(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
３層以上のセラミック絶縁層が積層されて絶縁基体が形成され、前記セラミック絶縁層の層間のうち２つ以上の連続するものにそれぞれ接地導体層または電源導体層が上下に重なるように形成されるとともに、該接地導体層または電源導体層の間の前記セラミック絶縁層の前記接地導体層または電源導体層が形成されていない部分を厚み方向に貫通する貫通導体が前記接地導体層または電源導体層と電気的に絶縁されて形成され、
前記貫通導体の上下に接続されたランドパターンが形成されており、該ランドパターンの外縁が前記貫通導体の上下で重なっておらず、
前記接地導体層または電源導体層は、前記ランドパターンを取り囲む内縁が前記貫通導体の上下で重なっておらず、
前記セラミック絶縁層の同じ層間において、隣り合う前記貫通導体のそれぞれに接続された前記ランドパターンの大きさが互いに異なることを特徴とする積層基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、３層以上のセラミック絶縁層が積層されてなる積層基板に関するものであり、特に、セラミック絶縁層を厚み方向に貫通する貫通導体と上下に接続されたランドパターンと、ランドパターンを取り囲み、貫通導体と電気的に絶縁された接地導体層または電源導体層とがセラミック絶縁層の２つ以上の連続する層間にそれぞれ形成された積層基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子や容量素子，圧電振動子等の電子部品が搭載される積層基板として、ガラスセラミック焼結体や酸化アルミニウム質焼結体等のセラミック材料からなるセラミック絶縁層が複数積層されてなる絶縁基体と、絶縁基体に形成された貫通導体や接地導体，電源導体，配線導体等の導体とを備えるものが多用されている。
【０００３】
絶縁基体は、例えば平板状（直方体状）であり、上面や下面に電子部品を搭載するための搭載部を有している。この搭載部には、例えば配線導体が形成され、この配線導体に電子部品が電気的に接続される。配線導体は、絶縁基体の搭載部や内部、搭載部と反対側の面（下面等）に回路パターン状に形成され、電子部品を外部電気回路と電気的に接続する導電路の一部となる。
【０００４】
貫通導体は、セラミック絶縁層を厚み方向に貫通して形成されており、絶縁基体の内部を上下に導通する導電路として機能する。例えば、搭載部に形成された配線導体に貫通導体が接続し、この貫通導体を介して、絶縁基体の下面や内部に位置する部分が搭載部の配線導体と電気的に接続される。
【０００５】
なお、セラミック絶縁層の層間には、貫通導体と上下に接続するランドパターンが形成されている。ランドパターンは、例えば円形状に形成され、上下のセラミック絶縁層に形成された貫通導体同士の電気的な接続をより確実なものとしている。
【０００６】
また、搭載される電子部品に対する電磁的な遮蔽や、電子部品に対する接地電位や電源の供給等のために、セラミック絶縁層の層間に接地導体や電源導体を層状に形成される。
【０００７】
このような積層基板は、セラミック粉末やガラス粉末等の原料粉末を有機溶剤，バインダとともにシート状に成形してなるセラミックグリーンシートに貫通導体となる貫通孔を形成し、その後、セラミックグリーンシートの表面や貫通孔内に金属ペーストを塗布または充填するとともに３層以上のセラミックグリーンシートを積層し、この積層体を焼成することにより製作される。
【特許文献１】特開2007-324557号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、このような積層基板においては、上記の電磁的な遮蔽や、接地電位や電源の供給等をより確実とするために、２つ以上の層間に連続して接地導体層または電源導体層が形成されるとともに、接地導体層または電源導体層に取り囲まれてランドパターンが形成される場合があり、このような場合に、セラミック絶縁層の層間の密着不良（デラミネーション）やセラミック絶縁層のクラック等の不具合が発生しやすいという問題点があった。
【０００９】
これは、接地導体層または電源導体層で取り囲まれたランドパターンの外縁付近では、ランドパターンの厚みや接地導体層または電源導体層の厚みの分、上下のセラミック絶縁層（セラミック絶縁層となるセラミックグリーンシート）の密着が妨げられやすいためである。
【００１０】
また、貫通導体と上下に接続されたランドパターンの外縁が上下で重なると、このような外縁ではセラミック絶縁層（セラミックグリーンシート）とランドパターン（金属ペースト）との間に焼成時の収縮差に起因する応力等の応力が生じやすく、その応力が上下で重なるため、クラックが発生しやすくなる。
【００１１】
特に、近年、高周波化にともない変動のない接地や安定した電源供給が必要なため、例えば６つ以上と、多数のセラミック絶縁層の層間に接地導体層や電源導体層を形成する場合がある。このような場合、前述した密着不良やクラックを発生させる原因になりやすい部分が上下の層間により多く連続するため、上記のような問題の発生が顕著なものとなっている。
【００１２】
本発明は、上記従来の技術の問題点に鑑みて完成されたものであり、その目的は、絶縁基体を形成するセラミック絶縁層の２つ以上の層間に連続して、貫通導体と接続されたランドパターンと、ランドパターンを取り囲む接地導体層とが形成されていたとしても、デラミネーションやセラミック絶縁層のクラック等の不具合の発生を効果的に抑制することが可能な積層基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の積層基板は、３層以上のセラミック絶縁層が積層されて絶縁基体が形成され、前記セラミック絶縁層の層間のうち２つ以上の連続するものにそれぞれ接地導体層または電源導体層が上下に重なるように形成されるとともに、該接地導体層または電源導体層の間の前記セラミック絶縁層の前記接地導体層または電源導体層が形成されていない部分を厚み方向に貫通する貫通導体が前記接地導体層または電源導体層と電気的に絶縁されて形成され、前記貫通導体の上下に接続されたランドパターンが形成されており、該ランドパターンの外縁が前記貫通導体の上下で重なっておらず、前記接地導体層または電源導体層は、前記ランドパターンを取り囲む内縁が前記貫通導体の上下で重なっておらず、前記セラミック絶縁層の同じ層間において、隣り合う前記貫通導体のそれぞれに接続された前記ランドパターンの大きさが互いに異なることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の積層基板によれば、３層以上のセラミック絶縁層が積層されて絶縁基体が形成され、セラミック絶縁層の層間のうち２つ以上の連続するものにそれぞれ接地導体層または電源導体層が上下に重なるように形成されるとともに、接地導体層または電源導体層の間のセラミック絶縁層の接地導体層または電源導体層が形成されていない部分を厚み方向に貫通する貫通導体が接地導体層または電源導体層と電気的に絶縁されて形成され、貫通導体と上下に接続されたランドパターンが形成されており、ランドパターンの外縁が貫通導体の上下で重なっていないことから、上下のセラミック絶縁層の層間で、セラミック絶縁層同士の密着の妨げになる部分（ランドパターンの外縁）が分散されるため、上下のセラミック絶縁層を良好に密着させることができる。また、ランドパターンとセラミック絶縁層との間に生じる応力も上下の層間で作用する位置が重ならないため、セラミック絶縁層にクラックが生じることを抑制することができる。
【００１７】
したがって、本発明の積層基板によれば、絶縁基体を形成するセラミック絶縁層の２つ以上の層間に連続して、貫通導体と接続されたランドパターンと、ランドパターンを取り囲む接地導体層または電源導体層とが形成されていたとしても、デラミネーションやセラミック絶縁層のクラック等の不具合の発生を効果的に抑制することが可能な積層基板を提供することができる。
【００１８】
また、本発明の積層基板は、上記構成において、接地導体層または電源導体層は、ランドパターンを取り囲む内縁が貫通導体の上下で重なっていない場合には、上下のセラミック絶縁層の層間で、セラミック絶縁層同士の密着を妨げたり、焼成時の収縮差に起因する応力等の応力が作用したりしやすい、ランドパターンを取り囲む接地導体層や電源導体層のランドパターンを取り囲む内縁の位置も上下で分散される。そのため、上下のセラミック絶縁層をより良好に密着させることができるとともに、セラミック絶縁層にクラックが生じることをより効果的に抑制することができる。
【００１９】
また、本発明の積層基板は、上記構成において、セラミック絶縁層の同じ層間において、隣り合う貫通導体のそれぞれに接続されたランドパターンの大きさが互いに異なる場合には、隣り合う貫通導体の間で、接地導体層や電源導体層の幅が部分的に狭くなることを抑制することができる。
【００２０】
すなわち、同じ貫通導体に接続しているランドパターンは、平面視したときにそれぞれの外縁同士が貫通導体の上下で重なることを防ぐために、一部のものが他よりも大きくなっている。そのため、大きいランドパターン同士が同じ層間において隣り合えば、その貫通導体の間において接地導体層や電源導体層の幅が狭くなり、電気抵抗が高くなって接地や電源の電位が不安定になる可能性がある。これに対して、上記のように、セラミック絶縁層の同じ層間において、隣り合う貫通導体のそれぞれに接続されたランドパターンの大きさを互いに異ならせておけば、同じ層間において大きいランドパターン同士が隣り合うことを防ぐことが容易であるため、接地導体層や電源導体層の幅が狭くなることを抑制して、接地や電源の電位をより安定させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
本発明の積層基板を添付の図面を参照しつつ詳細に説明する。図１は本発明の積層基板の実施の形態の一例を示す断面図である。図１において、１はセラミック絶縁層、２は３層以上のセラミック絶縁層１が積層されてなる絶縁基体、３は接地導体層または電源導体層、４は貫通導体、５はランドパターンある。これらセラミック絶縁層１（絶縁基体２），接地導体層または電源導体層３，貫通導体４およびランドパターン５により積層基板９が基本的に構成されている。この積層基板９は、例えば上面に電子部品（図示せず）が搭載されるとともに、この電子部品が貫通導体４およびランドパターン５を介して外部電気回路に電気的に接続される電子部品搭載用の基板として用いられる。
【００２２】
セラミック絶縁層１は、ガラスセラミック焼結体，酸化アルミニウム質焼結体，窒化アルミニウム質焼結体，ムライト質焼結体，窒化珪素質焼結体，炭化珪素質焼結体等のセラミック焼結材料から成る。
【００２３】
このセラミック絶縁層１が３層以上積層されて、絶縁基体２が形成されている。絶縁基体２は、後述するように連続して２つ以上が上下に重なるように接地導体層または電源導体層３を、セラミック絶縁層１の層間に形成する必要があるため、３層以上のセラミック絶縁層１が積層されて形成されている。
【００２４】
この絶縁基体２は、例えば各セラミック絶縁層１がガラスセラミック焼結体からなる場合であれば、ガラス等のガラス粉末と酸化アルミニウム等のセラミック粉末とからなる原料粉末に適当な有機バインダ，溶剤を添加混合して泥漿状となすとともに、これをドクターブレード法を採用してシート状となすことにより複数枚のセラミックグリーンシートを得て、しかる後、セラミックグリーンシートを切断加工や打ち抜き加工により適当な形状とするとともにこれを複数枚積層し、最後にこの積層されたセラミックグリーンシートを還元雰囲気中において約900〜1000℃の温度で焼成することによって製作される。
【００２５】
この絶縁基体２は、半導体素子や容量素子，圧電振動子等の電子部品を搭載したり、内部にフィルタ用の回路素子や増幅回路素子等の電子部品素子を内蔵させたりするための基体として機能し、例えば上面や下面等（図１の例では上面）に電子部品が搭載される搭載部２ａを有している。
【００２６】
また、この実施の形態の例において、絶縁基体２に配線導体６が形成されている。配線導体６のうち絶縁基体２の上面の搭載部２ａに形成されている部分は、搭載部２ａに搭載される電子部品（図示せず）を電気的に接続させるためのものであり、下面に形成されている部分は外部電気回路（図示せず）と電気的に接続させるためのものである。
【００２７】
接地導体層または電源導体層３は、例えば、搭載部２ａに搭載される電子部品に接地電位や電源を供給したり、電子部品を電磁的に外部と遮蔽したりするためのものである。また、絶縁基体２に内蔵された電子部品素子（図示せず）の電磁的な遮蔽を行なう場合もある。絶縁基体２に内蔵された電子部品素子は、例えばセラミック絶縁層１の層間に形成されてフィルタ用の回路を構成するインダクタやキャパシタ等の導体層からなるものである。
【００２８】
このような目的のため、つまり接地や電源の電位を十分に安定させたり、電磁的な遮蔽を確実に行なわせたりするために、接地または電源導体層３は、セラミック絶縁層１の層間のうち連続する２つ以上のものにそれぞれ、上下重なるように形成されている。
【００２９】
このような接地導体層または電源導体層３は、接地電位や電源の電子部品に対する供給の安定のために、例えばセラミック絶縁層１の層間のほぼ全面にわたるような広い面積で形成されている。
【００３０】
この場合、例えば電子部品の信号を伝送する導電路である後述する貫通導体４およびランドパターン５との電気的な短絡を避けるために、接地導体層または電源導体層３は、ランドパターン５を取り囲んで形成されている。また、絶縁基体２の内部に配線導体６を形成する場合には、配線導体６の一部が接地導体層または電源導体層３が形成されていない部分を通過する場合には、接地導体層または電源導体３と配線導体６との間も電気的に絶縁しておく。
【００３１】
貫通導体４は、セラミック絶縁層１を厚み方向に貫通して形成されており、絶縁基体２の内部を上下に導通する導電路として機能している。
【００３２】
この実施の形態の例において、貫通導体４のうち絶縁基体２の上側のセラミック絶縁層１を貫通するものは、搭載部２ａに形成された配線導体６と接続され、この配線導体６を、絶縁基体２の内部に形成された配線導体（図示せず）と電気的に接続している。
【００３３】
また、貫通導体４のうち絶縁基体２の下側のセラミック絶縁層１を貫通するものは、例えば絶縁基体２の内部に形成された配線導体（図示せず）と接続され、この配線導体と絶縁基体２の下面の配線導体６とを電気的に接続している。
【００３４】
なお、図１に示す例では、貫通導体４は、絶縁基体２の上面や下面と絶縁基体２の内部との間に形成されているが、絶縁基体２の内部同士の間に、例えば絶縁基体２の内部に形成された配線導体同士の間を電気的に接続するように形成される場合もある。
【００３５】
また、セラミック絶縁層１の層間には、貫通導体４と上下に接続されたランドパターン５が形成されている。ランドパターン５は、上下の貫通導体４同士の間の電気的な接続をより確実なものとするためのものである。すなわち、例えば直径が約75μｍ程度と細い貫通導体４同士を直接上下に接続させるよりも、例えば直径が約200μｍ程度と、比較的広いランドパターン５を介して上下の貫通導体４の電気的な接続を行なわせる方が、多少の位置ずれは許容されるため、接続が容易、且つ確実である。
【００３６】
なお、ランドパターン５は、一定の距離をおいて接地導体層または電源導体層３に取り囲まれるように形成され、接地導体層または電源導体層３とは電気的に絶縁されている。
【００３７】
これらの貫通導体４およびランドパターン５は、前述したように絶縁基体２の内部を上下に導通する導電路であり、例えば搭載部２ａに搭載される電子部品を絶縁基体２の下面や側面等の外表面に電気的に導出するために形成されている。
【００３８】
このような、接地導体層または電源導体層３，貫通導体４およびランドパターン５は、銅や銀，パラジウム，金，タングステン，モリブデン，マンガン等の金属材料により形成されている。また、これらの金属材料は、例えば絶縁基体２と一体的に焼成されてなるメタライズ導体の形態でセラミック絶縁層１に形成されている。
【００３９】
接地導体層または電源導体層３，貫通導体４およびランドパターン５は、例えば銅からなる場合であれば、銅の金属ペーストを絶縁基体２となるセラミックグリーンシートの表面およびあらかじめセラミックグリーンシートに金型加工等の加工手段で形成した貫通孔に印刷塗布，充填しておき、セラミックグリーンシートと同時焼成することにより形成される。
【００４０】
また、この積層基板９において、ランドパターン５は、外縁が貫通導体４の上下で重なっていない。このようにランドパターン５の外縁が貫通導体４の上下で重なっていないことから、上下のセラミック絶縁層１の層間で、セラミック絶縁層１同士の密着の妨げになる部分（ランドパターン５の外縁）が分散され、上下のセラミック絶縁層１を良好に密着させることができる。
【００４１】
したがって、この積層基板９によれば、絶縁基体２を形成するセラミック絶縁層１の２つ以上の層間に連続して、貫通導体４と接続されたランドパターン５と、ランドパターン５を取り囲む接地導体層または電源導体層３とが形成されていたとしても、上下のセラミック絶縁層１の密着不良やセラミック絶縁層１のクラック等の不具合の発生を効果的に抑制することが可能な積層基板９を提供することができる。
【００４２】
なお、セラミック絶縁層１は、例えば、ガラスセラミック焼結体からなる場合であれば50〜300μｍ程度の厚さで形成されており、接地導体層または電源導体層３やランドパターン５，配線導体６等の導体は10〜25μｍ程度の厚さで形成されている。
【００４３】
また、セラミック絶縁層１の積層数は、搭載される電子部品の種類や個数，端子数等に応じて適宜設定される。例えば半導体素子（ＩＣ等）および容量素子（チップコンデンサ等）を搭載する積層基板９の場合であれば、３〜15層程度で、合計の厚さ（絶縁基体２の厚さ）が300〜1500μｍ程度になるような積層数で積層される。
【００４４】
このような積層基板９の場合であれば、接地導体層または電源導体層３のランドパターン５を取り囲む内縁とランドパターン５の外縁との間の距離は50〜150μｍ程度に設定すればよい。また、連続する上下のセラミック絶縁層１の層間で、互いのランドパターン５の外縁同士の間の距離は50〜300μｍ程度離すようにしておけばよい。
【００４５】
また、ランドパターン５は、貫通導体４と上下に接続されたものの外縁同士が重なっていなければ、上下のセラミック絶縁層１の密着不良やセラミック絶縁層１のクラックといった問題点を抑制する効果がある。そのため、ランドパターン５は、例えば２層以上のセラミック絶縁層１において貫通導体４と上下に接続されている（３つ以上が上下に連続している）場合でも、その外形寸法および形状の異なるものが２種類あり、これらが上下に交互に配置されていればよい。
【００４６】
また、ランドパターン５は、貫通導体４と上下に接続されたものが上下で重なっていないという条件を満たしていれば、外形寸法や形状の異なるものが３種類以上、上下に不規則に配置されているものでもよい。また、ランドパターン５は、全部が異なる外形寸法および形状を有するものでもよい。
【００４７】
なお、これらの条件でランドパターン５を形成する場合には、ある貫通導体４の上下で、その貫通導体４と上下に接続されたランドパターン５の外縁と、これらのランドパターン５をそれぞれ取り囲む接地導体層または電源導体層３の内縁とが重ならないようにすることが好ましい。
【００４８】
また、この積層基板９は、上記構成において、接地導体層または電源導体層３は、ランドパターン５を取り囲む内縁が貫通導体４の上下で重なっていない場合には、上下のセラミック絶縁層１の層間で、セラミック絶縁層１同士の密着を妨げたり、焼成時の収縮差に起因する応力等の応力が作用したりしやすい、ランドパターン５を取り囲む接地導体層または電源導体層３のランドパターン５を取り囲む内縁の位置も上下で分散される。そのため、上下のセラミック絶縁層１をより良好に密着させることができるとともに、セラミック絶縁層１にクラックが生じることをより効果的に抑制することができる。
【００４９】
この場合、接地導体層または電源導体層３のランドパターン５を取り囲む内縁は、例えば前述したような材料および寸法でセラミック絶縁層１および絶縁基体２が形成されているような場合であれば、貫通導体４の上下で約50〜300μｍ程度離れていればよい。この距離は、例えば、前述した、貫通導体４と上下に接続されたランドパターン５の外縁同士の間の距離と同程度に設定してもよい。
【００５０】
なお、本発明の積層基板９は、例えば図２に断面図で示すように、貫通導体４が、絶縁基体２を上面から下面にかけて貫通しているものでもよい。
【００５１】
この場合、貫通導体４のうち絶縁基体２の上面および下面にそれぞれ露出する表面を、電子部品や外部電気回路との電気的な接続のための端子として用いるようにしてもよい。貫通導体４の露出する表面をこのような端子として用いる場合には、配線導体６を形成しなくても、搭載される電子部品を外部電気回路と電気的に接続させることもできる。
【００５２】
また、例えば図２に示すような７層以上のセラミック絶縁層１が積層されてなる絶縁基体２の上面から下面にかけて貫通するように貫通導体４が形成され、６つ以上の層間に連続してランドパターン５が形成されているような場合には、全部のランドパターン５の外縁が互いに重ならないようにしてもよい。この場合、例えば各ランドパターン５を円形状に形成し、平面視したときにこれらのランドパターン５が同心円状に並ぶようにすればよい。円形状のランドパターン５は、例えば配線導体６との電気的な接続や、電気的な短絡の防止等のために、部分的に円周の一部に凹凸状の部分があったり、若干歪んでいたりしてもよい。
【００５３】
また、セラミック絶縁層１の層数が例えば15層を超えるように多くなり、全部の層間にランドパターン５とそれを取り囲む接地導体層または電源導体層３とが形成されるような場合には、積層基板９としての小型化や必要な接地導体層または電源導体層３の面積の確保等を図りながら、全部のランドパターン５の外縁を重ならないようにすることが難しくなる可能性がある。このような場合には、例えば図３に断面図として示すように、数種類（図３に示す例では４種類）の寸法のランドパターン５を外形寸法が大きい（または小さい）順に配置して、この配置パターンを繰り返すようにすればよい。なお、図３は本発明の積層基板９の実施の形態の他の例を示す要部拡大断面図である。図３において図１と同様の部位には同様の符号を付している。
【００５４】
なお、この図３に示すような、セラミック絶縁層１の積層数の多い積層基板９は、積層基板９としての薄型化等のために、各セラミック絶縁層１の厚みが50μｍ程度以下と非常に薄い場合がある。このような場合には、層間の密着不良をより有効に抑制する上で、接地導体層または電源導体層３やランドパターン５，配線導体６等の導体も10μｍ程度に薄く形成することが好ましい。
【００５５】
また、接地導体層または電源導体層３を上下に接続するために、貫通導体４とは別に、セラミック絶縁層１を厚み方向に貫通する接続導体７を形成してもよい。また、接続導体７は、一端（例えば下端）が接地導体層または電源導体層３と接続し、他端（例えば上端）が絶縁基体２の上面等に露出するようなものでもよい。
【００５６】
また、本発明の積層基板９は、例えば図４および図５に示すように、セラミック絶縁層１の同じ層間において、隣り合う貫通導体４のそれぞれに接続されたランドパターン５の大きさが互いに異なる場合には、隣り合う貫通導体４の間で、接地導体層や電源導体層３の幅が部分的に狭くなることを抑制することができる。なお、図４は、本発明の積層基板９の実施の形態の他の例を示す断面図であり、図５（ａ）および（ｂ）は、それぞれ図４に示す積層基板９のＡ−Ａ線およびＢ−Ｂ線における断面図である。図４および図５において、図１と同様の部位には同様の符号を付している。
【００５７】
すなわち、同じ貫通導体４に接続しているランドパターン５は、それぞれの外縁が貫通導体４の上下で重なることを防ぐために、一部のものが他よりも大きくなっている。そのため、大きいランドパターン５同士が同じ層間において隣り合えば、その貫通導体４の間において接地導体層や電源導体層３の幅が狭くなり、電気抵抗が高くなって接地や電源の電位が不安定になる可能性がある。これに対して、上記のように、セラミック絶縁層１の同じ層間において、隣り合う貫通導体４のそれぞれに接続されたランドパターン５の大きさを互いに異ならせておけば、同じ層間において大きいランドパターン５同士が隣り合うことを防ぐことが容易であるため、接地導体層や電源導体層３の幅が狭くなることを抑制して、接地や電源の電位をより安定させることができる。
【００５８】
例えば、積層基板９において、貫通導体４の直径が75μｍで、隣り合う貫通導体４の外縁同士の間隔が450μｍのときに、同じ層間においてそれぞれの貫通導体４に接続されたランドパターン５がともに直径約200μｍ（半径が100μｍ）の円形状パターンであり、ランドパターン５（外縁）と接地導体層または電源導体層３（内縁）との間の距離が50μｍであれば、隣り合う貫通導体４の間における接地導体層または電源導体層３の幅は、450−（100−75／２）×２−（50×２）＝225μｍになる。
【００５９】
この積層基板９において、隣り合う両方のランドパターン５の直径を、それぞれ貫通導体４の上または下の他のランドパターン５との平面視したときの外縁同士の間の距離を50μｍ離すために、同じ層間においてランドパターン５の直径をそれぞれ300μｍに大きくした場合には、隣り合う貫通導体４の間における接地導体層または電源導体層３の幅は、450−（150−75／２）×２−（50×２）＝125μｍになる。そのため、接地導体層または電源導体層３は、厚みが一定であれば、この幅が狭い部分において抵抗が約1.8（225／125）倍に大きくなる。
【００６０】
なお、このような抵抗の増大は、面積が比較的広い接地導体層または電源導体層３の狭い範囲ではあるものの、その部分が電流の流れる経路であるときに抵抗が約1.8倍になると、その部分が妨げになって電流が通りにくくなる。そのため、電気特性の低下等の原因となり得る。また、そのように幅の狭い部分が１つの接地導体層または電源導体層３の中に複数存在すると、さらに抵抗が大きくなるため、その接地導体層または電源導体層３の接地電位または電源の電位が不安定となる可能性が大きくなる。
【００６１】
これに対して、同じ層間において、隣り合う貫通導体４の一方の貫通導体４に接続されているランドパターン５の直径を300μｍにしたときに、他方の貫通導体４に接続されているランドパターン５の直径を100μｍにすれば、隣り合う貫通導体４の間における接地導体層または電源導体層３の幅は、450−（150−75／２）−（50−75／２）−（50×２）＝225μｍになるので、抵抗の増加を抑えることができる。
【００６２】
なお、このような接地導体層または電源導体層３の幅が狭くなることによる抵抗の増加を防ぐために、ランドパターン５の外縁と、そのランドパターン５を囲む接地導体層または電源導体層３の内縁との間の距離を、例えば前述のような値（50〜150μｍ程度）よりも狭くすることも考えられる。しかし、ランドパターン５（外縁）と接地導体層または電源導体層３（内縁）との間の距離を狭くした場合には、両者の間で電気絶縁性が低下する可能性があり、積層基板９の信頼性を高くする上では適していない。
【実施例】
【００６３】
酸化ケイ素−酸化マグネシウム−酸化マグネシウム系のガラス材料および酸化アルミニウムを主原料とするガラスセラミック焼結体からなる、１辺の長さが12ｍｍの正方形板状で、厚さが100μｍのセラミック絶縁層を12層積層してなる絶縁基体に、最上層から最下層までセラミック絶縁層を連続して貫通する貫通導体と、各セラミック絶縁層の貫通導体と上下に接続するランドパターンと、各セラミック絶縁層の層間（11の層間）それぞれのほぼ全面にわたる接地導体層とを形成して、本発明の積層基板を作製した。
【００６４】
この積層基板において、貫通導体は直径が100μｍの円柱状に形成し、ランドパターンは、直径が約250μｍの円形状ものと、直径が約150μｍの円形状のものとの２種類を形成した。この直径の異なるランドパターンを上下に交互に配置して、貫通導体と上下に接続されたランドパターンの外縁が上下で重ならないようにした。上下のランドパターンの外縁同士の間の距離は約50μｍとした。また、ランドパターンと接地導体層とは100μｍの幅で離し、互いに電気的に絶縁させた。
【００６５】
また、ランドパターンおよび接地導体層は、いずれも15μｍの厚さで形成した。
【００６６】
絶縁基体は、酸化ケイ素−酸化マグネシウム−酸化マグネシウム系のガラス材料の粉末に酸化アルミニウムの粉末を添加した原料粉末を有機溶剤，バインダとともに混練した後、ドクターブレード法によりセラミックグリーンシートを成形し、このセラミックグリーンシートを12層積層した後、積層体を950℃で焼成することにより作製した。
【００６７】
貫通導体，ランドパターンおよび接地導体層は、銅のメタライズ層を用いて、セラミックグリーンシートの積層体との同時焼成により形成した。銅のメタライズ層は、銅の粉末に有機溶剤を添加，混練して作製した金属ペーストを、セラミックグリーンシートの表面、およびあらかじめセラミックグリーンシートに形成しておいた貫通孔にスクリーン印刷法で印刷塗布または充填して形成した。貫通孔は、金属ピンを用いた加工方法により形成した。
【００６８】
また、比較例として、実施例の積層基板と同様の材料および寸法で作製した絶縁基体に、実施例の積層基板と同様の貫通導体および接地導体を形成するとともに、貫通導体と上下に接続されたランドパターンの形状および寸法を上下で同じとして（ランドパターンの外縁が上下で重なるようにして）形成してなる積層基板を作製した。
【００６９】
この実施例および比較例の積層基板を、ヒーターブロック上（設定温度：450℃）で加熱した後、セラミック絶縁層の層間の密着性（密着不良の有無）の確認およびセラミック絶縁層に生じているクラックの有無の確認を行なった。密着不良およびクラックの有無の確認は、超音波探傷で絶縁基体の内部を検査することにより行なった。超音波探傷は層間の密着不良やセラミック絶縁層のクラックに応じて生じた絶縁基体の内部の微細な空間を超音波の反射パターンで探知する検査方法であり、日立建機株式会社製の超音波探傷装置を用いて実施した。
【００７０】
また、超音波探傷で異常（絶縁基体の内部の空間と判断される超音波の反射）が検知された積層基板については、異常が検知された部分で絶縁基体を切断するとともに切断面を研磨し、実際に観察して密着不良やクラックを確認した。
【００７１】
なお、試験個数は、実施例および比較例ともに100個とした。
【００７２】
その結果、本発明の実施例である、貫通導体と上下に接続されたランドパターンの外縁が上下で重なっていない積層基板では、上下のセラミック絶縁層の密着不良およびセラミック絶縁層のクラックのいずれも発生していなかった。これに対し、比較例では、約12個の積層基板において、上下のセラミック絶縁層（それぞれ１〜３つ程度の層間）に密着不良が発生していた。また、比較例では、セラミック絶縁層にクラックは発生していなかったものの、２個の積層基板において、それぞれ１箇所ずつ、セラミック絶縁層の層間と接する部分に微細な剥離を生じているものが見られた。
【００７３】
この結果、本発明の積層基板においては、従来の積層基板に比べて、セラミック絶縁層の層間に密着不良やセラミック絶縁層のクラックといった問題点の抑制が可能であることがわかる。
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】本発明の積層基板の実施の形態の一例を示す断面図である。
【図２】本発明の積層基板の実施の形態の他の例を示す断面図である。
【図３】本発明の積層基板の実施の形態の他の例を示す断面図である。
【図４】本発明の積層基板の実施の形態の他の例を示す断面図である。
【図５】（ａ）は図４のＡ−Ａ線における断面を拡大して示す要部拡大断面図であり、（ｂ）は図４のＢ−Ｂ線における断面を拡大して示す要部拡大断面図である。
【符号の説明】
【００７５】
１・・・・セラミック絶縁層
２・・・・絶縁基体
２ａ・・・搭載部
３・・・・接地導体層または電源導体層
４・・・・貫通導体
５・・・・ランドパターン
６・・・・配線導体
７・・・・接続導体
９・・・・積層基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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