(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電太陽電池用集光器の製造方法であって、
穴のあいた凹部アレイを有するアルミニウム箔を用意する工程と、
コアおよび外面の一方がｐ型半導体材料で構成され、その他方がｎ型半導体材料で構成され、それによってｐｎ接合が形成された、コアおよび外面を有する、複数のほぼ球状の半導体素子を用意する工程と、
前記各半導体素子の前記外面上に反射防止コーティング層を堆積させる工程と、
前記コーティングされた各半導体素子を前記各穴の中に装填して、前記コーティングされた各半導体素子を前記アルミニウム箔に結合し、それによって各半導体素子の外面と前記アルミニウム箔とのオーム接触を可能にする工程と、
前記コーティングされた各半導体素子の一部分から前記反射防止コーティング層と前記外面を除去し、それによって前記コアを露出させる工程とを含む方法。
【請求項２】
前記反射防止コーティング層を堆積させる工程が、前記各半導体素子の前記外面上に金属酸化物を堆積させる工程を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
反射防止コーティング層を堆積させる前記工程が、前記各半導体素子の外面上に二酸化チタンを堆積させる工程を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記反射防止コーティング層を堆積させる工程が、前記各半導体素子の前記外面上に非酸化化合物を堆積させる工程を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記反射防止コーティング層を堆積させる工程が、前記各半導体素子の前記外面上に窒化シリコンを堆積させる工程を含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記結合する工程が、前記各半導体素子を前記アルミニウム箔に熱圧着する工程と、前記各半導体素子の結合線の所で前記反射防止コーティング層を溶解させる工程と、前記アルミニウム箔と前記各半導体素子との間で結合を形成する工程とを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記熱圧着する工程が、アルミニウムケイ化物が形成される共融温度未満の温度で熱圧着する工程を含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記熱圧着する工程が、５７７℃未満の温度で実施される請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記反射防止コーティング層を除去する工程が、半導体素子に対する機械研磨および化学的機械研磨の１つを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記各半導体素子の前記外面上に金属酸化物を堆積させる工程が、化学気相成長リアクタ内で少なくとも１つの金属アルコキシドを分解する工程を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項１１】
少なくとも１つの金属アルコキシドを分解する工程が、化学気相成長リアクタ内で、チタンイソプロポキシド、チタンエトキシド、およびその混合物の少なくとも１つを分解する工程を含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記各半導体素子の前記外面上に金属酸化物を堆積させる工程が、ターゲットから金属被覆をスパッタリング堆積させた後、前記金属被覆を酸化させる工程を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項１３】
前記各半導体素子の前記外面上に金属酸化物を堆積させる工程が、ゾル−ゲル法によって金属アルコキシドを加水分解するとともに前記金属アルコキシドを前記各半導体素子の前記外面上に、たえず動かしながら凝縮させる工程を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項１４】
前記各半導体素子の前記外面上に前記非酸化化合物を堆積させる工程が、原料ガスを分解する工程を含む、請求項４に記載の方法。
【請求項１５】
前記原料ガスを分解する工程が、シラン、塩化シラン、フッ化シラン、およびその任意の組合せの群から選択されたガスでアンモニアを分解する工程を含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
原料ガスを分解する工程が、反応性プラズマを使用する工程を含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
前記各半導体素子の前記外面上に前記反射防止コーティング層を堆積させる工程が、さらに、６００から９００オングストロームの厚さのほぼ均一な反射防止コーティング層を堆積させるために、トレー内での振動、振動ボウル転動、ボウル転動、流動層反応、機械撹拌、およびその組合せの少なくとも１つによって、前記半導体素子をたえず動かす工程を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
前記各半導体素子の前記外面上に前記反射防止コーティング層を堆積させる工程が、さらに、６００から９００オングストロームの厚さのほぼ均一な反射防止コーティング層を堆積させるために、前記半導体素子をコラム内に詰め込むとともに前記コラムに原料ガスを供給する工程を含む、請求項１に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般に、球状太陽電池用反射防止コーティングに関し、より詳細には、球状太陽電池のほぼ球状の半導体素子上に反射防止コーティングを堆積させることに関する。
【背景技術】
【０００２】
反射防止コーティングは、入射光の吸収を増大させるために太陽電池に使われている、それによって太陽電池の出力および効率が増大されている。平板状の太陽電池設計が広く使用されてきており、かかる設計用の反射防止コーティング加工は、良く知られている。従来技術の製法では、反射防止コーティングは、化学気相成長によって塗布される。
【０００３】
近年の太陽電池の進歩により、太陽電池アレイ内にほぼ球状のシリコンが使用されるようになり、球状太陽電池と呼ばれている。いくつかのシリコン球体がそれぞれ、入射光を受光するために半球面のみが露出するようにアルミニウム箔中に埋め込まれ、このアルミニウム箔はそれらシリコン球体に光を反射させる働きをする。
【０００４】
アルミニウム箔表面は、シリコン球体上に反射防止コーティングが被覆されたシリコン球体に光を反射させるのに有利である。したがって、球体が受光する光は、アルミニウム箔から反射された光も含む。しかし、シリコン球体を被覆した結果、アルミニウム箔上にも反射防止コーティングが堆積されることになり、結果としてシリコン球体に反射される光が減少する。このため、シリコン球体に当たる入射光が減少し、この結果、太陽電池の出力および効率が低減することになる。
【０００５】
１つの特定の球状太陽電池アレイおよび該太陽電池アレイの製造方法が、２００２年７月２５日公開の米国特許出願第０９／９８８９８８号（公開第２００２／００９６２０６号）に開示されている。この出願は、複数のほぼ球状の光電変換素子を教示している。この出願では、各素子が、それら素子に光を反射させるための支持体にある複数の凹部のそれぞれに装着されている。これらの素子は、ｐ型非晶質ＳｉＣ層で覆われたｎ型非晶質シリコンを含み、ｐｎ接合を形成している。各凹部は六角形で、六角形アレイをなし、各素子は、ｐ型非晶質ＳｉＣ層が支持体に接触するとともに各素子の一部分が支持体を貫通して延びるように、六角形凹部内の開口にそれぞれ装着されている。各素子の、支持体を貫通して延びる部分を機械研磨することによって、ｎ型非晶質シリコンを露出させる。しかし、この特定の太陽電池アレイには、素子から反射する光を減少させるための反射防止コーティングがないという欠点がある。
【０００６】
米国特許第６３５５８７３号は、ｎ型材料で覆われたｐ型材料を含む、複数のほぼ球状の光電変換素子を有する球状太陽電池アレイを開示している。これらの素子は、ワイヤメッシュがｎ型材料に接触するようにワイヤメッシュ内に押し込まれ、各素子が研磨されてその一部分が除去され、ｐ型材料が露出している。ワイヤメッシュ内に埋め込まれた各素子は、凹状をしたアルミニウム箔シートの各凹部内に、各凹部の脚部がｐ型材料に接触するように装着される。この場合も、この太陽電池アレイは、素子から反射する光を減少させるための反射防止コーティングを含まない。さらに、この太陽電池アレイは、各脚部と各素子のｎ型材料とが接触しないように製造しなければならない。
【０００７】
球状太陽電池に反射防止コーティングを付着させる方法の従来技術の１つが、パーカー他に付与された１９９２年１月１４日発行の米国特許第５０８１０６９号に開示されている。この特許では、化学気相成長（ＣＶＤ）リアクタチャンバ内で、大気圧にて加熱したチタンイソプロポキシドをリアクタノズルからＣＶＤリアクタチャンバ内に導入することにより、反射防止コーティングをシリコン球体に付着している。この方法は、金属酸化物（二酸化チタン）の一様な被覆を得る目的で、金属アルコキシドの制御された分解を利用している。しかし、この方法には多くの欠点がある。例えば、金属酸化物が、シリコン球体表面上にほぼ一様には堆積されず、シリコン球体の上面では反射防止コーティング層が比較的厚くなり、シリコン球体の下面では反射防止コーティング層が比較的薄くなる。また、所望の屈折率を得るために行う被覆の緻密化（ｄｅｎｓｉｆｉｃａｔｉｏｎ）が、摂氏約５７７度未満の温度に制限される。これより高い温度では、アルミニウム−シリコン結合において、望ましくないケイ化アルミニウムの液相が形成され、その結果、完成したセルの質が低下することになる。
【０００８】
したがって、従来技術の欠点の少なくともいくつかを回避または軽減する光電太陽電池の製造方法を提供することが望ましい。
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００９】
一態様では、光電太陽電池用集光器の製造方法が提供される。この方法は、複数のほぼ球状の半導体素子を提供することを含む。半導体素子はそれぞれ、コアおよび外面を有し、ｐｎ接合を形成している。各半導体素子の外面上に反射防止コーティングを堆積させ、各半導体素子を穴のあいたアルミニウム箔アレイに結合し、それによって、ｐｎ接合の第１の側とのオーム接触を得る。各半導体素子の一部分から反射防止コーティングを除去し、コアを露出させ、それによってｐｎ接合の第２の側とのオーム接触が可能になる。
【００１０】
本発明の他の態様では、光電太陽電池用集光器の製造方法が提供される。この方法は、複数のほぼ球状の半導体素子を提供することを含む。半導体素子はそれぞれ、ｐ型およびｎ型の半導体材料を含み、各半導体素子内でｐｎ接合を形成している。各半導体素子の外面上に反射防止コーティングを堆積させる。各半導体素子の一部分が穴のあいたアルミニウム箔アレイを貫通して延びアルミニウム箔とｐ型およびｎ型半導体材料の一方との間でオーム接触が得られるように、各半導体素子を穴のあいたアルミニウム箔アレイに結合する。各半導体素子のその部分から反射防止コーティングを除去し、ｐ型またはｎ型材料の他方を露出させる。
【００１１】
本発明のさらに他の態様では、光電太陽電池用集光器の製造方法が提供される。この方法は、ほぼ球状の凹部の六角形アレイを有する穴のあいたアルミニウム箔を提供することを含む。ｐｎ接合を形成するｐ型およびｎ型半導体材料と、半導体素子外面上に反射防止コーティングとを有するほぼ球状の半導体素子を、半導体素子の一部分が穴のあいたアルミニウム箔を貫通して延びアルミニウム箔とｐ型およびｎ型半導体材料の一方との間でオーム接触が得られるように、穴のあいたアルミニウム箔に結合する。半導体素子のその部分から反射防止コーティングを除去し、ｐ型またはｎ型材料の他方を露出させる。
【００１２】
有利には、アルミニウム箔に結合する前に半導体素子を被覆する。したがって、反射防止コーティングがアルミニウム箔上に堆積することはない。また、各半導体素子表面上でほぼ均一な厚さの反射防止コーティングが得られる。さらに、反射防止コーティングの厚さは、様々な所望の厚さのコーティングが得られるように制御可能である。したがって、多種多様な色のうち、どんな色の半導体素子でも製造することができる。
【００１３】
本発明は、以下の図面および以下の説明を参照するとより良く理解されよう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
本発明の第１の実施形態による光電太陽電池の製造方法を説明する。複数のほぼ球状の半導体素子を使用する。半導体素子はそれぞれ、コアと、ドープされたシリコン層の外面とを有し、ドープされたシリコン層の下でｐｎ接合を形成している。各半導体素子の外面上に反射防止コーティングを堆積させ、各半導体素子を穴のあいたアルミニウム箔アレイに結合し、それによってｐｎ接合の第１の側とのオーム接触を得る。次いで、アレイ内の各半導体素子の一部分から反射防止コーティング層と外面を除去し、コアを露出させ、それによって、ｐｎ接合の第２の側とのオーム接触が可能になる。
好ましい態様は以下の方法である。
光電太陽電池用集光器の製造方法であって、穴のあいた凹部アレイを有するアルミニウム箔を用意する工程と、コアおよび外面の一方がｐ型半導体材料で構成され、その他方がｎ型半導体材料で構成され、それによってｐｎ接合が形成された、コアおよび外面を有する、複数のほぼ球状の半導体素子を用意する工程と、前記各半導体素子の前記外面上に反射防止コーティング層を堆積させる工程と、前記コーティングされた各半導体素子を前記各穴の中に装填して、前記コーティングされた各半導体素子を前記アルミニウム箔に結合し、それによって各半導体素子の外面と前記アルミニウム箔とのオーム接触を可能にする工程と、前記コーティングされた各半導体素子の一部分から前記反射防止コーティング層と前記外面を除去し、それによって前記コアを露出させる工程とを含む方法である。
【００１５】
次に、光電太陽電池の製造方法をより詳細に説明する。本明細書で説明する半導体素子は、一般に球状半導体素子と呼ばれるが、他の形状も可能である。半導体素子はそれぞれ、コアおよび外面を有し、外面の下でｐｎ接合を形成することが理解されよう。
【００１６】
半導体素子は、ＣＶＤリアクタ内で、化学気相成長（ＣＶＤ）によって半導体素子の外面上に二酸化チタンを堆積させることにより、半導体素子を二酸化チタンの反射防止コーティングが被覆される。半導体素子表面近くで、高温にてチタンイソプロポキシドの原料蒸気を酸素と反応させることにより分解すると、二酸化チタン（ＴｉＯ2）を堆積させることができる。酸素源を半導体素子の上方に導入する。ガス温度を反応温度に近い温度まで上げるために、チタンイソプロポキシドをＣＶＤリアクタ内に導入するノズルを約１００℃から約１７５℃の温度、好ましくは約１５０℃まで加熱する。チタンイソプロポキシドの分解の助けとなるように、半導体素子もまた、約２００℃から約５００℃の範囲の温度、好ましくは約２５０℃まで加熱する。所望の厚さのほぼ均一な被覆が得られるように、堆積中、堆積領域全体にわたって半導体素子をたえず動かす。
【００１７】
図１を参照すると、堆積ゾーン全体にわたって半導体素子をたえず動かすために、振動トレー１０を使用する。トレー振動駆動部１２がトレーに取り付けられ、加熱マントル１４が半導体素子を予熱するために設けられている。所望の厚さの均一な被覆は、半導体素子を振動トレー１０に複数回通過させることによって得られる。約６００から約９００オングストロームのほぼ均一な被覆厚が望ましく、１回の通過につき約２００オングストロームから約３００オングストロームの二酸化チタンが堆積されるので、半導体素子を振動トレー１０に約３回通過させることによって上記被覆厚が得られる。二酸化チタンを厚さ約６００から約８００オングストロームで被覆させると、良好な反射防止性能を示す１／４の波長の濃紺色コーティングが得られる。反射防止コーティングの厚さを変えることによって、他の色を得ることができ、それによって波長を変えることができるが、その代償として、反射防止効率が低減することになる。付表Ａは、二酸化チタン反射防止コーティングの厚さおよびその結果得られる色を示す表である。
【００１８】
次に、図２および３を参照すると、集光器の規則的な六角形アレイ内の半導体素子アレイの平面図および斜視図がそれぞれ示されている。被覆された半導体素子２２が、穴のあいたアルミニウム箔２４で作成された集光器の規則的な六角形アレイに結合されている。このアルミニウム箔２４の厚さは、約０．０７５ｍｍ（０．００３インチ）から約０．１２５ｍｍ（０．００５インチ）である。集光器の規則的な六角形アレイは、アルミニウム箔２４中に複数のほぼ球状の凹部を有する六角形構造またはハニカム構造である。各球状凹部の曲率半径Ｒは、例えば、０．９１５ｍｍ（０．０３６インチ）である。アルミニウム箔２４は、球状半導体素子２２を受けるための穴または開口を含む。したがって、球状半導体素子２２同士の間隔Ｓは、アルミニウム箔２４にある開口同士の間隔によって決まる。
【００１９】
一般に、各球状半導体素子２２の直径Ｄは、約０．３ｍｍから約０．９ｍｍの範囲であり、好ましくは約０．６ｍｍ（０．０２４インチ）から約０．８ｍｍ（０．０３２インチ）の範囲である。単一のセル内の球状半導体素子２２はそれぞれ、同程度の公称直径を有する。各球状半導体素子２２は、穴のあいたアルミニウム箔２４の各球状凹部に装着され、図示のように球状素子間隔Ｓが得られる。
【００２０】
図４Ａおよび４Ｂは、穴のあいたアルミニウム箔２４に各球状半導体素子２２を装着する様子を示す。各球状半導体素子２２は、アルミニウム箔２４の穴に装填されている。次に、各素子２２を、アルミニウムケイ化物が形成される共融温度未満の温度（約５７７℃未満）、好ましくは、約５４０℃から約５５５℃の範囲の温度で、セル幅１０ｍｍ当たり約２５００ｌｂｓ（１１３４Ｋｇ）から約３５００ｌｂｓ（１５８８Ｋｇ）の範囲の圧延力で結合し、それによって、半導体素子２２とアルミニウム箔２４との結合線の所で反射防止コーティングを溶解させる。したがって、箔２４と半導体素子２２の間でアルミニウム−シリコン結合が形成されて、ｐｎ接合の第１の側とのオーム接触が得られる。
【００２１】
次に、図５Ａを参照すると、ｐｎ接合の第２の側を露出させる前の、穴のあいたアルミニウム箔２４に装着された半導体素子２２の１つが示されている。次いで、化学エッチングによって、各半導体素子２２の裏面から反射防止コーティングを除去する。各半導体素子の裏面に濃縮フッ化水素酸を噴射することにより、各半導体素子２２の裏面を濃縮フッ化水素酸にさらしてＴｉＯ2をエッチング除去する。あるいは、裏面をフッ化水素酸に浸漬させるか、または、裏面にフッ化水素酸および不活性キャリアを含むペーストを付着させる。次に、図５Ｂに示すように、半導体素子のドープシリコン層をエッチング除去するためにフッ化水素酸と硝酸の混合物を用いて各半導体素子の裏面をエッチングし、それによって、ｐｎ接合の第２の側とのオーム接触が可能になる。アルミニウム箔２４は、半導体素子２２裏面のエッチング中、エッチマスクとして働く。代替実施形態では、ドープシリコン層をエッチング除去するために、苛性エッチング液、例えばＮａＯＨ、ＫＯＨ、ＮＨ4ＯＨなどを用いて各半導体素子の裏面をエッチングする。
【００２２】
上述の実施形態の他の改変形態および変形形態も可能である。一変形形態では、半導体素子を振動トレー１０に複数回通過させるのではなく、複数の堆積ノズルを用いて、振動トレー１０を１回通過させるだけで所望の厚さの均一な被覆を実現する。
【００２３】
上述の実施形態の他の変形形態では、所望の厚さのほぼ均一な被覆が得られるように半導体素子をたえず動かすために、半導体素子を振動トレー１０中を通過させるのではなく、多孔回転ドラム内に装填する。この実施形態では、原料蒸気であるチタンイソプロポキシド、酸素源、および窒素がドラム内で分解される。一態様では、多孔回転ドラムは、バッチ処理のために使用される。他の態様では、多孔回転ドラムは、半導体素子が重力によって徐々にドラムを通過するように僅かに傾けられる。この処理は、バッチ処理ではなく連続処理となることが理解されよう。
【００２４】
本明細書にて上述した実施形態のさらに他の変形形態では、振動トレー１０を使用するのではなく、流動層内で半導体素子をたえず動かす。原料蒸気であるチタンイソプロポキシド、酸素源、および窒素キャリアガスをこの層中に流して、半導体素子の内部でチタンイソプロポキシドを分解させる。他の態様では、この流動層は、半導体素子をバッチ処理ではなく、連続処理するように改変されている。
【００２５】
他の実施形態によれば、プラズマ化学気相成長として周知の反応性ガス分解によって、半導体素子を窒化シリコン（Ｓｉ3Ｎ4）反射防止コーティングで被覆する。この実施形態では、シラン（ＳｉＨ4）、またはフッ化シランもしくは塩化シランを、窒素またはアンモニアなどの窒素含有ガスと反応させる。水素プラズマを用いて分解を触媒させる。被覆中、半導体素子をたえず動かす。素子をたえず動かすために、上述の第１の実施形態および変形形態で既に述べた技術と同様の技術を使用することができる。上記で述べたように、反射防止コーティングの厚さを変えることによって様々な色を得ることができ、それによって波長を変えることができる。二酸化チタンに関する付表Ａに示す色と同様の色が、窒化シリコン反射防止コーティングについても得られる。同じ色を得るためには、二酸化チタンでの所与の厚さに１．３６４を乗じることによって窒化シリコンコーティングの厚さを求める。
【００２６】
次いで、上述と同様に、半導体素子をアルミニウム箔に装着する。しかし、この実施形態では、フッ化水素酸を用いてエッチングすることにより各半導体素子の裏面から反射防止コーティングを除去し、続いてフッ化水素酸と硝酸の混合物を用いてエッチングするのではなく、各半導体素子の裏面に機械研磨または化学的機械研磨を施す。この工程によって、各半導体素子の裏面上の反射防止コーティングがドープシリコン層とともに除去されることになる。
【００２７】
一変形形態では、半導体素子をコラム（ｃｏｌｕｍｎ）内に詰め込み、半導体素子をコラムの上部に送りながら、コラムの底部から半導体素子をたえず取り出すことによって素子をたえず動かす。この変形形態では、原料蒸気であるチタンイソプロポキシド、酸素源および窒素は、このコラム内で分解される。
【００２８】
さらに他の実施形態によれば、半導体素子をスパッタリングによって被覆して、二酸化チタン反射防止コーティングを形成する。スパッタリングターゲットを使用して、半導体素子表面上に金属コーティングを作成し、続いてこのコーティングを酸化させる。あるいは、半導体素子の表面上に二酸化チタンを直接堆積させる。この堆積は、二酸化チタンターゲットまたは表面を酸化させたチタンターゲットを用いて行う。上述の実施形態と同様に、被覆中、半導体素子をたえず動かす。しかし、真空でスパッタリングを実施して反射防止コーティングを作成するので、この実施形態では、流動層の使用は適さないことが理解されよう。しかし、素子をたえず動かすための他の技術は使用することができる。
【００２９】
一変形形態では、回転ディスクを用いて半導体素子をたえず動かす。ディスクに素子を導入し、約３６０度回転させる。次いで、素子を収集領域に送り込む（ｓｗｅｅｐ  ｏｆｆ）。
【００３０】
本発明のさらに他の実施形態によれば、改変したゾル−ゲル法を用いて半導体素子を被覆する。この手法を使用する場合、溶剤キャリア中に懸濁した少量の加水分解金属アルコキシドゲル溶液を複数の半導体素子に加える。この溶液が複数の半導体素子の表面を覆って一様に分布し溶剤が蒸発するように、これらの半導体素子をたえず撹拌する。例えば、振動ボウル式バリ取り機、転動ミキサ、およびボールミルを含めて、適当なミキサが多数ある。
【００３１】
本発明のさらに他の実施形態では、アルミニウム箔２４の反射率を改善するために、アルミニウム箔２４に表面処理を施す。当業者には理解されるように、４００ナノメートルから１１００ナノメートルの範囲の光が特に対象となる。というのは、この範囲に太陽光スペクトルの大部分が含まれるからである。アルミニウムの反射率は、７００ナノメートルから９００ナノメートルの範囲で反射率が僅かに低減することを除いては、一般にこの範囲で非たえず良好である。反射率を改善するために、アルミニウム箔２４に表面処理を施す。例えば、被覆された半導体素子２２をアルミニウム箔２４に結合する前に、機械バフ研磨、ブラシ研磨、バニシ仕上げなどの周知の手段によってアルミニウム箔２４を機械研磨してアルミニウム箔２４表面の凹凸を平滑化し、それによって反射率を改善する。アルミニウム自体の色が露出するほど表面をごく平滑に仕上げると、吸光が増大するので、望ましくない。したがって、微視的に微細なひっかき傷（ｓｃｒａｔｃｈ）のある巨視的に平滑な表面が得られるように、（微細なグリットを用いた）研磨剤を使用して機械研磨を実施して、アルミニウム箔２４の反射率を増大させる。
【００３２】
他の表面処理も可能である。これには、例えば、熱リン酸浴エッチング、ブライト（ｂｒｉｔｅ）仕上げ、陽極酸化処理による表面仕上げおよび封孔、例えば苛性ソーダ（ＮａＯＨ）エッチング液を用いた苛性エッチング、および希釈強酸を用いた酸エッチングが含まれる。
【００３３】
アルミニウム箔２４の反射率を改善するための上記の表面処理は、穴のあいたアルミニウム箔アレイ２４を形成する前、すなわち、被覆された半導体素子２２をアルミニウム箔２４に結合する前に実施する。
【００３４】
あるいは、アルミニウム箔２４の反射率を改善するための表面処理を、穴のあいたアルミニウム箔アレイ２４を形成した後、被覆された半導体素子２２をアルミニウム箔に結合する前に実施する。
【００３５】
他の改変形態および変形形態が可能である。例えば、多数のフィーチャの寸法および形状を変えることができる。例えば、二酸化シリコン（ＳｉＯ2）の反射防止コーティングを使用することもできる。二酸化チタンに関する付表Αに示す色と同様の色が、二酸化シリコン反射防止コーティングについても得られる。同じ色を得るためには、二酸化チタンでの所与の厚さに１．８２を乗じることによって二酸化シリコンコーティングの厚さを求める。さらに他の改変形態および変形形態が可能である。こうした改変形態および変形形態はすべて、本発明の範囲および領域内であると考えられる。
【００３６】
【表１】
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【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の実施形態の一態様による、堆積ゾーン全体にわたって半導体素子をたえず動かすために使用する振動トレーの斜視図である。
【図２】本発明の実施形態による、集光器の規則的な六角形アレイ内の半導体素子アレイの平面図である。
【図３】図２の集光器の規則的な六角形アレイ内の半導体素子アレイの斜視図である。
【図４】図４Ａおよび４Ｂは、図２の集光器の穴のあいた箔に装着された半導体素子を示す図である。
【図５】図５Ａは、ｐｎ接合の第２の側を露出させる前の、図４の穴のあいたアルミニウム箔に装着された半導体素子の１つを示す図である。図５Ｂは、ｐｎ接合の第２の側が露出した、図５Ａの半導体素子を示す図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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