(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハイドーズインプラント処理が行われているフォトレジストが形成される基板を大気圧状態で２５０℃に加熱する段階と、
前記基板を、真空状態で１次プラズマアッシング処理する段階と、
前記基板の温度を大気圧状態で降下させる段階と、
前記基板を、真空状態で２次プラズマアッシング処理する段階と、を順次含み、
前記アッシング処理時のガスが酸素であること、
を特徴とする基板製造方法。
【請求項２】
前記基板を加熱する段階は、
チャンバーの中に設置される支持部材を加熱する段階と、
前記チャンバーの内部圧力を大気圧で維持した状態で、前記支持部材に前記基板を安着させ、加熱する段階と、を含むことを特徴とする請求項１に記載の基板製造方法。
【請求項３】
前記基板の温度を降下させる段階は、
前記チャンバーの内部圧力を大気圧で維持した状態で、既設定される時間内に前記支持部材から前記基板を離隔させること、を特徴とする請求項２に記載の基板製造方法。
【請求項４】
前記基板の温度を降下させる段階は、前記支持部材から前記基板を１センチメートル以上離隔させること、を特徴とする請求項３に記載の基板製造方法。
【請求項５】
前記基板の温度降下時、前記基板は、前記支持部材に配置されるリフトピンにより、前記支持部材から離隔されること、を特徴とする請求項１に記載の基板製造方法。
【請求項６】
前記基板を冷却させる段階は、前記基板を前記チャンバーから引き出した後、前記チャンバー外部に、大気圧状態で既設定された時間内に配置し、
前記チャンバー外部の温度は、前記チャンバーの内部温度より低いこと、を特徴とする請求項２に記載の基板製造方法。
【請求項７】
前記基板を冷却させる段階は、前記基板を前記チャンバーの外部に引き出した後、冷却装置を利用し、大気圧状態で前記基板を冷却させること、を特徴とする請求項２に記載の基板製造方法。
【請求項８】
前記１次プラズマアッシング処理及び前記２次プラズマアッシング処理は、真空圧状態で行われること、を特徴とする請求項１に記載の基板製造方法。
【請求項９】
前記１次プラズマアッシング処理及び前記２次プラズマアッシング処理は、酸素ガスを利用して行なわれること、を特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の基板製造方法。
【請求項１０】
前記基板の加熱時間は２乃至２０秒であって、
前記１次プラズマアッシング処理時、前記チャンバーの内部圧力は０.１乃至１トール、消費電力は１０００乃至３０００ワット、前記１次プラズマアッシング処理に利用されるガス流量は１０００乃至５０００ｓｃｃｍ、所要時間は１０乃至３０秒であって、
前記２次プラズマアッシング処理時に、前記チャンバーの内部圧力は０.１乃至１トール、消費電力は１０００乃至３０００ワット、２次プラズマアッシング処理に利用されるガス流量は１０００乃至５０００ｓｃｃｍ、所要時間は１０乃至３０秒であること、を特徴とする請求項２に記載の基板製造方法。
【請求項１１】
前記２次プラズマアッシング処理段階以後に、
前記基板を３次プラズマアッシング処理する段階をさらに含み、
前記３次プラズマアッシング処理は、前記チャンバーの内部圧力と消費電力が前記１次及び２次プラズマアッシング処理段階より高い工程条件で行なわれること、を特徴とする請求項１０に記載の基板製造方法。
【請求項１２】
前記基板を加熱する段階以前に、前記基板は、ハイドーズインプラント処理またはプラズマを利用し、インプラント処理されること、を特徴とする請求項１に記載の基板製造方法。
【請求項１３】
前記２次プラズマ処理段階以後に、
化学処理無しの純水を使用し、前記基板を洗浄する段階をさらに含むこと、を特徴とする請求項１に記載の基板製造方法。
【請求項１４】
チャンバー内部に設置される支持部材に、ハイドーズインプラント処理が行われているフォトレジストが形成される基板を安着させた状態で、前記基板を大気圧状態で２５０℃に加熱する段階と、
前記チャンバー内部を第１圧力に維持させた状態で、前記基板を１次プラズマアッシング処理する段階と、
前記チャンバー内部を第２圧力に維持させた状態で、前記基板の温度を降下させる段階と、
前記チャンバー内部を第３圧力に維持させた状態で、前記基板を２次プラズマアッシング処理する段階と、を順次含み
前記第２圧力は、前記第１及び第３圧力より高く、
前記第２圧力は、大気圧と同じであることと、
前記アッシング処理時のガスが酸素であること、
とを特徴とする基板製造方法。
【請求項１５】
前記第２圧力は、大気圧であること、を特徴とする請求項１４に記載の基板製造方法。
【請求項１６】
前記第１及び第３圧力は、真空圧であること、を特徴とする請求項１５に記載の基板製造方法。
【請求項１７】
前記基板を加熱する段階は、前記チャンバー内部が大気圧に維持された状態で、２乃至２０秒間行なわれ、
前記１次プラズマアッシング処理時に、前記チャンバーの内部圧力は０.１乃至１トール、消費電力は１０００乃至３０００ワット、前記１次プラズマアッシング処理に利用されるガス流量は１０００乃至５０００ｓｃｃｍ、所要時間は１０乃至３０秒であって、
前記２次プラズマアッシング処理時に、前記チャンバーの内部圧力は０.１乃至１トール、消費電力は１０００乃至３０００ワット、２次プラズマアッシング処理に利用されるガス流量は１０００乃至５０００ｓｃｃｍ、所要時間は１０乃至３０秒であること、を特徴とする請求項１４乃至１６のいずれか一項に記載の基板製造方法。
【請求項１８】
前記２次プラズマアッシング処理段階の以後に、
化学処理無しの純水を利用し、前記基板を洗浄する段階をさらに含むこと、を特徴とする請求項１４乃至１６のいずれか一項に記載の基板製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板を製造する装置に関し、より詳細には、半導体基板を加工するための基板製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、プラズマは、イオンや電子、ラジカルなどからなるイオン化されるガス状態を言い、非常に高い温度や、強い電界あるいは高周波電磁界(ＲＦ  Ｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｆｉｅｌｄｓ)により、生成される。
特に、グロー放電によるプラズマは、直流や高周波電磁界によって励起される自由電子により生成され、励起される自由電子は、ガス分子と衝突し、イオン、ラジカル、電子などと同じ活性種(Ａｃｔｉｖｅ  Ｓｐｅｃｉｅｓ）を生成する。このような活性種は、物理的あるいは化学的に、物質の表面に作用し、表面の特性を変化させる。 このような活性種により、物質の表面を処理することをプラズマ処理という。
【０００３】
このようなプラズマ処理は、半導体素子を製造する工程、例えば、薄膜蒸着、洗浄、アッシング またはエッチング工程に利用される。
【０００４】
一般的に、プラズマアッシング工程は、約２００℃乃至３００℃に加熱したチャックの上にウエハーを置いた状態で、プラズマをフォトレジストと反応させ、フォトレジストを除去する。
【０００５】
このようなプラズマアッシング工程は、主に、酸素ガスを利用したプラズマ生成を通じて行なわれる。 しかし、フォトレジストをハイドーズインプラント(Ｈｉｇｈ  Ｄｏｓｅ  Ｉｍｐｌａｎｔ)処理した後に除去する場合、ハイドーズインプラント処理過程で、フォトレジストの表面が硬化される。これに従い、ポッピングが誘発され、ポッピングより、残留物が残る。このような残留物は、化学処理をしても容易に除去出来ないので、ウエハーの不良を誘発する。
【０００６】
これを防止するため、プラズマアッシング工程時に、四フッ化炭素(ＣＦ４)ガスのようなフッ素を含むガスを添加し、ポッピングによって、形成される残留物を除去する。即ち、フォトレジストは、温度上昇により、物質が変化になり、フォトレジストを構成する非晶質炭素が増加する。これに従い、ポッピングによる残留物は炭素と炭素との間の結合基が増加し、硬化の程度が増加するので、これを除去する必要なエネルギーが増加する。このような残留物は、酸素ガスを利用し除去することが難しいので、プラズマアッシング工程時に、フッ素系ガスを添加する。フッ素系ガスは、残留物を構成する炭素と結合し、炭素と炭素との間の結合基を切ってしまうので、残留物を容易に除去することができる。しかし、このようなフッ素系ガスは、ウエハーに形成される酸化膜の損失を誘発する。
【０００７】
尚、酸素ガスのみを利用するプラズマアッシング工程は、３００℃以上の工程温度を要求するので、
上述したように、ポッピング及び残留物の残存を誘発し、高温によるウエハーの特性変化を誘発し、残留物除去のために別途の化学処理が隨伴される。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、上述の問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、工程効率を向上させることができる基板製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上述した目的を達成すべく、本発明の目的を実現するための一つの特徴による基板製造方法は、次の通りである。
【００１０】
まず、フォトレジストが形成される基板を加熱する。続き、基板を１次プラズマアッシング処理し、基板の温度を大気圧状態で降下させる。再び、基板を２次プラズマアッシング処理する。
【００１１】
ここで、１次プラズマアッシング処理及び２次プラズマアッシング処理は、真空圧状態で行なわれ、且つ、酸素ガスを利用して行なわれる。
【００１２】
一方、２次プラズマアッシング処理後、化学処理無しの純水を利用し、基板を洗浄する。
【００１３】
尚、上述した目的を達成すべく、本発明の目的を実現するための一つの特徴による基板製造方法は、次の通りである。まず、チャンバー内部に設置された支持部材に基板を安着させた状態で、基板を加熱する。チャンバー内部を第１圧力に維持させた状態で、基板を１次プラズマアッシング処理する。チャンバー内部を第２圧力に維持させた状態で、基板の温度を降下させる。チャンバー内部を第３圧力に維持させた状態で、基板を２次プラズマアッシング処理する。
【００１４】
ここで、第２圧力は、第１及び第３圧力より高い。
【００１５】
具体的に、第２圧力は、大気圧で、第１及び第３圧力は、真空圧である。
【発明の効果】
【００１６】
上述した本発明によると、プラズマアッシング処理時に、大気圧状態でしばらく基板の温度を降下させることにより、フォトレジストの化学結合変化を防止し、ポッピング及び残留物発生を減少させ、アッシングの効率及び、製品の収率を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の実施形態に従う基板製造装置を示す図面である。
【図２】図１に図示された基板製造装置を利用し、ウエハーを製造する方法を説明するための流れ図である。
【図３】図１に図示された基板製造装置で、プラズマアッシングが行なわれる工程を示す図面である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、添付図面を参照して本発明の望ましい実施形態をより詳細に説明する。
【００１９】
図１は、本発明の実施形態に係る基板製造装置を示す図面である。
【００２０】
図１を参照すると、本発明の基板製造装置４００は、処理ユニット１００、プラズマ生成ユニット２００及び第１及び第２排気管３１０、３２０を含む。
【００２１】
処理ユニット１００は、ウエハーのアッシング工程が行なわれ、プラズマ生成ユニット２００は、アッシング工程に必要なプラズマを生成し、処理ユニット１００に提供する。第１及び第２排気管３１０、３２０は、処理ユニット１００内部のガスと反応副産物を外部に排出し、処理ユニット１００の内部圧力を調節する。
【００２２】
具体的に、処理ユニット１００は、チャンバー１１０、チャック１２０、バッフル１３０及びカバー１４０を含む。
【００２３】
チャンバー１１０は、基板の処理工程が行なわれる工程空間(ＰＳ）を提供し、底面１１１には、第１及び第２排気管３１０、３２０と各々連通される第１及び第２排気ホール１１１ａ、１１１ｂが形成される。基板の処理工程時に、チャンバー１１０は接地される。
【００２４】
チャック１２０は、工程空間(ＰＳ）に設置され、アッシング処理時に、ウエハーを支持する。具体的に、チャック１２０は、ウエハーが安着される支持プレート１２１及び支持プレート１２１の下部に結合される支持軸１２３を含む。
【００２５】
アッシング工程時に、支持プレート１２１は、上面に安着されるウエハーを既設定される温度で加熱し、支持軸１２３は、中心軸を基準に回転して支持プレート１２１を回転させる。
【００２６】
チャック１２０の上部には、バッフル１３０及びカバー１４０が配置される。バッフル１３０は、チャンバー１１０の上段部に結合され、支持プレート１２１と向き合う。バッフル１３０は、接地され、プラズマ生成ユニット２００から生成されるプラズマを濾過させ、主に、プラズマのラジカルを通過させ、工程空間(ＰＳ）に提供する。
【００２７】
カバー１４０は、チャンバー１１０及びバッフル１３０上部に配置され、チャンバー１１０と結合し、工程空間(ＰＳ）を密閉させる。尚、カバー１４０は、プラズマ生成ユニット２００と結合し、プラズマ生成ユニット２００からのプラズマが流入される流入口１４１が形成される。カバー１４０の内部には、プラズマ生成ユニット２００からのプラズマが流入口１４１を通して流入される誘導空間(ＧＳ）が形成される。誘導空間(ＧＳ）内のプラズマは、バッフル１３０を経由して、工程空間(ＰＳ）に提供される。本発明の一例に、誘導空間(ＧＳ）は、逆円錐形状に形成される。
【００２８】
カバー１４０の上部には、プラズマ生成ユニット２００が設置される。プラズマ生成ユニット２００は、マグネトロン２１０、導波管２２０、第１及び第２ガス供給管２３１、２３３、プラズマソース部２４０及び流入管２５０を含む。
【００２９】
具体的に、マグネトロン２１０は、プラズマ生成のためのマイクロ波を発生させ、導波管２２０は、マグネトロン２１０で生成されるマイクロ波をプラズマソース部２４０に誘導する。第１ガス供給管２３１は、プラズマソース部２４０に連結され、プラズマアッシングのための処理ガスをプラズマソース部２４０に供給する。
【００３０】
プラズマソース部２４０の中では、第１ガス供給管２３１からの処理ガスと及びマグネトロン２１０からのマイクロ波により、プラズマが生成される。
【００３１】
プラズマソース部２４０は、流入管２５０の入力端に連結され、流入管２５０の出力端は、カバー１４０上面に結合され、流入口１４１と連通される。プラズマソース部２４０で生成されたプラズマは、流入管２５０を通して誘導空間(ＧＳ）に提供され、バッフル１３０を通して工程空間(ＰＳ）に提供される。
【００３２】
尚、流入管２５０は、第２ガス供給管２３３と連結される。第２ガス供給管２３３の出力端は、流入管２５０の側部に結合され、流入管２５０に調節ガスを提供し、プラズマソース部２４０で生成されるプラズマのラジカル生成速度を調節する。
【００３３】
プラズマ生成ユニット２００は、チャンバー１１０内部を洗浄するための洗浄ガスを提供する第３ガス供給管２３５をさらに含むことができる。第３ガス供給管２３５は、プラズマソース部２４０に連結し、洗浄ガスは、基板の処理過程でチャンバー１１０の内壁とバッフル１３０に付着されたパーティクルを除去する。
【００３４】
一方、チャンバー１１０の下には、第１及び第２排気管３１０、３２０が設置される。第１及び第２排気管３１０、３２０は、チャンバー１１０底面１１１に結合され、チャンバー１１０の底面１１１に形成される第１及び第２排気ホール１１１ａ、
１１１ｂと各々連通され、工程空間(ＰＳ）に流入されるガス及び工程過程で発生される工程副産物を外部に排出させる。第１及び第２排気管３１０、３２０は、外部の圧力調節装置(図示せず)と連結され、第１及び第２排気管３１０、３２０を通し、工程空間の圧力が調節される。
【００３５】
この実施形態において、基板製造装置４００は、二つの排気管３１０、３２０を配置されるが、排気管３１０、３２０の個数は、チャンバー１１０の大きさにより、増加または減少する。
【００３６】
以下、図面を参照し、基板製造装置４００を利用したプラズマアッシング工程に対して具体的に説明する。
【００３７】
図２は、図１に図示された基板製造装置を利用し、ウエハーを製造する方法を説明するための流れ図で、図３は、図１に図示された基板製造装置でプラズマアッシングが行なわれる工程を示す図面である。
【００３８】
図２及び図３を参照すると、まず、チャック１２０の支持プレート１２１を加熱させた後、フォトレジストが形成されるウエハー１０を支持プレート１２１上に安着させる(段階Ｓ１１０)。この時、支持プレート１２１は、約２００℃乃至３００℃程度に加熱し、ウエハー１０は、フォトレジストが形成された後にハイドーズインプラント(Ｈｉｇｈ  Ｄｏｓｅ  Ｉｍｐｌａｎｔ：以下、ＨＤＩ)またはプラズマを利用するインプラント工程後にチャンバー１１０に引入される。
【００３９】
加熱される支持プレート１２１により、ウエハー１０が加熱される(段階Ｓ１２０)。
【００４０】
この時、ウエハー１０の加熱時間は、約２乃至２０秒程度である。
【００４１】
ここで、ウエハー１０を支持プレート１２１に安着させる段階(Ｓ１１０)及びウエハー１０を加熱する段階(Ｓ１２０）は、チャンバー１１０内部圧力が大気圧に維持された状態で行なわれる。
【００４２】
続き、チャンバー１１０内部を真空状態にした後、酸素ガスを利用し、ウエハー１０を１次プラズマアッシング処理する(段階Ｓ１３０)。
【００４３】
具体的に、第１ガス供給管２３１から酸素ガスがプラズマソース部２４０に供給される。一方、マグネトロン２１０からマイクロ波が発生され、マイクロ波が導波管２２０を通し、プラズマソース部２４０に誘導される。これに従い、プラズマソース部２４０の中では、酸素を含むプラズマが生成され、生成されたプラズマは、流入管２５０及びバッフル１３０を経由し、ウエハー１０に提供される。これで、ウエハー１０の１次プラズマアッシング処理が行なわれる。
【００４４】
１次プラズマアッシング処理時に、チャンバー１１０の内部圧力は、約０.１乃至約１トール(Ｔｏｒｒ)程度で、約１０００乃至約３０００ワット(Ｗ）の電力が消費され、供給される酸素ガスの流量は、約１０００乃至約５０００ｓｃｃｍ(Ｓｔａｎｄａｒｄ  Ｃｕｂｉｃ  Ｃｅｎｔｉｍｅｔｅｒ  ｐｅｒ  Ｍｉｎｕｔｅ)程度であり、所要時間は約１０乃至約３０秒程度である。
【００４５】
続き、チャンバー１１０内部圧力を大気圧状態にした後、ウエハー１０を支持プレート１２１から分離させた状態で、ウエハー１０を待機させ、ウエハー１０の温度を降下させる(Ｓ１４０)。ここで、ウエハー１０の待機時間は最短約３０秒程度である。
【００４６】
支持プレート１２１からウエハー１０分離時に、ウエハー１０は、支持プレート１２１に設置されるリフトピン(図示せず)により、支持プレート１２１から約１ｃｍ以上離隔される。ここで、リフトピンは、ウエハー１０を支持する状態で、昇降動作を通し、ウエハー１０を支持プレート１２１から離隔させる。
【００４７】
尚、ウエハー１０をチャンバー１１０から引き出し、ウエハー１０を支持プレート１２１から分離させることができる。このような場合、別途の冷却部材を利用し、ウエハー１０を冷却させることができ、室温でウエハー１０を待機させることができる。
【００４８】
上述したウエハー１０の温度を降下させる方法は、大気圧状態で行なわれる。
【００４９】
続き、尚、ウエハー１０を支持プレート１２１に安着させた後、酸素ガスを利用してウエハー１０を２次プラズマアッシング処理する(段階Ｓ１６０)。この時、チャンバー１１０の内部圧力は約０．１乃至約１トールであり、消費電力は約１０００乃至約３０００ワット、酸素ガス流量は約１０００乃至約５０００ｓｃｃｍ、所要時間は約１０乃至約３０秒程度である。
【００５０】
続き、段階Ｓ１６０で、よりチャンバー１１０の圧力と消費電力を増加させ、ウエハー１０を３次プラズマアッシング処理する(段階Ｓ１７０)。この時、チャンバー１１０の内部圧力は約０.５乃至約２.５トールであり、消費電力は約３０００乃至約７０００ワット、酸素ガス流量は約１０００乃至約５０００ｓｃｃｍ程度である。
【００５１】
本発明の一例では、１次プラズマアッシング処理及び第２プラズマアッシング処理は、ポッピング発生を考慮して３次プラズマアッシング処理より低い圧力と低い消費電力下で行なわれる。反面、３次プラズマアッシング処理は、アッシング率を向上させるために、１次プラズマアッシング処理及び２次プラズマアッシング処理より高い圧力と高い消費電力下で行なわれる。
【００５２】
ウエハー１０の３次プラズマアッシング処理を通し、フォトレジストの除去が完了すると、ウエハー１０をチャンバー１１０から引き出し(Ｓ１８０)、ウエハー１０を純水で洗浄後に乾燥する(段階Ｓ１９０)。
【００５３】
上述では、酸素ガスを利用し、プラズマアッシング処理が行なわれるが、本発明はこれに限定されない。
【００５４】
上述したように、本発明に従うプラズマアッシング工程は、大気圧でウエハー１０を加熱して１次プラズマアッシング処理後、ウエハー１０の温度を大気圧状態で降下させ、ウエハー１０に形成されたフォトレジストの物質変化、すなわち、化学結合変化を防止する。
【００５５】
具体的に、フォトレジストは、真空状態の高温で化学結合に変化が生じ、温度と圧力によるフォトレジストの化学結合変化は、下記の表１の通りである。
【００５６】
【表１】
0005213741.tif 000002
【００５７】
表１を参照すると、ＨＤＩ処理前、フォトレジストの炭素-酸素結合は約２６％、炭素-水素結合は約７４％、非晶質炭素は約０％である。ＨＤＩ処理後にフォトレジストの化学結合をみると、炭素-酸素結合は約１４％でＨＤＩ処理前より減少し、炭素-水素結合は約 ５０％でＨＤＩ処理前より減少し、非晶質炭素は約３６％でＨＤＩ処理前より増加する。
【００５８】
ＨＤＩ処理されたフォトレジストを真空状態で、約２５９℃で加熱すると、炭素-酸素結合は約０％で加熱前より減少し、炭素-水素結合は約１３％で加熱前より減少し、非晶質炭素は約８７％で加熱前より増加する。すなわち、ＨＤＩ処理されるフォトレジストを真空状態で加熱すると、化学結合の変化が生じ、非晶質炭素が急激に増加される。
【００５９】
これに従い、フォトレジストは、炭素と炭素間の結合基が増加し、炭素と炭素間の二重結合及び三重結合が増加され、ポッピング増加される。一般的に、炭素-炭素結合を分解するのに約８１Ｋｃａｌ／ｍｏｌｅのエネルギーを必要とする反面、炭素=炭素の結合と炭素≡炭素の結合を分解するのに、各々約１４５Ｋｃａｌ／ｍｏｌｅと約１９８Ｋｃａｌ／ｍｏｌｅのエネルギーを必要とするので、ポッピングによる残留物の除去が難しくなる。
【００６０】
反面、ＨＤＩ処理されるフォトレジストを大気圧状態で、約２５０℃に加熱すると、炭素-酸素結合は約１６％、炭素-水素結合は約５２％であり、非晶質炭素は約３２％程度である。このように、ＨＤＩ処理されたフォトレジストを大気圧で加熱する場合、化学結合が加熱前とほとんど変化がないので、非晶質炭素の増加を防止し、ポッピングを減少させ、
残留物とフォトレジストの除去が容易である。
【００６１】
以下、図２と図３及び表１を参照し、段階Ｓ１２０乃至Ｓ１５０別に、ウエハー１０に形成されるフォトレジストの化学結合変化をみると、次の通りである。
【００６２】
まず、段階Ｓ１２０で、ウエハー１０は、大気圧で加熱されるので、ウエハー１０のフォトレジストは、化学結合の変化がほとんど生じない。すなわち、フォトレジストの化学結合は、加熱前、すなわちＨＤＩ処理後とほとんど類似に現れる。
【００６３】
段階Ｓ１３０で、ウエハー１０は、高温の真空状態で、１次プラズマアッシング処理されるので、ウエハー１０のフォトレジストは、化学結合の変化が生じる。すなわち、ウエハー１０のフォトレジストは、非晶質炭素が急激に増加される。
【００６４】
しかし、段階Ｓ１４０及びＳ１５０で、ウエハー１０は、チャック１２０から分離され、大気圧の状態で温度降下がなされる。これに従い、フォトレジストの非晶質炭素が加熱前の状態に減少される。すなわち、フォトレジストの化学結合がもう一度ＨＤＩ処理後状態に変化される。
【００６５】
このように、本発明に従うプラズマアッシング工程は、１次プラズマアッシング処理後、ウエハー１０の温度を大気圧状態で降下させ、温度上昇によるフォトレジストの化学結合変化を減少させる。
【００６６】
これに従い、基板製造装置４００は、ポッピングを防止し、残留物及びフォトレジストを容易に除去することができ、プラズマアッシング効率を向上させることができる。尚、基板製造装置４００は、ポッピング防止及び残留物の除去のために、フッ素系ガスを利用する必要がないので、ウエハー１０の酸化膜損失を防止し、製品の収率を向上させることができる。
【００６７】
尚、本発明に従うプラズマアッシング工程は、フォトレジストの化学結合変化を最小化させるので、プラズマアッシング工程後、ウエハー１０の洗浄工程時に別途の化学処理無しの純水を利用し、ウエハー１０を洗浄することができ、製造原価を節減させることができる。
【００６８】
以上、実施形態を参照して説明したが、当該技術分野の熟練された当業者は、上述の特許請求範囲に記載される本発明の思想及び領域から抜け出さない範囲内で、本発明を多様に修正及び変更することができる。
【符号の説明】
【００６９】
１０  ウエハー
１００ 処理ユニット
１１０  チャンバー
１１１  底面
１１１ａ、１１１ｂ  排気ホール
１２０  チャック
１２１  支持プレート
１２３  支持軸
１３０  バッフル
１４０  カバー
１４１  流入口
２００ プラズマ生成ユニット
２１０  マグネトロン
２２０  導波管
２３１、２３３、２３５  ガス供給管
２４０  プラズマソース管
２５０  流入管
３１０、３２０ 排気管
４００ 基板製造装置
【図１】
0005213741.tif 000003
【図２】
0005213741.tif 000004
【図３】
0005213741.tif 000005