(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板および第２基板が、封着材を介して貼り合わされた封着パネルの製造方法であって、
前記第２基板における前記第１基板との対向面に、紫外線硬化性樹脂からなる前記封着材を塗布する塗布工程と、
前記塗布工程に先立って、前記封着材を減圧雰囲気下で所定時間加熱する脱ガス工程とを有し、
前記脱ガス工程を経た封着材を用いて、前記塗布工程を行った後に、真空中または制御された雰囲気中において、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせるパネル化工程を、さらに有することを特徴とする封着パネルの製造方法。
【請求項２】
前記脱ガス工程では、前記封着材を１４０℃以上で加熱するとともに、１００Ｐａ以上１０ｋＰａ以下の減圧雰囲気下で１０分以上保持することを特徴とする請求項１記載の封着パネルの製造方法。
【請求項３】
前記脱ガス工程では、前記封着材を配置したチャンバ内を排気しながら前記チャンバ内に乾燥ガスを供給して、前記チャンバ内の圧力を調整することを特徴とする請求項１または請求項２記載の封着パネルの製造方法。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の封着パネルの製造方法を用いたことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、封着パネルの製造方法及びそれを用いたプラズマディスプレイの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、プラズマディスプレイパネル（以下「ＰＤＰ」という。）は表示装置の分野で広く利用されており、最近では大画面で高品質かつ低価格のＰＤＰが要求されている。
一般にＰＤＰは、前面基板と背面基板とが封着材を介して貼り合わされ、内部に放電ガスが封入されたものである。ＰＤＰとして、前面基板に維持電極および走査電極が形成され、背面基板にアドレス電極が形成された３電極面放電型が主流となっている。走査電極とアドレス電極との間に電圧を印加して放電を発生させると、封入された放電ガスがプラズマ化して紫外線が放出される。この紫外線により、背面基板に形成された蛍光体が励起されて、可視光が放出されるようになっている。
【０００３】
両基板の封着材として、従来は低融点ガラスが採用されていたが、近時では樹脂材料を採用する技術が提案されている。封着材として樹脂材料を採用することで、パネル封着時の加熱条件および冷却条件が緩和されるため、パネル製造時間を大幅に短縮することが可能になる。
一方、封着材として熱硬化性樹脂材料を採用すると、パネル封着時の加熱により、樹脂材料自体の蒸発しやすい成分または樹脂材料に含まれる水分や不純物ガス（以下「高蒸気圧成分」という）が、パネル内部に放出される虞がある。
【０００４】
これに対して、例えば特許文献１に示すように、各基板を封着する封着材として紫外線硬化性樹脂材料を用いる技術が提案されている。この構成によれば、紫外線照射によって両基板を封着することが可能になり、封着時の高温加熱が必要なくなる。そのため、封着材に含まれる高蒸気圧成分の放出を低減させることができ、パネルの製造時間を短縮することができるとされている。
【特許文献１】特開２００２−７５１９７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、両基板の封着は放電ガスを充填した封着室内で行うため、封着前に背面基板が配置された室内（仕込室内または封着室内）を真空排気する必要がある。この真空排気により、封着材の紫外線硬化性樹脂に含まれる高蒸気圧成分が室内に放出され、室内や背面基板表面に付着してこれらが汚染されるという問題がある。さらに両基板を封着する際に、背面基板から離脱した高蒸気圧成分が、前面基板の保護膜に付着して、前面基板も汚染されてしまうという問題がある。その結果、ＰＤＰの清浄化やエージングに時間を要することになるという問題がある。
【０００６】
そこで、本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、封着材の塗布後に室内に放出される、封止材自体の蒸発しやすい成分または封着材に含まれる水分や不純物ガス等を低減できる封着パネルの製造方法及びそれを用いたプラズマディスプレイパネルの製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、本発明に係る封着パネルの製造方法は、第１基板および第２基板が、封着材を介して貼り合わされた封着パネルの製造方法であって、前記第２基板における前記第１基板との対向面に、紫外線硬化性樹脂からなる前記封着材を塗布する塗布工程と、前記塗布工程に先立って、前記封着材を減圧雰囲気下で所定時間加熱する脱ガス工程とを有し、前記脱ガス工程を経た封着材を用いて、前記塗布工程を行った後に、真空中または制御された雰囲気中において、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせるパネル化工程を、さらに有することを特徴とする。
この構成によれば、脱ガス工程において、封着材となる紫外線硬化性樹脂を減圧雰囲気下で加熱することで、封着材自体の蒸発しやすい成分または封着材に含まれる水分や不純物ガスを、封着材を第２基板に塗布する前に放出した後、脱ガス工程を経た封着材を用いて、塗布工程が行われる。その後、真空中または制御された雰囲気中で、第１基板と第２基板とを貼り合わせるパネル化工程が行われる。これにより、パネル化工程において、真空中または制御された雰囲気中に曝されても、封着材の塗布後に封着材自体の蒸発しやすい成分または封着材に含まれる水分や不純物ガス等が、封着材から放出されるのを防止することが可能になる。その結果、パネル化工程を行う際に、真空中または制御された雰囲気中とされている室内や、この室内に配された両基板が汚染されることを防ぐことができる。また上述したように、封着材に紫外線硬化性樹脂を用いることで、封着時の高温加熱が必要なくなるため、封着後のエージング時間を大幅に短縮することができる。したがって、スループット向上および省エネルギーを実現することができる。
【０００８】
また、前記脱ガス工程では、前記封着材を１４０℃以上で加熱するとともに、１００Ｐａ以上１０ｋＰａ以下の減圧雰囲気下で１０分以上保持することを特徴とする。
この構成によれば、脱ガス工程における温度を１４０℃以上、圧力を１０ｋＰａ以下、時間を１０分以上にそれぞれ設定することで、封着材自体または封着材に含まれる水分や不純物ガスを効率良く放出させることができる。一方、圧力を１００Ｐａ以上に設定することで、減圧により生じる封着材の硬化を防止することができる。
【０００９】
また、前記脱ガス工程では、前記封着材を配置したチャンバ内を排気しながら前記チャンバ内に乾燥ガスを供給して、前記チャンバ内の圧力を調整することを特徴とする。
この構成によれば、脱ガス条件によらず排気速度を一定にすることが可能になる。そのため、封着材自体または封着材に含まれる水分や不純物ガスを効率よく放出させることができる。
【００１０】
一方、本発明に係るプラズマディスプレイパネルの製造方法は、上記封着パネルの製造方法を用いたことを特徴とする。
この構成によれば、スループット向上および省エネルギーを実現した低コストなプラズマディスプレイパネルを製造することができる。
【００１１】
一方、本発明に係る紫外線硬化性樹脂は、第１基板と第２基板とを貼り合わせる封着材として用いられる紫外線硬化性樹脂であって、前記封着材として塗布する前に、減圧雰囲気下で所定時間加熱する脱ガス処理が施された後、前記第１基板または前記第２基板に塗布され、真空中または制御された雰囲気中において、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせるために用いられることを特徴とする。
この構成によれば、封着材となる紫外線硬化性樹脂に予め脱ガス処理を施した後、第２基板に塗布され、真空中または制御された雰囲気中で、第１基板と第２基板とを貼り合わせるために用いられるので、封着した後に、封着材自体の蒸発しやすい成分または封着材に含まれる水分や不純物ガス等が、封着材から放出されるのを防止することが可能になる。その結果、第１基板と第２基板とを貼り合わせるパネル化工程が行われる、真空中または制御された雰囲気中とされている室内や、この室内に配された両基板が汚染されることを防ぐことができる。また上述したように、封着材に紫外線硬化性樹脂を用いることで、封着時の高温加熱が必要なくなるため、封着後のエージング時間を大幅に短縮することができる。したがって、スループット向上および省エネルギーを実現することができる。
【００１２】
また、前記脱ガス処理は、前記封着材を１４０℃以上で加熱するとともに、１００Ｐａ以上１０ｋＰａ以下の減圧雰囲気下で１０分以上保持することを特徴とする
この構成によれば、温度を１４０℃以上、圧力を１０ｋＰａ以下、時間を１０分以上に設定して脱ガス処理を行うことで、封着材自体または封着材に含まれる水分や不純物ガスを効率良く放出させることができる。一方、圧力を１００Ｐａ以上に設定することで、減圧により生じる封着材の硬化を防止することができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、封着材の塗布後に封着材自体の蒸発しやすい成分または封着材に含まれる水分や不純物ガス等が放出されるのを防止することが可能になり、室内や両基板が汚染されることを防ぐことができる。また上述したように、封着材に紫外線硬化性樹脂を用いることで、封着時の高温加熱が必要なくなるため、封着後のエージング時間を大幅に短縮することができる。したがって、スループット向上および省エネルギーを実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態につき、図面を参照して説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
なお、本明細書において基板の「内面」とは、当該基板の両表面のうち、当該基板と対をなす基板との対向面をいうものとする。
（プラズマディスプレイパネル）
図１は、３電極ＡＣ型プラズマディスプレイパネルの分解斜視図である。このプラズマディスプレイパネル（以下「ＰＤＰ」という。）１００は、対向配置された背面基板２および前面基板１と、両基板１，２の間に形成された複数の放電室１６とを備えている。
【００１５】
前面基板１の内面には、所定の間隔でストライプ状に表示電極１２（走査電極１２ａおよび維持電極１２ｂ）が形成されている。この表示電極１２は、ＩＴＯ等の透明導電性材料とバス電極によって構成されている。この表示電極１２を覆うように誘電体層１３が形成され、その誘電体層１３を覆うように保護膜１４が形成されている。この保護膜１４は、放電ガスのプラズマ化によって発生した陽イオンから誘電体層１３を保護するものであり、ＭｇＯやＳｒＯ等のアルカリ土類金属の酸化物によって構成されている。
【００１６】
一方、背面基板２の内面には、所定の間隔でストライプ状にアドレス電極１１が形成されている。このアドレス電極１１は、前記表示電極１２と直交する方向に配置されている。このアドレス電極１１と表示電極１２との交点が、ＰＤＰ１００の画素になっている。
そのアドレス電極１１を覆うように、誘電体層１９が形成されている。また、隣接するアドレス電極１１の間における誘電体層１９の上面には、アドレス電極１１と平行に隔壁（リブ）１５が形成されている。さらに、隣接する隔壁１５の間における誘電体層１９の上面および隔壁１５の側面に、蛍光体１７が配設されている。この蛍光体１７は、赤、緑、青の何れかの蛍光を発光するものである。
【００１７】
図２（ａ）は、ＰＤＰの平面図である。上述した前面基板１と背面基板２とが、両基板１，２間の周縁部に配置された封着材２０により貼り合わされている。
図２（ｂ）は、図２（ａ）のＡ−Ａ線における側面断面図である。図２（ｂ）に示すように、前面基板１と背面基板２とが貼り合わされることにより、隣接する隔壁１５の間に放電室１６が形成されている。この放電室１６の内部には、ＮｅおよびＸｅの混合ガス等の放電ガスが封入されている。
【００１８】
そして、アドレス電極１１と走査電極１２ａとの間に直流電圧を印加して対向放電を発生させ、さらに走査電極１２ａと維持電極１２ｂとの間に交流電圧を印加して面放電を発生させる。すると、放電室１６内に封入された放電ガスがプラズマ化して、真空紫外線が放射される。この紫外線によって蛍光体１７が励起され、可視光が前面基板１から放出されるようになっている。
【００１９】
（封着材）
上述した封着材２０の材料として、蒸発しやすい成分や水分、不純物ガスの放出が少なく、パネル貼り合わせ強度を確保することが可能な材料を採用する必要がある。このような材料として、本実施形態では封着時に加熱を必要とせず、常温下で紫外線を照射することにより粘度が上昇して硬化する紫外線硬化性エポキシ樹脂（カチオン系）を用いている。また、カチオン系の他に、ラジカル系等を用いることも可能であり、紫外線硬化性樹脂全般を適用することが可能である。
【００２０】
（ＰＤＰの製造方法）
次に、本発明の封着パネルの製造方法として、ＰＤＰの製造方法について説明する。図３は、第１実施形態に係るＰＤＰの製造方法のフローチャートである。ＰＤＰの製造工程は、脱ガス工程（Ｓ４０）と、パネル工程（Ｓ５０）と、モジュール・セット工程（Ｓ５２）との３つに大きく分けられる。そのパネル工程（Ｓ５０）は、前面基板工程（Ｓ６０）と、背面基板工程（Ｓ７０）と、パネル化工程（Ｓ８０）との３つに分けられる。
【００２１】
前面基板工程（Ｓ６０）では、まず表示電極１２となる透明電極を形成する（Ｓ６２）。具体的には、ＩＴＯやＳｎＯ２等の透明導電膜をスパッタ法等で形成し、パターニングして表示電極１２を形成する。次に、透明導電膜からなる表示電極１２の電気抵抗を低減するため、金属材料からなる補助電極（バス電極）をスパッタ法等により形成する（Ｓ６３）。次に、各電極の保護と壁電荷の形成を目的として、誘電体層１３を印刷法等により厚さ２０〜４０μｍに形成し、焼成する（Ｓ６４）。次に、誘電体層１３の保護と二次電子放出効率の向上のため、保護膜１４を電子ビーム蒸着法等により厚さ７００〜１２００ｎｍに形成する（Ｓ６６）。
【００２２】
図４は、ＰＤＰの製造装置のブロック図である。ＰＤＰの製造装置５０は、前面基板ライン６０の後端、背面基板ライン７０の後端およびパネル化ライン８０の前端が、搬送室５５に接続されたものである。このＰＤＰの製造装置５０は、図３に示すＰＤＰの製造プロセスのうち二点鎖線で囲われた範囲５０を、真空中または制御された雰囲気中で連続して実施する真空一貫装置である。
【００２３】
前面基板ライン６０には、誘電体層１３までが形成された前面基板１を受け入れる前面板仕込室（真空排気室）６１と、前面基板１を１５０〜３５０℃程度に加熱する加熱室６２と、電子ビーム蒸着法により保護膜１４を形成する成膜室６４と、保護膜１４を形成した後の前面基板１を一時的に待機させるバッファ室６６とが設けられている。
また、背面基板ライン７０は、封着材２０が塗布された背面基板２を受け入れる背面板仕込室（真空排気室）７６が設けられている。
【００２４】
そして、図３に示す背面基板工程（Ｓ７０）では、まずＡｇ、Ｃｒ／Ｃｕ／ＣｒまたはＡｌからなるアドレス電極１１を形成する（Ｓ７２）。
次に、アドレス電極１１を保護するため誘電体層１９を形成する（Ｓ７４）。次に、放電空間および蛍光体１７の発光面積を増加させるため、隔壁１５をサンドブラスト法等によって形成する（Ｓ７５）。サンドブラスト法は、隔壁１５の材料となるガラスペーストを背面基板２上に塗布し、乾燥後にマスク材をパターニングし、アルミナやガラスビーズ等の研磨剤を高圧で吹き付けることにより、所定形状の隔壁１５を形成する方法である。
【００２５】
次に、スクリーン印刷法等により蛍光体１７を塗布し、乾燥後に約５００℃程度で焼成する（Ｓ７６）。
次に、背面基板２の内面に封着材２０を塗布する（塗布工程）。具体的には、ニードルディスペンス法により、後述する脱ガス工程（Ｓ４０）を経た封着材２０を背面基板２の周縁部に連続的に塗布していく。なお、封着材２０の塗布方法は、スクリーン印刷法等を採用することも可能である。
【００２６】
そして、上述した前面基板１および背面基板２を貼り合わせるパネル化工程を行う（Ｓ８０）。パネル化工程では、まず封着室８２内を１×１０−４Ｐａ以下程度まで減圧する真空排気工程（Ｓ８１）を経た後、封着室８２（図４参照）内に放電ガスを導入する放電ガス導入工程（Ｓ８２）を行い、その後両基板１，２のアライメント工程（Ｓ８３）と、封着工程（Ｓ８４）とを行う。なお必要な場合には、短時間のエージング工程（Ｓ８６）を行う。また、アライメント工程後に放電ガスを導入してもよい。
【００２７】
パネル化工程では、図４に示すように、保護膜１４が形成された前面基板１と、封着材２０が塗布された背面基板２とが、真空中または制御された雰囲気中に保持されたままの状態で、搬送室５５を介して封着室８２に搬送される。そして、封着後の両基板１，２は、取出室８４へ搬送されて取り出されることとなる。
【００２８】
放電ガス導入工程では、減圧された製造装置５０内にＮｅおよびＸｅの混合ガス（例えば、Ｎｅ−４％Ｘｅ）等の放電ガスを導入する。次に、アライメント工程では、真空槽の大気側に設置したＣＣＤカメラにより前面基板１および背面基板２のアライメントマークを読み取り、両基板１，２の位置合わせを行う。
【００２９】
そして、封着工程では、位置合わせした両基板１，２を貼り合わせる。具体的には、両基板１，２の周縁部に均一に濡れ広がった時点で紫外線を照射し、封着材２０を硬化させる。例えば、波長３６５ｎｍの紫外線照射装置を用いて、６Ｗ・ｓ／ｃｍ２の条件で紫外線を照射する。これにより、封着材２０により両基板１，２が封着される。
【００３０】
（脱ガス工程）
ここで、本実施形態の脱ガス工程について説明する。
上述の真空排気工程では、封着材２０自体の蒸発しやすい成分が封着材２０から蒸発するとともに、封着材２０に含まれる水分や不純物ガス（Ｈ２やＮ２、ＣＯ、ＣＯ２等）の高蒸気圧成分が封着材２０から離脱する虞がある。封着材２０から離脱した高蒸気圧成分は、背面板仕込室７６に滞留して背面基板２の内面に付着したり、背面基板２の搬送先である封着室８２内に付着したりする場合がある。さらに両基板１，２を封着する際に、背面基板２から離脱した高蒸気圧成分が、前面基板１の保護膜１４に付着して、前面基板１も汚染されてしまうという問題がある。
【００３１】
そこで、本実施形態では封着材塗布（Ｓ７８）に先立って、封着材２０に脱ガス処理（Ｓ４０）を行い、封着材２０に含まれる高蒸気圧成分を予め放出しておく。
【００３２】
脱ガス処理は、例えば蒸着装置にて減圧雰囲気下で所定時間、加熱処理しながら行う。具体的には、まずアルミからなるトレー（ハース）内に封着材２０を２ｇ程度充填し、トレー内で薄く広げる。次に、トレーを１８０℃程度まで加熱するとともに、ロータリーポンプにより蒸着室内（チャンバ）を１ｋＰａ程度まで減圧した状態で、約３０分間保持する。すると、封着材２０に含まれる高蒸気圧成分が蒸着室内に放出される。一方、トレー内には脱ガス処理された封着材２０が残存する。そして、残存した封着材２０をディスペンサーに供給して上述した塗布工程を行う。なお、脱ガス工程において、蒸着室内を減圧しながら、Ｎ２ガスやＡｒガス等の乾燥ガスを供給して蒸着室内の圧力の調整を行うことが好ましい。これにより、ガスを導入せずに排気速度を調整する場合と比べて、減圧時における蒸着室内の排気速度が一定となり、脱ガス処理を効率良く行うことができる。
【００３３】
（脱ガス条件調査試験）
本願の発明者は、上述した脱ガス工程における最適な脱ガス条件を求めるために、脱ガス処理による封着材からの高蒸気圧成分の放出量を測定する試験を行った。
【００３４】
（試験１）
まず、本願の発明者は、脱ガス処理前の封着材と、脱ガス処理後の封着材とに対してそれぞれ加熱処理を行い、この時に両者から放出される高蒸気圧成分の放出量を比較した。なお、本試験においては、高蒸気圧成分の放出量を、封着材の重量変化として測定し、この重量変化から蒸発速度を算出した。また、本試験における脱ガス処理は、蒸着室内を１５０℃で加熱するとともに、１ｋＰａの減圧雰囲気下で、３０分間保持した。
【００３５】
図５は、各試験条件における蒸発速度（ｍｇ／ｃｍ２・ｍｉｎ）を示している。なお、本測定試験における加熱処理の条件は、（１）圧力３０Ｐａ・温度８０℃、（２）圧力１ｋＰａ・温度１００℃、（３）圧力２ｋＰａ・温度１５０℃の３種類である。
【００３６】
図５に示すように、各条件ともに、封着材に対して脱ガス処理を行った後では、行う前に比べ、高蒸気圧成分の蒸発速度（放出量）を大きく低減することができた。具体的には、（３）圧力２ｋＰａ・温度１５０℃の条件で熱処理を行った場合、脱ガス処理を行うことで、脱ガス処理前に比べ不純物ガスの蒸発速度を１／３程度に低減することができた。また、（２）圧力１ｋＰａ・温度１００℃の条件で熱処理を行った場合も、脱ガス処理前に比べ１／３７程度に低減することができた。さらに、（１）圧力３０Ｐａ・温度８０℃で熱処理を行った場合では、脱ガス処理前の蒸発速度は０．０３８ｍｇ／ｃｍ２・ｍｉｎであるのに対し、脱ガス処理後の蒸発速度は０．０００１ｍｇ／ｃｍ２・ｍｉｎと、１／３８０程度に低減することができた。
【００３７】
以上の結果から、封着材の塗布工程に先立って、脱ガス処理を行うことで、塗布工程後に封着材が高温の減圧雰囲気下に曝された場合における、高蒸気圧成分の放出を大幅に低減することができる。つまり、両基板を封着する際に封着材から放出された高蒸気圧成分によって、前面基板や前面基板に形成された保護膜が汚染されることを防ぐことができる。なお、製品後のＰＤＰ１００（図１参照）においては、ＰＤＰ１００が８０℃以上になることがないので、十分な効果が見込まれる。
【００３８】
（試験２）
次に、本願の発明者は、脱ガス工程における温度・圧力・時間をそれぞれ変化させて、封着材に含まれる高蒸気圧成分による基板の汚染の程度を測定する試験を行った。
【００３９】
本試験では、基板の汚染を評価する手段として、各試験条件における接触角の変化から汚染の程度を評価した。評価方法としては、まず圧力１ｋＰａの減圧雰囲気下において、３０分間の脱ガス処理を温度４０℃〜２００℃の範囲で変化させて行う。次に、脱ガス処理した封着材を背面基板のサンプルとなるガラス基板（以下、背面基板という）上に塗布し、この背面基板の直上に１０ｃｍ程度の距離を空けて前面基板のサンプルとなる清浄なガラス基板（以下、前面基板という）を対向配置する。そして、スクロールポンプで圧力を２０Ｐａ程度まで減圧した後、対向配置された前面基板の表面における純水との接触角を測定した。なお、本試験に用いたサンプルのガラス基板は、洗浄後の初期状態における純水との接触角が４°程度のガラス基板である。
【００４０】
図６は、熱処理温度（℃）に対する接触角（°）の変化を示したグラフである。
図６に示すように、脱ガス処理の温度が上昇するにつれ、接触角は減少傾向にあることがわかる。具体的には、脱ガス処理の温度を４０℃で行った場合、接触角が約１２°まで増加したが、脱ガス処理の温度が８０℃付近から接触角は急激に減少し、脱ガス処理の温度が１４０℃以上の範囲では接触角が４°程度に収まっている。つまり、温度１４０℃以上で脱ガス処理を行うことで、封着材に含まれる高蒸気圧成分のほとんどが離脱するため、脱ガス処理後の封着材からは高蒸気圧成分がほとんど放出されないことがわかる。これにより、背面基板に封着材を塗布した後、室内を減圧したとしても、高蒸気圧成分が室内や対向配置された前面基板に付着することがない。一方、脱ガス処理の温度が２００℃を超えた範囲では、高熱により封着材が硬化し始める箇所が確認された。以上の結果から脱ガス工程における最適な温度条件としては、１４０℃以上２００℃以下程度であることが好ましい。
【００４１】
次に、試験条件を温度１５０℃、時間３０分として一定に設定し、圧力１０Ｐａ〜１０００００Ｐａまで変化させた場合において、上述した評価方法と同様の方法で試験を行った。
図７は、圧力（Ｐａ）に対する接触角（°）の変化を示したグラフである。
図７に示すように、圧力１０００００Ｐａの場合には接触角が約５．５°まで上昇したが、１０Ｐａ〜１００００Ｐａの範囲では、圧力上昇に伴う接触角の変化はほとんど確認されなかった。しかし、圧力１００００Ｐａ以上の範囲では、接触角が徐々に増加傾向にあることがわかる。一方、圧力が１００Ｐａ未満の範囲では、減圧により封着材が硬化し始める箇所が確認された。以上の結果から、脱ガス工程における最適な圧力条件としては、１００Ｐａ以上１００００Ｐａ以下程度が好ましい。
【００４２】
さらに、試験条件を圧力１ｋＰａ、温度１５０℃として一定に設定し、脱ガス処理の処理時間０分〜１２０分まで変化させた場合において、上述した評価方法と同様の方法で試験を行った。
図８は、処理時間（分）に対する接触角（°）の変化を示したグラフである。
図８に示すように、処理時間０分、つまり脱ガス処理を行わなかった場合、接触角は１１．７°であったが、処理時間が３分の場合では、接触角が６．８°、５分の場合では５．２°と急激に減少していることがわかる。さらに、脱ガス処理の処理時間が１０分以上の範囲では、接触角が約４．８°程度に収まっている。つまり、処理時間が１０分以上で脱ガス処理を行うことで、封着材に含まれる高蒸気圧成分が確実に放出されていることがわかる。これにより、背面基板に封着材を塗布した後、室内を減圧したとしても、高蒸気圧成分が室内や対向配置された前面基板に付着することがない。一方、熱処理時間が１２０分を超えた範囲では、長時間の脱ガス処理により封着材が硬化し始める箇所が確認された。以上の結果から、脱ガス工程における最適な熱処理時間の条件としては、１０分以上１２０分以下程度が好ましい。
【００４３】
以上の結果より、本実施形態における脱ガス工程の最適な脱ガス条件は、温度１４０℃以上２００℃以下で、圧力が１００Ｐａ以上１００００Ｐａ以下の減圧雰囲気下において、１０分以上１２０分以下の範囲に設定して行うことが好ましい。
【００４４】
（試験３）
また、本願の発明者は、上述したＰＤＰの製造方法のうち、脱ガス工程の処理条件を様々な条件に設定してサンプルのＰＤＰを作成し、各工程後の前面基板における接触角の測定試験を行った。
【００４５】
図９は、サンプルＰＤＰの製造方法を示すフローチャートである。
図９に示すように、サンプルＰＤＰの製造方法は、上述したＰＤＰの製造方法と同様に、脱ガス工程（Ｓ１００）、封着材塗布工程（Ｓ１０１）、真空排気工程（Ｓ１０２）、放電ガス注入工程（Ｓ１０３）、重ね合わせ工程（Ｓ１０４）、紫外線照射工程（Ｓ１０５）を経て作成する。そして、上述した方法で作成されたサンプルＰＤＰを、大気中で温度７２℃、７２時間放置（Ｓ１０６）した。なお、真空排気工程は、ガラス基板同士を１０ｃｍ程度離して対向させた状態で行い、スクロールポンプにより室温で１分間、約２０Ｐａ程度まで減圧した。また、放電ガス注入工程では、放電ガスとしてＮｅ−４％Ｘｅを４００Ｔｏｒｒ導入した。
【００４６】
接触角の測定は、真空排気工程後、紫外線照射工程（封着）後、７０℃７２時間放置後にそれぞれ測定した。なお、紫外線照射後以降の測定については、封着して貼り合せたサンプルのＰＤＰを割って測定した。また、本試験に用いたガラス基板は、洗浄後の初期状態における純水との接触角が４°程度のガラス基板を用いた。
【００４７】
ここで、以下の表１に本試験における脱ガス工程の試験条件を示す。なお、条件１における脱ガスなしとは、脱ガス処理を行わなかった場合を示している。
【００４８】
【表１】
0005173444.tif 000002
【００４９】
図１０は、表１に示した各試験条件に基づいて試験を行った結果、各測定毎における接触角（°）の変化を示している。
まず、真空排気後において、条件１の場合は接触角が１０°まで増加した。また、条件２の場合も同様に、真空排気後に接触角が１０°まで増加しており、封着材に含まれる高蒸気圧成分を脱ガスすることができなかった。その結果、放出された高蒸気圧成分が室内や前面基板に付着して汚染されてしまった。
【００５０】
また、封着後においては、条件１の場合は接触角が３５°まで増加し、条件２の場合も、接触角が２５°まで増加した。これらは、放電ガスを４００Ｔｏｒｒまで注入する間に、封着材に含まれる高蒸気圧成分が蒸発して放出されることが考えられる。その結果、放出された高蒸気圧成分が室内や前面基板の表面に付着して汚染されてしまった。
【００５１】
さらに、紫外線照射後（封着後）のサンプルのＰＤＰを７２℃で７２時間放置した後においては、条件１の場合は接触角が３５°であり、紫外線照射後に比べ変化しなかったが、条件２の場合には接触角が２８°まで増加した。これらは、上述した真空排気工程、放電ガス注入工程後に背面基板の表面に付着した高蒸気圧成分、もしくは硬化後の封着材から高蒸気圧成分が蒸発することで、対向配置された前面基板に付着して前面基板が汚染されたことが考えられる。
【００５２】
一方、条件３の場合では、各測定毎の接触角は真空排気後に４．７°、封着後に４．９°、７０℃７２時間放置後に４．８°と接触角の変化はほとんど確認できなかった。これにより、封着材を１ｋＰａの減圧雰囲気下で１５０℃、３０分の脱ガス処理を行うことで、ＰＤＰの製造プロセスにおいて封着材に含まれる高蒸気圧成分を確実に低減することができる。
【００５３】
以上に詳述したように、本実施形態におけるＰＤＰの製造方法では、背面基板２における前面基板１との対向面に、紫外線硬化性樹脂からなる封着材２０を塗布する塗布工程と、を有し、塗布工程に先立って、封着材２０を減圧雰囲気下で所定時間加熱する脱ガス工程を有する構成とした。
この構成によれば、脱ガス工程において、封着材２０となる紫外線硬化性樹脂を減圧雰囲気下で加熱することで、封着材２０に含まれる高蒸気圧成分を、封着材２０を背面基板２に塗布する前に放出しておくことができる。これにより、封着材２０の塗布後に封着材２０に含まれる高蒸気圧成分が放出されるのを防止することが可能になり、室内（背面板仕込室７８や封着室８２）や両基板１，２が汚染されることを防ぐことができる。
また、封着材２０に紫外線硬化性樹脂を用いることで、封着時の高温加熱が必要なくなるため、封着後のエージング時間を大幅に短縮することができる。
【００５４】
加えて、脱ガス工程において蒸着室内にＮ２等の乾燥ガスを供給しながら減圧することで、脱ガス条件によらず排気速度を一定にすることが可能になる。そのため、封着材２０に含まれる高蒸気圧成分を効率よく放出させることができる。
このように、本実施形態によれば、封着工程でのパネル内部の清浄化を不要にすることが可能になるとともに、封着後のエージング時間を大幅に短縮することができるため、スループット向上および省エネルギーを実現して低コストのＰＤＰ１００を製造することができる。
【００５５】
なお、本発明の技術範囲は、上述した各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、上述した各実施形態に種々の変更を加えたものを含む。すなわち、各実施形態で挙げた具体的な材料や構成などはほんの一例に過ぎず、適宜変更が可能である。
【００５６】
例えば、上記実施形態では本発明をプラズマディスプレイパネルに適用したが、本発明を有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）ディスプレイパネルや、電界放出ディスプレイパネルに適用することも可能である。
【００５７】
有機ＥＬディスプレイパネルは、陽極と陰極との間に発光層等の機能層を挟持した構成を備えており、発光層から発光した光をそのまま表示光として利用するものである。
また、電界放出ディスプレイパネルは、画素ごとに配置された電子放出源(エミッター)から真空中に電子を放ち、蛍光体にぶつけて発光させるものである。電界放出ディスプレイパネルとして、突起状の電子放出素子を備えたＦＥＤ（Ｆｉｅｌｄ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ｄｉｓｐｌａｙ）や、表面伝導型の電子放出素子を備えたＳＥＤ（Ｓｕｒｆａｃｅ−Ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−Ｅｍｉｔｔｅｒ  Ｄｉｓｐｌａｙ）等が挙げられる。
このように、有機ＥＬや電界放出ディスプレイパネルに本発明を適用した場合でも、封着材に含まれる高蒸気圧成分が放出されるのを防止することが可能になり、室内や両基板が汚染されることを防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】３電極ＡＣ型プラズマディスプレイパネルの分解斜視図である。
【図２】（ａ）はＰＤＰの平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線における側面断面図である。
【図３】本実施形態に係るＰＤＰの製造方法のフローチャートである。
【図４】ＰＤＰの製造装置のブロック図である。
【図５】各試験条件における蒸発速度（ｍｇ／ｃｍ２・ｍｉｎ）を示すグラフである。
【図６】熱処理温度（℃）に対する接触角（°）の変化を示したグラフである。
【図７】圧力（Ｐａ）に対する接触角（°）の変化を示したグラフである。
【図８】処理時間（分）に対する接触角（°）の変化を示したグラフである。
【図９】サンプルＰＤＰの製造方法を示すフローチャートである。
【図１０】各測定毎における接触角（°）の変化を示すグラフである。
【符号の説明】
【００５９】
１…前面基板  ２…背面基板  ２０…封着材  Ｓ４０…脱ガス工程  Ｓ７７…封着材塗布工程  Ｓ８４…封着工程  
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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