(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ターゲット物質にレーザ光を照射することによりターゲット物質をプラズマ化して極端紫外光を発生する極端紫外光源装置であって、
極端紫外光の生成が行われるチャンバと、
ターゲット物質を内部に格納するターゲットタンク、及び、ターゲット物質をジェット状に噴射する噴射ノズルを含み、ターゲット物質を前記チャンバ内に供給するターゲット供給部と、
前記噴射ノズルを所定の周波数で振動させることにより、前記噴射ノズルから噴射されるジェット状のターゲット物質をドロップレットに分断する振動機構と、
ジェット状のターゲット物質がドロップレットに分断される位置よりも前記噴射ノズルに近い一端、及び、ジェット状のターゲット物質がドロップレットに分断される位置よりも前記噴射ノズルから遠い他端を有し、前記ターゲットタンクとの間に直流電圧が印加され、前記噴射ノズルから噴射されるジェット状のターゲット物質がドロップレットに分断される際にドロップレットを帯電させる帯電電極と、
ターゲット物質のドロップレットにレーザ光を照射することによって生成されるプラズマから放射される極端紫外光を集光して射出するコレクタミラーと、
を具備する極端紫外光源装置。
【請求項２】
前記噴射ノズルの少なくとも一部が、電気的に絶縁性を有し、前記帯電電極が、前記噴射ノズルの絶縁部分に直接取り付けられている、請求項１記載の極端紫外光源装置。
【請求項３】
ターゲット物質にレーザ光を照射することによりターゲット物質をプラズマ化して極端紫外光を発生する極端紫外光源装置であって、
極端紫外光の生成が行われるチャンバと、
ターゲット物質を内部に格納するターゲットタンク、及び、ターゲット物質をジェット状に噴射する噴射ノズルを含み、ターゲット物質を前記チャンバ内に供給するターゲット供給部と、
前記噴射ノズルを所定の周波数で振動させることにより、前記噴射ノズルから噴射されるジェット状のターゲット物質をドロップレットに分断する振動機構と、
前記ターゲットタンクとの間に直流電圧が印加され、前記噴射ノズルから噴射されるジェット状のターゲット物質がドロップレットに分断される際にドロップレットを帯電させる帯電電極と、
帯電したドロップレット同士の反発力をドロップレットの質量で割った値が５００ｍ／ｓ２以下となるように、前記ターゲットタンクと前記帯電電極との間に直流電圧を印加する電源及び制御部と、
ターゲット物質のドロップレットにレーザ光を照射することによって生成されるプラズマから放射される極端紫外光を集光して射出するコレクタミラーと、
を具備する極端紫外光源装置。
【請求項４】
帯電したドロップレット同士の反発力をドロップレットの質量で割った値が５００ｍ／ｓ２以下となるように、前記ターゲットタンクと前記帯電電極との間に直流電圧を印加する電源及び制御部をさらに具備する、請求項１又は２記載の極端紫外光源装置。
【請求項５】
前記帯電電極が、円筒状、平行平板状、又は、リング状の形状を有する、請求項１〜４のいずれか１項記載の極端紫外光源装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光装置の光源として用いられる極端紫外（ＥＵＶ：extreme ultra violet）光源装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体プロセスの微細化に伴って光リソグラフィにおける微細化が急速に進展しており、次世代においては、１００ｎｍ〜７０ｎｍの微細加工、更には５０ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。そのため、例えば、５０ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度のＥＵＶ光源と縮小投影反射光学系（reduced projection reflective optics）とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。
【０００３】
ＥＵＶ光源としては、ターゲットにレーザ光を照射することによって生成されるプラズマを用いたＬＰＰ（laser produced plasma：レーザ励起プラズマ）光源（以下において、「ＬＰＰ式ＥＵＶ光源装置」ともいう）と、放電によって生成されるプラズマを用いたＤＰＰ（discharge produced plasma）光源と、軌道放射光を用いたＳＲ（synchrotron radiation）光源との３種類がある。これらの内でも、ＬＰＰ光源は、プラズマ密度をかなり大きくできるので黒体輻射に近い極めて高い輝度が得られ、ターゲット物質を選択することにより必要な波長帯のみの発光が可能であり、ほぼ等方的な角度分布を持つ点光源であるので光源の周囲に電極等の構造物がなく、２πsteradianという極めて大きな捕集立体角の確保が可能であること等の利点から、数十ワット以上のパワーが要求されるＥＵＶリソグラフィ用の光源として有力であると考えられている。
【０００４】
ここで、ＬＰＰ方式によるＥＵＶ光の生成原理について説明する。真空チャンバ内に供給されるターゲット物質に対してレーザ光を照射することにより、ターゲット物質が励起してプラズマ化する。このプラズマから、ＥＵＶ光を含む様々な波長成分が放射される。そこで、所望の波長成分（例えば、１３．５ｎｍの波長を有する成分）を選択的に反射するＥＵＶコレクタミラーを用いてＥＵＶ光が反射集光され、露光器に出力される。そのために、ＥＵＶコレクタミラーの反射面には、例えば、モリブデン（Ｍｏ）の薄膜とシリコン（Ｓｉ）の薄膜とを交互に積層した多層膜（Ｍｏ／Ｓｉ多層膜）が形成されている。
【０００５】
図７は、従来のＥＵＶ光源装置におけるドロップレットターゲット生成装置とその周辺部を示す図である。ターゲット物質としては、例えば、溶融されて液体状態となった錫（Ｓｎ）、溶融されて液体状態となったリチウム（Ｌｉ）、又は、錫酸化物の微粒子をコロイド状にして、メタノール等の揮発性溶媒や水に溶け込ませたものが使用される。
【０００６】
ターゲットタンク１０１内に導入されたターゲット物質を、例えば、純アルゴンガス等で加圧することによって、ターゲットタンク１０１の先端に取り付けられた内径数十ｕｍの噴射ノズル１０２からターゲット物質のジェットが噴出する。このジェットに、噴射ノズル１０２又は噴射ノズル１０２近傍に取り付けられた図示しない振動子を用いて規則的な擾乱を与えると、ターゲット物質のジェット部１ａは、均一な直径、形、間隔を有するドロップレット１ｂに即座に分裂する。このような方法で均一なドロップレットを生成する方法を、コンティニュアスジェット法と言う。
【０００７】
生成された均一なドロップレット１ｂは、噴射ノズル１０２からジェットが噴出した際の慣性によって真空チャンバ１００内を進み、レーザ照射点において、例えばＣＯ２レーザやＹＡＧレーザから射出されたレーザ光が照射される。これにより、ターゲット物質がプラズマ化し、このプラズマからＥＵＶ光が放射される。レーザが照射されなかったドロップレットは、レーザ照射点を挟んで噴射ノズル１０２と反対側に設置されたターゲット回収装置１０６に回収される。
【０００８】
しかしながら、従来技術においては、ドロップレットがレーザ照射点に到達する間に、ドロップレットの位置の安定性が徐々に失われて位置が不安定になり、特に、ドロップレットの進行方向において位置のばらつきが増大する。その結果、レーザ光がドロップレットに常に同じ条件で照射されなくなり、放射されるＥＵＶ光の強度がばらついたり、最悪の場合には、レーザ光がドロップレットに照射されずにＥＵＶ光が発生しないという問題が生じていた。このようなドロップレットの位置の不安定による不具合は、噴射ノズル１０２の内径が小さくなってドロップレットの径およびドロップレットの間隔が狭くなるにつれて顕著になる。
【０００９】
図８は、図７に示すドロップレットターゲット生成装置によって生成されるドロップレットの写真である。ターゲット物質としては、溶融錫が用いられている。図８に示すように、レーザ照射点におけるドロップレットの位置安定性に乱れが生じており、ドロップレットの間隔が不均一で、場所によっては複数のドロップレットが合体しているところもある。
【００１０】
このような問題を解決する１つの手法として、ドロップレットの位置安定性が比較的良い状態にある地点、即ち、噴射ノズル１０２からの飛行距離が短い地点（例えば、噴射ノズル１０２からの距離が５０ｍｍ程度の地点）において、ドロップレットにレーザ光を照射することが考えられるが、ＥＵＶ光源において用いられるレーザのパワーは１０ｋＷ以上であるので、噴射ノズル１０２又はその周辺部への入熱が大きくなり、安定したドロップレット生成が持続せず、結果としてＥＵＶ光源の性能が劣化してしまう。
【００１１】
関連する技術として、特許文献１には、ＥＵＶプラズマ形成用ターゲット送出システム及び方法が開示されている。このターゲット送出システムは、磁気的制御又は電気的制御が可能な材料を備えたターゲットドロップレット形成機構と、出力オリフィスにおいて終了する液体プラズマ源材料通路と、選択された経路に沿って該通路を励起するジェット流を形成するドロップレット又は個々のドロップレットに電荷を供給する荷電機構と、出力オリフィスとプラズマ侵入地点との間にあって、選択された経路からドロップレットを間欠的にそらすドロップレット偏向器と、入力開口及び出力オリフィスを有する液体ターゲット物質送出経路を備えた液体ターゲット物質送出機構と、液体ターゲット物質内に散乱力を発生させる電動散乱力発生機構と、出力オリフィスを有する液体ターゲット送出ドロップレット形成機構と、出力オリフィスの周辺部の周りの湿ったバリアとを具備する。しかしながら、特許文献１には、ドロップレットの位置安定性を向上させることに関しては、特に開示されていない。
【００１２】
また、非特許文献１には、コンティニュアスジェット法についての説明が記載されている。非特許文献１によれば、薄層状から乱ジェット流への移行は、ノズルのアスペクト比Ｌ／ｄに依存し、ここで、Ｌは長さであり、ｄは直径である。また、表面張力によって、何れかの点において、薄層状流のジェットがばらばらになってドロップレットの列になる。これは、液体球の表面エネルギーが、同様の体積を有する円柱の表面エネルギーよりも小さいという事実によるものである。従って、例えば、円筒状の流体円柱のジェットは、本来不安定であり、いつかは球状のドロップレットに変形する（第１３２頁）。
【特許文献１】米国特許出願公開第２００６／０１９２１５４号明細書（第１頁）
【非特許文献１】ハインツル（HEINZL）他、「インクジェットプリンティング（Ink-Jet Printing）」、エレクトロニクス及び電子物理の進歩（ADVANCES IN ELECTRONICS AND ELECTRON PHYSICS）、米国、アカデミックプレス、１９８５年、第６５巻、第９１〜１７１頁
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
そこで、上記の問題点に鑑み、本発明は、ＬＰＰ式ＥＵＶ光源装置において、ドロップレットの位置安定性を向上させることにより、放射されるＥＵＶ光の強度を安定化することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記課題を解決するため、本発明の１つの観点に係る極端紫外光源装置は、ターゲット物質にレーザ光を照射することによりターゲット物質をプラズマ化して極端紫外光を発生する極端紫外光源装置であって、極端紫外光の生成が行われるチャンバと、ターゲット物質を内部に格納するターゲットタンク、及び、ターゲット物質をジェット状に噴射する噴射ノズルを含み、ターゲット物質をチャンバ内に供給するターゲット供給部と、噴射ノズルを所定の周波数で振動させることにより、噴射ノズルから噴射されるジェット状のターゲット物質をドロップレットに分断する振動機構と、ジェット状のターゲット物質がドロップレットに分断される位置よりも噴射ノズルに近い一端、及び、ジェット状のターゲット物質がドロップレットに分断される位置よりも噴射ノズルから遠い他端を有し、ターゲットタンクとの間に直流電圧が印加され、噴射ノズルから噴射されるジェット状のターゲット物質がドロップレットに分断される際にドロップレットを帯電させる帯電電極と、ターゲット物質のドロップレットにレーザ光を照射することによって生成されるプラズマから放射される極端紫外光を集光して射出するコレクタミラーとを具備する。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の１つの観点によれば、噴射ノズルから噴射されるジェット状のターゲット物質をドロップレットに分断する振動機構と、噴射ノズルから噴射されるジェット状のターゲット物質がドロップレットに分断される際にドロップレットを均一に帯電させる帯電電極とを設けたので、帯電電荷によるドロップレット同士の反発力によってドロップレットの間隔を均一にして、放射されるＥＵＶ光の強度を安定化することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明を実施するための最良の形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。なお、同一の構成要素には同一の参照番号を付して、説明を省略する。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る極端紫外（ＥＵＶ）光源装置を示す模式図である。このＥＵＶ光源装置は、ＬＰＰ（レーザ励起プラズマ）方式を採用しており、露光装置の光源として用いられる。
【００１７】
図１に示すように、本実施形態に係るＥＵＶ光源装置は、ＥＵＶ光の生成が行われる真空チャンバ（ＥＵＶ光生成チャンバ）９と、ターゲット物質を供給するターゲット供給装置１０と、ターゲット物質を内部に格納するターゲットタンク１１と、ターゲット物質をジェット状に噴射する噴射ノズル（ノズルユニット）１２と、レーザ発振器１３と、レーザ集光光学系１４と、ＥＵＶコレクタミラー１５と、ターゲット回収装置１６と、振動機構１９と、帯電電極２０と、電源及び制御部２１とを含んでいる。ここで、ターゲット供給装置１０〜噴射ノズル１２は、ターゲット物質を真空チャンバ９内に供給するターゲット供給部を構成している。
【００１８】
真空チャンバ９には、ターゲット（標的）１を励起してプラズマ２を発生させるためのレーザ光（励起用レーザ光）３を真空チャンバ９内に導入する導入窓１７と、プラズマ２から放出されたＥＵＶ光４を真空チャンバ９から露光機に導出する導出窓１８とが設けられている。なお、ＥＵＶ光４の出力先である露光機も、真空チャンバ９内と同様の真空（又は減圧）下に設置されている。
【００１９】
ターゲット供給装置１０は、ターゲット物質を液体の状態としてターゲットタンク１１内に導入し、ターゲットタンク１１内に格納されたターゲット物質を、例えば、純アルゴンガス等で加圧することによって、所定の流量で噴射ノズル１２に供給する。
【００２０】
ターゲット物質としては、溶融されて液体状態となった錫（Ｓｎ）、溶融されて液体状態となったリチウム（Ｌｉ）、又は、錫酸化物の微粒子をコロイド状にして、メタノール等の揮発性溶媒や水に溶け込ませたもの等が使用される。例えば、錫をターゲット物質として用いる場合には、固体の錫を加熱することにより液化された錫や、錫酸化物の微粒子を含む水溶液等が、噴射ノズル１２に供給される。
【００２１】
噴射ノズル１２は、供給されたターゲット物質を真空チャンバ９内に噴射する。ターゲット物質は、噴流（ジェット）の状態から、分断されて液滴（ドロップレット）の状態に変化する。所定の周波数でドロップレットを生成するために、噴射ノズル１２を所定の周波数で振動させる振動機構（例えば、ＰＺＴの振動子）１９が設けられている。さらに、ドロップレットとなったターゲット１が励起用レーザ光３の照射位置を通過するように噴射ノズル１２の位置を調節する位置調節機構を設けても良い。
【００２２】
レーザ発振器１３は、レーザ発振を行うことにより、ターゲット１を照射するための励起用のレーザ光３を射出する。レーザ集光光学系１４は、レーザ発振器１３から射出されたレーザ光３を集光して、導入窓１７を介してターゲット１に照射させる。
【００２３】
ＥＵＶコレクタミラー１５は、凹状の反射面を有しており、プラズマから発生した光の内の所定の波長成分（例えば、１３．５ｎｍ±０．１３５ｎｍのＥＵＶ光）を反射して、露光機の方向に集光する。そのために、ＥＵＶコレクタミラー１５の反射面には、そのような波長成分を選択的に反射するための多層膜（例えば、Ｍｏ／Ｓｉ多層膜）が形成されている。多層膜の層数は、一般的には数十〜数百程度である。なお、ＥＵＶコレクタミラー１５には、レーザ光３を通過させるための開口が形成されている。
【００２４】
ターゲット回収装置１６は、噴射ノズル１２から噴射されたにもかかわらずレーザ光３が照射されずにプラズマ発生に寄与しなかったターゲット物質を回収する。それにより、真空チャンバ９内の真空度の低下（圧力上昇）、及び、ＥＵＶコレクタミラー１５や導入窓１７等の汚染を防止している。
【００２５】
このようなＥＵＶ光源装置において、ドロップレット状のターゲット１を形成すると共に、レーザ発振を行ってレーザ光３をターゲット１に照射させることにより、プラズマ２が発生する。このプラズマ２から放射された光には、様々な波長成分が様々なエネルギーレベルで含まれている。その内の所定の波長成分（ＥＵＶ光）が、ＥＵＶコレクタミラー１５によって露光機の方向に反射集光される。このようにして生成されたＥＵＶ光は、露光機において露光光として利用される。
【００２６】
図２は、本発明の第１の実施形態に係るＥＵＶ光源装置におけるドロップレットターゲット生成装置とその周辺部を示す図である。図２に示すように、ターゲット物質は、噴射ノズル１２から噴射された直後においてはジェットの状態（ジェット部１ａ）であるが、噴射ノズル１２から所定の距離においてドロップレットの状態（ドロップレット１ｂ）に変化する。
【００２７】
噴射ノズル１２の下にドロップレットを帯電させるための帯電電極２０が配置され、この帯電電極２０と噴射ノズル１２から噴出するジェット部１ａとの間に電界をかけるために、ターゲットタンク１１と帯電電極２０との間に一定の直流電圧を印加するための電源及び制御部２１が設けられている。本実施形態においては、ターゲットタンク１１の電位が接地電位（０Ｖ）とされて、帯電電極２０に正の直流電圧が印加される。
【００２８】
これにより、ジェット部１ａは、電極対の一方の電極として機能することになる。このとき、ジェット部１ａの先端には、電極間の電圧に依存した電荷が現れるので、ジェット部１ａが均一なドロップレット１ｂに分断されて行く際に、各ドロップレット１ｂに帯電する帯電量が極めて均一となる。従って、各ドロップレット１ｂは、同一の質量と電荷とを持つことになり、電荷による反発力によって、互いの間隔が等間隔に保たれる。
【００２９】
図３は、図２に示すドロップレットターゲット生成装置によって生成されるドロップレットの写真である。ターゲット物質としては、溶融錫が用いられている。この写真は、従来技術の図８における観察地点と同じ観察地点において撮影されており、ドロップレットの帯電によってドロップレットの間隔が等しく保たれていることが分かる。
【００３０】
図２に示す帯電電極２０の形状は、円筒状、平行平板状、又は、リング状等とすることができ、本実施形態においては円筒状の帯電電極２０が用いられている。また、ジェット部１ａからドロップレット１ｂに変化するドロップレット発生位置は、帯電電極２０内に存在することが望ましい。その場合には、以下に説明する理論式に従って、ドロップレット１ｂへの効率的な帯電が可能となり、簡単な構成と小さな電圧でドロップレット１ｂの位置安定性を向上させることができる。
【００３１】
図４は、帯電電極によるターゲット物質の帯電を説明するための図である。図４に示すように、帯電電極２０の形状が円筒状である場合に、１個のドロップレットの帯電量Ｑは、同軸コンデンサの電極に現れる電荷の式（１）によって表される。
Ｑ＝２πεＶｖＪ／｛ｆ・ｌｏｇ（ｂ／ａ）｝  ・・・（１）
ここで、εは真空の誘電率であり、Ｖは帯電電極２０に印加される電圧であり、ｖＪはターゲットの噴出速度であり、ｆはドロップレット１ｂの生成周波数（振動子の振動周波数）であり、ａはジェット部１ａの直径であり、ｂは円筒状の帯電電極２０の直径（内径）である。
【００３２】
一方、ドロップレット同士の反発力Ｆは、次式（２）で表される。
Ｆ＝ｋＱ２／Ｌ２ ・・・（２）
ここで、ｋは比例定数であり、Ｌはドロップレットの間隔である。ドロップレットの帯電量Ｑが過剰になると、ドロップレット同士の反発力Ｆが大きくなりすぎて、進行方向と直交する方向にドロップレットがずれるので、逆にドロップレットの列が崩れてしまう。
【００３３】
例えば、水を使用した実験では、ドロップレットの大きさや間隔によらず、帯電したドロップレット同士の反発力をドロップレットの質量で割った値、即ち、反発力による加速度が５００ｍ／ｓ２以下の条件においては、ドロップレットの列が崩れずに間隔を維持することが分かった。一方、帯電したドロップレット同士の反発力による加速度が２０００ｍ／ｓ２以上の条件においては、ドロップレットの列が必ず崩れてしまう。従って、ドロップレットの帯電量は、ドロップレットの間隔が均一になるのに十分な帯電量であって、かつ、隣接するドロップレットが互いに反発しない加速度（実験結果によれば、５００ｍ／ｓ２程度以下）となるような帯電量でなければならない。
【００３４】
図５は、帯電電極の電圧と、ドロップレット間に発生する加速度の変化との関係を示す図である。図５において、横軸は帯電電極の電圧（ｋＶ）を表しており、縦軸はドロップレット同士の反発力による加速度（ｍ／ｓ２）を表している。また、パラメータとして、ドロップレットの生成周波数（ｋＨｚ）をとっている。
【００３５】
図５に示す加速度において、範囲（Ａ）は、ドロップレットの最初の位置ばらつきがその後の位置関係に影響しない安定範囲であり、範囲（Ｂ）は、ドロップレットの最初の位置ばらつきによってドロップレットの列が崩れてしまう可能性がある中間範囲であり、範囲（Ｃ）は、ドロップレットの最初の位置ばらつきによってドロップレットの列が必ず崩れてしまう不安定範囲である。図５によれば、帯電電極の電圧を１ｋＶ以下とすれば、ドロップレットの生成周波数が少なくとも５０ｋＨｚ〜１２０ｋＨｚである場合に、ドロップレット同士の反発力による加速度が安定範囲（Ａ）に入ることが分かる。
【００３６】
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。
図６は、本発明の第２の実施形態に係るＥＵＶ光源装置におけるドロップレットターゲット生成装置とその周辺部を示す図である。第２の実施形態においては、噴射ノズル１２ａの少なくとも一部が、電気的に絶縁性を有している。その他の点に関しては、第１の実施形態と同様である。
【００３７】
一般に、噴射ノズルから噴出するジェット部の長さは、実際には極めて短い。例えば、内計１５ｕｍの噴射ノズルから速度２０ｍ／ｓで噴出するジェットに振動子で振動を加えてドロップレット化した場合のジェット部の長さは、ほとんどの場合に１ｍｍ以下である。従って、現実的には、第１の実施形態において説明したような理想的な状態で帯電電極内にドロップレット発生位置を存在させるためには、帯電電極を噴射ノズルに極力近付ける必要がある。
【００３８】
しかしながら、帯電電極に印加される電圧はｋＶのオーダーであるので、噴射ノズルが導電性を有していると、帯電電極と噴射ノズルとの間に非常に大きな電界が発生してしまう。そこで、第２の実施形態においては、噴射ノズル（ノズルユニット）１２ａの少なくとも一部、特に、帯電電極２０に近接する部分を、セラミック等の絶縁物で構成することによって、帯電電極２０を噴射ノズル１２ａに近付けることを可能としている。
【００３９】
より好ましくは、帯電電極２０を噴射ノズル１２ａの絶縁部分に直接取り付けるようにすれば、帯電電極２０に数ｋＶの電圧を印加しても、両者の間で絶縁破壊が生じることがなく、両者の相対的な位置も安定する。その場合には、ターゲットのジェット部１ａが短くても、帯電電極２０内にドロップレット発生位置を存在させることができるので、第１の実施形態において説明したような理想的な状態で、ドロップレット１ｂを帯電させることができる。
【００４０】
ちなみに、帯電電極２０内にドロップレット発生位置が存在せず、帯電電極２０よりも上流側でターゲットがドロップレット化してしまう場合においても、帯電電極２０によってドロップレットは帯電する。本実施形態によれば、帯電電極２０を噴射ノズル１２ａに近付けることができるので、そのような場合においてもドロップレットを効率的に帯電させることが可能である。
【産業上の利用可能性】
【００４１】
本発明は、露光装置の光源として用いられる極端紫外（ＥＵＶ：extreme ultra violet）光源装置に利用することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るＥＵＶ光源装置を示す模式図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係るＥＵＶ光源装置におけるドロップレットターゲット生成装置とその周辺部を示す図である。
【図３】図２に示すドロップレットターゲット生成装置によって生成されるドロップレットの写真である。
【図４】帯電電極によるターゲット物質の帯電を説明するための図である。
【図５】帯電電極の電圧と、ドロップレット間に発生する加速度の変化との関係を示す図である。
【図６】本発明の第２の実施形態に係るＥＵＶ光源装置におけるドロップレットターゲット生成装置とその周辺部を示す図である。
【図７】従来のＥＵＶ光源装置におけるドロップレットターゲット生成装置とその周辺部を示す図である。
【図８】図７に示すドロップレットターゲット生成装置によって生成されるドロップレットの写真である。
【符号の説明】
【００４３】
１…ターゲット、１ａ…ジェット部、１ｂ…ドロップレット、２…プラズマ、３…レーザ光、４…ＥＵＶ光、９…真空チャンバ、１０…ターゲット供給装置、１１…ターゲットタンク、１２、１２ａ…噴射ノズル、１３…レーザ発振器、１４…レーザ集光光学系、１５…ＥＵＶコレクタミラー、１６…ターゲット回収装置、１７…導入窓、１８…導出窓、１９…振動子、２０…帯電電極、２１…電源及び制御部
【図１】
0005280066.tif 000002
【図２】
0005280066.tif 000003
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図３】
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【図８】
0005280066.tif 000009