(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転する磁気ディスク上に浮上し、データの書き込み及び読み出しを行う磁気ヘッドスライダであって、
前記データの書き込み及び読み出しを行う記録再生素子と、
前記記録再生素子に対して当該磁気ヘッドスライダの幅方向の一方の側に配された、通電により発熱する発熱素子と、
少なくとも前記記録再生素子と前記発熱素子との間に介在し、前記発熱素子の発熱に応じて膨張する部材とを含み、
前記磁気ディスクと対向する浮上面が、少なくともステップ軸受面、浅溝面および深溝面を含む、互いに深さが異なる複数の面で構成され、
前記発熱素子を前記浮上面に投影したときの位置が、前記浅溝面よりも深い面内に包含される、
磁気ヘッドスライダ。
【請求項２】
回転する磁気ディスク上に浮上し、データの書き込み及び読み出しを行う磁気ヘッドスライダであって、
前記データの書き込み及び読み出しを行う記録再生素子と、
前記記録再生素子に対して当該磁気ヘッドスライダの幅方向の両方の側にそれぞれ配された、通電により発熱する複数の発熱素子と、
少なくとも前記記録再生素子と前記各発熱素子との間に介在し、前記各発熱素子の発熱に応じて膨張する部材と、
を含み、
前記磁気ディスクと対向する浮上面が、少なくともステップ軸受面、浅溝面および深溝面を含む、互いに深さの異なる複数の面で構成され、
前記各発熱素子を前記浮上面に投影したときの各位置が、前記浅溝面よりも深い面内に包含される、
磁気ヘッドスライダ。
【請求項３】
前記各発熱素子を前記浮上面に投影したときの各位置が、前記磁気ディスクに最も近接する面から１５０ｎｍ以上深い面内に包含される、
請求項２に記載の磁気ヘッドスライダ。
【請求項４】
前記発熱素子を前記浮上面に投影したときの位置が、前記浅溝面よりも深く、前記深溝面よりも浅い面内に包含される、
請求項１乃至３の何れか１項に記載の磁気ヘッドスライダ。
【請求項５】
回転する磁気ディスク上に浮上し、データの書き込み及び読み出しを行う磁気ヘッドスライダであって、
前記データの書き込み及び読み出しを行う記録再生素子と、
前記記録再生素子に対して当該磁気ヘッドスライダの幅方向の一方の側に配された、通電により発熱する発熱素子と、
少なくとも前記記録再生素子と前記発熱素子との間に介在し、前記発熱素子の発熱に応じて膨張する部材とを含み、
前記磁気ディスクと対向する浮上面が、互いに深さの異なる複数の面で構成され、
前記発熱素子を前記浮上面に投影したときの位置が、前記磁気ディスクに最も近接する面から１５０ｎｍ以上深い面内に包含される、
磁気ヘッドスライダ。
【請求項６】
前記発熱素子が薄膜抵抗体である、
請求項１乃至５の何れか１項に記載の磁気ヘッドスライダ。
【請求項７】
スライダ基板と、前記スライダ基板の空気流出側の端部に形成された薄膜積層部とを含み、
前記記録再生素子および前記発熱素子が前記薄膜積層部内に形成されている、
請求項１乃至６の何れか１項に記載の磁気ヘッドスライダ。
【請求項８】
前記発熱素子が、前記薄膜積層部のうち前記記録再生素子の少なくとも一部を含む層と同じ層に形成されている、
請求項７に記載の磁気ヘッドスライダ。
【請求項９】
前記幅方向に沿った前記記録再生素子と前記発熱素子との間の距離が１０μｍ以上１００μｍ以下である、
請求項１乃至８の何れか１項に記載の磁気ヘッドスライダ。
【請求項１０】
前記発熱素子が、前記幅方向に延伸した扁平形状を有する、
請求項１乃至９の何れか１項に記載の磁気ヘッドスライダ。
【請求項１１】
前記記録再生素子に対して前記発熱素子よりも外側の部材が、前記記録再生素子と前記発熱素子との間に介在する部材よりも変形しにくい、
請求項１乃至１０の何れか１項に記載の磁気ヘッドスライダ。
【請求項１２】
前記記録再生素子に対して前記発熱素子とは反対側の部材が、前記記録再生素子と前記発熱素子との間に介在する部材よりも変形しやすい、
請求項１乃至１１の何れか１項に記載の磁気ヘッドスライダ。
【請求項１３】
前記記録再生素子が前記幅方向の端部に配されている、
請求項１乃至１２の何れか１項に記載の磁気ヘッドスライダ。
【請求項１４】
トラックに沿ってデータが記録された磁気ディスクと、
前記磁気ディスクを回転させるディスクアクチュエータと、
前記回転する磁気ディスク上に浮上し、データの書き込み及び読み出しを行う磁気ヘッドスライダであって、前記データの書き込み及び読み出しを行う記録再生素子、前記記録再生素子に対して前記トラックの幅方向の少なくとも一方の側に配された、通電により発熱する発熱素子、及び少なくとも前記記録再生素子と前記発熱素子との間に介在し、前記発熱素子の発熱に応じて膨張する部材、を含む磁気ヘッドスライダと、
前記磁気ヘッドスライダを支持するヘッド支持部と、
前記ヘッド支持部を駆動して、前記磁気ヘッドスライダを前記磁気ディスクに対して相対移動させるヘッドアクチュエータと、
前記記録再生素子が読み出したデータを基に、前記トラックに対する前記記録再生素子の位置誤差を算出する算出回路と、
前記記録再生素子の位置誤差に応じて前記ヘッドアクチュエータを駆動する粗動制御回路と、
前記記録再生素子の位置誤差に応じて前記発熱素子に通電する微動制御回路と、
を備える磁気ディスク装置。
【請求項１５】
前記微動制御回路は、前記発熱素子の電流量或いは電力量を制御する、
請求項１４に記載の磁気ディスク装置。
【請求項１６】
前記微動制御回路は、発熱素子への通電に対する記録再生素子の変位の時間遅れを補償する補償器を含む、
請求項１４又は１５に記載の磁気ディスク装置。
【請求項１７】
前記微動制御回路は、前記発熱素子の電流量或いは電力量を、前記記録再生素子の位置誤差に応じて、基準となる電流量或いは電力量から増減させる、
請求項１４乃至１６の何れか１項に記載の磁気ディスク装置。
【請求項１８】
前記記録再生素子に対して前記トラックの幅方向の両方の側に前記発熱素子がそれぞれ配され、
前記微動制御回路は、前記記録再生素子の位置誤差に応じて、前記複数の発熱素子に選択的に通電する、
請求項１４乃至１７の何れか１項に記載の磁気ディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気ヘッドスライダ及び磁気ディスク装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスクなどの磁気ディスク装置では、磁気ディスクに形成されたトラックに沿ってサーボデータが記録されており、磁気ディスク上に浮上する磁気ヘッドスライダによってサーボデータが読み出される。磁気ヘッドスライダは、アーム型のヘッド支持部の先端に支持され、ボイスコイルモータの動作によって磁気ディスクに対して相対移動する。このため、磁気ディスク装置は、読み出されたサーボデータに応じてボイスコイルモータを駆動することで、磁気ヘッドスライダを目標のトラックに追従させる位置決め制御を行う。
【０００３】
こうした磁気ディスク装置において、磁気ディスクのトラック密度を向上させるためには、位置決め制御のサーボ帯域を高めて、磁気ヘッドスライダの位置決めを高精度化する必要がある。しかし、ボイスコイルモータの動作を磁気ヘッドスライダに伝達するヘッド支持部の共振振動数の存在により、位置決め制御のサーボ帯域を高めることが困難であった。
【０００４】
この問題を解決するため、ボイスコイルモータよりも磁気ヘッドスライダに近い位置にマイクロアクチュエータを設けた、いわゆる２段アクチュエータ型の磁気ディスク装置が提案されている。このマイクロアクチュエータは、ヘッド支持部の中途や、ヘッド支持部と磁気ヘッドスライダの間に設けられ、磁気ヘッドスライダを微小に変位させることで高精度の位置決めを実現する。
【０００５】
さらに、特許文献１の図２３には、ピエゾ素子をマイクロアクチュエータとして磁気ヘッドスライダに組み込む技術が開示されている。この磁気ヘッドスライダでは、スライダ基板と、記録再生素子を含む素子基板との間に板状のピエゾ素子が挟み込まれており、ピエゾ素子の動作によって、記録再生素子を含む素子基板をスライダ基板に対して微小に変位させる。
【特許文献１】特開平１０−２９３９７９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、ピエゾ素子をマイクロアクチュエータとして用いる場合、ピエゾ素子を駆動する信号を昇圧する必要があり、装置構成が複雑化してしまう。また、ピエゾ素子を磁気ヘッドスライダに組み込むことは、製造上の課題が多く、未だ実用化に至っていない。
【０００７】
本発明は、上記実情に鑑みて為されたものであり、高精度かつ簡易な位置決めが可能な磁気ヘッドスライダ及び磁気ディスク装置を提供することをその目的の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するため、本発明の磁気ヘッドスライダは、回転する磁気ディスク上に浮上し、データの書き込み及び読み出しを行う磁気ヘッドスライダであって、前記データの書き込み及び読み出しを行う記録再生素子と、前記記録再生素子に対して当該磁気ヘッドスライダの幅方向の一方の側に配された、通電により発熱する発熱素子と、少なくとも前記記録再生素子と前記発熱素子との間に介在し、前記発熱素子の発熱に応じて膨張する部材と、を含むことを特徴とする。
【０００９】
また、本発明の一態様では、前記磁気ディスクと対向する浮上面が、少なくともステップ軸受面、浅溝面および深溝面を含む、互いに深さが異なる複数の面で構成され、前記発熱素子を前記浮上面に投影したときの位置が、前記浅溝面よりも深い面内に包含される。
【００１０】
この態様では、前記発熱素子を前記浮上面に投影したときの位置が、前記浅溝面よりも深く、前記深溝面よりも浅い面内に包含されるようにしてもよい。
【００１１】
また、本発明の一態様では、前記発熱素子が薄膜抵抗体である。
【００１２】
また、本発明の一態様では、スライダ基板と、前記スライダ基板の空気流出側の端部に形成された薄膜積層部とを含み、前記記録再生素子および前記発熱素子が前記薄膜積層部内に形成されている。
【００１３】
この態様では、前記発熱素子が、前記薄膜積層部のうち前記記録再生素子の少なくとも一部を含む層と同じ層に形成されていてもよい。
【００１４】
また、本発明の一態様では、前記磁気ディスクと対向する浮上面が、互いに深さの異なる複数の面で構成され、前記発熱素子を前記浮上面に投影したときの位置が、前記磁気ディスクに最も近接する面から１５０ｎｍ以上深い面内に包含される。
【００１５】
また、本発明の一態様では、前記幅方向に沿った前記記録再生素子と前記発熱素子との間の距離が１０μｍ以上１００μｍ以下である。
【００１６】
また、本発明の一態様では、前記発熱素子が、前記幅方向に延伸した扁平形状を有する。
【００１７】
また、本発明の一態様では、前記記録再生素子に対して前記発熱素子よりも外側の部材が、前記記録再生素子と前記発熱素子との間に介在する部材よりも変形しにくい。
【００１８】
また、本発明の一態様では、前記記録再生素子に対して前記発熱素子とは反対側の部材が、前記記録再生素子と前記発熱素子との間に介在する部材よりも変形しやすい。
【００１９】
また、本発明の一態様では、前記記録再生素子が前記幅方向の端部に配されている。
【００２０】
次に、本発明の磁気ヘッドスライダは、回転する磁気ディスク上に浮上し、データの書き込み及び読み出しを行う磁気ヘッドスライダであって、前記データの書き込み及び読み出しを行う記録再生素子と、前記記録再生素子に対して当該磁気ヘッドスライダの幅方向の両方の側にそれぞれ配された、通電により発熱する複数の発熱素子と、少なくとも前記記録再生素子と前記各発熱素子との間に介在し、前記各発熱素子の発熱に応じて膨張する部材と、を含み、前記磁気ディスクと対向する浮上面が、少なくともステップ軸受面、浅溝面および深溝面を含む、互いに深さの異なる複数の面で構成され、前記各発熱素子を前記浮上面に投影したときの各位置が、前記浅溝面よりも深い面内に包含されることを特徴とする。
【００２１】
また、本発明の一態様では、前記各発熱素子を前記浮上面に投影したときの各位置が、前記浅溝面よりも深く、前記深溝面よりも浅い面内に包含される。
【００２２】
また、本発明の一態様では、前記磁気ディスクと対向する浮上面が、互いに深さの異なる複数の面で構成され、前記各発熱素子を前記浮上面に投影したときの各位置が、前記磁気ディスクに最も近接する面から１５０ｎｍ以上深い面内に包含される。
【００２３】
次に、本発明の磁気ディスク装置は、トラックに沿ってデータが記録された磁気ディスクと、前記磁気ディスクを回転させるディスクアクチュエータと、前記回転する磁気ディスク上に浮上し、データの書き込み及び読み出しを行う磁気ヘッドスライダであって、前記データの書き込み及び読み出しを行う記録再生素子、前記記録再生素子に対して前記トラックの幅方向の少なくとも一方の側に配された、通電により発熱する発熱素子、及び少なくとも前記記録再生素子と前記発熱素子との間に介在し、前記発熱素子の発熱に応じて膨張する部材、を含む磁気ヘッドスライダと、前記磁気ヘッドスライダを支持するヘッド支持部と、前記ヘッド支持部を駆動して、前記磁気ヘッドスライダを前記磁気ディスクに対して相対移動させるヘッドアクチュエータと、前記記録再生素子が読み出したデータを基に、前記トラックに対する前記記録再生素子の位置誤差を算出する算出回路と、前記記録再生素子の位置誤差に応じて前記ヘッドアクチュエータを駆動する粗動制御回路と、前記記録再生素子の位置誤差に応じて前記発熱素子に通電する微動制御回路と、を備えることを特徴とする。
【００２４】
また、本発明の一態様では、前記微動制御回路は、前記発熱素子の電流量或いは電力量を制御する。
【００２５】
また、本発明の一態様では、前記微動制御回路は、発熱素子への通電に対する記録再生素子の変位の時間遅れを補償する補償器を含む。
【００２６】
また、本発明の一態様では、前記微動制御回路は、前記発熱素子の電流量或いは電力量を、前記記録再生素子の位置誤差に応じて、基準となる電流量或いは電力量から増減させる。
【００２７】
また、本発明の一態様では、前記記録再生素子に対して前記トラックの幅方向の両方の側に前記発熱素子がそれぞれ配され、前記微動制御回路は、前記記録再生素子の位置誤差に応じて、前記複数の発熱素子に選択的に通電する。
【００２８】
また、本発明の一態様では、前記ヘッド支持部に対する前記磁気ヘッドスライダの位置を調整するマイクロアクチュエータと、前記記録再生素子の位置誤差に応じて前記マイクロアクチュエータを駆動する中間微動制御回路と、を更に含む。
【発明の効果】
【００２９】
本発明によれば、記録再生素子と発熱素子との間に介在する部材を熱膨張させることにより、記録再生素子をトラックの幅方向に対応する方向（すなわち、磁気ヘッドスライダの幅方向）に微小に変位させることができるので、高精度かつ簡易な位置決めが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。
【００３１】
図１に、本発明の一実施形態に係る磁気ディスク装置１の斜視図を示す。磁気ディスク装置１は、筐体１０（ＤＥ：Disk Enclosure）内に、磁気ディスク２及びヘッド支持部６などを収納している。なお、同図では、筐体１０の一部であるカバーの図示を省略している。
【００３２】
磁気ディスク２は、ディスクアクチュエータとしてのスピンドルモータ３に取り付けられている。この磁気ディスク２には、同心円状に配列する複数のトラック（不図示）が形成されており、各トラックには、所定の周期でサーボデータが書き込まれている。サーボデータは、アドレスデータ及びバースト信号を含む。
【００３３】
ヘッド支持部６は、磁気ディスク２の隣に支承されている。このヘッド支持部６の先端部には、本発明の一実施形態に係る磁気ヘッドスライダ４が支持されている。この磁気ヘッドスライダ４は、回転する磁気ディスク２上に近接浮上し、データの書き込み及び読み出しを行う。
【００３４】
他方、ヘッド支持部６の後端部には、ヘッドアクチュエータとしてのボイスコイルモータ７が設けられている。ボイスコイルモータ７は、ヘッド支持部６を揺動駆動し、磁気ヘッドスライダ４を磁気ディスク２の略半径方向に移動させる。
【００３５】
これら磁気ヘッドスライダ４及びボイスコイルモータ７は、ヘッド支持部６に取り付けられたＦＰＣ（Flexible Printed Circuits）８を介して、筐体１０の裏側に設けられた回路基板（不図示）と電気的に接続されている。
【００３６】
［磁気ヘッドスライダの第１例］
図２ないし図４に、磁気ヘッドスライダ４の第１例（以下、磁気ヘッドスライダ４Ａとする）の斜視図、平面図および正面図を示す。
【００３７】
ここで、図２及び図３中の矢印Ｆは、上記磁気ディスク２の回転によって生じる空気流の方向を表す。この空気流の方向Ｆは、磁気ディスク２に形成されたトラックの伸長方向に対応する。また、空気流の方向Ｆは、磁気ヘッドスライダ４Ａの長手方向に概ね沿っており、磁気ヘッドスライダ４Ａが位置する磁気ディスク２の半径位置に応じて最大±１０°程度変化する。
【００３８】
また、図４中のＹ方向は、磁気ヘッドスライダ４Ａの幅方向（以下、スライダ幅方向という）を表す。このスライダ幅方向は、磁気ディスク２に形成されたトラックの幅方向に対応する。また、図４中のＺ方向は、磁気ヘッドスライダ４Ａの厚さ方向を表す。この厚さ方向は、磁気ヘッドスライダ４Ａの浮上方向に対応する。
【００３９】
磁気ヘッドスライダ４Ａは、磁気ディスク２と対向する浮上面４０にＡＢＳ（Air Bearing Surface）が形成されており、回転する磁気ディスク２上に空気のくさび膜効果によって浮上する。この浮上面４０は、実質的に平行で深さの異なる複数種類の面で構成されている。こうした浮上面４０の形状は、例えばイオンミリングやエッチングなどの技術により形成することができる。
【００４０】
具体的には、浮上面４０は、主に、磁気ディスク２に最も近くなるステップ軸受面４０ｂと、このステップ軸受面４０ｂよりもやや深い浅溝面４０ｅと、この浅溝面４０ｅよりも深い深溝面４０ｈとを含んでいる。浅溝面４０ｅは、例えばステップ軸受面４０ｂよりも約１００ｎｍないし３００ｎｍ程度深く形成される。また、深溝面４０ｈは、例えばステップ軸受面４０ｂよりも約１μｍ以上深く形成される。
【００４１】
磁気ディスク２の回転によって生じる空気流は、浅溝面４０ｅからステップ軸受面４０ｂに進入する際に、先窄まりの流路により圧縮されて、正圧（正の空気圧力：磁気ディスク２から遠ざかる方向の圧力）を発生させる。他方、磁気ディスク２の回転によって生じる空気流は、ステップ軸受面４０ｂや浅溝面４０ｅから深溝面４０ｈに進入する際に、流路の拡大によって、負圧（負の空気圧力：磁気ディスク２に近づく方向の圧力）を発生させる。
【００４２】
また、浮上面４０は、空気流出側の端部近くに、記録再生素子２０の端部が表れた素子面４０ａを有している。この素子面４０ａは、ステップ軸受面４０ｂに取り囲まれており、ステップ軸受面４０ｂと同じ面内に形成されている。なお、素子面４０ａは、例えばステップ軸受面４０ｂから張り出すように形成されていてもよい。
【００４３】
また、本実施形態では、浮上面４０は、空気流出側の端部近くに、浅溝面４０ｅと深溝面４０ｈの間の深さの中間面４０ｇを有している。この中間面４０ｇは、素子面４０ａ近傍に対してスライダ幅方向の両側に位置する。この中間面４０ｇは、負圧領域の一部であるが、後述する発熱素子２１の冷却効果を高めるために深溝面４０ｈよりも浅くなっており、例えばステップ軸受面４０ｂから１５０ｎｍ以上深く形成される。
【００４４】
なお、図２では、浮上面４０を構成する各面の深さを強調して表している。また、浮上面４０は、図示した形状に限定されず、任意のＡＢＳを適宜採用できる。
【００４５】
次に、磁気ヘッドスライダ４Ａは、厚さ方向が比較的短い扁平直方形状のスライダ基板４１と、このスライダ基板４１の空気流出側（トレーリング側）の端面４１ｚに形成された薄膜積層部４２とを有している。このスライダ基板４１は、アルミナとチタンカーバイトの焼結体（以下、アルチックという）からなる。また、薄膜積層部４２は、薄膜形成技術により薄膜を積層して形成されている。なお、図２では、薄膜積層部４２の厚さをスライダ基板４１に対して強調して表している。
【００４６】
この薄膜積層部４２内には、記録再生素子２０及び発熱素子２１が形成されている。これら記録再生素子２０及び発熱素子２１は、薄膜積層部４２を形成する過程で、薄膜形成技術により作り込まれる。また、薄膜積層部４２のうち記録再生素子２０及び発熱素子２１以外の部分はアルミナからなる。
【００４７】
記録再生素子２０は、薄膜積層部４２内のスライダ幅方向の中央部に形成されている。この記録再生素子２０は、コイルを流れる電流に応じた磁界を発生するインダクティブ素子からなる記録素子と、受けた磁界に応じて抵抗値が変化する磁気抵抗効果素子からなる再生素子とを含んでいる。また、記録再生素子２０は、不図示の配線により外部と電気的に接続される。
【００４８】
なお、磁気ヘッドスライダ４は、この形式に限らず、例えば発熱素子２１と同様の発熱素子を記録再生素子２０の近傍に内蔵させ、熱膨張により素子面４０ａ及びステップ軸受面４０ｂを磁気ディスク２に向けて突出させることで浮上高さを調整する、いわゆるＴＦＣ（Thermal Flying Height Control）を行う磁気ヘッドスライダの形式であってもよい。
【００４９】
発熱素子２１は、記録再生素子２０に対してスライダ幅方向の一方の側に所定の距離だけ離れて配されている。この発熱素子２１は、薄膜形成技術により形成される薄膜抵抗体であり、例えばパーマロイやニクロム等の金属からなる。また、発熱素子２１は、不図示の配線により外部と電気的に接続される。このため、発熱素子２１は、外部からの通電により発熱する。
【００５０】
こうした発熱素子２１の発熱により、発熱素子２１の周囲の部材は加熱されて熱膨張する。ここで、発熱素子２１の周囲の部材は、薄膜積層部４２の主体であるアルミナからなる。このうち、記録再生素子２０と発熱素子２１との間に介在する介在部分２５は、熱膨張することで記録再生素子２０を変位させることができる。
【００５１】
詳しくは、発熱素子２１の発熱量が増加する場合、介在部分２５が加熱されて膨張するので、記録再生素子２０を発熱素子２１から離れる方向に変位させることができる。他方、発熱素子２１の発熱量が減少する場合、介在部分２５が冷却されて収縮するので、記録再生素子２０を発熱素子２１に近づく方向に変位させることができる。
【００５２】
このように、発熱素子２１は、記録再生素子２０をスライダ幅方向に変位させる熱アクチュエータとして機能する。そして、このスライダ幅方向は、上記磁気ディスク２に形成されたトラックの幅方向に対応することから、発熱素子２１への通電による記録再生素子２０の変位を、記録再生素子２０の位置決めに利用することができる。
【００５３】
また、発熱素子２１は、記録再生素子２０とともに、薄膜形成技術により薄膜積層部４２内に形成されるので、磁気ヘッドスライダ４Ａの製造が容易である。また、発熱素子２１から記録再生素子２０までの力伝達系の剛性を高めることができるので、位置決め制御のサーボ帯域を高めることが可能となる。
【００５４】
次に、発熱素子２１は、薄膜積層部４２のうち記録再生素子２０の少なくとも一部を含む層と同じ層に形成されていることが好適である。発熱素子２１は、スライダ基板４１の空気流出側の端面４１ｚと平行な面内で蛇行した形状を有しており、薄膜積層部４２を構成する少なくとも１つの層に形成されている。他方、記録再生素子２０は、これよりも多い複数の層に亘って形成されている。このため、記録再生素子２０の少なくとも一部を含む層に発熱素子２１を形成することで、記録再生素子２０と発熱素子２１との間に介在する介在部分２５の熱膨張を、記録再生素子２０に対してスライダ幅方向に効率的に伝えることができる。
【００５５】
なお、これに限らず、記録再生素子２０と発熱素子２１とが異なる層に形成されていてもよい。発熱素子２１の周囲の部材は、発熱素子２１を中心に放射状に膨張することから、記録再生素子２０と発熱素子２１とが異なる層に形成されていても、記録再生素子２０と発熱素子２１との間に介在する介在部分２５の膨張を、記録再生素子２０に対してスライダ幅方向に十分に伝えることができる。
【００５６】
また、図４に示すように、発熱素子２１は、スライダ幅方向に延伸した扁平形状を有することが好適である。すなわち、発熱素子２１は、蛇行しながらスライダ幅方向に伸長した形状を有しており、伸長方向の長さＬが蛇行の幅ＬＳよりも長い。このように発熱素子２１をスライダ幅方向に延伸させることで、同じ温度上昇ならば発熱素子２１の周囲の部材のスライダ幅方向への膨張を重畳させることができるので、記録再生素子２０のスライダ幅方向への変位量を高めることができる。また、発熱素子２１をスライダ幅方向に延伸させた場合、入力する電力を高めた場合の熱の集中を緩和することができ、これにより発熱素子２１近傍の温度上昇による記録再生特性の劣化を抑制することができる。また、発熱素子２１近傍のステップ軸受面４０ｂや中間面４０ｇの変形を抑制することができるので、磁気ヘッドスライダ４Ａの浮上特性に対する影響を抑制することができる。
【００５７】
ここで、発熱素子２１のスライダ幅方向に沿った長さＬは、例えば２０μｍ以上１００μｍ以下であることが好適である。この長さＬが２０μｍ以上あれば、記録再生素子２０のスライダ幅方向への変位量を十分に高めることができる。他方、長さＬが過大となっても、記録再生素子２０をスライダ幅方向に変位させる効果は飽和し、記録再生素子２０とは反対側の部分の膨張を増加させるだけであるので、１００μｍ以下であることが好ましい。
【００５８】
また、図３に示すように、発熱素子２１を浮上面４０に対して厚さ方向に投影したときの投影位置は、浅溝面４０ｅよりも深い面内に包含されることが好適である。本実施形態では、投影位置は、ステップ軸受面４０ｂから例えば１５０ｎｍ以上深く形成された中間面４０ｇ内に包含されている。このような浅溝面４０ｅよりも深い面は、発熱素子２１の発熱により変形したとしても、浮上面４０において生じる正圧に影響を及ぼさないため、磁気ヘッドスライダ４Ａの浮上に影響を及ぼさない。
【００５９】
さらに、発熱素子２１の投影位置は、深溝面４０ｈよりも浅い面内に包含されることが好適である。本実施形態では、発熱素子２１の投影位置は、浅溝面４０ｅと深溝面４０ｈとの間の深さの中間面４０ｇ内に包含されている。介在部分２５の熱膨張により変位した記録再生素子２０をこれとは逆方向に変位させるには、発熱素子２１が冷却される必要があるが、深溝面４０ｈよりも浅く、より空気流を受けやすい中間面４０ｇ内に投影位置があることで、発熱素子２１の冷却効果をより高めることができる。
【００６０】
なお、浮上面４０は、中間面４０ｇが形成されずに、この部分が深溝面４０ｈとされていてもよい。この場合、発熱素子２１の投影位置は、深溝面４０ｈ内に包含される。このように深溝面４０ｈ内に投影位置がある場合も、発熱素子２１を十分に冷却することができる。
【００６１】
また、図４に示すように、スライダ幅方向に沿った記録再生素子２０と発熱素子２１との間の距離ＬＹは、例えば１０μｍ以上１００μｍ以下であることが好適である。この距離ＬＹを小さくする程、記録再生素子２０の変位の時間応答性を高めることができる。しかし、ステップ軸受面４０ｂの縁が記録再生素子２０から１０μｍ程度以上離れているので、距離ＬＹは１０μｍ以上である必要がある。他方、距離ＬＹを大きくする程、記録再生素子２０の変位量を高めることができるが、距離ＬＹが過大となってもその効果は飽和するので、１００μｍ以下であることが好ましい。また、発熱素子２１の発熱によるステップ軸受面４０ｂの変形を防ぐ観点から、距離ＬＹは２０μｍ以上であることが更に好ましい。
【００６２】
また、浮上面４０から発熱素子２１までの距離ＬＺは、例えば１０μｍ以上１００μｍ以下であることが好適である。ここで、距離ＬＺは、浮上面４０のうち発熱素子２１と最も近い中間面４０ｇと、発熱素子２１との間の厚さ方向の距離である。この距離ＬＺを小さくする程、発熱素子２１の冷却効果を高めることができる。他方、距離ＬＺを大きくする程、中間面４０ｇに生じる変形を小さくすることができる。そこで、これらを両立させる観点から、距離ＬＺは１０μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましい。
【００６３】
次に、上記磁気ヘッドスライダ４Ａを用いた記録再生素子２０の位置決め制御について説明する。図５に、本発明の一実施形態に係る磁気ディスク装置１の機能構成例を示す。磁気ディスク装置１は、筐体１０外の回路基板にマイクロプロセッシングユニット（ＭＰＵ）６０を有している。このＭＰＵ６０は、算出回路６１、粗動制御回路６２及び微動制御回路６３を機能的に含んでおり、ボイスコイルモータ７及び発熱素子２１をそれぞれ駆動して、記録再生素子２０を磁気ディスク２に形成されたトラックに追従させる。
【００６４】
算出回路６１は、外部ホストからの記録命令または再生命令により決定される記録再生素子２０の目標トラックと、記録再生素子２０が読み出したサーボデータにより特定される記録再生素子２０の現在位置との差分を求めて、目標トラックに対する記録再生素子２０の位置誤差を表す誤差信号ＰＥＳ（Position Error Signal）を算出する。
【００６５】
粗動制御回路６２は、算出回路６１から入力される誤差信号ＰＥＳに基づき、記録再生素子２０の位置誤差を抑制するようなボイスコイルモータ７の制御指令ＳＶを生成し、モータドライバ７２を介してボイスコイルモータ７へ出力する。
【００６６】
微動制御回路６３は、算出回路６１から入力される誤差信号ＰＥＳに基づき、記録再生素子２０の位置誤差を抑制するような発熱素子２１の制御指令ＳＨを生成し、ヒータドライバ７３を介して発熱素子２１へ出力する。ここで、微動制御回路６３から出力される制御指令ＳＨは、発熱素子２１に供給すべき電力量に対応する。
【００６７】
詳しくは、ヒータドライバ７３は、記録再生素子２０の位置誤差が０の場合に対応する基準電力量の電流を発熱素子２１に流しておき、介在部分２５を一定量だけ膨張させておく。そして、微動制御回路６３は、記録再生素子２０の位置誤差に応じた制御指令ＳＨを出力することで、ヒータドライバ７３に発熱素子２１の電力量を基準電力量から増減させる。これにより、介在部分２５が膨張・収縮するので、記録再生素子２０をスライダ幅方向のどちらにも変位させることができる。
【００６８】
すなわち、記録再生素子２０を発熱素子２１から離れる方向に変位させる場合、発熱素子２１の電力量を基準電力量よりも増加させて、介在部分２５を更に膨張させる。他方、記録再生素子２０を発熱素子２１に近づく方向に変位させる場合、発熱素子２１の電力量を基準電力量よりも減少させて、介在部分２５を収縮させる。
【００６９】
ここで、記録再生素子２０の変位は発熱素子２１の電力量（すなわち発熱量）に比例し、発熱素子２１の電力量は発熱素子２１の電流量の２乗に比例することから、発熱素子２１の電流量の２乗値を制御することによっても、記録再生素子２０の変位量を制御することができる。
【００７０】
このような制御指令に比例した電力を出力する制御方法は、熱アクチュエータにより浮上高さを制御するＴＦＣにおいて既に用いられている公知の技術であるので、本実施形態への適用は容易である。
【００７１】
以上のように、記録再生素子２０に対してスライダ幅方向の一方の側に設けられた発熱素子２１への通電を制御することで、記録再生素子２０を磁気ディスク２に形成されたトラックの幅方向に微小に変位させることができるので、これにより記録再生素子２０を高精度に位置決めすることができる。
【００７２】
また、ＭＰＵ６０は、発熱素子２１への通電に対する記録再生素子２０の変位の時間遅れを補償する補償器６５を更に含んでいる。本実施形態では、発熱素子２１の発熱により介在部分２５を膨張させることで記録再生素子２０を変位させているので、熱が伝播することによる時間遅れが生じ、制御対象としてはいわゆる１次遅れ系となる。そこで、周知のように、こうした時間遅れ特性の逆特性を有するフィルターを補償器６５として設けることで、記録再生素子２０の変位の時間遅れを補償し、時間応答性を高めることができる。
【００７３】
なお、ＭＰＵ６０の機能構成は、この形式に限られない。本実施形態では、ボイスコイルモータ７の制御と発熱素子２１の制御とが独立しているが、これに限らず、微動制御回路６３から出力される制御指令ＳＨを、発熱素子２１のゲインモデルを介して粗動制御回路６２に誤差信号ＰＥＳとともに入力するようにして、ボイスコイルモータ７の制御と発熱素子２１の制御とを非干渉にしてもよい。
【００７４】
また、本実施形態では、ボイスコイルモータ７を１段目とし、熱アクチュエータとしての発熱素子２１を２段目とした２段アクチュエータの磁気ディスク装置を説明したが、これに限らず、ピエゾ素子等からなるマイクロアクチュエータを更に含めて、３段アクチュエータの磁気ディスク装置としてもよい。すなわち、ボイスコイルモータ７を１段目とし、ヘッド支持部６に対する磁気ヘッドスライダ４Ａの位置を調整するマイクロアクチュエータを２段目とし、更に熱アクチュエータとしての発熱素子２１を３段目とする。
【００７５】
この場合のヘッド支持部６の先端部の構造を、図１５の分解斜視図に示す。ヘッド支持部６の先端部は、サスペンションアーム８１、フレクシャ８２およびＦＰＣ８３を有している。磁気ヘッドスライダ４は、ピエゾ素子等からなるマイクロアクチュエータ８５を介してサスペンションアーム８１に実装される。このマイクロアクチュエータ８５は、サスペンションアーム８１に対して磁気ヘッドスライダ４をトラックの幅方向に対応する方向に相対移動させる（いわゆるスライダ駆動型）。なお、この形式に限らず、サスペンションアーム８１のうち磁気ヘッドスライダ４を支持する先端部分を駆動するようにマイクロアクチュエータを設けた、いわゆるサスペンション駆動型であってもよい。
【００７６】
また、この場合のＭＰＵ６０の機能構成例を図１６に示す。ＭＰＵ６０は、上記図５に示した構成に加えて、中間微動制御回路６９を更に含んでいる。この中間微動制御回路６９は、粗動制御回路６２及び微動制御回路６３と同様に、算出回路６１から入力される誤差信号ＰＥＳに基づき、記録再生素子２０の位置誤差を抑制するようなマイクロアクチュエータ７５の制御指令ＳＭを生成し、ドライバ７９を介してマイクロアクチュエータ７５へ出力する。これにより、磁気ディスク２のトラックに記録再生素子２０を更に高精度に位置決めすることができる。
【００７７】
［磁気ヘッドスライダの第２例］
図６及び図７に、磁気ヘッドスライダ４の第２例（以下、磁気ヘッドスライダ４Ｂとする）の斜視図および平面図を示す。なお、上記第１例と重複する構成については、図中に同番号を付すことで詳細な説明を省略する。
【００７８】
磁気ヘッドスライダ４Ｂの薄膜積層部４２内には、２つの発熱素子２１ａ，２１ｂが、記録再生素子２０に対してスライダ幅方向の両方の側にそれぞれ所定の距離だけ離れて配されている。これら発熱素子２１ａ，２１ｂは、記録再生素子２０を中心にスライダ幅方向にほぼ対称な位置に配されている。なお、発熱素子２１ａ，２１ｂの位置や大きさ等は、上記第１例における発熱素子２１と同様である。
【００７９】
また、図７に示すように、発熱素子２１ａ，２１ｂを浮上面４０に対して厚さ方向に投影したときの各投影位置は、浅溝面４０ｅよりも深い面である中間面４０ｇ内に包含されている。この中間面４０ｇは、上述したように、ステップ軸受面４０ｂから例えば１５０ｎｍ以上深く形成された面であり、また浅溝面４０ｅよりも深く深溝面４０ｈよりも浅い面である。
【００８０】
ここで、記録再生素子２０と発熱素子２１ａとの間に介在する介在部分２５ａと、記録再生素子２０と発熱素子２１ｂとの間に介在する介在部分２５ｂとは、それぞれ膨張することで記録再生素子２０を変位させることができる。
【００８１】
詳しくは、発熱素子２１ａを発熱させる場合、介在部分２５ａが加熱されて膨張するので、記録再生素子２０を発熱素子２１ａから離れる方向に変位させることができる。他方、発熱素子２１ｂを発熱させる場合、介在部分２５ｂが加熱されて膨張するので、記録再生素子２０を発熱素子２１ｂから離れる方向に変位させることができる。
【００８２】
次に、上記磁気ヘッドスライダ４Ｂを用いた記録再生素子２０の位置決め制御について説明する。図８に、本発明の一実施形態に係る磁気ディスク装置１の機能構成例を示す。ＭＰＵ６０は、算出回路６１、粗動制御回路６２、第１微動制御回路６３ａ、第２微動制御回路６３ｂ及び切替器６７を機能的に含んでいる。
【００８３】
切替器６７は、算出回路６１から入力される誤差信号ＰＥＳの符号に応じて、誤差信号ＰＥＳを出力する先を第１微動制御回路６３ａと第２微動制御回路６３ｂとの間で切替える。
【００８４】
第１微動制御回路６３ａは、切替器６７から入力される誤差信号ＰＥＳの絶対値の大きさに応じて、記録再生素子２０の位置誤差を抑制するような発熱素子２１ａの制御指令ＳＨａを生成し、第１ヒータドライバ７３ａを介して発熱素子２１ａへ出力する。
【００８５】
第２微動制御回路６３ｂも同様に、切替器６７から入力される誤差信号ＰＥＳの絶対値の大きさに応じて、記録再生素子２０の位置誤差を抑制するような発熱素子２１ｂの制御指令ＳＨｂを生成し、第２ヒータドライバ７３ｂを介して発熱素子２１ｂへ出力する。
【００８６】
具体的には、磁気ディスク２のトラックに対して記録再生素子２０が発熱素子２１ａの側に位置がずれている場合には、切替器６７が第１微動制御回路６３ａに誤差信号ＰＥＳを出力し、第１微動制御回路６３ａが発熱素子２１ａに通電して、介在部分２５ａを膨張させることで、記録再生素子２０を発熱素子２１ａから離れる方向に変位させる。このとき、発熱素子２１ｂへの通電は遮断される。他方、磁気ディスク２のトラックに対して記録再生素子２０が発熱素子２１ｂの側に位置がずれている場合には、切替器６７が第２微動制御回路６３ｂに誤差信号ＰＥＳを出力し、第２微動制御回路６３ｂが発熱素子２１ｂに通電して、介在部分２５ｂを膨張させることで、記録再生素子２０を発熱素子２１ｂから離れる方向に変位させる。このとき、発熱素子２１ａへの通電は遮断される。
【００８７】
ここで、記録再生素子２０の変位は発熱素子２１の電力量（すなわち発熱量）に比例し、発熱素子２１の電力量は発熱素子２１の電流量の２乗に比例することから、各微動制御回路６３ａ，６３ｂは、各発熱素子２１ａ，２１ｂの電力量或いは電流量の２乗を、記録再生素子２０の位置誤差の絶対値の大きさに比例させることで、記録再生素子２０の変位量を制御することができる。
【００８８】
以上のように、記録再生素子２０に対してスライダ幅方向の両方の側に設けられた発熱素子２１ａ，２１ｂへの通電を選択的に制御することで、記録再生素子２０を磁気ディスク２に形成されたトラックの幅方向に微小に変位させることができるので、これにより記録再生素子２０を高精度に位置決めすることができる。
【００８９】
また、このように発熱素子２１ａ，２１ｂへの通電を選択的に制御する場合、記録再生素子２０の変位量を上記第１例の場合と比して大きくすることができる。さらに、発熱素子２１ａ，２１ｂへの通電を選択的に制御する場合、記録再生素子２０を変位させる方向を切り替える際に、一方の冷却を待たずに他方へ通電することができるので、記録再生素子２０の変位の時間応答性をより高めることができる。
【００９０】
なお、これに限らず、発熱素子２１ａ，２１ｂへの通電は、上記第１例と同様に、発熱素子２１ａ，２１ｂに基準電力量の電流を流しておき、記録再生素子２０の位置誤差に応じて、発熱素子２１ａ，２１ｂの電力量を基準電力量から増減させるようにしてもよい。すなわち、発熱素子２１ａの電力量と、発熱素子２１ｂの電力量とに差を生じさせることで、記録再生素子２０をスライダ幅方向に変位させる。
【００９１】
また、ＭＰＵ６０は、上記第１例と同様に、各発熱素子２１ａ，２１ｂへの通電に対する記録再生素子２０の変位の時間遅れを補償する補償器６５ａ，６５ｂを更に含んでいる。
【００９２】
以下、上記本実施形態の磁気ヘッドスライダ４Ａ，４Ｂと、上記特許文献１に開示されているピエゾ素子を磁気ヘッドスライダに組み込む技術との対比について述べる。
【００９３】
スライダ基板と、記録再生素子を含む素子基板との間に板状のピエゾ素子を挟み込む場合、これらを互いに接着する方法が採られるが、この方法では、磁気ヘッドスライダの製造が容易でない。また、ピエゾ素子の分極が１５０℃程度の温度で崩壊するため、プロセス温度をこれ以上に上げることができず、製造が容易でない。
【００９４】
また、ピエゾ素子は、スライダ基板や素子基板と材料が異なることから、浮上面を加工する際に微小な段差が生じてしまうなど、浮上面の加工精度を確保することが困難である。また、ピエゾ素子は、多結晶材料からなるため、塵埃を生じやすいという問題もある。特に、ピエゾ素子を磁気ヘッドスライダに組み込む場合、塵埃の発生を防ぐための皮膜を設けることができない。
【００９５】
さらに、スライダ基板の端面にピエゾ素子を薄膜形成する方法も考えられるが、この方法では、記録再生素子を十分に変位させられるほどピエゾ素子を歪ませることができないという問題がある。
【００９６】
これに対し、本実施形態の磁気ヘッドスライダ４Ａ，４Ｂでは、発熱素子２１が記録再生素子２０と同様に薄膜形成技術により薄膜積層部４２内に形成されるので、製造が容易である。また、発熱素子２１を薄膜積層部４２内に作り込むことから、浮上面４０の加工の問題もなく、塵埃の発生の問題もない。すなわち、本実施形態の磁気ヘッドスライダ４Ａ，４Ｂは、発熱素子２１を設けない通常の磁気ヘッドスライダと同じように製造することができる。
【００９７】
また、本実施形態の磁気ヘッドスライダ４Ａ，４Ｂでは、数値計算およびＴＦＣ磁気ヘッドスライダの実験データから、発熱素子２１に供給する電力を例えば１００ｍＷとした場合に、記録再生素子２０のスライダ幅方向の変位が１０ｎｍ程度となること、記録再生素子２０の時間応答性が時定数で０．１ｍｓ程度となることが本発明者により確認されている。記録再生素子２０のスライダ幅方向の変位は入力電力に比例して増大させることが可能であり、従って、例えば供給電力を２００ｍＷ程度とすれば記録再生素子２０の変位を２０ｎｍ以上にすることができる。また、逆特性フィルターを用いれば制御帯域を３ｋＨｚ以上とすることができる。これらの値は、１０ｋトラック／ｍｍ以上の高トラック密度の磁気ディスクを有する磁気ディスク装置において、記録再生素子２０を高精度に位置決めするのに十分な値である。
【００９８】
［磁気ヘッドスライダの変形例］
図９ないし図１４に、上記第１例の磁気ヘッドスライダ４Ａの変形例（以下、磁気ヘッドスライダ４Ｃ〜４Ｈとする）を示す。なお、上記第１例と重複する構成については、図中に同番号を付すことで詳細な説明を省略する。
【００９９】
図９に示す磁気ヘッドスライダ４Ｃでは、発熱素子２１の周囲の部材のうち、記録再生素子２０に対して発熱素子２１よりもスライダ幅方向の外側に位置する外側部分２７が、記録再生素子２０と発熱素子２１との間に介在する介在部分２５よりも変形しにくく構成されている。
【０１００】
具体的には、薄膜積層部４２は、記録再生素子２０に対して発熱素子２１よりもスライダ幅方向の外側に位置する外側部分２７が、記録再生素子２０と発熱素子２１との間に介在する介在部分２５よりも厚く形成されており、これにより外側部分２７が介在部分２５よりも変形しにくくなっている。これによれば、発熱素子２１の周囲の部材が膨張する際に、外側部分２７の膨張が抑制され、発熱素子２１から記録再生素子２０へ向かう介在部分２５の膨張量を高めることができる。
【０１０１】
なお、このように薄膜積層部４２の厚さを変える場合に限らず、材料特性に差を持たせることで、外側部分２７を介在部分２５よりも変形しにくく構成するようにしてもよい。具体的には、外側部分２７の材料特性は、介在部分２５の材料特性と比して、１）比熱が大きく温度上昇が小さい、２）同じ温度上昇に対し熱膨張係数が小さい、３）ヤング率が大きい、の少なくとも一つを満たすことが望ましい。ここで、ヤング率を大きくするのは、熱膨張による応力に対して変形しにくくするためである。
【０１０２】
図１０及び図１１に示す磁気ヘッドスライダ４Ｄ，４Ｅでは、記録再生素子２０の周囲の部材のうち、記録再生素子２０に対して発熱素子２１とはスライダ幅方向の反対側に位置する反対側部分２８が、記録再生素子２０と発熱素子２１との間に介在する介在部分２５よりも変形しやすく構成されている。これによれば、発熱素子２１から記録再生素子２０へ向かう介在部分２５の膨張量を高めることができる。
【０１０３】
具体的には、薄膜積層部４２は、記録再生素子２０に対して発熱素子２１とはスライダ幅方向の反対側の少なくとも一部が欠落しており、これにより反対側部分２８が介在部分２５よりも変形しやすくなっている。
【０１０４】
すなわち、図１０に示すように、記録再生素子２０からスライダ幅方向の所定距離以上の範囲を、介在部分２５よりも薄く形成する若しくは形成しないことで、それよりも手前の反対側部分２８を介在部分２５よりも変形しやすくすることができる。なお、この場合、記録再生素子２０が薄膜積層部４２内のスライダ幅方向の端部に配されている、ということもできる。
【０１０５】
また、図１１に示すように、記録再生素子２０からスライダ幅方向の所定距離に切り欠き５２を設けることで、それよりも手前の反対側部分２８を介在部分２５よりも変形しやすくすることができる。なお、この場合、スライダ基板４１にも食い込むように切り欠き５２を設けてもよい。また、切り欠き５２は、スライダ基板４１の厚さ方向に貫通していてもよいし、下端または上端の一部が残存していてもよい。
【０１０６】
ここで、薄膜積層部４２の欠落させる範囲を、浅溝面４０ｅよりも深い面の範囲とすることで、ステップ軸受面４０ｂ及び浅溝面４０ｅが発生する正圧に影響を及ぼさないようにすることができる。
【０１０７】
なお、このように薄膜積層部４２の一部を欠落させる場合に限らず、材料特性に差を持たせることで、反対側部分２８を介在部分２５よりも変形しやすく構成するようにしてもよい。具体的には、反対側部分２８の材料特性は、介在部分２５の材料特性と比して、１）比熱が小さく温度上昇が大きい、２）同じ温度上昇に対し熱膨張係数が大きい、３）ヤング率が小さい、の少なくとも一つを満たすことが望ましい。ここで、ヤング率を小さくするのは、熱膨張による応力に対して変形しやすくするためである。
【０１０８】
更には、図１２に示す磁気ヘッドスライダ４Ｆのように、介在部分２５よりも変形しにくい外側部分２７と、介在部分２５よりも変形しやすい反対側部分２８とを両方設けるようにしてもよい。これによれば、発熱素子２１から記録再生素子２０へ向かう介在部分２５の膨張量を更に高めることができる。
【０１０９】
図１３に示す磁気ヘッドスライダ４Ｇでは、記録再生素子２０が、薄膜積層部４２内のスライダ幅方向の一方の端部に配されている。また、発熱素子２１は、記録再生素子２０よりもスライダ幅方向の内側に所定の距離だけ離れて配されている。これによれば、スライダ幅方向の端面４２ｔと記録再生素子２０との間の距離が比較的短いため、上記磁気ヘッドスライダ４Ｄ，４Ｅと同様に反対側部分２８を介在部分２５よりも変形しやすくすることができ、この結果、発熱素子２１から記録再生素子２０へ向かう介在部分２５の膨張量を高めることができる。
【０１１０】
また、以上に説明した実施形態において、発熱素子２１の近傍部分は、他の部分と比して、１）比熱が小さく温度上昇が大きい、２）同じ温度上昇に対し熱膨張係数が大きい、３）ヤング率が大きい、の少なくとも一つを満たすことが望ましい。ここで、ヤング率を大きくするのは、この部分が圧縮応力により縮みにくくするためである。
【０１１１】
なお、本発明は、以上に説明した実施形態に限定されない。上記実施形態では、薄膜積層部４２内に発熱素子２１を設けているが、これに限らず、発熱素子２１の発熱に応じて記録再生素子２０をスライダ幅方向に変位させることができる位置関係であれば、スライダ基板４１と、記録再生素子２０を含む基板との間に、発熱素子２１を含む基板を接合するようにしてもよいし、スライダ基板４１内に発熱素子２１を設けるようにしてもよい。
【０１１２】
例えば、図１４に示す磁気ヘッドスライダ４Ｈでは、スライダ基板４１の空気流出側の端部のうち、発熱素子２１を設ける部分に切り欠き９０を設け、この切り欠き９０内にスライダ幅方向に伸長した棒状部材９１を取り付ける。発熱素子２１は、この棒状部材９１の外周面に形成される。また、記録再生素子２０に対して発熱素子２１とはスライダ幅方向の反対側には、上記図１１と同様の切り欠き５２を設けることが望ましい。
【０１１３】
このように形成された発熱素子２１の発熱により、棒状部材９１が加熱されて膨張するので、この膨張がスライダ幅方向の力としてスライダ基板４１に伝わる。これにより、介在部分２５がスライダ幅方向に押されて、記録再生素子２０を変位させることができる。また、棒状部材９１が加熱されると、その熱が介在部分２５に伝わり、介在部分２５自身も膨張するので、これによっても記録再生素子２０を変位させることができる。すなわち、棒状部材９１により介在部分２５が押される力と、介在部分２５自身の膨張とを重畳させて記録再生素子２０を変位させることができる。
【０１１４】
また、棒状部材９１の材料特性は、スライダ基板４１や薄膜積層部４２と比して、１）比熱が小さく温度上昇が大きい、２）同じ温度上昇に対し熱膨張係数が大きい、３）ヤング率が大きい、の少なくとも一つを満たすことが望ましい。このような材料特性の棒状部材９１を適用することで、同じ入力電力に対する記録再生素子２０の変位量を、上述の実施形態の場合よりも更に高めることができる。
【０１１５】
また、切り欠き５２が設けられていることで、記録再生素子２０のスライダ幅方向の変位量を更に高めることができる。特に、本実施形態では、棒状部材９１を取り付けるための切り欠き９０を形成することから、この切り欠き９０とともに切り欠き５２を形成することは容易であり、これにより発熱素子２１による熱アクチュエータとしての駆動効率を最大限に高めることができる。
【０１１６】
ここで、切り欠き９０は、スライダ基板４１の厚さ方向に貫通していてもよいし、下端または上端の一部が残存していてもよい。この切り欠き９０が形成される範囲は、中間面４０ｇや深溝面４０ｈなど、浅溝面４０ｅよりも深い面の範囲内とされる。棒状部材９１は、切り欠き９０内に例えば圧入や接着などの方法により取り付けられる。また、発熱素子２１は、予め棒状部材９１の外周面に形成されていてもよいし、棒状部材９１を取り付けた後、薄膜積層部４２と同様の薄膜形成技術により棒状部材９１の外周面に形成するようにしてもよい。
【０１１７】
なお、このような切り欠き９０及び棒状部材９１を用いた磁気ヘッドスライダ４Ｈの構成は、上述の実施形態と適宜組み合わせることができる。
【図面の簡単な説明】
【０１１８】
【図１】本発明の一実施形態に係る磁気ディスク装置の構成例を表す斜視図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る磁気ヘッドスライダの斜視図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る磁気ヘッドスライダの平面図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る磁気ヘッドスライダの正面図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る磁気ディスク装置の機能構成例を表すブロック図である。
【図６】本発明の一実施形態に係る磁気ヘッドスライダの斜視図である。
【図７】本発明の一実施形態に係る磁気ヘッドスライダの平面図である。
【図８】本発明の一実施形態に係る磁気ディスク装置の機能構成例を表すブロック図である。
【図９】本発明の変形例に係る磁気ヘッドスライダの平面図である。
【図１０】本発明の変形例に係る磁気ヘッドスライダの平面図である。
【図１１】本発明の変形例に係る磁気ヘッドスライダの平面図である。
【図１２】本発明の変形例に係る磁気ヘッドスライダの平面図である。
【図１３】本発明の変形例に係る磁気ヘッドスライダの正面図である。
【図１４】本発明の変形例に係る磁気ヘッドスライダの平面図である。
【図１５】本発明の変形例に係る磁気ディスク装置のヘッド支持部の構造を表す斜視図である。
【図１６】本発明の変形例に係る磁気ディスク装置の機能構成例を表すブロック図である。
【符号の説明】
【０１１９】
１  磁気ディスク装置、２  磁気ディスク、３  スピンドルモータ、４（４Ａ〜４Ｈ）  磁気ヘッドスライダ、６  ヘッド支持部、７  ボイスコイルモータ、８  ＦＰＣ、１０  筐体、２０  記録再生素子、２１  発熱素子、２５  介在部分、２７  外側部分、２８  反対側部分、４０  浮上面、４０ａ  素子面、４０ｂ  ステップ軸受面、４０ｅ  浅溝面、４０ｇ  中間面、４０ｈ  深溝面、４１  スライダ基板、４２  薄膜積層部、６０  ＭＰＵ、６１  算出回路、６２  粗動制御回路、６３  微動制御回路、６５  補償器、６７  切替器、７２  モータドライバ、７３  ヒータドライバ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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