(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶層を挟持した一対の透明基板を備え、
前記一対の透明基板のうち一方の透明基板の前記液晶層側には、
表示領域にマトリクス状に配置された複数の走査線及び複数の信号線と、
前記走査線及び前記信号線で区画された画素領域毎に形成された第１電極と、
前記第１電極の上に絶縁膜を介して形成され、少なくとも前記表示領域に亘って形成された第２電極と、
前記表示領域より外側に形成された共通配線と、
を有し、
前記第２電極は、前記表示領域の少なくとも一辺部に沿って形成された当該第２電極よりも抵抗の小さい第一の低抵抗化配線と、当該第一の低抵抗化配線と前記共通配線とを接続するために設けられた前記第２電極よりも抵抗の小さい第二の低抵抗化配線とを介して前記共通配線と電気的に接続されている
液晶表示装置。
【請求項２】
前記第一及び第二の低抵抗化配線は、平面視で前記表示領域と前記共通配線との間に形成されている
請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記第一及び第二の低抵抗化配線は、平面視において前記表示領域より外側に延出する前記第２電極と重畳して形成されている
請求項１又は請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記第一の低抵抗化配線の両端部が前記共通配線に電気的に接続されている
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記共通配線は、前記表示領域から離間した位置に前記第一の低抵抗化配線と平行に配置されている
請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記第一及び第二の低抵抗化配線は、前記走査線又は前記信号線と同じ材料で形成されている
請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記表示領域は、略長方形であり、
前記第一の低抵抗化配線は、前記表示領域の長手方向に沿って形成されている
請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載の液晶表示装置を備えた
電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、クロストークが少なく、表示品質が良好で視野角が広い液晶表示装置及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、表面に電極等が形成された一対の透明基板と、この一対の基板間に挟持された液晶層とを有し、両基板上の電極に電圧を印加することによって液晶を再配列させて種々の情報を表示する縦方向電界方式のものが多く使用されている。このような縦方向電界方式の液晶表示装置は、ＴＮ（Twisted Nematic）モードのものが一般的であるが、視野角が狭いという問題点が存在するため、ＶＡ（Vertical Alignment）モードやＭＶＡ（Multidomain Vertical Alignment）モード等、種々の改良された縦方向電界方式の液晶表示装置が開発されている。
【０００３】
一方、上述の縦方向電界方式の液晶表示装置とは異なり、一方の基板にのみ画素電極及び共通電極からなる一対の電極を備えたＩＰＳ（In-Plane Switching）モードないしＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードの液晶表示装置も知られている。
【０００４】
このうちＩＰＳモードの液晶表示装置は、一対の電極を同一層に配置し、液晶に印加する電界の方向を基板にほぼ平行な方向として液晶分子を基板に平行な方向に再配列するものである。そのため、このＩＰＳモードの液晶表示装置は、横方向電界方式の液晶表示装置ともいわれ、前述の縦方向電界方式の液晶表示装置と比すると非常に広視野角であるという利点を有している。しかしながら、ＩＰＳモードの液晶表示装置は、一対の電極が同一層に設けられているため、画素電極の上側に位置する液晶分子は十分に駆動されず、透過率等の低下を招いてしまうといった問題点が存在している。
【０００５】
このようなＩＰＳモードの液晶表示装置の問題点を解決するために、いわゆる斜め電界方式ともいうべきＦＦＳモードの液晶表示装置が開発されている（下記特許文献１及び２参照）。このＦＦＳモードの液晶表示装置は液晶層に電界を印加するための画素電極と共通電極をそれぞれ絶縁膜を介して異なる層に配置したものである。
【０００６】
このＦＦＳモードの液晶表示装置は、ＩＰＳモードの液晶表示装置よりも広視野角かつ高コントラストであり、更に低電圧駆動ができると共により高透過率であるため明るい表示が可能となるという特徴を備えている。加えて、ＦＦＳモードの液晶表示装置は、ＩＰＳモードの液晶表示装置よりも平面視で画素電極と共通電極との重複面積が大きいために、より大きな保持容量が副次的に生じ、別途補助容量線を設ける必要がなくなるという長所も存在している。
【０００７】
一方、ＦＦＳモードの液晶表示装置においては、スイッチング素子や画素電極の表面には段差が形成されないようにするため、上述のＶＡ方式ないしＭＶＡ方式の液晶表示装置で使用されているような平坦化膜を用い、この平坦化膜上に画素電極や共通電極を配置することが開示されている（下記特許文献３参照）。
【０００８】
【特許文献１】特開２００１−２３５７６３号公報
【特許文献２】特開２００２−１８２２３０号公報
【特許文献３】特開２００７−２２６１９９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上記特許文献３によれば、平坦化膜上に画素電極や共通電極を形成した場合、絶縁膜の上側の電極（以下、「上電極」という。）及び下側の電極（以下、「下電極」という。）のいずれをも画素電極及び共通電極として使用し得る。そして、下電極を画素電極として使用する場合、下電極をスイッチング素子である薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の近傍及び信号線及び走査線の近傍にまで延在させることができるため、開口度が大きくなって明るい表示の液晶表示パネルが得られるという利点がある。そして、画素領域において上電極に複数のスリットを形成する必要があるが、上電極をベタ状に形成することができるため、共通電極としての上電極の抵抗が小さくなり、共通電極の電位が安定化して表示品質が良好なＦＦＳモードの液晶表示装置が得られるとしている。
【００１０】
一方、上電極を共通電極として使用する場合、上電極にはスリットが形成されているために段差があり、この段差に起因して焼き付き現象が生じることが見出されている。この焼き付き現象を抑制するには、上電極の段差を小さくすると効果的である。そこで、上電極の厚さを下電極の厚さの半分程度（具体的には、５０ｎｍ程度）に薄くすることが考えられる。しかしながら、上電極はＩＴＯやＩＺＯ等、導電性材料から形成されているため、上電極の厚さを薄くすると上電極の抵抗値がより高くなってしまう。しかも上電極には画素領域毎に複数のスリットが形成されているので、上電極の抵抗値は、上電極をベタ状に形成した場合よりも高くなってしまう。上電極の抵抗値が上昇すると、印加された信号が電気的に劣化してしまい、液晶層に所定の駆動電位が適性に与えられないことに起因するクロストークが発生する。このようなクロストークの発生は、特にワイドサイズと称される横長の液晶表示装置において顕著に現れるという課題があった。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【００１２】
［適用例１］液晶層を挟持した一対の透明基板を備え、一対の透明基板のうち一方の透明基板の液晶層側には、表示領域にマトリクス状に配置された複数の走査線及び複数の信号線と、走査線及び信号線で区画された画素領域毎に形成された第１電極と、第１電極の上に絶縁膜を介して形成され、少なくとも表示領域に亘って形成された第２電極と、表示領域より外側に形成された共通配線と、を有し、第２電極は、表示領域の少なくとも一辺部に沿って形成された当該第２電極よりも抵抗の小さい第一の低抵抗化配線と、当該第一の低抵抗化配線と共通配線とを接続するために設けられた第２電極よりも抵抗の小さい第二の低抵抗化配線とを介して共通配線と電気的に接続されている液晶表示装置。
【００１３】
この構成によれば、第２電極の抵抗は見かけ上小さくなるから、共通配線を介して印加される第２電極の電位が安定してクロストークが少ない液晶表示装置が得られる。
【００１４】
なお、第１電極及び第２電極として、ＩＴＯ又はＩＺＯ等の導電性材料を使用することができる。この場合、第１電極と第２電極とは同組成のものであっても異なる組成のものであっても良い。また、これらの電極に接続するスイッチング素子としては、ｐ−Ｓｉ（ポリシリコン）型の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Tin Film Transistor）素子、ａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）型のＴＦＴ素子、低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ：Low Temperature Poly Silicon）型のＴＦＴ素子などの三端子型素子、或いは薄膜ダイオード（ＴＦＤ：Thin Film Diode）素子などに代表される二端子型非線形素子などを用いることができる。
【００１５】
［適用例２］上記適用例に係る液晶表示装置において、第一及び第二の低抵抗化配線は、平面視で表示領域と共通配線との間に形成されていることが好ましい。
【００１６】
この構成によれば、第２電極の面積を必要以上に（例えば、共通配線の外側まで）広くしなくても第２電極と第一及び第二の低抵抗化配線とを接続することができる。また、表示領域と共通配線との間にスペースがあった場合、このスペースの一部を利用して第一及び第二の低抵抗化配線を形成することができる。よって、第一及び第二の低抵抗化配線の形成のために表示領域の面積を減らす必要がなくなり、スペースを有効利用することができる。
【００１７】
上記したように、第一の低抵抗化配線は、表示領域の少なくとも一辺部に沿って形成されていればよい。つまり、液晶表示装置は、表示領域において共通配線が存在する辺では表示領域と共通配線との間に第一及び第二の低抵抗化配線を設け、共通配線が存在しない辺では表示領域の外側に第一の低抵抗化配線を設けて、第２電極を第一及び第二の低抵抗化配線に電気的に接続するようにしているので、共通電極として機能する第２電極の電位が安定し、表示の画質が良好な液晶表示装置が得られる。
【００１８】
［適用例３］上記適用例に係る液晶表示装置において、第一及び第二の低抵抗化配線は、平面視において表示領域より外側に延出する第２電極と重畳して形成されていることが好ましい。
【００１９】
この構成によれば、第２電極より外側の領域に第一及び第二の低抵抗化配線を設けた場合と比較して、液晶表示装置の大きさを小さくすることができる。
【００２０】
［適用例４］上記適用例に係る液晶表示装置において、第一の低抵抗化配線の両端部が共通配線に電気的に接続されていることが好ましい。
【００２１】
この構成によれば、第一の低抵抗化配線の片側で共通配線と電気的に接続するよりも両端部で接続した方が第２電極の抵抗は見かけ上より小さくなるので、効果が良好に奏されるようになる。
【００２２】
［適用例５］上記適用例に係る液晶表示装置において、共通配線は、表示領域から離間した位置に第一の低抵抗化配線と平行に配置されていることが好ましい。
【００２３】
この構成によれば、第２電極は（例えば、行方向に延びる）第一の低抵抗化配線だけでなく、共通配線と第一の低抵抗化配線との間（例えば、列方向）に形成された第二の低抵抗化配線によっても共通配線と接続された状態となる。従って、第２電極の見かけ上の抵抗をより小さくすることができるため、効果がより良好に奏されるようになる。なお、第二の低抵抗化配線は、表示領域に形成されている画素領域の列毎に形成されていてもよく或いは複数列毎に形成されていてもよいが、表示領域に形成されている画素領域の列毎に形成されていた方がより第２電極の見かけ上の抵抗が小さくなるので好ましい。
【００２４】
［適用例６］上記適用例に係る液晶表示装置において、第一及び第二の低抵抗化配線は、走査線又は信号線と同じ材料で形成されていることが好ましい。
【００２５】
この構成によれば、走査線ないし信号線の形成と同時に第一及び第二の低抵抗化配線を形成することができるので、製造工程を変えることなく容易に第一及び第二の低抵抗化配線を形成することができる。
【００２６】
［適用例７］上記適用例に係る液晶表示装置において、表示領域は、略長方形であり、第一の低抵抗化配線は、表示領域の長手方向に沿って形成されていることが好ましい。
【００２７】
この構成によれば、表示領域の長手方向に沿って第一の低抵抗化配線が形成されており、この第一の低抵抗化配線を介して共通配線と第２電極が電気的に接続されているので、表示領域の短手方向に第一の低抵抗化配線が形成されている場合と比較して、第２電極における一辺の両端部の抵抗が平面的に見れば大きくなることを抑えることができる。つまり、長手方向に第一の低抵抗化配線を設けて共通配線と接続した方が、より第２電極の抵抗を小さくすることができる。なお、第一の低抵抗化配線は、長手方向である表示領域の外側の列方向上下の少なくとも一方に形成すればよいが、両側に形成した方が第２電極の抵抗は見かけ上より小さくなるので、より良好な効果を奏する。
【００２８】
［適用例８］本適用例に係る電子機器は、上記のいずれか一項に記載の液晶表示装置を備えたことを特徴とする。
【００２９】
この構成によれば、クロストークが少なく、表示品質が良好で視野角が広い液晶表示装置を使用した電子機器が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下、図面を参照して本発明の最良の実施形態を実施例より説明する。但し、以下に示す実施例は、本発明の技術思想を具体化するための液晶表示装置を例示するものである。本発明をこの液晶表示装置に特定することを意図するものではない。従って、特許請求の範囲に含まれるその他の実施形態のものにも等しく適応し得るものである。また、この明細書における説明のために用いられた各図面においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせて表示している。つまり、必ずしも実際の寸法に比例して表示されているものではない。
【００３１】
図１は実施例の液晶表示装置のアレイ基板の２画素分の模式平面図である。図２は実施例の液晶表示装置のアレイ基板の概略平面図である。図３は図１のIII−III線に沿った模式断面図である。図４は図１のIV−IV線に沿った模式断面図である。また、図５は図２のＶ部分の拡大平面図である。図６は、図５のＸ部分の拡大平面図である。図７は図２のVI部分の拡大平面図である。図８は図５のVII−VII線に沿った模式断面図である。図９は実施例の変形例の図８に対応する模式断面図である。図１０（Ａ）は液晶表示パネルを搭載したパーソナルコンピュータを示す図であり、図１０（Ｂ）は液晶表示パネルを搭載した携帯電話機を示す図である。
【実施例１】
【００３２】
この実施例のＦＦＳモードの液晶表示装置１０は、一対の対向する基板との間に液晶層（図示せず）を挟むように構成されたものである。そして一対の基板のうち、一方の基板をアレイ基板ＡＲ（図３参照）として、他方の基板をカラーフィルタ等が形成されるカラーフィルタ基板（図示せず）とするものである。
アレイ基板ＡＲは、最初にガラス基板等の透明基板１１（図３参照）の表面全体に亘ってアルミニウム又はアルミニウム合金等の導電性層が形成される。その後、周知のフォトリソグラフィー法及びエッチング法によって、表示領域ＤＡに複数の走査線１２を互いに平行になるように形成する。また、表示領域ＤＡの周囲（以下、「額縁領域」という。）に共通配線１６1及びゲート配線（図示せず）を形成する。このゲート配線は、共通配線１６1よりも表示領域ＤＡ側に設けられる。更に、図２に示したパターンとなるように、第１の低抵抗化配線１６2、第２の低抵抗化配線１６3及び第３の低抵抗化配線１６4を形成する。
この表示領域ＤＡは、液晶表示装置１０の外部から入力された映像のための信号に基づいて、液晶層の液晶分子を制御する領域である。そして、表示領域ＤＡは、矩形状の透明基板１１の形状と同様に、横長の表示領域ＤＡとなっている。
【００３３】
具体的には、共通配線１６1は、ドライバＩＣや各種端子が配置される額縁領域の一部ＴＡを除いて、表示領域ＤＡの外周部を囲むように、他の配線よりも太く形成されている。つまり、この共通配線１６1は、例えば、図２に示すように、矩形状の透明基板１１の二つの短辺と一つの長辺に沿って、表示領域ＤＡよりも外側に形成されている。そして、共通配線１６1が形成されていない透明基板１１の一つの長辺に、ドライバＩＣや各種端子が配置される。
【００３４】
そして、第１〜第３の低抵抗化配線１６2,１６3，１６4のうち、第１及び第２の低抵抗化配線１６2及び１６3は、それぞれ「行方向の低抵抗化配線」を形成するものであり、表示領域ＤＡの外側の列方向上下に行方向に沿って形成されている。
つまり、第１の低抵抗化配線１６2は、透明基板１１の長辺に沿って形成されている共通配線１６1と平行に形成されている。また、表示領域ＤＡよりも外側の領域で、表示領域ＤＡの長手方向に沿って形成されている。なお、第１の低抵抗化配線１６2は、表示領域ＤＡの外側の領域に設けているが、できるだけ表示領域ＤＡに近い方が好ましい。従って、表示領域ＤＡの中で最も外側に位置する第１電極としての下電極１９（図５参照）に隣接するように、第１の低抵抗化配線１６2を形成するのがよい。
【００３５】
そして、第２の低抵抗化配線１６3は、表示領域ＤＡよりも外側の領域で、透明基板１１の共通配線１６1が形成されていない表示領域ＤＡの長手方向に沿って形成されている。なお、列方向とは信号線１５と平行な方向であり、行方向とは走査線１２と平行な方向である。
【００３６】
そして、この第１及び第２の低抵抗化配線１６2及び１６3は共に行方向の両端部で共通配線１６1に一体に接続されている。つまり、表示領域ＤＡの長手方向に沿って延びる第１及び第２の低抵抗化配線１６2及び１６3の両端部は、透明基板１１の二つの短辺に形成された共通配線１６1にそれぞれ接続されている。これにより、片側で共通配線１６1と電気的に接続するよりも両端部で接続した方が第２電極としての上電極２２の抵抗は見かけ上より小さくなるので、効果が良好に奏されるようになる。
【００３７】
更に、図２に示すように、表示領域ＤＡの外側の上側（図２における上側）に形成された第１の低抵抗化配線１６2は、画素領域の列方向に形成された第３の低抵抗化配線１６4によって共通配線１６1に電気的に接続されている。この第３の低抵抗化配線１６4は、「列方向の低抵抗化配線」を形成するものである。また、第３の低抵抗化配線１６4は、表示領域ＤＡの外側において、列方向下側には共通配線１６1が形成されていないために列方向の上側にのみ形成されている。
【００３８】
つまり、第１の低抵抗化配線１６2と、この第１の低抵抗化配線１６2と平行に延びる透明基板１１の長辺に形成された共通配線１６1とは、両配線を接続する接続配線によって電気的に接続されている。そして、第１の低抵抗化配線１６2から、例えば垂直に延びる接続配線が、列方向の低抵抗化配線である第３の低抵抗化配線１６4となる。
【００３９】
この第３の低抵抗化配線１６4は、表示領域ＤＡに形成されている画素領域の列毎に形成してもよく或いは複数列毎に形成されていてもよいが、表示領域ＤＡに形成されている画素領域の列毎に形成されていた方がより後述する第２電極としての上電極２２の見かけ上の抵抗が小さくなるために好ましい。
【００４０】
また、図５に示すように、第１の低抵抗化配線１６2と共通配線１６1との間のスペースには、静電気保護回路３０が設けられている。具体的には、静電気保護回路３０は、一方が信号線１５の端部と接続し、他方が共通配線１６1に接続している。また、静電気保護回路３０は、画素領域の列毎に設けられている。よって、第３の低抵抗化配線１６4は、信号線１５の端部に形成された静電気保護回路３０の横に（静電気保護回路３０を避けるように）それぞれを設ける。
【００４１】
ここで静電気保護回路３０の構成と機能について簡単に説明する。静電気保護回路３０は、信号線１５の端部と共通配線１６1との間に二つのＴＦＴ（ＴＦＴ１，ＴＦＴ２）を有している。図６（Ａ）に示すように、各製造工程中に共通配線１６1側が高電圧となった場合には信号線１５側に電荷を逃がし、反対に信号線１５側が高電圧となった場合には、図６（Ｂ）に示すように、共通配線１６1側に電荷を逃がすようになっている。すなわち、この静電気保護回路３０によって、液晶表示装置１０の製造工程において生じた静電気による、表示領域ＤＡに形成されたスイッチング素子の破壊等を防止することができる。
【００４２】
このように、信号線１５の端部や、図示しない走査線１２の端部は、一般的に一方が信号の入力のためドライバＩＣと接続されることになるが、他方は静電気保護回路３０を介して共通配線１６1に接続される。従って、表示領域ＤＡと共通配線１６1との間は、静電気保護回路３０が存在するために一定の距離を必要とする。従って、この静電気保護回路３０を介して存在する共通配線１６1と第１の低抵抗化配線１６2との間には、接続配線（第３の低抵抗化配線１６4）を設けておいた方がより上電極２２の抵抗を小さくできる。
【００４３】
また、後述する上電極２２との接続部を形成するため、共通配線１６1から内側（表示領域ＤＡ側）に突出した接続部１６5が形成されている。また、第１の低抵抗化配線１６2及び第２の低抵抗化配線１６3にはそれぞれ部分的に幅が広くされた接続部１６6及び１６7が形成されている（図５及び図７参照）。ここでは、これらの第１の低抵抗化配線１６2及び第２の低抵抗化配線１６3に形成された接続部１６6及び１６7は、表示領域ＤＡに形成されている画素領域の列毎に形成されている。
【００４４】
次いで、この表面全体に窒化硅素層ないし酸化硅素層からなるゲート絶縁膜１３を被覆する。その後、ＣＶＤ法により例えばアモルファスシリコン（以下「ａ−Ｓｉ」という。）層をゲート絶縁膜１３の表面全体に亘って被覆した後、同じくフォトリソグラフィー法及びエッチング法によって、ＴＦＴ形成領域にａ−Ｓｉ層からなる半導体層１４を形成する。この半導体層１４が形成されている位置の走査線１２の領域がＴＦＴのゲート電極Ｇを形成する（図３参照）。
【００４５】
次いで、アルミニウム又はアルミニウム合金等からなる導電性層を半導体層１４を形成した透明基板１１の表面全体に亘って被覆する。更に、その導電性層を、フォトリソグラフィー法及びエッチング法により、表示領域ＤＡにおいて走査線１２に直交するようにソース電極Ｓを含む信号線１５を形成し、ＴＦＴ形成領域にドレイン電極Ｄを形成する。更に、額縁領域に信号線１５と接続するソース配線（図示せず）を形成する。なお、信号線１５のソース電極Ｓ部分及びドレイン電極Ｄ部分はいずれも半導体層１４の表面に部分的に重なっている。
【００４６】
その後、上記工程で得られた透明基板１１の表面全体にパッシベーション膜１７を被覆する。このパッシベーション膜１７としては、窒化硅素層ないし酸化硅素層からなるものを使用することができるが、絶縁性の観点からは窒化硅素層の方が望ましい。更に、パッシベーション膜１７の表面全体に例えばアクリル樹脂ないしポリイミド樹脂から成る平坦化膜（層間膜とも称される）１８を積層する。次いで、（１）平坦化膜１８及びパッシベーション膜１７を貫通してドレイン電極Ｄの表面に達する第１のコンタクトホール２１ａ、（２）平坦化膜１８、パッシベーション膜１７及びゲート絶縁膜１３を貫通して、共通配線１６1の接続部１６5の表面に達する第２のコンタクトホール２１ｂ、第１の低抵抗化配線１６2の接続部１６6の表面に達する第３のコンタクトホール２１ｃ及び第２の低抵抗化配線１６3の接続部１６7の表面に達する第４のコンタクトホール２１ｄ、を同時に形成する。この第１〜第４のコンタクトホール２１ａ〜２１ｄの形成には、乾式エッチング法の１種であるプラズマエッチング法を採用し得る。
【００４７】
次いで、ＩＴＯないしＩＺＯからなる下側の透明導電性層を積層する。このとき、下側の透明導電性層はドレイン電極Ｄ、共通配線１６1の接続部１６5、第１の低抵抗化配線１６2の接続部１６6及び第２の低抵抗化配線１６3の接続部１６7と電気的に接続される。この後、透明導電性層に対してフォトリソグラフィー法及びエッチング法によって、表示領域ＤＡの画素領域毎に下電極１９を形成する。また、共通配線１６1の接続部１６5、第１の低抵抗化配線１６2の接続部１６6及び第２の低抵抗化配線１６3の接続部１６7に、図８に示したような所定のパターンの下側透明導電性層１９ａを形成する。なお、ここでは、共通配線１６1の接続部１６5、第１の低抵抗化配線１６2の接続部１６6及び第２の低抵抗化配線１６3の接続部１６7に形成される構成は、コンタクトホールの形状や大きさが異なることはあっても実質的に同一構成に形成される。そして、実施例の液晶表示装置１０においては、この下電極１９が画素電極に対応する。
【００４８】
更に、下電極１９が形成された透明基板１１の表面全体に亘り窒化硅素層ないし酸化硅素層からなる絶縁膜２０を所定の厚さに形成する。この絶縁膜２０は、平坦化膜１８や下電極１９の表面を荒らさないようにするため、ゲート絶縁膜１３やパッシベーション膜１７の形成条件よりも穏やかな条件、いわゆる低温成膜条件で形成する。
【００４９】
次いで、この絶縁膜２０の表面から、第２のコンタクトホール２１ｂ、第３のコンタクトホール２１ｃ及び第４のコンタクトホール２１ｄ内に形成された絶縁膜をエッチングして除去する。そして、これらの第２〜第４のコンタクトホール２１ｂ〜２１ｄ内の下側透明導電性層１９ａを露出させる。その後、透明基板１１の表面全体に亘りＩＴＯないしＩＺＯからなる透明導電性層を形成する。このとき、透明導電性層によって第２〜第４のコンタクトホール２１ｂ〜２１ｄを介して共通配線１６1、第１の低抵抗化配線１６2及び第２の低抵抗化配線１６3は互いに電気的に接続された状態となる。
【００５０】
その後、フォトリソグラフィー法及びエッチング法によって、この透明導電性層をエッチングすることにより、表示領域ＤＡの全体を透明導電性層で被覆する。そして画素領域毎に、フリンジフィールド効果を発生させるための複数のスリット２４を有する上電極２２をこの透明導電性層で形成する。このとき、上電極２２は、図８に示したように、共通配線１６1の接続部１６5、第１の低抵抗化配線１６2の接続部１６6及び第２の低抵抗化配線１６3の接続部１６7の表面と、下側透明導電性層１９ａを介して互いに電気的に接続された状態となる。実施例の液晶表示装置１０においては、この上電極２２が共通電極に対応する。
【００５１】
なお、上電極２２の抵抗を小さくするのであれば、上電極２２を構成する透明導電性層を、透明基板１１の長辺に沿って形成されている共通配線１６1の上まで延ばしておき、その位置で上電極２２と共通配線１６1とを電気的に接続することも考えられる。しかしながら、上記したように、表示領域ＤＡと共通配線１６1との間には静電気保護回路３０が存在している。従って、表示領域ＤＡと共通配線１６1との間には一定の距離が必要となる。このとき、上電極２２はできるだけ表示領域ＤＡの近くで、金属からなる配線である共通配線１６1と電気的に接続した方がよいので、第１の低抵抗化配線１６2を介して上電極２２と共通配線１６1とを電気的に接続した方がよい。また、上電極２２を平面視において第１の低抵抗化配線１６2及び第２の低抵抗化配線１６3が形成されている位置まで延出して形成する。これによれば、上電極２２より外側の領域に第１の低抵抗化配線１６2及び第２の低抵抗化配線１６3を設けた場合と比較して、液晶表示装置１０の大きさを小さくすることができる。
【００５２】
また、共通配線１６1の上には、一般的に一対の基板を貼り合せるためのシール材（図示せず）が位置している。上電極２２を構成する透明導電性層とシール材とは密着性がよくないことが知られているので、上電極２２はできるだけシール材から離しておいた方が好ましい。この点からも上記した内容は非常に優れている。
【００５３】
このようにして、上電極２２は第２〜第４のコンタクトホール２１ｂ〜２１ｄを介して共通配線１６1、第１の低抵抗化配線１６2及び第２の低抵抗化配線１６3と互いに電気的に接続された状態となる。この後、上電極２２側の表面全体に配向膜（図示せず）を設けることにより実施例の液晶表示装置１０のアレイ基板ＡＲが完成する。
【００５４】
上記のアレイ基板ＡＲに対向するカラーフィルタ基板は、図示省略したが、従来のＦＦＳモードの液晶表示パネル用のカラーフィルタ基板と実質的に同様のものを使用できる。すなわち、このカラーフィルタ基板は、それぞれの画素電極として機能する下電極１９に対向する位置には各色のカラーフィルタ層が形成され、そして、カラーフィルタ層の表面には配向膜が設けられている。そして、カラーフィルタ層と透明基板との間の走査線１２及び信号線１５に対向する位置、ＴＦＴに対向する位置にはそれぞれブラックマトリクスが設けられている。次いで、上述のアレイ基板ＡＲ及びカラーフィルタ基板をそれぞれ対向させて内部に液晶を封入することにより実施例の液晶表示装置１０が得られる。
【００５５】
このようにして製造された実施例の液晶表示装置１０によれば、上電極２２は第２〜第４のコンタクトホール２１ｂ〜２１ｄを介して共通配線１６1、第１の低抵抗化配線１６2及び第２の低抵抗化配線１６3と互いに電気的に互いに接続された状態となる。従って、第１の低抵抗化配線１６2及び第２の低抵抗化配線１６3は共通配線１６1と直接電気的に接続されていると共に、第１の低抵抗化配線１６2は第３の低抵抗化配線１６4をも介して共通配線１６1と電気的に接続された状態となる。そのため、上電極２２は多数のコンタクトホールを介して共通配線１６1と電気的に接続された状態となっているため、上電極２２が焼き付き防止のために薄くされたとしても、上電極２２の抵抗は見かけ上非常に小さくなる。したがって、実施例の液晶表示パネルによれば、共通電極として機能する上電極２２に印加される信号が劣化することがないため、たとえ横長の液晶表示装置であっても横方向クロストークが少なく、表示品質が良好な液晶表示装置となる。特に、小型の液晶表示装置であれば、上電極２２の抵抗値の影響は少ないかもしれないが、例えば、６インチや７インチ位の中型、あるいは、それ以上の大型の液晶表示装置になればなるほど、上電極２２の抵抗値の影響が大きくなってくる。従って、中型、大型の液晶表示装置に関して特に有効となる。
【００５６】
なお、上記実施例においては、上側の透明導電性層を形成する前に、第２のコンタクトホール２１ｂ、第３のコンタクトホール２１ｃ及び第４のコンタクトホール２１ｄ内に形成された絶縁膜をエッチングして除去する工程が存在している。しかしながら、この工程は、液晶表示装置１０の額縁領域の一部ＴＡにドライバＩＣ搭載用端子、検査端子、外部接続用端子等（いずれも図示せず）を同時に形成する際にも必要とされる工程であるので、新たに工程を追加するものではない。
【００５７】
また、共通配線１６1、第１の低抵抗化配線１６2及び第２の低抵抗化配線１６3及び第３の低抵抗化配線１６4共に走査線１２と同材料で形成してもよいし、信号線１５と同材料で形成してもよい。これによれば、走査線１２ないし信号線１５の形成と同時に形成することができるので、製造工程を変えることなく容易に形成することができる。この場合の図８に対応する模式断面図は図９に示したとおりとなり、共通配線１６1、第１の低抵抗化配線１６2及び第２の低抵抗化配線１６3及び第３の低抵抗化配線１６4はゲート絶縁膜１３の表面に形成される。また、共通配線１６1、第１の低抵抗化配線１６2及び第２の低抵抗化配線１６3及び第３の低抵抗化配線１６4の全てを信号線１５と同材料で形成しても、一部のみ信号線１５と同材料で形成してもよい。
【００５８】
以上、実施例としてＦＦＳモードの液晶表示装置の例を説明した。このような液晶表示装置は、パーソナルコンピュータ、携帯電話機、携帯情報端末などの電子機器に使用することができる。このうち、表示部（液晶表示パネル）７１をパーソナルコンピュータ７０に使用した例を図１０（Ａ）に、同じく表示部（液晶表示パネル）７６を携帯電話機７５に使用した例を図１０（Ｂ）に示す。ただし、これらのパーソナルコンピュータ７０及び携帯電話機７５の基本的構成は当業者に周知であるので、詳細な説明は省略する。
【００５９】
なお、実施形態は上記に限定されず、以下のような形態で実施することもできる。
【００６０】
（変形例１）
上記したように、表示領域ＤＡを囲むように（表示領域ＤＡの二つの短辺と一つの長辺に沿って）共通配線１６1を形成することに限定されず、例えば、一つの長辺のみに形成したり、二つの長辺のみに形成したりするようにしてもよい。この場合、表示領域ＤＡにおける共通配線１６1が形成された辺に第１の低抵抗化配線１６2及び第２の低抵抗化配線１６3が設けてあれば、これら第１の低抵抗化配線１６2及び第２の低抵抗化配線１６3と共通配線１６1とを第３の低抵抗化配線１６4（接続配線）で接続するようにしてもよい。
【００６１】
（変形例２）
上記したように、第１の低抵抗化配線１６2と第２の低抵抗化配線１６3とを表示領域ＤＡの長辺に沿って形成することに限定されず、例えば、表示領域ＤＡの周囲（全周又は三辺）に連続して低抵抗化配線を形成するようにしてもよい。この場合、例えば、低抵抗化配線の数箇所と共通配線１６1とを電気的に接続するようにしてもいいし、接続配線（第３の低抵抗化配線１６4）を用いて低抵抗化配線と共通配線とを電気的に接続するようにしてもよい。
【００６２】
（変形例３）
上記したように、表示領域ＤＡが横長の場合は、行方向に第１の低抵抗化配線１６2及び第２の低抵抗化配線１６3を設けたが、表示領域ＤＡの長手方向に低抵抗化配線が設けられていればよく、例えば、表示領域ＤＡが縦長の場合は、列方向に低抵抗化配線を設ける。これによれば、表示領域ＤＡの短手方向に第１の低抵抗化配線１６2及び第２の低抵抗化配線１６3が形成されている場合と比較して、上電極２２における一辺の両端部の抵抗が平面的に見れば大きくなることを抑えることができる。
【００６３】
（変形例４）
上記したように、第１の低抵抗化配線１６2、第２の低抵抗化配線１６3、第３の低抵抗化配線１６4の構成を、ＦＦＳモードの透過型の液晶表示装置１０に用いることに限定されず、例えば、反射半透過型の液晶表示装置やＩＰＳモード、ＶＡモードの液晶表示装置に適用するようにしてもよい。また、透過型の液晶表示装置であれば、下電極１９が上側に配置される電極に、上電極２２が下側に配置される電極になるように、液晶表示装置を構成してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】実施例の液晶表示装置のアレイ基板の２画素分の模式平面図。
【図２】実施例の液晶表示装置のアレイ基板の概略平面図。
【図３】図１のIII−III線に沿った模式断面図。
【図４】図１のIV−IV線に沿った模式断面図。
【図５】図２のＶ部分の拡大平面図。
【図６】図５のＸ部分の拡大平面図。
【図７】図２のVI部分の拡大平面図。
【図８】図５のVII−VII線に沿った模式断面図。
【図９】実施例の変形例の図８に対応する模式断面図。
【図１０】（Ａ）は液晶表示パネルを搭載したパーソナルコンピュータを示す図であり、（Ｂ）は液晶表示パネルを搭載した携帯電話機を示す図。
【符号の説明】
【００６５】
１０…液晶表示装置、１１…透明基板、１２…走査線、１３…ゲート絶縁膜、１４…半導体層、１５…信号線、１６1…共通配線、１６2〜１６4…第１〜第３の低抵抗化配線、１７…パッシベーション膜、１８…平坦化膜、１９…第１電極としての下電極、１９ａ…下側透明導電性層、２０…絶縁膜、２１ａ〜２１ｄ…第１〜第４のコンタクトホール、２２…第２電極としての上電極、２４…スリット、３０…静電気保護回路、７０…電子機器としてのパーソナルコンピュータ、７５…電子機器としての携帯電話機、ＤＡ…表示領域。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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