(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に設けられた、表面に硬化層を有するレジスト膜を除去するレジスト膜の除去方法であって、
前記基板の表面が覆われるように前記表面に硬化層を有するレジスト膜の表面に可撓性を有する樹脂材料からなる保護膜を被覆する工程と、
前記保護膜で被覆されたレジスト膜に、前記硬化層が破壊されるようにポッピングを発生させる工程と、
前記ポッピングが発生したレジスト膜と保護膜とを、所定の液体により基板から除去する工程と
を有し、
前記保護膜は、前記ポッピングを発生させる工程の際に、ポッピングによるレジスト膜の飛沫が突き破らないように形成されていることを特徴とするレジスト膜の除去方法。
【請求項２】
前記除去工程では、前記ポッピングが発生したレジスト膜と保護膜とを、水または有機溶剤で溶解可能となるように変性させた後、前記変性したレジスト膜および保護膜を、水または有機溶剤で溶解することにより基板から除去することを特徴とする請求項１に記載のレジスト膜の除去方法。
【請求項３】
前記ポッピングが発生したレジスト膜と保護膜とを、水蒸気およびオゾンを含む処理ガスの供給により、水または有機溶剤で溶解可能となるように変性させることを特徴とする請求項２に記載のレジスト膜の除去方法。
【請求項４】
水蒸気およびオゾンを含む処理ガスの供給を、密閉チャンバ内に基板を配置し、前記密閉チャンバ内を陽圧に保持した状態で行うことを特徴とする請求項３に記載のレジスト膜の除去方法。
【請求項５】
前記硬化層は、イオン注入によって形成されたものであることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のレジスト膜の除去方法。
【請求項６】
コンピュータ上で動作し、処理装置を制御するための制御プログラムが記憶された記憶媒体であって、
前記制御プログラムは、実行時に、請求項１から請求項５のいずれかのレジスト膜の除去方法が行われるように、コンピュータに前記処理装置を制御させることを特徴とするコンピュータ読取可能な記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、イオン注入処理やエッチング処理等によって表面が硬化したレジスト膜を基板から除去するレジスト膜の除去方法およびコンピュータ読取可能な記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造工程においては、イオン注入技術を利用して、半導体ウエハであるシリコン基板やシリコン基板の表面に形成された絶縁膜等の各種膜などに所定のイオンを注入し、その表面特性を変化させるといったことが行われている。例えば、基板に砒素（Ａｓ）やリン（Ｐ）、ホウ素（Ｂ）等を注入することによってｐ−ｎ接合を形成することができる。
【０００３】
イオン注入処理は通常、基板（シリコン基板のほか、シリコン基板の表面に形成された各種膜を含むレジスト膜の下地材を意味する）に所定の回路パターンを有するレジスト膜を形成した後に行われ、レジスト膜はイオン注入処理後に除去されることとなるが、高濃度でイオン注入が行われたレジスト膜は、表面に難剥離性の硬化層が形成されて基板から剥離しにくい状態になる。このため、表面に硬化層を有するレジスト膜の除去には一般的に、レジスト膜をプラズマアッシング処理した後、基板をウエット洗浄するといった方法が採用されている（例えば特許文献１参照）。
【０００４】
ところが、このようなレジスト膜にプラズマアッシング処理を施すと、注入されたイオンにより基板が酸化されたり、プラズマアッシングの異方性によりアッシングガスが打ち込まれて基板の特性が変化したり、プラズマアッシングにより帯電した基板が放電したりして、基板が損傷してしまうおそれがある。
【０００５】
また、レジスト膜にプラズマアッシング処理を施すと、加熱されたレジスト膜の内部から溶剤成分がガス化したものや窒素ガス（Ｎ２）等のガスが発生し、このガスがレジスト膜の硬化層を破壊して吹き出すことによりレジスト膜が爆発する、所謂ポッピングと呼ばれる現象が起こってしまう。ポッピングは、レジスト膜を現像処理した後の熱処理温度が、その後に行われるプラズマアッシング処理時の温度よりも低いために、イオン注入処理前後で実質的に変わらない未硬化の状態（粘性を有する状態）にあるレジスト膜の内部に、プラズマアッシング処理時の加熱によって蒸発する成分が残存していることにより起こるものである。ポッピングが起こると、爆発したレジスト膜の未硬化部の飛沫が基板に付着するおそれがあり、このような飛沫が基板に付着すると、基板をウエット洗浄しても除去することが難しい。
【０００６】
そこで、上述のような問題を解消するため、プラズマアッシング処理を用いずに、基板を加熱しつつレジスト膜に水分を供給することにより、レジスト膜の硬化層にクラックを発生させ、このクラックを介してレジスト膜の内部の基板との境界部にまで水分を浸透させてレジスト膜を基板から剥離させる、または剥離しやすくさせるといった試みがなされている（例えば特許文献２参照）。
【０００７】
しかしながら、上記特許文献２の技術では、レジスト膜を効果的に除去するためには、レジスト膜の硬化層に多くのクラックを生じさせる必要があり、そのために加熱温度を高くすると、レジスト膜にポッピングが起こって未硬化部の飛沫が基板に付着するおそれがある。したがって、この技術では、レジスト膜にポッピングが起こらない程度のクラックしか発生させることができず、結果的に、レジスト膜を十分に除去することが困難である。
【特許文献１】特開平７−３７７８０号公報
【特許文献２】特開２００１−９３８０６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、表面に難剥離性の硬化層を有するレジスト膜を、基板にダメージを与えることなく、基板から効果的に除去することが可能なレジスト膜の除去方法を提供することを目的とする。また、本発明は、このような方法をコンピュータに実行させるための制御プログラムを記憶したコンピュータ読取可能な記憶媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明の第１の観点は、基板上に設けられた、表面に硬化層を有するレジスト膜を除去するレジスト膜の除去方法であって、前記基板の表面が覆われるように前記表面に硬化層を有するレジスト膜の表面に可撓性を有する樹脂材料からなる保護膜を被覆する工程と、前記保護膜で被覆されたレジスト膜に、前記硬化層が破壊されるようにポッピングを発生させる工程と、前記ポッピングが発生したレジスト膜と保護膜とを、所定の液体により基板から除去する工程とを有し、前記保護膜は、前記ポッピングを発生させる工程の際に、ポッピングによるレジスト膜の飛沫が突き破らないように形成されていることを特徴とするレジスト膜の除去方法を提供する。
【００１０】
本発明の第１の観点において、前記除去工程では、前記ポッピングが発生したレジスト膜と保護膜とを、水または有機溶剤で溶解可能となるように変性させた後、前記変性したレジスト膜および保護膜を、水または有機溶剤で溶解することにより基板から除去することが好ましい。この場合に、前記ポッピングが発生したレジスト膜と保護膜とを、水蒸気およびオゾンを含む処理ガスの供給により、水または有機溶剤で溶解可能となるように変性させることが好ましく、さらにこの場合に、水蒸気およびオゾンを含む処理ガスの供給を、密閉チャンバ内に基板を配置し、前記密閉チャンバ内を陽圧に保持した状態で行うことが好ましい。
【００１８】
また、上記第１の観点において、前記硬化層としては、イオン注入によって形成されたものを挙げることができる。
【００２０】
また、本発明の第２の観点は、コンピュータ上で動作し、処理装置を制御するための制御プログラムが記憶された記憶媒体であって、前記制御プログラムは、実行時に、上記レジスト膜の除去方法が行われるように、コンピュータに前記処理装置を制御させることを特徴とするコンピュータ読取可能な記憶媒体を提供する。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、基板の表面が覆われるように表面に硬化層を有するレジスト膜の表面に保護膜を被覆し、保護膜で被覆された状態でレジスト膜に、前記硬化層が破壊されるようにポッピングを発生させ、保護膜はポッピングによるレジスト膜の飛沫が突き破らないように形成されているため、レジスト膜内部の未硬化部の飛沫が基板に付着したり、基板がダメージを受けたりするといったことなく、硬化層を大きく壊してレジスト膜の透水性を効果的に高めることができ、これにより、所定の液体によってレジスト膜を基板から効果的に除去することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、添付図面を参照しながら本発明の実施の形態について具体的に説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係るレジスト膜の除去方法の工程を説明するための模式図である。
【００２５】
図１（ａ）は、半導体の製造過程でシリコンウエハ６１の主面に不純物拡散領域６１ａを形成するためのイオン注入を行った状態を示している。符号６２は、シリコンウエハ６１上に形成された絶縁膜であり、符号６３は、イオン注入の際のマスクとして絶縁膜６２上に形成されたレジスト膜である。レジスト膜６３は、イオン注入処理が施される前に、露光処理および現像処理が施され、その後に熱処理が施されており、表面部が、高濃度のイオン注入処理により硬化した硬化層６３ａとなっており、内部が硬化していない状態（以下、未硬化部とする）６３ｂとなっている。シリコンウエハ６１および絶縁膜６２は、レジスト膜６３の下地材となる基板６０を構成している。
【００２６】
本実施形態においてレジスト膜６３を除去するには、まず、図１（ｂ）に示すように、例えば基板６０（絶縁膜６２）の表面が覆われるように、レジスト膜６３の表面に保護膜６４を被覆形成する（工程１）。保護膜６４は、シリコン含有レジスト等の可撓性を有する樹脂材料で形成される。ここでは、保護膜６４を、除去しやすいように極力薄く形成することが好ましいが、後述するポッピングの際にレジスト膜６３の飛沫が突き破ってしまうことがない程度の膜厚を有するように形成する必要がある。
【００２７】
次に、図１（ｃ）に示すように、レジスト膜６３を加熱することにより、保護膜６４で被覆された状態でレジスト膜６３にポッピングを発生させる（工程２）。符号６３’，６３ａ’，６３ｂ’はそれぞれ、ポッピング発生後のレジスト膜、硬化層および未硬化部である。ポッピングは、前述のように、レジスト膜６３を現像処理後の熱処理（ポストベーク）温度よりも高い温度で加熱することにより、レジスト膜６３内部の未硬化部６３ｂの一部が硬化層６３ａを突き破って噴出する現象である。
【００２８】
続いて、図１（ｄ）に示すように、ポッピング発生後のレジスト膜６３’と保護膜６４とに、水蒸気およびオゾンを含む処理ガスを供給して接触させることにより、ポッピング発生後のレジスト膜６３’および保護膜６４をそれぞれ、水溶性（または有機溶剤で溶解可能）に変性させる（工程３）。符号６３”，６３ａ”，６３ｂ”，６４’はそれぞれ、水溶性に変性後のレジスト膜、硬化層、未硬化部および保護膜である。
【００２９】
その後、図１（ｅ）に示すように、水溶性に変性したレジスト膜６３”および保護膜６４’を純水洗浄により基板６０から溶解除去する（工程４）。なお、レジスト膜６３”および保護膜６４’の除去には、純水に限らず、他の水系洗浄液または有機溶剤を用いてもよい。
【００３０】
本実施形態では、従来のレジスト膜の除去方法のように、プラズマアッシング等のアッシングを行わないため、基板６０にダメージを与えてしまうといったことを回避することができる。そして、保護膜６４で被覆された状態でレジスト膜６３のポッピングを発生させるため、レジスト膜６３の未硬化部６３ｂの飛沫が基板６０に付着することが防止され、これにより、ポッピングの規模を大きくしてレジスト膜６３の硬化層６３ａを大きく破壊することができる。また、ポッピング後にも、保護膜６４によって未硬化部６３ｂ’の大気との接触が抑止されるため、ポッピング後の未硬化部６３ｂ’の硬化を抑止することができる。したがって、ポッピング後のレジスト膜６３’内部の基板６０との境界部にまで処理ガスを浸透させることができ、これにより水溶性に変性したレジスト膜６３”を、その後の純水洗浄によって基板６０から完全に除去することが可能となる。レジスト膜は通常、１×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ２以上の高ドーズ量のイオン注入が行われると特に硬化するため、本実施形態は、このような高ドーズ量のイオン注入が行われた場合に特に有効である。
【００３１】
なお、工程２の後、工程３、４に代えて、硫酸および過酸化水素水を含むＳＰＭ薬液により、ポッピング発生後のレジスト膜６３’と保護膜６４とを基板６０から除去してもよい（工程３ｂ）。この場合にも、ポッピング発生後のレジスト膜６３’内部の基板６０との境界部にまでＳＰＭ薬液を浸透させることができるため、このレジスト膜６３’を基板６０から完全に溶解除去することが可能となる。
【００３２】
次に、以上のような一連の処理を行うための装置の一例およびこのような装置による上記工程の詳細について説明する。
図２は、本発明に係るレジスト膜の除去方法を行う基板処理システムの概略構成を示すブロック図である。
【００３３】
基板処理システム１００は、ウエハＷ（基板６０）に保護膜等を塗布形成する塗布装置１０１と、ウエハＷからレジスト膜および保護膜等を除去する除去装置１０２とを備えており、図示しない搬送装置により、これら装置間でウエハＷが搬送されるように構成されている。
【００３４】
基板処理システム１００の塗布装置１０１と除去装置１０２とは、ＣＰＵを備えたプロセスコントローラ１１１に接続されて制御されるように構成されている。プロセスコントローラ１１１には、工程管理者が基板処理システム１００の各装置を管理するためのコマンドの入力操作等を行うキーボードや、基板処理システム１００の各装置の稼動状況を可視化して表示するディスプレイなどからなるユーザインターフェース１１２と、基板処理システム１００で実行される各処理をプロセスコントローラ１１１の制御にて実現するための制御プログラムや処理条件データ等を記録したレシピが格納された記憶部１１３とが接続されている。
【００３５】
そして、必要に応じて、ユーザインターフェース１１２からの指示等を受けて、任意のレシピを記憶部１１３から呼び出してプロセスコントローラ１１１に実行させることで、プロセスコントローラ１１１の制御化で基板処理システム１００において所望の各処理が行われる。また、前記レシピは、ＣＤ−ＲＯＭ、ハードディスク、フレキシブルディスク、不揮発性メモリ等の読み出し可能な記憶媒体に格納されたものを利用したり、あるいは、基板処理システム１００の各装置間または外部の装置から、例えば専用回線を介して随時伝送させてオンラインで利用したりすることも可能である。
【００３６】
塗布装置１０１は、例えば、ウエハＷにレジスト膜６３を塗布形成するのと同様のスピンコータで構成されており、スピン塗布により、レジスト膜６３を覆うようにウエハＷに保護膜６４あるいは後述するシュリンク膜６５（図８参照）または軟化膜６６（図９参照）を形成するものである（塗布装置１０１の詳細な構成は図示せず）。
【００３７】
次に、除去装置１０２について説明する。
図３は基板処理システム１００の除去装置１０２を示す概略平面図であり、図４はその概略正面図であり、図５はその概略背面図である。
【００３８】
除去装置１０２は、処理前のウエハＷが収容されたキャリアを塗布装置１０１から搬入するとともに、処理終のウエハＷが収容されたキャリアを次の処理を行う処理装置等へ搬出するためのキャリアステーション４と、ウエハＷのレジスト膜の変性処理や洗浄処理等をそれぞれ行う複数の処理ユニットが設けられた処理ステーション２と、処理ステーション２とキャリアステーション４との間でウエハＷの搬送を行う搬送ステーション３と、処理ステーション２で使用する薬液や純水、処理ガス等の製造、調製、貯留を行うケミカルステーション５とを備えている。
【００３９】
キャリアＣの内部において、ウエハＷは、略水平姿勢で鉛直方向（Ｚ方向）に一定の間隔で収容されている。このようなキャリアＣに対するウエハＷの搬入出はキャリアＣの一側面を通して行われ、この側面は蓋体１０ａ（図２には図示せず。図３および図４に蓋体１０ａが取り外された状態を示す）によって開閉自在となっている。
【００４０】
図３に示すように、キャリアステーション４は、図中Ｙ方向に沿って３箇所にキャリアＣを載置できる載置台６を有している。キャリアＣは、蓋体１０ａを有する側面がキャリアステーション４と搬送ステーション３との間の境界壁８ａ側を向くようにして載置台６に載置される。境界壁８ａにおいて、キャリアＣの載置場所に対応する位置には窓部９ａが形成されており、各窓部９ａの搬送ステーション３側には窓部９ａを開閉するシャッタ１０が設けられている。各シャッタ１０は、キャリアＣの蓋体１０ａを把持する把持手段（図示せず）を有しており、図４および図５に示すように、蓋体１０ａを把持した状態で搬送ステーション３側に蓋体１０ａを退避させることができるように構成されている。
【００４１】
搬送ステーション３に設けられたウエハ搬送装置７は、ウエハＷを保持可能なウエハ搬送ピック７ａを有している。ウエハ搬送装置７は、搬送ステーション３の床にＹ方向に延在するように設けられたガイド１１（図４および図５参照）に沿ってＹ方向に移動可能である。また、ウエハ搬送ピック７ａは、Ｘ方向にスライド自在であり、かつ、Ｚ方向に昇降自在であり、かつ、Ｘ−Ｙ平面内で回転自在（θ回転）である。
【００４２】
このような構造により、キャリアＣの内部と搬送ステーション３とが窓部９ａを介して連通するようにシャッタ１０を退避させた状態において、ウエハ搬送ピック７ａは、載置台６に載置された全てのキャリアＣにアクセス可能であり、キャリアＣ内の任意の高さ位置にあるウエハＷをキャリアＣから搬出することができ、逆にキャリアＣの任意の位置にウエハＷを搬入することができる。
【００４３】
処理ステーション２は、搬送ステーション３側に２台のウエハ載置ユニット（ＴＲＳ）１３ａ・１３ｂを有している。例えば、ウエハ載置ユニット（ＴＲＳ）１３ｂは、搬送ステーション３からウエハＷを受け入れる際にウエハＷを載置するために用いられ、ウエハ載置ユニット（ＴＲＳ）１３ａは、処理ステーション２において所定の処理が終了したウエハＷを搬送ステーション３に戻す際にウエハＷを載置するために用いられる。
【００４４】
搬送ステーション３と処理ステーション２との間の境界壁８ｂにおいて、ウエハ載置ユニット（ＴＲＳ）１３ａ・１３ｂの位置に対応する部分には窓部９ｂが設けられている。搬送ステーション３に設けられたウエハ搬送装置７のウエハ搬送ピック７ａは、この窓部９ｂを介してウエハ載置ユニット（ＴＲＳ）１３ａ・１３ｂにアクセス可能であり、キャリアＣとウエハ載置ユニット（ＴＲＳ）１３ａ・１３ｂとの間でウエハＷを搬送する。
【００４５】
処理ステーション２のケミカルステーション５側には、後述する主ウエハ搬送装置１４を挟んでウエハ載置ユニット（ＴＲＳ）１３ａ・１３ｂと対向するように、ホットプレートユニット（ＨＰ）１９ａ〜１９ｄが４段に積み重ねられて配置されている。ホットプレートユニット（ＨＰ）１９ａ〜１９ｄは、ウエハＷを加熱してウエハＷのレジスト膜にポッピングを発生させるとともに、後述する洗浄／薬液処理ユニット（ＣＬＭ）１２ａ〜１２ｄでの処理を終えたウエハＷを加熱乾燥するものである。また、ウエハ載置ユニット（ＴＲＳ）１３ａの上側には、加熱乾燥処理されたウエハＷを冷却するクーリングプレートユニット（ＣＯＬ）２１ａ・２１ｂが積み重ねられている。なお、ウエハ載置ユニット（ＴＲＳ）１３ｂは、クーリングプレートユニット（ＣＯＬ）２１ａ・２１ｂとして用いることが可能である。
【００４６】
処理ステーション２の上部には、処理ステーション２内に清浄な空気をダウンフローするファンフィルターユニット（ＦＦＵ）２５が設けられており、これにより、処理後に上段のウエハ載置ユニット（ＴＲＳ）１３ａに載置されたウエハＷの汚染が抑止される。
【００４７】
処理ステーション２の背面側には、ホットプレートユニット（ＨＰ）１９ａ〜１９ｄでのポッピング発生処理を終了したウエハＷのレジスト膜等を、水蒸気およびオゾン（Ｏ３）を含む処理ガスによって水溶性に変性させる変性処理ユニット（ＶＯＳ）１５ａ〜１５ｈが２列４段に配置されている。
【００４８】
処理ステーション２の正面側には、変性処理ユニット（ＶＯＳ）１５ａ〜１５ｈにおける変性処理の終了したウエハＷからレジスト膜を純水洗浄により除去する、あるいは、ホットプレートユニット（ＨＰ）１９ａ〜１９ｄにおけるポッピング発生処理の終了したウエハＷからレジスト膜を薬液に除去する洗浄／薬液処理ユニット（ＣＬＭ）１２ａ〜１２ｄが２列２段に配置されている。
【００４９】
処理ステーション２の中央部には、処理ステーション２内においてウエハＷを搬送するためのウエハ搬送アーム１４ａを有する主ウエハ搬送装置１４が設けられている。主ウエハ搬送装置１４は、Ｚ軸周りに回転自在であり、主ウエハ搬送装置１４のウエハ搬送アーム１４ａは、水平方向で進退自在、かつ、Ｚ方向に昇降自在である。このような構造により、ウエハ搬送アーム１４ａは、処理ステーション２に設けられた各ユニットにアクセス可能であり、これら各ユニット間でウエハＷを搬送できるように構成されている。
【００５０】
ケミカルステーション５は、変性処理ユニット（ＶＯＳ）１５ａ〜１５ｈおよび洗浄／薬液処理ユニット（ＣＬＭ）１２ａ〜１２ｄにそれぞれ、所定のガスを供給するガス供給部１６ａと、純水や各種薬液等を貯留するとともに、これらの純水や各種薬液等を洗浄／薬液処理ユニット（ＣＬＭ）１２ａ〜１２ｄに供給する洗浄液／薬液供給部１６ｂとを有している。
【００５１】
次に、変性処理ユニット（ＶＯＳ）１５ａの構造について詳細に説明する。なお、変性処理ユニット（ＶＯＳ）１５ｂ〜１５ｈも変性処理ユニット（ＶＯＳ）１５ａと全く同様の構造を有しており、変性処理ユニット（ＶＯＳ）１５ａ〜１５ｄと変性処理ユニット（ＶＯＳ）１５ｅ〜１５ｈとは、その境界壁２２ｂについて略対称な構造を有している。
図６は、除去装置１０２の変性処理ユニット（ＶＯＳ）１５ａを示す概略断面図である。
【００５２】
変性処理ユニット（ＶＯＳ）１５ａは、ウエハＷを収容する密閉式のチャンバ３０を有しており、チャンバ３０は、固定された下部容器４１ａと、下部容器４１ａの上面を覆う蓋体４１ｂとから構成され、蓋体４１ｂは、変性処理ユニット（ＶＯＳ）１５ａのフレーム４２に固定されたシリンダ４３によって昇降自在である。図６は、蓋体４１ｂが、下部容器４１ａに密接した状態および下部容器４１ａの上方に待避した状態を示している。
【００５３】
下部容器４１ａ周縁の立起部の上面にはＯリング５１が配置されている。シリンダ４３を駆動して蓋体４１ｂを降下させると、蓋体４１ｂの裏面周縁が下部容器４１ａ周縁の立起部の上面に当接するとともに、Ｏリング５１が圧縮されてチャンバ３０内に密閉された処理空間が形成される。
【００５４】
下部容器４１ａにはウエハＷを載置するステージ３３が設けられており、このステージ３３の表面には、ウエハＷを支持するプロキシミティピン４４が複数箇所に設けられている。
【００５５】
ステージ３３の内部にはヒータ４５ａが、蓋体４１ｂにはヒータ４５ｂがそれぞれ埋設され、ステージ３３と蓋体４１ｂをそれぞれ所定温度で保持することができるようになっており、これにより、ウエハＷの温度が一定に保持される。
【００５６】
蓋体４１ｂの裏面には、ウエハＷを保持する爪部材４６が、例えば３箇所（図６では２箇所のみ図示）に設けられている。ウエハ搬送アーム１４ａはこの爪部材４６に対してウエハＷの受け渡しを行う。爪部材４６がウエハＷを保持した状態で蓋体４１ｂを降下させると、その降下途中でウエハＷがステージ３３に設けられたプロキシミティピン４４に受け渡される。
【００５７】
チャンバ３０では、処理ガスがチャンバ３０の内部において略水平方向に流れるように、処理ガスを内部に導入するガス導入口３４ａおよび処理ガスを外部へ排気するガス排出口３４ｂが下部容器４１ａに設けられている。ガス導入口３４ａには、処理ガスを供給するケミカルステーション５のガス供給部１６ａが接続され、ガス排出口３４ｂには排気機構３２が接続されている。
【００５８】
ウエハＷの処理ガスによる処理は、チャンバ３０の内部を一定の陽圧に保持して行うことが好ましい。このために下部容器４１ａと蓋体４１ｂとがシリンダ４３により押圧されるだけでなく、これらの端面に設けられた突起部４７ａ，４７ｂ同士が後述するロック機構３５によって締め付けられる。
【００５９】
ロック機構３５は、支持軸５２と、回転装置５４によって回転自在にされた回転筒５５と、回転筒５５に固定された円板５６と、その周縁に設けられた挟持部材５７とを有している。挟持部材５７は、押圧ローラ５９ａ，５９ｂと、回転軸５８を保持するローラ保持部材４８とを有している。
【００６０】
突起部４７ａ，４７ｂは、等間隔に４カ所に設けられており、これらの間には間隙部４９が形成されている。突起部４７ａ，４７ｂはそれぞれ重なる位置に配置される。この間隙部４９の位置に挟持部材５７が配置されている状態では、蓋体４１ｂの昇降を自由に行うことができる。
【００６１】
回転筒５５とともに円板５６が所定角度回転すると、押圧ローラ５９ｂは突起部４７ｂの上面で静止し、押圧ローラ５９ａは突起部４７ａの下側で静止する。
【００６２】
次に、洗浄／薬液処理ユニット（ＣＬＭ）１２ａの構造について詳細に説明する。なお、洗浄／薬液処理ユニット（ＣＬＭ）１２ｂ〜１２ｄも洗浄／薬液処理ユニット（ＣＬＭ）１２ａと全く同様の構造を有しており、洗浄／薬液処理ユニット（ＣＬＭ）１２ａ・１２ｂと洗浄／薬液処理ユニット（ＣＬＭ）１２ｃ・１２ｄとは、その境界壁２２ａについて略対称な構造を有している。
図７は、除去装置１０２の洗浄／薬液処理ユニット（ＣＬＭ）１２ａを示す概略断面図である。
【００６３】
洗浄／薬液処理ユニット（ＣＬＭ）１２ａは、中央部に環状のカップ（ＣＰ）が配置され、カップ（ＣＰ）の内側にスピンチャック７１が配置されている。スピンチャック７１は、真空吸着によってウエハＷを固定保持した状態で駆動モータ７２によって回転駆動する。カップ（ＣＰ）の底部には薬液、純水を排出するドレイン７３が設けられている。
【００６４】
駆動モータ７２は、ユニット底板７４に設けられた開口７４ａに昇降移動可能に配置され、キャップ状のフランジ部材７５を介して例えばエアシリンダからなる昇降駆動機構７６および昇降ガイド７７と結合されている。駆動モータ７２の側面には、筒状の冷却ジャケット７８が取り付けられ、フランジ部材７５は、この冷却ジャケット７８の上半部を覆うように取り付けられている。
【００６５】
薬液等をウエハＷに供給する際には、フランジ部材７５の下端７５ａは、開口７４ａの周縁付近でユニット底板７４に密着し、これによってユニット内部が密閉される。スピンチャック７１とウエハ搬送アーム１４ａとの間でウエハＷの受け渡しが行われる際には、昇降駆動機構７６が駆動モータ７２およびスピンチャック７１を上方へ持ち上げることでフランジ部材７５の下端がユニット底板７４から浮くようになっている。
【００６６】
洗浄／薬液処理ユニット（ＣＬＭ）１２ａのカップ（ＣＰ）の外側には、ケミカルステーション５の洗浄液／薬液供給部１６ｂからの純水や薬液等を、スピンチャック７１に保持されたウエハＷのレジスト膜に供給する洗浄液／薬液供給機構８０ａと、ウエハＷに乾燥ガスを噴射するガス供給機構（図示せず）とが設けられている。
【００６７】
洗浄液／薬液供給機構８０ａは、洗浄液／薬液供給部１６ｂから送られた所定の薬液を、スピンチャック７１に保持されたウエハＷの表面に吐出する薬液吐出ノズル８１ａと、洗浄液／薬液供給部１６ｂから送られた純水、および純水と窒素ガス（Ｎ２ガス）との混合２流体をウエハＷの表面にスプレー状で噴射するスプレーノズル８１ｃと、洗浄液吐出ノズル８１ａおよびスプレーノズル８１ｃをＹ方向に進退自在に保持するスキャンアーム８２ａと、スキャンアーム８２ａを支持する垂直支持部材８５ａと、ユニット底板７４の上でＸ軸方向に敷設されたガイドレール８４に取り付けられ、垂直支持部材８５ａをＸ軸方向へ移動させるＸ軸駆動機構９６とを有している。
【００６８】
ケミカルステーション５の洗浄液／薬液供給部１６ｂは、硫酸と過酸化水素水とを含むＳＰＭ薬液、アンモニアと過酸化水素水とを含むＡＰＭ薬液、希塩酸と過酸化水素水とを含むＨＰＭ薬液、およびリンス液として用いられる純水を選択的に洗浄液吐出ノズル８１ａへ送液し、純水およびＮ２ガスをスプレーノズル８１ｃに送ることができるように構成されている。スキャンアーム８２ａは、垂直支持部材８５ａに設けられたＺ軸駆動機構９７によって上下方向（Ｚ方向）に移動可能であり、これにより、洗浄液吐出ノズル８１ａおよびスプレーノズル８１ｃを、ウエハＷ上の任意の位置に移動させ、さらにはカップ（ＣＰ）外の所定位置に退避させることができるように構成されている。
【００６９】
なお、図示しないガス供給機構は、ケミカルステーション５のガス供給部１６ａに接続され、ガス供給部１６ａからの窒素ガス等の乾燥ガスをウエハＷの表面に供給することができるように構成されている。
【００７０】
次に、基板処理システム１００による本実施形態のレジスト膜の除去方法について説明する。
【００７１】
まず、図１（ａ）に示した状態のウエハＷは、図２に示した塗布装置１０１に搬入される。そして、塗布装置１０１では、スピン塗布により、図１（ｂ）に示すように、ウエハＷに保護膜６４が形成される（工程１）。
【００７２】
保護膜６４が形成されたウエハＷは、図示しない搬送装置によって除去装置１０２に搬送される。除去装置１０２に搬入されたウエハＷは、ウエハ載置ユニット（ＴＲＳ）１３ｂからウエハ搬送アーム１４ａによってホットプレートユニット（ＨＰ）１９ａ〜１９ｄのいずれか、例えばホットプレートユニット（ＨＰ）１９ａに搬送される。そして、ウエハＷは、ホットプレートユニット（ＨＰ）１９ａで加熱されることにより、図１（ｃ）に示すように、レジスト膜６３’にポッピングが発生する（工程２）。なお、ホットプレートユニット（ＨＰ）１９ａでのウエハＷの加熱温度は、前述のように、レジスト膜６３を現像処理後の熱処理温度よりも高く設定される。
【００７３】
レジスト膜６３’に十分にポッピングが生じたウエハＷは、ホットプレートユニット（ＨＰ）１９ａからウエハ搬送アーム１４ａによって変性処理ユニット（ＶＯＳ）１５ａ〜１５ｈのいずれか、例えば変性処理ユニット（ＶＯＳ）１５ａに搬送される。搬送に際しては、チャンバ３０の蓋体４１ｂが下部容器４１ａの上方に退避した状態となっており、蓋体４１ｂに設けられた爪部材４６のウエハＷを保持する部分（水平方向に突出した部分）よりも僅かに高い位置にウエハＷが進入するように、ウエハＷを保持したウエハ搬送アーム１４ａが進出する。そして、ウエハ搬送アーム１４ａが下方に降下すると、ウエハＷは爪部材４６に受け渡される。
【００７４】
ウエハ搬送アーム１４ａがチャンバ３０から退避すると、蓋体４１ｂが降下して下部容器４１ａに密着し、下部容器４１ａおよび蓋体４１ｂの端面に設けられた突起部４７ａ・４７ｂ同士をローラ５９ａ・５９ｂで挟み込んで締め付けることにより、チャンバ３０が密閉される。なお、蓋体４１ｂが降下する途中で、ウエハＷは、爪部材４６からプロキシミティピン４４へ受け渡される。
【００７５】
チャンバ３０が密閉されると、ヒータ４５ａ・４５ｂが発熱して、ステージ３３および蓋体４１ｂが所定の温度に保持される。ステージ３３および蓋体４１ｂが所定温度に保持され、かつ、ウエハＷの温度分布がほぼ一定となったら、最初に、ガス供給部１６ａ（図３、５参照）からガス導入口３４ａを介してオゾン含有ガスのみがチャンバ３０内に供給され、チャンバ３０の内部がオゾン含有ガスでパージされるように、かつ、所定の陽圧となるように調節される。その後、オゾン含有ガスに水蒸気を混合させた処理ガスが、ガス供給部１６ａからガス導入口３４ａを介してからチャンバ３０内に供給される。この処理ガスによって、図１（ｃ）に示した状態のレジスト膜６３’および保護膜６４が酸化され、図１（ｄ）に示すように、水溶性に変性したレジスト膜６３”および保護膜６４’となる（工程３）。なお、処理ガスは、基板６０に損傷を与えず、シリコンウエハ６１にイオン注入されていないポリマー残渣が存在する場合には、これらも水溶性に変性させる。
【００７６】
水溶性に変性したレジスト膜６３”および保護膜６４’が形成されると、処理ガスの供給が停止される。そして、ガス供給部１６ａからガス導入口３４ａを介してチャンバ３０内に窒素ガスが供給され、チャンバ３０内が窒素ガスでパージされる。この際には、チャンバ３０の開放時にオゾン含有ガスが排気機構３２から逆流してチャンバ３０から排出されないように、排気機構３２内からもオゾン含有ガスが完全に排出される。
【００７７】
窒素ガスによるパージ処理が終了すると、チャンバ３０の内圧が外気圧と同じであることが確認された後、下部容器４１ａと蓋体４１ｂとのローラ５９ａ・５９ｂによる締め付けが解除され、蓋体４１ｂとともに爪部材４６に保持されたウエハＷが上昇する。そして、ウエハ搬送アーム１４ａが下部容器４１ａと蓋体４１ｂとの隙間に進入して、ウエハＷは、爪部材４６からウエハ搬送アーム１４ａに受け渡される。
【００７８】
変性処理ユニット（ＶＯＳ）１５ａでの変性処理が行われたウエハＷは、ウエハ搬送アーム１４ａによって洗浄／薬液処理ユニット（ＣＬＭ）１２ａ〜１２ｄのいずれか、例えば洗浄／薬液処理ユニット（ＣＬＭ）１２ａに搬送され、ここで洗浄処理が行われる。
【００７９】
まず、ウエハＷは、ウエハ搬送アーム１４ａによって洗浄／薬液処理ユニット（ＣＬＭ）１２ａのスピンチャック７１に吸着される。そして、ウエハＷを吸着したスピンチャック７１が回転しながら、洗浄液／薬液供給部１６ｂからスプレーノズル８１ｃを介してウエハＷに純水が供給される。これにより、図１（ｅ）に示すように、レジスト膜６３”および保護膜６４’がウエハＷから溶解除去される（工程４）。
【００８０】
レジスト膜６３”および保護膜６４’が除去されると、ウエハＷに、洗浄液／薬液供給部１６ｂから薬液吐出ノズル８１ａを介してＡＰＭ薬液が供給され、洗浄液／薬液供給部１６ｂからスプレーノズル８１ｃを介して純水およびＮ２ガスの混合２流体が供給される。これにより、ウエハＷに発生したパーティクルが除去される。次に、洗浄液／薬液供給部１６ｂから薬液吐出ノズル８１ａを介してウエハＷにＨＰＭ薬液が供給され、ウエハＷから金属汚濁物が除去される。続いて、洗浄液／薬液供給部１６ｂからスプレーノズル８１ｃを介してウエハＷに純水が供給され、ウエハＷに水洗処理（リンス処理）が施され、最後に、スピンチャック７１が高速回転して、ウエハＷをスピン乾燥する。
【００８１】
洗浄／薬液処理ユニット（ＣＬＭ）１２ａでの処理が終了したウエハＷは、ウエハ搬送アーム１４ａによって、必要に応じて、ホットプレートユニット（ＨＰ）１９ａ〜１９ｄのいずれかに搬送されて加熱乾燥された後、ウエハ載置ユニット（ＴＲＳ）１３ａに搬送され、そこからウエハ搬送装置７によってキャリアＣの所定の位置に収容される。
【００８２】
なお、工程２の後、工程３、４に代わって、工程３ｂが行われる場合には、レジスト膜６３’にポッピングが生じたウエハＷは、ウエハ搬送アーム１４ａによって、ホットプレートユニット（ＨＰ）１９ａから変性処理ユニット（ＶＯＳ）１５ａを介さずに洗浄／薬液処理ユニット（ＣＬＭ）１２ａに搬送される。
【００８３】
ここで、ウエハＷは、洗浄／薬液処理ユニット（ＣＬＭ）１２ａのスピンチャック７１に吸着され、ウエハＷを吸着したスピンチャック７１が回転しながら、洗浄液／薬液供給部１６ｂから薬液吐出ノズル８１ａを介してウエハＷにＳＰＭ薬液が供給される。これにより、レジスト膜６３”および保護膜６４’がウエハＷから溶解除去される（工程３ｂ）。なお、レジスト膜６３”および保護膜６４’の除去後には、前述のように、ＡＰＭ薬液および混合２流体の供給、ＨＰＭ薬液の供給、純水の供給、スピン乾燥が順次行われる。
【００８４】
次に、本発明に他の実施形態に係るレジスト膜の除去方法について、基板処理システム１００による方法とあわせて説明する。
図８は、本発明の他の実施形態に係るレジスト膜の除去方法の工程を説明するための模式図である。
【００８５】
図８（ａ）は、図１（ａ）と同様の状態を示しており、同符号を付して説明を省略する。本実施形態においてレジスト膜６３を除去するには、まず、図８（ｂ）に示すように、例えば基板６０の表面が覆われるように、レジスト膜６３の表面にシュリンク材６５を被覆する（工程１’）。シュリンク材６５には、例えばＳＡＦＩＥＲ（登録商標）等の加熱収縮性を有する樹脂材料が用いられる。ここでは、シュリンク材６５を、除去しやすいように極力薄く被覆することが好ましいが、加熱収縮の際にレジスト膜６３の硬化層６３ａに十分な圧縮力および引張力が加わる程度の膜厚を有するように被覆する必要がある。基板処理システム１００において、工程１’は、工程１と同様に、塗布装置１０１でスピン塗布により行われる。
【００８６】
次に、図８（ｃ）に示すように、シュリンク材６５を加熱して収縮させ、シュリンク材６５による圧縮力および引張力をレジスト膜６３の硬化層６３ａに作用させて、レジスト膜６３の硬化層６３ａにクラックを発生させる（工程２’）。符号６３’，６３ａ’，６３ｂ’はそれぞれ、加熱されてクラックが発生した後のレジスト膜、硬化層および未硬化部である。この際に、レジスト膜６３を現像処理後の熱処理（ポストベーク）温度よりも高い温度で加熱して、レジスト膜６３にポッピングを発生させれば、レジスト膜６３の硬化層６３ａにより多くのクラックを発生させることができる（図８（ｃ）はレジスト膜にポッピングも発生させた状態）。この場合には、工程１’において、シュリンク材６５を、レジスト膜６３の飛沫が突き破ってしまうことがない程度の膜厚を有するように被覆することが好ましい。基板処理システム１００において、工程２’は、工程２と同様に、ホットプレートユニット（ＨＰ）１９ａ〜１９ｄのいずれかで行われる。
【００８７】
続いて、図８（ｄ）に示すように、クラック発生後のレジスト膜６３’とシュリンク材６５とに、水蒸気およびオゾンを含む処理ガスを供給して接触させることにより、レジスト膜６３’およびシュリンク材６５をそれぞれ、水溶性に変性させる（工程３’）。符号６３”，６３ａ”，６３ｂ”，６５’はそれぞれ、水溶性に変性後のレジスト膜、硬化層、未硬化部およびシュリンク材である。基板処理システム１００において、工程３’は、工程３と同様に、変性処理ユニット（ＶＯＳ）１５ａ〜１５ｈのいずれかで行われる。
【００８８】
そして、図８（ｅ）に示すように、水溶性に変性したレジスト膜６３”およびシュリンク材６５’を純水洗浄により基板６０から溶解除去する（工程４’）。なお、水溶性に変性したレジスト膜６３”およびシュリンク材６５’の除去には、純水に限らず、他の水系洗浄液または有機溶剤を用いてもよい。基板処理システム１００において、工程４’は、工程４と同様に、洗浄／薬液処理ユニット（ＣＬＭ）１２ａ〜１２ｄのいずれかで行われ、その後に、前述のように、ＡＰＭ薬液および混合２流体の供給、ＨＰＭ薬液の供給、純水の供給、スピン乾燥が順次行われる。
【００８９】
本実施形態では、従来のレジスト膜の除去方法のように、プラズマアッシング等のアッシングを行わないため、基板６０にダメージを与えてしまうといったことを回避することができる。そして、被覆したシュリンク材６５の熱収縮性を利用してレジスト膜６３の硬化層６３ａにクラックを発生させ、さらには、シュリンク材６５で被覆された状態でレジスト膜６３のポッピングを発生させるため、レジスト膜６３の未硬化部６３ｂの飛沫が基板６０に付着することなく、レジスト膜６３の硬化層６３ａを大きく破壊することができる。また、クラック発生後もシュリンク材６５によって未硬化部６３ｂ’の大気との接触が抑止されるため、未硬化部６３ｂ’の硬化を抑止することができる。したがって、クラック発生後のレジスト膜６３’内部の基板６０との境界部にまで処理ガスを浸透させることができ、これにより水溶性に変性したレジスト膜６３”を、その後の純水洗浄によって基板６０から完全に除去することが可能となる。
【００９０】
なお、工程２’の後、工程３’、４’に代えて、硫酸および過酸化水素水を含むＳＰＭ薬液により、クラック発生後のレジスト膜６３’と保護膜６４とを基板６０から除去してもよい（工程３ｂ’）。この場合にも、クラック発生後のレジスト膜６３’内部の基板６０との境界部にまでＳＰＭ薬液を浸透させることができるため、このレジスト膜６３’を基板６０から完全に除去することが可能となる。基板処理システム１００において、工程３ｂ’は、工程３ｂと同様に、洗浄／薬液処理ユニット（ＣＬＭ）１２ａ〜１２ｄのいずれかで行われる。
【００９１】
次に、本発明にさらに他の実施形態に係るレジスト膜の除去方法について、基板処理システム１００による方法とあわせて説明する。
図９は、本発明のさらに他の実施形態に係るレジスト膜の除去方法の工程を説明するための模式図である。
【００９２】
図９（ａ）は、図１（ａ）と同様の状態を示しており、同符号を付して説明を省略する。本実施形態においてレジスト膜６３を除去するには、まず、図９（ｂ）に示すように、例えば基板６０の表面が覆われるように、レジスト膜６３の表面に軟化材６６を被覆する（工程１”）。軟化材６６には、レジスト膜６３の硬化層６３ａと接触した状態で加熱されると、硬化層６３ａから発生する酸と反応して架橋することにより、硬化層６３ａを軟化させる性質を有する樹脂材料、例えばＡＺ  ＲＥＬＡＣＳ（商品名：ＡＺエレクトロニックマテリアルズ株式会社製）が用いられる。ここでは、軟化材６６を、除去しやすいように極力薄く被覆することが好ましいが、加熱の際にレジスト膜６３の硬化層６３ａから発生する酸と十分に反応する程度の膜厚を有するように被覆する必要がある。基板処理システム１００において、工程１”は、工程１と同様に、塗布装置１０１でスピン塗布により行われる。
【００９３】
次に、図９（ｃ）に示すように、軟化材６６を加熱してレジスト膜６３の硬化層６３ａから発生する酸と反応させることにより、硬化層６３ａを軟化させる（工程２”）。符号６３’，６３ａ’はそれぞれ、軟化後のレジスト膜および硬化層である。基板処理システム１００において、工程２”は、工程２と同様に、ホットプレートユニット（ＨＰ）１９ａ〜１９ｄのいずれかで行われる。
【００９４】
続いて、図９（ｄ）に示すように、軟化後のレジスト膜６３’と軟化材６６とに、水蒸気およびオゾンを含む処理ガスを供給して接触させることにより、レジスト膜６３’および軟化材６６をそれぞれ、水溶性に変性させる（工程３”）。符号６３”，６３ａ”，６３ｂ”，６６’はそれぞれ、水溶性に変性後のレジスト膜、硬化層、未硬化部および軟化材である。基板処理システム１００において、工程３”は、工程３と同様に、変性処理ユニット（ＶＯＳ）１５ａ〜１５ｈのいずれかで行われる。
【００９５】
そして、図９（ｅ）に示すように、水溶性に変性したレジスト膜６３”および軟化材６６’を純水洗浄により基板６０から溶解除去する（工程４”）。なお、水溶性に変性したレジスト膜６３”および軟化材６６’の除去には、純水に限らず、他の水系洗浄液または有機溶剤を用いてもよい。基板処理システム１００において、工程４”は、工程４と同様に、洗浄／薬液処理ユニット（ＣＬＭ）１２ａ〜１２ｄのいずれかで行われ、その後に、前述のように、ＡＰＭ薬液および混合２流体の供給、ＨＰＭ薬液の供給、純水の供給、スピン乾燥が順次行われる。
【００９６】
本実施形態では、従来のレジスト膜の除去方法のように、プラズマアッシング等のアッシングを行わないため、基板６０にダメージを与えてしまうといったことを回避することができる。そして、レジスト膜６３表面の硬化層６３ａを軟化させる作用を有する軟化材６６をレジスト膜６３に被覆して硬化層６３ａを軟化させるため、レジスト膜６３内部の未硬化部６３ｂが飛散することなく、レジスト膜６３の表面の透水性を高めることができる。したがって、軟化後のレジスト膜６３’内部の基板６０との境界部にまで処理ガスを浸透させることができ、これにより水溶性に変性したレジスト膜６３”を、その後の純水洗浄によって基板６０から完全に除去することが可能となる。
【００９７】
なお、工程２”の後、工程３”、４”に代えて、硫酸および過酸化水素水を含むＳＰＭ薬液により、軟化後のレジスト膜６３’と保護膜６４とを基板６０から除去してもよい（工程３ｂ”）。この場合にも、軟化後のレジスト膜６３’内部の基板６０との境界部にまでＳＰＭ薬液を浸透させることができるため、このレジスト膜６３’を基板６０から完全に除去することが可能となる。基板処理システム１００において、工程３ｂ”は、工程３ｂと同様に、洗浄／薬液処理ユニット（ＣＬＭ）１２ａ〜１２ｄのいずれかで行われる。
【００９８】
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明は上記実施形態に限定されることなく、種々の変更が可能である。上記実施形態では、イオン注入により硬化したレジスト膜の除去について説明したが、これに限らず、表面に硬化層を有するレジスト膜の除去全般に適用することができる。また、上記実施形態では、基板としてシリコンウエハを例示したが、これに限らず、ガラス基板やセラミック基板であってもよい。さらに、上記実施形態では、レジスト膜および保護膜（またはシュリンク材あるいは軟化材）の変性処理、洗浄処理、薬液処理をそれぞれ同時に行ったが、これに限らず、別々に行ってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００９９】
【図１】本発明の一実施形態に係るレジスト膜の除去方法の工程を説明するための模式図である。
【図２】本発明に係るレジスト膜の除去方法を行う基板処理システムの概略構成を示すブロック図である。
【図３】基板処理システムの除去装置を示す概略平面図である。
【図４】基板処理システムの除去装置を示す概略正面図である。
【図５】基板処理システムの除去装置を示す概略背面図である。
【図６】除去装置の変性処理ユニット（ＶＯＳ）を示す概略断面図である。
【図７】除去装置の洗浄／薬液処理ユニット（ＣＬＭ）を示す概略断面図である。
【図８】本発明の他の実施形態に係るレジスト膜の除去方法の工程を説明するための模式図である。
【図９】本発明のさらに他の実施形態に係るレジスト膜の除去方法の工程を説明するための模式図である。
【符号の説明】
【０１００】
１２ａ〜１２ｄ；洗浄／薬液処理ユニット（ＣＬＭ）
１５ａ〜１５ｈ；変性処理ユニット（ＶＯＳ）
１９ａ〜１９ｄ；ホットプレートユニット（ＨＰ）
６０（Ｗ）；基板（ウエハ）
６３，６３’，６３”；レジスト膜
６３ａ，６３ａ’，６３ａ”；硬化層
６４，６４’；保護膜
６５，６５’；シュリンク材
６６，６６’；軟化材
１００；ウエハ処理システム
１０１；塗布装置
１０２；除去装置
１１１；プロセスコントローラ
１１２；ユーザインターフェース
１１３；記憶部
【図１】
0005177948.tif 000002
【図２】
0005177948.tif 000003
【図３】
0005177948.tif 000004
【図４】
0005177948.tif 000005
【図５】
0005177948.tif 000006
【図６】
0005177948.tif 000007
【図７】
0005177948.tif 000008
【図８】
0005177948.tif 000009
【図９】
0005177948.tif 000010