(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターニングデバイスから基板上へパターンを転写することを含むデバイス製造方法であって、
製造されるべきデバイスに関連する設計レイアウト情報を受信することと、
前記設計レイアウト情報からパターンを決定することと、
パターニングデバイスに前記パターンを提供することと、
前記設計レイアウト情報からフィードフォワード条件データを決定することであって、前記フィードフォワード条件データが、少なくとも前記パターン内の第１の場所に関連する第１のフィードフォワード条件データと前記パターン内の第２の場所に関連する第２のフィードフォワード条件データとを含む、該決定することと、
少なくとも前記第１及び前記第２のフィードフォワード条件データから転写状態を決定することと、
前記パターニングデバイスから前記基板上へ前記パターンの一部を前記転写状態に応じて転写することと、
を含む方法。
【請求項２】
少なくとも前記第１及び前記第２のフィードフォワード条件データから前記転写状態を決定することが、
前記第１のフィードフォワード条件データから第１の転写状態候補を決定することと、
前記第２のフィードフォワード条件データから第２の転写状態候補を決定することと、
前記第１の転写状態候補と前記第２の転写状態候補とから前記転写状態を選択することと、
を含む、請求項１に記載のデバイス製造方法。
【請求項３】
前記転写状態を選択することが、
前記第１の転写状態候補に関連する第１のクリティカルパラメータを決定することと、
前記第２の転写状態候補に関連する第２のクリティカルパラメータを決定することと、
前記第１のクリティカルパラメータと前記第２のクリティカルパラメータとから最もクリティカルなパラメータを選択することと、
前記転写状態候補として、前記最もクリティカルなパラメータに対応する前記転写状態候補を選択することと、
を含む、請求項２に記載のデバイス製造方法。
【請求項４】
少なくとも前記第１及び前記第２のフィードフォワード条件データから別の転写状態を決定することと、
少なくとも部分的に、前記別の転写状態に基づいて前記パターニングデバイスから前記基板上へ前記パターンの別の部分を転写することと、
をさらに含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載のデバイス製造方法。
【請求項５】
前記パターニングデバイスから前記基板上へ前記パターンを転写する前に前記基板に関連する基板状態を決定することをさらに含み、
前記転写状態を決定することが、少なくとも前記第１及び第２のフィードフォワード条件データと前記基板状態とから実行される、請求項１〜４のいずれか１項に記載のデバイス製造方法。
【請求項６】
前記基板状態を決定することが、
前記基板の焦点レベリングマップを決定することと、
前記基板上でレベリング測定を実行することと、
アライメントマーク位置を決定することと、
前記基板上で位置決め測定を実行することと、
前記基板上の構造の位置を決定することと、
前記基板上の構造の境界を決定すること、
のうちの少なくとも１つを含む、請求項５に記載のデバイス製造方法。
【請求項７】
フィードフォワードファイルから前記フィードフォワード条件データを後で検索するために前記フィードフォワードファイル内に前記フィードフォワード条件データを格納することをさらに含む、請求項１〜６のいずれか１項に記載のデバイス製造方法。
【請求項８】
前記方法の動作が自動的に実行される、請求項１〜７のいずれか１項に記載のデバイス製造方法。
【請求項９】
前記フィードフォワード条件データの少なくとも一部を人間が読める形で表示することをさらに含む、請求項１〜８のいずれか１項に記載のデバイス製造方法。
【請求項１０】
前記パターニングデバイスから前記基板上へ前記パターンの一部を転写することが、
放射ビーム状態で放射ビームを調整することと、
位置状態で前記基板に対して前記パターニングデバイスを位置決めすることと、
前記放射ビーム状態で前記パターンの断面に前記放射ビームを付与することによりパターン付き放射ビームを形成することと、
投影ビーム状態でパターン付き放射ビームを調整することと、
前記投影ビーム状態で前記パターン付き放射ビームを前記基板（Ｗ）のターゲット部分へ投影することと、
を含み、
前記転写状態が、前記放射ビーム状態、前記投影ビーム状態及び前記位置状態からなるグループから選択した少なくとも１つの状態を含む、請求項１〜９のいずれか１項に記載のデバイス製造方法。
【請求項１１】
前記フィードフォワード条件データが、
前記基板の前記ターゲット部分への前記パターン付き放射ビームの投影中の前記放射ビームの状態と、
前記基板の前記ターゲット部分への前記パターン付き放射ビームの投影中の前記放射ビームのドーズ量状態と、
前記基板の前記ターゲット部分への前記パターン付き放射ビームの投影中の前記投影ビームの結像ノードと、
前記基板の前記ターゲット部分への前記パターン付き放射ビームの投影中の前記放射ビームの開口数状態と、
前記基板の前記ターゲット部分への前記パターン付き放射ビームの投影中の前記放射ビームの瞳充填状態と、
前記基板の前記ターゲット部分への前記パターン付き放射ビームの投影中の前記放射ビームの放射ビーム歪と、
からなるグループから選択した少なくとも１つの状態に関連する情報を含む、請求項１０に記載のデバイス製造方法。
【請求項１２】
前記フィードフォワード条件データが、
前記基板の前記ターゲット部分への前記パターン付き放射ビームの投影中の前記投影ビームの状態と、
前記基板の前記ターゲット部分への前記パターン付き放射ビームの投影中の前記投影ビームの焦点状態と、
前記基板の前記ターゲット部分への前記パターン付き放射ビームの投影中の前記投影ビームのオーバレイ状態と、
前記基板の前記ターゲット部分への前記パターン付き放射ビームの投影中の前記投影ビームの開口数状態と、
前記基板の前記ターゲット部分への前記パターン付き放射ビームの投影中の前記投影ビームの瞳充填状態と、
前記基板の前記ターゲット部分への前記パターン付き放射ビームの投影中の前記投影ビームの投影ビーム歪と、
前記投影ビームのメトロロジー制御状態と、
前記基板の前記ターゲット部分への前記パターン付き放射ビームの投影中の前記投影ビームの別の制御状態であって、前記別の制御状態がメトロロジー装置から得られる制御状態と、
からなるグループから選択した少なくとも１つの状態に関連する情報を含む、請求項１０に記載のデバイス製造方法。
【請求項１３】
前記フィードフォワード条件データが、
前記基板上のテスト構造の位置と、
前記基板上のアライメントマークの位置と、
前記基板上の波面検出構造の位置と、
前記基板上の検査領域の位置と、
からなるグループから選択した少なくとも１つの状態に関連する情報を含む、請求項１０に記載のデバイス製造方法。
【請求項１４】
前記フィードフォワード条件データが、前記基板上の前記検査領域の位置に関連する情報を含み、
検査ツールで前記基板上の前記検査領域ａの位置を検査して検査結果を入手することをさらに含む、請求項１３に記載のデバイス製造方法。
【請求項１５】
少なくとも前記第１及び前記第２のフィードフォワード条件データから前記転写状態を決定することが、少なくとも部分的に前記検査結果に基づいてさらに実行される、請求項１４に記載のデバイス製造方法。
【請求項１６】
前記フィードフォワード条件データを決定することが、
前記パターンの複数の部分について対応するパターン内フィードフォワード条件データを決定することを含み、
少なくとも前記フィードフォワード条件データに少なくとも部分的に基づいて前記転写状態を決定することが、
前記複数のパターン内フィードフォワード条件データを分析することと、
前記複数のパターン内フィードフォワード条件データから前記転写状態を決定することと、
を含む、請求項１〜１５のいずれか１項に記載のデバイス製造方法。
【請求項１７】
前記複数のパターン内フィードフォワード条件データから前記転写状態を決定することが、
少なくとも部分的に前記分析に基づいて前記複数のパターン内フィードフォワード条件データから選択されたパターン内フィードフォワード条件データを決定することと、
前記選択されたパターン内フィードフォワード条件データに少なくとも部分的に基づいて前記転写状態を決定することと、
を含む、請求項１６に記載のデバイス製造方法。
【請求項１８】
前記設計レイアウト情報から前記パターンを決定することが、
前記設計レイアウト情報から前記パターニングデバイス上の複数の対応する場所について複数のパターンを決定することを含み、
パターニングデバイスに前記パターンを提供することが、
前記複数のパターンの少なくとも一部を前記パターニングデバイス上の前記対応する場所に提供することを含み、
前記フィードフォワード条件データを決定することが、
前記パターニングデバイス上の異なる場所にある前記複数のパターンについて前記設計レイアウト情報から対応するパターン間フィードフォワード条件データを決定することと、
前記フィードフォワード条件データに前記複数のパターン間フィードフォワード条件データを提供することと、
を含む、請求項１〜１７のいずれか１項に記載のデバイス製造方法。
【請求項１９】
製造されるべきデバイスに関連する設計レイアウト情報を受信することと、
前記設計レイアウト情報からパターンを決定することと、
前記設計レイアウト情報からフィードフォワード条件データを決定することであって、前記フィードフォワード条件データが、少なくとも前記パターン内の第１の場所に関連する第１のフィードフォワード条件データと前記パターン内の第２の場所に関連する第２のフィードフォワード条件データとを含む、該決定することと、
パターニングデバイスに前記パターンを提供することと、
少なくとも前記第１及び前記第２のフィードフォワード条件データから転写状態を決定することと、
前記パターニングデバイスから基板上へ前記パターンの一部を少なくとも部分的に前記転写状態に基づいて転写することと、
を実行するリソグラフィシステム。
【請求項２０】
リソグラフィ装置と製造システムの設計とを含み、
前記製造システムの設計が、
前記設計レイアウト情報を受信することと、
前記設計レイアウト情報から前記パターンを決定することと、
前記設計レイアウト情報から前記フィードフォワード条件データを決定することと、
前記パターニングデバイスに前記パターンを提供することと、
を実行するように配置及び構築され、
前記リソグラフィ装置が、
前記製造システムの設計から前記フィードフォワード条件データを受信することと、
前記製造システムの設計から前記パターニングデバイスを受け取ることと、
少なくとも前記第１及び前記第２のフィードフォワード条件データから前記転写状態を決定することと、
前記パターニングデバイスから前記基板上へパターンの前記一部を少なくとも部分的に前記転写状態に応じて転写することと、
を実行する、請求項１９に記載のリソグラフィシステム。
【請求項２１】
少なくとも前記第１及び前記第２のフィードフォワード条件データから前記転写状態を決定することのために、
前記第１のフィードフォワード条件データから第１の転写状態候補を決定することと、
前記第２のフィードフォワード条件データから第２の転写状態候補を決定することと、
前記第１の転写状態候補と前記第２の転写状態候補とから前記転写状態を選択することと、
を実行する、請求項１９又は２０に記載のリソグラフィシステム。
【請求項２２】
前記転写状態を選択することのために、
前記第１の転写状態候補に関連する第１のクリティカルパラメータを決定することと、
前記第２の転写状態候補に関連する第２のクリティカルパラメータを決定することと、
前記第１のクリティカルパラメータと前記第２のクリティカルパラメータとから最もクリティカルなパラメータを選択することと、
前記最もクリティカルなパラメータに対応する前記転写状態候補を選択することと、
を実行する、請求項２１に記載のリソグラフィシステム。
【請求項２３】
少なくとも前記第１及び前記第２のフィードフォワード条件データから別の転写状態を決定することと、
前記別の転写状態に応じて前記パターニングデバイスから前記基板上へ前記パターンの別の部分を転写することと、
をさらに実行する、請求項１９〜２２のいずれか１項に記載のリソグラフィシステム。
【請求項２４】
放射ビーム状態で放射ビームを調整する照明システムと、
放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付き放射ビームを形成することができるパターニングデバイスを支持するサポートと、
前記パターン付き放射ビームを投影ビーム状態で基板のターゲット部分に投影する投影システムと、
前記基板に対して位置状態で前記パターニングデバイスを配置するポジショナと、
前記放射ビーム状態、前記投影ビーム状態及び前記位置状態からなるグループから選択した少なくとも１つの状態を少なくとも転写状態で制御するコントローラであって、
製造されるべきデバイスに関連する設計レイアウト情報から決定されるフィードフォワード条件データであって、前記パターニングデバイスのパターンに関連し、少なくとも前記パターン内の第１の場所に関連する第１のフィードフォワード条件データと前記パターン内の第２の場所に関連する第２のフィードフォワード条件データとを含むフィードフォワード条件データを受信することと、
少なくとも前記フィードフォワード条件データから前記転写状態を決定することと、
を実行するコントローラと、
を含むリソグラフィ装置。
【請求項２５】
前記フィードフォワード条件データから前記転写状態を決定することのために、前記コントローラが、
前記第１のフィードフォワード条件データから第１の転写状態候補を決定することと、
前記第２のフィードフォワード条件データから第２の転写状態候補を決定することと、
前記第１の転写状態候補と前記第２の転写状態候補とから前記転写状態を選択することと、
を実行する、請求項２４に記載のリソグラフィ装置。
【請求項２６】
前記転写状態を選択することのために、前記コントローラが、
前記第１の転写状態候補に関連する第１のクリティカルパラメータを決定することと、
前記第２の転写状態候補に関連する第２のクリティカルパラメータを決定することと、
前記第１のクリティカルパラメータと前記第２のクリティカルパラメータとから最もクリティカルなパラメータを選択することと、
前記最もクリティカルなパラメータに対応する前記転写状態候補を選択することと、
を実行する、請求項２５に記載のリソグラフィ装置。
【請求項２７】
前記コントローラが、
少なくとも前記第１及び前記第２のフィードフォワード条件データから別の転写状態を決定することを実行し、
前記リソグラフィ装置がさらに、
前記別の転写状態に応じて前記パターニングデバイスから前記基板上へ前記パターンの第２の部分を転写することを実行する、請求項２４〜２６のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項２８】
前記転写状態を決定するために、コントローラが、
パターニングデバイスから基板上へパターンを転写する前に基板に関連する基板状態を決定することを実行し、
転写状態を決定することが、少なくともフィードフォワード条件データと基板状態とから実行される、請求項２４〜２７のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項２９】
前記基板状態が、
前記基板の焦点レベリングマップを決定すること、および
前記基板上でレベリング測定を実行すること、
のうちの少なくとも１つを実行するレベルセンサと、
アライメントマーク位置を決定すること、
前記基板上で位置決め測定を実行すること、
前記基板上の構造の位置を決定すること、および
前記基板上の構造の境界を決定すること、
のうちの少なくとも１つを実行する位置センサと、
アライメントセンサと、
のうちの少なくとも１つと連携して決定される、請求項２８に記載のリソグラフィ装置。
【請求項３０】
前記コントローラが、
製造システムの設計から前記フィードフォワード条件データを受信することを実行する、請求項２４〜２９のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項３１】
前記コントローラが、
フィードフォワードファイルから前記フィードフォワード条件データを検索することを実行する、請求項３０に記載のリソグラフィ装置。
【請求項３２】
前記製造システムの設計から前記パターニングデバイスを受け取ることをさらに実行する、請求項３０又は３１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項３３】
プロセッサを備える製造システムの設計であって、
前記プロセッサが、
製造されるべきデバイスに関連する設計レイアウト情報を受信し、
前記設計レイアウト情報から、リソグラフィ装置に提供するのに適したフィードフォワード条件データを決定し、
前記フィードフォワード条件データが、少なくとも前記パターン内の第１の場所に関連する第１のフィードフォワード条件データと、前記パターン内の第２の場所に関連する第２のフィードフォワード条件データと、を含む、
製造システムの設計。
【請求項３４】
さらに、リソグラフィ装置が読み取ることができるフィードフォワードファイル内に前記フィードフォワード条件データを格納する、請求項３３に記載の製造システムの設計。
【請求項３５】
さらに、前記フィードフォワード条件データの少なくとも一部を人間が読める形で表示する、請求項３３又は３４に記載の製造システムの設計。
【請求項３６】
前記プロセッサが、
前記設計レイアウト情報から前記パターンを決定し、
前記製造システムの設計が、
前記リソグラフィ装置に提供するのに適したパターニングデバイスに前記パターンを提供するパターニングデバイスライタをさらに含む、請求項３３〜３５のいずれか１項に記載の製造システムの設計。
【請求項３７】
前記設計レイアウト情報から前記フィードフォワード条件データを決定するために、前記プロセッサが、
前記パターンの複数の部分について対応するパターン内フィードフォワード条件データを決定し、
前記フィードフォワード条件データに前記複数のパターン内フィードフォワード条件データを提供する、請求項３６に記載の製造システムの設計。
【請求項３８】
前記設計レイアウト情報から前記フィードフォワード条件データを決定するために、前記プロセッサが、
前記設計レイアウト情報から前記パターニングデバイス上の複数の対応する場所について複数のパターンを決定し、
前記パターニングデバイス上の異なる場所にある前記複数のパターンについて前記設計レイアウト情報から対応するパターン間フィードフォワード条件データを決定し、
前記フィードフォワード条件データに前記複数のパターン間フィードフォワード条件データを提供し、
前記パターニングデバイスに前記パターンを提供するために、パターニングデバイスが、
前記複数のパターンの少なくとも一部を前記パターニングデバイス上の前記対応する場所に提供する、請求項３６に記載の製造システムの設計。
【請求項３９】
転写状態でパターニングデバイスから基板上へパターンを転写するリソグラフィ装置であって、
前記パターニングデバイスから、製造されるべきデバイスに関連する設計レイアウト情報から決定されるフィードフォワード条件データであって前記パターンに関連するフィードフォワード条件データを受信し、
前記フィードフォワード条件データから前記転写状態を決定し、
前記フィードフォワード条件データが、少なくとも前記パターン内の第１の場所に関連する第１のフィードフォワード条件データと、前記パターン内の第２の場所に関連する第２のフィードフォワード条件データと、を含む、
リソグラフィ装置。
【請求項４０】
請求項１から１８に記載の方法を実行する機械実行可能命令を符号化された機械読み取り可能媒体。
【請求項４１】
プロセッサによって読み取り可能な媒体上のコンピュータプログラムであって、プロセッサは、転写状態に応じてパターニングデバイスから基板上へパターンを転写するリソグラフィ装置に関連し、コンピュータプログラムは、プロセッサにロードされると、請求項１から１８のいずれか１項に記載の方法をプロセッサに実行させる、コンピュータプログラム。
【請求項４２】
プロセッサによって読み取り可能な媒体上のコンピュータプログラムであって、
プロセッサは、フィードフォワード条件データから決定される転写状態に応じてパターニングデバイスから基板上へパターンを転写するリソグラフィ装置にて使用可能なパターニングデバイスのパターンとフィードフォワード条件データとを提供する製造システムの設計に関連し、
コンピュータプログラムは、プロセッサにロードされると、
製造されるべきデバイスに関連する設計レイアウト情報を受信することと、
リソグラフィ装置に提供されるのに適した前記フィードフォワード条件データを前記設計レイアウト情報から決定することと、
を含む方法を前記プロセッサに実行させ、
前記フィードフォワード条件データが、少なくとも前記パターン内の第１の場所に関連する第１のフィードフォワード条件データと、前記パターン内の第２の場所に関連する第２のフィードフォワード条件データと、を含む、
コンピュータプログラム。
【請求項４３】
請求項４１に記載のコンピュータプログラムを備えたコンピュータ読み取り可能媒体。
【請求項４４】
請求項４２に記載のコンピュータプログラムを備えたコンピュータ読み取り可能媒体。
【請求項４５】
製造されるべきデバイスに関連する設計レイアウト情報から決定されるフィードフォワード条件データであって、少なくともパターン内の第１の場所に関連する第１のフィードフォワード条件データとパターン内の第２の場所に関連する第２のフィードフォワード条件データとを含み、転写状態を決定するために使用することができるフィードフォワード条件データを含むフィードフォワードファイルを備えたコンピュータ読み取り可能媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明は、デバイスの製造方法、リソグラフィ装置、製造システムの設計、リソグラフィ装置と一緒に使用するコンピュータプログラム製品、及び製造システムの設計と一緒に使用するコンピュータプログラム製品に関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板、普通は基板のターゲット部分に塗布する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）などのデバイスの製造に用いられる。その場合、マスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いてＩＣの個々のレイヤ上に形成する回路パターンを生成することができる。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、１つ又は複数のダイを含む）上へ転写することができる。パターンの転写は、通常、基板上に提供された放射感応性材料（レジスト）のレイヤ上への結像によって行われる。一般に、単一の基板は連続的にパターニングされる隣接するターゲット部分のネットワークを含む。周知のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に一度に露光することで各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、放射ビームによってパターンを所与の方向（「スキャン」方向）にスキャンしながらこれに同期してこの方向に平行又は逆平行に基板をスキャンすることで各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを含む。パターンを基板上にインプリントすることでパターニングデバイスから基板上へパターンを転写することもできる。
【０００３】
[0003]  US2005/028129A1に、ターゲットレイアウトからビーム状態パラメータを自動的に決定する方法について記載されている。特に、環状の瞳充填のσ−ｉｎｎｅｒ及びσ−ｏｕｔｅｒなどのリソグラフィ装置の光学系の放射ビームの開口数（ＮＡ）と瞳内の強度分布とを決定する方法について記載する。US2005/028129A1は、例えば、線幅分析又はピッチ分析を用いてＮＡ並びにσ-inner及びσ-outerを決定し、バイアス調整なしでフィーチャを印刷できるようにする。
【０００４】
[0004]  US2005/028129A1に記載する方法は、最適な解像度で結像を達成するように光学系を有効に調整することで従来の方法を改良するが、この方法にはいくつかの問題がある。例えば、大きい瞳充填を備えた大きいＮＡが選択されると、結像の焦点深度は極めて小さく、最適な焦点から外れる危険が大きい場合がある。最適な焦点なしに結像を行うと、結像の解像度は低品質となり、解像度が最高のフィーチャはあまりに低い品質で結像されることがある。
【発明の概要】
【０００５】
[0005]  例えば、従来技術で説明した装置の欠点を克服するか軽減する装置製造方法及びリソグラフィ装置を提供することが望ましい。特に、結像品質性能を改良した装置製造方法及びリソグラフィ装置を提供することが望ましい。
【０００６】
[0006]  本発明の一態様によれば、パターニングデバイスから基板上へ転写することを含むデバイス製造方法であって、
デバイスに関連する設計レイアウト情報を受信することと、
設計レイアウト情報からパターンを決定することと、
パターニングデバイスにパターンを提供することと、
設計レイアウト情報からフィードフォワード条件データを決定することであって、フィードフォワード条件データが、少なくともパターン内の第１の場所に関連する第１のフィードフォワード条件データとパターン内の第２の場所に関連する第２のフィードフォワード条件データとを含む、該決定することと、
少なくとも第１及び第２のフィードフォワード条件データから転写状態を決定することと、
パターニングデバイスから基板上へパターンの一部を転写状態に応じて転写することと、
を含む方法が提供される。
【０００７】
[0007]  この転写の結果、意図した設計に関連するフィードフォワード条件データに応じて転写状態が決定されるので、意図した設計に対応するパターンが基板上へ転写される。
【０００８】
[0008]  設計情報から第１及び第２のフィードフォワード条件データを決定することは、例えば、パターニングデバイスから基板上へ転送されるパターン内にある設計レイアウト情報に関連するデバイスのレイヤ内のフィーチャを分析することを含む。
【０００９】
[0009]  設計情報から第１及び第２のフィードフォワード条件データを決定することは、例えば、アライメントマークなどの基板上にすでに存在するフィーチャに関連して基板上へ転写されるパターン内にある設計レイアウト情報に関連するデバイスのレイヤ内のフィーチャ、又はデバイスの別のレイヤに関連する先のパターニングデバイスから基板上への先の転写で転写されたパターン内の設計レイアウト情報に関連するデバイス内のレイヤにあるフィーチャに関連することがある。そのようなフィードフォワード条件データは、例えば、オーバレイ条件及びアライメントマークの位置を含む。
【００１０】
[0010]  本発明の一態様によれば、
デバイスに関連する設計レイアウト情報を受信することと、
設計レイアウト情報からパターンを決定することと、
設計レイアウト情報からフィードフォワード条件データを決定することであって、フィードフォワード条件データが、少なくともパターン内の第１の場所に関連する第１のフィードフォワード条件データとパターン内の第２の場所に関連する第２のフィードフォワード条件データとを含む、該決定することと、
パターニングデバイスにパターンを提供することと、
少なくとも第１及び第２のフィードフォワード条件データから転写状態を決定することと、
パターニングデバイスから基板上へパターンの一部を転写状態に応じて転写することと、
を実行するリソグラフィシステムが提供される。
【００１１】
[0011]  本発明の一態様によれば、
放射ビーム状態で放射ビームを調整する照明システムと、放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付き放射ビームを形成することができるパターニングデバイスを支持するサポートと、パターン付き放射ビームを投影ビーム状態で基板のターゲット部分に投影する投影システムと、基板に対して位置状態でパターニングデバイスを配置するポジショナと、放射ビーム状態、投影ビーム状態及び位置状態からなるグループから選択した少なくとも１つの状態を少なくとも転写状態で制御するコントローラであって、
パターニングデバイスのパターンに関連し、少なくともパターン内の第１の場所に関連する第１のフィードフォワード条件データとパターン内の第２の場所に関連する第２のフィードフォワード条件データとを含むフィードフォワード条件データを受信し、
少なくともフィードフォワード条件データから転写状態を決定する、コントローラと、
を含むリソグラフィ装置が提供される。
【００１２】
[0012]  それ故、リソグラフィ装置は、リソグラフィ装置に提供されるフィードフォワード条件データに基づいてパターンの特定部分を基板に転写することに関連する最適な転写状態を決定することができる。
【００１３】
[0013]  本発明の一態様によれば、
デバイスに関連する設計レイアウト情報を受信し、
リソグラフィ装置に提供されるのに適したフィードフォワード条件データを設計レイアウト情報から決定する
プロセッサを含む製造システムの設計が提供される。
【００１４】
[0014]  製造システムの設計は、例えば、基板にパターンの特定部分を転写することに関連する最適な転写状態をリソグラフィ装置が自動的に決定することができるようにするためのフィードフォワード条件データを設計レイアウト情報から決定することができる。フィードフォワード条件データの一部は、リソグラフィ装置のオペレータがリソグラフィ装置の動作に関連する、又はパターン、基板又はパターンの特定部分を適格にするパラメータを基板又はオフライン検査のための基板に設定するためにも使用される。
【００１５】
[0015]  製造システムのための設計は専用装置でもよく、プログラマブルプロセッサを含むコンピュータシステム内に実施することもできる。
【００１６】
[0016]  本発明の一態様によれば、パターニングデバイスから基板上へ転写状態でパターンを転写するように構成されたリソグラフィ装置であって、
パターンに関連するフィードフォワード条件データをパターニングデバイスから受信し、
フィードフォワード条件データから転写状態を決定する
リソグラフィ装置が提供される。
【００１７】
[0017]  本発明の一態様によれば、上記の方法に従ってプロセッサに所定のプログラムを実行させる命令及びデータを含むコンピュータプログラム製品が提供される。
【００１８】
[0018]  コンピュータプログラム製品は、設計レイアウト情報からパターンに関連するフィードフォワードデータを決定する命令を含むことができる。コンピュータプログラム製品は、設計レイアウト情報からのパターニングデバイスのためのパターンへの命令をさらに含むことができる。設計レイアウト情報からパターンを決定する際に、コンピュータプログラム製品は、アライメントマークなどの補助マークを追加し、また線幅などを変更して基板上に意図した構造を達成し、及び／又はバイアス効果を修正することで、パターニングデバイスのパターンを変更する命令をさらに含むことができる。
【００１９】
[0019]  コンピュータプログラム製品は、フィードフォワードデータから転写状態を決定する命令を含むことができる。
【００２０】
[0020]  本発明の一態様によれば、プロセッサによって読み取り可能な媒体上のコンピュータプログラム製品であって、プロセッサは、パターニングデバイスから基板上へ転送状態に応じてパターンの一部を転写するリソグラフィ装置に関連し、コンピュータプログラムは、プロセッサにロードされると、
パターニングデバイスのパターンに関連し、少なくともパターン内の第１の場所に関連する第１のフィードフォワード条件データとパターン内の第２の場所に関連する第２のフィードフォワード条件データとを含むフィードフォワード条件データを受信することと、
少なくともフィードフォワード条件データから転写状態を決定することと、
を含む方法をプロセッサに実行させる、コンピュータプログラム製品が提供される。
【００２１】
[0021]  本発明の一態様によれば、プロセッサによって読み取り可能な媒体上のコンピュータプログラム製品であって、プロセッサは、フィードフォワード条件データから決定される転写状態に応じてパターニングデバイスから基板上へパターンを転写するリソグラフィ装置内で使用可能なパターニングデバイスのパターンとフィードフォワード条件データとを提供する製造システムの設計に関連し、コンピュータプログラムは、プロセッサにロードされると、
デバイスに関連する設計レイアウト情報を受信することと、
リソグラフィ装置に提供されるのに適したフィードフォワード条件データを設計レイアウト情報から決定することと、
を含む方法をプロセッサに実行させる、コンピュータプログラム製品が提供される。
【００２２】
[0022]  本発明の一態様によれば、少なくともパターン内の第１の場所に関連する第１のフィードフォワード条件データとパターン内の第２の場所に関連する第２のフィードフォワード条件データとを含み、転写状態を決定するために使用することができるフィードフォワード条件データを含むフィードフォワードファイルを備えたコンピュータ読み取り可能媒体が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
[0023]  対応する参照符号が対応する部分を示す添付の概略図面を参照しながら、本発明の例示的な実施態様について以下に説明する。
【００２４】
【図１】[0024]図１は、本発明のある実施形態によるリソグラフィ装置を示す図である。
【図２】[0025]本発明の実施形態による方法を示す図である。
【図３】[0026]本発明の実施形態による方法の一態様を示す図である。
【図４】[0027]本発明の実施形態による方法の一態様を示す図である。
【図５】[0028]本発明の実施形態による方法の一態様を示す図である。
【図６】[0029]本発明の実施形態による方法の一態様を示す図である。
【図７】[0030]リソグラフィ装置と一緒に使用する基板の概略図である。
【図８】[0031]本発明の実施形態による方法の一態様を示す図である。
【図９】[0032]本発明の実施形態による方法の一態様を示す図である。
【図１０】[0033]本発明の実施形態による方法の一態様を示す図である。
【図１１】[0034]本発明の実施形態による基板と方法の一態様を示す図である。
【図１２】[0035]本発明の実施形態による方法の一態様を示す図である。
【図１３】[0036]本発明の実施形態による方法の一態様を示す図である。
【図１４】[0037]本発明の実施形態による方法の一態様を示す図である。
【図１５】[0038]本発明の実施形態によるリソグラフィ装置を示す図である。
【図１６】[0039]本発明の実施形態による方法の一態様を示す図である。
【図１７】[0040]本発明の方法を実行するために使用することができるコンピュータ配置構成の概略を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
[0041]  図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を示す。この装置は、
放射ビームＢ（例えば、ＵＶ放射又はＥＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構成され、一定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に配置するように構成された第１のポジショナＰＭに接続された支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、
基板（例えば、レジストコートウェーハ）を保持するように構成され、一定のパラメータに従って基板を正確に配置するように構成された第２のポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）と、
基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ又は複数のダイを含む）上にデバイスＭＡをパターニングすることで放射ビームＢへ付与されたパターンを投影するように構成された投影システム（例えば、屈折投影レンズシステム）ＰＳと、
を含む。
【００２６】
[0042]  照明システムは、放射を誘導、整形、制御する屈折、反射、磁気、電磁気、静電気又は他のタイプの光学コンポーネント、又はそのいずれかの組合せなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含むことができる。
【００２７】
[0043]  支持構造は、パターニングデバイスを支持する、すなわち、その重量を受ける。支持構造は、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、及びパターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否かなどの他の状態に応じた形でパターニングデバイスを保持する。支持構造は、機械的、真空、静電気又は他のクランピング技術を用いてパターニングデバイスを保持することができる。支持構造は、例えば、必要に応じて固定するか可動式のフレーム又はテーブルである。支持構造によって、例えば、投影システムに対してパターニングデバイスが確実に所望の位置にあるようにすることができる。本明細書に記載する「レチクル」又は「マスク」という用語のいかなる使用も「パターニングデバイス」というより一般的な用語と同義と考えてよい。
【００２８】
[0044]  本明細書で使用する「パターニングデバイス」という用語は、例えば、基板のターゲット部分にパターンを形成するために、放射ビームの断面にパターンを付与するために使用することができる任意のデバイスを指すものと広義に解釈すべきである。放射ビームに付与されたパターンは、基板のターゲット部分の所望のパターンに正確に対応しないこともあることに留意されたい。例えば、パターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合がこれにあたる。一般に、放射ビームに付与されたパターンは、集積回路などのターゲット部分に作成されるデバイスの特定の機能レイヤに対応する。
【００２９】
[0045]  パターニングデバイスは、透過型又は反射型である。パターニングデバイスの例は、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルを含む。マスクは、リソグラフィ装置分野では周知であり、バイナリ、レベンソン型(alternating)位相シフト及びハーフトーン(attenuated)位相シフトなどのマスクタイプと種々のハイブリッドマスクタイプを含む。プログラマブルミラーアレイの一例は、入射放射ビームをさまざまな方向に反射するように各々を個別に傾斜させることができる小型ミラーのマトリクス配置を使用する。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射される放射ビーム内にパターンを付与する。
【００３０】
[0046]  本明細書で使用する「投影システム」という用語は、使用している露光放射又は液浸液の使用又は真空の使用に適切である屈折、反射、反射屈折、磁気、電磁気、及び静電気光学系又はその任意の組合せを含む任意のタイプの投影システムを含むものと広義に解釈すべきである。本明細書に記載する「投影レンズ」という用語のいかなる使用も「投影システム」というより一般的な用語と同義と考えてよい。
【００３１】
[0047]  本明細書に示すように、この装置は、透過型（例えば、透過マスクを使用する）である。別の方法としては、この装置は、反射型（例えば、上記タイプのプログラマブルミラーアレイを使用する、又は反射マスクを使用する）であってもよい。
【００３２】
[0048]  リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）又はそれ以上の基板テーブル（及び／又は複数のマスクテーブル）を有するタイプであってもよい。そのような「マルチステージ」マシンでは、追加のテーブルを並列に使用することができ、又は１つ又は複数のテーブルで準備ことを実行中に１つ又は複数のテーブルで露光を実行することができる。
【００３３】
[0049]  リソグラフィ装置は、基板の少なくとも一部が比較的屈折率が大きい液体、例えば、水で覆われ、投影システムと基板の間の空間を充填するタイプであってもよい。リソグラフィ装置の他の空間、例えば、マスクと投影システムの間に液浸液を注入することもできる。投影システムの開口数を増やす液浸技術は、当技術分野で周知である。本明細書で使用する「液浸」という用語は、基板などの構造が液体内に浸漬されていなければならないという意味ではなく、露光時に投影システムと基板との間に液体が位置するというだけの意味である。
【００３４】
[0050]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射線源ＳＯから放射ビームを受ける。この線源とリソグラフィ装置は、例えば、線源がエキシマレーザの場合、別の要素であってもよい。そのような場合、線源は、リソグラフィ装置の一部を構成するとは考えられず、放射ビームは、例えば、適した誘導ミラー及び／又はビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムＢＤの助けを借りて線源ＳＯからイルミネータＩＬまで伝送される。他の場合、線源は、例えば、水銀ランプの場合など、リソグラフィ装置の一体化部分であってもよい。線源ＳＯとイルミネータＩＬ並びに必要に応じてビームデリバリシステムＢＤを放射システムと呼んでもよい。
【００３５】
[0051]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調整するアジャスタＡＤを含むことができる。一般に、少なくともイルミネータの瞳平面内の強度分布の外部及び／又は内側半径範囲（一般にはそれぞれσ−ｏｕｔｅｒ及びσ−ｉｎｎｅｒと呼ばれる）を調整することができる。さらに、イルミネータＩＬは、一般に、積分器ＩＮ及びコンデンサＣＯのような種々の他の構成部品を含むことができる。イルミネータは、放射ビームが断面で所望の均一性と強度とを有するように放射ビームを調整するために使用することができる。
【００３６】
[0052]  放射ビームＢは、支持構造（例えば、マスクテーブルＭＴ）上に保持されたパターニング装置（例えば、マスクＭＡ）に入射し、パターニング装置によってパターニングされる。マスクＭＡを通過してから、放射ビームＢは、投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、このビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に合焦する。第２のポジショナＰＷ及び位置センサＩＦ（例えば、干渉計、線形エンコーダ又は容量センサ）を用いて、基板テーブルＷＴを、例えば、異なるターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路に配置するように、正確に動かすことができる。同様に、例えば、マスクライブラリから機械的に検索してから、又はスキャン中に、第１のポジショナＰＭ及び別の位置センサ（図１に明示せず）を使用して放射ビームＢの経路に関してマスクＭＡを正確に配置することができる。一般に、マスクテーブルＭＴの移動は、第１のポジショナＰＭの一部を形成する、ロングストロークモジュール（粗動位置決め）とショートストロークモジュール（微動位置決め）の助けを借りて実現することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２のポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールとショートストロークモジュールとを用いて実現することができる。ステッパの場合（スキャナとは違い）、マスクテーブルＭＴをショートストロークアクチュエータだけに結合してもよく、又は固定してもよい。マスクＭＡ及び基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を用いて位置合わせしてもよい。図示の基板アライメントマークは、専用のターゲット位置を占めるが、ターゲット部分の間の空間内に配置してもよい（スクライブレーンアライメントマークとして知られている）。同様に、複数のダイがマスクＭＡ上に提供されるケースでは、ダイとダイの間にマスクアライメントマークを配置することができる。
【００３７】
[0053]  測定装置ＭＩは、レベリングセンサ、ビーム品質センサ、又はリソグラフィ装置の１つ又は複数の要素を制御するために使用することができる情報を提供する任意の他の測定ツールを含むことができる。
【００３８】
[0054]  コントローラＣＴは、放射源ＳＯ、アジャスタＡＤ、第１のポジショナＰＭ、第２のポジショナＰＷ、ポジショナセンサＩＦの動作、測定装置ＭＩ、及びリソグラフィ装置の任意の１つ又は複数の要素を制御することができる。
【００３９】
[0055]  図示の装置は、以下のモードのうち少なくとも１つのモードで使用することができる。
[0056]  １．ステップモードでは、マスクテーブルＭＴ及び基板テーブルＷＴが基本的に静止状態に保たれ、放射ビームに付与されたパターン全体がターゲット部分Ｃに１回で投影される（単一静止露光）。次に、基板テーブルＷＴがＸ及び／又はＹ方向にシフトされ、異なるターゲット部分Ｃを露光することができる。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズが、単一静止露光で結像するターゲット部分Ｃのサイズを制限する。
[0057]  ２．スキャンモードでは、放射ビームに付与されたパターンがターゲット部分Ｃに投影されている間、マスクテーブルＭＴ及び基板テーブルＷＴが同期してスキャンされる（単一動的露光）。マスクテーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの倍率（縮小率）及び画像反転特性によって決まる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズが、単一動的露光におけるターゲット部分の幅（非スキャン方向の）を制限し、スキャン運動の長さがターゲット部分の高さ（スキャン方向の高さ）を決定する。
[0058]  ３．別のモードでは、マスクテーブルＭＴが基本的に静止状態に保たれてプログラマブルパターニング装置を保持する。放射ビームに付与されたパターンがターゲット部分Ｃに投影されている間、基板テーブルＷＴが移動又はスキャンされる。このモードでは、通常、パルス放射線源が使用される。スキャン中、基板テーブルＷＴが移動するたびに、又は連続する放射パルスの間に、適宜、プログラマブルパターニング装置が更新される。この動作モードは、上で参照したタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニング装置を使用しているマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【００４０】
[0059]  上に述べた使用モードの組合せ及び／又はその変形形態、あるいは全く異なる使用モードを使用してもよい。
【００４１】
[0060]  図２は、本発明のある実施形態による方法を示す。パターニングデバイスＭＡから基板Ｗ上へパターン１を転写する装置製造方法は、
装置１０に関連する設計レイアウト情報２０を受信すること１００と、
設計レイアウト情報２０からパターン１を決定すること１０２と、
パターニングデバイスＭＡにパターン１を提供すること１０４と、
設計レイアウト情報２０からフィードフォワード条件データを決定すること１０６であって、フィードフォワード条件データが、少なくともパターン内の第１の場所に関連する第１のフィードフォワード条件データ３１とパターン内の第２の場所に関連する第２のフィードフォワード条件データ３２とを含む、該決定すること１０６と、
少なくとも第１及び第２のフィードフォワード条件データから転写状態４０を決定すること１０８と、
パターニングデバイスＭＡから基板Ｗ上へパターン１の一部を転写状態４０に応じて転写すること１１０と、
を含む。
【００４２】
[0061]  ＩＣ設計者又はＩＣ設計者のチームによって使用される設計ツールから設計レイアウト情報が提供される。そのような設計ツールは、例えば、適した構成で接続された１組の複数の電気構成部品として、又はＶＨＤＬなどのより抽象的なプログラマブル言語内の記述として掲示される概略回路図を設計レイアウトに翻訳することができる。設計工程の一段階として、ＩＣ設計者は、例えば、いわゆるplace-and-route（Ｐ＆Ｒ）ツールを用いてすべての機能デバイスを対応する場所に配置することができる。設計工程の別の段階として、ＩＣ設計者は、複数の処理ステップの複数のレイアウトを含む設計レイアウト情報を生成する。例えば、複数のレイアウトのうち第１のレイアウトは、隔離された材料のレイヤ内にエッチングされる狭い領域に対応するトランジスタのゲートの位置に対応していてもよい。
【００４３】
[0062]  ＩＣ設計者は、回路のすべての知識、例えば、機能デバイスの設計を設計レイアウト情報に変換する前の特定ブロックの機能などを有する。これによってＩＣ設計者は、リソグラフィマシンの可能な構成と、基板上のエッチング及び研磨などの次の処理ステップの効果についての詳細な知識があれば転写状態を含むリソグラフィマシンのすべての設定を決定することができる。しかし、ＩＣ設計者は、この詳細な知識を持っていない。
【００４４】
[0063]  設計レイアウト情報は、普通、ＩＣ生産鋳造工場へ送られ、ＩＣが製造される。ＩＣ生産鋳造工場は、ＩＣ設計者から提供された設計情報に従ってＩＣを製造する作業、すなわち、ＩＣが意図したとおりに機能するようにＩＣ設計者の意図に従ってＩＣを製造する作業を行う。設計レイアウト情報からパターンを決定しパターニングデバイスにパターンを提供する過程で、この方法は、パターニングデバイスから基板上へパターンの一部を転写する際に使用する、又は線幅などの設計を変更し、パターニングデバイスの変更によって意図したデバイス設計に従って基板上へクリティカル構造を転写するため、低解像度アシストフィーチャ及びアライメントマークなどのフィーチャを追加することをさらに含むことができる。しかし、おそらくリソグラフィ装置のソフトウェアオプションとして利用可能なこれらの機能の各デバイス（ＩＣ）のレイヤごとの実施の微調整は極めて時間がかかる。また、転写されるパターンのサーバ的な品質を達成するために極めて特定用途向けの機能が必要になろう。例えば、デバイスが異なる幾何学形状を有する領域を含み、その結果例えば焦点信号又はアライメント信号に予期せぬ不要なバイアスがかかり、先に塗布したレイヤに対して基板上に次のレイヤの転写解像度やアライメントが劣化する。鋳造工場は、これらの解決策を考案し実施しようと尽力している。鋳造工場は、あまりにも多くの異なる製品（全く別のパターニングデバイス設計を備えた）を扱うため、適したソフトウェアオプションが利用できるか否か、そのソフトウェアオプションを実施するか否かを設計ごとに評価する時間と人手がなく、またソフトウェアソリューションを最適化するためにデバイス／レイヤごとに実験を行う時間もない。
【００４５】
[0064]  本発明の方法によれば、設計レイアウト情報から決定されるフィードフォワード条件データを用いてフィードフォワード条件データから転写状態を決定し、例えば、自動的に又は鋳造工場内のオペレータの少しの手間で転写状態の決定の際にこれらの解決策を組み込むことができる。鋳造工場は、実際の機能設計について知る必要はない。設計レイアウト情報からフィードフォワード条件データを決定することは、設計レイアウト情報からパターンを決定することと共に実行することができ、上記アシストフィーチャと他の変更並びにフィードフォワード条件データを含むパターンの各フィーチャのバランスを最適化することができる。例えば、フィードフォワード条件データにアシストフィーチャの位置及び解像度表示を含ませて、アライメントなどのアシストフィーチャの使用に関連する転写状態を決定することができる。例えば、フィードフォワード条件データは、必要な結像ノード、必要なオーバレイ制御、必要なドーズ量制御、必要なドーズ量制御であってもよい。
【００４６】
[0065]  別の例として、フィードフォワード条件データは、デバイスレイアウト情報内に２つの領域間の遷移領域、すなわち、２つの異なるタイプのフィーチャを備えた基板上、例えば、製造するデバイス（ＩＣ）に対応するパターン要素と設計レイアウト情報からパターンを決定し、パターンをパターニングデバイス、あるいは第１のデバイス（ＩＣ）に対応するパターン要素と第２のデバイスに対応するパターン要素、あるいは第１のデバイスに対応するパターン要素の周囲のいわゆるスクライブレーンに提供する際に挿入されるアライメントマークに対応するパターン要素との間の遷移領域を含むことができる。
【００４７】
[0066]  以下に具体的な実施形態を参照しながら別の例を説明する。
【００４８】
[0067]  図３は、本発明のある実施形態による方法の一態様を示す。少なくとも第１及び第２のフィードフォワード条件データ３１、３２から転写状態を決定すること１０８で、この方法は、
第１のフィードフォワード条件データ３１から第１の転写状態候補４１を決定すること２００と、
第２のフィードフォワード条件データ３２から第２の転写状態候補４２を決定すること２０２と、
第１の転写状態候補４１と第２の転写状態候補４２とから転写状態４０を選択すること２０４と、
を含む。
【００４９】
[0068]  例えば、第１の転写状態候補は、高解像度結像ノードと狭い焦点制御を含む第１のフィードフォワード条件データ３１から導出された高いＮＡと第１の焦点高さとを含むことができ、第２の転写状態候補は、低解像度結像ノードと広い焦点制御を含む第２のフィードフォワード条件データ３２から導出された低いＮＡと第２の焦点高さとを含むことができる。より高いＮＡに基づいて、第１の転写状態候補をパターンのこの部分の結像のための転写候補４０として選択して、必要な解像度と必要な焦点高さとを備えた関連するデバイス構造を結像することができる。第２のフィードフォワード条件データに関連するデバイス構造は、多少最適でない焦点高さで結像することができるが、解像度を下げると結像の品質を（大幅に）損なわずに上記結像が可能である。
【００５０】
[0069]  図４は、本発明のある実施形態による方法の一態様を示す。このデバイス製造方法で、転写状態４０を選択すること２０４は、
第１の転写状態候補４１に関連する第１のクリティカルパラメータ５１を決定すること２１０と、
第２の転写状態候補４２に関連する第２のクリティカルパラメータ５２を決定すること２１２と、
第１のクリティカルパラメータ５１と第２のクリティカルパラメータ５２とから最もクリティカルなパラメータ５３を選択すること２１４と、
転写状態候補４０として最もクリティカルなパラメータ５３に対応する転写状態候補４１、４２を選択すること２１６と、
を含む。
【００５１】
[0070]  例えば、第１の転写状態候補４１が、高解像度結像ノードと狭い焦点制御を含む第１のフィードフォワード条件データ３１から導出された高いＮＡと第１の焦点高さとを含むことができる場合、第１のクリティカルパラメータ５１は第１の焦点深度であり、第２の転写状態候補４２が、低解像度結像ノードと広い焦点制御を含む第２のフィードフォワード条件データ３２から導出された第２の（より大きい）焦点深度である第２のクリティカルパラメータ５２に関連する低いＮＡと第２の焦点高さとを含むことができる場合。第１の（狭い）焦点深度と第２の（広い）焦点深度との比較に基づいて、第１の焦点深度が最もクリティカルなパラメータ５３としてこと２１４で選択され、関連する第１の転写状態候補４１がこの焦点深度内で関連するデバイス構造を結像するためにパターンのこの部分を結像する転写候補４０としてこと２１６で選択することができる。次に、第２のフィードフォワードデータに関連するデバイス構造を多少最適でない焦点高さで結像することができるが、より大きい第２の焦点深度では結像の品質を（大幅に）損なわずに上記結像が可能である。
【００５２】
[0071]  図５は、本発明のある実施形態による方法の一態様を示し、
少なくとも第１及び第２のフィードフォワード条件データ３１、３２から別の転写状態４３を決定すること２２０と、
別の転写状態４３に応じてパターニングデバイスＭＡから基板Ｗ上へパターンの別の部分を転写すること２２２と、
を示す。
【００５３】
同じ結像フィールド内になくてもパターンの異なる部分を異なる転写状態で結像することができる。
【００５４】
[0072]  例えば、さまざまな異なるタイプのデバイスでいわゆる多目的ウェーハを処理する時に、高解像度のフィーチャを備えたデバイスで基板の第１の部分を製造し、低解像度のフィーチャを備えたデバイスで基板の第２の部分を製造することができる。第１及び第２の部分をそれぞれ第１及び第２のフィードフォワード条件データ、すなわち、異なる転写状態、例えば、異なるＮＡ及び焦点高さ、異なるドーズ量とドーズ量制御又は異なるオーバレイ条件に対応させることができる。
【００５５】
[0073]  図６は、本発明の別の実施形態による方法の一態様を示す。図６に示す方法は、図２を参照しながら説明した方法と同じ要素を含み、さらに、パターニングデバイスから基板上へパターンを転写する前に基板Ｗに関連する基板状態６０を決定すること２３０をさらに含み、転写状態を決定すること１０８は少なくとも第１及び第２のフィードフォワード条件データ３１、３２及び基板状態６０とから実行される。
【００５６】
[0074]  例えば、基板は、デバイスフィーチャが結像される部品を含むことができ、基板は、結合されない部品を含むことができる。焦点制御方法は、デバイス領域と比べて基板の境界領域が異なっていてもよく、１つ又は複数のレイヤが基板上に塗布された後に別の基板状態６０を有することができる。例えば、結像フィールド内の複数のポイントを用いて必要な焦点高さを測定し、その複数のポイントで測定値の加重平均を使用する時、複数のポイントでの測定値の重み付けを調整して必要な焦点高さの最適な結果を達成し、デバイス領域と非結像領域との反射率の差を反映させることができる。
【００５７】
[0075]  基板状態６０は、基板上の異なる物理的な高さにも関連する。これを示すために、図７は、リソグラフィ装置と一緒に使用する基板Ｗの概略を示す。図示の基板はＩＣ製造段階である。
【００５８】
[0076]  図７ａは、図７ｂに示す対応するデバイスレイアウト情報２０の点線に対応する線ＶＩＩａに沿った基板の断面を示す。図示の基板は、処理が終了しており、３つの異なる領域２０ａ、２０ｂ及び２０ｃ内の異なる性質の要素で構成されている。
【００５９】
[0077]  領域２０ａは、６５ｎｍの結像ノードで露光される、焦点制御が１４０ｎｍ、オーバレイ制御が２０ｎｍ、ドーズ量制御が±１０％の、低電圧周辺部を備えたＩＣの領域に対応する。領域２０ａは、デバイスが完全に製造されると領域２０ｂを動作させる論理要素を機能的に提供する。
【００６０】
[0078]  領域２０ｂは、４５ｎｍの結像ノードで露光される、焦点制御が７０ｎｍ、オーバレイ制御が１０ｎｍ、ドーズ量制御が±５％の、フラッシュセル領域を備えたＩＣの領域に対応する。領域２０ｂは、デバイスが完全に製造されるとフラッシュメモリの形でメモリ機能を提供する。
【００６１】
[0079]  領域２０ｃは、１３０ｎｍの結像ノードで露光される、焦点制御が４００ｎｍ、オーバレイ制御が４０ｎｍ、ドーズ量制御が±２０％の、高電圧周辺部を備えたＩＣの領域に対応する。領域２０ｃは、デバイスが完全に製造されるとＩＣ、外部電源、データ線のインタフェースを提供する。
【００６２】
[0080]  ＩＣ製造のこの段階で、ＩＣは、数回露光され複数回のエッチングと研磨処理を受けている。異なる領域２０ａ、２０ｂ、２０ｃ内の異なる結像ノードに関連する異なる銅−酸素含有率などの構造の寸法及び密度の差異と構造の材料の違いによって、デバイスの幾何学形状は領域によって異なる。特に、基板上の領域の高さ２２ａ、２２ｂ、２２ｃは異なる。
【００６３】
[0081]  低電圧周辺部の高さ２２ａが最も小さく、フラッシュセル領域２１ｂの高さ２２ｂが最も大きく、高電圧領域２１ｃの高さ２２ｃが両者の中間である。これらの高さはリソグラフィ装置のレベルセンサを用いて測定することができる。
【００６４】
[0082]  結像は、フラッシュセル領域内で最も重要であり、この領域で最小の結像ノードで最も狭い条件で露光が実行される。露光のための結像ノードと、フィードフォワード条件データ３０としての３つの領域２０ａ、２０ｂ、２０ｃの各々の焦点制御条件、オーバレイ制御条件とドーズ量制御条件とをリソグラフィ装置に提供することで、１組の最適な転写状態４０を導出することができる。
【００６５】
[0083]  この例では、１つの最適な転写状態は、必要な焦点制御に関連する焦点高さである。３つの領域間の異なる特徴を考慮しないと、焦点高さは、それぞれの領域２１ａ、２１ｂ、２１ｃの高さ２２ａ、２２ｂ、２２ｃの平均高さ２２ｄになる。フィードフォワード条件データを考慮すると、最もクリティカルな領域では基板は適正な高さ、すなわち、領域２１ｂに対応する高さ２２ｂで露光することができる。３つの領域２０ａ、２０ｂ、２０ｃの各々の焦点制御条件から分かるように、領域２１ａ、２１ｂ、２１ｃを最もクリティカルな領域２１ｂに対応する焦点高さ２２ｂですべて露光することができる。
【００６６】
[0084]  フィードフォワード条件データ内の結像ノード情報を用いて、別の最適な転写状態として、ＮＡ及び必要な結像ノードに関連する瞳充填を決定することができる。
【００６７】
[0085]  使用することができる他の基板状態６０を決定することの例を以下に示す。
基板状態６０を決定すること２３０は、少なくとも以下のこと、すなわち、
基板Ｗの焦点レベリングマップを決定すること、
基板Ｗ上でレベリング測定を実行すること、
アライメントマーク位置Ｗを決定すること、
基板Ｗ上で位置決め測定を実行すること、
基板Ｗ上の構造の位置を決定すること、
基板Ｗ上の構造の境界を決定すること、
のうちの１つを含む。
【００６８】
[0086]  図８は、本発明のある実施形態による方法の一態様を示す。図８は、フィードフォワードファイル７０からフィードフォワード条件データ３０、３１、３２を後で検索すること２４１のためにフィードフォワードファイル７０内にフィードフォワード条件データ３０、３１、３２を格納すること２４０を示す。
【００６９】
[0087]  これによって、準備作業の結果を直ちに利用することなく基板上へのパターンの転写を準備することができる。
【００７０】
[0088]  設計レイアウト情報２０からパターン１を決定すること１０２と、パターニングデバイスＭＡにパターン１を提供すること１０４と、設計レイアウト情報２０からフィードフォワード条件データ３０を決定すること１０６と、フィードフォワードファイル７０内にフィードフォワード条件データ３０、３１、３２を格納すること２４０とは、例えば、デバイスの製造と複数回のパターン転写とに対応するすべてのレイヤについて１回で実行できる。その後、パターニングデバイスＭＡはラベルを貼って保管され、関連するフィードフォワードファイル７０はラベルを付与して格納される。デバイスが実際に製造され基板のさまざまなレイヤの露光と処理が完了すると、パターニングデバイスＭＡ及び関連するフィードフォワードファイル７０は１つずつ検索して使用することができる。
【００７１】
[0089]  フィードフォワードファイル７０は、例えば、蓄積されたドーズ量に関連する統計情報を収集する、又は特定の結像ノードの使用頻度に関連する統計情報を収集するといった別の目的のためにも検索することができる。
【００７２】
[0090]  フィードフォワードファイル７０は、例えば、特定のフィーチャの品質を検査するために、例えば、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）又は原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）でのオフライン検査のためにテスト構造の位置を入手するなどのオペレータ又は品質試験エンジニアにとって有用な情報を入手するためにも検索することができる。
【００７３】
[0091]  フィードフォワードファイル７０は、クリティカルディメンションを備えたフィーチャの線幅の自動監視などの検査ツールを用いたオフライン又はインライン検査に有用な情報を自動的に入手するためにも検索することができる。
【００７４】
[0092]  図９は、本発明のある実施形態による方法の一態様を示す。図９は、フィードフォワード条件データ３０、３１、３２の少なくとも一部を人間が読める形で提供すること２５０を示す。
【００７５】
[0093]  これは、例えば、人間が読めるテキスト文書又は図として提示することができる。
【００７６】
[0094]  関連するフィードフォワード条件データは、特に、品質試験エンジニアなどの人間が使用するために提供して、オフライン検査のためのテスト構造の位置を当人に提供する。
【００７７】
[0095]  図１０は、本発明のある実施形態による方法の一態様を示す。図１０は以下のことを示す。すなわち、
パターニングデバイスＭＡから基板上へパターンの一部を転写すること１１０は、
放射ビームＢを提供すること２６０と、
放射ビーム状態８０で放射ビームＢを調整すること２６２と、
位置状態８２で基板Ｗに対してパターニングデバイスＭＡを位置決めすること２６４と、
放射ビーム状態８０でパターン１の断面に放射ビームＢを付与することでパターン付き放射ビームＢＰを形成すること２６６と、
投影ビーム状態８４でパターン付き放射ビームＢＰを調整すること２６８と、
投影ビーム状態８４でパターン付き放射ビームＢＰを基板Ｗのターゲット部分へ投影すること２７０と、
を含み、
転写状態４０は、放射ビーム状態８０、投影ビーム状態８４及び位置状態８２からなるグループから選択した少なくとも１つの状態を含む。
【００７８】
[0096]  例えば、転写状態４０は、放射ビームの１回のドーズ量と、投影レンズの拡大率と、パターニングデバイスと基板と第１のポジショナＰＭ及び／又は第２のポジショナＰＷの間のアライメントとを含むことができる。
【００７９】
[0097]    別の例として、転写状態４０は、例えば、調整式光学部品を用いた放射ビームの調整、波面検出構造の適用によるパターン付ビームの形成、及び干渉計氏測定システムを用いたビームの光学品質の決定を含むことができる。
【００８０】
[0098]  フィードフォワード条件データ３０は、以下からなるグループから選択した少なくとも１つの状態に関連する情報を含むことができる。すなわち、
基板のターゲット部分へのパターン付き放射ビームの投影中の放射ビームＢの状態と、
基板のターゲット部分へのパターン付き放射ビームの投影中の放射ビームＢのドーズ量状態と、
基板のターゲット部分へのパターン付き放射ビームの投影中の投影ビームＢＰの結像ノードと、
基板のターゲット部分へのパターン付き放射ビームの投影中の放射ビームＢの開口数状態と、
基板のターゲット部分へのパターン付き放射ビームの投影中の放射ビームＢの瞳充填状態と、
基板のターゲット部分へのパターン付き放射ビームの投影中の放射ビームＢの放射ビーム歪。
【００８１】
[0099]  例えば、いわゆるスキャナのために、放射ビーム内にスリットを整形してスリット上にドーズ量を配布することができる。整形された放射ビームを通してパターンを所与の方向（「スキャン」方向）にスキャンしながらこれに同期してこの方向に平行又は逆平行に基板をスキャンすることで各ターゲット部分が照射される（いわゆる単一動的露光）。フィードフォワード条件データは、レチクル内のどの領域にどのドーズ量制御が必要かを示すドーズ量状態を含むことができ、レチクル内のどの領域が最もクリティカルなドーズ量制御が必要であるかを定義する。これに基づいて、スキャナは、転写状態を決定する際に、スリットドーズ量の均一性を再度最適化してこれらの領域がスリット全体にわたって最小の強度の変動で（それほど正確なドーズ量制御が必要でない領域を犠牲にして）露光されるようにする。同様に、スキャン方向で、最も正確な制御が必要な領域を露光するときにはスキャン速度を落としてもよく、あまり重要でない領域では、スキャン速度を上げてもよい。フィードフォワード条件データ内に与えられた均一性条件に応じて、スキャナは転写状態としてマスクテーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向を決定することができる。
【００８２】
[00100]  フィードフォワード条件データ３０は、以下からなるグループから選択した少なくとも１つの状態に関連する情報を含むことができる。すなわち、
基板のターゲット部分へのパターン付き放射ビームの投影中の投影ビームＢＰの状態と、
基板のターゲット部分へのパターン付き放射ビームの投影中の投影ビームＢＰの焦点状態と、
基板のターゲット部分へのパターン付き放射ビームの投影中の投影ビームＢＰのオーバレイ状態と、
基板のターゲット部分へのパターン付き放射ビームの投影中の投影ビームＢＰの開口数状態と、
基板のターゲット部分へのパターン付き放射ビームの投影中の投影ビームＢＰの瞳充填状態と、
基板のターゲット部分へのパターン付き放射ビームの投影中の投影ビームＢＰの投影ビーム歪と、
投影ビームＢＰのメトロロジー制御状態と、
基板のターゲット部分へのパターン付き放射ビームの投影中の、メトロロジー装置ＭＩ；ＭＯから得られる投影ビームＢＰの別の制御状態。
【００８３】
[00101]  フィードフォワード条件データ３０は、以下からなるグループから選択した少なくとも１つの状態に関連する情報を含むことができる。すなわち、
基板Ｗ上のテスト構造Ｐ３の位置と、
基板Ｗ上のアライメントマークＰ１，Ｐ２の位置と、
基板Ｗ上の波面検出構造Ｐ４の位置と、
基板Ｗ上の検査領域Ｐ５の位置。
【００８４】
[00102]  図１１及び図１２は、フィードフォワード条件データ３０が基板上の検査領域Ｐ５の位置に関連する情報を含むことができることを示す本発明のある実施形態による方法の一態様を示す。この方法は、検査ツール２８２で基板上の検査領域Ｐ５の位置を検査して検査結果２８４を入手すること２８０をさらに含む。
【００８５】
[00103]  上記のように、フィードフォワードデータ３０は、例えば、特定のフィーチャの品質を検査するために、例えば、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）又は原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）でのオフライン検査のためのテスト構造の位置をオペレータ又は品質試験エンジニアに供給するためにも使用することができる。
【００８６】
[00104]  フィードフォワードデータ３０は、クリティカルディメンションを備えたフィーチャの線幅の自動監視などの検査ツールを用いたオフライン又はインライン検査に有用な情報を自動的に入手するためにも使用することができる。
【００８７】
[00105]  少なくとも第１及び第２のフィードフォワード条件データから転写状態を決定すること１０８は、検査結果２８４に応じてさらに実行することができる。
【００８８】
[00106]  例えば、結像された線幅が意図した幅より狭いことが検査で分かった時には、ビーム強度及び露光時間の別の組合せを用いることでビームのドーズ量を変更するかより厳格なドーズ量制御を実行することができる。
【００８９】
[00107]  図１３ａ〜図１３ｃは、本発明のある実施形態による方法の態様を示す。この方法は、
フィードフォワード条件データ３０を決定すること１０６は、パターンの複数の部分１ａ、１ｂ、１ｃについて対応するパターン内フィードフォワード条件データ３３すなわち３３ａ、３３ｂ、３３ｃを決定すること２９０と、
少なくともフィードフォワード条件データ３０に応じて転写状態４０を決定すること１０８は、複数のパターン内フィードフォワード条件データ３３ａ、３３ｂ、３３ｃを分析すること２９２と、複数のパターン内フィードフォワード条件データ３３ａ、３３ｂ、３３ｃから転写状態４０を決定すること２９４と、
を含む。
【００９０】
[00108]  例えば、単一の結像フィールド内で、パターンの各部分は、クリティカルディメンションのフィーチャとより大きいフィーチャとを含むことができる。次に、両方のフィーチャタイプが十分な品質で結像されるように転写状態が決定される。
【００９１】
[00109]  図１３ｃに示すように、複数のパターン内フィードフォワード条件データ３３から転写状態４０を決定すること２９４は、分析２９２に応じて複数のパターン内フィードフォワード条件データ３３ａ、３３ｂ、３３ｃから選択されたパターン内フィードフォワード条件データ３４を決定すること２９６と、選択されたパターン内フィードフォワード条件データ３４に応じて転写状態を決定すること２９８とを含むことができる。
【００９２】
[00110]  例えば、最も高い解像度又は最も狭いオーバレイ条件を備えたフィーチャに関連する転写状態を選択することができる。
【００９３】
[00111]  図１４は、本発明のある実施形態による方法の一態様を示す。この方法で、
設計レイアウト情報２０からパターン１を決定すること１０２は、設計レイアウト情報２０からパターニングデバイスＭＡの複数の対応する場所について複数のパターンを決定すること３００を含み、
パターニングデバイスにパターンを提供すること１０４は、複数のパターンの少なくとも一部をパターニングデバイス上の対応する場所に提供すること３０２を含み、
フィードフォワード条件データを決定すること１０６は、パターニングデバイス上の異なる場所にある複数のパターンについて設計レイアウト情報２０から対応するパターン間フィードフォワード条件データ３５、３５ａ、３５ｂを決定すること３０４と、フィードフォワード条件データ３０に複数のパターン間フィードフォワード条件データ３５を提供すること３０６とを含む。
【００９４】
[00112]  例えば、基板上の例えば大きく離間した異なる場所に対応する異なる結像フィールドに関連する設計レイアウト情報は、特に単一のウェーハ上にさまざまな異なるデバイス構造が製造される場合に、さまざまなフィードフォワード条件データになることがある。次に、設計レイアウト情報内、又は基板（追加されたテスト構造を含む）上の各位置に対応するフィードフォワード条件データ３５ａ、３５ｂを例えばフィードフォワードファイル７０内に格納するなど、フィードフォワード条件データ３０内に提供することができる。
【００９５】
[00113]  本発明のリソグラフィシステムは、
装置１０に関連する設計レイアウト情報２０を受信すること１００と、
設計レイアウト情報２０からパターン１を決定すること１０２と、
設計レイアウト情報２０からフィードフォワード条件データ３０を決定すること１０６であって、フィードフォワード条件データが、少なくともパターン内の第１の場所に関連する第１のフィードフォワード条件データ３１とパターン内の第２の場所に関連する第２のフィードフォワード条件データ３２とを含む、該決定することと、
パターニングデバイスＭＡにパターンを提供すること１０４と、
少なくとも第１及び第２のフィードフォワード条件データ３１、３２から転写状態４０を決定すること１０８と、
パターニングデバイスＭＡから基板Ｗ上へパターン１の一部を転写状態４０に応じて転写すること１１０と、
を実行するように配置及び企図されている。
【００９６】
[00114]  図１５は、本発明のある実施形態によるリソグラフィ装置を示す。図１５は、リソグラフィ装置１０００と製造システムの設計１００２とを含むリソグラフィシステムであって、
製造システムの設計１００２が、
設計レイアウト情報を受信すること１００と、
設計レイアウト情報からパターンを決定すること１０２と、
設計レイアウト情報からフィードフォワード条件データを決定すること１０６と、
パターニングデバイスにパターンを提供すること１０４と、
を実行するように配置及び企図され、
リソグラフィ装置１０００が、
製造システムの設計からフィードフォワード条件データを受信すること４００と、
製造システムの設計からパターニングデバイスを受け取ること４０２と、
少なくとも第１及び第２のフィードフォワード条件データから転写状態を決定すること１０８と、
パターニングデバイスから基板上へパターンの一部を転写状態に応じて転写すること１１０と、
を実行するように配置及び企図されたリソグラフィシステムを示す。
【００９７】
[00115]  少なくとも第１及び第２のフィードフォワード条件データ３１、３２から転写状態を決定すること１０８のために、リソグラフィシステムは、
第１のフィードフォワード条件データから第１の転写状態候補を決定すること２００と、
第２のフィードフォワード条件データから第２の転写状態候補を決定すること２０２と、
第１の転写状態候補と第２の転写状態候補とから転写状態を選択すること２０４と、
を実行するように配置し企図することができる。
【００９８】
[00116]  転写状態を選択すること２０４のために、リソグラフィシステムは、
第１の転写状態候補に関連する第１のクリティカルパラメータを決定すること２１０と、
第２の転写状態候補に関連する第２のクリティカルパラメータを決定すること２１２と、
第１のクリティカルパラメータと第２のクリティカルパラメータとから最もクリティカルなパラメータを選択すること２１４と、
最もクリティカルなパラメータに対応する転写状態候補を選択すること２１６と、
を実行するように配置し企図することができる。
【００９９】
[00117]  リソグラフィシステムは、
少なくとも第１及び第２のフィードフォワード条件データから別の転写状態を決定すること２２０と、
別の転写状態に応じてパターニングデバイスＭＡから基板Ｗ上へパターンの別の部分を転写すること２２２と、
を実行するようにさらに配置し企図することができる。
【０１００】
[00118]  本発明のリソグラフィシステムは、
放射ビーム状態８０で放射ビームＢを調整するように構成された照明システムＩＬと、パターニングデバイスＭＡを支持するように構成されたサポートＭＴであって、パターニングデバイスが放射ビームＢの断面にパターン１を付与してパターン付き放射ビームを形成することができるサポートと、パターン付き放射ビームを投影ビーム状態８４で基板Ｗのターゲット部分に投影するように構成された投影システムＰＳと、基板Ｗに対して位置状態８２でパターニングデバイスＭＡを配置するように構成されたポジショナＰＭ、ＰＷと、放射ビーム状態８０、投影ビーム状態８４及び位置状態８２からなるグループから選択した少なくとも１つの状態を少なくとも転写状態で制御するように構成されたコントローラＣＴとを備え、
コントローラＣＴは、
パターニングデバイスのパターンに関連し、少なくともパターン内の第１の場所に関連する第１のフィードフォワード条件データとパターン内の第２の場所に関連する第２のフィードフォワード条件データとを含むフィードフォワード条件データを受信すること４００と、
少なくともフィードフォワード条件データから転写状態を決定すること１０８と、
を実行するように構成される。
【０１０１】
[00119]  フィードフォワード条件データから転写状態を決定すること１０８のために、コントローラＣＴは、
第１のフィードフォワード条件データから第１の転写状態候補を決定すること２００と、
第２のフィードフォワード条件データから第２の転写状態候補を決定すること２０２と、
第１の転写状態候補と第２の転写状態候補とから転写状態を選択すること２０４と、
を実行するように構成することができる。
【０１０２】
[00120]  転写状態を選択すること２０４のために、コントローラＣＴは、
第１の転写状態候補に関連する第１のクリティカルパラメータを決定すること２１０と、
第２の転写状態候補に関連する第２のクリティカルパラメータを決定すること２１２と、
第１のクリティカルパラメータと第２のクリティカルパラメータとから最もクリティカルなパラメータを選択すること２１４と、
最もクリティカルなパラメータに対応する転写状態候補を選択すること２１６と、
を実行するように構成することができる。
【０１０３】
[00121]  コントローラＣＴは、
少なくとも第１及び第２のフィードフォワード条件データから別の転写状態を決定すること２２０を実行するように構成することができ、
リソグラフィ装置は、
別の転写状態に応じてパターニングデバイスから基板上へパターンの第２の部分を転写すること２２２
を実行するようにさらに配置し企図することができる。
【０１０４】
[00122]  転写状態を決定するために、コントローラＣＴは、
パターニングデバイスから基板上へパターンを転写する前に基板に関連する基板状態を決定すること２３０を実行するように構成することができ、
転写状態を決定すること１０８は、少なくともフィードフォワード条件データ及び基板状態から実行することができる。
【０１０５】
[00123]  リソグラフィ装置は、
基板の焦点レベリングマップを決定することと、
基板上でレベリング測定を実行すること、
のうちの少なくとも１つを実行するように配置されたレベルセンサ１０１０と、
アライメントマーク位置を決定することと、
基板上で位置決め測定を実行することと、
基板上の構造の位置を決定することと、
基板上の構造の境界を決定すること、
のうちの少なくとも１つを実行するように配置された位置センサ１０１２と、
アライメントセンサ１０１４、
のうちの少なくとも１つと連携して基板状態を決定することができる。
【０１０６】
[00124]  図１６ａ〜図１６ｂは、本発明のリソグラフィ装置内のコントローラのある実施形態の一態様を示す。
【０１０７】
[00125]  図１６ａは、製造システムの設計１００２からフィードフォワード条件データを受信すること４００を実行するように構成されたコントローラＣＴを示す。
【０１０８】
[00126]  図１６ｂは、フィードフォワードファイル７０からフィードフォワード条件データ３０を検索すること４０１を実行するように構成されたコントローラＣＴを示す。
【０１０９】
[00127]  図１６ｃは、本発明のリソグラフィ装置のある実施形態の一態様を示す。リソグラフィ装置は、製造システムの設計１００２からパターニングデバイスＭＡを受け取ること４０２を実行するようにさらに構成されている。
【０１１０】
[00128]  本発明は、プロセッサ２０００を含む製造システムの設計１００２であって、プロセッサ２０００が、
装置に関連する設計レイアウト情報２０を受信すること１００と、
設計レイアウト情報から、リソグラフィ装置１０００に提供するのに適したフィードフォワード条件データ３０を決定すること１０６と、
を実行するように構成された製造システムの設計１００２を提供する。
【０１１１】
[00129]  図１５は、本発明の製造システムの設計のある実施形態を示す。
【０１１２】
[00130]  製造システムの設計は、リソグラフィ装置１０００が読み取ることができるフィードフォワードファイル７０内にフィードフォワード条件データ３０を格納すること２４０を実行するようにさらに構成することができる。
【０１１３】
[00131]  製造システムの設計は、フィードフォワード条件データの少なくとも一部を人間が読める形で提供すること２５０を実行するようにさらに構成することができる。
【０１１４】
[00132]  プロセッサ２０００は、設計レイアウト情報からパターンを決定すること１０２を実行するようにさらに構成することができる。製造システムの設計は、リソグラフィ装置に提供するのに適したパターニングデバイスにパターンを提供すること１０４を実行するように構成されたパターニングデバイスライタ１００４をさらに含むことができる。
【０１１５】
[00133]  設計レイアウト情報からフィードフォワード条件データを決定すること１０６のために、プロセッサ２０００は、
パターンの複数の部分２について対応するパターン内フィードフォワード条件データ３３を決定すること２９０と、
フィードフォワード条件データに複数のパターン内フィードフォワード条件データを提供することと、
を実行するようにさらに構成することができる。
【０１１６】
[00134]  設計レイアウト情報からフィードフォワード条件データを決定する１０６ために、プロセッサ２０００は、
設計レイアウト情報２０からパターニングデバイスＭＡの複数の対応する場所について複数のパターンを決定し３００、
パターニングデバイス上の異なる場所にある複数のパターンについて設計レイアウト情報２０から対応するパターン間フィードフォワード条件データ３５を決定し３４０、
フィードフォワード条件データ３０に複数のパターン間フィードフォワード条件データ３５を提供する３０６
ように構成することができる。
パターニングデバイスにパターンを提供するために、パターニングデバイスは、
複数のパターンの少なくとも一部をパターニングデバイス上の対応する場所に提供する３０２
ように構成することができる。
【０１１７】
[00135]  本発明は、転写状態４０でパターニングデバイスＭＡから基板Ｗ上へパターン１を転写するように構成されたリソグラフィ装置１０００であって、パターニングデバイスのパターンに関連するフィードフォワード条件データ３０を受信すること４００と、フィードフォワード条件データ３０から転写状態４０を決定すること１０８とを実行するように構成されたリソグラフィ装置１０００を提供する。
【０１１８】
[00136]  本発明は、上記の方法のいずれか１つに従ってプロセッサＣＴ，２０００に所定のプログラムを実行させる命令及びデータを含むコンピュータプログラム製品を提供する。
【０１１９】
[00137]  本発明の一態様によれば、プロセッサによって読み取り可能な媒体上のコンピュータプログラム製品であって、プロセッサは、パターニングデバイスから基板上へ転送状態に応じてパターンの一部を転写するように配置及び企図されたリソグラフィ装置に関連し、コンピュータプログラムは、プロセッサにロードされると、
パターニングデバイスのパターンに関連し、少なくともパターン内の第１の場所に関連する第１のフィードフォワード条件データと、パターン内の第２の場所に関連する第２のフィードフォワード条件データとを含むフィードフォワード条件データを受信することと、
少なくともフィードフォワード条件データから転写状態を決定することと、
を含む方法をプロセッサに実行させる、コンピュータプログラム製品が提供される。
【０１２０】
[00138]  本発明の一態様によれば、プロセッサによって読み取り可能な媒体上のコンピュータプログラム製品であって、プロセッサは、フィードフォワード条件データから決定される転写状態に応じてパターニングデバイスから基板上へパターンを転写するように配置及び企図されたリソグラフィ装置で使用可能なパターニングデバイスのパターンとフィードフォワード条件データとを提供するように配置及び企図された製造システムの設計に関連し、コンピュータプログラムは、プロセッサにロードされると、
デバイスに関連する設計レイアウト情報を受信することと、
リソグラフィ装置に提供されるのに適したフィードフォワード条件データを設計レイアウト情報から決定することと、
を含む方法をプロセッサに実行させる、コンピュータプログラム製品が提供される。
【０１２１】
[00139]  本発明の一態様によれば、そのようなコンピュータプログラムを備えたコンピュータ読み取り可能媒体が提供される。
【０１２２】
[00140]  本発明の一態様によれば、少なくともパターン内の第１の場所に関連する第１のフィードフォワード条件データと、パターン内の第２の場所に関連する第２のフィードフォワード条件データとを含み、転写状態を決定するために使用することができるフィードフォワード条件データを含むフィードフォワードファイルを備えたコンピュータ読み取り可能媒体が提供される。
【０１２３】
[00141]  本発明の一態様によれば、そのようなコンピュータプログラムを備えたコンピュータ読み取り可能媒体が提供される。
【０１２４】
[00142]  本発明の一態様によれば、少なくともパターン内の第１の場所に関連する第１のフィードフォワード条件データ３１と、パターン内の第２の場所に関連する第２のフィードフォワード条件データ３２とを含み、転写状態４０を決定するために使用することができるフィードフォワード条件データ３０を含むフィードフォワードファイル７０を備えたコンピュータ読み取り可能媒体が提供される。
【０１２５】
[00143]  図１７に、本発明の方法を実行するためのコンピュータ配置構成の概略図を示す。この配置構成は、算術演算を実行するプロセッサ６０１を含む。
【０１２６】
[00144]  プロセッサ６０１は、ハードディスク６０５、読み取り専用メモリ（ＲＯＭ）６０７、電気的消去可能ＰＲＯＭ（ＥＥＰＲＯＭ）６０９、及びランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）６１１を含む複数のメモリ構成部品に接続されている。これらのメモリタイプのすべてを提供しなければならないというわけではない。さらに、これらのメモリ構成部品は、プロセッサ６０１から物理的に近い場所に配置する必要はなく、プロセッサ６０１から離れて配置してもよい。
【０１２７】
[00145]  プロセッサ６０１は、また、キーボード６１３及びマウス６１５などのユーザが命令、データなどを入力するための入力装置にも接続されている。当業者には周知のタッチスクリーン、トラックボール及び／又は音声変換装置などの他の入力装置も提供することができる。
【０１２８】
[00146]  プロセッサ６０１に接続された読み取りユニット６１７が提供される。読み取りユニット６１７は、フロッピー（登録商標）ディスク６１９又はＣＤ６２１などのデータ媒体上のデータを読み取り、またデータを書き込むことが可能な配置である。他のデータ媒体は、当業者には周知のテープ、ＤＶＤ，ＢＤなどである。
【０１２９】
[00147]  またプロセッサ６０１は、出力データを紙に印字するプリンタ６２３と、陰極線管モニタ又はＬＣＤ（液晶ディスプレイ）画面、あるいは当業者には周知の任意の他のタイプのディスプレイなどのディスプレイ６０３に接続されている。
【０１３０】
[00148]  プロセッサ１は、Ｉ／Ｏ装置６２５によって、公衆交換電話網（ＰＳＴＮ），ローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）、ワイドエリアネットワーク（ＷＡＮ）などの通信ネットワーク６２７に接続することができる。プロセッサ６０１は、ネットワーク６２７を介して他の通信装置と通信するように配置することができる。
【０１３１】
[00149]  データ媒体６１９、６２１は、本発明の方法を実行する能力をプロセッサに提供するように配置されたデータ及び命令の形式のコンピュータプログラム製品を含むことができる。しかし、そのようなコンピュータプログラム製品は、通信ネットワーク６２７を介してダウンロードすることもできる。
【０１３２】
[00150]  プロセッサ６０１は、スタンドアロンシステム又は各々がより大きいコンピュータプログラムのサブタスクを実行するように構成された複数の並列の演算プロセッサとして、あるいはいくつかのサブプロセッサを備えた１つ又は複数のメインプロセッサとして実施することができる。本発明の機能の一部はネットワーク６２７を通してプロセッサ６０１と通信するリモートプロセッサによっても実行することができる。
【０１３３】
[00151]  本明細書では、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的に説明しているが、本明細書に記載するリソグラフィ装置は、集積光学系の製造、磁区メモリの誘導及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの他の用途にも適用可能であることを理解されたい。当業者には明らかなように、そのような別の用途においては、本明細書で使用する「ウェーハ」又は「ダイ」という用語はいずれも、それぞれより一般的な「基板」又は「ターゲット部分」という用語と同義であると考えてよい。本明細書に記載する基板は、露光の前後に、例えば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、露光したレジストを成長させるツール）、メトロロジーツール、及び／又はインスペクションツール内で処理されてもよい。本明細書中の開示内容を、適宜、上記基板処理ツール及び他の基板処理ツールに適用することができる。さらに、基板は、例えば、多層ＩＣを作成するために、複数回処理することができるので、本明細書で使用する基板という用語は、すでに多重処理レイヤを含む基板を指すこともできる。
【０１３４】
[00152]  以上、光リソグラフィに関連して本発明の実施形態について具体的に説明してきたが、本発明は、インプリントリソグラフィなどの他の用途にも使用することができ、状況が許せば、光リソグラフィに限定されない。インプリントリソグラフィの分野では、パターニングデバイスの幾何学形状が基板上に作成されたパターンを画定する。パターニングデバイスの幾何学形状を基板に供給されたレジストのレイヤ内にプレス加工することができ、電磁放射、熱、圧力又はそれらの組合せを加えることによりレジストは硬化する。パターニングデバイスは、レジストから分離され、レジストが硬化するとパターンがそこに残る。
【０１３５】
[00153]  本明細書で使用する「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、約３６５、３５５、２４８、１９３、１５７若しくは１２６ｎｍの波長、又はその辺りの波長を有する）、及び極端紫外光（ＥＵＶ）放射（例えば、５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）、イオンビーム又は電子ビームなどの粒子ビームを包含する。
【０１３６】
[00154]  「レンズ」という用語は、文脈によっては、種々のタイプの屈折、反射、磁気、電磁気及び静電気光学コンポーネントのいずれか１つ又はその組合せを指すことができる。
【０１３７】
[00155]  以上、本発明の具体的な実施態様を説明してきたが、本発明は、説明された方法以外の別の方法でも実行することが可能であることが明らかである。例えば、本発明は、前述の方法を記載した機械読み取り可能命令の１つ又は複数のシーケンスを包含するコンピュータプログラムの形式、又はそのようなコンピュータプログラムを内部に格納したデー記憶媒体（例えば、半導体メモリ、磁気又は光ディスク）の形式を使用することもできる。
【０１３８】
[00156]  上記説明は、本発明を限定するものではなく例示するものである。それ故、添付の特許請求の範囲を逸脱することなしに、本明細書に記載された発明に変更を加えることができることは当業者には明らかであろう。
【図１】
0005308803.tif 000002
【図２】
0005308803.tif 000003
【図３】
0005308803.tif 000004
【図４】
0005308803.tif 000005
【図５】
0005308803.tif 000006
【図６】
0005308803.tif 000007
【図７】
0005308803.tif 000008
【図８】
0005308803.tif 000009
【図９】
0005308803.tif 000010
【図１０】
0005308803.tif 000011
【図１１】
0005308803.tif 000012
【図１２】
0005308803.tif 000013
【図１３】
0005308803.tif 000014
【図１４】
0005308803.tif 000015
【図１５】
0005308803.tif 000016
【図１６】
0005308803.tif 000017
【図１７】
0005308803.tif 000018