒部３１と、円筒部３１の上端から、スピンチャック４によるウエハＷの回転軸線Ｃに向けて傾斜する傾斜部３２とを備えている。カップ５の上面には、円筒部３１の先端により区画されて、ウエハＷが通過するための開口３３が形成されている。円筒部３１と傾斜部３２とによって、スピンチャック４の周囲が包囲されて、ウエハＷの周縁から飛散した処理液を受けとめることができるようになっている。
【００２９】
図２Ａは、図１の切断面線Ｃ−Ｃから見た概念的な断面図である。図２Ｂは、図１の切断面線Ｄ−Ｄから見た概念的な断面図である。
処理チャンバ３の側壁２は、カップ５の外壁を包囲するそれぞれ平面状の第１内側面６１、第２内側面６２、第３内側面６３および平面状の第４内側面６４を備えている。第１〜第４内側面６１，６２，６３，６４は、平面視で正方形状となるように組み合わされている。互いに隣り合う第１内側面６１と第２内側面６２との間には、処理カップ５の外壁に対向して、外方に凹む水平断面を有する第１凹湾曲面６６が形成されている。互いに隣り合う第２内側面６２と第３内側面６３との間には、処理カップ５の外壁に対向して、外方に凹む水平断面を有する第２凹湾曲面６７が形成されている。互いに隣り合う第３内側面６３と第４内側面６４との間には、処理カップ５の外壁に対向して、外方に凹む水平断面を有する第３凹湾曲面６８が形成されている。互いに隣り合う第４内側面６４と第１内側面６１との間には、処理カップ５の外壁に対向して、外方に凹む水平断面を有する第４凹湾曲面６９が形成されている。
【００３０】
第１〜第４凹湾曲面６６〜６９は、たとえば、水平断面がそれぞれ円弧形状（図２Ａ，図２Ｂの例では４分の１円弧形状）を有している。この円弧形状の曲率半径は、高さ方向に関して一様であってもよく、この場合には、第１および第４凹湾曲面６６〜６９は円筒面（部分円筒面）をなすことになる。また、前記円弧形状の曲率半径は、下側ほど小さくなっていてもよく、この場合には、第１および第４凹湾曲面６６〜６９は倒立円錐面（部分円錐面）をなすことになる。各凹湾曲面６６〜６９は、図２Ａおよび図２Ｂで示す回転軸線Ｃよりも外側にある鉛直軸を中心軸とする部分円筒面または部分円錐面をなすように形成されていてもよい。また、第１および第４凹湾曲面６６〜６９が、たとえば、回転軸線Ｃを共通の中心軸とする部分円筒面または部分円錐面をなすように形成されていてもよい。
【００３１】
以下、図１、図２Ａおよび図２Ｂを参照しつつ説明する。
処理チャンバ３の天面付近の側壁２には、処理チャンバ３内にクリーンエアを供給するための給気部としての一対の給気ユニット４１，４２（図１では給気ユニット４１のみ図示）が配置されている。具体的に説明すると、給気ユニット４１は、処理チャンバ３の内部空間に臨む給気口（横方向給気口、内壁方向給気口）４３を有している。給気ユニット４２は、処理チャンバ３の内部空間に臨む給気口（横方向給気口、内壁方向給気口）４４を有している。一対の給気ユニット４１，４２は、同一の構造、形状、大きさに形成されている。給気ユニット４１，４２には、その内部に、給気口４３に連通する給気路４７が形成されている。この給気路４７は、それぞれ水平の上面板４５および下面板４６によって、その上下が区画されている。給気ユニット４１，４２は、クリーンルーム内のクリーンエアをフィルタによってさらに清浄化して給気するファンフィルタユニット（図示せず）から清浄空気（クリーンエア）の供給を受け、そのクリーンエアを、給気路４７を介して、給気口４３，４４から処理チャンバ３内に供給する構成になっている。そのため、給気口４３，４４からは、水平方向に向けてクリーンエアが供給される。
【００３２】
給気ユニット４１は、第３内側面６３と第４内側面６４とによって形成される隅部に配置されている。また、給気ユニット４２は、第１内側面６１と第２内側面６２とによって形成される隅部に配置されている。つまり、給気ユニット４２は、スピンチャック４によるウエハＷの回転軸線Ｃに対して、給気ユニット４１の反対側に配置されている。言い換えれば、一対の給気ユニット４１，４２は、処理チャンバ３内で、平面視で対角位置に配置されている。給気ユニット４１は、平面視で、カップ５の外壁よりも外側に位置している。また、給気ユニット４２も、平面視で、カップ５の外壁よりも外側に位置している。
【００３３】
給気ユニット４１の給気口４３からは、第４凹湾曲面６９に向けて、水平方向に沿ってクリーンエアが供給される。給気ユニット４１の給気口４３からのクリーンエアは、平面視でカップ５の外壁の外側の領域を、第４内側面６４に沿って流れる。そして、第４凹湾曲面６９に達したクリーンエアは、この第４凹湾曲面６９により案内されて、平面視でカップ５の外壁の外側の領域を、第１凹湾曲面６６に向けて第１内側面６１に沿って流れるようになる。そして、この第１凹湾曲面６６に向けて流れるクリーンエアが第１凹湾曲面６６に達すると、この第１凹湾曲面６６により案内されて、平面視でカップ５の外壁の外側の領域を、第２凹湾曲面６７に向けて第２内側面６２に沿って流れるようになる。
【００３４】
給気ユニット４２の給気口４４からは、第２凹湾曲面６７に向けて、水平方向に沿ってクリーンエアが供給される。給気ユニット４２の給気口４４からのクリーンエアは、平面視でカップ５の外壁の外側の領域を、第２内側面６２に沿って流れる。そして、第２凹湾曲面６７に達したクリーンエアは、この第２凹湾曲面６７により案内されて、平面視でカップ５の外壁の外側の領域を、第３凹湾曲面６８に向けて第３内側面６３に沿って流れる。そして、この第３凹湾曲面６８に向けて流れるクリーンエアが第３凹湾曲面６８に達すると、この第３凹湾曲面６８により案内されて、平面視でカップ５の外壁の外側の領域を、第４凹湾曲面６９に向けて第４内側面６４に沿って流れるようになる。
【００３５】
処理チャンバ３の底部には、処理チャンバ３内の雰囲気を吸い込んで排気するための排気部としての一対の排気ユニット５１，５２（図１では排気ユニット５１のみ図示）が配置されている。具体的に説明すると、排気ユニット５１は、処理チャンバ３の内部空間に臨む排気口（横方向排気口、内壁方向排気口）５３を有している。排気ユニット５２は、処理チャンバ３の内部空間に臨む排気口（横方向排気口、内壁方向排気口）５４を有している。一対の排気ユニット５１，５２は、同一の構造、形状、大きさに形成されている。排気ユニット５１，５２は、図示しない排気配管を介して、排気ユニット５１，５２内を強制的に排気する図示しない排気処理設備（たとえば、基板処理装置１が設置される工場の排気処理設備）に接続されており、排気口５３，５４から排気ユニット５１，５２内に吸い込まれた雰囲気は、排気配管を通して排気処理設備に導かれる構成になっている。
【００３６】
図３Ａは、図１の矢印Ｅから見た図である。図３Ｂは、図３Ａの切断面線Ｆ−Ｆから見た概念的な断面図である。各排気ユニット５１，５２の構成を、排気ユニット５１の構成を例に挙げて説明する。
排気ユニット５１には、その内部に、排気口５３に連通する排気路５７が形成されている。この排気路５７は、水平面に対して所定角度（たとえば２０〜４０°）傾斜した上面５５および下面５６によってその上下が区画されている。上面５５および下面５６は、回転軸線Ｃから離れるに従って下方に向けて傾斜している。そのため、排気路５７は、回転軸線Ｃから離れるに従って下方に向かう斜め方向に延び、その途中部において鉛直方向に向けて屈曲して図示しない排気配管に接続されている。処理チャンバ３内の雰囲気は、一対の排気ユニット５１，５２の排気口５３，５４から斜め下方に向けて吸い込まれる。
【００３７】
排気ユニット５１は、第４内側面６４と第１内側面６１とによって形成される隅部に配置されている。また、排気ユニット５２は、第２内側面６２と第３内側面６３とによって形成される隅部に配置されている。つまり、排気ユニット５２は、スピンチャック４によるウエハＷの回転軸線Ｃに対して、排気ユニット５１の反対側に配置されている。言い換えれば、一対の排気ユニット５１，５２は、処理チャンバ３内で、平面視で対角位置に配置されている。さらには、この一対の排気ユニット５１，５２は、給気ユニット４１，４２が配置されていない隅部、すなわち、平面視で一対の給気ユニット４１，４２に重複しない位置に配置されている。排気ユニット５１は、平面視で、カップ５の外壁よりも外側に位置している。また、排気ユニット５２も、平面視で、カップ５の外壁よりも外側に位置している。
【００３８】
排気ユニット５１の排気口５３には、給気ユニット４２の排気口４４から供給されたクリーンエアが、カップ５の外壁のまわりを周回した後に吸い込まれる。この排気口５３には、第４内側面６４に沿う方向から第４凹湾曲面６９に向けて処理チャンバ３内の雰囲気が吸い込まれる。また、排気ユニット５２の排気口５４には、給気ユニット４１の排気口４３から供給されたクリーンエアが、カップ５のまわりを周回した後に吸い込まれる。この排気口５４には、第２内側面６２に沿う方向から第２凹湾曲面６７に向けて処理チャンバ３内の雰囲気が吸い込まれる。
【００３９】
対角位置に配置された一対の給気ユニット４１，４２から、処理チャンバ３の内部にクリーンエアが供給されるとともに、図外の排気処理設備によって、対角位置に配置された一対の排気ユニット５１，５２内が強制的に排気されると、一対の給気ユニット４１，４２から水平方向に向けて供給されたクリーンエアは、カップ５のまわりを周回して、一対の排気ユニット５１，５２に向けて下降するようになる。このため、処理チャンバ３内に、カップ５のまわりを、上方から見て時計回り方向（図２Ａ，図２Ｂの矢印ＡＲの方向）に周回しながら下降する渦状の気流が形成される。カップ５の外壁の外側の領域には遮断板２０などの障害物が少ない。したがって、この渦状の気流には、遮断板２０などの障害物との干渉に起因する乱気流（対流）がほとんど発生せず、そのため安定した渦巻き状下降気流が形成される。また、この渦状の気流の周回方向（図２Ａ，図２Ｂの矢印ＡＲの方向）とスピンチャック４および遮断板２０の回転方向とを一致させるのが好ましい。このようにすれば、さらに乱気流（対流）の発生を抑制し、さらに安定した渦巻き状下降気流を形成することができる。
【００４０】
とくに、この実施形態（第１実施形態）では、給気ユニット４１，４２が、スピンチャック４によるウエハＷの回転軸線Ｃを挟む位置に一対設けられている。また、排気ユニット５１，５２が、スピンチャック４によるウエハＷの回転軸線Ｃを挟む位置に一対設けられている。そのため、気流に対して効果的にモーメントを与えることができるから、処理チャンバ３内に、より一層強い気流が形成されるようになっており、渦巻き状下降気流のより一層の安定化が図られている。
【００４１】
このような構成によって、処理チャンバ３内に安定な渦状下降気流を形成することができ、スピンチャック４の回転によって気流が乱される場合であっても、処理チャンバ３内で対流が生じることを抑制または防止できる。その結果、工場に設けられる排気設備の排気用力が大きくなくても、処理チャンバ３内の気流を安定化できる。これにより、処理チャンバ３内での処理液ミストの巻き上げ等を抑制または防止することができるので、処理チャンバ３内の汚染を抑制できる。したがって、より高品質な（清浄度の高い）基板処理が可能となる。
【００４２】
図４は、基板処理装置１の電気的構成を示すブロック図である。
基板処理装置１は、マイクロコンピュータを含む構成の制御装置３５を備えている。この制御装置３５には、モータ８、ノズル駆動機構１３、遮断板回転駆動機構３０、遮断板昇降駆動機構２９、薬液バルブ１５、ＤＩＷバルブ１７および窒素ガスバルブ２７などが制御対象として接続されている。
【００４３】
図５は、基板処理装置１で行われる処理例を説明するためのフローチャートである。
ウエハＷに対する処理が行われている間、常に、一対の給気ユニット４１，４２から処理チャンバ３内にクリーンエアが供給されるとともに、図外の排気処理設備によって、一対の排気ユニット５１，５２内が強制的に排気される。このため、処理チャンバ３内には、カップ５のまわりを周回しながら下降する渦状の気流が形成されている。
【００４４】
処理対象のウエハＷは、図示しない搬送ロボットによって基板処理装置１内に搬入されて、その表面を上方に向けた状態でスピンチャック４に保持される（ステップＳ１）。なお、このウエハＷの搬入時においては、その搬入の妨げにならないように、遮断板２０が、スピンチャック４のスピンベース７から上方に離間した離間位置に配置されている。
ウエハＷがスピンチャック４に保持されると、制御装置３５は、モータ８を制御して、スピンチャック４によるウエハＷ（スピンベース９）の回転を開始させて、ウエハＷの回転速度を所定の液処理速度（たとえば１５００ｒｐｍ）まで上昇させる。また、制御装置３５は、ノズル駆動機構１３を制御してアーム１０を揺動し、薬液ノズル６を、スピンチャック４の側方の退避位置からウエハＷの上方位置へと移動させる。さらに、制御装置３５は、窒素ガスバルブ２７を制御して、窒素ガス吐出口２５から窒素ガスを吐出させる（ステップＳ２）。これにより、ウエハＷの表面と遮断板２０の基板対向面２１との間の空間に窒素ガスが供給されて、当該空間がウエハＷの側方領域よりも負圧になることが防止されている。
【００４５】
ウエハＷの回転速度が液処理速度に達すると、制御装置３５は、薬液バルブ１５を開いて、薬液ノズル６の吐出口からウエハＷの表面の回転中心に向けて薬液を吐出させる。ウエハＷの表面に供給された薬液は、ウエハＷの回転による遠心力によって、ウエハＷの周縁に向けて流れる。これにより、ウエハＷの表面に薬液を用いた薬液処理が施される（ステップＳ３）。
【００４６】
ウエハＷへの薬液の供給開始から所定の薬液処理時間が経過すると、制御装置３５は、薬液バルブ１５を閉じて、薬液ノズル６からの薬液の吐出を停止させる。また、制御装置３５は、ノズル駆動機構１２を制御してアーム１０を揺動させて、薬液ノズル６を、ウエハＷの上方位置からスピンチャック４の側方の退避位置に退避させる。
ウエハＷへの薬液の供給が停止されると、制御装置３５は、ＤＩＷバルブ１７を開いて、ＤＩＷノズル７の吐出口から回転状態にあるウエハＷの表面の回転中心に向けてＤＩＷを吐出させる。ウエハＷの表面に供給されたＤＩＷは、ウエハＷの回転による遠心力によって、ウエハＷの周縁に向けて流れる。これにより、ウエハＷの表面に付着している薬液がＤＩＷによって洗い流される（ステップＳ４）。
【００４７】
ＤＩＷの供給開始から所定のリンス時間が経過すると、制御装置３５は、ＤＩＷバルブ１７を閉じて、ウエハＷへのＤＩＷの供給を停止させる。その後、制御装置３５は、遮断板昇降駆動機構２９を制御して、遮断板２０を、離間位置（図１に実線で示す位置）から近接する近接位置（図１に二点鎖線で示す位置）まで下降させる（ステップＳ５）。遮断板２０が近接位置まで下降されると、ウエハＷの表面と基板対向面２１との間に狭空間が形成される。窒素ガス吐出口２５からの窒素ガスの吐出は継続されているため、ウエハＷの表面と基板対向面２１との間の狭空間に窒素ガスが供給される。
【００４８】
また、制御装置３５は、モータ８を制御して、ウエハＷの回転速度をスピンドライ回転速度（たとえば３０００ｒｐｍ）まで上げる。これにより、リンス処理後のウエハＷの表面に付着しているＤＩＷを遠心力で振り切って乾燥させるスピンドライ処理が実施される（ステップＳ６）。
さらにまた、スピンドライ処理時には、制御装置３５は、遮断板回転駆動機構３０を制御して、遮断板２０をウエハＷの回転に同期して、ウエハＷの回転方向と同方向に回転させる。これにより、ウエハＷの表面と遮断板２０との間の狭空間に安定気流が形成される。
【００４９】
スピンドライ処理が所定のスピンドライ時間にわたって行われると、制御装置３５は、モータ８を制御して、スピンチャック４の回転を停止させるとともに、遮断板回転駆動機構３０を制御して、遮断板２０の回転を停止させる。また、制御装置３５は、窒素ガスバルブ２７を閉じ、窒素ガス吐出口２５からの窒素ガスの吐出を停止させる（ステップＳ７）。さらに、制御装置３５は、遮断板昇降駆動機構２９を制御して、遮断板２０を離間位置まで上昇させる（ステップＳ７）。その後、図示しない搬送ロボットによってウエハＷが搬出される（ステップＳ８）。
【００５０】
図６Ａは、本発明の他の実施形態（第２実施形態）に係る基板処理装置７０の処理チャンバ７１の構成を概念的に示す斜視図である。図６Ｂは、基板処理装置７０の構成を概念的に示す横断面図である。
この第２実施形態において、図１〜図５に示す実施形態（第１実施形態）に示された各部に対応する部分には、第１実施形態と同一の参照符号を付して示し、説明を省略する。また、カップ５の内部の構成および処理液供給系の構成については、必要に応じて、図１を併せて参照する。
【００５１】
この第２実施形態に係る基板処理装置７０は、ほぼ円筒状の側壁７２により区画されたほぼ円柱状の処理チャンバ７１を備えている。側壁７２の内面は、スピンチャック４によるウエハＷの回転軸線Ｃを中心とする円筒面７２Ａに形成されている。処理チャンバ７１内には、前述の第１実施形態と同様に、スピンチャック４（図１参照）、カップ５、薬液ノズル６（図１参照）、遮断板２０などが収容されている。
【００５２】
処理チャンバ７１の天面付近の側壁７２には、処理チャンバ７１内にクリーンエアを供給するための給気ユニット４１が配置されている。給気ユニット４１は、平面視で、カップ５の外壁よりも外側に位置している。給気ユニット４１の給気口４３からは、水平方向に向けて、側壁７２の円筒面７２Ａに沿うようにクリーンエアが供給される。給気ユニット４１の給気口４３からのクリーンエアは、側壁７２の円筒面７２Ａにより案内されて、平面視でカップ５の外壁の外側の領域を、スピンチャック４によるウエハＷの回転軸線Ｃを中心として円弧を描くように流れるようになる。
【００５３】
処理チャンバ７１の底部には、処理チャンバ７１内の雰囲気を吸い込んで排気するための排気ユニット５１が配置されている。具体的に説明すると、排気ユニット５１は、正面視で、給気ユニット４１のスピンチャックによるウエハＷの回転軸線Ｃに対して反対側に配置されている。排気ユニット５１は、平面視で、カップ５の外壁よりも外側に位置している。排気ユニット５１の排気口５３には、円筒面７２Ａに沿う方向（渦状の気流の回転方向）から、処理チャンバ７１内の雰囲気が吸い込まれる。
【００５４】
給気ユニット４１から、処理チャンバ７１の内部にクリーンエアが供給されるとともに、図外の排気処理設備によって、排気ユニット５１内が強制的に排気されると、給気ユニット４１から水平方向に向けて供給されたクリーンエアは、カップ５のまわりを周回した後、排気ユニット５１に吸い込まれる気流を形成する。このため、処理チャンバ３内に、カップ５のまわりを周回しながら下降する渦状の気流が形成される。カップ５の外壁の外側の領域には遮断板２０などの障害物が少ない。したがって、この渦状の気流には、遮断板２０などの障害物との干渉に起因する乱気流（対流）がほとんど発生せず、そのため安定した渦巻き状下降気流が形成される。
【００５５】
また、この実施形態（第２実施形態）では、給気口４１から供給された気体が、円筒面７２Ａにより案内されて、円弧状に整流される。これにより、処理チャンバ７１内に、渦状の気流がより一層形成され易くなる。
図７Ａは、本発明の他の実施形態（第３実施形態）に係る基板処理装置８０の処理チャンバ８１の構成を概念的に示す斜視図である。図７Ｂは、基板処理装置８０の構成を概念的に示す横断面図である。
【００５６】
この第３実施形態において、図１〜図５に示す実施形態（第１実施形態）に示された各部に対応する部分には、第１実施形態と同一の参照符号を付して示し、説明を省略する。また、カップ５の内部の構成および処理液供給系の構成については、必要に応じて、図１を併せて参照する。
この第３実施形態に係る基板処理装置８０は、たとえば下方に向かうに従って狭くなる倒立円錐台状の処理チャンバ８１を備えている。処理チャンバ８１は、コーン状（倒立円錐状）の側壁８２により区画されている。側壁８２の内面は、スピンチャック４によるウエハＷの回転軸線Ｃを中心とするコーン状面（倒立円錐面）８２Ａに形成されている。処理チャンバ８１内には、前述の第１実施形態と同様に、スピンチャック４（図１参照）、カップ５、薬液ノズル６（図１参照）、遮断板２０などが収容されている。
【００５７】
処理チャンバ８１の天面付近の側壁８２には、処理チャンバ８１内にクリーンエアを供給するための給気ユニット４１が配置されている。給気ユニット４１は、平面視で、カップ５の外壁よりも外側に位置している。給気ユニット４１の給気口４３からは、水平方向に向けて、側壁８２のコーン状面８２Ａに沿うようにクリーンエアが供給される。給気ユニット４１の給気口４３からのクリーンエアは、側壁８２のコーン状面８２Ａによって案内されて、平面視でカップ５の外壁の外側の領域を、スピンチャック４（図１参照）によるウエハＷの回転軸線Ｃを中心として円弧を描くように流れるようになる。
【００５８】
処理チャンバ８１の底部には、処理チャンバ８１内の雰囲気を吸い込んで排気するための排気ユニット５１が配置されている。具体的に説明すると、排気ユニット５１は、正面視で、給気ユニット４１のスピンチャックによるウエハＷの回転軸線Ｃに対して反対側に配置されている。排気ユニット５１は、平面視で、カップ５の外壁よりも外側に位置している。排気ユニット５１の排気口５３には、コーン状面８２Ａに沿う方向（渦状の気流の回転方向）から、処理チャンバ８１内の雰囲気が吸い込まれる。
【００５９】
給気ユニット４１から、処理チャンバ８１の内部にクリーンエアが供給されるとともに、図外の排気処理設備によって、排気ユニット５１内が強制的に排気されると、給気ユニット４１から水平方向に向けて供給されたクリーンエアは、カップ５のまわりを周回して、排気ユニット５１に吸い込まれる気流を形成する。このため、処理チャンバ８１内に、カップ５のまわりを周回しながら下降する渦状の気流が形成される。カップ５の外壁の外側の領域には遮断板２０などの障害物が少ない。したがって、この渦状の気流には、遮断板などの障害物２０との干渉に起因する乱気流（対流）がほとんど発生せず、安定した渦巻き状下降気流が形成される。
【００６０】
また、この実施形態（第３実施形態）では、給気ユニット４１の給気口４３から供給されたクリーンエアが、コーン状面８２Ａにより案内されて、円弧状に整流される。これにより、処理チャンバ８１内に、渦状の気流がより一層形成され易くなる。
さらに、コーン状面８２Ａが下方に向かうに従って狭まっているので、処理チャンバ８１の天板付近だけでなく、処理チャンバ８１の底部付近においても、比較的強い気流が形成される。これにより、処理チャンバ８１内により強い気流を形成することができる。
【００６１】
以上、この発明の３つの実施形態について説明したが、この発明は、他の形態で実施することもできる。
前述の３つの実施形態では、給気ユニット４１，４２の給気口４３，４４から、水平方向に向けてクリーンエアが供給されるものとして説明したが、給気ユニット４１，４２の給気口４３，４４から、斜め下方に向けてクリーンエアが供給されるものであってもよい。
【００６２】
前述の３つの実施形態では、排気ユニット５１，５２の排気口５３，５４から、処理チャンバ３，７１，８１内の雰囲気が、斜め下方に向けて吸い込まれるものとして説明したが、排気ユニット５１，５２の排気口５３，５４から、処理チャンバ３，７１，８１内の雰囲気が水平方向から吸い込まれるものであってもよい。
前述の第１実施形態では、給気ユニット４１，４２を一対設け、排気ユニット５１，５２を一対設ける構成を例に挙げて説明した。しかしながら、給気ユニットを３つまたは４つ設けることもできる。この場合、そのうち２つの給気ユニットを、処理チャンバ３の隅部に平面視で対角に配置し、残りの給気ユニットを、処理チャンバ３の残りの隅部に配置してもよい。むろん、５個以上の給気ユニットを設けてもよい。
【００６３】
また、第１実施形態において、排気ユニットを３つまたは４つ設けることもできる。この場合、そのうち２つの排気ユニットを、処理チャンバ３の隅部に平面視で対角に配置し、残りの排気ユニットを、処理チャンバ３の残りの隅部に配置してもよい。むろん、５個以上の排気ユニットを設けてもよい。
また、第１実施形態では、平面視でそれぞれ対角に配置された一対の給気ユニット４１，４２および一対の排気ユニット５１，５２を、重複しない位置に配置したが、平面視で重複する位置に配置してもよい。
【００６４】
また、前述の第１実施形態において給気ユニットを一対設ける場合、一対の給気ユニットを、隣接する隅部に配置してもよい。さらに、排気ユニットを一対設ける場合、一対の排気ユニットを、隣接する隅部に配置してもよい。
また、第１実施形態において、凹湾曲面６６〜６９を、下方に向かうに従って幅広になる形状とすることもできる。この場合、処理チャンバ３の底部付近では、内壁の形状を、平面視で円形に近づけることができる。この構成が採用されることで、渦流を効率的に整流できるので、処理チャンバ３の底部付近でも、比較的強い気流を形成することができる。
【００６５】
また、前述の第２および第３実施形態では、排気ユニット５１を、平面視で、給気ユニット４１と回転軸線Ｃに対して反対側に配置する構成としたが、排気ユニット５１と給気ユニット４１との平面視における相対位置はこれに限られない。たとえば、排気ユニット５１を、平面視で給気ユニット４１と同位置に配置（すなわち、給気ユニットおよび排気ユニットを上下方向に配置）することもできる。
【００６６】
また、前述の第２および第３実施形態では、給気ユニット４１と排気ユニット５１とをそれぞれ１つずつ配置する場合を例に挙げて説明した。しかし、給気ユニット４１を２つ以上としてもよい。この場合、給気ユニット４１は、回転軸線Ｃまわりに等角度間隔（つまり、円筒面７２Ａまたはコーン状面８２Ａの周方向に沿って等間隔）に配置されることが好ましい。また、排気ユニットを２つ以上としてもよい。この場合、排気ユニット５１は、回転軸線Ｃまわりに等角度間隔（つまり、円筒面７２Ａまたはコーン状面８２Ａの周方向に沿って等間隔）に配置されることが好ましい。
【００６７】
また、処理チャンバ３，７１，８１の側壁２，７２，８２の内面に螺旋状の凸条や凹溝が形成されていて、これらの凸条や凹溝によって、給気ユニットから処理チャンバ３，７１，８１内に供給されたクリーンエアが案内されて渦状に整流されるようになっていてもよい。
また、第１実施形態では、処理チャンバ３の壁面を整形し、この整形後の壁面を用いて渦状の気流を整流する構成を例に挙げて説明したが、板状の整流部材を、処理チャンバ３の隅部（角部）に配置し、かかる整流部材で処理チャンバ３内の気流を整流する構成を採用することもできる。
【００６８】
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】本発明の第１実施形態に係る基板処理装置の構成を概念的に示す断面図である。
【図２Ａ】図１の切断面線Ｃ−Ｃから見た概念的な断面図である。
【図２Ｂ】図１の切断面線Ｄ−Ｄから見た概念的な断面図である。
【図３Ａ】図１の矢印Ｅから見た図である。
【図３Ｂ】図３Ａの切断面線Ｆ−Ｆから見た概念的な断面図である。
【図４】前記基板処理装置の電気的構成を示すブロック図である。
【図５】前記基板処理装置で行われる処理例を説明するためのフローチャートである。
【図６Ａ】本発明の第２実施形態に係る基板処理装置の処理チャンバの構成を概念的に示す斜視図である。
【図６Ｂ】前記第２実施形態の基板処理装置の構成を概念的に示す横断面図である。
【図７Ａ】本発明の第３実施形態に係る基板処理装置の処理チャンバの構成を概念的に示す斜視図である。
【図７Ｂ】前記第３実施形態の基板処理装置の構成を概念的に示す横断面図である。
【符号の説明】
【００７０】
１，７０，８０  基板処理装置
２，７２，８２  側壁
３，７１，８１  処理チャンバ
４  スピンチャック
５  カップ
２０  遮断板（対向部材）
２１  基板対向面
２４  窒素ガス流通路（不活性ガス供給手段）
２５  窒素ガス吐出口（不活性ガス供給手段）
２７  窒素ガスバルブ（不活性ガス供給手段）
４１，４２  給気ユニット（給気部）
４３，４４  給気口（横方向給気口、内壁方向給気口）
５１，５２  排気ユニット（排気部）
５３，５４  排気口（横方向排気口、内壁方向排気口）
６６  第１凹湾曲面
６７  第２凹湾曲面
６８  第３凹湾曲面
６９  第４凹湾曲面
７２Ａ  円筒面
８２Ａ  コーン状面
Ｗ  ウエハ（基板）
【図１】
0005112931.tif 000002
【図２Ａ】
0005112931.tif 000003
【図２Ｂ】
0005112931.tif 000004
【図３Ａ】
0005112931.tif 000005
【図３Ｂ】
0005112931.tif 000006
【図４】
0005112931.tif 000007
【図５】
0005112931.tif 000008
【図６Ａ】
0005112931.tif 000009
【図６Ｂ】
0005112931.tif 000010
【図７Ａ】
0005112931.tif 000011
【図７Ｂ】
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