(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｍｇ欠陥不純物中心を有するマグネシウム酸化物含有粒子が表面に付着されるマグネシウム酸化物含有膜を含み、前記マグネシウム酸化物含有粒子は、規則的なパターンで形成されており、Ｍｇ欠陥不純物中心を形成する不純物として希土類元素及びＡｌ、Ｃａ及びＳｉよりなる群から選ばれた一つ以上の元素をさらに含む、プラズマディスプレイパネル用保護膜。
【請求項２】
前記マグネシウム酸化物含有粒子の陰極線発光スペクトルが、３．１ｅＶないし６ｅＶの範囲で、Ｍｇ欠陥不純物中心によるピークを有することを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル用保護膜。
【請求項３】
前記マグネシウム酸化物含有粒子の陰極線発光スペクトルが、３．１ｅＶないし４．２ｅＶの範囲で、Ｍｇ欠陥不純物中心によるピークを有することを特徴とする請求項１または２に記載のプラズマディスプレイパネル用保護膜。
【請求項４】
前記マグネシウム酸化物含有粒子の陰極線発光スペクトルが、３．３５ｅＶないし３．８７ｅＶの範囲で、Ｍｇ欠陥不純物中心によるピークを有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のプラズマディスプレイパネル用保護膜。
【請求項５】
前記マグネシウム酸化物含有膜が、希土類元素をさらに含んだことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のプラズマディスプレイパネル用保護膜。
【請求項６】
前記マグネシウム酸化物含有膜が、Ａｌ、Ｃａ及びＳｉからなる群から選択された一つ以上の元素をさらに含むことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載のプラズマディスプレイパネル用保護膜。
【請求項７】
前記マグネシウム酸化物含有膜が、Ｓｃをさらに含んだことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載のプラズマディスプレイパネル用保護膜。
【請求項８】
前記マグネシウム酸化物含有粒子が、５０ｎｍないし２μｍの平均粒径を有することを特徴とする請求項１〜７のいずれか1項に記載のプラズマディスプレイパネル用保護膜。
【請求項９】
基板上部にマグネシウム酸化物含有膜を形成する段階と、
Ｍｇ欠陥不純物中心を有し、前記Ｍｇ欠陥不純物中心を形成する不純物として希土類元素及びＡｌ、Ｃａ及びＳｉよりなる群から選ばれた一つ以上の元素をさらに含むマグネシウム酸化物含有粒子を準備する段階と、
前記マグネシウム酸化物含有膜の表面に規則的なパターンで形成された前記マグネシウム酸化物含有粒子を付着させる段階と、を含むことを特徴とするプラズマディスプレイパネル用保護膜の製造方法。
【請求項１０】
前記マグネシウム酸化物含有膜の表面に前記マグネシウム酸化物含有粒子を付着させる段階を、前記マグネシウム酸化物含有粒子及び溶媒の混合物を前記マグネシウム酸化物含有膜の表面に提供する段階及び熱処理段階として行うことを特徴とする請求項９に記載のプラズマディスプレイパネル用保護膜の製造方法。
【請求項１１】
前記溶媒がエタノール及びイソプロパノールからなる群から選択された一つ以上であることを特徴とする請求項１０に記載のプラズマディスプレイパネル用保護膜の製造方法。
【請求項１２】
前記熱処理段階の熱処理温度が８０℃ないし３５０℃であることを特徴とする請求項１０または１１に記載のプラズマディスプレイパネル用保護膜の製造方法。
【請求項１３】
第１基板と、
前記第１基板に対し平行に配された第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に配されて発光セルを区画する隔壁と、
一方向に配された前記発光セルにわたって延び、第２誘電体層によって埋め込まれたア
ドレス電極と、
前記アドレス電極が延びた方向と交差する方向に延長され、第１誘電体層によって埋め
込まれた維持電極対と、
請求項１ないし請求項８のうちいずれか１項に記載の保護膜と、
前記発光セルに備わった蛍光体層と、
前記発光セル内にある放電ガスと、を具備したことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイパネル用保護膜、その製造方法及びそれを具備したプラズマディスプレイパネルに係り、さらに具体的には、マグネシウム酸化物含有粒子を含んだプラズマディスプレイパネル用保護膜であって、マグネシウム酸化物含有膜を含み、該マグネシウム酸化物含有膜の表面にマグネシウム酸化物含有粒子が付着され、該マグネシウム酸化物含有粒子がＭｇ欠陥不純物中心（ＶＩＣ：Ｖａｃａｎｃｙ−Ｉｍｐｕｒｉｔｙ  Ｃｅｎｔｅｒ）を有する保護膜、その製造方法、及びそれを具備したプラズマディスプレイパネルに関する。該マグネシウム酸化物含有粒子が表面に付着されたマグネシウム酸化物含有膜を含んだ保護膜は、プラズマイオンによって実質的に損傷されずに優秀な電子放出能を有するが、これを具備したプラズマディスプレイパネルは信頼性が向上しうる。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ：Ｐｌａｓｍａ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｐａｎｅｌ）は、画面を大型化しやすく、自発光型であって表示品質が良好であり、応答速度が速いという特徴を有している。また、薄型化が可能であるために、ＬＣＤなどと共に壁掛け用ディスプレイとして注目されている。
【０００３】
図１は、数十万個のＰＤＰ画素のうちの一つを図示したものである。図１を参照してＰＤＰの構造について述べれば、第１基板１４の下面に、透明電極１５ａ並びに金属からなるバス電極１５ｂからなる維持電極１５が形成されている。前記維持電極１５は、第１誘電体層１６によって被覆されている。前記第１誘電体層１６が放電空間に直接的に露出される場合、放電特性が低下して寿命が短縮されるために、保護膜１７で覆われている。
【０００４】
一方、第２基板１０の上面にはアドレス電極１１があり、これを覆うように第２誘電体層１２が形成されている。前記第１基板１４と第２基板１０は、隔壁（Ｂａｒｒｉｅｒ  Ｒｉｂ）１９を挟んで所定の間隙で対向している。これによって形成された空間には、蛍光体層１３が備わっており、紫外線を発生させるＮｅ＋Ｘｅの混合ガスまたはＨｅ＋Ｎｅ＋Ｘｅの混合ガスなどが一定の圧力（例えば、４５０Ｔｏｒｒ）で充填されている。前記Ｘｅは、真空紫外線（ＶＵＶ：Ｖａｃｕｕｍ  ＵｌｔｒａＶｉｏｌｅｔ）（Ｘｅイオン：１４７ｎｍ原子線、Ｘｅ２：１７３ｎｍ分子線）を発生させる役割を行い、Ｎｅは、放電開始電圧を下げて安定化させる役割を行い、Ｈｅは、Ｘｅの運動性（ｍｏｂｉｌｉｔｙ）を高めてＸｅの分子線（１７３ｎｍ）放出を増加させる役割を行う。
【０００５】
かようなＰＤＰの保護膜の役割は、三つに大別して見ることができる。
【０００６】
第一に、電極と誘電体とを保護する役割を行う。電極あるいは誘電体／電極のみあっても放電は形成される。しかし、電極だけある場合、放電電流の制御が困難であり、誘電体／電極だけある場合、スパッタリングエッチングによる誘電体層の損傷が発生しうるために、誘電体層は、プラズマイオンに強い保護膜でコーティングされねばならない。
【０００７】
第二に、放電開始電圧を下げる役割を行う。放電開始電圧と直接関係する物理量は、プラズマイオンに対する保護膜をなす物質の二次電子放出係数である。保護膜から放出される二次電子の量が多いほど、放電開始電圧は低くなるので、保護膜をなす物質の二次電子放出係数は、高いほど好ましい。
【０００８】
最後に、放電遅延時間を短縮する役割を行う。放電遅延時間は、印加電圧に対して何時間後に放電が起きるかという現象を記述する物理量であり、形成遅延時間Ｔｆと統計遅延時間Ｔｓとの和で表示されうる。形成遅延時間Ｔｆは、印加電圧と放電電流との時間差であり、統計遅延時間Ｔｓは、形成遅延時間の統計的散布である。放電遅延時間が短縮されるほど高速アドレッシングが可能になってシングルスキャンが可能になり、スキャンドライブ費用を節減できてサブフィールド数を増加させることができ、高輝度及び高画質を具現できる。
【０００９】
従来のＰＤＰ保護膜は、例えば特許文献１に開示されているように、一般的に単結晶マグネシウム酸化物または多結晶マグネシウム酸化物を基板に蒸着させて形成される。しかし、従来のＰＤＰ保護膜でもっては、満足するほどの電圧駆動、消費電力の節減、ＨＤクラスのシングルスキャンに要求される放電遅延時間短縮を得られず、この改善が必要である。
【特許文献１】大韓民国特許公開第２００５−００７３５３１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、前記問題点を解決するために考案され、プラズマイオンによって実質的に損傷されずに電子放出効果にすぐれる保護膜、この製造方法、及びこれを具備したＰＤＰを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記本発明の課題をなすために、本発明の第１様態は、マグネシウム酸化物含有膜を含んだＰＤＰ用保護膜であって、前記マグネシウム酸化物含有膜の表面にマグネシウム酸化物含有粒子が付着され、かつ前記マグネシウム酸化物含有粒子がＭｇ欠陥不純物中心（ＶＩＣ：Ｖａｃａｎｃｙ−Ｉｍｐｕｒｉｔｙ  Ｃｅｎｔｅｒ）を有することを特徴とするＰＤＰ用保護膜を提供する。
【００１２】
前記本発明の課題をなすために、本発明の第２様態は、基板上部にマグネシウム酸化物含有膜を形成する段階と、マグネシウム酸化物含有粒子を準備する段階と、前記マグネシウム酸化物含有膜の表面に前記マグネシウム酸化物含有粒子を付着させる段階とを含むＰＤＰ用保護膜の製造方法を提供する。
【００１３】
前記本発明の課題をなすために、本発明の第３様態は、前述のようなマグネシウム酸化物含有粒子が表面に付着されたマグネシウム酸化物含有膜を含んだ保護膜を具備したＰＤＰを提供する。
【００１４】
前記本発明によるマグネシウム酸化物含有粒子が表面に付着されたマグネシウム酸化物含有膜を含んだ保護膜は、プラズマイオンによって実質的に損傷されず、優秀な電子放出性能を有するが、これを利用すれば、信頼性が向上したＰＤＰを得ることができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明による保護膜は、マグネシウム酸化物含有膜を含むが、この表面には、マグネシウム酸化物含有粒子が付着されており、二次電子放出特性にすぐれ、かような保護膜を具備したＰＤＰは、低い放電電圧及び低い消費電力を有することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明についてさらに詳細に説明する。
【００１７】
本発明によるプレズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）用保護膜は、マグネシウム酸化物含有膜を含み、かつ前記マグネシウム酸化物含有膜の表面には、マグネシウム酸化物含有粒子が付着されている。
【００１８】
前記マグネシウム酸化物含有膜の表面に付着されたマグネシウム酸化物含有粒子は、Ｍｇ欠陥不純物中心（ＶＩＣ：Ｖａｃａｎｃｙ−Ｉｍｐｕｒｉｔｙ  Ｃｅｎｔｅｒ）を有する。従って、ＰＤＰ駆動時に、二次電子放出を増大させられる。
【００１９】
また、本明細書における「Ｍｇ欠陥不純物中心」は、Ｍｇ−欠陥ＶＩＣ（Ｖａｃａｎｃｙ−Ｉｍｐｕｒｉｔｙ  Ｃｅｎｔｅｒ  ：  ＶＩＣ））とも称し、ＭｇＯバンドギャップ内に形成されたドナー準位（Ｉｍｐｕｒｉｔｙ）とアクセプタ準位（Ｍｇ欠陥）が相互作用で作られたｅｘｃｉｔｅｄ  ｓｔａｔｅである。
【００２０】
本発明に係るマグネシウム酸化物粒子は、マグネシウム酸化物膜と異なってＶＩＣを有する。マグネシウム酸化物粒子とマグネシウム酸化物膜との構造的違いは、陰極線（ＣＬ：ＣａｔｈｏｄｏＬｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）発光を介して確認することができる。マグネシウム酸化物膜のＣＬスペクトルは、一般的にＦセンター（Ｆ  ｃｅｎｔｅｒ、Ｆ＋  ｃｅｎｔｅｒ）に係る発光が２．３〜３．１ｅＶ間で現れる。ＦセンターまたはＦ＋センターは、酸素欠陥によって作られるが、２つのトラップ（Ｔｒａｐ）電子を有せばＦセンター（〜２．３ｅＶ）発光であり、１つのトラップ電子を有せばＦ＋センター（〜３．１ｅＶ）発光である。マグネシウム酸化物膜では、一般的にＭｇ  ＶＩＣに係る発光が現れないが、特定理論に限定されるものではないものの、マグネシウム酸化物膜を形成するための蒸着法、例えば電子ビーム蒸着、プラズマ蒸着などは、酸素が不足した雰囲気下で行われる工程であるから、マグネシウム酸化物膜内では、ＶＩＣがあまり形成されないものと考えられる。
【００２１】
一方、マグネシウム酸化物粒子のＣＬスペクトルは、前述のようなマグネシウム酸化物膜とは異なった特性を示す。図２は、６Ｋで測定された高純度単結晶マグネシウム酸化物粒子のＣＬスペクトルを示したグラフである。図２のＣＬスペクトルについて述べれば、３個のピークを観察できるが、〜３ｅＶのピークは、Ｆセンターにと係る発光によるものであり、〜５．３ｅＶのピークは、ＶＩＣに係る発光によるものであり、７．６ｅＶのピークは、自由エキシトン（ＦＥ：Ｆｒｅｅ  Ｅｘｃｉｔｏｎ）に係る発光によるものであり、単結晶マグネシウム酸化物粒子は、ＶＩＣを有するということを確認することができる。
【００２２】
図３は、Ｃａ、Ａｌ、Ｓｉ及び工程上で流入しうるＺｒを含む多結晶マグネシウム酸化物ペレットの常温でのＣＬスペクトルを示したグラフである。図３で、Ｆセンターに由来するピーク（〜３．０ｅＶ）とＶＩＣに由来するピーク（〜５．３ｅＶ）とを観察できる。
【００２３】
図４は、Ｓｃを含む（Ｓｃは約３００質量ｐｐｍ存在する）高純度（Ｃａ＜３０質量ｐｐｍ、Ａｌ＜３０質量ｐｐｍ、Ｓｉ＜３０質量ｐｐｍ、Ｚｒ＜３０質量ｐｐｍ）マグネシウム酸化物粒子の常温でのＣＬスペクトルを示したグラフである。前記図４で、ＣＬスペクトルのＶＩＣ発光は、３．８ｅＶと４．８ｅＶとで現れるということが分かり、Ｆセンターに係る３．０ｅＶ近くの発光は、強いＶＩＣ発光スペクトルに隠れて示されないということが分かる。すなわち、ＶＩＣピーク位置は、マグネシウム酸化物以外に含まれていた元素によって変化するものである。
【００２４】
前記図２、図３及び図４から分かるように、マグネシウム酸化物膜とは異なり、本発明に係るマグネシウム酸化物粒子はＶＩＣを有するが、これは、ＣＬスペクトルのピークが分析することによって分かり、例えば、本発明の一具現例に係る保護膜表面に付着されたマグネシウム酸化物粒子のＣＬ発光スペクトルは約３．１ｅＶないし約４．２ｅＶの範囲でＶＩＣによるピークを有しうる。本発明の他の一具現例に係る保護膜表面に付着されたマグネシウム酸化物粒子のＣｌ発光スペクトルは約３．３５ｅｖないし約３．８７ｅＶの範囲でＶＩＣによるピークを有しうるが、これに限定されない。前記ＶＩＣと関連したピークの発光範囲は、マグネシウム酸化物粒子に含まれたマグネシウム酸化物以外の他の元素（例えば、希土類元素、Ａｌ、Ｃａ、Ｓｉなど）によって変わりうる。従って、本発明による保護膜表面に付着されたマグネシウム酸化物粒子のＣＬ発光スペクトルは、約３．５ｅＶないし６ｅＶの範囲で、ＶＩＣに由来するピークを有することができる。
【００２５】
前述のように、ＶＩＣを有するマグネシウム酸化物粒子のうち、ＶＩＣの空白（ｖａｃａｎｃｙ）は、アクセプタレベル（ａｃｃｅｐｔｏｒ  ｌｅｖｅｌ）を設けて正孔（ｈｏｌｅ）を形成し、ＶＩＣの不純物（ｉｍｐｕｒｉｔｙ）は、ドナーレベル（ｄｏｎｏｒ  ｌｅｖｅｌ）を設けて電子（ｅｌｅｃｔｒｏｎ）を形成するが、前記アクセプタレベル及びドナーレベルの転移（ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ）により、前記マグネシウム酸化物粒子は、電子を多量に有することができる。従って、ＰＤＰ駆動時に、ＶＩＣを有していないマグネシウム酸化物保護膜とは異なって二次電子放出に大きく寄与できる。特定理論に限定されるものではないが、二次電子放出メカニズムは、次のようなオージェ中性化理論（Ａｕｇｅ  ｒＮｅｕｔｒａｌｉｚａｔｉｏｎ）によって説明が可能である。
【００２６】
図５は、ガスイオンと固体との衝突する際に、固体から二次電子が放出されるメカニズムであるオージェ中性化理論を概略的に説明したものであり、これによれば、ガスイオンが固体と衝突する際に、電子が固体からガスイオンに移動して中性ガスを形成し、固体の他の電子は真空に移動して正孔（Ｈｏｌｅ）を形成される。この関係は、ガスイオンと固体との衝突により電子が固体から生じた際には、下記数式１のように示すことができる：
【００２７】
【数１】
0005302650.tif 000002
【００２８】
前記数式１で、Ｅｋはガスイオンと衝突した固体から電子が放出されるときのエネルギーであり、ＥＩはガスのイオン化エネルギーであり、Ｅｇは前記固体のバンドギャップエネルギーであり、χは固体の電子親和度を示す。
【００２９】
前記オージェ中性化理論及び上記数式１をＰＤＰの保護膜と放電ガスとに適用することができる。ＰＤＰ画素に電圧が印加されると、宇宙線または紫外線によって生成されたシード（Ｓｅｅｄ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｓ）が放電ガスと衝突して放電ガスイオンが生成され、放電ガスイオンは、前記保護膜と衝突して二次電子が放出されうる。
【００３０】
下記表１は、放電ガスに利用されうる不活性ガスの共鳴発光波長及び電離電圧、すなわち放電ガスのイオン化エネルギーを示したものである。保護膜がマグネシウム酸化物からなる場合、前記数式１で固体のバンドギャップエネルギーＥｇは、マグネシウム酸化物のバンドギャップエネルギーである７．７ｅＶであり、電子親和度χは、マグネシウム酸化物の電子親和度である０．５である。
【００３１】
一方、ＰＤＰ中の蛍光体の光変換効率を上げるためには、最長波長の真空紫外線を生成できるＸｅガスが適している。しかし、Ｘｅの場合、電離電圧、すなわちイオン化エネルギーであるＥＩが１２．１３ｅＶであり、これを前記数式１に代入する場合、マグネシウム酸化物からなる保護膜から電子が放出されるエネルギーであるＥｋがＥｋ＜０になるので、放電電圧が非常に高くなる。従って、放電電圧を下げるためには、電離電圧ＥＩの高いガスを使用しなければならない。前記数式１によれば、マグネシウム酸化物保護膜についてＨｅの場合、Ｅｋは８．１９ｅＶであり、Ｎｅの場合、Ｅｋは５．１７ｅＶになるので、放電開始電圧を下げるためには、ＨｅまたはＮｅを使用することが望ましい。しかし、Ｈｅガスは、ＰＤＰ放電に使われた場合、Ｈｅの運動量が大きいために、保護膜のプラズマエッチングが深刻に発生することになる。
【００３２】
【表１】
0005302650.tif 000003
【００３３】
従って、放電ガスを改質するよりは、保護膜から二次電子を好ましく放出させることが望ましいが、本発明のように、ＶＩＣを有するマグネシウム酸化物含有粒子をマグネシウム酸化物含有膜の表面に付着させる場合、前記マグネシウム酸化物含有粒子は、マグネシウム酸化物含有膜とは異なってＶＩＣを有して多量の電子を含有するが、さらに効果的に二次電子を放出できるのである。これにより、放電電圧を低下させることができるが、低電圧駆動及び低消費電力を有するＰＤＰを得ることができるのである。
【００３４】
前記マグネシウム酸化物含有粒子は、マグネシウム酸化物含有膜の表面に規則的にまたは不規則的に付着されうる。
【００３５】
前記マグネシウム酸化物含有粒子がマグネシウム酸化物含有膜の表面に規則的に付着された場合の一具現例は、図６を参照する。図６には、基板３０、マグネシウム酸化物含有膜３３及びマグネシウム酸化物含有粒子を含む層３６が図示されている。前記基板３０は、マグネシウム酸化物含有保護膜３３が形成される領域を有する支持体であり、例えば、ＰＤＰの誘電体層であるが、これに限定されるものではない。前記マグネシウム酸化物含有粒子を含む層３６は、例えば、ストライプパターンまたはドットパターンなどを有することにより、マグネシウム酸化物含有粒子がマグネシウム酸化物含有膜３３の表面に規則的に付着されうる。図６に図示されているように、マグネシウム酸化物含有粒子をマグネシウム酸化物含有膜の表面に規則的に付着させる方法は、例えば、公知のフォトリソグラフィ法を利用できる。
【００３６】
これとは別個に、前記マグネシウム含有酸化物粒子は、図７に図示されているように、マグネシウム酸化物含有膜の表面に不規則的に付着されうる。図７には、基板３０、マグネシウム酸化物含有膜３３及びマグネシウム酸化物含有粒子３７が図示されている。図７に図示されているように、マグネシウム酸化物含有粒子をマグネシウム酸化物含有膜の表面に不規則的に付着させる方法は、例えば、マグネシウム酸化物含有粒子及び溶媒を含む混合物をマグネシウム酸化物含有膜の表面に噴霧した後、これを熱処理することによって得ることができる。
【００３７】
本発明によるマグネシウム酸化物含有膜は、単結晶マグネシウム酸化物ペレットまたは多結晶マグネシウム酸化物ペレットを利用して製造された公知のあらゆる保護膜でありうる。
【００３８】
一方、本発明に係るマグネシウム酸化物含有膜は、マグネシウム酸化物以外に、希土類元素を含むことができる。前記希土類元素としては、スカンジウム（Ｓｃ）、イットリウム（Ｙ）、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジミウム（Ｐｒ）、ネオジウム（Ｎｄ）、プロメチウム（Ｐｍ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、トリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）またはルテニウム（Ｌｕ）になりうるが、このうちの一つ以上が含まれうる。望ましくは、Ｓｃを含むことができる。
【００３９】
前記希土類元素の含有量は、前記マグネシウム酸化物含有膜のうち、マグネシウム酸化物１重量部当たり５．０ｘ１０−５重量部ないし６．０ｘ１０−４重量部、望ましくは５．０ｘ１０−５重量部ないし５．０ｘ１０−４重量部、さらに望ましくは１．５ｘ１０−４重量部ないし４．０ｘ１０−４重量部である。前記希土類元素の含有量が前述のような範囲を外れる場合、満足すべきレベルの放電遅延時間の短縮効果及び放電遅延時間の温度依存性低下の効果を得られない。
【００４０】
また、前記マグネシウム酸化物含有膜は、Ｃａ、Ｓｉ及びＡｌからなる群から選択された一つ以上の元素をさらに含むことができる。
【００４１】
前記マグネシウム酸化物含有膜がＡｌをさらに含む場合、低温での放電遅延時間をさらに短縮させることができる。これを考慮し、前記Ａｌの含有量は、マグネシウム酸化物含有膜のうち、マグネシウム酸化物１重量部当たり５．０ｘ１０−５重量部ないし４．０ｘ１０−４重量部、望ましくは６．０ｘ１０−５重量部ないし３．０ｘ１０−４重量部である。
【００４２】
本発明によるマグネシウム酸化物含有膜がＣａをさらに含む場合、放電遅延時間の温度依存性を低下させることができる。すなわち、温度によって放電遅延時間が実質的に変われない。この点を考慮し、前記Ｃａの含有量は、マグネシウム酸化物含有膜のうち、マグネシウム酸化物１重量部当たり５．０ｘ１０−５重量部ないし４．０ｘ１０−４重量部、望ましくは６．０ｘ１０−５重量部ないし３．０ｘ１０−４重量部である。
【００４３】
本発明によるマグネシウム酸化物含有膜がＳｉをさらに含む場合、低温での放電遅延時間をさらに短縮させることができる。これを考慮し、前記Ｓｉの含有量は、マグネシウム酸化物含有膜のうち、マグネシウム酸化物１重量部当たり５．０ｘ１０−５重量部ないし４．０ｘ１０−４重量部、望ましくは６．０ｘ１０−５重量部ないし３．０ｘ１０−４重量部である。特に、Ｓｉの含有量が前述のような範囲を超える場合、保護膜中にガラス質相が形成されて望ましくない。
【００４４】
本発明に係るマグネシウム酸化物含有膜は、前述のような希土類元素、Ａｌ、Ｃａ、Ｓｉ以外に、Ｍｎ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｂ、Ｎｉ及びＺｒからなる群から選択された一つ以上の元素を不純物レベルの微量にさらに含むことができる。
【００４５】
前記マグネシウム酸化物含有膜の表面に付着される本発明に係るマグネシウム酸化物含有粒子は、マグネシウム酸化物以外に、希土類元素を含むことができる。前記希土類元素としては、スカンジウム（Ｓｃ）、イットリウム（Ｙ）、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジミウム（Ｐｒ）、ネオジウム（Ｎｄ）、プロメチウム（Ｐｍ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、Ｇｄ（ガドリニウム）、テルビウム（Ｔｒ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、トリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）またはルテニウム（Ｌｕ）になりうるが、このうち一つ以上が含まれうる。望ましくは、Ｓｃを含むことができる。
【００４６】
前記希土類元素の含有量は、前記マグネシウム酸化物含有粒子のうち、マグネシウム酸化物１重量部当たり５．０ｘ１０−５重量部ないし６．０ｘ１０−４重量部、望ましくは５．０ｘ１０−５重量部ないし５．０ｘ１０−４重量部、さらに望ましくは１．５ｘ１０−４重量部ないし４．０ｘ１０−４重量部である。前記希土類元素の含有量が前述のような範囲を外れる場合、満足すべきレベルの放電遅延時間の短縮効果及び放電遅延時間の温度依存性の低下効果を得られない。
【００４７】
また、前記マグネシウム酸化物含有粒子は、Ｃａ、Ｓｉ及びＡｌからなる群から選択された一つ以上の元素をさらに含むことができる。
【００４８】
前記マグネシウム酸化物含有粒子がＡｌをさらに含む場合、低温での放電遅延時間をさらに短縮させることができる。これを考慮し、Ａｌの含有量は、マグネシウム酸化物含有粒子のうち、マグネシウム酸化物１重量部当たり５．０ｘ１０−５重量部ないし４．０ｘ１０−４重量部、望ましくは６．０ｘ１０−５重量部ないし３．０ｘ１０−４重量部である。
【００４９】
本発明によるマグネシウム酸化物含有粒子がＣａをさらに含む場合、放電遅延時間の温度依存性を低下させることができる。すなわち、温度によって放電遅延時間が実質的に変わらない。この点を考慮し、前記Ｃａの含有量は、マグネシウム酸化物含有粒子のうち、マグネシウム酸化物１重量部当たり５．０ｘ１０−５重量部ないし４．０ｘ１０−４重量部、望ましくは６．０ｘ１０−５重量部ないし３．０ｘ１０−４重量部である。
【００５０】
本発明によるマグネシウム酸化物含有粒子がＳｉをさらに含む場合、低温での放電遅延時間をさらに短縮させることができる。これを考慮し、Ｓｉの含有量は、マグネシウム酸化物含有粒子のうち、マグネシウム酸化物１重量部当たり５．０ｘ１０−５重量部ないし４．０ｘ１０−４重量部、望ましくは６．０ｘ１０−５重量部ないし３．０ｘ１０−４重量部である。特に、Ｓｉの含有量が前述のような範囲を超える場合、マグネシウム酸化物含有粒子中にガラス質相が形成されて望ましくない。
【００５１】
前記マグネシウム酸化物含有粒子は、前述のような希土類元素、Ａｌ、Ｃａ、Ｓｉ以外に、Ｍｎ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｂ、Ｎｉ及びＺｒからなる群から選択された一つ以上の元素を不純物レベルの微量にさらに含むことができる。
【００５２】
前記マグネシウム酸化物含有膜の表面に付着されたマグネシウム酸化物含有粒子の平均粒径は、５０ｎｍないし２μｍ、望ましくは１００ｎｍないし１μｍである。前記マグネシウム酸化物含有粒子の平均粒径が５０ｎｍ未満である場合、二次電子放出効果の増大が微小であり、前記マグネシウム酸化物含有粒子の平均粒径が２μｍを超える場合、マグネシウム酸化物含有粒子が凝集し、工程が散布してしまう原因になりうる。
【００５３】
なお、本発明に係るマグネシウム酸化物含有粒子の平均粒径は、ＳＥＭ、ＴＥＭ、Ｘ線、光産卵など公知の方法で測定され特に制限されることはない。
【００５４】
本明細書における「Ｍｇ欠陥不純物中心」とは、エネルギーの観点では不純物準位のことを示し、当該不純物準位とは、母体結晶中に不純物原子が含まれる場合、その不純物原子の近傍に電子や正孔が捕らえられた現象が起こるが、その捕らえられた状態のエネルギー準位をいう。
本発明によるＰＤＰ用保護膜を製造する方法の一具現例によれば、基板上部にマグネシウム酸化物含有膜を形成する段階と、マグネシウム酸化物含有粒子を準備する段階と、前記マグネシウム酸化物含有膜の表面に前記マグネシウム酸化物含有粒子を付着させる段階とを含むことができる。
【００５５】
まず、基板上にマグネシウム酸化物含有膜を形成する。前記マグネシウム酸化物含有膜が形成される基板は、ＰＤＰの構造によって異なるが、一般的にＰＤＰの誘電体層でありうる。前記保護膜は、通常の薄膜形成技術、例えば、電子ビーム蒸着（Ｅ−ｂｅａｍ  ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）、プラズマ蒸着（Ｐｌａｓｍａ  ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）、スパッタリング、化学気相法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）などを利用して製造できる。このとき、単結晶マグネシウム酸化物ペレットまたは多結晶マグネシウム酸化物ペレットを使用でき、前記マグネシウム酸化物ペレットは、前述のように、希土類元素、Ｃａ、Ｓｉ、Ａｌなどが含まれ、マグネシウム酸化物以外に、希土類元素、Ｃａ、Ｓｉ、Ａｌなどの含まれたマグネシウム酸化物含有膜を形成できる。
【００５６】
一方、マグネシウム酸化物含有膜の表面に付着されるマグネシウム酸化物含有粒子を準備する。前記マグネシウム酸化物含有膜の表面に付着されるマグネシウム酸化物含有粒子は、例えば、公知の沈殿法、化学蒸気酸化法（ＣＶＯ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ）及びペレット粉砕法を使用して設けることができる。図８は、沈殿法を利用して製造されたマグネシウム酸化物粒子のＳＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ）写真を示したものであり、前記沈殿法について具体的に説明すれば、マグネシウム塩（例えば、ＭｇＣｌ２）が溶解された溶液にアンモニア水（ＮＨ４ＯＨ）を入れて過飽和度溶液を生成すれば、前記溶液内に結晶粒が発生して成長し、水酸化マグネシウム（Ｍｇ（ＯＨ２））が沈殿することによって生成される。前記沈殿物を１，０００℃で加熱すれば、水が除去されてマグネシウム酸化物粒子を得ることができる。一方、図９は、化学蒸気酸化法を利用して製造されたマグネシウム酸化物粒子のＳＥＭ写真を示したものであり、前記化学蒸気酸化法について具体的に説明すれば、Ｍｇ粒子を加熱してＭｇ蒸気を作り出し、これを高温の酸素と反応させれば、立方体状を有するマグネシウム酸化物粒子を得ることができる。ペレット粉砕法は、公知のマグネシウム酸化物ペレットを各種粉砕手段を利用し、前述のような平均粒径を有する粒子に粉砕する方法を指す。
【００５７】
その後、前記マグネシウム酸化物含有膜の表面に前記マグネシウム酸化物含有粒子を付着させる。このとき、前記マグネシウム酸化物含有粒子を例に取れば、図６に図示されているように、マグネシウム酸化物含有膜の表面に規則的に付着させるか、図７に図示されているように、マグネシウム酸化物含有膜の表面に不規則的に付着させることができる。
【００５８】
例えば、図６に図示されているように、前記マグネシウム酸化物含有粒子を前記マグネシウム酸化物含有膜の表面に規則的に付着させる場合、例えば、通常のフォトリソグラフィ法を利用して形成できる。まず、前記マグネシウム酸化物含有膜の上部に、フォトレジスト膜を形成した後、その上部に、通常の厚膜形成技術（例えば、スクリーン・プリンティング（ｓｃｒｅｅｎ  ｐｒｉｎｔｉｎｇ）、ゾルゲル・コーティング（ｓｏｌ−ｇｅｌ  ｃｏａｔｉｎｇ）、スピンコーティング（ｓｐｉｎ  ｃｏａｔｉｎｇ）、ディッピング（ｄｉｐｐｉｎｇ）、スプレイ法（ｓｐｒａｙｉｎｇ）など）を利用してマグネシウム酸化物含有粒子を導入した後、フォトレジスト膜を除去することにより、所定のパターン（例えば、ストライプパターン、ドットパターンなど）を有し、マグネシウム酸化物含有粒子を含む層を形成できる。
【００５９】
これとは別個に、例えば、図７に図示されているように、マグネシウム酸化物含有粒子を前記マグネシウム酸化物含有膜の表面に不規則的に付着させるために、マグネシウム酸化物含有粒子及び溶媒を含む混合物を準備した後、これをマグネシウム酸化物含有膜の表面に提供及び熱処理することにより、マグネシウム酸化物含有膜の表面にマグネシウム酸化物含有粒子を不規則的に付着させることができる。このとき、前記混合物は、例えば、スプレイ法などを利用し、前記マグネシウム酸化物含有膜の表面に提供できる。
【００６０】
前記マグネシウム酸化物含有粒子及び溶媒を含む混合物中で、溶媒は、エタノール、イソプロパノールなどであるが、それらに限定されるものではない。一方、前記熱処理温度は、使われた溶媒の沸点、揮発性及び使われたマグネシウム酸化物含有粒子によって異なるが、約８０℃ないし３５０℃の範囲内で選択されうる。前記熱処理温度が８０℃未満である場合、溶媒が効果的に揮発されず、前記熱処理温度が３５０℃を超える場合、マグネシウム酸化物含有膜がむしろ損傷されうるのである。
【００６１】
本発明によるマグネシウム酸化物含有粒子が表面に付着されたマグネシウム酸化物含有膜を含んだ保護膜は、ガス放電ディスプレイデバイス、特にＰＤＰに使われうる。図１０には、本発明による保護膜の一具現例が備わったＰＤＰの具体的な構造が図示されている。
【００６２】
図１０で、第１パネル２１０は、第１基板２１１、前記第１基板２１１の背面２１１ａに形成されたＹ電極２１２とＸ電極２１３とを具備した維持電極対２１４、前記維持電極対２１４を覆う第１誘電体層２１５、及び前記第１誘電体層２１５を覆う保護膜２１６を具備するが、本発明によるＰＤＰは、優秀な放電特性を有することができ、Ｘｅ含有量増加及びシングルスキャンに適している。前記保護膜２１６についての詳細な説明は、前述したところを参照する。前記Ｙ電極２１２、Ｘ電極２１３のそれぞれは、ＩＴＯなどによって形成された透明電極２１２ｂ，２１３ｂと導電性の良好な金属によって形成されたバス電極２１２ａ，２１３ｂとを具備する。前記保護膜２１６は、マグネシウム酸化物含有膜を含み、その表面には、マグネシウム酸化物含有粒子が付着されている。これについての詳細な説明は、前述したところを参照する。
【００６３】
前記第２パネル２２０は、第２基板２２１、第２基板２２１の前面２２１ａに前記維持電極対２１４と交差するように形成されたアドレス電極２２２、前記アドレス電極２２２を覆う第２誘電体層２２３、前記第２誘電体層上に形成され、放電セル２２６を区画する隔壁２２４、及び前記放電セル２２６内に配された蛍光体層２２５を具備する。前記放電セル２２６内部にある放電ガスは、Ｎｅに、Ｘｅ、Ｎ２及びＫｒ２のうちから選択された一つ以上を追加して形成した混合ガスであり、また前記放電セル内部にある放電ガスは、Ｎｅに、Ｘｅ、Ｈｅ、Ｎ２、Ｋｒのうちから選択された二以上を追加して形成した混合ガスでありうる。
【００６４】
本発明の保護膜は、輝度向上のためのＸｅ含有量の増加によるＮｅ＋Ｘｅの二元混合ガスに使用され、放電電圧上昇を補完するためにＨｅガスを追加したＮｅ＋Ｘｅ＋Ｈｅの三元混合ガスでも、耐スパッタリング性にすぐれて寿命の短縮を防止できる。本発明は、高Ｘｅ含有量による放電電圧上昇分を下げ、シングルスキャンに要求される放電遅延時間を満足させる保護膜を提供する。
【００６５】
以下、実施例を利用しつつ、本発明についてさらに詳細に説明する。
【実施例】
【００６６】
実施例１
放電セル基板として、厚さ２．８ｍｍのＰＤＰ用ガラス板上に、８ｍｍ  Ａｇ電極、連結パッド、前記Ａｇ電極上部に３０ｍ厚のＰｂＯ含有ＳｉＯ２誘電体の形成された基板を準備した。
【００６７】
その後、前記ＰｂＯ含有ＳｉＯ２誘電体上部に、電子ビーム蒸着法を利用してマグネシウム酸化物膜を、約０．７μｍ厚に形成した。蒸着時の基板温度は２５０℃であり、蒸着圧力は、ガス流量制御機を介して酸素及びアルゴンガスを入れて６ｘ１０−４ｔｏｒｒに調節した。マグネシウム酸化物保護膜の原料としては、多結晶マグネシウム酸化物を使用した。
【００６８】
一方、平均粒径５００ｎｍをもって、Ｓｃがマグネシウム酸化物１００重量部当たり４．０ｘ１０−４重量部含まれたマグネシウム酸化物粒子を準備した。前記Ｓｃの含まれたマグネシウム酸化物粒子は、エタノール中に硝酸スカンジウム溶液とＭｇＣｌ２水溶液とを混合した後、アンモニア水（ＮＨ４ＯＨ）を添加し、Ｓｃの含まれた水酸化マグネシウム（Ｍｇ（ＯＨ２））を沈殿させた後、前記沈殿物を回収して１，０００℃で加熱し、Ｓｃを含んだマグネシウム酸化物粒子を得た後、プラズマ粉砕法を利用し、平均粒径が５００ｎｍであり、Ｓｃを前述のような含有量で含むマグネシウム酸化物粒子を得た。
【００６９】
前記Ｓｃが含まれたマグネシウム酸化物粒子１ｇをエタノール１５ｍｌに添加し、これを撹拌した後、これから得た混合物を前記マグネシウム酸化物膜の表面にスプレイした。その後、これを１５０℃の温度で熱処理し、前記Ｓｃが含まれたマグネシウム酸化物粒子を前記マグネシウム酸化物膜の表面に付着させた。
【００７０】
前記の放電セル基板を厚さ１２０μｍの石英（Ｑｕａｒｔｚ）シーブを挟んで対面させて対向放電セルを設け、この対向セルを高真空チャンバに入れ、十分な排気とＡｒガスのパージングとで内部の水分成分を除去した後、チャンバ内部に放電ガスとしてネオン９０％及びキセノン１０％の混合ガスを注入して放電評価セルを準備した。これをサンプル１とする。
【００７１】
比較例Ａ
前記実施例１で、Ｓｃが含まれたマグネシウム酸化物粒子を前記マグネシウム酸化物膜表面に付着させなかった点を除いては、前記実施例１と同じ方法で放電評価セルを準備した。これをサンプルＡとする。
【００７２】
実施例２
厚さ２．８ｍｍのガラス材基板上にフォトリソグラフィ法を利用し、銅からなるバス電極を形成した。前記バス電極をＰｂＯガラスで被覆し、２０μｍ厚の前面誘電体層を形成した。
【００７３】
その後、前記ＰｂＯ誘電体の上部に電子ビーム蒸着（ｅ−ｂｅａｍ  ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）法を利用し、マグネシウム酸化物膜を約０．７μｍ厚に形成した。蒸着時の基板温度は２５０℃であり、蒸着圧力は、ガス流量制御機を介して酸素及びアルゴンガスを入れ、６ｘ１０−４ｔｏｒｒに調節した。マグネシウム酸化物膜の原料としては、多結晶マグネシウム酸化物を使用した。
【００７４】
一方、平均粒径５００ｎｍを有し、Ｓｃがマグネシウム酸化物１００重量部当たり４．０ｘ１０−４重量部含まれたマグネシウム酸化物粒子を準備した。前記Ｓｃが含まれたマグネシウム酸化物粒子は、エタノール中に硝酸スカンジウム溶液とＭｇＣｌ２水溶液とを混合した後、アンモニア水（ＮＨ４ＯＨ）を添加し、Ｓｃが含まれた水酸化マグネシウム（Ｍｇ（ＯＨ２））を沈殿させた後、前記沈殿物を回収して１，０００℃で加熱し、Ｓｃを含んだマグネシウム酸化物粒子を得た後、プラズマ粉砕法を利用し、平均粒径が５００ｎｍであり、Ｓｃを前述のような含有量で含むマグネシウム酸化物粒子を得た。
【００７５】
前記Ｓｃが含まれたマグネシウム酸化物粒子１ｇをエタノール１５ｍｌに添加し、これを撹拌した後、これから得た混合物を前記マグネシウム酸化物膜表面にスプレイした。その後、これを１５０℃の温度で熱処理し、前記Ｓｃが含まれたマグネシウム酸化物粒子を前記マグネシウム酸化物膜の表面に付着させた。
【００７６】
前記の基板と背面基板とを１２０μｍの間隔をおいて互いに対面させてセルを作り、このセル内部に放電ガスとしてネオン９０％及びキセノン１０％の混合ガスを注入し、４２インチＳＤ級Ｖ４  ＰＤＰを製作した。これをサンプル２とする。
【００７７】
比較例Ｂ
前記実施例２で、Ｓｃが含まれたマグネシウム酸化物粒子を前記マグネシウム酸化物膜表面に付着させなかった点を除いては、前記実施例２と同じ方法でＰＤＰを準備した。これをサンプルＢとする。
【００７８】
評価例１：サンプル１及びＡの放電開始電圧の評価
サンプル１及びＡに対して放電開始電圧を測定し、その結果を図１１に示した。
【００７９】
放電開始電圧測定のために、オシロスコープ（Ｔｅｋｔｒｏｎｉｘ  Ｏｓｃｉｌｌｏｓｃｏｐｅ）、増幅器（Ｔｒｅｋ  Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）、関数発生器（ＮＦ  Ｆｕｎｃｔｉｏｎ  Ｇｅｎｅｒａｔｏｒ）、高真空チャンバ、温度変換機（Ｐｅｌｔｉｅｒ  Ｄｅｖｉｃｅ）、Ｉ−Ｖパワーソース（Ｉ−Ｖ  Ｐｏｗｅｒ  Ｓｏｕｒｃｅ）及びＬＣＲ計測器（ＬＣＲ  Ｍｅｔｅｒ）を使用した。まず、サンプルＡに増幅器と関数発生器とを連結した後で、放電開始電圧は２ｋＨｚのサイン波（ｓｉｎｕｏｕｓ  ｗａｖｅ）を印加して測定し、これをサンプル１に対して反復した。
【００８０】
その結果を図１１に示した。図１１から、本発明によるサンプル１が従来のサンプルＡに比べて放電開始電圧が低いということが分かった。
【００８１】
評価例２サンプル１及びＡの二次電子放出係数の評価
サンプル１及びＡの二次電子放出係数γを測定し、図１２に示した。
【００８２】
二次電子放出係数は、フォーカスイオンビーム（ＦＩＢ：Ｆｏｃｕｓｅｄ  Ｉｏｎ  Ｂｅａｍ）をサンプル１及びＡに加速投射して測定したが、さらに具体的に述べれば、サンプルＡの保護膜をＮｅ＋イオンで衝突させた後、サンプルＡから飛び出す電子をファラデイカップ（Ｆａｒａｄａｙ  Ｃｕｐ）に正電圧（＋１５Ｖ）を印加して収集し、サンプルＡに入射するイオンの量も、ファラデイカップを利用して収集した後、その数値を数的に処理してサンプルＡの二次電子放出係数γを得た。かような工程をサンプル１に対しても反復した。
【００８３】
図１２から、本発明によるサンプル１の二次電子放出係数特性が、従来のサンプルＡに比べて優秀であるということを確認することができた。
【００８４】
評価例３サンプル２及びＢの放電遅延時間の評価
サンプル２及びＢに対し、温度による放電遅延時間（ｎｓ単位である）を評価し、その結果を図１３に示した。図１３から、本発明によるＰＤＰのサンプル２が従来のサンプルＢに比べて放電遅延時間が低いということが分かった。
【００８５】
これにより、本発明による保護膜を具備したパネルは、放電遅延時間が短いために、Ｘｅ含有量増加及びシングルスキャンに適した放電特性を有するということが分かった。
【００８６】
前記では、本発明の望ましい実施例を参照しつつ説明したが、当該技術分野の熟練当業者は、特許請求の範囲に記載された本発明の思想及び領域から外れない範囲内で、本発明を多様に修正及び変更させることができるということを理解することができるであろう。
【産業上の利用可能性】
【００８７】
本発明のマグネシウム酸化物粒子が表面に付着されたマグネシウム酸化物含有膜を含んだＰＤＰ用保護膜、その製造方法及び該保護膜を具備したＰＤＰは、例えば、ディスプレイ関連の技術分野に効果的に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００８８】
【図１】ＰＤＰの画素の一具現例を概略的に図示した垂直断面図であり、上板が９０゜回転されたた状態を示した図面である。
【図２】本発明による単結晶マグネシウム酸化物粒子の一具現例のＣＬ発光スペクトルを示した図面である。
【図３】本発明による多結晶マグネシウム酸化物粒子の一具現例のＣＬ発光スペクトルを示した図面である。
【図４】本発明によるＳｃを含んだ多結晶マグネシウム酸化物粒子の一具現例のＣＬ発光スペクトルを示した図面である。
【図５】ガスイオンによる固体からの電子放出を説明するオージェ中和理論を説明した概略図である。
【図６】本発明によるＰＤＰ用保護膜の一具現例を示した図面である。
【図７】本発明によるＰＤＰ用保護膜の一具現例を示した図面である。
【図８】沈殿法を利用して形成されたマグネシウム酸化物粒子の一具現例のＳＥＭ写真である。
【図９】化学蒸気酸化法を利用して形成されたマグネシウム酸化物粒子の一具現例のＳＥＭ写真である。
【図１０】本発明による保護膜の一具現例を採用したＰＤＰの一具現例を図示した図面である。
【図１１】本発明による保護膜の一具現例の従来の保護膜との放電開始電圧をそれぞれ示したグラフである。
【図１２】本発明による保護膜の一具現例と従来の保護膜との二次電子放出係数をそれぞれ示したグラフである。
【図１３】本発明による保護膜の一具現例と従来の保護膜との放電遅延時間をそれぞれ示したグラフである。
【符号の説明】
【００８９】
１０，２２１        第２基板
１１，２２２        アドレス電極
１２，２２３        第２誘電体層
１３，２２５        蛍光体層
１４，２１１        第１基板
１５        維持電極
１５ａ，２１２ｂ，２１３ｂ        透明電極
１５ｂ，２１２ａ，２１３ａ        バス電極
１６，２１５        第１誘電体層
１７，３３，２１６        保護膜
１９，２２４        隔壁
３０        基板
３６        マグネシウム酸化物含有粒子を含む膜
３７        マグネシウム酸化物粒子
２１０        第１パネル
２１１ａ        第１基板の背面
２１２        Ｙ電極
２１３        Ｘ電極
２１４        維持電極対
２２０        第２パネル
２２１ａ        第２基板の前面
２２６        放電セル
【図１】
0005302650.tif 000004
【図２】
0005302650.tif 000005
【図３】
0005302650.tif 000006
【図４】
0005302650.tif 000007
【図５】
0005302650.tif 000008
【図６】
0005302650.tif 000009
【図７】
0005302650.tif 000010
【図１０】
0005302650.tif 000011
【図１１】
0005302650.tif 000012
【図１２】
0005302650.tif 000013
【図１３】
0005302650.tif 000014
【図８】
0005302650.tif 000015
【図９】
0005302650.tif 000016