(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
データ線、走査線、発光制御線の交差部毎に位置する多数の画素と、
前記各画素に備えられる有機発光ダイオードの劣化程度に対応する信号を抽出するセンシング部と、
前記センシング部から抽出された信号を格納し、前記格納された信号を介して前記有機発光ダイオードの劣化程度に関する情報のみを算出して格納する格納部と、
前記格納部に格納された劣化程度に関する情報を用いて入力データＤａｔａを校正データＤａｔａ’に変換する変換部と、
前記変換部から出力される校正データＤａｔａ’の入力を受けて前記データ線に供給されるデータ信号を生成するデータ駆動部と
を備え、
前記センシング部はそれぞれのデータ線毎に位置するセンシング回路を備え、
前記センシング回路は、
前記画素内の有機発光ダイオードに第１電流を供給するための第１電流ソース部と、
前記画素内の有機発光ダイオードに第２電流を供給するための第２電流ソース部と、
前記第１及び第２電流ソース部にそれぞれ連結される第１及び第２スイッチング素子ＳＷ１、ＳＷ２と
を備え、
前記第１電流及び第２電流は同一の有機発光ダイオードに供給され、
前記第２電流は、前記第１電流のｋ倍（ｋは整数）に該当し、
前記センシング部には、
前記有機発光ダイオードに供給される前記第１電流に対応して抽出される第１電圧を第１デジタル値に変換し、前記有機発光ダイオードに供給される前記第２電流に対応して抽出される第２電圧を第２デジタル値に変換するための少なくとも１つのアナログデジタル変換部が更に備えられ、
前記格納部は、
前記第１デジタル値が格納される第１レジスタと、
前記第２デジタル値が格納される第２レジスタと、
前記第１及び第２レジスタに格納される値を用いて各画素内の有機発光ダイオードの劣化程度に関する情報のみを抽出する処理部と、
前記処理部から抽出された各画素内の有機発光ダイオードの劣化程度に関する情報が格納される３レジスタと
を備え、
前記処理部は前記第１レジスタに格納された第１デジタル値をｋ倍（ｋは整数）にし、前記ｋ倍の第１デジタル値と、前記第２レジスタに格納された第２デジタル値との差を生成することを特徴とする有機電界発光表示装置。
【請求項２】
前記第２スイッチング素子ＳＷ２は前記第１スイッチング素子ＳＷ１がオフされた時にオンされ、前記第１及び第２スイッチング素子は順次オンされることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項３】
前記変換部は、
前記格納部から出力される信号によりアドレシングされて特定の校正値を生成するルックアップテーブル（ＬＵＴ）と、
前記ルックアップテーブルで生成された校正値が格納されるフレームメモリと
を含んで構成されることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項４】
前記格納部から出力される信号は、前記格納部の第３レジスタに格納された各画素内の有機発光ダイオードの劣化程度に関する情報であることを特徴とする請求項３に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項５】
画素のそれぞれに含まれる有機発光ダイオードに第１電流を供給しながら第１電圧を生成する段階と、
前記画素のそれぞれに含まれる有機発光ダイオードに第２電流を供給しながら第２電圧を生成する段階と、
前記第１電圧及び第２電圧をそれぞれ第１デジタル値及び第２デジタル値に変換して格納する段階と、
前記格納された第１及び第２デジタル値を用いて各画素内の有機発光ダイオードの劣化程度に関する情報のみを抽出する段階と、
前記抽出された各画素内の有機発光ダイオードの劣化程度に関する情報を用いて有機発光ダイオードの劣化程度と関係なく、均一な輝度の映像を表示できるように入力データＤａｔａを校正データＤａｔａ’に変換する段階と、
前記校正データＤａｔａ’に対応するデータ信号がデータ線に提供される段階と
を含み、
前記第１電流及び第２電流は同一の有機発光ダイオードに供給され、
前記第２電流は、前記第１電流のｋ倍（ｋは整数）に該当し、
前記第１デジタル値及び第２デジタル値を格納する段階は、
前記第１デジタル値を第１レジスタに格納する段階と、
前記第２デジタル値を第２レジスタに格納する段階と、
前記第１及び第２レジスタに格納される値を用いて各画素内の有機発光ダイオードの劣化程度に関する情報のみを抽出する段階と
を含み、
前記各画素内の有機発光ダイオードの劣化程度に関する情報のみを抽出する段階は、前記第１レジスタに格納された第１デジタル値をｋ倍（ｋは整数）にし、前記ｋ倍の第１デジタル値と、前記第２レジスタに格納された第２デジタル値との差を生成する段階を含むことを特徴とする有機電界発光表示装置の駆動方法。
【請求項６】
前記第１電圧及び第２電圧を生成する段階は、有機電界発光表示装置に電源が印加された後、映像が表示される前の非表示期間に行われることを特徴とする請求項５に記載の有機電界発光表示装置の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機電界発光表示装置及びその駆動方法に関し、特に有機発光ダイオードの劣化と関係なく、均一な輝度の映像を表示できるようにした有機電界発光表示装置及びその駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、陰極線管（Ｃａｔｈｏｄｅ Ｒａｙ Ｔｕｂｅ）の短所である重さと体積を減らすことができる各種の平板表示装置が開発されている。平板表示装置としては、液晶表示装置（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）、電界放出表示装置（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ）、プラズマ表示パネル（Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ）及び有機電界発光表示装置（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ）などが挙げられる。
【０００３】
平板表示装置のうち有機電界発光表示装置は、電子と正孔の再結合によって光を発生する有機発光ダイオードを用いて映像を表示する。このような有機電界発光表示装置は、速い応答速度を有すると共に低い消費電力で駆動されるという長所がある。
【０００４】
図１は、従来の有機電界発光表示装置の画素を示す回路図である。
図１を参照すれば、従来の有機電界発光表示装置の画素４は、有機発光ダイオードＯＬＥＤと、データ線Ｄｍ及び走査線Ｓｎに接続されて有機発光ダイオードＯＬＥＤを制御するための画素回路２とを備える。
【０００５】
有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノード電極は画素回路２に接続され、カソード電極は第２電源ＥＬＶＳＳに接続される。このような有機発光ダイオードＯＬＥＤは、画素回路２から供給される電流に対して所定輝度の光を生成する。前記画素回路２は走査線Ｓｎに走査信号が供給される際にデータ線Ｄｍに供給されるデータ信号に対応して有機発光ダイオードＯＬＥＤに供給される電流量を制御する。
【０００６】
そのために、画素回路２は、第１及び第２トランジスタＭ１、Ｍ２とストレージキャパシタＣｓｔとを備える。ここで、第２トランジスタＭ２は第１電源ＥＬＶＤＤと有機発光ダイオードＯＬＥＤとの間に接続され、第１トランジスタＭ１は第２トランジスタＭ２、データ線Ｄｍ及び走査線Ｓｎの間に接続される。そして、ストレージキャパシタＣｓｔは第２トランジスタＭ２のゲート電極と第１電極との間に接続される。
より具体的に、第１トランジスタＭ１のゲート電極は走査線Ｓｎに接続され、第１電極はデータ線Ｄｍに接続される。そして、第１トランジスタＭ１の第２電極はストレージキャパシタＣｓｔの一方の端子に接続される。
【０００７】
ここで、第１電極はソース電極及びドレイン電極のいずれかに設定され、第２電極は第１電極と異なる電極に設定される。例えば、第１電極がソース電極に設定されると、第２電極はドレイン電極に設定される。走査線Ｓｎ及びデータ線Ｄｍに接続された第１トランジスタＭ１は走査線Ｓｎから走査信号が供給されるとき、オンされてデータ線Ｄｍから供給されるデータ信号をストレージキャパシタＣｓｔに供給する。このとき、ストレージキャパシタＣｓｔはデータ信号に対応する電圧を充電する。
【０００８】
第２トランジスタＭ２のゲート電極はストレージキャパシタＣｓｔの一方の端子に接続され、第１電極はストレージキャパシタＣｓｔの他方の端子及び第１電源ＥＬＶＤＤに接続される。そして、第２トランジスタＭ２の第２電極は有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノード電極に接続される。
このような第２トランジスタＭ２は、ストレージキャパシタＣｓｔに格納された電圧値に対応して第１電源ＥＬＶＤＤから有機発光ダイオードＯＬＥＤを経由して第２電源ＥＬＶＳＳに流れる電流量を制御する。このとき、有機発光ダイオードＯＬＥＤは第２トランジスタＭ２から供給される電流量に対応する光を生成する。
【０００９】
しかしながら、このような従来の有機電界発光表示装置は、有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化による効率変化によって所望の輝度の映像を表示できないという問題点がある。
実際に、時間が経過するにつれて、有機発光ダイオードＯＬＥＤが劣化し、それにより、同じデータ信号に対応して次第に低い輝度の光が生成されるという問題が生じる。
【特許文献１】特開２００６−１２６８７４号公報
【特許文献２】特開２００５−０４３８８８号公報
【特許文献３】韓国特許出願公開第２００６−００８０７４６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
従って、本発明は上記事情に鑑みてなされたものであって、その目的は、有機発光ダイオードの劣化に関係なく、均一な輝度の映像を表示するために、各画素に備えられた有機発光ダイオードの劣化程度を正確に検出及び格納し、それを反映させて有機発光ダイオードの劣化程度が補償されるようにデータを変換して提供する有機電界発光表示装置及びその駆動方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記目的を達成するために本発明の実施形態に係る有機電界発光表示装置は、データ線、走査線、発光制御線の交差部毎に位置する多数の画素と、前記各画素に備えられる有機発光ダイオードの劣化程度に対応する信号を抽出するセンシング部と、前記センシング部から抽出された信号を格納し、前記格納された信号を介して前記有機発光ダイオードの劣化程度に関する情報のみを算出して格納する格納部と、前記格納部に格納された劣化程度に関する情報を用いて入力データＤａｔａを校正データＤａｔａ’に変換する変換部と、前記変換部から出力される校正データＤａｔａ’の入力を受けて前記回路に供給されるデータ信号を生成するデータ駆動部とを備えることを特徴とする。
【００１２】
ここで、前記センシング部は、それぞれのチャネル毎に位置するセンシング回路を備え、前記センシング回路は、前記画素内の有機発光ダイオードに第１電流を供給するための第１電流ソース部と、前記画素内の有機発光ダイオードに第２電流を供給するための第２電流ソース部と、前記第１及び第２電流ソース部にそれぞれ連結される第１及び第２スイッチング素子ＳＷ１、ＳＷ２とを備えることを特徴とする。このとき、前記第２電流は第１電流のｋ倍（ｋは整数）に該当する。
【００１３】
また、前記第２スイッチング素子ＳＷ２は、第１スイッチング素子ＳＷ１がオフされた時にオンされ、前記第１及び第２スイッチング素子は順次オンされることを特徴とする。
更に、前記センシング部には、前記有機発光ダイオードに供給される第１電流に対応して抽出される第１電圧を第１デジタル値に変換し、前記有機発光ダイオードに供給される第２電流に対応して抽出される第２電圧を第２デジタル値に変換するための少なくとも１つのアナログデジタル変換部が更に備えられる。
【００１４】
また、前記格納部は、前記第１デジタル値が格納される第１レジスタと、前記第２デジタル値が格納される第２レジスタと、前記第１及び第２レジスタに格納される値を用いて各画素内の有機発光ダイオードの劣化程度に関する情報のみを抽出する処理部と、前記処理部から抽出された各画素内の有機発光ダイオードの劣化程度に関する情報が格納される第３レジスタとを備え、前記処理部は第１レジスタに格納された第１デジタル値をｋ倍（ｋは整数）にし、前記ｋ倍の第１デジタル値と第２レジスタに格納された第２デジタル値との差を生成することを特徴とする。
【００１５】
更に、前記変換部は、前記格納部から出力される信号によりアドレシングされて特定の校正値を生成するルックアップテーブル（ＬＵＴ）と、前記ルックアップテーブルで生成された校正値が格納されるフレームメモリが含まれて構成され、前記格納部から出力される信号は格納部の第３レジスタに格納された各画素内の有機発光ダイオードの劣化程度に関する情報であることを特徴とする。
【００１６】
また、本発明の実施形態に係る有機電界発光表示装置の駆動方法は、画素のそれぞれに含まれる有機発光ダイオードに第１電流を供給しながら第１電圧を生成する段階と、画素のそれぞれに含まれる有機発光ダイオードに第２電流を供給しながら第２電圧を生成する段階と、前記第１電圧及び第２電圧をそれぞれ第１デジタル値及び第２デジタル値に変換してそれぞれ格納する段階と、前記格納された第１及び第２デジタル値を用いて各画素内の有機発光ダイオードの劣化程度に関する情報のみを抽出する段階と、前記抽出された各画素内の有機発光ダイオードの劣化程度に関する情報を用いて有機発光ダイオードの劣化程度と関係なく、均一な輝度の映像を表示できるように入力データＤａｔａを校正データＤａｔａ’に変換する段階と、前記校正データＤａｔａ’に対応するデータ信号がデータ線に提供される段階とを含むことを特徴とする。
更に、前記第１電圧及び第２電圧を生成する段階は、有機電界発光表示装置に電源が印加された後、映像が表示される前の非表示期間に行われることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、有機発光ダイオードの劣化と関係なく、均一な輝度の映像を表示できるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、添付の図面を参照しつつ、本発明の実施形態を説明する。ここで、第１構成要素と第２構成要素が連結されると説明するにあたり、第１構成要素は第２構成要素と直接連結されてもよく、第３構成要素を介して第２構成要素と間接的に連結されてもよい。また、本発明の完全な理解のための必須でない構成要素は明確性を図るために省略する。更に、同一部分には同一符号を付す。
【００１９】
図２は、本発明の実施形態に係る有機電界発光表示装置を示す図である。
図２を参照すれば、本発明の実施形態に係る有機電界発光表示装置は、画素部１３０、走査駆動部１１０、感知線駆動部１６０、データ駆動部１２０及びタイミング制御部１５０を備える。また、本発明の実施形態に係る有機電界発光表示装置は、センシング部１８０、格納部１７０及び変換部１９０を更に備える。
【００２０】
特に、本発明の実施形態では画素部１３０に含まれている各画素１４０内の有機発光ダイオードの劣化程度を正確に抽出するために、互いに異なるレベルの基準電流を各画素１４０内の有機発光ダイオードに提供する。そして、前記電流の提供により生成されるそれぞれの有機発光ダイオードの電圧を測定する。そして、測定された前記それぞれの電圧情報を通じて前記有機発光ダイオードの正確な劣化程度を算出する。これにより、本実施形態では前記劣化程度に関する情報が抽出されて伝達されるラインの抵抗及び前記ライン上に位置するスイッチング素子内部の抵抗などにより発生する電圧降下ＩＲ ＤＲＯＰによって前記有機発光ダイオードの劣化程度が歪むのを防止することを特徴とする。
【００２１】
画素部１３０は、走査線Ｓ１〜Ｓｎ、発光制御線Ｅ１〜Ｅｎ、感知線ＣＬ１〜ＣＬｎ及びデータ線Ｄ１〜Ｄｍの交差部に位置し、これらと接続される画素１４０を備える。画素１４０は、外部から第１電源ＥＬＶＤＤ及び第２電源ＥＬＶＳＳの供給を受ける。このような画素１４０は、データ信号に対応して第１電源ＥＬＶＤＤから有機発光ダイオードを経由して第２電源ＥＬＶＳＳに供給される電流量を制御する。すると、有機発光ダイオードで所定輝度の光が生成される。
【００２２】
走査駆動部１１０は、タイミング制御部１５０の制御によって走査線Ｓ１〜Ｓｎに走査信号を供給する。また、走査駆動部１１０は、タイミング制御部１５０の制御によって発光制御線Ｅ１〜Ｅｎに発光制御信号を供給する。これにより、走査駆動部１１０は走査線Ｓ１〜Ｓｎ及び発光制御線Ｅ１〜Ｅｎを駆動する。
感知線駆動部１６０は、タイミング制御部１５０の制御によって感知線ＣＬ１〜ＣＬｎに感知信号を供給することで、感知線ＣＬ１〜ＣＬｎを駆動する。
データ駆動部１２０は、タイミング制御部１５０の制御によってデータ線Ｄ１〜Ｄｍにデータ信号を供給することで、データ線Ｄ１〜Ｄｍを駆動する。
【００２３】
センシング部１８０は、画素１４０のそれぞれに含まれる有機発光ダイオードの劣化程度に関する情報を抽出する。そのために、センシング部１８０は前記各画素１４０内の有機発光ダイオードの劣化程度を正確に抽出するために、互いに異なるレベルの基準電流を有機発光ダイオードに提供する。このようなセンシング部１８０は、前記電流の提供により生成されるそれぞれの有機発光ダイオードの電圧を測定することで、有機発光ダイオードの劣化程度を抽出する。
【００２４】
ここで、前記有機発光ダイオードの劣化情報の抽出は、有機電界発光表示装置に電源が印加された後、映像が表示される前の非表示期間に行われることが好ましい。即ち、前記有機発光ダイオードの劣化情報の抽出は、有機電界発光表示装置に電源が印加される毎に行われ得る。
【００２５】
格納部１７０は、前記センシング部１８０から抽出された信号を格納し、前記格納された信号を介して前記有機発光ダイオードの正確な劣化程度を算出して格納する。
即ち、前記格納部１７０は、前記センシング部１８０から抽出されたそれぞれの電圧情報を通じて前記有機発光ダイオードの正確な劣化程度を算出する。これにより、前記格納部１７０は劣化情報が抽出されて伝達されるラインの抵抗及び前記ライン上に位置するスイッチング素子の内部の抵抗などにより発生する電圧降下ＩＲ ＤＲＯＰによって前記有機発光ダイオードの劣化程度が歪むのを防止する。
【００２６】
変換部１９０は、前記格納部１７０に格納された正確な劣化情報を用いて有機発光ダイオードの劣化程度と関係なく、均一な輝度の映像を表示できるようにタイミング制御部１５０から入力される入力データＤａｔａを校正データＤａｔａ’に変換する。
即ち、外部から入力されてタイミング制御部１５０から出力されるデータＤａｔａは、前記変換部１９０により有機発光ダイオードの劣化を補償するように校正データＤａｔａ’に変換されてデータ駆動部１２０に供給される。すると、データ駆動部１２０は前記変換された校正データＤａｔａ’を用いてデータ信号を生成し、生成されたデータ信号を画素１４０に供給する。
タイミング制御部１５０は、データ駆動部１２０、走査駆動部１１０及び感知線駆動部１６０を制御する。
【００２７】
図３は、図２に示した画素の実施形態を示しており、説明の便宜上、第ｍのデータ線Ｄｍ及び第ｎの走査線Ｓｎに接続された画素を示す。
図３を参照すれば、本発明の実施形態に係る画素１４０は、有機発光ダイオードＯＬＥＤと、有機発光ダイオードＯＬＥＤに電流を供給するための画素回路１４２とを備える。
【００２８】
有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノード電極は画素回路１４２に接続され、カソード電極は第２電源ＥＬＶＳＳに接続される。このような有機発光ダイオードＯＬＥＤは、画素回路１４２から供給される電流に対応して所定輝度の光を生成する。
画素回路１４２は走査線Ｓｎに走査信号が供給されるとき、データ線Ｄｍに供給されるデータ信号の供給を受ける。また、画素回路１４２は感知線ＣＬｎに感知信号が供給されるとき、有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化情報をセンシング部１８０に提供する。そのために、画素回路１４２は４つのトランジスタＭ１〜Ｍ４及び１つの第１キャパシタＣ１を備える。
【００２９】
第１トランジスタＭ１のゲート電極は走査線Ｓｎに接続され、第１電極はデータ線Ｄｍに接続される。そして、第１トランジスタＭ１の第２電極は第１ノードＡに接続される。
第２トランジスタＭ２のゲート電極は第１ノードＡに接続され、第１電極は第１電源ＥＬＶＤＤに接続される。
また、前記第１電源ＥＬＶＤＤ及び第１ノードＡの間には第１キャパシタＣ１が接続される。
【００３０】
このような第２トランジスタＭ２は、第１キャパシタＣ１に格納された電圧値に対応して第１電源ＥＬＶＤＤから有機発光ダイオードＯＬＥＤを経由して第２電源ＥＬＶＳＳに流れる電流量を制御する。このとき、有機発光ダイオードＯＬＥＤは第２トランジスタＭ２から供給される電流量に対応する光を生成する。
【００３１】
第３トランジスタＭ３のゲート電極は発光制御線Ｅｎに接続され、第１電極は第２トランジスタＭ２の第２電極に接続される。そして、第３トランジスタＭ３の第２電極は有機発光ダイオードＯＬＥＤに接続される。このような第３トランジスタＭ３は発光制御線Ｅｎに発光制御信号が供給される際（ハイレベル）にオフされ、発光制御信号が供給されない際（ローレベル）にオンされる。ここで、発光制御信号は第１キャパシタＣ１にデータ信号に対応する電圧が充電される期間（ｐｒｏｇｒａｍｍｉｎｇ ｐｅｒｉｏｄ）、有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化情報がセンシングされる期間（ＯＬＥＤ ｄｅｇｒａｄａｔｉｏｎ ｓｅｎｓｉｎｇ ｐｅｒｉｏｄ）に供給される。
【００３２】
第４トランジスタＭ４のゲート電極は感知線ＣＬｎに接続され、第１電極は有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノード電極に接続される。また、第４トランジスタＭ４の第２電極はデータ線Ｄｍに接続される。このような第４トランジスタＭ４は感知線ＣＬｎに感知信号が供給される際（ローレベル）にオンされ、それ以外の場合にオフされる。ここで、感知信号は有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化情報がセンシングされる期間の間に供給される。
【００３３】
但し、前記有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化情報がセンシングされるにおいて、前記センシングされる信号は第４トランジスタＭ４及びデータラインＤｍを経由してセンシング部１８０に提供される。これにより、前記データラインＤｍの自己抵抗及び第４トランジスタＭ４の内部格納などが原因で発生する電圧降下ＩＲ ＤＲＯＰによって、前記有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化情報が歪曲し得るという問題がある。
【００３４】
そのため、本発明は前記各画素１４０内の有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化程度を正確に抽出するために、互いに異なるレベルの基準電流を各画素１４０内の有機発光ダイオードＯＬＥＤに提供する。そして、前記電流の提供により生成されるそれぞれの有機発光ダイオードＯＬＥＤの電圧を測定し、前記それぞれの電圧情報を通じて前記有機発光ダイオードＯＬＥＤの正確な劣化程度を算出する。これにより、本発明は、前記劣化程度に関する情報が抽出されて伝達されるラインの抵抗及び前記ライン上に位置するスイッチング素子内部の抵抗などにより発生する電圧降下ＩＲ ＤＲＯＰによって前記有機発光ダイオードの劣化程度が歪むのを防止することを特徴とする。
【００３５】
以下、これを実現するために本発明の実施形態に備えられるセンシング部、格納部及び変換部についてより詳細に説明する。
図４は、図２に示したセンシング部、格納部及び変換部を詳細に示す図である。但し、図４では説明の便宜上、第ｍのデータ線Ｄｍと接続される構成を示す。
図４を参照すれば、センシング部１８０のそれぞれのチャネルには、センシング回路１８１及びアナログデジタル変換部（Ａｎａｌｏｇ−Ｄｉｇｉｔａｌ Ｃｏｎｖｅｒｔｅｒ:以下「ＡＤＣ」という）１８２が備えられる。（ここで、ＡＤＣは多数のチャネルに対して１つ、又は全てのチャネルが１つのＡＤＣを共有して用いることができる）
【００３６】
このとき、前記センシング部１８０は、画素１４０のそれぞれに含まれる有機発光ダイオードの劣化程度に関する情報を抽出する。そのために、前記センシング部１８０は前記各画素１４０内の有機発光ダイオードの劣化程度を正確に抽出するための互いに異なるレベルの基準電流を有機発光ダイオードに提供する。このようなセンシング部１８０は、前記電流の提供により生成されるそれぞれの有機発光ダイオードの電圧を測定することで、有機発光ダイオードの劣化程度を抽出する。
【００３７】
また、前記センシング部１８０から抽出された情報は、格納部１７０に提供される。前記格納部１７０は、前記センシング部１８０から抽出された信号を格納し、前記格納された信号を介して前記有機発光ダイオードの正確な劣化程度を算出して格納する。
即ち、前記格納部１７０は前記センシング部１８０から抽出されたそれぞれの電圧情報を通じて前記有機発光ダイオードの正確な劣化程度を算出する。これにより、前記格納部１７０は、前記劣化情報が抽出されて伝達されるラインの抵抗及び前記ライン上に位置するスイッチング素子の内部の抵抗などにより発生する電圧降下ＩＲ ＤＲＯＰによって前記有機発光ダイオードの劣化程度が歪むのを防止する。
【００３８】
また、変換部１９０は、前記格納部１７０に格納された正確な劣化情報を用いて有機発光ダイオードの劣化程度と関係なく、均一な輝度の映像を表示できるようにタイミング制御部から入力される入力データＤａｔａを校正データＤａｔａ’に変換する。前記校正データＤａｔａ’は、データ駆動部１２０に伝達されて最終的にパネル内の各画素１４０に提供される。
【００３９】
図５は、図４に示したセンシング部のセンシング回路を具体的に示す図である。
図５を参照すれば、前記センシング回路１８１は、第１及び第２電流ソース部１８３、１８５と、それらにそれぞれ連結されているスイッチング素子ＳＷ１、ＳＷ２とを備える。
【００４０】
第１電流ソース部１８３は、第１スイッチング素子ＳＷ１がオンされたとき、画素１４０に第１電流Ｉｒｅｆを供給する。即ち、前記第１電流は画素１４０に含まれる有機発光ダイオードＯＬＥＤに提供され、前記第１電流が供給されるとき、各画素１４０の有機発光ダイオードで生成される所定電圧はＡＤＣ１８２に供給される。このとき、前記第１電流ソース部１８３により生成される前記所定電圧（又は第１電圧）は有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化程度に関する情報を有する。
【００４１】
前記有機発光ダイオードＯＬＥＤは劣化するほど、内部の抵抗値が変化する。即ち、このような有機発光ダイオードの劣化に対応して印加される電流により生成される電圧値が変化する。従って、前記変化された電圧値を通じて有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化情報を抽出できる。
【００４２】
但し、前記第１電圧ＶＳ１は前記第１電流の印加による有機発光ダイオードのアノード電圧値ＶＯＬＥＤ、ａｎｏｄｅ１のみ含むのではなく、前述したように、データラインＤｍにより降下する電圧値ΔＶＤｍ及び第４トランジスタＭ４により降下する電圧値ΔＶＭ４を含む。即ち、第１電圧ＶＳ１はＶＳ１＝ＶＯＬＥＤ、ａｎｏｄｅ１＋ΔＶＤｍ＋ΔＶＭ４となる。
これは前記第１電圧ＶＳ１が有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化情報のみを含まないことを意味する。
【００４３】
これにより、本発明の実施形態では正確な有機発光ダイオードの劣化情報を抽出するために、第２電流２Ｉｒｅｆを供給する第２電流ソース部１８５が更に備えられる。
即ち、第２電流ソース部１８５は、第２スイッチング素子ＳＷ２がオンされたとき、画素１４０に第２電流２Ｉｒｅｆを供給し、前記第２電流が供給されるとき、各画素１４０の有機発光ダイオードで生成される所定電圧をＡＤＣ１８２に供給する。即ち、第２電流は画素１４０に含まれる有機発光ダイオードＯＬＥＤを経由して供給される。従って、第２電流ソース部１８５で生成される所定電圧（又は第２電圧）は有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化程度に関する情報を有する。
【００４４】
このとき、本発明の実施形態の場合、前記第２電流は第１電流の２倍の大きさを有することを一例として説明しているが、これは一実施形態に過ぎず、本発明は必ずこれに限定されるのではない。
【００４５】
また、前記第２スイッチング素子ＳＷ２は、第１スイッチング素子ＳＷ１がオフされたとき、オンされるものであり、前記第１及び第２スイッチング素子ＳＷ１、ＳＷ２は同時にオンされず、順次オンされることが好ましい。
【００４６】
そして、前述したように、前記有機発光ダイオードの劣化情報の抽出は、有機電界発光表示装置に電源が印加された後、映像が表示される前の非表示期間に行われることが好ましい。即ち、前記非表示期間中に前記第１及び第２スイッチング素子ＳＷ１、ＳＷ２はそれぞれ順次オンされる。
【００４７】
この場合、前記第２電圧ＶＳ２は前記第２電流の印加による有機発光ダイオードのアノード電圧値ＶＯＬＥＤ、ａｎｏｄｅ２のみを含むのではなく、前述したように、データラインＤｍにより降下する電圧値ΔＶＤｍ’及び第４トランジスタＭ４により降下する電圧値ΔＶＭ４'を含む。即ち、第２電圧ＶＳ２はＶＳ２＝ＶＯＬＥＤ、anode２＋ΔＶＤｍ'＋ΔＶＭ４'となる。
但し、前記実施形態では第２電流が第１電流Ｉｒｅｆの２倍の２Ｉｒｅｆであるので、前記ΔＶＤｍ'≒２ΔＶＤｍであり、ΔＶＭ４'≒２ΔＶＭ４となる。
【００４８】
このように、２つの電流ソース部１８３、１８５が備えられて互いに異なる大きさの電流を提供し、これに対応するそれぞれの電圧値を抽出する理由は、前述したように、各画素１４０内の有機発光ダイオードの劣化程度を正確に抽出するためである。即ち、これは前記劣化情報が抽出されて伝達されるデータラインＤｍの抵抗及び前記データラインＤｍ上に位置する第４トランジスタＭ４の内部の抵抗などにより発生する電圧降下ＩＲ ＤＲＯＰによって前記有機発光ダイオードの劣化程度が歪むのを防止するためである。
【００４９】
また、前記抽出されたそれぞれの第１電圧ＶＳ１及び第２電圧ＶＳ２は、ＡＤＣ１８２によりこれに対応するそれぞれのデジタル値に変換される。即ち、第１電圧ＶＳ１は第１デジタル値に変換され、第２電圧ＶＳ２は第２デジタル値に変換される。
【００５０】
図６は、図４に示した格納部の内部構成を具体的に示す図である。
前述したように、前記格納部１７０は、前記センシング部１８０から抽出されたそれぞれの電圧情報を通じて前記有機発光ダイオードの正確な劣化程度を算出するようにする。これにより、前記格納部１７０は前記劣化情報が抽出されて伝達されるデータラインＤｍの抵抗及び前記ライン上に位置するスイッチング素子Ｍ４の内部の抵抗などにより発生する電圧降下ＩＲ ＤＲＯＰによって前記有機発光ダイオードの劣化程度が歪むのを防止する。
【００５１】
より具体的に、図６を参照すれば、格納部１７０は、第１レジスタ１７２、第２レジスタ１７４、処理部１７６及び第３レジスタ１７８が含まれて構成される。
第１レジスタ１７２には、前記第１電流ソース部１８３の第１電流Ｉｒｅｆの提供に対応して生成される第１電圧ＶＳ１がＡＤＣ１８２により変換されたデジタル値が格納される。そして、第２レジスタ１７４には、前記第２電流ソース部１８５の第２電流２Ｉｒｅｆの提供に対応して生成される第２電圧ＶＳ２がＡＤＣ１８２により変換されたデジタル値が格納される。また、処理部１７６は前記第１及び第２レジスタに格納される値を用いて各画素内の有機発光ダイオードの正確な劣化程度に関する情報を抽出する。そして、第３レジスタ１７８には前記処理部から抽出された各画素内の有機発光ダイオードの正確な劣化程度に関する情報が格納される。
【００５２】
従って、前記第１レジスタ１７２には第１電圧ＶＳ１、即ち、ＶＯＬＥＤ、ａｎｏｄｅ１＋ΔＶＤｍ＋ΔＶＭ４のデジタル値が格納され、前記第２レジスタ１７４には第２電圧ＶＳ２、即ち、ＶＯＬＥＤ、ａｎｏｄｅ２＋ΔＶＤｍ'＋ΔＶＭ４'のデジタル値が格納される。
【００５３】
本発明の実施形態の場合、前記第２電流が第１電流Ｉｒｅｆの２倍の２Ｉｒｅｆであるので、前述したように、ΔＶＤｍ'≒２ΔＶＤｍであり、ΔＶＭ４'≒２ΔＶＭ４となる。
これにより、前記処理部１７６ではこれを活用して図６に示すように、第１レジスタ１７２に格納されたデジタル値を２倍にし、前記２倍の第１レジスタ格納値と第２レジスタ格納値との差を生成し、これは第３レジスタ１７８に格納される。
即ち、前記第３レジスタ１７８に格納された値は、前記データラインＤｍの抵抗及び前記第４トランジスタＭ４の内部の抵抗などにより発生する電圧降下ＩＲ ＤＲＯＰによる影響が除去された有機発光ダイオードの劣化情報となる。
即ち、前記処理部１７６における動作を数式で表現すれば、以下の通りである。
【００５４】
【数１】
0005279305.tif 000002
【００５５】
前記式１によれば、処理部１７６の動作により、前記データラインＤｍの抵抗及び前記第４トランジスタＭ４の内部の抵抗などにより発生する電圧降下ＩＲ ＤＲＯＰによる影響は殆ど除去される。結果的に、前記処理部１７６から出力されて第３レジスタ１７８に格納されるデジタル値は正確な有機発光ダイオードの劣化情報となる。
【００５６】
図７は、図４に示した変換部の内部構成を具体的に示す図である。
前記変換部１９０は、前記格納部１７０の第３レジスタ１７８に格納された正確な劣化情報を用いて有機発光ダイオードの劣化程度と関係なく、均一な輝度の映像を表示できるように、タイミング制御部から入力されるデータＤａｔａを校正データＤａｔａ’に変換する。そして、前記変換部１９０で変換された前記校正データＤａｔａ’はデータ駆動部１２０に伝達されて最終的にパネル内の各画素に提供される。
【００５７】
より具体的に図７を参照すれば、前記変換部１９０は、ルックアップテーブル（ＬＵＴ）１９２及びフレームメモリ１９４が含まれて構成される。ここで、ルックアップテーブル（ＬＵＴ）１９２は、前記格納部１７０から出力される信号によりアドレシングされて特定の校正値を生成する。そして、フレームメモリ１９４には前記ルックアップテーブル１９２で生成された校正値が格納される。
【００５８】
即ち、変換部１９０は、前記格納部１７０の第３レジスタ１７８に格納された正確な劣化情報の提供を受けて前記ルックアップテーブル１９２及びフレームメモリ１９４を介して各画素内に備えられた有機発光ダイオードの劣化程度と関係なく、均一な輝度の映像を表示できるように、入力データＤａｔａを前記校正値により校正データＤａｔａ’に変換する。前記変換部１９０で変換された前記校正データＤａｔａ’はデータ駆動部１２０に伝達される。
【００５９】
図８は、図４に示したデータ駆動部の実施形態を示すブロック図である。
図８を参照すれば、データ駆動部１２０は、シフトレジスタ部１２１、サンプリングラッチ部１２２、ホールディングラッチ部１２３、ＤＡＣ部１２４及びバッファ部１２５を備える。
【００６０】
シフトレジスタ部１２１は、タイミング制御部１５０からソーススタートパルスＳＳＰ及びソースシフトクロックＳＳＣの供給を受ける。ソースシフトクロックＳＳＣ及びソーススタートパルスＳＳＰの供給を受けたシフトレジスタ部１２１はソースシフトクロックＳＳＣの１周期毎にソーススタートパルスＳＳＰをシフトさせながら、順次ｍ個のサンプリング信号を生成する。そのために、シフトレジスタ部１２１はｍ個のシフトレジスタ１２１１〜１２１ｍを備える。
【００６１】
サンプリングラッチ部１２２は、シフトレジスタ部１２１から順次供給されるサンプリング信号に応答して前記校正データＤａｔａ’を順次格納する。そのために、サンプリングラッチ部１２２はｍ個の校正データＤａｔａ’を格納するために、ｍ個のサンプリングラッチ１２２１〜１２２ｍを備える。
【００６２】
ホールディングラッチ部１２３は、タイミング制御部１５０からソース出力イネーブルＳＯＥ信号の供給を受ける。ソース出力イネーブルＳＯＥ信号の供給を受けたホールディングラッチ部１２３は、サンプリングラッチ部１２２から校正データＤａｔａ’の入力の受けて格納する。そして、ホールディングラッチ部１２３は、自分に格納された校正データＤａｔａ’をＤＡＣ部１２４に供給する。そのために、ホールディングラッチ部１２３は、ｍ個のホールディングラッチ１２３１〜１２３ｍを備える。
【００６３】
ＤＡＣ部１２４は、ホールディングラッチ部１２３から校正データＤａｔａ’の入力を受け、入力を受けた校正データＤａｔａ’に対応してｍ個のデータ信号を生成する。そのために、ＤＡＣ部１２４はｍ個のデジタル−アナログ変換器（Ｄｉｇｉｔａｌ-Ａｎａｌｏｇ Ｃｏｎｖｅｒｔｅｒ:ＤＡＣ）１２４１〜１２４ｍを備える。即ち、ＤＡＣ部１２４はそれぞれのチャネル毎に位置するＤＡＣ１２４１〜１２４ｍを用いてｍ個のデータ信号を生成し、生成されたデータ信号をバッファ部１２５に供給する。
【００６４】
バッファ部１２５は、ＤＡＣ部１２４から供給されるｍ個のデータ信号をｍ個のデータ線Ｄ１〜Ｄｍのそれぞれに供給する。そのために、バッファ部１２５はｍ個のバッファ１２５１〜１２５ｍを備える。
【００６５】
以上説明したように、本発明の最も好ましい実施の形態等について説明したが、本発明は、上記記載に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載され、または明細書に開示された発明の要旨に基づき、当業者において様々な変形や変更が可能であることは勿論であり、斯かる変形や変更が、本発明の範囲に含まれることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】従来の画素を示す回路図である。
【図２】本発明の実施形態に係る有機電界発光表示装置を示すブロック図である。
【図３】図２に示した画素の実施形態を示す回路図である。
【図４】図２に示したセンシング部、格納部、変換部及びデータ駆動部を詳細に示す図である。
【図５】図４に示したセンシング部のセンシング回路を具体的に示す図である。
【図６】図４に示した格納部の内部構成を具体的に示す図である。
【図７】図４に示した変換部の内部構成を具体的に示す図である。
【図８】図４に示したデータ駆動部の実施形態を示すブロック図である。
【符号の説明】
【００６７】
１２０  データ駆動部
１５０  タイミング制御部
１７０  格納部
１７２  第１レジスタ
１７４  第２レジスタ
１７６  処理部
１７８  第３レジスタ
１８０  センシング部
１８１  センシング回路
１８２  ＡＤＣ
１８３  第１電流ソース部 
１８５  第２電流ソース部 
１９２  ルックアップテーブル
１９４  フレームメモリ
【図１】
0005279305.tif 000003
【図２】
0005279305.tif 000004
【図３】
0005279305.tif 000005
【図４】
0005279305.tif 000006
【図５】
0005279305.tif 000007
【図６】
0005279305.tif 000008
【図７】
0005279305.tif 000009
【図８】
0005279305.tif 000010