(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶を挟持した第１基板及び第２基板を有し、
前記第１基板の前記液晶側には、
表示領域にマトリクス状に互いに絶縁された状態で配置された複数の走査線及び信号線と、
前記複数の走査線及び信号線の交差部近傍に設けられたスイッチング素子と、
複数のサブ画素と、を備え、
前記サブ画素毎に反射表示を行う反射領域と透過表示を行う透過領域とが設けられた半透過液晶表示装置であって、
前記サブ画素毎に第１電極と該第１電極の表面に絶縁膜を介して積層された第２電極が形成されており、
前記第１電極は前記透過領域と前記反射領域の両領域に跨って配置されており、
前記第２電極は、互いに平行に延びる複数のスリット状開口と、複数の前記スリット状開口の延びる方向の少なくとも一方の端を互いに連結するように連続して形成された電極連結部と、該電極連結部から延在して前記スリット状開口を形成している枝部とを有し、リバースツイストドメインによる異常配向が生じる前記電極連結部が前記反射領域の中のみであって前記信号線に沿って前記透過領域から離れた位置に形成され、前記枝部が前記走査線に沿って平行又は前記走査線と予め定めた一定角度傾いて形成されている液晶表示装置。
【請求項２】
前記反射領域は、偏光反射板を備えている請求項１に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半透過型液晶表示装置に関し、特に透過領域と反射領域とを備えた横電界方式の半透過型液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置の一形態として、同一基板平面に形成された２つの電極間で電界を印加して液晶分子の配向制御を行う方式（以下、「横電界方式」と称する）のものが知られている。この横電界方式のものとしては、液晶に電界を印加する電極の形態によりＩＰＳ（In-Plane Switching）方式、ＦＦＳ（Fringe Field Switching）方式等と呼ばれるものが知られている。また最近では、横電界方式による広視野角化を目的として、半透過反射型の液晶表示装置に横電界方式を適用することが提案されている（例えば特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００３−３４４８３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで、携帯電話器等の携帯情報端末では、明るさが異なる種々の環境下で使用されることから、半透過反射型液晶表示装置がその表示部として用いられている。このうち横電界により液晶を駆動する方式の半透過反射型液晶表示装置において水平電界を発生させる透明電極に電極連結部を備えたいわゆる櫛型の電極構成のものにおいては、その電極連結部となる電極端において、リバースツイストドメインが発生する。このリバースツイストドメインが発生すると、電界が乱れるため、液晶の駆動制御が不安定になり、コントラストの低下を招く。このリバースツイストドメインの発生原理を図１０Ａ及び図１０Ｂを用いて説明する。
【０００４】
図１０ＡはＦＦＳモードの液晶表示装置の上電極における１個のスリット状開口の端部部分の電圧無印加時の模式拡大平面図であり、図１０Ｂは電圧印加時の模式拡大平面図である。図１１Ａ〜図１１Ｅはそれぞれスリット状開口の境界の方向とラビング方向Ｙとのなす角度φの関係を示す図である。
【０００５】
このＦＦＳモードの液晶表示装置の上電極９１には、スリット状開口９２が例えば斜め方向に傾いて形成されている。このスリット状開口９２の底部には絶縁膜が存在しており、更にこの絶縁膜の下部には下電極が存在している。ここで、配向膜に対するラビング方向を図１０ＡにおけるＹ方向とすると、電圧無印加時には液晶分子９３ａはラビング方向Ｙに配列している。この状態で上電極９１と下電極との間に駆動電圧が印加されると、図１０Ｂに示したように、上電極９１と下電極との間に、スリット状開口９２の境界に垂直な方向に電界Ｅが生じ、この電界Ｅに対応して液晶分子９３ａが例えば所定角度θだけ水平回転する。
【０００６】
電界Ｅの方向は、スリット状開口９２の長辺９４ａ側及び９４ｂ側ではそれぞれ同一方向であるが、スリット状開口９２の端部９５側では、スリット状開口９２の一方の長辺側９４ａ側から他方の長辺９４ｂ側にかけて連続的に１８０°変化している。そのため、スリット状開口９２の端部９５側においては、上電極９１と下電極との間に駆動電圧が印加された際、液晶分子の配向方向が右方向にも左方向にも回転し得る異常配向領域が存在する。
【０００７】
すなわち、図１１Ａに示すように、配向膜のラビング方向をＹとし、上電極９１のスリット状開口９２の長手方向をＺとし、ＺからＹへ向かう鋭角部分の角度方向を正とすると、スリット状開口９２の位置Ａでは、スリット状開口９２の境界の方向とラビング方向Ｙとのなす鋭角部分の角度φは正（φ>０°）となる。また、図１１Ｂに示したスリット状開口９２の位置Ｂでは、スリット状開口９２の境界の方向とラビング方向Ｙとが平行となり、φ＝０°となる。更に、図１１Ｃに示したスリット状開口９２の位置Ｃでは、スリット状開口９２の位置Ｃからラビング方向Ｙへ向かう鋭角部分の角度φは、図１１Ａに示した位置Ａの場合とは逆方向になるので、φは負（φ<０°）となる。同様に、図１１Ｄに示したスリット状開口９２の位置Ｄではφ＝±９０°となり、更に、図１１Ｄに示したスリット状開口９２の位置Ｅでは、スリット状開口９２の境界の方向とラビング方向Ｙとの間の鋭角部分の角度φは、図１１Ａに示した位置Ａと同じ方向であるので、正（φ>０°）となる。
【０００８】
そのため、スリット状開口９２の端部９５側においては、図１１Ｂに示した位置Ｂと図１１Ｄに示した位置Ｄとの間が、上電極９１と下電極との間に駆動電圧が印加された際、液晶分子の配向方向が右方向にも左方向にも回転し得る異常配向領域となる。このようなスリット状開口９２の端部９５側に生じる異常配向領域はリバースツイストドメインと称されている。従来のＦＦＳモードの液晶表示装置では、リバースツイストドメインは正常な画像表示ができないため、このリバースツイストドメインを遮光部材で遮光するようにしている。しかしながら、リバースツイストドメインを遮光部材で遮光すると、開口率の損失が生じる。
【０００９】
発明者等は、このようなリバースツイストドメインを遮光しなくてもすむ構成について種々検討を重ねた。その結果、このようなリバースツイストドメインを反射領域として利用すると、バックライトからの光が前記リバースツイストドメインを透過することができないため、観察者の目に入らないことを見出し、本発明を完成するに至ったのである。
【００１０】
すなわち、本発明は、横電界方式の液晶表示装置において、リバースツイストドメインの発生する部分を遮光せず、反射領域として有効に活用することによって、開口率の損失を生じることがなく、明るい表示が可能な横電界方式の半透過型液晶表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するため、本発明の液晶表示装置は、液晶を挟持した第１基板及び第２基板を有し、前記第１基板の前記液晶側には、表示領域にマトリクス状に互いに絶縁された状態で配置された複数の走査線及び信号線と、前記複数の走査線及び信号線の交差部近傍に設けられたスイッチング素子と、複数のサブ画素と、を備え、前記サブ画素毎に反射表示を行う反射領域と透過表示を行う透過領域とが設けられた半透過液晶表示装置であって、前記サブ画素毎に第１電極と該第１電極の表面に絶縁膜を介して積層された第２電極が形成されており、前記第１電極は前記透過領域と前記反射領域の両領域に跨って配置されており、前記第２電極は、互いに平行に延びる複数のスリット状開口と、複数の前記スリット状開口の延びる方向の少なくとも一方の端を互いに連結するように連続して形成された電極連結部と、該電極連結部から延在して前記スリット状開口を形成している枝部とを有し、リバースツイストドメインによる異常配向が生じる前記電極連結部が前記反射領域の中のみであって前記信号線に沿って前記透過領域から離れた位置に形成され、前記枝部が前記走査線に沿って平行又は前記走査線と予め定めた一定角度傾いて形成されている。
【００１２】
本発明の液晶表示装置においては、第２電極の電極連結部が、反射領域の中の透過領域から離れた位置に配置されることになるので、バックライトからの光は反射領域に配置された反射板によって遮光されるため、リバースツイストドメイン領域が観察されなくなる。しかも、反射領域はコントラストが弱いため、反射表示時にはリバースツイストドメインは目立たなくなる。そのため、本発明の液晶表示装置によれば、電極連結部に生ずるリバースツイストドメインによる異常配向が透過領域に生じることがなく、しかも、電極連結部を含む領域を反射領域として利用しているので、開口率の損失を生じることがなく、明るい表示が可能な液晶表示装置が得られる。
【００１６】
本発明の液晶表示装置によれば、反射領域の形成箇所及び面積を任意に決定できるため、所望の透過領域対反射領域比を達成することができ、色々な表示特性を備えた液晶表示装置が得られる。
【００１７】
また、本発明の液晶表示装置においては、前記反射領域は、偏光反射板を備えていることが好ましい。
【００１８】
反射領域を偏光反射板とすると、外光の反射機能と偏光機能とを同時達成でき、しかも、偏光反射板は反射率が高いため、構成が簡単で明るい表示が可能な半透過型液晶表示装置となる。なお、このような偏光反射板としては、例えばワイヤーグリッド型偏光板を使用し得る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、図面を参照して本発明の最良の実施形態を説明する。但し、以下に示す実施形態は、本発明の技術思想を具体化するための液晶表示装置を例示するものであって、本発明をこの液晶表示装置に特定することを意図するものではなく特許請求の範囲に含まれるその他の実施形態のものにも等しく適応し得るものである。また、この明細書における説明のために用いられた各図面においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせて表示しており、必ずしも実際の寸法に比例して表示されているものではない。
【００２０】
図１は、第１の実施形態の半透過型液晶表示装置の１サブ画素分の平面図である。図２は図１のII−II線に沿った模式断面図である。図３は図１のIII−III線に沿った模式断面図である。図４は第１の実施形態の半透過型液晶表示装置の動作原理の説明図である。図５は第１の変形例の半透過型液晶表示装置の１サブ画素分の平面図である。図６は第２の変形例の半透過型液晶表示装置の１サブ画素分の平面図である。図７は第３の変形例の半透過型液晶表示装置の１サブ画素分の平面図である。図８は第４の変形例の半透過型液晶表示装置の１サブ画素分の平面図である。図９は第５の変形例の半透過型液晶表示装置の１サブ画素分の平面図である。
【００２１】
［第１の実施形態］
第１実施形態に係る半透過型液晶表示装置について図１〜図４を参照して説明する。この第１の実施形態の液晶表示装置１０Ａは、本発明の第１基板に対応するアレイ基板ＡＲと、本発明の第二基板に対応するカラーフィルタ基板ＣＦとを備えている。アレイ基板ＡＲは、ガラス基板等の第１の透明基板１１の表示領域の表面にマトリクス状に複数の走査線１２及び信号線１３が互いにゲート絶縁膜１４で絶縁された状態で交差するように形成されている。更に、表示領域には、それぞれ独立して駆動される複数のサブ画素が形成されていると共に、サブ画素毎にスイッチング素子として例えばＴＦＴが形成されている。また、表示領域の周縁部にはコモン配線（図示省略）が形成されている。更に、ＴＦＴを含む第１の透明基板１１の表面全体に亘って例えば窒化ケイ素層ないし酸化ケイ素層からなるパッシベーション膜１５が被覆されている。
【００２２】
そして、パッシベーション膜１５の表面には有機材料からなる平坦化膜１６が形成されており、平坦化膜１６及びパッシベーション膜１５にはＴＦＴのドレイン電極Ｄに対応する位置にコンタクトホール１７が形成されている。そして、平坦化膜１６の表面には、それぞれの画素領域に一部がＩＴＯないしＩＺＯ等の透明導電性材料からなる本発明の第１電極に対応する下電極１８形成されており、この下電極１８はコンタクトホール１７を経てＴＦＴのドレイン電極Ｄに電気的に接続されている。従って、第１の実施形態の液晶表示装置１０Ａでは、下電極１８は画素電極として機能する。そして、この下電極１８の一部分と平坦化膜１６の間には偏光反射板２２が形成されており、この偏光反射板２２が形成されていない下電極１８の部分が透過領域を形成し、偏光反射板２２が形成されている部分が反射領域１０ｂを形成する。なお、この偏光反射板２２の構成については後述する。
【００２３】
更に、下電極１８が形成された第１の透明基板１１の表面全体に亘って窒化ケイ素層ないし酸化ケイ素層からなる絶縁膜１９が形成されている。この絶縁膜１９の表面には、それぞれの画素に互いに平行に伸びる複数のスリット状開口２０を有する本発明の第２電極に対応する上電極２１が形成されている。この上電極２１はＩＴＯないしＩＺＯ等の透明導電性材料で形成されており、表示領域の周縁部で図示しないコモン配線に電気的に接続されている。従って、第１の実施形態の液晶表示装置１０Ａでは、上電極２１は対向電極として機能する。なお、下電極１８及び上電極２１のうち、どちらをＴＦＴのドレイン電極Ｄと接続するか及びどちらをコモン配線と接続するかは任意である。そして、上電極２１の表面及びスリット状開口２０内には第１の配向膜２４が形成されている。
【００２４】
また、カラーフィルタ基板ＣＦは、図２及び図３に示したように、ガラス基板等の第２の透明基板２５の表面に、アレイ基板ＡＲの走査線１２、信号線１３、コンタクトホール１７及びＴＦＴに対応する位置を被覆するように遮光膜２６が形成されている。更に、遮光膜２６で囲まれた第２の透明基板２５の表面には、所定の色のカラーフィルタ層２７が形成されている。また、遮光膜２６及びカラーフィルタ層２７の表面を被覆するようにオーバーコート層２８が形成されている。そして、オーバーコート層２８の表面には第２の配向膜２９が形成されている。このカラーフィルタ基板ＣＦの配向膜とアレイ基板ＡＲの配向膜のラビング方向は、平面視で同一方向であるが、上電極２１に形成されるスリット状開口２０に対して５°〜１０°程度傾いているようになされる。
【００２５】
そして、組立時には、アレイ基板ＡＲの下電極１８及び上電極２１とカラーフィルタ基板ＣＦのカラーフィルタ層２６とが互いに対向するように、アレイ基板ＡＲとカラーフィルタ基板ＣＦが対向され、その間に液晶３０が封入される。更に、アレイ基板ＡＲの外側に第１の偏光板３１及びバックライト装置（図示省略）が配置され、カラーフィルタ基板ＣＦの外側に第２の偏光板３２が配置されて第１の実施形態の半透過型液晶表示装置１０Ａが完成される。
【００２６】
なお、第１の実施形態の半透過型液晶表示装置１０Ａで使用した偏光反射板２２は、ワイヤーグリッド形偏光板として周知のものである。この偏光反射板２２は、アルミニウム等の光反射性の金属膜を主体とし構成されており、金属膜には所定のピッチでストライプ状をなす複数の微細なスリットが互いに平行に同一幅で形成されている。これらのスリットの幅は３０ｎｍ〜３００ｎｍ程度であり、複数のスリットが所定ピッチで形成された結果線状とされた金属膜の線幅は３０ｎｍ〜３００ｎｍ程度である。この偏光反射板２２は、その上面側から光が入射するとスリットの長さ方向に平行な偏光成分は反射光として反射され、スリットの幅方向に平行な偏光成分は透過光として透過される。すなわち、偏光反射板２２は、スリットの延在方向に平行な反射軸と、この反射軸と直交する方向の透過軸とを有するものである。
【００２７】
ここで、第１の実施形態の半透過型液晶表示装置１０Ａの動作を図４を用いて説明する。液晶表示装置１０Ａにおいて、バックライトＢＬから射出された光は、第１の偏光板３１を透過することで第１の偏光板３１の透過軸３１ａに平行な直線偏光に変換されて下電極１８に入射し、下電極１８の透過領域１０ａを透過して液晶３０に入射する。そして、半透過型液晶表示装置１０Ａがオン状態（上電極２１と下電極１８との間に駆動電圧が印加された状態）であれば、上記入射光は液晶３０により所定の位相差（λ／２）を付与され、第２の偏光板３２の透過軸３２ａと平行な直線偏光に変換される。これにより第２の偏光板３２を透過した光が表示光として視認され、このサブ画素は明表示となる。
【００２８】
一方、液晶３０がオフ状態（上記駆動電圧が印加されていない状態）であれば、入射光はその偏光状態を維持したまま第２の偏光板３２に達し、この入射光と平行な吸収軸（透過軸３２ａと直交する光学軸）を有する第２の偏光板３２に吸収され、このサブ画素は、暗表示となる。なお、第１の偏光板３１を透過して偏光反射板２２に入射した光は、この直線偏光と平行な反射軸を有する偏光反射板２２によって反射されるので、液晶３０に入射することなくバックライトＢＬ側へ戻される。このようにして、１サブ画素内における明表示と暗表示とが液晶３０のオン・オフによりなされる。
【００２９】
次に、図４の左側の反射領域１０ｂの動作について説明する。反射領域１０ｂでは、第２の偏光板３２の上方（外側）から入射した光は、第２の偏光板３２を透過することで第２の偏光板３２の透過軸３２ａに平行な直線偏光に変換されて液晶３０に入射する。このとき半透過型液晶表示装置１０Ａがオン状態であれば、外部からの入射光は、液晶３０により所定の位相差（λ／２）を付与されて偏光反射板２２に入射する。一方、偏光反射板２２は、第２の偏光板３２の透過軸３２ａと平行な透過軸２２ａと、それに直交する反射軸を有しているので、オン状態の液晶３０を透過して偏光反射板２２に入射した光は、その偏光状態を保持したまま反射される。再度液晶３０に入射した反射光は、液晶３０の作用により入射時の偏光状態（第２の偏光板３２の透過軸と平行な直線偏光）に戻されて第２の偏光板３２に入射する。これにより第２の偏光板３２を透過した反射光が表示光として視認され、このサブ画素は明表示となる。
【００３０】
一方、液晶３０がオフ状態であれば、第２の偏光板３２から液晶３０に入射した光は、その偏光状態を維持したまま偏光反射板２２に入射し、この光と平行な透過軸２２ａを有する偏光反射板２２を透過する。そして、この光と平行な吸収軸を有する第１の偏光板３１によって吸収され、このサブ画素は暗表示となる。このようにして、反射領域１０ｂでも１サブ画素内における明表示と暗表示とが液晶３０のオン／オフによりなされる。
【００３１】
なお、偏光反射板２２に換えて金属製の反射板や半透過偏光反射板を用いることも考えられるが、金属反射膜を用いた場合、反射表示において液晶３０のオン／オフに関わらず、明表示となり正常な表示が行えないし、また半透過偏光反射板を表示領域全体に設けた場合、透過表示において設定される直線偏光の透過率に応じてコントラストが設定されることになり、偏光反射板２２を用いた場合と比するとコントラストは低くなる。
【００３２】
この偏光反射板２２は、図１に示したように、１サブ画素分の一方の信号線１３側に沿って形成されている。そして上電極２１は、透過領域１０ａから最も離間している信号線１３に沿って偏光反射板２２に重複するように形成された電極連結部２１ａと、この電極連結部２１ａから反射領域１０ｂを経て透過領域１０ａに延在する複数の枝部２１ｂとから形成されている。このような構成とすると、リバースツイストドメインとなる上電極２１の電極連結部２１ａとスリット状開口２０との境界部が反射領域１０ｂに形成されていることになる。
【００３３】
このようにリバースツイストドメインが発生する領域を反射領域１０ｂに配置することによって、バックライトからの光は反射領域１０ｂに配置された偏光反射板２２によって遮光されるため、リバースツイストドメイン領域が観察されなくなる。
【００３４】
しかも、反射領域１０ｂはコントラストが弱いため、反射表示時にはリバースツイストドメインは目立たなくなる。また、上電極２１の電極連結部２１ａが、透過領域１０ａから離間した位置の反射領域１０ｂに形成されているので、電極連結部２１ａ近傍に生ずるリバースツイストドメインによる異常配向が透過領域１０ａにおいて視認される可能性がさらに低減される。
【００３５】
従って、第１の実施形態の半透過型液晶表示装置１０Ａによれば、透過領域１０ａを利用して表示するときはコントラストが高く、良好な表示画質が得られるようになり、しかも、電極連結部２１ａを含む領域を反射領域１０ｂとして利用しているので、開口率の損失を生じることがなく、明るい表示が可能な横電界方式の半透過型液晶表示装置１０Ａが得られる。なお、上記第１の実施形態の半透過型液晶表示装置１０Ａでは、上電極２１の枝部２１ａが透過領域１０ａから離間している位置に形成された例を示したが、枝部２１ａが透過領域１０ａのみに形成されているようにしてもよい。
【００３６】
［変形例］
上記第１の実施形態の半透過型液晶表示装置１０Ａでは、上電極２１の枝部２１ａが走査線１２に沿って伸びているが、走査線１２に対して傾いて形成された例を示した。しかしながら、本発明の半透過型液晶表示装置においては、上電極２１の構成として横電界方式の液晶表示装置で採用されている種々の構成を取ることができる。このような本発明で使用し得る上電極２１の変形例の構成を図５〜図８を用いて説明する。ただし、図５〜図８に示す変形例の構成は、第１の実施形態の半透過型液晶表示装置１０Ａのものと上電極２１及び偏光反射板２２の構成が相違する以外は実質的に同様の構成を備えているので、上電極２１及び偏光反射板２２以外の構成部分、例えば走査線、信号線、ＴＦＴ等についての図示は省略する。
【００３７】
図５は第１の変形例の半透過型液晶表示装置１０Ｂの１サブ画素分の上電極２１及び偏光反射板２２の構成を示す平面図である。この第１の変形例の半透過型液晶表示装置１０Ｂでは、上電極２１の電極連結部２１ａ及び偏光反射板２２が一方の信号線に沿って形成されている点では第１の実施形態の半透過型液晶表示装置１０Ａの場合と同様である。ただ、枝部２１ｂを反射領域１０ｂを経て走査線に沿って平行に透過領域１０ａにまで延在させた点で第１の実施形態の半透過型液晶表示装置１０Ａと構成が相違している。この第１の変形例の半透過型液晶表示装置１０Ｂにおいても、第１の実施形態の半透過型液晶表示装置１０Ａと同様の効果を奏する。
【００３８】
図６は第２の変形例の半透過型液晶表示装置１０Ｃの１サブ画素分の上電極２１及び偏光反射板２２の構成を示す平面図である。この第２の変形例の半透過型液晶表示装置１０Ｃでは、上電極２１の電極連結部２１ａ及び偏光反射板２２は一方の走査線に沿って形成されており、枝部２１ｂは反射領域１０を経て信号線に沿って平行に透過領域にまで延在させたものである。この第２の変形例の半透過型液晶表示装置１０Ｃにおいても、第１の実施形態の半透過型液晶表示装置１０Ａと同様の効果を奏する。
【００３９】
図７は第３の変形例の半透過型液晶表示装置１０Ｄの１サブ画素分の上電極２１及び偏光反射板２２の構成を示す平面図である。この第３の変形例の半透過型液晶表示装置１０Ｄでは、上電極２１の電極連結部２１ａは一方の信号線１３に沿って形成されているが、偏光反射板２２は、一方の信号線に沿うと共に、一方の走査線に沿っても形成されており、実質的にＬ字状とされている。そして、枝部２１ｂを反射領域１０ｂを経て走査線に沿って平行に透過領域１０ｂにまで延在させたものである。この第３の変形例の半透過型液晶表示装置１０Ｄにおいても、第１の実施形態の半透過型液晶表示装置１０Ａと同様の効果を奏する。この第３の変形例は、特に反射表示が多用される用途に有効である。
【００４０】
図８は第４の変形例の半透過型液晶表示装置１０Ｅの１サブ画素分の上電極２１及び偏光反射板２２の構成を示す平面図である。この第４の変形例の半透過型液晶表示装置１０Ｅでは、上電極２１の電極連結部２１ａは一方の走査線に沿って形成されているが、偏光反射板２２は、一方の信号線に沿うとともに、一方の走査線に沿っても形成されており、実質的にＬ字状とされている。そして、枝部２１ｂを反射領域１０ｂを経て信号線に沿って平行に透過領域１０ｂにまで延在させたものである。この第４の変形例の半透過型液晶表示装置１０Ｅにおいても、第１の実施形態の半透過型液晶表示装置１０Ａと同様の効果を奏する。この第４の変形例は、特に反射表示が多用される用途に有効である。
【００４１】
図９は第５の変形例の半透過型液晶表示装置１０Ｆの１サブ画素分の上電極２１及び偏光反射板２２の構成を示す平面図である。この第４の変形例の半透過型液晶表示装置１０Ｆでは、上電極２１の電極連結部２１ａ及び偏光反射板２２は１サブ画素の両方の走査線に沿って２箇所に形成されており、そして、枝部２１ｂを反射領域１０ｂを経て信号線に沿って平行に透過領域１０ｂにまで両方の電極連結部２１ａから延在させて透過領域１０ａで一体としたものである。この第４の変形例の半透過型液晶表示装置１０Ｆにおいても、第１の実施形態の半透過型液晶表示置１０Ａと同様の効果を奏する。この第５の変形例も、特に反射表示が多用される用途に有効である。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】第１の実施形態の半透過型液晶表示装置の１サブ画素分の平面図である。
【図２】図１のII線に沿った模式断面図である。
【図３】図１のIII−III線に沿った模式断面図である。
【図４】第１の実施形態の半透過型液晶表示装置の動作原理の説明図である。
【図５】第１の変形例の半透過型液晶表示装置の１サブ画素分の平面図である。
【図６】第２の変形例の半透過型液晶表示装置の１サブ画素分の平面図である。
【図７】第３の変形例の半透過型液晶表示装置の１サブ画素分の平面図である。
【図８】第４の変形例の半透過型液晶表示装置の１サブ画素分の平面図である。
【図９】第５の変形例の半透過型液晶表示装置の１サブ画素分の平面図である。
【図１０】図１０ＡはＦＦＳモードの液晶表示装置の上電極における１個のスリット状開口の端部部分の電圧無印加時の模式拡大平面図であり、図１０Ｂは電圧印加時の模式拡大平面図である。
【図１１】図１１Ａ〜図１１Ｅはそれぞれスリット状開口の境界の方向とラビング方向Ｙとのなす角度φの関係を示す図である。
【符号の説明】
【００４３】
１０Ａ〜１０Ｆ：半透過型液晶表示装置  １０ａ：透過領域  １０ｂ：反射領域  １１：第１の透明基板  １２：走査線  １３：信号線  ：１４：ゲート絶縁膜  １５：パッシベーション膜  １６：平坦化膜  １７：コンタクトホール  １８：下電極  ：１９：絶縁膜  ２０：スリット状開口  ２１：上電極  ２１ａ：電極連結部  ２１ｂ：枝部  ２２：偏光反射板  ２４：第１の配向膜  ２５：第２の透明基板  ２６：遮光膜  ２７：カラーフィルタ層  ２８：オーバーコート層  ２９：第２の配向膜  ３０：液晶  ３１：第１の偏光板  ３２：第２の偏光板
【図１】
0005247188.tif 000002
【図２】
0005247188.tif 000003
【図３】
0005247188.tif 000004
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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