(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック誘電体層と内部電極層とが交互に積層されかつ該内部電極層が一つおきに相対向する端面に露出するように形成された略直方体形状の積層体と、前記積層体の内部電極が露出している端面に形成されかつ前記内部電極層と電気的に接続された一対の外部電極とを有している積層セラミックコンデンサにおいて、
前記内部電極層は、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｎｂ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｚｎ及びＶから選ばれた金属または金属酸化物が被覆されたＮｉ金属粒子で構成されており、前記内部電極層の面方向に平行な方向の粒子径で求めた該金属粒子の算術平均粒子径が、前記内部電極層の厚みよりも小さい
ことを特徴とする積層セラミックコンデンサ。
【請求項２】
セラミック誘電体層と内部電極層とが交互に積層されかつ該内部電極層が一つおきに相対向する端面に露出するように形成された略直方体形状の積層体と、前記積層体の内部電極が露出している端面に形成されかつ前記内部電極層と電気的に接続された一対の外部電極とを有している積層セラミックコンデンサにおいて、
前記内部電極層は、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｎｂ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｚｎ及びＶから選ばれた金属または金属酸化物が被覆されたＮｉ金属粒子を含む導電ペーストを、１０−１４〜１０−１８ａｔｍの酸素分圧を有する還元焼成雰囲気中で熱処理して得られる導電金属層で構成されている
ことを特徴とする積層セラミックコンデンサ。
【請求項３】
セラミック誘電体層と内部電極層とが交互に積層されかつ該内部電極層が一つおきに相対向する端面に露出するように形成された略直方体形状の積層体と、前記積層体の内部電極が露出している端面に形成されかつ前記内部電極層と電気的に接続された一対の外部電極とを有している積層セラミックコンデンサの製造方法において、
セラミック誘電体層となるセラミックグリーンシートを用意する工程と、
Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｎｂ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｚｎ及びＶから選ばれた金属または金属酸化物が被覆されたＮｉ金属粒子を有する導電ペーストを用意する工程と、
前記セラミックグリーンシート上に前記導電ペーストを塗布して内部電極層となる内部電極パターンを形成する工程と、
前記内部電極パターンを形成した前記セラミックグリーンシートを積層して積層体を形成する工程と、
前記積層体を１０−１４〜１０−１８ａｔｍの酸素分圧を有する還元焼成雰囲気中で焼成する工程と、を有することを特徴とする積層セラミックコンデンサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層セラミックコンデンサ及びその製造方法に関するもので、Ｎｉ内部電極に特徴を有するものである。
【背景技術】
【０００２】
積層セラミックコンデンサは、セラミックグリーンシート上に、スクリーン印刷によってＮｉの金属粒子を含有する導電ペーストを塗布して内部電極パターンを形成し、この内部電極パターンを形成したセラミックグリーンシートを複数枚積み重ねて得られた積層体を焼成することによって製造される。
【０００３】
Ｎｉ導電ペーストはセラミックグリーンシートと同時に焼成される。導電ペーストに含まれるＮｉ金属粒子の焼結開始温度はセラミックグリーンシートで形成されたセラミック層の焼結開始温度よりも低いので、先にＮｉ金属粒子の焼結が始まって収縮が始まる。そしてその後にセラミック誘電体層の焼結が始まる。ここで、金属粒子はセラミック誘電体層が焼結するまでさらに焼成される。このため、収縮がさらに進行してしまい、できあがった積層セラミックコンデンサの内部電極が網目状または島状に途切れた状態となる。これによって内部電極の面積が小さくなり、静電容量の低下が発生する。  
【０００４】
このような内部電極の途切れを解決するための方法としては、特開平８−０７８２６７号公報及び特開２００１−１２２６６０号公報に開示されているように、導電ペースト中にセラミック粉末を添加して、導電ペーストの焼結収縮の温度をセラミック誘電体層の焼結収縮の温度に近づける方法がある。また、特開２００４−３１９４３５号公報に開示されているように、導電ペーストのＮｉ金属粒子の表面に、より高い融点を有する貴金属の被覆層を形成する方法が提案されている。  
【０００５】
【特許文献１】特開平８−０７８２６７号公報
【特許文献２】特開２００１−１２２６６０号公報
【特許文献３】特開２００４−３１９４３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、導電ペースト中にセラミック粉末を添加する方法においては次のような問題がある。金属粒子が焼成の途中で粒成長する結果、セラミック粉末と金属粒子が分離してしまい、セラミック粉末がセラミック誘電体層中に吐き出されてしまう。一般にセラミック粉末は導電ペーストの主成分である金属粒子との濡れ性が悪いので、導電ペーストの段階で金属粒子間に存在したセラミック粉末が、焼成中に金属粒子によって押し出される。焼成の途中で吐き出されたセラミック粉末は寄り集まって柱状または網目状に形成され、隣接する２つのセラミック誘電体層を繋ぐようになる。また、金属粒子の粒成長は、厚み方向についてはセラミック誘電体層によって抑えられているので、内部電極の面方向に平行な方向に伸びるように進む。そしてこの金属粒子の粒成長とともに、導電ペーストが内部電極の面方向に平行な方向に焼結収縮するため、この収縮に伴って金属粒子間に隙間が生じる。これらの現象によって内部電極の連続性が低下して、静電容量が低下してしまう。また、高融点の貴金属を被覆する方法は、被覆する金属に高価な貴金属を用いるため、金属粒子の単価が高くなり、Ｎｉを用いるメリットが小さくなってしまう。  
【０００７】
本発明は、これらの問題を解決して、比較的低コストで連続性の良好な内部電極を有する積層セラミックコンデンサを得ることができるものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明では、セラミック誘電体層と内部電極層とが交互に積層されかつ該内部電極層が一つおきに相対向する端面に露出するように形成された略直方体形状の積層体と、前記積層体の内部電極が露出している端面に形成されかつ前記内部電極層と電気的に接続された一対の外部電極とを有している積層セラミックコンデンサにおいて、前記内部電極層は、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｎｂ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｚｎ及びＶから選ばれた金属または金属酸化物が被覆されたＮｉを主体とする金属粒子で構成されており、前記内部電極層の面方向に平行な方向の粒子径で求めた該金属粒子の算術平均粒子径が、前記内部電極層の厚みよりも小さい積層セラミックコンデンサを提案する。
【０００９】
内部電極層の連続性の低下は、内部電極層を構成する金属粒子が、内部電極層の面方向に平行な方向に粒成長することに起因している。金属粒子の平均粒子径が、内部電極層の厚みよりも小さい場合、内部電極層の厚み方向の粒成長の余地があるため、内部電極層の面方向に平行な方向の粒成長を抑制することができる。上記の手段によれば、焼結後の積層セラミックコンデンサの内部電極を構成する金属粒子の、内部電極層の面方向に平行な方向の粒成長が抑制されるので、連続性の良好な内部電極を得ることができる。なお、算術平均粒子径は、多数個（例えば１００個）の粒子の粒子径を測定し、その測定値の平均値を平均粒子径としたものである。
【００１０】
また本発明では、セラミック誘電体層と内部電極層とが交互に積層されかつ該内部電極層が一つおきに相対向する端面に露出するように形成された略直方体形状の積層体と、前記積層体の内部電極が露出している端面に形成されかつ前記内部電極層と電気的に接続された一対の外部電極とを有している積層セラミックコンデンサにおいて、前記内部電極層が、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｎｂ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｚｎ及びＶから選ばれた金属または金属酸化物が被覆されたＮｉ金属粒子を含む導電ペーストを、１０−１４〜１０−１８ａｔｍの酸素分圧を有する還元焼成雰囲気中で熱処理して得られる導電金属層で構成されている積層セラミックコンデンサを提案する。
【００１１】
上記の手段によれば、焼結後の積層セラミックコンデンサの内部電極を構成する金属粒子の、内部電極層の面方向に平行な方向の粒成長が抑制され、導電ペーストの、内部電極層の面方向に平行な方向の焼結収縮が抑制されるので、連続性の良好な内部電極を得ることができる。また、この内部電極はＮｉに卑金属を被覆した金属粒子で形成されるので、比較的安価に形成することができる。
【００１２】
また、本発明では、セラミック誘電体層と内部電極層とが交互に積層されかつ該内部電極層が一つおきに相対向する端面に露出するように形成された略直方体形状の積層体と、前記積層体の内部電極が露出している端面に形成されかつ前記内部電極層と電気的に接続された一対の外部電極とを有している積層セラミックコンデンサの製造方法において、セラミック誘電体層となるセラミックグリーンシートを用意する工程と、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｎｂ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｚｎ及びＶから選ばれた金属または金属酸化物が被覆されたＮｉ金属粒子を有する導電ペーストを用意する工程と、前記セラミックグリーンシート上に前記導電ペーストを塗布して内部電極層となる内部電極パターンを形成する工程と、前記内部電極パターンを形成した前記セラミックグリーンシートを積層して積層体を形成する工程と、前記積層体を１０−１４〜１０−１８ａｔｍの酸素分圧を有する還元焼成雰囲気中で焼成する工程と、を有する積層セラミックコンデンサの製造方法を提案する。
【００１３】
上記手段のように、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｎｂ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｚｎ及びＶ等が被覆されたＮｉ金属粒子を有する導電ペーストを、１０−１４〜１０−１８ａｔｍの酸素分圧を有する還元焼成雰囲気中で焼成することによって、金属粒子の、内部電極層の面方向に平行な方向の粒成長が抑制され、導電ペーストの、内部電極層の面方向に平行な方向の焼結収縮が抑制されるので、連続性の良好な内部電極を得ることができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、比較的低コストで連続性の良好な内部電極を有する積層セラミックコンデンサを得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本発明の積層セラミックコンデンサに係る実施形態について、図面に基づいて説明する。図１は本発明の積層セラミックコンデンサを示す模式断面図である。図２は点線Ａの部分の拡大図である。図１に示す積層セラミックコンデンサ１は、セラミック誘電体層３と内部電極層４とが交互に積層されかつ該内部電極層４が一つおきに相対向する端面に露出するように形成された略直方体形状のセラミック積層体２と、前記セラミック積層体２の内部電極４が露出している端面に形成されかつ前記内部電極層４と電気的に接続する一対の外部電極５とを有している。さらに外部電極５上には、必要に応じて外部電極５を保護するための第一のメッキ金属層６及び半田ぬれ性を向上させるための第二のメッキ金属層７が形成される。
【００１６】
この積層セラミックコンデンサ１は、図２に示すように、内部電極層４が金属粒子４０で構成されている。この金属粒子４０は、内部電極層４の面方向に平行な方向の粒子径Ｒで求めた算術平均粒子径が、内部電極層４の厚みＴよりも小さくなっている。金属粒子４０の粒成長は、厚み方向についてはセラミック誘電体層３によって抑えられているので、内部電極層４の面方向に平行な方向に伸びるように進む。そのため、内部電極層４の面方向に平行な方向の平均粒子径を、内部電極層４の厚みよりも小さくなるようにすることによって、金属粒子４０の粒成長を抑制し、焼結収縮を抑制することができるので、連続性の良好な内部電極４が得られる。
【００１７】
このような金属粒子４０は、Ｎｉ金属粒子にＣｏ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｎｂ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｚｎ及びＶから選ばれた卑金属粒子またはその酸化物の粒子を被覆した導電粉末を含有した導電ペーストを用いて内部電極層を形成し、１０−１４〜１０−１８ａｔｍの酸素分圧を有する還元焼成雰囲気中で熱処理することによって得ることができる。
【００１８】
Ｎｉ金属粒子に上記の卑金属粒子または酸化物の粒子を被覆した導電粉末は、噴霧熱分解法や、アセチルアセトナート金属錯体を吸着させる方法等によって得ることができる。噴霧熱分解法は、析出させる卑金属の塩を含む溶液を噴霧して液滴とし、この塩を該塩の分解温度より高い温度もしくは析出させる卑金属の融点近傍あるいはそれ以上の温度に加熱し、該塩を熱分解して、卑金属または卑金属酸化物の粒子をＮｉ金属粒子の表面に析出させる方法である。また、アセチルアセトナート金属錯体を吸着させる方法は、Ｎｉ金属粒子をアルコール、アセトン、エステル、アルデヒド等の有機溶媒に分散させ、５０℃〜９０℃に加熱しながらアセチルアセトナートと卑金属の錯体を滴下して、１０分〜１０時間攪拌して得られたものを、３５０℃〜４５０℃で１０分〜２時間熱処理する方法である。これらの方法によって、Ｎｉ金属粒子の表面に卑金属または卑金属酸化物の強固な被覆層が形成される。
【００１９】
ここで、図１の積層セラミックコンデンサの製造方法について説明する。まず、焼結後にセラミック誘電体層３となる誘電体セラミック粉末を、有機バインダー及び溶媒と混合してセラミックスラリーを形成する。誘電体セラミック粉末としては、チタン酸バリウムを主相とし、これに希土類金属酸化物や遷移金属酸化物等の添加物を混合して熱処理したものが用いられる。有機バインダーとしては、例えばポリビニルブチラール等が用いられる。また、溶媒としては、例えばエタノール等が用いられる。このセラミックスラリーをドクターブレード法等によって厚さ３〜１０μｍのシート状に形成し、セラミックグリーンシートを得る。
【００２０】
次に、前出の噴霧熱分解法やアセチルアセトナート金属錯体を吸着させる方法等によって得られたＮｉ粉末を、有機バインダー及び溶媒と混合して内部電極用の導電ペーストを得る。導電ペーストに用いる有機バインダーとしては、例えばエチルセルロース等が用いられる。溶媒としては、例えばターピネオール等が用いられるが、セラミックグリーンシートを構成する有機バインダーとの相溶性が小さいものが好ましい。
【００２１】
次に、用意したセラミックグリーンシート上に、スクリーン印刷によって、用意した導電ペーストを塗布して、焼成後に内部電極層４となる内部電極パターンを形成する。内部電極パターンは、複数の略矩形状のペースト膜が所定の間隔（マージンの大きさ×２＋切りしろの大きさ）で格子状に並べられているものである。
【００２２】
次に、内部電極パターンを形成したセラミックグリーンシートを所定形状に打ち抜いて、これを所定枚数積み重ね、その後加熱加圧して、積層体の集合体を得る。ここでセラミックグリーンシートを重ねるときに、一層ごとに内部電極パターンの長手方向に半パターンずつずれるように積み重ねる。このようにして、切断分割して焼結した後に、内部電極層４が一つおきに相対向する端面に露出するように形成された略直方体形状のセラミック積層体２が得られるようにする。半パターンずつずらす方法としては、セラミックグリーンシートを打ち抜くときに半パターンずらして打ち抜く方法か、予め半パターン分ずらした印刷スクリーンを用いて内部電極パターンを形成する方法がある。
【００２３】
次に、積層体の集合体を、押し切りカッターまたはダイシングソー等によって切断分割し、焼結後にセラミック積層体２となる積層体を得る。次いでこの積層体を窒素雰囲気中で加熱して脱バインダーを行った後、１０−１４〜１０−１８ａｔｍの酸素分圧を有する還元焼成雰囲気中で１１００℃〜１３００℃の温度で焼成する。これによってセラミック積層体２が得られる。なお、従来の還元焼成雰囲気焼成においては１０−６〜１０−１４ａｔｍの酸素分圧で行っていた。本発明においては、従来よりも低い領域の酸素分圧で焼成を行うものである。
【００２４】
次に、セラミック積層体２の内部電極４が露出している端面に、導電ペーストを塗布して焼付けて、外部電極５を形成する。外部電極を構成する金属としてはＡｇ、ＣｕまたはＮｉ等が挙げられる。なお、外部電極５は、セラミック積層体２を焼成する前に導電ペーストを塗布して、セラミック誘電体層３と同時に焼成して形成しても良い。次いで、この外部電極５上に電解Ｎｉメッキまたは電解Ｃｕメッキによって第一のメッキ層６を形成し、その上に電解Ｓｎメッキによって第二のメッキ層７を形成する。このようにして積層セラミックコンデンサ１が得られる。
【００２５】
こうして得られた積層セラミックコンデンサ１は、内部電極層４を構成する金属粒子４０の粒成長が抑制されている。金属粒子４０の粒成長が抑制されることによって、導電ペーストの焼結収縮が抑制される。これにより導電ペーストの段階で金属粒子間に存在したセラミック粉末が、焼成中に金属粒子によって押し出される現象が抑制される。また、導電ペーストの焼結収縮に伴う金属粒子間の隙間の発生が抑制される。これらの作用により、連続性の良好な内部電極層４を有する積層セラミックコンデンサ１を得ることができる。
【実施例】
【００２６】
（実施例１）
Ｘ７Ｒ特性（２５℃基準で−５５℃〜＋１２５℃の温度範囲における静電容量の変化率が±１５％以内）を示すコンデンサの材料となるチタン酸バリウム系の誘電体セラミック粉末を用意し、これをポリビニルブチラール、フタル酸ジオクチル及びエタノール等と混合してディスパミルにて１５時間混合し、セラミックスラリーを得た。得られたセラミックスラリーを、ドクターブレード法により長尺のＰＥＴフィルム上に塗布し、厚さ１．４μｍのセラミックグリーンシートを形成した。
【００２７】
算術平均粒径が０．２μｍのＮｉ粒子に噴霧熱分解法によってＣｏＯを被覆したＮｉ粉末を、エチルセルロース及びターピネオール等と混合して、内部電極用導電ペーストを作成した。この導電ペーストをスクリーン印刷法によってセラミックグリーンシート上に塗布して、１５ｃｍ×１５ｃｍの範囲内に３．７５ｍｍ×０．７５ｍｍの略矩形形状で厚さ１μｍのペースト膜が０．２５ｍｍ間隔で格子状に多数並べられた内部電極パターンを形成した。このとき、導電ペーストの塗布量が、Ｘ線測定器で４．０μｇ／ｍｍ２になるようにした。
【００２８】
次に、内部電極パターンを形成したセラミックグリーンシートを１５ｃｍ×１５ｃｍの形状に打ち抜いて、この打ち抜いたセラミックグリーンシートを、一層ごとに交互に半パターン分ずらすようにして３５０枚積み重ね、さらにこの積み重ねたものの上下に保護層として厚さ１００μｍのセラミックグリーンシートを重ね、次いで加熱圧着して積層体の集合体を得た。
【００２９】
次に得られた積層体の集合体を、押し切りカッターにて２．０ｍｍ×１．０ｍｍの大きさに切断分割して積層体を得た。この積層体を２８０℃の窒素雰囲気中で脱バインダーした。次いで積層体の内部電極露出面に、浸漬塗布によってＮｉ導電ペーストを塗布し、外部電極を形成した。次いでこの未焼成チップを酸素分圧が１０−１４〜１０−１８ａｔｍの還元雰囲気中で１２００℃の温度で１時間焼成し、その後８００℃の窒素雰囲気中で熱処理して、１．６ｍｍ×０．８ｍｍで１０μＦの公称静電容量を有する積層セラミックコンデンサを得た。
【００３０】
このような積層セラミックコンデンサについて、表１に示すように、Ｎｉ粒子に被覆するＣｏＯの量を変えたもの、及び焼成雰囲気の酸素分圧変えたものを用意した。なお、試料５はＣｏＯを被覆していないＮｉ粉末とＣｏＯの粉末とを混合した導電ペーストを使用して内部電極を形成したものである。また、ＣｏＯの被覆量または添加量は、Ｎｉを１００としたときのａｔｏｍｉｃ％で表した。
【００３１】
【表１】
0005297011.tif 000002
【００３２】
得られた積層セラミックコンデンサについて、静電容量、内部電極層の厚み、内部電極層の連続性及び内部電極を構成する金属粒子の平均粒子径を測定し、表２に示した。ここで、静電容量は、積層セラミックコンデンサを１５０℃で１時間加熱した後室温で３時間放置して冷却し、例えばヒューレットパッカード製４２７８Ａ等の測定器を用いて、２５℃の環境下で各試料１０個ずつ測定して、その平均値とした。内部電極層の厚みは、積層セラミックコンデンサを側面から研磨して内部電極を露出させ、顕微鏡等で５０００〜１００００倍に拡大して観察し、図３に示すように、所定の間隔Ｗ（例えばスケール上で２μｍ）で垂線ａ、ｂ、ｃ、ｄ及びｅを引き、各垂線が内部電極層にかかっている長さｔ１〜ｔ１８を測定し、これを３箇所行ってその平均値とした。なお、垂線ｅと一番上の内部電極層及び上から３番目の内部電極層との交差部分については、金属部分にかかっていないので、測定点としない。連続性は、積層セラミックコンデンサを側面から研磨して内部電極を露出させ、顕微鏡等で５０００〜１００００倍に拡大して観察し、図４に示すように、顕微鏡のスケール等を用いて、観察部分における長さＬ０を測定し、次いで一層の内部電極層の、Ｌ０の範囲内における金属部分の長さＬ１〜Ｌ４を測定して合計し、ΣＬｎ／Ｌ０を算出してひとつの層の連続率を求め、これを３０層分行ってその平均値とした。また、金属粒子の平均粒子径は、側面を研磨して内部電極を露出させた積層セラミックコンデンサを焼成温度より１００℃程度低い温度（例えば１１００℃）で焼成時と同じ酸素分圧で１時間再焼成して熱エッチングし、図５に示すように、内部電極の面方向に平行な方向で粒子径ｒ１、ｒ２、ｒ３・・・を３００個測定し、その平均値を算出して平均粒子径とした。
【００３３】
【表２】
0005297011.tif 000003
【００３４】
ここで、静電容量については公称静電容量値の±１０％、すなわち９．０μＦ〜１１．０μＦの範囲のものを好ましいものとした。また、連続性については８０％以上を好ましいものとした。
【００３５】
試料１は従来の積層セラミックコンデンサに相当するもので、表２の結果によれば、内部電極層の厚みよりも金属粒子の平均粒子径が大きく、連続性が８０％未満と低く、静電容量も９．０μＦ未満であった。試料２は内部電極に用いた導電ペーストは本発明のもので焼成雰囲気の酸素分圧が従来の範囲であるものであるが、連続性が８０％未満と低く、静電容量も９．０μＦ未満であった。試料３は従来の積層セラミックコンデンサを本発明の焼成雰囲気の酸素分圧で焼成したものであるが、連続性が８０％未満と低く、静電容量も９．０μＦ未満であった。試料５についても本発明の効果が得られなかった。これに対し、本発明の導電ペースト及び本発明の焼成雰囲気の酸素分圧の範囲で形成された試料４については、内部電極層の厚みよりも金属粒子の平均粒子径が小さく、連続性が８０％以上であり、静電容量も９．０μＦ以上であった。
【００３６】
試料６〜試料１０は、Ｎｉ粒子に被覆されるＣｏＯの量を変化させたもので、表２によれば０．０５〜２０ａｔｏｍｉｃ％の範囲ものは、内部電極層の厚みよりも金属粒子の平均粒子径が小さく、連続性が８０％以上であり、静電容量も９．０μＦ以上であった。
【００３７】
試料１１〜試料１４は焼成雰囲気の酸素分圧を変化させたもので、表２によれば、試料２の結果と合わせて、酸素分圧が１０−１４〜１０−１８ａｔｍの範囲のものは、内部電極層の厚みよりも金属粒子の平均粒子径が小さく、連続性が８０％以上であり、静電容量も９．０μＦ以上であった。なお、酸素分圧が１０−１８ａｔｍより低いと、試料１３のように、セラミック誘電体層が還元されてコンデンサとして機能しなくなる。  
【００３８】
（実施例２）
算術平均粒径が０．２μｍのＮｉ粒子にアセチルアセトナート金属錯体を吸着させる方法によって卑金属を被覆したＮｉ粉末を用いた以外は、実施例１と同様にして積層セラミックコンデンサを形成した。被覆した卑金属の種類を表３に示す。
【００３９】
【表３】
0005297011.tif 000004
【００４０】
得られた積層セラミックコンデンサについて、実施例１と同様にして、静電容量、内部電極層の厚み、内部電極層の連続性及び内部電極を構成する金属粒子の平均粒子径を測定し、表４に示した。
【００４１】
【表４】
0005297011.tif 000005
【００４２】
表４の結果より、Ｎｉを被覆する卑金属として、Ｃｏの他にＭｎ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｎｂ、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｖ及び希土類金属を用いても、同様の効果を得ることができることがわかった。
【００４３】
以上の結果から、本発明の積層セラミックコンデンサは、連続性の良好なものが得られることがわかった。本発明は特に、内部電極層の厚みが１μｍ以下の積層セラミックコンデンサのように、金属粒子の量が少なく焼結収縮が促進されやすい場合に有効な手段であり、上記実施例のように、厚みが１μｍ以下で連続性の良好な内部電極層を有する積層セラミックコンデンサを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明の積層セラミックコンデンサの模式断面図である。
【図２】図１の点線Ａの部分の拡大した図である。
【図３】内部電極層の厚みの測定方法を示す図である。
【図４】内部電極層の連続性の測定方法を示す図である。
【図５】内部電極層を構成する金属粒子の平均粒子径の測定方法を示す図である。
【符号の説明】
【００４５】
１  積層セラミックコンデンサ
２  セラミック積層体
３  セラミック誘電体層
４  内部電極層
５  外部電極
６  第一のメッキ金属層
７  第ニのメッキ金属層
【図１】
0005297011.tif 000006
【図２】
0005297011.tif 000007
【図３】
0005297011.tif 000008
【図４】
0005297011.tif 000009
【図５】
0005297011.tif 000010