(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板上に設けられた複数のセンサエレメントと、前記基板上面を覆う保護膜と、前記保護膜の下層に形成された金属配線と、前記保護膜に形成される開口部により前記金属配線が露出されて形成されるボンディングパッドとを備え、物理変化に応じて複数のセンサエレメントの各々の電気抵抗値が変化することに基づいて物理変化を検出するセンサ装置において、
前記基板は、前記基板の中心点と前記基板の対向する各辺の中点とを通る中心線と、対角線とを有し、
前記開口部は、前記中心線上又は前記対角線上に設けられた複数の第１開口部と、前記中心線上及び前記対角線上にない複数の第２開口部とを有し、
前記第２開口部は各々、前記中心線に対して線対称に設けられており、
前記第２開口部を前記対角線に対して線対称とした位置に第３開口部が、前記保護膜に形成されてなることを特徴とするセンサ装置。
【請求項２】
前記第３開口部は、その下層に形成された金属配線を露出させるかたちで形成されてなることを特徴とする請求項１に記載のセンサ装置。
【請求項３】
前記第３開口部の下層に形成された金属配線が前記各センサエレメントに接続されたことを特徴とする請求項２に記載のセンサ装置。
【請求項４】
前記金属配線が、前記基板の中心点を中心として点対称となるかたちで形成されてなることを特徴とする請求項３に記載のセンサ装置。
【請求項５】
前記センサエレメントの各々が、前記基板の中心点を中心として点対称となるかたちで形成されてなることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載のセンサ装置。
【請求項６】
前記複数のセンサエレメントによって２つ以上のフルブリッジ回路が形成されてなることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載のセンサ装置。
【請求項７】
前記保護膜が、前記センサエレメントの周囲に沿って除去されてなることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１つに記載のセンサ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、物理変化を検出するセンサ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、自動車においては、ステアリングホイールの回転角度を検出するステアリングアングルセンサとして磁気センサが用いられている。この種の磁気センサとしては、例えば特許文献１に開示されている。この磁気センサを、図６に従って説明する。
【０００３】
図６に示すように、磁気センサ１００は、４つの磁気抵抗素子１０１〜１０４によりホイートストーンブリッジが構成されたものである。そして、磁気センサ１００に対して磁界の方向が所定方向の時、磁気抵抗素子１０１，１０２間のノードＮ１と、磁気抵抗素子１０３，１０４間のノードＮ２との間の電圧（ブリッジの各中点電位Ｅ１，Ｅ２の差であるオフセット電圧Ｅ１２）が０Ｖに近いセンサほど、磁気センサとして高性能であることが知られている。すなわち、磁気抵抗素子１０１の電気抵抗値をＲ１１、磁気抵抗素子１０２の電気抵抗値をＲ１２、磁気抵抗素子１０３の電気抵抗値をＲ１３、磁気抵抗素子１０４の電気抵抗値をＲ１４としたとき、「Ｒ１１＝Ｒ１４＝Ｒ１２＝Ｒ１３」の関係式が成り立つことが最も好ましい。ここで、磁気センサ１００は、オフセット電圧Ｅ１２を０Ｖに近づけるために、すなわち上記関係式を成り立たせるために、磁気抵抗素子１０１〜１０４の各々において、電気抵抗値Ｒ１１〜Ｒ１４の各々が互いに等しくなるような所要のパターンが予め設定されている。
【特許文献１】特開２００４−１８４０９０号公報（第７図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、この種の磁気センサは、シリコン等からなる基板上に、各磁気抵抗素子及び各磁気抵抗素子と電源等とを接続するボンディングパッドが形成される。そして、基板上に形成される磁気抵抗素子は、窒化膜等からなる保護膜によって外乱から保護されている。しかし、基板や保護膜等が外部から加わる応力などによって変形すると、磁気抵抗素子にも応力が加わって変形し、磁気抵抗素子の電気抵抗値が変化する。ここで、各磁気抵抗素子に加わる応力の大きさや方向が各素子間で異なると、各磁気抵抗素子の電気抵抗値が互いに異なる度合で変化するため、時間の経過に伴って磁気センサの性能が低下する。とくに磁気センサ１００のようにブリッジ回路から構成される場合には、各磁気抵抗素子１０１〜１０４の電気抵抗値Ｒ１１〜Ｒ１４が互いに異なる度合で変化すると、ホイートストーンブリッジの平衡が維持されず、オフセット電圧が「０Ｖ」から、やがて磁気センサの性能を決定する上で無視できない程のレベルへと変化する。その結果、この磁気センサでは、外部磁界の大きさを精度良く検出することができなくなるという問題がある。
【０００５】
本発明は、前述した上記問題点を解消するためになされたものであって、その目的は、応力バランスを維持しつつ、各センサエレメントにおける電気抵抗値の変化のばらつきを低減することのできるセンサ装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、請求項１に記載の発明は、基板と、前記基板上に設けられた複数のセンサエレメントと、前記基板上面を覆う保護膜と、前記保護膜の下層に形成された金属配線と、前記保護膜に形成される開口部により前記金属配線が露出されて形成されるボンディングパッドとを備え、物理変化に応じて複数のセンサエレメントの各々の電気抵抗値が変化することに基づいて物理変化を検出するセンサ装置において、前記基板は、前記基板の中心点と前記基板の対向する各辺の中点とを通る中心線と、対角線とを有し、前記開口部は、前記中心線上又は前記対角線上に設けられた複数の第１開口部と、前記中心線上及び前記対角線上にない複数の第２開口部とを有し、前記第２開口部は各々、前記中心線に対して線対称に設けられており、前記第２開口部を前記対角線に対して線対称とした位置に第３開口部が、前記保護膜に形成されてなることを要旨としている。
【０００７】
このような構成によれば、ボンディングパッドがその設けられる数あるいはワイヤボンディングの制約等によって対称的に形成することができない場合においても、中心線上及び対角線上にない第２開口部（ボンディングパッド）を対角線に対して線対称とした位置に設けられた第３開口部によって、保護膜に形成される開口部の対称性を維持することができる。これによって、保護膜から各センサエレメントに加わる応力を均一化することができるようになる。従って、各センサエレメントにおける電気抵抗値の変化のばらつきを低減することができるようになる。
【０００８】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記第３開口部は、その下層に形成された金属配線を露出させるかたちで形成されてなることを要旨としている。このような構成によれば、第３開口部の下層もボンディングパッドと同様の構成としたため、保護膜からセンサエレメントに加わる応力を均一化することができる。従って、各センサエレメントにおける電気抵抗値の変化のばらつきを低減することができるようになる。
【０００９】
請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の発明において、前記第３開口部の下層に形成された金属配線が前記各センサエレメントに接続されたことを要旨としている。このような構成によれば、ボンディングパッド及び第３開口部により露出される金属配線のどちらにもワイヤボンディングを施すことができるため、ボンディングワイヤの配線の自由度を向上させることができるようになる。
【００１０】
請求項４に記載の発明は、請求項３に記載の発明において、前記金属配線が、前記基板の中心点を中心として点対称となるかたちで形成されてなることを要旨としている。このような構成によれば、センサエレメントに接続される金属配線の対称性を向上させることができるため、各センサエレメントに加わる応力を均一化することができ、各センサエレメントにおける電気抵抗値の変化のばらつきを低減することができるようになる。
【００１１】
請求項５に記載の発明は、請求項１〜４のいずれか１つに記載の発明において、前記センサエレメントの各々が、前記基板の中心点を中心として点対称となるかたちで形成されてなることを要旨としている。このような構成によれば、センサエレメントの対称性を向上させることができるため、そのセンサエレメントに加わる応力をより均一化することができ、各センサエレメントにおける電気抵抗値の変化のばらつきをより低減することができるようになる。
【００１２】
請求項６に記載の発明は、請求項１〜５のいずれか１つに記載の発明において、前記複数のセンサエレメントによって２つ以上のフルブリッジ回路が形成されてなることを要旨としている。センサ装置はセンサエレメントによって２つ以上のフルブリッジ回路が形成されるときに、ボンディングパッド（保護膜の開口部）の対称性が崩れやすいが、このような態様で第３開口部を配置することにより、保護膜に形成される開口部の対称性を維持することができる。そのため、上記請求項１に記載の発明による効果をより顕著に得ることができる。
【００１３】
請求項７に記載の発明は、請求項１〜６のいずれか１つに記載の発明において、前記保護膜が、同センサエレメントの周囲に沿って除去されてなることを要旨としている。このような構成によれば、保護膜及びボンディングパッドから加わる応力の度合が緩和される。これによって、各センサエレメントにおける電気抵抗値の変化を好適に抑制することができるようになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明を、例えば自動車のステアリングアングルセンサとして用いられる磁気センサに具体化した一実施形態を図１〜図４に従って説明する。
図１及び図２に示すように、磁気センサ１は、半導体（本実施形態ではシリコン）からなる基板１０を備えている。基板１０の上面には、酸化膜（本実施形態では二酸化珪素）からなる絶縁膜２０が形成されている。この絶縁膜２０は、基板１０の上面の略全体を覆うかたちで形成されている。そして、絶縁膜２０の上面には、負の磁気特性を有する強磁性体であるニッケルコバルトからなる磁気抵抗素子３１〜３８が形成されている。この磁気抵抗素子３１〜３８によってセンサ部が構成されており、この磁気抵抗素子３１〜３８の各々は、薄膜により所要のパターンに形成されている。
【００１５】
詳述すると、センサ部は、図１に示すように、その平面形状が磁気抵抗素子３１〜３８によって全体として略正八角形に形成され、センサ部の中心点ＣＰ近傍が空間となるドーナッツ状に形成されている。また、各磁気抵抗素子３１〜３８は、その平面形状が破線で示されるように台形状に形成されている。詳しくは、各磁気抵抗素子３１〜３８は、長さの異なる長辺及び短辺を順次繰り返して接続した櫛歯状に形成されている。これら磁気抵抗素子３１〜３８は、中心点ＣＰを中心点として、その各々が点対称になるかたちで形成されている。そして、これら磁気抵抗素子３１〜３８は、後に詳述する金属配線５０及びボンディングワイヤＷによって、図３に示す態様で電気的に接続される。すなわち、磁気抵抗素子３１〜３４の４つの磁気抵抗素子によって第１ブリッジ回路Ｂ１としてホイートストーンブリッジが構成されるとともに、磁気抵抗素子３５〜３８の４つの磁気抵抗素子によって第２ブリッジ回路Ｂ２としてホイートストーンブリッジが構成される。これら磁気抵抗素子３１〜３８は、磁気センサにより磁気の変化を検出するべく、磁気の変化に応じて電気抵抗値が変化するセンサエレメントとしての役目を果たす。なお、これらブリッジ回路Ｂ１，Ｂ２は、従来の磁気センサ１００と同様に、各ブリッジ回路Ｂ１，Ｂ２に対して磁界の方向が所定方向の時、オフセット電圧Ｅ１２，Ｅ３４が「０」に近づく方が望ましい。すなわち、磁気抵抗素子３１，３２，３３，３４，３５，３６，３７，３８の電気抵抗値をそれぞれＲ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５，Ｒ６，Ｒ７，Ｒ８としたとき、「Ｒ１＝Ｒ４＝Ｒ２＝Ｒ３」及び「Ｒ５＝Ｒ８＝Ｒ６＝Ｒ７」の関係式がそれぞれ成り立つことが最も好ましい。ここで、オフセット電圧Ｅ１２は、磁気抵抗素子３１，３２間のノードＮ１の電位Ｅ１と、磁気抵抗素子３３，３４間のノードＮ２の電位Ｅ２との電位差であり、オフセット電圧Ｅ３４は、磁気抵抗素子３５，３６間のノードＮ３の電位Ｅ３と、磁気抵抗素子３７，３８間のノードＮ４の電位Ｅ４との電位差である。
【００１６】
図２に示すように、絶縁膜２０及び各磁気抵抗素子３１〜３８の上面には、窒化膜（本実施形態では窒化珪素）からなる層間絶縁膜４０が形成されている。この層間絶縁膜４０は、絶縁膜２０の上面の略全体を覆うかたちで形成されるとともに、各磁気抵抗素子３１〜３８の全体を覆うかたちで形成されている。そして、この層間絶縁膜４０の上面には、アルミニウムからなる金属配線５０が所要のパターンに形成されている。金属配線５０の下面であって、各磁気抵抗素子３１〜３８の各々の始端及び終端と対向する位置の層間絶縁膜４０には、コンタクトホールＣＨが形成されている。そして、このコンタクトホールＣＨに金属配線５０が形成されることによって、各磁気抵抗素子３１〜３８間が電気的に接続される。なお、この金属配線５０の平面構造については、後に詳述する。
【００１７】
層間絶縁膜４０及び金属配線５０の上面には、窒化膜（本実施形態では窒化珪素）からなるパッシベーション膜６０が形成されている。このパッシベーション膜６０は、層間絶縁膜４０の上面の略全体を覆うように形成されるとともに、金属配線５０の略全体を覆うように形成されている。このパッシベーション膜６０は、各磁気抵抗素子３１〜３８を外乱から保護するための保護膜としての役目を果たす。このパッシベーション膜６０及び層間絶縁膜４０の一部には、開口部６１がエッチングにより形成されている。この開口部６１は、絶縁膜２０まで達しており、磁気抵抗素子３１〜３８の各々が露出されないかたちで形成されている。すなわち、各磁気抵抗素子３１〜３８は、上面全体が層間絶縁膜４０及びパッシベーション膜６０により覆われている。なお、図１に示すように、このパッシベーション膜６０は、各磁気抵抗素子３１〜３８の周囲に沿って形成されている。詳述すると、各磁気抵抗素子３１〜３８の外形形状を台形として扱ったとき、上辺、下辺及び側辺に沿ってコ字状の開口部６１が左右にそれぞれ独立して形成されている。
【００１８】
さらに、開口部６１と併せて、図１中の磁気センサ１の４隅におけるパッシベーション膜６０には、第１ボンディングパッドＰ１を形成するための矩形状の開口部Ｈ１がそれぞれ形成されている。そして、この開口部Ｈ１によって、その下層に形成された金属配線５０が露出されて、その露出された金属配線５０が第１ボンディングパッドＰ１として機能する。また、各第１ボンディングパッドＰ１と第２ブリッジ回路Ｂ２を構成する各磁気抵抗素子３５〜３８との間におけるパッシベーション膜６０には、第２及び第３ボンディングパッドＰ２，Ｐ３を形成するための矩形状の開口部Ｈ２，Ｈ３がそれぞれ形成されている。すなわち、第１ボンディングパッドＰ１と同様に、この開口部Ｈ２，Ｈ３によって、その下層に形成された金属配線５０が露出されて、その露出された金属配線５０が第２及び第３ボンディングパッドＰ２，Ｐ３として機能する。ここで本実施形態では、第３ボンディングパッドＰ３は、後に説明するボンディングワイヤＷが接続されない、いわばダミーとして設けられるボンディングパッドになる。
【００１９】
これらの配置について詳述すると、第２ボンディングパッドＰ２（開口部Ｈ２）はその各々が、中心点ＣＰを通る左右方向及び上下方向の中心線Ｃ１，Ｃ２を対称軸として線対称にそれぞれ形成されている。また、第３ボンディングパッドＰ３（開口部Ｈ３）もその各々が、中心線Ｃ１，Ｃ２を対称軸として線対称にそれぞれ形成されている。そして、近傍に位置する第２ボンディングパッドＰ２（開口部Ｈ２）と第３ボンディングパッドＰ３（開口部Ｈ３）とは、これらボンディングパッドＰ２，Ｐ３の間を通る対角線Ｃ３，Ｃ４を対称軸として線対称にそれぞれ形成されている。すなわち、第１〜第３ボンディングパッドＰ１〜Ｐ３（開口部Ｈ１〜Ｈ３）について見ると、全ての中心線（中心線Ｃ１，Ｃ２及び対角線Ｃ３，Ｃ４）を対称軸として、その全ての対称軸に対して線対称に形成されている。なお、これらボンディングパッドＰ１〜Ｐ３（開口部Ｈ１〜Ｈ３）は、全て同じ大きさに形成されている。
【００２０】
次に、上記金属配線５０の所要のパターンについて詳述する。金属配線５０は、図３に示す態様で磁気抵抗素子３１〜３８間を電気的に接続するとともに、電源Ｖｃｃ、ＧＮＤ及びオペアンプ７５に接続される各ボンディングパッドＰ１，Ｐ２と各磁気抵抗素子３１〜３８とを電気的に接続する。詳述すると、金属配線５０のうち、各第１ボンディングパッドＰ１を構成する金属配線５０ａは、その一端が、磁気抵抗素子３１〜３４のいずれかの対応する磁気抵抗素子の終端に電気的に接続される。また、その金属配線５０ａの他端は、上記磁気抵抗素子から右回りに９０度回転した位置の磁気抵抗素子の始端に電気的に接続される。具体的には、例えば図中右上に形成された第１ボンディングパッドＰ１を構成する金属配線５０ａは、その一端が磁気抵抗素子３１の終端に電気的に接続されるとともに、その他端が磁気抵抗素子３２の始端に電気的に接続される。そして、同様に磁気抵抗素子３１〜３４と金属配線５０ａとが電気的に接続されることによって、図３に示す第１ブリッジ回路Ｂ１が形成される。
【００２１】
次に、金属配線５０のうち、各第２及び第３ボンディングパッドＰ２，Ｐ３を構成する金属配線５０ｂについて説明する。金属配線５０ｂは、その一端が、磁気抵抗素子３５〜３８のいずれかの対応する磁気抵抗素子の始端に電気的に接続される。また、その金属配線５０ｂの他端は、上記磁気抵抗素子から右回りに９０度回転した位置の磁気抵抗素子の終端に電気的に接続される。具体的には、図中右上に形成された第２及び第３ボンディングパッドＰ２，Ｐ３を構成する金属配線５０ｂは、その一端が磁気抵抗素子３５の始端に電気的に接続されるとともに、その他端が磁気抵抗素子３６の終端に電気的に接続される。そして、同様に磁気抵抗素子３５〜３８と金属配線５０ｂとが電気的に接続されることによって、図３に示す第２ブリッジ回路Ｂ２が形成される。なお、この金属配線５０は、各磁気抵抗素子３１〜３８と同様に中心点ＣＰを中心として点対称になるかたちで形成されている。
【００２２】
そして、各第１ボンディングパッドＰ１及び各第２ボンディングパッドＰ２には、ワイヤボンディングによってボンディングワイヤＷが接続されて、そのボンディングワイヤＷに接続された対応する電源Ｖｃｃ，ＧＮＤ及びオペアンプ７５（図３参照）がそれぞれ各磁気抵抗素子３１〜３８に接続される。
【００２３】
以上、詳述した本実施形態によれば、次のような効果を得ることができる。
（１）本実施形態によれば、全ての中心線（中心線Ｃ１，Ｃ２及び対角線Ｃ３，Ｃ４）を対称軸として、その全ての対称軸に対して開口部Ｈ１，Ｈ２と線対称となる開口部Ｈ３をパッシベーション膜６０に形成した。この開口部Ｈ３によって、パッシベーション膜６０に形成される開口部を、全ての中心線を対称軸として線対称にすることができる。従って、パッシベーション膜６０から各磁気抵抗素子３１〜３８に加わる応力を均一化することができるため、各磁気抵抗素子３１〜３８における電気抵抗値の変化のばらつきを低減することができるようになる。また、開口部Ｈ３は、マスクパターンを変更することによって、開口部Ｈ１，Ｈ２と同一工程にて形成することができるため、工程数を増加させることなく形成することができる。
【００２４】
（２）本実施形態によれば、金属配線５０を、中心点ＣＰを中心として点対称になるかたちで形成した。さらに、磁気抵抗素子３１〜３８を、その各々が中心点ＣＰを中心として点対称になるかたちで形成した。これによって、磁気センサ１全体の対称性を向上させることができるため、各磁気抵抗素子３１〜３８に加わる応力をより均一化することができるようになる。従って、各磁気抵抗素子３１〜３８における電気抵抗値の変化のばらつきを効果的に低減することができるようになる。その結果、第１及び第２ブリッジ回路Ｂ１，Ｂ２における「Ｒ１＝Ｒ４＝Ｒ２＝Ｒ３」及び「Ｒ５＝Ｒ８＝Ｒ６＝Ｒ７」の関係式を好適に維持することができ、オフセット電圧Ｅ１２，Ｅ３４の変化を抑制することができる。
【００２５】
（３）本実施形態によれば、磁気抵抗素子３１〜３８の各々の周囲に沿って保護膜（層間絶縁膜４０、パッシベーション膜６０）が除去されている。このため、磁気抵抗素子３１〜３８の各々が保護膜（層間絶縁膜４０、パッシベーション膜６０）から受ける応力の度合が好適に緩和される。従って、この応力に起因する電気抵抗値Ｒ１〜Ｒ８の経時変化を好適に抑制することができる。
【００２６】
なお、上記実施形態は、以下の態様に変更してもよい。
・上記実施形態では、第３ボンディングパッドＰ３をダミーのボンディングパッドとして使用し、第２ボンディングパッドＰ２にボンディングワイヤＷを接続するようにしたが、第３ボンディングパッドＰ３にボンディングワイヤＷを接続するようにしてもよい。これによって、第２ボンディングパッドＰ２あるいは第３ボンディングパッドＰ３にボンディングワイヤＷを接続することができるため、ボンディングワイヤＷの配線の自由度を向上させることができる。
【００２７】
また、例えばボンディングワイヤＷの押圧力等によりパッシベーション膜６０の応力バランスが経時的に変化した場合に、ボンディングワイヤＷの接続を部分的に第２ボンディングパッドＰ２から第３ボンディングパッドＰ３に変更することによって、パッシベーション膜６０の応力バランスを維持させることも可能である。
【００２８】
・上記実施形態における第２ボンディングパッドＰ２を構成する金属配線５０と第３ボンディングパッドＰ３を構成する金属配線とを、図４に示すように分離するようにしてもよい。また、図４の第３ボンディングパッドＰ３を構成する金属配線を省略するようにしてもよい。
【００２９】
・上記実施形態における第１〜第３ボンディングパッドＰ１〜Ｐ３（開口部Ｈ１〜Ｈ３）を矩形状に形成するようにしたが、この形状に特に制限はない。例えば、この形状を円形状に形成するようにしてもよい。
【００３０】
・上記実施形態における開口部６１の形状を任意の形状に変更してもよい。磁気抵抗素子３１〜３８の各々の外形形状を台形として扱ったとき、台形を構成する上辺、下辺及び側辺に沿ってそれぞれ独立した開口部を設けるようにしてもよい。
【００３１】
・上記実施形態では、磁気抵抗素子３１〜３４及び磁気抵抗素子３５〜３８によって、いわゆるフルブリッジ回路を有する磁気センサ１に具体化にしたが、図５（ａ）に示すように、磁気抵抗素子８１，８２から構成されるハーフブリッジ回路を有する磁気センサ８３に変更してもよい。すなわち、図５（ｂ）に示すように、磁気センサ８３は、その基板８４上に、櫛歯状の電極パターンを有する磁気抵抗素子８１と、この磁気抵抗素子８１に直列に接続された櫛歯状の電極パターンを有する磁気抵抗素子８２とが形成されている。そして、基板８４上には、磁気抵抗素子８１の始端に、磁気抵抗素子８１の終端及び磁気抵抗素子８２の始端に、磁気抵抗素子８２の終端にそれぞれ接続される第１ボンディングパッドＰ１が形成されている。この第１ボンディングパッドＰ１は、各磁気抵抗素子８１，８２を覆うパッシベーション膜８５に形成された開口部Ｈ１により露出される金属配線（図示略）によって構成される。そして、左右方向及び上下方向の中心線Ｃ１，Ｃ２及び対角線Ｃ３，Ｃ４を対称軸として、その全ての対称軸に対して開口部Ｈ１と線対称になる開口部Ｈ２をパッシベーション膜８５に形成するようにしてもよい。
【００３２】
・磁気抵抗素子３１〜３８の各々を構成する材料は、ニッケルコバルトに限定されない。即ち、磁気抵抗素子３１〜３８の各々を構成する材料として、パーマロイ等の負の磁気特性を有する強磁性体を採用してもよい。
【００３３】
・磁気抵抗素子３１〜３８の各々を構成する材料は、負の磁気特性を有する強磁性体に限定されない。即ち、磁気抵抗素子３１〜３８の各々を構成する材料として、正の磁気特性を有する半導体を採用してもよい。このように正の磁気特性を有する半導体としては、インジウムアンチモン、ガリウムヒ素等が挙げられる。
【００３４】
・絶縁膜２０を窒化膜（例えば、窒化珪素）により構成してもよい。
・層間絶縁膜４０を酸化膜（例えば、二酸化珪素）により構成してもよい。
・パッシベーション膜６０を酸化膜（例えば、二酸化珪素）により構成してもよい。
【００３５】
・磁気センサ以外のセンサ装置に具体化してもよい。例えば、磁気以外に、光、熱、圧力等の変化（物理変化）を検出するセンサ装置に具体化してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】磁気センサの平面図。
【図２】磁気センサの断面図。
【図３】磁気センサの回路図。
【図４】別例における磁気センサの平面図。
【図５】（ａ）は別例における磁気センサの回路図、（ｂ）は同磁気センサの平面図。
【図６】従来の磁気センサの回路図。
【符号の説明】
【００３７】
１，８３…磁気センサ、１０，８４…基板、２０…絶縁膜、３１〜３８，８１，８２…磁気抵抗素子（センサエレメント）、４０…層間絶縁膜、５０，５０ａ，５０ｂ…金属配線、６０，８５…パッシベーション膜（保護膜）、６１…開口部、Ｐ１〜Ｐ３…第１〜第３ボンディングパッド、Ｈ１，Ｈ２…開口部（第１開口部）、Ｈ３…開口部（第２開口部）、Ｗ…ボンディングワイヤ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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