(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板、前記基板上に第１導電型半導体層、活性層及び第２導電型半導体層が順次に積層
された積層体、前記第２導電型半導体層上に形成された第２導電型電極、及び前記基板及
び前記積層体の間に形成され活性層から発生した光を反射する反射電極を含む半導体発光
素子であって、
前記反射電極は前記基板上に形成され前記活性層から発生した光を反射させる導電性反
射物質を含む第１反射層と、
前記第１反射層上に形成され前記活性層から発生した光を反射させる一つまたはそれ以
上の誘電体部と、前記第１導電型半導体層及び前記第１反射層を電気的に連結するよう導
電性充填材で充填された一つまたはそれ以上のコンタクトホールとを含み、前記発生した
光の波長より大きい厚さを有する第２反射層と、を含み、
前記誘電体部のいずれか一つは、前記基板に向かって垂直下向に前記第２導電型電極と
対応する前記第２反射層上の領域に位置し、面積が前記第２導電型電極の面積と同一また
は大きく、
前記反射電極は、前記第１反射層と前記誘電体部との界面、及びコンタクトホールと前
記第１導電型半導体層との界面の一部領域のみに形成されたＮｉを含むことを特徴とする
半導体発光素子。
【請求項２】
前記導電性反射物質は、ＡｇまたはＡｌであることを特徴とする請求項１に記載の半導
体発光素子。
【請求項３】
前記Ｎｉの含量は、前記第１反射層の全体重量を基準として１０ｗｔ％であることを特
徴とする請求項１または２に記載の半導体発光素子。
【請求項４】
前記誘電体部の厚さは、２μｍまたはそれ未満であることを特徴とする請求項１から３
のいずれか１項に記載の半導体発光素子。
【請求項５】
前記誘電体部の屈折率は、前記第２導電型半導体層の屈折率より小さいことを特徴とす
る請求項１から４のいずれか１項に記載の半導体発光素子。
【請求項６】
前記誘電体部は、ＳｉＯ２及びＳｉＮのいずれか一つであることを特徴とする請求項１
から５のいずれか１項に記載の半導体発光素子。
【請求項７】
前記コンタクトホールに充填された導電性充填材は、前記導電性反射物質と同一である
ことを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の半導体発光素子。
【請求項８】
前記基板は、Ｎｉ、Ｃｕ及びＳｉのいずれか一つを含む導電性基板であることを特徴と
する請求項１から７のいずれか１項に記載の半導体発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体発光素子に関するもので、より詳しくは、反射層の全体反射率を高め素子内に進入した光をより効率的に反射させる優れた光抽出効率を有し、有効発光面積を維持しながら反射層の反射率を高めて動作電圧の増加を抑制することが出来る半導体発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体発光素子は素子内に含まれている半導体物質が光を発光する素子で、例えば、ＬＥＤのようにダイオードを用いて半導体を接合した形態で電子／正孔の再結合によるエネルギーを光に変換して放出する素子がある。このような半導体発光素子は現在、照明、表示装置及び光源として広く使われ、少ない電力で所望の波長光を発光し、水銀のような環境有害物質の放出を抑制することが出来るため、省エネ及び環境保護の側面を考えてその開発が加速化している傾向にある。
【０００３】
特に、最近その開発及び使用が活性化した窒化ガリウム（ＧａＮ）系ＬＥＤを用いた携帯電話のキーパッド、サイドヒュア、カメラフラッシュなどの常用化に力入れられ、発光ダイオードを用いた一般照明の開発が活気を帯びている。大型ＴＶのバックライトユニット及び自動車のヘッドライト、一般照明などその応用製品が小型携帯製品から大型化、高出力化、高効率化、高信頼性を有する製品に進行して該当製品から求められる特性を表す光源を求めるようになった。
【０００４】
図１は、一般の半導体発光素子１で、基板１０上に反射電極２０が形成された半導体発光素子１の断面図である。
【０００５】
半導体発光素子１は基板１０、相違する導電型の半導体層である第１導電型半導体層３０、第２導電型半導体層５０及びこれらの間で光が発生する活性層４０を含む。また、基板１０と第１導電型半導体層３０の間には反射電極２０が形成される。
【０００６】
図１に図示された半導体発光素子１は、活性層４０から発生した光が第２導電型電極６０に向かって抽出されるよう設けられている。しかし、第２導電型半導体層５０、第１導電型半導体層３０及び活性層４０に電圧が印加され電流が流れると、活性層４０の所定の地点で光は全方向に発生して進行することとなる。
【０００７】
従って、実際に発生した光が全て半導体発光素子１の外部に抽出されず、基板１０に向かって進行する場合のように好ましくない方向に進行する場合、半導体発光素子１の内部で消失して抽出されない場合が発生する。このように光抽出方向と逆方向に進行して基板１０に向かう光を再び光抽出方向に進行させるため反射電極２０を備えることとなる。
【０００８】
不導電性のサファイア基板を用いた水平電極型ＬＥＤに比べて、サファイア基板を除去し発光素子の反対側に導電性支持基板を備えた垂直電極型ＬＥＤは、電気抵抗の側面と高電流動作時の発熱問題を始めとした信頼性の問題においてより有利な構造である。垂直電極型ＬＥＤの効率を向上させるためには、表面に乱反射を誘導する面を形成して光の抽出効率を高めるか、反射電極の反射率を高め光が電極により吸収されることを最少化しなければならない。
【０００９】
それによって反射電極２０には、可視光線（特に、青色）に対して反射率が高いながら電流の円滑な流れのため、電気的な特性に優れたＡｇまたはＡｌを主に使っているが、高効率のＬＥＤを作製するためには反射率をさらに高める必要がある。また、図１を参照すると、反射電極２０に反射率の高いＡｇ２１以外にＮｉ２２をさらに含ませているが、Ａｇ２１が第１導電型半導体層３０との接着性が劣るためＮｉ２２を接着物質として使用する。しかし、Ｎｉ２２を反射電極２０に含ませる場合、Ｎｉ２２が活性層４０から進行した光を吸収して反射電極２０の反射率を低くするという問題が発生する。
【００１０】
図２は、図１に図示された半導体発光素子の反射電極での入射光の角度による反射率を図示したグラフである。図２では青色ＬＥＤに備えられた反射電極を用いて反射率が測定された。図１及び図２を参照すると、Ａｇ２１のみ使用した場合、反射率が最も高いことが分かる。Ａｇ２１の接着性の問題のためＮｉ２２を添加する場合、Ｎｉ２２の含量が高くなることにより徐々に入射光の角度による反射率が低くなる傾向を示している。
【００１１】
従って、さらに低コストで簡単に半導体発光素子の光抽出効率を向上させる方案が求められている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明は上述の問題を解決するためのもので、本発明の目的は、反射層の全体反射率を高め素子内に進入した光をより効率的に反射させる優れた光抽出効率を有する半導体発光素子を提供することにある。
【００１３】
また、本発明の目的は有効発光面積を維持しながら反射層の反射率を高めて動作電圧の増加を抑制することが出来る半導体発光素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
以上のような目的を達成すべく、本発明の一側面による半導体発光素子は、基板、基板上に第１導電型半導体層、活性層及び第２導電型半導体層が順次に積層された積層体、第２導電型半導体層上に形成された第２導電型電極、及び基板及び積層体の間に形成され活性層から発生した光を反射する反射電極を含む。
【００１５】
ここで、反射電極は、基板上に形成され活性層から発生した光を反射させる導電性反射物質を含む第１反射層と、第１反射層上に形成され活性層から発生した光を反射させる一つまたはそれ以上の誘電体部と、第１導電型半導体層及び第１反射層を電気的に連結するよう導電性充填材で充填された一つまたはそれ以上のコンタクトホールとを含み、発生した光の波長より大きい厚さを有する第２反射層と、を含み、誘電体部のいずれか一つは、基板に向かって垂直下向に第２導電型電極と対応する第２反射層上の領域に位置し、面積が第２導電型電極の面積と同一または大きく、反射電極は、第１反射層と誘電体部との界面、及びコンタクトホールと第１導電型半導体層との界面の一部領域のみに形成されたＮｉを含むことを特徴とする。
【００１６】
第１反射層は光を反射させるよう導電性反射物質の金属を用いることが好ましいが、比較的に反射率の高いＡｇまたはＡｌを使用することが出来る。また、Ｎｉは第１反射層の反射率を考えて適切な水準で第１反射層の全体重量を基準として１０ｗｔ％含まれることが出来る。
【００１７】
第２反射層に含まれる誘電体部の厚さは活性層から発生した光の波長と同じか大きいことが出来るが、２μｍまたはその未満であることが好ましい。誘電体部の屈折率は第２導電型半導体層の屈折率より小さく、進行する光を反射させることが可能でなければならない。誘電体部はその屈折率が第２導電型半導体層の屈折率より小さいＳｉＯ２及びＳｉＮのいずれか一つであることが出来る。
【００１９】
コンタクトホールに充填された導電性充填材は、第１電極層の導電性反射物質と同一であることが出来る。
【００２０】
半導体発光素子は垂直型半導体発光素子であることが出来るが、それによって基板はＮｉ、Ｃｕ及びＳｉのいずれか一つを含む導電性基板であることが出来る。
【発明の効果】
【００２１】
本発明による半導体発光素子は、光の波長と同一であるかより大きい厚さに誘電体層を形成して金属反射層と共に反射電極として使用して反射層の全体反射率を高め、素子内に進入した光をより効率的に反射させることができるため、優れた光抽出効率を有する。
【００２２】
また、本発明による半導体発光素子は有効発光面積を維持しながら反射層の反射率を高め動作電圧の増加を抑制できるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、添付の図面を参照に本発明の実施形態を説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲が以下で説明する実施形態により限定されるものではない。本発明の実施形態は当業界で通常の知識を有している者に本発明をより完全に説明するために提供される。
【００２４】
図３は、本発明の一実施例による半導体発光素子１００の断面図である。本図面において、半導体発光素子１００は基板１１０、基板１１０上に第１導電型半導体層１３０、活性層１４０及び第２導電型半導体層１５０が順次に積層された積層体１３０，１４０，１５０、及び基板１１０及び積層体１３０，１４０，１５０の間に形成され活性層１４０から発生した光を反射する反射電極１２０，１７０を含む。
【００２５】
基板１１０は積層体１３０，１４０，１５０を成長させるための成長基板であるか、または積層体１３０，１４０，１５０を支持するための支持基板であることが出来る。基板１１０はサファイアまたはスピネル（ＭｇＡｌ２Ｏ４）のような不導電性基板、またはＳｉＣ、Ｓｉ、ＺｎＯ、ＧａＡｓ、ＧａＮ、及び金属基板のような導電性基板などを用いることが出来る。このうち、垂直型半導体発光素子の場合にはＮｉ、ＣｕまたはＳｉ基板のような導電性基板を用いる。
【００２６】
基板１１０上には第１導電型半導体層１３０、活性層１４０及び第２導電型半導体層１５０が順次に積層されて積層体１３０，１４０，１５０を形成する。それぞれの半導体層１３０，１５０は、例えば、ＧａＮ系半導体、ＺｎＯ系半導体、ＧａＡｓ系半導体、ＧａＰ系半導体、及びＧａＡｓＰ系半導体のような半導体で構成され、それぞれｐ型半導体層及びｎ型半導体層で具現されることが出来る。半導体層の形成は例えば、分子線エピタキシ（Ｍｏｌｅｃｕｌａr  ｂｅａｍ  ｅｐｉｔａｘｙ、ＭＢＥ）方法を用いて行われることが出来る。他にも、半導体層はＩＩＩ-Ｖ族半導体、ＩＩ-ＶＩ族半導体、及びＳｉで構成された群から適切に選択されて具現されることが出来る。
【００２７】
ｎ型半導体層の不純物としては例えば、Ｓｉ、Ｇｅ、及びＳｎのうち選択して使用できる。一方、ｐ型半導体層の不純物としては、Ｍｇ、Ｚｎ、及びＢｅのうち選択して使用できる。
【００２８】
活性層１４０は発光を活性化させる層で、第１導電型半導体層１３０及び第２導電型半導体層１５０のエネルギーバンドギャップより少ないエネルギーバンドギャップを有する物質を用いて形成する。例えば第１導電型半導体層１３０及び第２導電型半導体層１５０がＧａＮ系化合物半導体の場合、ＧａＮ系化合物半導体のエネルギーバンドギャップより少ないエネルギーバンドギャップを有するＩｎＧａＮ系化合物半導体を用いて活性層１４０を形成することが出来る。この際、活性層１４０の特性上、不純物はドーピングされないことが好ましく、障壁の高さや井戸層の厚さ、組成、井戸の数を調整して波長や量子効率を調節することが出来る。
【００２９】
第２導電型電極１６０は第２導電型半導体層１５０に電流を印加するため、外部電源と電気的に連結する電極である。第２導電型電極１６０は金属で具現されることが出来るが、例えば、ＰｄまたはＡｕで構成されることが出来る。第１導電型半導体層１３０のための電極は、水平型の場合、第１導電型半導体層１３０上に形成されることができ、垂直型の場合、図３のように基板１１０を通して外部電源と電気的に連結されることが出来る。
【００３０】
反射電極１２０，１７０は、基板１１０上に形成され活性層１４０から発生した光を反射させる導電性反射物質を含む第１反射層１２０と、第１反射層１２０上に形成され活性層１４０から発生した光を反射させる一つまたはそれ以上の誘電体部１７１と、第１導電型半導体層１５０及び第１反射層１２０を電気的に連結するよう導電性充填材で充填された一つまたはそれ以上のコンタクトホール１７２を含む第２反射層１７０とを含む。第２反射層１７０は発生した光の波長より大きい厚さｄを有する。
【００３１】
本発明において反射電極１２０，１７０は、一般的に使われる金属反射層の第１反射層１２０及び誘電体を含む第２反射層１７０を含む。第１反射層１２０は基板１１０上に形成され活性層１４０から発生した光を反射させるよう反射率の高い金属のような導電性反射物質を含む。このために比較的反射率の高いＡｇまたはＡｌを使用することが出来る。
【００３２】
第２反射層１７０は、一つまたはそれ以上の誘電体部１７１及び一つまたはそれ以上のコンタクトホール１７２を含む。誘電体部１７１は第１反射層１２０上に形成され活性層１４０から発生した光を反射させる誘電体を含む反射体である。従って、誘電体部１７１の屈折率は第２反射層１７０上に積層される第１導電型半導体層１３０の屈折率より小さいため、誘電体部１７１は光を反射する。誘電体部はその屈折率が第２導電型半導体層の屈折率より小さい誘電体で、例えば、ＳｉＯ２またはＳｉＮのような誘電体であることが出来る。
【００３３】
コンタクトホール１７２は第１導電型半導体層１３０及び第１反射層１２０を電気的に連結するよう導電性充填材で充填されている。誘電体部１７１は誘電体であるため電気的に絶縁されている。従って、通電のために電流の流れを誘導することが出来る領域が第２反射層１７０に必要である。コンタクトホール１７２は誘電体部１７１の数及び必要動作電圧に応じて適切な数に具現されることが出来る。
【００３４】
図４は、本発明の他の実施例によってコンタクトホール２７２が第１反射層２２０と同一な金属で具現された半導体発光素子２００の断面図である。基板２１０、第１導電型半導体層２３０、活性層２４０、第２導電型半導体層２５０及び第２導電型電極２６０は図１で説明したものと同一であるためその説明は省略する。
【００３５】
図４において、反射電極２２０，２７０は導電性反射物質２２１と他の層との接着性を向上するため、表面の一部領域または全体領域に接着性導電物質２２２のＮｉを含む。Ｎｉは第１反射層２２０の反射率及び接着性を考えて適切な水準で含まれるが、第１反射層２２０の全体重量を基準として１０ｗｔ％含まれることが出来る。それ以下の場合、接着性が足りないことがあり、それ以上の場合には所望の反射率に不利な影響を与えることが出来る。
【００３６】
第２反射層２７０には３つの誘電体部２７１が含まれるが、それぞれの誘電体部２７１の間には導電性充填材が充填されたコンタクトホール２７２が形成されている。このようなコンタクトホール２７２は第１反射層２２０と相違する物質で形成されることがあるが、図４のように同一物質の導電性反射物質２２１を用いて形成されることが出来る。接着性導電物質２２２は導電性反射物質２２１及び誘電体部２７１の界面に形成されるか、またはコンタクトホール２７２及び第１導電型半導体層２３０の間の界面に形成され接着性を補完することが出来る。
【００３７】
図３を参照すると、第２反射層１７０は垂直方向に入射する光に対しては光の補強干渉を誘導して第１反射層１２０の光吸収を減らし反射率を高める。但し、活性層１４０から発生した光は反射電極１２０，１７０に垂直方向のみに入射するものではないため、垂直入射光以外の光に対しては臨界角以上のときに全反射を誘導する。
【００３８】
垂直入射光に対しては補強干渉効果を極大化するため誘電体部１７１の厚さは波長の１／４程度に薄くなければならない。しかし、垂直入射光ではない光に対しては全反射を誘導すべきであるが、垂直入射光に対する補強干渉効果を高めるための薄い厚さの誘電体部１７１の場合、臨界角以上の特定角でプラズモンとの相互作用により光の強い吸収があり得る。
【００３９】
特に、誘電体に入射する光のうち、平行な偏光が全て透過するブリュースター角（Ｂｒｅｗｓｔｅｒ  ａｎｇｌｅ）でこのような吸収が激しく発生する。誘電体を透過した光またはエバネッセント波（ｅｖａｎｅｓｃｅｎｔ  ｗａｖｅ）は誘電体部１７１の下の第１反射層１２０の金属層に到達することとなり、金属層の多くの電子の振動量子（ｐｌａｓｍｏｎ）と光子（ｐｈｏｔｏｎ）が結合してポラリトン（ｐｏｌａｒｉｔｏｎ）の形態で金属に吸収される。
【００４０】
従って、このような問題点を考えて誘電体部１７１の厚さ、即ち第２反射層１７０の厚さｄを増加させることが好ましいが、垂直入射光及び非垂直入射光を両方とも考えて第２反射層１７０は光の波長より大きい厚さｄを有するようにすることが好ましい。誘電体部１７１の厚さを増加させると、第１反射層１２０との距離が遠くなるため透過した光とエバネッセント波（ｅｖａｎｅｓｃｅｎｔ  ｗａｖｅ）の吸収を防ぐことが出来る。即ち、活性層１４０から発生した光が臨界角より大きい角度で入射する場合にもプラズモンとの相互作用を最少化することが出来る。
【００４１】
図５は第２反射層の厚さ別に入射光の角度による反射率を図示したグラフで、図６は第２反射層の厚さによる反射電極の反射率を図示したグラフである。以下、図１、図５及び図６を参照に説明する。
【００４２】
図５において半導体発光素子１００が青色ＬＥＤで、誘電体部１７１はＳｉＯ２にして入射光の角度による反射率を測定した。第２反射層１７０、即ち誘電体部１７１の厚さがそれぞれ７９ｎｍ、２３６ｎｍ、及び５５０ｎｍの場合の反射率のグラフが図示されている。先ず、誘電体部１７１の厚さが７９ｎｍの場合には、臨界角以上で急に反射率の低下が表れた。しかし、誘電体部１７１の厚さが２３６ｎｍの場合には７９ｎｍの場合のような急な低下は無かった。即ち、誘電体部１７１の厚さが厚くなって臨界角以上の入射角で７９ｎｍより高い反射率を表した。
【００４３】
誘電体部１７１の厚さが５５０ｎｍで、青色光の波長より高い場合、臨界角以上の入射角で安定的で高い反射率を表した。従って、誘電体部１７１の厚さが厚くなるほど臨界角以上の入射角で好ましい反射率を表すことが分かる。
【００４４】
図６では第２反射層１７０、即ち誘電体部１７１の厚さによる反射率を図示したグラフが表されている。図６のグラフは誘電体部１７１の厚さによる反射率を３次元上で積分して全体反射率を計算したものである。計算結果によると青色光の波長に該当する厚さ（およそ５００ｎｍ）に近くなるにつれ９９％の全体反射率を表すことが分かる。
【００４５】
従って、第２反射層に含まれる誘電体部の厚さは活性層から発生した光の波長と同じか大きいことが好ましい。但し、２μｍまたはその未満であることが好ましいが、誘電体部１７１の厚さが２μｍを超えると第１導電型半導体層１３０との剥離が発生し得るためである。
【００４６】
図７ａ乃至図７ｂは、第２反射層の大きさ及び位置による電流の流れ及び光抽出を表した図面である。基板３１０，４１０、第１導電型半導体層３３０，４３０、活性層３４０，４４０、第２導電型半導体層３５０，４５０及び第２導電型電極３６０，４６０は図１で説明したものと同一であるためその説明は省略する。
【００４７】
本発明による半導体発光素子において誘電体部または複数個の誘電体部のいずれか一つは、基板に向かって垂直下向に第２導電型電極と対応する第２反射層上の領域に位置することが好ましい。そして、誘電体部のいずれか一つの面積は第２導電型電極の面積と同一であるか大きいことが好ましい。
【００４８】
一般的に半導体発光素子は、光抽出面上に可能な限り光抽出に不利な影響を与える物がないことが好ましい。図７ａを参照すると、第２導電型電極３６０は光抽出面にあり、これにより光抽出効率は不利な影響を受けることとなる。図７ａにおいて誘電体部３７１は、第２導電型電極３６０の垂直下向位置と対応する領域に位置している。誘電体部３７１は電流が通じないため第２反射層３７０はコンタクトホール３７２に電流３４１が流れる。従って、可能な限り誘電体部３７１は第２導電型電極３６０の下に位置して、反射率は増加させながらその間の活性層３４０から発光する光を減少させることが効率的である。
【００４９】
誘電体部３７１には電流が流れないため、Ａ領域では電流の分散が低い水準で進行することが予測され、可能な限りＡ領域が小さいことが電流分散の側面で有利な効果を得ることが出来る。
【００５０】
しかし、図７ｂでは誘電体部４７１の面積が第２導電型電極４６０に比べて小さい第２反射層４７０が図示されている。この場合には活性層４４０の第２導電型電極４６０の垂直下向領域で発光が起きるため発光された光は第２導電型電極４６０に遮られ再び半導体発光素子４００の内部に進行することとなる。従って、誘電体部４７１の面積が小さい場合、第２導電型電極４６０の垂直下向領域から発光して光損失が発生するため光抽出効率に不利な影響を受けることとなる。
【００５１】
従って、誘電体部４７１のうち第２導電型電極４６０の垂直下向の方向に位置するものの面積は、第２導電型電極４６０の面積とほぼ同一であることが好ましい。
【００５２】
上記実施形態は、さらに下記実施例を含んでもよい。基板、基板上に第１導電型半導体層、活性層及び第２導電型半導体層が順次に積層された積層体、及び基板及び積層体の間に形成され活性層から発生した光を反射する反射電極を含む半導体発光素子であって、反射電極は活性層から発生した光を反射させる一つまたはそれ以上の誘電体部と、第１導電型半導体層に電気的に連結するよう導電性充填材で充填された一つまたはそれ以上のコンタクトホールとを含む。また、反射電極の一部分は、活性層から発生した光を反射させる誘電体部により形成され、反射電極の他の部分は、第１導電型半導体層に電気的に連結する導電性充填材により形成されてもよい。この場合に、誘電体部と導電性充填材とが周期的に配されてもよい。さらに、誘電体部の光の反射率が導電性充填材の光の反射率よりも高く、導電性充填材の電気的伝導度が誘電体部の電気的伝導度よりも高くてもよい。
【００５３】
本発明は上述の実施形態及び添付の図面により限定されず、添付の請求範囲により解釈される。また、本発明について請求範囲に記載された本発明の技術的思想を外れない範囲内で様々な形態の置換、変形及び変更が可能ということは当該技術分野の通常の知識を有した者には自明である。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】一般の半導体発光素子で、基板上に反射電極が形成された半導体発光素子の断面図である。
【図２】図１に図示された半導体発光素子の反射電極での入射光の角度による反射率を図示したグラフである。
【図３】本発明の一実施例による半導体発光素子の断面図である。
【図４】本発明の他の実施例による半導体発光素子の断面図である。
【図５】第２反射層の厚さ別に入射光の角度による反射率を図示したグラフである。
【図６】第２反射層の厚さによる反射電極の反射率を図示したグラフである。
【図７ａ】第２反射層の大きさ及び位置による電流の流れ及び光抽出を表した図面である。
【図７ｂ】第２反射層の大きさ及び位置による電流の流れ及び光抽出を表した図面である。
【符号の説明】
【００５５】
１００  半導体発光素子
１１０  基板
１２０  第１反射層
１３０  第１導電型半導体層
１４０  活性層
１５０  第２導電型半導体層
１６０  第２導電型電極
１７０  第２反射層
１７１  誘電体部
１７２  コンタクトホール
ｄ  第２反射層の厚さ
【図１】
0005348461.tif 000002
【図２】
0005348461.tif 000003
【図３】
0005348461.tif 000004
【図４】
0005348461.tif 000005
【図５】
0005348461.tif 000006
【図６】
0005348461.tif 000007
【図７ａ】
0005348461.tif 000008
【図７ｂ】
0005348461.tif 000009