(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、
基板に処理を行う処理ユニットを有する処理部と、
前記処理部の一端部に隣接するように設けられ、前記処理部と前記露光装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部と、
前記処理部および前記受け渡し部の動作を制御する制御部とを備え、
前記処理ユニットは、基板に所定の処理を施した後に基板の端部の状態を検査する端部検査手段を有し、
前記制御部は、前記端部検査手段の検査結果に基づいて、基板の端部が良好な状態にあるか否かを判定し、基板の端部が良好な状態にある場合に第１の制御動作を行い、基板の端部が良好でない状態にある場合に第２の制御動作を行い、
前記処理ユニットは、前記露光装置による露光処理前の基板に成膜処理を行う成膜処理ユニットを含み、
前記成膜処理ユニットは、
成膜処理のための処理液を基板上に供給する処理液供給手段と、
前記処理液供給手段により基板上に供給された処理液を除去する処理液除去手段とを含み、
前記端部検査手段は、前記成膜処理ユニットにおいて前記処理液供給手段により基板上に処理液が供給された後に基板の端部の状態を検査し、
前記制御部は、前記成膜処理ユニットにおける前記端部検査手段の検査結果に基づいて、前記良好な状態として基板の端部に処理液が付着していないかまたは前記良好でない状態として基板の端部に処理液が付着しているかを判定し、基板の端部に処理液が付着している場合に前記第２の制御動作として基板上に供給された処理液を除去するとともに再度基板上に処理液を供給するように前記処理液供給手段および前記処理液除去手段を制御することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、
基板に処理を行う処理ユニットを有する処理部と、
前記処理部の一端部に隣接するように設けられ、前記処理部と前記露光装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部と、
前記処理部および前記受け渡し部の動作を制御する制御部とを備え、
前記処理ユニットは、基板に所定の処理を施した後に基板の端部の状態を検査する端部検査手段を有し、
前記制御部は、前記端部検査手段の検査結果に基づいて、基板の端部が良好な状態にあるか否かを判定し、基板の端部が良好な状態にある場合に第１の制御動作を行い、基板の端部が良好でない状態にある場合に第２の制御動作を行い、
前記処理ユニットは、前記露光装置による露光処理前の基板に成膜処理を行う成膜処理ユニットを含み、
前記成膜処理ユニットは、
成膜処理のための処理液を基板上に供給する処理液供給手段と、
前記処理液供給手段により基板上に供給された処理液を除去する処理液除去手段とを含み、
前記端部検査手段は、前記成膜処理ユニットにおいて前記処理液供給手段により基板上に処理液が供給された後に基板の端部の状態を検査し、
前記制御部は、前記成膜処理ユニットにおける前記端部検査手段の検査結果に基づいて、前記良好な状態として基板の端部に処理液が付着していないかまたは前記良好でない状態として基板の端部に処理液が付着しているかを判定し、基板の端部に処理液が付着している場合に前記第２の制御動作として基板の端部に付着する処理液を除去するように前記処理液除去手段を制御することを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
前記成膜処理ユニットは、基板上に感光性膜を形成する感光性膜形成ユニットを含むことを特徴とする請求項１または２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記成膜処理ユニットは、前記感光性膜形成ユニットによる前記感光性膜の形成前に基板上に反射防止膜を形成する反射防止膜形成ユニットをさらに含むことを特徴とする請求項３記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記成膜処理ユニットは、前記感光性膜形成ユニットにより形成された前記感光性膜を保護する保護膜を基板上に形成する保護膜形成ユニットをさらに含むことを特徴とする請求項３または４記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記制御部の制御動作に従って前記処理部と複数の収納容器との間で基板を搬送する搬送手段をさらに備え、
前記処理ユニットは、前記露光装置による露光処理後の基板に現像処理を行う現像処理ユニットをさらに含み、
前記現像処理ユニットにおいて、前記端部検査手段は、現像処理後の基板の端部を検査し、
前記制御部は、現像処理後における前記端部検査手段による検査結果に基づいて、基板の端部が良好な状態にあるか否かを判定し、基板の端部が良好な状態にある場合に前記第１の制御動作として前記複数の収納容器のうち１の収納容器に基板を収納するように前記搬送手段を制御し、基板の端部が良好でない状態にある場合に前記第２の制御動作として前記複数の収納容器のうち他の収納容器に基板を収納するように前記搬送手段を制御することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に処理を施す基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等の各種基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。
【０００３】
このような基板処理装置では、一般に、一枚の基板に対して複数の異なる処理が連続的に行われる。特許文献１に記載された基板処理装置は、インデクサブロック、反射防止膜用処理ブロック、レジスト膜用処理ブロック、現像処理ブロックおよびインターフェイスブロックにより構成される。インターフェイスブロックに隣接するように、基板処理装置とは別体の外部装置である露光装置が配置される。
【０００４】
上記の基板処理装置においては、インデクサブロックから搬入される基板は、反射防止膜用処理ブロックおよびレジスト膜用処理ブロックにおいて反射防止膜の形成およびレジスト膜の塗布処理が行われた後、インターフェイスブロックを介して露光装置へと搬送される。露光装置において基板上のレジスト膜に露光処理が行われた後、基板はインターフェイスブロックを介して現像処理ブロックへ搬送される。現像処理ブロックにおいて基板上のレジスト膜に現像処理が行われることによりレジストパターンが形成された後、基板はインデクサブロックへと搬送される。
【０００５】
近年、デバイスの高密度化および高集積化に伴い、レジストパターンの微細化が重要な課題となっている。従来の一般的な露光装置においては、レチクルのパターンを投影レンズを介して基板上に縮小投影することによって露光処理が行われていた。しかし、このような従来の露光装置においては、露光パターンの線幅は露光装置の光源の波長によって決まるため、レジストパターンの微細化に限界があった。
【０００６】
そこで、露光パターンのさらなる微細化を可能にする投影露光方法として、液浸法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。特許文献２の投影露光装置においては、投影光学系と基板との間に液体が満たされており、基板表面における露光光を短波長化することができる。それにより、露光パターンのさらなる微細化が可能となる。
【特許文献１】特開２００３−３２４１３９号公報
【特許文献２】国際公開第９９／４９５０４号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
露光処理前においては、基板に対して種々の成膜処理が施されるが、この成膜処理の過程で、基板の端部が汚染される場合がある。このように、基板の端部が汚染された状態で基板の露光処理を行うと、露光装置のレンズが汚染され、露光パターンの寸法不良および形状不良が発生することがある。
【０００８】
また、成膜処理時において、基板の端部が汚染された状態であると、基板上に膜が正常に形成されないことがある。
【０００９】
このように、基板の端部の状態が良好でないと、基板に種々の処理不良が発生する可能性がある。
【００１０】
本発明の目的は、端部の状態に起因する基板の処理不良を防止することができる基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
（１）第１の発明に係る基板処理装置は、露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、基板に処理を行う処理ユニットを有する処理部と、処理部の一端部に隣接するように設けられ、処理部と露光装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部と、処理部および受け渡し部の動作を制御する制御部とを備え、処理ユニットは、基板に所定の処理を施した後に基板の端部の状態を検査する端部検査手段を有し、制御部は、端部検査手段の検査結果に基づいて、基板の端部が良好な状態にあるか否かを判定し、基板の端部が良好な状態にある場合に第１の制御動作を行い、基板の端部が良好でない状態にある場合に第２の制御動作を行い、処理ユニットは、露光装置による露光処理前の基板に成膜処理を行う成膜処理ユニットを含み、成膜処理ユニットは、成膜処理のための処理液を基板上に供給する処理液供給手段と、処理液供給手段により基板上に供給された処理液を除去する処理液除去手段とを含み、端部検査手段は、成膜処理ユニットにおいて処理液供給手段により基板上に処理液が供給された後に基板の端部の状態を検査し、制御部は、成膜処理ユニットにおける端部検査手段の検査結果に基づいて、良好な状態として基板の端部に処理液が付着していないかまたは良好でない状態として基板の端部に処理液が付着しているかを判定し、基板の端部に処理液が付着している場合に第２の制御動作として基板上に供給された処理液を除去するとともに再度基板上に処理液を供給するように処理液供給手段および処理液除去手段を制御するものである。
【００１２】
この基板処理装置では、処理部において処理ユニットにより基板に所定の処理が行われ、受け渡し部によりその基板が処理部から露光装置へ受け渡される。露光装置において基板に露光処理が行われた後、露光処理後の基板が受け渡し部により露光装置から処理部へ戻される。処理部および受け渡し部の動作は制御部により制御される。
【００１３】
処理ユニットでは、基板に所定の処理が施された後、端部検査手段により基板の端部の状態が検査される。その検査結果に基づいて、制御部により基板の端部が良好な状態にあるか否かが判定される。基板の端部が良好な状態にある場合には、制御部が第１の制御動作を行い、基板の端部が良好でない状態にある場合には、制御部が第２の制御動作を行う。
【００１４】
このように、処理ユニットにおける処理後の基板の端部の状態によって第１の制御動作または第２の制御動作が選択的に行われることにより、基板の端部の状態に起因する基板の処理不良の発生を防止することが可能となる。
【００１６】
また、成膜処理ユニットでは、処理液供給手段によって基板上に処理液が供給されることにより、基板に成膜処理が施される。成膜処理後には、端部検査手段により基板の端部の状態が検査される。
【００１７】
成膜処理後の基板の端部の状態に応じて処理液供給手段および処理液除去手段を制御することにより、基板の端部を清浄に維持しつつ基板に適切に成膜処理を施すことが可能となる。
【００１９】
この場合、成膜処理後に基板の端部に処理液が付着していれば、処理液除去手段により一旦基板上の処理液が除去された後、再度処理液供給手段により基板に成膜処理が施される。それにより、端部に処理液が付着したままの状態で基板が成膜処理ユニットから露光装置に搬送されることが防止される。したがって、基板の端部に付着する処理液による露光装置の汚染が防止され、露光パターンの寸法不良および形状不良の発生が防止される。
【００２０】
（２）第２の発明に係る基板処理装置は、露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、基板に処理を行う処理ユニットを有する処理部と、処理部の一端部に隣接するように設けられ、処理部と露光装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部と、処理部および受け渡し部の動作を制御する制御部とを備え、処理ユニットは、基板に所定の処理を施した後に基板の端部の状態を検査する端部検査手段を有し、制御部は、端部検査手段の検査結果に基づいて、基板の端部が良好な状態にあるか否かを判定し、基板の端部が良好な状態にある場合に第１の制御動作を行い、基板の端部が良好でない状態にある場合に第２の制御動作を行い、処理ユニットは、露光装置による露光処理前の基板に成膜処理を行う成膜処理ユニットを含み、成膜処理ユニットは、成膜処理のための処理液を基板上に供給する処理液供給手段と、処理液供給手段により基板上に供給された処理液を除去する処理液除去手段とを含み、端部検査手段は、成膜処理ユニットにおいて処理液供給手段により基板上に処理液が供給された後に基板の端部の状態を検査し、制御部は、成膜処理ユニットにおける端部検査手段の検査結果に基づいて、良好な状態として基板の端部に処理液が付着していないかまたは良好でない状態として基板の端部に処理液が付着しているかを判定し、基板の端部に処理液が付着している場合に第２の制御動作として基板の端部に付着する処理液を除去するように処理液除去手段を制御するものである。
この基板処理装置では、処理部において処理ユニットにより基板に所定の処理が行われ、受け渡し部によりその基板が処理部から露光装置へ受け渡される。露光装置において基板に露光処理が行われた後、露光処理後の基板が受け渡し部により露光装置から処理部へ戻される。処理部および受け渡し部の動作は制御部により制御される。
処理ユニットでは、基板に所定の処理が施された後、端部検査手段により基板の端部の状態が検査される。その検査結果に基づいて、制御部により基板の端部が良好な状態にあるか否かが判定される。基板の端部が良好な状態にある場合には、制御部が第１の制御動作を行い、基板の端部が良好でない状態にある場合には、制御部が第２の制御動作を行う。
このように、処理ユニットにおける処理後の基板の端部の状態によって第１の制御動作または第２の制御動作が選択的に行われることにより、基板の端部の状態に起因する基板の処理不良の発生を防止することが可能となる。
また、成膜処理ユニットでは、処理液供給手段によって基板上に処理液が供給されることにより、基板に成膜処理が施される。成膜処理後には、端部検査手段により基板の端部の状態が検査される。
成膜処理後の基板の端部の状態に応じて処理液供給手段および処理液除去手段を制御することにより、基板の端部を清浄に維持しつつ基板に適切に成膜処理を施すことが可能となる。
【００２１】
この場合、成膜処理後に基板の端部に処理液が付着していれば、処理液除去手段により基板の端部に付着する処理液が除去される。それにより、端部に処理液が付着したままの状態で基板が成膜処理ユニットから露光装置に搬送されることが防止される。したがって、基板の端部に付着する処理液による露光装置の汚染が防止され、露光パターンの寸法不良および形状不良の発生が防止される。
【００２２】
（３）成膜処理ユニットは、基板上に感光性膜を形成する感光性膜形成ユニットを含んでもよい。この場合、基板の端部を清浄に維持しつつ基板上に適切に感光性膜を形成することができる。
【００２３】
（４）成膜処理ユニットは、感光性膜形成ユニットによる感光性膜の形成前に基板上に反射防止膜を形成する反射防止膜形成ユニットをさらに含んでもよい。
【００２４】
この場合、基板の端部を清浄に維持しつつ基板上に適切に反射防止膜を形成することができる。また、感光性膜形成ユニットにおいて、基板の端部が清浄な状態で成膜処理を行うことができるので、基板上に感光性膜を良好に形成することが可能となる。
【００２５】
（５）成膜処理ユニットは、感光性膜形成ユニットにより形成された感光性膜を保護する保護膜を基板上に形成する保護膜形成ユニットをさらに含んでもよい。
【００２６】
この場合、基板の端部を清浄に維持しつつ基板上に適切に保護膜を形成することができる。それにより、感光性膜を十分に保護することができ、基板の処理不良をより十分に防止することができる。
【００２７】
（６）基板処理装置は、制御部の制御動作に従って処理部と複数の収納容器との間で基板を搬送する搬送手段をさらに備え、処理ユニットは、露光装置による露光処理後の基板に現像処理を行う現像処理ユニットをさらに含み、現像処理ユニットにおいて、端部検査手段は、現像処理後の基板の端部を検査し、制御部は、現像処理後における端部検査手段による検査結果に基づいて、基板の端部が良好な状態にあるか否かを判定し、基板の端部が良好な状態にある場合に第１の制御動作として複数の収納容器のうち１の収納容器に基板を収納するように搬送手段を制御し、基板の端部が良好でない状態にある場合に第２の制御動作として複数の収納容器のうち他の収納容器に基板を収納するように搬送手段を制御してもよい。
【００２８】
この場合、端部が良好な状態にある基板と端部が良好でない状態にある基板とが別個の容器に収納されるので、端部が良好でない状態にある基板がそのまま次の処理工程に送られることを防止することができる。
【発明の効果】
【００２９】
本発明によれば、処理ユニットにおける処理後の基板の端部の状態によって第１の制御動作または第２の制御動作が選択的に行われる。それにより、基板の端部の状態に起因する基板の処理不良の発生を防止することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下、本発明の実施の形態に係る基板処理装置について図面を用いて説明する。以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等をいう。
【００３１】
（１）基板処理装置の構成
図１は、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。なお、図１ならびに後述する図２〜図５および図８〜図１０には、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。なお、各方向において矢印が向かう方向を＋方向、その反対の方向を−方向とする。また、Ｚ方向を中心とする回転方向をθ方向としている。
【００３２】
図１に示すように、基板処理装置５００は、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４およびインターフェースブロック１５を含む。また、インターフェースブロック１５に隣接するように露光装置１６が配置される。露光装置１６においては、液浸法により基板Ｗに露光処理が行われる。
【００３３】
以下、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４およびインターフェースブロック１５の各々を処理ブロックと呼ぶ。
【００３４】
インデクサブロック９は、各処理ブロックの動作を制御するメインコントローラ（制御部）３０、複数のキャリア載置台４０およびインデクサロボットＩＲを含む。インデクサロボットＩＲには、基板Ｗを受け渡すためのハンドＩＲＨが設けられる。
【００３５】
反射防止膜用処理ブロック１０は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１、反射防止膜用塗布処理部５０および第１のセンターロボットＣＲ１を含む。反射防止膜用塗布処理部５０は、第１のセンターロボットＣＲ１を挟んで反射防止膜用熱処理部１００，１０１に対向して設けられる。第１のセンターロボットＣＲ１には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１，ＣＲＨ２が上下に設けられる。
【００３６】
インデクサブロック９と反射防止膜用処理ブロック１０との間には、雰囲気遮断用の隔壁１７が設けられる。この隔壁１７には、インデクサブロック９と反射防止膜用処理ブロック１０との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ１は、基板Ｗをインデクサブロック９から反射防止膜用処理ブロック１０へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ２は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック１０からインデクサブロック９へ搬送する際に用いられる。
【００３７】
また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示せず）が設けられている。それにより、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２において基板Ｗが載置されているか否かの判定を行うことが可能となる。また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、固定設置された複数本の支持ピンが設けられている。なお、上記の光学式のセンサおよび支持ピンは、後述する基板載置部ＰＡＳＳ３〜ＰＡＳＳ１３にも同様に設けられる。
【００３８】
レジスト膜用処理ブロック１１は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１、レジスト膜用塗布処理部６０および第２のセンターロボットＣＲ２を含む。レジスト膜用塗布処理部６０は、第２のセンターロボットＣＲ２を挟んでレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に対向して設けられる。第２のセンターロボットＣＲ２には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ３，ＣＲＨ４が上下に設けられる。
【００３９】
反射防止膜用処理ブロック１０とレジスト膜用処理ブロック１１との間には、雰囲気遮断用の隔壁１８が設けられる。この隔壁１８には、反射防止膜用処理ブロック１０とレジスト膜用処理ブロック１１との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ３は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック１０からレジスト膜用処理ブロック１１へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ４は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック１１から反射防止膜用処理ブロック１０へ搬送する際に用いられる。
【００４０】
現像処理ブロック１２は、現像用熱処理部１２０，１２１、現像処理部７０および第３のセンターロボットＣＲ３を含む。現像処理部７０は、第３のセンターロボットＣＲ３を挟んで現像用熱処理部１２０，１２１に対向して設けられる。第３のセンターロボットＣＲ３には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ５，ＣＲＨ６が上下に設けられる。
【００４１】
レジスト膜用処理ブロック１１と現像処理ブロック１２との間には、雰囲気遮断用の隔壁１９が設けられる。この隔壁１９には、レジスト膜用処理ブロック１１と現像処理ブロック１２との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ５は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック１１から現像処理ブロック１２へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ６は、基板Ｗを現像処理ブロック１２からレジスト膜用処理ブロック１１へ搬送する際に用いられる。
【００４２】
レジストカバー膜用処理ブロック１３は、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１、レジストカバー膜用塗布処理部８０および第４のセンターロボットＣＲ４を含む。レジストカバー膜用塗布処理部８０は、第４のセンターロボットＣＲ４を挟んでレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１に対向して設けられる。第４のセンターロボットＣＲ４には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ７，ＣＲＨ８が上下に設けられる。
【００４３】
現像処理ブロック１２とレジストカバー膜用処理ブロック１３との間には、雰囲気遮断用の隔壁２０が設けられる。この隔壁２０には、現像処理ブロック１２とレジストカバー膜用処理ブロック１３との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ７は、基板Ｗを現像処理ブロック１２からレジストカバー膜用処理ブロック１３へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ８は、基板Ｗをレジストカバー膜用処理ブロック１３から現像処理ブロック１２へ搬送する際に用いられる。
【００４４】
レジストカバー膜除去ブロック１４は、露光後ベーク用熱処理部１４０，１４１、レジストカバー膜除去用処理部９０および第５のセンターロボットＣＲ５を含む。露光後ベーク用熱処理部１４１はインターフェースブロック１５に隣接し、後述するように、基板載置部ＰＡＳＳ１１，ＰＡＳＳ１２を備える。レジストカバー膜除去用処理部９０は、第５のセンターロボットＣＲ５を挟んで露光後ベーク用熱処理部１４０，１４１に対向して設けられる。第５のセンターロボットＣＲ５には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ９，ＣＲＨ１０が上下に設けられる。
【００４５】
レジストカバー膜用処理ブロック１３とレジストカバー膜除去ブロック１４との間には、雰囲気遮断用の隔壁２１が設けられる。この隔壁２１には、レジストカバー膜用処理ブロック１３とレジストカバー膜除去ブロック１４との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ９は、基板Ｗをレジストカバー膜用処理ブロック１３からレジストカバー膜除去ブロック１４へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ１０は、基板Ｗをレジストカバー膜除去ブロック１４からレジストカバー膜用処理ブロック１３へ搬送する際に用いられる。
【００４６】
インターフェースブロック１５は、送りバッファ部ＳＢＦ、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１、第６のセンターロボットＣＲ６、エッジ露光部ＥＥＷ、戻りバッファ部ＲＢＦ、載置兼冷却ユニットＰＡＳＳ−ＣＰ（以下、Ｐ−ＣＰと略記する）、基板載置部ＰＡＳＳ１３、インターフェース用搬送機構ＩＦＲおよび第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２を含む。なお、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１は、露光処理前の基板Ｗの洗浄および乾燥処理を行い、第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２は、露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥処理を行う。  また、第６のセンターロボットＣＲ６には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１１，ＣＲＨ１２（図４参照）が上下に設けられ、インターフェース用搬送機構ＩＦＲには、基板Ｗを受け渡すためのハンドＨ１，Ｈ２（図４参照）が上下に設けられる。インターフェースブロック１５の詳細については後述する。
【００４７】
本実施の形態に係る基板処理装置５００においては、Ｙ方向に沿ってインデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４およびインターフェースブロック１５が順に並設されている。
【００４８】
図２は、図１の基板処理装置５００を＋Ｘ方向から見た概略側面図であり、図３は、図１の基板処理装置５００を−Ｘ方向から見が概略側面図である。なお、図２においては、基板処理装置５００の＋Ｘ側に設けられるものを主に示し、図３においては、基板処理装置５００の−Ｘ側に設けられるものを主に示している。
【００４９】
まず、図２を用いて、基板処理装置５００の＋Ｘ側の構成について説明する。図２に示すように、反射防止膜用処理ブロック１０の反射防止膜用塗布処理部５０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＢＡＲＣが上下に積層配置されている。塗布ユニットＢＡＲＣは、基板Ｗを回転させながら基板Ｗ上に反射防止膜の塗布液を供給することにより、基板Ｗ上に反射防止膜を形成する。
【００５０】
レジスト膜用処理ブロック１１のレジスト膜用塗布処理部６０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＲＥＳが上下に積層配置されている。塗布ユニットＲＥＳは、基板Ｗを回転させながら基板Ｗ上にレジスト膜の塗布液を供給することにより、基板Ｗ上にレジスト膜を形成する。
【００５１】
現像処理ブロック１２の現像処理部７０には、５個の現像処理ユニットＤＥＶが上下に積層配置されている。現像処理ユニットＤＥＶは、基板Ｗ上に現像液を供給することにより、露光後の基板Ｗに現像処理を施す。
【００５２】
レジストカバー膜用処理ブロック１３のレジストカバー膜用塗布処理部８０には、３個の塗布ユニットＣＯＶが上下に積層配置されている。塗布ユニットＣＯＶは、基板Ｗを回転させながら基板Ｗ上にレジストカバー膜の塗布液を供給することにより、基板Ｗ上にレジストカバー膜を形成する。レジストカバー膜の塗布液としては、レジストおよび水との親和力が低い材料（レジストおよび水との反応性が低い材料）を用いることができる。例えば、フッ素樹脂である。なお、塗布ユニットＢＡＲＣ，ＲＥＳ，ＣＯＶおよび現像処理ユニットＤＥＶの詳細については後述する。
【００５３】
レジストカバー膜除去ブロック１４のレジストカバー膜除去用処理部９０には、３個の除去ユニットＲＥＭが上下に積層配置されている。除去ユニットＲＥＭは、基板Ｗを回転させながら基板Ｗ上に剥離液（例えばフッ素樹脂）を供給することにより、基板Ｗ上に形成されたレジストカバー膜を除去する。なお、除去ユニットＲＥＭにおけるレジストカバー膜の除去方法は上記の例に限定されない。例えば、基板Ｗの上方においてスリットノズルを移動させつつ基板Ｗ上に剥離液を供給することによりレジストカバー膜を除去してもよい。
【００５４】
インターフェースブロック１５内の＋Ｘ側には、エッジ露光部ＥＥＷおよび３個の第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２が上下に積層配置される。
【００５５】
次に、図３を用いて、基板処理装置５００の−Ｘ側の構成について説明する。図３に示すように、反射防止膜用処理ブロック１０の反射防止膜用熱処理部１００，１０１には、２個の加熱ユニット（ホットプレート）ＨＰおよび２個の冷却ユニット（クーリングプレート）ＣＰがそれぞれ積層配置される。また、反射防止膜用熱処理部１００，１０１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００５６】
レジスト膜用処理ブロック１１のレジスト膜用熱処理部１１０，１１１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰがそれぞれ積層配置される。また、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００５７】
現像処理ブロック１２の現像用熱処理部１２０，１２１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰがそれぞれ積層配置される。また、現像用熱処理部１２０，１２１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００５８】
レジストカバー膜用処理ブロック１３のレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰがそれぞれ積層配置される。また、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００５９】
レジストカバー膜除去ブロック１４の露光後ベーク用熱処理部１４０には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置され、露光後ベーク用熱処理部１４１には２個の加熱ユニットＨＰ、２個の冷却ユニットＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１１，ＰＡＳＳ１２が上下に積層配置される。また、露光後ベーク用熱処理部１４０，１４１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００６０】
次に、図４を用いてインターフェースブロック１５について詳細に説明する。
【００６１】
図４は、インターフェースブロック１５を＋Ｙ側から見た概略側面図である。図４に示すように、インターフェースブロック１５内において、−Ｘ側には、送りバッファ部ＳＢＦおよび３個の第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１が積層配置される。また、インターフェースブロック１５内において、＋Ｘ側の上部には、エッジ露光部ＥＥＷが配置される。
【００６２】
エッジ露光部ＥＥＷの下方において、インターフェースブロック１５内の略中央部には、戻りバッファ部ＲＢＦ、２個の載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１３が上下に積層配置される。エッジ露光部ＥＥＷの下方において、インターフェースブロック１５内の＋Ｘ側には、３個の第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２が上下に積層配置される。
【００６３】
また、インターフェースブロック１５内の下部には、第６のセンターロボットＣＲ６およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲが設けられている。第６のセンターロボットＣＲ６は、送りバッファ部ＳＢＦおよび第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１と、エッジ露光部ＥＥＷ、戻りバッファ部ＲＢＦ、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１３との間で上下動可能かつ回動可能に設けられている。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１３と、第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２との間で上下動可能かつ回動可能に設けられている。
【００６４】
（２）基板処理装置の動作
次に、本実施の形態に係る基板処理装置５００の動作について図１〜図４を参照しながら説明する。
【００６５】
（２−１）インデクサブロック〜レジストカバー膜除去ブロックの動作
まず、インデクサブロック９〜レジストカバー膜除去ブロック１４の動作について簡単に説明する。
【００６６】
インデクサブロック９のキャリア載置台４０の上には、複数枚の基板Ｗを多段に収納するキャリアＣＡが搬入される。インデクサロボットＩＲは、ハンドＩＲＨを用いてキャリアＣＡ内に収納された未処理の基板Ｗを取り出す。その後、インデクサロボットＩＲは±Ｘ方向に移動しつつ±θ方向に回転移動し、未処理の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１に載置する。
【００６７】
本実施の形態においては、キャリアＣＡとしてＦＯＵＰ（front opening unified pod）を採用しているが、これに限定されず、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Inter Face）ポッドや収納基板Ｗを外気に曝すＯＣ（open cassette）等を用いてもよい。
【００６８】
さらに、インデクサロボットＩＲ、第１〜第６のセンターロボットＣＲ１〜ＣＲ６およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲには、それぞれ基板Ｗに対して直線的にスライドさせてハンドの進退動作を行う直動型搬送ロボットを用いているが、これに限定されず、関節を動かすことにより直線的にハンドの進退動作を行う多関節型搬送ロボットを用いてもよい。
【００６９】
基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された未処理の基板Ｗは、反射防止膜用処理ブロック１０の第１のセンターロボットＣＲ１により受け取られる。第１のセンターロボットＣＲ１は、その基板Ｗを反射防止膜用熱処理部１００，１０１に搬入する。
【００７０】
その後、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを反射防止膜用塗布処理部５０に搬入する。この反射防止膜用塗布処理部５０では、露光時に発生する低在波やハレーションを減少させるために、塗布ユニットＢＡＲＣにより基板Ｗ上に反射防止膜が塗布形成される。
【００７１】
次に、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用塗布処理部５０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを反射防止膜用熱処理部１００，１０１に搬入する。その後、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ３に載置する。
【００７２】
基板載置部ＰＡＳＳ３に載置された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック１１の第２のセンターロボットＣＲ２により受け取られる。第２のセンターロボットＣＲ２は、その基板Ｗをレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に搬入する。
【００７３】
その後、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジスト膜用塗布処理部６０に搬入する。このレジスト膜用塗布処理部６０では、塗布ユニットＲＥＳにより反射防止膜が塗布形成された基板Ｗ上にレジスト膜が塗布形成される。
【００７４】
次に、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用塗布処理部６０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に搬入する。その後、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ５に載置する。
【００７５】
基板載置部ＰＡＳＳ５に載置された基板Ｗは、現像処理ブロック１２の第３のセンターロボットＣＲ３により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ７に載置する。
【００７６】
基板載置部ＰＡＳＳ７に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜用処理ブロック１３の第４のセンターロボットＣＲ４により受け取られる。第４のセンターロボットＣＲ４は、その基板Ｗをレジストカバー膜用塗布処理部８０に搬入する。このレジストカバー膜用塗布処理部８０では、塗布ユニットＣＯＶによりレジスト膜が塗布形成された基板Ｗ上にレジストカバー膜が塗布形成される。
【００７７】
次に、第４のセンターロボットＣＲ４は、レジストカバー膜用塗布処理部８０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１に搬入する。その後、第４のセンターロボットＣＲ４は、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９に載置する。
【００７８】
基板載置部ＰＡＳＳ９に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜除去ブロック１４の第５のセンターロボットＣＲ５により受け取られる。第５のセンターロボットＣＲ５は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置する。
【００７９】
基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置された基板Ｗは、インターフェースブロック１５の第６のセンターロボットＣＲ６により受け取られ、後述するように、インターフェースブロック１５および露光装置１６において所定の処理が施される。インターフェースブロック１５および露光装置１６において基板Ｗに所定の処理が施された後、その基板Ｗは、第６のセンターロボットＣＲ６によりレジストカバー膜除去ブロック１４の露光後ベーク用熱処理部１４１に搬入される。
【００８０】
露光後ベーク用熱処理部１４１においては、基板Ｗに対して露光後ベーク（ＰＥＢ）が行われる。その後、第６のセンターロボットＣＲ６は、露光後ベーク用熱処理部１４１から基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置する。
【００８１】
なお、本実施の形態においては露光後ベーク用熱処理部１４１により露光後ベークを行っているが、露光後ベーク用熱処理部１４０により露光後ベークを行ってもよい。
【００８２】
基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜除去ブロック１４の第５のセンターロボットＣＲ５により受け取られる。第５のセンターロボットＣＲ５は、その基板Ｗをレジストカバー膜除去用処理部９０に搬入する。レジストカバー膜除去用処理部９０では、除去ユニットＲＥＭにより基板Ｗ上のレジストカバー膜が除去される。
【００８３】
次に、第５のセンターロボットＣＲ５は、レジストカバー膜除去用処理部９０から処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置する。
【００８４】
基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜用処理ブロック１３の第４のセンターロボットＣＲ４により基板載置部ＰＡＳＳ８に載置される。
【００８５】
基板載置部ＰＡＳＳ８に載置された基板Ｗは、現像処理ブロック１２の第３のセンターロボットＣＲ３により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、その基板Ｗを現像処理部７０に搬入する。現像処理部７０においては、露光された基板Ｗに対して現像処理が施される。
【００８６】
次に、第３のセンターロボットＣＲ３は、現像処理部７０から現像処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを現像用熱処理部１２０，１２１に搬入する。その後、第３のセンターロボットＣＲ３は、現像用熱処理部１２０，１２１から熱処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ６に載置する。
【００８７】
基板載置部ＰＡＳＳ６に載置された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック１１の第２のセンターロボットＣＲ２により基板載置部ＰＡＳＳ４に載置される。基板載置部ＰＡＳＳ４に載置された基板Ｗは反射防止膜用処理ブロック１０の第１のセンターロボットＣＲ１により基板載置部ＰＡＳＳ２に載置される。
【００８８】
基板載置部ＰＡＳＳ２に載置された基板Ｗは、インデクサブロック９のインデクサロボットＩＲによりキャリアＣＡ内に収納される。これにより、基板処理装置５００における基板Ｗの各処理が終了する。
【００８９】
（２−２）インターフェースブロックの動作
次に、インターフェースブロック１５の動作について詳細に説明する。
【００９０】
上述したように、インデクサブロック９に搬入された基板Ｗは、所定の処理を施された後、レジストカバー膜除去ブロック１４（図１）の基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置される。
【００９１】
基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置された基板Ｗは、インターフェースブロック１５の第６のセンターロボットＣＲ６により受け取られる。第６のセンターロボットＣＲ６は、その基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷ（図４）に搬入する。このエッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗの周縁部に露光処理が施される。
【００９２】
次に、第６のセンターロボットＣＲ６は、エッジ露光部ＥＥＷからエッジ露光済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１のいずれかに搬入する。第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１においては、上述したように露光処理前の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。
【００９３】
ここで、露光装置１６による露光処理の時間は、通常、他の処理工程および搬送工程よりも長い。その結果、露光装置１６が後の基板Ｗの受け入れをできない場合が多い。この場合、基板Ｗは送りバッファ部ＳＢＦ（図４）に一時的に収納保管される。本実施の形態では、第６のセンターロボットＣＲ６は、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１から洗浄および乾燥処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを送りバッファ部ＳＢＦに搬送する。
【００９４】
次に、第６のセンターロボットＣＲ６は、送りバッファ部ＳＢＦに収納保管されている基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰに搬入する。載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰに搬入された基板Ｗは、露光装置１６内と同じ温度（例えば、２３℃）に維持される。
【００９５】
なお、露光装置１６が十分な処理速度を有する場合には、送りバッファ部ＳＢＦに基板Ｗを収納保管せずに、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１から載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰに基板Ｗを搬送してもよい。
【００９６】
続いて、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰで上記所定温度に維持された基板Ｗが、インターフェース用搬送機構ＩＦＲの上側のハンドＨ１（図４）により受け取られ、露光装置１６内の基板搬入部１６ａ（図１）に搬入される。
【００９７】
露光装置１６において露光処理が施された基板Ｗは、インターフェース用搬送機構ＩＦＲの下側のハンドＨ２（図４）により基板搬出部１６ｂ（図１）から搬出される。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、ハンドＨ２により、その基板Ｗを第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２のいずれかに搬入する。第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２においては、上述したように露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。
【００９８】
第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２において洗浄および乾燥処理が施された基板Ｗは、インターフェース用搬送機構ＩＦＲのハンドＨ１（図４）により取り出される。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、ハンドＨ１により、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置する。
【００９９】
基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置された基板Ｗは、第６のセンターロボットＣＲ６により受け取られる。第６のセンターロボットＣＲ６は、その基板Ｗをレジストカバー膜除去ブロック１４（図１）の露光後ベーク用熱処理部１４１に搬送する。
【０１００】
なお、除去ユニットＲＥＭ（図２）の故障等により、レジストカバー膜除去ブロック１４が一時的に基板Ｗの受け入れをできないときは、戻りバッファ部ＲＢＦに露光処理後の基板Ｗを一時的に収納保管することができる。
【０１０１】
（３）塗布ユニット
次に、塗布ユニットＢＡＲＣ，ＲＥＳ，ＣＯＶの詳細について説明する。塗布ユニットＢＡＲＣ，ＲＥＳ，ＣＯＶの構成は互いにほぼ同様である。
【０１０２】
（３−１）塗布ユニットＢＡＲＣ
（３−１−１）構成
図５は、塗布ユニットＢＡＲＣの構成を示す平面図である。図５に示すように、塗布ユニットＢＡＲＣは、回転処理部８０１、複数（本例では３つ）の塗布液供給ノズル８１０、複数（本例では３つ）の剥離液供給ノズル８１１、ノズル把持部８２０、把持部移動機構８３４，８３７、待機部８５０および端部検査部８６０を備える。
【０１０３】
回転処理部８０１は、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック８０３、およびスピンチャック８０３の周囲を取り囲み、基板Ｗから飛散される有機溶媒または処理液が外方へ拡散するのを防止する中空のカップ８０２を備える。
【０１０４】
スピンチャック８０３の近傍には、スピンチャック８０３に保持される基板Ｗの下面に向けてリンス液（例えば純水）を吐出するバックリンスノズル（図示せず）が設けられている。スピンチャック８０３の上方には、エッジリンスノズル８０４が移動可能に設けられている。エッジリンスノズル８０４は、スピンチャック８０３により保持される基板Ｗの周縁部にリンス液（例えば純水）を吐出する。
【０１０５】
待機時には、各塗布液供給ノズル８１０および各剥離液供給ノズル８１１が待機部８５０に挿入される。各塗布液供給ノズル８１０には、図示しない塗布液貯留部から処理液配管を通して反射防止膜の塗布液が供給される。各剥離液供給ノズル８１１には、図示しない剥離液貯留部から処理液配管を通して反射防止膜の剥離液が供給される。
【０１０６】
なお、複数（本例では３つ）の塗布液供給ノズル８１０に供給される塗布液の種類は互いに異なる。後述のように、基板Ｗに供給される塗布液は、予め設定された処理条件に従って適宜選択される。
【０１０７】
各塗布液供給ノズル８１０には、上方に突出する把持部８１０ａが設けられている。各剥離液供給ノズル８１１には、上方に突出する把持部８１１ａが設けられている。
【０１０８】
ノズル把持部８２０は、塗布液供給ノズル８１０および剥離液供給ノズル８１１の把持部８１０ａ，８１１ａを挟持する一対の挟持アーム８２１，８２１を有する。一対の狭持アーム８２１，８２１は、図示しない駆動機構によって互いに近接する方向または互いに離間する方向に移動する。
【０１０９】
ノズル把持部８２０は、把持部移動機構８３４に取り付けられている。把持部移動機構８３４により、ノズル把持部８２０がＸ方向およびＺ方向に移動する。把持部移動機構８３４の一端は、把持部移動機構８３７の回動ねじ８３８に係合している。回動ねじ８３８は図示しないモータにより回動される。回動ねじ８３８の回動により把持部移動機構８３４がガイド８３９に沿ってＹ方向に水平移動する。これにより、ノズル把持部８２０がＹ方向に移動する。
【０１１０】
端部検査部８６０は、検査ヘッド８６３を有する。検査ヘッド８６３はモータ８６４によって回動される回動アーム８６５の先端部に取り付けられている。検査ヘッド８６３は、スピンチャック８０３に保持された基板Ｗの端部にレーザ光を照射し、その散乱光を検出することによって基板Ｗの端部の状態を検査する。検査ヘッド８６３による基板Ｗの端部の検査結果は、図１に示したメインコントローラ３０に与えられる。
【０１１１】
（３−１−２）基板の端部
ここで、基板Ｗの端部の定義を示す。図６は、基板Ｗの端部を概略的に示す図である。
【０１１２】
図６に示すように、基板Ｗは、平坦な表面および裏面を有するとともに、その外周部にベベル部ＢＥを有する。ベベル部ＢＥは、基板Ｗの表面に連続的につながるように傾斜する上ベベル領域Ａ、基板Ｗの裏面に連続的につながるように傾斜する下ベベル領域Ｃ、および端面領域Ｂを含む。
【０１１３】
基板Ｗの表面には、反射防止膜Ｆ１、レジスト膜Ｆ２およびレジストカバー膜Ｆ３が順に形成される。各膜Ｆ１，Ｆ２，Ｆ３が形成されるべき領域は予め定められている。図６の例では、周縁領域Ｄを除く基板Ｗの表面の領域に各膜Ｆ１，Ｆ２，Ｆ３が形成される。
【０１１４】
本実施の形態において、基板Ｗの端部とは、各膜Ｆ１，Ｆ２，Ｆ３が形成されない基板Ｗのベベル部ＢＥおよび表面の領域をいう。図６の例では、ベベル部ＢＥおよび周縁領域Ｄを基板Ｗの端部と呼ぶ。
【０１１５】
なお、各膜Ｆ１，Ｆ２，Ｆ３がベベル部ＢＥの上ベベル領域Ａまで形成されることがある。その場合は、各膜Ｆ１，Ｆ２，Ｆ３が形成されない上ベベル領域Ａの領域、端面領域Ｂおよび下ベベル領域Ｃを基板Ｗの端部と呼ぶ。
【０１１６】
（３−１−３）動作
次に、上記構造を有する塗布ユニットＢＡＲＣの動作について図を用いて説明する。塗布ユニットＢＡＲＣの動作は、図１のメインコントローラ３０により制御される。図７は、メインコントローラ３０の制御動作を示す概略フローチャートである。
【０１１７】
図７に示すように、メインコントローラ３０は、予め定められた処理条件に従って基板Ｗに供給する塗布液を選択し、これに対応した塗布液供給ノズル８１０を選択する（ステップＳ１）。
【０１１８】
塗布液供給ノズル８１０が選択されると、把持部移動機構８３４，８３７により、ノズル把持部８２０が一対の挟持アーム８２１，８２１を開いた状態で選択された塗布液供給ノズル８１０の把持部８１０ａに接近する。
【０１１９】
そして、挟持アーム８２１，８２１により塗布液供給ノズル８１０の把持部８１０ａを挟持する。さらに、挟持した塗布液供給ノズル８１０を上方に持ち上げ、把持部移動機構８３４，８３７により塗布液供給ノズル８１０を基板Ｗの中央上方の所定の位置に移動させる。
【０１２０】
次に、メインコントローラ３０は、塗布液供給ノズル８１０から塗布液を基板Ｗ上に吐出するとともにスピンチャック８０３により基板Ｗを回転し、基板Ｗ上に塗布液を塗布する（ステップＳ２）。このとき、基板Ｗの下方に位置するバックリンスノズル（図示せず）から基板Ｗの下面に向けてリンス液を吐出する。これにより、基板Ｗの下面に塗布液が付着することが防止される。塗布液の吐出が終了すると、塗布液供給ノズル８１０は、図５の待機部８５０の所定位置に戻される。
【０１２１】
次に、メインコントローラ３０は、エッジリンスノズル８０４を基板Ｗの周縁部近傍に移動させ、エッジリンスノズル８０４から基板Ｗの周縁部に向けてリンス液を吐出する（ステップＳ３）。それにより、基板Ｗの周縁部に付着する塗布液が溶解除去される。所定時間経過後、エッジリンスノズル８０４からのリンス液の吐出を停止し、エッジリンスノズル８０４を基板Ｗの外方に移動させる。
【０１２２】
次に、メインコントローラ３０は、モータ８６４によって検査ヘッド８６３を基板Ｗの端部近傍に移動させる。そして、基板Ｗの回転を維持した状態で検査ヘッド８６３により基板Ｗの端部の状態を検査する（ステップＳ４）。
【０１２３】
次に、メインコントローラ３０は、検査ヘッド８６３による検査の結果に基づいて、基板Ｗの端部に塗布液が付着しているか否かを判定する（ステップＳ５）。すなわち、反射防止膜を形成すべきでない部分に塗布液が付着してるか否かが判定される。
【０１２４】
具体的には、検査ヘッド８６３によって検出されたレーザ光の散乱光の強度が所定範囲内にある場合には、基板Ｗの端部に塗布液が付着していないと判定される。一方、散乱光の強度が所定範囲から外れる場合には、基板Ｗの端部に塗布液が付着していると判定される。
【０１２５】
基板Ｗの端部に塗布液が付着していない場合、メインコントローラ３０は、スピンチャック８０３による基板Ｗの回転を停止し、第１のセンターロボットＣＲ１（図１）により塗布ユニットＢＡＲＣから基板Ｗを搬出する（ステップＳ６）。
【０１２６】
基板Ｗの端部に塗布液が付着している場合、メインコントローラ３０は、ノズル把持部８２０によって剥離液供給ノズル８１１のいずれかを基板Ｗの中央上方の所定の位置に移動させる。そして、メインコントローラ３０は、基板Ｗの回転を維持した状態で剥離液供給ノズル８１１から剥離液を基板Ｗ上に吐出する（ステップＳ７）。これにより、基板Ｗ上に塗布された塗布液が除去される。
【０１２７】
その後、メインコントローラ３０は、基板Ｗの回転速度を高めることによって基板Ｗ上の塗布液および剥離液を振り切るとともに、ステップＳ２の処理に戻り、再度基板Ｗ上に塗布液を塗布する。
【０１２８】
このように、塗布ユニットＢＡＲＣにおいては、基板Ｗ上に反射防止膜の塗布液が塗布された後、検査ヘッド８６３によって基板Ｗの端部の状態が検査される。その検査の結果、基板Ｗの端部に塗布液が付着している場合には、一旦基板Ｗ上の塗布液が取り除かれ、改めて基板Ｗ上に塗布液が塗布される。これにより、基板Ｗの端部を清浄に維持しつつ基板Ｗ上の適切な領域に反射防止膜を形成することができる。
【０１２９】
なお、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１（図１）において基板Ｗ上の反射防止膜に熱処理が施された後には、基板Ｗから反射防止膜を取り除くことが困難になる。本実施の形態では、反射防止膜に熱処理が施される前に上記の処理を行うので、反射防止膜の除去を確実に行うことができる。そのため、基板Ｗの端部を確実に清浄に維持することができる。
【０１３０】
（３−２）塗布ユニットＲＥＳ
塗布ユニットＲＥＳは、反射防止膜の塗布液の代わりにレジスト膜の塗布液を用いる点、および反射防止膜の剥離液の代わりにレジスト膜の剥離液を用いる点を除いて、塗布ユニットＢＡＲＣと同様の構成である。
【０１３１】
塗布ユニットＲＥＳにおいては、塗布ユニットＢＡＲＣと同様の処理が基板Ｗに施される。具体的には、まず、反射防止膜が形成された基板Ｗ上にレジスト膜の塗布液が塗布される。続いて、検査ヘッド８６３（図５参照）によって基板Ｗの端部の状態が検査される。その検査の結果、基板Ｗの端部にレジスト膜の塗布液が付着していなければ、基板Ｗが塗布ユニットＲＥＳから搬出される。
【０１３２】
一方、基板Ｗの端部にレジスト膜の塗布液が付着していれば、基板Ｗ上にレジスト膜の剥離液が供給される。この場合、基板Ｗ上の反射防止膜の状態は維持され、レジスト膜の塗布液のみが除去される。その後、改めて基板Ｗ上にレジスト膜の塗布液が塗布され、検査ヘッド８６３により再度基板Ｗの端部が検査される。
【０１３３】
これにより、基板の端部を清浄に維持しつつ基板Ｗ上の適切な領域にレジスト膜を形成することができる。
【０１３４】
（３−３）塗布ユニットＣＯＶ
塗布ユニットＣＯＶは、反射防止膜の塗布液の代わりにレジストカバー膜の塗布液を用いる点、および反射防止膜の剥離液の代わりにレジストカバー膜の剥離液を用いる点を除いて、塗布ユニットＢＡＲＣと同様の構成である。
【０１３５】
塗布ユニットＣＯＶにおいては、塗布ユニットＢＡＲＣと同様の処理が基板Ｗに施される。具体的には、まず、反射防止膜およびレジスト膜が形成された基板Ｗ上にレジストカバー膜の塗布液が塗布される。続いて、検査ヘッド８６３（図５参照）によって基板Ｗの端部の状態が検査される。その検査の結果、基板Ｗの端部にレジストカバー膜の塗布液が付着していなければ、基板Ｗが塗布ユニットＣＯＶから搬出される。
【０１３６】
一方、基板Ｗの端部にレジストカバー膜の塗布液が付着していれば、基板Ｗ上にレジストカバー膜の剥離液が供給される。この場合、基板Ｗ上の反射防止膜およびレジスト膜の状態は維持され、レジストカバー膜の塗布液のみが除去される。その後、改めて基板Ｗ上にレジストカバー膜の塗布液が塗布され、検査ヘッド８６３により再度基板Ｗの端部が検査される。
【０１３７】
これにより、基板Ｗの端部を清浄に維持しつつ基板Ｗ上の適切な領域にレジストカバー膜を形成することができる。
【０１３８】
（４）現像処理ユニットＤＥＶ
次に、現像処理ユニットＤＥＶの詳細について説明する。図８は、現像処理ユニットＤＥＶの構成を示す平面図であり、図９は図８の現像処理ユニットＤＥＶのＱ−Ｑ線断面図である。
【０１３９】
図８および図９に示すように、現像処理ユニットＤＥＶは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持するスピンチャック９０１を備える。スピンチャック９０１は、モータ９０２（図９）の回転軸９０３の先端部に固定され、鉛直方向の軸の周りで回転可能に構成されている。スピンチャック９０１の周囲には、基板Ｗを取り囲むように円形の内側カップ９０４が上下動自在に設けられている。また、内側カップ９０４の周囲には、正方形の外側カップ９０５が設けられている。
【０１４０】
外側カップ９０５の両側にはそれぞれ待機ポッド９０６，９０７が配置され、外側カップ９０５の一方の側部側にはガイドレール９０８が配設されている。また、ノズルアーム９０９がアーム駆動部９１０によりガイドレール９０８に沿って走査方向Ａおよびその逆方向に移動可能に設けられている。外側カップ９０５の他方の側部側には、洗浄用リンス液として純水を吐出する洗浄用のリンス液吐出ノズル９１２が矢印Ｒの方向に回動可能に設けられている。
【０１４１】
また、外側カップ９０５の他方の側部側には、検査ヘッド９２０が配置されている。検査ヘッド９２０は、モータ９２１によって回動される回動アーム９２２の先端部に取り付けられている。検査ヘッド９２０は、図５に示した検査ヘッド８６３と同様の構成であり、スピンチャック９０１に保持された基板Ｗの端部にレーザ光を照射し、その散乱光を検出することによって基板Ｗの端部の状態を検査する。
【０１４２】
ノズルアーム９０９には、下端部にスリット状吐出口９１５（図９参照）を有する現像液吐出ノズル９１１がガイドレール９０８と垂直に取り付けられている。現像液吐出ノズル９１１には、図示しない現像液供給系により現像液が供給される。
【０１４３】
基板Ｗの現像処理時には、現像液吐出ノズル９１１が待機ポット９０６の位置から外側カップ９０５内の位置まで移動する。そして、現像液吐出ノズル９１１が現像液を吐出しつつ静止状態の基板Ｗの上方を通過する。これにより、基板Ｗ上の全面に現像液が液盛され、現像処理が進行する。現像液吐出ノズル９１１は、待機ポッド９０７の位置まで移動し、その後、待機ポット９０６の位置に戻る。
【０１４４】
所定時間経過後、リンス液吐出ノズル９１２から基板Ｗ上にリンス液が吐出される。これにより、基板Ｗ上における現像処理が停止される。なお、待機ポット９０６に戻った現像液吐出ノズル９１１が、リンス液を吐出しつつ基板Ｗの上方を移動することにより、基板Ｗ上における現像処理が停止されるようにしてもよい。
【０１４５】
この後、基板Ｗが高速で回転されることにより、基板Ｗ上の現像液およびリンス液が振り切られ、基板Ｗが乾燥される。これにより、基板Ｗの現像処理が終了する。現像処理終了後、検査ヘッド９２０が基板Ｗの端部近傍に移動する。そして、基板Ｗが回転する状態で検査ヘッド９２０により基板Ｗの端部の状態が検査される。検査ヘッド９２０による検査結果は、図１のメインコントローラ３０に与えられる。その後、基板Ｗが現像処理ユニットＤＥＶから搬出される。
【０１４６】
上記のように、現像処理ユニットＤＥＶから搬出された基板Ｗは、インデクサブロック９（図１）においてインデクサロボットＩＲ（図１）によりキャリアＣＡ（図１）内に収納される。
【０１４７】
本実施の形態では、現像処理ユニットＤＥＶにおける検査ヘッド９２０の検査結果に基づいてメインコントローラ３０（図１）によりインデクサロボットＩＲが制御され、端部が汚染されていると判定された基板Ｗと、端部が汚染されていないと判定された基板Ｗとが互いに別個のキャリアＣＡ内に収納される。
【０１４８】
（５）本実施の形態の効果
本実施の形態では、塗布ユニットＢＡＲＣ，ＲＥＳ，ＣＯＶにおいて、基板Ｗ上に反射防止膜、レジスト膜およびレジストカバー膜が塗布された後、検査ヘッド８６３により基板Ｗの端部の状態が検査される。その検査の結果に応じて基板Ｗに所定の処理が施され、端部が汚染された状態で基板Ｗが塗布ユニットＢＡＲＣ，ＲＥＳ，ＣＯＶから次の工程に送られることが防止される。
【０１４９】
そのため、端部が清浄な状態で基板Ｗを露光装置１６に搬入することができる。したがって、基板Ｗの端部の汚染に起因する露光装置１６の汚染を防止することができる。その結果、露光パターンの寸法不良および形状不良が発生することを防止することができる。
【０１５０】
また、各塗布ユニットにおいて、基板Ｗの端部が清浄な状態で塗布処理を行うことができるので、各膜を良好に形成することができる。
【０１５１】
また、現像処理ブロックＤＥＶにおいて、現像処理後に基板Ｗの端部の状態が検査ヘッド９２０により検査され、その検査で端部が汚染されていると判定された基板Ｗと端部が汚染されていないと判定された基板Ｗとが互いに別個のキャリアＣＡ内に収納される。これにより、端部が汚染されている基板Ｗがそのまま基板処理装置５００から次の処理工程に送られることを防止することができる。
【０１５２】
（６）塗布ユニットの変形例
（６−１）
上記実施の形態の塗布ユニットＢＡＲＣ，ＲＥＳ，ＣＯＶでは、基板Ｗの端部に反射防止膜、レジスト膜またはレジストカバー膜の塗布液が付着している場合、基板Ｗ上の塗布液が全て取り除かれるが、これに限らず、基板Ｗの端部に付着する塗布液のみを取り除いてもよい。
【０１５３】
具体的には、剥離液供給ノズル８１１から基板Ｗの端部にのみ剥離液を供給することにより、基板Ｗ上の適切な領域に塗布された塗布液をそのまま残した状態で、基板Ｗの端部に付着する塗布液のみを取り除くことができる。また、エッジリンスノズル８０４から再度基板Ｗの端部にリンス液を供給することにより、基板Ｗの端部に付着する塗布液を取り除くこともできる。
【０１５４】
（６−２）
基板Ｗの端部における塗布液の付着の程度に応じて、塗布液の除去方法を選択してもよい。例えば、検査ヘッド８６３による検査の結果、基板Ｗの端部への塗布液の付着が著しい場合には剥離液供給ノズル８１１によって基板Ｗ上の塗布液を全て取り除き、基板Ｗの端部への塗布液の付着が軽微である場合には剥離液供給ノズル８１１またはエッジリンスノズル８０４によって基板Ｗの端部に付着する塗布液のみを取り除く。
【０１５５】
なお、この場合には、基板Ｗ上の塗布液を全て取り除くための剥離液供給ノズル８１１と、基板Ｗの端部に付着する塗布液のみを取り除くための剥離液供給ノズル８１１とを別個に設け、互いに異なる構造としてもよい。
【０１５６】
例えば、基板Ｗの端部に付着する塗布液のみを取り除くための剥離液供給ノズル８１１の吐出口の径を基板Ｗ上の塗布液を全て取り除くための剥離液供給ノズル８１１の吐出口の径よりも小さく設定する。この場合、基板Ｗ上の塗布液を全て取り除く際には、基板Ｗ上の全面に剥離液を効率よく供給することができる。一方、基板Ｗの端部に付着する塗布液のみを取り除く際には、より正確に基板Ｗの端部のみに剥離液を供給することができる。
【０１５７】
（６−３）
塗布ユニットＢＡＲＣ，ＲＥＳ，ＣＯＶでは、それぞれ複数の種類の塗布液が用いられる。この複数の種類の塗布液に対応するように複数の種類の剥離液を用いてもよい。具体的には、複数の剥離液供給ノズル８１１に互いに異なる種類の剥離液を供給する。基板Ｗ上の塗布液を除去する際には、その塗布液を効果的に除去可能な剥離液を選択する。この場合、基板Ｗ上の塗布液を効率良く確実に除去することができる。
【０１５８】
（６−４）
塗布ユニットＢＡＲＣ，ＲＥＳ，ＣＯＶの変形例について、図１０を用いて塗布ユニットＢＡＲＣを例に説明する。図１０は、塗布ユニットＢＡＲＣの変形例を示す平面図である。以下、図１０の塗布ユニットＢＡＲＣが、図５に示した塗布ユニットＢＡＲＣと異なる点を説明する。
【０１５９】
図１０の塗布ユニットＢＡＲＣには、基板Ｗの端部を洗浄するための洗浄ブラシ８７０が設けられる。洗浄ブラシ８７０は保持アーム８７１によって保持されており、保持アーム８７１は、図示しない駆動手段によって駆動される。それにより、洗浄ブラシ８７０が、スピンチャック８０３に保持される基板Ｗの端部に近づく方向または遠ざかる方向に移動する。
【０１６０】
この塗布ユニットＢＡＲＣにおいては、検査ヘッド８６３による検査の結果、基板Ｗの端部に塗布液が付着している場合、洗浄ブラシ８７０によって基板Ｗの端部が洗浄される。それにより、基板Ｗ上の適切な領域に塗布された塗布液をそのまま維持した状態で、基板Ｗの端部に付着する塗布液を取り除くことができる。
【０１６１】
この洗浄ブラシ８７０を塗布ユニットＲＥＳ，ＣＯＶに設けた場合にも、同様の作用効果を得ることができる。
【０１６２】
（７）他の実施の形態
（７−１）
上記実施の形態では、塗布ユニットＢＡＲＣ，ＲＥＳ，ＣＯＶにおいて、検査ヘッド８６３の検査により基板Ｗの端部に塗布液が付着していると判定された場合、共通の塗布ユニット内で塗布された塗布液のみを除去するが、塗布ユニットＲＥＳ，ＣＯＶにおいて、基板Ｗ上に形成されている膜を全て除去してもよい。この場合、その基板Ｗは塗布ユニットＲＥＳ，ＣＯＶから塗布ユニットＢＡＲＣに戻され、改めて反射防止膜から順に基板Ｗ上の膜の形成が行われる。
【０１６３】
（７−２）
上記実施の形態では、塗布ユニットＢＡＲＣ，ＲＥＳ，ＣＯＶの各々に検査ヘッド８６３が設けられるが、基板Ｗの端部を清浄に維持できるのであれば、塗布ユニットＢＡＲＣ，ＲＥＳ，ＣＯＶのうちの１種類または２種類にのみ検査ヘッド８６３を設けてもよい。
【０１６４】
（７−３）
除去ユニットＲＥＭに検査ヘッド８６３，９２０と同様の検査装置を設けてもよい。この場合、レジストカバー膜の除去処理後に基板Ｗの端部の状態が検査され、端部が汚染されていると判定された基板Ｗには、再度レジストカバー膜の除去処理が行われる。
【０１６５】
これにより、端部にレジストカバー膜の残渣が付着した状態で基板Ｗが次の工程に送られることが防止される。そのため、現像処理ユニットＤＥＶにおける現像処理を良好に行うことができる。
【０１６６】
（８）請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
【０１６７】
上記実施の形態では、塗布ユニットＢＡＲＣ，ＲＥＳ，ＣＯＶ、現像処理ユニットＤＥＶまたは除去ユニットＲＥＭが処理ユニットの例であり、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３およびレジストカバー膜除去ブロック１４が処理部の例であり、インターフェースブロック１５が受け渡し部の例であり、メインコントローラ３０が制御部の例であり、検査ヘッド８６３，９２０が端部検査手段の例であり、塗布ユニットＢＡＲＣ，ＲＥＳ，ＣＯＶが成膜処理ユニットの例であり、塗布液供給ノズル８１０が処理液供給手段の例であり、剥離液供給ノズル８１１またはエッジリンスノズル８０４が処理液除去手段の例である。
【０１６８】
また、塗布ユニットＲＥＳが感光膜形成ユニットの例であり、塗布ユニットＢＡＲＣが反射防止膜形成ユニットの例であり、塗布ユニットＣＯＶが保護膜形成ユニットの例であり、キャリアＣＡが収納容器の例であり、インデクサロボットＩＲが搬送手段の例である。
【０１６９】
請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
【産業上の利用可能性】
【０１７０】
本発明は、種々の基板の処理に有効に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１７１】
【図１】本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。
【図２】図１の基板処理装置を＋Ｘ方向から見た概略側面図である。
【図３】図１の基板処理装置を−Ｘ方向から見が概略側面図である。
【図４】インターフェースブロックを＋Ｙ側から見た概略側面図である。
【図５】塗布ユニットＢＡＲＣの構成を示す平面図である。
【図６】基板の端部を概略的に示す図である。
【図７】メインコントローラの制御動作を示す概略フローチャートである。
【図８】現像処理ユニットＤＥＶの構成を示す平面図である。
【図９】図８の現像処理ユニットＤＥＶのＱ−Ｑ線断面図である。
【図１０】塗布ユニットＢＡＲＣの変形例を示す平面図である。
【符号の説明】
【０１７２】
９  インデクサブロック
１０  反射防止膜用処理ブロック
１１  レジスト膜用処理ブロック
１２  現像処理ブロック
１３  レジストカバー膜用処理ブロック
１４  レジストカバー膜除去ブロック
１５  インターフェースブロック
１６  露光装置
３０  メインコントローラ
５００  基板処理装置
８０４  エッジリンスノズル
８１０  塗布液供給ノズル
８１１  剥離液供給ノズル
８６３，９２０  検査ヘッド
ＢＡＲＣ，ＲＥＳ，ＣＯＶ  塗布ユニット
ＤＥＶ  現像処理ユニット
ＲＥＭ  除去ユニット
Ｗ  基板
【図１】
0005183994.tif 000002
【図２】
0005183994.tif 000003
【図３】
0005183994.tif 000004
【図４】
0005183994.tif 000005
【図５】
0005183994.tif 000006
【図６】
0005183994.tif 000007
【図７】
0005183994.tif 000008
【図８】
0005183994.tif 000009
【図９】
0005183994.tif 000010
【図１０】
0005183994.tif 000011