(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
上記基板上に形成された窒化物半導体層と、
上記窒化物半導体層上に形成されたＴiＡl系材料からなるオーミック電極と
を備え、
アニールする前の上記ＴiＡl系材料からなるオーミック電極中の窒素濃度を１×１０１６ｃｍ−３以上かつ１×１０２０ｃｍ−３以下とすることにより、上記ＴiＡl系材料からなるオーミック電極中に窒化物ができない程度の窒素原子を不純物として含有させたものであり、
上記窒化物半導体層は、上記基板上に順に積層された第１半導体層およびその第１半導体層とヘテロ界面を形成する第２半導体層を含み、
上記第１半導体層と上記第２半導体層とのヘテロ界面に２次元電子ガスが形成されることを特徴とする窒化物半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の窒化物半導体装置において、
上記第２半導体層を貫通して上記第１半導体層の上側の一部に凹部が形成され、上記凹部に上記オーミック電極の少なくとも一部が埋め込まれていることを特徴とする窒化物半導体装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の窒化物半導体装置において、
上記ＴiＡl系材料からなるオーミック電極は、少なくともＴi層とＡl層とが上記基板側から順に積層された積層金属膜であることを特徴とする窒化物半導体装置。
【請求項４】
基板上に窒化物半導体層を形成するステップと、
上記窒化物半導体層上にＴiＡl系材料からなる金属膜をスパッタリングにより形成するステップと、
上記ＴiＡl系材料からなる金属膜をエッチングしてオーミック電極を形成するステップと、
上記オーミック電極が形成された上記基板に対してアニールを行うステップと
を含み、
上記ＴiＡl系材料からなる金属膜を形成するステップにおいて、上記ＴiＡl系材料からなる金属膜のうちのＴi層のスパッタリング中にチャンバー内に窒素を流すことによって、上記アニールを行う前の上記オーミック電極中の窒素濃度を１×１０１６ｃｍ−３以上かつ１×１０２０ｃｍ−３以下とすることにより、上記ＴiＡl系材料からなるオーミック電極中に窒化物ができない程度の窒素原子を不純物として含有させたものであり、
上記窒化物半導体層は、上記基板上に順に積層された第１半導体層およびその第１半導体層とヘテロ界面を形成する第２半導体層を含み、
上記第１半導体層と上記第２半導体層とのヘテロ界面に２次元電子ガスが形成されることを特徴とする窒化物半導体装置の製造方法。
【請求項５】
基板上に窒化物半導体層を形成するステップと、
上記窒化物半導体層上にＴiＡl系材料からなる金属膜をスパッタリングにより形成するステップと、
上記ＴiＡl系材料からなる金属膜をエッチングしてオーミック電極を形成するステップと、
上記オーミック電極が形成された上記基板に対してアニールを行うステップと
を含み、
上記ＴiＡl系材料からなる金属膜を形成するステップにおいて、上記ＴiＡl系材料からなる金属膜のうちのＴi層のスパッタリングの前にチャンバー内に窒素を流すことによって、上記アニールを行う前の上記オーミック電極中の窒素濃度を１×１０１６ｃｍ−３以上かつ１×１０２０ｃｍ−３以下とすることにより、上記ＴiＡl系材料からなるオーミック電極中に窒化物ができない程度の窒素原子を不純物として含有させたものであり、
上記窒化物半導体層は、上記基板上に順に積層された第１半導体層およびその第１半導体層とヘテロ界面を形成する第２半導体層を含み、
上記第１半導体層と上記第２半導体層とのヘテロ界面に２次元電子ガスが形成されることを特徴とする窒化物半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項４または５に記載の窒化物半導体装置の製造方法において、
上記窒化物半導体層は、上記基板上に第１半導体層とその第１半導体層とヘテロ界面を形成する第２半導体層を順に積層することによって形成し、
上記窒化物半導体層を形成した後、かつ、上記ＴiＡl系材料からなる金属膜をスパッタリングにより形成する前に、エッチングにより上記第２半導体層を貫通して上記第１半導体層の上側の一部に凹部を形成するステップを含み、
上記オーミック電極を形成するステップにおいて、上記ＴiＡl系材料からなる金属膜をエッチングして上記凹部に少なくとも一部が埋め込まれた上記オーミック電極を形成することを特徴とする窒化物半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項４から６までのいずれか１つに記載の窒化物半導体装置の製造方法において、
上記アニールを行うステップにおいて、上記オーミック電極が形成された上記基板を４００℃以上かつ５００℃以下で加熱することを特徴とする窒化物半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、窒化物半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、窒化物半導体装置としては、ＧaＮ層とＡlＧaＮ層との界面に近傍のＧaＮ層中に２次元電子ガスが形成されるものがある(例えば、特開２００７−１５８１４９号公報(特許文献１)参照)。上記窒化物半導体装置では、ＡlＧaＮ層とＧaＮ層の一部が除去されて形成された凹部にスパッタリングにより金属を堆積させて、２次元電子ガスに接するソース電極とドレイン電極をオーミック電極として形成している。ここで、ソース電極とドレイン電極を８００℃の高温で熱処理することにより、２次元電子ガスとソース電極,ドレイン電極との間にオーミックコンタクトが得られる。
【０００３】
ところが、上記窒化物半導体装置について、本発明者が実際に実験により８００℃の高温で熱処理を行ってオーミック電極を形成した場合、オーミック電極のコンタクト抵抗が高く、十分に低いコンタクト抵抗を得ることができなかった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−１５８１４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
そこで、この発明の課題は、窒化物半導体層とオーミック電極とのコンタクト抵抗を低減できる窒化物半導体装置およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者は、上記従来の窒化物半導体装置のようにＧaＮ層側に窒素をドープさせることなく、窒化物半導体層上に形成されたオーミック電極のコンタクト抵抗について鋭意検討した結果、ＴiＡl系材料からなるオーミック電極中に窒化物ができない程度の窒素原子を不純物として含有させたとき、オーミック電極中の窒素濃度に応じて窒化物半導体層とオーミック電極とのコンタクト抵抗の特性が変化することを発見した。
【０００７】
本発明は、このような本発明者の発見に基づいて、オーミック電極中の窒素濃度が特定の範囲内であるときにコンタクト抵抗が大幅に減少することを実験により初めて見出したものである。
【０００８】
すなわち、第１の発明の窒化物半導体装置は、
基板と、
上記基板上に形成された窒化物半導体層と、
上記窒化物半導体層上に形成されたＴiＡl系材料からなるオーミック電極と
を備え、
アニールする前の上記ＴiＡl系材料からなるオーミック電極中の窒素濃度を１×１０１６ｃｍ−３以上かつ１×１０２０ｃｍ−３以下とすることにより、上記ＴiＡl系材料からなるオーミック電極中に窒化物ができない程度の窒素原子を不純物として含有させたものであり、
上記窒化物半導体層は、上記基板上に順に積層された第１半導体層およびその第１半導体層とヘテロ界面を形成する第２半導体層を含み、
上記第１半導体層と上記第２半導体層とのヘテロ界面に２次元電子ガスが形成されることを特徴とする。
【０００９】
ここで、上記窒化物半導体装置の窒化物半導体は、ＡlxＩnyＧa１−x−yＮ(ｘ≦０、ｙ≦０、０≦ｘ＋ｙ≦１)で表されるものであればよい。また、ＴiＡl系材料としては、少なくともＴi/Ａlからなり、その上にＴiＮのキャップ層を積層してもよいし、Ａlの上にＡu,Ａg,Ｐtなどを積層してもよい。
【００１０】
上記構成によれば、ＴiＡl系材料からなるオーミック電極中の窒素濃度を１×１０１６ｃｍ−３以上かつ１×１０２０ｃｍ−３以下とすることによって、窒化物半導体層とオーミック電極とのコンタクト抵抗を低減できる。
【００１１】
また、一実施形態の窒化物半導体装置では、
上記第２半導体層を貫通して上記第１半導体層の上側の一部に凹部が形成され、上記凹部に上記オーミック電極の少なくとも一部が埋め込まれている。
【００１２】
上記実施形態によれば、第２半導体層を貫通して第１半導体層の上側の一部に形成された凹部に、オーミック電極の少なくとも一部が埋め込まれたリセス構造の窒化物半導体装置において、第１半導体層と第２半導体層とのヘテロ界面の２次元電子ガスとオーミック電極とのコンタクト抵抗を低減できる。
【００１３】
また、一実施形態の窒化物半導体装置では、
上記ＴiＡl系材料からなるオーミック電極は、少なくともＴi層とＡl層とが上記基板側から順に積層された積層金属膜である。
【００１４】
上記実施形態によれば、少なくともＴi層とＡl層とが基板側から順に積層された積層金属膜であるオーミック電極を用いて、製造時にＴi層に窒素を含ませる工程によって、オーミック電極中の窒素濃度を１×１０１６ｃｍ−３以上かつ１×１０２０ｃｍ−３以下にすることが容易にできる。
【００１５】
また、第２の発明の窒化物半導体装置の製造方法では、
基板上に窒化物半導体層を形成するステップと、
上記窒化物半導体層上にＴiＡl系材料からなる金属膜をスパッタリングにより形成するステップと、
上記ＴiＡl系材料からなる金属膜をエッチングしてオーミック電極を形成するステップと、
上記オーミック電極が形成された上記基板に対してアニールを行うステップと
を含み、
上記ＴiＡl系材料からなる金属膜を形成するステップにおいて、上記ＴiＡl系材料からなる金属膜のうちのＴi層のスパッタリング中にチャンバー内に窒素を流すことによって、上記アニールを行う前の上記オーミック電極中の窒素濃度を１×１０１６ｃｍ−３以上かつ１×１０２０ｃｍ−３以下とすることにより、上記ＴiＡl系材料からなるオーミック電極中に窒化物ができない程度の窒素原子を不純物として含有させたものであり、
上記窒化物半導体層は、上記基板上に順に積層された第１半導体層およびその第１半導体層とヘテロ界面を形成する第２半導体層を含み、
上記第１半導体層と上記第２半導体層とのヘテロ界面に２次元電子ガスが形成されることを特徴とする。
【００１６】
上記構成によれば、ＴiＡl系材料からなる金属膜を形成するステップにおいて、ＴiＡl系材料からなる金属膜のうちのＴi層のスパッタリング中にチャンバー内に窒素を流して、オーミック電極中の窒素濃度を１×１０１６ｃｍ−３以上かつ１×１０２０ｃｍ−３以下とすることによって、窒化物半導体層とオーミック電極とのコンタクト抵抗を低減できる。
【００１７】
また、第３の発明の窒化物半導体装置の製造方法では
基板上に窒化物半導体層を形成するステップと、
上記窒化物半導体層上にＴiＡl系材料からなる金属膜をスパッタリングにより形成するステップと、
上記ＴiＡl系材料からなる金属膜をエッチングしてオーミック電極を形成するステップと、
上記オーミック電極が形成された上記基板に対してアニールを行うステップと
を含み、
上記ＴiＡl系材料からなる金属膜を形成するステップにおいて、上記ＴiＡl系材料からなる金属膜のうちのＴi層のスパッタリングの前にチャンバー内に窒素を流すことによって、上記アニールを行う前の上記オーミック電極中の窒素濃度を１×１０１６ｃｍ−３以上かつ１×１０２０ｃｍ−３以下とすることにより、上記ＴiＡl系材料からなるオーミック電極中に窒化物ができない程度の窒素原子を不純物として含有させたものであり、
上記窒化物半導体層は、上記基板上に順に積層された第１半導体層およびその第１半導体層とヘテロ界面を形成する第２半導体層を含み、
上記第１半導体層と上記第２半導体層とのヘテロ界面に２次元電子ガスが形成されることを特徴とする。
【００１８】
上記構成によれば、ＴiＡl系材料からなる金属膜を形成するステップにおいて、ＴiＡl系材料からなる金属膜のうちのＴi層のスパッタリングの前にチャンバー内に窒素を流して、オーミック電極中の窒素濃度を１×１０１６ｃｍ−３以上かつ１×１０２０ｃｍ−３以下とすることによって、窒化物半導体層とオーミック電極とのコンタクト抵抗を低減できる。
【００１９】
また、一実施形態の窒化物半導体装置の製造方法では
上記第１〜第３の発明の窒化物半導体装置の製造方法において、
上記窒化物半導体層は、上記基板上に第１半導体層とその第１半導体層とヘテロ界面を形成する第２半導体層を順に積層することによって形成し、
上記窒化物半導体層を形成した後、かつ、上記ＴiＡl系材料からなる金属膜をスパッタリングにより形成する前に、エッチングにより上記第２半導体層を貫通して上記第１半導体層の上側の一部に凹部を形成するステップを含み、
上記オーミック電極を形成するステップにおいて、上記ＴiＡl系材料からなる金属膜をエッチングして上記凹部に少なくとも一部が埋め込まれた上記オーミック電極を形成する。
【００２０】
上記実施形態によれば、エッチングにより第２半導体層を貫通して第１半導体層の上側の一部に形成された凹部に、オーミック電極の少なくとも一部が埋め込まれたリセス構造の窒化物半導体装置において、第１半導体層と第２半導体層とのヘテロ界面の２次元電子ガスとオーミック電極とのコンタクト抵抗を低減できる。
【００２１】
また、一実施形態の窒化物半導体装置の製造方法では
上記アニールを行うステップにおいて、上記オーミック電極が形成された上記基板を４００℃以上かつ５００℃以下で加熱する。
【００２２】
上記実施形態によれば、アニールを行うステップにおいて、オーミック電極が形成された基板を４００℃以上かつ５００℃以下で加熱することによって、５００℃以上の高温でアニールした場合に比べて、窒化物半導体層とオーミック電極とのコンタクト抵抗を大幅に低減できる。
【発明の効果】
【００２３】
以上より明らかなように、この発明の窒化物半導体装置およびその製造方法によれば、ＧaＮ系半導体層とオーミック電極とのコンタクト抵抗を低減できる窒化物半導体装置を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】図１はこの発明の第１実施形態の窒化物半導体装置の断面図である。
【図２】図２は上記窒化物半導体装置の製造方法を説明するための工程断面図である。
【図３】図３は図２に続く工程断面図である。
【図４】図４は図３に続く工程断面図である。
【図５】図５は図４に続く工程断面図である。
【図６】図６は図５に続く工程断面図である。
【図７】図７は図６に続く工程断面図である。
【図８】図８はオーミック電極中の窒素濃度とコンタクト抵抗との関係を示す図である。
【図９】図９はオーミック電極のアニール温度とコンタクト抵抗との関係を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、この発明の窒化物半導体装置およびその製造方法を図示の実施の形態により詳細に説明する。
【００２６】
〔第１実施形態〕
図１はこの発明の第１実施形態の窒化物半導体装置の断面図を示しており、この窒化物半導体装置はＧaＮ系ＨＦＥＴ(Hetero-junction Field Effect Transistor；ヘテロ接合電界効果トランジスタ)である。
【００２７】
この半導体装置は、図１に示すように、Ｓi基板１０上に、アンドープＡlＧaＮバッファ層１５と、第１半導体層の一例としてのアンドープＧaＮ層１と、第２半導体層の一例としてのアンドープＡlＧaＮ層２からなる窒化物半導体層２０を形成している。このアンドープＧaＮ層１とアンドープＡlＧaＮ層２との界面に２ＤＥＧ(２次元電子ガス)が発生する。
【００２８】
また、ＡlＧaＮ層２上に、互いに間隔をあけてソース電極１１とドレイン電極１２とを形成している。また、ＡlＧaＮ層２上に、ソース電極１１とドレイン電極１２との間かつソース電極１１側にゲート電極１３を形成している。ソース電極１１とドレイン電極１２はオーミック電極であり、ゲート電極１３はショットキー電極である。上記ソース電極１１と、ドレイン電極１２と、ゲート電極１３と、そのソース電極１１,ドレイン電極１２,ゲート電極１３が形成されたＧaＮ層１,ＡlＧaＮ層２の活性領域でＨＦＥＴを構成している。
【００２９】
ここで、活性領域とは、ＡlＧaＮ層２上のソース電極１１とドレイン電極１２との間に配置されたゲート電極１３に印加される電圧によって、ソース電極１１とドレイン電極１２との間でキャリアが流れる窒化物半導体層２０(ＧaＮ層１,ＡlＧaＮ層２)の領域である。
【００３０】
そして、ソース電極１１とドレイン電極１２とゲート電極１３が形成された領域を除くＡlＧaＮ層２上に、ＡlＧaＮ層２を保護するため、ＳiＯ２からなる絶縁膜３０を形成している。また、ソース電極１１とドレイン電極１２とゲート電極１３とが形成されたＳi基板１０上に、ポリイミドからなる層間絶縁膜４０を形成している。また、図１において、４１はコンタクト部としてのビア、４２はドレイン電極パッドである。なお、絶縁膜は、ＳiＯ２に限らず、ＳiＮやＡl２Ｏ３などを用いてもよい。特に、絶縁膜として、コラプス抑制のために半導体層表面にストイキオメトリックを崩したＳiＮ膜と表面保護のためのＳiＯ２やＳiＮの多層膜構造とするのが好ましい。また、層間絶縁膜は、ポリイミドに限らず、ｐ−ＣＶＤで製造したＳiＯ２膜やＳＯＧ(Spin On Glass)やＢＰＳＧ(ホウ素・リン・シリケート・ガラス)などの絶縁材料を用いてもよい。
【００３１】
上記構成の窒化物半導体装置において、ＧaＮ層１とＡlＧaＮ層２との界面に形成された２次元電子ガス(２ＤＥＧ)が発生してチャネル層が形成される。このチャネル層をゲート電極１３に電圧を印加することにより制御して、ソース電極１１とドレイン電極１２とゲート電極１３を有するＨＦＥＴをオンオフさせる。このＨＦＥＴは、ゲート電極１３に負電圧が印加されているときにゲート電極１３下のＧaＮ層１に空乏層が形成されてオフ状態となる一方、ゲート電極１３の電圧がゼロのときにゲート電極１３下のＧaＮ層１に空乏層がなくなってオン状態となるノーマリーオンタイプのトランジスタである。
【００３２】
次に、上記窒化物半導体装置の製造方法を図２〜図７に従って説明する。なお、図３〜図７では、図を見やすくするためにＳi基板やアンドープＡlＧaＮバッファ層を図示せず、また、ソース電極とドレイン電極の大きさや間隔を変えている。
【００３３】
まず、図２に示すように、Ｓi基板(図示せず)上に、ＭＯＣＶＤ(Metal Organic Chemical Vapor Deposition：有機金属気相成長)法を用いて、アンドープＡlＧaＮバッファ層(図示せず)、アンドープＧaＮ層１０１とアンドープＡlＧaＮ層１０２を順に形成する。アンドープＧaＮ層１０１の厚さは例えば１μm、アンドープＡlＧaＮ層１０２の厚さは例えば３０ｎｍとする。このＧaＮ層１０１とＡlＧaＮ層１０２が窒化物半導体層１２０を構成している。図２において、１０３は、ＧaＮ層１０１とＡlＧaＮ層１０２とのヘテロ界面に形成される２次元電子ガス(２ＤＥＧ)である。
次に、図３に示すように、ＡlＧaＮ層１０２上に絶縁膜１３０(例えばＳiＯ２)を例えばプラズマＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition：化学的気相成長))法により２００ｎｍ成膜する。
次に、図４に示すように、絶縁膜１３０上にフォトレジストを塗布してパターニングした後、ウェットエッチングによりオーミック電極を形成すべき絶縁膜１３０の部分を除去して、絶縁膜１３０に凹部１０６,１０６を形成する。
【００３４】
次に、図５に示すように、凹部１０６,１０６が形成された絶縁膜１３０マスクにしてドライエッチングにより、ＡlＧaＮ層１０２を貫通してＧaＮ層１０１の上側の一部を除去し、凹部１０７,１０７を形成する。凹部１０７,１０７の深さはＡlＧaＮ層１０２の表面から２ＤＥＧまでの深さ以上であればよく、例えば５０ｎｍとする。そして、ドライエッチング後にアニールを行う(例えば５００〜８５０℃)。
【００３５】
次に、図６に示すように、絶縁膜１３０上および凹部１０７,１０７(図５に示す)にスパッタリングによりＴi/Ａl/ＴiＮを積層して、オーミック電極となる積層金属膜１０８を形成する。ここで、ＴiＮ層は、後工程からＴi/Ａl層を保護するためのキャップ層である。
【００３６】
このとき、Ｔi成膜中に少量(例えば５sccm)の窒素をチャンバー内に流す。ここで、窒素の流量は、Ｔiの窒化物が生成されない量とする。
【００３７】
次に、図７に示すように、通常のフォトリソグラフィおよびドライエッチングを用いて、オーミック電極１１１,１１２のパターンを形成する。
【００３８】
そして、オーミック電極１１１,１１２が形成された基板を例えば４００℃以上かつ５００℃以下で１０分以上アニールすることによって、２次元電子ガス(２ＤＥＧ)とオーミック電極１１１,１１２との間にオーミックコンタクトが得られる。この場合、５００℃以上の高温でアニールした場合に比べてコンタクト抵抗を大幅に低減できる。また、４００℃以上かつ５００℃以下の低温でアニールすることにより絶縁膜１３０の特性に悪影響を与えることがない。
【００３９】
このオーミック電極１１１,１１２がソース電極とドレイン電極となり、後の工程でオーミック電極１１１,１１２の間にＴiＮまたはＷＮなどからなるゲート電極が形成される。
【００４０】
上記第１実施形態の窒化物半導体装置の製造方法によれば、オーミック電極となる積層金属膜１０８(図６に示す)を形成するときに、Ｔi成膜中に窒素をチャンバー内に流すことによって、オーミックコンタクトのためのアニール前のオーミック電極１１１,１１２中の窒素濃度を１×１０１６ｃｍ−３以上かつ１×１０２０ｃｍ−３以下にすることが可能となる。これによって、アニール後の窒化物半導体層の２ＤＥＧとオーミック電極１１１,１１２とのコンタクト抵抗を低減できる。
【００４１】
なお、オーミック電極１１１,１１２中の窒素濃度は、ＳＩＭＳ(Secondary Ion Mass Spectroscopy:二次イオン質量分析法)によりアニールによる合金化の前に測定している。
【００４２】
本発明は、窒化物半導体装置の１つであるＧaＮ系ＨＦＥＴについて本発明者が行った様々な実験の過程で、ＴiＡl系材料からなるオーミック電極中の窒素濃度がコンタクト抵抗に影響することを偶然見出し、その影響について研究した結果によるものであるが、その具体的な原理については未だ不明である。
【００４３】
また、ＡlＧaＮ層１０２を貫通してＧaＮ層１０１の上側の一部に凹部１０６にオーミック電極１１１,１１２の一部が埋め込まれたリセス構造の窒化物半導体装置において、ＧaＮ層１０１とＡlＧaＮ層１０２とのヘテロ界面の２次元電子ガス(２ＤＥＧ)とオーミック電極１１１,１１２とのコンタクト抵抗を低減できる。
【００４４】
また、Ｔi層とＡl層とが基板側から順に積層された積層金属膜であるオーミック電極１１１,１１２を用いて、ＡlＧaＮ層１０２上に最初に形成されるＴi層に窒素を含ませることによって、オーミック電極中の窒素濃度を１×１０１６ｃｍ−３以上かつ１×１０２０ｃｍ−３以下にすることが容易にできる。
【００４５】
上記第１実施形態の窒化物半導体装置の製造方法によれば、絶縁膜１３０をウェットエッチングにより除去し、その後ＡlＧaＮ層１０２、ＧaＮ層１０１をドライエッチングにより除去して、凹部１０７を形成したが、絶縁膜１３０、ＡlＧaＮ層１０２、ＧaＮ層１０１をドライエッチングにより除去することにより、凹部１０７を形成してもよい。
【００４６】
上記第１実施形態の窒化物半導体装置の製造方法によれば、Ｔi/Ａl/ＴiＮを積層してオーミック電極としたが、これに限らず、ＴiＮはなくともよく、また、Ｔi/Ａlを積層した後、その上にＡu,Ａg,Ｐtなどを積層してもよい。
【００４７】
〔第２実施形態〕
次に、この発明の第２実施形態の窒化物半導体装置の製造方法を説明する。この第２実施形態の窒化物半導体装置は、図１に示す第１実施形態の窒化物半導体装置と同一の構成をしている。また、この第２実施形態の窒化物半導体装置の製造方法は、Ｔi成膜中にチャンバー内に窒素を流す代わりにＴi成膜前にチャンバー内に窒素を流すことを除いて第１実施形態の窒化物半導体装置の製造方法と同一の工程を有し、図３〜図７を援用する。
【００４８】
以下、第１実施形態の窒化物半導体装置の製造方法と異なる点について説明する。
【００４９】
第１実施形態において、図６に示すように、絶縁膜１３０上および凹部１０７にスパッタリングによりＴi/Ａl/ＴiＮを積層して、オーミック電極となる積層金属膜１０８を形成するときに、Ｔi成膜中に少量の窒素をチャンバー内に流したのに対して、この第２実施形態の窒化物半導体装置の製造方法では、Ｔi成膜前にチャンバー内に窒素を例えば５０ｓｃｃｍ、５分間流すことによって、オーミック電極１１１,１１２中の窒素濃度を１×１０１６ｃｍ−３以上かつ１×１０２０ｃｍ−３以下にすることが可能となる。
【００５０】
上記第２実施形態の窒化物半導体装置の製造方法は、第１実施形態の窒化物半導体装置の製造方法と同様の効果を有する。
【００５１】
上記第２実施形態の窒化物半導体装置の製造方法によれば、オーミック電極となる積層金属膜１０８をスパッタリングにより形成するときに、Ｔi成膜前にチャンバー内に窒素を流すことによって、オーミック電極１１１,１１２中の窒素濃度を１×１０１６ｃｍ−３以上かつ１×１０２０ｃｍ−３以下にすることが可能となる。これによって、窒化物半導体層の２ＤＥＧとオーミック電極１１１,１１２とのコンタクト抵抗を低減できる。
【００５２】
図８は上記第１,第２実施形態の窒化物半導体装置のオーミック電極中の窒素濃度とコンタクト抵抗との関係を示す図である。ここで、図８に示す左側の４つのサンプルデータは、第２実施形態の製造方法(Ｔi成膜前に窒素をチャンバー内に流す)により製造した窒化物半導体装置であり、図８に示す右側の２つのサンプルデータは、第１実施形態の製造方法(Ｔi成膜中に窒素をチャンバー内に流す)により製造した窒化物半導体装置である。
【００５３】
ただし、図８の窒素濃度(横軸)は、アニールする前のオーミック電極中の窒素濃度をＳＩＭＳにより測定している。なお、窒素濃度の測定は、ＡＥＳ(Atomic Emission Spectroscopy:オージェ電子分光法)などの他の測定方法を用いて行ってもよい。
【００５４】
一方、図８のコンタクト抵抗(縦軸)は、アニールした後のオーミック電極のコンタクト抵抗を測定したものである。
【００５５】
図８から明らかなように、オーミック電極中の窒素濃度を１×１０１６ｃｍ−３以上かつ１×１０２０ｃｍ−３以下とすることで、コンタクト抵抗が６Ωｍｍ以下の窒化物半導体装置を実現することができる。特に、オーミック電極中の窒素濃度が１×１０２０ｃｍ−３を越えたところにコンタクト抵抗が急激に増大する変曲点が存在し、このオーミック電極中の窒素濃度に依存したコンタクト抵抗特性の変曲点はこれまで全く知られていなかった。
【００５６】
このようなコンタクト抵抗が６Ωｍｍ以下の窒化物半導体装置は、シリコン素子よりも大電流駆動が可能でかつ高温動作に適した製品として性能面およびコスト面で商業的価値を有する。
【００５７】
また、図９は第１実施形態に示す窒化物半導体装置の製造方法を用いて作製したオーミック電極のアニール温度とコンタクト抵抗との関係を表す図である。
【００５８】
このとき、Ｔi成膜中に５ｓｃｃｍの窒素をチャンバー内に流しながらスパッタリングを行い、アニールする前のオーミック電極中の窒素濃度をＳＩＭＳにより測定したところ、２×１０１９ｃｍ−３であった。
【００５９】
このように、４００℃以上かつ５００℃以下の温度でアニールすることによって、窒化物半導体層とオーミック電極とのコンタクト抵抗を大幅に低減できることがわかる。
【００６０】
通常、ｎ型ＧaＮのアニール温度が６００℃、ノンドープＧaＮのアニール温度が８００℃で行われるのに対して、この窒化物半導体装置の製造方法では、アニールを行うステップにおいて、オーミック電極が形成された基板を４００℃以上かつ５００℃以下の低い温度で加熱することによって、アニール温度が４００℃より低温かまたは５００℃より高温の場合に比べて、窒化物半導体層とオーミック電極とのコンタクト抵抗を大幅に低減することができる。
【００６１】
上記第１,第２実施の形態では、Ｓi基板を用いた窒化物半導体装置について説明したが、Ｓi基板に限らず、サファイヤ基板やＳiＣ基板を用いてもよく、サファイヤ基板やＳiＣ基板上に窒化物半導体層を成長させてもよいし、ＧaＮ基板にＡlＧaＮ層を成長させる等のように、窒化物半導体からなる基板上に窒化物半導体層を成長させてもよい。また、基板と窒化物半導体層との間にバッファ層を形成してもよいし、窒化物半導体層の第１半導体層と第１半導体層と第２半導体層との間にヘテロ改善層を形成してもよい。
【００６２】
また、上記第１,第２実施の形態では、オーミック電極がＧaＮ層に達するリセス構造のＨＦＥＴについて説明したが、リセスを形成せずにアンドープＡlＧaＮ層上にソース電極およびドレイン電極となるオーミック電極を形成したＨＦＥＴにこの発明を適用してもよい。また、この発明の窒化物半導体装置は、２ＤＥＧを利用するＨＦＥＴに限らず、他の構成の電界効果トランジスタであっても同様の効果が得られる。
【００６３】
また、上記第１,第２実施の形態では、ノーマリーオンタイプのＨＦＥＴについて説明したが、ノーマリーオフタイプの窒化物半導体装置にこの発明を適用してもよい。また、ショットキー電極に限らず、絶縁ゲート構造の電界効果トランジスタにこの発明を適用してもよい。
【００６４】
この発明の窒化物半導体装置の窒化物半導体は、ＡlxＩnyＧa１−x−yＮ(ｘ≧０、ｙ≧０、０≦ｘ＋ｙ≦１)で表されるものであればよい。
【００６５】
この発明の具体的な実施の形態について説明したが、この発明は上記第１,第２実施形態に限定されるものではなく、この発明の範囲内で種々変更して実施することができる。
【符号の説明】
【００６６】
１,１０１……ＧaＮ層
２,１０２…ＡlＧaＮ層
３,１０３…２ＤＥＧ
１１…ソース電極
１２…ドレイン電極
１３…ゲート電極
１５…ＡlＧaＮバッファ層
２０…窒化物半導体層
３０,１３０…絶縁膜
４０…層間絶縁膜
４１…ビア
４２…ドレイン電極パッド
１１１,１１２…オーミック電極
１０８…積層金属膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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