(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（１）：
Ｑ１+Ａ−      （１）
［式中、Ｑ１+は、下記式（３）、（４）又は（５）で表されるオニウムカチオンを示し、Ａ−は含フッ素アニオンを示す。］で表されるオニウム塩の少なくとも１種、及び式（２）：
Ｑ２+Ｂ−      （２）
［式中、Ｑ２+は、下記式（３）、（４）又は（５）で表されるオニウムカチオンを示す。ただし、Ｑ２+は、同時にＱ１+と同一の下記式（３）、（４）又は（５）で表されるオニウムカチオンになることはない。Ｂ−はアニオンを示す。］で表されるオニウム塩の少なくとも１種を有効成分として含有することを特徴とする帯電防止剤。
式（３）：
【化１】
0005160167.tif 000010
［式（３）中、Ｒ１からＲ４は、同一又は異なっていてもよく、炭素数１から２０の炭化水素基を表す。］で表されるオニウムカチオン。
式（４）：
【化２】
0005160167.tif 000011
［式（４）中、Ｒ５からＲ８は、同一又は異なっていてもよく、炭素数１から２０の炭化水素基を表し、ヘテロ原子を含んでいてもよい。Ｒ５とＲ６及び／又はＲ７とＲ８はそれぞれ末端で結合し、環を形成していてもよい。］で表されるオニウムカチオン。
式（５）：
【化３】
0005160167.tif 000012
［式（５）中、Ｒ９は、炭素数３から１５の炭化水素基を表し、Ｒ１０は、炭素数１から２０の炭化水素基を表す。］で表されるオニウムカチオン。
【請求項２】
Ａ−で示される含フッ素アニオンが、ビス（パーフルオロアルカンスルホニル）イミドイオン、パーフルオロアルカンスルホン酸イオン、パーフルオロアルカンカルボン酸イオン、テトラフルオロホウ酸イオン又はヘキサフルオロリン酸イオンである請求項１に記載の帯電防止剤。
【請求項３】
Ｂ−で示されるアニオンが、ビス（パーフルオロアルカンスルホニル）イミドイオン、パーフルオロアルカンスルホン酸イオン、パーフルオロアルカンカルボン酸イオン、テトラフルオロホウ酸イオン、ヘキサフルオロリン酸イオン、アルカンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン又は無機酸イオンである請求項１又は２に記載の帯電防止剤。
【請求項４】
請求項１から３のいずれかに記載の帯電防止剤を樹脂に含有させてなることを特徴とする帯電防止性樹脂組成物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、帯電防止剤及びそれを含有してなる帯電防止性樹脂組成物に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、オニウム塩類は、例えば樹脂等の帯電防止剤として用いられている（例えば、特許文献１から３参照）。本発明者がオニウム塩類を１種類のみ樹脂に用いたところ、樹脂の表面抵抗値は１０１２Ω以上であり、電子材料等の用途によっては、樹脂の表面抵抗値をさらに低下できる帯電防止剤が望まれている。
【特許文献１】特開平２−１８５５４１号公報
【特許文献２】特開２００６−４５４２４号公報
【特許文献３】ＷＯ２００５／０６６２５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明は、従来に比べて表面抵抗値をより低下することができる、優れた帯電防止能を持つオニウム塩類を含有する帯電防止剤及びそれを含有してなる帯電防止性樹脂組成物を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明者が、上記課題を解決するために鋭意検討したところ、驚くべきことに式（１）：
Ｑ１+Ａ−      （１）
［式中、Ｑ１+は、下記式（３）、（４）又は（５）で表されるオニウムカチオンを示し、Ａ−は含フッ素アニオンを示す。］で表されるオニウム塩（以下、オニウム塩（１）という。）の少なくとも１種、及び式（２）：
Ｑ２+Ｂ−      （２）
［式中、Ｑ２+は、下記式（３）、（４）又は（５）で表されるオニウムカチオンを示す。ただし、Ｑ２+は、同時にＱ１+と同一の下記式（３）、（４）又は（５）で表されるオニウムカチオンになることはない。Ｂ−はアニオンを示す。］で表されるオニウム塩（以下、オニウム塩（２）という。）の少なくとも１種を併用して樹脂に配合したところ、これらの併用によって、併用しない場合に比べて樹脂の表面抵抗値がより低下することを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００５】
なお、「Ｑ２+は、同時にＱ１+と同一の下記式（３）、（４）又は（５）で表されるオニウムカチオンになることはない。」とは、（ａ）Ｑ１+が当該式（３）で表されるオニウムカチオンであるときには、Ｑ２+は当該式（４）又は（５）で表されるオニウムカチオンを示し、（ｂ）Ｑ１+が当該式（４）で表されるオニウムカチオンであるときには、Ｑ２+は当該式（３）又は（５）で表されるオニウムカチオンを示し、及び（ｃ）Ｑ１+が当該式（５）で表されるオニウムカチオンであるときには、Ｑ２+は当該式（３）又は（４）で表されるオニウムカチオンを示すことを意味する。
式（３）：
【０００６】
【化１】
0005160167.tif 000002
［式（３）中、Ｒ１からＲ４は、同一又は異なっていてもよく、炭素数１から２０の炭化水素基を表す。］で表されるオニウムカチオン。
式（４）：
【０００７】
【化２】
0005160167.tif 000003
［式（４）中、Ｒ５からＲ８は、同一又は異なっていてもよく、炭素数１から２０の炭化水素基を表し、ヘテロ原子を含んでいてもよい。Ｒ５とＲ６及び／又はＲ７とＲ８はそれぞれ末端で結合し、環を形成していてもよい。］で表されるオニウムカチオン。
式（５）：
【０００８】
【化３】
0005160167.tif 000004
［式（５）中、Ｒ９は、炭素数３から１５の炭化水素基を表し、Ｒ１０は、炭素数１から２０の炭化水素基を表す。］で表されるオニウムカチオン。
【０００９】
即ち、本発明は、オニウム塩（１）の少なくとも１種及びオニウム塩（２）の少なくとも１種を有効成分として含有することを特徴とする帯電防止剤並びに該帯電防止剤を樹脂に含有させてなることを特徴とする帯電防止性樹脂組成物に関する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、オニウム塩（１）の少なくとも１種及びオニウム塩（２）の少なくとも１種との併用によって、単独で用いた場合に比べて優れた帯電防止能を有する帯電防止剤を提供できる。また該帯電防止剤を樹脂に配合すれば、表面抵抗値をより低下させた帯電防止性樹脂組成物を提供できうる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明の帯電防止剤は、オニウム塩（１）の少なくとも１種及びオニウム塩（２）の少なくとも１種を有効成分として含有してなる。Ｑ１+及びＱ２+は、下記式（３）、（４）又は（５）で表されるいずれか１つのオニウムカチオン、Ａ−は含フッ素アニオン及びＢ−はアニオンからなるものが用いられる。
式（３）：
【００１２】
【化４】
0005160167.tif 000005
［式（３）中、Ｒ１からＲ４は、同一又は異なっていてもよく、炭素数１から２０の炭化水素基を表す。］で表されるオニウムカチオン。
式（４）：
【００１３】
【化５】
0005160167.tif 000006
［式（４）中、Ｒ５からＲ８は、同一又は異なっていてもよく、炭素数１から２０の炭化水素基を表し、ヘテロ原子を含んでいてもよい。Ｒ５とＲ６及び／又はＲ７とＲ８はそれぞれ末端で結合し、環を形成していてもよい。］で表されるオニウムカチオン。
式（５）：
【００１４】
【化６】
0005160167.tif 000007
［式（５）中、Ｒ９は、炭素数３から１５の炭化水素基を表し、Ｒ１０は、炭素数１から２０の炭化水素基を表す。］で表されるオニウムカチオン。
【００１５】
式（３）で表されるオニウムカチオンとしては、テトラアルキルホスホニウムカチオン及び前記アルキル基の一部がアルケニル基に置換されたもの等が挙げられる。具体例としては、テトラメチルホスホニウムカチオン、テトラエチルホスホニウムカチオン、テトラプロピルホスホニウムカチオン、テトラブチルホスホニウムカチオン、テトラペンチルホスホニウムカチオン、テトラヘキシルホスホニウムカチオン、テトラヘプチルホスホニウムカチオン、テトラオクチルホスホニウムカチオン、テトラノニルホスホニウムカチオン、テトラデシルホスホニウムカチオン、テトラドデシルホスホニウムカチオン、トリブチルメチルホスホニウムカチオン、トリヘキシルテトラデシルホスホニウムカチオン、トリフェニルメチルホスホニウムカチオン、トリフェニルエチルホスホニウムカチオン、トリフェニルブチルホスホニウムカチオン、トリフェニルヘプチルホスホニウムカチオン、トリフェニルドデシルホスホニウムカチオン、トリフェニルヘキサデシルホスホニウムカチオン、トリフェニルベンジルホスホニウムカチオン、テトラフェニルホスホニウムカチオン等が挙げられる。
【００１６】
式（４）で表されるオニウムカチオンとしては、テトラアルキルアンモニウムカチオン、前記アルキル基の一部がアルケニル基に置換されたもの、ピペリジニウムカチオン、ピロリジニウムカチオン、モルホリニウムカチオン、ビピロリジニウムカチオン、ビピペリジニウムカチオン等が挙げられる。具体例としては、テトラメチルアンモニウムカチオン、テトラエチルアンモニウムカチオン、テトラプロピルアンモニウムカチオン、テトラブチルアンモニウムカチオン、テトラペンチルアンモニウムカチオン、テトラヘキシルアンモニウムカチオン、テトラヘプチルアンモニウムカチオン、テトラオクチルアンモニウムカチオン、テトラノニルアンモニウムカチオン、テトラデシルアンモニウムカチオン、テトラドデシルアンモニウムカチオン、テトラアリルアンモニウムカチオン、トリオクチルメチルアンモニウムカチオン、ジデシルジメチルアンモニウムカチオン、ジオレイルジメチルアンモニウムカチオン、トリメチルヘキサデシルアンモニウムカチオン、１，１−ジメチルピペリジニウムカチオン、１−エチル−１−メチルピペリジニウムカチオン、１−メチル−１−プロピルピペリジニウムカチオン、１−ブチル−１−メチルピペリジニウムカチオン、１，１−ジメチルピロリジニウムカチオン、１−エチル−１−メチルピロリジニウムカチオン、１−メチル−１−プロピルピロリジニウムカチオン、１−ブチル−１−メチルピロリジニウムカチオン、１，１’−スピロビピロリジニウムカチオン等が挙げられる。
【００１７】
式（５）で表されるオニウムカチオンとしては、ピリジニウムカチオン等が挙げられる。具体例としては、１−メチルピリジニウムカチオン、１−エチルピリジニウムカチオン、１−プロピルピリジニウムカチオン、１−ブチルピリジニウムカチオン、１−ヘキシルピリジニウムカチオン、１−オクチルピリジニウムカチオン、１−デシルピリジニウムカチオン、１−ドデシルピリジニウムカチオン、１−ヘキサデシルピリジニウムカチオン、１−メチル−２−メチルピリジニウムカチオン、１−エチル−２−メチルピリジニウムカチオン、１−プロピル−２−メチルピリジニウムカチオン、１−ブチル−２−メチルピリジニウムカチオン、１−ヘキシル−２−メチルピリジニウムカチオン、１−オクチル−２−メチルピリジニウムカチオン、１−デシル−２−メチルピリジニウムカチオン、１−ドデシル−２−メチルピリジニウムカチオン、１−ヘキサデシル−２−メチルピリジニウムカチオン、１−メチル−３−メチルピリジニウムカチオン、１−エチル−３−メチルピリジニウムカチオン、１−プロピル−３−メチルピリジニウムカチオン、１−ブチル−３−メチルピリジニウムカチオン、１−ヘキシル−３−メチルピリジニウムカチオン、１−オクチル−３−メチルピリジニウムカチオン、１−デシル−３−メチルピリジニウムカチオン、１−ドデシル−３−メチルピリジニウムカチオン、１−ヘキサデシル−３−メチルピリジニウムカチオン、１−メチル−４−メチルピリジニウムカチオン、１−エチル−４−メチルピリジニウムカチオン、１−プロピル−４−メチルピリジニウムカチオン、１−ブチル−４−メチルピリジニウムカチオン、１−ヘキシル−４−メチルピリジニウムカチオン、１−オクチル−４−メチルピリジニウムカチオン、１−デシル−４−メチルピリジニウムカチオン、１−ドデシル−４−メチルピリジニウムカチオン、１−ヘキサデシル−４−メチルピリジニウムカチオン、１−メチル−３，５−ジメチルピリジニウムカチオン、１−エチル−３，５−ジメチルピリジニウムカチオン、１−プロピル−３，５−ジメチルピリジニウムカチオン、１−ブチル−３，５−ジメチルピリジニウムカチオン、１−ヘキシル−３，５−ジメチルピリジニウムカチオン、１−オクチル−３，５−ジメチルピリジニウムカチオン、１−デシル−３，５−ジメチルピリジニウムカチオン、１−ドデシル−３，５−ジメチルピリジニウムカチオン、１−ヘキサデシル−３，５−ジメチルピリジニウムカチオン、１−メチル−３，５−ジエチルピリジニウムカチオン等が挙げられる。
【００１８】
式（１）中、Ａ−で示される含フッ素アニオンとしては、フッ素原子を含有するアニオンであれば特に限定されないが、好ましくはビス（パーフルオロアルカンスルホニル）イミドイオン、パーフルオロアルカンスルホン酸イオン、パーフルオロアルカンカルボン酸イオン、テトラフルオロホウ酸イオン及びヘキサフルオロリン酸イオンである。ビス（パーフルオロアルカンスルホニル）イミドイオンとしては、式（６）：
（Ｒｆ１ＳＯ２）（Ｒｆ２ＳＯ２）Ｎ−      （６）
（式中、Ｒｆ１及びＲｆ２は同じであっても異なっていてもよく、炭素数１から４のパーフルオロアルキル基を示す。）で表されるアニオンであり、ここでＲｆ１及びＲｆ２で示される炭素数１から４のパーフルオロアルキル基としては、例えばトリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロプロピル基、ノナフルオロブチル基等が挙げられる。具体的には、ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドイオン、ビス（ペンタフルオロエタンスルホニル）イミドイオン、ヘプタフルオロプロパンスルホニル）イミドイオン、ノナフルオロブタンスルホニル）イミドイオン、［（トリフルオロメタンスルホニル）（ペンタフルオロエタンスルホニル）イミドイオン等が挙げられる。
【００１９】
パーフルオロアルカンスルホン酸イオンとしては、炭素数１から８のパーフルオロアルカンスルホン酸イオンが挙げられ、具体的には、例えばトリフルオロメタンスルホン酸イオン、ペンタフルオロエタンスルホン酸イオン、ヘプタフルオロプロパンスルホン酸イオン、ノナフルオロブタンスルホン酸イオン、ヘプタデカフルオロオクタンスルホン酸イオン等が挙げられる。
【００２０】
パーフルオロアルカンカルボン酸イオンとしては、炭素数１から８のパーフルオロアルカンカルボン酸イオンが挙げられる。具体的には、例えばトリフルオロ酢酸イオン、ペンタフルオロプロピオン酸イオン、ヘプタフルオロブタン酸イオン、ペンタデカフルオロオクタン酸イオン等が挙げられる。
【００２１】
式（２）中、Ｂ−で示されるアニオンとしては、前記ビス（パーフルオロアルカンスルホニル）イミドイオン、前記パーフルオロアルカンスルホン酸イオン、前記パーフルオロアルカンカルボン酸イオン、テトラフルオロホウ酸イオン及びヘキサフルオロリン酸イオンの他、無機酸イオン、アルカンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、アルカンカルボン酸イオン、アルキルベンゼンカルボン酸イオン、含シアノイオン又はハロゲンイオンであり、好ましくはビス（パーフルオロアルカンスルホニル）イミドイオン、パーフルオロアルカンスルホン酸イオン、パーフルオロアルカンカルボン酸イオン、アルカンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、無機酸イオンである。
【００２２】
無機酸イオンとしては、例えば過塩素酸イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、リン酸イオン、ホウ酸イオンが挙げられ、好ましくは過塩素酸イオン及び硝酸イオンである。
【００２３】
アルカンスルホン酸イオンとしては、例えばメタンスルホン酸イオン、エタンスルホン酸イオン、ブタンスルホン酸イオン、オクタンスルホン酸イオン等が挙げられる。アルキルベンゼンスルホン酸イオンとしては、例えばパラトルエンスルホン酸イオン、デシルベンゼンスルホン酸イオン、ドデシルベンゼンスルホン酸イオン、テトラデシルベンゼンスルホン酸イオン、又はこれらの分枝型が挙げられ、好ましくはドデシルベンゼンスルホン酸イオンである。
【００２４】
アルカンカルボン酸イオンとしては、例えばギ酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、ブタン酸イオン、オクタン酸イオン、デカン酸イオン等が挙げられる。アルキルベンゼンカルボン酸イオンとしては、例えば安息香酸イオン、サリチル酸イオン等が挙げられる。
【００２５】
含シアノイオンとしては、例えばジシアナミドイオン、チオシアン酸イオン等が挙げられる。ハロゲンイオンとしては、例えばフルオロイオン、クロロイオン、ブロモイオン又はヨードイオンが挙げられる。
【００２６】
オニウム塩（１）の具体例としては、以下に示すものが挙げられる。テトラブチルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、テトラブチルホスホニウム＝ビス（ペンタフルオロエタンスルホニル）イミド、テトラエチルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、テトラフェニルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、トリフェニルエチルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、トリフェニルブチルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、トリフェニルヘプチルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、トリフェニルベンジルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、テトラブチルホスホニウム＝トリフルオロメタンスルホナート、テトラブチルホスホニウム＝ペンタフルオロエタンスルホナート、テトラブチルホスホニウム＝ノナフルオロブタンスルホナート、テトラブチルホスホニウム＝ヘプタデカフルオロオクタンスルホナート、テトラエチルホスホニウム＝トリフルオロメタンスルホナート、テトラフェニルホスホニウム＝トリフルオロメタンスルホナート、トリフェニルエチルホスホニウム＝トリフルオロメタンスルホナート、トリフェニルブチルホスホニウム＝トリフルオロメタンスルホナート、トリフェニルヘプチルホスホニウム＝トリフルオロメタンスルホナート、トリフェニルベンジルホスホニウム＝トリフルオロメタンスルホナート、
【００２７】
テトラブチルホスホニウム＝トリフルオロアセタート、テトラエチルホスホニウム＝トリフルオロアセタート、テトラフェニルホスホニウム＝トリフルオロアセタート、トリフェニルエチルホスホニウム＝トリフルオロアセタート、トリフェニルブチルホスホニウム＝トリフルオロアセタート、トリフェニルヘプチルホスホニウム＝トリフルオロアセタート、トリフェニルベンジルホスホニウム＝トリフルオロアセタート、テトラブチルホスホニウム＝テトラフルオロボラート、テトラエチルホスホニウム＝テトラフルオロボラート、テトラフェニルホスホニウム＝テトラフルオロボラート、トリフェニルエチルホスホニウム＝テトラフルオロボラート、トリフェニルブチルホスホニウム＝テトラフルオロボラート、トリフェニルヘプチルホスホニウム＝テトラフルオロボラート、トリフェニルベンジルホスホニウム＝テトラフルオロボラート、テトラブチルホスホニウム＝ヘキサフルオロホスファート、テトラエチルホスホニウム＝ヘキサフルオロホスファート、テトラフェニルホスホニウム＝ヘキサフルオロホスファート、トリフェニルエチルホスホニウム＝ヘキサフルオロホスファート、トリフェニルブチルホスホニウム＝ヘキサフルオロホスファート、トリフェニルヘプチルホスホニウム＝ヘキサフルオロホスファート、トリフェニルベンジルホスホニウム＝ヘキサフルオロホスファート、
【００２８】
テトラブチルアンモニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、テトラヘキシルアンモニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、テトラオクチルアンモニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、テトラデシルアンモニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、テトラドデシルアンモニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、トリメチルヘキサデシルアンモニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、テトラアリルアンモニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１，１’−スピロビピロリジニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、トリブチルベンジルアンモニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、４−ヘキシル−４−メチルモルホリニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、
【００２９】
テトラブチルアンモニウム＝トリフルオロメタンスルホナート、テトラヘキシルアンモニウム＝トリフルオロメタンスルホナート、テトラオクチルアンモニウム＝トリフルオロメタンスルホナート、テトラデシルアンモニウム＝トリフルオロメタンスルホナート、テトラドデシルアンモニウム＝トリフルオロメタンスルホナート、トリオクチルメチルアンモニウム＝トリフルオロメタンスルホナート、トリメチルヘキサデシルアンモニウム＝トリフルオロメタンスルホナート、テトラアリルアンモニウム＝トリフルオロメタンスルホナート、１，１’−スピロビピロリジニウム＝トリフルオロメタンスルホナート、トリブチルベンジルアンモニウム＝トリフルオロメタンスルホナート、４−ヘキシル−４−メチルモルホリニウム＝トリフルオロメタンスルホナート、テトラブチルアンモニウム＝ノナフルオロブタンスルホナート、トリオクチルメチルアンモニウム＝ノナフルオロブタンスルホナート、
【００３０】
テトラブチルアンモニウム＝トリフルオロアセタート、テトラオクチルアンモニウム＝トリフルオロアセタート、トリオクチルメチルアンモニウム＝トリフルオロアセタート、トリメチルヘキサデシルアンモニウム＝トリフルオロアセタート、テトラブチルアンモニウム＝テトラフルオロボラート、テトラオクチルアンモニウム＝テトラフルオロボラート、トリオクチルメチルアンモニウム＝テトラフルオロボラート、トリメチルヘキサデシルアンモニウム＝テトラフルオロボラート、テトラブチルアンモニウム＝ヘキサフルオロホスファート、テトラオクチルアンモニウム＝ヘキサフルオロホスファート、トリオクチルメチルアンモニウム＝ヘキサフルオロホスファート、トリメチルヘキサデシルアンモニウム＝ヘキサフルオロホスファート、
【００３１】
１−メチルピリジニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１−エチルピリジニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１−ブチルピリジニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１−ヘキシルピリジニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１−オクチルピリジニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１−デシルピリジニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１−ドデシルピリジニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１−ヘキシデシルピリジニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１−メチル−４−メチルピリジニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１−エチル−４−メチルピリジニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１−ブチル−４−メチルピリジニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１−ヘキシル−４−メチルピリジニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１−オクチル−４−メチルピリジニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１−デシル−４−メチルピリジニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１−ドデシル−４−メチルピリジニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１−ヘキシデシル−４−メチルピリジニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１−ヘキシル−２−メチルピリジニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１−オクチル−２−メチルピリジニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１−ドデシル−２−メチルピリジニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１−ヘキシル−３−メチルピリジニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１−オクチル−３−メチルピリジニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１−ドデシル−３−メチルピリジニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１−ヘキシル−３，５−ジメチルピリジニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１−ヘキシル−４−メチルピリジニウム＝トリフルオロメタンスルホナート、１−ヘキシル−４−メチルピリジニウム＝トリフルオロアセタート、１−ヘキシル−４−メチルピリジニウム＝テトラフルオロボラート、１−ヘキシル−４−メチルピリジニウム＝ヘキサフルオロホスファート等が挙げられる。
【００３２】
オニウム塩（２）の具体例としては、前記に挙げたオニウム塩（１）の他、例えばテトラブチルホスホニウム＝メタンスルホナート、テトラブチルホスホニウム＝パラトルエンスルホナート、テトラブチルホスホニウム＝ドデシルベンゼンスルホナート、テトラブチルホスホニウム＝パークロラート、テトラブチルホスホニウム＝ニトラート、テトラブチルホスホニウム＝ブロミド、テトラエチルホスホニウム＝パラトルエンスルホナート、テトラエチルホスホニウム＝ドデシルベンゼンスルホナート、テトラエチルホスホニウム＝パークロラート、テトラエチルホスホニウム＝ニトラート、テトラフェニルホスホニウム＝メタンスルホナート、テトラフェニルホスホニウム＝パラトルエンスルホナート、テトラフェニルホスホニウム＝ドデシルベンゼンスルホナート、テトラフェニルホスホニウム＝パークロラート、テトラフェニルホスホニウム＝ニトラート、トリフェニルブチルホスホニウム＝メタンスルホナート、トリフェニルブチルホスホニウム＝パラトルエンスルホナート、トリフェニルブチルホスホニウム＝ドデシルベンゼンスルホナート、トリフェニルブチルホスホニウム＝パークロラート、トリフェニルブチルホスホニウム＝ニトラート、トリフェニルヘプチルホスホニウム＝メタンスルホナート、トリフェニルヘプチルホスホニウム＝パラトルエンスルホナート、トリフェニルヘプチルホスホニウム＝ドデシルベンゼンスルホナート、トリフェニルヘプチルホスホニウム＝パークロラート、トリフェニルヘプチルホスホニウム＝ニトラート、トリフェニルベンジルホスホニウム＝メタンスルホナート、トリフェニルベンジルホスホニウム＝パラトルエンスルホナート、トリフェニルベンジルホスホニウム＝ドデシルベンゼンスルホナート、トリフェニルベンジルホスホニウム＝パークロラート、トリフェニルベンジルホスホニウム＝ニトラート、
【００３３】
テトラブチルアンモニウム＝メタンスルホナート、テトラオクチルアンモニウム＝メタンスルホナート、テトラブチルアンモニウム＝パラトルエンスルホナート、テトラオクチルアンモニウム＝パラトルエンスルホナート、テトラブチルアンモニウム＝ドデシルベンゼンスルホナート、テトラオクチルアンモニウム＝ドデシルベンゼンスルホナート、テトラブチルアンモニウム＝パークロラート、テトラブチルアンモニウム＝ニトラート、テトラオクチルアンモニウム＝ニトラート、トリオクチルメチルアンモニウム＝メタンスルホナート、トリオクチルメチルアンモニウム＝パラトルエンスルホナート、トリオクチルメチルアンモニウム＝ドデシルベンゼンスルホナート、トリオクチルメチルアンモニウム＝パークロラート、トリオクチルメチルアンモニウム＝ニトラート、
【００３４】
１−メチルピリジニウム＝ドデシルベンゼンスルホナート、１−エチルピリジニウム＝ドデシルベンゼンスルホナート、１−ブチルピリジニウム＝ドデシルベンゼンスルホナート、１−ヘキシルピリジニウム＝ドデシルベンゼンスルホナート、１−オクチルピリジニウム＝ドデシルベンゼンスルホナート、１−デシルピリジニウム＝ドデシルベンゼンスルホナート、１−ドデシルピリジニウム＝ドデシルベンゼンスルホナート、１−ヘキシデシルピリジニウム＝ドデシルベンゼンスルホナート、１−ヘキシル−２−メチルピリジニウム＝ドデシルベンゼンスルホナート、１−オクチル−２−メチルピリジニウム＝ドデシルベンゼンスルホナート、１−ドデシル−２−メチルピリジニウム＝ドデシルベンゼンスルホナート、１−ヘキシル−３−メチルピリジニウム＝ドデシルベンゼンスルホナート、１−オクチル−３−メチルピリジニウム＝ドデシルベンゼンスルホナート、１−ドデシル−３−メチルピリジニウム＝ドデシルベンゼンスルホナート、１−メチル−４−メチルピリジニウム＝ドデシルベンゼンスルホナート、１−エチル−４−メチルピリジニウム＝ドデシルベンゼンスルホナート、１−ブチル−４−メチルピリジニウム＝ドデシルベンゼンスルホナート、１−ヘキシル−４−メチルピリジニウム＝ドデシルベンゼンスルホナート、１−オクチル−４−メチルピリジニウム＝ドデシルベンゼンスルホナート、１−デシル−４−メチルピリジニウム＝ドデシルベンゼンスルホナート、１−ドデシル−４−メチルピリジニウム＝ドデシルベンゼンスルホナート、１−ヘキシデシル−４−メチルピリジニウム＝ドデシルベンゼンスルホナート、１−ヘキシル−３，５−ジメチルピリジニウム＝ドデシルベンゼンスルホナート、１−オクチル−３，５−ジメチルピリジニウム＝ドデシルベンゼンスルホナート、１−ドデシル−３，５−ジメチルピリジニウム＝ドデシルベンゼンスルホナート、１−ヘキシル−３，５−ジエチルピリジニウム＝ドデシルベンゼンスルホナート、１−オクチル−３，５−ジエチルピリジニウム＝ドデシルベンゼンスルホナート、１−ドデシル−３，５−ジエチルピリジニウム＝ドデシルベンゼンスルホナート、１−ヘキシル−４−メチルピリジニウム＝メタンスルホナート、１−ヘキシル−４−メチルピリジニウム＝パラトルエンスルホナート、１−ヘキシル−４−メチルピリジニウム＝パークロラート、１−ヘキシル−４−メチルピリジニウム＝ニトラート等が挙げられる。
【００３５】
本発明の帯電防止剤にはオニウム塩（１）の少なくとも１種とオニウム塩（２）の少なくとも１種とを併用して用いるが、Ｑ２+は、同時にＱ１+と同一の前記式（３）、（４）又は（５）で表されるオニウムカチオンになることはない。かかる併用例としては、例えばテトラブチルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドと１−ヘキシル−４−メチルピリジニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、
テトラブチルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドと１−ヘキシル−４−メチルピリジニウム＝ヘキサフルオロホスファート、
テトラブチルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドと１−ヘキシル−４−メチルピリジニウム＝パークロラート、
テトラブチルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドとトリオクチルメチルアンモニウム＝トリフルオロメタンスルホナート、
テトラブチルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドとトリオクチルメチルアンモニウム＝ニトラート、
テトラブチルホスホニウム＝ノナフルオロブタンスルホナートとテトラオクチルメチルアンモニウム＝ドデシルベンゼンスルホナート、
トリフェニルヘプチルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドとトリオクチルメチルアンモニウム＝ニトラート、
トリメチルヘキサデシルアンモニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドと１−ヘキシル−４−メチルピリジニウム＝ドデシルベンゼンスルホナート、
１，１’−スピロビピロリジニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド
とトリヘキシルテトラデシルホスホニウム＝ジシアナミド、
テトラアリルアンモニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドとテトラブチルホスホニウム＝ドデシルベンゼンスルホナート等が挙げられる。
【００３６】
オニウム塩（１）の少なくとも１種とオニウム塩（２）の少なくとも１種との併用における両者の使用割合（重量）は、オニウム塩（１）：オニウム塩（２）として、通常５：９５から９５：５、好ましくは１０：９０から９０：１０である。
【００３７】
本発明の帯電防止剤を調製する方法としては、例えば、１）オニウム塩（１）の少なくとも１種とオニウム塩（２）の少なくとも１種とを、通常１００℃以上、好ましくは１００℃から１５０℃で、必要であれば撹拌しながら混合する方法、２）適当な溶媒中に、オニウム塩（１）の少なくとも１種とオニウム塩（２）の少なくとも１種とを溶解させた後、必要に応じて撹拌しながら混合し、溶媒を除去する方法等が挙げられるが、これら有効成分が均一に混合される方法であれば特に限定されない。１）の方法の場合は混合した後、２）の方法の場合は溶媒を除去した後、必要に応じて室温程度（約１０℃から３０℃）まで冷却すれば、固体又は液体として本発明の帯電防止剤が得られる。
【００３８】
本発明の樹脂への配合方法としては、１）オニウム塩（１）の少なくとも１種とオニウム塩（２）の少なくとも１種を予め前記の方法により混合した後樹脂に添加する方法、２）樹脂に対して、オニウム塩（１）の少なくとも１種とオニウム塩（２）の少なくとも１種を別々に添加する方法等が挙げられる。
【００３９】
本発明の帯電防止剤は必要に応じて安定化剤等の添加剤又は溶媒等を混合して用いることもできる。かかる帯電防止剤を、樹脂組成物製造時に樹脂に配合する等の方法で、帯電防止性樹脂組成物を製造することができる。
【００４０】
本発明の帯電防止性樹脂組成物に用いる樹脂としては、通常、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂及び光硬化性樹脂（例えば、アクリル系光硬化性樹脂）が挙げられる。熱可塑性樹脂としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン又はプロピレンと他のビニルモノマー、例えば酢酸ビニル、α−オレフィン、(メタ)アクリル酸エステル等との共重合体、ノルボルネン類の付加重合体、ノルボルネン類とα−オレインとの付加共重合体、ノルボルネン類の開環重合体水添ポリマー、シクロペンタジエンの開環重合体水添ポリマー、シクロヘキサジエンの開環重合体水添ポリマー等のポリオレフィン；ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン等の塩素含有樹脂；ポリスチレン、ＡＳ樹脂、ＡＢＳ樹脂、ＭＳ樹脂、ＭＢＳ樹脂等のスチレン樹脂；ポリアクリル酸、ポリメタアクリル酸、ポリメタクリル酸メチル等の（メタ）アクリル樹脂；芳香族ジヒドロキシ化合物（例えばビスフェノールＡ）と塩化カルボニル又はジフェニルカーボネートから製造される芳香族ポリカーボネート等のポリカーボネート；ナイロン４、ナイロン６、ナイロン８、ナイロン１１、ナイロン１２、ナイロン６６等のポリアミド；ポリエーテルイミド等の熱可塑性ポリイミド；ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート等のポリエステル；これらの混合物等が挙げられる。熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂（例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂等）、熱硬化性ポリイミド（例えば、ピロメリット酸無水物とビス（４−アミノフェニル）エーテルとの重縮合物等）、ポリウレタン、フェノール樹脂、アミノ樹脂（例えばメラミン樹脂、ウレア樹脂等）が例示でき、中でもエポキシ樹脂が好ましい。
【００４１】
本発明の樹脂組成物における本発明の帯電防止剤の含有量は、樹脂に対して０．１から３０重量％であり、好ましくは１から２０重量％、特に好ましくは２から１０重量％である。
【実施例】
【００４２】
つぎに、本発明を実施例に基づいて具体的に説明するが、本発明はなんらこれらに限定されるものではない。なお、以下の実施例中、表面抵抗値は三菱化学株式会社製ＨｉｒｅｓｔａＨＴ−２１０を用い、印加電圧５００Ｖにて測定した。
【００４３】
また、以下実施例において、各略号はそれぞれ下記のオニウム塩を示す。
ＴＢＰ−ＴＦＳＩ：テトラブチルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド
ＴＢＰ−ＮＦ：テトラブチルホスホニウム＝ノナフルオロブタンスルホナート
ＴＰｈＨＰ−ＴＦＳＩ：トリフェニルヘプチルホスホニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド
ＴＭＨＤＡ−ＴＦＳＩ：トリメチルヘキサデシルアンモニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド
ＳＢＰ−ＴＦＳＩ：１，１’−スピロビピロリジニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド
ＴＡＬＡ−ＴＦＳＩ：テトラアリルアンモニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド
１Ｈ４ＭＰｙ−ＴＦＳＩ：１−ヘキシル−４−メチルピリジニウム＝ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド
１Ｈ４ＭＰｙ−ＰＦ６：１−ヘキシル−４−メチルピリジニウム＝ヘキサフルオロホスファート
１Ｈ４ＭＰｙ−ＣｌＯ４：１−ヘキシル−４−メチルピリジニウム＝パークロラート
ＴＯＭＡ−ＴＦ：トリオクチルメチルアンモニウム＝トリフルオロメタンスルホナート
ＴＯＭＡ−ＮＯ３：トリオクチルメチルアンモニウム＝ニトラート
ＴＯＡ−ＤＢＳ：テトラオクチルアンモニウム＝ドデシルベンゼンスルホナート
１Ｈ４ＭＰｙ−ＤＢＳ：１−ヘキシル−４−メチルピリジニウム＝ドデシルベンゼンスルホナート
ＴＨＴＤＰ−ＤＣＡ：トリヘキシルテトラデシルホスホニウム＝ジシアナミド
ＴＢＰ−ＤＢＳ：テトラブチルホスホニウム＝ドデシルベンゼンスルホナート
【００４４】
実施例１
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂「エピコート８２８」（エポキシ当量  １８６ｇ／ｅｑ、登録商標、ジャパンエポキシレジン株式会社製）８．８０ｇ、硬化剤イミノビスプロピルアミン１．２０ｇ、ＴＢＰ−ＴＦＳＩと１Ｈ４ＭＰｙ−ＴＦＳＩの重量比５０：５０の混合物０．５０ｇ（樹脂に対して５重量％）を混合し、エポキシ樹脂組成物を得た。かかるエポキシ樹脂組成物を直径５０ｍｍ×深さ１０ｍｍの円形金型に流し込み、５０℃で１時間、さらに１００℃で６時間熱硬化させて試験片を作製した。試験片を２３℃、５０％ＲＨの雰囲気中に６時間保持した後、２３℃、５０％ＲＨで試験片の表面抵抗値を測定した。それらの測定結果を表１に示す。
【００４５】
実施例２〜１０
実施例１のＴＢＰ−ＴＦＳＩと１Ｈ４ＭＰｙ−ＴＦＳＩの重量比５０：５０の混合物に代えて、表１に示したオニウム塩（１）とオニウム塩（２）の重量比５０：５０の混合物の混合物を使用した以外は、実施例１と同様にして試験片を作製し、かかる試験片の表面抵抗値の測定を実施例１と同様にして行った。それらの結果を表１に示す。
【００４６】
【表１】
0005160167.tif 000008
【００４７】
比較例１〜１５
実施例１のＴＢＰ−ＴＦＳＩと１Ｈ４ＭＰｙ−ＴＦＳＩの重量比５０：５０の混合物に代えて、表２に示すオニウム塩（２）を単独使用した以外は、実施例１と同様にして試験片を作製し、かかる試験片の表面抵抗値の測定を実施例１と同様にして行った。それらの結果を表２に示す。
【００４８】
【表２】
0005160167.tif 000009
【００４９】
表１の結果から、本発明の帯電防止剤を配合したエポキシ樹脂組成物の試験片の表面抵抗値は１０８から１０１０Ω台であり、それぞれ単独で用いた表２の場合に比べて低い表面抵抗値が得られることが判った。