(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面の埃粒子に対して親和性を有する第１のテンプレートを前記基板の表面に接触させるステップと、
前記基板の表面から前記第１のテンプレートを除去するステップと、
前記基板の表面の少なくとも一部にレジストを提供するステップと、
第２のテンプレートを使用して前記レジストをパターニングするステップと、
前記レジストを硬化させるステップと、
を備える方法。
【請求項２】
基板の表面の埃粒子に対して親和性を有する第１のテンプレートを前記基板の表面に接触させるステップと、
前記基板の表面から前記第１のテンプレートを除去するステップと、
前記基板の表面に平坦化層をコーティングするステップと、
前記平坦化層の少なくとも一部にレジストを提供するステップと、
第２のテンプレートを使用して前記レジストをパターニングするステップと、
前記レジストを硬化させるステップと、
を備える方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願の相互参照
本出願は、２００５年１１月４日出願の米国仮出願第６０／７３３，２０９号の利益を主張するものである。この仮出願は、参照によりそのすべてが本明細書に組み込まれる。
【０００２】
本発明はインプリントリソグラフィに関し、たとえば、インプリントリソグラフィに使用するためのテンプレートおよび光源に関する。
【背景技術】
【０００３】
リソグラフィ装置は、基板のターゲット部分に所望のパターンを適用するマシンである。リソグラフィ装置は、従来、たとえば集積回路（ＩＣ）、フラットパネルディスプレイ、および微細構造を必要とする他のデバイスの製造に使用されている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
リソグラフィパターンのフィーチャは、所与の基板領域におけるフィーチャの密度をより高密度にすることができるため、そのサイズを小さくすることが望ましい。フォトリソグラフィの場合、より短い波長の光を使用することによって優れた解像度が得られる。しかしながら、このようなサイズの縮小には問題がある。現在のシステムは、１９３ｎｍレジーム(regime)の波長の光源を採用し始めているが、このレベルにおいても回折限界が障害になっている。解像度を改善することができるフォトリソグラフィマシンには、通常、複雑な光学系、貴重な材料および／または厄介な技法が必要であり、したがってこれらのシステムは、どちらかと言えば高価である。
【０００５】
インプリントリソグラフィとしても知られている、微小フィーチャをプリントするための代替案には、物理的なモールドまたはテンプレートを使用してインプリント可能媒体にパターンをインプリントすることによって基板にパターンを転送するステップが含まれている。インプリント可能媒体は、基板であっても、あるいは基板の表面に被覆された材料であってもよい。また、インプリント可能媒体は、機能的なものであってもよく、あるいは下にある表面にパターンを転送するための「マスク」として使用することも可能である。インプリント可能媒体は、たとえば、テンプレートによって画定されたパターンが転送される、半導体材料などの基板に付着したレジストとして提供することができる。したがってインプリントリソグラフィの場合、基板に生成されるパターンは、主としてテンプレートのトポグラフィによって画定される。
【０００６】
いわゆるＵＶインプリントリソグラフィの場合、テンプレートを通過した放射で照射することによってインプリント可能媒体を硬化させることができる。ＵＶインプリントに使用されるテンプレートは、放射に対する透明性および硬さのため、クォーツを使用して構築されることがしばしばである。しかしながら、クォーツテンプレートには、製造および複製が厄介であるという欠点がある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
一実施形態では、解像度が２００ｎｍ未満のパターンを有する高分子表面を備えたインプリントテンプレートが提供される。この高分子表面は架橋高分子表面(crosslinked polymeric surface)である。
【０００８】
一実施形態では、解像度が２００ｎｍ未満のパターンを有する表面を備えたインプリントテンプレートが提供される。この表面は、モノマーがグラフト(graft)された高分子表面である。
【０００９】
一実施形態では、インプリントテンプレートと、感光性材料を硬化させるための放射源とを備えたリソグラフィ装置が提供される。放射源は、レーザまたは発光ダイオードを備えている。
【００１０】
一実施形態では、パターン化された表面を有する、ＵＶインプリントリソグラフィにおける使用に適したテンプレートが提供される。パターン化された表面は高分子表面である。
【００１１】
一実施形態では、解像度が２００ｎｍ未満のパターンを有する高分子表面を備えたインプリントテンプレートが提供される。この高分子表面には、エラストマおよびゴムは存在していない。
【００１２】
また、
基板の表面を第１のテンプレートに接触させるステップと、
表面から第１のテンプレートを除去するステップと、
表面に平坦化層をコーティングすることを任意に行うステップと、
前記基板または前記平坦化層の少なくとも一部にレジストを提供するステップと、
第２のテンプレートを使用してレジストをパターニングするステップと、
レジストを硬化させるステップと
を有する方法が提供される。
【００１３】
さらに、
基板に平坦化層をコーティングすることを任意に行うステップと、
前記基板または前記平坦化層のターゲット部分にレジストをコーティングするステップと、
高分子表面を有するテンプレートを使用してレジストをパターニングするステップであって、前記高分子表面が、少なくとも５０のショアＤ硬度を有しおよび／または破壊時の伸びが最大１５０％である材料からなるステップと、
ターゲット部分に到達する前に前記高分子表面を通過した放射に露光することによってターゲット部分を硬化させるステップと
を有する方法が提供される。
【００１４】
また、上記装置および方法を使用して準備された製品が提供される。
【００１５】
以下、単なる実施例にすぎないが、本発明の実施形態について、添付の略図を参照して説明する。図において、対応する参照記号は、対応する部品を表している。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明はインプリントリソグラフィに関している。インプリントリソグラフィの例には、たとえばソフトインプリントリソグラフィ、ホットエンボスインプリントリソグラフィおよびＵＶインプリントリソグラフィがある。図１ａ〜図１ｃは、これらの技法の各々の例を略図で示したものである。
【００１７】
図１ａは、フレキシブルテンプレート１０（たとえばポリジメチルシロキサン（polydimethlysiloxane ＰＤＭＳ）から製造されたテンプレート）から、基板１２と平坦化および転送層(planarization and transfer layer)１２’の上に支持されているレジスト層１３へ、分子１１（たとえばチオールなどのインク）の層を転送する必要があるソフトインプリントリソグラフィプロセスの一例を示したものである。テンプレート１０は、その表面にフィーチャのパターンを有しており、該フィーチャの上に分子層が配置されている。テンプレートがレジスト層に押し付けられると、分子１１の層がレジストに付着する。レジストからテンプレートが除去されると、分子１１の層がレジストの上に残り、転送された分子層で覆われていないレジスト領域が基板までエッチングされるよう、レジストの残留層にエッチングが施される。たとえば国際公開０３／０９９４６３号も参照されたい。
【００１８】
ホットインプリントリソグラフィ（すなわちホットエンボス）には、通常、より硬質の、たとえばケイ素またはニッケル製のテンプレートが使用されている。これらの材料は、一般に、たとえばＰＤＭＳより優れた耐摩耗性および耐変形性を有している。たとえば米国特許第６，４８２，７４２号も参照されたい。図１ｂを参照すると、基板１２の表面に鋳造された熱硬化性または熱可塑性の高分子樹脂１５にソリッドテンプレート１４がインプリントされる。高分子樹脂は、たとえば、基板の表面、より典型的には（図に示す実施例のように）平坦化および転送層１２’の上にスピン塗布し、かつ、焼き付けることができる。
【００１９】
熱硬化性高分子樹脂を使用する場合、熱硬化性高分子樹脂は、テンプレートに接触した場合に、テンプレート上に画定されているパターンフィーチャに熱硬化性高分子樹脂が流入するだけの十分な流動性を有する温度まで加熱される。次に、熱硬化性高分子樹脂を熱硬化（たとえば架橋）させるために熱硬化性高分子樹脂の温度が高められ、それにより熱硬化性高分子樹脂が凝固して所望のパターンが得られる。次にテンプレートが除去され、パターン化された樹脂が冷却される。
【００２０】
ホットインプリントリソグラフィプロセスに使用される熱可塑性高分子樹脂の例は、ポリ（メタクリル酸メチル）、ポリスチレン、ポリ（メタクリル酸ベンジル）またはポリ（メタクリル酸シクロヘキシル）である。熱可塑性樹脂は、熱可塑性樹脂を軟化させるために、その熱可塑性樹脂のガラス転移温度より高い温度に加熱される。軟化した樹脂にテンプレートが押し付けられ、テンプレート上に画定されているパターンフィーチャに熱可塑性樹脂が確実に流入するよう、十分な圧力が印加される。次に、所定の位置にテンプレートを備えた状態でそのガラス転移温度より低い温度まで熱可塑性樹脂が冷却され、熱可塑性樹脂が硬化すると所望のパターンが得られる。このパターンは、パターンフィーチャのみを残すために次に適切なエッチングプロセスによって除去される熱可塑性樹脂の残留層からのレリーフ中のフィーチャからなっている。
【００２１】
図１ｃは、ＵＶインプリントプロセスの一例を示したものである。ＵＶ硬化性樹脂１７にテンプレート１６が適用されている。ＵＶ硬化性樹脂を硬化させるために、ＵＶ光がテンプレートを介してＵＶ硬化性樹脂に照射される。特定のタイプのＵＶインプリント技法は、ステップアンドフラッシュインプリントリソグラフィ（Step and Flash Imprint Lithography ＳＦＩＬ）である。このインプリント技法を使用することにより、ＩＣの製造に従来から使用されている光ステッパと類似した方法で、微小ステップで基板をパターン化することができる。この技法には、テンプレートをＵＶ硬化性樹脂にインプリントすることによって基板の微小領域を１度ずつ印刷するステップ、テンプレートの下方のＵＶ硬化性樹脂を硬化させるために、テンプレートを介してＵＶ光を「フラッシング」するステップ、テンプレートを除去するステップ、基板の隣接する領域に移行するステップ、および以上の操作を繰り返すステップが必要である。このようなステップアンドリピートプロセスはその視野サイズが微小であり、パターンひずみおよびＣＤ変化の最小化を促進することができるため、ＳＦＩＬは、集積回路および比較的高いオーバレイ精度を必要とする他のデバイスの製造にとりわけ適している。たとえば、米国特許第６，３３４，９６０号、米国特許出願公開第２００４−０１２４５６６号、およびJ. Hasima, “Mold-assisted nanolithography: A process for reliable pattern replication,”J. Vac. Sci. Technol. B 14(6), Nov/Dec 1996も参照されたい。
【００２２】
固化した樹脂からテンプレートが除去されると、図２（ａ）から図２（ｃ）に示す２段階エッチングプロセスを実行することができる。基板２０は、図２（ａ）に示すように、その直ぐ上に平坦化および転送層２１を有している。平坦化および転送層の目的は２つある。平坦化および転送層は、テンプレートと樹脂の間の平行な接触の提供を補助する、テンプレートの表面に対して平行の表面を提供するように作用し、また、印刷フィーチャのアスペクト比を改善するように作用している。
【００２３】
テンプレートが除去されると、固化した樹脂の残留層２２が所望のパターンの形状で平坦化および転送層の上に残される。第１のエッチングは等方性エッチング（非選択的エッチング）であり、残留層２２の一部が除去され、それにより比較的貧弱なアスペクト比のフィーチャが得られる。図２（ｂ）に示すようにＬ１はフィーチャ２３の高さである。第２のエッチングは異方性（すなわち選択的）エッチングであり、アスペクト比が改善される。この異方性エッチングによって平坦化および転送層の凝固した樹脂で覆われていない部分が除去され、図２（ｃ）に示すように、フィーチャ２３のアスペクト比が（Ｌ２／Ｄ）まで増加する。結果として生じる、エッチング後の基板に残される高分子の厚さの差異は、インプリントされる高分子に十分な抵抗力がある場合、たとえばドライエッチングのためのマスクとして使用することができ、たとえばリフトオフプロセスにおけるステップとして使用することができる。
【００２４】
基板の表面に対して実質的に平行に維持される平らなテンプレートを使用したインプリントシステムの代替案として、ローラインプリントシステムを挙げることができる。これらのシステムは、ローラの上にテンプレートが形成される状況に関係している。インプリントプロセス全体は、テンプレートが回転すること以外、平らなテンプレートを使用したインプリントと極めて類似している。コンテキストが特に要求していない場合、インプリントテンプレートの参照にはローラテンプレートの参照が含まれる。
【００２５】
基板への樹脂の塗布に関しては、たとえばスピン塗布によって基板の表面全体に樹脂を塗布することができる。また、基板の表面に塗布する代わりに、あるいは基板の表面だけではなく、テンプレートの表面に樹脂を供給することも可能である。さらに、セクション毎に樹脂を供給することも可能である。たとえば基板全体にわたるインプリントが、単一ステップ、たとえばステップアンドフラッシュインプリントリソグラフィで実施されない場合、インプリントに先立つ樹脂の蒸発を最小化するためにはセクション毎に樹脂を塗布することが有利である。そのための手法の１つは、テンプレートを使用したインプリントの直前に、樹脂が、たとえばインクジェット付着によって基板のターゲット部分に液滴の状態で散布される「ドロップオンデマンド」(drop on demand)プロセスである。液体の散布は、特定の量の液体が基板の特定のターゲット部分に付着するように制御される。液体は、様々なパターンで散布することができ、また、液体の量およびパターンの配置を相俟って制御することにより、パターニングを目標領域に限定することができる。インクジェット散布を使用することにより、液体の量およびパターンの配置を容易に制御することができる。
【００２６】
以上の説明では、とりわけ、事実上レジストとして作用するインプリント可能樹脂を介して基板にテンプレートパターンを転送するためのインプリントリソグラフィの使用が参照されているが、一実施形態では、インプリント可能な材料自体が、たとえば、とりわけ導電率、光線形応答または光非線形応答などの機能を有する機能材料であってもよい。機能材料は、たとえば導電層、半導電層、誘電体層または他の望ましい機械的、電気的、フォトニックまたは光学的特性を有する層を形成することができる。また、いくつかの有機物質も適切な機能材料である。
【００２７】
図３は、テンプレート、インプリント可能な材料（硬化性モノマー、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂など）および基板の相対寸法の一例を示したものである。一実施形態では、硬化性樹脂層の厚さｔに対する基板の幅Ｄの比率は、たとえば１０６程度である。一実施形態では、たとえばテンプレートから突き出たフィーチャによる基板の損傷を回避するために、寸法ｔは、テンプレート上の突出フィーチャの深さより大きくなっている。一実施形態では、基板はウェーハであり、たとえば半導体ウェーハである。一実施形態では、ウェーハ材料は、Ｓｉ、ＳｉＧｅ、ＳｉＧｅＣ、ＳｉＣ、Ｇｅ、ＧａＡｓ、ＩｎＰおよびＩｎＡｓからなるグループから選択される。一実施形態では、ウェーハはＩＩＩ／Ｖ族化合物半導体ウェーハである。一実施形態では、ウェーハはシリコンウェーハである。一実施形態では、基板はセラミック基板である。一実施形態では、基板はガラス基板である。一実施形態では、基板はプラスチック基板である。
【００２８】
上で指摘したように、テンプレート表面のフィーチャの解像度は、基板に印刷されるフィーチャの達成可能解像度に対する制限要因である。ＵＶインプリントリソグラフィの場合、テンプレートは、通常、クォーツでできている。クォーツは、硬く、かつ、透明な材料であるという利点を有している。テンプレートは、通常、２段階プロセスで形成される。最初に、たとえば電子ビーム描画を使用して所望のパターンが作成され、高解像度パターンがレジストに付与される。次に、テンプレートのベース材料にパターンを転送するための最終異方性エッチングステップのためのマスクを形成している薄いクロム層にレジストパターンが転送される。たとえばイオンビームリソグラフィ、Ｘ線リソグラフィ、極ＵＶリソグラフィ、エピタキシャル成長、薄膜蒸着、化学エッチング、プラズマエッチング、イオンエッチングまたはイオンミリングなどの他の技法を使用することも可能である。
【００２９】
上の段落から明らかなように、クォーツテンプレートなどのテンプレートの製造は、どちらかと言えば複雑で、かつ、コストがかかる。たとえばオリジナルのテンプレートが一度完成すると、そのテンプレートの複製が比較的容易である場合、そのオリジナルを製造する複雑性およびコストは、ある程度相殺される。しかしながら、通常、クォーツテンプレートの複製は、結局は第２のオリジナルを製造しなければならないことになる。
【００３０】
一実施形態では、本発明により、インプリントされるパターンを備えた高分子表面を有するインプリントテンプレートが提供される。一実施形態では、パターンの解像度は、１ミクロン未満（つまりパターンが１ミクロン未満の幅の線を有する）であり、たとえば７００ｎｍ未満、５００ｎｍ未満、３００ｎｍ未満、２００ｎｍ未満、１００ｎｍ未満、６０ｎｍ未満、または３０ｎｍ未満である。一実施形態では、パターンの解像度は少なくとも２ｎｍであり、たとえば少なくとも４ｎｍ、少なくとも７ｎｍ、または少なくとも１０ｎｍである。
【００３１】
一実施形態では、テンプレートは、型として従来のテンプレート（たとえばクォーツテンプレート）を使用した成形プロセス、たとえば射出成形プロセスによって準備される。他の実施形態では、テンプレートは、たとえば従来のテンプレートを使用したエンボスによって準備される。
【００３２】
一実施形態では、高分子表面は、ポリメタクリル酸メチル（polymethlymethacrylate ＰＭＭＡ）、鎖状オレフィンポリマー（cyclic olefin polymer ＣＯＰ）、鎖状オレフィンコポリマー（cyclic olefin copolymer ＣＯＣ）、ポリカーボネートおよびポリスチレン（硬化ポリスチレンを含む）からなるグループから選択されるポリマーからなっている。たとえば２−ノルボルネンエチレンのコプリマーは、鎖状オレフィンコポリマーの一例である。商用商品名の例には、たとえばＡＣＲＹＬＩＴＥ  ＯＰ４（ＰＭＭＡ）、ＺＥＯＮＯＲ（ＣＯＰ）、ＺＥＯＮＥＸ（ＣＯＰ）およびＴＯＰＡＳ（ＣＯＣ）がある。
【００３３】
ポリマーの多くは、たとえばクォーツと比較するとＵＶに対する透明性に乏しく、および／またはそれらが透明である帯域幅が著しく狭い。したがってＵＶインプリントリソグラフィに広く使用されている水銀灯は、高分子インプリント表面を備えたテンプレートを使用する場合、必ずしも適切とは言えず、あるいは必ずしも好ましいとは言えない。一実施形態では、本発明により、レジストを硬化させるための放射源として１つまたは複数の発光ダイオード（ＬＥＤ）またはレーザ（たとえばレーザダイオードまたはエキシマレーザ）を備えたインプリントリソグラフィ装置が提供される。ＬＥＤの特徴は、たとえば、それらを波長に特化させることができること、多くの放出エネルギーを利用することができる（たとえば赤外線からＵＶに及ぶ範囲）こと、短い（たとえばナノ秒の）パルスを提供することができること、および／または比較的高い放射力（たとえば１Ｗ／ｃｍ２を超える）を提供することができることである。
【００３４】
図４は、放射源として発光ダイオード（ＬＥＤ）を使用した実施形態を示したものである。テンプレート１３０は、テンプレートホルダ１２０によって保持されており、基板１５０の上に提供されたレジスト層１４０に押し付けられている。ＬＥＤ１００からの放射は、光ファイバ１１０によってテンプレートホルダへ案内され、テンプレート１３０を通過した放射によってレジスト層１４０が硬化する。
【００３５】
図５は、放射源としてＬＥＤを使用したもう１つの実施形態を示したものである。この実施形態では、ＬＥＤ１００は、テンプレートホルダから離れた位置ではなく、テンプレートホルダ自体がＬＥＤ１００を備えている。図６に示す一実施形態では、テンプレートホルダは、さらに、ＬＥＤ１００からの放射を平行にするための１つまたは複数のレンズを備えている。１つまたは複数のコリメーティングレンズを提供することにより、迷光の回避を促進することができる。
【００３６】
図６は、テンプレートホルダ１２０が複数のＬＥＤ１００のアレイを備えた実施形態を示したものである。一実施形態では、これらのＬＥＤは類似しており、同じ波長の放射を提供している。一実施形態では、複数のＬＥＤのアレイは、異なる波長を放出するＬＥＤを備えている。波長が異なる複数のＬＥＤのアレイを有することは、場合によっては、使用されるテンプレートおよび／またはレジストに対する放射の同調に有用である。テンプレートホルダ１２０は、さらに、光を平行にするためのレンズアレイ１６０を備えている。
【００３７】
一実施形態では、インプリントリソグラフィ装置は複数のテンプレートを備えている。一実施形態では、インプリントリソグラフィ装置は複数のテンプレートホルダを備えている。
【００３８】
一実施形態では、放射源には、ガリウム窒化物、インジウムガリウム窒化物またはアルミニウムガリウム窒化物などの半導体材料が含まれている。一実施形態では、放射源には、キセノン塩化物またはキセノンフッ化物が含まれている。一実施形態では、放射源には、たとえばイットリウムアルミニウムガーネットの格子のネオジミウムイオンが含まれている。一実施形態では、放射源は、化学放射を提供している。一実施形態では、放射源は、波長の範囲が１９０〜５００ｎｍの放射、たとえば２５０〜４２５ｎｍまたは３００〜４１０ｎｍの放射を提供している。本出願は、「ＵＶインプリントリソグラフィ」に定期的に言及しているが、実際にはレジストの硬化に適した任意の形態の放射を使用することができ、したがってこのコンテキストにおける「ＵＶ」という用語は、他に明確な注釈がない場合、典型的なＵＶ波長の放射に限定されない。
【００３９】
選択する波長および放射力によって、レジストに使用される光開始剤の種類および濃度がある程度左右される。使用可能な光開始剤の例には、たとえばＬＵＣＩＲＩＮ  ＴＰＯ、ＩＲＧＡＣＵＲ  ７８４およびＩＲＧＡＣＵＲ  ８１９がある。
【００４０】
一実施形態では、高分子表面は架橋表面である。架橋によって、硬さが増した高分子表面の提供が補助される。架橋表面を提供する方法は様々である。たとえば、一実施形態では、高分子表面は熱可塑性表面であり、架橋は、表面をγ放射に露光することによって実施される。他の実施形態では、反応射出成形（Reaction Injection Molding ＲＩＭ）によって架橋が提供される。したがって架橋可能樹脂がモールド（たとえば従来のテンプレート）に注入され、in-situ架橋される（たとえば熱を提供することによって）。反応射出成形には、最初に注入される成分（つまり架橋する前の樹脂）の粘性が比較的小さく、容易にモールドのパターンへ浸透させることができる利点がある。他の実施形態では、たとえばサーモプラストを使用した射出成形に先立って、架橋可能樹脂（たとえばスチレン／ジビニルベンゼン樹脂、ポリアクリラート樹脂、エポキシ樹脂、アクリラート／エポキシ樹脂など）の薄い層（たとえば、５０ミクロン未満、２５ミクロン未満、１０ミクロン未満または５ミクロン未満などの１００ミクロン未満の薄い層）がモールド（たとえば従来のテンプレート）の上に提供される。射出成形の前にこの薄い層が硬化され、比較的硬い保護層がサーモプラストに提供される。
【００４１】
一実施形態では、テンプレートの高分子表面は、たとえば、本質的に、少なくとも５０のショアＤ硬度（ＡＳＴＭ  Ｄ２２４０）を有する材料（たとえば少なくとも６０、少なくとも７０、少なくとも８０のショアＤ硬度、あるいは少なくとも１００、少なくとも１１０または少なくとも１２０のロックウェルＲ硬度（ＡＳＴＭ  Ｄ７８５）の材料）からなっている。
【００４２】
一実施形態では、テンプレートの高分子表面は、たとえば、本質的に、破壊に至る伸び（ＡＳＴＭ  Ｄ６３８）が最大２００％、たとえば最大１５０％、最大１００％、最大７５％、最大５０％、最大２５％、最大１０％または最大５％の材料からなっている。
【００４３】
一実施形態では、インプリントされるパターンを備えたテンプレートの領域には、本質的に、クォーツ、ニッケル、ケイ素および／またはポリジメチルシロキサンは存在していない。一実施形態では、インプリントされるパターンを備えたテンプレートの領域には、本質的に、エラストマおよびゴムは存在していない。
【００４４】
一実施形態では、テンプレートは、（ｉ）インプリントされるパターンを備えた高分子層、および（ｉｉ）高分子層が提供されるセラミック、たとえばクォーツ、のボディを備えている。
【００４５】
一実施形態では、たとえば表面への分子のグラフティングによって高分子表面が機能化されている。高分子表面に分子をグラフティングする技術に関しては、たとえばRohr et al., “Surface Functionalization of Thermoplastic polymers for the Fabrication of Microfluidic Devices by Photoinitiated Grafting,”Advanced Functional Materials, 2003, 13, No.4, pp.264-270を参照されたい。高分子表面にグラフトされた分子によって、たとえば表面の固着防止特性を改善することができる。一実施形態では、オレフィン分子および／またはハロゲン化分子、たとえばＣ４−Ｃ３０アルキルアクリレートまたはフッ化Ｃ４−Ｃ３０アルキルアクリレートなどのアルキルモノマーまたはフッ化アルキルモノマーで、高分子表面が機能化されている。特定の例には、たとえばフッ化アルキルクロロシラン（たとえばＣＦ３（ＣＦ２）６（ＣＨ２）２ＳｉＣｌ３，２，２，３，３，４，４，４，−ヘプタフルオロブチルアクリレート、パーフルオロオクチルアクリレート、ブチルアクリレート、オクチルアクリレート、ラウリルアクリレートまたはステアリルアクリレート）がある。
【００４６】
さらに、
基板にレジストの層をコーティングするステップと、
前記レジストのターゲット部分に高分子表面を有するテンプレートを押し付けるステップであって、前記高分子表面が、少なくとも５０のショアＤ硬度を有し、および／または破壊時の伸びが最大１５０％である材料からなるステップと、
前記レジストに到達する前に前記高分子表面を通過した放射にレジストの層を露光することによって前記レジストを硬化させるステップと
を有する方法が提供される。
【００４７】
一実施例では、
基板の表面を第１のテンプレートに接触させるステップと、
表面から第１のテンプレートを除去するステップと、
表面に平坦化層をコーティングすることを任意に行うステップと、
前記基板または前記平坦化層の少なくとも一部にレジストを提供するステップと、
第２のテンプレートを使用してレジストをパターニングするステップと、
レジストを硬化させるステップと
を有する方法が提供される。
【００４８】
一実施例では、第１のテンプレートは埃に対して親和性(affinity)があり、したがって第１のテンプレートと基板が接触すると（引き続いて基板から第１のテンプレートが除去されると）、第１のテンプレートは、基板の表面を浄化する手順として作用する。この作用により、たとえばあらゆる埃粒子による第２のテンプレートのパターンの損傷を回避することができる。
【００４９】
本発明による装置、テンプレートおよび方法は、広範囲にわたる様々なアプリケーションに使用することができる。たとえば、一実施形態では、本発明による装置、テンプレートおよび方法は、たとえばＩＣの製造に使用することができる。一実施形態では、本発明による装置、テンプレートおよび方法は、たとえば磁気記憶媒体の製造に使用することができる。一実施形態では、本発明による装置、テンプレートおよび方法は、たとえば薄膜磁気ヘッドの製造に使用することができる。一実施形態では、本発明による装置、テンプレートおよび方法は、たとえば集積光学系の製造に使用することができる。一実施形態では、本発明による装置、テンプレートおよび方法は、たとえばフォトニクスの製造に使用することができる。一実施形態では、本発明による装置、テンプレートおよび方法は、たとえば磁気ドメインメモリのための誘導および検出パターンの製造に使用することができる。一実施形態では、本発明による装置、テンプレートおよび方法は、たとえば液晶ディスプレイの製造に使用することができる。一実施形態では、本発明による装置、テンプレートおよび方法は、たとえば、バイオメディカルデバイス、たとえばＤＮＡチップの製造に使用することができる。一実施形態では、本発明による装置、テンプレートおよび方法は、たとえば微小電気機械デバイス（ＭＥＭＳ）の製造に使用することができる。
【００５０】
以上、本発明の特定の実施形態について説明したが、当業者には本発明に対する多くの改変が容易に明らかであろうことは理解されよう。したがって本発明は、特許請求の範囲のスピリットおよび範囲によってのみ制限されるものとする。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１ａ】ＵＶインプリントリソグラフィプロセスの一例を示す略図である。
【図１ｂ】ＵＶインプリントリソグラフィプロセスの一例を示す略図である。
【図１ｃ】ＵＶインプリントリソグラフィプロセスの一例を示す略図である。
【図２】２段階エッチングプロセスの一例を示す略図である。
【図３】テンプレートおよび基板に付着したインプリント可能レジスト層の一例を示す略図である。
【図４】本発明の一実施形態によるテンプレートホルダおよび放射源の一例を示す略図である。
【図５】本発明の一実施形態による、放射源を備えたテンプレートホルダの一例を示す略図である。
【図６】本発明の一実施形態による、放射源を備えたテンプレートホルダの一例を示す略図である。
【図１ａ】
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【図１ｂ】
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【図１ｃ】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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