(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品が内蔵された第１絶縁層と、前記第１絶縁層の主面に沿って形成される第２絶縁層と、前記第１絶縁層と前記第２絶縁層との間に形成される第１導体層と、前記第２絶縁層を挟んで前記第１導体層と反対側に形成される第２導体層と、を備える部品内蔵基板であって、
前記第１導体層は第１グランド電極を有する一方で、前記第２導体層は第２グランド電極を有し、
前記電子部品は、導体が近接配置されることでその特性が変化する特定領域を有し、
前記第１グランド電極には、前記第２絶縁層側から前記特定領域を見通すことができるように開口領域が形成され、
前記第２絶縁層を貫通し、前記第１グランド電極と前記第２グランド電極とを電気的に接続する接地導体が設けられている、部品内蔵基板。
【請求項２】
前記第２グランド電極は、前記開口領域を覆うように設けられている、請求項１に記載の部品内蔵基板。
【請求項３】
前記第２導体層は、前記特定領域から見て前記第２グランド電極の外側に、信号の授受を行う信号線を有し、
前記接地導体は、前記信号線と前記特定領域との間に介在するように設けられている、請求項２に記載の部品内蔵基板。
【請求項４】
前記接地導体は、前記第２グランド電極側から見て前記特定領域を少なくとも断続的に囲繞するように設けられている、請求項３に記載の部品内蔵基板。
【請求項５】
前記接地導体は、前記開口領域の周縁に沿って少なくとも断続的に設けられている、請求項３に記載の部品内蔵基板。
【請求項６】
前記第１絶縁層を挟んで前記第１導体層とは反対側に第３導体層を備え、
前記第３導体層は、前記特定領域を挟んで第３グランド電極を有する、請求項１から５のいずれか１項に記載の部品内蔵基板。
【請求項７】
前記第３導体層を挟んで前記第１絶縁層とは反対側に第３絶縁層と、
前記第３絶縁層を挟んで前記第３導体層とは反対側に第４導体層と、を備え、
前記第４導体層は、前記第３グランド電極に対応した位置に第４グランド電極を有し、
前記第３グランド電極は、前記特定領域に対応した位置に第２開口領域が形成され、
前記第３絶縁層を貫通し、前記第３グランド電極と前記第４グランド電極とを電気的に接続する第２接地導体が設けられている、請求項６に記載の部品内蔵基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の内部に電子部品が内蔵された部品内蔵基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、プリント配線基板の高密度実装構造として、配線パターンが形成された導体層と絶縁層とを複数積層した多層構造を用いるとともに、そのプリント配線基板の内部にＩＣ（ベアチップ、ダイ）やＬＳＩといった半導体装置等の能動部品や抵抗、キャパシタ等の受動部品といった電子部品を内蔵させた部品内蔵基板が知られている。
【０００３】
かかるインダクタやコンデンサといった電子部品には、その近傍に導体が配置されていると、その特性が変化をうけるような特定領域がその一部又は全部に形成されている場合がある。このように特定領域が導体の影響を受ける事象は、導体と電子部品とが静電結合や電磁結合を引き起こすことによるものと考えられる。一方で、部品内蔵基板には、この特定領域に近接する導体の影響を減らすために、導体層を用いて、特定領域を覆い隠す試みが行われている（下記特許文献１参照）。
【０００４】
特許文献１には、電子部品としてのスパイラルインダクタが配置された第１誘電体層と、グランド側に設けられた第２誘電体層と、第１および第２誘電体層の間に設けられ、グランドに接続された接地導体層と、を含む多層配線板が提案されている。この多層配線多層は、導体層の内周にクリアランスを設けることにより、スパイラルインダクタが有する特定領域直下の導体層を浮島のように切り離して分離パターンを形成している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−３０８５３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１の多層配線板は、接地導体層に設けたスペースにより、スパイラルインダクタ直下の接地導体層を切り離して分離パターンを形成しても、依然としてスパイラルインダクタが有する特定領域直下に導体が設けられていることには変わりがなく、導体がスパイラルインダクタに及ぼす影響が残存するおそれがある。導体がスパイラルインダクタに及ぼす影響が残存する場合には、スパイラルインダクタが有する特定領域直下に位置する分離パターンを除去してその影響を低減する必要がある。更に、特許文献１に記載の技術は、スパイラルインダクタに対してはある程度の効果を奏するものとしても、コンデンサといった他の特定領域を構成する回路素子には結合の影響を及ぼしてしまうおそれがある。
【０００７】
更に、特許文献１に記載の技術では、スパイラルインダクタが有する特定領域直下の導体層を切り離して浮島状の分離パターンを形成しているが、このようにすることで導体層と分離パターンとの間の隙間から、マイクロストリップラインやコプレーナ導波路等のように電磁波を伝送する伝送路や高速で動作する電気信号線といった信号を授受する信号線からの電磁的な干渉が入り込むおそれがある。このような電磁的な干渉を受けることによって、スパイラルインダクタを含む高周波回路において、かかる高周波回路の誤動作や性能の低下を引き起こすことも想定される。
【０００８】
そこで、本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであり、接地導体の面積を十分に確保しつつも接地導体が電子部品に与える影響を低減し、干渉源である信号線からの電磁的な干渉をも回避することにより、電子部品の誤動作や性能の低下を確実に防止して、部品内蔵基板の正確な動作を安定に維持することが可能な部品内蔵基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明に係る部品内蔵基板は、電子部品が内蔵された第１絶縁層と、第１絶縁層の主面に沿って形成される第２絶縁層と、第１絶縁層と第２絶縁層との間に形成される第１導体層と、第２絶縁層を挟んで第１導体層と反対側に形成される第２導体層と、を備える部品内蔵基板である。第１導体層は、第１グランド電極を有する一方で、第２導体層は、第２グランド電極を有している。電子部品は、導体が近接配置されることでその特性が変化する特定領域を有している。第１グランド電極には、第２絶縁層側から特定領域を見通すことができるように開口領域が形成されている。更に本発明に係る部品内蔵基板には、第２絶縁層を貫通し、第１グランド電極と第２グランド電極とを電気的に接続する接地導体が設けられている。
【００１０】
本発明においては、内蔵された電子部品の近傍に配置される第１グランド電極に、第２絶縁層側から該電子部品の特定領域を見通すよう開口領域が形成されているので、特定領域近傍に導体である第１グランド電極が配置されることを回避することができる。従って、第１グランド電極が電子部品の特定領域と結合することにより、該特定領域の性能に変化を及ぼすことを回避し得る。また、第１グランド電極と接地導体によって電気的に接続されている第２グランド電極が、電子部品に対して第２絶縁層を挟んで設けられているので、特定領域に対して十分な距離を保ちつつグランド電極全体の実質的な面積を十分に確保することができる。このように第１グランド電極及び第２グランド電極によって立体的なグランド電極を構成することで、特定領域に対する電磁的な影響を十分に低減することができる。このように、本発明によれば、電子部品の誤動作や性能の低下を確実に防止でき、部品内蔵基板の正確な動作を安定に維持することができる。
【００１１】
また、第２グランド電極は、開口領域を覆うように設けられていることが好ましい。このように構成すると、開口領域と第２グランド電極とが重なり合うように配置することができ、第２グランド電極によって開口領域に向かう電磁的な回り込みを確実に抑制することができる。
【００１２】
また、第２導体層は、特定領域から見て第２グランド電極の外側に、信号の授受を行う信号線を有し、接地導体は、信号線と特定領域との間に介在するように設けられていることが好ましい。電磁波を伝達するマイクロストリップラインや電気信号を通し高速動作する電気信号線といった信号の授受を行う信号線からは電磁波が放出され、第２絶縁層を通って第１絶縁層側に電磁的な影響を及ぼす。そこでこのように構成することで、干渉源である信号線から第１絶縁層を通って特定領域に向かう電磁波の影響を、第２絶縁層において信号線と特定領域との間に介在するように設けた接地導体によって確実に抑制することができる。第２導体層に電磁的な干渉源となる信号線が形成されていても、接地導体が信号線と特定領域との間に形成されることにより、電磁波の干渉を抑制するための立体的なグランド電極が形成される。
【００１３】
また、接地導体は、第２グランド電極側から見て特定領域を少なくとも断続的に囲繞するように設けられていることが好ましい。接地導体を特定領域を囲繞するように設けているので、特定領域を囲む全ての方向に対して電磁波の影響を低減させるように接地導体を介在させることができる。従って、第２導体層において第２グランド電極の外側のいかなる位置に信号線が設けられていても、接地導体が信号線と特定領域との間に形成されていることになり、電磁波の干渉を抑制するための立体的なグランド電極が形成される。
【００１４】
また、接地導体は、開口領域の周縁に沿って少なくとも断続的に設けられていることが好ましい。接地導体を開口領域の周縁に沿って設けているので、開口領域を通って特定領域に回りこむ電磁的な影響を確実に抑制することができる。
【００１５】
また、第１絶縁層を挟んで第１導体層とは反対側に第３導体層を備え、第３導体層は、特定領域を挟んで第３グランド電極を有することが好ましい。このように構成すると、第３グランド電極の形成により、第３導体層側からの特定領域に対する電磁的な干渉を抑制することができる。この結果、積層方向において特定領域をシールドする効果が高まるので、信号線からの電磁的な干渉を一層抑制することができる。
【００１６】
さらに、第３導体層を挟んで第１絶縁層とは反対側に第３絶縁層と、第３絶縁層を挟んで第３導体層とは反対側に第４導体層と、を備え、第４導体層は、第３グランド電極に対応した位置に第４グランド電極を有し、第３グランド電極は、特定領域に対応した位置に第２開口領域が形成され、第３絶縁層を貫通し、第３グランド電極と第４グランド電極とを電気的に接続する第２接地導体が設けられていることが好ましい。このように構成すると、第３グランド電極に、第３絶縁層側から特定領域を見通すよう開口領域が形成されているので、導体である第３グランド電極の影響をより低減することができる。また、上記構成においては、第３グランド電極と第２接地導体によって電気的に接続されている第４グランド電極が、電子部品に対して第３絶縁層を挟んで設けられているので、特定領域に対して十分な距離を保ちつつグランド電極全体の実質的な面積を十分に確保することができる。このように第１グランド電極及び第２グランド電極によって形成される立体的なグランド電極に加え、第３グランド電極及び第４グランド電極によって形成される立体的なグランド電極を構成することで、特定領域に対する電磁的な影響を十分に低減することができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の部品内蔵基板によれば、接地導体の面積を十分に確保しつつも接地導体が電子部品に与える影響を低減し、干渉源である信号線からの電磁的な干渉をも回避することにより、電子部品の誤動作や性能の低下を確実に防止して、部品内蔵基板の正確な動作を安定に維持することが可能な部品内蔵基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の第１実施形態による部品内蔵基板の概念を示す部分斜視図である。
【図２】本発明による部品内蔵基板の第１実施形態を示す平面図である。
【図３】図２のIII−III線に沿う断面図である。
【図４】図２のＡ枠を第２絶縁層側から見たときの拡大平面図である。
【図５】本発明の第２実施形態による部品内蔵基板を示す断面図である。
【図６】第２実施形態の部品内蔵基板を部分的に拡大した平面図である。
【図７】第２実施形態の部品内蔵基板の変形例を部分的に拡大した平面図である。
【図８】本発明の第３実施形態による部品内蔵基板を示す断面図である。
【図９】第３実施形態の部品内蔵基板を部分的に拡大した平面図である。
【図１０】本発明の第４実施形態による部品内蔵基板を部分的に示す断面図である。
【図１１】本発明の第５実施形態による部品内蔵基板を部分的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。なお、図面中、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。また、上下左右等の位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとする。さらに、図面の寸法比率は、図示の比率に限定されるものではない。また、以下の実施の形態は、本発明を説明するための例示であり、本発明をその実施の形態のみに限定する趣旨ではない。さらに、本発明は、その要旨を逸脱しない限り、さまざまな変形が可能である。
【００２０】
（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態による部品内蔵基板の概念を示す部分斜視図である。部品内蔵基板１０は、電子部品８が内蔵された第１絶縁層５と、第１絶縁層５の主面（図中上方の面）に沿って形成される第２絶縁層６と、第１絶縁層５と第２絶縁層６との間に形成される第１導体層１と、第２絶縁層６を挟んで第１導体層５と反対側に形成される第２導体層２と、を備えている。更に、部品内蔵基板１０は、第１絶縁層５の裏面（主面とは反対側の面、図中下方の面）に沿って形成される第３絶縁層７と、第１絶縁層５と第３絶縁層７との間に形成される第３導体層３と、第３絶縁層７を挟んで第３導体層３と反対側に形成される第４導体層４と、を備えている。従って、部品内蔵基板１０は、最下層から第４導体層４、第３絶縁層７、第３導体層３、第１絶縁層５、第１導体層１、第２絶縁層６及び第２導体層２がこの順に積層されたものであり、第１絶縁層５の内部の所定位置に電子部品８が埋設されている。
【００２１】
なお、部品内蔵基板１０の全体構成としては、第１から第４導体層１，２，３，４の各層が、第１から第３絶縁層５，６，７の各層を貫通して形成されたビア導体で接続されているが、図１は、電子部品８が埋設されている部品内蔵基板１０の一部に着目して、かかる一部を図示したものである。また図１では、図面の視認性を高めて部品内蔵基板１０の構成の理解を容易にするため、第１絶縁層５、第２絶縁層６、及び第３絶縁層７は、破線で示している。さらに図１では、模式図上、第１導体層１の一部である第１グランド電極１１，第２導体層２の一部である第２グランド電極２１，第３導体層３の一部である第３グランド電極３１，第４導体層４の一部である第４グランド電極４１が、電子部品８の外周に沿って電子部品８の上又は下に配置されているが、この構成に限られず、各電極１１，２１，３１，４１が電子部品８の一部上又は一部下に配置される構成でもよい。
【００２２】
電子部品８は、導体が近接配置されることでその特性が変化する特定領域を有するスパイラルインダクタ８１を備えている。スパイラルインダクタ８１は、いわゆるフェイスアップの状態で搭載されている。本実施形態の場合、電子部品８はＩＣチップであり、ＩＣチップである電子部品の回路面の一部にスパイラルインダクタ８１が形成されている。本実施形態では、導体が近接配置されることでその特性が変化する特定領域の一例として、スパイラルインダクタ８１を構成する全部の領域を用いている。導体が近接配置されることでその特性が変化する特定領域としてはこれに限られるものではなく、電子部品の回路面の一部に形成されたコンデンサがその全部または一部に特定領域を有していてもよい。また、インダクタ及びコンデンサが独立した１個の部品として構成されていてもよく、この場合は電子部品の全てが特定領域となる。
【００２３】
第１グランド電極１１には、第１開口領域１３が形成されている。第１開口領域１３は、電子部品８の主面側に形成されている特定領域としてのスパイラルインダクタ８１に対応するように設けられている。より具体的には、第２絶縁層６側からスパイラルインダクタ８１が見通せるように、第１開口領域１３が形成されている。第１開口領域１３は、第２絶縁層６側から見て、少なくともスパイラルインダクタ８１が第１開口領域１３と重なるように形成されている。図１に示す第１開口領域１３は、第１グランド電極１１の略中央部に矩形状に形成されており、スパイラルインダクタ８１の周縁より外側に形成されている。
【００２４】
スパイラルインダクタ８１は、導体が近接配置されると結合により影響を受け、本来の機能が低減されるものである。従って、直近に配置される第１グランド電極１１に開口領域１３を設けることで、第１グランド電極１１から受ける影響を低減することができる。
【００２５】
第３グランド電極３１には、第２開口領域３３が形成されている。第２開口領域３３は、電子部品８の主面側に形成されている特定領域としてのスパイラルインダクタ８１に対応するように設けられている。より具体的には、第３絶縁層７側からスパイラルインダクタ８１が仮想的に見通せるように、第２開口領域３３が形成されている。第２開口領域３３は、第３絶縁層７側から見て、少なくともスパイラルインダクタ８１が第２開口領域３３と重なるように形成されている。図１に示す第２開口領域３３は、第３グランド電極３１の略中央部に矩形状に形成されており、スパイラルインダクタ８１の周縁より外側に形成されている。
【００２６】
第３グランド電極３１は、電子部品８の裏面側に形成されるものであるため、第１グランド電極１１ほどにはスパイラルインダクタ８１への影響はないものと推測される。しかしながら、各層の厚みなどの条件によっては、第３グランド電極３１も電子部品８へ影響を与えることがあるため、第１開口領域１３と対応した位置に第２開口領域３３を形成するものとしている。従って、第２開口領域３３は、場合によっては形成不要な領域である。
【００２７】
第１グランド電極１１と第２グランド電極２１とは、接地導体９によって電気的に繋がれている。接地導体９は、第２絶縁層６を貫通するように形成されているものであって、第１開口領域１３を囲むように配置されている。接地導体９は、円柱状の導体として形成されており、第１開口領域１３の周縁に沿って、互いに離隔するように複数本（図１においては１２本）形成されている。
【００２８】
このように、第１グランド電極１１と第２グランド電極２１とを接地導体９によって繋ぐと、第１グランド電極１１と第２グランド電極２１と接地導体９とによって、立体的なグランド電極が形成される。導体が近接配置されることによって影響を受けるスパイラルインダクタ８１に最も近接配置される第１グランド電極１１には、第１開口領域１３が形成されているため、導体の近接配置による影響は低減されている。また、第１グランド電極１１と第２グランド電極２１とを繋ぐ接地導体９は、第１開口領域１３の周縁に沿って立設されているため、やはりスパイラルインダクタ８１への導体近接配置の影響を与えないように構成されている。第２グランド電極２１には開口領域が形成されていないが、第２絶縁層６を間に介在させてスパイラルインダクタ８１と対峙しているので、スパイラルインダクタ８１への導体近接配置の影響を与えないように構成されている。一方、このようにスパイラルインダクタ８１への導体近接配置の影響を与えないように構成した、第１グランド電極１１と第２グランド電極２１と接地導体９とによって立体的なグランド電極を構成することで、グランド電極としての十分な面積を確保している。
【００２９】
第３グランド電極３１と第４グランド電極４１とは、接地導体９ａによって電気的に繋がれている。接地導体９ａは、第３絶縁層７を貫通するように形成されているものであって、第２開口領域３３を囲むように配置されている。接地導体９ａは、円柱状の導体として形成されており、第２開口領域３３の周縁に沿って、互いに離隔するように複数本（図１においては１２本）形成されている。
【００３０】
このように、第３グランド電極３１と第４グランド電極４１とを接地導体９ａによって繋ぐと、第３グランド電極３１と第４グランド電極４１と接地導体９ａとによって、立体的なグランド電極が形成される。導体が近接配置されることによって影響を受けるスパイラルインダクタ８１側に配置される第３グランド電極３１には、第２開口領域３３が形成されているため、導体の近接配置による影響は低減されている。また、第３グランド電極３１と第４グランド電極４１とを繋ぐ接地導体９ａは、第２開口領域３３の周縁に沿って立設されているため、やはりスパイラルインダクタ８１への導体近接配置の影響を与えないように構成されている。第４グランド電極４１には開口領域が形成されていないが、第３絶縁層７を間に介在させてスパイラルインダクタ８１と対峙しているので、スパイラルインダクタ８１への導体近接配置の影響を与えないように構成されている。一方、このようにスパイラルインダクタ８１への導体近接配置の影響を与えないように構成した、第３グランド電極３１と第４グランド電極４１と接地導体９ａとによって立体的なグランド電極を構成することで、グランド電極としての十分な面積を確保している。
【００３１】
なお、「部品内蔵基板」とは、電子部品が内蔵された単位基板である個別基板（個片、個品）のみではなく、その個別基板を複数有する集合基板（ワークボード、ワークシート）を含む概念である。また、「電子部品」とは、その種類は特に制限されず、例えば、通常の電子機器に用いられるＩＣチップ等の半導体装置といった能動部品、より具体的には、例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）やＤＳＰ（Digital Signal Processor）のように動作周波数が非常に高いデジタルＩＣ、又は、高周波増幅器やアンテナスイッチ、高周波発振回路といったアナログＩＣ等や、インダクタ、キャパシタ、抵抗、サーミスタ等の受動部品が挙げられる。さらに、「信号線」とは、高速で動作する信号線や、マイクロストリップラインやコプレーナ導波路等、電磁波を伝送する伝送路を含む概念である。
【００３２】
続いて、図１を参照しながら説明した部品内蔵基板１０について、周辺の回路構成を組み込んだ状態で図２を参照しながら説明を加える。図２は、部品内蔵基板１０の平面図であり、図３は、図２のIII−III線に沿う断面図であり、図４は、図２のＡ枠を第２絶縁層６側から見たときの拡大平面図である。
【００３３】
本実施形態における部品内蔵基板１０は、上述したように、最下層から第４導体層４、第３絶縁層７、第３導体層３、第１絶縁層５、第１導体層１、第２絶縁層６及び第２導体層２がこの順に積層されたものであり、第１絶縁層５の内部の所定位置に電子部品８が埋設されている。
【００３４】
図２に示すように、最上層である第２導体層２上には、電子部品８５が実装されており、電子部品８５或いは電子部品８５の端子８６が、第２導体層２に形成された接続電極２４に接続され、接続電極２４が、他の接続電極２４、信号線２２或いはビア導体９１に接続されている。
【００３５】
図３に示すように、第１絶縁層５に内蔵された電子部品８のスパイラルインダクタ８１は、第２導体層２側に形成されており、いわゆるフェイスアップの状態で埋設されている。電子部品８の接続電極８２は、ビア導体９１を介して第１導体層１の信号線１２と接続されている。
【００３６】
第１接地導体９は、第２グランド電極２１側から見て、スパイラルインダクタ８１を連続的に囲繞するように設けられている。具体的には、第１接地導体９は、スパイラルインダクタ８１および第１開口領域１１の周縁を取り囲むように円柱状のビア導体９５が形成されている。複数のビア導体９５は、互いに等間隔となるように形成されている。ビア導体９５は、少なくとも信号線２２とスパイラルインダクタ８１の間に介在するように形成されることが好ましい。
【００３７】
第１グランド電極１１に形成された第１開口領域１３は、スパイラルインダクタ８１に対応する位置に設けられており、第２絶縁層６側から見て、少なくともスパイラルインダクタ８１の周縁が第１開口領域１３の周縁と重なるように形成されている。
【００３８】
第２グランド電極２１は、スパイラルインダクタ８１に対応する位置に設けられており、第１開口領域１３を覆うように形成されている。
【００３９】
第３グランド電極３１は、スパイラルインダクタ８１を挟んで第１グランド電極１１とは反対側に形成され、スパイラルインダクタ８１に対応する位置に設けられている。第３グランド電極３１は、接地導体９ｃであるビア導体９５ｃを介して第２グランド電極３１と電気的に接続されている。第４グランド電極４１も、スパイラルインダクタ８１を挟んで第２グランド電極２１とは反対側に形成され、スパイラルインダクタ８１に対応する位置に設けられている。
【００４０】
第２接地導体９ａは、ビア導体９５ａであり、第４グランド電極４１側から見て、スパイラルインダクタ８１を少なくとも断続的に囲繞するように設けられている。具体的には、ビア導体９５ａは、第４グランド電極４１側から見て、スパイラルインダクタ８１および第１開口領域１３の周縁を取り囲むように形成されており、第４導体層４に形成される信号線４２とスパイラルインダクタ８１との間に介在されることが好ましい。
【００４１】
このように、本実施形態の内蔵部品基板１０によれは、第２絶縁層６側からスパイラルインダクタ８１を見通すように第１開口領域１３が形成されているので、スパイラルインダクタ８１の近傍に導体である第１グランド電極１１が配置されることを回避でき、第１グランド電極１１がスパイラルインダクタ８１と結合することによるスパイラルインダクタ８１の性能の変化を回避できる。
【００４２】
また、第２グランド電極２１が形成されているので、スパイラルインダクタ８１に対して十分な距離を保ちつつ、グランド電極全体の実質的な面積を十分に確保することができる。さらに、第２グランド電極２１は、第１開口領域１３を覆うように形成されているので、第１開口領域１３に向かう電磁的な回り込みを確実に抑制することができる。
【００４３】
さらに、第１接地導体９である円柱状の導体９５が第２導体層２の信号線２２とスパイラルインダクタ８１との間に介在し、且つ、スパイラルインダクタ８１を取り囲むように設けられている。従って、信号線２２とスパイラルインダクタ８１との間に介在するように立体的なグランド電極を形成することができ、信号線２２から放射される電磁波がスパイラルインダクタ８１に与える影響を確実に抑制することができる。
【００４４】
さらに、また、第１グランド電極１１および第２グランド電極２１によって形成される立体的なグランド電極に加え、第３グランド電極３１および第４グランド電極４１が設けられているので、積層方向においてスパイラルインダクタ８１をシールドする効果が高まり、特定領域８１に対して十分な距離を保ちつつ、グランド電極全体の実質的な面積を十分に確保することができる。この結果、スパイラルインダクタ８１に対する電磁的な影響を十分に低減することができる。
【００４５】
また、本実施形態による部品内蔵基板１０では、接地導体としてビア導体９５，９５ａを採用するので、グランド電極１１，２１，３１，４１以外の導体層１，２，３，４同士を接続する際に形成するビア導体９１の工程と同じ工程で接地導体を形成することができる。この結果、本実施形態によれば、工程数を増加させることなく、部品内蔵基板１０を製造することができる。
【００４６】
（第２実施形態）
上述した第１実施形態は、第１接地導体９として、円柱状のビア導体９５を複数本設け、スパイラルインダクタ８１及びそれに対応して設けられる第１開口領域１３を断続的に囲繞するように構成している。第１接地導体９は、第１グランド電極１１と第２グランド電極２１とを電気的に繋ぐものであることに加え、干渉源である信号線２２とスパイラルインダクタ８１との間に介在するものであるから、様々な変形態様を採用し得る。そこで、円柱状のビア導体９５を互いに繋げて、堀状に構成した例を第２実施形態として説明する。
【００４７】
図５は、本発明の第２実施形態である部品内蔵基板２０を示す断面図である。図６は、図５の矢印Ｂからみた部分的な平面図である。図５及び図６に示すように、本実施形態による部品内蔵基板２０は、第１接地導体９として、堀状導体９３を構成している。その他の構成は、第１実施形態である部品内蔵基板１０と同様であるので、その説明を省略する。
【００４８】
堀状導体９３は、第１グランド電極１１と第２グランド電極２１とを繋ぐように、第２絶縁層６を貫通するように設けられている。堀状導体９３は、スパイラルインダクタ８１及び第１開口領域１３を囲むように、連続して設けられている導体である。
【００４９】
堀状導体９３は、スパイラルインダクタ８１及び第１開口領域１３を連続的に囲んでいるので、信号線２２からの電磁波のスパイラルインダクタ８１への影響を、より確実に抑制するように構成している。また、第２導体層２に他の干渉源が存在する場合も、堀状導体９３の連続的な電磁波遮蔽効果を発揮させることができる。
【００５０】
（第３実施形態）
上述した第１実施形態に係る部品内蔵基板１０及び第２実施形態に係る部品内蔵基板２０では、第２グランド電極２１を、スパイラルインダクタ８１及びそれに対応して設けられる第１開口領域１３を覆うように設けている。信号線２２といった干渉源から発せられる電磁波の影響を十分に低減できるのであれば、第２グランド電極２１の一部を除去したような態様も採用可能なものである。そこで、第２グランド電極２１の一部を除去した例を第３実施形態として説明する。
【００５１】
図７は、本発明の第３実施形態である部品内蔵基板３０を示す断面図であり、図８は、第３実施形態の部品内蔵基板３０を部分的に拡大した平面図であり、図９は、第３実施形態の部品内蔵基板３０の変形例を部分的に拡大した平面図である。
【００５２】
本実施形態による部品内蔵基板３０は、第１開口領域１４の大きさや第２グランド電極２５の形状が異なること以外は、上記の第２実施形態の部品内蔵基板２０と同様に構成されたものである。
【００５３】
第１開口領域１４は、第１グランド電極１５に形成され、スパイラルインダクタ８１と略同程度の領域を有している。なお、第１開口領域１４は、スパイラルインダクタ８１より大きな領域を有していてもよい。また、第２グランド電極２５は、スパイラルインダクタ８１の対応する位置に開口領域２６が形成されている。
【００５４】
第３実施形態の変形例として、図９に示すように、第１接地導体９を壁状導体９４に形成し、１対の壁状導体９４，９４が、スパイラルインダクタ８１の周縁に沿って対向するように形成してもよい。この場合、一方の壁状導体９４，９４は、第２導体層２の信号線２２とスパイラルインダクタ８１との間に介在するように設けられていることが好ましい。このように設けることにより、干渉源となる信号線２２から第１絶縁層５を通ってスパイラルインダクタ８１に向かう電磁波を第２絶縁層６において抑制することができる。また、第１接地導体９が壁状導体９４である場合には、スパイラルインダクタ８１を取り囲むように形成した堀状導体９３に比して、簡易な製造工程で形成することができる。
【００５５】
本実施形態による部品内蔵基板３０は、上記の第２実施形態に係る部品内蔵基板２０と同様の効果を奏するだけでなく、第２グランド電極２５に開口領域２６が形成されているので、第２グランド電極２５がスパイラルインダクタ８１と結合することにより、スパイラルインダクタ８１の性能の変化をより確実に回避することができる。
【００５６】
（第４実施形態）
図１０は、本発明の第４実施形態による部品内蔵基板５０を部分的に示す断面図である。本実施形態による部品内蔵基板５０は、第３グランド電極３５に第２開口領域３３を有していること、および第２接地導体９ａの形状が異なること以外は、上記の第２実施形態の部品内蔵基板１０と同様に構成されたものである。
【００５７】
第２開口領域３３は、スパイラルインダクタ８１を挟んで第１開口領域１３の反対側に形成され、第３絶縁層７側から見て、第２開口領域３３の周縁が、少なくともスパイラルインダクタ８１の周縁と重なるように形成されている。
【００５８】
第２接地導体９は、スパイラルインダクタ８１を少なくとも連続的に囲繞するように設けられた堀状導体９４であり、スパイラルインダクタ８１を挟んで、堀状導体９４である第１接地導体９の反対側に設けられている。また、第２接地導体９は、第４グランド電極４１側から見て、スパイラルインダクタ８１および第２開口領域３３の周縁を取り囲むように形成されている。
【００５９】
本実施形態による部品内蔵基板５０は、上記の第１実施形態と同様の効果を奏するだけでなく、第２開口領域３３を設けているので、スパイラルインダクタ８１に対し、導体である第３グランド電極３５の影響をより低減することができる。
【００６０】
また、本実施形態による部品内蔵基板５０は、第１接地導体に加え、第２接地導体も堀状導体９４であるので、スパイラルインダクタ８１を囲む全ての方向に対して電磁波の影響を低減することができる。
【００６１】
（第５実施形態）
図１１は、本発明の第５実施形態による部品内蔵基板６０を部分的に示す断面図である。
【００６２】
本実施形態による部品内蔵基板６０は、第３および第４グランド電極３５，４５に開口領域が設けられていること以外は、上記の第１実施形態の部品内蔵基板１０と同様に構成されたものである。
【００６３】
第３および第４グランド電極３５，４５は、スパイラルインダクタ８１に対応する位置に開口領域３３，４３を有している。第３グランド電極３５に形成された第２開口領域３３は、スパイラルインダクタ８１を挟んで第１開口領域１３の反対側に形成されている。第４グランド電極４５の開口領域４３は、第２開口領域３３に対応する位置の、第４導体層４に形成されている。各開口領域３３，４３は、第４導体層４側から見て、スパイラルインダクタ８１を仮想的に見通すように形成され、且つ、重なるように形成されている。
【００６４】
本実施形態による部品内蔵基板６０は、上記の第１実施形態と同様の効果を奏するだけでなく、第３および第４グランド電極３５，４５に開口領域３３，４３を設けたので、スパイラルインダクタ８１に対し、導体である第３および第４グランド電極３５，４５の影響をより低減することができる。
【産業上の利用可能性】
【００６５】
以上説明したとおり、本発明の部品内蔵基板は、接地導体の面積を十分に確保しつつも接地導体が電子部品に与える影響を低減し、干渉源である信号線からの電磁的な干渉をも回避することにより、電子部品の誤動作や性能の低下を確実に防止して、部品内蔵基板の正確な動作を安定に維持することができるので、電子部品を内蔵する機器、装置、システム、各種デバイス等、特に小型化及び高性能化が要求されるもの、並びにそれらの生産、製造等に広く且つ有効に利用することができる。
【符号の説明】
【００６６】
１０，２０，３０，４０，５０，６０…部品内蔵基板、１…第１導体層、２…第２導体層、３…第３導体層、４…第４導体層、１１，１５，２１，３１，４１…グランド電極、１２，２２，３２，４２…信号線、１３，１４，２６，３３，４３…開口領域、５…第１絶縁層、６…第２絶縁層、７…第３絶縁層、８，８５…電子部品、８１…スパイラルインダクタ、８６…電子部品の端子、９，９ａ，９ｃ…接地導体、９１，９５，９５ａ…円柱状ビア導体（接地導体）、９３…堀状導体（接地導体）、９４…壁状導体（接地導体）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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