(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
石英基板からなるガラス基板；
前記ガラス基板上の一面に遮光膜として形成されたクロム層；及び
前記クロム層の一面に反射膜として形成されたシリコーンコーティング層を含み、
前記ガラス基板の他面にシリコーンコーティング層がさらに形成されることを特徴とするフォトマスク。
【請求項２】
前記ガラス基板は、その厚さが３ｍｍ〜５ｍｍからなることを特徴とする請求項１に記載のフォトマスク。
【請求項３】
前記クロム層は、１２００〜１３００Åに形成されることを特徴とする請求項１に記載
のフォトマスク。
【請求項４】
前記シリコーンコーティング層は、９００〜１３００Åに形成されることを特徴とする
請求項１に記載のフォトマスク。
【請求項５】
石英基板からなるガラス基板；
前記ガラス基板上の一面に遮光膜として形成されたクロム層；及び
前記ガラス基板の他面及びクロム層の一面に反射膜として形成されたシリコーンコーティング層を含み、
前記クロム層は、１２００〜１３００Åに形成され、
前記シリコーンコーティング層は、９００〜１３００Åに形成されることを特徴とするフォトマスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フォトマスクに関する。
【背景技術】
【０００２】
最近の半導体プロセッシング技術において、大規模集積回路の高度集積に対する開発は、回路パターンの微細化に対する要求が増加している。また、回路パターンの線幅の大きさの減少及びマルチ層間連結に対する接触ＢＶＨ  Ｐａｄの微細化に対する要求が増加している。
【０００３】
より具体的には、微細パターンとＢＶＨ  Ｐａｄを形成するフォトリソグラフィに用いるための回路露光工程用フォトマスクの製作において、微細化の要求に応じるべく、より微細な回路パターンを正確に形成することができる技術が要求される。基板上に微細回路を正確に形成するためには、非常に正確なパターン及び高い透過率を有したフォトマスクが必要である。また、原本としての役割をするフォトマスクはむしろ露光後のパターンの正確度よりさらに高い正確度を有することが要求される。
【０００４】
このための回路フォトマスクパターンを用いる場合、フォトマスクパターンに対応する形態は、実際の露光工程で起きる光学干渉等によって、ＵＶ光はレジスト膜に全て転写されない。そして、これを緩和させるために、フォトマスクパターンは、実際の回路パターンより正確な設計値を反映できるように製作されなければならないにも関わらず、フォトマスクのパターン具現の正確度を高めるとともに透過率を増加させることができないため、微細パターンの具現が困難であるという問題点を有している。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述のような問題点を解決するために本発明は、ガラス基板の一面または両面にシリコーンコーティング層を形成させることにより、反射率を低めるとともに透過率を増加させ、解像度及び回路具現の工程能力が向上されたフォトマスクを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述した本発明の目的を果たすために、本発明によるフォトマスクは、ガラス基板と、前記ガラス基板上の一面に遮光膜として形成されたクロム層と、前記クロム層の一面に反射膜として形成されたシリコーンコーティング層を含む。
【０００７】
そして、前記ガラス基板は石英基板からなり、厚さは３ｍｍから５ｍｍからなることが好ましい。
【０００８】
そして、前記クロム層は、１２００〜１３００Åに形成されることが好ましい。
【０００９】
そして、前記シリコーンコーティング層は、９００〜１３００Åに形成されることが好ましい。
【００１０】
また、本発明によるフォトマスクは、前記ガラス基板の他面にシリコーンコーティング層がさらに形成されるように備えられることもできる。
【００１１】
また、本発明の他の実施例によるフォトマスクは、ガラス基板と、前記ガラス基板上の一面に遮光膜として形成されたクロム層と、前記ガラス基板の他面及びクロム層の一面に反射膜として形成されたシリコーンコーティング層を含む。
【００１２】
本発明の特徴及び利点は、添付図面に基づいた以下の詳細な説明によって、さらに明らかになるであろう。
【００１３】
本発明の詳細な説明に先立ち、本明細書及び請求範囲に用いられた用語や単語は、通常的かつ辞書的な意味に解釈されてはならず、発明者が自らの発明を最善の方法で説明するために用語の概念を適切に定義することができるという原則にしたがって本発明の技術的思想にかなう意味と概念に解釈されるべきである。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によると、ガラス基板の一面または両面にシリコーンコーティング層を形成することにより、反射率を低めるとともに透過率を増加させ、解像度及び回路具現の工程能力が向上されたフォトマスクを提供する効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の第１実施例によるフォトマスクの概略的な断面図である。
【図２】本発明の第２実施例によるフォトマスクの概略的な断面図である。
【図３】本発明によるフォトマスクと従来技術によるフォトマスクの解像度の比較を示す写真である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本発明の目的、特定の長所及び新規の特徴は、添付図面に係わる以下の詳細な説明および好ましい実施例によってさらに明らかになるであろう。本明細書において、各図面の構成要素に参照番号を付け加えるに際し、同一の構成要素に限っては、たとえ異なる図面に示されても、できるだけ同一の番号を付けるようにしていることに留意しなければならない。また、本発明の説明において、係わる公知技術に対する具体的な説明が本発明の要旨を不必要にぼかす可能性があると判断される場合、その詳細な説明を省略する。
【００１７】
以下、添付された図面を参照して、本発明の好ましい実施例によるフォトマスクに対して詳細に説明する。
【００１８】
図１は、本発明の第１実施例によるフォトマスクの概略的な断面図である。
【００１９】
図示したように、前記フォトマスク１００は、ガラス基板１１０、クロム層１２０及びシリコーンコーティング層１３０を含む。
【００２０】
前記ガラス基板１１０は石英基板からなり、厚さは３ｍｍ〜５ｍｍからなる。そして、前記クロム層１２０は、遮光膜と形成されるために、前記ガラス基板１１０の一面に形成され、１２００〜１３００Åに形成されることが好ましい。
【００２１】
前記シリコーンコーティング層１３０は反射膜と形成されるために、前記クロム層１２０の一面に形成され、９００〜１３００Åに、このましくは１０００Åに形成されることができる。
【００２２】
このように形成されることにより、ガラスマスクの表面にシリコーンコーティング膜が形成され、これによってマスクの反射率が低下され、透過率が増加される。
【００２３】
図２は、本発明の第２実施例によるフォトマスクの概略的な断面図である。
【００２４】
図示したように、前記フォトマスク２００は、第１実施例によるフォトマスク１００に比べて、クロム層及びシリコーンコーティング層がガラス基板の両面に夫々積層されるように形成されて備えられる。
【００２５】
より具体的には、前記ガラス基板２１０の両面にクロム層２２０が形成され、夫々の前記クロム層２２０の一面にシリコーンコーティング層２３０が形成される。また、本発明によるフォトマスクは、ガラス基板の一面にクロム層が形成され、前記クロム層の一面及びガラス基板の他面にシリコーンコーティング層が形成されるように備えられることもできる。
【００２６】
このように形成されることにより、ガラスマスクの表面にシリコーンコーティング膜が両側に形成され、これによってフォトマスクの反射率が低下され、透過率が顕著に増加される。
【００２７】
【表１】
0005363455.tif 000002
【００２８】
表１は、各スペクトラムによって分光スペクトロメーター測定機を用いて非コーティング、一面コーティング及び両面コーティングによる透過率を示したものである。
【００２９】
表１に示したように、ＣＡＳＥ１において、スペクトラムが３６５ｎｍである場合、シリコーンコーティング層が形成されていない場合は透過率が８４％である一方、一面にシリコーンコーティング層が形成された場合は８７％、両面にシリコーンコーティング層が形成された場合は９０％の透過率であることを確認することができる。
【００３０】
ＣＡＳＥ２において、スペクトラムが３８０ｎｍである場合、シリコーンコーティング層が形成されていない場合は透過率が８３％である一方、一面にシリコーンコーティング層が形成された場合は８６％、両面にシリコーンコーティング層が形成された場合は９０％の透過率であることを確認することができる。
【００３１】
ＣＡＳＥ３において、スペクトラムが４４５ｎｍである場合、シリコーンコーティング層が形成されていない場合は透過率が８８．９％である一方、一面にシリコーンコーティング層が形成された場合は９１％、両面にシリコーンコーティング層が形成された場合は９４％の透過率であることを確認することができる。
【００３２】
従って、前記表１に示したように、ガラス基板の両面にシリコーンコーティング層が形成されたフォトマスクは、コーティング層が形成されていないフォトマスクに比べて透過率が約６％向上されたことを確認することができる。
【００３３】
【表２】
0005363455.tif 000003
【００３４】
表２は、８μｍ線幅の工程能力を示したものであり、コーティング処理されていない場合に比べてシリコーンコーティング層が形成された場合、散布が小さく、工程能力指数が高いことを確認することができる。
【００３５】
図３は、本発明によるフォトマスクと従来技術によるフォトマスクの解像度の比較を示す写真である。
【００３６】
より具体的には、図３は、ガラス基板の透過率差による線幅変化の可否を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ：ｓｃａｎｎｉｎｇ  ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を利用して撮影したものであり、左側の写真（Ａ）、（Ｃ）と右側の写真（Ｂ）、（Ｄ）は夫々線幅が８／８μｍ、１０／１０μｍである場合であり、（Ａ）と（Ｂ）はガラス基板上にシリコーンコーティング層が形成されていない透過率が８４％である場合で、（Ｃ）と（Ｄ）はガラス基板の両面にシリコーンコーティング層が形成された透過率が９０％以上である場合のＤＦＲパターン形成を示した写真である。
【００３７】
図示されたように、透過率が高い場合は線幅に対してきれいな空間が確保され、解像度が高いことを確認することができる。
【００３８】
以上、本発明を具体的な実施例に基づいて詳細に説明したが、これは本発明を具体的に説明するためのものであり、本発明によるフォトマスクは、これに限定されず、該当分野における通常の知識を有する者であれば、本発明の技術的思想内にての変形や改良が可能であることは明白であろう。
【００３９】
本発明の単純な変形乃至変更は、いずれも本発明の領域に属するものであり、本発明の具体的な保護範囲は、添付の特許請求の範囲により明確になるであろう。
【産業上の利用可能性】
【００４０】
本発明は、反射率を低めるとともに透過率を増加させ、解像度及び回路具現の工程能力が向上されたフォトマスクに適用可能である。
【符号の説明】
【００４１】
１００、２００  フォトマスク
１１０、２１０  ガラス基板
１２０、２２０  クロム層
１３０、２３０  シリコーンコーティング層
【図１】
0005363455.tif 000004
【図２】
0005363455.tif 000005
【図３】
0005363455.tif 000006