(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
長方形のウェハ移送チャンバーと隣接して前記長方形のウェハ移送チャンバーと分離されたカセットステージ上に第１ウェハを提供する段階と、
前記第１ウェハを前記カセットステージからロードロックチャンバーに前記長方形のウェハ移送チャンバーに位置する移送メカニズムによって移送するが、前記ロードロックチャンバーは、前記長方形のウェハ移送チャンバーと隣接して前記長方形のウェハ移送チャンバーの長辺に沿って配置され、前記長方形のウェハ移送チャンバーは前記カセットステージと前記ロードロックチャンバーとの間で大気圧環境で前記第１ウェハの移送のための空間を提供し、前記長方形のウェハ移送チャンバーと前記ロードロックチャンバーとの間に形成されたゲートは選択的に開閉され前記第１ウェハの通過を許容する段階と、
前記ロードロックチャンバーに真空圧を提供する段階と、
前記第１ウェハを前記ロードロックチャンバーに配置された移送アームを用いて前記ロードロックチャンバーから前記長方形のウェハ移送チャンバーと隣接して前記長方形のウェハ移送チャンバーの長辺に沿って配置され前記ロードロックチャンバーに連結した多数個の工程チャンバーのうち１つの工程チャンバーに直接的に移送するが、前記ロードロックチャンバーは前記移送アームを移動させるための内部移送装置を含み、前記ロードロックチャンバーと前記多数個の工程チャンバーのうち前記１つの工程チャンバーとの間に形成されたゲートは選択的に開閉され前記第１ウェハの通過を許容する段階と、
前記多数個の工程チャンバーのうち前記１つの工程チャンバーに高真空圧を提供する段階と、
前記多数個の工程チャンバーのうち前記１つの工程チャンバーで前記第１ウェハを加工する段階と、
を含み、
前記ロードロックチャンバーは前記長方形のウェハ移送チャンバーから移送された多数個の前記第１ウェハを収容するように構成されたことを特徴とするマルチ−チャンバーシステムで半導体素子を製造する方法。
【請求項２】
前記長方形のウェハ移送チャンバーを通じて前記移送メカニズムによって第２ウェハを前記カセットステージから前記ロードロックチャンバーに移送させる段階を更に含むが、前記長方形のウェハ移送チャンバーは前記カセットステージと前記ロードロックチャンバーとの間で大気圧環境で前記第２ウェハの移送のための空間を提供し、前記第１及び第２
ウェハは前記長方形のウェハ移送チャンバーを同時に移送されることを特徴とする請求項
１記載のマルチ−チャンバーシステムで半導体素子を製造する方法。
【請求項３】
前記第１ウェハを加工する段階は、前記第１ウェハをエッチングするか、またはアッシングする段階を含むことを特徴とする請求項１記載のマルチ−チャンバーシステムで半導体素子を製造する方法。
【請求項４】
長方形のウェハ移送チャンバーと隣接して前記長方形のウェハ移送チャンバーと分離されたカセットステージ上に第１及び第２ウェハを提供する段階と、
前記第１ウェハを前記カセットステージからロードロックチャンバーに前記長方形のウェハ移送チャンバーに位置する移送メカニズムによって移送するが、前記ロードロックチャンバーは前記長方形のウェハ移送チャンバーと隣接して前記長方形のウェハ移送チャンバーの長辺に沿って配置され、前記長方形のウェハ移送チャンバーは前記カセットステージと前記ロードロックチャンバーとの間で大気圧環境で前記第１ウェハの移送のための空間を提供し、前記長方形のウェハ移送チャンバーと前記ロードロックチャンバーとの間に形成されたゲートは選択的に開閉され前記第１ウェハの通過を許容する段階と、
前記長方形のウェハ移送チャンバーを通じて前記移送メカニズムによって前記第２ウェハを前記カセットステージから前記ロードロックチャンバーに移送するが、前記長方形のウエハー移送チャンバーは前記カセットステージと前記ロードロックチャンバーとの間で大気圧環境で前記第２ウェハの移送のための空間を提供し、前記長方形のウェハ移送チャンバーと前記ロードロックチャンバーとの間に形成されたゲートは選択的に開閉され前記第２ウェハの通過を許容し、前記第１及び第２ウェハは前記長方形のウェハ移送チャンバーを同時に移送される段階と、
前記ロードロックチャンバーに真空圧を提供する段階と、
前記第１ウェハを前記ロードロックチャンバーに配置された移送アームを用いて前記ロードロックチャンバーから前記長方形のウェハ移送チャンバーと隣接して前記長方形のウェハ移送チャンバーの長辺に沿って配置され前記ロードロックチャンバーに連結した多数個の工程チャンバーのうち１つの工程チャンバーに直接的に移送するが、前記ロードロックチャンバーは前記移送アームを移動させるための内部移送装置を含み、前記ロードロックチャンバーと前記多数個の工程チャンバーのうち前記１つの工程チャンバーとの間に形成されたゲートは選択的に開閉され前記第１ウェハの通過を許容する段階と、
前記多数個の工程チャンバーのうち前記１つの工程チャンバーに高真空圧を提供する段階と、
前記多数個の工程チャンバーのうち前記１つの工程チャンバーで前記第１ウェハをエッチングする段階と、
を含み、
前記ロードロックチャンバーは前記第１及び第２ウェハを収容するように構成されたことを特徴とするマルチ−チャンバーシステムで半導体素子を製造する方法。
【請求項５】
長方形のウェハ移送チャンバーと隣接して前記長方形のウェハ移送チャンバーの長辺に沿って配置されたロードロックチャンバーに連結した多数個の工程チャンバーのうち１つの工程チャンバーで真空圧下で第１ウェハをエッチングする段階と、
前記多数個の工程チャンバーのうち前記１つの工程チャンバーの一辺上に形成された第１ゲートを通じて前記ロードロックチャンバーに配置される移送アームによって前記第１ウェハを前記１つの工程チャンバーから前記ロードロックチャンバーに移送するが、前記ロードロックチャンバーは多数個の前記第１ウェハを収容するように構成され、前記移送アームを移動させるための内部移送装置を含む段階と、
前記第１ウェハを前記ロードロックチャンバーから前記長方形のウェハ移送チャンバーに位置する移送メカニズムによって前記長方形のウェハ移送チャンバーを通過して大気圧環境で移送するが、前記多数個の工程チャンバーは前記長方形のウェハ移送チャンバーと隣接して前記長方形のウェハ移送チャンバーの長辺に沿って配置され、前記長方形のウェハ移送チャンバーは前記第１ウェハの移送のための空間を提供する段階と、
を含むことを特徴とするマルチ−チャンバーシステムで半導体素子を製造する方法。
【請求項６】
カセットステージ上に第１ウェハを提供する段階と、
前記カセットステージから分離され隣接した長方形のウェハ移送チャンバーを大気圧環境に維持するが、前記長方形のウェハ移送チャンバーは前記第１ウェハの移送のための空間を提供する段階と、
前記第１ウェハを前記長方形のウェハ移送チャンバーを通じて前記長方形の移送チャンバーに位置する移送メカニズムによって前記カセットステージから前記長方形のウェハ移送チャンバーに隣接したロードロックチャンバーに移送するが、前記ロードロックチャンバーは前記長方形のウェハ移送チャンバーの長辺に沿って配置される段階と、
前記ロードロックチャンバーに低真空圧を提供する段階と、
前記第１ウェハを前記ロードロックチャンバーに設置された移送アームを用いて前記ロードロックチャンバーから前記ロードロックチャンバーに連結した多数個の工程チャンバーのうち１つの工程チャンバーに直接的に移送するが、前記多数個の工程チャンバーは前記長方形のウェハ移送チャンバーと隣接して前記長方形のウェハ移送チャンバーの長辺に沿って配置される段階と、
前記多数個の工程チャンバーのうち前記１つの工程チャンバーで前記第１ウェハをエッチングする段階と、
前記第１ウェハを前記多数個の工程チャンバーのうち前記１つの工程チャンバーから前記ロードロックチャンバーに前記移送アームを使用して移送する段階と、
前記第１ウェハを前記ロードロックチャンバーから前記移送メカニズムによって前記長方形のウェハ移送チャンバーを通じて大気圧環境で移送する段階と、
を含み、
前記ロードロックチャンバーは多数個の前記第１ウェハを収容するように構成されたことを特徴とするマルチ−チャンバーシステムで半導体素子を製造する方法。
【請求項７】
前記第１ウェハをエッチングする前に、前記多数個の工程チャンバーのうち前記１つの工程チャンバーに高真空圧を提供する段階を更に含むことを特徴とする請求項６記載のマルチ−チャンバーシステムで半導体素子を製造する方法。
【請求項８】
前記長方形のウェハ移送チャンバーを通じて前記移送メカニズムによって第２ウェハを前記カセットステージから前記ロードロックチャンバーに移送させる段階を更に含むが、前記長方形のウェハ移送チャンバーは、前記カセットステージと前記ロードロックチャンバーとの間で大気圧環境で前記第２ウェハの移送のための空間を提供し、前記第１及び第２ウェハは前記長方形のウェハ移送チャンバーを同時に移送されることを特徴とする請求項６記載のマルチ−チャンバーシステムで半導体素子を製造する方法。
【請求項９】
前記第１ウェハは、前記長方形のウェハ移送チャンバーから真空吸着された状態で移送されることを特徴とする請求項１、５、及び６のうち何れか一項に記載のマルチ−チャンバーシステムで半導体素子を製造する方法。
【請求項１０】
前記第１及び第２ウェハは、前記長方形のウェハ移送チャンバーから真空吸着された状態で移送されることを特徴とする請求項４記載のマルチ−チャンバーシステムで半導体素子を製造する方法。
【請求項１１】
前記長方形のウェハ移送チャンバーの互いに向かい合う両側の長辺に沿って各長辺ごとに前記ロードロックチャンバー及び前記多数個の工程チャンバーを設置し、１つのロードロックチャンバーの両側に一組の工程チャンバーを配置し、前記１つのロードロックチャンバーと前記一組の工程チャンバーとの間で前記第１ウェハを移送するとき、前記長方形のウェハ移送チャンバーの長さ方向と平行した方向に移送することを特徴とする請求項１、４、５、及び６のうち何れか一項に記載のマルチ−チャンバーシステムで半導体素子を製造する方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体素子製造用エッチング設備のマルチチャンバーシステムを用いた半導体装置素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体エッチング工程では、工程の効率及び空間設置効率を向上させるため、多数個のチャンバーでいくつかの種類のウェハ加工作業が同時に進行されることが可能であるマルチチャンバーシステムが採択されている。
【０００３】
特に、プラズマを利用した乾式エッチング工程で使用するマルチチャンバーシステムは、プラズマ生成のために高真空環境が要求される多数個の工程チャンバーを備え、低真空状態の中央チャンバー内で多数個の真空チャンバーにウェハをローディング及びアンローディングするチャンバー内移送装置を備える集中型マルチチャンバーシステムである。
【０００４】
従来の一般的な半導体素子製造用エッチング設備のマルチチャンバーシステムを図１に示す。
図１に示すように、従来の半導体素子製造用エッチング設備の集中型マルチチャンバーシステムは、中央に６角柱型の中央チャンバー１６が設置され、中央チャンバー１６の側面にそれぞれ工程が行われる４つの工程チャンバー１５が連結される構成である。中央チャンバー１６とそれぞれの工程チャンバー１５の間には、ぞれぞれウェハの選択的な出入が自由である図示しない多数個のゲートが設置される。そのゲートを通じ中央チャンバー１６に設置されたチャンバー内移送装置１４がウェハを選択的にそれぞれの工程チャンバー１５にローディング及びアンローディングすることが可能である。
【０００５】
中央チャンバー１６は、連結された工程チャンバー１５の個数によって四角形、五角形、七角形等の形態が可能で、図１では最も一般的な六角形構造の中央チャンバーを示した。
【０００６】
また、それぞれの工程チャンバー１５と中央チャンバー１６は図示しない真空圧形成装置を備える。従って、チャンバー内移送装置１４は、真空の環境下でウェハを工程チャンバー１５に移送する。
【０００７】
また、このようなマルチチャンバーシステムの中央チャンバー１６には、中央チャンバー１６にカセット１１内のウェハを移送することができるようにウェハの環境を大気圧で低真空状態に転換し、ウェハの中間待機場所としてローディング前、またはアンローディング後のウェハが積載されるロードロックチャンバー１３が設置される。通常このようなロードロックチャンバー１３は、加工前のウェハが積載される入力側のロードロックチャンバー及び加工を終えた後のウェハが積載される出力側ロードロックチャンバーによって構成される。
【０００８】
また、このような２つのロードロックチャンバー１３には、大気中でカセット単位のウェハ運搬が容易であるようにカセット１１が安着されるカセットステージ１２が連結されて設置される。
【０００９】
従って、従来の半導体素子製造用エッチング設備のマルチチャンバーシステムは、カセットステージ１２にカセット１１が安着されると、ロードロックチャンバー１３の内部に設置された自動移送装置または作業者等がウェハを積載したカセット１１をロードロックチャンバー１３に供給し、ロードロックチャンバー１３は密閉された後低真空状態になる。ロードロックチャンバー１３が所定水準の真空状態に到達すると、ロードロックチャンバー１３のゲートが開放され、中央チャンバー１６のチャンバー内の移送装置１４が低真空状態でウェハを個別または一定な個数単位に図示しない移送アームに安着させた後、特定角度に水平回転しながら特定角度線上に位置した特定工程チャンバーに先進して移送する。
【００１０】
工程チャンバー１５内にウェハが移送されると、工程チャンバー１５のゲートが密閉された後に工程が遂行され、工程を終えたウェハは、再びチャンバー内移送装置１４によって逆方向に移送されてロードロックチャンバー１３内のカセットに再積載される。
【００１１】
ここで、特定チャンバーで工程が進行される途中に、チャンバー内移送装置１４は連続して他の工程チャンバー１５にウェハをローディング及びアンローディングすることが可能である。従って、多数個の工程チャンバーで同時に多数個のウェハを加工することが可能である。
【００１２】
しかし、このような従来の集中型マルチチャンバーシステムは、前述したように六角形型の中央チャンバーを構成することにおいて（基本的に４つの工程チャンバーと２つのロードロックチャンバーで構成される場合）、六角形型の中央チャンバーが占める面積のため、設備全体の面積は勿論、製造ライン内の設備配置において重視される設備幅"ｗ"が必要以上に増大し、中央チャンバーを真空状態に維持するのに必要な真空設備の規模が増大し設備費用及び設置費用が増加する。
【００１３】
また、このような中央チャンバーの面積は、設置される工程チャンバーの個数の増加に伴って増加するものである。例えば、設置される同一の大きさの工程チャンバーを４つから６つに増加させようとすると、中央チャンバーを正八角形型に構成しなければならない。この場合中央チャンバーの面積増加はさらに増大される。
従って、必要な工程チャンバーの個数が増加すると、前述のような集中型マルチチャンバーシステムをさらに一つ追加して設置するようになる。
【００１４】
しかし、集中型マルチチャンバーシステムを購入する購入費が増加し、また設置費が過重に所要され、必要以上に設備の面積が広くなるので設備の設置面積が増加し、高価な維持費が所要される清浄室を広く占有し、工程チャンバーやロードロックチャンバーに付設される各種の工程ガス及び真空関連装置が重複するなどの問題があった。
従って、マルチチャンバーシステムの工程チャンバの個数を増やす方法が多角度から考えられた。
【００１５】
このような集中型マルチチャンバーシステムにおいて工程チャンバーの個数を増加に伴う設置面積の増加を抑制する方法の一つは、図２に示すようにそれぞれ３個の工程チャンバー１５と連結された２つの中央チャンバー１６を互いに連結し、２つの中央チャンバーを互いに連結するための連結ロードロックチャンバー１３を間に設置し、従来の集中型マルチチャンバーシステム１０を互いに連結して結合させるものである。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
しかし、この方法においても、７個の工程チャンバー１５を設置する場合、集中型マルチチャンバーシステム１０を一つさらに購入して設置することに比べ、高価の維持費が所要される清浄室内の占有面積を効果的に削減し、工程チャンバーやロードロックチャンバーに付設される各種の工程ガス及び真空関連装置が重複する等の問題点を克服することができなかった。
【００１７】
また、図３に示すように構造的にカセットステージが設備の前方に配置される従来の集中型マルチチャンバーシステム１０が、半導体製造ライン内に他工程設備２０と一緒に設置されると、集中型マルチチャンバーシステムを始めとした他工程設備２０のカセットステージが全て前方に向くようになるので設備から設備にカセットを運搬する自動カセット運搬車または作業者等が必要になり、附随的なカセット運搬装置を備えなければならないという問題点があった。
【００１８】
また、前述の集中型マルチチャンバーシステムは、チャンバー内の移送装置が真空の環境下でウェハを移送するためウェハを真空吸着することができない。このため移送アームがウェハを単純に重力支持する構成であり、移動時ウェハの慣性によってウェハが離脱しないようにウェハの移送速度を非常に低速にしなければならないという問題点があった。
【００１９】
本発明は、上述の問題点を解決するために創作されたものであり、多数個の工程チャンバーを多層に直列配置して、設備の面積及び設備の幅を画期的に縮小し、不必要な真空面積を縮小することで装置費及び設置費を最小化させ、他工程設備との連結及び空間活用が容易で、ウェハの移送速度を向上させる半導体素子製造用エッチング設備のマルチチャンバーシステムを用いる半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
本発明の請求項１に記載のマルチ−チャンバーシステムで半導体素子を製造する方法によると、長方形のウェハ移送チャンバーと隣接して前記長方形のウェハ移送チャンバーと分離されたカセットステージ上に第１ウェハを提供する段階と、前記第１ウェハを前記カセットステージからロードロックチャンバーに前記長方形のウェハ移送チャンバーに位置する移送メカニズムによって移送するが、前記ロードロックチャンバーは、前記長方形のウェハ移送チャンバーと隣接して前記長方形のウェハ移送チャンバーの長辺に沿って配置され、前記長方形のウェハ移送チャンバーは前記カセットステージと前記ロードロックチャンバーとの間で大気圧環境で前記第１ウェハの移送のための空間を提供し、前記長方形のウェハ移送チャンバーと前記ロードロックチャンバーとの間に形成されたゲートは選択的に開閉され前記第１ウェハの通過を許容する段階と、前記ロードロックチャンバーに真空圧を提供する段階と、前記第１ウェハを前記ロードロックチャンバーに配置された移送アームを用いて前記ロードロックチャンバーから前記長方形のウェハ移送チャンバーと隣接して前記長方形のウェハ移送チャンバーの長辺に沿って配置され前記ロードロックチャンバーに連結した多数個の工程チャンバーのうち１つの工程チャンバーに直接的に移送するが、前記ロードロックチャンバーは前記移送アームを移動させるための内部移送装置を含み、前記ロードロックチャンバーと前記多数個の工程チャンバーのうち前記１つの工程チャンバーとの間に形成されたゲートは選択的に開閉され前記第１ウェハの通過を許容する段階と、前記多数個の工程チャンバーのうち前記１つの工程チャンバーに高真空圧を提供する段階と、前記多数個の工程チャンバーのうち前記１つの工程チャンバーで前記第１ウェハを加工する段階と、を含み、前記ロードロックチャンバーは前記長方形のウェハ移送チャンバーから移送された多数個の前記第１ウェハを収容するように構成されたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２１】
本発明による半導体素子製造用エッチング設備のマルチチャンバーシステムによると、多数個の工程チャンバーを多層に直列配置して設備の面積及び設備の幅を画期的に縮小することができる。また、不要な真空面積を縮小することにより設備費用及び設置費用を最小化する事ができる。さらに、他工程設備との連結及び空間活用が容易であり、また、ウェハの移送速度が向上する。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】従来の半導体素子製造用エッチング設備の集中型マルチチャンバーシステムを示す模式的な平面図である。
【図２】図１の半導体素子製造用エッチング設備の集中型マルチチャンバーシステムを連結して結合させた状態を示す模式的な平面図である。
【図３】図１の半導体素子製造用エッチング設備の集中型マルチチャンバーシステムが半導体製造ライン内に設置された状態を示す図である。
【図４】本発明の第１実施例による半導体素子製造用エッチング設備のマルチチャンバーシステムを示す模式的な平面図である。
【図５】本発明の第１実施例による半導体素子製造用エッチング設備のマルチチャンバーシステムを示す斜視図である。
【図６】本発明の第１実施例においてウェハの移送状態を概略的に示した側面図である。
【図７】本発明の第２実施例による半導体素子製造用エッチング設備のマルチチャンバーシステムを示す模式的な平面図である。
【図８】本発明の第２実施例による半導体素子製造用エッチング設備のマルチチャンバーシステムが半導体製造ライン内に設置された一例を示す平面図である。
【図９】本発明の第２実施例による半導体素子製造用エッチング設備のマルチチャンバーシステムが延長された状態を示した模式的な平面図である。
【図１０】本発明の第３実施例による半導体素子製造用エッチング設備のマルチチャンバーシステムが半導体製造ライン内に設置された一例を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明の実施の形態を示す複数の実施例を、添付した図面に基づき詳細に説明する。
【実施例１】
【００２４】
本発明の第１実施例による半導体素子製造用エッチング設備のマルチチャンバーシステムを図４に示す。
【００２５】
まず、図４を参照して説明すると、本発明の第１実施例による半導体素子製造用エッチング設備のマルチチャンバーシステムは、前方にウェハを積載したカセット４１が安着されるカセットステージ４２と、ウェハの移送に必要な空間である長方形移送通路の両側面に並んで多層に配列されウェハの加工が行われる８つの工程チャンバー４５と、前記移送通路に設置され、前記カセットステージ４２に積載されたウェハを前記８つの工程チャンバー４５にそれぞれローディング及びアンローディングさせることが可能なウェハ移送装置５２とを備える。
【００２６】
カセットステージ４２は、前記カセットが昇下降することができるようにカセットエレベーターが設置され得るし、カセット間の位置を交代することができるように左右に水平移動され得る。
【００２７】
前記工程チャンバー４５は、単層構造も可能であるが、空間の効率性を考慮して図５に図示されたように２層をなし、各層にはそれぞれ４つの工程チャンバー４５が直列で並んで配列される構成である。
【００２８】
マルチチャンバーシステム４０が単層になる構成である場合、図１の従来の集中型マルチチャンバーシステム１０と比べると、従来のような規格の４つの工程チャンバー４５と２つのロードロックチャンバー４３を設置するとき、図４でのように、本発明のマルチチャンバーシステム４０の設備幅"Ｗ"は２つの工程チャンバー４５の幅と１つの移送通路の幅を合わせたものと同じである。必要以上に肥大化した従来の中央チャンバーの幅をウェハ１枚の幅を超える最小の幅に製作することができる移送通路の幅に代置することができる。このため、設備の幅"Ｗ"を最小化するようになることは勿論であり、このような設備の幅Ｗの縮小は設備の長さにも適用することができ、従来の中央チャンバーの長さをロードロックチャンバー４３の長さに代置することができ、その中でロードロックチャンバー４３の形態も１辺の長さがウェハ１枚の直径を超える範囲で薄い正四角柱型に最小化して全体設備の幅及び長さを最小化することができるようになる。
【００２９】
従って、設備の幅"Ｗ"と設備の長さを積算した設備面積は、本発明の単層構造であるマルチチャンバーシステムの場合、従来と比べ大幅に縮小され、さらに複層構造が可能な本発明の多層構造のマルチチャンバーは、設備をさらにコンパクトに構成することができるものである。
【００３０】
また、ロードロックチャンバー４３の空間を最小化することによって真空設備等付設装置の容量を減らすようになり装置費及び設置費を最小化することができる。
【００３１】
また、前記移送通路には、前記ウェハ移送装置５２が真空圧を利用して把持することでウェハを高速移動させることが可能であるように別途の真空圧形成装置を設置する必要がない構成である。
【００３２】
このように前記ウェハ移送装置５２が設置される移送通路が従来の中央チャンバーのように真空環境が形成されたものではないので、前記工程チャンバーの多層構造が可能で、中央チャンバー内で移送アームがウェハを単純に重力支持して移動時、ウェハの慣性によってウェハが離脱しないように低速で移動させる従来の場合より高速なウェハの移送が可能である。
【００３３】
一方、ベースオーブン（Base Oven）工程、アシング（Ashig）工程等エッチング工程の前後工程で比較的低真空状態が要求される前記工程チャンバーの場合、ウェハの出入が可能で、選択的に開閉されるように前記移送通路方向にゲート（図示しない）が形成されることが可能である。
【００３４】
しかし、一般的に乾式エッチング工程が遂行される前記工程チャンバー４５は、内部の真空圧を形成するための真空圧形成装置が設置されるので、プラズマを形成するために内部に高真空環境を形成することが可能な高真空用工程チャンバーを設置する場合が多い。
【００３５】
従って、大気圧環境に工程チャンバーの内部が直接露出されて再び高真空状態に真空圧が形成されるのにかかる時間及びエネルギーの浪費を最小化するために前記工程チャンバー４５の一側面にウェハの待機場所として低真空が形成されるロードロックチャンバー４３を連結し、ロードロックチャンバー４３の一面に移送通路方向にゲート４６、４９を形成する。
【００３６】
即ち、このような前記ロードロックチャンバー４３は、内部に前記ウェハ移送装置５２からウェハを引受け、これを前記工程チャンバーに移送するようにウェハが安着される図６の移送アーム５４及び前記移送アーム５４を移動させるチャンバー内移送装置４４が設置され、移送通路側の一面にウェハの出入が可能で、選択的な開閉が可能な図４のゲート４６、４９が形成され、それぞれ２つの工程チャンバー側の一面にウェハの出入が可能で、選択的な開閉が可能なゲート４７、４８、５０、５１が形成される構成である。
【００３７】
前記ロードロックチャンバー４３の移送アーム及びチャンバー内移送装置４４は、２つの工程チャンバーにそれぞれ１枚ずつのウェハを同時に個別移送することができるように前記ロードロックチャンバー内に２つが設置され得る。
【００３８】
また、前記ロードロックチャンバー４３には、前記高真空環境の工程チャンバー４５の間に設置されたゲート４７、４８、５０、５１が開いてウェハが移送される時、前記工程チャンバー内部の急激な真空圧相殺形状が起こらないように前記ロードロックチャンバー４３内部の低真空圧を形成するための真空圧形成装置（図示しない）が設置される。
【００３９】
このような真空圧形成装置は、多様な形態が可能で、真空ポンプを利用する一般的な真空圧形成装置として、当業者にとって実施が容易なものなので詳しい説明は省略する。
【００４０】
また、前記工程チャンバー４５は、図４及び図５に図示されるように、２つの工程チャンバー４５がロードロックチャンバー４３の前後に位置して１つのロードロックチャンバー４３を共有する構成であるが、３つまたは多数個の工程チャンバーが１つのロードロックチャンバーを供給するようにする構成も可能である。
【００４１】
また、前記工程チャンバーは、工程チャンバーで加工を終えたウェハが次の工程が行われる工程チャンバーに直接移送することができるようにゲートを通じて工程チャンバーと工程チャンバーがお互い連結される形態として、工程チャンバーと工程チャンバーの間のウェハ移送が可能な形態に製作されることも可能である。
【００４２】
一方、前記移送通路に設置される本発明の前記ウェハ移送装置５２は、ウェハを選択的に把持する図６の移送アーム５３と、前記移送アーム５３を移動させることで前記工程チャンバーにウェハをローディング及びアンローディングさせることが可能な移送ロボット（図示しない）と、前記移送ロボットを水平移動させる水平移動駆動部（図示しない）と、前記移送ロボットを昇下降させる昇下降駆動部（図示しない）及び前記移送ロボット、昇下降駆動部及び水平移動駆動部に制御信号を与えてこれらを制御する制御部（図示しない）を備える。
【００４３】
前記移送アーム５３は、ウェハを選択的に真空吸着することが可能であるように真空ライン（図示しない）が設置される。また、前記移送アーム５３は、図５に図示されたように、一度に一枚のウェハを移送するように設置されることも可能であるがウェハの移送時間を短縮させるために各層にそれぞれ２つずつ設置されたロードロックチャンバーに、それぞれ２枚ずつのウェハを同時に個別移送することができるように４つが連結されて設置されるフォーアームシステム（４-Arm System）であることが可能である。
【００４４】
４つのウェハを独自的に移送するフォーアームシステムを始めとして２枚及び３枚のウェハを同時に移送することができるツーアームシステム（２-Arm System）、スリーアームシステム（３-Arm System）などは、半導体工程で常用化された技術で、当業者にとって多様な形態の変更及び実施が可能であることは当然なものである。
【００４５】
前記水平移動駆動部（図示しない）及び昇下降駆動部（図示しない）は、モータまたは空圧シリンダーを駆動源として移動する経路を案内するレールまたはガイド棒に沿って水平移動する水平移動駆動部に再び移動する経路を案内するレールまたはガイド棒に沿って昇下降移動する昇下降駆動部に前記移送アーム及び移送ロボットが設置されるものである。これもまた、半導体工程で常用化された技術で、当業者において多様な形態の変更及び実施が容易であることは当然なことであるので詳しい説明は省略する。
【００４６】
従って、前述したような構成を有する本発明の半導体素子製造用エッチング設備のマルチチャンバーシステムは、図６に示すように、多数個のウェハを積載したカセット４１が前記カセットステージ４２に安着されると、制御部の制御信号を受けた前記ウェハ移送装置５２の水平移動駆動部及び昇下降駆動部が駆動して前記移送ロボットを前記カセット４１内に積載されたウェハに接近させる。
【００４７】
前記ウェハにウェハ移送装置５２が十分に接近すると、前記移送ロボットは、制御部の制御信号を受け前記移送アーム５３を前記ウェハに接触させ、真空ラインが設置された前記移送アーム５３は前記ウェハを真空吸着して一側面に固定させる。
【００４８】
前記移送アーム５３に固定されたウェハが１層の特定工程チャンバー４５に移送されるウェハである場合には、制御部が前記水平移動駆動部を制御して１層の特定工程チャンバー４５と連結されたロードロックチャンバー４３に移送する。
【００４９】
このとき、前記ロードロックチャンバー４３の移送通路方向に形成されたゲート４６が開き、前記ウェハ移送装置５２の移送アーム５３が挿入された後、真空ラインの真空圧が切れると前記ウェハが前記ロードロックチャンバー４３の内部の移送アーム５４に安着される。
【００５０】
前記ウェハ移送装置５２の移送アーム５３が前記ロードロックチャンバー４３を抜けると、前記ゲート４６が閉じられ、前記ロードロックチャンバー４３の真空圧形成装置が稼動してロードロックチャンバー４３の内部を低真空状態にする。
【００５１】
前記ロードロックチャンバー４３が所定水準の低真空状態に到達すると、前記ロードロックチャンバー４３の工程チャンバー側のゲート４７が開き、前記ロードロックチャンバー４３のチャンバー内移送装置４４は、前記移送アーム５４に安着されたウェハを前記工程チャンバー４５内に移送する。
【００５２】
このとき、ロードロックチャンバー４３の低真空状環境によってウェハの真空吸着は難しいが、前記ロードロックチャンバー４３の面積が従来の場合のように広くないので、移送アームがウェハを安着させ、低速移動される区間が相対的に非常に短い。
【００５３】
前記移送アーム５４が前記工程チャンバー４５から抜けると、前記ゲート４７が閉じられ、前記工程チャンバー４５に設置された真空圧形成装置が稼動して前記工程チャンバー４５内に高真空を形成してエッチング工程が遂行されるようにする。
【００５４】
一方、前記把持したウェハが２層の特定工程チャンバー４５に移送されるウェハである場合には、制御部が前記水平移動駆動部及び昇下降駆動部を制御して２層の特定工程チャンバー４５と連結されたロードロックチャンバー４３に移送する。
【００５５】
このときのウェハは前記移送ロボットの移送アーム５３に真空吸着された状態に昇降して前記ロードロックチャンバー４３内に挿入された後、以後の過程は前述された１層の移送経路と同一である。
【００５６】
このように多数個の工程チャンバー４５内にウェハを移送するウェハローディング作業が終ると、前記ウェハ移送装置５２が工程が完了される順にウェハをアンローディングして、再び前記カセットステージ４２に移送するか、次の工程が遂行される特定層の特定工程チャンバーに制御部の制御信号を受けて前記ウェハを移送する過程を経るようになる。
【００５７】
本発明のウェハ移送装置５２にフォーアームシステムを設置する場合には、前記ウェハ移送装置５２は、前記カセット内に積載されたウェハを４枚ずつ移送して特定工程チャンバーと連結されたロードロックチャンバーにそれぞれ２枚ずつ移送するようになり、前記チャンバー内移送装置及び移送アームはツーアームシステムに設置され２つの工程チャンバーにそれぞれ１枚ずつウェハを移送した後、工程が終ると、再びウェハ移送装置５２に２枚または１枚のウェハを伝達して後続加工が行われるようにする。
【実施例２】
【００５８】
本発明の第２実施例による半導体素子製造用エッチング設備のマルチチャンバーシステムは、図７に示すように、加工前のウェハを積載するカセットが安着される第１カセットステージ６０と、加工後のウェハを積載するカセットが安着される第２カセットステージ７０と、ウェハの移送に必要な空間である長方形移送通路の両側面に多層をなして並んで配列されウェハの加工が行われる多数個の工程チャンバー４５と、前記移送通路に設置されて垂直及び水平往復運動が可能で、前記第１カセットステージ６０に積載されたウェハを前記多数個の工程チャンバー４５にそれぞれ移送し、加工を終えたウェハを前記第２カセットステージ７０に移送することが可能な移送ロボットを含むウェハ移送装置５２とを備える。
【００５９】
本発明の第２実施例によるマルチチャンバーシステムは前述した第１実施例のウェハ加工を全て終えたウェハが前記第２カセットステージ７０に積載されて図８に示すように他工程設備２０と連結されることが容易であるように形成された構成である。
【００６０】
即ち、図８に示すように、設備の前方に設置された第１カセットステージ６０を通じて本発明のマルチチャンバーシステムに供給されて多数個の工程チャンバー４５内で工程を終えたウェハが設備の後方に設置された第２カセットステージ７０に積載された後、再び他工程設備２０の自動移送装置によって他工程設備２０で他工程が遂行された後、前記他工程設備２０の側方に移送され、また異なる他工程設備２０を経た後、本発明のマルチチャンバーシステムの右側前方の他工程設備カセットステージに積載されるウェハ経路を構成することができるものである。
これは本実施例が半導体製造ライン内に設置される一例であって、本実施例が製造ライン内に設置される場合、多様な形態の適用が可能であることを示している。
【００６１】
従って、構造的にカセットステージが設備の前方に配置される従来の集中型マルチチャンバーシステムのカセットステージが全て前方に向くようになるので、設備から設備にカセットを運搬する作業者または自動カセット運搬車等が必ず必要になり、付随的なカセット運搬装置を備えなければならないという事とは別に、本発明の第２実施例によると、設備から設備にカセットを運搬する作業者または自動カセット運搬車等の付随的なカセット運搬装置をなくすか、または大幅に減らすことができるという利点がある。
【００６２】
また、図９に示すように本実施例によるマルチチャンバーシステムを延長させて設置される工程チャンバー４５の個数をさらに増加させる場合には、前記移送通路を延長し、また、いくつかの工程チャンバー４５とロードロックチャンバー４３を前記移送通路の両側面に直列に並んでさらに配置させることが可能である。
【００６３】
この場合、前記移送通路の長さが長くなるとき、互いに引受け、引継ぐことが可能な２つの第１ウェハ移送装置６２及び第２ウェハ移送装置７２を設置する事が可能である。
【００６４】
従って、従来の集中型マルチチャンバーシステムとは別に、設備幅は変わらず、理論的に設置される工程チャンバーを無限に増加させることが可能なものである。しかし、このような場合、設備の長さの限界と、設備制御の限界等の制約がある。
【実施例３】
【００６５】
本発明の第３実施例による半導体素子製造用エッチング設備のマルチチャンバーシステムは、図１０に示すように、ウェハを積載したカセットが安着される第１カセットステージ６０と、ウェハの移送に必要な空間である長方形移送通路の一側面に多層をなして並んで配列されウェハの加工が行われる多数個の工程チャンバー４５と、前記移送通路に設置されて垂直及び水平往復運動が可能で、前記カセットステージに積載されたウェハを前記多数個の工程チャンバーにそれぞれローディング及びアンローディングさせる事が可能であるウェハ移送装置５２とを備える。
【００６６】
即ち、前記工程チャンバー４５は、前記移送通路の一側面にのみ多層に配列される構成で、やはり一側面にウェハの待機場所であるロードロックチャンバー４３が連結される。
【００６７】
また、前記ロードロックチャンバー４３は、内部に前記ウェハ移送装置５２からウェハを引受け、これを前記工程チャンバーに移送するようにウェハが安着される移送アーム及び前記移送アームを移動させるチャンバー内移送装置が設置され、移送通路側の一面と工程チャンバー側の一面にそれぞれウェハの出入が可能で、選択的な開閉が可能なゲートが形成される。
【００６８】
ここで、本実施例による前記ウェハ移送装置５２の構成は、第１実施例や第２実施例と実質的に同じであり、前記工程チャンバー４５及びロードロックチャンバー４３が前記移送通路の一側面にのみ配置されているので、前記ウェハ移送装置５２は前記第１カセットステージ６０でウェハを真空吸着して９０度水平回転した後、一側の方向にのみ前記ウェハをローディングするようになるという点で異なる。
【００６９】
また、前記ウェハ移送装置５２は、工程が行われる前のウェハを積載したカセットが安着される第１カセットステージ６０で前記ウェハを前記工程チャンバー４５に移送し、前記工程チャンバーで工程を終えたウェハを次の工程のためのウェハの移送が便利な位置に設置された第２カセットステージ７０に移送する。
【００７０】
即ち、このような第２カセットステージ７０は、図１０に図示されるように前記工程チャンバー４５及びロードロックチャンバー４３が設置された移送通路の一側方向に対向する方向に設置されて工程を終えたウェハが前記他工程設備２０に供給されることが容易であるように形成される。
【００７１】
従って、本発明の第３実施例の半導体素子製造用エッチング設備のマルチチャンバーシステムによると、半導体製造ラインを設置するとき、多様な形態と面積を有する各種設備を清浄室に設置し、残りの清浄室の空き地に効果的に配置して空間効率を高める利点がある。
【００７２】
以上、本発明は記載された具体例に対してのみ詳しく説明されたが、本発明の技術思想範囲内で多様な変形及び修正が可能であることは当業者にとって明白なことであり、このような変形及び修正が添付された特許請求の範囲に属することは当然なことである。
【符号の説明】
【００７３】
１  ウェハ
１０  集中型マルチチャンバーシステム
１１、４１  カセット
１２、４２  カセットステージ
１３、４３  ロードロックチャンバー
１４、４４  チャンバー内移送装置
１５、４５  工程チャンバー
１６  中央チャンバー
１７  連結ロードロックチャンバー
２０  他工程設備
４０  直列型マルチチャンバーシステム
４６、４７、４８、４９、５０、５１  ゲート
５２  ウェハ移送装置
５３  真空吸着移送アーム
５４  移送アーム
６０  第１カセットステージ
６２  第１ウェハ移送装置
７０  第２カセットステージ
７２  第２ウェハ移送装置
ｗ、Ｗ  設備幅
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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