(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の方向に延在する複数の第１電極と、
前記複数の第１電極の間に設けられた第１電極間絶縁層と、
を含む第１層と、
前記第１の方向と三次元的に交差する第２の方向に延在し、前記複数の第１電極に対向して設けられた複数の第２電極と、
前記複数の第２電極の間に設けられた第２電極間絶縁層と、
を含む第２層と、
前記第１層の全面と前記第２層の全面との間において前記第１の方向と前記第２の方向とを含む平面内で連続して設けられ、遷移金属酸化物を用いた電気抵抗変化素子または相転移型材料を用いた相変化素子の記憶部と、
前記第１電極及び前記第１電極間絶縁層と、前記記憶部と、の間に設けられ前記第１電極と前記第１電極間絶縁層とにわたって導電性の第１の凸部と、
を備えたことを特徴とする不揮発性記憶装置。
【請求項２】
前記第２電極と前記記憶部との間に設けられ、前記第２の方向に延在する導電性の第２の凸部をさらに備えたことを特徴とする請求項１記載の不揮発性記憶装置。
【請求項３】
前記記憶部と前記第１電極との間、及び、前記記憶部と前記第２電極との間、の少なくともいずれかに設けられた整流素子部をさらに備えたことを特徴とする請求項１または２に記載の不揮発性記憶装置。
【請求項４】
基板上に第１の方向に延在する複数の第１電極と、前記複数の第１電極の間に設けられた第１電極間絶縁層と、を形成し、
前記複数の第１電極と前記第１電極間絶縁層との上に、前記複数の第１電極及び前記第１電極間絶縁層を連続的に覆う、遷移金属酸化物を用いた電気抵抗変化素子または相転移型材料を用いた相変化素子の記憶部を形成し、
前記記憶部の上に、前記第１の方向と３次元的に交差する第２の方向に延在する複数の第２電極と、前記複数の第２電極の間に設けられた第２電極間絶縁層と、を形成する不揮発性記憶装置の製造方法であって、
前記複数の第１電極及び前記第１電極間絶縁層と、前記記憶部と、の間に、前記第１電極と前記第１電極間絶縁層とにわたって導電性の凸部を形成することを特徴とする不揮発性記憶装置の製造方法。
【請求項５】
基板上に第１の方向に延在する複数の第１電極と、前記複数の第１電極の間に設けられた第１電極間絶縁層と、を形成し、
前記複数の第１電極と前記第１電極間絶縁層との上に、前記複数の第１電極及び前記第１電極間絶縁層を連続的に覆う、遷移金属酸化物を用いた電気抵抗変化素子または相転移型材料を用いた相変化素子の記憶部を形成し、
前記記憶部の上に、前記第１の方向と３次元的に交差する第２の方向に延在する複数の第２電極と、前記複数の第２電極の間に設けられた第２電極間絶縁層と、を形成する不揮発性記憶装置の製造方法であって、
前記複数の第２電極及び前記第２電極間絶縁層と、前記記憶部と、の間に、前記第２電極と前記第２電極間絶縁層とにわたって導電性の凸部を形成することを特徴とする不揮発性記憶装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、不揮発性記憶装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
不揮発性記憶装置として多用されているフラッシュメモリは、集積度の向上に対して限界があるとされている。フラッシュメモリより高集積度の、いわゆる４Ｆ２の素子面積が可能な不揮発性記憶装置として、例えば電気抵抗が可変の記憶部を２枚の電極に挟んだ構成の、クロスポイント型不揮発性記憶装置が注目されている。特許文献１には、このクロスポイント型不揮発性記憶装置において、対向する電極の少なくとも一方に突起等の電界集中部を設け、消費電力及びクロストークを低減する技術が開示されている。  
しかし、この方法では、電極の上のみに、例えば、円錐台形状や半楕円形状の独立した突起を設けるので、工程が複雑であった。また、独立した突起を設けるので、製造工程における位置ずれ等に起因して、上下電極上の突起の位置が一定でなく、結果として上下電極間に発生する電界のばらつきが大きく、安定した動作がし難い。
【特許文献１】特開２００６−３２７２８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明の目的は、クロストークの発生を抑制し、製造が容易で、安定した動作が実現できる不揮発性記憶装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明の一態様によれば、基板と、前記基板上に在って、第１の方向に延在する複数の第１電極と、前記複数の第１電極の間に設けられた第１電極間絶縁層と、前記第１の方向と３次元的に交差する第２の方向に延在し、前記複数の第１電極に対向して設けられた複数の第２電極と、前記複数の第２電極の間に設けられた第２電極間絶縁層と、前記第１電極と前記第２電極との間に設けられた記憶部と、前記第１電極及び前記第１電極間絶縁層と、前記記憶部と、の間、及び、前記第２電極及び前記第２電極間絶縁層と、前記記憶部と、の間、の少なくともいずれかに設けられた導電性の第１の凸部と、を備えたことを特徴とする不揮発性記憶装置が提供される。
【０００６】
また、本発明の他の一態様によれば、基板上に第１の方向に延在する複数の第１電極と、前記複数の第１電極の間に設けられた第１電極間絶縁層と、を形成し、前記複数の第１電極と前記第１電極間絶縁層との上に、前記複数の第１電極及び前記第１電極間絶縁層を連続的に覆う、遷移金属酸化物を用いた電気抵抗変化素子または相転移型材料を用いた相変化素子の記憶部を形成し、前記記憶部の上に、前記第１の方向と３次元的に交差する第２の方向に延在する複数の第２電極と、前記複数の第２電極の間に設けられた第２電極間絶縁層と、を形成する不揮発性記憶装置の製造方法であって、前記複数の第１電極及び前記第１電極間絶縁層と、前記記憶部と、の間に、前記第１電極と前記第１電極間絶縁層とにわたって導電性の凸部を形成することを特徴とする不揮発性記憶装置の製造方法が提供される。
【０００７】
また、本発明の他の一態様によれば、基板上に第１の方向に延在する複数の第１電極と、前記複数の第１電極の間に設けられた第１電極間絶縁層と、を形成し、前記複数の第１電極と前記第１電極間絶縁層との上に、前記複数の第１電極及び前記第１電極間絶縁層を連続的に覆う、遷移金属酸化物を用いた電気抵抗変化素子または相転移型材料を用いた相変化素子の記憶部を形成し、前記記憶部の上に、前記第１の方向と３次元的に交差する第２の方向に延在する複数の第２電極と、前記複数の第２電極の間に設けられた第２電極間絶縁層と、を形成する不揮発性記憶装置の製造方法であって、前記複数の第２電極及び前記第２電極間絶縁層と、前記記憶部と、の間に、前記第２電極と前記第２電極間絶縁層とにわたって導電性の凸部を形成することを特徴とする不揮発性記憶装置の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、クロストークの発生を抑制し、製造が容易で、安定した動作が実現できる不揮発性記憶装置及びその製造方法が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。  
（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施形態に係る不揮発性記憶装置の構成を例示する模式断面図である。  
図２は、本発明の第１の実施形態に係る不揮発性記憶装置の構成を例示する模式図である。  
なお、本願明細書と図２以降の各図については、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
【００１０】
図２（ａ）、（ｂ）は、本発明の第１の実施形態に係る不揮発性記憶装置の構成を例示する、それぞれ、模式的斜視図及び模式的透過平面図であり、図１（ａ）は、図２のＡ−Ａ線断面図、図１（ｂ）は、図２のＢ−Ｂ線断面図である。  
図１、図２に表したように、本発明の第１の実施形態に係る不揮発性記憶装置１０は、基板１０５の主面１０６の上に設けられた複数の下側電極（第１電極）１３０と、下側電極１３０と対向して設けられた複数の上側電極（第２電極）２３０と、下側電極１３０と上側電極２３０との間に設けられた記憶部３００と、を備えている。下側電極１３０は第１の方向、すなわちＸ軸方向に延在し、上側電極２３０は、第１の方向（Ｘ軸方向）と３次元的に交差する（非平行の）第２の方向、すなわちＹ軸方向に延在する。なお、Ｘ軸とＹ軸とに直交する軸をＺ軸とする。
【００１１】
そして、複数の下側電極１３０の間には、下側電極間絶縁層（第１電極間絶縁層）１９１が設けられている。そして、複数の上側電極２３０の間には、上側電極間絶縁層（第２電極間絶縁層）１９２が設けられている。  
そして、不揮発性記憶装置１０は、下側電極１３０及び下側電極間絶縁層１９１と、上側電極２３０と、の間に設けられた凸部４１０をさらに備えている。すなわち、本具体例では、凸部４１０は、下側電極１３０と下側電極環絶縁層１９１との上に設けられている。
【００１２】
基板１０５には、例えばシリコン基板を用いることができ、このシリコン基板の上には、不揮発性記憶装置を駆動する駆動回路を設けることもできる。  
また、記憶部３００としては、例えば、印加する電圧によって電気抵抗値が変化する、酸化ニッケル（ＮｉＯｘ）、酸化チタン（ＴｉＯｘ）、ＺｎＭｎ２Ｏ４、ＺｎＦｅ２Ｏ４、ＭｎＯｘ、ＰｒｘＣａ１−ｘＭｎＯ３等の他、各種の遷移金属酸化物等を用いることができる。また、相転移型材料を用いることができる。  
また、下側電極１３０、及び、上側電極２３０には、例えば、タングステン、タングステンシリサイド、アルミニウム、銅等を用いることができる。  
なお、下側電極１３０をビット線（ＢＬ）、上側電極２３０をワード線（ＷＬ）と言う。ただし、下側電極１３０をワード線（ＷＬ）、上側電極２３０をビット線（ＢＬ）としても良い。
【００１３】
不揮発性記憶装置１０において、下側電極１３０に与える電位と上側電極２３０に与える電位の組み合わせによって、各記憶部３００に印加される電圧が変化し、その時の記憶部３００の特性によって、情報を記憶することができる。この時、記憶部３００に印加される電圧の極性に方向性を持たせるために、例えば整流特性を有する整流素子部３２０を設けることができる。整流素子部３２０には、例えば、ＰＩＮダイオードやＭＩＭ（Metal-Insulator-Metal)素子などを用いることができる。  
なお、図１、図２では、整流素子部３２０が、下側電極１３０と記憶部３００の間に設けられている例を示しているが、整流素子部３２０は、上側電極２３０と記憶部３００の間に設けても良い。また、整流素子部３２０は、下側電極１３０と上側電極２３０とが対向する領域以外の領域に設けても良い。
【００１４】
また、不揮発性記憶装置１０において、下側電極１３０と整流素子部３２０との間、整流素子部３２０と記憶部３００との間、記憶部３００と上側電極２３０との間のそれぞれに、図示しないバリアメタル層を設けることもできる。バリアメタル層としては、チタン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）等を用いることができる。
【００１５】
下側電極間絶縁層１９１及び上側電極間絶縁層１９２には、例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、窒化アルミニウム膜等を用いることができる。  
下側電極１３０と下側電極間絶縁層１９１との上に設けられた凸部４１０は、例えば、下側電極１３０を所定形状に形成した後、その上に、下側電極間絶縁層１９１となる膜を成膜した後、化学機械研磨（：Chemical Mechanical Polishing）によって平坦化した後、金属をごく薄く成膜し、微小な粒状の凸部４１０を形成することによって得られる。この他、下側電極１３０と下側電極間絶縁層１９１との上に導電性の凸部４１０が形成できる方法であれば何も用いても良い。
【００１６】
本実施形態に係る不揮発性記憶装置１０においては、下側電極１３０と下側電極間絶縁層１９１との上に凸部４１０が設けられている。これにより、下側電極１３０と上側電極２３０との間に電界を集中させることができる。すなわち、下側電極１３０と上側電極２３０とが３次元的に交差する部分の記憶部３００は、１つの記憶セル３５０となるが、この記憶セル３５０ごとに凸部４１０によって電界を集中させる。これにより、記憶部３００が、各記憶セルごとにパターニングしない連続した層構造を有する場合においても、クロストークの発生を抑制できる。  
そして、凸部４１０は、下側電極１３０の上だけではなく、下側電極１３０と同じ平面にある下側電極間絶縁層１９１の上にも設けられる。すなわち、下側電極１３０の上のみに選択的に設けるのではなく、下側電極１３０と下側電極間絶縁層１９１との上にランダムに設けることができる。このため、製造が容易である。また、凸部４１０はランダムに設ければ良いので、製造工程中の各層の位置合わせずれの影響を受けず、安定して電界集中部を下側電極１３０と上側電極２３０との間に形成することが可能である。
【００１７】
これにより、本実施形態に係る不揮発性記憶装置１０により、クロストークの発生を抑制し、製造が容易で、安定した動作が実現できる不揮発性記憶装置を提供することができる。
【００１８】
（第１の比較例）
図３は、第１の比較例の不揮発性記憶装置の構成を例示する模式断面図である。  
図３に表したように、第１の比較例の不揮発性記憶装置９０は、図１、図２に例示した本実施形態に係る不揮発性記憶装置１０に対して、凸部４１０を設けない構造を有している。  
このため、第１の比較例の不揮発性記憶装置９０では、各記憶セル３５０は、隣接するセルからの電界のクロストークの影響を受け、適正な動作ができない。
【００１９】
（第２の比較例）
図４は、第２の比較例の不揮発性記憶装置の構成を例示する模式断面図である。  
図４に表したように、第２の比較例の不揮発性記憶装置９１は、図１、図２に例示した本実施形態に係る不揮発性記憶装置１０に対して、下側電極１３０の上に凸部４１９が、上側電極２３０の下に凸部４２９が設けられ、下側電極間絶縁層１９１及び上側電極間絶縁層１９２の下には設けられていない。特許文献１に開示されているこの構造では、凸部４１９及び凸部４２９を電極部分のみに選択的に設けるので、凸部４１９、４２９を形成する際に工程が複雑になる。または、凸部４１９、４２９の形成方法は、特定の方法に制限される。さらに、この場合、凸部４１９と凸部４２９との相対位置は、製造工程中の位置合わせずれの影響を受け、これにより、各記憶セル３５０における電界の状態は、ばらつきが大きい。
【００２０】
これに対し、既に説明したように、本実施形態に係る不揮発性記憶装置１０では、凸部４１０は、下側電極１３０の上だけではなく、下側電極１３０と同じ平面にある下側電極間絶縁層１９１の上にも設けられ、選択的に設ける必要がない。また、凸部４１０はランダムに設ければ良いので、製造工程中の各層の位置合わせずれによらず、安定して電界集中部を下側電極１３０と上側電極２３０との間に形成することが可能である。
【００２１】
このように、本実施形態に係る不揮発性記憶装置１０により、クロストークの発生を抑制し、製造が容易で、安定した動作が実現できる不揮発性記憶装置を提供することができる。
【００２２】
なお、上記の凸部４１０は、下側電極１３０と下側電極間絶縁層１９１との上に設けられたが、これには制限されず、後述するように、凸部４１０は、下側電極１３０と下側電極間絶縁層１９１との上、及び、上側電極２３０と上側電極間絶縁層１９２との下、の少なくともいずれかに設けることができる。
【００２３】
図５は、本発明の第１の実施形態に係る別の不揮発性記憶装置の構成を例示する模式断面図である。  
図５に表したように、本発明の第１の実施形態に係る別の不揮発性記憶装置１１では、上側電極２３０と上側電極間絶縁層１９２との下、に凸部４２０が設けられている。この凸部４２０は、例えば、記憶部３００となる膜を成膜した後に、その上に、金属をごく薄く成膜し、微小な粒状の凸部を形成することによって得られる。この他、上側電極２３０と上側電極間絶縁層１９２との下に導電性の凸部４２０が形成できる方法であれば何も用いても良い。  
この構造の不揮発性記憶装置１１によっても、クロストークの発生を抑制し、製造が容易で、安定した動作が実現できる不揮発性記憶装置を提供することができる。
【００２４】
（第２の実施の形態）
図６は、本発明の第２の実施形態に係る別の不揮発性記憶装置の構成を例示する模式断面図である。  
図７は、本発明の第２の実施形態に係る不揮発性記憶装置の構成を例示する模式的斜視図である。  
図６、７に表したように、本発明の第２の実施形態に係る不揮発性記憶装置２０では、図１、図２に例示した不揮発性記憶装置１０に対して、記憶部３００と整流素子部３２０の配置の上下が入れ替わった構造である。それ以外は、図１に例示した不揮発性記憶装置１０と同様の構成である。そして、下側電極１３０と下側電極間絶縁層１９１の上に凸部４１０が設けられている。  
この構造の不揮発性記憶装置２０２によっても、クロストークの発生を抑制し、製造が容易で、安定した動作が実現できる不揮発性記憶装置を提供することができる。  
図８は、本発明の第２の実施形態に係る別の不揮発性記憶装置の構成を例示する模式的断面図である。  
図８に表したように、本発明の第２の実施形態に係る別の不揮発性記憶装置２１では、上側電極２３０と上側電極間絶縁層１９２の下に、凸部４２０が設けられている。  
この構造の不揮発性記憶装置２１によっても、クロストークの発生を抑制し、製造が容易で、安定した動作が実現できる不揮発性記憶装置を提供することができる
（第３の実施の形態）
図９は、本発明の第３の実施形態に係る不揮発性記憶装置の構成を例示する模式的断面図である。  
図１０は、本発明の第３の実施形態に係る不揮発性記憶装置の構成を例示する模式的斜視図である。
【００２５】
図９、図１０に表したように、本発明の第３の実施形態に係る不揮発性記憶装置３０は、整流素子部３２０が円柱状をしている。これ以外は、図１、図２に例示した不揮発性記憶装置１０と同様とすることができるので、説明を省略する。  
この構造の不揮発性記憶装置３０によっても、クロストークの発生を抑制し、製造が容易で、安定した動作が実現できる不揮発性記憶装置を提供することができる。
【００２６】
（第４の実施の形態）
図１１は、本発明の第４の実施形態に係る不揮発性記憶装置の構成を例示する模式的断面図である。
【００２７】
図１１に表したように、本発明の第４の実施形態に係る不揮発性記憶装置４０では、下側電極１３０と下側電極間絶縁膜１９１の上と、上側電極２３０と上側電極間絶縁膜１９２の下に、それぞれ凸部４１０と凸部４２０が設けられている。  
この構造の不揮発性記憶装置４０によっても、クロストークの発生を抑制し、製造が容易で、安定した動作が実現できる不揮発性記憶装置を提供することができる。
【００２８】
（第５の実施の形態）
図１２は、本発明の第５の実施形態に係る不揮発性記憶装置の構成を例示する模式断面図である。  
図１２に表したように、本発明の第５の実施形態に係る不揮発性記憶装置５０は、基板１０５の主面１０６の上に設けられた複数の下側電極１３０と、下側電極１３０と対向して設けられた複数の上側電極２３０と、下側電極１３０と上側電極２３０の間に設けられた記憶部３００と、を備えている。そして、複数の下側電極１３０の間には、下側電極間絶縁層１９１が設けられている。そして、複数の上側電極２３０の間には、上側電極間絶縁層１９２が設けられている。  
そして、不揮発性記憶装置５０では、下側電極１３０と下側電極間絶縁層１９１との上に、凸部４１０が設けられている。そして、さらに、上側電極２３０の下面には、第２の方向（Ｙ軸方向）に帯状に延在した導電性の第２の凸部４２１が設けられている。
【００２９】
この帯状の第２の凸部４２１は、例えば、記憶部３００となる膜を成膜した後、適当なマスクを用いて、上側電極２３０に相当する位置の、記憶部３００となる膜を凹状にエッチングし、その後、上側電極２３０を設けることによって形成することができる。
【００３０】
この構造の不揮発性記憶装置５０によっても、クロストークの発生を抑制し、製造が容易で、安定した動作が実現できる不揮発性記憶装置を提供することができる。
【００３１】
図１３は、本発明の第５の実施形態に係る別の不揮発性記憶装置の構成を例示する模式断面図である。  
図１３に表したように、本発明の第５の実施形態に係る別の不揮発性記憶装置５１では、上側電極２３０と上側電極間絶縁層１９２との下に、凸部４２０が設けられている。そして、さらに、下側電極１３０の上面には、第１の方向（Ｘ軸方向）に帯状に延在した導電性の第１の凸部４１１が設けられている。
【００３２】
この帯状の第１の凸部４１１は、例えば、下側電極１３０を形成する際、適当なマスクを用いて、下側電極１３０の断面視の形状が凸形状となるようにすることで得ることができる。また、下側電極１３０を形成する際、導電性の粒子が析出するようにしても良い。または、後述するように、下側電極１３０となる膜をサイドエッチングすることによっても、第１の凸部４１１を設けることができる。
【００３３】
この構造の不揮発性記憶装置５１によっても、クロストークの発生を抑制し、製造が容易で、安定した動作が実現できる不揮発性記憶装置を提供することができる。
【００３４】
なお、上記において、第１の凸部４１１及び第２の凸部４２１は、帯状の形状を有するが、完全に連続した帯状でなくても良く、それぞれ、第１の方向と第２の方向に延在する形状であれば、適宜帯状の凸部の途中に切れ目があっても良い。
【００３５】
なお、上記の各実施形態において、整流素子部３２０が下側電極１３０と記憶部３００との間にある場合、凸部４１０または第１の凸部４１１は、図１に例示したように、整流素子３２０の記憶部３００側の面に設けても良いし、下側電極１３０の整流素子３２０側（記憶部３００側）の面に設けても良い。さらに、整流素子部３２０が上側電極２３０と記憶部３００との間にある場合、凸部４２０または第２の凸部４２１は、図５に例示したように、上側電極２３０の記憶部３００側の面に設けても良いし、凸部４１０または第１凸部４１１は、整流素子３２０の記憶部３００側の面に設けても良い。
【００３６】
（第６の実施の形態）
図１４は、本発明の第６の実施形態に係る不揮発性記憶装置の構成を例示する模式断面図である。  
図１４に表したように、本発明の第６の実施形態に係る不揮発性記憶装置６０は、基板１０５の主面１０６の上に設けられ、第１の方向に延在する下側電極１３０と、下側電極１３０と対向して設けられ、第１の方向と３次元的に交差する第２の方向に延在する上側電極２３０と、を備えている。  
そして、下側電極１３０の上面には、第１の方向に延在する導電性の第１の凸部４１１が設けられている。そして、上側電極２３０の下面には、第２の方向に延在する導電性の第２の凸部４２１が設けられている。  
そして、下側電極１３０及び第１の凸部４１１と、上側電極２３０及び第２の凸部４２１と、の間に、記憶部３００が設けられている。
【００３７】
本実施形態に係る不揮発性記憶装置６０においては、下側電極１３０の上面に帯状の凸部４１１が、上側電極２３０の下面に帯状の凸部４２１が設けられているので、下側電極１３０と上側電極２３０とが３次元的に交差する記憶セル３５０ごとに電界を集中させることができ、記憶部３００が、各記憶セルごとにパターニングしない連続した層構造であっても、クロストークの発生を抑制できる。  
そして、帯状の第１の凸部４１１と第２の凸部４２１の間の距離は、ウェーハ製造工程中の各層の位置合わせずれの影響を実質的に受けないので、安定して電界集中部を下側電極１３０と上側電極２３０との間に形成することが可能である。
【００３８】
これにより、本実施形態に係る不揮発性記憶装置６０により、クロストークの発生を抑制し、製造が容易で、安定した動作が実現できる不揮発性記憶装置を提供することができる。
【００３９】
（第７の実施の形態）
図１５は、本発明の第４の実施形態に係る不揮発性記憶装置の製造方法を例示するフローチャート図である。  
図１５に表したように、本実施形態に係る不揮発性記憶装置の製造方法においては、まず、基板１０５の主面１０６に、第１の方向に延在する複数の下側電極１３０を形成する（ステップＳ１１０）。  
次に、下側電極１３０の間に下側電極間絶縁層１９１を形成する（ステップＳ１２０）。
【００４０】
そして、下側電極１３０と下側電極間絶縁層１９１との上方に記憶部３００を形成する（ステップＳ１３０）。  
そして、記憶部３００の上方に、第１の方向と３次元的に交差する第２の方向に延在し、下側電極１３０に対向する複数の上側電極２３０を形成する（ステップＳ１４０）。  
そして、前記上側電極２３０の間に上側電極間絶縁層１９２を形成する（ステップＳ１５０）。  
そして、下側電極１３０と下側電極間絶縁層１９１との上、及び、上側電極２３０と上側電極間絶縁層１９２との下、の少なくともいずれかに導電性の凸部を形成する（ステップＳ１６０）。すなわち、下側電極１３０と下側電極間絶縁層１９１との上面に凸部４１０を形成し、または、上側電極２３０と上側電極間絶縁層１９２との下面に凸部４２０を形成する。または、凸部４１０及び凸部４２０の両方を形成する。
【００４１】
ただし、上記において、ステップＳ１１０〜ステップＳ１６０の順序は、技術的に可能なように入れ替えられる。
【００４２】
例えば、図１に例示した不揮発性記憶装置１０のように、下側電極１３０と下側電極間絶縁層１９１の上に凸部４１０を形成するときは、ステップＳ１１０及びステップＳ１２０の後に、凸部を形成するステップＳ１６０が実施される。  
そして、図５に例示した不揮発性記憶装置１１のように、上側電極２３０と上側電極間絶縁層１９２の下に凸部４２０を形成するときは、例えば、記憶部３００を形成（ステップＳ１３０）した後、その上に凹部を形成し、その後、上側電極２３０の形成（ステップＳ１４０）及び上側電極間絶縁層１９２の形成（ステップＳ１５０）することによって、結果として、上側電極２３０と上側電極間絶縁層１９２との下に凸部４２０を形成することができる（ステップＳ１６０）。
【００４３】
このようにして、本実施形態に係る上記の不揮発性記憶装置が得られる。すなわち、本実施形態の不揮発性記憶装置の製造方法によって、クロストークの発生を抑制し、製造が容易で、安定した動作が実現できる不揮発性記憶装置の製造方法が提供される。
【００４４】
図１６は、本発明の第７の実施形態に係る不揮発性記憶装置の別の製造方法を例示するフローチャート図である。  
図１６に表したように、本実施形態に係る不揮発性記憶装置の別の製造方法においては、まず、基板１０５の主面１０６に、第１の方向に延在する下側電極１３０を形成する（ステップＳ２１０）。  
次に、下側電極１３０の上に、第１の方向に延在する導電性の第１の凸部４１１を形成する（ステップＳ２２０）。この時、後述するように、第１の凸部４１１は下側電極１３０となる膜をサイドエッチングすることによって得られる。但し、本発明はこれには限らず、下側電極１３０の上に第１の凸部４１１が形成されれば良く、例えば、フォトリソグラフィーとエッチングの技術を用いても良い。  
そして、下側電極１３０と第１の凸部４１１との上方に記憶部３００を形成する。（ステップＳ２３０）。なお、記憶部３００を形成する前、または、後に整流素子部３２０を形成しても良い。  
そして、記憶部３００の上面に、第１の方向と３次元的に交差する第２の方向に延在する上側電極間絶縁層１９２を形成する（ステップＳ１４０）。  
そして、上側電極間絶縁層１９２から露出した記憶部３００に、第２の方向に延在する凹部４３０を形成する。  
そして、上側電極間絶縁層１９２から露出した記憶部３００の上に、導電膜を形成することによって、上側電極２３０及び上側電極２３０の下の第２の凸部４２１を形成する。
【００４５】
これにより、第１の凸部４１１が下側電極１３０の上に設けられ、第２の凸部４２１が上側電極２３０の下に設けられた不揮発性記憶装置図が得られる。すなわち、本実施形態の不揮発性記憶装置の製造方法によって、クロストークの発生を抑制し、製造が容易で、安定した動作が実現できる不揮発性記憶装置の製造方法が提供される。
【００４６】
以下、この製造方法について詳しく説明する。  
図１７は、本発明の第７の実施形態に係る不揮発性記憶装置の製造方法を例示する工程順の模式的断面図である。  
図１８は、図１７に続く模式的断面図である。
【００４７】
図１７、図１８において、左側の図は、図２のＡ−Ａ線断面図、右側の図は、図２のＢ−Ｂ線断面図である。  
まず、図１７（ａ）に表したように、基板１０５の主面１０６の上に、下側電極となる導電膜１３９を形成した後、所定形所のレジスト１１０を設ける。
【００４８】
そして、図１７（ｂ）に表したように、例えば、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）法により、導電膜１３９をエッチングし、下側電極１３０を形成する。  
そして、図１７（ｃ）に表したように、下側電極１３０の間の間隙に例えばシリコン酸化膜を形成し、下側電極間絶縁層１９１を設ける。この時、下側電極間絶縁層１９１の厚さは、導電膜１３９の厚さより薄くしておく。
【００４９】
そして、図１７（ｄ）に表したように、下側電極１３０の上面をレジスト１１０で保護し、側面を下側電極間絶縁層１９１で保護しつつ、例えば、ＲＩＥ法によって、下側電極１３０の上の部分の側面を、サイドエッチングする。すなわち、実質的に等方的にエッチングされるような条件でエッチングすることにより、下側電極１３０の露出部（上の部分の側面）の線幅が細くなるようにエッチングされていく。そして、下側電極１３０の線幅のほぼ中心近くまでを進める。あるいは、図１７（ｃ）より、レジストと絶縁膜をＲＩＥを用いずに、ウエットエッチングにより選択的に下側電極１３０をエッチングしても良い。
【００５０】
そして、図１７（ｅ）に表したように、レジスト１１０を剥離することにより、サイドエッチングして残った上方の側面はレジスト１１０と共に除去され、下側電極１３０の上面のほぼ中心線上に、帯状の導電性の第１の凸部４１０が形成できる。
【００５１】
そして、図１８（ａ）に表したように、整流素子部３２０、記憶部３００となる膜をそれぞれ成膜し、その上に絶縁膜を成膜した後、フォトリソグラフィーとエッチングにより第２の方向（Ｙ軸方向）に延在する上側電極間絶縁層１９２を形成する。そして、上側電極間絶縁層１９２をマスクにして、例えば、ＲＥＩにより、記憶部３００をエッチングするこれにより、上側電極間絶縁層１９２の間に、第２の方向に延在する凹部４３０が形成される。
【００５２】
そして、図１８（ｂ）に表したように、上側電極間絶縁層１９２の間を覆うように導電膜を成膜した後、ＣＭＰにより平坦化することにより、上側電極２３０を形成する。この時、上側電極２３０に対応する記憶部３００には凹部４３０が形成されているので、結果として、上側電極２３０の下に第１の凸部４２１が形成される。
【００５３】
これにより、第１の凸部４１１が下側電極１３０の上に設けられ、第２の凸部４２１が上側電極２３０の下に設けられた不揮発性記憶装置を形成することができる。  
このように、本実施形態の不揮発性記憶装置の製造方法によって、クロストークの発生を抑制し、製造が容易で、安定した動作が実現できる不揮発性記憶装置の製造方法が提供される。
【００５４】
以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、不揮発性記憶装置とその製造方法を構成する各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。  
また、各具体例のいずれか２つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。  
その他、本発明の実施の形態として上述した不揮発性記憶装置とその製造方法を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての不揮発性記憶装置とその製造方法も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。  
その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る不揮発性記憶装置の構成を例示する模式断面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る不揮発性記憶装置の構成を例示する模式図である。
【図３】第１の比較例の不揮発性記憶装置の構成を例示する模式断面図である。
【図４】第２の比較例の不揮発性記憶装置の構成を例示する模式断面図である。
【図５】本発明の第１の実施形態に係る別の不揮発性記憶装置の構成を例示する模式断面図である。
【図６】本発明の第２の実施形態に係る別の不揮発性記憶装置の構成を例示する模式断面図である。
【図７】本発明の第２の実施形態に係る別の不揮発性記憶装置の構成を例示する模式的斜視図である。
【図８】本発明の第２の実施形態に係る別の不揮発性記憶装置の構成を例示する模式断面図である。
【図９】本発明の第３の実施形態に係る不揮発性記憶装置の構成を例示する模式断面図である。
【図１０】本発明の第３の実施形態に係る不揮発性記憶装置の構成を例示する模式的斜視図である。
【図１１】本発明の第４の実施形態に係る不揮発性記憶装置の構成を例示する模式断面図である。
【図１２】本発明の第５の実施形態に係る不揮発性記憶装置の構成を例示する模式断面図である。
【図１３】本発明の第５の実施形態に係る別の不揮発性記憶装置の構成を例示する模式断面図である。
【図１４】本発明の第６の実施形態に係る不揮発性記憶装置の構成を例示する模式断面図である。
【図１５】本発明の第７の実施形態に係る不揮発性記憶装置の製造方法を例示するフローチャート図である。
【図１６】本発明の第７の実施形態に係る不揮発性記憶装置の別の製造方法を例示するフローチャート図である。
【図１７】本発明の第７の実施形態に係る不揮発性記憶装置の製造方法を例示する工程順の模式的断面図である。
【図１８】図１７に続く模式的断面図である。
【符号の説明】
【００５６】
１０、１１、１２、２０、２１、３０、９０、９１  不揮発性記憶装置
１０５  基板
１０６  主面
１１０  レジスト
１３０  下側電極
１３９  導電膜
１９１  下側電極間絶縁層
１９２  上側電極間絶縁層
２３０  上側電極
３００  記憶部
３２０  整流素子部
３５０  記憶セル
４１０、４２０、４１９、４２９  凸部
４１１  第１の凸部
４２１  第２の凸部
４３０  凹部
【図１】
0005305711.tif 000002
【図２】
0005305711.tif 000003
【図３】
0005305711.tif 000004
【図４】
0005305711.tif 000005
【図５】
0005305711.tif 000006
【図６】
0005305711.tif 000007
【図７】
0005305711.tif 000008
【図８】
0005305711.tif 000009
【図９】
0005305711.tif 000010
【図１０】
0005305711.tif 000011
【図１１】
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【図１２】
0005305711.tif 000013
【図１３】
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【図１４】
0005305711.tif 000015
【図１５】
0005305711.tif 000016
【図１６】
0005305711.tif 000017
【図１７】
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【図１８】
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