(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の磁気シールドと、その間に配置された再生素子とを備える磁気ヘッドにおいて、
前記再生素子は、磁化が固定された磁化固定部と、前記磁化固定部に接合され外部磁界によって磁化が変化する磁化自由部と、前記磁化固定部と前記磁化自由部にそれぞれ接続された一対の出力端子を備え、
前記磁化固定部と前記磁化自由部の接合部は磁壁トラップを構成しており、
前記磁化自由部内の磁壁移動に伴うスピン起電力を出力することを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項２】
請求項１に記載の磁気ヘッドにおいて、前記接合部は幅の狭まった狭窄部であることを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項３】
請求項１に記載の磁気ヘッドにおいて、前記磁化固定部を構成する磁性膜の膜厚は前記磁化自由部を構成する磁性膜の膜厚より厚く、前記接合部で前記磁化固定部の磁性膜と前記磁化自由部の磁性膜に段差が形成されていることを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項４】
請求項１に記載の磁気ヘッドにおいて、前記磁化固定部を構成する磁性膜の保磁力は前記磁化自由部を構成する磁性膜の保磁力より大きいことを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項５】
請求項１に記載の磁気ヘッドにおいて、前記磁化固定部と前記磁化自由部は前記接合部で、前記磁化固定部の中心軸と前記磁化自由部の中心軸が直線的にではなく屈折角度を有して接合されていることを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の磁気ヘッドにおいて、前記磁化固定部を構成する磁性膜及び前記磁化自由部を構成する磁性膜は、反強磁性膜の上に形成されていることを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の磁気ヘッドにおいて、前記磁化固定部の体積は前記磁化自由部の体積より大きいことを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の磁気ヘッドにおいて、記録磁界を発生する磁極とマイクロ波を照射するマイクロ波発生器を有する記録ヘッドを備えることを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項９】
垂直磁気記録媒体と、前記垂直磁気記録媒体を駆動する媒体駆動部と、前記垂直磁気記録媒体に対して情報の書き込み及び読み出しを行う磁気ヘッドと、前記磁気ヘッドを前記垂直磁気記録媒体の所望トラックに位置決めするヘッド駆動部とを有する磁気記憶装置において、
前記磁気ヘッドとして請求項８に記載の磁気ヘッドを用いることを特徴とする磁気記憶装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気ヘッド及びその磁気ヘッドを搭載した磁気記憶装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気記憶装置では年々高記録密度化が進んでおり、再生ヘッドにも高記録密度に対応したものが求められている。この要求に応えるために、薄い非磁性層を２種の強磁性層で挟み込んで構成される磁気抵抗効果膜の膜面内に電流を流すＣＩＰ−ＧＭＲ（Current in Plane-Giant Magneto-resistance）センサが開発され、再生ヘッドとして応用されてきた。現在では、積層膜の膜厚方向に電流を流して用いるＴＭＲ（Tunneling Magneto-Resistive）ヘッドや、ＣＰＰ（Current Perpendicular to the Plane）−ＧＭＲヘッドへと移行しつつある。再生出力を高めるためには、ＭＲ（Magneto-Resistive）比を高めることが一般的であり、現在ではＭＲ比が最も高いＴＭＲヘッドが広く採用されている。
また、別の技術として、電子伝導性を有する磁性体からなるナノ構造体中での磁壁の移動を利用するメモリデバイスが特許文献２に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−２０４０９６号公報
【特許文献２】ＷＯ ２００７／０１５４７５ Ａ１
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
磁気記録媒体の高記録密度化に伴い、今後は、２Ｔｂ／inch2程度の面記録密度を有する磁気記録媒体に対応できる磁気再生ヘッドが必要とされる。２Ｔｂ／inch2の面記録密度を有する磁気記録媒体の場合、媒体表面における１ビット当たりの面積は１７×１７ｎｍ2程度と見積もられる。従って、磁気再生ヘッドに設けられる再生素子の媒体対向面における寸法もそれと同程度の寸法に微細化する必要がある。
【０００５】
ＴＭＲヘッドやＣＰＰ−ＧＭＲヘッドでは、媒体からの漏洩磁界による抵抗変化を検出するためにセンス電流を流す必要がある。磁性体中に電流を流すと、特許文献２に記載のように、伝導電子のスピンにより磁性体の磁化が影響を受ける。つまり、センス電流自体により、磁気抵抗効果膜中の磁化自由層の磁化を変化させる力が作用する。ＴＭＲヘッドやＣＰＰ−ＧＭＲヘッドの素子部を上記のように微細化した場合、センス電流の伝導電子が磁化自由層に作用する力が、媒体の記録ビットからの漏洩磁界が磁化自由層に作用する力と拮抗し、媒体の記録磁化の検出に好ましくない影響を与える可能性がある。
【０００６】
本発明は、新しい原理に基づき、センス電流を流すことなく、記録媒体からの漏洩磁界を検出でき、高記録密度の媒体に対応することのできる磁気ヘッドを提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明では、センス電流を流すことなく、磁性体中の磁壁の移動に伴うスピン起電力を用いて外部磁界の変化を検出する。
本発明の磁気ヘッドに用いられる再生素子は、磁化が固定された磁化固定部と、磁化固定部に接合され外部磁界によって磁化が変化する磁化自由部と、磁化固定部と磁化自由部にそれぞれ接続された一対の出力端子を備える。磁化固定部と磁化自由部の接合部は磁壁トラップを構成する。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の再生素子は、センス電流を流さずに磁界の変化を検出できるので、伝導電子のスピンと磁性体スピンの相互作用の影響が無く、安定して磁化情報を読み取ることができる。
上記した以外の、課題、構成及び効果は、以下の実施形態の説明により明らかにされる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の一実施例による磁気ヘッドの断面図。
【図２】マイクロ波発生器の構成例を示す模式図。
【図３】本発明による再生素子の一例を示す模式図。
【図４】本発明の再生素子による磁界検出の原理を説明する図。
【図５】媒体の記録磁化と本発明の再生素子からの出力の関係を説明する模式図。
【図６】本発明による再生素子の他の実施例の説明図。
【図７】本発明による再生素子の他の実施例の説明図。
【図８】本発明による再生素子の他の実施例の説明図。
【図９】本発明による再生素子の他の実施例の説明図。
【図１０】本発明による再生素子の他の実施例の説明図。
【図１１】磁気記憶装置の概略図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
図１は、本発明の一実施例による磁気ヘッドの断面図である。磁気ヘッドは、記録ヘッド１０と再生ヘッド２０を備える。記録ヘッド１０は、主磁極１１と補助磁極１２の間に、磁性体からなるピラー１３と絶縁体１４が配置されている。主磁極１１、補助磁極１２、ピラー１３はパーマロイ、ＣｏＦｅ合金などの軟磁性材料からなる。絶縁体１４は、主磁極１１、補助磁極１２、ピラー１３が磁気的につながる程度に薄く形成されている。主磁極１１には、ヨーク部１５に接してポール部１６が設けられている。ポール部１６は、端面がヘッド浮上面に現れている。ポール部１６のトレーリング側には、磁界勾配を急峻にするためのトレーリングシールド１７が設けられている。再生ヘッド２０は、再生素子２１と、これを挟み込む一対の磁気シールド２２，２３を有する。再生素子の詳細については、後述する。なお、図中の矢印ＬＤはリーディング方向を指し、矢印ＴＲはトレーリング方向を指す。
【００１１】
ポール部１６のトレーリング側には、マイクロ波発生器３０を構成する磁性膜が形成されている。マイクロ波発生器３０を構成する磁性膜は、磁気記録媒体４０に局所的にマイクロ波を照射することで、その照射箇所に磁気共鳴を励起し、磁化方向の反転しやすさを高める。マイクロ波励起電流は、ポール部１６から、マイクロ波発生器３０を通して補助磁極１２に流される。例えば矢印１８ａ，１８ｂのように流される。磁気記録媒体４０としては、垂直磁気記録媒体を用いることができる。
【００１２】
図２は、マイクロ波発生器３０の構成例を示す模式図である。マイクロ波発生器３０は、垂直磁気異方性体３１、磁化高速回転体３２、スピン伝導層３３、スピン注入層３４、スピン伝導層３５を積層した構造を有する。マイクロ波発生器３０は、主磁極のポール部１６及びトレーリングシールド１７と電気的に接続されており、主磁極側からトレーリングシールド側、あるいはその逆の方向にマイクロ波励起電流が流される。垂直磁気異方性体３１としては、六方晶ＣｏＣｒＰｔなどが用いられる。磁化高速回転体３２は、飽和磁化が大きく、結晶磁気異方性がほとんどない厚さにしたＣｏＦｅ合金などが使われる。スピン伝導層３５及びスピン伝導層３３には、Ｒｕやスピン伝導性の高い金属非磁性体であるＣｕ等を用いることができる。スピン注入層３４には、ＣｏＰｔなどの垂直磁気異方性体が用いられる。磁化高速回転体３２では、層に沿った面内で磁化が高速回転し、浮上面に出現する磁極からの漏れ磁界が、マイクロ波（高周波磁界）として作用する。
【００１３】
主磁極１１は、主磁極１１と補助磁極１２を含む磁気回路に巻回されたコイル１９により励磁され、ポール部１６の端面から記録磁界を発する。ポール部１６から発生された記録磁界は、磁気ディスク４０の磁気記録層４１及び中間層４２を垂直に貫き、軟磁性裏打ち層４３を通って、補助磁極１２に吸収される。磁気記録層４１には、ポール部１６から発生された記録磁界の印加と共に、マイクロ波発生器３０から発生されたマイクロ波が照射され、記録磁化が書き込まれる。磁気記録層４１は磁気異方性が大きく、主磁極１１からの記録磁界とマイクロ波発生器３０から放射されるマイクロ波磁界とが揃わないと記録できない。
【００１４】
図３は、本発明による再生素子の一例を示す模式図である。本発明の再生素子は、磁化固定部５１と磁化自由部５２とが平面的に接合された構造を有する。磁化固定部５１と磁化自由部５２は、段差を設けたシリコン基板５４上に磁性膜５５としてパーマロイを成膜することで形成した。また、磁化固定部５１と磁化自由部５２は、いずれも接合部５３に向かって徐々に幅が狭くなる形状とされ、接合部５３が最も幅の狭い狭窄部となっている。接合部５３の位置を基板５４の段差形成位置と一致させることで、磁化固定部５１の膜厚を磁化自由部５２の膜厚より厚く設定した。接合部５３を挟むように電圧検出用の端子５６，５７が、典型的には磁化固定部５１の上端部と磁化自由部５２の下端部に電気的に接続されている。
【００１５】
磁化固定部５１の磁化は一方向に固定されていて外部磁界によって変化しない。図示の実施例の場合には、磁化固定部５１の磁化は磁化固定部５１と磁化自由部５２を結ぶ方向に固定されている。一方、磁化自由部５２の磁化は外部磁界の影響を受けて変化することができる。磁化固定部５１と磁化自由部５２の接合部５３は、磁壁トラップを構成している。
【００１６】
本実施例では磁化固定部５１と磁化自由部５２を共にパーマロイで形成したが、それぞれ異なる磁性材料で形成してもよい。本実施例の磁化自由部５２は膜厚を１０ｎｍ、底部のＸ方向の長さを２５ｎｍ、Ｚ方向の長さを１００ｎｍとし、磁化固定部５１は膜厚を２０ｎｍ、上部のＸ方向の長さを６０ｎｍ、Ｚ方向の長さを３００ｎｍとし、接合部５３はＸ方向の長さを２０ｎｍとした。微細加工を要する接合部５３のＸ方向長さは微細加工技術の寸法限界で決まる。また、磁化自由部５２の膜厚は、磁化の面内異方性を有する厚さとして３ｎｍ以上が望ましい。磁化自由部５２の他の寸法は、超常磁性限界として知られるKu×V＝６０（ここでKuは磁化自由部５２をなす磁性体の一軸異方性エネルギー、Vは、磁化自由部５２をなす磁性体の体積）を満たすよう構成される。また、磁壁が接合部５３に導入され必ずトラップされることを考慮すると、磁化固定部５１は磁化自由部５２より大きいことが望ましく、好ましくは、磁化固定部のＺの寸法を磁化自由部のＺの寸法の３〜５倍程度とするのがよい。
【００１７】
磁化自由部５２の磁化の変化は、磁化自由部５２内での磁壁の移動の結果と考えることができる。例えば、図３の状態では、磁化固定部５１は下向きの磁化を有し、磁化自由部５２は上向きの磁化を有しており、両者の境界である接合部５３に磁壁が存在する。このとき再生素子に下向きの外部磁界が印加されると、接合部５３にあった磁壁は下方に移動し、接合部５３と下方に移動した磁壁の間の磁化自由部の磁化は上向きから下向きに反転する。最終的に磁壁は磁化自由部５２の下端に達し、磁化自由部５２全体の磁化が下向きに揃う。次に、磁化固定部５１の磁化と磁化自由部５２の磁化が下向きに揃ったその状態で、上向きの外部磁界が印加されると、磁化自由部５２の下端領域に磁壁が発生し、それが上方に移動する。上方に移動した磁壁は磁壁トラップに達すると、そこで止まり、それより上の磁化固定部５１には侵入しない。こうして、磁化自由部５２の磁化は、図３に示した上向きの状態に戻る。
【００１８】
図４は、本発明の再生素子による磁界検出の原理を説明する図である。
ここでは垂直磁気記録媒体用の磁気ヘッドに搭載される再生素子について説明する。磁化自由部は媒体に面する磁気ヘッドの浮上面側に配置され、磁化固定部は磁化自由部より浮上面から遠い位置に配置される。上述のように、磁化自由部５２の磁化の変化は、磁化自由部５２内での磁壁の移動である。このとき、磁化自由部５２内の各位置におけるスピンは回転するが、媒体からの磁場や熱揺らぎによる歳差運動を伴う。このスピンの運動を単位球面上にマップしたとき、例えばスピン回転の始状態を北極、終状態を南極に対応させれば、単位球面上におけるスピンの運動は北極から南極へ至る測地線を描くものではなく、有限の立体角をなす。この立体角がスピンの持つＢｅｒｒｙ位相であり、スピン起電力として観測にかかる物理量となる。
スピンＢｅｒｒｙ位相は、（スピン）波動関数の持つトポロジカルな性質によるのであるが、直観的には次のようなエネルギー保存則の見方ができる。磁化自由部５２の磁化は媒体の磁場により、エネルギーの低い安定な方向を向く。つまり安定な方向を向く以前は、エネルギーの高い状態にあったことになる。この磁気的なエネルギー差が起電力として電気エネルギーとして放出されることになる。媒体の磁化状態に変化がない場合、当然のことながら磁化自由部５２の磁化状態も変化せず、起電力も検出されない。この場合は、隣接したビットに同じシグナルが記録されていることを意味する。
【００１９】
図５は、媒体の記録磁化と本発明の再生素子からの出力の関係を説明する模式図である。
磁気ヘッドが矢印方向に移動するとき、再生素子の磁化自由部の磁化は、磁気記録媒体に記録された記録磁化からの漏洩磁束の影響を受けて、再生素子の直下の記録磁化の向きと同じ向きに変化する。そのとき、図４により説明した原理によって電気出力が得られる。こうして、本発明の再生素子の場合、垂直磁気記録媒体の記録磁化が上向きから下向きあるいは下向きから上向きに変化する磁化遷移領域の上を走行するとき出力が得られる。記録磁化が上向きから下向きに変化するときと、下向きから上向きに変化するときとでは、図示するように出力信号の符号が逆になる。この出力信号と記録磁化の関係は、従来の誘導型再生ヘッドの出力と同じであるため、誘導型再生ヘッドの信号処理に用いられる回路と同等の回路を用いることによって記録信号を再生することができる。
【００２０】
以下に、再生素子の別の実施例について説明する。図３に示した再生素子は、磁化固定部と磁化自由部の間に磁壁の移動を止める磁壁トラップを構成するための構造として、磁化固定部と磁化自由部に膜厚差を設ける構造と、磁化固定部と磁化自由部の接合部を幅の狭い狭窄部とする構造とを併用したものになっている。しかし、必ずしもこれらの構造を併用する必要はない。
【００２１】
図６は、本発明による再生素子の他の実施例の説明図である。
本実施例の再生素子は、磁化固定部５１と磁化自由部５２の接合部５３を幅の最も狭い狭窄部とする構造によって、接合部５３を磁壁トラップとしたものである。本実施例では、磁化固定部５１と磁化自由部５２は、平らなシリコン基板５４上に磁性膜５５としてパーマロイを２０ｎｍ成膜することで形成した。磁性膜５５には、パーマロイ以外にＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、およびそれらの合金を用いてもよい。磁化自由部５２は、底部のＸ方向の長さを２５ｎｍ、Ｚ方向の長さを１００ｎｍとした。磁化固定部５１は、上部のＸ方向の長さを６０ｎｍ、Ｚ方向の長さを３００ｎｍとした。接合部５３はＸ方向の長さを２０ｎｍとした。図３の構造における記載と同様、デバイス幅の最も狭い部分は、接合部５３のＸ方向の長さで、微細加工技術の寸法限界で決まる。また、図６の構造では、磁化固定部５１と磁化自由部５２は同一の厚さであり、磁化の面内異方性を有する厚さとした。
【００２２】
図７は、本発明による再生素子の他の実施例の説明図である。
本実施例の再生素子は、磁化固定部５１と磁化自由部５２の磁性膜に膜厚差を設け、接合部５３に段差を形成することにより、接合部５３を磁壁トラップとしたものである。本実施例では、磁化固定部５１と磁化自由部５２は、段差を形成したシリコン基板５４上に磁性膜５５としてパーマロイを成膜することで形成した。磁性膜５５には、パーマロイ以外にＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、およびそれらの合金を用いてもよい。磁化自由部５２は、膜厚を２０ｎｍ、Ｘ方向の長さを２０ｎｍ、Ｚ方向の長さを１００ｎｍとした。磁化固定部５１は、膜厚を４０ｎｍ、Ｘ方向の長さを２０ｎｍ、Ｚ方向の長さを３００ｎｍとした。図７の構造においてはデバイスの幅（Ｘ方向の長さ）は同一であり、図３の構造における記載と同様、微細加工技術の寸法限界で決まる。
【００２３】
図８は、本発明による再生素子の他の実施例の説明図である。
本実施例の再生素子は、磁化固定部５１の磁性膜５５ａの保磁力を磁化自由部５２の磁性膜５５ｂの保磁力より大きく設定することにより、２つの磁性膜の境界部である接合部５３を磁壁トラップとしたものである。本実施例では、磁化固定部５１を構成する磁性膜５５ａの材料としてＣｏを用い、磁化自由部５２を構成する磁性膜５５ｂの材料としてパーマロイを用い、平らなシリコン基板の上にそれぞれ膜厚が２０ｎｍとなるように形成した。磁性膜５５ａの保磁力の目安となる結晶磁気異方性エネルギー（密度）は５０ＫＪ/ｍ３、磁性膜５５ｂの結晶磁気異方性エネルギー（密度）はほぼゼロである。磁性膜５５ａと磁性膜５５ｂは、５０Ｏｅ程度以上の保磁力差を生じるものであれば他の材料の組み合わせでもよく、例えばＦｅとパーマロイ、ＦｅＰｔとパーマロイを組み合わせてもよい。磁化自由部５２は、Ｘ方向の長さを２０ｎｍ、Ｚ方向の長さを１００ｎｍとした。磁化固定部５１は、Ｘ方向の長さを２０ｎｍ、Ｚ方向の長さを２００ｎｍとした。。
【００２４】
図９は、本発明による再生素子の他の実施例の説明図である。
本実施例の再生素子は、磁化固定部５１と磁化自由部５２を直線的にではなく、角度を持たせて接合することにより、屈曲した接合部５３を磁壁トラップとしたものである。本実施例では、磁化固定部５１と磁化自由部５２は、平らなシリコン基板５４上に磁性膜５５としてパーマロイを２０ｎｍ成膜することで形成した。磁性膜５５には、パーマロイ以外にＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、およびそれらの合金を用いてもよい。磁化自由部５２は、Ｘ方向の長さを２０ｎｍ、中心軸のＺ方向の長さを１００ｎｍとした。磁化固定部５１は、Ｘ方向の中心軸の長さを２００ｎｍ、Ｚ方向の長さを２０ｎｍとした。本実施例では、磁化固定部５１の中心軸と磁化自由部５２の中心軸のなす屈折角度θは９０度とした。屈折角度θは、６０〜１２０度の範囲が好ましい。
【００２５】
図１０は、本発明による再生素子の他の実施例の説明図である。
本実施例の再生素子は、磁化固定部５１と磁化自由部５２を構成する磁性膜５５の下地膜として反強磁性膜を形成したものである。磁化自由部５２は体積が小さいため熱的に不安定になり、磁化方向が乱れランダムな方向を向いてしまう可能性がある。本実施例では、基板５４上に反強磁性膜からなる下地膜５８を形成し、その上に磁化固定部５１と磁化自由部５２を構成する磁性膜５５を形成することで、磁性膜５５、特に磁化自由部５２を構成する磁性膜に一軸異方性を付与し、磁化自由部５２の磁化方向が熱的に不安定になることを抑制する。反強磁性膜としては、ＭｎＩｒ，ＭｎＰｔなどを、１０ｎｍ程度の膜厚に形成して用いればよい。
【００２６】
図１０には、図６で説明した再生素子に反強磁性体からなる下地膜５８を形成した例を示したが、他の実施例の再生素子においても磁性膜の下地膜として反強磁性膜を用いることで同様の効果を得ることができる。
【００２７】
図１１は磁気記憶装置の概略図であり、図１１（ａ）はその概略平面図、図１１（ｂ）は略断面図である。この磁気記憶装置は、垂直磁気記録媒体６０、これを回転駆動する駆動部６１、磁気ヘッド６２、その駆動手段であるボイスコイルモータ６３、磁気ヘッドの記録再生信号処理手段６５を備える。磁気ヘッド６２は、上述した本発明の磁気ヘッドである。磁気ヘッド６２はジンバル６４の先端に装着され、ボイスコイルモータ６３によって垂直磁気記録媒体６０に対して相対的に駆動されて所望のトラック上に位置決めされる。ホストから送信されてきた記録信号は、信号処理回路６５を介して磁気ヘッド６２の記録ヘッドに送られ、垂直磁気記録媒体６０に磁化反転を生じさせて記録される。また、垂直磁気記録媒体６０の記録磁化による漏洩磁界は磁気ヘッド６２に組み込まれた本発明の再生素子によって検出され、検出された信号は信号処理回路６５で処理された後、再生信号としてホストに送信される。
【００２８】
なお、本発明は上記した実施例に限定されるものではなく、様々な変形例が含まれる。例えば、上記した実施例は本発明を分かりやすく説明するために詳細に説明したものであり、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されるものではない。また、ある実施例の構成の一部を他の実施例の構成に置き換えることが可能であり、また、ある実施例の構成に他の実施例の構成を加えることも可能である。また、各実施例の構成の一部について、他の構成の追加・削除・置換をすることが可能である。
【００２９】
例えば、図３から図１０の実施例によって説明した各構成を適宜組み合わせて再生素子を製造することができるのは明かである。逐一説明はしないが、例えば、図９に示した再生素子に、図７に示した構成を適用して磁化固定部５１の膜厚を磁化自由部５２の膜厚より厚く設定することで、より安定に作動する再生素子を得ることができる。更に、それに図８に示した構成を適用して、磁化固定部５１に磁化自由部５２よりも保磁力の大きな磁性膜を用いてもよい。
【符号の説明】
【００３０】
１０  記録ヘッド
１１  主磁極
１２  補助磁極
１３  ピラー
１４  絶縁体
１５  ヨーク部
１６  ポール部
１７  トレーリングシールド
１９  コイル
２０  再生ヘッド
２１  再生素子
２２，２３  磁気シールド
３０  マイクロ波発生器
３１  垂直磁気異方性体
３２  磁化高速回転体
３３  スピン伝導層
３４  スピン注入層
３５  スピン伝導層
４０  磁気記録媒体
４１  磁気記録層
４２  中間層
４３  軟磁性裏打ち層
５１  磁化固定部
５２  磁化自由部
５３  接合部
５４  シリコン基板
５５  磁性膜
５６，５７  端子
５８  下地膜
【図１】
0005305547.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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