(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基板の主面に形成された第１の電極と、前記第１の電極の上に形成された少なくとも４層構造の有機ＥＬ層と、前記有機ＥＬ層の上層に形成された第２の電極とを有する有機ＥＬ素子を備え、
前記有機ＥＬ素子は、第１の層が前記第１の電極と接し、電子輸送性を示す第１の物質と前記第１の物質に対して電子供与性を示す第２の物質とを含み、第２の層は前記第１の層に接し、ホール輸送性を示す第３の物質を有し、第３の層が前記第２の層に接し、発光物質を含み、第４の層が前記第３の層に接し、電子輸送性を示す物質から形成され、
前記第２の層は前記第１の層に接し前記第１の層と前記第３の物質に挟まれたＭｏＯ3、ＷＯ3、Ｖ2Ｏ5のいずれかにて構成された無機材料を有することを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記第２の電極と前記第４の層との間には、周期律表の第１族の元素を含む層を有することを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記第２の電極と前記第４の層との間には、周期律表の第２族の元素を含む層を有することを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
前記第２の電極と前記第４の層との間には、前記第１の層と同一の物質を含む層を有することを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
前記第１の電極が前記絶縁性基板に接していることを特徴とする請求項１乃至請求項４の何れかに記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
前記第２の電極が前記絶縁性基板に接していることを特徴とする請求項１乃至請求項４の何れかに記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項７】
前記第１の電極、第２の電極の少なくとも一方が透明導電物質により形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項６の何れかに記載の有機ＥＬ表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一対の電極間に有機ＥＬ層を設けた有機ＥＬ素子に電界を印加させて発光させる有機ＥＬ表示装置に係わり、特に有機ＥＬ素子の積層構造に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、フラットパネル型の表示装置として液晶表示装置（ＬＣＤ）やプラズマ表示装置（ＰＤＰ）、電子放出型表示装置（ＦＥＤ）、有機ＥＬ表示装置（ＯＬＥＤ）などが実用化ないしは実用化研究段階にある。その中でも、有機ＥＬ表示装置は、薄型・軽量の自発光型表示装置の典型としてこれからの表示装置として極めて有望な表示装置である。有機ＥＬ表示装置には、所謂ボトムエミッション型とトップエミッション型とがある。
【０００３】
ボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置は、ガラス基板を好適とする透光性基板上に第１の電極または一方の電極としての透光性電極と、電界の印加により発光する有機ＥＬ層（有機多層膜とも言う）と、第２の電極または他方の電極としての反射性金属電極とを順次積層した発光機構により有機ＥＬ素子が構成される。この有機ＥＬ素子をマトリクス状に多数配列し、それらの積層構造を覆って封止缶とも称する絶縁性基板により封着させて上記発光構造を外部の雰囲気から遮断している。
【０００４】
そして、例えば透光性電極を陽極とし、反射性金属電極を陰極として両者の電極間に電界を印加することにより、有機ＥＬ層にキャリア（電子と正孔）が注入され、この有機ＥＬ層が発光する。この発光光を透光性基板側から外部に出射する構成となっている。
【０００５】
一方、トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置は、上述した一方の電極を反射性金属電極とし、他方の電極を透光性電極として両者の電極間に電界を印加することにより、有機ＥＬ層が発光し、この発光を上述した他方の電極（透光性電極）側から出射する構成となっている。トップエミッション型では、ボトムエミッション型における封止缶として透光性基板が使用される。
【０００６】
この種の有機ＥＬ表示装置に関して、下記特許文献１には、有機ＥＬ素子の層構造が陽極／ホール注入層／ホール輸送層／発光層の順に形成された電子注入側の構成が開示されている。
【０００７】
詳細には、ホール注入電極と、電子注入電極と、これらの電極間に設けられた１種類以上の発光層を含む有機層とを有する有機ＥＬ構造体が気密ケース内に収納され、この気密ケース内に水素化カルシウム、水素化ストロンチウム、水素化バリウム及び水素化アルミニウムリチウムの１種類以上が配置され、電子注入電極がアルカリ金属及びアルカリ土類金属の何れか１種類以上を含有する有機ＥＬ素子が開示されている。
【０００８】
また、この上記特許文献１には、アルカリ金属が電子輸送層、発光層に入っても良いという記載があるが、ホール注入層に入る記載はない。また、キャリア生成層に関する着想があっても、電子輸送層とカソードとの間の積層構造を開示しているのみであって、アノードとホール輸送層との間については何ら全く考慮されていなかった。
【０００９】
【特許文献１】特開２００６−１５６９９７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、この種のトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置は、有機ＥＬ層上に形成する透光性電極は、性能上、スパッタリングにより形成されているので、スパッタ中の電子、イオンまたは活性酸素などの影響により有機ＥＬ層が損傷を受け、発光電圧の上昇、電流−輝度効率が低下する等の問題が生じていた。
【００１１】
このような問題を解決する手段としては、トップアノードタイプでは透光性電極の形成前に保護層としてＶ2Ｏ5を蒸着していた。また、トップカソードタイプではセシウム（Ｃｓ）をヘビードープした電子輸送材料を電子注入層として蒸着していた。
【００１２】
しかしながら、トップアノードタイプでは、下電極がアルミニウム（Ａｌ）、ＩＴＯ（Ｉｎ−Ｔｉ−Ｏ）またはＩＺＯ（Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ）等により形成した場合、その電子注入は、上記電子注入層を利用すると、問題なく電子注入ができるのに対し、トップカソードタイプでは、下電極がＩＴＯまたはＩＺＯ等により形成した場合、ホール注入が問題なく生じるのに対して下電極がＡｌにより形成した場合、ホール注入が起き難く、発光電圧の上昇が顕著となり、固定表示パターンの焼き付きとなって表れ、色斑が発生するという課題があった。
【００１３】
したがって、本発明は、前述した従来の課題を解決するためになされたものであり、その目的は、長時間の使用に耐え、画像パターンの焼き付きの少ない信頼性の高いディスプレイが得られる有機ＥＬ表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
このような目的を達成するために本発明による有機ＥＬ表示装置は、絶縁性基板の主面に形成された第１の電極と、この第１の電極の上に形成された少なくとも４層構造の有機ＥＬ層と、この有機ＥＬ層の上層に形成された第２の電極とから構成された有機ＥＬ素子を備え、この有機ＥＬ素子は、第１の層が第１の電極と接し、電子輸送性を示す第１の物質と第１の物質に対して電子供与性を示す第２の物質とを含み、第２の層が第１の層に接し、ホール輸送性を示す第３の物質からなり、第３の層が第２の層に接し、発光物質を含み、第４の層が第３の層に接し、電子輸送性を示す物質から形成することにより、安定したホール注入特性が得られるので、背景技術の課題を解決することができる。
【００１５】
本発明による他の有機ＥＬ表示装置は、好ましくは、上記構成において、第２の電極と第４の層との間には、周期律表の第１族の元素を含む層を有することを特徴としている。
【００１６】
本発明による他の有機ＥＬ表示装置は、好ましくは、上記構成において、第２の電極と第４の層との間には、周期律表の第２族の元素を含む層を有することを特徴としている。
【００１７】
本発明による他の有機ＥＬ表示装置は、好ましくは、上記構成において、第２の電極と第４の層との間には、第１の層と同一の物質を含む層を有することを特徴としている。
【００１８】
本発明による他の有機ＥＬ表示装置は、好ましくは、上記構成において、第１の電極が絶縁性基板に接していることを特徴としている。
【００１９】
本発明による他の有機ＥＬ表示装置は、好ましくは、上記構成において、第２の電極が絶縁性基板に接していることを特徴としている。
【００２０】
本発明による他の有機ＥＬ表示装置は、好ましくは、上記構成において、第１の電極、第２の電極の少なくとも一方が透明導電物質により形成されていることを特徴としている。
【００２１】
なお、本発明は、上記各構成及び後述する実施の形態に記載される構成に限定されるものではなく、本発明の技術思想を逸脱することなく、種々の変更が可能であることは言うまでもない。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、安定したホール注入特性を有する有機ＥＬ素子が構成できるので、この有機ＥＬ表示装置をディスプレイとして用いることにより、長時間の使用に耐え、画像パターンの焼付きの少ない信頼性の高いディスプレイを得ることができる等の極めて優れた効果を有する。また、電極と発光面との間の距離を調節することが可能となるので、光の干渉効果により取り出す光の色合いを調整でき、色再現性の優れたディスプレイを得ることができる等の極めて優れた効果を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明の具体的な実施の形態について、実施例の図面を参照して詳細に説明する。
【実施例１】
【００２４】
図１は、本発明による有機ＥＬ表示装置の実施例１を説明するための有機ＥＬ素子の構成を示す要部拡大断面図である。図１において、ガラス基板１上に設けた有機ＥＬ素子駆動用の薄膜トランジスタに接続されたアルミニウム（Ａｌ）の蒸着からなる画素用アノード２上に電子輸送性の高い第１の物質と、それに対して電子供与性の第２の物質とを共蒸着により成膜して電子輸送性と電子供与性とを有する第１の層３を形成する。
【００２５】
次に、この第１の層３上にホール輸送性の高い第３の物質を用いて第２の層４を形成し、この第２の層４上に発光物質を含む第３の層（発光層）５を形成する。次にこの第３の層５上に電子輸送性材料の蒸着により第４の層６を形成し、この第４の層６上に上記第１の層３と同様な構成からなる層、すなわち電子輸送性の第１の物質と、それに対して電子供与性の第２の物質とを共蒸着により成膜して電子輸送性と電子供与性とを有する層７を形成する。
【００２６】
最後にこの層７上にＩＺＯ（Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ）のスパッタリングにより上部カソード８を形成して有機ＥＬ素子を構成した。なお、ＩＺＯに代えてＩＴＯ（Ｉｎ−Ｔｉ−Ｏ）を用いても良い。
【００２７】
なお、上記各層の膜厚は、Ａｌからなるアノード２が約２００ｎｍ、第１の層３が約１０ｎｍ、第２の層４が約６０ｎｍ、第３の層５が約６０ｎｍ、第４の層６が約１０ｎｍ、層７が約４０ｎｍ、ＩＺＯからなるカソード８が約４０ｎｍであった。
【００２８】
このような構成において、画素用アノード２に正の電圧を、上部カソード８に負の電圧を電源Ｅから印加することにより、有機ＥＬ層内に電流が流れ、有機ＥＬ素子が発光した。
【００２９】
なお、第１の層３中の第１の物質としては、電子輸送性を示し、アルカリ金属と共蒸着することにより、電荷移動錯体化し易いものであれば特に限定はしない。例えば、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム、トリス（４−メチル−８−キノリノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）−４−フェニルフェノラート−アルミニウム、ビス［２−［２−ヒドロキシフェニル］ベンゾオキサゾラート］亜鉛などの金属錯体や２−（４−ビフェニリル）−５−（４−tert−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、１，３−ビス［５−p−tert−ブチルフェニル］−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン等を用いることができる。
【００３０】
また、第１の層３中の第２の物質としては、電子輸送性物質に対して電子供与性を示す材料であれば特に限定しない。例えば、リチウム、セシウムなどのアルカリ金属、マグネシウム、カルシウムなどのアルカリ土類金属、さらには希土類金属等の金属類またはそれらの酸化物、ハロゲン化物、炭酸化物等から選択して電子供与性を示す物質として用いても良い。
【００３１】
また、第２の層４に用いる第３の物質は、ホール輸送性を示す物質であり、例えば、テトラアリールベンジシン化合物（トリフェニルジアミン：TPD）、芳香族三級アミン、ヒドラゾン誘導体、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、アミノ基を有するオキサジアゾール誘導体、ポリチオフェン誘導体、銅フタロシアニン誘導体等を用いることができる。また、第２の層４は、さらに二分し、第１の層３と接する側にＭｏＯ3やＷＯ3、Ｖ2Ｏ5などの無機材料を用いても良い。
【００３２】
また、第３の層５に用いる発光材料としては、電子、ホールの輸送能力を有するホスト材料にそれらの再結合により蛍光または燐光を発するドーパントを添加したもので共蒸着により第３の層５として形成できるものであれば特に限定しない。例えば、ホストとしてはトリス（８−キノリノラト）アルミニウム、ビス（８−キノリノラト）マグネシウム、ビス（ベンゾ｛f｝−８−キノリノラト）亜鉛、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）アルミニウムオキシド、トリス（８−キノリノラト）インジウム、トリス（５−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム、８−キノリノラトリチウム、トリス（５−クロロ−８−キノリノラト）ガリウム、ビス（５−クロロ−８−キノリノラト）カルシウム、５，７−ジクロル−８−キノリノラトアルミニウム、トリス（５，７−ジブロモ−８−ヒドロキシキノリノラト）アルミニウム、ボリ［亜鉛（II）−ビス（８−ヒドロキシ−５−キノリニル）メタン］のような錯体、アントラセン誘導体、カルバゾール誘導体等であっても良い。
【００３３】
また、ドーパントとしては、ホスト中で電子とホールとを捉えて再結合させて発光するものであって、例えば、赤ではビラン誘導体、緑ではクマリン誘導体、青ではアントラセン誘導体などの蛍光を発光する物質やまたはイリジウム錯体、ピリジナート誘導体など燐光を発する物質であっても良い。
【００３４】
また、第４の層６は電子輸送性の材料を蒸着して形成する。材料としては、第１の層３に用いた第１の物質などであっても良い。
【００３５】
また、第４の層６とカソード６との間には、第１の層３と同じ構成の層を形成する。またはアルカリ金属、アルカリ土類金属の層またはそのハロゲン化物の極薄い層が入っても良い。これらは電子注入層として機能する。最上層のカソード６は光を取り出すために透明導電膜であるＩＴＯやＩＺＯを用いる。
【実施例２】
【００３６】
図２は、本発明による有機ＥＬ表示装置の実施例２を説明するための有機ＥＬ素子の構成を示す要部拡大断面図であり、前述した図と同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。図２において、ガラス基板１上に設けた有機ＥＬ素子駆動用の薄膜トランジスタに接続されたＡｌの蒸着からなる画素用カソード８上に電子輸送性の第１の物質と、それに対して電子供与性の第２の物質とを共蒸着により電子輸送性と電子供与性とを有する層７を形成する。
【００３７】
次に、この層７上に電子輸送性材料の蒸着により第４の層６を形成し、この第４の層６上に発光物質を含む第３の層５を形成する。次に、この第３の層５上にホール輸送性の高い第３の物質を用いて第２の層４を形成する。
【００３８】
次に、この第２の層４上に電子輸送性の第１の物質と、それに対して電子供与性の第２の物質との共蒸着により第１の層３を形成し、この第１の層３上にＩＺＯのスパッタリングにより上部アノード２を形成して有機ＥＬ素子を構成した。
【００３９】
このような構成において、上部アノード２に正の電圧を、画素用カソード８に負の電圧を電源Ｅから印加することにより、有機ＥＬ層内に電流が流れ、有機ＥＬ素子が発光した。
【００４０】
なお、上記各層の膜厚は、ＩＺＯからなるアノード２が約７０ｎｍ、第１の層３が約４０ｎｍ、第２の層４が約４０ｎｍ、第３の層（発光層）５が約４０ｎｍ、第４の層６が約１０ｎｍ、層７が約２０ｎｍ、画素用カソード８が約２００ｎｍであった。
【実施例３】
【００４１】
図３は、本発明による有機ＥＬ表示装置の実施例３を説明するための有機ＥＬ素子の構成を示す要部拡大断面図であり、前述した図と同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。図３において、ガラス基板１上に設けた有機ＥＬ素子駆動用の薄膜トランジスタに接続されたＩＴＯ（Ｉｎ−Ｔｉ−Ｏ）の蒸着からなる画素用アノード２上に電子輸送性の第１の物質と、それに対して電子供与性の第２の物質とを共蒸着により電子輸送性と電子供与性とを有する第１の層３を形成する。
【００４２】
次に、この第１の層３上にホール輸送性の第３の物質で第２の層４を形成し、この第２の層４上に発光物質を含む第３の層５を形成し、この第３の層５上に電子輸送性の材料の蒸着により、第４の層６を形成し、この第４の層６上に第１の層と同様な構成の層７を形成し、この層７上に上部カソード８をＡｌの蒸着により形成することで有機ＥＬ素子を構成した。
【００４３】
この構成において、画素用アノード２に正の電圧を、上部カソード８に負の電圧を電源Ｅから印加することにより、電流が流れ、有機ＥＬ素子が発光した。
【００４４】
なお、上記各層の膜厚は、ＩＴＯからなる画素用アノード２が約７０ｎｍ、第１の層３が約２０ｎｍ、第２の層４が約６０ｎｍ、第３の層（発光層）５が約４０ｎｍ、第４の層６が約１０ｎｍ、層７が約２０ｎｍ、Ａｌからなる上部カソード８が約２００ｎｍであった。
【実施例４】
【００４５】
図４は、本発明による有機ＥＬ表示装置の実施例４を説明するための有機ＥＬ素子の構成を示す要部拡大断面図であり、前述した図と同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。図４において、ガラス基板１上に設けた有機ＥＬ素子駆動用の薄膜トランジスタに接続されたＩＴＯからなる画素用カソード８上に電子輸送性の第１の物質と、これに対して電子供与性の第２の物質とを共蒸着により電子輸送性と電子供与性とを有する層７を形成する。
【００４６】
次に、この層７上に電子輸送性の材料の蒸着により、第４層６を形成し、この第４の層層６上に発光物質を含む第３の層（発光層）５を形成し、この第３の層５上にホール輸送性の第３の物質で第２の層４を形成し、この第２の層４上に電子輸送性の第１の物質とそれに対して電子供与性の第２の物質との共蒸着により形成される第１の層３を形成し、この第１の層３上にＩＺＯのスパッタにより上部アノード２を形成することで有機ＥＬ素子を構成した。
【００４７】
このような構成において、画素用カソード８に負、上部アノード２に正の電圧を電源Ｅから印加することにより、電流が流れ、有機ＥＬ素子が発光した。
【００４８】
なお、上記各層の膜厚は、上部アノード２が約２００ｎｍ、第１の層３が約２０ｎｍ、第２の層４が約５０ｎｍ、第３の層５が約６０ｎｍ、第４の層６が約１０ｎｍ、層７が約４０ｎｍ、画素用カソード８が約７０ｎｍであつた。
【比較例１】
【００４９】
図５は、本発明に係わる有機ＥＬ表示装置の比較例１を説明するための有機ＥＬ素子の構成を示す要部拡大断面図であり、前述した図と同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。図５において、ガラス基板１上に設けた有機ＥＬ駆動用の薄膜トランジスタに接続されたＩＴＯからなる画素アノード電極８上にホール輸送性の第３の物質で第２の層４を形成し、この第２の層４上に発光物質を含む第３の層５を形成し、この第３の層５の上に電子輸送性の材料の蒸着により、第４の層６を形成し、この第４の層６上に第１の層と同様な構成の層７を形成し、上部カソード２をＡｌの蒸着により形成することにより有機ＥＬ素子を構成した。この構成は従釆の構造であり、第１の層３は省略されている。
【００５０】
このような構成において、画素用アノード８に正、上部カソード２に負の電圧を電源Ｅから印加することにより、発光層５に電流が流れ、有機ＥＬ素子が発光した。
【００５１】
なお、各層の膜厚は、画素アノード８が約７０ｎｍ、第１の層３は無く、第２の層４が約８０ｎｍ、第３の層（発光層）５が約４０ｎｍ、層６が約１０ｎｍ、層７が約２０ｎｍ、上部カソード２が約２００ｎｍであった。
【００５２】
図６は、第１の物質としてトリス（５−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム、第２の物質としてセシウムを用い、第３の物質としてＶ2Ｏ5と芳香族三級アミンとを約５５ｎｍを積層し、第３の層（発光層）５のホストにカルバゾール誘導体、ドーパントにイリジウム錯体を用いた場合の輝度−電圧特性を示した。
【００５３】
図７は、上記各実施例及び比較例について、電流輝度効率−電圧特性をそれぞれ示したものである。また、図８は、上記各実施例及び比較例について、約４０℃、電流密度約２０ｍＡ／ｃｍ2で有機Ｅｌ素子を長時間点灯した場合の電圧変化をそれぞれ示したものである。
【００５４】
なお、第１の層３は、共蒸着により第１の物質に対し、重量比で約２０％の第２の物質を含む層として形成した。第３の層（発光層）５はホストに対し、ドーパントは重量比で約２％となるように共蒸着により形成した。
【００５５】
これらの図６乃至図８から明らかなように有機ＥＬ素子を長時間点灯させたときの電圧の上昇は、比較例１に対比して明らかに小さく、本発明の効果が現れている。
【００５６】
このような各実施例の構成によれば、有機ＥＬ駆動用の薄膜トランジスタを含む有機ＥＬ素子を形成するガラス基板１上に設けた第３の層（発光層）５の画素電極の微妙な仕事関数の変化に依存されずに安定した電気−光変換特性を有する有機ＥＬ素子を形成することが可能となり、色斑のない美しい画像を得ることができる。
【００５７】
また、第３の層５の長期間の発光に伴う電圧上昇が抑制されるので、信頼性の高い有機ＥＬ素子が得られる。また、ホール輸送側に抵抗値の低い電子輸送材料とアルカリ金属との共蒸着層を設けることが可能となり、膜厚を厚くすることにより、電極表面の凹凸に起因した電極間の短絡を防止でき、さらには、抵抗値の増加を伴うことなく、電極と発光面との距離調節することが可能となるので、光の干渉効果により、取り出す光の色合いを調整することができる。
【００５８】
また、前述した実施例においては、有機ＥＬ素子を搭載する有機ＥＬ表示装置について説明したが、本発明の構成は、有機ＥＬ素子を搭載したＴＶ，ＰＣモニタ，ノート型ＰＣ，ＰＤＡ，携帯電話器，デジタルスチルカメラ，デジタルビデオカメラまたはカーナビ用モニタ等の全般に適用できることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明による有機ＥＬ表示装置の実施例１を説明するための有機ＥＬ素子の構成を示す要部拡大断面図である。
【図２】本発明による有機ＥＬ表示装置の実施例２を説明するための有機ＥＬ素子の構成を示す要部拡大断面図である。
【図３】本発明による有機ＥＬ表示装置の実施例３を説明するための有機ＥＬ素子の構成を示す要部拡大断面図である。
【図４】本発明による有機ＥＬ表示装置の実施例４を説明するための有機ＥＬ素子の構成を示す要部拡大断面図である。
【図５】本発明に係わる有機ＥＬ表示装置の比較例１を説明するための有機ＥＬ素子の構成を示す要部拡大断面図である。
【図６】本発明による有機ＥＬ表示装置の各実施例及び比較例１の輝度−電圧特性を示す図である。
【図７】本発明による有機ＥＬ表示装置の各実施例及び比較例１の電流輝度効率を示す図である。
【図８】本発明による有機ＥＬ表示装置の各実施例及び比較例１の長時間点灯した場合の電圧変化を示す図である。
【符号の説明】
【００６０】
１・・・ガラス基板、２・・・第１の電極（アノード）、３・・・第１の層、４・・・第２の層、５・・・第３の層（発光層）、６・・・第４の層、７・・・層、８・・・第２の電極（カソード）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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