(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属ベースに額縁状の樹脂ケースを接合して半導体チップを収容する空間が形成される半導体装置において、
前記金属ベースに対向する前記樹脂ケースの接合面に全周にわたって連続して凹設された接着剤塗布用の接着剤塗布溝と、
前記接着剤塗布溝の両側壁の少なくとも一方の頂面が前記接合面の平面から離間して形成されていて前記金属ベースとの間に前記接着剤塗布溝に塗布された接着剤の余剰分を導入して収容するための接着剤逃しスペースと、
前記接合面に、前記接着剤塗布溝に隣接して前記接着剤逃しスペースに連通するよう形成された流出接着剤収容溝と、
を備えていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記接合面に、前記接着剤塗布溝、前記流出接着剤収容溝および前記接着剤逃しスペースの組が複数設けられていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記接合面に、前記樹脂ケースの最も外側に形成された前記接着剤塗布溝または前記流出接着剤収容溝の外側に接着剤流出防止溝が形成されていることを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記接合面に、前記樹脂ケースの最も内側に形成された前記接着剤塗布溝または前記流出接着剤収容溝の内側にも前記接着剤流出防止溝が形成されていることを特徴とする請求項３記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置に関し、特に絶縁基板を介してパワー半導体チップが搭載されたベースに外部端子が一体に形成されたケースを接着剤により接合したパッケージ構造を有する半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
図３は従来の半導体装置のパッケージ構造の一例を示す図であって、（Ａ）は半導体装置の平面図、（Ｂ）は（Ａ）のａ−ａ矢視断面図、（Ｃ）は（Ｂ）のｂ部拡大断面図である。
【０００３】
この半導体装置は、放熱用の金属ベース１０に絶縁基板１１が搭載され、その絶縁基板１１の上に半導体チップ１２，１３，１４，１５が搭載されている。絶縁基板１１は、その一方の面に形成された金属箔を金属ベース１０にはんだによって接合され、他方の面に形成された金属箔には、半導体チップ１２，１３，１４，１５がはんだ接合されている。半導体チップ１２，１３，１４，１５は、たとえば、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）およびフリーホイーリングダイオードとすることができる。
【０００４】
絶縁基板１１の上には、この絶縁基板１１を取り囲むように額縁状の樹脂ケース１６が乗せられ、接着剤１７によって接合されている。樹脂ケース１６は、外部接続端子がインサートされていて外部接続端子と一体に形成されている。外部接続端子としては、半導体チップ１２，１４の外部主回路端子１８，１９，２０，２１および外部制御端子２２，２３，２４，２５が設けられている。半導体チップ１２，１４と外部主回路端子１８，１９，２０，２１とは、ボンディングワイヤ２６によって電気的に接続され、半導体チップ１２，１４と外部制御端子２２，２３，２４，２５とは、ボンディングワイヤ２７によって電気的に接続されている。
【０００５】
樹脂ケース１６は、シリコーンゲルが充填されて内部のワイヤボンディングが行われた回路を樹脂封止し、図示しない蓋によって閉止される。なお、樹脂ケース１６の外側の金属ベース１０に穿設されている孔２８は、この半導体装置を冷却フィンに締結する際にボルトを通すためのものである。
【０００６】
樹脂ケース１６と金属ベース１０との接合は、樹脂ケース１６の金属ベース１０との対向面の外周に突起を形成し、これによって金属ベース１０との間にできる隙間に接着剤１７を収容し、加熱硬化させることによって行われている。このような接合方法は、接着面積が大きいので、十分な接合強度を得ることができるが、接着剤１７の塗布量が多くなってしまう欠点がある。
【０００７】
そこで、樹脂ケースの金属ベースとの対向面に全周にわたって溝を形成し、その溝に接着剤を塗布するようにして、接着剤の塗布量を抑えることが行われている（たとえば、特許文献１，２参照）。ただし、樹脂ケースの外部主回路端子および外部制御端子がインサートされている近傍は、接合強度を高くしておくことが必要である。この部分は、ボンディングワイヤが超音波圧着にて接合されるため、超音波振動の加振力を受けてしまう部分であるので、特に高い接合強度が要求される。このような部分には、溝を複数設けて、接合強度を向上させている。
【０００８】
接着剤は、分量が制御されたディスペンサによって溝へ塗布される。この分量が少ないと、十分な接合強度を確保することができず、接着剤に剥離またはクラックの発生により、樹脂ケース内に充填されているシリコーンゲルが外部に漏れてしまう危険がある。そのため、ディスペンサは、必要分量よりも多めの接着剤を溝に塗布している。
【０００９】
溝に塗布する接着剤の分量が多いと、樹脂ケースを金属ベースに重ね合わせたときに余剰の接着剤が溝からはみ出して、樹脂ケースの外側または内側に流出する場合がある。樹脂ケースの外側に接着剤が流出した場合、外観が悪くなるだけでなく、流出した接着剤が金属ベースの冷却フィンとの接触面に付着硬化すると、表面高さが不均一になって放熱効果が悪化することがある。樹脂ケースの内側に接着剤が流出した場合、ボンディングワイヤのボンディング面が汚染されると、超音波接合による接合部の強度が低下することがある。このような接着剤の流出に対し、樹脂ケースに接着剤逃がし溝を設けて接着剤の流出を阻止する方法も知られている（たとえば、特許文献３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００３−５１５６０号公報
【特許文献２】特開２００４−１０３８４６号公報
【特許文献３】特開平７−３０００６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、樹脂ケースを金属ベースに加圧しながら接着剤を加熱硬化させるときに、樹脂ケースの溝以外の面と金属ベースの面との隙間が狭いので、塗布する接着剤の量が少しでも多いと、そのはみ出した接着剤がその隙間を広範囲に拡がって樹脂ケースの内外に滲出し、溝の数が多い場所では、接着剤逃がし溝を設けたとしても、それで接着剤のはみ出しを防ぐことが難しいという問題点があった。また、接着剤のはみ出しができるだけ少なくなるように塗布量を正確に制御することも難しいという問題点があった。
【００１２】
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、樹脂ケースと金属ベースとの十分な接合強度を確保しつつ、接着剤のはみ出しを実質的になくすことができる接合構造を有する半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明では上記の課題を解決するために、金属ベースに額縁状の樹脂ケースを接合して半導体チップを収容する空間が形成される半導体装置において、前記金属ベースに対向する前記樹脂ケースの接合面に全周にわたって連続して凹設された接着剤塗布用の接着剤塗布溝と、前記接着剤塗布溝の両側壁の少なくとも一方の頂面が前記接合面の平面から離間して形成されていて前記金属ベースとの間に前記接着剤塗布溝に塗布された接着剤の余剰分を導入して収容するための接着剤逃しスペースと、前記接合面に、前記接着剤塗布溝に隣接して前記接着剤逃しスペースに連通するよう形成された流出接着剤収容溝と、を備えていることを特徴とする半導体装置が提供される。
【００１４】
このような半導体装置によれば、接着剤塗布溝からはみ出た接着剤の余剰分は、接着剤逃しスペースに積極的に導入されてそこで硬化される。これにより、接着剤塗布溝の接着剤が、樹脂ケースと金属ベースとの十分な接合強度を確保し、接着剤塗布溝からはみ出た接着剤は、接着剤逃しスペースに収容されることで、それ以上拡がることはない。
【発明の効果】
【００１５】
上記構成の半導体装置は、接着剤塗布溝からはみ出た接着剤の余剰分を収容するための接着剤逃しスペースを形成したことで、樹脂ケースと金属ベースとの接合強度を確実に確保するために、接着剤の分量を多く塗布しても、その余剰分が樹脂ケースの内外にまで滲出するほど広範囲に拡がることがなく、確実にはみ出しをなくすことができるという利点がある。
【００１６】
また、接着剤塗布溝および接着剤逃しスペースは、樹脂ケースの接合面に全周にわたって形成されるが、その一部を分岐するなどして部分的に複数設けることにより、必要に応じて接合強度を可変することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の実施の形態に係る半導体装置の要部拡大断面図である。
【図２】接合面に形成される溝の組み合わせの変形例を示す樹脂ケースの部分断面図であって、（Ａ）は第１の組み合わせ変形例、（Ｂ）は第２の組み合わせ変形例、（Ｃ）は第３の組み合わせ変形例、（Ｄ）は第４の組み合わせ変形例、および（Ｅ）は第５の組み合わせ変形例を示している。
【図３】従来の半導体装置のパッケージ構造の一例を示す図であって、（Ａ）は半導体装置の平面図、（Ｂ）は（Ａ）のａ−ａ矢視断面図、（Ｃ）は（Ｂ）のｂ部拡大断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、実施の形態を表す図中において、図３に示した構成要素と同じ構成要素または均等物は、同じ符号を付してある。
【００１９】
図１は本発明の実施の形態に係る半導体装置の要部拡大断面図である。
この半導体装置は、金属ベース１０に対向する樹脂ケース１６の接合面２９に接着剤１７を塗布する接着剤塗布溝３０が形成され、この接着剤塗布溝３０に隣接して両側に流出接着剤収容溝３１が凹設されている。接着剤塗布溝３０と流出接着剤収容溝３１との間の壁の頂面（金属ベース対向面）は、金属ベース１０との接合面２９の平面から離間されていて金属ベース１０との間に接着剤逃しスペース３２が形成されている。本実施の形態では、さらに、最も外側および内側に位置する流出接着剤収容溝３１の外側および内側に接着剤１７が樹脂ケース１６の外側または内側に流出するのを防止する接着剤流出防止溝３３が凹設されている。この接着剤流出防止溝３３は、本実施の形態では、流出接着剤収容溝３１よりも外側および内側の両方に設けられているが、これらは必要に応じて設けられるもので、流出接着剤収容溝３１の外側だけ、または流出接着剤収容溝３１の内側だけでも良い。これら接着剤塗布溝３０、流出接着剤収容溝３１および接着剤流出防止溝３３は、金属ベース１０に対向する樹脂ケース１６の接合面２９の全周にわたって連続して形成されている。
【００２０】
金属ベース１０は、たとえば、銅、アルミニウム、またはこれらの複合材であり、樹脂ケース１６は、たとえばＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）またはＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）である。接着剤１７は、シリコーン系接着剤またはエポキシ樹脂系接着剤が使用される。
【００２１】
接着剤塗布溝３０、流出接着剤収容溝３１および接着剤流出防止溝３３は、樹脂ケース１６の接合面２９からの深さをたとえば０．５〜１ミリメートル、溝幅と離間距離との比を１対１にしてある。特に、接着剤塗布溝３０の深さは、使用する接着剤１７の厚さと接合強度との特性から、高い接合強度が得られる厚さを基にして選定される。また、接着剤塗布溝３０の両側にある壁の接合面２９からの距離、すなわち、接着剤逃しスペース３２の厚さは、たとえば０．２〜０．２５ミリメートルとしている。
【００２２】
以上の構成の樹脂ケース１６を金属ベース１０に接合するときのプロセスの一例について説明する。まず、樹脂ケース１６を反転してその接合面２９を上にし、ディスペンサによって接着剤塗布溝３０に接着剤１７が塗布される。このとき、ディスペンサは、接着剤塗布溝３０に充填するよりも多少多い分量に制御された接着剤１７を吐出し、その定量吐出を接着剤塗布溝３０に沿って移動しながら実施する。全周にわたる接着剤１７の塗布が終了すると、樹脂ケース１６の接合面２９に金属ベース１０を載せ、樹脂ケース１６に金属ベース１０を加圧しながら加熱し、接着剤１７を硬化させることにより、樹脂ケース１６と金属ベース１０とを接合する。
【００２３】
樹脂ケース１６に金属ベース１０を加圧したときに接着剤塗布溝３０から溢れた接着剤１７の余剰分は、接着剤塗布溝３０に隣接する接着剤逃しスペース３２に積極的に流出され、この接着剤逃しスペース３２に収容されて硬化される。
【００２４】
接着剤塗布溝３０への接着剤１７の塗布量が多くて接着剤逃しスペース３２に収容しきれない場合には、そこから溢れた接着剤１７は、接着剤逃しスペース３２に連通して外側に位置する流出接着剤収容溝３１まで到達し、そこで確実に収容されることになる。したがって、流出接着剤収容溝３１まで流出してきた接着剤１７は、その流出接着剤収容溝３１よりも先に、すなわち、樹脂ケース１６の外側（図の左側）または絶縁基板が収容される内側にまで拡がることがなくなる。
【００２５】
さらに、たとえばディスペンサの不具合により、接着剤塗布溝３０、接着剤逃しスペース３２および流出接着剤収容溝３１が収容できる分量を超えた分量の接着剤１７が吐出される場合がある。そのような場合があったとしても、接着剤流出防止溝３３が樹脂ケース１６の外側または内側への接着剤１７の流出を防ぐことができる。
【００２６】
図２は接合面に形成される溝の組み合わせの変形例を示す樹脂ケースの部分断面図であって、（Ａ）は第１の組み合わせ変形例、（Ｂ）は第２の組み合わせ変形例、（Ｃ）は第３の組み合わせ変形例、（Ｄ）は第４の組み合わせ変形例、および（Ｅ）は第５の組み合わせ変形例を示している。
【００２７】
図２の（Ａ）に示す第１の組み合わせ変形例では、樹脂ケース１６の接合面２９に２条の接着剤塗布溝３０が形成されており、その接着剤塗布溝３０の間に接着剤逃しスペース３２が形成されている。２条の接着剤塗布溝３０がその溝幅よりも十分に大きく離間されて配置されていることにより、接着剤逃しスペース３２のスペースが拡大し、接着剤逃しスペース３２が流出接着剤収容溝３１の機能を有していることになる。また、これら接着剤塗布溝３０の外側には、接着剤流出防止溝３３がそれぞれ形成されている。
【００２８】
この構成によれば、接着剤塗布溝３０の数を増やしたことにより、樹脂ケース１６と金属ベース１０との接合強度を向上させることができる。さらに、接着剤逃しスペース３２の厚さが少ないために大きな接合強度が得られないとはいえ、接着剤逃しスペース３２の接合面積が大きいために、さらなる接合強度の向上が見込まれる。
【００２９】
図２の（Ｂ）に示す第２の組み合わせ変形例では、樹脂ケース１６の接合面２９に４条の接着剤塗布溝３０が形成されており、これら接着剤塗布溝３０の間に接着剤逃しスペース３２が形成されている。また、これら接着剤塗布溝３０の外側、すなわち、樹脂ケース１６の外側にのみ接着剤流出防止溝３３が形成されている。
【００３０】
この構成によれば、接着剤塗布溝３０の数を増やしたことにより、樹脂ケース１６と金属ベース１０との接合強度を大幅に向上させることができる。たとえば、多数のボンディングワイヤ２６を超音波接合することで大きな超音波振動の加振力を受けてしまう外部主回路端子１９をインサートしている樹脂ケース１６の部分に適用することができる。なお、この変形例では、接着剤流出防止溝３３を樹脂ケース１６の外側に形成したが、必要に応じて、樹脂ケース１６の内側に形成しても良い。
【００３１】
図２の（Ｃ）に示す第３の組み合わせ変形例では、樹脂ケース１６の接合面２９に接着剤塗布溝３０および流出接着剤収容溝３１が２組形成され、それぞれ接着剤塗布溝３０と流出接着剤収容溝３１との間に接着剤逃しスペース３２が形成されている。また、外側に形成された接着剤塗布溝３０および流出接着剤収容溝３１の組の外側に接着剤流出防止溝３３が形成されている。
【００３２】
この構成によれば、第１の組み合わせ変形例の場合と同様の樹脂ケース１６と金属ベース１０との接合強度を得ることができ、第２の組み合わせ変形例の場合と同様の接着剤流出防止効果を得ることができる。なお、この変形例では、接着剤塗布溝３０および流出接着剤収容溝３１の組を２組形成したが、必要に応じて、３組以上形成しても良い。
【００３３】
図２の（Ｄ）に示す第４の組み合わせ変形例では、樹脂ケース１６の接合面２９に２組の接着剤塗布溝３０および流出接着剤収容溝３１が形成され、隣接する接着剤塗布溝３０の間に接着剤逃しスペース３２が形成されている。これにより、第３の組み合わせ変形例の場合よりも、接着剤逃しスペース３２のスペースを拡げることができる。なお、この変形例では、樹脂ケース１６の接合面２９に接着剤流出防止溝３３を有していない。
【００３４】
図２の（Ｅ）に示す第５の組み合わせ変形例は、第３の組み合わせ変形例から接着剤流出防止溝３３を除いた構成である。すなわち、樹脂ケース１６の接合面２９には、接着剤塗布溝３０および流出接着剤収容溝３１が２組だけ形成され、それぞれ接着剤塗布溝３０と流出接着剤収容溝３１との間に接着剤逃しスペース３２が形成されている。したがって、この第５の組み合わせ変形例は、樹脂ケース１６と金属ベース１０との接合強度に関して、第３の組み合わせ変形例と同じである。
【００３５】
以上、その好適な実施の形態について詳述したが、本発明は、これらに限定されるものではなく、必要に応じて、上述の実施の形態およびその変形例を適宜組み合わせて構成することができる。
【００３６】
また、接着剤塗布溝３０および流出接着剤収容溝３１は、樹脂ケース１６の接合面２９の全周にわたって連続して形成されるが、その途中で分岐したり結合したりして、溝数を増減させることもできる。
【符号の説明】
【００３７】
１０  金属ベース
１１  絶縁基板
１２，１３，１４，１５  半導体チップ
１６  樹脂ケース
１７  接着剤
１８，１９，２０，２１  外部主回路端子
２２，２３，２４，２５  外部制御端子
２６，２７  ボンディングワイヤ
２８  孔
２９  接合面
３０  接着剤塗布溝
３１  流出接着剤収容溝
３２  接着剤逃しスペース
３３  接着剤流出防止溝
【図１】
0005310660.tif 000002
【図２】
0005310660.tif 000003
【図３】
0005310660.tif 000004