(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板収納容器から基板を一枚ずつ搬出して処理室に搬送し，前記基板に対するプロセス処理と前記処理室内のクリーニング処理とを繰り返し行う基板処理装置の基板搬送方法であって，
前記基板処理装置は，製品基板と同様のプロセス処理を施す割込基板の処理を所望のタイミングで開始させるための割込開始ボタンと，
前記プロセス処理に用いる前記製品基板と前記クリーニング処理に用いるダミー基板とを前記基板収納容器から搬出させる順序を規定する通常時の搬出パターンと，この通常時の搬出パターンのうちの製品基板を所定枚数だけ前記割込基板に置き換えた割込時の搬出パターンと，前記基板収納容器から搬出した基板の搬出履歴とを記憶する記憶部と，
を備え，
前記割込開始ボタンが押圧されたか否かを判断するステップと，
前記割込開始ボタンが押圧されていない間は，前記通常時の搬出パターンの順序で前記基板収納容器から各基板を搬出させる制御を繰り返し行うステップと，
前記割込開始ボタンが押圧されると，前記搬出履歴に基づいてそのときの搬出パターンのサイクルが終了したか否かを判断し，そのサイクルが終了したと判断した場合はその直後に，またそのサイクルが終了していないと判断した場合はそのサイクルが終了するまで当該通常時の搬出パターンの順序で前記基板収納容器から各基板を搬出させる制御を行った後に，前記割込時の搬出パターンの順序で前記基板収納容器から各基板を搬出させる制御を行い，前記割込時の搬出パターンのサイクルが終了すると，前記通常時の搬出パターンの順序で前記基板収納容器から各基板を搬出させる制御に戻すステップと，
を有することを特徴とする基板搬送方法。
【請求項２】
前記通常時の搬出パターンは，予め設定された前記製品基板の枚数に基づいて決定することを特徴とする請求項１に記載の基板搬送方法。
【請求項３】
前記通常時の搬出パターンは，１枚又は複数枚の前記製品基板の後に１枚の前記ダミー基板が搬出される順序であることを特徴とする請求項２に記載の基板搬送方法。
【請求項４】
前記通常時の搬出パターンのサイクルが終了したか否かは，前記搬出履歴に基づいて前記割込開始ボタンの押圧直前に搬出された基板が前記ダミー基板か否かで判断することを特徴とする請求項３に記載の基板搬送方法。
【請求項５】
前記割込時の搬出パターンは，予め設定された前記割込基板の枚数に基づいて決定することを特徴とする請求項２に記載の基板搬送方法。
【請求項６】
前記割込基板の設定枚数が前記製品基板の設定枚数以下の場合には，前記通常時の搬出パターンのうちの製品基板のすべて又は一部を置き換えた１つの搬出パターンを前記割込時の搬出パターンとして決定することを特徴とする請求項５に記載の基板搬送方法。
【請求項７】
前記割込基板の設定枚数が前記製品基板の設定枚数を超える場合には，前記通常時の搬出パターンのうちの製品基板のすべて又は一部を置き換えた複数の搬出パターンを前記割込時の搬出パターンとして決定することを特徴とする請求項６に記載の基板搬送方法。
【請求項８】
前記割込基板は，前記プロセス処理後の状態を測定するための測定基板であることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の基板搬送方法。
【請求項９】
基板収納容器から基板を一枚ずつ搬出して処理室に搬送し，基板に対するプロセス処理と前記処理室内のクリーニング処理とを繰り返し行う基板処理装置であって，
製品基板と同様のプロセス処理を施す割込基板の処理を所望のタイミングで開始させるための割込開始ボタンと，
前記プロセス処理に用いる前記製品基板と前記クリーニング処理に用いるダミー基板とを前記基板収納容器から搬出させる順序を規定する通常時の搬出パターンと，この通常時の搬出パターンのうちの製品基板を所定枚数だけ前記割込基板に置き換えた割込時の搬出パターンと，前記基板収納容器から搬出した基板の搬出履歴とを記憶する記憶部と，
前記割込開始ボタンが押圧されたか否かを判断し，前記割込開始ボタンが押圧されていない間は，前記通常時の搬出パターンの順序で前記基板収納容器から各基板を搬出させる制御を繰り返し行い，前記割込開始ボタンが押圧されると，前記搬出履歴に基づいてそのときの搬出パターンのサイクルが終了したか否かを判断し，そのサイクルが終了したと判断した場合はその直後に，またそのサイクルが終了していないと判断した場合はそのサイクルが終了するまで当該搬出パターンの順序で前記基板収納容器から各基板を搬出させる制御を行った後に，前記割込時の搬出パターンの順序で前記基板収納容器から各基板を搬出させる制御を行い，前記割込時の搬出パターンのサイクルが終了すると，前記通常時の搬出パターンの順序で前記基板収納容器から各基板を搬出させる制御に戻す制御部と，
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１０】
さらに，基板に対して所定の測定処理を行う測定室を備え，
前記割込基板は，前記プロセス処理後の状態を測定するための測定基板であり，
前記制御部は，前記プロセス処理が施された割込基板を，さらに前記測定室に搬送して所定の測定処理を施すことを特徴とする請求項９に記載の基板処理装置。
【請求項１１】
基板収納容器から基板を一枚ずつ搬出して複数の処理室に搬送し，前記各処理室において基板に対するプロセス処理と前記処理室内のクリーニング処理とを繰り返し行う基板処理装置であって，
製品基板と同様のプロセス処理を施す割込基板の処理を所望のタイミングで開始させるための割込開始ボタンと，
前記プロセス処理に用いる前記製品基板と前記クリーニング処理に用いるダミー基板とを前記基板収納容器から搬出させる順序を各処理室ごとに規定する通常時の搬出パターンと，この通常時の搬出パターンのうちの製品基板を所定枚数だけ前記割込基板に置き換えた前記各処理室ごとの割込時の搬出パターンと，前記基板収納容器から搬出した基板の前記各処理室ごとの搬出履歴とを記憶する記憶部と，
前記割込開始ボタンが押圧されたか否かを判断し，前記割込開始ボタンが押圧されていない間は，前記各処理室ごとに前記通常時の搬出パターンの順序で前記基板収納容器から各基板を搬出させる制御を繰り返し行い，
前記割込開始ボタンが押圧されると，前記割込基板の処理を行わない処理室についてはそのまま前記通常時の搬出パターンの順序で前記基板収納容器から各基板を搬出させる制御を繰り返し行い，
前記割込基板の処理を行う処理室については，前記搬出履歴に基づいてそのときの搬出パターンのサイクルが終了したか否かを判断し，そのサイクルが終了したと判断した場合はその直後に，またそのサイクルが終了していないと判断した場合はそのサイクルが終了するまで当該搬出パターンの順序で前記基板収納容器から各基板を搬出させる制御を行った後に，前記割込時の搬出パターンの順序で前記基板収納容器から各基板を搬出させる制御を行い，前記割込時の搬出パターンのサイクルが終了すると，前記通常時の搬出パターンの順序で前記基板収納容器から各基板を搬出させる制御に戻す制御部と，
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，半導体ウエハやＦＰＤ（Ｆｌａｔ  Ｐａｎｅｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）基板などの基板を基板収納容器から一枚ずつ搬出して処理室に搬送して所定の処理を行う基板処理装置及びその基板搬送方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば，半導体デバイスを製造するプラズマ処理装置などの基板処理装置は，基板収納容器から製品ウエハを一枚ずつ搬出して処理室に搬送し，処理室内に供給した処理ガスをプラズマ化することで製品ウエハに対してエッチングや成膜などの処理を施すようになっている。
【０００３】
このような基板処理装置では，処理室内で製品ウエハを処理する際に発生する反応生成物や処理室内に外部から混入する微粒子などのパーティクル（微細な粒子状の異物）を適切に除去することが重要となる。
【０００４】
例えば処理室内に配設される基板載置台にパーティクルが残留していると，その載置台上に載置された製品ウエハの裏面にパーティクルが付着し，次工程において問題が拡大する虞がある。また，処理室内にパーティクルが残留していると，製品ウエハ上に付着し，その製品ウエハの処理に影響を与える虞があり，製品ウエハ上に最終的に製造される半導体デバイスの品質が確保できない等の不具合が発生してしまう。
【０００５】
従来は，このような処理室内のパーティクルを効果的に除去するために，例えば製品ウエハの所定枚数おきにダミーウエハを搬送させて一定のタイミングで処理室内のクリーニング処理を行っていた（例えば特許文献１参照）。
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−２５０７９１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで，基板処理装置には，製品ウエハとは別に割込ウエハを割込ませて優先的に処理を実行させる割込処理機能を備えるものがある。このような基板処理装置では，例えば割込ウエハが収納された別の基板収納容器がセットされて，所望のタイミングで割込開始の操作がなされると，１ロット分の製品ウエハの処理が途中であっても，優先的に割込ウエハが基板収納容器から搬出され，処理室に搬送されて割込ウエハの処理が開始される。
【０００８】
しかしながら，従来は特に割込ウエハを搬送するタイミングが規制されていなかったので，割込開始の操作がなされるとその直後に割込ウエハが基板収納容器から搬出されるようになっていた。このため，上述したような製品ウエハの一定のタイミングでクリーニング処理を行っている基板処理装置では，割込開始の操作のタイミングによっては，製品ウエハの後に連続して割込ウエハが搬送されてしまう場合もあった。
【０００９】
これでは，本来なら次に搬出されるべきウエハはクリーニング処理に用いられるダミーウエハのはずであるのに，割込ウエハが搬送されることにより，そのときだけプロセス処理（製品ウエハと割込ウエハ）が連続して実行されてしまう。この場合，ダミーウエハは，その割込ウエハの後に搬送されてクリーニング処理が実行される。このため，処理室内のクリーニング処理を行うタイミングが崩れてしまうので，処理室内のコンディションが崩れ，結果として各ウエハのプロセス処理にばらつきが生じる虞があるという問題があった。
【００１０】
本発明は，このような問題に鑑みてなされたもので，その目的とするところは，割込基板の処理によって処理室内のコンディションが崩れることを防止できる基板処理装置及びその基板搬送方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するために，本発明のある観点によれば，基板収納容器から基板を一枚ずつ搬出して処理室に搬送し，前記基板に対するプロセス処理と前記処理室内のクリーニング処理とを繰り返し行う基板処理装置の基板搬送方法であって，前記基板処理装置は，製品基板と同様のプロセス処理を施す割込基板の処理を所望のタイミングで開始させるための割込開始ボタンと，前記プロセス処理に用いる前記製品基板と前記クリーニング処理に用いるダミー基板とを前記基板収納容器から搬出させる順序を規定する通常時の搬出パターンと，この通常時の搬出パターンのうちの製品基板を所定枚数だけ前記割込基板に置き換えた割込時の搬出パターンと，前記基板収納容器から搬出した基板の搬出履歴とを記憶する記憶部と，を備え，前記割込開始ボタンが押圧されたか否かを判断するステップと，前記割込開始ボタンが押圧されていない間は，前記通常時の搬出パターンの順序で前記基板収納容器から各基板を搬出させる制御を繰り返し行うステップと，前記割込開始ボタンが押圧されると，前記搬出履歴に基づいてそのときの搬出パターンのサイクルが終了したか否かを判断し，そのサイクルが終了したと判断した場合はその直後に，またそのサイクルが終了していないと判断した場合はそのサイクルが終了するまで当該通常時の搬出パターンの順序で前記基板収納容器から各基板を搬出させる制御を行った後に，前記割込時の搬出パターンの順序で前記基板収納容器から各基板を搬出させる制御を行い，前記割込時の搬出パターンのサイクルが終了すると，前記通常時の搬出パターンの順序で前記基板収納容器から各基板を搬出させる制御に戻すステップと，を有することを特徴とする基板搬送方法が提供される。
【００１２】
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，基板収納容器から基板を一枚ずつ搬出して処理室に搬送し，基板に対するプロセス処理と前記処理室内のクリーニング処理とを繰り返し行う基板処理装置であって，製品基板と同様のプロセス処理を施す割込基板の処理を所望のタイミングで開始させるための割込開始ボタンと，前記プロセス処理に用いる前記製品基板と前記クリーニング処理に用いるダミー基板とを前記基板収納容器から搬出させる順序を規定する通常時の搬出パターンと，この通常時の搬出パターンのうちの製品基板を所定枚数だけ前記割込基板に置き換えた割込時の搬出パターンと，前記基板収納容器から搬出した基板の搬出履歴とを記憶する記憶部と，前記割込開始ボタンが押圧されたか否かを判断し，前記割込開始ボタンが押圧されていない間は，前記通常時の搬出パターンの順序で前記基板収納容器から各基板を搬出させる制御を繰り返し行い，前記割込開始ボタンが押圧されると，前記搬出履歴に基づいてそのときの搬出パターンのサイクルが終了したか否かを判断し，そのサイクルが終了したと判断した場合はその直後に，またそのサイクルが終了していないと判断した場合はそのサイクルが終了するまで当該搬出パターンの順序で前記基板収納容器から各基板を搬出させる制御を行った後に，前記割込時の搬出パターンの順序で前記基板収納容器から各基板を搬出させる制御を行い，前記割込時の搬出パターンのサイクルが終了すると，前記通常時の搬出パターンの順序で前記基板収納容器から各基板を搬出させる制御に戻す制御部と，を備えることを特徴とする基板処理装置が提供される。
【００１３】
このような本発明によれば，通常時の搬出パターンの順序で基板収納容器から各基板を搬出させる制御が繰り返し行われている間に，その搬出パターンのサイクルの途中で割込開始ボタンが押圧されても，直ぐには割込基板が搬送されることはなく，そのサイクルが終了した後に割込時の搬出パターンの順序で割込基板が搬送される。しかも，割込時の搬出パターンは，通常時の搬出パターンのうちの製品基板を割込基板に置き換えたものであり，その割込時の搬出パターンのサイクルが終了した後に通常時の搬出パターンのサイクルに戻される。このように，通常時又は割込時の搬出パターンを用いて割込基板の搬出タイミングを規制することにより，どのようなタイミングで割込開始ボタンが押圧されても，クリーニング処理のタイミングが崩れることはない。従って，割込基板の処理によって処理室内のコンディションが崩れることを確実に防止できる。
【００１４】
また，上記通常時の搬出パターンは，例えば予め設定された前記製品基板の枚数に基づいて決定する。このような通常時の搬出パターンは，例えば１枚又は複数枚の前記製品基板の後に１枚の前記ダミー基板が搬出される順序である。これにより，１枚又は複数枚のプロセス処理が終了後，すなわちサイクルの最後にダミー基板が搬出されてクリーニング処理が行われ，これらの処理が複数サイクル繰り返される。また，本発明にかかる割込時の搬出パターンでは製品基板が割込基板に置き換えられるので，この場合の割込時の搬出パターンでも，そのサイクルの最後にダミー基板が搬出される順序になる。
【００１５】
このように，１枚又は複数枚のプロセス処理後に１枚のダミー基板を搬送してクリーニングを行う場合，その通常時又は割込時の搬出パターンのサイクルが終了したか否かは，前記搬出履歴に基づいて前記割込開始ボタンの押圧直前に搬出された基板が前記ダミー基板か否かで判断するようにしてもよい。このような搬出パターンによれば各サイクルの最後に必ずダミー基板が搬出されるため，割込開始ボタンの押圧直前に搬出された基板が，もしダミー基板でなければその搬出パターンのサイクルが終了しておらず，ダミー基板であればその搬出パターンのサイクルが終了していることがわかる。これにより，搬出パターンのサイクルが終了したか否かを容易に判断することができる。
【００１６】
また，上記割込時の搬出パターンは，例えば予め設定された前記割込基板の枚数に基づいて決定する。この場合，上記割込基板の設定枚数が前記製品基板の設定枚数以下の場合には，前記通常時の搬出パターンのうちの製品基板のすべて又は一部を置き換えた１つの搬出パターンを前記割込時の搬出パターンとして決定する。また，上記割込基板の設定枚数が前記製品基板の設定枚数を超える場合には，前記通常時の搬出パターンのうちの製品基板のすべて又は一部を置き換えた複数の搬出パターンを前記割込時の搬出パターンとして決定する。このように，割込時の搬出パターンを割込基板の枚数に応じて決定することにより，クリーニング処理のタイミングを崩すことなく，所望の枚数だけ割り込ませることができる。
【００１７】
また，上記割込基板は，例えば前記プロセス処理後の状態を測定するための測定基板である。この場合，基板に対して所定の測定処理を行う測定室を設け，前記制御部は，前記プロセス処理が施された割込基板を，さらに前記測定室に搬送して所定の測定処理を施すようにしてもよい。特に割込基板を測定基板として用いる場合には，割込基板を処理する際の処理室内のコンディションは製品基板を処理する場合と同様であることが望ましく，さらにその後の製品基板の処理に影響を与えないようにすることが望ましい。従って，クリーニング処理のタイミングを崩さないように割込基板を処理できる本発明においては割込基板を測定基板として用いることが特に有効である。
【００１８】
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，基板収納容器から基板を一枚ずつ搬出して複数の処理室に搬送し，前記各処理室において基板に対するプロセス処理と前記処理室内のクリーニング処理とを繰り返し行う基板処理装置であって，製品基板と同様のプロセス処理を施す割込基板の処理を所望のタイミングで開始させるための割込開始ボタンと，前記プロセス処理に用いる前記製品基板と前記クリーニング処理に用いるダミー基板とを前記基板収納容器から搬出させる順序を各処理室ごとに規定する通常時の搬出パターンと，この通常時の搬出パターンのうちの製品基板を所定枚数だけ前記割込基板に置き換えた前記各処理室ごとの割込時の搬出パターンと，前記基板収納容器から搬出した基板の前記各処理室ごとの搬出履歴とを記憶する記憶部と，前記割込開始ボタンが押圧されたか否かを判断し，前記割込開始ボタンが押圧されていない間は，前記各処理室ごとに前記通常時の搬出パターンの順序で前記基板収納容器から各基板を搬出させる制御を繰り返し行い，前記割込開始ボタンが押圧されると，前記割込基板の処理を行わない処理室についてはそのまま前記通常時の搬出パターンの順序で前記基板収納容器から各基板を搬出させる制御を繰り返し行い，前記割込基板の処理を行う処理室については，前記搬出履歴に基づいてそのときの搬出パターンのサイクルが終了したか否かを判断し，そのサイクルが終了したと判断した場合はその直後に，またそのサイクルが終了していないと判断した場合はそのサイクルが終了するまで当該搬出パターンの順序で前記基板収納容器から各基板を搬出させる制御を行った後に，前記割込時の搬出パターンの順序で前記基板収納容器から各基板を搬出させる制御を行い，前記割込時の搬出パターンのサイクルが終了すると，前記通常時の搬出パターンの順序で前記基板収納容器から各基板を搬出させる制御に戻す制御部と，を備えることを特徴とする基板処理装置が提供される。
【００１９】
このような本発明によれば，各処理室でプロセス処理とクリーニング処理が同様のサイクルで繰り返し行われている間，どのタイミングで割込開始ボタンが押圧されても，複数の処理室のうちの所望の処理室に，その処理室におけるクリーニング処理のタイミングを崩すことなく割込基板の処理を行わせることができる。これにより，割込基板の処理によって処理室内のコンディションが崩れることを確実に防止できる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば，割込基板の搬出タイミングを規制することにより，クリーニング処理のタイミングを崩すことなく割込基板の処理を行わせることができるので，処理室内のコンディションが崩れることを確実に防止できる基板処理装置及びその基板搬送方法を提供できるものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００２２】
（基板処理装置の構成例）
先ず，本発明の実施形態にかかる基板処理装置の構成例について図面を参照しながら説明する。ここでは，搬送室に少なくとも１以上の真空処理ユニットが接続された基板処理装置を例に挙げて説明する。図１は本実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す断面図である。
【００２３】
基板処理装置１００は，被処理基板例えば半導体ウエハ（以下，単に「ウエハ」ともいう。）Ｗに対して所定の処理（例えばエッチング処理）を行う１つ又は２つ以上の真空処理ユニット（プロセスシップ）１１０と，この真空処理ユニット１１０に対してウエハＷを搬出入させる搬送ユニット１２０とを備える。搬送ユニット（ローダーユニット）１２０は，ウエハＷを搬送する際に共用される搬送室１３０を有している。
【００２４】
図１では，例えば２つの真空処理ユニット（プロセスシップ）１１０Ａ，１１０Ｂを搬送ユニット１２０の側面に配設したものを示す。各真空処理ユニット１１０Ａ，１１０Ｂはそれぞれ，プラズマ処理装置２００Ａ，２００Ｂと，これらのそれぞれに連設され，真空引き可能に構成された中継室としてのロードロック室１５０Ａ，１５０Ｂを有している。各真空処理ユニット１１０Ａ，１１０Ｂは，各プラズマ処理装置２００Ａ，２００Ｂ内でウエハＷに対して同種の処理例えばエッチング処理を行うようになっている。
【００２５】
例えば各プラズマ処理装置２００Ａ，２００Ｂは，処理室２１０Ａ，２１０Ｂを備え，その内部に配置したウエハの載置台を兼ねるサセプタ（下部電極）２１１Ａ，２１１Ｂに高周波電力を印加するとともに，処理室２１０Ａ，２１０Ｂ内に処理ガスを供給してプラズマ化してウエハ表面にプラズマエッチング処理を施す。
【００２６】
なお，図１に示すようにプラズマ処理装置を備える真空処理ユニットを２つ設けた場合について説明したが，これに限定されるものではなく，プラズマ処理装置を備える真空処理ユニットを３つ以上設けてもよい。また，必ずしもすべての真空処理ユニットにプラズマ処理装置を設けなくてもよく，例えばプラズマ処理装置を備える真空処理ユニットと，プラズマ処理装置以外の処理装置（例えば熱処理装置など）を備える真空処理ユニットとを設けてもよい。
【００２７】
上記搬送ユニット１２０の搬送室１３０は，例えばＮ２ガス等の不活性ガスや清浄空気が循環される断面略矩形状の箱体により構成されている。搬送室１３０における断面略矩形状の長辺を構成する一側面には，複数のカセット台１３２Ａ〜１３２Ｃが並設されている。これらカセット台１３２Ａ〜１３２Ｃには，カセット容器１３４Ａ〜１３４Ｃを載置される。搬送室１３０の側壁には，ウエハＷの投入口としての３つのロードポート１３６Ａ〜１３６Ｃが各カセット台１３２Ａ〜１３２Ｃに対応するように設けられている。
【００２８】
図１では，例えば各カセット台１３２Ａ〜１３２Ｃに３台のカセット容器１３４Ａ〜１３４Ｃをそれぞれ１つずつ載置することができる例を挙げているが，カセット台とカセット容器の数はこれに限られず，例えば１台又は２台であってもよく，また４台以上設けてもよい。
【００２９】
各カセット容器１３４Ａ〜１３４Ｃには，少なくとも１ロット分（例えば２５枚）以上のウエハＷを等ピッチで多段に載置して収容できるようになっており，内部は例えばＮ２ガス雰囲気で満たされた密閉構造となっている。そして，搬送室１３０はその内部へロードポート１３６Ａ〜１３６Ｃを介してウエハＷを搬出入可能に構成されている。
【００３０】
各カセット容器１３４Ａ〜１３４Ｃには，プロセス処理を施すための製品ウエハＷｐ，処理室内のクリーニング処理を行うためのダミーウエハＷｄ，例えば製品ウエハＷｐと同様のプロセス処理を行うための割込ウエハＷｆが収容される。ここでは，カセット容器１３４Ａには製品ウエハＷｐが収容され，カセット容器１３４ＢにはダミーウエハＷｄが収容され，カセット容器１３４Ｃには割込ウエハＷｆが収容された場合を例に挙げて説明する。なお，これに限られることはなく，どのカセット容器にどの種類のウエハが収容されていてもよい。また，割込ウエハＷｆが収容されたカセット容器１３４Ｃは，予めカセット台１３２Ｃにセットするようにしてもよく，割込ウエハＷｆの処理を行う際にカセット台１３２Ｃにセットするようにしてもよい。
【００３１】
搬送室１３０内には，ウエハＷをその長手方向（図１に示す矢印方向）に沿って搬送する共通搬送機構（大気圧側搬送機構）１６０が設けられている。この共通搬送機構１６０は，例えば基台１６２上に固定され，この基台１６２は搬送室１３０内の中心部を長さ方向に沿って設けられた図示しない案内レール上を例えばリニアモータ駆動機構によりスライド移動可能に構成されている。共通搬送機構１６０は例えば図１に示すような２つのピックを備えるダブルアーム機構であってもよく，また１つのピックを備えるシングルアーム機構であってもよい。
【００３２】
搬送室における断面略矩形状の長辺を構成する他側面には，上記２つのロードロック室１５０Ａ，１５０Ｂの基端が，開閉可能に構成されたゲートバルブ（大気圧側ゲートバルブ）１５２Ａ，１５２Ｂをそれぞれ介して連結されている。各ロードロック室１５０Ａ，１５０Ｂの先端は，開閉可能に構成されたゲートバルブ（真空圧側ゲートバルブ）２３２Ａ，２３２Ｂを介してそれぞれ上記処理室２１０Ａ，２１０Ｂに連結されている。
【００３３】
各ロードロック室１５０Ａ，１５０Ｂ内にはそれぞれ，ウエハＷを一時的に載置して待機させる一対のバッファ用載置台１５４Ａ及び１５６Ａと１５４Ｂ及び１５６Ｂが設けられる。ここで搬送室側のバッファ用載置台１５４Ａ，１５４Ｂを第１バッファ用載置台とし，処理室側のバッファ用載置台１５６Ａ，１５６Ｂを第２バッファ用載置台とする。そして，両バッファ用載置台１５４Ａ，１５６Ａ間及び１５４Ｂ，１５６Ｂ間には，屈伸，旋回及び昇降可能になされた多関節アームよりなる個別搬送機構（真空圧側搬送機構）１７０Ａ，１７０Ｂが設けられている。
【００３４】
これら個別搬送機構１７０Ａ，１７０Ｂの先端にはピック１７２Ａ，１７２Ｂが設けられ，このピック１７２Ａ，１７２Ｂを用いて第１，第２の両バッファ用載置台１５４Ａ，１５６Ａ及び１５４Ｂ，１５６Ｂ間でウエハＷの受け渡し移載を行い得るようになっている。なお，ロードロック室１５０Ａ，１５０Ｂから処理室２１０Ａ，２１０Ｂ内へのウエハの搬出入は，それぞれ上記個別搬送機構１７０Ａ，１７０Ｂを用いて行われる。
【００３５】
搬送室１３０の一端部，すなわち断面略矩形状の短辺を構成する一方の側面には，ウエハＷの位置決め装置としてのオリエンタ（プリアライメントステージ）１３７が設けられている。オリエンタ１３７は，例えば内部に回転載置台１３８とウエハＷの周縁部を光学的に検出する光学センサ１３９とを備え，ウエハＷのオリエンテーションフラットやノッチ等を検出して位置合せを行う。
【００３６】
搬送室１３０の他端部，すなわち断面略矩形状の短辺を構成する他方の側面には，測定室３００が設けられている。測定室３００は，例えば光学系のモニタであり，搬入されたウエハＷを載置する載置台３０２と，この載置台３０２に載置されたウエハＷに指向する光学センサ３０４とを有し，ウエハＷのプロセス処理後の状態を測定する。具体的には例えば表面層の膜厚，配線溝やゲート電極等のＣＤ（Ｃｒｉｔｉｃａｌ  Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ）値などのプロセス処理結果を測定したり，ウエハＷの表面におけるパーティクル数を測定したりする。
【００３７】
基板処理装置１００は，上述した各真空処理ユニット１１０Ａ，１１０Ｂ及び搬送ユニット１２０の各部の動作を制御する制御部４００と，搬送ユニット１２０の一端に配設された操作部１４０とを備える。
【００３８】
操作部１４０には，例えばＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）などの表示部を備えたタッチパネルからなるオペレーションパネル１４２，割込ウエハＷｆの処理を開始するための割込開始ボタン１４４等が設けられている。表示部には例えば基板処理装置１００の各構成要素の動作状況が表示される。また，ユーザはオペレーションパネル１４２により基板処理装置１００に対する種々の操作を行うことができる。なお，割込開始ボタン１４４は，オペレーションパネル１４２と別個に設ける代わりに，オペレーションパネル１４２に表示させてタッチパネルで操作できるようにしてもよい。
【００３９】
上記操作部１４０は，制御部４００に接続されている。制御部４００は操作部１４０からの操作により，予め設定されたレシピなどのデータに基づいて所定のプログラムを実行して，真空処理ユニット１１０Ａ，１１０Ｂ及び搬送ユニット１２０の各部，例えば各プラズマ処理装置２００Ａ，２００Ｂ，測定室３００，オリエンタ１３７，各搬送機構１６０，１７０などを制御するようになっている。これにより，例えば後述するウエハ搬送，ウエハに対するプロセス処理（ここではエッチング処理），処理室内のクリーニング処理，ウエハに対する測定処理などが行われる。
【００４０】
（プラズマ処理装置の構成例）
次に，上記プラズマ処理装置２００Ａ，２００Ｂの構成例について図面を参照しながら説明する。なお，本実施形態にかかる基板処理装置１００では，プラズマ処理装置２００Ａ，２００Ｂは同様に構成される場合を例に挙げるため，以下，符号のＡ，Ｂを省略したプラズマ処理装置２００によって代表して説明する。図２はこのようなプラズマ処理装置２００の概略構成を示す断面図を示す断面図である。プラズマ処理装置２００はエッチング処理を実行可能な平行平板型のプラズマ処理装置である。
【００４１】
図２に示すように，プラズマ処理装置２００は，金属製（例えば，アルミニウム製またはステンレス製）の円筒形の処理室（チャンバ）２１０を有しており，この処理室２１０の中に例えば直径が３００ｍｍのウエハＷを載置するステージとしての円柱状のサセプタ２１１を備えている。
【００４２】
処理室２１０の側壁とサセプタ２１１との間には，サセプタ２１１の上方の気体を処理室２１０の外へ排出する流路として機能する排気路２１２が形成されている。この排気路２１２の途中には環状のバッフル板２１３が配設されており，排気路２１２のバッフル板２１３から下の空間は，可変式バタフライバルブである自動圧力制御弁（以下，「ＡＰＣ（Ａｄａｐｔｉｖｅ  Ｐｒｅｓｓｕｒｅ  Ｃｏｎｔｒｏｌ）バルブ」という）２１４に通じている。ＡＰＣバルブ２１４は，真空引き用の排気ポンプであるターボ分子ポンプ（以下，「ＴＭＰ」という）２１５に接続されており，さらにこのＴＭＰ２１５を介して排気ポンプであるドライポンプ（以下，「ＤＰ」という）２１６に接続されている。これらＡＰＣバルブ２１４，ＴＭＰ２１５，およびＤＰ２１６によって構成される排気流路（以下，「本排気ライン」という）は，処理室２１０内を高真空状態になるまで減圧するためのものである。そして処理室２１０内の圧力は，ＡＰＣバルブ２１４によって調節される。
【００４３】
また，排気路２１２のバッフル板２１３から下の空間は，本排気ラインとは別の排気ライン（以下，「粗引きライン」という）にも接続されている。この粗引きラインは，途中にバルブＶ２を備えた排気管２１７とＤＰ２１６によって構成されている。処理室２１０内の気体は通常，本排気ラインよりも先にこの粗引きラインによって排出されることになる。
【００４４】
下部電極としてのサセプタ２１１には高周波電源２１８が導線２５０を介して接続されており，高周波電源２１８から所定の高周波電力が印加される。導線２５０には，サセプタ２１１からの高周波電力の反射を低減して，この高周波電力のサセプタ２１１への入射効率を最大限とする整合器２１９と，導線２５０の導通および切断を切り替えるスイッチ２５１が備えられている。このスイッチ２５１は，電気的にサセプタ２１１と高周波電源２１８の間に位置しており，サセプタ２１１の電気的状態をフローティング（浮遊）状態と導通状態のいずれかに設定することができる。例えば，ウエハＷがサセプタ２１１の上面に載置されていないとき，スイッチ２５１は，サセプタ２１１を電気的フローティング状態とする。
【００４５】
サセプタ２１１の内部の上方には，ウエハＷを静電吸着するための導電膜からなる円板状の電極板２２０が設けられている。電極板２２０には直流電源２２２が電気的に接続されている。ウエハＷは，直流電源２２２から電極板２２０に印加される直流電圧に応じて発生するクーロン力またはジョンソン・ラーベク（Ｊｏｈｎｓｅｎ−Ｒａｈｂｅｋ）力によってサセプタ２１１の上面に吸着保持される。円環状のフォーカスリング２２４は，シリコン等からなり，サセプタ２１１の上方に発生したプラズマをウエハＷに向けて収束させるものである。
【００４６】
サセプタ２１１の内部には，冷媒室２２５が配置されている。この冷媒室２２５には，チラーユニット（図示せず）から配管２２６を介して所定温度の冷媒（例えば冷却水）が循環供給される。サセプタ２１１に載置されたウエハＷの処理温度は，冷媒室２２５によって温度制御される。
【００４７】
サセプタ２１１の上面においてウエハＷが吸着する部分（以下，「吸着面」という）には，複数の伝熱ガス供給孔２２７と伝熱ガス供給溝（図示せず）が形成されている。これら伝熱ガス供給孔２２７と伝熱ガス供給溝は，サセプタ２１１内部に備えられた伝熱ガス供給ライン２２８とバルブＶ３を有する伝熱ガス供給管２２９を経由して伝熱ガス供給部（図示せず）に繋がっており，ここからの伝熱ガス（例えばＨｅガス）を吸着面とウエハＷの裏面との隙間に供給する。これによってウエハＷとサセプタ２１１との熱伝導性が向上する。なお，伝熱ガス供給孔２２７と伝熱ガス供給溝に対する伝熱ガスの供給量は，バルブＶ３によって調整される。
【００４８】
また，吸着面には，サセプタ２１１の上面から突出自在なリフトピンとしての複数のプッシャーピン２３０が備えられている。これらのプッシャーピン２３０は，モータ(図示せず)の回転運動がボールねじ等によって直線運動に変換されることにより，図中上下方向に移動する。プッシャーピン２３０は，ウエハＷが吸着面に吸着保持されているときにはサセプタ２１１に収容されており，所定の処理（例えば，エッチング処理）が終了したウエハＷを処理室２１０から搬出するときにはサセプタ２１１の上面から突出してウエハＷをサセプタ２１１から上方へ持ち上げる。
【００４９】
処理室２１０の天井部には，上部電極２３３が配設されている。上部電極２３３には高周波電源２５２が接続されており，所定の高周波電力が印加される。
【００５０】
この上部電極２３３は，処理室内にガスを導入するためのシャワーヘッドの機能も兼ねている。上部電極２３３は，多数のガス通気孔２３４を有する電極板２３５と，この電極板２３５を着脱可能に支持する電極支持体２３６とから構成される。電極支持体２３６の内部には，バッファ室２３７が設けられており，このバッファ室２３７には処理ガス供給部（図示せず）から延びている処理ガス導入管２３８が接続されている。この処理ガス導入管２３８の途中にはバルブＶ１が備えられており，このバルブＶ１によってバッファ室２３７に対するガス供給量が調整される。ここで，下部電極を構成するサセプタ２１１と上部電極２３３との間の距離（電極間距離）Ｄは，例えば３５±１ｍｍ以上に設定される。
【００５１】
処理室２１０の側壁には，ウエハＷの搬入出口２３１を開閉するゲートバルブ２３２が取り付けられている。このプラズマ処理装置２００の処理室２１０内に処理ガスが供給され，上部電極２３３に高周波電力が印加されると，空間Ｓに高密度のプラズマが発生し，イオンやラジカルが生成される。
【００５２】
（基板処理装置の動作）
次に，上述したような構成の基板処理装置１００の動作について説明する。例えばカセット容器１３４Ａに収容されている製品ウエハＷｐにプラズマ処理装置２００Ａの処理室２１０Ａでエッチング処理を施す場合には次のように動作する。すなわち，共通搬送機構１６０によりカセット容器１３４Ａから処理を行う製品ウエハＷｐが取り出されると，製品ウエハＷｐはオリエンタ１３７まで搬送されてオリエンタ１３７の回転載置台１３８に移載され，位置決めされる。
【００５３】
位置決めされた製品ウエハＷｐは，再度，上記共通搬送機構１６０により受け取られて保持され，この製品ウエハＷｐに対して処理を行うロードロック室１５０Ａの直前まで搬送される。そして，ゲートバルブ１５２Ａが開放されると，共通搬送機構１６０に保持されている製品ウエハＷｐが搬送室１３０からロードロック室１５０Ａ内へ搬入される。ロードロック室１５０Ａへの製品ウエハＷｐの搬入が終了すると，ゲートバルブ１５２Ａが閉塞され，圧力調整が行われる。
【００５４】
ロードロック室１５０Ａが所定の真空圧力になり，ゲートバルブ２３２Ａが開放されると，ロードロック室１５０Ａ内の製品ウエハＷｐは個別搬送機構１７０Ａにより処理室２１０Ａへ搬入され，サセプタ２１１Ａに載置される。処理室２１０Ａへの製品ウエハＷｐの搬入が完了すると，ゲートバルブ２３２Ａが閉塞され，処理室２１０Ａにおいて製品ウエハＷｐのエッチング処理が開始される。
【００５５】
エッチング処理は，予め設定されたプロセスレシピに基づいて実行される。具体的には処理室２１０（２１０Ａ）の内部が減圧され，上部電極２３３から処理ガス（例えば，Ｃ４Ｆ８ガス，Ｏ２ガス，およびＡｒガスを含む混合ガス）を所定の流量および流量比で処理室２１０内に導入される。このとき，ＡＰＣバルブ２１４等により処理室２１０内は所定の真空圧力に保持される。この状態で高周波電源２１８から高周波電力がサセプタ２１１に印加されるとともに，高周波電源２５２から高周波電力が上部電極２３３に印加されると，プラズマ生成空間Ｓにおいて処理ガスのプラズマが発生する。このプラズマによって生成されるラジカルやイオンは，フォーカスリング２２４によって製品ウエハＷｐの表面に収束され，その表面が物理的または化学的にエッチングされる。
【００５６】
そして，製品ウエハＷｐのエッチング処理が終了して，ゲートバルブ２３２Ａが開放されると，製品ウエハＷｐは個別搬送機構１７０Ａによりロードロック室１５０Ａへ搬出される。ロードロック室１５０Ａへの製品ウエハＷｐの搬出が終了すると，ゲートバルブ２３２Ａが閉塞し，搬送室１３０への製品ウエハＷｐの搬出動作が行われる。すなわち，ロードロック室１５０Ａへ搬出された処理済の製品ウエハＷｐは，ゲートバルブ１５２Ａが開放されると，共通搬送機構１６０によりロードロック室１５０Ａから搬送室１３０へ搬出され，ゲートバルブ１５２Ａが閉塞される。
【００５７】
このような製品ウエハＷｐのエッチング処理が実行されると，処理室２１０Ａ内にエッチングによる反応生成物などのパーティクルが発生する。このパーティクルが製品ウエハＷｐに付着すると，製品ウエハＷｐから製造される半導体デバイスの配線ショート等の原因となり，ひいては歩留り低下の要因となる。このため，基板処理装置１００では，一定のタイミングで処理室２１０ＡにダミーウエハＷｄを搬送して処理室２１０Ａ内のパーティクルを除去するクリーニング処理を行うようになっている。
【００５８】
クリーニング処理は，例えば予め設定されたクリーニング処理条件（例えば処理室内圧力，ガス種，ガス流量などからなるクリーニングレシピ）に基づいて実行される。クリーニング処理は，例えばエッチング処理と同様の条件で行ってもよく，また異なる条件で行ってもよい。
【００５９】
また，クリーニング処理のタイミングは，連続して処理する製品ウエハＷｐの枚数によって決めることができる。また，クリーニング処理を複数回連続して処理することも可能であり，このクリーニング処理の連続回数はダミーウエハＷｄの枚数によって決めることができる。これら製品ウエハＷｐ，ダミーウエハＷｄの枚数は例えばデフォルトでは１枚に設定されており，オペレーションパネル１４２により各ウエハの枚数の設定を変更することがきる。
【００６０】
これらの設定枚数に応じて各カセット容器１３４Ａ，１３４Ｂから搬出される各ウエハの搬出パターンが決定される。例えばダミーウエハＷｄが１枚，製品ウエハＷｐが２枚に設定されている場合には，カセット容器１３４Ａから製品ウエハＷｐが２枚連続して搬出された後に，カセット容器１３４ＢからダミーウエハＷｄが１枚搬出されるという搬出パターンを１サイクルとし，これを複数サイクル繰り返す制御を行うことにより，各ウエハが１枚ずつ処理室に搬送され，所定枚数（例えば１ロット分）の製品ウエハＷｐの処理が行われる。
【００６１】
ところで，基板処理装置１００は，このような通常時の搬出パターンによる製品ウエハＷｐの処理機能とは別に，急いで処理する割込ウエハＷｆ（特急ウエハ）を優先して割り込ませて処理させる割込処理機能（特急処理機能）を備える。この割込処理機能は，例えば割込ウエハＷｆが収容されたカセット容器１３４Ｃがカセット台１３２Ｃにセットされ，割込開始ボタン１４４が押圧されると，１ロット（例えば２５枚）分の処理が途中であっても，優先的に割込ウエハＷｆを処理室２１０Ａに搬送してエッチング処理を行うものである。
【００６２】
このような割込処理機能を利用して割込ウエハＷｆにエッチング処理を行わせる場合，従来のようにカセット容器１３４Ａ，１３４Ｂから搬出される製品ウエハＷｐとダミーウエハＷｄの搬出順序（通常時の搬出パターン）に拘わらず，割込ウエハＷｆの処理が開始された時点でカセット台１３２Ｃから割込ウエハＷｆを搬出するようにしたのでは，搬出パターンのサイクルが崩れる虞がある。
【００６３】
例えば製品ウエハＷｐとダミーウエハＷｄを１枚ずつ交互にカセット容器１３４Ａ，１３４Ｂから搬出する搬出パターンのサイクルで処理が実行されている場合を考えると，割込ウエハＷｆの処理がない場合は，製品ウエハ１枚分のエッチング処理の後にクリーニング処理が行われることになる。ところが，もし製品ウエハＷｐの直後に割込ウエハＷｆの処理が行われると，その割込ウエハＷｆを含むサイクルだけ，製品ウエハ１枚分と割込ウエハ１枚分の合計２枚分のエッチング処理の後にクリーニング処理が行われる。このように搬出パターンのサイクルが崩れると，クリーニング処理のタイミングが崩れてしまう。このため，処理室２１０Ａ内のコンディションが崩れてしまい，結果としてウエハの処理結果にばらつきが生じてしまう虞がある。
【００６４】
そこで，本実施形態では，例えば製品ウエハＷｐ，ダミーウエハＷｄの順で搬出される搬出パターンを崩さずに割込ウエハＷｆの処理を実行できるようにすることで，処理室内のコンディションが崩れることを確実に防止できるものである。具体的には，基板処理装置１００では，割込開始ボタン１４４が押圧された場合には，割込ウエハＷｆをカセット容器１３４Ｃから搬出するタイミングを規制するように各ウエハの搬出順序を制御するウエハ搬送制御を行うようになっている。このようなウエハ搬送制御は，制御部４００により所定のウエハ搬送プログラムに基づいて実行される。
【００６５】
（制御部の構成例）
このような本実施形態におけるウエハ搬送制御を行う制御部４００の構成例について図面を参照しながら説明する。制御部４００は，例えば図３に示すように制御部本体を構成するＣＰＵ（中央処理装置）４１０，ＣＰＵ４１０が使用するＲＯＭ（リード・オンリ・メモリ），ＲＡＭ（ランダム・アクセス・メモリ）などのメモリ４２０，例えばブザーのような警報器等で構成される報知部４３０，基板処理装置１００の各部を制御するための各種コントローラ４４０，基板処理装置１００の処理を行うプログラムを格納するプログラム記憶部４５０，およびプログラムに基づく処理を実行するときに使用するレシピデータなどの各種データを記憶するデータ記憶部４６０を備える。プログラム記憶部４５０とデータ記憶部４６０は，例えばフラッシュメモリ，ハードディスク，ＣＤ−ＲＯＭなどの記録媒体で構成され，必要に応じてＣＰＵ４１０によってデータが読み出される。
【００６６】
これらのＣＰＵ４１０，メモリ４２０，報知部４３０，各種コントローラ４４０，プログラム記憶部４５０，データ記憶部４６０は，制御バス，システムバス，データバス等のバスラインによって電気的に接続されている。
【００６７】
各種コントローラ４４０には，各真空処理ユニット１１０Ａ，１１０Ｂ及び搬送ユニット１２０の各部，例えば各プラズマ処理装置２００Ａ，２００Ｂ，測定室３００，オリエンタ１３７，各搬送機構１６０，１７０などを制御するコントローラを備える。また，各プラズマ処理装置２００Ａ，２００Ｂを制御するコントローラには，例えば図２に示すバルブＶ１，Ｖ２，Ｖ３，ＡＰＣバルブ２１４，ＴＭＰ２１５，ＤＰ２１６，高周波電源２１８，２５２，直流電源２２２，スイッチ２５１などを制御するコントローラも含まれる。また，オペレーションパネル１４２とデータのやり取りを行うコントローラや，割込開始ボタン１４４が押圧されたか否かを検出するコントローラも含まれる。
【００６８】
プログラム記憶部４５０には，上記ウエハ搬送制御を行うためのウエハ搬送プログラム４５２の他，図示はしないがエッチングなどを行うためのプロセス処理プログラム，処理室内のクリーニングを行うためのクリーニング処理プログラム，ウエハの処理結果の測定を行う測定処理プログラムなどが記憶されている。
【００６９】
データ記憶部４６０には，上記ウエハ搬送制御において各部を制御する際に必要なウエハ搬送関連データ４６２の他，プロセス処理において各部を制御する際に必要な設定データ（例えば処理室内圧力，ガス種，ガス流量，高周波電力など）からなるプロセス処理レシピ，クリーニング処理において各部を制御する際に必要なクリーニング処理レシピ，測定処理において各部を制御する際に必要な測定処理レシピなどが記憶されている。
【００７０】
ウエハ搬送関連データ４６２としては，例えば図４に示すようなダミーウエハＷｄの枚数，製品ウエハＷｐの枚数，割込ウエハＷｆの枚数のデータテーブルを有する。製品ウエハＷｐの枚数は，連続してプロセス処理する枚数であり，所望のクリーニング処理のタイミングに応じて設定する。この製品ウエハＷｐの枚数ごとにダミーウエハＷｄが搬出されてクリーニング処理が実行されるからである。
【００７１】
また，ダミーウエハＷｄの枚数は，連続してクリーニング処理する枚数であり，所望のクリーニング処理の長さに応じて設定する。ダミーウエハＷｄの枚数が多いほど連続して実行されるクリーニング処理の回数も多くなるからである。また，割込ウエハＷｆの枚数は，製品用ウエハの枚数以下に設定してもよく，また製品用ウエハの枚数を超えて設定してもよい。
【００７２】
また，ウエハ搬送関連データ４６２として，例えば図５Ａに示すような通常時搬出パターン，図５Ｂに示すような割込時搬出パターンを示すデータテーブルを有する。これらの搬出パターンは，各カセット容器１３４Ａ〜１３４Ｃから各ウエハを搬出する順序の１サイクル分のパターンを示すものである。図５Ａに示す通常時搬出パターンは，ダミーウエハＷｄの枚数及び製品ウエハＷｐの枚数に基づいて決定する。図５Ａでは，その具体例としてダミーウエハＷｄが１枚，製品ウエハＷｐが１枚の場合の通常時搬出パターンを示している。この場合は，製品ウエハＷｐとダミーウエハＷｄがその順に，複数のサイクルで各カセット容器１３４Ａ，１３４Ｂから搬出される。
【００７３】
図５Ｂに示す割込時搬出パターンは，ダミーウエハＷｄの枚数，割込ウエハＷｆの枚数に基づいて決定する。具体的には割込ませる割込ウエハＷｆの枚数分だけ図５Ａに示す通常時搬送パターンの製品ウエハＷｐと置き換えた搬出パターンにする。図５Ｂでは，その具体例としてダミーウエハＷｄが１枚，割込ウエハＷｆが１枚の場合の割込時搬出パターンを示している。この場合は，割込ウエハＷｆとダミーウエハＷｄがその順に，１回のサイクルだけ各カセット容器１３４Ａ，１３４Ｃから搬出される。
【００７４】
また，その他のウエハ搬送関連データ４６２としては，各ウエハがカセット容器から搬出されるごとに，そのウエハの搬出履歴を記憶するウエハ搬出履歴のデータテーブルが設けられている。このようなウエハの搬出履歴のデータテーブルの具体例を図６に示す。図６では，２枚目の製品ウエハＷｐまでが搬出されている状態にあることを示している。すなわち，１枚目の製品ウエハＷｐが搬出された後に１枚目のダミーウエハＷｄが搬出され，２枚目の製品ウエハＷｐが搬出され，その次のウエハは未だ搬出されていない状態である。このウエハの搬出履歴は，例えば制御部４００が行うウエハ搬送制御において割込開始ボタン１４４が押圧されたときに搬出パターンのサイクルが終了しているか否かを判断する際に用いられる。具体的にはウエハの搬出履歴と搬出パターンと照合することにより，その搬出パターンが終了しているか否かを判断することができる。すべて照合できた場合には搬出パターンが終了していることがわかり，照合できなかった場合には搬出パターンが未だ終了していないことがわかる。
【００７５】
なお，例えば図５Ａに示すようにダミーウエハＷｄが各サイクルの最後になる搬出パターンの場合には，ウエハの搬出履歴に基づいて割込開始ボタン１４４が押圧された直前のウエハがダミーウエハＷｄか否かを判断することでその搬出パターンのサイクルが終了したか否かを判断してもよい。すなわち，割込開始ボタン１４４が押圧された直前のウエハがダミーウエハＷｄである場合にはその搬出パターンのサイクルが終了していて次のサイクルが未だ始まっていない状態であることがわかる。これに対して，割込開始ボタン１４４が押圧された直前のウエハがダミーウエハＷｄでない場合にはその搬出パターンのサイクルは未だ途中であることがわかる。
【００７６】
例えば割込開始ボタン１４４が押圧されたときの搬出履歴が図６に示すようになっている場合には，割込開始ボタン１４４の押圧直前のウエハは製品ウエハＷｐであるため，そのサイクルのダミーウエハＷｄの搬出が未だなので，その搬出パターンのサイクルは未だ終了していないと判断することができる。これによれば，その搬出パターンのサイクルが終了したか否かを容易に判断できる。なお，ウエハの搬出履歴に基づいて搬出パターンが終了したか否かを判断する方法は，これに限られるものではない。
【００７７】
（ウエハ搬送制御）
次に，このような制御部４００により行われるウエハ搬送制御の１例について図面を参照しながら説明する。図７は，本実施形態におけるウエハ搬送制御を示すフローチャートである。ここでは，製品ウエハＷｐは１枚（図４においてＬ＝１），ダミーウエハＷｄは１枚（図４においてｍ＝１），割込ウエハＷｆは１枚（図４においてｎ＝１）に設定されており，プラズマ処理装置２００Ａの処理室２１０Ａのみに各ウエハを搬送して処理を行う場合を例に挙げて説明する。この場合には，各カセット容器１３４Ａ〜１３４Ｃから搬出されるウエハの順序として，処理室２１０Ａの通常時搬出パターンは図５Ａに示すようになり，処理室２１０Ａの割込時搬出パターンは図５Ｂに示すようになる。
【００７８】
本実施形態におけるウエハ搬送制御においては，先ずステップＳ１１０にて割込開始ボタン１４４が押圧されたか否かを判断する。割込開始ボタン１４４が押圧されていないと判断した場合は，ステップＳ１２０にて通常時搬出パターンに基づいてカセット容器１３４Ａ，１３４Ｂから各ウエハを搬出する。このステップＳ１２０の処理は，割込開始ボタン１４４が押圧されていない間は繰り返して行う。
【００７９】
そして，ステップＳ１１０にて割込開始ボタン１４４が押圧されたと判断した場合は，ステップＳ１３０にて割込開始ボタン１４４が押圧されたときの通常時搬出パターンのサイクルが終了したか否かを判断する。具体的には当該搬出パターンのサイクルが終了したか否かは，図６に示すようなウエハの搬出履歴に基づいて判断する。
【００８０】
ステップＳ１３０にて割込開始ボタン１４４が押圧されたときの通常時搬出パターンのサイクルが未だ終了していないと判断した場合には，ステップＳ１４０にて通常時搬出パターンの順序でウエハ搬送処理を行う。例えば割込開始ボタン１４４が押圧されたときに図６に示すようなウエハ搬出履歴であった場合には，未だそのサイクルのウエハ搬出が終了していないので通常時搬出パターンの順序でウエハを搬出する。すなわち，ステップＳ１４０にてダミーウエハＷｄを搬出する。
【００８１】
そして，ステップＳ１３０にて割込開始ボタン１４４が押圧されたときの通常時搬出パターンのサイクルが終了したと判断した場合には，ステップＳ１５０にて次のサイクルから割込時搬出パターンの順序でカセット容器１３４Ａ〜１３４Ｃから各ウエハを搬出し，処理室２１０Ａに搬送する。この場合の搬出される各ウエハは，製品ウエハＷｐのすべてを割込ウエハＷｆに置き換えた割込搬出パターンの場合には，割込ウエハＷｆとダミーウエハＷｄである。また，製品ウエハＷｐのすべてを割込ウエハＷｆに置き換えた割込搬出パターンの場合には，割込ウエハＷｆ，製品ウエハＷｐ，ダミーウエハＷｄを搬出して処理室２１０Ａに搬送する。
【００８２】
続いてステップＳ１６０にてその割込ウエハＷｆを含むサイクルが終了したか否かを判断し，終了していなければ終了するまでステップＳ１５０の処理を繰り返す。なお，ステップＳ１５０において割込ウエハＷｆを含むサイクルが終了したか否かは，ステップＳ１３０の場合と同様にウエハの搬出履歴に基づいて判断する。
【００８３】
ステップＳ１７０にてその割込ウエハＷｆを含むサイクルが終了したと判断した場合は，すべてのウエハの処理が終了したか否かを判断する。すなわち，例えば１ロット（２５枚）分の製品ウエハＷｐの処理が終了し，最後のダミーウエハＷｄを搬出したか否かを判断する。ステップＳ１７０にてすべてのウエハの処理が終了していないと判断した場合はステップＳ１１０の処理に戻り，再び通常時搬出パターンの順序でカセット容器１３４Ａ，１３４Ｂから各ウエハを搬出する。これにより，残りの製品ウエハＷｐ，ダミーウエハＷｄの処理が繰り返される。そして，ステップＳ１７０にてすべてのウエハの処理が終了したと判断した場合は，一連のウエハ搬送制御を終了する。
【００８４】
次に，このようなウエハ搬送制御の具体的について説明する。例えば製品ウエハＷｐ，ダミーウエハＷｄ，割込ウエハＷｆがそれぞれ１枚（図４においてＬ＝１，ｍ＝１，ｎ＝１）に設定されている場合には，各カセット容器１３４Ａ，１３４Ｂ，１３４Ｃから搬出されるウエハの順序として，通常時搬出パターンは図５Ａに示すようになり，割込時搬出パターンは図５Ｂに示すようになる。
【００８５】
このような設定条件でウエハ搬送制御を行うと，割込開始ボタン１４４が押圧されていない間は，図５Ａに示す通常時搬出パターンの順序で各ウエハＷｐ，Ｗｄを搬送する。すなわち，図８に示す第１サイクルのようにカセット容器１３４Ａから製品ウエハＷｐを１枚搬出した後，カセット容器１３４ＢからダミーウエハＷｄを１枚搬出するというサイクルを繰り返し，これら製品ウエハＷｐ，ダミーウエハＷｄをこの順序で処理室２１０Ａに搬送する。そして，処理室２１０Ａでは製品ウエハＷｐが搬入されるとその製品ウエハＷｐに対して所定のエッチング処理が施され，ダミーウエハＷｄが搬入されると処理室２１０Ａ内のクリーニング処理が行われる。
【００８６】
このとき，例えば第２サイクルの途中（例えば製品ウエハＷｐの搬出直後）に，割込ウエハＷｆが収容されているカセット容器１３４Ｃがセットされて割込開始ボタン１４４が押圧されたとすると，その第２サイクルが終了するまでは，図５Ａに示す通常時搬出パターンでウエハＷｐ，Ｗｄを搬出する。すなわち，ダミーウエハＷｄを搬出して第２サイクルのウエハの搬出を終了させる。
【００８７】
そして，図８に示すように次の第３サイクルにおいて図５Ｂに示す割込時搬出パターンの順序でウエハＷｆ，Ｗｄを搬出する。すなわち，カセット容器１３４Ｃから割込ウエハＷｆを１枚搬出した後，カセット容器１３４ＢからダミーウエハＷｄを１枚搬出するというサイクルを一度だけ実行し，これら割込ウエハＷｆ，ダミーウエハＷｄをこの順序で処理室２１０Ａに搬送する。そして，処理室２１０Ａでは割込ウエハＷｆが搬入されるとその割込ウエハＷｆに対して製品ウエハＷｐと同様のエッチング処理が施され，ダミーウエハＷｄが搬入されると処理室２１０Ａ内のクリーニング処理が行われる。
【００８８】
これにより，割込ウエハＷｆは，必ず前のサイクルが終了した後（ここではダミーウエハＷｄの後）に搬出されることになるため，搬出パターンが崩されることはなく，クリーニング処理のタイミングが崩されることもない。しかも，割込時搬出パターンは，通常時搬出パターンにおける製品ウエハＷｐを割込ウエハＷｆに置き換えたものであるため，１ロット分の処理の途中にこのような割込搬出パターンによって各ウエハＷｆ，Ｗｄを搬出しても，１ロット分全体の搬出パターンが崩されることはなく，クリーニング処理のタイミングが崩されることもない。これにより，割込ウエハＷｆの処理を行っても処理室２１０Ａ内のコンディションが崩れてしまうことを防止でき，ウエハの処理結果にばらつきを防止できる。
【００８９】
このような割込ウエハＷｆはウエハＷのプロセス処理後の状態（例えば表面層の膜厚，配線溝やゲート電極等のＣＤ値などのプロセス処理結果，ウエハＷの表面におけるパーティクル数など）を測定するための測定ウエハとして用いることができる。この場合には，割込ウエハＷｆは処理室２１０Ａに搬送されると製品ウエハＷｐと同様のプロセス処理が行われる。そして，処理室２１０Ａでの処理が終了すると，測定室３００に搬送されて所定の測定処理が行われ，測定処理が終了するとカセット容器１３４Ｃに戻される。このとき，本実施形態では割込ウエハＷｆ（ここでは測定ウエハ）を割り込ませても搬出パターンが崩れることがない。このため，測定ウエハである割込ウエハＷｆについても製品ウエハＷｐと同様の処理室内コンディションでプロセス処理が行われるので，製品ウエハＷｐと割込ウエハＷｆとの間でもプロセス処理結果にばらつきが生じることもない。これにより，どのようなタイミングで割込開始ボタン１４４が押圧されても，測定ウエハである割込ウエハＷｆは常に製品ウエハＷｐと同様の処理結果が得られる。従って，そのような測定ウエハを用いて測定処理を行うことにより，プロセス処理結果を正確に測定することができる。
【００９０】
次に，ウエハ搬送制御の他の具体例について説明する。例えば製品ウエハＷｐが２枚，ダミーウエハＷｄが１枚，割込ウエハＷｆが２枚（図４においてＬ＝２，ｍ＝１，ｎ＝２）に設定されている場合には，各カセット容器１３４Ａ，１３４Ｂ，１３４Ｃから搬出されるウエハの順序として，通常時搬出パターンは図９Ａに示すようになり，割込時搬出パターンは図９Ｂに示すようになる。
【００９１】
このような設定条件でウエハ搬送制御を行うと，割込開始ボタン１４４が押圧されていない間は，図９Ａに示す通常時搬出パターンの順序でウエハＷｐ，Ｗｄを搬送する。すなわち，図１０の第１サイクルに示すように製品ウエハＷｐを２枚連続して搬出した後，ダミーウエハＷｄを１枚搬出するというサイクルを繰り返し，これら製品ウエハＷｐ，ダミーウエハＷｄをこの順序で処理室２１０Ａに搬送する。そして，処理室２１０Ａでは製品ウエハＷｐが搬入されるとその製品ウエハＷｐに対して所定のエッチング処理が施され，ダミーウエハＷｄが搬入されると処理室２１０Ａ内のクリーニング処理が行われる。
【００９２】
このとき，例えば第１サイクルの途中（例えば２枚目の製品ウエハＷｐの搬出直後）に，割込ウエハＷｆが収容されているカセット容器１３４Ｃがセットされて割込開始ボタン１４４が押圧されたとすると，その第１サイクルが終了するまでは，図９Ａに示す通常時搬出パターンで各ウエハＷｐ，Ｗｄを搬送する。すなわち，カセット容器１３４Ａから製品ウエハＷｐを２枚搬出し，最後にカセット容器１３４ＢからダミーウエハＷｄを搬出して第１サイクルを終了させる。
【００９３】
そして，図１０に示すように次の第２サイクルにおいて図９Ｂに示す割込時搬出パターンの順序で各ウエハＷｆ，Ｗｄを搬出する。すなわち，カセット容器１３４Ｃから割込ウエハＷｆを２枚搬出した後，カセット容器１３４ＢからダミーウエハＷｄを１枚搬出するというサイクルを一度だけ実行し，これら割込ウエハＷｆ，ダミーウエハＷｄをこの順序で処理室２１０Ａに搬送する。そして，処理室２１０Ａでは割込ウエハＷｆが搬入されるとその割込ウエハＷｆに対して製品ウエハＷｐと同様のエッチング処理が施され，ダミーウエハＷｄが搬入されると処理室２１０Ａ内のクリーニング処理が行われる。
【００９４】
これにより，割込ウエハＷｆは，必ず前のサイクルが終了した後（ここではダミーウエハＷｄの後）に搬出されることになるため，搬出パターンが崩されることはなく，クリーニング処理のタイミングが崩されることはない。しかも，例えば図９Ｂに示すように割込時搬出パターンは，図９Ａに示す通常時搬出パターンにおける２枚分の製品ウエハＷｐを２枚分の割込ウエハＷに置き換えたものであるため，１ロット分の処理の途中にこのような割込時搬出パターンによるウエハの搬出を行っても全体の搬出パターンが崩されることはなく，クリーニング処理のタイミングが崩されることもない。これにより，処理室２１０Ａ内のコンディションが崩れてしまうことを防止でき，ウエハの処理結果にばらつきを防止できる。
【００９５】
なお，上述した具体例では割込ウエハＷｆの設定枚数が，連続して処理する製品ウエハＷｐの設定枚数と等しい場合について説明したが，必ずしもこれに限定されるものではなく，割込ウエハＷｆの設定枚数は，連続して処理する製品ウエハＷｐの設定枚数より少なくてもよく，また多くてもよい。
【００９６】
割込ウエハＷｆの設定枚数が製品ウエハＷｐの設定枚数と同じ場合に，割込時搬出パターンを設定するには，上述したように通常時搬出パターンの製品ウエハＷｐをすべて割込ウエハＷｆに置き換えるだけで足りる。これに対して，割込ウエハＷｆの設定枚数が製品ウエハＷｐの設定枚数よりも少ない場合に，割込時搬出パターンを設定するには，通常時搬出パターンの製品ウエハＷｐの一部を割込ウエハＷｆに置き換えるようにすればよい。
【００９７】
具体的には例えば通常時搬出パターンが２枚の製品ウエハＷｐ，１枚のダミーウエハＷｄの順に設定されている場合に，割込ウエハＷｆが１枚に設定されている場合には，割込ウエハＷｆの搬出パターンを例えば図１１に示すように１枚の割込ウエハＷｆ，１枚の製品ウエハＷｐ，１枚のダミーウエハＷｄの順にすればよい。これにより，例えば図１２に示すように第１サイクルの途中で割込開始ボタン１４４が押圧された場合は，次の第２サイクルで割込ウエハＷｆ，製品ウエハＷｐ，ダミーウエハＷｄの順に搬出される。
【００９８】
また，割込ウエハＷｆの設定枚数が製品ウエハＷｐの設定枚数よりも多い場合に，複数の割込時搬出パターンに決定し，割込ウエハＷｆの数だけ順番に製品ウエハＷｐを置き換えるようにようにすればよい。具体的には例えば通常時搬出パターンが２枚の製品ウエハＷｐ，１枚のダミーウエハＷｄに設定されている場合に，割込ウエハＷｆが３枚に設定されている場合には，割込ウエハＷｆの搬出パターンを例えば図１３Ａに示す第１の割込時搬出パターンと，図１３Ｂに示す第２の割込時搬出パターンとに決定すればよい。第１の割込時搬出パターンは，２枚の割込ウエハＷｆ，１枚のダミーウエハＷｄの順序であり，第２の割込時搬出パターンは，１枚の割込ウエハＷｆ，１枚の製品ウエハＷｐ，１枚のダミーウエハＷｄの順序である。
【００９９】
これにより，例えば図１４に示すように第１サイクルの途中で割込開始ボタン１４４が押圧された場合は，次の第２サイクルで第１の割込時搬出パターンによる各ウエハＷｆ，Ｗｄの搬出を行い，第３サイクルで第２の割込時搬出パターンによる各ウエハＷｆ，Ｗｐ，Ｗｄの搬出を行う。すなわち，第２サイクルでは２枚の割込ウエハＷｆ，１枚のダミーウエハＷｄの順序で搬出し，第３サイクルでは１枚の割込ウエハＷｆ，１枚の製品ウエハＷｐ，１枚のダミーウエハＷｄの順序で搬出する。このように，割込時の搬出パターンを割込ウエハＷｆの枚数に応じて決定することにより，クリーニング処理のタイミングを崩すことなく，所望の枚数だけ割り込ませることができる。
【０１００】
なお，上記実施形態では，カセット容器１３４Ａ〜１３４Ｃから搬出したウエハを処理室２１０Ａのみに搬送する場合を例に挙げて説明したが，これに限られるものではなく，カセット容器１３４Ａ〜１３４Ｃから搬出したウエハを処理室２１０Ｂのみに搬送する場合も同様にウエハ搬送制御が行われる。
【０１０１】
また，処理室２１０Ａ，２１０Ｂの両方に搬送する場合には，各処理室２１０Ａ，２１０Ｂごとに通常時搬出パターン及び割込時搬出パターンを記憶しておき，さらに割込ウエハＷｆをどの処理室に搬送して処理させるかを予め設定しておくことで，上記と同様にウエハ搬送制御を行うことができる。この場合に，カセット容器１３４Ａ〜１３４Ｃから各ウエハを搬出させるには，各処理室２１０Ａ，２１０Ｂの通常時搬出パターン（又は割込時搬出パターン）に基づいて各処理室２１０Ａ，２１０Ｂごとに例えば１枚ずつ搬出するようにしてもよく，搬出パターンごとに搬出するようにしてもよい。また，各処理室２１０Ａ，２１０Ｂの通常時搬出パターン（又は割込時搬出パターン）は同じであってもよく，また異なっていてもよい。
【０１０２】
また，処理室２１０Ａ，２１０Ｂのどちらか先に終了した方にウエハを搬送する，所謂オア搬送を行う場合でも，割込ウエハＷｆを搬送する処理室を予め設定しておくことで上記と同様のウエハ搬送制御を行うことができる。
【０１０３】
また，上記実施形態では，カセット容器から搬出するウエハの搬出パターンとして１枚又は複数枚の製品ウエハＷｐの後にダミーウエハＷｄを搬出する場合について説明したが，これに限られるものではない。例えばダミーウエハＷｄを最初に搬出して処理室内のコンディションを整えてから１枚又は複数枚の製品ウエハＷｐを搬出する搬出パターンであってもよい。
【０１０４】
また，上記実施形態では，本発明を２つの処理室２１０Ａ，２１０Ｂを備える基板処理装置１００に適用した場合について説明したが，必ずしもこれに限定されるものではなく，１つの処理室のみを備える基板処理装置に適用してもよい。また，３つ以上の処理室を備える基板処理装置１００に適用してもよい。
【０１０５】
また，上記実施形態により詳述した本発明については，複数の機器から構成されるシステムに適用しても，１つの機器からなる装置に適用してもよい。上述した実施形態の機能を実現するソフトウエアのプログラムを記憶した記憶媒体等の媒体をシステムあるいは装置に供給し，そのシステムあるいは装置のコンピュータ（又はＣＰＵやＭＰＵ）が記憶媒体等の媒体に記憶されたプログラムを読み出して実行することによっても，本発明が達成され得る。
【０１０６】
この場合，記憶媒体等の媒体から読み出されたプログラム自体が上述した実施形態の機能を実現することになり，そのプログラムを記憶した記憶媒体等の媒体は本発明を構成することになる。プログラムを供給するための記憶媒体等の媒体としては，例えば，フロッピー（登録商標）ディスク，ハードディスク，光ディスク，光磁気ディスク，ＣＤ−ＲＯＭ，ＣＤ−Ｒ，ＣＤ−ＲＷ，ＤＶＤ−ＲＯＭ，ＤＶＤ−ＲＡＭ，ＤＶＤ−ＲＷ，ＤＶＤ＋ＲＷ，磁気テープ，不揮発性のメモリカード，ＲＯＭなどが挙げられる。また，媒体に対してプログラムを，ネットワークを介してダウンロードして提供することも可能である。
【０１０７】
なお，コンピュータが読み出したプログラムを実行することにより，上述した実施形態の機能が実現されるだけでなく，そのプログラムの指示に基づき，コンピュータ上で稼動しているＯＳなどが実際の処理の一部又は全部を行い，その処理によって上述した実施形態の機能が実現される場合も，本発明に含まれる。
【０１０８】
さらに，記憶媒体等の媒体から読み出されたプログラムが，コンピュータに挿入された機能拡張ボードやコンピュータに接続された機能拡張ユニットに備わるメモリに書き込まれた後，そのプログラムの指示に基づき，その機能拡張ボードや機能拡張ユニットに備わるＣＰＵなどが実際の処理の一部又は全部を行い，その処理によって上述した実施形態の機能が実現される場合も，本発明に含まれる。
【０１０９】
以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【０１１０】
例えば，上記実施形態では，例えば処理ユニットを処理室にロードロック室を接続して構成し，搬送ユニットに複数の処理ユニットを並列に接続した所謂タンデム型の基板処理装置を例に挙げて説明したが，これに限られず，例えば処理ユニットを共通搬送室の周りに複数の処理室を接続して構成した所謂クラスタツール型の基板処理装置にも本発明を適用できる。この場合において，製品ウエハＷｐが複数の処理室を渡り歩くような経路で処理される場合には，割込ウエハＷｆについても同様の経路で同様に処理されるようにしてもよい。これにより，製品ウエハＷｐの１ロット分の処理の途中で割込ウエハＷｆを測定ウエハとして用いることができ，そのようにしてもウエハの搬出パターンが崩れることはなく，各処理室内のコンディションが崩れることを防止できる。
【産業上の利用可能性】
【０１１１】
本発明は，基板収納容器から基板を一枚ずつ搬出して処理室に搬送して所定の処理を行う基板処理装置及びその基板搬送方法に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１１２】
【図１】本発明を適用可能な基板処理装置の構成例を示す断面図である。
【図２】図１に示すプラズマ処理装置の概略構成を示す断面図である。
【図３】図１に示す制御部の構成例を示すブロック図である。
【図４】同実施形態における各ウエハの設定枚数を記憶するデータテーブルの具体例を示す図である。
【図５Ａ】同実施形態における通常時搬出パターンの具体例を示す図である。
【図５Ｂ】同実施形態における割込時搬出パターンの具体例を示す図である。
【図６】同実施形態におけるウエハの搬出履歴の具体例を示す図である。
【図７】図１に示す制御部が行うウエハ搬送制御の１例を示すフローチャートである。
【図８】図５Ａ，図５Ｂに示す搬出パターンに基づくウエハ搬出順序の１例を示す図である。
【図９Ａ】同実施形態における通常時搬出パターンの他の具体例を示す図である。
【図９Ｂ】同実施形態における割込時搬出パターンの他の具体例を示す図である。
【図１０】図９Ａ，図９Ｂに示す搬出パターンに基づくウエハ搬出順序の１例を示す図である。
【図１１】図９Ｂに示す割込時搬出パターンの他の具体例を示す図である。
【図１２】図９Ａ，図１１に示す各搬出パターンに基づくウエハ搬出順序の１例を示す図である。
【図１３Ａ】図９Ｂに示す割込時搬出パターンのさらに他の具体例を示す図であって，第１の割込時搬出パターンを示すものである。
【図１３Ｂ】図１３Ａに連続する第２の割込時搬出パターンを示す図である。
【図１４】図９Ａ，図１３Ａ，図１３Ｂに示す各搬出パターンに基づくウエハ搬出順序の１例を示す図である。
【符号の説明】
【０１１３】
１００      基板処理装置
１１０（１１０Ａ，１１０Ｂ）      真空処理ユニット
１２０      搬送ユニット
１３０      搬送室
１３２Ａ〜１３２Ｃ      カセット台
１３４Ａ〜１３４Ｃ      カセット容器
１３６Ａ〜１３６Ｃ      ロードポート
１３７      オリエンタ
１３８      回転載置台
１３９      光学センサ
１４０      操作部
１４０Ａ，１４０Ｂ      処理室
１４２      オペレーションパネル
１４４      割込開始ボタン
１５０Ａ，１５０Ｂ      ロードロック室
１５２Ａ，１５２Ｂ      ゲートバルブ
１５４Ａ，１５４Ｂ      バッファ用載置台
１５６Ａ，１５６Ｂ      バッファ用載置台
１６０      共通搬送機構
１６２      基台
１７０Ａ，１７０Ｂ      個別搬送機構
１７２Ａ，１７２Ｂ      ピック
２００（２００Ａ，２００Ｂ）      プラズマ処理装置
２１０（２１０Ａ，２１０Ｂ）      処理室
２１１（２１１Ａ，２１１Ｂ）      サセプタ
２１２      排気路
２１３      バッフル板
２１４      ＡＰＣバルブ
２１５      ＴＭＰ
２１６      ＤＰ
２１７      排気管
２１８      高周波電源
２１９      整合器
２２０      電極板
２２２      直流電源
２２４      フォーカスリング
２２５      冷媒室
２２６      配管
２２７      伝熱ガス供給孔
２２８      伝熱ガス供給ライン
２２９      伝熱ガス供給管
２３０      プッシャーピン
２３１      搬入出口
２３２      ゲートバルブ
２３２Ａ，２３２Ｂ      ゲートバルブ
２３３      上部電極
２３４      ガス通気孔
２３５      電極板
２３６      電極支持体
２３７      バッファ室
２３８      処理ガス導入管
２５０      導線
２５１      スイッチ
２５２      高周波電源
３００      測定室
３０２      載置台
３０４      光学センサ
４００      制御部
４１０      ＣＰＵ
４２０      メモリ
４３０      報知部
４４０      各種コントローラ
４５０      プログラム記憶部
４５２      ウエハ搬送プログラム
４６０      データ記憶部
４６２      ウエハ搬送関連データ
Ｗ        ウエハ
Ｗｄ      ダミーウエハ
Ｗｆ      割込ウエハ
Ｗｐ      製品ウエハ
【図１】
0005294681.tif 000002
【図２】
0005294681.tif 000003
【図３】
0005294681.tif 000004
【図４】
0005294681.tif 000005
【図５Ａ】
0005294681.tif 000006
【図５Ｂ】
0005294681.tif 000007
【図６】
0005294681.tif 000008
【図７】
0005294681.tif 000009
【図８】
0005294681.tif 000010
【図９Ａ】
0005294681.tif 000011
【図９Ｂ】
0005294681.tif 000012
【図１０】
0005294681.tif 000013
【図１１】
0005294681.tif 000014
【図１２】
0005294681.tif 000015
【図１３Ａ】
0005294681.tif 000016
【図１３Ｂ】
0005294681.tif 000017
【図１４】
0005294681.tif 000018