(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、
前記第１基板に対向する第２基板と、
前記第１基板及び前記第２基板間に設けられ、複数の画素の画素ごとに発光が制御される発光層と、
前記第２基板及び前記発光層の間に設けられた遮光層と、
前記第１基板及び前記発光層の間で前記発光層に対向して設けられた第１電極と、
前記発光層及び前記遮光層の間で前記発光層に対向して設けられた第２電極と、
前記複数の画素の画素ごとに設けられ、前記第１電極及び前記第２電極の一方から前記発光層を経て前記第１電極及び前記第２電極の他方へ流れる電流を制御するトランジスタと、
前記第１基板及び前記第１電極の間に設けられ、前記トランジスタに電力を供給する電源線と、を有し、
前記複数の画素は、第１の画像を形成する第１の画素及び第２の画像を形成する第２の画素を少なくとも含んでおり、
前記第１の画素と前記第２の画素とは、平面視で第１方向に交互に並んでおり、
前記遮光層には、前記第１の画素の前記発光層から前記第２基板を経て第１の範囲に及ぶ光を通すとともに、前記第２の画素の前記発光層から前記第２基板を経て第２の範囲に及ぶ光を通す開口部が設けられており、
前記第１の範囲に前記第１の画像を表示可能であるとともに、前記第２の範囲に前記第２の画像を表示可能であり、
前記第１の画像と前記第２画像は、互いに異なる画像もしくは互いに同じ画像であり、
前記電源線は、前記第１方向に延びていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記発光層と前記遮光層との間に樹脂層が介在していることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
複数の制御線と、
複数の信号線と、
前記複数の画素の画素ごとに設けられ、前記トランジスタのゲートの電位を保持する容量素子と、
前記複数の信号線のうちの１の信号線と前記容量素子との間に設けられ、前記複数の制御線のうちの１の制御線に供給される制御信号により制御されるスイッチング素子と、を有し、
前記容量素子は、前記第１基板及び前記電源線の間に設けられており、且つ平面視で前記電源線に重なっていることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記トランジスタ及び前記スイッチング素子は、平面視で前記第１方向とは交差する第２方向に前記電源線を挟んで対峙する位置に設けられていることを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記トランジスタ及び前記スイッチング素子は、それぞれ、前記第１基板及び前記電源線の間に設けられており、
前記トランジスタは、チャネル領域とソース領域とドレイン領域とが設けられた第１半導体層を有しており、
前記スイッチング素子は、チャネル領域とソース領域とドレイン領域とが設けられた第２半導体層を有しており、
前記第１半導体層は、前記チャネル領域と前記ソース領域と前記ドレイン領域とが、前記第１方向に並んでおり、
前記第２半導体層は、前記チャネル領域と前記ソース領域と前記ドレイン領域とが、前記第１方向に並んでいることを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記トランジスタは、前記第１半導体層の前記チャネル領域に平面視で重なる島状電極を有しており、
前記第１半導体層及び前記島状電極のうちの少なくとも一方は、一部が前記容量素子の少なくとも一部を構成していることを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記島状電極及び前記第１半導体層は、平面視で前記電源線を前記第２方向にまたぐ長さを有しており、
前記島状電極と前記第２半導体層の前記ドレイン領域とが、平面視で前記電源線の外側で電気的につながっていることを特徴とする請求項６に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記第１半導体層の前記ドレイン領域は、平面視で前記電源線の外側に設けられており、
前記第１半導体層の前記ドレイン領域と前記第１電極とは、平面視で前記電源線の外側で電気的につながっていることを特徴とする請求項５乃至７のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記複数の画素のうち前記第１方向に隣り合う２つの画素間で、前記第１半導体層の前記ドレイン領域同士が、平面視で前記電源線を挟んで互いに反対側に位置していることを特徴とする請求項８に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
少なくとも前記第１の画素と前記第２の画素とは、前記第１方向に隣り合っており、
前記複数の制御線の各々は、前記第１方向に延びており、
前記複数の制御線の１の制御線は、前記第１の画素に対応して設けられており、
前記複数の制御線の他の制御線は、前記第２の画素に対応して設けられており、
前記複数の信号線の各々は、前記第２方向に延びており、
前記複数の信号線の１の信号線は、前記第１の画素に対応して設けられており、
前記複数の信号線の他の信号線は、前記第２の画素に対応して設けられていることを特徴とする請求項９に記載の電気光学装置。
【請求項１１】
前記第１方向に隣り合う前記第１の画素及び前記第２の画素の間で、前記第１の画素の前記トランジスタと、前記第２の画素の前記スイッチング素子とは、前記第１方向に隣り合っており、
前記第１の画素と前記第２の画素とは、前記第２方向にも隣り合っており、
前記第２方向に隣り合う前記第１の画素及び前記第２の画素の間で、前記第１の画素の前記トランジスタと、前記第２の画素の前記スイッチング素子とは、少なくとも１つの前記制御線を挟んで前記第２方向に隣り合っていることを特徴とする請求項１０に記載の電気光学装置。
【請求項１２】
前記第１方向に隣り合う前記第１の画素及び前記第２の画素において、
前記第１の画素における前記トランジスタ及び前記スイッチング素子、並びに前記第２の画素における前記トランジスタ及び前記スイッチング素子は、平面視で、前記第１の画素に対応する前記信号線と、前記第２の画素に対応する前記信号線との間に位置していることを特徴とする請求項１０又は１１に記載の電気光学装置。
【請求項１３】
前記複数の画素は、前記第１方向に隣り合う前記第１の画素及び前記第２の画素を少なくとも含む２以上の画素を１組の画素群とする複数組の画素群にわけられており、
前記複数組の画素群は、前記第１方向に並んでおり、
前記複数の信号線は、前記第１基板及び前記電源線の間に設けられており、且つ前記電源線を前記第２方向にまたぐ長さを有しており、
前記電源線は、前記複数組の画素群のうち前記第１方向に隣り合う画素群同士の間をまたいでいることを特徴とする請求項１２に記載の電気光学装置。
【請求項１４】
前記第１半導体層と前記電源線とを電気的につなぐ接続部が、平面視で前記信号線と前記島状電極との間の領域に設けられていることを特徴とする請求項１３に記載の電気光学装置。
【請求項１５】
前記第１半導体層の前記ドレイン領域及び前記第１電極を電気的につなぐ第２接続部と、
少なくとも前記第１方向に隣り合う前記第１の画素及び前記第２の画素の間を仕切る第２遮光層と、
を有しており、
前記第２遮光層は、前記第１電極及び前記遮光層の間に設けられており、且つ、前記第１の画素に対応する前記第２接続部と前記第２の画素に対応する前記第２接続部とに平面視で重なっていることを特徴とする請求項１０乃至１４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１６】
前記第２電極及び前記遮光層の間に設けられ、前記第２電極に導通する補助配線を有しており、
前記補助配線は、平面視で前記第２遮光層に重なっていることを特徴とする請求項１５に記載の電気光学装置。
【請求項１７】
請求項１乃至１６のいずれか一項に記載の電気光学装置を表示部として有することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、電気光学装置の１つとして、有機ＥＬ（Electro Luminescence）装置が知られている。そして、有機ＥＬ装置には、有機ＥＬ素子からの光を左右一対の液晶素子で交互に遮ることによって、立体画像を表示することができる表示装置がある（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−３１８３４１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ここで、有機ＥＬ素子と一対の液晶素子とを有する表示装置で、２つの方向にそれぞれ異なる画像を表示する仕組みについて、断面図を用いて説明する。この表示装置６００は、図２７（ａ）に示すように、有機ＥＬ素子６０１と、一対の液晶素子６０３とを有している。一対の液晶素子６０３は、１つの有機ＥＬ素子に対向しており、第１液晶素子６０３ａと、第２液晶素子６０３ｂとを有している。
第２液晶素子６０３ｂが遮断状態のとき、有機ＥＬ素子６０１からの光は、第１の範囲６０５に及ぶ。このとき、有機ＥＬ素子６０１に第１の画像を形成させれば、第１の範囲６０５から第１の画像が視認され得る。
【０００５】
また、第１液晶素子６０３ａが遮断状態のとき、有機ＥＬ素子６０１からの光は、図２７（ｂ）に示すように、第２の範囲６０７に及ぶ。このとき、有機ＥＬ素子６０１に第２の画像を形成させれば、第２の範囲６０７から第２の画像が視認され得る。
第１液晶素子６０３ａ及び第２液晶素子６０３ｂの間で遮断状態を交互に切り替えるとともに、有機ＥＬ素子６０１に第１の画像及び第２の画像を交互に形成させることで、第１の画像及び第２の画像が、それぞれ連続的な画像として視認され得る。
【０００６】
ここで、第１の範囲６０５と第２の範囲６０７とは、図２８（ａ）に示すように、互いに重複する範囲６１１を有している。この範囲６１１からは、第１の画像と第２の画像とが重畳した状態で視認される。
第１の範囲６０５から範囲６１１を除いた範囲６１３ａからは、第１の画像だけが視認され得る。同様に、第２の範囲６０７から範囲６１１を除いた範囲６１３ｂからは、第２の画像だけが視認され得る。範囲６１３ａ及び範囲６１３ｂは、それぞれ、適視範囲６１３ａ及び適視範囲６１３ｂと呼ばれる。
これらの適視範囲６１３ａ及び適視範囲６１３ｂは、図２８（ｂ）に示すように、有機ＥＬ素子６０１と一対の液晶素子６０３との間の距離Ｌを短縮することによって拡大され得る。
【０００７】
ところで、上記特許文献１に記載された表示装置では、有機ＥＬ素子と液晶素子との間にガラス基板が介在している。従って、この表示装置で上記の距離Ｌを短縮するには、ガラス基板を薄くしなければならない。しかしながら、ガラス基板を薄くすることは、基板強度の低下に起因して、歩留まりの低下、製造時間の長期化、品質の低下等の多くの弊害を招来してしまうことにつながる。
つまり、従来の表示装置では、適視範囲を拡大することが困難であるという未解決の課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現され得る。
【０００９】
［適用例１］第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板及び前記第２基板間に設けられ、複数の画素の前記画素ごとに発光が制御される発光層と、前記第２基板及び前記発光層の間に設けられた遮光層と、前記第１基板及び前記発光層の間で前記発光層に対向して設けられた第１電極と、前記発光層及び前記遮光層の間で前記発光層に対向して設けられた第２電極と、各前記画素に対応して設けられ、前記第１電極及び前記第２電極の一方から前記発光層を経て前記第１電極及び前記第２電極の他方へ流れる電流を制御するトランジスタと、前記他方の基板及び前記第１電極の間に設けられ、複数の前記トランジスタに電力を供給する電源線と、を有し、前記複数の画素は、第１の画像を形成する第１の画素及び第２の画像を形成する第２の画素を少なくとも含んでおり、前記第１の画素と前記第２の画素とは、平面視で第１方向に交互に並んでおり、前記遮光層には、前記第１の画素の前記発光層から前記第２基板を経て第１の範囲に及ぶ光を通すとともに、前記第２の画素の前記発光層から前記第２基板を経て第２の範囲に及ぶ光を通す開口部が設けられており、前記電源線は、前記第１方向に延びていることを特徴とする電気光学装置。
【００１０】
適用例１の電気光学装置は、第１基板と、第２基板と、発光層と、遮光層と、第１電極と、第２電極と、トランジスタと、電源線とを有している。第２基板は、第１基板に対向している。発光層は、第１基板及び第２基板間に設けられており、複数の画素の画素ごとに発光が制御される。遮光層は、第２基板と発光層との間に設けられている。第１電極は、第１基板と発光層との間に設けられている。第２電極は、発光層と遮光層との間に設けられている。第１電極及び第２電極は、それぞれ、発光層に対向している。トランジスタは、各画素に対応して設けられている。トランジスタは、第１電極及び第２電極の一方から発光層を経て第１電極及び第２電極の他方へ流れる電流を制御する。電源線は、第１基板及び第１電極の間に設けられ、複数のトランジスタに電力を供給する。
【００１１】
この電気光学装置では、第１の画素と第２の画素とが、平面視で第１方向に交互に並んでいる。また、遮光層には、第１の画素の発光層から第２基板を経て第１の範囲に及ぶ光を通すとともに、第２の画素の発光層から第２基板を経て第２の範囲に及ぶ光を通す開口部が設けられている。このため、第１の範囲からは、第１の画素によって形成される第１の画像が視認され、第２の範囲からは、第２の画素によって形成される第２の画像が視認され得る。従って、この電気光学装置では、少なくとも２つの方向に指向性表示を行うことができる。
また、この電気光学装置では、遮光層が第２基板と発光層との間に設けられている。つまり、遮光層は、第１基板及び第２基板間に介在している。このため、遮光層が第１基板及び第２基板の外側に配置される場合に比較して、複数の画素と遮光層との間の距離を短縮することができる。従って、この電気光学装置では、指向性表示を行う各方向における適視範囲を拡大しやすくすることができる。
【００１２】
ここで、この電気光学装置では、電源線が第１基板及び第１電極の間で第１方向に延びている。このため、例えば、隣り合う画素同士間に沿って電源線が延びる場合に比較して、画素同士間の間隔を縮めやすくすることができる。これにより、単位面積当たりの画素の数（以下、画素密度と呼ぶ）を高めやすくすることができる。この結果、指向性表示における高精細化を図りやすくすることができる。
【００１３】
［適用例２］上記の電気光学装置であって、前記発光層と前記遮光層との間に樹脂層が介在していることを特徴とする電気光学装置。
【００１４】
適用例２では、発光層と遮光層との間に樹脂層が介在している。樹脂層では、例えばガラス基板などに比較して、厚みが容易に調整され得る。従って、この電気光学装置では、樹脂層の厚みを調整することで、適視範囲を調整しやすくすることができる。
【００１５】
［適用例３］上記の電気光学装置であって、複数の制御線と、複数の信号線と、各前記画素に対応して設けられ、前記トランジスタのゲートの電位を保持する容量素子と、前記複数の信号線のうちの１の前記信号線と各前記容量素子との間に設けられ、前記複数の制御線のうちの１の前記制御線に供給される制御信号により制御されるスイッチング素子と、を有し、前記容量素子は、前記第１基板及び前記電源線の間に設けられており、且つ平面視で前記電源線に重なっていることを特徴とする電気光学装置。
【００１６】
適用例３の電気光学装置は、複数の制御線と、複数の信号線と、容量素子と、スイッチング素子と、を有している。容量素子は、各画素に対応して設けられている。容量素子は、トランジスタのゲートの電位を保持する。スイッチング素子は、複数の信号線のうちの１の信号線と各容量素子との間に設けられている。スイッチング素子は、複数の制御線のうちの１の制御線に供給される制御信号により制御される。この電気光学装置では、容量素子が第１基板及び電源線の間に設けられており、且つ平面視で電源線に重なっているので、各画素の領域を縮小しやすくすることができる。これにより、画素密度を高めやすくすることができ、指向性表示における高精細化を図りやすくすることができる。
【００１７】
［適用例４］上記の電気光学装置であって、前記トランジスタ及び前記スイッチング素子は、平面視で前記第１方向とは交差する第２方向に前記電源線を挟んで対峙する位置に設けられていることを特徴とする電気光学装置。
【００１８】
適用例４では、トランジスタ及びスイッチング素子が平面視で第１方向とは交差する第２方向に電源線を挟んで対峙しているので、トランジスタ及びスイッチング素子の間に容量素子を設けやすくすることができる。
【００１９】
［適用例５］上記の電気光学装置であって、前記トランジスタ及び前記スイッチング素子は、それぞれ、前記第１基板及び前記電源線の間に設けられており、前記トランジスタは、チャネル領域とソース領域とドレイン領域とが設けられた第１半導体層を有しており、前記スイッチング素子は、チャネル領域とソース領域とドレイン領域とが設けられた第２半導体層を有しており、前記第１半導体層は、前記チャネル領域と前記ソース領域と前記ドレイン領域とが、前記第１方向に並んでおり、前記第２半導体層は、前記チャネル領域と前記ソース領域と前記ドレイン領域とが、前記第１方向に並んでいることを特徴とする電気光学装置。
【００２０】
適用例５では、トランジスタ及びスイッチング素子のそれぞれが、第１基板及び電源線の間に設けられている。また、トランジスタが第１半導体層を有し、スイッチング素子が第２半導体層を有している。第１半導体層及び第２半導体層は、それぞれ、チャネル領域とソース領域とドレイン領域とが第１方向に並んでいる。このため、トランジスタ及びスイッチング素子の間の領域を広げやすくすることができる。これにより、トランジスタ及びスイッチング素子の間に容量素子を一層設けやすくすることができる。
【００２１】
［適用例６］上記の電気光学装置であって、前記トランジスタは、前記第１半導体層の前記チャネル領域に平面視で重なる島状電極を有しており、前記第１半導体層及び前記島状電極のうちの少なくとも一方は、一部が前記容量素子の少なくとも一部を構成していることを特徴とする電気光学装置。
【００２２】
適用例６では、トランジスタが島状電極を有している。島状電極は、第１半導体層のチャネル領域に平面視で重なっている。そして、第１半導体層及び島状電極のうちの少なくとも一方は、一部が容量素子の少なくとも一部を構成している。このため、第１半導体層及び島状電極のうちの少なくとも一方に容量素子の少なくとも一部を構成させることができる。
【００２３】
［適用例７］上記の電気光学装置であって、前記島状電極及び前記第１半導体層は、平面視で前記電源線を前記第２方向にまたぐ長さを有しており、前記島状電極と前記第２半導体層の前記ドレイン領域とが、平面視で前記電源線の外側で電気的につながっていることを特徴とする電気光学装置。
【００２４】
適用例７では、島状電極及び第１半導体層が、平面視で電源線を第２方向にまたぐ長さを有している。そして島状電極と第２半導体層のドレイン領域とが、平面視で電源線の外側で電気的につながっている。これにより、電源線と島状電極と第１半導体層とで容量素子を構成することができる。
【００２５】
［適用例８］上記の電気光学装置であって、前記第１半導体層の前記ドレイン領域は、平面視で前記電源線の外側に設けられており、前記第１半導体層の前記ドレイン領域と前記第１電極とは、平面視で前記電源線の外側で電気的につながっていることを特徴とする電気光学装置。
【００２６】
適用例８では、第１半導体層のドレイン領域が、平面視で電源線の外側に設けられている。そして、第１半導体層のドレイン領域と第１電極とが、平面視で電源線の外側で電気的につながっている。このため、電源線に阻害されることなく、第１半導体層のドレイン領域と第１電極とを電気的につなげることができる。
【００２７】
［適用例９］上記の電気光学装置であって、前記第１方向に隣り合う前記画素同士間で、前記第１半導体層の前記ドレイン領域同士が、平面視で前記電源線を挟んで互いに反対側に位置していることを特徴とする電気光学装置。
【００２８】
適用例９では、第１方向に隣り合う画素同士間で、第１半導体層のドレイン領域同士が、平面視で電源線を挟んで互いに反対側に位置している。このため、第１方向に隣り合う画素同士間で、第１半導体層のドレイン領域同士を遠ざけやすくすることができる。この結果、第１方向に隣り合う画素同士間で互いに阻害することなく、第１半導体層のドレイン領域と第１電極とをつなげやすくすることができる。
【００２９】
［適用例１０］上記の電気光学装置であって、少なくとも前記第１の画素と前記第２の画素とは、前記第１方向に隣り合っており、各前記制御線は、前記第１方向に延びているとともに、少なくとも前記第１の画素及び前記第２の画素のそれぞれに対応して設けられており、各前記信号線は、前記第２方向に延びているとともに、少なくとも前記第１の画素及び前記第２の画素のそれぞれに対応して設けられていることを特徴とする電気光学装置。
【００３０】
適用例１０では、少なくとも第１の画素と第２の画素とは、第１方向に隣り合っている。各制御線は、第１方向に延びているとともに、少なくとも第１の画素及び第２の画素のそれぞれに対応して設けられている。各信号線は、第２方向に延びているとともに、少なくとも第１の画素及び第２の画素のそれぞれに対応して設けられている。
この電気光学装置では、各制御線と各信号線とが少なくとも第１の画素及び第２の画素のそれぞれに対応して設けられている。このため、第１の画素におけるトランジスタと、第２の画素におけるトランジスタとを、第１方向に隣り合う第１の画素及び第２の画素間で個別に制御することができる。
【００３１】
［適用例１１］上記の電気光学装置であって、前記第１方向に隣り合う前記第１の画素及び前記第２の画素の間で、前記第１の画素の前記トランジスタと、前記第２の画素の前記スイッチング素子とは、前記第１方向に隣り合っており、前記第１の画素と前記第２の画素とは、前記第２方向にも隣り合っており、前記第２方向に隣り合う前記第１の画素及び前記第２の画素の間で、前記第１の画素の前記トランジスタと、前記第２の画素の前記スイッチング素子とは、少なくとも１つの前記制御線を挟んで前記第２方向に隣り合っていることを特徴とする電気光学装置。
【００３２】
適用例１１では、第１方向に隣り合う第１の画素及び第２の画素の間で、第１の画素のトランジスタと、第２の画素のスイッチング素子とが、第１方向に隣り合っている。また、第１の画素と第２の画素とが、第２方向にも隣り合っている。そして、第２方向に隣り合う第１の画素及び第２の画素の間で、第１の画素のトランジスタと、第２の画素のスイッチング素子とが、少なくとも１つの制御線を挟んで第２方向に隣り合っている。これにより、第１の画素のトランジスタと第２の画素のスイッチング素子とによって第２方向に挟まれた制御線を、この制御線を挟んで互いに反対側にある第１の画素同士又は第２の画素同士に共用させやすくすることができる。
【００３３】
［適用例１２］上記の電気光学装置であって、前記第１方向に隣り合う前記第１の画素及び前記第２の画素において、前記第１の画素における前記トランジスタ及び前記スイッチング素子、並びに前記第２の画素における前記トランジスタ及び前記スイッチング素子は、平面視で、前記第１の画素に対応する前記信号線と、前記第２の画素に対応する前記信号線との間に位置していることを特徴とする電気光学装置。
【００３４】
適用例１２では、第１方向に隣り合う第１の画素及び第２の画素において、第１の画素及び第２の画素のそれぞれにおけるトランジスタ及びスイッチング素子が、平面視で、第１の画素に対応する信号線と、第２の画素に対応する信号線との間に位置している。このため、第１方向に隣り合う第１の画素と第２の画素との間隔を縮めやすくすることができる。
【００３５】
［適用例１３］上記の電気光学装置であって、前記複数の画素は、前記第１方向に隣り合う前記第１の画素及び前記第２の画素を少なくとも含む複数の前記画素を１組の画素群とする複数組の前記画素群にわけられており、複数組の前記画素群は、前記第１方向に並んでおり、前記複数の信号線は、前記第１基板及び前記電源線の間に設けられており、且つ前記電源線を前記第２方向にまたぐ長さを有しており、前記電源線は、前記第１方向に隣り合う前記画素群同士の間をまたいでいることを特徴とする電気光学装置。
【００３６】
適用例１３では、複数の画素が複数組の画素群にわけられている。１組の画素群には、第１方向に隣り合う第１の画素及び第２の画素を少なくとも含む複数の画素が含まれている。複数組の画素群は、第１方向に並んでいる。複数の信号線は、第１基板及び電源線の間に設けられている。複数の信号線は、電源線を第２方向にまたぐ長さを有している。そして、電源線は、第１方向に隣り合う画素群同士の間をまたいでいる。
この電気光学装置では、複数組の画素群が第１方向に並んでいるので、隣り合う画素群同士間に、少なくとも２つの信号線が隣り合って並んでいる。ここで、２つの信号線が隣り合って並んだ構成では、２つの信号線同士間に寄生容量が生じることがある。ところが、適用例１３では、電源線が２つの信号線をまたいでいるので、電源線と２つの信号線のそれぞれとの間に容量が形成されやすい。このため、２つのデータ線同士間の電気的な干渉を軽減しやすくすることができる。
【００３７】
［適用例１４］上記の電気光学装置であって、前記第１半導体層と前記電源線とを電気的につなぐ接続部が、平面視で前記信号線と前記島状電極との間の領域に設けられていることを特徴とする電気光学装置。
【００３８】
適用例１４では、第１半導体層と電源線とを電気的につなぐ接続部が平面視で信号線と島状電極との間の領域に設けられているので、容量素子と信号線との間の電気的な干渉を軽減することができる。
【００３９】
［適用例１５］上記の電気光学装置であって、前記第１半導体層の前記ドレイン領域及び前記第１電極を電気的につなぐ第２接続部と、少なくとも前記第１方向に隣り合う前記第１の画素及び前記第２の画素の間を仕切る第２遮光層とを有しており、前記第２遮光層は、前記第１電極及び前記遮光層の間に設けられており、且つ、前記第１の画素に対応する前記第２接続部と前記第２の画素に対応する前記第２接続部とに平面視で重なっていることを特徴とする電気光学装置。
【００４０】
適用例１５の電気光学装置は、第２接続部と、第２遮光層とを有している。第２接続部は、第１半導体層のドレイン領域及び第１電極を電気的につないでいる。第２遮光層は、第１電極及び遮光層の間に設けられており、少なくとも第１方向に隣り合う第１の画素及び第２の画素の間を仕切っている。そして、第２遮光層は、第１の画素に対応する第２接続部と第２の画素に対応する第２接続部とに平面視で重なっている。このため、平面視で第２接続部を隠しやすくすることができる。
【００４１】
［適用例１６］上記の電気光学装置であって、前記第２電極及び前記遮光層の間に設けられ、前記第２電極に導通する補助配線を有しており、前記補助配線は、平面視で前記第２遮光層に重なっていることを特徴とする電気光学装置。
【００４２】
適用例１６の電気光学装置は、第２電極に導通する補助配線を有している。補助配線は、第２電極及び遮光層の間に設けられている。そして、補助配線は、平面視で第２遮光層に重なっている。このため、補助配線で画素を塞ぎにくくすることができる。
【００４３】
［適用例１７］上記の電気光学装置を表示部として有することを特徴とする電子機器。
【００４４】
適用例１７の電子機器は、表示部としての電気光学装置が、第１基板と、第２基板と、発光層と、遮光層と、第１電極と、第２電極と、トランジスタと、電源線とを有している。第２基板は、第１基板に対向している。発光層は、第１基板及び第２基板間に設けられており、複数の画素の画素ごとに発光が制御される。遮光層は、第２基板と発光層との間に設けられている。第１電極は、第１基板と発光層との間に設けられている。第２電極は、発光層と遮光層との間に設けられている。第１電極及び第２電極は、それぞれ、発光層に対向している。トランジスタは、各画素に対応して設けられている。トランジスタは、第１電極及び第２電極の一方から発光層を経て第１電極及び第２電極の他方へ流れる電流を制御する。電源線は、第１基板及び第１電極の間に設けられ、複数のトランジスタに電力を供給する。
この電気光学装置では、第１の画素と第２の画素とが、平面視で第１方向に交互に並んでいる。また、遮光層には、第１の画素の発光層から第２基板を経て第１の範囲に及ぶ光を通すとともに、第２の画素の発光層から第２基板を経て第２の範囲に及ぶ光を通す開口部が設けられている。このため、第１の範囲からは、第１の画素によって形成される第１の画像が視認され、第２の範囲からは、第２の画素によって形成される第２の画像が視認され得る。従って、この電気光学装置では、少なくとも２つの方向に指向性表示を行うことができる。
また、この電気光学装置では、遮光層が第２基板と発光層との間に設けられている。つまり、遮光層は、第１基板及び第２基板間に介在している。このため、遮光層が第１基板及び第２基板の外側に配置される場合に比較して、複数の画素と遮光層との間の距離を短縮することができる。従って、この電気光学装置では、指向性表示を行う各方向における適視範囲を拡大しやすくすることができる。そして、適用例１７の電子機器は、適視範囲を拡大することができる電気光学装置を表示部として備えているので、適視範囲の拡大が図られる。
また、この電子機器では、表示部としての電気光学装置において、電源線が第１基板及び第１電極の間で第１方向に延びている。このため、この電気光学装置では、例えば、隣り合う画素同士間に沿って電源線が延びる場合に比較して、画素同士間の間隔を縮めやすくすることができる。これにより、画素密度を高めやすくすることができる。この結果、指向性表示における高精細化を図りやすくすることができる。そして、適用例１７の電子機器は、指向性表示における高精細化を図りやすくすることができる電気光学装置を表示部として備えているので、指向性表示における高精細化が図られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４５】
実施形態について、電気光学装置として有機ＥＬ装置を利用した表示装置を例に、図面を参照しながら説明する。
実施形態における表示装置１は、図１に示すように、表示面３を有している。
【００４６】
ここで、表示装置１には、複数の画素５が設定されている。複数の画素５は、表示領域７内で、図中のＸ方向及びＹ方向に配列しており、Ｘ方向を行方向とし、Ｙ方向を列方向とするマトリクスＭを構成している。表示装置１では、複数の画素５が、ｍ（ｍは、１以上の整数）行、且つ２×ｎ（ｎは、１以上の整数）列のマトリクスＭを構成している。表示装置１は、複数の画素５から選択的に表示面３を介して表示装置１の外に光を射出することで、表示面３に画像を表示することができる。なお、表示領域７とは、画像が表示され得る領域である。図１では、構成をわかりやすく示すため、画素５が誇張されている。
【００４７】
表示装置１は、図１中のＡ−Ａ線における断面図である図２に示すように、素子基板１１と、封止基板１３とを有している。
素子基板１１には、表示面３側すなわち封止基板１３側に、複数の画素５のそれぞれに対応して、後述するスイッチング素子などが設けられている。
【００４８】
封止基板１３は、素子基板１１よりも表示面３側で素子基板１１に対向した状態で設けられている。封止基板１３には、表示装置１における表示面３の裏面に相当する面である底面１５側すなわち素子基板１１側に、後述する遮光膜などが設けられている。
素子基板１１と封止基板１３との間は、表示装置１の周縁よりも内側で表示領域７を囲むシール材１７によって封止されている。
【００４９】
ここで、表示装置１に設定されている複数の画素５は、それぞれ、表示面３から射出する光の色が、図３に示すように、赤系（Ｒ）、緑系（Ｇ）及び青系（Ｂ）のうちの１つに設定されている。つまり、マトリクスＭを構成する複数の画素５は、Ｒの光を射出する画素５ｒと、Ｇの光を射出する画素５ｇと、Ｂの光を射出する画素５ｂとを含んでいる。
【００５０】
ここで、Ｒの色は、純粋な赤の色相に限定されず、橙等を含む。Ｇの色は、純粋な緑の色相に限定されず、青緑や黄緑を含む。Ｂの色は、純粋な青の色相に限定されず、青紫や青緑等を含む。他の観点から、Ｒの色を呈する光は、光の波長のピークが、可視光領域で５７０ｎｍ以上の範囲にある光であると定義され得る。また、Ｇの色を呈する光は、光の波長のピークが５００ｎｍ〜５６５ｎｍの範囲にある光であると定義され得る。Ｂの色を呈する光は、光の波長のピークが４１５ｎｍ〜４９５ｎｍの範囲にある光であると定義され得る。
【００５１】
マトリクスＭでは、Ｙ方向に沿って並ぶ複数の画素５が、１つの画素列２１を構成している。また、Ｘ方向に沿って並ぶ複数の画素５が、１つの画素行２３を構成している。１つの画素列２１内の各画素５は、光の色がＲ、Ｇ及びＢのうちの１つに設定されている。つまり、マトリクスＭは、複数の画素５ｒがＹ方向に配列した画素列２１ｒと、複数の画素５ｇがＹ方向に配列した画素列２１ｇと、複数の画素５ｂがＹ方向に配列した画素列２１ｂとを有している。そして、表示装置１では、画素列２１ｒ、画素列２１ｇ及び画素列２１ｂが、この順で２列ずつＸ方向に沿って反復して並んでいる。
【００５２】
また、表示装置１では、マトリクスＭを構成する複数の画素５は、図４に示すように、複数の第１の画素５1と、複数の第２の画素５2とにわけられている。表示装置１は、複数の第１の画素５1から選択的に表示面３を介して表示装置１の外に光を射出することで、表示面３に第１の画像を表示することができる。また、表示装置１は、複数の第２の画素５2から選択的に表示面３を介して表示装置１の外に光を射出することで、表示面３に第２の画像を表示することができる。
【００５３】
なお、第１の画像と第２の画像とは、互いに異なる画像であることと、互いに同じ画像であることとが問われない。また、以下においては、画素５という表記と、画素５ｒ、５ｇ及び５ｂという表記と、第１の画素５1及び第２の画素５2という表記とが、適宜、使いわけられる。また、第１の画素５1及び第２の画素５2のそれぞれに対してＲ、Ｇ及びＢが識別される場合、第１の画素５ｒ1、５ｇ1及び５ｂ1、並びに、第２の画素５ｒ2、５ｇ2及び５ｂ2という表記が用いられる。
【００５４】
表示装置１では、第１の画素５1と第２の画素５2とが、Ｘ方向に交互に並んでいる。１つの画素列２１は、複数の第１の画素５1又は複数の第２の画素５2によって構成されている。つまり、マトリクスＭは、複数の第１の画素５1がＹ方向に沿って配列した画素列２１1と、複数の第２の画素５2がＹ方向に沿って配列した画素列２１2とを有している。なお、以下においては、画素列２１という表記と、画素列２１ｒ、画素列２１ｇ及び画素列２１ｂという表記と、画素列２１1及び画素列２１2という表記とが、適宜、使いわけられる。また、画素列２１1及び画素列２１2のそれぞれに対してＲ、Ｇ及びＢが識別される場合、画素列２１ｒ1、２１ｇ1及び２１ｂ1、並びに、画素列２１ｒ2、２１ｇ2及び２１ｂ2という表記が用いられる。
【００５５】
表示装置１では、マトリクスＭを構成する複数の画素５は、Ｘ方向に隣り合う第１の画素５1及び第２の画素５2の２つの画素５ごとに、これらの２つの画素５を１組とする複数組の画素群２５にわけられている。各画素群２５での第１の画素５1及び第２の画素５2の並び順は、複数組の画素群２５間で統一している。表示装置１では、第１の画素５1と第２の画素５2とが、図４で見て、Ｘ方向に左側から右側に向かってこの順で並んでいる。なお、第１の画素５1及び第２の画素５2の並び順は、複数組の画素群２５間で統一していれば、いずれが左側でも右側でもよい。
【００５６】
また、表示装置１では、各画素群２５を構成する第１の画素５1及び第２の画素５2は、射出する光の色がＲ、Ｇ及びＢのうちの１つに設定されている。つまり、第１の画素５ｒ1及び第２の画素５ｒ2が１組の画素群２５を構成し、第１の画素５ｇ1及び第２の画素５ｇ2が１組の画素群２５を構成し、第１の画素５ｂ1及び第２の画素５ｂ2が１組の画素群２５を構成している。なお、以下において複数組の画素群２５のそれぞれに対してＲ、Ｇ及びＢが識別される場合、画素群２５ｒ、画素群２５ｇ及び画素群２５ｂという表記が用いられる。
【００５７】
マトリクスＭにおいて、複数組の画素群２５は、図５に示すように、Ｘ方向及びＹ方向のそれぞれの方向に沿って並んでいる。つまり、複数組の画素群２５は、マトリクス状に配列している。
なお、表示装置１では、複数の画素５が、前述したように、ｍ行且つ２×ｎ列のマトリクスＭを構成している。このため、複数組の画素群２５は、ｍ行、且つｎ列のマトリクスを構成している。
【００５８】
表示装置１は、回路構成を示す図である図６に示すように、画素５ごとに、選択トランジスタ２７と、駆動トランジスタ２９と、容量素子３１と、画素電極３３と、有機層３５と、共通電極３７とを有している。選択トランジスタ２７及び駆動トランジスタ２９は、それぞれ、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子で構成されており、スイッチング素子としての機能を有する。なお、表示装置１では、選択トランジスタ２７としてＮチャネル型のＴＦＴ素子が採用され、駆動トランジスタ２９としてＰチャネル型のＴＦＴ素子が採用されている。
【００５９】
また、表示装置１は、ｍ本の走査線ＧＴ1と、ｍ本の走査線ＧＴ2と、ｎ本のデータ線ＳＩ1と、ｎ本のデータ線ＳＩ2と、ｍ本の電源線ＰＷとを有している。
なお、以下においてｍ本の走査線ＧＴ1のそれぞれが識別される場合に、走査線ＧＴ1（ｈ）という表記が用いられる（ｈは、１〜ｍの整数）。同様に、ｍ本の走査線ＧＴ2及びｍ本の電源線ＰＷのそれぞれが識別される場合には、走査線ＧＴ2（ｈ）という表記と、電源線ＰＷ（ｈ）という表記とが用いられる。
また、ｎ本のデータ線ＳＩ1及びｎ本のデータ線ＳＩ2のそれぞれが識別される場合には、データ線ＳＩ1（ｊ）という表記と、データ線ＳＩ2（ｊ）という表記とが用いられる（ｊは、１〜ｎの整数）。
【００６０】
ｍ本の走査線ＧＴ1及び走査線ＧＴ2は、Ｙ方向に互いに間隔をあけた状態で、Ｘ方向に沿って延びている。ｎ本のデータ線ＳＩ1及びデータ線ＳＩ2は、Ｘ方向に互いに間隔をあけた状態で、Ｙ方向に沿って延びている。ｍ本の走査線ＧＴ1及びｎ本のデータ線ＳＩ1は、格子状に配線されている。各第１の画素５1は、各走査線ＧＴ1と各データ線ＳＩ1との交差に対応して設定されている。
【００６１】
同様に、ｍ本の走査線ＧＴ2及びｎ本のデータ線ＳＩ2は、格子状に配線されている。各第２の画素５2は、各走査線ＧＴ2と各データ線ＳＩ2との交差に対応して設定されている。
各走査線ＧＴ1及び各走査線ＧＴ2は、各画素行２３（図３）に対応している。各画素行２３において、走査線ＧＴ1は、図６に示すように、ｎ個の第１の画素５1に対応している。また、各画素行２３において、走査線ＧＴ2は、ｎ個の第２の画素５2に対応している。
【００６２】
各データ線ＳＩ1及び各データ線ＳＩ2は、各画素列２１（図３）に対応している。各画素列２１において、データ線ＳＩ1は、図６に示すように、ｍ個の第１の画素５1すなわち１つの画素列２１1（図４）に対応している。また、各画素列２１において、データ線ＳＩ2は、ｍ個の第２の画素５2すなわち１つの画素列２１2（図４）に対応している。
ｍ本の電源線ＰＷは、図６に示すように、Ｙ方向に互いに間隔をあけた状態で、Ｘ方向に沿って延びている。各電源線ＰＷは、各画素行２３（図３）に対応している。
【００６３】
図６に示す各選択トランジスタ２７のゲート電極は、対応する各走査線ＧＴ1及びＧＴ2に電気的につながっている。各選択トランジスタ２７のソース電極は、対応する各データ線ＳＩ1及びＳＩ2に電気的につながっている。選択トランジスタ２７のドレイン電極は、駆動トランジスタ２９のゲート電極及び容量素子３１の一方の電極に電気的につながっている。
【００６４】
容量素子３１の他方の電極と、駆動トランジスタ２９のソース電極は、それぞれ、対応する各電源線ＰＷに電気的につながっている。
各駆動トランジスタ２９のドレイン電極は、各画素電極３３に電気的につながっている。各画素電極３３と共通電極３７とは、画素電極３３を陽極とし、共通電極３７を陰極とする一対の電極を構成している。
ここで、共通電極３７は、マトリクスＭを構成する複数の画素５間にわたって一連した状態で設けられており、複数の画素５間にわたって共通して機能する。
各画素電極３３と共通電極３７との間に介在する有機層３５は、有機材料で構成されており、発光層を含んだ構成を有している。
【００６５】
選択トランジスタ２７は、この選択トランジスタ２７につながる走査線ＧＴ1及びＧＴ2に走査信号が供給されるとＯＮ状態となる。このとき、この選択トランジスタ２７につながるデータ線ＳＩ1及びＳＩ2からデータ信号が供給され、駆動トランジスタ２９がＯＮ状態になる。駆動トランジスタ２９のゲート電位は、データ信号の電位が容量素子３１に一定の期間だけ保持されることによって、一定の期間だけ保持される。これにより、駆動トランジスタ２９のＯＮ状態が一定の期間だけ保持される。
【００６６】
駆動トランジスタ２９のＯＮ状態が保持されているときに、駆動トランジスタ２９のゲート電位に応じた電流が、電源線ＰＷから画素電極３３と有機層３５を経て共通電極３７に流れる。そして、有機層３５に含まれる発光層が、有機層３５を流れる電流量に応じた輝度で発光する。表示装置１は、有機層３５に含まれる発光層が発光し、発光層からの光が封止基板１３を介して表示面３から射出されるトップエミッション型の有機ＥＬ装置の１つである。
【００６７】
ここで、素子基板１１及び封止基板１３のそれぞれの構成について、詳細を説明する。
素子基板１１は、図４中のＣ−Ｃ線における断面図である図７に示すように、第１基板４１を有している。
第１基板４１は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料で構成されており、表示面３側に向けられた第１面４２ａと、底面１５側に向けられた第２面４２ｂとを有している。
【００６８】
第１基板４１の第１面４２ａには、ゲート絶縁膜４３が設けられている。ゲート絶縁膜４３の表示面３側には、絶縁膜４５が設けられている。絶縁膜４５の表示面３側には、絶縁膜４７が設けられている。絶縁膜４７の表示面３側には、絶縁膜４９が設けられている。
また、第１基板４１の第１面４２ａには、各画素５の駆動トランジスタ２９に対応する第１半導体層５１と、各画素５の選択トランジスタ２７に対応する第２半導体層５３とが設けられている。
【００６９】
第１半導体層５１及び第２半導体層５３は、平面図である図８に示すように、それぞれ各画素５に対応して設けられている。なお、図７に示す断面は、図８中のＤ−Ｄ線における断面に相当している。
第１半導体層５１及び第２半導体層５３は、Ｙ方向に間隔をあけた状態でＹ方向に隣り合っている。
【００７０】
第１半導体層５１は、ソース領域５１ａと、チャネル領域５１ｂと、ドレイン領域５１ｃと、電極部５１ｄとを有している。ソース領域５１ａと、チャネル領域５１ｂと、ドレイン領域５１ｃとは、Ｘ方向に並んでいる。電極部５１ｄとチャネル領域５１ｂ及びドレイン領域５１ｃとは、Ｙ方向に間隔をあけた状態でＹ方向に隣り合っている。また、電極部５１ｄとソース領域５１ａとは、連接した状態でＸ方向に隣り合っている。
【００７１】
第２半導体層５３は、ソース領域５３ａと、チャネル領域５３ｂと、ドレイン領域５３ｃとを有している。ソース領域５３ａと、チャネル領域５３ｂと、ドレイン領域５３ｃとは、Ｘ方向に並んでいる。
各画素群２５における第１の画素５1及び第２の画素５2の間で、第１半導体層５１同士及び第２半導体層５３同士は、平面視での輪郭が回転対称の関係にある。
【００７２】
第１半導体層５１及び第２半導体層５３は、図７に示すように、ゲート絶縁膜４３によって表示面３側から覆われている。なお、ゲート絶縁膜４３の材料としては、例えば酸化シリコンなどの材料が採用され得る。
【００７３】
ゲート絶縁膜４３の表示面３側には、平面図である図９に示すように、第１半導体層５１に重なる島状電極５５と、走査線ＧＴ1及びＧＴ2と、データ線ＳＩ1及びＳＩ2とが設けられている。
島状電極５５は、平面図である図１０に示すように、ゲート電極部５５ａと、電極部５５ｂとを有している。ゲート電極部５５ａと電極部５５ｂとは、連接した状態でＹ方向に隣り合っている。
【００７４】
ゲート電極部５５ａは、図８に示す第１半導体層５１のチャネル領域５１ｂに重なっている。電極部５５ｂは、第１半導体層５１の電極部５１ｄに重なっている。電極部５１ｄ及び電極部５５ｂは、容量素子３１の一部を構成している。
走査線ＧＴ1及びＧＴ2のそれぞれには、対応する画素５ごとに、各画素５に向かってＹ方向に分岐する２本のゲート電極部５７が設けられている。各ゲート電極部５７は、図８に示す第２半導体層５３のチャネル領域５３ｂに重なっている。
【００７５】
各画素５に対応する島状電極５５と、この画素５に対応するデータ線ＳＩ1（ＳＩ2）とは、Ｘ方向に隣り合っている。表示装置１では、各画素群２５における２つの島状電極５５は、この画素群２５における第１の画素５1及び第２の画素５2のそれぞれに対応するデータ線ＳＩ1とデータ線ＳＩ2とによってＸ方向に挟まれている。
また、各画素群２５における２つの島状電極５５は、この画素群２５における第１の画素５1及び第２の画素５2のそれぞれに対応する走査線ＧＴ1と走査線ＧＴ2とによってＹ方向に挟まれている。
【００７６】
島状電極５５、走査線ＧＴ1及びＧＴ2、並びにデータ線ＳＩ1及びＳＩ2の材料としては、例えば、アルミニウム、銅、モリブデン、タングステン、クロムなどの金属や、これらを含む合金などが採用され得る。ゲート電極部５５ａ（島状電極５５）、ゲート電極部５７（走査線ＧＴ1及びＧＴ2）並びにデータ線ＳＩ1及びＳＩ2は、図７に示すように、絶縁膜４５によって表示面３側から覆われている。
【００７７】
絶縁膜４５には、平面図である図１１に示すように、各画素５に対応してコンタクトホールＣＨ１，ＣＨ２，ＣＨ３，ＣＨ４，ＣＨ５，ＣＨ６及びＣＨ７が設けられている。
各コンタクトホールＣＨ１は、各データ線ＳＩ1及びＳＩ2に対応して、各データ線ＳＩ1及びＳＩ2に重なる部位に設けられている。各コンタクトホールＣＨ１は、第２半導体層５３のソース領域５３ａとはＸ方向に対峙する部位に設けられている。各コンタクトホールＣＨ１は、対応する各データ線ＳＩ1及びＳＩ2に及んでいる。
【００７８】
各コンタクトホールＣＨ２は、各ソース領域５３ａに対応して、各ソース領域５３ａに重なる部位に設けられている。各コンタクトホールＣＨ２は、各コンタクトホールＣＨ１とはＸ方向に対峙する部位に設けられている。各コンタクトホールＣＨ２は、第２半導体層５３のソース領域５３ａに及んでいる。
【００７９】
各コンタクトホールＣＨ３は、各ドレイン領域５３ｃに対応して、各ドレイン領域５３ｃに重なる部位に設けられている。各コンタクトホールＣＨ３は、第２半導体層５３のドレイン領域５３ｃに及んでいる。
各コンタクトホールＣＨ４は、各電極部５５ｂに対応して、各電極部５５ｂに重なる部位に設けられている。各コンタクトホールＣＨ４は、各コンタクトホールＣＨ３とはＹ方向に対峙する部位に設けられている。各コンタクトホールＣＨ４は、各電極部５５ｂに及んでいる。
【００８０】
コンタクトホールＣＨ５は、各第１半導体層５１の各ドレイン領域５１ｃに対応して、各ドレイン領域５１ｃに重なる部位に２つずつ設けられている。各コンタクトホールＣＨ５は、第１半導体層５１のドレイン領域５１ｃに及んでいる。
各コンタクトホールＣＨ６は、各データ線ＳＩ1及びＳＩ2に対応して、各データ線ＳＩ1及びＳＩ2に重なる部位に設けられている。各コンタクトホールＣＨ６は、Ｘ方向にソース領域５１ａを挟んでゲート電極部５５ａとは対峙する部位に設けられている。各コンタクトホールＣＨ６は、対応する各データ線ＳＩ1及びＳＩ2に及んでいる。
【００８１】
コンタクトホールＣＨ７は、各ソース領域５１ａに対応して、各ソース領域５１ａに重なる部位に２つずつ設けられている。各コンタクトホールＣＨ７は、平面視で、各画素５に対応する各データ線ＳＩ1及びＳＩ2と島状電極５５の電極部５５ｂとの間で、電極部５５ｂとはＸ方向に対峙する部位に設けられている。各コンタクトホールＣＨ７は、第１半導体層５１のソース領域５１ａに及んでいる。
【００８２】
コンタクトホールＣＨ１〜ＣＨ７が設けられた絶縁膜４５の表示面３側には、平面図である図１２に示すように、電源線ＰＷと、ドレイン電極５９と、中継電極６１と、中継電極６３とが設けられている。
各電源線ＰＷは、各画素行２３（図３）をＸ方向にまたぐ長さにわたって一連した状態で設けられている。各電源線ＰＷは、Ｙ方向の幅寸法が、図１２に示すように、Ｙ方向に並ぶ２つのコンタクトホールＣＨ７をまたぐ長さに設定されている。各電源線ＰＷは、各画素行２３における複数のコンタクトホールＣＨ７を覆っている。
【００８３】
各画素５において、電源線ＰＷは、平面視で選択トランジスタ２７と駆動トランジスタ２９との間に位置している。換言すれば、選択トランジスタ２７と駆動トランジスタ２９とは、電源線ＰＷを挟んでＹ方向に対峙している。また、選択トランジスタ２７のソース領域５３ａ、チャネル領域５３ｂ（図８）及びドレイン領域５３ｃは、平面視で電源線ＰＷの外側に位置している。駆動トランジスタ２９のソース領域５１ａの一部と、チャネル領域５１ｂ（図８）と、ドレイン領域５１ｃとは、平面視で電源線ＰＷの外側に位置している。
【００８４】
また、１組の画素群２５における第１の画素５1及び第２の画素５2間で、一方の選択トランジスタ２７と、他方の駆動トランジスタ２９とは、図１２に示すように、Ｘ方向に隣り合っている。１組の画素群２５における第１の画素５1及び第２の画素５2間で、選択トランジスタ２７同士は、Ｙ方向に電源線ＰＷを挟んで互いに反対側に位置している。同様に、１組の画素群２５における第１の画素５1及び第２の画素５2間で、駆動トランジスタ２９同士は、Ｙ方向に電源線ＰＷを挟んで互いに反対側に位置している。
【００８５】
各電源線ＰＷは、図１２中のＥ−Ｅ線における断面図である図１３に示すように、コンタクトホールＣＨ７を介して第１半導体層５１のソース領域５１ａに達している。なお、表示装置１では、各電源線ＰＷからコンタクトホールＣＨ７を介してソース領域５１ａに達している部位が、ソース電極部６５と呼ばれる。
前述したように、各コンタクトホールＣＨ７は、平面視で、各画素５に対応する各データ線ＳＩ1及びＳＩ2と島状電極５５の電極部５５ｂとの間に設けられている。このため、各ソース電極部６５は、平面視で、各画素５に対応する各データ線ＳＩ1及びＳＩ2と島状電極５５の電極部５５ｂとの間に位置している。
【００８６】
ここで、平面視で電源線ＰＷと島状電極５５の電極部５５ｂと第１半導体層５１の電極部５１ｄとが重なる領域に、容量素子３１が形成される。このため、容量素子３１は、第１基板４１及び電源線ＰＷの間に設けられているとみなされ得る。電極部５５ｂ、電極部５１ｄ及び電源線ＰＷは、容量素子３１の一部を構成している。
【００８７】
ドレイン電極５９は、図１２に示すように、各画素５に対応して設けられており、コンタクトホールＣＨ５を覆っている。各ドレイン電極５９は、図７中のＦ部の拡大図である図１４に示すように、コンタクトホールＣＨ５を介して第１半導体層５１のドレイン領域５１ｃに達している。表示装置１では、ドレイン電極５９からコンタクトホールＣＨ５を介してドレイン領域５１ｃに達している部位が、接続部６７と呼ばれる。
【００８８】
中継電極６１は、図１２に示すように、各画素５に対応して設けられている。各中継電極６１は、Ｙ方向に隣り合う２つの画素５間で、一方の画素５に対応するコンタクトホールＣＨ１と、他方の画素５に対応するコンタクトホールＣＨ６とにまたがっている。また、各画素５において、各中継電極６１は、コンタクトホールＣＨ１とコンタクトホールＣＨ２との間にまたがっている。
【００８９】
各中継電極６１は、Ｙ方向に隣り合う２つの画素５のうちの一方に対応するコンタクトホールＣＨ１及びＣＨ２と、２つの画素５のうちの他方に対応するコンタクトホールＣＨ６とを覆っている。これにより、Ｙ方向に隣り合う２つのデータ線ＳＩ1同士が、中継電極６１を介して電気的に接続される。また、Ｙ方向に隣り合う２つのデータ線ＳＩ2同士も、中継電極６１を介して電気的に接続される。
さらに、データ線ＳＩ1と、これに対応する第２半導体層５３のソース領域５３ａとが、中継電極６１を介して電気的に接続される。また、データ線ＳＩ2と、これに対応する第２半導体層５３のソース領域５３ａとが、中継電極６１を介して電気的に接続される。
【００９０】
中継電極６３は、各画素５に対応して設けられており、各画素５に対応するコンタクトホールＣＨ３とコンタクトホールＣＨ４との間にまたがっている。各中継電極６３は、電源線ＰＷの輪郭よりも外側で、これらのコンタクトホールＣＨ３及びＣＨ４を覆っている。これにより、各画素５において、第２半導体層５３のドレイン領域５３ｃと島状電極５５の電極部５５ｂとが、電源線ＰＷの輪郭よりも外側で、中継電極６３を介して電気的に接続される。
【００９１】
電源線ＰＷ、ドレイン電極５９、中継電極６１及び中継電極６３の材料としては、例えば、アルミニウム、銅、モリブデン、タングステン、クロムなどの金属や、これらを含む合金などが採用され得る。ドレイン電極５９、中継電極６１及び中継電極６３は、図７に示すように、絶縁膜４７によって表示面３側から覆われている。なお、電源線ＰＷも、絶縁膜４７によって表示面３側から覆われている。
絶縁膜４７は、絶縁膜４９によって表示面３側から覆われている。
【００９２】
絶縁膜４７及び絶縁膜４９には、コンタクトホールＣＨ８が設けられている。
各コンタクトホールＣＨ８は、図１２に示すように、各画素５に対応して設けられている。各コンタクトホールＣＨ８は、ドレイン電極５９に重なる領域に設けられており、ドレイン電極５９に及んでいる。
なお、各ドレイン電極５９は、Ｘ方向にゲート電極部５５ａとは反対側に延長されている。そして、各コンタクトホールＣＨ８は、平面視でドレイン電極５９の延長された部位に重なっている。これにより、平面視でコンタクトホールＣＨ５とコンタクトホールＣＨ８とが重なっていない。ここで、コンタクトホールＣＨ５とコンタクトホールＣＨ８とは重なっていてもよい。
【００９３】
コンタクトホールＣＨ８が設けられた絶縁膜４９の表示面３側には、図７に示すように、画素５ごとに画素電極３３が設けられている。
各画素電極３３は、平面図である図１５に示すように、Ｙ方向には走査線ＧＴ1及び走査線ＧＴ2にまたがっており、Ｘ方向にはコンタクトホールＣＨ８と、各画素５に対応するデータ線ＳＩ1又はデータ線ＳＩ2とにまたがっている。各画素電極３３は、コンタクトホールＣＨ８を覆っている。
【００９４】
なお、表示装置１では、各画素電極３３からコンタクトホールＣＨ８を介してドレイン電極５９に達している部位が、図１４に示すように、接続部６９と呼ばれる。
画素電極３３の材料としては、銀、アルミニウム、銅などの光反射性を有する金属や、これらを含む合金などが採用され得る。画素電極３３を陽極として機能させる場合には、銀、白金などの仕事関数が比較的高い材料を用いることが好ましい。また、画素電極３３としてＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やインジウム亜鉛酸化物（Indium Zinc Oxide）などを用い、光反射性を有する部材を画素電極３３と第１基板４１との間に設けた構成も採用され得る。
また、絶縁膜４７及び４９の材料としては、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、アクリル系の樹脂などの材料が採用され得る。
【００９５】
隣り合う画素電極３３同士の間には、図７に示すように、各画素５の有効領域を区画するバンク７１が領域７２にわたって設けられている。バンク７１は、隣り合う画素電極３３同士間で絶縁膜４９に及んでいる。バンク７１は、例えば、カーボンブラックやクロムなどの光吸収性が高い材料を含有するアクリル系の樹脂やポリイミドなどの樹脂で構成されており、平面図である図１６に示すように、格子状に設けられている。
【００９６】
バンク７１は、表示領域７にわたって設けられている。このため、表示領域７は、バンク７１によって複数の画素５の有効領域が区画されている。なお、各画素電極３３は、図１６に示すように、周縁部がバンク７１に平面視で重なっている。
ここで、バンク７１には、Ｘ方向に隣り合う画素群２５同士間の部位であるバンク７１ａと、１組の画素群２５内の第１の画素５1及び第２の画素５2間の部位であるバンク７１ｂとが含まれている。バンク７１ｂのＸ方向における幅寸法は、バンク７１ａのＸ方向における幅寸法よりも長く設定されている。
【００９７】
そして、各画素５において、画素電極３３の接続部６９及びコンタクトホールＣＨ８は、図１４及び図１６に示すように、平面視でバンク７１ｂに重なっている。つまり、接続部６９及びコンタクトホールＣＨ８は、平面視でバンク７１ｂに隠されている。
【００９８】
画素電極３３の表示面３側には、図７に示すように、バンク７１に囲まれた領域内に、有機層３５が設けられている。
有機層３５は、各画素５に対応して設けられており、正孔注入層７３と、正孔輸送層７５と、発光層７７とを有している。
正孔注入層７３は、有機材料で構成されており、平面視でバンク７１によって囲まれた領域内で、画素電極３３の表示面３側に設けられている。正孔注入層７３は、液状の有機材料を塗布することによって設けられ得る。
正孔注入層７３の材料としては、３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）等のポリチオフェン誘導体と、ポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）等との混合物が採用され得る。正孔注入層７３の材料としては、ポリスチレン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリアセチレンやこれらの誘導体なども採用され得る。
【００９９】
正孔輸送層７５は、有機材料で構成されており、平面視でバンク７１によって囲まれた領域内で、正孔注入層７３の表示面３側に設けられている。正孔輸送層７５は、液状の有機材料を塗布することによって設けられ得る。
正孔輸送層７５の材料としては、例えば、下記化合物１として示されるＴＦＢなどのトリフェニルアミン系ポリマーを含んだ構成が採用され得る。
【０１００】
【化１】
0005223341.tif 000002
【０１０１】
発光層７７は、有機材料で構成されており、平面視でバンク７１によって囲まれた領域内で、正孔輸送層７５の表示面３側に設けられている。発光層７７は、液状の有機材料を塗布することによって設けられ得る。
Ｒの画素５ｒに対応する発光層７７の材料としては、例えば、下記化合物２として示されるＣＮ−ＰＰＶが採用され得る。
【０１０２】
【化２】
0005223341.tif 000003
【０１０３】
Ｇの画素５ｇに対応する発光層７７の材料としては、例えば、下記化合物３として示されるＦ８ＢＴと、上記化合物１として示されるＴＦＢとを、１：１で混合したものが採用され得る。
【０１０４】
【化３】
0005223341.tif 000004
【０１０５】
Ｂの画素５ｂに対応する発光層７７の材料としては、例えば、下記化合物４として示されるＦ８（ポリジオクチルフルオレン）が採用され得る。
【０１０６】
【化４】
0005223341.tif 000005
【０１０７】
有機層３５の表示面３側には、図７に示すように、共通電極３７が設けられている。共通電極３７は、例えば、ＩＴＯやインジウム亜鉛酸化物等の光透過性を有する材料や、マグネシウム銀等を薄膜化して光透過性を付与したものなどで構成され、有機層３５及びバンク７１を表示面３側から複数の画素５間にわたって覆っている。
なお、表示装置１では、各画素５において発光する領域は、平面視で、バンク７１によって囲まれた領域内で画素電極３３と有機層３５と共通電極３７とが重なる領域であると定義され得る。
【０１０８】
共通電極３７の表示面３側には、補助配線３９が設けられている。補助配線３９は、共通電極３７よりも表示面３側でバンク７１ｂに平面視で重なる領域に設けられている。補助配線３９としては、例えば、アルミニウム、銅、金、銀、モリブデン、タングステン、クロムなどの金属や、これらを含む合金などが採用され得る。
この補助配線３９は、共通電極３７に導通しており、共通電極３７の電気伝導を補助する機能を有している。
【０１０９】
封止基板１３は、第２基板８１を有している。第２基板８１は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料で構成されており、表示面３側に向けられた外向面８２ａと、底面１５側に向けられた対向面８２ｂとを有している。
第２基板８１の対向面８２ｂには、遮光膜８３が設けられている。遮光膜８３は、例えば、カーボンブラックなどを含有する樹脂や、クロムなどの光吸収性が高い材料で構成され得る。遮光膜８３は、マトリクスＭを構成する複数の画素５間にわたって設けられている。つまり、遮光膜８３は、マトリクスＭを構成する複数の画素５に平面視で重なる領域に設けられている。
【０１１０】
遮光膜８３には、各画素群２５を構成する第１の画素５1及び第２の画素５2に平面視で重なる開口部８５が設けられている。
各開口部８５は、遮光膜８３と画素群２５との平面図である図１７に示すように、各画素群２５に対応して設けられている。まお、この図１７では、構成をわかりやすく示すため、遮光膜８３にハッチングが施されている。
【０１１１】
また、第２基板８１の対向面８２ｂには、図７に示すように、開口部８５内の領域を底面１５側から覆うカラーフィルタ８７が設けられている。カラーフィルタ８７は、開口部８５ごとに設けられている。
ここで、カラーフィルタ８７は、入射された光のうち所定の波長域の光を透過させることができる。カラーフィルタ８７は、画素群２５ｒ、画素群２５ｇ及び画素群２５ｂごとに異なる色に着色された樹脂などで構成されている。
【０１１２】
画素群２５ｒに対応するカラーフィルタ８７は、Ｒの光を透過させることができる。画素群２５ｇに対応するカラーフィルタ８７はＧの光を透過させ、画素群２５ｂに対応するカラーフィルタ８７はＢの光を透過させることができる。なお、以下において、各カラーフィルタ８７に対してＲ、Ｇ及びＢが識別される場合に、カラーフィルタ８７ｒ、８７ｇ及び８７ｂという表記が用いられる。
【０１１３】
ここで、表示装置１では、画素５ｒの発光層７７がＲの光を射出する。画素５ｒの発光層７７から射出されたＲの光は、カラーフィルタ８７ｒを透過することによってＲの色純度が高められる。また、画素５ｇの発光層７７から射出されたＧの光は、カラーフィルタ８７ｇを透過することによってＧの色純度が高められ、画素５ｂの発光層７７から射出されたＢの光は、カラーフィルタ８７ｂを透過することによってＢの色純度が高められる。
【０１１４】
遮光膜８３及びカラーフィルタ８７の底面１５側には、オーバーコート層８９が設けられている。オーバーコート層８９は、光透過性を有する樹脂などで構成されており、遮光膜８３及びカラーフィルタ８７を底面１５側から覆っている。
【０１１５】
オーバーコート層８９の底面１５側には、樹脂層９３が設けられている。樹脂層９３は、例えばアクリル系の樹脂やエポキシ系の樹脂などの光透過性を有する材料で構成されており、各画素５に対応してプリズム部９５ａ及び９５ｂが形成されている。表示装置１では、プリズム部９５ａが第１の画素５1に対応し、プリズム部９５ｂが第２の画素５2に対応している。
【０１１６】
上記の構成を有する封止基板１３及び素子基板１１は、樹脂層９３のプリズム部９５ａ及び９５ｂ側と共通電極３７側とが対向した状態で、樹脂層９３と共通電極３７とが接着剤９７を介して接合されている。
表示装置１では、図２に示すシール材１７は、図７に示す第１基板４１の第１面４２ａと、第２基板８１の対向面８２ｂとによって挟持されている。つまり、表示装置１では、接着剤９７が、第１基板４１及び第２基板８１並びにシール材１７によって封止されている。なお、シール材１７は、樹脂層９３及び共通電極３７の間に設けられていてもよい。この場合、接着剤９７は、素子基板１１及び封止基板１３並びにシール材１７によって封止されているとみなされ得る。
【０１１７】
なお、接着剤９７は、樹脂層９３のプリズム部９５ａ及び９５ｂ内に及んでいる。また、接着剤９７の材料としては、光透過性を有し、且つ屈折率が樹脂層９３の屈折率とは異なるものが採用され得る。これにより、各画素５の発光層７７から、対応するプリズム部９５ａ及び９５ｂに至る光を、プリズム部９５ａ及び９５ｂのそれぞれで屈折させることができる。
表示装置１では、樹脂層９３の屈折率が、接着剤９７の屈折率よりも高く設定されている。そして、各プリズム部９５ａ及び９５ｂは、対応する各画素５の発光層７７からの光を開口部８５側へ屈折させるように形状が設定されている。
【０１１８】
上記の構成を有する表示装置１では、発光層７７を画素５ごとに発光させることにより、表示が制御される。発光層７７の発光状態は、各有機層３５を流れる電流を各駆動トランジスタ２９で制御することによって画素５ごとに変化し得る。
【０１１９】
各走査線ＧＴ1（ｈ）には、図６に示すように、制御信号ＣＳ1（ｈ）が供給される。同様に、各走査線ＧＴ2（ｈ）には、制御信号ＣＳ2（ｈ）が供給される。制御信号ＣＳ1（ｈ）と制御信号ＣＳ2（ｈ）とは、交互に供給される。つまり、走査線ＧＴ1（１）に、制御信号ＣＳ1（１）が供給された後に、走査線ＧＴ2（１）に制御信号ＣＳ2（１）が供給される。
【０１２０】
各データ線ＳＩ1（ｊ）には、画像信号ＤＳ1（ｊ）がパラレル信号として供給される。同様に、各データ線ＳＩ2（ｊ）には、画像信号ＤＳ2（ｊ）がパラレル信号として供給される。画像信号ＤＳ1（ｊ）と画像信号ＤＳ2（ｊ）とは、交互に供給される。つまり、データ線ＳＩ1（１）〜ＳＩ1（ｎ）に画像信号ＤＳ1（１）〜ＤＳ1（ｎ）が供給された後に、データ線ＳＩ2（１）〜ＳＩ2（ｎ）に画像信号ＤＳ2（１）〜ＤＳ2（ｎ）が供給される。
【０１２１】
制御信号ＣＳ1（ｈ）及び制御信号ＣＳ2（ｈ）は、図１８に示すように、それぞれ、１フレーム期間内に１回だけ、１フレーム期間よりも短い期間ｔ１にわたってＨｉレベルの選択電位に維持される。あるタイミングで選択電位となり得るのは、制御信号ＣＳ1（ｈ）及び制御信号ＣＳ2（ｈ）のうちの１つだけである。
【０１２２】
走査線ＧＴ1（ｈ）が選択電位となると、この走査線ＧＴ1（ｈ）に対応する複数の第１の画素５1の選択トランジスタ２７がＯＮ状態となる。このとき、データ線ＳＩ1（１）〜ＳＩ1（ｎ）に供給された画像信号ＤＳ1（１）〜ＤＳ1（ｎ）が、選択トランジスタ２７を介して、駆動トランジスタ２９のゲート電極部５５ａ及び電極部５５ｂ（図１２）に供給される。つまり、第１の画素５1において、ゲート電極部５５ａ及び電極部５５ｂは、画像信号ＤＳ1（ｊ）の電位に応じた電位となる。
【０１２３】
同様に、走査線ＧＴ2（ｈ）が選択電位となると、この走査線ＧＴ2（ｈ）に対応する複数の第２の画素５2の選択トランジスタ２７がＯＮ状態となる。このとき、データ線ＳＩ2（１）〜ＳＩ2（ｎ）に供給された画像信号ＤＳ2（１）〜ＤＳ2（ｎ）が、選択トランジスタ２７を介して、駆動トランジスタ２９のゲート電極部５５ａ及び電極部５５ｂ（図１２）に供給される。つまり、第２の画素５2において、ゲート電極部５５ａ及び電極部５５ｂは、画像信号ＤＳ2（ｊ）の電位に応じた電位となる。
【０１２４】
このとき、駆動トランジスタ２９のゲート電極部５５ａの電位に応じた電流が、電源線ＰＷ（ｈ）からソース領域５１ａ及びチャネル領域５１ｂを介してドレイン領域５１ｃに流れる。
そして、電源線ＰＷ（ｈ）からの電流は、ドレイン電極５９及び画素電極３３を経て有機層３５（図７）を流れる。
他方で、電極部５５ｂ及び電源線ＰＷ（ｈ）の間（図１３）と、電極部５５ｂ及び電極部５１ｄの間とには、電荷が蓄積されるので、駆動トランジスタ２９のゲート電極部５５ａの電位は、一定期間だけ保持される。この結果、ゲート電極部５５ａの電位が保持されている期間において、電流が有機層３５を流れつづける。
【０１２５】
このように、表示装置１では、画像信号ＤＳ1（ｊ）や画像信号ＤＳ2（ｊ）の電位に応じた電流が有機層３５を流れるので、画素５ごとに発光層７７からの光を画像信号ＤＳ1（ｊ）の電位に応じた輝度に制御することができる。これにより、表示装置１では、階調表示が行われ得る。
また、表示装置１では、第１の画素５1及び第２の画素５2ごとに、画像信号ＤＳ1（ｊ）と画像信号ＤＳ2（ｊ）とを異なるタイミングで供給することができる。このため、第１の画像に対応する画像信号ＤＳ1（ｊ）と、第２の画像に対応する画像信号ＤＳ2（ｊ）とをわけて処理することができる。この結果、第１の画像に対応する画像信号ＤＳ1（ｊ）と、第２の画像に対応する画像信号ＤＳ2（ｊ）とを合成して同じタイミングで供給するための処理を省略することができる。
【０１２６】
ここで、表示装置１は、前述したように、画素群２５ごとに開口部８５が設けられた遮光膜８３を有している。各第１の画素５1の発光層７７からの光は、開口部８５を介して表示面３に向けて射出される。
このとき、各第１の画素５1から表示面３側に向けて射出された光１１１ａは、複数組の画素群２５及び遮光膜８３を模式的に示す断面図である図１９に示すように、各開口部８５を介して第１の範囲１１３に及ぶ。
また、各第２の画素５2から表示面３側に向けて射出された光１１１ｂは、各開口部８５を介して第２の範囲１１５に及ぶ。なお、図１９に示す断面は、図１中のＡ−Ａ線における断面に相当している。
【０１２７】
第１の範囲１１３からは、開口部８５を介して第１の画素５1からの光１１１ａが視認され得る。第２の範囲１１５からは、開口部８５を介して第２の画素５2からの光１１１ｂが視認され得る。第１の範囲１１３内に視点があれば、複数の第１の画素５1からの光１１１ａによって形成される第１の画像が視認され得る。第２の範囲１１５内に視点があれば、複数の第２の画素５2からの光１１１ｂによって形成される第２の画像が視認され得る。つまり、表示装置１では、第１の画像を第１の範囲１１３に表示し、第２の画像を、第１の範囲１１３とは異なる第２の範囲１１５に表示する所謂指向性表示を行うことができる。
【０１２８】
第１の範囲１１３及び第２の範囲１１５は、互いに重複する範囲１１７を有している。この範囲１１７からは、第１の画像と第２の画像とが重畳した状態で視認される。第１の範囲１１３から範囲１１７を除いた範囲１１９ａ（以下、適視範囲１１９ａと呼ぶ）からは、第１の画像だけが視認され得る。また、第２の範囲１１５から範囲１１７を除いた範囲１１９ｂ（以下、適視範囲１１９ｂと呼ぶ）からは、第２の画像だけが視認され得る。
【０１２９】
表示装置１は、複数の第１の画素５1から射出された光１１１ａが第１の範囲１１３の両端のそれぞれにおいて交差し、複数の第２の画素５2から射出された光１１１ｂが第２の範囲１１５の両端のそれぞれにおいて交差するように構成されている。これは、Ｘ方向に隣り合う開口部８５同士間の間隔Ｐａを、Ｘ方向に隣り合う画素群２５同士間の間隔Ｐｂよりも短く設定することによって実現され得る。
これにより、適視範囲１１９ａ内にある任意の視点から視認される光の量を、複数の第１の画素５1間で同等にすることができる。同様に、適視範囲１１９ｂ内にある任意の視点から視認される光の量を、複数の第２の画素５2間で同等にすることができる。
【０１３０】
表示装置１において、遮光膜８３が遮光層に対応し、画素電極３３が第１電極に対応し、共通電極３７が第２電極に対応し、駆動トランジスタ２９がトランジスタに対応し、選択トランジスタ２７がスイッチング素子に対応し、走査線ＧＴ1及び走査線ＧＴ2が制御線に対応し、データ線ＳＩ1及びデータ線ＳＩ2が信号線に対応し、ソース電極部６５及びコンタクトホールＣＨ７が接続部に対応し、接続部６９及びコンタクトホールＣＨ８が第２接続部に対応し、バンク７１ｂが第２遮光層に対応し、Ｘ方向が第１方向に対応し、Ｙ方向が第２方向に対応している。
【０１３１】
表示装置１では、遮光膜８３が第２基板８１に設けられている。つまり、遮光膜８３は、第１基板４１と第２基板８１との間に介在している。このため、遮光膜８３が素子基板１１及び封止基板１３の外側に配置される場合に比較して、複数の画素５と遮光膜８３との間の距離を短縮することができる。従って、指向性表示における適視範囲１１９ａや適視範囲１１９ｂを拡大しやすくすることができる。
【０１３２】
また、表示装置１では、電源線ＰＷがＸ方向に延びている。このため、例えば、Ｘ方向に隣り合う画素５同士間に沿ってＹ方向に電源線ＰＷが延びる場合に比較して、Ｘ方向における画素５同士間の間隔を縮めやすくすることができる。これにより、Ｘ方向における画素密度を高めやすくすることができる。この結果、指向性表示における高精細化を図りやすくすることができる。
【０１３３】
また、表示装置１では、発光層７７からの光が封止基板１３を介して表示面３から射出されるトップエミッション型の有機ＥＬ装置が採用されている。
ここで、発光層７７からの光が素子基板１１の第１基板４１を経て射出されるボトムエミッション型を採用した場合、発光層７７と遮光膜８３との間に第１基板４１が介在することになる。このため、ボトムエミッション型では、発光層７７と遮光膜８３との間の距離を短縮することが困難になる。
ところが、表示装置１では、トップエミッション型が採用されているので、発光層７７と遮光膜８３との間の距離を短縮しやすくすることができる。
【０１３４】
また、表示装置１では、選択トランジスタ２７や駆動トランジスタ２９が発光層７７よりも底面１５側に設けられている。他方で、発光層７７からの光は、封止基板１３を介して表示面３から射出される。つまり、選択トランジスタ２７や駆動トランジスタ２９は、発光層７７から表示面３側に向かう光の進行を妨げない。従って、発光層７７からの光の利用効率を高めやすくすることができる。他方で、選択トランジスタ２７や駆動トランジスタ２９などの平面視での配置位置の自由度を高めやすくすることができる。
【０１３５】
また、表示装置１では、発光層７７と遮光膜８３との間に樹脂層９３が介在している。樹脂層９３では、ガラスや石英などの脆性材料に比較して厚みを容易に調整することができる。このため、表示装置１では、樹脂層９３の厚みを調整することで、適視範囲１１９ａや適視範囲１１９ｂを調整しやすくすることができる。
【０１３６】
また、表示装置１では、樹脂層９３にプリズム部９５ａ及び９５ｂが設けられている。このため、発光層７７からの光を各開口部８５へ導きやすくすることができる。これにより、光の利用効率を一層高めやすくすることができる。
【０１３７】
また、表示装置１では、複数の発光層７７は、画素５ごとにＲの光を発する発光層７７と、Ｇの光を発する発光層７７と、Ｂの光を発する発光層７７とにわけられている。このため、指向性表示においてカラー表示を行うことができる。
【０１３８】
また、表示装置１では、開口部８５ごとにカラーフィルタ８７が設けられている。各開口部８５は、各画素群２５に対応している。このため、各画素群２５を構成する第１の画素５1と第２の画素５2とに１つのカラーフィルタ８７を共用させることができる。
また、各カラーフィルタ８７が各開口部８５内に設けられているので、表示装置１の厚みを低減しやすくすることができる。
【０１３９】
また、表示装置１では、容量素子３１が第１基板４１及び電源線ＰＷの間に設けられており、且つ平面視で電源線ＰＷに重なっているので、各画素５の領域を縮小しやすくすることができる。これにより、画素密度を一層高めやすくすることができ、指向性表示における高精細化を一層図りやすくすることができる。
【０１４０】
また、表示装置１では、各画素５において選択トランジスタ２７及び駆動トランジスタ２９が、平面視でＹ方向に電源線ＰＷを挟んで対峙する位置に設けられている。このため、選択トランジスタ２７及び駆動トランジスタ２９の間に容量素子３１を設けやすくすることができる。この結果、各画素５の領域を縮小しやすくすることができる。
【０１４１】
また、表示装置１では、駆動トランジスタ２９のソース領域５１ａと、チャネル領域５１ｂと、ドレイン領域５１ｃとが、Ｘ方向に並んでいる。そして、選択トランジスタ２７のソース領域５３ａと、チャネル領域５３ｂと、ドレイン領域５３ｃとが、Ｘ方向に並んでいる。このため、選択トランジスタ２７及び駆動トランジスタ２９の間の領域を広げやすくすることができる。これにより、選択トランジスタ２７及び駆動トランジスタ２９の間に容量素子３１を一層設けやすくすることができる。
【０１４２】
また、表示装置１では、駆動トランジスタ２９において、島状電極５５がゲート電極部５５ａと電極部５５ｂとを有し、第１半導体層５１が電極部５１ｄを有している。電極部５５ｂと電極部５１ｄとは、互いに対向しているとともに、平面視で電源線ＰＷに重なっている。そして、電極部５５ｂが選択トランジスタ２７のドレイン領域５３ｃに電気的につながっており、電極部５１ｄが電源線ＰＷに電気的につながっている。このため、電極部５５ｂ、電極部５１ｄ及び電源線ＰＷに、容量素子３１の一部を構成させることができる。
【０１４３】
他方で、島状電極５５のゲート電極部５５ａと、第１半導体層５１のソース領域５１ａ、チャネル領域５１ｂ及びドレイン領域５１ｃとは、駆動トランジスタ２９を構成している。つまり、表示装置１では、駆動トランジスタ２９と容量素子３１とを共用することができる。この結果、各画素５の領域を一層縮小しやすくすることができ、指向性表示における高精細化を一層図りやすくすることができる。
【０１４４】
また、表示装置１では、第１半導体層５１のドレイン領域５１ｃが、平面視で電源線ＰＷの外側に設けられている。そして、第１半導体層５１のドレイン領域５１ｃと各画素電極３３とが、平面視で電源線ＰＷの外側で電気的につながっている。このため、電源線ＰＷに阻害されることなく、各駆動トランジスタ２９と各画素電極３３とを電気的につなげることができる。
【０１４５】
また、表示装置１では、１組の画素群２５における第１の画素５1及び第２の画素５2間で、第１半導体層５１のドレイン領域５１ｃ同士が、平面視で電源線ＰＷを挟んで互いに反対側に位置している。このため、これらの第１の画素５1及び第２の画素５2間で、第１半導体層５１のドレイン領域５１ｃ同士を遠ざけやすくすることができる。従って、これらの第１の画素５1及び第２の画素５2間で、コンタクトホールＣＨ８同士を遠ざけやすくすることができる。これにより、これらの第１の画素５1及び第２の画素５2において、各コンタクトホールＣＨ８の平面視での領域を拡大しやすくすることができる。この結果、各接続部６９の平面視での領域を拡大しやすくすることができ、各接続部６９における電気伝導を向上させやすくすることができる。
【０１４６】
また、表示装置１では、走査線ＧＴ1が第１の画素５1に対応しており、走査線ＧＴ2が第２の画素５2に対応して設けられている。このため、複数の選択トランジスタ２７を、第１の画素５1及び第２の画素５2ごとに異なるタイミングでＯＮ状態にすることができる。これにより、第１の画素５1及び第２の画素５2ごとに、画像信号ＤＳ1（ｊ）と画像信号ＤＳ2（ｊ）とを異なるタイミングで供給することができる。この結果、第１の画像に対応する画像信号ＤＳ1（ｊ）と、第２の画像に対応する画像信号ＤＳ2（ｊ）とをわけて処理することができる。
【０１４７】
また、表示装置１では、１組の画素群２５における第１の画素５1及び第２の画素５2において、各選択トランジスタ２７及び各駆動トランジスタ２９が、これらの第１の画素５1及び第２の画素５2に対応するデータ線ＳＩ1及びデータ線ＳＩ2の間に位置している。このため、これらの第１の画素５1及び第２の画素５2のＸ方向における間隔を縮めやすくすることができる。
【０１４８】
また、表示装置１では、電源線ＰＷが、Ｘ方向に隣り合う画素群２５同士の間をまたいでいる。Ｘ方向に隣り合う画素群２５同士の間には、２つのデータ線ＳＩ1及びＳＩ2がＹ方向に延びている。電源線ＰＷは、これら２つのデータ線ＳＩ1及びＳＩ2をＸ方向にまたいでいる。
ここで、２つのデータ線ＳＩ1及びＳＩ2間には、寄生容量が形成されやすい。ところが、表示装置１では、電源線ＰＷがこれら２つのデータ線ＳＩ1及びＳＩ2をまたいでいるので、電源線ＰＷとデータ線ＳＩ1との間、及び電源線ＰＷとデータ線ＳＩ2との間のそれぞれの間に容量が形成されやすい。このため、これらの２つのデータ線ＳＩ1及びＳＩ2間の電気的な干渉を軽減しやすくすることができ、表示品位の向上が図られる。
【０１４９】
また、表示装置１では、コンタクトホールＣＨ７及びソース電極部６５が、平面視で各画素５に対応する各データ線ＳＩ1及びＳＩ2と島状電極５５の電極部５５ｂとの間に設けられている。このため、容量素子３１と各データ線ＳＩ1及びＳＩ2との間の電気的な干渉を軽減しやすくすることができ、表示品位の向上が図られる。
【０１５０】
また、表示装置１では、画素電極３３の接続部６９及びコンタクトホールＣＨ８が、平面視でバンク７１ｂに重なっている。このため、平面視で、接続部６９及びコンタクトホールＣＨ８をバンク７１ｂで隠しやすくすることができる。
【０１５１】
また、表示装置１では、補助配線３９とバンク７１とが平面視で重なっている。このため、補助配線３９は、各発光層７７から表示面３側に向かう光の進行を妨げない。従って、補助配線３９には、遮光性を有する材料を採用することができる。また、補助配線３９の厚みを厚くすることができる。このため、補助配線３９の電気伝導を向上させることが可能となる。
【０１５２】
また、表示装置１では、バンク７１ｂのＸ方向における幅寸法が、バンク７１ａのＸ方向における幅寸法よりも長い。バンク７１ｂは、１組の画素群２５における第１の画素５1及び第２の画素５2間に位置している。つまり、バンク７１ｂは、平面視で各開口部８５に重なっている。
ここで、バンク７１ｂのＸ方向における幅寸法を長くすれば、指向性表示において第１の画像と第２の画像とが重畳する範囲１１７を狭めることができる。従って、表示装置１では、指向性表示における適視範囲１１９ａや適視範囲１１９ｂを拡大しやすくすることができる。
【０１５３】
また、表示装置１では、補助配線３９が、平面視でバンク７１ｂに重なる領域に設けられている。このため、補助配線３９を平面視でバンク７１ａに重なる領域に設ける構成に比較して、補助配線３９のＸ方向における幅寸法を広げることができる。この結果、補助配線３９の電気伝導を一層向上させることができる。
【０１５４】
なお、表示装置１では、選択トランジスタ２７としてＮチャネル型のＴＦＴ素子が採用され、駆動トランジスタ２９としてＰチャネル型のＴＦＴ素子が採用されている。しかしながら、選択トランジスタ２７は、Ｎチャネル型のＴＦＴ素子に限定されず、Ｐチャネル型のＴＦＴ素子も採用され得る。また、駆動トランジスタ２９は、Ｐチャネル型のＴＦＴ素子に限定されず、Ｎチャネル型のＴＦＴ素子も採用され得る。
【０１５５】
また、表示装置１では、選択トランジスタ２７のドレイン領域５３ｃと、駆動トランジスタ２９の電極部５５ｂとが電気的につながった構成が採用されているが、選択トランジスタ２７と駆動トランジスタ２９との間の構成は、これに限定されない。選択トランジスタ２７のドレイン領域５３ｃと、駆動トランジスタ２９の電極部５５ｂとの間に、新たな容量素子を介在させた構成も採用され得る。
【０１５６】
また、表示装置１では、液状の有機材料を塗布することによって有機層３５を設ける所謂塗布法の場合を例に説明したが、有機層３５の形成は塗布法に限定されず、例えば蒸着技術を活用した蒸着法も採用され得る。
【０１５７】
また、表示装置１では、画素５ごとに選択トランジスタ２７や駆動トランジスタ２９が設けられた所謂アクティブマトリクス型を例に説明したが、表示装置１はこれに限定されず、パッシブマトリクス型も採用され得る。パッシブマトリクス型が採用された表示装置１０では、素子基板２０は、図２０に示すように、第１基板４１と、複数の第１電極１３１と、有機層３５と、バンク７１と、複数の第２電極１３３とを有している。なお、表示装置１０は、素子基板２０を除いては表示装置１と同様の構成を有している。従って、以下においては、表示装置１の構成に対応する構成に同一の符号を付して、詳細の説明を省略する。
【０１５８】
各第１電極１３１は、第１基板４１と有機層３５との間で、それぞれがＹ方向に帯状に延びている。複数の第１電極１３１は、互いに間隔をあけてＸ方向に並んでいる。
各第２電極１３３は、有機層３５と封止基板１３との間で、それぞれがＸ方向に帯状に延びている。複数の第２電極１３３は、互いに間隔をあけてＸ方向に並んでいる。
各第１電極１３１と各第２電極１３３とは、有機層３５を挟んで互いに交差している。そして、表示装置１０では、各画素５の領域は、平面視で、バンク７１に囲まれた領域と、各第１電極１３１と、各第２電極１３３とが重なる領域であると定義され得る。
【０１５９】
また、表示装置１や表示装置１０では、開口部８５ごとにカラーフィルタ８７を設けた構成が採用されているが、これに限定されず、カラーフィルタ８７を省略した構成も採用され得る。表示装置１や表示装置１０では、複数の発光層７７が、画素５ごとにＲの光を発する発光層７７と、Ｇの光を発する発光層７７と、Ｂの光を発する発光層７７とにわけられているので、カラーフィルタ８７が省略されていても、カラー表示を行うことができる。
【０１６０】
また、表示装置１や表示装置１０では、複数の発光層７７が、画素５ごとにＲの光を発する発光層７７と、Ｇの光を発する発光層７７と、Ｂの光を発する発光層７７とにわけられている場合を例に説明したが、表示装置１の構成はこれに限定されない。表示装置１としては、Ｒ、Ｇ及びＢのそれぞれの光を発する発光層７７に替えて、白色光を発する発光層７７を有する構成が採用され得る。表示装置１には、開口部８５ごとに異なるカラーフィルタ８７ｒ、８７ｇ及び８７ｂが設けられているので、すべての発光層７７からの光が白色であっても、カラー表示を行うことができる。
【０１６１】
この場合、表示装置１や表示装置１０において、有機層３５は、複数の画素５間にわたって一連した状態で設けられ得る。有機層３５が複数の画素５間にわたって一連した状態で設けられている場合、表示装置１では、各画素５の領域は、平面視で画素電極３３と共通電極３７とが重なる領域であると定義され得る。
また、有機層３５が複数の画素５間にわたって一連した状態で設けられている場合、表示装置１０では、各画素５の領域は、図２１に示すように、各第１電極１３１と各第２電極１３３とが重なる領域であると定義され得る。
なお、図２０及び図２１では、構成をわかりやすく示すため、各画素５の領域にハッチングが施されている。
【０１６２】
表示装置１や表示装置１０では、複数組の画素群２５が、図５に示すように、Ｘ方向及びＹ方向のそれぞれの方向に沿ってマトリクス状に配列した場合を例に説明したが、複数組の画素群２５の配列はこれに限定されない。複数組の画素群２５の配列は、例えば、図２２に示すように、Ｙ方向にシグザグに並んだ配列も採用され得る。図２２に示す配列の場合、図４に示す第１の画素５1と第２の画素５2とは、Ｘ方向に交互に並んでいるとともに、Ｙ方向にも交互に並んでいる。
【０１６３】
この場合、表示装置１や表示装置１０では、遮光膜８３の各開口部８５は、図２３に示すように、画素群２５ごとに設けられる。従って、複数組の画素群２５がＹ方向にシグザグに並んだ構成では、複数の開口部８５もＹ方向にシグザグに並んでいる。このため、複数組の画素群２５がＸ方向及びＹ方向のそれぞれの方向に沿ってマトリクス状に配列した場合に比較して、斜めに隣り合う開口部８５同士間の距離を短くすることができる。この結果、第１の画像及び第２の画像のそれぞれの表示における斜め方向の解像度を高めやすくすることができ、指向性表示における高精細化を一層図りやすくすることができる。
【０１６４】
また、表示装置１に対して複数組の画素群２５がＹ方向にシグザグに並んだ構成を適用した表示装置１００では、図２４に示すように、Ｙ方向に対して斜めに隣り合う画素群２５同士間で、走査線ＧＴ1及び走査線ＧＴ2を共用することができる。
表示装置１では、走査線ＧＴ1及び走査線ＧＴ2が画素行２３ごとに設けられている。これに対し、表示装置１００では、１つの走査線ＧＴ1又は走査線ＧＴ2を、Ｙ方向に隣り合う画素行２３同士に共用させることができる。このため、表示装置１００では、表示装置１に比較して、走査線ＧＴ1及び走査線ＧＴ2の数を軽減することができる。
【０１６５】
また、表示装置１００では、１つの画素列２１（図３）に第１の画素５1と第２の画素５2とが含まれている。このため、各画素列２１に対応して設けられる各データ線ＳＩは、第１の画素５1及び第２の画素５2のそれぞれに対応付けられていない。つまり、各データ線ＳＩは、第１の画素５1と第２の画素５2とによって共用されている。
【０１６６】
なお、表示装置１００においても、カラーフィルタ８７を省略した構成が採用され得る。表示装置１００においてカラーフィルタ８７を省略した構成が採用されても、表示装置１や１０と同様に、カラー表示を行うことができる。
表示装置１００においてカラーフィルタ８７が省略されている場合、図３に示す画素列２１ｒ、画素列２１ｇ及び画素列２１ｂが、この順で１列ずつＸ方向に沿って反復して並んでいることが、各データ線ＳＩ1及びＳＩ2に供給するデータ配列の変換を軽減できる点で好ましい。
【０１６７】
なお、表示装置１、１０及び１００、並びにこれらからカラーフィルタ８７を省略した構成では、それぞれ、樹脂層９３にプリズム部９５ａ及び９５ｂが設けられた構成を例に説明したが、樹脂層９３の構成はこれに限定されない。樹脂層９３は、図２５に示すように、レンズ部１４１が設けられた構成も採用され得る。この場合、接着剤９７の材料として、屈折率が樹脂層９３の屈折率よりも大きいものが採用され得る。
【０１６８】
上述した表示装置１、１０及び１００、並びにこれらからカラーフィルタ８７を省略した構成は、それぞれ、例えば、図２６に示す電子機器５００の表示部５１０に適用され得る。この電子機器５００は、カーナビゲーションシステム用の表示機器である。電子機器５００では、表示装置１、１０若しくは１００、又はこれらからカラーフィルタ８７を省略した構成が適用された表示部５１０によって、例えば、運転席側から第１の画像として地図などの画像が視認され、助手席側から第２の画像として映画などの画像が視認され得る。
また、表示部５１０として表示装置１、１０若しくは１００、又はこれらからカラーフィルタ８７を省略した構成が適用されているので、指向性表示における適視範囲１１９ａや適視範囲１１９ｂを拡大しやすくすることができる。
【０１６９】
さらに、電子機器５００では、表示装置１、１０若しくは１００、又はこれらからカラーフィルタ８７を省略した構成において、Ｘ方向における画素密度を高めやすくすることができるので、指向性表示における高精細化が図られる。
なお、電子機器５００としては、カーナビゲーションシステム用の表示機器に限られず、携帯電話機、モバイルコンピュータ、デジタルスチルカメラ、デジタルビデオカメラ、車載機器、オーディオ機器等の種々の電子機器が挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【０１７０】
【図１】本発明の実施形態における表示装置を示す平面図。
【図２】図１中のＡ−Ａ線における断面図。
【図３】本実施形態における複数の画素の一部を示す平面図。
【図４】実施形態における複数の画素の一部を示す平面図。
【図５】実施形態における複数組の画素群の配列を説明する平面図。
【図６】実施形態における表示装置の回路構成を示す図。
【図７】図４中のＣ−Ｃ線における断面図。
【図８】実施形態における第１半導体層及び第２半導体層を示す平面図。
【図９】実施形態における第１半導体層と第２半導体層と島状電極と走査線とデータ線とを示す平面図。
【図１０】実施形態における島状電極と走査線とデータ線とを示す平面図。
【図１１】実施形態におけるコンタクトホールを示す平面図。
【図１２】実施形態における選択トランジスタと駆動トランジスタと走査線とデータ線と電源線とドレイン電極と中継電極とを示す平面図。
【図１３】図１２中のＥ−Ｅ線における断面図。
【図１４】図７中のＦ部の拡大図。
【図１５】実施形態における画素電極を示す平面図。
【図１６】実施形態におけるバンクの一部を示す平面図。
【図１７】実施形態における遮光膜と画素群とを示す平面図。
【図１８】実施形態における各走査線に供給される制御信号のタイミングチャート。
【図１９】実施形態における複数組の画素群及び遮光膜を模式的に示す断面図。
【図２０】実施形態における表示装置の他の例における主要構成を示す分解斜視図。
【図２１】実施形態における表示装置のさらに他の例における主要構成を示す分解斜視図。
【図２２】実施形態における複数組の画素群の配列の他の例を示す平面図。
【図２３】実施形態における遮光膜の他の例を示す平面図。
【図２４】実施形態における表示装置の別の例における回路構成を示す図。
【図２５】実施形態における表示装置のさらに別の例を示す断面図。
【図２６】本実施形態における表示装置を適用した電子機器の斜視図。
【図２７】従来技術を説明する断面図。
【図２８】従来技術を説明する断面図。
【符号の説明】
【０１７１】
１，１０，１００…表示装置、３…表示面、５，５ｒ，５ｇ，５ｂ…画素、５1…第１の画素、５2…第２の画素、７…表示領域、１１，２０…素子基板、１３…封止基板、２５…画素群、２７…選択トランジスタ、２９…駆動トランジスタ、３１…容量素子、３３…画素電極、３５…有機層、３７…共通電極、３９…補助配線、４１…第１基板、５１…第１半導体層、５１ａ…ソース領域、５１ｂ…チャネル領域、５１ｃ…ドレイン領域、５１ｄ…電極部、５３…第２半導体層、５３ａ…ソース領域、５３ｂ…チャネル領域、５３ｃ…ドレイン領域、５５…島状電極、５５ａ…ゲート電極部、５５ｂ…電極部、５７…ゲート電極部、５９…ドレイン電極、６５…ソース電極部、６７…接続部、６９…接続部、７１…バンク、７１ａ…バンク、７１ｂ…バンク、７７…発光層、８１…第２基板、８３…遮光膜、８５…開口部、８７，８７ｒ，８７ｇ，８７ｂ…カラーフィルタ、９３…樹脂層、９５ａ，９５ｂ…プリズム部、９７…接着剤、１１３…第１の範囲、１１５…第２の範囲、１１７…範囲、１１９ａ，１１９ｂ…適視範囲、１３１…第１電極、１３３…第２電極、１４１…レンズ部、５００…電子機器、５１０…表示部、ＣＨ１〜ＣＨ８…コンタクトホール、Ｍ…マトリクス、ＧＴ1，ＧＴ2…走査線、ＳＩ，ＳＩ1，ＳＩ2…データ線、ＰＷ…電源線。
【図１】
0005223341.tif 000006
【図２】
0005223341.tif 000007
【図３】
0005223341.tif 000008
【図４】
0005223341.tif 000009
【図５】
0005223341.tif 000010
【図６】
0005223341.tif 000011
【図７】
0005223341.tif 000012
【図８】
0005223341.tif 000013
【図９】
0005223341.tif 000014
【図１０】
0005223341.tif 000015
【図１１】
0005223341.tif 000016
【図１２】
0005223341.tif 000017
【図１３】
0005223341.tif 000018
【図１４】
0005223341.tif 000019
【図１５】
0005223341.tif 000020
【図１６】
0005223341.tif 000021
【図１７】
0005223341.tif 000022
【図１８】
0005223341.tif 000023
【図１９】
0005223341.tif 000024
【図２０】
0005223341.tif 000025
【図２１】
0005223341.tif 000026
【図２２】
0005223341.tif 000027
【図２３】
0005223341.tif 000028
【図２４】
0005223341.tif 000029
【図２５】
0005223341.tif 000030
【図２６】
0005223341.tif 000031
【図２７】
0005223341.tif 000032
【図２８】
0005223341.tif 000033