(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光導電層および前記光導電層上の表面層を有し、前記光導電層と前記表面層との間にＮ層（ただし、Ｎは３以上の奇数である。）の中間層を有する電子写真感光体と、
前記電子写真感光体の表面に中心波長がλ［μｍ］である画像露光光を照射して、前記電子写真感光体の表面に潜像を形成するための画像露光装置と
を有する電子写真装置において、
前記光導電層の屈折率をｎ０とし、前記光導電層側から１番目の中間層の屈折率をｎ１とし、前記光導電層側からｉ番目（ただし、ｉは１以上Ｎ以下の整数である。）の中間層の屈折率をｎｉとし、前記光導電層側からＮ番目の中間層の屈折率をｎＮとし、前記表面層の屈折率をｎＮ＋１とし、前記光導電層側からｉ番目の中間層の膜厚をｄｉ［μｍ］とした場合、
屈折率ｎ０、ｎ１、ｎｉ、ｎＮおよびｎＮ＋１が下記式（１）を満たし、
ｎ０＞ｎ１＞・・・＞ｎｉ＞・・・＞ｎＮ＞ｎＮ＋１        ・・・（１）
前記光導電層側から奇数番目の各中間層については、屈折率ｎｉが下記式（２）をそれぞれ満たし（ただし、ｉが１の場合、ｎｉ−１は前記光導電層の屈折率ｎ０であり、ｉがＮの場合、ｎｉ＋１は前記表面層の屈折率ｎＮ＋１である。）、
【数１】
0005225421.tif 000042
前記光導電層側から奇数番目の各中間層については、屈折率ｎｉおよび膜厚ｄｉ［μｍ］が下記式（３）を満たすことになるための整数ｐｉ（ただし、ｐｉは正の整数である。）がそれぞれ存在し、
【数２】
0005225421.tif 000043
前記光導電層側から奇数番目の中間層の中から２層の中間層を選択する組み合わせの中に、選択された２層の中間層に挟まれている各中間層の屈折率ｎｉと膜厚ｄｉ［μｍ］の積（ｎｉ・ｄｉ）の和が下記式（４）を満たすことになるための整数ｑ（ただし、ｑは０以上の整数である。）が存在する組み合わせが１組以上存在する
【数３】
0005225421.tif 000044
ことを特徴とする電子写真装置。
【請求項２】
前記各ｐｉが１または２である請求項１に記載の電子写真装置。
【請求項３】
前記Ｎが５以上の奇数である請求項１または２に記載の電子写真装置。
【請求項４】
前記光導電層側から偶数番目の中間層のうち、１層以上の偶数番目の中間層については、屈折率ｎｉおよび膜厚ｄｉ［μｍ］が下記式（５）を満たすことになるための整数ｑｉ（ただし、ｑｉは０以上の整数である。）が存在する
【数４】
0005225421.tif 000045
請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子写真装置。
【請求項５】
前記各ｑｉが１、２、３または４である請求項４に記載の電子写真装置。
【請求項６】
前記Ｎが５以上の奇数であり、
前記光導電層側から偶数番目の中間層のうち、１層以上の偶数番目の中間層については、屈折率ｎｉおよび膜厚ｄｉ［μｍ］が前記式（５）を満たすことになるための整数ｑｉ（ただし、ｑｉは０以上の整数である。）が存在し、残りの偶数番目の中間層については、屈折率ｎｉおよび膜厚ｄｉ［μｍ］が前記式（３）を満たすことになるための整数ｐｉ（ただし、ｐｉは正の整数である。）が存在する
請求項４または５に記載の電子写真装置。
【請求項７】
前記Ｎが下記式（６）（ただし、ｋは正の整数である。）を満たす整数であり、
Ｎ＝４・ｋ−１      ・・・（６）
前記光導電層側から２・ｋ番目の中間層を中心として対称な配置となる２層の偶数番目の中間層を選択する組み合わせの中に、選択された２層の偶数番目の中間層の屈折率ｎｉおよび膜厚ｄｉ［μｍ］がどちらも前記式（５）を満たす組み合わせが１組以上存在する請求項４〜６のいずれか１項に記載の電子写真装置。
【請求項８】
前記Ｎが下記式（７）（ただし、ｈは正の整数である。）を満たす整数であり、
Ｎ＝４・ｈ＋１      ・・・（７）
前記光導電層側から偶数番目の各中間層については、屈折率ｎｉおよび膜厚ｄｉ［μｍ］が下記式（８）を満たすことになるための整数ｓｉ（ただし、ｓｉは（２・ｓｉ−１）／（２・ｈ＋１）が奇数でない数になる正の整数である。）がそれぞれ存在する
【数５】
0005225421.tif 000046
請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子写真装置。
【請求項９】
前記ｓｉが下記式（９）（ただし、ｓａは（２・ｓａ−１）／（２・ｈ＋１）が奇数でない数になる正の整数であり、ｍｉは０以上の整数である。）を満たす整数である
ｓｉ＝ｓａ＋（２・ｈ＋１）ｍｉ      ・・・（９）
請求項８に記載の電子写真装置。
【請求項１０】
前記ｓｉが（１６・ｈ＋９）／２未満である請求項８または９に記載の電子写真装置。
【請求項１１】
前記Ｎが下記式（６）（ただし、ｋは正の整数である。）を満たす整数であり、
Ｎ＝４・ｋ−１      ・・・（６）
前記光導電層側から偶数番目の各中間層については、屈折率ｎｉおよび膜厚ｄｉ［μｍ］が下記式（１０）を満たすことになるための整数ｕｉ（ただし、ｕｉはｕｉ／（ｋ＋１）が奇数でない数になる正の整数である。）がそれぞれ存在する
【数６】
0005225421.tif 000047
請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子写真装置。
【請求項１２】
前記各ｕｉが下記式（１１）（ただし、ｕａはｕａ／（ｋ＋１）が奇数でない数になる正の整数であり、ｖｉは０以上の整数である）を満たす整数である
ｕｉ＝ｕａ＋２（ｋ＋１）ｖｉ      ・・・（１１）
請求項１１に記載の電子写真装置。
【請求項１３】
前記ｕｉが８（ｋ＋１）以下である請求項１１または１２に記載の電子写真装置。
【請求項１４】
前記Ｎが１１以下の奇数である請求項１〜１３のいずれか１項に記載の電子写真装置。
【請求項１５】
前記光導電層がアモルファスシリコンで構成された層であり、前記中間層および前記表面層がアモルファスシリコンカーバイドまたはアモルファスシリコンナイトライドで構成された層である請求項１〜１４のいずれか１項に記載の電子写真装置。
【請求項１６】
光導電層および前記光導電層上の表面層を有し、前記光導電層と前記表面層との間にＮ層（ただし、Ｎは３以上の奇数である。）の中間層を有する電子写真感光体であって、
中心波長がλ［μｍ］である画像露光光の被照射体である電子写真感光体において、
前記光導電層の屈折率をｎ０とし、前記光導電層側から１番目の中間層の屈折率をｎ１とし、前記光導電層側からｉ番目（ただし、ｉは１以上Ｎ以下の整数である。）の中間層の屈折率をｎｉとし、前記光導電層側からＮ番目の中間層の屈折率をｎＮとし、前記表面層の屈折率をｎＮ＋１とし、前記光導電層側からｉ番目の中間層の膜厚をｄｉ［μｍ］とした場合、
屈折率ｎ０、ｎ１、ｎｉ、ｎＮおよびｎＮ＋１が下記式（１）を満たし、
ｎ０＞ｎ１＞・・・＞ｎｉ＞・・・＞ｎＮ＞ｎＮ＋１        ・・・（１）
前記光導電層側から奇数番目の中間層については、屈折率ｎｉが下記式（２）をそれぞれ満たし（ただし、ｉが１の場合、ｎｉ−１は前記光導電層の屈折率ｎ０であり、ｉがＮの場合、ｎｉ＋１は前記表面層の屈折率ｎＮ＋１である。）、
【数７】
0005225421.tif 000048
前記光導電層側から奇数番目の中間層については、屈折率ｎｉおよび膜厚ｄｉ［μｍ］が下記式（３）を満たすことになるための整数ｐｉ（ただし、ｐｉは正の整数である。）がそれぞれ存在し、
【数８】
0005225421.tif 000049
前記光導電層側から奇数番目の中間層の中から２層の中間層を選択する組み合わせの中に、選択された２層の中間層に挟まれている各中間層の屈折率ｎｉと膜厚ｄｉ［μｍ］の積（ｎｉ・ｄｉ）の和が下記式（４）を満たすことになるための整数ｑ（ただし、ｑは０以上の整数である。）が存在する組み合わせが１組以上存在する
【数９】
0005225421.tif 000050
ことを特徴とする電子写真感光体。
【請求項１７】
前記光導電層側から偶数番目の中間層のうち、１層以上の偶数番目の中間層については、屈折率ｎｉおよび膜厚ｄｉ［μｍ］が下記式（５）を満たすことになるための整数ｑｉ（ただし、ｑｉは０以上の整数である。）が存在する
【数１０】
0005225421.tif 000051
請求項１６に記載の電子写真感光体。
【請求項１８】
前記Ｎが下記式（７）（ただし、ｈは正の整数である。）を満たす整数であり、
Ｎ＝４・ｈ＋１      ・・・（７）
前記光導電層側から偶数番目の各中間層については、屈折率ｎｉおよび膜厚ｄｉ［μｍ］が下記式（８）を満たすことになるための整数ｓｉ（ただし、ｓｉは（２・ｓｉ−１）／（２・ｈ＋１）が奇数でない数になる正の整数である。）がそれぞれ存在する
【数１１】
0005225421.tif 000052
請求項１６に記載の電子写真感光体。
【請求項１９】
前記Ｎが下記式（６）（ただし、ｋは正の整数である。）を満たす整数であり、
Ｎ＝４・ｋ−１      ・・・（６）
前記光導電層側から偶数番目の各中間層については、屈折率ｎｉおよび膜厚ｄｉ［μｍ］が下記式（１０）を満たすことになるための整数ｕｉ（ただし、ｕｉはｕｉ／（ｋ＋１）が奇数でない数になる正の整数である。）がそれぞれ存在する
【数１２】
0005225421.tif 000053
請求項１６に記載の電子写真感光体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子写真装置および電子写真感光体に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子写真感光体は、帯電、画像露光、現像、転写、クリーニングなどの各種プロセスに関わるため、使用に伴って電子写真感光体の表面は摩耗する。したがって、より長い期間の使用に耐えうるように電子写真感光体に摩耗しにくい表面層を設ける技術が実用化されている。しかし、摩耗しにくい表面層を設けた場合であっても、摩耗がなくなるわけではなく、長い期間の使用により徐々に表面層は摩耗する。
【０００３】
例えば、アモルファスシリコンで構成された光導電層を有する電子写真感光体の場合、光導電層上にアモルファスシリコンカーバイドで構成された表面層を設ける技術が実用化されている。このように光導電層と表面層とを異なる材料で構成する場合、材料の屈折率が異なるため、光導電層と表面層との界面において画像露光光の一部が反射する。また、同様の理由から、表面層と大気との界面においても画像露光光の一部が反射する。これら２つの反射光は干渉するが、その干渉条件は、主として表面層の屈折率と膜厚で決まる。したがって、使用により表面層が摩耗すると、干渉条件が変化し、光導電層に到達する画像露光光の光量が変化してしまい、電子写真感光体の感度が変動してしまう。
【０００４】
ここで、屈折率の異なる層を積層してなる多層膜の界面で生じる反射について説明する。
【０００５】
屈折率の異なる２つの層が作る界面に光が入射した場合、界面において入射光の一部が反射する。具体的には、図４（Ａ）に示すように屈折率ｎ１の層から入射角θ１で屈折率ｎ２の層に光が入射した場合、界面での振幅反射率ｒと振幅透過率ｔは、フレネルの式から、下記式（１２）〜（１５）で表される。ただし、屈折角をθ２とする。
【０００６】
入射面と偏光面が垂直であるＳ波の場合
【０００７】
【数１】
0005225421.tif 000002
【０００８】
【数２】
0005225421.tif 000003
【０００９】
入射面と偏光面が平行であるＰ波の場合
【００１０】
【数３】
0005225421.tif 000004
【００１１】
【数４】
0005225421.tif 000005
【００１２】
一方、スネルの法則から、入射角θ１と屈折角θ２は下記式（１６）を満たしている。
【００１３】
【数５】
0005225421.tif 000006
【００１４】
電子写真装置の場合、電子写真感光体に潜像を形成する画像露光光は、通常、電子写真感光体の表面に対して垂直に近い角度で露光する。詳細には、主走査方向には±１５°程度、副走査方向には５°以下の入射角で露光されるのが一般的である。一方、電子写真感光体の表面層に用いられる材料の屈折率は、一般的に１．５以上であり、特に表面層の材料としてアモルファスシリコンカーバイドを用いた場合には、１．９以上であるから、表面層を透過した光は、１０°未満で下の層へ入射する。よって、表面層と光導電層との間に設ける中間層の反射を考慮する場合には、θ１＝θ２≒０と近似しても大きな問題はない。したがって、これらの近似より、振幅反射率ｒおよび振幅透過率ｔは、下記式（１７）および（１８）で表せる。
【００１５】
【数６】
0005225421.tif 000007
【００１６】
【数７】
0005225421.tif 000008
【００１７】
なお、反射光強度ＲはＲ＝｜ｒ｜２、透過光強度ＴはＴ＝１−Ｒである。
【００１８】
以上のことから、界面での反射光強度は、界面を形成している２種類の材料の屈折率で決まることがわかる。ちなみに、振幅反射率ｒが正の場合、入射光の位相と反射光の位相が一致していることを意味し、振幅反射率ｒが負の場合、入射光と反射光の位相がπずれることを意味している。したがって、低屈折率の層から高屈折率の層へ光が入射する場合には、反射光と入射光の位相差はπとなり、高屈折率の層から低屈折率の層へ光が入射する場合には、反射光と入射光の位相差は０（ゼロ）になる。
【００１９】
屈折率の異なる２つの層が作る界面によって生じる光の反射を低減するために、２つの層の間に反射防止層を設ける技術が知られている。例えば、図４（Ｂ）に示すように、屈折率ｎ１の層と屈折率ｎ２の層との間に単層の反射防止層を設ける場合、反射防止層の屈折率ｎ３および膜厚ｄ３が下記式（１９）および（２０）を満たすとき、波長λの入射光に対して反射を防止できる。
【００２０】
【数８】
0005225421.tif 000009
【００２１】
【数９】
0005225421.tif 000010
【００２２】
上記条件は、屈折率ｎ３の反射防止層を設けることによって新たに形成される屈折率ｎ１の層と屈折率ｎ３の反射防止層との界面Ａでの反射光と、屈折率ｎ３の反射防止層と屈折率ｎ２の層との界面Ｂでの反射光とが打ち消し合う構成になっている。界面に垂直に入射した光が界面で反射されるときの振幅反射率は、上記式（１７）で求められるので、界面Ａにおける振幅反射率ｒＡと界面Ｂにおける振幅反射率ｒＢは、下記式（２１）および（２２）となる。
【００２３】
【数１０】
0005225421.tif 000011
【００２４】
【数１１】
0005225421.tif 000012
【００２５】
一方、屈折率ｎ３の反射防止層が前述の膜厚条件を満たすとき、界面Ａによる反射光と界面Ｂによる反射光は光路差によって位相差がπになる。したがって、ｒＡとｒＢの大きさが等しくなれば、ｒＡとｒＢが打ち消し合い、合成される反射光は０（ゼロ）となる。
【００２６】
ｒＡ＝ｒＢに上記式（２１）および（２２）を代入すると、屈折率ｎ３が上記式（１９）を満たしていることが確認できる。
【００２７】
特許文献１には、電子写真感光体の感度変動を抑制するために、内部に反射防止層を有する電子写真感光体が開示されている。
【００２８】
表面層と光導電層との間に反射防止層を設けることで、表面層と光導電層との間での反射光を抑え、表面層と大気との界面での反射光との干渉を防止し、表面層が摩耗しても電子写真感光体の感度変動を抑えることができる。特許文献１には、屈折率と膜厚が上記式（１９）および（２０）である反射防止層が開示されており、また、反射防止層が３層構成である例が開示されている。
【００２９】
また、特許文献２には、３層構成の反射防止層の例として、基板側から順に低屈折率の第一層、高屈折率の第二層、低屈折率の第三層を積層してなる反射防止層が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００３０】
【特許文献１】特開昭６２−４０４６８号公報
【特許文献２】特開平０４−３５５４０３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００３１】
従来技術のように、表面層と光導電層との間に、屈折率および膜厚を最適化した反射防止層を設ければ、表面層と光導電層との界面における反射を抑えることができ、その結果、所定の波長の画像露光光に対する電子写真感光体の感度の変動を抑制することができる。
【００３２】
しかしながら、実際の電子写真装置の画像露光光源としてよく使用される半導体レーザーには、発振波長の中心波長に対して±数ｎｍ程度の半値幅が存在することが多く、ＬＥＤには、２０ｎｍ程度の半値幅が存在することが多い。また、半導体レーザーには、発振波長に０．２ｎｍ／℃程度の温度依存性（例えば５０℃差で１０ｎｍ）があることも知られている。したがって、１０ｎｍから数１０ｎｍ程度の範囲の波長の画像露光光に対する電子写真感光体の感度の変動を抑制する必要がある。従来技術では、そのような広い範囲の波長では、十分な反射防止機能が発揮されない場合があり、画像露光光の波長に対する許容範囲が狭いという課題があった。
【００３３】
本発明では、画像露光光の波長に対する許容範囲が広い電子写真装置を提供すること、および、その電子写真装置に用いられる電子写真感光体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００３４】
本発明は、
光導電層および前記光導電層上の表面層を有し、前記光導電層と前記表面層との間にＮ層（ただし、Ｎは３以上の奇数である。）の中間層を有する電子写真感光体と、
前記電子写真感光体の表面に中心波長がλ［μｍ］である画像露光光を照射して、前記電子写真感光体の表面に潜像を形成するための画像露光装置と
を有する電子写真装置において、
前記光導電層の屈折率をｎ０とし、前記光導電層側から１番目の中間層の屈折率をｎ１とし、前記光導電層側からｉ番目（ただし、ｉは１以上Ｎ以下の整数である。）の中間層の屈折率をｎｉとし、前記光導電層側からＮ番目の中間層の屈折率をｎＮとし、前記表面層の屈折率をｎＮ＋１とし、前記光導電層側からｉ番目の中間層の膜厚をｄｉ［μｍ］とした場合、
屈折率ｎ０、ｎ１、ｎｉ、ｎＮおよびｎＮ＋１が下記式（１）を満たし、
ｎ０＞ｎ１＞・・・＞ｎｉ＞・・・＞ｎＮ＞ｎＮ＋１        ・・・（１）
前記光導電層側から奇数番目の各中間層については、屈折率ｎｉが下記式（２）をそれぞれ満たし（ただし、ｉが１の場合、ｎｉ−１は前記光導電層の屈折率ｎ０であり、ｉがＮの場合、ｎｉ＋１は前記表面層の屈折率ｎＮ＋１である。）、
【００３５】
【数１２】
0005225421.tif 000013
【００３６】
前記光導電層側から奇数番目の各中間層については、屈折率ｎｉおよび膜厚ｄｉ［μｍ］が下記式（３）を満たすことになるための整数ｐｉ（ただし、ｐｉは正の整数である。）がそれぞれ存在し、
【００３７】
【数１３】
0005225421.tif 000014
【００３８】
前記光導電層側から奇数番目の中間層の中から２層の中間層を選択する組み合わせの中に、選択された２層の中間層に挟まれている各中間層の屈折率ｎｉと膜厚ｄｉ［μｍ］の積（ｎｉ・ｄｉ）の和が下記式（４）を満たすことになるための整数ｑ（ただし、ｑは０以上の整数である。）が存在する組み合わせが１組以上存在する
【００３９】
【数１４】
0005225421.tif 000015
【００４０】
ことを特徴とする電子写真装置である。
【００４１】
また、本発明は、
光導電層および前記光導電層上の表面層を有し、前記光導電層と前記表面層との間にＮ層（ただし、Ｎは３以上の奇数である。）の中間層を有する電子写真感光体であって、
中心波長がλ［μｍ］である画像露光光の被照射体である電子写真感光体において、
前記光導電層の屈折率をｎ０とし、前記光導電層側から１番目の中間層の屈折率をｎ１とし、前記光導電層側からｉ番目（ただし、ｉは１以上Ｎ以下の整数である。）の中間層の屈折率をｎｉとし、前記光導電層側からＮ番目の中間層の屈折率をｎＮとし、前記表面層の屈折率をｎＮ＋１とし、前記光導電層側からｉ番目の中間層の膜厚をｄｉ［μｍ］とした場合、
屈折率ｎ０、ｎ１、ｎｉ、ｎＮおよびｎＮ＋１が下記式（１）を満たし、
ｎ０＞ｎ１＞・・・＞ｎｉ＞・・・＞ｎＮ＞ｎＮ＋１        ・・・（１）
前記光導電層側から奇数番目の中間層については、屈折率ｎｉが下記式（２）をそれぞれ満たし（ただし、ｉが１の場合、ｎｉ−１は前記光導電層の屈折率ｎ０であり、ｉがＮの場合、ｎｉ＋１は前記表面層の屈折率ｎＮ＋１である。）、
【００４２】
【数１５】
0005225421.tif 000016
【００４３】
前記光導電層側から奇数番目の中間層については、屈折率ｎｉおよび膜厚ｄｉ［μｍ］が下記式（３）を満たすことになるための整数ｐｉ（ただし、ｐｉは正の整数である。）がそれぞれ存在し、
【００４４】
【数１６】
0005225421.tif 000017
【００４５】
前記光導電層側から奇数番目の中間層の中から２層の中間層を選択する組み合わせの中に、選択された２層の中間層に挟まれている各中間層の屈折率ｎｉと膜厚ｄｉ［μｍ］の積（ｎｉ・ｄｉ）の和が下記式（４）を満たすことになるための整数ｑ（ただし、ｑは０以上の整数である。）が存在する組み合わせが１組以上存在する
【００４６】
【数１７】
0005225421.tif 000018
【００４７】
ことを特徴とする電子写真感光体である。
【発明の効果】
【００４８】
本発明によれば、画像露光光の波長に対する許容範囲が広い電子写真装置を提供することができる。また、その電子写真装置に用いられる電子写真感光体を提供することができる。
【００４９】
また、実際の電子写真装置の画像露光光源としてよく使用される半導体レーザーには、発振波長の中心波長に対して±１０ｎｍから±２０ｎｍ程度の個体差が存在することが多い。ところが、電子写真装置を量産するにあたり、個体差のある半導体レーザーごとに電子写真感光体を作り分けることは事実上困難である。この点、画像露光光の波長に対する許容範囲が広い本発明の電子写真感光体を用いることによって、その程度の個体差が半導体レーザーに存在しても、感度変動の少ない電子写真装置を容易に量産することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明を適用した中間層３層構成の断面図と、この中間層を適用した電子写真感光体に露光したときに各界面で生じる反射光の位相を示す複素平面図である。
【図２】本発明を適用した中間層５層構成の断面図と、この中間層を適用した電子写真感光体に露光したときに各界面で生じる反射光の位相を示す複素平面図である。
【図３】本発明を適用した中間層７層構成の断面図と、この中間層を適用した電子写真感光体に露光したときに各界面で生じる反射光の位相を示す複素平面図である。
【図４】（Ａ）は屈折率の異なる界面に光が入射したときの透過光と反射光を示した図であり、（Ｂ）は反射防止層との界面における反射光を示した図である。
【図５】アモルファスシリコン感光体を製造するプラズマＣＶＤ装置の図である。
【図６】本発明の実施例で製造した中間層３層構成の電子写真感光体の断面図である。
【図７】従来技術を適用した中間層構成の断面図と、この中間層を適用した電子写真感光体に露光したときに各界面で生じる反射光の位相を示す複素平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００５１】
本発明の電子写真感光体は、光導電層および光導電層上の表面層を有し、光導電層と表面層との間に中間層を有する電子写真感光体である。そして、本発明では、下記式（１）に示すように、光導電層、中間層および表面層の各層の屈折率が光導電層から表面層に向かって単調減少する構成としている。なお、光導電層の屈折率をｎ０と表している。また、光導電層側から１番目の中間層の屈折率をｎ１と表し、光導電層側からｉ番目（ただし、ｉは１以上Ｎ以下の整数である。）の中間層の屈折率をｎｉと表し、光導電層側からＮ番目の中間層の屈折率をｎＮと表している。また、表面層の屈折率をｎＮ＋１と表している。以下、同様である。
ｎ０＞ｎ１＞・・・＞ｎｉ＞・・・＞ｎＮ＞ｎＮ＋１        ・・・（１）
表面層の屈折率は、大気の屈折率に近いほど、表面層と大気との界面（＝電子写真感光体の表面）での反射を抑えることができる。また、表面層の屈折率ｎＮ＋１、中間層の屈折率ｎｉおよび光導電層の屈折率ｎ０の差が小さくなるほど、各界面による反射率は小さくなるため、好ましい。なお、光導電層から表面層に向かって屈折率が単調減少する構成では、表面層側から入射光は必ず低屈折率の層から高屈折率の層へ進むので、各層の界面による反射光の位相は、入射光に対して必ずπずれることになる。
【００５２】
本発明では、中間層の層数（Ｎ層）を３以上の奇数としている。これは、本発明では、光導電層側から奇数番目の中間層（以下「奇数層」とも記す。）と、光導電層側から偶数番目の中間層（以下「偶数層」とも記す。）に異なる役割を与えて、総合的に反射防止機能を発揮させるためである。
【００５３】
各奇数層については、屈折率がそれぞれ下記式（２）を満たすように屈折率を調整することで、奇数層が隣接する２つの界面の振幅反射率をほぼ等しくすることができる。
【００５４】
【数１８】
0005225421.tif 000019
【００５５】
また、表面層、中間層および光導電層の各層の屈折率が上記式（１）を満たす条件下、各奇数層について、屈折率および膜厚が下記式（３）を満たすことになるための整数ｐｉ（ただし、ｐｉは正の整数である。）がそれぞれ存在するように屈折率および膜厚を調整することで、奇数層が隣接する２つの界面によって反射される光の位相差をほぼπに制御することができる。なお、光導電層側からｉ番目の中間層の膜厚をｄｉ［μｍ］と表している。以下、同様である。
【００５６】
【数１９】
0005225421.tif 000020
【００５７】
これらの結果、奇数層が隣接する２つの界面による反射光は、互いに打ち消し合うことになる。この効果は、被照射体である電子写真感光体の表面に波長λ［μｍ］である光を照射した場合において最も発揮されるが、波長λ［μｍ］からずれた波長の光では、その効果が低下してしまう。
【００５８】
そこで、本発明では、波長λ［μｍ］からずれた波長領域において、各奇数層が打ち消しきれずに残る合成反射ベクトルを偶数層によって低減させる機能を付与している。すなわち、奇数層の中から２層の中間層を選択する組み合わせの中に、選択された２層の奇数層に挟まれている各中間層の屈折率ｎｉと膜厚ｄｉ［μｍ］の積（ｎｉ・ｄｉ）の和が下記式（４）を満たすことになるための整数ｑ（ただし、ｑは０以上の整数である。）が存在する組み合わせが１組以上存在するように奇数層および偶数層の屈折率および膜厚を調整する。その結果、選択された２層の奇数層で打ち消しきれずに残った２つの合成反射ベクトルの位相が、π／２よりも大きく、３π／２よりも小さくなるため、弱め合う関係となる。その結果、波長λ［μｍ］を中心とする広い波長範囲で反射防止機能を得ることができる。
【００５９】
【数２０】
0005225421.tif 000021
【００６０】
なお、本発明において、中心波長がλ［μｍ］である画像露光光とは、２５℃環境下における発振波長の中心波長がλ［μｍ］である画像露光光源（半導体レーザーなど）から出力される画像露光光を意味する。
【００６１】
中間層３層構成を例に挙げて、図１および図７を参照しながら具体的に説明する。
【００６２】
図１（Ａ−１）、（Ｂ−１）および（Ｃ−１）は、本発明を適用した中間層３層構成の断面図である。図１（Ａ−２）、（Ｂ−２）および（Ｃ−２）は、図１（Ａ−１）、（Ｂ−１）および（Ｃ−１）に示す中間層に、表面層側から波長λよりも長波長λ＋Δλの光が入射したときに各界面で生じる反射光の位相を示す複素平面図である。ただし、屈折率ｎｉの層（光導電層側からｉ番目の中間層）と屈折率ｎｉ−１の層（光導電層側からｉ−１番目の中間層）の界面での反射光をｒ（ｉ，ｉ−１）と表し、反射光ｒ（４，３）の位相を０（ゼロ）としている。同様に、図１（Ａ−３）、（Ｂ−３）および（Ｃ−３）は、波長λの光が入射したときに各界面で生じる反射光の位相を示す複素平面図である。また、図１（Ａ−４）、（Ｂ−４）および（Ｃ−４）は、波長λより短波長λ−Δλの光が入射したときに各界面で生じる反射光の位相を示す複素平面図である。
【００６３】
中間層３層構成の場合、表面層と光導電層との間（以下「中間層部」とも記す。）には４つの界面が存在するので、４つの界面で発生する４つの反射光が弱め合う関係になれば良い。例えば、各奇数層が隣接する２つの界面による２つの反射光を合成した合成反射ベクトルを考えると、４つの反射光は２つの合成反射ベクトルに集約される。したがって、中間層３層構成の場合、２つの合成反射ベクトルが弱め合う関係、すなわち、２つの合成反射ベクトルの位相差がπ／２よりも大きく、３π／２よりも小さくなれば良い。その中でも、２つの合成反射ベクトルの位相差がπに近くなるほど、その効果は大きくなる。
【００６４】
図１に示す例では、各層の屈折率は、上記式（１）を満たし、光導電層から表面層に向けて単調減少する構成である。また、奇数層である中間層第１層および中間層第３層の屈折率は、上記式（２）を満たしている。奇数層の屈折率の最適値は、それぞれの奇数層が隣接する２層の偶数層の屈折率の相乗平均であり、図１に示す例では、すべての奇数層の屈折率は、隣接する２層の偶数層の屈折率の相乗平均としている。また、潜像形成に用いられる画像露光光の中心波長をλとした場合、奇数層である中間層第１層および中間層第３層の屈折率と膜厚の積は、それぞれ上記式（３）に係る条件を満たしている。奇数層の屈折率と膜厚の積の最適値は、λ／４の奇数倍であり、図１に示す例では、すべての奇数層の屈折率と膜厚の積をλ／４としている。
【００６５】
中間層３層構成の場合、奇数層は中間層第１層と中間層第３層であるから、奇数層に挟まれる中間層は中間層第２層のみである。したがって、本発明では、中間層第２層の屈折率と膜厚の積が、上記式（４）に係る条件を満たすことになる。
【００６６】
図１（Ａ−１）は、中間層第２層の屈折率と膜厚の積がλ／１２の例を示しており、上記式（４）に係る条件を満たしている。
【００６７】
図１（Ｂ−１）は、中間層第２層の屈折率と膜厚の積が５λ／１２の例を示しており、上記式（４）に係る条件を満たしている。
【００６８】
図１（Ｃ−１）は、中間層第２層の屈折率と膜厚の積がλ／２の例を示しており、上記式（４）に係る条件を満たしている。
【００６９】
図１（Ａ−１）、（Ｂ−１）および（Ｃ−１）の例は、図１（Ａ−３）、（Ｂ−３）および（Ｃ−３）に示すとおり、波長λの光が入射した場合、反射光ｒ（４，３）と反射光ｒ（３，２）の位相差はπとなり、反射光ｒ（４，３）と反射光ｒ（３，２）が打ち消し合うことになる。同様に、反射光ｒ（２，１）と反射光ｒ（１，０）の位相差はπとなり、反射光ｒ（２，１）と反射光ｒ（１，０）とが打ち消し合うので、中間層全体の反射光は０（ゼロ）になる。
【００７０】
しかしながら、図１（Ａ−２）、（Ｂ−２）および（Ｃ−２）に示すとおり、波長λよりも長波長λ＋Δλの光が入射した場合、反射光ｒ（４，３）と反射光ｒ（３，２）の位相差はπ−πΔλ／λとなる。よって、反射光ｒ（４，３）と反射光ｒ（３，２）とが完全には打ち消し合わず、合成反射ベクトルｒ３が残ることになる。同様に、反射光ｒ（２，１）と反射光ｒ（１，０）の位相差はπ−πΔλ／λとなり、反射光ｒ（２，１）と反射光ｒ（１，０）とが完全に打ち消し合わず、合成反射ベクトルｒ１が残ることになる。
【００７１】
また、図１（Ａ−４）、（Ｂ−４）および（Ｃ−４）に示すとおり、波長λよりも短波長λ−Δλの光が入射した場合も、同様の理由から、合成反射ベクトルｒ１およびｒ３が残ることになる。
【００７２】
中間層第２層が上記式（４）に係る条件を満たしている例を、図１（Ａ−２）、（Ｂ−２）、（Ｃ−２）、（Ａ−４）、（Ｂ−４）および（Ｃ−４）に示す。これらの例では、図に示すとおり、波長λからずれた波長において、中間層第１層で打ち消しきれずに残った合成反射ベクトルｒ１と、中間層第３層で打ち消しきれずに残った合成反射ベクトルｒ３の位相差が、π／２よりも大きく、３π／２より小さくなる。このため、合成反射ベクトルｒ１とｒ３が弱め合う関係になる。よって、波長λを中心とした広い波長範囲で反射防止機能を得ることができる。これらの中でも、図１（Ｃ−１）の例は、偶数層である中間層第２層の屈折率と膜厚の積がλ／２である。また、図１（Ｃ−１）の例は、後述する式（５）に係る条件も満たしている。中間層第２層の屈折率と膜厚の積がλ／２の場合、合成反射ベクトルｒ１とｒ３の位相差がほぼπとなるので、合成反射ベクトルｒ１とｒ３は効果的に弱め合う関係になる。
【００７３】
図７（Ａ−１）は、従来技術を適用した中間層３層構成の断面図である。
図７（Ａ−１）は、すべての中間層の屈折率と膜厚の積がλ／４の例を示しており、上記式（４）に係る条件を満たしていない。この場合、図７（Ａ−２）および（Ａ−４）に示すとおり、波長λからずれた波長において、合成反射ベクトルｒ１とｒ３の位相差は−π／２よりも大きく、π／２よりも小さくなる。よって、合成反射ベクトルｒ１とｒ３とが強め合う関係になる。特に、図７（Ａ−１）の例は、中間層第２層の屈折率と膜厚の積がλ／４であるから、合成反射ベクトルｒ１とｒ３の位相差はほぼ０（ゼロ）となり、合成反射ベクトルｒ１とｒ３は最も強め合ってしまう関係になる。
【００７４】
次に、中間層５層構成を例に挙げて、図２および図７を参照しながら具体的に説明する。
図２（Ａ−１）、（Ｂ−１）、（Ｃ−１）、（Ｄ−１）、（Ｅ−１）、（Ｆ−１）、（Ｇ−１）および（Ｈ−１）は、本発明を適用した中間層５層構成の断面図である。図２（Ａ−２）、（Ｂ−２）、（Ｃ−２）、（Ｄ−２）、（Ｅ−２）、（Ｆ−２）、（Ｇ−２）および（Ｈ−２）は、図２（Ａ−１）、（Ｂ−１）、（Ｃ−１）、（Ｄ−１）、（Ｅ−１）、（Ｆ−１）、（Ｇ−１）および（Ｈ−１）に示す中間層に、表面層側から波長λよりも長波長λ＋Δλの光が入射したときに各界面で生じる反射光の位相を示す複素平面図である。ただし、反射光ｒ（６，５）の位相を０（ゼロ）としている。
【００７５】
中間層５層構成の場合、中間層部には６つの界面が存在するので、６つの界面で発生する６つの反射光が弱め合う関係になれば良い。例えば、各奇数層が隣接する２つの界面による２つの反射光を合成した合成反射ベクトルを考えると、６つの反射光は３つの合成反射ベクトルに集約される。したがって、３つの合成反射ベクトルのうち、少なくとも２つの合成反射ベクトルの位相差がπ／２よりも大きく、３π／２よりも小さい場合、少なくもと２つの合成反射ベクトルが弱め合う関係になるので、本発明の効果が得られる。特に、２つの合成反射ベクトルの位相差がπに近くなるほど、その効果は大きくなる。あるいは、３つの合成反射ベクトルが互いにほぼ等位相間隔になる場合も、３つの合成反射ベクトルが互いに弱め合うので、本発明の効果が得られる。
【００７６】
図２に示す例では、中間層３層構成の場合と同様に、各奇数層の屈折率は隣接する２層の偶数層の屈折率の相乗平均とし、屈折率と膜厚の積はλ／４としている。
【００７７】
図２（Ａ−１）は、中間層第２層の屈折率と膜厚の積がλ／８、中間層第４層の屈折率と膜厚の積がλ／２の例を示しており、中間層第４層が上記式（４）に係る条件を満たしている。図２（Ａ−１）の例は、図２（Ａ−２）に示すとおり、合成反射ベクトルｒ３とｒ５の位相差がほぼπとなり、合成反射ベクトルｒ３とｒ５が弱める関係になるので、本発明の効果が得られる。
【００７８】
図２（Ｂ−１）は、中間層第２層の屈折率と膜厚の積がλ／２、中間層第４層の屈折率と膜厚の積がλ／４の例を示しており、中間層第２層が上記式（４）に係る条件を満たしている。図２（Ｂ−１）の例は、図２（Ｂ−２）に示すとおり、合成反射ベクトルｒ３およびｒ５に対して、合成反射ベクトルｒ１の位相差がほぼπとなり、合成反射ベクトルｒ３およびｒ５に対して、合成反射ベクトルｒ１が弱める関係になるので、本発明の効果が得られる。
【００７９】
図２（Ｃ−１）は、中間層第２層の屈折率と膜厚の積がλ／８、中間層第３層の屈折率と膜厚の積がλ／４、中間層第４層の屈折率と膜厚の積がλ／８の場合を示している。したがって、中間層第２層から中間層第４層の屈折率と膜厚の積の和がλ／２となり、上記式（４）に係る条件を満たしている。図２（Ｃ−１）の例は、図２（Ｃ−２）に示すとおり、合成反射ベクトルｒ１とｒ５の位相差がほぼπとなり、合成反射ベクトルｒ１とｒ５は弱め合う関係になるので、本発明の効果が得られる。
【００８０】
図２（Ｄ−１）は、中間層第２層の屈折率と膜厚の積がλ／２、中間層第４層の屈折率と膜厚の積がλ／２の例を示しており、中間層第２層と中間層第４層が上記式（４）に係る条件を満たしている。図２（Ｄ−１）の例は、図２（Ｄ−２）に示すとおり、合成反射ベクトルｒ１およびｒ５に対して、合成反射ベクトルｒ３の位相差がほぼπとなり、合成反射ベクトルｒ１およびｒ５に対して、合成反射ベクトルｒ３が弱める関係になるので、本発明の効果が得られる。
【００８１】
図２（Ｅ−１）は、中間層第２層の屈折率と膜厚の積が５λ／１２、中間層第４層の屈折率と膜厚の積が５λ／１２の例を示しており、中間層第２層と中間層第４層が上記式（４）に係る条件を満たしている。また、図２（Ｅ−１）の例は、後述する上記式（８）および（９）に係る条件も満たしている。図２（Ｅ−１）の例は、図２（Ｅ−２）に示すとおり、３つの合成反射ベクトルｒ１、ｒ３およびｒ５の位相差がそれぞれほぼ２π／３となる。つまり、合成反射ベクトルｒ１、ｒ３およびｒ５が互いにほぼ等位相間隔となるので、３つの合成反射ベクトルが互いに弱め合う関係になるので、本発明の効果が得られる。
【００８２】
図２（Ｆ−１）は、中間層第２層の屈折率と膜厚の積がλ／１２、中間層第４層の屈折率と膜厚の積がλ／１２の例を示しており、中間層第２層と中間層第４層が上記式（４）に係る条件を満たしている。また、図２（Ｆ−１）の例は、後述する式（８）および（９）に係る条件も満たしている。図２（Ｆ−１）の例は、図２（Ｆ−２）に示すとおり、３つの合成反射ベクトルｒ１、ｒ３およびｒ５の位相差がそれぞれほぼ２π／３となる。つまり、合成反射ベクトルｒ１、ｒ３およびｒ５が互いにほぼ等位相間隔となるので、３つの合成反射ベクトルが互いに弱め合う関係になるので、本発明の効果が得られる。
【００８３】
図２（Ｇ−１）は、中間層第２層の屈折率と膜厚の積が５λ／１２、中間層第４層の屈折率と膜厚の積がλ／１２の例を示しており、中間層第２層と中間層第４層が上記式（４）に係る条件を満たしている。また、図２（Ｇ−１）の例は、後述する式（８）に係る条件も満たしている。図２（Ｇ−１）の例は、図２（Ｇ−２）に示すとおり、合成反射ベクトルｒ１とｒ５に対し、合成反射ベクトルｒ３が弱める関係になるため、本発明の効果が得られる。
【００８４】
図２（Ｈ−１）は、中間層第２層の屈折率と膜厚の積が７λ／１２、中間層第４層の屈折率と膜厚の積がλ／１２の例を示しており、中間層第２層と中間層第４層が上記式（４）に係る条件を満たしている。また、図２（Ｈ−１）の例は、後述する式（８）および（９）に係る条件を満たしている。図２（Ｈ−１）の例は、図２（Ｈ−２）に示すとおり、３つの合成反射ベクトルｒ１、ｒ３およびｒ５の位相差がそれぞれほぼ２π／３となる。つまり、合成反射ベクトルｒ１、ｒ３およびｒ５が互いにほぼ等位相間隔となるので、３つの合成反射ベクトルが互いに弱め合う関係になるので、本発明の効果が得られる。
【００８５】
図７（Ｂ−１）は、従来技術を適用した中間層５層構成の断面図である。
図７（Ｂ−１）は、すべての中間層の屈折率と膜厚の積がλ／４の例を示しており、上記式（４）に係る条件を満たしていない。この場合、図７（Ｂ−２）および（Ｂ−４）に示すとおり、波長λからずれた波長において、合成反射ベクトルｒ１、ｒ３およびｒ５の位相差は−π／２よりも大きく、π／２よりも小さくなるため、強め合う関係になる。特に、図７（Ｂ−１）の例は、各偶数層の屈折率と膜厚の積がλ／４であるから、合成反射ベクトルｒ１、ｒ３およびｒ５の位相差がほぼ０（ゼロ）となり、合成反射ベクトルｒ１、ｒ３およびｒ５が互いに最も強め合ってしまう関係になる。
【００８６】
次に、中間層７層構成を例に挙げて、図３を参照しながら具体的に説明する。
図３（Ａ−１）、（Ｂ−１）、（Ｃ−１）、（Ｄ−１）、（Ｅ−１）、（Ｆ−１）、（Ｇ−１）、（Ｈ−１）および（Ｉ−１）は、本発明を適用した中間層７層構成の断面図である。図３（Ａ−２）、（Ｂ−２）、（Ｃ−２）、（Ｄ−２）、（Ｅ−２）、（Ｆ−２）、（Ｇ−２）、（Ｈ−２）および（Ｉ−２）は、図３（Ａ−１）、（Ｂ−１）、（Ｃ−１）、（Ｄ−１）、（Ｅ−１）、（Ｆ−１）、（Ｇ−１）、（Ｈ−１）および（Ｉ−１）に示す中間層に、表面層側から波長λよりも長波長λ＋Δλの光が入射したときに各界面で生じる反射光の位相を示す複素平面図である。ただし、反射光ｒ（８，７）の位相を０（ゼロ）としている。
【００８７】
中間層７層構成の場合、中間層部には８つの界面が存在するので、８つの界面で発生する８つの反射光が弱め合う関係になれば良い。例えば、各奇数層が隣接する２つの界面による２つの反射光を合成した合成反射ベクトルを考えると、８つの反射光は４つの合成反射ベクトルに集約される。したがって、中間層７層構成の場合、４つの合成反射ベクトルが弱め合う関係、すなわち、４つの合成反射ベクトルのうち、少なくとも２つの合成反射ベクトルの位相差がπ／２よりも大きく、３π／２よりも小さくなれば、少なくもと２つの合成反射ベクトルが弱め合う関係になり、本発明の効果が得られる。特に、２つの合成反射ベクトルの位相差がπに近くなるほど、その効果は大きくなる。あるいは、４つの合成反射ベクトルが互いにほぼ等位相間隔になる場合も、４つの合成反射ベクトルが互いに弱め合うので、本発明の効果が得られる。
【００８８】
図３に示す例では、中間層３層構成の場合と同様に、各奇数層の屈折率は隣接する２層の偶数層の屈折率の相乗平均とし、屈折率と膜厚の積はλ／４としている。
【００８９】
図３（Ａ−１）は、中間層第２層の屈折率と膜厚の積がλ／４、中間層第４層の屈折率と膜厚の積がλ／４、中間層第６層の屈折率と膜厚の積がλ／２の例を示しており、中間層第６層が上記式（４）に係る条件を満たしている。図３（Ａ−１）の例は、図３（Ａ−２）に示すとおり、合成反射ベクトルｒ１、ｒ３およびｒ５に対して、合成反射ベクトルｒ７の位相差がほぼπとなる。よって、合成反射ベクトルｒ１、ｒ３およびｒ５に対して、合成反射ベクトルｒ７が弱める関係となり、本発明の効果が得られる。
【００９０】
図３（Ｂ−１）は、中間層第２層の屈折率と膜厚の積がλ／４、中間層第４層の屈折率と膜厚の積がλ／２、中間層第６層の屈折率と膜厚の積がλ／４の例を示しており、中間層第４層が上記式（４）に係る条件を満たしている。図３（Ｂ−１）の例は、図３（Ｂ−２）に示すとおり、合成反射ベクトルｒ１およびｒ３に対して、合成反射ベクトルｒ５およびｒ７の位相差がほぼπとなる。よって、合成反射ベクトルｒ１およびｒ３に対して、合成反射ベクトルｒ５およびｒ７が弱める関係となり、本発明の効果が得られる。
【００９１】
図３（Ｃ−１）は、中間層第２層の屈折率と膜厚の積がλ／２、中間層第４層の屈折率と膜厚の積がλ／４、中間層第６層の屈折率と膜厚の積がλ／４の例を示しており、中間層第２層が上記式（４）に係る条件を満たしている。図３（Ｃ−１）の例は、図３（Ｃ−２）に示すとおり、合成反射ベクトルｒ３、ｒ５およびｒ７に対して、合成反射ベクトルｒ１の位相がほぼπとなる。よって、合成反射ベクトルｒ３、ｒ５およびｒ７に対して、合成反射ベクトルｒ１が弱める関係となり、本発明の効果が得られる。
【００９２】
図３（Ｄ−１）は、中間層第２層の屈折率と膜厚の積がλ／４、中間層第４層の屈折率と膜厚の積がλ／２、中間層第６層の屈折率と膜厚の積がλ／２の例を示しており、中間層第４層と中間層第６層が上記式（４）に係る条件を満たしている。図３（Ｄ−１）の例は、図３（Ｄ−２）に示すとおり、合成反射ベクトルｒ１、ｒ３およびｒ７に対して、合成反射ベクトルｒ５の位相がほぼπとなる。よって、合成反射ベクトルｒ１、ｒ３およびｒ７に対して、合成反射ベクトルｒ５が弱める関係となり、本発明の効果が得られる。
【００９３】
図３（Ｅ−１）は、中間層第２層の屈折率と膜厚の積がλ／２、中間層第４層の屈折率と膜厚の積がλ／４、中間層第６層の屈折率と膜厚の積がλ／２の例を示しており、中間層第２層と中間層第６層が上記式（４）に係る条件を満たしている。図３（Ｅ−１）の例は、図３（Ｅ−２）に示すとおり、合成反射ベクトルｒ１およびｒ７に対して、合成反射ベクトルｒ３およびｒ５の位相差がほぼπとなる。よって、合成反射ベクトルｒ１およびｒ７に対して、合成反射ベクトルｒ３およびｒ５が弱める関係となり、本発明の効果が得られる。
【００９４】
図３（Ｆ−１）は、中間層第２層の屈折率と膜厚の積がλ／２、中間層第４層の屈折率と膜厚の積がλ／２、中間層第６層の屈折率と膜厚の積がλ／４の例を示しており、中間層第２層と中間層第４層が上記式（４）に係る条件を満たしている。図３（Ｆ−１）の例は、図３（Ｆ−２）に示すとおり、合成反射ベクトルｒ１、ｒ５およびｒ７に対して、合成反射ベクトルｒ３の位相がほぼπとなる。よって、合成反射ベクトルｒ１、ｒ５およびｒ７に対して、合成反射ベクトルｒ３が弱める関係となり、本発明の効果が得られる。
【００９５】
図３（Ｇ−１）は、中間層第２層の屈折率と膜厚の積がλ／２、中間層第４層の屈折率と膜厚の積がλ／２、中間層第６層の屈折率と膜厚の積がλ／２の例を示しており、中間層第２層、中間層第４層、中間層第６層が上記式（４）に係る条件を満たしている。図３（Ｇ−１）の例は、図３（Ｇ−２）に示すとおり、合成反射ベクトルｒ１およびｒ５に対して、合成反射ベクトルｒ３、ｒ７の位相差がほぼπとなる。よって、合成反射ベクトルｒ１およびｒ５に対して、合成反射ベクトルｒ３およびｒ７が弱める関係となり、本発明の効果が得られる。
【００９６】
図３（Ｈ−１）は、中間層第２層の屈折率と膜厚の積がλ／２、中間層第４層の屈折率と膜厚の積がλ／８、中間層第６層の屈折率と膜厚の積がλ／２の例を示しており、中間層第２層と中間層第６層が上記式（４）に係る条件を満たしている。図３（Ｈ−１）の例は、図３（Ｈ−２）に示すとおり、合成反射ベクトルｒ１とｒ３の位相差、および、合成反射ベクトルｒ５とｒ７の位相差がそれぞれほぼπとなる。よって、合成反射ベクトルｒ１とｒ３、および、合成反射ベクトルｒ５とｒ７とが弱める関係となり、本発明の効果が得られる。
【００９７】
図３（Ｉ−１）は、中間層第２層の屈折率と膜厚の積がλ／８、中間層第４層の屈折率と膜厚の積がλ／８、中間層第６層の屈折率と膜厚の積がλ／８の場合を示している。したがって、中間層第２層から中間層第４層の屈折率と膜厚の積の和がλ／２となり、式（４）に係る条件を満たしている。また、中間層第４層から中間層第６層の屈折率と膜厚の積の和もλ／２となり、式（４）に係る条件を満たしている。さらに、中間層第２層、中間層第４層、中間層第６層がそれぞれ、後述する式（１０）に係る条件も満たしている。図３（Ｉ−１）の例は、図３（Ｉ−２）に示すとおり、合成反射ベクトルｒ１とｒ５の位相差、合成反射ベクトルｒ３とｒ７の位相差がそれぞれほぼπとなっている。よって、合成反射ベクトルｒ１とｒ５が弱め合う関係であり、合成反射ベクトルｒ３とｒ７が弱め合う関係である。あるいは、別の見方として、合成反射ベクトルｒ１、ｒ３、ｒ５およびｒ７が互いにほぼ等位相間隔になっているので、４つの合成反射ベクトルが互いに弱め合う関係になっているとも言える。よって、波長を含む比較的広い波長範囲で反射防止機能を得ることができる。
【００９８】
本発明の効果を得るためには、奇数層の屈折率と膜厚の積を上記式（３）に係る条件を満たすようにする必要があり、λ／４の奇数倍に等しい場合が最適である。少なくとも、最適値から±λ／６４の範囲で効果が得られることが確認された。また、画像露光光の波長に対する許容範囲を考慮すると、各奇数層の膜厚は薄い方が好ましい。また、上記式（３）中の各ｐｉは１または２であることが好ましい。
【００９９】
また、中間層の層数は、多くなるほど、画像露光光の波長に対する許容範囲が広がるので、５層以上（Ｎが５以上の奇数）がより好ましい。一方、中間層の層数の増加は、電子写真感光体を製造する際の工程を増加させるので、コストなどの面から多すぎないほうが良い。露光光源に半導体レーザーなどのレーザーダイオードやＬＥＤを使用するデジタル式の電子写真装置の場合、使用する波長範囲が比較的狭いので、中間層の層数は、１１層以下（Ｎが１１以下の奇数）でも、本発明の効果が十分に得られる。
【０１００】
また、本発明の効果をより良く得るためには、偶数層のうち、１層以上の偶数層については、屈折率ｎｉおよび膜厚ｄｉ［μｍ］が下記式（５）を満たすことになるための整数ｑｉ（ただし、ｑｉは０以上の整数である。）が存在することが好ましい。その中でも、１層以上の偶数層の屈折率と膜厚の積がλ／２の倍数になるように調整することが最適である。少なくとも、最適値から±λ／３２の範囲で効果が得られることが確認された。
【０１０１】
【数２１】
0005225421.tif 000022
【０１０２】
また、その中でも、画像露光光の波長に対する許容範囲を考慮すると、各偶数層の膜厚も薄い方が好ましく、上記式（５）中の各ｑｉは１、２、３または４であることが好ましい。
【０１０３】
また、その中でも、中間層の層数が５層以上（Ｎが５以上の奇数）であり、１層以上の偶数層については、屈折率ｎｉおよび膜厚ｄｉ［μｍ］が上記式（５）を満たすことになるための整数ｑｉ（ただし、ｑｉは０以上の整数である。）が存在し、残りの偶数層については、屈折率ｎｉおよび膜厚ｄｉ［μｍ］が上記式（３）を満たすことになるための整数ｐｉ（ただし、ｐｉは正の整数である。）が存在することが好ましい。
【０１０４】
また、中間層の層数Ｎが、下記式（６）（ただし、ｋは正の整数である。）を満たす整数であり、
Ｎ＝４・ｋ−１      ・・・（６）
光導電層側から２・ｋ番目の中間層を中心として対称な配置となる２層の偶数層を選択する組み合わせの中に、選択された２層の偶数層の屈折率ｎｉおよび膜厚ｄｉがどちらも上記式（５）を満たす組み合わせが１組以上存在することが好ましい。そのような例としては、図３（Ｂ−１）、（Ｅ−１）、（Ｇ−１）および（Ｈ−１）が挙げられ、これらの例では、４つの合成反射ベクトルｒ１、ｒ３、ｒ５およびｒ７のうち、弱め合う合成反射ベクトルが２組になり、より好ましい。上記の２層の偶数層の組み合わせとしては、例えば中間層の層数が７（ｋ＝２）のとき、中間層第２層と中間層第６層の組み合わせが当てはまる。また、中間層の層数が１１（ｋ＝３）のとき、中間層第２層と中間層第１０層の組み合わせ、および、中間層第４層と中間層第８層の組み合わせが当てはまる。
【０１０５】
また、中間層の層数Ｎが、下記式（７）（ただし、ｈは正の整数である。）を満たす整数であり、
Ｎ＝４・ｈ＋１      ・・・（７）
各偶数層については、屈折率ｎｉおよび膜厚ｄｉ［μｍ］が下記式（８）を満たすことになるための整数ｓｉ（ただし、ｓｉは（２・ｓｉ−１）／（２・ｈ＋１）が奇数でない数になる正の整数である。）がそれぞれ存在することも、各奇数層が接する２つの界面による反射光から定義される合成反射ベクトルが互いに弱め合う関係になるため、好ましい。
【０１０６】
【数２２】
0005225421.tif 000023
【０１０７】
また、その中でも、上記式（８）中の各ｓｉが下記式（９）（ただし、ｓａは（２・ｓａ−１）／（２・ｈ＋１）が奇数でない数になる正の整数であり、ｍｉは０以上の整数である。）を満たす整数であることが、各奇数層が接する２つの界面による反射光から定義される合成反射ベクトルが中心波長に対して互いにほぼ等位相間隔となるため、好ましい。
ｓｉ＝ｓａ＋（２・ｈ＋１）ｍｉ      ・・・（９）
【０１０８】
また、画像露光光の波長に対する許容範囲を考慮すると、各奇数層の膜厚は薄い方が好ましい。上記式（８）中の各ｓｉは（１６・ｈ＋９）／２未満であることが好ましい。
また、中間層の層数Ｎが、上記式（６）を満たす整数であり、各偶数層については、屈折率および膜厚が下記式（１０）を満たすことになるための整数ｕｉ（ただし、ｕｉはｕｉ／（ｋ＋１）が奇数でない数になる正の整数である。）がそれぞれ存在することが、各奇数層が接する２つの界面による反射光から定義される合成反射ベクトルが互いに弱め合う関係になるため、好ましい。
【０１０９】
【数２３】
0005225421.tif 000024
【０１１０】
また、その中でも、上記式（１０）中の各ｕｉが下記式（１１）（ただし、ｕａはｕａ／（ｋ＋１）が奇数でない数になる正の整数であり、ｖｉは０以上の整数である）を満たす整数であることが、各奇数層が接する２つの界面による反射光から定義される合成反射ベクトルが中心波長に対して互いにほぼ等位相間隔となるため、好ましい。
ｕｉ＝ｕａ＋２（ｋ＋１）ｖｉ      ・・・（１１）
また、画像露光光の波長に対する許容範囲を考慮すると、各奇数層の膜厚は薄い方が好ましい。上記式（１０）中の各ｕｉは８（ｋ＋１）以下であることが好ましい。
【０１１１】
また、光導電層がアモルファスシリコンで構成された層である電子写真感光体（以下「アモルファスシリコン感光体」とも記す。）の場合、プラズマＣＶＤ法などによって、基体上に各層を積層して形成することが一般的である。このような電子写真感光体の場合、光導電層の原料ガスに用いるＳｉＨ４ガスや、これに加えて用いられるＣＨ４、Ｎ２およびＮＨ３などの原料ガスの流量および流量比、ならびに、反応圧力および印加電力などを調整することで、光導電層、中間層および表面層の屈折率の調整が容易にできる。また、各層の膜厚は、形成時間や形成速度によって調整することができる。よって、光導電層がアモルファスシリコンで構成された層である電子写真感光体の場合、中間層および表面層は、アモルファスシリコンカーバイドやアモルファスシリコンナイトライドやアモルファスシリコンオキサイドで構成された層であることが好ましい。
【実施例】
【０１１２】
〔実施例１および比較例１〕
＜電子写真感光体（アモルファスシリコン感光体）の製造＞
本実施例では、図５に示すプラズマＣＶＤ装置を用いて、電子写真感光体（アモルファスシリコン感光体）の製造を行った。
【０１１３】
図５に示すプラズマＣＶＤ装置５００は、反応容器５０２の中にアースに接続された円筒状の導電性の基体５１３、ヒーター５０４、および、原料ガス供給管５０７が設置されている。さらに、カソード電極５０１には、インピーダンス整合回路５０５を介して高周波電源５０６が接続されている。５０３ａおよび５０３ｂは絶縁部材である。
【０１１４】
原料ガス供給バルブ５０９の上流には、不図示の原料ガス供給装置が接続され、原料ガス供給管５０７を通じて、ＳｉＨ４，Ｈ２，ＣＨ４，ＮＯ，Ｂ２Ｈ６，ＰＨ３，ＣＦ４，Ａｒ，Ｈｅなどの原料ガスを反応容器５０２の中に所望の流量で供給可能な構成になっている。５０８はガス分岐管である。また、メイン排気バルブ５１１の下流には、不図示の排気装置が接続され、反応容器５０２の内部を減圧可能な構成となっている。５１０は排気配管であり、５１２は圧力計である。
【０１１５】
次に、図５に示すプラズマＣＶＤ装置を使った、アモルファスシリコン感光体の製造手順を説明する。
まず、直径８４ｍｍ、長さ３８１ｍｍ、肉厚３ｍｍのアルミニウム製の円筒状の基体５１３の表面に鏡面加工を施して脱脂洗浄する。洗浄した基体５１３を反応容器５０２の中に設置する。次に、不図示の排気装置を稼動し、反応容器５０２の中を排気する。圧力計５１２の表示を見ながら、反応容器５０２の中の圧力が所望の圧力、例えば１Ｐａ以下になったところで、ヒーター５０４に電力を供給し、基体５１３を例えば５０℃から３５０℃の所望の温度に加熱する。このとき、不図示のガス供給装置より、原料ガス供給管５０７を通じて、Ａｒ、Ｈｅなどの不活性ガスを反応容器５０２の中に供給して、不活性ガス雰囲気中で加熱を行うこともできる。
【０１１６】
次に、表１に示す形成条件にしたがって、不図示のガス供給装置より下部阻止層の形成に用いる原料ガスを反応容器５０２の中に所望の流量で供給する。それとともに、圧力計５１２の表示を見ながらメイン排気バルブ５１１を操作し、反応容器５０２の中の圧力が所望の圧力になるように調整する。所望の圧力が得られたところで高周波電源５０６より高周波電力を印加するとともにインピーダンス整合回路５０５を操作し、反応容器５０２の中にプラズマ放電を生起する。その後、速やかに高周波電力を所望の電力に調整し、下部阻止層の形成を行う。下部阻止層が所定の膜厚に到達したら、高周波電力の印加を停止し、下部阻止層の形成を終了する。
【０１１７】
以上と同様の手段によって、順次、光導電層、中間層、表面層を形成する。なお、下部阻止層と光導電層との間には、原料ガス流量、圧力、電力などを変化させながら連続して形成することによって、層間に変化層を形成することもできる。また、光導電層は、電荷輸送層や電荷発生層などに機能分離した多層構成としてもよい。
【０１１８】
すべての層の形成が終了したら、原料ガス供給バルブ５０９を閉じて原料ガスの供給を終え、メイン排気バルブ５１１を開き、反応容器５０２の中を所望の圧力、例えば、１Ｐａ以下まで排気する。
【０１１９】
排気終了後、必要に応じて反応容器５０２の中をパージし、メイン排気バルブ５１１を閉じ、不図示のガス供給装置より原料ガス供給管５０７を通じて不活性ガスを反応容器５０２の中に供給して大気圧に戻した後、基体５１３を取り出す。
【０１２０】
本実施例および比較例では、図６に示す層構成のアモルファスシリコン感光体を製造した。図６中、６０１は導電性の基体であり、６０２は下部阻止層であり、６０３は光導電層であり、６０４は中間層（中間層部）であり、６０４１〜６０４３は中間層の各層であり、６０５は表面層である。本実施例では、中間層を３層構成とし、中間層第２層に上部阻止層の機能を付与して、負帯電用のアモルファスシリコン感光体とした。実施例１−４、実施例１−７および比較例１−１のアモルファスシリコン感光体をそれぞれ２本、それ以外はそれぞれ１本製造した。なお、各奇数層の屈折率は、隣り合う２層の偶数層の屈折率の相乗平均に調整した。各層の屈折率は、分光エリプソメトリー（測定器：Ｊ．Ａ．Ｗｏｏｌｌａｍ社製Ｍ−２０００、解析ソフト：ＷＶＡＳＥ３２）により測定した。測定条件として、入射光の入射角度を６０，６５，７０度とした。得られたデータから解析ソフトを用いて、各層の屈折率の波長分散を求め、波長０．６６μｍ（６６０ｎｍ）の屈折率を代表値とした。
【０１２１】
また、各実施例および比較例の中間層第２層の膜厚は、表２に示す条件にそれぞれ変更した。なお、中間層の第１層および中間層第３層の膜厚は、４πｎｄ／λがπとなる膜厚に調整した。ただし、λは０．６６μｍ（６６０ｎｍ）である。
【０１２２】
【表１】
0005225421.tif 000025
【０１２３】
【表２】
0005225421.tif 000026
【０１２４】
＜評価１＞
本実施例および本比較例で製造した電子写真感光体について、表面層が摩耗することによって生じる電子写真感光体の感度変動を以下の方法で代替評価を行った。
【０１２５】
まず、表面層の摩耗を再現するために、研磨機によって表面層の研磨を行った。また、感度変動は電子写真感光体の反射率を測定することで、代替評価を行った。
【０１２６】
表面層の研磨は、マグネットローラーに磁性粉体を担持させた磁気ブラシで電子写真感光体の表面を摺擦する研磨器を用いた。研磨条件は、電子写真感光体を９０ｒｐｍで回転し、電子写真感光体の方向に９００Ｇの磁極を持つマグネットを内包した直径１６ｍｍのマグネットローラーを電子写真感光体の回転方向とは逆方向に２４０ｒｐｍで回転させた。また、電子写真感光体とマグネットローラーとの間隔を０．４ｍｍ、マグネットローラーと板状の磁性体規制ブレードとの間隔を１．０ｍｍに調節した。磁性粉体には、同和鉄粉工業（株）（現  ＤＯＷＡＩＰクリエイション（株））製のＣｕ−Ｚｎフィライト（商品名：ＤＦＣ４５０）を用いた。
【０１２７】
反射率の測定は、大塚電子（株）製の分光光度計（商品名：ＭＣＰＤ−２０００）を用いて、波長０．６４〜０．６８μｍ（６４０〜６８０ｎｍ）の範囲を評価した。評価に用いた波長範囲は、アモルファスシリコン感光体を搭載した電子写真装置に搭載されている画像露光光源の発振波長が６６０ｎｍ（０．６６μｍ）であることが多いことと、半値幅や温度依存性などを考慮して決定した。
【０１２８】
電子写真感光体の感度変動を次の方法で定義・測定した。
【０１２９】
まず、製造した電子写真感光体の０．６４〜０．６８μｍ（６４０〜６８０ｎｍ）の各波長に対する反射率の測定を上記装置を用いて行い、研磨機にて所定時間（表面層が１０ｎｍ研磨される時間）研磨するごとに同様の測定を行った。表面層を２００ｎｍ研磨し終えるまでの各波長における反射率の最大値と最小値との差および平均値（算術平均）を求め、最大値と最小値との差を平均値で割った値を各波長の変動率とした。そして、各波長の変動率の中で最も大きかった波長のときの変動率の値を代表値として電子写真感光体の感度変動と定義した。
【０１３０】
比較例１−１で製造した電子写真感光体の感度変動（変動率：０．２６）を基準値とし、
基準値の３０％未満の場合をＡ、
基準値の３０％以上６０％未満の場合をＢ、
基準値の６０％以上９０％未満の場合をＣ、
基準値の９０％以上１１０％未満の場合をＤ、
基準値の１１０％以上の場合をＥ
とした。つまり、評価結果がＡ、ＢおよびＣのとき、本発明の効果が得られていると考えられる。評価結果を表２に示す。評価の結果、偶数層である中間層第２層の４πｎｄ／λが３π／２より大きく、５π／２より小さい実施例１で良い結果が得られた。特に、４πｎｄ／λが２π±π／８である場合がより優れた効果が得られた。
【０１３１】
＜評価２＞
本実施例および本比較例で製造した電子写真感光体をキヤノン（株）製の電子写真装置（商品名：ｉＲＣ６８００）の改造機に搭載して評価を行った。この改造機の改造ポイントを以下に説明する。
【０１３２】
画像露光光源を、発振波長の中心波長が０．６６μｍ（６６０ｎｍ）のレーザーダイオード（半導体レーザー）から発振波長の中心波長が０．６８μｍ（６８０ｎｍ）のレーザーダイオード（半導体レーザー）に変更した。また、一次帯電を負帯電の構成とし、露光方式を反転現像プロセスとするためにデジタル−イメージング露光方式に変更した。また、黒現像器に換えて表面電位計を設置した。なお、表面層の研磨を行う前に、電子写真感光体の暗部電位が−５００Ｖになる帯電条件を決定し、明部電位が−１５０Ｖになる露光条件を決定した。
【０１３３】
評価１で表面層を１０ｎｍ研磨するごとに、電子写真感光体を前述の電子写真装置の改造機に搭載し、前述の帯電条件および露光条件の下、ベタ白画像（全面非露光）とベタ黒画像（全面露光）を出力し、電子写真感光体の暗部電位と明部電位の測定を行った。暗部電位と明部電位との差を感度と定義し、表面層を２００ｎｍ研磨し終えるまでの感度の最大値と最小値との差を感度変動と定義した。
【０１３４】
比較例１−１で製造した電子写真感光体の感度変動（１１Ｖ）を基準値とし、
基準値の３０％未満の場合をＡ、
基準値の３０％以上６０％未満の場合をＢ、
基準値の６０％以上９０％未満の場合をＣ、
基準値の９０％以上１１０％未満の場合をＤ、
基準値の１１０％以上の場合をＥ
とした。つまり、評価結果がＡ、ＢおよびＣのとき、本発明の効果が得られていると考えられる。評価結果を表２に示す。
【０１３５】
評価の結果、偶数層である中間層第２層の４πｎｄ／λが３π／２より大きく、５π／２より小さい実施例１で良い結果が得られた。
【０１３６】
評価２と評価１の結果は一致しており、評価１によって本発明の効果を確認できることがわかった。
【０１３７】
＜評価３＞
実施例１−４、実施例１−７および比較例１−１で製造したアモルファスシリコン感光体を評価２で用いた電子写真装置の改造機を用いて、実使用環境を想定した感度変動の評価を行った。ただし、本評価では、表面電位計に換えて黒現像器を設置して、印字率４％のＡ４テストパターンで２００万枚の画像出力を行った。初期および１０万枚ごとに黒現像器に換えて表面電位計を設置し、評価２と同様の方法で感度測定を行った。２００万枚の連続通紙試験を終えるまでの感度の最大値と最小値との差を感度変動と定義した。
【０１３８】
比較例１−１で製造した電子写真感光体の感度変動（１１Ｖ）を基準値とし、
基準値の３０％未満の場合をＡ、
基準値の３０％以上６０％未満の場合をＢ、
基準値の６０％以上９０％未満の場合をＣ、
基準値の９０％以上１１０％未満の場合をＤ、
基準値の１１０％以上の場合をＥ
とした。つまり、評価結果がＡ、ＢおよびＣのとき、本発明の効果が得られていると考えられる。評価結果を表２に示す。
【０１３９】
評価の結果、偶数層である中間層第２層の４πｎｄ／λが３π／２より大きく、５π／２より小さい範囲の実施例１で良い結果が得られた。
【０１４０】
評価３と評価１の結果は一致しており、評価１によって本発明の効果を確認できることがわかった。
【０１４１】
〔実施例２および比較例２〕
本実施例および比較例では、実施例１と同じ電子写真装置の改造機を用いて、実施例１−４とほぼ同じ形成条件でアモルファスシリコン感光体を各１本ずつ製造した。ただし、本実施例では、中間層第３層の膜厚を表３に示す条件に種々変更した。アモルファスシリコン感光体の感度変動の評価は、実施例１で説明した評価１の方法および基準で行った。評価結果を表３に示す。
【０１４２】
評価の結果、奇数層である中間層第３層の４πｎｄ／λがπ±π／１６の範囲である実施例２でより良い結果が得られた。
【０１４３】
【表３】
0005225421.tif 000027
【０１４４】
〔実施例３および比較例３〕
本実施例および比較例では、実施例１と同じ電子写真装置の改造機を用いて、実施例１−４とほぼ同じ形成条件でアモルファスシリコン感光体を各１本ずつ製造した。ただし、中間層第３層の屈折率および膜厚を表４に示す条件に種々変更した。なお、各実施例の中間層第３層の４πｎｄ／λがπになるように膜厚を調整した。また、アモルファスシリコン感光体の感度変動の評価は、実施例１で説明した評価１の方法および基準で行った。評価結果を表４に示す。
【０１４５】
評価の結果、中間層第３層の屈折率を中間層第２層の屈折率と表面層の屈折率の相乗平均に対して±２％以内の実施例３でより良い結果が得られた。
【０１４６】
【表４】
0005225421.tif 000028
【０１４７】
〔実施例４および比較例４〕
本実施例では、実施例１と同じ電子写真装置の改造機を用いて、中間層５層構成のアモルファスシリコン感光体を製造した。なお、本実施例では、中間層を表５の条件として、中間層第２層に上部阻止層の機能を付与した。それ以外の層は実施例１と同じ条件として各１本ずつ製造した。なお、中間層のうち、各奇数層の屈折率は隣り合う２層の偶数層の屈折率の相乗平均に調整し、膜厚は４πｎｄ／λがπとなる膜厚に調整した。一方、各偶数層の膜厚は表６に示す条件に種々変更した。アモルファスシリコン感光体の感度変動の評価は、実施例１で説明した評価１の方法および基準で行った。評価結果を表６に示す。
【０１４８】
評価の結果、実施例４−１および４−２は、中間層第２層から第４層までの屈折率と膜厚の積の和をΣｎｄとした場合、４πΣｎｄ／λが２πの倍数であり、優れた感度変動抑制効果が得られた。実施例４−３〜４−６は少なくとも１層以上の偶数層の４πｎｄ／λが２πであり、より良い効果が得られた。
【０１４９】
一方、すべての中間層の４πｎｄ／λがπである比較例４では、各合成反射ベクトルが弱め合わないため、効果が得られなかった。
【０１５０】
【表５】
0005225421.tif 000029
【０１５１】
【表６】
0005225421.tif 000030
【０１５２】
〔実施例５および比較例５〕
本実施例および比較例では、実施例１と同じ電子写真装置の改造機を用いて、中間層７層構成のアモルファスシリコン感光体を製造した。なお、本実施例では、中間層を表７の条件として、中間層第４層に上部阻止層の機能を付与した。それ以外の層は実施例１と同じ条件で各１本ずつ製造した。なお、中間層のうち、各奇数層の屈折率は隣り合う２層の偶数層の屈折率の相乗平均に調整し、各奇数層の膜厚は４πｎｄ／λがπとなる膜厚に調整した。一方、各偶数層の膜厚は表８に示す条件に種々変更した。アモルファスシリコン感光体の感度変動の評価は、実施例１で説明した評価１の方法および基準で行った。評価結果を表８に示す。
【０１５３】
評価の結果、いずれの実施例もいずれかの偶数層の膜厚が４πｎｄ／λが２πと等しくなるため、優れた感度変動抑制効果が得られた。それらの中でも、中間層第４層に対して、各中間層の膜厚が満たす式の配列が対称になっている（中間層第２層の４πｎｄ／λと中間層第６層の４πｎｄ／λとが等しい）実施例５−２、５−４、５−６および５−８でより良い効果が得られた。
【０１５４】
一方、すべての中間層の４πｎｄ／λがπである比較例５では、各合成反射ベクトルが弱め合わないため、効果が得られなかった。
【０１５５】
【表７】
0005225421.tif 000031
【０１５６】
【表８】
0005225421.tif 000032
【０１５７】
〔実施例６〕
本実施例では、実施例１と同じ電子写真装置の改造機を用い、同様の方法によって、実施例１−４とほぼ同じアモルファスシリコン感光体を製造した。ただし、本実施例では、中間層第２層の膜厚を表９に示す膜厚に変更して、各１本ずつ製造した。アモルファスシリコン感光体の感度変動の評価は、実施例１で説明した評価１の方法および基準で行った。評価結果を表９に示す。
【０１５８】
評価の結果、本実施例では偶数層の膜厚が４πｎｄ／λがπの偶数倍となる膜厚に調整されているため、優れた感度変動抑制効果が得られた。ただし、中間層第２層の膜厚は薄い方が良好であり、４πｎｄ／λが８π（上記式（５）においてｑｉ＝４）以下となる膜厚がより好ましい範囲であった。つまり、上記式（４）中の各ｑｉは、１、２、３または４がより好ましい。
【０１５９】
【表９】
0005225421.tif 000033
【０１６０】
〔実施例７〕
本実施例では、実施例１と同じ電子写真装置の改造機を用い、同様の方法によって、実施例１−４とほぼ同じアモルファスシリコン感光体を製造した。ただし、本実施例では、中間層第１層および中間層第３層の膜厚を表１０に示した膜厚に変更して、各１本ずつ製造した。アモルファスシリコン感光体の感度変動の評価は、実施例１で説明した評価１の方法および基準で行った。評価結果を表１０に示す。
【０１６１】
評価の結果、奇数層の４πｎｄ／λがπの奇数倍となる膜厚に調整されているため、優れた感度変動抑制効果が得られた。ただし、中間層第１層および中間層第３層の膜厚は薄い方が良好であり、４πｎｄ／λが３π（上記式（３）においてｐｉ＝２）以下となる膜厚がより好ましい範囲であった。つまり、上記式（３）中の各ｐｉは、１または２がより好ましい。
【０１６２】
【表１０】
0005225421.tif 000034
【０１６３】
〔実施例８〕
本実施例では、実施例４とほぼ同様の中間層５層構成のアモルファスシリコン感光体を製造した。ただし、本実施例では、各偶数層の膜厚を表１１の条件として、各１本ずつ製造した。アモルファスシリコン感光体の感度変動の評価は、実施例１で説明した評価１の方法および基準で行った。評価結果を表１１に示す。
【０１６４】
評価の結果、すべての実施例の偶数層が上記式（８）に係る条件を満たしており、優れた感度変動抑制効果が得られた。それらの中でも、上記式（９）に係る条件を満たす実施例８−１〜８−５、８−８および８−９において、より良い効果が得られた。ただし、各偶数層の膜厚は薄い方が良好であり、４πｎｄ／λが２３π／３以下となる膜厚がより好ましい範囲であった。
【０１６５】
【表１１】
0005225421.tif 000035
【０１６６】
〔実施例９〕
本実施例では、実施例５とほぼ同様の中間層７層構成のアモルファスシリコン感光体を製造した。ただし、本実施例では、各偶数層の膜厚を表１２の条件として、各１本ずつ製造した。アモルファスシリコン感光体の感度変動の評価は、実施例１で説明した評価１の方法および基準で行った。評価結果を表１２に示す。
【０１６７】
評価の結果、各実施例の偶数層が上記式（１０）に係る条件を満たしており、優れた感度変動抑制効果が得られた。それらの中でも、上記式（１１）に係る条件を満たす実施例９−１〜９−６および９−８において、より良い効果が得られた。ただし、各偶数層の膜厚は薄い方が良好であり、４πｎｄ／λが１５π／２以下となる膜厚がより好ましい範囲であった。
【０１６８】
【表１２】
0005225421.tif 000036
【０１６９】
〔実施例１０〕
本実施例では、実施例１と同じ電子写真装置の改造機を用いて、中間層９層構成のアモルファスシリコン感光体を製造した。なお、本実施例では、中間層を表１３の条件として、中間層第４層に上部阻止層の機能を付与した。それ以外の層は実施例１と同じ条件で各１本ずつ製造した。なお、本実施例では、各奇数層の屈折率は隣り合う２層の偶数層の屈折率の相乗平均に調整し、各奇数層の膜厚は４πｎｄ／λがπになる膜厚に調整した。一方、各偶数層の膜厚を表１４の条件に種々変更した。アモルファスシリコン感光体の感度変動の評価は、実施例１で説明した評価１の方法および基準で行った。評価結果を表１４に示す。
【０１７０】
評価の結果、偶数層が上記式（８）および（９）に係る条件を満たす実施例１０−１において、優れた感度変動抑制効果が得られた。また、偶数層が上記式（５）に係る条件を満たす実施例１０−２においても、優れた感度変動抑制効果が得られた。
【０１７１】
【表１３】
0005225421.tif 000037
【０１７２】
【表１４】
0005225421.tif 000038
【０１７３】
〔実施例１１〕
本実施例では、実施例１と同じ電子写真装置の改造機を用いて、中間層１１層構成のアモルファスシリコン感光体を製造した。なお、本実施例では、中間層を表１５の条件として、中間層第６層に上部阻止層の機能を付与した。それ以外の層は実施例１と同じ条件で各１本ずつ製造した。なお、本実施例では、各奇数層の屈折率は隣り合う２層の偶数層の屈折率の相乗平均に調整し、各奇数層の膜厚は４πｎｄ／λがπになる膜厚に調整した。一方、各偶数層の膜厚は表１６の条件に種々変更した。アモルファスシリコン感光体の感度変動の評価は、実施例１で説明した評価１の方法および基準で行った。評価結果を表１６に示す。
【０１７４】
評価の結果、偶数層が上記式（１０）および（１１）に係る条件を満たす実施例１１−１において、優れた感度変動抑制効果が得られた。また、偶数層が上記式（５）に係る条件を満たす実施例１１−２においても、優れた感度変動抑制効果が得られた。
【０１７５】
【表１５】
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【０１７６】
【表１６】
0005225421.tif 000040
【０１７７】
〔実施例１２〕
本実施例では、実施例１と同じ電子写真装置の改造機を用いて、中間層３層構成のアモルファスシリコン感光体を製造した。ただし、中間層および表面層の材料としてアモルファスシリコンナイトライドを用い、表１７に示す形成条件でアモルファスシリコン感光体を１本製造した。なお、各奇数層の屈折率は隣り合う２層の偶数層の屈折率の相乗平均に調整し、各奇数層の膜厚は４πｎｄ／λがπになる膜厚に調整した。一方、各偶数層の膜厚は４πｎｄ／λが２πになる膜厚に調整した。アモルファスシリコン感光体の感度変動の評価は、実施例１で説明した評価１の方法および基準で行った。
評価の結果、Ｂであり、優れた効果が確認された。
【０１７８】
【表１７】
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【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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