(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
コア基板と、コア基板の両面に積層して設けられた配線層と、該配線層を電気的に接続する、前記コア基板に設けられた導通スルーホールとを備え、前記コア基板を構成するコア部は繊維に樹脂を含浸して形成されたプリプレグを熱圧着して形成され、前記導通スルーホールが、前記コア部の繊維と干渉することなく設けられた配線基板に半導体素子が搭載されており、
前記繊維は、カーボンファイバと非導電性繊維とを複合した織布として形成され、該織布に、前記導通スルーホールが通過する空位が形成されており、
前記配線基板は、前記非導電性繊維が配置されている位置で切断されて、切断端面に該非導電性繊維が露出しており、
前記カーボンファイバと前記非導電性繊維との組成比を調節することによって、前記配線基板の全体としての熱膨張係数を前記半導体素子の熱膨張係数にマッチングさせていることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は配線基板およびその製造方法に関し、より詳細には、コア基板を備える配線基板およびこの配線基板の製造方法、並びに配線基板を用いた半導体装置および配線基板に用いられるプリプレグに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子を搭載する配線基板には、カーボンファイバ強化プラスチック（CFRP)をコア基板に備えた製品がある。このカーボンファイバ強化プラスチックを備えたコア基板は、従来のガラスエポキシ基板からなるコア基板と比較して低熱膨張率であり、このコア基板を用いた配線基板は、半導体素子と熱膨張係数をマッチングさせることができ、半導体素子と配線基板との間に生じる熱応力を回避する上で有用である。
【０００３】
配線基板はコア基板の両面に配線層を積層して形成され、コア基板には、その両面に積層される配線層と電気的導通をとるための導通スルーホールPTH（Plated through hole)が形成される。この導通スルーホールは、基板に貫通孔を形成し、めっきにより貫通孔の内壁面に導通部（めっき層）を形成することによって形成される。
【０００４】
ところで、カーボンファイバ強化プラスチックのような導電性を有するコア部を備えるコア基板の場合には、単に基板に貫通孔を形成して貫通孔の内壁面にめっきを施すと、導通スルーホールとコア部とが電気的に短絡してしまう。このため、導電性を有するコア部を備えるコア基板に導通スルーホールを形成する際には、コア基板に導通スルーホールよりも大径の下孔を貫設し、下孔に絶縁性を有する樹脂を充填した後、下孔内に導通スルーホールを貫通させて、導通スルーホールとコア部とが電気的に短絡しないようにしている（特許文献１、２参照）。
【特許文献１】特開２００３−２１８２８７号公報
【特許文献２】再表２００４／０６４４６７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、コア基板に下孔をあけて下孔内に導通スルーホールを貫通させる配置では、下孔が導通スルーホールよりも大径になるから、コア基板に単に導通スルーホールを配置する場合と比較して、導通スルーホールの配置間隔が広くなり、導通スルーホールを高密度に配置することが制約される。
また、下孔内に絶縁用の樹脂を充填すると、コア基板の熱膨張係数が大きくなるように作用し、カーボンファイバをコア部に備える配線基板の場合には、低熱膨張係数に形成されているコア基板の利点が阻害される。
【０００６】
本発明は、これらの課題を解決すべくなされたものであり、配線基板に形成される導通スルーホールの配置ピッチを微細化することができ、コア基板に求められる強度、熱膨張係数といった特性を満足することができる配線基板およびその製造方法、並びに半導体装置、配線基板に用いられるプリプレグを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上記目的を達成するため次の構成を備える。
すなわち、配線基板の製造方法として、導通スルーホールが通過する位置が空位となるように繊維が配置され、樹脂が含浸して形成されたプリプレグを熱圧着してコア部を形成する工程と、該コア部の前記空位となる位置に、空位の内側を通過する貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔の内側面に導体層を形成して前記繊維と干渉しない配置に導通スルーホールを形成してコア基板とする工程と、大判の配線基板から個片に切断する切断工程と、を有し、前記コア部を形成する工程において、前記繊維は、カーボンファイバと非導電性繊維とを複合した織布として形成され、該織布に、前記導通スルーホールが通過する空位が形成されたプリプレグを使用し、前記切断工程において、前記非導電性繊維が配置されている位置で切断することによって、切断端面に該非導電性繊維を露出させることを特徴とする。
【０００９】
また、配線基板の構成として、コア基板と、コア基板の両面に積層して設けられた配線層と、該配線層を電気的に接続する、前記コア基板に設けられた導通スルーホールとを備え、前記コア基板を構成するコア部は繊維に樹脂を含浸して形成されたプリプレグを熱圧着して形成され、前記導通スルーホールが、前記コア部の繊維と干渉することなく設けられており、前記繊維は、カーボンファイバと非導電性繊維とを複合した織布として形成され、該織布に、前記導通スルーホールが通過する空位が形成されており、前記非導電性繊維が配置されている位置で切断されて、切断端面に該非導電性繊維が露出していることを特徴とする。なお、配線基板はインターポーザとして使用することも可能である。
【００１１】
また、前記配線基板に半導体素子を搭載することによって半導体装置として提供することができる。
【００１２】
また、配線基板のコア基板を構成するコア部を構成するプリプレグであって、銅よりも低い熱膨張係数を有する繊維を含有し、該繊維が、前記コア基板に形成される導通スルーホールと干渉しない配置に設けられているものが有効に用いられる。
また、前記繊維が、カーボンファイバ織布として形成され、該カーボンファイバ織布に、前記導通スルーホールが通過する空位が形成されているものは、導通スルーホールとの電気的短絡を回避し、低熱膨張係数を有するコア基板として構成されるという利点がある。また、前記繊維が、カーボンファイバと非導電性繊維とを複合した織布として形成され、該織布に、前記導通スルーホールが通過する空位が形成されているものが好適に用いられる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明に係る配線基板およびその製造方法においては、コア基板のコア部を形成するプリプレグが含有する繊維が、コア基板の導通スルーホールが通過する位置と干渉しない配置としたことにより、プリプレグにおける繊維の配置と関わりなく導通スルーホールを形成することができ、導通スルーホールを微細ピッチに配置することが可能になる。また、プリプレグに含有させる繊維を選択することによってコア基板として所要の強度等の特性を備えることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
（配線基板の製造方法）
以下、本発明に係る配線基板の製造方法の一実施形態について説明する。
本実施形態の配線基板の製造方法においては、カーボンファイバ強化プラスチックからなるコア部を備えたコア基板を用いる。
図１は、カーボンファイバ強化プラスチックから成るコア部１０を備えたコア基板２０を形成するまでの工程を示す。
【００１５】
図１（ａ）は、カーボンファイバを含有するプリプレグ１０ａ、１０ｂ、１０ｃと、熱膨張係数を調整するためにアルミナ、シリカ、等のフィラーを含有する電気的絶縁性を有するプリプレグ１２とを、熱圧着するために、位置合わせして配した状態を示す。
本実施形態では、３枚のプリプレグ１０ａ、１０ｂ、１０ｃを重ねてコア部１０を形成しているが、コア部１０を構成するプリプレグの枚数は、配線基板の厚さあるいはコア基板としての強度等の要請から適宜選択することができる。
【００１６】
本実施形態の配線基板の製造方法においてもっとも特徴とする構成は、コア部１０を構成するカーボンファイバを含有するプリプレグ１０ａ、１０ｂ、１０ｃの構成にある。すなわち、プリプレグ１０ａ、１０ｂ、１０ｃは長繊維のカーボンファイバを用いて織布として構成し、カーボンファイバの織布にエポキシ樹脂等の樹脂を含浸させ、接着性を備えた半硬化状態として形成される。
プリプレグ１０ａ、１０ｂ、１０ｃにおける構成上の特徴はその織り方にある。すなわち、通常の織布では繊維を面的に均一に織られるが、本実施形態で使用するプリプレグ１０ａ、１０ｂ、１０ｃに用いられるカーボンファイバ織布は、コア基板に形成する導通スルーホールとカーボンファイバ５ａとが干渉しないように、導通スルーホールが通過する位置が空き部分となるように織られている。
【００１７】
図２に、プリプレグ１０ａ、１０ｂ、１０ｃに用いられるカーボンファイバ織布５を平面方向から見た状態を示す。カーボンファイバ織布５は、カーボンファイバ５ａを平織状に織って形成されているが、平織り部分を一定間隔で離間させる織り方として、所定間隔で空き部分（本明細書では空位という）が形成されるようにしている。この空位６には、コア基板を形成する際に導通スルーホールが通過する。すなわち、カーボンファイバ織布５は、コア基板に形成する導通スルーホールの配置に合わせてあらかじめ空位６を形成するように織られたものである。
【００１８】
コア基板に形成する導通スルーホールの平面配置は製品によって異なるが、通常、コア基板に設けられる導通スルーホールは縦横に所定間隔で整列された配置となっている。このように、導通スルーホールが所定間隔で整列した配置となっている場合に、導通スルーホールの平面配置に合わせて空位６が形成されるようにカーボンファイバ織布５を形成することは可能である。
また、カーボンファイバ織布５を形成する場合に、導通スルーホールの配置に合わせるとともに、導通スルーホールを通過させる空位６の縦横寸法を調節することも可能である。
【００１９】
カーボンファイバの単線は数μｍ程度の径である。したがって、カーボンファイバの単線を織って、図２に示すようなカーボンファイバ織布５を形成することも可能であるし、カーボンファイバの単線を複数本撚り合わせた糸を用いてカーボンファイバ織布５を形成することもできる。カーボンファイバの撚糸の場合は、数十μｍ程度の径となる。
コア基板に形成する導通スルーホールの配置ピッチは製品によって異なるが、たとえば一般的な半導体素子搭載基板で用いられている４００μｍ程度の配置ピッチに導通スルーホールを配置する場合であれば、数十μｍ程度の撚糸を用いて、空位６を形成する配置でカーボンファイバ織布５を形成することは容易である。
【００２０】
図２に示したカーボンファイバ織布５はカーボンファイバ５ａが直角に交差するように織られているが、カーボンファイバ５ａの交差角度が直角以外、たとえば１２０°に交差するといった斜めに交差する織り方によって空位６が形成されたカーボンファイバ織布５を形成することも可能である。また、カーボンファイファ織布５に形成する空位６の平面形状を、正方形以外に、長方形、ひし形、六角形、八角形等に織ることも可能である。
【００２１】
また、図２に示したカーボンファイバ織布５は空位６が縦横方向に一定間隔で整列した例であるが、コア基板に形成される導通スルーホールが均等に整列された配置ではなく、平面内で不均一に配列されている場合に、これらの導通スルーホールの平面配置に合わせて空位６を形成するようにカーボンファイバ織布５を形成することも考えられる。本願発明は、導通スルーホールが均一に整列されて配置されている配線基板に限らず、導通スルーホールが不均一に配置されている場合にも適用可能である。
【００２２】
カーボンファイバ織布５を樹脂に含浸させることによってプリプレグが得られる。このプリプレグは、カーボンファイバ織布５のカーボンファイバ５ａの部分に樹脂が含浸し、空位６に樹脂１１が充填されて得られる。なお、空位６が大きく開口している場合は空位６が樹脂によって充填されない場合もある。
図１（ａ）は、こうして得らたプリプレグ１０ａ、１０ｂ、１０ｃを位置合わせした状態である。このようにプリプレグを複数枚、重ね合わせるようにして位置合わせする場合は、カーボンファイバ織布５の空位６の平面位置が一致するように位置合わせする。
【００２３】
製造工程上は、大判のカーボンファイバ織布５を用意し、カーボンファイバ織布５をエポキシ樹脂等の樹脂に含浸させて、大判のプリプレグ１０ａ、１０ｂ、１０ｃを形成し、大判のプリプレグ１０ａ、１０ｂ、１０ｃを使用してコア基板を形成する。図１は、多数個取り用の大判のプリプレグ１０ａ、１０ｂ、１０ｃの一部を拡大して示している。
【００２４】
図１（ｂ）は、プリプレグ１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１２を熱圧着して、平板体に形成した状態を示す。プリプレグ１２からなる絶縁層１２ａの内層にプリプレグ１０ａ、１０ｂ、１０ｃが一体化して形成されたコア部１０が配される。コア部１０にはカーボンファイバ５ａを含む領域と、カーボンファイバ織布５の空位６となった領域が存在する。カーボンファイバ５ａを含む領域は導電性を有する領域であり、空位６の領域は樹脂１１が充填された領域で電気的絶縁性を有する領域である。プリプレグの状態でカーボンファイバ織布５の空位６に樹脂１１が充填されていない場合には、プリプレグ１２を熱圧着することによって空位６にプリプレグ１２から樹脂が充填される。
【００２５】
コア部１０を一体形成した後、コア部１０の樹脂１１（１２）が充填された位置、いいかえればカーボンファイバ織布５の空位６となっている位置に合わせて貫通孔１３を形成する（図１（ｃ））。貫通孔１３はカーボンファイバ織布５に形成した空位６よりも小径に形成する。これによって貫通孔１３の内側面に樹脂１１が露出する。貫通孔１３はたとえばドリル加工によって形成する。
【００２６】
図１（ｄ）は、導通スルーホールを形成するために、コア部１０に無電解銅めっきおよび電解銅めっきを施し、貫通孔１３の内側面およびコア部１０の表面に導体層１４を形成した状態である。貫通孔１３の内側面は樹脂１１および絶縁層１２ａによって被覆されているから、貫通孔１３の内側面に導体層１４を被着形成しても導体層１４と、コア部１０の導電性を有するカーボンファイバ５ａを含有する領域が電気的に短絡することはない。
【００２７】
図１（ｅ）は、貫通孔１３に樹脂１５を充填した後、コア部１０の両表面に導体層１６を形成した状態を示す。導体層１６はめっきによって形成することができる。
図１（ｆ）は、導体層１６、１４を所定パターンにエッチングして基板の表面に配線パターン１８を形成し、コア基板２０を形成した状態である。貫通孔１３の内側面に形成された導体層１４は、コア基板２０の両面に形成される配線パターンを電気的に接続する導通スルーホール１９となる。
導通スルーホール１９はコア部１０に形成された貫通孔１３を通過して配置され、貫通孔１３の内側面は電気的絶縁性の樹脂１１によって被覆されているから、導通スルーホール１９がコア部１０の導体部、すなわちカーボンファイバ５ａが含有されている領域と電気的に短絡することが防止されている。
【００２８】
このように、本実施形態のコア基板の製造方法においては、コア部１０を構成するカーボンファイバ織布５に導通スルーホール１９を通過させる空位６を設けたことによって、コア基板２０に導通スルーホール１９を設けた際に、導通スルーホール１９がカーボンファイバ織布５と導通することが回避され、導通スルーホール１９がコア部１０と電気的に短絡することが防止される。
【００２９】
また、コア基板２０のコア部１０には導通スルーホール１９を形成する貫通孔１３を設けるのみであり、従来のコア基板のように、導通スルーホールを通過させる下孔を形成する必要がない。これによってコア基板２０に形成する導通スルーホール１９の配置ピッチを従来のコア基板にくらべて狭くすることができ、導通スルーホール１９をより高密度に形成することができる。
また、コア部１０に形成する貫通孔１３は従来よりも小径であるから、貫通孔１３に樹脂１５を充填したとしても、従来のように下孔に樹脂を充填した場合と比較して、樹脂の充填量が抑えられ、コア基板の熱膨張係数が大きくなることを有効に抑制することができる。
【００３０】
（配線基板）
図３は、コア基板２０の両面に配線層２２を積層して配線基板３０を形成した状態を示す。配線層２２は、ビア２４を介して絶縁層２５間で配線パターン２６を電気的に接続して形成される。配線基板３０の両面の配線層２２に形成された配線パターン２６は、コア基板２０に形成された導通スルーホール１９を介して電気的に接続される。
配線層２２は、たとえばビルドアップ法によって形成することができる。半導体素子が搭載される配線基板３０の一方の面には半導体素子が接続されるパッド２７が形成される。配線基板３０の他方の面にははんだボール等の外部接続端子が接合されるランド２９が形成される。
【００３１】
図４は、配線基板３０に半導体素子４０を搭載した半導体装置５０を実装基板６０に実装した状態を示す。半導体素子４０は、フリップチップ接続によって配線基板３０に搭載されている。半導体装置５０は、ランド２９にはんだボール６２を接合して実装基板６０に実装されている。
半導体素子４０と実装基板６０とは、配線基板３０に形成した導通スルーホール１９および配線層２２に形成された配線パターン１８、２６、ビア２４等を介して電気的に接続する。
【００３２】
前述したように、配線基板３０に形成される導通スルーホール１９は、コア基板２０に導通スルーホール１９を形成するための貫通孔１３を孔開けして形成するから、導通スルーホール１９を、たとえば４００μｍピッチといった微細ピッチに配置することが可能であり、電極が微細ピッチに配置されている半導体素子の搭載に適している。
【００３３】
また、本実施形態の配線基板３０および半導体装置５０は、コア基板２０に低熱膨張係数のカーボンファイバ織布５を用いたことにより、半導体素子４０と熱膨張係数をマッチングさせることが可能となる。カーボンファイバの熱膨張係数は１ppm／℃程度であり、半導体素子４０を構成するシリコンの熱膨張係数は３ppm／℃程度である。したがって、コア部１０を構成するカーボンファイバを含むプリプレグにフィラーを混入させ、あるいは、配線層２２に用いる絶縁層２５の熱膨張係数を調節する等により、配線基板３０の全体としての熱膨張係数を半導体素子４０の熱膨張係数にマッチングさせることができる。
【００３４】
このように、配線基板３０の熱膨張係数を半導体素子４０の熱膨張係数にマッチングさせることによって、製造工程における熱処理工程時、あるいは実装動作時において半導体素子４０と配線基板３０との間で生じる熱応力を緩和することができ、信頼性の高い配線基板３０および半導体装置５０として提供することができる。
【００３５】
なお、上記実施形態では、コア基板２０のコア部１０をカーボンファイバ織布５を用いて形成したが、コア部１０を構成する織布をカーボンファイバ５ａと他の繊維との複合織りとして形成することもできる。
また、上記実施形態では配線基板３０に半導体素子４０を搭載した半導体装置５０を、実装基板６０に実装した例を示すが、配線基板３０をインターポーザとして使用し、回路基板上に配線基板３０を介して半導体素子４０を搭載した半導体装置を実装基板６０に搭載する構成とすることもできる。
【００３６】
図５は、図２に示したカーボンファイバ織布５において、カーボンファイバ５ａとアラミド繊維７との複合織りとした織布８の平面図を示す。この織布８の場合も、コア基板２０に形成する導通スルーホール１９の配置に合わせて空位６を形成するように織る。アラミド繊維７は、熱膨張係数が２〜３ppm／℃とシリコンよりも低く、織布８を構成する繊維として好適に用いられる。もちろん、アラミド繊維以外の樹脂繊維、セラミック繊維等の非導電性繊維、あるいは導電性繊維を使用することが可能である。
【００３７】
この織布８を使用する場合も、エポキシ樹脂等の樹脂中に織布８を浸漬させ、織布８に樹脂を含浸させてプリプレグを形成する。織布８を用いて形成したプリプレグを用いてコア基板を形成する方法は前述した方法とまったく同様である。
【００３８】
アラミド繊維７等の繊維とカーボンファイバ５ａとを複合織りした織布８を使用する方法によれば、カーボンファイバ５ａとアラミド繊維７との組成比を調節することによってコア部１０の熱膨張係数を調節できるという利点がある。
また、配線基板を形成した後、大判の配線基板から個片に切断する際に、図５に示すように、アラミド繊維７が配置されている位置を切断位置（例として、図のＡ−Ａ線位置）として切断することによって、配線基板の切断端面にアラミド繊維７を露出させ、カーボンファイバ５ａが露出する範囲を抑制して、個片化された配線基板の外側面からカーボンファイバ５ａが剥落したり、配線基板の側面に露出するカーボンファイバ５ａが他の電子部品に接触して電気的に短絡したりする問題を回避することができる。
【００３９】
なお、カーボンファイバと他の繊維とを複合させた織布を使用する場合に、カーボンファイバに組合わせて使用する繊維は１種類の繊維に限られるものではない。カーボンファイバと２種以上の他の繊維を組合わせて織布とすることもできるし、カーボンファイバに替えて他の導電性繊維を用いることも可能である。
【００４０】
また、上記実施形態では、コア部１０にカーボンファイバ織布５を使用したが、織布に限らず不織布を用いることも可能である。
また、コア基板２０を構成するコア部として、カーボンファイバ以外の導電性を有する繊維、あるいはセラミック繊維、セラミックフィラー等の非導電性繊維を使用する場合にも適用できる。すなわち、コア基板は配線基板の保持体として求められる一定の強度と、配線基板に搭載される半導体素子と熱膨張係数が大きく乖離しない繊維として銅あるいは半導体素子よりも熱膨張係数が低い繊維が用いられる。したがって、これらの素材（繊維）を使用した場合に、コア基板の強度あるいは熱膨張係数を調節する目的を兼ねて、導通スルーホールの通過位置と干渉しない配置に繊維を配置することによって、前述した実施形態とまったく同様の形態にコア基板あるいは配線基板を形成することができる。
（付記１）
導通スルーホールが通過する位置が空位となるように繊維が配置され、樹脂が含浸して形成されたプリプレグを熱圧着してコア部を形成する工程と、該コア部の前記空位となる位置に、空位の内側を通過する貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔の内側面に導体層を形成して前記繊維と干渉しない配置に導通スルーホールを形成してコア基板とする工程とを有することを特徴とする配線基板の製造方法。
（付記２）
前記コア基板の両面に配線層を積層する工程を有することを特徴とする付記１記載の配線基板の製造方法。
（付記３）
前記コア部を形成する工程において、複数枚のプリプレグを前記空位の位置を相互に位置合わせして熱圧着することを特徴とする付記１または２記載の配線基板の製造方法。
（付記４）
前記コア部を形成する工程において、前記繊維がカーボンファイバ織布として形成され、該カーボンファイバ織布に、前記導通スルーホールが通過する空位が形成されたプリプレグを用いることを特徴とする付記１〜３のいずれか一項記載の配線基板の製造方法。
（付記５）
前記コア部を形成する工程において、前記繊維は、カーボンファイバと非導電性繊維とを複合した織布として形成され、該織布に、前記導通スルーホールが通過する空位が形成されたプリプレグを使用することを特徴とする付記１〜３のいずれか一項記載の配線基板の製造方法。
（付記６）
コア基板と、コア基板の両面に積層して設けられた配線層と、該配線層を電気的に接続する、前記コア基板に設けられた導通スルーホールとを備え、前記コア基板を構成するコア部は繊維に樹脂を含浸して形成されたプリプレグを熱圧着して形成され、前記導通スルーホールが、前記コア部の繊維と干渉することなく設けられていることを特徴とする配線基板。
（付記７）
前記繊維は、半導体素子よりも低い熱膨張係数を有することを特徴とする付記６記載の配線基板。
（付記８）
前記繊維は、カーボンファイバ織布として形成され、該カーボンファイバ織布に、前記導通スルーホールが通過する空位が形成されていることを特徴とする付記７記載の配線基板。
（付記９）
前記繊維は、カーボンファイバと非導電性繊維とを複合した織布として形成され、
該織布に、前記導通スルーホールが通過する空位が形成されていることを特徴とする付記６記載の配線基板。
（付記１０）
前記非導電性繊維が、アラミド繊維であることを特徴とする付記９記載の配線基板。
（付記１１）
コア基板と、コア基板の両面に積層して設けられた配線層と、該配線層を電気的に接続する、前記コア基板に設けられた導通スルーホールとを備え、前記コア基板を構成するコア部は繊維に樹脂を含浸して形成されたプリプレグを熱圧着して形成され、前記導通スルーホールが、前記コア部の繊維と干渉することなく設けられた配線基板に半導体素子が搭載されあるいは前記配線基板をインターポーザとして半導体素子が搭載されていることを特徴とする半導体装置。
（付記１２）
前記繊維は、カーボンファイバ織布として形成され、該カーボンファイバ織布に、前記導通スルーホールが通過する空位が形成されたことを特徴とする付記１１記載の半導体装置。
（付記１３）
コア基板のコア部を構成するプリプレグであって、銅よりも低い熱膨張係数を有する繊維を含有し、該繊維が、前記コア基板に形成される導通スルーホールと干渉しない配置に設けられていることを特徴とするプリプレグ。
（付記１４）
前記繊維は、カーボンファイバ織布として形成され、該カーボンファイバ織布に、前記導通スルーホールが通過する空位が形成されていることを特徴とする付記１３記載のプリプレグ。
（付記１５）
前記繊維は、カーボンファイバと非導電性繊維とを複合した織布として形成され、該織布に、前記導通スルーホールが通過する空位が形成されていることを特徴とする付記１４記載のプリプレグ。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】コア基板の製造工程を示す断面図である。
【図２】カーボンファイバ織布と導通スルーホールの配置を示す平面図である。
【図３】配線基板の断面図である。
【図４】半導体装置を実装した状態の断面図である。
【図５】コア部を構成する織布の例を示す平面図である。
【符号の説明】
【００４２】
５  カーボンファイバ織布
５ａ  カーボンファイバ
６  空位
７  アラミド繊維
８  織布
１０  コア部
１０ａ、１０ｂ、１０ｃ  プリプレグ
１１  樹脂
１３  貫通孔
１８、２６  配線パターン
１９  導通スルーホール
２０  コア基板
２２  配線層
２４  ビア
２７  パッド
２９  ランド
３０  配線基板
４０  半導体素子
５０  半導体装置
６０  実装基板
【図１】
0005318393.tif 000002
【図２】
0005318393.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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