(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被加工材上に芯材を形成する工程と、
前記芯材の上面および側面を覆うようにアモルファス材料からなる被覆膜を形成する工程と、
前記被覆膜を前記芯材の側面に位置する部分を残して除去し、前記芯材の側壁に側壁マスクを形成する工程と、
前記被覆膜から前記側壁マスクを形成する前または後に、熱処理を施すことにより前記側壁マスクに加工する前または後の前記被覆膜を結晶化させる工程と、
前記側壁マスクを形成し、かつ前記側壁マスクに加工する前または後の前記被覆膜を結晶化させた後、前記芯材を除去する工程と、
前記芯材を除去した後、前記側壁マスクをマスクとして用いて、前記被加工材をエッチング加工する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
被加工材上に芯材を形成する工程と、
前記芯材の上面および側面を覆うようにアモルファス材料からなる被覆膜を形成する工程と、
前記被覆膜上に圧縮応力を内包する応力膜を形成し、前記応力膜を形成する際の熱により前記被覆膜を結晶化させる工程と、
前記被覆膜および前記応力膜にエッチングを施して、前記被覆膜と、その側面の前記応力膜とからなる側壁マスクを前記芯材の側壁に形成する工程と、
前記側壁マスクを形成した後、前記芯材を除去する工程と、
前記芯材を除去した後、前記側壁マスクをマスクとして用いて、前記被加工材をエッチング加工する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記被覆膜はアモルファスＳｉからなり、６００〜９５０℃の条件下で加熱されることにより、多結晶Ｓｉへ転移することを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記被覆膜はアモルファスアルミナからなり、９００〜９５０℃の条件下で加熱されることにより、γ−Ａｌ２Ｏ３へ転移することを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記芯材を形成する工程は、前記被加工材上に前記芯材の材料膜を形成する工程と、前記材料膜の所定の部分および前記所定の部分の直下に位置する前記被加工材の上面から一部をエッチング除去する工程と、前記所定の部分をエッチング除去した前記材料膜にスリミング加工を施す工程と、を含み、
前記芯材を形成することにより、前記被加工材の前記芯材の両側に露出した領域に段差が形成されることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体素子の微細化に伴い、リソグラフィーの解像限界（限界露光線幅）未満の寸法を有するパターンを形成する方法が求められている。その１つの方法として、ダミーパターン（芯材）の側面に側壁パターンを形成し、その側壁パターンをマスクとして被加工膜のエッチングを行う方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
特許文献１等に記載の従来の方法によれば、側壁パターンの形成後に、ウェット処理により側壁パターン間のダミーパターンを除去し、側壁パターンにより構成される微細なマスクを形成する。最近では、このような側壁パターンを利用したパターン形成方法に対し、さらなるパターン寸法の微細化、寸法精度の向上が求められている。
【０００４】
しかし、特許文献１等に記載の従来の方法によれば、ダミーパターンを除去するために用いる薬液に働く表面張力や、側壁パターンやダミーパターン中に発生する応力等により、側壁パターンが傾いてマスクパターンの精度が劣化するおそれがある。
【特許文献１】特開２００６−３０３０２２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、微細なラインアンドスペースパターンを含むパターンを精度良く形成することのできる半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様は、被加工材上に芯材を形成する工程と、前記芯材の上面および側面を覆うようにアモルファス材料からなる被覆膜を形成する工程と、前記被覆膜を前記芯材の側面に位置する部分を残して除去し、前記心材の側壁に側壁マスクを形成する工程と、前記被覆膜から前記側壁マスクを形成する前または後に、熱処理を施すことにより前記側壁マスクに加工する前または後の前記被覆膜を結晶化させる工程と、前記側壁マスクを形成し、かつ前記側壁マスクに加工する前または後の前記被覆膜を結晶化させた後、前記芯材を除去する工程と、前記芯材を除去した後、前記側壁マスクをマスクとして用いて、前記被加工材をエッチング加工する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。
【０００７】
また、本発明の他の態様は、被加工材上に芯材を形成する工程と、前記芯材の上面および側面を覆うようにアモルファス材料からなる被覆膜を形成する工程と、前記被覆膜上に圧縮応力を内包する応力膜を形成し、前記応力膜を形成する際の熱により前記被覆膜を結晶化させる工程と、前記被覆膜および前記応力膜にエッチングを施して、前記被覆膜と、その側面の前記応力膜とからなる側壁マスクを前記芯材の側壁に形成する工程と、前記側壁マスクを形成した後、前記芯材を除去する工程と、前記芯材を除去した後、前記側壁マスクをマスクとして用いて、前記被加工材をエッチング加工する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、微細なラインアンドスペースパターンを含むパターンを精度良く形成することのできる半導体装置の製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
〔第１の実施の形態〕
図１Ａ（ａ）〜（ｄ）、図１Ｂ（ｅ）〜（ｈ）は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【００１０】
まず、図１Ａ（ａ）に示すように、ＬＰＣＶＤ（Low-Pressure Chemical Vapor Deposition）法等により、図示しない半導体基板上に積層された被加工膜１ａ、１ｂ上に第１の膜２を形成し、所定のパターンを有するレジスト３を第１の膜２上に形成する。
【００１１】
ここで、被加工膜１ａ、１ｂは、例えば、ゲート材料膜や、加工対象上のハードマスクである。また、被加工膜１ａ、１ｂは、複数の層からなる膜でもよく、例えば、フラッシュメモリのスタックゲート構造を構成するコントロール電極膜、電極間絶縁膜、フローティングゲート電極膜であってもよい。さらに、半導体基板自体を加工対象（被加工材）としてもよい。
【００１２】
また、第１の膜２は、ＴＥＯＳ（Tetraethoxysilane）、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、Ｃ等からなり、その膜厚は、被加工膜１と、後の工程で形成される側壁スペーサーマスク７との選択比等に基づいて決定される。なお、第１の膜２の材質により、レジスト３とのエッチング選択比を確保するための膜を第１の膜２上に形成し、その上にレジスト３をパターン形成してもよい。
【００１３】
また、レジスト３は、例えば、多結晶Ｓｉからなる。この場合、レジスト３は、多結晶Ｓｉ膜をＬＰＣＶＤ法により成膜した後、フォトリソグラフィ法およびＲＩＥ（Reactive Ion Etching）法によりパターニングすることにより形成される。また、レジスト３の有する所定のパターンは、例えば、ラインアンドスペースである。
【００１４】
次に、図１Ａ（ｂ）に示すように、レジスト３をマスクとして、第１の膜２にエッチングを施し、パターンを転写する。
【００１５】
このとき、被加工膜１ｂにも所定の深さの溝が形成されるまでエッチングを施す。これにより、被加工膜１ｂに、表面に芯材が形成されている領域と、それ以外の領域の段差部ｓが形成される。ここで、所定の深さとは、第１の膜２へエッチングを施す際に、加工精度等の問題により意図せずに被加工膜１ｂが削れて形成される溝の深さよりも深い方が好ましいが、後の加工形状に悪影響が及ぼさない程度の深さとする。
【００１６】
次に、図１Ａ（ｃ）に示すように、第１の膜２にスリミング処理を施し、幅を細めて芯材４に加工する。これにより、芯材４の幅をリソグラフィーの解像限界よりも細くすることができる。なお、レジスト３はスリミング処理の前または後に、Ｏ２プラズマエッチング等により除去される。
【００１７】
ここで、スリミング処理はウェットエッチング、ドライエッチング、またはウェットエッチングとドライエッチングの組み合わせにより行われる。また、このスリミング処理により、被加工膜１ｂの段差部ｓが露出する。
【００１８】
次に、図１Ａ（ｄ）に示すように、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等により、芯材４の上面および側面をコンフォーマルに覆うように非晶質膜５を形成する。ここで、非晶質膜５は、アモルファスＳｉ、アモルファスアルミナ等の非晶質材料からなる。
【００１９】
次に、図１Ｂ（ｅ）に示すように、熱処理を施して非晶質膜５を結晶化させ、結晶膜６に変える。非晶質膜５が結晶化して結晶膜６に変わることにより、結晶膜６中に圧縮応力が発生する。
【００２０】
ここで、例えば、非晶質膜５がアモルファスＳｉであった場合は、約６００℃以上の熱処理により結晶化し、結晶膜６としての多結晶Ｓｉに変わる。さらに、アモルファスＳｉである非晶質膜５を効率よく結晶化させるためには、約６５０℃以上で熱処理を行うことが好ましい。また、熱処理温度の上限は、半導体基板上の他の部材に悪影響が及ばない程度の温度、例えば、ゲート酸化膜の膜質が劣化しない程度の温度であり、約９５０℃程度とすることができる。
【００２１】
また、非晶質膜５がアモルファスアルミナであった場合は、約９００℃以上の熱処理により結晶化し、結晶膜６としての多結晶アルミナに変わる。また、熱処理温度の上限は、半導体基板上の他の部材に悪影響が及ばない程度の温度、例えば、ゲート酸化膜の膜質が劣化しない程度の温度であり、約９５０℃程度とすることができる。この場合の多結晶アルミナは、スピネル型のγ−Ａl２Ｏ３となることが多い。
【００２２】
次に、図１Ｂ（ｆ）に示すように、ＲＩＥ法等により、結晶膜６を芯材４の側面に位置する部分を残して除去し、側壁マスク７を形成する。また、側壁マスク７は、段差部ｓ上に位置するように形成される。また、側壁マスク７は、加工前の結晶膜６と同様に、圧縮応力を内包している。
【００２３】
次に、図１Ｂ（ｇ）に示すように、ウェットエッチング等により芯材４を除去する。
【００２４】
芯材４を除去する際には、芯材４の位置していた領域にウェットエッチングに用いられる薬液が入り込み、この薬液に働く表面張力等の影響により、芯材４の位置していた領域の両側に位置する側壁マスク７に互いに引き合うような力が働く。しかし、本実施の形態においては、側壁マスク７が内包する圧縮応力が、この芯材４の位置していた領域の両側に位置する側壁マスク７に働く互いに引き合うような力を妨げるため、薬液の表面張力等に起因する側壁マスク７の傾斜変形を抑制することができる。
【００２５】
次に、図１Ｂ（ｈ）に示すように、側壁マスク７をマスクとして用いて被加工膜１ａ、１ｂにエッチングを施し、パターンを転写する。
【００２６】
図２（ａ）は、図１Ｂ（ｇ）の側壁マスク７周辺の拡大図である。図２（ａ）において、非晶質膜５が結晶化して結晶膜６に変わることにより発生する圧縮応力ｆ１を模式的に表す。側壁マスク７の高さ方向に圧縮応力ｆ１が働くことにより、対向する側壁マスク７に互いが引き合うような力が働いていた場合に、これを打ち消す方向に力ｆ２が発生する。すなわち、力ｆ２は、側壁マスク７の傾斜変形を抑制する力である。ここで、力ｆ２は、側壁マスク７の上端部に発生する力を模式的に表したものである。
【００２７】
図２（ｂ）は、図１Ｂ（ｇ）の段差部ｓ周辺の拡大図である。側壁マスク７の段差部ｓの下段の高さと上段の高さの間に位置する領域に発生する圧縮応力ｆ１は、段差部ｓの上段の高さよりも上の領域において、側壁マスク７の外側（図２（ｂ）中の左側）の方向の成分を有する力ｆ３を発生させる。力ｆ３が発生することにより、図２（ａ）に示した側壁マスク７の上端部に発生する力ｆ２が大きくなる。すなわち、被加工膜１ｂに段差部ｓが存在することにより、側壁マスク７の傾斜変形を抑制する力が大きくなるといえる。
【００２８】
図３は、側壁マスク７の結晶化の有無、段差部ｓの有無の各条件を変えた場合のそれぞれの側壁マスク７の上端部の変位のシミュレーション結果を表したグラフである。なお、このシミュレーションにおける変位とは、水平方向（半導体基板の表面に平行な方向）の変位をいう。また、このシミュレーションにおいては、段差部ｓの段差（同断と下段の高さの差）を１５ｎｍとしている。
【００２９】
ここで、図３中の“結晶化有り”とは、上記の本実施の形態と同様に、非晶質膜５を結晶化させて結晶膜６に変えた後に、結晶化膜６を側壁マスク７に加工した場合をいう。また、“結晶化無し”とは、非晶質膜５を結晶化させずに、そのまま側壁形状に加工した場合をいう。また、“段差部有り”とは、上記の本実施の形態と同様に、被加工膜１ｂが段差部ｓを有する場合をいう。また、“段差部無し”とは、被加工膜１ｂが段差部ｓを有さない場合をいう。
【００３０】
また、図３中の変位［ｎｍ］は、正の値を取る場合には側壁マスク７の内側（図２（ｂ）中の右側）の方向に変位し、負の値を取る場合には側壁マスク７の外側（図２（ｂ）中の左側）の方向に変位することを示している。なお、変位の値については、側壁マスク７の高さ等の条件により変化するため、図３に示される値は一例に過ぎない。しかし、変位の値の大小関係は、諸条件にかかわらず同じである。
【００３１】
図３は、本実施の形態と同様に、“結晶化有り”かつ“段差部有り”の条件下において、側壁マスク７の外側への変位が大きいこと、すなわち、対向する側壁マスク７が互いに引き合うような力が働いていた場合に、これを打ち消す方向に働く力が大きいことを示している。なお、その他の条件下において、変位が正の値を持つのは、対向する側壁マスク７が互いに引き合うような力を考慮してシミュレーションを行ったところ、その力を打ち消すことができなかったためである。
【００３２】
図４は、段差部ｓの段差を変化させた場合のそれぞれの側壁マスク７の上端部の変位のシミュレーション結果を表したグラフである。なお、図４のシミュレーション結果における変位は、図３のシミュレーション結果における変位と同義である。
【００３３】
図４は、段差部ｓの段差が大きくなるほど、側壁マスク７の外側への変位が大きくなること、すなわち、対向する側壁マスク７が互いに引き合うような力が働いていた場合に、これを打ち消す方向に働く力が大きくなることを示している。なお、変位の値については、側壁マスク７の高さ等の条件により変化するため、図４に示される値は一例に過ぎない。しかし、段差部ｓの段差が大きくなるほど側壁マスク７の上端部の変位が大きくなる傾向は、諸条件にかかわらず同じである。
【００３４】
図５は、芯材４が圧縮応力ｆ４を内包している場合に、側壁マスク７に及ぼされる力を模式的に示す。図１Ｂ（ｅ）に示した、熱処理を施して非晶質膜５を結晶化させ、結晶膜６に変える工程において、芯材４に圧縮応力ｆ４が発生する場合、両側面の側壁マスク７にその上部を芯材４側に引き寄せるような力ｆ５が発生する。この力ｆ５は、側壁マスク７内の圧縮応力ｆ１により発生する力ｆ２を弱めるため、芯材４の材料には、熱処理により発生する圧縮応力ｆ４ができるだけ小さい材料を用いることが好ましい。
【００３５】
また、熱処理温度により圧縮応力ｆ４の大きさが変化する場合、熱処理温度を圧縮応力ｆ４が小さくなるような温度にすることが好ましい。例えば、芯材４の材料としてＴＥＯＳを用いた場合、ＴＥＯＳは熱処理温度を約７００℃としたときに圧縮応力ｆ５が最大になり、熱処理温度が上がるにともなって圧縮応力ｆ５が低下する。このため、芯材４の材料としてＴＥＯＳを用いる場合は、熱処理温度をなるべく高くすることにより、圧縮応力ｆ４を小さくすることができる。
【００３６】
このため、熱処理温度は、側壁マスク７内の圧縮応力ｆ２の大きさ（大きい方が好ましい）と、芯材４内の圧縮応力ｆ４の大きさ（小さい方が好ましい）のバランスがよくなる温度を選ぶことが好ましい。非晶質膜５の材料としてアモルファスＳｉ（側壁マスクは多結晶Ｓｉ）、芯材４の材料としてＴＥＯＳを用いる場合、７５０℃〜８５０℃で熱処理を行うことが好ましい。
【００３７】
（第１の実施の形態の効果）
この第１の実施の形態によれば、圧縮応力を内包する側壁マスク７を形成することにより、側壁マスク７の傾斜変形を抑え、微細なラインアンドスペースパターンを含むパターンを精度良く被加工膜１ａ、１ｂに転写することができる。
【００３８】
また、被加工膜１ｂに段差部ｓを形成することにより、側壁マスク７の傾斜変形をより効果的に抑えることができる。
【００３９】
〔第２の実施の形態〕
本実施の形態は、非晶質膜５を結晶化させるタイミングが、第１の実施の形態と異なる。なお、第１の実施の形態と同様の点については、説明を省略または簡略化する。
【００４０】
図６（ａ）、（ｂ）は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【００４１】
まず、図１Ａ（ｄ）に示した非晶質膜５を形成するまでの工程を第１の実施の形態と同様に行う。
【００４２】
次に、図６（ａ）に示すように、ＲＩＥ法等により、非晶質膜５を芯材４の側面に位置する部分を残して除去し、側壁マスク７を形成する。
【００４３】
次に、図６（ｂ）に示すように、熱処理を施して側壁マスク７を結晶化させる。側壁マスク７が結晶化することにより、側壁マスク７中に圧縮応力が発生する。
【００４４】
その後、図１Ｂ（ｇ）に示した芯材４を除去する工程以降の工程を第１の実施の形態と同様に行う。
【００４５】
（第２の実施の形態の効果）
この第２の実施の形態によれば、非晶質膜５を側壁形状に加工した後に結晶化させて側壁マスク７を形成した場合であっても、第１の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００４６】
〔第３の実施の形態〕
本実施の形態は、側壁マスク７の側面に応力膜を形成する点において、第１の実施の形態と異なる。なお、第１の実施の形態と同様の点については、説明を省略または簡略化する。
【００４７】
図７（ａ）、（ｂ）は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【００４８】
まず、図１Ａ（ｄ）に示した非晶質膜５を形成するまでの工程を第１の実施の形態と同様に行う。なお、非晶質膜５の厚さと、後述する応力膜８の厚さの合計が、本実施の形態における側壁マスク７の幅とほぼ同じになるため、この点を考慮して非晶質膜５の厚さを決定することが好ましい。
【００４９】
次に、図７（ａ）に示すように、ＬＰＣＶＤ法等により、非晶質膜５上に応力膜８を形成する。ここで、応力膜８を６００℃以上、好ましくは６５０℃以上の温度条件下で形成することにより、非晶質膜５が結晶化して結晶膜６に変わる。ここで、応力膜８は、ＳｉＮ膜等の、圧縮応力を内包する膜である。
【００５０】
次に、図７（ｂ）に示すように、ＲＩＥ法等により、結晶膜６および応力膜８を芯材４の側面に位置する部分を残して除去し、側壁形状に加工する。これにより、側面に応力膜８を有する側壁マスク７を得る。
【００５１】
その後、図１Ｂ（ｇ）に示した芯材４を除去する工程以降の工程を第１の実施の形態と同様に行う。
【００５２】
図８は、本実施の形態に係る側壁マスク７周辺の拡大図である。応力膜８に圧縮応力ｆ６が働くことにより、対向する側壁マスク７の上部を外側に引っ張る力ｆ７が発生する。側壁マスク７内の圧縮応力ｆ１により発生する力ｆ２に加えて力ｆ７が働くことにより、より効果的に側壁マスク７の傾斜変形を抑制することができる。
【００５３】
（第３の実施の形態の効果）
この第３の実施の形態によれば、側壁マスク７の構造を側面に応力膜８を有する構造とすることにより、側壁マスク７の傾斜変形をより効果的に抑え、微細なラインアンドスペースパターンを含むパターンを精度良く被加工膜１ａ、１ｂに転写することができる。
【００５４】
〔他の実施の形態〕
本発明は、上記各実施の形態に限定されず、発明の主旨を逸脱しない範囲内において種々変形実施が可能である。
【００５５】
例えば、非晶質膜５の代わりに、熱処理により結晶相が変化する結晶からなる膜を用いることができる。結晶相転移により、結晶内に圧縮応力が発生する場合、このような結晶を用いて圧縮応力を内包する側壁マスク７を形成することができる。
【００５６】
また、発明の主旨を逸脱しない範囲内において上記各実施の形態の構成要素を任意に組み合わせることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１Ａ】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す断面図。
【図１Ｂ】（ｅ）〜（ｈ）は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す断面図。
【図２】（ａ）、（ｂ）は、それぞれ図１Ｂ（ｇ）の側壁マスク７周辺の拡大図、および段差部ｓ周辺の拡大図。
【図３】各条件下における側壁マスク７の上端部の変位のシミュレーション結果を表したグラフ。
【図４】段差部ｓの段差を変化させた場合のそれぞれの側壁マスク７の上端部の変位のシミュレーション結果を表したグラフ。
【図５】芯材４が圧縮応力ｆ４を内包している場合に、側壁マスク７に及ぼされる力を模式的に示す図。
【図６】（ａ）、（ｂ）は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す断面図。
【図７】（ａ）、（ｂ）は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す断面図。
【図８】本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の側壁マスク７周辺の拡大図。
【符号の説明】
【００５８】
１ａ、１ｂ  被加工膜。  ２  第１の膜。  ４  芯材。  ５  非晶質膜。  ６  結晶膜。  ７  側壁マスク。  ８  応力膜。  ｓ  段差部。
【図１Ａ】
0005160302.tif 000002
【図１Ｂ】
0005160302.tif 000003
【図２】
0005160302.tif 000004
【図３】
0005160302.tif 000005
【図４】
0005160302.tif 000006
【図５】
0005160302.tif 000007
【図６】
0005160302.tif 000008
【図７】
0005160302.tif 000009
【図８】
0005160302.tif 000010