(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の少なくとも表示領域に設けられた電極膜と、
少なくとも前記表示領域に、前記電極膜を覆うように形成され、ラビングによって配向処理が施される配向膜と、
前記表示領域の外側において、少なくともラビング方向に対して交差し、前記表示領域に沿って設けられ、前記表示領域における前記配向膜の膜厚よりも膜厚が大きい帯状の凸部とを具備し、
前記電極膜及び前記配向膜は、それぞれ前記表示領域に設けられると共に、前記帯状の凸部を覆うように設けられていることを特徴とする液晶装置用基板。
【請求項２】
前記基板は、マザー基板であって、複数の前記表示領域がマトリクス状に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置用基板。
【請求項３】
前記帯状の凸部は、前記マザー基板の外縁付近まで延在して設けられていることを特徴とする請求項２に記載の液晶装置用基板。
【請求項４】
前記帯状の凸部は、前記表示領域に沿って複数条設けられていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の液晶装置用基板。
【請求項５】
前記帯状の凸部は、前記電極膜と同じ材料からなることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の液晶装置用基板。
【請求項６】
基板上にラビングによって配向処理が施される表示領域を有する液晶装置用基板の製造方法であって、
前記表示領域の外側に、少なくともラビング方向に対して交差すると共に、前記表示領域に沿って帯状の凸部を形成する凸部形成工程と、
少なくとも前記表示領域に、電極膜を形成する電極膜形成工程と、
少なくとも前記表示領域に、前記電極膜を覆うように形成され配向膜を形成する配向膜形成工程とを具備し、
前記凸部形成工程において、前記帯状の凸部は、前記表示領域における前記配向膜よりも膜厚が大きくなるように形成され、
前記電極膜形成工程において、前記電極膜は、前記表示領域に形成されると共に、前記帯状の凸部を覆うように形成され、
前記配向膜形成工程において、前記配向膜は、前記表示領域に形成されると共に、前記帯状の凸部を覆うように形成されることを特徴とする液晶装置用基板の製造方法。
【請求項７】
前記基板は、マザー基板であって、複数の前記表示領域がマトリクス状に配置されており、
前記凸部形成工程において、前記帯状の凸部を前記マザー基板の外縁付近まで延在して形成することを特徴とする請求項６に記載の液晶装置用基板の製造方法。
【請求項８】
前記凸部形成工程において、前記帯状の凸部を前記表示領域に沿って複数条形成することを特徴とする請求項６または７に記載の液晶装置用基板の製造方法。
【請求項９】
前記凸部形成工程においては、前記電極膜と同じ材料を用いて前記帯状の凸部を形成し、
前記電極膜形成工程において、前記帯状の凸部を覆うように前記電極膜を形成することを特徴とする請求項６乃至８のいずれか一項に記載の液晶装置用基板の製造方法。
【請求項１０】
少なくとも前記表示領域を覆うように絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程を備え、
前記凸部形成工程において、前記絶縁膜形成工程の後に前記絶縁膜と同じ材料を用いて前記帯状の凸部を形成し、
前記電極膜形成工程において、前記凸部形成工程の後に前記絶縁膜上に前記電極膜を形成することを特徴とする請求項６乃至８のいずれか一項に記載の液晶装置用基板の製造方法。
【請求項１１】
対向配置された第１及び第２の基板の間に電気光学物質を介在させて構成される電気光学装置であって、
前記第１及び第２の基板の一方が請求項１乃至５のいずれか一項に記載の液晶装置用基板を用いて構成されたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の電気光学装置を具備したことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置の画質向上に好適な液晶装置用基板及びその製造方法、電気光学装置並びに電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気光学装置である液晶装置は、ガラス基板、石英基板等の２枚の基板間に液晶を封入して構成される。液晶装置としては、各画素毎にＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）やＴＦＤ（Thin Film Diode：薄膜ダイオード）等の非線形素子を設け、この非線形素子を介して信号電極と画素電極とを電気的に接続したアクティブ方式のものがある。
【０００３】
アクティブ方式の液晶装置は、一方の基板に、上記非線形素子をマトリクス状に配置し、他方の基板に対向する電極を配置して、両基板間に封止した液晶層の光学特性を画像信号に応じて変化させることで、画像表示を可能にする。
【０００４】
ＴＦＴを配置したＴＦＴ基板と、ＴＦＴ基板に対向配置される対向基板とは、別々に製造される。両基板は、パネル組立工程において高精度に貼り合わされた後、液晶が封入される。
【０００５】
パネル組立工程においては、先ず、各基板工程において夫々製造されたＴＦＴ基板と対向基板との対向面、即ち、対向基板及びＴＦＴ基板の液晶層と接する面上に配向膜が形成され、次いでラビング処理が行われる。次に、一方の基板上の端辺に接着剤となるシール部が形成される。ＴＦＴ基板と対向基板とをシール部を用いて貼り合わせ、アライメントを施しながら圧着硬化させる。シール部の一部には切り欠きが設けられており、この切り欠きを介して液晶を封入する。
【０００６】
配向膜を形成してラビング処理を施すことで、電圧無印加時の液晶分子の配列が決定される。配向膜は、例えばポリイミドを約数十ナノメーターの厚さで塗布することにより形成される。液晶層に対向する両基板の面上に配向膜を形成することで、液晶分子を基板面に沿って配向処理することができる。ラビング処理は、配向膜表面に細かい溝を形成して配向異方性の膜にするものであり、配向膜に一定方向のラビング処理を施すことで、液晶分子の配列を規定することができる。
【０００７】
なお、生産性を考慮して、１枚のマザーガラス基板を分断することなく成膜及びフォトリソグラフィ工程を繰り返して、複数のＴＦＴ基板用の各素子をマザーガラス基板上に同時に形成するアレイ製造が採用されることがある。
【０００８】
【特許文献１】特開２００４−２４００５３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ラビング処理では、ラビングローラを回転させながら基板表面を摺動させる。ラビング処理によって発生した異物、例えば配向膜などの削り滓は、ラビングローラの移動に従って移動して基板の外部に掃き出される。しかしながら、アレイ製造においては、各素子毎に段差が生じることから、この段差によって、ラビング処理時に発生する削り滓が隣接する素子上に残ることがある。
【００１０】
そこで、特許文献１においては、ＴＦＴアレイ基板上の周辺領域に突部を形成することによって、ラビング処理時に発生する削り滓の表示領域内の進入を阻止する技術が開示されている。
【００１１】
しかしながら、特許文献１では、アレイ製造された対向基板については何らの開示もなく、特許文献１の技術を用いたとしても、対向基板上にはラビングの削り滓が残ってしまう。この削り滓が有効表示領域内に進入した場合には、削り滓が付着した部分において液晶分子の配向が乱れ画質が劣化してしまうという問題点があった。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【００１３】
［適用例１］本適用例の液晶装置用基板は、基板上の少なくとも表示領域に設けられた電極膜と、少なくとも前記表示領域に、前記電極膜を覆うように形成され、ラビングによって配向処理が施される配向膜と、前記表示領域の外側において、少なくともラビング方向に対して交差し、前記表示領域に沿って設けられ、前記表示領域における前記配向膜の膜厚よりも膜厚が大きい帯状の凸部とを具備し、前記電極膜及び前記配向膜は、それぞれ前記表示領域に設けられると共に、前記帯状の凸部を覆うように設けられていることを特徴とする。
【００１４】
このような構成によれば、基板上の表示領域に沿って設けられた帯状の凸部の高さは、表示領域に設けられた電極膜の表面の高さよりも高いため障壁として機能し、ラビング時に表示領域の外部から表示領域に入り込む異物例えばラビングによる配向膜や基板の削り滓の進入を防止することができる。
【００１５】
［適用例２］上記適用例の液晶装置用基板において、前記基板上における前記凸部の突出量は、前記電極膜の表面に対して、少なくとも前記表示領域を覆う配向膜の膜厚よりも大きくなるように設定されていることが好ましい。
ラビング時の配向膜の削り滓は、少なくとも配向膜の膜厚程度の大きさを有する。この構成によれば、帯状の凸部の突出量は、電極膜の表面に対して、少なくとも配向膜の膜厚よりも大きいので、配向膜の削り滓が再び表示領域に進入し、配向膜上に重なり合って付着することを防止することができる。すなわち、配向膜の再付着による液晶分子の配向の乱れを防止することができる。
【００１６】
［適用例３］上記適用例の液晶装置用基板において、前記基板は、マザー基板であって、複数の前記表示領域がマトリクス状に配置されていることを特徴とする。
【００１７】
このような構成によれば、複数の表示領域間においてもラビング時の異物の進入と付着を防止することができる。
【００１８】
［適用例４］上記適用例の液晶装置用基板において、前記帯状の凸部は、前記マザー基板の外縁付近まで延在して設けられていることが好ましい。
【００１９】
このような構成によれば、より広い範囲に亘って帯状の凸部が設けられているので、異物としてのラビングの削り滓が表示領域内に進入することを確実に防止することができる。
【００２０】
［適用例５］上記適用例の液晶装置用基板において、前記帯状の凸部は、前記表示領域に沿って複数条設けられていることが好ましい。
【００２１】
このような構成によれば、ラビング時に発生する異物は、複数条の凸部を乗り越えないと表示領域に進入できない。すなわち、異物の進入をより確実に阻止することができる。
【００２２】
［適用例６］上記適用例の液晶装置用基板において、前記帯状の凸部は、前記電極膜と同じ材料からなるとしてもよい。
この構成によれば、帯状の凸部を形成するための新たな成膜工程を設けなくてもよい。
【００２３】
［適用例７］上記適用例の液晶装置用基板において、前記電極膜は、前記表示領域と前記帯状の凸部とを覆うように設けられているとしてもよい。
この構成によれば、電極膜と同じ材料で構成された帯状の凸部を覆って電極膜が形成されるので、当該凸部における電極膜の密着性を高めることができる。
また、帯状の凸部を液晶装置内に収まるように設けた場合には、実質的に帯状の凸部における電極膜の膜厚が厚くなるため、電極膜の低抵抗化を図ることができる。
【００２４】
［適用例８］本適用例の液晶装置用基板の製造方法は、基板上にラビングによって配向処理が施される表示領域を有する液晶装置用基板の製造方法であって、前記表示領域の外側に、少なくともラビング方向に対して交差すると共に、前記表示領域に沿って帯状の凸部を形成する凸部形成工程と、少なくとも前記表示領域に、電極膜を形成する電極膜形成工程と、少なくとも前記表示領域に、前記電極膜を覆うように形成され配向膜を形成する配向膜形成工程とを具備し、前記凸部形成工程において、前記帯状の凸部は、前記表示領域における前記配向膜よりも膜厚が大きくなるように形成され、前記電極膜形成工程において、前記電極膜は、前記表示領域に形成されると共に、前記帯状の凸部を覆うように形成され、前記配向膜形成工程において、前記配向膜は、前記表示領域に形成されると共に、前記帯状の凸部を覆うように形成されることを特徴とする。
【００２５】
このような方法によれば、凸部形成工程では、表示領域に沿うと共に表示領域における電極膜の表面の高さよりも高くなるように帯状の凸部を形成する。したがって、形成された帯状の凸部は、ラビング時に表示領域への異物進入を阻む障壁になる。言い換えれば、ラビング時に異物が表示領域に進入し難い液晶装置用基板を製造することができる。
【００２６】
［適用例９］上記適用例の液晶装置用基板の製造方法において、前記凸部形成工程は、前記基板上における前記帯状の凸部の突出量が、前記電極膜の表面に対して、少なくとも前記表示領域を覆う配向膜の膜厚よりも大きくなるように前記帯状の凸部を形成することが好ましい。
この方法によれば、帯状の凸部の突出量が、電極膜の表面に対して、少なくとも配向膜の膜厚よりも大きいので、ラビング時に配向膜の削り滓が再び表示領域に進入し、配向膜上に重なり合って付着することを防止することができる。すなわち、配向膜の再付着による液晶分子の配向の乱れを防止することができる。
【００２７】
［適用例１０］上記適用例の液晶装置用基板の製造方法において、前記基板は、マザー基板であって、複数の前記表示領域がマトリクス状に配置されており、前記凸部形成工程は、前記帯状の凸部を前記マザー基板の外縁付近まで延在して形成することを特徴とする。
この方法によれば、より広い範囲に亘って帯状の凸部が形成されるので、マザー基板の複数の表示領域間においてラビング時の異物進入を防ぐことが可能な液晶装置用基板を製造することができる。
【００２８】
［適用例１１］上記適用例の液晶装置用基板の製造方法において、前記凸部形成工程は、前記帯状の凸部を前記表示領域に沿って複数条形成することが好ましい。
この方法によれば、凸部形成工程では、異物進入障壁である帯状の凸部を複数条形成するので、ラビング時の異物進入をより確実に防ぐことが可能な液晶装置用基板を製造することができる。
【００２９】
［適用例１２］上記適用例の液晶装置用基板の製造方法において、前記凸部形成工程は、前記電極膜と同じ材料を用いて前記帯状の凸部を形成し、前記電極膜形成工程は、前記帯状の凸部を覆うように前記電極膜を形成することが好ましい。
この方法によれば、帯状の凸部は表示領域における電極膜の表面の高さよりも高く形成される一方で、電極膜と同じ材料で形成されるので、相互の密着性が確保される。
また、帯状の凸部を液晶装置内に収容されるように形成した場合、帯状の凸部が形成された領域において、実質的に電極膜の膜厚が厚くなり、電極膜の低抵抗化を図ることができる。
【００３０】
［適用例１３］上記適用例の液晶装置用基板の製造方法において、少なくとも前記表示領域を覆うように絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程を備え、前記凸部形成工程は、前記絶縁膜形成工程の後に前記絶縁膜と同じ材料を用いて前記帯状の凸部を形成し、前記電極膜形成工程は、前記凸部形成工程の後に前記絶縁膜上に前記電極膜を形成するとしてもよい。
この方法によれば、基板表面と絶縁膜との間に導電性の遮光膜などを形成したとしても、遮光膜と電極膜とが絶縁膜によって電気的に絶縁される。言い換えれば、電極膜の下層に別の機能を有する膜を配することが可能となる。
また、その表面が平坦となるように絶縁膜を形成すれば、別の機能を有する膜が絶縁膜下に配されていても、表面が平坦な電極膜を形成することができる。
すなわち、高機能な薄膜を有すると共に、ラビング時の異物が表示領域に進入して付着し難い液晶装置用基板を製造することができる。
【００３１】
［適用例１４］本適用例の電気光学装置は、対向配置された第１及び第２の基板の間に電気光学物質を介在させて構成される電気光学装置であって、前記第１及び第２の基板の一方が上記適用例の液晶装置用基板によって構成されたことを特徴とする。
【００３２】
このような構成によれば、上記適用例の液晶装置用基板を用いて電気光学装置を構成しているので、ラビング時の異物による表示不具合の少ない電気光学装置としての液晶装置を提供することができる。
【００３３】
［適用例１５］本適用例の電子機器は、上記適用例の電気光学装置を具備したことを特徴とする。
【００３４】
このような構成によれば、異物に起因する表示不具合が少ない電気光学装置としての液晶装置を備えているので、高い表示品質を有する電子機器を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について詳細に説明する。なお、説明に使用する図面は、各部を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、縮尺を異ならしめて図示している。
【００３６】
（第１の実施形態）
まず、本実施形態の液晶装置用基板を用いた電気光学装置としての液晶装置について、図１および図２を参照して説明する。図１は液晶装置の構成を示す概略正面図、図２は図１のＨ−Ｈ'線で切った断面図である。
【００３７】
図１及び図２に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、例えば、石英基板、ガラス基板、シリコン基板を用いた第１の基板としてのＴＦＴ基板１０と、これに対向配置される、例えばガラス基板や石英基板を用いた第２の基板としての対向基板２０との間に電気光学物質としての液晶５０を封入して構成される。対向配置されたＴＦＴ基板１０と対向基板２０とは、シール材５２によって貼り合わされている。
【００３８】
ＴＦＴ基板１０上には画素を構成する画素電極（ＩＴＯ）９ａ等がマトリクス状に配置される。また、対向基板２０上には全面に電極膜としての対向電極（ＩＴＯ）２１が設けられる。ＴＦＴ基板１０の画素電極９ａ上には、ラビング処理が施された配向膜１６が設けられている。
一方、対向基板２０上の全面に渡って形成された対向電極２１上にも、ラビング処理が施された配向膜２２が設けられている。各配向膜１６，２２は、例えば、ポリイミド膜等の透明な有機膜からなる。
【００３９】
ＴＦＴ基板１０において画素が構成される画素領域の中央部分に有効表示領域（以下、単に表示領域ともいう）１０ａが設けられ、画素領域の周辺には無効表示領域が設けられる。無効表示領域及び画素領域以外の領域が非表示領域である。
【００４０】
画素領域においては、図示しない複数本の走査線と複数本のデータ線とが交差するように配線され、走査線とデータ線とで区画された領域に画素電極９ａがマトリクス状に配置される。そして、走査線とデータ線の各交差部分に対応してＴＦＴ（図示省略）が設けられ、このＴＦＴに画素電極９ａが電気的に接続される。
【００４１】
ＴＦＴは走査線のＯＮ信号によってオンとなり、これにより、データ線に供給された画像信号が画素電極９ａに供給される。この画素電極９ａと対向基板２０に設けられた対向電極２１との間の電圧が液晶５０に印加される。
【００４２】
ＴＦＴに光が入射することを防止するために、対向基板２０には、画素領域において、走査線及びデータ線の形成領域に対向する領域に遮光膜２３が格子状に形成されている。また、対向基板２０には有効表示領域１０ａを区画する額縁としての遮光膜５３が設けられている。
【００４３】
シール材５２は、ＴＦＴ基板１０の一辺の一部において欠落しており、液晶５０を注入するための液晶注入口１０８が形成される。貼り合わされたＴＦＴ基板１０及び対向基板２０相互の間隙には、液晶注入口１０８より液晶が注入される。液晶注入後に、液晶注入口１０８を封止材１０９で封止するようになっている。
【００４４】
シール材５２の外側の領域には、データ線に画像信号を所定のタイミングで供給することにより該データ線を駆動するデータ線駆動回路１０１及び外部回路との接続のための外部接続端子１０２がＴＦＴ基板１０の一辺に沿って設けられている。この一辺に隣接する二辺に沿って、走査線及び図示しないゲート電極に走査信号を所定のタイミングで供給することによりゲート電極を駆動する走査線駆動回路１０４が設けられている。走査線駆動回路１０４は、シール材５２の内側の遮光膜５３に対向する位置においてＴＦＴ基板１０上に形成される。また、ＴＦＴ基板１０上には、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４、外部接続端子１０２及び上下導通端子１０７を接続する配線１０５が、遮光膜５３の三辺に対向して設けられている。
【００４５】
上下導通端子１０７は、シール材５２のコーナー部の４箇所のＴＦＴ基板１０上に形成される。そして、対向配置されたＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間には、下端が上下導通端子１０７に接触し、上端が対向電極２１に接触する上下導通材１０６が設けられており、上下導通材１０６によって、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通がとられている。
【００４６】
本実施形態は生産性に優れたアレイ製造方式によって対向基板２０を製造する場合に適用した例を示している。アレイ製造方式においては、１枚のマザー基板から複数の対向基板２０を切り出す。すなわち、製造時に投入したマザー基板を分断することなく成膜及びフォトリソグラフィ工程を繰り返す。こうして、複数の対向基板用の各素子をマザー基板上に形成した液晶装置用基板としての対向基板アレイを得る。そして、対向基板アレイを分断することで、各対向基板２０を得る。
【００４７】
本実施形態においては、後述するように、製造工程途中で、マザー基板上に凸部を形成するものである。この凸部は、対向基板アレイの分断後において、各対向基板２０に残る場合と残らない場合とがある。
なお、ＴＦＴ基板１０も同様にアレイ製造方式によって製造される。したがって、対向基板２０と同様な方法で凸部を形成しておくことが望ましい。
【００４８】
図３は対向基板アレイを示す概略平面図である。対向基板２０は例えば図３に示すウェハ状の対向基板アレイ７１を分断することにより得られる。対向基板アレイ７１には複数の対向基板用の素子７２が形成されている。各素子７２は有効表示領域１０ａに相当する表示領域１０ｂに図３では図示を省略する遮光膜２３が形成されている。また、表示領域１０ｂを囲み平面的に規定する遮光膜５３も形成されている。なお、対向基板アレイ７１は、ウェハ状に限定されず、例えば四角形や多角形でもよい。
【００４９】
図４は図３中の１つの素子７２の具体的な構成を示す概略平面図である。図４に示すように、各素子７２は、表示領域１０ｂを区画する遮光膜５３が形成されている。また、表示領域１０ｂ内には格子状に遮光膜２３が形成されている。また、表示領域１０ｂの外側領域の４カ所には、素子７２を切出して得られる対向基板２０をＴＦＴ基板１０に貼り合わせる場合のアライメント用に、アライメントマーク７５も形成されている。
【００５０】
本実施形態においては、対向基板アレイ７１上の各素子７２の表示領域１０ｂ以外の部分には、少なくとも一部において、帯状の凸部７４が形成されている。図４の例では、凸部７４は、表示領域１０ｂ以外の部分において、平面的には矩形状であり、表示領域１０ｂのラビング方向に直交する二辺に沿って表示領域１０ｂの範囲よりも広範囲に形成される。即ち、凸部７４は、少なくともラビング方向については、表示領域１０ｂへの異物の進入を阻止する障壁となるように形成される。
【００５１】
また、図４の例では、凸部７４はラビング方向と同一方向に短辺を有しており、ラビング方向と同一方向に、複数条（３つ）の凸部７４が所定ピッチで並列して配設されている。
【００５２】
図５は図４のＡ−Ａ'線における各部材の構成を示す概略断面図である。また、図６は図５のＢ部を示す図、図７は図５のＣ部を示す図である。
【００５３】
図５及び図６に示すように、対向基板アレイ７１は、透明なガラスからなる基板としてのマザー基板８１を有し、マザー基板８１上に、遮光膜２３，５３がパターン形成されている。
遮光膜２３は、２層構造を有し、下層はＴｉＮ（チタンナイトライド）膜２３ａであり、上層はＡＬ（アルミニウム）膜２３ｂである。また、遮光膜５３も、下層がＴｉＮ膜、上層がＡＬ膜の２層構造である。
これらの遮光膜２３，５３を覆うように、層間絶縁膜８２が形成されている。層間絶縁膜８２は例えばＳｉＯ2膜である。層間絶縁膜８２上に凸部７４が形成され、凸部７４が形成された表面を覆うように透明電極であるＩＴＯ膜８３が形成されている。表示領域１０ｂにおけるＩＴＯ膜８３は、電極膜（対向電極２１）として機能する。
【００５４】
遮光膜２３，５３の膜厚は、例えば、ＴｉＮ膜が５０ｎｍ、ＡＬ膜が１００ｎｍで、合わせて１５０ｎｍ程度であり、ＩＴＯ膜８３の膜厚は約１４０ｎｍである。層間絶縁膜８２はＮＳＧ（Nondoped Silicate Glass）膜、ＴＥＯＳ（TetraEthOxySilane）膜等によって形成され、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）処理が施されている。
【００５５】
図５及び図７の例では層間絶縁膜８２上に、凸部７４が形成されている。凸部７４は、例えば透明導電材料であるＩＴＯ膜を用いて形成することができる。なお、ＩＴＯ膜８３を覆うように、配向膜２２が形成される。
【００５６】
本実施形態においては、凸部７４は、表示領域１０ｂ内のＩＴＯ膜８３の表面よりも突出して形成されている。言い換えれば、凸部７４の高さは表示領域１０ｂ内のＩＴＯ膜８３の表面の高さよりも高い。従って、一群の凸部７４の形成領域においては、凸部７４上の配向膜２２は、表示領域１０ｂ内の配向膜２２よりも突出することになる。
【００５７】
ゆえに、ラビング処理時に、画素の表示領域１０ｂにおいて発生する削り滓は、当該画素のラビング方向後端側に設けられた凸部７４においてトラップされて、当該画素に隣接する画素の表示領域１０ｂに進入することが防止される。すなわち、表示領域１０ｂ間において、ラビング処理時に発生する削り滓は、３つの凸部７４を越えて互の表示領域１０ｂに進入できない。
例えば、配向膜２２の膜厚が５０ｎｍであれば、凸部７４が表示領域１０ｂ内のＩＴＯ膜８３の表面よりも５０ｎｍ以上高くなるように形成することが好ましい。すなわち、凸部７４の突出量がＩＴＯ膜８３の表面に対して配向膜２２の膜厚以上の大きさとなるように帯状の凸部７４を形成することにより、少なくとも配向膜２２の削り滓が表示領域１０ｂに進入することを防ぐことができる。
【００５８】
また、本実施形態においては、凸部７４は所定の間隔で設けられている。例えば、図７に示すように、凸部７４の短辺方向の長さは１５〜２０μｍであり、高さは１００〜１４０ｎｍであり、凸部７４相互の間隔は１５〜２０μｍである。凸部７４がラビング方向に所定間隔で設けられているので、ラビング処理時に発生する削り滓は、凸部７４同士の間にトラップされやすく、削り滓が所定ピッチで配列された一群の凸部７４を超えて移動することを確実に防止することができる。
なお、凸部７４の寸法は、これに限定されるものではない。例えば、高さは、後に液晶装置１００内に収容されなければ、適宜設定が可能である。液晶装置１００内に収容する場合には、液晶５０の厚みを越えないように考慮して設定すればよい。
【００５９】
（製造プロセス）
図８及び図９は本実施形態に係る液晶装置用基板の製造方法を示すフローチャートである。図１０は液晶装置用基板の製造方法を示す概略断面図である。図８は対向基板アレイ７１のＩＴＯ膜８３の形成までの工程を示している。
【００６０】
図８のステップＳ１において、マザー基板８１が投入される。投入されたマザー基板８１は、各種の薄膜が形成される表面をクリーニングする洗浄等の処理が施される。ステップＳ２では、遮光膜２３，５３の材料を形成する。例えば、ＴｉＮ及びＡＬ或いはＡＬのみをスパッタリングして、所定厚さに形成する。次にステップＳ３，Ｓ４において、フォトリソグラフィ工程及びエッチング工程を行い、形成したＴｉＮ及びＡＬを遮光膜２３，５３の形状にパターン形成する。次にステップＳ５において、フォトリソグラフィ工程で形成したレジストを剥離する。
【００６１】
次のステップＳ６では、層間絶縁膜８２の材料として例えばＮＳＧ膜を堆積させる。次にステップＳ７において、堆積したＮＳＧ膜を所定膜厚までＣＭＰにより研磨する。ステップＳ８では、凸部７４を形成する。最後に、ステップＳ９において、対向電極２１となるＩＴＯ膜８３をスパッタリングにより形成する。
【００６２】
本実施形態においては、層間絶縁膜８２上に凸部７４を形成する。図９はこの凸部形成工程を示している。図９のステップＳ１１では、図１０（ａ）に示すように、凸部７４の材料となるＩＴＯ膜９１をスパッタリングによって形成する。次に、図９のステップＳ１２のフォトリソグラフィ工程において、全面にレジスト９２を形成し、凸部７４の平面形状に応じたマスクパターン９０ａを有するマスク９０を用いてレジスト９２を露光し、レジスト９２の露光部分を除去し、パターン化されたレジスト９３を得る（図１０（ｂ）参照）。
【００６３】
次に、図９のステップＳ１３のエッチング工程において、図１０（ｃ）に示すように、レジスト９３をマスクにしてエッチングを行い、ＩＴＯ膜９１をパターニングして凸部７４を得る。最後に、図９のステップＳ１４において、図１０（ｄ）に示すように、レジスト９３を剥離液を用いて除去し、ＩＴＯ膜からなる凸部７４を形成する。
【００６４】
このように、層間絶縁膜８２上に、ＩＴＯ膜をパターン形成することで凸部７４を形成している。さらに、凸部７４が形成された表面を覆うように対向電極２１となるＩＴＯ膜８３を成膜する。したがって、凸部７４を形成するための新たな材料を用いる成膜プロセスを必要とせず、対向基板アレイ７１上に形成する膜材料を利用して凸部７４を形成しており、製造設備並びに製造工程の増加を抑制することができる。
【００６５】
このように本実施形態においては、表示領域１０ｂの周辺の少なくとも一部に、表示領域１０ｂのＩＴＯ膜８３の表面よりも突出した凸部７４を形成している。また、凸部７４の突出量が表示領域１０ｂのＩＴＯ膜８３の表面に対して配向膜２２の膜厚よりも大きくなるように帯状の凸部７４を形成している。これにより、複数の対向基板用の素子７２が配列されている対向基板アレイ７１に対してラビング処理を行う場合でも、帯状の凸部７４によってラビング時の削り滓が隣接する対向基板２０の表示領域１０ｂに進入することを防止することができる。これにより、削り滓が再付着して画質が劣化することを防止することができ、画質の向上を図ることができる。
【００６６】
また、本実施形態においては、ラビング用部材が捲回されたラビングローラが表示領域１０ｂに進入する部分の全域近傍に帯状の凸部７４を形成しており、隣接する対向基板用の素子７２の削り滓が当該対向基板用の素子７２の表示領域１０ｂに進入することを確実に防止することができる。更に、帯状の凸部７４の側面は、ラビングローラの進行方向に対して直角に設けられており、削り滓の表示領域１０ｂ内への進入を効果的に阻止することができる。また更に、帯状の凸部７４は所定間隔で複数設けられており、削り滓の表示領域１０ｂ内への進入を一層効果的に阻止することができる。
【００６７】
また、本実施形態においては、ＩＴＯ膜を利用して帯状の凸部７４を形成している。ＩＴＯ膜は透明であるので、凸部７４を介して対向基板２０上のアライメントマーク７５を観察可能である。従って、アライメントマーク７５等の配置を考慮することなく凸部７４を形成することができ、設計の自由度が大きい。
さらには、ＩＴＯ膜からなる凸部７４を覆うように対向電極２１となるＩＴＯ膜８３が形成される。同じ材料を用いているので凸部７４とＩＴＯ膜８３との密着性を確保することができる。凸部７４を液晶装置１００内に収容する場合には、対向電極２１の低抵抗化を図ることができる。
なお、アライメントマーク７５上に凸部７４を形成する場合には、対向基板アレイ７１から分断された対向基板２０上には、凸部７４が残存することになる。
【００６８】
また、表示領域１０ｂ近傍の凸部７４の配置及び形状は、第１の実施形態に限定されるものではなく、任意の位置、形状で凸部７４を構成することができる。例えば、凸部７４の数は１つ以上であればよく、平面形状も矩形でなくてもよい。また、均等なピッチで複数条の凸部７４を配置しなくてもよく、複数条の凸部７４の形状及び大きさは同一でなくてもよい。
【００６９】
（第２の実施形態）
図１１は第２の実施形態に係る液晶装置用基板の凸部形成方法を示すフローチャートである。本実施形態は凸部７４を層間絶縁膜８２と同一の酸化シリコン等によって形成する例である。
【００７０】
本実施形態においては、図８のステップＳ８の凸部形成工程において、図１１のステップＳ２１以降の処理を実施する。即ち、図１１のステップＳ２１においては、層間絶縁膜８２（図５及び図６参照）上に凸部７４となる層間絶縁膜８２と同一材料であるＮＳＧ膜を堆積させる。次に、図１１のステップＳ２２のフォトリソグラフィ工程において、全面にレジストを形成し、露光装置によって、凸部７４の平面形状に応じたマスクを用いてレジストを露光し、レジストの露光部分を除去し、パターン化されたレジストを得る。
【００７１】
次に、図１１のステップＳ２３のエッチング工程において、パターン化されたレジストをマスクにしてエッチングを行い、ＮＳＧ膜をパターニングして凸部７４を得る。最後に、図１１のステップＳ２４において、レジストを剥離液を用いて除去し、ＮＳＧ膜による凸部７４を形成する。ＳｉＯ2凸部形成工程の後、ＩＴＯ膜８３及び配向膜２２の形成工程を実施する。他の製造方法は第１の実施形態と同様である。
【００７２】
本実施形態においては、帯状の凸部７４をＩＴＯ膜でなく層間絶縁膜８２と同じ材料を用いて形成した点が第１の実施形態と異なるのみであり、凸部７４の形状、サイズ、配置等は第１の実施形態と同様である。ＮＳＧ膜も透明性を有するため、その効果も第１の実施形態と同様な効果を奏する。すなわち、アライメントマーク７５上に凸部７４を形成しても視認することができる。
【００７３】
なお、本発明は上記各実施の形態に限定されるものではなく、帯状の凸部７４をＩＴＯ膜８３及び層間絶縁膜８２以外の他の膜を利用して形成してもよい。例えば、遮光膜５３が挙げられる。
【００７４】
（第３の実施形態）
次に、上記第１の実施形態または第２の実施形態の液晶装置用基板が用いられた電気光学装置を備えた電子機器について、投写型表示装置、具体的には、プロジェクタを例に説明する。図１２は電子機器としてのプロジェクタの構成を示す概略図である。
【００７５】
同図に示すように、プロジェクタ１１００は、ＲＧＢ用のライトバルブとして、３つの電気光学装置としての液晶装置１００（１００Ｒ'，１００Ｇ'，１００Ｂ'）を有している。
【００７６】
プロジェクタ１１００では、メタルハライドランプ等の白色光源のランプユニット１１０２から投写光が発せされると、３枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によって、ＲＧＢの３原色に対応する光成分Ｒ、Ｇ、Ｂに分けられ、各色に対応する液晶装置１００Ｒ'，１００Ｇ'，１００Ｂ'に各々導かれる。
【００７７】
この際、特にＢ光は、長い光路による光損失を防ぐため、入射レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３及び出射レンズ１１２４からなるリレーレンズ系１１２１を介して導かれる。
【００７８】
そして、液晶装置１００Ｒ'，１００Ｇ'，１００Ｂ'により各々変調された３原色に対応する光成分は、ダイクロイックプリズム１１１２により再度合成された後、投写レンズ１１１４を介してスクリーン１１２０にカラー画像として投写される。
【００７９】
本実施形態のプロジェクタ１１００によれば、ラビング処理時に発生する異物が表示領域１０ｂに進入することを防いだ液晶装置１００Ｒ'，１００Ｇ'，１００Ｂ'を搭載しているため、異物による表示不具合が低減され、見映えのよいカラー画像を投写することができる。
【００８０】
上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。
【００８１】
（変形例１）上記第１の実施形態および第２の実施形態の対向基板アレイ７１において、帯状の凸部７４の配置は、これに限定されない。図１３は変形例の対向基板アレイを示す概略平面図である。例えば、図１３に示すように、マトリクス状の配置された対向基板用の各素子７２の間に、且つ対向基板アレイ７１の外縁付近まで延在するように凸部７４を設けても良い。これによれば、ラビング方向が多少斜めでも、あるいはバイアスを掛けてラビングを行う場合においても、広い領域に亘って凸部７４が設けられているので、表示領域１０ｂへの異物の進入を防止することができる。なお、図１３では、素子７２間に１本の帯状の凸部７４が形成されているが、上記実施形態にて説明したように、複数条形成しても良い。
【００８２】
（変形例２）上記第１の実施形態および第２の実施形態における配向膜２２の形成状態は、これに限定されない。例えば、図３において、配向膜２２は、対向基板アレイ７１の表面全体に形成する必要はなく、少なくとも表示領域１０ｂを覆うように形成すればよい。そのような配向膜２２の形成方法としては、オフセット法に代表される印刷法や、配向膜形成材料を含む液状体をノズルから液滴として吐出する液滴吐出法などを採用することができる。
【００８３】
（変形例３）上記第１の実施形態において電気光学装置としての液晶装置１００の構成は、これに限定されない。例えば、ＴＦＤ（薄膜ダイオード）等のアクティブ素子（能動素子）を用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示モジュールであっても構わない。
【００８４】
また、電気光学装置は、半導体基板に素子を形成する表示用デバイス、例えばＬＣＯＳ（Liquid Crystal On Silicon）等であっても構わない。ＬＣＯＳでは、素子基板として単結晶シリコン基板を用い、画素や周辺回路に用いるスイッチング素子としてトランジスタを単結晶シリコン基板に形成する。また、画素には、反射型の画素電極を用い、画素電極の下層に画素の各素子を形成する。
【００８５】
（変形例４）上記第３の実施形態において、電気光学装置としての液晶装置１００を搭載する電子機器は、プロジェクタ１１００に限定されない。例えば、ヘッドマウントディスプレイ、ビューワーなどが挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【００８６】
【図１】液晶装置の構成を示す概略正面図。
【図２】図１のＨ−Ｈ'線で切った液晶装置の断面図。
【図３】対向基板アレイを示す概略平面図。
【図４】図３中の１つの素子の具体的な構成を示す概略平面図。
【図５】図４のＡ−Ａ'線における各部材の構成を示す概略断面図。
【図６】図５のＢ部を示す図。
【図７】図５のＣ部を示す図。
【図８】第１の実施形態に係る液晶装置用基板の製造方法を示すフローチャート。
【図９】第１の実施形態に係る液晶装置用基板の製造方法を示すフローチャート。
【図１０】第１の実施形態に係る液晶装置用基板の製造方法を示す概略断面図。
【図１１】第２の実施形態に係る液晶装置用基板の凸部形成方法を示すフローチャート。
【図１２】電子機器としてのプロジェクタの構成を示す概略図。
【図１３】変形例の対向基板アレイの構成を示す概略平面図。
【符号の説明】
【００８７】
１０…第１の基板としてのＴＦＴ基板、１０ｂ…表示領域、２０…第２の基板としての対向基板、２１…電極膜としての対向電極、２２…配向膜、２３，５３…遮光膜、５０…電気光学物質としての液晶、７１…液晶装置用基板としての対向基板アレイ、７４…凸部、８１…基板としてのマザー基板、１００…電気光学装置としての液晶装置、１１００…電子機器としてのプロジェクタ。
【図１】
0005320842.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
0005320842.tif 000008
【図８】
0005320842.tif 000009
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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