(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｉ）
（Ｒ）３Ｓｉ−Ｃ（Ｒ１）（Ｒ２）−Ｂ（Ｒ）２
［式中、Ｒはそれぞれ相互に独立に１〜２０個の炭素原子を有する炭化水素、ハロゲン、またはＯＲ’（この場合に、Ｒ’およびＲ’’は、相互に独立に水素または１〜２０個の炭素原子を有する炭化水素基である）であり、かつＲ１およびＲ２は、水素である］
の化合物の製法において、
一般式（ＩＩ）
（Ｒ）３Ｓｉ−Ｃ（Ｒ１）（Ｒ２）−Ｘ
［式中、Ｘはハロゲンである］
のシランを、金属Ｍと５０℃を下回る温度で非プロトン性有機溶剤中で反応させて、一般式（ＩＩＩ）
（Ｒ）３Ｓｉ−Ｃ（Ｒ１）（Ｒ２）−Ｍ（Ｘ）ｗ
［式中、Ｍが一価の金属である場合にはｗ＝０であり、かつ
Ｍが多価の金属である場合にはｗはＭ−１の原子価に相当する≧１の整数である］
のシランにし、かつ一般式（ＩＩＩ）の化合物を引き続き５０℃を下回る温度で一般式
Ｙ−Ｂ（Ｒ）２
［式中、Ｒは上記の意味であり、かつＹはハロゲンである］
のボランと反応させることを特徴とする、式（Ｉ）の化合物の製法。
【請求項２】
式
（Ｒ）３Ｓｉ-ＣＨ２Ｃｌ
［式中、Ｒはそれぞれ独立に請求項１に記載の意味を有することができる］
のクロロメチルシラン化合物を、グリニャール反応においてマグネシウム粉末で金属化し、かつ引き続きハロゲンボランと反応させる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
一般式（ＩＩＩ）のシランを少なくとも１種のアルコキシ−またはフェニルオキシ−クロロボランＸＢ（Ｒ３）（Ｒ３’）（この場合、ＸはＣｌであり、かつＲ３とＲ３’は相互に独立にＣ１〜Ｃ２０−アルコキシ基またはフェニルオキシ基である）と反応させる、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
一般式（ＩＶ）
（Ｒ）３Ｓｉ−Ｃ（Ｒ１）（Ｒ２）−Ｂ（Ｘ）２
［式中、Ｒ１およびＲ２はそれぞれ水素であり、Ｒはそれぞれ相互に独立に水素、ハロゲン、１〜２０個の炭素原子を有する炭化水素、ＮＲ’Ｒ’’基またはＯＲ’基（この場合に、Ｒ’’およびＲ’は、相互に独立に水素または１〜２０個の炭素原子を有する炭化水素基である）であり、
Ｘはハロゲンである］
の化合物の製法において、一般式（Ｖ）
（Ｒ）３Ｓｉ−Ｃ（Ｒ１）（Ｒ２）−Ｂ（ＯＲ’）（ＯＲ’’）
の化合物を、三塩化ホウ素と反応させることを特徴とする、一般式（ＩＶ）の製法。
【請求項５】
一般式（Ｉ）
（Ｒ）３Ｓｉ−Ｃ（Ｒ１）（Ｒ２）−Ｂ（Ｒ）２
［式中、Ｒは、それぞれ相互に独立に、ハロゲン、１〜２０個の炭素原子を有する炭化水素基、またはＯＲ’（この場合に、Ｒ’およびＲ’’は、それぞれ独立に水素または１〜２０個の炭素原子を有する炭化水素基である）であり、かつ
Ｒ１およびＲ２は、水素である］
の分子状シリルアルキルボラン。
【請求項６】
Ｒ基の少なくとも１個はメチルまたは／およびＣｌである、請求項５に記載の分子状シリルアルキルボラン。
【請求項７】
式（Ｘ）
【化１】
0005150032.tif 000005
［式中、Ｒ１はそれぞれ相互に独立に水素、ハロゲン、１〜２０個の炭素原子を有する炭化水素基、ＮＲ’Ｒ’’またはＯＲ’（この場合に、Ｒ’およびＲ’’は、それぞれ独立に水素または１〜２０個の炭素原子を有する炭化水素基である）であり、かつＲ２およびＲ３は、それぞれ独立に水素、ハロゲン、ＮＲ’Ｒ’’またはＯＲ’（この場合に、Ｒ’およびＲ’’は、それぞれ独立に水素または１〜２０個の炭素原子を有する炭化水素基である）であり、かつＲ４は、それぞれ相互に独立に水素、ハロゲン、ＮＲ’Ｒ’’またはＯＲ’（この場合に、Ｒ’およびＲ’’は、それぞれ独立に水素または１〜２０個の炭素原子を有する炭化水素基である）であるか、またはＳｎ（Ｒ＊）３またはＳｉ（Ｒ＊）３（この場合に、Ｒ＊はそれぞれ独立にＲ２または１〜２０個の炭素原子を有する炭化水素基である）である］
を有するシリルアルキルボラジン。
【請求項８】
請求項５もしくは請求項６に記載の式（Ｉ）［式中、Ｒ’およびＲ’’は請求項５に定義したとおりである］の化合物、または請求項７に記載の式（Ｘ）の化合物を、１成分前駆体として−１００〜５００℃の温度での重合又は重縮合反応により反応させることを特徴とするオリゴホウ素カルボシラザンまたはポリホウ素カルボシラザンの製造方法。
【請求項９】
構造特性
【化２】
0005150032.tif 000006
を有することに特徴付けられる、請求項５から６までのいずれか１項に記載の式（Ｉ）の化合物または請求項７に記載の式（Ｘ）の化合物から得られる、オリゴホウ素カルボシラザンまたはポリホウ素カルボシラザン。
【請求項１０】
ケイ素ホウ素炭化物窒化物セラミックの製法において、請求項９に記載のオリゴホウ素カルボシラザンまたはポリホウ素カルボシラザン、または請求項１から５までのいずれか１項に記載の方法により得られる式（Ｉ）のシリルアルキルボランまたは式
【化３】
0005150032.tif 000007
［式中、Ｒ１はそれぞれ相互に独立に水素、ハロゲン、１〜２０個の炭素原子を有する炭化水素基、ＮＲ’Ｒ’’またはＯＲ’（この場合に、Ｒ’およびＲ’’は、それぞれ独立に水素または１〜２０個の炭素原子を有する炭化水素基である）であり、かつＲ２およびＲ３は、それぞれ独立に水素、ハロゲン、ＮＲ’Ｒ’’またはＯＲ’（この場合に、Ｒ’およびＲ’’は、それぞれ独立に水素または１〜２０個の炭素原子を有する炭化水素基である）であり、かつＲ４は、Ｒ１、Ｓｎ（Ｒ＊）３またはＳｉ（Ｒ＊）３（この場合に、Ｒ＊はそれぞれ独立にＲ２または１〜２０個の炭素原子を有する炭化水素基である）である］
を有するシリルアルキルボラジンを、不活性またはアンモニア含有雰囲気中、−２００℃から＋２０００℃の温度で熱分解し、引き続き不活性またはアンモニア含有雰囲気中、８００〜２０００℃の温度で焼成することを特徴とする、ケイ素ホウ素炭化物窒化物セラミックの製法。
【請求項１１】
セラミック中にＮ-Ｓｉ-Ｃ-Ｂ-Ｎ−構造単位が存在する、請求項１０に記載の方法を用いて得られるケイ素ホウ素炭化物窒化物セラミック。
【請求項１２】
非晶質のセラミックである、請求項１１に記載のセラミック。
【請求項１３】
元素Ｎ、Ｓｉ、ＣおよびＢが９３質量％以上含有されている、請求項１１または１２に記載のセラミック。
【請求項１４】
成分ＳｉＣ、Ｓｉ３Ｎ４、ＢＮ、ＣおよびＢ４Ｃの少なくとも１種以上から成る複合セラミックの製法において、請求項１１から１３までのいずれか１項に記載のケイ素ホウ素炭化物窒化物セラミックを１４００℃より上の温度で熱処理することを特徴とする、複合セラミックの製法。
【請求項１５】
請求項１０に記載の方法により請求項１１から１３までのいずれか１項に記載のケイ素ホウ素窒化物セラミックを結晶化することにより得られる複合セラミックにおいて、ＳｉＣ、Ｓｉ３Ｎ４、ＢＮ、Ｃまたは／およびＢ４Ｃは分子分散した分布の形で存在することを特徴とする、複合セラミック。
【請求項１６】
少なくとも部分的に結晶質のセラミックである、請求項１５に記載の複合セラミック。
【請求項１７】
セラミック粉末、セラミック被覆、セラミック成形品、セラミックフィルム、セラミック繊維またはセラミック微細構造を製造するための、請求項１０に記載のオリゴホウ素カルボシラザンまたはポリホウ素カルボシラザン、請求項１１から１３までのいずれか１項に記載のケイ素ホウ素炭化物窒化物セラミックまたは請求項１５または１６に記載の複合セラミックの使用方法。
【請求項１８】
式（Ｉ）
（Ｒ）３Ｓｉ−Ｃ（Ｒ１）（Ｒ２）−Ｂ（Ｒ）２
［式中、Ｒはそれぞれ相互に独立に１〜２０個の炭素原子を有する炭化水素、ハロゲン、またはＯＲ’（この場合に、Ｒ’およびＲ’’は、相互に独立に水素または１〜２０個の炭素原子を有する炭化水素基である）であり、かつＲ１およびＲ２は、水素である］
の化合物の製法において、触媒、塩基および／または酸捕捉剤から成る組合せの存在で、一般式（ＶＩ）
（Ｒ）３Ｓｉ−Ｃ（Ｒ１）（Ｒ２）−Ｘ
［式中、Ｘは水素、ハロゲンまたはシリル基である］
のシランを、一般式（ＶＩＩ）
Ｂ（Ｒ）３
［式中、Ｒはそれぞれ相互に独立に１〜２０個の炭素原子を有する炭化水素、水素、ハロゲン、ＮＲ’Ｒ’’またはＯＲ’（この場合に、Ｒ’およびＲ’’は、相互に独立に水素または１〜２０個の炭素原子を有する炭化水素基である）である］
のボランと反応させることを特徴とする、式（Ｉ）の化合物の製法。
【請求項１９】
式（Ｉ）
（Ｒ）３Ｓｉ−Ｃ（Ｒ１）（Ｒ２）−Ｂ（Ｒ）２
［式中、Ｒはそれぞれ相互に独立に１〜２０個の炭素原子を有する炭化水素、ハロゲン、またはＯＲ’（この場合に、Ｒ’およびＲ’’は、相互に独立に水素または１〜２０個の炭素原子を有する炭化水素基である）であり、かつＲ１およびＲ２は、水素である］
の化合物の製法において、触媒、塩基および／または酸捕捉剤から成る組合せの存在で、一般式（ＶＩＩＩ）
（Ｒ）３Ｓｉ−Ｃ（Ｒ１）（Ｒ２）−Ｈ
のＣＨ−酸性化合物を、一般式（ＩＸ）
Ｙ−Ｂ（Ｒ）２
［式中、Ｒは上記のものであり、Ｙはハロゲンである］
のボランと反応させることを特徴とする、式（Ｉ）の化合物の製法。
【請求項２０】
酸捕捉剤として、無機イオン交換体またはゼオライトを使用する、請求項１８または１９に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
本発明は、構造特性Ｓｉ-Ｃ-Ｂを有するシリルアルキルボランの製法、新規分子状シリルアルキルボラン、新規分子状シリルアルキルボラジン、新規オリゴホウ素カルボシラザンおよびポリホウ素カルボシラザン、それらの製法および使用ならびに炭素富有のケイ素ホウ素炭化物窒化物セラミックおよびそれらの製法に関する。
【０００２】
分子状前駆体の架橋による非酸化的多重セラミックの製造は、極めて重要である。高い純度および原子レベルまで均一な元素分布を有するセラミック材料は、現在ではこの方法によってしか製造できない。従来の合成方法、例えば、固相反応によってでは、このような材料は入手できない。
【０００３】
ホウ素およびケイ素を有する窒化物セラミックおよび炭化物窒化物セラミックが得られることが特に重要である。これらは、高い熱安定性および酸化安定性を有し、かつ明らかな結晶抑制を示す。セラミックの熱安定性は、これらの四成分系中で付加的に炭素をセラミックネットワーク中に組込むことにより高めることができる。このような材料は、大気圧条件下で高温で使用するために極めて適切であり、かつ複合材料中の構成成分として、セラミック繊維として、被覆の形で使用できるか、またはミクロ構造法に使用することができる。
【０００４】
DE 4107108 A1には、一成分前駆体であるトリクロロシリルアミノジクロロボラン（TADB、Cl３Si-NH-BCl２）の合成が記載されており、これはメチルアミンと架橋した後に、引き続き不活性ガス流中で熱分解して、おおよそSiBN3Cの組成物のセラミックを生じる。この中で得られる炭素は、架橋反応試薬であるメチルアミンのメチル基から生じる。
【０００５】
この方法の欠点は、ここでは単に架橋試薬中の長鎖のアルキル基によってしかコントロールすることができないバリエーションの可能性の少なさにある。しかし、このアルキル基は、熱分解の間に揮発性の炭化水素の形で失われてしまうか、または不所望にセラミック中でグラファイト沈殿物を生じてしまう。
【０００６】
特許WO98/45302には、元素ホウ素とケイ素の間に分枝した炭素架橋を有する、一成分前駆体からのSi/B/N/S−系の炭素富有セラミックの製造が記載されている。この方法で、炭素富有のセラミックを合成することができる。この方法の欠点は、一成分前駆体が炭素架橋にアルキル基を有することであり、これは熱分解の際に揮発性の炭化水素の形で失われ兼ねない。
【０００７】
従って、本発明の発明の課題は、一成分前駆体を高い収率で生じ、かつ先行技術の欠点をもはや有さない簡単な方法を提供することであった。特に、この方法により分枝アルキル基を有さない前駆体化合物が提供されるべきであり、従って、後処理して非晶質または部分的に結晶性の炭素富有のセラミックにすることができる。
【０００８】
さらなる課題は、改善された高温安定性および酸化安定性を有する非晶質Si/B/N/C−セラミックを提供することにある。
【０００９】
前記の課題は、本発明によれば、式（Ｉ）
（Ｒ）３Ｓｉ−Ｃ（Ｒ１）（Ｒ２）−Ｂ（Ｒ）２      （Ｉ）
［式中、Ｒはそれぞれ独立に１〜２０個の炭素原子を有する炭化水素、水素、ハロゲン、ＮＲ'Ｒ''またはＯＲ'（この場合に、Ｒ'およびＲ''は、相互に独立に水素または１〜２０個の炭素原子を有する炭化水素である）であり、かつＲ１およびＲ２は、相互に独立に１〜２０個の炭素原子を有する炭化水素、水素、ハロゲン、ＮＲ'Ｒ''またはＯＲ'（この場合に、Ｒ'およびＲ''は、相互に独立に水素または１〜２０個の炭素原子を有する炭化水素である）である］
の化合物の製法により解決された。
【００１０】
本発明による方法の場合には、一般式（ＩＩ）
（Ｒ）３Ｓｉ−Ｃ（Ｒ１）（Ｒ２）−Ｘ      （ＩＩ）
［式中、Ｘはハロゲンである］
のシランを、金属Ｍ、例えば、アルカリ金属、例えば、Na、Ｋ、特にLi、アルカリ土類金属、特にＭｇ、または遷移金属、例えば、Cu、Zn、Cd、Hgと反応させる。反応は、実質的に重合が行われない温度、特に５０℃を下回る温度、有利には０℃〜１５℃の間で、非プロトン性有機溶剤中で行い、一般式（ＩＩＩ）
（Ｒ）３Ｓｉ−Ｃ（Ｒ１）（Ｒ２）−Ｍ（Ｘ）ｗ      （ＩＩＩ）
［式中、Ｍが一価の金属である場合にはｗ＝０であり、かつ
Ｍが多価の金属である場合にはｗはＭ−１の原子価に相当する≧１の整数である］
のシランが生じる。
【００１１】
この明細書中で使用されているように、基Ｒ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ'およびＲ''は、それぞれ独立に、１〜２０個の炭素原子、有利には１〜１０個の炭素原子を有する炭化水素基であることができる。炭化水素基は、元素炭素と水素とから形成される基である。本発明によれば、炭化水素基は、分枝または非分枝、飽和または不飽和であることができる。炭化水素基は、さらに炭化水素基で置換することができる芳香族基を含有することもできる。有利な炭化水素基の例は、例えば、非分枝の飽和炭化水素、例えば、Ｃ１〜Ｃ２０−アルキル、特にメチル、エチル、ｎ−プロピル、ｎ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｎ−ヘキシル、ｎ−ヘプチル、ｎ−オクチル、ｎ−ノニルおよびｎ−デシルである。基Ｒの場合には、分枝飽和炭化水素基、特に分枝Ｃ１〜Ｃ２０−アルキル、例えば、ｉ-プロピル、ｉ-ブチル、ｔ−ブチルならびに他の分枝アルキル基であることができる。さらに有利な実施態様において、基Ｒには、１個以上のオレフィン性不飽和基が含まれる。このような基の例は、ビニル、アリル、ブテニル、ペンテニル、ヘキセニル、ヘプテニル、オクテニル、ノネニル、デセニル、ブタジエニル、ペンタジエニル、ヘキサジエニル、ヘプタジエニル、オクタジエニル、ノナジエニルおよびデカジエニルである。基Ｒは、アルキル基、すなわちＣ≡Ｃ−結合を含有することもできる。さらに有利な実施態様では、少なくとも１個の基Ｒおよび有利には全ての基Ｒは、芳香族基、特に５〜６個の炭素原子を有する芳香族基、例えば、フェニル基、または炭化水素で置換されたフェニル基、例えば、メチルフェニル、ジメチルフェニル、トリメチルフェニル、エチルフェニルまたはプロピルフェニルを含有する。置換基を含めて、芳香族基は、有利には５〜２０個、特に１０個の炭素原子を含有する。この場合に、炭化水素基Ｒ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ'およびＲ''は、それぞれ相互に独立に変化させることができる。
【００１２】
特に有利には、基Ｒ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ'または／およびＲ''、かつ特に全ての基Ｒ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ'および／またはＲ''は、Ｃ１〜Ｃ２０−アルキル基、特にＣ１〜Ｃ６−アルキル基、フェニル基、ビニル基またはアリル基または１〜３個の炭素原子を有する炭化水素基、特にメチル、エチルまたはプロピル、最も有利にはメチルを含む。
【００１３】
Ｈａｌ基は、ハロゲン原子を示し、特にＣｌ、ＢｒまたはＩを意味し、その際、少なくとも１個のＨａｌ基および有利には全てのＨａｌ基がＣｌであるのが有利である。
【００１４】
化合物（ＩＩＩ）は、一方では上記のように式（ＩＩ）の化合物と金属とから直接に製造することができる。但し、これは十分な反応性を有する金属、例えば、Li、Na、K、Ｍｇ、Cu、Ｚn、Cd、Hgを使用する場合である。他方では、化合物（ＩＩＩ）［この場合に、Ｍは効果的なアルキル化に十分に反応性ではない金属であり、例えばＳｎである］は、２工程でも製造される。第一の工程では、化合物（ＩＩＩ）は、直接に反応性の金属と一緒に製造され、次に２工程で直接に反応性ではない金属で“金属交換反応”される。この金属は例えば金属チップの形でまたは有利には粉末として使用することができる。
【００１５】
引き続き、一般式（ＩＩＩ）の化合物は５０℃を下回る温度、有利には−５０℃〜０℃の温度で一般式Ｙ−Ｂ（Ｒ）２［式中、Ｒは上記の意味であり、かつＹはハロゲン、ＮＲ'Ｒ''またはＯＲ'（この場合に、Ｒ'およびＲ''は、相互に独立に水素または１〜２０個の炭素原子を有する炭化水素である）である］
のボランと反応させる。
【００１６】
式（ＩＩＩ）のシリルアルキル基をはじめに他の金属に変換し、次にボランとの反応を実施することもできる。
【００１７】
方法の有利な実施態様では、式
（Ｒ）３Ｓｉ-ＣＨ２Ｃｌ
［式中、Ｒはそれぞれ独立に一般的な方法で挙げられた意味を有することができる］のクロロメチルシラン化合物を、グリニャール反応においてマグネシウム粉末で金属化し、引き続きハロゲンボランと反応させる。
【００１８】
一般式（Ｒｎ）（Ｃｌ３-ｎ）Ｓｉ（ＣＨ２Ｃｌ）［式中、ｎ＝０；１；２；３であり、Ｒは、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、ビニル、フェニル、水素、ハロゲン、アルキルアミノ基Ｎ（Ｒ'）（Ｒ''）、アルキルオキシ基ＯＲ'（この場合に、Ｒ'、Ｒ''は相互に独立にＣ１〜Ｃ６−アルキル、ビニル、フェニル、水素またはハロゲンである］のクロロメチル−アルキルクロロシランの金属化は、例えば、ジエチルエーテルまたはテトラヒドロフラン中で行うことができる。
【００１９】
一般式（ＩＩＩ）のシランを少なくとも１個のアルキルオキシクロロボランＹＢ（Ｒ３）（Ｒ３'）［この場合に、ＹはＣｌであり、かつＲ３およびＲ３'は相互に独立にＣ１〜Ｃ２０−アルコキシ基またはフェニルオキシ基である］と反応させるのが有利である。
【００２０】
本発明による方法で使用されるハロゲンボランＹＢ（Ｒ３）（Ｒ３'）は、Ｙ＝Ｃｌ、Ｂｒであり、かつＲ３およびＲ３'は相互に独立にＣ１〜Ｃ６−アルコキシ基またはフェニルオキシ基である特にアルコキシクロロボランであるのが有利である。
【００２１】
本発明のもう１つの対象は、一般式（Ｖ）
（Ｒ）３Ｓｉ−Ｃ（Ｒ１）（Ｒ２）−Ｂ（ＯＲ'）（ＯＲ''）    （Ｖ）
の化合物と元素ハロゲン化物または有機酸ハロゲン化物との反応である。
【００２２】
この場合に、一般式（ＩＶ）
（Ｒ）３Ｓｉ−Ｃ（Ｒ１）（Ｒ２）−Ｂ（Ｘ）２      （ＩＶ）
［式中、それぞれＲ、Ｒ１およびＲ２は、相互に独立に水素、ハロゲン、１〜２０個の炭素原子を有する炭化水素基、Ｎ（Ｒ'）（Ｒ''）基またはＯＲ'基（この場合に、Ｒ''およびＲ'は、相互に独立に水素または１〜２０個の炭素原子を有する炭化水素基である）であり、かつＸはハロゲンである］
の化合物が生じる。
【００２３】
有利には、Ｒ１およびＲ２は、それぞれ相互に独立に水素またはハロゲンである。
【００２４】
本発明による方法の有利な実施態様において、中間生成物（Ｒ）３Ｓｉ−Ｃ（Ｒ１）（Ｒ２）−Ｂ（ＯＲ'）（ＯＲ''）２は、予め反応混合物から分離することなく、元素塩化物または有機酸塩化物と反応し、かつ特に三ハロゲン化ホウ素と反応して、
（Ｒ）３Ｓｉ−Ｃ（Ｒ１）（Ｒ２）−Ｂ（Ｘ２）      （ＩＶ）
［式中、Ｒ、Ｒ１およびＲ２は、それぞれ相互に独立に水素、ハロゲン、１〜２０個の炭素原子を有する炭化水素、基Ｎ（Ｒ'）（Ｒ''）または基ＯＲ'（この場合に、Ｒ''およびＲ'は、相互に独立に水素または１〜２０個の炭素原子を有する炭化水素基である）であり、Ｘはハロゲンである］
の化合物になり、このことは製造コストを著しく減少する。
【００２５】
特に有利な実施態様において、グリニャール反応は希釈の法則（Verduennungsprinzip）の使用下に５０℃を下回る温度で、非プロトン性有機溶剤、例えば非環式または環式エーテルまたはＣ５〜Ｃ８−アルカン中で実施することができる。
【００２６】
純粋な物質を単離するために、溶剤を蒸留により除去し、かつ生成物を減圧で分別蒸留するかまたは結晶化により精製する。他の精製法は、例えば高速液体クロマトグラフィー（HPLC）を同様に使用することができる。
【００２７】
本発明による方法を用いて、例えば、式（Ｉ）のシリルアルキルボランをWO 98/45302の方法によらずに製造することができる。
【００２８】
本発明のもう１つの対象は、式（Ｉ）
（Ｒ）３Ｓｉ−Ｃ（Ｒ１）（Ｒ２）−Ｂ（Ｒ）２      （Ｉ）
［式中、Ｒはそれぞれ相互に独立に、水素、ハロゲン、１〜２０個の炭素原子を有する炭化水素基、Ｎ（Ｒ'）（Ｒ''）またはＯＲ'（この場合に、Ｒ'およびＲ''は、それぞれ独立に水素または１〜２０個の炭素原子を有する炭化水素基である）であり、かつＲ１およびＲ２は、それぞれ独立に水素、ハロゲン、Ｎ（Ｒ'）（Ｒ''）またはＯＲ'（この場合に、Ｒ'およびＲ''は、それぞれ独立に水素または１〜２０個の炭素原子を有する炭化水素基である）である］
のシリルアルキルボランである。
【００２９】
Ｒは独立にＣ１〜Ｃ６−アルキル、ビニル、フェニル、水素、ハロゲン、オルガニルアミノ基Ｎ（Ｒ'）（Ｒ''）、オルガニルオキシ基ＯＲ'（この場合、Ｒ'、Ｒ''は相互に独立にＣ１〜Ｃ６−アルキル、ビニル、フェニルまたは水素であり、かつＲ１およびＲ２は、相互に独立に水素またはそのアイソトープまたはハロゲンであるのが有利である。
【００３０】
少なくとも１個のＲ基がメチルおよび／またはＣｌである式（Ｉ）のシリルアルキルボランは有利である。同様に、Ｒ１およびＲ２は、それぞれ水素であるのが有利である。
【００３１】
しかしＲが独立にＣｌおよび／またはＣＨ３ならびにＲ１およびＲ２が水素であるのが特に有利である。
【００３２】
本発明による式（Ｉ）のシリルアルキルボランの特に有利な実施態様は、Ｓｉにハロゲンおよび２個の炭化水素基が結合してるか、または２個のハロゲンおよび１個の炭化水素基が結合している化合物である。このような化合物は、１個または２個の炭化水素基をＳｉ原子に含有しており、これにより、このような化合物から製造されるセラミックの炭素含量をさらに高めることができる。さらに、このような化合物は、オリゴマー化もしくはポリマー化するための反応性ハロゲン原子の含量が少ない。これにより低い架橋度を有するオリゴマーもしくはポリマーは、特に実質的に線状に構成されているポリマーを製造することができる。さらに、ボラン原子に２個のハロゲン原子が結合しているか、または１個のハロゲン原子および１個の炭化水素基が結合している式（Ｉ）の化合物が有利である。
【００３３】
ホウ素およびケイ素が架橋Ｃ（Ｒ１）（Ｒ２）を介して架橋しているこのタイプの１成分前駆体を用いて、炭素が架橋度に左右されず既にポリマーの安定した成分であるポリマーを製造することができる。これにより、セラミックネットワーク中への炭素の組込が促進され、かつ熱分解の間の揮発性炭素含有化合物の分離は、著しく減少する。セラミック中のＣ含量は、適切な架橋度を選択することにより、さらなる限度内で変化させることができ、これにより、セラミックの特性構造を目的の要求に適合させることができる。この方法で製造されたセラミックは、際立った高温安定性および酸化安定性を有する。
【００３４】
出発生成物として使用されるシランは、三塩化ホウ素のように市販されている。使用されるボランは、J. Chem. Soc. (1957) 501〜505ページにより市販されているボランから製造できる。
【００３５】
本発明は、さらに式（Ｘ）：
【００３６】
【化５】
0005150032.tif 000002
【００３７】
［式中、Ｒ１はそれぞれ相互に独立に水素、ハロゲン、１〜２０個の炭素原子を有する炭化水素基、Ｎ（Ｒ'）（Ｒ''）またはＯＲ'（この場合に、Ｒ'およびＲ''は、それぞれ相互に独立に水素または１〜２０個の炭素原子を有する炭化水素基である）であり、かつＲ２およびＲ３は、それぞれ独立に水素、ハロゲン、Ｎ（Ｒ'）（Ｒ''）またはＯＲ'（この場合に、Ｒ'およびＲ''は、それぞれ独立に水素または１〜２０個の炭素原子を有する炭化水素基である）であり、Ｒ４は、それぞれ独立にＲ１、Ｓｎ（Ｒ＊）３またはＳｉ（Ｒ＊）３（この場合に、Ｒ＊はそれぞれ相互に独立にＲ２または１〜２０個の炭素原子を有する炭化水素基である）である］
を有するシリルアルキルボラジンに関する。
【００３８】
これに関して、シリルアルキルボラジン中の有利もしくは特に有利な基は、シリルアルキルボランに関して有利なものとして挙げた基に相当する。
【００３９】
本発明によるシリルアルキルボラジンは、特に前駆体化合物として適切であり、かつポリマーの重合および熱分解の後に、従来はこの系において達成できなかった改善された高温安定性および酸化安定性を有する新規の非晶質Ｓｉ／Ｂ／Ｎ／Ｃ−セラミックを生じる。この新規セラミックは事実上、少なくとも２０００℃までは材料損失を示さず、かつ／または純粋な酸素中では少なくとも１４００℃まで酸化安定性である。
【００４０】
本発明によるシリルアルキルボランは、Ｎ（Ｒ４）３タイプのアミンまたは相応するアンモニウム塩ＨＮ（Ｒ４）３＋Ａ−（この場合に、Ｒ４はそれぞれ独立に上記の意味を有する）と反応して記載されたシリルアルキルボラジンになる。Ａ−は、任意のアニオンであり、かつ特にハロゲン化物、例えば、Ｆ-、Ｃｌ-、Ｂｒ-、またはＩ-、SO４２−基、NO３-−基または亜硝酸塩、塩素酸塩、過塩素酸塩、カルバミド酸塩、酒石酸塩、リン酸塩、五ホウ酸塩、クロム酸塩、クエン酸塩、クエン酸水素塩、炭酸塩、炭酸水素塩、トリフラート、酢酸塩または安息香酸基である。Ａ-はハロゲニドであるのが有利であり、特に塩化物であるのが有利である。
【００４１】
シリルアルキルボランとアミンもしくはアンモニウム塩との反応は、有利には溶剤を用いてまたは用いずに、−１００℃〜２００℃の温度で、より有利には２０℃〜５０℃の温度で行われる。
【００４２】
シリルアルキルボラジンの製法は、次のタイプ
【００４３】
【化６】
0005150032.tif 000003
【００４４】
［ここで、Ｒ４は、それぞれ相互に独立に水素、ハロゲン、１〜２０個の炭素原子を有する炭化水素、Ｎ（Ｒ'）（Ｒ''）、ＯＲ'（この場合に、Ｒ'およびＲ''は、それぞれ独立に水素または１〜２０個の炭素原子を有する炭化水素基である）、Ｓｎ（Ｒ＊）３またはＳｉ（Ｒ＊）３（この場合に、Ｒ＊はそれぞれ独立にＲと同じ意味を有する）である］のボラジンから出発する。
【００４５】
ボラジンは、触媒、塩基および酸捕捉剤（例えば、ゼオライト）から成る適切な組合せの存在で、上記の式（ＩＩＩ）のシランまたは次のタイプ
【００４６】
【化７】
0005150032.tif 000004
【００４７】
［式中、Ｒ１はそれぞれ相互に独立に水素、ハロゲン、１〜２０個の炭素原子を有する炭化水素基、Ｎ（Ｒ'）（Ｒ''）またはＯＲ'（この場合に、Ｒ'およびＲ''は、それぞれ独立に水素または１〜２０個の炭素原子を有する炭化水素基である）であり、かつＲ２およびＲ３は、それぞれ独立に水素、ハロゲン、Ｎ（Ｒ'）（Ｒ''）またはＯＲ'（この場合に、Ｒ'およびＲ''は、それぞれ独立に水素または１〜２０個の炭素原子を有する炭化水素基である）である］のシランと反応させる。Ｘは、水素、ハロゲン、Ｓｎ（Ｒ＊）３またはＳｉ（Ｒ＊）３（この場合に、Ｒ＊はそれぞれ独立に、シリルアルキルボラジンのＲと同じ意味を有する）を意味する。
【００４８】
この反応の際に、ホウ素に付いているＲ４がハロゲンであり、かつ窒素に付いているＲ４が水素であるボラジンを使用し、かつＸが水素であるシランを使用するのが特に有利である。
【００４９】
さらに本発明の対象は、第一の配位圏において、それぞれケイ素原子が少なくとも１個の炭素原子を有し、かつこれがホウ素原子に結合し、その際、このホウ素原子が付加的に２個の窒素原子に結合していることに特徴付けられる、本発明の分子状シリルアルキルボランまたはシリルアルキルボラジンから得られるオリゴおよびポリホウ素カルボシラザンである。
【００５０】
オリゴまたはポリホウ素カルボシラザンは、特に構造単位Si-C-B-N-B-C-Si、Si-C-B-N-Si-C-Bまたは／およびB-C-Si-N-Si-C-Bを有する。前記の構造特性（一層わかりやすくするために、線状配列である）は、この場合、Ｓｉは自明ながら常に４個の隣接する原子に結合しており、ＢおよびＮは常に３個の隣接する原子に結合しており、かつＣはそれぞれ３個または４個の隣接する原子に結合している。相応する結合線は一層わかりやすくするために省略されるが、しかし当業者は容易に読み取ることができる。それぞれの原子に分枝が生じていてもよい。
【００５１】
さらに本発明の対象は、式（Ｉ）のシリルアルキルボランまたは式（Ｘ）のシリルアルキルボラジンを化合物Ｒ'Ｒ''ＮＨ（この場合に、Ｒ'、Ｒ''はそれぞれ独立に水素または１〜２０個の炭素原子を有する炭化水素である）と、−１００℃〜３００℃の温度で反応させる、このようなオリゴまたはポリホウ素カルボシラザンの製法である。
【００５２】
本発明による分子状シリルアルキルボランまたはシリルアルキルボラジンは、少なくともｎ倍モル量の、特に少なくとも２ｎ倍モル量の（ここで、ｎは分子中の架橋可能な部位の数である）、より有利には過剰量のアンモニアおよび／または式Ｈ２ＮＲまたはＨＮＲ２のオルガニルアミン（式中、Ｒは、シリルアルキルボラン１モル当たりのＨ、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、ビニルまたはフェニルである）と、溶剤を用いるかまたは用いずに、−１００〜３００℃の温度で反応させるのが有利である。
【００５３】
オリゴまたはポリホウ素カルボシラザンは、前駆体化合物、特に上記のシリルアルキルボランまたはシリルアルキルボラジンから、直接的な１成分前駆体の重合により、特に−１００〜５００℃の温度での重縮合により形成することもできる。アンモニアおよび／またはアミンの使用は、直接的な重合の場合には必要ではない。
【００５４】
本発明の対象は、液体、粘性液体または固体、部分的に可溶性で、かつ溶融可能なポリマーの形で生じるオリゴまたはポリホウ素カルボシラザンのレオロジー特性を、アンモニアを用いてまたは温度処理により調節する方法である。ポリマー形成の種類により、オリゴまたはポリホウ素カルボシラザンの架橋度を調節できる。アンモニアまたはアミンを使用する場合には、高いクロス架橋構造が生じ、直接的な重合の間に、例えば≦５００℃、有利には≦３００℃の温度処理により、主に直線状構造が得られる。従って、種々の望ましレオロジー特性を有するオリゴもしくはポリホウ素カルボシラザンを目的として製造するか、もしくはオリゴまたはポリホウ素カルボシラザンのレオロジー特性を相応する後処理により変性させることができる。
【００５５】
オリゴまたはポリホウ素カルボシラザンは、液体、粘性液体または固体、部分的に可溶性で、かつ溶融可能なポリマーの形で生じ、これらは、種々の付形法、例えば、注入成形、紡糸により繊維にし、フィルムの引抜きを行うことができ、また浸漬被覆（“ディップコーティング”）または遠心力被覆（“スピンコーティング”）のような種々の被覆法により被覆を製造することができ、その後に、例えばこれらを反応してケイ素ホウ素炭化物窒化物セラミックにする。
【００５６】
本発明のもう１つの対象は、本発明によるオリゴまたはポリホウ素カルボシラザンと、構造単位Ｓｉ-Ｃ-Ｂ（Ｎ）-Ｎまたは式（Ｉ）のシリルアルキルボランまたは式（Ｘ）のシリルアルキルボラジンとを、不活性またはアンモニア含有雰囲気中、−２００℃から＋２００℃の温度で熱分解し、かつ引き続き不活性またはアンモニア含有雰囲気中で、８００〜２０００℃の温度で焼成することによるケイ素ホウ素炭化物窒化物セラミックの製法である。
【００５７】
不活性雰囲気は、希ガス雰囲気、例えば、アルゴンまたはヘリウム雰囲気、窒素雰囲気または、例えば、反応条件下で８００℃〜１７００℃の間で反応相手と反応しない他の不活性ガスから成る大気から選択することができる。
【００５８】
本発明による方法の有利な実施態様において、オリゴまたはポリホウ素カルボシラザンは、３０〜１０００℃の温度で数時間温度処理される。引き続き、これは有利に水素を除去するために、１２００〜１６００℃の温度、有利には１〜１００Ｋ／分の加熱速度で、窒素またはアルゴン雰囲気中で焼成される。
【００５９】
さらに本発明の対象は、上記の方法により製造された、本発明によるオリゴまたはポリホウ素カルボシラザンから成るケイ素ホウ素炭化物窒化物セラミックである。
【００６０】
このセラミックは、N-Si-C-B-N-構造要素および特に構造単位Si-C-B-N-B-C-Si、Si-C-B-N-Si-C-Bまたは／およびB-C-Si-N-Si-C-Bを含有するのが有利である。
【００６１】
本発明によるセラミックは、熱分解の際に結晶質の形でも非晶質の形でも生じる。ケイ素ホウ素炭化物窒化物粉末であるのが有利である。特に有利な特性にもかかわらず、元素Ｎ、Ｓｉ、ＣおよびＢを９３質量％以上、特に９７質量％以上含有するセラミックが有利である。本発明によるセラミックは、＜７質量％、有利には＜３質量％および特に＜１質量％または＜０．５質量％の特に僅かな酸素含量を有する。
【００６２】
非晶質材料から材料ＳｉＣ、Ｓｉ３Ｎ４、ＢＮ、ＣおよびＢ４Ｃの少なくとも１種を含有する複合セラミックへの結晶化は、１４００℃以上の温度での熱処理により行うことができる。このような複合セラミック中では、成分はナノメーターの尺度で実質的に完全に均一に分散しており、すなわち、単分散して分布した形で存在する。本発明による複合セラミックは、特に高い温度安定性により傑出しており、かつ完全にもしくは部分的に結晶質、特に粉末として存在することができる。
【００６３】
オリゴまたはポリホウ素カルボシラザン、セラミックおよび複合セラミックは、セラミック粉末、セラミック被覆、セラミック成形品、セラミックフィルム、セラミック繊維またはセラミックミクロ構造を製造するために使用することができる。
【００６４】
本発明によるシリルアルキルボラン、オリゴおよびポリホウ素カルボシラザンを、化学蒸着（ＣＶＤ）または物理蒸着（ＰＶＤ）において使用することができる。ＣＶＤまたはＰＶＤにより基材を被覆することにより、セラミックコーティングまたは被覆を製造することができる。この場合に、気相分離は、先行技術に記載されたように実施することができる（例えば、DE-19635848参照のこと）。
【００６５】
ミクロ構造は、例えば射出成形またはリトグラフィーによる方法により製造することができる。セラミックは、複合材料を製造するために適切である。セラミックを繊維の形で製造し、これから例えば織物もしくは網状物を作成するのが特に有利であり、これは充填物として他のセラミックに関して強度または粘着性を高めるために使用することができる。
【００６６】
本発明のもう１つの対象は、式（Ｉ）
（Ｒ）３Ｓｉ−Ｃ（Ｒ１）（Ｒ２）−Ｂ（Ｒ）２      （Ｉ）
［式中、Ｒはそれぞれ相互に独立に１〜２０個の炭素原子を有する炭化水素、水素、ハロゲン、Ｎ（Ｒ'）（Ｒ''）または（ＯＲ'）（この場合に、Ｒ'およびＲ''は、相互に独立に水素または１〜２０個の炭素原子を有する炭化水素基である）であり、かつＲ１およびＲ２は、それぞれ相互に独立に水素、ハロゲンまたは１〜２０個の炭素原子を有する炭化水素である］
の化合物の製法である。本発明による方法では、触媒、塩基および酸捕捉剤から成る適切な組合せの存在で、一般式（ＶＩ）
（Ｒ）３Ｓｉ−Ｃ（Ｒ１）（Ｒ２）−Ｘ      （ＶＩ）
［式中、Ｘは水素、ハロゲンまたはシリル基である］
のシランを、一般式（ＶＩＩ）
Ｂ（Ｒ）３
のボランと反応させる（この場合に、Ｒはそれぞれ相互に独立に１〜２０個の炭素原子を有する炭化水素、水素、ハロゲン、Ｎ（Ｒ'）（Ｒ''）またはＯ（Ｒ'）（この場合に、Ｒ'およびＲ''は、それぞれ相互に独立に水素または１〜２０個の炭素原子を有する炭化水素基である）。
【００６７】
本発明のもう１つの対象は、式（Ｉ）
（Ｒ）３Ｓｉ−Ｃ（Ｒ１）（Ｒ２）−Ｂ（Ｒ）２      （Ｉ）
［式中、Rはそれぞれ相互に独立に１〜２０個の炭素原子を有する炭化水素、水素、ハロゲン、Ｎ（Ｒ’）（Ｒ’’）またはＯ（Ｒ’）（この場合に、Ｒ’およびＲ’’は、相互に独立に水素または１〜２０個の炭素原子を有する炭化水素基である）であり、かつＲ１およびＲ２は、相互に独立に水素、ハロゲンまたは１〜２０個の炭素原子を有する炭化水素基である］
の化合物の製法であり、前記方法は、触媒、塩基および酸捕捉剤から成る適切な組合せの存在で、一般式（ＶＩＩＩ）
（Ｒ）３Ｓｉ−Ｃ（Ｒ１）（Ｒ２）−Ｈ      （ＶＩＩＩ）
のＣＨ−酸性化合物を、一般式（ＩＸ）
Ｙ−Ｂ（Ｒ）２
［式中、Ｒは上記のものであり、Ｙはハロゲン、ＮＲ’Ｒ’’またはＯＲ’（この場合に、Ｒ’およびＲ’’は、相互に独立に水素または１〜２０個の炭素原子を有する炭化水素基である）である］
のボランと反応させることにより特徴付けられる。
【００６８】
２つの上記の方法の場合の酸捕捉剤として、特に無機イオン交換体またはゼオライトを使用することができる。
【００６９】
以下に、本発明を例を用いて説明する：
実施例：
例１：（トリクロロシリル）（ジクロロボリル）メタンの製造
反応方程式：
１）Cl３Si-CH２-Cl+Mg  →  Cl３Si-CH２-MgCl
２）Cl３Si-CH２-MgCl＋Cl-B(OC２H５)２  →  Cl３Si-CH２-B(OC２H５)２＋MgCl
３）Cl３Si-CH２-B(OC２H５)２＋2BCl３  →  Cl３Si-CH２-BCl３＋2Cl２B(OC２H５)
3Cl２B(OC２H５)  →  3C２H５Cl＋BCl３＋B２O３[触媒：AlCl３]
クロロメチル−トリクロロシラン  ２０１ｍｍｏｌ、３６．９ｇ
マグネシウム                    ２８８ｍｍｏｌ、７．０ｇ
ビス（エトキシ）クロロボラン    ２２４ｍｍｏｌ、２３．３ｇ
三塩化ホウ素                    ４８８ｍｍｏｌ、５７．２ｇ
三塩化アルミニウム                １９ｍｍｏｌ、０．５ｇ
マグネシウム粉末７．０ｇを無水ジエチルエーテル１５０ｍｌ中に懸濁させた。クロロメチルトリクロロシランを数滴添加し、場合により軽度に加熱することにより、反応を開始した。この懸濁液に１５℃で、ジエチルエーテル２００ｍｌ中のクロロメチルトリクロロシラン３６．９ｇの溶液を滴加した。添加を行った後に、反応混合物を−７８℃まで冷却し、かつビス（エトキシ）クロロボラン２３．３ｇを鋳型に添加した。反応混合物を反応温度まで加熱し、生じた塩化マグネシウムを濾別し、かつ濾液を溶剤から除いた。−７８℃で残留物上に三塩化ホウ素５７．２ｇを凝縮させた。過剰の三塩化ホウ素を除去するために、前記混合物を室温まで加熱し、三塩化アルミニウム０．５ｇを用いて、副生成物であるエトキシジクロロボランを接触分解した。全ての揮発性生成物をコールドトラップに収集し、かつ分別蒸留した。
【００７０】
１H-NMR (300 MHz, C６D６): δ＝1.62. - １１B-NMR (96 MHz, C６D６): δ＝58.61. -１３C-NMR (75 MHz, C６D６): δ＝30.53 (d). -２９Si-NMR (60 MHz, C６D６): δ＝3.13.
例２：（ジクロロメチルシリル）（ジクロロボリル）メタンの製造
反応方程式：
１）Cl２（CH３）Si-CH２-Cl+Mg  →  Cl２（CH３）Si-CH２-MgCl
２）Cl２（CH３）Si-CH２-MgCl＋Cl-B（OC２H５）２  →  Cl２（CH３）Si-CH２-B（OC２H５）２＋MgCl２
３）Cl２（CH３）Si-CH２-B（OC２H５）２＋2BCl３  →  Cl２（CH３）Si-CH２-BCl２＋2Cl２B（OC２H５）２
3Cl２B(OC２H５)  →  3C２H５Cl＋BCl３＋B２O３[触媒：AlCl３]
クロロメチル−メチルジクロロシラン  １９７ｍｍｏｌ、３２．３ｇ
マグネシウム                        ２８８ｍｍｏｌ、７．０ｇ
ビス（エトキシ）クロロボラン        ２２４ｍｍｏｌ、２３．３ｇ
三塩化ホウ素                        ４８８ｍｍｏｌ、５７．２ｇ
三塩化アルミニウム                  １９ｍｍｏｌ、０．５ｇ
マグネシウム粉末７．０ｇを無水ジエチルエーテル１５０ｍｌ中に懸濁させた。クロロメチルメチルジクロロシランを数滴添加し、場合により軽度に加熱することにより、反応を開始した。この懸濁液に１５℃で、ジエチルエーテル２００ｍｌ中のクロロメチルメチルジクロロシラン３２．３ｇの溶液を滴加した。添加を行った後に、反応混合物を−７８℃まで冷却し、かつビス（エトキシ）クロロボラン２３．３ｇを鋳型に添加した。反応混合物を反応温度まで加熱し、生じた塩化マグネシウムを濾別し、かつ濾液を溶剤から除いた。−７８℃で残留物上に三塩化ホウ素５７．２ｇを凝縮させた。過剰の三塩化ホウ素を除去するために、前記混合物を室温まで加熱し、かつ三塩化アルミニウム０．５ｇを用いて、副生成物であるエトキシジクロロボランを接触分解した。全ての揮発性生成物をコールドトラップに収集し、かつ分別蒸留した。
【００７１】
１H-NMR (300 MHz, C６D６): δ＝1.47 (CH２); 0.47 (CH３). - １１B-NMR (96 MHz, C６D６): δ＝58.61. -１３C-NMR (75 MHz, C６D６): δ＝29.28 (d). -２９Si-NMR (60 MHz, C６D６): δ＝23.85.
例３：トリス（ジメチルアミノ）シリル−ビス（ジメチルアミノ）ボリル−メタンの製法
反応方程式：
Cl３Si-CH２-BCl２＋10（CH３）２NH  →  [（CH３）２N]３Si-CH２-B［N（CH３）２N]２＋5（CH３）２NH２Cl
（トリクロロシリル）（ジクロロボリル）メタン  ７５mmol、１７．３ｇ
ジメチルアミン                          ３８１０mmol、１７１．８ｇ
無水ヘキサン２００ｍｌ中のジメチルアミン１７１．８ｇから成る溶液に、無水ヘキサン２００ｍｌ中の（トリクロロシリル）（ジクロロボリル）メタン１７．３ｇから成る溶液を滴加した。反応混合物を室温まで加熱した後、生じたジメチルアミンヒドロクロリドを濾別し、濾液を溶剤から除き、かつ残留物を分別蒸留した。
【００７２】
１H-NMR（300MHz、C６D６）:δ＝2.45（SiNCH３）;2.50（BNCH３）。
【００７３】
例４：（トリクロロシリル）（ジクロロボリル）メタンとモノメチルアミンの反応
（トリクロロシリル）（ジクロロボリル）メタン  ３７mmol、８．５ｇ
モノメチルアミン                            １７２２mmol、５３．５ｇ
無水ヘキサン１２０ｍｌ中のモノメチルアミン５３．５ｇから成る溶液に、無水ヘキサン１２０ｍｌ中の（トリクロロシリル）（ジクロロボリル）メタン８．５ｇから成る溶液を滴加した。反応混合物を室温まで加熱した後、生じたモノメチルアミンヒドロクロリドを濾別し、濾液を溶剤から除いた。ポリホウ素カルボシラザンは透明な粘性残留物として残った。
【００７４】
例５：トリス（ジメチルアミノ）シリルビス（ジメチルアミノ）ボリルメタンとアンモニアとの反応
トリス（ジメチルアミノ）シリルビス（ジメチルアミノ）ボリルメタン  ３２mmol、８．７ｇ
アンモニア                              ５０００mmol、８５．０ｇ
トリス（ジメチルアミノ）シリル／ビス（ジメチルアミノ）ボリル／メタン８．７ｇを、−５０℃でアンモニア８５．０ｇ中で４８時間撹拌した。アンモニアを留去した後に、ポリホウ素カルボシラザンは白色固体残留物として残った。
【００７５】
例６  B, B', Ｂ''−（トリクロロシリルメチル）ボラジンの製造
反応方程式：
3Cl３Si-CH２-BCl２＋3（CH３）３Si-NH-SiCl３→
[Cl３Si-CH２-BNH]３＋3SiCl３＋＋3（CH３）３SiCl
（トリクロロシリル）（ジクロロボリル）メタン  ３６mmol、８．４ｇ
（トリクロロシリル）（トリメチルシリル）アミン  ５０mmol、11.2ｇ
ヘキサン５０ｍｌ中の（トリクロロシリル）（トリメチルシリル）アミン１１．２ｇから成る溶液に、室温で撹拌しながら、ヘキサン２０ｍｌ中の（トリクロロシリル）（ジクロロボリル）メタン８．４ｇから成る溶液を滴加した。１８時間の反応時間後に、全ての揮発性成分を１０ミリバールで留去し、かつ残留物をジクロロメタンから晶出した。
【００７６】
１H-NMR (300 MHz, C６D６): δ＝0.61 (CH２); 4.50 (NH). - １３C-NMR (75 MHz, C６D６): δ＝16.98. -１１Ｂ-NMR (96 MHz, C６D６): δ＝32.74.
例７  B, B', Ｂ''−（トリクロロシリルメチル）ボラジンの製造
反応方程式：
3Cl３Si-CH２-BCl２＋3（CH３）３Si-NH-Si（CH３）３→
[Cl３Si-CH２-BNH]３＋6（CH３）３SiCl
（トリクロロシリル）（ジクロロボリル）メタン  ４３mmol、９．９ｇ
ヘキサメチルジシラザン                        ４５mmol、７．３ｇ
（トリクロロシリル）（ジクロロボリル）メタン９．９ｇに撹拌しながら室温で、ヘキサメチルジシラザン７．３ｇを滴加した。１２時間後に全ての揮発性成分を高真空中で留去し、かつ残留物をジクロロメタンから晶出した。
【００７７】
例８  B, B’, Ｂ’’−（メチルジクロロシリルメチル）ボラジンの製造
反応方程式：
3Cl２（CH３）Si-CH２-BCl２＋3（CH３）３Si-NH-SiCl３→
[Cl２（CH３）Si-CH２-BNH]３＋3SiCl３＋3（CH３）３SiCl
（メチルジクロロシリル）（ジクロロボリル）メタン  ６２mmol、１３．０ｇ
（トリクロロシリル）（トリメチルシリル）アミン    ６９mmol、１５．４ｇ
ヘキサン７０ｍｌ中の（トリクロロシリル）（トリメチルシリル）アミン１５．４ｇから成る溶液に、撹拌しながら室温でヘキサン３０ｍｌ中の（メチルジクロロシリル）（ジクロロボリル）メタン１３．０ｇから成る溶液を滴加した。１８時間の反応時間後に、全ての揮発性成分を１０ミリバールで留去し、かつ残留物をジクロロメタンから晶出した。
【００７８】
１H-NMR (300 MHz, C６D６): δ＝0.48 (CH３); 0.49 (CH２); 4.53(NH). - １３C-NMR (75 MHz, C６D６): δ＝6.84 (CH３); 14.68 (CH２). -１１Ｂ-NMR (96 MHz, C６D６): δ＝33.60.
例９  B, B', Ｂ''−（メチルジクロロシリルメチル）ボラジンの製造
反応方程式：
3Cl２（CH３）Si-CH２-BCl２＋3（CH３）３Si-NH-Si（CH３）３→
[Cl３（CH３）Si-CH２-BNH]３＋6（CH３）３SiCl
（メチルジクロロシリル）（ジクロロボリル）メタン  ５５mmol、１１．５ｇ
ヘキサメチルジシラザン                            ６１mmol、９．８ｇ
（メチルジクロロシリル）（ジクロロボリル）メタン１１．５ｇに、撹拌しながら室温でヘキサメチルジシラザン９．８ｇを滴加した。１２時間後に、全ての揮発性成分を高真空中で留去し、かつ残留物をジクロロメタンから晶出した。