(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
チップ抵抗器の製造方法であって、
チップ抵抗器における絶縁基板の素体となる基板素体で、該絶縁基板の複数個分の大きさを少なくとも有し、焼成済みの基板素体の上面に、一次分割用のスリットである一次スリットと二次分割用のスリットである二次スリットとをレーザースクライブにより形成し、レーザースクライブをすることにより、基板素体の上面の一次スリットと二次スリットに沿った両側に、レーザー照射により溶融した基板材料が盛り上がって再焼結することにより基板素体の上面よりも上方に突出する突堤部を形成するスリット形成工程で、レーザースクライブにおけるレーザー方式をＹＡＧレーザー、波長を１０００〜１１００ｎｍ、出力を７〜９Ｗ、Ｑレートを４０〜６０ｋＨｚ、加工速度を６０〜８０ｍｍ／ｓとすることにより３〜１０μｍの高さの突堤部を形成するスリット形成工程と、
基板素体の上面に一次スリット及び二次スリットに近接させて抵抗体を形成する抵抗体形成工程で、抵抗体ペーストを印刷した後に乾燥及び焼成することにより抵抗体を形成する抵抗体形成工程と、上面電極ペーストを印刷した後に乾燥及び焼成することにより抵抗体の両側の上面に積層して接続された上面電極を形成する上面電極形成工程で、抵抗体において上面電極が接続される両側を結ぶ方向である電極間方向には、電極間方向に隣り合うチップ抵抗器間の一次スリットを跨ぐとともに該電極間方向に隣り合うチップ抵抗器の各抵抗体に接続する上面電極を形成する上面電極形成工程とを有する抵抗体・上面電極形成工程で、抵抗体における上面電極に接続していない領域の電極間方向の長さである抵抗体の有効長をチップ抵抗器として基板素体が分割された状態となった絶縁基板の電極間方向の長さの７０％以上９５％以下となり、かつ、抵抗体における電極間方向と直角方向である幅方向の長さをチップ抵抗器として基板素体が分割された状態となった絶縁基板の幅方向の長さの８０％以上９５％以下となるように、抵抗体と上面電極とを形成する抵抗体・上面電極形成工程と、
抵抗体のトリミング時の熱衝撃を緩和するためのカバーコートを形成するカバーコート形成工程で、電極間方向には抵抗体の長さよりも短く形成するとともに、電極間方向と直角方向に複数のチップ抵抗器分の領域に帯状にカバーコートを形成することにより、各チップ抵抗器におけるカバーコートの電極間方向と直角方向である幅方向の長さをチップ抵抗器として基板素体が分割された状態となった絶縁基板の幅方向の長さと略同一となるようにカバーコートを形成するカバーコート形成工程と、
抵抗体にトリミングを行って抵抗体の抵抗値を調整する抵抗値調整工程と、
抵抗値調整工程の後に、カバーコートの領域と抵抗体における上面電極及びカバーコートに被覆されていない領域と上面電極の内側の領域とを被覆する保護膜を形成する保護膜形成工程で、電極間方向と直角方向に複数のチップ抵抗器分の領域に帯状に保護膜を形成することにより、各チップ抵抗器における保護膜の電極間方向と直角方向である幅方向の長さをチップ抵抗器として基板素体が分割された状態となった絶縁基板の幅方向の長さと略同一となるように保護膜を形成する保護膜形成工程と、
基板素体を一次スリットに沿って分割する一次分割工程と、
基板素体を分割してなる短冊状基板の電極間方向の側面に側面電極用ペーストを印刷して乾燥し、その後、硬化又は焼成することにより側面電極を形成する側面電極形成工程で、側面電極の上側部分が、上面電極における保護膜に被覆されていない領域と保護膜の電極間方向の端部領域とを被覆し、側面電極の上側部分の内側の端部が上面電極の内側の端部よりも内側位置となるように側面電極を形成する側面電極形成工程と、
短冊状基板を二次スリットに沿って分割する二次分割工程と、
側面電極に対してメッキを行なうメッキ工程と、
を有することを特徴とするチップ抵抗器の製造方法。
【請求項２】
カバーコート形成工程において、ガラスペーストを印刷し焼成することによりカバーコートを形成し、保護膜形成工程において、樹脂ペーストを印刷した後に乾燥及び硬化させることにより保護膜を形成することを特徴とする請求項１に記載のチップ抵抗器の製造方法。
【請求項３】
チップ抵抗器であって、
略直方体形状の絶縁基板で、その上面の周縁に沿って、チップ抵抗器の製造過程において、絶縁基板の複数個分の大きさを少なくとも有し、焼成済みの基板素体の上面に、一次分割用のスリットである一次スリットと二次分割用のスリットである二次スリットとをレーザースクライブにより形成し、該レーザースクライブにおけるレーザー方式をＹＡＧレーザー、波長を１０００〜１１００ｎｍ、出力を７〜９Ｗ、Ｑレートを４０〜６０ｋＨｚ、加工速度を６０〜８０ｍｍ／ｓとしてレーザースクライブをすることにより、基板素体の上面の一次スリットと二次スリットに沿った両側に、レーザー照射により溶融した基板材料が盛り上がって再焼結することにより形成された突堤部で、絶縁基板の上面の周縁に沿って絶縁基板の上面よりも上方に突出し３〜１０μｍの高さを有する突堤部を有する絶縁基板と、
絶縁基板の上面に形成され、絶縁基板における辺部で抵抗体において上面電極が接続される両側を結ぶ方向である電極間方向の辺部と電極間方向と直角方向の辺部とに近接して形成された抵抗体で、抵抗体ペーストを印刷した後に乾燥及び焼成することにより形成された抵抗体と、
抵抗体の両側の上面に積層して接続され、電極間方向において抵抗体と接続する側とは反対側の端部が絶縁基板の端部にまで形成された上面電極で、上面電極ペーストを印刷した後に乾燥及び焼成することにより形成された上面電極と、
抵抗体のトリミング時の熱衝撃を緩和するためのカバーコートで、電極間方向には抵抗体の長さよりも短く形成されるとともに、電極間方向と直角方向である幅方向には絶縁基板の幅方向の長さと略同一の長さを有するカバーコートと、
カバーコートの領域と抵抗体における上面電極及びカバーコートに被覆されていない領域と上面電極の内側の領域とを被覆する保護膜で、幅方向には絶縁基板の幅方向の長さと略同一の長さを有する保護膜と、
絶縁基板の側面に形成されるとともに、上面電極における保護膜に被覆されていない領域と保護膜の電極間方向の端部領域を被覆するとともに、側面電極の内側の端部が、上面電極の内側の端部よりも内側に位置している側面電極で、側面電極用ペーストを印刷して乾燥し、その後、硬化又は焼成することにより形成された側面電極と、
側面電極の表面に形成されたメッキと、を有し、
抵抗体における上面電極に接続していない領域の電極間方向の長さである抵抗体の有効長が絶縁基板の電極間方向の長さの７０％以上９５％以下であり、かつ、抵抗体における電極間方向と直角方向である幅方向の長さが絶縁基板の幅方向の長さの８０％以上９５％以下であることを特徴とするチップ抵抗器。
【請求項４】
カバーコートが、ガラスペーストを印刷し焼成することにより形成され、保護膜が、樹脂ペーストを印刷した後に乾燥及び硬化させることにより形成されていることを特徴とする請求項３に記載のチップ抵抗器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、チップ抵抗器とその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、チップ抵抗器を製造する際に、予め一次スリットと二次スリットとが形成された基板に抵抗体や電極部を形成する方法を用いるのが一般的である。
【０００３】
すなわち、図７に示すような構成のチップ抵抗器Ｂを製造する方法としては、図８に示す方法により形成され、まず、上面に一次スリットと二次スリットが予め形成されている無垢のアルミナ基板（このアルミナ基板は、複数のチップ抵抗器の絶縁基板の大きさを少なくとも有する大判のものである）を用意し、このアルミナ基板の裏面に下面電極を形成する（Ｓ１１１）。その後、アルミナ基板の上面に上面電極を形成し（Ｓ１１２）、さらに、アルミナ基板の上面に抵抗体を形成する（Ｓ１１３）。その後、カバーコートを形成した（Ｓ１１４）後に、抵抗体のトリミングを行い（Ｓ１１５）、保護膜を形成する（Ｓ１１６）。その後、一次スリットに沿って基板を分割した（Ｓ１１７）後に、側面電極を形成し（Ｓ１１８）、二次スリットに沿って分割し（Ｓ１１９）、その後、メッキを行って（Ｓ１２０）チップ抵抗器を製造する。
【０００４】
上記の方法によって製造されたチップ抵抗器Ｂは、絶縁基板１０と、抵抗体２０と、上面電極３０と、下面電極４０と、側面電極５０と、メッキ６０と、カバーコート７０と、保護膜８０とを有しており、メッキ６０は、ニッケルメッキ６２と、錫メッキ６４の２層により形成されている。
【０００５】
また、近時、チップ抵抗器の小型化の要求が高まってきており、チップ抵抗器の小型化に伴い、抵抗体の有効面積を大きくすることが求められている。例えば、特許文献１に記載のチップ抵抗器においては、抵抗体の幅を絶縁性基板の幅の約７０％として抵抗体の有効幅を一般の場合よりも長くしている。
【０００６】
また、特許文献２には、チップ型抵抗器の製造に際して、絶縁基板への抵抗体ペーストのスクリーン印刷後に印刷した抵抗体ペーストに滲みやダレを生じないようにするために、抵抗体配設面に一対の互いに平行なガイド壁を突設する点が開示されている。
【特許文献１】特開２００４−２３００６号公報
【特許文献２】特開２００１−１１８７０３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、予めスリットが形成されたアルミナ基板は、平板状のグリーンシートの上面側に刃型を押し当てて、一次スリットと二次スリットとを形成した後に、該グリーンシートを焼成することによって得られるので、図９に示すように、一次スリットＳ１と二次スリットＳ２に歪みが生じてしまう。つまり、予めスリットが形成されたアルミナ基板は、一般的にスリットに歪みが生じている。
【０００８】
アルミナ基板の上面に抵抗体を形成する際に、抵抗体の幅方向（電極間方向とは直角の方向）に長く形成しようとすると、二次スリットに抵抗体ペーストが入り込んでしまう、いわゆるスリット落ちが生じてしまい、特に、上記のように、スリットに歪みがあるアルミナ基板を用いると、スリット落ちが生じやすくなってしまい、さらには、チップ抵抗器のサイズが小型になるほど、抵抗体の端部と二次スリットとの距離が短くなり、また、スリットの歪みの影響を強く受けるので、スリット落ちしやすくなる。特に、二次スリットに抵抗体がスリット落ちすると、トリミングを正確に行うことができなくなる。
【０００９】
抵抗体の二次スリットへのスリット落ちを防止するために、特許文献２のようにガイド壁を突設する方法も考えられるが、ガイド壁を形成する工程が別途必要になり、また、抵抗体を幅方向に長く形成しようとすると、ガイド壁を形成すること自体無理があり、ガイド壁それ自体がスリット落ちするおそれがある。
【００１０】
また、チップ抵抗器が小型化すると、その分抵抗体の長さが小さくなってしまい、良好な負荷特性、特に、耐サージ特性を十分得ることができないという問題がある。
【００１１】
そこで、本発明は、小型のチップ抵抗器を製造する場合でも、良好な負荷特性、特に、耐サージ特性を十分得ることができるチップ抵抗器の製造方法及びチップ抵抗器を提供するとともに、抵抗体のスリット落ちを防止することができ、スリット落ち防止のための工程が別途必要ないチップ抵抗器の製造方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は上記問題点を解決するために創作されたものであって、第１には、チップ抵抗器の製造方法であって、チップ抵抗器における絶縁基板の素体となる基板素体で、該絶縁基板の複数個分の大きさを少なくとも有し、焼成済みの基板素体の上面に、一次分割用のスリットである一次スリットと二次分割用のスリットである二次スリットとをレーザースクライブにより形成し、レーザースクライブをすることにより、基板素体の上面の一次スリットと二次スリットに沿った両側に、レーザー照射により溶融した基板材料が盛り上がって再焼結することにより基板素体の上面よりも上方に突出する突堤部を形成するスリット形成工程で、レーザースクライブにおけるレーザー方式をＹＡＧレーザー、波長を１０００〜１１００ｎｍ、出力を７〜９Ｗ、Ｑレートを４０〜６０ｋＨｚ、加工速度を６０〜８０ｍｍ／ｓとすることにより３〜１０μｍの高さの突堤部を形成するスリット形成工程と、基板素体の上面に一次スリット及び二次スリットに近接させて抵抗体を形成する抵抗体形成工程で、抵抗体ペーストを印刷した後に乾燥及び焼成することにより抵抗体を形成する抵抗体形成工程と、上面電極ペーストを印刷した後に乾燥及び焼成することにより抵抗体の両側の上面に積層して接続された上面電極を形成する上面電極形成工程で、抵抗体において上面電極が接続される両側を結ぶ方向である電極間方向には、電極間方向に隣り合うチップ抵抗器間の一次スリットを跨ぐとともに該電極間方向に隣り合うチップ抵抗器の各抵抗体に接続する上面電極を形成する上面電極形成工程とを有する抵抗体・上面電極形成工程で、抵抗体における上面電極に接続していない領域の電極間方向の長さである抵抗体の有効長をチップ抵抗器として基板素体が分割された状態となった絶縁基板の電極間方向の長さの７０％以上９５％以下となり、かつ、抵抗体における電極間方向と直角方向である幅方向の長さをチップ抵抗器として基板素体が分割された状態となった絶縁基板の幅方向の長さの８０％以上９５％以下となるように、抵抗体と上面電極とを形成する抵抗体・上面電極形成工程と、抵抗体のトリミング時の熱衝撃を緩和するためのカバーコートを形成するカバーコート形成工程で、電極間方向には抵抗体の長さよりも短く形成するとともに、電極間方向と直角方向に複数のチップ抵抗器分の領域に帯状にカバーコートを形成することにより、各チップ抵抗器におけるカバーコートの電極間方向と直角方向である幅方向の長さをチップ抵抗器として基板素体が分割された状態となった絶縁基板の幅方向の長さと略同一となるようにカバーコートを形成するカバーコート形成工程と、抵抗体にトリミングを行って抵抗体の抵抗値を調整する抵抗値調整工程と、抵抗値調整工程の後に、カバーコートの領域と抵抗体における上面電極及びカバーコートに被覆されていない領域と上面電極の内側の領域とを被覆する保護膜を形成する保護膜形成工程で、電極間方向と直角方向に複数のチップ抵抗器分の領域に帯状に保護膜を形成することにより、各チップ抵抗器における保護膜の電極間方向と直角方向である幅方向の長さをチップ抵抗器として基板素体が分割された状態となった絶縁基板の幅方向の長さと略同一となるように保護膜を形成する���護膜形成工程と、基板素体を一次スリットに沿って分割する一次分割工程と、基板素体を分割してなる短冊状基板の電極間方向の側面に側面電極用ペーストを印刷して乾燥し、その後、硬化又は焼成することにより側面電極を形成する側面電極形成工程で、側面電極の上側部分が、上面電極における保護膜に被覆されていない領域と保護膜の電極間方向の端部領域とを被覆し、側面電極の上側部分の内側の端部が上面電極の内側の端部よりも内側位置となるように側面電極を形成する側面電極形成工程と、短冊状基板を二次スリットに沿って分割する二次分割工程と、側面電極に対してメッキを行なうメッキ工程と、を有することを特徴とする。
【００１３】
この第１の構成のチップ抵抗器によれば、抵抗体の有効長が絶縁基板の長さの７０％以上９５％以下で、抵抗体の有効幅が絶縁基板の幅の８０％以上９５％以下となるので、耐サージ特性を十分得ることができ、特に、抵抗体の有効長や有効幅を長く形成しても、絶縁基板の上面の周縁にはレーザースクライブによりスリットを形成することにより突堤部が設けられるので、抵抗体のスリット落ち（特に、二次スリット落ち）を防止することができる。また、焼成済みの基板素体にスリットを形成するので、スリットの歪みを防止でき、これによっても、抵抗体のスリット落ちを防止でき、チップ抵抗器が小型化しても抵抗体のスリット落ちを防止できる。また、スリットを形成する工程で同時に突堤部を形成するので、別途スリット落ちを防止するための工程が必要とならない。
【００１４】
また、上面電極が抵抗体の上面に積層して接続するので、トリミングに際して抵抗値計測用のプローブ（端子）を接触させる面積を十分確保することができ、正確にトリミングを行なうことができる。また、側面電極の上側部分の内側の端部が上面電極の内側の端部よりも内側になるように形成されているので、抵抗体が電極間方向に長くなっても側面電極の密着力を上げることができ、プリント基板に実装した際にプリント基板が大きく撓んだ場合であっても電極部が剥がれるのを防止することができる。側面電極と保護膜の接着面積が大きいので、腐食ガスが側面電極と保護膜の界面から侵入しにくくなり、上面電極や抵抗体の腐食を防止することができる。
【００１５】
また、上記カバーコート形成工程においては、一次スリットの方向と平行な方向であるカバーコート形成方向に帯状に形成し、該カバーコート形成方向にチップ抵抗器複数個分を有する形成領域に一度にカバーコートを形成するのが好ましい。このように、帯状にカバーコートを形成することにより、幅方向に従来よりも大きく形成された抵抗体を幅方向に確実に被覆することができる。
【００１６】
また、レーザースクライブにおいて、レーザー方式をＹＡＧレーザー、波長を１０００〜１１００ｎｍ、出力を７〜９Ｗ、Ｑレートを４０〜６０ｋＨｚ、加工速度を６０〜８０ｍｍ／ｓとしてレーザースクライブすることにより、突堤部を高く形成することができ、よりスリット落ちを防止することができる。
【００１７】
また、第２には、上記第１の構成において、カバーコート形成工程において、ガラスペーストを印刷し焼成することによりカバーコートを形成し、保護膜形成工程において、樹脂ペーストを印刷した後に乾燥及び硬化させることにより保護膜を形成することを特徴とする。
【００１９】
また、上記保護膜形成工程においては、一次スリットの方向と平行な方向である保護膜形成方向に帯状に形成し、該保護膜形成方向にチップ抵抗器複数個分を有する形成領域に一度に保護膜を形成するのが好ましい。このように、帯状に保護膜を形成することにより、幅方向に従来よりも大きく形成された抵抗体を幅方向に確実に被覆することができる。
【００２０】
また、第３には、チップ抵抗器であって、略直方体形状の絶縁基板で、その上面の周縁に沿って、チップ抵抗器の製造過程において、絶縁基板の複数個分の大きさを少なくとも有し、焼成済みの基板素体の上面に、一次分割用のスリットである一次スリットと二次分割用のスリットである二次スリットとをレーザースクライブにより形成し、該レーザースクライブにおけるレーザー方式をＹＡＧレーザー、波長を１０００〜１１００ｎｍ、出力を７〜９Ｗ、Ｑレートを４０〜６０ｋＨｚ、加工速度を６０〜８０ｍｍ／ｓとしてレーザースクライブをすることにより、基板素体の上面の一次スリットと二次スリットに沿った両側に、レーザー照射により溶融した基板材料が盛り上がって再焼結することにより形成された突堤部で、絶縁基板の上面の周縁に沿って絶縁基板の上面よりも上方に突出し３〜１０μｍの高さを有する突堤部を有する絶縁基板と、絶縁基板の上面に形成され、絶縁基板における辺部で抵抗体において上面電極が接続される両側を結ぶ方向である電極間方向の辺部と電極間方向と直角方向の辺部とに近接して形成された抵抗体で、抵抗体ペーストを印刷した後に乾燥及び焼成することにより形成された抵抗体と、抵抗体の両側の上面に積層して接続され、電極間方向において抵抗体と接続する側とは反対側の端部が絶縁基板の端部にまで形成された上面電極で、上面電極ペーストを印刷した後に乾燥及び焼成することにより形成された上面電極と、抵抗体のトリミング時の熱衝撃を緩和するためのカバーコートで、電極間方向には抵抗体の長さよりも短く形成されるとともに、電極間方向と直角方向である幅方向には絶縁基板の幅方向の長さと略同一の長さを有するカバーコートと、カバーコートの領域と抵抗体における上面電極及びカバーコートに被覆されていない領域と上面電極の内側の領域とを被覆する保護膜で、幅方向には絶縁基板の幅方向の長さと略同一の長さを有する保護膜と、絶縁基板の側面に形成されるとともに、上面電極における保護膜に被覆されていない領域と保護膜の電極間方向の端部領域を被覆するとともに、側面電極の内側の端部が、上面電極の内側の端部よりも内側に位置している側面電極で、側面電極用ペーストを印刷して乾燥し、その後、硬化又は焼成することにより形成された側面電極と、側面電極の表面に形成されたメッキと、を有し、抵抗体における上面電極に接続していない領域の電極間方向の長さである抵抗体の有効長が絶縁基板の電極間方向の長さの７０％以上９５％以下であり、かつ、抵抗体における電極間方向と直角方向である幅方向の長さが絶縁基板の幅方向の長さの８０％以上９５％以下であることを特徴とする。
【００２１】
この第３の構成のチップ抵抗器においては、抵抗体の有効長が絶縁基板の長さの７０％以上９５％以下で、抵抗体の有効幅が絶縁基板の幅の８０％以上９５％以下となるので、良好な負荷特性、特に、耐サージ特性を十分得ることができる。
【００２５】
よって、上面電極が抵抗体の上面に積層して接続しているので、トリミングに際して抵抗値計測用のプローブ（端子）を接触させる面積を十分確保することができ、正確にトリミングを行なうことができる。また、保護膜が、抵抗体における上面電極に被覆されていない領域と上面電極の内側の領域とを被覆し、側面電極が、上面電極における保護膜に被覆されていない領域と保護膜の電極間方向の端部領域を被覆し、側面電極の内側の端部が、上面電極の内側の端部よりも内側に位置しているので、抵抗体が電極間方向に長くなっても側面電極の密着力を上げることができ、プリント基板に実装した際にプリント基板が大きく撓んだ場合であっても電極部が剥がれるのを防止することができる。側面電極と保護膜の接着面積が大きいので、腐食ガスが側面電極と保護膜の界面から侵入しにくくなり、上面電極や抵抗体の腐食を防止することができる。
【００２６】
また、第４には、上記第３の構成において、カバーコートが、ガラスペーストを印刷し焼成することにより形成され、保護膜が、樹脂ペーストを印刷した後に乾燥及び硬化させることにより形成されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２７】
本発明に基づくチップ抵抗器の製造方法及びチップ抵抗器によれば、抵抗体の有効長が絶縁基板の長さの６０％以上９５％以下で、抵抗体の有効幅が絶縁基板の幅の７０％以上９５％以下となるので、耐サージ特性を十分得ることができる。特に、チップ抵抗器の製造方法においては、抵抗体の有効長や有効幅を長く形成しても、絶縁基板の上面の周縁にはレーザースクライブによりスリットを形成することにより突堤部が設けられるので、抵抗体のスリット落ち（特に、二次スリット落ち）を防止することができる。また、焼成済みの基板素体にスリットを形成するので、スリットの歪みを防止でき、これによっても、抵抗体のスリット落ちを防止でき、チップ抵抗器が小型化しても抵抗体のスリット落ちを防止できる。また、スリットを形成する工程で同時に突堤部を形成するので、別途スリット落ちを防止するための工程が必要とならない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
本発明においては、小型のチップ抵抗器を製造する場合でも、抵抗体の有効長（特に、幅方向の有効長）を長くとることができ、スリット落ちを防止することができるチップ抵抗器の製造方法及びチップ抵抗器を提供するという目的を以下のようにして実現した。
【００２９】
本発明に基づくチップ抵抗器Ａは、図１に示すように構成され、絶縁基板１０と、抵抗体２０と、上面電極３０と、下面電極４０と、側面電極５０と、メッキ６０と、カバーコート７０と、保護膜８０とを有している。なお、図において、Ｙ１−Ｙ２方向は、Ｘ１−Ｘ２方向に直角な方向であり、Ｚ１−Ｚ２方向は、Ｘ１−Ｘ２方向及びＹ１−Ｙ２方向に直角な方向である。
【００３０】
ここで、絶縁基板１０は、含有率９６％程度のアルミナにて形成された絶縁体である。この絶縁基板１０は、全体には、略直方体形状を呈している。なお、図１に示す例では、絶縁基板１０は平面視では長方形状を呈するが、他の形状、例えば、正方形状でもよい。なお、チップ抵抗器Ａはいわゆる１６０８タイプのサイズであり、絶縁基板１０の大きさは、平面視において、例えば、長辺（電極間方向の辺）が１．４９ｍｍ〜１．５１ｍｍ（好適には、１．５０ｍｍ）で、短辺が０．７８ｍｍ〜０．８０ｍｍ（好適には、０．７９４ｍｍ）となっている。なお、チップ抵抗器Ａがいわゆる１００５タイプのサイズであり、絶縁基板１０の長辺が０．８９ｍｍ〜０．９１ｍｍ（好適には、０．９０ｍｍ）で、短辺が０．４８ｍｍ〜０．５０ｍｍ（好適には、０．４９ｍｍ）としてもよい。また、絶縁基板１０の大きさはこれに限定されることなく他のサイズであってもよく、また、絶縁基板１０の長辺と短辺の長さは、上記の長さに限定されず他の長さであってもよい。
【００３１】
また、絶縁基板１０の上面の周縁には突堤部１０ａ（図２参照）が形成されている。この突堤部１０ａは、絶縁基板１０の上面の四辺の周縁に沿って連続して形成されていて、絶縁基板１０の上面（つまり、突堤部１０ａ以外の上面）に対して盛り上がって形成されており、この突堤部１０ａの絶縁基板１０の上面に対する高さＴは、３〜１０μｍに形成されている。この突堤部１０ａは、チップ抵抗器Ａの製造工程において、アルミナ基板にレーザースクライブにより一次スリットと二次スリットとを形成した際に形成されるものである。詳しくは後述する。
【００３２】
また、抵抗体２０は、図１に示すように、絶縁基板１０の上面に設けられ、長手方向（電極間方向、通電方向としてもよい））に帯状に形成されていて、平面視において略長方形状に形成されている。この抵抗体２０の電極間方向の端部は絶縁基板１０の端部までは形成されておらず、抵抗体２０の電極間方向の端部と絶縁基板１０の電極間方向の端部との間には所定の間隔が形成されている。また、抵抗体２０の幅方向の端部は絶縁基板１０の端部までは形成されておらず、抵抗体２０の幅方向の端部と絶縁基板１０の幅方向の端部との間には所定の間隔が形成されている。ここで、抵抗体２０の幅方向（Ｙ１−Ｙ２方向）の長さＷｂは、絶縁基板１０の幅方向の長さＷａに対して７０％以上９５％以下の長さに形成されている。つまり、抵抗体２０の有効幅は、絶縁基板１０の幅の７０％以上９５％以下に形成されている。この抵抗体２０は、酸化ルテニウム系メタルグレーズ厚膜により形成されている。なお、より好適には、抵抗体２０の幅方向の長さＷｂを絶縁基板１０の幅方向の長さＷａに対して８０％以上９５％以下の長さとする。
【００３３】
また、上面電極３０は、絶縁基板１０の上面の長手方向（Ｘ１−Ｘ２方向（図１参照））の両端部領域に一対形成されていて、平面視において略方形状を呈している。つまり、一方の上面電極３０は、絶縁基板１０の上面のＸ１側の端部から所定の長さに形成されているとともに、他方の上面電極３０は、絶縁基板１０の上面のＸ２側の端部から所定長さに形成されている。また、上面電極３０の幅方向の幅は、抵抗体２０の幅方向の幅と略同一に形成されていて、幅方向には、上面電極３０と絶縁基板１０の端部には隙間が形成されている。この上面電極３０は、具体的には、銀系厚膜（銀系メタルグレーズ厚膜）により形成されている。
【００３４】
また、上面電極３０は、抵抗体２０の端部領域に積層して形成されている。つまり、上面電極３０における外側の領域（絶縁基板１０の端部（電極間方向の端部）側の領域）は、絶縁基板１０の上面に形成されているが、内側の領域は、抵抗体２０の上面に積層して形成されている。
【００３５】
また、抵抗体２０における上面電極３０に被覆されていない領域の電極間方向の長さＬｂは、絶縁基板１０の電極間方向の長さＬａに対して６０％以上９５％以下の長さに形成されている。つまり、抵抗体２０の有効長は、絶縁基板１０の長さの６０％以上９５％以下に形成されている。なお、より好適には、抵抗体２０における上面電極３０に被覆されていない領域の電極間方向の長さＬｂを絶縁基板１０の電極間方向の長さＬａに対して８０％以上９５％以下の長さとする。
【００３６】
また、下面電極４０は、図１に示すように、上記絶縁基板１０の下面の長手方向（Ｘ１−Ｘ２方向（図１参照））の両端部領域に一対形成されていて、底面視において略方形状を呈している。この下面電極４０の長さ（Ｘ１−Ｘ２方向の長さ）は、上面電極３０と略同一の長さに形成されているが、下面電極４０の長さは任意としてもよい。また、下面電極４０の幅方向（Ｙ１−Ｙ２方向）の長さは、絶縁基板１０の幅方向の長さと略同一に形成されている。この下面電極４０は、銀系厚膜（銀系メタルグレーズ厚膜）により形成されている。
【００３７】
なお、この下面電極４０の構成を省略して、側面電極５０の下側部分５０ｂにより下面電極の代わりとしてもよい。
【００３８】
また、側面電極５０は、上面電極３０の一部と、保護膜８０の一部と、下面電極４０の全てと、絶縁基板１０の側面（つまり、Ｘ１側の側面と、Ｘ２側の側面）を被覆するように断面略コ字状に層状に形成されている。この側面電極５０は、Ｘ１側の端部とＸ２側の端部にそれぞれ設けられている。この側面電極５０は、樹脂（具体的には、エポキシ樹脂）と銀粉末とを含む樹脂・銀系厚膜により形成されている。なお、この側面電極５０をスパッタ法による金属薄膜により形成してもよい。
【００３９】
また、側面電極５０は、図１に示すように、断面略コ字状を呈し、側面電極５０の上側部分５０ａ（つまり、側面電極５０において上面電極３０と保護膜８０に積層する部分）が上面電極３０の上面の一部と保護膜８０の上面の一部に積層して形成されている。つまり、上面電極３０の上面の一部に保護膜８０の端部が積層して形成され、側面電極５０は、上面電極３０における保護膜８０に被覆されていない領域を被覆するとともに、保護膜８０における端部領域を被覆している。また、側面電極５０における上側部分５０ａの電極間方向の長さは、上面電極３０の電極間方向の長さよりも長く形成されていて、上側部分５０ａの内側の端部は、上面電極３０の内側の端部よりも内側（つまり、中央側）に位置している。つまり、側面電極５０の上側部分５０ａの内側の端部間の長さＬｃは、一対の上面電極３０の内側の端部間の長さＬｂよりも小さく形成されている。また、側面電極５０の幅方向（Ｙ１−Ｙ２方向）の長さは、絶縁基板１０の幅方向の長さと略同一に形成されている。よって、側面電極５０の上側部分５０ａは、平面視において、上面電極３０の平面領域を全て含むように形成されている。また、側面電極５０の下側部分５０ｂは、下面電極４０の表面を全て被覆している。なお、側面電極５０における上側部分５０ａと下側部分５０ｂを除く中間部分が、主として絶縁基板１０の側面に上下方向に形成されている。
【００４０】
また、メッキ６０は、ニッケルメッキ（Ｎｉメッキ）６２と、錫メッキ６４とから構成されていて、Ｘ１側の端部領域とＸ２側の端部領域にそれぞれ設けられている。つまり、チップ抵抗器の接続用の電極部の表面にメッキ６０が設けられていて、内側層がニッケルメッキ６２で、外側層が錫メッキ６４となっている。
【００４１】
ここで、ニッケルメッキ６２は、側面電極５０の全体を被覆するように側面電極５０の表面に形成されている。このニッケルメッキ６２は、電気メッキにより略均一の膜厚で形成されている。このニッケルメッキ６２は、ニッケルにて形成されており、上面電極３０等の内部電極のはんだ食われを防止するために形成されている。このニッケルメッキは、ニッケル以外にも銅メッキが用いられる場合もある。
【００４２】
また、錫メッキ６４は、ニッケルメッキ６２の表面を被覆するように略均一の膜厚で配設されている。なお、錫メッキ以外にはんだメッキが用いられる場合もある。
【００４３】
なお、上記上面電極３０と下面電極４０と側面電極５０とメッキ６０とで、電極部が形成されている。つまり、チップ抵抗器Ａにおいては、電極間方向の端部にそれぞれ電極部が形成されている。
【００４４】
また、カバーコート７０は、抵抗体２０の上面に形成され、抵抗体２０へのトリミング時の熱衝撃を緩和するために形成されている。このカバーコート７０は、電極間方向には、抵抗体２０の長さよりも短く形成されていて、抵抗体２０の電極間方向の端部領域がカバーコート７０から露出し、また、カバーコート７０の幅方向の長さは、絶縁基板１０の幅方向の長さと略同一に形成されている。このカバーコート７０は、ガラス系材料により形成されていて、具体的には、ホウ珪酸鉛ガラス系厚膜により形成されている。
【００４５】
なお、抵抗体２０とカバーコート７０には、トリミングによるトリミング溝２０Ｔ（図１参照）が形成されている。
【００４６】
また、保護膜８０は、図１に示すように、カバーコート７０と、抵抗体２０の一部（抵抗体２０におけるカバーコート７０と上面電極３０に被覆されていない領域）と、上面電極３０の一部を被覆するように設けられている。つまり、保護膜８０は、抵抗体における上面電極に被覆されていない領域と上面電極の内側の領域とを被覆し、少なくとも抵抗体２０の露出領域を被覆するように形成されている。すなわち、この保護膜８０の形成位置をさらに詳しく説明すると、幅方向には、絶縁基板１０の幅と略同一に形成され、さらに、電極間方向には、抵抗体２０の長さと略同一に形成され、保護膜８０の電極間方向の端部位置は、抵抗体２０の電極間方向の端部位置と水平方向において略同一の位置となっている。この保護膜８０は、樹脂、具体的には、エポキシ・フェノール系樹脂により形成されている。以上のように、保護膜８０は、抵抗体２０が露出した領域を被覆していて、抵抗体２０が外部に露出しないように抵抗体２０を保護するものである。
【００４７】
上記構成のチップ抵抗器Ａの製造方法について図３、図４等を使用して説明すると、まず、上面と裏面の両面にスリットが形成されていない無垢のアルミナ基板（このアルミナ基板は、複数のチップ抵抗器の絶縁基板の大きさを少なくとも有する大判のものであり、平板状のグリーンシート（含有率９６％程度のアルミナを含有するグリーンシート）を予め焼成したものである）（基板素体）を用意し、このアルミナ基板の裏面（すなわち、底面）に下面電極を形成する（Ｓ１１、下面電極形成工程）。つまり、下面電極用のペースト（例えば、銀系メタルグレーズ等の銀系ペースト）を印刷し、乾燥・焼成する。なお、この下面電極の形成に際しては、隣接するチップ抵抗器について同時に下面電極を形成する。さらには、電極間方向に直角な方向には、帯状に連続して下面電極を形成する。
【００４８】
アルミナ基板の上面に一次スリットＳ１と二次スリットＳ２を形成する（Ｓ１２、スリット形成工程）。つまり、図４（ａ）に示すように、Ｙ１−Ｙ２方向に一次スリットＳ１を形成するとともに、Ｘ１−Ｘ２方向に二次スリットＳ２を形成する。この一次スリットは一次分割用のスリットであり、Ｘ１−Ｘ２方向に隣接するチップ抵抗器の境界位置にＹ１−Ｙ２方向に一次スリットを形成する。また、二次スリットは二次分割用のスリットであり、Ｙ１−Ｙ２方向に隣接するチップ抵抗器の境界位置にＸ１−Ｘ２方向に二次スリットを形成する。
【００４９】
この一次スリットＳ１と二次スリットＳ２は、レーザースクライブにより形成する。このようにレーザースクライブによりスリットを形成することにより、図５に示すように、スリットに沿ってスリットの両側に突堤部１０ａが形成される。すなわち、一次スリットＳ１に沿って一次スリットＳ１の両側に突堤部１０ａが形成されるとともに、二次スリットＳ２に沿って二次スリットＳ２の両側に突堤部１０ａが形成される。これは、レーザースクライブによりレーザーを照射することにより溶融した基板材料が盛り上がった状態で再焼結することにより、基板素体の上面よりも上方に突出した突堤部１０ａが形成されるのである。
【００５０】
レーザースクライブの条件としては、レーザー方式がＹＡＧレーザー、波長が１０００〜１１００ｎｍ（好適には、１０６４ｎｍ）、出力が７〜９Ｗ（好適には、８Ｗ）、Ｑレートが４０〜６０ｋＨｚ（好適には、５０ｋＨｚ）、加工速度が６０〜８０ｍｍ／ｓ（好適には、７０ｍｍ／ｓ）とすることにより、スリットの深さが４０〜５０μｍのスリットが形成され、突堤部１０ａの高さは、３〜１０μｍに形成される。特に、レーザー方式がＹＡＧレーザー、波長が１０００〜１１００ｎｍ（好適には、１０６４ｎｍ）、出力が７〜９Ｗ（好適には、８Ｗ）、Ｑレートが４０〜６０ｋＨｚ（好適には、５０ｋＨｚ）、加工速度が６０〜８０ｍｍ／ｓ（好適には、７０ｍｍ／ｓ）とすることにより、形成される突堤部１０ａの高さを高く形成することができる。なお、一次スリットの深さを５０μｍとし、二次スリットの深さを４０μｍにするのが好ましく、その場合には、加工速度を一次スリットを二次スリットよりも遅くする。
【００５１】
次に、上記アルミナ基板の上面に抵抗体２０を形成する（Ｓ１３、抵抗体形成工程）（図４（ｂ）参照）。つまり、抵抗体２０の抵抗体ペーストを印刷した後に乾燥・焼成して抵抗体を形成する。なお、この抵抗体ペーストは、酸化ルテニウム系ペースト（例えば、酸化ルテニウム系メタルグレーズ）である。
【００５２】
この抵抗体を形成するに際して、抵抗体の有効長が絶縁基板１０の長さの６０％以上９５％以下（好適には、８０％以上９５％以下）で、抵抗体の有効幅が絶縁基板１０の幅の７０％以上９５％以下（好適には、８０％以上９５％以下）となるように抵抗体を形成する。つまり、幅方向には、二次スリットＳ２間の距離（厳密には、ある二次スリットＳ２の幅方向の中間位置と隣接する二次スリットＳ２の幅方向の中間位置との間の距離（つまり、この距離がチップ抵抗器となった際の絶縁基板１０の幅方向の長さとなる））の７０％以上９５％以下（好適には、８０％以上９５％以下）となるように抵抗体を形成し、また、長さ方向（電極間方向）にも、一次スリットＳ１間の距離（厳密には、ある一次スリットＳ１の幅方向の中間位置と隣接する一次スリットＳ１の幅方向の中間位置との間の距離（つまり、この距離がチップ抵抗器となった際の絶縁基板１０の電極間方向の長さとなる））の６０％以上９５％以下（好適には、８０％以上９５％以下）となるように抵抗体を形成するが、長さ方向には、上面電極と積層した領域は有効長に含まれないので、所望の有効長よりも長く抵抗体を形成する。
【００５３】
なお、この抵抗体を形成するに際して、上記のように、抵抗体の有効長が絶縁基板１０の長さの６０％以上９５％以下で、抵抗体の有効幅が絶縁基板１０の幅の７０％以上９５％以下となるように抵抗体を形成し、従来のチップ抵抗器に比べて、抵抗体の端部がスリットに近接して形成されることになるが、上記のように、一次スリットと二次スリットに沿って突堤部１０ａが設けられるので、抵抗体ペーストはこの突堤部によりスリットに落ちることがない。これにより、抵抗体ペーストの二次スリット落ちを防止することができる。
【００５４】
次に、アルミナ基板の上面に上面電極を形成する（Ｓ１４、上面電極形成工程）（図４（ｃ）参照）。すなわち、上面電極ペーストをその一部が抵抗体に積層するように印刷し、乾燥・焼成する。この場合の上面電極ペーストは、銀系ペースト（例えば、銀系メタルグレーズペースト）である。なお、チップ抵抗器となった場合に隣接するチップ抵抗器の上面電極で互いに隣接し合う上面電極については１つの印刷領域で形成する。
【００５５】
なお、上記抵抗体形成工程（Ｓ１３）と上面電極形成工程（Ｓ１４）とで、抵抗体・上面電極形成工程が構成される。
【００５６】
次に、カバーコートを形成する（Ｓ１５、カバーコート形成工程）。つまり、抵抗体２０における上面電極３０に被覆されていない領域の上面と、上面電極の内側の領域の上面に、ホウ珪酸鉛ガラス系のガラスペーストを印刷して焼成し、カバーコート７０を形成する。この場合、カバーコートは、電極間方向とは直角の方向（図４の例では、一次スリットＳ１の方向と平行な方向（Ｙ１−Ｙ２方向））であるカバーコート形成方向に帯状に形成し、該カバーコート形成方向にチップ抵抗器複数個分を有する形成領域に一度にカバーコートを形成して、チップ抵抗器複数個分のカバーコートを帯状に連続して形成する。つまり、アルミナ基板上に形成された複数の抵抗体のうち一次スリットＳ１の方向に並んだ抵抗体群の一方の端から他方の端まで帯状に連続してカバーコートを形成する。このように、帯状にカバーコートを形成することにより、幅方向に従来よりも大きく形成された抵抗体を幅方向に確実に被覆することができる。また、このように、帯状にカバーコートを形成することにより、チップ抵抗器Ａにおいて、カバーコート７０は、図２に示すように、絶縁基板１０の幅方向の端部にまで形成されることになる。
【００５７】
次に、抵抗体２０にトリミング溝を形成してトリミングを行なうことにより抵抗値を調整する（Ｓ１６、抵抗体調整工程）。つまり、レーザートリミングにより抵抗体２０にトリミング溝を形成する。なお、抵抗体と上面電極の接続領域においては、上面電極が抵抗体の上面に積層しているので、抵抗体が上面電極の上面に積層している場合に比べて、トリミングに際して抵抗値計測用のプローブ（端子）を接触させる面積を十分確保することができ、正確にトリミングを行なうことができる。
【００５８】
次に、保護膜を形成する（Ｓ１７、保護膜形成工程）。つまり、カバーコート７０の全ての領域と、抵抗体２０のカバーコートと上面電極に被覆されていない領域と、上面電極の内側の領域とを覆うように保護膜を形成する。つまり、樹脂ペーストを印刷し、乾燥・硬化させる。その後は、一次スリットに沿って一次分割する（Ｓ１８、一次分割工程）。この場合、保護膜は、電極間方向とは直角の方向（図４の例では、一次スリットＳ１の方向と平行な方向（Ｙ１−Ｙ２方向））である保護膜形成方向に帯状に形成し、該保護膜形成方向にチップ抵抗器複数個分を有する形成領域に一度に保護膜を形成する。つまり、アルミナ基板上に形成された複数の抵抗体のうち一次スリットＳ１の方向に並んだ抵抗体群の一方の端から他方の端まで帯状に連続して保護膜を形成する。このように、帯状に保護膜を形成することにより、幅方向に従来よりも大きく形成された抵抗体を幅方向に確実に被覆することができる。また、このように、帯状に保護膜を形成することにより、チップ抵抗器Ａにおいて、保護膜８０は、図２に示すように、絶縁基板１０の幅方向の端部にまで形成されることになる。
【００５９】
次に、上記短冊状基板に対して、側面電極５０を形成する（Ｓ１９、側面電極形成工程）。つまり、側面電極用ペーストを印刷し、乾燥・硬化する。なお、側面電極用ペーストを印刷し、乾燥・焼成する方法としてもよく、また、スパッタ法により金属薄膜を形成することにより側面電極を形成してもよい。
【００６０】
なお、この側面電極の形成に際しては、側面電極の上側部分５０ａの内側の端部が上面電極の内側の端部よりも内側になるようにする。
【００６１】
その後、二次スリットに沿って二次分割する（Ｓ２０、二次分割工程）。次に、メッキを形成する（Ｓ２１、メッキ工程）。つまり、ニッケルメッキを形成し、その後、錫メッキを形成する。以上のようにして、チップ抵抗器Ａを形成する。
【００６２】
チップ抵抗器Ａの使用状態について説明すると、配線基板（プリント基板としてもよい）に実装して使用する。配線基板への実装においては、図６に示すように、チップ抵抗器Ａは、配線基板１００上に形成されたランド１０２にハンダフィレット１１０を介して実装される。その際、図６に示すように、錫メッキ６４は溶融してハンダの中に拡散してハンダフィレット１１０と一体化する。
【００６３】
以上のように、本実施例のチップ抵抗器及びその製造方法によれば、抵抗体２０の有効長が絶縁基板１０の長さの６０％以上９５％以下（好適には、８０％以上９５％以下）で、抵抗体２０の有効幅が絶縁基板１０の幅の７０％以上９５％以下（好適には、８０％以上９５％以下）となっているので、耐サージ特性を十分得ることができ、特に、抵抗体２０の有効長や有効幅を長く形成しても、絶縁基板１０の上面の周縁にはレーザースクライブによりスリットを形成することによる突堤部１０ａが設けられているので、抵抗体のスリット落ち（特に、二次スリット落ち）を防止することができる。
【００６４】
また、チップ抵抗器の製造工程において、一旦焼成したアルミナ基板にスリットを形成しているので、スリットの歪みを防止でき、これによっても、抵抗体のスリット落ちを防止でき、チップ抵抗器が小型化しても抵抗体のスリット落ちを防止できる。
【００６５】
また、スリットを形成する工程で同時に突堤部１０ａを形成するので、特許文献２のように別途スリット落ちを防止するための工程が必要とならない。
【００６６】
また、側面電極５０の上側部分５０ａの内側の端部が上面電極３０の内側の端部よりも内側になるように形成されているので、抵抗体２０が電極間方向に長くなっても側面電極５０の密着力を上げることができ、プリント基板に実装した際にプリント基板が大きく撓んだ場合であっても電極部が剥がれるのを防止することができる。つまり、従来のチップ抵抗器（図７参照）のように、側面電極５０における上面電極３０の上面に積層している上側部分の内側の端部を保護膜８０の端部の位置とした場合には、抵抗体２０の電極間方向の長さを長くして有効長を長く確保しようとすると、これに伴い保護膜８０が長くなるとともに上面電極３０が短くなるので、側面電極５０の上側部分の長さが短くなってしまう。すると、プリント基板に実装した際に、ハンダフィレットの応力によって電極部が剥がれてしまうおそれがあるが、本実施例の場合には、保護膜８０が、抵抗体２０における上面電極３０に被覆されていない領域と上面電極３０の内側の領域とを被覆し、側面電極５０が、上面電極３０における保護膜８０に被覆されていない領域と保護膜８０の電極間方向の端部領域を被覆し、側面電極５０の内側の端部が、上面電極３０の内側の端部よりも内側に位置していて、側面電極５０の上側部分５０ａが長く形成されているので、そのようなおそれがない。また、側面電極５０と保護膜８０の接着面積が大きいので、腐食ガスが側面電極５０と保護膜８０の界面から侵入しにくくなり、上面電極３０や抵抗体２０の腐食を防止することができる。
【００６７】
なお、上記の説明において、抵抗体２０の電極間方向の端部は絶縁基板１０の端部までは形成されていないものとして説明したが、抵抗体２０の電極間方向の端部が絶縁基板１０の端部までは形成されていて、上面電極３０の全ての領域が抵抗体２０の上面に形成されているものとしてもよい。この場合には、上記抵抗体形成工程においては、電極間方向（二次スリットの方向と平行な方向）である抵抗体形成方向に抵抗体を帯状に形成し、該抵抗体形成方向にチップ抵抗器複数個分を有する形成領域に一度に抵抗体を形成して、チップ抵抗器複数個分の抵抗体を帯状に連続して形成する。つまり、アルミナ基板上に形成された複数の抵抗体のうち二次スリットＳ２の方向に並んだ抵抗体群の一方の端から他方の端まで帯状に連続して抵抗体を形成する。
【００６８】
また、上記の説明においては、抵抗体と上面電極の接続領域においては、上面電極を抵抗体の端部の上面に積層して形成するものとしたが、抵抗体を上面電極の端部の上面に積層して形成してもよい。
【００６９】
また、上記の説明においては、抵抗体の有効長と有効幅の両方を通常よりも大きい長さや幅に限定したが、これに限らずに抵抗体の有効長と有効幅のいずれか一方のみを限定した場合でも耐サージ特性は向上する。
【００７０】
また、上記の説明においては、側面電極５０の下側部分５０ｂは、下面電極４０の表面を全て被覆しているとしたが、下面電極４０の表面の一部（外側領域）のみを被覆し、下面電極４０の内側領域は側面電極５０から露出している構成としてもよく、その場合には、メッキ６０は、下面電極４０の側面電極５０から露出した領域の表面にも形成されることになる。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】本発明の実施例に基づくチップ抵抗器の構成を示す図であり、（ａ）は断面図であり、（ｂ）は平面図である。
【図２】本発明の実施例に基づくチップ抵抗器の構成を示す要部断面図であり、特に、図１のＰ−Ｐ線で破断した断面の要部断面図である。
【図３】本発明の実施例に基づくチップ抵抗器の製造方法を示すフローチャートである。
【図４】本発明の実施例に基づくチップ抵抗器の製造方法を示す要部平面図である。
【図５】レーザースクライブによりスリットを形成した際の基板素体の要部断面図である
【図６】本発明の実施例に基づくチップ抵抗器の使用状態を示す断面図である。
【図７】従来におけるチップ抵抗器の構成を示す断面図である。
【図８】従来におけるチップ抵抗器の製造方法を示すフローチャートである。
【図９】スリットが形成されたグリーンシートを焼成したアルミナ基板の問題点を示す要部平面図である。
【符号の説明】
【００７２】
Ａ、Ｂ  チップ抵抗器
１０  絶縁基板
２０  抵抗体
３０  上面電極
４０  下面電極
５０  側面電極
５０ａ  上側部分
５０ｂ  下側部分
６０  メッキ
７０  カバーコート
８０  保護膜
【図１】
0005255899.tif 000002
【図２】
0005255899.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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