(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
フィルム層上にスパッタリング法によって形成された、ニッケル又はクロムから成り、厚みが３〜１５ｎｍである第１金属層と、銅から成り、厚みが５〜１００ｎｍである第２金属層とから成る金属膜を有するフィルム体と、第１導電層が形成された基体とを準備する工程と、
前記金属膜の表面が露出するように前記フィルム体を、接着層を介して前記第１導電層上に貼り合わせる工程と、
前記金属膜の一主面に向けてレーザー光を照射することによって、前記金属膜の一部とその直下に位置する前記フィルム層および前記接着層とを貫通するとともに、前記第１導電層の一部を露出する貫通孔を形成する工程と、
スパッタリング法を用いて、前記貫通孔の内壁面から前記金属膜上にまで延在するとともに前記第１導電層の一部と接続した、ニッケル又はクロムから成るスパッタ膜を形成する工程と、
前記スパッタ膜上にビア導体と該ビア導体と接続する第２導電層とを形成する工程と、
を備えたことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の配線基板の製造方法において、
前記貫通孔の底部に被着した前記スパッタ膜の厚みは、前記金属膜上に被着した前記スパッタ膜の厚みよりも薄いことを特徴とする配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、各種オーディオビジュアル機器や家電機器、通信機器、コンピュータ機器又はその周辺機器などの電子機器に使用される配線基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、ＩＣ（Integrated Circuit）又はＬＳＩ（Large Scale Integration）等の半導体素子を実装することが可能な配線基板が知られている。
【０００３】
近年では、電子部品の小型軽量化を目的として、配線基板を小さくするため、配線基板の配線パターンを微細にすることが求められている。かかる配線基板は、樹脂から成る絶縁層と、絶縁層の一主面及び他主面に形成される導電層と、を含んで構成されている。
【０００４】
配線パターンとしての導電層を微細にすると、導電層と絶縁層との接触面積が小さくなり、両者の接着力が低下して、導電層が絶縁層から剥離しやすくなる。そこで、配線パターンとしての導電層を微細にするために、絶縁層の表面に凹凸を形成し、その凹凸上に導電層を形成することで、両者の接着力を保つ技術が提案されている（下記特許文献１参照）。
【０００５】
なお、絶縁層を貫通して、上下位置の異なる導電層同士を接続するためのビア導体を形成することが知られている。
【特許文献１】特開２００２−１２４７５３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところが、上述した特許文献１に記載の技術では、絶縁層の表面の溶解する領域や、溶解する深さを調整することが難しく、凹凸の最大高さが必要以上に大きくなることがある。そのため、凹凸の最大高さが必要以上に大きな領域に微細な導電層を形成すると、導電層と絶縁層との間の一部に隙間が発生し、導電層が絶縁層から剥離することがあった。この結果、ビア導体についても導電層と一部接続されているため、ビア導体と導電層との間にクラックが発生することがあった。このように、エッチング液にて絶縁層の表面を溶解し、その表面に導電層を形成する方法では、導電層を微細に形成することが困難であり、ビア導体のクラックを抑制することが十分ではなかった。
【０００７】
本発明は、上述した課題に鑑みなされたものであって、導電層を微細に形成することができるとともに、電気的信頼性の優れた配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の課題を解決するため、本発明の配線基板の製造方法は、フィルム層上にスパッタリング法によって形成された、ニッケル又はクロムから成り、厚みが３〜１５ｎｍである第１金属層と、銅から成り、厚みが５〜１００ｎｍである第２金属層とから成る金属膜を有するフィルム体と、第１導電層が形成された基体とを準備する工程と、前記金属膜の表面が露出するように前記フィルム体を、接着層を介して前記第１導電層上に貼り合わせる工程と、前記金属膜の一主面に向けてレーザー光を照射することによって、前記金属膜の一部とその直下に位置する前記フィルム層および前記接着層とを貫通するとともに、前記第１導電層の一部を露出する貫通孔を形成する工程と、スパッタリング法を用いて、前記
貫通孔の内壁面から前記金属膜上にまで延在するとともに前記第１導電層の一部と接続した、ニッケル又はクロムから成るスパッタ膜を形成する工程と、前記スパッタ膜上にビア導体と該ビア導体と接続する第２導電層とを形成する工程と、を備えたことを特徴とする。
【００１０】
また、本発明の配線基板の製造方法において、前記貫通孔の底部に被着した前記スパッタ膜の厚みは、前記金属膜上に被着した前記スパッタ膜の厚みよりも薄いことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明は、導電層を微細に形成することができるとともに、電気的信頼性の優れた配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下に、本発明の実施形態に係る配線基板を含む実装構造体を図面に基づいて詳細に説明する。かかる実装構造体は、例えば各種オーディオビジュアル機器、家電機器、通信機器、コンピュータ装置又はその周辺機器などの電子機器に使用されるものである。
【００１４】
図１は本発明の実施形態に係る配線基板を含む実装構造体の断面図である。図２は本発明の実施形態に係るビア導体の断面図である。図３は本発明の実施形態に係るビア導体の一部であって、図２のＸ部分の拡大断面図である。図４（Ａ）は本発明の実施形態に係るビア導体の一部であって、図２のＹ部分の拡大断面図である。また、図４（Ｂ）は本発明の実施形態に係るビア導体の一部を拡大した図面であって、図４（Ａ）のＺ部分の拡大断面図である。
【００１５】
本実施形態に係る実装構造体１は、配線基板２と、配線基板２に半田等のバンプ３を介してフリップチップ実装された、ＩＣ又はＬＳＩ等の半導体素子４と、を含んで構成されている。
【００１６】
また、配線基板２は、コア基板５と、コア基板５の一主面及び他主面に交互に積層される導電層６と、絶縁層７と、を含んで構成されている。かかるコア基板５は、例えばガラス繊維、ポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂、全芳香族ポリアミド樹脂等を縦横に織り込んだ基材に、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂又はシアネート樹脂などの熱硬化性樹脂を含浸させたシートを積層して固化することによって作製される。
【００１７】
また、コア基板５は基材を用いずに低熱膨張樹脂から作製することもできる。低熱膨張樹脂としては、例えばポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂、全芳香族ポリアミド樹脂、全芳香族ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂又は液晶ポリマー樹脂等を用いることができる。なかでもポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂を使用することが望ましい。ポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂は、熱膨張率が−５ｐｐｍ／℃以上５ｐｐｍ／℃以下と小さい。このような低熱膨張樹脂を使用することによって、コア基板５自体の熱膨張を抑制することができる。なお、熱膨張率は、ＪＩＳＫ７１９７に準ずる。
【００１８】
コア基板５には、上下方向に貫通するスルーホールＳと、スルーホールＳの内壁面に沿って形成されるスルーホール導体８と、スルーホール導体８によって囲まれる領域に充填される絶縁体９が形成されている。スルーホール導体８は、例えば銅、銀、金、アルミニウム、ニッケル又はクロム等の導電材料から成る。また、絶縁体９は、スルーホールＳによって囲まれる残存空間を埋めるためのものである。絶縁体９は、例えばポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シアネート樹脂、テフロン（登録商標）樹脂、シリコン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂又はビスマレイミドトリアジン樹脂等から成る。絶縁体９が形成されることによって、絶縁体９の直上直下に後述するビア導体１０を形成することができ、スルーホール導体８から引き伸ばす配線の距離を短くすることができ、配線基板２の小型化を実現することができる。
【００１９】
以下に、導電層６及び絶縁層７について説明する。導電層６は、所定の電気信号を伝達する機能を備えたライン状の信号線路６ａと、半導体素子４を共通の電位、例えばアース電位にする機能を備えた平板状のグランド層６ｂとを含んでいる。また、信号線路６ａは、グランド層６ｂに対して、絶縁層７を介して対向するように配置されている。また、導電層６は、例えば銅、銀、金、アルミニウム、ニッケル又はクロム等の金属材料からなる。
【００２０】
絶縁層７は、接着層７ａとフィルム層７ｂとから構成されている。フィルム層７ｂは、接着層７ａを介してコア基板５に対して貼り合わされている。接着層７ａは、熱硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂等が使用される。なお、かかる熱硬化性樹脂としては、例えばポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、シアネート樹脂、シリコン樹脂又はビスマレイミドトリアジン樹脂のうち少なくともいずれか一つを使用することができる。熱可塑性樹脂としては、半田リフロー時の加熱に耐える耐熱性を有する必要があることから、構成する材料の軟化温度が２００℃以上であることが望ましく、ポリエーテルケトン樹脂、ポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂、全芳香族ポリアミド樹脂、全芳香族ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂又は液晶ポリマー樹脂等を使用することができる。なお、接着層７ａの熱膨張率は、例えば１５ｐｐｍ／℃以上８０ｐｐｍ／℃以下である。また、接着層７ａは、乾燥後の厚みが例えば１μｍ以上１５μｍ以下となるように設定されている。
【００２１】
また、接着層７ａには、多数のフィラー１１が含有されていても構わない。接着層７ａにフィラー１１が含有されていることによって、接着層７ａの硬化前の粘度を調整することができ、接着層７ａの厚み寸法を所望の値に近づけて接着層７ａを形成することができる。フィラー１１は、球状であって、フィラー１１の径は、例えば０．０５μｍ以上６μｍ以下に設定されており、熱膨張率は、例えば−５ｐｐｍ／℃以上５ｐｐｍ／℃以下である。なお、フィラー１１は、例えば酸化珪素（シリカ）、炭化珪素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム又は水酸化アルミニウム等から成る。
【００２２】
フィルム層７ｂは、コア基板５や導電層６に対して固化した後、接着層７ａとなる接着材を介して貼り合わせ、例えば加熱プレス装置を用いて加熱しながら加圧した後、冷却することによってコア基板５や導電層６に固定することができる。フィルム層７ｂは、配線基板２の平坦性を確保するために精密に厚さが制御されている。また、フィルム層７ｂは、弾性変形可能であって、耐熱性と硬さに優れた特性の材料であることが望ましい。この様な特性を有するフィルム層７ｂとしては、例えば、ポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂、全芳香族ポリアミド樹脂、全芳香族ポリエステル樹脂又は液晶ポリマー樹脂等を用いることができる。なお、フィルム層７ｂの熱膨張率は、例えば−１０ｐｐｍ／℃以上１０ｐｐｍ／℃以下である。
【００２３】
また、フィルム層７ｂの厚みは、例えば２μｍ以上２０μｍ以下となるように設定されており、接着層７ａとの厚みの差が７μｍ以下となるように形成されている。ここで、フィルム層７ｂと接着層７ａとの厚みの差は、接着層７ａが乾燥した後の両者の厚みの差とする。なお、フィルム層７ｂの厚みは、接着層７ａの厚みよりも大きくなるように設定されている。
【００２４】
絶縁層７には、図２に示すように、その上下方向を貫く貫通孔Ｂが形成されている。貫通孔Ｂは、絶縁層７に対してフィルム層７ｂ側から接着層７ａ側に向けてレーザー光を照射することによって形成される。貫通孔Ｂは、上部から下部に向けて幅狭となるように形成されている。かかる貫通孔Ｂには、上下位置の異なる導電層６同士を電気的に接続するためのビア導体１０が充填されている。ビア導体１０は、図３に示すように、貫通孔Ｂの底部及び内壁面に被着したスパッタ膜１２と、スパッタ膜１２によって囲まれた領域に形成される導体部１３とを含んでいる。スパッタ膜１２は、例えばニッケル又はクロム等の導電材料から成る。また、導体部１３は、例えば銅、銀、金、白金、アルミニウム、ニッケル又はクロム等の導電材料から成る。なお、貫通孔Ｂの底部におけるスパッタ膜１２の厚みは、３ｎｍ以上１５ｎｍ以下に設定されている。なお、スパッタ膜１２は、電気めっき法を用いてメッキを成長させることができるメッキの下地として機能する。そして、スパッタ膜１２上にメッキが成長し、導体部１３を形成することができる。なお、スパッタ膜１２上には電気めっきの他に、無電界めっきを用いてもよい。
【００２５】
ビア導体１０には、接着層７ａから突出したフィラー１１の一部が埋入している。すなわちフィラー１１の一部がビアＢの内壁面から突出しており、貫通孔Ｂの内壁面の一部が凹凸状に形成されている。ビア導体１０の一部が、フィラー１１の一部を被覆するように形成されることによって、フィラー１１とビア導体１０との接触面積を大きくし、両者の接着力を強くすることができ、ビア導体１０と接着層７ａとの剥離を抑制することができる。すなわち、貫通孔Ｂの内壁面に対するフィラー１１の一部によるアンカー効果によって、貫通孔Ｂの内壁面からビア導体１０が剥離するのを抑制することができる。
【００２６】
また、図２，図４（Ａ）又は図４（Ｂ）に示すように、フィルム層７ｂ上には、金属膜１４が形成されている。かかる金属膜１４は、フィルム層７ｂに対して直接被着した第１金属層１４ａと、第１金属層１４ａ上に形成される第２金属層１４ｂとを含んでいる。第１金属層１４ａは、後述するようにスパッタリング法を用いて形成されたものであって、その上面が凹凸状に形成されている。第１金属層１４ａは、例えばニッケル、クロム、チタン、モリブデン、タングステン又はジルコニウム等の導電材料や、これらの合金から成る。合金としては、例えば、ニッケルとクロムの合金を用いることができる。第１金属層１４ａの上面は、ＪＩＳＢ０６０１−２００１に準ずる最大高さが、例えば１００ｎｍ以下に設定されている。なお、第１金属層１４ａの厚みは、例えば３ｎｍ以上１５ｎｍ以下に設定されている。
【００２７】
また、第２金属層１４ｂは、第１金属層１４ａが酸化するのを抑制するための金属保護層であって、例えば銅、銀、金、白金又はアルミニウム等の導電材料から成る。第２金属層１４ｂは、表面が凹凸状に形成された第１金属層１４ａに起因して、第２金属層１４ｂの上面も凹凸状に形成される。かかる第２金属層１４ｂの上面は、ＪＩＳＢ０６０１−２００１に準ずる最大高さが、例えば１００ｎｍ以下であって、第１金属層１４ａの上面の最大高さよりも小さく設定されている。なお、第２金属層１４ｂの厚みは、例えば５ｎｍ以上１００ｎｍ以下に設定されている。
【００２８】
スパッタ膜１２の一部は、金属膜１４すなわち第２金属層１４ｂ上まで延在されており、上面が凹凸状の第２金属層１４ｂとの接着力を良好に維持することができる。また、フィルム層７ｂ上に形成されたスパッタ膜１２上に導電層６が形成されている。フィルム層７ｂ上に形成されるスパッタ膜１２の厚みは、例えば５０ｎｍ以上１μｍ以下であって、且つ貫通孔Ｂの底部に被着したスパッタ膜１２の厚みより厚く形成されている。スパッタ膜１２を構成するニッケルやクロム等は、その他の導電材料に比べて、導電性が低く電気抵抗が大きいため、貫通孔Ｂの底部に厚く形成されると、配線基板の消費電力が大きくなってしまう。そのため、貫通孔Ｂの底部に被着したスパッタ膜１２の厚みを金属膜１４上に被着したスパッタ膜１２の厚みよりも薄くして、配線基板の消費電力が大きくなってしまうのを抑制する。
【００２９】
金属膜１４は、その表面が凹凸状に形成されており、導電層６と金属膜１４とは接着力を大きくすることができ、導電層６が絶縁層７上から剥離するのを抑制することができる。また、ビア導体１０は、導電層６と一部接続されているため、ビア導体１０も貫通孔Ｂから剥離するのが抑制される。その結果、導電層６にクラックが発生するのが抑制され、導電層６とビア導体１０と電気的接続を良好に維持することができる。また、クラックがビア導体１０に伝導するのを低減することができ、電気的信頼性の優れた配線基板を実現することができる。
【００３０】
半導体素子４には、絶縁層７の熱膨張率と近似する材料が使用され、例えばシリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素、ガリウム砒素リン、窒化ガリウム又は炭化珪素等を用いることができる。なお、半導体素子４の厚み寸法は、例えば０．１ｍｍから１ｍｍのものを使用することができる。
【００３１】
上述したように本実施形態によれば、導電層６を絶縁層７上から剥離するのを抑制でき、ビア導体１０が貫通孔Ｂから剥離するのを抑制でき、導電層６とビア導体１０との電気的接続を良好に維持することができる。
【００３２】
次に、上述した実装構造体１の製造方法について、図５から図８を用いて説明する。
【００３３】
まず、実装構造体１を作製する前段階として、基体としてのコア基板５を準備する。コア基板５は、ガラス繊維を縦横に織り込んだガラスクロスにエポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂又はシアネート樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させたシートを熱プレスして硬化することによって形成する。また、配線基板２の低熱膨張化を行うために、全芳香族ポリアミド、全芳香族ポリエステル又は液晶ポリマーなどの低熱膨張の繊維を用いたものであっても構わない。コア基板５は、厚み寸法が例えば０．３ｍｍ以上１．５ｍｍ以下に設定されている。
【００３４】
次に、コア基板５に、従来周知のドリル加工などによって、コア基板５を厚み方向に貫通するスルーホールＳを形成する。そして、スルーホールＳの内壁面に対して電解メッキ等を行うことによって、スルーホール導体８を形成する。スルーホールＳは、複数形成され、直径が例えば０．１ｍｍ以上１ｍｍ以下に設定されている。そのあと、スルーホール導体８によって囲まれる領域に、例えばポリイミド等の樹脂を充填し、絶縁体９を形成する。次に、コア基板５の上面及び下面に、従来周知の蒸着法、ＣＶＤ法又はスパッタリング法等によって、グランド層６ｂを構成する材料を被着する。そして、その表面にレジストを塗布し、露光現像を行った後、エッチング処理をしてコア基板５の上面及び下面に第１導電層としてのグランド層６ｂを形成する。このようにして、図５（Ａ）に示すコア基板５を準備することができる。
【００３５】
次に、フィルム層７ｂ上に表面に金属膜１４を有するフィルム体１５を準備する。フィルム層７ｂとしては、例えばポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂から成るものを用いる。そして、フィルム層７ｂ上に、スパッタリング法を用いて、例えばニッケル又はクロムから成る第１金属層１４ａを成膜する。さらに、第１金属層１４ａ上に、スパッタリング法を用いて、例えば銅から成る第２金属層１４ｂを成膜する。このようにして、表面が凹凸状に成膜された金属膜１４をフィルム層７ｂ上に形成することができる。
【００３６】
そして、コア基板５のグランド層６ｂの上面に対して、予め従来周知のダイコート法等によってフィラー１１を含有する接着層７ａを塗布したフィルム体１５を貼り合わせる。この際、金属膜１４の表面が露出するようにフィルム体１５をコア基板５に貼り合わせる。さらに、フィルム体１５と接着層７ａとを、例えば加熱プレス装置を用いて加熱しながら加圧した後、フィルム体１５と接着層７ａとを冷却することによって、図５（Ｂ）に示すように、フィルム体１５をコア基板５に固着することができる。なお、フィルム体１５と接着層７ａを加熱する温度は、接着層７ａの熱分解温度よりも低い温度であって、接着層７ａが固化する温度である。すなわち、加熱する温度は、例えば５０℃以上１５０℃以下である。ここで、熱分解温度とは、樹脂が固化した状態において該樹脂に熱を加えることによって、樹脂の一部が分解、蒸発又は昇華などにより消滅し、その樹脂の重量が５％減少する温度をいう。
【００３７】
また、フィルム体１５を加圧する圧力は、金属膜１４の表面の凹凸が潰れない圧力であって、接着層７ａがフィルム体１５とコア基板５の間からはみ出さない圧力である。すなわち、加圧する圧力は、例えば０．５ＭＰａ以上５ＭＰａ以下である。なお、フィルム層７ｂの厚み寸法は、例えば７．５μｍであって、接着層７ａの厚み寸法は３μｍとなるように設定されている。
【００３８】
次に、図６（Ａ）に示すように、金属膜１４及び絶縁層７に、例えばＹＡＧレーザー装置、又はＣＯ２レーザー装置を用いて、貫通孔Ｂを形成する。貫通孔Ｂは、金属膜１４の一主面に対して垂直方向から、金属膜１４の一主面に向けてレーザー光を照射することによって形成することができる。その結果、貫通孔の底部には、グランド層６ｂの一部が露出する。レーザー光の出力は、１．０×１０−３Ｊ以上５．０×１０−１Ｊ以下のエネルギーとなるように設定する。かかるレーザー光を、金属膜１４に向けて、１．０×１０−３秒以上１．０秒以下の時間照射して、貫通孔Ｂを形成することができる。レーザー光が最初に金属膜１４の上面に照射され、照射箇所を中心に絶縁層７が昇華することで、絶縁層７に上部よりも下部が幅狭な貫通孔Ｂを形成される。
【００３９】
貫通孔Ｂの底面や内壁面には、レーザー光が照射されることによって、フィルム層７ｂの一部や接着層７ａの一部等の焼き残り(スミアと呼ばれる)が被着している。そのため、貫通孔Ｂの焼き残りを除去するデスミア工程を行う。この、デスミア工程は、例えばマイクロ波を用いたアルゴンガスプラズマ、あるいは酸素ガスプラズマを用いてプラズマ処理を行えば良い。
【００４０】
そして、図６（Ｂ）に示すように、貫通孔Ｂの内壁面に異方性スパッタリング法を用いてスパッタ膜１２を形成する。異方性スパッタリング法は、スパッタ源に対してコア基板５を正対させずに傾けて配置し、貫通孔Ｂの内壁面にスパッタ膜１２が金属膜１４上よりも厚く被着するのを防止する。そして、コア基板５をスパッタ源に対して回転させることによって、貫通孔Ｂの内壁面にスパッタ膜１２を形成する。このようにして、貫通孔Ｂにメッキの下地となるスパッタ膜１２を設けることができる。なお、スパッタ源に対してコア基板５を傾ける角度は、例えば５°以上４５°以下に設定されている。また、スパッタ膜１２としては、例えば銅を用いる。
【００４１】
次に、金属膜１４上にレジストＲを塗布して、さらに従来周知の薄膜加工技術を用いて、図７（Ａ）に示すように、レジストＲをパターニングする。
【００４２】
そして、図７（Ｂ）に示すように、電気めっき法により、露出した金属膜１４上及び貫通孔Ｂの内壁面のスパッタ膜１２をメッキ成長させて、金属膜１４上に第２導電層としての信号線路６ａを形成するとともに、貫通孔Ｂにグランド層６ｂの一部及び信号線路６ａの一部と接続したビア導体１０を形成することができる。電気めっき法にて形成したビア導体１０は、無電界めっきで形成するビア導体に比べて、ビア導体を構成する分子の密度が大きく、外部からの熱に起因してクラックが発生しにくい。また、電気めっき法によれば、ビア導体１０と成るめっきの成長が貫通孔の底部から起こるため、貫通孔にめっきの充填がし易い。
【００４３】
次に、図８（Ａ）に示すように、コア基板５の一主面に、被着したレジストＲをエッチングして第２導電層としての信号線６ａを形成する。なお、エッチングする際、レジストＲの直下に形成された金属膜１４もエッチングされる。
【００４４】
また、上述した方法を用いて、コア基板５の他主面にも絶縁層７を形成し、ビア導体１０を形成することができる。さらに、上述した絶縁層７及び導電層６の積層工程を繰り返すことで、図８（Ｂ）に示すように、多層配線の配線基板も作製することができる。そして、配線基板２に対してバンプ３を介して半導体素子４をフリップチップ実装することによって、図１に示す実装構造体１を作製することができる。
【００４５】
上述した配線基板の製造方法によれば、コア基板５上に表面が凹凸状の金属膜１４を有するフィルム体１５を貼り合せ、その金属膜１４上に導電層６を形成することができる。従来技術は、絶縁層やコア基板上にエッチング液を塗布して、表面を溶かして凹凸を形成し、その凹凸上に導電層を形成していたが、緻密な凹凸を形成することができなかった。そのため、従来技術によれば、絶縁層上を荒くエッチングすることしかできなかったため、導電層が絶縁層やコア基板から剥離し易かった。特に、導電層の幅を小さくし、配線パターンを微細にするにつれ、導電層がコア基板から剥離しやすくなってしまい、配線基板の電気的信頼性を維持することができなかった。それに比べて、本発明の実施形態に係る配線基板の製造方法によれば、上述したように予めフィルム層７ｂ上に緻密な凹凸を有する金属膜１４を形成し、その凹凸上に導電層６を形成するため、金属膜１４上から導電層６が剥離しにくくすることができる。
【００４６】
また、従来技術のように、絶縁層又はコア基板の表面をエッチング液にて荒らす方法においては、絶縁層又はコア基板を構成する材料の分布に依存して、エッチングされ易い領域とエッチングされにくい領域とがある。そのため、不良品となる配線基板が多く発生してしまう。一方、本発明の実施形態においては、絶縁層又はコア基板を構成する材料に依存することなく、絶縁層又はコア基板の上面に微細な凹凸状の金属膜を形成することができ、不良品の発生を低減し、製造歩留まりを向上させることができる。
【００４７】
また、従来技術においては、絶縁層又はコア基板をエッチング液に漬していたため、絶縁層又はコア基板の剛性がエッチング液によって弱まることもあった。一方、本発明の実施形態によれば、絶縁層又はコア基板の表面をエッチング液にて荒らすことがないため、絶縁層又はコア基板の剛性が弱くなるのを抑制することができる。
【００４８】
さらに、従来技術のように絶縁層上をエッチング工程が不要であって、予めフィルム体を準備しておけば、製造工程を単純化することができる。
【００４９】
なお、本発明は上述の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。例えば、上述した実施形態においては、ビア導体１０を電気めっき法によって形成したが、無電界めっき法を用いてビア導体１０を形成しても構わない。また、金属膜の形成は、微細な凹凸を有する金属膜を形成できるのであれば、蒸着法を用いてもよい。かかる蒸着法を用いる場合、金属膜の形成は、フィルム層７ｂに対してロールツウロールの連続真空蒸着装置を用いて行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の実施形態に係る配線基板を含む実装構造体の断面図である。
【図２】本発明の実施形態に係るビア導体の拡大断面図である。
【図３】本発明の実施形態に係るビア導体の一部の拡大断面図である。
【図４】図４（Ａ）、図４（Ｂ）は、本発明の実施形態に係るビア導体の一部の拡大断面図である。
【図５】図５（Ａ）、図５（Ｂ）は、本発明の実施形態に係る配線基板を含む実装構造体の製造工程を説明する断面図である。
【図６】図６（Ａ）、図６（Ｂ）は、本発明の実施形態に係る配線基板を含む実装構造体の製造工程を説明する断面図である。
【図７】図７（Ａ）、図７（Ｂ）は、本発明の実施形態に係る配線基板を含む実装構造体の製造工程を説明する断面図である。
【図８】図８（Ａ）、図８（Ｂ）は、本発明の実施形態に係る配線基板を含む実装構造体の製造工程を説明する断面図である。
【符号の説明】
【００５１】
１    実装構造体
２    配線基板
３    バンプ
４    半導体素子
５    コア基板
６    導電層
６ａ  信号線路
６ｂ  グランド層
７    絶縁層
７ａ  接着層
７ｂ  フィルム層
８    スルーホール導体
９    絶縁体
１０    ビア導体
１１    フィラー
１２    スパッタ膜
１３    導体部
１４    金属膜
１４ａ  第１金属層
１４ｂ  第２金属層
１５    フィルム体
Ｓ    スルーホール
Ｂ    貫通孔
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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