(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一方が透明な一対の基板と、前記一対の基板間に配置された液晶層と、前記一対の基板の少なくとも一方の基板に形成され、前記液晶層に電界を印加するための電極群と、前記電極群に接続された複数のアクティブ素子と、前記一対の基板の少なくとも一方の基板に配置された配向制御膜と、前記配向制御膜の少なくとも一方が、ほぼ直線に偏光した光を照射して配向規制力を付与した光反応性のポリイミド及びポリアミド酸エステルからなる配向制御膜であり、
前記ポリアミド酸エステルは、下記一般式（１１６）又は（１１７）で示される高分子単位構造を含むことを特徴とする液晶表示装置。
【化１１６】
0005150409.tif 000047
【化１１７】
0005150409.tif 000048
ただし、Ｒ１は、それぞれ独立に炭素数１〜８のアルキル基であり、Ｒ２は、それぞれ独立に水素原子、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、フェニル基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、ビニル基（−（ＣＨ２）ｍ−ＣＨ＝ＣＨ２，ｍ＝０，１，２）又はアルキニル基（−（ＣＨ２）ｍ−Ｃ≡ＣＨ，ｍ＝０，１，２）であり、Ａｒは芳香族化合物である。
【請求項２】
少なくとも一方が透明な一対の基板と、前記一対の基板間に配置された液晶層と、前記一対の基板の少なくとも一方の基板に形成され、前記液晶層に電界を印加するための電極群と、前記電極群に接続された複数のアクティブ素子と、前記一対の基板の少なくとも一方の基板に配置された配向制御膜と、前記配向制御膜の少なくとも一方が、ほぼ直線に偏光した光を照射して配向規制力を付与した光反応性のポリイミド及びポリアミド酸アルキルシリルエステルからなる配向制御膜であり、前記ポリアミド酸アルキルシリルエステルは、下記一般式（１１３）又は（１１４）で示される高分子単位構造を含むことを特徴とする液晶表示装置。
【化１１３】
0005150409.tif 000049
【化１１４】
0005150409.tif 000050
ただし、Ｒ１は、それぞれ独立に水素又は炭素数１〜８のアルキル基であり、Ｒ２は、それぞれ独立に水素原子、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、フェニル基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、ビニル基（−（ＣＨ２）ｍ−ＣＨ＝ＣＨ２，ｍ＝０，１，２）又はアルキニル基（−（ＣＨ２）ｍ−Ｃ≡ＣＨ，ｍ＝０，１，２）であり、Ａｒは芳香族化合物である。
【請求項３】
少なくとも一方が透明な一対の基板と、前記一対の基板間に配置された液晶層と、前記一対の基板の少なくとも一方の基板に形成され、前記液晶層に電界を印加するための電極群と、前記電極群に接続された複数のアクティブ素子と、前記一対の基板の少なくとも一方の基板に配置された配向制御膜と、前記配向制御膜の少なくとも一方が、ほぼ直線に偏光した光を照射して配向規制力を付与した光反応性のポリイミド及びポリアミド酸アミドからなる配向制御膜であり、前記ポリアミド酸アミドは、下記一般式（１０２）又は（１０３）で示される高分子単位を含むことを特徴とする液晶表示装置。
【化１０２】
0005150409.tif 000051
【化１０３】
0005150409.tif 000052
ただし、Ｒ１は、それぞれ独立に水素又は炭素数１〜８のアルキル基であり、Ｒ２は、それぞれ独立に水素原子、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、フェニル基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、ビニル基（−（ＣＨ２）ｍ−ＣＨ＝ＣＨ２，ｍ＝０，１，２）又はアルキニル基（−（ＣＨ２）ｍ−Ｃ≡ＣＨ，ｍ＝０，１，２）であり、Ａｒは芳香族化合物である。
【請求項４】
前記配向制御膜が、下記一般式（１２１）又は（１２２）で示されるポリアミド酸を含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【化１２１】
0005150409.tif 000053
【化１２２】
0005150409.tif 000054
ただし、Ｒ２は、それぞれ独立に水素原子、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、フェニル基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、ビニル基（−（ＣＨ２）ｍ−ＣＨ＝ＣＨ２，ｍ＝０，１，２）又はアルキニル基（−（ＣＨ２）ｍ−Ｃ≡ＣＨ，ｍ＝０，１，２）であり、Ａｒは芳香族化合物である。
【請求項５】
前記芳香族化合物Ａｒが、下記一般式（１）から（１１）の少なくとも何れか１つを含むことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【化１】
0005150409.tif 000055
【化２】
0005150409.tif 000056
【化３】
0005150409.tif 000057
【化４】
0005150409.tif 000058
【化５】
0005150409.tif 000059
【化６】
0005150409.tif 000060
【化７】
0005150409.tif 000061
【化８】
0005150409.tif 000062
【化９】
0005150409.tif 000063
【化１０】
0005150409.tif 000064
【化１１】
0005150409.tif 000065
ただし、芳香環の各水素原子は、それぞれ独立にフッ素原子、塩素原子、臭素原子、フェニル基、炭素数１〜８のアルキル基、アルコキシ基、ビニル基又はアルキニル基で置換されていてもよいことを特徴とする。また、Ｘは炭素数１〜８のアルキル基、アルコキシ基、ビニル基、アルキニル基の何れか、又は炭素数０〜８のアルキル基中に次の官能基（−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ２−、−ＮＨ−、−Ｎ＝Ｎ−、フェニル基）を含むことを特徴とし、またＹはフェニル基又はナフチル基又はアントラセン基又はピレン基などの芳香環であり、その芳香環の各水素原子はそれぞれ独立にフッ素原子、塩素原子、臭素原子、フェニル基、炭素数１〜８のアルキル基、アルコキシ基、ビニル基又はアルキニル基で置換されていてもよいことを特徴とする。またＺは、次の官能基（−ＣＨ2−、−ＣＯ2−、−ＮＨ−、−Ｏ−、−Ｓ−、―ＳＯ−、−ＳＯ2−）であり、該官能基の水素原子はフッ素原子、塩素原子、臭素原子、フェニル基、炭素数１〜８のアルキル基、アルコキシ基、ビニル基又はアルキニル基で置換されていてもよいことを特徴とする。
【請求項６】
前記液晶層に印加する電界が、前記電極群が形成された基板面に対してほぼ平行な成分をもっていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記配向制御膜上の液晶層を構成する液晶分子の長軸方向が、前記光照射したほぼ直線に偏光した偏光軸と平行又は直交していることを特徴とする請求項１乃至３又は５のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記液晶層の屈折率異方性をΔｎ、厚さをｄとしたときのリタデーションΔｎ・ｄが０．２μｍ≦Δｎ・ｄ≦０．５μｍを満たすことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記液晶層の液晶分子の誘電異方性Δεが正であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記液晶層のプレチルト角が１度以下であることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
前記配向制御膜を示す一般式（１０２）（１０３）（１１３）（１１４）（１１６）（１１７）（１２１）（１２２）のシクロブタン部が下記一般式（５１）から（５５）の少なくとも何れか一つを含む共重合体又混合体であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【化５１】
0005150409.tif 000066
【化５２】
0005150409.tif 000067
【化５３】
0005150409.tif 000068
【化５４】
0005150409.tif 000069
【化５５】
0005150409.tif 000070
ただし、芳香環の各水素原子は、それぞれ独立にフッ素原子、塩素原子、臭素原子、フェニル基、炭素数１〜８のアルキル基、アルコキシ基、ビニル基又はアルキル基で置換されていてもよいことを特徴とする。またＺは、次の官能基（−ＣＨ2−、−ＣＯ2−、−ＮＨ−、−Ｏ−、−Ｓ−、―ＳＯ−、−ＳＯ2−）であり、該官能基の水素原子はフッ素原子、塩素原子、臭素原子、フェニル基、炭素数１〜８のアルキル基、アルコキシ基、ビニル基又はアルキニル基で置換されていてもよい。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光配向法を適用した液晶表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
通常、液晶表示装置の表示は、一対の基板間に挟まれた液晶層の液晶分子に電界を印加することにより液晶分子の配向方向を変化させ、それにより生じた液晶層の光学特性の変化により行われる。従来、画素毎に薄膜トランジスタ等のスイッチング素子を備えた、所謂アクティブ駆動型液晶表示装置は、液晶層を挟持する一対の基板のそれぞれに電極を設け、液晶層に印加する電界の方向が基板界面に対してほぼ垂直になるように設定され、液晶層を構成する液晶分子の光旋光性を利用して表示を行うツイステッドネマチック（ＴＮ：Twisted Nematic）表示方式に代表される。このＴＮ方式の液晶表示装置においては視野角が狭いことが最大の課題とされている。
【０００３】
一方、一対の基板の一方に形成した櫛歯電極を用いて発生する電界が当該基板面にほぼ平行な成分を有するようにして液晶層を構成する液晶分子をほぼ基板と平行な面内で回転動作させ、液晶層の複屈折性を用いて表示を行うＩＰＳ方式が知られている。このＩＰＳ方式は液晶分子の面内スイッチングに起因して従来のＴＮ方式に比べて視野角が広く、低負荷容量である等の利点があり、ＴＮ方式に代わる新たな液晶表示装置として有望視され近年急速に進歩している。また、液晶層に電界を印加するための対の電極の少なくとも何れか一方を透明導電膜で構成することにより、透過率を向上させたＩＰＳ方式が下記特許文献１に開示されている。
【０００４】
このような視角特性（輝度コントラスト比、階調・色調反転）に優れ、表示の明るいＩＰＳ方式の液晶表示装置（以下「ＩＰＳ−ＴＦＴ−ＬＣＤ」という。）は、表示領域が大きなモニターやテレビなどへ向けた有力な技術である。液晶表示装置では、液晶層を挟持する一対の基板の当該液晶層との界面には液晶配向制御能を付与した配向制御膜が形成される。しかし、今後２０型以上のより大きな画面に対応したＩＰＳ−ＴＦＴ−ＬＣＤを実用化するには、サイズの大きい表示装置（大型パネル）用の新しい構造やプロセスの開発が必要である。
【０００５】
特に、液晶層に対面する表面に段差構造が多いＩＰＳ−ＴＦＴ−ＬＣＤにおいては、配向制御膜に大画面にわたって均一な配向処理を施すことは困難である。配向制御膜に配向処理を施す際のマージンは、従来型のＴＮ方式、とりわけ現在主流のノーマリオープン型ＴＮ方式（低電圧で明表示、高電圧で暗表示）に比べて著しく狭い。マージンが狭い理由は以下の（１）〜（３）に説明する３点である。
【０００６】
（１）段差構造
ＩＰＳ−ＴＦＴ−ＬＣＤにおいては、原理上数μｍ程度の幅を持つ細長い電極（櫛歯電極（Inter digital electrode）という場合もある。）を多数配設する必要がある。そのため、微細な段差構造が形成される。段差の大きさは電極の厚みやその上に形成される各種の膜の形状により決まるが、通常１０ｎｍ以上である。高透過率画素構造では、無機絶縁膜が厚く形成されており、無機絶縁膜以下の段差凹凸はある程度平坦化されている。したがって、高透過率画素構造の配向制御膜の段差は主に最上層の電極に起因している。これらの段差の表面上にポリイミド等の高分子膜からなる配向制御膜（配向膜ともいう。）が形成される。
【０００７】
従来の量産技術においては、この配向制御膜上をラビング処理し、液晶配向能（初期配向）を付与する。一方で、ラビング用の布は、太さが１０〜３０μｍ程度の細い繊維を束ねて構成されており、実質的にはこの細い繊維１本１本が配向膜の局所的な部分に一定方向の剪断力を与えることで液晶配向能を付与する処理がなされる。繊維としては数ミクロン程度の極細繊維も存在するが、ラビング用としてはある程度の摩擦力を付与するための剛性が要求されることから、このような極細繊維を用いたものは実用化されていない。ＩＰＳ方式での電極間隔は上記繊維の径と同程度、又は、それ以下の４〜３０μｍ程度であるため、段差近傍のラビングは十分になされず、配向が乱れやすい。この配向の乱れは黒レベルの上昇、及び、それによるコントラスト比の低下や、輝度の不均一性といった画質の低下を引き起こす。
【０００８】
（２）配向角
ＩＰＳ−ＴＦＴ−ＬＣＤにおいては、初期配向方向は原理上電極が伸びた方向、又は、それと垂直な方向からある一定以上の角度をもってずらして設定する必要がある。ここで電極とは、信号配線電極、画素内の共通電極、画素電極を指す。初期配向の方向をラビングで規定するには、前述のように１０〜３０μｍ程度の繊維で所定角度方向に擦る必要があるが、信号配線電極、画素内の共通電極、画素電極といった一定方向に伸びた配線とその端部の段差により、設定の角度から段差方向に繊維が引きずられてしまい配向が乱れ、それによる黒レベルの上昇などの画質低下を引き起こす。
【０００９】
（３）暗レベルの沈み込み
ＩＰＳ−ＴＦＴ−ＬＣＤの特徴の一つとして、暗レベル（黒表示）の沈み込みが良好である点が挙げられる。そのため、他の方式に比較して配向の乱れが目立ちやすい。従来のノーマリオープン型ＴＮ方式では暗レベルが高電圧を印加した状態で得られる。この場合、高電圧では液晶分子のほとんどが基板面に垂直な一方向である電界方向に揃っており、その液晶分子配列と偏光板の配置との関係で暗レベルが得られている。したがって、暗レベルの均一性は原理上低電圧時の初期配向状態にはあまり依存しない。さらに、人間の目は、輝度のムラを輝度の相対的な比率として認識し、かつ、対数スケールに近い反応をするため、暗レベルの変動には敏感である。この観点からも高電圧で強制的に一方向に液晶分子を配列させる従来のノーマリオープン型ＴＮ方式では、初期配向状熊に鈍感になり有利である。
【００１０】
一方、ＩＰＳ方式では、低電圧又は電圧ゼロにおいて暗レベルの表示をするため、初期配向状態の乱れには敏感である。特に、液晶分子配向方向を上下基板上で互いに平行とするホモジニアス配列とし、かつ、一方の偏光板の光透過軸をその液晶分子配向方向に平行、他方の偏光板を直交とした配置（複屈折モードと呼ばれる）では、液晶層に入射した偏光光は直線偏光をほとんど乱されずに伝搬する。このことは暗レベルを沈み込ませるのに有効である。
【００１１】
複屈折モードの透過率Ｔは、一般に、次の式で表せる。
Ｔ＝Ｔ０・ｓｉｎ２｛２θ（Ｅ）｝・ｓｉｎ２｛（π・ｄｅｆｆ・Δｎ）／λ｝
ここで、Ｔ０は係数で、主として液晶パネルに使用される偏光板の透過率で決まる数値、θ（Ｅ）は液晶分子の配向方向（液晶層の実効的な光軸）と偏光透過軸のなす角度、Ｅは印加電界強度、ｄｅｆｆは液晶層の実効的な厚さ、Δｎは液晶の屈折率異方性、λは光の波長を表す。また、液晶層の実効的な厚さｄｅｆｆと液晶の屈折率異方性Δｎの積、すなわち、ｄｅｆｆ・Δｎをリタデーションという。なお、ここでの液晶層の厚さｄｅｆｆは液晶層全体の厚さではなく、電圧が印加されたとき、実際に配向方向を変える液晶層の厚さに相当する。何故なら、液晶層の界面近傍の液晶分子は、界面でのアンカリングの影響により、電圧が印加されてもその配向方向を変えないためである。したがって、基板によって挟持された液晶層全体の厚さをｄＬＣとすると、この厚さｄＬＣとｄｅｆｆとの間には、常にｄｅｆｆ＜ｄＬＣの関係があり、その差は液晶パネルに用いる液晶材料と、液晶層と接する界面、例えば、配向膜材料の種類によって異なるが、概ね２０ｎｍ〜４０ｎｍ程度と見積もることができる。
【００１２】
上記の式から明らかなように、電界強度に依存するのはｓｉｎ２｛２θ（Ｅ）｝の項であり、角度θを電界強度Ｅに応じて変えることで輝度が調整できる。ノーマリークローズ型にするには電圧無印加時にθ＝０度となるよう偏光板を設定するため、初期配向方向の乱れに敏感になるように作用する。
【００１３】
このようにＩＰＳ方式では、配向均一性が非常に重要な要素であり、現在用いられているラビング法の問題が明らかになってきている。一般的に、ラビング配向処理には摩擦により発生する静電気によるＴＦＴ破損やラビング布の毛先の乱れや塵による配向乱れによる表示不良、さらには、ラビング布の交換頻度が多いなどラビング処理法に関わる問題が多い。これらのラビング配向処理の問題を解決する目的で、ラビングなしで液晶の配向させるいわゆる「ラビングレス」配向法が検討され、様々な方法が提案されている。そのなかでも、偏光した紫外線等を高分子膜の表面に照射し、ラビング処理をすることなく液晶分子を配向させる光配向法が提案されている。
【００１４】
その例として、下記非特許文献１に開示された方法は、従来のラビング処理を必要とせず、偏光した光照射により一定方向に液晶を配向させることが特徴である。この光配向法によれば、ラビング法による膜表面の傷や静電気等の問題がなく、また工業的な生産を考慮した際の製造プロセスとしてより簡便であることが利点であり、今後のラビング処理を用いない新たな液晶配向処理方法として注目されている。
【００１５】
これまでの報告で使用されている液晶配向膜材料として、偏光した光に対する光化学的感度を得る必要性から、高分子の側鎖に光反応性基を導入した高分子化合物を用いることが提案されている。その代表的な例としてポリビニルシンナメートが挙げられるが、この場合、光照射による側鎖部分での二量化により高分子膜中に異方性を発現し液晶を配向させるものと考えられている。また、その他として高分子材料中に低分子の二色性アゾ色素を分散し、この膜表面に対して偏光した光を照射することで一定の方向に液晶分子を配向させうることが提案されている。さらに、特定のポリイミド膜に偏光した紫外線等を照射することによって液晶分子が配向することが報告されている。この場合、光照射により、一定方向のポリイミド主鎖が分解することにより液晶配向を発現しているものと考えられる。
【特許文献１】特開平９−７３１０１号公報
【非特許文献１】ギボンズら、「ネイチャー」３５１巻、４９頁（１９９１年）（W.M.Gibbons et al., Nature, 351, 49(1991)）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
このようにラビング配向法の問題点を解決するラビングレス配向法として光照射による光配向法が提案、検討されているが、実用上以下のような問題点を抱えている。ポリビニルシンナメート等に代表される高分子側鎖に光反応性基を導入した高分子材料系では、配向の熱安定性が十分ではなく実用性の面ではまだ十分な信頼性が得られてはいない。また、この場合、液晶の配向を発現させる構造部位が高分子の側鎖部分であると考えられることから、液晶分子をより均一に配向させ、かつ、より強い配向を得る上では必ずしも好ましいとは言えない。また、低分子の二色性色素を高分子中に分散した場合には、液晶を配向させる色素自体が低分子であり、実用的な観点からみて熱的又は光に対する信頼性の面で課題が残されている。
【００１７】
さらに、特定のポリイミドに偏光した紫外線を照射する方法においては、ポリイミド自体としては耐熱性等の信頼性は高いものの、その配向機構が光による分解に起因していると考えられることから、実用面において十分な信頼性を確保するのが困難である。すなわち、今後この偏光照射を用いた液晶配向を実際に応用する場合には、液晶を単に初期的に配向させるだけでなく、信頼性の観点から、より安定な配向を発現させることが必要とされる。また、実際の工業的な応用を考えた場合、熱的にも安定な高分子構造を選択することが望まれている。これらの点で、従来、光照射による液晶配向に対して提案されている高分子材料は、配向規制力及びその安定性の面で必ずしも十分ではなく、光照射によるラビングレス配向を実現する大きな課題となっているのが実情である。
【００１８】
近年、配向の安定性に対する要求がさらに高まってきており、ポリアミド酸の加熱処理によるポリイミド光配向膜では、その要求レベルを満たせなくなってきている。発明者らの鋭意検討の結果、ポリアミド酸を加熱イミド化して得られるポリイミド光配向膜は加熱処理時の熱分解が顕著であり、分子量が大幅に低下するという現象が明らかになった。この熱分解による分子量の低下が液晶配向の安定性を低下させ、液晶表示装置における残像（焼付き）を発生させる原因になっていることを明らかにした。
【００１９】
本発明の目的は、以上のようなＩＰＳ−ＴＦＴ−ＬＣＤの固有の問題である配向処理の製造マージンが狭いという問題を解決し、初期配向方向の変動による表示不良の発生を低減し、かつ、安定な液晶配向を実現し、コントラスト比を高めた高品位な画質を有する、特に、大型の液晶表示装置を提供することにある。また、本発明の他の目的は、量産性に優れた高画質・高精細度の液晶表示装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
本発明は、少なくとも一方が透明な一対の基板と、前記一対の基板間に配置された液晶層と、前記一対の基板の少なくとも一方の基板に形成され、前記液晶層に電界を印加するための電極群と、前記電極群に接続された複数のアクティブ素子と、前記一対の基板の少なくとも一方の基板に配置された配向制御膜と、前記配向制御膜の少なくとも一方が、ほぼ直線に偏光した光を照射して配向規制力を付与した光反応性のポリイミド及びポリアミド酸エステルからなる配向制御膜であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２１】
以上、本発明によるポリアミド酸エステル材料は、加熱処理時の熱分解を低減できるため、光配向を適用した液晶表示装置の液晶配向の安定性を向上できるという利点がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
本発明による配向制御膜は、下記一般式（１０２）又は（１０３）で示されるポリアミド酸アミド、及び／又は下記一般式（１１３）又は（１１４）で示されるポリアミド酸アルキルシリルエステル、及び／又は下記一般式（１１６）又は（１１７）で示されるポリアミド酸エステルの高分子単位を含むことを特徴とする。ただし、Ｒ１は、それぞれ独立に水素又は炭素数１〜８のアルキル基であり、Ｒ２は、それぞれ独立に水素原子、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、フェニル基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、ビニル基（−（ＣＨ２）ｍ−ＣＨ＝ＣＨ２，ｍ＝０，１，２）又はアルキニル基（−（ＣＨ２）ｍ−Ｃ≡ＣＨ，ｍ＝０，１，２）であり、Ａｒは芳香族化合物である。
【化１０２】
0005150409.tif 000002
【化１０３】
0005150409.tif 000003
【化１１３】
0005150409.tif 000004
【化１１４】
0005150409.tif 000005
【化１１６】
0005150409.tif 000006
【化１１７】
0005150409.tif 000007
【００２３】
上記構造により、加熱処理時の熱分解を低減できるため、液晶配向の安定性が向上し、液晶表示装置における残像（焼付き）低減に非常に有効である。
【００２４】
本発明では、上述の配向制御膜が下記一般式（１２１）又は（１２２）で示されるポリアミド酸を含むことを特徴とする。ただし、Ｒ２は、それぞれ独立に水素原子、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、フェニル基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、ビニル基（−（ＣＨ２）ｍ−ＣＨ＝ＣＨ２，ｍ＝０，１，２）又はアルキニル基（−（ＣＨ２）ｍ−Ｃ≡ＣＨ，ｍ＝０，１，２）であり、Ａｒは芳香族化合物である。
【化１２１】
0005150409.tif 000008
【化１２２】
0005150409.tif 000009
【００２５】
上記ポリアミド酸を含むことにより、配向膜の比抵抗を低減することができるため、液晶表示装置の残像（焼付き）の低減に非常に有効である。
【００２６】
本発明では、上記芳香族化合物Ａｒが、下記一般式（１）から（１１）の少なくとも何れか１つを含むことを特徴とする。
【化１】
0005150409.tif 000010
【化２】
0005150409.tif 000011
【化３】
0005150409.tif 000012
【化４】
0005150409.tif 000013
【化５】
0005150409.tif 000014
【化６】
0005150409.tif 000015
【化７】
0005150409.tif 000016
【化８】
0005150409.tif 000017
【化９】
0005150409.tif 000018
【化１０】
0005150409.tif 000019
【化１１】
0005150409.tif 000020
【００２７】
ただし、芳香環の各水素原子は、それぞれ独立にフッ素原子、塩素原子、臭素原子、フェニル基、炭素数１〜８のアルキル基、アルコキシ基、ビニル基又はアルキル基で置換されていることを特徴とする。また、Ｘは炭素数１〜８のアルキル基、アルコキシ基、ビニル基、アルキニル基の何れか、又は炭素数０〜８のアルキル基中に次の官能基（−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ２−、−ＮＨ−、−Ｎ＝Ｎ−、フェニル基）を含むことを特徴とし、またＹはフェニル基又はナフチル基又はアントラセン基又はピレン基などの芳香環であり、その芳香環の各水素原子はそれぞれ独立にフッ素原子、塩素原子、臭素原子、フェニル基、炭素数１〜８のアルキル基、アルコキシ基、ビニル基又はアルキニル基で置換されていることを特徴とする。またＺは、次の官能基（−ＣＨ2−、−ＣＯ2−、−ＮＨ−、−Ｏ−、−Ｓ−、―ＳＯ−、−ＳＯ2−）であり、該官能基の水素原子はフッ素原子、塩素原子、臭素原子、フェニル基、炭素数１〜８のアルキル基、アルコキシ基、ビニル基又はアルキニル基で置換されていることを特徴とする。
【００２８】
一般式（７）から（１１）に示す化合物は具体的には以下に示す化合物群Ａのような構造である。
［化合物群Ａ］
0005150409.tif 000021
0005150409.tif 000022
0005150409.tif 000023
0005150409.tif 000024
0005150409.tif 000025
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0005150409.tif 000027
0005150409.tif 000028
ただし、化合物群Ａ中のnは0から8までの任意の数を表す。
【００２９】
本発明では、前記配向制御膜を示す一般式（１０２）（１０３）（１１３）（１１４）（１１６）（１１７）（１２１）（１２２）のシクロブタン部が下記一般式（５１）から（５５）の少なくとも何れか一つを含む共重合体又混合体であることを特徴とする。
【化５１】
0005150409.tif 000029
【化５２】
0005150409.tif 000030
【化５３】
0005150409.tif 000031
【化５４】
0005150409.tif 000032
【化５５】
0005150409.tif 000033
【００３０】
ただし、芳香環の各水素原子は、それぞれ独立にフッ素原子、塩素原子、臭素原子、フェニル基、炭素数１〜８のアルキル基、アルコキシ基、ビニル基又はアルキル基で置換されていることを特徴とする。またＺは、次の官能基（−ＣＨ2−、−ＣＯ2−、−ＮＨ−、−Ｏ−、−Ｓ−、―ＳＯ−、−ＳＯ2−）であり、該官能基の水素原子はフッ素原子、塩素原子、臭素原子、フェニル基、炭素数１〜８のアルキル基、アルコキシ基、ビニル基又はアルキニル基で置換されていることを特徴とする。
【００３１】
上記芳香環を含む構造とすることにより、配向膜の比抵抗を低減することができるため、液晶表示装置の残像（焼付き）の低減に非常に有効である。
【００３２】
なお、以下に示す実施例では、上述の配向制御膜のうち代表的な化学構造のものを用いたが、その他の化学構造のものについても効果が確認できた。
【００３３】
以下、本発明の実施例について、図面を参照して詳細に説明する。なお、以下では、薄膜トランジスタ等のアクティブ素子を形成した基板をアクティブマトリクス基板という。また、その対向基板にカラーフィルタを有する場合は、これをカラーフィルタ基板ともいう。また、本発明において、目標として望ましいコントラストは５００：１以上であり、目標とする残像が解消される時間は５分以内が望ましい。なお、残像の解消される時間は下記の実施例において定義される方法にて決定される。
【００３４】
［実施例１］
図１は、本実施例による液晶表示装置の１画素付近の模式断面図である。また、図２は、本実施例による液晶表示装置の１画素付近の構成を説明するアクティブマトリクス基板の模式図であり、図２（ａ）は平面図、図２（ｂ）は図２（ａ）に示すＡ−Ａ’線に沿った断面図、図２（ｃ）は図２（ａ）に示すＢ−Ｂ’線に沿った断面図を示す。また、図１は、図２（ａ）に示すＡ−Ａ’線に沿った断面の一部に対応する。
【００３５】
なお、図２（ｂ）と図２（ｃ）は、要部構成を強調して模式的に示すもので、図２（ａ）のＡ−Ａ’線とＢ−Ｂ’線の切断部に１対１で対応しない。例えば、図２（ｂ）では半導体膜１１６は図示せず、図２（ｃ）ではコモン電極１０３とコモン配線１２０を接続するスルーホール１１８は１箇所のみを代表して示してある。
【００３６】
本実施例では、アクティブマトリクス基板としてのガラス基板１０１上には、Ｃｒ（クロム）からなる走査配線（ゲート電極）１０４及び共通電極配線（コモン配線）１２０が配置され、このゲート電極１０４及びコモン配線１２０を覆うように窒化シリコンからなるゲート絶縁膜１０７が形成されている。また、ゲート電極１０４上には、ゲート絶縁膜１０７を介してアモルファスシリコン又はポリシリコンからなる半導体膜１１６が配置され、アクティブ素子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１１５の能動層として機能するようにされている。また、半導体膜１１６のパターンの一部に重畳するようにＣｒ・Ｍｏ（クロム・モリブデン）よりなる信号配線（ドレイン電極）１０６と画素電極（ソース電極）１０５が配置され、これら全てを被覆するように窒化シリコンよりなる保護絶縁膜１０８が形成されている。
【００３７】
また、図２（ｃ）に示すように、ゲート絶縁膜１０７と保護絶縁膜１０８を貫通して形成されたスルーホール１１８を介してコモン配線１２０に接続するコモン電極１０３がオーバーコート層（有機保護膜）１１２上に配置されている。また、図２（ａ）に示すように、平面的には１画素の領域において、その画素電極１０５に対向するように、コモン配線１２０からスルーホール１１８を介して引き出されているコモン電極１０３が形成されている。
【００３８】
本実施例においては、画素電極１０５は、有機保護膜１１２の下層の保護絶縁膜１０８のさらに下層に配置され、有機保護膜１１２上に共通電極１０３が配置された構成となっている。これらの複数の画素電極１０５と共通電極１０３とに挟まれた領域で、１画素が構成される構造となっている。また、以上のように構成した単位画素をマトリクス状に配置したアクティブマトリクス基板の表面、すなわち、共通電極１０３が形成された有機保護膜１１２上には配向制御膜１０９が形成されている。
【００３９】
一方、図１に示すように、対向基板を構成するガラス基板１０２には、カラーフィルタ層１１１が遮光膜（ブラックマトリクス）１１３で画素毎に区切られて配置され、また、カラーフィルタ層１１１及び遮光膜１１３上は、透明な絶縁性材料からなる有機保護膜１１２で覆われている。さらに、その有機保護膜１１２上にも配向制御膜１０９が形成されてカラーフィルタ基板を構成している。
【００４０】
これらの配向制御膜１０９は、高圧水銀ランプを光源とし、石英板を積層したパイル偏光子を用いて取り出される紫外線の直線偏光照射により液晶配向能が付与されている。
【００４１】
アクティブマトリクス基板を構成するガラス基板１０１とカラーフィルタ基板を構成するガラス基板１０２とが、配向制御膜１０９の面で対向配置され、これらの間に液晶分子１１０で構成される液晶層（液晶組成物層）１１０’が配置される。また、アクティブマトリクス基板を構成するガラス基板１０１及びカラーフィルタ基板を構成するガラス基板１０２の外側の面のそれぞれには、偏光板１１４が形成されている。
【００４２】
以上のようにして、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置（ＴＦＴ液晶表示装置）が構成される。このＴＦＴ液晶表示装置では、液晶組成物層１１０’を構成する液晶分子１１０は、電界無印加時には対向配置されているガラス基板１０１，１０２面にほぼ平行に配向された状態となり、光配向処理で規定された初期配向方向に向いた状態でホモジニアス配向している。
【００４３】
ここで、ゲート電極１０４に電圧を印加してＴＦＴ１１５をオンにすると、画素電極１０５と共通電極１０３の間の電位差により液晶組成物層１１０’に電界１１７が印加され、液晶組成物層１１０’が持つ誘電異方性と電界との相互作用により液晶組成物層１１０’を構成する液晶分子１１０は電界方向にその向きを変える。このとき液晶組成物層１１０’の屈折異方性と偏光板１１４の作用により液晶表示装置の光透過率を変化させ表示を行うことができる。
【００４４】
また、有機保護膜１１２は、絶縁性、透明性に優れるアクリル系樹脂、エポキシアクリル系樹脂又はポリイミド系樹脂などの熱硬化性樹脂を用いればよい。また、有機保護膜１１２として光硬化性の透明な樹脂を用いてもよいし、ポリシロキサン系の樹脂など無機系の材料を用いてもよい。さらには、有機保護膜１１２が配向制御膜１０９を兼ねるものであってもよい。
【００４５】
以上のように、本実施例によれば、配向制御膜１０９の液晶配向制御能をバフ布で直接摩擦するラビング配向処理ではなく、非接触の光配向法を用いることにより、電極近傍に局所的な配向の乱れがなく、表示領域全面に渡り均一な配向を付与することが可能となる。
【００４６】
一般的に、ＩＰＳ方式においては、従来のＴＮ方式に代表される縦電界方式と異なり基板面との界面チルトが原理的に必要なく、界面チルト角が小さいほど視角特性が良いことが知られており、光配向制御膜においても小さい界面チルト角が望ましく、特に、１度以下にすることにより、液晶表示装置の視角による色変化、明度変化を大幅に抑制することが出来るため、効果的である。
【００４７】
次に、本実施例の液晶表示装置の製造方法として、液晶配向制御膜のラビングレス配向法を用いた配向制御膜の形成について説明する。本実施例による配向制御膜の形成工程のフローは、以下（１）から（４）のようになる。
（１）配向制御膜の塗膜・形成（表示領域全面にわたり均一な塗膜を形成する）
（２）配向制御膜のイミド化焼成（ワニス溶剤の除去と耐熱性の高いポリイミド化を促進する）
（３）偏光照射による液晶配向能付与（表示領域に均一な配向能を付与する）
（４）（加熱、赤外線照射、遠赤外線照射、電子線照射、放射線照射）による配向能の促進・安定化
【００４８】
以上の４段階のプロセスを介して配向制御膜を形成するが、上記（１）から（４）のプロセスの順番に限定されるものではなく、以下（ａ）（ｂ）のような場合には更なる効果が期待される。
（ａ）上記（３）（４）を時間的に重なるように処理することにより液晶配向能付与を加速し架橋反応などを誘起することで、更に効果的に配向制御膜を形成することが可能となる。
（ｂ）上記（４）の加熱、赤外線照射、遠赤外線照射などを用いる場合には、上記（２）（３）（４）を時間的にオーバーラップさせることにより、上記（４）のプロセスが上記（２）のイミド化プロセスを兼ねることも可能となり、短時間に配向制御膜の形成が可能となる。
【００４９】
次に、本実施例の具体的な製造方法について説明する。アクティブマトリクス基板を構成するガラス基板１０１及びカラーフィルタ基板を構成するガラス基板１０２として、厚みが０．７ｍｍで表面を研磨したガラス基板を用いる。ガラス基板１０１に形成する薄膜トランジスタ１１５は、画素電極（ソース電極）１０５、信号配線（ドレイン電極）１０６、走査配線（ゲート電極）１０４及びアモルファスシリコン１１６から構成される。
【００５０】
走査配線１０４、共通電極配線１２０、信号配線１０６及び画素電極１０５は、全てクロム膜をパターニングして形成し、画素電極１０５と共通電極１０３との間隔は７μｍとした。なお、共通電極１０３と画素電極１０５については、低抵抗でパターニングの容易なクロム膜を使用したが、ＩＴＯ膜を使用することで透明電極を構成して、より高い輝度特性を達成することも可能である。
【００５１】
ゲート絶縁膜１０７と保護絶縁膜１０８は窒化珪素からなり、膜厚はそれぞれ０．３μｍとした。その上にはアクリル系樹脂を塗布し、２２０℃、１時間の加熱処理により透明で絶縁性のある有機保護膜１１２を形成した。
【００５２】
次に、フォトリソグラフィ、エッチング処理により、図２（ｃ）に示すように、共通電極配線１２０までスルーホール１１８を形成し、共通電極配線１２０と接続する共通電極１０３をパターニングして形成した。
【００５３】
その結果、単位画素（１画素）内では、図２（ａ）に示すように、画素電極１０５が３本の共通電極１０３の間に配置されている構成となり、画素数は１０２４×３（Ｒ、Ｇ、Ｂに対応）本の信号配線１０６と、７６８本の走査配線１０４とから構成される１０２４×３×７６８個とするアクティブマトリクス基板を形成した。
【００５４】
本実施例において、配向制御膜１０９として、下記一般式（１０１）に示されるようなポリアミド酸アミドワニスを、樹脂分濃度５重量％、ＤＭＡC６０重量％、γブチロラクトン２０重量％、ブチルセロソルブ１５重量％に調製し、アクティブマトリクス基板の上に印刷形成して熱処理によりイミド化し、イミド化率約８０％、膜厚約７０ｎｍの緻密なポリイミド及びポリアミド酸アミドからなる配向制御膜１０９を形成した。
【化１０１】
0005150409.tif 000034
【００５５】
同様に、ＩＴＯを成膜したもう一方のガラス基板１０２の表面にも同様のポリアミド酸アミドワニスを印刷形成し、イミド化率約８０％、約７０ｎｍの緻密なポリイミド及びポリアミド酸アミドからなる配向制御膜１０９を形成した。その表面に液晶配向能を付与するために、偏光ＵＶ（紫外線）光を配向制御膜１０９に照射した。光源には高圧水銀ランプを用い、干渉フィルタを介して、２４０ｎｍ〜３８０ｎｍの範囲のＵＶ光を取り出し、石英基板を積層したパイル偏光子を用いて偏光比約１０：１の直線偏光とし、約５Ｊ／ｃｍ２の照射エネルギーで照射した。その結果、配向制御膜表面の液晶分子の配向方向は、照射した偏光ＵＶの偏光方向に対し、直交方向であることがわかった。
【００５６】
次に、これらの２枚のガラス基板１０１、１０２をそれぞれの液晶配向能を有する配向制御膜１０９を有する表面を相対向させて、分散させた球形のポリマービーズからなるスペーサを介在させ、周辺部にシ−ル剤を塗布し、液晶表示装置となる液晶表示パネル（以下「セル」ともいう。）を組み立てた。２枚のガラス基板の液晶配向方向は互いにほぼ並行とした。このセルに、誘電異方性Δεが正で、その値が１０．２（１ｋＨｚ、２０℃）であり、屈折率異方性Δｎが０．０７５（波長５９０ｎｍ、２０℃）、ねじれ弾性定数Ｋ２が７．０ｐＮ、ネマティック−等方相転移温度Ｔ（Ｎ−Ｉ）が約７６℃のネマティック液晶組成物Ａを真空で注入し、紫外線硬化型樹脂からなる封止材で封止した。液晶層の厚み（ギャップ）は４．２μｍの液晶パネルを製作した。
【００５７】
この液晶表示パネルのリタデーション（Δｎ・ｄ）は、約０．３１μｍとなる。Δｎ・ｄは０．２μｍ≦Δｎ・ｄ≦０．５μｍの範囲が望ましく、この範囲を超えると白表示が色づいてしまうなどの問題がある。また、このパネルに用いた配向制御膜と液晶組成物とが同等のものを用いてホモジニアス配向の液晶表示パネルを作製し、クリスタルローテーション法を用いて液晶のプレチルト角を測定したところ約０．２度を示した。この液晶表示パネルを２枚の偏光板１１４で挾み、一方の偏光板の偏光透過軸を上記の液晶配向方向とほぼ平行とし、他方をそれに直交するように配置した。その後、駆動回路、バックライトなどを接続してモジュール化し、アクティブマトリクス型の液晶表示装置を得た。本実施例では、低電圧で暗表示、高電圧で明表示となるノーマリークローズ特性とした。
【００５８】
次に、本実施例の液晶表示装置の表示品位を評価したところ、コントラスト比５００対１の高品位な表示が確認されるとともに、中間調表示時における広視野角が確認された。
【００５９】
また、本実施例の液晶表示装置の画像の焼き付け、残像を定量的に測定するため、ホトダイオードを組合せたオシロスコープを用いて評価した。まず、画面上に最大輝度でウインドウパターンを２時間表示し、その後、残像が最も目立つ中間調表示、ここでは、輝度が最大輝度の１０％となるように全面を切り換え、ウインドウパターンのエッジ部のパターンが消えるまでの時間を残像緩和時間として評価した。ただし、ここで許容される残像緩和時間は５分以下である。その結果、使用温度範囲（０℃〜５０℃）において残像の緩和時間は１分以下であり、目視による画質残像検査においても、画像の焼き付け、残像による表示むらも一切見られず、高い表示特性が得られた。
【００６０】
従来、光配向では液晶の配向性を付与することはできるが、アンカリングエネルギー、すなわち、配向した液晶分子を配向膜表面に束縛するエネルギーが一般のラビング配向に比べ弱いと言われている。このアンカリングエネルギーが弱いと、液晶表示装置の製品としての信頼性が不足するとも言われている。特に、ホモジニアス配向の場合には、極角方向のアンカリングエネルギーよりも方位角方向のアンカリングエネルギーが重要といわれている。
【００６１】
そこで、この様にして得た液晶表示装置と同一の配向膜材料を用い、同一プロセスでガラス基板上に配向膜を形成、配向処理し、同一の液晶組成物を封入して液晶セルを作製し、トルクバランス法（長谷川ほか、液晶学会討論会講演予行集３Ｂ１２（２００１）ｐ．２５１）により、界面における液晶分子と配向膜表面とのねじれ結合の強さ、方位角方位アンカリングエネルギーＡ２を測定すると、８．５×１０−４Ｎ／ｍであった。
【００６２】
〔比較例〕
実施例１の効果を確認するための比較例として、配向制御膜ワニスの樹脂として次の一般式（１１１）に示すポリアミド酸を用い、熱処理によりイミド化率約８０％、膜厚７０ｎｍの配向制御膜を形成した以外は第１実施例の場合と同様にして、液晶表示装置を作製した。
【化１１１】
0005150409.tif 000035
【００６３】
これを実施例１と同様の方法で表示品位を評価したところ、実施例１の液晶表示装置とほぼ同等の広い視野角が確認され、コントラスト比が全面に亘り５００：１を上回る表示であることが確認された。しかし、実施例１と同様にして、この液晶表示装置の画像の焼き付け、残像の緩和時間を定量評価したところ、０℃〜５０℃の使用温度範囲において残像の緩和時間が約３０分であり、目視による画質残像検査においても残像の緩和時間が遅く、実施例１と同等の残像緩和特性は得られなかった。なお、方位角方位アンカリングエネルギーＡ２の値は約５．５×１０−４Ｎ／ｍであった。
【００６４】
［実施例２］
図３は、本実施例による液晶表示装置の１画素付近の模式断面図である。また、図４は、本実施例による液晶表示装置の１画素付近の構成を説明するアクティブマトリクス基板の模式図であり、図４（ａ）は平面図、図４（ｂ）は図４（ａ）に示すＡ−Ａ’線に沿った断面図、図４（ｃ）は図４（ａ）のＢ−Ｂ’線に沿った断面図を示す。また、図３は図４（ａ）に示すＡ−Ａ’線に沿った断面の一部に対応する。
【００６５】
なお、図４（ｂ）と図４（ｃ）は、要部構成を強調して模式的に示すもので、図４（ａ）のＡ−Ａ’線とＢ−Ｂ’線の切断部に１対１で対応しない。例えば、図４（ｂ）では半導体膜１１６は図示していない。
【００６６】
本実施例では、アクティブマトリクス基板を構成するガラス基板１０１上には、Ｃｒよりなるゲート電極１０４及び共通電極配線１２０が配置され、ゲート電極１０４と共通電極配線１２０を覆うように窒化シリコンからなるゲート絶縁膜１０７が形成されている。また、ゲート電極１０４上には、ゲート絶縁膜１０７を介してアモルファスシリコン又はポリシリコンからなる半導体膜１１６が配置され、アクティブ素子である薄膜トランジスタ１１５の能動層として機能するようにされている。
【００６７】
また、半導体膜１１６のパターンの一部に重畳するようにクロム・モリブデンよりなるドレイン電極１０６とソース電極（画素電極）１０５が配置され、これら全てを被覆するように窒化シリコンよりなる保護絶縁膜１０８が形成されている。この保護絶縁膜１０８上には、有機保護膜１１２が配置されている。この有機保護膜１１２は、例えば、アクリル樹脂などの透明な材料から構成する。また、画素電極１０５はＩＴＯ（Ｉｎ２Ｏ３：Ｓｎ）などの透明電極から構成されている。共通電極１０３は、ゲート絶縁膜１０７、保護絶縁膜１０８及び有機保護膜１１２を貫通するスルーホール１１８を介して、共通電極配線１２０に接続している。
【００６８】
液晶を駆動する電界を与える場合に、画素電極１０５と対をなす共通電極１０３は、平面的に１画素の領域を囲うように形成されている。また、この共通電極１０３は、有機保護膜１１２の上に配置されている。そして、この共通電極１０３は、上部から見たときに下層に配置しているドレイン電極１０６、走査配線１０４及び能動素子である薄膜トランジスタ１１５を隠すように配置され、半導体膜１１６を遮光する遮光層を兼ねている。
【００６９】
以上のように構成した単位画素（１画素）をマトリクス状に配置したアクティブマトリクス基板を構成するガラス基板１０１の表面、すなわち、有機保護膜１１２上及びその上に形成された共通電極１０３の上には、配向制御膜１０９が形成されている。一方、対向基板を構成するガラス基板１０２にも、カラーフィルタ層１１１の上に形成される有機保護膜１１２の上には、配向制御膜１０９が形成されている。
【００７０】
ここで、実施例１と同様に、高圧水銀ランプを光源とし、石英板を積層したパイル偏光子を用いて取り出される紫外線の直線偏光照射により、これらの配向制御膜１０９に液晶配向能が付与されている。
【００７１】
そして、ガラス基板１０１と対向ガラス基板１０２が、配向制御膜１０９の形成面で対向配置され、これらの間に液晶分子１１０で構成された液晶組成物層１１０’が配置される。また、ガラス基板１０１及び対向ガラス基板１０２の外側の面のそれぞれには偏光板１１４が形成されている。
【００７２】
このように、本実施例においても、先に述べた実施例１と同様に、画素電極１０５は、有機保護膜１１２及び保護絶縁膜１０８の下層に配置され、画素電極１０５と有機保護膜１１２との上に共通電極１０３が配置された構成となっている。また、共通電極１０３の電気抵抗が十分低い場合には、この共通電極１０３は、最下層に形成されている共通電極配線１２０も兼ねることができる。その際には、最下層に配置している共通電極配線１２０の形成及びそれに伴うスルーホール１１８の加工を省くことができる。
【００７３】
本実施例では、図４（ａ）に示すように、格子状に形成された共通電極１０３に囲まれた領域で１画素が構成され、画素電極１０５と合わせて１画素を４つの領域に分割するように配置されている。また、画素電極１０５及びそれと対向する共通電極１０３がお互いに平行に配置されたジグザグな屈曲構造からなり、１画素が２つ以上の複数の副画素を形成している。これにより面内での色調変化を相殺する構造となっている。
【００７４】
次に、本実施例による液晶表示装置の製造方法について説明する。ガラス基板１０１及び１０２としては、厚みが０．７ｍｍで表面を研磨したガラス基板を用いる。薄膜トランジスタ１１５は、画素電極（ソース電極）１０５、信号配線（ドレイン電極）１０６、走査配線（ゲート電極）１０４及びアモルファスシリコン１１６から構成される。走査配線１０４は、アルミニウム膜をパターニングし、共通電極配線１２０及び信号配線１０６は、クロム膜をパターニングし、画素電極１０５は、ＩＴＯ膜をパターニングし、図４（ａ）に示すように、走査配線１０４以外は、ジグザグに屈曲した電極配線パターンに形成した。その際、屈曲の角度は１０度に設定した。ゲート絶縁膜１０７と保護絶縁膜１０８は窒化珪素からなり、膜厚はそれぞれ０．３μｍとした。
【００７５】
次に、フォトリソグラフィ法とエッチング処理により、図４（ｃ）に示すように、共通電極配線１２０まで約１０μｍ径の円筒状にスルーホール１１８を形成し、その上にはアクリル系樹脂を塗布し、２２０℃、で１時間の加熱処理により透明で絶縁性のある誘電率約４の有機保護膜１１２を約１μｍ厚に形成した。この有機保護膜１１２により表示領域の画素電極１０５の段差起因の凹凸を平坦化し、また、隣接する画素間のカラーフィルタ層１１１の境界部分の段差凹凸を平坦化した。
【００７６】
その後、約７μｍ径にスルーホール１１８を再度エッチング処理し、その上から共通電極配線１２０と接続する共通電極１０３を、ＩＴＯ膜をパターニングして形成した。その際、画素電極１０５と共通電極１０３との間隔は７μｍとした。さらに、この共通電極１０３は、信号配線１０６、走査配線１０４及び薄膜トランジスタ１１５の上部を覆い画素を囲むように格子状に形成し、遮光層を兼ねるようにした。
【００７７】
その結果、単位画素内では図４（ａ）に示すように、画素電極１０５が３本の共通電極１０３の間に配置されている構成となり、画素数は１０２４×３（Ｒ、Ｇ、Ｂに対応）本の信号配線１０６と、７６８本の走査配線１０４とから構成される１０２４×３×７６８個とするアクティブマトリクス基板が得られた。
【００７８】
本実施例では、配向制御膜１０９として、下記一般式(１１２)に示されるようなポリアミド酸トリメチルシリルエステルワニスを、樹脂分濃度５重量％、ＤＭＡC６０重量％、γブチロラクトン２０重量％、ブチルセロソルブ１５重量％に調製し、上記アクティブマトリクス基板の上に印刷形成して熱処理によりイミド化し、イミド化率約８０％、膜厚約６０ｎｍの緻密なポリイミド及びポリアミド酸アルキルシリルエステルからなる配向制御膜１０９を形成した。
【化１１２】
0005150409.tif 000036
【００７９】
その配向処理方法は、実施例１と同様の偏光ＵＶを約３Ｊ／ｃｍ２の照射エネルギーで照射した。ただし、偏光ＵＶ照射中に、配向制御膜の形成してある基板をホットプレート上で約１５０℃に加熱処理も同時に実施した。
【００８０】
次に、これらの２枚のガラス基板をそれぞれの液晶配向膜を有する表面を相対向させて、分散させた球形のポリマービーズからなるスペーサを介在させて、周辺部にシール剤を塗布し、液晶表示パネルを組み立てた。２枚のガラス基板の液晶配向方向は互いにほぼ並行とした。
【００８１】
この液晶表示パネルに誘電異方性Δεが正でその値が１０．２（１ｋＨｚ、２０℃）であり、屈折率異方性Δｎが０．０７５（波長５９０ｎｍ、２０℃）、ねじれ弾性定数Ｋ２が７．０ｐＮ、ネマティック−等方相転移温度Ｔ（Ｎ−Ｉ）が約７６℃のネマティック液晶組成物Ａを真空で注入し、紫外線硬化型樹脂からなる封止材で封止した。液晶層の厚み（ギャップ）は４．２μｍの液晶パネルを製作した。このパネルのリタデーション（Δｎｄ）は、約０．３１μｍとなる。
【００８２】
また、この液晶表示パネルに用いた配向制御膜と液晶組成物とが同等のものを用いてホモジニアス配向の液晶表示パネルを作製し、クリスタルローテーション法を用いて液晶のプレチルト角を測定したところ約０．２度を示した。このパネルを２枚の偏光板１１４で挾み、一方の偏光板の偏光透過軸を上記の液晶配向方向とほぼ平行とし、他方をそれに直交するように配置した。その後、駆動回路、バックライトなどを接続してモジュール化し、アクティブマトリクス型の液晶表示装置を得た。本実施例では、低電圧で暗表示、高電圧で明表示となるノーマリークローズ特性とした。
【００８３】
次に、本実施例による液晶表示装置の表示品位を評価したところ、実施例１の液晶表示装置に比べて開口率が高く、コントラスト比６００：１の高品位な表示が確認されるとともに、中間調表示時における広視野角も確認された。また、実施例１と同様にして、この液晶表示装置の画像の焼き付け、残像の緩和時間を定量評価したところ、０℃〜５０℃の使用温度範囲において残像の緩和時間は約１分であり、目視による画質残像検査においても、画像の焼き付け、残像による表示むらも一切見られず、実施例１と同等の高い表示特性が得られた。
【００８４】
［実施例３］
図５は、本実施例による液晶表示装置の１画素付近の模式断面図である。図中、前記した各実施例の図面と同一符号は同一機能部分に対応する。図５に示すように、本実施例では、保護絶縁膜１０８の下層に配置した画素電極１０５を、スルーホール１１８を介して有機保護膜１１２上に引き上げて共通電極１０３と同層に配置した。この構成とした場合には、液晶を駆動する電圧をさらに低減することが可能である。
【００８５】
以上のように構成されたＴＦＴ液晶表示装置では、電界無印加時には、液晶組成物層１１０’を構成する液晶分子１１０は対向配置されているガラス基板１０１と１０２の面にほぼ平行な状態となり、光配向処理で規定された初期配向方向に向いた状態でホモジニアス配向している。ここで、ゲート電極１０４に電圧を印加して薄膜トランジスタ１１５をオンにすると、画素電極１０５と共通電極１０３との間の電位差により液晶組成物層１１０’に電界１１７が印加され、液晶組成物が持つ誘電異方性と電界との相互作用により液晶分子１１０は電界方向にその向きを変える。このとき液晶組成物層１１０’の屈折異方性と偏光板１１４の作用により液晶表示装置の光透過率を変化させ表示を行うことができる。
【００８６】
以下、本実施例による液晶表示装置の製造方法について説明する。ガラス基板１０１と１０２としては、厚みが０．７ｍｍで表面を研磨したガラス基板を用いる。薄膜トランジスタ１１５は、画素電極（ソース電極）１０５、信号配線（ドレイン電極）１０６、走査配線（ゲート電極）１０４及びアモルファスシリコン１１６から構成される。走査配線１０４はアルミニウム膜をパターニングし、共通電極配線１２０、信号配線１０６及び画素電極１０５はクロム膜をパターニングして形成した。ゲート絶縁膜１０７と保護絶縁膜１０８は窒化珪素からなり、膜厚はそれぞれ０．３μｍとした。その上にアクリル系樹脂を塗布し、２２０℃、１時間の加熱処理により透明で絶縁性のある誘電率約４の有機保護膜１１２を約１．０μｍ厚に形成した。この有機保護膜１１２により表示領域の画素電極１０５の段差起因の凹凸を平坦化し、また、隣接する画素間の段差凹凸を平坦化した。
【００８７】
次に、フォトリソグラフィ法とエッチング処理により、図５に示すように、ソース電極１０５まで約１０μｍ径の円筒状にスルーホール１１８を形成し、その上からソース電極１０５と接続する画素電極１０５を、ＩＴＯ膜をパターニングして形成した。また、共通電極配線１２０についても約１０μｍ径の円筒状にスルーホールを形成し、その上からＩＴＯ膜をパターニングして共通電極１０３を形成した。その際、画素電極１０５と共通電極１０３との間隔は７μｍとし、走査配線１０４以外は、ジグザグに屈曲した電極配線パターンに形成した。その際、屈曲の角度は１０度に設定した。さらに、この共通電極１０３は信号配線１０６、走査配線１０４及び薄膜トランジスタ１１５の上部を覆い画素を囲むように格子状に形成し、遮光層を兼ねるようにした。
【００８８】
その結果、単位画素内に２種類のスルーホールが形成されている以外は、実施例２とほぼ同様に、画素電極１０５が３本の共通電極１０３の間に配置されている構成となり、画素数は１０２４×３（Ｒ、Ｇ、Ｂに対応）本の信号配線１０６と、７６８本の走査配線１０４とから構成される１０２４×３×７６８個とするアクティブマトリクス基板を形成した。
【００８９】
以上のように、画素構造と、用いる配向制御膜以外は、実施例２と同様として、図５に示すように、液晶表示装置を作製した。本実施例で用いた配向制御膜は、下記一般式（１１５）に示されるようなポリアミド酸エステルワニスを、樹脂分濃度５重量％、ＤＭＡC６０重量％、γブチロラクトン２０重量％、ブチルセロソルブ１５重量％に調製し、上記基板上に印刷形成して熱処理によりイミド化し、イミド化率約８０％、膜厚約８０ｎｍの緻密なポリイミド及びポリアミド酸エステルからなる配向制御膜１０９を形成した。
【化１１５】
0005150409.tif 000037
【００９０】
その配向処理方法は、実施例１と同様の偏光ＵＶを約６Ｊ／ｃｍ２の照射エネルギーで照射した。ただし、偏光ＵＶ照射中に、配向制御膜の形成してある基板をホットプレート上で約１８０℃に加熱処理も同時に実施した。
【００９１】
次に、本実施例による液晶表示装置の表示品位を評価したところ、実施例１の液晶表示装置と同等の高品位な表示が確認されるとともに、中間調表示時における広視野角も確認された。また、実施例１と同様にして、本実施例による液晶表示装置の画像の焼き付け、残像の緩和時間を定量評価したところ、残像の緩和時間は１分以下であり、目視による画質残像検査においても、画像の焼き付け、残像による表示むらも一切見られず、高い表示特性が得られた。
【００９２】
図５に示すように、ＴＦＴ１１５に直接接続されている画素電極１０５が基板最表面に形成され、その上には薄い配向制御膜１０９が形成される場合には、通常のラビング配向処理を行うと摩擦による帯電が発生し、場合によっては表面近傍の画素電極を介してＴＦＴ１１５がダメージを受けることがある。このような場合は、本実施例のようなラビングレスの光配向処理が非常に有効である。
【００９３】
［実施例４］
図６は、本実施例による液晶表示装置の１画素付近の模式断面図である。図中、前記した各実施例の図面と同一符号は同一機能部分に対応する。本実施例では、電極などによる段差が大きい構造となっている。図６において、薄膜トランジスタ１１５のゲート電極１０４と共通電極１０３とを同層に形成し、共通電極１０３と画素電極１０５による電界１１７によって、液晶分子１１０はその電界方向に向きを変える。
【００９４】
また、上記した各実施例においては、１つの画素における共通電極１０３と画素電極１０５から構成される表示領域は、複数組設けることが可能である。このように、複数組設けることによって、１つの画素が大きい場合でも、画素電極１０５と共通電極１０３との間の距離を短くできるので、液晶を駆動させるために印加する電圧を小さくできる。
【００９５】
また、上記した各実施例においては、画素電極と共通電極の少なくとも一方を構成する透明導電膜の材料としては、特に制限はないが、加工の容易さ、信頼性の高さ等を考慮して、インジウム・チン・オキサイド（ＩＴＯ）のようなチタン酸化物にイオンドープされた透明導電膜又はイオンドープされた亜鉛酸化物を用いるのが望ましい。
【００９６】
本実施例による液晶表示装置の製造方法において、ガラス基板１０１と１０２としては、厚みが０．７ｍｍで表面を研磨したガラス基板を用いる。薄膜トランジスタ１１５は画素電極（ソース電極）１０５、信号配線（ドレイン電極）１０６、走査配線（ゲート電極）１０４及びアモルファスシリコン１１６から構成される。走査配線１０４、共通電極配線１２０、信号配線１０６、画素電極１０５及び共通電極１０３は、全てクロム膜をパターニングして形成し、画素電極１０５と共通電極１０３との間隔は７μｍとした。ゲート絶縁膜１０７と保護絶縁膜１０８は窒化珪素からなり、膜厚はそれぞれ０．３μｍとした。
【００９７】
本実施例では、配向制御膜１０９として、下記一般式（１１８）に示すポリアミド酸エステルと、下記一般式（１１９）に示すポリアミド酸とを、重量比で７：３に混合したものを樹脂分とし、樹脂分濃度５重量％、ＤＭＡC６０重量％、γブチロラクトン２０重量％、ブチルセロソルブ１５重量％に調製し、上記基板上に印刷形成して熱処理によりイミド化し、イミド化率約８０％、膜厚約１００ｎｍの緻密なポリイミド及びポリアミド酸エステルからなる配向制御膜１０９を形成した。
【化１１８】
0005150409.tif 000038
【化１１９】
0005150409.tif 000039
この配向制御膜の比抵抗を測定したところ、１．５×１０１５Ωｃｍであった。
【００９８】
その後、赤外線を照射しながら、高圧水銀ランプからの光を干渉フィルタ、石英のパイル偏光子を介して２２０ｎｍ〜３８０ｎｍの波長範囲の偏光ＵＶを照射エネルギー約３Ｊ／ｃｍ２で照射し光配向処理を施した。その結果、画素数は１０２４×３（Ｒ、Ｇ、Ｂに対応）本の信号配線１０６と、７６８本の走査配線１０４とから構成される１０２４×３×７６８個とするアクティブマトリクス基板を形成した。
【００９９】
以上のように、画素構造以外は実施例１と同様として、図６に示す本実施例の液晶表示装置を作製した。
【０１００】
本実施例による液晶表示装置の表示品位を評価したところ、実施例１の液晶表示装置と同等の高品位な表示が確認されるとともに、中間調表示時における広視野角も確認された。次に、実施例１と同様にして、本実施例による液晶表示装置の画像の焼き付け、残像の緩和時間を定量評価したところ、残像の緩和時間は３分以下であり、目視による画質残像検査においても、画像の焼き付け、残像による表示不良は認められなかった。
【０１０１】
また、配向制御膜ワニスの樹脂として一般式（１１８）に示すポリアミド酸エステルのみを用い、同様の方法で液晶表示装置を作製した。
【化１１８】
0005150409.tif 000040
この配向制御膜の比抵抗を測定したところ、６．０×１０１５Ωｃｍであった。
【０１０２】
この液晶表示装置の表示品位を評価したところ、高品位な表示が確認されるとともに、中間調表示時における広視野角も確認された。次に、同様の方法で、液晶表示装置の画像の焼き付け、残像の緩和時間を定量評価したところ、残像の緩和時間は５分であり、緩和時間はやや長くなったが、本発明が解決する課題に対し問題ないことを確認した。
【０１０３】
［実施例５］
図７は、本実施例による液晶表示装置の１画素付近の模式断面図である。図中、前記した各実施例の図面と同一符号は同一機能部分に対応する。本実施例において、画素電極１０５と共通電極１０３は、ＩＴＯにより形成されており、共通電極１０３は画素のほぼ全体を覆うベタ電極で構成されている。本構成により電極上も透過部として利用することができ、開口率を向上することができる。また、電極間隔を短くすることができ、電界を効率よく液晶に印加できる。
【０１０４】
図８は、本実施例による液晶表示装置の１画素付近の構成を説明するアクティブマトリクス基板の模式図で、薄膜トランジスタ１１５、共通電極１０３、画素電極１０５、信号配線１０６の構造を示す。
【０１０５】
本実施例による液晶表示装置の製造方法において、ガラス基板１０１としては、厚みが０．７ｍｍで表面を研磨したガラス基板を用いる。ガラス基板１０１上には、共通電極１０３、画素電極１０５、信号配線１０６及び走査配線１０４の短絡を防止するためのゲート絶縁膜１０７と、薄膜トランジスタ１１５、画素電極１０５及び信号配線１０６を保護する保護絶縁膜１０８を形成してＴＦＴ基板とする。
【０１０６】
薄膜トランジスタ１１５は、画素電極（ソース電極）１０５、信号配線（ドレイン電極）１０６、走査配線（ゲート電極）１０４及びアモルファスシリコン１１６から構成される。走査配線（ゲート電極）１０４はアルミニウム膜をパターニングし、信号配線（ドレイン電極）１０６はクロム膜をパターニングし、そして共通電極１０３と画素電極１０５とはＩＴＯをパターニングして形成する。
【０１０７】
ゲート絶縁膜１０７と保護絶縁膜１０８は窒化珪素からなり、膜厚はそれぞれ０．２μｍと０．３μｍとした。容量素子は画素電極１０５と共通電極１０３でゲート絶縁膜１０７と保護絶縁膜１０８を挟む構造として形成する。
【０１０８】
画素電極１０５は、ベタ形状の共通電極１０３の上層に重畳する形で配置されている。画素数は１０２４×３（Ｒ，Ｇ，Ｂに対応）本の信号配線１０６と、７６８本の走査配線１０４とから構成される１０２４×３×７６８個とする。
【０１０９】
ガラス基板１０２上には、実施例１と同様に、ブラックマトリクス１１３付きカラーフィルタ層１１１を形成し、対向カラーフィルタ基板とした。
【０１１０】
次に、配向制御膜１０９として、下記一般式（１２０）に示すポリアミド酸エステルを樹脂分とし、樹脂分濃度５重量％、ＤＭＡC６０重量％、γブチロラクトン２０重量％、ブチルセロソルブ１５重量％に調製し、上記基板上に印刷形成して熱処理によりイミド化し、イミド化率約８０％、膜厚約１１０ｎｍの緻密なポリイミド及びポリアミド酸エステルからなる配向制御膜１０９を形成した。
【化１２０】
0005150409.tif 000041
この配向制御膜の比抵抗を測定したところ、４．５×１０１５Ωｃｍであった。
【０１１１】
同様に、ＩＴＯを成膜したもう一方のガラス基板１０２の表面にも同様のポリアミド酸エステルワニスを印刷形成して熱処理によりイミド化し、イミド化率約８０％、約１１０ｎｍの緻密なポリイミド及びポリアミド酸エステルからなる配向制御膜１０９を形成した。
【０１１２】
その表面に液晶配向能を付与するために、遠赤外線を照射しながら、偏光ＵＶ（紫外線）光を配向制御膜１０９に照射した。光源には高圧水銀ランプを用い、２４０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲のＵＶ光を取り出し、石英基板を積層したパイル偏光子を用いて偏光比約１０：１の直線偏光とし、約２．５Ｊ／ｃｍ２の照射エネルギーで照射した。そのときの配向制御膜の温度は約１８０℃であった。その結果、配向制御膜表面の液晶分子の配向方向は、照射した偏光ＵＶの偏光方向に対し、直交方向であることがわかった。
【０１１３】
ＴＦＴ基板及びカラーフィルタ基板における配向制御膜１０９の配向方向は互いにほぼ平行とした。これらの基板間に平均粒径が４μｍの高分子ビーズをスペーサとして分散し、ＴＦＴ基板とカラーフィルタ基板との間に液晶分子１１０を挟み込んだ。液晶分子１１０は、実施例１と同じ液晶組成物Ａを用いた。
【０１１４】
ＴＦＴ基板とカラーフィルタ基板とを挟む２枚の偏光板１１４はクロスニコルに配置した。そして、低電圧で暗状態となり、高電圧で明状態をとるノーマリークローズ特性を採用した。
【０１１５】
次に、本実施例による液晶表示装置の表示品位を評価したところ、実施例１の液晶表示装置に比べて開口率が高く、コントラスト比７００：１の高品位な表示が確認されるとともに、中間調表示時における広視野角も確認された。また、１実施例１と同様にして、この液晶表示装置の画像の焼き付け、残像の緩和時間を定量評価したところ、０℃〜５０℃の使用温度範囲において残像の緩和時間は約５分であり、目視による画質残像検査においても、画像の焼き付け、残像による表示むらも一切見られず、実施例１と同等の高い表示特性が得られた。
【０１１６】
［実施例６］
本実施例では、配向制御膜１０９として一般式（１２０）に示される高分子鎖中に下記一般式（１２５）に示されるようなポリアミド酸エステルの構造を約２０％含む共重合体ワニスを用いた他は実施例５と同様にして液晶表示装置を作成した。
【化１２５】
0005150409.tif 000042
この配向制御膜の比抵抗を測定したところ、５．２×１０１４Ωｃｍであった。
【０１１７】
次にこの液晶表示装置の表示品位を評価したところ、コントラスト比６９０：１の高品位な表示が確認されるとともに、中間調表示時における広視野角も確認された。また、実施例１と同様にして、この液晶表示装置の画像の焼き付け、残像の緩和時間を定量評価したところ、０℃〜５０℃の使用温度範囲において残像の緩和時間は３分であり、目視による画質残像検査においても、画像の焼き付け、残像による表示むらも一切見られず、非常に高い表示特性が得られた。
【０１１８】
［実施例７］
本実施例では、配向制御膜１０９として下記一般式（１２３）に示されるようなポリアミド酸エステルワニスを用いた他は実施例５と同様にして液晶表示装置を作成した。
【化１２３】
0005150409.tif 000043
この配向制御膜の比抵抗を測定したところ、５．７×１０１５Ωｃｍであった。
【０１１９】
次にこの液晶表示装置の表示品位を評価したところ、コントラスト比７３０：１の高品位な表示が確認されるとともに、中間調表示時における広視野角も確認された。また、実施例１と同様にして、この液晶表示装置の画像の焼き付け、残像の緩和時間を定量評価したところ、０℃〜５０℃の使用温度範囲において残像の緩和時間は５分であり、目視による画質残像検査においても、画像の焼き付け、残像による表示むらも一切見られず、非常に高い表示特性が得られた。
【０１２０】
［実施例８］
本実施例では、配向制御膜１０９として、下記一般式（１２３）および（１２４）に示されるようなポリアミド酸エステルの混合体ワニスを用いた他は実施例５と同様にして液晶表示装置を作成した。なお、（１２３）と（１２４）の混合比率は重量比で７対３とした。
【化１２３】
0005150409.tif 000044
【化１２４】
0005150409.tif 000045
この配向制御膜の比抵抗を測定したところ、２．５×１０１４Ωｃｍであった。
【０１２１】
次にこの液晶表示装置の表示品位を評価したところ、コントラスト比７１０：１の高品位な表示が確認されるとともに、中間調表示時における広視野角も確認された。また、実施例１と同様にして、この液晶表示装置の画像の焼き付け、残像の緩和時間を定量評価したところ、０℃〜５０℃の使用温度範囲において残像の緩和時間は３分であり、目視による画質残像検査においても、画像の焼き付け、残像による表示むらも一切見られず、非常に高い表示特性が得られた。
【０１２２】
［実施例９］
本実施例では、配向制御膜１０９として一般式（１２０）に示される高分子鎖中に下記一般式（１２６）に示されるようなポリアミド酸エステルの構造を約１５％含む共重合体ワニスを用いた他は実施例５と同様にして液晶表示装置を作成した。
【化１２６】
0005150409.tif 000046
この配向制御膜の比抵抗を測定したところ、７．１×１０１４Ωｃｍであった。
【０１２３】
次にこの液晶表示装置の表示品位を評価したところ、コントラスト比７３０：１の高品位な表示が確認されるとともに、中間調表示時における広視野角も確認された。また、実施例１と同様にして、この液晶表示装置の画像の焼き付け、残像の緩和時間を定量評価したところ、０℃〜５０℃の使用温度範囲において残像の緩和時間は３分であり、目視による画質残像検査においても、画像の焼き付け、残像による表示むらも一切見られず、非常に高い表示特性が得られた。
【図面の簡単な説明】
【０１２４】
【図１】実施例１の画素構成を説明する画素部分の断面図
【図２】実施例１の画素構成を説明する画素部分の平面図及び断面図
【図３】実施例２の画素構成を説明する画素部分の断面図
【図４】実施例２の画素構成を説明する画素部分の平面図及び断面図
【図５】実施例３の画素構成を説明する画素部分の断面図
【図６】実施例４の画素構成を説明する画素部分の断面図
【図７】実施例５の画素構成を説明する画素部分の断面図
【図８】実施例５の画素構成を説明する画素部分の平面図
【符号の説明】
【０１２５】
１０１，１０２  ガラス基板、１０３  共通電極（コモン電極）、１０４  走査配線（ゲート電極）、１０５  画素電極（ソース電極）、１０６  信号配線（ドレイン電極）、１０７  ゲート絶縁膜、１０８  保護絶縁膜、１０９  配向制御膜、１１０  液晶分子、１１０’  液晶層（液晶組成物層）、１１１  カラーフィルタ層、１１２  有機保護膜（オーバーコート層）、１１３  遮光膜（ブラックマトリクス）、１１４  偏光板、１１５  薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、１１６  半導体膜（アモルファスシリコン又はポリシリコン）、１１７  電界方向、１１８  スルーホール、１２０  共通電極配線（コモン配線）。
【図１】
0005150409.tif 000071
【図２】
0005150409.tif 000072
【図３】
0005150409.tif 000073
【図４】
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【図５】
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【図６】
0005150409.tif 000076
【図７】
0005150409.tif 000077
【図８】
0005150409.tif 000078