(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
フィルムデバイス製造用支持体を用い、前記フィルムデバイス製造用支持体上にフィルム基材を貼り合わせる工程と、前記フィルム基材上にデバイスを製造する工程とを有し、前記フィルム基材上に複数のデバイスが形成されたフィルムデバイスを製造する、フィルムデバイスの製造方法に用いられるフィルムデバイス製造用支持体であって、
基材と、前記基材上にパターン状に形成され、粘着性樹脂からなり、前記フィルム基材を剥離可能なように粘着させることが可能な粘着層と、を有し、
前記粘着層が、上記基材上に粘着層が形成されている領域と、粘着層が形成されていない領域とがあるようにパターニングされたものであることを特徴とする、フィルムデバイス製造用支持体。
【請求項２】
請求項１に記載のフィルムデバイス製造用支持体を用い、
前記フィルムデバイス製造用支持体の前記粘着層上に、フィルム基材を剥離可能なように粘着させるフィルム基材粘着工程と、
前記フィルム基材の表面上にデバイスを作製するデバイス作製工程と、
前記デバイスが作製されたフィルム基材を、前記フィルムデバイス製造用支持体の粘着層から剥離するフィルム基材剥離工程と、を有することを特徴とする、フィルムデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はフィルム基材上に複数のデバイスが形成されたフィルムデバイスを製造するために用いられるフィルムデバイス製造用支持体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置、有機ＥＬ表示装置、電気泳動型表示装置に代表される半導体装置においては、基材上に複数のＴＦＴが規則的に配列されたＴＦＴ基材が用いられている。このようなＴＦＴ基材においては、基材上にＴＦＴを形成する際に高温での加熱処理を伴うことから、上記基材としては耐熱性を備える石英ガラスや耐熱ガラス等が用いられてきた。しかしながら、このような石英ガラスや耐熱ガラスは重く、また割れやすいという問題点があったことから、これをフィルム基材に変更することが望まれていた。
【０００３】
上記基材としてフィルム基材を用いる場合、フィルム基材は従来の石英ガラスや耐熱ガラスなどのようにリジッドなものではなく、可撓性を有するものであるため、変形が生じ
易い点が問題になっていた。すなわち、上記フィルム基材上に有機ＴＦＴなどのデバイスを作製する場合、通常、このようなデバイスを形成するには複数の工程を実施することが必要になるため、性能に優れたデバイスを形成するには各工程におけるアライメントを正確に調整することが不可欠になる。しかしながら、フィルム基材は上述したように変形し易いという特徴を有するものであるため、各工程においてアライメントを正確に調整することが困難であり、デバイスを精度良く作製することができないということが問題になっていた。
【０００４】
このような状況下、上記のような問題点を解決するために、フィルム基材を粘着剤からなる固定層によって支持体上に固定し、この固定されたフィルム基材上に有機ＴＦＴを形成する方法が開示されている（例えば、特許文献１）。この方法は、図８に例示するように、基材１０１上に、粘着剤からなる固定層１０２が形成された構成を有する支持体１００を用い（図８（ａ））、上記支持体１００の固定層１０２上にフィルム基材１１０を接着し（図８（ｂ））、上記フィルム基材１１０上に有機ＴＦＴ等のデバイス１２０を作製し（図８（ｃ））、次いで、上記デバイス１２０が作製されたフィルム基材１１０を剥離する（図８（ｄ））ことにより、上記フィルム基材１１０上に、有機ＴＦＴ等のデバイス１２０が形成されたフィルムデバイス１３０を製造するものである（図８（ｅ））。
このような製造方法によればフィルム基材の可撓性に起因してフィルム基材が変形してしまうことを防止できるため、デバイスを作製する各工程において、アライメントが大きくズレてしまうという問題点を解消することができる。
【０００５】
しかしながら、フィルム基材を用いてデバイスを作製する際に問題となるのは、フィルム基材の可撓性に起因する大きなアライメントのズレは勿論のことであるが、これに加えて有機ＴＦＴのような極微細なデバイスを製造する際には、ミクロンオーダーでのフィルム基材の熱収縮等も大きな問題となる。この点、上記図８に記載したような方法は、上記フィルム基材の可撓性に起因するアライメントのズレは解消し得るが、上記固定層の熱変形に伴って、上記フィルム基材に寸法変化が生じることを防止することはできないという問題点があった。このため、上述したような方法では、フィルム基材上に微小なデバイスが形成されたフィルムデバイスを製造することは、なお困難であるという問題点があった。
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−２７８８２２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明はこのような問題点に鑑みてなされたものであり、フィルム基材上に微小なデバイスを高精度で作製し、性能に優れたフィルムデバイスを作製することが可能なフィルムデバイス製造用支持体を提供することを主目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために本発明は、フィルムデバイス製造用支持体を用い、上記フィルムデバイス製造用支持体上にフィルム基材を貼り合わせる工程と、上記フィルム基材上にデバイスを製造する工程とを有し、上記フィルム基材上に複数のデバイスが作製されたフィルムデバイスを製造する、フィルムデバイスの製造方法に用いられるフィルムデバイス製造用支持体であって、基材と、上記基材上にパターン状に形成され、粘着性樹脂からなり、上記フィルム基材を剥離可能なように粘着させることが可能な粘着層と、を有することを特徴とする、フィルムデバイス製造用支持体を提供する。
【０００９】
本発明のフィルムデバイス製造用支持体によれば、上記粘着層がパターン状に形成されていることにより、仮に本発明のフィルムデバイス製造用支持体を用いてフィルムデバイスを作製する際に、粘着層に熱膨張あるいは熱収縮等による寸法変化が生じた場合であっても、その変形が上記粘着層上に貼り合わされたフィルム基材に影響し、フィルム基材自体にも寸法変化が生じてしまうことを防止することができる。このため、本発明によれば上記フィルム基材に微小な寸法変化が生じることを効果的に防止することができ、本発明のフィルムデバイス製造用支持体を用いてフィルムデバイスを作製する際に、各工程におけるアライメントを高精度で制御することができる。
このようなことから、本発明のフィルムデバイス製造用支持体によれば、フィルム基材上に微小なデバイスを高精度で作製し、性能に優れたフィルムデバイスを作製することができる。
【００１０】
本発明のフィルムデバイス製造用支持体においては、上記粘着層が、上記基材上に粘着層が形成されている領域と、粘着層が形成されていない領域とがあるようにパターニングされたものであることが好ましい。本発明に用いられる粘着層は、上記粘着層の表面に溝が形成されるような態様でパターニングされたものであってもよいものであるが、上記基材上に粘着層が形成されている領域と、粘着層が形成されていない領域とがあるようにパターニングされていることにより、パターニングされた個々の粘着層に生じる寸法変化をより小さくすることができる結果、粘着層上に貼り合わされるフィルム基材に寸法変化が生じることをさらに防止できるからである。
【００１１】
また本発明は、上記本発明に係るフィルムデバイス製造用支持体を用い、上記フィルムデバイス製造用支持体の上記粘着層上に、フィルム基材を剥離可能なように粘着させるフィルム基材粘着工程と、上記フィルム基材の表面上にデバイスを作製するデバイス作製工程と、上記デバイスが作製されたフィルム基材を、上記フィルムデバイス製造用支持体の粘着層から剥離するフィルム基材剥離工程と、を有することを特徴とする、フィルムデバイスの製造方法を提供する。
【００１２】
本発明のフィルムデバイスの製造方法によれば、上記フィルム基材粘着工程においてフィルム基材が貼り合わされる支持体として、上記本発明に係るフィルムデバイス製造用支持体が用いられていることにより、上記デバイス作製工程において微小かつ高性能なデバイスを上記フィルム基材上に作製することが可能になる。このため、本発明によればフィルム基材上に微小なデバイスが高精度で作製され、性能に優れたフィルムデバイスを製造することができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明のフィルムデバイス製造用支持体は、フィルム基材上に微小なデバイスを高精度で作製することを可能にし、性能に優れたフィルムデバイスを製造することができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明のフィルムデバイス製造用支持体、およびフィルムデバイスの製造方法について順に説明する。
【００１５】
Ａ．フィルムデバイス製造用支持体
まず、本発明のフィルムデバイス製造用支持体について説明する。上述したように本発明のフィルムデバイス製造用支持体は、フィルムデバイス製造用支持体を用い、上記フィルムデバイス製造用支持体上にフィルム基材を貼り合わせる工程と、上記フィルム基材上にデバイスを製造する工程とを有し、上記フィルム基材上に複数のデバイスが作製されたフィルムデバイスを製造する、フィルムデバイスの製造方法に用いられるものであって、基材と、上記基材上にパターン状に形成され、粘着性樹脂からなり、上記フィルム基材を剥離可能なように粘着させることが可能な粘着層と、を有することを特徴とするものである。
【００１６】
このような本発明のフィルムデバイス製造用支持体について図を参照しながら説明する。まず、本発明のフィルムデバイス製造用支持体の用途であるフィルムデバイスの製造方法について説明する。図１は本発明のフィルムデバイス製造用支持体の用途であるフィルムデバイスの製造方法の一例を示す概略図である。図１に例示するように、本発明のフィルムデバイス製造用支持体は、フィルムデバイス製造用支持体１を用い（図１（ａ））、上記支持体１上にフィルム基材２を接着する、フィルム基材粘着工程と（図１（ｂ））、フィルムデバイス製造用支持体１上に粘着されたフィルム基材２上に、有機ＴＦＴ等のデバイス３を作製するデバイス作製工程と（図１（ｃ））、上記デバイス３が作製されたフィルム基材１を剥離するフィルム基材剥離工程と（図１（ｄ））を有し、フィルム基材２上に、有機ＴＦＴ等のデバイス３が複数作製されたフィルムデバイス１０を製造する（図１（ｅ））、フィルムデバイスの製造方法に用いられるものである。すなわち、本発明のフィルムデバイス製造用支持体は、上記フィルム基材粘着工程（図１（ｂ））に用いられるフィルムデバイス製造用支持体として用いられるものである。なお、図１中、１ａは基材、１ｂは粘着層を表す。
【００１７】
次に、本発明のフィルムデバイス製造用支持体について図を参照しながら具体的に説明する。図２は本発明のフィルムデバイス製造用支持体の一例を示す概略図である。ここで、図２（ｂ）は、図２（ａ）におけるＸ−Ｘ’線矢視断面図である。
図２に例示するように、本発明のフィルムデバイス製造用支持体１は、基材１ａと、上記基材１ａ上に形成され、粘着性樹脂からなり、フィルム基材を剥離可能なように貼り合わせることが可能な粘着層１ｂを有するものである。
このような例において、本発明のフィルムデバイス製造用支持体１は、上記粘着層１ｂが上記基材１ｂ上の全面に形成されているのではなく、パターン状に形成されていることを特徴とするものである。
【００１８】
本発明のフィルムデバイス製造用支持体によれば、上記粘着層がパターン状に形成されていることにより、仮に本発明のフィルムデバイス製造用支持体を用いてフィルムデバイスを作製する際に、粘着層に熱膨張あるいは熱収縮等による寸法変化が生じた場合であっても、その寸法変化が上記粘着層上に貼り合わされたフィルム基材に影響し、フィルム基材自体に寸法変化が生じてしまうことを防止することができる。このため、本発明によれば上記フィルム基材に微小な寸法変化が生じることを効果的に防止することができ、本発明のフィルムデバイス製造用支持体を用いてフィルムデバイスを作製する際に、各工程におけるアライメントを高精度で制御することができる。
このようなことから、本発明のフィルムデバイス製造用支持体によれば、フィルム基材上に微小なデバイスを高精度で作製し、性能に優れたフィルムデバイスを作製することができる。
【００１９】
ここで、本発明のフィルムデバイス製造用支持体によれば、フィルムデバイスを作製する際に、粘着層に熱膨張あるいは熱収縮等による寸法変化が生じた場合であっても、その寸法変化が上記粘着層に貼り合わされたフィルム基材に影響し、フィルム基材自体に寸法変化が生じることを防止することができる理由について具体的に説明する。
図３は、従来のフィルムデバイスの製造に用いられる支持体の一例を示す概略図である。ここで、図３（ｂ）は、図３（ａ）におけるＸ−Ｘ’線矢視断面図である。
図３に例示するように、従来の支持体１１０は、基材１０１と、基材１０１上に形成され、粘着剤からなる固定層１０２を有するものであり、上記基材１０１上の全面に固定層１０２が形成されたものであった。このため、上記固定層１０２に熱収縮・熱膨張が生じると、それに伴う固定層１０２の寸法変化量が大きくなってしまい、これがデバイスを作製する際にアライメントがズレてしまう原因となっていた。
この点、本発明のフィルムデバイス製造用支持体は、図２に例示したように、粘着層がパターン状に形成されていることにより、仮に個々の粘着層に熱収縮・熱膨張が生じたとしても、寸法変化量は粘着層の面積に依存するため、本発明のように細かくパターニングされた粘着層においては、個々の粘着層に生じる寸法変化量を小さくすることができる。
このため、本発明のフィルムデバイス製造用支持体によれば、フィルムデバイスを作製する際に、粘着層が熱膨張あるいは熱収縮等による寸法変化が生じた場合であっても、その寸法変化が上記粘着層に貼り合わされたフィルム基材に影響し、フィルム基材自体に寸法変化が生じることを防止することができるのである。
【００２０】
本発明のフィルムデバイス製造用支持体は、少なくとも基材と、粘着層とを有するものである。
以下、本発明に用いられる各構成について順に説明する。
【００２１】
１．粘着層
まず、本発明に用いられる粘着層について説明する。本発明に用いられる粘着層は、粘着性樹脂からなり、後述する基材上にパターン状に形成されるものである。そして、本発明の粘着層は、後述する基材上にパターン状に形成されていることにより、本発明のフィルムデバイス製造用支持体を用いてフィルムデバイスを製造する際に、高精度でのアライメントを実現することができ、特性に優れたフィルムデバイスを製造することができるとう機能を有するものである。
【００２２】
本発明における粘着層はパターン状に形成されていることを特徴とするものであるが、本発明における粘着層が形成されているパターンとしては、本発明のフィルムデバイス製造用支持体を用いて、フィルム基材上にフィルムデバイスを作製する際に、フィルム基材の寸法変化の程度を所望の範囲内にできるものであれば特に限定されるものではない。なかでも本発明における粘着層は、個々の粘着層の平面方向における最長距離が、後述する基材の長軸方向の距離の１／２以下となるようにパターニングされていることが好ましい。これにより、本発明のフィルムデバイス製造用支持体を用いてフィルムデバイスを作製する際に、フィルム基材に寸度変化が生じてしまうことを、より効果的に防止することができるからである。
【００２３】
また、本発明における粘着層は、個々の粘着層の平面方向における最長距離が１ｃｍ〜１００ｃｍの範囲内、より好ましくは１ｃｍ〜５０ｃｍの範囲内、さらに好ましくは１ｃｍ〜１０ｃｍの範囲内となるようにパターンニングされていることが好ましい。平面方向における最長距離が上記範囲よりも長いと、本発明のフィルムデバイス製造用支持体を用いてフィルムデバイスを作製する際に、フィルム基材の種類によっては、粘着層の熱膨張・熱収縮に伴うフィルム基材の寸法変化が許容限度を超えてしまう場合があるからである。また、平面方向における最長距離が上記範囲よりも短い場合は、本発明における粘着層を精度良くパターニングすることが困難になる場合があるからである。
ここで、上記「平面方向における最長距離」とは、パターニングされた個々の粘着層を垂直方向から正視した場合に視認される粘着層の平面内において、任意の２点を直線で結んだ際に、最長となる直線の距離を意味するものである。図４は、このような「平面方向における最長距離」を説明する概略図であるが、図４においてＬで示す距離が、上記「平面方向における最長距離」に当たる。
【００２４】
本発明における粘着層の平面形状は、上記「平面方向における最長距離」を所望の範囲内にできるものであれば特に限定されるものではない。したがって、個々の粘着層の平面形状は、矩形、多角形、および円形等のいずれの形状であってもよい。また、パターニングされた個々の粘着層の平面形状は、すべて同一であってもよく、あるいは異なっていてもよい。
【００２５】
また、本発明においてパターニングされた個々の粘着層間の距離は、本発明のフィルムデバイス製造用支持体を用いて作製するフィルムデバイスの種類や、フィルム基材の種類、強度、および自己支持性等に応じて、フィルム基材を粘着層上に貼り合わせた際に、当該フィルム基材に変形が生じない程度であれば特に限定されるものではない。なかでも本発明においては、パターニングされた個々の粘着層間の距離が１μｍ〜５０００μｍの範囲内であることが好ましく、１μｍ〜１００μｍの範囲内であることがより好ましく、１μｍ〜５０μｍの範囲内であることがさらに好ましい。
【００２６】
本発明における粘着層がパターニングされている態様としては、本発明のフィルムデバイス製造用支持体を用いて、フィルム基材上にフィルムデバイスを作製する際に、フィルム基材に生じる寸法変化の程度を所望の範囲にできる態様であれば特に限定されるものではない。このような態様としては、例えば、粘着層自体に溝が形成されるようにパターニングされた態様と、上記基材上に粘着層が形成されている領域と、粘着層が形成されていない領域とがあるようにパターニングされた態様とを挙げることができる。
【００２７】
これらの態様について図を参照しながら説明する。図５は本発明において粘着層がパターニングされている態様の一例を示す概略図である。図５に例示するように、本発明において粘着層１ｂがパターニングされている態様は、粘着層１ｂ自体に溝が形成されるようにパターニングされた態様であってもよく（図５（ａ））、あるいは上記基材１ａ上に粘着層１ｂが形成されている領域と、粘着層１ｂが形成されていない領域とがあるようにパターニングされた態様であってもよい（図５（ｂ））。
【００２８】
本発明においては、これらのいずれの態様であっても好適に用いることができるが、なかでも上記基材上に粘着層が形成されている領域と、粘着層が形成されていない領域とがあるようにパターニングされた態様であることが好ましい。このような態様で粘着層がパターニングされていることにより、パターニングされた個々の粘着層に生じる寸法変化をより小さくすることができる結果、粘着層上に貼り合わされるフィルム基材に寸法変化が生じることをさらに防止できるからである。
【００２９】
また、本発明に用いられる粘着層は、それ自体が寸法変化を生じにくいものであることが好ましく、特に熱膨張係数が小さいものであることが好ましい。なかでも本発明に用いられる粘着層は、熱膨張係数が５０ｐｐｍ／℃以下であることが好ましく、２５ｐｐｍ／℃以下であることがより好ましく、１０ｐｐｍ／℃以下であることがさらに好ましい。熱膨張係数が上記範囲より大きいと、本発明において粘着層がパターニングされている態様によっては、粘着層上に貼り合わされるフィルム基材の寸法変化の程度を、所定の範囲内に抑制することが困難になる場合があるからである。
【００３０】
本発明における粘着層の厚みは、粘着層を所望のパターン状に形成できる範囲内であれば特に限定されるものではないが、通常、０．１μｍ〜１００μｍの範囲内であることが好ましく、０．１μｍ〜１０μｍの範囲内であることがより好ましく、０．１μｍ〜１μｍの範囲内であることがさらに好ましい。
【００３１】
本発明における接着層は、粘着性樹脂からなるものであるが、本発明に用いられる粘着性樹脂は本発明における接着層に、フィルム基材を剥離可能な程度の接着性を付与できるものであれば特に限定されるものではない。このような粘着性樹脂としては、例えば、酢酸ビニル樹脂系溶剤形接着剤、天然ゴム系溶剤形接着剤、酢酸ビニル共重合樹脂系エマルジョン形接着剤、ＥＶＡ樹脂系エマルジョン形接着剤、ユリア樹脂系接着剤、アクリル樹脂系エマルジョン形接着剤、酢酸ビニル樹脂系エマルジョン形接着剤、イソシアネート系接着剤、合成ゴム系ラテックス型接着剤、エポキシ樹脂系接着剤、シアノアクリレート系接着剤、フェノール樹脂系接着剤、ポリウレタン系接着剤、メラミン樹脂系接着剤、アクリル樹脂系接着剤等を挙げることができる。本発明においては、これらのいずれの粘着性樹脂であっても好適に用いることができる。
【００３２】
なお、本発明に用いられる粘着性樹脂は１種類のみであってもよく、あるいは２種類以上であってもよい。
【００３３】
２．基材
次に、本発明に用いられる基材について説明する。本発明に用いられる基材は、上記粘着層を支持するものである。
【００３４】
本発明に用いられる基材としては、上記粘着層を支持できるものであれば特に限定されるものではないが、上記粘着層よりも寸法変化が生じにくいものであることが好ましい。より具体的には、上記粘着層よりも熱膨張係数が小さいものであることが好ましい。これにより、基材に寸法変化が生じること起因して、上記粘着層の寸法が変化してしまうことを防止することができるからである。
【００３５】
本発明に用いられる基材の熱膨張係数としては、上記粘着層よりも小さい範囲内であれば特に限定されるものではないが、なかでも本発明においては１０ｐｐｍ／℃以下であることがさらに好ましい。
【００３６】
また、本発明に用いられる基材は融点が５００℃以上の材料からなるものであることが好ましい。このような基材としては、例えば、石英ガラスや耐熱ガラス、金属やセラミックス等からなる基材を挙げることができる。
【００３７】
３．フィルムデバイス製造用支持体の製造方法
次に、本発明のフィルムデバイス製造用支持体の製造方法について説明する。本発明のフィルムデバイス製造用支持体は、例えば、基材上の全面に粘着層を形成した後、当該粘着層をパターニングする方法（第１の方法）や、上記基材上に直接パターン状の粘着層を形成する方法（第２の方法）によって製造することができる。
【００３８】
上記第１の方法において、基材上の全面に粘着層を形成する方法としては、例えば、粘着性樹脂を含有する粘着層形成用塗工液を上記基材上に塗工する方法や、粘着性樹脂からなるドライフィルムを用い、当該ドライフィルムを上記基材上に貼り合わせる方法を挙げることができる。
【００３９】
ここで、上記第１の方法において、粘着層をパターニングする方法としては、例えば、レーザーパターニング法、フォトリソグラフィー法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、インクジェット印刷法、オフセット印刷法、グラビア印刷法、グラビア印刷法等を挙げることができる。
【００４０】
一方、上記第２の方法において、パターン状の粘着層を形成する方法としては、粘着性樹脂を含有する粘着層形成用塗工液を、印刷法等によって上記基材上にパターン状に塗工する方法や、予め他の基材上にパターン状に形成された粘着層を、本発明に用いられる基材上に転写する方法等を挙げることができる。
【００４１】
Ｂ．フィルムデバイスの製造方法
次に、本発明のフィルムデバイスの製造方法について説明する。上述したように本発明のフィルムデバイスの製造方法は、上記本発明に係るフィルムデバイス製造用支持体を用い、上記フィルムデバイス製造用支持体の上記粘着層上に、フィルム基材を剥離可能なように粘着させるフィルム基材粘着工程と、上記フィルム基材の表面上にデバイスを作製するデバイス作製工程と、上記デバイスが作製されたフィルム基材を、上記フィルムデバイス製造用支持体の粘着層から剥離するフィルム基材剥離工程と、を有することを特徴とするものである。
【００４２】
このような本発明のフィルムデバイスの製造方法について図を参照しながら説明する。図６は、本発明のフィルムデバイスの製造方法の一例を示す概略図である。図６に例示するように、本発明のフィルムデバイスの製造方法は、フィルムデバイス製造用支持体１を用い（図６（ａ））、上記フィルムデバイス製造用支持体１上に、フィルム基材２を剥離可能なように粘着させるフィルム基材粘着工程と（図６（ｂ））、上記フィルム基材２の表面上にデバイス３を作製するデバイス作製工程と（図６（ｃ））、上記デバイス３が作製されたフィルム基材２を、上記フィルムデバイス製造用支持体１から剥離するフィルム基材剥離工程と（図６（ｄ））、を有するものである。
このような例において、本発明のフィルムデバイスの製造方法は、上記フィルムデバイス製造用支持体として、上記本発明に係るフィルムデバイス製造用支持体１が用いられていることを特徴とするものである。
【００４３】
本発明のフィルムデバイスの製造方法によれば、上記フィルム基材粘着工程においてフィルム基材が貼り合わされる支持体として、上記本発明に係るフィルムデバイス製造用支持体が用いられていることにより、上記デバイス作製工程において微小かつ高性能なデバイスを上記フィルム基材上に作製することが可能になる。このため、本発明によればフィルム基材上に微小なデバイスが高精度で作製され、性能に優れたフィルムデバイスを製造することができる。
【００４４】
本発明のフィルムデバイスの製造方法は、少なくともフィルム基材粘着工程と、デバイス作製工程と、フィルム基材剥離工程とを有するものであり、必要に応じて他の工程を有してもよいものである。
以下、本発明に用いられる各工程について、順に説明する。
【００４５】
１．フィルム基材粘着工程
まず、本発明に用いられるフィルム基材粘着工程について説明する。本工程は、上記本発明に係るフィルムデバイス製造用支持体を用い、上記フィルムデバイス製造用支持体の上記粘着層上に、フィルム基材を剥離可能なように粘着させる工程である。
【００４６】
（１）フィルム基材
本工程に用いられるフィルム基材としては、本発明によって製造されるフィルムデバイスの種類や用途等に応じて、適宜選択することができるものであり、特に限定されるものではない。本発明に用いられるフィルム基材としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレート、ポリイミド、ポリアミド、ポリカーボネート、セルローストリアセテート、ポリオレフィン、ポリスチレン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂などのプラスチックシート等を挙げることができる。
【００４７】
（２）フィルムデバイス製造用支持体
本工程に用いられるフィルムデバイス製造用支持体は、上記本発明に係るフィルムデバイス製造用支持体である。したがって、本工程に用いられるフィルムデバイス製造用支持体については、上記「Ａ．フィルムデバイス製造用支持体」の項において説明したもの同様であるため、ここでの説明は省略する。
【００４８】
（３）フィルム基材の粘着方法
本工程において、上記フィルムデバイス製造用支持体の粘着層上にフィルム基材を剥離可能なように粘着させる方法としては、上記粘着層上の所定の位置にフィルム基材を粘着させることができる方法であれば特に限定されるものではなく、フィルム基材の種類や、上記フィルムデバイス製造用支持体において粘着層が形成されている態様等に応じて、任意の方法を用いることができる。
【００４９】
２．デバイス作製工程
次に、本発明に用いられるデバイス作製工程について説明する。本工程は、上記フィルム基材粘着工程において、上記フィルムデバイス作製用支持体上に粘着されたフィルム基材上にデバイスを作製する工程である。
【００５０】
本工程において、上記フィルム基材上に形成されるデバイスとしては、本発明によって製造されるフィルムデバイスの用途等に応じて適宜決定されるものであり、特に限定されるものではない。このようなデバイスとしては、例えば、有機半導体ＴＦＴ、無機半導体ＴＦＴ、有機ＥＬ、電子ペーパー、およびカラーフィルター等を挙げることができる。
【００５１】
なお、本工程は、通常、デバイスを作製するために複数の工程が用いられることになる。例えば、本工程においてフィルム基材上に有機ＴＦＴを作製する場合、通常、フィルム基材上にゲート電極を作製するゲート電極作製工程、上記ゲート電極を覆うようにゲート絶縁層を形成するゲート絶縁層形成工程、上記ゲート絶縁層上にソース電極およびドレイン電極を形成するソース・ドレイン電極形成工程、および上記ソース電極およびドレイン電極によって構成されるチャネル領域上に有機半導体材料からなる有機半導体層を形成する有機半導体層形成工程等が実施されることになる。このように、フィルム基材上にデバイスを作製する際には、複数の工程が用いられるのが一般的であり、本工程においても通常複数の工程によりデバイスが作製されることになる。したがって、本工程において性能に優れたデバイスを作製するには、本工程に用いられる各工程において、フィルム基材のアライメントが高精度で制御されることが必要になる。
この点、本工程においては、上記フィルム基材が上述した本発明に係るフィルムデバイス製造用支持体上に粘着されていることにより、上記フィルム基材に変形や寸法変化が生じることを著しく低減することができるため、高精度でアライメントを制御することが可能になる。そして、その結果として、本工程において性能に優れたデバイスを作製することが可能になる。
【００５２】
本工程において、フィルム基材上にデバイスを作製する方法としては、作製するデバイスの種類等に応じて任意に選択されるものである。例えば、本工程において有機ＴＦＴを作製する場合は、上述したようなゲート電極形成工程、ゲート絶縁層形成工程、ソース・ドレイン電極形成工程、有機半導体層形成工程により順次有機ＴＦＴを作製する方法が用いられる。
【００５３】
３．フィルム基材剥離工程
次に、本発明に用いられるフィルム基材剥離工程について説明する。本工程は、上記デバイス作製工程においてデバイスが作製されたフィルム基材を、上記フィルムデバイス製造用支持体の粘着層から剥離する工程である。本工程において上記フィルム基材を剥離する方法としては、上記デバイスの性能を損なわないようにフィルム基材を剥離できる方法であれば特に限定されるものではない。
【００５４】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【００５５】
以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明する。
【００５６】
［実施例］
フィルムデバイスとしてボトムゲート型有機ＴＦＴを作製した。
【００５７】
（１）フィルムデバイス製造用支持体作製工程
１５０ｍｍ×１５０ｍｍ×０.７ｍｍのガラス基材を基材として用い、当該基材上に１５０ｍｍ×１５０ｍｍ×０.０５ｍｍのシリコン系粘着フィルムを貼り付けた。その後、当該粘着フィルムをレーザーにより４９．９ｍｍ□の正方形９つにパターニングすることにより粘着層とした。なおパターニングされた個々の粘着層同士の間隔は０．１ｍｍとした。
【００５８】
（２）フィルム基材粘着工程
上記フィルムデバイス製造用支持体の粘着層上に１５０ｍｍ×１５０ｍｍ×０．１ｍｍのＰＥＮフィルムを貼り付けた。
【００５９】
（３）デバイス作製工程
（ゲート電極・Ｓｃａｎ  Ｌｉｎｅ形成工程）
上記ＰＥＮフィルム上にスパッタリング法により全面にＡｌを１５０ｎｍ成膜した。Ａｌを成膜した基材上にフォトレジスト（ポジ）をスピンコートした。このときのスピンコートは、１８００ｒｐｍで１０ｓｅｃ保持させた。その後、１００℃で１分乾燥させた後、５０ｍＪ／ｃｍ２でパターン露光した。次に、露光部分のレジスト現像を行い、その後、１２０℃のオーブンで３０分乾燥させた。次いで、レジストのない部分のＡｌのエッチングを行い、ゲート電極およびＳｃａｎ  Ｌｉｎｅとした。
【００６０】
（ゲート絶縁層形成工程）
アクリル系樹脂を固形分濃度２０ｗｔ％でＰＧＭＥＡ溶媒に溶解させたゲート絶縁層形成用塗工液を上記基材上にスピンコートした。このときのスピンコートは、１８００ｒｐｍで１０ｓｅｃ保持させた。その後、ホットプレートにて１００℃で２分乾燥させた後、１００ｍＪ／ｃｍ２でパターン露光した。その後未露光部分を現像し、オーブンにて１５０℃３０分乾燥した。形成されたゲート絶縁層の膜厚は１μｍであった。
【００６１】
（ソース・ドレイン電極・Ｄａｔａ  Ｌｉｎｅ形成工程）
スクリーン印刷法にてＡｇナノペーストをソースドレイン電極およびＤａｔａ  Ｌｉｎｅ形状にパターニングした。パターニング後、オーブンにて１５０度で３０分乾燥させることにより、ソース電極およびドレイン電極を形成した。
【００６２】
（有機半導体層形成工程）
有機半導体材料（ポリチオフェン）を固形分濃度０．２ｗｔ％でトリクロロベンゼン溶媒に溶解させた有機半導体層形成用塗工液を、インクジェット法にてチャネル形成部にパターン塗布した。その後、Ｎ２雰囲気下にてホットプレートを用いて１５０℃で１０分乾燥させた。形成された有機半導体層の膜厚は０．０５μｍであった。
【００６３】
（６）寸法精度評価
寸法精度評価用の十字マークの距離を計測した。十字マークはゲート電極形成工程にて形成した。十字マークは図７に示すようなものとし、設計値は１３５ｍｍとした。有機半導体形成後において十字マークの距離を計測した結果、縦方向が１３５．００２ｍｍ、横方向が１３５．００５ｍｍであった。結果として設計値とのズレは縦方向で２μｍ、横方向で５μｍであった。
【００６４】
［比較例］
（１）フィルムデバイス作製工程
粘着フィルムをパターニングしなかったこと以外は、すべて実施例と同様の工程でデフィルムバイスを作製した。
【００６５】
（２）寸法精度評価
実施例と同様に寸法精度評価用の十字マークの距離を計測した。有機半導体ＴＦＴ形成後において十字マークの距離を計測した結果、縦方向が１３４．０７５ｍｍ、横方向が１３４．５５ｍｍであった。結果として設計値とのズレは縦方向で２５μｍ、横方向で４５μｍであった。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】本発明のフィルムデバイス製造用支持体の用途であるフィルムデバイスの製造方法の一例を示す概略図である。
【図２】本発明のフィルムデバイス製造用支持体の一例を示す概略図である。
【図３】従来のフィルムデバイス製造用支持体の一例を示す概略図である。
【図４】「平面方向における最長距離」について説明する概略図である。
【図５】本発明のフィルムデバイス製造用支持体の他の例を示す概略図である。
【図６】本発明のフィルムデバイスの製造方法の一例を示す概略図である。
【図７】実施例において用いた十字マークについて説明する概略図である。
【図８】従来のフィルムデバイスの製造方法の一例を示す概略図である。
【符号の説明】
【００６７】
１  …  フィルムデバイス製造用支持体
１ａ  …  基材
１ｂ  …  粘着層
２  …  フィルム基材
３  …  デバイス
１０  …  フィルムデバイス
１００  …  支持体
１０１  …  基材
１０２  …  固定層
１１０  …  フィルム基材
１２０  …  デバイス
１３０  …  フィルムデバイス
【図１】
0005315752.tif 000002
【図２】
0005315752.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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