(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶層を挟持する一対の基板と、
領域毎に前記液晶層の配向状態を制御する複数の画素と、
前記一対の基板のうち一方の基板の前記液晶層側に設けられ、前記複数の画素それぞれの画素領域に平面略ベタ状に設けられた第１電極と、
前記第１電極上に設けられた絶縁層を介して積層され、前記第１電極が設けられた領域において非形成部分を有して前記第１電極との間に電界を生じさせる第２電極と、
前記第１電極と同層に、隣接する前記画素の前記第１電極間の間隙領域であって、複数の前記間隙領域を縫って線状に延在形成され、前記第２電極と電気的に接続されるとともに前記第１電極との間に電界を生じさせる第３電極と、
を有する、液晶装置。
【請求項２】
前記第２電極は、前記第３電極が形成された領域に対応する少なくとも一部において、延在形成された前記第３電極に沿って平面的に前記第３電極と重なる領域に、当該第２電極が形成されない切欠き部を有している、
請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
前記第２電極の前記非形成部分は開口されたスリット形状を有し、
前記第３電極の延伸方向は、前記スリット形状の長手方向と平行である、
請求項１または請求項２に記載の液晶装置。
【請求項４】
前記第２電極の前記非形成部分は開口されたスリット形状を有し、
前記第３電極の延伸方向は、前記スリット形状の長手方向と直交している、
請求項１または請求項２に記載の液晶装置。
【請求項５】
前記第３電極は、前記第１電極が設けられていない領域と、前記第２電極が設けられている領域と、が重畳する領域の少なくとも一部に設けられたコンタクトホールを介して、前記第２電極と電気的に接続されている、
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項６】
前記第３電極を挟んで隣り合う前記第１電極にそれぞれ対応する前記画素は、表示色の色相が互いに異なる、
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項７】
前記第２電極は、前記第３電極の延伸方向に沿って隣接する前記画素領域に跨って設けられた共通電極であり、
前記第１電極は、前記一方の基板に設けられた複数のスイッチング素子のそれぞれに接続された画素電極である、
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項に記載の液晶装置を備えた、電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置及び電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＦＦＳ（Fringe Field Switching）方式の液晶表示装置（液晶装置）では、液晶の配向を制御する画素電極と共通電極との両方が同じ基板に設けられており、この２つの電極は、絶縁層を介して積層されている。当該電極のうちで上側の電極すなわち液晶層側の電極には、スリットが設けられている。スリットの長手方向（長辺方向）と略平行にラビング処理がなされ、上記電極間の電圧がオフ電圧の場合、液晶分子は、スリットの長手方向と略平行に配向する。オフ電圧よりも高い電圧を上記電極間に印加した場合、スリットの長辺に対して垂直な方向に電界が発生し、液晶分子は、電界方向に沿うように基板に平行な面内で回転する。液晶分子の回転角を制御することによって、透過光量が制御される。尚、ＦＦＳ方式は、例えば特許文献１，２に記載されている。
【０００３】
【特許文献１】特開平１１−２０２３５６号公報
【特許文献２】特開２００１−２６４８０９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ＦＦＳ方式において、隣接する画素の電界の漏れがあり、この電界の漏れがラビング方向（液晶の配向している方向）に対して角度を持っている場合には、この電界により液晶が電界の方向を向くことになり、この領域で光漏れが発生する。従来は、この光漏れを防止するために、この領域にブラックマトリクス層を設けていた。これにより、ブラックマトリクス層により遮光する領域が大きくなり、画素の開口率を低下させることになっていた。
【０００５】
更に、隣接する画素の表示色の色相が異なる場合には、隣接する異なる色相の画素において光漏れが発生するため、混色が発生して表示品位を低下させることになる。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００７】
本発明に係る液晶装置は、液晶層を挟持する一対の基板と、領域毎に液晶層の配向状態を制御する複数の画素と、一対の基板のうち一方の基板の液晶層側に設けられ、複数の画素それぞれの画素領域に平面略ベタ状に設けられた第１電極と、第１電極上に設けられた絶縁層を介して積層され、第１電極が設けられた領域において非形成部分を有して第１電極との間に電界を生じさせる第２電極と、第１電極と同層に、隣接する画素の第１電極間の間隙領域であって、複数の間隙領域を縫って線状に延在形成され、第２電極と電気的に接続されるとともに第１電極との間に電界を生じさせる第３電極と、を有する。
【０００８】
これによれば、第１電極の間に第２電極と同電位の第３電極を設けることにより、第１電極の電界が第３電極を挟んで隣接する第１電極に及ぼす影響が抑制されるので、隣接する画素を白表示、黒表示としたとき、白表示部の第１電極と黒表示部の第１電極との間に電界が生じることによる光漏れを抑制して、混色の発生の少ない良好な表示品位が得られる。又、設計時の制限による白表示時の透過率低下を抑えることができる。又、光抜けする領域を遮光する必要が無いため、各画素の開口率を向上することができる。
【００１１】
上記液晶装置は、第２電極は、第３電極が形成された領域に対応する少なくとも一部において、延在形成された第３電極に沿って平面的に第３電極と重なる領域に、当該第２電極が形成されない切欠き部を有していることが好ましい。
【００１２】
これによれば、第２電極と第３電極とを容易に電気的に接続できる。
【００１３】
上記液晶装置は、第２電極の非形成部分は開口されたスリット形状を有し、第３電極の延伸方向は、スリット形状の長手方向と平行であることが好ましい。
【００１４】
これによれば、各スリットの長手方向が第３電極と直交する方向に沿って延びる場合に比べて、スリットの端部に生じるディスクリネーション部（液晶分子の配列の乱れによる表示欠陥部）の数を低減できる。
【００１５】
上記液晶装置であっては、第２電極の非形成部分は開口されたスリット形状を有し、第３電極の延伸方向は、スリット形状の長手方向と直交していることが好ましい。
【００１６】
これによれば、スリットの幅及び電極部の幅の最適化と上記の光漏れ抑制とを同時に図ることができる。
【００１７】
上記液晶装置は、第３電極は、第１電極が設けられていない領域と、第２電極が設けられている領域と、が重畳する領域の少なくとも一部に設けられたコンタクトホールを介して、第２電極と電気的に接続されていることが好ましい。
【００１８】
これによれば、第２電極と第３電極とを効率よく同電位にできる。
【００１９】
上記液晶装置は、第３電極を挟んで隣り合う第１電極にそれぞれ対応する画素は、表示色の色相が互いに異なるとしてもよい。
【００２０】
これによれば、上記光漏れによる混色を抑制することができる。従って、混色による色域の縮小を抑制して、良好な表示品位が得られる。
【００２１】
上記液晶装置は、第２電極は、第３電極の延伸方向に沿って隣接する画素領域に跨って設けられた共通電極であり、第１電極は、一方の基板に設けられた複数のスイッチング素子のそれぞれに接続された画素電極であることとしてもよい。
【００２２】
これによれば、画素電極の電界が第３電極を挟んで隣接する画素電極に及ぼす影響が抑制される。従って、上記電界による隣接画素での光漏れを抑制して、良好な表示品位が得られる。
【００２３】
また、上記に記載の液晶装置を備えた電子機器としてもよい。
【００２４】
これによれば、上記液晶装置を搭載しているので、優れた表示品質を有する電子機器が提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、図面を参照し、液晶装置の実施形態として液晶表示装置について説明する。尚、各実施形態で参照する図面においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせて表示している。
【００２６】
（第１の実施形態）
図１は、本実施形態に係る液晶表示装置１０を構成するマトリクス状に形成された複数の画素領域の回路構成図である。
本実施形態の液晶表示装置１０は、同一基板の液晶層側に設けられた異なる電極間に生じた液晶駆動電界（横電界或いは斜め電界方式）を用いて、液晶層の液晶分子の配向を制御することにより画像表示を行うＦＦＳ方式を採用した液晶表示装置である。又、基板上にカラーフィルタ層を具備したカラー液晶表示装置であり、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各色光を透過光として出力する３個の画素で１個の色画素を構成するものとなっている。従って表示を構成する最小単位となる表示領域を「画素領域」と称する。
【００２７】
液晶表示装置１０は、マトリクス状に形成された複数の画素領域により画像表示領域を構成している。複数の画素の領域には、それぞれ画素電極（第１電極）１２と、画素電極１２をスイッチング制御するためのＴＦＴ（Thin Film Transistor）１４（或いは、ＴＦＤ（Thin Film Diode））とが設けられており、データ線駆動回路１６から延びるデータ線１８がＴＦＴ１４のソースに電気的に接続されている。データ線駆動回路１６は、画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを、データ線１８を介して各画素に供給する。画像信号Ｓ１〜Ｓｎはこの順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線１８同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
【００２８】
又、ＴＦＴ１４のゲートには、走査線駆動回路２０から延びる走査線２２ａが電気的に接続されており、走査線駆動回路２０から所定のタイミングで走査線２２ａにパルス的に供給される走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍが、この順に線順次でＴＦＴ１４のゲートに印加されるようになっている。画素電極１２は、ＴＦＴ１４のドレインに電気的に接続されている。スイッチング素子であるＴＦＴ１４が走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線１８から供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが所定のタイミングで画素電極１２に書き込まれるようになっている。
【００２９】
画素電極１２を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、画素電極１２と共通電極との間で一定期間保持される。ここで、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、共通電極と画素電極１２との間に設けられる液晶容量と並列に蓄積容量２４が付与されている。蓄積容量２４は、ＴＦＴ１４のドレインと容量線２２ｂとの間に設けられている。このように、データ線１８と走査線２２ａとの交差部の近傍にＴＦＴ１４が設けられている。
【００３０】
次に、図２及び図３を参照して液晶表示装置１０の詳細な構成について説明する。
図２は、本実施形態に係る液晶表示装置１０の任意の１画素領域における平面構成図である。図３は、図２のＡ−Ａ’線に沿う部分断面構成図である。
液晶表示装置１０の画素領域には、図２に示すように、開口部（非形成部分）２６を挟んで配列された複数の電極部２８を有する第１共通電極（第２電極）３０（図２中、点描で示す）と、第１共通電極３０と平面的に重なって配置された平面略ベタ状の画素電極１２とが設けられている。
【００３１】
第１共通電極３０は、画素電極１２上に設けられた第２層間絶縁層（絶縁層）６０（図３参照）を介して積層されている。第１共通電極３０は、画素電極１２が設けられた領域において開口部２６を有している。開口部２６は開口されたスリット形状を有している。第１共通電極３０は画素電極１２との間に電界を生じさせる。第１共通電極３０は、第２共通電極（第３電極）３２の延伸方向に沿って隣接する画素に跨って設けられている。本実施形態では、第１共通電極３０は、ｙ軸方向に沿って隣接する画素に跨って設けられている。第１共通電極３０は、ｙ軸方向に対し平行に延びる複数の開口部２６が設けられている。開口部２６の長手方向は第２共通電極３２の延伸方向と平行である。これにより、各開口部２６の長手方向が第２共通電極３２と直交する方向に沿って延びる場合に比べて、開口部２６の端部に生じるディスクリネーション部（液晶分子の配列の乱れによる表示欠陥部）の数を低減できる。第１共通電極３０は、第２共通電極３２が形成された領域の少なくとも一部において、延在形成された第２共通電極３２に沿った切欠き部（非形成部分）３３を有している。切欠き部３３は開口されたスリット形状を有している。切欠き部３３の長手方向は第２共通電極３２の延伸方向と平行である。第１共通電極３０は、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の光透過性導電材料からなる導電膜で形成されている。
【００３２】
第２共通電極３２は、第１共通電極３０より下層で、画素電極１２が設けられていない領域と重畳する領域の少なくとも一部に設けられている。第２共通電極３２は第１共通電極３０と電気的に接続されている。画素電極１２が設けられていない領域は、画素電極１２と画素電極１２に隣接する他の画素電極１２との間隙領域である。第２共通電極３２は、画素電極１２と画素電極１２に隣接する他の画素電極１２との間隙領域を縫って線状に延在形成されている。第２共通電極３２は、隣接する画素電極１２の離間領域と重畳する領域の少なくとも一部に設けられている。本実施形態では、第２共通電極３２は、隣接する画素電極１２間をｙ軸方向（データ線１８／信号を供給する配線の延伸方向）に延びている。第１共通電極３０と第２共通電極３２とは、コンタクトホール６２を介して、電気的に接続されている。第１共通電極３０と第２共通電極３２とは同電位である。これによれば、第１共通電極３０と第２共通電極３２とを効率よく同電位にできる。コンタクトホール６２は、画素電極１２が設けられていない領域と、第１共通電極３０が設けられている領域と、が重畳する領域の少なくとも一部に設けられている。第１共通電極３０は、ＩＴＯ等の光透過性導電材料からなる導電膜で形成されている。第２共通電極３２の線幅は、重畳するデータ線１８の線幅より太く形成されている。データ線１８の線幅は、重畳する第２共通電極３２の線幅より細く形成されている。
【００３３】
画素電極１２は複数の画素の領域にそれぞれ設けられている。画素電極１２は、第１共通電極３０と第２層間絶縁層６０を介して積層され、第１共通電極３０の液晶層５２と反対側に設けられている。画素電極１２は、ＩＴＯ等の光透過性導電材料からなる導電膜で形成されている。
【００３４】
画素領域には、ｙ軸方向に延びるデータ線１８と、ｘ軸方向に延びる走査線２２ａと、走査線２２ａに隣接して走査線２２ａと平行に延びる容量線２２ｂとが設けられている。データ線１８と走査線２２ａとの交差部の近傍には、ＴＦＴ１４が設けられている。ＴＦＴ１４は、走査線２２ａの平面領域内に部分的に設けられたアモルファスシリコンからなる半導体層３４、半導体層３４と一部平面的に重なって設けられたソース電極３６、及びドレイン電極３８を備えている。走査線２２ａは、半導体層３４と平面的に重なる位置でＴＦＴ１４のゲート電極として機能する。画素電極１２とＴＦＴ１４とは、コンタクトホール４０で結合されている。ＴＦＴ１４とデータ線１８と走査線２２ａとを覆うようにブラックマトリクス層４２が設けられている。カラーフィルタ層４４が画素領域毎に配置されている。
【００３５】
液晶表示装置１０は、図３に示すように、互いに対向して配置された一対の基板であるアレイ基板（一方の基板）４８と対向基板（他方の基板）５０との間に液晶層５２を挟持した構成である。複数の画素は領域毎に液晶層５２の配向状態を制御している。液晶層５２は、アレイ基板４８と対向基板５０との間の対向する領域であって、両基板４８，５０の縁端に沿って設けられたシール材（図示省略）によって両基板４８，５０間に封止されている。液晶層５２の液晶分子４６（図２参照）は、配向方向の誘電率がその法線方向よりも大きい正の誘電率異方性を示す液晶組成物である。液晶分子４６は、ｙ軸方向に対し反時計回りに５°の角度でアンチパラレルラビング処理され、液晶配向はホモジニアス配向となっている。アレイ基板４８の液晶層５２とは、反対側（背面側／図示下面側）に、バックライト（照明装置）（図示省略）が設けられている。
【００３６】
本実施形態の液晶表示装置１０は、１画素領域内のうち、画素電極１２を内包する平面領域と、第１共通電極３０が設けられた平面領域とが重なった平面領域が、バックライトから入射して液晶層５２を透過する光を変調して表示を行う。液晶層５２厚（セルギャップ）は、３．４μｍ（Δｎｄ＝３４０ｎｍ）となるように構成している。
【００３７】
アレイ基板４８は、ガラス、石英、或いはプラスチック等からなる基板本体４８ａを基体としてなり、基板本体４８ａの液晶層５２側には、走査線２２ａ及び容量線２２ｂ（図２参照）が設けられており、走査線２２ａ及び容量線２２ｂを覆ってゲート絶縁膜５４が設けられている。
【００３８】
ゲート絶縁膜５４の液晶層５２側には、半導体層３４（図２参照）が設けられており、半導体層３４に一部乗り上げるようにしてソース電極３６（図２参照）と、ドレイン電極３８（図２参照）とが設けられている。半導体層３４は、ゲート絶縁膜５４を介して走査線２２ａに対向配置されており、当該対向領域で走査線２２ａがＴＦＴ１４（図２参照）のゲート電極を構成するようになっている。
【００３９】
半導体層３４、ソース電極３６、及びドレイン電極３８を覆って、酸化シリコン等からなる第１層間絶縁層５６が設けられており、第１層間絶縁層５６の液晶層５２側には、アクリル等からなる平坦化層５８が設けられている。
【００４０】
平坦化層５８の液晶層５２側には、画素電極１２と第２共通電極３２とが設けられている。画素電極１２は平面ベタ状の導電膜であり、画素領域の全面に渡って設けられている。画素電極１２は、アレイ基板４８の液晶層５２側に画素領域毎に設けられている。
【００４１】
第２共通電極３２は第１共通電極３０より下層に設けられている。本実施形態では、画素電極１２と同層に設けられている。第２共通電極３２は、隣接する画素電極１２の離間領域と重畳する領域の少なくとも一部に設けられている。第２共通電極３２は、隣接する画素電極１２間をｙ軸方向（図２参照）に延びている。第２共通電極３２と第１共通電極３０とは、コンタクトホール６２（図２参照）を介して、電気的に接続されている。第２共通電極３２と第１共通電極３０とは同電位である。アレイ基板４８にのみ電極構造が設けられている。
【００４２】
画素電極１２と第２共通電極３２とを覆って酸化シリコン等からなる第２層間絶縁層６０が設けられている。第２層間絶縁層６０の液晶層５２側には、第１共通電極３０が設けられている。第１共通電極３０は、開口部２６を挟んで配列された複数の電極部２８を有する導電膜で形成されている。第１共通電極３０は、アレイ基板４８の液晶層５２側に設けられ、画素電極１２と平面的に重なって配置されている。第１共通電極３０は、画素電極１２と平面的に重なる領域に設けられると共に絶縁層を介して配置された構成となっている。
【００４３】
上記構成の第１及び第２共通電極３０，３２と画素電極１２との間に電圧を印加すると、第１共通電極３０の開口部２６を介して第１共通電極３０の電極部２８と画素電極１２との間、及び第２共通電極３２と画素電極１２との間に、ｘ軸方向（走査線２２ａ／信号を供給する配線の延伸方向）と平行な平面方向の液晶駆動電界が形成される。
【００４４】
第１共通電極３０及び第２層間絶縁層６０を覆ってポリイミドやシリコン酸化物等からなる水平配向膜（第１接触膜）６４が設けられている。
【００４５】
一方、対向基板５０は、ガラス、石英、或いはプラスチック等からなる基板本体５０ａを基体としてなり、基板本体５０ａの液晶層５２側には、カラーフィルタ層４４が設けられている。カラーフィルタ層４４は、互いに色の異なる複数種類の着色層を有しており、これら色種の異なるカラーフィルタ層４４の間には、黒色樹脂等からなるブラックマトリクス層４２が配置されている。第２共通電極３２を挟んで隣り合う画素電極１２にそれぞれ対応する画素は、表示色の色相が互いに異なっていてもよい。これにより、上記光漏れによる混色を抑制することができる。
【００４６】
カラーフィルタ層４４の液晶層５２側には平坦化層６６が設けられている。平坦化層６６は対向基板５０の液晶層５２側に、カラーフィルタ層４４とブラックマトリクス層４２との段差を平坦化するために設けられている。これにより、液晶層５２の厚さを均一化し、画素領域内で駆動電圧が不均一になりコントラストが低下するのを防止する。
【００４７】
平坦化層６６を覆って、ポリイミドやシリコン酸化物等からなる水平配向膜（第２接触膜）６８が設けられている。水平配向膜６８は、液晶層５２と接するように設けられている。水平配向膜６８はスパッタ等で成膜される。水平配向膜６４，６８は、ｙ軸方向に対し反時計回りに５°の角度でアンチパラレルラビング処理されている。
【００４８】
基板本体４８ａ，５０ａの外面側には、それぞれ第１及び第２偏光板７０，７２が設けられている。第１偏光板７０の透過軸と第２偏光板７２の透過軸とは直交している。第１偏光板７０の透過軸は液晶配向方向に平行である。
【００４９】
以上のように構成された本実施形態の液晶表示装置１０の各光学軸の配置に着目する。
図４は、本実施形態に係る液晶表示装置１０の各光学軸の配置を示す図である。ホモジニアス配向の液晶層５２と、第１偏光板７０と、第２偏光板７２とから構成されている。液晶配向方向７４を基板法線方向から観察すると図４のようになる。同図は、アレイ基板４８と対向基板５０とを組み立てた後に、アレイ基板４８側の法線方向から観察した上面図である。符号７６がデータ線１８の方位を示すように、図２に対して平行に描かれている。液晶分子４６は、ｙ軸方向に対し反時計回りに５°の角度をもつようにアンチパラレルラビング処理されている。第１偏光板７０の透過軸７０ａと第２偏光板７２の透過軸７２ａとは直交して、且つ、透過軸７０ａは液晶配向方向７４に平行である。これは透過型ＩＰＳ（In Plane Switching）方式と同様の構成であるので、透過型ＩＰＳ方式と同様にモニタ用途にも耐える広視野角が得られる。
【００５０】
又、第１共通電極３０の開口部２６がデータ線１８に対して平行であるため、電界の主方向７８は、データ線１８に対して９０°の傾きを持っている。方位角を反時計回りに定義すると、液晶配向方向７４は、電界方向に対して−９５°をなしている。これにより、電圧印加時の配向変化を安定化すると共に配向変化が生じるしきい値電圧を低減する効果が得られる。第２偏光板７２の透過軸７２ａは、液晶配向方向７４に対して９０°をなしている。
【００５１】
尚、図４では、水平配向膜６４，６８近傍の液晶層５２における液晶の初期配向方向を便宜的に液晶配向方向としているが、水平配向膜６４，６８としては、ラビング処理によって初期的に液晶分子の配向する方向を規定するものに限らず、例えば、光配向或いは斜方蒸着法によって初期的な液晶分子の配向方向が規定された配向膜であっても構わないものである。
【００５２】
図５は、本実施形態に係る液晶表示装置１０の画素電極１２と第２共通電極３２との間の電界の影響を、隣接する画素電極１２間の中心からの距離（横軸）と輝度（縦軸）との関係により示すグラフである。尚、グラフの縦軸は対数表記である。図５に示す線１１０は、隣接する画素電極１２の間幅が２μｍ、画素電極１２間に第２共通電極３２が存在しない場合の光漏れを示している。線１２０は、隣接する画素電極１２の間幅が５μｍ、画素電極１２間に３μｍの第２共通電極３２を挟んだものである。
【００５３】
図５の線１２０に示すように、第２共通電極３２を設けることにより、隣接する画素を白表示（ＯＮ）、黒表示（ＯＦＦ）としたとき、白表示部の画素電極１２と黒表示部の画素電極１２との間に電界が生じることによる光漏れを抑えることができる。
【００５４】
図６は、本実施形態に係る液晶表示装置１０の画素電極１２と第２共通電極３２との間の電界の影響を、隣接する画素電極１２間の中心からの距離（横軸）と輝度（縦軸）との関係により示すグラフである。尚、グラフの縦軸は対数表記である。図６に示す線１５０は、第２共通電極３２と画素電極１２との間隔が２μｍである。線１６０は、第２共通電極３２と画素電極１２との間隔が１．５μｍである。線１７０は、第２共通電極３２と画素電極１２との間隔が１．０μｍである。
【００５５】
図６の線１７０に示すように、第２共通電極３２と画素電極１２との間隔を小さくすることにより、隣接する画素を白表示（ＯＮ）、黒表示（ＯＦＦ）としたとき、白表示部の画素電極１２と黒表示部の画素電極１２との間に電界が生じることによる光漏れを抑えることが効果的である。
【００５６】
本実施形態によれば、櫛歯電極が共通電極であるＦＦＳ方式において、画素電極１２の間に第２共通電極３２を設けることにより、画素電極１２の電界が第２共通電極３２を挟んで隣接する画素電極１２に及ぼす影響が抑制されるので、隣接する画素を白表示、黒表示としたとき、白表示部の画素電極１２と黒表示部の画素電極１２との間に電界が生じることによる光漏れを抑制して、混色の発生の少ない良好な表示品位が得られる。又、設計時の制限による白表示時の透過率低下を抑えることができる。又、光抜けする領域を遮光する必要が無いため、ブラックマトリクス層４２の領域が小さくなり、各画素の開口率を向上することができる。
【００５７】
（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態について図面を参照して説明する。
図７は、本実施形態に係る液晶表示装置９０の任意の１画素領域における平面構成図である。図８は、図７のＢ−Ｂ’線に沿う部分断面構成図である。尚、本実施形態の液晶表示装置９０は、第１の実施形態に係る液晶表示装置１０と同様、ＴＦＴアクティブマトリクス方式の透過型の液晶表示装置であり、その特徴とするところは、第１共通電極３０（図７中、点描で示す）の形状及び第２共通電極３２の形成位置にある。従って本実施形態の液晶表示装置９０の基本構成は、第１の実施形態の液晶表示装置１０と同様であるから、共通の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略若しくは簡略する。
【００５８】
本実施形態の液晶表示装置９０は、図７及び図８に示すように、互いに対向して配置されたアレイ基板４８と対向基板５０との間に液晶層５２を挟持した構成を備えている。
【００５９】
第１共通電極３０は、ｘ軸方向に沿って隣接する画素に跨って設けられている。開口部２６の長手方向は、第２共通電極３２の延伸方向と直交している。これにより、開口部２６の幅及び電極部２８の幅の最適化と上記の光漏れ抑制とを同時に図ることができる。
【００６０】
第２共通電極３２は、短辺が隣接する画素電極１２間をｘ軸方向に延びている。第２共通電極３２の線幅は、重畳する走査線２２ａの線幅より太く形成されている。走査線２２ａの線幅は、重畳する第２共通電極３２の線幅より細く形成されている。
【００６１】
上記構成の第１及び第２共通電極３０，３２と画素電極１２との間に電圧を印加すると、第１共通電極３０の開口部２６を介して第１共通電極３０の電極部２８と画素電極１２との間に、ｘ軸方向と平行な平面方向の液晶駆動電界が形成される。又、第２共通電極３２と画素電極１２との間に、ｙ軸方向と平行な平面方向の液晶駆動電界が形成される。
【００６２】
（第３の実施形態）
次に、第３の実施形態について図面を参照して説明する。
図９は、本実施形態に係る液晶表示装置９２の任意の１画素領域における平面構成図である。図３は、図９のＡ−Ａ'線に沿う部分断面構成図である。尚、本実施形態の液晶表示装置９２は、第１の実施形態に係る液晶表示装置１０と同様、ＴＦＴアクティブマトリクス方式の透過型の液晶表示装置であり、その特徴とするところは、第１共通電極３０（図９中、点描で示す）の形状にある。従って本実施形態の液晶表示装置９２の基本構成は、第１の実施形態の液晶表示装置１０と同様であるから、共通の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略若しくは簡略する。
【００６３】
本実施形態の液晶表示装置９２は、図９及び図３に示すように、互いに対向して配置されたアレイ基板４８と対向基板５０との間に液晶層５２を挟持した構成を備えている。
【００６４】
第１共通電極３０は、ｘ軸方向に対し平行に延びる複数の開口部２６が設けられている。開口部２６の長手方向は、第２共通電極３２の延伸方向と直交している。これにより、開口部２６の幅及び電極部２８の幅の最適化と上記の光漏れ抑制とを同時に図ることができる。
【００６５】
水平配向膜６４，６８は、ｘ軸方向に対し反時計回りに５°の角度でアンチパラレルラビング処理されている（図示省略）。液晶分子４６は、ｘ軸方向に対し反時計回りに５°の角度をもつようにアンチパラレルラビング処理されている。又、第１共通電極３０の開口部２６が走査線２２ａに対して平行であるため、電界の主方向７８は、走査線２２ａに対して９０°の傾きを持っている。方位角を反時計回りに定義すると、液晶配向方向７４は、電界方向に対して−８５°をなしている（図示省略）。これにより、電圧印加時の配向変化を安定化すると共に配向変化が生じるしきい値電圧を低減する効果が得られる。
【００６６】
上記構成の第１及び第２共通電極３０，３２と画素電極１２との間に電圧を印加すると、第１共通電極３０の開口部２６を介して第１共通電極３０の電極部２８と画素電極１２との間に、ｙ軸方向と平行な平面方向の液晶駆動電界が形成される。又、第２共通電極３２と画素電極１２との間に、ｘ軸方向と平行な平面方向の液晶駆動電界が形成される。
【００６７】
（第４の実施形態）
次に、第４の実施形態について図面を参照して説明する。
図１０は、本実施形態に係る液晶表示装置９４の任意の１画素領域における平面構成図である。図８は、図１０のＢ−Ｂ'線に沿う部分断面構成図である。尚、本実施形態の液晶表示装置９４は、第１の実施形態に係る液晶表示装置１０と同様、ＴＦＴアクティブマトリクス方式の透過型の液晶表示装置であり、その特徴とするところは、第１共通電極３０（図１０中、点描で示す）の形状及び第２共通電極３２の形成位置にある。従って本実施形態の液晶表示装置９４の基本構成は、第１の実施形態の液晶表示装置１０と同様であるから、共通の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略若しくは簡略する。
【００６８】
本実施形態の液晶表示装置９４は、図１０及び図８に示すように、互いに対向して配置されたアレイ基板４８と対向基板５０との間に液晶層５２を挟持した構成を備えている。
【００６９】
第１共通電極３０は、ｘ軸方向に沿って隣接する画素に跨って設けられている。開口部２６の長手方向は、第２共通電極３２の延伸方向と平行である。
【００７０】
第２共通電極３２は、短辺が隣接する画素電極１２間をｘ軸方向に延びている。
【００７１】
上記構成の第１及び第２共通電極３０，３２と画素電極１２との間に電圧を印加すると、第１共通電極３０の開口部２６を介して第１共通電極３０の電極部２８と画素電極１２との間、及び第２共通電極３２と画素電極１２との間に、ｙ軸方向（走査線２２ａ／信号を供給する配線の延伸方向）と平行な平面方向の液晶駆動電界が形成される。
【００７２】
（電子機器）
図１１は、本実施形態に係る電子機器の一例を示す斜視図である。図１１に示す携帯電話１００は、上記実施形態の液晶表示装置を小サイズの表示部１０２として備え、複数の操作ボタン１０４、受話口１０６、及び送話口１０８を備えて構成されている。
上記実施形態に係る液晶表示装置は、上記携帯電話に限らず、電子ブック、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型或いはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、及びタッチパネルを備えた機器等々の画像表示手段として好適に用いることができ、いずれの電子機器においても、高輝度、高コントラスト、広視野角の透過表示が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】第１の実施形態に係る液晶表示装置を構成するマトリクス状に形成された複数の画素領域の回路構成図。
【図２】第１の実施形態に係る液晶表示装置の任意の１画素領域における平面構成図。
【図３】図２及び図９のＡ−Ａ’線に沿う部分断面構成図。
【図４】第１の実施形態に係る液晶表示装置の各光学軸の配置を示す図。
【図５】第１の実施形態に係る液晶表示装置の画素電極と第２共通電極との間の電界の影響を、隣接する画素電極間の中心からの距離と輝度との関係により示すグラフ。
【図６】第１の実施形態に係る液晶表示装置の画素電極と第２共通電極との間の電界の影響を、隣接する画素電極間の中心からの距離と輝度との関係により示すグラフ。
【図７】第２の実施形態に係る液晶表示装置の任意の１画素領域における平面構成図。
【図８】図７及び図１０のＢ−Ｂ’線に沿う部分断面構成図。
【図９】第３の実施形態に係る液晶表示装置の任意の１画素領域における平面構成図。
【図１０】第４の実施形態に係る液晶表示装置の任意の１画素領域における平面構成図。
【図１１】本実施形態に係る電子機器の一例を示す斜視図。
【符号の説明】
【００７４】
１０…液晶表示装置（液晶装置）  １２…画素電極（第１電極）  １４…ＴＦＴ  １６…データ線駆動回路  １８…データ線  ２０…走査線駆動回路  ２２ａ…走査線  ２２ｂ…容量線  ２４…蓄積容量  ２６…開口部（非形成部分）  ２８…電極部  ３０…第１共通電極（第２電極）  ３２…第２共通電極（第３電極）  ３３…切欠き部（非形成部分）  ３４…半導体層  ３６…ソース電極  ３８…ドレイン電極  ４０…コンタクトホール  ４２…ブラックマトリクス層  ４４…カラーフィルタ層  ４６…液晶分子  ４８…アレイ基板（一方の基板）  ４８ａ…基板本体  ５０…対向基板（他方の基板）  ５０ａ…基板本体  ５２…液晶層  ５４…ゲート絶縁膜  ５６…第１層間絶縁層  ５８…平坦化層  ６０…第２層間絶縁層（絶縁層）  ６２…コンタクトホール  ６４…水平配向膜  ６６…平坦化層  ６８…水平配向膜  ７０…第１偏光板  ７０ａ…透過軸  ７２…第２偏光板  ７２ａ…透過軸  ７４…液晶配向方向  ７８…電界の主方向  ９０，９２，９４…液晶表示装置  １００…携帯電話  １０２…表示部  １０４…操作ボタン  １０６…受話口  １０８…送話口。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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