(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも有機コーティング材料（ＯＬＥＤ材料）がその上に堆積されたパターニングデバイスを洗浄するための方法であって、
前記パターニングデバイスから前記コーティング材料をプラズマエッチング処理によって除去するための洗浄プラズマを供給する工程を含み、
活性化ガスを活性化ゾーンで活性化させ、活性化ガスを混合・プラズマ発生ゾーンへと送り、活性化した活性化ガスを混合・プラズマ発生ゾーンでエッチングガスと混合することで洗浄プラズマは発生し、活性化ゾーンはパターニングデバイスとは離れて位置しており、混合・プラズマ発生ゾーンはパターニングデバイスと隣接して位置されており、前記パターニングデバイスから前記コーティング材料を除去する前記工程中、前記パターニングデバイスの温度が１２０℃を越えず、前記パターニングデバイスの温度が前記パターニングデバイスに損傷を引き起こす臨界温度を越えず、プラズマエッチング速度が少なくとも０．２μｍ／分に維持され、前記方法が、前記パターニングデバイスから前記コーティング材料を除去する前記工程中に、パルスエネルギーを供給してパルス洗浄プラズマを発生させることを含むことを特徴とする洗浄方法。
【請求項２】
前記パターニングデバイスから前記コーティング材料を除去する前記工程中、前記パターニングデバイスの温度が１００℃を越えないことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記パターニングデバイスから前記コーティング材料を除去する前記工程中、前記パターニングデバイスの温度が８０℃を越えないことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記パターニングデバイスから前記コーティング材料を除去する工程中、プラズマエッチング速度が少なくとも０．５μｍ／分、１μｍ／分、２．５μｍ／分、及び５μｍ／分
のうちのいずれか１の速度に維持されることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項記載の方法。
【請求項５】
前記洗浄プラズマを、ＲＦ及び／又はＨＦ及び／又はマイクロ波放射線をプラズマ活性化ゾーンに導入することで発生させることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項記載の方法。
【請求項６】
前記パターニングデバイスから前記コーティング材料を除去する前記過程を洗浄チャンバ内で実行し、前記洗浄チャンバの内圧が５ｍｂａｒ未満の内圧であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項記載の方法。
【請求項７】
前記方法をＯＬＥＤコーティングチャンバとは分離した洗浄チャンバ内で実行することを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項記載の方法。
【請求項８】
前記洗浄プラズマが、少なくとも酸素（Ｏ２）とハロゲン化物含有分子との混合物から発生したプラズマであることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項記載の方法。
【請求項９】
好ましくは有機発光半導体材料（ＯＬＥＤ材料）を含む少なくとも１つの層を含む層系を基板上に堆積するための方法であり、
前記基板上に堆積するコーティング材料を供給するための供給源を有しているコーティングチャンバ内に前記基板を配置し、
パターニングデバイスを前記基板と前記供給源との間に設置し、
前記基板上に有機発光半導体材料を含む層を堆積し、
前記パターニングデバイスを前記コーティングチャンバから取り外し、前記パターニングデバイスを洗浄チャンバ内に配置し、
前記請求項１〜８のいずれか１項記載の方法を実行してコーティング材料を前記パターニングデバイスから除去する工程を含むことを特徴とする堆積方法。
【請求項１０】
少なくとも有機コーティング材料（ＯＬＥＤ材料）がその上に堆積されたパターニングデバイスを洗浄するためのシステムであり、前記システムは、プラズマエッチング処理により前記パターニングデバイスから前記コーティング材料を除去するための洗浄プラズマを供給するためのプラズマ供給源を備えており、
プラズマ供給源は、少なくとも活性化ガスを前記エッチング処理中にパターニングデバイスとは離れて位置する活性化ゾーンで活性化させるように構成され、これによって活性化ガスを混合・プラズマ発生ゾーンへと送り、パターニングデバイスと隣接して位置されている混合・プラズマ発生ゾーンで活性化ガスをエッチングガスと混合し、
前記システムが前記パターニングデバイスの温度を１２０℃未満に維持するための手段を備えており、
前記システムが前記パターニングデバイスに損傷を引き起こす臨界温度より低い前記パターニングデバイスの温度を維持するための手段を備えており、
前記プラズマ供給源がパルスプラズマ供給源であるシステム。
【請求項１１】
前記システムが前記パターニングデバイスの温度を１００℃未満の温度に維持するための手段を備えていることを特徴とする請求項１０記載のシステム。
【請求項１２】
前記システムが前記パターニングデバイスの温度を８０℃未満の温度に維持するための手段を備えていることを特徴とする請求項１０記載のシステム。
【請求項１３】
好ましくは有機発光半導体材料（ＯＬＥＤ材料）を含む少なくとも１つの層を含む層系を基板上に堆積するためのコーティングシステムであり、
基板上にコーティング層を堆積するための少なくともコーティングチャンバと、
コーティング粒子が前記基板の特定の表面領域上に堆積されるのを選択的及び／又は局所的に阻止して、少なくとも前記有機発光半導体材料を含む構造化層を形成するための少なくとも１つのパターニングデバイスと、
先行の請求項１０〜１２のいずれか１項記載の前記パターニングデバイスを洗浄するためのシステムを備えているコーティングシステム。
【請求項１４】
前記パターニングデバイスを洗浄するための前記システムが前記コーティングチャンバとは分離したチャンバとして構成された洗浄チャンバを備えていることを特徴とする請求項１３記載のコーティングシステム。
【請求項１５】
前記コーティングシステムがインライン式ＯＬＥＤコーティングシステムであることを特徴とする請求項１３又は１４記載のコーティングシステム。
【発明の詳細な説明】
【発明の分野】
【０００１】
本発明は、少なくとも有機コーティング材料（ＯＬＥＤ材料）がその上に堆積されたパターニングデバイスの洗浄方法と、好ましくは有機発光半導体材料（ＯＬＥＤ材料）を含む少なくとも１つの層を含む層系を基板上に堆積するための方法と、その上に少なくとも有機コーティング材料（ＯＬＥＤ材料）が堆積されたパターニングデバイスを洗浄するためのシステムと、好ましくは有機発光半導体材料（ＯＬＥＤ材料）を含む少なくとも１つの層を含む層系を基板上に堆積するためのコーティングシステムに関する。
【従来技術の説明】
【０００２】
多くの技術用途において、基板への層又は多層系の堆積が必要とされている。例えば、いわゆるＯＬＥＤ（有機発光ダイオード）ディスプレイ又はスクリーンの製造において、各層系はガラス等の透明基板上に堆積された有機、エレクトロルミネセント材料（ＯＬＥＤ材料）を含む少なくとも１つの発光層を有する。発光有機材料の典型例はＡｌｑ３である。
【０００３】
ＯＬＥＤ層は、例えば発光を目的として対応する電極層によって駆動される画素を設けるための微細構造を有している場合がある。微細構造はパターニングデバイス、例えばシャドーマスクによって形成され、パターニングデバイスはＯＬＥＤ層の微細構造に対応する／相補する構造を有している。
【０００４】
微細構造を有するＯＬＥＤ材料は、通常、真空コーティング法を用いて基板上に堆積される。シャドーマスクは基板表面と、基板表面上に堆積する有機コーティング材料を供給する材料供給源との間の基板上に置かれる。
【０００５】
コーティング処理中にコーティング粒子がマスク上にも意図せずして堆積されてしまうことを回避することはできないため、寸法の小さい微細構造を有するマスクは汚染されてしまい、１回以上のコーティングサイクル後に取り外し、洗浄しなくてはならない。このため、最先端技術では既定の使用時間を越えたら真空コーティングチャンバからＯＬＥＤマスクを取り外している。その後、湿式化学洗浄処理を大気圧下で実行する。従って、湿式化学洗浄処理を用いる場合、ＯＬＥＤコーティング処理を複数のコーティングチャンバから構成されるインライン式装置において中断し、マスクを各真空コーティングチャンバから除去しなくてはならない。
【０００６】
更に、酸素／アルゴン（Ｏ２／Ａｒ）混合物の線形イオン供給源をマスクの洗浄に使用する実験を行ったが、この方法を商業用途に用いるには、マスク洗浄のサイクル時間が長すぎた。加えて、金属マスクの温度の著しい上昇が起こり、高温負荷、熱応力及びマスクへの損傷が生じた。
【発明の目的】
【０００７】
本発明の目的は、洗浄方法と、ＯＬＥＤコーティング方法と、洗浄システムと、インライン式ＯＬＥＤコーティング装置の連続稼動を円滑に行うＯＬＥＤコーティングシステムを提供することである。
【発明の概要】
【０００８】
この目的は、請求項１記載のパターニングデバイスを洗浄するための方法と、請求項１１記載の基板上に層系を堆積するための方法と、請求項１２記載のパターニングデバイスを洗浄するためのシステムと、請求項１７記載の基板上に層系を堆積するためのコーティングシステムを提供することで解決される。好ましい実施形態の構成は、従属請求項に記載される。
【０００９】
本発明によるパターニングデバイスの洗浄方法は、その上に少なくとも有機コーティング材料（ＯＬＥＤ材料）を含む層が堆積されたパターニングデバイスを洗浄するためのものである。本方法は、プラズマエッチング処理によりパターニングデバイスからコーティング材料を除去するための洗浄プラズマを提供する工程を含む。
【００１０】
発明者は、マスクを真空雰囲気中で洗浄すると、インライン式ＯＬＥＤコーティング装置における連続コーティング処理が円滑に行われることを発見した。ＯＬＥＤコーティング装置のコーティングチャンバ、処理チャンバ又は搬送チャンバの換気の必要性を回避することが可能である。プラズマエッチング処理は真空雰囲気中で実行することから、マスクはコーティングチャンバそれ自体の中又は好ましくはコーティングシステムに連結された別の洗浄用真空チャンバ内で洗浄することができる。
【００１１】
前記コーティング材料を前記パターニングデバイスから除去する前記工程中、前記パターニングデバイスの温度は１２０℃、特には１００℃、特には８０℃を越えないことが好ましい。
【００１２】
通常、パターニングデバイスとは金属材料から成る又は少なくとも金属材料を含むマスクであるため、（少なくとも特定の時間内に）特定の温度を超えると、マスクへの損傷を免れることはできない。当然のことながら、最高温度は材料、用いるエッチング法の種類等によって異なるが、最高温度は１２０℃、１１０℃、１００℃、９０℃、８０℃又はもっと低いものであってもよい。
【００１３】
好ましくは、前記パターニングデバイスから前記コーティング材料を除去する前記工程の間、前記パターニングデバイスの温度は前記パターニングデバイスに損傷を生じさせる臨界温度を超えない。
【００１４】
前記パターニングデバイスから前記コーティング材料を除去する工程中、プラズマエッチング速度を少なくとも０．２μｍ／分、特には０．５μｍ／分、特には１μｍ／分、特には２．５μｍ／分、特には５μｍ／分で維持することが好ましい。
【００１５】
これは、有機コーティング材料をマスクからエッチングにより除去するのに必要とされる時間が非常に短いことを意味している。例えば、処理した基板をインライン式ＯＬＥＤコーティング装置の次の真空チャンバに輸送しながら、コーティングサイクル後にマスクを洗浄することが可能である。エッチング速度が速いことから、マスクを１組しか必要としない。
【００１６】
エッチング速度は、インライン式ＯＬＥＤコーティング装置のサイクル時間に匹敵するサイクル時間が得られるに十分なだけ速くなくてはならない。例えば、インライン式コーティング装置の中断のない連続稼動を確保するには、１分のサイクル時間で十分である。その一方で、当然ながら、マスクのエッチングが起きてはならない。
【００１７】
従って、洗浄システムの要件とは、エッチング速度が連続的なインライン式ＯＬＥＤコーティング処理を確保するに十分な速さでありながら、エッチング処理中、マスク温度が低く、マスクのエッチングが行われないことである。
【００１８】
本発明の特定の実施形態において、パターニングデバイスからコーティング材料を除去するために使用されるプラズマは、前記プラズマを発生させるための活性化ガスを活性化ゾーンで活性化させることで発生する。パターニングデバイスはコーティング材料のパターニングデバイスからの除去過程の間、活性化ゾーンの外側に置かれる。この実施形態においては、エッチング処理に遠隔プラズマを使用する。
【００１９】
基本的に、プラズマを基板と直接接触させて発生させることで基板処理を行う。従って、反応性ガスは基板表面に隣り合った活性化ガスによって活性化される。しかしながら、本発明では、反応性ガスの活性化、つまり反応性分子の発生は基板表面から離れた位置でも起こすことができる。このプラズマは遠隔プラズマ、ダウンストリームプラズマ又はアフターグロープラズマと称される。
【００２０】
高エッチング速度での熱負荷は、反応性エッチング粒子を活性化させるためのゾーンを基板表面近くのエッチングゾーンとは分離することで軽減することができる。「遠隔」活性化ゾーンにおいて、反応性粒子はエッチング領域外で発生／活性化され、エッチング領域には強力なガス流によって運ばれる。「遠隔」プラズマエッチング処理の別の利点は、この処理が、イオンの寿命がマスクに衝突する前にその崩壊が起こるほどに短い作動圧力で行われることである。
【００２１】
例えば、遠隔プラズマＣＶＤ法においては、活性化された原子／分子、つまりＯ２、Ｈ２、Ｎ２Ｏを発生させるために、活性化ガスを放電ゾーンに通す。活性化ゾーンの下流に位置するアフターグローゾーンにおいて、活性化ガスはエッチングガス又は複数のエッチングガスの混合物と、活性化ゾーンとは離れた基板表面付近で混合される。
【００２２】
エッチングガスもまた、活性化ガスの活性化ゾーンとは別の活性化ゾーンを通過してもよい。
【００２３】
混合ゾーンにおいて、活性化ガス及びエッチングガスは相互作用を起こす。励起エネルギーは活性化ガスの分子／原子からエッチングガスの分子／原子へと移動し、均質な前反応を起こす。更なる反応において、エッチング分子／原子がマスクと反応し、有機コーティング粒子がマスクから除去される。
【００２４】
遠隔プラズマエッチング法を用いることで、高いエッチング速度での効果的なプラズマエッチング処理を、マスクを処理中に高温に曝すことなく行うことができる。更に、マスクが高エネルギーを有する活性化ガスの分子／原子によって損傷されることがない。基板、つまりマスクの温度はマスク表面への高エネルギーの活性化ガス（混合物）の衝突によって著しく上昇する。遠隔プラズマ供給源を使用すると、高エッチング速度を維持しながら、イオン衝撃を軽減してマスクが曝される熱負荷を低下可能なことが、発明者によって認められている。
【００２５】
加えて、遠隔プラズマ供給源を使用するとマスクは活性ガス分子／原子用のＲＦ又はマイクロ波励起放射線に曝露されないが、これは活性化ゾーンがマスク表面から離れた位置にあるからである。マスクはプラズマ活性化ゾーンの外側に置かれる。
【００２６】
本発明の方法には、１つ以上のエッチング法を組み合わせて又は連続的に用いることが含まれる。
【００２７】
特に、本発明はパルスエネルギーを供給して、前記パターニングデバイスから前記コーティング材料を除去する工程中にパルス洗浄プラズマを発生させることを含む。
【００２８】
この実施形態は、直接プラズマエッチング法において、マスク表面に隣接したプラズマ発生ゾーンにパルスエネルギーを供給する、又は遠隔プラズマエッチング法において、パルスエネルギーをマスク表面とは離れたゾーンに供給することを含む。パルスエネルギーを供給することで、マスクに供給される電力を供給エネルギーの周波数と電力レベルによって制御することができる。従って、マスク温度の上昇を効果的に制御することができる。
【００２９】
実際、パルスプラズマエッチング処理を用いる場合、パルス長、周波数及び電力を設定し最適化することで、基板つまりマスクの熱応力を、エッチング速度を十分に高く維持したまま軽減することができる。反応性粒子は１エネルギーパルス（例えばマイクロ波又はＲＦ放射線）の間に発生する。パルスにより、２つのエネルギー供給パルスの間の時間であっても、反応性粒子が使い果たされるまで続く化学反応過程が開始される。
【００３０】
好ましい実施形態において、洗浄プラズマはＲＦ及び／又はＨＦ及び／又はマイクロ波放射線をプラズマ活性化ゾーンに導入することで発生させる。上述したように、プラズマ活性化ゾーンはマスク近く（直接プラズマエッチング法）に位置させても、マスクから離れて（遠隔プラズマエッチング法）位置させてもよい。放射線は、活性化ガス及び／又は反応性ガス混合物に適切な照射速度で結合される。
【００３１】
前記パターニングデバイスから前記コーティング材料を除去する過程を洗浄チャンバで実行するのが好ましく、前記洗浄チャンバは内圧１０ｍｂａｒ未満、特には５ｍｂａｒ未満、特には１ｍｂａｒ未満、特には０．１ｍｂａｒ未満である。マスク洗浄処理を真空雰囲気内で実行し、連続的なインライン式ＯＬＥＤコーティング処理が確保することが重要である。洗浄処理はコーティング又は処理チャンバ内で実行することができる。
【００３２】
或いは、好ましい実施形態において、前記方法はＯＬＥＤコーティングチャンバから離れた洗浄チャンバ内で行われる。洗浄チャンバはＯＬＥＤコーティングチャンバと連結していてもよい。マスクをＯＬＥＤコーティングチャンバから洗浄チャンバへと輸送する場合、どのチャンバの圧力も大きく変更する必要はない。更に、マスクを洗浄する前にコーティングシステムからマスクを取り外し、洗浄後にマスクをシステムに戻すためにチャンバをロック及び／又はロック解除する必要がない。
【００３３】
洗浄プラズマは少なくとも酸素（Ｏ２）とハロゲン化物含有分子との混合物から発生させたプラズマであってもよい。例えば、Ｏ２とＣＨＦ３、又はＳＦ６とＯ２を含有するプラズマを用いることで良好な結果が得られている。
【００３４】
基板上に層系、好ましくは有機発光半導体材料（ＯＬＥＤ材料）を含む少なくとも１つの層を含む層系を堆積する本発明の方法は、前記基板上に堆積するコーティング材料を供給するための供給源を有しているコーティングチャンバ内に前記基板を配置し、パターニングデバイスを前記基板と前記供給源との間に設置し、前記基板上に有機発光半導体材料を含む層を堆積し、前記パターニングデバイスを前記コーティングチャンバから取り外し、前記パターニングデバイスを洗浄チャンバ内に配置し、上述の洗浄法を実行してコーティング材料を前記パターニングデバイスから除去する工程を含む。
【００３５】
本方法を実行する際、基板上にはすでに１つ以上の層が堆積されていてもよい。更に、マスクを１つ以上のＯＬＥＤコーティングサイクルに使用してから洗浄してもよい。ＯＬＥＤコーティング処理は全種類のコーティング方法、特にはＰＶＤ（物理気相蒸着）、ＣＶＤ（化学気相蒸着）、ＰＥＣＶＤ（プラズマ化学気相蒸着）、気化法、スパッタリング等を含んでいてもよい。特に、基板をコーティングチャンバ内に配置し、有機発光半導体材料を含む層を基板上に堆積する工程は、パターニングデバイスをコーティングチャンバから取り外し、プラズマ洗浄処理を実行する前にｎ回繰り返してもよく、ｎ＝０、１、２、３・・・である。これは、マスクを運転毎又はｎ回の運転毎に洗浄することを意味している。
【００３６】
パターニングデバイスは基板とコーティング材料の材料供給源との間に設置される。パターニングデバイスの設置とは、パターニングデバイスをコーティングチャンバ内に配置することを意味している。コーティング処理を開始する前に、パターニングデバイス及び／又は基板を互いに及び／又はコーティング材料供給源に対して整列させてもよい。
【００３７】
少なくとも有機コーティング材料（ＯＬＥＤ材料）を含む層がその上に堆積されたパターニングデバイスを洗浄するための本発明のシステムは、前記コーティング材料を前記パターニングデバイスからプラズマエッチング処理により除去するための洗浄プラズマを供給するためのプラズマ供給源を備えている。
【００３８】
好ましくは、前記システムは前記パターニングデバイスの温度を１２０℃未満、特には１００℃未満、特には８０℃未満に維持するための手段を備えている。処理中、プラズマエッチング速度は少なくとも０．２μｍ／分、特には０．５μｍ／分、特には１μｍ／分、特には２．５μｍ／分、特には５μｍ／分に維持される。
【００３９】
更に、前記システムは前記パターニングデバイスの温度を前記パターニングデバイスへの損傷を引き起こす臨界温度より低く維持するための手段を備えていることが好ましい。特に、有機分子をマスクから除去する過程において、前記パターニングデバイスの溶融温度を長時間に亘って越えることはない。
【００４０】
前記プラズマ供給源は活性化ゾーンにおいて活性化ガスを活性化させる遠隔プラズマ供給源であってもよく、前記パターニングデバイスは前記エッチング処理中、前記プラズマ活性化ゾーンの外側に置かれる。活性化ガスは希ガス、Ｏ２、Ｈ２、Ｎ２Ｏ等であってもよい。活性化ガス分子／原子は活性化ゾーン内で励起される。その後、活性化ガス分子／原子は混合・プラズマ発生ゾーンへと送られる。このゾーン内にて、活性化ガス分子／原子はエッチングガスと混合される。エッチングガスの原子／分子は活性化ガス原子／分子によって励起される。活性化ガス分子／原子及びエッチングガスの活性化された原子／分子がエッチングプラズマを構成する。混合・プラズマ発生ゾーンは、マスク表面の処理を目的として、マスク表面に隣接して位置されている。この実施形態において、活性化ゾーンは、洗浄処理中、活性化ゾーンとパターニングデバイスとの間の距離が活性化ゾーンで発生したイオンがその寿命の間にパターニングデバイスに衝突することを防ぐに十分なだけ大きくなるように、つまり洗浄システムの作動圧力が低すぎて活性化されたイオンがパターニングデバイスの表面には届かないだけ、パターニングデバイスから離れている。
【００４１】
プラズマ供給源がパルスプラズマ供給源であることが好ましい。
【００４２】
基板上に層系、好ましくは有機発光半導体材料（ＯＬＥＤ材料）を含む少なくとも１つの層を含む層系を堆積するための本発明のコーティングシステムは、基板上にコーティング層を堆積するための少なくともコーティングチャンバと、コーティング粒子が前記基板の特定の表面領域上に堆積されるのを選択的及び／又は局所的に阻止して、少なくとも前記有機発光半導体材料を含む構造化層を形成するための少なくとも１つのパターニングデバイスと、上述したように前記パターニングデバイスを洗浄するためのシステムを備えている。
【００４３】
好ましくは、前記パターニングデバイスを洗浄するためのシステムは、前記（真空）コーティングチャンバから分離したチャンバとして構成された（真空）洗浄チャンバを備えている。洗浄チャンバの圧力レベルはコーティングチャンバの圧力レベルと同一又は同様であってもよい。このため、圧力差の補正に時間を費やさなくてもよい。或いは、洗浄用システムを前記（真空）コーティングチャンバ内に設けてもよい。
【００４４】
好ましい実施形態において、前記コーティングシステムはインライン式ＯＬＥＤコーティングシステムである。
【具体的な実施形態の説明】
【００４５】
図は本発明のマスク洗浄システム１を表している。この実施形態において、マスク洗浄システム１は遠隔プラズマ供給源を備えている。矢印Ａで図示の活性化ガス又はガス混合物は活性化ゾーン２へと送られ、活性化ゾーン２は金属マスク３の表面とは離れて位置している。マスク３の表面にはプラズマエッチング処理にて除去しなくてはならない有機粒子が堆積している。活性化ガスＡの原子／分子は、パルスＲＦ又はマイクロ波放射線供給源（図示せず）によって供給されたパルスＲＦ又はマイクロ波放射線Ｒによって活性化ゾーン２で活性化される。
【００４６】
活性化後、矢印Ａ＊で示される活性化ガス原子／分子はマスク３の表面近くに又は隣接して位置する混合・励起ゾーン４に進入する。このゾーン４において、活性化された原子／分子Ａ＊は矢印Ｐで示される処理ガス分子／原子（エッチング分子／原子）と混合される。活性化された分子／原子Ａ＊によってゾーン４内で処理ガス原子／分子Ｐが励起され、エッチングプラズマがこのゾーン４で発生する。エッチングプラズマはマスク３の表面と接触しているため、マスク３をかなりの速度で洗浄する。使用済みのガス混合物は、矢印Ｅで示されるように、マスク３の表面から除去される。
【００４７】
（ａ）プラズマがパルスプラズマである、（ｂ）活性化ガスＡの活性化がマスク３の表面から離れたゾーン２で行われるという事実により、金属マスク３の温度はマスク３への温度による損傷とそのエッチングが防止されるに十分な低さに維持される。
【００４８】
本発明の更なるパラメータは、以下の実施例において開示する。
【実施例１】
【００４９】
本発明の洗浄システムにおいては、有機材料、例えばＡｌｑ３分子でコーティングされたシャドーマスクを真空チャンバ内に生じたプラズマゾーンに対して既定の距離を置いて載置する。
【００５０】
システムはマスク洗浄用のエッチングプラズマを発生、維持するためのプラズマ発生供給源を備えている。この実施例において、プラズマ発生ガス混合物はＳＦ６／Ｏ２の混合物を流量２００ｓｃｃｍ〜４００ｓｃｃｍ（質量流量制御装置により設定）で含む。
【００５１】
プラズマ発生供給源は２．４５ＧＨｚのマイクロ波放射線を放射し、ガス／ガス混合物を解離してプラズマを発生させるマイクロ波供給源を備えている。電力は、周波数６６６Ｈｚの６ｋＷ電力パルスで供給される。真空洗浄チャンバ内の総圧力は０．１ｍｂａｒである。Ａｌｑ３分子はエッチング速度２４０ｎｍ／分でマスクから除去される。マスク温度は１００℃未満に維持され、マスク温度上昇は数度にすぎず、金属マスクのエッチングは発生しない。
【００５２】
エッチング処理は、直接プラズマ又は遠隔プラズマを用いて行うことができる。更なるエッチング処理は前記エッチング法と組み合わせても、連続的に行ってもよい。
【実施例２】
【００５３】
ＣＨＦ３／Ｏ２のプラズマ発生ガス混合物を用いることで、非常に良好な結果が得られた。０．５μｍ／分に上るエッチング速度と１分未満のサイクル時間が、マスク温度の大きな上昇を招くことなく得られた。この結果、ＯＬＥＤインライン式コーティング装置の連続運転を達成することができた。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
更なる目的及び利点は、図と関連した具体的な実施形態についての説明から得られる。
【００５５】
【図１】本発明のマスク洗浄システムの概略図である。
【図１】
0005366436.tif 000002