(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空槽と、
基板が配置され、前記基板を加熱する基板ヒーターとを有し、
前記基板は前記真空槽内で前記基板ヒーターに保持されるように構成された真空処理装置であって、
前記基板ヒーターは、
支持板と、
前記支持板の表面に接触配置された第一のオーリングと、
前記支持板の表面に、前記第一のオーリングを取り囲むように接触配置された第二のオーリングと、
前記基板を前記第一、第二のオーリングに密着させ、前記第一、第二のオーリングを弾性変形させる密着部材と、
前記支持板表面の前記第一のオーリングと接触する部分で囲まれた第一の領域に配置された第一の噴出口と、
前記支持板表面の前記第二のオーリングと接触する部分と前記第一のオーリングと密着する部分との間の第二の領域に配置された第二の噴出口と、
前記支持板内に形成され、前記第一、第二の噴出口をガス供給系に接続し、熱媒体ガスを供給するガス供給路と、
前記第一のオーリングの内側の第一の空間に供給された前記熱媒体ガスからなる第一のガスを加熱する第一の加熱手段と、
前記第二のオーリングと前記第一のオーリングとの第二の空間に供給された前記熱媒体ガスからなる第二のガスを加熱する第二の加熱手段とを有し、
前記第一、第二の加熱手段は、前記第一、第二のガスを異なる温度に加熱可能にされ、
前記第一、第二の加熱手段は、前記支持板の前記第一、第二の領域が位置する部分にそれぞれ取り付けられ、通電量が別々に制御され、前記第一の領域が位置する部分と、前記第二の領域が位置する部分とを、異なる温度に加熱できるように構成され、
前記第一、第二の空間には、異なる温度のガスを充満させることができるように構成されて前記第一のオーリングは、前記第二のオーリングよりも高く形成され、前記第一のオーリング上に乗せられた前記基板は、前記密着部材が前記基板を押圧し、前記第一のオーリングが圧縮変形すると前記第二のオーリングと接触するように構成され、
前記真空槽には取付用貫通孔が形成され、前記取付用貫通孔の内壁面と、前記支持板の側壁との間に絶縁部材を配置して、前記真空槽の内部に大気が侵入しないように、前記支持板は前記取付用貫通孔に取り付けられ、
前記支持板は、電極で構成された真空処理装置。
【請求項２】
前記第一の領域の前記支持板には、第一のピンが昇降する第一のピン用貫通孔が形成され、前記第二の領域の支持板には第二のピンが昇降する第二のピン用貫通孔が形成され、
前記第一の空間と、前記第二の空間とは、前記第一、第二のピン用貫通孔を介して接続されないように構成された請求項１記載の真空処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を加熱する基板ヒーターと、その基板ヒーターを有する真空処理装置、及び、基板を加熱しながら処理する基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、ドライエッチングや成膜等の基板処理を行う際、基板を加熱する基板ヒーターが用いられている。
真空槽内部の基板の上方位置からエッチングガス等の処理ガスを供給して、エッチング等の基板処理を行う際、基板の中央部分と縁部分とで温度差が無く、温度分布が均一な場合、中央部分よりも外側の部分がエッチング速度が速い傾向がある。基板の中央部分を縁部分よりも高温にすれば、基板の中央部分の反応性が上がり、エッチング速度が均一になる。基板の温度分布を制御する方法としては、下記特許文献１〜３に記載されたように、基板ヒーターを複数領域に分割する方法が公知である。
【０００３】
しかし、エッチング等の処理は真空雰囲気で行われるため、基板と基板ヒーターの間に隙間があると熱応答性が悪く、基板の温度を制御することが困難である。
静電吸着力で基板を吸着したり、基板にかかる荷重を大きくして押圧しても、基板ヒーターと基板の間には微小な隙間が残る上に、基板にかかる荷重を大きくすると基板が割れる虞がある。また、基板に回路等が形成されている場合、静電吸着力で回路が破損する虞がある
基板ヒーターと基板との間の隙間にガスを充満させれば、基板は昇温したガスと接触して加熱される。しかし、基板ヒーターに温度勾配を設けても、ガスは基板と基板ヒーターの間の隙間で対流するから、ガスに温度勾配をつけることはできず、基板の温度分布を制御することは困難であった。
【特許文献１】特開平９−２８９２００号公報
【特許文献２】特開２００２−３１３７３０号公報
【特許文献３】特開２００４−２４１５６５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は上記課題を解決するためのものであり、その目的は、基板の温度分布を制御可能な基板ヒーターを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するために本発明は、真空槽と、基板が配置され、前記基板を加熱する基板ヒーターとを有し、前記基板は前記真空槽内で前記基板ヒーターに保持されるように構成された真空処理装置であって、前記基板ヒーターは、支持板と、前記支持板の表面に接触配置された第一のオーリングと、前記支持板の表面に、前記第一のオーリングを取り囲むように接触配置された第二のオーリングと、前記基板を前記第一、第二のオーリングに密着させ、前記第一、第二のオーリングを弾性変形させる密着部材と、前記支持板表面の前記第一のオーリングと接触する部分で囲まれた第一の領域に配置された第一の噴出口と、前記支持板表面の前記第二のオーリングと接触する部分と前記第一のオーリングと密着する部分との間の第二の領域に配置された第二の噴出口と、前記支持板内に形成され、前記第一、第二の噴出口をガス供給系に接続し、熱媒体ガスを供給するガス供給路と、前記第一のオーリングの内側の第一の空間に供給された前記熱媒体ガスからなる第一のガスを加熱する第一の加熱手段と、前記第二のオーリングと前記第一のオーリングとの第二の空間に供給された前記熱媒体ガスからなる第二のガスを加熱する第二の加熱手段とを有し、前記第一、第二の加熱手段は、前記第一、第二のガスを異なる温度に加熱可能にされ、前記第一、第二の加熱手段は、前記支持板の前記第一、第二の領域が位置する部分にそれぞれ取り付けられ、通電量が別々に制御され、前記第一の領域が位置する部分と、前記第二の領域が位置する部分とを、異なる温度に加熱できるように構成され、前記第一、第二の空間には、異なる温度のガスを充満させることができるように構成されて前記第一のオーリングは、前記第二のオーリングよりも高く形成され、前記第一のオーリング上に乗せられた前記基板は、前記密着部材が前記基板を押圧し、前記第一のオーリングが圧縮変形すると前記第二のオーリングと接触するように構成され、前記真空槽には取付用貫通孔が形成され、前記取付用貫通孔の内壁面と、前記支持板の側壁との間に絶縁部材を配置して、前記真空槽の内部に大気が侵入しないように、前記支持板は前記取付用貫通孔に取り付けられ、前記支持板は、電極で構成された真空処理装置である。
本発明は真空処理装置であって、前記第一の領域の前記支持板には、第一のピンが昇降する第一のピン用貫通孔が形成され、前記第二の領域の支持板には第二のピンが昇降する第二のピン用貫通孔が形成され、前記第一の空間と、前記第二の空間とは、前記第一、第二のピン用貫通孔を介して接続されないように構成された真空処理装置である。 
【０００６】
本発明は上記のように構成されており、密着部材により基板を第一、第二のオーリングに密着させると、第一、第二のオーリングは、基板と支持板の間に隙間が残る程度に弾性変形し、その隙間は、第一のオーリングの内側の空間（第一の空間）、第一、第二のオーリングの間の空間（第二の空間）に分離される。
その状態では、基板の中央部分は第一の空間に露出し、第一のガスと接触して加熱され、縁部分は第二の空間に露出し、第二のガスと接触して加熱される。
【０００７】
基板の温度分布が均一な時に、基板の中央部分が縁部分よりも処理速度が遅い場合は、第一のガスの温度を上げれば、基板の中央部分が縁部分よりも高温になり、中央部分の処理速度が上がる。逆に、基板の中央部分が縁部分よりも処理速度が早い場合は、第一のガスの温度を下げれば、基板の中央部分が縁部分よりも低温になり、中央部分の処理速度が下がる。
要するに、本発明は、第一、第二の空間に充満するガスの温度を変えることで、基板温度の面内分布を変え、処理速度の面内分布を制御するものである。
【発明の効果】
【０００８】
基板温度の面内分布を変え、処理速度の面内分布を制御することができる。第一のガスを第二のガスよりも高温にし、基板の中央部分を縁部分よりも高温にすれば、エッチング速度分布が均一になる。基板は第一、第二のオーリングに密着し、支持板に直接押し付けられないので破損しない。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
図１の符号１は本発明の真空処理装置の一例を示しており、真空処理装置１は、真空槽１１と、基板ヒーター３とを有している。
基板ヒーター３は支持板２０と、基板７を支持板２０上で保持する保持装置３０と、支持板２０上の基板７を加熱する加熱装置４０とを有している。
【００１０】
支持板２０は真空槽１１内に配置されるか、真空槽１１の一壁面（ここでは底面）に形成された貫通孔内に配置され、いずれの場合も支持板２０の表面が真空槽１１の内部空間に向けられる。
支持板２０を真空槽１１の貫通孔内に配置する場合、貫通孔内壁面と支持板２０の側壁を、直接、又は絶縁部材１６を介して気密に密着させ、支持板２０と真空槽１１の間から大気が進入しないようにする。
【００１１】
ここでは、支持板２０は板状の第一の電極２１と、第一の電極２１の側面に密着して、当該第一の電極２１を取り囲むリング状の第二の電極２２とを有しているが、支持板２０は１枚の電極で構成してもよいし、支持板２０を電極以外の板（例えばセラミック板）で構成してもよい。
【００１２】
支持板２０を電極で構成し、後述するバイアス電圧を印加する場合は、支持板２０と真空槽１１の間に絶縁部材１６を配置し、支持板２０を真空槽１１から電気的に絶縁する。
保持装置３０は、第一、第二のオーリング３１、３２と密着部材２７とを有している。第一、第二のオーリング３１、３２はゴム等の弾性材料で構成され、変形可能なリング状である。
【００１３】
支持板２０表面には、リング状の第一の溝２５と、第一の溝２５を取り囲むリング状の第二の溝２６が形成され、第一、第二のオーリング３１、３２は、第一、第二の溝２５、２６にそれぞれ嵌め込まれ、第一、第二の溝２５、２６の底面で支持板２０表面に接触している。第一の溝２５は第二の溝２６で囲まれているから、第一のオーリング３１は第二のオーリング３２で囲まれている。
【００１４】
尚、第一のオーリング３１が第二のオーリング３２で囲まれた状態で、第一、第二のオーリング３１、３２の両方が支持板２０表面と接触するのであれば、支持板２０表面に溝を設けず、支持板２０の平坦な表面に第一、第二のオーリング３１、３２を設けてもよい。
真空槽１１内部に搬入された基板７は、不図示の昇降手段により第一、第二のオーリング３１、３２上に配置される。
【００１５】
例えば、昇降手段は、支持板２０に設けられた二以上の貫通孔と、各貫通孔内に挿通されたピンとを有している。ピンは真空槽１１の外部で昇降板に接続され、昇降板と真空槽１１との間はベロースで覆われ、ピンは真空槽１１の内部を気密に維持したまま、貫通孔内を昇降する。
【００１６】
尚、貫通孔を、支持板２０の第一のオーリング３１の内側に位置する部分と、第一、第二のオーリング３１、３２の間に位置する部分のいずれか一方だけに形成すれば、第一のオーリング３１内側の第一の空間４１と、第一、第二のオーリング３１、３２の間の第二の空間４２が、貫通孔を介して接続されない。
第一、第二のオーリング３１、３２の厚みは、第一、第二の溝２５、２６の深さよりも厚く、第一、第二のオーリング３１、３２の上端は、支持板２０の表面上に突き出されている。
【００１７】
支持板２０表面から上端（基板裏面が最初に接触する部分）までの距離を第一、第二のオーリング３１、３２の高さとすると、第一のオーリング３１の高さは、第二のオーリング３２の高さと同じかそれよりも高く、基板７を載せたピンを下降させ、第一、第二のオーリング３１、３２上に基板７を乗せると、基板７の裏面は少なくとも第一のオーリング３１と接触する。
【００１８】
密着部材２７は、第一、第二のオーリング３１、３２の基板７の縁部分を支持板２０に向かって押圧する押圧部材（クランプ）と、電源から通電されると静電吸着力により基板７を支持板２０に吸着する静電吸着装置のいずれか一方又は両方を有している。
【００１９】
第一のオーリング３１が第二のオーリング３２よりも高い場合、その高さの差は、密着部材２７で基板７を押圧又は吸着した時に、第一のオーリング３１が弾性変形して基板７と支持板２０との間の距離が縮まると、第二のオーリング３２も基板７が接触して押圧され、第一、第二のオーリング３１、３２の両方が弾性変形するように設定されている。
従って、密着部材２７で基板７を押圧又は吸着した時には、第一、第二のオーリング３１、３２の両方が基板７で支持板２０に押し付けられて弾性変形し、弾性変形の復元力により基板７と支持板２０にそれぞれ密着する。
【００２０】
この真空処理装置１で処理される基板７の大きさは予め分かっており、第二のオーリング３２のリング内周は基板７の平面形状よりも小さくされ、基板７が第一、第二のオーリング３１、３２に密着する時には、基板７が第二のオーリング３２のリング内部に入り込まずに、第一、第二のオーリング３１、３２の上端全部が基板７の裏面と密着する。
従って、第一の空間４１は第一のオーリング３１と支持板２０と基板７とで隙間無く囲まれ、第二の空間４２は、第一、第二のオーリング３１、３２と、基板７と、支持板２０とで隙間無く囲まれる。
【００２１】
第一、第二のオーリング３１、３２を構成する弾性材料は気体を通さない気密性材料で構成されている。また、支持板２０と基板７の少なくとも第一、第二の空間４１、４２と対面する部分は気体を通さない気密性材料で構成されている。
従って、第一、第二のオーリング３１、３２に基板７が密着すると、第一、第二の空間４１、４２は外部空間（真空槽１１内部の基板７表面上の空間、真空槽１１の外部空間等）から気密に分離される。
【００２２】
上述したように、第一のオーリング３１の高さは第二のオーリング３２と同じかそれより高く、第一のオーリング３１の弾性変形量は、第二のオーリング３２の弾性変形量以上になるから、第一のオーリング３１は、基板７と支持板２０との接触面積が大きくなる。従って、第一の空間４１は第二の空間４２から確実に分離され、第一、第二の空間４１、４２の間で気体が移動しない。
【００２３】
加熱装置４０は、第一、第二のガス供給路４７、４８と、第一、第二の噴出口３６、３７と、第一、第二の加熱手段４３、４４とを有している。
第一、第二のガス供給路４７、４８は支持板２０内部に配置され、一端が支持板２０の表面に位置し、その一端開口で第一、第二の噴出口３６、３７が構成されている。
真空槽１１外部にはガス供給系１８が配置されており、第一、第二のガス供給路４７、４８の他端はガス供給系１８に接続され、第一、第二の噴出口３６、３７は第一、第二の供給路４７、４８を介してガス供給系１８に接続されている。
【００２４】
第一の噴出口３６は、支持板２０表面の第一のオーリング３１と接触する部分で囲まれた第一の領域４５に位置する。第二の噴出口３７は、支持板２０表面の第一のオーリング３１が接触する部分と、第二のオーリング３２が接触する部分の間の第二の領域４６に位置する。
従って、第一、第二の噴出口３６、３７は第一、第二の空間４１、４２に面し、不図示のバルブを開けると、ガス供給系１８のガスが、第一、第二のガス供給路４７、４８を通り、第一、第二の噴出口３６、３７から第一、第二の空間４１、４２に噴出される。
【００２５】
上述したように、基板７を第一、第二のオーリング３１、３２に密着させると、第一、第二の空間４１、４２の間で気体が移動しないから、第一、第二の空間４１、４２に供給されたガスは混ざり合わない。しかも、第一、第二の空間４１、４２は外部空間からも分離されているから、ガスは外部へ漏れ出さず、第一、第二の空間４１、４２に充満する。
【００２６】
第一、第二の加熱手段４３、４４は支持板２０の内部か、支持板２０の表面又は裏面に取り付けられており、いずれの場合も第一、第二の加熱手段４３、４４は支持板２０に密着して取り付けられている。
第一、第二の加熱手段４３、４４は第一、第二の加熱電源２ａ、２ｂに接続されている。第一、第二の加熱手段４３、４４は支持板２０の第一、第二の領域４５、４６が位置する部分にそれぞれ密着し、第一、第二の加熱手段４３、４４に通電すると、第一、第二の加熱手段４３、４４が昇温し、熱伝導により、支持板２０の第一の領域４５が位置する部分と、第二の領域４６が位置する部分とがそれぞれ加熱される。
【００２７】
第一、第二の加熱電源２ａ、２ｂは不図示の制御装置に接続され、制御装置により、第一、第二の加熱手段４３、４４への通電量が別々に制御され、第一、第二の加熱手段４３、４４を異なる温度に発熱させることができる。
従って、支持板２０の第一の領域４５が位置する部分と、第二の領域４６が位置する部分を異なる温度に加熱することができる。第一の空間４１に充満したガスは第一の領域４５に接触して加熱され、第二の空間４２に充満したガスは第二の領域４６に接触して加熱される。第一、第二の空間４１、４２の間でガスが移動しないから、第一、第二の空間４１、４２を異なる温度のガスで充満させることができる。
【００２８】
次に、この真空処理装置１を用いて基板７を処理する工程について説明する。
真空槽１１には真空排気系９と処理ガス供給系８とが接続されている。真空排気系９により、真空槽１１内部を真空排気し、所定圧力の真空雰囲気を形成する。該真空雰囲気を維持しながら、真空槽１１内部に基板７を搬入する。
【００２９】
搬入された基板７を、処理される面と反対側の裏面を下方に向けた状態で、上述したピンに載せ、ピンを下降させて、第一、第二のオーリング３１、３２上に配置する。
【００３０】
上述したように、基板７の平面形状は第二のオーリング３２のリング内周より大きく、基板７が第一、第二のオーリング３１、３２上に配置された状態では、基板７の全外周が第二のオーリング３２上に位置するか、第二のオーリング３２の外周よりも外側へはみ出し、基板７裏面の中央部分が第一の空間４１に露出し、該中央部分を取り囲むリング状の縁部分が第二の空間４２に露出する。
【００３１】
その状態の基板７を密着部材２７で押圧又は吸着し、第一、第二のオーリング３１、３２に密着させ、第一、第二の空間４１、４２を分離させたら、ガス供給系１８から、予め求めた容積の熱媒体ガスを第一、第二の空間４１、４２にそれぞれ供給し、第一、第二の空間４１、４２の圧力を、真空槽１１の内部圧力より高く、かつ、大気圧よりも低い第一、第二の圧力にする。
第一、第二の空間４１、４２には同じ種類の熱媒体ガスを充満させてもよいし、別の種類の熱媒体ガスを充満させてもよい。また、第一の圧力は第二の圧力と同じであってもよいし、異なってもよい。
【００３２】
第一の空間４１の圧力（第一の圧力）は第二の空間４２の圧力（第二の圧力）と予備試験により、実際の処理工程と同じ条件（処理ガスの種類、処理雰囲気の圧力、基板７の大きさと種類、第一、第二の圧力等）で基板７を処理し、基板７の処理速度の面内分布が均一となる第一、第二の加熱手段４３、４４の発熱量を予め求めておく。
【００３３】
求めた発熱量になるよう第一、第二の加熱手段４３、４４に通電し、支持板２０を加熱しておくと、第一、第二の空間４１、４２に充満した熱媒体ガスは、予備試験で処理速度の面内分布が均一になった時と同じ温度に昇温する。尚、エッチングの場合、エッチング速度の面内分布が均一となる時の温度は、第一の空間４１に充満した熱媒体ガス（第一のガス）が、第二の空間４２に充満した熱媒体ガス（第二のガス）よりも高温であり、一例を述べると、第一のガスの温度１００℃に対し、第二のガスの温度が５０℃以上７０℃以下であった。
【００３４】
真空槽１１内部には電極１５が配置され、電極１５は電源５に接続されている。真空槽１１内部を真空排気しながら、処理ガス供給系８から処理ガス（ここではエッチングガス）を導入して、第一、第二の圧力よりも低圧の処理雰囲気を形成し、該処理雰囲気を維持しながら、電極１５に高周波電圧を印加すると、処理ガスがプラズマ化し、基板７の表面に露出する物質が、プラズマ化した処理ガスと反応して除去される（エッチング）。
【００３５】
このとき、第一、第二のガスは、それぞれ予備試験で処理速度の面内分布が均一になった時の温度になっており、処理速度の面内分布が均一になる。尚、処理速度は、エッチングの場合は膜厚減少量／時間であり、成膜の場合は膜厚増加量／時間である。
【００３６】
所定膜厚がエッチング除去される、又は、所定膜厚の薄膜が形成されたら、電極１５への通電を停止し、処理を終了する。真空槽１１内部を真空排気しながら密着部材２７による押圧力又は吸着力を徐々に弱め、真空槽１１の内部圧力と、第一、第二の空間４１、４２の圧力が略等しくなったら、ピンを上昇させて基板７を第一、第二のオーリング３１、３２から分離させる。処理済みの基板７をピン上から取り外し、未処理の基板７をピンに配置して基板７を交換する。
【００３７】
基板７の交換後、上述したように未処理の基板７を第一、第二のオーリング３１、３２に密着させて、第一、第二の空間４１、４２に充満した第一、第二のガスを予備試験で求めた温度にし、基板７の処理を行う。基板７の交換と処理を交互に行えば、複数枚の基板７を処理することができる。
【００３８】
尚、基板７を処理する際、真空槽１１を接地電位に置いた状態で、支持板２０を構成する電極（第一、第二の電極２１、２２）に高周波電圧を印加すれば、基板７表面に入射する処理ガスのプラズマ等の入射エネルギーを制御することができる。例えば、入射エネルギーを小さくしてダメージを低減させたり、逆に入射エネルギーを大きくして処理速度を大きくする。
【００３９】
以上は、予備試験で発熱量を求める場合について説明したが、本発明はこれに限定されない。予備試験は、処理速度の面内分布が均一になる条件を求めるものであって、その条件は第一、第二の加熱手段４３、４４の通電量であってもよいし、基板７の中央部分と縁部分の温度であってもよい。
【００４０】
例えば、基板７の中央部分と縁部分の温度を測定しながら、第一、第二の加熱手段４３、４４の通電量を調整し、基板７の中央部分と縁部分の温度を、処理速度の面内分布が均一になる温度に制御してもよい。
また、本発明は処理速度の面内分布を均一にする場合に限定されず、第一、第二のガスの温度を変えることで、基板７の中央部分の処理速度を縁部分の処理速度よりも速くしてもよいし、逆に、基板７の中央部分の処理速度を縁部分の処理速度より遅くしてもよい。
【００４１】
要するに本発明は、基板７の中央部分が接する第一の空間４１と、縁部分が接する第二の空間４２に、異なる温度のガスを充満させることで、基板７の温度分布を制御し、処理速度を制御するものである。
【００４２】
処理ガスの種類と基板の処理方法は特に限定されない。エッチングの場合は、基板表面に露出してエッチング対象物と化学反応して、エッチング対象物を除去するものを用いる。例えば、エッチング対象物がシリコン（Ｓｉ）の場合、処理ガスは化学構造中にフッ素原子を含有するフッ化ガス（例えばＸｅＦ2）である。
【００４３】
また、処理ガスとして、化学構造中に酸素を有する酸化ガスや、化学構造中に窒素を有する窒化ガスを用い、該処理ガスを基板表面に接触させて、基板表面に露出する物質を酸化又は窒化させてもよい。
処理ガスとして、原料ガスと反応性ガス（例えば還元ガス）を用い、基板表面で原料ガスと反応性ガスとを化学反応（例えば還元）させ、反応生成物を基板表面に堆積させて、反応生成物の膜を成膜してもよい。更に、原料ガスを基板表面に露出する物質と反応させて、反応生成物の膜を成膜してもよい。
【００４４】
要するに、本発明は、処理ガスを基板表面上で化学反応させて、基板の処理を行うものであり、成膜装置やエッチング装置や表面改質装置等の真空処理を行なう真空処理装置を広く含む。
【００４５】
第一、第二のオーリング３１、３２の形状は特に限定されないが、基板７の中央部分と縁部分を精度良く温度制御するためには、平面形状が基板７と相似形であることが望ましい。例えば、基板７が矩形の場合、第一、第二のオーリング３１、３２の平面形状は四角リング状にし、基板７が円形の場合、第一、第二のオーリング３１、３２の平面形状は円形リング状にする。
オーリングの数は特に限定されず、第一、第二のオーリング３１、３２に加え、１以上のオーリングを、第一、第二のオーリング３１、３２の間に、第一のオーリング３１を取り囲むように配置してもよい。
【００４６】
この場合、基板７の裏面は３以上の分割した空間に露出するから、各空間に異なる温度のガスを充満させれば、基板７を３つ以上の領域を別々に温度制御することが可能であり、より細かく処理速度を調整できる。
【００４７】
また、支持板２０表面には、第一のオーリング３１だけを配置してもよい。この場合、第一の空間４１は第一のオーリング３１の内側、第二の空間４２は第一のオーリング３１の外側の空間となり、第一のオーリング３１に基板７が密着すれば、第一、第二の空間４１、４２が分離されるから、第一、第二の空間４１、４２に充満する熱媒体ガスを異なる温度にすることができる。
【００４８】
しかし、この場合第二の空間４２が処理雰囲気と接続されるため、第二の空間４２の圧力を処理雰囲気よりも高くすることができず、しかも、熱媒体ガスが基板７の処理に影響を与える虞があるから、第二の空間４２を第二のオーリング３２で取り囲むことが望ましい。
【００４９】
熱媒体ガスは特に限定されないが、比熱が高く、かつ、基板７や第一、第二のオーリング３１、３２を腐食しないものが望ましく、例えば、熱媒体ガスは、Ｈｅと、Ｎｅと、Ａｒとからなる群より選択されるいずれか一種類以上を含有する。
第一、第二の圧力は特に限定されないが、第一、第二の圧力と真空槽１１内部圧力との差が大きくなりすぎると、基板７が破損する虞があるので、第一、第二の圧力は５Ｔｏｒｒ以上１０Ｔｏｒｒ以下が望ましい。
【００５０】
密着部材２７が静電吸着装置（静電チャックプレート）を有する場合、静電吸着装置の設置場所は特に限定されず、支持板２０表面、裏面、又は内部に設置可能である。静電吸着力により基板に形成された回路等が破損する虞がある場合は、静電吸着装置を設けず、密着部材２７は押圧部材で構成することが望ましい。
【００５１】
以上は、第一、第二の加熱手段で第一、第二のガスを加熱して、基板７を加熱する場合について説明したが、本発明はこれに限定されず、第一、第二の加熱手段のうち、いずれか一方又は両方を冷却手段に変え、第一、第二のガスを冷却して異なる温度にしてもよい。要するに、本発明は、第一、第二のガスを異なる温度にすることで、基板温度の面内分布を制御するものである。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の真空処理装置の一例を説明するための断面図
【符号の説明】
【００５３】
１……真空処理装置    ３……基板ヒーター    ７……基板    １８……ガス供給系    ２０……支持板    ２７……密着部材    ３１……第一のオーリング    ３２……第二のオーリング    ３６……第一の噴出口    ３７……第二の噴出口    ４１……第一の空間    ４２……第二の空間    ４３……第一の加熱手段    ４４……第二の加熱手段    ４５……第一の領域    ４６……第二の領域    ４７、４８……第一、第二の供給路（ガス供給路）
【図１】
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