(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子を封止してなるパッケージ部品と、
前記パッケージ部品を挿入して組立体を形成するケースとを備え、
前記パッケージ部品は、その側面から上方へ延在する端子を備え、
前記ケースは、上方へ延在する前記端子に対し側方から接し、かつ、前記端子と溶接されたバスバーを備え、
前記端子は、上広がりに延在し、
前記端子は、前記バスバーとの接触部を前記バスバーと平行にするための曲折部を有する、
半導体装置。
【請求項２】
前記端子は、複数備えられ、
前記複数の端子は、前記パッケージ部品の向かい合う側面において互いに対応する位置に備えられる、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記バスバーは、前記端子と同様の形状である、
請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記ケースの側面は、テーパー形状を有する、
請求項１〜３のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項５】
半導体素子を封止してなるパッケージ部品と、
前記パッケージ部品を挿入して組立体を形成するケースとを備え、
前記パッケージ部品は、その側面から上方へ延在する端子を備え、
前記ケースは、上方へ延在する前記端子に対し側方から接し、かつ、前記端子と溶接されたバスバーを備え、
前記端子は、上広がりに延在し、前記バスバーとの接触部に凸部を有する、
半導体装置。
【請求項６】
半導体素子を封止してなるパッケージ部品と、
前記パッケージ部品を挿入して組立体を形成するケースとを備え、
前記パッケージ部品は、その側面から上方へ延在する端子を備え、
前記ケースは、上方へ延在する前記端子に対し側方から接し、かつ、前記端子と溶接されたバスバーを備え、
前記端子は、上広がりに延在し、
前記端子の先端は、内方向に向かうＲ形状部を有する、
半導体装置。
【請求項７】
半導体素子を封止してなるパッケージ部品と、
前記パッケージ部品を挿入して組立体を形成するケースとを備え、
前記パッケージ部品は、その側面から上方へ延在する端子を備え、
前記ケースは、上方へ延在する前記端子に対し側方から接し、かつ、前記端子と溶接されたバスバーを備え、
前記端子は、上広がりに延在し、
前記端子は、複数備えられ、
前記複数の端子は、前記パッケージ部品の向かい合う側面において互いに対応する位置に備えられ、
前記バスバーは、前記端子と同様の形状である、
半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置に関し、特に、大電流が流れる半導体素子を用いた半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体素子を用いた半導体装置の配線は、ネジ締結もしくははんだ付け手法により接続されていた。ただ、ネジ締結により配線接続した場合は、半導体装置の小型化、軽量化が実現し難く、また、はんだ付けにより配線接続した場合は、接合部において高い耐久性を実現することが難しかった。また、ネジ締結およびはんだ付け両者とも、製造工程上の生産効率が好ましくなく、作業者に依存した工程となっており、生産性の向上、安定した工程の実現が問題となっていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−１３４６８８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記のような配線接続の方法に対し、例えば特許文献１に示すような溶接により配線接続を行う方法がある。しかし溶接手法により接合する場合には、クランプ等の溶接専用治具を用いて接合個所毎に電位を与える必要があった。そこで、必要な各半導体素子を樹脂で封止したパッケージ部品（ＰＫＧ品）をケース内に組立し半導体装置を製造することにより、ＰＫＧ品から露出させた端子とケース内のバスバーとを接触させ、容易に配線接続していた。
【０００５】
しかしこのような場合でも、接合個所においてお互い接していない、導通されていないため、溶接不良モードが発生してしまうという問題があった。たとえば、電位が印加されていないためアーク放電されず溶接ができない、それぞれの母材が溶融するだけで両者が接合されていない分岐形状が発生する、という問題があった。
【０００６】
本発明は上記のような問題を解決するためになされたものであり、生産性に優れた高品質、高信頼性の高寿命化された配線接続を得るとともに、しいては高信頼性を実現した半導体装置の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明にかかる半導体装置は、半導体素子を封止してなるパッケージ部品と、前記パッケージ部品を挿入して組立体を形成するケースとを備え、前記パッケージ部品は、その側面から上方へ延在する端子を備え、前記ケースは、上方へ延在する前記端子に対し側方から接し、かつ、前記端子と溶接されたバスバーを備え、前記端子は、上広がりに延在し、前記端子は、前記バスバーとの接触部を前記バスバーと平行にするための曲折部を有する。
【発明の効果】
【０００８】
本発明にかかる半導体装置によれば、半導体素子を封止してなるパッケージ部品と、前記パッケージ部品を挿入して組立体を形成するケースとを備え、前記パッケージ部品は、その側面から上方へ延在する端子を備え、前記ケースは、上方へ延在する前記端子に対し側方から接し、かつ、前記端子と溶接されたバスバーを備え、前記端子は、上広がりに延在し、前記端子は、前記バスバーとの接触部を前記バスバーと平行にするための曲折部を有することにより、端子およびバスバー両者の接触を確保でき、溶接不良モードの発生を抑制できるので、生産性に優れた高品質、高信頼性の高寿命化された配線接続を得るとともに、しいては半導体装置の高信頼性を実現することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の実施の形態１における、半導体装置を示す斜視図である。
【図２】本発明の実施の形態１における、半導体装置を示す上面図である。
【図３】本発明の実施の形態１における、半導体装置を示す断面図である。
【図４】本発明の実施の形態１における、ＰＫＧ品の挿入時の、ＰＫＧ品の端子の曲げ角度と、ＰＫＧ品の端子がバスバーから受ける反力との関係を示す図である。
【図５】本発明の実施の形態２における、半導体装置を示す断面図である。
【図６】本発明の実施の形態３における、半導体装置を示す断面図である。
【図７】本発明の実施の形態４における、半導体装置を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
＜Ａ．実施の形態１＞
本発明の実施の形態１である半導体装置、該半導体装置の製造方法について、図を参照しながら以下に説明する。
【００１１】
＜Ａ−１．構成＞
図１に、本発明の実施の形態１に係る半導体装置１０１の概略斜視図を示す。図２は、図１の上面図である。
【００１２】
図１において、半導体装置１０１は、ケース３に入出力端子５を備え、入出力端子５に接続される端子２を備えたＰＫＧ品１を、ケース３内部に備える。
【００１３】
ケース３内部には、ＰＫＧ品１が複数備えられ、各々のＰＫＧ品１が、バスバー４を介して接続されている。
【００１４】
図２は、図１の半導体装置１０１を上方から見た図であり、ケース３内に複数備えられたＰＫＧ品１が、バスバー４を介して互いに接続され、ケース３に備えられた入出力端子５と、ＰＫＧ品１の端子２とが接続されていることが分かる。
【００１５】
図３は、図１、２に示す半導体装置１０１の断面図である。図３は、図１、２において図示を省略していた構成要素も加えられた、詳細な断面図である。
【００１６】
半導体装置１０１は、半導体素子等が樹脂にて封止されたパッケージ部品としてのＰＫＧ品１と、複数のＰＫＧ品１を内部に挿入して組立体を形成するケース３と、各々のＰＫＧ品１を接続する際に介在するケース３のバスバー４、ＰＫＧ品１の端子２とを備える。
【００１７】
半導体装置１０１はさらに以下に説明する構成を備える。尚、以下の説明にて示す各部の寸法は、一例であり、記載の寸法に限定するものではない。
【００１８】
半導体装置１０１のケース３は、平面方向の一辺が６０〜４００ｍｍ、高さが５０〜７０ｍｍ程度で、面積が６０〜４００ｍｍの冷却器６の上面に接着されている。ケース３には底面はなく、冷却器６がケース３と接着することで、底面が形成される。
【００１９】
ケース３は、銅を主成分とし、厚さが０．６〜２．５ｍｍの導体金属を、ＰＰＳ（Ｐｏｌｙ  Ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ  Ｓｕｌｆｉｄｅ）、ＰＢＴ（Ｐｏｌｙ  Ｂｕｔｙｌｅｎｅ  Ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）をはじめとした熱可塑性樹脂で一体成型したものである。導体金属の一部がバスバー４、入出力端子５として樹脂から露出している。このバスバー４、入出力端子５は、それぞれ配線接続される。入出力端子５は、バッテリー等の電源やモータ駆動機、発電機に接続される。
【００２０】
ケース３の下方に位置する冷却器６は、主にアルミから成り立っており、空冷もしくは水冷式によりＰＫＧ品１の内部に搭載された半導体素子を冷却させる。冷却器６上において、ケース３は接着剤で接着され固定されている。
【００２１】
前述のように、複数個（図１では１４個）のＰＫＧ品１がケース３内に組み込まれている。ＰＫＧ品１には、ＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ  Ｇａｔｅ  Ｂｉｐｏｌａｒ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、ＦｗＤｉ（Ｆｒｅｅ  Ｗｈｅｅｌｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）といった半導体素子が備えられる。
【００２２】
このような半導体素子は、放熱性を有した回路基板上に、Ｓｎをはじめとした金属接合材料もしくは熱伝導率２０〜９０Ｗ／ｍｋのＡｇペースト、ナノペースト状の１７５℃以上の耐久性を有する導電性接着剤材料等により接合されている。また、半導体素子および回路基板上は、アルミ等によりワイヤボンディング、Ｓｎをはじめとした金属接合材料により、ＰＫＧ品１に実装されている。
【００２３】
そしてＰＰＳ、ＰＢＴまたはエポキシといった樹脂でＰＫＧ品１を一体成型し、ＰＫＧ品１内の配線部である、主に銅から成り立っている端子２を露出させる。尚、本実施の形態１では、半導体素子をＩＧＢＴ、ＦｗＤｉとしたが、用途に応じてＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ−Ｏｘｉｄｅ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｆｉｅｌｄ−Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等を用いても構わない。
【００２４】
ＰＫＧ品１内に搭載されている半導体素子数も用途に応じて搭載している。したがって、ＰＫＧ品１のサイズは、半導体素子の仕様（サイズ、個数）に対応しており、一辺２０〜８０ｍｍである。
【００２５】
ＰＫＧ品１は、放熱グリス剤７を介して冷却器６に取り付けられている。放熱グリス剤７は、１．１〜５Ｗ／ｍｋ程度の放熱性があり、ＰＫＧ品１内に搭載された半導体素子で発生した熱が、放熱性を有した回路基板、放熱グリス剤７を介して冷却器６に放熱される。こうすることにより、半導体素子の特性を十分に引き出すことができる。
【００２６】
コンデンサ、ＩＣや保護回路等を有した制御基板８が、ＰＫＧ品１の上面に搭載され、ＰＫＧ品１の信号端子と配線接続される（図示は省略）。図１〜３には示していないが、ケース３内はエポキシ等の樹脂で封止してかまわない。また制御基板８のさらに上方で、ねじ締めで蓋をしてもかまわない。
【００２７】
半導体製品の通電電流は４５〜４００Ａであり、定格電圧としては６００〜１５００Ｖである。主に入力電圧を昇圧するコンバータ、モータの回生エネルギーの回収、モータ制御を実施する機能を保有している。
【００２８】
ＰＫＧ品１の端子２は、半導体素子の各電極と接続されており、幅が３〜２０ｍｍ、厚さが０．５〜２．０ｍｍ程度である。ＰＫＧ品１の側面から露出し、フォーミングされ曲折し、長さ３〜１０ｍｍ程度が上方向に向き、端子２の先端付近でバスバー４と接触するように、上広がりに延在する。
【００２９】
端子２は、ＰＫＧ品１の側面から水平方向に延び、略鉛直上方向に曲折し誘導される形状である。このとき、鉛直上方向に曲折するよりも浅い角度で、上方に誘導されるように形成されるため、端子２の端部は互いから離れる方向に広がり（上広がり）、それぞれが接するバスバー４側方向に寄りかかるような形状となる。すなわち端子２の曲折角度は９０度より小さい。
【００３０】
このように形成することにより、ＰＫＧ品１の端子２は、それぞれが接するバスバー４から反力を受ける。バスバー４は、端子２に対し側方から接する。本実施の形態１では、端子２の曲折角度は７５〜９０度未満とした。なお、端子２の厚みより、バスバー４の厚みを若干大きくし、剛性に差をつけた。
【００３１】
端子２の曲折角度と反力との関係を図４に示す。図４において、横軸が端子２の曲折角度、縦軸がそのとき端子２が受ける反力である。本実施の形態１では、８０Ｎ以下の反力を受ける曲折角度に設定した（すなわち、７５°以上の曲折角度）。曲折角度７５°以下で端子２を曲げても反力の大きさは大きくは変わらず、反力による接触向上の効果に差は少ないと考えられるからである。このバスバー４からの反力により、端子２とバスバー４とは接触し、導通し、半導体装置１０１内の配線接続は容易に実現することができる。このとき、端子２とバスバー４の抵抗値は、０．１Ω以下である。
【００３２】
また端子２が上広がりの形状であるのでバスバー４に接触しながらＰＫＧ品１を搭載することができ、その作業が容易となる。さらに図３に示すように、端子２がＰＫＧ品１中心に対し対称位置にある場合、すなわち、１対の端子２がＰＫＧ品１の向かい合う側面において、互いに対応する位置に配置される場合は、端子２はＰＫＧ品１の中心方向に向かって略対称方向の反力を受けるので、ＰＫＧ品１の冷却器６上の位置、配置が、この反力をガイドにして容易に固定することができる。よって、従来必要であったＰＫＧ品１の位置決め構造、治具は不要になるという効果がある。
【００３３】
端子２、バスバー４の各先端が接触している個所を溶接することによって（溶接部１１）、半導体装置１０１内の配線接続がさらに安定し、一定以上の接合強度を確保した配線接続を得ることができる。溶接手法としては、ＴＩＧをはじめとしたアーク放電を用いた溶接接合、もしくは局所加熱可能なレーザ発生電源を用いたレーザ溶接、もしくは電子ビームを用いた溶接を適用させることができる。
【００３４】
通常、上記に挙げた溶接手法は、すべての接合個所に電位印加が必要であったり、また接合個所に隙間があると接合不良が発生しやすい。しかしながら、本実施の形態１においては、端子２、バスバー４は、反力を受けながら接触し、導通しているので、クランプ等の溶接専用治具を用いて個々の接合個所に電位を与える必要はない。つまり、半導体装置１０１の入出力端子５のうち必要な個所のみにケーブル等にて配線し電位を与えれば、容易に溶接することができる。また、電位が与えられていないことにより溶接不可となることを回避できる（リードタイムの向上となる）。
【００３５】
端子２、バスバー４は、接合個所である端部で接触しているので、端子２、バスバー４のうち厚みの小さいほう（本実施の形態１では端子２）の、その厚みの１／２以下に、端子２とバスバー４との隙間（ＧＡＰ間）を抑制することができるので、隙間を原因として発生する分岐形状（接合個所が、一つの接合形状ではなく、二つの接合形状となり、端子２とバスバー４とが適切に接合されていない、もしくは一部だけが接合している溶接不良モードを生じる形状）の発生を抑制することができる。
【００３６】
ＰＫＧ品１の端子２がバスバー４と接触しない場合は、ケース３と直接接触することになる（図３参照）。ＰＫＧ品１を冷却器６上に搭載するとき、バスバー４と接触しない端子２が最初に接するケース３の側面をテーパー形状３ａにする。こうすることにより、このテーパー形状３ａがＰＫＧ品１を搭載する際のガイドとなり、その搭載性が容易となり、しいてはＰＫＧ品１搭載時に発生しやすい樹脂製ケースの割れ、欠けを抑制することができる。
【００３７】
＜Ａ−２．製造方法＞
半導体装置１０１の製造工程として、順に記す。バスバー４と一体成型するケース３を製作し、その後、ケース３と大キャストもしくはろう付けで製作された冷却器６を、接着剤で固定する（本実施の形態１では、冷却器６）。
【００３８】
次に、冷却器６上の間に放熱グリス剤７塗布、印刷し、ＰＫＧ品１を冷却器６上面の放熱グリス剤７を塗布した位置に鉛直方向に下降させる。その際、ＰＫＧ品１は、吸着され推力を持った装置にて変位・荷重制御をしながら押し込まれる。
【００３９】
ＰＫＧ品１には端子２が設けられており、冷却器６上に搭載される際、その端子２が、ケース３に設けられているバスバー４またはケース側面と接触する。１対の端子２が、バスバー４側またはケース側面に寄りかかるように、すなわち上広がりに設けられているため、端子２はバスバー４またはケース側面から反力を受ける。
【００４０】
次に、互いが反力を受け接している端子２およびバスバー４の先端に溶接を実施し（図の溶接部１１）、最後に制御基板８をケース３上方にて配置、はんだ付けし、蓋をねじ止めする（図示せず）。なお、端子２およびバスバー４の接合は溶接せずに、加圧接合してもかまわない。
【００４１】
このように、本実施の形態１における半導体装置１０１の製造方法では、半導体素子を直接実装するわけではないので、容易に半導体装置を製造することができる。また半導体装置１０１は、複数のＰＫＧ品１から構成されているので、製造工程もしくは製品としての使用中に、何らかの原因により半導体素子に不具合が発生しても、不具合個所のみ、つまり不具合が発生したＰＫＧ品１のみ交換、リペアすればよい。これは、従来製品ごと廃棄していたことを鑑みればコスト上大いにメリットがある。
【００４２】
＜Ａ−３．効果＞
本発明にかかる実施の形態１によれば、半導体装置において、半導体素子を封止してなるパッケージ部品としてのＰＫＧ品１と、ＰＫＧ品１を挿入して組立体を形成するケース３とを備え、ＰＫＧ品１は、その側面から上方へ延在する端子２を備え、ケース３は、上方へ延在する端子２に対し側方から接するバスバー４を備え、端子２は、上広がりに延在することで、端子２およびケース３の配線部としてのバスバー４両者の接触を確保でき、溶接不良モードの発生を抑制できるので、生産性に優れた高品質、高信頼性の高寿命化された配線接続を得るとともに、しいては半導体装置の高信頼性を実現することが可能となる。また、配線接続も容易になる。
【００４３】
また、本発明にかかる実施の形態１によれば、半導体装置において、端子２とバスバー４とは溶接されることで、配線接続がさらに安定し、信頼性に優れた半導体装置を得ることができる。
【００４４】
また、本発明にかかる実施の形態１によれば、半導体装置において、端子２は、複数備えられ、複数の端子２は、ＰＫＧ品１の向かい合う側面において互いに対応する位置に備えられることで、バスバー４から略対称方向の反力を受け、その反力をガイドにして容易にＰＫＧ品１を位置決めし、搭載することができる。
【００４５】
また、本発明にかかる実施の形態１によれば、半導体装置において、ケース３の側面は、テーパー形状３ａを有することで、ＰＫＧ品１の挿入の際、バスバー４に接触しない端子２が、ケース３の側面を損傷させること、または端子２が損傷を受ける等の不具合を抑制することができる。また、ＰＫＧ品１の挿入が容易になる。
【００４６】
＜Ｂ．実施の形態２＞
＜Ｂ−１．構成＞
図５に、本発明の実施の形態２に係る半導体装置１０２の断面図を示す。半導体装置１０２は、半導体素子が樹脂にて封止されたＰＫＧ品１と、バスバー４と一体成型されたケース３と、冷却器６とを備える。その他実施の形態１と同様の符号を付けた構成要素については、実施の形態１と同様であるので、詳細な説明を省略する。
【００４７】
ＰＫＧ品１の端子２０は、ＰＫＧ品１の側面から水平方向に延び、略鉛直上方向に曲折し誘導される形状である。このとき、鉛直上方向に曲折するよりも浅い角度で、上方に誘導されるように形成されるため、端子２０の端部は互いから離れる方向に広がり（上広がり）、それぞれが接するバスバー４側方向に寄りかかるような形状となる。また、その曲折個所から先端にかけて、鉛直方向に向かうように、すなわち１対の端子２０のバスバー４との接触部が、バスバー４と平行になるような曲折形状となっている。
【００４８】
このように形成することにより、端子２０およびバスバー４の端部における接触面積が大きくなるので、十分な接合強度を確保できるように接合サイズを大きくすることができる。また、溶接手法により配線接続すると、この溶接による接合部に加えて、接合部根元付近においても端子２０とバスバー４とが接することになるので、高品質、高寿命な配線接続となりうる。しいては、半導体装置の高品質、高寿命になることから、特に車載対応の半導体装置に適している。
【００４９】
また、ＰＫＧ品１を冷却器６上に搭載するとき、搭載当初からスムーズな挿入、組立が可能である。なお、端子２０およびバスバー４が、同一形状でもかまわない。
【００５０】
＜Ｂ−２．効果＞
本発明にかかる実施の形態２によれば、半導体装置において、端子２０は、バスバー４との接触部をバスバー４と平行にするための曲折部を有することで、端子２０とバスバー４との接触面積が大きくなり、より高品質、高寿命な配線接続を実現することができる。
【００５１】
＜Ｃ．実施の形態３＞
＜Ｃ−１．構成＞
図６に、本発明の実施の形態３に係る半導体装置１０３の断面図を示す。半導体装置１０３は、半導体素子が樹脂にて封止されたＰＫＧ品１と、バスバー４と一体成型されたケース３と、冷却器６とを備える。その他実施の形態１と同様の符号を付けた構成要素については、実施の形態１と同様であるので、詳細な説明を省略する。
【００５２】
ＰＫＧ品１の端子２１は、ＰＫＧ品１の側面から水平方向に延び、略鉛直上方向に曲折し誘導される形状である。このとき、鉛直上方向に曲折するよりも浅い角度で、上方に誘導されるように形成されるため、端子２１の端部は互いから離れる方向に広がり（上広がり）、それぞれが接するバスバー４側方向に寄りかかるような形状となる。さらに、端子２１とバスバー４とが接する部分（接触部）において凸形状（凸部）となっている。
【００５３】
端子２１の先端を接触するバスバー４側に凸形状（凸部）とすることで、端子２１とバスバー４とを容易に接触させ、導通させることができる。
【００５４】
さらにＰＫＧ品１を冷却器６上に搭載したあと、ＰＫＧ品１の上面にばね１０を介して押さえ板９を配置してもよく、これによって全ＰＫＧ品１を押さえ込む。こうすることによって、端子２１とバスバー４との接触部が安定し、ＰＫＧ品１が上向きの力を受けてもＰＫＧ品１の放熱能力を変わらず保持することができる。なお、ばね１０および押さえ板９は、実施の形態１、２において備えることも可能である。
【００５５】
なお、凸部を設けた端子２１を備える場合、端子２１は、凸形状の頂点がバスバー４に接触し反力を受けるような曲折角度を備えればよい。
【００５６】
＜Ｃ−２．効果＞
本発明にかかる実施の形態３によれば、半導体装置において、端子２１は、バスバー４との接触部に凸部を有することで、端子２１とバスバー４とを容易に接続させ、信頼性の高い配線接続を実現できる。また、加工も容易となる。
【００５７】
＜Ｄ．実施の形態４＞
＜Ｄ−１．構成＞
図７に、本発明の実施の形態４に係る半導体装置１０４の断面図を示す。半導体装置１０２は、半導体素子が樹脂にて封止されたＰＫＧ品１と、バスバー４０と一体成型されたケース３と、冷却器６とを備える。その他実施の形態１と同様の符号を付けた構成要素については、実施の形態１と同様であるので、詳細な説明を省略する。
【００５８】
端子２２は、ＰＫＧ品１の側面から略鉛直上方向に延びる。このとき、鉛直方向よりもバスバー４０側に傾いて、すなわち端子２２の端部は互いに離れる方向に広がり（上広がり）、それぞれが接するバスバー４０側方向に寄りかかるような形状となる。さらにその先端が、１対の端子２２の互いに向き合う方向（内方向）に向かうＲ形状である。同様にバスバー４０も、略鉛直上方向に、端子２２側に傾いて延びるように形成される。端子２２とバスバー４０は、それぞれそのＲ形状をした先端個所で接触し、導通している。
【００５９】
端子２２およびバスバー４０の接触する部分は、それぞれを金型でリードカットしフォーミングする際、ダレ面が生じるのでそれを活用してかまわない。ただし、そのダレ面の方向は互いに反する方向とする必要がある。
【００６０】
このように形成することにより、端子２２とバスバー４０とを容易に接触させることができ、製造工程も、端子２２とバスバー４０とを接触させるための新たな工程は不要となり安価である。なお端子２２およびバスバー４０の厚みは同一でもかまわない。
【００６１】
またＲ形状の部分があるため、溶接接合サイズは大きくなり十分な接合強度の接合部を得ることができる。なお端子２２およびバスバー４０の先端を溶接しなくてもかまわない。
【００６２】
なお、図７においてはケース３の側面には実施の形態１〜３のようなテーパー形状３ａは示されていないが、同様に備えられていてもよい。
【００６３】
＜Ｄ−２．効果＞
本発明にかかる実施の形態４によれば、半導体装置において、端子２２の先端は、内方向に向かうＲ形状部を有することで、端子２２とバスバー４０とを容易に接触させることができる。また、端子２２は金型でフォーミング、カットされるので、そのダレ面をも活用することができ、端子２２とバスバー４０とが接するための工程が不要となる。
【００６４】
また、本発明にかかる実施の形態４によれば、半導体装置において、バスバー４０は、端子２２と同様の形状であることで、端子２２とバスバー４０とを容易に接触させることができる。また、より大きな反力を受け、導通を確保することができる。さらにＰＫＧ品１の固定も安定化する。
【符号の説明】
【００６５】
１  ＰＫＧ品、２，２０，２１，２２  端子、３  ケース、３ａ  テーパー形状、４，４０  バスバー、５  入出力端子、６  冷却器、７  放熱グリス剤、８  制御基板、９  押さえ板、１０  ばね、１１  溶接部、１０１，１０２，１０３，１０４  半導体装置。
【図１】
0005213919.tif 000002
【図２】
0005213919.tif 000003
【図３】
0005213919.tif 000004
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
0005213919.tif 000008