(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線層と絶縁層を積層した構造の配線部材を有し、前記配線部材の表面に前記配線層と接続した接続パッドが露出した配線基板であって、
前記配線部材の表面の前記接続パッドの配設領域に開口部が形成されており、前記接続パッドの配設位置を囲繞する位置に設けられ、前記配線部材を補強する補強体と、
該補強体に前記開口部と、前記補強体の四隅部分とをつなぐように設けられ、前記配線部材で発生する応力を緩和させる非直線形状のスリットとを有し、
該スリットにより前記補強体が複数の領域に分離される構成としたことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記開口部は四角形状を有しており、前記スリットは前記開口部の四隅部分と前記補強体の四隅部分とをつなぐように形成されていることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記補強体の材料を銅とし、該補強体の厚さを５０μｍ以上１５０μｍ以下に設定した請求項１または２に記載の配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は配線基板の製造方法及び配線基板に係り、支持体上に配線層と絶縁層を積層した配線部材を形成した後にこの支持体を除去する工程を有する配線基板の製造方法、及びこれにより製造される配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、電子部品が実装される配線基板を製造する方法として、特許文献１には支持体上に配線層と絶縁層を積層してビルドアップ配線層（配線部材）を形成し、その後にビルドアップ配線層を支持体から分離して配線基板を得る方法が記載されている。
【０００３】
この種の配線基板の製造方法では、ビルドアップ配線層の形成時には支持体が存在するため、ビルドアップ配線層を確実に精度よく形成することができる。また、ビルドアップ配線層が形成された後は支持体は除去されるため、製造される配線基板の薄型化及び電気的特性の向上を図ることができる。
【０００４】
図１（Ａ）は、この製造方法により製造された配線基板の一例を示している。同図に示す配線基板１００は、配線層１０２と絶縁層１０３とを積層することにより配線部材１０１を形成し、その上部に上部電極パッド１０７を形成すると共に、下部に下部電極パッド１０８を形成した構成としている。また、上部電極パッド１０７にははんだバンプ１１０が形成され、また下部電極パッド１０８は配線部材１０１の下面に形成されたソルダーレジスト１０９から露出するよう構成されている。
【０００５】
しかしながら、支持体が完全に除去された配線基板１００は、基板自体の機械的な強度が小さい。よって、図１（Ｂ）に示すように外力が印加された場合には、容易に配線基板１００が変形してしまうという問題点があった。
【０００６】
このため、配線部材１０１から支持体を除去する際に支持体の全てを除去するのではなく、その一部を補強体１０６として配線部材１０１の表面に残し（図１（Ａ）に一点鎖線で示す）、これにより配線基板１００の機械的強度（剛性）を高めることが提案されている（特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２０００−３２３６１３号公報
【特許文献２】国際公開２００３／０３９２１９号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記のように配線部材１０１の表面に補強体１０６を設けることにより、配線基板１００の機械的強度（剛性）を高めることができる。しかしながら、従来では上部電極パッド１０７（はんだバンプ１１０）の配設領域を囲繞するように枠状に補強体１０６を形成していたため、配線部材１０１で発生する応力を有効に緩和させることができないという問題点があった。
【０００８】
ここで配線部材１０１内に発生する応力（ひずみ）とは、配線部材１０１の製造時等に材料の熱膨張率の相違等に起因して発生する応力である。具体的には、配線部材１０１を形成する際、硬化前の樹脂フィルムを支持体又は既に形成された配線層１０２上に配設し、その後に樹脂フィルムを加熱処理して硬化させることにより絶縁層１０３を形成する処理が行われるが、この加熱処理は各絶縁層１０３を形成する毎に行われ、よって図１に示す例では、絶縁層１０３は４層構造であるため４回の熱硬化のための加熱処理が実施される。
【０００９】
よって、積層される各絶縁層１０３に対する加熱処理の回数は同一ではなく、多数回の熱処理が行われた絶縁層１０３と、１回だけしか熱処理が行われない絶縁層１０３とが混在することとなる。樹脂が熱硬化するときには一般に硬化収縮が発生するが、前記のように各絶縁層１０３において熱処理回数が異なると、各絶縁層１０３で発生する硬化収縮量も異なるため、これに起因して応力が発生してしまう。
【００１０】
配線部材１０１の形成後に支持体を全部除去する構成では、配線部材１０１内で発生していた応力は支持体の除去時に緩和され、よって応力に起因して配線基板１００に撓みが発生するようなことはなかった。しかしながら、支持体の一部を補強体１０６として配線部材１０１に残す構成では、配線部材１０１内で発生していた応力を十分に緩和させることができず、よって配線基板１００に撓み（変形）が発生するおそれがあるという問題点があった。
【００１１】
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、機械的な強度（剛性）を高めつつ、製造時に配線部材内に発生する応力を有効に緩和しうる配線基板の製造方法及び配線基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
また上記の課題は、本発明の他の観点からは、
配線層と絶縁層を積層した構造の配線部材を有し、前記配線部材の表面に前記配線層と接続した接続パッドが露出した配線基板であって、
前記配線部材の表面の前記接続パッドの配設領域に開口部が形成されており、前記接続パッドの配設位置を囲繞する位置に設けられ、前記配線部材を補強する補強体と、
該補強体に前記開口部と、前記補強体の四隅部分とをつなぐように設けられ、前記配線部材で発生する応力を緩和させる非直線形状のスリットとを有し、
該スリットにより前記補強体が複数の領域に分離される構成としたことを特徴とする配線基板により解決することができる。
【００２０】
また上記発明において、前記開口部は四角形状を有しており、前記スリットは前記開口部の四隅部分と前記補強体の四隅部分とをつなぐように形成されていることが望ましい。
【００２１】
また上記発明において、前記補強体の材料を銅とし、該補強体の厚さを５０μｍ以上１５０μｍ以下に設定することが望ましい。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、配線基板の機械的な強度（剛性）を高めると共に、製造時に配線部材内に発生する応力を有効に緩和することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
次に、本発明を実施するための最良の形態について図面と共に説明する。
【００２４】
図２〜図６は本発明の一実施形態の配線基板の製造方法を順に示す断面図である。配線基板を製造するには、先ず図２（Ａ）に示すように、一対の銅箔１２（支持体）を用意する。この銅箔１２の厚さは、５０μｍ以上１５０μｍ以下である。また銅箔１２には、配線形成領域Ａとその外側の外周部Ｂがそれぞれ画定されている。
【００２５】
上記の一対の銅箔１２は、外周所定位置のみが接着剤１１により接着されて一体化し、支持体１０（支持体の複合体）を形成する。図２（Ｂ）は、一対の銅箔１２が接着剤１１により接着され、支持体１０が形成された状態を示している。
【００２６】
接着剤１１の配設位置は、外周部Ｂ内に設定されている。よって、外周部Ｂを除く配線形成領域Ａにおいては、一対の銅箔１２は接着されておらず、単に対峙した状態となっている。尚、図２（Ｂ）では理解を容易とするために、接着剤１１の厚さを実際より誇張して示し、よって一対の銅箔１２が離間しているように図示している。しかしながら、実際は接着剤１１は薄い膜となっており、よって一対の銅箔１２は略密着した状態となっている。
【００２７】
次いで、図１（Ｃ）に示すように、支持体１０の両面側に、所要部（後述する接続パッド１８の形成位置に対応する位置）に開口部１６Ｘが設けられたレジスト膜１６を形成する。このレジスト膜１６としては、例えばドライフィルムを利用することができる。
【００２８】
次に、銅箔１２をめっき給電層に利用する電解めっきにより、図３（Ａ）に示すように銅箔１２上に第１配線層となる接続パッド１８を形成する。この接続パッド１８は、レジスト膜１６に形成された開口部１６Ｘ内に形成されており、パッド表面めっき層２５とパッド本体２６とにより構成されている。
【００２９】
パッド表面めっき層２５は、Ａｕ膜，Ｐｄ膜，Ｎｉ膜を積層した構造を有している。よって、接続パッド１８を形成するには、先ずＡｕ膜，Ｐｄ膜，Ｎｉ膜を順にめっきすることによりパッド表面めっき層２５を形成し、続いてこのパッド表面めっき層２５上にＣｕからなるパッド本体２６をめっきにより形成する。
【００３０】
このように接続パッド１８が形成されると、その後に図３（Ｂ）に示すように、レジスト膜１６が除去される。尚、接続パッド１８は、後に説明するように第１の接続端子Ｃ１として機能する。
【００３１】
続いて、図３（Ｃ）に示すように、支持体１０の上下両面に接続パッド１８（接続端子Ｃ１）を被覆する第１絶縁層２０をそれぞれ形成する。第１絶縁層２０の材料としては、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂などの樹脂材が使用される。第１絶縁層２０の形成方法の一例としては、支持体１０の両面側に樹脂フィルムをそれぞれラミネートした後に、樹脂フィルムをプレス（押圧）しながら１３０〜１５０℃の温度で熱処理して硬化させることにより第１絶縁層２０を得ることができる。
【００３２】
この熱処理を行う際、第１絶縁層２０には硬化収縮が発生する。しかしながら、第１絶縁層２０は支持体１０（銅箔１２）に密着した状態であるため、第１絶縁層２０と銅箔１２との界面には応力が発生する。
【００３３】
次いで、図３（Ｄ）に示すように、支持体１０の上下両面に形成された第１絶縁層２０に、接続パッド１８が露出するようにレーザ加工法等を用いて第１ビアホール２０Ｘをそれぞれ形成する。尚、第１絶縁層２０は、感光性樹脂膜をフォトリソグラフィによりパターニングして形成してもよいし、またスクリーン印刷により開口部が設けられた樹脂膜をパターニングする方法を用いてもよい。
【００３４】
続いて、図３（Ｅ）に示すように、接続パッド１８（第１配線層）に第１ビアホール２０Ｘを介して接続される第２配線層１８ａを支持体１０の両面側にそれぞれ形成する。この第２配線層１８ａは銅（Ｃｕ）からなり、第１絶縁層２０上に形成される。この第２配線層１８ａは、例えばセミアディティブ法により形成される。
【００３５】
詳しく説明すると、先ず、無電解めっき又はスパッタ法により、第１ビアホール２０Ｘ内及び第１絶縁層２０の上にＣｕシード層（不図示）を形成した後に、第２配線層１８ａに対応する開口部を備えたレジスト膜（不図示）を形成する。次いで、Ｃｕシード層をめっき給電層に利用した電解めっきにより、レジスト膜の開口部にＣｕ層パターン（不図示）を形成する。
【００３６】
続いて、レジスト膜を除去した後に、Ｃｕ層パターンをマスクにしてＣｕシード層をエッチングすることにより、第２配線層１８ａを得る。尚、第２配線層１８ａの形成方法としては、上記したセミアディティブ法の他にサブトラクティブ法などの各種の配線形成方法を採用できる。
【００３７】
次いで、図４（Ａ）に示すように、上記と同様な工程を繰り返すことにより、支持体１０の上下両面側に、第２配線層１８ａを被覆する第２絶縁層２０ａをそれぞれ形成した後に、第２配線層１８ａ上の第２絶縁層２０ａの部分に第２ビアホール２０Ｙをそれぞれ形成する。さらに、第２ビアホール２０Ｙを介して第２配線層１８ａに接続される第３配線層１８ｂを支持体１０の両面側の第２絶縁層２０ａ上にそれぞれ形成する。
【００３８】
更に、支持体１０の上下両面側に、第３配線層１８ｂを被覆する第３絶縁層２０ｂをそれぞれ形成した後に、第３配線層１８ｂ上の第３絶縁層２０ｂの部分に第３ビアホール２０Ｚをそれぞれ形成する。更に、第３ビアホール２０Ｚを介して第３配線層１８ｂに接続される第４配線層１８ｃを、支持体１０の両面側の第第３絶縁層２０ｂ上にそれぞれ形成する。
【００３９】
続いて、支持体１０の両面側の第４配線層１８ｃ上には、開口部２２Ｘが設けられたソルダーレジスト膜２２がそれぞれ形成される。これにより、ソルダーレジスト膜２２の開口部２２Ｘ内に露出する第４配線層１８ｃが第２の接続端子Ｃ２となる。尚、必要に応じてソルダーレジスト膜２２の開口部２２Ｘ内の第４配線層１８ｃにＮｉ／Ａｕめっき層などのコンタクト層４３を形成してもよい。
【００４０】
このようにして、支持体１０上の接続パッド１８（第１の接続端子Ｃ１）の上に所要のビルドアップ配線層が形成される。上記した例では、４層のビルドアップ配線層（第１〜第４配線層１８〜１８ｃ）を形成したが、ｎ層（ｎは１以上の整数）のビルドアップ配線層を形成してもよい。
【００４１】
ところで、第２絶縁層２０ａ及び第３絶縁層２０ｂを形成する際、先に説明した第１絶縁層２０の形成と同様に１３０〜１５０℃の温度で熱処理して硬化させる処理を実施する。この熱処理を行う際、第２及び第３絶縁層２０ａ，２０ｂについても硬化収縮が発生する。
【００４２】
この際、各絶縁層２０，２０ａ，２０ｂを形成する毎に加熱処理が行われるため、第１絶縁層２０については３回の熱処理が実施され、第２絶縁層２０ａについは２回の熱処理が実施され、第３絶縁層２０ｂについては１回の熱処理が実施される。このように各絶縁層２０，２０ａ，２０ｂ毎に異なる加熱が行われるため、各絶縁層２０，２０ａ，２０ｂで発生する硬化収縮にも差異が発生し、これに起因して各絶縁層２０，２０ａ，２０ｂの夫々の界面においても、応力が発生する。
【００４３】
図４（Ａ）に示す積層処理が終了すると、次いで図４（Ｂ）に示すように、ビルドアップ配線層が形成された支持体１０の周縁に対応する部分（接着剤１１により接続されている部分）を切断し外周部Ｂを除去する。前記ように一対の銅箔１２は、接着剤１１により接着された以外の部分（配線形成領域Ａ）は、単に一対の銅箔１２が対峙した状態となっている。このため、接着剤１１により接続されている外周部Ｂを除去することにより、図５（Ａ）に示すように、支持体１０は一対の銅箔１２が対向する位置で容易に分離することができる。これによって、銅箔１２とビルドアップ配線層とからなる配線部材３０がそれぞれ得られる。
【００４４】
この後に、図５（Ｂ）に示すように、銅箔１２の上部で接続パッド１８の配設領域（図中、Ｃで示す開口部分）の外周部に、これを囲繞するようにレジスト膜３６を形成する。このレジスト膜３６としては、例えばドライフィルムを利用することができる。続いて、レジスト膜３６に所定パターンの開口部３６Ｘを形成する。この開口部３６Ｘの形成は、一枚のドライフィルムをパターニングすることにより開口部分Ｃと同時に形成する。尚、図５（Ｂ）では図示の便宜上、開口部３６Ｘを孔のように図示しているが、実際は図９（Ａ）に示す応力緩和部５５Ａの形状に対応するような形状とされている。
【００４５】
銅箔１２上にレジスト膜３６が形成されると、図６（Ａ）に示すように、配線部材３０の銅箔１２を第１配線層１８及び第１絶縁層２０に対して選択的に除去する。例えば、塩化第二鉄水溶液、塩化第二銅水溶液又は過硫酸アンモニウム水溶液などを用いたウェットエッチングにより、第１配線層１８（Ａｕなど）及び第１絶縁層２０に対して銅箔１２を選択的にエッチングして除去することができる。
【００４６】
このエッチングを行うことにより、レジスト膜３６により覆われた部位を除いて銅箔１２は除去される。これにより、第１の接続端子Ｃ１として機能する接続パッド１８は、第１絶縁層２０から露出した状態となる。
【００４７】
しかしながら、前記のようにレジスト膜３６は接続パッド１８の配設領域Ｃの外周部に、これを囲繞するように形成されている。よって図６（Ｂ）に示すように、エッチングが終了した状態において、配線部材３０の表面３０ａにはレジスト膜３６の形成位置と対応する形状を有した銅箔１２が残った状態となる。
【００４８】
この配線部材３０の表面３０ａに残留した銅箔１２は、配線部材３０を機械的に補強し剛性を高める機能を奏するため、以下この残存した銅箔１２を補強体５０というものとする。この補強体５０は、接続パッド１８の配設領域Ｃを囲繞するよう形成され、その形状は枠状の形状となる。
【００４９】
また、レジスト膜３６には開口部３６Ｘが形成されており、エッチング液は配線基板１の開口部３６Ｘと対向する位置にも進入し、銅箔１２をエッチングする。このため、補強体５０の開口部３６Ｘと対向する位置は、エッチングされることにより表面３０ａが露出した状態となる。この部分は、後述するように応力を緩和する機能を奏するため、以下この補強体５０内において表面３０ａが露出した部分を応力緩和部５５というものとする。
【００５０】
上記のように応力緩和部５５を有する補強体５０が形成されると、図６（Ｂ）に示すように、レジスト膜３６が除去される。これにより、補強体５０は配線部材３０の表面３０ａに露出した状態となる。
【００５１】
次いで、第１絶縁層２０から露出した接続パッド１８にはんだが印刷され、このはんだ印刷がされた配線部材３０はリフロー炉に装着されてリフロー処理が行われる。これにより、接続パッド１８にはんだバンプ２９（接合金属）を形成する。以上の各種製造工程を経ることにより、図６（Ｃ）に示すように、本発明の一実施形態の配線基板１が製造される。
【００５２】
尚、支持体１０が多数個取りの基板であった場合には、はんだバンプ２９の形成工程が終了した後、配線部材３０を個々の配線基板１に対応する領域で切断（ダイシング等）し、これにより配線基板１を個片化する工程が追加される。この多数個取りを行う際、ダイシングブレードが通過する領域（ダイシング位置）についても補強体５０を除去しておくことにより、ダイシングブレードの寿命を延ばすことができる。
【００５３】
図９（Ａ）は、図６（Ｃ）に示した配線基板１の平面を模式的に示している。同図に示すように、配線基板１を平面視した場合、中央にはんだバンプ２９が配設された配設領域Ｃを有し、その外周に枠状の補強体５０が形成されている。
【００５４】
しかしながら、本実施形態では補強体５０は完全な枠状態とはされておらず、応力緩和部５５が形成されることにより補強体５０は複数（本実施形態では４個）の補強体部５０ａ〜５０ｄに分離された構成とされている。また、応力緩和部５５はスリット状とされており、平面形状が矩形状とされた配線基板１において応力集中が発生しやすい四隅位置に形成されている。更に、応力緩和部５５の形状は非直線形状とされており、具体的には本実施形態では湾曲形状を有した形状とされている。
【００５５】
次に、上記のように構成された補強体５０（補強体部５０ａ〜５０ｄ）及び応力緩和部５５と、配線部材３０内に発生する応力との関係について説明する。前記のように、配線部材３０は複数の絶縁層２０，２０ａ，２０ｂを積層した構造を有し、積層処理毎に加熱処理が行われるため、各絶縁層２０，２０ａ，２０ｂで発生する硬化収縮にも差異が発生し、これに起因して各絶縁層２０，２０ａ，２０ｂの夫々の界面には応力が発生している。
【００５６】
この応力は支持体として機能する銅箔１２が全部除去された場合には、配線部材３０が応力により若干変形し、これにより応力緩和が図られ、配線部材３０に残留応力に起因した撓み（ひずみ）が発生することを防止できる。しかしながら、銅箔１２を全部除去した場合には、配線部材３０の機械的な強度が低下し、外力の印加により容易に変形してしまうことは前述したとおりである。
【００５７】
一方、従来のように配線部材の機械的強度を高める枠状の補強体を配線部材に形成した構成では、外力印加時における変形は防止できるものの、配線部材内に応力が残留するため撓み（ひずみ）が発生するおそれがある。
【００５８】
これに対して本実施形態に係る配線基板１は、補強体５０が存在するために配線部材３０の機械的な強度は保たれている。これは、補強体５０が補強体部５０ａ〜５０ｄに分離されていても機械的な強度は維持され、想定される外力が印加されても配線部材３０が容易に変形するようなことはない。
【００５９】
また、製造工程時において配線部材３０内に発生する応力については、補強体５０に応力緩和部５５を形成することにより、この応力緩和部５５の形成位置で配線部材３０が若干変位することにより応力緩和が行われる。また、応力が発生し易い部位は前記のように配線部材３０の四隅位置（コーナー部分）であり、この部位に選択的に応力緩和部５５を設けることにより応力緩和を有効に図れると共に、補強体部５０ａ〜５０ｄの形成面積を広めることができ、配線部材３０の機械的強度を高めることができる。
【００６０】
応力緩和部５５は直線形状でも良いが、その場合、当該直線方向には応力緩和部は変位せず、有効な応力の緩和が図れないおそれがある。これに対し、応力緩和部５５の形状を非直線形状とすることにより、応力緩和部５５は図９（Ａ）に矢印Ｘ方向とＹ方向の双方に変位することが可能となり、有効に応力緩和を図ることができる。
【００６１】
図７は、上記のように製造された配線基板１に半導体チップ４０を実装した状態を示している。同図に示す例では、半導体チップ４０はポスト状端子４０ａを外部接続端子としており、このポスト状端子４０ａを第１の接続端子Ｃ１として機能する接続パッド１８に接続した構成としている。
【００６２】
この接続状態で、ポスト状端子４０ａの先端部は接続パッド１８の上面と接触しており、またポスト状端子４０ａと接続パッド１８ははんだバンプ２９によりはんだ付けされている。更に、半導体チップ４０と第１絶縁層２０との間にはアンダーフィル樹脂４１が充填された構成とされている。尚、第４配線層１８ｃは、配線基板１を例えばマザーボード（図示せず）等に実装するときの外部接続端子（第２の接続端子Ｃ２）として機能する。
【００６３】
図８は、半導体チップ４０を配線基板１に実装する際の他の実装構造を示している。即ち、図７を用いて先に説明した半導体チップ４０を配線基板１に実装する構造では、第１の接続端子Ｃ１である接続パッド１８に半導体チップ４０を実装した例を示した。これに対して図８に示す実装構造では、半導体チップ４０をボール状端子４０ｂを用いて配線基板１の第４配線層１８ｃ（接続端子Ｃ２）に接続すると共に、接続パッド１８を配線基板１をマザーボード（図示せず）に実装するための接続端子Ｃ１として用いる構成とした。
【００６４】
図７及び図８に示すように、半導体チップ４０を配線基板１に実装する場合、本実施例に係る配線基板１では内部応力による撓み（ひずみ）は発生しておらず、また半導体チップ４０の実装時に配線基板１に外力が印加されても配線基板１に変形が発生することはないため、半導体チップ４０を配線基板１に対して精度良く実装することができる。
【００６５】
尚、上記した図７に示した例では、半導体チップ４０の端子としてポスト状端子４０ａを用いた例を示したが、半導体チップ４０の端子が半球状のバンプであった場合においても本願発明を適用することができ、上記したと同様の効果を実現することができる。
【００６６】
図９（Ｂ），（Ｃ）及び図１０（Ａ），（Ｂ）は、上記した応力緩和部５５の各種変形例を示している。図９（Ｂ）に示す変形例は、図９（Ａ）に示した実施形態に対して図中左下及び右上に形成された応力緩和部５５の方向を対角線を中心に反転させたものである。図９（Ｃ）に示す変形例は、図９（Ａ）に示した実施形態に対して応力緩和部５５Ａの配設数を増やしたものである。
【００６７】
また、図１０（Ａ）に示した変形例では、応力緩和部５５Ｂの形状をクランク上にしたものである。また、図１０（Ｂ）に示す変形例では、クランク状の応力緩和部５５Ｂと、く字状の応力緩和部５５Ｃとを混在させたものである。
【００６８】
また図示はしないが、スリットは補強部材の何れの部位（四隅を除く位置）に設けた構成としてもよい。更に、スリットは複数の屈曲部を持っていても良く、この各屈曲部は曲線形状でも折れ線形状であってもよい。このように、応力緩和部の形状は種々変更が可能なものであり、配線部材３０に発生する応力に応じて適宜変更が可能なものである。
【００６９】
以上、本発明の好ましい実施形態について詳述したが、本発明は上記した特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能なものである。
【００７０】
具体的には、上記した実施形態に係る配線基板１は、ＰＧＡ，ＢＧＡ，ＬＧＡのいずれのタイプについても適用が可能であり、特にＰＧＡタイプの配線基板に適用した場合には基板剛性が向上するため、正確にピン付けを行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】図１は、従来の一例である配線基板及びその問題点を説明するための図である。
【図２】図２（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明の一実施形態の配線基板の製造方法を説明するための断面図（その１）である。
【図３】図３（Ａ）〜（Ｅ）は、本発明の一実施形態の配線基板の製造方法を説明するための断面図（その２）である。
【図４】図４（Ａ）及び（Ｂ）は、本発明の一実施形態の配線基板の製造方法を説明するための断面図（その３）である。
【図５】図５（Ａ）及び（Ｂ）は、本発明の一実施形態の配線基板の製造方法を説明するための断面図（その４）である。
【図６】図６（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明の一実施形態の配線基板の製造方法を説明するための断面図（その５）である。
【図７】図７は、本発明の一実施形態の配線基板の製造方法により製造された配線基板に半導体チップを搭載した状態を示す断面図（その１）である。
【図８】図８は、本発明の一実施形態の配線基板の製造方法により製造された配線基板に半導体チップを搭載した状態を示す断面図（その２）である。
【図９】図９は、応力緩和部５５の各種変形例を示す図である（その１）。
【図１０】図１０は、応力緩和部５５の各種変形例を示す図である（その２）。
【符号の説明】
【００７２】
１  配線基板
１０  支持体
１１  接着剤
１２  銅箔
１６  レジスト膜
１６Ｘ  開口部１６
１８  曲面凸状パッド
１８ａ  第２配線層
１８ｂ  第３配線層
１８ｃ  第４配線層
２０  第１絶縁層
２２  ソルダーレジスト
２５  パッド表面めっき層
２６  パッド本体
２９  はんだバンプ
３０  配線部材
３６  レジスト膜
３６Ｘ  開口部
４０  半導体チップ
５０  補強体
５５，５５Ａ，５５Ｂ，５５Ｃ  応力緩和部
Ａ  配線形成領域
Ｂ  外周部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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