(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子ビームを対物レンズにより集束させて試料に照射し、該試料から二次的に発生する信号を検出して画像を得る荷電粒子ビーム装置において、
前記試料と前記対物レンズとの間を横切る軌跡を有する第二の荷電粒子ビームを発生させる電子源と、前記第二の荷電粒子ビームを検出する検出器と、該検出器で検出された前記第二の荷電粒子ビームの軌跡に基づいて、前記試料の表面の帯電状態を計算する計算部と、前記第二の荷電粒子ビームを偏向させる偏向器と、該偏向器の強度を変化させる偏向器制御部とを備え、
前記偏向器制御部により前記偏向器の強度を変化させて前記第二の荷電粒子ビームを検出し、前記計算部は、前記検出器で検出された前記第二の荷電粒子ビームの軌跡に基づいて、前記試料の表面の帯電状態を計算することを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
【請求項２】
請求項１の記載において、前記試料に電圧を印加する電圧印加手段を備え、該電圧印加手段により前記試料へ印加される電圧を変化させて前記第二の荷電粒子ビームを検出し、前記計算部は、前記検出器で検出された前記第二の荷電粒子ビームの軌跡に基づいて、前記試料の表面の帯電状態を計算することを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
【請求項３】
請求項１の記載において、前記試料と前記対物レンズとの間に制御電極と、該制御電極へ印加される電圧を変化させる制御電極制御部とを設け、該制御電極制御部により前記制御電極へ印加される電圧を変化させて前記第二の荷電粒子ビームを検出し、前記計算部は、前記検出器で検出された前記第二の荷電粒子ビームの軌跡に基づいて、前記試料の表面の帯電状態を計算することを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
【請求項４】
請求項１の記載において、前記対物レンズの励磁を変化させる対物レンズ制御部を設け、該対物レンズ制御部により前記対物レンズの励磁を変化させて前記第二の荷電粒子ビームを検出し、前記計算部は、前記検出器で検出された前記第二の荷電粒子ビームの軌跡に基づいて、前記試料の表面の帯電状態を計算することを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
【請求項５】
請求項１の記載において、前記試料への前記荷電粒子ビームの照射に先だって、前記第二の荷電粒子ビームが前記試料へ予備照射されることを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
【請求項６】
請求項５の記載において、前記第二の荷電粒子ビームの前記試料への照射と、前記検出器での検出とを切り替える偏向手段を設けたことを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
【請求項７】
請求項１の記載において、前記検出器で検出された前記第二の荷電粒子ビームの位置を表示するディスプレイを備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
【請求項８】
請求項７の記載において、前記検出器は複数の検出素子を有し、前記ディスプレイは前記検出素子毎の位置を示す目盛を表示し、該目盛と前記第二の荷電粒子ビームの位置とを重ねて表示することを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
【請求項９】
荷電粒子ビームを対物レンズにより集束させて試料に照射し、該試料から二次的に発生する信号を検出して画像を得る荷電粒子ビーム装置における試料の表面の帯電状態を知る方法において、
前記試料と前記対物レンズとの間を横切る軌跡を有する第二の荷電粒子ビームを発生させ、偏向強度を変化させて前記第二の荷電粒子ビームを偏向し、該偏向強度が変化された第二の荷電粒子ビームを検出し、該検出された第二の荷電粒子ビームの軌跡に基づいて前記試料の表面の帯電状態を計算することを特徴とする試料の表面の帯電状態を知る方法。
【請求項１０】
請求項９の記載において、前記試料へ印加される電圧を変化させて前記第二の荷電粒子ビームを検出し、該検出された前記第二の荷電粒子ビームの軌跡に基づいて、前記試料の表面の帯電状態を計算することを特徴とする試料の表面の帯電状態を知る方法。
【請求項１１】
請求項９の記載において、前記試料と前記対物レンズとの間に制御電極を設け、該制御電極へ印加される電圧を変化させて前記第二の荷電粒子ビームを検出し、該検出された第二の荷電粒子ビームの軌跡に基づいて前記試料の表面の帯電状態を計算することを特徴とする試料の表面の帯電状態を知る方法。
【請求項１２】
請求項９の記載において、前記対物レンズの励磁を変化させて前記第二の荷電粒子ビームを検出し、該検出された第二の荷電粒子ビームの軌跡に基づいて、前記試料の表面の帯電状態を計算することを特徴とする試料の表面の帯電状態を知る方法。
【請求項１３】
請求項９の記載において、前記試料への前記荷電粒子ビームの照射に先だって、前記第二の荷電粒子ビームが前記試料へ予備照射されることを特徴とする試料の表面の帯電状態を知る方法。
【請求項１４】
請求項１３の記載において、前記第二の荷電粒子ビームの前記試料への照射と、前記検出器での検出とを切り替えることを特徴とする試料の表面の帯電状態を知る方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、荷電粒子ビームを試料に照射し、試料から二次的に発生する信号を検出して画像を得る荷電粒子ビーム装置、及び試料の表面の帯電状態を知る方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
荷電粒子ビームを試料に照射し、試料から二次的に発生する信号を検出して画像を得る荷電粒子ビーム装置として、走査型電子顕微鏡（以下、ＳＥＭとよぶ）がある。半導体ウェハに形成される半導体デバイスは微細化がすすみ、従来の光学式検査装置では分解能に限界があるため、ＳＥＭを基本構成としたＳＥＭ式検査装置が開発され、検査に用いられている。一方、半導体ウェハの回路パターンに存在する短絡，切断，ホールの開口不良といった電気的特性に関わる欠陥（以下、電気的欠陥とよぶ）は、光学式検査装置では検出できないが、ＳＥＭ式半導体ウェハ検査装置では、試料から二次的に発生する信号である二次電子信号が、試料の表面電位に敏感であることから、電気的欠陥を検出することが出来る。
【０００３】
電気的欠陥を検出したり観察する際、観察前に予備的に帯電させる方法として、試料に対して電子などの荷電粒子を面状に試料へ照射し、試料と対向する電極に電圧を印加することにより、試料の表面電位を制御する技術が知られている（例えば、特許文献１，特許文献２参照）。また、試料から発生する信号強度あるいは吸収電流を、試料直上のフィルタ電極の電圧を変化させながら記録することで、予備帯電によって形成された試料表面電位を計測する技術が知られている（例えば、特許文献２参照）。この技術によれば、試料表面電位の計測と試料観察とを同時には実施できない。また、表面電位プローブを試料表面に接近させて試料表面電位を計測する技術も知られている（例えば、特許文献３参照）。この技術によれば、観察用の荷電粒子ビームが照射されている観察部位の帯電を、観察中に測定することはできない。
【０００４】
【特許文献１】特開平１０−１２６８４号公報
【特許文献２】特開２００６−２３４７８９号公報
【特許文献３】特開２００４−２８８７３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
半導体ウェハの回路パターンに存在する微細な欠陥の検出にあたっては、試料電位の正確な計測が必要である。特に、試料に照射する電子ビームが、試料の電位を検査中に変動させるため、試料の電位を検査中に計測することが重要である。さらに、安定した画像取得のために、観察部位の表面電位を一定に保つことが必要である。
【０００６】
本発明の目的は、荷電粒子ビームを試料に照射し、試料から二次的に発生する信号を検出して画像を得る荷電粒子ビーム装置、及び試料の表面の帯電状態を知る方法において、試料の表面電位の計測を可能とし、試料の表面を一定電位に制御して、試料の状態を変化させずに安定した試料像を取得することができる荷電粒子ビーム装置、及び試料の表面の帯電状態を知る方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明の実施態様は、荷電粒子ビームを対物レンズにより集束させて試料に照射し、該試料から二次的に発生する信号を検出して画像を得る荷電粒子ビーム装置において、試料と対物レンズとの間を横切る軌跡を有する第二の荷電粒子ビームを発生させ、該第二の荷電粒子ビームを検出し、検出された第二の荷電粒子ビームの軌跡に基づいて試料の表面の帯電状態を計算する構成としたものである。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、荷電粒子ビームを試料に照射し、試料から二次的に発生する信号を検出して画像を得る荷電粒子ビーム装置、及び試料の表面の帯電状態を知る方法において、試料の表面電位の計測が可能になるとともに、試料の表面を一定電位に制御できるので、試料の状態を変化させずに安定した試料像を取得することができる荷電粒子ビーム装置、及び試料の表面の帯電状態を知る方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本発明の実施の形態を、走査型電子顕微鏡法を応用した半導体回路パターンの欠陥検査装置（以下、ＳＥＭ式ウェハ検査装置とよぶ）を例として説明する。図１は、ＳＥＭ式ウェハ検査装置の概略構成図であり、電子顕微鏡本体部分を縦断面図で表現している。図１において、電子銃制御部１０１によって制御される第一の電子銃１０２より、第一の電子線である観察用電子ビーム１０３が取り出される。取り出された観察用電子ビーム１０３は、絞り１０４、並びにレンズ制御部１０５によって制御される１個あるいは複数個の集束レンズ１０６により収束され、電子ビーム１０７を形成する。電子ビーム１０７は、必要に応じてブランキング偏向器１０８により観察用電子線１０３を偏向し、試料１０９上から電子ビーム１０７を退避させる。
【００１０】
試料表面の画像を得るために、電子ビーム１０７は走査偏向器１１０により試料１０９上を走査される。その結果、試料１０９から二次電子，反射電子，Ｘ線等が発生する。ここでは、これらを総称して二次信号１１１とよぶ。二次信号１１１は、信号検出器１１２により検出され、二次信号１１１のエネルギー、あるいは電子の数に応じた量の電気信号に変換され、試料の画像を表示するディスプレイ１１３に送られる。ディスプレイ１１３は、電気信号と走査偏向器１１０による試料１０９上の偏向位置とを同期させて、画像を表示させる。
【００１１】
制御電極１１５は、電子ビーム１０７を試料１０９上へ細く絞る対物レンズ１１４付近に配置され、試料１０９上の電界を制御する。これによって、試料１０９から発生する二次信号１１１の軌道を制御することができる。また、制御電極１１５へ印加する制御電圧を試料１０９の電位よりも高くすることにより、信号検出器１１２で検出される信号数を増加させたり、試料１０９よりも低い電圧を印加して、二次信号１１１を試料１０９の方へ戻すことで、試料１０９の帯電量を制御したりすることができる。
【００１２】
電子ビーム１０７の通過する領域は、真空容器１１６により封じられ、排気装置１１７によって高真空が保たれる。試料１０９の近傍に、第二の電子銃１１９が配置され、第二の電子ビームである計測用電子ビーム１２０を放射する。第二の電子銃１１９は、第二の電子銃制御部１１８によって制御される。なお、本実施例では、電子ビームを用いているが、イオン粒子ビームや陽電子ビームを用いてもよい。
【００１３】
本実施例では、電子ビームを例にとり説明する。計測用電子ビーム１２０は、第二の電子銃１１９の取り付け方向で定まる計測用電子ビーム１２０の放出方向と、第二の電子銃１１９と試料１０９との間に設けられた偏向手段１２１とによって、電子ビーム１０７の軌跡と交差する位置での軌跡が試料１０９に到達しないように制御される。制御電極１１５と試料１０９との間に電位勾配がない場合は、電子ビーム１０７の軌跡が試料１０９と平行になるように制御するが、試料１０９にリターディング電圧が印加されている場合は、試料１０９が負電位であり、電子ビーム１０７は試料１０９の表面で第一の電子銃１０２の方向に曲げられるので、このリターディング電圧を考慮して電子ビーム１０７を制御する必要がある。なお、リターディング電圧とは、分解能を高くするために観察用電子ビーム１０３の電圧を大きくしたときに、そのままの電圧で試料１０９を照射すると試料１０９が破壊される場合があり、試料１０９への到達電圧を低くして破壊を防止するため、あるいは低エネルギーの電子ビーム１０７により試料帯電を低減したい場合に、あるいは試料の表面情報入手のため観察したい場合に試料１０９を載せる試料台１３５に印加される負の電圧である。
【００１４】
ブランキング用偏向器１２６は、計測用電子ビーム１２０を偏向させて、絞り１２７の開口部を通過させたり、通過を遮断したりする。計測用電子ビーム１２０は、試料１０９の表面上を通過し、計測用電子ビーム１２０の軌跡を妨げない目的で設けられた検出用空間部１２８を経て、第二の検出器１２２で検出され、電気信号に変換され、電位計測用のディスプレイ１２４の画面に輝点１２５として表示される。第二の検出器１２２は、複数個の検出素子群１２３から構成されており、計測用電子ビーム１２０が衝突した検出素子の位置によって、ディスプレイ１２４の画面上の輝点１２５の位置が変わる。検出素子群１２３の例として、例えば、マイクロチャンネルプレート，ＣＣＤ，フォトダイオード，ＴＤＩセンサなどが知られている。
【００１５】
計測用電子ビーム１２０の軌跡は、試料１０９と制御電極１１５との間の電位勾配によって、曲げられる。したがって、偏向手段１２１の制御量、制御電極１１５への印加電圧と、電位勾配の発生によって曲げられる計測用電子ビーム１２０の軌跡の測定量とから、制御電極１１５と試料１０９との間の電位勾配を知ることができる。計測用電子ビーム１２０の軌跡の曲がりの調整の目的で、検出用空間部１２８に、後述する図５に示す集束レンズ手段５１２を設けることも可能である。
【００１６】
第二の検出器１２２からの信号は、ディスプレイ１２４へ送られるとともに、表面電位計算部１２９へ送られ、試料１０９の表面電位が計算される。検出素子の位置と計測用電子ビーム１２０の軌跡との間の校正は、計測前に試料１０９に印加される電圧を変更しながら検出位置を記録することで行われる。あるいは、計測用電子ビーム１２０の軌跡を追跡する既知の電子軌跡シミュレータを別途準備し、計算で算出してもよい。表面電位計算部１２９で計算された試料１０９の表面電位が変動する場合は、自動校正部１３０，１３１，１３２，１３３により、例えば、試料１０９に印加される電圧の値が制御され、試料１０９の表面電位が一定に保たれる。
【００１７】
図２は、計測用電子ビームの軌跡とディスプレイに表示される輝点との関係を表す概念図である。計測用電子ビーム２０１は、試料２０２と電子光学系の電位発生部２０３との間を横切り、第二の検出器２０４へ到達する。第二の検出器２０４の、計測用電子ビーム２０１を検出した検出素子群の位置によって、ディスプレイ２０５の画面に表示される輝点２０６の位置が変化する。ディスプレイ２０５の画面に、検出素子群に対応した目盛線２０７を輝点２０６に重ねて表示することで、オペレータが目視により表面電位を知ることができて便利である。
【００１８】
図２（ａ）は、試料２０２が負に帯電している状態を示し、計測用電子ビーム２０１の軌跡は、図１に示した第一の電子銃１０２の方向に曲げられる。図２（ｂ）は、試料２０２が帯電していない状態を示し、計測用電子ビーム２０１の軌跡は、リターディング電圧分だけ、図１に示した第一の電子銃１０２の方向に曲げられる。図２（ｃ）は、試料２０２が正に帯電している状態を示し、計測用電子ビーム２０１の軌跡は、試料２０２に近づく方向に曲げられる。
【００１９】
計測用電子ビーム２０１が試料２０２の近傍を飛行する際、計測用電子ビーム２０１の軌跡は、飛行する空間の電界分布と磁界分布により、その軌道を変化させる。試料２０２の近傍の電磁界分布は、対物レンズや制御電極等で構成される電子光学系の電位発生部２０３の状態を固定したとき、試料２０２の表面電位のみによって変化する。正イオン粒子線や陽電子線などの正の電荷をもつ荷電粒子線を計測用に用いた場合は、図２に示す試料２０２の帯電極性を逆にした場合に対応する。
【００２０】
図２に示すとおり、計測用電子ビーム２０１の軌跡は、試料２０２の表面の電位により一意に決定するため、第二の検出器２０４で検出された後にディスプレイ２０５に表示された輝点２０６の画面上の位置から、オペレータは試料の表面電位を知ることができる。
【００２１】
試料表面電位の変化により試料の顕微鏡像の像質が劣化する場合は、次に述べる自動校正により、劣化を防ぐことが出来る。図３は、図１における試料の近傍を拡大した概略構成図である。試料表面電位の変化は、試料３０２の表面電位が観察中に変動する場合、または、試料３０２が予測できなかった表面電位を帯びている場合に発生する。試料台電圧制御部３０６により、試料３０２を保持している試料台３０７に印加するリターディング電圧を変化させ、像質のよいところで表面電位を一定に保つように制御する。あるいは、第二の検出器３０３の計測用電子ビーム３０１を検出した検出素子の位置に基づいて、表面電位計算部３０５により試料３０２の表面電位を計算し、その計算結果やディスプレイ３０４の表示によって、制御電極３０９により形成された試料３０２の表面の電位が不足または過剰と判明した場合は、制御電極制御部３０８により制御電極３０９に印加する電圧を変え、所望の帯電状態を得るようにする。
【００２２】
試料３０２の表面の電位変化より、観察用電子ビーム３１４の焦点ズレが顕著な場合は、表面電位計算部３０５で求めた試料３０２の表面電位の変動値から、対物レンズ３１１の励磁強度を計算し、対物レンズ制御部３１０により励磁強度を変更して、観察用電子ビーム３１４の焦点ズレを補正する。偏向倍率や画像回転角にズレが生じた時は、偏向器制御部３１２により偏向器３１３の偏向強度を変更して、偏向倍率や画像回転角のズレを補正する。
【００２３】
以上のような自動調整を実現するためには、あらかじめ試料３０２の表面電位の変動に対する、試料台３０７の印加電圧，制御電極３０９の印加電圧，対物レンズ３１１の励磁強度，偏向器３１３の偏向強度などの補正因子の変動感度を算出しておく必要がある。図４は、図１に示した操作パネル１３４の画面の表示例を示す画面図であり、試料電圧設定領域４０１，調整指示ボタン４０２，試料に観察用電子ビームを照射して得られた画像を表示する画像表示領域４０５，自動補正ボタン４０７が並んでいる。対物レンズの励磁強度の自動調整を例にとり説明すると、はじめに、試料表面電位に対する、対物レンズの励磁強度の感度を算出する。調整指示ボタン４０２のうちの対物レンズ調整指示ボタン４０３に対応する中立ボタン４０４を押し下げすることにより、試料台への印加電圧が、予め設定された観察時の基準電圧Ｖに設定される。この状態で、画像表示領域４０５に表示される画像が鮮明な画像になるように、対物レンズの励磁強度を調整する。このときの対物レンズの励磁強度をＯｂｊとする。次に、調整ボタン４０６を押し下げすることにより、試料台への印加電圧が、観察時の基準電圧Ｖから若干ずれた値Ｖ＋ΔＶに設定される。この状態で、自動補正ボタン４０７を押し下げすると、画像表示領域４０５に表示される画像が鮮明な画像になるように、対物レンズの励磁強度が自動調整される。このときの対物レンズの励磁強度を、前述のＯｂｊを基準としてＯｂｊ＋ΔＯｂｊとする。以上の操作により、試料の表面電位が変動した時に補正するための、対物レンズの励磁強度の補正感度ＣObjは、下記の式で表される。
【００２４】
ＣObj＝（（Ｏｂｊ＋ΔＯｂｊ）−Ｏｂｊ）／（（Ｖ＋ΔＶ）−Ｖ）
＝ΔＯｂｊ／ΔＶ
この対物レンズの励磁強度の補正感度ＣObjを用いて、対物レンズの励磁強度が自動調整され、所望の帯電状態が得られ、試料の顕微鏡像の像質の劣化を防ぐことができる。
【００２５】
図５は、図１における試料の近傍を拡大した概略構成図である。図中に、電子ビーム５０４の軌跡の方向を軸５０５および軸５０６で示してある。前述の特許文献２に記載された試料の予備帯電用の電子ビームを、試料の帯電計測用に利用することができる。予備帯電用電子源５０１から照射される電子ビーム５０４は、観察用電子ビーム５０７が試料５０２に照射される前に、軸５０６の方向へ試料５０２に対して照射され、試料５０２が予備帯電される。観察用電子ビーム５０７が照射される領域よりも広い領域を予備照射して、予備照射された領域の帯電状態を均一にする目的で、電子ビーム５０４の径は観察用電子ビーム５０７よりも大きく設定されることが多い。一方、電子ビーム５０４を試料５０２の帯電状態の計測用に用いる場合には、偏向手段５０３で電子ビーム５０４を軸５０５の方向で示される図１に示した第二の検出器１２２の方向へ偏向方向を切り替え、電子ビーム５０４が試料５０２へ照射されないようにする。
【００２６】
ブランキング用偏向器５０９は、電子ビーム５０４を偏向させて、絞り５１１の開口部を通過させたり、通過を遮断したりする。これにより、観察用電子ビーム５０７が照射されているときに、電子ビーム５０４で軌跡を横切らないようにすることができる。また、観察用電子ビーム５０７の軌跡にブランキング用偏向器５０８を設け、観察用電子ビーム５０７を偏向させて、絞り５１０の開口部を通過させたり、通過を遮断したりすることで、観察用電子ビーム５０７と電子ビーム５０４との干渉を防止することができる。
【００２７】
電子ビーム５０４は、試料５０２の予備帯電に用いられるため、観察用電子ビーム５０７よりも大きな径を有する。したがって、径が大きすぎるとどの検出素子で検出されたか区別が困難になるため、集束させて径を絞ることが望ましい。そのため、検出素子に届く前に、集束レンズ手段５１２を設けて、電子ビーム５０４の広がりを抑えるようにする。さらに、集束レンズ手段５１２の励磁強度を変えることによって、どの検出素子で検出されるかを調整できる。集束レンズ手段５１２の励磁強度を変えると、図２に示したディスプレイ２０５に表示される輝点２０６が上下方向に移動するので、この画面を見ながら調整できる。自動調整の場合は、図４に示した調整指示ボタン４０２の偏向器調整のグループを用いて、図４で説明した対物レンズ調整と同様の方法で調整できる。
【００２８】
以上述べたように、本発明の実施例によれば、荷電粒子ビームを試料に照射し、試料から二次的に発生する信号を検出して画像を得る荷電粒子ビーム装置、及び試料の表面の帯電状態を知る方法において、試料と対物レンズとの間を横切る軌跡を有する第二の荷電粒子ビームを設け、試料表面の帯電状態を計測するようにしたので、試料の状態を変化させずに安定した試料像を取得することができる。また、第二の荷電粒子ビームを遮断するブランキング偏向器を設けることで、画像取得時には第二の荷電粒子ビームを遮断するようにしたので、画像を得る工程中でも試料の表面電位の計測が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】ＳＥＭ式ウェハ検査装置の概略構成図。
【図２】計測用電子ビームの軌跡とディスプレイに表示される輝点との関係を表す概念図。
【図３】図１における試料の近傍を拡大した概略構成図。
【図４】図１に示した操作パネルの画面の表示例を示す画面図。
【図５】図１における試料の近傍を拡大した概略構成図。
【符号の説明】
【００３０】
１０９，２０２，３０２，５０２  試料
１１５，３０９  制御電極
１１８  第二の電子銃制御部
１１９  第二の電子銃
１２０，２０１，３０１  計測用電子ビーム
１２１，５０３  偏向手段
１２２，２０４，３０３  第二の検出器
１２３  検出素子群
１２４，２０５，３０４  ディスプレイ
１２５，２０６  輝点
１２６，５０８，５０９  ブランキング用偏向器
１２７，５１０，５１１  絞り
１２８  検出用空間部
１２９  表面電位計算部
２０３  電位発生部
３０５  表面電位計算部
３０６  試料台電圧制御部
３０７  試料台
３０８  制御電極制御部
３１０  対物レンズ制御部
３１１  対物レンズ
３１２  偏向器制御部
３１３  偏向器
４０１  試料電圧設定領域
４０２  調整指示ボタン
４０３  対物レンズ調整指示ボタン
４０４  中立ボタン
４０５  画像表示領域
４０６  調整ボタン
４０７  自動補正ボタン
５０１  予備帯電用電子源
５０４  電子ビーム
５０７  観察用電子ビーム
５１２  集束レンズ手段
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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