(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成されているデータ線と、
前記データ線と交差して形成されゲート電極を有するゲート線と、
前記データ線と接続されているソース電極と、
前記ソース電極と対向するドレイン電極と、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極と一部接触している有機半導体と、
前記ゲート電極及び前記有機半導体の間に位置しているゲート絶縁部材と、
十字状に形成されている開口部を有する隔壁と、
を含み、
前記開口部は、前記十字状を形成する横部と縦部とを備え、前記横部は前記ゲート線に沿って形成され、前記縦部は前記データ線に沿って形成され、
前記開口部には、前記有機半導体及び前記ゲート絶縁部材が形成されており、
前記ゲート絶縁部材は、前記開口部の前記横部及び前記縦部に沿って形成され、
前記有機半導体は、前記縦部に沿って形成されている薄膜トランジスタ表示板。
【請求項２】
前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、各々前記開口部の縦部に沿って形成されている請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項３】
前記隔壁は、前記ゲート絶縁部材の厚さと前記有機半導体の厚さとの合計より厚い請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項４】
前記有機半導体及び前記ゲート絶縁部材は溶解性有機物質を含む請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項５】
基板上にデータ線を形成するステップと、
前記データ線上に層間絶縁膜を形成するステップと、
前記層間絶縁膜上にゲート電極を有するゲート線を形成するステップと、
前記層間絶縁膜及び前記ゲート線上に感光膜を形成するステップと、
前記感光膜を露光及び現像して前記ゲート電極を露出し、前記ゲート線に沿った横部と前記データ線に沿った縦部とを有する十字状の開口部を形成するステップと、
前記開口部の前記横部及び前記縦部に沿ってゲート絶縁部材を形成するステップと、
前記感光膜及び前記ゲート絶縁部材上にソース電極とドレイン電極とを形成するステップと、
前記開口部に位置する前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に前記縦部に沿って有機半導体を形成するステップと、
を含む薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項６】
前記ゲート絶縁部材を形成するステップ及び前記有機半導体を形成するステップは、インクジェット印刷方法で行う請求項５に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項７】
前記ゲート絶縁部材を形成するステップは、
前記横部に沿ってゲート絶縁部材溶液を滴下するステップと、
前記縦部に沿ってゲート絶縁部材溶液を滴下するステップとを有する請求項６に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項８】
前記開口部を形成するステップの後に、前記感光膜表面を改質するステップを更に含む請求項５に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項９】
前記感光膜表面を改質するステップでは、前記感光膜表面を疏水性処理する請求項８に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に液晶表示装置（ＬＣＤ）、有機発光表示装置（ＯＬＥＤ）、電気泳動表示装置などの平板表示装置は、複数対の電場生成電極とその間に入っている電気光学活性層を含む。液晶表示装置の場合、電気光学活性層に液晶層を含み、有機発光表示装置の場合には電気光学活性層に有機発光層を含む。
一対を構成する電場生成電極のうちの一つは、通常スイッチング素子に接続されて電気信号の印加を受け、電気光学活性層はこの電気信号を光学信号に変換することによって映像を表示する。
【０００３】
平板表示装置において、スイッチング素子として三端子素子である薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いて、この薄膜トランジスタを制御するための走査信号を伝達するゲート線と画素電極に印加される信号を伝達するデータ線が平板表示装置に備えられる。
このような薄膜トランジスタの中で、ケイ素（Ｓｉ）のような無機半導体の代わりに有機半導体を含む有機薄膜トランジスタ（ＯＴＦＴ）に関する研究が活発に行われている。
【０００４】
有機薄膜トランジスタは、有機物質の特性上、繊維またはフィルム状に形成できるため、可撓性表示装置の核心素子として注目されている。
また、有機薄膜トランジスタは、低温で溶液工程によって製作できるため、蒸着工程のみでは限界がある大面積平板表示装置にも容易に適用できる。
溶液工程のうちのインクジェット印刷方法は、隔壁によって定義されている所定領域に有機溶液を滴下する方法であり、有機半導体または絶縁膜と同じ有機薄膜を容易に形成できる。
【０００５】
しかし、インクジェット印刷方法で形成された有機薄膜は、厚さが不均一である。特に塗布量の少ない有機半導体とこれを取り巻いている隔壁の濡れ特性など表面特性によって、有機半導体のうちの隔壁と密着している部分は厚く形成されて、隔壁から遠くなるほど薄く形成される。この場合、有機半導体のうち、チャンネルが形成される部分の厚さが不均一であるため、薄膜トランジスタの特性に影響を及ぼす。
【０００６】
また、有機薄膜トランジスタは、既存の薄膜トランジスタと比較してその構造及び製造方法が異なり、これを製造するためのマスク数が増加して製造費用が顕著に増える。  
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明が目的とする技術的課題は、前記問題点を解決するため、有機薄膜トランジスタの特性を維持して、必要とするマスク数を減らすことである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明１は、下記の構成を含む薄膜トランジスタ表示板を提供する。
・基板と、
・前記基板上に形成されているデータ線と、
・前記データ線と交差して形成されゲート電極を有するゲート線と、
・前記データ線と接続されているソース電極と、
・前記ソース電極と対向するドレイン電極と、
・前記ソース電極及び前記ドレイン電極と一部接触している有機半導体と、
・前記ゲート電極及び前記有機半導体の間に位置しているゲート絶縁部材と、
・十字状に形成されている開口部を有する隔壁と、
を含み、
前記開口部は、前記十字状を形成する横部と縦部とを備え、前記横部は前記ゲート線に沿って形成され、前記縦部は前記データ線に沿って形成され、
前記開口部には、前記有機半導体及び前記ゲート絶縁部材が形成されている、薄膜トランジスタ表示板。
【０００９】
本発明２は、発明１において、前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、各々前記開口部の縦部に沿って形成されている、薄膜トランジスタ表示板を提供する。
本発明３は、発明２において、前記ゲート絶縁部材は、前記開口部の前記横部及び前記縦部に沿って形成され、前記有機半導体は、前記縦部に沿って形成されている、薄膜トランジスタ表示板を提供する。
【００１０】
本発明４は、発明３において、前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）またはＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）を含む、薄膜トランジスタ表示板を提供する。
本発明５は、発明１において、前記隔壁は、前記ゲート絶縁部材の厚さと前記有機半導体の厚さとの合計より厚い、薄膜トランジスタ表示板を提供する。
【００１１】
本発明６は、発明１において、前記有機半導体及び前記ゲート絶縁部材は溶解性有機物質を含む、薄膜トランジスタ表示板を提供する。
本発明７は、以下のステップを含む薄膜トランジスタ表示板の製造方法を提供する。
・基板上にデータ線を形成するステップと、
・前記データ線上に層間絶縁膜を形成するステップと、
・前記層間絶縁膜上にゲート電極を有するゲート線を形成するステップと、
・前記層間絶縁膜及び前記ゲート線上に感光膜を形成するステップと、
・前記感光膜を露光及び現像して前記ゲート電極を露出し、前記ゲート線に沿った横部と前記データ線に沿った縦部とを有する十字状の開口部を形成するステップと、
・前記開口部にゲート絶縁部材を形成するステップと、
・前記感光膜及び前記ゲート絶縁部材上にソース電極とドレイン電極とを形成するステップと、
・前記開口部に位置する前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に有機半導体を形成するステップ。
【００１２】
本発明８は、前記発明７において、前記ゲート絶縁部材を形成するステップ及び前記有機半導体を形成するステップは、インクジェット印刷方法で行う、薄膜トランジスタ表示板の製造方法を提供する。
本発明９は、前記発明８において、前記ゲート絶縁部材を形成するステップは、前記横部に沿ってゲート絶縁部材溶液を滴下するステップと、前記縦部に沿ってゲート絶縁部材溶液を滴下するステップと、を有する薄膜トランジスタ表示板の製造方法を提供する。
【００１３】
本発明１０は、前記発明９において、前記有機半導体を形成するステップでは、前記縦部に沿って有機半導体溶液を滴下する薄膜トランジスタ表示板の製造方法を提供する。
本発明１１は、前記発明１０において、前記感光膜及び前記ゲート絶縁部材上にソース電極とドレイン電極とを形成するステップでは、前記ソース電極及び前記ドレイン電極を、前記縦部に沿って形成する、薄膜トランジスタ表示板の製造方法を提供する。
【００１４】
本発明１２は、前記発明７において、前記開口部を形成するステップの後に、前記感光膜表面を改質するステップを更に含む、薄膜トランジスタ表示板の製造方法を提供する。
本発明１３は、前記発明１２において、前記感光膜表面を改質するステップでは、前記感光膜表面を疏水性処理する、薄膜トランジスタ表示板の製造方法を提供する。
本発明１４は、前記発明１３において、前記疏水性処理では、前記感光膜上にフッ素含有気体を供給して前記感光膜表面をフッ素化処理する、薄膜トランジスタ表示板の製造方法を提供する。
【００１５】
本発明１５は、前記発明１４において、前記ゲート絶縁部材を形成するステップ及び前記有機半導体を形成するステップのうちの少なくとも一つでは、前記フッ素化処理によって前記開口部にだけゲート絶縁部材または有機半導体溶液を残す、薄膜トランジスタ表示板の製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、ゲート絶縁部材及び有機半導体を一つの隔壁で閉じ込めることによって別途の隔壁を形成するためのマスクを減らすことができ、隔壁の表面処理によってインクジェット噴射の工程マージンを大きくすることができる。また、隔壁の開口部の形状を調節することによって、溶液が溢れたり薄膜トランジスタ特性が不良になることを防止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、添付図を参照して本発明の実施形態について本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳細に説明する。しかし、本発明は多様な形態に実現でき、ここで説明する実施形態に限定されない。
図面から多様な層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。明細書全体にわたって類似する部分については同一図面符号を付けた。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の「上」にあるとする時、これは他の部分の「直ぐ上」にある場合だけでなく、その中間に他の部分がある場合も含む。一方、ある部分が他の部分の「直上」にあるとする時には中間に他の部分がないことを意味する。
【００１８】
図１及び図２を参照して本発明の実施形態１による薄膜トランジスタ表示板について詳細に説明する。
図１は、本発明の実施形態１による薄膜トランジスタ表示板の配置図である。図２は、図１の薄膜トランジスタ表示板をＩＩ-ＩＩ線に沿って切断して表示した断面図である。
透明なガラス、シリコンまたはプラスチックなどで形成された絶縁基板１１０上に複数のデータ線１７１が形成されている。
【００１９】
データ線１７１は、データ信号を伝達して主に図中縦方向に伸びている。各データ線１７１は、横に突出した複数の突出部１７３と他の層または外部駆動回路との接続のための広い端部１７９とを含む。データ信号を生成するデータ駆動回路（図示せず）は、基板１１０上に付着される可撓性印刷回路膜（図示せず）上に装着されたり、基板１１０上に直接装着されたり、基板１１０に集積される。データ駆動回路が基板１１０上に集積されている場合、データ線１７１が伸びてこれと直接接続される。
【００２０】
データ線１７１は、アルミニウム（Ａｌ）やアルミニウム合金などアルミニウム系金属、銀（Ａｇ）や銀合金など銀系金属、金（Ａｇ）や金合金など金系金属、銅（Ｃｕ）や銅合金など銅系金属、モリブデン（Ｍｏ）やモリブデン合金などモリブデン系金属、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）及びチタン（Ｔｉ）などの低抵抗導電体で構成できる。しかし、これらは物理的性質が異なる二つの導電膜（図示せず）を含む多重膜構造を有してもよい。
【００２１】
データ線１７１は、その側面が基板１１０面に対して３０乃至８０°程度の傾斜角で傾くのが望ましい。
データ線１７１上には層間絶縁膜１６０が形成されている。層間絶縁膜１６０は、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）または酸化ケイ素（ＳｉＯ２）などの無機絶縁物で形成でき、その厚さは約２、０００乃至５、０００Åでありうる。
【００２２】
層間絶縁膜１６０は、データ線１７１の突出部１７３及び端部１７９を各々露出する複数の接触孔１６３、１６２を有する。
層間絶縁膜１６０上には、複数のゲート線１２１が形成されている。
ゲート線１２１は、ゲート信号を伝達して主に図中横方向に伸びてデータ線１７１と交差する。各ゲート線１２１は、図中上に突出した複数のゲート電極１２４と他の層または外部駆動回路との接続のための広い端部１２９を含む。ゲート信号を生成するゲート駆動回路（図示せず）は、基板１１０上に付着される可撓性印刷回路膜（図示せず）上に装着されたり、基板１１０上に直接装着されたり、基板１１０に集積できる。ゲート駆動回路が基板１１０上に集積されている場合、ゲート線１２１が伸びてゲート駆動回路と直接接続される。
【００２３】
ゲート線１２１は、前述したデータ線１７１の材料から選択された導電物質で形成できる。
ゲート線１２１の側面も基板１１０面に対して傾いており、その傾斜角は約３０乃至約８０°であるのが望ましい。
ゲート線１２１及び層間絶縁膜１６０を含んだ基板前面には隔壁３６１が形成されている。隔壁３６１は溶液工程が可能な感光性有機物質で形成でき、その厚さは約５、０００Å乃至４μｍであればよい。
【００２４】
隔壁３６１は、複数の開口部３６５及び複数の接触孔３６３、３６９を有する。
開口部３６５は、図中横方向に長く形成されている横部３６６と図中縦方向に長く形成されている縦部３６７が交差している形状であり、ゲート電極１２４を露出する。
開口部３６５には、ゲート絶縁部材１４０が形成されている。ゲート絶縁部材１４０は、十字状の開口部３６５を全て充填している。
【００２５】
ゲート絶縁部材１４０は、比較的に高い誘電率を有する有機物質または無機物質で形成できる。このような有機物質の例としては、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）系化合物、ポリビニルアルコール（ｐｏｌｙｖｉｎｙｌ  ａｌｃｏｈｏｌ）系化合物、ポリフロレン（ｐｏｌｙｆｌｕｏｒａｎｅ）系化合物、パリレン（ｐａｒｙｌｅｎｅ）などの溶解性高分子化合物があり、無機物質の例としては、オクタデシルトリクロロシラン（ｏｃｔａｄｅｃｙｌｔｒｉｃｈｌｏｒｏ  ｓｉｌａｎｅ、ＯＴＳ）で表面処理された酸化ケイ素などがある。
【００２６】
接触孔３６３、３６９は、各々データ線１７１の突出部１７３及びゲート線１２１の端部１２９において露出する。
隔壁３６１及びゲート絶縁部材１４０上には、複数の接続電極１９２、複数の画素電極１９１及び複数の接触補助部材８１、８２が形成されている。
接続電極１９２は島状でもよい。接続電極１９２は、開口部３６５の横部３６６の一部にかけていて接触孔１６３、３６３を介してデータ線１７１と接続されている接続部１９４と開口部３６５の縦部３６７に沿って形成されている部分（以下、「ソース電極」という）１９３を含む。
【００２７】
画素電極１９１は、開口部３６５の縦部３６７に沿って形成されて、ゲート電極１２４を中心にソース電極１９３と対向する部分（以下、「ドレイン電極」という）１９５を含む。
画素電極１９１は、薄膜トランジスタからデータ電圧を印加されて、共通電圧を印加される他の表示板（図示せず）の共通電極（図示せず）と共に電場を生成することによって、二つの電極の間の液晶層（図示せず）の液晶分子の方向を決定する。画素電極１９１と共通電極はキャパシタ（以下、「液晶キャパシタ」という）を構成して、薄膜トランジスタが遮断された後にも印加された電圧を維持する。
【００２８】
画素電極１９１は、ゲート線１２１及び／またはデータ線１７１と重畳して開口率を高めることができる。
接触補助部材８１、８２は、各々接触孔３６９、１６２を介してゲート線１２１の端部１２９とデータ線１７１の端部１７９と各々接続される。接触補助部材８１、８２は、ゲート線１２１の端部１２９及びデータ線１７１の端部１７９と外部装置との接着性を補完してこれらを保護する。
【００２９】
ソース電極１９３、画素電極１９１及び接触補助部材８１、８２は、ＩＺＯまたはＩＴＯなどのような透明な導電物質で構成され、その厚さは約３００Å乃至約２０００Åであればよい。
隔壁３６５の開口部３６５には、複数の島型有機半導体１５４が形成されている。有機半導体１５４は、開口部３６５の縦部３６７に沿って形成されるが、それを図１において斜線で表示した。
【００３０】
有機半導体１５４は、ソース電極１９３及びドレイン電極１９５と接して、その高さが隔壁３６１より低くて隔壁３６１で完全に囲まれている。このように有機半導体１５４が隔壁３６１によって完全に囲まれて、側面が露出されないため、後続工程で有機半導体１５４の側面に化学液などが浸透することを防止できる。
有機半導体１５４は、水溶液や有機溶媒に溶解する高分子化合物や低分子化合物を含むことができる。
【００３１】
有機半導体１５４は、テトラセン（ｔｅｔｒａｃｅｎｅ）またはペンタセン（ｐｅｎｔａｃｅｎｅ）の置換基を含む誘導体を含んでもよい。有機半導体１５４は、また、チオフェン環（ｔｈｉｏｐｈｅｎｅ  ｒｉｎｇ）の２、５位置で接続された４乃至８個のチオフェンを含むオリゴチオフェン（ｏｌｉｇｏｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）を含むことができる。
有機半導体１５４は、ポリチニレンビニレン（ｐｏｌｙｔｈｉｅｎｙｌｅｎｅｖｉｎｙｌｅｎｅ）、ポリ-（３-ヘキシルチオフェン）［ｐｏｌｙ（３-ｈｅｘｙｌｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）］、ポリチオフェン（ｐｏｌｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）、フタロシアニン（ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ）、金属フタロシアニン（ｍｅｔａｌｌｉｚｅｄ
ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ）またはそのハロゲン化誘導体を含むことができる。有機半導体１５４は、また、ペリレンテトラカルボン酸２無水物（ｐｅｒｙｌｅｎｅｔｅｔｒａｃａｒｂｏｘｙｌｉｃ  ｄｉａｎｈｙｄｒｉｄｅ、ＰＴＣＤＡ）、ナフタレンテトラカルボン酸２無水物（ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅｔｅｔｒａｃａｒｂｏｘｙｌｉｃ  ｄｉａｎｈｙｄｒｉｄｅ、ＮＴＣＤＡ）またはこれらのイミド（ｉｍｉｄｅ）誘導体を含むことができる。有機半導体１５４は、ペリレン（ｐｅｒｙｌｅｎｅ）またはコロネン（ｃｏｒｏｎｅｎｅ）とこれらの置換基を含む誘導体を含んでもよい。
【００３２】
有機半導体１５４の厚さは、約３００Å乃至３、０００Åであればよい。
隔壁３６１は、ゲート絶縁部材１４０の厚さ及び有機半導体１５４の厚さの合計より厚いため、ゲート絶縁部材１４０及び有機半導体１５４の側面を完全に囲んでいる。
一つのゲート電極１２４、一つのソース電極１９３及び一つのドレイン電極１９５は、有機半導体１５４と共に一つの薄膜トランジスタをなし、薄膜トランジスタのチャンネル（Ｑ）は、ソース電極１９３とドレイン電極１９５の間の有機半導体１５４に形成される。
【００３３】
有機半導体１５４上には保護部材１８０が形成されている。保護部材１８０は、有機薄膜トランジスタを保護するためのものであり、基板の一部分または前面に形成でき、場合によって省略してもよい。
図１及び図２に示した有機薄膜トランジスタ表示板を製造する方法について図３乃至図１８を参照して詳細に説明する。
【００３４】
図３、図５、図７、図９、図１４及び図１７は、図１及び図２の薄膜トランジスタ表示板を本発明の実施形態１によって製造する方法を順次示した配置図である。図４は、図３の薄膜トランジスタ表示板をＩＶ-ＩＶ線に沿って切断して示した断面図である。図６は、図５の薄膜トランジスタ表示板をＶＩ-ＶＩ線に沿って切断して示した断面図である。図８は、図７の薄膜トランジスタ表示板をＶＩＩＩ-ＶＩＩＩ線に沿って切断して示した断面図である。図１０は、図９の薄膜トランジスタ表示板をＸ-Ｘ線に沿って切断して示した断面図である。図１１Ａ及び図１１Ｂは、図１の「Ａ」部分を拡大して示した開口部にゲート絶縁部材溶液を滴下する様子を順次示した概略図である。図１２は、開口部にゲート絶縁溶液を滴下できる工程マージン範囲を示した概略図である。図１３は、図１１Ａ乃至図１３によって形成された薄膜トランジスタ表示板の断面図である。図１５は、図１４の薄膜トランジスタ表示板をＸＶ-ＸＶ線に沿って切断して示した断面図である。図１６は、ゲート絶縁溶液を滴下できる工程マージン領域を示した概略図である。図１８は、図１７の薄膜トランジスタ表示板をＸＶＩＩＩ-ＸＶＩＩＩ線に沿って切断して示した断面図である。
【００３５】
まず、図３及び図４に示したように、基板１１０上にスパッタリングなどの方法で導電層を積層してこれを写真エッチングして突出部１７３及び端部１７９を含むデータ線１７１を形成する。
次に、図５及び図６に示したように、窒化ケイ素を化学気相蒸着（ＣＶＤ）して層間絶縁膜１６０を形成し、その上に感光膜を塗布して写真エッチングして接触孔１６２、１６３を形成する。
【００３６】
次に、図７及び図８に示したように、スパッタリングなどの方法で導電層を積層してこれを写真エッチングしてゲート電極１２４及び端部１２９を含むゲート線１２１を形成する。
次に、図９及び図１０に示したように、基板前面に感光膜を塗布して露光及び現像して複数の開口部３６５及び複数の接触孔３６３、３６９を有する隔壁３６１を形成する。この時、開口部３６５は横方向に長く形成されている横部３６６と縦方向に長く形成されている縦部３６７を含む十字状に形成する。
【００３７】
隔壁３６１は、所望する厚さより厚く形成し、例えば２０、０００乃至３０、０００Åの厚さに形成できる。
次に、隔壁３６１の表面を改質する。ここで用いる表面改質は、プラズマを利用して物質の表面を親水性（ｈｙｄｒｏｐｈｉｌｉｃ）または疏水性（ｈｙｄｒｏｐｈｏｂｉｃ）に変える技術である。
【００３８】
本実施形態では、隔壁３６１をプラズマ雰囲気でフッ素化処理する。例えば、乾式エッチングチャンバーでＣＦ４、Ｃ２Ｆ６またはＳＦ６のようなフッ素含有気体を酸素気体（Ｏ２）及び／または不活性気体と共に供給する。この場合、有機物質で形成された隔壁３６１は、表面で炭素（Ｃ）-フッ素（Ｆ）結合が形成されてフッ素化処理され、開口部３６５を通して露出されている層間絶縁膜１６０及びゲート電極１２４は、無機物質で形成されるため、フッ素化処理されない。このようにフッ素化処理するによって、隔壁３６１表面は疏水性（ｈｙｄｒｏｐｈｏｂｉｃ）に改質され、開口部３６５を通して露出された部分は相対的に親水性を有する。
【００３９】
次に、開口部３６５にゲート絶縁部材１４０を形成する。
ゲート絶縁部材１４０はインクジェット印刷方法で形成でき、これについては図１１Ａ乃至図１３を参照して説明する。
図１１Ａ及び図１１Ｂは、図１の「Ａ」部分を拡大して示した開口部３６５にゲート絶縁部材溶液を滴下する様子を順次示した概略図である。
【００４０】
図１１Ａのように、開口部３６５の縦部３６７に沿ってゲート絶縁溶液１４０ａを何滴か滴下する。図面ではＪ２に沿ってゲート絶縁溶液１４０ａを滴下する様子だけを示したが、前述のように、隔壁３６１の表面は疏水性で表面処理されているため、Ｊ１またはＪ３のように縦部３６７と同じ方向に沿って滴下すると、親水性であるゲート絶縁溶液１４０ａは相対的に親水性を有する開口部３６５内に集まる。
【００４１】
次に、図１１Ｂのように、開口部３６５の横部３６６に沿ってゲート絶縁溶液１４０ｂを何滴か滴下する。同様に図面ではＫ２に沿ってゲート絶縁溶液１４０ｂを滴下した様子だけを示したが、Ｋ１またはＫ３のように横部３６６と同じ方向に沿って滴下すると、親水性であるゲート絶縁溶液１４０ｂは開口部３６５内に集まる。
図１２は、開口部にゲート絶縁溶液を滴下できる工程マージン範囲を示した概略図である、隔壁３６１の表面改質によってゲート絶縁溶液が開口部３６５内に正確に噴射されない場合でも、Ｊ１〜Ｊ３またはＫ１〜Ｋ３領域にだけ噴射されると開口部３６５内に集まる。従って、ゲート絶縁溶液を滴下できる領域が広くなって、工程マージンを大きくすることができる。
【００４２】
後の乾燥過程などを通して溶媒を除去すると、図１３のように開口部３６５にゲート絶縁部材１４０が形成される。
次に、図１４及び図１５に示したように、隔壁３６１及び開口部３６５にＩＴＯまたはＩＺＯをスパッタリングした後、写真エッチングしてソース電極１９３及び接続部１９４を含む接続電極１９２、ドレイン電極１９５を含む画素電極１９１及び接触補助部材８１、８２を形成する。
【００４３】
次に、図１６に示したように、開口部３６５の縦部３６７に沿って有機半導体溶液１５４ａを何滴か滴下する。
図面ではＬ２に沿って有機半導体溶液１５４ａを滴下する様子だけ示したが、前述のように隔壁３６１の表面は疏水性に表面処理されたため、Ｌ１またはＬ３のように縦部３６７の方向に沿って滴下すると親水性である有機半導体溶液１４０ａは相対的に親水性を有する開口部３６５内に集まる。従って、有機半導体溶液１５４ａを滴下できる領域が広がって工程マージンを大きくすることができる。
【００４４】
有機半導体溶液１５４ａは、開口部３６５の横部３６６に沿って滴下するステップでは行わない。
前述のように、本発明の実施形態１によると、ゲート絶縁部材１４０及び有機半導体１５４を一つの開口部３６５に形成する。従って、ゲート絶縁部材１４０及び有機半導体１５４を全てインクジェット印刷方法で行う場合、これらを各々囲むための別途の隔壁を形成するために要するマスク数を減らすことができる。
【００４５】
一方、このように一つの隔壁でゲート絶縁部材１４０及び有機半導体１５４を形成する場合、親水性を有する有機半導体溶液が下部に位置した接続電極１９２及び画素電極１９１に沿って溢れてもよい。
本発明の実施形態１ではこれを解決するために開口部３６５を横部３６６と縦部３６７を含む十字状に形成し、薄膜トランジスタのチャンネル（Ｑ）が形成される部分に沿って長く形成された縦部３６７だけに沿って有機半導体溶液１５４ａを滴下することによって、チャンネルと無関な接続部１９４及び／または画素電極１９１側に有機半導体溶液１５４ａが溢れることを防止できる。
【００４６】
この場合、有機半導体溶液１５４ａが隔壁３６１と接触する面積も小さくなるため、有機半導体のうちの隔壁と密着している部分が厚く形成されて、チャンネルが形成される中心部分は薄く形成される厚さ不均一を減らして、薄膜トランジスタのチャンネルが形成される部分の厚さを均一に形成できる。そのために有機薄膜トランジスタの特性が不良になることを防止できる。
【００４７】
次の乾燥過程などを通して、溶媒を除去すれば図１７及び図１８のように開口部３６５に有機半導体１５４が形成される。
次に、図１及び図２に示したように、基板前面に絶縁膜を塗布して写真エッチングして有機半導体１５４を覆う保護膜１８０を形成する。
以上、本発明の望ましい実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されることはなく、特許請求の範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の多様な変形及び改良形態も、本発明の権利範囲に属する。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明の実施形態１による薄膜トランジスタ表示板の配置図である。
【図２】図１の薄膜トランジスタ表示板をＩＩ-ＩＩ線に沿って切断して示した断面図である。
【図３】図１及び図２の薄膜トランジスタ表示板を本発明の実施形態１によって製造する方法を順次示した配置図である。
【図４】図３の薄膜トランジスタ表示板をＩＶ-ＩＶ線に沿って切断して示した断面図である。
【図５】図１及び図２の薄膜トランジスタ表示板を本発明の実施形態１によって製造する方法を順次示した配置図である。
【図６】図５の薄膜トランジスタ表示板をＶＩ-ＶＩ線に沿って切断して示した断面図である。
【図７】図１及び図２の薄膜トランジスタ表示板を本発明の実施形態１によって製造する方法を順次示した配置図である。
【図８】図７の薄膜トランジスタ表示板をＶＩＩＩ-ＶＩＩＩ線に沿って切断して示した断面図である。
【図９】図１及び図２の薄膜トランジスタ表示板を本発明の実施形態１によって製造する方法を順次示した配置図である。
【図１０】図９の薄膜トランジスタ表示板をＸ-Ｘ線に沿って切断して示した断面図である。
【図１１Ａ】図１の「Ａ」部分を拡大して示した開口部にゲート絶縁部材溶液を滴下する様子を順次示した概略図である。
【図１１Ｂ】図１の「Ａ」部分を拡大して示した開口部にゲート絶縁部材溶液を滴下する様子を順次示した概略図である。
【図１２】開口部にゲート絶縁溶液を滴下できる工程マージン範囲を示した概略図である。
【図１３】図１１ａ乃至図１３によって形成された薄膜トランジスタ表示板の断面図である。
【図１４】図１及び図２の薄膜トランジスタ表示板を本発明の実施形態１によって製造する方法を順次示した配置図である。
【図１５】図１４の薄膜トランジスタ表示板をＸＶ-ＸＶ線に沿って切断して示した断面図である。
【図１６】ゲート絶縁溶液を滴下できる工程マージン領域を示した概略図である。
【図１７】図１及び図２の薄膜トランジスタ表示板を本発明の実施形態１によって製造する方法を順次示した配置図である。
【図１８】図１７の薄膜トランジスタ表示板をＸＶＩＩＩ-ＸＶＩＩＩ線に沿って切断して示した断面図である。
【符号の説明】
【００４９】
１１０      基板
１２１      ゲート線
１２４      ゲート電極
１４０      ゲート絶縁部材
１５４      有機半導体
１６３、１６５      抵抗性接触部材
１７１      データ線
１７３      データ線の突出部
１８０      保護膜
１９１      画素電極
１９２      接続電極
１９３      ソース電極
１９５      ドレイン電極
３６１      隔壁  
３６５      開口部
３６３、３６９      接触孔
【図１】
0005268290.tif 000002
【図２】
0005268290.tif 000003
【図３】
0005268290.tif 000004
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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