(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｐ側電極と、
前記ｐ側電極上に形成されたｐ側ブラッグ反射層と、
前記ｐ側ブラッグ反射層上に接して形成された活性層と、
前記活性層上に接して形成されたｎ側反射防止層と、
前記ｎ側反射防止層上に形成されたｎ側電極とを備え、
前記活性層はＩｎＧａＮ井戸層とＧａＮバリア層とが交互に積層された積層膜で形成され、前記ｎ側反射防止層は、前記活性層側から順にＩｎＧａＮ半導体層とＧａＮ半導体層とが交互に積層された積層膜で形成されていることを特徴とする窒化物半導体発光素子。
【請求項２】
ｎ側電極と、
前記ｎ側電極上に形成された導電性基板と、
前記導電性基板上に形成されたｎ側ブラッグ反射層と、
前記ｎ側ブラッグ反射層上に接して形成された活性層と、
前記活性層上に接して形成されたｐ側反射防止層と、
前記ｐ側反射防止層上に形成されたｐ側電極とを備え、
前記活性層はＩｎＧａＮ井戸層とＧａＮバリア層とが交互に積層された積層膜で形成され、前記ｎ側ブラッグ反射層は、前記活性層側から順にＩｎＧａＮ半導体層とＧａＮ半導体層とが交互に積層された積層膜で形成されていることを特徴とする窒化物半導体発光素子。
【請求項３】
前記ｐ側ブラッグ反射層は、前記活性層側から順にＡｌＧａＮ半導体層とＧａＮ半導体層とが交互に積層された積層膜で形成されていることを特徴とする請求項１記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項４】
前記ｐ側反射防止層は、前記活性層側から順にＡｌＧａＮ半導体層とＧａＮ半導体層とが交互に積層された積層膜で形成されていることを特徴とする請求項２記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項５】
前記ＩｎＧａＮ半導体層とＧａＮ半導体層の膜厚は発光波長λの１／４の整数倍で形成され、前記ＡｌＧａＮ半導体層とＧａＮ半導体層の膜厚は発光波長λの１／２の整数倍で形成されていることを特徴とする請求項３記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項６】
前記ＡｌＧａＮ半導体層とＧａＮ半導体層の膜厚は前記発光領域の発光波長λの１／４の整数倍で形成され、前記ＩｎＧａＮ半導体層とＧａＮ半導体層の膜厚は発光波長λの１／２の整数倍で形成されていることを特徴とする請求項４記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項７】
前記ｐ側電極は透明電極で構成され、前記ｐ側電極の裏面には反射膜が設けられていることを特徴とする請求項１、３、５のいずれか１項に記載の窒化物半導体発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光の取り出し効率を大きくした窒化物半導体発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
照明、バックライト等用の光源として使われる青色ＬＥＤ、多色化で使用されるＬＥＤ、ＬＤ等に用いられている窒化物半導体は、バルク単結晶の製造が困難なために、サファイア、ＳｉＣ等の成長用基板の上にＭＯＣＶＤ（有機金属気相成長法）を利用してＧａＮを成長させることが行われている。
【０００３】
サファイア基板は、エピタキシャル成長工程の高温アンモニア雰囲気中の安定性にすぐれているので、成長用基板として特に用いられる。しかしながら、サファイア基板は絶縁性基板であり、導通がとれず、サファイア基板を挟んで電極を設けることができない。したがって、サファイア基板上の窒化物半導体は、エピタキシャル成長後にｎ型窒化ガリウム層を露出するまでエッチングし、エッチングされた面にｎ型コンタクトを形成して、同一面側にｐ型とｎ型の二つの電極を設ける構造が一般的である。
【０００４】
ところが、上記のように同一面側にｐ型とｎ型の二つの電極を設ける構成とすると、ｎ電極に近接したメサ部分に電流が集中しやすいことにより、ＥＳＤ（静電破壊）電圧を上げることができない。また、活性層に均一に電流注入するのが難しく、活性層を均等に発光させるのが困難となる。さらに、同一面側で、ｐ電極とｎ電極の両方にワイヤボンディング用電極を必要とするため、いずれか一方のワイヤボンディング用電極を設ければ良い導電性基板上の窒化物半導体よりも有効発光面積を狭めてしまう。
【０００５】
そこで、上記問題を技術的に解決するために、サファイア基板を剥がし、ｎ型窒化ガリウム層を露出させ、その部分にｎ電極を形成する方法が用いられている。例えば、サファイア基板にＧａＮバッファ層を介して窒化物半導体としての化合物結晶層を形成した後、一般に３００ｎｍ以下程度のエキシマレーザー光を数百ｍＪ／ｃｍ２でサファイア基板側から照射し、ＧａＮバッファ層を分解させ、サファイア基板を剥離するレーザーリフトオフ（Laser Lift Off：以下ＬＬＯと略す）法がある（例えば、特許文献１参照）。この方法はＧａＮ基板を使ったのに等しいチップができるため、電極を対向して設けることができる。
【特許文献１】特開２００３−１６８８２０号公報
【特許文献２】特開２００４−１５３２７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、上記従来技術のように、ｐ電極とｎ電極を対向して設け、ｎ電極側から光を取り出そうとした場合には、ｎ側のＧａＮ層と空気との界面では臨界角が小さくて光取り出し効率が落ちることが知られている。一方、金属で構成されたｐ側電極の反射を利用して取り出し効率を上げようとしても、ｐ側電極はｐ側のＧａＮ層とオーミックコンタクトを取る必要があるために、電極に使用する金属が制限されてしまい、反射率の高い金属を使用できないという問題があった。
【０００７】
また、光の強度を高める構成として、ブラッグ反射層（高反射層）をｐ側とｎ側に形成し、共振器構造を構成してｐ側電極方向から光を取り出そうとしたものがある（例えば、特許文献２参照）。この構成を図５に示す。共振空洞構造を構成するために、サファイア基板上に形成された窒化物半導体層中に、多層膜からなるブラッグ反射層（ＤＢＲ）をｐ側とｎ側に設けたものが示されている。
【０００８】
サファイア基板３１上に、ＧａＮ層３２、ｎ−ＡｌＧａＮ／ＧａＮ ＤＢＲ３３、ＩｎＧａＮ／ＧａＮ第２活性層３４、ｎ−ＧａＮ層３５、ＩｎＧａＮ／ＧａＮ第１活性層３６、ｐ−ＡｌＧａＮ／ＧａＮ ＤＢＲ３７、ｐ−ＧａＮ層３８が形成され、ｎ側のブラッグ反射層３３とｐ側のブラッグ反射層３７とで、共振空洞構造が構成されている。ブラッグ反射層３３、３７は、２つの界面からの光の位相が強め合うことにより反射光強度を増加させるもので、共振空洞器の中に活性層から放射される光の多くを閉じ込めることができる。
【０００９】
この場合には、指向性が非常に高まり、光のビームは鋭くなって、高速動作を行わせるには適しているが、広域を照らすような照明用の発光素子としては不向きであった。また、高反射層で活性層を挟んでいるので、光の取り出し効率が悪くなっていた。
【００１０】
本発明は、上述した課題を解決するために創案されたものであり、電極に使用する金属の反射率に関係なく、光の取り出し効率を高めて、出射光の照射角度が広がりを持つような窒化物半導体発光素子を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するために、本発明の窒化物半導体発光素子は、ｐ側電極と、前記ｐ側電極上に形成されたｐ側ブラッグ反射層と、前記ｐ側ブラッグ反射層上に接して形成された活性層と、前記活性層上に接して形成されたｎ側反射防止層と、前記ｎ側反射防止層上に形成されたｎ側電極とを備え、前記活性層はＩｎＧａＮ井戸層とＧａＮバリア層とが交互に積層された積層膜で形成され、前記ｎ側反射防止層は、前記活性層側から順にＩｎＧａＮ半導体層とＧａＮ半導体層とが交互に積層された積層膜で形成されていることを主要な特徴とする。
【００１２】
また、本発明の窒化物半導体発光素子は、ｎ側電極と、前記ｎ側電極上に形成された導電性基板と、前記導電性基板上に形成されたｎ側ブラッグ反射層と、前記ｎ側ブラッグ反射層上に接して形成された活性層と、前記活性層上に接して形成されたｐ側反射防止層と、前記ｐ側反射防止層上に形成されたｐ側電極とを備え、前記活性層はＩｎＧａＮ井戸層とＧａＮバリア層とが交互に積層された積層膜で形成され、前記ｎ側ブラッグ反射層は、前記活性層側から順にＩｎＧａＮ半導体層とＧａＮ半導体層とが交互に積層された積層膜で形成されていることを主要な特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、ｎ型窒化物半導体層を反射防止層とした場合には、ｐ型窒化物半導体層をブラッグ反射層とし、ｎ型窒化物半導体層をブラッグ反射層とした場合には、ｐ型窒化物半導体層を反射防止層としているので、電極に使用する金属の種類に関わらず、ｐ側、ｎ側のいずれからでも光の取り出し効率を高めることができる。また、出射光の照射角度が広がりを持つようになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、図面を参照して本発明の一実施形態を説明する。図１は本発明による窒化物半導体発光素子の構造を示す。
【００１９】
発光領域としてのＭＱＷ活性層３を挟むようにしてｎ側反射防止層２とｐ側ブラッグ反射層４が形成されており、ダブルへテロ構造を有する。ＭＱＷ活性層３は、ＩｎＧａＮ／ＧａＮ等で構成された多重量子井戸構造を有するもので、例えば、井戸層としてＩｎ０．１７ＧａＮを厚さ３０Å、バリア層（障壁層）としてアンドープＧａＮを厚さ１００Åで交互に８周期積層されている。なお、バリア層は、０．５〜２％のＩｎ組成からなるＩｎＧａＮを用いることもできる。
【００２０】
ｎ型窒化物半導体層には、通常、ｎ型窒化物コンタクト層が形成されるが、ｎ側反射防止層２は，このｎ型窒化物コンタクト層の役割も兼ねている。また、ｐ型窒化物半導体層には、通常、ｐ型窒化物コンタクト層が形成されるが、ｐ側ブラッグ反射層４は、このｐ型窒化物コンタクト層の役割も兼ねている。
【００２１】
図２は、ｎ側反射防止層２とｐ側ブラッグ反射層４の層構造を詳しく示したものである。ｎ型反射防止層２は、ｎ型不純物ＳｉドープのＩｎＧａＮ層２ａとｎ型不純物ＳｉドープのＧａＮ層２ｂとの積層構造で構成される。
【００２２】
また、ＩｎＧａＮ層２ａとＧａＮ層２ｂの両方にｎ型不純物をドーピングすることをせずに、どちらか一方にだけドープした変調ドーピングにしても良い。上記積層構造は超格子層にもなっており、格子定数差の大きいＩｎＧａＮとＧａＮの応力を緩和し、活性層のＩｎＧａＮを成長させやすくする効果も有する。
【００２３】
層構造の順序としては、最初にＭＱＷ活性層３上にｎ−ＩｎＧａＮ層２ａが形成され、次にｎ−ＧａＮ層２ｂが形成されるようにし、交互に形成した後に、ｎ電極１とはｎ−ＧａＮ層２ｂが接触するように構成する。ＡｌＧａＩｎＮ混晶系では、Ｉｎの成分比率が増加すると、屈折率も大きくなるので、ＧａＮ結晶よりもＩｎＧａＮ結晶の方が屈折率が大きい。したがって、ｎ−ＩｎＧａＮ層２ａの屈折率をｎ１、ｎ−ＧａＮ層２ｂの屈折率をｎ２とすると、ｎ１＞ｎ２となる。
【００２４】
また、ｎ側反射防止層２は、ＡＲコート（Anti-Reflective Coating）層と呼ばれるもので、基本的に複数の界面からの反射光同士の干渉現象を利用する。すなわち、異なる界面から反射されてくる光の位相を１８０度ずらせるようにして、互いに打ち消し合うようにし、反射光の強度を弱めようとするものである。したがって、ｎ−ＩｎＧａＮ層２ａ及びｎ−ＧａＮ層２ｂの膜厚Ｈ１は、ＭＱＷ活性層３で発生する光の波長をλとすると、（１／４）×λ×Ｎ（Ｎは正の整数）となるように形成される。
【００２５】
さらに、ｎ−ＩｎＧａＮ層２ａからｎ−ＧａＮ層２ｂに向かう光のうち、境界面に対して垂直に入射する光に関しては、反射率ＲはＲ＝｛（ｎ１−ｎ２）／（ｎ１＋ｎ２）｝２であり、透過率ＴはＴ＝２×ｎ１×ｎ２／（ｎ１＋ｎ２）２と表せる。ｎ１が大きければ透過率Ｔも大きくなる。
【００２６】
一方、ｐ型窒化物半導体層については、ｐ側ブラッグ反射層４が形成されており、ｐ側ブラッグ反射層４は、ｐ型不純物ＭｇドープのＡｌＧａＮ層４ａと、ｐ型不純物ＭｇドープのＧａＮ層４ｂとの積層構造により形成されており、超格子層を構成する。
【００２７】
層構造の順序としては、最初にＭＱＷ活性層３の下にｐ−ＡｌＧａＮ層４ａが形成され、ｐ−ＡｌＧａＮ層４ａの下にｐ−ＧａＮ層４ｂが形成されるようにし、交互に形成した後に、ｐ電極５とはｐ−ＧａＮ層４ｂが接触するように構成する。ＡｌＧａＩｎＮ混晶系では、Ａｌの成分比率が増加すると、屈折率は小さくなるので、ＧａＮ結晶よりもＡｌＧａＮ結晶の方が屈折率が小さい。したがって、ｐ−ＡｌＧａＮ層４ａの屈折率をｍ１、ｐ−ＧａＮ層４ｂの屈折率をｍ２とすると、ｍ２＞ｍ１となる。
【００２８】
このｐ側ブラッグ反射層４も上記ｎ側反射防止層２と同様、基本的に複数の界面からの反射光同士の干渉現象を利用するもので、異なる界面から反射されてくる光の位相を３６０度ずらせるようにして、互いに強め合うようにし、反射光の強度を高めようとするものである。したがって、ｐ−ＡｌＧａＮ層４ａ及びｐ−ＧａＮ層４ｂの膜厚Ｌ１は、ＭＱＷ活性層３で発生する光の波長をλとすると、（１／２）×λ×Ｍ（Ｍは正の整数）となるように形成される。
【００２９】
ｎ側反射防止層２の上面にはｎ電極１が形成されている。ｎ電極１は、例えば、ＴｉとＡｌの積層体又はＡｌ等で構成されており、ｎ側反射防止層２にオーミック接触している。また、ｐ電極５は、Ｐｄ／Ａｕの金属多層膜であってもよいが、透明電極としても良く、この場合は、ＧａドープＺｎＯを用いてオーミック接触させた電極等で構成される。ｐ電極５をＧａをドープしたＺｎＯとした場合には、ＧａＮと格子定数が近似しており、事後のアニ−ルをすることなく、ｐ側ブラッグ反射層４におけるｐ−ＧａＮ層４ｂとの間に良好なオーミック接触を形成する。
【００３０】
反射膜７は、ｐ電極５側に出射してきた光を反射させてｎ電極１の方向に取り出すために設けられている。ｐ側には、ｐ側ブラッグ反射層４が設けられているので、ＭＱＷ活性層３からの光は、ｎ電極１側にほとんど反射されていくが、１００％反射できるものではないので、わずかに透過してきた光も反射膜７で反射させて有効に利用しようとするものである。反射膜７には、ＡｌやＡｇなどの銀白色系の反射ミラーとして働く金属が用いられる。
【００３１】
絶縁膜６はチップの周縁部に環状に形成され、半導体レーザの場合には、共振器構造を得るためにチップの両側面に形成される。絶縁膜６には、ＳｉＮやＳＯＧ（Spin On Glass）等が用いられる。
【００３２】
ところで、反射膜７は、ｐ電極５に直接全面に接合されておらず、小さなコンタクトホール６ａを介して反射膜７の一部がｐ電極５に直接接触するように形成され、その他の領域には絶縁膜６を間に挟んで反射膜７が形成されている。これは、ｐ電極５を透明電極とした場合、ｐ電極５が反射膜７とがほぼ全面で接するようにすると、ｐ電極５と反射膜７との間で光の吸収が発生して反射率が低下するためである。したがって、図１のように、コンタクトホール６ａでのみ接触させるようにすれば、光の吸収はコンタクトホール６ａのみでしか発生せず、高い反射率を維持することができる。
【００３３】
ｐ側のパッド電極８は、Ａｕ等で構成され、ｐ電極５、反射膜７、パッド電極８は電気的に接続されている。また、導電性接合層９はパッド電極８と支持基板１０とを接合するもので、半田等のろう材であっても良く、熱圧着の場合にはＴｉとＡｕの多層金属膜又はＡｕのみ、Ａｕ及びＳｎの合金とＴｉとの多層金属膜等が用いられる。導電性接合層９によってパッド電極８と支持基板１０とが電気的に接続される。
【００３４】
支持基板１には、放熱性が良い導電性基板が用いられる。導電性基板として、ＧａＮ、シリコン、ＳｉＣ等の材料が用いられ、また、高熱伝導サブマウントとしてＣｕ等も用いられる。
【００３５】
図１に示す窒化物半導体発光素子は、以下のように形成される。製造工程の大きな流れとしては、まず、成長用基板上に、窒化物の半導体積層体を形成し、半導体積層体を支持基板に接合した後、成長用基板をＬＬＯ又は研磨により除去し、ｎ電極等を形成して窒化物半導体発光素子が完成する。
【００３６】
最初に、成長用基板としてサファイア基板を用い、このサファイア基板をＭＯＣＶＤ装置に入れ、水素ガスを流しながら、１０５０℃程度まで温度を上げ、基板をサーマルクリーニングする。温度を６００℃程度まで下げ、低温でＧａＮバッファ層（図示せず）を成長させる。再び１０００℃程度まで温度を上げ、ｎ側反射防止層２、ＭＱＷ活性層３を積層する。その後昇温し、ｐ側ブラッグ反射層４を積層する。
【００３７】
ｐ電極５が透明電極とする場合は、分子線エピタキシー法を用い、２ｅ−４Ωｃｍ程度の低い低効率を持つＧａドープＺｎＯ電極を積層する。次に、ＳｉＯ２のような誘電体膜やレジストによりマスクを形成、ＩＣＰなどを用いてメサエッチングを行い、チップ形状にエッチングする。メサエッチングはＭＱＷ活性層３を通過し、ＧａＮバッファ層が露出するところまで行い、一旦エッチングをやめる。
【００３８】
その後、Ｐ−ＣＶＤやスパッタリングで絶縁膜６をいったん形成し、ＺｎＯへのコンタクトホール６ａをＣＦ４系ドライエッチングで形成する。ＣＦ４系ドライエッチングではＺｎＯのエッチングレートは遅いため、上記ＺｎＯ電極自身がエッチングストップとして機能する。コンタクトホール６ａが形成できたら、反射膜７を最初につけ、次にパッド電極８、導電性接合層９を形成する。
【００３９】
その後、上記最初のエッチングと同様にエッチングを再開し、サファイア基板が露出するまでエッチングを行う。支持基板１０を用意し、導電性接合層９により熱圧着等を利用して、支持基板１上にウエハを貼り付ける。
【００４０】
その後２４８ｎｍで発振するＫｒＦレーザをサファイア基板側からＧａＮバッファ層に向けて照射する。ＫｒＦの場合、必要照射エネルギーは３００〜４００ｍＪ／ｃｍ２である。２４８ｎｍの光はサファイアではほぼ完全に透過し、ＧａＮではほぼ１００％吸収するため、サファイア／ＧａＮ界面で急速に温度上昇が起こり、ＧａＮが分解して成長用基板としてのサファイア基板が剥離する。サファイア剥離後、酸エッチングなどで余分のＧａを流し、ｎ電極１を形成する。このようにして、図１に示す窒化物半導体発光素子が完成する。
【００４１】
図３は、ｐ側の方向へ光を取り出すようにした窒化物半導体発光素子の構成を示すものである。図３の窒化物半導体発光素子は、既知のＭＯＣＶＤ法を用いて、導電性のＧａＮ基板２１上に、ｎ側ブラッグ反射層２２、ＭＱＷ活性層２３、ｐ側反射防止層２４、ｐ電極２５を順に形成する。最後にｐ電極２５、ｎ電極２６を蒸着又はスパッタにより形成する。
【００４２】
通常、ＭＱＷ活性層２３を挟むようにして、ｎ型窒化物コンタクト層とｐ型窒化物コンタクト層とが形成されるが、図１と同様、ｎ側ブラッグ反射層２２はｎ型窒化物コンタクト層の役割を、ｐ側反射防止層２４はｐ型窒化物コンタクト層の役割を兼ねている。
【００４３】
図４は、ｐ側反射防止層２４とｎ側ブラッグ反射層２２の層構造を詳しく示したものである。ｎ側ブラッグ反射層２２は、ｎ型不純物ＳｉドープのＩｎＧａＮ層２２ａとｎ型不純物ＳｉドープのＧａＮ層２２ｂとの積層構造で構成される。また、ＩｎＧａＮ層２ａとＧａＮ層２ｂの両方にｎ型不純物をドーピングすることをせずに、どちらか一方にだけドープした変調ドーピングにしても良い。図２で述べたように、ｎ側ブラッグ反射層２２は超格子層にもなっており、格子定数差の大きいＩｎＧａＮとＧａＮの応力を緩和し、活性層のＩｎＧａＮを成長させやすくする効果も有する。
【００４４】
発光領域としてのＭＱＷ活性層２３は、ＩｎＧａＮ井戸層とＧａＮ又はＩｎＧａＮバリア層を交互に積層した多重量子井戸構造が用いられ、その組成や積層周期の例等は図１と同様である。  
ｎ電極１は、ｎ側ブラッグ反射層２２を透過してきた光を反射させる役割も有し、例えば、ＴｉとＡｌの積層体又はＡｌ等で構成されており、ｎ側ブラッグ反射層２２にオーミック接触している。また、ｐ電極５側から光を取り出すために、ｐ電極５は透明電極となっており、ＧａドープＺｎＯ電極やＩＴＯ電極等が用いられる。
【００４５】
ｎ側ブラッグ反射層２２の層構造の順序は、図２のｎ側反射防止層２と同様であり、ｎ−ＩｎＧａＮ層２２ａの屈折率をＭ１、ｎ−ＧａＮ層２２ｂの屈折率をＭ２とすると、Ｍ１＞Ｍ２となる。しかし、ｎ側反射防止層２と異なるのは、異なる界面から反射されてくる光の位相を３６０度ずらせるようにして、互いに強め合うようにし、反射光の強度を高めようとする点にある。したがって、ｎ−ＩｎＧａＮ層２２ａ及びｎ−ＧａＮ層２２ｂの膜厚Ｌ２は、ＭＱＷ活性層２３で発生する光の波長をλとすると、（１／２）×λ×Ｋ（Ｋは正の整数）となるように形成される。
【００４６】
また、ｐ側反射防止層２４は、ＡＲコート（Anti-Reflective Coating）層と呼ばれるもので、層構造の順序としては、図２のｐ側ブラッグ反射層４と同様であり、ｐ−ＡｌＧａＮ層２４ａの屈折率をＮ１、ｐ−ＧａＮ層２４ｂの屈折率をＮ２とすると、Ｎ２＞Ｎ１となる。しかし、ｐ側ブラッグ反射層４と異なるのは、異なる界面から反射されてくる光の位相を１８０度ずらせるようにして、互いに打ち消し合うようにし、反射光の強度を弱めようとする点にある。したがって、ｐ−ＡｌＧａＮ層２４ａ及びｐ−ＧａＮ層２４ｂの膜厚Ｈ２は、ＭＱＷ活性層２３で発生する光の波長をλとすると、（１／４）×λ×Ｋ（Ｋは正の整数）となるように形成される。
【００４７】
以上のように、発光領域を中心として光の取り出し方向側には多層膜からなる反射防止層（ＡＲコート層）を配し、光の取り出し方向と反対側には多層膜からなるブラッグ反射層を配置しているので、発光領域から放射された光のうち、光の取り出し方向に進む光は反射の影響が低減され、また、光の取り出し方向と反対側に進む光は、ブラッグ反射層で反射されて光の取り出し方向に向かうので、光の取り出し効率が向上する。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明の窒化物半導体発光素子の断面構造を示す図である。
【図２】ｎ側反射防止層及びｐ側ブラッグ反射層の層構造を示す図である。
【図３】本発明の窒化物半導体発光素子の他の断面構造を示す図である。
【図４】ｎ側ブラッグ反射層及びｐ側反射防止層の層構造を示す図である。
【図５】従来の窒化物半導体発光素子の構成例を示す図である。
【符号の説明】
【００４９】
１    ｎ電極
２    ｎ側反射防止層
３    ＭＱＷ活性層
４    ｐ側ブラッグ反射層
５    ｐ電極
６    絶縁膜
６ａ  コンタクトホール
７    反射膜
８    パッド電極
９    導電性接合層
１０  支持基板  
【図１】
0005189734.tif 000002
【図２】
0005189734.tif 000003
【図３】
0005189734.tif 000004
【図４】
0005189734.tif 000005
【図５】
0005189734.tif 000006