(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像形成用の複数の発光素子と、前記発光素子の光量を検知する光量検知用受光素子と、
前記複数の発光素子それぞれの光量を定めるための第１の基準電圧を生成する第１の基準電圧生成手段と、
前記第１の基準電圧を分圧調整して第２の基準電圧を調整する第２の基準電圧調整手段と、
前記光量検知用受光素子の検知出力をモニタ電圧に変換するモニタ電圧変換手段と、
前記第２の基準電圧と前記光量検知用受光素子の検知出力とに基づいて前記発光素子の光量を制御する光量制御装置において、
前記複数の発光素子を、基準となる発光素子と他の発光素子に設定し、
前記複数の発光素子それぞれの光量を定めるための第１の基準電圧を設定し、
前記基準となる発光素子に対応する第２の基準電圧調整手段により第２の基準電圧の分圧調整範囲の最小電圧に設定し、
前記モニタ電圧変換手段によって前記基準となる発光素子の光量を目標値より小さい仮の値に一時的に調整し、
前記第２の調整手段により第２の基準電圧の分圧調整範囲内で調整して前記基準となる発光素子の光量が目標値になるように調整することを特徴とする光量制御装置。
【請求項２】
前記基準となる発光素子の光量が目標値となった後に、前記他の発光素子の光量を検知する前記検知用受光素子の検知出力に基づいて、第２の基準電圧調整手段により、前記他の発光素子の光量が目標値となるように調整する請求項１記載の光量制御装置。
【請求項３】
前記他の発光素子の光量が目標値とすることが分圧調整範囲内でできない場合には、前記仮の値を変更することを特徴とする請求項２記載の光量制御装置。
【請求項４】
画像形成用の複数の発光素子と、前記発光素子の光量を検知する光量検知用受光素子と、前記複数の発光素子の光量を調整する光量制御装置を有する光走査ユニットを搭載した画像形成装置において、
請求項１ないし３のいずれか１項記載の光量制御装置を用いたことを特徴とする画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回転多面鏡を備えた光走査ユニットにより、複数のレーザダイオードからの複数のレーザビームで走査する電子写真方式のレーザビームプリンタや複写機などに用いる光量制御装置およびそれを備えた画像形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１は、レーザダイオードを用いた光走査ユニットの一例を示す構成図である。本図において１は半導体レーザダイオード、２はコリメータレンズ、３はポリゴンモータ、５は回転多面鏡、６はｆθレンズ、７は同期検知センサ、８はリターンミラー、９は感光体ドラムである。
【０００３】
レーザビームを用いた光走査ユニットを搭載した画像形成装置は、コントローラからの画像信号を基に半導体レーザダイオード１を変調しレーザビームを射出する。このレーザビームを回転多面鏡５で主走査方向に偏向し、ｆθレンズ６などの光学系レンズを介して、レーザビームを像担持体としての感光体ドラム９に走査することにより、静電潜像を形成し、この静電潜像をトナーで現像し、被記録材としての紙に転写して画像化している。
【０００４】
図２に、レーザダイオード駆動回路（ＬＤドライバ）５６を用いた光量制御装置を示す。画像データに従って半導体レーザダイオード１を変調してレーザビームを射出するＬＤドライバ５６は、射出したレーザビームの光量を定める基準電圧Ｖｃとフォトダイオードの検知出力とに基づいて自動的にレーザビームの光量を調整するように制御する。
【０００５】
本図において、半導体レーザダイオード１は、レーザダイオード（以下、ＬＤと略す）とフォトダイオード（以下、ＰＤと略す）とを内蔵する。ＰＤは、ＬＤの光量を検知し、検知出力として電流を出力する。ここでは、検知出力をモニタ電流Ｉｍとする。
【０００６】
図４に示すように、レーザビームの光量とＰＤの検知出力であるモニタ電流Ｉｍは、比例関係にある。モニタ電流Ｉｍは、抵抗で構成されるＩ／Ｖ変換回路４１にて電圧に変換される。ここでは、この電圧をモニタ電圧Ｖｍとする。また、この抵抗をモニタ抵抗Ｒｍとする。ＬＤドライバ５６では、モニタ電圧ＶｍとＬＤが発光する光量を定める基準電圧Ｖｃとをコンパレータ４２で比較し、常に一致するように駆動電流を制御する。
【０００７】
ＡＰＣ信号が“１”で、スイッチ４３はＯＮして導通になり、コンパレータ４２の比較結果によってホールド・コンデンサＣａが充電または放電される。また、ＡＰＣ信号が“０”では、スイッチ４３はＯＦＦして遮断され、ホールド・コンデンサＣａの電位が維持される。ＡＰＣ信号はＡｕｔｏＰａｗｅｒＣｏｎｔｒｏｌに用いられ、ＬＤの光量を定期的に調整して維持するための信号で、一定の周期で所定の時間繰り返し出力される。
【０００８】
電流発生回路４４が生成する定電流の電流値は、充電放電されたホールド・コンデンサＣａの電位に比例して決定される。
【０００９】
スイッチ回路４５は、画像データおよびＬＤ点灯信号により電流発生回路４４からの定電流をＬＤに駆動電流として供給する。ＬＤは、供給された駆動電流によって所定の光量で発光する。ＰＤは、ＬＤの光量を検知しＩ／Ｖ変換回路４１を介してコンパレータ４２に戻り、フィードバック（またはループ）制御が構成される。
【００１０】
感光体ドラム９は、レーザビームの照射によって静電潜像を形成する。この静電潜像は、帯電器で帯電された表面電位がレーザビームの照射により低下した所である。この表面電位の低下した所にトナーが付着してトナー像を形成する。表面電位が低下した電位は、レーザビームの照射された光量によって決まるため、画像形成装置の機差による画像品質の低下を防ぐために、所定の光量に調整することは重要である。
【００１１】
また、画像形成装置内の感光体ドラム９周辺の温度湿度や、感光体ドラム９の経年変化によって、光量に対する半減露光特性（または表面電位の減衰特性）が変化する。このため、初期に調整された光量に対して、画像形成装置内の環境変化や感光体ドラム周辺の温度湿度変化や、感光体ドラム９の経年変化に合わせて、射出する光量を変える必要がある。しかも、感光体ドラムの寿命まで、全ＬＤが発光する光量がほぼ同一の値で揃うことが必要である。
【００１２】
このように初期に調整された光量に対して、射出する光量を増減させる場合は、増減させた後も全ＬＤの光量が揃っていることが重要である。
【００１３】
【特許文献１】特公平７−５４９５７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
複数のＬＤを用いた光走査ユニットでは、各ＬＤの光量が揃っていないと、レーザビームの照射による表面電位にムラができてしまう。この電位のムラは、付着するトナー量に影響を与え、色ずれや濃淡ムラ、スジのある画像になってしまう。このため、各ＬＤの光量が揃うように調整する必要がある。
【００１５】
図３に、複数のＬＤとＰＤとを内蔵した半導体レーザダイオード１の１構成例を示す。本図では、簡略化するために、ＬＤ数を３個とする。本図から、同一チップ上に３個のＬＤ１、ＬＤ２およびＬＤ３が形成され、端面２ヶ所からレーザビームＢ１、Ｂ２およびＢ３が射出している。本図上の手前のレーザビームは半導体レーザダイオードから射出し、光走査ユニットの光源として画像形成に用いられる。一方、本図上の奥側のレーザビームは光量を検知用で、光量検知用受光素子としてのＰＤに射出される。
【００１６】
複数のＬＤを用いた走査光学ユニットにおいて、ＬＤの所定の光量を検出するＰＤの検知出力であるモニタ電流Ｉｍは、複数のＬＤが同一チップ上に形成されたレーザダイオードアレイであっても個々のＬＤによって異なる。
【００１７】
しかも、ＰＤの電気特性ばらつきとＬＤの電気特性ばらつきとの組み合わせや、それらの取り付け位置（機械特性）によってモニタ電流Ｉｍの偏差は大きい値になる。
【００１８】
図１３に、電流電圧変換手段してのＩ／Ｖ変換回路４１の構成を示す。本図では、Ｉ／Ｖ変換回路４１は固定抵抗Ｒ３と可変抵抗ＶＲ２とで構成され、これらの合成抵抗としてモニタ抵抗Ｒｍと称する。ここでは、固定抵抗Ｒ３は、モニタ抵抗Ｒｍの調整に当ってＬＤの定格を超えた光量を射出させないための保護用抵抗である。光量制御回路では、ＰＤの検知出力ＩｍはＩ／Ｖ変換回路４１のモニタ抵抗Ｒｍにてモニタ電圧Ｖｍに変換される。ここでは、Ｖｍは電源ＶｃｃとＰＤのカソード間の電圧である。このことから、
Ｖｍ＝Ｒｍ×Ｉｍ・・・（式１）
と表せる。
【００１９】
また、モニタ電圧Ｖｍと光量を設定するのに基準電圧Ｖｃが常に一致するように制御される。このことから、
Ｖｃ＝Ｒｍ×Ｉｍ・・・（式２）
と表せる。
【００２０】
（式２）から、基準電圧Ｖｃが一定ならばモニタ抵抗Ｒｍとモニタ電流Ｉｍは、反比例の関係にある。また、モニタ電流Ｉｍが一定ならば基準電圧Ｖｃとモニタ抵抗Ｒｍは、比例の関係にある。
【００２１】
基準電圧Ｖｃは、ノイズの影響を避けるためＳ／Ｎ比を高くする必要があり、基準電圧Ｖｃは高い電圧に設定することが望ましい。
【００２２】
また、モニタ電圧Ｖｍは基準電圧Ｖｃと一致するように制御されるが、モニタ抵抗Ｒｍが大きすぎると発振現象が起きたり、モニタ電圧Ｖｍの応答特性が悪くなることがある。
【００２３】
これらのことから、複数のＬＤを用いた光走査ユニットでは、基準電圧Ｖｃおよびモニタ電圧Ｖｍを最適化するために、モニタ抵抗Ｒｍの抵抗値を調整する必要がある。また、所定の光量を得るためにも、モニタ抵抗Ｒｍの調整が必要である。
【００２４】
モニタ抵抗Ｒｍの抵抗値を調整するために、レーザダイオードを発光させる必要があるが、光量に応じてモニタ電流Ｉｍが変化する。図６に、基準電圧がＶｃ１＜Ｖｃ２＜Ｖｃ３の関係のときのモニタ抵抗Ｒｍとモニタ電流Ｉｍの反比例の関係を示す。本図では、基準電圧Ｖｃが低いと、抵抗値の変化量ΔＲｍに対してモニタ電流の変化量ΔＩｍは小さい。基準電圧Ｖｃが高くなるに連れ、抵抗値の変化量ΔＲｍに対してモニタ電流の変化量ΔＩｍは大きくなる。
【００２５】
また、上述したように、モニタ抵抗Ｒｍとモニタ電流Ｉｍの反比例の関係にあるため、光量調整によるモニタ抵抗Ｒｍの抵抗値の変化量ΔＲｍに対して光量の変化量ΔＰは、基準電圧Ｖｃの電圧によっては大きく変化することがある。このため、発光している光量が大きくなる程、モニタ抵抗Ｒｍの抵抗値を調整して、所定の光量に設定しようとすると、調整作業が難しく調整誤差は大きくなるという問題があった。
【００２６】
また、複数のＬＤを所定の光量を調整する場合、個々のＬＤによってモニタ電流Ｉｍの偏差が大きいため、全ＬＤの分圧した第２の基準電圧Ｖｃが、分圧抵抗Ｒａで、調整できる範囲内に収めるため、光量を調整する際の基準となるＬＤの基準電圧Ｖｃを分圧抵抗Ｒａの調整できる範囲の中央付近に合わせる必要がある。しかし、モニタ電流Ｉｍの偏差の大きいＬＤによっては、分圧抵抗Ｒａの調整できる範囲では、調整することができなく不良品になる可能性があるという問題がある。
【００２７】
また、図５に示すように、個々のＬＤによってモニタ電流Ｉｍが異なるため、各ＬＤが発光する光量を揃えようとすると、各ＬＤの基準電圧Ｖｃにばらつきが出て、複数のＬＤを内蔵するレーザダイオードアレイでは、内蔵するＬＤの数ほど個々の制御処理が多く複雑になってしまうという問題がある。
【００２８】
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたもので、所定の光量に設定するためにモニタ抵抗Ｒｍの抵抗値を調整する際、発光している光量を抑えて調整作業が行ない易く、しかも調整誤差の少ない光量制御装置およびそれを用いた画像形成装置を提供することを目的とする。
【００２９】
また、ＬＤの劣化ではなく、光量調整により分圧抵抗Ｒａの調整できる範囲では調整することができなく、不良品と判定されることを解消した光量制御装置を提供することを目的とする。
【００３０】
また、個々のＬＤによって異なるモニタ電流Ｉｍの影響を解消する手段を設け、各ＬＤが発光する光量の制御を共通の制御で実施できる光量制御装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００３１】
前記目的を達成するために、画像形成用の複数の発光素子と、前記発光素子の光量を検知する光量検知用受光素子と、前記複数の発光素子それぞれの光量を定めるための第１の基準電圧を生成する第１の基準電圧生成手段と、前記第１の基準電圧を分圧調整して第２の基準電圧を調整する第２の基準電圧調整手段と、前記光量検知用受光素子の検知出力をモニタ電圧に変換するモニタ電圧変換手段と、前記第２の基準電圧と前記光量検知用受光素子の検知出力とに基づいて前記発光素子の光量を制御する光量制御装置において、前記複数の発光素子を、基準となる発光素子と他の発光素子に設定し、前記複数の発光素子それぞれの光量を定めるための第１の基準電圧を設定し、前記基準となる発光素子に対応する第２の基準電圧調整手段により第２の基準電圧の分圧調整範囲の最小電圧に設定し、前記モニタ電圧変換手段によって前記基準となる発光素子の光量を目標値より小さい仮の値に一時的に調整し、前記第２の調整手段により第２の基準電圧の分圧調整範囲内で調整して前記基準となる発光素子の光量が目標値になるように調整する光量制御装置とした。
【００３２】
また、前記基準となる発光素子の光量が目標値となった後に、前記他の発光素子の光量を検知する前記検知用受光素子の検知出力に基づいて、第２の基準電圧調整手段により、前記他の発光素子の光量が目標値となるように調整している。
【００３３】
また、前記他の発光素子の光量が目標値とすることが分圧調整範囲内でできない場合には、前記仮の値を変更している。
【００３４】
また、画像形成用の複数の発光素子と、前記発光素子の光量を検知する光量検知用受光素子と、前記複数の発光素子の光量を調整する光量制御装置を有する光走査ユニットを搭載した画像形成装置において、前記光量制御装置を用いたことを特徴としている。
【発明の効果】
【００３５】
本発明では、個々のＬＤによって異なるモニタ電流Ｉｍの影響を解消する手段として第２の基準電圧調整手段を設け、各ＬＤが発光する光量を共通の制御で実施できる。
【００３６】
また、個々のＬＤによって異なるモニタ電流Ｉｍの影響を解消する手段として第２の基準電圧調整手段としての分圧抵抗Ｒａを調整して基準電圧Ｖｃを最小に設定し、発光素子の光量を所定の目標値より小さい仮の値に一時的に調整する。この仮の値は、固定されるのもではなく、個々のＬＤによってモニタ電流Ｉｍの偏差が大きくても、基準電圧Ｖｃを分圧抵抗Ｒａで調整できる範囲内に収まるように設定する。このため、光量を調整する際の基準となるＬＤの基準電圧Ｖｃを分圧抵抗の調整できる範囲の中央付近に合わせる必要がなく、光量に応じて流れるモニタ電流Ｉｍを最小にすることができ、モニタ抵抗Ｒｍの抵抗値の変化量ΔＲｍに対して光量の変化量ΔＰを最小の変化量に抑えることができる。
【００３７】
また、仮の光量は、モニタ抵抗の抵抗値を決めるものであって、光量を決めるものではないから、実際に調整する光量より低ければ良い。所定の光量に調整できないＬＤが生じれば、この仮の光量を変更して、所定の光量に調整できるようにすれば良い。このため、分圧抵抗Ｒａで調整ができなく、不良品と判定されることはない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３８】
光量の調整作業が行ない易く、しかも調整誤差の少ない光量制御装置を提供する目的は、第２の基準電圧調整手段を設け、前記第１の基準電圧生成手段の所定の第１の基準電圧に対して前記第２の基準電圧調整手段により第２の基準電圧の分圧調整範囲の最小電圧に設定して、前記光量検知用受光素子の検知出力を所定の目標値より小さい仮の値に一時的に調整することにより実現した。
【００３９】
図８は、本発明の光量制御装置の１実施例を示すブロック図であって、ＬＤ１およびＬＤ２は発光素子としてのレーザダイオード、ＰＤは受光素子としてのフォトダイオード、１２は電流電圧変換手段としてのモニタ抵抗、５１はＣＰＵ、５２はＲＯＭ、５３は画像処理部（以下ＩＰＵと称す）、５４ａ及び５４ｂは第１の基準電圧生成手段としてのＤＡＣ（ＤｉｇｉｔａｌＡｎａｌｏｇＣｏｎｖｅｒｔｅｒ）、５５ａ及び５５ｂは第２の基準電圧調整手段としての分圧抵抗、５６ａ及び５６ｂは自動光量制御手段としてのＬＤドライバである。
【００４０】
ＣＰＵ５１は、ＲＯＭ５２に記載されている設定データおよび制御プログラムで画像形成装置全体を制御し画像形成装置として画像を形成する。ＲＯＭ５２は、画像形成装置の制御プログラムおよび、関連するデータが格納されている。ＩＰＵ５３は、ＣＰＵ５１の指示に従い、ＬＤの光量を設定するために第１の基準電圧生成手段であるＤＡＣ５４ａおよび５４ｂにそれぞれの光量設定データＤａｔａ１およびＤａｔａ２を出力する。また、ＬＤを発光させて、同期信号を生成し戻ってきた同期信号を基点に上位からの画像データの処理およびＬＤドライバへの出力、ＡＰＣ信号の生成などを行なう。
【００４１】
第１の基準電圧生成手段であるＤＡＣ５４ａおよび５４ｂは、それぞれの光量設定データＤａｔａ１およびＤａｔａ２からアナログの基準電圧Ｖｒ１およびＶｒ２を生成する。
【００４２】
第２の基準電圧調整手段である分圧抵抗５５ａおよび５５ｂは、それぞれの入力した第１の基準電圧Ｖｒ１およびＶｒ２からそれぞれの第２の基準電圧Ｖｃ１およびＶｃ２を生成する。
【００４３】
図１２に、本発明に関わる第２の基準電圧調整手段としての分圧抵抗Ｒａの１実施例の構成を示す。本図では分圧抵抗Ｒａは、固定抵抗Ｒ１とＲ２および、可変抵抗ＶＲ１とで構成され、入力した第１の基準電圧Ｖｒに対して第２の基準電圧Ｖｃは
Ｖｃ＝Ｖｒ×Ｒ２／（Ｒ１＋Ｒ２＋ＶＲ１）…（式３）
で表せる。
【００４４】
ここで、可変抵抗ＶＲ１が最大抵抗値（ここでは、ＶＲ１ｍとする）のとき、第２の基準電圧Ｖｃは最小（ここでは、ＶＬとする）になり
ＶＬ＝Ｖｒ×Ｒ２／（Ｒ１＋Ｒ２＋ＶＲ１ｍ）…（式４）
で表せる。
【００４５】
また、可変抵抗ＶＲ１が最小のとき抵抗値は０Ωになるように配線されているから、第２の基準電圧Ｖｃは最大（ここでは、ＶＨとする）になり
ＶＨ＝Ｖｒ×Ｒ２／（Ｒ１＋Ｒ２）…（式５）
で表せる。
【００４６】
次に、本発明の光量調整作業について、図９に示すフローチャートを用いて説明する。
【００４７】
最初に、所定の光量Ｐを得るために全ＬＤの光量設定データを第１の基準電圧生成手段であるＤＡＣ５４に設定し第１の基準電圧Ｖｒを生成する（ステップＳ１０）。
【００４８】
次に、光量を調整するための基準となるＬＤ（ここでは、ＬＤ１とする）に対応する第２の基準電圧調整手段である分圧抵抗５５ａの可変抵抗ＶＲ１を調整して第２の基準電圧Ｖｃを最小にする（ステップＳ２０）。式４で前述したように図１２の構成例では、可変抵抗ＶＲ１の抵抗値が最大のとき、第２の基準電圧Ｖｃは最小のＶＬになる。
【００４９】
次に、光量を調整するための基準となるＬＤ１の光量を光パワーメータで測定しながら、前述した図１３の構成例では、モニタ抵抗Ｒｍを構成する可変抵抗ＶＲ２の抵抗値を調整して所定の目標値より小さい仮の値Ｐ０に一時的に調整する（ステップＳ３０）。前述したようにモニタ抵抗Ｖｍとモニタ電流Ｉｍは反比例関係にあるため、可変抵抗ＶＲ２の抵抗値を徐々に下げて光量を調整する。
【００５０】
次に、光量を調整するための基準となるＬＤ１の光量を光パワーメータで測定しながら、分圧抵抗５５ａの可変抵抗ＶＲ１を調整してＬＤ１の光量を所定のＰ値に調整する（ステップＳ４０）。可変抵抗ＶＲ１の抵抗値を徐々に下げると、第２の基準電圧Ｖｃは徐々に高くなり、ＬＤ１が発光する光量が増える。
【００５１】
次に、光量を調整するための基準となるＬＤ１以外のＬＤ２の光量を光パワーメータで測定しながら、このＬＤ２に対応する第２の基準電圧調整手段である分圧抵抗５５ｂの可変抵抗ＶＲ１を調整して光量を所定の値Ｐに調整する（ステップＳ５０）。
【００５２】
次に、第２の基準電圧調整手段である分圧抵抗の調整範囲内で調整可能か判断し、可能の場合は、ステップＳ８０に進み、不可能の場合は、ステップＳ７０に進む（ステップＳ６０）。
【００５３】
ステップＳ６０で不可能と判断された場合は、仮の光量Ｐ０を若干変更してステップＳ３０に戻る（ステップＳ７０）。
【００５４】
ステップＳ６０で可能と判断された場合は、全ｃｈの光量調整が終了したかの判定し、終了していない場合は、ステップＳ５０に戻る。終了している場合は、調整作業は終了となる（ＥＮＤ）。
【００５５】
次に、図７（ａ）〜（ｃ）を用いて本発明の光量調整作業について説明する。
【００５６】
図７（ａ）において、ステップＳ１０では、全ＬＤの光量設定データを第１の基準電圧生成手段であるＤＡＣ５４に設定し第１の基準電圧Ｖｒを生成する。第１の基準電圧Ｖｒに対する第２の基準電圧調整手段である分圧抵抗５５ａの可変抵抗ＶＲ１が調整するできる第２の基準電圧Ｖｃは、最小のＶＬから最大のＶＨまでとなる。ステップＳ２０では、第２の基準電圧Ｖｃは最小のＶＬになる。ステップ３０では、光量を調整するための基準となるＬＤ１の光量を、モニタ抵抗Ｒｍを構成する可変抵抗ＶＲ２の抵抗値を調整して所定の目標値より小さい仮の値Ｐ０に一時的に調整する（６１）。
【００５７】
図７（ｂ）において、ステップＳ４０では、光量を調整するための基準となるＬＤ１の光量を光パワーメータで測定しながら、分圧抵抗５５ａの可変抵抗ＶＲ１を調整してＬＤ１の光量を所定のＰ値に調整する（６２）。
【００５８】
図７（ｃ）において、ステップＳ５０では、ＬＤ２の光量を光パワーメータで測定しながら、ＬＤ２に対応する第２の基準電圧調整手段である分圧抵抗５５ｂの可変抵抗ＶＲ１を調整して光量を所定の値Ｐに調整する（６３）。
【００５９】
以降、ステップＳ５０を繰り返し実行し全ＬＤを所定の光量Ｐに調整する。
次に、分圧抵抗Ｒａやモニタ抵抗Ｒｍに用いられている固定抵抗は、個々の定数と実際の抵抗値の差（精度）はコストかけずとも±１％の製品を得ることができるが、可変抵抗は構造上、精度を上げることは難しく、個々の定数と実際の抵抗値の差は固定抵抗に比べて桁違いに大きい。
【００６０】
図１０は、上述した可変抵抗ＶＲ１の抵抗値の精度を考慮したもので、第１の基準電圧生成手段であるＤＡＣ５４の設定値Ｖｒに対して第２の基準電圧調整手段である分圧抵抗Ｒａの調整範囲を表したものである。式４で示したように可変抵抗ＶＲ１の抵抗値が最大のとき、第２の基準電圧Ｖｃは最小になる（９１）。このため、可変抵抗ＶＲ１の抵抗値の精度が影響するのは、第２の基準電圧Ｖｃが最小のときのみである。
【００６１】
図１０において、可変抵抗ＶＲ１の精度が＋側なら第２の基準電圧Ｖｃは最小をとるとき、ＶＬに対してΔＶ１低くなる（９２）。また、可変抵抗ＶＲ１の精度が−側なら第２の基準電圧Ｖｃは最小をとるときＶＬに対してΔＶ２高くなる（９３）。
【００６２】
次に、図１１（ａ）および図１１（ｂ）において、可変抵抗の抵抗値の精度による光量調整作業への影響について説明する。可変抵抗ＶＲ１の精度が＋側の場合について、図１１（ａ）を用いて説明する。前述したように、精度が＋側ならば、分圧抵抗で調整できる最小の基準電圧ＶｃはＶＬ−ΔＶ１となる。この基準電圧で、仮の光量Ｐ０に調整する（８１）。次に、可変抵抗Ｒａを調整し、基準電圧ＶＬ−ΔＶ１からＶＨまでの調整できる範囲内で、本来の目的である光量Ｐに調整する（８２）。可変抵抗の調整範囲で、所定の光量Ｐに調整できなければ、仮の光量Ｐ０を若干下げて、再度調整する。仮の光量Ｐ０は、モニタ抵抗の抵抗値を決めるものであるから、所定の光量Ｐに影響しない。仮の光量Ｐ０の値を調整すれば、色々な光量とモニタ電流Ｉｍの特性を持ったＬＤでも、調整できないということはない。
【００６３】
また、可変抵抗ＶＲ１の精度が−側の場合について、図１１（ｂ）を用いて説明する。前述したように、精度が−側ならば、分圧抵抗で調整できる最小の基準電圧ＶｃはＶＬ＋ΔＶ２となる。この基準電圧で、仮の光量Ｐ０に調整する（８３）。次に、可変抵抗Ｒａを調整し、基準電圧ＶＬ＋ΔＶ２からＶＨまでの調整できる範囲内で、本来の目的である光量Ｐに調整する（８４）。可変抵抗の調整範囲で、所定の光量Ｐに調整できなければ、仮の光量Ｐ０を若干上げて、再度調整する。仮の光量Ｐ０は、モニタ抵抗の抵抗値を決めるものであるから、所定の光量Ｐに影響しない。仮の光量Ｐ０の値を調整すれば、色々な光量とモニタ電流Ｉｍの特性を持ったＬＤでも、調整できないということはない。
【００６４】
このように、可変抵抗が固定抵抗に比べて精度が悪くても、仮の光量Ｐ０を調整すれば、必ず、分圧抵抗の調整範囲で、所定の光量に調整でき、不良品となることはない。
【産業上の利用可能性】
【００６５】
以上説明したように本発明に係る光量調整手段および光量調整方法を用いた画像形成装置では、レーザダイオードアレイ内に内蔵されているＬＤの総数に関わらず、基準電圧を生成する設定値において、全ＬＤを所定の光量Ｐに揃えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】本発明に係わるレーザダイオードを用いた光走査ユニットの一例を示す構成図である。
【図２】本発明に係わる光量制御装置の構成を示すブロック図である。
【図３】複数のレーザダイオードおよびフォトダイオードを内蔵した半導体レーザダイオードの構成図である。
【図４】レーザダイオードの光量とフォトダイオードのモニタ電流との関係を示す特性図である。
【図５】基準電圧に対して複数のレーザダイオードでは、射出する光量に違いがあることを示す特性図である。
【図６】基準電圧の違いによるモニタ抵抗の抵抗値と、モニタ電流の関係を示す特性図である。
【図７】本発明に係わる光量調整の調整方法を説明するための特性図である。
【図８】本発明に係わる光量制御装置の実施例を示すブロック図である。
【図９】本発明に係わる光量調整の調整方法を説明するためのフローチャートである。
【図１０】本発明に係わる光量調整の調整方法を説明するための特性図である。
【図１１】本発明に係わる光量調整の調整方法を説明するための特性図である。
【図１２】本発明に係わる第２の基準電圧調整手段としての分圧抵抗の構成を示すブロック図である。
【図１３】本発明に係わる電流電圧変換手段してのモニタ抵抗の構成を示すブロック図である。
【符号の説明】
【００６７】
１：半導体レーザダイオードアレイ、２：コリメータレンズ、３：ポリゴンモータ、５：回転多面鏡、６：ｆθレンズ、７：同期検知センサ、８：リターンミラー、９；感光体ドラム、１２：モニタ抵抗、４１：Ｉ／Ｖ変換回路、４２：コンパレータ、４３：スイッチ、４４：電流発生回路、４５：スイッチ回路、５１：ＣＰＵ、５２：ＲＯＭ、５３：ＩＰＵ、５４：ＤＡＣ、５５：分圧抵抗、５６：ＬＤドライバ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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