(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成され、導体材料からなる第１電極層と、
前記第１電極層上に形成され、各画素に対応して開口が設けられた有機材料からなる絶縁層と、
前記絶縁層を覆うように形成された絶縁性無機材料からなる第１保護層と、
前記第１保護層上及び前記開口内の前記第１電極層上に被着され、発光層を含む有機層と、
前記有機層上に形成され、導電材料からなる第２電極層と、
前記第２電極層上に形成され、絶縁性無機材料からなる第２保護層と、
を備え、
前記第２保護層は、前記有機層及び前記第２電極層の端部を被覆するとともに、前記第１保護層と接触するように前記有機層及び前記第２電極層の形成領域外まで延在されている
とともに、
前記第１電極層、前記有機層及び前記第２電極層で構成される有機発光素子が配置される複数の画素形成領域と、
前記絶縁層上に形成され、隣接する画素形成領域同士の間を仕切る隔壁と、
をさらに備え、
前記隔壁の上面まで、前記第１保護層が延在されており、
前記隔壁上における前記第１保護層上に、前記第２電極層を構成する材料と同質の材料からなる水分吸収層が形成されていることを特徴とするＥＬ装置。
【請求項２】
基板と、
前記基板上に形成された第１電極層と、
前記第１電極層上に形成され、各画素に対応して開口が設けられた絶縁性無機材料からなる第１保護層と、
前記第１保護層上及び前記開口内の前記第１電極層上に被着され、発光層を含む有機層と、
前記有機層上に形成され、導体材料からなる第２電極層と、
前記第２電極層上に形成され、絶縁性無機材料からなる第２保護層と、
を備え、
前記第２保護層は、前記有機層及び前記第２電極層の端部を被覆するとともに、前記第１保護層と接触するように前記有機層及び前記第２電極層の形成領域外まで延在されている
とともに、
前記第１電極層、前記有機層及び前記第２電極層で構成される有機発光素子が配置される複数の画素形成領域と、
前記第１電極層上に形成され、隣接する画素形成領域同士の間を仕切る隔壁と、
をさらに備え、
前記隔壁の上面まで、前記第１保護層が延在されており、
前記隔壁上における前記第１保護層上に、前記第２電極層を構成する材料と同質の材料からなる水分吸収層が形成されていることを特徴とするＥＬ装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載のＥＬ装置において、
前記第２保護層は、前記有機層の全ての端部を被覆することを特徴とするＥＬ装置。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれかに記載のＥＬ装置において、
前記第１保護層の成膜温度は、前記有機層を構成する材料のガラス転移温度以上であり、
且つ前記第２保護層の成膜温度は、前記有機層を構成する材料のガラス転移温度以下であることを特徴とするＥＬ装置。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれかに記載のＥＬ装置において、
前記水分吸収層を構成する材料は、アルカリ土類金属を主成分とすることを特徴とするＥＬ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
発明は、有機ＥＬディスプレイ等のEL（Electroluminescent）装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のＥＬ装置に関する技術としては、特許文献１，２に記載のものがある。特許文献１に記載のＥＬ装置では、基板（１０１）上に、アノード（１０４）、有機エレクトロルミネッセンス装置画素（１０２）及びカソード（１０５）が積層されて素子部が形成されるとともに、リブ（１０３）が形成されている。そして、その素子部及びリブ（１０３）を覆うように保護膜（１０６）が形成されている。
【０００３】
特許文献２に記載のＥＬ装置では、有機ＥＬ層（３２）の上面側に陰極（３４）が設けられ、有機ＥＬ層（３２）の側面部に突起状樹脂層（２６）及びバリア絶縁層（２８）が設けられ、有機ＥＬ層（３２）の下面側に陽極（３０）を介して保護膜（３１）が設けられている。
【特許文献１】特開２００４−２２８０３４号公報
【特許文献２】特開２００５−３０１０２０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記特許文献１に記載のＥＬ装置では、有機エレクトロスミネッセンス装置画素（１０２）がアノード（１０４）、カソード（１０５）及び保護膜（１０６）によって覆われている。しかし、有機エレクトロスミネッセンス装置画素（１０２）の外周部において、カソード（１０５）の形成位置がずれた際に、カソード（１０５）がアノード（１０４）に接触して短絡し得る構成となっている。
【０００５】
また、上記特許文献２に記載のＥＬ装置では、バリア絶縁層（２８）により陽極（３０）と陰極（３４）との短絡は防止されているが、隣接する有機ＥＬ層（３２）の間に湿気等を比較的通しやすい突起状樹脂層（２６）が設けられているため、各画素の有機ＥＬ層（３２）に対する封止対策が不十分となっているおそれがある。即ち、いずれかの画素で何らかの要因により封止が破られると、その封止が破られた画素の有機ＥＬ層（３２）中に侵入した湿気等が、突起状樹脂層（２６）を介して隣の画素の有機ＥＬ層（３２）に侵入し、湿気等で劣化した画素が次々と広がってゆくおそれがある。
【０００６】
そこで、本発明の解決すべき課題は、第２電極層の形成位置のずれ等による第１電極層と第２電極層との短絡を防止しつつ、簡易な構成により、有機層等の封止を各画素毎に個別に行うことができるＥＬ装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の課題を解決するため、請求項１の発明では、基板と、前記基板上に形成され、導体材料からなる第１電極層と、前記第１電極層上に形成され、各画素に対応して開口が設けられた有機材料からなる絶縁層と、前記絶縁層を覆うように形成された絶縁性無機材料からなる第１保護層と、前記第１保護層上及び前記開口内の前記第１電極層上に被着され、発光層を含む有機層と、前記有機層上に形成され、導電材料からなる第２電極層と、前記第２電極層上に形成され、絶縁性無機材料からなる第２保護層と、を備え、前記第２保護層は、前記有機層及び前記第２電極層の端部を被覆するとともに、前記第１保護層と接触するように前記有機層及び前記第２電極層の形成領域外まで延在されているとともに、前記第１電極層、前記有機層及び前記第２電極層で構成される有機発光素子が配置される複数の画素形成領域と、前記絶縁層上に形成され、隣接する画素形成領域同士の間を仕切る隔壁と、をさらに備え、前記隔壁の上面まで、前記第１保護層が延在されており、前記隔壁上における前記第１保護層上に、前記第２電極層を構成する材料と同質の材料からなる水分吸収層が形成されている。
【０００８】
また、請求項２の発明では、基板と、前記基板上に形成された第１電極層と、前記第１電極層上に形成され、各画素に対応して開口が設けられた絶縁性無機材料からなる第１保護層と、前記第１保護層上及び前記開口内の前記第１電極層上に被着され、発光層を含む有機層と、前記有機層上に形成され、導体材料からなる第２電極層と、前記第２電極層上に形成され、絶縁性無機材料からなる第２保護層と、を備え、前記第２保護層は、前記有機層及び前記第２電極層の端部を被覆するとともに、前記第１保護層と接触するように前記有機層及び前記第２電極層の形成領域外まで延在されているとともに、前記第１電極層、前記有機層及び前記第２電極層で構成される有機発光素子が配置される複数の画素形成領域と、前記第１電極層上に形成され、隣接する画素形成領域同士の間を仕切る隔壁と、をさらに備え、前記隔壁の上面まで、前記第１保護層が延在されており、前記隔壁上における前記第１保護層上に、前記第２電極層を構成する材料と同質の材料からなる水分吸収層が形成されている。
【０００９】
また、請求項３の発明では、請求項１又は請求項２の発明に係るＥＬ装置において、前記第２保護層は、前記有機層の全ての端部を被覆する。
【００１２】
また、請求項４の発明では、請求項１ないし請求項３のいずれかの発明に係るＥＬ装置において、前記第１保護層の成膜温度は、前記有機層を構成する材料のガラス転移温度以上であり、且つ前記第２保護層の成膜温度は、前記有機層を構成する材料のガラス転移温度以下である。
【００１９】
また、請求項５の発明では、請求項１ないし請求項４のいずれかに記載のＥＬ装置において、前記水分吸収層を構成する材料は、アルカリ土類金属を主成分とする。
【発明の効果】
【００２０】
請求項１又は請求項２に記載の発明によれば、隔壁上に第２電極層と同じ材料で形成された層を水分吸収層として利用しているため、画素形成領域周辺に存在する水分が良好に吸収され、有機発光素子の劣化を抑制することができる。

【００２１】
また、請求項３に記載の発明によれば、有機層の全ての端面が第２保護層又は第２保護層及び第２電極層によって被覆されていることから、有機層は無機材料及び／又は導体材料によって完全に取り囲まれることとなり、より封止性を向上させることが可能となる。
【００２３】
請求項４に記載の発明によれば、第１保護層をより緻密で封止性能の高い保護層を形成しつつ有機層へのダメージを抑制することができ、各画素の有機層等に対する封止の信頼性をより高めることができる。
【００２６】
請求項５に記載の発明によれば、隔壁上に第２電極層と同じ材料で形成された層を水分吸収層として利用しているため、画素形成領域周辺に存在する水分が良好に吸収され、有機発光素子の劣化を抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
図１は本発明の一実施形態に係るＥＬ装置の平面図であり、図２は図１のＡ１−Ａ１断面図であり、図３は図１のＡ２−Ａ２断面図である。
【００２８】
本実施形態に係るＥＬ装置１は、図１ないし図３に示されるように、基板２と、回路層３と、第１及び第２絶縁層４，５と、第１及び第２電極層６，７と、配線層８、有機層９と、第１及び第２保護層１０，１１と、隔壁１２とを備えている。基板２の上面側には複数の画素形成領域１３が形成され、その各画素形成領域１３内に、第１電極層６、有機層９及び第２電極層７によって有機発光素子１４が形成されている。隔壁１２は、その画素形成領域１３同士の間を仕切るように略格子状に形成されている。なお、画素形成領域１３は、基板２上に複数の行と列を有するマトリックス状に配置されている。
【００２９】
また、図９に示すように、基板２及び回路層３及び第１絶縁層４を含んだ基板を素子基板１５とし、素子基板１５上にマトリックス状に配置されている画素形成領域１３は、素子基板１５上に形成されたシール材１６を介して封止基板１７によって封止されている。なお、シール材１６は、例えば、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂、シリコン系樹脂等によって形成することができる。
【００３０】
このＥＬ装置１は、有機層９が発光した光を上面側の第２電極層７及び第２保護層１１等を介して外部に取り出すトップエミッション型の構造を採用している。また、このＥＬ装置１の構成は、アクティブマトリクス駆動方式に対応した構成となっているが、パッシブマトリクス駆動方式に対応した構成を採用してもよい。また、第１電極層６と第２電極層７のいずれをアノード側に設定してもよい。また、第１電極層６及び第２電極層７のいずれを共通電極とするかについても、いずれの電極層６，７を隣接する画素形成領域１３同士において電気的に接続して共通電極としてもよい。
【００３１】
基板２及び封止基板１７はガラス基板等により構成される。回路層３は、図示しない薄膜トランジスタ又は容量素子の一部を構成している。第１絶縁層４は、回路層３と有機発光素子１４との間を絶縁するように、これらの間に形成されている。なお、第１絶縁層４は、絶縁性を有するシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等の無機材料や絶縁性を有する樹脂により形成されている。
【００３２】
第１電極層６は、第１絶縁層４上に形成され、有機発光素子１４の下部電極を構成している。配線層８は、第２電極層７を回路層３に電気接続するためのものであり、第１絶縁層４上における第１電極層６と離間した位置に形成されている。配線層８の一部は、第１絶縁層４に形成されたコンタクトホール４ａを介して回路層３と電気接続されている。第２絶縁層５は、樹脂により第１電極層６及び配線層８上に形成され、各画素形成領域１３に対応して開口５ａ，５ｂが設けられている。開口５ａ内には有機層９、第２電極層７が順次積層され、有機発光素子１４が構成されている。また開口５ｂは第２電極層７を配線層８に電気接続するためのものである。
【００３３】
隔壁１２は絶縁樹脂により形成され、その断面形状は下部よりも上部が幅広な略逆テーパーを成している。本実施形態では、隔壁１２は第２絶縁層５上に形成されている。両者は樹脂により形成されているため、密着性が良好である。この隔壁１２によって仕切られる各画素形成領域１３は、略矩形の平面形状を有している。
【００３４】
第１保護層１０は、水分やガス等に対する封止能力を有する無機材料からなり、隔壁１２及び第２絶縁層５の上からこれらの表面を覆うようにＣＶＤ等により形成されている。開口５ａ，５ｂ等に対応する第１保護層１０の部分は、エッチング等により除去されている。但し、開口５ａ，５ｂの内周部において第２絶縁層５の縁部が露出しないように、第１保護層１０の開口５ａ，５ｂの内周に位置する部分が第１電極層６及び配線層８の表面に密着している。
【００３５】
有機層９は、有機系材料を発光体として用いた発光層を含んで構成されている。また、有機層９は、第１保護層１０上及び開口５ａ内の第１電極６上に被着されている。本実施形態では、有機層９の略中央部の下面側は開口５ａ内に位置されて第１電極層６と密着しており、その外縁部の下面側は開口５ａの周辺の第１保護層１０上に乗り上げるようにして第１保護層１０に密着している。このため、有機層９は第２絶縁層５と非接触の状態となっている。
【００３６】
このような有機層９は、単層構造もしくは機能別に積層した多層構造のいずれも採用することができる。例えば、有機層９が発光層のみの単層からなる単層構造では、発光層が正孔輸送特性と電子輸送特性とを兼ね備えた材料からなり、その材料中に発光材料をドープする方法や、発光材料自体に電荷輸送特性が付与された材料を用いる方法などを採用することができる。このような単層構造は、素子形成プロセスを簡略化できることから、歩留まりを向上させることができ、低コストのＥＬ装置１を提供できるという利点がある。
【００３７】
また、有機層９の構造として多層構造を採用する場合、例えば発光層に加え、正孔輸送層、正孔注入層、正孔阻止層、電子輸送層、電子注入層、電子阻止層のうち、単数もしくは複数を選択して有機層９を構成する。例えば、有機層９が発光層と正孔阻止層とからなる多層構造である場合には、両電極層６，７からの電荷の注入量を制御するため、正孔注入電極として働く電極層６，７のいずれか一方と電子輸送層との間に正孔輸送層を設けた構造としてもよい。また、同様にして、電子注入電極となる電極層６，７のいずれか他方と正孔輸送層との間に電子阻止層を設けることも可能である。なお、正孔注入層、電子注入層については無機材料が使用されることもあるが、その場合であっても、正孔注入層、電子注入層を含めて有機層と呼ぶ。
【００３８】
第２電極層７は、有機層９の上面側から光りを取り出すために、インジウム錫酸化膜（ＩＴＯ）、錫酸化膜等の光透過性を有する導電材料を用いて有機層９上に形成されている。また第２電極層７が、マグネシウム、銀、アルミニウム等の基本的には光透過性を有さない材料により形成されていたとしても、１００nm以下の膜厚程度に薄くすることによって導電性をある程度確保したまま、第２電極層７に光を透過させることができる。
【００３９】
このような第２電極層７は、各画素形成領域１３内における有機層９上から開口５ｂが設けられた部分にかけて形成され、その一部が開口５ｂを介して配線層８に電気接続されている。
【００４０】
第２保護層１１は、ＳｉＮやＳｉＯ、ＳｉＮＯ等の無機材料からなり、有機層９や第２電極７を封止し、これらを水分や外気から保護するためのものである。この第２保護層１１は、第２電極層７上のみならず、第２電極層７の端面、第１保護層１０及び隔壁１２等を含む、基板２の上面側における画素形成領域１４が設けられる領域の全体を覆うようにＣＶＤ等により形成されている。
【００４１】
このような構成により、有機層の上面、下面、端面が、第１保護層、第２保護層、第１電極層及び第２電極層によって取り囲まれるため、有機層は無機材料及び導体材料によって封止されることとなる。このため、有機層に水分等が侵入することが良好に防止される上に、仮にいずれかの画素で有機層の封止が破れた場合でも、その封止が破れた画素の有機層内に侵入した湿気等が隣接する他の画素の有機層内に侵入するのを防止することができる。
【００４２】
また、有機層９と第１電極層６との間に第１保護層１０や第２絶縁膜５が介在され、第１保護層１０及び第２絶縁膜５が有機層９の形成領域外まで形成されているため、仮に第２電極層７の形成位置がずれた場合であっても、第１電極層６と第２電極層７とが直接接することはなく、両者の短絡を確実に防止できるようになっている。
【００４３】
また、第２電極層７の端面についても第２保護層１１で完全に被覆されるため、第２電極層７の封止も各画素形成領域１４毎に確実に行うことができる。
【００４４】
ここで、第１及び第２保護層１０，１１がＳｉＮxにより形成されている場合、有機層９の成膜前に形成される第１保護層１０の方を、有機層９の成膜後に形成される第２保護層１１よりも高い成膜温度（この成膜温度は、成膜時の温度と成膜後のアニール温度の両方を含む概念である）下で形成するのがよい。第１保護層１０の成膜温度は、例えば第１及び第２絶縁層４，５及び隔壁１２のベーク温度以下である１５０〜２００℃に設定される。また、第２保護層１１の成膜温度は、例えば有機層９が分解しない常温（例えば２０℃程度）から１００℃に設定される。
【００４５】
このように、第１保護層１０と第２保護層１１とを同質の材料であるＳｉＮxで形成することにより、第１保護層１０と第２保護層１１とが重なり合っている部分の接合面の接合強度を高めることができ、封止の信頼性を高めることができる。
【００４６】
また第１保護層１０は有機層９の成膜前に形成されるため、有機層９のガラス転移温度よりも高い温度で成膜することができる。この場合、第２保護層１１よりも成膜温度を高くすることができる。その結果、第１保護層１０を化学量論的組成比率（例えば、保護層がＳｉＮからなる場合、その組成がＳｉ3Ｎ4であることを、保護層がＳｉＯからなる場合、その組成がＳｉＯ2であることをそれぞれ言う）に近づけて、第１保護層１０を第２保護層１１よりも緻密な封止膜とすることができる。なお、有機層９を構成する材料のガラス転移温度を超える温度に有機層を晒すと、有機層９がダメージを受けてしまうため、第２保護層１１を、有機層９を構成する材料のガラス転移温度以上の温度で成膜することは好ましくない。
【００４７】
また、本実施形態に係る構成では、略逆テーパーの断面形状を有する隔壁１２が設けられているため、有機層９及び第２電極層７については、隔壁１２の上面の一部又は全部をマスクとして利用して基板２に略垂直な方向から蒸着して形成することにより、有機層９及び第２電極層７が隔壁１２の上面の直下領域に回り込まないようにし、有機層９及び第２電極層７を各画素形成領域１３毎に容易に分断して形成できる。一方、第１及び第２保護層１０，１１については、隔壁１２の上面の直下まで回り込む蒸着方法（ＣＶＤ等）を用いて形成することにより、有機層９及び第２電極層７の外縁を第１及び第２保護層１０，１１により確実に挟み込んで封止することができるとともに、隔壁１２の側面に第１及び第２保護層１０，１１を確実に付着させることができる。
【００４８】
また、隔壁１２の全表面、及び隔壁１２の下部周辺に位置する第２絶縁層５の表面が第１及び第２保護層により２重に被覆されているため、樹脂により形成される隔壁１２及び第２絶縁層５の封止の信頼性を向上させることができる。
【００４９】
＜変形例＞
以下では、上述の実施形態に係るＥＬ装置１の変形例について記載する。
【００５０】
図４に示すＥＬ装置１ａでは、上述のＥＬ装置１の構成において、第２絶縁層５が省略され、第１保護層１０に第２絶縁層５の役割をも担わせており、これによって構成の簡略化が図られている。これに伴って、第１保護層１０は、第１電極層１０及び配線層８の上から基板２の上面側に形成され、開口５ａ，５ｂが設けられている。隔壁１２は有機層９及び第１保護層１０の形成前に、基板２の上面側に形成される。
【００５１】
図５に示すＥＬ装置１ｂでは、上述の変形例に係るＥＬ装置１ａの構成において、隔壁１２が省略され、これによってさらなる構成の簡略化が図られている。
【００５２】
図４，５に示すＥＬ装置１ａ、１ｂにおいては、第１電極層１０から露出する第１絶縁層４を第１保護層１０が被覆しているため、第１絶縁層４から水分等が有機層９に侵入することが良好に防止されている。
【００５３】
図６に示すＥＬ装置１ｃでは、上述のＥＬ装置１の構成において、隔壁１２を形成する前に第１保護層１０を形成し、隔壁１２の表面を第２保護層１１により一重に被覆するようになっている。これに伴って、隔壁１２は第１保護層１０上に形成されている。このＥＬ装置１ｃにおいては、隔壁１２の形成前に第１保護膜１０を形成することができるため、第１保護膜１０の成膜温度を隔壁１２の耐熱性を考慮することなく設定できる利点がある。
【００５４】
さらに、図７に示すＥＬ装置１ｄでは、上述したように隔壁１２をマスクとして利用し、例えば蒸着法を使用することで、隔壁１２の上面まで延在された第１保護層１０上に、有機層９及び第２電極層７の構成材料と同一材料からなる有機材料層９’及び電極材料層７’を形成し、電極材料層７’を水分や酸素を吸収するための水分吸収層７’として利用している。このため、画素形成領域１３の周囲の水分や酸素を水分吸収層７’によって良好に吸収することができる。
【００５５】
また、水分吸収層７’は、格子状に形成された隔壁１２の上面の略前面にわたって被着されている。一方、水分吸収層７’と隔壁１２との間には無機材料からなる第１保護層１１が介在されている。このため、ある点Ｐで水分吸収層７’に吸収された水分は、隔壁１２に進入しにくいため、図１０に示すように隔壁１２に沿って伝達される。従って、水分吸収層７’によって、吸収された水分が有機発光素子１４に向かって進入しにくい構造となっている。それ故、水分吸収層７’によって吸収された水分が隔壁１２を介して有機発光素子１４まで抑制され、有機発光素子１４の劣化を有効に防止することができる。なお、図１０は、第２保護層１１を除いたＥＬ装置の上面透過図である。
【００５６】
なお、第２電極層７と水分吸収層７’とは同一工程で一括的に形成することができる。このように、ＥＬ装置の成膜工程を単純化することで、ＥＬ装置の製造歩留りを向上させることができる。
【００５７】
また、有機発光素子１４の周囲に配置される隔壁１２の上面に水分吸収層７’を形成しているため、有機発光素子１４の光が水分吸収層７’によって遮光されることが抑制される。さらに、水分吸収層７’は、デッドスペースとなり易い隔壁１２の上面の領域を利用して配置されているため、スペースの有効活用という点からも好ましい。
【００５８】
水分吸収層７’は、例えばＭｇやＣａ等のアルカリ土類金属を主成分とする材料から構成することができる。ここで、主成分とは、水分吸収層７’を構成する材料において最も多く含まれる材料をいう。
【００５９】
また、図８に示すＥＬ装置１ｅでは、上述した有機発光素子１４上に形成される第２保護層１１を隔壁１２上まで延在し、該延在部１１’で水分吸収層７’を被覆する。さらに第２保護層１１の延在部１１’上に開口１１ａを設け、水分吸収層７’の一部を露出させる。この場合であっても、図９に示すＥＬ装置１ｄと同様の効果を奏する。その上、水分吸収層７’を第２保護層の延在部１１’で被覆しているため、水分吸収層７’の剥離が良好に防止される。
【００６０】
また、開口１１ａを水分吸収層７’の中央に形成することにより、剥離の起点となり易い水分吸収層７’の端部を延在部１１’で良好に被覆することができる。
【００６１】
また、図９に示すように、開口１１ａは、シール材１５と最も近接した隔壁１２上の延在部１１’に、隔壁１２に沿って形成することが望ましい。すなわち、水分や酸素の濃度が大きい傾向にあるシール材１５近傍に水分等を吸収する水分吸収層７’を設けているため、より効果的に水分等を吸収し、有機発光素子１４の劣化を効果的に抑制することができる。なお、図９（ａ）は、第２保護層１１を除いた上面透過図である。
【００６２】
封止された発光領域１３内に、シール材１６を介して水分や酸素が進入したとしても、水分や酸素が発光領域１３上に到達する前に、開口１１ａが水分や酸素を吸収することができ、有機発光素子１４の劣化を効果的に抑制することができる。なお、図９に示すように、開口１１ａが、封止基板１７の外周に沿って形成されることで、どのシール材１６の箇所から外気が基板内に進入したとしても、水分や酸素を素早く吸収することができ、より十分に有機発光素子１４の劣化を抑制することができる。
【００６３】
また、図９に示す開口１１ａは、隔壁１２に沿ってライン状に形成されているが、これに限らず、図１１に示すように、所定の間隔を空けて複数形成されていても構わない。この場合、図９とは異なり、第２保護層が開口１２によって完全に分断されず連続的に形成されているため、第２保護層１１の密着性を良好に保つことができ、第２保護層１１の剥離を有効に防止することができる。なお、図１１は、第２保護層１１を除いた上面透過図である。
【００６４】
なお、開口１１ａの形成方法は、例えば、隔壁１２上に形成された第２保護層の延在部１１’に対して接触ピン等を直接当接させることで、延在部１１’の一部に穴を開ける方法や、また、ドライエッチング等の加工技術により延在部１１’の一部を除去する方法等がある。
【００６５】
本発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲を逸脱しない範囲内において種々の変更・改良が可能である。
【００６６】
例えば、図１におけるＡ１−Ａ１線及びＡ２−Ａ２線の断面図が図３に示す断面図となるようにＥＬ装置を構成しても良い。この場合、有機層９及び第２電極層７の端面は全て第２保護層によって被覆されることとなる。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】本発明の一実施形態に係るＥＬ装置の平面図である。
【図２】図１のＡ１−Ａ１断面図である。
【図３】図１のＡ２−Ａ２断面図である。
【図４】実施形態に係るＥＬ装置の変形例を示す断面図である。
【図５】実施形態に係るＥＬ装置の変形例を示す断面図である。
【図６】実施形態に係るＥＬ装置の変形例を示す断面図である。
【図７】図１のＡ１−Ａ１の断面図の変形例である。
【図８】図１のＡ１−Ａ１の断面図の変形例である。
【図９】本発明のＥＬ装置の一実施形態を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。
【図１０】水分及び酸素の伝達経路の一例を示す平面図である。
【図１１】実施形態に係るＥＬ装置の変形例を示す平面図である。
【符号の説明】
【００６８】
１，１ａ〜１ｃ  ＥＬ装置、２  基板、３  回路層、４  第１絶縁層、５  第２絶縁層、６  第１電極層、７  第２電極層、８  配線層、９  有機層、１０  第１保護層、１１  第２保護層、１２  隔壁、１３  画素形成領域、１４  有機発光素子、  ７’  水分吸収層、  １１ａ  開口。
【図１】
0005160754.tif 000002
【図２】
0005160754.tif 000003
【図３】
0005160754.tif 000004
【図４】
0005160754.tif 000005
【図５】
0005160754.tif 000006
【図６】
0005160754.tif 000007
【図７】
0005160754.tif 000008
【図８】
0005160754.tif 000009
【図９】
0005160754.tif 000010
【図１０】
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【図１１】
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