(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性樹脂からなる封止体と、
前記封止体の実装面に裏面を露出しており、前記裏面と反対側の表面に導電性接着剤を介して半導体チップを搭載するアイランドと、
前記封止体の実装面に裏面を露出し、外縁部を有するリード端子と、
前記半導体チップと前記リード端子を電気的に接続するワイヤーとからなる半導体装置であって、
前記アイランドの表面側の外縁にはアイランドよりも厚みが薄く、複数の切れ込みがあるアイランド凹凸部を有し、前記アイランド凹凸部の側面は、その先端に垂直な方向の断面が上側のチップ搭載面側の幅より下側の面の幅が広く形成された台形形状である、テーパーを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記アイランドは、前記チップ搭載面から前記アイランドの内部にかけて設けられたアイランド分割溝をさらに有することを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記アイランド凹凸部よりも内側に半導体チップの外縁があることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
前記アイランド凹凸部内に半導体チップの外縁があることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項５】
前記リード端子の外縁部には切れ込みがあって、凹凸形状であることを特徴とする請求項1乃至４のいずれか一項記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂封止された半導体装置に関する。より詳細には、モールド樹脂から半導体チップを搭載するアイランドを露出させた構造の半導体パッケージを有する半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体パッケージに高放熱性を付与する場合には、半導体チップを搭載したアイランド部をモールド樹脂から露出させる方法や他の部材からなる放熱板を半導体チップに貼り付けてモールド樹脂から露出させる方法が一般的に採られる。しかしながら、アイランド部の一部をモールド樹脂に埋め込むだけの構造では、膨張係数などの違いにより、アイランド部がモールド樹脂から抜け落ちることがある。特許文献１には、アイランド部がモールド樹脂から抜けにくくするためにアイランド外周部に潰し加工を施す発明が開示されている。図５に従来の技術による半導体装置の断面図を示す。アイランド２の表面には半導体チップ５が搭載され、アイランド２の外側には離間してリード端子３があり、リード端子と半導体チップはワイヤー６で電気的に接続されている。アイランド２、半導体チップ５、ワイヤー６、リード端子３はモールド樹脂４で覆われるが、アイランド２の下面やリード端子の側面および下面は露出する構造となっている。ここで、アイランド２は上層部と下層部からなり、きのこのように上層部の面積を下層部の面積よりも大きくすることで、上層部がモールド樹脂に食い込み、モールド樹脂が上層部の下に回りこむことによって抜けにくくなっている。
【特許文献１】特開平３−１１７５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
上記のように、アイランドの外周部分に潰し加工を施し、その断面形状をT字型に形成することで樹脂から抜けにくくしたとしても、半導体装置の薄型化が進み、パッケージの薄型化が進むと、アイランド２がモールド樹脂４から抜け落ちるという不具合が発生する。図５のアイランド潰し加工部８にはモールド樹脂が入り込むが、半導体装置が薄くなると、アイランド潰し加工部８のモールド樹脂が肉薄となる。通常、モールド樹脂加工工程を終えると、バリを取る工程に移るが、高圧水を吹き付けてバリを除去するのが一般的である。高圧水の吹き付けにより薄バリのみならず、これに準ずる肉薄の樹脂も半導体装置から剥離してしまうという問題がある。これは、肉薄の樹脂とアイランドとの密着力が低いためである。アイランド潰し加工部８のモールド樹脂が剥離すると、アイランド２が半導体装置から抜け落ちることとなる。
【０００４】
本発明は、このような従来の構造が有していた問題を解決しようとするものであり、バリ取り工程を経ても、アイランド２が半導体装置にしっかり保持されることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
半導体チップを搭載するアイランドの外周部に潰し加工を施して外縁部を設け、断面形状がT字型になるようにすると同時に、その潰し加工を施した部分にアイランドの表面と裏面が貫通する様に複数の切り込み加工を行い、モールド樹脂がアイランドの潰し加工を施した部分を覆う様に挟むことで密着性を高める。
【発明の効果】
【０００６】
本発明を実施することで半導体チップを搭載したアイランド部とモールド樹脂の密着性を高めることが出来る。モールド樹脂はアイランド外縁部に形成した凹凸部に入り込むためアイランドを抱え込む構造になり、アイランドがモールド樹脂から抜けにくくなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する。
【０００８】
図１は本発明の半導体装置の実施例を示す断面図である。概ねT字型の断面を有するアイランド２の上部の表面には半導体チップ５が銀ペースト等の導電性接着剤を介して搭載され、アイランド２の外側には離間してリード端子３が配置されている。リード端子３には潰し加工がされており、その上層部には外縁部が形成されている。リード端子と半導体チップ表面に設けられたパッド電極とはワイヤー６で電気的に接続されている。アイランド２、半導体チップ５、ワイヤー６、リード端子３は絶縁性を有するモールド樹脂４で覆われるが、アイランド２の下面やリード端子の側面および下面はモールド樹脂4から外部に露出する構造となっている。図示してはいないが、アイランドやリード端子の露出面はメッキされており、このメッキされた部分を介して基板等に実装される。ここで、アイランド２の外周部は潰し加工が施されており外縁部を有する上層部と外縁部の無い下層部からなる。上層部の外縁部にはアイランド凹凸部１が設けられている。なお、半導体チップ５の外縁は通常アイランド外縁部の内側にあるが、アイランド外縁部にかかっていても構わない。
【０００９】
図２は、アイランド部２の断面図であり、図３はアイランド部２を上方から見た平面図である。アイランド部２の上層部の外縁部にはアイランド凹凸部１が設けられている。アイランド凹凸部１には外周部から切り込まれた表面から裏面まで貫通する溝が複数設けられアイランド部２の上層部の外縁部を凹凸形状にしている。モールド樹脂は、この凹凸部に入り込むため、樹脂とアイランドとの接着面積が大きくなり、バリ取り工程での剥離耐性が強くなる。
【００１０】
図４はアイランド外縁の凹凸部を拡大した断面図である。凹凸部の側面にテーパー加工が施されおり、アイランド外縁部をモールド樹脂が挟み込む形態になっている。このような形態とすることで接着面積を増すことになり、両者をより強固に密着させることが出来るようになる。
【００１１】
これまで、アイランドの外縁部に凹凸形状を有することでアイランドとモールド樹脂の密着性を向上させることが可能であることを説明したが、図１に示されるリード端子３にも外縁部があり、この部分に切り込みを入れて凹凸形状とすることでリード端子の抜け落ちを防止することが可能となる。
【００１２】
アイランド外縁部の凹凸の形成方法は、薬品によるエッチングで形成することも可能である。この場合、アイランドは等方的にエッチングされるため、凹凸部がテーパーとなりやすい。この際、エッチングは片面からのエッチングでも良いし、両面からのエッチングでも良い。両面エッチングの場合は図４に示すようなテーパー形状ではなく、表裏面両方からのテーパー形状が形成される。
【００１３】
また、プレス加工によってアイランド周辺部を打ち抜くことで凹凸を形成することも可能である。この場合もアイランドの表面と裏面の間にテーパーを付けることが可能である。
【００１４】
図６には、図４で示したアイランド外縁の凹凸部の側面テーパー加工の方向を逆にしたものである。この様に逆方向にテーパー加工してもモールド樹脂との引っかかりが強くなり、樹脂からアイランドが抜けにくくなる。
【００１５】
図７は、アイランドを分割する溝であるアイランド分割溝９を縦横に設けたものである。この溝にモールド樹脂が流れ込み、チップ下にも樹脂が入り込みアイランドが抜けにくくなっている。
【００１６】
アイランド分割溝にもテーパー加工をすることでより強度をさらに向上させることが可能である。
【００１７】
以上のようなアイランドの形態とすることで、モールド樹脂からアイランドが抜け落ちることのない半導体装置を構成することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明による半導体装置の断面図
【図２】本発明による半導体装置のアイランド部の断面図
【図３】本発明による半導体装置のアイランド部の平面図
【図４】本発明による半導体装置のアイランド部の拡大断面図
【図５】従来の半導体装置の断面図。
【図６】本発明による半導体装置のアイランド部の断面図
【図７】本発明による半導体装置のアイランド部の平面図
【符号の説明】
【００１９】
１  アイランド凹凸部
２  アイランド部
３  リード端子
４  モールド樹脂
５  半導体チップ
６  ワイヤー
７  拡大されたアイランド凹凸部
８  アイランド潰し加工部
９  アイランド分割溝
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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