(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップの周縁部に設けられた複数の回路ブロックと；
複数の前記回路ブロックのうちの第１回路ブロック上に設けられ、当該第１回路ブロックに電気的に接続された第１パッド、
及び前記半導体チップの角部に設けられた前記第１パッドから最も近いコーナー部上において、前記第１パッドから前記コーナー部に向かう方向に離れて形成され、前記第１パッドと電気的に接続され、ボンディングされる第１ボンディング部を含み、
前記半導体チップの端辺に沿って形成された第１パッド列と；
前記第１パッド列に沿って形成され、前記第１パッド列のパッドに対して千鳥配置されたパッドを備える第２パッド列と；を備え、
前記第１回路ブロックは、前記第１パッドを介して前記第１ボンディング部と接続され、
前記第２パッド列には、
前記第１回路ブロックとは異なる第２回路ブロック上に設けられ、当該第２回路ブロックに電気的に接続された第２パッドと、
前記コーナー部上に形成され、前記第２パッドから前記コーナー部に向かう方向に離れて形成された、前記第２パッドと電気的に接続された第２ボンディング部とが設けられている半導体装置。
【請求項２】
前記半導体チップの角部近傍において、前記第１パッドよりも前記コーナー部から離れた位置に形成され、複数の前記回路ブロック間に設けられたフィルブロックをさらに備える請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記半導体チップの角部近傍において、前記第１パッドよりも前記コーナー部から離れて設けられたダミーパッドをさらに備える請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記フィルブロックは、前記ダミーパッドの下に形成されている請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１ボンディング部は、前記第１パッドと略同一形状のパッドであり、
前記第１パッドと前記第１ボンディング部とは、パッドブリッジにより接続されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第１ボンディング部は、前記第１パッドの一部に形成されており、
前記第１パッドは、前記半導体チップの周縁部に設けられた他のパッドよりも大きいことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記フィルブロックには、ＥＳＤ保護素子、配線、又は検査信号入力バッファのいずれか又はこれらの組み合わせが形成されていることを特徴とする請求項２又は３に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第１回路ブロックは、複数の前記回路ブロックのうち、最も前記コーナー部に近い位置に形成されており、
前記第１回路ブロック以外の回路ブロック上に形成されているパッドは、前記第１ボンディング部には接続されていない請求項１に記載の半導体装置。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の半導体装置の検査方法であって、
前記第１パッドにプローブを接触させる工程と、
前記第１パッドにプローブを接触させた状態で検査信号を供給する工程とを含む検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及び検査方法に関し、特にワイヤボンディングを行うためのボンディングパッドを有する半導体装置及びその検査方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体装置は、基板に半導体チップを取り付け、半導体チップ上に形成されたボンディングパッドと基板上に形成されたステッチ（接続部）とを金線等のボンディングワイヤで接続した後に、モールド樹脂を圧入することによって形成される。このようにボンディングパッドとステッチとをボンディングワイヤで接続した後にモールド樹脂により封止する場合、当該モールド樹脂の圧力等の要因によって、モールド樹脂が流れる方向に沿ってボンディングワイヤが押し流されるワイヤ流れが発生することがある。
【０００３】
半導体チップのコーナー部分では、パッド間隔の制限を受けて、半導体チップに対して斜め方向にボンディングワイヤが伸びる。このため、ワイヤ流れは半導体チップのコーナー部近傍で顕著であり、ワイヤ流れの量が大きいときには、互いに隣接するボンディングワイヤ同士が接触して電気的にショートするなどの不具合が生じる。そこで、特許文献１には、半導体チップに形成されるボンディングパッドの内、コーナー部近傍に形成されるものについては、ワイヤ流れの大小に応じたピッチ間隔となるように設定する技術が開示されている。
【特許文献１】特開２００４−３６３４３９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このように、半導体装置のワイヤ流れによる不具合の発生を防止することが可能な技術を提供することが望まれている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一態様に係る半導体装置は、半導体チップに設けられた回路ブロックと、前記回路ブロック上に設けられた第１パッドと、前記第１パッドと電気的に接続され、ボンディングされる第１ボンディング部とを備え、前記回路ブロックは、前記第１パッドを介して第１ボンディング部と接続されるものである。このように、ボンディングされない第１パッドを形成することにより、ワイヤ流れによる不具合の発生を防止することができる。また、第１パッドと第１ボンディング部とを接続することにより、ボンディングされない第１ブロックの下に回路ブロックを設けることができ、フィルブロックを設ける必要がない。このため、半導体チップのサイズを小さくすることができる。
【０００６】
本発明の他の態様に係る半導体装置は、半導体チップの角部に設けられたコーナーブロックと、前記半導体チップの周縁部において、前記コーナーブロックの近傍に設けられた第１パッドと、前記コーナーブロック上に形成され、前記第１パッドと電気的に接続されたボンディング部とを備えるものである。このように、ボンディングされない第１パッドを形成することにより、ワイヤ流れによる不具合の発生を防止することができる。また、第１ボンディング部をコーナーブロック上に配置することができるため、半導体チップのサイズを小さくすることができる。
【０００７】
本発明の他の態様に係る検査方法は、上記のいずれかの半導体装置の検査方法であって、前記第１パッドにプローブを接触させる工程と、前記第１パッドにプローブを接触させた状態で検査信号を供給する工程とを含む。これにより、検査中にプローブカードのプローブを固定する樹脂部が他のパッドに接触することを防止することができる。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、ワイヤ流れによる不具合の発生を防止し、半導体チップのサイズを縮小することが可能な半導体装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明の実施の形態に係る半導体装置について、図を用いて説明する。なお、各図において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。また、説明のため、各図において、適宜、実施の形態に係る半導体装置の要部を拡大して示している。
【００１０】
本発明者は、鋭意検討をした結果、従来の半導体装置においてモールド樹脂により封止を行う場合、ボンディングパッドのピッチ間隔のバラツキにより圧入するモールド樹脂の流れに局所的な乱れが生じ、接続したボンディングワイヤの各々に不規則な応力が加わるといった現象が生じることがあることを発見した。そこで、本発明者は、半導体チップのコーナー部近傍において、ボンディングパッド間にワイヤボンディングに用いられないＮＣ（Non Connection）パッド（ダミーパッド）を設け、等間隔にパッドを配置することを見出した。
【００１１】
図１及び図２に、本発明者が見出した半導体装置の構成を示す。図１は、半導体チップ１１のコーナーブロック１４近傍において、ボンディングパッド１７とＮＣパッド１６とが２列に千鳥配置されている例を示し、図２は１列に配置されている例を示す。図１及び図２に示すように、半導体装置１０では、半導体チップ１１に形成されたボンディングパッド１７とリードフレームに形成されたステッチ２０とが金線等のボンディングワイヤ１９で接続されている。また、ここでは図示していないが、半導体チップ１１及びボンディングワイヤ１９等は、モールド樹脂により覆われ、封止されている。
【００１２】
半導体チップ１１の角部近傍には、コーナーブロック１４が設けられている。コーナーブロック１４は、製造基準上、半導体チップ１１の角部から所定の距離、回路ブロック１２等が配置できない領域である。なお、コーナーブロック１４には、半導体チップ１１の他の領域に形成された回路ブロック間を接続するための配線が形成される場合がある。半導体チップ１１の周縁部には、Ｉ／Ｏバッファや電源回路等の回路ブロック１２が形成されている。
【００１３】
半導体チップ１１の周縁部において、回路ブロック１２間には、回路ブロック１２間の隙間を埋めるためのフィル（Ｆｉｌｌ）ブロック１３が設けられている。フィルブロック１３には、Ｉ／Ｏバッファ等は設けられておらず、例えば、回路ブロック１２間を接続するための配線や、ＥＳＤ保護素子、半導体チップ１１のテストを行う際に使用される入力バッファ等、あるいはこれらの組み合わせが形成されている。半導体チップ１１の周縁部上には、回路ブロック１２とフィルブロック１３とが、敷き詰めて並べられている。
【００１４】
回路ブロック１２の上には、それぞれボンディングパッド１７が形成されている。ボンディングパッド１７に、ボンディングワイヤ１９が接続される。また、フィルブロック１３の上には、ＮＣパッド１６が設けられている。ＮＣパッド１６は、ボンディングに用いられないダミーパッドである。このように、ボンディングに用いられないＮＣパッド１６を、コーナーブロック１４近傍のボンディングパッド１７間に配置することによって、ワイヤ流れによる不具合の発生を防止することができる。
【００１５】
図１に示す半導体装置１０では、コーナーブロック１４近傍において、最外周の第１パッド列及びその内側の第２パッド列のそれぞれで、ＮＣパッド１６とボンディングパッド１７とが交互に並べられている。また、第１パッド列のＮＣパッド１６及びボンディングパッド１７と第２パッド列のＮＣパッド１６及びボンディングパッド１７とが、同じブロック上に形成されないように、各列のＮＣパッド１６、ボンディングパッド１７は千鳥配置される。各列において、ＮＣパッド１６、ボンディングパッド１７は略同じピッチで形成される。これにより、圧入するモールド樹脂の流れに局所的な乱れを抑制することができ、接続したボンディングワイヤの不具合を改善することができる。
【００１６】
図２に示す半導体装置１０では、コーナーブロック１４の近傍において、ボンディングパッド１７とＮＣパッド１６とが交互に並べられている。なお、ボンディングパッド１７（２）と（３）との間の領域は、ＮＣパッド１６が形成されているフィルブロック１３又はボンディングパッド１７が形成されている回路ブロック１２よりも幅が狭くなっている。この領域には、ＮＣパッド１６が設けられておらず、フィルブロック１３のみが形成されている。なお、コーナーブロック１４の近傍以外、すなわち、半導体チップ１１の周縁部における中央部にはフィルブロック１３は設けられておらず、回路ブロック１２が敷き詰められている。そして、回路ブロック１２のそれぞれの上には、それぞれボンディングパッド１７が設けられている。
【００１７】
しかしながら、発明者が見出したこのような半導体装置では、ＮＣパッド１６を形成するために、半導体チップのサイズが大きくなるという新たな問題がある。すなわち、図１に示す半導体装置１０では、片側のコーナーブロック１４の近傍に２個のＮＣパッド１６を形成する。従って、半導体チップ１１の一辺では、ＮＣパッド１６の４個分チップサイズが大きくなる。また、図２に示す半導体装置１０では、片側のコーナーブロック１４の近傍に１個のＮＣパッド１６を形成する。従って、半導体チップ１１の一辺では、ＮＣパッド１６の２個分チップサイズが大きくなる。そこで、本発明者は、さらに信号の入出力回路や電源回路等に使用できないＮＣパッド１６が形成された領域を縮小し、半導体チップのサイズを小さくすることを考えた。
【００１８】
ここで、図３を参照して、本発明の実施の形態に係る半導体装置の構成について説明する。図３は、本実施の形態に係る半導体装置の構成を示す平面図である。図３に示すように、半導体装置１０は、半導体チップ１１、回路ブロック１２、フィルブロック１３、コーナーブロック１４、接続パッド１５、ＮＣパッド１６、ボンディングパッド１７、パッドブリッジ１８、ボンディングワイヤ１９、ステッチ２０を備えている。上述したよう、本実施の形態に係る半導体装置１０では、半導体チップ１１に形成されたボンディングパッド１７とリードフレームのステッチ２０とが金線等のボンディングワイヤ１９で接続されている。また、ここでは図示していないが、半導体チップ１１及びボンディングワイヤ１９等は、モールド樹脂により覆われ、封止されている。
【００１９】
図３に示す半導体装置１０では、半導体チップ１１の各端辺に沿って、２列のパッド列が設けられている。最外周の第１パッド列において、半導体チップ１１の角部に設けられたコーナーブロック１４の近傍には、接続パッド１５（１ｂｒ）が設けられている。接続パッド１５（１ｂｒ）は、ボンディングに用いられないパッドである。接続パッド１５（１ｂｒ）は、パッドブリッジ１８を介して、ボンディングパッド１７（１）と電機的に接続されている。ボンディングパッド１７（１）は、第１パッド列において最もコーナーブロック１４の近傍に設けられている。ボンディングパッド１７（１）には、ボンディングワイヤ１９が接続される。接続パッド１５（１ｂｒ）とボンディングパッド１７（１）とは、略同一形状のパッドである。ボンディングパッド１７（１）は、コーナーブロック１４の上に形成されている。すなわち、ボンディングパッド１７（１）は、半導体チップ１１の周縁部に敷き詰められるように設けられた回路ブロック１２からはみ出して形成されている。
【００２０】
また、最外周の第１パッド列の内側の第２パッド列においても同様に、半導体チップ１１の角部に設けられたコーナーブロック１４の近傍には、接続パッド１５（１'ｂｒ）が設けられている。接続パッド１５（１'ｂｒ）は、ボンディングに用いられないパッドである。接続パッド１５（１'ｂｒ）は、パッドブリッジ１８を介して、ボンディングパッド１７（１'）と電気的に接続されている。接続パッド１５（１'ｂｒ）とボンディングパッド１７（１'）とは、略同一形状のパッドである。ボンディングパッド１７（１'）は、第２パッド列において最もコーナーブロック１４の近傍に設けられている。ボンディングパッド１７（１'）には、ボンディングワイヤ１９が接続されている。ボンディングパッド１７（１'）は、コーナーブロック１４の上に形成される。すなわち、ボンディングパッド１７（１'）は、半導体チップ１１の周縁部に敷き詰められるように設けられた回路ブロック１２からはみ出して形成されている。
【００２１】
また、半導体チップ１１の角部近傍において、接続パッド１５よりもコーナーブロック１４から離れた位置に、ＮＣパッド１６が設けられている。ＮＣパッド１６の下には、フィルブロック１３が形成されている。最外周の第１パッド列においては、ボンディングパッド１７（２、３、４）と、ＮＣパッド１６とが交互に並べられている。内側の第２パッド列では、ボンディングパッド１７（２'、３'、４'）と、ＮＣパッド１６とが交互に並べられている。第１パッド列のＮＣパッド１６及びボンディングパッド１７と第２パッド列のＮＣパッド１６及びボンディングパッド１７とが、同じブロック上に形成されないように、各列のＮＣパッド１６、ボンディングパッド１７は千鳥配置される。各列において、ＮＣパッド１６、ボンディングパッド１７は略同じピッチで形成される。
【００２２】
図４に、図３に示す半導体チップ１１の要部の構成を示す。図４（ａ）は半導体チップ１１の平面図であり、同図（ｂ）は（ａ）のＡ−Ｂ断面図である。図４（ａ）、（ｂ）に示すように、基板２１上には、回路ブロック１２が形成されている。なお、図４においては図示していないが、接続パッド１５（１'）よりも半導体チップ１１の角部から離れた位置には、回路ブロック１２間にフィルブロック１３が設けられている。図４では、回路ブロック１２及びフィルブロック１３を、下層２２と示す。
【００２３】
回路ブロック１２は、接続パッド１５（１'ｂｒ）及びボンディングパッド１７（２'）の下にそれぞれ設けられている。回路ブロック１２は、ＶＩＡ層２３を介して、接続パッド１５（１'ｂｒ）、ボンディングパッド１７（２'）にそれぞれ接続されている。接続パッド１５（１'ｂｒ）及びボンディングパッド１７（１'、２'）は、それぞれＡｌ等の最上層２４からなる。また、接続パッド１５（１'ｂｒ）の下に形成された回路ブロック１２は、接続パッド１５（１'ｂｒ）を介してボンディングパッド１７（１'）に接続される。ボンディングパッド１７（１'）は、コーナーブロック１４の上に形成される。
【００２４】
最上層２４の上には、ポリイミド等からなる絶縁層２５が形成されている。絶縁層２５には、ボンディングパッド１７、接続パッド１５、ＮＣパッド１６に対応する位置に開口部２６が設けられている。すなわち、絶縁層２５の開口部２６が形成された領域が、接続パッド１５、ボンディングパッド１７等となる。
【００２５】
このように、ボンディングされない接続パッド１５及びＮＣパッド１６を形成することにより、ワイヤ流れによる不具合の発生を防止することができる。また、半導体チップ１１の各パッド列において接続パッド１５（１ｂｒ、１'ｂｒ）とボンディングパッド１７（１、１'）がそれぞれ接続されている。このため、ＮＣパッド１６を形成し、その下にフィルブロック１３を配置していた領域を削除することができる。すなわち、図１に示すボンディングパッド１７（１）、（２）の間、及び、ボンディングパッド１７（１'）、（２'）の間のフィルブロック１３を削除することができる。つまり、片側のコーナーブロック１４の近傍で、２個分のフィルブロック１３を削除することができ、半導体チップ１１の一辺では４個分のフィルブロック１３が削除できることとなる。これにより、半導体チップ１１のサイズの縮小を実現することができる。
【００２６】
図５に本発明の実施の形態に係る半導体装置１０の他の構成を示す。図５に示す半導体装置１０では、ボンディングパッド１７が１列に配置されている例である。図５に示すように、半導体チップ１１の角部に設けられたコーナーブロック１４の近傍には、接続パッド１５（１ｂｒ）が設けられている。接続パッド１５（１ｂｒ）は、ボンディングに用いられないパッドである。接続パッド１５（１ｂｒ）は、パッドブリッジ１８を介して、ボンディングパッド１７（１）と電気的に接続されている。接続パッド１５（１ｂｒ）とボンディングパッド１７（１）とは、略同一形状のパッドである。ボンディングパッド１７（１）は、パッド列において最もコーナーブロック１４の近傍に設けられている。ボンディングパッド１７（１）には、ボンディングワイヤ１９が接続されている。ボンディングパッド１７（１）は、コーナーブロック１４の上に形成される。
【００２７】
ボンディングパッド１７（２）と（３）との間の領域は、ボンディングパッド１７が形成されている回路ブロック１２よりも幅が狭くなっている。この領域には、ＮＣパッド１６が設けられておらず、フィルブロック１３のみが形成されている。
【００２８】
図５に示す半導体装置１０においても、ボンディングされない接続パッド１５及びフィルブロック１３を形成することにより、ワイヤ流れによる不具合の発生を防止することができる。また、接続パッド１５（１ｂｒ）とボンディングパッド１７（１）とが接続されているため、ＮＣパッド１６を形成し、その下にフィルブロック１３を配置していた領域を削除することができる。すなわち、図２に示すボンディングパッド１７（１）、（２）の間のフィルブロック１３を削除することができる。つまり、片側のコーナーブロック１４の近傍で、１個分のフィルブロック１３を削除することができ、半導体チップ１１の一辺では２個分のフィルブロック１３が削除できることとなる。これにより、半導体チップ１１のサイズの縮小を実現することができる。
【００２９】
また、図６に本発明の実施の形態に係る半導体装置１０の他の構成を示す。図６に示す半導体装置１０では、図３と同様に、ボンディングパッド１７とＮＣパッド１６とが２列に千鳥配置されている例を示している。図６に示す半導体装置１０では、図３と異なり、図３に示す接続パッド１５（１ｂｒ）とボンディングパッド１７（１）とが１つの兼用パッド２７により形成されている。すなわち、兼用パッド２７は、回路ブロック１２上に形成される接続部２７ａと、ボンディングされるボンディング部２７ｂとを含む。兼用パッド２７の一部に形成されたボンディング部２７ｂは、コーナーブロック１４上にはみ出して設けられている。兼用パッド２７は、半導体チップの周縁部に設けられた他のボンディングパッド１７や、ＮＣパッド１６よりも大きい。このような構成の場合でも、上記と同様に、ワイヤ流れによる不具合を防止するとともに、半導体チップのサイズを小さくすることができる。
【００３０】
次に、図７〜図９を参照して、上述した半導体装置１０の検査方法について説明する。図７は、実施の形態に係る半導体装置をプロービング検査するときの様子を示す図である。図８及び図９は、図６において、半導体チップ１１が隣接する部分をプロービング検査するときのプローブとパッドとの接触状態を説明するための図である。なお、図７においては、図３に示す半導体チップ１１が２個隣接して配置され、これら２つの半導体チップ１１を同時に検査する例について図示している。
【００３１】
図７に示すように、半導体チップ１１の検査には、プローブカード３０が用いられる。プローブカード３０は、プローブ３２を固定するための樹脂部３１、複数のプローブ３２を備えている。樹脂部３１には、複数のプローブ３２が固定されている。プローブ３２は、半導体チップ１１の各パッド（接続パッド１５、ＮＣパッド１６、ボンディングパッド１７）に対応して配置されている。なお、ここでは図示していないが、プローブカード３０は外部テスタに接続されている。半導体チップ１１の検査時には、プローブ３２を各パッドに接触させた状態で、外部テスタから各パッドに検査信号が供給される。
【００３２】
左側の半導体チップ１１の上下、左の辺に設けられたパッド、及び、右側の半導体チップ１１の上下、右の辺に設けられたパッドにプローブ３２を接触させる際には、樹脂部３１は半導体チップ１１の外側に配置される。一方、半導体チップ１１が隣接する部分、すなわち、左側の半導体チップ１１の右の辺パッド、及び右側の半導体チップ１１の左の辺に設けられたパッドにプローブ３２を接触させる際には、樹脂部３１は半導体チップ１１の上側に配置される。
【００３３】
ここで、図８及び図９を参照して、半導体チップ１１が隣接する部分をプロービング検査するときのプローブとパッドとの接触状態について説明する。図８に示すように、プローブカード３０の最端に設けられたプローブ３２を、半導体チップ１１の左辺に設けられたパッド列の最端に設けられているボンディングパッド１７に接触させると、樹脂部３１が下辺に設けられたパッドに接触してしまう。このため、本発明においては、図９にしめすように、半導体チップ１１の左辺に設けられたパッド列の最端のボンディングパッド１７とパッドブリッジ１８により接続されている接続パッド１５に、プローブ３２を接触させる。なお、半導体チップ１１の上辺においても、同様に、接続パッド１５にプローブ３２が接触するようにする。これにより、樹脂部３１と半導体チップ１１の上下の辺に設けられたパッドとが接触することなく、検査を行うことが可能となる。
【００３４】
以上説明したように、本発明によれば、ボンディングパッドとステッチとの間をボンディングワイヤで接続した後に樹脂モールドする際に、ワイヤ流れが生じた場合でも不具合の発生を防止することができる。また、半導体チップ１１の各パッド列において、最端のボンディングパッド１７と接続パッド１５とがそれぞれ接続され、最端のボンディングパッド１７は、コーナーブロック１４上にはみ出している。これにより、半導体チップ１１のサイズを小さくすることができるため、装置全体の小型化を測ることが可能となる。
【００３５】
さらに、複数の半導体チップ１１を同時にプロービングする場合、パッドブリッジ１８で接続されたボンディングパッド１７と接続パッド１５のうち、ワイヤボンディングされない接続パッド１５にプローブ３２を接触させる。これにより、樹脂部３１と他の辺に設けられたパッドとが接触することなく、半導体チップ１１の検査を行うことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明者が見出した半導体装置の構成を示す図である。
【図２】本発明者が見出した半導体装置の他の構成を示す図である。
【図３】実施の形態に係る半導体装置の構成を示す平面図である。
【図４】実施の形態における半導体チップの構成を説明するための図である。
【図５】実施の形態に係る半導体装置の他の構成を示す平面図である。
【図６】実施の形態に係る半導体装置の他の構成を示す平面図である。
【図７】実施の形態に係る半導体装置をプロービング検査するときの様子を示す図である。
【図８】図６において、半導体チップが隣接する部分をプロービング検査するときのプローブとパッドとの接触状態を説明するための図である。
【図９】図６において、半導体チップが隣接する部分をプロービング検査するときのプローブとパッドとの接触状態を説明するための図である。
【符号の説明】
【００３７】
１０  半導体装置
１１  半導体チップ
１２  回路ブロック
１３  フィルブロック
１４  コーナーブロック
１５  接続パッド
１６  ＮＣパッド
１７  ボンディングパッド
１８  パッドブリッジ
１９  ボンディングワイヤ
２０  ステッチ
２１  基板
２２  下層
２３  ＶＩＡ層
２４  最上層
２５  絶縁層
２６  開口部
２７  兼用パッド
２７ａ  接続部
２７ｂ  ボンディング部
３０  プローブカード
３１  樹脂部
３２  プローブ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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