(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板を貫通し、前記基板の表面に設けられた電極部に接し、前記基板の裏面側から凹部が設けられている貫通金属と、
前記凹部に埋め込まれるように、前記基板裏面側の前記貫通金属の露出面に設けられた導電材と、を具備し、
前記貫通金属は、前記電極部を貫通し且つ前記電極部より突出していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記貫通金属は、前記基板に設けられた貫通孔に形成され、
前記貫通孔は、前記基板の裏面から設けられた第１開口部と、前記第１開口部の中央部に設けられた第２開口部とからなり、
前記第１開口部は、前記基板の裏面から表面に向かうに連れて幅が小さくなるテーパー形状をしていて、
前記第２開口部は、前記第１開口部の幅の最小部より小さい幅を有していることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
基板表面に形成された電極部に達するように、前記基板に貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔に埋め込まれるように、前記基板の裏面側から凹部が設けられた貫通金属を形成する工程と、
前記凹部に埋め込まれるように、前記基板裏面側の前記貫通金属の露出面に導電材を形成する工程と、を有し、
前記貫通孔を形成する工程は、前記電極部を貫通するように前記貫通孔を形成する工程を含み、
前記貫通金属を形成する工程は、前記電極部を貫通し且つ前記電極部より突出するように前記貫通金属を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記貫通孔を形成する工程は、前記基板の裏面から表面に向かうに連れて幅が小さくなるようなテーパー形状をした第１開口部を形成する工程と、前記第１開口部の中央部に、前記第１開口部の幅の最小部より小さい幅を有する第２開口部を形成する工程と、を有することを特徴とする請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記貫通金属を形成する工程は、前記基板の裏面側からスキージ印刷を行うことで、前記貫通金属を形成する工程を含むことを特徴とする請求項３または４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記第１開口部を保持するように前記基板の裏面上にフィルムを形成する工程を有し、
前記第２開口部を形成する工程は、前記フィルムを貫通させて、前記第２開口部を形成する工程を含み、
前記貫通金属を形成する工程は、前記フィルムの貫通された部分から前記貫通孔に前記貫通金属を形成する工程を含むことを特徴とする請求項４または５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記導電材を形成する工程は、前記フィルムの貫通された部分から前記凹部に前記導電材を形成する工程と、前記フィルムを残存させたまま、前記導電材をリフローする工程と、を有し、
前記フィルムは、前記リフローにおける温度に対して耐熱性を有する材料からなることを特徴とする請求項６記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
基板の表面に形成された電極部に対応する部分の前記基板に、前記基板の裏面から表面に向かうに連れて幅が小さくなるような第１開口部を形成する工程と、
前記第１開口部を保持するように前記基板の裏面上にフィルムを形成する工程と、
前記フィルムを貫通させて、前記第１開口部の中央部で前記基板を貫通し、前記第１開口部の幅の最小部より小さい幅を有する第２開口部を形成する工程と、
前記第１開口部と前記第２開口部とから貫通孔を形成する工程と、
前記フィルムの貫通された部分の形状を、前記基板側に向かうに連れて幅が小さくなるようなテーパー形状にする工程と、
前記フィルムの貫通された部分から前記貫通孔に貫通金属を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関し、より詳細には、積層可能な半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、例えば、移動体電話機のような携帯型電子機器やＩＣメモリカードの不揮発性記録媒体等に用いられる半導体装置は、その小型化が求められている。そこで、半導体素子を効率的にパッケージングする技術が求められている。その１つとして、半導体素子が形成された半導体装置を積層させるパッケージ・オン・パッケージ（ＰｏＰ）の技術が開発されている。
【０００３】
例えば、特許文献１には、半導体基板の表面に設けられた電極部に対応した部分の半導体基板を貫通し、電極部に接する半田が設けられた半導体装置が開示されている。例えば、特許文献２には、半導体基板の表面に設けられた電極部に対応した部分の半導体基板を貫通し、電極部に接する貫通金属が形成され、貫通金属の露出面に半田が形成された半導体装置が開示されている。特許文献１及び特許文献２に係る発明によれば、複数の半導体装置を積層させる際、一方の半導体装置の電極部と他方の半導体装置の半田とを接合させることで、複数の半導体装置それぞれを電気的に接続させることができる。
【０００４】
また、例えば、特許文献３には、凹凸形状を有する導電層上に半田バンプが形成された半導体装置が開示されている。特許文献３に係る発明によれば、半田バンプが導電層の凹部に入り込んだ状態に形成されるため、半田バンプと導電層との接合強度を向上させることができる。
【特許文献１】特開２００１−６０６５４号公報
【特許文献２】特許第３１８６９４１号公報
【特許文献３】特開２００２−２８０４８４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
半導体素子が形成された半導体装置を積層させる場合において、特許文献２のように、貫通金属の露出面にのみ半田が形成されている場合は、貫通金属と半田との接合強度が不足する場合が生じる。この場合は、貫通金属と半田とが剥離することや、貫通金属と半田との間の抵抗が増大すること等が起こり得る。
【０００６】
また、貫通金属の露出面に半田を形成する際に、半導体基板の厚みは非常に小さく、取り扱い（ハンドリング）が難しいという課題がある。このため、貫通金属の露出面に半田を形成することが難しくなる。
【０００７】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、製造が容易であり、貫通金属と半田との接合強度が大きい半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、基板と、前記基板を貫通し、前記基板の表面に設けられた電極部に接し、前記基板の裏面側から凹部が設けられている貫通金属と、前記凹部に埋め込まれるように、前記基板裏面側の前記貫通金属の露出面に設けられた導電材と、を具備することを特徴とする半導体装置である。本発明によれば、貫通金属と導電材との接着面積の増大及びアンカー効果により、貫通金属と導電材との接合強度を大きくすることができる。
【０００９】
上記構成において、前記貫通金属は、前記電極部より突出している構成とすることができる。この構成によれば、半導体装置を積層させる場合に、上層の半導体装置と下層の半導体装置とを容易に接合させることができる。
【００１０】
上記構成において、前記貫通金属は前記基板に設けられた貫通孔に形成され、前記貫通孔は、前記基板の裏面から設けられた第１開口部と、前記第１開口部の中央部に設けられた第２開口部とからなり、前記第１開口部は、前記基板の裏面から表面に向かうに連れて幅が小さくなるようなテーパー形状をしていて、前記第２開口部は、前記第１開口部の幅の最小部より小さい幅を有している構成とすることができる。
【００１１】
本発明は、基板の表面に形成された電極部に達するように、前記基板に貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔に埋め込まれ、前記基板の裏面側から凹部が設けられた貫通金属を形成する工程と、前記凹部に埋め込まれ、前記基板裏面側の前記貫通金属の露出面に導電材を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法である。本発明によれば、貫通金属と導電材との接着面積の増大及びアンカー効果により、貫通金属と導電材との接合強度の大きな半導体装置を得ることができる。
【００１２】
上記構成において、前記貫通孔を形成する工程は、前記電極部を貫通するように前記貫通孔を形成する工程を含み、前記貫通金属を形成する工程は、前記電極部より突出するように前記貫通金属を形成する工程を含む構成とすることができる。この構成によれば、半導体装置を積層させる場合に、上層の半導体装置と下層の半導体装置とを容易に接合させることができる。
【００１３】
上記構成において、前記貫通孔を形成する工程は、前記基板の裏面から表面に向かうに連れて幅が小さくなるようなテーパー形状をした第１開口部を形成する工程と、前記第１開口部の中央部に、前記第１開口部の幅の最小部より小さい幅を有する第２開口部を形成する工程と、を有する構成とすることができる。
【００１４】
上記構成において、前記貫通金属を形成する工程は、前記基板の裏面側からスキージ印刷を行うことで、前記貫通金属を形成する工程を含む構成とすることができる。この構成によれば、貫通金属の基板裏面側に凹部を容易に形成することができる。
【００１５】
上記構成において、前記第１開口部を保持するように前記基板の裏面上にフィルムを形成する工程を有し、
前記第２開口部を形成する工程は、前記フィルムを貫通させて、前記第２開口部を形成する工程を含み、
前記貫通金属を形成する工程は、前記フィルムの貫通された部分から前記貫通孔に前記貫通金属を形成する工程を含む構成とすることができる。この構成によれば、隣接する貫通金属同士が電気的に接続しショートすることを抑制できる。
【００１６】
上記構成において、前記導電材を形成する工程は、前記フィルムの貫通された部分から前記凹部に前記導電材を形成する工程と、前記フィルムを残存させたまま、前記導電材をリフローする工程と、を有し、前記フィルムは前記リフローにおける温度に対して耐熱性を有する構成とすることができる。この構成によれば、フィルムを支持体として用いることができるため、基板の取り扱い（ハンドリング）が容易となり、貫通金属の露出面に導電材を形成することが容易にできる。また、基板の破損を抑制することもできる。
【００１７】
本発明は、基板の表面に形成された電極部に対応する部分の前記基板に、前記基板の裏面から表面に向かうに連れて幅が小さくなるような第１開口部を形成する工程と、前記第１開口部を保持するように前記基板の裏面上にフィルムを形成する工程と、前記フィルムを貫通させて、前記第１開口部の中央部で前記基板を貫通し、前記第１開口部の幅の最小部より小さい幅を有する第２開口部を形成する工程と、前記第１開口部と前記第２開口部とから貫通孔を形成する工程と、前記フィルムの貫通された部分の形状を、前記基板側に向かうに連れて幅が小さくなるようなテーパー形状にする工程と、前記フィルムの貫通された部分から前記貫通孔に貫通金属を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法である。本発明によれば、基板裏面側の貫通金属の露出面が平面形状をした半導体装置を得ることができる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、貫通金属と導電材との接着面積の増大及びアンカー効果により、貫通金属と導電材との接合強度が大きな半導体装置、及びその半導体装置を容易に製造することが可能な製造方法を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、図面を用い本発明に係る実施例について説明する。
【実施例１】
【００２０】
図１は実施例１に係る半導体装置の一部分の断面図である。図１を参照に、半導体装置１０は、例えばシリコン半導体基板である基板１２を有し、基板１２の表面にはトランジスタ等の半導体素子（不図示）が形成されているとともに、シリコン酸化膜１４と電極部１６とが形成されている。電極部１６は、基板１２の表面に形成されている配線層（不図示）を介して半導体素子に電気的に接続している。
【００２１】
電極部１６に対応した部分の基板１２を貫通する貫通孔２８が形成されている。貫通孔２８は、第１開口部２０と、第１開口部２０の中央部に設けられた第２開口部２６とで構成されている。第１開口部２０は、基板１２裏面から表面に向かうに連れて幅（Ｗ１）が小さくなるようなテーパー形状をしている。また、第２開口部２６は、第１開口部２０の幅（Ｗ１）の最小部より小さい幅（Ｗ２）を有している。
【００２２】
第１開口部２０の内面を含む基板１２の裏面に、例えばシリコン酸化膜からなる絶縁膜２２が形成されている。貫通孔２８に埋め込まれるように、基板１２の裏面側に凹部３０を有する貫通金属３２が形成されている。貫通金属３２は例えば銅からなる。貫通金属３２は基板１２の表面に形成された電極部１６の表面より突出している。貫通金属３２の基板１２裏面側の露出面には、凹部３０に埋め込まれるように半田３４が形成されている。なお、絶縁膜２２は、貫通金属３２と基板１２との電気的接続を防止するために形成されている。
【００２３】
次に、図２（ａ）から図４（ｂ）を用いて実施例１に係る半導体装置の製造方法を説明する。図２（ａ）を参照に、例えば厚み６２５μｍのシリコン半導体基板である基板１２の表面に、図示しないトランジスタ等の半導体素子と配線層とを形成するとともに、シリコン酸化膜１４と電極部１６とを形成する。その後、基板１２の表面を、例えばバックグラインドテープ（ＢＧテープ）１８で保護した後、基板１２の厚みが例えば５０μｍ程度になるまで研磨する。なお、バックグラインドテープ１８は、バックグラインドテープを剥がした後に、基板１２の表面に発生するパーティクル等が非常に少ないという利点があるため、半導体素子等が形成された基板１２の表面を保護するのに用いられる。
【００２４】
図２（ｂ）を参照に、電極部１６に対応する部分の基板１２に、基板１２の裏面から第１開口部２０を形成する。第１開口部２０はシリコン酸化膜１４まで達している。また、第１開口部２０を形成する方法として、例えばレーザー法を用いることができる。レーザー法を用いることで、第１開口部２０の形状は、基板１２の裏面から表面に向かうに連れて幅（Ｗ１）が小さくなるテーパー形状になる。基板１２の裏面付近の第１開口部２０の幅は例えば６０μｍであり、基板１２の表面付近の第１開口部２０の幅は例えば４０μｍである。
【００２５】
図２（ｃ）を参照に、第１開口部２０の内面を含む基板１２の裏面に、例えばシリコン酸化膜からなる絶縁膜２２を形成する。第１開口部２０はテーパー形状をしているため、第１開口部２０の内面にも絶縁膜２２を容易に形成することができる。絶縁膜２２を形成する方法として、例えばＣＶＤ（化学気相成長）法を用いることができる。
【００２６】
図３（ａ）を参照に、第１開口部２０を保持するように、基板１２の裏面上に例えばポリイミドテープ（ＰＩテープ）からなるフィルム２４を形成する。
【００２７】
図３（ｂ）を参照に、基板１２の裏面側から例えばレーザー法を用いて、第１開口部２０の中央部のシリコン酸化膜１４と電極部１６とを除去する。これにより、第１開口部２０の中央部に基板１２と電極部１６とを貫通する第２開口部２６が形成される。フィルム２４にも貫通した第３開口部２７が形成される。第１開口部２０と第２開口部２６とから基板１２を貫通する貫通孔２８が形成される。また、第２開口部２６の幅（Ｗ２）及び第３開口部２７の幅（Ｗ３）は例えば３０μｍである。
【００２８】
図３（ｃ）を参照に、フィルム２４上でスキージ印刷を行ない、フィルム２４の第３開口部２７から貫通孔２８内に銅ペーストを埋め込む。この際、印刷回数を少なくすること、又は印刷後の表面掻き取り時に掻き取りヘラの押し付け圧力を高くすることによって、貫通孔２８内に埋め込まれる銅ペーストの量を少なくする。これにより、貫通孔２８に埋め込まれた銅ペーストは、フィルム２４の第３開口部２７に対応した部分に凹部３０を有する。凹部３０の深さは例えば２０μｍである。その後、銅ペーストにキュアを行ない硬化させる。これらにより、貫通孔２８内に銅からなり、基板１２の裏面側に凹部３０を有する貫通金属３２が形成される。また、貫通金属３２は電極部１６より突出して形成される。
【００２９】
図４（ａ）を参照に、バックグラインドテープ１８を除去した後、フィルム２４上でスキージ印刷を行ない、フィルム２４の第３開口部２７から凹部３０に半田３４を埋め込む。なお、バックグラインドテープ１８を除去する理由は、次の工程で実施する半田３４のリフローでの温度（例えば２５０℃）に耐えられないためである。図４（ｂ）を参照に、基板１２の裏面にフィルム２４を残存させたまま半田３４をリフローする。リフローを行うと、半田３４は貫通金属３２内に拡散する。これにより、貫通金属３２とフィルム２４との間にも半田３４が形成される。特に、第３開口部２７に半田３４が形成されている場合は、供給源となる半田３４の量が多いため、貫通金属３２とフィルム２４との間に半田３４が形成され易くなる。その後、フィルム２４を除去する。
【００３０】
実施例１によれば、図１のように、基板１２の表面に設けられた電極部１６に達するように、基板１２を貫通する貫通孔２８に貫通金属３２が形成されている。貫通金属３２の基板１２の裏面側には凹部３０が形成されている。そして、凹部３０に埋め込まれるように、貫通金属３２の露出面に半田３４が形成されている。このような構成により、貫通金属３２の露出面にのみ半田３４が形成されている場合に比べて、貫通金属３２と半田３４との接着面積を増大させることができる。また、半田３４は貫通金属３２に対してアンカー効果が発揮される。これらにより、貫通金属３２と半田３４との接合強度を大きくすることができる。このため、実施例１に係る半導体装置１０を積層させた場合において、貫通金属３２と半田３４とが剥離することや、貫通金属３２と半田３４との間の抵抗が増大すること等を抑制することが可能となる。
【００３１】
また、図３（ｂ）のように、第１開口部２０の中央部でシリコン酸化膜１４と電極部１６とを除去して第２開口部２６を形成し、第１開口部２０と第２開口部２６とから貫通孔２８を形成する。つまり、貫通孔２８は電極部１６を貫通して形成される。そして、図３（ｃ）のように、貫通孔２８に貫通金属３２を形成する。これにより、図１のように、貫通金属３２は基板１２の表面に形成された電極部１６の表面より突出して形成されている。このため、半導体装置１０を積層させる場合に、上層の半導体装置１０と下層の半導体装置１０との接合を容易に行うことが可能となる。
【００３２】
さらに、図３（ｃ）のように、基板１２の裏面側からスキージ印刷を行ない、貫通孔２８内に銅ペーストを埋め込んで貫通金属３２を形成している。貫通孔２８に埋め込まれる銅ペーストの量が少なくなるような条件のスキージ印刷を用いて貫通金属３２を形成することで、貫通金属３２の基板１２の裏面側に凹部３０を容易に形成することができる。
【００３３】
さらに、図３（ｃ）のように、第１開口部２０を保持するように基板１２の裏面上に形成したフィルム２４上でスキージ印刷を行ない、フィルム２４に形成された第３開口部２７から貫通孔２８に貫通金属３２を形成している。このため、図４（ｂ）のように、フィルム２４を除去した後において、基板１２の裏面に銅ペーストが残存することを抑制できる。よって、隣接する貫通金属３２同士が電気的に接続して、ショートすることを抑制できる。
【００３４】
さらに、図２（ａ）で示したように、基板１２の厚みは例えば５０μｍ程度と非常に小さいため、そのままでは取り扱い（ハンドリング）が難しい。そこで、基板１２の表面を保護する目的で形成したバックグラインドテープ１８を支持体として用いることで、基板１２の取り扱い（ハンドリング）を容易にすることができる。しかしながら、バックグラインドテープ１８は、半田３４のリフローの温度に耐えられないため、半田３４を形成する工程においては除去しなければならない。したがって、このままでは貫通金属３２の露出面に半田３４を形成することが難しくなってしまう。また、例えば、半田３４のリフローの温度に耐え得る材料であるポリイミドテープを基板１２の表面の保護として用いると、ポリイミドテープを除去した後に、基板１２の表面に粘着剤やパーティクル等が残ることがある。これにより、基板１２の表面に形成した半導体素子の特性や信頼性の劣化を発生させることがある。このため、基板１２表面にポリイミドテープを用いることはできない。
【００３５】
しかしながら、実施例１によれば、図３（ａ）のように、基板１２の裏面にフィルム２４を形成し、図４（ａ）のように、フィルム２４上でスキージ印刷を行うことで、フィルム２４の第３開口部２７から凹部３０に埋め込まれるように半田３４を形成している。そして、図４（ｂ）のように、フィルム２４を残存させたまま、半田３４のリフローを行っている。基板１２の裏面にフィルム２４が形成されていることで、フィルム２４を支持体として用いることができ、基板１２の取り扱い（ハンドリング）は容易になる。したがって、貫通金属３２の露出面に半田３４を容易に形成することができる。また、フィルム２４により基板１２の強度を保つこともできるため、基板１２が破損することの抑制もできる。なお、フィルム２４は、ポリイミドテープ等のように、半田３４のリフローの温度に対して耐熱性を有する材料からなる場合が好ましい。
【００３６】
さらに、貫通孔２８を形成するために、図２（ｂ）のように、基板１２の裏面から表面に向かうに連れて幅が小さくなるようなテーパー形状をした第１開口部２０を形成している。図３（ｂ）のように、第１開口部２０の中央部に、第１開口部２０の幅の最小部より小さい幅を有する第２開口部２６を形成している。そして、第１開口部２０と第２開口部２６とから貫通孔２８を形成している。
【００３７】
第２開口部２６の幅を第１開口部２０の幅の最小部より小さくするのには以下の２つの理由がある。１つ目の理由は、第２開口部２６を形成する際に第１開口部２０に対して生じる位置ずれの製造マージンを確保するためである。
【００３８】
また、図３（ｂ）のように、第２開口部２６の形成と同時に、フィルム２４には第３開口部２７が形成される。そして、図３（ｃ）のように、第３開口部２７から凹部３０を有する貫通金属３２を形成している。ここで、凹部３０は第３開口部２７に対応した部分に形成される。このため、凹部３０の深さは第３開口部２７の幅の大きさに依存することになる。つまり、第３開口部２７の幅が大きくなるに従い、形成可能な凹部３０の深さは小さくなる。よって、２つ目の理由は、第３開口部２７の幅（つまり、第２開口部２６の幅）を小さくして、深さの大きい凹部３０を形成するためである。例えば、凹部３０の深さを２０μｍ程度にしたい場合は、第３開口部２７の幅（つまり、第２開口部２６の幅）を３０μｍ程度にすることが好ましい。
【００３９】
さらに、図４（ａ）のように、スキージ印刷を用いて基板１２裏面側の貫通金属３２の露出面に半田３４を形成している。これにより、基板１２の表面に形成された電極部１６上に、半田メッキ法により半田バンプを形成する方法に比べて、安価に半田３４付き貫通金属３２を形成することができる。
【００４０】
実施例１において、貫通金属３２は銅からなる場合を例に示したが、これに限られず、その他の導電体からなる場合でもよい。特に、スキージ印刷で形成できる材料からなる場合が好ましい。また、貫通金属３２の露出面に形成される導電材に半田３４を用いた場合を例に示したが、これに限られず、その他の導電材を用いることができる。特に、貫通金属３２より低融点の材料である場合が好ましい。さらに、第１開口部２０はレーザー法を用いて形成する場合を例に示したが、これに限られず、例えばプラズマドライエッチングやKOH（水酸化カリウム）溶液等のウエットエッチングを用いて形成してもよい。
【実施例２】
【００４１】
図５（ａ）及び図５（ｂ）を用いて、実施例２に係る半導体装置の製造方法を説明する。まず、実施例１の図２（ａ）から図３（ｂ）で示した製造工程を実施する。その後、図５（ａ）を参照に、レーザー法を用い、レーザーのビーム形状を整形することにより、第３開口部２７の形状を、基板１２側に向かうに連れて幅（Ｗ３）が小さくなるようなテーパー形状にする。その後、フィルム２４上でスキージ印刷を行ない、フィルム２４の第３開口部２７から貫通孔２８内に銅ペーストを埋め込む。これにより、貫通孔２８内に銅ペーストからなる貫通金属３２が形成される。また、貫通金属３２は電極部１６より突出して形成される。図５（ｂ）を参照に、バックグラインドテープ１８及びフィルム２４を除去する。
【００４２】
実施例２によれば、図５（ａ）のように、第３開口部２７の形状を、基板１２側に向かうに連れて幅が小さくなるようなテーパー形状にした後、第３開口部２７から貫通孔２８に埋め込まれるように貫通金属３２を形成する。このように、テーパー形状をした第３開口部２７から貫通孔２８内に貫通金属３２を形成する場合、図５（ｂ）のように、フィルム２４を除去する際に、第３開口部２７内に形成された銅ペーストを一緒に除去することができる。このため、基板１２裏面側の貫通金属３２の露出面を平面形状とすることが容易にできる。貫通金属３２の露出面が凹凸の形状をしている場合は、半導体装置を積層させる際、上層の半導体装置と下層の半導体装置との接合が難しくなる場合がある。しかしながら、貫通金属３２の露出面が平面形状をしている場合は、上層の半導体装置と下層の半導体装置との接合を容易に実施することができる。
【００４３】
例えば、貫通孔２８を完全に埋め込むように貫通金属３２を形成する場合、第３開口部２７がストレート形状をしていると、貫通孔２８から溢れ第３開口部２７内に形成された銅ペーストは、フィルム２４を除去してもそのまま残存してしまう。このため、貫通金属３２の露出面を平面形状とすることは難しい。しかしながら、実施例２のように、第３開口部２７がテーパー形状をしていると、第３開口部２７内に形成された銅ペーストは、フィルム２４と一緒に除去される。したがって、第３開口部２７まで溢れて銅ペーストを形成しても、貫通金属３２の露出面を平面形状にすることができる。よって、貫通孔２８に埋め込む銅ペーストの量を細かく制御する必要がなくなり、貫通金属３２の形成を容易に行うことができる。
【００４４】
さらに、図５（ａ）のように、フィルム２４上でスキージ印刷を行ない、貫通孔２８内に貫通金属３２を形成することで、図５（ｂ）のように、フィルム２４を除去した後において、基板１２の裏面に銅ペーストが残存することを抑制できる。よって、隣接する貫通金属３２同士が電気的に接続して、ショートすることを抑制できる。
【００４５】
さらに、図５（ｂ）のように、貫通金属３２は基板１２表面に形成された電極部１６より突出して形成される。このため、半導体装置１０を積層させる場合に、上層の半導体装置１０と下層の半導体装置１０との接合を容易に行うことが可能となる。
【００４６】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】図１は実施例１に係る半導体装置の一部分の断面図である。
【図２】図２（ａ）から図２（ｃ）は実施例１に係る半導体装置の製造方法を示す断面図（その１）である。
【図３】図３（ａ）から図３（ｃ）は実施例１に係る半導体装置の製造方法を示す断面図（その２）である。
【図４】図４（ａ）及び図４（ｂ）は実施例１に係る半導体装置の製造方法を示す断面図（その３）である。
【図５】図５（ａ）及び図５（ｂ）は実施例２に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４８】
１０  半導体装置
１２  基板
１４  シリコン酸化膜
１６  電極部
１８  バックグラインドテープ
２０  第１開口部
２２  絶縁膜
２４  フィルム
２６  第２開口部
２７  第３開口部
２８  貫通孔
３０  凹部
３２  貫通金属
３４  半田
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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