(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子と、
前記発光素子に駆動電流を供給する駆動トランジスタとを含み、
前記駆動トランジスタにはデータ電圧または逆バイアス電圧が交互に印加され、
前記逆バイアス電圧は、前記駆動トランジスタをオフし、最大値と最小値が周期的に印加される交流電圧であって、
前記駆動トランジスタは、オフ状態において有機発光ダイオードに電流を供給しないことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記駆動トランジスタに接続され、走査信号によって前記データ電圧を伝達する第１スイッチングトランジスタと、
前記駆動トランジスタに接続され、スイッチング信号によって前記逆バイアス電圧を伝達する第２スイッチングトランジスタとを含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記逆バイアス電圧の周波数は、１０Ｈｚ〜１００００Ｈｚであることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記逆バイアス電圧のデューティ比は、１０〜９０％であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記逆バイアス電圧の最大値と最小値の平均は０Ｖより小さいことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
前記逆バイアス電圧の最小値は、０Ｖより小さいことを特徴とする請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記逆バイアス電圧の最大値は、０Ｖであることを特徴とする請求項５に記載の表示装置。
【請求項８】
前記逆バイアス電圧の最大値は、０Ｖより大きいことを特徴とする請求項５に記載の表示装置。
【請求項９】
前記第１スイッチングトランジスタ及び前記第２スイッチングトランジスタは、交互にターンオンされることを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記第１スイッチングトランジスタがターンオンされる時間は、前記第２スイッチングトランジスタがターンオンされる時間より長いことを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置及びその駆動方法に関する。より詳しくは、有機ＥＬ（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ  Ｄｉｓｐｌａｙ）及びその駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、パーソナルコンピュータやテレビなどの軽量化及び薄型化に伴い、表示装置も軽量化及び薄型化が要求されており、このような要求に応えて陰極線管（ＣＲＴ）がフラットディスプレイ装置に代替されている。
【０００３】
このようなフラットディスプレイ装置には、液晶表示装置（ｌｉｑｕｉｄ  ｃｒｙｓｔａｌ  ｄｉｓｐｌａｙ、ＬＣＤ）、電界放出ディスプレイ装置（ｆｉｅｌｄ  ｅｍｉｓｓｉｏｎ  ｄｉｓｐｌａｙ、ＦＥＤ）、有機ＥＬ装置（ｏｒｇａｎｉｃ  ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｏｄｅ  ｄｉｓｐｌａｙ）、プラズマディスプレイ装置（ｐｌａｓｍａ  ｄｉｓｐｌａｙ  ｐａｎｅｌ、ＰＤＰ）などがある。
【０００４】
一般にアクティブマトリックスフラットディスプレイ装置(Ａｃｔｉｖｅ  Ｍａｔｒｉｘ  Ｔｙｐｅ  Ｏｆ  Ｆｌａｔ  Ｐａｎｅｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｄｅｖｉｃｅ)では、複数の画素が行列状に配列され、与えられた輝度情報によって各画素の光強度を制御して画像を表示する。有機ＥＬ装置は、蛍光性有機物質を電気的に励起発光させて画像を表示する表示装置であって、自己発光型であり、消費電力が小さく、視野角が広く、画素の応答速度が速いので、高画質の動画表示が容易である。
【０００５】
有機ＥＬ装置は、有機発光ダイオード（ｏｒｇａｎｉｃ  ｌｉｇｈｔｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｏｄｅ、ＯＬＥＤ）と、これを駆動する薄膜トランジスタ（ｔｈｉｎ  ｆｉｌｍ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、ＴＦＴ）とを備える。この薄膜トランジスタは、活性層の種類によってポリシリコン（ｐｏｌｙ  ｓｉｌｉｃｏｎ）薄膜トランジスタと、アモルファスシリコン（ａｍｏｒｐｈｏｕｓ  ｓｉｌｉｃｏｎ）薄膜トランジスタなどに分けられる。ポリシリコン薄膜トランジスタを採用した有機ＥＬ装置は、様々な長所を有しており一般的に広く使用されているが、薄膜トランジスタの製造工程が複雑で、コストも上昇する。また、このような有機ＥＬ装置は、大画面を実現することが難しい。
【０００６】
アモルファスシリコン薄膜トランジスタを採用した有機ＥＬ装置は、大画面を実現することが容易であり、ポリシリコン薄膜トランジスタを採用した有機ＥＬ装置に比べて、製造工程数も相対的に少ない。しかし、アモルファスシリコン薄膜トランジスタの制御端子に正極性の直流（ＤＣ）電圧を持続的に印加するによって、アモルファスシリコン薄膜トランジスタのしきい値電圧の遷移が生じる。これは同一の制御電圧が薄膜トランジスタに印加されても、不均一な電流が有機発光ダイオードに流れるようにするため、そのため有機ＥＬ装置の画質劣化が発生する。その結果、有機ＥＬ装置の寿命を短縮させる。
【０００７】
このようなしきい値電圧の遷移を補償して、画質劣化を防止するために、多くの画素回路が提案されている。しかし、殆どの画素回路が薄膜トランジスタ、キャパシタ及び配線を複数含んでいて画素の開口率が低い。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
そこで、本発明は上記従来の問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、画素回路を簡単にし、駆動装置の改造を最少に抑えながらもアモルファスシリコン薄膜トランジスタのしきい値電圧の遷移を防止し、画質劣化を防ぐことができる表示装置及びその駆動方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するためになされた本発明による表示装置は、発光素子と、発光素子に駆動電流を供給する駆動トランジスタとを含み、駆動トランジスタにはデータ電圧または逆バイアス電圧が交互に印加され、逆バイアス電圧は交流電圧であることを特徴とする。
【００１０】
本発明による表示装置は、駆動トランジスタに接続され、走査信号によってデータ電圧を伝達する第１スイッチングトランジスタと、駆動トランジスタに接続され、スイッチング信号によって逆バイアス電圧を伝達する第２スイッチングトランジスタとを含んでもよい。逆バイアス電圧の周波数は１０Ｈｚ〜１００００Ｈｚであってもよい。逆バイアス電圧のデューティ比は１０〜９０％であってもよい。
【００１１】
逆バイアス電圧の最大値と最小値の平均は０Ｖより小さくてもよい。逆バイアス電圧の最小値は０Ｖより小さくてもよい。逆バイアス電圧の最大値は０Ｖであってもよい。逆バイアス電圧の最大値は０Ｖより大きくてもよい。
【００１２】
第１スイッチングトランジスタ及び第２スイッチングトランジスタは、交互にターンオンされてもよい。第１スイッチングトランジスタがターンオンする時間は、第２スイッチングトランジスタがターンオンする時間より長くてもよい。第１スイッチングトランジスタがターンオンする時間と、第２スイッチングトランジスタがターンオンする時間の比率は、４:１〜１６:１であってもよい。
【００１３】
データ信号に基づいた電圧を充電するキャパシタをさらに含んでもよい。
【００１４】
表示装置がターンオン状態であるとき、駆動トランジスタにデータ電圧が印加されてもよく、表示装置がターンオフの状態であるとき、駆動トランジスタに逆バイアス電圧が印加されてもよい。表示装置のターンオン時間を測定するクロックタイマーをさらに含んでもよい。
【００１５】
逆バイアス電圧の印加時間はターンオン時間の１/８であってもよい。
【００１６】
上記目的を達成するためになされた本発明による表示装置は、スイッチングトランジスタ、スイッチングトランジスタに接続される駆動トランジスタ、駆動トランジスタに接続される発光素子を備える複数の画素からなる少なくとも一つの画素行を含む第１及び第２画素行グループ（ｇｒｏｕｐ）と、第１画素行グループのスイッチングトランジスタに接続され、走査信号を伝達する第１ゲート駆動部と、第２画素行グループのスイッチングトランジスタに接続され、走査信号を伝達する第２ゲート駆動部とを含み、第１画素行グループの駆動トランジスタにデータ電圧が印加され、第２画素行グループの駆動トランジスタに交流逆バイアス電圧が印加されることを特徴とする。
【００１７】
第１画素行グループに走査信号を印加する方向と、第２画素行グループに走査信号を印加する方向とが互いに逆方向であってもよい。
【００１８】
第１画素行グループの駆動トランジスタにデータ電圧が印加された後、交流逆バイアス電圧が印加されてもよく、第２画素行グループの駆動トランジスタに交流逆バイアス電圧が印加された後、データ電圧が印加されてもよい。
【００１９】
１フレームを、第１表示区間及び第２休止区間を有する第１区間と、第２表示区間及び第２休止区間を有する第２区間とに分け、第１表示区間で第１画素行グループの駆動トランジスタにデータ電圧が印加され、第１休止区間で第２画素行グループの駆動トランジスタに交流逆バイアス電圧が印加されされてもよく、第２表示区間で第２画素行グループの駆動トランジスタにデータ電圧が印加され、第２休止区間で第１画素行グループの駆動トランジスタに交流逆バイアス電圧が印加されてもよい。
【００２０】
本発明の表示装置の駆動方法は、発光素子及び発光素子に電流を供給する駆動トランジスタを有する表示装置の駆動方法であって、駆動トランジスタにデータ電圧を印加し、駆動トランジスタに逆バイアス電圧を印加することを含み、バイアス電圧は交流電圧であることを特徴とする。
【００２１】
データ電圧は、表示装置がターンオン状態であるときに印加されてもよく、前記逆バイアス電圧は、前記表示装置がターンオフの状態であるときに印加されてもよい。
【００２２】
また、本発明の表示装置の駆動方法は、スイッチングトランジスタ、スイッチングトランジスタに接続される駆動トランジスタ、駆動トランジスタに接続される発光素子を備える複数の画素からなる少なくとも一つの画素行を含む第１及び第２画素行グループを含む表示装置の駆動方法であって、第１画素行グループにデータ電圧を印加し、第２画素行グループに交流逆バイアス電圧を印加し、第２画素行グループに前記データ電圧を印加し、第１画素行グループに交流逆バイアス電圧を印加することを含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、駆動装置の改造を最少に抑えながらもアモルファスシリコン薄膜トランジスタのしきい値電圧の遷移を防止し、画質劣化を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
添付した図面を用いながら、本発明の実施形態を、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施することができるように詳細に説明する。しかしながら、本発明は、多様な形態で実現することができ、ここで説明する実施形態に限定されない。
【００２５】
図面は、各種層及び領域を明確に表現するために、厚さを拡大して示している。明細書全体を通じて類似した部分については同一の参照符号を付けている。層、膜、領域、板などの部分が、他の部分の「上に」あるとするとき、これは他の部分の「すぐ上に」ある場合に限らず、その中間に更に他の部分がある場合も含む。逆に、ある部分が他の部分の「すぐ上に」あるとするとき、これは中間に他の部分がない場合を意味する。
【００２６】
以下、本発明の実施形態に係る表示装置及びその駆動方法について添付した図面を参照して詳細に説明する。
【００２７】
図１は本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ装置のブロック図であり、図２は本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ装置の一つの画素に対する等価回路図である。
【００２８】
図１に示すように、本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ装置は、表示板３００と、これに接続された走査駆動部（Ｓｃａｎｎｉｎｇ  ｄｒｉｖｅｒ）４００及びデータ駆動部（Ｄａｔａ  ｄｒｉｖｅｒ）５００、スイッチング駆動部（Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ  ｄｒｉｖｅｒ）７００、逆バイアス電圧生成部(Ｒｅｖｅｒｓｅ  ｂｉａｓ  ｖｏｌｔａｇｅ  ｇｅｎｅｒａｔｏｒ)８００、並びにこれらを制御する信号制御部（Ｓｉｇｎａｌ  ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）６００を含む。
【００２９】
表示板３００は、等価回路的には複数の表示信号線（Ｇ１〜Ｇｎ、Ｄ１〜Ｄｍ）と複数の駆動電圧線（図示せず）、及びこれらに接続されてほぼ行列状に配列された複数の画素（ＰＸ）を含む。
【００３０】
表示信号線（Ｇ１〜Ｇｎ、Ｄ１〜Ｄｍ）は、走査信号を伝達する複数の走査信号線（Ｇ１〜Ｇｎ）とデータ電圧を伝達する複数のデータ線（Ｄ１〜Ｄｍ）とを含む。走査信号線（Ｇ１〜Ｇｎ）は、ほぼ行方向に延在し、互いに分離されており、ほぼ平行である。データ線（Ｄ１〜Ｄｍ）は、ほぼ列方向に延在し、互いに分離されており、ほぼ平行である。駆動電圧線は、各画素（ＰＸ）に駆動電圧（Ｖｄｄ）を伝達する。
【００３１】
図２に示すように、各画素（ＰＸ）、例えば、走査信号線（Ｇｉ）とデータ線（Ｄｊ）に接続されている画素は、有機発光ダイオード（ＬＤ）、駆動トランジスタ（Ｑｄ）、キャパシタ（Ｃｓｔ）、ならびに第１及び第２スイッチングトランジスタＱｓ１、Ｑｓ２を含む。
【００３２】
駆動トランジスタ（Ｑｄ）は、三端子素子であって、その制御端子はスイッチングトランジスタ（Ｑｓ）及びキャパシタ（Ｃｓｔ）に接続されており、入力端子は駆動電圧（Ｖｄｄ）がかかっている駆動電圧線（Ｌｄ）に接続されており、出力端子は有機発光ダイオード（ＬＤ）に接続されている。
【００３３】
第１スイッチングトランジスタ（Ｑｓ１）も三端子素子であって、その制御端子及び入力端子は、各々走査信号線（Ｇｉ）及びデータ線（Ｄｊ）に接続されており、出力端子はキャパシタ（Ｃｓｔ）及び駆動トランジスタ（Ｑｄ）に接続されている。
【００３４】
第２スイッチングトランジスタ（Ｑｓ２）も三端子素子であって、その制御端子及び入力端子は、各々スイッチング制御線（Ｃｋ）及び逆バイアス電圧（Ｖｎｅｇ）がかかっている逆バイアス電圧線（Ｌｇ）に接続されており、出力端子は駆動トランジスタ（Ｑｄ）の制御端子に接続されている。
【００３５】
キャパシタ（Ｃｓｔ）は、スイッチングトランジスタ（Ｑｓ）と駆動電圧（Ｖｄｄ）との間に接続され、第１スイッチングトランジスタ（Ｑｓ１）からのデータ電圧を充電し、所定時間維持される。
【００３６】
有機発光ダイオード（ＬＤ）のアノード（ａｎｏｄｅ）とカソード（ｃａｔｈｏｄｅ）は、各々駆動トランジスタ（Ｑｄ）と共通電圧（Ｖｃｏｍ）に接続されている。有機発光ダイオード（ＬＤ）は、駆動トランジスタ（Ｑｄ）が供給する電流（ＩＬＤ）の大きさによって強さを異にして発光することによって画像を表示する。電流（ＩＬＤ）の大きさは、駆動トランジスタ（Ｑｄ）の制御端子と出力端子との間の電圧（Ｖｇｓ）の大きさに依存する。
【００３７】
スイッチング及び駆動トランジスタ（Ｑｓ、Ｑｄ）は、アモルファスシリコンまたは多結晶シリコンからなるｎ-チャネル電界効果トランジスタ（ｆｉｅｌｄ ｅｆｆｅｃｔ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ；ＦＥＴ）からなる。しかし、これらトランジスタ（Ｑｓ、Ｑｓ）は、ｐ-チャネル電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）からなってもよく、この場合、ｐ-チャネル電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）とｎ-チャネル電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）とが、互いに相補型（ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ）であるので、ｐ-チャンネル電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）の動作と電圧及び電流は、ｎ-チャンネル電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）のそれと反対である。
【００３８】
次に、図２に示した有機ＥＬ装置の駆動トランジスタ（Ｑｄ）と有機発光ダイオード（ＬＤ）の構造を図３及び図４を参照して詳細に説明する。
【００３９】
図３は、図２に示した有機ＥＬ装置の一つの画素の駆動トランジスタと、有機発光ダイオードの断面の一例を示した断面図であり、図４は、本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ装置の有機発光ダイオードの概略図である。
【００４０】
絶縁基板１１０上に制御端子電極（ｃｏｎｔｒｏｌ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１２４が形成されている。制御端子電極１２４は、アルミニウム（Ａｌ）とアルミニウム合金などのアルミニウム系金属、銀（Ａｇ）と銀合金などの銀系金属、銅（Ｃｕ）と銅合金などの銅系金属、モリブデン（Ｍｏ）とモリブデン合金などのモリブデン系金属、クロム（Ｃｒ）、チタニウム（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）などからなることが好ましい。しかし、制御端子電極１２４は、物理的性質が異なる二つの導電膜（図示せず）を含む多重膜構造を有してもよい。そのうちの一つの導電膜は、信号遅延や電圧降下を減らすことができるように低い比抵抗（ｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙ）の金属、例えば、アルミニウム系金属、銀系金属、銅系金属などからなる。
【００４１】
これと異なり、もう一つの導電膜は、他の物質、特にＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）及びＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）との物理的、化学的、電気的接触特性に優れた物質、例えば、モリブデン系金属、クロム、チタニウム、タンタルなどからなる。このような組み合わせの好適な例としては、クロム下部膜とアルミニウム（合金）上部膜、及びアルミニウム（合金）下部膜とモリブデン（合金）上部膜がある。しかし、制御端子電極１２４は、様々な金属と導電体から形成されてもよい。制御端子電極１２４は、基板１１０面に対して傾斜しており、その傾斜角は３０〜８０゜である。
【００４２】
制御端子電極１２４上には、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）などからなる絶縁膜（ｉｎｓｕｌａｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒ）１４０が形成されている。
【００４３】
絶縁膜１４０上には水素化アモルファスシリコン（アモルファスシリコンはａ-Ｓｉと略称する）または多結晶シリコンなどからなる半導体１５４が形成されている。
【００４４】
半導体１５４上にはシリサイド（ｓｉｌｉｃｉｄｅ）またはｎ型不純物が高濃度にドーピングされているｎ+水素化アモルファスシリコンなどの物質からなる１対のオーミックコンタクト部材（ｏｈｍｉｃ ｃｏｎｔａｃｔ）１６３、１６５が形成されている。半導体１５４とオーミックコンタクト部材１６３、１６５の側面は、基板１１０面に対して傾斜しており、傾斜角は３０〜８０゜である。
【００４５】
オーミックコンタクト部材１６３、１６５及び絶縁膜１４０上には、入力端子電極１７３と、出力端子電極１７５が形成されている。入力端子電極１７３と出力端子電極１７５は、クロム、モリブデン系金属、タンタル及びチタニウムなど高融点金属（ｒｅｆｒａｃｔｏｒｙ
ｍｅｔａｌ）からなることが好ましく、高融点金属などの下部膜（図示せず）と、その上に位置した低抵抗物質の上部膜（図示せず）を含む多層膜構造を有してもよい。多層膜構造の例としては、クロムまたはモリブデン（合金）下部膜とアルミニウム上部膜の二重膜、モリブデン（合金）下部膜-アルミニウム（合金）中間膜-モリブデン（合金）上部膜の三重膜が挙げられる。入力端子電極１７３と出力端子電極１７５も制御端子電極１２４と同様にその側面が約３０〜８０゜の角度でそれぞれ傾斜している。
【００４６】
入力端子電極１７３と出力端子電極１７５は、互いに分離され、制御端子電極１２４を基準として両側に設置されている。制御端子電極１２４、入力端子電極１７３及び出力端子電極１７５は、半導体１５４と共に駆動トランジスタ（Ｑｄ）を構成し、そのチャネルは、入力端子電極１７３と出力端子電極１７５との間の半導体１５４で形成される。
【００４７】
オーミックコンタクト部材１６３、１６５は、その下部の半導体１５４と、その上部の入力端子電極１７３及び出力端子電極１７５の間にのみ存在し、コンタクト抵抗を低くする役割をする。半導体１５４には入力端子電極１７３と出力端子電極１７５によって覆われずに露出している部分が存在する。
【００４８】
入力端子電極１７３及び出力端子電極１７５と半導体１５４の露出している部分及び絶縁膜１４０上には、保護膜１８０が形成されている。保護膜１８０は、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）や酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）などの無機絶縁物、有機絶縁物、低誘電率絶縁物などで形成される。低誘電率絶縁物の誘電定数は４．０以下であることが好ましく、プラズマ化学気相蒸着（ＰＥＣＶＤ）で形成されるａ-Ｓｉ:Ｃ:Ｏ、ａ-Ｓｉ:Ｏ:Ｆなどがその例である。有機絶縁物のうち感光性を有するもので保護膜１８０を形成してもよく、保護膜１８０の表面はが平坦化してもよいが。また、保護膜１８０は、半導体１５４の露出している部分を保護するとともに有機膜の長所を生かすことができるように、下部無機膜と上部有機膜の二重膜構造からなることも可能である。保護膜１８０には出力端子電極１７５を露出させるコンタクトホール１８５が形成されている。
【００４９】
保護膜１８０上には画素電極１９１が形成されている。画素電極１９１は、コンタクトホール１８５を介して出力端子電極１７５と物理的、電気的に連結されており、ＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電物質やアルミニウムまたは銀合金の反射性に優れた金属で形成することができる。
【００５０】
また、保護膜１８０上には隔壁３６１が形成されている。隔壁３６１は、画素電極１９１の周辺を堤防（ｂａｎｋ）のように取り囲んで開口部（ｏｐｅｎｉｎｇ）を定義し、有機絶縁物質または無機絶縁物質で形成される。
【００５１】
画素電極１９１上には有機発光部材３７０が形成されており、有機発光部材３７０は、隔壁３６０で囲まれた開口部に閉じ込められている。
【００５２】
有機発光部材３７０は、図４に示すように、発光層（ＥＭＬ）の他に発光層（ＥＭＬ）の発光効率を向上させるための付帯層を含む多層構造を有する。付帯層には電子と正孔との均衡をとるための電子輸送層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｒａｎｓｐｏｒｔ  ｌａｙｅｒ）（ＥＴＬ）及び正孔輸送層（ｈｏｌｅ  ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  ｌａｙｅｒ）（ＨＴＬ）と、電子と正孔の注入を強化するための電子注入層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｉｎｊｅｃｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒ）（ＥＩＬ）及び正孔注入層（ｈｏｌｅ  ｉｎｊｅｃｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒ）（ＨＩＬ）がある。付帯層は省略してもよい。
【００５３】
隔壁３６１及び有機発光部材３７０上には、共通電圧（Ｖｓｓ）が印加される共通電極２７０が形成されている。共通電極２７０は、カルシウム（Ｃａ）、バリウム（Ｂａ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）などを含む反射性金属またはＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電物質で形成される。
【００５４】
不透明な画素電極１９１と透明な共通電極２７０は、表示板３００の上部方向に画像を表示する前面発光（ｔｏｐ  ｅｍｉｓｓｉｏｎ）方式の有機ＥＬ装置に適用し、透明な画素電極１９１と不透明な共通電極２７０は、表示板３００の下方向に画像を表示する背面発光（ｂｏｔｔｏｍ  ｅｍｉｓｓｉｏｎ）方式の有機ＥＬ装置に適用する。
【００５５】
画素電極１９１、有機発光部材３７０及び共通電極２７０は、図２に示した有機発光ダイオード（ＬＤ）を構成し、画素電極１９１がアノード、共通電極２７０がカソードとなるか、あるいは画素電極１９１がカソード、共通電極１９１がアノードとなる。有機発光ダイオード（ＬＤ）は、有機発光部材３７０の材料によって基本色のうちの一色の光を出す。基本色の例としては、赤色、緑色、青色の三原色があり、三原色の空間的な加色法で所望の色相を表示する。
【００５６】
また図１に戻ると、図１に示すように、走査駆動部４００は、走査信号線（Ｇ１〜Ｇｎ）に接続され、第１スイッチングトランジスタ（Ｑｓ１）をターンオンさせることができる高電圧（Ｖｏｎ）と、ターンオフさせることができる低電圧（Ｖｏｆｆ）との組み合わせからなる走査信号を走査信号線（Ｇ１〜Ｇｎ）に印加する。
【００５７】
データ駆動部５００は、データ線（Ｄ１〜Ｄｍ）に接続され、データ電圧をデータ線（Ｄ１〜Ｄｍ）に印加する。
【００５８】
スイッチング駆動部７００は、スイッチ制御線（Ｃｋ）に接続され、第２スイッチングトランジスタ（Ｑｓ２）をターンオンさせることができる高電圧（Ｖｓｏｎ）とターンオフさせることができる低電圧（Ｖｓｏｆｆ）の組み合わせからなるスイッチング信号をスイッチ制御線（Ｃｋ）に印加する。
逆バイアス電圧生成部７００は、逆バイアス電圧線（Ｌｇ）に接続され、各画素に逆バイアス電圧（Ｖｎｅｇ）を印加する。
【００５９】
信号制御部６００は、走査駆動部４００、データ駆動部５００、スイッチング制御部７００及び逆バイアス電圧生成部８００などの動作を制御する。信号制御部６００は、外部のグラフィック制御部（図示せず）から入力画像信号（Ｒ、Ｇ、Ｂ）及びその表示を制御する入力制御信号、例えば、垂直同期信号（Ｖｓｙｎｃ）と水平同期信号（Ｈｓｙｎｃ）、メインクロック（ＭＣＬＫ）、データイネーブル信号（ＤＥ）などの提供を受ける。信号制御部６００は、入力画像信号（Ｒ、Ｇ、Ｂ）と入力制御信号に基づいて画像信号（Ｒ、Ｇ、Ｂ）を表示板３００の動作条件に合わせて適切に処理し、走査制御信号（ＣＯＮＴ１）、データ制御信号（ＣＯＮＴ２）、スイッチング制御信号（ＣＯＮＴ３）及び逆バイアス制御信号（ＣＯＮＴ４）などを生成した後、走査制御信号（ＣＯＮＴ１）を走査駆動部４００に送信し、データ制御信号（ＣＯＮＴ２）と処理した画像データ（ＤＡＴ）はデータ駆動部５００に送信し、スイッチング制御信号（ＣＯＮＴ３）はスイッチング駆動部７００に送信し、逆バイアス制御信号（ＣＯＮＴ４）は逆バイアス電圧生成部８００に送信する。
【００６０】
走査制御信号（ＣＯＮＴ１）は、高電圧（Ｖｏｎ）の走査開始を指示する垂直同期開始信号（ＳＴＶ）と、高電圧（Ｖｏｎ）の出力を制御する少なくとも一つのクロック信号などを含む。また、走査制御信号（ＣＯＮＴ１）は、高電圧（Ｖｏｎ）の持続時間を限定する出力イネーブル信号（ＯＥ）を含んでもよい。
【００６１】
データ制御信号（ＣＯＮＴ２）は、一つの画素行のデータ伝送を知らせる水平同期開始信号（ＳＴＨ）と、データ線（Ｄ１〜Ｄｍ）に該当データ電圧の印加を指示するロード信号（ＬＯＡＤ）及びデータクロック信号（ＨＣＬＫ）などを含む。
【００６２】
スイッチング制御信号（ＣＯＮＴ３）は、高電圧（Ｖｓｏｎ）の走査開始を指示する垂直同期開始信号（ＳＴＶ）と高電圧（Ｖｓｏｎ）の出力を制御する少なくとも一つのクロック信号などを含む。また、スイッチング制御信号（ＣＯＮＴ３）は、高電圧（Ｖｓｏｎ）の持続時間を限定する出力イネーブル信号（ＯＥ）を含んでもよい。
【００６３】
このような駆動装置４００、５００、６００、７００、８００の各々は、少なくとも一つの集積回路チップの形態で液晶表示板組立体３００上に直接装着されたり、フレキシブル印刷回路フィルム（図示せず）上に装着されてＴＣＰ（ｔａｐｅ  ｃａｒｒｉｅｒ  ｐａｃｋａｇｅ）の形態で液晶表示板組立体３００に付着されたり、別途の印刷回路基板（図示せず）上に装着されたりする。これとは異なり、これら駆動装置４００、５００、６００、７００、８００が液晶表示板組立体３００に集積されてもよい。また、駆動装置４００、５００、６００、７００、８００は単一チップで集積されてもよく、その場合、そのうちの少なくとも一つまたはそれらをなす少なくとも一つの回路素子が単一チップの外側に存在してもよい。
【００６４】
次に、図５〜図８を参照して、本発明の実施形態に係る有機ＥＬ装置の動作を詳細に説明する。
【００６５】
図５は、本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ装置の信号波形図である。信号制御部６００は、１フレームを２区間（ＮＴ、ＲＴ）に分けて画像を表示する。まず、第１区間（ＮＴ）において、データ駆動部５００は、信号制御部６００からのデータ制御信号（ＣＯＮＴ２）によって一行の画素に対する画像データ（ＤＡＴ）を順次受信し、各画像データ（ＤＡＴ）を対応する正常データ電圧（Ｖｄａｔ）に変換した後、それを対応するデータ線（Ｄ１〜Ｄｍ）に印加する。
【００６６】
走査駆動部４００は、信号制御部６００からの走査制御信号（ＣＯＮＴ１）によって走査信号を走査信号線（Ｇ１〜Ｇｎ）に印加し、この走査信号線（Ｇ１〜Ｇｎ）に接続された第１スイッチングトランジスタ（Ｑｓ１）をターンオンさせ、これにより、データ線（Ｄ１〜Ｄｍ）に印加された正常データ電圧（Ｖｄａｔ）がターンオンされた第１スイッチングトランジスタ（Ｑｓ１）を介して駆動トランジスタ（Ｑｄ）の制御端子に印加される。
【００６７】
駆動トランジスタ（Ｑｄ）に印加されたデータ電圧（Ｖｄａｔ）は、キャパシタ（Ｃｓｔ）に充電され、第１スイッチングトランジスタ（Ｑｓ１）がオフされても充電された電圧は維持される。データ電圧（Ｖｄａｔ）が印加されると駆動トランジスタ（Ｑｄ）はオン状態となり、この電圧（Ｖｄａｔ）に応じた電流（ＩＬＤ）を出力する。そして、この電流（ＩＬＤ）が有機発光ダイオード（ＬＤ）に流れ、該当画素（ＰＸ）には画像が表示される。
【００６８】
１水平周期（１Ｈ）が経過すると、データ駆動部５００と走査駆動部４００は、次行の画素（ＰＸ）に対して同一動作を繰り返す。このような方式で、第１区間（ＮＴ）で全ての走査信号線（Ｇ１〜Ｇｎ）に対して順次に走査信号を印加し、全ての画素（ＰＸ）にデータ電圧（Ｖｄａｔ）を印加する。全ての画素（ＰＸ）にデータ電圧（Ｖｄａｔ）が印加された後、第２区間（ＲＴ）が開始される。逆バイアス電圧生成部８００は、信号制御部６００から逆バイアス制御信号（ＣＯＮＴ４）によって逆バイアス電圧（Ｖｎｅｇ）を対応する逆バイアス電圧線（Ｌｎ）に印加する。
【００６９】
スイッチング駆動部７００は、信号制御部６００からスイッチング制御信号（ＣＯＮＴ３）によってスイッチング信号をスイッチング信号線（Ｃｋ）に印加し、このスイッチング信号線（Ｃｋ）に接続された第２スイッチングトランジスタ（Ｑｓ２）をターンオンさせ、これにより、逆バイアス電圧線（Ｌｇ）に印加された逆バイアス電圧（Ｖｎｅｇ）がターンオンされたスイッチングトランジスタ（Ｑｓ２）を介して駆動トランジスタ（Ｑｄ）の制御端子に印加される。
【００７０】
逆バイアス電圧（Ｖｎｅｇ）は、一定の最大値と最小値が周期的に印加される交流電圧（ＡＣ）である。例えば、図５に示すように、最大値は０Ｖで、最小値は−２０Ｖである交流電圧が逆バイアス電圧（Ｖｎｅｇ）として印加される。また、図６に示すように、逆バイアス電圧（Ｖｎｅｇ）は、最大値は１０Ｖで、最小値は−２０Ｖである交流電圧であってもよい。逆バイアス電圧（Ｖｎｅｇ）の振幅は、データ電圧（Ｖｄａｔ）の範囲、有機発光ダイオード（ＬＤ）の種類や特性など、設計要素にしたがって設定されるが、電圧の最大値と最小値の平均は０Ｖより小さい。このような逆バイアス電圧（Ｖｎｅｇ）の周波数は、１０Ｈｚ〜１００００Ｈｚであることが好ましく、デューティ比（ｄｕｔｙ  ｒａｔｉｏ）は、１０〜９０％としてもよい。１フレームを分ける第１区間（ＮＴ）の時間と第２区間（ＲＴ）の時間との比率は、４:１〜１６:１であることが好ましい。
【００７１】
駆動トランジスタ（Ｑｄ）に印加された逆バイアス電圧（Ｖｎｅｇ）は、キャパシタ（Ｃｓｔ）に充電され、第２スイッチングトランジスタ（Ｑｓ２）がオフ状態になっても充電された電圧は維持される。逆バイアス電圧（Ｖｎｅｇ）が印加されると、駆動トランジスタ（Ｑｄ）はオフ状態になり、有機発光ダイオード（ＬＤ）には電流が流れなくなり、有機発光ダイオード（ＬＤ）は発光しない。これにより、有機ＥＬ装置の画面にはブラックが表示される。
【００７２】
１水平周期（１Ｈ）が経過すると、データ駆動部５００、走査駆動部４００、スイッチング駆動部７００、逆バイアス電圧生成部８００は、次行の画素（ＰＸ）に対して同一の動作を繰り返す。このような方式で、後半フレームで全てのスイッチング制御線（Ｃｋ）に対して順次スイッチング制御信号を印加し、全ての画素（ＰＸ）に逆バイアス電圧（Ｖｎｅｇ）を印加する。全ての画素（ＰＸ）に逆バイアス電圧（Ｖｎｅｇ）が印加されると、第２区間（ＲＴ）が終了し、再び次のフレームが始まって同一な動作が繰り返される。
【００７３】
このように、逆バイアス電圧（Ｖｎｅｇ）が駆動トランジスタ（Ｑｄ）の制御端子に印加されると、駆動トランジスタ（Ｑｄ）のしきい値電圧の遷移を防止することができる。即ち、上記のように、従来は、長時間正の直流電圧が駆動トランジスタ（Ｑｄ）の制御端子に印加されると、時間経過に伴いそのしきい値電圧が遷移されて画質が劣化する。そのため、本実施形態のように、逆バイアス電圧（Ｖｎｅｇ）を印加することによって、画像を表示するために印加された正の正常データ電圧（Ｖｄａｔ）によるストレスを解消し、駆動トランジスタ（Ｑｄ）のしきい値電圧の遷移を防止することができる。
【００７４】
以上の実施形態では、別途の第２スイッチングトランジスタ（Ｑｓ２）が逆バイアス線に接続され、交流形態の逆バイアス電圧を印加することを説明したが、本発明はこれに限らず、多様な方法で交流形態の逆バイアス電圧を駆動トランジスタ（Ｑｄ）に印加してもよい。例えば、データ駆動部が正常データ電圧と逆バイアス電圧を全て生成し、そのうちの一つを選択的に印加してもよい。このとき、逆バイアス電圧は、別途の装置を用いて交流電圧を生成し、印加してもよい。
【００７５】
次に、図７及び図８を参照して、本発明による有機ＥＬ装置の効果を説明する。
【００７６】
図７及び図８は、本発明による有機ＥＬ装置の時間経過によるしきい値電圧の遷移量を比較例とともに示したグラフである。図７には、駆動トランジスタ（Ｑｄ）の制御端子に逆バイアス電圧（Ｖｎｅｇ）が印加されずに、正極性（＋）の直流電圧のみ印加される場合（ＤＣ:７Ｖ）、及び逆バイアス電圧（Ｖｎｅｇ）を多様な条件を有する交流電圧として印加する場合（ＤＣ:７Ｖ＋０/−２０Ｖ＠１０Ｈｚ、ＤＣ:７Ｖ＋１/−２０Ｖ＠２５０Ｈｚ）における、時間経過によってしきい値電圧の遷移を示す。
【００７７】
この場合、逆バイアス電圧（Ｖｎｅｇ）を多様な条件を有する交流電圧として印加する場合（ＤＣ:７Ｖ＋０/−２０Ｖ＠１０Ｈｚ、ＤＣ:７Ｖ＋１/−２０Ｖ＠２５０Ｈｚ）、まず、駆動トランジスタ（Ｑｄ）の制御端子に約１００時間連続的に直流電圧を印加した後、約１日（２４時間）、交流の逆バイアス電圧（Ｖｎｅｇ）を印加した。各々の実験は２回繰返し行い、全て図７に示されている。
【００７８】
駆動トランジスタ（Ｑｄ）の制御端子に逆バイアス電圧（Ｖｎｅｇ）が印加されずにデータ電圧（Ｖｄａｔ）が持続的に印加される場合、しきい値電圧は次第に増加し、６００時間が経過した後にはしきい値電圧の遷移は３Ｖに近づく。これに対し、一定の周波数（１０Ｈｚまたは２５０Ｈｚ）を有し、０Ｖと−２０Ｖの値が周期的に繰り返される交流逆バイアス電圧（Ｖｎｅｇ）を駆動トランジスタ（Ｑｄ）の制御端子に印加する場合、しきい値電圧が約１Ｖ程度上昇してから、ある程度降下し回復するようなことをほぼ１００時間周期で繰り返す。結局、８００時間が経過しても、しきい値電圧の変化は殆ど無い。
【００７９】
図８には、駆動トランジスタ（Ｑｄ）の制御端子に逆バイアス電圧（Ｖｎｅｇ）が印加されずに正極性（＋）の直流電圧のみ印加される場合（７Ｖ  ＤＣ）、逆バイアス電圧（Ｖｎｅｇ）が印加されずに負極性（−）の直流電圧のみ印加される場合（−２０Ｖ
ＤＣ）、及び逆バイアス電圧（Ｖｎｅｇ）を一定の直流電圧として印加する場合（７/−２０Ｖ）に対し、時間経過によってしきい値電圧の遷移が示されている。
【００８０】
このとき、逆バイアス電圧（Ｖｎｅｇ）を一定の直流電圧として印加する場合（７/−２０Ｖ）、駆動トランジスタ（Ｑｄ）の制御端子に直流電圧を約５０時間印加した後、直流の逆バイアス電圧（Ｖｎｅｇ）を約１日（２４時間）印加した。また、各々の実験は２回繰返し行い、全て図８に示している。
【００８１】
図７と同様に、駆動トランジスタ（Ｑｄ）の制御端子に逆バイアス電圧（Ｖｎｅｇ）が印加されずに正極性（＋）のデータ電圧（Ｖｄａｔ）が持続的に印加されると、しきい値電圧は、次第に高くなり、３００時間が経過した後にしきい値電圧の遷移は２Ｖを超過するようになる。
【００８２】
駆動トランジスタ（Ｑｄ）の制御端子に逆バイアス電圧（Ｖｎｅｇ）が印加されずに負極性（−）のデータ電圧（Ｖｄａｔ）が持続的に印加されると、しきい値電圧は負の値に降下する。
【００８３】
駆動トランジスタ（Ｑｄ）の制御端子に逆バイアス電圧（Ｖｎｅｇ）を一定の時間印加するが、本発明の実施形態と異なり、一定の−２０Ｖの直流電圧として印加する場合、約５０時間までしきい値電圧は若干高くなるが、５０時間が経過すると、しきい値電圧が降下し、しきい値電圧の遷移を回復する。しかし、回復後のしきい値電圧は再び高くなり、その上昇は、初期５０時間の上昇よりも遥かに大きく、再び回復する値はそれに達しない。このように、時間経過によってしきい値電圧の遷移及び回復が繰り返されるが、回復の程度は遷移の値に達しない。結局、約２５０時間が経過すると、しきい値電圧の遷移は相当量となって、有機ＥＬ装置の画質が劣化する。
【００８４】
このように、本発明の実施形態のように、一定の時間交流形態の逆バイアス電圧（Ｖｎｅｇ）を駆動トランジスタ（Ｑｄ）の制御電極に印加すると、直流形態の逆バイアス電圧（Ｖｎｅｇ）を印加する場合に比べて、しきい値電圧の遷移を著しく減らすことができる。
【００８５】
次に、図９を参照して本発明の他の実施形態に係る有機ＥＬ装置について詳細に説明する。図９は、本発明の他の実施形態に係る有機ＥＬ装置のブロック図である。
【００８６】
図９に示すように、本実施形態に係る有機ＥＬ装置は、表示板３１０とこれに接続された走査駆動部４１０Ｕ、４１０Ｄ及びデータ駆動部５００、スイッチング駆動部７００、逆バイアス電圧生成部８００、並びにこれらを制御する信号制御部６００を含む。
【００８７】
表示板３１０は、上下の二つのブロック（ＢＬＵ、ＢＬＤ）に分けられ、等価回路的には、複数の走査信号線（ＧＵ１〜ＧＵｐ、ＧＤ１〜ＧＤｐ）、複数のデータ線（Ｄ１〜Ｄｍ）、複数の駆動電圧線（図示せず）、及びこれらに接続され、ほぼ行列状に配列された複数の画素を含む。
【００８８】
走査信号線（ＧＵ１〜ＧＵｐ、ＧＤ１〜ＧＤｐ）は、各々走査信号（ＶＵ１〜ＶＵｐ、ＶＤ１〜ＶＤｐ）を伝達し、上部及び下部ブロック（ＢＬＵ、ＢＬＤ）に位置する。走査信号線（ＧＵ１〜ＧＵｐ、ＧＤ１〜ＧＤｐ）は、ほぼ行方向に一定の間隔を置いて延在し、互いに分離され、ほぼ平行である。
【００８９】
データ線（Ｄ１〜Ｄｍ）は、データ電圧（Ｖｏｕｔ）を伝達し、上部及び下部ブロック（ＢＬＵ、ＢＬＤ）を貫通してほぼ列方向に延在し、互いに分離され、ほぼ平行である。
【００９０】
表示板３１０の他の構造は、図１に示したものと同一であり、表示板３１０の画素構造は、図２に示したものと実質的に同一である。
【００９１】
走査駆動部４１０Ｕ、４１０Ｄは、各々走査信号線（ＧＵ１〜ＧＵｐ、ＧＤ１〜ＧＤｐ）に接続され、高電圧（Ｖｏｎ）と低電圧（Ｖｏｆｆ）の組み合わせからなる走査信号（ＶＵ１〜ＶＵｐ、ＶＤ１〜ＶＤｐ）を信号制御部６００からの走査制御信号（ＣＯＮＴ３）によって走査信号線（ＧＵ１〜ＧＵｐ、ＧＤ１〜ＧＤｐ）に印加する。
【００９２】
データ駆動部５００及び信号制御部６００は、図１及び図５に示したものと実質的に同一であり、前記図１〜図７ｂに示す有機ＥＬ装置の多くの特徴は、図１０に示す有機ＥＬ装置にも適用可能である。
【００９３】
次に、このような有機ＥＬ装置の動作を図１０を参照して詳細に説明する。図１０は、本発明の他の実施形態に係る有機ＥＬ装置の駆動信号を示す波形図である。
【００９４】
図１０を参照すれば、信号制御部６００は、１フレームを二つの区間（Ｔ１、Ｔ２）に分けて画像を表示する。各区間（Ｔ１、Ｔ２）は、第１及び第２表示区間（ＮＴ１、ＮＴ２）と、第１及び第２休止区間（ＢＴ１、ＢＴ２）（ｂｌａｎｋｉｎｇ
ｔｉｍｅ）に分けられる。
【００９５】
まず、第１表示区間（ＮＴ１）でデータ駆動部６００は、データ電圧（Ｖｄａｔ）を対応するデータ線（Ｄ１〜Ｄｍ）に印加し、上部走査駆動部４１０Ｕは、走査信号（ＶＵ１〜ＶＵｐ）を上部ブロック（ＢＬＵ）の走査信号線（ＧＵ１〜ＧＵｐ）に順次印加する。図９の矢印で示すように、走査方向は、上部ブロック（ＢＬＵ）の最も上側走査信号線（ＧＵ１）から上部ブロック（ＢＬＵ）の最も下側走査信号線（ＧＵｐ）に向かっている。この走査信号線（ＧＵ１〜ＧＵｐ）に接続された第１スイッチングトランジスタ（Ｑｓ１）をターンオンさせ、これにより、データ線（Ｄ１〜Ｄｍ）に印加されたデータ電圧（Ｖｄａｔ）がターンオンされた該当第１スイッチングトランジスタ（Ｑｓ１）を介して駆動トランジスタ（Ｑｄ）の制御端子に印加される。駆動トランジスタ（Ｑｄ）に印加されたデータ電圧（Ｖｄａｔ）は、キャパシタ（Ｃｓｔ）に充電され、第１スイッチングトランジスタ（Ｑｓ１）がオフ状態になった後にも、充電された電圧は維持される。データ電圧（Ｖｄａｔ）が印加されると、駆動トランジスタ（Ｑｄ）はオン状態になり、この電圧（Ｖｄａｔ）に依存する電流（ＩＬＤ）を出力する。そして、この電流（ＩＬＤ）が有機発光ダイオード（ＬＤ）に流れ、該当画素（ＰＸ）には画像が表示される。
【００９６】
１水平周期（１Ｈ）が経過すると、データ駆動部５００と走査駆動部４００は、次行の画素（ＰＸ）に対して同一動作を繰り返す。このような方式で、第１表示区間（ＮＴ１）で上部走査信号線（ＧＵ１〜ＧＵｐ）に対し順次走査信号（ＶＵ１〜ＶＵｐ）を印加し、上部半分の画素（ＰＸ）にデータ電圧（Ｖｄａｔ）を印加する。
【００９７】
その後、第１休止期間（ＢＴ１）で逆バイアス電圧生成部８００は、信号制御部６００から逆バイアス制御信号（ＣＯＮＴ４）によって、逆バイアス電圧（Ｖｎｅｇ）を下部ブロック（ＢＬＤ）の画素（ＰＸ）に接続された逆バイアス電圧線（Ｌｎ）に印加する。スイッチング駆動部７００は、信号制御部６００からスイッチング制御信号（ＣＯＮＴ３）によってスイッチング信号をスイッチング信号線（Ｃｋ）に印加し、このスイッチング信号線（Ｃｋ）に接続された第２スイッチングトランジスタ（Ｑｓ２）をターンオンさせ、これにより、逆バイアス電圧線（Ｌｇ）に印加された逆バイアス電圧（Ｖｎｅｇ）がターンオンされた該当スイッチングトランジスタ（Ｑｓ２）を介して該当駆動トランジスタ（Ｑｄ）の制御端子に印加される。逆バイアス電圧（Ｖｎｅｇ）は、図５及び図６に示すように、交流電圧であり、図５で説明した逆バイアス電圧（Ｖｎｅｇ）の特性が全て適用可能である。
【００９８】
その後、第２表示区間（ＮＴ２）でデータ電圧（Ｖｄａｔ）を該当データ線（Ｄ１〜Ｄｍ）に印加し、下部走査駆動部（４１０Ｄ）は、走査信号（ＶＤ１〜ＶＤｑ）を下部ブロック（ＢＬＤ）の走査信号線（ＧＤ１〜ＧＤｑ）に順次印加する。このとき、図９に矢印で示すように、走査方向は、第１表示区間（ＮＴ１）と異なり、下から上に向かって進む。即ち、最下部に存在する走査信号線（ＧＤｑ）から下部ブロック（ＢＬＤ）の第１走査信号線（ＧＤ１に向かって走査する。これ以外の動作は、第１表示領域（ＮＴ）の動作と同じであるので説明は省略する。
【００９９】
次いで、第２休止区間（ＢＴ２）で逆バイアス電圧生成部８００は、信号制御部６００から逆バイアス制御信号（ＣＯＮＴ４）によって逆バイアス電圧（Ｖｎｅｇ）を上部ブロック（ＢＬＵ）に接続された逆バイアス電圧線（Ｌｎ）に印加する。これ以外の動作は、第１休止区間（ＢＴ１）の動作と同じであるので説明は省略する。
【０１００】
このように、上部ブロック（ＢＬＵ）の画素にデータ電圧（Ｖｄａｔ）を印加する間、下部ブロック（ＢＬＤ）の画素には逆バイアス電圧（Ｖｎｅｇ）を印加し、下部ブロック（ＢＬＤ）の画素にデータ電圧（Ｖｄａｔ）を印加する間、上部ブロック（ＢＬＵ）の画素には逆バイアス電圧（Ｖｎｅｇ）を印加する。このように、上位ブロックの画素が画像を表示する間、下部ブロック（ＢＬＤ）の画素はブラックを表示し、下部ブロック（ＢＬＤ）の画素が画像を表示する間、上部ブロック（ＢＬＵ）の画素はブラックを表示する。
【０１０１】
画素（ＰＸ）は、データ電圧（Ｖｄａｔ）が供給された後から逆バイアス電圧（Ｖｎｅｇ）が印加されるまで発光し、逆バイアス電圧（Ｖｎｅｇ）が印加された後から次のフレームのデータ電圧（Ｖｄａｔ）が供給されるまで発光しない。１フレーム（１ＦＴ）の一部の期間中に発光しないので、画像がぼけてしまうブラーリング（ｂｌｕｒｒｉｎｇ）現象を防止することができるとともに、しきい値電圧の遷移を防止することができる。
【０１０２】
以上、表示板及び走査駆動部を２つの単位に分け、１フレームを２つの区間に分けて表示動作を行うことを説明したが、本発明はこれに限定されず、表示板及び走査駆動部を３つ以上の単位に分け、１フレームを３つ以上の区間に分けて表示動作を行うことも可能である。
【０１０３】
次に、図１１を参照して本発明の他の実施形態に係る有機ＥＬ装置について説明する。
【０１０４】
図１１は、本発明の他の実施形態に係る有機ＥＬ装置を示すブロック図である。
【０１０５】
図１１を参照すれば、本実施形態に係る有機ＥＬ装置は、表示板３００とこれに接続された走査駆動部４００及びデータ駆動部５００、スイッチング駆動部７００、逆バイアス電圧生成部８００、クロックタイマー９００、並びにこれらを制御する信号制御部６１０を含む。
【０１０６】
クロックタイマー９００は、有機ＥＬ装置の電源がターンオン状態を判断し、ターンオン状態である時間を測定し、このような情報（ＩＮＦ）を信号制御部６１０に伝達する。
【０１０７】
信号制御部６１０は、ゲート駆動部４００及びデータ駆動部５００の動作を制御し、クロックタイマー９００からターンオン時間情報（ＩＮＦ）を受信し、スイッチング駆動部７００及び逆バイアス電源生成部８００などの動作を制御する。
【０１０８】
ゲート駆動部４００、データ駆動部５００、スイッチング駆動部７００及び逆バイアス電源生成部８００は、図１と実質的に同一であり、前記図１〜図４の有機ＥＬ装置の多くの特徴は、図１１の有機ＥＬ装置にも適用可能である。
【０１０９】
次に、図１２を参照して、本実施形態に係る有機ＥＬ装置の動作について説明する。
【０１１０】
図１２は、本発明の他の実施形態に係る有機ＥＬ装置の駆動トランジスタに印加される電圧を示した波形図である。
【０１１１】
図１２を参照すれば、本実施形態に係る有機ＥＬ装置は、表示装置の電源ターンオン状態であるターンオン区間（ＯＴ）と、ターンオフ状態であるターンオフ区間（ＦＴ）とに分けられて動作する。
【０１１２】
ターンオン区間（ＯＴ）で、有機ＥＬ装置は、図５の第１区間（ＮＴ）と同様に動作する。即ち、データ駆動部５００は、データ電圧（Ｖｄａｔ）を該当データ線（Ｄ１〜Ｄｍ）に印加し、走査駆動部４００は、走査信号を走査信号線に順次印加する。この走査信号線に接続された第１スイッチングトランジスタ（Ｑｓ１）をターンオンさせ、これによってデータ線に印加されたデータ電圧（Ｖｄａｔ）がターンオンされた第１スイッチングトランジスタ（Ｑｓ１）を介して駆動トランジスタ（Ｑｄ）の制御端子に印加される。駆動トランジスタ（Ｑｄ）に印加されたデータ電圧（Ｖｄａｔ）は、キャパシタ（Ｃｓｔ）に充電されて第１スイッチングトランジスタ（Ｑｓ１）がオフ状態になっても充電された電圧は維持される。データ電圧（Ｖｄａｔ）が印加されると、駆動トランジスタ（Ｑｄ）はオン状態になり、この電圧（Ｖｄａｔ）に応じた電流（ＩＬＤ）を出力する。そして、この電流（ＩＬＤ）が有機発光ダイオード（ＬＤ）に流れ、対応する画素（ＰＸ）には画像が表示される。
【０１１３】
このように、有機ＥＬ装置がターンオン状態であるときに表示動作を行い、有機ＥＬ装置を使用せずにターンオフされると、信号制御部６００からの制御信号（ＣＯＮＴ４）によって逆バイアス電圧生成部８００は、信号制御部６００から逆バイアス制御信号（ＣＯＮＴ４）によって逆バイアス電圧（Ｖｎｅｇ）を画素（ＰＸ）に接続された逆バイアス電圧線（Ｌｎ）に印加する。スイッチング駆動部７００は、信号制御部６００からスイッチング制御信号（ＣＯＮＴ３）によってスイッチング信号をスイッチング信号線（Ｃｋ）に印加し、このスイッチング信号線（Ｃｋ）に接続された第２スイッチングトランジスタ（Ｑｓ２）をターンオンさせ、これによって逆バイアス電圧線（Ｌｇ）に印加された逆バイアス電圧（Ｖｎｅｇ）がターンオンされたスイッチングトランジスタ（Ｑｓ２）を介して駆動トランジスタ（Ｑｄ）の制御端子に印加される。
【０１１４】
このとき、クロックタイマー９００は、有機ＥＬ装置がターンオン状態である時間を計算し、この情報（ＩＮＦ）を信号制御部６００に伝達する。すると、信号制御部６００は、予め定められた基準によって逆バイアス電圧（Ｖｎｅｇ）を駆動トランジスタ（Ｑｄ）の制御端子に印加する時間を決め、制御信号（ＣＯＮＴ３、ＣＯＮＴ４）に含ませてスイッチング駆動部７００及び逆バイアス電圧生成部８００に伝達する。即ち、有機ＥＬ装置の駆動トランジスタ（Ｑｄ）が表示動作を行うためにデータ電圧（Ｖｄａｔ）が印加された時間を測定し、これに比例して逆バイアス電圧（Ｖｎｅｇ）をどの程度の時間印加することが好ましいかを計算する。例えば、有機ＥＬ装置のターンオン時間が８時間であると、逆バイアス電圧（Ｖｎｅｇ）は、１時間印加する。
【０１１５】
このように、有機ＥＬ装置を使用しない時間を用いて逆バイアス電圧（Ｖｎｅｇ）を印加することで、しきい値電圧の遷移を防止するとともに、有機ＥＬ装置をより効率よく使用することができる。尚、本発明は、上述の実施例に限られるものではない。本発明の技術的範囲から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１１６】
【図１】本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ装置のブロック図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ装置の一つの画素に対する等価回路図である。
【図３】図２に示した有機ＥＬ装置の一つの画素の駆動トランジスタと、有機発光ダイオードの断面の一例を示した断面図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ装置の有機発光ダイオードの概略図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ装置の駆動トランジスタに印加される電圧を示した波形図である。
【図６】本発明の他の実施形態に係る有機ＥＬ装置の駆動トランジスタに印加される電圧を示した波形図である。
【図７】本発明の様々な実施形態に係る有機ＥＬ装置のしきい値電圧の経時変化を示したグラフである。
【図８】従来技術による有機ＥＬ装置のしきい値電圧と比較グループの経時変化を示したグラフである。
【図９】本発明の他の実施形態に係る有機ＥＬ装置を示すブロック図である。
【図１０】本発明の他の実施形態に係る有機ＥＬ装置の駆動信号を示す波形図である。
【図１１】本発明の他の実施形態に係る有機ＥＬ装置のブロック図である。
【図１２】本発明の他の実施形態に係る有機ＥＬ装置の駆動トランジスタに印加される電圧を示した波形図である。
【符号の説明】
【０１１７】
１１０…基板
１２４…制御端子電極
１４０…絶縁膜
１５４…半導体
１６３、１６５…コンタクト部材
１７３…入力端子電極
１７５…出力端子電極
１８０…保護膜
１８５…コンタクトホール
１９１…画素電極
２７０…共通電極
３００、３１０…表示板
３６１…隔壁
３７…:有機発光部材
４００、４１０Ｕ、４１０Ｄ…ゲート駆動部
５００…データ駆動部
６００、６１０…信号制御部
７００…スイッチング制御部
８００…逆バイアス電圧生成部
９００…クロックタイマー
【図１２】
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【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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