(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持フィルム上に金属箔が粘着層を介して保持された支持フィルム付き金属箔を、該支持フィルム付き金属箔よりも広い平坦な主面を有する支持基板の前記主面中央部に、前記金属箔の周囲に前記主面が露出するとともに前記金属箔の上面が該金属箔周囲の前記主面と実質的に同じ高さで露出するように積層する工程と、前記金属箔上および前記支持基板の露出した主面に、樹脂を含有する電気絶縁材料から成る絶縁層を積層するとともに該絶縁層に複数のビア孔を形成する工程と、前記絶縁層上および前記ビア孔内に前記金属箔に接続するめっき導体から成る第１の配線導体を所定のパターンに析出させて被着する工程と、前記支持フィルム上に支持された前記金属箔と前記絶縁層と前記第１の配線導体とをそれぞれ１層ずつのみ含む積層体および前記支持フィルムおよび前記支持基板を前記金属箔の外周から内側に位置する部分で切断して、前記積層体の中央部を前記支持フィルムおよび前記支持基板とともに切り出す工程と、切り出した前記積層体を前記支持フィルムから分離する工程とを含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記支持フィルム付き金属箔を前記支持基板の主面に積層する工程は、さらに前記支持基板の前記主面の外周部に、電解めっき用の電荷を供給するための電荷供給電極として前記金属箔を取り囲む金属枠を、該金属枠の一方の主面が前記絶縁基板の主面と実質的に同じ高さで露出するように積層する工程を含む請求項１記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子等の電子部品を搭載するために用いられる配線基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体素子等の電子部品を搭載するために用いられる高密度配線基板としてビルドアップ配線基板がある。一般的なビルドアップ配線基板は、両面に銅箔から成る配線導体が形成された厚みが０．２〜２．０ｍｍ程度のガラス−樹脂板から成るコア基板の両面に、厚みが１０〜１００μｍ程度の樹脂から成る絶縁層と、厚みが５〜５０μｍ程度の銅めっき膜から成る配線導体とを交互に積層して成る。しかしながら、このような一般的なビルドアップ配線基板は高密度配線が可能であるものの、コア基板として厚みが０．２〜２．０ｍｍ程度のガラス−樹脂板を使用することから、配線基板の全体厚みを薄くすることが困難であるという問題点があった。
【０００３】
そこで、コア基板を使用しないでビルドアップ層のみで配線基板を形成する方法が提案されている。そのような方法として、例えば特許文献１には、金属板上にビルドアップ層を形成した後、前記金属板をエッチング除去することにより半導体装置用の配線基板を製造する方法が提案されている。この特許文献１に示された方法によれば、半導体素子搭載面が平坦であり、且つ薄型の配線基板を提供できる。
【０００４】
しかしながら、この特許文献１に記載された方法では、比較的厚みを必要とする金属板をエッチング除去することが必要であり、そのエッチングに長時間を要する。そのため生産効率が低いという解決すべき問題点があった。
【特許文献１】特許第３６３５２１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の課題は、薄型で高密度な配線基板を効率よく製造することが可能な配線基板の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の配線基板の製造方法は、支持フィルム上に金属箔が粘着層を介して保持された支持フィルム付き金属箔を、該支持フィルム付き金属箔よりも広い平坦な主面を有する支持基板の前記主面中央部に、前記金属箔の周囲に前記主面が露出するとともに前記金属箔の上面が該金属箔周囲の前記主面と実質的に同じ高さで露出するように積層する工程と、前記金属箔上および前記支持基板の露出した主面に、樹脂を含有する電気絶縁材料から成る絶縁層を積層するとともに該絶縁層に複数のビア孔を形成する工程と、前記絶縁層上および前記ビア孔内に前記金属箔に接続するめっき導体から成る第１の配線導体を所定のパターンに析出させて被着する工程と、前記支持フィルム上に支持された前記金属箔と前記絶縁層と前記第１の配線導体とをそれぞれ１層ずつのみ含む積層体および前記支持フィルムおよび前記支持基板を前記金属箔の外周から内側に位置する部分で切断して、前記積層体の中央部を前記支持フィルムおよび前記支持基板とともに切り出す工程と、切り出した前記積層体を前記支持フィルムから分離する工程とを含むことを特徴とするものである。
【０００８】
さらに本発明の配線基板の製造方法は、前記支持フィルム付き金属箔を前記支持基板の主面に積層する工程は、さらに前記支持基板の前記主面の外周部に、電解めっき用の電荷を供給するための電荷供給電極として前記金属箔を取り囲む金属枠を、該金属枠の一方の主面が前記絶縁基板の主面と実質的に同じ高さで露出するように積層する工程を含む。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の配線基板の製造方法によれば、支持フィルム上に金属箔が粘着層を介して保持された支持フィルム付き金属箔の前記金属箔上に絶縁層と第１の配線導体とを順次積層して前記金属箔と前記絶縁層と前記第１の配線導体とから成る配線基板用の積層体を形成するので、コア基板を使用することによる配線基板の全体厚みを薄くすることができないという問題がなく、薄型で高密度の配線基板を提供することができる。
【００１１】
しかも、形成された積層体を前記支持フィルムから分離する際には、前記支持フィルム付き金属箔は、支持フィルム上に金属箔が粘着層を介して保持されているだけなので、支持フィルムと金属箔との間を引き剥がすだけで積層体を破損することなく、短時間かつ簡単に分離することができ、それにより薄型で高密度な配線基板を効率よく製造することができる。
【００１２】
また、支持フィルム付き金属箔よりも広い平坦な主面を有する支持基板の前記主面の中央部に支持フィルム付き金属箔を積層し、その上に絶縁層を金属箔の外側の支持基板上まで延在するように積層するとともに該絶縁層上に前記第１の配線導体を被着して前記積層体を形成すると、平坦な主面を有する支持基板を用いるので、配線基板を製造する際の安定性を向上させることができるとともに、支持基板の外周部と絶縁層とが直接積層されるので、絶縁層および第１の配線導体を形成する製造工程中において金属箔と支持フィルムとの間で剥離が発生することを有効に防止することができる。
【００１３】
さらに、支持基板の主面の外周部に、支持フィルム付き金属箔を取り囲む金属枠を、該金属枠の一方の主面が露出するようにして積層すると、該金属枠をめっきのための電荷供給用の端子として利用することができ、これにより本発明にかかる配線基板を効率よく製造することができる。
【００１４】
またさらに、前記積層体を前記支持フィルムから分離する工程の前に、前記金属箔の外周縁の内側領域に位置する前記積層体および支持基板を残余の部分から切り出すと、切り出した積層体を支持フィルムから容易に剥離することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明にかかる配線基板の製造方法の一実施形態について、図１〜図１２を参照して詳細に説明する。
【００１６】
まず、図１に示すように、支持フィルム付き金属箔２と、支持基板３用のプリプレグ３Ｐと、金属枠４とを準備する。支持フィルム付き金属箔２は、支持フィルム１上に金属箔１２Ｐが粘着層（不図示）を介して保持されたものである。
【００１７】
支持フィルム１は、厚みが１０〜１００μｍ程度であり、金属箔１２Ｐに破れや皺が発生するのを有効に防止するとともに、金属箔１２Ｐの取扱いを容易とするためのものである。支持フィルム１としては、例えばポリエステル樹脂等の耐熱性樹脂から成るのが好ましい。具体例としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム等が挙げられる。
【００１８】
金属箔１２Ｐは、配線基板の製造における起点となる導体層を提供するためのものである。金属箔１２Ｐとしては、例えば銅（銅箔）等の良導電性金属から成るのが好ましい。金属箔１２Ｐの厚みとしては、例えば１〜３５μｍ程度が挙げられる。これにより、該金属箔１２Ｐをエッチング除去する際には、短時間でエッチング除去することができる。また、このような厚みの金属箔１２Ｐは、全てエッチング除去する必要はなく、所定パターンにエッチングし配線導体の一部として好適に利用することができる。これに対し、金属箔１２Ｐの厚みが１μｍより薄いと、金属箔１２Ｐの強度が低下し、この金属箔１２Ｐ上に絶縁層と導体層とを交互に複数積層する際の作業性が低下するおそれがあり、３５μｍより厚いと、必要以上に厚くなりすぎるとともに、エッチング除去する際に要する時間が長くなるので好ましくない。
【００１９】
前記粘着層としては、配線基板の製造中にかかる熱負荷に耐え得る上で、例えばシリコーン樹脂系、アクリル樹脂系、ポリオルガノシロキサン樹脂系等の耐熱性粘着材から成るのが好ましい。また、前記粘着剤層は、後述する配線基板用の積層体１０を破損することなく支持フィルム１から分離する上で、厚みが０．０１〜１．０μｍ程度であり、粘着力が１〜１０Ｎ／ｍ程度であるのが好ましい。
【００２０】
プリプレグ３Ｐは、後述する配線基板用の積層体１０を製造する際に該積層体１０を必要な平坦度を維持して支持するための支持基板３となるものであり、その主面に支持フィルム付き金属箔２や金属枠４を載置し、それらを上下から加圧しながら加熱することによりプリプレグ３Ｐに支持フィルム付き金属箔２や金属枠４が積層され、その状態で熱硬化する。プリプレグ３Ｐは、通常、厚み０．２〜２．０ｍｍ程度、１辺の長さ３００〜１０００ｍｍ程度の略四角形の平板で構成されるが、これに限定されるものではない。プリプレグ３Ｐとしては、例えばガラス繊維等の耐熱性繊維から成る織布にエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させて半硬化状態のシート状としたもの等が挙げられる。
【００２１】
金属枠４は、後述する配線基板用の積層体１０を製造する際に、めっき用の電荷供給電極として使用するためのものであり、厚みが１２〜３５μｍ程度である。金属枠４としては、例えば銅等の良導電性金属から成るのが好ましい。
【００２２】
上記のような各材料を準備した後、図２に示すように、プリプレグ３Ｐの主面中央部上に支持フィルム付き金属箔２を、支持フィルム１がプリプレグ３Ｐの主面と対向するようにして配置するとともに、プリプレグ３Ｐの主面外周部上に金属枠４を配置する。そして、これらを上下から０．５〜９ＭＰａの圧力でプレスしながら１３０〜２００℃の温度で３０分間〜１２０分間程度加熱することにより、図３に示すように、プリプレグ３Ｐが熱硬化して形成された支持基板３の主面に、支持フィルム付き金属箔２を金属箔１２Ｐの上面が露出するようにして積層するとともに、支持基板３の主面の外周部に、金属箔１２Ｐを取り囲む金属枠４をその上面が露出するようにして積層する。
【００２３】
積層後は、露出した金属箔１２Ｐの上面と、露出した金属枠４の上面と、金属箔１２Ｐと金属枠４との間から露出した支持基板３の主面とが、実質的に同じ高さになる。これにより、後述する配線基板用の積層体１０を平坦性に優れる面で支持することができるので、加工に伴う反りや、うねりの発生を抑制しつつ、積層体１０を得ることができる。なお、露出した金属箔１２Ｐの上面、金属枠４の上面、および金属箔１２Ｐと金属枠４との間から露出した支持基板３の主面とは、完全に同一高さである必要はなく、これらの間に５μｍ以下の高低差があってもよい。
【００２４】
次に、図４に示すように、実質的に同じ高さとなった金属箔１２Ｐの上面および金属枠４の上面および支持基板３の主面上に絶縁層２１を、その一方の主面が前記金属箔１２Ｐの上面および金属枠４の上面および支持基板３の主面と密着するように積層する。このとき絶縁層２１は、その一方の主面が前記金属箔１２Ｐの上面および金属枠４の上面および支持基板３の主面と密着しているので、金属箔１２Ｐと支持フィルム１との間が剥離することはない。なお、絶縁層２１には金属枠４の外周側の一部を露出させる切欠き部３０を絶縁層２１の周方向における複数箇所で互いに向き合うように形成しておく。絶縁層２１は、例えばエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂にシリカやタルク等の無機絶縁性フィラーを分散させた電気絶縁材料から成る。あるいは、ガラスクロスに熱硬化性樹脂を含浸させた電気絶縁材料であってもよい。
【００２５】
このような絶縁層２１は、例えばエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂の未硬化物に無機絶縁性フィラーを分散させた混合物をペースト状としたものを、露出した金属箔１２Ｐの上面、露出した金属枠４の上面および金属箔１２Ｐと金属枠４との間から露出した支持基板３の主面上に塗布した後に熱硬化させることによって形成される。また、これに限定されるものではなく、例えば前記混合物をフィルム状としたものやガラスクロスに未硬化の熱硬化性樹脂を含浸させたプリプレグを、露出した金属箔１２Ｐの上面、露出した金属枠４の上面および金属箔１２Ｐと金属枠４との間から露出した支持基板３の主面上に張着した後に熱硬化させることにより形成してもよい。
【００２６】
次に図５に示すように、絶縁層２１には、金属箔１２Ｐの一部を露出させるビア孔Ｖを形成する。ビア孔Ｖは、例えばレーザ加工により形成する。あるいは樹脂層２１用の混合物に感光性を持たせておき、それにフォトリソグラフィー技術を採用して露光・現像処理を施すこと等により形成することもできるが、これらに限定されるものではない。
【００２７】
次に、図６に示すように、絶縁層２１の表面およびビア孔Ｖ内に金属箔１２Ｐと接続する第１の配線導体１１を所定のパターンに形成する。第１の配線導体１１は、例えば無電解銅めっき膜および電解銅めっき膜等から成り、周知のセミアディティブ法によって形成するのが好ましい。セミアディティブ法は微細配線化に優れるので、薄型で高密度な配線基板を効率よく製造するのに好適である。
【００２８】
具体的には、まず、絶縁層２１の表面を必要に応じて粗化し、次にその表面に無電解銅めっき膜を０．１〜２．０μｍ程度の厚みに被着させる。このとき、切欠き部３０から露出した金属枠４の表面にも無電解銅めっき膜を０．１〜２．０μｍ程度の厚みに被着させる。次に、絶縁層２１の表面に被着した無電解銅めっき膜の表面に、第１の配線導体１１に対応した開口部を有するめっきレジスト層を形成する。このめっきレジスト層は、感光性の樹脂フィルムを前記無電解銅めっき膜上に張着するとともに、その樹脂フィルムにフォトリソグラフィー技術を採用して露光・現像処理を施すことにより前記開口部を有するように形成される。次に、めっきレジスト層の開口部内に露出する前記無電解銅めっき膜上に電解銅めっき膜を５〜３０μｍ程度の厚みに被着させる。このとき、切欠き部３０から露出した金属枠４を電解めっき用の電荷を供給するための電荷供給電極として使用することができる。これにより、金属枠４と電解めっき装置の陰極とを電気的に確実に接続することができる。これに対し、金属枠４がない場合には、極めて薄い無電解めっき層に電解めっき装置の端子を接続することになり、無電解めっき層が擦れたり破れたりして安定した給電が困難になる。次に、めっきレジスト層を剥離した後、前記無電解銅めっき膜および電解銅めっき膜の露出部を電解銅めっき膜間の無電解銅めっき膜が消失するまで全体的にエッチングして第１の配線導体１１を形成する。
【００２９】
このようにして第１の配線導体１１を形成した後、図７に示すように、絶縁層２１および第１の配線導体１１の上に第１のソルダーレジスト層２２を形成して銅箔１２Ｐと絶縁層２１と第１の配線導体１１と第１のソルダーレジスト層２２とから成る配線基板用の積層体１０を形成する。
【００３０】
ソルダーレジスト層２２、例えばアクリル変性エポキシ樹脂にシリカやタルク等の無機物粉末フィラーを３０〜７０質量％程度分散させた電気絶縁材料から成り、アクリル変性エポキシ樹脂等の感光性樹脂と光重合開始剤等とから成る混合物にシリカやタルク等の無機絶縁性フィラーを含有させた感光性樹脂ペーストを、絶縁層２１および第１の配線導体１１の上にスクリーン印刷やロールコート法等により１０〜３０μｍ程度の厚みに塗布し、しかる後、フォトリソグラフィー技術を採用して所定のパターンに露光・現像した後、それを紫外線硬化および熱硬化させることにより形成するのが好ましい。
【００３１】
次に、図８に示すように、金属枠４の内側領域に位置する積層体１０および支持基板３を切断する。かかる切断を効率よく行なう上で、積層体１０および支持フィルム１および支持基板３を、金属箔１２Ｐの外周から１０〜３０ｍｍ内側に位置する部分で切断して、図９に示すように、積層体１０の中央部を支持フィルム１および支持基板３とともに切り出すのが好ましい。前記切断の方法は、本発明の効果を妨げない範囲内で任意であり、例えばダイシングやルーター装置等を用いて切断すればよい。
【００３２】
次に、図１０に示すように、切り出した積層体１０を支持フィルム１から分離する。この分離の際には、支持フィルム１上に金属箔１２Ｐが図示しない粘着層を介して保持されているだけなので、支持フィルム１と金属箔１２Ｐ間を引き剥がすだけで積層体１０を破損することなく、簡単に分離することができる。
【００３３】
次に、図１１に示すように、金属箔１２Ｐを所定のパターンにエッチングするエッチング工程を施して絶縁層２１の他方の主面に第２の配線導体１２を形成する。金属箔１２Ｐを所定のパターンにエッチングするには、例えば配線導体に対応する形状のエッチングレジスト層を金属箔１２Ｐの表面に形成するとともに、そのエッチングレジスト層から露出した金属箔１２Ｐをエッチング除去すればよい。なお、前記エッチングレジスト層は、感光性の樹脂フィルムを金属箔１２Ｐ上に張着するとともに、その樹脂フィルムにフォトリソグラフィー技術を採用して露光・現像処理を施すことにより前記配線導体に対応する形状に形成され、金属箔１２Ｐをエッチングした後に剥離する。
【００３４】
最後に、図１２に示すように、第２の配線導体１２および絶縁層２１の表面に第２のソルダーレジスト層２３を形成して本実施形態にかかる配線基板２０を得る。このように本実施形態によれば、支持基板３上に直接積層体１０を形成するのではなく、まず支持基板３の主面に、支持フィルム付き金属箔２を金属箔１２Ｐの上面が露出するようにして積層し、ついで前記金属箔１２Ｐ上に絶縁層２１と第１の配線導体１１とを積層して積層体１０を得るので、支持フィルム付き金属箔２の支持フィルム１を積層体１０と支持基板３とを分離する際にその分離を容易とするための境界層として機能させることができ、その結果、積層体１０を支持基板３から短時間の間に容易に剥離することができる。しかも、金属箔１２Ｐは、所定パターンにエッチングして第１の配線導体１１の一部として利用することができる。したがって、本実施形態によれば、薄型で高密度な配線基板２０を効率よく製造することが可能となる。なお、第２のソルダーレジスト層２３は、第１のソルダーレジスト層２２と同様の材料から成り、第１のソルダーレジスト層２２と同様の方法によって形成される。
【００３５】
前記した一実施形態では、１枚の支持基板３上に配線基板用の積層体１０を形成した場合について説明したが、本発明にかかる他の実施形態として、例えば２枚の支持基板３を背中合わせに重ね合わせ、それぞれの支持基板３の外側主面に配線基板用の積層体１０を同時に形成してもよい。図１３は、本実施形態にかかる配線基板の製造方法を示す概略断面図であり、上記で説明した図１に相当する図である。なお、図１３においては、前述した図１〜１２と同一の構成部分には同一の符号を付して説明は省略する。
【００３６】
図１３に示すように、本実施形態にかかる積層体１０を形成する工程は、まず、支持フィルム付き金属箔２と、支持基板３用のプリプレグ３Ｐと、金属枠体４と、分離フィルム５とをそれぞれ２枚ずつ準備する。分離フィルム５は、各支持基板３上に積層体１０を形成した後、２枚の支持基板３同士を容易に分離させるための境界層として機能するものである。分離フィルム５は、例えば銅箔等の金属箔や、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム等の耐熱フィルム等から成るのが好ましい。分離フィルム５の厚さとしては、例えば１〜３５μｍ程度であるのが好ましい。
【００３７】
このような分離フィルム５を含む各材料を準備した後、図１４〜図１９に示すようにして積層体１０を得、この積層体１０を用いて配線基板２０を得る。すなわち、図１４に示すように、２枚のプリプレグ３Ｐにおける中央部の間に分離フィルム５を２枚重ねて挟持するとともに、各プリプレグ３Ｐの外側の主面中央部上に支持フィルム付き金属箔２と、前記外側主面の外周部に金属枠４とをそれぞれ配置する。次に、これらを上下からプレスしながら加熱することにより、図１５に示すように、プリプレグ３Ｐが熱硬化して形成一体化された２枚の支持基板３の間に、２枚の分離フィルム５を互いに重なった状態で封入するとともに、各支持基板３の外側主面に支持フィルム付き金属箔２および金属枠４を積層する。このとき、２枚の分離フィルム５は、互いに接着されておらず、支持基板３とのみ接着している。
【００３８】
次に、図１６に示すように、２枚の支持基板３の各外側主面上に配線基板用の積層体１０をそれぞれ同時に形成する。なお、各積層体１０の形成は、前記一実施形態において図４〜図７を基にして説明した工程と同様にして行なう。
【００３９】
次に、図１７に示すように、積層体１０、支持フィルム１および支持基板３ならびに分離フィルム５を、金属箔１２Ｐの外周から１０〜３０ｍｍ内側に位置する部分で切断することにより、図１８に示すように、各積層体１０の中央部を支持フィルム１および支持基板３ならびに剥離フィルム５とともに切り出す。このとき、剥離フィルム５同士は接着されていないので、両者は容易に分離される。
【００４０】
次に、図１９に示すように、切り出した各積層体１０を前記一実施形態の場合と同様にして支持フィルム１から分離する。これにより、２つの積層体１０を得ることができるので、前記一実施形態よりも積層体１０を形成する際の効率を約２倍に高めることができる。その後、分離した各積層体１０に、前記一実施形態において図１１，図１２を基に説明した工程を施すことにより、２つの配線基板２０を得る。したがって、本実施形態によれば、薄型で高密度な配線基板２０を更に効率よく製造することが可能となる。
【００４１】
本発明にかかる更に他の実施形態として、２枚の支持基板３を、これら間に両者の分離を容易とするための別の分離用基板を介在させて重ね合わせ、それぞれの支持基板３の外側主面に配線基板用の積層体１０を同時に形成してもよい。図２０は、本実施形態にかかる配線基板の製造方法を示す概略断面図であり、上記で説明した図１，図１３に相当する図である。なお、図２０においては、前述した図１〜１９と同一の構成部分には同一の符号を付して説明は省略する。
【００４２】
図２０に示すように、本実施形態にかかる積層体１０を形成する工程は、まず、支持フィルム付き金属箔２と、支持基板３用のプリプレグ３Ｐと、金属枠体４と、分離フィルム５とをそれぞれ２枚ずつ準備するとともに、分離用基板６を１枚準備する。分離用基板６は、各支持基板３上に積層体１０を形成した後、２枚の支持基板３同士を容易に分離させるための境界層として機能するものである。分離用基板６は、例えば厚みが５０〜４００μｍ程度のガラス−エポキシ板７の両面に、厚みが１２〜３５μｍ程度の銅箔８を積層した両面銅張板等から成る。
【００４３】
このような分離用基板６を含む各材料を準備した後、図２１〜図２５に示すようにして積層体１０を得、この積層体１０を用いて配線基板２０を得る。すなわち、図２１に示すように、２枚のプリプレグ３Ｐ間に分離用基板６を挟むとともに、分離用基板６とプリプレグ３Ｐとの間の中央部に分離フィルム５を配置し、さらに各プリプレグ３Ｐの外側の主面中央部上に支持フィルム付き金属箔２と、前記外側主面の外周部に金属枠４とをそれぞれ配置する。
【００４４】
次に、これらを上下からプレスしながら加熱することにより、図２２に示すように、プリプレグ３Ｐが熱硬化した２枚の支持基板３の間に分離用基板６を積層一体化するとともに、分離用基板６と支持基板３との間に分離フィルム５を封入し、さらに各支持基板３の外側主面に支持フィルム付き金属箔２および金属枠４を積層する。このとき、分離用基板６と分離フィルム５とは互いに接着されておらず、支持基板３とのみ接着している。
【００４５】
次に、図２３に示すように、２枚の支持基板３の各外側主面上に配線基板用の積層体１０をそれぞれ同時に形成する。なお、各積層体１０の形成は、前記一実施形態において図４〜図７を基にして説明した工程と同様にして行なう。
【００４６】
次に、図２４に示すように、積層体１０、支持フィルム１、支持基板３および分離フィルム５ならびに分離用基板６を、金属箔１２Ｐの外周から１０〜３０ｍｍ内側に位置する部分で切断することにより各積層体１０の中央部を支持フィルム１および支持基板３ならびに剥離フィルム５とともに切り出す。このとき、分離フィルム５と分離用基板６とは接着されていないので、両者は容易に分離される。
【００４７】
次に、図２５に示すように、前記他の実施形態において図１９を基に説明したのと同様にして、切り出した積層体１０を支持フィルム１から分離する。これにより、２つの積層体１０を得ることができるので、前記一実施形態よりも積層体１０を形成する効率を約２倍に高めることができる。その後、分離した各積層体１０に、前記一実施形態において図１１，図１２を基に説明した工程を施すことにより、２つの配線基板２０を得る。したがって、本実施形態によれば、薄型で高密度な配線基板２０を更に効率よく製造することが可能となる。
【００４８】
かくして本発明の配線基板の製造方法によれば、薄型で高密度な配線基板を効率よく製造することができる。なお、本発明は、上述の実施の形態例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば、種々の変更が可能であることは言うまでもない。例えば、前記したいくつかの実施形態では、金属箔１２Ｐは、所定パターンにエッチングして配線導体の一部として利用する場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、図２６に示すように、必要に応じて該金属箔１２Ｐを全てエッチング除去してもよい。この場合には、絶縁層２１のビア内に露出する第１の配線導体１１が外部接続用のパッド等となる。
【００４９】
金属枠４を電荷供給電極として使用する上で、絶縁層２１に切欠き部３０を形成した場合について説明したが、切欠き部３０に代えて、例えば金属枠４の全ての外周側が枠状に露出するように絶縁層２１を積層してもよい。
【００５０】
さらには、図２７に示すように、金属箔１２Ｐの上に、例えば銅めっき等のめっき導体から成る第２の配線導体１２をセミアディティブ法やフルアディティブ法等により所定パターンに析出させて被着し、その上に絶縁層２１と第１の配線導体１１とを積層し、第２の配線導体１２を構成要素として含む配線基板用の積層体１０を形成し、これを切り出して支持フィルム１より分離した後、図２８に示すように、金属箔１２Ｐを全てエッチング除去して第２の配線導体１２を露出させてもよい。この場合、第２の配線導体１２は、セミアディティブ法やフルアディティブ法等により所定パターンに析出させためっき導体から成ることから、金属箔１２Ｐを所定パターンにエッチングして第２の配線導体１２を形成する場合と比較して微細かつ狭ピッチの配線導体を実現することができる。さらに、第２の配線導体１２が絶縁層２１に埋設された状態となるため第２の配線導体１２における隣接するパターン同士の電気的な絶縁信頼性が優れたものとなるとともに、第２の配線導体１２が絶縁層２１に埋設される分だけ、即ち第２の配線導体１２の厚み分だけ配線基板２０の全体厚みを薄いものとすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の一実施形態に係る配線基板の製造工程を説明するための概略断面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る配線基板の製造工程を説明するための概略断面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る配線基板の製造工程を説明するための概略断面図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る配線基板の製造工程を説明するための概略断面図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る配線基板の製造工程を説明するための概略断面図である。
【図６】本発明の一実施形態に係る配線基板の製造工程を説明するための概略断面図である。
【図７】本発明の一実施形態に係る配線基板の製造工程を説明するための概略断面図である。
【図８】本発明の一実施形態に係る配線基板の製造工程を説明するための概略断面図である。
【図９】本発明の一実施形態に係る配線基板の製造工程を説明するための概略断面図である。
【図１０】本発明の一実施形態に係る配線基板の製造工程を説明するための概略断面図である。
【図１１】本発明の一実施形態に係る配線基板の製造工程を説明するための概略断面図である。
【図１２】本発明の一実施形態に係る配線基板の製造工程を説明するための概略断面図である。
【図１３】本発明の他の実施形態に係る配線基板の製造工程を説明するための概略断面図である。
【図１４】本発明の他の実施形態に係る配線基板の製造工程を説明するための概略断面図である。
【図１５】本発明の他の実施形態に係る配線基板の製造工程を説明するための概略断面図である。
【図１６】本発明の他の実施形態に係る配線基板の製造工程を説明するための概略断面図である。
【図１７】本発明の他の実施形態に係る配線基板の製造工程を説明するための概略断面図である。
【図１８】本発明の他の実施形態に係る配線基板の製造工程を説明するための概略断面図である。
【図１９】本発明の他の実施形態に係る配線基板の製造工程を説明するための概略断面図である。
【図２０】本発明のさらに他の実施形態に係る配線基板の製造工程を説明するための概略断面図である。
【図２１】本発明のさらに他の実施形態に係る配線基板の製造工程を説明するための概略断面図である。
【図２２】本発明のさらに他の実施形態に係る配線基板の製造工程を説明するための概略断面図である。
【図２３】本発明のさらに他の実施形態に係る配線基板の製造工程を説明するための概略断面図である。
【図２４】本発明のさらに他の実施形態に係る配線基板の製造工程を説明するための概略断面図である。
【図２５】本発明のさらに他の実施形態に係る配線基板の製造工程を説明するための概略断面図である。
【図２６】本発明のさらに他の実施形態に係る配線基板を示す概略断面図である。
【図２７】本発明のさらに他の実施形態に係る配線基板の製造工程を説明するための概略断面図である。
【図２８】本発明のさらに他の実施形態に係る配線基板の製造工程を説明するための概略断面図である。
【符号の説明】
【００５２】
１  支持フィルム
２  支持フィルム付き金属箔
３Ｐ  プリプレグ
３  支持基板
４  金属枠
５  分離フィルム
６  分離用基板
１０  配線基板用の積層体
１１  第１の配線導体
１２Ｐ  銅箔
２１絶縁層
２０  配線基板
３０  切欠き部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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