(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光導波路および凸部を有する外部基板の前記光導波路と光学的に結合させるための光伝送路を有する光伝送基板であって、
基板と、該基板に設けられた、光を伝送させる光伝送路と、前記基板の主面上に設けられた、厚み方向に沿った溝を内周面の一部に有するとともに前記外部基板の前記凸部と前記内周面で係合する凹部を備えた突出部材とを具備する光伝送基板と、
前記基板の前記突出部材が設けられた主面に対向して配置された、光導波路層と、該光導波路層上に設けられるとともに、前記凹部の前記内周面と係合した前記凸部とを有する前記外部基板と、を具備し、
前記外部基板は、前記凸部が、外壁面に、厚み方向に沿って設けられた、前記溝の内壁との間に隙間を有するとともに前記溝の一部と係合した突起をさらに有する複合光伝送基板。
【請求項２】
前記突出部材は、前記光伝送路に光学的に結合した第２光伝送路をさらに有する請求項１に記載の複合光伝送基板。
【請求項３】
前記凸部は、厚みが前記凹部の深さよりも小さくなっている請求項１または２に記載の複合光伝送基板。
【請求項４】
前記光伝送基板と前記外部基板との間に介在した、前記突出部材よりも外側で前記光伝送基板と前記外部基板とを固定接続する実装部をさらに具備する請求項１乃至３のいずれかに記載の複合光伝送基板。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載の複合光伝送基板と、
前記光伝送路と光学的に結合し、前記基板の主面のうち、前記突出部材が設けられた主面とは反対側の主面上に実装された光半導体素子と、を具備する光モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子機器内に搭載される回路基板上で複数の半導体デバイスを光信号で接続するための光伝送基板、複合光伝送基板および光モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体デバイスに入出力される電気信号を光信号に変換して伝送する回路基板上の光伝送技術が検討され、その伝送路として光導波路等の光配線が盛んに研究開発されている。
【０００３】
一般に、半導体デバイスはセラミックスやプラスティック材料からなる基板の表面に実装され、基板内を通る配線から基板の裏面に形成された金属パッドを通して回路基板との電気信号の入出力が行われる。以後、本機能を有する基板を半導体パッケージと呼ぶ。
【０００４】
一方、回路基板は、回路基板に実装されて相互に信号の入出力を行うべく半導体パッケージの入出力信号に合わせた配線が形成されている。回路基板の表層には半導体パッケージの金属パッドに合わせた金属パッドが形成されており、両者をハンダボールで接続する実装構造が用いられる。あるいは別途製作したソケットを回路基板上に搭載して半導体パッケージと入出力端子を電気的に接続する実装構造が用いられている。
【０００５】
光通信用デバイスでは、半導体受光素子と半導体発光素子とが半導体パッケージに対向する方向で実装される（例えば、特許文献１を参照）。半導体パッケージには貫通する光伝送体が形成されており、半導体パッケージの表面と裏面とを光接続する。一方、回路配線基板には光導波路が形成されており、その端面は４５度に加工された光路変換ミラーとなっている。光導波路の表層にはソルダーレジスト層が形成されており、光路変換ミラーの周囲に光路用開口が設けられている。
【０００６】
半導体パッケージと回路配線基板とはハンダボールで相互に接続され電気的な導通が得られるようになっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００９−２６５３５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、特許文献１に記載の半導体パッケージと回路配線基板とは、ハンダボールにより互いを実装したものにすぎず、２つの基板同士を高精度に位置合わせしたものではなかった。
【０００９】
本発明の目的は、高精度に位置合わせを可能とする複合光伝送基板および光モジュールを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の実施形態に係る複合光伝送基板は、光導波路および凸部を有する外部基板の前
記光導波路と光学的に結合させるための光伝送路を有する光伝送基板であって、基板と、該基板に設けられた、光を伝送させる光伝送路と、前記基板の主面上に設けられた、厚み方向に沿った溝を内周面の一部に有するとともに前記外部基板の前記凸部と前記内周面で係合する凹部を備えた突出部材とを具備する光伝送基板と、前記基板の前記突出部材が設けられた主面に対向して配置された、光導波路層と、該光導波路層上に設けられるとともに、前記凹部の前記内周面と係合した前記凸部とを有する前記外部基板と、を具備し、前記外部基板は、前記凸部が、外壁面に、厚み方向に沿って設けられた、前記溝の内壁との間に隙間を有するとともに前記溝の一部と係合した突起をさらに有する。
【００１１】
また、本発明の実施形態に係る複合光伝送基板は、上記光伝送基板と、前記基板の前記突出部材が設けられた主面に対向して配置された、光導波路層と、該光導波路層上に設けられるとともに、前記凹部の前記内周面と係合した前記凸部とを有する前記外部基板と、を具備する。
【００１２】
さらに、本発明の実施形態に係る光モジュールは、上記複合光伝送基板と、前記光伝送路と光学的に結合し、前記基板の主面のうち、前記突出部材が設けられた主面とは反対側の主面上に実装された光半導体素子と、を具備する。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の実施形態に係る複合光伝送基板は、基板の主面上に設けられ、厚み方向に沿って設けられた溝を内周面の一部に有する凹部を具備する。この凹部を具備することにより、凹部と凸部とを係合させたときに、圧縮された空気の圧力を緩和することができるため、別の基板との高精度の位置合わせを可能とする。また、凹部と凸部とを係合させたときに生じる応力を溝で吸収することができる。
【００１４】
また、本発明の複合光伝送基板は、前記溝により圧縮された空気の圧力緩和が十分に行われたものであり、光伝送基板と外部基板との距離が小さいため、基板間の光漏れを防ぎ、チャネル間のクロストークと損失を抑制することができる。
【００１５】
また、前記凸部の外壁面には突起が存在し、その突起と前記溝との間に隙間を有するため、凹部および凸部を精度よく係合でき、光伝送基板と外部基板とを十分に近づけたうえで位置合わせすることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】第１の光伝送基板（第１の光伝送基板３０）の斜視図である。
【図２】第１の光伝送基板と第２の光伝送基板とを示す斜視図である。
【図３】第１の光伝送基板と図２とは異なる態様の第２の光伝送基板とを示す斜視図である。
【図４】凸部３２および凹部１５の拡大図である。
【図５】複合光伝送基板の構成を示す断面図である。
【図６】図５に直交する方向から見た断面図である。
【図７】第２の実施態様の光伝送基板（第３の光伝送基板６０）の斜視図である。
【図８】第３の光伝送基板６０と第４の光伝送基板７０とを示す斜視図である。
【図９】凸部３２および凹部１５の拡大図である。
【図１０】光モジュールの構成を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明について、図面を参照しつつ説明する。なお、以下の説明において、外部基板は第１の光伝送基板３０、突出部材は突出部２０にそれぞれ相当するものである。
【００１８】
図１は、参考例の第１の実施態様の光伝送基板の斜視図である。
【００１９】
（第１の実施態様の光伝送基板（第１の光伝送基板））
第１の実施態様の光伝送基板３０（以下、第１の光伝送基板とする）は、光配線としての光伝送路を備える。光伝送路は、基板３６の主面上に、主面と平行に延びるように設けられる光導波路３１と、この光導波路３１の光軸方向に対して傾斜した光路変換面を有する光路変換ミラー３５とを有する。光路変換ミラー３５は、例えば光軸方向に対して４５
度に傾斜する光路変換面によって光導波路３１を進む光の光路方向を９０度変換し、基板３６の主面に垂直な法線方向へと光路を変更させる。
【００２０】
図１では、４本の光導波路３１と光路変換ミラー３５とが光学的に結合している。
【００２１】
光路変換ミラー３５は、略４５度の断面を持つダイシングブレードで光導波路３１を基板３６の主面に直交するようにカットされたのち、略４５度の斜面に、例えば、金、銀、銅、アルミニウム、ニッケルなどの金属を、薄く膜付け又は塗布されることにより設けられる。
【００２２】
光導波路３１は、下部クラッド３１Ａ、コア３１Ｂ、上部及び側面クラッド３１Ｃによって同軸構造に構成されている。コア３１Ｂの屈折率がクラッド３１Ａ、３１Ｃよりも数％以上高いため、コアに光信号を閉じ込めて低損失で伝搬することができる。
【００２３】
光導波路３１の具体的な寸法としては、例えば、下部クラッド３１Ａの厚みが１５〜２５μｍ、コア３１Ｂの断面サイズが３５〜１００μｍ角、上部クラッド３１Ｃの厚みが１５〜２５μｍである。
【００２４】
凸部３２の形状としては、円柱状、順テーパー状、逆テーパー状などが挙げられる。凸部３２の高さは、例えば１５０〜２００μｍである。また、凸部３２の断面形状が円形の場合、凸部３２の直径は例えば１００〜９００μｍである。
【００２５】
凸部３２の形成方法を以下に示す。
【００２６】
まず、感光性樹脂を厚さ２００〜３００μｍでスピンコートし、プリベークして仮硬化させる。そして、フォトマスクを用いて露光し、現像したのちポストベークすることにより凸部３２は形成される。感光性樹脂としては、いわゆる永久レジストが好ましい。ここで、永久レジストとは、フォトリソグラフィ加工終了後も除去されずに用いられるレジストをいう。永久レジストとしては、エポキシ樹脂などが挙げられる。
【００２７】
凸部３２は、その先端から基板３６の主面側まで外壁面に沿って溝１が設けられている。図１の場合、溝１は、凸部３２の先端から凸部３２と光導波路３１との界面まで設けられている。このように、先端から外壁面に沿って設けられた溝１を有するため、別の基板に設けられた凹部に挿入する際に、凸部３２の先端と凹部の底面との間に溜まる圧縮された空気の圧力を、凸部３２の先端の溝開口から凸部３２の根元の溝終端まで逃がし、凸部３２の先端と凹部の底面との間の空気を低減させることができる。さらに、凹部に凸部３２を挿入する際、凸部３２は凹部から応力を受けるが、溝４が形成されているため、溝４により応力を吸収することができる。
【００２８】
溝１は、圧縮された空気の圧力を緩和できる大きさであればよく、溝１の深さは、具体的には１５０〜２００μｍである。また、溝１の幅は、具体的には１０〜９００μｍである。
【００２９】
溝１は、フォトリソグラフィ、ダイシングなどにより形成することができる。
【００３０】
溝１の断面形状は、圧縮された空気の圧力を緩和できることが可能な形状であればよく、例えば、矩形状、三角形状、半円状などが挙げられる。
【００３１】
第１の光伝送基板３０は、例えば、以下のような方法により作製される。
【００３２】
基板３６の表面に塗布、プリベーク、露光、現像、ポストベークを繰り返して下部クラッド３１Ａを形成する。
【００３３】
下部クラッド３１Ａの上部に塗布、プリベーク、露光、現像、ポストベークを繰り返してコア３１Ｂを形成する。
【００３４】
コア３１Ｂの側面と上部に塗布、プリベーク、露光、現像、ポストベークを繰り返して上部及び側面クラッド３１Ｃを順に形成する。
【００３５】
さらに、略４５度の端面を持つダイシングブレードによって、光導波路３１を基板３６に直交して切断し、光路変換ミラー３５を作製する。光路変換ミラー３５の斜面上に、反射膜としてＡｕを２０００Å蒸着する。
【００３６】
感光性樹脂を厚さ２００〜３００μｍでスピンコートし、プリベークして仮硬化させる。
【００３７】
感光性樹脂を、フォトマスクを用いて露光し、現像したのちポストベークして凸部３２を形成する。
【００３８】
そして、凸部３２にフォトマスクパターンに凹形状をもたせることにより、溝１が形成される。
【００３９】
以上のようにして第１の光伝送基板３０を形成することができる。
【００４０】
図２は、第１の光伝送基板３０と、外部の光伝送基板である第２の光伝送基板１０とを並べて示した斜視図である。
【００４１】
図２において、凸部３２は、凹部１５の内面と接触するように凹部１５に挿入されて、光伝送基板３０と第２の光伝送基板１０とが光学的に結合するように光伝送基板３０と第２の光伝送基板１０との位置を合わせることができる。このとき、位置合わせを困難にする凸部３２と凹部１５との間で圧縮された空気の圧力は溝１により緩和される。
【００４２】
ここで、第２の光伝送基板１０について以下に説明する。
【００４３】
（第２の光伝送基板）
第２の光伝送基板１０には、図３に示すように主面上に突出部２０が設けられていることが好ましい。
【００４４】
突出部２０は、第２の基板１６の主面のうち基板３６の主面と対向する主面上から突出するように設けられる。突出部２０は第２の基板１６と同じ材質で一体的に形成してもよい。また、第２の基板１６と別の部材（以下、突出部用部材と称する）からなるものを第２の基板１６に付加したものでもよい。なお、後者の場合、突出部用部材は、例えば、ポリエステル樹脂などの接着樹脂によって第２の基板１６と接着される。また突出部用部材は、厚さ０．３〜０．５ｍｍ、幅６ｍｍ、奥行き３ｍｍ程度の板状部材で構成される。なお、突出部用部材としては、エポキシ樹脂のような樹脂から構成される。
【００４５】
突出部２０は、フォトリソグラフィにより形成することもできる。第２の基板１６に対して、必要な厚みの感光性樹脂を塗布し、露光・現像によりパターニングを行う。これにより、突出部２０となる部分以外の余分な感光性樹脂は現像により除去される。
【００４６】
突出部２０の高さは、例えば、０．３〜０．５ｍｍである。
【００４７】
第２の基板１６から突出部２０まで連続して光伝送路１４が設けられる。光伝送路１４は、第２の基板１６および突出部２０の厚み方向に設けられる。
【００４８】
光伝送路１４は、具体的には、第２の基板１６の主面のうち突出部が設けられていない主面に一方の端部が露出し、また、突出部２０が有する面のうち第２の基板１６と接していない面に他方の端部が露出している。
【００４９】
なお、光伝送路１４は、第２の基板１６および突出部２０を厚み方向に貫通するように設けられた貫通孔に、クラッドとコアから成る透明樹脂を充填することにより形成される。光伝送路１４の直径は、具体的には、１００〜２００μｍであり、コアの直径は、具体的には３５〜１００μｍである。光伝送路１４は断面形状が円形に設けられる。なお、断面は第２の基板１６の主面に平行な断面をいう。
【００５０】
光伝送路１４は、第２の基板１６の厚み方向に光を伝送し、光伝送路１４の光接続方向は、第２の基板１６の主面に垂直な方向である。図２では、４本の光伝送路１４により、突出部２０との４つの光接続部分を有する。
【００５１】
突出部２０に設けられた光伝送路１４の外側近傍には、凸部３２に対応する位置に凹部１５が複数設けられる。
【００５２】
凹部１５の形成方法としては、精密ドリルまたはレーザによって穿孔する方法などが挙げられる。
【００５３】
凸部３２と凹部１５の開口の断面形状は、それぞれ同形状であればよいが、円形状であることが好ましい。それらの断面形状が円形状であることにより、凸部３２と凹部１５との係合を容易におこなうことが可能となる。なお、断面は第２の基板１６の主面に平行な断面をいう。
【００５４】
なお、凹部１５の変形例を図４に示す。図４は、突起２を有する凹部１５および凸部３２の拡大図である。突起２は、凹部１５の内壁面に沿って設けられる。そして、突起２は溝１と接するように係合する。これにより、凹部１５および凸部３２が精度よく係合することができ、これにより、第１の光伝送基板３０と第２の光伝送基板１０とを高い精度で位置合わせすることが可能となる。
【００５５】
突起２は、突出部２０を一体成形もしくはフォトリソグラフィで形成する際に同時に形成される。
【００５６】
なお、図４に示すように、溝１と突起２とを係合させた場合、隙間３が形成されるようになっている。この隙間３は圧縮された空気の圧力を緩和するために形成されていることが好ましい。
【００５７】
隙間３は、例えば、幅が１０〜１００μｍで、深さが１５０〜２００μｍである。
【００５８】
図３に示す第２の光伝送基板１０は、例えば、以下のような方法により作製される。
【００５９】
基板１６の貫通孔と、基板１６と突出部用部材に設けられた貫通孔とが中心軸が並んだ一本の貫通孔となるように位置合わせを行い、接着固定する。
【００６０】
次に、貫通孔に透明材料、例えば、屈折率が１．５程度の透明エポキシ樹脂をクラッドとして均一に充填して加熱硬化させる。
【００６１】
次に、その中心部に精密ドリルまたはレーザを使ってコア部を形成するための貫通孔を開ける。そして、その貫通孔にクラッドよりも比屈折率が数％高い透明エポキシ樹脂等の材料をコアとして均一に充填し、加熱硬化させる。
【００６２】
以上により、第２の光伝送基板１０を形成することができる。
【００６３】
上述の方法では、光伝送路１４に２種類の樹脂を用いて同軸構造を作製したが、あらかじめ同軸構造となっている部品を挿入して光伝送路１４を形成することも可能である。例えば、市販されている光ファイバをあらかじめ必要な長さに加工し、加工した光ファイバ部材を貫通孔に挿入して接着剤で固定することで光伝送路１４を形成しても良い。
【００６４】
（複合光伝送基板）
図５は、図３に示す第１の光伝送基板３０と第２の光伝送基板１０とを具備する複合光伝送基板を示す縦断面図である。また、図６は、図５に直交する方向から見た断面図である。図５の複合光伝送基板は、第１の光伝送基板３０の凸部３２を第２の光伝送基板１０の凹部１５へ挿入したうえで、第１の光伝送基板３０の金属層３３と第２の光伝送基板１０の金属層１１をはんだボール、はんだバンプなどの実装部４０により電気的に接続している。実装部４０は、突出部２０の外側を取り巻くように設けられ、第２の光伝送基板１０と第１の光伝送基板３０とを直接固定接合する。
【００６５】
第１の光伝送基板３０と第２の光伝送基板１０とが向かいあう主面にはそれぞれ、導体回路、接続パッドなどの配線層が形成されている。配線層は、金属材料による金属層１１および３３とその周囲を覆うソルダーレジスト１２および３４によって形成されている。
【００６６】
はんだボールとともに用いるソルダーレジストには主に有機系溶剤によるフラックスを含んでおり、加熱によって拡散する。そのため、第１の光伝送基板３０と第２の光伝送基板１０のそれぞれ互いに向かい合う面上にフラックスが付着する傾向がある。一般的にフラックスは無色透明であるが、反応で白濁したり、経時変化で茶褐色に変色するため、光伝送路の露出面に付着することは光損失を生じさせる傾向があり、基板間の光接続の実現が困難な場合があった。
【００６７】
しかし、本実施態様では、第２の光伝送基板１０の突出部２０が、第１の光伝送基板３０との隙間を塞ぐように、第１の光伝送基板３０側に突出するように設けられるため、フラックスが、第１の光伝送路の露出面および第２の光伝送路の露出面を覆う可能性を低減させ、光の伝搬性能の低減を抑制することができる。この際、凸部３２に溝１が設けられているため、凸部３２を凹部１５へ十分に挿入することができ、第２の光伝送基板１０の突出部２０が第１の光伝送基板３０との隙間を塞ぐことを可能とする。
【００６８】
上記の第２の光伝送基板１０と第１の光伝送基板３０とを以下の手順で組み立てて複合光伝送基板を形成する。
【００６９】
まず、第１の光伝送基板３０に所望の直径を持つハンダボール４０を加熱して貼り付ける。その際、ソルダーパッドと同じピッチで穴の開いたマスクを用いてソルダーペーストをソルダーパッドに印刷し、その上にソルダーボールを配列してから、その溶融温度以上に加熱する。
【００７０】
次に、第１の光伝送基板３０に第２の光伝送基板１０を重ね、凹部１５を凸部３２に嵌
め合わせる。その際には、両者の間隙に屈折率整合剤を微量だけ添加しておく。屈折率整合剤としては、光伝送路１４のコアに屈折率が近いシリコーン樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂などが好ましい。
【００７１】
第１の光伝送基板３０および第２の光伝送基板１０の複合基板をリフロー炉などで加熱する。ハンダボールの融点以下では、第２の光伝送基板１０の突出部２０と第１の光伝送基板３０の光導波路３１上部には隙間があるが、周囲温度が上がってハンダボールの融点以上になると、ハンダボールが溶融して、第２の光伝送基板１０が自重で沈み込む。そのため、凹部１５と凸部３２の精密な嵌め合いによって第２の光伝送基板１０の突出部２０と第１の光伝送基板３０の光導波路３１上部の隙間が減少する。そして、周囲温度が下がるに伴ってハンダボールの硬化収縮が生じ、第２の光伝送基板１０と第１の光伝送基板３０を引っ張りつけることで、光導波路３１と突出部２０とが接する。溝１によって、第２の光伝送基板１０の突出部２０と第１の光伝送基板３０の光導波路３１上部の隙間が減少されたうえで、光伝送路１４から光路変換ミラー３５および光導波路３１までの光結合構造が完成する。
【００７２】
（第２の実施態様の光伝送基板（第３の光伝送基板））
図７は、本発明の第２の実施態様の複合光伝送基板の斜視図である。
【００７３】
図７に示すように、第２の実施態様の光伝送基板（以下、第３の光伝送基板とする）は、第２の光伝送基板１０の凹部１５の内壁面に沿って設けられた溝４を有する以外は、前述した第２の光伝送基板１０と同様である。
【００７４】
凹部１５はその底面から開口間で内壁面に沿って溝４が設けられている。これにより、別の基板に設けられた凸部を挿入する際に、凸部の先端と凹部１５の底面との間にて圧縮された空気の圧力を、凹部１５の底面から開口まで形成された溝４により緩和させることができる。さらに、凹部１５に凸部を挿入する際、凹部１５は凸部から応力を受けるが、溝４が形成されているため、溝４により応力を吸収することができる。
【００７５】
溝４の深さおよび幅はそれぞれ、圧縮された空気の圧力を緩和することができる大きさであればよく、溝４の深さは、具体的には１５０〜２００μｍである。また、溝４の幅は、具体的には１０〜９００μｍである。
【００７６】
溝４は、突起２と同様の作製法により形成される。
【００７７】
溝４の断面形状は、空気を抜くことが可能な形状であればよく、例えば、矩形状、三角形状、半円状などが挙げられる。
【００７８】
（第４の光伝送基板（第２の実施態様における第２の光伝送基板）
第３の光伝送基板６０の凹部１５と係合する凸部を有する別の基板としての請求項６における第２の光伝送基板（以下、第４の光伝送基板）７０は、凸部３２に溝１を有することが必須ではないこと以外は、前述した第２の光伝送基板１０と同様である。
【００７９】
図８は、第３の光伝送基板６０と別の基板である第４の光伝送基板７０とを並べて示した斜視図である。
【００８０】
図８において、第３の光伝送基板は、前述した第２の光伝送基板と同様に突出部２０を有する。なお、第３の光伝送基板の突出部２０は、前述した第２の光伝送基板と同様のものを用い、得られる効果も同様である。
【００８１】
図８に示すように、凸部３２は、凹部１５の内面と接触するように凹部１５に挿入されて、第３の光伝送基板６０と第４の光伝送基板７０とが光学的に結合するように第３の光伝送基板６０と第４の光伝送基板７０との位置を合わせることができる。このとき、位置合わせを阻害する凸部３２と凹部１５との間にて圧縮された空気の圧力を溝４により低減させることができる。
【００８２】
第４の光伝送基板の凸部３２の変形例を図９に示す。図９は、突起５を有する凸部３２および凹部１５の拡大図である。突起５は、凸部３２の外壁面に沿って設けられる。そして、突起５は溝４と接するように係合する。よって、凹部１５および凸部３２が精度よく係合することができ、これにより、第３の光伝送基板６０と第４の光伝送基板７０とを高い精度で位置合わせすることが可能となる。
【００８３】
突起５は、溝１と同様の方法により作製される。
【００８４】
なお、図９に示すように、溝１と突起２とを係合させた場合、隙間３が形成されるようになっている。この隙間６は圧縮された空気の圧力を低減させるために形成されていることが好ましい。
【００８５】
隙間６は、例えば、幅が１０〜１００μｍで、深さが１５０〜２００μｍである。
【００８６】
第３の光伝送基板６０と第４の光伝送基板７０とを具備する複合光伝送基板は、溝を凸部ではなく凹部に設けた以外は、前述の複合光伝送基板と同様であり、かつ、縦断面図としても図４および図５とほぼ同様であるため、図および説明を省略する。
【００８７】
（光モジュール）
図１０は、本実施態様である光モジュールの構成を示す断面図である。
【００８８】
本実施態様において、光モジュールは、上記の複合光伝送基板に、さらに半導体レーザアレイ５０を実装したものである。半導体レーザアレイ５０は、その発光点５１が光伝送路１４に対向するようにフェイスダウンで実装されている。本実施態様では半導体レーザアレイ５０は面発光型レーザ（ＶＣＳＥＬ）を実装している。半導体レーザアレイ５０の表面電極パッド５２に金バンプ５３を形成しておき、電極パッド１７に超音波圧着することで実装できる。
【００８９】
なお、半導体レーザアレイ５０と複合光伝送基板の間隙には通常、透明樹脂による屈折率整合が行われるが図示は省略している。本実施態様においては、半導体デバイスとして光を照射する光源である半導体レーザを用いた例を示しているが、半導体デバイスとして光信号を受信するフォトダイオードを用いる構成であってもよい。
【符号の説明】
【００９０】
１  凸部３２の溝
２  凹部１５の突起
３  溝１と突起２とを係合させたときに生じる隙間
４  凹部１５の溝
５  凸部３２の突起
６  溝４と突起５とを係合させたときに生じる隙間
１０  第２の光伝送基板
１１  金属層
１２  ソルダーレジスト
１３  貫通孔
１４  光伝送路
１５  凹部
１６  第２の基板
１８  光導波路
２０  突出部（突出部材）
３０  第１の実施態様の光伝送基板（第１の光伝送基板）（外部基板）
３１  光導波路
３２  凸部
３３  金属層
３４  ソルダーレジスト
３５  光路変換ミラー
３６  第１の基板
４０  はんだボール
５０  半導体レーザアレイ
５１  発光点
５２  表面電極パッド
５３  金バンプ
６０  第２の実施態様の光伝送基板（第３の光伝送基板）
７０  第２の実施態様における第２の光伝送基板（第４の光伝送基板）
【図１】
0005279931.tif 000002
【図２】
0005279931.tif 000003
【図３】
0005279931.tif 000004
【図４】
0005279931.tif 000005
【図５】
0005279931.tif 000006
【図６】
0005279931.tif 000007
【図７】
0005279931.tif 000008
【図８】
0005279931.tif 000009
【図９】
0005279931.tif 000010
【図１０】
0005279931.tif 000011