(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイオードを含むパワーデバイスが複数形成された被検査体を載置する移動可能な載置台と、上記載置台の上方に配置された複数のプローブを有するプローブカードと、上記載置台の載置面及び周面に形成された導体膜電極とこれに載置された上記被検査体の裏面に形成された導体層とが導通する状態で上記被検査体に上記プローブを電気的に接触させて上記パワーデバイスの電気的特性を測定する測定部を備えたプローブ装置であって、上記パワーデバイスの電気的特性の測定時に、上記載置台の上記周面に形成された上記導体膜電極と上記測定部とを電気的に接続する導通機構を設けてなり、上記導通機構は、上記載置台の上記周面に形成された上記導体膜電極に基端部が接続されたリード導体と、上記リード導体の先端部に導通自在に形成された接続端子と、上記プローブカードと上記載置台の間に介在する導体と、上記導体に対して上記接続端子を電気的に接続し、接続を解除するアクチュエータと、を有することを特徴とするプローブ装置。
【請求項２】
ダイオードを含むパワーデバイスが複数形成された被検査体を載置する移動可能な載置台と、上記載置台の上方に配置された複数のプローブを有するプローブカードと、上記載置台の載置面及び周面に形成された導体膜電極とこれに載置された上記被検査体の裏面に形成された導体層とが導通する状態で上記被検査体に上記プローブを電気的に接触させて上記パワーデバイスの電気的特性を測定する測定部を備えたプローブ装置であって、上記パワーデバイスの電気的特性の測定時に、上記載置台の上記周面に形成された上記導体膜電極と上記測定部とを電気的に接続する導通機構を設けてなり、上記導通機構は、上記載置台の上記周面に形成された上記導体膜電極に基端部が接続され且つ上記載置台の上記周面に沿って複数設けられたリード導体と、上記複数のリード導体それぞれの先端部に導通自在に形成された複数の接続端子と、上記プローブカードと上記載置台の間に介在するリング状の導体と、上記リング状の導体に対して上記複数の接続端子を電気的に接続し、接続を解除する複数のアクチュエータと、を有することを特徴とするプローブ装置。
【請求項３】
上記アクチュエータは、上記接続端子を揺動させる揺動機構として構成されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のプローブ装置。
【請求項４】
上記アクチュエータは、上記接続端子を昇降させる昇降機構として構成されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のプローブ装置。
【請求項５】
ダイオードを含むパワーデバイスが複数形成された被検査体を載置する移動可能な載置台と、上記載置台の上方に配置された複数のプローブを有するプローブカードと、上記載置台の載置面及び周面に形成された導体膜電極とこれに載置された上記被検査体の裏面に形成された導体層とが導通する状態で上記被検査体に上記プローブを電気的に接触させて上記パワーデバイスの電気的特性を測定する測定部を備えたプローブ装置であって、上記パワーデバイスの電気的特性の測定時に、上記載置台の上記周面に形成された上記導体膜電極と上記測定部とを電気的に接続する導通機構を設けてなり、上記導通機構は、上記載置台の上記周面に形成された上記導体膜電極に、上記導体膜電極と導通自在に昇降する円筒状導体と、上記円筒状導体に周方向に所定間隔を空けて複数設けられた接続端子と、上記円筒状導体と上記プローブカードとの間に介在するリング状の導体と、上記リング状の導体に対して上記円筒状導体を昇降させて上記複数の接続端子をそれぞれ電気的に接続し、接続を解除するアクチュエータと、を有することを特徴とするプローブ装置。
【請求項６】
ダイオードを含むパワーデバイスが複数形成された被検査体を載置する移動可能な載置台と、上記載置台の上方に配置された複数のプローブを有するプローブカードと、上記載置台の載置面及び周面に形成された導体膜電極とこれに載置された上記被検査体の裏面に形成された導体層とが導通する状態で上記被検査体に上記プローブを電気的に接触させて上記パワーデバイスの電気的特性を測定する測定部を備えたプローブ装置であって、上記パワーデバイスの電気的特性の測定時に、上記載置台の上記周面に形成された上記導体膜電極と上記測定部とを電気的に接続する導通機構を設けてなり、上記導通機構は、上記載置台の上記周面に形成された上記導体膜電極に電気的に接続され且つ上記載置台の周方向に互いに１８０°隔てた位置に設けられた一対の接触子と、上記一対の接触子が電気的に接触するように上記載置台と上記プローブカードに間に介在する一対の分割導体と、を有することを特徴とするプローブ装置。
【請求項７】
上記接触子は、複数の金属板が一体化して形成され、上記接触子は、測定する電流値大きさに応じて上記金属板の積層枚数が調整可能に構成されていることを特徴とする請求項６に記載のプローブ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パワーデバイスの電気的特性検査を行うプローブ装置に関し、更に詳しくは、例えば絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）、ダイオードで代表されるパワーデバイスの電気的特性をウエハレベルで測定することができるプローブ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
パワーデバイスは、種々の電源や自動車の電装関連用のスイッチング素子等として、あるいは産業機器の電装関連のスイッチング素子等としての汎用性が高まっている。パワーデバイスは、通常の半導体素子と比べて高耐圧化、大電流化及び高速、高周波数化されている。パワーデバイスとしては、ＩＧＢＴ、ダイオード、パワートランジスタ、パワーＭＯＳ−ＦＥＴ、サイリスタなどがある。これらのパワーデバイスは、それぞれの静特性や動特性（スイッチング特性）に対する電気的特性検査が行われた後、それぞれ用途に応じて電子部品として実装される。
【０００３】
ダイオードは、例えばパワーＭＯＳ−ＦＥＴと並列接続してモータ等のスイッチング素子として用いられる。ダイオードは、アノードとカソードとの接合部に空乏層があり、この空乏層によってダイオードの本来のスイッチ機能が損なわれることがある。特に、ダイオードは、電流ＩＦが流れている時に逆電圧を印加すると、例えば図１３に実線（理想値）で示すように電流が急激に下がって０点に達する。しかし、実際には空乏層に少量のキャリアが残存しているため、この状態で電圧を印加すると図１３に実線で示すように大きな逆電流ＩＲが流れ最大の逆電流値Ｉｒｐに達した後、０点まで復帰する。最大の逆電流値Ｉｒｐからその１／１０の電流値に回復するまでの時間が逆回復時間（Reverse-Recovery-Time）ｔｒｒとして定義されている。ダイオードのスイッチング特性としては逆回復時間が短い方が好ましい。また、逆回復時間が長い場合には、使用条件によってダイオードが破壊されることがある。また、逆電流の電流変化（ｄｉ／ｄｔ）が急峻なほど電流も大きくなり、ダイオードが破壊されやすく、このような破壊がｄｉ／ｄｔ破壊と称されている。このようなことから電流切り換え時に発生するダイオードの電流変化（ｄｉ／ｄｔ）を専用の測定器にダイオードをひとつずつ装着して測定し、個々のスイッチング素子としてのダイオードの信頼性を評価している。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
そこで、本出願人は、例えば図１４に示すプローブ装置を用いて複数のパワーデバイスが形成された半導体ウエハを、ウエハ状態のまま個々のパワーデバイスに含まれるダイオードの電流変化（ｄｉ／ｄｔ）を測定する方法について種々検討した。図１４に示すプローブ装置１１０は、半導体ウエハを搬送するローダ室（図示せず）と、ローダ室から搬送された半導体ウエハの電気的特性検査を行うプローバ室１１１を備え、パワーデバイスの電気的特性検査をウエハ状態で行うように構成されている。
【０００５】
図１４に示すように、プローバ室１１１には半導体ウエハＷを載置する移動可能な載置台１１２と、載置台１１２の上方に配置されたプローブカード１１３と、を備えている。載置台１１２の表面には金等の導電性金属からなる導体膜電極が形成され、この導体膜電極がケーブル１１４を介してテスタ１１５に電気的に接続されている。また、プローブカード１１３は、半導体ウエハＷの電極パッドそれぞれにおいてケルビン接続される複数のプローブ対１１３Ａを有し、プローブ対１１３Ａがそれぞれのフォース線１１６Ｆとセンス線１１６Ｓを介してテスタ１１５に電気的に接続されている。プローブ対１１３Ａがケルビン接続されることで、電極パッドとの接触抵抗や各線１１６Ｆ、１１６Ｓの内部抵抗による測定誤差を解消することができる。
【０００６】
半導体ウエハＷには上述のように複数のパワーデバイスが形成されている。複数のパワーデバイスはそれぞれ例えば並列接続されたＭＯＳ−ＦＥＴ（あるいはＩＧＢＴ）とダイオードを有し、スイッチング素子として使用されている。半導体ウエハＷの上面にはＭＯＳ-ＦＥＴのゲート電極とソース電極が形成され、下面にはドレイン電極が形成されている。このドレイン電極と接触する載置台１１２の導体膜電極もドレイン電極となる。このドレイン電極に接続されているケーブル１１４は、フォース線１１４Ｆ及びセンス線１１４Ｓを有し、載置台１１２の導体膜電極においてケルビン接続された状態でテスタ１１５に接続されている。尚、ＩＧＢＴの場合には、各電極がゲート電極、コレクタ電極及びエミッタ電極として構成されている。
【０００７】
プローブ装置１１０を用いてパワーデバイスのスイッチ特性をウエハ状態で測定する時には、半導体ウエハＷが載置された載置台１１２を移動させ、載置台１１２上の半導体ウエハＷと複数のプローブ対１１３Ａを電気的に接触させ、ゲートＧ側のプローブ対１１３Ａを介してパワーデバイスをオンすると、パワーデバイスのゲート電極に対する印加電圧に基づいてドレイン電極（コレクタ電極）のケーブル１１４からソース電極（エミッタ電極）へ電流が流れる。
【０００８】
ところが、載置台１１２のドレイン電極（コレクタ電極）とテスタ１１５を接続するケーブル１１４が長く、ケーブル１１４でのインダクタンスが大きくなり、例えば、ケーブル１０ｃｍ当たり１００ｎＨのインダクタンスが増加するため、プローブ装置１１０を用いてのマイクロ秒単位で電流変化（ｄｉ／ｄｔ）を測定すると、図１３に破線（現状値）で示すように電流変化が小さく理想値から大きく外れ、従来のプローブ装置１１０ではダイオードの本来の電流変化（ｄｉ／ｄｔ）を正確に測定することが困難であり、場合によっては破損することすらあることが判った。また、パワーデバイスのターンオフ時にドレン電極（コレクタ電極）とソース電極（エミッタ電極）間に異常なサージ電圧がかかり、パワーデバイスを破損することもある。
【０００９】
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、パワーデバイスの静特性及び動特性（スイッチング特性）をウエハレベルで確実に測定することができるプローブ装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明の請求項１に記載のプローブ装置は、ダイオードを含むパワーデバイスが複数形成された被検査体を載置する移動可能な載置台と、上記載置台の上方に配置された複数のプローブを有するプローブカードと、上記載置台の載置面及び周面に形成された導体膜電極とこれに載置された上記被検査体の裏面に形成された導体層とが導通する状態で上記被検査体に上記プローブを電気的に接触させて上記パワーデバイスの電気的特性を測定する測定部を備えたプローブ装置であって、上記パワーデバイスの電気的特性の測定時に、上記載置台の上記周面に形成された上記導体膜電極と上記測定部とを電気的に接続する導通機構を設けてなり、上記導通機構は、上記載置台の上記周面に形成された上記導体膜電極に基端部が接続されたリード導体と、上記リード導体の先端部に導通自在に形成された接続端子と、上記プローブカードと上記載置台の間に介在する導体と、上記導体に対して上記接続端子を電気的に接続し、接続を解除するアクチュエータと、を有することを特徴とするものである。
【００１８】
また、本発明の請求項２に記載のプローブ装置は、ダイオードを含むパワーデバイスが複数形成された被検査体を載置する移動可能な載置台と、上記載置台の上方に配置された複数のプローブを有するプローブカードと、上記載置台の載置面及び周面に形成された導体膜電極とこれに載置された上記被検査体の裏面に形成された導体層とが導通する状態で上記被検査体に上記プローブを電気的に接触させて上記パワーデバイスの電気的特性を測定する測定部を備えたプローブ装置であって、上記パワーデバイスの電気的特性の測定時に、上記載置台の上記周面に形成された上記導体膜電極と上記測定部とを電気的に接続する導通機構を設けてなり上記導通機構は、上記載置台の上記周面に形成された上記導体膜電極に基端部が接続され且つ上記載置台の上記周面に沿って複数設けられたリード導体と、上記複数のリード導体それぞれの先端部に導通自在に形成された複数の接続端子と、上記プローブカードと上記載置台の間に介在するリング状の導体と、上記リング状の導体に対して上記複数の接続端子を電気的に接続し、接続を解除する複数のアクチュエータと、を有することを特徴とするものである。
【００１９】
また、本発明の請求項３に記載のプローブ装置は、請求項１または請求項２に記載の発明において、上記アクチュエータは、上記接続端子を揺動させる揺動機構として構成されていることを特徴とするものである。
【００２０】
また、本発明の請求項４に記載のプローブ装置は、請求項１または請求項２に記載の発明において、上記アクチュエータは、上記接続端子を昇降させる昇降機構として構成されていることを特徴とするプローブ装置。
【００２１】
また、本発明の請求項５に記載のプローブ装置は、ダイオードを含むパワーデバイスが複数形成された被検査体を載置する移動可能な載置台と、上記載置台の上方に配置された複数のプローブを有するプローブカードと、上記載置台の載置面及び周面に形成された導体膜電極とこれに載置された上記被検査体の裏面に形成された導体層とが導通する状態で上記被検査体に上記プローブを電気的に接触させて上記パワーデバイスの電気的特性を測定する測定部を備えたプローブ装置であって、上記パワーデバイスの電気的特性の測定時に、上記載置台の上記周面に形成された上記導体膜電極と上記測定部とを電気的に接続する導通機構を設けてなり、上記導通機構は、上記載置台の上記周面に形成された上記導体膜電極に、上記導体膜電極と導通自在に昇降する円筒状導体と、上記円筒状導体に周方向に所定間隔を空けて複数設けられた接続端子と、上記円筒状導体と上記プローブカードとの間に介在するリング状の導体と、上記リング状の導体に対して上記円筒状導体を昇降させて上記複数の接続端子をそれぞれ電気的に接続し、接続を解除するアクチュエータと、を有することを特徴とするものである。
【００２２】
また、本発明の請求項６に記載のプローブ装置はダイオードを含むパワーデバイスが複数形成された被検査体を載置する移動可能な載置台と、上記載置台の上方に配置された複数のプローブを有するプローブカードと、上記載置台の載置面及び周面に形成された導体膜電極とこれに載置された上記被検査体の裏面に形成された導体層とが導通する状態で上記被検査体に上記プローブを電気的に接触させて上記パワーデバイスの電気的特性を測定する測定部を備えたプローブ装置であって、上記パワーデバイスの電気的特性の測定時に、上記載置台の上記周面に形成された上記導体膜電極と上記測定部とを電気的に接続する導通機構を設けてなり、上記導通機構は、上記載置台の上記周面に形成された上記導体膜電極に電気的に接続され且つ上記載置台の周方向に互いに１８０°隔てた位置に設けられた一対の接触子と、上記一対の接触子が電気的に接触するように上記載置台と上記プローブカードに間に介在する一対の分割導体と、を有することを特徴とするものである。
【００２３】
また、本発明の請求項７に記載のプローブ装置は、請求項６に記載の発明において、複数の金属板が一体化して形成され、上記接触子は、測定する電流値大きさに応じて上記金属板の積層枚数が調整可能に構成されている  ことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、パワーデバイスの静特性及び動特性（スイッチング特性）をウエハレベルで確実に測定することができるプローブ装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明のプローブ装置の一実施形態を示す概念図である。
【図２】図１に示すプローブ装置を示す構成図である。
【図３】本発明のプローブ装置の他の実施形態を示す図２に相当する概念図である。
【図４】（ａ）、（ｂ）はそれぞれ図３に示すプローブ装置の要部である導通機構を具体的に示す図で、（ａ）は検査前の状態を示す側面図、（ｂ）は検査時の状態を示す側面図である。
【図５】（ａ）〜（ｄ）はいずれも図４に示す導通機構の変形例を示す図４に相当する側面図ある。
【図６】本発明のプローブ装置の更に他の実施形態の要部を示す側面図ある。
【図７】（ａ）、（ｂ）はそれぞれ本発明のプローブ装置の更に他の実施形態の要部を示す側面図で、（ａ）は検査前の状態を示す側面図、（ｂ）は検査時の状態を示す側面図である。
【図８】（ａ）、（ｂ）はそれぞれ本発明のプローブ装置の更に他の実施形態の要部を示す側面図で、（ａ）は検査前の状態を示す側面図、（ｂ）は検査時の状態を示す側面図である。
【図９】本発明のプローブ装置の更に他の実施形態の要部を示す側面図ある。
【図１０】（ａ）、（ｂ）はそれぞれ図９に示すプローブ装置の接続端子を示す図で、（ａ）は側面図、（ｂ）は正面図である。
【図１１】（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ図９に示すプローブ装置を用いて半導体ウエハの電気的特性検査を説明するための側面図である。
【図１２】（ａ）、（ｂ）は図９に示すプローブ装置を用いてパワーデバイスのスイッチング特性を示す電圧及び電流の測定値を示すグラフで、（ａ）は図９に示すプローブ装置による測定値、（ｂ）は図１４に示すプローブ装置による計算値である。
【図１３】ダイオードの電流切り換え時に発生する電流変化を示す電流波形図で、実線は電流変化の理想値のグラフを示し、破線は図１４に示すプローブ装置を用いて測定した現状値を示すグラフある。
【図１４】ダイオードの電流変化を測定するために適用された従来のプローブ装置の一例を示す構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、図１〜図１２に示す実施形態に基づいて本発明を説明する。本発明のプローブ装置は、載置台とテスタを接続するケーブルに代えて導通部材または導通機構を設けて、半導体ウエハに形成された複数のパワーデバイスの電気的特性である動特性をウエハ状態のまま測定することができるように構成されている。
【００２７】
第１の実施形態
本実施形態のプローブ装置１０は、例えば図１に示すように、半導体ウエハＷを搬送するローダ室（図示せず）からプローバ室１１内で半導体ウエハＷを受け取り、プローバ室１１内で半導体ウエハＷに形成された複数のパワーデバイス（例えばＩＧＢＴ）それぞれに含まれるダイオードの電流変化を測定するように構成されている。
【００２８】
図１に示すように、プローバ室１１には半導体ウエハＷを載置する載置台１２がＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向及びθ方向に移動可能に設けられ、載置台１２の少なくとも上面には金等の導電性金属からなる導体膜電極（図示せず）がコレクタ電極として形成されている。載置台１２には真空吸着手段が形成され、半導体ウエハＷを載置台１２の載置面に真空吸着するように構成されている。また、載置台１２は、温度調節機構を内蔵し、半導体ウエハＷを所定の温度に加熱し、あるいは冷却してパワーデバイスに含まれるダイオードの電流変化（ｄｉ／ｄｔ）を測定するようにしてある。
【００２９】
載置台１２の上方には複数のプローブ１３Ａを有するプローブカード１３がカードホルダを介してプローバ室１１の上面を形成するヘッドプレート１１Ａに固定され、複数のプローブ１３Ａをパワーデバイスの電極パッドに電気的に接続させて、パワーデバイスに含まれているダイオードの電流変化（ｄｉ／ｄｔ）を測定するようにしてある。プローブカード１３の上面には複数のプローブ１３Ａに対応する端子電極が所定のパターンで形成され、複数のプローブ１３Ａは、それぞれの端子電極を介して後述するテスタと電気的に接続される。
【００３０】
また、プローブカード１３の外周縁部には複数の導通ピン１４が周方向に所定の間隔を空けて設けられ、これらの導通ピン１４は載置台１２が昇降して載置台１２の上面に形成された導体膜電極（コレクタ電極）と電気的に離接するように構成されている。これらの導通ピン１４は弾力を有し、導体膜電極と弾力的に接触し、導体膜電極（コレクタ電極）と電気的に確実に接触するように構成されていることが好ましい。導通ピン１４は、プローブカード１３の外周縁部に所定の間隔を空けて複数個所に設けられていることが好ましいが、一箇所にだけ設けられたものであっても良い。
【００３１】
プローバ室１１内には図示しないアライメント機構が設けられ、アライメント機構を介して半導体ウエハＷ、即ちパワーデバイスのゲート電極及びエミッタ電極とプローブカード１３のプローブ１３Ａとの位置合わせを行うように構成されている。アライメント後、載置台１２が測定すべき最初のパワーデバイスの真下へ移動し、その位置から載置台１２が上昇して半導体ウエハＷの所定の電極パッドと複数のプローブ１３Ａとが電気的に接触すると共に、複数の導通ピン１４と載置台１２の導体膜電極とが電気的に接触するようになっている。複数の導通ピン１４は、複数のパワーデバイスの電気的特性を測定する場合に載置台１２が如何なる位置にあっても、少なくともいずれか一つの導通ピン１４が載置台１２の導体膜電極（コレクタ電極）と電気的に接触するようになっている。
【００３２】
而して、プローブカード１３の複数のプローブ１３Ａ及び複数の導通ピン１４とテスタ１５とを接続するための回線は、例えば図２に示すように、それぞれケルビン接続されている。
【００３３】
プローブ１３Ａは、図２に示すように、一対の第１、第２プローブ１３Ａ１、１３Ａ２から構成されている。そこで、以下では、プローブ１３Ａをプローブ対１３Ａとして説明する。プローブ対１３Ａは、第１、第２プローブ１３Ａ１、１３Ａ２が半導体ウエハＷの電極パッドにおいてケルビン接続されるように形成されている。第１プローブ１３Ａ１はフォース線１６Ｆを介してテスタ１５に接続され、第２プローブ１３Ａ２はセンス線１６Ｓを介してテスタ１５に接続されている。プローブ対１３Ａがケルビン接続することにより、第１、第２プローブ１３Ａ１、１３Ａ２と半導体ウエハＷの電極パッドとの接触抵抗及び第１、第２プローブ１３Ａ１、１３Ａ２とテスタ１５を接続するフォース線１６Ｆ及びセンス線１６Ｓの内部抵抗等による測定誤差を解消することができる。
【００３４】
図２において、左右一対のプローブ対１３Ａ、１３Ａのうち、一方（左側）のプローブ対１３ＡがＩＧＢＴのゲート電極と接触し、他方（右側）のプローブ対１３Ａがパワーデバイスを構成するＩＧＢＴのエミッタ電極と接触するように構成されている。
【００３５】
また、導通ピン１４は、プローブ対１３Ａと同様に第１、第２導通ピン１４Ａ、１４Ｂからなる導通ピン対１４として構成されている。導通ピン対１４は、第１、第２導通ピン１４Ａ、１４Ｂがそれぞれ接続されたプローブカード１３の外周縁部の裏面側の端子電極を介してケルビン接続されている。第１、第２導通ピン１４Ａ、１４Ｂは、フォース線１７Ｆ及びセンス線１７Ｓを介してテスタ１５に接続されている。導通ピン対１４は、載置台１２の導体膜電極（コレクタ電極）と電気的に接触するコレクタピンとして構成されている。このように導通ピン対１４は、プローブ対１３Ａと同様にプローブカード１３を介してテスタ１５に電気的に接続されていて、載置台１２のコレクタ電極からテスタ１５に至るまでの電路長がプローブカード１３と同様に極めて短いため、図１０に示すプローブ装置１１０に用いられているケーブル１１４と比較してインダクタンスを格段に抑制することができる。従って、本実施形態のプローブ装置１０は、パワーデバイスに含まれるダイオードの電流変化（ｄｉ／ｄｔ）をマイクロ秒単位で確実に測定することができる。
【００３６】
プローブ対１３Ａ及び導通ピン対１４は上述のようにテスタ１５に接続される。このテスタ１５は、ヘッドプレート１１の上面に着脱可能に配置され、例えばポゴピン等の導通手段を介してプローブカード１３の上面に形成されたプローブ対１３Ａ用の端子電極及び導通ピン対１４用の端子電極と電気的に接触し、複数のプローブ対１３Ａ及び複数の導通ピン対１４と電気的に接続される。
【００３７】
テスタ１５は、図２に示すように、第１、第２電源１５Ａ、１５Ｂ、第１、第２電流計１５Ｃ、１５Ｄ及び第１、第２電圧計１５Ｅ、１５Ｆを備え、ＩＧＢＴを介してダイオードの電流変化（ｄｉ／ｄｔ）を測定するように構成されている。第１電源１５Ａ及び第１電流計１５Ｃは、それぞれフォース線１６Ｆを介して第１プローブ１３Ａ１に接続され、第２電源１５Ｂ及び第２電流計１５Ｄは、フォース線１７Ｆを介して第１導通ピン１４Ａに接続されている。第１電圧計１５Ｅはセンス線１６Ｓを介して第２プローブ１３Ａ２に接続され、第２電圧計１５Ｆはセンス線１７Ｓを介して第２導通ピン１４Ｂに接続されている。
【００３８】
次に、電流変化（ｄｉ／ｄｔ）測定について説明する。まず、ローダ室から半導体ウエハＷを搬送し、載置台１２上で半導体ウエハＷを受け取り、その載置面に半導体ウエハＷを吸着固定する。次いで、載置台１２が移動してアライメント機構と協働して半導体ウエハＷの複数の電極パッドと複数のプローブ対１３Ａの位置合わせを行う。その後、載置台１２が移動して最初に測定すべきパワーデバイスをプローブ対１３Ａの真下に位置させ、更に、その位置から載置台１２が上昇してパワーデバイスの複数の電極パッドと複数のプローブ対１３Ａが電気的に接触する。
【００３９】
この際、プローブカード１３では下面から突出した導通ピン対１４が載置台１２の導体膜電極（コレクタ電極）と弾力的に接触する。これにより、パワーデバイスのＩＧＢＴのゲート電極及びエミッタ電極がそれぞれに対応するプローブ対１３Ａを介してテスタ１５と電気的に接続されると共に、パワーデバイスのＩＧＢＴのコレクタ電極が載置台１２のコレクタ電極及び複数の導通ピン対１４を介してテスタ１５と電気的に接続される。
【００４０】
然る後、テスタ１５の第１電源１５Ａの電圧をドライバ（図示せず）に印加してゲートＧ側のプローブ対１３Ａにオン信号を送信すると、パワーデバイスのＩＧＢＴのゲート電極がオンになり、第２電源１５Ｂから印加された電圧に基づいてコレクタＣ側の導通ピン対１４を介してコレクタ電極からエミッタ電極に向けて電流が流れる。次いで、ゲートＧ側のプローブ対１３Ａにオフ信号を送信するとＩＧＢＴがオフになり、コレクタ電極からエミッタ電極への電流が停止される。
【００４１】
この時、テスタ１５内のコイルに基づいて回生電流が発生してダイオードに逆電流が流れる。この状態でゲートＧ側のプローブ対１３Ａを介してＩＧＢＴをオンすると、ダイオードは図９に実線で示す理想値に近い逆回復時間の導通状態になる。この間の電流変化（ｄｉ／ｄｔ）を測定し、その結果をオシロスコープ（図示せず）に電流波形として表示する。この時に得られた電流変化（ｄｉ／ｄｔ）に基づいてダイオードのｄｉ／ｄｔ耐性を評価することができる。
【００４２】
ダイオードのｄｉ／ｄｔ破壊は、８０℃以上の高温で発生しやすいため、載置台１２を８０℃以上の高温に加熱し、高温下でダイオードの電流変化（ｄｉ／ｄｔ）を測定することによってダイオードのｄｉ／ｄｔ耐性と温度との関係を評価することができる。
【００４３】
以上説明したように本実施形態によれば、プローブ装置１０を用いることによって、複数のパワーデバイスが形成された半導体ウエハＷをウエハ状態のままでパワーデバイスに含まれるダイオードの電流切り換え時に発生する電流変化（ｄｉ／ｄｔ）を測定することができ、パワーデバイスとしてのダイオードのｄｉ／ｄｔ破壊に対する評価、延いてはパワーデバイスを構成するＩＧＢＴのスイッチング特性の評価を行うことができる。また、８０℃以上の高温に対するダイオードのｄｉ／ｄｔ破壊に対する耐性を評価することもできる。
【００４４】
第２の実施形態
本実施形態のプローブ装置は、第１の実施形態で用いられている導通ピン対１４に代えて導通機構を設けていること以外は第１の実施形態に準じて構成されている。そこで、以下では、第１の実施形態のプローブ装置１０と同一または相当部分には同一符号を付して本実施形態のプローブ装置の特徴を中心に説明する。
【００４５】
本実施形態のプローブ装置１０は、例えば図３に示すように、ダイオードを含むパワーデバイスが複数形成された半導体ウエハを搬送するローダ室（図示せず）に隣接するプローバ室１１内で半導体ウエハＷを受け取り、ウエハ状態のままで個々のパワーデバイスに含まれているダイオードの電流変化を測定するように構成され、導通機構１４以外は第１の実施形態と同様に構成されている。
【００４６】
本実施形態に用いられる導通機構１４は、図３に示すように、載置台１２の周面に形成された導体膜電極に基端部が接続されたリード導体１４Ａと、リード導体１４Ａの先端部に導通自在に形成された接続端子１４Ｂ（図３では白抜きの矢印として示してある）と、プローブカード１３と載置台１２の間に配置されたリング状の導体（以下、「リング導体」と称す。）１４Ｃと、リング導体１４Ｃに対して接続端子１４Ｂを電気的に接続し、あるいは接続を解除するアクチュエータ１４Ｄと、を備え、載置台１２の上面及び周面に形成された導体膜電極とテスタ１５を電気的に接続するように構成されている。また、図３に示すようにリング導体１４Ｃの上面は、フォース線１７Ｆ及びセンス線１７Ｓを介してテスタ１５にケルビン接続されている。本実施形態ではリング導体１４Ｃが独自に設けられて載置台１２とプローブカード１３の間に介在しているが、プローブカードを保持するカードホルダ（図示せず）やプローブカードが固定されるヘッドプレートをリング導体１４Ｃとして利用することもできる。本実施形態ではリング導体１４Ｃについて説明しているが、接続端子１４Ｂが電気的に離接する導体はリング状に限定されるものではなく、後述するように例えば２つに分割された分割導体を接続端子１４Ｂが離接する導体として用いることもできる。
【００４７】
図３に示す導通機構１４を更に具体的に示したものが図４の（ａ）、（ｂ）である。導体機構１４を構成するリード導体１４Ａは、図４の（ａ）に示すように、例えば帯状に形成され、一端部が載置台１２の周面に形成された導体膜電極にネジ止めされている。リード導体１４Ａの先端部には複数の接続端子１４Ｂが固定され、これらの接続端子１４Ｂの固定部１４Ａ１が折り曲げて形成されている。また、リード導体１４Ａの載置台１２との接続部と固定部１４Ａ１の間には側面形状がミアンダ状に折り曲げたミアンダ部１４Ａ２が形成され、リード導体１４がミアンダ部１４Ａ２を介して容易に屈伸するようになっている。また、アクチュエータ１４Ｄは、回転駆動部１４Ｄ１と、回転駆動部１４Ｄ１から延設され且つ固定部１４Ａ１の近傍で連結された揺動体１４Ｄ２と、を有している。従って、アクチュエータ１４Ｄが駆動し、回転駆動部１４Ｄ１及び揺動体１４Ｄ２を介してリード導体１４の固定部１４Ａ１を揺動させて接続端子１４Ｂをリング導体１４Ｃの下面に対して電気的に接続し、あるいは接続を解除することができる。
【００４８】
次に、図３、図４を参照しながら動作について説明する。本実施形態では導通機構１４が異なる以外は第１の実施形態と同様に構成されているため、導通機構１４以外は第１の実施形態と同一であるため、導通機構１４の動作を中心に説明する。
【００４９】
第１の実施形態と同様に半導体ウエハＷとプローブカード１３のアライメントを行った後、最初のパワーデバイスの真下で載置台１２が図４の（ａ）に示す位置から上昇し、同図の（ｂ）に示すようにパワーデバイスの電極パッドとプローブカード１３のプローブ１３Ａが電気的に接触する。この際、導通機構１４のアクチュエータ１４Ｄが駆動し、回転駆動部１４Ｄ１及び揺動体１４Ｄ２を介して接続端子１４Ｂがリード導体１４Ａのミアンダ部１４Ａ２を介して反時計方向へ揺動し、図４の（ｂ）に示すように接続端子１４Ｂがリング導体１４Ｃの下面と電気的に接触する。これにより、パワーデバイスを構成するＩＧＢＴのゲート電極及びエミッタ電極がそれぞれに対応するプローブ対１３Ａを介してテスタ１５と電気的に接続されると共に、ＩＧＢＴ下面のコレクタ電極が載置台１２の導体膜電極（コレクタ電極）及び複数の導通機構対１４を介してテスタ１５と電気的に接続される。
【００５０】
然る後、図３に示すようにテスタ１５の第１電源１５Ａの電圧をドライバ（図示せず）に印加してゲートＧ側のプローブ対１３Ａにオン信号を送信すると、パワーデバイスのＩＧＢＴのゲート電極がオンになり、第２電源１５Ｂから印加された電圧に基づいて導通機構１４のリング導体１４Ｃ、接続端子１４Ｂ及びミアンダ部１４Ａを介してコレクタ電極からエミッタ電極に向けて電流が流れる。次いで、ゲートＧ側のプローブ対１３Ａにオフ信号を送信するとＩＧＢＴがオフになり、コレクタ電極からエミッタ電極への電流が停止される。
【００５１】
この時、テスタ１５内のコイルに基づいて回生電流が発生してダイオードに逆電流が流れる。この状態でゲートＧ側のプローブ対１３Ａを介してＩＧＢＴをオンすると、ダイオードは逆回復時間の導通状態になり、この間の電圧を第２電圧計１５Ｆにおいて検出し、この時の電圧に基づいて電流変化（ｄｉ／ｄｔ）を測定し、この時に得られた電流変化（ｄｉ／ｄｔ）に基づいてダイオードのｄｉ／ｄｔ耐性を評価することができる。８０℃以上の高温でダイオードのｄｉ／ｄｔ破壊を測定する時には、載置台１２を８０℃以上の高温に加熱し、高温下でダイオードの電流変化（ｄｉ／ｄｔ）を測定することができる。
【００５２】
以上説明したように本実施形態によれば、導通機構１４を介して載置台１２のコレクタ電極とテスタ１５を接続することができ、第１の実施形態と同様にパワーデバイスに含まれるダイオードの電流切り換え時に発生する電流変化（ｄｉ／ｄｔ）を測定することができ、ダイオードのｄｉ／ｄｔ破壊に対する評価を行うことができると共にＩＧＢＴのスイッチング特性の評価を行うことができ、また、８０℃以上の高温に対するダイオードのｄｉ／ｄｔ破壊に対する耐性を評価することもできる。
【００５３】
第３の実施形態
また、図４に示す導通機構１４は、例えば図５の（ａ）〜（ｄ）の導通機構１４として構成することができる。図５の（ａ）〜（ｄ）に示す導通機構１４であっても図３、図４に示すプローブ装置１０と実質的に同一の作用効果を期することができる。
【００５４】
図５の（ａ）に示す導通機構１４Ａでは、図４の（ａ）、（ｂ）に示すリード導体１４Ａがリード線１４Ａとして構成され、また、アクチュエータ１４Ｄがエアシリンダ等のシリンダ機構によって構成されている。アクチュエータ１４Ｄは、圧縮空気を駆動源とするシリンダ１４Ｄ１と、ロッド１４Ｄ２とを有している。ロッド１４Ｄ２の先端に接続端子１４Ｂが取り付けられ、ロッドが昇降することにより接続端子１４Ｂがリング導体１４Ｃに対して電気的に接続され、接続が解除される。接続端子１４Ｂにはリード線１４Ａが接続され、リード線１４Ａ、接続端子１４Ｂを介して載置台１２とテスタ１５が電気的に接続され、接続が解除されるようになっている。
【００５５】
従って、検査時、導通機構１４のアクチュエータ１４Ｄが駆動すると、ロッド１４Ｄ２が矢印方向に上昇し、接続端子１４Ｂがリング導体１４Ｃの下面と電気的に接触する。これにより、パワーデバイスのゲート電極及びエミッタ電極がそれぞれに対応するプローブ対１３Ａを介してテスタ１５と電気的に接続されると共に、パワーデバイス下面のコレクタ電極が載置台１２の導体膜電極（コレクタ電極）及び導通機構１４を介してテスタ１５と電気的に接続され、パワーデバイスの電気的特性検査を行うことができる。
【００５６】
図５の（ｂ）に示す導通機構１４では、アクチュエータ１４Ｄの駆動源として電磁ソレノイド１４Ｄ１が用いられている。電磁ソレノイド１４Ｄ１がシリンダ機構のロッド１４Ｄ２を介して接続端子１４Ｂを昇降させ、接続端子１４Ｂがリング導体１４Ｃと電気的に接触し、接続が解除されるようになっている。図５の（ｂ）ではリング導体１４Ｃが省略されているが、導通機構１４の他の部材は、図５の（ａ）に示す導通機構１４に準じて構成されている。
【００５７】
また、図５の（ｃ）に示す導通機構１４では、アクチュエータ１４Ｄが図４の導通機構１４と同様に回転駆動部１４Ｄ１と揺動体１４Ｄ２を有し、揺動体１４Ｄ２の先端に接続端子１４Ｂが設けられている。そして、図４のリード導体１４Ａに代えてリード線１４Ａが用いられ、載置台１２の導体膜電極と揺動体１４Ｄ２がリード線１４Ａを介して接続されている。この場合にも図４の場合と同様にアクチュエータ１４Ｄが駆動することにより接続端子１４Ｂが揺動体１４Ｄ２を介して揺動してリング導体１４Ｃと電気的に接触し、接続が解除されるようになっている。図５の（ｃ）ではリング導体１４Ｃが省略されているが、導通機構１４の他の部材は、図４に示す導通機構１４に準じて構成されている。
【００５８】
更に、図５の（ｄ）に示す導通機構１４では、アクチュエータ１４Ｄがスライド型モータによって構成されている。このアクチュエータ１４Ｄは、傾斜面を有するモータを内蔵する基台１４Ｄ１と、傾斜面を有する昇降体１４Ｄ２とを有し、基台１４Ｄ１の傾斜面と昇降体１４Ｄ２の傾斜面と係合し、昇降体１４Ｄ２が基台１４Ｄ１の傾斜面に従って昇降するようになっている。基台１４Ｄ１の傾斜面にはモータによって進退動する直動部品（図示せず）が設けられ、この直動部品に対して昇降体が連結部材（図示せず）を介して連結されている。昇降体１４Ｄ２の水平面（上面）には接続端子１４Ｂが設けられている。従って、アクチュエータ１４Ｄが駆動すると、基台１４Ｄ１内のモータが駆動し、直動部品を介して昇降体１４Ｄ２が昇降し、接続端子１４Ｂがリング導体（図示せず）の下面に電気的に接触し、接続を解除するようになっている。図５の（ｄ）ではリング導体が省略されているが、導通機構１４の他の部材は、図４に示す導通機構１４に準じて構成されている。
【００５９】
図５の（ａ）〜（ｄ）では、導通機構１４が一箇所に設けられた場合について説明したが、複数の導通機構１４を載置台１２の全周に渡って所定間隔を空けて設けても良い。また、一対の導通機構１４を周方向に１８０°隔てて設けても良い。後者の場合には、リング状導体１４Ｃに代えて２箇所の導通機構１４が電気的に接触する分割導体（例えば図９参照）であっても良い。分割導体の形状は、特に制限されるものではない。
【００６０】
図３〜図５に示す導通機構１４は、載置台１２とリング導体１４Ｃを一箇所で接続するように構成されている。導通機構１４は、図６〜図８に示すように載置台１２とリング導体１４Ｃの全周に渡って複数箇所で電気的に接続するように構成することができる。図６〜図８に示す導通機構１４であっても図３〜図５に示すプローブ装置１０と実質的に同一の作用効果を期することができる。
【００６１】
図６に示す導通機構１４は、同図に示すように、載置台１２の周面に形成された導体膜電極に周方向全周に渡って所定間隔を空けて一端が接続された複数のリード線１４Ａと、複数のリード線１４Ａの他端にそれぞれ接続された複数の接続端子１４Ｂと、複数の接続端子１４Ｂが周方向等間隔を空けて全周に渡って接触するリング導体（図示せず）と、複数の接続端子１４Ｂをそれぞれ昇降させる複数のアクチュエータ１４Ｄと、を備えている。リード線１４Ａ、接続端子１４Ｂ、アクチュエータ１４Ｄは、いずれも図５の（ａ）に示す導通機構１４のものと同様に構成されている。複数のアクチュエータ１４Ｄは、個別に駆動するようにしても良く、全てが同時に駆動するようにしても良い。このように接続端子１４Ｂがリング導体１４Ｃの全周に渡って電気的に接触することにより、パワーデバイスの電気的特性検査をより確実に行うことができる。導通機構１４の他の構成部材は、図３に示すプローブ装置１０と同様に構成されている。
【００６２】
図７の（ａ）、（ｂ）に示す導通機構１４は、同図に示すように、載置台１２の周面に形成された導体膜電極と摺接する円筒状導体１４Ａと、円筒状導体１４Ａの上端面全周に渡って所定間隔を空けて立設され且つ導体膜電極にそれぞれ接続された複数の接続端子１４Ｂと、複数の接続端子１４Ｂが周方向等間隔を空けて全周に渡って接触するリング導体１４Ｃと、円筒状導体１４Ａを昇降させるアクチュエータ（図示せず）と、を備えている。この導通機構１４では、アクチュエータの駆動により、円筒状導体１４Ａが載置台１２の導体膜電極に摺接しながら昇降し、円筒状導体１４Ａの上面の複数の接続端子１４Ｂがリング導体１４Ｃの下面に対して電気的に接触し、あるいは接続が解除されるようになっている。従って、非検査時には、円筒状導体１４Ａが図７の（ａ）に示すように載置台１２の載置面から下方で待機しており、検査時には円筒状導体１４Ａが同図の（ｂ）に示すようにアクチュエータを介して載置台１２の外周面に沿って上昇し、複数の接続端子１４Ｂがリング導体１４Ｃと電気的に接続し、接続を解除することができる。複数の続端子１４Ｂがリング導体の全周に渡って電気的に接触することにより、パワーデバイスの電気的特性検査をより確実に行うことができる。
【００６３】
図８の（ａ）、（ｂ）に示す導通機構１４は、同図に示すように、図７の（ａ）、（ｂ）に示すものと同様に円筒状導体１４Ａ、複数の接続端子１４Ｂ、リング導体１４Ｃ及びアクチュエータ（図示せず）を備えている。この導通機構１４では、円筒導体１４Ａと複数の接続端子１４Ｂが図７に示すものと相違する。図８に示す複数の接続端子１４Ｂは、円筒状導体１４Ａの上端部に昇降可能に取り付けられている。そのため、導通機構１４は、円筒状導体１４Ａが載置台１２に対して昇降すると共に複数の接続端子１４Ｂが円筒状導体１４Ａの上端部で昇降し、複数の接続端子１４が二段階で昇降してリング導体１４Ｃの下面に対して電気的に接触し、あるいは接続が解除されるようになっている。従って、非検査時には、円筒状導体１４Ａが図８の（ａ）に示すように載置台１２の載置面から下方で待機しており、検査時には円筒状導体１４Ａが同図の（ｂ）に示すようにアクチュエータを介して載置台１２の外周面に沿って上昇してリング導体１４Ｃの全周に渡って電気的に接触し、更に、複数の接続端子１４Ｂが円筒状導体１４Ａから上昇する。この場合にも図７に示す導通機構１４に準じた接触動作をすることができる。
【００６４】
第４の実施形態
本実施形態のプローブ装置は、図４に示す導通機構１４に代えて図９、図１０に示す接続端子及び分割導体を用いていること以外は、図４に示すプローブ装置１０に準じて構成されている。そこで、以下では、図４に示す導通機構１４と同一または相当部分には同一符号を付して本実施形態の導通機構について説明する。
【００６５】
本実施形態に用いられる導通機構１４は、上記の各実施形態と同様に半導体ウエハに形成された複数のパワーデバイスの電気的特性をウエハ状態のまま測定するように構成されている。即ち、本実施形態の導通機構１４は、図９の（ａ）、（ｂ）に示すように、載置台１２の周面の互いに対向するように設けられた一対の接続端子１４Ｂと、一対の接続端子１４Ｂに対応して載置台１２とプローブカード１３の間に介在させて設けられた一対の分割導体１４Ｃと、を備えている。一対の接続端子１４Ｂは、各パワーデバイスの電気的特性を測定するために載置台１２が如何なる場所へ移動してもそれぞれが対応するいずれかの分割導体１４Ｃと弾力的に接触して導電膜電極（コレクタ電極）とテスタ（図示せず）とを電気的に接続するようにしてある。
【００６６】
接続端子１４Ｂは、図１０の（ａ）、（ｂ）に示すように、複数の金属板が一体化している接触子１４Ｂ１と、この接触子１４Ｂ１を挟持する左右一対の支持体１４Ｂ２と、を有し、支持体１４Ｂ２を介して載置台１２の上部に固定されている。接触子１４Ｂ１は、載置台１２の周面に形成された導電膜電極に対して電気的に接続されている。また、接触子１４Ｂ１には載置台１２の張り出し端面から載置台１２側に向けて切欠部１４Ｂ３が形成され、この切欠部１４Ｂ３を介して接触子１４Ｂ１が分割導体１４Ｃに対して弾力的に接触するようにしてある。接触子１４Ｂは、測定する電流値の大きさに応じて金属板の積層枚数を調整できるようになっている。
【００６７】
一対の分割導体１４Ｃは、図９の（ｂ）に示すように、左右対称に形成されて、例えばプローブカード１３を保持するカードホルダ１３Ｂに連結、固定されている。この分割導体１４Ｃは、同図に示すように、それぞれプローブ１３Ａ側に位置する第１の辺がこれと対向する第２の辺より短く形成されていると共に第２の辺と両端で直角を成す一対の第３の辺が形成されている。また、第３の辺と第１の辺の間に一対の第４の辺が形成され、一対の第４の辺は第１の辺に向かって徐々に狭くなっている。つまり、分割導体１４Ｃは六角形状に形成されている。一対の分割導体１４Ｃは、上述のようにパワーデバイスの電気的特性を測定するために載置台１２がプローバ室内で如何なる場所へ移動しても対応する接続端子１４Ｂが接触する大きさに形成されている。
【００６８】
つまり、半導体ウエハＷの中央部にあるパワーデバイスの電気的特性を測定する時には、図１１の（ａ）に示すように載置台１２がプローブカード１３の中心の真下へ移動し、その位置から上昇すると、一対のプローブ１３Ａが中央部のＩＧＢＴに形成されたゲート電極及びエミッタ電極とそれぞれ電気的に接触すると共に左右一対の接続端子１４Ｂの接触子１４Ｂが左右一対の分割導体１４Ｃとそれぞれ電気的に接触しコレクタ電極となって、パワーデバイスの電気的特性を測定することができる。
【００６９】
半導体ウエハＷの右端のパワーデバイススの電気的特性を測定する時には、図１１の（ｂ）に示すように載置台１２が移動し、右端のパワーデバイスがプローブカード１３の中心の真下に達し、その位置から上昇すると、一対のプローブ１３Ａが右端のＩＧＢＴに形成されたゲート電極及びエミッタ電極とそれぞれ電気的に接触すると共に右側の接続端子１４Ｂの接触子１４Ｂのみが右側の分割導体１４Ｃと電気的に接触しコレクタ電極となってパワーデバイスの電気的特性を測定することができる。左側の接続端子１４Ｂは、左側の分割導体１４Ｃとは非接触状態になる。
【００７０】
半導体ウエハＷの左端のパワーデバイスの電気的特性を測定する時には、図１１の（ｃ）に示すように載置台１２が移動し、左端のパワーデバイスがプローブカード１３の中心の真下に達し、その位置から上昇すると、一対のプローブ１３Ａが左端のＩＧＢＴに形成されたゲート電極及びエミッタ電極とそれぞれ電気的に接触すると共に左側の接続端子１４Ｂの接触子１４Ｂのみが左側の分割導体１４Ｃと電気的に接触しコレクタ電極となってパワーデバイスの電気的特性を測定することができる。右側の接続端子１４Ｂは、右側の分割導体１４Ｃとは非接触状態になる。
【００７１】
上述のように各パワーデバイスの電気的特性としてＩＧＢＴのスイッチング特性を測定する時には、導体膜電極（コレクタ電極）とテスタ間の線路長が例えば１０ｃｍ前後と短くてインダクタンスが小さいため、優れたスイッチング特性を示し、ターンオフ時間が短く、図１２の（ａ）に示すようにターンオフ時のコレクタ−エミッタ間のサージ電圧を、ＩＧＢＴ(パワーデバイス)の限界電圧よりも格段に小さい電圧値に抑制することができ、パワーデバイスの動特性を確実且つ正確に測定することができる。尚、ターンオフ時間とは、コレクタ電流が９０％から５％まで低下する時間のことを云う。
【００７２】
これに対して、従来のプローブ装置のようにケーブルがある場合には、ケーブルにおけるインダクタンスが大きく、図１２の（ｂ）に示すようにＩＧＢＴのターンオフ時にコレクタ−エミッタ間にＩＧＢＴの限界電圧を超える異常なサージ電圧が印加されてＩＧＢＴを破損する。パワーデバイスの電気的特性の測定時には定格電圧及び定格電流よりも大きい電圧、電流を印加することが好ましいが、従来のプローブ装置では定格電圧を印加しても限界値を超える虞があるため、定格電圧すら掛けられないこともあり、実質的にパワーデバイスの動特性の測定を行うことができなかった。図１２の（ｂ）のサージ電圧は、実測値でなく、計算値である。
【００７３】
以上説明したように本実施形態においても第１、第２の実施形態と同様にパワーデバイスの動特性を確実且つ正確に測定することができる。
【００７４】
本発明は、上記実施形態に何ら制限されるものではなく、必要に応じて各構成要素を設計変更することができる。第１の実施形態では、導通ピン１４をプローブカード１３の外周縁部に取り付けた場合について説明したが、例えば載置台１２の外周縁部全周に渡って所定の間隔を空けて設けることもできる。これらの導通ピン１４は載置台１２の導体膜電極（コレクタ電極）と電気的に接続されている。また、これらの導通ピン１４は、      置台１２の上面に立設されていても良いが、載置台１２において出没可能に設けられていることが好ましい。この場合には、導通ピン１４が出没する孔の内周面に導体膜電極が形成され、導通ピン１４が導体膜電極を摺接し、突出位置で導通ピン１４が導体膜電極と電気的な接続を維持するようにすることもできる。
【符号の説明】
【００７５】
１０    プローブ装置
１２    載置台
１３    プローブカード
１３Ａ  プローブ
１４    導通ピン（導通部材）
１５    テスタ
１４    導通機構
１４Ａ  リード導体
１４Ａ  リード線
１４Ｂ  接続端子
１４Ｃ  リング導体
１４Ｄ  アクチュエータ
Ｗ    半導体ウエハ
【図１】
0005296117.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
0005296117.tif 000009
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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