(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
構造物の少なくとも一部分の振動を減衰させる能動減衰システムであって、
前記構造物の位置量を求める計算機と、
前記求められた位置量に依存して前記構造物に力を加えるアクチュエータとを備え、
前記計算機が、アクチュエータ信号に基づいて前記構造物の前記位置量を計算し、
前記位置量の計算のために使用される前記アクチュエータ信号がクランプ電圧および電流であり、
前記アクチュエータが、反作用力が加えられる慣性反作用マスに接続され、
前記位置量が、前記構造物と前記反作用マスとの相対速度と、前記反作用マスの速度との差によって求められる前記構造物の速度である、能動減衰システム。
【請求項２】
インターフェースマスが前記構造物に取り付けられ、前記能動減衰システムが前記インターフェースマスに接続される、請求項１に記載の能動減衰システム。
【請求項３】
前記相対速度が、前記アクチュエータのクランプ電圧と、電流と前記アクチュエータの抵抗との積との差に基づく、請求項１または２に記載の能動減衰システム。
【請求項４】
前記反作用マスの速度が、前記加えられる力から求められる、請求項１ないし３のいずれか一項に記載の能動減衰システム。
【請求項５】
制御装置ユニットをさらに備え、前記計算機が前記制御装置ユニット内に少なくとも部分的に備えられる、請求項１ないし４のいずれか一項に記載の能動減衰システム。
【請求項６】
前記構造物が投影システムである、請求項１ないし５のいずれか一項に記載の能動減衰システム。
【請求項７】
前記アクチュエータが圧電アクチュエータまたはローレンツアクチュエータである、請求項１ないし６のいずれか一項に記載の能動減衰システム。
【請求項８】
放射ビームを調節する照明システムと、
放射ビームの断面にパターンを与えてパターニングされた放射ビームを形成することができるパターニングデバイスを支持するサポートと、
基板を保持する基板テーブルと、
前記パターニングされた放射ビームを前記基板のターゲット部分に投影する投影システムと、
構造物の少なくとも一部分の振動を減衰させる能動減衰システムとを備え、前記能動減衰システムが、
前記構造物の位置量を求める計算機と、
前記求められた位置量に依存して前記構造物に力を加えるアクチュエータとを備え、
前記計算機が、アクチュエータ信号に基づいて前記構造物の前記位置量を計算し、
前記位置量の計算のために使用される前記アクチュエータ信号がクランプ電圧および電流であり、
前記アクチュエータが、反作用力が加えられる慣性反作用マスに接続され、
前記位置量が、前記構造物と前記反作用マスとの相対速度と、前記反作用マスの速度との差によって求められる前記構造物の速度である、
リソグラフィ装置。
【請求項９】
前記構造物が前記投影システムである、請求項８に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１０】
前記アクチュエータが圧電アクチュエータまたはローレンツアクチュエータである、請求項８または９に記載のリソグラフィ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明は、構造物と能動減衰システムとの組合せ、およびリソグラフィ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  リソグラフィ装置は、基板に、通常は基板のターゲット部分に、所望のパターンを付ける機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造で使用することができる。そのような場合には、代わりにマスクまたはレチクルと呼ばれることがあるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンは、基板（例えばシリコンウェーハ）のターゲット部分（例えば、１つまたは複数のチップの一部分を含む）に転写することができる。パターンの転写は、一般に、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）の層への結像によっている。一般に、単一基板は、連続してパターニングされる隣り合うターゲット部分のネットワークを含む。従来のリソグラフィ装置には、いわゆるステッパといわゆるスキャナがあり、ステッパでは、各ターゲット部分に光が当てられて、ターゲット部分に全パターンが一度に露光され、スキャナでは、各ターゲット部分に光が当てられて、放射ビームによってパターンが所定の方向（「スキャン」方向）にスキャンされ、同時に同期してこの方向に対して平行または反平行に基板がスキャンされる。パターンを基板にインプリントすることによって、パターニングデバイスから基板にパターンを転写することもできる。
【０００３】
[0003]  リソグラフィにおいて現在目的とされている高精度高分解能を得るために、パターニングデバイス（例えば、マスク）を保持するためのレチクルステージ、投影システム、および基板を保持するための基板テーブルのようなリソグラフィ装置の部分を互いに正確に位置決めすることが望ましい。例えばパターニングデバイス（例えば、レチクル）ステージおよび基板テーブルの位置決めは別にして、このことは、また、投影システムに対する要件をもたらすことがある。現在の具体化では投影システムは、レンズマウント（透過光学系の場合）またはミラーフレーム（反射光学系の場合）などの支持構造と、レンズエレメント、ミラー、その他のような複数の光学エレメントとから成ることがある。動作中に、投影システムは、複数の原因のために振動を受けやすいことがある。一例として、リソグラフィ装置内の部分の動きは、投影システムが取り付けられるフレームの振動、基板ステージまたはパターニングデバイス（例えばレチクル）ステージのようなステージの動き、またはそれらの加速／減速を引き起こすことがあり、これらは、ガス流および／または乱流および／または音響波を引き起こして投影システムに影響を及ぼすことがある。そのような外乱は、投影システム全体の振動または投影システムの一部分の振動を引き起こすことがある。そのような振動によって、レンズエレメントまたはミラーの変位が引き起こされることがあり、この変位が、今度は、イメージング誤差、すなわち基板へのパターン投影の誤差の原因になることがある。
【０００４】
[0004]  一般に、投影システムまたはその一部分の振動を減衰させるために、減衰システムが設けられる。さらに、受動減衰システム、または能動減衰システム、または受動減衰システムと能動減衰システムとの組合せが、多くの形で知られているように設けられることがある。この文献で、能動減衰システムという用語は、振動の影響を検出または決定するためのデバイス（例えば、位置センサ、速度センサ、加速度センサ、その他）と、制動すべき構造物またはその一部分に作用するアクチュエータとを含む減衰システムとして理解されるべきであり、このアクチュエータは、センサによって供給される信号に依存して例えば制御装置によって駆動される。センサによって供給される信号に依存してアクチュエータを駆動することによって、投影システムまたはその一部分に対する振動の影響は、ある程度低減されるか、または打ち消されることがある。そのような能動減衰システムの一例は、帰還ループによって実現されることがある。センサが位置量（投影システムまたはその一部分の位置、速度、加速度、ジャーク、その他のような）を供給し、この位置量が制御装置に送り込まれ、制御装置が、アクチュエータを駆動するために制御装置出力信号を生成し、そして次に、アクチュエータは、帰還ループが実現されるように投影システムまたはその一部分に作用する。制御装置は、どんな型の制御装置によって形成されてもよく、さらに、マイクロプロセッサ、マイクロコントローラ、または任意の他のプログラマブルデバイスによって実行されるソフトウェアで実現されてもよく、または専用ハードウェアによって実装されてもよい。
【０００５】
[0005]  帰還ループの安定性を得ることが望ましい。すなわち、リンギングおよび／または振動が起こらないようにされた帰還ループの周波数挙動を実現することが望ましい。同時に、能動減衰システムの高帯域幅が望ましい。というのは、高帯域幅の能動減衰システムは、そのような高帯域幅内で振動を抑制することができるからである。リソグラフィ装置の速さに対する要求が絶えず大きくなっているために、リソグラフィ装置内の動きは、より高速で、したがってより速い遷移を含んで起こる傾向があり、このことは、結果として、ますます高い周波数での振動の発生となることがある。したがって、能動減衰システムのさらに高い帯域幅に向けて要求が現れる。
【０００６】
[0006]  起きる現象は、例えばレンズ、ミラー、および／または他の光学エレメント、レンズマウントおよび／またはミラーマウント、レンズ本体のような投影システムのハウジング、その他を含んだ様々な部分から投影システムが一般に組み立てられるようになることである。その結果、投影システムの周波数挙動は、極端な低周波数で剛体マスとしてスタートし、それによって、投影システムが取り付けられているフレームは固定界から既に切り離されていると想定して、投影システムに作用する力から投影システムの速度までの、周波数に逆比例する伝達関数を生成する。共振周波数範囲では、投影システムの共振が観察され、この共振の後に、周波数が高くなるにつれて複数のさらに他の共振が続くことがあり、それによって全体的に伝達関数の大きさの増加をもたらす。事実上、共振周波数範囲から離れるにつれて、投影システムは、もはや単一物体として挙動せず、代わりに、各々投影システムのエレメントの共振に対応する様々な共振現象を示す。この結果として、周波数が高いほど、伝達関数に「寄与」する残りマスは小さくなり、このことは、共振周波数範囲よりも上の周波数範囲において投影システムに作用する力から投影システムの速度までの伝達関数の大きさが、周波数が高くなるにつれて大きくなることの説明であると考えることができる。
【０００７】
[0007]  当業者が理解するように、投影システムの共振に達するまたはそれを超える共振を減衰させることができるほど十分に高い能動減衰システムの帯域幅を実現しようとするとき、先に概略説明したような投影システムの周波数挙動は、結果として安定性の問題を引き起こすことがある。伝達関数は、投影システムに対する力の関数として例えば投影システムの速度によって表されることがある。留意されたいことであるが、伝達関数は、また、投影システムに対する力の結果としての投影システムの加速度などの任意の他の適切な量でも表されることがある。その場合、伝達関数の低周波数挙動は、周波数に無関係であることを示し、その後に、共振周波数範囲、およびこの共振周波数範囲よりも上での伝達関数の増加（複数の共振ピークを示す）が続く。
【０００８】
[0008]  投影システムの位置量、典型的には投影システムの加速度を求めるために、能動減衰システムにおいてセンサが使用される。センサ信号の品質は、最適な減衰性能を得られるように高くなければならない。しかし、センサの適用は、いくつかの実用上の欠点を有する。
【０００９】
[0009]  通常、センサは、アクチュエータと一列には配置されないことがあり、したがってアクチュエータに並べて配置される。その結果、センサは、アクチュエータと完全には連係されないことがある。この不完全な連係により、減衰性能がより低くなることがある。
【００１０】
[0010]  さらに、センサ、例えば圧電センサに結合されたマスは、一般に、特定の周波数範囲内で加速度を高精度で測定することが可能であるが、他の周波数範囲では性能が悪くなることがある。さらに、センサは、関連の周波数範囲内で共振周波数を含むことがある。そのような場合、共振周波数が、実現可能な利得、したがって減衰性能を決定することになりうる。
【００１１】
[0011]  比較的低い共振周波数を有するセンサは、典型的には、低周波数範囲内で良好な性能を有するが、能動減衰システムの帯域幅を制限する。比較的高い共振周波数を有するセンサは、典型的には、より高い周波数に関して良好に機能し、それに対応してより高い帯域幅を有する。しかし、より低い周波数に関する性能は比較的悪い。
【００１２】
[0012]  能動減衰システムに関して使用されるアクチュエータも同様の特性を有することがあることに留意すべきであり、すなわち、より低い共振周波数を有するアクチュエータは、より低い周波数に関して良好に機能するが、制限された帯域幅を有し、一方、より高い共振周波数を有するアクチュエータは、より高い帯域幅を提供するが、低い周波数に関してはより低い性能を有する。
【発明の概要】
【００１３】
[0013]  能動減衰システムの減衰性能が改善される構造物と能動減衰システムとの組合せを提供することが望ましい。
【００１４】
[0014]  本発明の一実施形態に従って、構造物と、構造物の少なくとも一部分の振動を減衰させるための能動減衰システムであって、構造物の位置量を求めるためのデバイスと、求められた位置量に依存して構造物に力を加えるためのアクチュエータとを含む能動減衰システムとの組合せが提供され、ここでデバイスは、アクチュエータ信号に基づいて構造物の位置量を計算するように構成された計算デバイスである。
【００１５】
[0015]  本発明の一実施形態に従って、放射ビームを調節する照明システムと、放射ビームの断面にパターンを与えてパターニングされた放射ビームを形成することができるパターニングデバイスを支持するサポートと、基板を保持する基板テーブルと、パターニングされた放射ビームを基板のターゲット部分に投影する投影システムとを含むリソグラフィ装置が提供され、このリソグラフィ装置は、さらに、構造物と、構造物の少なくとも一部分の振動を減衰させるための能動減衰システムであって、構造物の位置量を求めるためのデバイスと、求められた位置量に依存して構造物に力を加えるためのアクチュエータとを含む能動減衰システムとの組合せを含み、ここでデバイスは、アクチュエータ信号に基づいて構造物の位置量を計算する計算デバイスである。
【００１６】
[0016]  本発明の一実施形態に従って、構造物と、構造物の少なくとも一部分の振動を減衰させるための能動減衰システムであって、構造物の位置量を求めるデバイスと、求められた位置量に依存して構造物に力を加えるアクチュエータとを含む能動減衰システムとの組合せが提供され、ここでデバイスは、低周波数範囲で構造物の位置量を測定する第１のセンサと、高周波数範囲で構造物の位置量を測定する第２のセンサと、第１のセンサの第１の信号をフィルタするための低域フィルタと、第２のセンサの第２の信号をフィルタするための高域フィルタと、低域フィルタおよび高域フィルタの出力信号を合成信号に合成するための加算デバイスとを含む。
【００１７】
[0017]  本発明の一実施形態に従って、構造物と、構造物の少なくとも一部分の振動を減衰させるための能動減衰システムであって、構造物の位置量を求めるデバイスと、低周波数範囲で、求められた位置量に依存して構造物に力を加える第１のアクチュエータと、高周波数範囲で、求められた位置量に依存して構造物に力を加える第２のアクチュエータとを含む能動減衰システムとの組合せが提供される。
【００１８】
[0018]  本発明の一実施形態に従って、構造物の少なくとも一部分の振動を減衰させる能動減衰システムであって、構造物の位置量を求める計算機と、求められた位置量に依存して構造物に力を加えるアクチュエータとを含む能動減衰システムが提供され、ここで計算機は、アクチュエータ信号に基づいて構造物の位置量を計算する。
【００１９】
[0019]  本発明の一実施形態に従って、放射ビームを調節する照明システムと、放射ビームの断面にパターンを与えてパターニングされた放射ビームを形成することができるパターニングデバイスを支持するサポートと、基板を保持する基板テーブルと、パターニングされた放射ビームを基板のターゲット部分に投影する投影システムと、構造物の少なくとも一部分の振動を減衰させる能動減衰システムであって、構造物の位置量を求める計算機と、求められた位置量に依存して構造物に力を加えるアクチュエータとを含む能動減衰システムとを含むリソグラフィ装置が提供され、ここで計算機は、アクチュエータ信号に基づいて構造物の位置量を計算する。
【００２０】
[0020]  本発明の一実施形態に従って、構造物の少なくとも一部分の振動を減衰させる能動減衰システムであって、構造物の位置量を求めるデバイスであって、低周波数範囲で構造物の位置量を測定する第１のセンサと、高周波数範囲で構造物の位置量を測定する第２のセンサと、第１のセンサの第１の信号をフィルタする低域フィルタと、第２のセンサの第２の信号をフィルタする高域フィルタと、低域フィルタおよび高域フィルタの出力信号を合成して合成信号を生成する加算器とを含むデバイスと、求められた位置量に依存して構造物に力を加えるアクチュエータとを含む能動減衰システムが提供される。
【００２１】
[0021]  本発明の一実施形態に従って、構造物の少なくとも一部分の振動を減衰させる能動減衰システムであって、構造物の位置量を求めるデバイスと、低周波数範囲で、求められた位置量に依存して構造物に力を加える第１のアクチュエータと、高周波数範囲で、求められた位置量に依存して構造物に力を加える第２のアクチュエータとを含む能動減衰システムが提供される。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
[0022]  ここで、本発明の実施形態が、添付の模式的な図面を参照して、単なる例示としてのみ説明される。図面では、対応する参照符号は対応する部分を示す。
【００２３】
【図１】[0023]本発明の実施形態が組み込まれることがあるリソグラフィ装置を示す図である。
【図２】[0024]能動減衰システムを示す図である。
【図３】[0025]リソグラフィ装置の投影システムの伝達関数を示す周波数プロットである。
【図４】[0026]図２による能動減衰システムが見るようなリソグラフィ装置の投影システムの伝達関数を示す周波数プロットである。
【図５】[0027]本発明の一実施形態による能動減衰システムを示す図である。
【図６】[0028]圧電素子型のセンサを示す図である。
【図７】[0029]本発明の別の実施形態による能動減衰システムを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
[0030]  図１は、本発明の一実施形態に従ったリソグラフィ装置を模式的に示す。本装置は、放射ビームＢ（例えば、ＵＶ放射または任意の他の適切な放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持するように組み立てられ、かつ特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置付けするように構成された第１の位置決めデバイスＰＭに接続されたパターニングデバイスサポートすなわちマスク支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴとを含む。本装置は、また、基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように組み立てられ、かつ特定のパラメータに従って基板を正確に位置付けするように構成された第２の位置決めデバイスＰＷに接続された基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴすなわち「基板サポート」を含む。本装置は、さらに、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つまたは複数のチップを含む）に投影するように構成された投影システム（例えば、屈折投影レンズシステム）ＰＳを含む。
【００２５】
[0031]  照明システムは、放射の誘導、整形、または制御を行うために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、または他の型の光学コンポーネント、またはそれらの任意の組合せなど様々な型の光学コンポーネントを含むことができる。
【００２６】
[0032]  パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、および、例えばパターニングデバイスが真空環境内に保持されるか否かなど他の条件に依存したやり方で、パターニングデバイスサポートは、パターニングデバイスを保持する。パターニングデバイスサポートは、機械技術、真空技術、静電技術、または他のクランプ技術を使用して、パターニングデバイスを保持することができる。パターニングデバイスサポートは、例えばフレームまたはテーブルであってもよく、これは、必要に応じて固定されても、または可動であってもよい。パターニングデバイスサポートは、パターニングデバイスが例えば投影システムに対して所望の位置にあることを保証することができる。本明細書での「レチクル」または「マスク」という用語の使用はどれも、より一般的な用語「パターニングデバイス」と同義であると考えることができる。
【００２７】
[0033]  本明細書で使用される「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを作るために、パターンを放射ビームの断面に与えるために使用することができる任意のデバイスを意味するものとして、広く解釈されるべきである。留意すべきことであるが、例えばパターンが位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャを含む場合、放射ビームに与えられたパターンは、基板のターゲット部分の所望のパターンに必ずしも対応していないことがある。一般に、放射ビームに与えられたパターンは、集積回路などのターゲット部分に作られるデバイスの特定の機能層に対応する。
【００２８】
[0034]  パターニングデバイスは透過型または反射型であってよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、プログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィではよく知られており、マスクには、バイナリ、レベンソン型（alternating）位相シフト、およびハーフトーン型（attenuated）位相シフトのようなマスクのタイプ、ならびに様々なハイブリッドマスクのタイプがある。プログラマブルミラーアレイの一例は、小さなミラーのマトリックス配列を使用し、この小さなミラーの各々は、入射放射ビームを様々な方向に反射するように個々に傾けることができる。傾いたミラーが、ミラーマトリックスで反射された放射ビームにパターンを与える。
【００２９】
[0035]  本明細書で使用される「投影システム」という用語は、使用される露光放射、または、液浸液の使用または真空の使用のような他のエレメントに適切であるような、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、および静電型の光学システム、またはこれらの任意の組合せを含んだ投影システムの任意のタイプを含むものとして広く解釈されるべきである。本明細書での「投影レンズ」という用語の使用はどれも、より一般的な用語「投影システム」と同義であると考えることができる。
【００３０】
[0036]  ここで示すように、本装置は透過型である（例えば、透過マスクを採用する）。代わりに、本装置は反射型であることがある（例えば、上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用するか、または反射マスクを使用する）。
【００３１】
[0037]  リソグラフィ装置は、２個（デュアルステージ）以上の基板テーブルすなわち「基板サポート」（および／または２個以上のマスクテーブルすなわち「マスクサポート」）を有するタイプであってもよい。そのような「マルチステージ」機械では、追加のテーブルすなわちサポートを並列に使用することができ、または、１つまたは複数のテーブルすなわちサポートが露光に使用されている間に、１つまたは複数の他のテーブルすなわちサポートで準備ステップを行うことができる。
【００３２】
[0038]  リソグラフィ装置は、また、投影システムと基板との間のスペースを満たすように比較的高屈折率を有する液体、例えば水で基板の少なくとも一部が覆われることがある型のものであってもよい。液浸液は、リソグラフィ装置の他のスペース、例えばパターニングデバイスサポートと投影システムとの間に使用されてもよい。液浸技術は、投影システムの開口数を高めるために使用することができる。本明細書で使用されるような「液浸」という用語は、基板などの構造物が液体中に沈められなければならないことを意味するのではなく、露光中に投影システムと基板との間に液体があることを意味するだけである。
【００３３】
[0039]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受け取る。例えば放射源がエキシマレーザであるとき、放射源とリソグラフィ装置とは別個の実体であってよい。そのような場合、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成していると考えられず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含んだビームデリバリシステムＢＤを用いて、放射源ＳＯからイルミネータＩＬに送られる。他の場合には、例えば放射源が水銀ランプであるときには、放射源は、リソグラフィ装置の一部分であることがある。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要な場合にはビームデリバリシステムＢＤと一緒にして、放射システムと呼ばれることがある。
【００３４】
[0040]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調整するように構成されたアジャスタＡＤを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（一般に、σ−ｏｕｔｅｒ、σ−ｉｎｎｅｒとそれぞれ呼ばれる）を調整することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯなどの様々な他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使用して、断面内に所望の一様性および強度分布を持つように放射ビームを条件付けすることができる。
【００３５】
[0041]  放射ビームＢは、パターニングデバイスサポート（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されたパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡに入射し、そしてパターニングデバイスによってパターニングされる。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを通り抜けた放射ビームＢは、投影システムＰＳを通過し、この投影システムＰＳは、ビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃに集束させる。第２の位置決めデバイスＰＷおよび位置センサＩＦ（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または容量センサ）を使って、例えば放射ビームＢの経路の中に異なったターゲット部分Ｃを位置付けするように、基板テーブルＷＴを正確に移動させることができる。同様に、第１の位置決めデバイスＰＭおよび他の位置センサ（図１には明示されていない）を使用して、例えばマスクライブラリから機械的に取り出した後で、またはスキャン中に、放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを正確に位置付けすることができる。一般に、パターニングデバイスサポート（例えば、マスクテーブル）ＭＴの移動は、第１の位置決めデバイスＰＭの一部分を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を使って実現することができる。同様に、基板テーブルＷＴすなわち「基板サポート」の移動は、第２の位置決め手段ＰＷの一部分を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使用して実現することができる。ステッパ（スキャナに対して）の場合には、パターニングデバイスサポート（例えば、マスクテーブル）ＭＴは、ショートストローク用アクチュエータだけに接続されてもよく、または、固定されてもよい。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡと基板Ｗとは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２および基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アライメントマークは、専用のターゲット部分を占めるが、ターゲット部分とターゲット部分の間のスペースに位置付けすることもできる（これらのマークは、けがき線アライメントマークとして知られている）。同様に、２以上のチップがパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡに設けられる状況では、マスクアライメントマークはチップの間に位置付けされることがある。
【００３６】
[0042]  図示の装置は、下記のモードのうちの少なくとも１つで使用することができる。
【００３７】
[0043]  １．ステップモードでは、パターニングデバイスサポート（例えば、マスクテーブル）ＭＴすなわちマスクサポートと基板テーブルＷＴすなわち基板サポートとは、基本的に静止状態に保たれるが、一方で、放射ビームに与えられた全パターンは一度にターゲット部分Ｃに投影される（すなわち、単一静的露光）。次に、異なるターゲット部分Ｃを露光することができるように、基板テーブルＷＴすなわち基板サポートはＸ方向および／またはＹ方向にシフトされる。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で像が形成されるターゲット部分Ｃのサイズが制限される。
【００３８】
[0044]  ２．スキャンモードでは、放射ビームに与えられたパターンがターゲット部分Ｃに投影されている間に、パターニングデバイスサポート（例えば、マスクテーブル）ＭＴすなわちマスクサポートと基板テーブルＷＴすなわち基板サポートとは同期してスキャンされる（すなわち、単一動的露光）。パターニングデバイスサポート（例えば、マスクテーブル）ＭＴすなわちマスクサポートに対する基板テーブルＷＴすなわち基板サポートの速度および方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）および像反転特性によって決定されることがある。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光でのターゲット部分の（非スキャン方向の）幅が制限されるが、スキャン移動の長さによってターゲット部分の（スキャン方向の）縦幅が決定される。
【００３９】
[0045]  ３．他のモードでは、パターニングデバイスサポート（例えば、マスクテーブル）ＭＴすなわちマスクサポートは、プログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に保たれ、そして基板テーブルＷＴすなわち基板サポートは、放射ビームに与えられたパターンがターゲット部分Ｃに投影されている間、動かされるか、スキャンされる。このモードでは、一般に、パルス放射源が使用され、そしてプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴすなわち基板サポートの各移動の後で、またはスキャン中に連続した放射パルスの間で、必要に応じて更新される。この動作モードは、先に言及したような型のプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に応用することができる。
【００４０】
[0046]  上述の使用モードの組合せおよび／または変形、または全く異なる使用モードを使用することもできる。
【００４１】
[0047]  図２は、投影システム１の非常に模式的な図を示し、この例では投影システム１は計測フレーム２中に保持されている。投影システム１は、任意の適切なデバイス、例えば剛性マウント、弾性マウント、その他によって計測フレーム２中に保持されることがある。任意の物体、好ましくは剛性マスを含むことがあるインターフェースマス３が、弾性接続４、好ましくは減衰接続を使用して投影システム２に接続される。
【００４２】
[0048]  投影システム１の振動の能動減衰を行うために、能動減衰システム５が設けられる。能動減衰システム５は、センサ６と、制御装置７と、アクチュエータ８とを含む。
【００４３】
[0049]  投影システム１の振動は、通常、インターフェースマス３の振動を引き起こし、センサ６によって感知される。同じことが、投影システムの一部分（投影システムのレンズエレメント、ミラー、または任意の他の部分のような）の振動について当てはまり、この振動は、同様にインターフェースマス３の振動を引き起こすことがある。そのような振動は、センサ６によって感知されることがあり、センサ６は、位置測定センサ、速度測定センサ、加速度測定センサ、その他などのどんな型の振動センサであってもよい。センサ信号に基づいてインターフェースマス３に作用するアクチュエータ８が設けられる。
【００４４】
[0050]  図示の実施形態では、アクチュエータ８は、反作用マス９としての慣性マスに接続され、すなわち、反作用マスの慣性を利用してアクチュエータ８によって加えられる力に対して反対に作用するようにアクチュエータに接続されたマスに接続され、慣性マス９は、アクチュエータが慣性マス９に対して反作用力を加える方向で自由に移動する。代替実施形態では、アクチュエータ８は、リソグララフィ装置の基盤フレーム（しかし、任意の他の反作用物体または他の基準が利用されてもよい）とインターフェースマス３と間に取り付けられることがある。
【００４５】
[0051]  アクチュエータ８は、圧電アクチュエータ、モータ、その他などのどんな適切な型のアクチュエータであってもよく、好ましい実施形態ではローレンツアクチュエータが使用される。その理由は、ローレンツアクチュエータは反作用マス９およびインターフェースマス３にそれぞれ接続されたそれぞれの部分に対して無接触作用を行うことができるので、それによって、反作用マス９、他の反作用物体または基準とインターフェースマス３との間に機械的接触を設けない無接触アクチュエータが実現可能であるからである。
【００４６】
[0052]  アクチュエータ８は、センサ６によって供給される信号に依存して適切な制御装置７を使用して駆動される。
【００４７】
[0053]  インターフェースマス３と投影システム１との間に弾性接続を設けることによって、ある特定の減衰周波数よりも上の周波数範囲において、投影システムの一部分の振動および共振の効果的な分離が実現されることがある。弾性接続４の減衰周波数（すなわち、投影システム１からインターフェースマス３への振動の伝達がそれよりも上で実質的に減少する周波数）を能動減衰システムの帯域幅よりも低く設計することによって、すなわち、言い換えると、接続４の減衰周波数を超える能動減衰システム５の帯域幅を生成することによって、その周波数帯域で実質的に共振の無い挙動から利益を得て、能動減衰システム５の安定な動作を助長することができる。インターフェースマス３と投影システム１との間の弾性接続４は、好ましくは、減衰バネなどのバネを含む。
【００４８】
[0054]  センサ６およびアクチュエータ８は、投影システム１に直接接続されるのではなく、インターフェースマス３に接続され、そして次にインターフェースマス３が弾性接続４によって投影システム１に接続されるので、以下の効果が得られる。特定の減衰周波数よりも下では、伝達関数の挙動は、まるでセンサ６およびアクチュエータ８が投影システム１に直接取り付けられているかのようになる。投影システム１の振動は、インターフェースマス３の対応する振動を引き起こし、逆にインターフェースマス３の振動は投影システム１の対応する振動を引き起こす。この減衰周波数よりも上では、センサ６は、もはや投影システム１またはその一部分の振動および共振を実測しないか、または実質的に実測しない。というのは、アクチュエータ８からセンサ６までの実測されるような周波数挙動は、弾性接続４によって投影システムから実質的に分離されるからである。
【００４９】
[0055]  一例として、図３は、投影システムが取り付けられるフレームが既に固定界から切り離されているものと想定して、投影システム１に作用する力から投影システム１の速度までの、周波数に逆比例する伝達関数ＴＦを示している。共振周波数範囲では、投影システムの共振ＲＥＳが実測され、その後に、周波数が高くなるにつれて複数のさらに他の共振が続くことがあり、それによって、全体的に伝達関数の大きさの増加が起きている。
【００５０】
[0056]  共振周波数よりも下では、投影システムは剛体マスＲＢＭとして挙動するが、共振周波数範囲から投影システムはもはや単一物体として挙動せず、代わりに、各々投影システムのエレメントの共振に対応する様々な共振現象を示す。その結果として、周波数が高いほど、伝達関数に「寄与」する残りマスが小さくなり、このことは、投影システムに作用する力から投影システムの速度までの伝達関数の大きさが、共振周波数範囲よりも上の周波数範囲において、周波数が高くなるにつれて大きくなることの説明であると考えることができる。
【００５１】
[0057]  図４は、インターフェースマス３に作用する力からインターフェースマス３の速度までの伝達関数ＴＦを示す。減衰周波数ＦＤＭよりも下では、投影システム１の振動はインターフェースマス３の対応する振動を引き起こし、インターフェースマス３の振動は投影システム１の対応する振動を引き起こすので、この周波数ＦＤＭよりも下では、伝達関数の挙動は図３に示されるものとほとんど一致している。周波数ＦＤＭの後では、センサ６およびアクチュエータ８はもはや投影システム１またはその一部分の振動および共振を実測しないか、または実質的に実測せず、代わりに、センサ６およびアクチュエータ８から実測されるような周波数挙動はインターフェースマス３によって支配されている。したがって、図４は、３つの周波数帯域を示す。すなわち、投影システムが剛体マスとして挙動する低周波数領域ＲＢＭ、投影システムの共振部分ＲＥＳおよび共振、および再びインターフェースマス３で生成される剛体マス。結果として、周波数ＦＤＭ後の伝達関数の位相は、比較的一定の挙動を示し、それによって、ことによるとセンサ６およびアクチュエータ８を含む能動減衰システムの安定な挙動に有利に働く。
【００５２】
[0058]  したがって、センサ６／アクチュエータ８と投影システムとの間にインターフェースマス３を設けることによって、投影システム１の不都合な高周波数挙動は、能動減衰システム５の制御ループでもはや考慮に入れられない。実際には、さらに高い周波数で、インターフェースマス３自体が再び共振を示すことがある。しかし、この共振は、能動減衰システム５の実効帯域幅を超えている筈である。インターフェースマス３は、投影システム１よりも小さな重量および複雑さを有する可能性があるので、そのような挙動は、実際の具体化で容易に実現される可能性がある。
【００５３】
[0059]  インターフェースマス３は、投影システム１のどんな関連部分に接続されてもよく、透過投影システムの実際の具体化では、インターフェースマスはレンズマウント（すなわち、投影システムの複数のレンズエレメントのための１つのマウント）に接続されることがある。反射投影システムの場合、インターフェースマスは、例えば１つまたは複数のミラーを保持するフレームに接続されることがある。それによって、インターフェースマスをレンズマウントまたはフレームに接続すること（したがって、能動減衰システムを間接的に接続すること）は投影システムの複数の構成部分、例えばレンズエレメント、ミラー、その他に影響を及ぼすので、投影システムおよびその構成部分は効果的に制動されることがある。これは、これらの構成要素は全て、次には、レンズマウントまたは基準フレームに接続されるからである。
【００５４】
[0060]  インターフェースマス３のマスは、一般に、投影システム１のマスの０．００１倍から０．１倍に、より好ましくは、投影システム１のマスの０．００１倍から０．０１倍に選択されることがある。というのは、それによって、減衰周波数を能動減衰システム５の所望帯域幅内にある周波数範囲中に生成することができ、それによって、能動減衰システム５の安定な閉ループ動作に有利に働くからである。インターフェースマス３の結果として得られたマスは、一般に、５〜２０ｋｇの範囲内であり、例えば１０ｋｇである。
【００５５】
[0061]  反作用マス９のマスは、一般に、インターフェースマス３のマスの０．１倍から０．００１倍に、より好ましくは０．０２倍から０．００５倍に選択されることがある。図示の実施形態での反作用マス９は、一般に、０．０５ｋｇ〜０．２ｋｇの範囲内であり、例えば０．１ｋｇである。
【００５６】
[0062]  上述の能動減衰システムは、米国特許出願番号第６０／９６０，５７９号である同時係属出願においてより詳細に説明されており、その出願の内容は、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。
【００５７】
[0063]  図２に示される能動減衰システム５では、センサ６は、アクチュエータ８と一列には配置されないことがあり、したがってアクチュエータ８に並べて配置される。その結果、センサ６は、アクチュエータ８と完全には連係されないことがあり、すなわち、アクチュエータ８が作用力を加えることがある主方向と、センサ６が加速度、または一般に位置量を測定する主方向とが重なり合わない。この不完全な連係により、能動減衰システム５の減衰性質は最適でないことがある。
【００５８】
[0064]  図５は、本発明の一実施形態による能動減衰システム５を示す。図５の実施形態では、センサが存在しない。インターフェースマス３、したがって構造物の速度は、アクチュエータ信号に基づいてインターフェースマス３の速度を計算するように構成された計算デバイスまたは計算機によって求められるので、センサを省くことができる。一実施形態では、計算デバイスまたは計算機は、制御装置７の一部であってよい。一実施形態では、計算機は、プロセッサ、ハードウェア、ソフトウェア、またはそれらの任意の組合せを含むことがある。アクチュエータ８の信号が使用されるので、速度は、アクチュエータがインターフェースマス３に対して作用力を加えるのと正確に同じ位置および方向で求められる。したがって、「センサ」とアクチュエータ８とが完全に連係される。
【００５９】
[0065]  ここで、速度の計算の一例が、アクチュエータのクランプ電圧ＵＣおよび電流Ｉに基づいて与えられる。ここで、アクチュエータはローレンツ型である。
【００６０】
[0066]  反作用マス９とインターフェースマス３との相対速度ｖＣは、以下の式で求めることができる。
ｖＣ＝１／Ｋ（ＵＣ−ＩＲ）
ここで、Ｋはモータ定数であり、Ｒはアクチュエータの抵抗である。
【００６１】
[0067]  反作用マスの速度ｖＭは、
ｖＭ＝−Ｆ（１／ｍＲｓ）
によって求めることができ、ここで、Ｆは加えられる力であり、ＫＩに等しく、ｍＲは反作用マス９のマスである。インターフェースマス３の絶対速度ｖＡは、
ｖＡ＝ｖＣ＋ｖＭ
として計算することができる。
【００６２】
[0068]  したがって、アクチュエータの信号に基づいて、センサを使用せずにインターフェースマス３の絶対速度を求めることができる。この例は、反作用マスの最低共振周波数よりも上でのみ妥当であること、およびアクチュエータ８のインダクタンスが考慮されていないことに留意されたい。
【００６３】
[0069]  上の例では、インターフェースマス３が投影システム１とアクチュエータ８との間に設けられる。代替実施形態では、インターフェースマス３が省かれることがあり、アクチュエータ８が投影システム１に直接取り付けられることがある。そのような実施形態は、図２に示される実施形態に関連して説明したようなより高い周波数に関する減衰効果が必要とされないときに使用されることがある。
【００６４】
[0070]  さらに、図２の図示の実施形態での反作用マス９は慣性マスであり、すなわちアクチュエータ８のみに接続される。代替実施形態では、アクチュエータは、インターフェースマス３／投影システム１と、リソグラフィ装置の剛性部分、例えば基盤フレームまたはメトロフレームなどのフレームとの間に配置されることがある。そのような場合、反作用マス、例えば基盤フレームが移動しないと想定されることがあり、またはフレームの移動を測定するためにセンサが提供されることがある。
【００６５】
[0071]  図６は、図２に示されるような能動減衰システム５において加速度センサとして使用されることがあるセンサ６の一例を示す。センサ６は、インターフェースマス３と測定マス１２との間に配置された圧電エレメント１１に基づく。測定マス１２は、比較的小さいマスである。インターフェースマス３が移動されるとき、測定マスの慣性により、力が圧電エレメント１１に加えられる。この力が圧電エレメントによって測定される。この力に基づいて、インターフェースマス３の加速度を求めることができる。
【００６６】
[0072]  図示のセンサ型は、特定の周波数範囲内で加速度を高精度で測定することが可能であるが、他の周波数範囲では性能が悪くなることがある。また、センサは、センサの内部ダイナミクスにより、関連の周波数範囲内で共振周波数を有することがあり、例えば図２の実施形態では１５ｋＨｚである。この共振周波数は、実現可能な利得、したがって減衰性能、特に能動減衰システムの帯域幅を決定することになりうる。
【００６７】
[0073]  システムの帯域幅を最適化することができるように、共振周波数は好ましくは高い。共振周波数は、センサの測定マス１２を減少することによって増加されることがある。また、そのようなセンサは、より高い周波数に関して良好に機能するが、より低い周波数に関する性能は比較的悪い。また、低周波数性能を改善するために比較的大きな測定マス１２をセンサに設けることも可能である。しかしまた、そのようなセンサの共振周波数はより低いことがあり、したがってシステムの帯域幅に対する負の影響を有する。
【００６８】
[0074]  図７は、センサ性能を高めることができる実施形態を示す。同一の参照番号が、同一または同様の部分に関して使用されている。
【００６９】
[0075]  図７の実施形態では、第１のセンサ６ａおよび第２のセンサ６ｂが、インターフェースマス３に提供される。
【００７０】
[0076]  第１のセンサ６ａは、比較的低い周波数で良好に機能するセンサである。この理由から、第１のセンサ６ａは、比較的大きな測定マスを設けられる。また、そのようなセンサは、例えば１０ｋＨｚ範囲での比較的低い共振周波数を有する。第２のセンサ６ｂは、より高い周波数で良好に機能するように構成されたセンサであり、それに対応してより高い共振周波数を有する。しかし、より低い周波数での性能は良好ではなく、例えば雑音が多いことがある。
【００７１】
[0077]  第１のセンサ６ａの測定信号は、低域フィルタ２０でフィルタされる。低域フィルタの減衰周波数は、１０ｋＨｚ以下であってよく、第１のセンサ６ａの比較的低い共振周波数をフィルタ除去する。第２のセンサ６ｂの測定信号は、高域フィルタ２１でフィルタされて、雑音の多い低周波数信号をフィルタ除去する。
【００７２】
[0078]  フィルタされた信号は、加算デバイスまたは加算器２２で単一信号に合成され、制御装置７に供給される。制御装置７は、インターフェースマス３／投影システム１の振動を減衰させるようにアクチュエータを駆動するために制御信号を提供する。低域フィルタ２０と、高域フィルタ２１と、加算デバイスまたは加算器２２とは、例えば、単一デバイスに組み合わされることがあり、または制御装置ユニット内でアクチュエータ８と組み合わされることがある。
【００７３】
[0079]  合成信号は、第１のセンサ６ａおよび第２のセンサ６ｂの信号の最良の部分を合成する。第１のセンサ６ａの出力信号が、より低い周波数範囲に関して使用され、第２のセンサ６ｂの出力信号が、より高い周波数範囲に関して使用される。さらに、第１のセンサ６ａのより低い共振周波数が、低域フィルタ２０によってフィルタ除去され、それに伴って能動減衰システム５の帯域幅を増加する。したがって、測定の全体の性能は、大きい帯域幅を得ながらまたは維持しながら高められる。
【００７４】
[0080]  図７に示される実施形態では、本発明を説明するために圧電エレメント加速度センサが使用された。しかし、他の型のセンサも同じ特性を有する。センサは、より低い周波数範囲で正確であることがあるが、また、より低い共振周波数を有し、それに伴って帯域幅を制限する、或いはセンサは、より高い周波数範囲で正確であるが、より低い周波数ではあまり正確でない（雑音が多い）。そのようなセンサに関しても、第１および第２のセンサと、低域フィルタおよび高域フィルタとの組合せが使用されることがある。
【００７５】
[0081]  この点で、低域フィルタという用語は、第１のセンサ６ａの共振周波数以上の周波数をフィルタ除去するフィルタに関して使用され、高域フィルタという用語は、関連の周波数範囲内での低周波数測定をフィルタするフィルタに関して使用されたことを理解されたい。実際には、この結果を得るために、任意の型のフィルタまたはフィルタの組合せが使用されうる。したがって、本発明は、これらに合致する型のフィルタに限定されない。しかし、好ましくは、低域フィルタ２０と高域フィルタ２１とは、互いの補完フィルタであり、したがってＨｌｏｗ−ｐａｓｓ＋Ｈｈｉｇｈ−ｐａｓｓ＝１である。このとき、センサ６ａおよび６ｂならびにフィルタ２０および２１と、加算デバイスまたは加算器との組合せが、制御ループ内での位相インパクトを伴わずに広い周波数範囲にわたって正確に機能する１つのセンサとして挙動する。
【００７６】
[0082]  能動減衰システムに関して使用されるアクチュエータが同様の特性を有することがある、すなわち、内部ダイナミクスに起因してより低い共振周波数を有するアクチュエータは、より低い周波数に関して良好に機能するが、制限された帯域幅を有し、一方、より高い共振周波数を有するアクチュエータは、より高い帯域幅を提供するが、低周波数ではより低い性能を有することを理解されたい。
【００７７】
[0083]  そのような場合、第１のセンサおよび第２のセンサを使用する上の実施形態によれば、第１のアクチュエータおよび第２のアクチュエータを有する能動減衰システム５を提供することが可能である。第１のアクチュエータは、低周波数範囲に関して使用され、したがってより低い周波数で正確であるように構成され、一方、第２のアクチュエータは、より高い周波数で正確に作用するように提供される。例えば、第１のアクチュエータは、大きな反作用マスに接続されることがあり、一方、第２のアクチュエータは、小さな反作用マスに接続される。第１および第２のアクチュエータに供給される制御信号は、第１のアクチュエータでは低域フィルタによって、第２のアクチュエータでは高域フィルタによってフィルタされることがある。
【００７８】
[0084]  異なる周波数範囲で良好に機能するようにそれぞれ構成された２つのアクチュエータを設けることによって、（１つまたは複数の）アクチュエータの総計の周波数範囲を拡げることができ、それに伴って能動減衰システム５の全体の減衰性能を改善する。
【００７９】
[0085]  実際の能動減衰システムの特性に応じて、特定の周波数範囲および所望の帯域幅にわたって最適な性能を提供するために、２つ以上のセンサおよび／または２つ以上のアクチュエータを提供することができる。帯域フィルタまたは同様のフィルタが、各々のセンサまたはアクチュエータの関連周波数範囲をフィルタ除去するために提供されることがある。
【００８０】
[0086]  上の例では、インターフェースマス３が投影システム１とアクチュエータ８との間に設けられる。代替実施形態では、インターフェースマス３が省かれることがあり、アクチュエータ３が投影システム１に直接取り付けられることがある。そのような実施形態は、図２に示される実施形態に関連して説明したようなより高い周波数に関する減衰効果が必要とされないときに使用されることがある。
【００８１】
[0087]  さらに、図２の実施形態での反作用マス９は慣性マスであり、すなわちアクチュエータ８のみに接続される。代替実施形態では、アクチュエータは、インターフェースマス３／投影システム１と、リソグラフィ装置の剛性部分、例えば基盤フレームまたはメトロフレームなどのフレームとの間に配置されることがある。
【００８２】
[0088]  上記において、本発明は、リソグラフィ装置の投影システムに関連して説明されたが、本発明は、任意の投影システムに応用されることがあり、または、さらに一般に、いくつかの能動減衰システムによって機械的に制動されることがある任意の構造に応用されることがある。したがって、本発明ならびにこの文献で説明された実施形態は、投影システムおよびいくつかの能動減衰システムを含むリソグラフィ装置として、投影システムおよびいくつかの能動減衰システムを含む投影アセンブリとして、さらに、構造物と、この構造物の振動を減衰させるためのいくつかの能動減衰システムとの組合せとして実現されることがある。
【００８３】
[0089]  この明細書では、ＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及することがあるが、本明細書で説明されたリソグラフィ装置には、集積光学システム、磁気ドメインメモリの誘導および検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド、その他の製造などの他の用途がある可能性があることは理解すべきである。当業者は理解することであろうが、そのような他の用途の背景では、本明細書での用語「ウェーハ」または「チップ」の使用はどれも、より一般的な用語「基板」または「ターゲット部分」とそれぞれ同義であると考えることができる。本明細書で参照される基板は、例えばトラック（一般にレジスト層を基板に塗布し、さらに露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、および／またはインスペクションツールで、露光前または露光後に処理することができる。応用可能な場合、本明細書の開示は、そのようなおよび他の基板処理ツールに応用することができる。さらに、基板は、例えば多層ＩＣを作成するために一度よりも多く処理されることがあるので、本明細書で使用される基板という用語は、複数の処理された層を既に含む基板も意味することができる。
【００８４】
[0090]  光リソグラフィの背景での本発明の実施形態の使用について上で特に言及された可能性があるが、理解されることであろうが、本発明は他の用途、例えばインプリントリソグラフィで使用されてもよく、背景が許す場合、光リソグラフィに限定されない。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイスのトポグラフィが、基板に作られるパターンを画定する。パターニングデバイスのトポグラフィが、基板に供給されたレジストの層に押し込まれることがあり、それからレジストは、電磁放射、熱、圧力、またはこれらの組合せを加えることによって硬化される。パターニングデバイスは、レジストから外に移動され、レジストが硬化された後でレジストにパターンが残る。
【００８５】
[0091]  本明細書で使用される用語「放射」および「ビーム」は、紫外（ＵＶ）放射（例えば、３６５、２４８、１９３、１５７、または１２６ｎｍ、あるいはその辺りの波長を有する）および極端紫外線（ＥＵＶ）放射（例えば、５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）、ならびにイオンビームまたは電子ビームなどの粒子ビームを含んだ、全ての種類の電磁放射を包含する。
【００８６】
[0092]  用語「レンズ」は、背景が許す限り、屈折、反射、磁気、電磁、および静電光学コンポーネントを含んだ様々な種類の光学コンポーネントのどれか１つまたは組合せを意味することができる。
【００８７】
[0093]  本発明の特定の実施形態を上で説明したが、理解されることであろうが、本発明は説明されたのと違ったやり方で実施されてもよい。例えば、本発明は、先に開示されたような方法を記述する機械読取可能命令の１つまたは複数のシーケンスを含んだコンピュータプログラム、またはそのようなコンピュータプログラムが格納されたデータ記憶媒体（例えば、半導体メモリ、磁気ディスクまたは光ディスク）の形を取ることができる。
【００８８】
[0094]  上述の説明は、例示であり制限しない意図である。したがって、当業者には明らかなことであろうが、示された特許請求の範囲の範囲から逸脱することなしに、説明されたような本発明に修正が加えられることがある。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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