(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の層に配置されている第１導体と、
前記第１の層とは異なる第２の層に位置し、前記第１導体に対向する領域に少なくとも一部が設けられている金属プレーンと、
前記第１導体に設けられた第１開口部の内部に配置された第１連結配線と、
前記金属プレーンに設けられた第２開口部の内部に配置された第２連結配線と、
前記金属プレーンと前記第１連結配線とを接続する第１ビアと、
前記第１連結配線と前記第２連結配線とを接続する第２ビアと、
前記第２連結配線と前記第１導体とを接続する第３ビアとを備えることを特徴とする構造。
【請求項２】
前記金属プレーンには、前記第２開口部及び前記第２連結配線が繰り返し配置され、
それぞれの前記第２連結配線に対応して、前記第１導体、前記第１連結配線、前記第１ビア、前記第２ビア及び前記第３ビアが設けられている、請求項１に記載の構造。
【請求項３】
隣接する２つの前記第１導体を互いに９０度回転した関係となるように配置する、請求項２に記載の構造。
【請求項４】
前記第１導体の形状が４回回転対称性をもった形状である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の構造。
【請求項５】
前記第１導体の上に設けられた第２の誘電体層と、該第２の誘電体層の上に設けられる第２の金属プレーンと、をさらに有する請求項１〜４のいずれか１項に記載の構造。
【請求項６】
前記第１連結配線及び前記第２連結配線の少なくとも一方がミアンダ配線である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の構造。
【請求項７】
前記第１連結配線及び前記第２連結配線の少なくとも一方がスパイラルインダクタである、請求項１〜５のいずれか１項に記載の構造。
【請求項８】
前記第１連結配線及び前記第２連結配線の少なくとも一方にチップインダクタが直列に接続されている、請求項１〜５のいずれか１項に記載の構造。
【請求項９】
請求項１〜８に記載の構造を備えることを特徴とするプリント基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、構造、この構造を用いたプリント基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
誘電率の異なる物質や、金属パッチ等を周期的に配列した構造では、電磁波の分散関係を人工的に制御することが可能である。特に、特定周波数帯において電磁波の伝播が禁止されるバンドギャップを有する分散関係を持つ構造は、エレクトロマグネティックバンドギャップ（ＥＢＧ）構造と呼ばれ、プリント基板やデバイスパッケージ基板に設置することで不要ノイズの伝播を抑制するフィルターとしての応用が期待されている。
【０００３】
一般的なＥＢＧ構造は、プリント基板等の誘電体層の表面に正方形の金属パッチを周期的に２次元配置させ、各パッチと誘電体層裏面の金属プレーンとの間をスルーホールビア等で電気的に接続した構造をとる。そして、各パッチ間に形成されるキャパシタンス成分とビアから形成されるインダクタンス成分がＬＣ並列共振回路として機能することにより共振周波数近傍でバンドギャップが生じる。このバンドギャップの幅（電磁波伝播が禁止される周波数帯域の幅）は、上記のインダクタンス成分を増加させることによって広くすることが可能である。しかしながら、通常インダクタンス成分を増加させるためにパッチと金属プレーンとを接続するスルーホールビアを長くする方法が採られるため、ＥＢＧ構造を小型化することが難しかった。また電源プレーン層とグランドプレーン層間に伝播するノイズ抑制への応用を考えた場合は、誘電体層厚が薄い方が有利であるため、こうした場合には十分なスルーホール長を確保できない問題も生じる。
【０００４】
このような問題を解決する手段として、例えば特許文献１では、電流経路内にインダクタンス要素あるいはチップインダクタを有することにより、ＥＢＧ構造を大きくすることなくインダクタンスを増大させている。具体的には、金属パッチと金属プレーン層の間にスパイラルインダクタなどのインダクタ要素を配置した中間層を設け、金属パッチとインダクタ要素と金属プレーンをビアで接続した構造をとることでＥＢＧ構造を大きくすることなくインダクタンスを増大させることを可能にしている。
【０００５】
また、特許文献２には、比較的大きな範囲の周波数に渡った使用のための周期的な電磁的構造体が開示されている。具体的には、電磁的構造体が平坦なシートから延びる金属の画鋲の形の突起物の２次元のアレイを有するようにしている。また、２層構造体として、低い画鋲と高い画鋲とを用いる形態も開示されている。
【０００６】
さらに、特許文献３では、表面電流を抑えたグランドプレーンを提供すること等を課題としている。具体的には、上面金属パッチがメッシュ内でプレートの上方にそれと重なり合って設けられ、プレートから薄い誘電体スペーサで隔てられているグランドプレーンメッシュが開示されている。
【特許文献１】特開２００６−２５３９２９号公報（第００１２段落、図１）
【特許文献２】特表２００５−５３８６２９号公報（要約、第００３１段落、第００５４段落、図５，７，８）
【特許文献３】特表２００２−５１０８８６号公報（要約、第０００３段落、第００３９段落、図２６）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１のように金属パッチ層と金属プレーン層の間に中間層を設ける分、構造全体の厚さが厚くなる課題がある。また、中間層を設ける場合、積層する層数が増えてしまうため製造コストが増加してしまうという課題もある。
【０００８】
本発明の第１の目的は、上記課題を解決するためになされたものである。より具体的には、層数を増やすことなくインダクタンス成分を増加させることで広帯域なバンドギャップを低コストかつ小型に実現した構造を提供することにある。
【０００９】
本発明の第２の目的は、上記課題を解決するためになされたものである。より具体的には、層数を増やすことなくインダクタンス成分を増加させることで広帯域なバンドギャップを低コストかつ小型に実現したプリント基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するための本発明の構造は、金属プレーンと、該金属プレーン上に設けられた誘電体層と、該誘電体層上に設けられた金属パッチと、該金属パッチ及び前記金属プレーンとを電気的に接続する第１ビア、第２ビア、及び第三３ビアと、を備え、前記金属パッチには、切り欠き部として設けられ、内部にパッチ側連結配線が設置されたパッチ側クリアランスが設けられ、該パッチ側クリアランスと対応して、前記金属プレーンには、切り欠き部として設けられ、内部にプレーン側連結配線が設置されたプレーン側クリアランスが形成され、前記金属プレーンと前記第１ビアの一端が接続され、該第１ビアの他端が前記パッチ側連結配線の一端に接続され、該パッチ側連結配線の他端が前記第２ビアの一端に接続され、該第２ビアの他端が前記プレーン側連結配線の一端に接続され、該プレーン側連結配線の他端が前記第３ビアの一端に接続され、該第３ビアの他端が前記金属パッチに接続されることにより、単位接続体が形成される、ことを特徴とする。
【００１１】
本発明の構造の好ましい態様においては、前記金属パッチが複数設けられ、該金属パッチごとに前記単位接続体が形成される。
【００１２】
本発明の構造の好ましい態様においては、隣接する２つの前記金属パッチを互いに９０度回転した関係となるように配置する。
【００１３】
本発明の構造の好ましい態様においては、前記金属パッチの上に設けられた第２の誘電体層と、該第２の誘電体層の上に設けられる第２の金属プレーンと、をさらに有する。
【００１４】
本発明の構造の好ましい態様においては、前記パッチ側連結配線及び前記プレーン側連結配線の少なくとも一方がミアンダ配線である。
【００１５】
本発明の構造の好ましい態様においては、前記パッチ側連結配線及び前記プレーン側連結配線の少なくとも一方がスパイラルインダクタである。
【００１６】
本発明の構造の好ましい態様においては、前記パッチ側連結配線及び前記プレーン側連結配線の少なくとも一方にチップインダクタが直列に接続されている。
【００１７】
上記課題を解決するための本発明のプリント基板は、上記の構造を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、層数を増やすことなくインダクタンス成分を増加させることで広帯域なバンドギャップを低コストかつ小型に実現した構造を提供することができる。より具体的には、層数を増やすことなく小さい実装面積でインダクタンス成分を増大させることができるため、広帯域なバンドギャップを有した構造を低コストかつ小型に実現することができる。
【００１９】
本発明によれば、層数を増やすことなくインダクタンス成分を増加させることで広帯域なバンドギャップを低コストかつ小型に実現した構造を採用したプリント基板を提供することができる。より具体的には、層数を増やすことなく小さい実装面積でインダクタンス成分を増大させることができるため、広帯域なバンドギャップを有した構造を低コストかつ小型に実現することができ、こうした構造を採用したプリント基板を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の実施例につき説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において任意に変形して実施することができる。
【００２１】
図１は、本発明の構造の第１の実施例の平面図である。図２は、本発明の構造の第１の実施例の底面図である。図３は、図１，２のＡ−Ａ’断面での断面図である。図１〜３は、本発明の構造としてＥＢＧ構造を採用した場合の一例であり、説明の便宜上、以後も本発明の構造の一例としてＥＢＧ構造について説明する。なお、ＥＢＧ構造以外で本発明の構造が適用可能なものとしては、例えば左手系媒質を挙げることができる。
【００２２】
構造５ａは、金属プレーン３と、金属プレーン３上に設けられた誘電体層１と、誘電体層１上に設けられた金属パッチ２と、金属パッチ２及び金属プレーン３とを電気的に接続する第１ビア４ａ、第２ビア４ｂ、及び第三３ビア４ｃと、を備え、金属パッチ２には、切り欠き部として設けられ、内部にパッチ側連結配線１１が設置されたパッチ側クリアランス１０が設けられ、パッチ側クリアランス１０と対応して、金属プレーン３には、切り欠き部として設けられ、内部にプレーン側連結配線１２が設置されたプレーン側クリアランス１３が形成され、金属プレーン３と第１ビア４ａの一端が接続され、第１ビア４ａの他端がパッチ側連結配線１１の一端に接続され、パッチ側連結配線１１の他端が第２ビア４ｂの一端に接続され、第２ビア４ｂの他端がプレーン側連結配線１２の一端に接続され、プレーン側連結配線１２の他端が第３ビア４ｃの一端に接続され、第３ビア４ｃの他端が金属パッチ２に接続されることにより、単位接続体９が形成されている。
【００２３】
構造５ａでは、金属パッチ２と金属プレーン３間の電気的な接続経路を、金属プレーン３、第１ビア４ａ、パッチ側連結配線１１、第２ビア４ｂ、プレーン側連結配線１２、第３ビア４ｃ、及び金属パッチ２の順とすることで、単位接続体９における接続経路を長く取ることができるようになる。このため、層数を増やすことなくインダクタンス成分を増加させることが可能となる。また、中間層にインダクタを形成する場合に比べて、同等のインダクタンス成分を実現するために必要な実装面積を小さくすることができ、パッチサイズの小型化が可能となる。その結果、層数を増やすことなくインダクタンス成分を増加させることで広帯域なバンドギャップを低コストかつ小型に実現した構造５ａを提供することができる。
【００２４】
構造５ａにおいては、金属パッチ２が複数設けられ、金属パッチ２ごとに単位接続体９が形成されている。金属パッチ２を複数設けて単位接続体９の数を多くすることにより、本発明の効果をより効率的に奏することができるようになる。ただし、金属パッチ２は１つだけであってもよい。金属パッチ２が１つだけの場合でも本発明の効果を有効に奏することができる。
【００２５】
構造５ａにおいては、プレーン側クリアランス１３の中に、金属プレーン３と電気的に絶縁された一つのプレーン側連結配線１２が設置されているが、プレーン側連結配線１２は複数設けてもよい。同様に、パッチ側クリアランス１０の中に、金属パッチ２と電気的に絶縁された一つのパッチ側連結配線１１が設置されているが、パッチ側連結配線１１も複数設けてもよい。プレーン側連結配線１２及びパッチ側連結配線１１を複数設けることにより、ビアの数も適宜増やせばよい。また、金属パッチ２には一つのパッチ側クリアランス１０が設けられ、これに対応して金属プレーン３にも一つのプレーン側クリアランス１３が設けられているが、パッチ側クリアランス１０及びプレーン側クリアランス１３もそれぞれ複数設けてもよい。さらに、単位接続体９においては、パッチ側連結配線１１及びプレーン側連結配線１２ともに、それぞれの端部に第１ビア４ａ、第２ビア４ｂ、第３ビア４ｃがそれぞれ接続されているが、こうした接続は、必ずしも端部で行う必要はない。例えば、パッチ側連結配線１１の端部を少し余らせた状態で、第１ビア４ａ及び第２ビア４ｂをそれぞれパッチ側連結配線１１に接続してもよい。また、プレーン側連結配線１２の端部を少し余らせた状態で、第２ビア４ｂ、第３ビア４ｃをそれぞれプレーン側連結配線１２に接続してもよい。こうした設計のバリエーションは、他の実施例においても同様に適用することができる。
【００２６】
図４は、本発明の構造の第２の実施例の平面図である。図５は、本発明の構造の第２の実施例の底面図である。図６は、図４，５のＢ−Ｂ’断面での断面図である。図７は、本発明の構造の第２の実施例の等価回路を示した回路図である。
【００２７】
構造５ｂは、金属プレーン３と第１ビア４ａの一端が接続され、第１ビア４ａの他端がパッチ側連結配線１１の一端に接続され、パッチ側連結配線１１の他端が第２ビア４ｂの一端に接続され、第２ビア４ｂの他端がプレーン側連結配線１２の一端に接続され、プレーン側連結配線１２の他端が第３ビア４ｃの一端に接続され、第３ビア４ｃの他端が金属パッチ２に接続されることにより、単位接続体９が形成されている。この点において、構造５ｂは構造５ａと同様である。
【００２８】
構造５ｂにおいては、隣接する２つの金属パッチ２を互いに９０度回転した関係となるように配置している。これを、図４を用いて説明すると、金属パッチ２ａのパッチ側クリアランス１０ａと金属パッチ２ｂのパッチ側クリアランス１０ｂとが互いに垂直になるように、隣接する金属パッチ２ａと金属パッチ２ｂとが配置されている。同様に、金属パッチ２ａのパッチ側クリアランス１０ａと金属パッチ２ｃのパッチ側クリアランス１０ｃとが互いに垂直になるように、隣接する金属パッチ２ａと金属パッチ２ｃとが配置されている。こうした配置を採用する意義については後述する。
【００２９】
構造５ｂにおいては、誘電体層１の表層に正方形形状の金属パッチ２が、裏面には金属プレーン３が配置されており、誘電体層１を貫通して表面と裏面を電気的に接続するビアが複数設けられている。具体的には、ビアは、第１ビア４ａ、第２ビア４ｂ、第３ビア４ｃの３つを用いている。図４に示すとおり、金属パッチ２にはパッチ側クリアランス１０が設けられておりパッチ側クリアランス１０の内部にはパッチ側連結配線１１が配置されている。また図５に示すとおり、金属プレーン３にはプレーン側クリアランス１３が設けられておりプレーン側クリアランス１３の内部にはプレーン側連結配線１２が配置されている。金属パッチ２とプレーン側連結配線１２、プレーン側連結配線１２とパッチ側連結配線１１、パッチ側連結配線１１と金属プレーン３は、それぞれ第１ビア４ａ、第２ビア４ｂ、第３ビア４ｃによって電気的に接続されている。そして、パッチ側連結配線１１、プレーン側連結配線１２、第１ビア４ａ、第２ビア４ｂ、及び第３ビア４ｃが、金属パッチ２と金属プレーン３とを電気的に接続する単位接続体９として機能するように構成されている。
【００３０】
構造５ｂの単位接続体９は、金属パッチ２、パッチ側クリアランス１０、パッチ側連結配線１１、プレーン側クリアランス１３、プレーン側連結配線１２、及びこれらを接続する第１ビア４ａ、第２ビア４ｂ、第３ビア４ｃを含んでいる。構造５ｂは、図４に示すとおり、単位接続体９が隣接する単位接続体９と等間隔になるように周期的に多数配置されている。そして、最も近接する単位接続体９は互いに誘電体層１の面直方向を回転軸として９０度回転した関係になるように配置され、次に近接する単位接続体９は互いに誘電体層１面直方向を回転軸として１８０度回転した関係になるように配置された構造をとる。
【００３１】
構造５ｂの基本的な動作原理を説明する。本発明の構造の第２の実施例では、隣接する金属パッチ２ａ，２ｂ（又は金属パッチ２ａ，２ｃ）の間に生じるキャパシタンス成分Ｃと、単位接続体９が形成する金属パッチ２と金属プレーン３間のインダクタンス成分Ｌとが周期的に配列することで、図７に示す等価回路を構成する。図７におけるＬｍ、Ｃｍは、それぞれ金属パッチ２における寄生インダクタンスと、金属パッチ２及び金属プレーン３の間に生じる寄生キャパシタンスとを表す。ここで、図７の等価回路における電圧、電流を下記式（１）のようにおいた場合、回路の共振周波数付近の周波数において伝播定数γが虚数となり、電圧、電流が指数関数的に減衰するためバンドギャップとして機能する。なお下記式（１）において、ｘは、金属プレーン３と平行な方向にｘ軸を取ったときのその軸上の位置を示す。
【００３２】
【数１】
0005136131.tif 000002
【００３３】
構造５ｂにおいて、バンドギャップが生じる周波数は回路の共振周波数で決まる。このため、隣接する金属パッチ２ａ，２ｂ（又は金属パッチ２ａ，２ｃ）間の間隔を変更することでキャパシタンス成分Ｃを調整する、もしくはパッチ側連結配線１１の長さや幅、プレーン側連結配線１２の長さや幅、第１ビア４ａ、第２ビア４ｂ、第３ビア４ｃのそれぞれ長さや幅、を変更することで金属パッチ２と金属プレーン３間のインダクタンス成分Ｌを調整する、等の方法によりバンドギャップが生じる周波数を制御することができる。
【００３４】
また、構造５ｂにおいて、バンドギャップが生じる周波数帯域を広帯域にするには金属パッチ２と金属プレーン３間のインダクタンス成分Ｌを大きくすればよい。構造５ｂでは、金属パッチ２と金属プレーン３間の接続経路を、第１ビア４ａ、パッチ側連結配線１１、第２ビア４ｂ、プレーン側連結配線１２、及び第３ビア４ｃとすることで長く取ることができ、層数を増やすことなくインダクタンス成分を増加させることが可能である。
【００３５】
構造５ｂにおいては、金属パッチ２の形状を正方形としているが、４回回転対称性をもった形状であればどのような形状の金属パッチでも本発明の本質的な効果になんら影響を与えない。また構造５ｂにおいて、パッチ側連結配線１１及びプレーン側連結配線１２を直線配線としたが、各ビア間の電気的な接続がなされていれば、曲線などの配線でも同様の効果を得ることができる。
【００３６】
構造５ｂにおける単位接続体９は、誘電体層１面直方向を軸とする回転対称性を持っていない。しかし構造５ｂは、最も近接する単位接続体９は互いに誘電体層１面直方向を回転軸として９０度回転した関係になるように配置され、次に近接する単位接続体９は互いに誘電体層１面直方向を回転軸として１８０度回転した関係になるように配置されている。これによって、隣接する単位構造体９及び対角線上に位置する単位構造体９の４つで構造全体として４回回転対称性を有している。このため、構造５ｂで生じるバンドギャップは単位構造体９の対称性に依存せず常に４回回転対称性を有する。したがって、本発明の第２の実施例によれば、例えば、図４のＢ−Ｂ’に平行方向の波数ベクトルを持った電磁波と、Ｂ−Ｂ’に垂直方向の波数ベクトルを持った電磁波は、同一の周波数帯にバンドギャップを持つため、異方性の比較的小さい特性を実現することができる。異方性が小さいことは伝播方向が特定できないノイズ等を抑制するフィルターとして応用する場合に非常に重要である。このように、構造５ｂの採用により、バンドギャップの面内異方性がインダクタンス要素の面内異方性に依存しないＥＢＧ構造を提供することができ、その結果、広帯域かつ異方性の小さいバンドギャップを有したＥＢＧ構造を低コストに提供することができる。
【００３７】
図８は、本発明の構造の第３の実施例の平面図である。図９は、本発明の構造の第３の実施例の底面図である。
【００３８】
構造５ｃは、パッチ側連結配線１１及びプレーン側連結配線１２がミアンダ配線である。なお、構造５ｃでは、パッチ側連結配線１１及びプレーン側連結配線１２のいずれもがミアンダ配線であるが、本発明においては、少なくともいずれか一方がミアンダ配線であればよい。
【００３９】
構造５ｃは、上述のとおり、パッチ側連結配線１１とプレーン側連結配線１２として図８、図９のようにミアンダ配線を採用してインダクタンス成分Ｌを増加させた構造である。ミアンダ配線を採用することにより、同一の単位構造実装面積でより大きなインダクタンス成分Ｌを実現することができ、広帯域なバンドギャップを有する小型のＥＢＧ構造を提供することができる。
【００４０】
図１０は、本発明の構造の第４の実施例の平面図である。図１１は、本発明の構造の第４の実施例の底面図である。
【００４１】
構造５ｄは、パッチ側連結配線１１及びプレーン側連結配線１２がスパイラルインダクタである。なお、構造５ｄでは、パッチ側連結配線１１及びプレーン側連結配線１２のいずれもがスパイラルインダクタであるが、本発明においては、少なくともいずれか一方がスパイラルインダクタであればよい。
【００４２】
構造５ｄは、パッチ側連結配線１１とプレーン側連結配線１２として図１０、図１１のようにスパイラルインダクタを採用してインダクタンス成分Ｌを増加させた構造である。スパイラルインダクタを採用することにより、同一の単位構造実装面積でより大きなインダクタンス成分Ｌを実現することができ、広帯域なバンドギャップを有する小型のＥＢＧ構造を提供することができる。
【００４３】
なお、構造５ｃ，５ｄにおいては、パッチ側クリアランス１０、プレーン側クリアランス１３の両方にミアンダ配線を採用した場合と、両方にスパイラルインダクタを採用した場合を示したが、例えばパッチ側クリアランス１０にはミアンダ配線を採用し、プレーン側クリアランス１３にはスパイラルインダクタを採用するような組み合わせも考えられる。
【００４４】
図１２は、本発明の構造の第５の実施例の平面図である。図１３は、本発明の構造の第５の実施例の底面図である。
【００４５】
構造５ｅは、パッチ側連結配線１１及びプレーン側連結配線１２にチップインダクタが直列に接続されている。なお、構造５ｅでは、パッチ側連結配線１１及びプレーン側連結配線１２のいずれもにチップインダクタが直列に接続されているが、本発明においては、少なくともいずれか一方にチップインダクタが直列に接続されていればよい。
【００４６】
構造５ｅは、上述のとおり、パッチ側連結配線１１とプレーン側連結配線１２に、図１２、図１３のようにチップインダクタを直列に挿入することでインダクタンス成分Ｌを増加させた構造である。チップインダクタを採用することにより、同一の単位構造実装面積でより大きなインダクタンス成分Ｌを実現することができ、広帯域なバンドギャップを有する小型のＥＢＧ構造を提供することができる。
【００４７】
図１４は、本発明の構造の第６の実施例の断面図である。
【００４８】
構造５ｆは、金属パッチ２の上に設けられた第２の誘電体層１４と、第２の誘電体層１４の上に設けられる第２の金属プレーン１５と、をさらに有する。
【００４９】
構造５ｆは、第１〜第５の実施例の構造において金属パッチ２の上にさらに第２の誘電体層１４を配置し、第２の誘電体層１４の金属パッチ２と面していない面に第２の金属プレーン１５が配置された構造である。構造５ｆでは、金属プレーン３と第２の金属プレーン１５との間を伝播する平行平板モードの電磁波と、金属プレーン３と金属パッチ２との間を伝播する電磁波との間に、モード結合が生じることにより、バンドギャップをより広帯域にすることができる。また構造５ｆによれば、例えばプリント基板やデバイスパッケージ基板において、金属プレーン３と第２の金属プレーン１５をそれぞれ電源プレーンとグランドプレーンとして使用する場合に、電源プレーンとグランドプレーン間に伝播するノイズの伝播を抑制することができる。
【００５０】
図１５は、本発明のプリント基板の第１の実施例の平面図である。
【００５１】
プリント基板６は、構造５ａを備えている。具体的には、プリント基板６においては、デジタル系回路１６とアナログ系回路１７とが隣り合って配置されており、デジタル系回路１６とアナログ系回路１７との間に、構造５ａが設けられている。これにより、層数を増やすことなくインダクタンス成分を増加させることで広帯域なバンドギャップを低コストかつ小型に実現した構造を採用したプリント基板６を提供することができる。より具体的には、層数を増やすことなく小さい実装面積でインダクタンス成分を増大させることができるため、広帯域なバンドギャップを有した構造５ａを低コストかつ小型に実現することができ、こうした構造５ａを採用したプリント基板６を提供することができる。
【００５２】
図１６は、本発明のプリント基板の第２の実施例の平面図である。図１７は、図１６のＣ−Ｃ’断面での断面図である。図１６においては、プリント基板７は、構造５ｆを備えるものであるが、説明の便宜から、第２の金属プレーン１５を透視して、複数の、金属パッチ２、第１ビア４ａ、第２ビア４ｂ、第３ビア４ｃ、パッチ側クリアランス１０、及びパッチ側連結配線１１を示している。
【００５３】
プリント基板７は、構造５ｆを備えている。具体的には、プリント基板７においては、共通のグランドプレーン及び電源プレーンを使用するデジタル系回路２０とアナログ系回路２１とが隣り合って配置されており、デジタル系回路２０とアナログ系回路２１との間に、構造５ｆが設けられている。これにより、層数を増やすことなくインダクタンス成分を増加させることで広帯域なバンドギャップを低コストかつ小型に実現した構造を採用したプリント基板７を提供することができる。より具体的には、層数を増やすことなく小さい実装面積でインダクタンス成分を増大させることができるため、広帯域なバンドギャップを有した構造５ｆを低コストかつ小型に実現することができ、こうした構造５ｆを採用したプリント基板７を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の構造の第１の実施例の平面図である。
【図２】本発明の構造の第１の実施例の底面図である。
【図３】図１，２のＡ−Ａ’断面での断面図である。
【図４】本発明の構造の第２の実施例の平面図である。
【図５】本発明の構造の第２の実施例の底面図である。
【図６】図４，５のＢ−Ｂ’断面での断面図である。
【図７】本発明の構造の第２の実施例の等価回路を示した回路図である。
【図８】本発明の構造の第３の実施例の平面図である。
【図９】本発明の構造の第３の実施例の底面図である。
【図１０】本発明の構造の第４の実施例の平面図である。
【図１１】本発明の構造の第４の実施例の底面図である。
【図１２】本発明の構造の第５の実施例の平面図である。
【図１３】本発明の構造の第５の実施例の底面図である。
【図１４】本発明の構造の第６の実施例の断面図である。
【図１５】本発明のプリント基板の第１の実施例の平面図である。
【図１６】本発明のプリント基板の第２の実施例の平面図である。
【図１７】図１６のＣ−Ｃ’断面での断面図である。
【符号の説明】
【００５５】
１  誘電体層
２，２ａ，２ｂ，２ｃ  金属パッチ
３  金属プレーン
４ａ  第１ビア
４ｂ  第２ビア
４ｃ  第３ビア
５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅ，５ｆ  構造
６，７  プリント基板
９  単位接続体
１０，１０ａ，１０ｂ，１０ｃ  パッチ側クリアランス
１１  パッチ側連結配線
１２  プレーン側連結配線
１３  プレーン側クリアランス
１４  第２の誘電体層
１５  第２の金属プレーン
１６，２０  デジタル系回路
１７，２１  アナログ系回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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