(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
相互に異なる方向の電界を形成する少なくとも第１及び第２ドメインを含み、多数個で定義された諸画素と、前記第１及び第２ドメイン上にそれぞれ配置された画素電極と、前記第１及び第２ドメインの境界部にそれぞれ配置され、前記各画素電極と交互に配置されて横電界を形成する諸共通電極と、前記諸共通電極と電気的に繋がったコンタクト部と、前記コンタクト部と電気的に繋がって、前記コンタクト部が配置された画素と隣合う画素に配置され、各画素電極と重なり合っている共通配線と、画素の上側と下側に配置された複数の共通リンク配線と、前記共通電極と絶縁膜を間に置いて重畳され、前記各画素の上側、下側または、上下側に配置されたリペア部を含む液晶表示装置。
【請求項２】
前記共通配線は、前記画素電極と絶縁膜を間に置いて重畳されることを特徴とする、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記共通リンク配線が相互に隣合う諸画素にそれぞれ配置された共通配線に、相互電気的に連結することを特徴とする、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記画素電極と前記共通電極は、透明な導電体で構成されたことを特徴とする、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
絶縁膜を間に置いて重畳された前記画素電極と前記共通配線を具備するストーリッジキャパシタンスを更に含むことを特徴とする、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記第１及び第２ドメイン上にそれぞれ配置された画素電極は、相互対称的な勾配を持つことを特徴とする、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
第１及び第２ドメインを具備する複数の画素と、前記多数の画素の中でｎ番目画素に配置されて、前記第１及び第２ドメインの境界部上に配置されたコンタクト部と、前記多数の画素の中でｎ＋１番目画素の一側に配置されて、前記コンタクト部と電気的に繋がった共通配線と、前記共通配線及びコンタクト部を含む基板上に配置された絶縁膜と、前記絶縁膜上に相互一定の間隔を持って配置されて、前記第１及び第２ドメイン上にそれぞれ配置されて、相互異なる勾配を持つ諸第１画素電極と、前記諸第１画素電極を相互電気的に連結し、前記共通配線と重畳し、前記絶縁膜上に配置された第２画素電極と、前記諸第１画素電極と交互に配置された諸第１共通電極と、前記第１及び第２ドメインの境界部上に配置されて、前記コンタクト部と電気的に繋がった第２共通電極と、前記諸第１共通電極と前記第２共通電極を相互電気的に連結する第３共通電極と、画素の上側と下側に配置された複数の共通リンク配線と、絶縁膜を間に置いて前記第３共通電極の一部と重畳され、前記各画素の上側、下側または、上下側に配置されたリペア部を含む液晶表示装置。
【請求項８】
前記画素の他側の周辺に配置されたゲート配線と、前記ゲート配線と交差して、前記共通配線と平行するデータ配線と、前記画素上に配置されて前記ゲート配線及び前記データ配線と電気的に繋がって前記第２画素電極と電気的に繋がった薄膜トランジスターと、を含むことを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記共通配線は、前記ゲート配線と平行に配置されて、相互に隣合う諸画素にそれぞれ配置された諸共通配線を相互電気的に連結する共通リンク配線を含むことを特徴とする、請求項８に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記共通配線と前記コンタクト部は、一体に構成されたことを特徴とする、請求項７に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
前記第１及び第２ドメイン上にそれぞれ配置された諸第１画素電極は、相互対称された勾配を持つことを特徴とする、請求項７に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
液晶表示装置に関するものであり、具体的には高開口率を確保することができる液晶表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
表示装置は、情報通信の発達と共に目覚ましい発展をしている。表示装置は、現代人にとって必需品になっている。表示装置の中で、液晶表示装置は、光源及び液晶パネルを含む。
【０００３】
前記光源は、前記液晶パネルに光を提供する。前記液晶パネルは、電界を利用して液晶を駆動する。この際、前記液晶の駆動によって前記液晶パネルを透過する前記光の透過率を調節して、液晶表示装置は、画像を表現する。ここで、前記液晶が屈折率の異方性を持つため、前記液晶表示装置は、狭い視野角を有する。
【０００４】
前記液晶表示装置は、視野角改善のために、画素上に相互画素電極と共通電極を交替に配置して、基板に対して水平方向の電界を形成する横電界型液晶表示装置が開発された。
【０００５】
図１は、従来の横電界液晶表示装置を図示した平面図である。
【０００６】
図１を参照すれば、横電界液晶表示装置は、基板上に相互交差して配置されたゲート配線１と、データ配線２によって定義された多数の画素と、前記各画素に配置された薄膜トランジスターと画素電極３及び共通電極４を含む。ここで、前記画素電極３の一部と前記共通電極４の一部は、交互に配置されて、横電界を形成する。
【０００７】
横電界液晶表示装置は、前記各画素に共通電圧を印加するための共通配線５、６を更に含む。多数の画素にそれぞれ配置された共通配線５、６は、相互電気的に繋がっている。ここで、前記共通配線５、６は、前記画素の両側に配置されたそれぞれの第１及び第２共通配線５、６を含む。前記第１共通配線５は、前記画素電極３の一部と重畳してストーリッジキャパシターを形成する。また、前記第２共通配線６は、前記共通電極４と電気的に繋がって、前記共通電極４に共通電圧を印加する。
【０００８】
しかし、前記各画素の両側にそれぞれ配置された第１及び第２共通配線５、６によって、前記ゲート配線１と平行する光漏洩、すなわち横線欠陥(horizontal line defect)が発生することがある。これは、液晶表示装置を形成するための工程ので液晶の配向工程において、前記ゲート配線１に対して水平方向に液晶配向を遂行する場合、前記第１及び第２共通配線５、６の段差によって前記第１及び第２共通配線５、６の周辺が、他の領域に比べて配向がうまくいかないことがある。
【０００９】
特に、前記第２共通配線６は、前記共通電極４の一部と重畳するように形成されることによって、前記第２共通配線６の段差は、増加するようになり、前記横線欠陥は、さらに深刻に発生することがある。
【００１０】
さらに、横電界液晶表示装置は、画素上に画素電極３と共通電極４が配置されることによって、開口率が低下する問題点があった。
【００１１】
図面には表示したが、説明しなかった参照番号７は、薄膜トランジスターと画素電極３を相互電気的に連結する第１コンタクトホールで、参照番号８は、共通電極４と第２共通配線６を相互連結する第２コンタクトホールである。
【００１２】
よって、従来液晶表示装置は、視野角及び開口率を同時に確保することができないだけでなく、横線欠陥のような画質が低下する問題点があった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明の課題は、視野角及び開口率を同時に確保することができる液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明による液晶表示装置は、相互異なる方向の電界を形成する少なくとも第１及び第２ドメインを含み、多数個で定義された諸画素、前記第１及び第２ドメイン上に配置された画素電極、前記画素電極と交替に配置されて横電界を形成する共通電極、前記第１及び第２ドメインの境界部に配置された共通電極と電気的に繋がったコンタクト部、及び前記コンタクト部と電気的に繋がって、前記コンタクト部が配置された画素と隣合う画素に配置された共通配線を含む。
【００１５】
また、本発明による液晶表示装置は、第１及び第２ドメインを具備する画素を含む基板、前記画素の一側に配置された共通配線、前記第１及び第２ドメインの境界部上に配置されて、前記画素と隣合う画素に具備された共通配線と電気的に繋がったコンタクト部、前記共通配線及びコンタクト部を含む基板上に配置された絶縁膜、前記絶縁膜上に相互一定の間隔を持って配置されて、前記第１及び第２ドメインとそれぞれ対応して異なる勾配を持つ諸第１画素電極、前記諸第１画素電極を相互電気的に連結し、前記共通配線と重畳し、前記絶縁膜上に配置された第２画素電極、前記諸第１画素電極と交替に配置された諸第１共通電極、前記第１及び第２ドメインの境界部上に配置されて、前記コンタクト部と電気的に繋がった第２共通電極、及び前記諸第１共通電極と前記第２共通電極を相互電気的に連結する第３共通電極を含む。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、視野角及び開口率を同時に確保できる液晶表示装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、添付された図面を参照して、本発明の実施例による液晶表示装置について詳細に説明する。なお、本発明は下記の実施例に制限されることなく、該当の分野で通常の知識を持った者であれば、本発明の技術的思想に基づく範囲内で、本発明を多様な違う形態で具現することができるだろう。
【００１８】
図２Ａ及び図２Ｂは、本発明の第１実施例による液晶表示装置を説明するために図示した図面である。図２Ａは、本発明の第１実施例による液晶表示装置の平面図で、図２Ｂは、図２Ａに図示されたＩ-Ｉ′とII-II′ラインに沿って切断した断面図である。
【００１９】
図２Ａ及び図２Ｂを参照すれば、液晶表示装置は、映像を表示するための多数の画素を含む。
【００２０】
前記各画素は、少なくとも第１及び第２ドメインＤ１、Ｄ２を含む。前記第１及び第２ドメインＤ１、Ｄ２は、相互異なる方向の電界を形成する。例えば、前記第１及び第２ドメインＤ１、Ｄ２は、相互対称する方向の電界を形成することができる。これによって、前記第１及び第２ドメインＤ１、Ｄ２にそれぞれ配置された液晶は、前記電界によって相互異なる方向に配向することができて、視野角を改善することができる。
【００２１】
前記各画素は、基板１００上に相互交差するゲート配線１０１とデータ配線１１１によって定義されることができる。すなわち、前記ゲート配線１０１とデータ配線１１１は、各画素の周辺に配置されることができる。例えば、前記ゲート配線１０１とデータ配線１１１が直交する場合、前記各画素は、四角形の形態を持つことができる。この時、多数の画素は、メッシュ形態に配置されることができる。前記ゲート配線１０１とデータ配線１１１は、その間に介在するゲート絶縁膜１１０によって相互絶縁される。
【００２２】
前記各画素に共通配線１０３が配置される。前記共通配線１０３は、前記各画素の一側に配置されることができる。前記共通配線１０３は、前記データ配線１１１と平行して一定の間隔を持つことができる。前記共通配線１０３は、その間に絶縁膜を置いて後述される第２画素電極１２４ｂと重畳してストーリッジキャパシタンスを形成する。前記絶縁膜は、ゲート絶縁膜１１０及び後述される保護膜１２０の積層膜であることがある。前記共通配線１０３は、前記ゲート配線１０１と同一材質で形成されて、同一層に配置されることができる。
【００２３】
前記共通配線１０３と電気的に繋がったコンタクト部１０５が配置されている。前記コンタクト部１０５は、前記共通配線１０３と後述される共通電極１２５を相互電気的に連結させる。前記コンタクト部１０５は、液晶表示装置の開口率低下を防止するために前記第１及び第２ドメインＤ１、Ｄ２の境界部上に配置される。ここで、前記第１及び第２ドメインＤ１、Ｄ２の境界部は、液晶分子の配向が乱れるディスクリネーションが形成されて、液晶が駆動されない。前記第１及び第２ドメインＤ１、Ｄ２の境界部は、光を透過しない非透過領域、すなわちデッド領域である。前記各画素のデッド領域に、光を透過することができないコンタクト部１０５を配置するによって、開口率が低下することを防止することができる。
【００２４】
前記コンタクト部１０５と前記共通配線１０３が同一画素に配置される場合、前記共通配線１０３と前記共通電極１２５は、相互重畳して形成されることができる。これにより、前記共通配線１０３の段差は増加するようになる。ここで、液晶の配向工程を前記ゲート配線１０１に対して水平するように遂行する場合、前記共通配線１０３の段差によって前記共通配線１０３の周辺が、他の領域に比べて配向がうまくいかないことがある。これにより、前記共通配線１０３と平行する光漏洩、すなわち横線欠陥が発生することがある。
【００２５】
前記のようなラビング不良による横線欠陥を防止するために前記コンタクト部１０５は、前記画素と隣合う画素に配置された共通配線１０３と電気的に連結させる。前記コンタクト部１０５と前記共通配線１０３の間の接触経路を減らして、コンパクトで単純な構造を持つために前記隣合う画素は、前記コンタクト部１０５と接した画素であることがある。例えば、前記コンタクト部１０５がｎ番目画素に配置される場合、前記コンタクト部１０５は、前記ｎ番目画素と隣合うｎ＋１番目画素に配置された共通配線１０４と電気的に接触させることができる。これによって、前記共通配線１０３は、ストーリッジキャパシタンス（蓄積容量）を形成して、前記隣合う画素に配置されたコンタクト部と電気的に繋がるために前記画素の一側にだけ配置されるので、前記共通配線１０３によるラビング不良によっての横線欠陥が発生することを防止することができる。
【００２６】
また、前記共通配線１０３が前記画素の一側にだけ配置されることによって、前記画素で前記共通配線１０３が占める領域を減らすことができる。これで、液晶表示装置の開口率が低下することを防止することができる。
【００２７】
前記画素の上、下側の中で、少なくともその一つに共通リンク配線１０４が配置されることができる。前記共通リンク配線１０４は、前記各画素に配置された諸共通配線１０３を相互電気的に連結させる。前記共通リンク配線１０４は、前記ゲート配線１０１と平行して一定の間隔を持つことができる。
【００２８】
前記共通配線１０３、前記コンタクト部１０５及び前記共通リンク配線１０４は、一体で構成されることができる。
【００２９】
前記各画素に薄膜トランジスターが配置されている。前記薄膜トランジスターは、ゲート電極１０２、半導体パターン１１２、ゲート絶縁膜１１０、ソース電極１２２及びドレーン電極１３２を含む。ここで、前記ゲート電極１０２は、前記ゲート配線１０１と電気的に繋がっている。前記ソース電極１２２は、前記データ配線１１１と電気的に繋がっている。これで、前記薄膜トランジスターは、前記ゲート配線１０１及び前記データ配線１１１と電気的に繋がっている。また、前記半導体パターン１１２は、活性パターン１１２ａとオミックコンタクトパターン１１２ｂを含む。前記オミックコンタクトパターン１１２ｂは、前記活性パターン１１２ａとソース電極１２２間及び前記活性パターン１１２ａと前記ドレーン電極１３２の間にそれぞれ介在することができる。
【００３０】
図面において、前記薄膜トランジスターは、電気的特性を向上させるために前記薄膜トランジスターのチャンネル形態は、チャンネル幅を向上させることができるＵ字形で図示しているが、これに限定されるのではない。
【００３１】
前記各画素に液晶駆動のための電界を形成する画素電極１２４と共通電極１２５が配置されている。
【００３２】
前記画素電極１２４は、光を透過することができる導電体で構成されることができる。例えば、前記画素電極１２４は、光を透過することができるＩＴＯまたは、ＩＺＯで構成されることができる。
【００３３】
前記画素電極１２４は、諸第１画素電極１２４ａと第２画素電極１２４ｂを含むことができる。
【００３４】
前記諸第１画素電極１２４ａは、相互一定の間隔で離隔してある。前記諸第１画素電極１２４ａは、前記ゲート配線１０１に対して一定の勾配を持つバー形態を持つことができる。前記第１及び第２ドメインＤ１、Ｄ２は、相互異なる方向の電界を形成するため、前記第１及び第２ドメインＤ１、Ｄ２にそれぞれ配置された諸第１画素電極１２４ａは、前記ゲート配線１０１に対して相互異なる勾配を持つ。例えば、前記第１及び第２ドメインＤ１、Ｄ２にそれぞれ配置された諸第１画素電極１２４ａは、相互対称する勾配を持つことができる。
【００３５】
前記第２画素電極１２４ｂは、前記諸第１画素電極１２４ａを相互電気的に連結する。前記第２画素電極１２４ｂは、前記諸第１画素電極１２４ａと一体で構成されることができる。前記第２画素電極１２４ｂの一部は、前記薄膜トランジスターのドレーン電極１３２と電気的に繋がっている。前記第２画素電極１２４ｂは、前記共通配線１０３と絶縁膜を間に置いて重畳してストーリッジキャパシタンスを形成することができる。前記絶縁膜は、ゲート絶縁膜１１０及び後述される保護膜１２０の積層膜であることがある。前記ストーリッジキャパシタンスを向上させるために前記第２画素電極１２４ｂは、前記共通リンク配線１０４と対応された絶縁膜上に更に延長されることができる。この時、前記第２画素電極１２４ｂは、
【数１】
0005279434.tif 000002
の形態を持つことができる。
【００３６】
前記共通電極１２５は、光を透過することができる透明な導電体で構成されることができる。前記共通電極１２５は、諸第１共通電極１２５ａ、第２共通電極１２５ｂ及び第３共通電極１２５ｃを含む。
【００３７】
前記諸第１共通電極１２５ａは、一定の間隔を維持して、前記諸第１画素電極１２４ａとそれぞれ交互に配置される。これで、前記諸第１共通電極１２５ａは、前記第１及び第２ドメインＤ１、Ｄ２に相互異なる勾配を持つ。例えば、前記第１及び第２ドメインＤ１、Ｄ２にそれぞれ配置された前記諸第１共通電極１２５ａは、相互対称的な勾配を持つことができる。
【００３８】
前記第１画素電極１２４ａに前記薄膜トランジスターの電気的信号が印加されて、前記第１共通電極１２５ａに共通電圧を印加する場合、前記第１共通電極１２５ａと前記第１画素電極１２４ａの間に横電界が形成される。この時、前記諸第１共通電極１２５ａと前記諸第１画素電極１２４ａは、前記第１及び第２ドメインＤ１、Ｄ２上にそれぞれ相互異なる勾配を持つことによって、前記横電界は、前記第１及び第２ドメインＤ１、Ｄ２において相互異なる方向を持つ。例えば、前記第１及び第２ドメインＤ１、Ｄ２にそれぞれ形成された横電界は、相互対称的な方向性を持つ。これによって、前記液晶表示装置は、視野角を向上させることができる。
【００３９】
前記第２共通電極１２５ｂは、前記第１及び第２ドメインＤ１、Ｄ２の境界部上に配置される。前記第２共通電極１２５ｂは、前記コンタクト部１０５と電気的に繋がれる。これで、前記第２共通電極１２５ｂは、前記諸共通配線１０３より共通電圧を印加されることができる。
【００４０】
前記第２共通電極１２５ｂの両側には、それぞれ諸第１画素電極１２４ａが配置されて横電界を形成する。前記第２共通電極１２５ｂの両側は、それぞれ前記第１及び第２ドメインＤ１、Ｄ２であるので、前記第２共通電極１２５ｂの両側にそれぞれ配置された諸第１画素電極１２４ａは、相互異なる勾配を持つ。これによって、前記第２共通電極１２５ｂの両側面は、相互異なる勾配を持つことができる。また、前記第２共通電極１２５ｂは、前記コンタクト部１０５と電気的に接触されるために、前記第１共通電極１２５ａに比べて大きい面積を持つことができる。
【００４１】
前記第３共通電極１２５ｃは、前記諸第１共通電極１２５ａと前記第２共通電極１２５ｂを相互電気的に連結させる。
【００４２】
前記第１、第２及び第３共通電極１２５ａ、１２５ｂ、１２５ｃは、一体で構成されることができる。
【００４３】
さらに、前記薄膜トランジスターを含む基板１００上に保護膜１２０が更に配置されることができる。前記保護膜１２０は、薄膜トランジスターを保護する絶縁体で構成されることができる。これによって、前記画素電極１２４及び共通電極１２５は、前記保護膜１２０上に配置されることができる。
【００４４】
よって、本発明の液晶表示装置は、前記各画素に配置された画素電極１２４と共通電極１２５を透明な導電体で形成して、開口率を向上させることができる。
【００４５】
また、前記画素を相互異なる方向の電界を形成する少なくとも２個のドメインに区分して、前記ドメインの境界部、すなわち非透過領域に共通電極１２５と共通配線１０３を相互電気的に接触させることによって、視野角を改善すると同時に開口率を向上させることができる。
【００４６】
また、前記共通電極１２５は、前記画素と隣合う隣り画素に具備された共通配線１０３と電気的に繋がることによって、前記共通配線１０３の段差により発生するラビング不良によって発生する横線欠陥を防止することができる。
【００４７】
図３Ａ及び図３Ｂは、本発明の第２実施例による液晶表示装置を説明するために図示した図面である。図３Ａは、本発明の第２実施例による液晶表示装置の平面図で、図３Ｂは、図３Ａに図示されたIII-III′ラインに沿って切断した断面図である。本発明の第２実施例は、リペア部を除いて前で説明した第１実施例と同一構成を有する。よって、本発明の第２実施例は、第１実施例と重なる説明は、省略して記述する。
【００４８】
図３Ａ及び図３Ｂを参照すれば、液晶表示装置は、相互異なる方向の電界を形成する第１及び第２ドメインＤ１、Ｄ２を含む画素、前記画素に配置されて横電界を形成する画素電極１２４及び共通電極１２５、前記第１及び第２ドメインＤ１、Ｄ２の間の境界部に配置された共通電極１２５と接触するコンタクト部１０５を含む。前記コンタクト部１０５は、前記画素と隣合う隣り画素に配置された共通配線１０３と電気的に繋がれる。
【００４９】
前記共通電極１２５は、前記諸画素電極１２４と交互に配置された諸第１共通電極１２５ａ、前記第１及び第２ドメインＤ１、Ｄ２の境界部上に配置されて前記コンタクト部１０５と電気的に繋がった第２共通電極１２５ｂ、及び前記諸第１共通電極１２５ａと前記第２共通電極１２５ｂを相互電気的に連結する第３共通電極１２５ｃを含む。
【００５０】
前記第２共通電極１２５ｂと前記共通配線１０３は、前記第１及び第２ドメインＤ１、Ｄ２の間の境界部、すなわち、非透過領域に配置された前記コンタクト部１０５によって相互電気的に繋がることによって、開口率が低下することを防止することができる。
【００５１】
相互隣合う諸画素に配置された前記諸共通配線１０３は、共通リンク配線１０４によって相互電気的に繋がる。ここで、前記共通配線１０３と共通リンク配線１０４は、一体で構成されることができる。
【００５２】
前記共通リンク配線１０４は、前記ゲート配線１０１と平行して、前記画素の上側、下側または、上下側に配置されることができる。
【００５３】
前記共通リンク配線１０４は、絶縁膜、例えばゲート絶縁膜１１０または、ゲート絶縁膜１１０及び保護膜１２０の積層膜を間に置いて前記第１共通電極１２５aと重畳するリペア部１０６を含むことができる。これによって、前記リペア部１０６は、前記画素の上側、下側または、上下側に配置されることができる。
【００５４】
ここで、前記第２共通電極１２５bと前記コンタクト部１０５の間に接触不良が発生する場合、前記リペア部１０６にリペア処理をして前記第１共通電極１２５aと前記リペア部１０６を相互電気的に連結させる。これで、前記共通電極１２５と前記共通配線１０３を相互電気的に連結させる。すなわち、前記第２共通電極１２５bと前記コンタクト部１０５の間に接触不良が発生する場合、前記リペア部１０６のリペア処理によって液晶表示装置の暗点不良が発生することを防止することができる。
【００５５】
図４Ａないし図４Ｃと図５Ａないし図５Ｃは、本発明の第３実施例による液晶表示装置の製造方法を説明するために図示した図面である。
【００５６】
図４Ａないし図４Ｃは、発明の第３実施例による液晶表示装置の製造方法を説明するために図示した平面図であり、図５Ａないし図５Ｃは、図４Ａないし図４Ｃにそれぞれ図示されたIV-IV′とＶ-Ｖ′ラインに沿って切断した断面図である。
【００５７】
図４Ａ及び図５Ａを参照すれば、液晶表示装置を提供するため、多数の画素が定義された基板１００を提供する。前記各画素は、少なくとも第１及び第２ドメインＤ１、Ｄ２に区分することができる。
【００５８】
前記基板１００は、光を透過することができる透明な材質で構成されることができる。例えば、前記基板１００の材質は、硝子、プラスチック等であることができる。
【００５９】
前記基板１００上に導電膜を形成した後、前記導電膜を蝕刻してゲート配線１０１、ゲート電極１０２、共通配線１０３及びコンタクト部１０５を形成する。
【００６０】
前記導電膜は、蒸着法を通じて形成することができる。前記導電膜の材質の例としては、金属であることがある。前記導電膜の蝕刻は、前記導電膜上に一定のパターンを持つフォトレジストパターンを形成した後、前記フォトレジストパターンを蝕刻マスクにして行われることができる。
【００６１】
前記ゲート電極１０２は、各画素に形成することができる。前記ゲート配線１０１と前記ゲート電極１０２は、一体で構成されることができる。
【００６２】
前記コンタクト部１０５は、開口率が低下することを防止するため、非透過領域である前記第１及び第２ドメインＤ１、Ｄ２の境界部上に形成することができる。
【００６３】
前記共通配線１０３は、前記各画素の一側に形成することができる。前記共通配線１０３は、隣合う画素に配置されたコンタクト部１０５と電気的に繋がっている。これによって、後続工程でラビング不良が発生することを防止することができる。
【００６４】
さらに、前記多数の画素に配置された諸共通配線１０３を相互電気的に連結させる共通リンク配線１０４を更に形成することができる。前記共通配線１０３、前記コンタクト部１０５及び前記共通リンク配線１０４は、一体で構成されることができる。
【００６５】
以後、前記ゲート配線１０１、ゲート電極１０２、共通配線１０３及びコンタクト部１０５を含む基板１００上にゲート絶縁膜１１０を形成する。前記ゲート絶縁膜１１０は、化学的気相成長法を通じて形成することができる。前記ゲート絶縁膜１１０は、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜及びこれらの積層膜の中で、どれか一つに形成することができる。
【００６６】
図３Ｂ及び図４Ｂを参照すれば、前記ゲート電極１０２と対応されたゲート絶縁膜１１０上に半導体パターン１１２を形成する。
【００６７】
前記半導体パターン１１２を形成するため、先に前記ゲート絶縁膜１１０上に非晶質シリコン膜と不純物を含む非晶質シリコン膜を順次に形成する。前記非晶質シリコン膜と不純物を含む非晶質シリコン膜は、化学的気相成長法を通じて形成することができる。以後、前記非晶質シリコン膜と不純物を含む非晶質シリコン膜を蝕刻して、前記ゲート電極１０２と対応する活性パターン１１２aとチャンネル領域の活性パターン１１２aを露出するオーミックコンタクトパターン１１２bを形成する。これで、前記活性パターン１１２aとオーミックコンタクトパターン１１２bを含む半導体パターン１１２を形成することができる。
【００６８】
前記半導体パターン１１２の両端部にそれぞれ配置されたソース電極１２２及びドレーン電極１３２を形成する。これと同時に、前記ゲート配線１０１と交差するデータ配線１１１を形成する。ここで、前記ゲート配線１０１と前記データ配線１１１の交差によって画素が定義されることができる。
【００６９】
前記ソース電極１２２、ドレーン電極１３２及びデータ配線１１１を形成するため、先に前記半導体パターン１１２を含む基板１００上に導電膜を形成する。以後、前記導電膜を蝕刻してチャンネルを間に置いて、前記半導体パターン１１２上に配置されたソース電極１２２及びドレーン電極１３２とデータ配線１１１を形成する。前記データ配線１１１と前記ソース電極１２２は、一体で形成することができる。
【００７０】
これで、前記基板１００上に薄膜トランジスターとゲート配線１０１、データ配線１１１、共通配線１０３、コンタクト部１０５及び共通リンク配線１０４を形成することができる。
【００７１】
図３Ｃ及び図４Ｃを参照すれば、前記薄膜トランジスターを含む基板１００上に保護膜１２０を形成する。前記保護膜１２０は、有機膜、無機膜及びこれらの積層膜で構成されることができる。前記有機膜の例としては、アクリル係樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアリールエーテル樹脂、ヘテロサイクリックポリマー樹脂、パリレン樹脂、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂等が挙げられる。前記無機膜の例としては、酸化シリコン、窒化シリコン及びこれらの積層膜等が挙げられる。
【００７２】
ここで、前記保護膜１２０が有機膜に形成される場合、前記保護膜１２０は、スリットコーティング、スプレーコーティング法、スピンコーティング法などを通じて形成することができる。一方、前記保護膜１２０が無機膜に形成される場合、前記保護膜１２０は、化学的気相成長法を通じて形成することができる。
【００７３】
以後、前記保護膜１２０に前記ドレーン電極１３２の一部を露出する第１コンタクトホールを形成する。これと同時に、前記保護膜１２０と前記ゲート絶縁膜１１０を蝕刻して前記コンタクト部１０５の一部を露出する第２コンタクトホールを形成する。
【００７４】
前記保護膜１２０上に前記第１コンタクトホールを通じてドレーン電極１３２と電気的に繋がった画素電極１２４と、前記第２コンタクトホールを通じて前記コンタクト部１０５と電気的に繋がった共通電極１２５を形成する。
【００７５】
前記画素電極１２４と共通電極１２５を形成するため、前記保護膜１２０上に透明導電膜を形成する。前記透明導電膜は、蒸着法で形成することができる。前記透明導電膜の材質の例としては、ＩＴＯまたは、ＩＺＯが挙げられる。前記透明導電膜を蝕刻して、前記画素電極１２４と共通電極１２５を形成することができる。
【００７６】
前記画素電極１２４は、諸第１画素電極１２４ａ及び第２画素電極１２４ｂを含む。前記諸第１画素電極１２４ａは、相互一定の間隔を持って配置されて、前記第１及び第２ドメインＤ１、Ｄ２とそれぞれ対応して異なる勾配を持つ。前記第２画素電極１２４ｂは、前記諸第１画素電極１２４ａを相互電気的に連結する。また、前記第２画素電極１２４ｂは、前記共通配線１０３と重畳し、前記保護膜１２０上に配置されてストーリッジキャパシタンスを形成することができる。
【００７７】
前記共通電極１２５は、前記諸第１画素電極１２４ａと交互に配置された諸第１共通電極１２５ａと、前記第１及び第２ドメインＤ１、Ｄ２の境界部上に配置されて前記コンタクト部１０５と電気的に繋がった第２共通電極１２５ｂ、及び前記諸第１共通電極１２５ａと前記第２共通電極１２５ｂを相互電気的に連結する第３共通電極１２５ｃを含むことができる。
【００７８】
さらに、前記共通リンク配線１０４は、前記第２画素電極１２４ｂの一部と重畳されたリペア部（図２Ａ及び度２Ｂに図示された１０６)を更に形成することができる。前記共通電極１２５と前記コンタクト部１０５の接触不良が発生した場合、前記リペア部１０６に前記共通電極１２５と前記共通配線１０３を相互連結させるためのリペア工程を更に遂行することができる。
【００７９】
以後、前記画素電極１２４と共通電極１２５を含む基板１００上に配向幕(図面には図示しない)を更に形成することができる。前記配向膜を形成するために前記基板上に配向樹脂膜を形成した後、前記配向樹脂膜に配向工程を遂行する。前記配向工程は、光配向法または、ラビング法を利用して遂行することができる。例えば、前記配向膜は、前記ゲート配線１０１と水平する方向性を持つことができる。
【００８０】
前記配向工程がラビング工程で遂行される場合、前記共通配線１０３は、前記画素の少なくとも一側にだけ配置されるので、前記共通配線１０３の段差によってラビング不良が発生して光漏洩、例えば横線欠陥が発生することを防止することができる。
【００８１】
以後、前記配向幕が形成された基板上に、上部基板を合着する工程、前記基板と前記上部基板の間に液晶層を形成する工程、外部ケースの組み立て段階等を遂行して液晶表示装置を製造することができる。ここで、合着工程及び液晶層形成工程の順番は、変更することができて、本発明の実施例で限定するのではない。
【００８２】
よって、本発明の実施例で、前記共通電極１２５と前記共通配線１０３のコンタクトは、第１及び第２ドメインＤ１、Ｄ２領域の境界部、すなわち非透過領域で接触させることによって、開口率が低下することを防止することができる。
【００８３】
また、前記共通電極１２５と前記共通配線１０３の電気的連結において、前記共通配線１０３は、隣合う画素に配置されることによって、開口率が低下することを防止して、ラビング不良による横線欠陥が発生することを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８４】
【図１】従来の横電界液晶表示装置を図示した平面図である。
【図２Ａ】本発明の第１実施例による液晶表示装置の平面図である。
【図２Ｂ】図２Ａに図示されたＩ-Ｉ′とII-II′ラインに沿って切断した断面図である。
【図３Ａ】本発明の第２実施例による液晶表示装置の平面図である。
【図３Ｂ】図３Ａに図示されたIII-III′ラインに沿って切断した断面図である。
【図４Ａ】発明の第３実施例による液晶表示装置の製造方法を説明するために図示した平面図である。
【図４Ｂ】発明の第３実施例による液晶表示装置の製造方法を説明するために図示した平面図である。
【図４Ｃ】発明の第３実施例による液晶表示装置の製造方法を説明するために図示した平面図である。
【図５Ａ】図４Ａないし図４Ｃにそれぞれ図示されたIV-IV′とＶ-Ｖ′ラインに沿って切断した断面図である。
【図５Ｂ】図４Ａないし図４Ｃにそれぞれ図示されたIV-IV′とＶ-Ｖ′ラインに沿って切断した断面図である。
【図５Ｃ】図４Ａないし図４Ｃにそれぞれ図示されたIV-IV′とＶ-Ｖ′ラインに沿って切断した断面図である。
【符号の説明】
【００８５】
１ゲート配線
２データ配線
３画素電極
４共通電極
５、６共通配線
７、８コンタクトホール
１００基板
１０１ゲート配線
１０２ゲート電極
１０３共通配線
１０４共通配線
１０５コンタクト部
１０６リペア部
１１０ゲート絶縁膜
１１１データ配線
１１２半導体パターン
１１２ａ活性パターン
１１２ｂオミックコンタクトパターン
１２０保護膜
１２２ソース電極
１２４、１２４ａ、１２４ｂ画素電極
１２５、１２５ａ、１２５ｂ、１２５ｃ共通電極
１３２ドレーン電極
【図１】
0005279434.tif 000003
【図２Ａ】
0005279434.tif 000004
【図２Ｂ】
0005279434.tif 000005
【図３Ａ】
0005279434.tif 000006
【図３Ｂ】
0005279434.tif 000007
【図４Ａ】
0005279434.tif 000008
【図４Ｂ】
0005279434.tif 000009
【図４Ｃ】
0005279434.tif 000010
【図５Ａ】
0005279434.tif 000011
【図５Ｂ】
0005279434.tif 000012
【図５Ｃ】
0005279434.tif 000013