(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
放電空間を有するシリカガラスよりなる放電容器を備え、当該放電容器を形成するシリカガラスが介在する状態で一対の電極が設けられると共に、放電空間内に放電用ガスが封入されてなり、前記放電容器の内表面の一部に紫外線反射層が形成されたエキシマランプであって、
前記紫外線反射層は、一方の電極に対応する領域の少なくとも一部に形成された堆積体Ａと、電極に対応する領域以外の少なくとも一部に形成された堆積体Ｂとから構成され、
前記堆積体ＡはＯＨ基が含まれたシリカ粒子と、シリカより融点が高い微小粒子とからなり、
前記堆積体ＢはＯＨ基が含まれたシリカ粒子を含有する微小粒子よりなり、
前記紫外線反射層を構成するシリカ粒子中のＯＨ基濃度は１０ｗｔｐｐｍ以上であり、
前記堆積体Ａの設置面積をａ（ｃｍ２）、前記堆積体Ｂの設置面積をｂ（ｃｍ２）、堆積体Ｂの比表面積をｃ（ｃｍ２/ｇ）、放電容器の内表面積をｄ（ｃｍ２）としたとき、それぞれの関係が
ｂ≧−５．０×１０−７ａｃ＋０．３５ａ、かつ、ｂ＞０．０２ｄ
を満たすことを特徴とするエキシマランプ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、紫外線を照射することによる洗浄処理、アッシング処理、成膜処理等の表面処理を被処理体に行うために用いられるエキシマランプに関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置のガラス基板、半導体ウェハ等の被処理体に波長２００ｎｍ以下の紫外線である真空紫外光を照射することにより、真空紫外光及びこれにより生成されるオゾンの作用によって被処理体を処理する技術、例えば被処理体の表面に付着した有機汚染物質を除去する洗浄処理技術や、被処理体の表面に酸化膜を形成する酸化膜形成処理技術が開発され、実用化されている。
【０００３】
真空紫外光を照射する装置としては、例えば、誘電体からなる放電容器内に放電用ガスを封入し、放電容器を介して交流高電圧を印加することによりエキシマ放電を発生させ、真空紫外光であるエキシマ発光を放射するエキシマランプを備えたものが用いられる。このようなエキシマランプにおいて、より高強度の紫外線を効率よく放射するために多くの試みがなされている。
具体的には、エキシマランプの放電容器の内表面に紫外線反射層を形成することが行われており、紫外線反射層が紫外線を透過する微小粒子、例えばシリカのみ、あるいはシリカと他の微小粒子、例えば、アルミナ、フッ化マグネシウム、フッ化カルシウム、フッ化リチウム、酸化マグネシウムなどとを積層させることにより形成される技術が開示されている（特許文献１参照）。
【０００４】
このような構成のエキシマランプにおいては、放電容器内で発生した紫外線のうち光出射部に向かって直接放射されない紫外線が、紫外線反射層に入射され、紫外線反射層を構成する複数の微小粒子の表面において屈折、反射が繰り返し行われることにより拡散反射されることで、光出射部から放射される。これにより、紫外線を効率よく放射できる。
【０００５】
紫外線を放射するランプにおいては、放電容器を構成する材料として、例えばシリカガラスが広く用いられている。従って、紫外線反射層を構成する微小粒子としては、放電容器を構成するシリカガラスとの熱膨張率の差をなくして、あるいは、極めて小さくして紫外線反射層のシリカガラスに対する付着性を高くするために、放電容器と同じ材質のシリカ粒子を含むように構成されることが好ましい。
【０００６】
表面処理の被処理物は、例えば液晶パネルのガラス基板のように平坦な形状のものが多い。そのため、光出射部が被処理物と同じく平坦な形状の放電容器からなるエキシマランプは、光出射部と被処理物との隙間を少なくすることで、酸素による紫外線の吸収を抑えることができるので効率よく表面処理を行うことができる。このような形状の放電容器からなるエキシマランプとして、例えば、特許文献２には、角型形状の放電容器からなるエキシマランプが公開されている。
【０００７】
光出射部が平坦な放電容器からなるエキシマランプとして、図１０に示すような構造がある。エキシマランプ１０はシリカガラスからなる扁平な角型の放電容器２０からなり、この放電容器２０は上壁板２１、下壁板２２、側壁板２３および端壁板２４を連結した構造となっており、内部に放電用ガスが封入されている。また、上壁板２１の外表面に高電圧供給電極１１、下壁板２２の外表面に接地電極１２が備えられ、これらの電極１１、１２は互いが対向するように配置される放電空間Ｓで発生したエキシマ発光は、光出射部を兼ねた下壁板２２を通して外部に出射される。
【特許文献１】特開２００７−３３５３５０公報
【特許文献２】特開２００４−１１３９８４公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、シリカ粒子を含有する微小粒子よりなる紫外線反射層を備えたエキシマランプにおいては、長時間点灯させていると、照度維持率が継時的に徐々に低下していく。このため、例えば、洗浄処理などの表面処理を行う場合において、一定の照度で処理をしようとしてもエキシマランプの処理能力が点灯時間とともに変化するという問題が生じる。
【０００９】
本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであって、シリカ粒子を含有する微小粒子よりなる紫外線反射層を備え、長時間点灯した場合においても、照度低下の程度を小さく抑制し、真空紫外光を効率よく出射することのできるエキシマランプを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本願第１の発明のエキシマランプは、放電空間を有するシリカガラスよりなる放電容器を備え、当該放電容器を形成するシリカガラスが介在する状態で一対の電極が設けられると共に、放電空間内に放電用ガスが封入されてなり、前記放電容器の内表面の一部に紫外線反射層が形成されたエキシマランプであって、前記紫外線反射層は、一方の電極に対応する領域の少なくとも一部に形成された堆積体Ａと、電極に対応する領域以外の少なくとも一部に形成された堆積体Ｂとから構成され、前記堆積体ＡはＯＨ基が含まれたシリカ粒子と、シリカより融点が高い微小粒子とからなり、
前記堆積体ＢはＯＨ基が含まれたシリカ粒子を含有する微小粒子よりなり、前記紫外線反射層を構成するシリカ粒子中のＯＨ基濃度は１０ｗｔｐｐｍ以上であることを特徴とし、
前記堆積体Ａの設置面積をａ（ｃｍ２）、前記堆積体Ｂの設置面積をｂ（ｃｍ２）、堆積体Ｂの比表面積をｃ（ｃｍ２/ｇ）、放電容器の内表面積をｄ（ｃｍ２）としたとき、それぞれの関係が
ｂ≧−５．０×１０−７ａｃ＋０．３５ａ、かつ、ｂ＞０．０２ｄ
を満たすことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
紫外線反射層にシリカより融点が高い微小粒子を混入させることによって、互いに隣接する微小粒子同士で結合されて粒界が消失することを防止し、紫外線反射層の反射率の低下を抑制することができる。特に、電極に対応する領域に形成されている堆積体Ａはプラズマの熱を受けやすいので、シリカより融点が高い微小粒子を混入させて、紫外線反射層の反射率の低下を抑制する必要がある。
また、紫外線反射層を構成するシリカ粒子にＯＨ基を含ませることにより、紫外線反射層に含まれるシリカ粒子に内部欠陥が生成されることを抑制し、紫外線反射層による紫外領域の波長の光の吸収を防止して紫外線反射層の反射率を維持して、エキシマランプの照度低下の程度を小さく抑制し、真空紫外光を効率よく出射することができる。特に、紫外線反射層を構成するシリカ粒子中のＯＨ基濃度を１０ｗｔｐｐｍ以上とすることによって、反射維持率も照度維持率も高いまま保持することができ、長時間点灯するときの照度維持に関して際立って優れた効果を発揮する。
【００１３】
電極が設けられている位置に対応した放電容器の内表面に形成された紫外線反射層は、ＯＨ基が含有していると、放電プラズマにさらされて水を主成分とする不純ガスを放出する。水を主成分とする不純ガスが放電用ガスと結合すると、エキシマ発光の照度が低下してしまう。しかしながら、電極が設けられていない位置に対応した放電容器の内表面の一部にも紫外線反射層を形成することによって、この紫外線反射層が放出された水と、また同時に、水がプラズマ中で分解され生じた酸素を吸着して、エキシマ発光の照度低下を抑えることができる。したがって、エキシマランプを長時間点灯された場合においても、照度低下の程度を小さく抑制し、真空紫外光を効率よく出射することができる。
【００１４】
堆積体Ｂの比表面積を考慮して、堆積体Ａの設置面積をａ（ｃｍ２）、堆積体Ｂの設置面積をｂ（ｃｍ２）、堆積体Ｂの比表面積をｃ（ｃｍ２／ｇ）、放電容器の内表面積をｄ（ｃｍ２）としたとき、それぞれの関係が
ｂ≧−５．０×１０−７ａｃ＋０．３５ａ、かつ、ｂ＞０．０２ｄ
を満たすことによって、堆積体Ａから放出される不純ガスの量が、堆積体Ｂが吸着できる不純ガスの量を上回ることがなく、放電空間に不純ガスが残留しないようにできる。したがって、不純ガスに含まれる酸素原子が放電用ガスと結合することによるエキシマ発光の照度低下を抑えることができ、エキシマランプを長時間点灯させた場合であっても、照度の低下を抑制することができ、真空紫外光を効率よく出射できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
図１は本発明のエキシマランプ１０の一例における構成の概略を示す説明用断面図である。（ａ）は放電容器２０の長手方向に沿った断面を示す断面図、（ｂ）は（ａ）におけるＡ−Ａ'線の断面図である。
このエキシマランプ１０は、両端が気密に封止されて内部に放電空間Ｓが形成された、断面矩形状の中空長尺状の放電容器２０を備えている。この放電容器２０は、上壁板２１および上壁板２１に対向する下壁板２２と、上壁板２１および下壁板２２に連結する一対の側壁板２３と、これら上壁板２１、下壁板２２、および一対の側壁板２３よりなる四角筒状体の両端を封止するよう設けられた一対の端壁板２４とからなる。放電容器２０は、真空紫外光を良好に透過するシリカガラス、例えば、合成石英ガラスにより形成される。
【００１６】
放電容器２０の内部には放電用ガスが、例えば、１０〜８０ｋＰａの圧力で封入されている。放電用ガスとしてどのようなガスを選択しても放射強度の継時的変化に影響を与えるものではないが、放電用ガスの種類によって放射されるエキシマ発光の中心波長は異なる。例えば、キセノン（Ｘｅ）が封入されたエキシマランプでは１７２ｎｍを中心波長とするエキシマ発光が生じ、アルゴン（Ａｒ）と塩素（Ｃｌ）の混合ガスが封入されたエキシマランプでは１７５ｎｍを中心波長とするエキシマ発光が生じ、クリプトン（Ｋｒ）と沃素（Ｉ）の混合ガスが封入されたエキシマランプでは１９１ｎｍを中心波長とするエキシマ発光が生じ、アルゴン（Ａｒ）とフッ素（Ｆ）の混合ガスが封入されたエキシマランプでは波長１９３ｎｍを中心波長とするエキシマ発光が生じ、クリプトン（Ｋｒ）と臭素（Ｂｒ）の混合ガスが封入されたエキシマランプでは２０７ｎｍを中心波長とするエキシマ発光が生じ、クリプトン（Ｋｒ）と塩素（Ｃｌ）の混合ガスが封入されたエキシマランプでは２２２ｎｍを中心波長とするエキシマ発光が生じ、キセノン（Ｘｅ）と塩素（Ｃｌ）の混合ガスが封入されたエキシマランプでは３０８ｎｍを中心波長とするエキシマ発光が生じる。
【００１７】
放電容器２０における上壁板２１の外表面に高電圧供給電極１１、下壁板２２の外表面に接地電極１２が備えられ、これらの電極１１、１２は互いが対向するように配置される。このような電極１１、１２は、網状構造となっており、網目の間から光が透過するように形成されている。材質として、例えば、アルミニウム、ニッケル、金等が用いられ、例えば、スクリーン印刷、または、真空蒸着の手段によって形成される。また、それぞれの電極１１、１２は適宜の高周波電源（図示せず）に接続されている。
【００１８】
上記エキシマランプ１０においては、エキシマ放電によって発生する真空紫外光を効率良く利用するために、放電容器２０の放電空間Ｓに対面する内表面に、微小粒子よりなる紫外線反射層３０が設けられている。紫外線反射層３０は堆積体Ａ３１及び堆積体Ｂ３２より構成される。堆積体Ａ３１は、高電圧供給電極１１が設けられている放電容器２０の放電空間Ｓに対面する内表面の一部、すなわち、上壁板２１の内表面の高電圧供給電極１１に対応する領域の一部に形成される。また、堆積体Ｂ３２は、高電圧供給電極１１や接地電極１２が設けられていない放電容器２０の放電空間Ｓに対面する内表面の一部、すなわち、電極１１、１２に対応する領域から外れた上壁板２１及び下壁板２２の内表面、並びに、側壁板２３及び端壁板２４の内表面のうちのいずれかの領域に形成される。すなわち、上壁板２１の内表面の高電圧供給電極１１に対応する領域に形成されている紫外線反射層３０を堆積体Ａ３１とよび、放電容器２０の内表面のその他の領域に形成されている紫外線反射層３０を堆積体Ｂ３２とよぶ。
一方、放電容器２０における下壁板２２の、接地電極１２に対応する内表面において紫外線反射層３０が形成されていないことによって光出射部が構成されている。
【００１９】
堆積体Ａ３１は、厚みが例えば５〜１０００μｍであり、シリカ粒子と、シリカより融点が高く、紫外線を透過する微小粒子とから構成されている。シリカより融点が高く、紫外線を透過する微小粒子とは、例えば、アルミナ、フッ化リチウム、フッ化マグネシウム、フッ化カルシウム、フッ化バリウムなどである。
【００２０】
このような堆積体Ａ３１に真空紫外光が入射すると、一部は微小粒子の表面で反射し、また一部は屈折して粒子の内部に透過し、再び別の表面で反射または屈折する。複数の微小粒子においてこのような反射、屈折が繰り返し起こることにより、真空紫外光は拡散反射される。
しかしながら、シリカ粒子はエキシマランプ１０において発生するプラズマの熱によって溶融し、粒界が消失されて、真空紫外光を拡散反射させることができなくなって反射率が低下することがある。特に、高電圧供給電極１１に対応する領域に形成されている堆積体Ａ３１はプラズマの熱を受けやすく、堆積体Ａ３１を構成するシリカ粒子は溶融しやすい。一方、シリカより融点が高い微小粒子は、プラズマによる熱にさらされた場合であっても溶融しない。したがって、堆積体Ａ３１にシリカより融点が高い微小粒子を混入させることによって、互いに隣接する微小粒子同士で結合されて粒界が消失することを防止し、堆積体Ａ３１の反射率の低下を抑制することができる。
【００２１】
堆積体Ｂ３２は、厚みが例えば１０〜１０００μｍであり、シリカ粒子を含有する微小粒子により構成されている。堆積体Ｂ３２を構成する微小粒子は、シリカ粒子のみからなるものであっても、その他に酸素と結合する物質を含み、かつ紫外線を透過する物質からなる絶縁性の微小粒子が混在されてなるもの、例えば、アルミナ、フッ化リチウム、フッ化マグネシウム、フッ化カルシウム、フッ化バリウムであってもよい。
【００２２】
堆積体Ｂ３２に真空紫外光が入射しても、複数の微小粒子において反射、屈折が繰り返し起こることにより、真空紫外光は拡散反射される。また、堆積体Ｂ３２は、電極１１、１２に対応する領域以外の放電容器２０の内表面に形成されているものなので、プラズマによる熱の影響を受けにくい。したがって、堆積体Ｂ３２をシリカ粒子のみからなるものにより構成しても、隣接する微小粒子同士で結合することによる粒界の消失が発生しにくい。
【００２３】
微小粒子は、以下のように定義される粒子径が、例えば０．０１〜２０μｍの範囲内にあるものであって、中心粒径（個数基準の粒度分布の最大値）が、堆積体Ａ３１において、例えば０．１〜１０μｍであるものが好ましく、より好ましくは０．１〜３μｍであり、堆積体Ｂにおいても同じく、例えば０．１〜２０μｍであるものが好ましい。
ここでいう「粒子径」とは、紫外線反射層３０の表面に対して垂直方向に破断したときの破断面における、厚み方向のおよその中間位置を観察範囲として、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）によって拡大投影像を取得し、この拡大投影像における任意の粒子を一定方向の２本の平行線で挟んだときの当該平行線の間隔であるフェレー（Ｆｅｒｅｔ）径をいう。
また、「中心粒径」とは、上記のようにして得られる各粒子の粒子径についての最大値と最小値との粒子径の範囲を、例えば、０．１μｍの範囲で、複数の区分例えば、１５区分程度に分け、それぞれの区分に属する粒子の個数（度数）が最大となる区分の中心値をいう。
【００２４】
このエキシマランプ１０において、高電圧供給電極１２に点灯電力が供給されると、放電容器２０を介して両電極１１、１２間の放電空間Ｓにエキシマ放電が発生する。これにより、エキシマ分子が形成されると共にこのエキシマ分子から真空紫外光が放射される。放電空間Ｓで発生した真空紫外光の一部は、直接、光出射部を兼ねた下壁板２２を通して外部に出射される。さらに一部の真空紫外光は上壁板２１の方向に放射されるが、紫外線反射層３０において拡散反射されて、光出射部を通して外部に出射される。
紫外線反射層３０を構成する微小粒子が、真空紫外光の波長と同程度の粒子径を有するものであることにより、真空紫外光を効率よく拡散反射させることができる。
【００２５】
しかしながら、上記紫外線反射層３０を備えるエキシマランプ１０を長時間点灯すると、初期照度を維持できず、点灯時間とともに徐々に照度が低下していることが確認された。発明者らは、照度低下の原因をあらゆる方面から検討し、その要因の１つともなる紫外線反射層３０の反射率が低下しているのではないかと考えた。
そこで、点灯初期のエキシマランプ１０の紫外線反射層３０の反射強度スペクトルと、長時間点灯後のエキシマランプ１０の紫外線反射層３０の反射強度スペクトルとを測定し、両者を比較解析した。この結果から、長時間点灯後のエキシマランプ１０の紫外線反射層３０では、紫外領域に吸収帯が生じており、紫外線の一部が紫外線反射層３０に吸収されることにより照度低下が生じていることがわかった。
【００２６】
紫外線反射層３０に生じる紫外領域における吸収帯は、紫外線反射層３０を構成するシリカ粒子が、放電中に紫外線やプラズマに曝されることで放射損傷（ｒａｄｉａｔｉｏｎ  ｄａｍａｇｅ）を受け、紫外領域の波長の光を吸収する内部欠陥が生じ、紫外線が内部欠陥に吸収されることで、拡散反射が抑制されるためと考えられる。内部欠陥とは、シリカ粒子のＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合が、紫外線やプラズマに曝されることで生じる、波長１６３ｎｍ付近に吸収端を持つＳｉ−Ｓｉ欠陥、又は、波長２１５ｎｍ付近に吸収帯のあるＥ’ｃｅｎｔｅｒ（Ｓｉ・）のことである。
【００２７】
上記のような理由により、紫外領域の波長の光を吸収する内部欠陥が生じるのはシリカ粒子であり、照度低下の原因となる紫外領域の波長の光の吸収はシリカ粒子の内部欠陥に依存すると考えられる。また、アルミナ、フッ化リチウム、フッ化マグネシウム、フッ化カルシウム、フッ化バリウムなどよりなるシリカ粒子以外の紫外線を透過する微小粒子には、紫外線やプラズマに曝されても放射損傷が生じない。したがって、紫外線反射層３０を構成するシリカ粒子に内部欠陥が生じるのを防ぐことによって、照度低下を抑制し、長時間点灯しても高い照度維持率を保つことができると考えられる。
【００２８】
シリカ粒子に内部欠陥が生じるのを防ぐためには、シリカ粒子にＯＨ基を含有させることが有効である。ＯＨ基を含有させることにより、紫外線反射層３０に含まれるシリカ粒子に内部欠陥が生成されることを抑制し、紫外線反射層３０の反射率の低下を防ぐことができる。
【００２９】
続いて、ＯＨ基を含むシリカ粒子を含有する微小粒子よりなる紫外線反射層３０の形成方法について説明する。紫外線反射層３０は、例えば「流下法」と呼ばれる方法により、放電容器形成材料の内表面における所定の領域に、シリカ粒子を含有する粒子堆積層が形成される。例えば、水とＰＥＯ樹脂（ポリエチレンオキサイド：ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎ  ｏｘｉｄｅ）を組み合わせた粘性を有する溶剤に、微小粒子を混ぜて分散液を調整し、この分散液を放電容器形成材料内に流し込む。そして、分散液を放電容器形成材料の内表面における所定の領域に付着させた後、乾燥、焼成することで水とＰＥＯ樹脂を蒸発させ、これにより、粒子堆積層を形成することができる。ここで、焼成温度は、例えば５００℃〜１１００℃とされる。
【００３０】
シリカ粒子にＯＨ基を含有させる方法の一例として、ＯＨ基を含まないシリカ粒子を、水蒸気を供給しながら電気炉加熱（例えば１０００℃）することにより、多量のＯＨ基を含んだシリカ粒子を作製することがある。このような処理をしたシリカ粒子を用いることによって、ＯＨ基を含むシリカ粒子を含有する微小粒子よりなる紫外線反射層３０の形成することができる。
また、その他の手法として、ＯＨ基を含まないシリカ粒子を用いて放電容器形成材料の内表面における所定の領域に付着させた後、水蒸気を供給しながら焼成することにより、シリカ粒子にＯＨ基を含ませることもできる。また、ＯＨ基を含まないシリカ粒子を用いて焼成して紫外線反射層３０を形成した後、再び水蒸気を供給しながら電気炉加熱することによってもシリカ粒子にＯＨ基を含ませることができる。
なお、購入することによって入手できるシリカ粒子は、その製造方法によりＯＨ基を含む製品もあるが、中にはＯＨ基濃度が少ない製品もあるため、上記方法にて一旦高濃度のＯＨ基を含有させることが望ましい。
【００３１】
シリカ粒子に含まれるＯＨ基の濃度は、温排気条件を種々選択することにより、紫外線反射層３０を構成するシリカ粒子に含まれるＯＨ基濃度を任意の値に調整することができる。例えば、保持温度が一定でも、保持時間を長くするにしたがって、より多くのＯＨ基を取除くことができる。シリカ粒子に予め含ませていたＯＨ基の量を考慮して、温排気により取除くＯＨ基の量を調製することにより、任意のＯＨ基濃度のシリカ粒子を含有する微小粒子よりなる紫外線反射層３０を形成することができる。
【００３２】
エキシマランプに関する第１の実験を示す。
図１（ａ）、（ｂ）に示す構成に従って、紫外線反射層を備えるエキシマランプを作製した。
［エキシマランプの基本構成］
放電容器は、材質がシリカガラスであって、寸法が１５ｍｍ×４３ｍｍ×３５０ｍｍ、肉厚が２．５ｍｍである。
高電圧供給電極及び接地電極の寸法は、３０ｍｍ×３００ｍｍである。
紫外線反射層は、中心粒径１．５μｍのシリカ粒子を成分比９０重量％、中心粒径１．５μｍのアルミナ粒子を成分比１０重量％として混合したものより構成され、流下法によってそれぞれ形成し、焼成温度は１０００℃とした。
放電用ガスとしてキセノンを放電容器内に４０ｋＰａで封入した。
【００３３】
上記構成を有するエキシマランプについて、シリカ粒子中のＯＨ基濃度、反射維持率、及び、照度維持率を測定した。紫外線反射層を放電容器から全て削り取り、昇温脱離ガス分析法を用いて測定することにより、紫外線反射層に含まれるシリカ粒子中のＯＨ基濃度を算出した。また、削り取った紫外線反射層に含まれるシリカ粒子の成分比を求め、成分比からシリカ粒子のみの重量に対するＯＨ基の重量を算出して計算した。さらに、真空紫外光分光装置（VUV）や紫外線照度測定器を用いて、初期状態に対する５００時間連続点灯後の紫外線反射層の反射維持率、及び、照度維持率を測定した。
ランプ１〜５の測定結果を表１に示す。
【００３４】
【表１】
0005245552.tif 000002
【００３５】
図２は、表１に示す測定結果について、横軸にシリカ粒子中ＯＨ基濃度（ｗｔｐｐｍ）、縦軸に反射維持率（％）とし、ランプ１〜５の値をプロットしたグラフである。
また、図３は、表１に示す測定結果について、横軸にシリカ粒子中ＯＨ基濃度（ｗｔｐｐｍ）、縦軸に照度維持率（％）とし、ランプ１〜５の値をプロットしたグラフである。
なお、図２及び図３に示すグラフは、横軸が対数目盛となっている片対数グラフとなっている。
【００３６】
以上の結果より、シリカ粒子中のＯＨ基濃度が１０ｗｔｐｐｍ未満のときは、反射維持率も照度維持率も低く留まり、エキシマランプを長時間点灯させると、処理能力が低下することが読み取れる。一方、シリカ粒子中のＯＨ基濃度が１０ｗｔｐｐｍ以上になると、反射維持率も照度維持率も９０％以上となり、エキシマランプを長時間点灯させても、処理能力を維持できることが読み取れる。図２及び図３に示すように、ＯＨ基濃度が１０ｗｔｐｐｍ未満から１０ｗｔｐｐｍ以上となるときに、反射維持率も照度維持率も急激に高くなることから、シリカ粒子中のＯＨ基濃度を１０ｗｔｐｐｍ以上にすることに顕著な差異が認められ、長時間点灯するときの照度維持に関して際立って優れた効果を発揮することがわかった。
【００３７】
しかしながら、紫外線反射層３０を構成するシリカ粒子中のＯＨ基濃度を１０ｗｔｐｐｍ以上にしても、エキシマランプの１７２ｎｍを中心波長とするエキシマ発光の照度が低い場合が発生した。また、放電用ガスとしてキセノンが封入されたエキシマランプ１０の点灯中に、放電空間Ｓで発生する放電の色が緑色になることがあり、キセノン原子と酸素原子が結合した分子（ＸｅＯ）が生じて、この分子から中心波長を５５０ｎｍ付近とする緑色の光が放射されていることが確認された。
【００３８】
また、紫外線反射層３０を構成するシリカ粒子に含まれるＯＨ基は、放電空間内において生成される放電プラズマにさらされると、加熱されることにより放電空間Ｓ内に水（Ｈ２Ｏ）を主成分とする不純ガスを放出するものと考えられる。水を主成分とする不純ガスがプラズマ中で分解されて生じた酸素原子は、紫外線反射層３０を構成するシリカ粒子に含まれるＯＨ基から放電空間Ｓに放出されている。
【００３９】
放電容器２０の内表面に微小粒子よりなる紫外線反射層３０が形成されている場合には、微小粒子の凹凸があるため、紫外線反射層３０が形成されていない平坦な放電容器２０の表面よりも表面積が大きくなる。不純ガスは、放電プラズマにさらされる紫外線反射層３０から放出されて生じるので、紫外線反射層３０が形成されている場合により多くの不純ガスが発生する。さらに、紫外線反射層３０を構成する微小粒子は、粒子１個の体積が小さいことから、放電容器２０と比べて熱容量が小さい。このため放電プラズマが発生する数１０ｎｓ程度の短時間で加熱されるとしても、高い温度になって不純ガスを放出しやすい。
【００４０】
堆積体Ａ３１は、上壁板２１の内表面の高電圧供給電極１１に対応する領域に形成されているので、電極１１、１２間で発生する放電プラズマに直接さらされるため、加熱されることにより放電空間Ｓ内に不純ガスを放出する。
一方、堆積体Ｂ３２は、高電圧供給電極１１より外れた上壁板２１若しくは接地電極１２より外れた下壁板２２の内表面、又は、側壁板２３若しくは端壁板２４の内表面のいずれかの領域に形成されるため、放電空間Ｓに対面するが、電極１１、１２間で発生する放電プラズマに直接さらされない。そのため、堆積体Ｂ３２からはほとんど不純ガスが発生しないものと考えられる。逆に、堆積体Ｂ３２は不純ガスを吸着しているものと考えられ、そのことは以下の実験により実証される。
【００４１】
第２の実験対象として、放電容器２０の内表面に、堆積体Ｂのみを形成し、堆積体Ａを形成しないエキシマランプを製作した。放電用ガスとしてキセノンを用い、放電用ガスを封入する際に酸素も混入させて、予め不純ガスとして酸素が封入されたエキシマランプを実験対象とした。放電空間Ｓに封入された酸素濃度は１６０ｗｔｐｐｍ、放電用ガスの圧力は４０ｋＰａとした。不純ガスとして酸素が混入すると、希ガスと反応して照度低下に与える影響が大きく、さらに、波長５５０ｎｍの放電の光が生じることから、放電空間Ｓに酸素が混入していることが容易に判別できる。
【００４２】
放電容器の内表面に、微小粒子を構成する粒子の成分比が異なる堆積体Ｂを備えたエキシマランプを３種用意した。ランプ１はシリカ粒子のみからなる堆積体Ｂを備え、ランプ２はシリカ粒子とアルミナ粒子からなる堆積体Ｂを備え、ランプ３はシリカ粒子とフッ化カルシウム粒子からなる堆積体Ｂを備えている。また、比較例として堆積体Ｂが形成されていないランプ４を用意した。それぞれのランプについて、エキシマ放電が安定するまでとなる連続点灯１５分後の５５０ｎｍの発光強度を測定し、それを「５５０ｎｍ発光強度点灯初期」とした。その後、エキシマランプの点灯を継続し、連続点灯５時間後の５５０ｎｍ発光強度を測定し、それを「５５０ｎｍ発光強度点灯５時間後」とした。
【００４３】
【表２】
0005245552.tif 000003
【００４４】
第２の実験結果を表２に示す。「５５０ｎｍ発光強度点灯５時間後」の値は、「５５０ｎｍ発光強度点灯初期」の値を１００とした場合の相対値として表されている。堆積体Ｂを備えたランプ１〜ランプ３において、５５０ｎｍ発光強度点灯５時間後の値が１００以下に減少しており、点灯初期に比べてキセノン原子と酸素原子が結合した分子（ＸｅＯ）の数が減っている。すなわち、放電空間中にあらかじめ混入させていた酸素が減少している。一方、堆積体Ｂが形成されていないランプ４では、５５０ｎｍ発光強度点灯５時間後の値が１００のまま維持され、放電空間中にあらかじめ混入させていた酸素の量に変化がないことがわかる。これより、エキシマランプの放電容器の内表面に堆積体Ｂを設けたことで５５０ｎｍの光が減少することが確認され、酸素が堆積体Ｂに吸着されることがわかる。また、堆積体Ｂは放電プラズマに曝されないために、吸着した不純ガスが放電空間に放出されないと考えられる。
【００４５】
続いて、第２の実験で確認された酸素が堆積体Ｂに吸着されるという現象は、エキシマランプの点灯によって生じるものであるのかどうかを確かめるために、第３の実験を行った。第２の実験対象であるランプ１〜３と同様の構成を有するランプ５〜７を第３の実験対象とした。また、比較例として堆積体Ｂが形成されていないランプ８を用意した。それぞれのランプについて、連続点灯１５分後の５５０ｎｍの発光強度を測定し、それを「５５０ｎｍ発光強度点灯初期」とした。その後、点灯させないまま４８時間放置し、放置後に点灯し、連続点灯１５分後の５５０ｎｍの発光強度を測定し、それを「５５０ｎｍ発光強度４８時間経過後」とした。その後、エキシマランプの点灯を継続し、連続点灯５時間後の５５０ｎｍ発光強度を測定し、それを「５５０ｎｍ発光強度４８時間経過後の点灯５時間後」とした。
【００４６】
【表３】
0005245552.tif 000004
【００４７】
第３の実験結果を表３に示す。「５５０ｎｍ発光強度４８時間経過後」および「５５０ｎｍ発光強度点灯４８時間経過後の点灯５時間後」の値は、「５５０ｎｍ発光強度点灯初期」の値を１００とした場合の相対値として表されている。堆積体Ｂを備えたランプ５〜ランプ７において、５５０ｎｍ発光強度４８時間経過後の値が１００であるのに対し、５５０ｎｍ発光強度４８時間経過後の点灯５時間後の値が１０〜１１に減少しており、エキシマランプを点灯させることで初めて酸素が減少することがわかる。堆積体Ｂに酸素が吸着する原理として、堆積体Ｂの微小粒子表面において、点灯させることで発生した紫外線により酸素が化学反応を起こして吸着される化学吸着が生じていると考えられる。
一方、堆積体Ｂが形成されていないランプ８では、５５０ｎｍ発光強度４８時間経過後も５５０ｎｍ発光強度４８時間経過後の点灯５時間後も値が１００のまま維持されるので、放電空間中にあらかじめ混入させていた酸素の量に変化がないことがわかる。
【００４８】
堆積体Ｂを構成する微小粒子は、放電空間に曝される表面において不純ガスを吸着するため、放電空間に面する表面積が大きいほどより多くの不純ガスを吸着できる。したがって、「比表面積」、すなわち、単位重量の粉体中に含まれる全粒子の表面積の総和、が大きいほどより多くの不純ガスを吸着する。比表面積は、例えば微小粒子の表面にあらかじめ占有面積既知の分子ガス（例えば窒素）を吸着させ、その量から比表面積を求めるＢＥＴ法と呼ばれる測定方法を用いて測定される。堆積体Ｂを構成する微小粒子の比表面積を測定する場合、堆積体Ｂの放電空間に曝される表面を分子ガスにさらして吸着させ、その量から比表面積を求める。
【００４９】
以下に、本発明の効果を確認するために行った第４の実験を示す。
＜実験対象＞
図１（a）、（ｂ）に示す構成に従って、堆積体Ａおよび堆積体Ｂを備えるエキシマランプを作製した。
［エキシマランプの基本構成］
放電容器は、材質がシリカガラスであって、寸法が１５ｍｍ×４３ｍｍ×５４０ｍｍ、肉厚が２．５ｍｍである。
高電圧供給電極及び接地電極の寸法は、３２ｍｍ×５００ｍｍである。
下壁板において堆積体Ｂが形成されていない領域に対応する光出射部の寸法は接地電極より２ｍｍ大きく、３６ｍｍ×５０４ｍｍである。
堆積体Ａと堆積体Ｂは、流下法によってそれぞれ形成し、焼成温度は１０００℃とした。
温排気を８００℃、１時間（昇温後の時間）の条件で行った後、放電容器内にキセノンを封入した。その封入量は４０ｋＰａである。
製作したランプの堆積体ＡのＯＨ基含有量は５００ｗｔｐｐｍである。
【００５０】
表４に示すように、堆積体Ａの構成について、構成（１−１）、構成（１−２）、構成（１−３）、構成（１−４）の４種を用意した。４種それぞれの構成は、材料、粒子径、中心粒径、成分比において共通するが、上壁板の内表面の高電圧供給電極に対応する領域に形成される堆積体Ａの設置面積を１６０ｃｍ２、１２８ｃｍ２、１０７ｃｍ２、４０ｃｍ２と変えている。放電空間内に放出される不純ガスの量は、堆積体Ａの設置面積に依存するため、構成（１−１）のように堆積体Ａの設置面積が大きいほど不純ガスの量が多く、構成（１−４）のように堆積体Ａの設置面積が小さいほど不純ガスの量が少なくなる。また、構成（１−２）、構成（１−３）、構成（１−４）では、堆積体Ａの形成されている設置面積が、高電圧供給電極の形成されている面積である１６０ｃｍ２より小さいので、高電圧供給電極が設けられている放電容器の内表面の全領域ではなく、その一部に堆積体Ａが形成されている。
【００５１】
【表４】
0005245552.tif 000005
【００５２】
また、表５に示すように、堆積体Ｂの構成についても、構成（２−１）、構成（２−２）、構成（２−３）、構成（２−４）の４種を用意した。構成（２−１）、構成（２−２）、構成（２−３）はシリカ粒子のみからなり、構成（２−４）はシリカ粒子及びアルミナ粒子よりなる。構成（２−１）、構成（２−２）、構成（２−３）は、シリカ粒子の粒子径を変えることによって、比表面積を１６×１０４ｃｍ２／ｇ、４×１０４ｃｍ２／ｇ、１×１０４ｃｍ２／ｇと異なるものにしている。また、構成（２−４）の比表面積は４×１０４ｃｍ２／ｇとなっている。堆積体Ｂの比表面積が大きいほどより多くの不純ガスを吸着するので、構成（２−１）のように堆積体Ｂの比表面積が大きいほど放電空間に面する表面積が大きいので、放電空間内に混入する不純ガスの量が点灯に伴って減り、構成（２−３）のように堆積体Ｂの比表面積が小さいほど放電空間内に混入する不純ガスの点灯に伴って減る量が少なくなる。
【００５３】
【表５】
0005245552.tif 000006
【００５４】
堆積体Ａを構成（１−１）としたものに対して、堆積体Ｂを構成（２−１）〜構成（２−４）としたものを実験対象として用意した。また、それぞれの組合せに対して、堆積体Ｂの設置面積を変えたものを５種類用意した。同様にして、堆積体Ａを構成（１−２）、構成（１−３）、構成（１−４）としたものに対して、堆積体Ｂを構成（２−１）〜構成（２−３）としたものを用意した。
このように構成されたそれぞれのエキシマランプについて、放電容器の管壁負荷が０．６Ｗ／ｃｍ２となる条件で点灯させ、連続点灯１５分後の波長１５０ｎｍ〜２００nmの波長域のキセノンエキシマ光の照度と、一定の管壁負荷で５００時間連続点灯させた後の波長１５０ｎｍ〜２００nmの波長域のキセノンエキシマ光の照度を測定した。連続点灯１５分後の照度を初期照度とし、５００時間連続点灯させた後の照度を初期照度との相対値を照度維持率として、「５００時間照度維持率」を［（５００時間点灯後の照度）／（点灯直後の照度）］（％）として算出した。５００時間とした理由は次のとおりである。不純ガスによる照度低下が５００時間まで続くが、それ以降の照度は低下しないことから、紫外線反射層に含まれる不純ガスは５００時間までの間に全て放出され、それ以降は放出されないと考えられるためである。
製品の規格として、８０％以上の照度維持を要求されることがあるため、判定として５００時間照度維持率が８０％以上となるときを「○」とし、５００時間照度維持率が８０％以下となるときを「×」とした。
【００５５】
照度測定は、図４に示すように、アルミニウム製容器４０の内部に配置されたセラミクス製の支持台４１の上にエキシマランプ１０を固定すると共に、エキシマランプ１０の表面から１ｍｍ離れた位置において、エキシマランプ１０に対向するよう紫外線照度測定器４２を固定し、アルミニウム製容器４０の内部雰囲気を窒素で置換した状態において、エキシマランプ１０の電極１１、１２間に５．０ｋＶの交流高電圧を印加することにより、放電容器２０の内部に放電を発生させ、接地電極１２の網目を介して放射される真空紫外光の照度を測定した。
【００５６】
実験結果を図５および図６に示す。この結果から、堆積体Ａの構成と堆積体Ｂの構成のそれぞれの組合せにおいて、５００時間照度維持率が８０％以上となるエキシマランプのうち、堆積体Ｂの設置面積が最も小さくなる組合せを抽出した。例えば、堆積体Ａの構成が「構成（１−１）」であり、堆積体Ｂの構成が「構成（２−１）」である組合せにおいて、ランプ３が該当する。同様にして、ランプ８、ランプ１３、ランプ１８等が該当する。
このようにして抽出された組合せについて、堆積体Ａの構成、堆積体Ｂの構成、堆積体Ｂの比表面積、堆積体Ｂの設置面積を列記したものを表６に示す。
【００５７】
【表６】
0005245552.tif 000007
【００５８】
図７は、表６の結果を示すグラフである。横軸を堆積体Ｂの比表面積（×１０４ｃｍ２／ｇ）とし、縦軸を堆積体Ｂの設置面積（ｃｍ２）とし、堆積体Ａの構成ごとに値をプロットした。
表６および図７には、比表面積が大きいほど、照度低下の抑制に必要な設置面積が小さくなることが示されている。堆積体Ａの各構成、すなわち構成（１−１）、構成（１−２）、構成（１−３）について、それぞれ設置面積は比表面積に比例している。しかし、構成（１−４）を堆積体Ａとして備えるエキシマランプにおいては、比表面積が増えても設置面積は１０ｃｍ２より低い値にならなかった。
【００５９】
構成（１−４）を堆積体Ａとして備えるエキシマランプにおいては、放電容器の内容積に対して堆積体Ｂの設置面積が小さすぎるため、放電空間内に拡散している不純ガスが堆積体Ｂに到達する確率が低くなり、吸着の効果が表れなくなっているためと考えられる。つまり、放電空間の大きさに対して最低限必要な堆積体Ｂの面積があるといえる。放電空間の大きさを放電容器の内表面積で表すと、この場合、内表面積はおよそ５００ｃｍ２であるのに対して、堆積体Ｂの設置面積は１０ｃｍ２である。したがって、最低限必要な堆積体Ｂの設置面積は、放電容器の内表面積に対して０．０２倍である。
【００６０】
次に、図７における堆積体Ａの各構成、すなわち構成（１−１）、構成（１−２）、構成（１−３）の近似直線のそれぞれの傾きと切片を導出した。この結果を、堆積体Ａの構成、堆積体Ａの設置面積、堆積体Ｂの比表面積と設置面積との関係の傾き、堆積体Ｂの比表面積と設置面積との関係の切片を列記したものを表７に示す。
【００６１】
【表７】
0005245552.tif 000008
【００６２】
図８は、表７の結果について、横軸を堆積体Ａの設置面積（ｃｍ２）とし、縦軸を堆積体Ｂの比表面積と設置面積との関係の傾き（×１０―４ｇ）として値をプロットしたものである。
グラフより、堆積体Ｂの比表面積と設置面積との関係の傾きは、堆積体Ａの設置面積（ｃｍ２）に対して負の傾きを有する比例関係にあることがわかる。堆積体Ａの設置面積をa（ｃｍ２）とするとき、堆積体Ｂの比表面積と設置面積との関係の傾きは、−５．０×１０−７×ａとして表すことができる。
【００６３】
図９は、表７の結果について、横軸を堆積体Ａの設置面積（ｃｍ２）とし、縦軸を堆積体Ｂの比表面積と設置面積との関係の切片（ｃｍ２）として値をプロットしたものである。
グラフより、堆積体Ｂの比表面積と設置面積との関係の切片は、堆積体Ａの設置面積（ｃｍ２）に対して正の傾きを有する比例関係にあることがわかる。堆積体Ａの設置面積をa（ｃｍ２）とするとき、堆積体Ｂの比表面積と設置面積との関係の切片は、０．３５×ａとして表すことができる。
【００６４】
また、図７より、堆積体Ｂの設置面積は、堆積体Ｂの比表面積に対して、「堆積体Ｂの比表面積と設置面積との関係の傾き」で、「堆積体Ｂの比表面積と設置面積との関係の切片」とする比例関係にあることがいえる。これより、図５における堆積体Ｂの設置面積と堆積体Ｂの比表面積との関係は、堆積体Ｂの設置面積をb（ｃｍ２）、堆積体Ｂの比表面積をｃ（ｃｍ２／ｇ）とするとき、
ｂ＝（堆積体Ｂの比表面積と設置面積との関係の傾き）×ｃ＋（堆積体Ｂの比表面積と設置面積との関係の切片）
と表すことができる。
【００６５】
さらに、図８および図９の結果から、堆積体Ａの設置面積をa（ｃｍ２）とするとき、堆積体Ｂの比表面積と設置面積との関係の傾きは−５．０×１０−７×ａとして表すことができ、堆積体Ｂの比表面積と設置面積との関係の切片は０．３５×ａとして表すことができるので、図７における堆積体Ｂの設置面積と堆積体Ｂの比表面積との関係は以下のように示すことができる。
ｂ＝−５．０×１０−７ａｃ＋０．３５ａ
【００６６】
また、図５および図６の実験結果から、堆積体Ｂの設置面積bは、図５における堆積体Ｂの設置面積と堆積体Ｂの比表面積との関係に示される量より大きければ、５００時間照度維持率が８０％以上となり、判定が○となることが読み取れる。
以上の結果から、ＯＨ基を含有する堆積体Ａを備えたエキシマランプにおいて、照度低下を抑制するためには、堆積体Ｂの設置面積が以下の関係を満たせばよいことがわかった。
堆積体Ａの設置面積をa（ｃｍ２）、堆積体Ｂの設置面積をb（ｃｍ２）、堆積体Ｂの比表面積をｃ（ｃｍ２／ｇ）としたとき、
ｂ≧−５．０×１０−７ａｃ＋０．３５ａである。
【００６７】
また、図７について、構成（１−４）を堆積体Ａとして備えるエキシマランプにおいては、堆積体Ｂの比表面積が増えても、堆積体Ｂの設置面積は１０ｃｍ２より低い値にならず、堆積体Ｂの比表面積と設置面積との関係が構成（１−１）、構成（１−２）、構成（１−３）を堆積体Ａとして備える場合のようにならなかった。そのため、表７および図８、図９において、構成（１−４）を堆積体Ａとして備える場合を考慮していない。すなわち、上記堆積体Ｂの設置面積が満たすべき条件は、構成（１−４）を堆積体Ａとして備える場合を除いたものとしている。したがって、堆積体Ｂの設置面積が満たすべき条件において、構成（１−４）を堆積体Ａとして備える場合を除かなければならない。
【００６８】
構成（１−４）を堆積体Ａとして備える場合とは、放電容器の内容積に対して堆積体Ｂの設置面積が小さすぎるため、吸着の効果が表れなくなっている場合である。すなわち、堆積体Ｂの設置面積は、放電容器の内表面積に対して０．０２倍程度になっているときである。したがって、照度低下を抑制するための、堆積体Ｂの設置面積b（ｃｍ２）の関係については、放電容器の内表面積をd（ｃｍ２）としたとき、以下の条件も満たす必要がある。
ｂ＞０．０２ｄ
【００６９】
以上の結果から、ＯＨ基を含有する堆積体Ａを備えたエキシマランプにおいて、照度低下を抑制するためには、堆積体Ｂの構成が以下の関係を満たす必要があることがわかった。堆積体Ａの設置面積をa（ｃｍ２）、堆積体Ｂの設置面積をb（ｃｍ２）、堆積体Ｂの比表面積をｃ（ｃｍ２／ｇ）、放電容器の内表面積をd（ｃｍ２）としたとき、
ｂ≧−５．０×１０−７ａｃ＋０．３５ａ、かつ、ｂ＞０．０２ｄ
を満たすことを要する。
【００７０】
上記関係を満たすことによって、堆積体Ａから放出される不純ガスの量が、堆積体Ｂが吸収できる不純ガスの量を上回ることがなく、放電空間に不純ガスが残留しないようにできる。したがって、不純ガスに含まれる酸素原子が放電用ガスと結合することによるエキシマ発光の照度低下を抑えることができ、エキシマランプを長時間点灯させた場合であっても、照度の低下を抑制することができ、真空紫外光を効率よく出射できる。
【００７１】
なお、堆積体Ａの設置面積a（ｃｍ２）および堆積体Ｂの設置面積b（ｃｍ２）は、微小粒子の凹凸を考慮せず、堆積体Ａまたは堆積体Ｂの表面が滑らかであると想定して計測した値をいう。また、放電容器の内表面積d（ｃｍ２）も、その表面が滑らかであると想定して計測した値をいう。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】本発明のエキシマランプの一例における構成の概略を示す説明用断面図であって、（a）放電容器の長手方向に沿った断面を示す断面図、（ｂ）（a）におけるＡ−Ａ'線断面図である。
【図２】エキシマランプの実験結果である。
【図３】エキシマランプの実験結果である。
【図４】実験例におけるエキシマランプの照度の測定方法を説明するための断面図である。
【図５】エキシマランプの実験結果である。
【図６】エキシマランプの実験結果である。
【図７】エキシマランプの実験結果である。
【図８】エキシマランプの実験結果である。
【図９】エキシマランプの実験結果である。
【図１０】従来のエキシマランプの構成の概略を示す説明用斜視図である。
【符号の説明】
【００７３】
１０    エキシマランプ
１１    高電圧供給電極
１２    接地電極
２０    放電容器
２１    上壁板
２２    下壁板
２３    側壁板
２４    端壁板
３０    紫外線反射層
３１    堆積体Ａ
３２    堆積体Ｂ
４０    アルミ製容器
４１    支持台
４２    紫外線照度測定器
Ｓ    放電空間
【図１】
0005245552.tif 000009
【図２】
0005245552.tif 000010
【図３】
0005245552.tif 000011
【図４】
0005245552.tif 000012
【図５】
0005245552.tif 000013
【図６】
0005245552.tif 000014
【図７】
0005245552.tif 000015
【図８】
0005245552.tif 000016
【図９】
0005245552.tif 000017
【図１０】
0005245552.tif 000018