(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
オーバースプレー被覆を制御する方法であって、
（Ａ）それぞれが半導体レーザのアレイを有する、第１および第２のデバイスバーを形成すること、ここで、
前記第１および第２のデバイス・バーがそれぞれ、第１の導電タイプに対応する第１の側部と第２の導電タイプに対応する第２の側部とを有し、および
各第１および第２のデバイスバーに対して、前記第１の側部が前記半導体レーザに対応する第１の複数のパッドを含み、
（Ｂ）前記第１のデバイス・バーを前記第２のデバイス・バーに接合して、接合バー対を形成すること、ここで、
前記第１のデバイスバーにおける第１の複数のパッドからの少なくともいくつかのパッドが、前記第２のデバイスバーにおける第１の複数のパッドからの対応するパッドに嵌合し、および  
（Ｃ）前記接合バー対の１つまたは複数のファセットを、１つまたは複数の被覆材料で被覆することを含み、
ここで、工程（Ｂ）が、
対応するパッドに嵌合するように適合されたパッド上にはんだ材料を堆積させること、
前記第１のデバイスバーの前記第１の側部が、前記第２のデバイスバーの前記第１の側部に面するように、前記第２のデバイスバーを前記第１のデバイスバーの上に配置して、嵌合するように適合された前記パッドを嵌合させること、
前記第１および第２のデバイスバーを加熱して前記はんだ材料を液化し、前記液化はんだ材料の表面張力が、前記第１のデバイスバーを前記第２のデバイスバーに対して整合させること、および、
前記第１および第２のデバイスバーの前記嵌合したパッド間で、凝固したはんだ接合を形成して第１および第２デバイスバーを互いに接合することを含む、方法。
【請求項２】
前記接合バー対から、一対の接合半導体レーザを切り離すことをさらに含み、前記切り離された半導体レーザの対が、（ｉ）前記第１のデバイスバーに対応する第１の半導体デバイスと、（ｉｉ）前記第２のデバイスバーに対応する第２の半導体レーザとを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記接合バー対の２つ以上を積み重ねて、２次元アレイの２つの隣接バー対において、１つの接合バー対からのデバイスバーの第２の側部が別の接合バー対からのデバイスバーの第２の側部の次に位置するように、半導体レーザの２次元アレイを形成することを含み、
前記積み重ねが、工程（Ｃ）の前に実施され、
各接合バー対の表面が複数のパッドを含み、パッドのレイアウトによって、隣接する接合バー対に属する少なくともいくつかのパッドと嵌合可能となり、
工程（Ｃ）中、嵌合したパッドが、オーバースプレー被覆から互いをマスキングし、かつ、
工程（Ｃ）が、１つまたは複数の被覆材料から、前記パッドの外側輪郭と共形のパターンを形成することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記接合バー対の２つ以上を積み重ねて、半導体レーザの２次元アレイを形成することをさらに含み、
各接合バー対に関して、前記第２の側部が、前記接合バー対の外部表面の一部分となり、前記外部表面が、第２の複数のパッドを含み、
隣接する接合バー対に属する、前記第２の複数のパッドからの少なくともいくつかのパッドが、お互いに嵌合され、
工程（Ｃ）中に、前記第２の複数のパッドからの嵌合したパッドが、オーバースプレー被覆から互いをマスキングする傾向がある、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
工程（Ｃ）が、１つまたは複数の被覆材料から、前記パッドの外側輪郭に共形のパターンを形成することを含む、請求項４に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光通信およびデータ記憶装置に関し、より詳細には、半導体デバイス、例えば、被覆されたファセットを有する、半導体レーザおよび進行波光検出器の製造に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体レーザが、様々な応用分野、例えば、光通信システム、光記憶装置、プリンタ、および複写機に使用されている。典型的な製造プロセスでは、半導体レーザは、レーザの活性（すなわち、光発生）領域に、適当な積層構造を有するウェハを用いて製造される。こうしたウェハは、バーに切り分けられ、これらの各バーが、基本的に１次元レーザ・アレイとなる。この製造プロセスでは、次いで、レーザ・バーの、ファセットと呼ばれる端面（ｔｅｒｍｉｎａｌ  ｓｉｄｅ）に、ガラス状材料製の薄膜を塗布して、レーザ・キャビティの画定を行う。これらの薄膜は、通常、ファセット被覆と呼ばれる。ファセット被覆プロセスの性質のため、被覆材料は、オーバースプレーされ、ファセットに加えて、レーザ・バーのマスキングされていない領域まで覆ってしまうことがある。特に、レーザ・バーの頂面および底面へのオーバースプレーによる被覆は、それらの表面が、機械的および／または電気的接続のためのボンディング・パッド（例えば金）を有するので、望ましくない。
【０００３】
ある応用分野では、光出力／波長要件が、個々の半導体レーザでは、十分な光出力および／または波長の選択をもたらすことができない程のものとなる。こうした応用分野のいくつかにおいて、適当な光源を提供するために、レーザ・バーを、個々のレーザに劈開（ｃｌｅａｖｅ）するのではなく、２つ以上のレーザ・バーを積み重ねて２次元レーザ・アレイを形成する。かかるアレイの例の１つが、米国特許第５８３５５１５号に開示されており、その教示を参照により本明細書に組み込む。レーザ・バーを積み重ねる従来技術による典型的なプロセスでは、（ｉ）バーを整合させるためのハードウェア固定具、および（ｉｉ）ボンディング・パッドをオーバースプレー被覆からマスキング保護する（ｍａｓｋｉｎｇ  ｏｆｆ）ための特殊なガスケット挿入具を使用する。その教示を参照により本明細書に組み込んだ、米国特許第５９８９６３７号に記載のように、ガスケット挿入具とは、比較的精巧なハードウェア部片であり、このため、製造プロセスの複雑さが大幅に増すことがある。不利なことに、レーザ・バーを整合させること、ガスケット挿入具を製造すること、積み重ねたバーの間に挿入具を配置し、次いで、ファセット被覆プロセスが完了した後にバーの間にあるスロットから挿入具を取り除いて、ボンディング・パッドへのアクセスを設けることは、２次元レーザ・アレイを製造するプロセスを著しく複雑にし得る。
【特許文献１】米国特許第５８３５５１５号
【特許文献２】米国特許第５９８９６３７号
【特許文献３】米国特許第５２７０５３２号
【特許文献４】米国特許第６２７８８２０号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来技術における問題が、本発明の原理に従った製造方法によって対処され、この方法では、ファセット被覆の前に２つのレーザ・バーを接合して積み重ねたバー対を形成する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
一実施形態では、レーザ・バーはそれぞれ、ｐ側とｎ側とを有し、各側部は、複数のボンディング・パッドを有し、第１のレーザ・バーのｐ側に配置された少なくともいくつかのボンディング・パッドが、第２のレーザ・バーのｐ側に配置された対応するボンディング・パッドと嵌合するように適合されている。ｐ側のボンディング・パッド上に堆積されたはんだ材料が、リフロー炉内で液化され、液化したはんだの表面張力が、それらのレーザ・バーを互いに自己整合させ、はんだが凝固して、嵌合したボンディング・パッド間ではんだ接合を形成するまで、それらのバーを整合した状態に保つ。接合バー対の２つ以上の例（ｉｎｓｔａｎｃｅ）を、隣接するバー対のｎ側に配置されたボンディング・パッド同士が比較的きつく嵌合するようにさらに積み重ねる。次いで、結果として得られるスタックの露出したファセットが、１つまたは複数の反射材料でスプレー被覆されるが、ｐ側ボンディング・パッド同士の間のはんだ接合と、ｎ側ボンディング・パッド同士の間のきつい嵌合によって、それらのパッドはオーバースプレー被覆から保護されている。次いで、処理されたスタックを、分離、例えば、フリップチップ接合されたレーザ・バーを、レーザ対に劈開すること、または、例えば、電気接続部を装備して、比較的大きい２次元レーザ・アレイを形成することができる。有利なことに、本発明の実施形態は、レーザ・バーの整合およびオーバースプレー被覆の制御によって、従来技術の問題を軽減する。さらに、本発明の実施形態は、進行波光検出器など、被覆されたファセットを有する他の半導体デバイスの製造にも使用することができる。
【０００６】
一実施形態によれば、本発明は、（Ａ）それぞれが半導体デバイスのアレイを有する、第１および第２のデバイス・バーを形成すること、（Ｂ）第１のデバイス・バーを第２のデバイス・バーに接合して、接合バー対を形成すること、および、（Ｃ）接合バー対の１つまたは複数のファセットを、１つまたは複数の被覆材料で被覆することを含む製造方法である。
【０００７】
別の実施形態によれば、本発明は、積み重ねたバー対を含む装置であり、このバー対は、それぞれが半導体デバイスのアレイを有する第１および第２のデバイス・バーを含み、第１および第２のデバイス・バーはそれぞれ、１つまたは複数の被覆材料で被覆された１つまたは複数のファセットを含み、第１のデバイス・バーは、第２のデバイス・バーに接合され、第１および第２のデバイス・バーはそれぞれ、第１の側部と第２の側部とを有し、各バーに関して、第１の側部は、半導体デバイスに対応する第１の複数のパッドを含み、第１のバーは、第１の複数の第１のバーからの少なくともいくつかのパッドが、第１の複数の第２のバーからの少なくともいくつかのパッドに嵌合するように、第２のバーに対して整合され、嵌合したパッドは、凝固したはんだ接合によって接合され、各バーに関して、第２の側部は、半導体デバイスに対応する第２の複数のパッドを含み、第１および第２のバーの第２の側部の少なくとも１つは、ファセット被覆に使用される被覆材料によって形成されたパターンを含み、前記パターンは、第２の複数のパッドの輪郭とほぼ共形である（ｃｏｎｆｏｒｍ）。
【０００８】
さらに別の実施形態によれば、本発明は、第１および第２の半導体デバイスを含む装置であり、第１および第２のデバイスはそれぞれ、１つまたは複数の被覆材料で被覆された１つまたは複数のファセットを含み、第１のデバイスは、第２のデバイスに接合され、第１および第２のデバイス・バーはそれぞれ、第１の側部と第２の側部とを有し、各デバイスに関して、第１の側部は、１つまたは複数のパッドを含み、第１のデバイスは、第１のデバイスの第１の側部の少なくとも１つのパッドが、第２のデバイスの第１の側部の少なくとも１つのパッドに嵌合するように、第２のバーに対して整合されており、嵌合した両パッドは、凝固したはんだ接合によって接合され、第１および第２のデバイスの第２の側部の少なくとも１つは、ファセット被覆に使用される被覆材料によって形成されたパターンを含み、前記パターンは、前記側部に配置された１つまたは複数のパッドの輪郭とほぼ共形である。
【０００９】
本発明のその他の態様、特徴、および利点は、以下の詳細な説明、添付の特許請求の範囲、および添付の図面からより完全に明らかになるであろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本明細書にて述べる「一実施形態」または「ある実施形態」とは、実施形態に関して記載された特定の特徴、構造、または特性（ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ）が、本発明の少なくとも１つの実施形態に含まれ得ることを意味する。「一実施形態では」という文言が本明細書の随所に見られるが、これらは必ずしも全て、同じ実施形態を指すというわけではなく、また、他の実施形態とは互いに相容れない、別の、または代替の実施形態を指すわけでもない。
【００１１】
図１Ａ〜Ｄは、半導体レーザを製造するのに使用できる、従来技術による代表的な製造プロセスを示す。図１Ａを参照すると、半導体レーザに使用される積層構造が、一般に、最終的に端面発光レーザをもたらすことになるストライプ構造（ｓｔｒｉｐｅ−ｇｅｏｍｅｔｒｙ）技術を用いて、基板ウェハ１００上に形成される。これらの積層構造は、矩形ブロック１０２としてウェハ１００上に配置され、これらのブロックは、積層構造が形成された後にウェハを分離したものである。図１Ｂは、ウェハ１００から劈開された個々のブロック１０２をより詳細に示す。ブロック１０２は、複数のレーザ・ダイオード・ストライプ１０４を有する。代表的な実施形態では、各ストライプ１０４は、約数マイクロメートルの幅、および約１マイクロメートルの厚さを有し、隣接するストライプ１０４との間隔は、約数百マイクロメートルである。ブロック１０２は、図１Ｂに示すように、複数のレーザ・バー１０６にさらに劈開される。
【００１２】
図１Ｃは、ブロック１０２から分離された個々のレーザ・バー１０６を示す。レーザ・バー１０６の前端ファセット１０８および後端ファセット１１０が、それぞれ、比較的低い反射係数を有する反射材料、および比較的高い反射係数を有する反射材料で被覆される。被覆されたファセット１０８および１１０は、対応するレーザ・ダイオード・ストライプ１０４（図１Ｃに示さず）と共に、レーザ・バー１０６の各レーザ１１２の用のレーザ・キャビティを画定する。とりわけ、レーザ・キャビティの長さｄによって、個々のレーザ１１２が発生する光の波長が決まる。典型的なキャビティ長は、約１００マイクロメートルから約１０００マイクロメートルの範囲であり得る。
【００１３】
図１Ｄは、レーザ１１２からの光の出射を示し、このレーザは、任意選択で、レーザ・バー１０６から分離することができる。レーザ１１２に適当な電圧が印加されると、レーザ・キャビティ内で発生した光がファセット１０８から出て、発散光ビーム１２０を形成する。
【００１４】
図２は、本発明の一実施形態による２次元レーザ・アレイ２００を示す。より具体的には、アレイ２００は、互いに接合された２つのレーザ・バー２０６ａ〜ｂを有し、各レーザ・バー２０６は、図１Ｃのレーザ・バー１０６にほぼ類似している。例示の目的で、各レーザ・バー２０６は５つのレーザ２１２を有するものとして示されているが、他の実施形態では、各レーザ・バーは、５つよりも少ない、またはそれよりも多いレーザを有することもできる。レーザ・バー２０６ａ〜ｂは、（１）それらのｐ側２１４ａ〜ｂ（一般に、これらの側部は、図１Ｂに示したレーザ・ダイオード・ストライプ１０４に類似したレーザ・ダイオード・ストライプを有する）が互いに面する、（２）それらのｎ側２１６ａ〜ｂ（一般に、ウェハの基板層に相当する側部）が、外側に向いており、レーザ・アレイ２００の外側表面の一部分となる、（３）発光ファセット２０８ａ〜ｂが、同じ方向を向く、ように互いに取り付けられる。この種の取付けは、レーザ・バー２０６ａが、逆さに裏返して（ｆｌｉｐ）からレーザ・バー２０６ｂに取り付けられるので、しばしばフリップチップ接合と呼ばれる。レーザ・バー２０６ａ〜ｂは、レーザ・バー２０６ａの個々のレーザ２１２がそれぞれ、レーザ・バー２０６ｂの対応するレーザ２１２と整合するように互いに整合される。各レーザ２１２は、それぞれの側部２１４および２１６上に、１つまたは複数のボンディング・パッド（図２に示さず）を有する。これらのボンディング・パッドは、例えば、レーザに適当な動作電圧を供給するように適合された電極として使用される。さらに、または別法として、側部２１４に配置されたボンディング・パッドのいくつか、または全てが、レーザ・バー２０６ａ〜ｂを互いに取り付けるのに使用される。
一実施形態では、２つ以上のレーザ・アレイ２００を、例えば、上述の特許第５８３５５１５号に記載のように、さらに積み重ねて、比較的高い光出力（例えば約１Ｗ超）を必要とする応用分野に適した比較的大きい２次元レーザ・アレイを形成する。別の実施形態では、レーザ・アレイ２００を諸区画に切り分けて、レーザ対２１８のような、レーザ２１２がフリップチップ接合された対を形成する。分離したレーザ対２１８は、次いで、例えば、ＤＶＤ−Ｒ光学式読取り／書込みヘッドの光源として使用することができ、レーザ対の第１および第２のレーザ２１２は、それぞれ、６５０および６３０ｎｍで出射するように構成され、それに対応して、ヘッドの読出しおよび書込み機能が可能となる。
【００１５】
図３Ａ〜Ｃは、本発明の一実施形態によるレーザ・アレイ２００を製造する方法を示す。図３Ａを参照すると、（例えば、図１Ｂに示すように得られる）レーザ・バー２０６ａ〜ｂにはそれぞれ、はんだバンプ３２２が設けられ、これらのバンプは、レーザ・バーの側部２１４ａ〜ｂに配置されたボンディング・パッド上に、従来通りの方式で堆積される。次いで、レーザ・バー２０６ａが裏返され、図３Ａのブロック矢印で示すように、レーザ・バー２０６ｂの上に配置され、結果として得られるレーザ・バー・スタックの上面図を図３Ｂに示す。通常は、特殊なバー整合固定具を使用しなければ、積み重ねたレーザ・バー２０６ａ〜ｂは、互いにずれてしまう。図３Ｂは、ずれの典型的なケースを示し、この図では、レーザ・バー２０６ａは、レーザ・バー２０６ｂに対して僅かに回転しており、したがって、ファセット２０８ａは、ファセット２０８ｂに対して後退しており（ｓｅｔ  ｂａｃｋ）、一方、ファセット２１０ａはファセット２１０ｂ上に張り出している（ｏｖｅｒｈａｎｇ）。
【００１６】
図３Ｃは、レーザ・バー・スタックがリフロー炉内で処理された後の、図３Ｂのレーザ・バー・スタックの上面図を示している。より具体的には、図３Ｂのレーザ・バー・スタックは、（好ましくは、還元性雰囲気を有する）リフロー炉に配置され、そこで、このスタックは、はんだバンプ３２２が、（ｉ）液化し、（ｉｉ）側部２１４ａ〜ｂに配置されたボンディング・パッド３２４を覆って拡散し、かつ、（ｉｉｉ）互いに面したボンディング・パッド３２４の各対が、それらのパッドの間に挟まれた流体層に融合する、まで加熱される。ボンディング・パッド３２４は比較的高い接合表面積を有し、一方、レーザ・バー２０６ａは比較的薄く（例えば約１００ミクロン）、したがって、比較的小さい質量しか持たないので、液化したはんだの表面張力は、レーザ・バー２０６ｂ上でレーザ・バー２０６ａを滑らせるほど十分な力を生じ得る。この表面張力は、流体の自由表面積を最小化する傾向があり、したがって、レーザ・バー２０６ａをレーザ・バー２０６ｂの方に動かすことになり、その結果、これらのレーザ・バーは、対向するボンディング・パッド３２４の間に挟まれた液化はんだの、実質的に可能な最も低い自由表面積によって特徴づけられる、相対的な向き（ｒｅｌａｔｉｖｅ  ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ）をとることになる。レーザ・バー２０６ａ〜ｂは、ボンディング・パッド３２４とほぼ同一のレイアウトを有するので、これらのボンディング・パッドは、互いに整合することになり、したがって、これらのレーザ・バーもまた、互いに整合することになる。スタックの温度が低下するにつれて、液化したはんだの表面張力は、はんだが凝固し、整合した位置を固定して、図３Ｃに示すレーザ・バー・スタック２００’を形成するまで、レーザ・バー２０６ａ〜ｂを整合した状態に保つ。図３Ｃのレーザ・バー・スタック２００’の、図２のレーザ・アレイ２００との相違の１つは、レーザ・バー・スタック２００’のレーザ・バー２０６ａ〜ｂのファセットが、反射材料で未だ被覆されていない点であることに留意されたい。
【００１７】
後続の処理工程中に、レーザ・バー・スタック２００’のファセット２０８ａ〜ｂおよび２１０ａ〜ｂが、それぞれの反射材料によってスプレー被覆される。レーザ・バー２０６ａと２０６ｂとの間に開口が存在するため、被覆材料がその開口の中に入り込むおそれがある。しかし、有利には、ボンディング・パッド３２４の間に存在するはんだ接合部が、対応する電気接触部をオーバースプレー被覆から保護する。スプレー被覆プロセス、およびその他の必要な処理工程が完了すると、レーザ・バー・スタック２００’は、レーザ・アレイ２００となる。
【００１８】
図４Ａ〜Ｂは、本発明の一実施形態による図３の方法で使用することができるファセット被覆を示す。より具体的には、２つ以上のレーザ・バー・スタック２００’（図３Ｃ）をさらに積み重ねて、図４Ａに示すレーザ・バー・スタック４００を形成する。レーザ・バー・スタック４００では、レーザ・バー・スタック２００’が、互いに面したレーザ・バー２０６の側部２１６に配置されたボンディング・パッド４２４が、互いに整合するように整合される。レーザ・バー・スタック２００’のこの整合は、例えば、上述の特許第５９８９６３７号に開示されているのと同様の整合固定具を用いて実施することができる。次いで、レーザ・バー・スタック４００内の全てのレーザ・バー２０６のファセット２０８および２１０が、それぞれの反射材料でスプレー被覆される。
【００１９】
被覆プロセスの間、レーザ・バー２０６の側部２１４に配置されたボンディング・パッド３２４は、はんだ接合部が存在するため、レーザ・バー・スタック４００のオーバースプレー被覆から保護される。また、レーザ・バー・スタック４００内のレーザ・バー２０６の側部２１６に配置されたボンディング・パッド４２４も、以下の理由で、オーバースプレー被覆から保護される。隣接するレーザ・バー・スタック２００’の側部２１６同士の間の開口は、例えば、レーザ・バー・スタック２００’の側部２１４同士の間の開口に比べて比較的狭く、その理由は、側部２１６がそれぞれほぼ平坦であり、一方、側部２１４がそれぞれ、かなり複雑な表面形状（ｔｏｐｏｌｏｇｙ）を有し得る（図１Ｂも参照）からである。その結果、側部２１６同士の間の各開口に入り込む被覆材料の量は、比較的少量となる。レーザ・バー・スタック４００内で互いに面するボンディング・パッド４２４は、互いに整合しているので、これらのボンディング・パッドは、それらの間にはんだ接合部がなくても、オーバースプレー被覆から互いを効果的に保護し合うことができる。レーザ・バー・スタック４００の最上側部および最低側部２１６は、例えば、上述の特許第５９８９６３７号に開示されたガスケット挿入具と同様の特殊なマスクを用いて、オーバースプレー被覆から保護することができる。
【００２０】
図４Ｂは、スタック４００のファセット２０８が、反射材料でスプレー被覆された後のレーザ・バー・スタック４００の上断面図を示す。より具体的には、図４Ｂに示す断面図（また、図４ＡではＡＡと示される）は、スタック４００の２つの隣接するレーザ・バー・スタック２００’の間にある開口の断面で描かれている。先に指摘したように、被覆材料は、その開口に入り込んで、リッジ（またはパターン）４２６を形成する。本明細書では、用語「リッジ」および／または「パターン」は、特定の形状（ｓｈａｐｅ）または表面形状を意味するものではない。これらの用語は、スプレー被覆中に、２つの隣接するレーザ・バー・スタックの間にある開口に入り込み、凝固した被覆材料の形状を表す用語であることを、当業者には理解されたい。この形状は、不規則であることも、または、開口の表面形状や、対応するボンディング・パッドのレイアウトの影響を受け、少なくともある程度の規則性を有することもある。例えば、一実施形態では、リッジまたはパターン４２６は、ある程度の空間的な周期性を有することがあり、これは、ボンディング・パッドによる既存の周期性によって生じるものである。一方、ボンディング・パッドが、周期性なく配置される場合、および／または、反復しない様々な形状を有する場合は、リッジまたはパターン４２６の形状も、周期性がなく、かつ／または不規則となり得る。いくつかの実施形態では、リッジまたはパターン４２６は、中断部分（ｂｒｅａｋ）または不連続性（ｄｉｓｃｏｎｔｉｎｕｉｔｙ）を有することもある。代表的な実施形態では、リッジまたはパターン４２６の形状は、ボンディング・パッドの輪郭にほぼ従い、また、被覆プロセスが実施される方式および条件、ならびにそのプロセスで使用される被覆材料の量、種類、および流動性の影響を受ける。
【００２１】
一実施形態では、リッジまたはパターン４２６は、不規則で、自由流動性の（ｆｒｅｅ−ｆｌｏｗ）形状を有し、ボンディング・パッド４２４の直ぐ前に位置する領域にある開口に比べて、それらのボンディング・パッド４２４の間に位置する領域にある開口中により深く入り込んでいる。この自由流動性の形状は、ボンディング・パッド４２４の横方向輪郭とほぼ共形であり、開口内に入り込む程度は、様々な要因、例えば、開口の高さ、被覆材料の粘性、凝固時間などに依存する。この共形形状は、ボンディング・パッド４２４が、（上述の特許第５９８９６３７号に開示された）従来技術によるガスケット挿入具によってオーバースプレー被覆から保護されていた場合に生じることになったであろう、明確に画定された（ほぼ直線の）リッジ形状とは著しく異なる。レーザ・バー・スタック４００のファセット２１０が、対応する反射材料で同様にスプレー被覆されると、リッジまたはパターン４２６に類似したリッジまたはパターン（図４Ｂに示さず）が、開口の反対側にも形成される。
【００２２】
レーザ・バー・スタック４００内のファセット被覆が完了した後、このレーザ・バー・スタックを分離して、複数のレーザ・アレイ２００（図２）をもたらすことができる。先に指摘したように、次いで、個々のレーザ・アレイ２００を用いて、レーザ対２１８を製造すること、または再度積み重ねて、例えば、前記特許第５８３５５１５号に記載のものに類似した、比較的大きい２次元レーザ・アレイを形成することができる。あるいは、レーザ・バー・スタック４００のファセット被覆が完了した後、スタック内のレーザ・アレイ２００に、電気リード／接続部を装備して、それに応じた比較的大きい２次元レーザ・アレイを製造することもできる。
【００２３】
本発明を、例示の実施形態を参照して説明してきたが、この説明は、限定的な意味で解釈されるべきではない。本発明を、半導体レーザに関して説明してきたが、本発明は、被覆されたファセット有する他の半導体デバイスの製造にも同様に使用できることを当業者なら理解するであろう。かかる半導体デバイスの一例は、米国特許第５２７０５３２号および同第６２７８８２０号の１つに開示されたものと同様の進行波光検出器でよく、これらの特許のどちらの教示も、参照により本明細書に組み込む。さらに、本発明の実施形態は、様々なタイプの発光デバイス、例えば、垂直キャビティ面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）および／または、発光ダイオード（ＬＥＤ）などの面発光デバイスで実施することもできる。バー・スタック内の異なるデバイス・バーは、類似のデバイスでも、または異種のデバイスでも含むことができる。例えば、図２のレーザ対２１８に類似したデバイス対は、（１）２つの発光デバイス、（２）１つの発光デバイスと１つの検出器（例えば、進行波光検出器）、（３）２つの光検出器など、のいずれを有することもできる。本明細書では、用語「光」は、適当などんな波長のどんな電磁放射をも指し、必ずしも可視光のみに限られるものではない。本発明の実施形態を、ほぼ同一のボンディング・パッドのレイアウトを有するレーザ・バー２０６ａ〜ｂ（例えば図２および４Ａ参照）に関して説明してきたが、本発明は、そのようにのみ限られるものではない。一実施形態では、レーザ・バー２０６ａ〜ｂに類似したバーは、（ｉ）レーザ・バー・スタック２００’に類似した、フリップチップ接合バー対のバー同士、および／または、（ｉｉ）スタック４００（図４）に類似したスタック内の隣接するバー対同士、の適切な嵌合を可能とする限り、異なるボンディング・パッドのレイアウトを有することもできる。一実施形態では、スタック４００内の嵌合したボンディング・パッド４２４は、スタック２００’のボンディング・パッド３２４に関して説明した方式（図３）とほぼ同様にはんだ接合することができる。フリップチップ接合構成以外の接合構成を同様に用いて、接合バー対を形成することもできる。ファセット被覆の前に、３つ以上のデバイス・バーをはんだ接合することもできる。また、本明細書に記載のはんだ接合技術とは異なる、他の接合技術も、本発明の様々な実施形態で使用することができる。本発明が属する技術分野の当業者には明らかである、記載の実施形態の様々な変更形態、ならびに本発明の他の実施形態は、上述の特許請求の範囲に示される本発明の原理および範囲に含まれるものとみなされる。
【００２４】
以下の方法請求項の工程は、たとえあるとしても、対応する表示を用いて特定の順序で列挙されているが、特許請求の範囲での列挙が、それらの工程の一部または全てを実施する特定の順序をその他の方法で示さない限り、これらの工程は、必ずしもその特定の順序のみで実施されるとは限らない。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１Ａ】半導体レーザを製造するのに使用することができる、従来技術による代表的な製造プロセスを示す図である。
【図１Ｂ】半導体レーザを製造するのに使用することができる、従来技術による代表的な製造プロセスを示す図である。
【図１Ｃ】半導体レーザを製造するのに使用することができる、従来技術による代表的な製造プロセスを示す図である。
【図１Ｄ】半導体レーザを製造するのに使用することができる、従来技術による代表的な製造プロセスを示す図である。
【図２】本発明の一実施形態による２次元レーザ・アレイを示す図である。
【図３Ａ】本発明の一実施形態による、図２に示したレーザ・アレイを製造する方法を示す図である。
【図３Ｂ】本発明の一実施形態による、図２に示したレーザ・アレイを製造する方法を示す図である。
【図３Ｃ】本発明の一実施形態による、図２に示したレーザ・アレイを製造する方法を示す図である。
【図４Ａ】本発明の一実施形態による、図３の方法で使用することができるファセット被覆を示す図である。
【図４Ｂ】本発明の一実施形態による、図３の方法で使用することができるファセット被覆を示す図である。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図１Ｄ】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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