(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
インクを吐出するために利用される吐出エネルギーを発生するエネルギー発生素子と、前記エネルギー発生素子にインクを供給するためのインク供給口と、を有する基板と、
前記インク供給口から供給されたインクを前記エネルギー発生素子へ供給するインク流路と、
前記インク供給口と前記インク流路との間に配置された柱状壁と、
を備えるインクジェット記録ヘッドにおいて、
前記柱状壁は、第１の柱状壁部と、前記第１の柱状壁部よりも前記基板側に位置して前記第１の柱状壁部の端面に形成され、前記第１の柱状壁部よりも小さい径の第２の柱状壁部と、を有し、
前記第１の柱状壁部の前記端面と、該端面に交差する、前記第２の柱状壁部の側面とは共に、前記基板に形成される第１の層と接合されており、前記第２の柱状壁部の端面は、前記第１の層よりも前記基板側に形成される第２の層と接合されていることを特徴とするインクジェット記録ヘッド。
【請求項２】
前記第１の層はシリコン窒化膜であり、前記第２の層はプラズマ酸化膜である、請求項１に記載のインクジェット記録ヘッド。
【請求項３】
前記柱状壁はインクを吐出する吐出口を形成する部材と同一材料で形成されている、請求項１または２に記載のインクジェット記録ヘッド。
【請求項４】
前記柱状壁及び前記吐出口を形成する部材はエポキシ樹脂のカチオン重合化合物により形成されている、請求項３に記載のインクジェット記録ヘッド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インクを吐出させて被記録媒体に記録を行うインクジェット記録ヘッドに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年のインクジェット記録ヘッドは、基本的に以下の構造を有するものが多い。すなわち、ヒータやピエゾ素子等の吐出エネルギー発生素子を形成した基板上に樹脂膜を形成し、その樹脂内に流路を任意数の吐出エネルギー発生素子に対応するように形成した後、各流路を樹脂表面に連通させて吐出口が形成された構造を有する。このヘッド構造は、インク吐出量に影響するヒータと吐出口の距離を樹脂の膜厚によって決定できる。このため、微小量のインクを吐出する高精細記録用ヘッドの製造に適しているからである。
【０００３】
製造されたインクジェット記録ヘッドは製造後、袋詰めされて物流し、開封して使用されるまでに、吐出口からインクが漏れ出さないよう、粘着性の保護テープによって保護すること方法が特許文献１、特許文献２に開示されている。より安価にインクジェット記録ヘッドを供給する上では、部品点数を減らすことが可能であり、有効な方法である。
【０００４】
しかし近年のインクジェット記録ヘッドは、特に吐出口周辺は内部にインク流路やヒータなどがあるため中空構造となり、その結果、吐出口を形成している樹脂部が外力に対して脆弱になっている。
【０００５】
そのため、保護テープを貼ると、テープを剥す際にその引き剥がし力によって吐出口周辺にクラックが入ったり、甚だしい場合には保護テープの粘着剤によって、吐出口面を形成するオリフィスプレートが剥がれたりしてしまうことがあった。
【０００６】
一方でインク供給口から入り込んだゴミにより吐出口を塞ぐことで、吐出不良が生じる場合があった。その対策として特許文献３ではインク供給口に対し、柱状壁を設けることで、ゴミの浸入を防ぐ方法が提案されている。この柱状壁を形成することで、さらに、中空構造である吐出口を形成している樹脂プレートの機械的強度を増す効果が見込まれる。
【０００７】
図６に、従来のインクジェット記録ヘッドの一例の模式的断面図を示す。
【０００８】
図６に示すインクジェット記録ヘッドは以下の製造方法により製造される。
【０００９】
まず、シリコン基板１０１を熱酸化することにより酸化シリコン膜１０２が形成されている。さらに、その酸化シリコン膜１０２上にはシリコン窒化膜が減圧ＣＶＤにより堆積して形成されている。
【００１０】
次に、シリコン窒化膜を液供給口の表面側開口幅に対応する所望のパターンにパターニングし、このとき、裏面に堆積したシリコン窒化膜は除去する。
【００１１】
次に、熱酸化により酸化シリコン膜を形成する。
【００１２】
次に配線電極との層間膜となるＰＳＧ膜、ＢＰＳＧ膜等の酸化層間膜６を５００ｎｍ〜１０００ｎｍ堆積し、これを所望のパターンに加工する。
【００１３】
次にＡｌ犠牲層を堆積し所望のパターンに加工する。この段階で液体の吐出を駆動する能動素子が完成されている。
【００１４】
次にプラズマＣＶＤ法によりプラズマ酸化膜７を堆積し、所望のパターンに加工する。
【００１５】
次に図３Ｂの（ｅ）で示すように、Ｔａ−Ｓｉをターゲットとして１０ｎｍ〜１００ｎｍ程度、反応性スパッタ法により堆積させ発熱抵抗体１０９として、それを所望のパターンに加工する。そして、発熱抵抗体の配線電極となるＡｌ−Ｃｕ膜１１０をその上に堆積し所望のパターンに加工する。
【００１６】
次に、保護膜となるシリコン窒化膜１１１をプラズマＣＶＤ法により堆積させて形成する。
【００１７】
次に表面にノズル流路となる型材料であるポジ型レジストをパターニングする。ここで形成されたパターンが、フィルタである柱上壁、インク液室、インク流路を形成し、中空構造となる。
【００１８】
次に、型材料あるポジ型レジスト上に被覆感光性樹脂による層をスピンコート等により形成する。
【００１９】
次にポジ型レジスト及び被覆感光性樹脂１５等が形成されているシリコン基板１の表面及び側面をスピンコート等による塗布を行い、保護材で覆う。
【００２０】
そして、保護材を除去し、さらに型材料を、柱上壁１４５、インク液室、インク流路が形成される。
【００２１】
以上のようにして形成されたインクジェット記録ヘッドにおける柱上壁１４５は、その底面がシリコン窒化膜１１１に接合された状態となる。
【特許文献１】特開平３−１７６１５６号公報
【特許文献２】特開平３−２３４６５９号公報
【特許文献３】特開平７−１６４３９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２２】
柱状壁は、より高画質化が進むなかでは、ゴミ捕獲だけではなく、液室内へのインク流入速度制御の機能を果たすことから、より細い柱状壁が採用される場合がある。柱状壁を細くすることで柱状壁の設置面での密着力が不足し、テープを剥す際にその引き剥がし力に耐えきれず、柱状壁にクラックが入ってしまう場合があった。
【００２３】
そこで本発明は、柱状壁の密着力を向上させて、より信頼性の高いインクジェット記録ヘッドを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２４】
上述の目的を解決するため、本発明のインクジェット記録ヘッドは、インクを吐出するために利用される吐出エネルギーを発生するエネルギー発生素子と、エネルギー発生素子にインクを供給するためのインク供給口と、を有する基板を備える。また、本発明のインクジェット記録ヘッドは、インク供給口から供給されたインクをエネルギー発生素子へ供給するインク流路と、インク供給口とインク流路との間に配置された柱状壁と、を備える。柱状壁は、第１の柱状壁部と、第１の柱状壁部よりも基板側に位置して第１の柱状壁部の端面に形成され、第１の柱状壁部よりも小さい径の第２の柱状壁部と、を有する。第１の柱状壁部の端面と、該端面に交差する、第２の柱状壁部の側面とは共に、基板に形成される第１の層と接合されており、第２の柱状壁部の端面は、第１の層よりも基板側に形成される第２の層と接合されている。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、柱状壁の密着力が向上し、より信頼性の高いインクジェット記録ヘッドを得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
本発明の実施形態を図面等に基づいて説明する。
【００２７】
以下、本発明の実施の形態の製造方法を図面に基づいて説明する。
（実施形態１）
本発明は、オリフィスプレートの一部に形成された柱状壁の設置面側が、インク吐出エネルギー発生素子の最上層の開口部を介して下層の酸化膜層に接合していることを特徴とする。本発明は、これにより、柱状壁の接合面積を増やし、及びより密着性の高い酸化膜に接合することにある。以下、本発明のインクジェット記録ヘッド及び、その製造方法について詳細に説明する。
【００２８】
まず、本実施形態のインクジェット記録ヘッドの基本的な構成について説明する。
【００２９】
図１（ａ）は、本発明の構成を適用し得るインクジェット記録ヘッドを示す模式的な切断面部分図である。なお、図１（ａ）は図２におけるＡ−Ａ’線での断面図である。また、図１（ｂ）は図１（ａ）中のＡ部拡大図である。
【００３０】
本実施形態のインクジェット記録ヘッドは、インク吐出エネルギー発生素子９が所定のピッチで２列並んで形成されたシリコン基板１を有する。シリコン基板１には、シリコンの異方性エッチングによって形成されたインク供給口２０が、インク吐出エネルギー発生素子９の２つの列の間に開口されている。
【００３１】
オリフィスプレート５０には、シリコン基板１上のインク吐出エネルギー発生素子９に対応する位置に吐出口２２が形成されている。オリフィスプレート５０への吐出口２２の形成は被覆感光性樹脂を用いる。
【００３２】
また吐出口２２に対応してインク液室４８、インク流路２１が形成されている。インク液室４８は吐出口２２に供給するためのインクを貯えるための液室である。インク流路２１はインク供給口２０から供給されたインクをインク液室４８内に供給するための流路である。インク吐出エネルギー発生素子９はインク液室４８内に配置されており、インク液室４８内のインク（液体）に吐出エネルギーを付与して吐出口２２から吐出させるためのエネルギー発生手段である。インクを吐出する場合、ゴミ等で詰まると吐出不良となり画像形成に影響を及ぼすためことを防ぐため、インク供給口とインク流路２１との間には、ゴミを捕獲するためのフィルタである柱状壁４５が形成されている。なお、柱状壁４５及び吐出口２２を形成する部材は同一材料で形成されていてもよく、エポキシ樹脂のカチオン重合化合物により形成されているものであってもよい。
【００３３】
本実施形態のインクジェット記録ヘッドによる記録の概要は以下のとおりである。
【００３４】
インク供給口２０からインク流路２１内へとインクが供給されるが、この際、柱状壁４５によってインク内のゴミ等が除去される。ゴミを除去されたインクはインク流路２１を経由してインク液室４８内に供給される。インク液室４８内に充填されたインクに、インク吐出エネルギー発生素子９の発生する圧力を加えることによって、吐出口２２からインク液滴が吐出される。吐出口２２から吐出されたインクが被記録媒体に付着することで記録が行われる。
【００３５】
以下、本実施形態のインクジェットの製造方法について図３Ａ〜図３Ｅに基づいて説明する。
【００３６】
図３Ａの（ａ）に示すように、本実施形態では、基体として厚さが０．５ｍｍ〜１ｍｍのシリコン基板１を用いた。このシリコン基板１に熱酸化処理を行い、シリコン基板１の表裏両面に１０ｎｍ〜５０ｎｍの酸化シリコン膜２を形成する。さらに、その酸化シリコン膜２の上面に１００ｎｍ〜３００ｎｍのシリコン窒化膜３を減圧ＣＶＤにより堆積させる。
【００３７】
次に、シリコン窒化膜３をインク供給口２０の表面側開口幅に対応する所望のパターンにパターニングし、このとき、裏面に堆積したシリコン窒化膜３は除去する。
【００３８】
次に、熱酸化処理により、６００ｎｍ〜１２００ｎｍの酸化シリコン膜２を形成する。このとき、パターニングされたシリコン窒化膜３の下の領域５（以下、この領域をアクティブ領域という）は酸化されず、窒化膜のない領域のみが選択的に酸化される。
【００３９】
次に、図３Ａの（ｂ）で示すように、配線電極（不図示）との層間膜となるＰＳＧ膜、ＢＰＳＧ膜等の酸化層間膜６を５００ｎｍ〜１０００ｎｍ堆積し、これを所望のパターンに加工する。
【００４０】
次に図３Ａの（ｃ）で示すように、配線電極及びインク供給口２０を形成する上でエッチングのばらつきを抑えるための層となるＡｌ犠牲層４１を堆積し所望のパターンに加工する。この段階でインクを吐出するために駆動される能動素子が完成されている。なお、図３Ａの（ｃ）では能動素子は省略されている。
【００４１】
次に図３Ｂの（ｄ）で示すように、プラズマＣＶＤ法により、８００ｎｍ〜１８００ｎｍの膜厚のプラズマ酸化膜７を堆積し、所望のパターンに加工する。この部分が後述するメンブレン部となる。
【００４２】
次に図３Ｂの（ｅ）で示すように、Ｔａ−Ｓｉをターゲットとして１０ｎｍ〜１００ｎｍ程度、反応性スパッタ法により堆積させ発熱抵抗体として所望のパターンに加工する。そして、インク吐出エネルギー発生素子９の配線電極となるＡｌ−Ｃｕ膜１０をその上に堆積し所望のパターンに加工する。
【００４３】
次に図３Ｂの（ｆ）で示すように、保護膜となるシリコン窒化膜１１をプラズマＣＶＤ法により２００ｎｍ〜５００ｎｍ程度堆積する。
【００４４】
次に図３Ｂの（ｇ）で示すように、シリコン窒化膜１１を後述するフィルタが形成される部分に対応させパターン加工による、開口部である凹状開口４２を形成する。また図示しないが、このパターニングと同時に電極取り出しのパターンも加工する。
【００４５】
シリコン窒化膜１１上には、耐キャビテーション用のＴａ膜を２００ｎｍ〜４００ｎｍ程度スパッタ法により堆積して所望のパターンに加工する場合もあるが、Ｔａ膜の堆積、及びパターン加工は、製品の機能別で選択することが可能である。
【００４６】
この段階でインクを吐出させるためのインク吐出エネルギー発生素子９が完成した。すなわち、本実施形態のインクジェット記録ヘッドは、インク吐出エネルギー発生素子９上に形成された複数の膜のうち最上層の絶縁膜であるシリコン窒化膜１１に凹状開口４２が形成されていることとなる。
【００４７】
以下この吐出エネルギー発生素子が形成された基板は基板１として説明する。
［吐出口形成のためのノズル部の形成工程］
図３Ｂの（ｈ）で示すように、基板１の表面（不図示）と裏面に、ポリエーテルアミド樹脂４６をそれぞれ塗布し、ベークにより硬化させる。ポリエーテルアミド樹脂４６をパターニングする為、ポジ型レジストをスピンコート等により塗布、露光、現像し、ポリエーテルアミド樹脂４６をドライエッチング等によりパターニングし、ポジ型レジストを剥離する。
【００４８】
次に図３Ｃの（ｉ）で示すように、表面にノズル流路となる型材料であるポジ型レジスト１４をパターニングする。ここで形成されたパターンが後述する除去工程を経ることで、柱状壁４５、インク液室４８、インク流路４９を形成し、中空構造となる。
【００４９】
次に図３Ｃの（ｊ）で示すように、型材料あるポジ型レジスト１４上に被覆感光性樹脂１５による層をスピンコート等により形成する。被覆感光性樹脂１５上には撥水材（不図示）がドライフィルムのラミネート等により形成される。吐出口２２は、被覆感光性樹脂１５を紫外線やＤｅｅｐＵＶ光等による露光、現像を行ってパターニングして形成する。
【００５０】
次に図３Ｃの（ｋ）で示すように、型材料であるポジ型レジスト１４及び被覆感光性樹脂１５等が形成されている基板１の表面及び側面をスピンコート等による塗布を行い、保護材４３で覆う。
【００５１】
次に図３Ｄの（ｌ）で示すように、異方性エッチングの開始面となるＳｉ面を露出した後、インク供給口２０を設ける。まず、ポリエーテルアミド樹脂８をマスクとして、基板１の裏面側における酸化シリコン膜２の開口４４をバッファードフッ酸で除去する。
【００５２】
次に図３Ｄの（ｍ）で示すように、温度８０℃〜９０℃のＴＭＡＨ水溶液で、Ｓｉの異方性エッチングを行い、基板１に対しインク供給口２０を形成した。
【００５３】
次に図３Ｅの（ｎ）で示すように、プラズマ酸化膜７のメンブレン部５１をドライエッチングにて除去し、次にポリエーテルアミド樹脂４６を除去する。
【００５４】
次に図３Ｅの（ｏ）で示すように、保護材４３を除去し、さらに型材料１４を、吐出口２２及びインク供給口２０から溶出させることにより、インク流路４９及びインク液室４８が形成される。
【００５５】
以上の工程により、ノズル部が形成された基板１をダイシングソー等により切断分離、チップ化し、インク吐出エネルギー発生素子９を駆動させる為の電気的接合を行った後、インク供給の為のチップタンク部材を接続して、インクジェット記録ヘッドが完成する。
【００５６】
完成させたインクジェット記録ヘッドは物流等によるインクの染み出しがないよう粘着性の保護テープによって、吐出口が形成されたオリフィスプレート面が保護される。
【００５７】
本実施形態のインクジェット記録ヘッドは、シリコン窒化膜１１に凹状開口４２が形成されている。これにより、被覆感光性樹脂１５は、プラズマ酸化膜７の上面及び凹状開口４２の内壁面に接触することとなる。従来の柱状壁はシリコン窒化膜の上面にのみ接触する構成であった。
【００５８】
これに対し、本実施形態の柱状壁４５は、図１（ｂ）を参照すると、凹状開口４２がシリコン窒化膜１１に形成されたことによりその底部が一部小径化された形状となっている。つまり、柱状壁４５は、フィルタとして機能する大径部４５Ａと、凹状開口４２内にて保持される小径部４５Ｂとを有する。大径部４５Ａと小径部４５Ｂの間に形成された底面である第１の底面４５ａはシリコン窒化膜１１に接合されている。小径部４５Ｂの外周部である底側面４５ｂは、シリコン窒化膜１１の凹状開口４２の内周壁に接合されている。また、小径部４５Ｂの底面である第２の底面４５ｃは最上層のシリコン窒化膜１１より下層に形成された酸化膜層であるプラズマ酸化膜７に接合されている。このように、本実施形態の柱状壁４５は、従来の柱状壁に比べてより広い接触面積にて保持されている。また、本実施形態の柱状壁４５の第２の底面４５ｃは、密着性の高いプラズマ酸化膜７と接合されているため、より安定した接合を得ることができる。
【００５９】
このように、本実施形態の柱状壁４５は、広い接触面積、かつ高い密着性のもと接合されているため、その径が細いものとしても、密着力が不足するのを防止することができる。よって、保護テープを剥す際にその引き剥がし力に耐えきれず、柱状壁４５にクラックが入ってしまうことを防止することができる。
（実施形態２）
次に図４を参照して、本発明における実施形態２に係るインクジェット記録ヘッドの製造工程を説明する。なお、以下の説明において、実施形態１の同じ構成要素については実施形態１で用いた符号により説明するものとする。
【００６０】
図４（ａ）は本実施形態のインクジェット記録ヘッドの側断面図であり、図４（ｂ）は図４（ａ）中のＢ部の拡大図である。
【００６１】
実施形態１の柱状壁４５は、シリコン窒化膜１１より下層に形成された酸化膜層であるプラズマ酸化膜７に接合されていた。これに対して、本実施形態の柱状壁は、さらに下層の酸化膜に接地させることにより、楔状に接地され、より密着力を高めたものである。
【００６２】
以下具体的な製造方法について説明する。なお、図３Ａの（ａ）、（ｂ）までは同じ工程を経るため省略し、実施形態２に係る工程について説明する。
【００６３】
図５Ａの（ａ）においてＡｌ層を３００ｎｍ〜１０００ｎｍの厚さにスパッタ法により形成、所望のパターンに加工する。これにより、配線電極（不図示）及び、インク供給口を形成する上でエッチングのばらつきを抑えるためのＡｌ犠牲層４１、及びフィルタである柱状壁６５が接地される部分に対応させたフィルタ犠牲層５３を形成する。
【００６４】
次に図５Ａの（ｂ）において、プラズマＣＶＤ法により、８００ｎｍ〜１８００ｎｍの膜厚のプラズマ酸化膜７を堆積し、所望のパターンに加工する。
【００６５】
次に図５Ａの（ｃ）で示すようにＴａ−Ｓｉをターゲットとして１０ｎｍ〜１００ｎｍ程度、反応性スパッタ法により堆積させインク吐出エネルギー発生素子９として、それを所望のパターンに加工する。
【００６６】
そして、発熱抵抗体の配線電極となるＡｌ−Ｃｕ膜１０をその上に堆積し所望のパターンに加工する。
【００６７】
次に図５Ａの（ｄ）で示すように、保護膜となるシリコン窒化膜１１をプラズマＣＶＤ法により２００ｎｍ〜５００ｎｍ程度堆積する。
【００６８】
次に、シリコン窒化膜１１とプラズマ酸化膜７を後述するフィルタが形成される部分に対応させパターン加工により、凹状開口部５４を形成し、フィルタ犠牲層５３の一部を露出させる。また不図示であるが、このパターングと同時に電極取り出しのパターンも加工する。
【００６９】
次にシリコン窒化膜１１上には、耐キャビテーション用に用いるＴａ膜を２００ｎｍ〜４００ｎｍ程度スパッタ法により堆積し所望のパターンに加工する場合もあるが、Ｔａ膜の堆積、及びパターン加工は、製品の機能別で形成を選択することが可能である。
【００７０】
この段階でインクを吐出させるための熱エネルギー発生素子が完成した。
【００７１】
以下この吐出エネルギー発生素子が形成された基板は基板１として説明する。
［吐出口形成のためのノズル部の形成工程］
図５Ｂの（ｅ）で示すように、基板１の表面（不図示）と裏面に、ポリエーテルアミド樹脂４６をそれぞれ塗布し、ベークにより硬化させる。ポリエーテルアミド樹脂４６をパターニングする為に、ポジ型レジストをスピンコート等により塗布、露光、現像し、ポリエーテルアミド樹脂４６をドライエッチング等によりパターニングし、ポジ型レジストを剥離する。
【００７２】
さらに表面にノズル流路となる型材料であるポジ型レジスト１４をパターニングする。ここで形成されたパターンが後述する除去工程を経ることで、フィルタである柱状壁、インク液室、インク流路を形成し、中空構造となる。
【００７３】
次に図５Ｂの（ｆ）で図５Ａの（ｄ）の工程で露出させた、フィルタ犠牲層５３を湿式のエッチングにより除去することで、リン、ボロン等がドープされた酸化膜である酸化層間膜６を露出させて、凹部開口を形成するとともに楔状の接地部５５を形成する。
【００７４】
次に図５Ｂの（ｇ）に示すように、型材料であるポジ型レジスト１４上に被覆感光性樹脂１５をスピンコート等により形成する。図５Ｂの（ｆ）で形成した楔状の接地部５５に埋め込まれた被覆感光性樹脂１５の一部がフィルタである柱状壁６５となる。また被覆感光性樹脂１５上には撥水材（不図示）がドライフィルムのラミネート等により形成される。吐出口２２は、被覆感光性樹脂１５を紫外線やＤｅｅｐＵＶ光等による露光、現像を行ってパターニングして形成する。
【００７５】
さらに、実施形態１における図３Ｃの（ｋ）、図３Ｄの（ｌ）、（ｍ）、図３Ｅの（ｎ）、（ｏ）と同様な工程を経ることでインクジェット記録ヘッドを完成させた。
【００７６】
本実施形態のインクジェット記録ヘッドの柱状壁６５は、図４（ｂ）を参照すると、フィルタとして機能する小径部６５Ａと接地部５５内にて保持される大径部６５Ｂを有する。実施形態１では、フィルタとして機能する部分の径のほうが保持されている部分に比べ太くなるように形成されていた。これに対して、本実施形態では逆にフィルタとして機能する部分の径のほうが細く、保持されている部分のほうが太く形成されている。
【００７７】
すなわち、本実施形態の柱状壁６５は楔形状に形成されている。小径部６５Ａと大径部６５Ｂとの間に形成された係止面６５ａがプラズマ酸化膜７に係合するようにして保持されている。柱状壁６５の底面６５ｃは、凹部開口を介して最上層のシリコン窒化膜１１より下層の酸化膜層である酸化シリコン膜２に接合されている。小径部６５Ａの側面であって接地部５５内に位置する第１の側面６５ｂは、接地部５５の内周壁、すなわち、プラズマ酸化膜７及びシリコン窒化膜１１に接合されている。このように、本実施形態の柱状壁６５は、従来の柱状壁に比べてより広い接触面積にて保持されている。また、本実施形態の柱状壁６５の底面６５ｃは、密着性の高い酸化シリコン膜２と接合されているため、より安定した接合を得ることができる。
【００７８】
このように、本実施形態の柱状壁６５も実施形態１の柱状壁４５と同様に、広い接触面積、かつ高い密着性のもと接合されているため、その径が細いものとしても、密着力が不足するのを防止することができる。さらに、上述したように柱状壁６５は楔形状に形成されているため、柱状壁６５を引き剥がし力が加わっても引き剥がされにくい構成となっている。よって、保護テープを剥す際にその引き剥がし力に耐えきれず、柱状壁６５にクラックが入ってしまうことを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７９】
【図１】本発明の実施形態１におけるインクジェット記録ヘッドの模式的な断面図及び一部拡大図である。
【図２】本発明のインクジェット記録ヘッドの一部破断斜視図である。
【図３Ａ】実施形態１のインクジェット記録ヘッドの製造方法を説明するための図である。
【図３Ｂ】実施形態１のインクジェット記録ヘッドの製造方法を説明するための図である。
【図３Ｃ】実施形態１のインクジェット記録ヘッドの製造方法を説明するための図である。
【図３Ｄ】実施形態１のインクジェット記録ヘッドの製造方法を説明するための図である。
【図３Ｅ】実施形態１のインクジェット記録ヘッドの製造方法を説明するための図である。
【図４】本発明の実施形態２におけるインクジェット記録ヘッドの模式的な断面図及び一部拡大図である。
【図５Ａ】実施形態２のインクジェット記録ヘッドの製造方法を説明するための図である。
【図５Ｂ】実施形態２のインクジェット記録ヘッドの製造方法を説明するための図である。
【図６】従来のインクジェット記録ヘッドの模式的な断面図及び一部拡大図である。
【符号の説明】
【００８０】
７    プラズマ酸化膜
９    インク吐出エネルギー発生素子
１１    シリコン窒化膜
２０    インク供給口
２２    吐出口
４８    インク液室
４９    インク流路
４５    柱状壁
４５ｃ    第２の底面
【図１】
0005294657.tif 000002
【図２】
0005294657.tif 000003
【図３Ａ】
0005294657.tif 000004
【図３Ｂ】
0005294657.tif 000005
【図３Ｃ】
0005294657.tif 000006
【図３Ｄ】
0005294657.tif 000007
【図３Ｅ】
0005294657.tif 000008
【図４】
0005294657.tif 000009
【図５Ａ】
0005294657.tif 000010
【図５Ｂ】
0005294657.tif 000011
【図６】
0005294657.tif 000012