(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の上面に設けられた下部電極と、
前記下部電極の上面に形成された放射線検出層と、
前記放射線検出層の上面に形成された上部電極と、
前記上部電極の上面から前記基板の端面にかけて形成され、かつ、前記基板の端面に達する端縁を有し、前記上部電極を覆う保護層と、
前記基板の下面から前記保護層の表面にかけて形成され、前記保護層の前記端縁を覆う補強部材と、
を備え、
前記端縁は、前記基板の下面よりも下側へはみ出さない位置に位置することを特徴とする放射線検出器。
【請求項２】
前記端縁は、前記基板の下面と一致する位置に位置することを特徴とする請求項１に記載の放射線検出器。
【請求項３】
前記補強部材は、入射する放射線を検出する検出領域の領域外に形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の放射線検出器。
【請求項４】
前記補強部材は、絶縁性を有する絶縁体であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の放射線検出器。
【請求項５】
前記補強部材は、該補強部材が形成される被形成面に沿って変形可能なフレキシブル部材であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の放射線検出器。
【請求項６】
前記補強部材は、該補強部材が形成される被形成面に沿って予め成形され、前記被形成面に貼り付けられる成形部材であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の放射線検出器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、医療用のＸ線撮影装置などに用いられる放射線検出器に関する。
【背景技術】
【０００２】
放射線検出器としては、Ｘ線等の放射線がまず光に変換された後にその変換光がさらに光電変換で電気信号に変換される間接変換型の放射線検出器と、入射した放射線が電荷変換層により直に電気信号に変換される直接変換型の放射線検出器と、が知られている。また、輝尽性蛍光体を用いた放射線検出器としては、特許文献１に開示される放射線検出器が公知である。
【０００３】
特許文献１の放射線検出器では、保護層としての防湿保護フィルムが、基板の側面および裏面に沿って折り曲げられた折曲部および端部を有し、この端部が封止接着層により一辺部側の基板の底面に接着されている。基板の底面に接着された防湿保護フィルムの接着長は、防湿効果が得られる長さであり、２ｍｍ以上である。
【０００４】
この構成によれば、基板の少なくとも一辺部側における蛍光体層と基板の側面との距離が短く、防湿保護フィルムを基板の表面に接着しても防湿効果を得ることができない場合であっても、所定の防湿効果を得ることができる。このため、蛍光体層の端部と基板の側面との距離を近くして胸壁部分の撮影に必要な画像位置を確保できる。これにより、マンモグラフィに好適に用いることができる。
【特許文献１】特開２００６−５８１７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、防湿保護フィルムが経時的に劣化したり、防湿保護フィルムに外部から接触したりすることにより、防湿保護フィルムの端部に捲れが生じやすい。
【０００６】
防湿保護フィルムの端部に捲れが生じると、防湿保護フィルムがはがれ、防湿保護フィルムが破損してしまう。
【０００７】
本発明は、上記事実を考慮し、放射線検出器の基板の端面における保護層の破損を抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の請求項１に係る放射線検出器は、基板と、前記基板の上面に設けられた下部電極と、前記下部電極の上面に形成された放射線検出層と、前記放射線検出層の上面に形成された上部電極と、前記上部電極の上面から前記基板の端面にかけて形成され、かつ、前記基板の端面に達する端縁を有し、前記上部電極を覆う保護層と、前記基板の下面から前記保護層の表面にかけて形成され、前記保護層の前記端縁を覆う補強部材と、を備え、前記端縁は、前記基板の下面よりも下側へはみ出さない位置に位置することを特徴とする。
【０００９】
この構成によれば、放射線検出層が、基板上に設けられた下部電極の上面に形成されている。保護層が、放射線検出層の上面に形成された上部電極上を覆い、保護層の端部は、基板の端面に達している。
【００１０】
基板の下面から保護層の表面にかけて形成された補強部材が、保護層の端部を覆う。これにより、保護層の端部の基板端面への付着性が向上し、時間が経過しても保護層の端部に捲れが発生しにくく、保護層の破損を抑制できる。
【００１１】
本発明の請求項３に係る放射線検出器は、請求項１又は２の構成において、前記補強部材は、入射する放射線を検出する検出領域の領域外に形成されていることを特徴とする。
【００１２】
この構成によれば、補強部材は、入射する放射線を検出する検出領域の領域外に形成されているので、補強部材が放射線検出の妨げとならない。
【００１３】
本発明の請求項４に係る放射線検出器は、請求項１〜３のいずれか１項の構成において、前記補強部材は、絶縁性を有する絶縁体であることを特徴とする。この構成によれば、上部電極の絶縁性を確保できる。
【００１４】
本発明の請求項５に係る放射線検出器は、請求項１〜４のいずれか１項の構成において、前記補強部材は、該補強部材が形成される被形成面に沿って変形可能なフレキシブル部材であることを特徴とする。
【００１５】
この構成によれば、補強部材を被形成面に形成しやすく、また、補強部材が被形成面の凹凸に追従するので、被形成面への付着性が向上する。
【００１６】
本発明の請求項６に係る放射線検出器は、請求項１〜４のいずれか１項の構成において、前記補強部材は、該補強部材が形成される被形成面に沿って予め成形され、前記被形成面に貼り付けられる成形部材であることを特徴とする。
【００１７】
この構成によれば、放射線検出器の製造が単純化でき、また、補強部材の剛性を高めることができる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明は、上記構成としたので、放射線検出器の基板の端面における保護層の破損を抑制できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下に、本発明に係る放射線検出器の実施形態の一例を図面に基づき説明する。
【００２０】
本実施形態に係る放射線検出器は、Ｘ線撮影装置等に使用されるものであり、放射線の照射を受けることにより導電性を呈する光導電層を含む静電記録部を備えてなり、画像情報を担持する放射線の照射を受けて画像情報を記録し、記録した画像情報を表す画像信号を出力するものである。
【００２１】
放射線検出器としては、光の照射により電荷を発生する半導体材料を利用して読み取る、いわゆる光読取方式の放射線検出器と、放射線の照射により発生した電荷を蓄積し、その蓄積した電荷を薄膜トランジスタ（TFT：thin film transistor）などの電気的スイッチを１画素ずつオン・オフすることにより読み取る方式（以下、TFT方式という）の放射線検出器等がある。
【００２２】
（光読取方式の放射線検出器の構成）
まず、光読取方式の放射線検出器としての放射線検出基板500について説明する。図１（Ａ）、（Ｂ）は、放射線検出基板500の概略図を示している。本実施形態に係る放射線検出基板500は、特に、乳房用Ｘ線検出に用いられるマンモグラフィである。
【００２３】
図１（Ａ）、（Ｂ）に示すように、放射線検出基板500にはTCP510とそれを介して接続される読み出し装置512、高電圧を印加するための高電圧配線514が接続されている。
【００２４】
TCP(Tape Carrier Package)510は、信号検出用IC(チャージアンプIC)511を搭載したフレキシブルの配線基板である。このTCP510はACF(Anisotropic Conductive Film 異方性導電膜)を用いて熱圧着にて接続される。
【００２５】
検出領域516上部の上部電極518から延長された延長電極部519が形成されており、この延長電極部519で高電圧配線514は、導電性接着剤にて固定されている。放射線を検出する検出領域516は、信号読み出しと高電圧印加のための下部電極520、放射線を電荷に変換するための放射線検出層522、高電圧を印加する上部電極518から構成される。
【００２６】
この放射線検出基板500の製造は大きく分けて、下部電極520を含む放射線検出用下部基板524の製造、放射線検出層522及び上部電極518の形成、高電圧配線514の接続に分けられる。
【００２７】
以下、放射線検出用下部基板524の構造について説明する。図２には、放射線検出用下部基板524の概略構造が示されている。図２では、TCP510は左右1つずつ、チャンネル数も各3チャンネル、合計6チャンネルと単純化している。放射線検出用下部基板524は、図２に示すように、放射線検出部526、ピッチ変換部528、TCP接続部530から構成されている。
【００２８】
放射線検出部526は、信号取り出しのための下部電極520がストライプ状（線状）に配置されている。また、その下層には透明の有機絶縁層532を介して一部任意の波長の光だけを透過させるカラーフィルター層534が形成されている。
【００２９】
カラーフィルター層534上部にある層を共通Bライン520Ｂ、カラーフィルター層534のない部分にある信号Sライン520Ｓと呼ぶ。Bライン520Ｂは放射線検出部の外側で共通化され、くし型電極構造を有している。Sライン520Ｓは信号ラインとして用いられる。Bライン520Ｂの幅は、例えば20um、Sライン520Ｓの幅は、例えば10umとされ、Bライン520ＢとSライン520Ｓとの間隔は、例えば、10umである。
【００３０】
カラーフィルター層534の幅は、例えば、30umである。下部電極520は、裏面より光を照射するため透明であることと、高電圧印加時の電界集中による破壊などを避けるため平坦性が必要であり、たとえばIZO、ITOが用いられる。IZOを用いた場合、厚さは0.2μm、平坦性はRa=1nm程度である。
【００３１】
カラーフィルター層534は、顔料を分散させた感光性のレジスト、例えばLCDのカラーフィルターに用いられる赤色レジストである。このカラーフィルター層534の段差を無くすために感光性有機の透明絶縁層532、たとえばPMMAが用いられる。
【００３２】
更に支持部材となる基板536は透明で剛性のあるガラスが望ましく、さらにはソーダライムガラスが望ましい。各層の厚さの一例は、下部電極520が0.2um、カラーフィルター層534が1.2um、有機透明絶縁層532が1.8um、ガラス基板536が1.8mmである。このカラーフィルター層534、有機絶縁層532は放射線検出部526のみにあり、その境界は放射線検出部526、ピッチ変換部528にある。このためIZO配線は有機絶縁層532の境界段差部分を介してTCP接続部530ではガラス基板536上に形成される。
【００３３】
放射線検出部526ではある数を単位として左右のTCP510へ配線が取り出される。図２では3ライン単位である。ライン数の一例は２５６ラインである。放射線検出部526でのライン幅はTCP接続部530でのライン幅と異なりこれを調整することと、所定のTCP接続位置まで配線を引き回すためピッチ変換部528にてライン幅が調整される。Bライン520Ｂは共通化されて同様にTCP接続部530へ引き出される。
【００３４】
TCP接続部530では信号Sライン520Ｓと放射線検出部外側で共通化された共通Bライン520Ｂが配置される。共通Bライン520Ｂは信号Sライン520Ｓの外側に配置される。その数の一例としては信号ライン２５６、共通ライン上下各5ラインを用いてTCPへ接続される。その電極ライン/スヘ゜ースは40/40umである。
【００３５】
また、このTCP接続部530にてTCPを接続するためTCP用のアライメントマークが必要である。透明電極で形成することが望ましいが、透明なため認識が難しく、不透明な材料として、例えばこの基板の構成部材であるカラーフィルター層534を用いて合わせマークを形成する。
【００３６】
次に、放射線検出層522について説明する。図３は、放射線検出基板500の構成を模式的に示した概略図である。放射線検出層は、図３に示すように、記録用光導電層542、電荷蓄積層544、読取用光導電層546、電極界面層548、下引き層550、上引き層552を備えて構成されている。
【００３７】
＜記録用光導電層＞
記録用光導電層542は、電磁波を吸収し電荷を発生する光導電物質であり、アモルファスセレン化合物、Bi12MO20(M：Ti、Si、Ge)、Bi4M3O12 (M：Ti、Si、Ge)、Bi2O3、BiMO4（Ｍ：Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ）、Bi2WO6、Bi24B2O39、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe，MNbO3(M：Li、Na、K)、PbO，HgI2、PbI2，CdS、CdSe、CdTe、BiI3、GaAs等のうち少なくとも１つを主成分とする化合物により構成される。この中で特にアモルファスセレン化合物よりなることが好ましい。
【００３８】
アモルファスセレン化合物の場合には、その層中にLi, Na, K, Cs, Rb等のアルカリ金属を0.001ppmから１ppmまでの間で微量にドープしたもの、LiF, NaF, KF, CsF, RbF等のフッ化物を10ppmから10000ppmまでの間で微量にドープしたもの、P、As、Sb、Geを50ppmから0.5%までの間添加したもの、Asを10ppmから0.5%までドープしたもの、  Cl、Br、Iを1ppmから100ppmの間で微量にドープしたもの、を用いることができる。
【００３９】
特に、Ａｓを10ppmから200ppm程度含有させたアモルファスセレン、Asを０．２％〜１％程度含有させさらにClを5ppm〜100ppm含有させたアモルファスセレン、0.001ppm〜１ppm程度のアルカリ金属を含有させたアモルファスセレンが好ましく用いられる。
【００４０】
また、数ナノから数ミクロンのBi12MO20(M：Ti、Si、Ge)、Bi4M3O12 (M：Ti、Si、Ge)、Bi2O3、BiMO4（Ｍ：Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ）、Bi2WO6、Bi24B2O39、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe，MNbO3(M：Li、Na、K)、PbO，HgI2、PbI2，CdS、CdSe、CdTe、BiI3、GaAs等の光導電性物質微粒子を含有させたものも用いることができる。
【００４１】
記録用光導電層542の厚みは、アモルファスセレンの場合100μｍ以上２０００μｍ以下であることが好ましい。特にマンモグラフィ用途では150μｍ以上250μｍ以下、一般撮影用途においては500μｍ以上１２００μｍ以下の範囲であることが特に好ましい。
【００４２】
＜電荷蓄積層＞
電荷蓄積層544は、蓄積したい極性の電荷に対して絶縁性の膜であれば良く、アクリル系有機樹脂、ポリイミド、BCB、PVA、アクリル、ポリエチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルイミド等のポリマーやAs2S3、Sb2S3、ZnS等の硫化物、その他に酸化物、フッ化物より構成される。更には、蓄積したい極性の電荷に対して絶縁性であり、それと逆の極性の電荷に対しては導電性を有する方がより好ましく、移動度×寿命の積が、電荷の極性により3桁以上差がある物質が好ましい。
【００４３】
好ましい化合物としては、As2Se3、As2Se3にCl、Br、Iを500ppmから20000ppmまでドープしたもの、As2Se3のSeをTeで50%程度まで置換したAS2(SexTe1-x)3(0.5<x<1)もの、As2Se3のSeをSで50%程度まで置換したもの、As2Se3からAs濃度を±15%程度変化させたもの、アモルファスSe-Te系でTeを5-30wt%のものを挙げることができる。
【００４４】
この様なカルコゲナイド系元素を含む物質を用いる場合、電荷蓄積層544の厚みは0.4μｍ以上3.0μｍ以下であること好ましく、より好ましくは0.5μｍ以上２μｍ以下である。この様な電荷蓄積層544は、1度の製膜で形成しても良いし、複数回に分けて積層しても良い。
【００４５】
有機膜を用いた好ましい電荷蓄積層544としては、アクリル系有機樹脂、ポリイミド、BCB、PVA、アクリル、ポリエチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルイミド等のポリマーに対し、電荷輸送剤をドープした化合物が好ましく用いられる。好ましい電荷輸送剤としては、トリス(8-キノリノラト)アルミニウム(Alq3)、N,N-シ゛フェニル-N,N-シ゛(m-トリル)ヘ゛ンシ゛シ゛ン(TPD)、ホ゜リハ゜ラフェニレンヒ゛ニレン(PPV)、ホ゜リアルキルチオフェン、ホ゜リヒ゛ニルカルハ゛ソ゛ール(PVK)、トリフェニレン(TNF)、金属フタロシアニン、4-(シ゛シアノメチレン)-2-メチル-6-(p-シ゛メチルアミノスチリル)-4H-ヒ゜ラン(DCM)、液晶分子、ヘキサヘ゜ンチロキシトリフェニレン、中心部コアがπ共役縮合環あるいは遷移金属を含有するテ゛ィスコティック液晶分子、カーホ゛ンナノチューフ゛、フラーレンからなる群より選択される分子を挙げることができる。ト゛ーフ゜量は0.1から50wt.%の間で設定される。
【００４６】
＜読取用光電導層＞
読取用光導電層546は、電磁波、特に可視光を吸収し電荷を発生する光導電物質であり、アモルファスセレン化合物、アモルファスSi:H、結晶Si、GaAs等のエネルギーギャップが0.7-2.5eVの範囲に含まれる半導体物質を用いることができる。特にアモルファスセレンであることが好ましい。
【００４７】
アモルファスセレン化合物の場合には、その層中にLi, Na, K, Cs, Rb等のアルカリ金属を0.001ppmから１ppmまでの間で微量にドープしたもの、LiF, NaF, KF, CsF, RbF等のフッ化物を10ppmから10000ppmまでの間で微量にドープしたもの、P、As、Sb、Geを50ppmから0.5%までの間添加したもの、Asを10ppmから0.5%までドープしたもの、Cl、Br、Iを1ppmから100ppmの間で微量にドープしたもの、を用いることができる。
特に、Ａｓを10ppmから200ppm程度含有させたアモルファスセレン、Asを０．２％〜１％程度含有させさらにClを5ppm〜100ppm含有させたアモルファスセレン、0.001ppm〜１ppm程度のアルカリ金属を含有させたアモルファスセレンが好ましく用いられる。
【００４８】
読取光導電層546の厚みは、読取光を十分吸収でき、かつ電荷蓄積層544に蓄積された電荷による電界が光励起された電荷をドリフトできれば良く、1umから30um程度が好ましい。
【００４９】
＜電極界面層＞
電極界面層548は、記録用光導電層542と上部電極518の間、あるいは読取用光導電層546と下部電極520の間に敷設される。結晶化を防止する目的において、アモルファスセレンにAsが1%-20%の範囲で添加されたもの、S、Te、P、Sb、Geを1%から10%の範囲で添加したもの、上記の元素と他の元素を組合せて添加したものが好ましい。
【００５０】
または、より結晶化温度の高いAs2S3やAs2Se3も好ましく用いることができる。更に、電極層からの電荷注入を防止する目的で上記、添加元素に加えて、特に正孔注入を防止するためにLi、Na、K、Rb、Cs等のアルカリ金属や、LiF、NaF、KF、RbF、CsF、LiCl、NaCl、KCl、RbF、CsF、CsCl、CsBr等の分子を10ppm-5000ppmの範囲でト゛ーフ゜することも好ましい。  逆に電子注入を防止するためには、Cl、I、Br等のハロゲン元素や、In2O3等の分子を10ppm-5000ppmの範囲でト゛ーフ゜することも好ましい。界面層の厚みは、上記目的を十分果たすように0.05umから1umの間に設定されることが好ましい。
【００５１】
上記の電極界面層548、読取用光導電層546、電荷蓄積層544、記録用光導電層542は、真空度10-3から10-7Torrの間の真空槽内において、基板を25℃以上70℃以下の間に保持し、上記各合金を入れたホ゛ート、あるいはルツボを、抵抗加熱あるいは電子ヒ゛ームにより昇温し、合金、化合物を蒸発または昇華させることにより基板上に積層される。
【００５２】
合金、化合物の蒸発温度が大きく異なる場合には、複数の蒸着源に対応した複数のホ゛ートを同時に加熱し個々に制御することで、添加濃度、ト゛ーフ゜濃度を制御することも好ましく用いられる。例えば、As2Se3・アモルファスセレン・LiFをそれぞれホ゛ートに入れ、As2Se3のホ゛ートを340℃、アモルファスセレン(a-Se)のホ゛ートを240℃、LiFのホ゛ートを800℃として、各ホ゛ートのシャッターを開閉することで、As10%ドープアモルファスセレンにLiFを5000ppmドープした層を形成することができる。
【００５３】
＜下引き層＞
読取用光導電層546と下部電極（電荷収集電極）520の間には、下引き層550を設けることが出来る。電極界面層（結晶化防止層（Ａ層））548がある場合には、電極界面層548と下部電極520の間に設けることが好ましい。下引き層550は、暗電流、リーク電流低減の観点から、整流特性を有することが好ましい。上部電極518に正バイアスが印加される時には電子ブロック性を、負バイアスが印加される時にはホールブロック性を有することが好ましい。
【００５４】
この下引き層の抵抗率は、１０８Ωｃｍ以上であること、膜厚は、０．０１μｍ〜１０μｍであることが好ましい。電子ブロック性を有する層、すなわち電子注入阻止層としては、Ｓｂ２Ｓ３，ＳｂＴｅ，ＺｎＴｅ，ＣｄＴｅ，ＳｂＳ，ＡｓＳｅ，Ａｓ２Ｓ３等の組成から成る層、または有機高分子層が好ましい。有機高分子層としては、ＰＶＫ等のホール輸送性高分子、またはポリカーボネート、ポリスチレン、ポリイミド、ポリシクロオレフィン等の絶縁性高分子に、ＮＰＤ，ＴＰＤを混合した膜を好ましく用いることが出来る。
【００５５】
ホールブロック性を有する層、すなわち正孔注入阻止層としては、ＣｄＳ，ＣｅＯ２，等の膜、または有機高分子層が好ましい。有機高分子層としては、たはポリカーボネート、ポリスチレン、ポリイミド、ポリシクロオレフィン等の絶縁性高分子に、Ｃ６０（フラーレン）、Ｃ７０等のカーボンクラスターを混合した膜を好ましく用いることが出来る。
【００５６】
一方、薄い絶縁性高分子層も好ましく用いることが出来、例えば、パリレン、ポリカーボネート、ＰＶＡ、ＰＶＰ，ＰＶＢ，ポリエステル樹脂、ポリメチルメタクリレート等のアクリル樹脂が好ましい。この時の膜厚としては、２μｍ以下が好ましく、０．５μｍ以下がより好ましい。
【００５７】
＜上引き層＞
記録用光導電層542と上部電極（電圧印加電極）518の間には、上引き層552を設けることが出来る。電極界面層（結晶化防止層（Ｃ層））548がある場合には、電極界面層548と上部電極518の間に設けることが好ましい。上引き層552は、暗電流、リーク電流低減の観点から、暗電流、リーク電流低減の観点から、整流特性を有することが好ましい。
【００５８】
上部電極518に正バイアスが印加される時にはホールブロック性を、負バイアスが印加される時には電子ブロック性を有することが好ましい。この上塗り層の抵抗率は、１０８Ωｃｍ以上であること、膜厚は、０．０１μｍ〜１０μｍであることが好ましい。
【００５９】
電子ブロック性を有する層、すなわち電子注入阻止層としては、Ｓｂ２Ｓ３，ＳｂＴｅ，ＺｎＴｅ，ＣｄＴｅ，ＳｂＳ，ＡｓＳｅ，Ａｓ２Ｓ３等の組成から成る層、または有機高分子層が好ましい。有機高分子層としては、ＰＶＫ等のホール輸送性高分子、またはポリカーボネート、ポリスチレン、ポリイミド、ポリシクロオレフィン等の絶縁性高分子に、ＮＰＤ，ＴＰＤを混合した膜を好ましく用いることが出来る。
【００６０】
ホールブロック性を有する層、すなわち正孔注入阻止層としては、ＣｄＳ，ＣｅＯ２，等の膜、または有機高分子層が好ましい。有機高分子層としては、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリイミド、ポリシクロオレフィン等の絶縁性高分子に、Ｃ６０（フラーレン）、Ｃ７０等のカーボンクラスターを混合した膜を好ましく用いることが出来る。
【００６１】
一方、薄い絶縁性高分子層も好ましく用いることが出来、例えば、パリレン、ポリカーボネート、ＰＶＡ、ＰＶＰ，ＰＶＢ，ポリエステル樹脂、ポリメチルメタクリレート等のアクリル樹脂が好ましい。この時の膜厚としては、２μｍ以下が好ましく、０．５μｍ以下がより好ましい。
【００６２】
次に、上部電極518について説明する。
【００６３】
＜上部電極＞
記録用光導電層542の上面に形成される上部電極518としては金属薄膜が好ましく用いられる。材料としてはＡｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｍｇ、ＭｇＡｇ3-20%合金、Ｍｇ-Ａｇ系金属間化合物、ＭｇＣｕ3-20%合金、Ｍｇ-Ｃｕ系金属間化合物などの金属から形成するようにすればよい。
【００６４】
特にＡｕやＰｔ、Ｍｇ-Ａｇ系金属間化合物が好ましく用いられる。例えばＡｕを用いた場合、厚みとして15ｎｍ以上200ｎｍ以下であることが好ましく、より好ましくは30nm以上100nm以下である。例えばＭｇＡｇ3-20%合金を用いた場合は、厚さ100ｎｍ以上400ｎｍ以下を用いることがより好ましい。
【００６５】
作成方法は任意であるが、抵抗加熱方式による蒸着により形成されることが好ましい。
たとえば、抵抗加熱方式によりボート内で金属塊が融解後にシャッターを開け、15秒間蒸着し一旦冷却する。抵抗値が十分低くなるまで複数回繰り返すことで形成される。
【００６６】
ここで、好ましい層構成の例を示す。なお、本発明はこれに限定される物ではない。その断面のモデル図を図３に示す。
【００６７】
＜構成１＞
図１、図２に示すような、放射線検出用下部基板524の上に、以下の順に層構成を作製した。下部電極520としては表面粗さRa<1nmの平坦なIZO電極を用いた。
下引き層550      ：CeO2  厚み20nm
下電極界面層548  ：As10%ドープアモルファスセレン：LiF500ppmドープ、厚み0.1μｍ
読取用光電導層546：アモルファスセレン                              、厚み７μｍ
電荷蓄積層544    ：As2Se3                                        、厚み１μｍ
記録用光導電層542：アモルファスセレン  Naを0.001ppm含有      、厚み２００μｍ
上電極界面層548  ：As10%ドープアモルファスセレン              、厚み0.2μｍ
上引き層552      ：Sb2S3  厚み0.5μｍ
上部電極518      ：Au  厚み70nm
【００６８】
＜構成２＞
図１、図２に示すような、放射線検出用下部基板524の上に、以下の順に層構成を作製した。下部電極520としては表面粗さRa<1nmの平坦なIZO電極を用いた。
下引き層550      ：なし
下電極界面層548  ：As3%ドープアモルファスセレン                    、厚み0.15μｍ
読取用光電導層546：アモルファスセレン                              、厚み15μｍ
電荷蓄積層544    ：As2Se3                                        、厚み2μｍ
記録用光導電層542：アモルファスセレン  Naを0.001ppm含有      、厚み１８０μｍ
上電極界面層548  ：As10%ドープアモルファスセレン              、厚み0.1μｍ
上引き層552      ：Sb2S3  厚み0.2μｍ
上部電極518      ：Au  厚み150nm
【００６９】
＜構成３＞
図１、図２に示すような、放射線検出用下部基板524の上に、以下の順に層構成を作製した。下部電極520としては表面粗さRa<1nmの平坦なIZO電極を用いた。
下引き層550      ：CeO2  厚み30nm
下電極界面層548  ：As6%ドープアモルファスセレン                    、厚み0.25μｍ
読取用光電導層546：アモルファスセレン                              、厚み10μｍ
電荷蓄積層544    ：As2Se3                                        、厚み0.6μｍ
記録用光導電層542：アモルファスセレン  Naを0.001ppm含有      、厚み２３０μｍ
上電極界面層548  ：As10%ドープアモルファスセレン              、厚み0.3μｍ
上引き層552      ：Sb2S3  厚み0.3μｍ
上部電極518      ：Au  厚み100nm
【００７０】
＜電荷取り出しアンプ＞
本実施形態において、電荷はアンプを通して増幅後ＡＤ変換される。図４は、電荷取り出しアンプの構成、並びにこれらと放射線検出基板500の外部に配された画像処理装置１５０などとの接続態様を示したブロック図である。
【００７１】
電荷取り出しアンプとしてのチャージアンプＩＣ511は、放射線検出基板500の各エレメント１５ａごとに接続された多数のチャージアンプ３３ａおよびサンプルホールド（Ｓ／Ｈ）３３ｂ、各サンプルホールド３３ｂからの信号をマルチプレクスするマルチプレクサ３３ｃを備えている。
【００７２】
下部電極から流れ出す電流は、各チャージアンプ３３ａにより電圧に変換され、該電圧がサンプルホールド３３ｂにより所定のタイミングでサンプルホールドされ、サンプルホールドされた各エレメント１５ａに対応する電圧がエレメント１５ａの配列順に切り替わるようにマルチプレクサ３３ｃから順次出力される（主走査の一部に相当する）。
【００７３】
マルチプレクサ３３ｃから順次出力された信号はプリント基板３１上に設けられたマルチプレクサ３１ｃに入力され、さらに各エレメント１５ａに対応する電圧がエレメント１５ａの配列順に切り替わるようにマルチプレクサ３１ｃから順次出力され主走査が完了する。
【００７４】
マルチプレクサ３１ｃから順次出力された信号はＡ／Ｄ変換部３１ａによりデジタル信号に変換され、デジタル信号がメモリ３１ｂに格納される。一旦メモリ３１ｂに格納された画像信号は、信号ケーブルを介して外部の画像処理装置150に送られ、この画像処理装置150において適当な画像処理が施され、撮影情報と共にネットワーク151にアップロードされ、サーバもしくはプリンタに送られる。
【００７５】
＜画像取得シーケンス＞
本画像記録読取システムの画像形成シーケンスは、基本的には、高圧印加中に記録光（例えばＸ線）を照射し潜像電荷を蓄積する過程、および、高圧印加を終了後、読取光を照射して潜像電荷を読み出す過程からなる。読取光Ｌとしてはライン光源301を電極方向に走査する方法（図５参照）が最適であるが、他の方法でも可能である。
【００７６】
さらに、必要に応じて、読み残した潜像電荷を十分に消去する過程を組み合わせることができる。この消去過程は、パネル全面に消去光を照射することにより行われ、全面に一度に照射させても、あるいはライン光やスポット光を全面に走査させても良く、読取過程の後、または/および、潜像蓄積過程の前に行われる。消去光を照射する際に、高圧印加を組み合わせて消去効率を高めることもできる。また、高圧印加後、記録光を照射する前に「前露光」を行うことにより、高圧印加の際に発生する暗電流による電荷（暗電流電荷）を消去することができる。
【００７７】
さらに、これら以外の原因によっても静電記録体に種々な電荷が記録光の照射の前に蓄積されることが知られている。これらの残存信号は、残像現象として次に出力される画像情報信号に影響を及ぼすため、補正により低減させることが望ましい。
【００７８】
残像信号を補正する方法として、上記の画像記録読取過程に、残像画像読取過程を加える方法が有効である。この残像画像記録過程は、記録光を照射しないで高圧印加のみ行った後、読取光により「残像画像」を読取ることで行われ、この「残像画像」信号に適当な処理を施し、「記録画像」信号から差し引くことで、残像信号を補正することができる。残像画像読取過程は、画像記録読取過程の前、あるいは後に行われる。また、残像画像読取過程の前、または/および後に、適当な消去過程を組み合わせることができる。
【００７９】
（上部電極及び放射線検出層を被覆する構成）
次に、上部電極及び放射線検出層を被覆する構成について説明する。
【００８０】
図６は、上部電極及び放射線検出層を被覆する構成を示す図１の６−６線断面図である。  図７は、上部電極及び放射線検出層を被覆する構成を示す図１の７−７線断面図である。図８は、図７に示す構成において、被写体の胸壁側の端部を拡大した拡大図である。
【００８１】
本実施形態に係る放射線検出基板500では、放射線照射によって放射線検出デバイスに潜像を形成するため、上部電極518には数ｋＶの高電圧を印加する。この上部電極518が大気に開放されていると沿面放電を生じるので、上部電極518における沿面放電を防止するため、上部電極518の上面に絶縁処理を施す必要がある。
【００８２】
絶縁処理は電極面が全く大気に触れない構造にすることが必要で、絶縁体で密着被覆する構造とする。尚且つ、この絶縁体は印加電位を上回る絶縁破壊強度を有することが必要である。更に、放射線検出デバイスの機能上、放射線透過を妨げない部材であることが必要である。これら要求される被覆性、絶縁破壊強度および放射線透過率の高い材料および製法として、絶縁性ポリマーの蒸着または溶剤塗布が好ましい。
【００８３】
具体例としては、常温硬化型エポキシ樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、アクリル樹脂、ポリパラキシリレン誘導体をＣＶＤ法で成膜する方法等があげられる。この中でも常温硬化型エポキシ樹脂、ポリパラキシリレンをCVD法で成膜するが好ましく、特にポリパラキシリレン誘導体をＣＶＤ法で成膜する方法が好ましい。好ましい膜厚は１０μｍ以上１０００μｍ以下であり、さらに好ましくは２０μｍ以上１００μｍ以下である。
【００８４】
ポリパラキシリレン膜は、室温で形成できるため被着体に熱ストレスを与えることなく、極めて段差被覆性の高い絶縁膜が得られるが、化学的に非常に安定であるため、被着体との密着性は一般に好ましくない場合が多い。被着体との密着性を上げるため、ポリパラキシリレン形成前の被着体への処理として、カップリング剤、コロナ放電、プラズマ処理、オゾン洗浄、酸処理、表面租化等の物理的、化学的処理が一般的に知られており用いることができる。特にシランカップリング剤もしくはシランカップリング剤を必要によりアルコール等で希釈したものを、少なくとも被着体との密着性を向上させたい部分に塗布処理を施した後ポリパラキシリレン膜を形成することで被着体との密着性を向上させる方法が好ましい。
【００８５】
さらに、放射線検出デバイスの経時劣化防止のため、防湿処理を施すことが好ましい。具体的には防湿部材で覆う構造とする。防湿部材としては、前記絶縁性ポリマーのような樹脂単独では機能不足であり、ガラス、アルミラミネートフィルムといった少なくとも無機材層を有する構成が効果的である。但し、ガラスは放射線透過を減衰するため、防湿部材は薄いアルミラミネートフィルムが望ましい。例えば、一般的に防湿包材として用いられているアルミラミネートフィルムとして、PET12μm/圧延アルミ9μm/ナイロン15μmを積層したものがある。
【００８６】
アルミの厚みは５μｍ以上３０μｍ以下が好ましく、前後のＰＥＴ厚み、ナイロン厚みはそれぞれ１０μｍ以上１００μｍ以下が好ましい。このフィルムのX線減衰は約１％程度であり、防湿効果とX線透過を両立する部材として最適である。
【００８７】
また、デバイスの湿度環境が３０％以下、より好ましくは１０％以下になるように維持されることが好ましい。
【００８８】
そこで、本実施形態では、図６に示すように、上記の絶縁体で形成された第１保護膜554Ａと、上記の防湿部材で形成された第２保護膜554Ｂとを備えて構成された保護層554により上部電極518及び放射線検出層522を被覆する。
【００８９】
本実施形態に係る放射線検出基板500では、検出領域（画像領域）から胸壁側の基板端面まで２ｍｍとなっている。また、図６及び図７に示すように、胸壁側を除く３方から放射線検出層522を囲むリブ部材560が、接着剤や粘着剤によりガラス基板536上に取り付けられている。リブ部材560は、例えば、ガラスで形成されている。
【００９０】
本実施形態では、図６及び図７に示すように、まず、ポリパラキシリレンで構成された第１保護膜554Ａを上部電極518上に形成する。次に、防湿フィルムとしてのＰＥＴで構成された第２保護膜554Ｂを、接着剤及び粘着剤等の接合材562により第１保護膜554Ａ上に貼り付ける。これにより、上部電極518及び放射線検出層522は、ガラス基板536、リブ部材560及び保護層554で封止された構成となる。
【００９１】
本実施形態に係る放射線検出デバイスは、アモルファスセレンを用いており、40℃以上の高温ではアモルファスセレンが結晶化して潜像形成の機能が得られなくなるおそれがあることから、加熱処理を行わない工程が望ましい。
【００９２】
したがって、接合材562としては、常温硬化型又はＵＶ硬化型のエポキシ接着剤か、アクリル系粘着剤又はシリコーン系粘着剤が望ましい。常温硬化型のエポキシ接着剤用いた場合には、例えば、第２保護膜554Ｂの上面から均一に押圧固定し、この状態のまま室温環境にて12時間以上置いて硬化させる。接着剤硬化後に押圧を開放して封止構造が完成する。
【００９３】
なお、第１保護膜554Ａとしてポリパラキシリレンを用いる場合、ポリパラキシリレンは、化学的に非常に安定であるため、一般的には接着剤（粘着剤）による他の部材との接着性（粘着性）が悪いが、接着（粘着）に先立ち紫外光による光照射処理を施すことにより接着性（粘着性）を向上させることが出来る。必要な照射時間は使用する紫外光源の波長、ワット数により適時、最適な時間に調節するが、低圧水銀灯で１から５０Ｗのものが好ましく、光照射は１分から３０分で行なうのが好ましい。
【００９４】
また、本実施形態では、図８に示すように、第１保護膜554Ａ及び第２保護膜554Ｂで構成される保護層554は、上部電極518上に形成されると共に端部がガラス基板536の端面に達している。このガラス基板536の端面は、被写体の胸壁側にあたる端面である。
【００９５】
具体的には、保護層554の端部は、上部電極518の端面518Ａ、放射線検出層522の端面522Ａ及びガラス基板536の端面536Ａに沿って形成され、ガラス基板536の端面536Ａの下端（図８の二点鎖線Ａの位置）まで形成されている。
【００９６】
なお、保護層554の下端と、ガラス基板536の下端（図８の二点鎖線Ａの位置）との位置が一致する必要はなく、保護層554の下端がガラス基板536の端面536Ａの下端に対して、上下に位置がずれていてもよい。
【００９７】
さらに、保護層554の端部を覆う補強部材としての補強フィルム566が、ガラス基板536の下面から保護層554の表面にかけて、接合材563により貼り付けられて形成されている。
【００９８】
具体的には、補強フィルム566は、保護層554に沿って形成され、補強フィルム566の上端が、上部電極518の上端（図８の二点鎖線Ｂの位置）に達しており、検出領域（画像領域）の領域外に形成されている。
【００９９】
また、接合材563としては、接合材562と同様に、例えば、常温硬化型又はＵＶ硬化型のエポキシ接着剤か、アクリル系粘着剤又はシリコーン系粘着剤が用いられる。
【０１００】
なお、補強フィルム566の上端は、少なくとも、ガラス基板536の上端又は放射線検出層522の上端に達していれば良い。また、補強フィルム566の上端は、検出領域（画像領域）の領域外において、上部電極518の上端よりもさらに、上方へ引き延ばしてもよい。
【０１０１】
ガラス基板536の下面に形成された補強フィルム566の端は、ガラス基板536の端面536Ａから２ｍｍの位置に形成されており、検出領域の領域外に補強フィルム566が形成されている。
【０１０２】
このように、本実施形態では、保護層554と補強フィルム566が互い違いに貼り合わされている。
【０１０３】
補強フィルム566としては、例えば、補強フィルム566が形成される被形成面、すなわち補強フィルム566が貼り付けられる被貼付面に沿って変形可能なフレキシブル部材が用いられる。フレキシブル部材としては、ＰＩテープ、ＰＥＴ等の補強粘着テープを用いることができる。
【０１０４】
（本実施形態に係る放射線検出器の作用効果）
次に、上記の放射線検出器の作用効果について説明する。
【０１０５】
この構成によれば、保護層554が、ガラス基板536上に設けられた放射線検出層522の上面に形成された上部電極518上を覆い、保護層554の端部は、ガラス基板536の端面に達している。
【０１０６】
ガラス基板536の下面から保護層554の表面にかけて形成された補強フィルム566が、保護層554の端部を覆う。これにより、保護層554の端部のガラス基板536の端面への付着性が向上し、時間が経過しても保護層554の端部に捲れが発生しにくく、保護層554の破損を抑制できる。
【０１０７】
また、本実施形態では、補強フィルム566は、入射する放射線を検出する検出領域の領域外に形成されているので、補強フィルム566が放射線検出の妨げとならない。
【０１０８】
また、本実施形態では、補強フィルム566は、フレキシブル部材で形成されているので、補強フィルム566を被貼付面に貼り付けやすく、また、補強フィルム566が被貼付面の凹凸に追従するので、被貼付面への付着性が向上する。
【０１０９】
なお、補強フィルム566としては、補強フィルム566が形成される被形成面、すなわち補強フィルム566が貼り付けられる被貼付面に沿って予め成形され、被貼付面に貼り付けられる成形部材を用いてもよい。
【０１１０】
成形部材としては、ＰＥＴ、ＡＢＳ、ガラス等の補強部材567が用いられ、図９に示すように、補強部材567が被貼付面に沿って予め断面Ｌ字状に形成されている。この構成によれば、補強フィルム566よりも部材剛性を高めることができ、製造時の部材ハンドリングが容易になることから、放射線検出基板500の製造が単純化できる。
【０１１１】
また、補強フィルム566は、後述のTFT方式の放射線検出器であれば、下面から光を当てる必要がないので、図１０に示すように、ガラス基板536の下面の検出領域において形成されている構成であってもよい。これにより、貼り付け面積を確保できる。
【０１１２】
また、補強フィルム566は、後述のTFT方式の放射線検出器及び光読取方式の放射線検出器において上部電極518上の検出領域又は、光読取方式の放射線検出器においてガラス基板536の下面の検出領域に形成する構成であってもよい。この場合は、補強フィルム566を透過することで記録光（放射線）及び読取光が変化するが、放射線を検出する際に、補強フィルム566の透過による変化を補正することで対応できる。また、この構成では、補正のしやすさを考慮して、補強フィルム566は、検出領域の全面に均一に貼り付けられるのが望ましい。
【０１１３】
また、第２保護膜554Ｂは、図１１に示すように、２層で形成し、保護層554を３層構造としてもよい。この構成によれば、保護膜としての機能を維持しつつ、第２保護膜554Ｂの各層を薄く形成できるので、貼り付ける際の折り曲げ加工がしやすくなる。
【０１１４】
なお、保護層554は、２層構造や３層構造に限られず、１層又は４層以上で構成されていても良い。
【０１１５】
（TFT方式の放射線検出器の構成）
TFT方式の放射線検出器についても、本発明の適用は可能であり、上記の上部電極及び放射線検出層を被覆する構成に準じて適用される。ここで、TFT方式の放射線検出器について説明する。図１２は、TFT方式の放射線検出器の構成を示す概略図である。
【０１１６】
本実施形態に係る放射線検出器400は、図１２に示すように、放射線としてのＸ線が入射されることにより電荷を生成する電荷変換層として、電磁波導電性を示す光導電層404を備えている。光導電層404としては、バイアス電圧が印加された状態において、暗抵抗が高く、Ｘ線照射に対して良好な電磁波導電性を示し、真空蒸着法により低温で大面積成膜が可能な非晶質（アモルファス）材料が好まれ、アモルファスSe（a-Se）膜が用いられている。また、アモルファスSeにAs、Sb、Geをドープした材料が熱安定性に優れ、好適な材料である。
【０１１７】
光導電層404上には、光導電層404へバイアス電圧を印加するための上部電極として、単一のバイアス電極401が積層されている。バイアス電極401には、例えば、金（Ａｕ）が用いられる。
【０１１８】
光導電層404下には、下部電極部としての複数の電荷収集電極407aが形成されている。各電荷収集電極407aは、図１２に示すように、それぞれ電荷蓄積容量407c及びスイッチ素子407bに接続されている。
【０１１９】
また、光導電層404とバイアス電極401との間には、中間層が設けられている。中間層とは、上部電極と電荷変換層の間に存在する層であり，電荷注入阻止層（電荷蓄積とダイオード形成を包含）を兼ねても良い。電荷注入阻止層として、抵抗層や絶縁層が用いられる場合もあるが、好ましくは、電子に対しては導電体でありながら正孔の注入を阻止する正孔注入阻止層や、正孔に対しては導電体でありながら電子の注入を阻止する電子注入阻止層が用いられる。正孔注入阻止層としては、CeO２、ZnS、Sb２S３を用いることができる。このうちZnSは低温で形成できて望ましい。電子注入阻止層としては、Sb２S３、ＣｄＳ、TeをドープされたＳｅ，ＣｄＴｅ、有機物系の化合物等がある。なお、Sb２S３は設けられる位置により、正孔注入阻止層にも電子注入阻止層にもなる。本実施例では、バイアス電極が正極であるため、中間層として、正孔注入阻止層402が設けられている。また、光導電層404と電荷収集電極407aとの間には、本発明の中間層ではないが、電子注入阻止層406が設けられている。
【０１２０】
また、正孔注入阻止層402と光導電層404との間と、電子注入阻止層406と光導電層404との間とには、それぞれ結晶化防止層403、405が設けられている。結晶化防止層403、405としてはGeSe、GeSe２、Sb２Se３、a-As２Se３や、Se−As、Se−Ge、Se−Sb系化合物等を用いることが可能である。
【０１２１】
なお、本実施形態では、正孔注入阻止層402、結晶化防止層403、光導電層404、結晶化防止層405、電子注入阻止層406とから放射線検出層430が構成されている。また、電荷収集電極407aとスイッチ素子407bと電荷蓄積容量407cとからアクティブマトリックス層407が形成され、ガラス基板408とアクティブマトリックス層407とからアクティブマトリックス基板450が構成されている。
【０１２２】
図１３は、放射線検出器400の１画素単位の構造を示す断面図であり、図１４は、その平面図である。図１３及び図１４に示す１画素のサイズは、0.1mm×0.1mm〜0.3mm×0.3mm程度であり、放射線検出器全体としてはこの画素がマトリクス状に500×500〜3000×3000画素程度配列されている。
【０１２３】
図１３に示すように、アクティブマトリックス基板450は、ガラス基板408、ゲート電極411、電荷蓄積容量電極（以下、Cs電極と称する）418、ゲート絶縁膜413、ドレイン電極412、チャネル層415、コンタクト電極416、ソース電極410、絶縁保護膜417、層間絶縁膜420、および電荷収集電極407aを有している。
【０１２４】
また、ゲート電極411やゲート絶縁膜413、ソース電極410、ドレイン電極412、チャネル層415、コンタクト電極416等により薄膜トランジスタ（TFT：Thin Film Transistor）からなるスイッチ素子407bが構成されており、Cs電極418やゲート絶縁膜413、ドレイン電極412等により電荷蓄積容量407cが構成されている。
【０１２５】
ガラス基板408は支持基板であり、ガラス基板408としては、例えば、無アルカリガラス基板（例えば、コーニング社製＃1737等）を用いることができる。ゲート電極411及びソース電極410は、図１４に示すように、格子状に配列された電極配線であり、その交点には薄膜トランジスタ（以下TFTと称する）からなるスイッチ素子407bが形成されている。
【０１２６】
スイッチ素子407bのソース・ドレインは、各々ソース電極410とドレイン電極412とに接続されている。ソース電極410は、信号線としての直線部分と、スイッチ素子407bを構成するための延長部分とを備えており、ドレイン電極412は、スイッチ素子407bと電荷蓄積容量407cとをつなぐように設けられている。
【０１２７】
ゲート絶縁膜413はSiNxやSiOx等からなっている。ゲート絶縁膜413は、ゲート電極411及びCs電極418を覆うように設けられており、ゲート電極411上に位置する部位がスイッチ素子407bにおけるゲート絶縁膜として作用し、Cs電極418上に位置する部位は電荷蓄積容量407cにおける誘電体層として作用する。つまり、電荷蓄積容量407cは、ゲート電極411と同一層に形成されたCs電極418とドレイン電極412との重畳領域によって形成されている。なお、ゲート絶縁膜413としては、SiNxやSiOxに限らず、ゲート電極411及びCs電極418を陽極酸化した陽極酸化膜を併用することもできる。
【０１２８】
また、チャネル層（ｉ層）415はスイッチ素子407bのチャネル部であり、ソース電極410とドレイン電極412とを結ぶ電流の通路である。コンタクト電極（ｎ＋層）416はソース電極410とドレイン電極412とのコンタクトを図る。
【０１２９】
絶縁保護膜417は、ソース電極410及びドレイン電極412上、つまり、ガラス基板408上に、ほぼ全面（ほぼ全領域）にわたって形成されている。これにより、ドレイン電極412とソース電極410とを保護すると共に、電気的な絶縁分離を図っている。また、絶縁保護膜417は、その所定位置、つまり、ドレイン電極412においてCs電極418と対向している部分上に位置する部位に、コンタクトホール421を有している。
【０１３０】
電荷収集電極407aは、非晶質透明導電酸化膜からなっている。電荷収集電極407aは、コンタクトホール421を埋めるようにして形成されており、ソース電極410上及びドレイン電極412上に積層されている。電荷収集電極407aと光導電層404とは電気的に導通しており、光導電層404で発生した電荷を電荷収集電極407aで収集できるようになっている。
【０１３１】
層間絶縁膜420は、感光性を有するアクリル樹脂からなり、スイッチ素子407bの電気的な絶縁分離を図っている。層間絶縁膜420には、コンタクトホール421が貫通しており、電荷収集電極407aはドレイン電極412に接続されている。コンタクトホール421は、図１３に示すように逆テーパ形状で形成されている。
【０１３２】
バイアス電極401とCs電極418との間には、図示しない高圧電源が接続されている。この高圧電源により、バイアス電極401とCs電極418との間に電圧が印加される。これにより、電荷蓄積容量407cを介してバイアス電極401と電荷収集電極407aとの間に電界を発生させることができる。
【０１３３】
このとき、光導電層404と電荷蓄積容量407cとは、電気的に直列に接続された構造になっているので、バイアス電極401にバイアス電圧を印加しておくと、光導電層404内で電荷（電子−正孔対）が発生する。光導電層404で発生した電子は＋電極側に、正孔は−電極側に移動し、その結果、電荷蓄積容量407cに電荷が蓄積される。
【０１３４】
放射線検出器全体としては、電荷収集電極407aは１次元または２次元に複数配列されると共に、電荷収集電極407aに個別に接続された電荷蓄積容量407cと、電荷蓄積容量407cに個別に接続されたスイッチ素子407bとを複数備えている。これにより、１次元または２次元の電磁波情報を一旦電荷蓄積容量407cに蓄積し、スイッチ素子407bを順次走査していくことで、１次元または２次元の電荷情報を簡単に読み出すことができる。
【０１３５】
（TFT方式の放射線検出器の動作原理）
次に、上記のTFT方式の放射線検出器400の動作原理について説明する。
【０１３６】
光導電層404にＸ線が照射されると、光導電層404内に電荷（電子−正孔対）が発生する。バイアス電極401とCs電極418との間に電圧が印加された状態、すなわちバイアス電極401とCs電極418とを介して光導電層404に電圧が印加された状態において、光導電層404と電荷蓄積容量407cとは電気的に直列に接続された構造となっているので、光導電層404内に発生した電子は＋電極側に、正孔は−電極側に移動し、その結果、電荷蓄積容量407cに電荷が蓄積される。
【０１３７】
電荷蓄積容量407cに蓄積された電荷は、ゲート電極411への入力信号によってスイッチ素子407bをオン状態にすることによりソース電極410を介して外部に取り出すことが可能となる。そして、ゲート電極411とソース電極410とからなる電極配線、スイッチ素子407b及び電荷蓄積容量407cは、すべてマトリクス状に設けられているため、ゲート電極411に入力する信号を順次走査し、ソース電極410からの信号をソース電極410毎に検知することにより、二次元的にＸ線の画像情報を得ることが可能となる。
【０１３８】
続いて、電荷収集電極407aについて詳細に説明する。本実施形態で用いる電荷収集電極407aは、非晶質透明導電酸化膜によって構成されている。非晶質透明導電酸化膜材料としては、インジウムと錫との酸化物（ITO：Indium-Tin-Oxide）や、インジウムと亜鉛との酸化物（IZO：Indium-Zinc-Oxide）、インジウムとゲルマニウムとの酸化物（IGO：Indium-Germanium-Oxide）等を基本組成とするものを使用することができる。
【０１３９】
また、電荷収集電極としては、各種の金属膜や導電酸化膜が使用されているが、下記の理由により、ITO（Indium-Tin-Oxide）等の透明導電酸化膜が用いられることが多い。放射線検出器において入射Ｘ線量が多い場合、不要な電荷が半導体膜中（あるいは半導体膜と隣接する層との界面付近）に捕獲されることがある。このような残留電荷は、長時間メモリーされたり、時間をかけつつ移動したりするので、以降の画像検出時にＸ線検出特性が劣化したり、残像（虚像）が現れたりして問題になる。そこで、特開平９−９15３号公報（対応米国特許第５５６３４２１号）には、光導電層に残留電荷が発生した場合に、光導電層の外側から光を照射することで、残留電荷を励起させて取り除く方法が開示されている。この場合、光導電層の下側（電荷収集電極側）から効率よく光を照射するためには、電荷収集電極が照射光に対して透明である必要がある。また、電荷収集電極の面積充填率（フィルファクター）を大きくする目的、またはスイッチ素子をシールドする目的で、スイッチ素子を覆うように電荷収集電極を形成することが望まれるが、電荷収集電極が不透明であると、電荷収集電極の形成後にスイッチ素子を観察することができない。
例えば、電荷収集電極を形成後、スイッチ素子の特性検査を行う場合、スイッチ素子が不透明な電荷収集電極で覆われていると、スイッチ素子の特性不良が見つかった際、その原因を解明するために光学顕微鏡等で観察することができない。従って、電荷収集電極の形成後もスイッチ素子を容易に観察することができるように、電荷収集電極は透明であることが望ましい。
【０１４０】
TFT方式の放射線検出器400においても、図６、図７及び図８に示す構成と同様に、上記の絶縁体で形成された第１保護膜554Ａと、上記の防湿部材で形成された第２保護膜554Ｂとを備えて構成された保護層554によりバイアス電極401及び放射線検出層を被覆することができる。
【０１４１】
まず、ポリパラキシリレンで構成された第１保護膜554Ａをバイアス電極401上に形成する。次に、防湿フィルムとしてのＰＥＴで構成された第２保護膜554Ｂを、接着剤及び粘着剤等の接合材562により第１保護膜554Ａ上に貼り付ける。これにより、バイアス電極401及び放射線検出層は、ガラス基板408、リブ部材560及び保護層554で封止された構成となる（図６及び図７参照）。
【０１４２】
また、第１保護膜554Ａ及び第２保護膜554Ｂで構成される保護層554は、バイアス電極401上に形成されると共に端部がガラス基板408の端面に達している（図８参照）。具体的には、保護層554の端部は、バイアス電極401の端面、放射線検出層の端面及びガラス基板408の端面に沿って形成され、ガラス基板408の端面の下端（図８の二点鎖線Ａ参照）まで形成されている。
【０１４３】
さらに、保護層554の端部を覆う補強部材としての補強フィルム566が、ガラス基板408の下面から保護層554の表面にかけて形成されている。
【０１４４】
具体的には、補強フィルム566は、保護層554に沿って形成され、補強フィルム566の上端が、バイアス電極401の上端（図８の二点鎖線Ｂ参照）に達している。
【０１４５】
このように、本実施形態では、保護層554と補強フィルム566が互い違いに貼り合わされている。なお、上記の放射線検出基板500の構成において示したように、上部電極及び放射線検出層を被覆する構成は種々の変形が可能である。
【０１４６】
本発明は、上記の実施形態に限るものではなく、種々の変形、変更、改良が可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１４７】
【図１】図１は、光読取方式の放射線検出器としての放射線検出基板の概略構成を示す図である。
【図２】図２は、図１の放射線検出基板の放射線検出用下部基板の概略構造を示す図である。
【図３】図３は、図１の放射線検出基板の構成を模式的に示した概略図である。
【図４】図４は、電荷取り出しアンプの構成並びにこれらと放射線検出基板の外部に配された画像処理装置などとの接続態様を示したブロック図である。
【図５】図５は、読取光としてはライン光の走査を示す概略図である。
【図６】図６は、上部電極及び放射線検出層を被覆する構成を示す図１の６−６線断面図である。
【図７】図７は、上部電極及び放射線検出層を被覆する構成を示す図１の７−７線断面図である。
【図８】図８は、図７に示す構成において、被写体の胸壁側の端部を拡大した拡大図である。
【図９】図９は、補強フィルムとしては、補強フィルムが貼り付けられる被貼付面に沿って予め成形され成形部材を用いた変形例を示す図である。
【図１０】図１０は、補強フィルムをガラス基板の下面の検出領域に形成した変形例を示す図である。
【図１１】図１１は、第２保護膜を２層で形成した変形例を示す図である。
【図１２】図１２は、TFT方式の放射線検出器の構成を示す概略図である。
【図１３】図１３は、TFT方式の放射線検出器の１画素単位の構造を示す断面図である。
【図１４】図１４は、TFT方式の放射線検出器の１画素単位の構造を示す平面図である。
【符号の説明】
【０１４８】
400    放射線検出器
401    バイアス電極（上部電極）
408    ガラス基板（基板）
430    放射線検出層
500    放射線検出基板（放射線検出器）
518    上部電極
522    放射線検出層
536    ガラス基板（基板）
554    保護層
566    補強フィルム（補強部材）
567    補強部材（成形部材）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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