(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（１）基板上にゲート電極パターンを形成する工程と、
（２）前記ゲート電極パターン上にゲート絶縁膜パターンを形成する工程と、
（３）前記ゲート絶縁膜パターン上に第１導電性材料でデータラインを形成する工程と、
（４）１対のデータラインの間に、ゲート絶縁膜パターン上に活性層パターンを形成する工程と、
（４）’前記活性層パターン上にチャンネルバンクを形成するとともに、前記チャンネルバンクを挟んで対向するデータライン上にそれぞれソース／ドレイン電極バンクを形成する工程と、
（５）前記データライン及びゲート絶縁膜パターン上の、前記チャネルバンクと互いに対向する各ソース／ドレイン電極バンクとの間に、前記データラインと相異なる第２導電性材料でソース／ドレイン電極を同時に形成する工程と、
を含む有機電子素子の電極形成方法。
【請求項２】
前記（３）工程のデータラインを、金属または金属酸化物で形成する請求項１に記載の有機電子素子の電極形成方法。
【請求項３】
前記金属は、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）及びこれらの合金からなる群より選択された１種以上である請求項２に記載の有機電子素子の電極形成方法。
【請求項４】
前記金属酸化物は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）またはインジウム亜鉛酸化物である請求項２に記載の有機電子素子の電極形成方法。
【請求項５】
前記（４）工程は、データラインの間に活性層バンクを形成する工程と、前記活性層バンクの間に活性層を形成する工程とを含む請求項１に記載の有機電子素子の電極形成方法。
【請求項６】
前記活性層を、ペンタセン、テトラセン、銅フタロシアニン、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリアセチレン、ポリピロール、ポリフェニレンビニレン及びこれらの誘導体からなる群より選択される１種以上の材料で形成する請求項５に記載の有機電子素子の電極形成方法。
【請求項７】
前記ゲート絶縁膜を、ポリビニルフェノール、ポリメチルメタクリレート、ポリアクリレート、ポリビニルアルコール、ＳｉＮx（０＜ｘ＜４）、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3及びこれら
の誘導体からなる群より選択される１種以上の材料で形成する請求項１に記載の有機電子素子の電極形成方法。
【請求項８】
前記ゲート電極を、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリアセチレン、ポリピロール、ポリフェニレンビニレン及びポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）、／ポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）（混合物からなる群より選択される１種以上の材料で形成する請求項１に記載の有機電子素子の電極形成方法。
【請求項９】
前記ソース／ドレイン電極を、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリアセチレン、ポリピロール、ポリフェニレンビニレン、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）／ポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）混合物からなる群から選択される１種以上の材料で形成する請求項１に記載の有機電子素子の電極形成方法。
【請求項１０】
前記基板が、ガラス、シリコン及びプラスチックからなる群より選ばれる材料からなる請求項１に記載の有機電子素子の電極形成方法。
【請求項１１】
請求項１による方法によって形成された電極を含む有機薄膜トランジスタ。
【請求項１２】
請求項１１による有機薄膜トランジスタを含む表示素子。
【請求項１３】
請求項１２による表示素子を含む表示用電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機電子素子の電極形成方法、これによって形成された電極を含む有機薄膜トランジスタ及びこれを含む表示素子に関し、より詳細には、従来の方法による有機電子素子製造時に問題とされる、ソース／ドレイン電極材料が特定金属や金属酸化物に制限される限界性を克服して、データライン材料と相異なるソース／ドレイン電極材料を使用できる有機電子素子の電極形成方法、これによって形成された電極を含む有機薄膜トランジスタ及びこれを含む表示素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
集積回路及び液晶表示素子などのような電子装置において、その集積度の増加及び素子の小型化に伴い、基板上に形成すべき電極形成パターンも益々微細化しつつある。
基板上に電極の微細パターンを形成するために、シャドウマスク、フォトリソグラフィやインクジェットプリンティング方法を利用している。例えば、図１Ａ〜Ｅに示すように、インクジェットプリンティング方法の場合、基板１００上にゲート電極１０２を形成し、該ゲート電極１０２上にゲート絶縁膜１０４を形成した後、該ゲート絶縁膜１０４上にソース／ドレイン電極（Ａｕ）１０６を蒸着し、この蒸着されたソース／ドレイン電極１０６及びゲート絶縁膜１０４上に活性層バンク１０８を形成する。その後、活性層１１０形成する工程を経て、電極を形成する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかし、シャドウマスク工程を利用する場合は、電極形成時に電極の物質が金（Ａｕ）やインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）などに制限される問題と共にパターニングに限界がある。
フォトリソグラフィ工程を利用する場合は、ソース／ドレイン電極材料、すなわち、データライン材料が金（Ａｕ）やインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）などに制限されるという問題点があった。
【０００４】
また、従来のインクジェットプリンティング工程を利用する場合、電極のパターニングが良好でないという問題があり、デザインルールが直径約４０μｍ以下に制限されることから精密度面で限界がある。
さらにソース／ドレイン電極材料もＡｕやＩＴＯなどに制限されるという問題点があった。
そこで、パターニングが良好であり、ソース／ドレイン電極材料に制限を受けることなく、精密度面でも問題が発生しない新しい電極形成方法の開発が望まれている。
【０００５】
本発明は上記の従来技術の問題点を解決するためのもので、その目的は、従来の方法による有機電子素子の製造時に問題とされる、ソース／ドレイン電極材料が特定金属や金属酸化物に制限されることなく、データライン材料と相異なるソース／ドレイン電極材料を使用できる有機電子素子の電極形成方法を提供することにある。
【０００６】
本発明の他の目的は、上記の方法によって形成された電極を含む有機薄膜トランジスタを提供することにある。
本発明のさらに他の目的は、上記の有機薄膜トランジスタを含む表示素子及び該表示素子を含む表示用電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明は、（１）基板上にゲート電極パターンを形成する工程と、（２）前記ゲート電極パターン上にゲート絶縁膜パターンを形成する工程と、（３）前記ゲート絶縁膜パターン上に第１導電性材料でデータラインを形成する工程と、（４）前記データラインを介してゲート絶縁膜パターン上に活性層を形成する工程と、（５）チャネルを境界として前記データライン及びゲート絶縁膜パターン上に、前記データライン材料と相異なる第２伝導性材料でソース／ドレイン電極を形成する工程と、を含む有機電子素子の電極形成方法を提供する。
【０００８】
また、上述した方法によって形成された電極を含む有機薄膜トランジスタを提供する。
さらに、上述した有機薄膜トランジスタを含む表示素子を提供する。
また、上述した表示素子を含む表示用電子機器を提供する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の方法によれば、有機電子素子の電極形成時に、パターニング及び精密度面で良好でありながらも、ソース／ドレイン電極材料が金（Ａｕ）やインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）など特定金属や金属酸化物に制限されることなく、一般金属や金属酸化物だけでなく、ＰＥＤＯＴ（ポリエチレンジオキシチオフェン、）／ＰＳＳ（ポリスチレンスルホン酸）混合物などを含む伝導性物質を使用することが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明を図面に基づいて工程別に詳述する。図２Ａ〜Ｇは、本発明による電極形成方法の工程概略図である。
（１）工程（ゲート電極パターン形成）
まず、図２Ａに示すように、通常の方法によって、基板２００を洗浄して不純物を除去し、蒸着及びパターニングしてゲート電極２０２を形成する。
【００１１】
このとき、基板はガラス、シリコン、プラスチックなどから選択することができるが、これに限定されることはない。
本発明による電極形成方法のゲート電極パターン形成工程において、ゲート電極の材料には、通常使われる金属または伝導性高分子を使用することができる。具体的には、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリアセチレン、ポリピロール、ポリフェニレンビニレン、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ混合物などが挙げられるが、これに限定されるものではない。
【００１２】
（２）工程（ゲート絶縁膜パターン形成）
図２Ｂに示すように、基板２００上にゲート電極２０２のパターンが形成されると、その上に通常の方法によってゲート絶縁膜２０４のパターンを形成する。
ゲート絶縁膜に使用可能な物質には、ポリオレフィン、ポリビニル、ポリアクリレート、ポリスチレン、ポリウレタン、ポリイミド、ポリビニルフェノール及びこれらの誘導体のような通常の有機物質、及びＳｉＮx（０＜ｘ＜４）、ＳｉＯ2及びＡｌ2Ｏ3のような通常の無機物質などが挙げられるが、これに限定されることはなく、その厚さは必要に応じて適切に調節すれば良い。
【００１３】
好ましくは、本発明者らによって発明されて既に出願された架橋剤を混合した絶縁体（韓国出願番号第１０−２００３−９０３０９）及び有−無機ハイブリッド型絶縁体（韓国出願番号第１０−２００３−７１７７５）を使って、３０００Å〜７０００Åの厚さにコーティングすると良い。
このゲート絶縁膜を形成する方法は特に限定されることはないが、例えば、真空蒸着や溶液工程などにすれば良い。溶液工程時には、必要に応じて約６０℃〜１５０℃範囲内で約１分〜１０分間ソフトベーキングを進行しても良く、約１００℃〜２００℃範囲内で約３０分〜３時間ハードベーキングを進行しても良い。
【００１４】
（３）工程（データライン形成）
図２Ｃに示すように、データライン２０６を形成する。
データラインは主に縦方向に延びており、データ電圧を伝達する役割を担う。各データラインからドレイン電極に向って延びた複数の枝がソース電極をなす。１対のソース電極／ドレイン電極は互いに分離されている。
【００１５】
このデータラインは、データ信号の遅れや、電圧降下が抑えられるように低い比抵抗の金属または金属酸化物で形成することができる。この金属は、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）及びこれらの組合及び合金で構成された群より選ばれることが好ましいが、これに限定されることはない。
【００１６】
また、金属酸化物には、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）またはインジウム亜鉛酸化物が好ましいが、これに限定されることはない。
ゲート絶縁膜上にデータラインを蒸着する方法は、特に限定されることはないが、化学気相蒸着法（ＣＶＤ）、スパッタリング、蒸着法、例えば、抵抗性加熱蒸着法などのような通常の方法とすれば良い。
【００１７】
（４）工程（活性層パターン形成）
図２Ｄに示すように、上記データライン２０６が蒸着されると、この工程では活性層パターン２１０が形成される。この活性層パターン２０１は、活性層バンク２０８を形成したのちこれらの活性層バンク２０８間に形成することができる。
【００１８】
ここで、“バンク”とは、素子間のクロストークを防止し、また、望む箇所にのみインクが充填されるように画素領域を分割する“仕切り部材”のことをいう。
該活性層バンクは、周知の方法によって形成でき、特に、（ａ）紫外線硬化剤及び水溶性ふっ素化合物を添加した水溶性高分子をコーティングする工程と、（ｂ）該コーティングされた水溶性高分子溶液をフォトリソグラフィ法によってＵＶ照射及び現像する工程とを含む方法によって形成できる。
【００１９】
上記（ａ）工程に使われる水溶性高分子は、分子中に親水性の大きい−ＯＨ、−ＣＯＯＨ、−ＮＨ2、−ＣＯＮＨ2などの官能基を有しており、架橋結合がないため水に溶解する高分子である。この水溶性高分子を使用すると、従来の有機溶媒を用いたフォトレジストを使ってバンクを形成する時に、隣接する有機電子素子の画素領域が劣化することから発生する有機電子素子の性能低下を解決でき、有機電子素子の画素領域に影響を及ぼすことなくバンクを形成することができる。
【００２０】
本発明に係るバンク形成に使用される水溶性高分子は、ポリビニルアルコール、ポリ塩化ビニル、ポリアクリルアミド、ポリエチレングリコール、ポリエチレンオキシド、ポリメチルビニルエーテル、ポリエチレンイミン、ポリフェニレンビニレン、ポリアニリン、ポリピロール及びこれを含む共重合体、単独またはこれらの混合物とすれば良いが、該共重合体は、上記水溶性高分子を１０〜９９重量％含有することが好ましい。
【００２１】
本発明に係るバンク形成に使用される紫外線硬化剤は、ＵＶ照射によってバンクの硬化を容易にさせる機能を担うもので、例えば、重クロム酸アンモニウム、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ウレタンアクリレート等の物質を単独または混合して使用することができる。
【００２２】
上記（ａ）工程で、紫外線硬化剤を脱イオン水に溶解されている水溶性高分子に固体含量基準で０．０１：１〜０．０５：１の割合で添加でき、好ましくは、０．０２：１〜０．０４：１の割合で添加する。
上記（ａ）工程でのコーティングは、スピンコーティング、ディップコーティング、プリンティング方式、インクジェットまたはロールコーティングによって行う。
本発明に係る上記バンク形成方法は、上記（ａ）工程後及び（ｂ）工程前に、乾燥工程をさらに含むことができ、この乾燥は通常の方法によって行う。
【００２３】
上記（ｂ）工程において、ＵＶ照射は、３４０〜４００ｎｍの波長で３００〜５００Ｗのパワーを持つランプを使って１０秒〜１８０秒間照射して行うことができる。現像は、室温の条件で１〜５分間脱イオン水で行うことができる。このように、バンクの形成は、上記の条件で、ＵＶ照射後に脱イオン水を用いて現像する一連の工程によって完成する。
上記バンク形成方法は、上記（ｂ）工程後に、ベーキング工程をさらに含むことができる。このベーキング工程は、ホットプレートで５０〜１５０℃の温度で０．５〜２時間行うことができる。
【００２４】
上記バンクの形成時に、紫外線硬化剤を含有する水溶性高分子に水溶性ふっ素化合物を混合した混合物を使用して表面処理工程を同時に行うことによって、バンク形成工程の後にバンクとの接触角のための表面処理のような別の工程を省くことができる。
【００２５】
本発明に使用される水溶性ふっ素化合物は、チャネルの親水度とバンクの親水度を異ならせて接触角を上げる機能を担うもので、上記紫外線硬化剤を含有する水溶性高分子に、固体含量基準で０．１：１〜１：１の割合で添加することが好ましい。
【００２６】
本発明に使用可能な水溶性ふっ素化合物には、フルオロアルカン及びその誘導体、ペルフルオロアルキルアルコールエチレンオキシド及びその誘導体、ペルフルオロアルキルカルボキシル酸及びその塩、ペルフルオロアルキルスルホン酸及びその塩、ペルフルオロアルキルオキシベンゼンスルホン酸及びその塩、ペルフルオロアルキルベンゼンスルホン酸及びその塩、ペルフルオロアルキルアミン及びその塩、ペルフルオロアルキルスルホンアミド及びその塩、アンモニウムフルオリド、モノエタノールアミンフルオリド及びテトラメチルアンモニウムフルオリドで構成された群より選ばれた１種または２種以上の化合物が好ましいが、これに限定されることはない。
【００２７】
上記の方法によって活性層バンクが形成されると、インクジェットなどの方法によってバンク内に活性層を形成する。
この活性層の成分は、インクの形態で使用可能ないずれの半導体物質も使用可能であり、例えば、ペンタセン、テトラセン、銅フタロシアニン、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリアセチレン、ポリピロール、ポリフェニレンビニレン）及びこれらの誘導体が挙げられるが、これに限定されることはない。
【００２８】
（５）工程（ソース／ドレイン電極形成）
図２Ｅに示すように、活性層が形成されると、まず、一側にソース電極が、他側にドレイン電極が相対向して配列されてなるチャネルを含むソース／ドレイン電極バンク２１２ａと、チャネルバンク２１２ｂを形成する。
【００２９】
このソース／ドレイン電極バンクの形成は、上記（４）工程における活性層バンク形成と同じ方法によって達成可能である。
図２Ｆ及び図２Ｇに示すように、具体的に、ソース／ドレイン電極２１４は、上記で形成されたチャネルを境界としてデータライン及びゲート絶縁膜上に、該データラインと相異なる材料をインクジェットなどの方法によってプリンティングすることによって形成される。
【００３０】
このソース／ドレイン電極は、インクの形態で使用可能な伝導性物質の群より選ばれる材料、例えば、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリアセチレン、ポリピロール、ポリフェニレンビニレン及びＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ混合物等の他、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などのような金属や金属酸化物で形成することができるが、これに限定されることはない。
【００３１】
図３Ａ及びＢは、本発明の一実施例による方法で形成された電極を示す平面図及び断面図であり、チャネルを含むソース／ドレイン電極２１４ａ、２１４ｂがデータライン２０６電極と連結されており、実際データライン２０６の物質とソース／ドレイン電極２１４ａ、２１４ｂが相異なる物質で形成されていることを示している。
【００３２】
本発明の他の態様は、上記の方法によって形成された電極を含む有機薄膜トランジスタを提供する。
本発明による有機薄膜トランジスタの構造は、ボトムゲート型構造またはトップゲート型構造のいずれであってもよい。
【００３３】
すなわち、本発明の有機薄膜トランジスタは、ボトムゲート構造のもので、表面上にゲート電極が位置する基板；ゲート電極；該ゲート電極上に位置するゲート絶縁膜；該ゲート絶縁膜上に位置するソース／ドレイン電極；該ゲート絶縁膜とソース／ドレイン電極上に形成されて有機半導体層として働く高分子半導体；を含む。
【００３４】
あるいは、本発明による有機薄膜トランジスタは、トップゲート型構造のもので、表面上にソース／ドレイン電極が位置する基板；ソース／ドレイン電極；当該基板とソース／ドレイン上に形成されて有機半導体層として働く高分子半導体；該有機半導体層上に位置するゲート絶縁膜；ゲート；を含む。
【００３５】
本発明のさらに他の態様は、上記の有機薄膜トランジスタを含む表示素子を提供する。この表示素子としては、電界発光素子、液晶素子、粒子移動素子などが挙げられるが、これらに限定されることはない。
また、本発明は、上記表示素子を含む表示用電子機器を提供する。この表示用電子機器としては、ディスプレイ装置、スマートカード、インベントリタグ等が挙げられるが、これに限定されることはない。
【００３６】
以下、実施例に挙げて本発明をより詳細に説明する。ただし、下記の実施例は、本発明を説明するためのもので、本発明を制限するためのものではない。
実施例
アルミニウム（Ａｌ）からなるゲート電極を含むガラス基板上に、ポリビニルフェノール系共重合体にアクリル系架橋剤を混合した有機絶縁体組成物を使って、スピンコーティング方法でコーティングして７，０００Å厚の絶縁膜を形成した後、窒素雰囲気下で温度を１００℃として１時間ベーキングして総厚さ６，０００Åのゲート絶縁膜を形成した。
【００３７】
その後、アルミニウム（Ａｌ）を熱蒸着方式で当該ゲート絶縁膜上に蒸着した後、パターニングしてソース／ドレイン前端までデータラインを形成した。
これらのデータライン間及びゲート絶縁膜上に活性層バンクを形成し、インクジェット方法を用いて一般の薄膜形成方法で５００Å厚にポリチオフェン系誘導体の高分子半導体物質を蒸着した。
【００３８】
しかる後に、活性層バンク形成と同じ方法でソース／ドレインバンクを形成し、インクジェット方法でＰＥＤＯＴ／ＰＳＳを用いてソース／ドレイン電極を形成した。
【００３９】
実験例
上記の実施例によって製造された有機薄膜トランジスタの電荷移動度及び電流点滅比（Ｉon／Ｉoff  Ｒａｔｉｏ）を次のようして測定し、その結果を下記表１に示す。
【００４０】
【表１】
0005221896.tif 000002
電荷移動度
電荷移動度は、下記の飽和領域電流式から、（ＩSD）1/2とＶGを変数にしたグラフの勾配から求めた：
【００４１】
【数１】
0005221896.tif 000003
式中、ＩSDはソース-ドレイン電流を表し、μまたはμFETは電荷移動度を表し、Ｃoは酸化膜静電容量を表し、Ｗはチャネル幅、Ｌはチャネル長、ＶGはゲート電圧、ＶTはしきい電圧を表す。
【００４２】
電流点滅比
電流点滅比は、オン状態の最大電流値とオフ状態の最小電流値の比で定められる。一方、電流点滅比は、下記の式で表される。
【００４３】
【数２】
0005221896.tif 000004
式中、Ｉonは最大電流値、Ｉoffは遮断漏れ電流、μは電荷移動度、σは薄膜の伝導度、ｑは電荷量、ＮAは電荷密度、ｔは半導体膜の厚さ、Ｃ0は絶縁膜静電容量、ＶDはドレイン電圧を表す。
【００４４】
電流点滅比（Ｉon／Ｉoff電流比）は、誘電膜の誘電率が大きく且つ厚さが小さいほど大きくなるので、誘電膜の種類と厚さが電流比を決定するのに重要な要素となる。遮断漏れ電流（オフ状態リーク伝リュ）であるＩoffは、オフ状態の時に流れる電流で、オフ状態での最小電流から求めた。
【００４５】
図４は、上記実施例で得られた有機薄膜トランジスタの電流伝達特性曲線を示すもので、有効誘電率が増加された時にＩSD対ＶGの変化が示されている。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１Ａ】従来技術によるプリンティング方法を利用した電極形成方法を示す工程概略図である。
【図１Ｂ】従来技術によるプリンティング方法を利用した電極形成方法を示す工程概略図である。
【図１Ｃ】従来技術によるプリンティング方法を利用した電極形成方法を示す工程概略図である。
【図１Ｄ】従来技術によるプリンティング方法を利用した電極形成方法を示す工程概略図である。
【図１Ｅ】従来技術によるプリンティング方法を利用した電極形成方法を示す工程概略図である。
【図２Ａ】本発明の一実施例による有機電子素子の電極形成方法を示す工程概略図である。
【図２Ｂ】本発明の一実施例による有機電子素子の電極形成方法を示す工程概略図である。
【図２Ｃ】本発明の一実施例による有機電子素子の電極形成方法を示す工程概略図である。
【図２Ｄ】本発明の一実施例による有機電子素子の電極形成方法を示す工程概略図である。
【図２Ｅ】本発明の一実施例による有機電子素子の電極形成方法を示す工程概略図である。
【図２Ｆ】本発明の一実施例による有機電子素子の電極形成方法を示す工程概略図である。
【図２Ｇ】本発明の一実施例による有機電子素子の電極形成方法を示す工程概略図である。
【図３Ａ】本発明の一実施例による方法によって形成された電極の平面図である。
【図３Ｂ】本発明の一実施例による方法によって形成された電極の断面図である。
【図４】本発明の一実施例による有機薄膜トランジスタの電流伝達特性曲線である。
【図１Ａ】
0005221896.tif 000005
【図１Ｂ】
0005221896.tif 000006
【図１Ｃ】
0005221896.tif 000007
【図１Ｄ】
0005221896.tif 000008
【図１Ｅ】
0005221896.tif 000009
【図２Ａ】
0005221896.tif 000010
【図２Ｂ】
0005221896.tif 000011
【図２Ｃ】
0005221896.tif 000012
【図２Ｄ】
0005221896.tif 000013
【図２Ｅ】
0005221896.tif 000014
【図２Ｆ】
0005221896.tif 000015
【図２Ｇ】
0005221896.tif 000016
【図３Ａ】
0005221896.tif 000017
【図３Ｂ】
0005221896.tif 000018
【図４】
0005221896.tif 000019