(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
加熱部がそれぞれ内包されている複数のサセプタ分体と、
平面状で且つ放射状に配置された前記複数のサセプタ分体の上面であって、それぞれのサセプタ分体に跨って設けられる均熱板と、
前記均熱板の下部であって前記複数のサセプタ分体側面の間の間隙に挿入され、前記加熱部からの輻射熱によって加熱される伝熱部材とを有する基板載置台。
【請求項２】
前記伝熱部材の下端部は、鉛直方向で、前記加熱部と前記サセプタ分体の下端部の間に設定される請求項２記載の基板載置台。
【請求項３】
前記均熱板及び前記伝熱部材は、同材質である請求項１又は２記載の基板載置台。
【請求項４】
前記伝熱部材は、前記均熱板よりも熱伝導率が高い材質とする請求項１又は２に記載の基板載置台。
【請求項５】
前記伝熱部材は、SiCで構成される請求項１から４の内、いずれかに記載の基板載置台。
【請求項６】
処理ガスを供給するガス供給部と、プラズマを生成するプラズマ生成部と、前記プラズマにより処理される基板を内包する処理室と、前記処理室の雰囲気を排出する排気部と、前記処理室に設けられ、処理される基板を載置する基板載置部とを有する基板処理装置であって、
前記基板載置部は
加熱部がそれぞれ内包されている複数のサセプタ分体と、
平面状で且つ放射状に配置された前記複数のサセプタ分体の上面であって、それぞれのサセプタ分体に跨って設けられる均熱板と、
前記均熱板の下部であって前記複数のサセプタ分体側面の間の間隙に挿入され、前記加熱部からの輻射熱によって加熱される伝熱部材とを有する基板処理装置。
【請求項７】
加熱部がそれぞれ内包されている複数のサセプタ分体と、平面状で且つ放射状に配置された前記複数のサセプタ分体の上面であって、それぞれのサセプタ分体に跨って設けられる均熱板と、前記均熱板の下部であって前記複数のサセプタ分体側面の間の間隙に挿入され、前記加熱部からの輻射熱によって加熱される伝熱部材とを有する基板載置部に基板を載置する工程と、
前記基板載置部に基板が載置された状態で、ガス供給部が前記基板載置部を内包する処理室にガスを供給する工程と、
前記供給されたガスをプラズマ状態とし、前記基板を処理する工程と、
を有する半導体デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコンウエハ等の基板に酸化膜の生成、薄膜の生成、不純物の拡散、エッチング等の基板処理を行う基板処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
基板処理装置には、所要枚数の基板を一度に処理するバッチ式の基板処理装置と、基板を一枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置がある。
【０００３】
枚葉式の基板処理装置では基板を収納する処理室を具備し、処理室には基板が載置される基板載置台としてのサセプタが設けられ、サセプタに内蔵されるヒータによって載置された基板を加熱し、又処理室内で所要の処理ガスを導入して基板処理を行う様になっている。
【０００４】
近年、歩留りの向上から、益々処理基板の大径化が図られており、基板の大径化に伴い、サセプタ、サセプタに埋設されるヒータも大径化が要求されている。
【０００５】
然し乍ら、製作上、或はメンテナンス上の問題から、大径のサセプタ、ヒータを製作することは難しくなっており、大径の基板、例えば４５０ｍｍ径基板を処理するには一体型のサセプタ、ヒータでは対応が難しくなっている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は斯かる実情に鑑み、分割型のサセプタを使用した基板処理装置に於いて、基板の加熱温度分布の均一化を図り、処理品質の向上、歩留りの向上を図るものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、加熱部が内包されているサセプタ分体と、サセプタ分体を複数有し、複数のサセプタ分体を平面状に配置し、基板載置面を設定する基板載置部と、基板載置面に設けられた均熱部とを有する基板載置台に係るものである。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、サセプタ分体間に伝熱部材を有するので、大径の基板に対応が可能であり、また伝熱板によってサセプタ分体境界部での温度低下を防止し、基板の加熱温度分布の均一性が向上するという優れた効果を発揮する。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、図面を参照しつつ本発明を実施する為の最良の形態を説明する。
【００１０】
本発明の基板処理装置の一例として、プラズマ処理炉があり、電界と磁界により高密度プラズマを生成できる変形マグネトロン型プラズマ源（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ  Ｍａｇｎｅｔｒｏｎ  Ｔｙｐｅｄ  Ｐｌａｓｍａ  Ｓｏｕｒｃｅ）を用いてウエハ等の基板をプラズマ処理する基板処理装置（以下、ＭＭＴ装置）がある。
【００１１】
ＭＭＴ装置は、気密性を確保した処理室に基板を設置し、シャワーヘッドを介して反応ガスを処理室に導入し、処理室をある一定の圧力に保ち、放電用電極に高周波電力を供給して電界を形成すると共に磁界を形成し、マグネトロン放電を起こす。放電用電極から放出された電子がドリフトしながらサイクロイド運動を続けて周回することにより長寿命となって電離生成率を高めるので高密度プラズマを生成できる。この様に反応ガスを励起分解させて基板表面を酸化または窒化等の拡散処理、又は基板表面に薄膜を形成する、又は基板表面をエッチングする等、基板へ各種のプラズマ処理を施すことができる。
【００１２】
図１により、ＭＭＴ装置の概略を説明する。
【００１３】
ＭＭＴ装置１１は、処理容器１２を有し、処理容器１２は、主に第１の容器であるドーム型の上側容器１３と第２の容器である碗型の下側容器１４により構成され、上側容器１３は下側容器１４の上に被せられている。上側容器１３と下側容器１４によって処理室１５が画成される。
【００１４】
上側容器１３は酸化アルミニウム又は石英等の非金属材料で形成されており、下側容器１４はアルミニウムで形成されている。又処理室１５には基板載置台であるサセプタ１６が収納され、サセプタ１６は後述するヒータを内蔵し、窒化アルミニウムや、セラミックス又は石英等の非金属材料で構成され、処理の際に膜中に取込まれる金属汚染を低減している。
【００１５】
シャワーヘッド１７は、処理室１５の上部に設けられ、キャップ状の蓋体１８と、ガス導入口１９と、バッファ室２１と、開口２２と、遮蔽プレート２３と、ガス吹出口２４とを備えている。バッファ室２１は、ガス導入口１９より導入されたガスを分散する為の分散空間として設けられる。
【００１６】
ガス導入口１９には、ガスを供給するガス供給管２５が接続されており、ガス供給管２５は、開閉弁であるバルブ２６、流量制御器（流量制御手段）であるマスフローコントローラ２７を介して反応ガス２８のガスボンベ（図示せず）に繋がっている。
【００１７】
シャワーヘッド１７から反応ガス２８が処理室１５に導入され、又、サセプタ１６の周囲から処理室１５の底方向へ基板処理後のガスが流れる様に下側容器１４の側壁にガスを排気するガス排気口２９が設けられている。
【００１８】
ガス排気口２９にはガスを排気するガス排気管３１が接続されており、ガス排気管３１は、圧力調整器であるＡＰＣ３２、開閉弁であるバルブ３３を介して排気装置である真空ポンプ３４に接続されている。
【００１９】
導入される反応ガス２８を励起させる放電機構（放電手段）として、筒状、例えば円筒状に形成された第１の電極である筒状電極３５が設けられる。筒状電極３５は上側容器１３の外周に設置されて処理室１５内のプラズマ生成領域３６を囲んでいる。筒状電極３５にはインピーダンスの整合を行う整合器３７を介して高周波電力を印加する高周波電源３８が接続されている。
【００２０】
又、筒状電極３５の外周側に磁界形成機構（磁界形成手段）である上下一対の筒状磁石３９，３９が配設され、筒状磁石３９，３９は筒状の永久磁石となっている。上下の筒状磁石３９，３９は、処理室１５の半径方向に沿った両端（内周端と外周端）に磁極を持ち、上下の筒状磁石３９，３９の磁極の向きが逆向きに設定されている。従って、内周部の磁極同士が異極となっており、これにより、筒状電極３５の内周面に沿って円筒軸方向に磁力線を形成する様になっている。
【００２１】
処理室１５の底側中央には、基板（以下、ウエハ）８を保持する為のサセプタ１６が配置されている。内部に加熱機構（加熱手段）としてのヒータ（図示せず）が一体的に埋込まれており、ウエハ８を加熱できる様になっている。ヒータは電力が印加されてウエハ８を４００℃〜８００℃程度に迄加熱できる様になっている。
【００２２】
サセプタ１６の内部には、インピーダンスを変化させる為の電極である第２の電極（図示せず）も装備されており、第２の電極がインピーダンス可変機構４１を介して接地されている。
【００２３】
インピーダンス可変機構４１は、コイルや可変コンデンサから構成され、コイルのパターン数や可変コンデンサの容量値を制御することによって、第２の電極及びサセプタ１６を介してウエハ８の電位を制御できる様になっている。
【００２４】
ウエハ８をマグネトロン型プラズマ源でのマグネトロン放電により処理する為の処理炉４２は、少なくとも処理室１５、処理容器１２、サセプタ１６、筒状電極３５、筒状磁石３９、シャワーヘッド１７、及び排気口２９から構成されており、処理室１５でウエハ８をプラズマ処理することが可能となっている。
【００２５】
筒状電極３５及び筒状磁石３９の周囲には、筒状電極３５及び筒状磁石３９で形成される電界や磁界を外部環境や他処理炉等の装置に悪影響を及ぼさない様に、電界や磁界を有効に遮蔽する遮蔽板４３が設けられている。
【００２６】
サセプタ１６は下側容器１４と絶縁され、サセプタ１６を昇降させるサセプタ昇降機構（昇降手段）４４が設けられている。又サセプタ１６には貫通孔４５が設けられ、下側容器１４底面にはウエハ８を突上げる為の突上げピン４６が少なくとも３箇所に設けられている。さらに、サセプタ16を構成するサセプタ分体40の円弧部近傍には、サセプタ分体40を支持するサセプタ分体支持部49が設けられている。サセプタ分体支持部49は、昇降機構44と共に、サセプタを昇降させる。サセプタ分体40の詳細は後述する。
【００２７】
サセプタ昇降機構４４によりサセプタ１６が下降させられた時には突上げピン４６がサセプタ１６と非接触な状態で貫通孔４５を突抜ける位置関係となる様、貫通孔４５及び突上げピン４６が設けられる。
【００２８】
又、下側容器１４の側壁には仕切弁となるゲートバルブ４７が設けられ、開いている時には図中省略の搬送機構（搬送手段）により処理室１５に対してウエハ８を搬入、又は搬出することができ、閉まっている時には処理室１５を気密に閉じることができる。
【００２９】
又、制御部（制御手段）としてのコントローラ４８は信号線Ａを通じてＡＰＣ３２、バルブ３３、真空ポンプ３４を、信号線Ｂを通じてサセプタ昇降機構４４を、信号線Ｃを通じてゲートバルブ４７を、信号線Ｄを通じて整合器３７、高周波電源３８を、信号線Ｅを通じてマスフローコントローラ２７、バルブ２６を、さらに図示しない信号線を通じてサセプタ１６に埋め込まれたヒータやインピーダンス可変機構４１をそれぞれ制御する様構成されている。
【００３０】
次に、処理炉４２を用いて、半導体デバイスの製造工程の一工程として、ウエハ８表面に対し、又はウエハ８上に形成された下地膜の表面に対し所定のプラズマ処理を施す方法について説明する。尚、以下の説明に於いて、基板処理装置を構成する各部の動作は制御部４８により制御される。
【００３１】
ウエハ８は処理室１５の外部から搬送機構（図示せず）によって処理室１５に搬入され、サセプタ１６上に搬送される。この搬送動作の詳細は次の通りである。
【００３２】
サセプタ１６が基板搬送位置迄下降し、突上げピン４６の先端が貫通孔４５を通過する。この時サセプタ１６表面よりも所定の高さ分だけ突上げピン４６が突出された状態となる。
【００３３】
次に、ゲートバルブ４７が開かれ、搬送機構（図示せず）によってウエハ８を突上げピン４６の先端に載置する。搬送機構が処理室１５外へ退避すると、ゲートバルブ４７が閉じられる。サセプタ１６がサセプタ昇降機構４４及びサセプタ分体支持部により上昇すると、サセプタ１６上面にウエハ８を載置することができ、更にウエハ８を処理する位置迄上昇する。
【００３４】
サセプタ１６に埋め込まれたヒータは予め加熱されており、搬入されたウエハ８を室温〜８００℃の範囲の内、所定のウエハ処理温度に加熱する。真空ポンプ３４、及びＡＰＣ３２を用いて処理室１５の圧力を０．１〜１００Ｐａの範囲の内、所定の圧力に維持する。
【００３５】
ウエハ８の温度が処理温度に達し、安定化したら、ガス導入口１９からガス噴出孔２４を介して、反応ガス２８（例えばＮ2 ，Ｏ2 ，ＮＨ3 ，ＮＦ3 ，ＰＨ3 ）をサセプタ１６に載置されたウエハ８の上面（処理面）に向けて導入する。この時のガス流量は１００〜１０００ｓｃｃｍの範囲の内、所定の流量とする。同時に筒状電極３５に高周波電源３８から整合器３７を介して高周波電力を印加する。印加する電力は、１５０〜２００Ｗの範囲の内、所定の出力値を投入する。この時インピーダンス可変機構４１は予め所望のインピーダンス値となる様に制御しておく。
【００３６】
筒状磁石３９，３９の磁界の影響を受けてマグネトロン放電が発生し、ウエハ８の上方空間に電荷をトラップしてプラズマ生成領域３６に高密度プラズマが生成される。そして、生成された高密度プラズマにより、サセプタ１６上のウエハ８の表面にプラズマ処理が施される。プラズマ処理が終わったウエハ８は、搬送機構（図示せず）を用いて、基板搬入と逆の手順で処理室１５外へ搬送される。
【００３７】
次に、図２、図３により、本発明の第１の実施の形態に係るサセプタ２について説明する。このサセプタ2は、前述のMMT処理装置のサセプタ16に相当するものである。
図2（ａ）は、ウエハ8が載置されている状態のサセプタ２を上面から見た図である。A-Aは切り取り線であり、図２（ｃ）及び図３がその断面図となる。図2（ｂ）は、サセプタ分体4とヒータ分体5（加熱部）及び電力供給端子53、54との関連を示す説明図である。図3は前述の通りA-A線の断面図ではあるが、説明の便宜上、サセプタ昇降機構44及びサセプタ分体支持部49等を省略している。
【００３８】
本発明では、大径の基板処理に対応する為、分割型のサセプタ、ヒータを具備する基板載置台１が提案されている。
【００３９】
図示の基板載置台１では、サセプタ２は、３つのサセプタ分体４に分割されている。サセプタ分体４の上面は扇形状である。サセプタ２の上面が円状となるよう、各サセプタ分体４の先端部54をサセプタ２の中央部に集約するように配置される。各サセプタ分体４の内部には発熱体であるヒータ分体５がそれぞれ内蔵されている。
【００４０】
各サセプタ分体４の内、扇形の中心角側の領域である先端部54には、ヒータ分体5の電力供給入力端子52及び電力供給出力端子53が設けられている。これらの端子に、ヒータ電力供給線55が接続され、図示しない電力源からヒータ分体5に電力が供給される。ヒータ電力供給線55は、サセプタ昇降機構44の内側に配設されている。サセプタ昇降機構４４の内側は処理室15の雰囲気から隔離されるよう構成されている。
このように、先端部54に電力供給端子を設けることで、各ヒータ電力供給線55を集中して配設することが可能となり、その結果サセプタ昇降機構44の水平方向断面の面積を小さくすることができる。水平方向断面の面積を小さくすることで、安価にサセプタ昇降機構44を作成することが可能となり、またそれに付随するモータ等の昇降機構も小さいパワーのものを設定することが可能となる。
サセプタ分体4の先端部54はサセプタ昇降機構44に支持され、また円弧側の領域はサセプタ分体支持部49により支持されている。
【００４１】
サセプタ分体４の材質は耐プラズマ性であり、かつ熱伝導性の高いものが良い。例えば、SiC（炭化シリコン）、ＡＩＮ（窒化アルミニウム）又は石英である。又、サセプタ２が分割構造となることで、又、ヒータ分体５がサセプタ分体４に内蔵されることから、図3に記載のように、加熱源としてのヒータとしては非連続部分６が生じる。特に、前記サセプタ分体４の先端部54が集合する、サセプタ2の基板載置面中心部では大きな非連続部分６が生じる。非連続部分６は非加熱部分となり、加熱温度分布が不均一となる原因となる。
【００４２】
この為、サセプタ２の上面に均熱板７が設けられる。均熱板７は円状であり、直径がウエハ８より大きく設定される。均熱板７がウエハ８より小さい場合、均熱板7からはみ出したウエハ部分のみ均熱板７からの熱が来ないため、温度の不均一性が生まれるためである。均熱板７を介してウエハ８を加熱することで、温度分布の均一化が図れる。
尚、均熱板７は、ウエハ８全面が載置されれば良く、例えば円状に限らず四角条でも良い。
【００４３】
均熱板７は、生成されたプラズマに直接晒される。その為、材質は、耐プラズマ性、かつ熱伝導性の高いものが良い。例えば、SiC（炭化シリコン）、ＡＩＮ（窒化アルミニウム）又は石英である。耐プラズマ性の材質とすることにより、パーティクルの発生を抑制することができる。また、熱伝導性の高い材質とすることで、熱の不均一を抑制することができる。ここで、パーティクルの発生とは、均熱板７がプラズマに晒されたときに、削られて発生するものを言う。又熱の不均一とは、プラズマによって削られた均熱板７で加熱した場合、基板に対して均一に熱を提供することができないことをいう。
【００４４】
基板載置台１による基板の温度分布を、図７の曲線Ａで示している。曲線Ａで示される様に、均熱板７を設けることで、周辺部の不均一性は解消されているが、中心部で非連続部分６の影響が現れ、局部的な温度低下が見られる。
【００４５】
更に、図４〜図６に於いて、第２の実施の形態に係るサセプタ１６について説明する。
【００４６】
尚、図４〜図６中、図２、図３中で示したものと同等のものには同符号を付してある。
図4は、ウエハが載置された状態のサセプタ16を上面から見た図である。図5は、図4のＢ−Ｂ線を切り取ったときの断面図である。尚、サセプタ昇降機構44やサセプタ分体支持部49等は、説明の便宜上省略している。
【００４７】
サセプタ１６は、３つのサセプタ分体４に分割されている。サセプタ分体４の上面は扇形状である。サセプタ２の上面が円状となるよう、各サセプタ分体４の先端部54をサセプタ２の中央部に集約するように配置される。各サセプタ分体４の内部には発熱体であるヒータ分体５がそれぞれ内蔵されている。
【００４８】
各サセプタ分体４は、ヒータ分体５を内蔵し、ヒータ分体５を覆う部材の材質は、ＡＩＮ（窒化アルミニウム）又は石英製である。
【００４９】
サセプタ１６の上面にはＳｉＣ製の均熱板７が載設され、均熱板７上にはウエハ８が載置される。
【００５０】
均熱板７の下面には、温度安定化機構としての伝熱部材、例えば平板断面を有する伝熱板５１を突設する。伝熱板５１は、均熱板７と同材質とするか、或はより熱伝導率の大きい材質、更に、サセプタ１６下部へのプラズマ回込みによるパーティクルの発生、熱の不均一化を抑制する為に、耐プラズマ性の材質が用いられる。均熱板７と伝熱板５１間は、同材質であれば、熱抵抗が小さい様に溶接等の手段で接合する。又、伝熱板５１はサセプタ分体４，４間の間隙に挿入される様形成され、図示の場合では、上面から見た形状が等角度に分岐したＹ形状である。
【００５１】
伝熱板５１の鉛直方向の下端５１ａは、サセプタ分体4の鉛直方向の下端４ａとヒータ分体5の鉛直方向の上端5ｂの間にあることが望ましい。仮に伝熱板51の下端５１ａが、サセプタ分体4の下端４ａより下に設けられた場合、伝熱板51の下端ａから熱が逃げてしまう。また、サセプタ分体５１ａの下端がヒータ分体5の上端より上に設けられた場合、ヒータ分体５からの熱がうまく伝わらず、非連続部分6が生じてしまう場合がある。
【００５２】
サセプタ分体４で均熱板７を加熱した場合、サセプタ分体４上面からの伝熱で均熱板７が加熱されるが、均熱板７のサセプタ分体４，４間の境界部分は非加熱部分となる。
【００５３】
伝熱板５１はサセプタ分体４，４間の間隙に挿入されており、サセプタ分体４から輻射熱を受ける。伝熱板５１が輻射熱で加熱されることから、均熱板７の非加熱部分からの放熱が防止されると共に伝熱板５１から均熱板７の非加熱部分への伝熱により、均熱板７の非加熱部分が昇温される。
【００５４】
均熱板７に伝熱板５１を設けた場合のウエハ８の温度分布が図７の曲線Ｂで示される。
【００５５】
曲線Ｂに示される様に、伝熱板５１を設けたことで、ウエハ８中心部の温度が僅かに上昇している。又、温度上昇部分は、中心部の極僅かであり、従来のサセプタ２によるウエハ８の温度分布に比べて大幅に温度均一性が向上したことが分る。
【００５６】
尚、伝熱板５１の形状については、Ｙ形状、板形状、板厚は一定である必要はなく、伝熱板５１の中心部を高く、周辺部を低くする等、得られる温度分布に応じて変更することが可能である。又、ここではプラズマで処理する基板処理装置であるＭＭＴ装置を例として説明したが、それに限るものではなく、例えば並行平板装置、ＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ）装置、ＥＣＲ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ  Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）装置を用いてもよい。
【００５７】
又、プラズマ処理装置に限らず、加熱処理を行う加熱装置等の枚葉装置に用いてもよい。プラズマ処理装置の場合、均熱板７、伝熱板５１は、一例として耐プラズマ性の材質であるＳｉＣを用いることを説明した。加熱装置の場合はそれに限るものではなく、均熱板７、伝熱板５１の一例としてカーボンを用いてもよい。耐プラズマ性の性質を考慮せず、且つ安価に提供できる為である。
【００５８】
（付記）
又、本発明は以下の実施の態様を含む。
【００５９】
（付記１）基板が載置されるサセプタを有し、サセプタが発熱体を内蔵する複数のサセプタ分体から構成され、サセプタ分体間に挿入される伝熱部材を有することを特徴とする基板載置台。
【００６０】
（付記２）基板を処理する処理室と、処理室に設けられる基板載置台とを具備し、基板載置台は、基板が載置されるサセプタを有し、サセプタが発熱体を内蔵する複数のサセプタ分体から構成され、サセプタ分体間に挿入される伝熱部材を有することを特徴とする基板処理装置。
【００６１】
（付記３）均熱板、伝熱部材はＳｉＣであり、基板はプラズマ処理を行う付記２の基板処理装置。
【００６２】
（付記４）処理される基板は４５０ｍｍ径以上である付記２又は付記３の基板処理装置。
【００６３】
（付記５）  加熱部が内包されているサセプタ分体と、前記サセプタ分体を複数有し、前記複数のサセプタ分体を平面状に配置し、基板載置面を設定する基板載置部と、前記基板載置面に設けられた均熱部とを有する基板載置台。
【００６４】
（付記６）
前記複数のサセプタ分体の間に、伝熱部を有する付記５記載の基板載置台。
【００６５】
（付記７）
前記均熱部の下端部は、鉛直方向で、前記加熱部と前記サセプタ分体の下端部の間に設定される付記6記載の基板載置台。
【００６６】
（付記８）
前記均熱部の径は、載置される基板の径より大きい付記5乃至7記載の基板載置台。
【００６７】
（付記９）
前記均熱部及び前記伝熱部は、同材質である付記6乃至8記載の基板載置台。
【００６８】
（付記10）
前記並べられた複数のサセプタ分体は上面が扇形であって、前記サセプタ分体の先端部に加熱部電力供給端子を設ける請求項5乃至9記載の基板載置台。
【００６９】
（付記11）
処理ガスを供給するガス供給部と、プラズマを生成するプラズマ生成部と、前記プラズマにより処理される基板を内包する処理室と、前記処理室の雰囲気を排出する排気部と、前記処理室に設けられ、処理される基板を載置する基板載置部とを有する基板処理装置であって、前記基板載置部は加熱部が内包されているサセプタ分体と、前記サセプタ分体を複数有し、前記複数のサセプタ分体を並べ、基板載置面を設定する基板載置部と、前記複数のサセプタ分体の間に設けられた均熱部とを有する基板処理装置。
【００７０】
（付記11）
前記基板載置面に、伝熱部を有する付記10記載の基板処理装置。
【００７１】
（付記12）
前記第一または伝熱部は、SiCである付記11記載の基板処理装置。
【００７２】
（付記13）
処理ガスを供給するガス供給部と、基板を加熱処理する処理室と、前記処理室の雰囲気を排出する排気部と、前記処理室に設けられ、処理される基板を載置する基板載置部とを有する基板処理装置であって、前記基板載置部は加熱部が内包されているサセプタ分体と、  前記サセプタ分体を複数有し、前記複数のサセプタ分体を並べ、基板載置面を設定する基板載置部と、前記複数のサセプタ分体の間に設けられた均熱部とを有する
基板処理装置。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】本発明が実施される基板処理装置の一例を示す概略断面図である。
【図２】本発明の第１実施の形態の要部を示す図である。
【図３】図２のＡ−Ａ断面図である。
【図４】本発明の第２実施の形態の要部を示す概略平面図である。
【図５】図４のＢ−Ｂ断面図である。
【図６】図５のＣ部拡大図である。
【図７】本発明に於ける基板の温度分布を示す線図である。
【符号の説明】
【００７４】
１              基板載置台
２              サセプタ
４              サセプタ分体
５              ヒータ分体
６              非連続部分
７              均熱板
８              ウエハ
１５            処理室
１６            サセプタ
３５            筒状電極
３６            プラズマ生成領域
３９            筒状磁石
４２            処理炉
４４            サセプタ昇降機構
５１            伝熱板 
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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