(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヘッドが保持しているレーザーダイオードチップ、フォトダイオードチップなどのチップに設けられた一対のアライメントマークと前記ヘッドの下方に配されている基板保持ステージが支持している基板に設けられた一対のアライメントマークとを認識手段で認識し、前記チップに設けられた一対のアライメントマーク又は前記基板に設けられた一対のアライメントマークのピッチは、前記認識手段の視野内に収まる大きさに設定されており、前記各アライメントマークの認識に基づいて前記チップの光軸と前記基板の光軸との軸ずれ量を目標精度範囲内に納めるように前記基板保持ステージが装着されている可動テーブルの平行移動制御及び／又は回転制御を行うと共に、前記チップに設けられた一対のアライメントマーク同士を結ぶ線と前記チップの光軸との交点と、前記チップの光軸と該チップの光学的接続端面との交点との距離測定に基づいて前記チップの光学的接続端面と前記基板の光学的接続端面との間の間隙寸法誤差量を目標精度範囲内に納めるように前記可動テーブルの平行移動制御を行ってアライメントした後、前記ヘッドを降下させて実装することを特徴とするチップの実装方法。
【請求項２】
基板がシリコン基板であることを特徴とする請求項１に記載のチップの実装方法。
【請求項３】
シリコン基板が導波路を形成したものであることを特徴とする請求項２に記載のチップの実装方法。
【請求項４】
認識手段がカメラであることを特徴とする請求項１に記載のチップの実装方法。
【請求項５】
ヘッドが保持しているレーザーダイオードチップ、フォトダイオードチップなどのチップに設けられた一対のアライメントマークと前記ヘッドの下方に配されている基板保持ステージが支持している基板に設けられた一対のアライメントマークとを認識手段で認識し、前記チップに設けられた一対のアライメントマーク又は前記基板に設けられた一対のアライメントマークのピッチは、前記認識手段の視野内に収まる大きさに設定されており、前記各アライメントマークの認識に基づいて前記チップの光軸と前記基板の光軸との軸ずれ量を目標精度範囲内に納めるように前記ヘッドが装着されている可動テーブルの平行移動制御及び／又は回転制御を行うと共に、前記チップに設けられた一対のアライメントマーク同士を結ぶ線と前記チップの光軸との交点と、前記チップの光軸と該チップの光学的接続端面との交点との距離測定に基づいて前記チップの光学的接続端面と前記基板の光学的接続端面との間の間隙寸法誤差量を目標精度範囲内に納めるように前記可動テーブルの平行移動制御を行ってアライメントした後、前記ヘッドを降下させて実装することを特徴とするチップの実装方法。
【請求項６】
基板がシリコン基板であることを特徴とする請求項５に記載のチップの実装方法。
【請求項７】
シリコン基板が導波路を形成したものであることを特徴とする請求項６に記載のチップの実装方法。
【請求項８】
認識手段がカメラであることを特徴とする請求項５に記載のチップの実装方法。
【請求項９】
ヘッドが保持しているレーザーダイオードチップ、フォトダイオードチップなどのチップに設けられた一対のアライメントマークと前記ヘッドの下方に配されている基板保持ステージが支持している基板に設けられた一対のアライメントマークとを認識手段で認識し、前記チップに設けられた一対のアライメントマーク又は前記基板に設けられた一対のアライメントマークのピッチは、前記認識手段の視野内に収まる大きさに設定されており、前記各アライメントマークの認識に基づいて前記チップの光軸と前記基板の光軸との軸ずれ量を目標精度範囲内に納めるように前記基板保持ステージが装着されている可動テーブル及び前記ヘッドが装着されている可動テーブルの両方の平行移動制御及び／又は回転制御を行うと共に、前記チップに設けられた一対のアライメントマーク同士を結ぶ線と前記チップの光軸との交点と、前記チップの光軸と該チップの光学的接続端面との交点との距離測定に基づいて前記チップの光学的接続端面と前記基板の光学的接続端面との間の間隙寸法誤差量を目標精度範囲内に納めるように前記基板保持ステージが装着されている可動テーブル及び前記ヘッドが装着されている可動テーブルの両方の平行移動制御を行ってアライメントした後、前記ヘッドを降下させて実装することを特徴とするチップの実装方法。
【請求項１０】
基板がシリコン基板であることを特徴とする請求項９に記載のチップの実装方法。
【請求項１１】
シリコン基板が導波路を形成したものであることを特徴とする請求項１０に記載のチップの実装方法。
【請求項１２】
認識手段がカメラであることを特徴とする請求項９に記載のチップの実装方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、チップの実装方法に関し、とくにレーザーダイオードチップ又はフォトダイオードチップの実装方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
光伝送装置等に組み込まれる光半導体部材は、たとえば図５に示すように、基板１にレーザーダイオードチップ２を実装したものである。実装は、たとえば、チップ２をヘッドに保持し、基板１を基板保持ステージに保持し、チップ２と基板１との相対位置関係を所定の目標精度範囲内に納めた状態で、ヘッドを降下させて両者を熱圧着させることにより行われる。このような部材においては、レーザーダイオードチップ２の光軸２ａと基板１の光軸１ａとの軸ずれ量α及び基板１の光学的接続端面３とレーザーダイオードチップ２の光学的接続端面４との間の間隙寸法Ｄｘの誤差量が光結合効率に大きく影響する為に、軸ずれ量αを１μｍ（±０．５μｍ）以下、間隙寸法Ｄｘの誤差量を２μｍ（±１μｍ）以下といった目標精度範囲内に納めた状態で実装することが要求される。
【０００３】
そこで、一般には、ヘッドが保持しているレーザーダイオードチップ２に設けられた左右のアライメントマーク５とヘッドの下方に配されている基板保持ステージが支持している基板１に設けられた左右のアライメントマーク６とを認識手段（例えば、カメラ）で認識し、両アライメンマークの位置ずれ量を補正して高精度に整合（位置合わせ）せしめるように、基板保持ステージが装着されている可動テーブルのＸ軸方向、Ｙ軸方向又はＸＹ両軸方向への移動制御（以下、単に平行移動制御という。）及び／又は回転制御を行ってアライメントした後、前記ヘッドを降下させて熱圧着している。
【０００４】
ところが、上述の実装方法は、レーザーダイオードチップ２に設けられたアライメントマーク５と基板１に設けられたアライメントマーク６との位置的整合（位置合わせ）に係る方法であるから、各光学的接続端面に対する両アライメントマーク自体の位置的精度が十分でない場合においては、たとえ、レーザーダイオードチップ２に設けられたアライメントマーク５と基板１に設けられたアライメントマーク６との位置的整合を高精度に行っても、レーザーダイオードチップ２の光軸２ａと基板１の光軸１ａとの軸ずれ量αが１μｍ以下で、しかも、基板１の光学的接続端面３とレーザーダイオードチップ２の光学的接続端面４との間の間隙寸法Ｄｘの誤差量が２μｍ以下といった目標精度範囲内に実装することが困難になる。
【０００５】
その為、両アライメントマーク５，６と各光学的接続端面の位置的精度を設定精度範囲内に維持するようにしなければならないが、両アライメントマーク５，６の内、レーザーダイオードチップ２に設けられたアライメントマーク５については、設定精度範囲内に維持することが困難である為、基板１の光学的接続端面３とレーザーダイオードチップ２の光学的接続端面４との間の間隙寸法Ｄｘの誤差量を、常に、２μｍ以下といった高精度の目標精度範囲内に納めた状態にて実装することは困難であった。
【０００６】
すなわち、レーザーダイオードチップ２は、所定位置にアライメントマーク５を予め設けられたウエハから劈開という方法で切り出すことによって作成される為に、たとえば図４に示されるように（図４は、後述の本発明の説明にも使用する。）、レーザーダイオードチップ２の光学的接続端面４とアライメントマーク５間の寸法Ｄ１に比較的大きな誤差量が生じ易い。さらに、その寸法Ｄ１が一定しない故、たとえ、そのような方法で切り出されたレーザーダイオードチップ２に設けられたアライメントマーク５と基板１に設けられたアライメントマーク６との位置的整合を高精度に行っても、基板１の光学的接続端面３とレーザーダイオードチップ２の光学的接続端面４間の間隙寸法Ｄｘの誤差量が５μｍ〜１０μｍ程度になってしまうことが多かった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
そこで、本発明の目的は、レーザーダイオードチップ、フォトダイオードチップなどのチップの光学的接続端面とアライメントマーク間の寸法Ｄ１の誤差量に左右されずに、チップの光軸と基板の光軸との軸ずれ量が１μｍ以下であって、しかも、基板の光学的接続端面とチップの光学的接続端面間の間隙寸法の誤差量が２μｍ以下といった高精度な目標精度範囲内に常に実装することができる方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明に係るチップの実装方法は、ヘッドが保持しているレーザーダイオードチップ、フォトダイオードチップなどのチップに設けられた一対のアライメントマークと前記ヘッドの下方に配されている基板保持ステージが支持している基板に設けられた一対のアライメントマークとを認識手段で認識し、前記チップに設けられた一対のアライメントマーク又は前記基板に設けられた一対のアライメントマークのピッチは、前記認識手段の視野内に収まる大きさに設定されており、前記各アライメントマークの認識に基づいて前記チップの光軸と前記基板の光軸との軸ずれ量を目標精度範囲内に納めるように前記基板保持ステージが装着されている可動テーブルの平行移動制御及び／又は回転制御を行うと共に、前記チップに設けられた一対のアライメントマーク同士を結ぶ線と前記チップの光軸との交点と、前記チップの光軸と該チップの光学的接続端面との交点との距離測定に基づいて前記チップの光学的接続端面と前記基板の光学的接続端面との間の間隙寸法誤差量を目標精度範囲内に納めるように前記可動テーブルの平行移動制御を行ってアライメントした後、前記ヘッドを降下させて実装することを特徴とする方法からなる。
【０００９】
また、本発明に係る他のチップの実装方法は、ヘッドが保持しているレーザーダイオードチップ、フォトダイオードチップなどのチップに設けられた一対のアライメントマークと前記ヘッドの下方に配されている基板保持ステージが支持している基板に設けられた一対のアライメントマークとを認識手段で認識し、前記チップに設けられた一対のアライメントマーク又は前記基板に設けられた一対のアライメントマークのピッチは、前記認識手段の視野内に収まる大きさに設定されており、前記各アライメントマークの認識に基づいて前記チップの光軸と前記基板の光軸との軸ずれ量を目標精度範囲内に納めるように前記ヘッドが装着されている可動テーブルの平行移動制御及び／又は回転制御を行うと共に、前記チップに設けられた一対のアライメントマーク同士を結ぶ線と前記チップの光軸との交点と、前記チップの光軸と該チップの光学的接続端面との交点との距離測定に基づいて前記チップの光学的接続端面と前記基板の光学的接続端面との間の間隙寸法誤差量を目標精度範囲内に納めるように前記可動テーブルの平行移動制御を行ってアライメントした後、前記ヘッドを降下させて実装することを特徴とする方法からなる。
【００１０】
また、本発明に係るさらに他のチップの実装方法は、ヘッドが保持しているレーザーダイオードチップ、フォトダイオードチップなどのチップに設けられた一対のアライメントマークと前記ヘッドの下方に配されている基板保持ステージが支持している基板に設けられた一対のアライメントマークとを認識手段で認識し、前記チップに設けられた一対のアライメントマーク又は前記基板に設けられた一対のアライメントマークのピッチは、前記認識手段の視野内に収まる大きさに設定されており、前記各アライメントマークの認識に基づいて前記チップの光軸と前記基板の光軸との軸ずれ量を目標精度範囲内に納めるように前記基板保持ステージが装着されている可動テーブル及び前記ヘッドが装着されている可動テーブルの両方の平行移動制御及び／又は回転制御を行うと共に、前記チップに設けられた一対のアライメントマーク同士を結ぶ線と前記チップの光軸との交点と、前記チップの光軸と該チップの光学的接続端面との交点との距離測定に基づいて前記チップの光学的接続端面と前記基板の光学的接続端面との間の間隙寸法誤差量を目標精度範囲内に納めるように前記基板保持ステージが装着されている可動テーブル及び前記ヘッドが装着されている可動テーブルの両方の平行移動制御を行ってアライメントした後、前記ヘッドを降下させて実装することを特徴とする方法からなる。
【００１１】
このように、ヘッドが保持しているチップに設けられたアライメントマークと基板保持ステージが支持している基板に設けられたアライメントマークとの認識に基づいてチップの光軸と基板の光軸との軸ずれ量を目標精度範囲内に納めるように、基板保持ステージが装着されている可動テーブルのみ若しくはヘッドが装着されている可動テーブルのみ又は基板保持ステージが装着されている可動テーブル及びヘッドが装着されている可動テーブルの両方について平行移動制御及び／又は回転制御を行うと共に、チップのアライメントマークと光学的接続端面との距離測定に基づいてチップの光学的接続端面と基板の光学的接続端面間の間隙寸法誤差量を目標精度範囲内に納めるように平行移動制御を行ってアライメントする為に、チップの光学的接続端面からの寸法Ｄ１の誤差量が一定していなくてもそれに左右されることなく、チップの光軸と基板の光軸との軸ずれ量が１μｍ（±０．５μｍ）以下であって、しかも、基板の光学的接続端面とチップの光学的接続端面間の間隙寸法誤差量が２μｍ（±１μｍ）以下といった高精度の目標精度範囲内に常に実装することができるようになる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の望ましい実施の形態を、図面を参照しながら説明する。
図１は、本発明の一実施態様に係る実装方法を実施するためのチップ実装装置を示している。この実装装置は、上方のヘッド１０と下方の基板保持ステージ１１間へ移動し得る認識手段１２を備えている。なお、基板保持ステージ１１は、平行移動制御及び／又は回転制御が可能な可動テーブル１３（以下、この可動テーブルをステージ側の可動テーブルという。）上に装着されている。
【００１３】
また、ステージ側の可動テーブル１３は、平行移動制御が可能な平行移動テーブル１３ａと、この平行移動テーブル１３ａ上に装着された回転制御が可能な回転テーブル１３ｂとで構成され、かつ、回転テーブル１３ｂ上に基板保持ステージ１１が装着されている。その為、基板保持ステージ１１は、ステージ側の可動テーブル１３の駆動制御によって平行移動及び／又は所定角度（θ）に回転され得る。
【００１４】
また、基板保持ステージ１１の所定位置にシリコン基板１が真空吸着せしめられて保持されている。このシリコン基板１には、図３に示されるように、導波路７が形成されていると共に一対のアライメントマーク６が設けられている。この一対のアライメントマーク６は、光軸１ａを基準として左右対称の位置に設けられている。
【００１５】
一方、ヘッド１０は、昇降テーブル１４に装着されている。この昇降テーブル１４は、上部フレーム１５に装着されているサーボモータ１６の駆動制御によって、上部フレーム１５に装着されている一対の縦レール１７で案内されて昇降し得るように装着されている。
【００１６】
なお、上部フレーム１５の上端は、図示されていない上方の装置フレームに装着されている平行移動制御及び／又は回転制御が可能な可動テーブル（以下、この可動テーブルをヘッド側の可動テーブルという。）に装着または固定されている。
【００１７】
また、この図示されていないヘッド側の可動テーブルは、上述のステージ側の可動テーブル１３と同様に、平行移動制御が可能な平行移動テーブルと回転制御が可能な回転テーブルとで構成され、かつ、上側に位置されている平行移動テーブルが上記装置フレームに装着されていると共に下側に位置されている回転テーブルが上部フレーム１５の上端に装着された形態であってもよい。
【００１８】
また、ヘッド１０は、昇降テーブル１４に装着されたブロック１８と、これの下端に装着されたツール１９とで構成されている。ツール１９にはヒータ（図示されていない）が内蔵されていると共に、図２に示されるようにレーザーダイオードチップ２が真空吸着により保持されている。
【００１９】
レーザーダイオードチップ２には、図４に示されるように、活性層８が形成されていると共に一対のアライメントマーク５が設けられている。この一対のアライメントマーク５は、光軸２ａを基準として左右対称の位置に設けられている。
【００２０】
なお、シリコン基板１に設けられている一対のアライメントマーク６同士のピッチと、レーザーダイオードチップ２に設けられている一対のアライメントマーク５同士のピッチとは、同一寸法に設定されていると共に、これらの一対のアライメントマーク５又は６のピッチは、認識手段１２の視野内に収まる大きさに設定されている。
【００２１】
更に、認識手段１２は、平行移動制御及び／又は昇降制御が可能な可動テーブル２０に装着されている。この可動テーブル２０は、図示されていない昇降テーブルと、この昇降テーブルに装着された平行移動テーブル２０ａとで構成されている。その為、認識手段１２は、可動テーブル２０の駆動制御によって、退避位置からヘッド１０の下方位置へ移動され得ると共に反対にそこから前記退避位置へ移動され得る。その際、認識手段１２の高さが前記昇降テーブルによって所定の高さに調整される。
【００２２】
この実装装置においては、次のようにして、ヘッド１０が吸着保持しているレーザーダイオードチップ２を、基板保持ステージ１１が吸着支持しているシリコン基板１に対して高精度に熱圧着することができる。
【００２３】
先ず、ヘッド側の可動テーブル及び／又はステージ側の可動テーブル１３の平行移動制御及び／又は回転制御によって、基板保持ステージ１１が吸着支持しているシリコン基板１の光軸１ａとヘッド１０が吸着保持しているレーザーダイオードチップ２の光軸２ａとが同一方向（例えば、図示Ｘ方向）に位置せしめられる。
【００２４】
次いで、可動テーブル２０が駆動されて認識手段１２が退避位置からヘッド１０と基板保持ステージ１１との間へ移動され、この認識手段１２でレーザーダイオードチップ２に設けられている一対のアライメントマーク５とシリコン基板１に設けられている一対のアライメントマーク６とが認識される。
【００２５】
なお、上下の全てのアライメントマーク５，６を認識することが困難な位置にヘッド１０及び／又は基板保持ステージ１１が移動されている場合には、ヘッド側の可動テーブル及び／又はステージ側の可動テーブル１３の平行移動制御及び／又は回転制御を行うことにより認識手段１２の視野範囲内に上下の全てのアライメントマーク５，６が位置せしめられる。
【００２６】
また、認識手段１２による上下のアライメントマーク５，６の認識は、全てのアライメントマーク５，６の同時認識、又はレーザーダイオードチップ２に設けられているアライメントマーク５の認識とシリコン基板１に設けられているアライメントマーク６の認識とを別個に行う個別認識のいずれであってもよい。
【００２７】
引き続いて、認識された両アライメントマーク５，６を位置的に高精度に整合、すなわち、両アライメントマーク５，６を図３に示された状態に位置合わせするように、基板保持ステージ１１が装着されている可動テーブル１３の平行移動制御及び／又は回転制御が行われる。これによって、レーザーダイオードチップ２の光軸２ａとシリコン基板１の光軸１ａとの軸ずれ量α（図５に図示）が目標精度範囲内（１μｍ以下）に納められる。
【００２８】
また、それに加えて、レーザーダイオードチップ２のアライメントマーク５と光学的接続端面４間の距離を測定し、それに基づいてレーザーダイオードチップ２の光軸２ａ方向（又はシリコン基板１の光軸１ａ方向）への可動テーブル１３の平行移動制御が行われ、これによってレーザーダイオードチップ２の光学的接続端面４とシリコン基板１の光学的接続端面３間の間隙寸法Ｄｘ（図５に図示）の誤差量が目標精度範囲内（２μｍ以下）に納められる。
【００２９】
その際、レーザーダイオードチップ２の光軸２ａ方向（又はシリコン基板１の光軸１ａ方向）への可動テーブル１３の平行移動制御は、図６に示されるように、一対のアライメントマーク５の認識に基づいて求められる実測位置Ｐａ−Ｐｂ間の距離と、設定基準距離（アライメントマーク５が設定精度範囲内に設けられている場合における、両アライメントマーク５を結ぶ線と光軸２ａとの交点と、光軸２ａと光学的接続端面４との交点との間の距離）との差量が目標範囲内になるように移動制御、すなわち、レーザーダイオードチップ２の光学接続端面４とシリコン基板１の光学的接続端面３間の間隙寸法Ｄｘが誤差量許容範囲内（２μｍ以下の目標精度範囲内）に納まるように移動制御される。
【００３０】
なお、上記の基準位置Ｐａは、一対のアライメントマーク５同士を結ぶＸ軸線上の中間位置Ｐｂを通過し、かつ前記Ｘ軸線と直交するＹ軸線（光軸２ａと同
心）と光学的接続端面４とが交わる位置である。
【００３１】
このように、レーザーダイオードチップ２の光軸２ａとシリコン基板１の光軸１ａとの軸ずれ量αを目標精度範囲内（１μｍ以下）に納めるように基板保持ステージ１１が装着されている可動テーブル１３の平行移動制御及び／又は回転制御を行うと共に、レーザーダイオードチップ２の光学的接続端面４とシリコン基板１の光学的接続端面３間の間隙寸法誤差量を目標精度範囲内（２μｍ以下）に納めるように可動テーブル１３の平行移動制御を行ってアライメントしている。
【００３２】
その為、ヘッド１０と基板保持ステージ１１間から認識手段１２を退避させた状態において、ヘッド１０を降下させてシリコン基板１にレーザーダイオードチップ２を熱圧着する際、高精度に位置合わせした状態で熱圧着することができる。なお、上述においては説明を省略したが、シリコン基板１及びレーザーダイオードチップ２に対し所定位置に、熱圧着する為の電極が設けられている。
【００３３】
以上、基板保持ステージ１１が装着されている可動テーブル１３を駆動してアライメントする例、すなわち、ステージ側の可動テーブル１３のみによってアライメントする場合の例について述べたが、本発明においては、それに代えて、ヘッド側の可動テーブルのみによってアライメントするようにしたり、或いはステージ側の可動テーブル１３及びヘッド側の可動テーブルの両方によってアライメントするようにしてもよい。
【００３４】
なお、ステージ側の可動テーブル１３のみによってアライメントする場合においては、ヘッド側の可動テーブルの設置を省略し、上部フレーム１５の上端を前記装置フレームに直接、装着してもよい。また、ヘッド側の可動テーブルのみによってアライメントする場合においては、ステージ側の可動テーブル１３に代えて固定テーブルを設置してもよい。
【００３５】
また、実装するチップは、レーザーダイオードチップだけに限定されず、フォトダイオードチップであってもよい。さらに、本発明は、他のチップ状のもの、例えばレンズなどの端面の位置精度が必要なものの実装にも適用できる。
【００３６】
また、レーザーダイオードチップ、フォトダイオードチップなどのチップを熱圧着する基板についても、シリコン基板以外の他の基板、例えば、樹脂基板、ガラス基板、フィルム基板、ウエハ、チップ等であってもよい。また、基板にあっては、導波路７を形成したものに限定されず、光ファイバの実装位置を決める為のＶ溝を形成したものであってもよい。
【００３７】
また、認識手段は、例えば、ＣＣＤカメラ、赤外線カメラ、Ｘ線カメラ、センサーなど、種類や大きさに関係なくアライメントマークを認識する手段であれば、いかなる手段であってもよい。また、レーザーダイオードチップ、フォトダイオードチップなどのチップ及び基板に設けられるアライメントマークについても、いかなる形態（例えば、孔、溝等）のものであってもよい。また、認識手段は、二視野の認識手段に限定されない。例えば、チップ、基板が赤外線を含む光線透過に適したものである場合は、チップと基板を近接させた状態で上部又は下部に赤外線カメラ等を１台設置し、反対側に光源を設けて（同軸照明でも可能）アライメントマークを読み取る方法が適している場合もある。
【００３８】
また、本発明における実装装置とは、例えば、チップの搭載を目的とするマウント装置や加圧又は加熱加圧のプロセスを有するボンディング装置等、広い概念の実装装置をいう。
【００３９】
また、ヘッドにおけるチップ保持手段は、吸気孔による吸着保持手段以外の手段、例えば、静電気による静電保持手段、磁石や磁気などによる磁気保持手段、複数又は単数の可動ツメによってチップを掴む又は押さえる機械的手段など、いかなる保持手段であってもよい。
【００４０】
また、基板保持ステージにおける基板保持手段についても、吸気孔による吸着保持手段以外の手段、例えば、静電気による静電保持手段、磁石や磁気などによる磁気保持手段、複数又は単数の可動ツメによってチップを掴む又は押さえる機械的手段など、いかなる保持手段であってもよい。
【００４１】
【発明の効果】
上述したように、本発明によると、レーザーダイオードチップ、フォトダイオードチップなどのチップの光学的接続端面からの寸法Ｄ１の誤差量が一定していなくてもそれに左右されずに、常に、チップの光軸と基板の光軸との軸ずれ量が１μｍ以下であって、しかも、基板の光学的接続端面とチップの光学接続端面間の間隙寸法誤差量が２μｍ以下といった高精度の目標精度範囲内に実装することができる。
【００４２】
【産業上の利用可能性】
本発明のチップの実装方法は、とくにレーザーダイオードチップやフォトダイオードチップなどのチップを基板に実装するあらゆる実装装置に適用でき、本発明に係る方法により、常時、極めて高精度の目標精度範囲内での実装を行うことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】
図１は、本発明の一実施態様に係る実装方法を実施するためのチップ実装装置の概略斜視図である。
【図２】
図２は、図１の装置におけるヘッドがレーザーダイオードチップを保持している様子を示す部分斜視図である。
【図３】
図３は、基板の斜視図である。
【図４】
図４は、レーザーダイオードチップの斜視図である。
【図５】
図５は、レーザーダイオードチップを実装した基板の平面図である。
【図６】
図６は、レーザーダイオードチップの平面図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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