(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
シアネート樹脂、アラルキル変性エポキシ樹脂、アラルキル樹脂および難燃剤を必須成分として含有し、
前記シアネート樹脂の含有量が樹脂成分１００重量部中１０〜５０重量部であり、
前記アラルキル変性エポキシ樹脂の含有量が樹脂成分１００重量部中２０〜５０重量部であり、
前記アラルキル樹脂の含有量が樹脂成分１００重量部中２０〜５０重量部であり、
前記難燃剤がリン化合物であり、そのリン含有量が樹脂成分全体の０．５〜１．２重量％であり、
前記シアネート樹脂は、下記式（Ｉ）で示されるノボラック型シアネート樹脂であり、
前記アラルキル変性エポキシ樹脂は、ビフェニルアラルキルエポキシ樹脂またはフェノールアラルキルエポキシ樹脂であり、
前記アラルキル樹脂は、ビフェニルアラルキル樹脂またはフェノールアラルキル樹脂であることを特徴とする樹脂組成物。
【化１】
0005150991.tif 000009
【請求項２】
前記リン化合物は、ホスフィンオキサイド化合物である請求項１に記載の樹脂組成物。
【請求項３】
実質的にハロゲン原子を含まない請求項１または２に記載の樹脂組成物。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載の樹脂組成物を基材に含浸させてなることを特徴とするプリプレグ。
【請求項５】
請求項４に記載のプリプレグを少なくとも１枚含むものである回路基板。
【請求項６】
ＵＬ−９４難燃試験においてＶ−０レベルである請求項５に記載の回路基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、樹脂組成物、プリプレグ及び回路基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ノート型パーソナルコンピューターや携帯電話等の情報処理機器の高速化が要求されておりＣＰＵクロック周波数が高くなっている。そのため、信号伝搬速度の高速化が要求されており、高速化に有利な誘電率、誘電正接の低い回路基板であることが必要とされてきている。
【０００３】
また回路基板は、火災に対する安全性を確保するために難燃性が付与されている場合が多い。回路基板の難燃化は、ハロゲン化合物（特に臭素含有化合物）を用いることが一般的であった。しかし、例えば臭素化合物は高度な難燃性を有するが、熱分解で腐食性の臭素、臭化水素を分離するだけでなく、酸素存在下で分解すると毒性の高いポリブロモジベンゾフラン、ポリブロモベンゾオキシンを形成する可能性がある。このような理由からハロゲン化合物を使用しなくても十分な難燃性を有することが求められてきている。
しかし、誘電特性およびノンハロゲンで難燃性に優れた回路基板は、未だ開発されていなかった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、誘電特性および難燃性に優れた樹脂組成物、プリプレグおよび回路基板を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
このような目的は、下記（１）〜（６）記載の本発明により達成される。
（１）シアネート樹脂、アラルキル変性エポキシ樹脂、アラルキル樹脂および難燃剤を必須成分として含有し、
前記シアネート樹脂の含有量が樹脂成分１００重量部中１０〜５０重量部であり、
前記アラルキル変性エポキシ樹脂の含有量が樹脂成分１００重量部中２０〜５０重量部であり、
前記アラルキル樹脂の含有量が樹脂成分１００重量部中２０〜５０重量部であり、
前記難燃剤がリン化合物であり、そのリン含有量が樹脂成分全体の０．５〜１．２重量％であり、
前記シアネート樹脂は、下記式（Ｉ）で示されるノボラック型シアネート樹脂であり、
前記アラルキル変性エポキシ樹脂は、ビフェニルアラルキルエポキシ樹脂またはフェノールアラルキルエポキシ樹脂であり、
前記アラルキル樹脂は、ビフェニルアラルキル樹脂またはフェノールアラルキル樹脂であることを特徴とする樹脂組成物。
【化１】
0005150991.tif 000002
（２）前記リン化合物は、ホスフィンオキサイド化合物である上記（１）に記載の樹脂組成物。
（３）実質的にハロゲン原子を含まない上記（１）または（２）に記載の樹脂組成物。
（４）上記（１）ないし（３）のいずれかに記載の樹脂組成物を基材に含浸させてなることを特徴とするプリプレグ。
（５）上記（４）に記載のプリプレグを少なくとも１枚含むものである回路基板。
（６）ＵＬ−９４難燃試験においてＶ−０レベルである上記（５）に記載の回路基板。
【０００６】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の樹脂組成物、プリプレグおよびそれを用いた回路基板について詳細に説明する。
本発明の樹脂組成物は、シアネート樹脂、アラルキル変性エポキシ樹脂、アラルキル樹脂および難燃剤を必須成分として含有するものである。
また、本発明のプリプレグは、上記樹脂組成物を基材に含浸させてなるものである。
また、本発明の回路基板は、上記プリプレグを１枚又は２枚以上重ね合わせ加熱加圧してなるものである。
【０００７】
以下、樹脂組成物に関して説明する。
本発明の樹脂組成物では、シアネート樹脂を用いる。これにより、該樹脂組成物から最終的に製造した回路基板の誘電特性を向上することができる。
また、シアネート樹脂と後述するアラルキル変性エポキシ樹脂およびアラルキル樹脂との組合せにより、樹脂と金属箔との密着性を向上することができる。
また、従来、シアネート樹脂単独で回路基板を製造した場合、回路基板の靱性が低下するといった問題を有していた。
本発明では、前記組合せの樹脂組成物を回路基板にした場合は、回路基板の靱性を向上することができる。前記組合せにより、シアネート樹脂硬化物の架橋点間距離が長くなったためと考えられる。
更に、後述するアラルキル変性エポキシ樹脂のエポキシ基およびアラルキル樹脂の水酸基とシアネート樹脂のシアネート基とは反応するものである。従って、シアネート樹脂骨格中にアラルキル基を組み込むことができる。その結果、前記組合せにより、シアネート樹脂の優れた耐熱性、誘電特性の低下が防止され、全体的に耐熱性、誘電特性が確保されると考えられる。
【０００８】
前記シアネート樹脂は、例えばハロゲン化シアン化合物とフェノール類とを反応させることにより得ることができる。具体的には、ノボラック型シアネート樹脂、ビスフェノール型シアネート樹脂等を挙げることができる。これらの中でもノボラック型シアネート樹脂が好ましい。これにより、難燃性を更に向上することができる。ノボラック型シアネート樹脂は、その構造上ベンゼン環率が高いため、炭化しやすいためと考えられる。
ノボラック型シアネート樹脂としては、例えば式（Ｉ）で示されるものを使用することができる。
【化１】
0005150991.tif 000003
前記式（Ｉ）で示されるノボラック型シアネート樹脂のｎは、特に限定されないが、１〜１０が好ましく、特に２〜８が好ましい。ｎが前記範囲内であると、ノボラック型シアネート樹脂と後述するアラルキル変性エポキシ樹脂等との相溶性を向上することができる。相溶性が向上すると、溶剤量を低減でき、作業性、生産性を向上することができる。
【０００９】
前記シアネート樹脂の含有量は、特に限定されないが、樹脂成分１００重量部中、１０〜５０重量部が好ましく、特に２０〜４０重量部が好ましい。シアネート樹脂が前記下限値未満では誘電特性の向上効果が十分でない場合があり、前記上限値を超えると反応が速く進行するので成形が困難となる場合がある。
また、前記シアネート樹脂の重量平均分子量は、特に限定されないが、重量平均分子量２００〜２０００が好ましく、特に２５０〜１５００が好ましい。重量平均分子量が前記範囲内であると、シアネート樹脂と他の樹脂との相溶性を向上することができる。
【００１０】
本発明の樹脂組成物では、アラルキル変性エポキシ樹脂を用いる。これにより、吸水性を低下することができる。ここで、アラルキル変性エポキシ樹脂とは、繰り返し単位中に少なくとも一つ以上のアラルキル基を有するエポキシ樹脂をいう。
また、従来、シアネート樹脂単独では、樹脂組成物の硬化速度が速すぎて、樹脂の硬化反応を制御できないといった問題点を有していた。
本発明では、アラルキル変性エポキシ樹脂と前述したシアネート樹脂（特に、ノボラック型シアネート樹脂）との組合せにより、樹脂組成物の硬化速度を調整することができる。前記組合せにより、反応点の濃度が低下し、反応速度が低下したためと考えられる。樹脂組成物の硬化速度が調節できると、成形時に樹脂の流れ量を調節することが可能となり回路基板の厚さ調節がより容易になる。
【００１１】
前記アラルキル変性エポキシ樹脂としては、例えばビフェニルアラルキルエポキシ樹脂、フェノールアラルキルエポキシ樹脂等が挙げられる。これらの中でもビフェニルアラルキルエポキシ樹脂が好ましい。これにより、吸水性を更に低下することができる。ビフェニルアラルキルエポキシ樹脂は、その構造上エポキシ当量が大きいからである。
前記ビフェニルアラルキルエポキシ樹脂としては、例えば式（ＩＩ）で示されるものを使用することができる。
【化２】
0005150991.tif 000004
前記式（ＩＩ）で示されるビフェニルアラルキルエポキシ樹脂のｎは、特に限定されないが、２〜７が好ましく、特に３〜６が好ましい。ｎが前記範囲内であると、２６０℃での半田耐熱性を向上することができる。
前記フェノールアラルキルエポキシ樹脂としては、例えば式（ＩＩＩ）で示されるものを使用することができる。
【化３】
0005150991.tif 000005
前記式（ＩＩＩ）で示されるフェノールアラルキルエポキシ樹脂のｍは、特に限定されないが、２〜７が好ましく、特に３〜６が好ましい。ｍが前記範囲内であると、２６０℃での半田耐熱性を向上することができる。
【００１２】
前記アラルキル変性エポキシ樹脂の含有量は、特に限定されないが、樹脂成分１００重量部中、２０〜５０重量部が好ましく、特に３０〜４０重量部が好ましい。アラルキル変性エポキシ樹脂が前記下限値未満では低吸水化を向上する効果が低下する場合があり、前記上限値を超えると２６０℃の半田耐熱性を向上する効果が低下する場合がある。
前記アラルキル変性エポキシ樹脂の重量平均分子量は、特に限定されないが、重量平均分子量６００〜２５００が好ましく、特に９００〜２２００が好ましい。重量平均分子量が前記範囲内であると、２６０℃での半田耐熱性を向上することができる。
【００１３】
本発明の樹脂組成物では、アラルキル樹脂を用いる。これにより、吸水性を低下することができる。
また、従来、シアネート樹脂単独では、剛直な構造を有しているため金属箔との密着性が低いといった問題点を有していた。
本発明では、アラルキル樹脂と前述したシアネート樹脂（特に、ノボラック型シアネート樹脂）との組合せにより、金属箔との密着性を改善することができる。本発明では、前記組合せにより、水酸基当量の大きいアラルキル樹脂とシアネート樹脂とが反応し、架橋点間距離が長くなることで硬化収縮を小さくすることができるためと考えられる。
【００１４】
前記アラルキル樹脂としては、例えばフェノールアラルキル樹脂、ビフェニルアラルキル樹脂、ナフタレンアラルキル樹脂等が挙げられる。これらの中でもビフェニルアラルキル樹脂が好ましい。これにより、吸水性を更に低下することができる。ビフェニルアラルキル樹脂は、その構造上水酸基当量が大きいからである。
前記ビフェニルアラルキル樹脂としては、例えば式（ＩＶ）で示されるものを使用することができる。
【化４】
0005150991.tif 000006
前記式（ＩＶ）で示されるビフェニルアラルキル樹脂のｐは、特に限定されないが、２〜７が好ましく、特に３〜６が好ましい。ｐが前記範囲内であると、２６０℃での半田耐熱性を向上することができる。
【００１５】
前記アラルキル樹脂の含有量は、特に限定されないが、樹脂成分１００重量部中、２０〜５０重量部が好ましく、特に３０〜４０重量部が好ましい。アラルキル樹脂が前記下限値未満では低吸水化を向上する効果が低下する場合があり、前記上限値を超えると２６０℃の半田耐熱性を向上する効果が低下する場合がある。
前記アラルキル樹脂の重量平均分子量は、特に限定されないが、重量平均分子量４５０〜１８００が好ましく、特に６５０〜１６００が好ましい。重量平均分子量が前記範囲内であると、２６０℃での半田耐熱性を向上することができる。
【００１６】
また、シアネート樹脂と併用するアラルキル変性エポキシ樹脂のエポキシ当量とアラルキル樹脂の水酸基当量との比は、特に限定されないが、０．８〜１．２が好ましく、特に０．９〜１．０が好ましい。当量比が前記範囲内であると、誘電特性を更に向上することができる。
【００１７】
本発明の樹脂組成物では、難燃剤を用いる。難燃剤としては、例えばメラミン、イソシアヌレート等の窒素化合物、デカブロモジフェニルオキサイド、塩素化ポリエチレン等のハロゲン化合物、リン酸エステル、含ハロゲンリン酸エステル、赤リン等のリン化合物が挙げられる。なお、このリン化合物は実質的にハロゲンを含まないものであることが好ましい。これにより、ノンハロゲンで難燃性を向上することができる。ハロゲンを含む場合、高度な難燃性を有するが、熱分解等で有害ガスが発生する可能性があった。ノンハロゲンの場合、有害ガス等の発生を防止することができる。
また、前述のノボラック型シアネート樹脂と実質的にハロゲンを含まないリン化合物との組合せで、誘電特性を低下することなく、ノンハロゲンで難燃性を更に向上することができる。
このようなリン化合物としては、例えばトリメチルホスフェート、トリエチルホスフェート、トリブチルホスフェート、トリ−２−エチルヘキシルホスフェート、トリブトキシエチルホスフェート、トリフェニルホスフェート、トリクレジルホスフェート、トリキシレニルホスフェート、クレジルジフェニルホスフェート、キシレニルジフェニルホスフェート、２−エチルヘキシルジフェニルホスフェート、トリス（２、６ジメチルフェニル）ホスフェート、レゾルシンジフェニルホスフェート等のリン酸エステル、ジアルキルヒドロキシメチルホスホネート等の縮合リン酸エステル、トリフェニルホスフィンオキサイド、トリクレジルホスフィンオキサイド等のホスフィンオキサイド化合物等が挙げられる。これらの中でも、トリフェニルホスフィンオキサイド等のホスフィンオキサイド化合物が好ましい。これにより、耐薬品性を向上することができる。耐薬品性が向上すると、回路基板製造工程で用いられる酸やアルカリを汚染することが少なくなり、生産性を向上することができる。
【００１８】
前記リン化合物は、特に限定されないが、リン含有量が樹脂成分全体の０．３重量％以上が好ましく、特に０．５重量％以上が好ましく、更に０．５〜１．２重量％が最も好ましい。これにより、難燃性試験（ＵＬ−９４）においてＶ−０を達成することができる。
【００１９】
本発明の樹脂組成物は、上述したシアネート樹脂とアラルキル変性エポキシ樹脂、アラルキル樹脂及び難燃剤を必須成分として含有するが、本発明の目的に反しない範囲において、その他の樹脂、硬化促進剤、カップリング剤、その他の成分を添加しても構わない。
【００２０】
次に、プリプレグについて説明する。
本発明のプリプレグは、上述の樹脂組成物を基材に含浸させてなるものである。これにより、誘電特性およびノンハロゲンで難燃性に優れたプリプレグを得ることができる。
前記基材としては、例えばガラス織布、ガラス不繊布、ガラスペーパー等のガラス繊維基材、紙、アラミド、ポリエステル、フッ素樹脂等の合成繊維等からなる織布や不織布、金属繊維、カーボン繊維、鉱物繊維等からなる織布、不織布、マット類等が挙げられる。これらの基材は単独又は混合して使用してもよい。これらの中でもガラス繊維基材が好ましい。これにより、プリプレグの剛性、寸法安定性を向上することができる。
【００２１】
前記樹脂組成物を前記基材に含浸させる方法は、例えば基材を樹脂ワニスに浸漬する方法、各種コーターによる塗布する方法、スプレーによる吹き付ける方法等が挙げられる。これらの中でも、基材を樹脂ワニスに浸漬する方法が好ましい。これにより、基材に対する樹脂組成物の含浸性を向上することができる。なお、基材を樹脂ワニスに浸漬する場合、通常の含浸塗布設備を使用することができる。
【００２２】
前記樹脂ワニスに用いられる溶媒は、前記樹脂組成物に対して良好な溶解性を示すことが望ましいが、悪影響を及ぼさない範囲で貧溶媒を使用しても構わない。良好な溶解性を示す溶媒としては、例えばメチルエチルケトン、シクロヘキサノン等が挙げられる。
前記樹脂ワニスの固形分は、特に限定されないが、前記樹脂組成物の固形分４０〜８０重量％が好ましく、特に５０〜６５重量％が好ましい。これにより、樹脂ワニスの基材への含浸性を更に向上できる。
前記基材に前記樹脂組成物を含浸させ、所定温度、例えば８０〜２００℃等で乾燥させることによりプリプレグを得ることが出来る。
【００２３】
次に、回路基板について説明する。
本発明の回路基板は、上述のプリプレグを少なくとも１枚含むものである。これにより、誘電特性およびノンハロゲンで難燃性に優れた回路基板を得ることができる。
プリプレグ１枚のときは、その上下両面もしくは片面に金属箔あるいはフィルムを重ねる。
また、プリプレグを２枚以上積層することもできる。プリプレグ２枚以上積層するときは、積層したプリプレグの最も外側の上下両面もしくは片面に金属箔あるいはフィルムを重ねる。
次に、少なくとも１枚のプリプレグと金属箔とを重ねたものを加熱、加圧することで回路基板を得ることができる。
前記加熱する温度は、特に限定されないが、１２０〜２２０℃が好ましく、特に１５０〜２００℃が好ましい。
また、前記加圧する圧力は、特に限定されないが、２〜５ＭＰａが好ましく、特に２．５〜４ＭＰａが好ましい。
【００２４】
【実施例】
以下、本発明を実施例及び比較例により説明するが、本発明はこれに限定されるものでは無い。
【００２５】
（実施例１）
▲１▼樹脂ワニスの調製
フェノールノボラックシアネート樹脂（ロンザ社製ＰＴ−６０、軟化点６０℃）２２．９重量部、ビフェニルアラルキルエポキシ樹脂（エポキシ当量２８５、日本化薬社製ＮＣ−３０００ＳＨ）３９．１重量部、ビフェニルアラルキル樹脂（水酸基当量２２５、明和化成社製ＭＥＨ７８５１−３Ｈ）３０．９重量部、トリフェニルホスフィンオキサイド７．１重量部にメチルセルソルブを加え、不揮発分濃度５５重量％となるようにワニスを調整した。このときリン含有率が０．８％となった。
【００２６】
▲２▼プリプレグの作成
このワニスを用いて、ガラス繊布（厚さ０．１８ｍｍ、日東紡績（株）製）１００重量部にワニス固形分で８０重量部含浸させて、１５０℃の乾燥機炉で５分乾燥させ、樹脂含有量４４．４％のプリプレグを作成した。
【００２７】
▲３▼積層板の作成
上記プリプレグを６枚重ね、上下に厚さ３５μｍの電解銅箔を重ねて、圧力４０ｋｇｆ／ｃｍ２ 、温度２００℃で１２０分、２２０℃で６０分加熱加圧成形を行い、厚さ１．２ｍｍの回路基板を得た。
【００２８】
（実施例２）
トリフェニルホスフィンオキサイドの代わりに９，１０−ジヒドロ−９−オキサ−１０−ホスファフェナントレン−１０−オキシド（三光化学社製：ＨＣＡ）７．１重量部を用いた以外は、実施例１と同様にした。
【００２９】
（実施例３）
フェノールノボラックシアネート樹脂２９．７重量部、ビフェニルアラルキルエポキシ樹脂の代わりにフェノールアラルキルエポキシ樹脂（エポキシ当量２３５、商品名：三井化学社製Ｅ−ＸＬ−３Ｌ）３２．３重量部を用いた以外は、実施例１と同様にした。
【００３０】
（実施例４）
フェノールノボラックシアネート樹脂２０．５重量部、ビフェニルアラルキルエポキシ樹脂の代わりにフェノールアラルキルエポキシ樹脂（エポキシ当量２３５、商品名：三井化学社製Ｅ−ＸＬ−３Ｌ）３９．６重量部、ビフェニルアラルキル樹脂の代わりにフェノールアラルキル樹脂（水酸基当量１７５、商品名：三井化学社製ＸＬＣ−ＬＬ）３２．８重量部を用いた以外は実施例１と同様にした。
【００３１】
（実施例５）
フェノールノボラックシアネート樹脂を１８．０重量部、ビフェニルアラルキルエポキシ樹脂を３９．９重量部、ビフェニルアラルキル樹脂３５．０重量部にした以外は、実施例１と同様にした。
【００３２】
（実施例６）
フェノールノボラックシアネート樹脂を４１．１重量部、ビフェニルアラルキルエポキシ樹脂を２８．９重量部、ビフェニルアラルキル樹脂２２．９重量部にした以外は、実施例１と同様にした。
【００３３】
（実施例７）
フェノールノボラックシアネート樹脂を２９．１重量部、ビフェニルアラルキルエポキシ樹脂を４１．１重量部、フェノールアラルキル樹脂２２．７重量部にした以外は、実施例１と同様にした。
【００３４】
（実施例８）
フェノールノボラックシアネート樹脂を１３．２重量部、フェノールアラルキルエポキシ樹脂を３８．６重量部、ビフェニルアラルキル樹脂４１．１重量部にした以外は、実施例１と同様にした。
【００３５】
（実施例９）
フェノールノボラックシアネート樹脂の代わりに、ビスフェノールＡシアネート樹脂（プレポリマー化：３量化率４０％、商品名：チバガイギー社製Ｂ−４０）２２．９重量部を用いた以外は実施例１と同様にした。
【００３６】
（比較例１）
リン化合物であるトリフェニルホスフィンオキサイドを用いずに、フェノールノボラックシアネート樹脂を３０．０重量部、ビフェニルアラルキルエポキシ樹脂を３９．０重量部、ビフェニルアラルキル樹脂３１．０重量部とした以外は、実施例１と同様にした。
【００３７】
（比較例２）
シアネート樹脂を用いずに、ビフェニルアラルキルエポキシ樹脂を４９．９重量部、ビフェニルアラルキル樹脂３９．４重量部、トリフェニルホスフィンオキサイド１０．７重量部とした以外は、実施例１と同様にした。
【００３８】
（比較例３）
アラルキル変性エポキシ樹脂の代わりにフェノールノボラックエポキシ樹脂（エポキシ当量１９０、大日本インキ化学工業社製エピクロンＮ−７７０）３２．０重量部を用い、ビフェニルアラルキル樹脂３８．０重量部にした以外は、実施例１と同様にした。
【００３９】
（比較例４）
アラルキル樹脂の代わりにフェノールノボラック樹脂（水酸基当量１０５、住友ベークライト社製ＰＲ−５１４７０）１８．８重量部、ビフェニルアラルキルエポキシ樹脂を５１．２重量部にした以外は、実施例１と同様にした。
【００４０】
（性能評価）
得られた回路基板について難燃性、誘電特性、半田耐熱性、吸水率およびピール強度を測定した。
半田耐熱性、ピール強度、吸水率は、ＪＩＳ Ｃ ６４８１に準じて測定した。
なお、半田耐熱性は煮沸２時間の吸湿処理を行った後、２６０℃の半田槽に１２０秒浸漬した後、外観の異常の有無を調べた。
難燃性は１ｍｍ厚のサンプルをＵＬ−９４規格に従い垂直法で評価した。
ガラス転移点はレオメトリックス製  ＲＤＳ−７７００を用いて、昇温速度３℃／ｍｉｎ、周波数１Ｈｚで測定した。
誘電率、誘電正接の測定はＪＩＳ Ｃ ６４８１に準じて行い、周波数１ＭＨｚの静電容量を測定して求めた。
以上の結果を表１、２に示す。
【００４１】
【表１】
0005150991.tif 000007
【００４２】
【表２】
0005150991.tif 000008
【００４３】
評価結果を表１に示す。表１に示すように、実施例１〜９は、難燃性がＵＬ規格のＶ−０レベルであり、また、誘電率、誘電正接も低くなっている。このことから、本発明の樹脂組成物、プリプレグおよび回路基板は、難燃性および誘電特性に優れていることが明らかになった。
特に実施例１、２、５および８は、吸水率が低い。
また、特に実施例１および２は、吸水率が低いことに加え、ピール強度（密着性）が高い。
【００４４】
【発明の効果】
本発明により、誘電特性および難燃性に優れた樹脂組成物、プリプレグおよび回路基板を提供することができる。
また、シアネート樹脂、アラルキル変性エポキシ樹脂、アラルキル樹脂を特定の割合で配合する場合、特に密着性が高い樹脂組成物、プリプレグおよび回路基板を提供することができる。
また、アラルキル変性エポキシ樹脂またはアラルキル樹脂として、ビフェニルアラルキルエポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル樹脂を使用した場合、特に吸水性の低い樹脂組成物、プリプレグおよび回路基板を提供することができる。