(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェーハをダイシングし、半導体チップを得、半導体チップをダイボンディングするのに用いられるダイシング・ダイボンディングテープであって、
ダイボンディングフィルムと、前記ダイボンディングフィルムの一方の面に貼付された非粘着フィルムとを有し、
前記ダイボンディングフィルムと前記非粘着フィルムとの剥離強度が１〜６Ｎ／ｍの範囲にあり、かつ前記ダイボンディングフィルムと前記非粘着フィルムとのシェア強度が０．３〜２Ｎ／ｍｍ２であり、前記非粘着フィルムの破断点での伸度が１０〜１００％の範囲内にあり、前記非粘着フィルムの主成分が、アルキル基を有し、該アルキル基の炭素数が１〜１８の（メタ）アクリル酸エステルポリマーであり、前記非粘着フィルムが、平均粒子径が０．１〜１０μｍのフィラー粒子をさらに含有することを特徴とする、ダイシング・ダイボンディングテープ。
【請求項２】
前記非粘着フィルムのピックアップ時の温度における弾性率が１〜４００ＭＰａの範囲内にある請求項１に記載のダイシング・ダイボンディングテープ。
【請求項３】
前記非粘着フィルムの前記ダイボンディングフィルムに貼付されている面の表面エネルギーが４０Ｎ／ｍ以下である、請求項１に記載のダイシング・ダイボンディングテープ。
【請求項４】
前記非粘着フィルムは、硬化性樹脂組成物の架橋・硬化物からなることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のダイシング・ダイボンディングテープ。
【請求項５】
前記（メタ）アクリル酸エステルポリマーの酸価が、２以下であることを特徴とする、請求項１に記載のダイシング・ダイボンディングテープ。
【請求項６】
前記非粘着フィルムが、アクリル基と反応可能な二重結合性官能基を有し、重量平均分子量が１０００〜５００００の範囲にあり、ガラス転移点Ｔｇが２５℃以下であるオリゴマーをさらに含む、請求項２に記載のダイシング・ダイボンディングテープ。
【請求項７】
前記（メタ）アクリル酸エステルポリマー１００重量部に対し、前記オリゴマーが１〜１００重量部の割合で配合されている、請求項６に記載のダイシング・ダイボンディングテープ。
【請求項８】
前記オリゴマーは、ポリエーテル骨格、ポリエステル骨格、ブタジエン骨格、ポリウレタン骨格、シリケート骨格及びジシクロペンタジエン骨格からなる群から選択された１種の骨格を有するアクリルオリゴマーであることを特徴とする、請求項６に記載のダイシング・ダイボンディングテープ。
【請求項９】
前記アクリルオリゴマーは、分子の両末端にアクリル基を有する、請求項８に記載のダイシング・ダイボンディングテープ。
【請求項１０】
上記アクリルオリゴマーは、３〜１０官能のウレタンアクリルオリゴマーである、請求項８に記載のダイシング・ダイボンディングテープ。
【請求項１１】
前記非粘着フィルムが、第１，第２の層が積層された２層構造を有する、請求項１〜１０のいずれか１項に記載のダイシング・ダイボンディングテープ。
【請求項１２】
前記非粘着フィルムの前記ダイボンディングフィルムが貼付された面とは反対側の面にダイシングフィルムが貼付されている、請求項１に記載のダイシング・ダイボンディングテープ。
【請求項１３】
ダイボンディングフィルムは、エポキシ化合物と、エポキシ基を有する高分子量ポリマーと、酸無水物系硬化剤とを含有する組成物からなることを特徴とする、請求項１〜１２のいずれか１項に記載のダイシング・ダイボンディングテープ。
【請求項１４】
請求項１〜１３のいずれか１項に記載のダイシング・ダイボンディングテープと、半導体ウェーハとを用意する工程と、
ダイシング・ダイボンディングテープの前記ダイボンディングフィルムの前記非粘着フィルムが貼付されている面とは反対側の面に半導体ウェーハを接合する工程と、
ダイシング・ダイボンディングテープが接合された半導体ウェーハを前記ダイボンディングフィルムごとダイシングし、個々の半導体チップに分割する工程と、
ダイシング後に、前記半導体チップが接合された前記ダイボンディングフィルムを前記非粘着フィルムから剥離し、ダイボンディングフィルムごと半導体チップを取り出す工程とを備えることを特徴とする、半導体チップの製造方法。
【請求項１５】
ダイシング後に、前記ダイボンディングフィルムと前記非粘着フィルムとの間の剥離力を変化させることなく、半導体チップを取り出すことを特徴とする、請求項１４に記載の半導体チップの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップの製造に用いられるダイシング・ダイボンディングテープに関し、より詳細には、半導体ウェーハに接合され、ダンシング時及びダイボンディング時に用いられるダイシング・ダイボンディングテープ並びに該ダイシング・ダイボンディングテープを用いた半導体チップの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体ウェーハから半導体チップを切り出し、基板等に実装するために、ダイボンディングテープが用いられていた。ダイボンディングフィルムの片面に半導体ウェーハが貼付され、ダイボンディングフィルムの反対の面にダイシングフィルムが貼付される。ダイシングに際しては、半導体ウェーハがダイボンディングフィルムごとダイシングされている。ダイシング後に、半導体チップが接合されたダイシングフィルムからダイボンディングフィルムが剥離され、ダイボンディングフィルムごと半導体チップが取り出されている。そして、ダイボンディングフィルム側から半導体チップが基板上に実装されている。【０００３】
ダイシングに際しては、ダイシングを安定に行うために、半導体ウェーハはダイシングフィルムに強固に接合されていることが必要である。これに対して、ダイシング後に半導体チップをピックアップする際は、ダイシングフィルムから半導体チップや半導体チップが接合されたダイボンディングフィルムが無理なく剥離されねばならない。そのため、紫外線、放射線または光等の照射により硬化する粘着剤を用いたダイシングフィルムやダイシング・ダイボンディングフィルムが知られている。この種のダイシングフィルムやダイシング・ダイボンディングフィルムでは、ダイシング後に紫外線、放射線または光等を照射して粘着剤が硬化され、それによって粘着力が低められる。【０００４】
例えば、下記の特許文献１には、フィルム状接着剤層の片面に、放射線硬化型粘着剤層が積層されたダイシング・ダイボンディングテープが開示されている。フィルム状接着剤層は、（Ａ）熱可塑性樹脂、及び（Ｂ）３官能以上のエポキシ樹脂と液状エポキシ樹脂とを特定の割合で含むエポキシ樹脂を含有するフィルム状接着剤からなる。このフィルム状接着剤層が、半導体素子の片面に貼付されるダイボンディングフィルムに相当する。また、放射線硬化型粘着剤層は、ダイシングフィルムに相当する。【０００５】
他方、例えば下記の特許文献２には、基材上に、粘着剤及び放射線重合性オリゴマーからなる放射線硬化型粘着剤層と、ダイボンディングフィルム層とがこの順序で形成されたダイボンディング・ダイシングテープが開示されている。ダイシングフィルムとしての放射線硬化型粘着剤層の放射線硬化後における弾性率は０．１〜１０ＭＰａであり、ダイボンディングフィルム層の弾性率は２５℃で１０〜２０００ＭＰａ、２６０℃で３〜５０ＭＰａとされている。【０００６】
また、下記の特許文献３には、基材上に、放射線硬化型粘着剤層と、ダイボンディングフィルム層とがこの順序で形成されたダイボンディング・ダイシングテープが開示されている。ダイシングフィルムとしての放射線硬化型粘着剤層の放射線硬化後における弾性率は０．１〜１０ＭＰａとされており、ダイボンディングフィルム層の吸水率は１．５体積％以下であり、２５０℃における弾性率が１０ＭＰａ以下とされている。【０００７】
特許文献１〜３に記載のようなダイボンディング・ダイシングテープでは、半導体ウェーハにダイボンディングフィルム層を貼付し、ダイシングして半導体チップを得た後に、放射線硬化型粘着剤層に放射線を照射して粘着剤層を硬化させる。しかる後、半導体チップが接合されたダイボンディングフィルム層を放射線硬化型粘着剤層から剥離し、ピックアップする。【０００８】
また、下記の特許文献４には、紫外線硬化型のダイシング・ダイボンディングテープが開示されている。ここでは、第１の基材フィルム、粘着剤層、第２の基材フィルム及びダイボンディングフィルムがこの順序で積層されている。ダイボンディングフィルムは紫外線硬化型樹脂を用いて構成されている。ここでは、ダイボンディングフィルム表面に半導体ウェーハが接合され、ダイシングが行われる。ダイシング後に、ダイボンディングフィルムに紫外線を照射して硬化させ、硬化されたフィルム状接着剤ごと半導体チップが取り出される。
【特許文献１】特開２００４−２９２８２１号公報
【特許文献２】特開２００２−２２６７９６号公報
【特許文献３】特開２００２−１５８２７６号公報
【特許文献４】特開２００４−３４９５１０号公報
【発明の開示】
【０００９】
しかしながら、特許文献１〜４に記載のように、放射線や紫外線の照射により硬化する粘着剤やダイボンディングフィルムを用いた場合、紫外線や放射線を照射して粘着力や接着力を低下させる必要があった。そのため、紫外線や放射線を照射するという煩雑な工程を実施しなければならなかった。また、紫外線や放射線を照射するための設備も必要であった。さらに、紫外線硬化型樹脂や放射線硬化型粘着剤層を構成する樹脂は比較的高価であった。そのため、製造コストが高くつかざるを得なかった。
【００１０】
また、特許文献１〜３に記載のような放射線硬化型粘着剤を用いたダイシング・ダイボンディングテープでは、ダイシング時に放射線硬化型粘着剤層が比較的柔らかかった。そのため、ダイシングに際しての切削性が十分でなく、ダイシング後に半導体チップをピックアップする際にヒゲ状の切削屑が発生しがちであった。そのため、半導体チップを確実にピックアップすることができないことがあった。また、ヒゲ状の切削屑が、ダイボンディングフィルムや半導体チップに付着すると、ピックアップされた半導体チップを正しい向きにかつ高精度に実装することができないことがあった。
【００１１】
さらに、近年、半導体ウェーハが薄くなってきており、それに伴って、レーザーによるダイシングが広く用いられてきている。レーザーの照射によりダイシングを行う場合、紫外線や放射線等により硬化する粘着剤は、レーザー光の照射により反応し、ダイボンディングフィルムに溶着することがあった。このような粘着剤からなるダイシングフィルムがダイボンディングフィルムに溶着すると、ダイシングされた半導体チップを全くピックアップできないこともあった。
【００１２】
また、放射線を照射しても、放射線硬化型粘着剤の粘着力が十分に低くならないことがあった。その場合、放射線硬化型粘着剤層から半導体チップが接合されたダイボンディングフィルムを剥離しようとした場合、半導体チップに余分な力が加わりがちであった。そのため、半導体チップが破損するおそれがあった。
【００１３】
特許文献４に記載の紫外線硬化型樹脂を用いたダイボンディングフィルムを有するダイシング・ダイボンディングテープにおいても、ダイボンディングフィルムを紫外線照射により硬化させたとしても、ダイボンディングフィルムの粘着力が十分に低下しないことがあったため、従って、特許文献１〜３の場合と同様に、半導体チップをダイボンディングフィルムと共に容易にかつ無理なく剥離できないことがあった。よって、半導体チップに余分な力が加わり、半導体チップが破損するおそれがあった。
【００１４】
本発明の目的は、上述した従来技術の現状に鑑み、半導体ウェーハをダイシングし、ダイボンディングフィルムごと半導体チップをピックアップするに際し紫外線や光等を照射する煩雑な作業を必要とすることなく、ダイボンディングフィルムごと半導体チップを容易にかつ確実にピックアップすることを可能とするダイシング・ダイボンディングテープ及び該ダイシング・ダイボンディングテープを用いた半導体チップの製造方法を提供することにある。
【００１５】
本発明によれば、ウェーハをダイシングし、半導体チップを得、半導体チップをダイボンディングするのに用いられるダイシング・ダイボンディングテープであって、ダイボンディングフィルムと、前記ダイボンディングフィルムの一方の面に貼付された非粘着フィルムとを有し、前記ダイボンディングフィルムと前記非粘着フィルムとの剥離強度が１〜６Ｎ／ｍの範囲内にあり、かつ前記ダイボンディングフィルムと前記非粘着フィルムとのシェア強度が０．３〜２Ｎ／ｍｍ２であり、前記非粘着フィルムの破断点での伸度が１０〜１００％の範囲内にあり、前記非粘着フィルムの主成分が、アルキル基を有し、該アルキル基の炭素数が１〜１８の（メタ）アクリル酸エステルポリマーであり、前記非粘着フィルムが、平均粒子径が０．１〜１０μｍのフィラー粒子をさらに含有することを特徴とする、ダイシング・ダイボンディングテープが提供される。
【００１６】
なお、上記非粘着フィルムのダイボンディングフィルムが貼付された面とは反対側の面にはダイシングに際してのダイシングフィルムが貼付されて、ダイシングが行われる。本発明の「ダイシング・ダイボンディングテープ」とは、ダイシング及びダイボンディングに用いられるテープであり、上記ダイボンディングフィルムと非粘着フィルムとを必須の構成として組み、ダイシングフィルムを有していてもよく、有していなくともよい。ダイシング・ダイボンディングフィルムがダイシングフィルムを有しない場合には、ダイシングに際しダイシングフィルムが別途用意され貼付され、ダイシングが行われる。この場合においても、ダイシング・ダイボンディングテープは、ダイシング時においても用いられるものであるため、ダイシング・ダイボンディングテープである。
【００１８】
本発明のダイシング・ダイボンディングテープの他の特定の局面では、前記非粘着フィルムのピックアップ時の温度における弾性率が１ＭＰａ〜４００ＭＰａの範囲内にある。
【００２０】
本発明のダイシング・ダイボンディングテープのさらに他の特定の局面では、前記非粘着フィルムの前記ダイボンディングフィルムに貼付されている面の表面エネルギーが４０Ｎ／ｍ以下である。
【００２１】
本発明のダイシング・ダイボンディングテープの他の特定の局面では、前記非粘着フィルムは、硬化性樹脂組成物の架橋・硬化物からなる。
【００２２】
本発明のダイシング・ダイボンディングテープは、前記非粘着フィルムの主成分がアルキル基を有し、アルキル基の炭素数が１〜１８の（メタ）アクリル酸エステルポリマーである。より好ましくは、前記（メタ）アクリル酸エステルポリマーの酸価は、２以下である。
【００２３】
本発明のダイシング・ダイボンディングテープの他の特定の局面では、前記非粘着フィルムが、アクリル基と反応可能な二重結合性官能基を有し、重量平均分子量が１０００〜５００００の範囲にあり、ガラス転移点Ｔｇが２５℃以下であるオリゴマーをさらに含む。
【００２４】
本発明のダイシング・ダイボンディングテープの他の特定の局面では、前記（メタ）アクリル酸エステルポリマー１００重量部に対し、前記オリゴマーが１部〜１００重量部の割合で配合されている。
【００２５】
本発明のダイシング・ダイボンディングテープの他の特定の局面では、前記オリゴマーは、ポリエーテル骨格、ポリエステル骨格、ブタジエン骨格、ポリウレタン骨格、シリケート骨格及びジシクロペンタジエン骨格からなる群から選択された１種の骨格を有するアクリルオリゴマーである。
【００２６】
本発明のダイシング・ダイボンディングテープの他の特定の局面では、前記アクリルオリゴマーは、分子の両末端にアクリル基を有する。
【００２７】
本発明のダイシング・ダイボンディングテープの他の特定の局面では、上記アクリルオリゴマーは、３〜１０官能のウレタンアクリルオリゴマーである。
【００２９】
本発明のダイシング・ダイボンディングテープの他の特定の局面では、前記非粘着フィルムが、第１，第２の層が積層された２層構造を有する。
【００３０】
本発明のダイシング・ダイボンディングテープの他の特定の局面では、前記非粘着フィルムの前記ダイボンディングフィルムが貼付された面とは反対側の面にダイシングフィルムが貼付されている。
【００３１】
本発明のダイシング・ダイボンディングテープでは、好ましくは、ダイボンディングフィルムは、エポキシ化合物と、エポキシ基を有する高分子量ポリマーと、酸無水物系硬化剤とを含有する組成物からなることを特徴とする。
【００３２】
本発明の半導体チップの製造方法は、本発明に係るダイシング・ダイボンディングテープと、半導体ウェーハとを用意する工程と、ダイシング・ダイボンディングテープの前記ダイボンディングフィルムの前記非粘着フィルムが貼付されている面とは反対側の面に半導体ウェーハを接合する工程と、ダイシング・ダイボンディングテープが接合された半導体ウェーハを前記ダイボンディングフィルムごとダイシングし、個々の半導体チップに分割する工程と、ダイシング後に、半導体チップが接合された前記ダイボンディングフィルムを前記非粘着フィルムから剥離し、ダイボンディングフィルムごと半導体チップを取り出す工程とを備えることを特徴とする、半導体チップの製造方法である。
【００３３】
また、本発明の半導体チップの製造方法では、好ましくは、ダイシング後に、前記ダイボンディングフィルムと前記非粘着フィルムとの間の剥離力を変化させることなく、半導体チップが取り出される。
【００３４】
尚、本明細書において剥離力を変化させないとは、例えば、光照射や加熱によりダイシング・ダイボンディングテープのいずれかの層を硬化させて粘着力を下げることにより剥離力を変化させる工程、いずれかの層を収縮させて剥離力を変化させる工程、あるいは、いずれかの層を発泡させて剥離力を変化させる工程、等の剥離力を変化させる工程を実施しないことを意味する。
（発明の効果）
【００３５】
本発明に係るダイシング・ダイボンディングテープでは、ダイボンディングフィルムに非粘着フィルムが貼付されており、ダイボンディングフィルムと非粘着フィルムとの剥離強度が１Ｎ／ｍ〜６Ｎ／ｍの範囲にあり、かつダイボンディングフィルムと非粘着フィルムとのシェア強度が０．３Ｎ／ｍ２〜２Ｎ／ｍｍ２の範囲内にあるので、ダイボンディングフィルムと非粘着フィルムとの界面で、糸引き等を生じることなく、ダイボンディングフィルムを非粘着フィルムから容易に剥離することができる。
【００３６】
上述した特許文献１〜３に記載のようなダイシング・ダイボンディングテープを用いた場合には、紫外線照射前の放射線硬化型粘着剤層の粘着力は比較的高くされていた。よって、放射線硬化粘着剤層からダイボンディングフィルムを剥離するには、放射線硬化型粘着剤層の粘着力を十分に低下させる必要があり、粘着力を低下させるために紫外線を照射する余計な手間を必要とした。さらに、紫外線を照射した後に粘着力が十分に低下しないこともあった。
【００３７】
これに対して、本発明のダイシング・ダイボンディングテープでは、ダイシング後に半導体チップをダイボンディングフィルムごと取り出すに際し、非粘着フィルムとダイボンディングフィルムとの剥離強度及びシェア強度が上記特定の範囲とされているため、剥離力を変化させる工程を何ら実施することなく、半導体チップが接合されたダイボンディングフィルムを非粘着フィルムから容易に剥離することができる。また、上記剥離強度にシェア強度が上記特定の範囲とされているため、ダイシングに際し、半導体チップが横方向に飛ぶ現象、すなわち横跳びを抑制することができる。加えて、半導体チップをダイボンディングフィルムごと取り出す際に、半導体チップの破損も生じ難い。
【００３８】
本発明に係る半導体チップの製造方法では、本発明のダイシング・ダイボンディングテープが接合された半導体ウェーハをダイシングし、個々の半導体チップに分割した後に、ハントを体チップが接合されたダイボンディングフィルムを非粘着フィルムから剥離し、半導体チップを取り出すため、糸引き等を生じることなく、半導体チップを容易にかつ無理なく剥離して取り出すことができる。よって、半導体チップの破損を防ぐことができる。
【００３９】
また、ダイシング後にダイボンディングフィルムと非粘着フィルムとの間の剥離力を変化させることなく半導体チップを取り出す場合には、剥離力を変化させる光照射等の煩雑な工程を実施する必要がない。従って、半導体チップの製造工程の簡略化及びコストの低減を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】図１（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施形態に係るダイシング・ダイボンディングテープを示す部分切欠正面断面図及び部分切欠平面図である。
【図２】図２は、本発明の他の実施形態に係るダイシング・ダイボンディングテープを示す部分切欠正面断面図である。
【図３】図３は、本発明の別の実施形態に係るダイシング・ダイボンディングテープを示す部分切欠正面断面図である。
【図４】図４は、半導体チップの製造に用いられる半導体ウェーハを示す平面図である。
【図５】図５は、本発明の一実施形態に係るダイシング・ダイボンディングテープを用いて半導体チップを製造する方法を説明するための図であり、半導体ウェーハがステージ上に載置された状態を示す正面断面図である。
【図６】図６は、本発明の一実施形態に係るダイシング・ダイボンディングテープを用いて半導体チップを製造する方法を説明するための図であり、ダイボンディングフィルムに半導体ウェーハを接合するときの状態を示す正面断面図である。
【図７】図７は、本発明の一実施形態に係るダイシング・ダイボンディングテープを用いて半導体チップを製造する方法を説明するための図であり、ダイボンディングフィルムに半導体ウェーハを接合した状態を示す正面断面図である。
【図８】図８は、本発明の一実施形態に係るダイシング・ダイボンディングテープを用いて半導体チップを製造する方法を説明するための図であり、ダイボンディングフィルム付き半導体ウェーハが裏返されて別のステージ上に載置された状態を示す正面断面図である。
【図９】図９（ａ）〜（ｄ）は、本発明の一実施形態に係るダイシング・ダイボンディングテープを用いて半導体装置を製造する方法を説明するための図であり、ダイボンディングフィルムが接合された半導体ウェーハをダイシングし、個々の半導体チップに分割する工程を段階的に示す部分切欠正面断面図である。
【図１０】図１０は、本発明の一実施形態に係るダイシング・ダイボンディングテープを用いて製造された半導体チップを示す正面断面図である。
【図１１】図１１は、参考例４及び参考例（参考例番号なし）で使用した非粘着フィルムについて、ＭＤ方向で破断点での伸度及び応力を測定した結果を示す図である。
【図１２】図１２は、参考例４及び参考例（参考例番号なし）で使用した非粘着フィルムについて、ＴＤ方向で破断点での伸度及び応力を測定した結果示す図である。
【図１３】図１３は、本発明の変形例において、２層構造を有する非粘着フィルムを説明するための部分切欠断面図である。
【符号の説明】
【００４１】
１…ダイシング・ダイボンディングテープ
２…離型フィルム
２ａ…上面
３…ダイボンディングフィルム
３ａ…表面
４…非粘着フィルム
４ａ、４ｂ…表面
４Ａ…第１の層
４Ｂ…第２の層
５…ダイシングフィルム
５ａ…基材
５ｂ…粘着剤層
５ｃ…延長部
６，７…保護シート
１１…ダイシング・ダイボンディングテープ
１５…ダイシング・ダイボンディングテープ
１６…ダイシングフィルム
２１…半導体ウェーハ
２１ａ…表面
２１ｂ…裏面
２１ｃ…外周側面
２２…ステージ
２３…ダイシングリング
２４…ステージ
３１…半導体チップ
４１…第１の切断刃
４２…第１の切断部分
４３…第２の切断刃
４４…第２の切断部分
【発明を実施するための最良の形態】
【００４２】
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。【００４３】
図１（ａ）、（ｂ）に、本発明の一実施形態に係るダイシング・ダイボンディングテープを部分切欠正面断面図及び部分切欠平面図で示す。【００４４】
図１（ａ）、（ｂ）に示すように、ダイシング・ダイボンディングテープ１は、長尺状の離型フィルム２を有する。ダイシング・ダイボンディングテープ１では、離型フィルム２の上面２ａに、ダイボンディングフィルム３、非粘着フィルム４及びダイシングフィルム５がこの順に積層されている。ダイボンディングフィルム３、非粘着フィルム４及びダイシングフィルム５は、円形の平面形状を有する。ダイシングフィルム５は、ダイボンディングフィルム３及び非粘着フィルム４よりも大きな径を有する。ダイボンディングフィルム３の離型フィルム２が貼付された面３ａは、半導体ウェーハが貼付される面である。【００４５】
ダイシングフィルム５は、基材５ａと基材５ａの片面に粘着剤が塗布されて形成された粘着剤層５ｂとを有する。ダイシング・ダイボンディングテープ１では、ダイシングフィルム５は、非粘着フィルム４の片面に粘着剤層５ｂ側から貼付されている。ダイシングフィルム５は、非粘着フィルム４を介してダイボンディングフィルム３に間接的に貼付されている。【００４６】
ダイシングフィルム５は、上述のようにダイボンディングフィルム３及び非粘着フィルム４よりも大きな径を有する。ダイシングフィルム５は、ダイボンディングフィルム３及び非粘着フィルム４の外周縁を超えるように延ばされている延長部５ｃを有する。該延長部５ｃの一面が、粘着剤層５ｂにより離型フィルムの上面２ａに貼付されている。すなわち、ダイボンディングフィルム３及び非粘着フィルム４の外周縁より外側の領域において、ダイシングフィルム５が離型フィルム２の上面２ａに貼付されている。【００４７】
ダイシングフィルム５がダイボンディングフィルム３及び非粘着フィルム４よりも大きな径を有するのは、ダイボンディングフィルム３の面３ａに半導体ウェーハを接合する際に、ダイボンディングフィルム３の外周縁より外側に位置する延長部５ｃの粘着剤層５ｂにダイシングリングを貼付するためである。【００４８】
図１（ｂ）に示すように、長尺状の離型フィルム２の長さ方向において、ダイボンディングフィルム３、非粘着フィルム４及びダイシングフィルム５からなる複数の積層体が等間隔に配置されている。なお、ダイシングフィルム５の側方において、必ずしも設ける必要はないが、離型フィルム２の上面２ａに保護シート６、７が設けられている。このように、保護シート６、７が設けられている場合には、ダイシング・ダイボンディングテープ１が例えばロール状に巻回されることによってダイシングフィルム５に加わる圧力が、保護シート６、７の存在により軽減される。【００４９】
なお、離型フィルムの厚みや形状は特に限定されず、例えば正方形の形状の離型フィルムにダイボンディングフィルム、非粘着フィルム及びダイシングフィルムからなる積層体が１つ配置された構造であってもよく、上述のようにロール状に巻回されていなくてもよい。また、ダイボンディングフィルム、非粘着フィルム及びダイシングフィルムの厚みや形状も特に限定されるものではない。【００５０】
ダイシング・ダイボンディングテープでは、ダイボンディングフィルムと非粘着フィルムとの剥離強度が１Ｎ／ｍ〜６Ｎ／ｍの範囲内好ましくは、１Ｎ／ｍ〜６Ｎ／ｍであり、かつダイボンディングフィルムと非粘着フィルムとのシェア強度が０．３Ｎ／ｍｍ２〜２Ｎ／ｍｍ２の範囲内にある。ダイボンディングフィルムと非粘着フィルムとの剥離強度及びシェア強度がこれらの特定の範囲内にあると、剥離力を低下させずとも、ダイボンディングフィルムを非粘着フィルムから容易に剥離することができる。さらに、半導体ウェーハをダイシングする際や半導体チップを取り出す際に、半導体チップの破損を防ぐことができる。【００５１】
ダイボンディングフィルムと非粘着フィルムとの剥離強度が１Ｎ／ｍ未満では、密着強度が弱くダイシング時のチップ飛びがおきる原因となり、６Ｎ／ｍを超えると、半導体チップが接合されたダイボンディングフィルムを非粘着フィルムから剥離することが困難となる。ダイボンディングフィルムと非粘着フィルムとのシェア強度が０．３Ｎ／ｍｍ２未満であると、ダイシングの際にチップの横飛びが生じ易くなる。逆に、シェア強度が２Ｎ／ｍｍ２を越えると、半導体チップが接合されたダイボンディングフィルムを非粘着フィルムから剥離することが困難となる。【００５２】
上記剥離強度は、以下の方法により求められる。先ず、ダイシング・ダイボンディングテープのダイボンディングフィルムの非粘着フィルム貼付面とは反対側の面をステンレス板に貼り付けて、充分にダイボンディングフィルムとステンレス板とを節子ヴして、試験体を得る。その後、非粘着フィルムとダイボンディングフィルムとの界面での剥離が起きる向きに試験体を固定した状態で、非粘着フィルムを上記界面に対して１８０度をなす方向に力を加えてダイボンディングフィルムから剥離する。この時の剥離するために加えた島津製作所製ＡＧＳ-１００Ｄ等を用いて測定し、剥離強度とする。【００５３】
上記シェア強度の測定に際しては、先ずダイシング・ダイボンディングテープのダイボンディングフィルムの非粘着フィルム貼付面とは反対側の面に半導体チップが接合された試験体を用意する。その後、非粘着フィルムあるいは非粘着フィルムに貼付されたダイシングフィルム等側から該試験体をガラスに固定し、デイジ社製ｓｅｒｉｅｓ４０００を用いてチップ付きダイボンディングフィルムに剪断力を加えて、試験体の内半導体チップが接合されたダイボンディングフィルムと、非粘着フィルムとの間のシェア強度を測定する。【００５４】
ダイシング・ダイボンディングテープ１では、剥離強度及びシェア強度を上記特定の範囲とするために、非粘着フィルム４が用いられている。すなわち、非粘着フィルム４は剥離力を調整する剥離力調整フィルムとして用いられている。【００５５】
ダイシングに際し、半導体チップの飛び等の発生をより一層効果的に防止することができるので、非粘着フィルムのダイボンディングフィルムが貼付された面とは反対側の面にダイシングフィルムが貼付されていることが好ましい。【００５６】
上記離型フィルム２は、ダイシングフィルム３の半導体ウェーハが貼付される面３ａを保護するために用いられている。もっとも離型フィルムは、必ずしも用いられている必要はない。【００５７】
上記離型フィルム２としては、特に限定されないが、ポリエチレンテレフタレートフィルム等のポリエステル系フィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリビニルアセテートフィルム等のポリオレフィン系フィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリイミドフィルムなどのプラスチックフィルム等の片面をシリコンなどで離型処理したものが挙げられる。なかでも、平滑性、厚み精度などに優れているため、ポリエチレンテレフタレートフィルムなどの合成樹脂フィルムが好適に用いられる。【００５８】
上記離型フィルムは、一層の上記フィルムで構成されていてもよく、２以上の上記フィルムが積層されて構成されていてもよい。離型フィルムが複数のフィルムの積層体からなる場合、異なる２種以上の上記フィルムが積層されていてもよい。【００５９】
上記ダイボンディングフィルム３は、電子部品チップとしての半導体チップを基板等に接合するために用いられ、ダイシングに際し、半導体ウェーハごと切断されるものである。【００６０】
上記ダイボンディングフィルム３は、例えば適宜の硬化性樹脂を含む硬化性樹脂組成物等からなる。硬化前の上記硬化性組成物は十分に柔らかく、従って外力により容易に変形する。もっとも、半導体チップを得た後に、ダイボンディングフィルムに熱や光のエネルギーを与えて硬化させることにより、基板等の被着体に半導体チップを強固に接合することができる。硬化性樹脂としては、特に限定されないが、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂等が挙げられる。【００６１】
上記熱硬化性樹脂としては、特に限定されないが、例えばエポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂等が挙げられる。これらの熱硬化性樹脂は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。【００６２】
上記硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル酸メチル又はアクリル酸ブチル等を主なモノマー単位とするポリ（メタ）アクリル酸エステル樹脂等のホットメルト型接着樹脂が特に好適に用いられる。【００６３】
上記エポキシ樹脂を用いる場合には、エポキシ樹脂と、エポキシ樹脂と反応する官能基を有する固形ポリマーと、エポキシ樹脂硬化剤とを含む硬化性樹脂組成物を用いることが好ましい。この硬化性樹脂組成物からなるダイボンディングフィルムでは、半導体チップ／基板間、半導体チップ／半導体チップ間での接合信頼性を高めることができる。【００６４】
上記エポキシ樹脂としては特に限定されないが、多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂であることが好ましい。多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂を用いると、硬化性樹脂組成物の硬化物では、剛直で分子の運動が阻害されるので、機械的強度や耐熱性に優れるとともに、耐湿性も高められる。【００６５】
上記多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂としては、特に限定されないが、例えば、ジシクロペンタジエンジオキシド、ジシクロペンタジエン骨格を有するフェノールノボラックエポキシ樹脂等のジシクロペンタジエン骨格を有するエポキシ樹脂（以下、「ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂」と記す）、１−グリシジルナフタレン、２−グリシジルナフタレン、１，２−ジグリジジルナフタレン、１，５−ジグリシジルナフタレン、１，６−ジグリシジルナフタレン、１，７−ジグリシジルナフタレン、２，７−ジグリシジルナフタレン、トリグリシジルナフタレン、１，２，５，６−テトラグリシジルナフタレン等のナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂（以下、「ナフタレン型エポキシ樹脂」と記す）、テトラヒドロキシフェニルエタン型エポキシ樹脂、テトラキス（グリシジルオキシフェニル）エタン、３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキシルメチル−３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキサンカルボネート等が挙げられる。なかでも、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂やナフタレン型エポキシ樹脂が好適に用いられる。【００６６】
これらの多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂は、単独で用いられても良いし、２種類以上が併用されても良い。また、上記ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂及びナフタレン型エポキシ樹脂は、それぞれ単独で用いられても良いし、両者が併用されても良い。【００６７】
上記エポキシ基と反応する官能基を有する固形ポリマーとしては特に限定されないが、例えば、アミノ基、ウレタン基、イミド基、水酸基、カルボキシル基、エポキシ基等を有する樹脂が挙げられる。なかでも、エポキシ基を有する高分子ポリマーが好ましい。エポキシ基を有する高分子ポリマーを用いると、硬化性樹脂組成物の硬化物の可撓性を高めることができる。【００６８】
また、多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂とエポキシ基を有する高分子ポリマーとを用いると、硬化性樹脂組成物の硬化物では、上記多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂に由来して機械的強度、耐熱性、及び耐湿性が高められるとともに、上記エポキシ基を有する高分子ポリマーに由来して可撓性も高められる。【００６９】
上記エポキシ基を有する高分子ポリマーとしては、末端及び／又は側鎖（ペンダント位）にエポキシ基を有する高分子ポリマーであれば良く、特に限定されないが、例えば、エポキシ基含有アクリルゴム、エポキシ基含有ブタジエンゴム、ビスフェノール型高分子量エポキシ樹脂、エポキシ基含有フェノキシ樹脂、エポキシ基含有アクリル樹脂、エポキシ基含有ウレタン樹脂、エポキシ基含有ポリエステル樹脂等が挙げられる。なかでも、硬化性樹脂組成物の硬化物の機械的強度や耐熱性を高め得ることから、エポキシ基含有アクリル樹脂が好適に用いられる。これらのエポキシ基を有する高分子ポリマーは、単独で用いられても良いし、２種類以上が併用されても良い。【００７０】
上記エポキシ樹脂用硬化剤としては、特に限定されるものではないが、例えば、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸等の加熱硬化型酸無水物系硬化剤、フェノール系硬化剤、アミン系硬化剤、ジシアンジアミド等の潜在性硬化剤、カチオン系触媒型硬化剤等が挙げられる。これらのエポキシ樹脂用硬化剤は、単独で用いられても良いし、２種類以上が併用されても良い。【００７１】
上記エポキシ樹脂用硬化剤のなかでも、常温で液状の加熱硬化型硬化剤や、多官能であり、当量的に添加量が少量で良いジシアンジアミド等の潜在性硬化剤が好適に用いられる。このような硬化剤を用いることにより、硬化前には常温で柔軟であってハンドリング性が良好なフィルムを得ることができる。【００７２】
上記常温で液状の加熱硬化型硬化剤の代表的なものとしては、例えば、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルナジック酸無水物、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸等の酸無水物系硬化剤が挙げられる。なかでも、疎水化されていることから、メチルナジック酸無水物やトリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸が好適に用いられる。これらの酸無水物系硬化剤は、単独で用いられても良いし、２種類以上が併用されても良い。【００７３】
上記硬化性樹脂組成物においては、硬化速度や硬化物の物性等を調整するために、上記エポキシ樹脂用硬化剤とともに、硬化促進剤を併用しても良い。【００７４】
上記硬化促進剤としては、特に限定されないが、例えば、イミダゾール系硬化促進剤、３級アミン系硬化促進剤等が挙げられる。なかでも、硬化速度や硬化物の物性等の調整をするための反応系の制御をしやすいことから、イミダゾール系硬化促進剤が好適に用いられる。これらの硬化促進剤は、単独で用いられても良いし、２種類以上が併用されても良い。【００７５】
上記イミダゾール系硬化促進剤としては、特に限定されないが、例えば、イミダゾールの１位をシアノエチル基で保護した１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾールや、イソシアヌル酸で塩基性を保護した商品名「２ＭＡＯＫ−ＰＷ」（四国化成工業社製）等が挙げられる。これらのイミダゾール系硬化促進剤は、単独で用いられても良いし、２種類以上が併用されても良い。【００７６】
酸無水物系硬化剤と例えばイミダゾール系硬化促進剤等の硬化促進剤とを併用する場合は、酸無水物系硬化剤の添加量をエポキシ基に対して理論的に必要な当量以下とすることが好ましい。酸無水物系硬化剤の添加量が必要以上に過剰であると、硬化性樹脂組成物の硬化物から水分により塩素イオンが溶出しやすくなるおそれがある。例えば、硬化性樹脂組成物の硬化物から熱水で溶出成分を抽出した際に、抽出水のｐＨが４〜５程度まで低くなり、エポキシ樹脂から引き抜かれた塩素イオンが多量に溶出してしまうことがある。【００７７】
また、アミン系硬化剤と例えばイミダゾール系硬化促進剤等の硬化促進剤とを併用する場合には、アミン系硬化剤の添加量をエポキシ基に対して理論的に必要な当量以下とすることが好ましい。アミン物系硬化剤の添加量が必要以上に過剰であると、硬化性樹脂組成物の硬化物から水分により塩素イオンが溶出しやすくなるおそれがある。例えば、硬化性樹脂組成物の硬化物から熱水で溶出成分を抽出した際に、抽出水のｐＨが高く塩基性となり、エポキシ樹脂から引き抜かれた塩素イオンが多量に溶出してしまうことがある。【００７８】
非粘着フィルム４として用いられる非粘着フィルムとしては、特に限定されず、ポリエチレンテレフタレートフィルム等のポリエステル系フィルム；ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリビニルアセテートフィルム等のポリオレフィン系フィルム：ポリ塩化ビニルフィルム；ポリイミドフィルム；アクリル樹脂系フィルムなどの各種プラスチックフィルムが挙げられる。【００７９】
本明細書において、「非粘着フィルム」とは、表面が粘着性を有しないフィルムだけでなく、指で触ったときにくっつかない程度の微粘着フィルムをも含むものとする。【００８０】
また、上記非粘着フィルムは、単一の合成樹脂フィルムからなる必要は必ずしもなく、図１３に略図的に示す非粘着フィルム４のように、第１の層４Ａと、第２の層４Ｂとを積層してなる積層膜であってもよい。【００８１】
上記ポリオレフィン系フィルムとしては、より具体的には、低密度ポリエチレン（ＬＤＰ）フィルム、ＬＤＰフィルム＋ＰＰフィルムの積層体、ＬＤＰフィルム＋高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）フィルムの積層体、ＬＤＰＥフィルム＋ＨＤＰＥフィルム＋ＬＬフィルムの積層体、直鎖状低密度ポリエチレン（ＬＬＤＰ）フィルムなどを挙げることができる。なかでも、ダイボンディングフィルムと非粘着フィルムとの剥離強度及びシェア強度を上記特定の範囲に容易に設定でき、半導体チップピックアップ時のエキスパンド性に優れているので、ＬＬＤＰＥフィルムが好ましい。【００８２】
また、上記アクリル樹脂系フィルムとしては、様々なアクリル酸エステルポリマーを主成分とする組成物からなる非粘着フィルムを用いることができる。アクリル系樹脂フィルムは、ポリオレフィン系フィルムに比べて柔らかく、弾性率を低めて、ダイシングに際しての切削性を高めることが容易である。また、アクリル系樹脂フィルムでは、主成分となる（メタ）アクリル酸エステルポリマーを選択することにより、非粘着フィルムの極性を低めたり、弾性率を低めたり、伸度を前述した好ましい範囲に容易に設定することができる。【００８３】
上記のような（メタ）アクリル酸エステルポリマーとしては、特に限定されないが、好ましくは、アルキル基を有し、アルキル基の炭素数が１〜１８の（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーが用いられる。アルキル基の炭素数が１〜１８の（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーを用いた場合に、極性を十分に低めることができ、非粘着フィルムの表面エネルギーを低くすることができ、剥離性を高めることができる。炭素数が１８を越えると、溶液重合が困難となることがある。より好ましくは、アルキル基の炭素数は、６以上であり、それによって極性をより一層低めることができる。【００８４】
上記（メタ）アクリル酸エステルポリマーとしては、好ましくは、アルキル基の炭素数が１〜１８の範囲にある（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーを主モノマーとし、これと官能基含有モノマーと、更に必要に応じてこれらと共重合可能な他の改質用モノマーとを常法により共重合させることにより得られるものが挙げられる。その中でもアルキル基の炭素数が６以上のものが特に好ましい。上記（メタ）アクリル酸エステルポリマーの重量平均分子量は２０万〜２００万程度である。【００８５】
尚、上記他の改質用モノマーとしては特に限定はされないが、カルボキシル基を含有するモノマーを使用しないことが好ましい。カルボキシル基を含有するモノマーを使用すると、得られた非粘着シートの極性が高くなり、結果、ピックアップ性に悪影響を及ぼす場合がある。【００８６】
なお、本発明において「（メタ）アクリル酸」とは、「メタクリル酸又はアクリル酸」を意味する。【００８７】
上記（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーとしては、特に限定されないが、アルキル基の炭素数が１〜１８の一級又は二級のアルキルアルコールと、（メタ）アクリル酸とのエステル化反応により得られるものが好ましい。【００８８】
上記（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーとしては、具体的には、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸プロピル、（メタ）アクリル酸イソプロピル、（メタ）アクリル酸ｎ−ブチル、（メタ）アクリル酸ｔ−ブチル、（メタ）アクリル酸２−エチルヘキシル、(メタ)アクリル酸オクチル、（メタ）アクリル酸ラウリル等が挙げられる。【００８９】
なお、上記（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーは、単独で用いられても、二種以上が併用されてもよい。【００９０】
上記アクリル樹脂系フィルムの主成分としての上記（メタ）アクリル酸エステルポリマーの酸価は２以下であることが望ましい。【００９１】
酸価が２以下であることにより、表面エネルギーを４０Ｎ／ｍ以下にすることが容易となる。【００９２】
上記酸価を２以下に調整する方法としては特に限定はされないが、上記他のモノマーとして、カルボキシル基を含有するモノマーを使用しないことや、反応過程においてエステルの加水分解が生じないように調整する方法が好ましい。【００９３】
尚、本明細書において酸価とは、（メタ）アクリル酸エステルポリマー１ｇ中に含まれる遊離酸を中和するのに要する水酸化カリウムのミリグラム数である。【００９４】
上記非粘着フィルム４がアクリル系樹脂フィルムである場合、上記主成分としての（メタ）アクリル酸エステルポリマーの他に、好ましくは、アクリル基と反応可能な二重結合性官能基を有し、重量平均分子量が５００〜５００００の範囲にあり、ガラス転移点Ｔｇが２５℃以下であるオリゴマーがさらに含有される。このようなオリゴマーの含有により、ピックアップ時の温度における非粘着フィルムの貯蔵弾性率を１〜４００ＭＰａの範囲とすることが容易となり、かつ破断伸度５〜１００％の範囲とすることが容易となる。分子量が５００未満の場合には、オリゴマーの配合による効果が得られないことがあり、５００００を越えると、粘着性が必要以上に高くなり、半導体チップのピックアップ性が低下することがある。【００９５】
上記オリゴマーとしては、特に限定されるわけではないが、好ましくは、柔軟性を有する骨格、例えば、ポリエーテル骨格、ポリエステル骨格、ブタジエン骨格、ポリウレタン骨格、シリケート骨格、ジシクロペンタジエン骨格などを有するものが望ましい。なお、ポリエーテル骨格またはポリエステル骨格を有するアクリルオリゴマーがより好ましい。柔軟性を有する骨格とは、該オリゴマーのＴｇが２５℃以下となるような骨格をいうものとする。ポリエーテル骨格またはポリエステル骨格を有するアクリルオリゴマーは柔軟性により優れた骨格を有するため望ましい。上記ポリエーテル骨格またはポリエステル骨格を有するアクリルオリゴマーとしては、ポリプロピレンオキシドジアクリレート、ポリエーテル系ウレタンアクリルオリゴマー、市販品としてはＭ−２２５（東亜合成社製）、ＵＮ−７６００（根上工業社製）などを挙げることができる。【００９６】
アクリル基と反応可能な２重結合性基としては特に限定はされず、アクリル基、メタクリル基、ビニル基、アリル基等が挙げられるが、中でも、アクリル基が好ましい。【００９７】
アクリル基を含有することにより、上述の貯蔵弾性率と破断伸度を達成しやすくなるため、好適である。【００９８】
上記アクリル基と反応可能な２重結合性基は、２以上含有されていることが好ましい。【００９９】
また、上記アクリル基と反応可能な２重結合性基は、分子の両末端に２個有していてもよく、分子鎖の途中についていてもよい。中でも、分子の両末端にのみ、すなわち２個のアクリル基を有しているか又は、分子の両末端と、更に分子鎖中に有する多官能性であることが好ましい。【０１００】
上記ポリエーテル骨格としては、例えば、ポリプロピエンオキシド骨格、ポリエチレンオキシド骨格などを挙げることができる。【０１０１】
上記ポリエーテル骨格を有する分子の両末端のみにアクリル基を有するアクリルオリゴマーとしては、ポリプロピレンオキシドジアクリレート、ポリエステル系ウレタンアクリルオリゴマー、市販品としては（新中村化学工業社製）、ＵＡ３４０Ｐ、ＵＡ４２００（新中村化学工業社製）、アロニックスＭ−１６００（東亜合成社製）、アロニックスＭ−２２０、（東亜合成社製）などを挙げることができる。【０１０２】
また好ましくは、上記アクリルオリゴマーとして、３〜１０官能のウレタンアクリルオリゴマーが好適に用いられる。３官能以上のウレタンアクリルオリゴマーの場合には、骨格が十分に柔軟となり、１０官能以下のウレタンアクリルオリゴマーであるため、骨格が柔軟になりすぎ難い。また、３官能未満のウレタンアクリルオリゴマーの場合には、柔軟なためダイシング時ひげとなり、１０官能を越えるウレタンアクリルオリゴマーの時は、もろすぎてダイシング時に汚れとなるおそれがある。上記３〜１０官能のポリエーテル性のポリウレタン骨格を有するウレタンアクリルオリゴマーとしては、ポリプロピレンオキシド主鎖のウレタンアクリルオリゴマーなどを挙げることができ、市販品としてはＵ−２ＰＰＡ、Ｕ−４ＨＡ、Ｕ−６ＨＡ、Ｕ−１５ＨＡ、ＵＡ−３２Ｐ、Ｕ−３２４Ａ  Ｕ−１０８Ａ、Ｕ−２００ＡＸ、ＵＡ−４４００、ＵＡ−２２３５ＰＥ、ＵＡ−１６０ＴＭ、ＵＡ−６１００（いずれも新中村化学工業社製）、ＵＮ−７６００、ＵＮ−７７００、ＵＮ−３３３、ＵＮ−１２５５（いずれも根上工業社製）などを挙げることができる。【０１０３】
上記オリゴマーの配合割合は、特に限定されないが、オリゴマーを配合した効果を得るには、１重量部以上とすることが望ましい。また、上記オリゴマーの配合割合が高すぎると原料が溶解せず、製造不可能となることがある。【０１０４】
従って、上記オリゴマーが、両末端にアクリル基を有するオリゴマーの場合には、（メタ）アクリル酸エステルポリマー１００重量部に対し１〜１００重量部、より好ましくは１〜５０重量部とすることが望ましく、多官能のウレタンアクリルオリゴマーの場合は１〜５０重量部、より好ましくは１〜３０重量部とすることが好ましい。【０１０５】
上記非粘着フィルム４は、フィラー粒子を含有することが好ましい。フィラー粒子を含むことにより、切削性が高められ、粘接着層３や半導体チップへの切欠屑の付着を抑制することができる。【０１０６】
上記フィラー粒子の平均粒径は、好ましくは０．１〜１０μｍ、より好ましくは０．１〜５μｍである。平均粒径が大きすぎると、非粘着フィルム４の面内厚みがばらつくことがあり、小さすぎると、ダイシング切削時の切削性が十分に高められないことがある。【０１０７】
上記フィラー粒子としては特に限定されず、シリカ、アルミナ等を用いることができる。【０１０８】
中でも、合成された球状のシリカフィラーが好ましい。そのようなフィラーの市販品としては例えば、ＳＣ１０５０ＭＪＤ、ＳＣ２０５０ＭＢ、ＳＣ４０５０ＭＮＡ、ＳＣ４０５０ＭＮＢ、ＳＣ４０５０ＳＥＪ（すべてアドマテックス社製）等が挙げられる。【０１０９】
上記フィラー粒子の配合割合は、非粘着フィルム４を構成する材料（フィラー粒子を除く）の合計１００重量部に対して、０．１〜１５０重量部が好ましい。フィラー粒子が多すぎると、非粘着フィルム４自体がエクスパンド時に破断してしまうことがあり、少なすぎると、切削性が十分に高められないことがある。【０１１０】
また更に、上記非粘着フィルムは、紫外線吸収材を含有してもよい。紫外線吸収材を含有することにより、レーザーダイシングにも好適に使用できるものとなる。【０１１１】
上記非粘着フィルム４は、前述したように、第１，第２の層４Ａ，４Ｂを有する２層構造を有していてもよい。その場合には、第１の層４Ａと第２の層４Ｂを異ならせることにより、非粘着フィルムの物性を容易に調整することができる。【０１１２】
好ましくは、非粘着フィルム４において第１の層４Ａを、ダイボンディングフィルム側に配置する場合、第１の層４Ａは、好ましくは、２３℃における弾性率が１〜１０００ＭＰａの範囲とされる。すなわち、弾性率が１０００ＭＰａ以下の低弾性率層により第１の層４Ａを形成した場合、ダイシング部の半導体チップのピックアップ作業性を高めることができる。弾性率が１ＭＰａ未満の場合には、ダイシング後に半導体チップをダイボンディングフィルムごとピックアップする際に、ピックアップ不良が生じることがある。逆に、１０００ＭＰａを越えると、前述した半導体チップの横飛びが生じやすくなることがある。より好ましくは、低弾性率層である第１の層４Ａの２３℃における弾性率は５００ＭＰａ以下とされる。【０１１３】
上記のような低弾性率層である第１の層４Ａは、前述した非粘着フィルムを構成する様々な材料により適宜形成されるが、好ましくは、架橋構造を有するものが望ましい。架橋構造を有する場合には、ダイボンディングフィルムを低弾性率の第１の層４Ａから容易に剥離することができる。従って、好ましくは、上記架橋構造を有する場合、架橋密度が高いことが望ましく、架橋密度が９０％以上であることが望ましい。架橋密度が９０％未満の場合には、ダイボンディングフィルムと低弾性率の第１の層４Ａとの界面において、ゾル分などの移動が発生し、界面が消滅し、ピックアップ性が低下するおそれがある。【０１１４】
また、上記低弾性率の第１の層４Ａを構成する材料については、特に限定されず、前述した非粘着フィルム４を構成する様々な合成樹脂フィルムを適宜用いることができる。このような合成樹脂としては、前述したポリオレフィン、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂などを挙げることができる。【０１１５】
なかでも、半導体チップの横飛びをより一層効果的に抑制でき、ピックアップ性をより一層高め得るので、前述した（メタ）アクリル酸エステルポリマーを主成分とするアクリル系樹脂や、シリコーン樹脂などが好ましく用いられる。特に、光硬化性のアクリル樹脂系組成物や光硬化性のシリコーン樹脂系組成物を用いた場合、製造工程を簡略化することができ、望ましい。【０１１６】
第１の層４Ａを構成する材料として、光硬化性樹脂を用いる場合には、基材層５上に光硬化性樹脂を含む材料を塗布し、該樹脂を架橋させることにより、基材層５上に第１の層４Ａを容易に形成することができる。また、光硬化性樹脂を架橋させて第１の層４Ａを形成することで、熱により第１の層４Ａの歪みが生じるのを抑制することができる。【０１１７】
上記第１の層４Ａの厚みは、０．１〜３０μｍの範囲にあることが好ましい。厚みが０．１μｍ未満であると、はくり性が充分ではないことがあり、厚みが３０μｍを超えると、均一な厚みの低弾性率層を作製することが困難なことがある。厚みにばらつきがあると、半導体チップを製造する際にダイシングを適切に行えないことがある。【０１１８】
上記第１の層４Ａ及び第２の層４Ｂを有する非粘着フィルム４の場合、第２の層４Ｂは、前述した非粘着フィルムを構成する適宜の合成樹脂材料により形成され得る。【０１１９】
また、第１の層４Ａをダイボンディングフィルム側に配置する場合、ダイボンディングフィルムとの密着性を高めるために、第１の層４Ａは、ＥＶＡなどの微粘着性を有する厚み１０μｍ以下の薄い粘着剤層により形成されていてもよい。もっとも、この粘着剤層は、指で触ったときにくっつかない程度の微粘着性を有するものである。この微粘着性を有する粘着剤層は、光の照射によりダイボンディングフィルムとの間の剥離力が変化しないものであることが望ましい。【０１２０】
また、上記非粘着フィルム４がポリオレフィン系フィルムからなる場合、好ましくは、ダイボンディングフィルム３が貼付される側の音の表面粗さが、ＪＩＳ  Ｂ０６０１−１９９４に準じて測定された表面粗さが０．１５μｍより大きいことが望ましく、０．２μｍ以上であることがより好ましい。【０１２１】
上記表面粗さは、例えばキーエンス社製高精度形状測定システムＫＳ−１１００等を用いて測定することができる。【０１２２】
表面粗さが０．１５μｍより大きいと、ダイボンディングフィルム３と非粘着フィルム４との界面で、ダイボンディングフィルム３を非粘着フィルム４から容易に剥離することができ、ピックアップ性に優れた物となる。これは、凹凸が剥離基点のように作用することによると推測される。また、半導体ウェーハをダイシングする際に半導体チップの横飛びを防止することができ、半導体チップを取り出す際に、半導体チップの破損を防ぐことができる。さらに、光照射等して剥離力を変化させることなく、ダイボンディングフィルム３を非粘着フィルム４から容易に剥離することができる。ダイボンディングフィルム３を非粘着フィルム４から容易に剥離することができるため、非粘着フィルムとの界面にダイボンディングフィルム３の一部が残存してしまうという問題が防止でき、半導体チップを製造した場合に、信頼性に優れた物となる。【０１２３】
半導体ウェーハをダイシングする際に半導体チップの横飛びをより一層防止することができるので、ＪＩＳ  Ｂ０６０１−１９９４に準じて測定された非粘着フィルム４の表面の表面粗さは、０．４μｍ以下であることが好ましい。【０１２４】
非粘着フィルム４の表面の表面粗さを０．１５μｍより大きくする方法としては、特に限定されないが、インフレーション法やＴダイ法により上記表面粗さを達成できるような条件下にて非粘着フィルムを作製する方法、微粒子を非粘着フィルム中に含有させる方法、微細エンボス加工により非粘着フィルムの表面に凹凸を形成する方法等が挙げられる。【０１２５】
上記インフレーション法やＴダイ法により非粘着フィルムを作製する方法では、成膜条件を制御することにより、非粘着フィルム４の表面に表面粗さを付与することができる。【０１２６】
また、上記非粘着フィルム４の破断点での伸度は１０〜１００％の範囲内または５８０〜１２００％の範囲内とされることが望ましい。この場合、非粘着フィルム４がポリオレフィン系フィルムからなる場合には、押出成形により得られるため、ＭＤ方向における破断点の伸度が上記特定の範囲内とされることが望ましい。【０１２７】
非粘着フィルム４の破断点の伸度が１０〜１００％の範囲内または５８０〜１２００％の範囲内にある場合には、切削性が高められる。すなわち、半導体ウェーハを個々の半導体チップにダイシングし、ダイボンディングフィルムごとピックアップするに際し、非粘着フィルム４の一部にもダイシングが及ぶが、その際の切削性が優れているので、ヒゲ状の切削屑が生じ難い。従って、半導体チップを無理なくピックアップすることができるとともに、確実に基板等に正しい向きに実装することができる。さらに、ダイボンディングフィルムや半導体チップへのヒゲ状の切削屑の付着を確実に抑制することができ、半導体チップの信頼性を高めることも可能である。【０１２８】
上記破断点での伸度は１０％未満の際には、製造時のハンドリング性に問題を抱えることがあり、かつ切削性は十分でないことがあり、１００％を越え、５８０％未満の場合にも、同様に切削したくずがストリートから十分排出されないことがある。逆に、上記破断点の伸度が１２００％を越えると、非粘着フィルムの柔軟性が高くなりすぎ、同様に切削性が低下することがある。より好ましくは、
破断点の伸度は１０〜５０％での範囲内、または５８０〜１０５０％の範囲内とされる。【０１２９】
非粘着フィルム４を構成する長尺状のフィルムの製造方法としては、特に限定されず、使用する材料に応じて適宜の方法が選ばれる。長尺状のフィルムは、例えばインフレーション法、Ｔダイ法によって製造することができる。非粘着フィルム４を押出成形法により成膜する場合には、フィルムの長さ方向がＭＤ方向であり、フィルムの幅方向がＴＤ方向である。【０１３０】
また、上記非粘着フィルム４の半導体チップのピックアップ時の温度における貯蔵弾性率は１ＭＰａ〜４００ＭＰａの範囲内かつ破断伸度が５〜１００％の範囲であることが望ましい。貯蔵弾性率が１ＭＰａ未満では、非粘着フィルムが軟らかくなりすぎ、非粘着フィルム４自体の取り扱い性が低下することがあり、４００ＭＰａを越えると剥離起点が生じ難くなり、半導体チップのピックアップを良好に行い得ないことがある。上記破断伸度が５％未満の場合には、非粘着フィルム４の取り扱い性が低くなることがあり、１００％を越えると、ダイシングに際し、前述したヒゲが発生しがちとなることがある。【０１３１】
本明細書において貯蔵弾性率とは、厚さ０．５ｍｍ及び幅５ｍｍの非粘着フィルムを３ｃｍの幅に切り出し、アイティ計測社製ＤＶＡ−２００にて１０Ｈｚ及び歪み０．１％で測定した場合の２３℃における貯蔵弾性率の値を意味するものとする。【０１３２】
本明細書においてピックアップ時の温度とは、半導体チップをピックアップする工程において、ダイシング後の半導体チップを他方から突き上げピンを用いて突き上げる際の半導体チップの実際の温度を熱電対で測定した値である。【０１３３】
また、上記非粘着フィルム４のダイボンディングフィルムが貼付される側の面の表面エネルギーは、好ましくは、４０Ｎ／ｍ以下とされる。表面エネルギーが４０Ｎ／ｍ以下とされる。それによって、ダイボンディングフィルムから非粘着フィルム４をより一層容易に剥離することができる。【０１３４】
さらに、剥離の際に、ダイボンディングフィルム３の一部が欠けて、非粘着フィルム４に付着し、残存することなく、ダイボンディングフィルム３を非粘着フィルム４から容易に剥離することができる。よって、ダイボンディングフィルム３によるダイボンディングをより一層確実に行うことが可能な半導体チップを得ることができる。【０１３５】
上記非粘着フィルム４の表面の表面エネルギーは、好ましくは３０〜３５Ｎ／ｍの範囲である。表面エネルギーが高すぎると、ピックアップ時に剥離不良が生じることがあり、低すぎると、ダイシング時の水圧によってチップ飛びが発生することがある。【０１３６】
上記非粘着フィルム４の表面の表面エネルギーは、例えば濡れ試薬を用いてＪＩＳＫ６７９８に準拠して測定することができる。【０１３７】
上記非粘着フィルム４は光硬化性樹脂もしくは熱硬化性樹脂を含む材料を用いて形成されていてもよい。【０１３８】
上記非粘着フィルム４を形成するのに光硬化性樹脂もしくは熱硬化性樹脂を用いる場合には、光反応開始剤や熱反応開始剤を用いて、光や熱により硬化させることが必要である。光反応開始剤としては特に限定されず、例えば、光ラジカル発生剤や光カチオン発生剤等を用いることができる。また、熱反応開始剤としては、熱ラジカル発生剤などが挙げられる。【０１３９】
上記光ラジカル発生剤としては特に限定されないが、市販されているものとしては、例えば、イルガキュア１８４、イルガキュア２９５９、イルガキュア９０７、イルガキュア８１９、イルガキュア６５１、イルガキュア３６９、イルガキュア３7９（以上、いずれもチバ・スペシャリティーケミカルズ社製）、ベンソインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ルシリンＴＰＯ（ＢＡＳＦ  Ｊａｐａｎ社製）等が挙げられる。熱ラジカル発生剤としてはクメンハイドロパーオキサイド、ジイソプロピルベンゼンパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド、ラウリルパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド、ｔ−ブチルパーオキシイソプロピルカーボネート、ｔ−ブチルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート、ｔ−アミルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート等の有機過酸化物；２，２´−アゾビス（イソブチロニトリル）、１，１´−アゾビス（シクロヘキサンカルボニトリル）、２，２´−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）、ジメチル２，２´−アゾビス（２−メチルプロピオネート）等のアゾ化合物等が挙げられる。【０１４０】
上記カチオン発生剤として、芳香族ジアゾニウム塩、芳香族ハロニウム塩、芳香族スルホニウム塩等のオニウム塩類；鉄−アレン錯体、チタノセン錯体、アリールシラノール−アルミニウム錯体等の有機金属錯体類を用いることができる。【０１４１】
上記光硬化性もしくは熱硬化性樹脂を含む材料を用いた場合の非粘着フィルム４の形成方法は特に限定されず、非粘着フィルム４を形成するための材料を離型フィルム上に塗布し、光照射及び／又は加熱を行い、該材料を硬化させることにより離型フィルム上に非粘着フィルム４を形成した後、離型フィルムを剥離する方法が挙げられる。【０１４２】
上記非粘着フィルム４の厚みは特に限定されないが、３０〜１００μｍが好ましい。厚みが３０μｍ未満であると、充分なエキスパンド性が得られないことがあり、厚みが１００μｍを超えると、均一な厚みとすることが困難なことがある。厚みにばらつきがあると、ダイシングを適切に行い得ないことがある。【０１４３】
非粘着フィルムがダイボンディングフィルムに貼付される非粘着フィルムとして用いられる場合には、例えば光照射等により剥離力が低下するように、非粘着フィルムを構成する必要がない。従って、光照射等により剥離力を低下させる余計な作業を行わずに、半導体チップを製造することができる。【０１４４】
なお、光照射とは、自然光下に非粘着フィルムが晒される場合を含まず、紫外線などを非粘着フィルムに意図的に照射することをいう。【０１４５】
上記ダイシンフィルム５は、上述のように基材５ａと基材５ａの片面に粘着剤が塗布されて形成された粘着剤層５ｂとを有する。【０１４６】
上記基材５ａとしては、特に限定されないが、ポリエチレンテレフタレートフィルム等のポリエステル系フィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリビニルアセテートフィルム等のポリオレフィン系フィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリイミドフィルムなどのプラスチックフィルム等が挙げられる。なかでも、エキスパンド性に優れ、環境負荷が小さいため、ポリオレフィン系フィルムが好適に用いられる。【０１４７】
上記粘着剤層５ｂは、非粘着フィルムとダイシングフィルムとの剥離強度がダイボンディングフィルムと非粘着フィルムとの剥離強度よりも大きくなるように構成されれば特に限定されず、アクリル系、特殊合成ゴム系、合成樹脂系、ゴム系などの粘着剤を用いて構成される。なかでも、感圧タイプとしてアクリル系の粘着剤が再剥離性、コスト面に優れているため好適に用いられる。【０１４８】
非粘着フィルムがダイシングフィルムではなく、ダイボンディングフィルムに貼付される非粘着フィルムである場合には、非粘着フィルムとダイシングフィルムとの剥離強度は、ダイボンディングフィルムと非粘着フィルムとの剥離強度よりも大きく、１Ｎ／ｍ〜６Ｎ／ｍの範囲にあることが必要である。【０１４９】
図２に、本発明の他の実施形態に係るダイシング・ダイボンディングテープを部分切欠正面断面図で示す。【０１５０】
図２に示すダイシング・ダイボンディングテープ１１では、上述した離型フィルム２、ダイボンディングフィルム３及び本発明の非粘着フィルムとしてのダイシングフィルム５がこの順で積層されている。すなわち、ダイシング・ダイボンディングテープ１１は、非粘着フィルム４が設けられていないこと以外はダイシング・ダイボンディングテープ１と同様に構成されている。ダイシング・ダイボンディングテープ１１では、ダイシングフィルム５が本発明における非粘着フィルムである。【０１５１】
ダイシング・ダイボンディングテープ１１では、ダイボンディングフィルム３と非粘着フィルムからなるダイシングフィルム５との剥離強度が６Ｎ／ｍ以下とされ、かつダイボンディングフィルム３と非粘着フィルムとしてのダイシングフィルム５とのシェア強度が０．３Ｎ／ｍｍ２以上とされる。【０１５２】
このように、剥離強度及びシェア強度が上記特定の範囲にあれば、ダイシングフィルムを本発明における非粘着フィルムとしてもよい。すなわち、ダイボンディングフィルムの一方の面に、非粘着フィルムからなるダイシングフィルムが貼付されていてもよい。非粘着フィルムがダイシングフィルムである場合には、ダイボンディングフィルムとダイシングフィルムとの界面で、ダイボンディングフィルムをダイシングフィルムから剥離することができ、半導体チップをより一層容易に取り出すことができる。【０１５３】
ダイボンディングフィルムに貼付される上記非粘着フィルムからなるダイシングフィルムが用いられる場合には、例えば光照射等により剥離力が低下するように、ダイシングフィルムを構成する必要がない。従って、光照射等により剥離力を低下させる余計な作業を行わずに、半導体チップを製造することができる。【０１５４】
図３に、本発明の別の実施形態に係るダイシング・ダイボンディングテープを部分切欠正面断面図で示す。【０１５５】
図３に示すダイシング・ダイボンディングテープ１５では、上述した離型フィルム２、ダイボンディングフィルム３、非粘着フィルム４及びダイシングフィルム１６がこの順で積層されている。すなわち、ダイシング・ダイボンディングテープ１５は、ダイシングフィルムの構成が異なること以外はダイシング・ダイボンディングテープ１と同様に構成されている。ダイシング・ダイボンディングテープ１５では、上述したダイシングフィルム５と異なり、粘着剤層が設けられていないダイシングフィルム１６が用いられている。【０１５６】
ダイシングフィルムは、粘着剤層を有していなくてもよい。粘着剤層を有していない場合には、ダイシングフィルムが、例えば粘着力を有する材料により構成される。【０１５７】
次に、上述したダイシング・ダイボンディングテープ１を用いた場合の半導体チップの製造方法を図４〜図１０を用いて以下説明する。【０１５８】
先ず上述したダイシング・ダイボンディングテープ１と、半導体ウェーハ２１とを用意する。【０１５９】
図４に、半導体ウェーハ２１を平面図で示す。半導体ウェーハ２１は、円形の平面形状を有する。半導体ウェーハ２１の表面２１ａには、図示しないが、ストリートによってマトリックス状に区画された各領域に、個々の半導体チップを構成するための回路が形成されている。半導体ウェーハ２１では、裏面２１ｂが研磨されて所定の厚みとされている。【０１６０】
半導体ウェーハ２１の厚みは、好ましくは３０μｍ以上である。半導体ウェーハ２１の厚みが３０μｍよりも薄いと、研削時やハンドリング時に、クラック等が発生し、破損することがある。【０１６１】
なお、後述するダイシング時に、マトリックス状に区画された各領域ごとに半導体ウェーハ２１が分割される。【０１６２】
図５に示すように、用意した半導体ウェーハ２１を、裏返しされた状態でステージ２２上に載置する。すなわち、半導体ウェーハ２１の表面２１ａがステージ２２に接するように、半導体ウェーハ２１をステージ２２上に載置する。ステージ２２上には、半導体ウェーハ２１の外周側面２１ｃから一定間隔を隔てられて、円環状のダイシングリング２３が設けられている。ダイシングリング２３の高さは、半導体ウェーハ２１と、ダイボンディングフィルム３と、非粘着フィルム４との合計厚みと等しいか、もしくはわずかに低くされている。【０１６３】
次に、ダイシング・ダイボンディングテープ１のダイボンディングフィルム３の面３ａに半導体ウェーハ２１を接合する。図６に、ダイボンディングフィルム３に半導体ウェーハ２１を接合するときの状態を正面断面図で示す。【０１６４】
ダイシング・ダイボンディングテープ１では、ダイシングフィルム５は、ダイボンディングフィルム３及び非粘着フィルム４の外周縁よりも超えるように延ばされている延長部５ｃを有する。図６に示すように、ダイシング・ダイボンディングテープ１の離型フィルム２を剥離しながら、露出したダイシングフィルム５の延長部５ｃの粘着剤層５ｂを、ダイシングリング２３上に貼付する。さらに、露出したダイボンディングフィルム３を、半導体ウェーハ２１の裏面２１ｂに接合する。【０１６５】
図７に、ダイボンディングフィルム３に半導体ウェーハ２１を接合した状態を正面断面図で示す。【０１６６】
半導体ウェーハ２１の裏面２１ｂ全体に、ダイボンディングフィルム３が接合されている。半導体ウェーハ２１に余計な力が加わらないように、ダイシングフィルム５の延長部５ｃは、ダイシングリング２３に支持されている。【０１６７】
次に、図８に正面断面図で示すように、ステージ２２からダイボンディングフィルム３が接合された半導体ウェーハ２１を取り出し、裏返しにする。このとき、ダイシングリング２３がダイシングフィルム５に貼付された状態で取り出される。表面２１ａが上方になるように、取り出された半導体ウェーハ２１を別のステージ２４上に載置する。【０１６８】
次に、ダイボンディングフィルム３が接合された半導体ウェーハ２１をダイシングし、個々の半導体チップに分割する。【０１６９】
ダイボンディングフィルム３が接合された半導体ウェーハ２１をダイシングし、個々の半導体チップ３１に分割する工程を、図９（ａ）〜（ｄ）を用いて説明する。【０１７０】
図９（ａ）〜（ｄ）に、個々の半導体チップ３１に分割する工程を段階的に部分切欠正面断面図で示す。【０１７１】
図９（ａ）〜（ｄ）に示すように、ダイシングによる半導体ウェーハ２１の破損を防ぐために、ダイシングは二段階（ステップカット）で行われている。図９（ａ)、（ｂ）にはダイシングの一段階目が示されており、図９（ｃ）、（ｄ）にはダイシングの二段階目が示されている。なお、ダイシング時における半導体ウェーハ２１の破損を防止できれば、ダイシングは一段階で行われてもよい。【０１７２】
図９（ａ）に示すように、先ず半導体ウェーハ２１の表面２１ａから、例えば半導体ウェーハ２１の裏面２１ｂに至らない位置まで、ダイシング装置の第１の切断刃４１を挿入する。挿入した後、第１の切断刃４１を抜去することで、図９（ｂ）に示すように、第１の切断部分４２が形成される。【０１７３】
次に、図９（ｃ）に示すように、ダイシング装置の第１の切断刃４１よりも薄い第２の切断刃４３を、第１の切断部分４２の中央に挿入する。第２の切断刃４３は、第１の切断部分４２よりもさらに深く挿入される。第２の切断刃４３は、ダイボンディングフィルム３を貫通すれば特に限定されないが、非粘着フィルム４を貫通しない位置、例えば非粘着フィルム４の厚みの半分以下の位置まで挿入される。【０１７４】
挿入後、第２の切断刃４３を抜去することで、図９（ｄ）に示すように、第１の切断部分４２よりさらに深い位置に、第１の切断部分４２よりも切断幅が狭い第２の切断部分４４が形成される。【０１７５】
半導体ウェーハのダイシング方法としては、特に限定されず、例えば一枚刃でカットするシングルカット、上述した二枚刃でカットするステップカット、さらに２枚の刃でカットを行い半導体ウェーハの表面については断面がＶ字形状の刃を使用するベベルカットなどが挙げられる。なかでも、切断時に半導体ウェーハの破損が生じ難いため、ステップカットが好適に行われる。【０１７６】
さらに、半導体ウェーハのダイシング方法としては、レーザーを照射する方法を用いてもよい。レーザー光の照射により半導体ウェーハをダイボンディングフィルムごと切断する場合、レーザー光は非粘着フィルム４に至るように照射される。紫外線硬化型あるいは放射線硬化型の従来のダイシングフィルム等を用いた場合には、レーザー光の照射によりダイシングを行った場合、ダイシングフィルムがレーザー光のエネルギーにより反応し、ダイボンディングフィルムに溶着するという問題があった。溶着が生じると、半導体チップをダイシングフィルムからピックアップすることができなくなる。【０１７７】
これに対して、本実施形態では、非粘着フィルム４がレーザー光の照射により反応し難いため、ダイボンディングフィルムへの非粘着フィルム４への溶着は生じ難い。従って、レーザー光を用いたダイシングを行った場合においても、半導体チップのピックアップを不利なく行うことができる。【０１７８】
半導体ウェーハをダイシングし、個々の半導体チップに分割した後、ダイシングフィルムを引き延ばして分割された個々の半導体チップ間の間隔を拡張する。しかる後、半導体チップが接合されたダイボンディングフィルム３を非粘着フィルム４から剥離し、図１０に示す半導体チップ３１を取り出す。【０１７９】
なお、半導体チップが接合されたダイボンディングフィルムを非粘着フィルムから剥離する方法としては、半導体ウェーハの裏面側から、多ピンを用いて突き上げる方法や多段ピンを用いて突き上げる方法、半導体ウェーハの表面側から真空ピールする方法、または超音波振動を利用する方法等が挙げられる。【０１８０】
半導体チップの破損をより一層防止することができるので、半導体ウェーハとダイボンディングフィルムとの接合面に対して略直交する方向に作用する力を付与することにより、半導体チップが接合されたダイボンディングフィルムを非粘着フィルムから剥離することが好ましい。【０１８１】
以下に実施例を掲げて本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されるものではない。【０１８２】
（参考例１）
Ｇ−２０５０Ｍ（日本油脂社製、エポキシ含有アクリルポリマー、重量平均分子量Ｍｗ２０万）１５重量部と、ＥＸＡ−７２００ＨＨ（大日本インキ社製、ジシクロペンタジエン型エポキシ）７０重量部と、ＨＰ−４０３２Ｄ（大日本インキ社製、ナフタレン型エポキシ）１５重量部と、ＹＨ−３０９（ジャパンエポキシレジン社製、酸無水物系硬化剤）３８重量部と、２ＭＡＯＫ−ＰＷ（四国化成社製、イミダゾール）８重量部と、Ｓ３２０（チッソ社製、アミノシラン）２重量部と、ＭＴ−１０（トクヤマ社製、表面疎水化ヒュームドシリカ）４重量部とを配合し、該配合物を溶剤としてのメチルエチルケトン（ＭＥＫ）に固形分６０％となるように添加攪拌し、塗液を得た。これを離型フィルム上に厚み４０μｍになるように塗布し、１１０℃で３分間オーブン中で加熱乾燥し、離型フィルム上にダイボンディングフィルムを形成した。
【０１８３】
ダイボンディングフィルムの離型フィルム側の面とは反対側の面に、非粘着フィルムとしての６２２１ＦＣ（積水化学社製ポリエチレン基材の片面に厚み数μｍのＥＶＡ層が形成されている、全厚み５０μｍ）を６０℃で６２２１ＦＣのＥＶＡ層が積層されている側からラミネートし、ラミネート体を得た。ラミネート体を円形に切り抜いた後、非粘着フィルムのダイボンディングフィルム側の面とは反対側の面にダイシングフィルムとしてのＰＥテープ＃６３１８−Ｂ（積水化学社製粘着フィルム、厚み７０μｍのポリエチレン基材の片面に厚み１０μｍのゴム系粘着剤層が形成されている。）を粘着剤層側から貼付し、ダイボンディングフィルムよりも大きな円形にダイシングフィルムを切り抜いた。このようにして、離型フィルム／ダイボンディングフィルム／非粘着フィルム／ダイシングフィルムがこの順で積層された４層のダイシング・ダイボンディングテープを作製した。【０１８４】
（参考例２）
非粘着フィルムとして、ＬＤＰＥフィルム（三井化学社製ミラソンＭ１２のＴダイ押し出しにより得られたＬＤＰＥフィルム、押し出し温度２００℃、厚み５０μｍに成膜）を用いたこと以外は参考例１と同様にして、４層のダイシング・ダイボンディングテープを作製した。
【０１８５】
（参考例３）
非粘着フィルムとして、ＨＤＰＥフィルム（プライムポリマー社製ハイゼックス３３００ＦのＴダイ押し出しにより得られたＨＤＰＥフィルム、押し出し温度２００℃、厚み５０μｍに成膜）を用いたこと以外は参考例１と同様にして、４層のダイシング・ダイボンディングテープを作製した。
【０１８６】
（比較例１）
非粘着フィルムとして、ＧＦ−８（タマポリ社製、ポリオレフィンからなるフィルム、厚み５０μｍ）を用いたこと以外は参考例１と同様にして、４層のダイシング・ダイボンディングテープを作製した。
【０１８７】
（比較例２）
非粘着フィルムとして、ＧＦ−８（タマポリ社製、厚み５０μｍ）を２００μｍピッチの金型に押し当ててエンボス加工したフィルムを用いたこと以外は参考例１と同様にして、４層のダイシング・ダイボンディングテープを作製した。
【０１８８】
（比較例３）
非粘着フィルムとして、６２２１ＦＣ（積水化学社製、厚み５０μｍ）に代えて、ＵＶ硬化型テープであるリンテック社製フィルム：商品名リンテックＤ６７５に２０００ｍＪの紫外線を照射し、糊層を架橋させて作製したフィルムを用いたこと以外は参考例１と同様にして、４層のダイシング・ダイボンディングテープを作製した。
【０１８９】
（ダイシング・ダイボンディングテープの評価）
（１）剥離強度の測定
ダイボンディングフィルムの一方の面に非粘着フィルムを６０℃でラミネートした。次に、ダイボンディングフィルムの非粘着フィルムが貼付された面とは反対側の面をステンレス板に貼り付けて、充分にダイボンディングフィルムとステンレス板とを接着し、試験体を得た。その後、非粘着フィルムとダイボンディングフィルムとの界面で剥がれるように試験体を固定した状態で、非粘着フィルムを３００ｍｍ／分の速度で上記界面に対して１８０度方向にダイボンディングフィルムから剥離した。このとき剥離に要した力を島津製作所製ＡＧＳ-１００Ｄを用いて、測定幅２５ｍｍで測定し、得られた値の平均値を剥離強度とした。【０１９０】
（２）シェア強度の測定
ダイボンディングフィルムの一方の面に、３ｍｍ角、厚み１００μｍのＳｉチップを接合し、チップ付きダイボンディングフィルムを作製した。このチップ付きダイボンディングフィルムのチップが接合された面とは反対側の面に非粘着フィルムを６０℃でラミネートした。次に、ポリプロピレン（ＰＰ）芯材を有する両面粘着テープを用いて、上記非粘着フィルムのダイボンディングフィルムに貼付された面とは反対側の面をガラスに強固に固定した。その後、デイジ社製ｓｅｒｉｅｓ４０００を用いてチップ付きダイボンディングフィルムに５０ｍｍ／分の速度で剪断力を加えて、チップ付をボンディングフィルムが非粘着フィルムから外されたときの剪断力を求めた。【０１９１】
（３）半導体チップの製造時の評価
実施例、参考例及び比較例の各ダイシング・ダイボンディングテープの離型フィルムを剥離し、露出したダイボンディングフィルムを直径８ｉｎｃｈのシリコンウェーハ（厚み８０μｍ）の一方の面に６０℃の温度でラミネートし、評価サンプルを作製した。
【０１９２】
ダイシング装置ＤＦＤ６５１（ディスコ社製）を用いて、送り速度５０ｍｍ／秒で、評価サンプルを１０ｍｍ×１０ｍｍのチップサイズにダイシングし、ダイシング時のチップの飛びの有無について観察を行った。【０１９３】
ダイシング後に、ダイボンダーｂｅｓｔｅｍ  Ｄ−０２（キャノンマシーナリー社製）を用いて、コレットサイズ８ｍｍ角、突き上げ速度５ｍｍ／秒およびボンディング温度１００℃の条件で、分割された半導体チップの連続ピックアップを行い、ピックアップの可否について評価した。【０１９４】
結果を下記表１に示す。【０１９５】
【表１】
0005286084.tif 000002
【０１９６】
（参考例４）
Ｇ−２０５０Ｍ（日本油脂社製、エポキシ含有アクリルポリマー、重量平均分子量Ｍｗ２０万）１５重量部と、ＥＸＡ−７２００ＨＨ（大日本インキ社製、ジシクロペンタジエン型エポキシ）７０重量部と、ＨＰ−４０３２Ｄ（大日本インキ社製、ナフタレン型エポキシ）１５重量部と、ＹＨ−３０９（ジャパンエポキシレジン社製、酸無水物系硬化剤）３８重量部と、２ＭＡＯＫ−ＰＷ（四国化成社製、イミダゾール）８重量部と、Ｓ３２０（チッソ社製、アミノシラン）２重量部と、ＭＴ−１０（トクヤマ社製、表面疎水化ヒュームドシリカ）４重量部とを配合し、該配合物を溶剤としてのメチルエチルケトン（ＭＥＫ）に固形分６０％となるように添加攪拌し、塗液を得た。これを離型フィルム上に厚み４０μｍになるように塗布し、１１０℃で３分間オーブン中で加熱乾燥し、離型フィルム上にダイボンディングフィルムを形成した。
【０１９７】
次に、非粘着フィルムとしてＬＬＤＰＥ１（製造方法：インフレーション法、分子量８００００のＬＬＤＰＥ使用、ＬＬＤＰＥフィルム、厚み５０μｍ）を用意した。このＬＬＤＰＥ１を用いて、ダイボンディングフィルムの離型フィルムが貼付された面とは反対側の面に、ＬＬＤＰＥ１を貼付した。【０１９８】
これを円形に切り抜いた後、ＬＬＤＰＥ１のダイボンディングフィルムが貼付された面とは反対側の面にダイシングフィルムとしてのＰＥテープ＃６３１８−Ｂ（積水化学社製、厚み７０μｍ、ポリエチレン基材の片面に厚み１０μｍ、ゴム系粘着剤層を有する）を粘着剤層側から貼付し、ダイボンディングフィルムよりも大きな円形にダイシングフィルムを切り抜いた。このようにして、離型フィルム／ダイボンディングフィルム／ＬＬＤＰＥ１（非粘着フィルム）／ダイシングフィルムがこの順で積層された４層のダイシング・ダイボンディングテープを作製した。【０１９９】
（参考例５）
非粘着フィルムとしてＬＬＤＰＥ２（製造方法：Ｔダイ法、分子量８００００のＬＬＤＰＥ使用、ＬＬＤＰＥフィルム、厚み５０μｍ）を用意した。非粘着フィルムとしてＬＬＤＰＥ１に代えてＬＬＤＰＥ２を用いたこと以外は、参考例４と同様にして４層のダイシング・ダイボンディングテープを作製した。
【０２００】
（参考例６）
非粘着フィルムとしてＰＰ（製造方法：Ｔダイ法、プライムポリマー社製、原料Ｊ７１５Ｍを使用、ポリプロピレンフィルム、厚み５０μｍ）を用意した。非粘着フィルムとしてＬＬＤＰＥ１に代えて上記ＰＰを用いたこと以外は、参考例４と同様にして４層のダイシング・ダイボンディングテープを作製した。
【０２０１】
（参考例７）
非粘着フィルムとしてＨＤＰＥフィルム（製造方法：Ｔダイ法、プライムポリマー社製、原料３３００Ｆを使用、ＨＤＰＥフィルム、厚み５０μｍ）を用意した。非粘着フィルムとしてＬＬＤＰＥ１に代えて上記ＨＤＰＥフィルムを用いたこと以外は、参考例４と同様にして４層のダイシング・ダイボンディングテープを作製した。
【０２０２】
（参考例（参考例番号なし））
非粘着フィルムとしてＰＢＴフィルム（製造方法：Ｔダイ法、積水化学社製ＯＴフィルム、ポリブチレンテレフタレートフィルム、厚み５０μｍ）を用意した。非粘着フィルムとしてＬＬＤＰＥ１に代えてＰＢＴフィルムを用いたこと以外は、参考例４と同様にして４層のダイシング・ダイボンディングテープを作製した。
【０２０３】
（参考例４〜８の評価）
（１）非粘着フィルムの評価
ＪＩＳ  Ｋ７１２７に準拠して、オリエンテック社製ＲＴＣ−１３１０Ａを用いて、引張速度３００ｍｍ／分の条件で、非粘着フィルムのＭＤ方向及びＴＤ方向における破断点での伸度、及びＭＤ方向及びＴＤ方向における破断点での応力を測定した。
【０２０４】
さらに、ＪＩＳ  Ｋ７１２７に準拠して、オリエンテック社製ＲＴＣ−１３１０Ａを用いて、非粘着フィルムのＭＤ方向及びＴＤ方向における室温（２３℃）での弾性率を測定した。【０２０５】
（２）半導体チップ製造時の切削性の評価
参考例１〜３の評価と同様にして半導体チップ製造時の切削性の評価を行った。もっとも、ピックアップ時の切削性については、下記評価基準で評価した。
【０２０６】
〔切削性の評価基準〕
○：ピックアップ時にひげ状の切削屑がほとんどみられなかった。または、ひげ状の切削屑が存在したとしてもピックアップに問題がない程度であった。
△：ひげ状の切削屑が生じることがあり、ピックアップ不良が生じることがあった。
×：多数のチップにおいてひげ状の切削屑が見られ、ピックアップ不良がかなりの割合で生じた。【０２０７】
結果を下記表２に示す。【０２０８】
【表２】
0005286084.tif 000003
【０２０９】
また、図１１に、参考例４及び参考例（参考例番号なし）で使用した非粘着フィルムについて、ＭＤ方向で破断点での伸度及び応力を測定した結果をプロットして示す。図１２に、参考例及び比較例で使用した非粘着フィルムについて、ＴＤ方向で破断点での伸度及び応力を測定した結果をプロットして示す。図１１、１２において、点線で囲まれた範囲は、伸度が５８０％以上、１２００％以下であり、かつ応力が１５ＭＰａ以上、６５ＭＰａ以下である範囲を示し、一点鎖線で囲まれた範囲は、伸度が５８０％以上、１０５０％以下であり、かつ応力が１５ＭＰａ以上、４６ＭＰａ以下である範囲を示す。
【０２１０】
（参考例９〜１１、実施例１２，１３、比較例４）
（１）粘接着層の形成
Ｇ−２０５０Ｍ（日本油脂社製、エポキシ含有アクリルポリマー、重量平均分子量Ｍｗ２０万）１５重量部と、ＥＸＡ−７２００ＨＨ（大日本インキ社製、ジシクロペンタジエン型エポキシ）８０重量部と、ＨＰ−４０３２Ｄ（大日本インキ社製、ナフタレン型エポキシ）５重量部と、ＹＨ−３０９（ジャパンエポキシレジン社製、酸無水物系硬化剤）３５重量部と、２ＭＡＯＫ−ＰＷ（四国化成社製、イミダゾール）８重量部と、Ｓ３２０（チッソ社製、アミノシラン）２重量部とを配合し、該配合物を溶剤としてのメチルエチルケトン（ＭＥＫ）に固形分６０％となるように添加し、攪拌し、塗液を得た。これを離型フィルムに塗布し、１１０℃で３分間オーブン中で加熱乾燥し、離型フィルム上に粘接着層（厚み４０μｍ）を形成した。
【０２１１】
（２）非粘着フィルムの形成
先ず、以下のアクリルポリマーを合成した。【０２１２】
（ポリマー１）
アクリル酸ブチル７９重量部、アクリル酸エチル１５重量部、アクリル酸１重量部、２−ヒドロキシエチルアクリレート５重量部、イルガキュア６５１（チバガイギ社製、５０％酢酸エチル溶液）０．２重量部、及びラウリルメルカプタン０．０１重量部を酢酸エチルに溶解させ、紫外線を照射して重合を行い、重量平均分子量７０万のアクリル共重合体（ポリマー１）を得た。【０２１３】
（ポリマー２）
イソボロニルアクリレート４０重量部、アクリル酸エチル５４重量部、アクリル酸１重量部、２−ヒドロキシエチルアクリレート５重量部、イルガキュア６５１（チバガイギ社製、５０％酢酸エチル溶液）０．２重量部、及びラウリルメルカプタン０．０１重量部を酢酸エチルに溶解させ、紫外線を照射して重合を行い、重量平均分子量７０万のアクリル共重合体（ポリマー２）を得た。【０２１４】
次に、下記表３に示す各成分を酢酸エチルに溶解し、離型ＰＥＴの上にアプリケーターを用いて塗工した。さらにこれを１１０℃のオーブン中で３分間加熱乾燥し、５０μｍ厚の非粘着フィルムＬ１〜Ｌ４を得た。【０２１５】
（３）ダイシングテープ層
ダイシングテープ層として以下のものを用意した。【０２１６】
ダイシングテープ１（下記表３中、ＤＣ１と記載する）
ＰＥテープ＃６３１８−Ｂ：積水化学社製、厚み７０μｍ、基材ポリエチレン、粘着剤ゴム系粘着剤１０μｍ
ダイシングテープ２（下記表３中、ＤＣ２と記載する）
ＡｄｗｉｌｌＤ６５０：リンテックス社製ＵＶ型ダイシングテープ
ダイシングテープ３（下記表３中、ＤＣ３と記載する）
エレグリップＵＨＰ−０８０５ＭＣ：電気化学工業社製、総厚み８５μｍ、粘着剤層５μｍ【０２１７】
（４）ダイシング・ダイボンディングテープの作製
得られた離型フィルム上の粘接着層の表面に、得られた非粘着フィルムＬ１〜Ｌ４のいずれかを６０℃でラミネートした。更に、非粘着フィルムの粘接着層が貼付された面とは反対側の表面に、ダイシングテープ１〜３（ＤＣ１〜３）のいずれかをダイシングテープ層として貼りつけた。貼り付けに際して、ダイシングテープ層が粘着剤層を有する場合には、粘着剤層側から貼り付けた。離型フィルム／粘接着層／非粘着フィルム／ダイシングテープ層がこの順で積層されたダイシング・ダイボンディングテープを作製した。【０２１８】
（比較例５）
参考例９〜１１、実施例１２，１３、比較例４で積層した非粘着フィルム及びダイシングテープ層に代えて、上記ダイシングテープ２を光硬化して非粘着状態にしたものを非粘着フィルム及びダイシングテープ層として、離型フィルム上の粘接着層の表面に貼り付けたこと以外は参考例９〜１１、実施例１２，１３及び比較例４と同様にして、離型フィルム／粘接着層／非粘着フィルム（ダイシングテープ層）がこの順で積層されたダイシング・ダイボンディングテープを作製した。
【０２１９】
（ダイシング・ダイボンディングテープの評価）
（１）表面エネルギーの測定
濡れ性試薬(ナカライテスク社製)を用いて、非粘着フィルムの粘接着層が貼付される面の表面エネルギーをＪＩＳＫ６７９８に準拠して測定した。【０２２０】
（２）半導体チップの製造時の評価
参考例１〜３の評価の場合と同様にして半導体チップの製造時の評価としてピックアップの可否を評価した。さらに、ピックアップ後に、ピックアップされた５個の半導体チップについて４辺ずつ、計２０辺について粘接着層の一部が欠けているか否かを評価した。５０μｍより大きい粘接着層の欠けのない辺の数を数えた。
【０２２１】
結果を下記表３に示す。【０２２２】
【表３】
0005286084.tif 000004
【０２２３】
（参考例１４、実施例１５〜１８、参考例１９、実施例２０及び比較例６〜７）
非粘着剤層４として、下記の表４に示すアクリル系ポリマー１〜５のいずれかのアクリル系ポリマーを主成分とするアクリル樹脂系組成物からなるフィルムを用意した。
【０２２４】
【表４】
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なお、上記アクリル樹脂系組成物を構成する材料として、以下の化合物を用意した。【０２２５】
光重合開始剤：イルガキュア６５１（チバ・ケミカルスペシャリティー社製）
フィラー
ＳＣ４０５０：アドマテックス社製、シリカフィラー、平均粒径：１ｕｍ
ＳＣ２０５０：アドマテックス社製、シリカフィラー、平均粒径：０．５ｕｍ
ＳＣ１０５０：アドマテックス社製、シリカフィラー、平均粒径：０．３ｕｍ【０２２６】
（オリゴマー）
Ｕ３２４Ａ：新中村化学工業社製、ウレタンアクリルオリゴマー（１０官能のウレタンアクリルオリゴマー）
ＵＡ３４０Ｐ：新中村化学工業社製、ウレタンアクリルオリゴマー（２官能）
ＵＮ７６００：根上工業社製、ウレタンアクリルオリゴマー（２官能）
ＵＮ７７００：根上工業社製、ウレタンアクリルオリゴマー（２官能）
ＥＢＥＣＲＹＬ１２：ダイセルサイテック社製、ポリプロピレングリコールトリアクリレート【０２２７】
（参考例１４）
上記アクリル系ポリマー１を１００重量部と、イルガキュア６５１を１重量部と、ウレタンアクリルオリゴマーとしてＵ３２４Ａを１５重量部とを配合してなるアクリル樹脂系組成物に１６０Ｗの水銀灯２灯の光を４０００ｍＪのエネルギーで照射し、硬化し、非粘着フィルム４を得た。このようにして得た非粘着フィルム４の半導体チップピックアップ時の温度としての２３℃の温度における貯蔵弾性率と、破断伸度を以下の方法で測定した。  
【０２２８】
１）貯蔵弾性率の測定：２３℃の温度で、厚さ０．５ｍｍ及び幅５ｍｍの完全に硬化した非粘着フィルム４を３ｃｍの幅に切り出し、アイティ計測社製ＤＶＡ−２００にて１０Ｈｚ及び歪み０．１％の条件で貯蔵弾性率を求めた。【０２２９】
２）破断伸度：厚さ０．５ｍｍ、幅５ｍｍ及び７ｃｍの完全に硬化した非粘着フィルム４を島津製作所製引張試験機ＡＧ-ＩＳを用い、３００ｍｍ／分で引っ張り、破断に至った際の伸度を破断伸度とした。【０２３０】
上記非粘着フィルム４を用い、以下の要領でダイシング・ダイボンディングテープを作製した。別途、Ｇ−２０５０Ｍ（日本油脂社製、エポキシ含有アクリルポリマー、重量平均分子量Ｍｗ２０万）１５重量部と、ＥＸＡ−７２００ＨＨ（大日本インキ社製、ジシクロペンタジエン型エポキシ）７０重量部と、ＨＰ−４０３２Ｄ（大日本インキ社製、ナフタレン型エポキシ）１５重量部と、ＹＨ−３０９（ジャパンエポキシレジン社製、酸無水物系硬化剤）３８重量部と、２ＭＡＯＫ−ＰＷ（四国化成社製、イミダゾール）８重量部と、Ｓ３２０（チッソ社製、アミノシラン）２重量部と、ＭＴ−１０（トクヤマ社製、表面疎水化ヒュームドシリカ）４重量部とを配合し、該配合物を溶剤としてのメチルエチルケトン（ＭＥＫ）に固形分６０％となるように添加攪拌し、塗液を得た。これを離型フィルム上に厚み４０μｍになるように塗布し、１１０℃で３分間オーブン中で加熱乾燥し、離型フィルム上に粘着剤層３を形成した。【０２３１】
粘着剤層３の離型フィルム側の面とは反対側の面に、上記非粘着フィルム４を６０℃でラミネートし、ラミネート体を得た。ラミネート体を円形に切り抜いた後、非粘着剤層４（シート）の粘着剤層３側の面とは反対側の面にダイシングフィルムとしてのＰＥテープ＃６３１８−Ｂ（積水化学社製粘着フィルム、厚み７０μｍのポリエチレン基材の片面に厚み１０μｍのゴム系粘着剤層が形成されている。）を粘着剤層側から貼付し、粘着剤層３よりも大きな円形にダイシングフィルムを切り抜いた。このようにして、離型フィルム／粘着剤層３／非粘着フィルム４／ダイシングフィルムがこの順で積層された４層のダイシング・ダイボンディングテープを作製した。【０２３２】
（実施例１５〜１８、参考例１９、実施例２０）
表５に示すように、非粘着フィルム４を構成する材料の種類及び配合割合を変更したことを除いては参考例１４と同様にして非粘着フィルム４を得た。なお、実施例１５，１６，１７，１８，２０ではフィラーを配合し、実施例１７ではウレタンアクリルオリゴマーを配合せず、参考例１９ではフィラー及びウレタンアクリルオリゴマーを配合しなかった。
実施例２０では、ポリエーテル骨格アクリルオリゴマーを配合した。
【０２３３】
（比較例９〜１４）
下記の表４に示すように、アクリル系樹脂組成物からなる非粘着フィルム４を構成するのに用いた材料及び配合割合を変更したことを除いては実施例１３と同様にして非粘着フィルム４を得、評価した。【０２３４】
非粘着フィルムを、下記の表４に示すアクリル系ポリマー１〜５のいずれかのアクリル系ポリマーを主成分とするアクリル樹脂系組成物からなるフィルムを用意した。【０２３５】
（参考例１４、実施例１５〜１８、参考例１９、実施例２０及び比較例６〜７の評価）
前述したように、各非粘着フィルムの２３℃における弾性率及び破断伸度を測定した結果を下記の表５に示す。
【０２３６】
参考例１〜３の評価の場合と同様にして、得られたダイシング・ダイボンディングテープにおいて、非粘着フィルムとダイボンディングフィルムとの間の剥離強度を測定した。結果を下記の表５に示す。
【０２３７】
さらに、以下の要領で半導体チップの製造時の評価を行った。
実施例、参考例及び比較例の各ダイシング・ダイボンディングテープの離型フィルムを剥離し、露出した粘着剤層３を直径８ｉｎｃｈのシリコンウェーハ（厚み８０μｍ）の一方の面に６０℃の温度でラミネートし、評価サンプルを作製した。
【０２３８】
ダイシング装置ＤＦＤ６５１（ディスコ社製）を用いて、送り速度５０ｍｍ／秒で、評価サンプルを１０ｍｍ×１０ｍｍのチップサイズにダイシングし、ダイシング時のチップの飛び等の有無について観察を行った。表５に結果を示す。表５の評価記号の意味は以下の通りである。【０２３９】
○：チップ飛びなし・ひげなし・クラックなし
△：チップ飛び・ひげ・クラックのうちいずれか一つあり
×：チップ飛び・ひげ・クラックのうちいずれか二つ以上あり【０２４０】
ダイシング後に、ダイボンダーｂｅｓｔｅｍ  Ｄ−０２（キャノンマシーナリー社製）を用いて、コレットサイズ８ｍｍ角、突き上げ速度５ｍｍ／秒およびピックアップ温度２３℃の条件で、分割された半導体チップの連続ピックアップを行い、ピックアップの可否について評価した。表５に結果を示す。表５の評価記号の意味は以下の通りである。【０２４１】
○：連続ピックアップＮＧの割合０％
△：連続ピックアップＮＧの割合１〜１５％
×：連続ピックアップＮＧの割合１６％以上【０２４２】
【表５】
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【０２４３】
（実施例２１）
実施例１５で用意した非粘着フィルム構成材料を実施例１５と同様にして配合し、実施例１５と同様にＵＶ光を照射し、硬化し、非粘着フィルムを得た。【０２４４】
上記非粘着フィルムの表面に、実施例１５で用いたダイボンディング用組成物を厚み２０μｍとなるように塗工し、さらにダイボンディングフィルムの表面に離型フィルムを実施例１５と同様にして積層した。また、実施例１５と同様に上記ダイボンディングフィルムと非粘着フィルムとの積層体の上記非粘着フィルムの外側表面に、ダイシングテープとして、積水化学社製、品番：♯６３１８−Ｂを粘着剤層側から張り合わせ、ダイシング・ダイボンディングテープを得た。【０２４５】
次に、上記ダイシング・ダイボンディングテープの上記リリースフィルムを剥離した後、ダイボンディングフィルム面に、直径８インチ及び厚み３０μｍの半導体ウェーハを６０°でラミネートし、ダイシング用サンプルを得た。【０２４６】
（比較例８）
実施例２１で用意した非粘着フィルム用組成物に、ＵＶ光を照射せずに、そのまま厚み５０μｍのフィルムとして用いたことを除いては、実施例２０と同様にしてダイシング・ダイボンディングテープを得た。【０２４７】
（実施例２１及び比較例８の評価）
レーザー装置（ディスコ社製、品番：ＤＦＬ７１６０）を用い、波長３５５ｎｍ（Ｎｄ−ＹＡＧレーザーの３倍波）のレーザー光、焦点径６μｍ及び出力５．２Ｗで、上記半導体ウェーハに照射し、カット速度４００ｍｍ／秒でダイシングを行った。【０２４８】
上記のようにしてダイシングされたサンプルから、半導体チップをダイボンディングフィルムごとピックアップしようとしたところ、実施例２１では、ダイボンディングフィルムが接合された半導体チップを非粘着フィルムから速やかに剥離し、取り出すことができた。また、ダイボンディング後に露出したストリート部分を光学顕微鏡（キーエンス社製、品番：ＶＨＸ）で観察したところ、切断面が清浄であることが確かめられた。【０２４９】
これに対して、比較例８では、同様にダイシングしたところ、ダイシングにより得られた半導体チップをダイボンディングフィルムごとピックアップする再に、半導体ウェーハにクラックが入った。そのため、半導体チップをダイボンディングフィルムごとピックアップすることができなかった。また、ダイシングにより露出したストリート部分の状態を観察したところ、離型フィルムの糊が、半導体チップ側面に回り込み、ピックアップを阻害していることが認められた。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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