(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に誘電体膜を形成する成膜工程と、
前記誘電体膜を熱処理する熱処理工程と、
前記熱処理後の誘電体膜にイオン化したガスクラスターを照射する照射工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記熱処理により、前記誘電体膜の膜質を改質するものであって、
前記イオン化したガスクラスターを照射することにより、前記誘電体膜における表面の膜質を更に改質するものであることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記イオン化したガスクラスターを照射することにより、前記誘電体膜における表面の膜質は、前記熱処理前の状態に近い状態に改質されるものであることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記熱処理により、前記誘電体膜の膜質を改質するものであって、
前記イオン化したガスクラスターを照射することにより、前記誘電体膜の表面よりの厚さが２ｎｍ以下の領域の膜質を更に改質するものであることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記イオン化したガスクラスターを照射することにより、前記誘電体膜の表面よりの厚さが２ｎｍ以下の領域の膜質は、前記熱処理前の状態に近い状態に改質されるものであることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記熱処理は、前記誘電体膜を多結晶化するものであることを特徴とする請求項２から５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記誘電体膜を構成する材料は、ＨｆＯ２、ＺｒＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、ＴｉＯ２、Ｙ２Ｏ３のうちから選ばれる１または２以上のものを含む材料であることを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記ガスクラスターは、酸素又は窒素のガスクラスターを含むものであることを特徴とする請求項１から７のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記ガスクラスターを構成する原子の数の平均は、１０００以上であることを特徴とする請求項１から８のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記誘電体膜は、ＣＶＤ法又はＡＬＤ法により成膜することにより形成されるものであることを特徴とする１から９のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体装置におけるトランジスタのゲート絶縁膜等として、酸化シリコン膜が用いられている。酸化シリコン膜は、耐圧が高く及びリーク電流が低いため、絶縁膜としては極めて優れた材料であるものの、比誘電率が低いため、半導体装置を小型化及び高集積化する際の障壁となっていた。
【０００３】
近年、より一層の半導体装置の高集積化の要求に伴い、トランジスタのゲート絶縁膜等に酸化シリコン膜よりも比誘電率の高い誘電体により構成されるいわゆるHigh-k膜を用いることが検討されている。
【０００４】
このようなHigh-k膜は、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法又はＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法により形成されるが、成膜されたHigh-k膜の不純物元素を低減させるために成膜後の熱処理が行われる。
【０００５】
しかしながら、熱処理後のHigh-k膜は多結晶化してしまうため、リーク電流が増加するという問題点を有していた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特公平３−６７３４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
このため、熱処理工程における多結晶化を抑制し、High-k膜のリーク電流を抑制する方法として、酸化シリコンや酸化アルミニウムの材料を添加する方法等がある。
【０００８】
しかしながら、酸化シリコンや酸化アルミニウム等のHigh-k膜に対し結晶化を遅延させる材料は一般的に比誘電率が低く、これらの材料をHigh-k膜を構成する材料に添加すると誘電率が低下してしまい、トランジスタにおけるゲート絶縁膜等に誘電体膜であるHigh-k膜を用いたことの意義が薄れてしまう。
【０００９】
よって、ゲート絶縁膜等としてHigh-k膜を用いた場合においては、誘電率を低下させることなく、リーク電流が低く抑えることのできる誘電体膜の形成方法及びこの誘電体膜を用いた半導体装置の製造方法が望まれている。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、半導体基板上に誘電体膜を形成する成膜工程と、前記誘電体膜を熱処理する熱処理工程と、前記熱処理後の誘電体膜にイオン化したガスクラスターを照射する照射工程と、を有することを特徴とする。
【００１１】
また、本発明は、前記熱処理により、前記誘電体膜の膜質を改質するものであって、前記イオン化したガスクラスターを照射することにより、前記誘電体膜における表面の膜質を更に改質するものであることを特徴とする。
また、前記イオン化したガスクラスターを照射することにより、前記誘電体膜における表面の膜質は、前記熱処理前の状態に近い状態に改質されるものであることを特徴とする。
また、前記熱処理により、前記誘電体膜の膜質を改質するものであって、前記イオン化したガスクラスターを照射することにより、前記誘電体膜の表面よりの厚さが２ｎｍ以下の領域の膜質を更に改質するものであることを特徴とする。
また、前記イオン化したガスクラスターを照射することにより、前記誘電体膜の表面よりの厚さが２ｎｍ以下の領域の膜質は、前記熱処理前の状態に近い状態に改質されるものであることを特徴とする。
また、前記熱処理は、前記誘電体膜を多結晶化するものであることを特徴とする。
【００１２】
また、本発明は、前記誘電体膜を構成する材料は、ＨｆＯ２、ＺｒＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、ＴｉＯ２、Ｙ２Ｏ３のうちから選ばれる１または２以上のものを含む材料であることを特徴とする。
【００１３】
また、本発明は、前記ガスクラスターは、酸素又は窒素のガスクラスターを含むものであることを特徴とする。
【００１４】
前記ガスクラスターを構成する原子の数の平均は、１０００以上であることを特徴とする。
【００１５】
また、本発明は、前記誘電体膜は、ＣＶＤ法又はＡＬＤ法により成膜することにより形成されるものであることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、誘電率を低下させることなく、リーク電流の低い誘電体膜を形成することができ、歩留まりの高い高集積化された半導体装置の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本実施の形態における誘電体膜の形成方法のフローチャート
【図２】本実施の形態において用いられるガスクラスター照射装置の構造図
【図３】誘電体膜におけるＥＯＴ特性図
【図４】誘電体膜におけるリーク電流特性図
【図５】誘電体膜における膜密度を示す図
【図６】誘電体膜におけるＤＨＦによるエッチング特性図
【図７】本実施の形態における半導体装置の製造方法の説明図
【発明を実施するための形態】
【００１８】
本発明を実施するための形態について、以下に説明する。
【００１９】
（誘電体膜の形成方法）
図１に基づき本実施の形態における誘電体膜であるHigh-k膜の形成方法について説明する。
【００２０】
最初に、ステップ１０２（Ｓ１０２）に示すように、シリコン等の半導体基板上に誘電体膜の成膜を行う。誘電体膜を構成する材料としては、ＨｆＯ２（酸化ハフニウム）、ＺｒＯ２（酸化ジルコニウム）、Ａｌ２Ｏ３（酸化アルミニウム）、Ｔａ２Ｏ５（五酸化タンタル）、ＴｉＯ２（酸化チタン）、Ｙ２Ｏ３（酸化イットリウム）等の希土類酸化物等及びこれらの混合物、及びこれらにシリコンを添加したもの、更にこれらを窒化処理したもの等が挙げられる。誘電体膜の成膜方法としては、ＣＶＤ法またはＡＬＤ法等が挙げられる。
【００２１】
次に、ステップ１０４（Ｓ１０４）に示すように、熱処理を行う。この際の熱処理温度は約８５０℃であり、一般的に誘電体膜は多結晶化する。リーク電流は誘電体膜が多結晶化することにより増加するものと考えられる。即ち、結晶粒界を介してリーク電流が流れるようになるため、熱処理によりリーク電流が増加するものと考えられる。
【００２２】
次に、ステップ１０６（Ｓ１０６）に示すように、イオン化したガスクラスターを照射する。このイオン化したガスクラスターは、例えば、数１００から数１０００の原子がクラスターとなったものである。ガスクラスターを構成する原子としては、酸素又は窒素等が挙げられる。
【００２３】
次に、イオン化したガスクラスターの照射に用いられるガスクラスター照射装置について説明する。
【００２４】
図２に、本実施の形態で用いられるクラスターイオン照射装置を示す。このクラスターイオン照射装置は、ガスクラスターを生成するノズル部１１、イオン化電極１２、加速電極１３、クラスター選別部１４を有している。
【００２５】
ノズル部１１では、圧縮されたガスによりガスクラスターが生成される。具体的には、高圧状態でノズル部１１に供給されたガスが、ノズル部１１より噴出することにより、ガスクラスターが生成される。この際に用いられるガスは、酸素等のガスであり、常温で気体状態を示すものが好ましい。
【００２６】
イオン化電極１２では、生成されたガスクラスターをイオン化する。これにより、生成されたガスクラスターがイオン化される。
【００２７】
次に、加速電極１３によりイオン化したガスクラスターが加速される。この際、ガスクラスターは、ガスクラスターを構成する原子の数の平方根、即ち、質量の平方根に反比例する速度で加速される。また、イオン化されている価数の平方根に比例する速度で加速される。
【００２８】
次に、クラスター選別部１４においてガスクラスターがイオン化されている価数や質量に応じて選別される。具体的には、クラスター選別部１４は、電界又は磁界を印加することによりクラスターにはならなかったモノマーイオン等を除去する。
【００２９】
この後、イオン化されたガスクラスター１５を誘電体膜に照射する。
【００３０】
（誘電体膜の特性）
次に、本実施の形態において形成した誘電体膜の特性について説明する。ここで用いた誘電体膜の材料は酸化アルミニウムであり、成膜方法はＣＶＤ法により行った。尚、サンプルＡはステップ１０２における成膜を行った後の状態のもの、サンプルＢはステップ１０４における熱処理を行った後の状態のもの、サンプルＣはステップ１０６におけるクラスターイオンを照射した後のものであり、本実施の形態における誘電体膜である。
【００３１】
図３に、サンプルＡにより規格化されたＥＯＴ（等価酸化膜厚）を示す。熱処理を行う前の状態のものであるサンプルＡに対し、熱処理を行った後のものであるサンプルＢ及びサンプルＣは、誘電率が増加しＥＯＴが低下している。このように、熱処理を行うことにより誘電率を高くすることができる。また、サンプルＢとサンプルＣとにおけるＥＯＴは殆ど変わらないため、誘電体膜にガスクラスターを照射することにより、ＥＯＴが変化することはないものと考えられる。
【００３２】
図４に、サンプルＡにより規格化されたリーク電流を示す。サンプルＢに示されるように、熱処理を行うことによりリーク電流は増加する。これは、前述したように、熱処理を行うことにより誘電体膜が多結晶化し、結晶粒界を流れるリーク電流が増加することによるものと考えられる。一方、サンプルＣに示されるように、熱処理の行われた誘電体膜にイオン化したガスクラスターを照射することにより、リーク電流が低下する。これは、ガスクラスターの照射により誘電体膜の表面が改質されることによるものと考えられる。即ち、イオン化したガスクラスターは誘電体膜の表面にのみに大きな影響を与えることから、誘電体膜にイオン化したガスクラスターを照射した場合、誘電体膜の表面のみが改質、例えば、アモルファス状態等になっているものと推認される。
【００３３】
図５に、サンプルＡにより規格化された膜密度を示す。サンプルＢに示されるように、熱処理を行うことにより膜密度が増加する。これは熱処理を行うことにより誘電体膜が多結晶化し、膜密度が高くなるものと考えられる。また、サンプルＢとサンプルＣにおける膜密度は、殆ど変化していない。よって、イオン化したガスクラスターを照射した場合においては、膜密度は殆ど変化しない。
【００３４】
図６に、ＤＨＦ（希フッ酸）によりエッチングを行った結果を示す。サンプルＡは、誘電体膜が多結晶化していないため、ＤＨＦによるエッチングレートは高い。一方、サンプルＢは、誘電体膜が熱処理により多結晶化しているため、ＤＨＦにより殆どエッチングされない。また、サンプルＣは、ＤＨＦにより誘電体膜の表面の１〜２ｎｍエッチングされるものの、その後は殆どエッチングされない。
【００３５】
以上より、本実施の形態により形成された誘電体膜、即ち、サンプルＣの誘電体膜は、表面から１〜２ｎｍの厚さの領域が熱処理前の状態に近い状態に改質されており、内部の多結晶化した状態とは異なる状態となっているものと考えられる。これにより、低いリーク電流で高い誘電率の誘電体膜を得ることができる。
【００３６】
尚、本実施の形態における表面の改質される深さに関しては、イオン化したガスクラスターの条件を調節することにより調整可能である。
【００３７】
また、上述した誘電体膜の特性については、Ａｌ２Ｏ３について示したが、ＨｆＯ２、ＺｒＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＴｉＯ２、Ｙ２Ｏ３等の希土類酸化物等を含む材料についても同様の傾向にある。
【００３８】
また、本実施の形態では、イオン化したガスクラスターとしては、酸素のイオン化したガスクラスターを用いたが、窒素のイオン化したガスクラスターを用いた場合も同様であるものと考えられる。尚、アルゴンのイオン化したガスクラスターを用いた場合では、リーク電流が増加することが確認されており、イオン化したガスクラスターとして用いるガスは酸素又は窒素が好ましい。
【００３９】
また、原子がイオン化されたモノマーイオンを誘電体膜に照射した場合では、モノマーイオンは誘電体膜全体及び誘電体膜を通り抜け基板にも影響を与えてしまい、誘電体膜の表面のみを改質することができない。しかしながら、イオン化されたガスクラスターを誘電体膜に照射した場合では、誘電体膜の表面１〜２ｎｍ程度を改質することが可能である。これは、イオン化されたガスクラスターを照射した場合における超低エネルギー照射効果によるものであり、ガスクラスター状態となることにより、誘電体層の表面のみを改質することが可能となるのである。このような効果を得るためには、ガスクラスターを構成する原子の数の平均は、好ましくは１０００個以上である。
【００４０】
尚、膜中に元素を導入する類似の方法としては、イオン注入法が代表的である。しかし、原子または分子がイオン化されたイオンを膜に注入する方法では、薄いhigh-k膜のみを改質することが非常に困難であり、high-k膜を通り抜け基板にも影響を与えてしまう。
【００４１】
よって、膜を改質するには、１×１０２１〜１×１０２２ｃｍ−３程度の密度に原子を注入することが必要であるが、一方で、膜と接するSi基板に注入される原子は１×１０１８ｃｍ−３台を超えるとＳｉ基板自体を酸化するなどの弊害が出てくる。イオン注入では、膜を改質し、Ｓｉ基板を酸化しないという両方の条件を満たすようなプロファイルを得ることが非常に困難である。また、本発明のように、結晶化した膜を注入の対象にする場合には、結晶の特定の方位に対して、一定数のイオンが散乱を受けずに透過してしまうチャネリングと呼ばれる現象が起こるため、膜の深い位置までイオンが到達する確率が高くなる。
【００４２】
一方で、ガスクラスター注入ではイオン注入と不純物導入の原理が異なるためこのような条件を満たすプロファイルを得ることが可能である。数１０００個程度の原子数を持つガスクラスターが注入の対象物に衝突すると、瞬間的に衝突が起きた近傍で高温高圧領域が形成される。これで、対象物が瞬間的に溶融し、溶融した部分に注入したい原子が浸透する。不純物深さはこの溶融する深さで決定され、不純物のプロファイルは非常に急峻になる。また、ガスクラスターの衝突過程では、照射される表面近傍で他耐衝突が生じるため、上述のチャネリングは発生しない。また、上記の溶融により、対象膜の結晶構造が崩れる効果もあり、チャネリングは発生しない。また、クラスターの平均的な値は、上述のように数１０００個以上にすることができ、原子１個当たりのエネルギーは、イオン注入の場合に比べ非常に低くすることができる。これらの効果に関しては、「クラスターイオンビーム基礎と応用」山田公編著、日刊工業新聞社、ISBN4-526-05765-7、p.146-147等に記述されている。
【００４３】
（半導体装置の製造方法）
次に、図７に基づき本実施の形態における半導体装置の製造方法について説明する。
【００４４】
最初に、図７（ａ）に示すように、シリコン基板２１上にＣＶＤ法により誘電体膜であるＨｆＯ２膜２２を形成し、その後、熱処理を行い、イオン化したガスクラスター２５の照射を行う。
【００４５】
次に、図７（ｂ）に示すように、ＨｆＯ２膜２２上にポリシリコン等からなる電極膜２３を形成する。
【００４６】
次に、図７（ｃ）に示すように、ゲート電極及びゲート絶縁膜が形成される領域を除き、ＨｆＯ２膜２２及び電極膜２３をエッチングにより除去する。このエッチングにより、残存するＨｆＯ２膜２２によりゲート絶縁膜２２ａが形成され、残存する電極膜２３によりゲート電極２３ａが形成される。
【００４７】
次に、図７（ｄ）に示すように、ゲート電極及びゲート絶縁膜が形成される領域以外のシリコン基板２１の表面に不純物イオンのイオン注入を行い、不純物イオンが高濃度に含まれる高濃度領域２４を形成する。この後、高濃度領域２４に接続される不図示のドレイン電極及びソース電極を形成することにより、電界効果型トランジスタが形成される。
【００４８】
これにより、誘電率が高く、リーク電流の低い誘電体膜により構成される電界効果型トランジスタを形成することができる。本実施の形態では、このような電界効果型トランジスタを複数有する半導体装置を高集積化させることができ、また、高い歩留まりで製造することができる。
【００４９】
尚、上記説明では、半導体装置として電界効果型トランジスタの製造方法について説明したが、他の電子部材、例えば、コンデンサー等を形成する場合においても、本実施の形態における誘電体膜の形成方法を用いることが可能である。
【００５０】
以上、本発明の実施に係る形態について説明したが、上記内容は、発明の内容を限定するものではない。
【符号の説明】
【００５１】
１１    ノズル部
１２    イオン化電極
１３    加速電極
１４    クラスター選別部
１５    ガスクラスター
２１    シリコン基板
２２    誘電体膜
２２ａ  ゲート絶縁膜
２３    電極膜
２３ａ  ゲート電極
２４    高濃度領域
２５    ガスクラスター
【図１】
0005373853.tif 000002
【図２】
0005373853.tif 000003
【図３】
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【図４】
0005373853.tif 000005
【図５】
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【図６】
0005373853.tif 000007
【図７】
0005373853.tif 000008