(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射線が照射され電荷を生成する光導電層と、
前記光導電層よりも狭い領域に形成され、前記光導電層にバイアス電圧を与える第１電極と、
前記光導電層に対して前記第１電極が設けられている側とは反対側に設けられ、前記光導電層が生成した電荷を収集する複数の第２電極と、
前記第１電極と前記光導電層の間に形成され、電荷選択性を有する有機高分子層と、
を備え、
前記光導電層は、前記複数の第２電極を覆う様に形成され、
前記有機高分子層の外縁部が、前記第１電極の外側であって、かつ、前記光導電層の内側に位置し、
前記光導電層の外側に配置されている取出電極と、
前記複数の第２電極の各々に接続されているスイッチ素子と、を更に備え、
前記光導電層及び前記有機高分子層は、前記取出電極にかからないように形成され、
前記複数の第２電極で収集された電荷を、該スイッチ素子を経由して前記取出電極へ取り出す
ことを特徴とする放射線検出器。
【請求項２】
前記有機高分子層は、その外縁部が、更に、前記光導電層の平坦部平均膜厚の１０％以上の膜厚を有する領域内に位置する
ことを特徴とする請求項１に記載の放射線検出器。
【請求項３】
前記有機高分子層は、その外縁部が、更に、前記光導電層の端部斜面の勾配が５０％以下の領域内に位置する
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の放射線検出器。
【請求項４】
前記第２電極が非晶質透明導電酸化膜である
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の放射線検出器。
【請求項５】
前記有機高分子層は、正孔ブロック材料を含有しており、
前記第１電極に正バイアスを印加する
ことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の放射線検出器。
【請求項６】
前記正孔ブロック材料のうち少なくとも一種が、カーボンクラスター又はその誘導体から選択される少なくとも１種である
ことを特徴とする請求項５に記載の放射線検出器。
【請求項７】
前記光導電層は主成分としてアモルファスセレンが用いられ、
前記有機高分子層は、絶縁性高分子層に、上記正孔ブロック材料を含有する形で形成され、
前記カーボンクラスターが、フラーレンＣ６０、フラーレンＣ７０、酸化フラーレン又はそれらの誘導体から選択される少なくとも１種である
ことを特徴とする請求項６に記載の放射線検出器。
【請求項８】
前記光導電層と前記複数の第２電極の間に更に電子注入阻止層が設けられている
ことを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の放射線検出器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、医療用のＸ線撮影装置などに用いられる放射線検出器及びその放射線検出器の製造方法、その製造方法に用いられる塗布液及びその塗布液で製造される有機高分子層の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
放射線検出器としては、特許文献１に開示される技術が公知である。特許文献１には、第１電極と記録用光導電層の間に積層された記録用光導電層の界面結晶化を抑制する抑制層を、画像情報の記録の際に第１電極に移動する電荷と逆極性の電荷に対しては絶縁性を有し、第１の電極に移動する電荷と同極性の電荷に対しては導電性を有する有機膜（有機層）により形成する構成が開示されている。この構成によれば、大線量での放射線画像の記録および読取りによって生じる抑制層内の残存電荷を減少させることができ、この残存電荷による感度の劣化やゴースト像の残留などを防止することができる。
【特許文献１】特開２００４−１６５４８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、特許文献１には、有機層の形成範囲についての記載はなく、実際に有機層をどのような範囲に形成するのが良いのかについては不明であった。
【０００４】
本発明は、上記事実を考慮し、有機層の形成範囲を規定して放射線検出器の耐久性を向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
第１の態様に係る放射線検出器は、第１電極と、前記第１電極よりも広い領域に形成され、画像情報を担持した放射線が照射されて電荷を生成する光導電層と、前記光導電層に対して前記第１電極が設けられている側とは反対側に設けられ、前記光導電層が生成した電荷を収集する第２電極と、前記光導電層の外側に設けられ、前記画像情報を取得するために前記第２電極から前記電荷を取り出す取出電極と、前記第１電極と前記光導電層の間に形成され、前記画像情報が取得される画像情報取得領域端と前記取出電極との間に外縁部が位置する有機高分子層と、を備えたことを特徴とする。
【０００６】
この構成によれば、画像情報を担持した放射線が光導電層に照射されて、光導電層は電荷を生成する。光導電層が生成した電荷は、第２電極に収集される。第２電極が収集した電荷は、画像情報を取得するために、取出電極により第２電極から取り出される。
【０００７】
なお、電荷変換層が生成した電荷とは、電荷変換層が直接生成したもの以外に、電荷変換層が間接的に生成したものも含み、例えば、電荷変換層が直接生成した電荷に対応して生成される電荷も含む概念である。
【０００８】
ここで、第１の態様の構成では、第１電極と光導電層の間に形成された有機高分子層は、その外縁部が、画像情報が取得される画像情報取得領域端と取出電極との間に位置する。
【０００９】
これにより、光導電層の画像情報取得領域を有機高分子層が覆うことになり、光導電層の画像情報取得領域における結晶化等の劣化を抑制でき、放射線検出器としての耐久性が向上する。また、有機高分子層は、取出電極を覆わないので、取出電極の導通不良を防止できる。
【００１０】
第２の態様に係る放射線検出器は、第１の態様の構成において、前記有機高分子層は、電荷選択性を有することを特徴とする。
【００１１】
有機高分子層は、第２の態様に記載のように、電荷選択性を有することが好ましい。
【００１２】
ここで、本発明において有機高分子層が電荷選択性を有するとは、有機高分子層が、その接する第１電極から流れ出る電荷（第１電極が正バイアスであれば正孔、負バイアスであれば電子）については阻止し、第１電極に流れ込む電荷については通す性質を有することをいう。
【００１３】
第３の態様に係る放射線検出器は、第２の態様の構成において、前記有機高分子層は、その外縁部が、前記画像情報取得領域の外側であって、前記光導電層の平坦部平均膜厚の１０％以上の膜厚を有する領域内に位置することを特徴とする。
【００１４】
この構成によれば、電荷選択性を有する有機高分子層が、光導電層の平坦部平均膜厚の１０％未満の膜厚を有する領域、すなわち膜厚の薄い領域を覆わないので、有機高分子層を伝って生じる沿面放電が起きにくい。
【００１５】
第４の態様に係る放射線検出器は、第３の態様の構成において、前記有機高分子層は、その外縁部が、前記第１電極の外側であって、前記光導電層の平坦部平均膜厚の１０％以上の膜厚を有する領域内に位置することを特徴とする。
【００１６】
この構成によれば、有機高分子層が第１電極の端部を覆うので、第１電極の端部への電界集中による放電破壊を抑制できる。
【００１７】
第５の態様に係る放射線検出器は、第４の態様の構成において、前記有機高分子層は、その外縁部が、前記第１電極の外側であって、前記光導電層の端部斜面の勾配が５０％以下の領域内に位置することを特徴とする。
【００１８】
この構成によれば、有機高分子層が、光導電層の端部斜面の勾配が５０％以下の領域内に形成されることにより、有機高分子層を液状の材料で形成した場合であっても、液垂れが生じない。
【００１９】
第６の態様に係る放射線検出器は、第１〜第５の態様のいずれかの構成において、前記第１電極に正バイアスを印加することを特徴とする。
【００２０】
第６の態様のように、第１電極に正バイアスを印加する構成とすることができる。特に、光導電層にアモルファスセレンを用いる場合には、アモルファスセレンが正孔を通しやすい性質を有することから第１電極に正バイアスを印加することが好ましい。
【００２１】
第７の態様に係るに係る放射線検出器は、第６の態様の構成において、前記有機高分子層は、正孔ブロック材料を含有していることを特徴とする。
【００２２】
この構成によれば、第１電極に正バイアスが印加されると共に、有機高分子層が正孔ブロック材料を含有しているので、有機高分子層が電荷選択性を効果的に発揮する。
【００２３】
第８の態様に係る放射線検出器は、第７の態様の構成において、前記有機高分子層に含有される前記正孔ブロック材料のうち少なくとも一種が、カーボンクラスター又はその誘導体から選択される少なくとも１種であることを特徴とする。
【００２４】
第９の態様に係る放射線検出器は、第８の態様の構成において、前記カーボンクラスターが、フラーレンＣ６０、フラーレンＣ７０、酸化フラーレン又はそれらの誘導体から選択される少なくとも１種であることを特徴とする。
【００２５】
第１０の態様に係る放射線検出器の製造方法は、インクジェット法を用いて前記有機高分子層を成膜し、第１の態様の放射線検出器を製造することを特徴とする。
【００２６】
この構成によれば、有機高分子層を成膜する際に、マスクを必要とせず、また、光導電層に非接触で正確に有機高分子層を成膜することができる。
【００２７】
第１１の態様に係る放射線検出器の製造方法は、第１０の態様の構成において、前記インクジェット法に用いる吐出液が、ダイラタンシー性を示すことを特徴とする。
【００２８】
この構成によれば、インクジェット法に用いる吐出液がダイラタンシー性を示すので、吐出液を吐出する際に吐出液が粘度を有する一方で、着弾時には、吐出液の粘度が小さくなるので、有機高分子層の成膜がしやすい。
【００２９】
第１２の態様に係る放射線検出器の製造方法は、第１０の態様又は第１１の態様の構成において、前記インクジェット法に用いる吐出液が、カーボンクラスターまたはその誘導体から選択される少なくとも一種の正孔ブロック材料を含み、かつ一般式（１）（２）で表される芳香族系溶剤のうち少なくとも１種を含むことを特徴とする。
【００３０】
【化１】
0005264291.tif 000002
（一般式（１）（２）中、R1-8は、水素、ハロゲン、またはアルキル基のいずれかを表す。）
【００３１】
第１３の態様に係る放射線検出器の製造方法は、第１０〜第１２の態様のいずれかの構成において、前記インクジェット法に用いる吐出液は、前記光導電層との接触角が４５°以下であることを特徴とする。
【００３２】
この構成によれば、インクジェット法に用いる吐出液は、光導電層との接触角が４５°以下であるので、吐出液が光導電層となじみやすく、有機高分子層の成膜がしやすい。
【００３３】
第１４の態様に係る塗布液は、有機高分子とフラーレン類とを必須成分として含み、一般式（１）又は（２）で表されると共に沸点が150℃以上である芳香族系溶剤が主溶媒である。
【化２】
0005264291.tif 000003
（一般式（１）（２）中、R1-8は、水素、ハロゲン、またはアルキル基のいずれかを表す。）
【００３４】
この構成によれば、塗布液は通常用いられる環境下の想定される温度よりも沸点が高く、塗布液の乾燥による粘度変化の発生や、塗布装置の塗布液を供給するための流路やノズル等での詰まりの発生や、塗布液を塗布するための塗布部材表面への固着の発生を抑制できる。また、残留の懸念がある添加剤を加えなくとも、主溶媒のみでもフラーレン類の溶解性もしくは分散性がよい。さらに、有機高分子の分子量や濃度を変えることで粘度の調整が可能であり、各種塗布方式に適した粘度に調整が可能である。
【００３５】
第１５の態様に係る塗布液は、第１４の態様の構成において、インクジェット法で吐出されることにより塗布され、２５℃における粘度が1-20mPa・sの範囲にある。
【００３６】
この構成によれば、インクジェット法により塗布するので、マスクを必要とせず、塗布がなされる塗布面に非接触で正確に有機高分子層を成膜することができる。
ところで、塗布液の粘度が1mPa・s未満である場合には、ノズルから液だれを起こす場合がある。また、塗布液の粘度が20mPa・sを超える場合には、ノズル詰まり等による不吐出を起こす場合がある。
これに対して、第１５の態様に係る塗布液は、２５℃における粘度が1-20mPa・sの範囲にあるので、吐出性が安定する。
【００３７】
第１６の態様に係る塗布液は、第１４の態様又は第１５の態様の構成において、インクジェット法で吐出されることにより塗布され、２５℃における表面張力が15-40mN/mの範囲にある。
【００３８】
この構成によれば、インクジェット法により塗布するので、マスクを必要とせず、塗布がなされる塗布面に非接触で正確に有機高分子層を成膜することができる。
ところで、塗布液の表面張力が15mN/m未満である場合には、ノズルから液だれを起こす場合がある。また、塗布液の表面張力が40mN/mを超える場合には、ノズル詰まり等による不吐出を起こす場合がある。
これに対して第１６の態様に係る塗布液は、２５℃における表面張力が15-40mN/mの範囲にあるので、吐出性が安定する。
【００３９】
第１７の態様に係る塗布液は、第１４〜第１６の態様のいずれかの構成において、インクジェット法で吐出されることにより塗布され、ダイラタンシー性を示す。
【００４０】
この構成によれば、インクジェット法により塗布するので、マスクを必要とせず、塗布がなされる塗布面に非接触で正確に有機高分子層を成膜することができる。また、塗布液がダイラタンシー性を示すので、塗布液をインクジェット法により吐出する際に塗布液が粘度を有する一方で、塗布面への着弾時には、塗布液の粘度が小さくなるので広がりやすくなり、均一な有機高分子層の成膜がしやすい。
【００４１】
第１８の態様に係る塗布液は、第１４〜第１７の態様のいずれかの構成において、インクジェット法で吐出されることにより塗布され、その塗布がなされる塗布面との接触角が４５°以下である。
【００４２】
この構成によれば、インクジェット法により塗布するので、マスクを必要とせず、塗布がなされる塗布面に非接触で正確に有機高分子層を成膜することができる。また、塗布液は、その塗布がなされる塗布面との接触角が４５°以下であるので、塗布面への着弾時に塗布面となじみやすく、均一な有機高分子層が成膜される。
【００４３】
第１９の態様に係る有機高分子層の製造方法は、第１４〜第１８の態様のいずれかの塗布液をインクジェット法で吐出することにより塗布して有機高分子層を形成する工程と、その塗布に用いられるインクジェットヘッドのノズル面を湿式ワイピングする工程と、を備えている。
【００４４】
ノズル面に付着した塗布液が蒸発した際に発生する析出物を効率よく除去でき、インクジェットヘッドの性能を維持できるので、有機高分子層の正確な形成に寄与する。
【発明の効果】
【００４５】
本発明は、有機層の形成範囲を規定することにより、放射線検出器の耐久性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４６】
以下に、本発明に係る放射線検出器の実施形態の一例を図面に基づき説明する。
本実施形態に係る放射線検出器は、Ｘ線撮影装置等に使用されるものであり、放射線の照射を受けることにより導電性を呈する光導電層を含む静電記録部を備えてなり、画像情報を担持する放射線の照射を受けて画像情報を記録し、記録した画像情報を表す画像信号を出力するものである。
【００４７】
放射線検出器としては、光の照射により電荷を発生する半導体材料を利用して読み取る、いわゆる光読取方式の放射線検出基板500と、放射線の照射により発生した電荷を蓄積し、その蓄積した電荷を薄膜トランジスタ（TFT：thin film transistor）などの電気的スイッチを１画素ずつオン・オフすることにより読み取る方式（以下、TFT方式という）の放射線検出器400等がある。
【００４８】
（TFT方式の放射線検出器400の構成）
まず、TFT方式の放射線検出器400の構成について説明する。図１（Ａ）は、TFT方式の放射線検出器400の全体構成を示す概略図である。図２は、TFT方式の放射線検出器400の要部構成を示すものであり、ガラス基板上に積層された各部を示す図である。
【００４９】
本実施形態に係るTFT方式の放射線検出器400は、図１（Ａ）及び図２に示すように、画像情報を担持した放射線の一例としてのＸ線が入射されることにより電荷を生成する電荷変換層として、電磁波導電性を示す光導電層404を備えている。光導電層404としては、暗抵抗が高く、Ｘ線照射に対して良好な電磁波導電性を示し、真空蒸着法により低温で大面積成膜が可能な非晶質（アモルファス）材料が好まれる。
【００５０】
非晶質（アモルファス）材料としては、例えば、アモルファスSe（a-Se）膜が用いられている。また、アモルファスSeにAs、Sb、Geをドープした材料が、熱安定性に優れ、光導電層404の好適な材料となる。
【００５１】
光導電層404上には、画像情報を担持した放射線が透過する第１電極として、光導電層404へバイアス電圧を印加するバイアス電極401が形成されている。バイアス電極401は、例えば、金（Au）で形成されている。このバイアス電極401を透過した放射線が光導電層404に照射される。
なお、本実施形態では、放射線がバイアス電極401側から照射されるが、下記のガラス基板408側から照射する構成であってもよい。従って、放射線は、バイアス電極401側からでもガラス基板408側からでも、いずれの方向からでも照射することができる。ただし、ガラス基板408による減衰を防ぐために、バイアス電極401の方から照射することが好ましい。
【００５２】
光導電層404に対してバイアス電極401が設けられている側とは反対側、すなわち光導電層404下には、光導電層404が生成した電荷を収集する第２電極として、複数の電荷収集電極407aが形成されている。電荷収集電極407aは、図２に示すように、それぞれ電荷蓄積容量407c及びスイッチ素子407bに接続されている。また、電荷収集電極407aは、ガラス基板408に設けられている。
【００５３】
また、図１（Ａ）及び図２に示すように、光導電層404とバイアス電極401との間には、有機高分子層として、正孔ブロック材料を有する正孔注入阻止層402が設けられている。ここで、有機高分子層は、電荷選択性を有する電荷注入阻止層を兼ねるものであっても良い。電荷注入阻止層が電荷選択性を有するとは、電荷注入阻止層がその接するバイアス電極401から流れ出る電荷（バイアス電極401が正バイアスであれば正孔、負バイアスであれば電子）については阻止し、バイアス電極401に流れ込む電荷については通す性質を有することをいう。
【００５４】
すなわち、電荷注入阻止層として、電子に対しては導電体でありながら正孔の注入を阻止する正孔注入阻止層や、正孔に対しては導電体でありながら電子の注入を阻止する電子注入阻止層が用いられる。本実施形態では、バイアス電極401が正極であるため、有機高分子層として、正孔注入阻止層402が設けられている。
【００５５】
正孔注入阻止層402としては、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリイミド、ポリシクロオレフィン等の絶縁性高分子に、正孔ブロック材料を混合した膜を好ましく用いることが出来る。
【００５６】
正孔注入阻止層402に含有される正孔ブロック材料のうち少なくとも一種が、カーボンクラスター又はその誘導体から選択される少なくとも１種であることが好ましい。さらにカーボンクラスターが、フラーレンＣ６０、フラーレンＣ７０、酸化フラーレン又はそれらの誘導体から選択される少なくとも１種であることが好ましい。
【００５７】
また、光導電層404と電荷収集電極407aとの間には、図２に示すように、電子注入阻止層406が設けられている。
【００５８】
また、正孔注入阻止層402と光導電層404との間と、電子注入阻止層406と光導電層404との間とには、それぞれ結晶化防止層403、405が設けられている。結晶化防止層403、405としてはGeSe、GeSe２、Sb２Se３、a-As２Se３や、Se−As、Se−Ge、Se−Sb系化合物等を用いることが可能である。
【００５９】
なお、電荷収集電極407aとスイッチ素子407bと電荷蓄積容量407cとからアクティブマトリックス層407が構成され、ガラス基板408とアクティブマトリックス層407とからアクティブマトリックス基板450が構成されている。
【００６０】
図３は、放射線検出器400の１画素単位の構造を示す断面図であり、図４は、その平面図である。図３及び図４に示す１画素のサイズは、0.1mm×0.1mm〜0.3mm×0.3mm程度であり、放射線検出器全体としてはこの画素がマトリクス状に500×500〜3000×3000画素程度配列されている。
【００６１】
図３に示すように、アクティブマトリックス基板450は、ガラス基板408、ゲート電極411、電荷蓄積容量電極（以下、Cs電極と称する）418、ゲート絶縁膜413、ドレイン電極412、チャネル層415、コンタクト電極416、ソース電極410、絶縁保護膜417、層間絶縁膜420、及び電荷収集電極407aを有している。
【００６２】
また、ゲート電極411やゲート絶縁膜413、ソース電極410、ドレイン電極412、チャネル層415、コンタクト電極416等により薄膜トランジスタ（TFT：Thin Film Transistor）からなるスイッチ素子407bが構成されており、Cs電極418やゲート絶縁膜413、ドレイン電極412等により電荷蓄積容量407cが構成されている。
【００６３】
ガラス基板408は支持基板であり、ガラス基板408としては、例えば、無アルカリガラス基板（例えば、コーニング社製＃1737等）を用いることができる。ゲート電極411及びソース電極410は、図４に示すように、格子状に配列された電極配線であり、その交点には薄膜トランジスタからなるスイッチ素子407bが形成されている。
【００６４】
スイッチ素子407bのソース・ドレインは、それぞれ、ソース電極410とドレイン電極412とに接続されている。ソース電極410は、信号線としての直線部分と、スイッチ素子407bを構成するための延長部分とを備えており、ドレイン電極412は、スイッチ素子407bと電荷蓄積容量407cとをつなぐように設けられている。
【００６５】
ソース電極410には、画像情報を取得するために、電荷収集電極407aで収集した電荷を外部へ取り出す取出電極470が接続されている。取出電極470は、ガラス基板408に設けられると共に、光導電層404の外側に配置されている。
【００６６】
ゲート絶縁膜413は、SiNxやSiOx等からなっている。ゲート絶縁膜413は、ゲート電極411及びCs電極418を覆うように設けられており、ゲート電極411上に位置する部位がスイッチ素子407bにおけるゲート絶縁膜として作用し、Cs電極418上に位置する部位は電荷蓄積容量407cにおける誘電体層として作用する。つまり、電荷蓄積容量407cは、ゲート電極411と同一層に形成されたCs電極418とドレイン電極412との重畳領域によって形成されている。なお、ゲート絶縁膜413としては、SiNxやSiOxに限らず、ゲート電極411及びCs電極418を陽極酸化した陽極酸化膜を併用することもできる。
【００６７】
また、チャネル層（ｉ層）415はスイッチ素子407bのチャネル部であり、ソース電極410とドレイン電極412とを結ぶ電流の通路である。コンタクト電極（ｎ＋層）416はソース電極410とドレイン電極412とのコンタクトを図る。
【００６８】
絶縁保護膜417は、ソース電極410及びドレイン電極412上、つまり、ガラス基板408上に、ほぼ全面（ほぼ全領域）にわたって形成されている。これにより、ドレイン電極412とソース電極410とを保護すると共に、電気的な絶縁分離を図っている。また、絶縁保護膜417は、その所定位置、つまり、ドレイン電極412においてCs電極418と対向している部分上に位置する部位に、コンタクトホール421を有している。
【００６９】
電荷収集電極407aは、非晶質透明導電酸化膜からなっている。電荷収集電極407aは、コンタクトホール421を埋めるようにして形成されており、ソース電極410上及びドレイン電極412上に積層されている。電荷収集電極407aと光導電層404とは電気的に導通しており、光導電層404で発生した電荷を電荷収集電極407aで収集できるようになっている。
【００７０】
続いて、電荷収集電極407aについて詳細に説明する。本実施形態で用いる電荷収集電極407aは、非晶質透明導電酸化膜によって構成されている。非晶質透明導電酸化膜材料としては、インジウムと錫との酸化物（ITO：Indium-Tin-Oxide）や、インジウムと亜鉛との酸化物（IZO：Indium-Zinc-Oxide）、インジウムとゲルマニウムとの酸化物（IGO：Indium-Germanium-Oxide）等を基本組成とするものを使用することができる。
【００７１】
また、電荷収集電極407aとしては、各種の金属膜や導電酸化膜が使用されているが、下記の理由により、ITO（Indium-Tin-Oxide）等の透明導電酸化膜が用いられることが多い。放射線検出器400において入射Ｘ線量が多い場合、不要な電荷が半導体膜中（あるいは半導体膜と隣接する層との界面付近）に捕獲されることがある。
【００７２】
このような残留電荷は、長時間メモリーされたり、時間をかけつつ移動したりするので、以降の画像検出時にＸ線検出特性が劣化したり、残像（虚像）が現れたりして問題になる。そこで、特開平９−９15３号公報（対応米国特許第５５６３４２１号）には、光導電層404に残留電荷が発生した場合に、光導電層404の外側から光を照射することで、残留電荷を励起させて取り除く方法が開示されている。この場合、光導電層404の下側（電荷収集電極407a側）から効率よく光を照射するためには、電荷収集電極407aが照射光に対して透明である必要がある。
【００７３】
また、電荷収集電極407aの面積充填率（フィルファクター）を大きくする目的、またはスイッチ素子407bをシールドする目的で、スイッチ素子407bを覆うように電荷収集電極407aを形成することが望まれるが、電荷収集電極407aが不透明であると、電荷収集電極407aの形成後にスイッチ素子407bを観察することができない。
【００７４】
例えば、電荷収集電極407aを形成後、スイッチ素子407bの特性検査を行う場合、スイッチ素子407bが不透明な電荷収集電極407aで覆われていると、スイッチ素子407bの特性不良が見つかった際、その原因を解明するために光学顕微鏡等で観察することができない。従って、電荷収集電極407aの形成後もスイッチ素子407bを容易に観察することができるように、電荷収集電極407aは透明であることが望ましい。
【００７５】
層間絶縁膜420は、感光性を有するアクリル樹脂からなり、スイッチ素子407bの電気的な絶縁分離を図っている。層間絶縁膜420には、コンタクトホール421が貫通しており、電荷収集電極407aはドレイン電極412に接続されている。コンタクトホール421は、図３に示すように逆テーパ形状で形成されている。バイアス電極401とCs電極418との間には、図示しない高圧電源が接続されている。
【００７６】
次に、光導電層404を被覆する構成について説明する。図１（Ａ）に示すように、バイアス電極401の上方には、バイアス電極401を覆うカバー部材の一例としてのカバーガラス440が設けられている。
【００７７】
ガラス基板408には、カバーガラス440が接合される保護部材442が設けられている。
保護部材442は、光導電層404の周囲を囲んでおり、全体として上部及び下部が開放された箱状に形成されている。
【００７８】
また、保護部材442は、ガラス基板408の外周部上に立設された側壁442ａと、側壁442ａの上部からガラス基板408中央部の上方側へ張り出すフランジ部442ｂとを有しており、断面Ｌ字状に形成されている。
【００７９】
カバーガラス440は、その外周部の上面がフランジ部442ｂ下面（内壁）に接合されており、保護部材442により支持されている。
【００８０】
この保護部材442とカバーガラス440との接合部分は、光導電層404の外側に配置されている。すなわち、光導電層404の上方ではなく、ガラス基板408上の光導電層404の無い領域で、保護部材442とカバーガラス440とが接合されている。
【００８１】
なお、保護部材442には、絶縁性を有する絶縁性部材が用いられている。絶縁性部材としては、例えば、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリメタクリル酸メチル(アクリル)、ポリ塩化ビニールが用いられる。
【００８２】
また、保護部材442は、下部開放がガラス基板408で閉鎖されると共に上部開放がカバーガラス440で閉鎖されており、保護部材442内に所定の大きさの閉鎖空間が形成される。この閉鎖空間に光導電層404が収容されて、光導電層404がカバーガラス440、ガラス基板408及び保護部材442で被覆される。
【００８３】
また、カバーガラス440と保護部材442とガラス基板408とに囲まれた空間には、充填部材としての硬化性樹脂444が充填されている。硬化性樹脂444としては、例えば、エポキシ、シリコン等の常温硬化性樹脂が用いられる。
【００８４】
（正孔注入阻止層402の形成範囲）
ここで、正孔注入阻止層402の形成範囲について説明する。
【００８５】
有機高分子層としての正孔注入阻止層402は、その外縁部、すなわち他の層との境界となる周端が所定位置に位置することで、正孔注入阻止層402が所定範囲に形成され、その所定範囲を覆う構成となっている。
【００８６】
本実施形態では、正孔注入阻止層402の外縁部は、画像情報を担持した放射線が照射された領域のうち、画像情報が取得される画像情報取得領域Ｇの領域端Ｇ１と取出電極470との間に位置するように構成されている。なお、図１（Ａ）の矢印Ａで示す範囲が、画像情報取得領域Ｇの領域端Ｇ１と取出電極470との間の範囲である。
【００８７】
また、好ましくは、本実施形態に係る正孔注入阻止層402の外縁部が、画像情報取得領域Ｇの外側であって、光導電層404の平坦部平均膜厚の１０％以上の膜厚を有する領域内に位置するように構成される。光導電層404の平坦部平均膜厚は、光導電層404の画像情報取得領域Ｇの領域内の任意の９点の膜厚を測定し、その９点の膜厚の平均したものである。膜厚は、断面を１００倍の倍率で顕微鏡観察を行い測定した。
【００８８】
なお、図１（Ａ）の矢印Ｂで示す範囲が、画像情報取得領域Ｇの外側であって、光導電層404の平坦部平均膜厚の１０％以上の膜厚を有する領域内の範囲である。
【００８９】
さらに好ましくは、本実施形態に係る正孔注入阻止層402の外縁部が、バイアス電極401の外側であって、光導電層404の平坦部平均膜厚の１０％以上の膜厚を有する領域内に位置するように構成される。
【００９０】
なお、図１（Ａ）の矢印Ｃで示す範囲が、バイアス電極401の外側であって、光導電層404の平坦部平均膜厚の１０％以上の膜厚を有する領域内の範囲である。
【００９１】
さらに好ましくは、正孔注入阻止層402の外縁部が、バイアス電極401の外側であって、光導電層404の端部斜面の勾配が５０％以下の領域内に位置するように構成される。
【００９２】
正孔注入阻止層402の外縁部は、光導電層404の平坦部から外縁に向けて徐々に勾配がきつくなる端部斜面において、その勾配が５０％以下の領域内、すなわち勾配が５０％よりも勾配が緩やかな範囲に位置する。勾配が５０％とは、図１（Ｂ）に示すように、光導電層404の膜厚方向に沿った辺と、その辺と直交する辺と、斜辺とで構成される直角三角形において、光導電層404の膜厚方向に沿った辺の長さ１に対して、その辺と直交する辺の長さ２としたときの斜辺で形成される勾配である。勾配は、断面を１００倍の倍率で顕微鏡観察を行い測定した。
【００９３】
なお、図１（Ａ）の矢印Ｄで示す範囲が、バイアス電極401の外側であって、光導電層404の端部斜面の勾配が５０％以下の領域内の範囲である。
【００９４】
光導電層404は、バイアス電極401よりも広い領域に形成されている。また、電荷収集電極407aは、画像情報取得領域Ｇより広い領域に形成されている。
【００９５】
なお、本実施形態に係る正孔注入阻止層402の外縁部は、画像情報取得領域Ｇの外側であって、光導電層404の領域内に位置するように構成してもよい。
【００９６】
（TFT方式の放射線検出器の動作原理）
次に、上記のTFT方式の放射線検出器400の動作原理について説明する。光導電層404にＸ線が照射されると、光導電層404内に電荷（電子−正孔対）が発生する。バイアス電極401とCs電極418との間に電圧が印加された状態、すなわちバイアス電極401とCs電極418とを介して光導電層404に電圧が印加された状態において、光導電層404と電荷蓄積容量407cとは電気的に直列に接続された構造となっているので、光導電層404内に発生した電子は＋電極側に、正孔は−電極側に移動し、その結果、電荷蓄積容量407cに電荷が蓄積される。
【００９７】
電荷蓄積容量407cに蓄積された電荷は、ゲート電極411への入力信号によってスイッチ素子407bをオン状態にすることによりソース電極410から取出電極470を介して外部に取り出すことが可能となる。そして、ゲート電極411とソース電極410とからなる電極配線、スイッチ素子407b及び電荷蓄積容量407cは、すべてマトリクス状に設けられているため、ゲート電極411に入力する信号を順次走査し、ソース電極410からの信号をソース電極410毎に検知することにより、二次元的にＸ線の画像情報を得ることが可能となる。
【００９８】
（実施例１）
実施例１においては、アクティブマトリックス基板450上に、２μｍの膜厚の硫化アンチモンからなる電子注入阻止層406を形成する。次に、Asを３％含有したSe原料を蒸着により成膜して膜厚０．１５μｍの結晶化防止層405を形成した。続いて、Naを１０ppm含有したSe原料を蒸着により成膜して、膜厚１０００μｍの非晶質Seから成る光導電層404を形成した。
【００９９】
次に、カーボンクラスターまたはその誘導体から選択される少なくとも一種の正孔ブロック材料を含み、かつ一般式（１）（２）で表される芳香族系溶剤のうち少なくとも１種を含む吐出液を用いて、有機高分子層としての正孔注入阻止層402を成膜した。
【０１００】
【化３】
0005264291.tif 000004
（一般式（１）（２）中、R1-8は、水素、ハロゲン、またはアルキル基のいずれかを表す。）
【０１０１】
本実施例では、カーボンクラスターとして、フラーレンＣ６０を用いた。フラーレンＣ60は、フロンティアカーボン株式会社製、nanom purple (C60)を使用した。
【０１０２】
また、本実施例では、上記の芳香族系溶剤としてのo-ジクロロベンゼンに、1.05wt%のポリカーボネート樹脂（PCz）（三菱ガス化学株式会社製ユーピロンPCz‐４００）および、PCzに対して３０wt%のフラーレンC６０を溶解して、吐出液を作製した。
【０１０３】
吐出液は、ダイラタンシー性を示している。ダイラタンシー性とは、せん断速度の増加に対して粘度が増加する液体の性質をいう。この吐出液のせん断速度とせん断粘度の関係はレオメーター（Anton Paar 社製：Physica MCR301）によって測定した。せん断速度が10-1000［s-1］の範囲で測定を２度行い、その平均値を図５に示した。せん断速度の増加に伴い、せん断粘度が増加しているため、ダイラタンシー性であるといえる。
【０１０４】
図５のグラフの指数近似式は、y = 2.2331e1E-05xとなる。インクジェットヘッドからの吐出時に吐出液に掛かるせん断速度は、一般に105［s-1］程度と言われており、そのときのせん断粘度は6.07［mPa・s］と予想される。一方、着弾後のせん断速度は0［s-1］と考えられるため、そのときのせん断粘度は2.23［mPa・s］と予想される。着弾後に粘度が下がるため液が広がりやすく、均一な膜形成に適していることは明らかである。
【０１０５】
また、この吐出液は、光導電層404との接触角が４５°以下とされている。本実施例では、光導電層404との接触角が５°の吐出液を用いた。
【０１０６】
該吐出液を、FUJIFILM Dimatix社製インクジェットヘッドSE-128に充填し、画像情報取得領域Ｇより広く、取出電極470に掛からない範囲に吐出を行った。真空乾燥機で溶剤を蒸発させ、膜厚０．２μｍの正孔注入阻止層402を得た。最後に、該正孔注入阻止層402端より内側にAuを蒸着により成膜して、膜厚０．１μmのバイアス電極401を形成した。なお、有機高分子層中の溶剤の残量は１ppm程度であった（以下同じ）。
【０１０７】
本実施例の構成では、正孔注入阻止層402の外縁部が、取出電極470から１ｍｍ画像情報取得領域Ｇ側に位置しており、画像情報が取得される画像情報取得領域Ｇの領域端Ｇ１と取出電極470との間に位置する。
【０１０８】
これにより、光導電層404の画像情報取得領域Ｇを正孔注入阻止層402が覆うことになり、光導電層404の画像情報取得領域Ｇにおける結晶化等の劣化を抑制でき、放射線検出器400としての耐久性が向上する。また、正孔注入阻止層402は、取出電極470を覆わないので、取出電極470の導通不良を防止できる。なお、実施例１の構成は、第１の態様の構成に対応する。
【０１０９】
（実施例２）
実施例２においては、正孔注入阻止層402の外縁部が、バイアス電極401端よりも１ｍｍ内側に位置し、画像情報取得領域Ｇの外側であって、光導電層404の平坦部平均膜厚の１０％以上の膜厚を有する領域内に位置するように構成されている。
【０１１０】
本実施例の構成によれば、電荷選択性を有する正孔注入阻止層402が、光導電層404の平坦部平均膜厚の１０％未満の膜厚を有する領域、すなわち膜厚の薄い領域を覆わないので、正孔注入阻止層402を伝って生じる沿面放電が起きにくい。なお、実施例２の構成は、第３の態様の構成に対応する。
【０１１１】
（実施例３）
実施例３においては、正孔注入阻止層402の外縁部が、光導電層404の平坦部平均膜厚の５０％の箇所に位置し、バイアス電極401の外側であって、光導電層404の平坦部平均膜厚の１０％以上の膜厚を有する領域内に位置するように構成されている。
【０１１２】
本実施例の構成によれば、正孔注入阻止層402がバイアス電極401の端部を覆うので、バイアス電極401の端部への電界集中による放電破壊を抑制できる。なお、実施例３の構成は、第４の態様の構成に対応する。
【０１１３】
（実施例４）
実施例４においては、正孔注入阻止層402の外縁部が、バイアス電極401端の２ｍｍ外側に位置し、バイアス電極401の外側であって、光導電層404の端部斜面の勾配が５０％以下の領域内に位置するように構成されている。
【０１１４】
本実施例の構成によれば、正孔注入阻止層402が、光導電層404の端部斜面の勾配が５０％以下の領域内に形成されることにより、正孔注入阻止層402を液状の材料で形成した場合であっても、液垂れが生じない。液垂れによる液だまりが生じると、Ｃ６０の結晶化が発生して沿面放電が起こりやすくなるが、本実施例では、液垂れが生じないので、沿面放電を抑制できる。
【０１１５】
なお、正孔注入阻止層402は、二層構造としても良く、フラーレンを含有した有機高分子層状に0.6μmの膜厚の硫化アンチモンを積層してもよい。この構成により、正孔ブロック性を高められる。なお、実施例４の構成は、第５の態様の構成に対応する。
【０１１６】
（比較例１）
比較例１においては、正孔注入阻止層402の外縁部が、画像情報取得領域Ｇの領域端Ｇ１の内側に位置するように、正孔注入阻止層402を形成する。これにより、正孔注入阻止層402は、画像情報取得領域Ｇよりも狭い範囲に形成される。
【０１１７】
この比較例１の構成では、正孔注入阻止層402のない部分で、アモルファスセレン（a-Se）で形成された光導電層404に結晶化が起こり、画像取得ができなくなった。
【０１１８】
（比較例２）
比較例２においては、正孔注入阻止層402が、取出電極470に掛かるように正孔注入阻止層402を形成した。
【０１１９】
この比較例２の構成では、取出電極470とアクティブマトリックス基板450を接続する際にコンタクト不良が起きた。
【０１２０】
（光読取方式の放射線検出器の構成）
光読取方式の放射線検出器についても、本発明の適用は可能であり、上記の放射線検出器400における正孔注入阻止層402の構成に準じて適用される。ここで、光読取方式の放射線検出器としての放射線検出基板500について説明する。
【０１２１】
図６（Ａ）、（Ｂ）は、放射線検出基板500の概略図を示している。図６（Ａ）、（Ｂ）に示すように、放射線検出基板500にはTCP510とそれを介して接続される読み出し装置512、高電圧を印加するための高電圧線514が接続されている。
【０１２２】
TCP(Tape Carrier Package)510は、信号検出用IC(チャージアンプIC)511を搭載したフレキシブルの配線基板である。このTCP510はACF(Anisotropic Conductive Film 異方性導電膜)を用いて熱圧着にて接続される。
【０１２３】
検出エリア516上部の上部電極518から延長された延長電極部519が形成されており、この延長電極部519に高電圧線514が接続されている。放射線を検出する検出エリア516は、信号読み出しと高電圧印加のための下部電極520、放射線を電荷に変換する放射線検出層522、高電圧を印加する上部電極518から構成される。
【０１２４】
下部電極520は、ガラス基板536に設けられており、下部電極520が設けられたガラス基板536により、放射線検出用下部基板524が構成されている。
【０１２５】
この放射線検出基板500の製造は大きく分けて、下部電極520を含む放射線検出用下部基板524の製造、放射線検出層522及び上部電極518の形成、高電圧線514の接続に分けられる。
【０１２６】
以下、放射線検出用下部基板524の構造について説明する。図７には、放射線検出用下部基板524の概略構造が示されている。図７では、TCP510は左右1つずつ、チャンネル数も各3チャンネル、合計6チャンネルと単純化している。放射線検出用下部基板524は、図７に示すように、放射線検出部526、ピッチ変換部528、取出電極としてのTCP接続部530から構成されている。
【０１２７】
放射線検出部526は、信号取り出しのための下部電極520がストライプ状（線状）に配置されている。また、その下層には透明の有機絶縁層532を介して一部任意の波長の光だけを透過させるカラーフィルター層534が形成されている。
【０１２８】
カラーフィルター層534上部にある層を共通Bライン520Ｂ、カラーフィルター層534のない部分にある信号Sライン520Ｓと呼ぶ。Bライン520Ｂは放射線検出部の外側で共通化され、くし型電極構造を有している。Sライン520Ｓは信号ラインとして用いられる。Bライン520Ｂの幅は、例えば20μｍ、Sライン520Ｓの幅は、例えば10μｍとされ、Bライン520ＢとSライン520Ｓとの間隔は、例えば、10μｍである。
【０１２９】
カラーフィルター層534の幅は、例えば、30μｍである。下部電極520は、裏面より光を照射するため透明であることと、高電圧印加時の電界集中による破壊などを避けるため平坦性が必要であり、たとえばIZO、ITOが用いられる。IZOを用いた場合、厚さは0.2μm、平坦性はRa=1nm程度である。
【０１３０】
カラーフィルター層534は、顔料を分散させた感光性のレジスト、例えばLCDのカラーフィルターに用いられる赤色レジストである。このカラーフィルター層534の段差を無くすために感光性有機の透明絶縁層532、たとえばPMMAが用いられる。
【０１３１】
更に支持部材となるガラス基板536は透明で剛性のあるものが望ましく、さらにはソーダライムガラスが望ましい。各層の厚さの一例は、下部電極520が0.2μｍ、カラーフィルター層534が1.2μｍ、有機透明絶縁層532が1.8μｍ、ガラス基板536が1.8mmである。このカラーフィルター層534、有機絶縁層532は放射線検出部526のみにあり、その境界は放射線検出部526、ピッチ変換部528にある。このためIZO配線は有機絶縁層532の境界段差部分を介してTCP接続部530ではガラス基板536上に形成される。
【０１３２】
放射線検出部526ではある数を単位として左右のTCP510へ配線が取り出される。図７では3ライン単位である。ライン数の一例は２５６ラインである。放射線検出部526でのライン幅はTCP接続部530でのライン幅と異なりこれを調整することと、所定のTCP接続位置まで配線を引き回すためピッチ変換部528にてライン幅が調整される。Bライン520Ｂは共通化されて同様にTCP接続部530へ引き出される。
【０１３３】
TCP接続部530では信号Sライン520Ｓと放射線検出部外側で共通化された共通Bライン520Ｂが配置される。共通Bライン520Ｂは信号Sライン520Ｓの外側に配置される。その数の一例としては信号ライン２５６、共通ライン上下各5ラインを用いてTCPへ接続される。その電極ライン/スペースは40/40μｍである。
【０１３４】
また、このTCP接続部530にてTCPを接続するためTCP用のアライメントマークが必要である。透明電極で形成することが望ましいが、透明なため認識が難しく、不透明な材料として、例えばこの基板の構成部材であるカラーフィルター層534を用いて合わせマークを形成する。
【０１３５】
次に、放射線検出層522について説明する。図８は、放射線検出基板500の構成を模式的に示した概略図である。放射線検出層は、図８に示すように、記録用光導電層542、電荷蓄積層544、読取用光導電層546、電極界面層548、下引き層550、上引き層552を備えて構成されている。
【０１３６】
＜記録用光導電層＞
記録用光導電層542は、電磁波を吸収し電荷を発生する光導電物質であり、アモルファスセレン化合物、Bi12MO20(M：Ti、Si、Ge)、Bi4M3O12(M：Ti、Si、Ge)、Bi2O3、BiMO4（Ｍ：Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ）、Bi2WO6、Bi24B2O39、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe，MNbO3(M：Li、Na、K)、PbO，HgI2、PbI2，CdS、CdSe、CdTe、BiI3、GaAs等のうち少なくとも１つを主成分とする化合物により構成される。この中で特にアモルファスセレン化合物よりなることが好ましい。
【０１３７】
アモルファスセレン化合物の場合には、その層中にLi, Na, K, Cs, Rb等のアルカリ金属を0.001ppmから１ppmまでの間で微量にドープしたもの、LiF, NaF, KF, CsF, RbF等のフッ化物を10ppmから10000ppmまでの間で微量にドープしたもの、P、As、Sb、Geを50ppmから0.5%までの間添加したもの、Asを10ppmから0.5%までドープしたもの、  Cl、Br、Iを1ppmから100ppmの間で微量にドープしたもの、を用いることができる。
【０１３８】
特に、Ａｓを10ppmから200ppm程度含有させたアモルファスセレン、Asを０．２％〜１％程度含有させさらにClを5ppm〜100ppm含有させたアモルファスセレン、0.001ppm〜１ppm程度のアルカリ金属を含有させたアモルファスセレンが好ましく用いられる。
【０１３９】
また、数ナノから数ミクロンのBi12MO20(M：Ti、Si、Ge)、Bi4M3O12(M：Ti、Si、Ge)、Bi2O3、BiMO4（Ｍ：Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ）、Bi2WO6、Bi24B2O39、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe，MNbO3(M：Li、Na、K)、PbO，HgI2、PbI2，CdS、CdSe、CdTe、BiI3、GaAs等の光導電性物質微粒子を含有させたものも用いることができる。
【０１４０】
記録用光導電層542の厚みは、アモルファスセレンの場合100μｍ以上2000μｍ以下であることが好ましい。特にマンモグラフィ用途では150μｍ以上250μｍ以下、一般撮影用途においては500μｍ以上1200μｍ以下の範囲であることが特に好ましい。
【０１４１】
＜電荷蓄積層＞
電荷蓄積層544は、蓄積したい極性の電荷に対して絶縁性の膜であれば良く、アクリル系有機樹脂、ポリイミド、BCB、PVA、アクリル、ポリエチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルイミド等のポリマーやAs2S3、Sb2S3、ZnS等の硫化物、その他に酸化物、フッ化物より構成される。更には、蓄積したい極性の電荷に対して絶縁性であり、それと逆の極性の電荷に対しては導電性を有する方がより好ましく、移動度×寿命の積が、電荷の極性により3桁以上差がある物質が好ましい。
【０１４２】
好ましい化合物としては、As2Se3、As2Se3にCl、Br、Iを500ppmから20000ppmまでドープしたもの、As2Se3のSeをTeで50%程度まで置換したAs2(SexTe1-x)3(0.5<x<1)、As2Se3のSeをSで50%程度まで置換したもの、As2Se3からAs濃度を±15%程度変化させたAsxSey(x+y=100、34≦x≦46)、アモルファスSe-Te系でTeを5-30wt%含むものを挙げることができる。
【０１４３】
この様なカルコゲナイド系元素を含む物質を用いる場合、電荷蓄積層544の厚みは0.4μｍ以上3.0μｍ以下であること好ましく、より好ましくは0.5μｍ以上２μｍ以下である。この様な電荷蓄積層544は、1度の製膜で形成しても良いし、複数回に分けて積層しても良い。
【０１４４】
有機膜を用いた好ましい電荷蓄積層544としては、アクリル系有機樹脂、ポリイミド、BCB、PVA、アクリル、ポリエチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルイミド等のポリマーに対し、電荷輸送剤をドープした化合物が好ましく用いられる。好ましい電荷輸送剤としては、トリス(8-キノリノラト)アルミニウム(Alq3)、N,N-ジフェニル-N,N-ジ(m-トリル)ベンジジン(TPD)、ポリパラフェニレンビニレン(PPV)、ポリアルキルチオフェン、ポリビニルカルバゾール(PVK)、トリフェニレン(TNF)、金属フタロシアニン、4-(ジシアノメチレン)-2-メチル-6-(p-ジメチルアミノスチリル)-4H-ピラン(DCM)、液晶分子、ヘキサペンチロキシトリフェニレン、中心部コアがπ共役縮合環あるいは遷移金属を含有するディスコティック液晶分子、カーボンナノチューブ、フラーレンからなる群より選択される分子を挙げることができる。ドープ量は0.1から50wt.%の間で設定される。
【０１４５】
＜読取用光導電層＞
読取用光導電層546は、電磁波、特に可視光を吸収し電荷を発生する光導電物質であり、アモルファスセレン化合物、アモルファスSi:H、結晶Si、GaAs等のエネルギーギャップが0.7-2.5eVの範囲に含まれる半導体物質を用いることができる。特にアモルファスセレンであることが好ましい。
【０１４６】
アモルファスセレン化合物の場合には、その層中にLi, Na, K, Cs, Rb等のアルカリ金属を0.001ppmから１ppmまでの間で微量にドープしたもの、LiF, NaF, KF, CsF, RbF等のフッ化物を10ppmから10000ppmまでの間で微量にドープしたもの、P、As、Sb、Geを50ppmから0.5%までの間添加したもの、Asを10ppmから0.5%までドープしたもの、Cl、Br、Iを1ppmから100ppmの間で微量にドープしたもの、を用いることができる。
特に、Ａｓを10ppmから200ppm程度含有させたアモルファスセレン、Asを０．２％〜１％程度含有させさらにClを5ppm〜100ppm含有させたアモルファスセレン、0.001ppm〜１ppm程度のアルカリ金属を含有させたアモルファスセレンが好ましく用いられる。
【０１４７】
読取用光導電層546の厚みは、読取光を十分吸収でき、かつ電荷蓄積層544に蓄積された電荷による電界が光励起された電荷をドリフトできれば良く、1μｍから30μｍ程度が好ましい。
【０１４８】
＜電極界面層＞
電極界面層548は、記録用光導電層542と上部電極518の間、あるいは読取用光導電層546と下部電極520の間に敷設される。結晶化を防止する目的において、アモルファスセレンにAsが1%-20%の範囲で添加されたもの、S、Te、P、Sb、Geを1%から10%の範囲で添加したもの、上記の元素と他の元素を組合せて添加したものが好ましい。
【０１４９】
または、より結晶化温度の高いAs2S3やAs2Se3も好ましく用いることができる。更に、電極層からの電荷注入を防止する目的で上記、添加元素に加えて、特に正孔注入を防止するためにLi、Na、K、Rb、Cs等のアルカリ金属や、LiF、NaF、KF、RbF、CsF、LiCl、NaCl、KCl、RbF、CsF、CsCl、CsBr等の分子を10ppm-5000ppmの範囲でドープすることも好ましい。逆に電子注入を防止するためには、Cl、I、Br等のハロゲン元素や、In2O3等の分子を10ppm-5000ppmの範囲でドープすることも好ましい。界面層の厚みは、上記目的を十分果たすように0.05μｍから1μｍの間に設定されることが好ましい。
【０１５０】
上記の電極界面層548、読取用光導電層546、電荷蓄積層544、記録用光導電層542は、真空度10-3から10-7Torrの間の真空槽内において、基板を25℃以上70℃以下の間に保持し、上記各合金を入れたボート、あるいはルツボを、抵抗加熱あるいは電子ビームにより昇温し、合金、化合物を蒸発または昇華させることにより基板上に積層される。
【０１５１】
合金、化合物の蒸発温度が大きく異なる場合には、複数の蒸着源に対応した複数のボートを同時に加熱し個々に制御することで、添加濃度、ドープ濃度を制御することも好ましく用いられる。例えば、As2Se3・アモルファスセレン・LiFをそれぞれボートに入れ、As2Se3のボートを340℃、アモルファスセレン(a-Se)のボートを240℃、LiFのボートを800℃として、各ボートのシャッターを開閉することで、As10%ドープアモルファスセレンにLiFを5000ppmドープした層を形成することができる。
【０１５２】
＜下引き層＞
読取用光導電層546と下部電極（電荷収集電極）520の間には、下引き層550を設けることが出来る。電極界面層（結晶化防止層（Ａ層））548がある場合には、電極界面層548と下部電極520の間に設けることが好ましい。下引き層550は、暗電流、リーク電流低減の観点から、整流特性を有することが好ましい。上部電極518に正バイアスが印加される時には電子ブロック性を、負バイアスが印加される時にはホールブロック性を有することが好ましい。
【０１５３】
この下引き層の抵抗率は、１０８Ωｃｍ以上であること、膜厚は、０．０１μｍ〜１０μｍであることが好ましい。電子ブロック性を有する層、すなわち電子注入阻止層としては、Ｓｂ２Ｓ３，ＳｂＴｅ，ＺｎＴｅ，ＣｄＴｅ，ＳｂＳ，ＡｓＳｅ，Ａｓ２Ｓ３等の組成から成る層、または有機高分子層が好ましい。有機高分子層としては、ＰＶＫ等のホール輸送性高分子、またはポリカーボネート、ポリスチレン、ポリイミド、ポリシクロオレフィン等の絶縁性高分子に、ＮＰＤ，ＴＰＤを混合した膜を好ましく用いることが出来る。
【０１５４】
ホールブロック性を有する層、すなわち正孔注入阻止層としては、ＣｄＳ，ＣｅＯ２，等の膜、または有機高分子層が好ましい。有機高分子層としては、たはポリカーボネート、ポリスチレン、ポリイミド、ポリシクロオレフィン等の絶縁性高分子に、Ｃ６０（フラーレン）、Ｃ７０等のカーボンクラスターを混合した膜を好ましく用いることが出来る。
【０１５５】
一方、薄い絶縁性高分子層も好ましく用いることが出来、例えば、パリレン、ポリカーボネート、ＰＶＡ、ＰＶＰ，ＰＶＢ，ポリエステル樹脂、ポリメチルメタクリレート等のアクリル樹脂が好ましい。この時の膜厚としては、２μｍ以下が好ましく、０．５μｍ以下がより好ましい。
【０１５６】
＜上引き層＞
記録用光導電層542と上部電極（電圧印加電極）518の間には、上引き層552を設けることが出来る。電極界面層（結晶化防止層（Ｃ層））548がある場合には、電極界面層548と上部電極518の間に設けることが好ましい。上引き層552は、暗電流、リーク電流低減の観点から、整流特性を有することが好ましい。
【０１５７】
上部電極518に正バイアスが印加される時にはホールブロック性を、負バイアスが印加される時には電子ブロック性を有することが好ましい。この上塗り層の抵抗率は、１０８Ωｃｍ以上であること、膜厚は、０．０１μｍ〜１０μｍであることが好ましい。
【０１５８】
電子ブロック性を有する層、すなわち電子注入阻止層としては、有機高分子層が好ましい。有機高分子層としては、ＰＶＫ等のホール輸送性高分子、またはポリカーボネート、ポリスチレン、ポリイミド、ポリシクロオレフィン等の絶縁性高分子に、ＮＰＤ，ＴＰＤを混合した膜を好ましく用いることが出来る。
【０１５９】
ホールブロック性を有する層、すなわち正孔注入阻止層としては、有機高分子層が好ましい。有機高分子層としては、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリイミド、ポリシクロオレフィン等の絶縁性高分子に、正孔ブロック材料を混合した膜を好ましく用いることが出来る。
【０１６０】
正孔注入阻止層402に含有される正孔ブロック材料のうち少なくとも一種が、カーボンクラスター又はその誘導体から選択される少なくとも１種であることが好ましい。さらにカーボンクラスターが、フラーレンＣ６０、フラーレンＣ７０、酸化フラーレン又はそれらの誘導体から選択される少なくとも１種であることが好ましい。
【０１６１】
一方、薄い絶縁性高分子層も好ましく用いることが出来、例えば、パリレン、ポリカーボネート、ＰＶＡ、ＰＶＰ，ＰＶＢ，ポリエステル樹脂、ポリメチルメタクリレート等のアクリル樹脂が好ましい。この時の膜厚としては、２μｍ以下が好ましく、０．５μｍ以下がより好ましい。
【０１６２】
次に、上部電極518及びその上部電極518の表面に形成される表面保護層554について説明する。
【０１６３】
＜上部電極＞
記録用光導電層542の上面に形成される上部電極518としては金属薄膜が好ましく用いられる。材料としてはＡｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｍｇ、ＭｇＡｇ3-20%合金、Ｍｇ-Ａｇ系金属間化合物、ＭｇＣｕ3-20%合金、Ｍｇ-Ｃｕ系金属間化合物などの金属から形成するようにすればよい。
【０１６４】
特にＡｕやＰｔ、Ｍｇ-Ａｇ系金属間化合物が好ましく用いられる。例えばＡｕを用いた場合、厚みとして15ｎｍ以上200ｎｍ以下であることが好ましく、より好ましくは30nm以上100nm以下である。例えばＭｇＡｇ3-20%合金を用いた場合は、厚さ100ｎｍ以上400ｎｍ以下を用いることがより好ましい。
【０１６５】
作成方法は任意であるが、抵抗加熱方式による蒸着により形成されることが好ましい。
たとえば、抵抗加熱方式によりボート内で金属塊が融解後にシャッターを開け、15秒間蒸着し一旦冷却する。抵抗値が十分低くなるまで複数回繰り返すことで形成される。
【０１６６】
＜表面保護層＞
放射線照射によって放射線検出デバイスに潜像を形成するため、上部電極518には数ｋＶの高電圧を印加する。この上部電極518が大気に開放されていると沿面放電を生じ、被写体が感電する危険がある。上部電極518における沿面放電を防止するため、電極上面に表面保護層554を形成し絶縁処理を施す。
【０１６７】
絶縁処理は電極面が全く大気に触れない構造にすることが必要で、絶縁体で密着被覆する構造とする。尚且つ、この絶縁体は印加電位を上回る絶縁破壊強度を有することが必要である。更に、放射線検出デバイスの機能上、放射線透過を妨げない部材であることが必要である。これら要求される被覆性、絶縁破壊強度および放射線透過率の高い材料および製法として、絶縁性ポリマーの蒸着または溶剤塗布が好ましい。
【０１６８】
具体例としては、常温硬化型エポキシ樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、アクリル樹脂、ポリパラキシリレン誘導体をＣＶＤ法で成膜する方法等があげられる。この中でも常温硬化型エポキシ樹脂、ポリパラキシリレンをCVD法で成膜するが好ましく、特にポリパラキシリレン誘導体をＣＶＤ法で成膜する方法が好ましい。好ましい膜厚は１０μｍ以上１０００μｍ以下であり、さらに好ましくは２０μｍ以上１００μｍ以下である。
【０１６９】
ポリパラキシリレン膜は、室温で形成できるため被着体に熱ストレスを与えることなく、極めて段差被覆性の高い絶縁膜が得られるが、化学的に非常に安定であるため、被着体との密着性は一般に好ましくない場合が多い。被着体との密着性を上げるため、ポリパラキシリレン形成前の被着体への処理として、カップリング剤、コロナ放電、プラズマ処理、オゾン洗浄、酸処理、表面租化等の物理的、化学的処理が一般的に知られており用いることができる。特にシランカップリング剤もしくはシランカップリング剤を必要によりアルコール等で希釈したものを、少なくとも被着体との密着性を向上させたい部分に塗布処理を施した後ポリパラキシリレン膜を形成することで被着体との密着性を向上させる方法が好ましい。
【０１７０】
さらに、放射線検出デバイスの経時劣化防止のため、防湿処理を施すことが好ましい。具体的には防湿部材で覆う構造とする。防湿部材としては、前記絶縁性ポリマーのような樹脂単独では機能不足であり、ガラス、アルミラミネートフィルムといった少なくとも無機材層を有する構成が効果的である。但し、ガラスは放射線透過を減衰するため、防湿部材は薄いアルミラミネートフィルムが望ましい。例えば、一般的に防湿包材として用いられているアルミラミネートフィルムとして、PET12μm/圧延アルミ9μm/ナイロン15μmを積層したものがある。
【０１７１】
アルミの厚みは５μｍ以上３０μｍ以下が好ましく、前後のＰＥＴ厚み、ナイロン厚みはそれぞれ１０μｍ以上１００μｍ以下が好ましい。このフィルムのX線減衰は約１％程度であり、防湿効果とX線透過を両立する部材として最適である。
【０１７２】
例えば、図９に示すように、ポリパラキシリレン554Ａによる絶縁処理を施した放射線検出デバイス全面を防湿フィルム554Ｂで覆い、放射線検出デバイス領域外において防湿フィルム554Ｂの周囲を接着剤で基板と接着固定する。これによって、放射線検出デバイスを基板と防湿フィルム554Ｂで密封した構成とする。
【０１７３】
この接着固定に際し、ポリパラキシリレン554Ａは、化学的に非常に安定であるため、一般的には接着材による他の部材との接着性が悪いが、接着に先立ち紫外光による光照射処理を施すことにより接着性を向上させることが出来る。必要な照射時間は使用する紫外光源の波長、ワット数により適時、最適な時間に調節するが、低圧水銀灯で１から５０Ｗのものが好ましく、光照射は１分から３０分で行なうのが好ましい。
【０１７４】
尚、本実施形態に係る放射線検出デバイスは、アモルファスセレンを用いており、40℃以上の高温ではアモルファスセレンが結晶化して潜像形成の機能が得られなくなるおそれがあることから、接着加工において加熱処理は適さない。そこで、室温硬化型の接着剤が望ましく、接着強度が高い２液混合室温硬化型エポキシ接着剤が最適である。このエポキシ接着剤を放射線検出デバイスの外周に塗布し、防湿フィルム554Ｂを被せる。接着部を防湿フィルム554Ｂの上面から均一に押圧固定し、この状態のまま室温環境にて12時間以上置いて硬化させる。接着剤硬化後に押圧を開放して封止構造が完成する。
【０１７５】
封止構造部材について補足する。放射線検出デバイスをマンモグラフィに用いる場合、X線撮影における被曝を抑えるため、低線量での撮影検出が望まれる。低線量照射での陰影変化を検出するため、放射線源からデバイスまでの経路における、被写体（マンモ）以外の部材はX線の透過率を高くすること望ましく、これにより明瞭な画像が得られる。
【０１７６】
好ましい保護層・封止構造の一例を図９に示しているが、これに限定されるものではない。保護膜の形成によりデバイスの湿度環境が３０％以下、より好ましくは１０％以下になるように維持されることが好ましい。
【０１７７】
＜電荷取り出しアンプ＞
本実施形態において、電荷はアンプを通して増幅後Ａ／Ｄ変換される。図１０は、電荷取り出しアンプの構成、並びにこれらと放射線検出基板500の外部に配された画像処理装置１５０などとの接続態様を示したブロック図である。
【０１７８】
電荷取り出しアンプとしてのチャージアンプＩＣ511は、放射線検出基板500の各エレメント１５ａごとに接続された多数のチャージアンプ３３ａおよびサンプルホールド（Ｓ／Ｈ）３３ｂ、各サンプルホールド３３ｂからの信号をマルチプレクスするマルチプレクサ３３ｃを備えている。
【０１７９】
下部電極から流れ出す電流は、各チャージアンプ３３ａにより電圧に変換され、該電圧がサンプルホールド３３ｂにより所定のタイミングでサンプルホールドされ、サンプルホールドされた各エレメント１５ａに対応する電圧がエレメント１５ａの配列順に切り替わるようにマルチプレクサ３３ｃから順次出力される（主走査の一部に相当する）。
【０１８０】
マルチプレクサ３３ｃから順次出力された信号はプリント基板３１上に設けられたマルチプレクサ３１ｃに入力され、さらに各エレメント１５ａに対応する電圧がエレメント１５ａの配列順に切り替わるようにマルチプレクサ３１ｃから順次出力され主走査が完了する。
【０１８１】
マルチプレクサ３１ｃから順次出力された信号はＡ／Ｄ変換部３１ａによりデジタル信号に変換され、デジタル信号がメモリ３１ｂに格納される。一旦メモリ３１ｂに格納された画像信号は、信号ケーブルを介して外部の画像処理装置150に送られ、この画像処理装置150において適当な画像処理が施され、撮影情報と共にネットワーク151にアップロードされ、サーバもしくはプリンタに送られる。
【０１８２】
＜画像取得シーケンス＞
本画像記録読取システムの画像形成シーケンスは、基本的には、高圧印加中に記録光（例えばＸ線）を照射し潜像電荷を蓄積する過程、および、高圧印加を終了後、読取光を照射して潜像電荷を読み出す過程からなる。読取光Ｌとしてはライン光源301を電極方向に走査する方法（図１１参照）が最適であるが、他の方法でも可能である。
【０１８３】
さらに、必要に応じて、読み残した潜像電荷を十分に消去する過程を組み合わせることができる。この消去過程は、パネル全面に消去光を照射することにより行われ、全面に一度に照射させても、あるいはライン光やスポット光を全面に走査させても良く、読取過程の後、または/および、潜像蓄積過程の前に行われる。消去光を照射する際に、高圧印加を組み合わせて消去効率を高めることもできる。また、高圧印加後、記録光を照射する前に「前露光」を行うことにより、高圧印加の際に発生する暗電流による電荷（暗電流電荷）を消去することができる。
【０１８４】
さらに、これら以外の原因によっても静電記録体に種々な電荷が記録光の照射の前に蓄積されることが知られている。これらの残存信号は、残像現象として次に出力される画像情報信号に影響を及ぼすため、補正により低減させることが望ましい。
【０１８５】
残像信号を補正する方法として、上記の画像記録読取過程に、残像画像読取過程を加える方法が有効である。この残像画像記録過程は、記録光を照射しないで高圧印加のみ行った後、読取光により「残像画像」を読取ることで行われ、この「残像画像」信号に適当な処理を施し、「記録画像」信号から差し引くことで、残像信号を補正することができる。残像画像読取過程は、画像記録読取過程の前、あるいは後に行われる。また、残像画像読取過程の前、または/および後に、適当な消去過程を組み合わせることができる。
【０１８６】
光読取方式の放射線検出器としての放射線検出基板500では、上部電極518が本発明の第１電極に相当し、記録用光導電層542を有する放射線検出層522が本発明に係る光導電層に相当し、下部電極520が本発明に係る第２電極に相当し、TCP接続部530が本発明の取出電極に相当し、上引き層552が本発明の有機高分子層に相当する。
【０１８７】
光読取方式の放射線検出基板500では、上記の放射線検出器400と同様に、以下のように上引き層552を構成することができる。
【０１８８】
有機高分子層としての上引き層552は、その外縁部、すなわち他の層との境界となる周端が所定位置に位置することで、上引き層552が所定範囲に形成され、その所定範囲を覆う構成となっている。
【０１８９】
本実施形態では、上引き層552の外縁部は、画像情報を担持した放射線が照射された領域のうち、画像情報が取得される画像情報取得領域Ｇの領域端Ｇ１とTCP接続部530との間に位置するように構成されている。なお、図１２（Ａ）の矢印Ａで示す範囲が、画像情報取得領域Ｇの領域端Ｇ１とTCP接続部530との間の範囲である。
【０１９０】
また、好ましくは、本実施形態に係る上引き層552の外縁部が、画像情報取得領域Ｇの外側であって、放射線検出層522の平坦部平均膜厚の１０％以上の膜厚を有する領域内に位置するように構成される。放射線検出層522の平坦部平均膜厚は、放射線検出層522の画像情報取得領域Ｇの領域内の任意の９点の膜厚を測定し、その９点の膜厚の平均したものである。膜厚は、断面を１００倍の倍率で顕微鏡観察を行い測定した。
【０１９１】
なお、図１２（Ａ）の矢印Ｂで示す範囲が、画像情報取得領域Ｇの外側であって、放射線検出層522の平坦部平均膜厚の１０％以上の膜厚を有する領域内の範囲である。
【０１９２】
さらに好ましくは、本実施形態に係る上引き層552の外縁部が、上部電極518の外側であって、放射線検出層522の平坦部平均膜厚の１０％以上の膜厚を有する領域内に位置するように構成される。
【０１９３】
なお、図１２（Ａ）の矢印Ｃで示す範囲が、上部電極518の外側であって、放射線検出層522の平坦部平均膜厚の１０％以上の膜厚を有する領域内の範囲である。
【０１９４】
さらに好ましくは、上引き層552の外縁部が、上部電極518の外側であって、放射線検出層522の端部斜面の勾配が５０％以下の領域内に位置するように構成される。
【０１９５】
上引き層552の外縁部は、放射線検出層522の平坦部から外縁に向けて徐々に勾配がきつくなる端部斜面において、その勾配が５０％以下の領域内、すなわち勾配が５０％よりも勾配が緩やかな範囲に位置する。勾配が５０％とは、図１２（Ｂ）に示すように、放射線検出層522の膜厚方向に沿った辺と、その辺と直交する辺と、斜辺とで構成される直角三角形において、放射線検出層522の膜厚方向に沿った辺の長さ１に対して、その辺と直交する辺の長さ２としたときの斜辺で形成される勾配である。勾配は、断面を１００倍の倍率で顕微鏡観察を行い測定した。
【０１９６】
なお、図１２（Ａ）の矢印Ｄで示す範囲が、上部電極518の外側であって、放射線検出層522の端部斜面の勾配が５０％以下の領域内の範囲である。
【０１９７】
なお、放射線検出層522は、上部電極518よりも広い領域に形成されている。また、下部電極520は、画像情報取得領域Ｇより広い領域に形成されている。
【０１９８】
次に、上記の正孔注入阻止層402及び上引き層552の形成等に用いられる塗布液について説明する。なお、塗布液は、正孔注入阻止層402及び上引き層552の以外の用途に用いられる有機高分子層を形成する際に用いることが可能である。
また、ここでは、インクジェット法に用いられる吐出液としての塗布液について説明するが、塗布液は、スプレー、ディップ、バーコーティング、ロールコート、スピンコート、ブレードコート、フレキソ印刷等の種々の塗布方法に用いることが可能である。
【０１９９】
塗布液は、有機高分子とフラーレン類とを必須成分として含んでおり、塗布液の主溶媒は、一般式（１）又は（２）で表されると共に沸点が150℃以上である芳香族系溶剤である。
【化４】
0005264291.tif 000005
（一般式（１）（２）中、R1-8は、水素、ハロゲン、またはアルキル基のいずれかを表す。）
【０２００】
本実施形態に係る塗布液では、フラーレン類として、フラーレンC６０（フロンティアカーボン株式会社性、nanom purple (C60)）を使用し、有機高分子として、ポリカーボネート樹脂（PCz）（三菱ガス化学株式会社製ユーピロンPCz‐４００）を使用した。塗布液の主溶媒としては、以下に示す実施例Ａ〜Ｅに係る溶媒を使用した。
【０２０１】
塗布液の調製は、以下のように行う。まず、サンプル瓶に、一定量のフラーレンC６０とＰＣｚを秤量する。その後、主溶媒を秤量し、室温で攪拌、40kHzの超音波処理を行い、溶解もしくは分散させ、インクジェット塗布液を作成した。本実施形態に係る塗布液では、主溶媒に対して1.05wt%のPCz、および、PCzに対して３０wt%のC６０を秤量した。また、塗布液に沈殿が生じた場合は、0.45μmのフィルターで濾過を行い使用した。
【０２０２】
この塗布液により有機高分子層を製造する（形成する）工程は、以下のとおりである。まず、上記の塗布液を、FUJIFILM Dimatix社製インクジェットヘッドSE-128に充填し、塗布面へ吐出する。その後、10-4Pa以下の減圧雰囲気下で１２時間減圧乾燥を行い、膜厚０．２μｍの有機高分子層を得た。
その後、次の吐出が行われるまでに、インクジェットヘッドのノズル面を湿式によるワイピングを行う。
湿式のワイピングとは、塗布液を相溶性がある液体でノズル面を濡らすと共にノズル面を払拭するものである。相溶性とは、二種またはそれ以上の物質が相互に親和性を有し、その物質が混ざり合う性質を意味する。相溶性がある液体としては、例えば、インクそのものやインクの溶媒等を用いることができる。
【０２０３】
（実施例Ａ）
実施例Ａでは、主溶媒としてo-ジクロロベンゼンを使用した。この結果、フラーレンC60が25mg/mlで沈殿が生じた。また、o-ジクロロベンゼンの沸点は180℃であり、SE-128に充填した状態でのオープンタイムは30分であった。
ここで、オープンタイムとは、２５℃・相対湿度５０％の条件下においてインクジェットヘッドに塗布液を充填した状態での放置時間を10、20、30分と長くして、不吐出が発生するまでの時間をオープンタイムとする。
【０２０４】
（実施例Ｂ）
実施例Ｂでは、主溶媒として1-クロロナフタレンを使用した。この結果、フラーレンC60が50mg/mlで沈殿が生じた。また、1-クロロナフタレンの沸点は263℃であり、SE-128に充填した状態でのオープンタイムは60分であった。
【０２０５】
（実施例Ｃ）
実施例Ｃでは、主溶媒としてモノクロロベンゼンを使用した。この結果、フラーレンC60が6mg/mlで沈殿が生じた。また、モノクロロベンゼンの沸点は132℃であり、SE-128に充填した状態でのオープンタイムは10分であった。
【０２０６】
（実施例Ｄ）
実施例Ｄでは、主溶媒としてエタノールを使用した。この結果、フラーレンC60が0.001mg/mlで沈殿が生じた。また、エタノールの沸点は78℃であり、SE-128に充填した状態でのオープンタイムは10分であった。
【０２０７】
（実施例Ｅ）
実施例Ｅでは、主溶媒としてn-テトラデカンを使用した。この結果、フラーレンC60が0.13mg/mlで沈殿が生じた。また、n-テトラデカンの沸点は253℃であり、SE-128に充填した状態でのオープンタイムは60分であった。
【０２０８】
実施例Ａ〜Ｃ（主溶媒として一般式（１）または一般式（２）で表される芳香族系溶剤を用いたもの）と実施例Ｄ・Ｅ（主溶媒として一般式（１）または一般式（２）で表される芳香族系溶剤を用いていないもの）との比較から、一般式（１）または一般式（２）の溶媒を用いることで、フラーレンC60の沈殿が飛躍的に生じにくくなる。すなわち、フラーレンC60の溶解性もしくは分散性がよくなっていることがわかる。
また、実施例Ａ・Ｂと実施例Ｃとの比較から、沸点が150℃以上の主溶媒を用いることでオープンタイムが長くなる。すなわち、インクジェット法による塗布においては、ノズル内での塗布液の乾燥を抑制し、ノズル詰まりを抑制できる。なお、他の方式による塗布の場合においても、塗布液の乾燥による粘度変化、塗布液を供給するための流路やノズルでの詰まり、塗布するための塗布部材表面の固着が起き難い。
このように、有機高分子層の形成においては、実施例Ａ・Ｂに係る塗布液を用いることが望ましい。なお、この結果は、放射線検出器400における有機高分子層の一例としての正孔注入阻止層402及び放射線検出基板500における有機高分子層の一例としての上引き層552を形成する際に、実施例Ｃ・Ｄ・Ｅに係る塗布液を用いることを妨げるものではない。
【０２０９】
また、インクジェット法による塗布では、マスクを必要とせず、塗布がなされる塗布面に非接触で正確に有機高分子層を成膜することができる。
インクジェット法による塗布においては、塗布液は、２５℃における粘度が1-20mPa・sの範囲にあることが望ましく、２５℃における表面張力が15-40mN/mの範囲にあることが望ましい。
塗布液の粘度が1mPa・s未満である場合又は塗布液の表面張力が15mN/m未満である場合には、ノズルから液だれを起こす場合がある。また、塗布液の粘度が20mPa・sを超える場合又は塗布液の表面張力が40mN/mを超える場合には、ノズル詰まり等による不吐出を起こす場合がある。
このため、塗布液の２５℃における粘度を1-20mPa・sの範囲にすることにより、吐出安定性を確保することができる。また、塗布液の２５℃における表面張力を15-40mN/mの範囲にすることにより、吐出安定性を確保することができる。
なお、塗布液の粘度は、レオメーター（Anton Paar 社製：Physica MCR301）により測定した。塗布液の表面張力は、表面張力計としてのDrop Master（協和界面科学社製）により測定した。
【０２１０】
また、インクジェット法による塗布においては、塗布液は、ダイラタンシー性を示すものが望ましい。ダイラタンシー性とは、せん断速度の増加に対して粘度が増加する液体の性質をいう。この吐出液のせん断速度とせん断粘度の関係はレオメーターによって測定した。せん断速度が10-1000［s-1］の範囲で測定を２度行い、その平均値を図５に示した。せん断速度の増加に伴い、せん断粘度が増加しているため、ダイラタンシー性であるといえる。
図５のグラフの指数近似式は、y = 2.2331e1E-05xとなる。インクジェットヘッドからの吐出時に吐出液に掛かるせん断速度は、一般に105［s-1］程度と言われており、そのときのせん断粘度は6.07［mPa・s］と予想される。一方、着弾後のせん断速度は0［s-1］と考えられるため、そのときのせん断粘度は2.23［mPa・s］と予想される。着弾後に粘度が下がるため液が広がりやすく、均一な膜形成に適していることは明らかである。
【０２１１】
また、インクジェット法による塗布においては、塗布液は、塗布面との接触角が４５°以下であることが望ましい。塗布液の接触角は、接触角計としてのDrop Master（協和界面科学社製）により測定した。
塗布面との接触角が４５°を超える場合には、塗布面への着弾時に塗布面となじみにくく、有機高分子層が不均一に成膜されることがある。従って、塗布面との接触角が４５°以下とすることにより、塗布液が塗布面への着弾時に塗布面となじみやすくなり、均一な有機高分子層が成膜できる。
【０２１２】
本発明は、上記の実施形態に限るものではなく、種々の変形、変更、改良が可能である。
【図面の簡単な説明】
【０２１３】
【図１】図１は、TFT方式の放射線検出器の全体構成を示す概略図である。
【図２】図２は、TFT方式の放射線検出器の要部を示す概略構成図である。
【図３】図３は、TFT方式の放射線検出器の１画素単位の構造を示す断面図である。
【図４】図４は、TFT方式の放射線検出器の１画素単位の構造を示す平面図である。
【図５】図５は、TFT方式の放射線検出器において、正孔注入阻止層の成膜に用いる吐出液のせん断速度とせん断粘度の関係を示すグラフである。
【図６】図６は、光読取方式の放射線検出器としての放射線検出基板の概略構成を示す図である。
【図７】図７は、図６に示す放射線検出基板の放射線検出用下部基板の概略構造を示す図である。
【図８】図８は、図６に示す放射線検出基板の構成を模式的に示した概略図である。
【図９】図９は、図６に示す放射線検出基板の上部電極を封止する封止構造を示す図である。
【図１０】図１０は、電荷取り出しアンプの構成並びにこれらと放射線検出基板の外部に配された画像処理装置などとの接続態様を示したブロック図である。
【図１１】図１１は、読取光としてライン光を走査したときの様子を示す概略図である。
【図１２】図１２は、図１に示すTFT方式の放射線検出器における正孔注入阻止層の構成を、図６に示す放射線検出基板に適用した例を示す図である。
【符号の説明】
【０２１４】
400  放射線検出器
401  バイアス電極（第１電極）
402  正孔注入阻止層（有機高分子層）
404  光導電層
407a  電荷収集電極（第２電極）
470  取出電極
500  放射線検出基板（放射線検出器）
518  上部電極（第１電極）
522  放射線検出層（光導電層）
520  下部電極（第２電極）
530  TCP接続部（取出電極）
552  上引き層（有機高分子層）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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