(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、
基板に処理を行うための第１の処理部と、
前記第１の処理部と前記露光装置との間に配置され、基板に処理を行うとともに前記露光装置に対して基板の搬入および搬出を行う第２の処理部とを備え、
前記第１の処理部は、
基板上に感光性材料からなる感光性膜を形成する感光性膜形成ユニットを含み、
前記第２の処理部は、
基板に処理を行う処理用ブロックと、
前記露光装置に対して基板の搬入および搬出を行う搬入搬出用ブロックとを含み、
前記処理用ブロックは、
露光処理前の基板を洗浄する洗浄処理ユニットと、
露光処理後の基板に熱処理を行う熱処理ユニットと、
露光処理前の基板を前記第１の処理部、前記洗浄処理ユニットおよび前記搬入搬出用ブロックの間で搬送する第１の搬送手段と、
露光処理後の基板を前記搬入搬出用ブロックおよび前記熱処理ユニットの間で搬送する第２の搬送手段とを含み、
前記搬入搬出用ブロックは、
露光処理前であって前記洗浄処理ユニットによる洗浄後の基板を前記露光装置に搬入する第３の搬送手段と、
露光処理後の基板を前記露光装置から搬出する第４の搬送手段とを含むことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記処理用ブロックは、前記第１の搬送手段としての第１の搬送装置および前記第２の搬送手段としての第２の搬送装置を含み、
前記搬入搬出用ブロックは、前記第３の搬送手段としての第１の保持部および前記第４の搬送手段としての第２の保持部を有する第３の搬送装置を含み、
前記第１の搬送装置は、前記感光性膜形成ユニットによる感光性膜の形成後であって前記露光装置による露光処理前の基板を前記洗浄処理ユニットに搬送し、前記洗浄処理ユニットによる洗浄後の基板を前記搬入搬出用ブロックに向けて搬送し、
前記第３の搬送装置は、前記第１の搬送装置により搬送された洗浄後の基板を前記第１の保持部により保持して前記露光装置に搬送し、前記露光装置による露光処理後の基板を前記第２の保持部により保持して前記処理用ブロックに向けて搬送し、
前記第２の搬送装置は、前記第３の搬送装置により搬送された露光処理後の基板を前記熱処理ユニットに搬送することを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記処理用ブロックは、前記第１の搬送手段としての第１の搬送装置および前記第２の搬送手段としての第２の搬送装置を含み、
前記搬入搬出用ブロックは、前記第３の搬送手段としての第３の搬送装置および前記第４の搬送手段としての第４の搬送装置を含み、
前記第１の搬送装置は、前記感光性膜形成ユニットによる感光性膜の形成後であって前記露光装置による露光処理前の基板を前記洗浄処理ユニットに搬送し、前記洗浄処理ユニットによる洗浄後の基板を前記搬入搬出用ブロックに向けて搬送し、
前記第３の搬送装置は、前記第１の搬送装置により搬送された洗浄後の基板を前記露光装置に搬送し、
前記第４の搬送装置は、前記露光装置による露光処理後の基板を前記処理用ブロックに向けて搬送し、
前記第２の搬送装置は、前記第４の搬送装置により搬送された露光処理後の基板を前記熱処理ユニットに搬送することを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記搬入搬出用ブロックは、前記処理用ブロックに対して可動であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記第１の処理部は、前記熱処理ユニットから熱処理後の基板を搬出する第５の搬送手段をさらに含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記熱処理ユニットは、
第２の搬送手段により搬入された基板を一時的に載置するための第１の載置部と、
前記第５の搬送手段により搬出される基板を一時的に載置するための第２の載置部と、
基板を加熱する加熱部と、
前記第１および第２の載置部ならびに前記加熱部との間で基板を搬送する搬送部とを有することを特徴とする請求項５記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記処理用ブロックは、前記露光装置による露光処理後であって前記熱処理ユニットによる熱処理前に基板を乾燥させる乾燥処理ユニットをさらに含み、
前記第２の搬送手段は、露光処理後の基板を前記搬入搬出用ブロック、前記乾燥処理ユニットおよび前記熱処理ユニットの間で搬送することを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記第１の処理部、前記第２の処理部および前記露光装置は第１の方向に沿って並設され、
前記洗浄処理ユニット、前記熱処理ユニットおよび前記乾燥処理ユニットは、前記第２の処理部において前記第１の方向と水平面内で直交する第２の方向に沿って配置され、
前記熱処理ユニットは、前記第２の処理部の略中央部に配置され、
前記洗浄処理ユニットおよび前記乾燥処理ユニットは、前記第２の方向に沿った前記熱処理ユニットの一方側および他方側に配置されることを特徴とする請求項７記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の処理を行う基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等の各種基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。
【０００３】
このような基板処理装置では、一般に、一枚の基板に対して複数の異なる処理が連続的に行われる。特許文献１に記載された基板処理装置は、インデクサブロック、反射防止膜用処理ブロック、レジスト膜用処理ブロック、現像処理ブロックおよびインターフェイスブロックにより構成される。インターフェイスブロックに隣接するように、基板処理装置とは別体の外部装置である露光装置が配置される。
【０００４】
上記の基板処理装置においては、インデクサブロックから搬入される基板は、反射防止膜用処理ブロックおよびレジスト膜用処理ブロックにおいて反射防止膜の形成およびレジスト膜の塗布処理が行われた後、インターフェイスブロックを介して露光装置へと搬送される。露光装置において基板上のレジスト膜に露光処理が行われた後、基板はインターフェイスブロックを介して現像処理ブロックへ搬送される。現像処理ブロックにおいて基板上のレジスト膜に現像処理が行われることによりレジストパターンが形成された後、基板はインデクサブロックへと搬送される。
【０００５】
近年、デバイスの高密度化および高集積化に伴い、レジストパターンの微細化が重要な課題となっている。従来の一般的な露光装置においては、レチクルのパターンを投影レンズを介して基板上に縮小投影することによって露光処理が行われていた。しかし、このような従来の露光装置においては、露光パターンの線幅は露光装置の光源の波長によって決まるため、レジストパターンの微細化に限界があった。
【０００６】
そこで、露光パターンのさらなる微細化を可能にする投影露光方法として、液浸法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。特許文献２の投影露光装置においては、投影光学系と基板との間に液体が満たされており、基板表面における露光光を短波長化することができる。それにより、露光パターンのさらなる微細化が可能となる。
【特許文献１】特開２００３−３２４１３９号公報
【特許文献２】国際公開第９９／４９５０４号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
近年における露光パターンの微細化の要求に伴い、基板の処理工程が複雑化している。それにより、基板処理装置のスループットが低下する。
【０００８】
また、基板の露光処理後においては、露光処理による化学反応をレジスト膜内で促進させるために、基板のＰＥＢ（露光後ベーク）処理が行われる。所望の露光パターンを得るためには、露光処理後、より迅速に基板のＰＥＢ処理を行い、速やかに化学反応を促進させることが望まれる。
【０００９】
本発明の目的は、スループットが向上されるとともに、露光後に迅速に基板の加熱処理を行うことができる基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係る基板処理装置は、露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、基板に処理を行うための第１の処理部と、第１の処理部と露光装置との間に配置され、基板に処理を行うとともに露光装置に対して基板の搬入および搬出を行う第２の処理部とを備え、第１の処理部は、基板上に感光性材料からなる感光性膜を形成する感光性膜形成ユニットを含み、第２の処理部は、基板に処理を行う処理用ブロックと、露光装置に対して基板の搬入および搬出を行う搬入搬出用ブロックとを含み、処理用ブロックは、露光処理前の基板を洗浄する洗浄処理ユニットと、露光処理後の基板に熱処理を行う熱処理ユニットと、露光処理前の基板を第１の処理部、洗浄処理ユニットおよび搬入搬出用ブロックの間で搬送する第１の搬送手段と、露光処理後の基板を搬入搬出用ブロックおよび熱処理ユニットの間で搬送する第２の搬送手段とを含み、搬入搬出用ブロックは、露光処理前であって洗浄処理ユニットによる洗浄後の基板を露光装置に搬入する第３の搬送手段と、露光処理後の基板を露光装置から搬出する第４の搬送手段とを含むものである。
この基板処理装置においては、第１の処理部において感光性膜形成ユニットにより基板上に感光性膜が形成される。その基板は第２の処理部に搬送され、洗浄処理ユニットにより洗浄された後、露光装置に搬入される。露光装置において露光処理が行われた基板は、第２の処理部に戻される。そして、第２の処理部において熱処理ユニットにより基板に熱処理が行われる。
この場合、露光処理前の基板が第１および第３の搬送手段により第１の処理部、洗浄処理ユニットおよび露光装置の間で搬送され、露光処理後の基板が第２および第４の搬送手段により露光装置および熱処理ユニットの間で搬送される。すなわち、第２の処理部では、露光処理前の基板の搬送経路と露光処理後の基板の搬送経路とがそれぞれ独立に確保されている。
それにより、露光処理前の基板の搬送経路と露光処理後の基板の搬送経路とが交錯する場合に比べて、効率よく基板を搬送することができる。その結果、スループットを向上させることが可能になる。また、露光処理前の基板と露光処理後の基板とが同一の部位に接触することがないので、露光処理前の基板と露光処理後の基板との間の相互汚染を防止することができる。
また、露光処理前の基板の搬送経路と露光処理後の基板の搬送経路とがそれぞれ独立していることにより、露光処理後の基板を円滑に熱処理ユニットに搬送することができる。そのため、複数の基板を連続的に処理する場合に、露光処理から熱処理までの時間をほぼ一定にすることができる。その結果、露光パターンの精度のばらつきを防止することができる。
さらに、熱処理ユニットが露光装置に隣接する第２の処理部に設けられているので、露光処理後の基板を迅速に熱処理ユニットまで搬送することができる。したがって、露光処理後、迅速に基板の熱処理を行うことができる。その結果、感光性膜内の化学反応を速やかに促進させることができ、所望の露光パターンを得ることができる。
処理用ブロックは、第１の搬送手段としての第１の搬送装置および第２の搬送手段としての第２の搬送装置を含み、搬入搬出用ブロックは、第３の搬送手段としての第１の保持部および第４の搬送手段としての第２の保持部を有する第３の搬送装置を含み、第１の搬送装置は、感光性膜形成ユニットによる感光性膜の形成後であって露光装置による露光処理前の基板を洗浄処理ユニットに搬送し、洗浄処理ユニットによる洗浄後の基板を搬入搬出用ブロックに向けて搬送し、第３の搬送装置は、第１の搬送装置により搬送された洗浄後の基板を第１の保持部により保持して露光装置に搬送し、露光装置による露光処理後の基板を第２の保持部により保持して処理用ブロックに向けて搬送し、第２の搬送装置は、第３の搬送装置により搬送された露光処理後の基板を熱処理ユニットに搬送してもよい。
処理用ブロックは、第１の搬送手段としての第１の搬送装置および第２の搬送手段としての第２の搬送装置を含み、搬入搬出用ブロックは、第３の搬送手段としての第３の搬送装置および第４の搬送手段としての第４の搬送装置を含み、第１の搬送装置は、感光性膜形成ユニットによる感光性膜の形成後であって露光装置による露光処理前の基板を洗浄処理ユニットに搬送し、洗浄処理ユニットによる洗浄後の基板を搬入搬出用ブロックに向けて搬送し、第３の搬送装置は、第１の搬送装置により搬送された洗浄後の基板を露光装置に搬送し、第４の搬送装置は、露光装置による露光処理後の基板を処理用ブロックに向けて搬送し、第２の搬送装置は、第４の搬送装置により搬送された露光処理後の基板を熱処理ユニットに搬送してもよい。
搬入搬出用ブロックは、処理用ブロックに対して可動であってもよい。
第１の処理部は、熱処理ユニットから熱処理後の基板を搬出する第５の搬送手段をさらに含んでもよい。
熱処理ユニットは、第２の搬送手段により搬入された基板を一時的に載置するための第１の載置部と、第５の搬送手段により搬出される基板を一時的に載置するための第２の載置部と、基板を加熱する加熱部と、第１および第２の載置部ならびに加熱部との間で基板を搬送する搬送部とを有してもよい。
処理用ブロックは、露光装置による露光処理後であって熱処理ユニットによる熱処理前に基板を乾燥させる乾燥処理ユニットをさらに含み、第２の搬送手段は、露光処理後の基板を搬入搬出用ブロック、乾燥処理ユニットおよび熱処理ユニットの間で搬送してもよい。
第１の処理部、第２の処理部および露光装置は第１の方向に沿って並設され、洗浄処理ユニット、熱処理ユニットおよび乾燥処理ユニットは、第２の処理部において第１の方向と水平面内で直交する第２の方向に沿って配置され、熱処理ユニットは、第２の処理部の略中央部に配置され、洗浄処理ユニットおよび乾燥処理ユニットは、第２の方向に沿った熱処理ユニットの一方側および他方側に配置されてもよい。
参考形態に係る基板処理装置は、露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、基板に処理を行うための第１の処理部と、第１の処理部と露光装置との間に配置され、基板に処理を行うとともに露光装置に対して基板の搬入および搬出を行う第２の処理部とを備え、第１の処理部は、基板上に感光性材料からなる感光性膜を形成する感光性膜形成ユニットを含み、第２の処理部は、露光処理前の基板を洗浄する洗浄処理ユニットと、露光処理後の基板に熱処理を行う熱処理ユニットと、露光処理前の基板を第１の処理部、洗浄処理ユニットおよび露光装置の間で搬送する第１の基板搬送機構と、露光処理後の基板を露光装置および熱処理ユニットの間で搬送する第２の基板搬送機構とを含むものである。
【００１１】
この基板処理装置においては、第１の処理部において感光性膜形成ユニットにより基板上に感光性膜が形成される。その基板は第２の処理部に搬送され、洗浄処理ユニットにより洗浄された後、露光装置に搬入される。露光装置において露光処理が行われた基板は、第２の処理部に戻される。そして、第２の処理部において熱処理ユニットにより基板に熱処理が行われる。
【００１２】
この場合、露光処理前の基板が第１の基板搬送機構により第１の処理部、洗浄処理ユニットおよび露光装置の間で搬送され、露光処理後の基板が第２の基板搬送機構により露光装置および熱処理ユニットの間で搬送される。すなわち、第２の処理部では、露光処理前の基板の搬送経路と露光処理後の基板の搬送経路とがそれぞれ独立に確保されている。
【００１３】
それにより、露光処理前の基板の搬送経路と露光処理後の基板の搬送経路とが交錯する場合に比べて、効率よく基板を搬送することができる。その結果、スループットを向上させることが可能になる。また、露光処理前の基板と露光処理後の基板とが同一の部位に接触することがないので、露光処理前の基板と露光処理後の基板との間の相互汚染を防止することができる。
【００１４】
また、露光処理前の基板の搬送経路と露光処理後の基板の搬送経路とがそれぞれ独立していることにより、露光処理後の基板を円滑に熱処理ユニットに搬送することができる。そのため、複数の基板を連続的に処理する場合に、露光処理から熱処理までの時間をほぼ一定にすることができる。その結果、露光パターンの精度のばらつきを防止することができる。
【００１５】
さらに、熱処理ユニットが露光装置に隣接する第２の処理部に設けられているので、露光処理後の基板を迅速に熱処理ユニットまで搬送することができる。したがって、露光処理後、迅速に基板の熱処理を行うことができる。その結果、感光性膜内の化学反応を速やかに促進させることができ、所望の露光パターンを得ることができる。
【００１６】
第２の処理部は、基板に処理を行う処理用ブロックと、露光装置に対して基板の搬入および搬出を行う搬入搬出用ブロックとを含み、洗浄処理ユニットおよび熱処理ユニットは、処理用ブロックに設けられ、第１の基板搬送機構は、処理用ブロックに設けられ、露光処理前の基板を第１の処理部、洗浄処理ユニットおよび搬入搬出用ブロックの間で搬送する第１の搬送手段と、搬入搬出用ブロックに設けられ、露光処理前の基板を処理用ブロックおよび露光装置の間で搬送する第２の搬送手段とを含み、第２の基板搬送機構は、処理用ブロックに設けられ、露光処理後の基板を搬入搬出用ブロックおよび熱処理ユニットの間で搬送する第３の搬送手段と、搬入搬出用ブロックに設けられ、露光処理後の基板を露光装置および処理用ブロックの間で搬送する第４の搬送手段とを含んでもよい。
【００１７】
この場合、露光処理前の基板が、第１の搬送手段により第１の処理部から洗浄処理ユニットに搬送され、続いて洗浄処理ユニットから搬入搬出用ブロックに搬送される。そして、第２の搬送手段によりその基板が露光装置に搬入される。
【００１８】
また、露光処理後の基板が、第３の搬送手段により露光装置から搬出される。そして、その基板が第４の搬送手段により搬入搬出用ブロックから熱処理ユニットに搬送される。
【００１９】
これにより、露光処理前の基板の搬送経路と露光処理後の基板の搬送経路とが独立し、効率よく基板を搬送することができる。その結果、スループットを十分に向上させることが可能になる。また、露光処理前の基板と露光処理後の基板とが同一の部位に接触することを確実に防止することができ、露光処理前の基板と露光処理後の基板との間の相互汚染を防止することができる。
【００２０】
搬入搬出用ブロックは、処理用ブロックに対して可動であってもよい。
【００２１】
この場合、搬入搬出用ブロックを処理用ブロックに対して移動させることにより、保守作業のための作業スペースを確保することができる。それにより、処理用ブロックにおいて多くの用力を用いる場合に、処理用ブロックと用力設備との接続を維持したまま保守作業を行うことができる。したがって、作業労力および作業時間を大幅に軽減することができる。
【００２２】
第１の処理部は、熱処理ユニットから熱処理後の基板を搬出する第５の搬送手段をさらに含んでもよい。
【００２３】
この場合、露光処理後の基板が第４の搬送手段により熱処理ユニットに搬入され、第５の搬送手段により熱処理ユニットから搬出される。このように、熱処理ユニットを介して第１の処理部から第２の処理部への基板の搬送を行うことにより、基板の搬送効率をさらに向上させることができる。
【００２４】
熱処理ユニットは、第３の搬送手段により搬入された基板を一時的に載置するための第１の載置部と、第５の搬送手段により搬出される基板を一時的に載置するための第２の載置部と、基板を加熱する加熱部と、第１および第２の載置部ならびに加熱部との間で基板を搬送する搬送部とを有してもよい。
【００２５】
この場合、第３の搬送手段により第１の載置部に基板が搬入され、搬送部によりその基板が加熱部に搬送される。加熱部において基板に加熱処理が行われ、加熱処理後の基板が搬送部により加熱部から第２の載置部に搬送される。そして、第５の搬送手段により第２の載置部から基板が搬出される。
【００２６】
このように、第１の載置部と第２の載置部とを別個に設けることにより、第３の搬送手段による基板の搬入動作および第５の搬送手段による基板の搬出動作を容易かつ円滑に行うことができる。それにより、スループットをさらに向上させることができる。
【００２７】
第２の処理部は、露光装置による露光処理後であって熱処理ユニットによる熱処理前に基板を乾燥させる乾燥処理ユニットをさらに含み、第２の基板搬送機構は、露光処理後の基板を露光装置、乾燥処理ユニットおよび熱処理ユニットの間で搬送してもよい。
【００２８】
この場合、露光装置において基板に液体が付着しても、その液体が基板処理装置内に落下することを防止することができる。その結果、基板処理装置の動作不良を防止することができる。
【００２９】
第１の処理部、第２の処理部および露光装置は第１の方向に沿って並設され、洗浄処理ユニット、熱処理ユニットおよび乾燥処理ユニットは、第２の処理部において第１の方向と水平面内で直交する第２の方向に沿って配置され、熱処理ユニットは、第２の処理部の略中央部に配置され、洗浄処理ユニットおよび乾燥処理ユニットは、第２の方向に沿った熱処理ユニットの一方側および他方側に配置されてもよい。
【００３０】
この場合、第２の処理部における基板の搬送効率を十分に確保しつつ第２の処理部の小型化および省スペース化が可能になる。
【発明の効果】
【００３１】
本発明によれば、第２の処理部で露光処理前の基板の搬送経路と露光処理後の基板の搬送経路とがそれぞれ独立に確保されることにより、効率よく基板が搬送され、スループットが向上する。また、熱処理ユニットが露光装置に隣接する第２の処理部に設けられているので、露光処理後、迅速に基板の熱処理を行うことができ、所望の露光パターンを得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
以下、本発明の実施の形態に係る基板処理装置について図面を用いて説明する。以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等をいう。
【００３３】
（１）基板処理装置の構成
図１は、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。なお、図１ならびに後述する図２〜図５および図８には、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。なお、各方向において矢印が向かう方向を＋方向、その反対の方向を−方向とする。また、Ｚ方向を中心とする回転方向をθ方向としている。
【００３４】
図１に示すように、基板処理装置５００は、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４、およびインターフェースブロック１５を含む。インターフェースブロック１５は、洗浄加熱ブロック１５ａおよび搬入搬出ブロック１５ｂを含む。インターフェースブロック１５の搬入搬出ブロック１５ｂに隣接するように露光装置１６が配置される。露光装置１６においては、液浸法により基板Ｗに露光処理が行われる。
【００３５】
以下、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４およびインターフェースブロック１５の各々を処理ブロックと呼ぶ。
【００３６】
インデクサブロック９は、各処理ブロックの動作を制御するメインコントローラ（制御部）３０、複数のキャリア載置台４０およびインデクサロボットＩＲを含む。インデクサロボットＩＲには、基板Ｗを受け渡すためのハンドＩＲＨが設けられる。
【００３７】
反射防止膜用処理ブロック１０は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１、反射防止膜用塗布処理部５０および第１のセンターロボットＣＲ１を含む。反射防止膜用塗布処理部５０は、第１のセンターロボットＣＲ１を挟んで反射防止膜用熱処理部１００，１０１に対向して設けられる。第１のセンターロボットＣＲ１には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１，ＣＲＨ２が上下に設けられる。
【００３８】
インデクサブロック９と反射防止膜用処理ブロック１０との間には、雰囲気遮断用の隔壁１７が設けられる。この隔壁１７には、インデクサブロック９と反射防止膜用処理ブロック１０との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ１は、基板Ｗをインデクサブロック９から反射防止膜用処理ブロック１０へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ２は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック１０からインデクサブロック９へ搬送する際に用いられる。
【００３９】
また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示せず）が設けられている。それにより、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２において基板Ｗが載置されているか否かの判定を行うことが可能となる。また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、固定設置された複数本の支持ピンが設けられている。なお、上記の光学式のセンサおよび支持ピンは、後述する基板載置部ＰＡＳＳ３〜ＰＡＳＳ１２にも同様に設けられる。
【００４０】
レジスト膜用処理ブロック１１は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１、レジスト膜用塗布処理部６０および第２のセンターロボットＣＲ２を含む。レジスト膜用塗布処理部６０は、第２のセンターロボットＣＲ２を挟んでレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に対向して設けられる。第２のセンターロボットＣＲ２には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ３，ＣＲＨ４が上下に設けられる。
【００４１】
反射防止膜用処理ブロック１０とレジスト膜用処理ブロック１１との間には、雰囲気遮断用の隔壁１８が設けられる。この隔壁１８には、反射防止膜用処理ブロック１０とレジスト膜用処理ブロック１１との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ３は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック１０からレジスト膜用処理ブロック１１へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ４は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック１１から反射防止膜用処理ブロック１０へ搬送する際に用いられる。
【００４２】
現像処理ブロック１２は、現像用熱処理部１２０，１２１、現像処理部７０および第３のセンターロボットＣＲ３を含む。現像処理部７０は、第３のセンターロボットＣＲ３を挟んで現像用熱処理部１２０，１２１に対向して設けられる。第３のセンターロボットＣＲ３には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ５，ＣＲＨ６が上下に設けられる。
【００４３】
レジスト膜用処理ブロック１１と現像処理ブロック１２との間には、雰囲気遮断用の隔壁１９が設けられる。この隔壁１９には、レジスト膜用処理ブロック１１と現像処理ブロック１２との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ５は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック１１から現像処理ブロック１２へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ６は、基板Ｗを現像処理ブロック１２からレジスト膜用処理ブロック１１へ搬送する際に用いられる。
【００４４】
レジストカバー膜用処理ブロック１３は、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１、レジストカバー膜用塗布処理部８０および第４のセンターロボットＣＲ４を含む。レジストカバー膜用塗布処理部８０は、第４のセンターロボットＣＲ４を挟んでレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１に対向して設けられる。第４のセンターロボットＣＲ４には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ７，ＣＲＨ８が上下に設けられる。
【００４５】
現像処理ブロック１２とレジストカバー膜用処理ブロック１３との間には、雰囲気遮断用の隔壁２０が設けられる。この隔壁２０には、現像処理ブロック１２とレジストカバー膜用処理ブロック１３との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ７は、基板Ｗを現像処理ブロック１２からレジストカバー膜用処理ブロック１３へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ８は、基板Ｗをレジストカバー膜用処理ブロック１３から現像処理ブロック１２へ搬送する際に用いられる。
【００４６】
レジストカバー膜除去ブロック１４は、熱処理部１４０、基板載置部ＰＡＳＳ１１、エッジ露光部ＥＥＷ、レジストカバー膜除去用処理部９０および第５のセンターロボットＣＲ５を含む。基板載置部ＰＡＳＳ１１およびエッジ露光部ＥＥＷは、洗浄加熱ブロック１５ａに隣接するように上下に設けられる。レジストカバー膜除去用処理部９０は、第５のセンターロボットＣＲ５を挟んで熱処理部１４０、基板載置部ＰＡＳＳ１１およびエッジ露光部ＥＥＷに対向して設けられる。第５のセンターロボットＣＲ５には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ９，ＣＲＨ１０が上下に設けられる。
【００４７】
レジストカバー膜用処理ブロック１３とレジストカバー膜除去ブロック１４との間には、雰囲気遮断用の隔壁２１が設けられる。この隔壁２１には、レジストカバー膜用処理ブロック１３とレジストカバー膜除去ブロック１４との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ９は、基板Ｗをレジストカバー膜用処理ブロック１３からレジストカバー膜除去ブロック１４へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ１０は、基板Ｗをレジストカバー膜除去ブロック１４からレジストカバー膜用処理ブロック１３へ搬送する際に用いられる。
【００４８】
インターフェースブロック１５の洗浄加熱ブロック１５ａは、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２、第６のセンターロボットＣＲ６、載置兼ベークユニットＰ−ＰＥＢおよび第７のセンターロボットＣＲ７を含む。なお、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１は、露光処理前の基板Ｗの洗浄処理および乾燥処理を行い、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２は、露光処理後の基板Ｗの洗浄処理および乾燥処理を行う。洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２における洗浄処理時には、純水等の洗浄液が用いられる。
【００４９】
第６のセンターロボットＣＲ６には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１１，ＣＲＨ１２が上下に設けられ、第７のセンターロボットＣＲ７には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１３，ＣＲＨ１４が上下に設けられる。
【００５０】
インターフェースブロック１５の搬入搬出ブロック１５ｂは、ベベル検査ユニットＩＭ、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰ、送りバッファ部ＳＢＦ、インターフェース用搬送機構ＩＦＲ、基板載置部ＰＡＳＳ１２および戻りバッファ部ＲＢＦを含む。インターフェース用搬送機構ＩＦＲには、基板Ｗを受け渡すためのハンドＨ１，Ｈ２が上下に設けられる。ハンドＨ１，Ｈ２はそれぞれ独立に駆動される。
【００５１】
搬入搬出ブロック１５ｂは、洗浄加熱ブロック１５ａに対して＋Ｘ方向および−Ｘ方向に移動可能に設けられる。インターフェースブロック１５または露光装置１６のメンテナンス時には、搬入搬出ブロック１５ｂを＋Ｘ方向または−Ｘ方向に移動させて作業スペースを確保する。なお、搬入搬出ブロック１５ｂは他のブロックに比べて軽量であり、容易に移動させることができる。
【００５２】
また、洗浄加熱ブロック１５ａでは、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２において多量の洗浄液を用いる。そのため、洗浄加熱ブロック１５ａは、洗浄液を供給する用力設備（後述する図６の洗浄液供給源Ｒ１等）に確実に接続する必要がある。一方、搬入搬出ブロック１５ｂでは、用力をほとんど使用しない。そのため、搬入搬出ブロック１５ｂは、用力設備に簡易的に接続することができる。これにより、搬入搬出ブロック１５ｂと用力設備との間においては、切り離しおよび再接続を容易に行うことができる。
【００５３】
したがって、搬入搬出ブロック１５ｂを移動させることは、洗浄加熱ブロック１５ａを移動させることに比べて容易である。そのため、メンテナンス時に、洗浄加熱ブロック１５ａを移動させずに搬入搬出ブロック１５ｂのみを移動させることで、作業者の労力および作業時間を大幅に軽減することができる。
【００５４】
図２は、図１の基板処理装置５００を＋Ｘ方向から見た概略側面図であり、図３は、図１の基板処理装置５００を−Ｘ方向から見た概略側面図である。なお、図２においては、基板処理装置５００の＋Ｘ側に設けられるものを主に示し、図３においては、基板処理装置５００の−Ｘ側に設けられるものを主に示している。
【００５５】
まず、図２を用いて、基板処理装置５００の＋Ｘ側の構成について説明する。図２に示すように、反射防止膜用処理ブロック１０の反射防止膜用塗布処理部５０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＢＡＲＣが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＢＡＲＣは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック５１およびスピンチャック５１上に保持された基板Ｗに反射防止膜の塗布液を供給する供給ノズル５２を備える。
【００５６】
レジスト膜用処理ブロック１１のレジスト膜用塗布処理部６０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＲＥＳが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＲＥＳは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック６１およびスピンチャック６１上に保持された基板Ｗにレジスト膜の塗布液を供給する供給ノズル６２を備える。
【００５７】
現像処理ブロック１２の現像処理部７０には、５個の現像処理ユニットＤＥＶが上下に積層配置されている。各現像処理ユニットＤＥＶは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック７１およびスピンチャック７１上に保持された基板Ｗに現像液を供給する供給ノズル７２を備える。
【００５８】
レジストカバー膜用処理ブロック１３のレジストカバー膜用塗布処理部８０には、３個の塗布ユニットＣＯＶが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＣＯＶは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック８１およびスピンチャック８１上に保持された基板Ｗにレジストカバー膜の塗布液を供給する供給ノズル８２を備える。レジストカバー膜の塗布液としては、レジストおよび水との親和力が低い材料（レジストおよび水との反応性が低い材料）を用いることができる。例えば、フッ素樹脂である。塗布ユニットＣＯＶは、基板Ｗを回転させながら基板Ｗ上に塗布液を塗布することにより、基板Ｗ上に形成されたレジスト膜上にレジストカバー膜を形成する。
【００５９】
レジストカバー膜除去ブロック１４のレジストカバー膜除去用処理部９０には、３個の除去ユニットＲＥＭが上下に積層配置されている。各除去ユニットＲＥＭは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック９１およびスピンチャック９１上に保持された基板Ｗに剥離液（例えばフッ素樹脂）を供給する供給ノズル９２を備える。除去ユニットＲＥＭは、基板Ｗを回転させながら基板Ｗ上に剥離液を塗布することにより、基板Ｗ上に形成されたレジストカバー膜を除去する。
【００６０】
なお、除去ユニットＲＥＭにおけるレジストカバー膜の除去方法は上記の例に限定されない。例えば、基板Ｗの上方においてスリットノズルを移動させつつ基板Ｗ上に剥離液を供給することによりレジストカバー膜を除去してもよい。
【００６１】
インターフェースブロック１５の洗浄加熱ブロック１５ａの＋Ｘ側には、５個の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２が上下に積層配置される。搬入搬出ブロック１５ｂの＋Ｘ側には、基板載置部ＰＡＳＳ１２および戻りバッファ部ＲＢＦが上下に配置される。
【００６２】
次に、図３を用いて、基板処理装置５００の−Ｘ側の構成について説明する。図３に示すように、反射防止膜用処理ブロック１０の反射防止膜用熱処理部１００，１０１には、２個の加熱ユニット（ホットプレート）ＨＰおよび２個の冷却ユニット（クーリングプレート）ＣＰがそれぞれ積層配置される。また、反射防止膜用熱処理部１００，１０１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００６３】
レジスト膜用処理ブロック１１のレジスト膜用熱処理部１１０，１１１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰがそれぞれ積層配置される。また、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００６４】
現像処理ブロック１２の現像用熱処理部１２０，１２１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰがそれぞれ積層配置される。また、現像用熱処理部１２０，１２１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００６５】
レジストカバー膜用処理ブロック１３のレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰがそれぞれ積層配置される。また、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００６６】
レジストカバー膜除去ブロック１４の熱処理部１４０には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置される。また、洗浄加熱ブロック１５ａに隣接するように、基板載置部ＰＡＳＳ１１および２個のエッジ露光部ＥＥＷが上下に積層配置される。
【００６７】
インターフェースブロック１５の洗浄加熱ブロック１５ａの−Ｘ側には、５個の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１が上下に積層配置される。搬入搬出ブロック１５ｂの＋Ｘ側には、ベベル検査ユニットＩＭ、４個の載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰおよび送りバッファ部ＳＢＦが上下に配置される。
【００６８】
なお、塗布ユニットＢＡＲＣ，ＲＥＳ、ＣＯＶ、現像処理ユニットＤＥＶ、除去ユニットＲＥＭ、加熱ユニットＨＰ、冷却ユニットＣＰ、エッジ露光部ＥＥＷ、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２、ベベル検査ユニットＩＭ、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰおよび載置兼加熱ユニットＰ−ＰＥＢの個数は適宜変更してもよい。
【００６９】
（２）基板処理装置の動作
次に、本実施の形態に係る基板処理装置５００の動作について図１〜図３を参照しながら説明する。
【００７０】
インデクサブロック９のキャリア載置台４０の上には、複数枚の基板Ｗを多段に収納するキャリアＣが搬入される。インデクサロボットＩＲは、ハンドＩＲＨを用いてキャリアＣ内に収納された未処理の基板Ｗを取り出す。その後、インデクサロボットＩＲは±Ｘ方向に移動しつつ±θ方向に回転移動し、未処理の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１に載置する。
【００７１】
本実施の形態においては、キャリアＣとしてＦＯＵＰ（front opening unified pod）を採用しているが、これに限定されず、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Inter Face）ポッドや収納基板Ｗを外気に曝すＯＣ（open cassette）等を用いてもよい。
【００７２】
さらに、インデクサロボットＩＲ、第１〜第７のセンターロボットＣＲ１〜ＣＲ７およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲには、それぞれ基板Ｗに対して直線的にスライドさせてハンドの進退動作を行う直動型搬送ロボットを用いているが、これに限定されず、関節を動かすことにより直線的にハンドの進退動作を行う多関節型搬送ロボットを用いてもよい。
【００７３】
基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された未処理の基板Ｗは、反射防止膜用処理ブロック１０の第１のセンターロボットＣＲ１により受け取られる。第１のセンターロボットＣＲ１は、その基板Ｗを反射防止膜用熱処理部１００，１０１に搬入する。
【００７４】
その後、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを反射防止膜用塗布処理部５０に搬入する。この反射防止膜用塗布処理部５０では、露光時に発生する定在波やハレーションを減少させるために、塗布ユニットＢＡＲＣにより基板Ｗ上に反射防止膜が塗布形成される。
【００７５】
次に、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用塗布処理部５０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを反射防止膜用熱処理部１００，１０１に搬入する。その後、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ３に載置する。
【００７６】
基板載置部ＰＡＳＳ３に載置された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック１１の第２のセンターロボットＣＲ２により受け取られる。第２のセンターロボットＣＲ２は、その基板Ｗをレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に搬入する。
【００７７】
その後、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジスト膜用塗布処理部６０に搬入する。このレジスト膜用塗布処理部６０では、塗布ユニットＲＥＳにより反射防止膜が塗布形成された基板Ｗ上にレジスト膜が塗布形成される。
【００７８】
次に、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用塗布処理部６０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に搬入する。その後、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ５に載置する。
【００７９】
基板載置部ＰＡＳＳ５に載置された基板Ｗは、現像処理ブロック１２の第３のセンターロボットＣＲ３により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ７に載置する。
【００８０】
基板載置部ＰＡＳＳ７に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜用処理ブロック１３の第４のセンターロボットＣＲ４により受け取られる。第４のセンターロボットＣＲ４は、その基板Ｗをレジストカバー膜用塗布処理部８０に搬入する。このレジストカバー膜用塗布処理部８０では、塗布ユニットＣＯＶによりレジスト膜が塗布形成された基板Ｗ上にレジストカバー膜が塗布形成される。
【００８１】
次に、第４のセンターロボットＣＲ４は、レジストカバー膜用塗布処理部８０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１に搬入する。その後、第４のセンターロボットＣＲ４は、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９に載置する。
【００８２】
基板載置部ＰＡＳＳ９に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜除去ブロック１４の第５のセンターロボットＣＲ５により受け取られる。第５のセンターロボットＣＲ５は、その基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷに搬入する。このエッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗの周縁部に露光処理が施される。その後、第５のセンターロボットＣＲ５は、エッジ露光部ＥＥＷからエッジ露光処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置する。
【００８３】
基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置された基板Ｗは、洗浄加熱ブロック１５ａの第６のセンターロボットＣＲ６により受け取られる。第６のセンターロボットＣＲ６は、その基板Ｗを洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１のいずれかに搬入する。洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１においては、上述したように露光処理前の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。
【００８４】
次に、第６のセンターロボットＣＲ６は、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１から洗浄および乾燥処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを搬入搬出ブロック１５ｂのベベル検査ユニットＩＭに搬入する。ベベル検査ユニットＩＭにおいては、基板Ｗのベベル部（外周端部）の検査が行われ、基板Ｗのベベル部に膜剥れ等の異常がないか確認される。
【００８５】
ベベル検査ユニットＩＭにおいてベベル部の異常が確認された場合、その基板Ｗは、別途所定の処置がとられる。例えばその基板Ｗは、第６のセンターロボットＣＲ６によりベベル検査ユニットＩＭから取り出された後に、送りバッファ部ＳＢＦに搬入される。そして、ロット終了後に作業者によって回収される。
【００８６】
ベベル部に異常がない基板Ｗは、第６のセンターロボットＣＲ６によりベベル検査ユニットＩＭから取り出され、その後、以下のように処理される。
【００８７】
露光装置１６による露光処理の時間は、通常、他の処理工程および搬送工程よりも長い。そのため、露光装置１６が後の基板Ｗの受け入れをできない場合が多い。この場合、基板Ｗは搬入搬出ブロック１５ｂの送りバッファ部ＳＢＦに一時的に収納保管される。本実施の形態では、第６のセンターロボットＣＲ６が、ベベル検査ユニットＩＭから取り出した検査済みの基板Ｗを送りバッファ部ＳＢＦに搬送する。
【００８８】
次に、第６のセンターロボットＣＲ６は、送りバッファ部ＳＢＦに収納保管されている基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰに搬入する。載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰに搬入された基板Ｗは、露光装置１６内と同じ温度（例えば、２３℃）に維持される。
【００８９】
なお、露光装置１６が十分な処理速度を有する場合には、送りバッファ部ＳＢＦに基板Ｗを収納保管せずに、ベベル検査ユニットＩＭから載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰに基板Ｗを搬送してもよい。
【００９０】
続いて、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰで上記所定温度に維持された基板Ｗが、搬入搬出ブロック１５ｂのインターフェース用搬送機構ＩＦＲの上側のハンドＨ１により受け取られ、露光装置１６内の基板搬入部１６ａに搬入される。
【００９１】
露光装置１６において露光処理が施された基板Ｗは、インターフェース用搬送機構ＩＦＲの下側のハンドＨ２により基板搬出部１６ｂから搬出される。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置する。
【００９２】
基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置された基板Ｗは、洗浄加熱ブロック１５ａの第７のセンターロボットＣＲ７により受け取られる。第７のセンターロボットＣＲ７は、その基板Ｗを洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２のいずれかに搬入する。洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２においては、上述したように露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。
【００９３】
次に、第７のセンターロボットＣＲ７は、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２から洗浄および乾燥処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを載置兼加熱ユニットＰ−ＰＥＢに搬入する。載置兼加熱ユニットＰ−ＰＥＢにおいては、基板Ｗに対して露光後ベーク（ＰＥＢ）処理が行われる。載置兼加熱ユニットＰ−ＰＥＢの詳細については後述する。
【００９４】
本実施の形態では、第６のセンターロボットＣＲ６の動作工程が、基板載置部ＰＡＳＳ１１から洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１への基板Ｗの搬送、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１からベベル検査ユニットＩＭへの基板Ｗの搬送、ベベル検査ユニットＩＭから送りバッファ部ＳＢＦへの基板Ｗの搬送、送りバッファ部ＳＢＦから載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰへの基板Ｗの搬送、および載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰから基板載置部ＰＡＳＳ１１への回転移動の５工程になる。
【００９５】
この場合、例えば１つの工程を３．６秒で行うことが可能な第６のセンターロボットＣＲ６を用いると、１時間で２００枚の基板Ｗを搬送することができる。
【００９６】
また、第７のセンターロボットＣＲ７の動作工程が、基板載置部ＰＡＳＳ１２から洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２への基板Ｗの搬送、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２から載置兼加熱ユニットＰ−ＰＥＢへの基板Ｗの搬送、および載置兼加熱ユニットＰ−ＰＥＢから基板載置部ＰＡＳＳ１２への回転移動の３工程になる。
【００９７】
この場合、例えば１つの工程を３．６秒で行うことが可能な第７のセンターロボットＣＲ７を用いると、１時間で３３３枚の基板Ｗを搬送することができる。
【００９８】
また、インターフェース用搬送機構ＩＦＲの動作工程が、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰから露光装置１６への基板Ｗの搬送、露光装置１６から基板載置部ＰＡＳＳ１２への基板Ｗの搬送、および基板載置部ＰＡＳＳ１２から載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰへの回転移動の３工程になる。
【００９９】
この場合、例えば１つの工程を４．８秒で行うことが可能なインターフェース用搬送機構ＩＦＲを用いると、１時間で２５０枚の基板Ｗを搬送することができる。
【０１００】
これらにより、インターフェースブロック１５において、短時間で効率良く複数の基板Ｗを搬送することができる。
【０１０１】
露光後ベーク処理が行われた基板Ｗは、レジストカバー膜除去ブロック１４の第５のセンターロボットＣＲ５により載置兼加熱ユニットＰ−ＰＥＢから受け取られる。第５のセンターロボットＣＲ５は、その基板Ｗをレジストカバー膜除去用処理部９０に搬入する。レジストカバー膜除去用処理部９０においては、レジストカバー膜が除去される。
【０１０２】
なお、除去ユニットＲＥＭの故障等により、レジストカバー膜除去ブロック１４が一時的に基板Ｗの受け入れをできないときは、戻りバッファ部ＲＢＦに露光処理後の基板Ｗを一時的に収納保管することができる。
【０１０３】
次に、第５のセンターロボットＣＲ５は、レジストカバー膜除去用処理部９０から処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置する。
【０１０４】
基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜用処理ブロック１３の第４のセンターロボットＣＲ４により基板載置部ＰＡＳＳ８に載置される。
【０１０５】
基板載置部ＰＡＳＳ８に載置された基板Ｗは、現像処理ブロック１２の第３のセンターロボットＣＲ３により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、その基板Ｗを現像処理部７０に搬入する。現像処理部７０においては、露光された基板Ｗに対して現像処理が施される。
【０１０６】
次に、第３のセンターロボットＣＲ３は、現像処理部７０から現像処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを現像用熱処理部１２０，１２１に搬入する。その後、第３のセンターロボットＣＲ３は、現像用熱処理部１２０，１２１から熱処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ６に載置する。
【０１０７】
基板載置部ＰＡＳＳ６に載置された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック１１の第２のセンターロボットＣＲ２により基板載置部ＰＡＳＳ４に載置される。基板載置部ＰＡＳＳ４に載置された基板Ｗは反射防止膜用処理ブロック１０の第１のセンターロボットＣＲ１により基板載置部ＰＡＳＳ２に載置される。
【０１０８】
基板載置部ＰＡＳＳ２に載置された基板Ｗは、インデクサブロック９のインデクサロボットＩＲによりキャリアＣ内に収納される。これにより、基板処理装置５００における基板Ｗの各処理が終了する。
【０１０９】
（３）載置兼加熱ユニットの詳細
図４は、載置兼加熱ユニットＰ−ＰＥＢの外観斜視図であり、図５は、ＹＺ平面における載置兼加熱ユニットＰ−ＰＥＢの断面図である。
【０１１０】
図４および図５に示すように、載置兼加熱ユニットＰ−ＰＥＢは、搬出用載置部２００、搬入用載置部２１０、加熱部２２０および搬送機構２３０を備える。搬出用載置部２００、搬入用載置部２１０および加熱部２２０は、Ｙ方向に沿って並べて配置されている。
【０１１１】
搬出用載置部２００は、冷却プレート２０１を含む。冷却プレートの内部には、冷却配管ＷＰが設けられている。冷却配管ＷＰを通して冷却媒体（例えば冷却水）を循環させることにより、冷却プレート２０１を冷却することができる。冷却プレート２０１から上方に突出するように、複数（本例では３本）の昇降ピン２０２が設けられている。
【０１１２】
搬入用載置部２１０は、載置プレート２１１を含む。載置プレート２１１から上方に突出するように、複数（本例では３本）の昇降ピン２１２が設けられている。
【０１１３】
加熱部２２０は、加熱プレート２２１を含む。加熱プレート２２１から上方に突出するように、複数（本例では３本）の昇降ピン２２２が設けられている。加熱プレート２２１の上方には、上蓋２２４が設けられている。上蓋２２４は上蓋昇降駆動部２２５に取り付けられている。上蓋昇降駆動部２２５により、上蓋２２４が昇降駆動される。
【０１１４】
図５に示すように、複数の昇降ピン２０２はピン支持板２０３に取り付けられ、複数の昇降ピン２１２はピン支持板２１３に取り付けられている。複数の昇降ピン２２２はピン支持板２２３に取り付けられている。ピン支持板２０３，２１３，２２３は、昇降ピン駆動機構２４０によりそれぞれ独立に昇降駆動される。
【０１１５】
図４に示すように、搬出用載置部２００、搬入用載置部２１０および加熱部２２０の側方には、Ｙ方向に沿うようにガイドレール２３１が敷設されている。搬送機構２３０は、ガイドレール２３１に沿って移動可能に設けられている。
【０１１６】
搬送機構２３０は、搬送ハンド２３２およびハンド駆動部２３３を有する。搬送ハンド２３２は、ハンド駆動部２３３により昇降されるとともに、ハンド駆動部２３３と一体的にＹ方向に沿って移動する。搬送ハンド２３２は、基板Ｗを保持した状態で、搬出用載置部２００、搬入用載置部２１０および加熱部２２０の間を移動する。搬送ハンド２３２には、昇降ピン２０２，２１２，２２２と干渉しないように切り込みが形成されている。
【０１１７】
次に、載置兼加熱ユニットＰ−ＰＥＢの動作について説明する。まず、図１の第７のセンターロボットＣＲ７が、ハンドＣＲＨ１３またはハンドＣＲＨ１４によりＸ方向に沿って載置兼加熱ユニットＰ−ＰＥＢに基板Ｗを搬入し、搬入載置部２１０の昇降ピン２１２上に載置する。
【０１１８】
第７のセンターロボットＣＲ７のハンドＣＲＨ１３またはハンドＣＲＨ１４が退出した後、搬送ハンド２３２が基板Ｗと載置プレート２１１との間に移動し、支持ピン２１２上の基板Ｗを受け取る。
【０１１９】
続いて、上蓋２２４が加熱プレート２２１から離間した状態で、搬送ハンド２３２が加熱プレート２２１上に移動し、支持ピン２２２上に基板Ｗを載置する。
【０１２０】
続いて、搬送ハンド２３２が加熱部２２０から退避するとともに、上蓋２２４が下降して加熱プレート２２１上の空間を閉塞する。そして、昇降ピン２２２が下降して基板Ｗを加熱プレート２２１上に載置する。その状態で、加熱プレート２２１により基板Ｗが加熱される。
【０１２１】
所定時間経過後、基板Ｗの加熱が停止され、上蓋２２４が上昇する。続いて、昇降ピン２２２が上昇して基板Ｗを加熱プレート２２１から離間させる。そして、加熱プレート２２１と基板Ｗとの間に搬送ハンド２３２が移動し、昇降ピン２２２上の基板Ｗを受け取る。
【０１２２】
続いて、加熱後の基板Ｗを保持した状態で搬送ハンド２３２が搬出用載置部２００の冷却プレート２０１上に移動し、支持ピン２０２上に基板Ｗを載置する。続いて、支持ピン２０２が下降して基板Ｗを冷却プレート２０１上に載置する。その状態で、冷却プレート２０１が冷却されることにより、基板Ｗが冷却される。
【０１２３】
所定時間経過後、基板Ｗの冷却が停止され、支持ピン２０２が上昇して基板Ｗを冷却プレート２０１から離間させる。そして、図１の第５のセンターロボットＣＲ５が、ハンドＣＲ９またはハンドＣＲ１０により、支持ピン２０２上から基板Ｗを受け取り、Ｙ方向に沿って載置兼加熱ユニットＰ−ＰＥＢから搬出する。
【０１２４】
載置兼加熱ユニットＰ−ＰＥＢにおいては、第７のセンターロボットＣＲ７に近接する位置に搬入用載置部２１０が設けられ、第５のセンターロボットＣＲ５に近接する位置に搬出用載置部２００が設けられている。それにより、第７のセンターロボットＣＲ７による搬入用載置部２１０への基板Ｗの搬入および第５のセンターロボットＣＲ５による搬出用載置部２００からの基板Ｗの搬出が容易になる。その結果、載置兼加熱ユニットＰ−ＰＥＢに対する基板Ｗの搬入および搬出を迅速に行うことが可能になる。
【０１２５】
なお、本実施の形態では、冷却プレート２０１によって基板Ｗが冷却されるが、基板Ｗの冷却方法はこれに限らず、搬送ハンド２３２に基板Ｗを冷却するための冷却機能を付与してもよい。
【０１２６】
（４）洗浄／乾燥処理ユニット
次に、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１について図面を用いて詳細に説明する。図６は、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１の構成を示す側面図である。なお、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２は、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１と同様の構成を有する。
【０１２７】
図６に示すように、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１は、基板Ｗを水平に保持するとともに、基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸の周りで基板Ｗを回転させるためのスピンチャック６２１を備える。
【０１２８】
スピンチャック６２１は、チャック回転駆動機構６３６によって回転される回転軸６２５の上端に固定されている。また、スピンチャック６２１には吸気路（図示せず）が形成されており、スピンチャック６２１上に基板Ｗを載置した状態で吸気路内を排気することにより、基板Ｗの下面をスピンチャック６２１に真空吸着し、基板Ｗを水平姿勢で保持することができる。
【０１２９】
スピンチャック６２１の外方には、モータ６６０が設けられている。モータ６６０には、回動軸６６１が接続されている。また、回動軸６６１には、アーム６６２が水平方向に延びるように連結され、アーム６６２の先端に洗浄処理用ノズル６５０が設けられている。
【０１３０】
モータ６６０により回動軸６６１が回転するとともにアーム６６２が回動し、洗浄処理用ノズル６５０がスピンチャック６２１により保持された基板Ｗの上方に移動する。
【０１３１】
モータ６６０、回動軸６６１およびアーム６６２の内部を通るように洗浄処理用供給管６６３が設けられている。洗浄処理用供給管６６３は、バルブＶａおよびバルブＶｂを介して洗浄液供給源Ｒ１およびリンス液供給源Ｒ２に接続されている。
【０１３２】
このバルブＶａ，Ｖｂの開閉を制御することにより、洗浄処理用供給管６６３に供給する処理液の選択および供給量の調整を行うことができる。図６の構成においては、バルブＶａを開くことにより、洗浄処理用供給管６６３に洗浄液を供給することができ、バルブＶｂを開くことにより、洗浄処理用供給管６６３にリンス液を供給することができる。
【０１３３】
洗浄処理用ノズル６５０には、洗浄液またはリンス液が、洗浄処理用供給管６６３を通して洗浄液供給源Ｒ１またはリンス液供給源Ｒ２から供給される。それにより、基板Ｗの表面へ洗浄液またはリンス液を供給することができる。洗浄液としては、例えば、純水、純水に錯体（イオン化したもの）を溶かした液またはフッ素系薬液などが用いられる。リンス液としては、例えば、純水、炭酸水、水素水、電解イオン水およびＨＦＥ（ハイドロフルオロエーテル）のいずれかが用いられる。
【０１３４】
スピンチャック６２１の外方には、モータ６７１が設けられている。モータ６７１には、回動軸６７２が接続されている。また、回動軸６７２には、アーム６７３が水平方向に延びるように連結され、アーム６７３の先端に乾燥処理用ノズル６７０が設けられている。
【０１３５】
モータ６７１により回動軸６７２が回転するとともに、アーム６７３が回動し、乾燥処理用ノズル６７０がスピンチャック６２１により保持された基板Ｗの上方に移動する。
【０１３６】
モータ６７１、回動軸６７２およびアーム６７３の内部を通るように乾燥処理用供給管６７４が設けられている。乾燥処理用供給管６７４は、バルブＶｃを介して不活性ガス供給源Ｒ３に接続されている。このバルブＶｃの開閉を制御することにより、乾燥処理用供給管６７４に供給する不活性ガスの供給量を調整することができる。
【０１３７】
乾燥処理用ノズル６７０には、不活性ガスが、乾燥処理用供給管６７４を通して不活性ガス供給源Ｒ３から供給される。それにより、基板Ｗの表面へ不活性ガスを供給することができる。不活性ガスとしては、例えば、窒素ガスが用いられる。
【０１３８】
基板Ｗの表面へ洗浄液またはリンス液を供給する際には、洗浄処理用ノズル６５０は基板の上方に位置し、基板Ｗの表面へ不活性ガスを供給する際には、洗浄処理用ノズル６５０は所定の位置に退避される。
【０１３９】
また、基板Ｗの表面へ洗浄液またはリンス液を供給する際には、乾燥処理用ノズル６７０は所定の位置に退避され、基板Ｗの表面へ不活性ガスを供給する際には、乾燥処理用ノズル６７０は基板Ｗの上方に位置する。
【０１４０】
スピンチャック６２１に保持された基板Ｗは、処理カップ６２３内に収容される。処理カップ６２３の内側には、筒状の仕切壁６３３が設けられている。また、スピンチャック６２１の周囲を取り囲むように、基板Ｗの処理に用いられた処理液（洗浄液またはリンス液）を排液するための排液空間６３１が形成されている。さらに、排液空間６３１を取り囲むように、処理カップ６２３と仕切壁６３３との間に、基板Ｗの処理に用いられた処理液を回収するための回収液空間６３２が形成されている。
【０１４１】
排液空間６３１には、排液処理装置（図示せず）へ処理液を導くための排液管６３４が接続され、回収液空間６３２には、回収処理装置（図示せず）へ処理液を導くための回収管６３５が接続されている。
【０１４２】
処理カップ６２３の上方には、基板Ｗからの処理液が外方へ飛散することを防止するためのガード６２４が設けられている。このガード６２４は、回転軸６２５に対して回転対称な形状からなっている。ガード６２４の上端部の内面には、断面く字状の排液案内溝６４１が環状に形成されている。
【０１４３】
また、ガード６２４の下端部の内面には、外側下方に傾斜する傾斜面からなる回収液案内部６４２が形成されている。回収液案内部６４２の上端付近には、処理カップ６２３の仕切壁６３３を受け入れるための仕切壁収納溝６４３が形成されている。
【０１４４】
このガード６２４には、ボールねじ機構等で構成されたガード昇降駆動機構（図示せず）が設けられている。ガード昇降駆動機構は、ガード６２４を、回収液案内部６４２がスピンチャック６２１に保持された基板Ｗの外周端面に対向する回収位置と、排液案内溝６４１がスピンチャック６２１に保持された基板Ｗの外周端面に対向する排液位置との間で上下動させる。ガード６２４が回収位置（図６に示すガードの位置）にある場合には、基板Ｗから外方へ飛散した処理液が回収液案内部６４２により回収液空間６３２に導かれ、回収管６３５を通して回収される。一方、ガード６２４が排液位置にある場合には、基板Ｗから外方へ飛散した処理液が排液案内溝６４１により排液空間６３１に導かれ、排液管６３４を通して排液される。以上の構成により、処理液の排液および回収が行われる。
【０１４５】
次に、上記構成を有する洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１の処理動作について説明する。なお、以下に説明する洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１の各構成要素の動作は、図１のメインコントロ−ラ（制御部）３０により制御される。洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２の処理動作は、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１の処理動作と同様である。
【０１４６】
まず、基板Ｗの搬入時には、ガード６２４が下降するとともに、図１の第６のセンターロボットＣＲ６が基板Ｗをスピンチャック６２１上に載置する。スピンチャック６２１上に載置された基板Ｗは、スピンチャック６２１により吸着保持される。
【０１４７】
次に、ガード６２４が上述した排液位置まで移動するとともに、洗浄処理用ノズル６５０が基板Ｗの中心部上方に移動する。その後、回転軸６２５が回転し、この回転に伴ってスピンチャック６２１に保持されている基板Ｗが回転する。その後、洗浄処理用ノズル６５０から洗浄液が基板Ｗの上面に吐出される。これにより、基板Ｗの洗浄が行われる。
【０１４８】
なお、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１においては、この洗浄時に基板Ｗ上のレジストカバー膜の成分が洗浄液中に溶出する。また、基板Ｗの洗浄においては、基板Ｗを回転させつつ基板Ｗ上に洗浄液を供給している。この場合、基板Ｗ上の洗浄液は遠心力により常に基板Ｗの周縁部へと移動し飛散する。したがって、洗浄液中に溶出したレジストカバー膜の成分が基板Ｗ上に残留することを防止することができる。
【０１４９】
なお、上記のレジストカバー膜の成分は、例えば、基板Ｗ上に純水を盛って一定時間保持することにより溶出させてもよい。また、基板Ｗ上への洗浄液の供給は、二流体ノズルを用いたソフトスプレー方式により行ってもよい。
【０１５０】
所定時間経過後、洗浄液の供給が停止され、洗浄処理用ノズル６５０からリンス液が吐出される。これにより、基板Ｗ上の洗浄液が洗い流される。
【０１５１】
さらに所定時間経過後、回転軸６２５の回転速度が低下する。これにより、基板Ｗの回転によって振り切られるリンス液の量が減少し、図７（ａ）に示すように、基板Ｗの表面全体にリンス液の液層Ｌが形成される。なお、回転軸６２５の回転を停止させて基板Ｗの表面全体に液層Ｌを形成してもよい。
【０１５２】
次に、リンス液の供給が停止され、洗浄処理用ノズル６５０が所定の位置に退避するとともに乾燥処理用ノズル６７０が基板Ｗの中心部上方に移動する。その後、乾燥処理用ノズル６７０から不活性ガスが吐出される。これにより、図７（ｂ）に示すように、基板Ｗの中心部のリンス液が基板Ｗの周縁部に移動し、基板Ｗの周縁部のみに液層Ｌが存在する状態になる。
【０１５３】
次に、回転軸６２５（図６参照）の回転数が上昇するとともに、図７（ｃ）に示すように乾燥処理用ノズル６７０が基板Ｗの中心部上方から周縁部上方へと徐々に移動する。これにより、基板Ｗ上の液層Ｌに大きな遠心力が作用するとともに、基板Ｗの表面全体に不活性ガスを吹き付けることができるので、基板Ｗ上の液層Ｌを確実に取り除くことができる。その結果、基板Ｗを確実に乾燥させることができる。
【０１５４】
次に、不活性ガスの供給が停止され、乾燥処理ノズル６７０が所定の位置に退避するとともに回転軸６２５の回転が停止する。その後、ガード６２４が下降するとともに図１の第６のセンターロボットＣＲ６が基板Ｗを搬出する。これにより、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１における処理動作が終了する。なお、洗浄および乾燥処理中におけるガード６２４の位置は、処理液の回収または排液の必要性に応じて適宜変更することが好ましい。
【０１５５】
なお、上記実施の形態においては、洗浄液処理用ノズル６５０から洗浄液およびリンス液のいずれをも供給できるように、洗浄液の供給およびリンス液の供給に洗浄液処理用ノズル６５０を共用する構成を採用しているが、洗浄液供給用のノズルとリンス液供給用のノズルとを別々に分けた構成を採用してもよい。
【０１５６】
また、リンス液を供給する場合には、リンス液が基板Ｗの裏面に回り込まないように、基板Ｗの裏面に対して図示しないバックリンス用ノズルから純水を供給してもよい。
【０１５７】
また、基板Ｗを洗浄する洗浄液に純水を用いる場合には、リンス液の供給を行う必要はない。
【０１５８】
また、上記実施の形態においては、スピン乾燥方法により基板Ｗに乾燥処理を施すが、減圧乾燥方法、エアーナイフ乾燥方法等の他の乾燥方法により基板Ｗに乾燥処理を施してもよい。
【０１５９】
また、上記実施の形態においては、リンス液の液層Ｌが形成された状態で、乾燥処理用ノズル６７０から不活性ガスを供給するようにしているが、リンス液の液層Ｌを形成しない場合あるいはリンス液を用いない場合には洗浄液の液層を基板Ｗを回転させて一旦振り切った後で、即座に乾燥処理用ノズル６７０から不活性ガスを供給して基板Ｗを完全に乾燥させるようにしてもよい。
【０１６０】
（５）本実施の形態の効果
本実施の形態では、インターフェースブロック１５の洗浄加熱ブロック１５ａにおいて、露光処理前の基板Ｗが第６のセンターロボットＣＲ６により搬送され、露光処理後の基板Ｗが第７のセンターロボットＣＲ７により搬送される。また、インターフェースブロック１５の搬入搬出ブロック１５ｂにおいて、インターフェース用搬送機構ＩＦＲのハンドＨ１，Ｈ２がそれぞれ独立に駆動され、露光処理前の基板ＷがハンドＨ１により搬送され、露光処理後の基板ＷがハンドＨ２により搬送される。
【０１６１】
このように、インターフェースブロック１５において、露光処理前の基板Ｗの搬送経路と露光処理後の基板Ｗの搬送経路とがそれぞれ独立に確保されている。この場合、露光処理前の基板Ｗの搬送経路と露光処理後の基板Ｗの搬送経路とが交錯する場合に比べて、第６および第７のセンターロボットＣＲ６，ＣＲ７の動作が簡略化される。それにより、基板Ｗの搬送効率が向上し、スループットを向上させることが可能になる。
【０１６２】
また、洗浄加熱ブロック１５ａおよび搬入搬出ブロック１５ｂにおいて、露光処理前の基板Ｗと露光処理後の基板Ｗとが同一の部位に接触することがない。したがって、露光処理前の基板Ｗと露光処理後の基板Ｗとの間のクロスコンタミネーション（相互汚染）を防止することができる。
【０１６３】
また、載置兼加熱ユニットＰ−ＰＥＢが、露光装置１６に隣接するインターフェースブロック１５に設けられているので、露光処理後の基板Ｗを迅速に載置兼加熱ユニットＰ−ＰＥＢまで搬送することができる。したがって、露光処理後、迅速に基板ＷのＰＥＢ処理を行うことができる。その結果、速やかにレジスト膜内の化学反応を促進させることができ、所望の露光パターンを得ることができる。
【０１６４】
また、露光処理前の基板Ｗの搬送経路と露光処理後の基板Ｗの搬送経路とがそれぞれ独立していることにより、露光処理後の基板Ｗを円滑に載置兼加熱ユニットＰ−ＰＥＢに搬送することができる。そのため、複数の基板Ｗを連続的に処理する場合に、露光処理からＰＥＢ処理までの時間をほぼ一定にすることができる。その結果、露光パターンの精度のばらつきを防止することができる。
【０１６５】
また、載置兼加熱ユニットＰ−ＰＥＢは、第７のセンターロボットＣＲ７から第５のセンターロボットＣＲ５への基板Ｗの受け渡しのための載置部の役割を担っている。この場合、インターフェースブロック１５からレジストカバー膜除去ブロック１４への基板Ｗの搬送経路を簡略化することができる。それにより、スループットをさらに向上させることができる。
【０１６６】
また、本実施の形態では、露光装置１６において基板Ｗの露光処理が行われる前に、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１において基板Ｗの洗浄処理が行われる。この洗浄処理時に、基板Ｗ上のレジストカバー膜の成分の一部が洗浄液またはリンス液中に溶出し、洗い流される。そのため、露光装置１６において基板Ｗが液体と接触しても、基板Ｗ上のレジストカバー膜の成分は液体中にほとんど溶出しない。また、露光処理前の基板Ｗに付着した塵埃等を取り除くことができる。これらの結果、露光装置１６内の汚染が防止される。
【０１６７】
また、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１においては、基板Ｗの洗浄処理後に基板Ｗの乾燥処理が行われる。それにより、洗浄処理時に基板Ｗに付着した洗浄液またはリンス液が取り除かれるので、洗浄処理後の基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が再度付着することが防止される。その結果、露光装置１６内の汚染を確実に防止することができる。
【０１６８】
また、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１においては、基板Ｗを回転させつつ不活性ガスを基板Ｗの中心部から周縁部へと吹き付けることにより基板Ｗの乾燥処理を行っている。この場合、基板Ｗ上の洗浄液およびリンス液を確実に取り除くことができるので、洗浄後の基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着することを確実に防止することができる。それにより、基板Ｗの汚染を確実に防止することができるとともに、基板Ｗの表面に乾燥しみが発生することを防止することができる。
【０１６９】
また、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２においては、露光処理後の基板Ｗの乾燥処理が行われる。それにより、露光処理時に基板Ｗに付着した液体が、基板処理装置５００内に落下することが防止される。また、露光処理後の基板Ｗの乾燥処理を行うことにより、露光処理後の基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着することが防止されるので、基板Ｗの汚染を防止することができる。
【０１７０】
また、基板処理装置５００内を液体が付着した基板Ｗが搬送されることを防止することができるので、露光処理時に基板Ｗに付着した液体が基板処理装置５００内の雰囲気に影響を与えることを防止することができる。それにより、基板処理装置５００内の温湿度調整が容易になる。
【０１７１】
また、露光処理時に基板Ｗに付着した液体がインデクサ用搬送機構ＩＦＲおよび第１〜第７のセンターロボットＣＲ１〜ＣＲ７に付着することが防止される。そのため、露光処理前の基板Ｗに液体が付着することが防止される。それにより、露光処理前の基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着することが防止されるので、基板Ｗの汚染が防止される。その結果、露光処理時の解像性能の劣化を防止することができるとともに露光装置１６内の汚染を防止することができる。
【０１７２】
また、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２から現像処理部７０へ基板Ｗを搬送する間に、レジストの成分またはレジストカバー膜の成分が基板Ｗ上に残留した洗浄液およびリンス液中に溶出することを確実に防止することができる。それにより、レジスト膜に形成された露光パターンの変形を防止することができる。その結果、現像処理時における線幅精度の低下を確実に防止することができる。
【０１７３】
これらの結果、基板処理装置５００の電気系統の異常等の動作不良を防止することができるとともに、基板Ｗの処理不良を確実に防止することができる。
【０１７４】
また、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２においては、基板Ｗを回転させつつ不活性ガスを基板Ｗの中心部から周縁部へと吹き付けることにより基板Ｗの乾燥処理を行っている。この場合、基板Ｗ上の洗浄液およびリンス液を確実に取り除くことができるので、洗浄後の基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着することを確実に防止することができる。それにより、基板Ｗの汚染を確実に防止することができるとともに、基板Ｗの表面に乾燥しみが発生することを防止することができる。
【０１７５】
また、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２においては、乾燥処理前に基板Ｗの洗浄処理が行われるので、露光処理時に液体が付着した基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着しても、その付着物を取り除くことができる。それにより、基板Ｗの汚染を防止することができる。その結果、基板の処理不良を確実に防止することができる。
【０１７６】
（６）他の実施の形態
図８は、本発明の他の実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。図８に示す基板処理装置５００ａについて、上記実施の形態の基板処理装置５００と異なる点を説明する。
【０１７７】
基板処理装置５００ａにおいては、インターフェースブロック１５の搬入搬出ブロック１５ｂに、インターフェース用搬送機構ＩＦＲの代わりにインターフェース用搬送機構ＩＦＲａ，ＩＦＲｂが設けられる。また、インターフェース用搬送機構ＩＦＲｂと第７のセンターロボットＣＲ７との間の洗浄加熱ブロック１５ａ内の領域に、基板載置部ＰＡＳＳ１２および戻りバッファ部ＲＢＦが上下に配置される。
【０１７８】
インターフェース用搬送機構ＩＦＲａは、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰに載置された基板Ｗを受け取り、その基板Ｗを露光装置１６の基板搬入部１６ａに搬入する。インターフェース用搬送機構ＩＦＲｂは、露光装置１６の基板搬出部１６ｂから露光処理後の基板Ｗを搬出し、その基板Ｗを洗浄加熱ブロック１５ａの基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置する。基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置された基板Ｗは、第７のセンターロボットＣＲ７により受け取られ、上記実施の形態と同様に処理される。
【０１７９】
このように、基板処理装置５００ａでは、インターフェースブロック１５の搬入搬出ブロック１５ｂにおいて、露光処理前の基板Ｗがインターフェース用搬送機構ＩＦＲａにより搬送され、露光処理後の基板Ｗがインターフェース用搬送機構ＩＦＲｂにより搬送される。
【０１８０】
この場合、インターフェース用搬送機構ＩＦＲａ，ＩＦＲｂがそれぞれ独立して基板Ｗの搬送動作を行うことができるので、より効率良く基板Ｗを搬送することができる。したがって、スループットをさらに向上させることができる。
【０１８１】
また、搬入搬出ブロック１５ｂにおいて、露光処理前の基板Ｗと露光処理後の基板Ｗとが別個のインターフェース用搬送機構によって搬送されるため、露光処理前の基板Ｗと露光処理後の基板Ｗとの間のクロスコンタミネーションがより確実に防止される。
【０１８２】
（７）さらに他の実施の形態
上記実施の形態では、液浸法により基板Ｗの露光処理を行う露光装置１６を基板処理装置５００の外部装置として設ける場合について説明したが、これに限定されず、液体を用いずに基板Ｗの露光処理を行う従来の露光装置を外部装置として設けてもよい。その場合、洗浄加熱ブロック１０に洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２を設けなくてもよい。
【０１８３】
（８）請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
【０１８４】
上記実施の形態では、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３およびレジストカバー膜除去ブロック１４が第１の処理部の例であり、インターフェースブロック１５が第２の処理部の例であり、塗布ユニットＲＥＳが感光性膜形成ユニットの例であり、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１が洗浄処理ユニットの例であり、載置兼ベークユニットＰ−ＰＥＢが熱処理ユニットの例であり、第６のセンターロボットＣＲ６およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲのハンドＨ１が第１の基板搬送機構の例であり、第７のセンターロボットＣＲ７およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲのハンドＨ２が第２の基板搬送機構の例である。
【０１８５】
また、洗浄加熱ブロック１５ａが処理用ブロックの例であり、搬入搬出ブロック１５ｂが搬入搬出用ブロックの例であり、第６のセンターロボットＣＲ６が第１の搬送手段の例であり、インターフェース用搬送機構ＩＦＲのハンドＨ１が第３の搬送手段の例であり、第７のセンターロボットＣＲ７が第２の搬送手段の例であり、インターフェース用搬送機構ＩＦＲのハンドＨ２が第４の搬送手段の例である。
【０１８６】
また、第５のセンターロボットＣＲ５が第５の搬送手段の例であり、搬入用載置部２１０が第１の載置部の例であり、搬出用載置部２００が第２の載置部の例であり、搬送機構２３０が搬送部の例であり、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２が乾燥処理ユニットの例である。
【０１８７】
請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
【産業上の利用可能性】
【０１８８】
本発明は、種々の基板の処理に有効に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１８９】
【図１】本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。
【図２】図１の基板処理装置を＋Ｘ方向から見た概略側面図である。
【図３】図１の基板処理装置を−Ｘ方向から見た概略側面図である。
【図４】載置兼加熱ユニットの外観斜視図である。
【図５】ＹＺ平面における載置兼加熱ユニットの断面図である。
【図６】洗浄／乾燥処理ユニットの構成を示す側面図である。
【図７】洗浄／乾燥処理ユニットの動作を説明するための図である。
【図８】本発明の他の実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。
【符号の説明】
【０１９０】
９  インデクサブロック
１０  反射防止膜用処理ブロック
１１  レジスト膜用処理ブロック
１２  現像処理ブロック
１３  レジストカバー膜用処理ブロック
１４  レジストカバー膜除去ブロック
１５  インターフェースブロック
１５ａ  洗浄加熱ブロック
１５ｂ  搬入搬出ブロック
１６  露光装置
５００，５００ａ  基板処理装置
ＢＡＲＣ，ＲＥＳ，ＣＯＶ  塗布ユニット
ＣＲ１〜ＣＲ７  第１〜第７のセンターロボット
ＤＥＶ  現像処理ユニット
ＩＦＲ，ＩＦＲａ，ＩＦＲｂ  インターフェース用搬送機構
Ｐ−ＰＥＢ  載置兼ベークユニット
ＳＤ１，ＳＤ２  洗浄／乾燥処理ユニット
Ｗ  基板
【図１】
0005308054.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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