(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン基板の一主面に第１導電型不純物層とその上のマスク層を形成し、
前記マスク層と前記第１導電型不純物層とをエッチングし得るエッチングペーストのパターンを前記マスク層上に塗布し、
前記エッチングペーストパターンの領域において前記マスク層と前記第１導電型不純物層とをエッチング除去して前記シリコン基板の一部領域を露出させるように前記シリコン基板を加熱処理し、
前記シリコン基板の露出された前記一部領域に第２導電型不純物層を形成し、そして
前記マスク層を除去する工程を含み、
前記マスク層は、酸化シリコン膜と窒化シリコン膜の少なくともいずれかを含み、
前記エッチングペースト中のエッチング成分は、ＫＯＨ、ＮａＯＨ、およびＴＭＡＨの少なくとも１種を含み、
前記加熱処理の温度は、１５０℃以上４００℃以下の範囲内にある、太陽電池の製造方法。
【請求項２】
シリコン基板の一主面に第１導電型不純物層とその上のマスク層を形成し、
前記マスク層と前記第１導電型不純物層とをエッチングし得るエッチングペーストのパターンを前記マスク層上に塗布し、
前記エッチングペーストパターンの領域において前記マスク層と前記第１導電型不純物層とをエッチング除去して前記シリコン基板の一部領域を露出させるように前記シリコン基板を加熱処理し、
前記シリコン基板の露出された前記一部領域に第２導電型不純物層を形成し、そして
前記マスク層を除去する工程を含み、
前記第１導電型不純物層を形成するための不純物拡散源として利用されたＢＳＧ膜がそのまま前記マスク層としても利用され、
前記エッチングペースト中のエッチング成分は、ＫＯＨ、ＮａＯＨ、およびＴＭＡＨの少なくとも１種を含み、
前記加熱処理の温度は、１５０℃以上４００℃以下の範囲内にある、太陽電池の製造方法。
【請求項３】
前記ＢＳＧ膜の形成においては、ボロン成分を含有する溶剤が２００〜３０００ｒｐｍの回転数でスピンコートされた後に９７０℃以上の温度で加熱されることを特徴とする請求項２に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項４】
前記エッチングペーストパターンの面積は、前記シリコン基板の前記一主面に対して４０％以下であることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の太陽電池の製造方法。
【請求項５】
前記シリコン基板の前記一主面は太陽光入射側と反対側の主面であることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の太陽電池の製造方法。
【請求項６】
前記マスク層を除去した後に、
前記シリコン基板の前記一主面上にパッシベーション膜を形成し、
前記パッシベーション膜をエッチングし得る第２のエッチングペーストのパターンを前記パッシベーション膜上に塗布し、
前記第２エッチングペーストパターンの領域において前記第１導電型不純物層の少なくとも一部領域および前記第２導電型不純物層の少なくとも一部領域をそれぞれ露出させ、そして
前記第１導電型不純物層の露出された前記一部領域に接触する第１電極および前記第２導電型不純物層の露出された前記一部領域に接触する第２電極をそれぞれ形成する工程を含むことを特徴とする請求項５に記載の太陽電池の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は太陽電池の製造方法に関し、特にフォトリソグラフィ工程を塗布工程で代替することによって製造コストを低減させ得る太陽電池の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、エネルギ資源の枯渇の問題や大気中のＣＯ2の増加のような地球環境問題などからクリーンなエネルギ源の開発が望まれており、特に太陽電池を用いた太陽光発電が新しいエネルギ源として開発され、実用化され、そして発展の道を歩んでいる。
【０００３】
太陽電池としては、単結晶または多結晶の一導電型シリコン基板の受光面に逆導電型の不純物を拡散させてｐｎ接合を形成し、そのシリコン基板の受光面と裏面とにそれぞれ電極を形成したものが従来から主流となっている（特許文献１参照）。また、一導電型シリコン基板の裏面に同じ導電型の不純物を高濃度に含む不純物層を形成することによって、裏面電界効果による高出力化を図った太陽電池も一般的となっている。
【０００４】
さらに、シリコン基板の受光面には電極を形成せずに、その裏面にｐｎ接合を形成するいわゆる裏面接合型太陽電池（裏面電極型太陽電池とも称される）も開発されている（特許文献１−３参照）。裏面接合型太陽電池においては、一般的に受光面に電極を有しないので電極によるシャドーロスがなく、シリコン基板の受光面と裏面とにそれぞれ電極を有する太陽電池に比べて高い出力を得ることが期待され得る。
【０００５】
従来の太陽電池の製造方法においては、シリコン基板の一主面にｐ+層領域とｎ+層領域を形成する場合には、フォトリソグラフィ工程を利用したり、またはレジストインクを利用している。したがって、従来の太陽電池の製造方法においては、一般に高価なレジストを使用していることや工程が複雑であることから製造コストが高くなるという問題がある。
【０００６】
また、酸化シリコン及び窒化シリコンをベースとする系及びそれらの層上の表面をエッチングするためのプリント可能なエッチングペースト、および、これらのエッチングペーストを太陽電池の製造工程に使用する提案がなされている（特許文献４参照）。
【０００７】
また、フォトリソグラフィ工程を印刷工程で代替することによって、製造コストを低減することができる裏面接合型太陽電池の製造方法が提案されている（特許文献５参照）。
【特許文献１】特開平１１−１７２０１号公報
【特許文献２】米国特許第６９９８２８８号明細書
【特許文献３】特開２００６−３３２２７３号公報
【特許文献４】特表２００３−５３１８０７号公報
【特許文献５】特開２００７−８８２５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
裏面接合型太陽電池の製造においては、拡散層形成工程のさらなる簡略化が望まれている。フッ酸やリン酸ではシリコン酸化膜やシリコン窒化膜などをエッチングすることが可能であるが、シリコン基板をエッチングすることができない。
【０００９】
そこで、本発明は、簡略かつ低コストの工程で太陽電池を製造し得る方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明による太陽電池の製造方法においては、シリコン基板の一主面に第１導電型不純物層とその上のマスク層を形成し、そのマスク層と第１導電型不純物層とをエッチングし得るエッチングペーストのパターンをマスク層上に塗布し、そのエッチングペーストパターンの領域においてマスク層と第１導電型不純物層とをエッチング除去してシリコン基板の一部領域を露出させるようにシリコン基板を加熱処理し、シリコン基板の露出された一部領域に第２導電型不純物層を形成し、そしてマスク層を除去する工程を含み、マスク層は、酸化シリコン膜と窒化シリコン膜の少なくともいずれかを含み、エッチングペースト中のエッチング成分は、ＫＯＨ、ＮａＯＨ、およびＴＭＡＨの少なくとも１種を含み、加熱処理の温度は、１５０℃以上４００℃以下の範囲内にあることを特徴としている。
【００１１】
また、本発明による太陽電池の製造方法においては、シリコン基板の一主面に第１導電型不純物層とその上のマスク層を形成し、マスク層と第１導電型不純物層とをエッチングし得るエッチングペーストのパターンをマスク層上に塗布し、エッチングペーストパターンの領域においてマスク層と第１導電型不純物層とをエッチング除去してシリコン基板の一部領域を露出させるようにシリコン基板を加熱処理し、シリコン基板の露出された一部領域に第２導電型不純物層を形成し、そしてマスク層を除去する工程を含み、第１導電型不純物層を形成するための不純物拡散源として利用されたＢＳＧ膜がそのままマスク層としても利用され、エッチングペースト中のエッチング成分は、ＫＯＨ、ＮａＯＨ、およびＴＭＡＨの少なくとも１種を含み、加熱処理の温度は、１５０℃以上４００℃以下の範囲内にあることを特徴としている。
【００１２】
ＢＳＧ膜の形成においては、ボロン成分を含有する溶剤が２００〜３０００ｒｐｍの回転数でスピンコートされた後に９７０℃以上の温度で加熱され得る。また、エッチングペーストパターンの面積は、シリコン基板の一主面に対して４０％以下であることが好ましい。
【００１３】
シリコン基板の前述の一主面は、太陽光入射側と反対側の主面であり得る。マスク層を除去した後に、シリコン基板の一主面上にパッシベーション膜を形成し、パッシベーション膜をエッチングし得る第２のエッチングペーストのパターンをパッシベーション膜上に塗布し、第２エッチングペーストパターンの領域において第１導電型不純物層の少なくとも一部領域および第２導電型不純物層の少なくとも一部領域をそれぞれ露出させ、そして第１導電型不純物層の露出された一部領域に接触する第１電極および第２導電型不純物層の露出された一部領域に接触する第２電極をそれぞれ形成する工程をさらに含むこともできる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明による太陽電池の製造方法では、従来技術におけるマスク層上へのレジスト層の塗布、レジスト層のパターニング（フォトリソグラフィ）、レジスト層の硬化（加熱）、マスク層のエッチング、およびレジスト層の除去という複雑な工程がエッチングペーストの塗布、エッチング（加熱）、および洗浄（水洗）という簡便な工程に置換可能であって、製造コストが低減され得る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
（実施形態１）
図１（ａ）は、本発明の製造方法によって得られる太陽電池の一例としての裏面接合型太陽電池の裏面を模式的平面図で示している。また、図１（ｂ）は、図１（ａ）中の線１Ｂ−１Ｂの沿った模式的断面図である。なお、本願の図面において、長さ、幅、厚さなどの寸法関係は図面の明瞭化と簡略化のために適宜に変更されており、実際の寸法関係を表してはいない。すなわち、本願の図面は、あくまでも模式的なものである。また、図面中の同一の参照符号は同一部分または相当部分を表している。
【００１６】
図１（ａ）の太陽電池において、ｎ型シリコン基板１の裏面にはｐ+型不純物層領域３と櫛型状に形成されたｎ+型不純物層領域６とが形成されている。ｎ+層領域６上には櫛型状のｎ型用電極１１ａが形成されており、これに向かい合って櫛型状のｐ型用電極１１ｂがｐ+層領域３上に形成されている。
【００１７】
そして、図１（ｂ）に示されているように、シリコン基板１の受光面はエッチングされてテクスチャ構造８が形成され、その上には反射防止膜１０が形成されている。シリコン基板１の裏面にはパッシベーション膜９が形成されている。また、ｎ+層領域６とｐ+層領域３は、それぞれシリコン基板１の裏面に沿って交互に所定の間隔をあけて形成されている。ｎ型のシリコン基板１とｐ+層領域３とによって、その基板の裏面にｐｎ接合が形成されている。そして、ｐ+層領域３上にはｐ型用電極１１ｂが形成され、ｎ+層領域上にはｎ型用電極１１ａが形成されている。
【００１８】
図１（ｃ）の模式的な平面図は、図１（ａ）の太陽電池の変形例を示している。すなわち、図１（ｃ）の太陽電池は、ｎ+層領域６が櫛型状ではなくて複数のドット状に形成されていることのみにおいて図１（ａ）の太陽電池と異なっている。このような図１（ｃ）の太陽電池の製造においては、本発明で利用するエッチングペーストの使用量を減らすことができる。
【００１９】
図２（ａ）〜（ｌ）の模式的断面図において、図１（ａ）と（ｂ）に示す裏面接合型太陽電池の本発明による製造方法の一例が図解されている。なお、図２（ａ）〜（ｌ）においては、図面の簡略のためシリコン基板の裏面に一つのｎ+層領域と一つのｐ+層領域のみが形成されるように示されているが、実際には複数のｎ+層領域と複数のｐ+層領域とが形成され得ることは言うまでもない。
【００２０】
まず、図２（ａ）に示すように、ｎ型のシリコン基板１が用意される。ここで、シリコン基板１としては、たとえば多結晶シリコンまたは単結晶シリコンなどを用いることができる。また、シリコン基板はｐ型であってもよく、その場合にはシリコン基板の裏面のｎ+層とｐ型シリコン基板とによってｐｎ接合が形成される。なお、シリコン基板の大きさおよび形状は特に限定されないが、たとえば厚さを１００μｍ以上３００μｍ以下にし、１辺の長さが１００ｍｍ以上１５０ｍｍ以下の四角形状とすることができる。また、後述のエッチングペーストおよび銀ペーストの塗布位置精度を高めるために、図１（ａ）に示すように、シリコン基板の裏面には、レーザマーカによって円状の２つのアライメントマーク１２が付与され得る。
【００２１】
また、シリコン基板１としては、たとえばインゴットからスライスされることにより生じたスライスダメージを除去したものなどが用いられ得る。ここで、スライスダメージの除去は、シリコン基板の表面をフッ化水素水溶液と硝酸との混酸または水酸化ナトリウムなどのアルカリ水溶液などでエッチングを行なうことによって実施され得る。
【００２２】
図２（ｂ）においては、シリコン基板１の受光面に第１拡散防止マスク２としての酸化シリコン膜を形成する。その酸化シリコン膜は、たとえば常圧ＣＶＤ（化学気相堆積）法、またはＳＯＧ（スピンオングラス）の塗布・焼成などによって形成することができる。ここで、酸化シリコン膜の厚さは特に限定されないが、たとえば１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下の厚さとすることができる。そして、ＢＢｒ3を用いた気相拡散によってシリコン基板の裏面にボロンを拡散させてｐ+層を形成する。
【００２３】
図２（ｃ）では、シリコン基板１の受光面の酸化シリコン膜２および裏面のボロン拡散で形成されたｐ+層３に付随して形成されたＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）がフッ化水素水溶液などを用いて除去される。なお、ｐ+層３は、シリコン基板１の裏面にボロンを含んだ溶剤を塗布した後に加熱することによって形成してもよい。
【００２４】
図２（ｄ）では、シリコン基板１の受光面と裏面の全面に第２拡散防止マスクとして酸化シリコン膜４ａ、４ｂを形成する。この酸化シリコン膜の厚さは特に限定されないが、たとえば１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下の厚さとすることができる。なお、第１と第２の拡散防止マスク２、４ａ、４ｂとしては、酸化シリコン膜以外にも、窒化シリコン膜、または酸化シリコン膜と窒化シリコン膜との積層体などを用いることもできる。
【００２５】
図２（ｅ）では、シリコン基板１の裏面において、酸化シリコン膜４ｂの一部に第１エッチングペーストパターン５を塗布する。より具体的には、第１エッチングペーストパターン５は、ｎ+層領域の形成箇所に対応して酸化シリコン膜４ｂ上に塗布される。塗布方法としては、ディスペンサ、インクジェット、スクリーン印刷、ロールコータ印刷、オフセット印刷などを用いることができる。第１エッチングペーストは、第２拡散防止マスク４ｂおよび第１導電型不純物層が形成されたシリコン基板をエッチングするため、エッチング成分としてシリコン基板をエッチング可能なアルカリ成分を含むことが好ましく、特に水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、もしくはＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）またはそれらの混合物を含むことが好ましい。また、エッチング成分以外の成分として水、有機溶媒、および増粘剤などを含み、塗布可能な粘度に調整されていることが好ましい。
【００２６】
ここで有機溶媒としては、たとえばイソプロピルアルコール、ジエチレングリコールなどのアルコール；エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテルなどのエーテル；２，２−ブトキシエチルアセテート、プロピレンカーボネートなどのエステル；またはＮ−メチル−２−ピロリドンなどのケトンなどの少なくとも１種を用いることができる。また、増粘剤としては、たとえばエチルセルロースやナトリウムカルボキシメチルヒドロキシエチルセルロースなどのセルロース誘導体；ナイロン６などのポリアミド樹脂；またはポリビニルピロリドンなどのビニル基が重合したポリマーなどの少なくとも１種を用いることができる。
【００２７】
第１エッチングペーストに含まれるエッチング成分の濃度は、１０〜４０質量％が好ましい。なぜならば、シリコンに比べてエッチングレートの小さい酸化シリコンおよび／または窒化シリコンからなる第２拡散防止マスク４ｂをエッチングし、さらにｐ+層３をエッチングしなければならないので、１０質量％未満ではエッチングが不十分になりやすい傾向になり、４０質量％を超える場合には印刷法による塗布に必要な粘度が得られにくい傾向になるからである。
【００２８】
図２（ｆ）では、第１エッチングペーストパターンの塗布後のシリコン基板１を第１加熱処理することにより、第２拡散防止マスク４ｂおよびｐ+層３のうちで第１エッチングペーストパターンが塗布された部分をエッチング除去する。
【００２９】
この際、第２拡散防止マスクおよびｐ+層をエッチングするために、特に加熱温度が重要である。本発明で拡散防止マスクに使用されるシリコン酸化膜やシリコン窒化膜は、シリコンにくらべアルカリ溶液に対するエッチングレートが非常に小さく、通常アルカリ溶液に対するエッチングマスクとしても利用される。一般にアルカリ溶液によるエッチングは１００℃以下の温度範囲で行われるが、このような温度ではシリコン酸化膜やシリコン窒化膜をエッチングするために加熱時間が長時間になってしまい、場合によっては加熱中に第１エッチングペーストが変性して、ｐ+層にエッチングが達する前にエッチングが止まってしまうこともある。本発明では、エッチングペーストを使用することによってアルカリ溶液では不可能な高温加熱が可能となり、シリコン酸化膜またはシリコン窒化膜からなる第２拡散防止マスク４ｂとｐ+層３を同時に短時間で確実にエッチングすることが可能となる。
【００３０】
ここで、第１加熱処理の温度は１５０℃以上４００℃以下であることが好ましい。なぜならば、第２拡散防止マスク４ｂが酸化シリコン膜および／または窒化シリコン膜であって第１エッチングペーストの加熱温度が１５０℃未満である場合には、拡散防止マスク４ｂとして十分な厚さを有する酸化シリコン膜および／または窒化シリコン膜のエッチングが不十分になりやすくてシリコン基板１までエッチングが至りにくい傾向になり、４００℃を超える場合には第１エッチングペーストパターン５がシリコン基板１の裏面に焦げ付きやすくて後で完全に除去しにくくなる傾向になるからである。
【００３１】
ただし、エッチング成分の主成分がＴＭＡＨである場合、第１加熱処理の温度は１５０℃以上２００℃以下であることが好ましい。なぜならば、加熱温度が１５０℃未満である場合には、水酸化カリウムや水酸化ナトリウムの場合と同様にエッチングが不十分となりやすい傾向になり、２００℃を超える場合にはＴＭＡＨが熱分解を起こしやすくてエッチングが困難になりやすい傾向になるからである。
【００３２】
第１加熱処理の時間は、３０秒以上３００秒以下であることが好ましい。なぜならば、第１加熱処理の時間が３０秒未満である場合には、シリコン基板の温度分布などによるエッチングレートのばらつきにより、第１加熱処理の温度を４００℃とした場合でもｐ+層が完全にエッチングされない部分が生じやすくなる傾向になるからである。他方、第１加熱処理の温度が４００℃未満であっても長時間の加熱を行なえば、第１エッチングペーストが変性して加熱後の除去が難しくなる傾向になるので、第１エッチングペーストの熱処理時間は３００秒を超えない範囲で行なうことが好ましい。
【００３３】
上述のような好ましい条件下で加熱処理することにより、第２拡散防止マスク４ｂおよびシリコン基板をより確実にエッチングすることができ、ｐ+層３の部分的領域の除去をより確実に行なうことができる。また、このときエッチング深さは０．５〜１０μｍが好ましい。拡散条件にもよるが、通常ｐ+層深さは数百ｎｍ〜１μｍ程度である。確実にｐ+層を除去するために、想定されるｐ+層深さより深くエッチングすることが好ましいが、１０μｍを越えてボロンが拡散されていることは考えにくく、１０μｍ以上エッチングすると部分的にエッチングしているため、段差が大きくなりすぎエッチング部を起点に割れやすくなる、後工程の印刷性が悪くなるなどの問題が発生する。
【００３４】
本発明は、第１導電型不純物拡散層を形成したシリコン基板上にシリコン酸化膜またはシリコン窒化膜からなる第２拡散防止マスクを形成し、その上に第１エッチングペーストを部分的に塗布して加熱することによって第２拡散防止マスクと第１導電型不純物拡散層を同時にエッチングする工程を含むことを特徴としており、この同時のエッチングによって、以下の２つの利点が得られる。
【００３５】
第１の利点として、次の工程でシリコン基板に形成される第２導電型不純物拡散層のパターニングがセルフアライメント化され得る。もしシリコン基板に形成された第１導電型不純物拡散層を第１エッチングペーストで部分的に除去した後に第２拡散防止マスクを形成するとすれば、その第２拡散防止マスクは高い精度のアライメントで再度のエッチングによって形成されなければならず、それによって工程が複雑化する。
【００３６】
第２の利点として、第２拡散防止マスク上からエッチングすることによって、エッチングの境界が明確になり得る。第１エッチングペーストに使用しているアルカリ成分は、有機溶剤にはほとんど溶けず、同量以上の水に溶かす必要がある。したがって、アルカリ成分含有エッチングペーストはその粘度やチクソ性を上げることが難しく、スクリーン印刷などでシリコン基板に塗布されたときに滲みやダレを生じやすい特徴を有している。
【００３７】
より具体的には、図５の模式的断面図に示すように、アルカリ成分でエッチングされやすいシリコン基板１に第２エッチングペースト５を直接塗布して加熱すれば（図５（ａ）参照）、その基板上において設計パターンではないペースト滲み部分５αにおいてもエッチングが生じ得る（図５（ｂ）参照）。しかし、ペースト滲み部分５αは、それ自体が薄いので、通常では第１導電型不純物拡散層３を完全にエッチングすることもできず、不完全なエッチング部分３αを生じる。このような状態で第２導電型不純物拡散層を形成すれば、リーク電流が発生したり、再結合電流が増大するなどして太陽電池特性を低下させるおそれがある。
【００３８】
他方、図６の模式的断面図に示すように、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜の第２拡散防止マスク４ｂ上にアルカリ成分含有エッチングペースト５を塗布して加熱しても（図６（ａ）参照）、第２拡散防止マスク４ｂがアルカリ成分でエッチングされにくいので、ペースト滲み部分５αはほとんど影響を生じず、設計パターン通りにエッチングがなされ得る（図６（ｂ）参照）。このように、エッチングした後に第２導電型不純物拡散層を形成することで、拡散層間でのリークが抑制され、高い太陽電池特性が期待され得る。すなわち、第２拡散防止マスク４ｂが、第２導電型不純物拡散層形成時のエッチング防止マスクとしても機能し得る。
【００３９】
図７は、図６（ｂ）に対応する上面を示す写真である。この写真において、シリコン酸化膜４ｂは２５０ｎｍ程度の厚さを有している。シリコン酸化膜４ｂの厚さに変化があれば、光の干渉によって色が変化する。しかし、図７の写真から、エッチング境界近傍においてシリコン酸化膜４ｂの色に変化がなく、その厚さに変化がないことがわかる。
【００４０】
なお、前述の第１加熱処理の方法は特に限定されず、たとえばホットプレート、ベルト炉、またはオーブンを用いて行なうことができる。
【００４１】
第１加熱処理後には、第１エッチングペーストパターン５を除去する。より具体的には、シリコン基板１を水中に浸して超音波洗浄を行なった後、シリコン基板１の裏面を流水洗浄することによって第１エッチングペーストパターン５を除去することが好ましい。これにより、シリコン基板１の裏面の一部が露出することになる。なお、流水洗浄に加えて、一般に知られているＳＣ１洗浄（アンモニア過酸化水素水洗浄）、ＳＣ２洗浄（塩酸過酸化水素水洗浄）、硫酸と過酸化水素水の混合液による洗浄、薄いフッ化水素水溶液による洗浄、薄いアルカリ溶液による洗浄、または界面活性剤を含む洗浄液を用いて洗浄をすることもできる。
【００４２】
図２（ｇ）では、第１エッチングペーストパターン５が除去された後、ＰＯＣｌ3を用いた気相拡散によってシリコン基板１の裏面の露出領域にリンを拡散させてｎ+層領域６が形成される。その後、シリコン基板１の受光面と裏面に存在する酸化シリコン膜４ａ、４ｂおよびリンの拡散時に付随的に形成されたＰＳＧ（リンシリケートガラス）膜のすべてが、フッ化水素水溶液などを用いて除去される。なお、ｎ+層領域６の形成は、シリコン基板１の裏面の露出領域にリン含有溶剤を塗布して加熱することによって形成してもよい。
【００４３】
そして、ｐ型またはｎ型の不純物層領域の形成において、面積の小さい方の不純物層領域の形成にエッチングペーストを使用することによって、第１エッチングペーストの使用量をできるだけ少なくすることができる。すなわち、第１エッチングペーストパターンの塗布面積はシリコン基板１の裏面の５０％以下であることが望まれる。また、裏面接合型太陽電池のｐ型とｎ型の不純物層領域の面積率において、特許文献３ではｎ型シリコン基板に対してｐ型不純物層領域は６０％以上が好適であるとの知見が得られており、本実施形態の方法においてもシリコン基板１と同型のｎ型不純物層領域６の形成にエッチングペーストパターン５を用いることによって、第１エッチングペーストパターンの塗布面積を４０％以下にすることが好ましく、３０％以下にすることがより好ましい。さらにエッチングペーストの使用量を低減させるためには、ｎ型不純物層領域６が図１（ａ）におけるように櫛型状ではなくて、図１（ｃ）におけるようなドット状に形成されてもよい。
【００４４】
図２（ｈ）においては、シリコン基板１の裏面にテクスチャ化マスク７としての酸化シリコン膜を形成し、そしてシリコン基板１の受光面にテクスチャ構造８を形成する。ここで、酸化シリコン膜７は、たとえば常圧ＣＶＤ法またはＳＯＧ（スピンオングラス）の塗布・焼成などによって形成することができる。酸化シリコン膜７の厚さは特に限定されないが、たとえば３００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の厚さとすることができる。
【００４５】
また、テクスチャ化マスク７としては、酸化シリコン膜以外にも、窒化シリコン膜、または酸化シリコン膜と窒化シリコン膜の積層体などを用いることができる。ここで、窒化シリコン膜は、たとえばプラズマＣＶＤ法などで形成することができる。窒化シリコン膜の厚さは特に限定されないが、たとえば６０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の厚さとすることができる。
【００４６】
なお、受光面のテクスチャ構造８は、エッチングにより形成することができる。そのためのエッチング液としては、たとえば水酸化ナトリウムまたは水酸化カリウムなどのアルカリ水溶液にイソプロピルアルコールを添加した液をたとえば７０℃以上８０℃以下に加熱して用いることができる。
【００４７】
図２（ｉ）では、シリコン基板１の裏面において、酸化シリコン膜７を一旦フッ化水素水溶液などを用いて除去した後に、プラズマＣＶＤ法によりパッシベーション膜９としての窒化シリコン膜を形成する。なお、裏面パッシベーション膜９として、窒化シリコン膜の代わりに、ドライ酸化（熱酸化）により形成される酸化シリコン膜、または酸化シリコン膜と窒化シリコン膜との積層膜を使用することもできる。
【００４８】
図２（ｊ）では、シリコン基板１の受光面上において、窒化シリコン膜からなる反射防止膜１０をプラズマＣＶＤにより形成する。
【００４９】
そして、図２（ｋ）において、シリコン基板１の裏面のパッシベーション膜９を部分的に除去してコンタクトホール９ａ、９ｂを形成し、ｎ+層領域６およびｐ+層領域３の一部を露出させる。ここで、窒化シリコン膜９の部分的除去は、その表面にスクリーン印刷法などを用いて第２エッチングペーストパターンを塗布して第２加熱処理を施すことによって行なうことができる。
【００５０】
その第２エッチングペーストには、エッチング成分としてリン酸、フッ化水素、フッ化アンモニウム、およびフッ化水素アンモニウムから選択された少なくとも１種を用いることができる。ここで、アルカリ成分を使用しないのは、パッシベーション膜９のみをエッチングして、ｎ型とｐ型の不純物層領域６、３をエッチングしないようにするためである。第２加熱処理の温度と時間は、それぞれ２００〜４００℃と３０〜１８０秒の範囲内とすることが好ましい。
【００５１】
図２（ｋ）における第２加熱処理後に、第２エッチングペーストを除去する。より具体的には、シリコン基板１を水中に浸して超音波洗浄を行なってから、シリコン基板の裏面を流水洗浄することによって、第２エッチングペーストを除去することが好ましい。これによって、ｎ+層領域６とｐ+層領域３のそれぞれが部分的に露出される。なお、ここでも、流水洗浄に加えて、一般に知られているＳＣ１洗浄、ＳＣ２洗浄、硫酸と過酸化水素水の混合液による洗浄、薄いフッ化水素水溶液による洗浄、薄いアルカリ溶液による洗浄、または界面活性剤を含む洗浄液を用いて洗浄をすることもできる。
【００５２】
最後に、図２（ｌ）に示すように、ｎ+層領域６とｐ+層領域３のそれぞれの露出面に銀ペーストを塗布した後に焼成することによって、ｎ+層領域６上にｎ型用電極１１ａを形成し、ｐ+層領域３上にｐ型用電極１１ｂを形成する。これにより、裏面電極型太陽電池が完成する。
【００５３】
（実施形態２）
図２（ａ）〜（ｌ）に類似する図３（ａ）〜（ｊ）においては、裏面接合型太陽電池の本発明による製造方法の他の例が図解されている。なお、図３（ａ）〜（ｊ）に関しては、図２（ａ）〜（ｌ）の場合と同様に成立することが明らかな事項についての説明は繰り返されない。
【００５４】
まず、図３（ａ）において、図２（ａ）の場合と同様に、ｎ型のシリコン基板が用意される。
【００５５】
図３（ｂ）においては、図２（ｂ）中の拡散防止マスク２を利用する場合とは異なって、シリコン基板１の裏面にボロン含有溶剤（ＢＳＧ液）層１３をスピンコートした後に加熱することによってｐ+層３を形成する。
【００５６】
なお、ＢＢｒ3の気相拡散によりｐ+層３を形成することも可能であるが、本実施形態の方法では受光面側に拡散防止マスクを形成しないので、気相拡散では受光面側にまでｐ+層が形成されやすい傾向になり、後工程で受光面にテクスチャを形成する際にフラットな箇所ができやすくなる傾向になる。また、テクスチャ化エッチングをした際に受光面のｐ+層のエッチング除去が不完全になる傾向にある。したがって、シリコン基板１の裏面にＢＳＧ液からボロンを拡散させることによって、その裏面にｐ+層３を形成することが好ましい。
【００５７】
他方、ＢＳＧ液を用いる場合であっても、加熱条件によってはＢＳＧ液に含まれるボロン成分が気相中に拡散して受光面にｐ+層が形成される場合もあり得るが、それは本来目的としている裏面側のｐ+層３に比べ非常にボロン濃度の低いものであり、テクスチャ化エッチングに影響を与えることはなく、テクスチャ化エッチング後に受光面側にｐ＋層が残って太陽電池特性に悪影響を与えることもない。
【００５８】
本実施形態の方法では、加熱によるｐ+層３の形成時にできるＢＳＧ膜１３を後のｎ型不純物拡散時のマスクとして使用するので、ＢＳＧ膜の厚さ制御のためにもＢＳＧ液によるｐ+層３の形成が好ましい。後工程の拡散防止マスクとしてのＢＳＧ膜１３の十分な厚さを得るためには、スピンコート時の回転数は３０００ｒｐｍ以下が好ましい。ただし、シリコン基板１の周縁におけるＢＳＧ液の回り込みを防止するために、その回転数は２００ｒｐｍ以上であることが好ましい。
【００５９】
また、ＢＳＧ膜１３を拡散防止マスクとして利用するためには、その厚さだけでなく緻密な膜を形成することが望まれる。そのためには、シリコン基板１を９７０℃以上で加熱することが好ましい。すなわち、３０００ｒｐｍを超える回転数によるスピンコートおよび９７０℃未満における熱拡散では、太陽電池特性が低下しやすくなる傾向がみられ、ｎ型不純物の拡散用のマスクとしての機能が十分でなくなる傾向になると考えられる。
【００６０】
図３（ｃ）では、図２（ｅ）の場合に類似して、シリコン基板１の裏面のＢＳＧ膜１３上に第１エッチングペーストパターン５を塗布する。
【００６１】
図３（ｄ）では、図２（ｆ）の場合に類似して、シリコン基板１を第１加熱処理することによって、第１エッチングペーストパターン５の領域においてＢＳＧ膜１３とｐ+層３が部分的にエッチング除去される。そして、この第１加熱処理後の洗浄も、実施形態１の場合と同様に行なうことができる。
【００６２】
図３（ｅ）においては、シリコン基板１の受光面には拡散防止マスクを形成せず、裏面にリン含有溶剤（ＰＳＧ液）をスピンコートした後に加熱することによって、シリコン基板１の裏面の露出面にｎ+層領域６を形成する。
【００６３】
ｎ+層領域６はＰＯＣｌ3を用いた気相拡散によって形成されてもよいが、塗布されたＰＳＧ液からの拡散によって形成されることがより好ましい。前述のｐ型不純物拡散の場合に類似して、ＰＯＣｌ3を用いた気相拡散によってｎ+層領域６を形成した場合、意図せずに受光面側に形成されるｎ+層は、ＰＳＧ液を用いた場合に比べて高濃度で厚く形成される傾向になる。そして、テクスチャ化エッチングの際に、そのｎ+層が完全に除去されずに部分的に残る可能性があり得るので、ｎ+層領域６の形成のためにはＰＳＧ液１４を用いた拡散がより好ましい。
【００６４】
このｎ型不純物拡散のときの加熱温度は、７５０〜８５０℃であることが好ましい。なぜならば、７５０℃未満の温度では、シリコン基板１中に拡散するリンの濃度が低くて、面内の分布が大きくなってしまうので、太陽電池特性を低下させる傾向があるからでる。他方、８５０℃を超える温度では、ＢＳＧ膜１３が拡散防止マスクとして十分に機能しなくなる傾向があるからである。ＰＳＧ液１４の塗布時の基板回転数は、特には限定されないが、３０００〜５０００ｒｐｍとすることができる。
【００６５】
図３（ｆ）においては、シリコン基板１の裏面のＢＳＧ膜１３とＰＳＧ膜１４がフッ化水素水溶液などを用いて除去された後に、その裏面上にパッシベーション膜９としての窒化シリコン膜をプラズマＣＶＤ法によって形成する。この窒化シリコン膜９は、工程簡略化のために、後で行なうテクスチャ化エッチングの際にシリコン基板１の裏面の保護膜としても利用することができる。保護膜として利用する場合、この窒化シリコン膜９は通常のパッシベーション膜として使用する場合に比べて厚くする必要があり、７０〜１５０ｎｍの厚さにすることが好ましい。
【００６６】
なお、裏面パッシベーション膜９として、窒化シリコン膜の代わりに、シリコン基板の熱酸化により形成される酸化シリコン膜、または酸化シリコン膜と窒化シリコン膜との積層膜を使用することもできる。ただし、酸化シリコン膜を単層でパッシベーション膜９と保護膜を兼ねて使用する場合、熱酸化により形成される酸化膜のみでは、テクスチャ化エッチングの保護膜を兼ねる厚さを形成するために非常に長い処理時間を要する。したがって、パッシベーション膜として使用する酸化シリコン膜のみを熱酸化によって形成し、その後にテクスチャ化マスクとして厚さ４００〜１０００ｎｍの酸化シリコン膜を常圧ＣＶＤ法で形成することが好ましい。この常圧ＣＶＤ法により形成した酸化シリコン膜は、テクスチャ化エッチング後に除去しなくてもよい。
【００６７】
図３（ｇ）では、図２（ｈ）の場合と同様に、シリコン基板１の受光面にテクスチャ構造８を形成する。
【００６８】
図３（ｈ）では、図２（ｊ）の場合と同様に、シリコン基板１の受光面上に窒化シリコン膜からなる反射防止膜１０をプラズマＣＶＤにより形成する。
【００６９】
図３（ｉ）では、図２（ｋ）の場合と同様に、裏面パッシベーション膜９を部分的に除去してコンタクトホール９ａ、９ｂを形成し、ｎ+層領域６およびｐ+層領域３を部分的に露出させる。
【００７０】
最後に、図３（ｊ）において、図２（ｌ）の場合と同様に、ｎ+層６の露出面上にｎ型用電極１１ａを形成し、ｐ+層領域の露出面上にｐ型用電極１１ｂを形成する。こうして、本実施形態２においては、実施形態１の場合に比べてもさらに工程を簡略化した方法で裏面電極型太陽電池を製造することができる。
【００７１】
なお、前述のように、エッチングペーストパターンおよび銀ペーストパターンの塗布の際には、図１（ａ）に示すようなアライメントマーク１２を利用することによって塗布精度を上げることができる。
【００７２】
以上のように、本発明においては、フォトリソグラフィ工程を塗布工程で代替させることによって、裏面電極型太陽電池の製造コストを大幅に低減させることができる。
【００７３】
なお、以上の実施形態では裏面接合型太陽電池について説明されたが、本発明は裏面接合型以外にもフローティングジャンクション型などの場合のように、シリコン基板の片面にｎ層（ｎ+層）領域とｐ層（ｐ+層）領域との両方が形成される太陽電池のすべてに適用され得る。
【００７４】
図４は、参考のために、フローティングジャンクション型太陽電池の一例を模式的な断面図で示している。この太陽電池においては、ｐ型のシリコン基板２１の受光面と裏面にｎ+層２２ａ、２２ｂがそれぞれ形成されている。受光面側のｎ+層２２ａは窒化シリコン膜２４で覆われ、裏面側のｎ+層２２ｂは酸化シリコン膜２５によって覆われている。そして、シリコン基板２１の受光面側においては、窒化シリコン膜２４に設けられた開口を介してｎ型用電極２６がｎ+層２２ａに接続されている。他方、裏面側においては、酸化シリコン膜２５に設けられた開口を介して、基板２１内に形成されたｐ+層領域２３にｐ型用電極２７が接続されている。
【実施例】
【００７５】
（実施例１）
上述の実施形態１に対応して、実施例１の太陽電池が作製された。したがって、本実施例１も、図２（ａ）〜（ｌ）を参照しつつ説明される。まず、１辺１００ｍｍで厚さ２００μｍ程度のｎ型シリコンウェハのスライスダメージ層を水酸化ナトリウム溶液で除去して、ｎ型シリコン基板１を用意した（図２（ａ）参照）。
【００７６】
次いで、シリコン基板１の受光面に第１拡散防止マスク２として厚さ２５０ｎｍの酸化シリコン膜を常圧ＣＶＤにより形成した（図２（ｂ）参照）。
【００７７】
そして、９５０℃の雰囲気下でＢＢｒ3を用いた気相拡散を６０分間行なうことによって、シリコン基板１の裏面にボロンを拡散してｐ+層３を形成した。その後、シリコン基板１の受光面上の酸化シリコン膜２およびボロン拡散に伴って形成されたＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）膜が、フッ化水素水溶液を用いてすべて除去された（図２（ｃ）参照）。
【００７８】
続いて、シリコン基板１の受光面および裏面の全面に第２拡散防止マスクとして厚さ２５０ｎｍの酸化シリコン膜４ａ、４ｂを常圧ＣＶＤにより形成した（図２（ｄ）参照）。そして、シリコン基板１の裏面の酸化シリコン膜４ｂ上に第１エッチングペーストパターン５をスクリーン印刷法により塗布した（図２（ｅ）参照）。このとき、エッチングペーストパターン５を櫛型に塗布し、その塗布面積はシリコン基板１の裏面全体に対して３０％であった。第１エッチングペーストはエッチング成分として水酸化カリウムを含有し、水酸化カリウム水溶液にＮ−メチル−２−ピロリドンとナトリウムカルボキシメチルヒドロキシエチルセルロースを混合して適当な粘度となるように調整したものを用いた。このとき、第１エッチングペースト中の水酸化カリウム濃度は３０質量％であった。
【００７９】
その後、第１エッチングペーストパターン５が塗布されたシリコン基板１をホットプレートで２５０℃において１２０秒間加熱することによって第１加熱処理を行ない、第１エッチングペーストパターン５が塗布されている領域において酸化シリコン膜４ｂとｐ+層３をエッチングした。この条件で加熱処理することによってシリコン基板１が約１．５μｍの厚さまでエッチングされることを確認しており、すなわちｐ+層３の全厚がエッチング除去されていることを確認した。第１加熱処理後においては、シリコン基板１に対して水中で５分間の超音波洗浄をし、さらにその基板の裏面を流水で５分間洗浄することによって、第１エッチングペーストパターン５を除去し、シリコン基板1の裏面面積の３０％を露出させた（図２（ｆ）参照）。
【００８０】
その後、９００℃においてＰＯＣｌ3を用いた気相拡散を３０分間行なうことによって、シリコン基板１の裏面の露出領域にリンを拡散してｎ+層領域６を形成した。そして、シリコン基板１の受光面および裏面の酸化シリコン膜４ａ、４ｂおよびリン拡散時に付随的に形成されたＰＳＧ（リンシリケートガラス）膜が、フッ化水素水溶液を用いて除去された（図２（ｇ）参照）。
【００８１】
次いで、シリコン基板１の裏面にテクスチャ化マスク７として厚さ７００ｎｍの酸化シリコン膜が、常圧ＣＶＤ法によって形成された。そして、水酸化ナトリウム水溶液にイソプロピルアルコールを少量添加した液を８０℃に加熱したエッチング液を用いて、シリコン基板１の受光面をエッチングすることによってテクスチャ構造８を形成した（図２（ｈ）参照）。
【００８２】
続いて、フッ化水素水溶液などを用いてシリコン基板１の裏面の酸化シリコン膜７を一旦除去した後に、シリコン基板１の裏面にパッシベーション膜９としての窒化シリコン膜をプラズマＣＶＤ法によって形成した（図２（ｉ）参照）。他方、シリコン基板１の受光面上には、反射防止膜１０としての窒化シリコン膜をプラズマＣＶＤ法により形成した（図２（ｊ）参照）。
【００８３】
さらに、シリコン基板１の裏面の窒化シリコン膜９上に、第２エッチングペーストパターンをスクリーン印刷法により塗布した。第２エッチングペーストは、エッチング成分としてリン酸を含有し、スクリーン印刷が可能なように増粘剤により粘度を調整した。この場合、第２エッチングペースト中のリン酸濃度は３０質量％であった。その後、第２エッチングペーストパターンが塗布されたシリコン基板１をホットプレート上において３００℃で９０秒間の第２加熱処理を行ない、シリコン基板１の裏面上において第２エッチングペーストパターンで覆われた窒化シリコン膜の部分的領域をエッチングした。そして、第２加熱処理後は、前述と同様の条件で超音波洗浄と流水洗浄を行なって、シリコン基板１の裏面上の窒化シリコン膜９に直径１００μｍ程度の円形状のコンタクトホール９ａ、９ｂを形成して、ｎ+層領域６およびｐ+層領域３をそれぞれ部分的に露出させた（図２（ｋ）参照）。
【００８４】
最後に、ｎ+層領域６とｐ+層領域３のそれぞれの露出面に銀ペーストを塗布して焼成することによって、ｎ+層領域６の露出面上にｎ型用電極１１ａを形成し、ｐ+層領域３の露出上にｐ型用電極１１ｂを形成した。
【００８５】
こうして作製された本実施例１の裏面接合型太陽電池に関して、ソーラーシミュレータによるＡＭ１．５の光を１ｋＷ／ｍ2の強度で照射してその出力特性を測定したところ、４０．０５ｍＡ／ｃｍ2の短絡電流密度（Jsc）、０．６３１Ｖの開放端電圧（Voc）、０．７４５のフィルファクタ（F.F）、および１８．８１％の光電変換効率（η）が得られた。
【００８６】
（実施例２）
前述の実施形態２に対応して、実施例２の太陽電池が作製された。したがって、本実施例２も、図３（ａ）〜（ｊ）を参照しつつ説明される。まず、１辺１００ｍｍで厚さ２００μｍ程度のｎ型シリコンウェハのスライスダメージ層を水酸化ナトリウム溶液で除去して、ｎ型シリコン基板１を用意した（図３（ａ）参照）。
【００８７】
そして、ボロン成分含有溶剤を回転数１０００ｒｐｍでシリコン基板１の裏面にスピンコートして乾燥した後、１０００℃で５０分間加熱してボロンを拡散させることによってシリコン基板１の裏面にｐ+層３を形成した。ボロン拡散時にシリコン基板１の裏面に形成されたＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）膜１３は、除去されずにそのまま残された（図３（ｂ）参照）。
【００８８】
続いて、実施例１の場合（図２（ｅ）参照）に類似して、本実施例２においても、シリコン基板１の裏面のＢＳＧ膜１３上に、実施例１と同一の第１エッチングペーストを用いて、第１エッチングペーストパターン５をスクリーン印刷法により塗布した（図３（ｃ）参照）。
【００８９】
その後、実施例１の場合（図２（ｆ）参照）に類似して、本実施例２においても、第１エッチングペースト５が塗布されたシリコン基板１をホットプレートで２５０℃において１２０秒間加熱することによって第１加熱処理を行ない、第１エッチングペーストパターン５が塗布されている領域においてシリコン基板１の裏面のＢＳＧ膜１３およびｐ+層３をエッチングした（図３（ｄ）参照）。本実施例２においても、シリコン基板は約１．５μｍエッチングされることを確認しており、ｐ+層３の全厚がエッチングされていることを確認した。その後、実施例１の場合と同様に、本実施例２においても第１加熱処理後の第１エッチングペーストパターン５を除去し、シリコン基板１の裏面面積の３０％を露出させた。
【００９０】
そして、シリコン基板１の裏面にリン成分含有溶剤を回転数４０００ｒｐｍでスピンコートして乾燥した後、８２０℃で４０分間加熱してリン拡散させることによってシリコン基板１の裏面の露出領域にｎ+層領域６を形成した。その後、シリコン基板１の裏面のＢＳＧ膜１３およびリン拡散時に付随的に形成されたＰＳＧ（リンシリケートガラス）膜１４（図３（ｅ）参照）が、フッ化水素水溶液を用いてすべて除去された。
【００９１】
続いて、プラズマＣＶＤ法により、シリコン基板１の裏面にパッシベーション膜９としての窒化シリコン膜を形成した（図３（ｆ）参照）。この窒化シリコン膜９は、テクスチャ化マスクとしても使用するために、比較的大きな１２０ｎｍの厚さに形成された。
【００９２】
次いで、実施例１の場合（図２（ｈ）参照）と同様に、本実施例２においてもシリコン基板１の受光面にテクスチャ構造８を形成した（図３（ｇ）参照）。
【００９３】
その後、実施例１の場合（図２（ｊ）参照）と同様に、本実施例２においても受光面上にプラズマＣＶＤ法により、反射防止膜としての窒化シリコン膜１０を形成した（図３（ｈ）参照）。
【００９４】
続いて、実施例１の場合（図２（ｋ）参照）と同様に、本実施例２においてもシリコン基板１の裏面の窒化シリコン膜９上に実施例１の場合と同じ第２エッチングペーストパターンをスクリーン印刷法により塗布した。その後、第２エッチングペーストが塗布されたシリコン基板がホットプレートで３００℃において９０秒間で第２加熱処理され、第２エッチングペーストの塗布領域において窒化シリコン膜９をエッチングした。そして、第２加熱処理後に前述と同一の条件で超音波洗浄と流水洗浄を行なって、シリコン基板１の裏面の窒化シリコン膜９に直径１００μｍ程度の円形状のコンタクトホールを形成してｎ+層領域６とｐ+層領域３を部分的に露出させた（図３（ｉ）参照）。
【００９５】
最後に、実施例１の場合（図２（ｌ）参照）と同様に、本実施例２においてもｎ+層領域６とｐ+層領域３の露出面のそれぞれに銀ペーストを塗布した後に焼成することによって、ｎ+層領域６の露出面上にｎ型用電極１１ａを形成し、ｐ+層領域３の露出面上にｐ型用電極１１を形成した。
【００９６】
こうして作製された本実施例２の裏面接合型太陽電池に関して、実施例１の場合と同様にソーラーシミュレータによるＡＭ１．５の光を１ｋＷ／ｍ2の強度で照射してその出力特性を測定したところ、３９．６７ｍＡ／ｃｍ2の短絡電流密度（Jsc）、０．６２９Ｖの開放端電圧（Voc）、０．７００のフィルファクタ（F.F）、および１７．４６％の光電変換効率（η）が得られた。
【００９７】
なお、以上の実施形態や実施例においてｐ型とｎ型とを相互に変更しても、本発明の効果が同様に得られることは言うまでもない。
【００９８】
なお、上述の実施形態および実施例は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【産業上の利用可能性】
【００９９】
本発明によれば、簡略かつ低コストの工程で太陽電池を製造し得る方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１００】
【図１】（ａ）は本発明の製造方法によって得られる太陽電池の一例としての裏面接合型太陽電池の裏面を模式的平面図で示しており、（ｂ）は（ａ）中の線１Ｂ−１Ｂの沿った模式的断面図であり、そして（ｃ）は（ａ）の太陽電池の変形例を模式的な平面図で示している。
【図２】図１（ａ）と（ｂ）に示す裏面接合型太陽電池の本発明による製造方法の一例を図解する模式的断面図である。
【図３】図２の製造方法の変形例を図解する模式的断面図である。
【図４】フローティングジャンクション型太陽電池の一例を示す模式的な断面図である。
【図５】シリコン基板上に直接にアルカリ成分含有ペーストを塗布してエッチングする状況の一例を図解する模式的断面図である。
【図６】シリコン基板上のシリコン酸化膜上にアルカリ成分含有ペーストを塗布してエッチングする状況の一例を図解する模式的断面図である。
【図７】図６（ｂ）に対応するエッチング状態を示す表面写真である。
【符号の説明】
【０１０１】
１  シリコン基板、２  第１拡散防止マスク、３  ｐ+層、４ａ，４ｂ  第２拡散防止マスク、５  第１エッチングペーストパターン、６  ｎ+層、７  テクスチャ化マスク、８  テクスチャ構造、９  パッシベーション膜、９ａ，９ｂ  コンタクトホール、１０  反射防止膜、１１ａ，１１ｂ  電極、１２  アライメントマーク、１３  ＢＳＧ膜、１４  ＰＳＧ膜、２１  シリコン基板、２２ａ，２２ｂ  ｎ+層、２３  ｐ+層、２４  反射防止膜、２５  酸化シリコン膜、２６，２７  電極。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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