(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子および回路基板の組合せの間で高周波用線路同士を接続用バンプを介して接続するための接続基板であって、絶縁基板上に形成された信号線路と、前記絶縁基板上に前記信号線路の両側に沿って間隔を設けてそれぞれ形成された接地線路とを有し、前記接続用バンプが接続される部位の前記信号線路と前記接地線路との間の前記絶縁基板に空間を有しており、
前記空間は、前記接続用バンプが接続される部位の内側の端部より外側に設けられていることを特徴とする接続基板。
【請求項２】
前記空間が前記絶縁基板の外辺から離れていることを特徴とする請求項１記載の接続基板。
【請求項３】
半導体素子および回路基板の組合せの間で高周波用線路同士が請求項１または請求項２に記載の接続基板により接続されていることを特徴とする電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光通信やマイクロ波通信，ミリ波通信等で使用される、特に10ＧＨｚ以上の高周波信号を伝送する回路基板や半導体素子を接続する接続基板、およびこの接続基板により回路基板や半導体素子が接続されている電子装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
光通信や無線通信分野に用いられる従来の電子装置として、図12に断面図で示すような半導体装置がある。この半導体装置は、鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金や銅（Ｃｕ）−タングステン（Ｗ）合金等の金属から成る箱状の基体109の底部に、ＬＤ（Laser Diode：レーザダイオード）やＰＤ（Photo Diode：フォトダイオ−ド）等の半導体素子107および回路基板108が載置されている。また、基体109の側壁には貫通孔が形成されており、貫通孔内に同軸コネクタ110が嵌着接合されている。
【０００３】
この同軸コネクタ110には、外部電気回路（図示せず）に接続された同軸ケーブル（図示せず）が装着され、同軸コネクタ110の中心導体110ａは半田等から成る導電性接着材を介して回路基板108の線路導体に電気的に接続される。半導体素子107と回路基板108とがボンディングワイヤ101を介して電気的に接続されることにより、基体109の内部に収納された半導体素子107と外部電気回路とが電気的に接続されることとなる。そして、基体109の側壁上面に蓋体111をろう付け法やシームウエルド法等の溶接法により接合し、内部を気密に封止することによって半導体装置となる（例えば特許文献１を参照。）。
【０００４】
このような半導体装置においては、半導体素子107の高周波化が進むにつれ、ボンディングワイヤ101によるボンディング部においてインピーダンス不整合が生じ、ボンディング部での信号の反射損失および挿入損失が大きくなり、またインダクタンス成分が大きいため信号の減衰量が大きくなるという問題が生じる。
【０００５】
この問題を解決する一つの手法として、ワイヤボンディングに代えて、信号線路と接地線路とから成るコプレーナ線路等の平面導波路配線が形成された接続基板を用い、この配線基板の平面導波路配線と、半導体素子上の配線および回路基板上の配線とをバンプボンディングにより電気的に接続した半導体装置が提案されている（例えば特許文献２を参照。）。
【特許文献１】特開2003−115630号公報
【特許文献２】特開2002−305263号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、従来の半導体装置においては、ワイヤボンディングと比較するとインピーダンスの整合は取れるものの、ボンディング部においては信号線路および接地線路の上に接続用バンプが形成されることにより信号線路および接地線路の厚みが見かけ上厚くなることから、ボンディング部では隣り合う信号線路と接地線路との間の容量結合が大きくなってしまうので、インピーダンスの不整合が起きてしまうという問題があった。これは、より高い周波数の、特に10ＧＨｚ以上の信号を伝播させる場合に、より顕著であり、例えば高い周波数で作動する半導体素子を搭載する半導体装置においては、このインピーダンスの不整合により信号の反射が起きてしまい、信号を良好に伝播させることができなくなってしまうものであった。
【０００７】
本発明は上記問題点に鑑み完成されたものであり、その目的は、10ＧＨｚ以上の高周波信号においても、接続部でのインピーダンスの不整合を小さくして信号を良好に伝播させることができるような、回路基板や半導体素子の接続をするための接続基板を提供することにある。また、本発明の他の目的は、その接続基板を用いた高周波での作動が良好な電子装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の接続基板は、半導体素子および回路基板の組合せの間で高周波用線路同士を接続用バンプを介して接続するための接続基板であって、絶縁基板上に形成された信号線路と、前記絶縁基板上に前記信号線路の両側に沿って間隔を設けてそれぞれ形成された接地線路とを有し、前記接続用バンプが接続される部位の前記信号線路と前記接地線路との間の前記絶縁基板に空間を有しており、前記空間は、前記接続用バンプが接続される部位の内側の端部より外側に設けられていることを特徴とするものである。
【０００９】
また、本発明の接続基板は、上記構成において、前記空間が前記絶縁基板の外辺から離れていることを特徴とするものである。
【００１０】
また、本発明の電子装置は、半導体素子および回路基板の組合せの間で高周波用線路同士が上記構成のいずれかの本発明の接続基板により接続されていることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の接続基板によれば、絶縁基板上に形成された接続用バンプが接続される部位の信号線路と接地線路との間の絶縁基板に空間が形成されており、空間は、接続用バンプが接続される部位の内側の端部より外側に設けられていることから、空間部分の比誘電率は１程度と絶縁基板と比較して小さく、接続用バンプが接続される部位の信号線路と接地線路との間の容量結合が小さくなるので、接続用バンプが形成されることで信号線路および接地線路の厚みが見かけ上厚くなって容量結合が大きくなるのと相殺されて、ボンディング接続部でのインピーダンスの変化が抑えられた接続基板となる。それによって良好な伝送特性を実現でき、10ＧＨｚ以上の高周波信号においても伝送損失が小さいので、接続基板により接続された半導体素子等を正常に作動させることができる。
【００１２】
本発明の接続基板によれば、空間が絶縁基板の外辺から離れているときには、空間の形状が応力の集中しやすい切欠き形状とならないので、接続基板を半導体素子や回路基板へ接続するなどの接続基板の取り扱い時に、空間が形成された部分を起点とした絶縁基板の割れが発生し難い接続基板となる。
【００１３】
本発明の電子装置によれば、半導体素子および回路基板の組合せの間で高周波用線路同士が、上記構成のいずれかの本発明の接続基板により接続されていることから、半導体素子および回路基板の組合せの間で伝送損失の小さい接続がなされて、良好な高周波伝送特性を有する、例えば接続された半導体素子が高速で正常に作動する電子装置となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
本発明の接続基板について以下に詳細に説明する。図１、図４および図６は本発明の実施の形態の一例を示す斜視図であり、接続用バンプを接続した例を示している。図２、図５および図７は、それぞれ図１、図４および図６に対応しており、（ａ）は本発明の接続基板の実施の形態の一例を示す側面図であり、（ｂ）は（ａ）を下側から見た平面図である。同様に、図８（ａ）は本発明の接続基板の実施の形態の他の一例を示す側面図であり、図８（ｂ）は図８（ａ）を下側から見た平面図である。図３（ａ）〜図３（ｃ）は本発明の接続基板の実施の形態の一例を示す側面図である。図９（ａ）は本発明の実施の形態の一例を示す上面図であり、図９（ｂ）は図９（ａ）のＡ−Ａ線での断面図であり、図９（ｃ）は図９（ａ）の下面図である。また、図10は本発明の電子装置の実施の形態の一例を示す断面図である。図11（ａ）および（ｂ）は、図10におけるＡ部を上面視した一例を示す平面図である。
【００１５】
これらの図において、１は接続基板、２は接続基板１の絶縁基板、３は絶縁基板２の主面上に形成された信号線路、４は絶縁基板２の主面上に形成された接地線路、４ａは信号線路３や接地線路４が形成された主面と対向する主面上に形成された接地導体、４ｂは絶縁基板２を貫通して接地線路４と接地導体４ａとを接続する貫通導体、５は接続用バンプ、６は絶縁基板２の信号線路３と接地線路４の間に形成された空間、７は半導体素子、７ａは半導体素子７の信号線路導体、７ｂは半導体素子７の接地線路導体、８は回路基板、８ａは回路基板８の信号線路導体、８ｂは回路基板８の接地線路導体、８ｃは回路基板８の側面導体、９は半導体素子７や回路基板８が搭載される基体、10は同軸コネクタ、10ａは中心導体、11は蓋体である。
【００１６】
本発明の接続基板１は、図10および図11に示す例のように、例えば、半導体素子７と回路基板８とを電気的に接続するためのものであり、特に高周波用線路同士を接続するためのものである。接続基板１の半導体素子７や回路基板８に向かい合う面（接続面）には、信号線路３と接地線路４とが形成され、これら信号線路３と接地線路４とでコプレーナ型の伝送線路を構成している。接続基板１の信号線路３は、その一端が回路基板８の信号線路導体８ａに、他端が半導体素子７の信号線路導体７ａに、それぞれ導電性の接続用バンプ５を介して接続される。また、接続基板１の接地線路４・４は、同じくその一端が回路基板８の接地線路導体８ｂに、他端が半導体素子７の接地線路導体７ｂに、それぞれ導電性の接続用バンプ５を介して接続される。
【００１７】
本発明の接続基板１は、図１および図２に示す例のように、半導体素子７および回路基板８の組合せの間で高周波用線路同士を接続用バンプ５を介して接続するための接続基板１であって、絶縁基板２上に形成された信号線路３と、絶縁基板２上に信号線路３の両側に沿って間隔を設けてそれぞれ形成された接地線路４・４とを有し、接続用バンプ５が接続される部位の信号線路３と接地線路４・４との間の絶縁基板２に空間６を有していることを特徴とするものである。
【００１８】
本発明の接続基板１によれば、絶縁基板２上に形成された接続用バンプ５が接続される部位の信号線路３と接地線路４との間の絶縁基板２に空間６を有していることから、空間６の部分の比誘電率は１程度と絶縁基板２の比誘電率に比較して小さく、接続用バンプ５が接続される部位の信号線路３と接地線路４との間の容量結合が小さくなるので、接続用バンプ５が形成されることで信号線路３および接地線路４の厚みが見かけ上厚くなって容量結合が大きくなるのと相殺されて、ボンディング接続部でのインピーダンスの変化が抑えられた接続基板１となる。
【００１９】
接続基板１は、図１および図２に示す例では、接続用バンプ５が接続される部位の信号線路３と接地線路４・４との容量結合を小さくするための、容量結合の調整用空間として、絶縁基板２の外辺から信号線路３と接地線路４との間にかけて溝を形成している。空間６内は通常空気が存在し、その比誘電率は１程度であるため、それ以上の比誘電率を有する絶縁基板２との比誘電率の違いに応じて信号線路３と接地線路４との間の容量結合が小さくなる。この空間６の大きさにより信号線路３と接地線路４との間の容量結合の大きさを調整することができる。図１および図２に示す例に対して、溝を絶縁基板２の厚さまで深くしてスリット（切り込み）形状とした、図４および図５に示す例では、信号線路３と接地線路４との間の容量結合がさらに小さくなる。
【００２０】
空間６は、このような溝形状や切り込み形状ではなく、図６および図７に示す例のような貫通孔や、図８および図９に示す例のような絶縁基板２の内部に形成された空洞であるのがよい。
【００２１】
すなわち、本発明の接続基板１は、上記構成において、空間６が絶縁基板２の外辺から離れていることが好ましい。このときには、空間６の形状が応力の集中しやすい切欠き形状とならないので、接続基板２を半導体素子７や回路基板８へ接続するなどの接続基板１の取り扱い時に、空間６が形成された部分を起点とした絶縁基板２の割れが発生し難い接続基板１となる。
【００２２】
図12に示すような従来の半導体装置に対して、このような接続基板１により半導体素子７と回路基板８とを接続した半導体装置の例が、図10に示す本発明の電子装置の一例である。
【００２３】
すなわち、本発明の電子装置は、半導体素子７および回路基板８の組合せの間で高周波用線路同士が、上記本発明の接続基板１により接続されていることを特徴とするものである。このような本発明の電子装置によれば、半導体素子７および回路基板８の組合せの間で本発明の接続基板１によって伝送損失の小さい接続がなされて、良好な高周波伝送特性を有する、例えば接続された半導体素子７が正常に作動する電子装置となる。
【００２４】
通常のコプレーナ型の伝送線路は、信号線路３の幅が一定で、信号線路３と接地線路４・４との間隔も一定であるが、このような伝送線路を基にして本発明の接続基板１を作製する場合は、信号線路３と接地線路４・４との間隔を大きくする部分において信号線路３の幅を小さくする方が、接続基板１を大きくすることなく容易にインピーダンスを整合させることができるので好ましい。
【００２５】
また、接続基板１は、図４に示す例のように、絶縁基板２の信号線路３および接地線路４・４が形成された主面と対向する主面に接地導体４ａが形成され、絶縁基板２を貫通して接地線路４・４と接地導体４とを接続する貫通導体４ｂが形成されたものでもよい。このような接続基板１とすると、疑似同軸の構造となり、高周波の信号をより良好に伝播させることができるようになる。接地線路４・４と接地導体４ａとを接続する導体としては、図４に示す例のような貫通導体４ｂでなくてもよく、絶縁基板２の側面に形成した側面導体や、絶縁基板２の側面に形成した切欠きの内面に導体層を形成した、いわゆるキャステレーション導体であってもよい。
【００２６】
このときの貫通導体４ｂは、接地線路４・４の信号線路３側の外辺に沿って配列すると、接地線路４・４の信号線路３側の外辺から貫通導体４ｂまでの距離が同程度になり、接地線路４・４と接地導体４ａとの間の電位差が、信号線路３側において同程度になるので好ましい。また、接地線路４・４の幅方向における電位差が生じないように、貫通導体４ｂの径に対して接地線路４・４の幅は小さい方が好ましい。図４に示す例のように、貫通導体４ｂの径に対して接地線路４・４の幅が大きい場合は、貫通導体４ｂを接地線路４・４の幅方向に複数列配置すると接地線路４・４の幅方向における電位差を小さくすることができる。このようなことから、接地線路４・４の幅方向の片側だけに形成される側面導体やキャステレーション導体よりも貫通導体４ｂの方がより好ましい。
【００２７】
接続基板１の絶縁基板２に設けられる空間６は、その大きさにより信号線路３と接地線路４との間の容量結合の大きさを調整する調整用空間であるので、空間６の大きさは、信号線路３や接地線路４・４の大きさや配置、また絶縁基板２の比誘電率に応じて設定される。
【００２８】
空間６の位置は、接続基板１における接続用バンプ５が接続される部位の信号線路３と接地線路４・４との間であり、通常は４箇所である。また空間６の位置は、厳密に接続用バンプ５が接続される部位の間でなくても、接続用バンプ５が接続される部位より絶縁基板２の外辺側や内側まで伸びていても、信号線路３と接地線路４との間の容量結合の大きさの調整に寄与するので構わない。図２（ｂ）に示す例では、接続用バンプ５が接続される部位より内側（図中の２本の一点鎖線の間）にまで空間６が設けられているが、空間６がこの一点鎖線を大きく越えて内側にまで設けられると、接続用バンプ５が形成されることにより容量結合が大きくなっていない部分まで信号線路３と接地線路４との間の容量結合が小さくなってしまい、インピーダンスが合わなくなってしまう傾向がある。このことから、空間６は、この一点鎖線（接続用バンプ５が接続される部位の内側の端部）で示す位置より外側に設けられる。また、接続基板１の下面側、つまり絶縁基板２の信号線路３および接地線路４・４が形成されている面側に空間６を形成すると、より小さい空間６で信号線路３と接地線路４との間の容量結合の大きさを調整することができるので、接続基板１の強度低下を抑えられ、また接続用バンプ５が接続される部位の信号線路３と接地線路４との間の容量結合の不要な低下を抑えることができる。
【００２９】
空間６の形状は、特に制限はなく、例えば、図２（ａ）に示す例のような溝に平行な縦断面が長方形の溝に対して、図３（ａ）に示す例のような角部を丸めた形状の溝としても、図３（ｂ）に示す例のような接続基板１の上面の外辺から斜めに形成された縦断面が三角形の溝としても、さらにその底面を曲線状とした図３（ｃ）に示すような形状の溝としてもよい。また、図４や図５（ｂ）に示す例のようにスリットの先端を丸めた形状とすると、空間６を起点とした割れが発生し難くなるので好ましい。同様の理由で、図１〜図３に示す例の場合でも、溝の底面を丸めるのが好ましい。また、空間６が、図６および図７に示す例のような貫通孔の場合や、図８および図９に示す例のような絶縁基板２の内部に形成された空洞である場合も同様に、横断面形状は円形や楕円形、あるいは四角形等の多角形であっても、角に丸みをつけた形状のように角のない形状であるのが好ましい。絶縁基板２の外辺から離れている空間６としては、絶縁基板２を貫通していない穴や絶縁基板２の側面に設けられた穴であってもよい。また、空間６は、１箇所に１つではなく複数個設けてもよく、例えば、複数のスリットまたは貫通孔を並べて設けたり、スリットと貫通孔など異なる形状の空間６を組み合わせて設けたりしてもよい。
【００３０】
接続基板１は、例えば、比誘電率が9.5の酸化アルミニウム質焼結体から成り、厚みが0.2ｍｍである絶縁基板２を用いた場合であれば、信号線路３の幅を0.1ｍｍ、厚みを0.002ｍｍとし、その両側に0.05ｍｍの間隔を設けて同じ厚みで幅が0.4ｍｍの接地線路４・４を形成することにより、信号線路３を50Ωにインピーダンス整合させたコプレーナ線路とすることができる。そして、直径0.1ｍｍで高さ0.03ｍｍの円柱状のバンプを、信号線路３および接地線路４・４の両端部（絶縁基板２の外辺に同じ）から0.1ｍｍの位置に接続用バンプ５の中央を配して設ける場合は、例えば、接地線路４・４と信号線路３との間の中央に、幅が0.03ｍｍで深さが0.1ｍｍであり、絶縁基板２の端（外辺）から接続用バンプ５の絶縁基板２の内側の端と同じ位置まで延びる、長さが0.15ｍｍの、図１に示す例のような溝形状の空間６を形成することによって、接続用バンプ５が接続される両端部においてもインピーダンスを約50Ωに近づけることができる。
【００３１】
同様の絶縁基板２に同様の信号線路３、接地線路４および接続用バンプ５を形成する場合であれば、例えば、同様の位置に同様の長さで幅を0.02ｍｍとした、図４に示す例のような、絶縁基板２を上下に貫通したスリット形状の空間６を形成しても、接続用バンプ５が接続される両端部におけるインピーダンスを約50Ωに近づけることができる。
【００３２】
また、同様の絶縁基板２に同様の信号線路３、接地線路４および接続用バンプ５を形成する場合であれば、例えば、空間６として図７に示す例のような、直径0.03ｍｍの円形の貫通孔をその中心を絶縁基板２の外辺から0.15ｍｍの位置に設けても、接続用バンプ５が接続される両端部におけるインピーダンスを約50Ωに近づけることができる。
【００３３】
接続基板１は、酸化アルミニウム（アルミナ：Ａｌ２Ｏ３）質焼結体，窒化アルミニウム（ＡｌＮ）質焼結体，ガラスセラミック焼結体等のセラミックスや、エポキシ，ポリイミド，テトラフルオロエチレン，液晶ポリマー等の樹脂から成る絶縁基板２に、信号線路３および接地線路４・４が形成されたものである。
【００３４】
絶縁基板２は、例えば酸化アルミニウム質焼結体から成る場合であれば、まずアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）やシリカ（ＳｉＯ２），カルシア（ＣａＯ），マグネシア（ＭｇＯ）等の原料粉末に適当な有機溶剤，溶媒および有機バインダーを添加混合して泥漿状とし、これを周知のドクターブレード法やカレンダーロール法等によりシート状に成形してセラミックグリーンシート（以下、グリーンシートともいう。）を得る。その後、グリーンシートを所定形状に打ち抜き加工するとともに必要に応じて複数枚積層して積層体を作製し、これを約1600℃の温度で焼成することにより製作される。または、Ａｌ２Ｏ３，ＳｉＯ２，ＣａＯ，ＭｇＯ等の原料粉末に必要に応じて有機バインダーを加えたものを金型に充填しプレス成型することによって所定の形状に成形して、この成形体を約1600度の温度で焼成することによって製作される。
【００３５】
絶縁基板２の空間６は、図１〜図５に示す例のような切欠き形状であれば、上記のようにして作製した絶縁基板２に、ダイサーによるダイシング加工、あるいはレーザ加工などにより形成することができる。信号線路３および接地線路４・４等を形成した後に形成してもよい。絶縁基板２の空間６が、図４および図５に示す例のようなスリット形状や、図６および図７に示す例のような貫通孔の場合は、上記グリーンシートに金型による打ち抜き加工やレーザ加工により所定形状の貫通孔を形成しておくことで形成することができる。グリーンシートの積層体を作製した後に同様の加工を施してもよい。絶縁基板２の空間６が、図８に示す例のような絶縁基板２の内部に形成された空洞である場合は、金型による打ち抜き加工やレーザ加工により所定形状の貫通孔を形成したグリーンシートの上下に貫通孔を形成していないグリーンシートを積層して、積層体を形成しておけばよい。絶縁基板２が樹脂から成る場合は、軟化した樹脂を型に流し込んで空間６を有する絶縁基板２を成型してもよい。
【００３６】
信号線路３および接地線路４・４の形成は、タングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍｏ），マンガン（Ｍｎ）等の高融点金属粉末に適当な有機バインダーや溶剤を添加混合してペースト状にしたものを、従来周知のスクリーン印刷法により、セラミックグリーンシートまたはその積層体、あるいはセラミックスの成形体に所定形状に印刷塗布しておき、これらと同時焼成することにより形成される。絶縁基板２を作製した後に、絶縁基板２上に同様のペーストを印刷塗布して焼成することにより、メタライズ層を焼き付けてもよい。
【００３７】
絶縁基板２が有機樹脂からなる場合は、銅（Ｃｕ）等の金属箔をエッチング加工により信号線路３および接地線路４・４の形状に加工したものを転写する方法がある。
【００３８】
また、信号線路３および接地線路４・４を形成する方法としては、絶縁基板２を作製した後に蒸着法やフォトリソグラフィ法により形成する方法がある。電子装置が小型である場合は、それに搭載される接続基板１はさらに小さく、信号線路３および接地線路４・４は微細なものとなるため、接続基板１の信号線路３および接地線路４・４が接続される半導体素子７や回路基板８の高周波用線路との位置合わせ精度を高めるためには、蒸着法やフォトリソグラフィ法により形成する方法が好ましい。この場合は、信号線路３および接地線路４・４の形成前に、必要に応じて基板１ａの主面に研磨加工を施す場合もある。
【００３９】
以下、信号線路３および接地線路４・４となる配線導体を蒸着法やフォトリソグラフィ法により形成する場合について詳細に説明する。配線導体は、例えば密着金属層，拡散防止層および主導体層が順次積層された３層構造の導体層から成る。
【００４０】
密着金属層は、セラミックス等から成る絶縁基板２との密着性を良好とするという観点からは、チタン（Ｔｉ），クロム（Ｃｒ），タンタル（Ｔａ），ニオブ（Ｎｂ），ニッケル−クロム（Ｎｉ−Ｃｒ）合金，窒化タンタル（Ｔａ２Ｎ）等の熱膨張率がセラミックスと近い金属のうちの少なくとも１種より成るのが好ましく、その厚みは0.01〜0.2μｍ程度が好ましい。密着金属層の厚みが0.01μｍ未満では、密着金属層を絶縁基板２に強固に密着させることが困難となる傾向がある。一方、密着金属層の厚みが0.2μｍを超えると、成膜時の内部応力によって密着金属層が絶縁基板２から剥離し易くなる傾向がある。
【００４１】
拡散防止層は、密着金属層と主導体層との相互拡散を防ぐという観点からは、白金（Ｐｔ），パラジウム（Ｐｄ），ロジウム（Ｒｈ），ニッケル（Ｎｉ），Ｎｉ−Ｃｒ合金，Ｔｉ−Ｗ合金等の熱伝導性の良好な金属のうち少なくとも１種より成ることが好ましく、その厚みは0.05〜１μｍ程度が好ましい。拡散防止層の厚みが0.05μｍ未満では、ピンホール等の欠陥が発生して拡散防止層としての機能を果たしにくくなる傾向があり、１μｍを超えると、成膜時の内部応力により拡散防止層が密着金属層から剥離し易く成る傾向がある。なお、拡散防止層にＮｉ−Ｃｒ合金を用いる場合は、Ｎｉ−Ｃｒ合金は絶縁基板２との密着性が良好なため、密着金属層を省くことも可能である。
【００４２】
主導体層は、電気抵抗の小さい金（Ａｕ），Ｃｕ，Ｎｉ，銀（Ａｇ）の少なくとも１種より成ることが好ましく、その厚みは0.1〜５μｍ程度が好ましい。主導体層の厚みが0.1μｍ未満では、電気抵抗が大きなものとなって接続基板１の信号線路３および接地線路４・４となる配線導体に要求される電気抵抗を満足できなくなる傾向があり、５μｍを超えると、成膜時の内部応力により主導体層が拡散防止層から剥離し易く成る傾向がある。また、Ｃｕは酸化し易いので、その上にＮｉおよびＡｕからなる保護層を被覆してもよい。
【００４３】
本発明の電子装置としては、例えば、図10および図11に示すような半導体装置がある。この半導体装置は、箱型の基体９の底面上に半導体素子７と回路基板８が搭載され、側壁には貫通孔が形成されており、貫通孔内に同軸コネクタ10が嵌着接合されている。同軸コネクタ10の中心導体10ａは回路基板８上の信号線路導体８ａにろう材等により接続され、半導体素子７の高周波用線路と回路基板８の高周波用線路とが、半導体素子７および回路基板８の上にまたがるように配置され、接続用バンプ５を介して接続された接続基板１により機械的および電気的に接続されている。そして、基体９の側壁上面に蓋体11を接合し、容器内部を気密に封止することによって、半導体装置が構成されている。
【００４４】
接続用バンプ５は、導電性の金属からなるものであり、従来からフリップチップ実装等で用いられているものを用いればよい。例えば、ワイヤボンディング装置を用いて形成する、いわゆる金（Ａｕ）スタッドバンプや半田ペーストを溶融させて固化させた半田バンプ、高温半田や銅（Ｃｕ）等の金属ボールを低温半田で接合したボールバンプ、あるいは蒸着法により形成したバンプ等を用いればよい。
【００４５】
このような接続用バンプ５は、図１〜図11に示す例では各接続箇所につき１つずつ配置しているが、各接続箇所につき複数配置してもよい。
【００４６】
半導体素子７は、例えば、ＬＤやＰＤ等の光半導体素子や、ＩＣ（Integrated Circuit）やＬＳＩ等の半導体集積回路素子を含む半導体素子である。
【００４７】
回路基板８は、図11（ａ）に示す例では、上面に信号線路導体８ａと接地線路導体８ｂ・８ｂとが形成され、これらによってコプレーナ型の伝送線路が構成されて、高周波信号を良好に伝送することができる。この場合の接地線路導体８ｂ・８ｂは、その接続基板１が接続されるのとは反対側の端部で図示しない貫通導体により下面の接地導体に接続され、基体９に接地される。あるいは、図９に示す接続基板１と同様に、下面の全面に形成された接地導体と接地線路導体８ｂ・８ｂとを貫通導体で接続した構造としてもよい。また、図11（ｂ）に示す例では、上面に形成された信号線路導体８ａと下面に形成された接地導体（図示せず）とによってマイクロストリップ線路型の伝送線路が構成されている。接続基板１の接地線路４・４は、回路基板８の上面に形成された接地導体８ｂ・８ｂに接続され、回路基板８の上面の接地導体８ｂと下面の接地導体（図示せず）とは、回路基板８の側面に形成した切欠きの内面に導体層を形成した、いわゆるキャステレーション導体８ｃにより接続される。キャステレーション導体８ｃに代えて貫通導体により接続してもよい。
【００４８】
このような回路基板８は、接続基板１と同様にして作製することができる。
【００４９】
半導体素子７や回路基板８は、基体９の載置部に、例えば銀（Ａｇ）ろう，Ａｇ−Ｃｕろう等のろう材や半田、あるいは樹脂接着剤といった接合材によって強固に接着固定される。図４に示す例では半導体素子７は基体９の搭載部に直接搭載されているが、これは半導体素子７で発生した熱を金属製の基体９の搭載部を通して外部へ放熱するためである。半導体素子７の発熱が大きい場合は、半導体素子７と基体９の搭載部との間にペルチェ素子等を搭載して、半導体素子７を冷却するようにしてもよい。
【００５０】
接続基板１は、半導体素子７や回路基板８を基体９の載置部に搭載した後に、これらをまたぐように載置して接続される。接続基板１と半導体素子７や回路基板８との接続は、導電性の接着剤や半田バンプや半田ボールより融点の低い半田を用いて接続すればよい。接続用バンプ５が半田バンプである場合は、加熱することによりこの半田を溶融させて接合してもよい。このときの接着剤の硬化温度や半田の融点は、先に行なわれる半導体素子７や回路基板８の基体９への搭載時に用いられる接合材が溶融したり分解したりすることのない温度であることが好ましい。
【００５１】
基体９は鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金や銅（Ｃｕ）−タングステン（Ｗ）合金等の金属から成る容器であり、搭載された半導体素子７が発生する熱をパッケージの外部に放散する機能を有する。このため、基体９は、熱伝導性の良い金属から成り、搭載される半導体素子７やセラミック製の回路基板８の熱膨張係数に近い、上に挙げた金属から成るものが好ましい。例えば基体９がＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金から成る場合は、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金のインゴット（塊）に圧延加工，打ち抜き加工，切削加工，プレス加工等の周知の金属加工方法を施すことによって、所定形状に製作された底板となる底部と、同様の金属加工法を用いて作製した側壁となる枠部とを銀ろう等の接合材で接合することによって形成される。側壁の貫通孔はドリル加工や金型による打ち抜き加工により形成される。また、例えばメタル・インジェクション・モールド法等によって底部と枠部とを一体的に形成してもよい。
【００５２】
また、外部より半導体素子７に駆動信号等を入力させる入出力端子としては、例えば同軸コネクタ10が用いられ、以下のようにして基体９の側壁に設置される。基体９の側壁に形成された貫通孔内に同軸コネクタ10を嵌め込むとともにＡｕ−Ｓｎ半田やＰｂ−Ｓｎ半田等の封着材を貫通孔との隙間に挿入する。しかる後、加熱して封着材を溶融させ、溶融した封着材を毛細管現象により同軸コネクタ10と貫通孔の内面との隙間に充填することによって、同軸コネクタ10が貫通孔内に半田等の封着材を介して嵌着接合される。
【００５３】
同軸コネクタ10は、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属から成る円筒形等の筒状の外周導体にホウケイ酸ガラス等の絶縁体が充填され、その中心を貫通してＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属から成る線状の中心導体10ａが固定されて成るものである。
【００５４】
この同軸コネクタ10には、外部電気回路（図示せず）に接続された同軸ケーブル（図示せず）が装着されることによって、内部に収納された半導体素子７が同軸コネクタ10の中心導体10ａを介して外部電気回路に電気的に接続されることとなる。
【００５５】
半導体素子７がＬＤやＰＤのような光半導体素子である場合は、基体９の貫通孔が形成された壁と対向する壁の、半導体素子７に対向する内面から外面にかけて貫通孔を設けるものもある。そしてその外面にこの貫通孔と内部がつながった筒状部材を設置して、この筒状部材内に、ホウ珪酸ガラスや鉛系ガラス等の非晶質ガラスやサファイアから成る、球状，半球状，凸レンズ状，ロッドレンズ状等の透光性部材を固定する。筒状部材は、基体９と同様の金属からなる筒状体を銀ろう等の接合材で固定すればよい。
【００５６】
最後に、基体９の側壁上面に蓋体11を接合し、容器内部を気密に封止することによって半導体装置となる。基体９への蓋体11の接合は、シーム溶接やＹＡＧレーザ溶接等の溶接またはＡｕ−Ｓｎろう材等のろう材によるろう付け等のろう接により行なわれる。
【００５７】
なお、本発明は、上述の実施の形態の一例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更は可能である。例えば、他の電子装置の例としては、ＬｉＮｂＯ３（ニオブ酸リチウム：ＬＮ）の単結晶基板を用いたＬＮ光変調器がある。例えば、外部からの電気信号を入力するためのコネクタがＬＮ光強度変調器の基体に接続され、基体内でコネクタの端子と上記と同様の回路基板とがろう材等で接続され、この回路基板とＬＮ基板とが本発明の接続基板で接続されたものである。ＬＮ基板には接続基板が接続される進行波型電極と、この電極に近接してＴｉ（チタン）金属の熱拡散あるいはプロトン交換法と呼ばれる方法で形成されるＹ分岐型の光導波路が形成され、この光導波路の両端にはそれぞれ光ファイバーが接続される。光ファイバーは基体の側壁に形成された貫通孔を通して外部に引き出され、それぞれの先端には他の電子機器等に接続するためのコネクタが接続される。これによれば、回路基板とＬＮ基板との接続部でのインピーダンスの変化が抑えられ、伝送損失が小さくなるので、入力された電気信号を正確に光信号に変換させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本発明の接続基板の実施の形態の一例を示す斜視図である。
【図２】（ａ）は本発明の接続基板の実施の形態の一例を示す側面図であり、（ｂ）は（ａ）を下側から見た平面図である。
【図３】（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ本発明の接続基板の実施の形態の一例を示す側面図である。
【図４】本発明の接続基板の実施の形態の一例を示す斜視図である。
【図５】（ａ）は本発明の接続基板の実施の形態の一例を示す側面図であり、（ｂ）は（ａ）を下側から見た平面図である。
【図６】本発明の接続基板の実施の形態の一例を示す斜視図である。
【図７】（ａ）は本発明の接続基板の実施の形態の一例を示す側面図であり、（ｂ）は（ａ）を下側から見た平面図である。
【図８】（ａ）は本発明の接続基板の実施の形態の一例を示す側面図であり、（ｂ）は（ａ）を下側から見た平面図である。
【図９】（ａ）は本発明の接続基板の実施の形態の一例を示す上面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線での断面図であり、（ｃ）は（ａ）の下面図である。
【図１０】本発明の電子装置の実施の形態の一例を示す断面図である。
【図１１】（ａ）および（ｂ）は、それぞれ図10におけるＡ部を上面視した一例を示す平面図である。
【図１２】従来の半導体装置の実施の形態の一例を示す断面図である。
【符号の説明】
【００５９】
１・・・・・・・接続基板
２・・・・・・・絶縁基板
３・・・・・・・信号線路
４・・・・・・・接地線路
４ａ・・・・・・接地導体
４ｂ・・・・・・貫通導体
５・・・・・・・接続用バンプ
６・・・・・・・空間
７・・・・・・・半導体素子
７ａ・・・・・・信号線路導体
７ｂ・・・・・・接地線路導体
８・・・・・・・回路基板
８ａ・・・・・・信号線路導体
８ｂ・・・・・・接地線路導体
８ｃ・・・・・・側面導体
９・・・・・・・基体
10・・・・・・・同軸コネクタ
10ａ・・・・・・中心導体
11・・・・・・・蓋体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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