(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を備え、
前記基板上には少なくとも１つがチューニング可能な容量を有する第１のキャパシタおよび第２のキャパシタに接続された、少なくとも２つの相互接続され、薄膜技術で集積化された、バルク音響波共振器、表面音響波共振器、およびＬＣ共振器の群から選択されたものである共振器であって、前記共振器のそれぞれは、下部電極および上部電極とその間に配置された圧電層を有する共振器ユニットと、前記基板と前記共振器ユニット間に位置する反射要素を備え、前記第１および第２のキャパシタに接続された前記共振器ユニットの前記上部電極としての第１の電極が前記第１のキャパシタの第１の電極を構成し、前記第１および第２のキャパシタに接続された前記共振器ユニットの前記下部電極としての第２の電極が前記第２のキャパシタの第１の電極を構成し、
前記第１のキャパシタは電圧依存性誘電率を有する材料であって、次の群、
Ｌａ，ＮｂまたはＭｎのドーパントを含みまたは含まず、過剰の鉛を含みまたは含まないＰｂＴｉ１−ｘＺｒｘＯ３（０≦ｘ≦１），ドーパントを含みまたは含まないＢａＴｉＯ３，ドーパントを含みまたは含まないＳｒＴｉＯ３，ＣａおよびＰｂドーパントを含みまたは含まないＢａ１−ｘＳｒｘＴｉＯ３（０＜ｘ＜１），Ｂａ１−ｘＳｒｘＴｉＯ３（０＜ｘ＜１）＋ＭｇＯ，Ｂａ１−ｘＳｒｘＴｉＯ３−Ｐｂ１−ｙＣａｙＴｉＯ３（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１），ＢｉがドープされたＣａＴｉＯ３，Ｓｒｎ＋１ＴｉｎＯ３ｎ＋１（０＜ｎ＜５），Ｐｂ１−ｘＣａｘＴｉＯ３（０＜ｘ＜１），ＶＯｘ（１＜ｘ＜２．５）および／またはＳｉＯ２を含みまたは含まないＢａ１−ｘＳｒｘＴｉＯ３（０＜ｘ＜１），ドーパントを含みまたは含まないＢａ１−ｘＳｒｘＺｒｙＴｉ１−ｙＯ３（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１），過剰の鉛を含みまたは含まないＢａ１−ｘＰｂｘＴｉＯ３（０＜ｘ＜１），Ｂａ１−ｘＣａｘＴｉＯ３（０＜ｘ＜１），ドーパントを含みまたは含まないＳｒＺｒｘＴｉ１−ｘＯ３（０＜ｘ＜１），［Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３］ｘ−［ＰｂＴｉＯ３］１−ｘ（０＜ｘ＜１），（Ｐｂ，Ｂａ，Ｓｒ）（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）ｘＴｉｙ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）１−ｙＯ３（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１），Ｐｂ１−ｘＣａｘＴｉＯ３（０＜ｘ＜１），過剰のＮａ＋を含みまたは含まない（Ｂａ１−ｘ＋ｙ／８Ｓｒｘ＋ｙ／８）２Ｎａ１−ｙＮｂ５Ｏ１５（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１），過剰のＫ＋を含みまたは含まない（Ｂａ１−ｘＳｒｘ）２Ｋ１−３ｙＳＥｙＮｂ５Ｏ１５（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１）ここでＳＥは希土類から選択されたイオン，Ｓｒ２Ｂａ４Ｔｉ２Ｎｂ８Ｏ３０，ＶＯｘ（１＜ｘ＜２．５）および／またはＣｕＯドーパントを含みまたは含まないＢｉＮｂＯ４，（Ｂｉ２−ｘＺｎｘ）（Ｎｂ２−ｙＺｎｙ）Ｏｘ，Ｂｉ２（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）２Ｏ７，
ａ）Ｐｂ（Ｍｇ１／２Ｗ１／２）Ｏ３，
ｂ）Ｐｂ（Ｆｅ１／２Ｎｂ１／２）Ｏ３，
ｃ）Ｐｂ（Ｆｅ２／３Ｗ１／３）Ｏ３，
ｄ）Ｐｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３，
ｅ）Ｐｂ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３，
ｆ）Ｐｂ（Ｓｃ１／２Ｔａ１／２）Ｏ３，
およびａ）からｆ）までの化合物と過剰の鉛およびＢａ１−ｘＺｒｘＴｉＯ３（０＜ｘ＜１）を含みあるいは含まないＰｂＴｉＯ３および／またはＰｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３の組み合わせ、
から選択されたものであることを特徴とする、チューニング可能なフィルタ構成。
【請求項２】
前記第１および第２のキャパシタに結合された共振器ユニットは、直列共振器であり、前記第チューニング可能な容量を有する前記第１のキャパシタは前記直列共振器に並列に接続され、前記第２のキャパシタはチューニング不能な容量を有し、前記直列共振器に直列に結合されていることを特徴とする請求項１に記載のチューニング可能なフィルタ構成。
【請求項３】
第３のキャパシタに並列に結合され、第４のキャパシタに直列に結合された並列共振器を含み、前記第３のキャパシタはチューニング不能な容量を有し、前記第４のキャパシタはチューニング可能な容量を有することを特徴とする請求項２に記載のチューニング可能なフィルタ構成。
【請求項４】
少なくとも一つのキャパシタが、前記共振器ユニットに直列接続され、少なくとも一つのキャパシタが前記共振器ユニットに並列接続されたことを特徴とする請求項１に記載のチューニング可能なフィルタ構成。
【請求項５】
請求項１に記載のチューニング可能なフィルタ構成を備えた移動電話装置。
【請求項６】
請求項１に記載のチューニング可能なフィルタ構成を備えた送信機。
【請求項７】
請求項１に記載のチューニング可能なフィルタ構成を備えた受信器。
【請求項８】
請求項１に記載のチューニング可能なフィルタ構成を備えた無線データ送信システム。
【請求項９】
請求項１に記載のチューニング可能なフィルタ構成を含む受信器を備えたチューニング可能なバルク音響波共振器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
本発明は、チューニング可能なフィルタ構成に関する。この発明はさらに、チューニング可能なフィルタ構成、およびチューニング可能なバルク音響波共振器を有する送信機、受信機、移動電話装置、コードレスデータ送信システムに関する。
【０００２】
移動電話技術の分野の非常に急速な発展およびコードレス電話装置の絶え間のない小型化により、個々の構成要素に課せられる要求は増加して来ている。このようにして、他のシステムによる数が増加している潜在的な干渉信号から受信機を保護するために、高周波数領域での高い選択性が必要になっている。これは、例えば、限られた帯域の周波数のみを通過させ、その帯域よりも上あるいは下のすべての周波数を抑制する帯域フィルタにより達成される。
【０００３】
現在、セラミック電磁共振器を備えたフィルタが、高周波領域でこの目的のために使用されている。しかし、これらのフィルタの小型化は、電磁波長によって制限されている。表面音響波（ＳＡＷ）フィルタは、実質的に小さくなるように構成することができる。これは、音響波長が電磁波長よりも４〜５桁小さいためである。しかし、短所は、表面音響波フィルタは、多くの場合に構造が複雑で、複雑なハウジングで保護しなけれならないことである。
【０００４】
代わりの物がバルク音響波（ＢＡＷ）フィルタで作られる。バルク音響波フィルタは、その大きさ、パワー、およびＩＣ適合性に関しては有利である。
【０００５】
原理的には、バルク音響波共振器は、３つの構成要素から作られる。第１の構成要素は圧電層を含み、音響波を発生する。圧電層の上と下に構成された２つの電極が、第２の構成要素である。第３の構成要素は、圧電層で発生された振動からキャリア基板を音響的に絶縁する働きをする。
【０００６】
共振器あるいはフィルタの特性は変化しうることが興味深い観点である。これは例えば、バリキャップダイオードを共振器やフィルタに結合させることにより成される。能動要素と受動要素とを組み合わせることは、共振器あるいはフィルタの製造中に受動要素の材料により能動要素が汚染されるという不利な点がある。
【０００７】
代替的な可能性は米国特許５，４４６，３０６号に開示されている。これは半導体バルク音響波共振器および、半導体基板、第１および第２の電極、その間に位置するＡｌＮまたはＺｎＯの圧電層を有する半導体バルク音響波フィルタを開示する。この共振器の共振周波数はＤＣ電圧が電極に印加されることにより変化する。
【０００８】
本発明は、簡単で安価に製造することのできるチューニング可能なフィルタ構成を提供することを目的としている。
【０００９】
この目的は、基板と、少なくとも１つがチューニング可能な容量を有するキャパシタに接続された少なくとも２つの相互接続され、前記半導体基板上に設けられた共振器の構成、を備えたチューニング可能なフィルタ構成により達成される。
【００１０】
ＤＣ電圧が共振器の第１および第２の電極に印加されたとき、共振器の電気特性、共振周波数、および非共振周波数は変化する。もし共振器がフィルタ構成中にあるときは、上述のことは全体のフィルタ特性に影響を与える。キャパシタは調整可能、すなわち、変化しうる容量値を有しているので、これらの変化は程度の差こそあれ、強く影響される。
【００１１】
キャパシタは電圧依存性のある相対誘電率εを有する誘電材料を有していることが好ましい。
【００１２】
ある材料は印加された電圧に強い依存性を有する誘電率εを有している。電圧依存性の誘電率εを有しているキャパシタの第１および第２の電極にＤＣ電圧を印加したとき、誘電率の値は低下し、そして、キャパシタの容量も低下する。このことは接続されるべき共振器の電気特性に対するキャパシタの影響も変化させる。
【００１３】
電圧依存性誘電率εを有する材料は、次の群、
Ｌａ，ＮｂまたはＭｎのドーパントを含みまたは含まず、過剰の鉛を含みまたは含まないＰｂＴｉ１−ｘＺｒｘＯ３（０≦ｘ≦１），ドーパントを含みまたは含まないＢａＴｉＯ３，ドーパントを含みまたは含まないＳｒＴｉＯ３，ＣａおよびＰｂドーパントを含みまたは含まないＢａ１−ｘＳｒｘＴｉＯ３（０＜ｘ＜１），Ｂａ１−ｘＳｒｘＴｉＯ３（０＜ｘ＜１）＋ＭｇＯ，Ｂａ１−ｘＳｒｘＴｉＯ３−Ｐｂ１−ｙＣａｙＴｉＯ３（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１），ＢｉがドープされたＣａＴｉＯ３，Ｓｒｎ＋１ＴｉｎＯ３ｎ＋１（０＜ｎ＜５），Ｐｂ１−ｘＣａｘＴｉＯ３（０＜ｘ＜１），ＶＯｘ（１＜ｘ＜２．５）および／またはＳｉＯ２を含みまたは含まないＢａ１−ｘＳｒｘＴｉＯ３（０＜ｘ＜１），ドーパントを含みまたは含まないＢａ１−ｘＳｒｘＺｒｙＴｉ１−ｙＯ３（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１），過剰の鉛を含みまたは含まないＢａ１−ｘＰｂｘＴｉＯ３（０＜ｘ＜１），Ｂａ１−ｘＣａｘＴｉＯ３（０＜ｘ＜１），ドーパントを含みまたは含まないＳｒＺｒｘＴｉ１−ｘＯ３（０＜ｘ＜１），［Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３］ｘ−［ＰｂＴｉＯ３］１−ｘ（０＜ｘ＜１），（Ｐｂ，Ｂａ，Ｓｒ）（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）ｘＴｉｙ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）１−ｙＯ３（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１），Ｐｂ１−ｘＣａｘＴｉＯ３（０＜ｘ＜１），過剰のＮａ＋を含みまたは含まない（Ｂａ１−ｘ＋ｙ／８Ｓｒｘ＋ｙ／８）２Ｎａ１−ｙＮｂ５Ｏ１５（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１），過剰のＫ＋を含みまたは含まない（Ｂａ１−ｘＳｒｘ）２Ｋ１−３ｙＳＥｙＮｂ５Ｏ１５（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１）ここでＳＥは希土類から選択されたイオン，Ｓｒ２Ｂａ４Ｔｉ２Ｎｂ８Ｏ３０，ＶＯｘ（１＜ｘ＜２．５）および／またはＣｕＯドーパントを含みまたは含まないＢｉＮｂＯ４，（Ｂｉ２−ｘＺｎｘ）（Ｎｂ２−ｙＺｎｙ）Ｏｘ，Ｂｉ２（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）２Ｏ７，
ａ）Ｐｂ（Ｍｇ１／２Ｗ１／２）Ｏ３，
ｂ）Ｐｂ（Ｆｅ１／２Ｎｂ１／２）Ｏ３，
ｃ）Ｐｂ（Ｆｅ２／３Ｗ１／３）Ｏ３，
ｄ）Ｐｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３，
ｅ）Ｐｂ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３，
ｆ）Ｐｂ（Ｓｃ１／２Ｔａ１／２）Ｏ３，
およびａ）からｆ）までの化合物と過剰の鉛およびＢａ１−ｘＺｒｘＴｉＯ３（０＜ｘ＜１）を含みあるいは含まないＰｂＴｉＯ３および／またはＰｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３の組み合わせ
から選択されることが特に好ましい。
【００１４】
これらの材料は、その誘電率が印加された電圧に特に強く依存することを示す。
【００１５】
共振器がバルク音響波共振器、表面音響波共振器、およびＬＣ共振器の群から選択されたものであることが好ましい。
【００１６】
バルク音響波共振器あるいは表面音響波共振器を含むフィルタ構成は、高い品質係数Ｑおよび高い結合係数ｋをもって製造することができる。ＬＣ共振器は単純な方法で製造することができる。
【００１７】
共振器が薄膜技術で構成されたものであることが特に好ましい。
【００１８】
基板上に薄膜技術で共振器を形成することはこのようなフィルタ構成を小さい寸法で得ることを可能にする。
【００１９】
バルク音響波共振器のそれぞれは、下部および上部電極とその間に配置された圧電層を有する共振器ユニットと、前記電極と前記共振器ユニット間に位置する反射要素を備えたことが特に好ましい。
【００２０】
このようなバルク音響波共振器は煩雑なリソグラフィプロセスなしに製造できる。これは共振器の共振周波数は圧電層の厚さにより決まるからである。さらに、このようなバルク音響波共振器は他の形式のバルク音響波共振器、例えば、単結晶共振器、膜を有する共振器、エアーギャップを有する共振器よりも明らかに堅牢である。
【００２１】
好ましい実施形態では、チューニング可能な容量を有するキャパシタに接続された前記共振器は他のキャパシタにも接続されている。
【００２２】
この実施形態では、少なくとも一つのキャパシタが、前記共振器に並列接続された少なくとも一つのキャパシタに直列に接続されたことが特に好ましい。
【００２３】
この実施形態ではフィルタ特性の特に広い範囲の可能性を提供する。
【００２４】
本発明はさらに、基板と、少なくとも１つがチューニング可能な容量を有するキャパシタに接続された少なくとも２つの相互接続され、前記半導体基板上に設けられた共振器の構成、をその上に備えた送信機、受信機、移動電話装置、無線データ送信システムに関する。
【００２５】
本発明はさらに、基板と、その上に設けられ、下部および上部電極との間に配置された圧電層と、前記電極と前記共振器ユニット間に位置する反射要素とを備え、チューニング可能な容量値を有るキャパシタに接続されたバルク音響波共振器にも関する。
【００２６】
共振器をチューニング可能なキャパシタに接続することによって、バルク音響波共振器の電気的特性を広い範囲にわたって調整できる。
【００２７】
この発明は、４つの図面と４つの実施の形態により以下に詳細に説明される。
【００２８】
図１において、バルク音響波フィルタの構成は、例えば、セラミック材料、ガラス平坦化層を有するセラミック材料、ガラス−セラミック材料、ガラス材料、シリコン、ＧａＡｓまたはサファイアで作られたキャリア基板１を含む。シリコンまたはＧａＡｓがキャリア基板１として使用される場合には、例えばＳｉＯ２またはガラスの不動態化層がさらに形成される。重合体および多孔質物質を含むグループからの音響反射物質の層である反射要素２が、キャリア基板１上に形成される。使用される可能性のある音響反射物質は、例えば、エーロゲル、キセロゲル、ガラス発泡体、発泡型接着剤、発泡合成樹脂または低密度の合成樹脂である。使用される可能性のあるエーロゲルは、例えば、シリカゲルまたは多孔質ＳｉＯ２構造体で作られた無機エーロゲル、または例えば、レゾシノール−ホルムアルデヒドエーロゲル、メラミン−ホルムアルデヒドエーロゲルまたはフェノール−ホルムアルデヒドエーロゲルのような有機エーロゲルである。使用される可能性のあるキセロゲルは、例えば、高濃縮ポリ珪酸のような無機キセロゲル、にかわまたは寒天のような有機キセロゲルである。使用される可能性のある発泡物質は、例えば、ポリスチロール、ポリカーボネート、ポリ塩化ビニル、ポリウレタン、ポリイソシアネート、ポリイソシアヌレート、ポリカルボジイミド、ポリメタクリルイミド、ポリアクリルイミド、アクリル−ブタジエン−スチロール共重合体、ポリプロピレンまたはポリエステルのような化学的に発泡された重合体または物理的に発泡された重合体である。さらに、例えば、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂またはフラン樹脂のような発泡合成樹脂が使用される可能性があり、これらは炭化により高い多孔度を持つ。使用される可能性のある低密度の合成樹脂は、例えば、架橋ポリビニルエーテル、架橋ポリアリールエーテル、ポリテトラフルオロエチレン、ポリ（ｐ−キシリレン）、ポリ（２−クロロ−ｐ−キシリレン）、ポリ（ジクロロ−ｐ−キシリレン）、ポリベンゾシクロブテン、スチロール−ブタジエン共重合体、エチレン−酢酸ビニル重合体または有機シロキサン共重合体である。
【００２９】
共振器ユニットおよびキャパシタユニットは、反射要素の上に設けられる。共振器ユニットは、第１の電極５、圧電層６、および第２の電極７を有する。電極電極５および７は、低音響減衰の良導電性材料で作られるのが好ましく、例えば、Ａｇ１−ｘＰｔｘ（０＜ｘ＜１），５０ｎｍ〜１μｍ厚のＰｔ，１〜２０ｎｍ厚のＴｉ／２０〜６００ｎｍ厚のＰｔ，１〜２０ｎｍ厚のＴｉ／２０〜６００ｎｍ厚のＰｔ／１〜２０ｎｍ厚のＴｉ，Ａｌ，数パーセントのＣｕがドープされたＡｌ，数パーセントのＳｉがドープされたＡｌ，数パーセントのＭｇがドープされたＡｌ，Ｗ，Ｎｉ，Ｍｏ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｌ，Ｔｉ／Ａｇ，Ｔｉ／Ａｇ／Ｔｉ，Ｔｉ／Ａｇ／Ｉｒ，Ｔｉ／Ｉｒ，Ｔｉ／Ｐｄ，Ｔｉ／Ａｇ１−ｘＰｔｘ（０＜ｘ＜１），Ｔｉ／Ａｇ１−ｘＰｄｘ（０＜ｘ＜１），Ｔｉ／Ｐｔ１−ｘＡｌｘ（０＜ｘ＜１），Ｐｔ１−ｘＡｌｘ（０＜ｘ＜１），Ｔｉ／Ａｇ／Ｐｔ１−ｘＡｌｘ（０＜ｘ＜１），Ｔｉ／Ａｇ／Ｒｕ，Ｔｉ／Ａｇ／Ｉｒ／ＩｒＯｘ（０＜ｘ＜２），Ｔｉ／Ａｇ／Ｒｕ／ＲｕＯｘ（０＜ｘ＜２），Ｔｉ／Ａｇ／Ｒｕ／ＲｕｘＰｔ１−ｘ（０＜ｘ＜１），Ｔｉ／Ａｇ／Ｒｕ／ＲｕｘＰｔ１−ｘ／ＲｕＯｙ（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜２），Ｔｉ／Ａｇ／Ｒｕ／ＲｕＯｘ／ＲｕｙＰｔ１−ｙ（０＜ｘ＜２，０＜ｙ＜１），Ｔｉ／Ａｇ／ＲｕｘＰｔ１−ｘ（０＜ｘ＜１），Ｔｉ／Ａｇ／ＰｔｘＡｌ１−ｘ（０＜ｘ＜１），ＰｔｘＡｌ１−ｘ／Ａｇ／ＰｔｙＡｌ１−ｙ（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１），Ｔｉ／Ａｇ／Ｐｔｙ（ＲｈＯｘ）１−ｙ（０＜ｘ＜２，０＜ｙ＜１），Ｔｉ／Ａｇ／Ｒｈ／ＲｈＯｘ（０＜ｘ＜２），Ｔｉ／Ａｇ／ＰｔｘＲｈ１−ｘ（０＜ｘ＜１），Ｒｈ，Ｒｈ／ＲｈＯ２，Ｔｉ／Ａｇ／Ｐｔｙ（ＲｈＯｘ）１−ｙ／ＰｔｚＲｈ１−ｚ（０＜ｘ＜２，０＜ｙ＜１，０＜ｚ＜１），Ｔｉ／ＡｇｘＰｔ１−ｘ／Ｉｒ（０＜ｘ＜１），Ｔｉ／ＡｇｘＰｔ１−ｘ／Ｉｒ／ＩｒＯｙ（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜２），Ｔｉ／ＡｇｘＰｔ１−ｘ／ＰｔｙＡｌ１−ｙ（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１），Ｔｉ／ＡｇｘＰｔ１−ｘ／Ｒｕ（０＜ｘ＜１），Ｔｉ／ＡｇｘＰｔ１−ｘ／Ｒｕ／ＲｕＯｙ（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜２），Ｔｉ／Ａｇ／Ｃｒ，Ｔｉ／Ａｇ／Ｔｉ／ＩＴＯ，Ｔｉ／Ａｇ／Ｃｒ／ＩＴＯ，Ｔｉ／Ａｇ／ＩＴＯ，Ｔｉ／Ｎｉ／ＩＴＯ，Ｔｉ／Ｎｉ／Ａｌ／ＩＴＯ，Ｔｉ／Ｎｉ，Ｔｉ／Ｗ／Ｔｉ，ＷｘＴｉ１−ｘ（０＜ｘ＜１），ＷｘＴｉ１−ｘ／Ａｌ（Ｃｕ）（０＜ｘ＜１），ＷｘＴｉ１−ｘ／Ａｌ（Ｓｉ）（０＜ｘ＜１），ＷｘＴｉ１−ｘ／Ａｌ（０＜ｘ＜１），またはＴｉ／Ｃｕを含む可能性がある。
【００３０】
圧電層６に使用される材料は、例えば、ＡｌＮ，ＺｎＯ，ＬａまたはＭｎのドーパントを含みまたは含まないＰｂＴｉ１−ｘＺｒｘＯ３（０＜ｘ＜１），ＬｉＮｂＯ３，ＬｉＴａＯ３，ＰｂＮｂ２Ｏ６，Ｐｂ１−ｘＣａｘＴｉＯ３（０＜ｘ＜１），［Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３］ｘ−［ＰｂＴｉＯ３］１−ｘ（０＜ｘ＜１），ＢａＴｉＯ３，Ｋ１−ｘＮａｘＮｂＯ３（０＜ｘ＜１），（Ｃｄ，Ｎａ）ＮｂＯ３，（Ｂｉ，Ｎａ）ＴｉＯ３，（Ｂｉ，Ｎａ，Ｐｂ，Ｂａ）ＴｉＯ３，Ｂｉ７Ｔｉ４ＮｂＯ２１，（Ｂａ１−ｘＳｒｘ）２ＮａＮｂ５Ｏ１５（０＜ｘ＜１），（Ｂａ１−ｘＳｒｘ）２ＫＮｂ５Ｏ１５（０＜ｘ＜１），
ａ）Ｐｂ（Ｍｇ１／２Ｗ１／２）Ｏ３，
ｂ）Ｐｂ（Ｆｅ１／２Ｎｂ１／２）Ｏ３，
ｃ）Ｐｂ（Ｆｅ２／３Ｗ１／３）Ｏ３，
ｄ）Ｐｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３，
ｅ）Ｐｂ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３，
ｆ）Ｐｂ（Ｓｃ１／２Ｔａ１／２）Ｏ３，
およびａ）からｆ）までの化合物と過剰の鉛を含みあるいは含まないＰｂＴｉＯ３およびＰｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３の組み合わせ、およびポリビニルフロライド（ＰＶＤＦ）である可能性がある。
【００３１】
２つのキャパシタＣＡおよびＣＢは反射要素２の上で共振器ユニットの近くに設けられる。キャパシタＣＡはチューニング可能な容量を有しており、電圧依存性の誘電率εを持つ誘電体８を有している。キャパシタＣＢはチューニング可能な容量を有している必要はなく、誘電体４を有している
共振器の電極５および７は、キャパシタＣＡおよびＣＢの一方の電極を形成するときに同時に形成される。
【００３２】
したがって、電極７は、チューニング可能な容量を有するキャパシタＣＡの下部電極を形成するように構成されていてもよい。誘電体８はキャパシタＣＡの下部電極の上に設けられ、上部電極９はキャパシタＣＡの上部電極を形成するように、誘電体８の上に設けられる。
【００３３】
誘電体８は電圧依存性の誘電率εを持つ、例えば次の群、
Ｌａ，ＮｂまたはＭｎのドーパントを含みまたは含まず、過剰の鉛を含みまたは含まないＰｂＴｉ１−ｘＺｒｘＯ３（０≦ｘ≦１），ドーパントを含みまたは含まないＢａＴｉＯ３，ドーパントを含みまたは含まないＳｒＴｉＯ３，ＣａおよびＰｂドーパントを含みまたは含まないＢａ１−ｘＳｒｘＴｉＯ３（０＜ｘ＜１），Ｂａ１−ｘＳｒｘＴｉＯ３（０＜ｘ＜１）＋ＭｇＯ，Ｂａ１−ｘＳｒｘＴｉＯ３−Ｐｂ１−ｙＣａｙＴｉＯ３（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１），ＢｉがドープされたＣａＴｉＯ３，Ｓｒｎ＋１ＴｉｎＯ３ｎ＋１（０＜ｎ＜５），Ｐｂ１−ｘＣａｘＴｉＯ３（０＜ｘ＜１），ＶＯｘ（１＜ｘ＜２．５）および／またはＳｉＯ２を含みまたは含まないＢａ１−ｘＳｒｘＴｉＯ３（０＜ｘ＜１），ドーパントを含みまたは含まないＢａ１−ｘＳｒｘＺｒｙＴｉ１−ｙＯ３（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１），過剰の鉛を含みまたは含まないＢａ１−ｘＰｂｘＴｉＯ３（０＜ｘ＜１），Ｂａ１−ｘＣａｘＴｉＯ３（０＜ｘ＜１），ドーパントを含みまたは含まないＳｒＺｒｘＴｉ１−ｘＯ３（０＜ｘ＜１），［Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３］ｘ−［ＰｂＴｉＯ３］１−ｘ（０＜ｘ＜１），（Ｐｂ，Ｂａ，Ｓｒ）（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）ｘＴｉｙ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）１−ｙＯ３（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１），Ｐｂ１−ｘＣａｘＴｉＯ３（０＜ｘ＜１），過剰のＮａ＋を含みまたは含まない（Ｂａ１−ｘ＋ｙ／８Ｓｒｘ＋ｙ／８）２Ｎａ１−ｙＮｂ５Ｏ１５（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１），過剰のＫ＋を含みまたは含まない（Ｂａ１−ｘＳｒｘ）２Ｋ１−３ｙＳＥｙＮｂ５Ｏ１５（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１）ここでＳＥは希土類から選択されたイオン，Ｓｒ２Ｂａ４Ｔｉ２Ｎｂ８Ｏ３０，ＶＯｘ（１＜ｘ＜２．５）および／またはＣｕＯドーパントを含みまたは含まないＢｉＮｂＯ４，（Ｂｉ２−ｘＺｎｘ）（Ｎｂ２−ｙＺｎｙ）Ｏｘ，Ｂｉ２（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）２Ｏ７，
ａ）Ｐｂ（Ｍｇ１／２Ｗ１／２）Ｏ３，
ｂ）Ｐｂ（Ｆｅ１／２Ｎｂ１／２）Ｏ３，
ｃ）Ｐｂ（Ｆｅ２／３Ｗ１／３）Ｏ３，
ｄ）Ｐｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３，
ｅ）Ｐｂ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３，
ｆ）Ｐｂ（Ｓｃ１／２Ｔａ１／２）Ｏ３，
およびａ）からｆ）までの化合物と過剰の鉛およびＢａ１−ｘＺｒｘＴｉＯ３（０＜ｘ＜１）を含みあるいは含まないＰｂＴｉＯ３および／またはＰｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３の組み合わせ
から選択される。
【００３４】
キャパシタＣＡの電極９は、例えば、次の材料、
Ａｇ１−ｘＰｔｘ（０＜ｘ＜１），５０ｎｍ〜１μｍ厚のＰｔ，１〜２０ｎｍ厚のＴｉ／２０〜６００ｎｍ厚のＰｔ，１〜２０ｎｍ厚のＴｉ／２０〜６００ｎｍ厚のＰｔ／１〜２０ｎｍ厚のＴｉ，Ａｌ，数パーセントのＣｕがドープされたＡｌ，数パーセントのＳｉがドープされたＡｌ，数パーセントのＭｇがドープされたＡｌ，Ｗ，Ｎｉ，Ｍｏ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｌ，Ｔｉ／Ａｇ，Ｔｉ／Ａｇ／Ｔｉ，Ｔｉ／Ａｇ／Ｉｒ，Ｔｉ／Ｉｒ，Ｔｉ／Ｐｄ，Ｔｉ／Ａｇ１−ｘＰｔｘ（０＜ｘ＜１），Ｔｉ／Ａｇ１−ｘＰｄｘ（０＜ｘ＜１），Ｔｉ／Ｐｔ１−ｘＡｌｘ（０＜ｘ＜１），Ｐｔ１−ｘＡｌｘ（０＜ｘ＜１），Ｔｉ／Ａｇ／Ｐｔ１−ｘＡｌｘ（０＜ｘ＜１），Ｔｉ／Ａｇ／Ｒｕ，Ｔｉ／Ａｇ／Ｉｒ／ＩｒＯｘ（０＜ｘ＜２），Ｔｉ／Ａｇ／Ｒｕ／ＲｕＯｘ（０＜ｘ＜２），Ｔｉ／Ａｇ／Ｒｕ／ＲｕｘＰｔ１−ｘ（０＜ｘ＜１），Ｔｉ／Ａｇ／Ｒｕ／ＲｕｘＰｔ１−ｘ／ＲｕＯｙ（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜２），Ｔｉ／Ａｇ／Ｒｕ／ＲｕＯｘ／ＲｕｙＰｔ１−ｙ（０＜ｘ＜２，０＜ｙ＜１），Ｔｉ／Ａｇ／ＲｕｘＰｔ１−ｘ（０＜ｘ＜１），Ｔｉ／Ａｇ／ＰｔｘＡｌ１−ｘ（０＜ｘ＜１），ＰｔｘＡｌ１−ｘ／Ａｇ／ＰｔｙＡｌ１−ｙ（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１），Ｔｉ／Ａｇ／Ｐｔｙ（ＲｈＯｘ）１−ｙ（０＜ｘ＜２，０＜ｙ＜１），Ｔｉ／Ａｇ／Ｒｈ／ＲｈＯｘ（０＜ｘ＜２），Ｔｉ／Ａｇ／ＰｔｘＲｈ１−ｘ（０＜ｘ＜１），Ｒｈ，Ｒｈ／ＲｈＯ２，Ｔｉ／Ａｇ／Ｐｔｙ（ＲｈＯｘ）１−ｙ／ＰｔｚＲｈ１−ｚ（０＜ｘ＜２，０＜ｙ＜１，０＜ｚ＜１），Ｔｉ／ＡｇｘＰｔ１−ｘ／Ｉｒ（０＜ｘ＜１），Ｔｉ／ＡｇｘＰｔ１−ｘ／Ｉｒ／ＩｒＯｙ（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜２），Ｔｉ／ＡｇｘＰｔ１−ｘ／ＰｔｙＡｌ１−ｙ（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１），Ｔｉ／ＡｇｘＰｔ１−ｘ／Ｒｕ（０＜ｘ＜１），Ｔｉ／ＡｇｘＰｔ１−ｘ／Ｒｕ／ＲｕＯｙ（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜２），Ｔｉ／Ａｇ／Ｃｒ，Ｔｉ／Ａｇ／Ｔｉ／ＩＴＯ，Ｔｉ／Ａｇ／Ｃｒ／ＩＴＯ，Ｔｉ／Ａｇ／ＩＴＯ，Ｔｉ／Ｎｉ／ＩＴＯ，Ｔｉ／Ｎｉ／Ａｌ／ＩＴＯ，Ｔｉ／Ｎｉ，Ｔｉ／Ｗ／Ｔｉ，ＷｘＴｉ１−ｘ（０＜ｘ＜１），ＷｘＴｉ１−ｘ／Ａｌ（Ｃｕ）（０＜ｘ＜１），ＷｘＴｉ１−ｘ／Ａｌ（Ｓｉ）（０＜ｘ＜１），ＷｘＴｉ１−ｘ／Ａｌ（０＜ｘ＜１），Ａｌ，ＣｕをドープしたＡｌ，ＭｇをドープしたＡｌ，ＳｉをドープしたＡｌ，またはＴｉ／Ｃｕを含む可能性がある。
【００３５】
他のキャパシタＣＢは下部電極３，誘電体４，および上部電極５を有している。共振器の下部電極５は例えば、このキャパシタの上部電極を形成するのと同じように構成することができる。
【００３６】
キャパシタＣＡの誘電体４は例えば、次の材料、
例えばＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、Ｔａ２Ｏ５、ＳｉｘＯｙＮｚ（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１，０＜ｚ＜１）、ＳｉＯ２／Ｓｉ３Ｎ４／ＳｉＯ２，Ｂａ１−ｘＳｒｘＴｉＯ３（０＜ｘ＜１），Ｍｎドーパントを含みあるいは含まないＳｒＴｉ１−ｘＺｒｘＯ３（０＜ｘ＜１），ＢａＯ−Ｌｎ２Ｏ３−ＴｉＯ２（Ｌｎ＝Ｌａ．Ｃｅ，Ｎｄ，ＳｍまたはＥｕ），Ａｌ２Ｏ３，Ｂａ２Ｔｉ９Ｏ２０，Ｍｎドーパントを含みあるいは含まないＢａ２Ｔｉ９−ｘＺｒｘＯ２０（０＜ｘ＜１），ＢａＴｉ５Ｏ１１，ＢａＴｉ４Ｏ９，Ｎｂ２Ｏ５，ＴｉＯ２，（Ｔａ２Ｏ５）ｘ−（Ａｌ２Ｏ３）１−ｘ（０＜ｘ＜１），（Ｔａ２Ｏ５）ｘ．（ＴｉＯ２）１−ｘ（０＜ｘ＜１），（Ｔａ２Ｏ５）ｘ−（Ｎｂ２Ｏ５）１−ｘ（０＜ｘ＜１），（Ｔａ２Ｏ５）ｘ−（ＳｉＯ２）１−ｘ（０＜ｘ＜１），（Ｓｒ，Ｃａ）（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ３，ＢａＯ−ＳｒＯ−Ｎｄ２Ｏ３−Ｇｄ２Ｏ３−Ｎｂ２Ｏ３−ＴｉＯ２，ＣａＳｍ２Ｔｉ５Ｏ１４，Ｚｒ（Ｔｉ，Ｓｎ）Ｏ４，ＢａＯ−ＰｂＯ−ＣａＯ−Ｎｄ２Ｏ３−Ｐｒ２Ｏ３−Ｂｉ２Ｏ３−ＴｉＯ２，Ｂａ（Ｚｒ，Ｚｎ，Ｔａ）Ｏ３，ＣａＴｉＯ３−ＬａＡｌＯ３，（Ｂｉ３（Ｎｉ２Ｎｂ）Ｏ９）１−ｘ（Ｂｉ２（ＺｎＮｂ２（１＋ｄ）ｙＯ３＋６ｙ＋５ｙｄ）ｘ（０＜ｘ＜１，０．５＜ｙ＜１．５，−０．０５＜ｄ＜０．０５），ＶＯｘ（０＜ｘ＜２．５）のドーパントを含みあるいは含まないＢｉＮｂＯ４，Ｂａ（Ｚｒ，Ｔａ）Ｏ３，（Ｂｉ２−ｘＺｎｘ）（Ｚｎ２−ｙＮｂｙ）Ｏ７（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１）あるいはＢｉ２（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）２Ｏ７
で構成されても良い。
【００３７】
下部電極３は例えば、次の材料、
Ａｇ１−ｘＰｔｘ（０＜ｘ＜１），５０ｎｍ〜１μｍ厚のＰｔ，１〜２０ｎｍ厚のＴｉ／２０〜６００ｎｍ厚のＰｔ，１〜２０ｎｍ厚のＴｉ／２０〜６００ｎｍ厚のＰｔ／１〜２０ｎｍ厚のＴｉ，Ａｌ，数パーセントのＣｕがドープされたＡｌ，数パーセントのＳｉがドープされたＡｌ，数パーセントのＭｇがドープされたＡｌ，Ｗ，Ｎｉ，Ｍｏ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｌ，Ｔｉ／Ａｇ，Ｔｉ／Ａｇ／Ｔｉ，Ｔｉ／Ａｇ／Ｉｒ，Ｔｉ／Ｉｒ，Ｔｉ／Ｐｄ，Ｔｉ／Ａｇ１−ｘＰｔｘ（０＜ｘ＜１），Ｔｉ／Ａｇ１−ｘＰｄｘ（０＜ｘ＜１），Ｔｉ／Ｐｔ１−ｘＡｌｘ（０＜ｘ＜１），Ｐｔ１−ｘＡｌｘ（０＜ｘ＜１），Ｔｉ／Ａｇ／Ｐｔ１−ｘＡｌｘ（０＜ｘ＜１），Ｔｉ／Ａｇ／Ｒｕ，Ｔｉ／Ａｇ／Ｉｒ／ＩｒＯｘ（０＜ｘ＜２），Ｔｉ／Ａｇ／Ｒｕ／ＲｕＯｘ（０＜ｘ＜２），Ｔｉ／Ａｇ／Ｒｕ／ＲｕｘＰｔ１−ｘ（０＜ｘ＜１），Ｔｉ／Ａｇ／Ｒｕ／ＲｕｘＰｔ１−ｘ／ＲｕＯｙ（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜２），Ｔｉ／Ａｇ／Ｒｕ／ＲｕＯｘ／ＲｕｙＰｔ１−ｙ（０＜ｘ＜２，０＜ｙ＜１），Ｔｉ／Ａｇ／ＲｕｘＰｔ１−ｘ（０＜ｘ＜１），Ｔｉ／Ａｇ／ＰｔｘＡｌ１−ｘ（０＜ｘ＜１），ＰｔｘＡｌ１−ｘ／Ａｇ／ＰｔｙＡｌ１−ｙ（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１），Ｔｉ／Ａｇ／Ｐｔｙ（ＲｈＯｘ）１−ｙ（０＜ｘ＜２，０＜ｙ＜１），Ｔｉ／Ａｇ／Ｒｈ／ＲｈＯｘ（０＜ｘ＜２），Ｔｉ／Ａｇ／ＰｔｘＲｈ１−ｘ（０＜ｘ＜１），Ｒｈ，Ｒｈ／ＲｈＯ２，Ｔｉ／Ａｇ／Ｐｔｙ（ＲｈＯｘ）１−ｙ／ＰｔｚＲｈ１−ｚ（０＜ｘ＜２，０＜ｙ＜１，０＜ｚ＜１），Ｔｉ／ＡｇｘＰｔ１−ｘ／Ｉｒ（０＜ｘ＜１），Ｔｉ／ＡｇｘＰｔ１−ｘ／Ｉｒ／ＩｒＯｙ（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜２），Ｔｉ／ＡｇｘＰｔ１−ｘ／ＰｔｙＡｌ１−ｙ（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１），Ｔｉ／ＡｇｘＰｔ１−ｘ／Ｒｕ（０＜ｘ＜１），Ｔｉ／ＡｇｘＰｔ１−ｘ／Ｒｕ／ＲｕＯｙ（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜２），Ｔｉ／Ａｇ／Ｃｒ，Ｔｉ／Ａｇ／Ｔｉ／ＩＴＯ，Ｔｉ／Ａｇ／Ｃｒ／ＩＴＯ，Ｔｉ／Ａｇ／ＩＴＯ，Ｔｉ／Ｎｉ／ＩＴＯ，Ｔｉ／Ｎｉ／Ａｌ／ＩＴＯ，Ｔｉ／Ｎｉ，Ｔｉ／Ｗ／Ｔｉ，ＷｘＴｉ１−ｘ（０＜ｘ＜１），ＷｘＴｉ１−ｘ／Ａｌ（Ｃｕ）（０＜ｘ＜１），ＷｘＴｉ１−ｘ／Ａｌ（Ｓｉ）（０＜ｘ＜１），ＷｘＴｉ１−ｘ／Ａｌ（０＜ｘ＜１），Ａｌ，ＣｕをドープしたＡｌ，ＭｇをドープしたＡｌ，ＳｉをドープしたＡｌ，またはＴｉ／Ｃｕを含む可能性がある。
【００３８】
代替的に、キャパシタＣＡの下部電極、およびキャパシタＣＢの上部電極は、異なる導電層を堆積させたものであっても良い。
【００３９】
有機または無機材料、あるいはこれらの材料の組み合わせでなる保護層１０を、フィルタ構成全体の上に形成することができる。使用される有機材料は、例えば、ポリベンゾシクロブテンまたはポリイミドである可能性があり、および使用される無機材料は、例えば、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＯ２またはＳｉｘＯｙＮｚ（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１，０＜ｚ＜１）である可能性がある。
【００４０】
保護層１０を貫通して電極３、５，７および第２の電極に達するコンタクト孔かエッチングにより開けられる。例えば、Ｃｒ／ＣｕまたはＣｒ／Ｃｕ／Ｎｉ／Ａｕがコンタクト孔内で成長される。フィルタ入力、フィルタ出力、および接地へのコンタクトはバンプエンドコンタクトによりなされる。さらに、１ないし１００Ｖの範囲のＤＣ電圧は誘電体８の層厚に応じて、キャパシタＣＡの２つの電極７、９に印加される。
【００４１】
共振器ユニットおよびキャパシタは、共振器ユニットの圧電層６、キャパシタＣＡおよびＣＢの誘電層４，８のバイアを通して、電気的に内部接続される。
【００４２】
代替として、反射要素２および６は、交互に高インピーダンスと低インピーダンスである、各層が共振波長λの１／４の厚さを有するいくつかの層で構成することができる。低音響インピーダンスの材料は、例えば、有機または無機のエーロゲル、有機または無機のキセロゲル、ガラス発泡体、発泡型接着剤、発泡合成樹脂または低密度の合成樹脂、またはＳｉＯ２である可能性がある。高音響インピーダンスの材料は、例えば、ＨｆＯ２、Ｍｏ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｗ、Ｔｉ／Ｗ／Ｔｉ、ＷｘＴｉ１−ｘ（０＜ｘ＜１）、ダイアモンド、ＡｌＮ，Ｔａ２Ｏ５、Ｐｔ、Ｔｉ／Ｐｔ、または例えば高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）のような高密度の合成樹脂である可能性がある。共振器の下部電極５を同時に反射要素２のλ／４層の上部層とすることもできる。
【００４３】
本発明の更なる実施形態においては、第２の反射要素をバルク音響波共振器の上部電極７の上に設けることができる。
【００４４】
更なる代替例として、例えばアクリル酸にかわまたはエポキシドにかわで作られた追加の接着層を、反射要素２とキャリア基板１の間に形成する。アクリル酸にかわは、例えば、接着工程中に重合するアクリルまたはメタクリル単量体を含むことができる。
【００４５】
さらに、層の厚さが３０から３００ｎｍの間であるＳｉＯ２の層を、多孔質ＳｉＯ２で作られた反射要素２の上および／または下に形成することができる。これらのＳｉＯ２層、反射要素２，および第２の反射要素は基板１の全領域上、あるいは共振ユニットの領域のように部分的に設けることができる。
【００４６】
さらに、全体のフィルタ構成に、少なくとも１つの第１および第２の電流供給用コンタクトを設けることができる。電流供給コンタクトは例えば、Ｃｒ／Ｃｕ、Ｎｉ／ＳｎまたはＣｒ／Ｃｕ、Ｃｕ／Ｎｉ／ＳｎまたはＣｒ／Ｎｉ、Ｐｂ／Ｓｎ、またはＣｒ／Ｃｕ，Ｎｉ／Ａｕの電気メッキＳＭＤエンドコンタクトまたはＣｒ／ＣｕあるいはＣｒ／Ｃｕ／Ｎｉ／Ａｕのバンプエンドコンタクト、またはコンタクトパッドとして用いることができる。
【００４７】
もし望むならば、例えば、単結晶共振器、膜を備えた共振器またはエアギャップを有する共振器などをバルク音響波共振器の代わりに用いることができ、また、表面音響波フィルタをチューニング可能なフィルタ構成内に電極３，５および圧電層４の設計を対応して変えるならば用いることができる。コイルとキャパシタより構成されるＬＣ共振器を用いることも可能である。
【００４８】
構成および集積についての代替的な実施形態は当業者に知られている。したがって、例えば、チューニング可能なフィルタ構成は、２つ以上の共振器を有することも可能である。２つ以上の共振器がチューニング可能なフィルタ構成中のチューニング可能な容量値を持つキャパシタと接続されるようにすることもできる。共振器が複数のキャパシタと接続されるときには、キャパシタは多くの回路の変形例において共振器と接続されることができる。
【００４９】
図２は２つの共振器Ｒ１およびＲ２を持つ構成を示す。このフィルタ構成は本発明の多くの可能な実施形態から一つだけを抜き出したもので、フィルタ入力１１とフィルタ出力１２との間に接続された直列共振器Ｒ１と並列共振器Ｒ２を有している。キャパシタＣ１は共振器Ｒ１に並列に接続され、キャパシタＣ２は共振器Ｒ１の下流側でキャパシタＣ２に直列に接続されている。キャパシタＣ３は並列共振器Ｒ２に直列に下流側で接続され、キャパシタＣ４は共振器Ｒ２に並列に接続されている。直列キャパシタＣ３の第２の端子は接地されている。キャパシタＣ１およびＣ３はトリミング可能な容量値を有している。
【００５０】
図３は図２にしたがった回路を有するフィルタ構成および電極３、５、７、９誘電体４、８および圧電層６の可能な設計を示す模式的平面図である。
【００５１】
本発明が実際にどのように実現しているかを示す例を表した本発明の実施の形態が以下に詳細に説明される。
【００５２】
実施形態１
アクリル酸にかわの接着層がガラス基板の上に存在し、その上に３００ｎｍ厚のＳｉＯ２層、多孔質ＳｉＯ２層の反射要素、および３０ｎｍ厚のＳｉＯ２層が存在する。Ｐｔ／Ｔｉの電極５がＳｉＯ２層上に存在する。ＰｂＺｒ０．３５Ｔｉ０．６５Ｏ３の圧電層６が第１の電極５の上に位置し、Ｔｉ／Ｐｔ電極７が圧電層６の上に設けられている。圧電層６および２つの電極５，７は堆積され、２つの共振器Ｒ１およびＲ２が形成されるように構成されている。電極５は共振器Ｒ２に隣接するキャパシタＣ４の上部電極をも構成するように堆積され、構成されている。電極７はバルク音響波共振器Ｒ２の領域においてキャパシタＣ２の上部電極とともにキャパシタＣ１の下部電極を形成するように、およびバルク音響波共振器Ｒ２の領域においてキャパシタＣ３の下部電極を形成するように堆積され、構成される。５％のランタンドーピングを含むＰｂＺｒ０．５３Ｔｉ０．４７Ｏ３の誘電体８がキャパシタＣ１，Ｃ３の下部電極の上にあり、Ｐｔ／Ｔｉの上部電極９はそれぞれの誘電体８の上に設けられている。キャパシタＣ２およびＣ４のそれぞれはＰｔ／Ｔｉの上部電極に加えてＳｉ３Ｎ４の誘電体および４％のＣｕがドープされたＡｌ下部電極３を備えている。
【００５３】
ＳｉＯ２の保護層１０が、フィルタ構成全体の上に設けられている。電極３，５，７，９へのコンタクトホールが、エッチングにより保護層１０に開けられている。Ｃｒ／Ｃｕ／ＮＩ／Ａｕのバンプエンドコンタクトがコンタクトホール内に成長している。
【００５４】
共振器Ｒ１の領域中の電極５に対するバンプエンドコンタクトは、フィルタ構成のフィルタ入力１１に対するコンタクトとして作用し、共振器Ｒ２の領域における電極３に対するそれぞれのバンプエンドコンタクトはフィルタ構成のフィルタ出力１２に対するコンタクトとして作用する。さらに、キャパシタＣ３の領域中の電極９に対するバンプエンドコンタクトは接地されている。
【００５５】
キャパシタＣ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４および共振器Ｒ１およびＲ２は圧電層６，誘電体８，および誘電体４中の適当なバイアを通して電気的に内部接続される。キャパシタＣ１は共振器Ｒ１に並列接続されるが、キャパシタＣ２は共振器Ｒ１の下流側で直列に接続される。キャパシタＣ３は共振器Ｒ２の下流側で直列に接続され、キャパシタＣ４は共振器Ｒ２に並列に接続される。
【００５６】
２つの共振器Ｒ１およびＲ２は、共振器Ｒ１の共振周波数が共振器Ｒ２の非共振周波数に対応するように、チューニングされる。フィルタ構成のフィルタ特性はキャパシタＣ１、Ｃ２にＤＣ電圧を印加することにより変化する。これは誘電体８中の誘電材料の相対誘電率εが変化するためである。数ボルトのＤＣ電圧の印加はキャパシタＣ１およびＣ３の容量値を係数１０まで減少させることができる。その結果、共振器Ｒ１およびＲ２の共振周波数および非共振周波数はシフトされ、フィルタ構成のフィルタ曲線は数％シフトする。キャパシタＣ１およびＣ３の電極７および９にはＤＣ電圧がバンプエンドコンタクトを介して印加される。
【００５７】
図４はこのようなシフトの例を示す。直列共振器Ｒ１は１ＧＨｚの共振周波数を有し、並列共振器Ｒ２は共振周波数０．９５０３５ＧＨｚを有している。キャパシタＣ１およびＣ３の電極にＤＣ電圧が印加されないときの４つのキャパシタは次の容量値を有している：Ｃ１＝２ｐＦ，Ｃ２＝１００ｐＦ，Ｃ３＝１００ｐＦ，Ｃ４＝１０ｐＦ。このフィルタ構成のフィルタ特性は曲線１３により示されている。２０ＶのＤＣ電圧が印加された後には、Ｃ１およびＣ３の容量値は係数１０で減少し、フィルタの帯域は高周波領域にシフトする。曲線１４はこの新たなフィルタ特性に関連する。
【００５８】
結果として得られるフィルタ構成は、移動電話で、フィルタ帯域が変化しうるチューニング可能な帯域フィルタとして使用される。
【００５９】
実施形態２
アクリル酸にかわの接着層がガラス基板の上に存在し、その上に３００ｎｍ厚のＳｉＯ２層、多孔質ＳｉＯ２層の反射要素、および３０ｎｍ厚のＳｉＯ２層が存在する。Ｐｔ／Ｔｉの電極５がＳｉＯ２層上に存在する。ＡｌＮの圧電層６が第１の電極５の上に位置し、Ｔｉ／Ｐｔ電極７が圧電層６の上に設けられている。圧電層６および２つの電極５，７は堆積され、直列共振器Ｒ１および並列共振器Ｒ２を有するフィルタ構成が形成されるように構成されている。電極５は共振器Ｒ２に隣接するキャパシタＣ４の上部電極をも構成するように堆積され、構成されている。電極７はバルク音響波共振器Ｒ２の領域においてキャパシタＣ２の上部電極とともにキャパシタＣ１の下部電極を形成するように、およびバルク音響波共振器Ｒ２の領域においてキャパシタＣ３の下部電極を形成するように堆積され、構成される。５％のランタンドーピングを含むＰｂＺｒ０．５３Ｔｉ０．４７Ｏ３の誘電体８がキャパシタＣ１，Ｃ３の下部電極の上にあり、Ｐｔ／Ｔｉの上部電極９はそれぞれの誘電体８の上に設けられている。キャパシタＣ２およびＣ４のそれぞれはＰｔ／Ｔｉの上部電極に加えてＳｉ３Ｎ４の誘電体および４％のＣｕがドープされたＡｌ下部電極３を備えている。
【００６０】
ＳｉＯ２の保護層１０が、フィルタ構成全体の上に設けられている。電極３，５，７，９へのコンタクトホールが、エッチングにより保護層１０に開けられている。Ｃｒ／Ｃｕ／ＮＩ／Ａｕのバンプエンドコンタクトがコンタクトホール内に成長している。
【００６１】
共振器Ｒ１の領域中の電極５に対するバンプエンドコンタクトは、フィルタ構成のフィルタ入力１１に対するコンタクトとして作用し、共振器Ｒ２の領域における電極３に対するそれぞれのバンプエンドコンタクトはフィルタ構成のフィルタ出力１２に対するコンタクトとして作用する。さらに、キャパシタＣ３の領域中の電極９に対するバンプエンドコンタクトは接地されている。
【００６２】
キャパシタＣ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４および共振器Ｒ１およびＲ２は圧電層６，誘電体８，および誘電体４中の適当なバイアを通して電気的に内部接続される。キャパシタＣ１は共振器Ｒ１に並列接続されるが、キャパシタＣ２は共振器Ｒ１の下流側で直列に接続される。キャパシタＣ３は共振器Ｒ２の下流側で直列に接続され、キャパシタＣ４は共振器Ｒ２に並列に接続される。
【００６３】
２つの共振器Ｒ１およびＲ２は、共振器Ｒ１の共振周波数が共振器Ｒ２の非共振周波数に対応するように、チューニングされる。フィルタ構成のフィルタ特性はキャパシタＣ１、Ｃ２にＤＣ電圧を印加することにより変化する。これは誘電体８中の誘電材料の相対誘電率εが変化するためである。数ボルトのＤＣ電圧の印加はキャパシタＣ１およびＣ３の容量値を係数１０まで減少させることができる。その結果、共振器Ｒ１およびＲ２の共振周波数および非共振周波数はシフトされ、フィルタ構成のフィルタ曲線は数％シフトする。キャパシタＣ１およびＣ３の電極７および９にはＤＣ電圧がバンプエンドコンタクトを介して印加される。
【００６４】
結果として得られるフィルタ構成は、移動電話で、フィルタ帯域が変化しうるチューニング可能な帯域フィルタとして使用される。
【００６５】
実施形態３
ガラス基板上にＡｌＮおよびＳｉＯ２の交番λ／４層の反射要素２が存在する。Ｐｔ／Ｔｉの電極５が反射要素２の上に存在する。ＡｌＮの圧電層６が電極５の上に位置し、Ｔｉ／Ｐｔ電極７が圧電層６の上に設けられている。圧電層６および２つの電極５，７は堆積され、直列共振器Ｒ１および並列共振器Ｒ２を有するフィルタ構成が形成されるように構成されている。電極５は共振器Ｒ２に隣接するキャパシタＣ４の上部電極をも構成するように堆積され、構成されている。電極７はバルク音響波共振器Ｒ２の領域においてキャパシタＣ２の上部電極とともにキャパシタＣ１の下部電極を形成するように、およびバルク音響波共振器Ｒ２の領域においてキャパシタＣ３の下部電極を形成するように堆積され、構成される。５％のランタンドーピングを含むＰｂＺｒ０．５３Ｔｉ０．４７Ｏ３の誘電体８がキャパシタＣ１，Ｃ３の下部電極の上にあり、Ｐｔ／Ｔｉの上部電極９はそれぞれの誘電体８の上に設けられている。キャパシタＣ２およびＣ４のそれぞれはＰｔ／Ｔｉの上部電極に加えてＳｉ３Ｎ４の誘電体および４％のＣｕがドープされたＡｌ下部電極３を備えている。
【００６６】
Ｓｉ３Ｎ４の保護層１０が、フィルタ構成全体の上に設けられている。電極３，５，７，９へのコンタクトホールが、エッチングにより保護層１０に開けられている。Ｃｒ／Ｃｕ／ＮＩ／Ａｕのバンプエンドコンタクトがコンタクトホール内に成長している。
【００６７】
共振器Ｒ１の領域中の電極５に対するバンプエンドコンタクトは、フィルタ構成のフィルタ入力１１に対するコンタクトとして作用し、共振器Ｒ２の領域における電極３に対するそれぞれのバンプエンドコンタクトはフィルタ構成のフィルタ出力１２に対するコンタクトとして作用する。さらに、キャパシタＣ３の領域中の電極９に対するバンプエンドコンタクトは接地されている。
【００６８】
キャパシタＣ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４および共振器Ｒ１およびＲ２は圧電層６，誘電体８，および誘電体４中の適当なバイアを通して電気的に内部接続される。キャパシタＣ１は共振器Ｒ１に並列接続されるが、キャパシタＣ２は共振器Ｒ１の下流側で直列に接続される。キャパシタＣ３は共振器Ｒ２の下流側で直列に接続され、キャパシタＣ４は共振器Ｒ２に並列に接続される。
【００６９】
２つの共振器Ｒ１およびＲ２は、共振器Ｒ１の共振周波数が共振器Ｒ２の非共振周波数に対応するように、チューニングされる。フィルタ構成のフィルタ特性はキャパシタＣ１、Ｃ２にＤＣ電圧を印加することにより変化する。これは誘電体８中の誘電材料の相対誘電率εが変化するためである。数ボルトのＤＣ電圧の印加はキャパシタＣ１およびＣ３の容量値を係数１０まで減少させることができる。その結果、共振器Ｒ１およびＲ２の共振周波数および非共振周波数はシフトされ、フィルタ構成のフィルタ曲線は数％シフトする。キャパシタＣ１およびＣ３の電極７および９にはＤＣ電圧がバンプエンドコンタクトを介して印加される。
【００７０】
結果として得られるフィルタ構成は、移動電話で、フィルタ帯域が変化しうるチューニング可能な帯域フィルタとして使用される。
【００７１】
実施形態４
ガラス基板上にＴａ２Ｏ５およびＳｉＯ２の交番λ／４層の反射要素２が存在する。Ｐｔ／Ｔｉの電極５が反射要素２の上に存在する。ＡｌＮの圧電層６が電極５の上に位置し、Ｔｉ／Ｐｔ電極７が圧電層６の上に設けられている。圧電層６および２つの電極５，７は堆積され、直列共振器Ｒ１および並列共振器Ｒ２を有するフィルタ構成が形成されるように構成されている。電極５は共振器Ｒ２に隣接するキャパシタＣ４の上部電極をも構成するように堆積され、構成されている。電極７はバルク音響波共振器Ｒ２の領域においてキャパシタＣ２の上部電極とともにキャパシタＣ１の下部電極を形成するように、およびバルク音響波共振器Ｒ２の領域においてキャパシタＣ３の下部電極を形成するように堆積され、構成される。５％のランタンドーピングを含むＰｂＺｒ０．５３Ｔｉ０．４７Ｏ３の誘電体８がキャパシタＣ１，Ｃ３の下部電極の上にあり、Ｐｔ／Ｔｉの上部電極９はそれぞれの誘電体８の上に設けられている。キャパシタＣ２およびＣ４のそれぞれはＰｔ／Ｔｉの上部電極に加えてＳｉ３Ｎ４の誘電体および４％のＣｕがドープされたＡｌ下部電極３を備えている。
【００７２】
Ｓｉ３Ｎ４の保護層１０が、フィルタ構成全体の上に設けられている。電極３，５，７，９へのコンタクトホールが、エッチングにより保護層１０に開けられている。Ｃｒ／Ｃｕ／ＮＩ／Ａｕのバンプエンドコンタクトがコンタクトホール内に成長している。
【００７３】
共振器Ｒ１の領域中の電極５に対するバンプエンドコンタクトは、フィルタ構成のフィルタ入力１１に対するコンタクトとして作用し、共振器Ｒ２の領域における電極３に対するそれぞれのバンプエンドコンタクトはフィルタ構成のフィルタ出力１２に対するコンタクトとして作用する。さらに、キャパシタＣ３の領域中の電極９に対するバンプエンドコンタクトは接地されている。
【００７４】
キャパシタＣ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４および共振器Ｒ１およびＲ２は圧電層６，誘電体８，および誘電体４中の適当なバイアを通して電気的に内部接続される。キャパシタＣ１は共振器Ｒ１に並列接続されるが、キャパシタＣ２は共振器Ｒ１の下流側で直列に接続される。キャパシタＣ３は共振器Ｒ２の下流側で直列に接続され、キャパシタＣ４は共振器Ｒ２に並列に接続される。
【００７５】
２つの共振器Ｒ１およびＲ２は、共振器Ｒ１の共振周波数が共振器Ｒ２の非共振周波数に対応するように、チューニングされる。フィルタ構成のフィルタ特性はキャパシタＣ１、Ｃ２にＤＣ電圧を印加することにより変化する。これは誘電体８中の誘電材料の相対誘電率εが変化するためである。数ボルトのＤＣ電圧の印加はキャパシタＣ１およびＣ３の容量値を係数１０まで減少させることができる。その結果、共振器Ｒ１およびＲ２の共振周波数および非共振周波数はシフトされ、フィルタ構成のフィルタ曲線は数％シフトする。キャパシタＣ１およびＣ３の電極７および９にはＤＣ電圧がバンプエンドコンタクトを介して印加される。
【００７６】
結果として得られるフィルタ構成は、移動電話で、フィルタ帯域が変化しうるチューニング可能な帯域フィルタとして使用される。
【００７７】
実施形態５
ＳｉＯ２パッシベーション層を有するシリコン基板上にＴａ２Ｏ５およびＳｉＯ２の交番λ／４層の反射要素２が存在する。Ｔｉ／Ｐｔの電極５が反射要素２の上に存在する。ＡｌＮの圧電層６が電極５の上に位置し、Ｔｉ／Ｐｔ電極７が圧電層６の上に設けられている。圧電層６および２つの電極５，７は堆積され、直列共振器Ｒ１および並列共振器Ｒ２を有するフィルタ構成が形成されるように構成されている。電極５は共振器Ｒ２に隣接するキャパシタＣ４の上部電極をも構成するように堆積され、構成されている。電極７はバルク音響波共振器Ｒ２の領域においてキャパシタＣ２の上部電極とともにキャパシタＣ１の下部電極を形成するように、およびバルク音響波共振器Ｒ２の領域においてキャパシタＣ３の下部電極を形成するように堆積され、構成される。５％のランタンドーピングを含むＰｂＺｒ０．５３Ｔｉ０．４７Ｏ３の誘電体８がキャパシタＣ１，Ｃ３の下部電極の上にあり、Ｐｔ／Ｔｉの上部電極９はそれぞれの誘電体８の上に設けられている。キャパシタＣ２およびＣ４のそれぞれはＰｔ／Ｔｉの上部電極に加えてＳｉ３Ｎ４の誘電体およびＴｉ／Ｐｔの下部電極３を備えている。
【００７８】
Ｓｉ３Ｎ４の保護層１０が、フィルタ構成全体の上に設けられている。電極３，５，７，９へのコンタクトホールが、エッチングにより保護層１０に開けられている。Ｃｒ／Ｃｕ／ＮＩ／Ａｕのバンプエンドコンタクトがコンタクトホール内に成長している。
【００７９】
共振器Ｒ１の領域中の電極５に対するバンプエンドコンタクトは、フィルタ構成のフィルタ入力１１に対するコンタクトとして作用し、共振器Ｒ２の領域における電極３に対するそれぞれのバンプエンドコンタクトはフィルタ構成のフィルタ出力１２に対するコンタクトとして作用する。さらに、キャパシタＣ３の領域中の電極９に対するバンプエンドコンタクトは接地されている。
【００８０】
キャパシタＣ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４および共振器Ｒ１およびＲ２は圧電層６，誘電体８，および誘電体４中の適当なバイアを通して電気的に内部接続される。キャパシタＣ１は共振器Ｒ１に並列接続されるが、キャパシタＣ２は共振器Ｒ１の下流側で直列に接続される。キャパシタＣ３は共振器Ｒ２の下流側で直列に接続され、キャパシタＣ４は共振器Ｒ２に並列に接続される。
【００８１】
２つの共振器Ｒ１およびＲ２は、共振器Ｒ１の共振周波数が共振器Ｒ２の非共振周波数に対応するように、チューニングされる。フィルタ構成のフィルタ特性はキャパシタＣ１、Ｃ２にＤＣ電圧を印加することにより変化する。これは誘電体８中の誘電材料の相対誘電率εが変化するためである。数ボルトのＤＣ電圧の印加はキャパシタＣ１およびＣ３の容量値を係数１０まで減少させることができる。その結果、共振器Ｒ１およびＲ２の共振周波数および非共振周波数はシフトされ、フィルタ構成のフィルタ曲線は数％シフトする。キャパシタＣ１およびＣ３の電極７および９にはＤＣ電圧がバンプエンドコンタクトを介して印加される。
【００８２】
結果として得られるフィルタ構成は、移動電話で、フィルタ帯域が変化しうるチューニング可能な帯域フィルタとして使用される。
【００８３】
実施形態６
ＳｉＯ２パッシベーション層を有するシリコン基板上にＴａ２Ｏ５およびＳｉＯ２の交番λ／４層の反射要素２が存在する。Ｔｉ／Ｐｔの電極５が反射要素２の上に存在する。ＡｌＮの圧電層６が電極５の上に位置し、Ｔｉ／Ｐｔ電極７が圧電層６の上に設けられている。圧電層６および２つの電極５，７は堆積され、直列共振器Ｒ１および並列共振器Ｒ２を有するフィルタ構成が形成されるように構成されている。電極５は共振器Ｒ２に隣接するキャパシタＣ４の上部電極をも構成するように堆積され、構成されている。電極７はバルク音響波共振器Ｒ２の領域においてキャパシタＣ２の上部電極とともにキャパシタＣ１の下部電極を形成するように、およびバルク音響波共振器Ｒ２の領域においてキャパシタＣ３の下部電極を形成するように堆積され、構成される。５％のランタンドーピングを含むＰｂＺｒ０．５３Ｔｉ０．４７Ｏ３の誘電体８がキャパシタＣ１，Ｃ３の下部電極の上にあり、Ｐｔ／Ｔｉの上部電極９はそれぞれの誘電体８の上に設けられている。キャパシタＣ２およびＣ４のそれぞれはＰｔ／Ｔｉの上部電極に加えてＳｉ３Ｎ４の誘電体、および別に堆積され、４％のＣｕがドープされたＡｌ下部電極３を備えている。
【００８４】
Ｓｉ３Ｎ４の保護層１０が、フィルタ構成全体の上に設けられている。電極３，５，７，９へのコンタクトホールが、エッチングにより保護層１０に開けられている。Ｃｒ／Ｃｕ／ＮＩ／Ａｕのバンプエンドコンタクトがコンタクトホール内に成長している。
【００８５】
共振器Ｒ１の領域中の電極５に対するバンプエンドコンタクトは、フィルタ構成のフィルタ入力１１に対するコンタクトとして作用し、共振器Ｒ２の領域における電極３に対するそれぞれのバンプエンドコンタクトはフィルタ構成のフィルタ出力１２に対するコンタクトとして作用する。さらに、キャパシタＣ３の領域中の電極９に対するバンプエンドコンタクトは接地されている。
【００８６】
キャパシタＣ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４および共振器Ｒ１およびＲ２は圧電層６，誘電体８，および誘電体４中の適当なバイアを通して電気的に内部接続される。キャパシタＣ１は共振器Ｒ１に並列接続されるが、キャパシタＣ２は共振器Ｒ１の下流側で直列に接続される。キャパシタＣ３は共振器Ｒ２の下流側で直列に接続され、キャパシタＣ４は共振器Ｒ２に並列に接続される。
【００８７】
２つの共振器Ｒ１およびＲ２は、共振器Ｒ１の共振周波数が共振器Ｒ２の非共振周波数に対応するように、チューニングされる。フィルタ構成のフィルタ特性はキャパシタＣ１、Ｃ２にＤＣ電圧を印加することにより変化する。これは誘電体８中の誘電材料の相対誘電率εが変化するためである。数ボルトのＤＣ電圧の印加はキャパシタＣ１およびＣ３の容量値を係数１０まで減少させることができる。その結果、共振器Ｒ１およびＲ２の共振周波数および非共振周波数はシフトされ、フィルタ構成のフィルタ曲線は数％シフトする。キャパシタＣ１およびＣ３の電極７および９にはＤＣ電圧がバンプエンドコンタクトを介して印加される。
【００８８】
結果として得られるフィルタ構成は、移動電話で、フィルタ帯域が変化しうるチューニング可能な帯域フィルタとして使用される。
【００８９】
第１の電極３および反射要素２のある部分の上に存在する。Ｐｔ／Ｔｉの第２の電極５が圧電層４および反射要素２のある部分上に設けられている。圧電層４および２つの電極３、５は堆積され、図２にしたがった２つの共振器３，５が形成されるように構成されている。ＳｉＯ２の保護層７が、フィルタ構成全体の上に設けられている。第１の電極および第２電極５へのコンタクトホールを、エッチングを用いて保護層７に開けられている。Ｃｒ／Ｃｕ／ＮＩ／Ａｕのバンプエンドコンタクトがコンタクトホール内に成長している。共振器Ｒ１の領域中の電極５に対するバンプエンドコンタクトは、フィルタ構成の入力８に対するコンタクトとして作用し、共振器Ｒ１の領域共振器Ｒ２の領域における電極３に対するそれぞれのバンプエンドコンタクトはフィルタ構成の出力９に対するコンタクトとして作用する。さらに、共振器Ｒ２の領域中の電極５に対するバンプエンドコンタクトは接地されている。ＤＣ電圧がこれらのバンプエンドコンタクトを介して電極３、５に印加されている。
【００９０】
２つの共振器Ｒ１およびＲ２は、共振器Ｒ１の共振周波数が共振器Ｒ２の非共振周波数に対応するように、チューニングされる。フィルタ構成のフィルタ特性は２つの共振器にＤＣ電圧を印加することにより変化する。これは圧電層４中の誘電材料の誘電率εが減少するためである。チューニング可能な共振器の共振周波数および非共振周波数はそれによってシフトする。
【００９１】
結果として得られるフィルタ構成は、移動電話でチューニング可能な帯域フィルタとして使用される。
【図面の簡単な説明】
【図１】  ２つのキャパシタに接続されたチューニング可能なフィルタ構成のバルク音響波共振器を示す断面図である。
【図２】  チューニング可能なフィルタ構成の実施形態を示す回路図である。
【図３】  図２に示す回路構成を有するチューニング可能なフィルタ構成を示す平面図である。
【図４】  チューニング可能なフィルタ構成のフィルタ曲線を示すグラフである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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