(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板の上に形成される複数の隔壁とを備え、前記隣接する隔壁と前記基板との間に、インクを収容する収容空間を形成するインクジェット用基板構造であって、
前記インクジェット用基板構造は、更に複数の拡散制御層を備え、
前記拡散制御層の材料は、界面活性剤又は高分子材料であり、
前記界面活性剤は、陽イオン界面活性剤と、陰イオン界面活性剤と、非イオン界面活性剤と、を備えており、
前記高分子材料は、ポリシロキサン高分子と、アクリル高分子と、エポキシ高分子と、ポリエステル樹脂高分子と、を備えており、
前記基板の材料は、ガラス、石英ガラス、シリコン、金属又はプラスチックから選択され、
前記複数の拡散制御層は、別々に前記複数の収容空間内の基板の上に位置されており、前記拡散制御層が、前記収容空間に収容されるインクの、前記拡散制御層の表面を沿って拡張される速度を、インクが拡散制御層の形成されていない基板表面に沿って拡張される速度より遅くして、前記インクと前記隔壁との間の接触角を、拡散制御層が形成されていない場合の前記インクと前記隔壁との間の接触角より大きくすることを特徴とするインクジェット用基板構造。
【請求項２】
請求項１に記載のインクジェット用基板構造を提供する工程と、
インクジェット装置によって、前記複数の収容空間の中にインクを吐出する工程と、
前記収容空間の中のインクを乾燥固化させ、薄膜パターン層を形成する工程と、
を備えることを特徴とするインクジェット用基板構造上に薄膜パターン層を形成する方法。
【請求項３】
前記インクジェット用基板構造を製造する方法は、
基板を提供する工程と、
ドライ・フィルム・ラミネーション、ウエット・スピン・コーティング、又はウエット・スリット・コーティングを利用して、前記基板の表面に拡散制御層を形成する工程と、
前記拡散制御層を乾燥させる工程と、
前記拡散制御層の表面に、フォトレジストを塗布する工程と、
予定の隔壁パターンを有するフォトマスクを採用して、前記フォトレジストに露光する工程と、
現象方式を利用して、隔壁パターン以外の部分のフォトレジスト層を除去し、前記拡散制御層の表面に設ける複数の隔壁を形成する工程と、を備えることを特徴とする請求項２に記載の製造方法。
【請求項４】
前記インクジェット用基板構造を製造する方法は、
基板を提供する工程と、
スクリーン印刷技術を利用して、前記基板の表面に拡散制御層を形成する工程と、
前記拡散制御層を乾燥させる工程と、
前記拡散制御層の表面に、フォトレジストを塗布する工程と、
予定の隔壁パターンを有するフォトマスクを採用して、前記フォトレジストに露光する工程と、
現象方式を利用して、隔壁パターン以外の部分のフォトレジスト層を除去し、前記拡散制御層の表面に設ける複数の隔壁を形成する工程と、を備えることを特徴とする請求項２に記載の製造方法。
【請求項５】
前記拡散制御層は、加熱装置又は露光装置を採用して乾燥することを特徴とする請求項３又は請求項４に記載の製造方法。
【請求項６】
前記インクジェット用基板構造を製造する方法は、
基板を提供する工程と、
前記基板表面に、フォトレジスト層を形成する工程と、
予定の隔壁パターンを有するフォトマスクを採用して、前記フォトレジスト層に露光する工程と、
現象方式を利用して、隔壁パターン以外の部分のフォトレジスト層を除去し、前記基板の表面に設ける複数の隔壁を形成し、前記隔壁と基板とによって、複数の収容空間を限定する工程と、
前記収容空間内の基板に、拡散制御層を形成する工程と、を備えることを特徴とする請求項２に記載の製造方法。
【請求項７】
前記インクジェット装置は、熱式のインクジェット装置又は圧電式のインクジェット装置であることを特徴とする請求項２に記載の製造方法。
【請求項８】
前記乾燥工程は、真空吸着装置、加熱装置又は露光装置のうちの少なくとも一種を採用することを特徴とする請求項２に記載の製造方法。
【請求項９】
前記露光装置は、紫外線露光装置を備えることを特徴とする請求項８に記載の製造方法。
【請求項１０】
前記薄膜パターン層の製造方法は、更にラビング又はエッチング方式を利用し、前記隔壁が薄膜パターン層に相対して突出する部分を磨いて平らにする工程を備えることを特徴とする請求項２に記載の製造方法。
【請求項１１】
前記拡散制御層は、ドライ・フィルム・ラミネーション、ウエット・スピン・コーティング、ウエット・スリット・コーティング、又はスクリーン印刷技術を採用して形成することを特徴とする請求項６に記載の製造方法。
【請求項１２】
前記拡散制御層を形成してから、更に加熱装置又は露光装置を採用して乾燥する工程を備えることを特徴とする請求項３、請求項４又は請求項６に記載の製造方法。
【請求項１３】
表面にインクを収容する収容空間である複数の凹みを備えるインクジェット用基板構造であって、
前記収容空間の底板に拡散制御層が形成され、
前記拡散制御層の材料は、界面活性剤又は高分子材料であり、
前記界面活性剤は、陽イオン界面活性剤と、陰イオン界面活性剤と、非イオン界面活性剤と、を備えており、
前記高分子材料は、ポリシロキサン高分子と、アクリル高分子と、エポキシ高分子と、ポリエステル樹脂高分子と、を備えており、
前記基板構造の材料は、ガラス、石英ガラス、シリコン、金属又はプラスチックから選択され、
前記拡散制御層が、前記収容空間に収容されるインクの、前記拡散制御層の表面を沿って拡張される速度を、インクが拡散層の形成されていない基板表面に沿って拡張される速度より遅くして、前記インクと前記凹みの内壁との間の接触角を、拡散制御層が形成されていない場合の前記インクと前記凹みの内壁との間の接触角より大きくすることを特徴とするインクジェット用基板構造。
【請求項１４】
請求項１３に記載のインクジェット用基板構造を提供する工程と、
インクジェット装置によって、前記複数の収容空間の中にインクを吐出する工程と、
前記収容空間の中のインクを乾燥固化させ、薄膜パターン層を形成する工程と、を備えることを特徴とするインクジェット用基板構造上に薄膜パターン層を形成する方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板構造及び該基板構造上に薄膜パターン層を形成する方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
現在、薄膜パターン層の製造方法は、主にフォトリソグラフィー法（Ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ  ｔｅｃｈｎｉｑｕｅ）と、インクジェット法（Ｉｎｋ  ｊｅｔ  ｐｒｏｃｅｓｓ）とを有する。
【０００３】
フォトリソグラフィー法：必要な薄膜を塗布しようとする基板構造上に、フォトレジスト層を塗布し、前記フォトレジスト層に予定パターンを有するフォトマスクを設け、露光と現象を行なうか、或いはエッチング製造プロセスを加えることにより、予定パターンを有する薄膜パターン層を形成する。前記フォトリソグラフィー法は、真空装置などの大型設備或いは複雑な製造プロセスを必要として、且つ材料の使用効率が低くて、製造コストを高める。
【０００４】
インクジェット法：図１９に示すように、インクジェット装置によって、基板３０１上の複数の隔壁３０４が形成する収容空間に、必要な薄膜材料から形成するインク３１４を吐出し、インク３１４が乾燥されてから、前記基板上に予定の薄膜パターン層を形成する。前記インクジェット法は、薄膜パターン層を一度に形成することができるから、製造プロセスが大量に簡略化し、コストが大幅に下がる。しかし、インク３１４が前記収容空間に収容された後も液体状態なので、インク３１４が隔壁３０４まで拡散してから、インク３１４と隔壁３０４との間に毛細管現象が存在するため、前記隔壁３０４と接触するインク３１４が隔壁３１４を這い登ることにより、インク３１４と隔壁３０４との間の接触角θが小さくなり易い。従って、前記隔壁３０４と接触する処のインク３１４の液面が高くなり易く、前記インク３１４が隔壁３０４の周囲に集まり、薄膜パターン層の厚さが均一でない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の第一目的は、前記課題を解決し、薄膜パターン層の厚さの均一性を改善することができる基板構造を提供することである。
【０００６】
本発明の第二目的は、前記基板構造上に薄膜パターン層を形成する方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記第一目的を達成するため、本発明の基板構造は、基板と、前記基板の上に形成される複数の隔壁とを備え、前記隣接する隔壁と前記基板との間に、収容空間を形成し、前記基板構造は、更に複数の拡散制御層を備え、前記複数の拡散制御層は、別々に前記複数の収容空間内の基板の上に位置されており、前記拡散制御層は、前記収容空間に収容するインクの拡散速度を遅くするとか、又は拡散範囲を縮める。
【０００８】
前記第二目的を達成するため、本発明の基板構造上に薄膜パターン層を形成する方法は、前記基板構造を提供する工程と、インクジェット装置によって、前記複数の収容空間の中にインクを吐出する工程と、前記収容空間の中のインクを乾燥固化させ、薄膜パターン層を形成する工程とを備える。
【発明の効果】
【０００９】
従来技術と比べて、本発明に係る基板構造において、その隣接する隔壁の間の基板上に拡散制御層を備える。インクが収容空間内に収容されて、且つ前記拡散制御層と接触する時、拡散制御層は、インクが収容空間での拡散速度を遅くするとか、又は拡散範囲を縮める。インクが隔壁まで拡散した時、インクは、もう粘度が極めて高い液体になるから、インクと隔壁との間の毛細管現象の原動力がとても小さくなり、インクが隔壁に這い登り難く、従って、インクと隔壁との間の接触角が大きくなり、拡散制御層は、インクと隔壁の接触角が小さくなり易いという問題を改善することができる。
【００１０】
前記薄膜パターン層の製造方法は、前記基板構造を採用するため、形成された薄膜パターン層の厚さが均一で、表面平滑性がかなり優れる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
次に、図面を参照しながら本発明の実施形態を詳しく説明する。
【００１２】
図１を参照すると、本発明の第一実施形態の基板構造１００は、基板１０１と、該基板１０１の上に位置する拡散制御層１０２と、前記拡散制御層１０２の上に位置する複数の隔壁１０４とを備える。
【００１３】
本実施形態において、前記基板１０１は、ガラス材料を使用して製造する。もちろん、基板１０１の材料は、石英ガラス、シリコン、金属又はプラスチックなどを選んでもよい。前記拡散制御層１０２の材料は、界面活性剤又は高分子材料を選ぶことができる。前記界面活性剤は、アミン塩（ａｍｉｎｅ  ｓａｌｔ）及び４価アンモニウム塩（ｑｕａｔｅｒｎａｒｙ  ａｍｍｏｎｉｕｍ  ｓａｌｔ）などのような陽イオン界面活性剤と、エーテル・カルボン酸エステル（ｅｔｈｅｒ  ｃａｒｂｏｘｙｌａｔｅｓ）、スルホナート（ｓｕｌｆｏｎａｎｔｅｓ）、硫酸エステル（ｓｕｌｆａｔｅｓ）などのような陰イオン界面活性剤と、シロキサン・界面活性剤（ｓｉｌｏｘａｎｅ  ｓｕｒｆａｃｔａｎｔｓ）、フルオロ・界面活性剤（ｆｌｕｏｒｏｓｕｒｆａｃｔａｎｔｓ）、アルコールエトキシレート（ａｌｃｈｏｌ  ｅｔｈｏｘｙｌａｔｅｓ）、ノニルフェノール・エトキシレート（ｎｏｎｙｌｐｈｅｎｏｌ  ｅｔｈｏｘｙｌａｔｅｓ）、オクチルフェノール・エトキシレート（ｏｃｔｙｌｐｈｅｎｏｌ  ｅｔｈｏｘｙｌａｔｅｓ）、ソルビトールエステル（ｓｏｒｂｉｔａｎ  ｅｓｔｅｒｓ）などのような非イオン界面活性剤とを備える。前記高分子材料は、ポリシロキサン高分子と、アクリル高分子と、エポキシ高分子と、ポリエステル樹脂高分子とを備える。もちろん、前記拡散制御層１０２が基板上に塗布されてから、前記複数の収容空間に収容するインクの拡散速度を遅くするとか、インクと隔壁との間の接触角を増大すればよいのであって、具体的な実施形態に限られる必要はない。
【００１４】
其のうち、前記拡散制御層１０２は、回転塗布方式によって前記基板１０１の表面に形成することができる。複数の隔壁１０４は、フォトリソグラフィー法によって前記拡散制御層１０２の上に形成する（後で詳しく説明する）。
【００１５】
前記複数の隔壁１０４と拡散制御層１０２が複数の収容空間１０６を形成し、前記収容空間１０６は、インクジェット装置によって吐出するインクを収容することに用いられる（後で詳しく説明する）。
【００１６】
前記基板構造１００が薄膜層を製造することに用いられる時、前記収容空間１０６内にインクを吐出し、且つ前記インクが拡散制御層１０２と接触する時、該拡散制御層１０２は、インクが収容空間１０６での拡散速度を遅くするとか、又は拡散範囲を縮める。前記拡散過程中、同時にインク溶剤自身が揮発するため、インクの固体含有量が上がり、その拡散速度もいっそう遅くなる。インクが隔壁１０４まで拡散した時、インクは、もう粘度が極めて高い液体になるから、インクと隔壁１０４との間の毛細管現象の原動力がとても小さくなり、インクが隔壁１０４に這い登り難く、従って、インクと隔壁１０４との間の接触角が大きくなり、拡散制御層１０２は、インクと隔壁１０４の接触角が小さくなり易いという問題を改善することができる。インクが乾燥固化してから形成した薄膜パターン層の厚さが均一で、表面平滑性もわりに優れる。
【００１７】
図２を参照すると、本発明の第二実施形態の基板構造４００は、基板４０１と、該基板４０１上に位置する複数の隔壁４０４とを備え、前記複数の隔壁４０４と基板４０１は、複数の収容空間４０６を形成する。其のうち、各収容空間４０６内の基板表面に拡散制御層４０２を有する。
【００１８】
図３を参照すると、本発明の第三実施形態の基板構造５００においては、該基板構造５００と前記基板構造４００とは類似し、異なっているのは、隔壁５０４の上にも拡散制御層５０２が覆っていることである。
【００１９】
図４を参照すると、本発明の第四実施形態の基板構造６００が示されている。基板構造６００は、基板６０１を備え、前記基板６０１の上に複数の凹み６０６を持ち、前記凹み６０６は収容空間として、インクを収容することに用いられる。拡散制御層６０２は、前記収容空間の底部に形成される。前記凹み６０６は、エッチング、砂粒を吹付ける処理、又はフォトマスクによって露光するなどの方法を採用して製造し得る。前記拡散制御層６０２は、ドライ・フィルム・ラミネーション（Ｄｒｙ  Ｆｉｌｍ  Ｌａｍｉｎａｔｉｏｎ）、ウエット・スピン・コーティング（Ｗｅｔ  Ｓｐｉｎ  Ｃｏａｔｉｎｇ）、ウエット・スリット・コーティング（Ｗｅｔ  Ｓｌｉｔ  Ｃｏａｔｉｎｇ）、スクリーン印刷（Ｓｃｒｅｅｎ  ｐｒｉｎｔｉｎｇ）によって形成することができる。
【００２０】
図５を参照すると、本発明の第五実施形態の基板構造７００においては、該基板構造７００と前記基板構造６００とは類似し、異なっているのは、基板７０１のあらゆる表面に、拡散制御層７０２が形成されているということである。
【００２１】
本発明は、基板構造上に薄膜パターン層を形成する方法を提供し、該方法のフロー・チャートを、図６によって示す。該方法は、以下の工程を備える。基板構造を提供し（工程３０２）、インクジェット装置によって、前記複数の収容空間の中に、薄膜材料から形成するインクを吐出し（工程３０４）、前記収容空間の中のインクを乾燥固化させ、薄膜パターン層を形成し（工程３０６）、選択することができる工程でとして、隔壁が薄膜パターン層に相対して突出する部分を磨いて平らにする（工程３０８）。
【００２２】
図７〜図１８を参照しながら、基板構造上に薄膜パターン層を形成する方法を詳しく説明する。
【００２３】
工程３０２：基板構造を提供する。該基板構造は、基板構造１００、４００、５００、６００又は７００であり得る。
【００２４】
本発明の第一実施形態が提供する基板構造１００の製造方法は、具体的に以下の工程を備える。基板１０１を提供する工程と、ドライ・フィルム・ラミネーション（Ｄｒｙ  Ｆｉｌｍ  Ｌａｍｉｎａｔｉｏｎ）、ウエット・スピン・コーティング（Ｗｅｔ  Ｓｐｉｎ  Ｃｏａｔｉｎｇ）、ウエット・スリット・コーティング（Ｗｅｔ  Ｓｌｉｔ  Ｃｏａｔｉｎｇ）を利用して、基板１０１の上表面に拡散制御層１０２を塗布する工程と、前記拡散制御層１０２を乾燥又は硬化する工程と、図７に示すように、もう一度ドライ・フィルム・ラミネーション、ウエット・スピン・コーティング、ウエット・スリット・コーティングを利用して、前記拡散制御層１０２の表面に、ネガタイプフォトレジスト材料層２０２を塗布する工程と、図８に示すように、フォトマスク式露光機を利用して、ネガタイプフォトレジスト材料層２０２と露光機光源（図に示していない）との間に、予定の隔壁パターンを有するフォトマスク２００を設け、且つ前記ネガタイプフォトレジスト材料層２０２を露光する工程と、図１に示すように、現象方式を利用して、露光されなかった処のネガタイプフォトレジスト材料層を除去し、前記拡散制御層１０２の表面に設ける複数の隔壁１０４を形成する工程である。
【００２５】
前記方法は、ネガタイプフォトレジスト材料層２０２を利用して、前記拡散制御層１０２の表面に複数の隔壁１０４を形成する。上述の工程において、ポジタイプフォトレジストを使用してもよい。これによれば、ただ対応するフォトマスクのデザイン及び製造プロセスの露光箇所の材料を留めるか除去するかに差異が有るだけであり、本発明の実施に影響しない、ということを理解すべきである。
【００２６】
本発明の第二実施形態が提供する基板構造４００の製造方法（第一種）は、具体的に以下の工程を備える。基板４０１を提供する工程と、図９に示すように、スクリーン印刷技術を利用して、基板４０１の表面に拡散制御層パターン４０２を形成する工程と、フォトマスク露光及び現象方式を利用して、前記拡散制御層パターンを乾燥硬化する工程と、図１０に示すように、前記基板４０１表面に、ネガタイプフォトレジスト材料層４０８を塗布し、且つ前記拡散制御層パターン４０２を覆う工程と、図１１に示すように、前記ネガタイプフォトレジスト材料層４０８と露光機光源との間に、前記拡散制御層パターン４０２と対応する隔壁パターンを有するフォトマスク４１０を設け、且つ前記ネガタイプフォトレジスト材料層４０８を露光する工程と、図２に示すように、現象方式を利用して、隔壁パターン以外の部分のフォトレジスト材料層４０８を除去し、前記基板４０１の表面に設ける複数の隔壁４０４を形成する工程である。
【００２７】
本発明の第二実施形態が提供する基板構造４００の製造方法（第二種）は、具体的に以下の工程を備える。基板４０１を提供する工程と、図１２に示すように、前記基板４０１表面に、ネガタイプフォトレジスト材料層４０８を塗布する工程と、図１３に示すように、前記ネガタイプフォトレジスト材料層４０８と露光機光源との間に、予定の隔壁パターンを有するフォトマスク２００を設け、且つ前記ネガタイプフォトレジスト材料層４０８を露光する工程と、現象方式を利用して、隔壁パターン以外の部分のネガタイプフォトレジスト材料層４０８を除去し、前記基板４０１の表面に設ける複数の隔壁４０４を形成し、前記複数の隔壁４０４と基板４０１が複数の収容空間４０６を限定する工程と、図２に示すように、ドライ・フィルム・ラミネーション、ウエット・スピン・コーティング、ウエット・スリット・コーティングを利用して、各収容空間４０６内の基板４０１の表面に、拡散制御層４０２を塗布し、加熱装置又は露光装置を採用して、前記拡散制御層４０２を固化する工程である。
【００２８】
勿論、上述の二つの方法は、ネガタイプフォトレジスト材料を利用して、基板表面に複数の隔壁を形成する。上述の工程において、ポジタイプフォトレジストを使用してもよく、これによれば、ただ対応するフォトマスクのデザイン及び製造プロセスの露光箇所の材料を留めるか除去するかに差異が有るだけであり、本発明の実施に影響しない、ということを理解すべきである。
【００２９】
工程３０４〜工程３０８は、本発明の第一実施形態が提供する基板構造１００と共通に説明する。本発明の他の実施形態が提供する基板構造を採用しようとするならば、本発明の第一実施形態が提供する基板構造１００を参照して実施することができる。
【００３０】
工程３０４：図１５に示すように、インクジェット装置１１０によって、前記複数の収容空間１０６の中に、薄膜材料から形成するインク１１２を吐出する。
【００３１】
前記インクジェット装置１１０は、熱式のインクジェット装置（Ｔｈｅｒｍａｌ  Ｂｕｂｂｌｅ  Ｉｎｋ  Ｊｅｔ  Ｐｒｉｎｔｉｎｇ  Ａｐｐａｒａｔｕｓ）又は圧電式のインクジェット装置（Ｐｉｅｚｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｉｎｋ  Ｊｅｔ  Ｐｒｉｎｔｉｎｇ  Ａｐｐａｒａｔｕｓ）を選ぶことができる。
【００３２】
図１６に示すように、前記収容空間１０６内にインクを吐出し、且つ前記インクが拡散制御層１０２と接触する時、該拡散制御層１０２は、インクが収容空間１０６での拡散速度を遅くするとか、又は拡散範囲を縮める。前記拡散過程中、同時にインク溶剤１１２自身が揮発するため、インク１１２の固体含有量が上がり、その拡散速度もいっそう遅くなる。前記インク１１２が隔壁１０４まで拡散した時、インク１１２は、もう粘度が極めて高い液体になるから、インク１１２と隔壁１０４との間の毛細管現象の原動力がとても小さくなり、インク１１２が隔壁１０４に這い登り難く、従って、インク１１２と隔壁１０４との間の接触角が大きくなる。
【００３３】
工程３０６：図１７に示すように、前記収容空間１０６の中のインク１１２を乾燥固化して、薄膜パターン層１１４を形成する。該工程３０６は、主に、真空吸着装置、加熱装置または露光装置によって、前記収容空間１０６内のインク１１２を乾燥固化するか、或いは上述の三種の装置のいずれの二種又はいずれの三種の装置を同時に採用して乾燥固化を行う。前記露光装置は、紫外線露光装置を備える。
【００３４】
本実施形態の薄膜パターン層の製造方法は、さらに工程３０８を備えることができる。該工程３０８を具体的に説明すると、図１８に示すように、ラビング又はエッチング方式を利用し、隔壁１０４が薄膜パターン層１１４に相対して突出する部分を磨いて平らにして、平坦度の要求を満たすことができる。
【００３５】
本発明の実施形態が提供する基板構造においては、その隣接する隔壁の間の基板上に拡散制御層を備える。インクが収容空間内に収容されて、且つ前記拡散制御層と接触する時、拡散制御層は、インクが収容空間での拡散速度を遅くするとか、又は拡散範囲を縮める。インクが隔壁まで拡散した時、インクは、もう粘度が極めて高い液体になるから、インクと隔壁との間の毛細管現象の原動力がとても小さくなり、インクが隔壁に這い登り難く、従って、インクと隔壁との間の接触角が大きくなり、拡散制御層は、インクと隔壁の接触角がわりに小さい問題を改善することができる。本発明の薄膜パターン層の製造方法は、上述のような基板構造だから、形成された薄膜パターン層の厚さが均一で、表面平滑性がわりに優れる。
【００３６】
前記薄膜パターン構造を利用して、薄膜パターン層を製造する製造プロセスは、カラーフィルターや、有機露光装置などを製造することに適用される。カラーフィルターの製造プロセスにおいて、上述の製造プロセスを使用して、赤、緑、青の三色顔色層の製造を完成することができ、相応的に、上述の内容が言及する隔壁は、単層隔壁（即ち、単なるブラックマトリックスを隔壁とするもの）とすることができ、多層隔壁（ブラックマトリックス及びブラックマトリックスの上の単層又は多層材料を備え、これらを共同で隔壁とするもの）でもよい。即ち、フィルターの単層材料又は多層材料から構成するブラックマトリックスである。有機露光装置の製造プロセスにおいては、前記製造プロセスによって、有機露光装置の導電層、発光層及びホール伝導層（ｈｏｌｅ  ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  ｌａｙｅｒ）などを製造することができるが、形成した薄膜パターン及び必要なインクが異なる。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の第一実施形態の基板構造を示す図である。
【図２】本発明の第二実施形態の基板構造を示す図である。
【図３】本発明の第三実施形態の基板構造を示す図である。
【図４】本発明の第四実施形態の基板構造を示す図である。
【図５】本発明の第五実施形態の基板構造を示す図である。
【図６】基板構造を採用して、薄膜パターン層を製造する方法のフロー・チャートである。
【図７】本発明の第一実施形態が提供する基板構造の製造方法を示す図である。
【図８】本発明の第一実施形態が提供する基板構造の製造方法を示す図である。
【図９】本発明の第二実施形態が提供する基板構造の第一種の製造方法を示す図である。
【図１０】本発明の第二実施形態が提供する基板構造の第一種の製造方法を示す図である。
【図１１】本発明の第二実施形態が提供する基板構造の第一種の製造方法を示す図である。
【図１２】本発明の第二実施形態が提供する基板構造の第二種の製造方法を示す図である。
【図１３】本発明の第二実施形態が提供する基板構造の第二種の製造方法を示す図である。
【図１４】本発明の第二実施形態が提供する基板構造の第二種の製造方法を示す図である。
【図１５】本発明第一実施形態の基板構造を採用して製造された薄膜パターン層の製造方法を示す図である。
【図１６】本発明第一実施形態の基板構造を採用して製造された薄膜パターン層の製造方法を示す図である。
【図１７】本発明第一実施形態の基板構造を採用して製造された薄膜パターン層の製造方法を示す図である。
【図１８】本発明第一実施形態の基板構造を採用して製造された薄膜パターン層の製造方法を示す図である。
【図１９】従来の基板構造を示す図である。
【符号の説明】
【００３８】
１００、４００、５００、６００、７００  基板構造
１０１、３０１、４０１、５０１、６０１、７０１  基板
１０２、４０２、５０２、６０２、７０２  拡散制御層
１０４、３０４、４０４、５０４  隔壁
１０６、４０６、５０６、７０６  収容空間
１１０  インクジェット装置
１１２、３１４  インク
１１４  薄膜パターン層
２００  フォトマスク
２０２、４０８  ネガタイプフォトレジスト材料層
３０２、３０４、３０６、３０８  工程
４１０  フォトマスク
６０６  凹み
【図１】
0005275569.tif 000002
【図２】
0005275569.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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