(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
カソード、アノード、及び前記カソードと前記アノードの間の有機発光領域を含む有機発光装置であって、前記カソードは、カルシウムまたはバリウムとフッ化バリウムが共蒸発（co-evaporation）若しくは共スパッタリング（co-sputtering）されて混合された透明な複合物層を含み、
前記カルシウムまたはバリウム対前記フッ化バリウムの体積比は５ないし８０の範囲である、ことを特徴とする有機発光装置。
【請求項２】
前記複合物層は５０ｎｍないし２００ｎｍの範囲の厚さを有する請求項１に記載の有機発光装置。
【請求項３】
前記複合物層は装置における少なくとも６０％の透明度を有する請求項１または２に記載の有機発光装置。
【請求項４】
前記カソードは、前記発光領域から最も遠い複合物層の側面に電気的に接触する透明導電層をさらに含む請求項１ないし３のいずれか１項に記載の有機発光装置。
【請求項５】
前記透明導電層は透明導電酸化物層である請求項４に記載の有機発光装置。
【請求項６】
前記カルシウムまたはバリウム対前記フッ化バリウムの体積比は前記発光領域から離れる方向で前記カソードの厚さにわたって減少している請求項１ないし５のいずれか１項に記載の有機発光装置。
【請求項７】
上面発光装置である請求項１ないし６のいずれか１項に記載の有機発光装置。
【請求項８】
前記アノードは反射性であるか又は金属ミラーを含む基板上に供給される請求項７に記載の有機発光装置。
【請求項９】
前記基板はアクティブマトリックス背面板を含む請求項８に記載の有機発光装置。
【請求項１０】
前記有機発光領域は赤、緑及び青色発光材料のサブピクセルを含み、前記カソードは電子を各サブピクセルに注入する請求項１ないし９のいずれか１項に記載の有機発光装置。
【請求項１１】
前記有機発光領域は発光ポリマー又はデンドリマーを含む請求項１ないし１０のいずれか１項に記載の有機発光装置。
【請求項１２】
請求項１ないし１１のいずれか１項に記載の有機発光装置の製造方法であって、アノード及び有機発光領域を含む前記装置の部分を供給し、（ｉ）カルシウムまたはバリウム及び（ｉｉ）フッ化バリウムを共蒸発（co-evaporation）若しくは共スパッタリング（co-sputtering）して前記有機発光領域上に前記カルシウムまたはバリウムと前記フッ化バリウムが混合された透明な複合物層を形成することを含む有機発光装置の製造方法。
【請求項１３】
スパッタリングによって前記透明導電層が前記複合物層に適用される請求項１２に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光装置、その装置の製造方法及びそれにおけるカソードの使用に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機発光装置（ＯＬＥＤｓ）は、通常、カソード、アノード及びカソードとアノードの間に位置する有機発光領域を有する。発光有機材料は、ＵＳ４５３９５０７に記載される低分子材料、又はＰＣＴ／ＷＯ９０／１３１４８に記載されるポリマー材料を含むことがある。カソードは電子を発光領域に注入し、アノードは正孔を注入する。電子と正孔は結合して光子を生成する。
【０００３】
図１は、ＯＬＥＤの典型的な断面構造を示す。ＯＬＥＤは、典型的には、インジウム−錫−酸化物（ＩＴＯ）層のような透明アノード２で被覆されたガラス又はプラスチック基板１上に形成される。ＩＴＯで被覆された基板は、少なくとも電子発光有機材料３の薄膜層で被覆され、カルシウムのような低仕事関数金属のカソード材料４が適用され、選択的にアルミニウムのキャップ層（図示しない）を有する。例えば、電極と電子発光材料間の電荷の輸送を改良するための他の層も装置に追加できる。
【０００４】
従来のディスプレイに対する潜在的な優位性のためにディスプレイの応用におけるＯＬＥＤｓの使用は大きな注目を有してきている。ＯＬＥＤｓは、相対的に低い駆動電圧と電力消費を有し、容易に大面積のディスプレイを製造することができる。実用的レベルにおいては、輝度が高く効率的に駆動するが、製造の信頼性が高く安定して使用できるＯＬＥＤｓを製造するニーズが存在する。
【０００５】
ＯＬＥＤｓにおけるカソードの構造は、この技術における考慮すべき１つの側面である。モノクロＯＬＥＤの場合、単一の電子発光有機材料を有する最適の特性のためにカソードが選択され得る。しかしながら、フルカラーＯＬＥＤは、赤、緑及び青色光有機発光材料を含む。このような装置は、全ての３つに発光材料、すなわち「コモン電極」に電子を注入することができるカソードを必要とする。
【０００６】
有機発光層（又は、もし存在するならば有機電子輸送層）と金属カソードの間に位置するフッ化金属層が装置の効率の改良をもたらすことが知られている。例えば、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７０，１５２、１９９７参照。この改良は、ポリマー／カソード境界における障壁の高さの減少による有機層への電子の注入の改良によるものと考えられている。ＬｉＦ／Ａｌカソードを使用する装置劣化のメカニズムは、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７９（５），５６３−５６５，２００１において報告されており、電子発光層へ移動し電子発光材料をドーピングすることができるＬｉ原子を放出（release）するようにＬｉＦ及びＡｌが反応するとされている。しかしながら、本発明の発明者は、ＬｉＦ／Ａｌカソードが相対的に安定しており、その主な欠点は比較的低い効率（特に、コモン電極として使用した場合）にあることを発見した。より効率的な配列は、アルミニウム単独に代えて、ＬｉＦ上のカルシウム及びアルミニウムの２層を利用する。これは、Ｓｙｎｔｈ．Ｍｅｔａｌｓ２０００，１１１−１１２，ｐ．１２５−１２８において共通カソードとして記載されているが、ＬｉＦ／Ａｌカソードに比較して金属の放出（release）がより大きいので、より不安定なシステムである。特に、ＷＯ０３/０１９６９６においては、このカソード及びチオフェン−ベンゾチアジアゾールチオフェン三重体繰返し単位を含む赤色発光ポリマーのようなイオウを含む電子発光材料を含む装置において特に劣化が注目されることが報告されている。
【０００７】
ＷＯ００／３５０２８によれば、グラファイト及び／又はリチウムのような低仕事関数金属のフッ化物又は酸化物を含む光吸収層を含む発光装置が提供される。この配列によれば、カソードは、光吸収である電子注入層として使用されるアルミニウムで選択的に共堆積された(codeposited)フッ化リチウムから形成することができる。アルミニウムは相対的に高い仕事関数を有する。米国特許６２７８２３６は、また電子注入層を有する多層有機電子発光装置を提供する。この配列において、電子注入層は、アルミニウム及び少なくとも１つのアルカリ金属ハロゲン化物又は少なくとも１つのアルカリ土類金属ハロゲン化物を含む。フッ化リチウムとアルミニウムを含む電子注入層複合物が例示されている。金のような他の高仕事関数のカソード材料が提示されている。他の複合物カソードは、Jabbour et al in Applied Physics Letters 73 (9), 1185-1187 (1998)に記載されている。不信頼性を避けるために、低仕事関数金属の使用を避ける目的で、フッ化リチウム又はフッ化セシウム及びアルミニウムを含む複合物カソードが記載されている。ＵＳ２００１／００５１２８４は多層有機電子発光装置における複合物電子注入層も記載している。電子注入層は、好ましくは、リチウム、マグネシウム及びイットリウムのもののような低仕事関数金属酸化物又は金属ハロゲン化物を含む。相対的に高い仕事関数を有する金属、好ましくは、それぞれ４．２ｅＶ超の仕事関数を有するアルミニウム、インジウム、銀又は金が、電子注入層中に混合される。インジウムとアルミニウムは実施例に開示される金属である。
【０００８】
本発明の目的は、有機発光領域中への改良された電子注入を有するカソードを含む改良された特性を有する有機発光装置を提供することである。他の目的は、電子を多くの異なる種類の有機発光材料に注入できるカソード、すなわち「コモン電極」を提供し、単一のカソードにより、赤、緑及び青光有機発光材料中への電子の注入を効果的にすることである。
【０００９】
ある装置の応用においては、カソードが透明であることが必要である。これは、特に、駆動回路又は他の構造がアノードに隣接し、これによってアノードを通過しての発光を防止している場合にあてはまる。これら装置は、しばしば「上面発光装置」(top emitting devices)と呼ばれる。図２は、上面発光ＯＬＥＤの典型的な断面構造を概略的に示す。ＩＴＯのようなアノード材料２２が、アクティブマトリックス背面板２１上に位置する金属ミラー２５上に位置してよい。正孔輸送材料２６は、アノード２２と発光層２３の間に位置する。選択的に、他の中間層２７が電子注入層と発光層の間に適用されてよい。
【００１０】
カソード２４は発光層２３の上に位置し、通常、バリウム層であり、発光層に電子を注入することができるような低仕事関数金属である。バッファー層２８がバリウムカソード層２４上に堆積され、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）層２９が前記バッファー層上に堆積され、バリウムカソードの相対的に低い導電性を補償するために横方向の導電性を有する相対的に透明な層を提供する。最終的に、透明封止層（図示しない）が酸素及び湿気の侵入から装置を保護するためにＩＴＯ層の上に適用される。
【００１１】
この配列のカソードの形成において問題が生じている。ＩＴＯはスパッタリングによってのみ堆積可能である。しかしながら、スパッタリングは非常に損傷性のあるプロセスであり、もしＩＴＯが保護されていないバリウムカソードに直接スパッタリングされると、カソード及び発光層が損傷する可能性がある。このためにバッファー層が使用される。バッファー層は電子注入を干渉してはならないが、もし要求するなら、装置の光学的特性にある程度貢献し得る。バッファー材料は金属であり得る。しかしながら、要求される緩衝保護を達成するために、金属の相対的に高い厚さが使用される必要があり得、これがカソードの透明性に悪い影響を及ぼし得る。したがって、一般的なバッファーはフッ化バリウム又は硫化亜鉛のような高い透明性の化合物となる傾向がある。しかしながら、これらバッファー材料は導電性が低いという欠点を有する。
【００１２】
Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  ９６（１），７０９−７１４（２００４）は、スッパタリング損傷が上面発光型有機発光装置の製造における問題点であると認めている。著者は、熱蒸発により蒸着され得るＡｌドープＳｉＯ薄膜が上面発光型ＯＬＥＤの透明カソードを作製する魅力的な代替方法を提供することを示唆する。著者は、電子伝導性、電子注入及びカソード光透明性を最適化するために薄膜中のＡｌの割合が重要な因子となるカソードとして多層ＬｉＦ／Ａｌ／Ａｌ：ＳｉＯが適用可能であると結論付けている。したがって、記載されるカソード構造は、全て適切な電子注入を提供するＬｉＦ／Ａｌ層を要求する。相対的に高いレベルのアルミニウムは、カソードの透明性を減少するという望ましくない影響を有する適切な導電性を供給するために必要とされる。
【００１３】
Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ  ３６６（２００２）１２８−１３３の記事は、ＹｂとＡｇを共蒸発(coevaporation)させＹｂ：Ａｇ合金電極を形成するために透明カソードを作製するためにイッテルビウムが使用され得ることを開示している。この記事は、スパッタリング堆積ＩＴＯ薄膜によってキャップされた非常に薄いＭｇ：Ａｇ合金層を使用する透明ＯＬＥＤを開示するＡｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ６８（１９９６）２６０６の記事を引用する。Ｙｂの仕事関数（２．６ｅＶ）は、ＬｉＦ（２．９ｅＶ）、Ｍｇ：Ａｇ（３．６８ｅＶ）及びＡｇ（４．２ｅＶ）から分離したＬｉの仕事関数より低く、有機発光層とカソード間の電子注入のためのエネルギー障壁はＹｂの使用により低くなることが述べられている。しかしながら、Ｙｂは非常に高価である。また、カソードが薄いとき低い電流密度及び発光が得られた。これは、Ｙｂ：Ａｇカソード層が薄くなると、より薄いカソード層の低い電気伝導性の結果、電流密度が低下するためである。しかしながら、層の厚さが増加すると電流密度の重要な増加に比較して発光はわずかに増加するだけであり、これはより厚いＹｂ：Ａｇ層により引き起こされる反射／吸収の増加に起因する。光の大部分は、Ａｇが低い透明性を有すため、全内部反射によって失われてしまう。
【特許文献１】国際公開００／３５０２８号パンフレット
【特許文献２】米国特許６２７８２３６号明細書
【非特許文献１】L. H. Smith et el., Light outcoupling efficiency of top-emitting diodes, Appl. Phys. Lett. 84(16)，2986-2988
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
本発明の１つの目的は、従来のカソード構造の欠点を有しないカソードを含む改良された特性を有する有機発光装置を提供することである。
【００１５】
この技術における他の問題は、発光層への電子の注入のためにほとんど変化なしに使用される金属カソードに関連したクエンチング(quenching)モードによる励起子のクエンチングによって生じる有機発光装置における効率の損失である。クエンチングモードは、表面プラズモン（ＳＰ）モードとＬｏｓｓｙモードの２つの形で生じる。表面プラズモンモードは金属の表面の自由電荷と電磁放射の間の結合から生じる。この相互作用によって、金属表面から指数関数的に離れて崩壊する振動ＥＭ場に結合した金属表面に沿って伝わる縦の表面電荷密度変動がもたらされる。表面プラズモンモードは、相対的に短い距離しか伝わらないＬｏｓｓｙモードに比較して金属表面の相対的に長い距離を伝わる。
【００１６】
この問題に対するいくつかの可能な解決策が提案されている。"L. H. Smith et el., Light outcoupling efficiency of top-emitting organic light-emitting diodes, Appl. Phys. Lett. 84(16)，2986-2988"においては、有機層内の励起子の位置がＳＰモードに結合する強度、そのため、装置の光学上の効率を変化させることが開示されている。したがって、この文献においては、層の形状（例えば、有機層の厚さ）は励起子が最適な位置に生じるように最適化され得ることが示唆されている。しかしながら、この手法は、装置内の励起子を正確に位置させるのが困難であるという問題があり、また、装置の形状の変更は抵抗率を増加させ透明性を低下させるという他の問題につながり得る。
【００１７】
"L. H. Smith et el., Light outcoupling efficiency of top-emitting organic light-emitting diodes, Appl. Phys. Lett. 84(16)，2986-2988"は、また、低分子装置の励起子がランダムに方位付けられるのに対してポリマーの励起子は層の平面に方位付けられしたがってＳＰ場への適合がよくないという事実によって、低分子発光材料ではなく発光ポリマーを利用する装置において、ＳＰモードへの結合はあまり問題にならないことを提案している。しかしながら、本発明の出願人は、ＳＰモードによる重要なクエンチングがポリマー装置において生じることを発見した。
【００１８】
"S. Wedge et al., Coupled surface plasmon-polariton mediated photoluminescence from a top-emitting organic light-emitting structure, Appl. Phys. Lett. 85 (2),182-184"においては、金属カソードに関連したＳＰモードへの損失の問題も開示され、これらＳＰへの電力損失をある程度リカバーする可能性のある方法が検討されている。光に対するＳＰモードの結合の方法は、ＳＰのブラッグ散乱を可能にするように金属薄膜中に周期的なミクロ構造を導入することであることが開示されている。しかし、このような方法は製造の観点から必要とされていると述べている。他の方法としては、ミクロ構造誘電層がカソード上に重ねられる方法が開示されている。しかしながら、この方法も製造プロセスを複雑にし、別の層の追加はカソードの透明性を低下させる。さらに、本発明の出願人は、短いＬｏｓｓｙモードはそのようなミクロ構造によって評価されないことを発見した。
【００１９】
"P. Hobson et al., Surface Plasmon Mediated Emission from Organic Light-Emitting Diodes, Adv. Mater. 14 (19), 1393-1396"は、ポリマーの励起子は製造過程で使用される回転成形法(spin casting process)によって層の平面に方位付けられるという事実により、低分子発光材料ではなく発光ポリマーを使用する装置においては、ＳＰモードへの結合はあまり問題にならないことも提案している。しかしながら、前述したように、本発明の出願人は、ＳＰモードによる重要なクエンチングがポリマー装置においても依然として生じることを発見した。例えば、回転成形ではなくインクジェット印刷により堆積されれば、ポリマーはそのように方位付けされない。従来文献の著者は、ＳＰモードへの電力損失をリカバーするために装置層を通じた周期的ミクロ構造の導入を提案している。これは、また、製造プロセスの複雑さを増大させる。さらに、本発明の出願人は、Ｌｏｓｓｙモードはこのようなミクロ構造によって評価されないことを発見した。
【００２０】
本発明の１つの目的は、ＳＰ及びＬｏｓｓｙモード両者による低いクエンチングレベルを有する透明電極を含む改良された特性を有する有機発光装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
１つの側面において、本発明は、カソード、アノード、及び前記カソードとアノードの間の有機発光領域を含む有機発光装置において、前記カソードは、アルカリ金属又はアルカリ土類金属ハロゲン化物若しくは酸化物である金属化合物と３．５ｅＶ以下の仕事関数を有する低仕事関数金属の複合物(composite)を含む電子注入層を含むことを特徴とする有機発光装置を提供する。
【００２２】
驚くべきことに、アルカリ金属又はアルカリ土類金属ハロゲン化物若しくは酸化物と低仕事関数金属の複合物を含む電子注入層は、十分に安定した実用上信頼性のある状態で電子を有機発光領域に効率的に注入することができることが発見された。
【００２３】
電子注入層の低仕事関数金属は、好ましくはアルカリ土類金属である。アルカリ土類金属中、マグネシウムとベリリウムは本発明の使用には高すぎる仕事関数を有している。ラジウムは、その放射性半減期のために実用的に適した選択ではない。カルシウム及びベリリウムは、低仕事関数金属として好ましい。低仕事関数金属は、３．５ｅＶ以下、好ましくは３．２ｅＶ以下、より好ましくは３ｅＶ以下の仕事関数を有する。低仕事関数金属は、最も好ましくは２．５〜３ｅＶの範囲の仕事関数を有するが、２ｅＶまでの仕事関数を有することができる。
【００２４】
電子注入層の金属化合物は、アルカリ金属又はアルカリ土類金属ハロゲン化物若しくは酸化物である。この金属化合物の金属は、典型的には、ナトリウム、カリウム、セシウム、ルビジウム、又はバリウム若しくはカルシウムであり、リチウムが好ましい。これらの化合物のなかで、フッ化リチウムが特に好ましい。
【００２５】
低仕事関数金属：金属化合物の割合は、水晶厚みセンサーを使用して堆積の間に測定した体積において、通常１０：１までであり（例えば、１：１〜１０：１の範囲）、好ましくは５：１までであり（例えば、１：１〜５：５の範囲）、より好ましくは３：１までである（例えば、１：１〜３：１）。２：１〜３：１の範囲が好ましい。金属化合物及び低仕事関数金属の組み合わせ、及びその割合は、一緒になって、容易で製造上の信頼性があり、作動中相対的に安定した電子注入層を提供する。電子注入層は、低仕事関数の金属と金属化合物の電子注入特性の結合した影響のために有機発光層中に電子を注入するのに相対的に効率がよく、有機発光層によって広く受け入れられる。本発明の共堆積された電子注入層は、電子発光層に直接接触する金属化合物の量が少ないためＬｉＦ／Ｃａのような従来の２層電子注入層の欠点を有しない、電子注入層のエネルギーレベルは、電子を緑及び青色発光層に注入するための使用によく適合する。
【００２６】
本発明の電子注入層は電子を赤、緑及び青色発光材料に注入することができるため、本発明のカソードは有機発光装置において「共通カソード」として使用することができる。本発明のこの側面によれば、有機発光領域が赤、緑及び青色発光材料の区別されたサブピクセルを含む有機発光装置が提供される。カソードは電子を各サブピクセルに注入する。この方法では、別々のカソードが各サブピクセルに別々に電子を注入する必要がない。これは、多色有機発光装置の作製を極めて容易にする。共通カソードを有する多色及びフルカラーディスプレイの作製は当業者に明らかである。例えば、インクジェット印刷フルカラーディスプレイは、Ｓｙｎｔｈ．Ｍｅｔａｌｓ２０００，１１１−１１２，ｐ．１２５−１２８に開示されている。
【００２７】
電子注入層は、通常、１〜１００ｎｍ、好ましくは、２〜１０ｎｍの範囲の厚さを有する。ある設計においては、カソードは透明であることが要求され、したがって材料と厚さはそのように選択されなければならない。他の設計においては、アノードが透明であってもよい。ＯＬＥＤは観察者に光を放出する必要があるのはそれが組み込まれる用途に依存する。電子注入層は、これら成分の共堆積又は共蒸発を含む従来の方法によって適用される。
【００２８】
典型的には、カソードは、電子注入層を酸素、水及び他の反応性材料のような環境反応物から保護するためにキャップ層をさらに有する。キャップ層は、また電源に接続できるように電気的に導電性であることがしばしば有利である。従来のキャップ層は、高い仕事関数を有する金属及びこれらの合金又は特定の金属の酸化物を含む。アルミニウムは、封止材層として好ましい材料である。キャップ層は５０〜１０００ｎｍの範囲の厚さを有する。
【００２９】
アノードは従来の材料から構成することができ、通常、４．３ｅＶより大きな仕事関数、通常、約４．８ｅＶの仕事関数を有する。従来のアノード材料は、錫酸化物、金又はプラチナのような高仕事関数金属、及びインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）を含む。インジウム錫酸化物が好ましい。
【００３０】
有機発光領域は、電子発光ポリマー、電子発光デンドリマー、電子発光低分子又は電子発光性のこれらのくみあわせのような適切な有機発光材料を含むことができる。有機発光材料は、通常、その層として適用又は形成される。
【００３１】
低分子電子発光材料は、８−ヒドロキシキノリンアルミニウム（ＵＳ４５３９５０７において記載されているａｌｑ３）を含む。これらの材料は、通常、ＯＬＥＤにおける有機薄膜として堆積される。他の低分子発光体は、例えば、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．１９８９，６５（９），３６１０−３６１６に開示されるホスト材料−ドープ材料系に一部として通常ポリマーであるホスト材料中に堆積されてもよい。
【００３２】
電子発光ポリマーは、ポリ（パラーフェニレンビニレン）（ＰＰＶ）を含むポリアリーレンビニレンのようなＰＣＴ／ＷＯ９０／１３１４８に記載されるものを含む。他の材料は、ポリ（２−メトキシ−５（２’−エチル）ヘキシルオキシフェニレン−ビニレン）（“ＭＥＨ−ＰＰＶ”）、１又は２以上のＰＰＶ−誘導体（例えば、ジ−アルコキシ又はジ−アルキル誘導体）、ポリフルオレン区域を組み込むポリフルオレン及び／又はコポリマー、ＰＰＶｓ及び関連コポリマー、ポリ（２，７−（９，９−ジ−ｎ−オクチルフルオレン）（“Ｆ８”）、ポリ（２，７−（９，９−ジ−ｎ−オクチルフルオレン）−（１，４−フェニレン−（（４−セクブチルフェニル）イミノ）−１，４−フェニレン））（“Ｆ８−ＴＦＢ”）、ポリ（２，７−（９，９−ジ−ｎ−オクチルフルオレン）−（１，４−フェニレン−（（４−メチルフェニル）イミノ）−１，４−フェニレン−（（４−メチルフェニル）イミノ）−１，４−フェニレン））（“Ｆ８−ＰＦＭ”）、ポリ（２，７−（９，９−ジ−ｎ−オクチルフルオレン）−（１，４−フェニレン−（（４−メトキシフェニル）イミノ）−１，４−フェニレン−（（４−メトキシフェニル）イミノ）−１，４−フェニレン））（“Ｆ８−ＰＦＭＯ”）又は（２，７−（９，９−ジ−ｎ−オクチルフルオレン）−３，６−ベンゾチアジアゾール）（“Ｆ８ＢＴ”）を含む。
【００３３】
ＯＬＥＤにおけるこれらポリマー層を形成する方法は従来技術として知られている。
【００３４】
電子発光デンドリマーはＯＬＥＤにおける有機発光層の使用が知られている。このようなデンドリマーは好ましくは次の式を有する。
【００３５】
核−［デンドライト］ｎ
上記式において、核は、金属陽イオン又は金属イオンを含む基を表し、ｎは１又は２以上の整数を表し、各デンドライトは、同じか異なってもよく、アリール基及び／又はヘテロアリール基又は窒素及び、選択的に、前記（ヘテロ）アリールビニル及びアセチレニル基のｓｐ又はｓｐ混成炭素原子によって、あるいはＮ及び（ヘテロ）アリール基の間の単結合によって結合されたビニル又はアセチレニル基を含む固有の少なくとも部分的に共役された樹枝状構造を表し、核は、第１の（ヘテロ）アリール基のＳＰ混成（環）炭素原子に結合している単結合又は２以上の部分共役樹枝状分岐が付着している窒素原子への単結合において終結し、前記環状炭素又は窒素原子が前記デンドライトの一部を形成する。
【００３６】
発光は、通常、デンドリマーの核から供給され、発光はＷＯ９９／２１９３５に開示される蛍光又はＷＯ０２／０６６５５２に開示される燐光であってもよい。
【００３７】
選択的に、有機発光装置は、前記アノードと前記有機発光領域の間に正孔輸送層を含んでよい。このような層は、アノードから発光領域への正孔注入を助け得る。有機正孔注入材料の例は、ＥＰ０９０１１７６及びＥＰ０９４７１２３に開示されるＰＥＤＴ／ＰＳＳ又はＵＳ５７２３８７３及びＵＳ５７９８１７０に開示されるポリアリーレンを含む。ＰＥＤＴ／ＰＳＳはポリスチレンスルフォン酸ドープポリエチレンジオキシチオフェンである。他の正孔輸送材料は、ＰＰＶ及びポリ（２，７−（９，９−ジ−ｎ−オクチルフルオレン）−（１，４−フェニレン−（４−イミノ（ベンゾ酸））−１，４−フェニレン−（４−イミノ（ベンゾ酸））−１，４−フェニレン））（ＢＦＡ）及びポリアニリンを含む。
【００３８】
他の側面において、本発明は、カソード、アノード、前記カソードとアノードの間の有機発光領域を含み、前記カソードは、３．５ｅＶ以下の仕事関数を有する低仕事関数金属及び前記低仕事関数金属と共堆積される透明材料の透明複合物を含む有機発光装置を提供する。
【００３９】
本発明によれば、分離されたバッファー層とカソード材料を有する従来技術のカソード構造は低仕事関数金属とバッファー材料として機能し得る透明材料の複合物からなる単一層に替えることができることが見出された。このようにして、分離されたバッファー層の必要性はなくなる。これによりＯＬＥＤの構築が簡単になり、製造コストを削減する可能性が得られる。本発明は、透明カソードの使用が必須である上面発光装置に特に応用可能である。
【００４０】
複合物の低仕事関数金属は、好ましくはアルカリ金属又はアルカリ土類金属である。アルカリ土類金属の中では、マグネシウム及びベリリウムは本発明の使用には高すぎる仕事関数を有する。ラジウムは、その放射性半減期のため実用上の使用には適さず、好ましい選択ではない。低仕事関数金属としてはカルシウム及びバリウムが好ましく、バリウムが特に好ましい。アルカリ金属の中では、リチウムが好ましい。低仕事関数金属は３．５ｅＶ以下の仕事関数を有し、好ましくは３．２ｅＶ以下、より好ましくは３ｅＶ以下を有する。低仕事関数金属は、２ｅＶまで低い仕事関数を有することができるが、この仕事関数は最も好ましくは、２．５〜３ｅＶの範囲である。ある条件下では、低仕事関数金属は、複合物における低仕事関数金属の供給源となる低仕事関数金属化合物又は合金として供給することができる。
【００４１】
透明材料は、低仕事関数金属と共に共堆積されなければならない。通常、これは、透明材料が低仕事関数金属と共に共蒸発できることを要求する。透明材料は、透明金属化合物、周期律表のＩＶ族からの元素の化合物、又は誘電化合物を含むことができる。金属化合物の金属は、周期律表のＩ、ＩＩ及びＩＩＩ族から選ばれる金属又は遷移金属であることができる。化合物の金属はバリウムが好ましい。このような化合物は、ハロゲン化物、酸化物、硫化物、窒化物又は酸窒化物、好ましくはフッ化物であることができる。有用な化合物としては、フッ化バリウム、フッ化カルシウム、フッ化リチウム、窒化アルミニウム、窒化ガリウム、酸化リチウム、酸化アルミニウム、酸化錫、酸化シリコン、硫化亜鉛、窒化シリコン及び酸窒化シリコンがあげられる。
【００４２】
複合物の透明性に依存して、好ましくは、５ｎｍ〜２００ｎｍ、より好ましくは１０ｎｍ〜１００ｎｍ、最も好ましくは２０ｎｍ〜５０ｎｍの厚さを有する。より透明な複合物は、より厚くすることができる。複合物の透明性は、厚さ及びその組成、特に、低仕事関数金属の構成要素の透明性及び透明材料の透明性に依存する。さらに、複合物の構成要素間の物理的又は化学的相互作用は透明性に影響を与え得る。好ましくは、装置における複合物の透明性は、少なくとも６０％、より好ましくは少なくとも７０％、さらにより好ましくは少なくとも８０％、最も好ましくは少なくとも９０％である。透明バッファー材料は、通常、少なくとも７０％、好ましくは少なくとも８０％、より好ましくは９０％、最も好ましくは少なくとも９５％（５０ｎｍの厚さで測定時）の透明性を有する。
【００４３】
上記で定義した透明性の範囲は、全ての可視波長にわたって、通常、４００〜７００ｎｍに適合することが特に好ましい。
【００４４】
低仕事関数金属：透明バッファー材料の容積比は、好ましくは５〜８０、より好ましくは１０〜６０の範囲である。
【００４５】
本発明の実施態様において、透明バッファー材料に対する低仕事関数金属の体積比は発光領域から離れる方向でカソードの厚さに沿って低下する。この実施態様において、始めに発光領域に適用される複合物が低仕事関数金属の高い濃度を有するような（バッファー材料無しですら始まってもよい）、低仕事関数金属と透明バッファー材料の共堆積の配置を可能にする。構成要素の比率は時間と共に変化してもよく、その結果、堆積の最後のプロセスでは、複合物は透明バッファー材料が支配的（又は独占的）である。これは、堆積装置をプログラムすることによって容易に達成され得る。複合物層の厚さを通した複合物の構成要素の比率の変化は、ＩＴＯのような導電性透明層がスパッタリングされる表面に高濃度のバッファー材料が存在できるという利点を有する。この実施態様によれば、カソードの厚さ方向にわたって複合物構成要素の比率の滑らかな変化が可能となる。
【００４６】
有機発光装置が上面発光装置を含む場合、アノードを通しての発光はほとんど又は全く予期されないし望まれない。１つの態様において、カソードを通じて装置の発光層から放出された光を反射するように典型的に設計された金属ミラーを含む基板上にアノードが供給される。アクティブマトリックス背面が基板の他面に供給されてもよい。
【００４７】
本発明の複合物は電子を赤、緑及び青色発光材料に注入することができるので、カソードは有機発光装置において共通カソードとして使用され得る。本発明のこの側面によれば、有機発光領域が赤、緑及び青色発光材料の区別されたサブピクセルを含む有機発光装置が提供される。カソードは電子を各サブピクセルに注入する。この方法において、分離したカソードが電子を各サブピクセルに個々に注入する必要性がない。これは、多色有機発光装置の製造を大きく簡略化する。共通カソードを有する多色及びフルカラーディスプレイの製造は当業者に自明である。例えば、インクジェット印刷されたフルカラーディスプレイは、Ｓｙｎｔｈ．Ｍｅｔａｌｓ．２０００，１１１−１１２，ｐ．１２５−１２８に開示されている。
【００４８】
一般的に、カソードは、発光領域から最も遠い複合物の側面に電気的に接触する透明導電層をさらに含む。透明導電層の目的は、カソードを横切って縦の導電性を提供することにある。透明導電層は、通常、１０ｎｍ〜１００ｎｍの厚さ、透明性が少なくとも８０％、好ましくは少なくとも９０％を有する。好ましい透明導電層は透明導電酸化物、特にＩＴＯ層である。
【００４９】
装置は、好ましくは、湿気及び酸素の侵入を防ぐため封止材で封止（図示しない）される。適切な封止材は、ガラスシート、例えば、ＷＯ０１／８１６４９に開示されるポリマーと誘電体の交互積層のような適切な遮断特性を有する薄膜、又は例えば、ＷＯ０１／１９１４２に開示される気密容器を含む。基板又は封止材を貫通し得る大気中湿気及び／又は酸素の吸収用ゲッター材料は基板と封止材の間に配置される。
【００５０】
他の側面において、本発明は、次の工程を含む上記に定義される有機発光装置の製造プロセスを提供する。このプロセスは、その部分がアノード及び有機発光領域を含む装置の部分を提供し、及び、（ｉ）３．５ｅＶ以下の仕事関数を有する低仕事関数金属、及び（ｉｉ）透明材料を共堆積して、前記発光領域上に透明な複合物を形成することを含む。
【００５１】
ＩＴＯのように透明導電性酸化物の透明導電層がスパッタリングにより複合物に適用される場合、複合物は、カソード及びその下層を損傷から保護するバッファー特性を有する。
【００５２】
本発明の他の側面によれば、第１電極、第２電極、及び前記第１電極と第２電極の間に位置するピーク発光波長を有する有機発光材料を含む有機発光領域を含む有機発光装置が提供され、前記電極の少なくとも１つは透明であり、電荷注入金属と前記電荷注入金属と共堆積できる他の材料の複合物を含み、他の材料は前記電荷注入金属の屈折率とは異なる屈折率を有し、前記他の材料は前記電荷注入金属よりピーク発光波長において低い程度のクエンチングを有し、これによって前記少なくとも１つの電極による励起子のクエンチングは減少されており、前記電荷注入金属は３．５ｅＶ以下の仕事関数を有する低仕事関数金属又は４．５ｅＶ以上の仕事関数を有する高仕事関数金属を含む。
【００５３】
本発明の１つの態様によれば、アノード、カソード、及び前記アノードとカソードの間に位置するピーク発光波長を有する有機発光材料を含む有機発光領域を含む有機発光装置が提供され、前記カソードは透明であり、３．５ｅＶ以下の仕事関数を有する低仕事関数金属と前記低仕事関数金属と共堆積できる他の材料の複合物を含み、前記他の材料は前記低仕事関数金属の屈折率とは異なる屈折率を有し、前記他の材料は前記低仕事関数金属よりピーク発光波長における低い程度のクエンチングを有し、これによって前記カソードによる励起子のクエンチングが低減されている。
【００５４】
本発明の他の態様によれば、アノード、カソード、及び前記アノードとカソードの間に位置するピーク発光波長を有する有機発光材料を含む有機発光領域を含む有機発光装置が提供され、前記アノードは透明であり、４．５ｅＶ以上の仕事関数を有する高仕事関数金属と前記高仕事関数金属と共堆積できる他の材料の複合物を含み、前記他の材料は前記高仕事関数金属の屈折率とは異なる屈折率を有し、前記他の材料は前記高仕事関数金属よりピーク発光波長における低い程度のクエンチングを有し、これによって前記アノードによる励起子のクエンチングが低減されている。
【００５５】
本発明の出願人は、透明金属電極に関連するクエンチングの量は前記金属の屈折率に依存し、クエンチングが低減されるような屈折率を有する透明電極に使用される金属を選択するのに有利であることを認識した。しかしながら、電極の材料は主としてその電気的特性、特に、電子（カソード）又は正孔（アノード）を有機発光層に注入できる能力によって選択される。したがって、これら電極材料の変更はクエンチングを低減することができる一方で、装置の電気的特性は悪影響を受ける。したがって、単に電荷注入に最適な金属材料に換えるのではなく、本発明に基づいて、これら材料を保持しつつ、複合物の屈折率が低い度合いのクエンチングをもたらすように選択された他の材料との複合物の形で供給される。したがって、本発明は良好な電荷注入特性と良好な光の取出しを有する透明電極を提供する。
【００５６】
本発明は、Ｌ．Ｈ．Ｓｍｉｔｈ  ｅｔ  ａｌ．において提案されているように、励起子を再配置する装置配置の変更を必要とせずにクエンチングを低減する。さらに、本発明は、Ｗｅｄｇｅ  ｅｔ  ａｌ．ａｎｄ  Ｈｏｂｓｏｎ  ｅｔ  ａｌ．に開示されるような周期的ミクロ構造に必要性もなく、クエンチングを低減する。本発明は、Ｌｏｓｓｙ及びＳＰモードの両者によるクエンチングを低減する。これは、電極に使用される材料の光学特性を変えることによってこれらモードが近づくのを防止することによって達成される。これは、これらモードが近づく従来技術の構造と対照的であるが、ミクロ構造によって続いて発光モードに結合するものである。このようなミクロ構造は、短いＬｏｓｓｙモードを発光モードに結合するのに適さない。
【００５７】
発光波長、屈折率及びクエンチングモードを支える能力などの光学特性は機能的効果ではなく材料特性である。したがって、本発明の実施例を提供するための光学特性に応じて有機発光装置を構成するための材料が選ばれてもよい。適切な有機発光材料、電荷注入金属及びクエンチングを低減するための他の材料を選ぶ方法を次に示す。
【００５８】
本発明の実施例の透明電極に使用される特定の材料は、クエンチングモードへの励起子の結合が波長依存性であるため、使用される特定の有機発光体に依存する。Ｈｏｂｓｏｎ  ｅｔ  ａｌ．（１３９４頁、左欄、４〜７行参照）に述べられているように、放射性励起子からの発光がクエンチングモードに失われる度合いを計算するに適切なモデルがうまく確立されている。このようなモデルを使用して、特定の発光波長のクエンチングのための量が、実際の構成要素の屈折率（ｎ）及び複合体の構成要素の屈折率（ｋ）に対して計算されプロットされ得る（このようなプロットの例は、図５に示されている）。適切な電極材料の屈折率をプロットに重ね合わせることにより、注入金属のクエンチングモードへの結合を低減させるための電荷注入金属と他の材料を選択することが容易となる。特に、他の材料は、電荷注入金属より低い度合いのクエンチングを有すべきであり、したがって、電荷注入金属と比較して輪郭プロットでより低くなる。したがって、例えば、カルシウムは良好な電荷注入金属であり、図５に示されるプロットにおいてクエンチングのピークの近くにある。したがってアルミニウムは、クエンチングのピークより離れているのでクエンチングを低減するために複合物中の他の材料として選ぶことができる。
【００５９】
本発明の出願人は、本発明の実施例において、透明電極に選択される特定の材料は電極からの発光双極子の距離に敏感でないことを発見した。クエンチングの絶対値は電極からの距離によって変化し、異なる材料によるクエンチングの相対的な度合いは発光双極子の距離に敏感である。
【００６０】
複合物電極層は公知文献に開示されているが、クエンチングを低減する適切な屈折率を有する材料を含まない。例えば、公知文献に開示されるＭｇ：Ａｇ合金は、Ｍｇを電子注入材料として、Ａｇを導電性特性のために利用する。しかしながら、図５に示されるように、Ａｇは実際にＭｇによるクエンチングを増加させる。さらに、Ｍｇの注入特性は、材料のやや高い仕事関数のため特別よいというわけではない。
【００６１】
異なる屈折率を有する他の材料の共堆積の影響は、電荷注入金属（カソードには低仕事関数金属、アノードには高仕事関数金属）の光学特性をシフトさせる。理想的には、金属及び他の材料は、複合物中で密接に混合されるように堆積されるべきである。もし複合物が、電荷注入金属のポケットを含むようなばらつき状態であると、クエンチングモードに寄与するこれらポケットのためにクエンチングが生じる可能性がある。金属と他の材料は複合物のいたるところで均一に混合される。あるいは、金属と他の材料の濃度は複合物を通して変化してもよく、その場合、複合物の光学特性は複合物のバルク特性によるので、複合物はその電荷注入金属及び／又は他の材料の濃度勾配がなめらかなものであるべきである。
【００６２】
本発明の実施態様の複合物中の電荷注入材料の割合も重要である。もしこの割合が高すぎると、複合物のバルク特性は注入金属の特性から十分に除去されておらず、クエンチングモードが生じやすい。逆に、電荷注入金属の割合が低すぎると、電荷注入は悪影響を受ける。この点において、公知の透明カソードにおいて利用される５ｎｍの厚さの典型的な電荷注入層は注入の限界ではないことを注目すべきである。すなわち、電荷注入材料量の減少が直ちに電荷注入の減少には結びつかない。したがって、これら材料の合金化は必ずしも実際の電荷注入の減少とはならない。しかしながら、電荷注入金属の量が過剰に削減されると、電荷注入金属の量が注入限界になると電荷注入は減少し始める。
【００６３】
クエンチングを低減するために複合物に使用される材料は誘電化合物であり得る。ｋ＝０の誘電材料は、図５に示されるグラフの底辺軸に沿う。有利には、誘電化合物は前述した種類の透明材料である。しかしながら、金属と化合物の共堆積の１つの問題は、注入金属より低い反応性を有する金属酸化物が利用されるならば、例えば、酸素の移転によって、化合物が金属と反応し得ることである。したがって、化合物が使用されるならば、化合物は電荷注入に利用される金属より反応性の高い金属からなるという利点を有する。
【００６４】
あるいは、金属材料は、合金を形成するために、電荷注入材料金属と共堆積される他の材料として利用することができる。
【００６５】
本発明は、アノード及びカソードの両方に応用できるが、金属材料は良好な電子注入材料であると証明されているので、実施例は主として透明カソードのために利用される。これに対して、クエンチングモードの問題が生じないＩＴＯのような良好な非金属透明アノード材料は既に存在している（金属材料のみがこのクエンチングモードを生じさせる）。
【００６６】
電極は、上述した複合電荷注入層と組み合わせて他の層を含むことができる。例えば、二層を形成するために追加の導電性キャップ層が供給されてもよい。好ましくは、このキャップ層は、装置の寿命を延ばす電極の安定性を増加させるために低反応性の高仕事関数材料である。例えば、アルミニウム、銀又はＩＴＯが使用できる。このような２層構造においては、反射のような遠方場(far-field)光学効果が厚いキャップ層によって支配され、クエンチングのような近接場(near-field)光学効果が薄い電荷注入層によって支配される。
【００６７】
バッファー層が３層構造を形成するために導電性キャップ層と複合物注入層の間に供給されてもよい。バッファー層は、スパッタリング（例えば、スパッタリングＩＴＯ）のような高エネルギープロセスによって導電性キャップ層を堆積するとき下層を保護することができる。しかしながら、追加の層は電極の物理的／電気的特性を改良することができるが、電極の透明性は低下することに気をつけなければならない。さらに、追加の金属層はクエンチングモードの原因となる追加の金属境界をもたらす。本発明の１つの有利な実施態様においては、複合物に利用される他の材料は、バッファー層として機能するのに適切な厚さを供給し追加のバッファー層の必要性がないように十分に透明である。
【００６８】
分離された多層の提供の代替として、他の配置において、複合物中の電荷注入金属と他の材料の濃度は変化し得る。例えば、発光層に一番近い複合物に側では電荷注入材料の濃度が高く、発光層より最も遠い複合物側では他の材料の濃度が高くなるように共堆積プロセスはコントロールされ得る。これは、電極の電気特性を改良するために追加のキャップ層が必要ないほど他の材料の導電性が高いと特に有利である。さらに、このような配置においては、複合物層の最上面層とキャップ層の間の境界は除去され、したがってこの境界における潜在的なクエンチングモードを回避できる。
【００６９】
材料層の間のゆるやかな勾配による境界は発光層の近くに位置した多層電極構造を含む金属中の発光の光学的クエンチングを減少させる。金属／誘電体境界に典型的に存在する表面プラズモンモードは、これら境界の十分近くに位置する発光双極子の非放射性再結合（クエンチング）に寄与する。また、金属／誘電体境界及び金属／金属境界における表面プラズモン共鳴から共に離れて少ない程度に存在するＬｏｓｓｙモードは、光学的損失に寄与する。このようなクエンチング効果は、これら境界における光学的場が強い場所、例えば、金属層を含む多層カソード構造を通じて光が伝播しなければならない上面発光装置において増強される。このような勾配の境界はこれら表面プラズモン及びＬｏｓｓｙモードの強度を十分に減少させ得る。
【００７０】
例えば、ガラス／金属アノード／有機層／Ｂａ／Ａｇ／キャップ層及び封止の構造を有する上面発光装置においては、表面プラズモンモード及び類似のＬｏｓｓｙモードは有機層／Ｂａ、Ｂａ／Ａｇ及びＡｇ／キャップ境界において生じる。これらは全て装置内のクエンチング効果に加わる。勾配、例えば、Ｂａ／Ａｇカソード境界はこの境界のために実質的にクエンチングを減少又は除去する。
【００７１】
透明カソードとしては、好ましくは複合物層は、Ａｌ、Ａｇ、Ｍｇ又はＣｒと合金化されたＢａ又はＣａを含む。Ｙｂは、高価であり貧弱な装置寿命をもたらすその非常に低い仕事関数のために装置内で不安定でありうるので好ましくない。
【００７２】
本発明の他の側面によれば、（ｉ）３．５ｅＶ以下の仕事関数を有する低仕事関数金属又は４．５ｅＶ以上の仕事関数を有する高仕事関数金属、及び（ｉｉ）前記金属に関係するモードによる励起子のクエンチングを低減するための金属の屈折率と異なる屈折率を有する材料を共堆積して（ａ）透明複合物を形成することによって少なくとも１つの電極を提供することを含む上記の有機発光装置を製造するプロセスが提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００７３】
次に、単なる例示として、添付の図面を参照しながら本発明を具体的に説明する。
【００７４】
実施例１
図３を参照すると、ＰＥＤＴ／ＰＳＳ（図示しない）層が、ＨＣ  Ｓｔａｒｃｋ  ｏｆ  Ｌｅｖｅｒｋｕｓｅｎ，ＧｅｒｍａｎｙのＨＣ  Ｓｔａｒｃｋから入手可能なＢａｙｔｒｏｎ  Ｐ（ＲＴＭ）のフォーミュレイションをガラス基板１１（Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｆｉｌｍｓ，Ｃｏｌｏｒａｄｏ，ＵＳＡから入手可能）上に支持されたインジウム錫酸化物アノード１２上にスピンコートにより堆積される。ＰＥＤＴ／ＰＳＳ層は電子発光有機材料１４の薄膜層で覆われている。有機材料は、ＷＯ０１／４９７６８に開示される９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル、２，１，３−ベンゾチアジアゾール−４，７−ジイル及び４，７−ビス（２−チエン−５−イル）−２，１，３−ベンゾチアジアゾールの繰り替えし単位を含む赤色発光コポリマーである。ＢａＦ及びＣａ又はＢａの複合物層１４は、有機層１３上への電子ビーム共蒸発、熱共蒸発又は共スパッタリングによって共堆積される。アルミニウムのキャップ層１５は電子ビーム蒸発、熱共蒸発又はスパッタリングによって適用される。最終的に、装置は、密封シールを形成するために、基板に固着されるＳａｅｓ  Ｇｅｔｔｅｒｓ  ＳｐＡ（図示しない）から入手されている金属封入を使用してカプセル化される。
【００７５】
実施例２
標準的なリソグラフィー技術を使用して赤、緑及び青色サブピクセルのためのウェルを形成し、各サブピクセルウェルへＰＥＤＴ／ＰＳＳをインクジェット印刷し、緑及び青色サブピクセルのためのウェルへそれぞれ赤、緑及び青色電子発光材料をイックジェット印刷することによって、ＥＰ０８８０３０３に記載されるプロセスに従ってフルカラーディスプレイが形成された点を除いて上記プロセスが繰り返された。
【００７６】
本発明の装置は、低仕事関数金属及び電子注入金属化合物の両方の存在によってＯＬＥＤの有機層に良好な電子注入を提供し、同時に、金属のマトリックス中に固定され、これによって装置の有機層中に移入しにくい金属化合物によって、低仕事関数金属／金属化合物の２層に比較して高い安定性を提供する。
【００７７】
実施例３
図４は、本発明の上面発光ＯＬＥＤの断面構造の概略図を示したものである。ＩＴＯのようなアノード材料３２はアクティブマトリックス背面３１上に配置される金属ミラー３５上に配置されてもよい。正孔輸送材料３６はＰＥＤＴ／ＰＳＳであり、アノード３２（ＩＴＯ）と発光層３３の間に配置される。選択的に、追加の中間層３７が電子注入層と発光層の間に適用されてもよい。
【００７８】
カソード／バッファー層３４が結合した複合物は、電子ビーム共蒸発又は熱的共蒸発によって発光層３３上に堆積される。インジウム錫酸化物層３９が複合物層上にスパッタリングによって堆積される。最後に、酸素及び湿気の装置への侵入を防止するために透明封止層（図示しない）がＩＴＯ層上に適用される。封止層は通常、誘電又はポリマー／誘電複合物である。
【００７９】
透明度の測定
第１の測定法によれば、共蒸発によって洗浄された０．７ｍｍ透明ガラス基板上に複合物が堆積される。蒸発に続いて、酸素及び湿気に敏感なＢａ金属が大気中にさらされるのを避けるために、基板を蒸発装置に連続するグローブボックスに移転される。
【００８０】
Ｈｅ−Ｎｅ６３５ｎｍレーザーダイオード及びシリコンフォトダイオード検出器を使用してグローブボックス中でガラス上の複合物の透明度が測定される。透明なガラスの透明度も測定され、複合物のみの透明度がガラス上の複合物の透明度を透明ガラスの透明度で割ることによって割合計算される。
【００８１】
第２の測定法によれば、複合物を酸素又は湿気にさらすのをさらに最小化するために複合物上に酸化シリコン層が蒸発され、割合計算のために透明ガラスの透明度の代わりにガラス上の酸化シリコン層の透明度が測定される点を除いて第１の測定法が繰り返される。
【００８２】
装置の作成
青色装置
Ｂａｙｔｒｏｎ  Ｐ（登録商標）としてＨＣ  Ｓｔａｒｃｋ  ｏｆ  Ｌｅｖｅｒｋｕｓｅｎ，Ｇｅｒｍａｎｙから入手可能なポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルフォネート）（ＰＥＤＴ／ＰＳＳ）をスピンコートによりガラス基板（Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｆｉｌｍｓ，Ｃｏｌｏｒａｄｏ，ＵＳＡより入手可能）上に支持されたインジウム錫酸化物アノード上に堆積される。Ｆ８−ＴＦＢの正孔輸送層（下記に図示される）がＰＥＤＴ／ＰＳＳ層上にキシレン溶液からスピンコートによって約１０ｎｍの厚さまで堆積され、１８０℃で１時間加熱される。ＷＯ０３／０９５５８６に開示される青色電子発光ポリマーがＦ８−ＴＦＢ層の上にキシレン溶液からスピンコートにより約６５ｎｍの厚さを有する電子発光層を形成するように堆積される。３０ｎｍの厚さの５０：５０  Ｂａ：ＢａＦ２の複合物層が、望ましい厚さに達するまで（例えば、Ｂａ又はＢａＦ２のいずれかの既定容量が堆積されたときに共堆積が終了し得る）ＢａとＢａＦ２の同じ速度による共堆積により電子発光層上に形成される。５０ｎｍの厚さのＩＴＯ層はスパッタリングにより複合物層上に形成される。最後に、装置がガラス板の中心内に形成されたキャビティ内に配置されるように装置を覆うようにガラス板をかぶせ、ガラス板を基板に固着させることによって装置は外気から遮断される。
【化１】
0005198861.tif 000002
【００８３】
カソードを通して出力する光を最大化するため、反射層が基板上に供給されてもよい。
【００８４】
赤色装置
電子発光層が、５０モル％の９，９−ジ−ｎ−オクチルフルオレン−２，７−ジイル、１７モル％の“ＴＦＢ”繰返し単位（下記に図示される）、３０モル％の１，３，２−ベンゾチアジアゾール−４，７−ジイル、及び３モル％の４，７−ビス（２−チオフェン−５−イル）−１，３，２−ベンゾチアジアゾールを含む赤色電子発光ポリマーから形成される点を除いて、青色装置のプロセスにしたがって装置を形成することができる。このタイプの材料はＷＯ００／４６３２１及びＷＯ００／５５９２７に開示されている。
【化２】
0005198861.tif 000003
【００８５】
緑色電子発光装置
電子発光層が、例えば、ＷＯ００／５５９２７及びＷＯ００／４６３２１に開示されるような緑色電子発光ポリマーから形成される点を除いて青色装置のプロセスにしたがって装置を形成することができる。
【００８６】
フルカラー装置
赤、緑及び青色サブピクセル領域を規定するフォトリソグラフィーによって形成されるインクジェットウェルにＰＥＤＴ／ＰＳＳ及びＦ８−ＴＦＢ層がインクジェット印刷により堆積され、続いて、前記赤、緑、青色電子発光ポリマーをインクジェット印刷する点を除いて、青色装置の方法にしたがってフルカラー装置を形成することができる。
【００８７】
本発明によれば、カソードを形成するために必要とされる低仕事関数金属の量はこれまで必要とされたものより小さくてよく、より大きな透明度及び同時にカソード層の厚さの増大をまねく。これにより製造がより制御可能となる。複合物カソードのバッファー特性はＩＴＯ透明導電層のスパッタ堆積の使用を容易にする。加えて、装置の酸素／湿気に敏感な領域にたいする損傷の低下を導く低仕事関数金属の酸化率を低減させるようにバッファー材料を選ぶことができる。
【００８８】
実施例４−低ＳＰクエンチングカソード
実施例３の青色発光装置は複合物層中のＢａＦ２の存在のために、低い度合いのクエンチングのカソードを有する。これは、バリウムが非常に高い双極子（励起子）クエンチングを発生させることを示す図５によって理解される。これに対して、ＢａＦ２は誘電体であり、したがって、図５における低い軸線のプロットに沿って０の値のＫを有する。このようにして、複合物は、電子注入層としてＢａ単独を利用するカソードに比較して双極子クエンチングの低下をもたらすＢａＦ２とＢａの双極子クエンチング値の中間に位置する双極子クエンチング値を有する。
【００８９】
図５からわかるように、Ａｌ、Ａｇ、Ｍｇ及びＣｒがより低い双極子カップリングを生成するのに対して、電子注入材料として典型的に使用される金属のうちの２つであるＢａ及びＣａの両方は近い場において非常に強い双極子クエンチングを生成する。したがって、Ｂａ：ＢａＦ２複合材の代替として、Ｂａ又はＣａとＡｌ、Ａｇ、Ｍｇ又はＣｒとの合金を利用することができる。例えば、１つの態様として、望まれる厚さに達するまで（例えば、Ｂａ又はＡｌのいずれかの既定容量が堆積されたときに共蒸発が終了し得る）ＢａとＡｌを同じ速度で共蒸発させることにより５０：５０のＢａ：Ａｌの厚さ５ｎｍの層を電子発光層上に形成することができる。１０ｎｍの厚さのＡｇの層が複合物層の上に形成される。
【図面の簡単な説明】
【００９０】
【図１】ＯＬＥＤの典型的な断面構造の概略図を示す。
【図２】上面発光ＯＬＥＤの典型的な断面構造の概略図を示す。
【図３】本発明の第１の側面のＯＬＥＤの断面構造を示す。
【図４】本発明の他の側面のＯＬＥＤの断面構造の概略図を示す。
【図５】そこから４０ｎｍに位置する双極子のためのカソードの現実の複合屈折率の変化に対する４６０ｎｍにおけるクエンチング量の変化を示す輪郭プロットを示す。
【符号の説明】
【００９１】
１    基板
２    アノード
３    電子発光有機材料
４    カソード材料
１１    ガラス基板
１２    インジウム錫酸化物アノード
１３    電子発光有機材料
１４    複合物層
１５    キャップ層
２１    アクティブマトリックス背面板
２２    アノード材料
２３    発光層
２４    カソード
２５    金属ミラー
２６    正孔輸送材料
２７    中間層
２８    バッファー層
２９    インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）層
３１    アクティブマトリックス板
３２    アノード材料
３３    発光層
３４    カソード／バッファー層
３５    金属ミラー
３６    正孔輸送材料
３７    中間層
３９    インジウム錫酸化物層
【図１】
0005198861.tif 000004
【図２】
0005198861.tif 000005
【図３】
0005198861.tif 000006
【図４】
0005198861.tif 000007
【図５】
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