(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（１）半導体基板の上部に被食刻層、ハードマスク層、シリコンを含む第１の反射防止膜及び第１の感光膜を順次形成する段階と、
（２）前記第１の感光膜を第１の露光マスクを利用して露光した後現像して第１の感光膜パターンを形成し、前記第１の感光膜パターンをマスクに前記第１の反射防止膜を食刻して第１の反射防止膜パターンを形成する段階と、
（３）前記第１の反射防止膜パターンにＯ２プラズマを処理する段階と、
（４）前記結果物の上部に第２の反射防止膜及び第２の感光膜を順次形成し、第２の露光マスクを利用して第１の感光膜パターンと重なり合わない第２の感光膜パターンを形成する段階と、
（５）前記第２の感光膜パターンを食刻マスクに第２の反射防止膜を食刻した後、前記第２の感光膜パターンを除去して第２の反射防止膜パターンを形成する段階と、
（６）前記第１及び第２の反射防止膜パターンを食刻マスクに前記ハードマスク層を食刻してハードマスクパターンを形成する段階と、
（７）前記ハードマスクパターンを食刻マスクに前記被食刻層を食刻して被食刻層パターンを形成する段階とを含む半導体素子の製造方法。
【請求項２】
前記第１の反射防止膜は３０〜４０重量％含量のシリコンを含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項３】
前記第２の反射防止膜は前記第１の反射防止膜と同一であるか、相違する物質で形成することを特徴とする請求項１または２に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項４】
前記露光源はＡｒＦ（１９３ｎｍ）、ＫｒＦ（２４８ｎｍ）、ＥＵＶ、ＶＵＶ（１５７ｎｍ）、Ｅ−ビーム、Ｘ線及びイオンビームでなる群から選択されることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項５】
前記ハードマスク層は、被食刻層の上部に非晶質炭素層及び無機系ハードマスク層の二重層で形成されることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項６】
前記第１の反射防止膜パターン及び第２の反射防止膜パターンは互いに交互に形成されることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体素子の製造方法に関し、より詳しくは半導体工程のうちリソグラフィ（Lithography）工程の解像限界を跳び越えるパターン形成を可能にする半導体素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、半導体素子の製造時に露光装備の限界を克服するため二重露光工程で微細パターンを形成しており、その工程過程は次の通りである。
【０００３】
図１ａ及び図１ｂに示されているように、半導体基板１１の被食刻層１２の上部に第１のハードマスク層１３、第１の反射防止膜１４及び第１の感光膜１５を順次形成した後、第１の露光マスク１６を利用して全体表面の第１の領域を露光し、露光された第１の感光膜１５を現像して第１の感光膜パターン１５´を形成する。このとき、前記ハードマスク層は通常非晶質炭素層及び無機系ハードマスク層の二重層で構成されている。
【０００４】
図１ｃ及び図１ｄに示されているように、前記第１の感光膜パターン１５´を食刻マスクに下部第１の反射防止膜１４を食刻して第１の反射防止膜パターン１４´を形成した後、前記第１の反射防止膜パターン１４´を食刻マスクに第１のハードマスク層１３を食刻して第１のハードマスクパターン１３´を形成する。
【０００５】
図１ｅ及び図１ｆに示されているように、第１のハードマスクパターン１３´の上部に第２のハードマスク層１７、第２の反射防止膜１８及び第２の感光膜１９を順次形成した後、第２の露光マスク２０を利用して前記第１の領域と重なり合わないよう交互に全体表面の第２の領域を露光し、前記第２の感光膜１９を現像して第２の感光膜パターン１９´を形成する。このとき、前記第２のハードマスク層１７は第１のハードマスク層１３と食刻選択比が異なる物質を用いるのが好ましい。
【０００６】
図１ｇ及び図１ｈに示されているように、前記第２の感光膜パターン１９´を食刻マスクに下部第２の反射防止膜１８を食刻して第２の反射防止膜パターン１８´を形成した後、前記第２の反射防止膜パターン１８´を食刻マスクに第２のハードマスク層１７を食刻して第２のハードマスクパターン１７´を形成する。
【０００７】
図１ｉに示されているように、第１及び第２のハードマスクパターン１３´、１７´を食刻マスクに下部被食刻層を食刻した後、前記第１及び第２のハードマスクパターン１３´、１７´を除去して所望の微細パターンを形成する。
【０００８】
しかし、前述の従来の技術に係る半導体素子の微細パターンの形成方法の場合、感光膜、反射防止膜及びハードマスク層に対しそれぞれ２回コーティング及び食刻工程を行なわなければならないので、工程が複雑で収率が減少するという問題点があった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
前記の問題点を解決するため、本発明はシリコンが含まれた反射防止膜を形成した後、Ｏ２プラズマ工程を行なってハードマスク層のコーティング及び食刻工程を１回のみ行なうことにより工程を単純化させ、時間及び費用を低減させる半導体素子の製造方法を提供することに目的がある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係る半導体素子の製造方法は、
（１）半導体基板の上部に被食刻層、ハードマスク層、シリコンを含む第１の反射防止膜及び第１の感光膜を順次形成する段階と、
（２）前記第１の感光膜を第１の露光マスクを利用して露光した後現像して第１の感光膜パターンを形成し、前記第１の感光膜パターンを食刻マスクに前記第１の反射防止膜を食刻して第１の反射防止膜パターンを形成する段階と、
（３）前記第１の反射防止膜パターンにＯ２プラズマを処理する段階と、
（４）前記結果物の上部に第２の反射防止膜及び第２の感光膜を順次形成し、第２の露光マスクを利用して第１の感光膜パターンと重なり合わない第２の感光膜パターンを形成する段階と、
（５）前記第２の感光膜パターンを食刻マスクに第２の反射防止膜を食刻した後、前記第２の感光膜パターンを除去して第２の反射防止膜パターンを形成する段階と、
（６）前記第１及び第２の反射防止膜パターンを食刻マスクに前記ハードマスク層を食刻してハードマスクパターンを形成する段階と、
（７）前記ハードマスクパターンを食刻マスクに前記被食刻層を食刻して被食刻層パターンを形成する段階とを含む。
【００１１】
本発明では、所定含量のシリコンを含む反射防止膜組成物を用いて第１の反射防止膜パターンを形成し、以後Ｏ２プラズマを処理して第１の反射防止膜パターン内のシリコンを酸化させることにより、後続の食刻工程で前記第１の反射防止膜パターンが食刻されないようにして工程段階を減少させることができるということを特徴とする。前記で、シリコンは全体の反射防止膜組成物に対し３０〜４０重量％の含量で含まれる。さらに、前記第２の反射防止膜組成物は前記第１の反射防止膜組成物と同一であるか、相違する物質で形成してもよく、通常用いられる任意の反射防止膜組成物を制限なく用いることができる。このとき、「相違する物質」とは第１の反射防止膜組成物とは別にシリコンを含んでいない任意の反射防止膜組成物を意味するものであり、特定の反射防止膜組成物に限定されるものではない。
【００１２】
一方、シリコンを含む前記反射防止膜組成物には、従来の有機反射防止膜組成物と同様に架橋結合がなされるよう設計されたポリマー、露光光源の波長帯で大きい吸光度を有する光吸収剤及び熱酸発生剤を含む組成物を制限なく用いることができる。このようなシリコン含有反射防止膜組成物は、架橋反応を活性化させるため熱処理時に架橋可能な架橋剤をさらに含めてもよい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明に係る半導体素子の製造方法は、シリコンが含まれた反射防止膜を形成した後、Ｏ２プラズマ工程を行なうことによりハードマスク層のコーティング及び食刻工程を１回のみ行なうようにして工程を単純化させ、時間及び費用を低減させるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明を図を参照して詳しく説明する。
【００１５】
図２ａ〜図２ｉは、本発明に係る半導体素子の微細パターンの形成方法を示す断面図等である。
【００１６】
図２ａ及び図２ｂに示されているように、半導体基板１１０の上部に被食刻層１２０、ハードマスク層１３０、第１の反射防止膜１４０及び第１の感光膜１５０を順次形成した後、第１の露光マスク１６０を利用して全体表面の第１の領域を露光し、前記第１の感光膜１５０を現像して第１の感光膜パターン１５０´を形成する。このとき、第１の反射防止膜１４０は３０〜４０重量％のシリコンが含まれた物質で形成するのが好ましく、さらに前記ハードマスク層１３０は非晶質炭素層及び無機系ハードマスク層の二重層で構成されているのが好ましい。併せて、前記露光源には４００ｎｍ以下の波長を有する全ての光源、具体的にはＡｒＦ（１９３ｎｍ）、ＫｒＦ（２４８ｎｍ）、ＥＵＶ（Extreme Ultra Violet）、ＶＵＶ（Vacuum Ultra Violet、１５７ｎｍ）、Ｅ−ビーム、Ｘ線及びイオンビームで構成された群から選択される光源を制限なく用いることができ、露光工程は用いられる感光剤の種類に従い異なるが通常７０〜１５０ｍＪ／ｃｍ２、好ましくは１００ｍＪ／ｃｍ２の露光エナジーで行なわれるのが好ましい。この中で露光源にはＡｒＦ、ＫｒＦまたはＶＵＶを用いるのが好ましく、ＡｒＦを用いるのがさらに好ましい。
【００１７】
図２ｃ及び図２ｄに示されているように、第１の感光膜パターン１５０´をマスクに第１の反射防止膜１４０を食刻した後、第１の感光膜パターン１５０´を除去して第１の反射防止膜パターン１４０´を形成する。以後、Ｏ２プラズマ処理工程を行なって第１の反射防止膜パターン１４０´内のシリコンを酸化させることにより、ＳｉＯ２に変形された第１の反射防止膜パターン１４５を形成する。
【００１８】
図２ｅ及び図２ｆに示されているように、前記ＳｉＯ２含有の第１の反射防止膜パターン１４５を含む全体表面の上部に第２の反射防止膜１８０及び第２の感光膜１９０を形成した後、第２の露光マスク２００を利用して第１の反射防止膜パターン１４０と重なり合わないよう互いに交互に全体表面の第２の領域を露光後現像して第２の感光膜パターン１９０´を形成する。このとき、前記第２の反射防止膜１８０は第１の反射防止膜１４０とは別にシリコンを含む反射防止膜組成物を用いなくてもよく、通常の反射防止膜組成物を制限なく用いることができる。一方、前記第１及び第２の感光膜は通常の感光剤組成物を制限なく用いてもよい。
【００１９】
図２ｇ及び図２ｈに示されているように、第２の感光膜パターン１９０´をマスクに前記第２の反射防止膜１８０を食刻した後、第２の感光膜パターン１９０´を除去して第２の反射防止膜パターン１８０´を形成する。このとき、前記第１の反射防止膜パターン１４５はＯ２プラズマ処理により内部に含まれたシリコンがＳｉＯ２に変形されるので、食刻工程時に除去されず残留することになる。以後、前記第１及び第２の反射防止膜パターン１４５、１８０´をマスクにハードマスク層１３０を食刻した後、第１及び第２の反射防止膜パターン１４５、１８０´を除去してハードマスクパターン１３０´を形成する。
【００２０】
図２ｉに示されているように、ハードマスクパターン１３０´をマスクに被食刻層１２０を食刻した後、ハードマスクパターン１３０´を除去して所望の微細パターン１２０´を形成する。
【００２１】
なお、本発明について、好ましい実施の形態を基に説明したが、これらの実施の形態は、例を示すことを目的として開示したものであり、当業者であれば、本発明に係る技術思想の範囲内で、多様な改良、変更、付加等が可能である。このような改良、変更等も、特許請求の範囲に記載した本発明の技術的範囲に属することは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１ａ】従来の半導体素子の製造方法を示す工程断面図である。
【図１ｂ】従来の半導体素子の製造方法を示す工程断面図である。
【図１ｃ】従来の半導体素子の製造方法を示す工程断面図である。
【図１ｄ】従来の半導体素子の製造方法を示す工程断面図である。
【図１ｅ】従来の半導体素子の製造方法を示す工程断面図である。
【図１ｆ】従来の半導体素子の製造方法を示す工程断面図である。
【図１ｇ】従来の半導体素子の製造方法を示す工程断面図である。
【図１ｈ】従来の半導体素子の製造方法を示す工程断面図である。
【図１ｉ】従来の半導体素子の製造方法を示す工程断面図である。
【図２ａ】本発明に係る半導体素子の製造方法を示す工程断面図である。
【図２ｂ】本発明に係る半導体素子の製造方法を示す工程断面図である。
【図２ｃ】本発明に係る半導体素子の製造方法を示す工程断面図である。
【図２ｄ】本発明に係る半導体素子の製造方法を示す工程断面図である。
【図２ｅ】本発明に係る半導体素子の製造方法を示す工程断面図である。
【図２ｆ】本発明に係る半導体素子の製造方法を示す工程断面図である。
【図２ｇ】本発明に係る半導体素子の製造方法を示す工程断面図である。
【図２ｈ】本発明に係る半導体素子の製造方法を示す工程断面図である。
【図２ｉ】本発明に係る半導体素子の製造方法を示す工程断面図である。
【符号の説明】
【００２３】
１１、１１０   半導体基板
１２、１２０   被食刻層
１３、１７、１３０   ハードマスク層
１４、１８、１４０、１８０   反射防止膜
１５、１９、１５０、１９０   感光膜
１６、１６０、２０、２００   露光マスク
１２´、１２０´   被食刻層パターン
１３´、１７´、１３０´   ハードマスクパターン
１４´、１８´、１４０´、１８０´   反射防止膜パターン
１５´、１９´、１５０´、１９０´   感光膜パターン
１４５   Ｏ２プラズマ処理されたＳｉＯ２含有の反射防止膜パターン
【図１ａ】
0005174335.tif 000002
【図１ｂ】
0005174335.tif 000003
【図１ｃ】
0005174335.tif 000004
【図１ｄ】
0005174335.tif 000005
【図１ｅ】
0005174335.tif 000006
【図１ｆ】
0005174335.tif 000007
【図１ｇ】
0005174335.tif 000008
【図１ｈ】
0005174335.tif 000009
【図１ｉ】
0005174335.tif 000010
【図２ａ】
0005174335.tif 000011
【図２ｂ】
0005174335.tif 000012
【図２ｃ】
0005174335.tif 000013
【図２ｄ】
0005174335.tif 000014
【図２ｅ】
0005174335.tif 000015
【図２ｆ】
0005174335.tif 000016
【図２ｇ】
0005174335.tif 000017
【図２ｈ】
0005174335.tif 000018
【図２ｉ】
0005174335.tif 000019