(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体上に行方向及び列方向に沿って２次元マトリクス状に配列された電子放出領域を備えたカソードパネルと、蛍光体領域及びアノード電極が設けられたアノードパネルとが外周部で接合されており、前記カソードパネルと前記アノードパネルとの間には前記行方向に沿ってスペーサが配置されており、前記カソードパネルと前記アノードパネルとによって挟まれた空間が真空に保持され、各行に配列された複数の電子放出領域により複数の電子放出行が形成された平面型表示装置の処理方法であって、
（Ａ）所定の前記電子放出行における各電子放出領域に一定の電圧を印加して、前記各電子放出領域から電子を放出させ、前記電子放出領域における初期電子放出状態を測定することにより測定値を得、前記スペーサに近接した位置か若しくは前記スペーサから離れた位置かに基づき、前記測定値の高低に応じて、前記所定の電子放出行を、第１の電子放出行及び第２の電子放出行のいずれかに分類し、
（Ｂ）前記工程（Ａ）を全ての電子放出行に対して行うことにより、前記複数の電子放出行のそれぞれを、前記第１の電子放出行及び前記第２の電子放出行のいずれかに分類し、
（Ｃ）前記第１の電子放出行が前記第２の電子放出行より多数である場合、または、前記第２の電子放出行が前記第１の電子放出行より多数であり、かつ、前記第１の電子放出行の前記測定値と前記第２の電子放出行の前記測定値との差が、所定の範囲を超える場合には、前記第２の電子放出行に対して前記第１の電子放出行よりも高い電圧を印加し、その結果、前記測定値の分布に相似あるいは類似するパターンの電圧が、前記第１の電子放出行及び前記第２の電子放出行に印加され、
（Ｄ）前記第２の電子放出行が前記第１の電子放出行より多数であり、かつ、前記第１の電子放出行の前記測定値と前記第２の電子放出行の前記測定値の差が、前記所定の範囲内である場合には、予め決定された第１の電圧を前記第１の電子放出行に印加し、予め決定され、前記第１の電圧より低い第２の電圧を前記第２の電子放出行に印加する
平面型表示装置の処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、平面型表示装置の処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在主流の陰極線管（ＣＲＴ）に代わる画像表示装置として、平面型（フラットパネル形式）の表示装置が種々検討されている。このような平面型の表示装置として、液晶表示装置（ＬＣＤ）、エレクトロルミネッセンス表示装置（ＥＬＤ）、プラズマ表示装置（ＰＤＰ）を例示することができる。また、電子放出素子を備えたカソードパネルを組み込んだ平面型表示装置の開発も進められている。ここで、電子放出素子として、冷陰極電界電子放出素子、金属／絶縁膜／金属型素子（ＭＩＭ素子とも呼ばれる）、表面伝導型電子放出素子が知られており、これらの冷陰極電子源から構成された電子放出素子を備えたカソードパネルを組み込んだ平面型表示装置は、高解像度、高速応答性、高輝度のカラー表示、及び、低消費電力の観点から注目を集めている。
【０００３】
電子放出素子としての冷陰極電界電子放出素子を組み込んだ平面型表示装置である冷陰極電界電子放出表示装置（以下、表示装置と略称する場合がある）は、一般に、複数の冷陰極電界電子放出素子（以下、電界放出素子と略称する場合がある）を備えたカソードパネルＣＰと、電界放出素子から放出された電子との衝突により励起されて発光する蛍光体領域を有するアノードパネルＡＰとが、高真空に維持された空間を介して対向配置され、カソードパネルＣＰとアノードパネルＡＰとが周縁部において接合部材を介して接合された構成を有する。ここで、カソードパネルＣＰは、２次元マトリクス状に配列された各サブピクセルに対応した電子放出領域を有し、各電子放出領域には、１又は複数の電界放出素子が設けられている。電界放出素子として、スピント型、扁平型、エッジ型、平面型等を挙げることができる。
【０００４】
一例として、スピント型電界放出素子を有する代表的な表示装置の模式的な一部端面図を図７に示し、カソードパネルＣＰ及びアノードパネルＡＰを分解したときのカソードパネルＣＰとアノードパネルＡＰの一部分の模式的な分解斜視図を図８に示す。この表示装置を構成するスピント型電界放出素子は、支持体１０に形成されたカソード電極１１と、支持体１０及びカソード電極１１上に形成された絶縁層１２と、絶縁層１２上に形成されたゲート電極１３と、ゲート電極１３及び絶縁層１２に設けられた開口部１４（ゲート電極１３に設けられた第１開口部１４Ａ、及び、絶縁層１２に設けられた第２開口部１４Ｂ）と、開口部１４の底部に位置するカソード電極１１上に形成された円錐形の電子放出部１５から構成されている。また、絶縁層１２上には層間絶縁層１６が形成されており、層間絶縁層１６上には収束電極１７が形成されている。
【０００５】
この表示装置において、カソード電極１１は列方向（Ｙ方向）に延びる帯状であり、ゲート電極１３は、Ｙ方向とは異なる行方向（Ｘ方向）に延びる帯状である。一般に、カソード電極１１とゲート電極１３とは、これらの両電極１１，１３の射影像が互いに直交する方向に形成されている。帯状のカソード電極１１と帯状のゲート電極１３とが重複する重複領域が、電子放出領域ＥＡであり、１サブピクセルに相当する。そして、係る電子放出領域ＥＡが、カソードパネルＣＰの有効領域（平面型表示装置としての実用上の機能である表示機能を果たす中央の表示領域であり、無効領域が、この有効領域の外側に位置し、有効領域を額縁状に包囲している）内に、通常、２次元マトリクス状に配列されている。
【０００６】
一方、アノードパネルＡＰは、基板２０上に所定のパターンを有する蛍光体領域２２（具体的には、赤色発光蛍光体領域２２Ｒ、緑色発光蛍光体領域２２Ｇ、及び、青色発光蛍光体領域２２Ｂ）が形成され、蛍光体領域２２がアノード電極２４で覆われた構造を有する。尚、これらの蛍光体領域２２の間は、カーボン等の光吸収性材料から成る光吸収層（ブラックマトリックス）２３で埋め込まれており、表示画像の色濁り、光学的クロストークの発生を防止している。また、１サブピクセルを構成する蛍光体領域２２のそれぞれは隔壁２１によって囲まれており、隔壁２１の平面形状は格子形状（井桁形状）である。尚、図中、参照番号４０は行方向（Ｘ方向）に延びるスペーサを表し、参照番号２５はスペーサ保持部を表し、参照番号２６は接合部材を表す。図８においては、隔壁やスペーサの図示を省略した。
【０００７】
１サブピクセルは、カソードパネル側の電子放出領域ＥＡと、電子放出領域ＥＡに対向（対面）したアノードパネル側の蛍光体領域２２とによって構成されている。有効領域には、画素（ピクセル）が、例えば数十万〜数百万個ものオーダーにて配列されている。カラー表示の表示装置においては、１画素（１ピクセル）は、赤色発光サブピクセル、緑色発光サブピクセル、及び、青色発光サブピクセルの組から構成されている。そして、アノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰとを、電子放出領域ＥＡと蛍光体領域２２とが対向するように配置し、周縁部において接合部材２６を介して接合した後、排気し、封止することによって、表示装置を作製することができる。アノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰと接合部材２６とによって囲まれた空間は高真空（例えば、１×１０-3Ｐａ以下）となっている。従って、アノードパネルＡＰとカソードパネルＣＰとの間にスペーサ４０を配置しておかないと、大気圧によって表示装置が損傷を受けてしまう。尚、スペーサ４０の側面には、通常、例えば、ＣｒＯxから成る帯電防止膜４０Ａが形成されている。
【０００８】
この表示装置の駆動にあっては、線順次駆動方式が屡々採用されている。ここで、線順次駆動方式とは、マトリクス状に交差する電極群の内の例えばゲート電極１３を走査電極（本数：Ｎ）、カソード電極１１をデータ電極（本数：Ｍ）とし、ゲート電極１３を選択、走査し、カソード電極１１への信号に基づき画像を表示させ、１画面を構成する方法である。そして、このような線順次駆動方式にあっては、各電子放出領域ＥＡからの電子放出は、走査電極の選択時間、所謂走査電極のデューティ（Duty）期間だけ行われる。ここで、デューティ期間は、フレームのリフレッシュ時間（例えば６０Ｈｚの場合１６．７ミリ秒）をＮで除した秒数となる。
【０００９】
より具体的には、カソード電極１１には相対的に負電圧がカソード電極制御回路３１から印加され、ゲート電極１３には相対的に正電圧がゲート電極制御回路３２から印加され、アノード電極２４にはゲート電極１３よりも更に高い正電圧がアノード電極制御回路３３から印加される。そして、係る表示装置において表示を行う場合、カソード電極１１にカソード電極制御回路３１からビデオ信号を入力し、ゲート電極１３にゲート電極制御回路３２から走査信号を入力する。カソード電極１１及びゲート電極１３に電圧を印加した際に生ずる電界により、量子トンネル効果に基づき電子放出部１５から電子が放出され、この電子がアノード電極２４に引き付けられ、アノード電極２４を通過して蛍光体領域２２に衝突する。その結果、蛍光体領域２２が励起されて発光し、所望の画像を得ることができる。つまり、この冷陰極電界電子放出表示装置の動作は、基本的に、ゲート電極１３に印加される電圧、及び、カソード電極１１に印加される電圧によって制御される。
【００１０】
ところで、スペーサ４０の近傍に位置する電子放出領域ＥＡから放出された電子がアノードパネルＡＰにおけるアノード電極２４を通過し、蛍光体領域２２に衝突すると、係る電子の一部は蛍光体領域２２で後方散乱され、後方散乱電子の一部はスペーサ４０に衝突する。その結果、スペーサ４０に吸着していたガスが放出され、係るガスの分子等がスペーサ４０の近傍に位置する電子放出領域ＥＡを構成する電子放出部１５の表面に付着し、あるいは、吸着し、電子放出部１５における電子放出特性を変化させるといった現象が生じる。そして、このような現象が生じると、スペーサ４０の近傍に位置する電子放出領域ＥＡからの電子放出量が変化し、その結果、スペーサ４０の近傍に位置する電子放出領域ＥＡにおける電子放出状態と、スペーサ４０近傍には位置していない電子放出領域ＥＡ（スペーサ４０から離れた位置に位置する電子放出領域ＥＡ）における電子放出状態との間に差異が生じる。
【００１１】
このような状態を、模式的に図９の（Ａ）及び（Ｂ）に示す。尚、図９の（Ａ）及び（Ｂ）の縦軸のアノード電流値は、１行を占めるＭ個の電子放出領域から放出された電子によって電子放出領域とアノード電極との間に流れるアノード電流の値であり、横軸は、列方向（Ｙ方向）に沿った電子放出領域の位置を示す。尚、図９の（Ａ）及び（Ｂ）中、縦に延びる一点鎖線は、スペーサの配置された位置を示す。図９の（Ａ）に示す例では、スペーサの近傍に位置する電子放出領域から放出される電子の量は、スペーサから離れた所に位置する電子放出領域から放出される電子の量よりも多い。一方、図９の（Ｂ）に示す例では、スペーサの近傍に位置する電子放出領域から放出される電子の量は、スペーサから離れた所に位置する電子放出領域から放出される電子の量よりも少ない。尚、図９の（Ａ）に示す状態となるか、図９の（Ｂ）に示す状態となるかは、表示装置の仕様等に依存して、ケース・バイ・ケースである。そして、これらの放出電子の量の相違によって、表示装置における輝度の差は数％〜十数％となる場合があり、このような輝度の差によって、画質が著しく損なわれるし、スペーサが視認されてしまうといった問題も生じる。
【００１２】
また、電子放出領域からの電子の放出状態には経時変化が生じる。この状態を、図１０、図１１の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）に例示する。尚、図１０、図１１の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）の縦軸のアノード電流相対値は、（スペーサの近傍に位置する電子放出領域におけるアノード電流の値）を（スペーサから十分に離れた電子放出領域におけるアノード電流の値）で除した値（単位は％）であり、横軸は、経過時間（単位は任意であるが、対数目盛で表示）である。図１０に図示した例では、作動時間の経過と共にアノード電流相対値は変化するが、その変化量は、初期のアノード電流相対値によって異なり、しかも、長時間が経過すると、概ね或る値に収斂する。例えば、初期のアノード電流相対値が約１０６％の場合、約９８％へと変化し、初期のアノード電流相対値が約１００％の場合、約９６％へと変化し、初期のアノード電流相対値が約９４％の場合、約９５％へと変化し、初期のアノード電流相対値が約９０％の場合、約９６％へと変化している。また、図１１の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）から、初期のアノード電流相対値に依存して、時間に対するアノード電流相対値の変化割合（図１１の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）における直線の傾き）が異なっていることが判る。
【００１３】
【特許文献１】特開２００７−１９３１９０
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
ところで、作動時間の経過に従いスペーサの近傍に位置する電子放出領域における電子放出特性と、スペーサから十分に離れた電子放出領域における電子放出特性における電子放出特性とに差異が生じるといった問題を解決するための手段が、例えば、特開２００７−１９３１９０に開示されている。即ち、この特許公開公報に開示された技術は、スペーサの近傍に位置する電子放出領域における電子放出状態と、スペーサの近傍には位置していない電子放出領域における電子放出状態との間における差異を、出来る限り少なくし得る平面型表示装置の実表示作動時における作動方法に関する。この特許公開公報に開示された技術は非常に効果的な技術である。しかしながら、表示装置の製造完了後、工場出荷前における処理によって、即ち、平面型表示装置の本格的な実表示作動の前に、例えば、スペーサの近傍に位置する電子放出領域における電子放出状態と、スペーサの近傍には位置していない電子放出領域における電子放出状態との間における差異を、所望の状態に出来る限り近づけておくことが一層望ましい。更には、電子放出領域からの電子の放出状態には経時変化が生じ得るが、表示装置全体として係る経時変化のバラツキを出来る限り少なくすることが望ましい。
【００１５】
従って、本発明の目的は、平面型表示装置の製造完了後、工場出荷前において、電子放出領域の電子放出状態の差異を所望の状態に近づけることを可能とする平面型表示装置の処理方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記の目的を達成するための本発明に係る平面型表示装置の処理方法は、支持体上に行方向及び列方向に沿って２次元マトリクス状に配列された電子放出領域を備えたカソードパネルと、蛍光体領域及びアノード電極が設けられたアノードパネルとが外周部で接合されており、カソードパネルとアノードパネルとの間には行方向に沿ってスペーサが配置されており、カソードパネルとアノードパネルとによって挟まれた空間が真空に保持され、各行に配列された複数の電子放出領域により複数の電子放出行が形成された平面型表示装置における処理方法である。
【００１７】
そして、本発明に係る平面型表示装置の処理方法は、（Ａ）所定の電子放出行における各電子放出領域に一定の電圧を印加して、各電子放出領域から電子を放出させ、電子放出領域における初期電子放出状態を測定することにより測定値を得、スペーサに近接した位置か若しくはスペーサから離れた位置かに基づき、測定値の高低に応じて、所定の電子放出行を、第１の電子放出行及び第２の電子放出行のいずれかに分類し、
（Ｂ）工程（Ａ）を全ての電子放出行に対して行うことにより、複数の電子放出行のそれぞれを、第１の電子放出行及び第２の電子放出行のいずれかに分類し、
（Ｃ）第１の電子放出行が第２の電子放出行より多数である場合、または、第２の電子放出行が第１の電子放出行より多数であり、かつ、第１の電子放出行の測定値と第２の電子放出行の測定値との差が、所定の範囲を超える場合には、第２の電子放出行に対して第１の電子放出行よりも高い電圧を印加し、その結果、測定値の分布に相似あるいは類似するパターンの電圧が、第１の電子放出行及び第２の電子放出行に印加され、
（Ｄ）第２の電子放出行が第１の電子放出行より多数であり、かつ、第１の電子放出行の測定値と第２の電子放出行の測定値の差が、所定の範囲内である場合には、予め決定された第１の電圧を第１の電子放出行に印加し、予め決定され、第１の電圧より低い第２の電圧を第２の電子放出行に印加する。
【００２０】
本発明の第１の態様あるいは第２の態様に係る平面型表示装置の処理方法における前記工程（Ａ）を、便宜上、『初期電子放出状態測定工程』と呼び、前記工程（Ｂ）を、便宜上、『エージング処理工程』と呼ぶ。また、本発明の第１の態様、第２の態様あるいは第３の態様に係る平面型表示装置の処理方法（以下、これらを総称して、単に、『本発明の平面型表示装置の処理方法』と呼ぶ場合がある）において、『高い初期電子放出状態を示した行（あるいは、高い初期電子放出状態を示すと予想される行）における電子放出領域』を、便宜上、高電子放出行と呼び、『低い初期電子放出状態を示した行（あるいは、低い初期電子放出状態を示すと予想される行）における電子放出領域』を、便宜上、低電子放出行と呼ぶ。
【００２１】
本発明の平面型表示装置の処理方法にあっては、エージング処理の完了の時点において、高電子放出行のエージング処理後電子放出状態と、低電子放出行のエージング処理後電子放出状態とを、所望の電子放出状態差にする形態とすることが好ましい。ここで、『所望の電子放出状態』として、高電子放出行のエージング処理後電子放出状態と、低電子放出行のエージング処理後電子放出状態との差を、出来る限るゼロに近づける形態を挙げることができるし、あるいは又、次に述べるように、前者が後者よりも低い電子放出状態である形態、若しくは、前者が後者よりも高い電子放出状態である形態を挙げることもできる。
【００２２】
このように、係る形態にあっては、エージング処理の完了の時点において、高電子放出行のエージング処理後電子放出状態を、低電子放出行のエージング処理後電子放出状態よりも、低い電子放出状態にする構成とすることができる。このような構成を、便宜上、『第１の構成』と呼ぶ。ここで、この第１の構成は、高い初期電子放出状態を示した電子放出領域がスペーサに近接（あるいは隣接）している構成に対して適用することが好ましい。尚、低い初期電子放出状態を示した電子放出領域は、その他の領域（具体的には、スペーサに近接あるいは隣接していない領域）に位置しており、多数行を占める。このような場合を、便宜上、『ケースＡ』と呼ぶ。
【００２３】
そして、このような好ましい構成を含む第１の構成にあっては、エージング処理の完了の時点において、高電子放出行のエージング処理後電子放出状態は、平面型表示装置における実表示作動時の電子放出状態の経時変化割合が所定の範囲内となるような電子放出状態である構成とすることが好ましい。更には、以上に説明した好ましい構成を含む第１の構成において、平面型表示装置における実表示作動状態にあっては、同じ駆動信号が入力されたとき、高電子放出行の電子放出状態と、低電子放出行の電子放出状態とが等しくなるように、電子放出領域の電子放出状態を制御することが望ましい。より具体的には、高電子放出行の電子放出状態を所望の状態に制御することが好ましい。
【００２４】
あるいは又、上述した形態にあっては、エージング処理の完了の時点において、高電子放出行のエージング処理後電子放出状態を、低電子放出行のエージング処理後電子放出状態よりも、高い電子放出状態にする構成とすることができる。このような構成を、便宜上、『第２の構成』と呼ぶ。ここで、この第２の構成は、低い初期電子放出状態を示した電子放出領域がスペーサに近接（あるいは隣接）している構成に対して適用することが好ましい。尚、高い初期電子放出状態を示した電子放出領域は、その他の領域（具体的には、スペーサに近接あるいは隣接していない領域）に位置しており、多数行を占める。このような場合を、便宜上、『ケースＢ』と呼ぶ。
【００２５】
そして、このような好ましい構成を含む第２の構成にあっては、エージング処理の完了の時点において、低電子放出行のエージング処理後電子放出状態は、平面型表示装置における実表示作動時の電子放出状態の経時変化割合が所定の範囲内となるような電子放出状態である構成とすることが好ましい。更には、以上に説明した好ましい構成を含む第２の構成において、平面型表示装置における実表示作動状態にあっては、同じ駆動信号が入力されたとき、高電子放出行の電子放出状態と、高電子放出行の電子放出状態とが等しくなるように、電子放出領域の電子放出状態を制御することが望ましい。より具体的には、低電子放出行の電子放出状態を所望の状態に制御することが好ましい。
【００２６】
一般に、平面型表示装置における実表示作動時の電子放出状態には、経時変化が生じる。第１の構成あるいは第２の構成の好ましい構成にあっては、高電子放出行のエージング処理後電子放出状態、あるいは又、低電子放出行のエージング処理後電子放出状態を、上述したように、平面型表示装置における実表示作動時の電子放出状態の経時変化割合が所定の範囲内となるような電子放出状態となるようにエージング処理を制御する。ここで、経時変化割合が所定の範囲内になるとは、第１の構成にあっては、例えば、高電子放出行の電子放出状態の経時変化状態が、低電子放出行の電子放出状態の経時変化状態に出来る限り近づくことを意味し、第２の構成にあっては、例えば、低電子放出行の電子放出状態の経時変化状態が、高電子放出行の電子放出状態の経時変化状態に出来る限り近づくことを意味する。そして、経時変化割合が所定の範囲内となるような電子放出状態を決定するためには、前述したアノード電流相対値の経時変化データを多数の平面型表示装置において採取するといった作業を行えばよい。
【００２７】
以上に説明した各種の好ましい形態、構成を含む本発明の平面型表示装置の処理方法（以下、単に、『本発明』と呼ぶ場合がある）においては、平面型表示装置の駆動方式として、線順次駆動方式を挙げることができる。線順次駆動方式とは、具体的には、行の数をＮ、列の数をＭとしたとき、各行に配列されたＭ個の電子放出領域に同じロー電圧ＶRowを印加し、同時に、この行に配列されたＭ個の電子放出領域のそれぞれにコラム電圧ＶColを印加するといった操作を、第１番目の行から第Ｎ番目の行まで、順次、行う方式である。初期電子放出状態測定工程においては、各電子放出領域に、同じロー電圧ＶIni-Row、同じコラム電圧ＶIni-Colを印加すればよい。エージング処理工程にあっては、行に依存して、ロー電圧ＶRowは、適宜、変化させられる。一方、１行の上のＭ個の電子放出領域に印加されるコラム電圧ＶColは、一定であってもよいし、異なっていてもよい。
【００２８】
本発明の第１の態様に係る平面型表示装置の処理方法にあっては、初期電子放出状態測定工程において、電子放出領域に一定の電圧ＶIni-Fixを印加して各電子放出領域から電子を放出させるが、ここで、電子放出領域に印加すべき一定の電圧ＶIni-Fixは、本質的には任意であり、例えば、平面型表示装置の実表示作動時における最大駆動信号に相当する電圧とすることができる。また、所定の行において電子放出領域における初期電子放出状態を測定するが、ここで、所定の行とは、平面型表示装置を構成する全ての行とすることができるし、あるいは又、スペーサに隣接した１行あるいは複数行、及び、スペーサとスペーサの中間に位置する１行あるいは複数行とすることができる。電子放出領域における初期電子放出状態の測定は、例えば、電子放出領域に対応する蛍光体領域の発光状態をＣＣＤカメラ等を用いて測定する方法、電子放出領域から放出された電子によって電子放出領域とアノード電極との間に流れるアノード電流を測定する方法を挙げることができる。ここで、ＶIni-Fixは、例えば、
｜ＶRow−ＶCol｜
で表すことができる。
【００２９】
また、本発明の第１の態様に係る平面型表示装置の処理方法にあっては、エージング処理工程において、高電子放出行に、低電子放出行よりも高い電圧を、所定の時間、印加するが、具体的には、高電子放出行に例えば一定の高い電圧ＶH-Fixを印加し、低電子放出行に例えば一定の低い電圧ＶL-Fixを印加してもよい。あるいは又、電子放出状態基準値を予め決定しておき、高電子放出行の初期電子放出状態測定値と電子放出状態基準値との差に基づき、高電子放出行に印加する電圧ＶH-Varを決定し、低電子放出行の初期電子放出状態測定値と電子放出状態基準値との差に基づき、低電子放出行に印加する電圧ＶL-Varを決定してもよい。尚、これらの電圧も、例えば、
｜ＶRow−ＶCol｜
で表すことができる。
【００３０】
あるいは又、上述したケースＡの場合、低電子放出行の初期電子放出状態測定値の全平均値を基準値として、高電子放出行の初期電子放出状態測定値とこの基準値の差に基づき、高電子放出行に印加する電圧ＶH-Varを決定し、低電子放出行に例えば一定の低い電圧ＶL-Fixを印加してもよい。他方、ケースＢの場合、高電子放出行の初期電子放出状態測定値の平均値（Ｈ）を求め、また、低電子放出行の初期電子放出状態測定値の平均値（Ｌ）を求め、平均値（Ｈ）と平均値（Ｌ）とに基づき、高電子放出行に例えば一定の高い電圧ＶH-Fixを印加し、低電子放出行に例えば一定の低い電圧ＶL-Fixを印加してもよい。
【００３１】
エージング処理工程において、電圧を印加する時間は、本質的に任意であり、種々の試験を行うことで決定すればよいが、例えば、数分乃至数百時間程度を例示することができる。本発明の第２の態様あるいは第３の態様に係る平面型表示装置の処理方法においても同様である。
【００３２】
一方、本発明の第３の態様に係る平面型表示装置の処理方法にあっては、高い初期電子放出状態を示すと予想される行、低い電子放出状態を示すと予想される行は、多数の平面型表示装置に対して、本発明の第１の態様あるいは第２の態様に係る平面型表示装置の処理方法における初期電子放出状態測定工程と同様の工程を実行してデータを集積することで決定することができる。また、『高い電圧』を、所定の時間、印加するが、具体的には、例えば、高い初期電子放出状態を示すと予想される行（高電子放出行）に一定の高い電圧ＶH-Fixを印加し、低い初期電子放出状態を示すと予想される行（低電子放出行）に一定の低い電圧ＶL-Fixを印加すればよい。
【００３３】
本発明において、高電子放出行や低電子放出行にどの程度の電圧を印加すべきかは、多数の平面型表示装置に対して、本発明の第１の態様あるいは第２の態様に係る平面型表示装置の処理方法における初期電子放出状態測定工程及びアニール処理工程と同様の工程を実行してデータを集積することで、決定することができる。
【００３４】
本発明において、カソードパネルを構成する支持体、あるいは又、アノードパネルを構成する基板は、これらの基板が相互に対向する面が絶縁性部材から構成されていればよく、ガラス基板、表面に絶縁被膜が形成されたガラス基板、石英基板、表面に絶縁被膜が形成された石英基板、表面に絶縁被膜が形成された半導体基板を挙げることができるが、製造コスト低減の観点からは、ガラス基板、あるいは、表面に絶縁被膜が形成されたガラス基板を用いることが好ましい。ガラス基板として、高歪点ガラス、低アルカリガラス、ソーダガラス（Ｎａ2Ｏ・ＣａＯ・ＳｉＯ2）、硼珪酸ガラス（Ｎａ2Ｏ・Ｂ2Ｏ3・ＳｉＯ2）、フォルステライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ2）、鉛ガラス（Ｎａ2Ｏ・ＰｂＯ・ＳｉＯ2）、無アルカリガラスを例示することができる。
【００３５】
本発明におけるカソードパネルにおいて、行方向（Ｘ方向）の射影像と列方向（Ｙ方向）の射影像とは直交することが、即ち、行方向と列方向とは直交することが、平面型表示装置の構造の簡素化といった観点から好ましい。また、カソードパネルにおいて、カソード電極の射影像とゲート電極の射影像とは直交することが、冷陰極電界電子放出表示装置の構造の簡素化といった観点から好ましい。ここで、ゲート電極は行方向（Ｘ方向）に延び、カソード電極は列方向（Ｙ方向）に延びる構成とすることができる。
【００３６】
本発明において、列の数（Ｍ）と行の数（Ｎ）の組合せ（Ｍ，Ｎ）として、具体的には、ＶＧＡ（６４０，４８０）、Ｓ−ＶＧＡ（８００，６００）、ＸＧＡ（１０２４，７６８）、ＡＰＲＣ（１１５２，９００）、Ｓ−ＸＧＡ（１２８０，１０２４）、Ｕ−ＸＧＡ（１６００，１２００）、ＨＤ−ＴＶ（１９２０，１０８０）、Ｑ−ＸＧＡ（２０４８，１５３６）の他、（１９２０，１０３５）、（７２０，４８０）、（１２８０，９６０）等、画像表示用解像度の幾つかを例示することができるが、これらの値に限定するものではない。
【００３７】
本発明において、電子放出領域を構成する電子放出素子として、冷陰極電界電子放出素子（以下、電界放出素子と略称する）、金属／絶縁膜／金属型素子（ＭＩＭ素子）、表面伝導型電子放出素子を挙げることができる。また、平面型表示装置として、冷陰極電界電子放出素子を備えた平面型表示装置（冷陰極電界電子放出表示装置）、ＭＩＭ素子が組み込まれた平面型表示装置、表面伝導型電子放出素子が組み込まれた平面型表示装置を挙げることができる。
【００３８】
ここで、平面型表示装置を、冷陰極電界電子放出素子（電界放出素子と略称する）を備えた冷陰極電界電子放出表示装置とする場合、電界放出素子は、
（ａ）支持体上に形成された帯状のカソード電極、
（ｂ）支持体及びカソード電極上に形成された絶縁層、
（ｃ）絶縁層上に形成された帯状のゲート電極、
（ｄ）カソード電極とゲート電極の重複する重複領域に位置するゲート電極及び絶縁層の部分に設けられ、底部にカソード電極が露出した開口部、及び、
（ｅ）開口部の底部に露出したカソード電極上に設けられ、カソード電極及びゲート電極への電圧の印加によって電子放出が制御される電子放出部、
から成る。
【００３９】
電界放出素子の型式は特に限定されず、スピント型電界放出素子（円錐形の電子放出部が、開口部の底部に位置するカソード電極の上に設けられた電界放出素子）や、扁平型電界放出素子（略平面の電子放出部が、開口部の底部に位置するカソード電極の上に設けられた電界放出素子）を挙げることができる。カソードパネルにおいて、ゲート電極とカソード電極とが重複する重複領域が電子放出領域を構成し、電子放出領域が２次元マトリクス状に配列されており、各電子放出領域には、１又は複数の電界放出素子が設けられている。
【００４０】
そして、冷陰極電界電子放出表示装置にあっては、実表示作動時、ゲート電極及びカソード電極に印加された電圧によって生じた強電界が電子放出部に加わる結果、量子トンネル効果により電子放出部から電子が放出される。そして、この電子は、アノードパネルに設けられたアノード電極によってアノードパネルへと引き付けられ、蛍光体領域に衝突する。そして、蛍光体領域への電子の衝突の結果、蛍光体領域が発光し、画像として認識することができる。
【００４１】
冷陰極電界電子放出表示装置において、カソード電極はカソード電極制御回路に接続され、ゲート電極はゲート電極制御回路に接続され、アノード電極はアノード電極制御回路に接続されている。尚、これらの制御回路は周知の回路から構成することができる。実表示作動時、あるいは、初期電子放出状態測定工程及びエージング処理工程において、アノード電極制御回路からアノード電極に印加される電圧（アノード電圧）ＶAは、通常、一定であり、例えば、５キロボルト〜１５キロボルトとすることができる。あるいは又、アノードパネルとカソードパネルとの間の距離をｄ0（但し、０．５ｍｍ≦ｄ0≦１０ｍｍ）としたとき、ＶA／ｄ0（単位：キロボルト／ｍｍ）の値は、０．５以上２０以下、好ましくは１以上１０以下、一層好ましくは４以上８以下を満足することが望ましい。冷陰極電界電子放出表示装置の実表示作動時、例えば、カソード電極に印加する電圧ＶCol及びゲート電極に印加する電圧ＶRowに関しては、階調制御方式として電圧変調方式やパルス幅変調方式を採用することができる。
【００４２】
電界放出素子は、一般に、以下の方法で製造することができる。
（１）支持体上にカソード電極を形成する工程、
（２）全面（支持体及びカソード電極上）に絶縁層を形成する工程、
（３）絶縁層上にゲート電極を形成する工程、
（４）カソード電極とゲート電極との重複領域におけるゲート電極及び絶縁層の部分に開口部を形成し、開口部の底部にカソード電極を露出させる工程、
（５）開口部の底部に位置するカソード電極上に電子放出部を形成する工程。
【００４３】
あるいは又、電界放出素子は、以下の方法で製造することもできる。
（１）支持体上にカソード電極を形成する工程、
（２）カソード電極上に電子放出部を形成する工程、
（３）全面（支持体及び電子放出部上、あるいは、支持体、カソード電極及び電子放出部上）に絶縁層を形成する工程、
（４）絶縁層上にゲート電極を形成する工程、
（５）カソード電極とゲート電極との重複領域におけるゲート電極及び絶縁層の部分に開口部を形成し、開口部の底部に電子放出部を露出させる工程。
【００４４】
本発明において、収束電極（フォーカス電極）が備えられている場合、ゲート電極及び絶縁層上には更に層間絶縁層が設けられ、層間絶縁層上に収束電極が設けられている構造、あるいは又、ゲート電極の上方に収束電極が設けられている構造とすることができる。ここで、収束電極とは、開口部から放出され、アノード電極へ向かう放出電子の軌道を収束させ、以て、輝度の向上や隣接画素間の光学的クロストークの防止を可能とするための電極である。アノード電極とカソード電極との間の電位差が数キロボルト以上のオーダーであって、アノード電極とカソード電極との間の距離が比較的長い、所謂高電圧タイプの冷陰極電界電子放出表示装置において、収束電極は特に有効である。収束電極には、収束電極制御回路から相対的に負電圧（例えば、０ボルト）が印加される。収束電極は、必ずしも、カソード電極とゲート電極とが重複する重複領域に設けられた電子放出部あるいは電子放出領域のそれぞれを取り囲むように個別に形成されている必要はなく、例えば、電子放出部あるいは電子放出領域の所定の配列方向に沿って延在させてもよいし、電子放出部あるいは電子放出領域の全てを１つの収束電極で取り囲む構成としてもよく（即ち、収束電極を、有効領域の全体を覆う薄い１枚のシート状の構造としてもよく）、これによって、複数の電子放出部あるいは電子放出領域に共通の収束効果を及ぼすことができる。尚、収束電極及び層間絶縁層には、開口部（第３開口部）が設けられている。
【００４５】
ここで、有効領域とは、平面型表示装置としての実用上の機能である表示機能を果たす中央の表示領域であり、無効領域は、この有効領域の外側に位置し、有効領域を額縁状に包囲している。
【００４６】
カソード電極、ゲート電極、収束電極の構成材料として、クロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、鉄（Ｆｅ）、白金（Ｐｔ）、亜鉛（Ｚｎ）等の金属を含む各種金属；これらの金属元素を含む合金（例えばＭｏＷ）あるいは化合物（例えば、ＴｉＷ；ＴｉＮやＷＮ等の窒化物；ＷＳｉ2、ＭｏＳｉ2、ＴｉＳｉ2、ＴａＳｉ2等のシリサイド）；シリコン（Ｓｉ）等の半導体；ダイヤモンド等の炭素薄膜；ＩＴＯ（酸化インジウム−錫）、酸化インジウム、酸化亜鉛等の導電性金属酸化物を例示することができる。ゲート電極やカソード電極、収束電極を、これらの材料の単層構造あるいは積層構造とすることができる。また、これらの電極の形成方法として、例えば、電子ビーム蒸着法や熱フィラメント蒸着法といった真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、レーザアブレーション法を含む物理的気相成長法（ＰＶＤ法）；各種化学的気相成長法（ＣＶＤ法）；スクリーン印刷法；インクジェット印刷法；メタルマスク印刷法；メッキ法（電気メッキ法や無電解メッキ法）；リフトオフ法；ゾル−ゲル法等を挙げることができるし、これらの方法とエッチング法との組合せを挙げることもできる。ここで、形成方法を適切に選択することで、直接、パターニングされた帯状のカソード電極やゲート電極、収束電極を形成することが可能である。
【００４７】
スピント型電界放出素子にあっては、電子放出部を構成する材料として、モリブデン、モリブデン合金、タングステン、タングステン合金、チタン、チタン合金、ニオブ、ニオブ合金、タンタル、タンタル合金、クロム、クロム合金、及び、不純物を含有するシリコン（ポリシリコンやアモルファスシリコン）から成る群から選択された少なくとも１種類の材料を挙げることができる。スピント型電界放出素子の電子放出部は、スパッタリング法や真空蒸着法といった各種ＰＶＤ法、各種ＣＶＤ法によって形成することができる。
【００４８】
扁平型電界放出素子にあっては、電子放出部を構成する材料として、カソード電極を構成する材料よりも仕事関数Φの小さい材料から構成することが好ましく、どのような材料を選択するかは、カソード電極を構成する材料の仕事関数、ゲート電極とカソード電極との間の電位差、要求される放出電子電流密度の大きさ等に基づいて決定すればよい。あるいは又、電子放出部を構成する材料として、係る材料の２次電子利得δがカソード電極を構成する導電性材料の２次電子利得δよりも大きくなるような材料から、適宜、選択してもよい。扁平型電界放出素子にあっては、特に好ましい電子放出部の構成材料として、炭素、より具体的にはアモルファスダイヤモンドやグラファイト、カーボン・ナノチューブ構造体（カーボン・ナノチューブ及び／又はグラファイト・ナノファイバー）、ＺｎＯウィスカー、ＭｇＯウィスカー、ＳｎＯ2ウィスカー、ＭｎＯウィスカー、Ｙ2Ｏ3ウィスカー、ＮｉＯウィスカー、ＩＴＯウィスカー、Ｉｎ2Ｏ3ウィスカー、Ａｌ2Ｏ3ウィスカーを挙げることができる。尚、電子放出部を構成する材料は、必ずしも導電性を備えている必要はない。
【００４９】
第１開口部（ゲート電極に形成された開口部）あるいは第２開口部（絶縁層に形成された開口部）の平面形状（支持体表面と平行な仮想平面で開口部を切断したときの形状）は、円形、楕円形、矩形、多角形、丸みを帯びた矩形、丸みを帯びた多角形等、任意の形状とすることができる。第１開口部の形成は、例えば、異方性エッチング、等方性エッチング、異方性エッチングと等方性エッチングの組合せによって行うことができ、あるいは又、ゲート電極の形成方法に依っては、第１開口部を、直接、形成することもできる。第２開口部の形成も、例えば、異方性エッチング、等方性エッチング、異方性エッチングと等方性エッチングの組合せによって行うことができる。収束電極及び層間絶縁層に設けられた第３開口部の形成も同様の方法で行うことができる。
【００５０】
電界放出素子においては、電界放出素子の構造に依存するが、１つの開口部内に１つの電子放出部が存在してもよいし、１つの開口部内に複数の電子放出部が存在してもよいし、ゲート電極に複数の第１開口部を設け、係る第１開口部と連通する１つの第２開口部を絶縁層に設け、絶縁層に設けられた１つの第２開口部内に１又は複数の電子放出部が存在してもよい。
【００５１】
電界放出素子において、カソード電極と電子放出部との間に抵抗体薄膜を形成してもよい。抵抗体薄膜を形成することによって、電界放出素子の動作安定化、電子放出特性の均一化、カソード電極とゲート電極との間のリーク電流の抑制を図ることができる。抵抗体薄膜を構成する材料として、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）やＳｉＣＮといったカーボン系抵抗体材料、ＳｉＮ、アモルファスシリコン等の半導体抵抗体材料、酸化ルテニウム（ＲｕＯ2）、酸化タンタル、窒化タンタル等の高融点金属酸化物や高融点金属窒化物を例示することができる。抵抗体薄膜の形成方法として、スパッタリング法、各種ＣＶＤ法や、スクリーン印刷法を例示することができる。１つの電子放出部当たりの電気抵抗値は、概ね１×１０5〜１×１０11Ω、好ましくは数ＭΩ〜数十ギガΩとすればよい。
【００５２】
絶縁層、層間絶縁層の構成材料として、ＳｉＯ2、ＢＰＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＡｓＳＧ、ＰｂＳＧ、ＳｉＯＮ、ＳＯＧ（スピンオングラス）、低融点ガラス、ガラスペーストといったＳｉＯ2系材料；ＳｉＮ系材料；ポリイミド等の絶縁性樹脂を、単独あるいは、適宜、組み合わせて使用することができる。絶縁層、層間絶縁層の形成には、各種ＣＶＤ法、塗布法、スパッタリング法、スクリーン印刷法等の公知のプロセスが利用できる。
【００５３】
平面型表示装置において、アノード電極と蛍光体領域の構成例として、
（１）基板上に、アノード電極を形成し、アノード電極の上に蛍光体領域を形成する構成
（２）基板上に、蛍光体領域を形成し、蛍光体領域上にアノード電極を形成する構成
を挙げることができる。尚、（１）の構成において、蛍光体領域の上に、アノード電極と導通した所謂メタルバック膜を形成してもよい。また、（２）の構成において、アノード電極の上にメタルバック膜を形成してもよい。尚、メタルバック膜をアノード電極と兼ねることもできる。
【００５４】
アノード電極は、全体として１つのアノード電極から構成されていてもよいし、複数のアノード電極ユニットから構成されていてもよい。後者の場合、アノード電極ユニットとアノード電極ユニットとはアノード電極抵抗体層によって電気的に接続されていることが好ましい。アノード電極抵抗体層を構成する材料として、カーボン、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）やＳｉＣＮといったカーボン系材料；ＳｉＮ系材料；酸化ルテニウム（ＲｕＯ2）、酸化タンタル、窒化タンタル、酸化クロム、酸化チタン等の高融点金属酸化物や高融点金属窒化物；アモルファスシリコン等の半導体材料；ＩＴＯを挙げることができる。また、ＳｉＣ抵抗膜上に抵抗値の低いカーボン薄膜を積層するといった複数の膜の組み合わせにより、安定した所望のシート抵抗値を実現することも可能である。アノード電極抵抗体層のシート抵抗値として、１×１０-1Ω／□乃至１×１０10Ω／□、好ましくは１×１０3Ω／□乃至１×１０8Ω／□を例示することができる。アノード電極ユニットの数［ＵＮ］は２以上であればよく、例えば、直線上に配列された蛍光体領域の列の総数を［ｕｎ］列としたとき、［ＵＮ］＝［ｕｎ］とし、あるいは、［ｕｎ］＝ｕ・［ＵＮ］（ｕは２以上の整数であり、好ましくは１０≦ｕ≦１００、一層好ましくは２０≦ｕ≦５０）としてもよいし、一定の間隔をもって配置されたスペーサの数に１を加えた数とすることができるし、ピクセルの数あるいはサブピクセルの数と一致した数、あるいは、ピクセルの数あるいはサブピクセルの数の整数分の一とすることもできる。また、各アノード電極ユニットの大きさは、アノード電極ユニットの位置に拘わらず同じとしてもよいし、アノード電極ユニットの位置に依存して異ならせてもよい。全体として１つのアノード電極の上にアノード電極抵抗体層を形成してもよい。このように、アノード電極を有効領域のほぼ全面に亙って形成する代わりに、より小さい面積を有するアノード電極ユニットに分割した形で形成すれば、アノード電極ユニットと電子放出領域との間の静電容量を減少させることができる。その結果、放電の発生を低減することができ、放電に起因したアノード電極や電子放出領域の損傷の発生を効果的に減少させることができる。
【００５５】
アノード電極をアノード電極ユニットから構成する場合であって隔壁（後述する）が形成されている場合、アノード電極ユニットは、各蛍光体領域上から隔壁側面上に亙り形成されている形態とすることができる。尚、アノード電極ユニットは、各蛍光体領域上から隔壁側面の途中まで形成されている形態であってもよい。
【００５６】
アノード電極（アノード電極ユニットを包含する）は、導電材料層を用いて形成すればよい。導電材料層の形成方法として、例えば、電子ビーム蒸着法や熱フィラメント蒸着法といった真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、レーザアブレーション法といった各種ＰＶＤ法；各種ＣＶＤ法；スクリーン印刷法を含む各種印刷法；メタルマスク印刷法；リフトオフ法；ゾル−ゲル法等を挙げることができる。即ち、導電材料層を形成し、リソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき、この導電材料層をパターニングしてアノード電極を形成することができる。あるいは又、アノード電極のパターンを有するマスクやスクリーンを介して導電材料を各種ＰＶＤ法や各種印刷法に基づき形成することによって、アノード電極を得ることもできる。尚、アノード電極抵抗体層も、アノード電極と同様の、あるいは、類似した方法で形成することができる。即ち、抵抗体材料からアノード電極抵抗体層を形成し、リソグラフィ技術及びエッチング技術に基づきこのアノード電極抵抗体層をパターニングしてもよいし、あるいは、アノード電極抵抗体層のパターンを有するマスクやスクリーンを介して抵抗体材料の各種ＰＶＤ法や各種印刷法に基づく形成により、アノード電極抵抗体層を得ることができる。基板上（あるいは基板上方）におけるアノード電極の平均厚さ（後述するように隔壁を設ける場合、隔壁の頂面上におけるアノード電極の平均厚さ）として、３×１０-8ｍ（３０ｎｍ）乃至１×１０-6ｍ（１μｍ）、好ましくは５×１０-8ｍ（５０ｎｍ）乃至５×１０-7ｍ（０．５μｍ）を例示することができる。
【００５７】
アノード電極の構成材料として、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、チタン（Ｔｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、鉄（Ｆｅ）、白金（Ｐｔ）、亜鉛（Ｚｎ）等の金属；これらの金属元素を含む合金あるいは化合物（例えばＴｉＮ等の窒化物や、ＷＳｉ2、ＭｏＳｉ2、ＴｉＳｉ2、ＴａＳｉ2等のシリサイド）；シリコン（Ｓｉ）等の半導体；ダイヤモンドやグラファイト等の炭素薄膜；ＩＴＯ（酸化インジウム−錫）、酸化インジウム、酸化亜鉛等の導電性金属酸化物を例示することができる。尚、アノード電極抵抗体層を形成する場合、アノード電極抵抗体層の電気抵抗値を変化させない導電材料からアノード電極を構成することが好ましく、例えば、アノード電極抵抗体層をシリコンカーバイド（ＳｉＣ）から構成した場合、アノード電極をモリブデン（Ｍｏ）やアルミニウム（Ａｌ）から構成することが好ましい。
【００５８】
蛍光体領域は、単色の蛍光体粒子から構成されていても、３原色の蛍光体粒子から構成されていてもよい。蛍光体領域の配列様式は、例えば、ドット状である。具体的には、平面型表示装置がカラー表示の場合、蛍光体領域の配置、配列として、デルタ配列、ストライプ配列、ダイアゴナル配列、レクタングル配列を挙げることができる。即ち、直線上に配列された蛍光体領域の１列は、全てが赤色発光蛍光体領域で占められた列、緑色発光蛍光体領域で占められた列、及び、青色発光蛍光体領域で占められた列から構成されていてもよいし、赤色発光蛍光体領域、緑色発光蛍光体領域、及び、青色発光蛍光体領域が順に配置された列から構成されていてもよい。ここで、蛍光体領域とは、アノードパネル上において１つの輝点を生成する蛍光体の領域であると定義する。また、１画素（１ピクセル）は、１つの赤色発光蛍光体領域、１つの緑色発光蛍光体領域、及び、１つの青色発光蛍光体領域の集合から構成され、１サブピクセルは、１つの蛍光体領域（１つの赤色発光蛍光体領域、あるいは、１つの緑色発光蛍光体領域、あるいは、１つの青色発光蛍光体領域）から構成される。尚、隣り合う蛍光体領域の間の隙間がコントラスト向上を目的とした光吸収層（ブラックマトリックス）で埋め込まれていてもよい。
【００５９】
蛍光体領域は、発光性結晶粒子から調製された発光性結晶粒子組成物を使用し、例えば、赤色の感光性の発光性結晶粒子組成物（赤色発光蛍光体スラリー）を全面に塗布し、露光、現像して、赤色発光蛍光体領域を形成し、次いで、緑色の感光性の発光性結晶粒子組成物（緑色発光蛍光体スラリー）を全面に塗布し、露光、現像して、緑色発光蛍光体領域を形成し、更に、青色の感光性の発光性結晶粒子組成物（青色発光蛍光体スラリー）を全面に塗布し、露光、現像して、青色発光蛍光体領域を形成する方法にて形成することができる。あるいは又、スクリーン印刷法やインクジェット印刷法、フロート塗布法、沈降塗布法、蛍光体フィルム転写法等により各蛍光体領域を形成してもよい。基板上における蛍光体領域の平均厚さは、限定するものではないが、３μｍ乃至２０μｍ、好ましくは５μｍ乃至１０μｍであることが望ましい。発光性結晶粒子を構成する蛍光体材料としては、従来公知の蛍光体材料の中から、適宜、選択して用いることができる。カラー表示の場合、色純度がＮＴＳＣで規定される３原色に近く、３原色を混合した際の白バランスがとれ、残光時間が短く、３原色の残光時間がほぼ等しくなる蛍光体材料を組み合わせることが好ましい。
【００６０】
蛍光体領域からの光を吸収する光吸収層が、隣り合う蛍光体領域の間、あるいは、後述する隔壁と基板との間に形成されていることが、表示画像のコントラスト向上といった観点から好ましい。ここで、光吸収層は、所謂ブラックマトリックスとして機能する。光吸収層を構成する材料として、蛍光体領域からの光を９０％以上吸収する材料を選択することが好ましい。このような材料として、カーボン、金属薄膜（例えば、クロム、ニッケル、アルミニウム、モリブデン等、あるいは、これらの合金）、金属酸化物（例えば、酸化クロム）、金属窒化物（例えば、窒化クロム）、耐熱性有機樹脂、ガラスペースト、黒色顔料や銀等の導電性粒子を含有するガラスペースト等の材料を挙げることができ、具体的には、感光性ポリイミド樹脂、酸化クロムや、酸化クロム／クロム積層膜を例示することができる。尚、酸化クロム／クロム積層膜においては、クロム膜が基板と接する。光吸収層は、例えば、真空蒸着法やスパッタリング法とエッチング法との組合せ、真空蒸着法やスパッタリング法、スピンコーティング法とリフトオフ法との組合せ、各種印刷法、リソグラフィ技術等、使用する材料に依存して、適宜、選択された方法にて形成することができる。
【００６１】
蛍光体領域から反跳した電子、あるいは、蛍光体領域から放出された２次電子が他の蛍光体領域に入射し、所謂光学的クロストーク（色濁り）が発生することを防止するために、隔壁を設けることが好ましい。隔壁の形成方法として、スクリーン印刷法、ドライフィルム法、感光法、キャスティング法、サンドブラスト形成法を例示することができる。ここで、スクリーン印刷法とは、隔壁を形成すべき部分に対応するスクリーンの部分に開口が形成されており、スクリーン上の隔壁形成用材料をスキージを用いて開口を通過させ、基板上に隔壁形成用材料層を形成した後、係る隔壁形成用材料層を焼成する方法である。ドライフィルム法とは、基板上に感光性フィルムをラミネートし、露光及び現像によって隔壁形成予定部位の感光性フィルムを除去し、除去によって生じた開口に隔壁形成用材料を埋め込み、焼成する方法である。感光性フィルムは焼成によって燃焼、除去され、開口に埋め込まれた隔壁形成用材料が残り、隔壁となる。感光法とは、基板上に感光性を有する隔壁形成用材料層を形成し、露光及び現像によってこの隔壁形成用材料層をパターニングした後、焼成（硬化）を行う方法である。キャスティング法（型押し成形法）とは、ペースト状とした有機材料あるいは無機材料から成る隔壁形成用材料層を型（キャスト）から基板上に押し出すことで隔壁形成用材料層を形成した後、係る隔壁形成用材料層を焼成する方法である。サンドブラスト形成法とは、例えば、スクリーン印刷やメタルマスク印刷法、ロールコーター、ドクターブレード、ノズル吐出式コーター等を用いて隔壁形成用材料層を基板上に形成し、乾燥させた後、隔壁を形成すべき隔壁形成用材料層の部分をマスク層で被覆し、次いで、露出した隔壁形成用材料層の部分をサンドブラスト法によって除去する方法である。隔壁を形成した後、隔壁を研磨し、隔壁頂面の平坦化を図ってもよい。
【００６２】
隔壁における蛍光体領域を取り囲む部分の平面形状（隔壁側面の射影像の内側輪郭線に相当し、一種の開口領域である）として、矩形形状、円形形状、楕円形状、長円形状、三角形形状、五角形以上の多角形形状、丸みを帯びた三角形形状、丸みを帯びた矩形形状、丸みを帯びた多角形等を例示することができるし、蛍光体領域の二辺と平行に延びる直線状の形状（棒状の形状）を挙げることができる。これらの平面形状（開口領域の平面形状）が２次元マトリクス状に配列されることにより、格子状の隔壁が形成される。この２次元マトリクス状の配列は、例えば井桁様に配列されるものでもよいし、千鳥様に配列されるものでもよい。
【００６３】
隔壁形成用材料として、例えば、感光性ポリイミド樹脂や、酸化コバルト等の金属酸化物により黒色に着色した鉛ガラス、ＳｉＯ2、低融点ガラスペーストを例示することができる。隔壁の表面（頂面及び側面）には、隔壁に電子ビームが衝突して隔壁からガスが放出されることを防止するための保護層（例えば、ＳｉＯ2、ＳｉＯＮ、あるいは、ＡｌＮから成る）を形成してもよい。
【００６４】
カソードパネルとアノードパネルとを周縁部において接合するが、接合は接着層を接合部材として用いて行ってもよいし、あるいは、棒状あるいはフレーム状（枠状）であってガラスやセラミックス等の絶縁剛性材料から構成された枠体と接着層とから成る接合部材を用いて行ってもよい。枠体と接着層とから成る接合部材を用いる場合には、枠体の高さを、適宜、選択することにより、接着層のみから成る接合部材を使用する場合に比べ、カソードパネルとアノードパネルとの間の対向距離をより長く設定することが可能である。尚、接着層の構成材料としては、Ｂ2Ｏ3−ＰｂＯ系フリットガラスやＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−ＰｂＯ系フリットガラスといったフリットガラスが一般的であるが、融点が１２０〜４００゜Ｃ程度の所謂低融点金属材料を用いてもよい。係る低融点金属材料としては、Ｉｎ（インジウム：融点１５７゜Ｃ）；インジウム−金系の低融点合金；Ｓｎ80Ａｇ20（融点２２０〜３７０゜Ｃ）、Ｓｎ95Ｃｕ5（融点２２７〜３７０゜Ｃ）等の錫（Ｓｎ）系高温はんだ；Ｐｂ97.5Ａｇ2.5（融点３０４゜Ｃ）、Ｐｂ94.5Ａｇ5.5（融点３０４〜３６５゜Ｃ）、Ｐｂ97.5Ａｇ1.5Ｓｎ1.0（融点３０９゜Ｃ）等の鉛（Ｐｂ）系高温はんだ；Ｚｎ95Ａｌ5（融点３８０゜Ｃ）等の亜鉛（Ｚｎ）系高温はんだ；Ｓｎ5Ｐｂ95（融点３００〜３１４゜Ｃ）、Ｓｎ2Ｐｂ98（融点３１６〜３２２゜Ｃ）等の錫−鉛系標準はんだ；Ａｕ88Ｇａ12（融点３８１゜Ｃ）等のろう材（以上の添字は全て原子％を表す）を例示することができる。
【００６５】
カソードパネルとアノードパネルと接合部材の三者を接合する場合、三者を同時に接合してもよいし、あるいは、第１段階でカソードパネル又はアノードパネルのいずれか一方と接合部材とを接合し、第２段階でカソードパネル又はアノードパネルの他方と接合部材とを接合してもよい。三者同時接合や第２段階における接合を高真空雰囲気中で行えば、カソードパネルとアノードパネルと接合部材とにより囲まれた空間は、接合と同時に真空となる。あるいは、三者の接合終了後、カソードパネルとアノードパネルと接合部材とによって囲まれた空間を排気し、真空とすることもできる。接合後に排気を行う場合、接合時の雰囲気の圧力は常圧／減圧のいずれであってもよく、また、雰囲気を構成する気体は、窒素ガスや周期律表０族に属するガス（例えばＡｒガス）を含む不活性ガスとすることが好ましいが、大気中で行うこともできる。
【００６６】
排気を行う場合、排気は、カソードパネル及び／又はアノードパネルに予め接続されたチップ管とも呼ばれる排気管を通じて行うことができる。排気管は、典型的にはガラス管、あるいは、低熱膨張率を有する金属や合金［例えば、ニッケル（Ｎｉ）を４２重量％含有した鉄（Ｆｅ）合金や、ニッケル（Ｎｉ）を４２重量％、クロム（Ｃｒ）を６重量％含有した鉄（Ｆｅ）合金］から成る中空管から構成され、カソードパネル及び／又はアノードパネルの無効領域に設けられた貫通部の周囲に、上述のフリットガラス又は低融点金属材料を用いて接合され、空間が所定の真空度に達した後、熱融着によって封じ切られ、あるいは又、圧着することにより封じられる。尚、封じる前に、平面型表示装置全体を一旦加熱してから降温させると、空間に残留ガスを放出させることができ、この残留ガスを排気により空間外へ除去することができるので好適である。
【００６７】
１列のスペーサは、１本のスペーサから構成されていてもよいし、複数のスペーサから構成されていてもよい。スペーサは、例えばセラミックスやガラス材料から構成することができる。スペーサをセラミックスから構成する場合、セラミックスとして、ムライト等のケイ酸アルミニウム化合物やアルミナ等の酸化アルミニウム、チタン酸バリウム、チタン酸ジルコン酸鉛、ジルコニア（酸化ジルコニウム）、コーディオライト、硼珪酸塩バリウム、珪酸鉄、ガラスセラミックス材料、これらに、酸化チタンや酸化クロム、酸化マグネシウム、酸化鉄、酸化バナジウム、酸化ニッケルを添加したもの等を例示することができるし、例えば、特表２００３−５２４２８０号公報等に記載されている材料を用いることもできる。また、ガラス材料として、高歪点ガラス、低アルカリガラス、無アルカリガラス、ソーダガラス（Ｎａ2Ｏ・ＣａＯ・ＳｉＯ2）、硼珪酸ガラス（Ｎａ2Ｏ・Ｂ2Ｏ3・ＳｉＯ2）、フォルステライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ2）、鉛ガラス（Ｎａ2Ｏ・ＰｂＯ・ＳｉＯ2）、結晶性ガラスを例示することができる。尚、スペーサの端部に対して面取りを行い、突起部等を除去することが好ましい。スペーサは、例えば、アノードパネルに設けられた隔壁と隔壁との間に挟み込んで固定すればよく、あるいは又、例えば、アノードパネル及び／又はカソードパネルにスペーサ保持部を形成し、スペーサ保持部によって固定すればよい。
【００６８】
スペーサは、例えば、
（ａ）セラミックス粉末、導電性付与材料粉末を分散質とし、バインダーを添加してグリーンシート用スラリーを調製し、
（ｂ）グリーンシート用スラリーを成形して、グリーンシートを得、その後、
（ｃ）グリーンシートを焼成する、
ことにより製造することができる。グリーンシート焼成品を切断した後、後述する帯電防止膜や抵抗体膜を形成してもよいし、グリーンシート焼成品に帯電防止膜や抵抗体膜を形成した後、係るグリーンシート焼成品を切断してもよい。
【００６９】
グリーンシート用スラリーの分散質となるセラミックス粉末を構成する材料として、上述したセラミックスを挙げることができる。尚、グリーンシート用スラリーの分散質となる導電性付与材料は、グリーンシート用スラリー内にあっては、必ずしも導電性を示さなくてもよい。導電性付与材料は、グリーンシートの焼成の際に化学的組成が変化するものであってもよいし、焼成により化学的組成が変化しないものであってもよい。具体的には、グリーンシートを焼成することにより、グリーンシート内の導電性付与材料も焼成されるが、焼成された導電性付与材料が導電性を示すものであればよい。グリーンシート用スラリーの分散質となる導電性付与材料として、例えば、金や白金等の貴金属；モリブデン酸化物、ニオブ酸化物、タングステン酸化物、ニッケル酸化物等の金属酸化物；チタン炭化物、タングステン炭化物、ニッケル炭化物等の金属炭化物；モリブデン酸アンモニウム等の金属塩を挙げることができる。更には、これらの混合物であってもよい。即ち、導電性付与材料は、単一の種類の材料から成る形態であってもよいし、複数の種類の材料から成る形態であってもよい。また、グリーンシート用スラリーに添加されるバインダーを構成する材料として、有機系バインダー材料（例えば、アクリル系エマルジョンやポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリエチレングリコール、ポリエチレングリコール）あるいは無機系バインダー材料（例えば、水ガラス）を挙げることができる。
【００７０】
スペーサの側面には、帯電防止膜や抵抗体膜が設けられていることが好ましい。帯電防止膜を構成する材料は、その２次電子放出係数が１に近いことが好ましく、帯電防止膜を構成する材料として、ＳｉやＧｅ等の半導体、グラファイト等の半金属、酸化物、ホウ化物、炭化物、硫化物、及び、窒化物等を用いることができる。より具体的には、例えば、グラファイト等の半金属及びＭｏＳｅx等の半金属元素を含む化合物、ＣｒＯx、ＮｄＯx、ＣｒＡｌxＯy、酸化マンガン、ＬａxＢａ2-xＣｕＯ4、ＬａxＹ1-xＣｒＯ3等の酸化物、ＡｌＢx、ＴｉＢx等のホウ化物、ＳｉＣ等の炭化物、ＭｏＳx、ＷＳx等の硫化物、及び、窒化タングステンと窒化ゲルマニウムの化合物、ＢＮ、ＴｉＮ、ＡｌＮ等の窒化物等を挙げることができるし、更には、例えば、特表２００４−５００６８８号公報等に記載されている材料等を用いることもできる。また、抵抗体膜を構成する材料として、例えば、酸化ルテニウム（ＲｕＯx）やサーメットを例示することができる。帯電防止膜等のスペーサの表面に設けられる膜は、単一の種類の材料から成るものであってもよいし、複数の種類の材料から成るものであってもよいし、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。帯電防止膜を（第１の金属酸化物，第２の金属酸化物）の混合物から構成することもできる。（第１の金属酸化物，第２の金属酸化物）の組み合わせとして、（クロム酸化物，チタン酸化物）、（クロム酸化物，インジウム酸化物）、（マンガン酸化物，チタン酸化物）、（マンガン酸化物，インジウム酸化物）、（亜鉛酸化物，チタン酸化物）あるいは（亜鉛酸化物，インジウム酸化物）を挙げることができる。帯電防止膜等は、スパッタリング法や真空蒸着法といった各種ＰＶＤ法、各種ＣＶＤ法等、周知の方法により形成することができる。帯電防止膜等は、スペーサの側面部上に、直接、設けられていてもよいし、例えば、密着性改善用等の下地膜がスペーサの上に形成されており、下地膜の上に帯電防止膜等が形成されていてもよい。
【発明の効果】
【００７１】
本発明においては、初期電子放出状態測定工程及びエージング処理工程を実行し、あるいは又、エージング処理工程のみを実行する。即ち、本発明にあっては、エージング処理工程を実行することで、高電子放出行における電子放出特性を、低電子放出行における電子放出特性よりも、積極的に劣化させ（尚、このような現象は『焼付き』と呼ばれることがある）、電子放出領域における電子放出特性の均一化を図り、あるいは又、電子放出領域における電子放出特性を所望の電子放出特性とし、あるいは又、所望の電子放出特性に近づけることができる。云い換えれば、平面型表示装置の製造完了後に生じてしまった、例えばスペーサ近傍の電子放出領域における電子放出状態の不均一を、係る電子放出領域に高い電圧を、長時間、印加することで発生する『焼付き』を利用して、あるいは又、スペーサから離れた所に位置する電子放出領域に高い電圧を、長時間、印加することで発生する『焼付き』を利用して、解消する。但し、劣化の割合は僅かであり、平面型表示装置の実表示作動に悪影響を与えることはない。
【００７２】
このように、平面型表示装置の製造完了後、工場出荷前における処理によって、即ち、平面型表示装置の本格的な実表示作動の前に、例えば、スペーサの近傍に位置する電子放出領域における電子放出状態と、スペーサの近傍には位置していない電子放出領域における電子放出状態との間における差異を、所望の状態に近づけることができるので、これらの電子放出領域における電子放出状態を適切に電気的に制御すれば、高い表示品質を有する平面型表示装置を提供することができる。また、エージング処理の完了の時点において、高電子放出行あるいは低電子放出行のエージング処理後電子放出状態を、平面型表示装置における実表示作動時の電子放出状態の経時変化割合が所定の範囲内となるような電子放出状態とすることによって、電子放出領域からの電子の放出状態には経時変化が生じ得るが、平面型表示装置全体として係る経時変化のバラツキを出来る限り少なくすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００７３】
以下、図面を参照して、実施例に基づき本発明を説明するが、それに先立ち、実施例１〜実施例５における平面型表示装置の共通した概要を、以下、説明する。ここで、実施例１〜実施例５における平面型表示装置は、冷陰極電界電子放出表示装置（以下、表示装置と略称する）である。実施例１〜実施例５における表示装置にあっては、帯状のゲート電極（例えば走査電極）１３は行方向（Ｘ方向）に延び、帯状のカソード電極（例えばデータ電極）１１は列方向（Ｙ方向）に延びている。
【００７４】
実施例における表示装置の模式的な一部端面図は図７に示したと同様であり、カソードパネルＣＰ及びアノードパネルＡＰを分解したときのカソードパネルＣＰとアノードパネルＡＰの一部分の模式的な分解斜視図は図８に示したと同様である。即ち、実施例における表示装置は、支持体１０上に行方向（Ｘ方向）及び列方向（Ｙ方向）に沿って２次元マトリクス状に配列された電子放出領域ＥＡを備えたカソードパネルＣＰと、蛍光体領域２２及びアノード電極２４が設けられたアノードパネルＡＰとが外周部で接合されている。そして、カソードパネルＣＰとアノードパネルＡＰとの間には行方向（Ｘ方向）に沿ってスペーサ４０が配置され、スペーサ４０はスペーサ保持部２５によって保持されており、カソードパネルＣＰとアノードパネルＡＰとによって挟まれた空間が真空に保持されている。
【００７５】
ここで、実施例における表示装置は、有効領域、及び、有効領域を取り囲む無効領域を有する。尚、有効領域とは、表示装置としての実用上の画像表示機能を果たす略中央に位置する表示領域であり、この有効領域は、額縁状に包囲する無効領域によって囲まれている。そして、カソードパネルＣＰとアノードパネルＡＰと接合部材２６とによって挟まれた空間は真空（圧力：例えば１０-3Ｐａ以下）に保持されている。カソードパネルＣＰの無効領域には、真空排気用の貫通孔（図示せず）が設けられており、この貫通孔には、真空排気後に封じ切られるチップ管とも呼ばれる排気管（図示せず）が取り付けられている。
【００７６】
実施例において、電子放出領域を構成する電界放出素子は、例えば、スピント型電界放出素子から構成されている。スピント型電界放出素子は、
（ａ）支持体１０上に形成された帯状のカソード電極１１、
（ｂ）支持体１０及びカソード電極１１上に形成された絶縁層１２、
（ｃ）絶縁層１２上に形成された帯状のゲート電極１３、
（ｄ）カソード電極１１とゲート電極１３の重複する重複領域に位置するゲート電極１３及び絶縁層１２の部分に設けられ、底部にカソード電極１１が露出した開口部１４（ゲート電極１３に設けられた第１開口部１４Ａ、及び、絶縁層１２に設けられた第２開口部１４Ｂ）、並びに、
（ｅ）開口部１４の底部に露出したカソード電極１１上に設けられ、カソード電極１１及びゲート電極１３への電圧の印加によって電子放出が制御される電子放出部１５、
から構成されている。ここで、電子放出部１５の形状は円錐形である。また、絶縁層１２上には層間絶縁層１６が形成されており、層間絶縁層１６上には収束電極１７が形成されている。
【００７７】
実施例の表示装置において、カソード電極１１とゲート電極１３とは、これらの両電極１１，１３の射影像が互いに直交する方向（列方向及び行方向）に各々帯状に形成されており、これらの両電極の射影像が重複する領域（１副画素（サブピクセル）分の領域に相当し、電子放出領域ＥＡである）に、複数の電界放出素子が設けられている。尚、図面の簡素化のため、図７では、各電子放出領域ＥＡにおいて２つの電子放出部１５を図示した。そして、係る電子放出領域ＥＡが、カソードパネルＣＰの有効領域（実際の表示部分として機能する領域）内に、通常、上述したとおり、２次元マトリクス状に配列されている。
【００７８】
アノードパネルＡＰは、基板２０と、基板２０上に形成され、所定のパターンを有する蛍光体領域２２と、その上に形成されたアノード電極２４から構成されている。１副画素（１サブピクセル）は、電子放出領域ＥＡと、電子放出領域ＥＡに対面したアノードパネル側の蛍光体領域２２とによって構成されている。有効領域には、係る副画素が、例えば数十万〜数百万個ものオーダーにて配列されている。尚、蛍光体領域２２と蛍光体領域２２との間の基板２０上には、表示画像の色濁り、光学的クロストークの発生を防止するために、光吸収層（ブラックマトリックス）２３が形成されている。アノード電極２４は、厚さ約０．３μｍのアルミニウム（Ａｌ）から成り、有効領域を覆う薄い１枚のシート状であり、蛍光体領域２２を覆う状態で設けられている。図８においては、隔壁やスペーサ、スペーサ保持部の図示を省略した。カラー表示の表示装置の場合には、１画素（１ピクセル）は、１つの赤色発光蛍光体領域２２Ｒ、１つの緑色発光蛍光体領域２２Ｇ、及び、１つの青色発光蛍光体領域２２Ｂの集合から構成されている。各蛍光体領域２２を取り囲む格子状の隔壁２１が基板２０上に形成されている。各蛍光体領域２２は、隔壁２１によって囲まれている。格子状の隔壁２１における蛍光体領域２２を取り囲む部分の平面形状（隔壁側面の射影像の内側輪郭線に相当し、一種の開口領域である）は、矩形形状（長方形）であり、これらの平面形状（開口領域の平面形状）は２次元マトリクス状（より具体的には、井桁）に配列され、格子状の隔壁２１が形成されている。
【００７９】
実施例における表示装置において、カソードパネルＣＰとアノードパネルＡＰとの間に、行方向（Ｘ方向）に延びる平板状のスペーサ４０が、複数列、配置されている。また、スペーサ４０とスペーサ４０とによって、数十本乃至数百本のゲート電極１３が挟まれている。スペーサ４０は、例えばアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）から成り、スペーサ４０の頂面と底面との間の抵抗値は、約１×１０10Ω（約１０ＧΩ）である。また、スペーサ４０の側面には、例えば、ＲＦスパッタリング法に基づき厚さ４ｎｍの酸化クロム（ＣｒＯx）から成る帯電防止膜４０Ａが形成されている。酸化クロムは、２次電子放出係数が比較的小さく、スペーサ４０が正に帯電するような条件下では、帯電防止膜として非常に好ましい材料である。
【００８０】
実施例における表示装置において、カソード電極１１はカソード電極制御回路３１に接続され、ゲート電極１３はゲート電極制御回路３２に接続され、収束電極が設けられている場合には、収束電極は収束電極制御回路（図示せず）に接続され、アノード電極２４はアノード電極制御回路３３に接続されている。表示装置の実表示作動時、あるいは又、初期電子放出状態測定工程及びエージング処理工程において、アノード電極制御回路３３からアノード電極２４に印加されるアノード電圧ＶAは、通常、一定であり、例えば、５キロボルト〜１５キロボルト、具体的には、例えば、９キロボルト（例えば、ｄ0＝２．０ｍｍ）とすることができる。一方、表示装置の実表示作動時、カソード電極１１に印加する電圧ＶC及びゲート電極１３に印加する電圧ＶGに関しては、
（１）カソード電極１１に印加する電圧ＶCを一定とし、ゲート電極１３に印加する電圧ＶGを変化させる方式
（２）カソード電極１１に印加する電圧ＶCを変化させ、ゲート電極１３に印加する電圧ＶGを一定とする方式
（３）カソード電極１１に印加する電圧ＶCを変化させ、且つ、ゲート電極１３に印加する電圧ＶGも変化させる方式
のいずれを採用してもよいが、実施例における表示装置においては、上述の（２）の方式を採用する。
【００８１】
即ち、表示装置の実表示作動時、カソード電極１１には相対的に負電圧（ＶC）がカソード電極制御回路３１から印加され、ゲート電極１３には相対的に正電圧（ＶG）がゲート電極制御回路３２から印加され、収束電極が設けられている場合には、収束電極には収束電極制御回路から例えば０ボルトが印加され、アノード電極２４にはゲート電極１３よりも更に高い正電圧（アノード電圧ＶA）がアノード電極制御回路３３から印加される。係る表示装置において、線順次駆動方式により画像の表示を行う場合、あるいは又、初期電子放出状態測定工程及びエージング処理工程において、例えば、カソード電極１１にカソード電極制御回路３１からビデオ信号を入力し、ゲート電極１３にゲート電極制御回路３２から走査信号を入力する。尚、画像の表示を行うとき、カソード電極１１を走査電極とし、ゲート電極１３をデータ電極とする場合には、カソード電極１１にカソード電極制御回路３１から走査信号を入力し、ゲート電極１３にゲート電極制御回路３２からビデオ信号を入力すればよい。カソード電極１１とゲート電極１３との間に電圧を印加した際に生ずる電界により、量子トンネル効果に基づき電子放出部１５から電子が放出され、この電子がアノード電極２４に引き付けられ、アノード電極２４を通過して蛍光体領域２２に衝突する。その結果、蛍光体領域２２が励起されて発光し、所望の画像を得ることができる。つまり、この表示装置の動作は、基本的に、ゲート電極１３に印加される電圧ＶG、及び、カソード電極１１に印加される電圧ＶCによって制御される。カソード電極１１はカソード電極駆動ドライバによって駆動され、ゲート電極１３はゲート電極駆動ドライバによって駆動される。カソード電極制御回路３１、ゲート電極制御回路３２、アノード電極制御回路３３や駆動ドライバは周知の回路から構成することができる。
【００８２】
以下、実施例に基づき本発明の平面型表示装置の処理方法を説明するが、実施例１は、本発明の第１の態様（但し、第１の構成）及び第２の態様に係る平面型表示装置の処理方法に関し、初期電子放出状態測定工程において得られた高電子放出行における初期電子放出状態及び低電子放出行における初期電子放出状態のそれぞれに余りバラツキがない場合を説明する。また、実施例２は、本発明の第１の態様（但し、第１の構成）及び第２の態様に係る平面型表示装置の処理方法に関し、初期電子放出状態測定工程において得られた高電子放出行における初期電子放出状態にバラツキがある場合を説明する。更には、実施例３は、本発明の第１の態様（但し、第２の構成）及び第２の態様に係る平面型表示装置の処理方法に関し、初期電子放出状態測定工程において得られた高電子放出行における初期電子放出状態及び低電子放出行における初期電子放出状態のそれぞれに余りバラツキがない場合を説明する。また、実施例４は、本発明の第２の態様に係る平面型表示装置の処理方法に関し、初期電子放出状態測定工程において得られた高電子放出行における初期電子放出状態及び低電子放出行における初期電子放出状態のそれぞれに余りバラツキがない場合を説明する。更には、実施例５においては、本発明の第３の態様に係る平面型表示装置の処理方法を説明する。尚、実施例１、実施例２、実施例３、実施例４のいずれを適用するかは、初期電子放出状態測定工程の結果を分析して、高電子放出行における初期電子放出状態及び低電子放出行における初期電子放出状態のバラツキの状態を、適宜、表示装置に備えられた制御回路において判定することで、決定すればよい。
【実施例１】
【００８３】
実施例１は、本発明の第１の態様及び第２の態様に係る平面型表示装置の処理方法に関し、より具体的には、第１の構成に関する。
【００８４】
即ち、実施例１、あるいは、後述する実施例２〜実施例４の平面型表示装置の処理方法にあっては、先ず、各電子放出領域ＥＡに一定の電圧を印加して各電子放出領域ＥＡから電子を放出させて、所定の行において、電子放出領域ＥＡにおける初期電子放出状態を測定する初期電子放出状態測定工程を実行する。
【００８５】
実施例１、あるいは、後述する実施例２〜実施例４にあっては、この初期電子放出状態測定工程において、線順次駆動方式を採用している。具体的には、行の数をＮ、列の数をＭとしたとき、各行に配列されたＭ個の電子放出領域ＥＡに同じロー電圧ＶIni-Rowを印加し、同時に、各行に配列されたＭ個の電子放出領域ＥＡのそれぞれに同じコラム電圧ＶIni-Colを印加するといった操作を、第１番目の行から第Ｎ番目の行まで、順次、行う。また、ロー電圧ＶIni-Row、コラム電圧ＶIni-Colは、表示装置の実作動時における最大駆動信号に相当する電圧とする。更には、所定の行を、表示装置を構成する全ての行（Ｎ本の行、Ｎ本のゲート電極１３）とする。電子放出領域ＥＡにおける初期電子放出状態の測定は、電子放出領域ＥＡから放出された電子によって電子放出領域ＥＡとアノード電極との間に流れるアノード電流を測定する方法とした。
【００８６】
実施例１において得られた初期電子放出状態測定工程における初期電子放出状態の測定結果を、模式的に図１の（Ａ）に示す。ここで、実施例１にあっては、初期電子放出状態測定工程において得られた高電子放出行における初期電子放出状態及び低電子放出行における初期電子放出状態のそれぞれに、余りバラツキがない。尚、初期電子放出状態の測定値は、アノード電流値である。
【００８７】
図１の（Ａ）及び（Ｂ）、あるいは又、後述する図２〜図５のそれぞれの（Ａ）及び（Ｂ）における縦軸のアノード電流値は、１行を占める電子放出領域ＥＡ（個数：Ｍ個）から放出された電子によって電子放出領域ＥＡとアノード電極２４との間に流れるアノード電流の値であり、横軸は、列方向（Ｙ方向）に沿った電子放出領域の位置を示す。これらの図中、縦に延びる一点鎖線は、スペーサ４０の配置された位置を示す。また、横に延びる点線は、電子放出状態基準値を示し、二点鎖線は、エージング処理後の電子放出状態の目標値を示す。
【００８８】
実施例１にあっては、スペーサ４０に近接して位置する電子放出領域ＥＡから放出される電子の量は、スペーサ４０から離れた所に位置する電子放出領域ＥＡから放出される電子の量よりも多い。即ち、スペーサ４０に近接して位置する電子放出領域ＥＡは高い初期電子放出状態を示し、スペーサ４０から離れた所に位置する電子放出領域ＥＡは低い初期電子放出状態を示した。そして、低い初期電子放出状態を示す電子放出領域ＥＡが位置する行が、多数行を占めている。即ち、実施例１は、ケースＡに該当する。低電子放出行におけるアノード電流値を、便宜上、１．００とする。高電子放出行におけるアノード電流値は、１．００を越える値である。
【００８９】
そして、実施例１にあっては、高い初期電子放出状態を示した行における電子放出領域ＥＡ（高電子放出行）に、低い初期電子放出状態を示した行における電子放出領域ＥＡ（低電子放出行）よりも高い電圧を、所定の時間、印加するエージング処理を実行する。具体的には、スペーサ４０に隣接して位置する電子放出領域ＥＡに、スペーサ４０から離れた所に位置する電子放出領域ＥＡよりも高い電圧を、所定の時間（具体的には、１００時間）、印加した。実施例１、あるいは、後述する実施例２〜実施例５にあっては、このエージング処理においても、線順次駆動方式を採用している。図１の（Ｃ）に示すように、電圧の印加パターンは、図１の（Ａ）に模式的に示した初期電子放出状態の測定結果に相似した（あるいは類似した）パターンを有する。
【００９０】
ここで、実施例１にあっては、エージング処理の完了の時点において、高電子放出行のエージング処理後電子放出状態と、低電子放出行のエージング処理後電子放出状態とを、所望の電子放出状態差にする。より具体的には、第１の構成である、エージング処理の完了の時点において、高電子放出行のエージング処理後電子放出状態を、低電子放出行のエージング処理後電子放出状態よりも、低い電子放出状態とした。ここで、低い電子放出状態を、図面においては二点鎖線の『エージング処理後の電子放出状態の目標値』で示す。
【００９１】
あるいは又、実施例１にあっては、エージング処理工程において、各電子放出領域ＥＡにおける初期電子放出状態の測定値と、予め決定された電子放出状態基準値（図１の（Ａ）における点線を参照）との差に基づき決定された電圧を、所定の時間、各電子放出領域ＥＡに印加する。具体的には、電子放出状態基準値を予め決定しておき、高電子放出行の初期電子放出状態測定値と電子放出状態基準値との差に基づき、高電子放出行に印加する電圧ＶH-Varを決定し、低電子放出行の初期電子放出状態測定値と電子放出状態基準値との差に基づき、低電子放出行に印加する電圧ＶL-Varを決定する。但し、実施例１にあっては、上述したとおり、初期電子放出状態測定工程において得られた高電子放出行における初期電子放出状態及び低電子放出行における初期電子放出状態のそれぞれに余りバラツキがないので、電圧ＶH-Varを、次に述べるように、電圧ＶH-VarあるいはＶL-Fixとし、電圧ＶL-Varを電圧ＶL-Fixとする。尚、初期電子放出状態測定工程において得られた低電子放出行における初期電子放出状態の平均値を１．００としたとき、高電子放出行における初期電子放出状態の平均値は１．０２であった。
【００９２】
実施例１において得られたエージング処理後の電子放出状態の測定結果を、模式的に図１の（Ｂ）に示す。ここで、実施例１にあっては、低電子放出行のエージング処理後電子放出状態の測定値（アノード電流値）の平均値を、便宜上、１．００としたとき、高電子放出行のエージング処理後電子放出状態の目標値（アノード電流の目標値）を０．９７した。また、エージング処理においては、低電子放出行の初期電子放出状態測定値の全平均値（アノード電流の全平均値）を基準値として、高電子放出行の初期電子放出状態測定値とこの基準値の差に基づき、高電子放出行に印加する電圧ＶH-Varを決定し、低電子放出行に一定の低い電圧ＶL-Fixを印加した。具体的には、電圧ＶH-Varは、高電子放出行の初期電子放出状態測定値とこの基準値の差に基づくので種々変化する場合があるが、一例として、電圧ＶH-Var／電圧ＶL-Fixの値を、アノード電流値が４／１となるように制御した。尚、代替的に、高電子放出行に、予め決定された一定の高い電圧ＶH-Fixを印加し、低電子放出行に、予め決定された一定の低い電圧ＶL-Fixを印加してもよい。
【００９３】
エージング処理後電子放出状態のアノード電流相対値（以下、『処理後アノード電流相対値』と呼び、単位は％）と、表示装置を或る時間、実作動させたときの、アノード電流相対値の増減割合（以下、『増減割合』と呼び、単位は％）との関係を、図６に示す。ここで、アノード電流相対値は、前述したとおり、（スペーサの近傍に位置する電子放出領域におけるアノード電流の値）を（スペーサから十分に離れた電子放出領域におけるアノード電流の値）で除した値（単位は％）である。増減割合が０％であるとは、アノード電流相対値が、エージング処理後にあっても、表示装置を或る時間、実作動させた後にあっても、同じ値であることを意味する。云い換えれば、高電子放出行の電子放出状態の経時変化の状態と、低電子放出行の電子放出状態の経時変化の状態とが同じであることを意味する。図６の横軸は処理後アノード電流相対値であり、縦軸は増減割合である。
【００９４】
図６から、処理後アノード電流相対値と増減割合との間には、良い相関があることが判る。また、図６から、処理後アノード電流相対値を約９７％としたとき、増減割合は０％となることが判る。即ち、増減割合０％を達成するためには、低電子放出行におけるエージング処理後のアノード電流値を１．００としたとき、高電子放出行におけるエージング処理後のアノード電流値を０．９７とすればよい。
【００９５】
尚、以下の説明において、増減割合０％を達成するための、基準となる電子放出行におけるエージング処理後電子放出状態の測定値を１．００としたときの、エージング処理における実質的に処理の対象となる電子放出行におけるエージング処理後電子放出状態測定値との差を、便宜上、『目標差』と呼ぶ。ここで、基準となる電子放出行は、実施例１、あるいは、後述する実施例２にあっては、低電子放出行であり、後述する実施例３〜実施例４にあっては、高電子放出行である。また、処理の対象となる電子放出行は、実施例１、あるいは、後述する実施例２〜実施例３にあっては、高電子放出行であり、後述する実施例４にあっては、低電子放出行である。
【００９６】
即ち、エージング処理の完了の時点において、高電子放出行のエージング処理後電子放出状態を、表示装置における実表示作動時の電子放出状態の経時変化割合が所定の範囲内となるような電子放出状態とする。具体的には、高電子放出行の電子放出状態の経時変化状態を、低電子放出行の電子放出状態の経時変化状態に出来る限り近づける。より具体的には、所定の範囲を増減割合０％とし、所定の範囲内となるような電子放出状態を処理後アノード電流相対値９７％とした。従って、目標差はマイナス３％である。尚、現実的には、表示装置における実表示作動時の電子放出状態の経時変化割合が、目標差±１％に収まるような電子放出状態とすればよい。より具体的には、実施例１、あるいは、後述する実施例２〜実施例５にあっては、処理後アノード電流相対値を、例えば、９５％から９９％の範囲とすればよい。あるいは又、所定の範囲（増減割合の範囲）として、例えば、０％±０．５％を例示することができる。
【００９７】
ここで、表示装置における実表示作動状態にあっては、同じ駆動信号が入力されたとき、高電子放出行の電子放出状態と、低電子放出行の電子放出状態とが等しくなるように、電子放出領域の電子放出状態を制御する。具体的には、高い初期電子放出状態を示した行（スペーサ４０に近接した行）における電子放出領域への駆動信号の値を（１／０．９７）倍した信号に対応する電圧を、カソード電極１１とゲート電極１３との電位差として、カソード電極制御回路３１及びゲート電極制御回路３２からカソード電極１１及びゲート電極１３へ印加する。一方、低い初期電子放出状態を示した行（スペーサ４０に近接していない行）における電子放出領域への駆動信号の値に対応する電圧を、カソード電極１１とゲート電極１３との電位差として、カソード電極制御回路３１及びゲート電極制御回路３２からカソード電極１１及びゲート電極１３へ印加する。
【００９８】
以上に説明した実施例１の平面型表示装置の処理方法を実行することで、高電子放出行における電子放出特性を、低電子放出行における電子放出特性よりも、積極的に、若干、劣化させるので、スペーサ近傍の電子放出領域の電子放出状態とスペーサから離れた所に位置する電子放出領域の電子放出状態との間に所望の差を付けることができ、これらの電子放出領域における電子放出状態を適切に制御することで、高い表示品質を有する表示装置を提供することができる。また、エージング処理の完了の時点において、高電子放出行のエージング処理後電子放出状態を、表示装置における実表示作動時の電子放出状態の経時変化割合が所定の範囲内となるような電子放出状態とするので、電子放出領域からの電子の放出状態には経時変化が生じるものの、表示装置全体として係る経時変化のバラツキを出来る限り少なくすることができる。
【実施例２】
【００９９】
実施例２は、実施例１の変形である。実施例１にあっては、初期電子放出状態測定工程において得られた高電子放出行における初期電子放出状態及び低電子放出行における初期電子放出状態のそれぞれに、余りバラツキがない場合を説明した。一方、実施例２にあっては、先ず、実施例１と同様にして、初期電子放出状態測定工程を実行したところ、得られた初期電子放出状態の測定結果を模式的に図２の（Ａ）及び図３の（Ａ）に示すが、高電子放出行における初期電子放出状態に、相当量のバラツキがあった。但し、実施例２にあっても、スペーサ４０に近接して位置する電子放出領域ＥＡは高い初期電子放出状態を示し、スペーサ４０から離れた所に位置する電子放出領域ＥＡは低い初期電子放出状態を示した。そして、低い初期電子放出状態を示す電子放出領域ＥＡが位置する行が、多数行を占めている。即ち、実施例２も、ケースＡに該当する。ここで、図２の（Ａ）に示した例においては、低電子放出行における初期電子放出状態のそれぞれに、余りバラツキがない。一方、図３の（Ａ）に示した例においては、低電子放出行における初期電子放出状態のそれぞれに、バラツキが存在する。
【０１００】
従って、実施例２にあっては、エージング処理工程において、高電子放出行に、低電子放出行よりも高い電圧を、所定の時間、印加するが、ここで、各電子放出領域ＥＡにおける初期電子放出状態の測定値と、予め決定された電子放出状態基準値（図２の（Ａ）及び図３の（Ａ）における点線を参照）との差に基づき決定された電圧を、所定の時間、各電子放出領域ＥＡに印加する。具体的には、電子放出状態基準値を予め決定しておき、高電子放出行の初期電子放出状態測定値と電子放出状態基準値との差に基づき、高電子放出行に印加する電圧ＶH-Varを決定し、低電子放出行の初期電子放出状態測定値と電子放出状態基準値との差に基づき、低電子放出行に印加する電圧ＶL-Varを決定した。電圧の印加パターンは、図２の（Ａ）及び図３の（Ａ）に模式的に示した初期電子放出状態の測定結果に相似した（あるいは類似した）パターンを有する。
【０１０１】
これによって、エージング処理後には、図２の（Ｂ）及び図３の（Ｂ）に示すように、実施例１において説明したと同様の電子放出状態を得ることができた。
【実施例３】
【０１０２】
実施例３も、実施例１の変形であるが、第２の構成に関する。尚、実施例３にあっても、初期電子放出状態測定工程において得られた高電子放出行における初期電子放出状態及び低電子放出行における初期電子放出状態のそれぞれに、余りバラツキがない。但し、実施例３にあっては、先ず、実施例１と同様にして初期電子放出状態測定工程を実行したところ、得られた初期電子放出状態の測定結果を模式的に図４の（Ａ）に示すが、スペーサ４０に近接して位置する電子放出領域ＥＡから放出される電子の量は、スペーサ４０から離れた所に位置する電子放出領域ＥＡから放出される電子の量よりも少ない。即ち、スペーサ４０に近接して位置する電子放出領域ＥＡは低い初期電子放出状態を示し、スペーサ４０から離れた所に位置する電子放出領域ＥＡは高い初期電子放出状態を示した。そして、高い初期電子放出状態を示す電子放出領域ＥＡが位置する行が、多数行を占めている。即ち、実施例３は、ケースＢに該当する。
【０１０３】
ここで、実施例３にあっては、スペーサ４０に近接して位置する電子放出領域ＥＡが示す低い初期電子放出状態と、スペーサ４０から離れた所に位置する電子放出領域ＥＡが示す高い初期電子放出状態との間に、増減割合の目標０％を達成するための所定の範囲内となるような電子放出状態（即ち、目標差：マイナス３％）を越える差が存在する。即ち、高電子放出行のアノード電流値を１．００としたとき、低電子放出行のアノード電流値は０．９０であった。
【０１０４】
そして、実施例３にあっても、高電子放出行に、低電子放出行よりも高い電圧を、所定の時間、印加するエージング処理を実行する。具体的には、スペーサ４０から離れた所に位置する電子放出領域ＥＡに、スペーサ４０に近接した電子放出領域ＥＡよりも高い電圧を、実施例１と同様に所定の時間、印加した。図４の（Ｃ）に示すように、電圧の印加パターンは、図４の（Ａ）に模式的に示した初期電子放出状態の測定結果に相似した（あるいは類似した）パターンを有する。
【０１０５】
ここで、実施例３にあっても、エージング処理の完了の時点において、高電子放出行のエージング処理後電子放出状態と、低電子放出行のエージング処理後電子放出状態とを、所望の電子放出状態差にする。より具体的には、第２の構成である、エージング処理の完了の時点において、高電子放出行のエージング処理後電子放出状態を、低電子放出行のエージング処理後電子放出状態よりも、高い電子放出状態とした。即ち、所定の範囲を増減割合０％とし、所定の範囲内となるような電子放出状態を処理後アノード電流相対値９７％とした。そして、目標差はマイナス３％である。より具体的には、エージング処理を実行することで、低電子放出行のアノード電流値を０．９０、高電子放出行のアノード電流値を０．９３とした。実施例３において得られたエージング処理後の電子放出状態の測定結果を、模式的に図４の（Ｂ）に示す。
【０１０６】
あるいは又、実施例３にあっては、エージング処理工程において、各電子放出領域ＥＡにおける初期電子放出状態の測定値と、予め決定された電子放出状態基準値（図４の（Ａ）における点線を参照）との差に基づき決定された電圧を、所定の時間、各電子放出領域ＥＡに印加する。具体的には、電子放出状態基準値を予め決定しておき、高い初期電子放出状態を示した行における電子放出領域の初期電子放出状態測定値と電子放出状態基準値との差に基づき、高い初期電子放出状態を示した行における電子放出領域に印加する電圧ＶH-Varを決定し、低い初期電子放出状態を示した行における電子放出領域の初期電子放出状態測定値と電子放出状態基準値との差に基づき、低い初期電子放出状態を示した行における電子放出領域に印加する電圧ＶL-Varを決定する。但し、実施例３にあっても、上述したとおり、初期電子放出状態測定工程において得られた高電子放出行における初期電子放出状態及び低電子放出行における初期電子放出状態のそれぞれに余りバラツキがないので、電圧ＶH-Varを、以下に述べるように、電圧ＶH-Fixとし、電圧ＶL-Varを電圧ＶL-Fixとする。即ち、エージング処理においては、高電子放出行の初期電子放出状態測定値の平均値（Ｈ）を求め、また、低電子放出行の初期電子放出状態測定値の平均値（Ｌ）を求め、平均値（Ｈ）と平均値（Ｌ）とに基づき、高電子放出行に一定の高い電圧ＶH-Fixを印加し、低電子放出行に一定の低い電圧ＶL-Fixを印加した。電圧ＶH-Fix／電圧ＶL-Fixの値を、アノード電流値が４／１となるように制御した。
【０１０７】
ここで、実施例３の表示装置における実表示作動状態にあっても、同じ駆動信号が入力されたとき、高電子放出行の電子放出状態と、低電子放出行の電子放出状態とが等しくなるように、電子放出領域の電子放出状態を制御する。具体的には、高い初期電子放出状態を示した行（スペーサ４０から離れた所に位置する行）における電子放出領域への駆動信号の値を、カソード電極１１とゲート電極１３との電位差として、カソード電極制御回路３１及びゲート電極制御回路３２からカソード電極１１及びゲート電極１３へ印加する。一方、低い初期電子放出状態を示した行（スペーサ４０に近接した行）における電子放出領域への駆動信号の値を（０．９３／０．９０）倍した信号に対応する電圧を、カソード電極１１とゲート電極１３との電位差として、カソード電極制御回路３１及びゲート電極制御回路３２からカソード電極１１及びゲート電極１３へ印加する。
【０１０８】
以上に説明した実施例３の平面型表示装置の処理方法を実行することで、高電子放出行における電子放出特性を、低電子放出行における電子放出特性よりも、積極的に、若干、劣化させるので、スペーサ近傍の電子放出領域の電子放出状態とスペーサから離れた所に位置する電子放出領域の電子放出状態との間に所望の差を付けることができ、これらの電子放出領域における電子放出状態を適切に制御することで、高い表示品質を有する表示装置を提供することができる。また、エージング処理の完了の時点において、低電子放出行のエージング処理後電子放出状態を、表示装置における実表示作動時の電子放出状態の経時変化割合が所定の範囲内となるような電子放出状態とするので、電子放出領域からの電子の放出状態には経時変化が生じるものの、表示装置全体として係る経時変化のバラツキを出来る限り少なくすることができる。
【実施例４】
【０１０９】
実施例４は、本発明の第２の態様に係る平面型表示装置の処理方法に関する。実施例１と同様にして初期電子放出状態測定工程を実行して得られた初期電子放出状態の測定結果を模式的に図５の（Ａ）に示すが、初期電子放出状態測定工程において得られた高電子放出行における初期電子放出状態及び低電子放出行における初期電子放出状態のそれぞれに、余りバラツキがない。そして、実施例３と同様に、スペーサ４０に近接して位置する電子放出領域ＥＡから放出される電子の量は、スペーサ４０から離れた所に位置する電子放出領域ＥＡから放出される電子の量よりも少ない。即ち、スペーサ４０に近接して位置する電子放出領域ＥＡは低い初期電子放出状態を示し、スペーサ４０から離れた所に位置する電子放出領域ＥＡは高い初期電子放出状態を示す。ここで、高い初期電子放出状態を示す電子放出領域ＥＡが位置する行が、多数行を占めている。即ち、実施例４も、ケースＢに該当する。
【０１１０】
但し、実施例４が実施例３と相違する点は、スペーサ４０に近接して位置する電子放出領域ＥＡが示す低い初期電子放出状態と、スペーサ４０から離れた所に位置する電子放出領域ＥＡが示す高い初期電子放出状態との間に、余り差がない点にある。
【０１１１】
即ち、実施例３にあっては、この差が大きいので（即ち、実施例３において説明した例では、高い初期電子放出状態を示す電子放出領域ＥＡにおけるアノード電流値を１．００としたとき、低い初期電子放出状態を示す電子放出領域ＥＡにおけるアノード電流値は０．９０であったので）、高電子放出行に、低電子放出行よりも高い電圧を、所定の時間、印加するエージング処理を実行し、エージング処理の完了の時点において、高電子放出行のエージング処理後電子放出状態と、低電子放出行のエージング処理後電子放出状態とを、所望の電子放出状態差、より具体的には、高電子放出行のエージング処理後電子放出状態を、低電子放出行のエージング処理後電子放出状態よりも、高い電子放出状態とした。
【０１１２】
然るに、実施例４にあっては、上述したとおり、この差が小さいので（具体的には、高電子放出行のアノード電流値を１．００としたとき、低電子放出行のアノード電流値は０．９９であったので）、実施例３と同じエージング処理を実行しても、増減割合の目標０％を達成するための目標差マイナス３％を得ることができない。
【０１１３】
そこで、実施例４にあっては、各電子放出領域ＥＡに一定の電圧を印加して各電子放出領域ＥＡから電子を放出させて、所定の行において、電子放出領域における初期電子放出状態を測定するといった初期電子放出状態測定工程を実行した後、各電子放出領域ＥＡにおける初期電子放出状態の測定値と、予め決定された電子放出状態基準値との差に基づく電圧を、所定の時間、各電子放出領域に印加するエージング処理を実行する。
【０１１４】
具体的には、実施例４にあっては、スペーサ４０に近接して位置する低い初期電子放出状態にある電子放出領域ＥＡ（低電子放出行）に、図５の（Ｃ）に示すように、予め決定された一定の高い電圧ＶH-Fixを印加し、スペーサ４０から離れた所に位置する高い初期電子放出状態にある電子放出領域ＥＡ（高電子放出行）に、予め決定された一定の低い電圧ＶL-Fixを印加した。
【０１１５】
実施例４において得られたエージング処理後の電子放出状態の測定結果を、模式的に図５の（Ｂ）に示す。ここで、実施例４にあっては、高電子放出行のエージング処理後電子放出状態のアノード電流値を１．００としたとき、低電子放出行のエージング処理後電子放出状態のアノード電流値を０．９７とした。こうして、実施例１において説明したと同様の電子放出状態を得ることができた。
【実施例５】
【０１１６】
実施例５は、本発明の第３の態様に係る平面型表示装置の処理方法に関する。実施例５にあっては、実施例１〜実施例４と異なり、初期電子放出状態測定工程を省略する。そして、実施例５にあっては、高い初期電子放出状態を示すと予想される行における電子放出領域ＥＡに、低い電子放出状態を示すと予想される行における電子放出領域ＥＡよりも高い電圧を、所定の時間、印加するエージング処理を実行する。
【０１１７】
具体的には、実施例５にあっては、高い初期電子放出状態を示すと予想される行、低い電子放出状態を示すと予想される行は、多数の表示装置に対して、実施例１における初期電子放出状態測定工程と同様の工程を実行してデータを集積することで決定することができる。また、高い電圧を、所定の時間、印加するが、具体的には、高い初期電子放出状態を示した行における電子放出領域に一定の高い電圧ＶH-Fixを印加し、低い初期電子放出状態を示した行における電子放出領域に一定の低い電圧ＶL-Fixを印加すればよい。ここで、これらの電圧ＶH-Fix，ＶL-Fixは、例えば、実施例１におけるエージング処理と同様の工程を実行してデータを集積し、更には、処理後アノード電流相対値とその増減割合との関係を把握することで決定することができる。
【０１１８】
以上、本発明を、好ましい実施例に基づき説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。実施例にて説明した平面型表示装置、カソードパネルやアノードパネル、冷陰極電界電子放出表示装置や冷陰極電界電子放出素子の構成、構造は例示であり、適宜、変更することができる。表示装置においては、専らカラー表示を例にとり説明したが、単色表示とすることもできる。
【０１１９】
実施例にあっては、エージング処理において、１行の上のＭ個の電子放出領域に印加されるコラム電圧ＶColを一定としたが、１行の上のＭ個の電子放出領域に印加されるコラム電圧ＶColを異ならせてもよい。この場合には、例えば、電子放出領域に対応する蛍光体領域の発光状態をＣＣＤカメラ等を用いて測定する方法を採用することで、１行の上のＭ個の電子放出領域の初期電子放出状態を個々、別々に測定すればよい。また、実施例にあっては、所定の行として、表示装置を構成する全ての行としたが、スペーサに隣接した１行あるいは複数行、及び、スペーサとスペーサの中間に位置する１行あるいは複数行としてもよい。
【０１２０】
更には、実施例にあっては、高電子放出行のエージング処理後電子放出状態と、低電子放出行のエージング処理後電子放出状態との差を、前者が後者よりも低い電子放出状態とし、あるいは又、前者が後者よりも高い電子放出状態としたが、これに限定されるものでなく、前者と後者の差を出来る限るゼロに近づけるようにしてもよい。但し、この場合には、処理後アノード電流相対値が約１００％であり、増減割合は、例えば、図６に示した例では、約マイナス０．８％となる。従って、電子放出状態の測定相対値に、エージング処理後電子放出状態と、表示装置を或る時間、実作動させたときの電子放出状態との間で、差異が生じてしまう。それ故、係る差異を補償するために、電子放出領域への駆動信号の値の経時的な補償を行う必要がある。
【０１２１】
電界放出素子においては、専ら１つの開口部に１つの電子放出部が対応する形態を説明したが、電界放出素子の構造に依っては、１つの開口部に複数の電子放出部が対応した形態、あるいは、複数の開口部に１つの電子放出部が対応する形態とすることもできる。あるいは又、ゲート電極に複数の第１開口部を設け、絶縁層に係る複数の第１開口部に連通した第２開口部を設け、１又は複数の電子放出部を設ける形態とすることもできる。
【０１２２】
表面伝導型電子放出素子と通称される電子放出素子から電子放出領域を構成することもできる。この表面伝導型電子放出素子は、例えばガラスから成る支持体上に酸化錫（ＳｎＯ2）、金（Ａｕ）、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）／酸化錫（ＳｎＯ2）、カーボン、酸化パラジウム（ＰｄＯ）等の導電材料から成り、微小面積を有し、所定の間隔（ギャップ）を開けて配された一対の電極がマトリクス状に形成されて成る。それぞれの電極の上には炭素薄膜が形成されている。そして、一対の電極の内の一方の電極（例えば、第１電極）に行方向配線が接続され、一対の電極の内の他方の電極（例えば、第２電極）に列方向配線が接続された構成を有する。一対の電極（第１電極及び第２電極）に電圧を印加することによって、ギャップを挟んで向かい合った炭素薄膜に電界が加わり、炭素薄膜から電子が放出される。係る電子をアノードパネル上の蛍光体領域に衝突させることによって、蛍光体領域が励起されて発光し、所望の画像を得ることができる。あるいは又、金属／絶縁膜／金属型素子から電子放出領域を構成することもできる。
【図面の簡単な説明】
【０１２３】
【図１】図１の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、それぞれ、実施例１において得られた初期電子放出状態測定工程における初期電子放出状態の測定結果、エージング処理工程完了時における電子放出状態の測定結果、電子放出領域に印加する電圧を模式的に示すグラフである。
【図２】図２の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、実施例２において得られた初期電子放出状態測定工程における初期電子放出状態の測定結果、及び、エージング処理工程完了時における電子放出状態の測定結果を模式的に示すグラフである。
【図３】図３の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、実施例２の別の例において得られた初期電子放出状態測定工程における初期電子放出状態の測定結果、及び、エージング処理工程完了時における電子放出状態の測定結果を模式的に示すグラフである。
【図４】図４の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、それぞれ、実施例３において得られた初期電子放出状態測定工程における初期電子放出状態の測定結果、エージング処理工程完了時における電子放出状態の測定結果、電子放出領域に印加する電圧を模式的に示すグラフである。
【図５】図５の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、それぞれ、実施例４において得られた初期電子放出状態測定工程における初期電子放出状態の測定結果、エージング処理工程完了時における電子放出状態の測定結果、電子放出領域に印加する電圧を模式的に示すグラフである。
【図６】図６は、エージング処理後電子放出状態のアノード電流相対値と、平面型表示装置を或る時間、実作動させたときのアノード電流相対値の増減割合との関係を示すグラフである。
【図７】図７は、平面型表示装置としてのスピント型冷陰極電界電子放出素子を有する冷陰極電界電子放出表示装置の模式的な一部端面図である。
【図８】図８は、図７に示した冷陰極電界電子放出表示装置を構成するカソードパネル及びアノードパネルを分解したときのカソードパネルとアノードパネルの一部分の模式的な分解斜視図である。
【図９】図９の（Ａ）及び（Ｂ）は、平面型表示装置において、スペーサの近傍に位置する電子放出領域における電子放出状態と、スペーサ近傍には位置していない電子放出領域における電子放出状態との間に生じた差異を模式的に示すグラフである。
【図１０】図１０は、電子放出領域からの電子の放出状態に経時変化が生じることを説明するためのグラフである。
【図１１】図１１の（Ａ）〜（Ｃ）は、電子放出領域からの電子の放出状態に経時変化が生じることを説明するためのグラフである。
【符号の説明】
【０１２４】
１０・・・支持体、１１・・・カソード電極、１２・・・絶縁層、１３・・・ゲート電極、１４，１４Ａ，１４Ｂ・・・開口部、１５・・・電子放出部、１６・・・層間絶縁層、１７・・・収束電極、２０・・・基板、２１・・・隔壁、２２，２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂ・・・蛍光体領域、２３・・・光吸収層（ブラックマトリックス）、２４・・・アノード電極、２５・・・スペーサ保持部、２６・・・接合部材、３１・・・カソード電極制御回路、３２・・・ゲート電極制御回路、３３・・・アノード電極制御回路、４０・・・スペーサ、４０Ａ・・・帯電防止膜、ＣＰ・・・カソードパネル、ＡＰ・・・アノードパネル、ＥＡ・・・電子放出領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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