(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応室を密閉する取外し可能な蓋を有する反応装置の上記反応室内部からガスを捕集するガス捕集器であって、
導管、複数の入口及び少なくとも１つの出口を形成する、略環状の剛性の本体と、
上記本体の上記反応室に隣接する部分に設けられ、ガスの流れを上記入口に導くことにより上記ガス捕集器付近に定常渦流が形成されるのを防止する少なくとも１つのリップと、
上記本体上に設けられ、上記蓋と協働して上記反応室からのガスの逃げを防止する封止部とを備え、
上記本体は、その内周面がウェハが配置される反応室を囲むように配置され、
上記入口は、上記反応室から上記導管内にガスを導くとともに、上記少なくとも１つの出口は、上記導管からガスを排気するようになっているガス捕集器。
【請求項２】
上記本体は、第１の部材と第２の部材を備えており、上記封止部は、上記第２の部材に設けられている請求項１記載のガス捕集器。
【請求項３】
上記第１の部材と上記第２の部材との間に設けられ、上記第２の部材に対する上記第１の部材の移動を可能にするとともに、上記第１の部材と上記第２の部材との間の界面を横切るガスの流れを低減させる部材間封止部をさらに備えている請求項２記載のガス捕集器。
【請求項４】
上記入口は、上記第１の部材に形成されており、該第１の部材は、上記反応室に対して定位置にある請求項２記載のガス捕集器。
【請求項５】
上記導管内に設けられ、上記第２の部材を上記蓋に対して押圧する弾性装置をさらに備えている請求項２記載のガス捕集器。
【請求項６】
上記リップは、上記本体を上記反応装置の台に支持するものである請求項１記載のガス捕集器。
【請求項７】
上記リップは、上記台の上面を完全に覆っている請求項６記載のガス捕集器。
【請求項８】
上記本体は、黒鉛を含んでいる請求項１記載のガス捕集器。
【請求項９】
反応室を密閉する取外し可能な蓋を有する反応装置の上記反応室内部からガスを捕集するガス捕集器であって、
互いに別体の少なくとも２つの部材を有し、導管、複数の入口及び少なくとも１つの出口を形成する、略環状の本体と、
上記本体の上記反応室に隣接する部分に設けられ、ガスの流れを上記入口に導くことにより上記ガス捕集器付近に定常渦流が形成されるのを防止する少なくとも１つのリップと、
上記本体上に設けられ、上記蓋と協働して上記反応室からのガスの逃げを防止する封止部とを備え、
上記本体は、その内周面がウェハが配置される反応室を囲むように配置され、
上記入口は、上記反応室から上記導管内にガスを導くとともに、上記少なくとも１つの出口は、上記導管からガスを排気するようになっているガス捕集器。
【請求項１０】
上記本体は、第１の部材と第２の部材を備えている請求項９記載のガス捕集器。
【請求項１１】
上記第１の部材と上記第２の部材との間に設けられ、上記第２の部材に対する上記第１の部材の移動を可能にするとともに、上記第１の部材と上記第２の部材との間の界面を横切るガスの流れを低減させる部材間封止部をさらに備えている請求項１０記載のガス捕集器。
【請求項１２】
上記第１の部材と上記第２の部材の一方は、溝を形成しており、上記第１の部材と上記第２の部材の他方は、上記溝と嵌合して上記部材間封止部を形成する突出部を備えている請求項１１記載のガス捕集器。
【請求項１３】
上記本体は、上記反応室に隣接する内壁と、該内壁に対向する外壁とを備えており、上記部材間封止部の少なくとも一方は、上記外壁に含まれている請求項１１記載のガス捕集器。
【請求項１４】
上記各部材間封止部は、上記第１の部材を上記第２の部材に対して共通方向に移動可能にするようになっている請求項１１記載のガス捕集器。
【請求項１５】
上記部材間封止部は、互いに嵌合する雄型部分と雌型部分を備えている請求項１１記載のガス捕集器。
【請求項１６】
上記第１の部材と上記第２の部材のうちの一方は、上記雄型部分を備えており、上記第１の部材と上記第２の部材のうちの他方は、上記雌型部分を備えている請求項１５記載のガス捕集器。
【請求項１７】
上記雄型部分は、上記ガス捕集器と上記蓋が分離されている時には、上記雌型部分に少なくとも部分的に挿入されるようになっている請求項１５記載のガス捕集器。
【請求項１８】
上記雄型部分は、上記ガス捕集器が上記蓋と係合している時には、上記雌型部分の深さの約４０％ないし約６０％まで突出するようになっている請求項１７記載のガス捕集器。
【請求項１９】
上記入口は、上記第１の部材に形成されており、該第１の部材は、上記反応室に対して定位置にある請求項１０記載のガス捕集器。
【請求項２０】
上記導管内に設けられ、上記第２の部材を上記蓋に対して押圧する弾性装置をさらに備えている請求項１０記載のガス捕集器。
【請求項２１】
反応室を密閉する取外し可能な蓋を有する反応装置の上記反応室内部からガスを捕集するガス捕集器であって、
導管、上記反応室に対して定位置にある複数の入口、及び少なくとも１つの出口を形成する、略環状の本体と、
上記本体の上記反応室に隣接する部分に設けられ、ガスの流れを上記入口に導くことにより上記ガス捕集器付近に定常渦流が形成されるのを防止する少なくとも１つのリップと、
上記本体上に設けられ、上記蓋と協働して上記反応室からのガスの逃げを防止する封止部とを備え、
上記本体は、その内周面がウェハが配置される反応室を囲むように配置され、
上記入口は、上記反応室から上記導管内にガスを導くとともに、上記少なくとも１つの出口は、上記導管からガスを排気するようになっているガス捕集器。
【請求項２２】
上記本体は、上記反応室に対して定位置にある第１の部材と上記反応室に対して可動の第２の部材を備えており、上記入口は、上記第１の部材に設けられている請求項２１記載のガス捕集器。
【請求項２３】
上記封止部を上記蓋に対して押圧する装置をさらに備えている請求項２２記載のガス捕集器。
【請求項２４】
上記封止部は、上記第２の部材に設けられており、上記装置は、上記第１の部材及び上記第２の部材に接触している請求項２３記載のガス捕集器。
【請求項２５】
上記装置は、複数の弾性部材を備えている請求項２３記載のガス捕集器。
【請求項２６】
上記装置は、上記導管内に設けられている請求項２３記載のガス捕集器。
【請求項２７】
上記装置は、ガスを通過させるようになっている請求項２６記載のガス捕集器。
【請求項２８】
上記装置は、隙間のあるコイルを有する複数のばねを備えている請求項２７記載のガス捕集器。
【請求項２９】
上記装置は複数のばねを備えており、上記少なくとも２つの部材のうちの少なくとも１つは、上記各ばねに対応する座を有している請求項２６記載のガス捕集器。
【請求項３０】
上記各ばねは、上記導管の幅よりわずかに小さい径を有している請求項２９記載のガス捕集器。
【請求項３１】
上記第１の部材と上記第２の部材との間に設けられ、上記第２の部材に対する上記第１の部材の移動を可能にするとともに、上記第１の部材と上記第２の部材との間の界面を横切るガスの流れを低減させる部材間封止部をさらに備えている請求項２２記載のガス捕集器。
【請求項３２】
反応室を密閉する取外し可能な蓋を有する反応装置の上記反応室内部からガスを捕集するガス捕集器であって、
導管、複数の入口及び少なくとも１つの出口を形成する、略環状の本体と、
上記本体の上記反応室に隣接する部分に設けられ、ガスの流れを上記入口に導くことにより上記ガス捕集器付近に定常渦流が形成されるのを防止する少なくとも１つのリップと、
上記本体上に設けられ、上記蓋と協働して上記反応室からのガスの逃げを防止する封止部とを備え、
上記本体は、その内周面がウェハが配置される反応室を囲むように配置され、
上記入口は、上記反応室から上記導管内にガスを導くとともに、上記少なくとも１つの出口は、上記導管からガスを排気するようになっているガス捕集器。
【請求項３３】
少なくとも１つのリップが、上記本体の上記反応室に対して定位置の部分に配置されている請求項３２記載のガス捕集器。
【請求項３４】
上記少なくとも１つの各リップは、上記本体の上記反応室に対して定位置の部分に配置されている請求項３２記載のガス捕集器。
【請求項３５】
上記少なくとも１つのリップは、上記反応室に向かって水平方向内側に傾斜しているとともに、上記入口から垂直方向に遠ざかるように傾斜している請求項３２記載のガス捕集器。
【請求項３６】
上記少なくとも１つのリップは、湾曲した外形を有している請求項３５記載のガス捕集器。
【請求項３７】
上記少なくとも１つのリップは、直線状の外形を有している請求項３５記載のガス捕集器。
【請求項３８】
上記本体は、第１の部材と第２の部材を備えており、上記封止部は、上記第２の部材に設けられている請求項３２記載のガス捕集器。
【請求項３９】
上記第１の部材と上記第２の部材との間に設けられ、上記第２の部材に対する上記第１の部材の移動を可能にするとともに、上記第１の部材と上記第２の部材との間の界面を横切るガスの流れを低減させる部材間封止部をさらに備えている請求項３８記載のガス捕集器。
【請求項４０】
上記入口は、上記第１の部材に形成されており、該第１の部材は、上記反応室に対して定位置にある請求項３８記載のガス捕集器。
【請求項４１】
上記導管内に設けられ、上記第２の部材を上記蓋に対して押圧する弾性装置をさらに備えている請求項３８記載のガス捕集器。
【請求項４２】
反応室を密閉する取外し可能な蓋を有する反応装置の上記反応室内部からガスを捕集するガス捕集器であって、
導管、複数の入口及び少なくとも１つの出口を形成する、略環状の本体と、
上記本体の上記反応室に隣接する部分に設けられ、ガスの流れを上記入口に導くことにより上記ガス捕集器付近に定常渦流が形成されるのを防止する少なくとも１つのリップと、
上記本体から延出し、該本体を台の上に支持するリップと、
上記本体上に設けられ、上記蓋と協働して上記反応室からのガスの逃げを防止する封止部とを備え、
上記本体は、その内周面がウェハが配置される反応室を囲むように配置され、
上記入口は、上記反応室から上記導管内にガスを導くとともに、上記少なくとも１つの出口は、上記導管からガスを排気するようになっており、
上記本体を台の上に支持する上記リップは、上記台の上面の幅分を完全に覆っているガス捕集器。
【請求項４３】
上記本体を台の上に支持するリップは、上記反応室に向かって水平方向内側に傾斜しているとともに、上記入口から垂直方向に遠ざかるように傾斜している請求項４２記載のガス捕集器。
【請求項４４】
上記本体は、第１の部材と第２の部材を備えており、上記封止部は、上記第２の部材に設けられている請求項４２記載のガス捕集器。
【請求項４５】
上記第１の部材と上記第２の部材との間に設けられ、上記第２の部材に対する上記第１の部材の移動を可能にするとともに、上記第１の部材と上記第２の部材との間の界面を横切るガスの流れを低減させる部材間封止部をさらに備えている請求項４４記載のガス捕集器。
【請求項４６】
上記入口は、上記第１の部材に形成されており、該第１の部材は、上記反応室に対して定位置にある請求項４４記載のガス捕集器。
【請求項４７】
上記導管内に設けられ、上記第２の部材を上記蓋に対して押圧する弾性装置をさらに備えている請求項４４記載のガス捕集器。
【請求項４８】
反応室を密閉する蓋を有する反応装置の上記反応室内で形成されたガスを捕集するガス捕集器であって、
黒鉛を含み、導管、複数の入口及び少なくとも１つの出口を形成する、略環状の本体と、
上記本体の上記反応室に隣接する部分に設けられ、ガスの流れを上記入口に導くことにより上記ガス捕集器付近に定常渦流が形成されるのを防止する少なくとも１つのリップと、
上記本体上に設けられ、上記蓋と協働して上記反応室からのガスの逃げを防止する封止部とを備え、
上記本体は、その内周面がウェハが配置される反応室を囲むように配置され、
上記入口は、上記反応室から上記導管内にガスを導くとともに、上記少なくとも１つの出口は、上記導管からガスを排気するようになっているガス捕集器。
【請求項４９】
上記本体は、第１の部材と第２の部材を備えており、上記封止部は、上記第２の部材に設けられている請求項４８記載のガス捕集器。
【請求項５０】
上記第１の部材と上記第２の部材との間に設けられ、上記第２の部材に対する上記第１の部材の移動を可能にするとともに、上記第１の部材と上記第２の部材との間の界面を横切るガスの流れを低減させる部材間封止部をさらに備えている請求項４９記載のガス捕集器。
【請求項５１】
上記入口は、上記第１の部材に形成されており、該第１の部材は、上記反応室に対して定位置にある請求項４９記載のガス捕集器。
【請求項５２】
上記導管内に設けられ、上記第２の部材を上記蓋に対して押圧する弾性装置をさらに備えている請求項４９記載のガス捕集器。
【請求項５３】
上記リップは、上記本体を上記反応装置の台に支持するものである請求項４８記載のガス捕集器。
【請求項５４】
上記リップは、上記台の上面を完全に覆っている請求項５３記載のガス捕集器。
【請求項５５】
内部に導入されるガスから堆積物を形成する反応装置であって、
ガスが導入される反応室を形成する反応装置本体と、
上記反応室を密閉する取外し可能な蓋と、
上記反応装置からガスを除去する少なくとも１つの排気部と、
上記反応室内部からガスを捕集するガス捕集器とを備え、
上記ガス捕集器は、
複数の入口、少なくとも１つの出口、及び導管を形成する、略環状の剛性の本体と、
上記ガス捕集器本体の上記反応室に隣接する部分に設けられ、ガスの流れを上記入口に導くことにより上記ガス捕集器付近に定常渦流が形成されるのを防止する少なくとも１つのリップと、
上記ガス捕集器の本体上に設けられ、上記蓋と協働して上記反応室からのガスの逃げを防止する封止部とを備えており、
上記本体は、その内周面がウェハが配置される反応室を囲むように配置され、
上記入口は、上記反応室から上記導管内にガスを導くとともに、上記少なくとも１つの出口は、上記導管から上記少なくとも１つの排気部内にガスを排気するようになっている反応装置。
【請求項５６】
上記ガス捕集器の本体は、第１の部材と第２の部材を備えており、上記封止部は、上記第２の部材に設けられている請求項５５記載の反応装置。
【請求項５７】
上記第１の部材と上記第２の部材との間に設けられ、上記第２の部材に対する上記第１の部材の移動を可能にするとともに、上記第１の部材と上記第２の部材との間の界面を横切るガスの流れを低減させる部材間封止部をさらに備えている請求項５６記載の反応装置。
【請求項５８】
上記入口は、上記第１の部材に形成されており、該第１の部材は、上記反応室に対して定位置にある請求項５６記載の反応装置。
【請求項５９】
上記導管内に設けられ、上記第２の部材を上記蓋に対して押圧する弾性装置をさらに備えている請求項５６記載の反応装置。
【請求項６０】
上記ガス捕集器を支持する台をさらに備えており、
上記リップは、上記本体を上記台に支持するものである請求項５５記載の反応装置。
【請求項６１】
上記リップは、上記台の上面を完全に覆っている請求項５５記載の反応装置。
【請求項６２】
上記ガス捕集器の本体は黒鉛を含んでいる請求項５５記載の反応装置。
【請求項６３】
上記反応装置はエピタキシャル反応装置である請求項５５記載の反応装置。
【請求項６４】
内部に導入されるガスから堆積物を形成する反応装置であって、
ガスが導入される反応室を形成する反応装置本体と、
上記反応室を密閉する取外し可能な蓋と、
上記反応装置からガスを除去する少なくとも１つの排気部と、
上記反応室内部からガスを捕集するガス捕集器とを備え、
上記ガス捕集器は、
互いに別体の少なくとも２つの部材を有し、複数の入口、少なくとも１つの出口、及び導管を形成する、略環状の本体と、
上記ガス捕集器本体の上記反応室に隣接する部分に設けられ、ガスの流れを上記入口に導くことにより上記ガス捕集器付近に定常渦流が形成されるのを防止する少なくとも１つのリップと、
上記ガス捕集器の本体上に設けられ、上記蓋と協働して上記反応室からのガスの逃げを防止する封止部とを備えており、
上記本体は、その内周面がウェハが配置される反応室を囲むように配置され、
上記入口は、上記反応室から上記導管内にガスを導くとともに、上記少なくとも１つの出口は、上記導管から上記少なくとも１つの排気部内にガスを排気するようになっている反応装置。
【請求項６５】
上記ガス捕集器の本体は、第１の部材と第２の部材を備えている請求項６４記載の反応装置。
【請求項６６】
上記第１の部材と上記第２の部材との間に設けられ、上記第２の部材に対する上記第１の部材の移動を可能にするとともに、上記第１の部材と上記第２の部材との間の界面を横切るガスの流れを低減させる部材間封止部をさらに備えている請求項６５記載の反応装置。
【請求項６７】
上記第１の部材と上記第２の部材の一方は、溝を形成しており、上記第１の部材と上記第２の部材の他方は、上記溝と嵌合して上記部材間封止部を形成する突出部を備えている請求項６６記載の反応装置。
【請求項６８】
上記本体は、上記反応室に隣接する内壁と、該内壁に対向する外壁とを備えており、上記部材間封止部の少なくとも一方は、上記外壁に含まれている請求項６６記載の反応装置。
【請求項６９】
上記各部材間封止部は、上記第１の部材の上記第２の部材に対する共通方向への移動を可能にするようになっている請求項６６記載の反応装置。
【請求項７０】
上記部材間封止部は、互いに嵌合する雄型部分と雌型部分を備えている請求項６６記載の反応装置。
【請求項７１】
上記第１の部材と上記第２の部材のうちの一方は、上記雄型部分を備えており、上記第１の部材と上記第２の部材のうちの他方は、上記雌型部分を備えている請求項７０記載の反応装置。
【請求項７２】
上記雄型部分は、上記ガス捕集器と上記蓋が分離されている時には、上記雌型部分に少なくとも部分的に挿入されるようになっている請求項７０記載の反応装置。
【請求項７３】
上記雄型部分は、上記ガス捕集器が上記蓋と係合している時には、上記雌型部分の深さの約４０％ないし約６０％まで突出するようになっている請求項７２記載の反応装置。
【請求項７４】
上記入口は、上記第１の部材に形成されており、該第１の部材は、上記反応室に対して定位置にある請求項６５記載の反応装置。
【請求項７５】
上記導管内に設けられ、上記第２の部材を上記蓋に対して押圧する弾性装置をさらに備えている請求項６５記載の反応装置。
【請求項７６】
上記反応装置はエピタキシャル反応装置である請求項６４記載の反応装置。
【請求項７７】
内部に導入されるガスから堆積物を形成する反応装置であって、
ガスが導入される反応室を形成する反応装置本体と、
上記反応室を密閉する取外し可能な蓋と、
上記反応装置からガスを除去する少なくとも１つの排気部と、
上記反応室内部からガスを捕集するガス捕集器とを備え、
上記ガス捕集器は、
上記反応室に対して定位置にある複数の入口、少なくとも１つの出口、及び導管を形成する、略環状の本体と、
上記ガス捕集器本体の上記反応室に隣接する部分に設けられ、ガスの流れを上記入口に導くことにより上記ガス捕集器付近に定常渦流が形成されるのを防止する少なくとも１つのリップと、
上記ガス捕集器の本体上に設けられ、上記蓋と協働して上記反応室からのガスの逃げを防止する封止部とを備えており、
上記本体は、その内周面がウェハが配置される反応室を囲むように配置され、
上記入口は、上記反応室から上記導管内にガスを導くとともに、上記少なくとも１つの出口は、上記導管から上記少なくとも１つの排気部内にガスを排気するようになっている反応装置。
【請求項７８】
上記ガス捕集器の本体は、上記反応室に対して定位置にある第１の部材と上記反応室に対して可動の第２の部材を備えており、上記入口は、上記第１の部材に設けられている請求項７７記載の反応装置。
【請求項７９】
上記封止部を上記蓋に対して押圧する装置をさらに備えている請求項７８記載の反応装置。
【請求項８０】
上記封止部は、上記第２の部材に設けられており、上記装置は、上記第１の部材及び上記第２の部材に接触している請求項７９記載の反応装置。
【請求項８１】
上記装置は、複数の弾性部材を備えている請求項７９記載の反応装置。
【請求項８２】
上記装置は、上記導管内に設けられている請求項７９記載の反応装置。
【請求項８３】
上記装置は、ガスを通過させるようになっている請求項８２記載の反応装置。
【請求項８４】
上記装置は、隙間のあるコイルを有する複数のばねを備えている請求項８３記載の反応装置。
【請求項８５】
上記装置は複数のばねを備えており、上記少なくとも２つの部材のうちの少なくとも１つは、上記各ばねに対応する座を有している請求項８２記載の反応装置。
【請求項８６】
上記各ばねは、上記導管の幅よりわずかに小さい径を有している請求項８５記載の反応装置。
【請求項８７】
上記第１の部材と上記第２の部材との間に設けられ、上記第２の部材に対する上記第１の部材の移動を可能にするとともに、上記第１の部材と上記第２の部材との間の界面を横切るガスの流れを低減させる部材間封止部をさらに備えている請求項７８記載の反応装置。
【請求項８８】
上記反応装置はエピタキシャル反応装置である請求項７７記載の反応装置。
【請求項８９】
内部に導入されるガスから堆積物を形成する反応装置であって、
ガスが導入される反応室を形成する反応装置本体と、
上記反応室を密閉する取外し可能な蓋と、
上記反応装置からガスを除去する少なくとも１つの排気部と、
上記反応室内部からガスを捕集するガス捕集器とを備え、
上記ガス捕集器は、
複数の入口、少なくとも１つの出口、及び導管を形成する、略環状の本体と、
上記ガス捕集器本体の上記反応室に隣接する部分に設けられ、ガスの流れを上記入口に導くことにより上記ガス捕集器付近に定常渦流が形成されるのを防止する少なくとも１つのリップと、
上記ガス捕集器本体上に設けられ、上記蓋と協働して上記反応室からのガスの逃げを防止する封止部とを備えており、
上記本体は、その内周面がウェハが配置される反応室を囲むように配置され、
上記入口は、上記反応室から上記導管内にガスを導くとともに、上記少なくとも１つの出口は、上記導管から上記少なくとも１つの排気部内にガスを排気するようになっている反応装置。
【請求項９０】
少なくとも１つのリップが、上記ガス捕集器本体の上記反応室に対して定位置の部分に配置されている請求項８９記載の反応装置。
【請求項９１】
上記少なくとも１つの各リップは、上記本体の上記反応室に対して定位置の部分に配置されている請求項８９記載の反応装置。
【請求項９２】
上記少なくとも１つのリップは、上記反応室に向かって水平方向内側に傾斜しているとともに、上記入口から垂直方向に遠ざかるように傾斜している請求項８９記載の反応装置。
【請求項９３】
上記少なくとも１つのリップは、湾曲した外形を有している請求項９２記載の反応装置。
【請求項９４】
上記少なくとも１つのリップは、直線状の外形を有している請求項９２記載の反応装置。
【請求項９５】
上記本体は、第１の部材と第２の部材を備えており、上記封止部は、上記第２の部材に設けられている請求項８９記載の反応装置。
【請求項９６】
上記第１の部材と上記第２の部材との間に設けられ、上記第２の部材に対する上記第１の部材の移動を可能にするとともに、上記第１の部材と上記第２の部材との間の界面を横切るガスの流れを低減させる部材間封止部をさらに備えている請求項９５記載の反応装置。
【請求項９７】
上記入口は、上記第１の部材に形成されており、該第１の部材は、上記反応室に対して定位置にある請求項９５記載の反応装置。
【請求項９８】
上記導管内に設けられ、上記第２の部材を上記蓋に対して押圧する弾性装置をさらに備えている請求項９５記載の反応装置。
【請求項９９】
上記反応装置はエピタキシャル反応装置である請求項８９記載の反応装置。
【請求項１００】
内部に導入されるガスから堆積物を形成する反応装置であって、
ガスが導入される反応室を形成する反応装置本体と、
上記反応室を密閉する取外し可能な蓋と、
上記反応室内の台と、
上記反応装置からガスを除去する少なくとも１つの排気部と、
上記反応室内部からガスを捕集するガス捕集器とを備え、
上記ガス捕集器は、
複数の入口、少なくとも１つの出口、及び導管を形成する、略環状の本体と、
上記ガス捕集器本体の上記反応室に隣接する部分に設けられ、ガスの流れを上記入口に導くことにより上記ガス捕集器付近に定常渦流が形成されるのを防止する少なくとも１つのリップと、
上記ガス捕集器本体から延出し、該本体を上記台の上に支持するリップと、
上記ガス捕集器本体上に設けられ、上記蓋と協働して上記反応室からのガスの逃げを防止する封止部とを備え、
上記本体は、その内周面がウェハが配置される反応室を囲むように配置され、
上記入口は、上記反応室から上記導管内にガスを導くとともに、上記少なくとも１つの出口は、上記導管から上記少なくとも１つの排気部内にガスを排気するようになっており、
上記本体を台の上に支持する上記リップは、上記台の上面の幅分を完全に覆うように延出している反応装置。
【請求項１０１】
上記本体を台の上に支持するリップは、上記反応室に向かって水平方向内側に傾斜しているとともに、上記入口から垂直方向に遠ざかるように傾斜している請求項１００記載の反応装置。
【請求項１０２】
上記ガス捕集器の本体は、第１の部材と第２の部材を備えており、上記封止部は、上記第２の部材に設けられている請求項１００記載の反応装置。
【請求項１０３】
上記第１の部材と上記第２の部材との間に設けられ、上記第２の部材に対する上記第１の部材の移動を可能にするとともに、上記第１の部材と上記第２の部材との間の界面を横切るガスの流れを低減させる部材間封止部をさらに備えている請求項１０２記載の反応装置。
【請求項１０４】
上記入口は、上記第１の部材に形成されており、該第１の部材は、上記反応室に対して定位置にある請求項１０２記載の反応装置。
【請求項１０５】
上記導管内に設けられ、上記第２の部材を上記蓋に対して押圧する弾性装置をさらに備えている請求項１０２記載の反応装置。
【請求項１０６】
上記反応装置はエピタキシャル反応装置である請求項１００記載の反応装置。
【請求項１０７】
内部に導入されるガスから堆積物を形成する反応装置であって、
ガスが導入される反応室を形成する反応装置本体と、
上記反応室を密閉する取外し可能な蓋と、
上記反応装置からガスを除去する少なくとも１つの排気部と、
上記反応室内部からガスを捕集するガス捕集器とを備え、
上記ガス捕集器は、
黒鉛を含み、導管、複数の入口及び少なくとも１つの出口を形成する、略環状の本体と、
上記ガス捕集器本体の上記反応室に隣接する部分に設けられ、ガスの流れを上記入口に導くことにより上記ガス捕集器付近に定常渦流が形成されるのを防止する少なくとも１つのリップと、
上記ガス捕集器本体上に設けられ、上記蓋と協働して上記反応室からのガスの逃げを防止する封止部とを備え、
上記本体は、その内周面がウェハが配置される反応室を囲むように配置され、
上記入口は、上記反応室から上記導管内にガスを導くとともに、上記少なくとも１つの出口は、上記導管から上記少なくとも１つの排気部内にガスを排気するようになっている反応装置。
【請求項１０８】
上記ガス捕集器本体は、第１の部材と第２の部材を備えており、上記封止部は、上記第２の部材に設けられている請求項１０７記載の反応装置。
【請求項１０９】
上記第１の部材と上記第２の部材との間に設けられ、上記第２の部材に対する上記第１の部材の移動を可能にするとともに、上記第１の部材と上記第２の部材との間の界面を横切るガスの流れを低減させる部材間封止部をさらに備えている請求項１０８記載の反応装置。
【請求項１１０】
上記入口は、上記第１の部材に形成されており、該第１の部材は、上記反応室に対して定位置にある請求項１０８記載の反応装置。
【請求項１１１】
上記導管内に設けられ、上記第２の部材を上記蓋に対して押圧する弾性装置をさらに備えている請求項１０８記載の反応装置。
【請求項１１２】
上記リップは、ガスの流れを上記複数の入口に均等に導くとともに、上記ガス捕集器本体を上記反応装置の台に支持するものである請求項１０７記載の反応装置。
【請求項１１３】
上記リップは、上記台の上面を完全に覆っている請求項１１２記載の反応装置。
【請求項１１４】
上記反応装置はエピタキシャル反応装置である請求項１０７記載の反応装置。
【発明の詳細な説明】
（関連出願の相互参照）
本願は、本明細書に引用の形で盛り込まれ現在係属中の２０００年８月９日出願の米国出願09/635,268号の一部継続出願である。
【０００１】
（発明の分野）
本発明は、エピタキシャル反応装置に関し、特に、エピタキシャル反応装置のガス捕集器に関する。
【０００２】
（発明の背景）
半導体産業の絶え間ない進歩により、高機能電子装置の製造用に組み立てられる半導体装置を製造する非常に複雑な薄膜堆積処理が開発されている。半導体ウェハ上に堆積される材料の薄膜は、エピタキシャル層と呼ばれることが多い。高速電子トランジスタ、量子井戸ダイオードレーザ、発光ダイオード、光検出器及び光変調素子は、数ミクロン厚から数十分の一ナノメータ厚もの薄さまでの範囲の多数のエピタキシャル層からなる構造を含んでいる。これらエピタキシャル層は、通常、単結晶基板、すなわち、半導体ウェハ上に堆積または成長させられる。
【０００３】
半導体ウェハ上にエピタキシャル層を形成する方法の１つは、化学蒸着法（ＣＶＤ）として知られている。ウェハの一般的な製造プロセスでは、例えば、極めて純粋な結晶形状のシリコンやガリウム砒素が、導体、半導体または絶縁体として機能する材料からなる多数の層で順次覆われる。次に来る各層は、一連の層が複雑な配列の電子回路系を構成するように順序化及びパターン形成される。その後、半導体ウェハは、所定の罫書き線に沿って、一般に“チップ”と称される個別のデバイスに切断される。これらチップは、最終的に、簡単なおもちゃから複雑なスーパーコンピュータまでの範囲に及ぶ電子装置内の主要構成部品として機能する。
【０００４】
ＣＶＤプロセスは、通常、反応室内で行われる。まず、不活性雰囲気を有する反応室内に半導体ウェハを置き、反応室内の温度を上昇させる。その後、堆積すべき化合物または元素を含む反応ガスを導入し、半導体ウェハの表面と反応させることにより、半導体ウェハ上に必要な膜を堆積させる。反応ガスは、必要な膜厚が得られるまで継続して導入され反応室から除去される。
【０００５】
エピタキシャル反応装置の一例は、本明細書に引用の形で盛り込まれたフリーリンク(Frijlink)による米国特許4,961,399号に記載されている。この特許は、中心部に位置する石英ホッパから反応ガスが導入される反応装置を記述している。その後、反応ガスは、反応装置の境界を示す石英リングに向かって径方向外方に流れる。石英リングの円周に沿って等間隔にスリットが存在しており、これらスリットは、反応ガスを捕集して反応室内の反応ガスの分布の均一性を高める。反応室上部の境界となるのは石英ディスクである。石英ディスクは、石英リングの後方に位置するＯリングに対して封止を行う。石英は脆弱で可撓性のない材料であるので、石英ディスクは石英リングに対する封止にはならない。その代わりに、石英ディスクと石英リングとの間に、両者の欠けを防止するための隙間が設けられている。
【０００６】
石英ディスクと石英リングとの間のこの隙間は、反応装置内に問題を発生させる恐れがある。例えば、反応ガスが隙間から逃げて反応室の外側に堆積物を形成する可能性がある。このような堆積物は、反応室の作用の妨げとなり、薄片状に剥がれて汚染物となる可能性もある。隙間をさらに狭くすることもできるが、反応室の開放時などに、隙間内にそれよりも幅広の硬い異物が差し込まれた場合には、異物によって石英ディスクが反応室全体を適切に封止することができなくなったり、石英ディスクあるいは石英リングが欠損する恐れがある。
【０００７】
上述の問題に対して試みられた解決策が、本明細書に引例の形で盛り込まれたフリーリンク(Frijlink)による米国特許4,976,217号に記載されている。この特許は、捕集用クラウンあるいはガス捕集器について記述しており、これらは、反応室から反応ガスを捕集するとともに反応室と石英ディスクすなわちカバーとの間を封止するために使用されている。
【０００８】
従来技術のガス捕集器と反応室を図１及び図２に示す。ガス捕集器１は、支持台４上に載った水平板１０によって支持台４上に取り付けられている。支持台４は、通常、石英から形成され、反応室とガス捕集器１とを取り囲む反応装置の円筒体１９内に配置されている。反応室のカバー８は、反応室の上部の境界を形成しており、ガス捕集器１の上部稜線６及び円筒体１９内の円環状接合個所２０に対して封止を行う。
【０００９】
ガス捕集器１をさらに図３に示す。ガス捕集器１は、弾性を有するモリブデン製の折曲板から形成されている。このモリブデン板は、水平方向の折曲線１３と垂直方向の折曲線１４に沿って折り曲げられることにより、両折曲線１３、１４に沿って互いに連続する複数の平板１７、５、１８、９、３、１０を形成する。さらに、２枚の板２、３は、互いに接合されずに接触している。これら複数の板１７、５、１８、９、３、１０の組合せにより、反応室を取り囲む導管３０が形成される。１枚の板１７には、反応室から反応ガスを捕集する複数の入口孔１２が一定の間隔を置いて配設されている。図３の右側下方に示すように、入口孔１２の代わりに、壁板１７に、可動の下端部２を固定端部３から引き離してこれら両端部２、３の間に反応ガスが通過可能な長孔を形成する折曲状の下部突起１５を設けてもよい。
【００１０】
217特許は、ガス捕集器１の主要構成部品が板１７及び板３から構成される垂直方向のじゃま板であり、上方の板１７の下端部２が下方の板３の上端部に対して摺動状態で押圧されていると述べている。下方の板３に連続する水平板１０は、ガス捕集器１を（図５に最もよく示すように）台４の端縁上に載置する働きをしている。さらに、天板５が傾斜し、上部稜線６を有している。
【００１１】
垂直方向折曲線１４により、導管３０は連続する部分に区分される。ガス捕集器１全体は、台の周囲に多角形を形成している（図２に部分的に示す多角形は、２４個の辺を有する多角形である）。カバー８がガス捕集器１上にまだ配置されていないとき、ガス捕集器１の上部稜線６は、反応装置の円筒体１９の上面よりもわずかに高くなっている。したがって、カバー８がガス捕集器１上に配置されると、カバー８が天板５の稜線６を押圧する。カバー８による下向きの力により、水平板１０と台４の上面３１とがしっかりと接触する。水平板１０が固定された台４に固定されるので、板３、９、１８、５は、稜線６と上方の板１７を固定された台４に対して移動可能にするばねとなる。カバー８による天板５に対する力が取り除かれた後は、板３、９、１８、５のばね作用により、上方の板１７が下方の板３に対して上昇する。
【００１２】
図４に示すように、ガス捕集器１は、１個の切断片からなるモリブデン板から形成可能である。折曲線１３、１４は、例えば、レーザにより形成された点線状の孔で印される。したがって、ガス捕集器１の製造時には、設けられた折曲線１３、１４に沿って板が折り曲げられる。さらに、排気口２１が設けられ、ガス捕集器１によって形成された導管から反応ガスを排気する（図２に最もよく示す）管２９に接続されている。
【００１３】
217特許は、反応室内に導入された反応ガスがガス捕集器１の稜線６とカバー８との間を通過できず、反応ガスが水平板１０と台４との間も通過できないので、反応ガスは入口１２のみを通過し、カバー８上にも台４の周面上１１にも汚染する堆積物を形成しないと述べている。しかしながら、このガス捕集器１を実際に使用すると、そうではないことが分かった。
【００１４】
上記開示されたガス捕集器１はいくつかの問題を被っている。これらの問題の不完全な表の中には、台の周面１１、天板５及び円筒体１９の汚染、反応室を通過する反応ガスの不均一な流れと密度、反応室内の汚染が含まれる。これらの問題の多くは、ガス捕集器１が折曲線１３、１４に沿って折り曲げられたモリブデン板１枚から形成されていることに起因している。薄板金構造は、高い寸法精度に製造することが難しい。例えば、折曲線１３、１４に沿って薄板金を折り曲げることはどうしても不正確である。さらに、ガス捕集器１は、高い寸法精度の維持に向いていない小さなねじとナットを使用して構成されている。
【００１５】
したがって、薄板金から形成されているガス捕集器１は、台４の上方に延びる水平板１０、上方の板１７の入口１２の位置、上方の板１７同士の接続、及び天板５の稜線６に関して寸法精度すなわち公差が甘くなる。ガス捕集器１の寸法公差が甘いもう１つの理由は、堆積プロセス時に薄板金に熱応力がかかることに起因する。ガス捕集器１のモリブデン薄板金が各プロセスサイクル中に膨張及び収縮するので、ガス捕集器１は、最終的に座屈し反りを発生させてその寸法保全性をなくす。
【００１６】
このような寸法公差の甘さにより、ガス捕集器１は、入口孔１２を通る以外は反応室内の反応ガスを封止すると主張してはいるが、結果的に、反応ガスが反応室から逃げる個所を多数作り出すことになっている。例えば、稜線６は、ガス捕集器１をカバー８に対して完全には封止できていないことが多い。したがって、反応ガスは、稜線６を自由に通過し、例えば、天板５、背面板１８及び円筒体１９上に堆積物を自由に形成することができている。
【００１７】
堆積物がガス捕集器１及び円筒体１９上に形成されると、ガス捕集器１及び円筒体１９の両方を頻繁に洗浄することが必要になる。例えば、ある適用例では、開示されたガス捕集器１が約２０プロセスサイクル終了毎に洗浄されていた。さらに、ガス捕集器１がモリブデン薄板金により形成されているので、ガス捕集器１上の堆積物は、ガス捕集器１を損傷させることなく除去することが非常に困難である。このことにより、個々のガス捕集器１の洗浄回数は、そのガス捕集器１の交換前に平均で３回が限度である。
【００１８】
ガス捕集器１上に堆積物が存在することによる不利益は、堆積物が薄片状に剥がれて反応装置の内側を汚染する恐れがあることである。これらの薄片は、半導体ウェハに対する堆積プロセスの妨げになり、ウェハを後に不合格品にする可能性がある。従来技術に開示のガス捕集器１の場合、例えば、ある適用例では、約１３．５％のウェハが薄片による汚染のために不合格判定されている。
【００１９】
薄片は、例えば、ガス捕集器１がモリブデン薄板金から形成されていることによって発生する。モリブデンは、堆積物がしっかりと付着できない材料である。そういう訳で、その堆積物は応力を受けると容易に剥がれる可能性がある。モリブデン薄板金を屈曲させると、堆積物内に応力が発生し、堆積物が薄片あるいは小片を形成することになる。薄板金はいくつかの理由で屈曲する。その１つは、ガス捕集器が薄板金から形成されており、薄板金が屈曲することで周知であるからであり、そのことは、薄板金からなる構造の位置公差が甘い理由とも関連している。もう１つの理由は、ガス捕集器１が折り曲げられるよう構成されていることである。上述したように、板３、９、１８、５はばねを形成しており、そのために、板３、９、１８、５上に形成される堆積物は全てカバー８の開閉時に応力を受ける。屈曲するさらにもう１つの理由は、プロセスサイクル時のガス捕集器１の加熱と冷却のせいでモリブデンが膨張及び収縮することである。
【００２０】
薄片のもう１つの発生源は、水平板１０がガス捕集器１から反応室に向かって径方向内方に延出していることである。図５に示すように、従来技術のガス捕集器１では、水平板１０は、台４の天板３１の幅の約半分まで内方に延出し、天板３１の他の半分を露出させたままにしている。プロセス時に、水平板１０と天板３１の露出した半分の両方に堆積物が堆積する。なお、水平板１０の動きは、例えば、反応装置カバー８が閉じられてガス捕集器１を押しつけたときには、台４に対して動くことになる。台４上で水平板１０がこうして動くことにより、台４の天板３１と水平板１０をまたいでいる堆積物に応力が付与され、薄片が形成されてしまうことになる。
【００２１】
従来技術のガス捕集器１が使用された米国特許4,961,300号では、上述の反応装置は、反応ガスが反応室の中心部からガス捕集器１内へと外方に均一に流れるように構成されている。反応室の中心部から所定の径方向範囲だけ離れた位置においてガス密度及び速度がほぼ均一である場合に、流れが均一であると考えられる。反応ガスが反応室の中心部から均一に流れていない場合は、反応ガスの様々な成分の密度が変動しているので、堆積プロセスも、反応室内のウェハの位置に応じて変動する。したがって、同じバッチ処理の範囲内でさえ、堆積厚と品質がウェハ毎に異なる可能性がある。例えば、従来技術のガス捕集器１を使用してAlxGaAsを堆積する際、堆積されるアルミニウムの百分率（ｘ）は、ウェハのバッチ毎だけでなく１回のバッチ内のウェハ間及び１枚のウェハ内でも異なる。
【００２２】
しかしながら、従来技術のガス捕集器１の場合は、反応ガスの均一な流れを得ることが困難である。反応ガスの均一な流れは、反応室とガス捕集器１内の導管１８との間に同一の圧力差を発生させるガス捕集器１によるものである。しかしながら、上述したように、従来技術のガス捕集器１は、稜線６とカバー８との間の隙間、隣接する正面板１７間の隙間及び水平板１０と台４との間の隙間を発生させるという甘い位置公差で構成されている。加えて、折曲線１３、１４を形成するために使用する孔も、ガス捕集器１にさらに隙間を発生させる。この隙間は、ガス捕集器１０の周囲に沿って一貫しておらず、その周囲に沿って異なる圧力差を発生させるので、反応ガスは、それが流れる径方向に応じて異なる流動パターンを有することになる。
【００２３】
また、入口孔１２は、台４に対して可動の正面板１７に位置している。この入口孔１２の反応室に対する移動は、カバー８が上下して各バッチ処理時ごと及び／または各ガス捕集器１ごとに変動する異なる流量を発生させるたびに変化する可能性がある。例えば、反応装置のカバー８が閉ざされた時にガス捕集器１にかかる圧力の量が変動する可能性があり、このことにより、入口孔１２の位置が変動する可能性がある。また、例えば、たとえカバー８の圧力が同じままであっても、ガス捕集器１を形成する薄板金の屈曲性が時間とともに変化するので、入口孔１２の位置が変動する可能性がある。さらに、従来技術のガス捕集器１が薄板金から形成され、小さなねじを使って構成されているために、個々のガス捕集器１の屈曲性すなわちばね弾性を一定に形成することができず、したがって、ばね弾性がガス捕集器１ごとに変動する。この入口孔１２の位置変動により、反応室を通過する反応ガスの流動パターンが変化し、このガス流動パターンの変化が堆積プロセスに影響を及ぼす。したがって、反応室に対して可動の部材の入口１２の位置により、堆積プロセスに望ましくないばらつきが発生する。
【００２４】
従来技術のガス捕集器１を使用することによるもう１つの問題は、プロセス時に反応ガスを捕捉するガス捕集器１の付近に、定常渦流が生成されることである。このことは、例えば、反応室を使用した一連の処理工程がプロセス期間中に反応ガス混合物を変える場合に問題となる可能性がある。反応ガスを変える工程時には、反応室から古い反応ガスが除去された後、新しい反応ガスが反応室内に導入される。しかしながら、古い反応ガスが定常渦流に捕捉されることがあるので、新しい反応ガスを使用した処理中に、反応室内に古い反応ガスが再度導入される可能性があり、新しい反応ガスが汚染されてプロセスに悪影響を及ぼす恐れがある。定常渦流は、例えば、図５に示すように、垂直板１７が水平板１０と接するガス捕集器１の急な隅部に形成される。
【００２５】
この問題の一例は、GaAs半導体の不純物添加時に発生する。GaAsのｎ型不純物添加にはシリコンが使用され、GaAsのｐ型不純物添加には亜鉛が使用される。これら添加物を供給するガスが他のガスの導入前に完全に除去されていない場合は、不純物添加によって形成される活性領域が消失状態になる恐れがあり、それにより、製造される素子の性能が低下する。
【００２６】
したがって、ガス捕集器を通過する反応ガスの漏れ、ガス捕集器折曲時に形成される薄片、ガス捕集器に導入される様々なガスによる不均一な流れ等、従来技術の問題点を防止するガス捕集器が要求されている。
（発明の概略）
上記及びその他の要求は、反応装置の反応室内からガスを捕集するガス捕集器を提供する本発明の実施形態によって満たされる。ガス捕集器は、導管、複数の入口、出口及び封止部が形成された剛性の本体と、本体の反応室に隣接する部分に設けられ、ガスの流れを入口に導くことによりガス捕集器付近に定常渦流が形成されるのを防止する少なくとも１つのリップとを備えている。上記封止部は、反応装置の可動の蓋と協働して反応室からガスが逃げるのを防止する。また、上記入口は、反応室から導管内にガスを導き、上記出口は、導管から反応装置の排気管内にガスを排気する。
【００２７】
剛性の本体を用いることにより、本体が、そこに形成される堆積物に応力を発生させる屈曲に対して耐える。堆積物が応力を受けると、堆積された材料の小片や薄片が発生し、それにより、反応装置内でコーティングされる素子が不合格判定される恐れがある。剛性の本体を使用して屈曲を低減させることにより、小片や薄片の発生率を低下できるので有利である。
【００２８】
本発明の別の実施形態では、ガス捕集器は、導管、複数の入口、出口、少なくとも１つのリップ及び封止部が形成された本体を備えている。この本体は、互いに別体の少なくとも２つの部材をさらに有している。さらに、上記本体は、該本体の第１の部材と第２の部材との間の界面を横切るガスの流れを低減させる部材間封止部を備えている。該部材間封止部は、上記第１の部材と上記第２の部材との間に設けられ、第２の部材に対する第１の部材の移動を可能にする。上記部材間封止部の一方は、上記反応室に隣接する内壁に対向する外壁上に形成されてもよい。また、上記各部材間封止部は、上記第１の部材を上記第２の部材に対して共通方向に移動可能にしてもよい。
【００２９】
上記ガス捕集器の一態様では、上記第１の部材と上記第２の部材の一方は、溝を形成しており、上記第１の部材と上記第２の部材の他方は、上記溝と嵌合して上記部材間封止部を形成する突出部を備えている。あるいは、上記部材間封止部は、互いに嵌合する雄型部分と雌型部分を備えている。さらに、上記雄型部分は、ガス捕集器と上記蓋が分離されている時には上記雌型部分に少なくとも部分的に挿入され、ガス捕集器が上記蓋と係合している時には上記雌型部分の深さの約４０％ないし約６０％まで突出している。
【００３０】
互いに別体の少なくとも２つの部材を設けることにより、上記２つの部材を洗浄前に分離することによってガス捕集器の導管をさらに洗浄しやすくすることができる。対照的に、従来技術のガス捕集器は１片の薄板金によって形成されているので、ガス捕集器の導管への接近は非常に困難である。
【００３１】
本発明のさらに別の実施形態では、ガス捕集器は、導管、複数の入口、出口、少なくとも１つのリップ及び封止部が形成された本体を備えている。さらに、上記入口は、反応室に対して定位置にある。さらに、上記本体は、上記反応室に対して定位置にある第１の部材と上記反応室に対して可動の第２の部材を備えており、上記入口は、上記第１の部材に配設されていてもよい。入口を反応室に対して定位置の部材に配設することにより、反応を経るガスの流動パターンがより一貫したものになるので有利である。
【００３２】
さらに、上記ガス捕集器は、上記封止部を上記蓋に対して押圧する装置を備えていてもよく、上記装置は、上記第１の部材及び上記第２の部材の両方と接触して上記第２の部材上に位置する上記封止部を上記蓋に対して押圧するようにしてもよい。またさらに、上記装置は、上記導管内に配設された複数の弾性部材を有していてもよい。さらに、上記装置は、例えば、隙間のあるコイルを有するばねであれば、該装置にガスを通過させることができる。このばねは、上記本体の部材の少なくとも１つに形成された座とともに上記導管内に配置されてもよい。
【００３３】
本発明の実施形態では、ガス捕集器は、導管、複数の入口、出口、少なくとも１つのリップ及び封止部が形成された本体を備えている。上記リップは、上記本体の反応室に隣接する部分に設けられ、ガスの流れを上記入口に均等に導く。さらに、上記リップは、上記本体の上記反応室に対して定位置の部分に配置してもよい。一態様では、上記リップは、上記反応室に向かって水平方向内側に傾斜しているとともに、上記入口から垂直方向に遠ざかるように傾斜している。さらに、上記リップは、湾曲状及び／または直線状の外形を有していてもよい。
【００３４】
ガスの流れを入口に導くリップを設けることにより、ガスが反応装置内をより円滑に流れる。これは、反応装置内の堆積をより一定化させることに備えるものである。また、ガス捕集器付近に反応ガスを捕捉する定常渦流を発生させるという特徴を有する従来技術のガス捕集器と異なり、リップは反応ガスの捕捉を低減させるように形成することができる。重要なことには、そうしなければ、特にプロセス期間中に複数のガス組成物が使用される場合に、捕捉された反応ガスが反応室内に再度導入されてプロセスを台無しにする恐れがある。
【００３５】
本発明のさらに別の実施形態では、ガス捕集器は、導管、複数の入口、出口、少なくとも１つのリップ及び封止部が形成された本体を備えている。上記リップは、上記本体を反応室内の台上に支持するとともに、上記台の上面を完全に覆っている。従来技術のガス捕集器では、台の上面の一部のみが覆われており、それによって、小片や薄片が形成されていた。しかしながら、上面を完全に覆うことによって、小片や薄片の形成が低減された。
【００３６】
本発明のさらに別の実施形態では、エピタキシャル反応装置の反応室内で半導体装置上に堆積物を形成する方法が開示される。この方法は、反応ガスを上記反応室の中心部に導入する工程と、上記ガスを上記中心部から半径方向外方に取り出して上記反応装置のガス捕集器内の導管に取り込む工程と、上記ガスの流れを上記ガス捕集器に形成された入口に対して均等に導く工程と、上記ガスが上記反応室の中心部から上記ガス捕集器内に流れ込む際に、上記半導体装置に堆積物を形成する工程とを備えている。上記方法は、上記ガスを上記導管から上記ガス捕集器に形成された少なくとも１つの出口を介して排気管に導く工程を備えていてもよい。さらに、上記ガスを反応室から完全に除去した後に、組成の異なる反応ガスを上記反応室に導入してもよい。また、堆積される材料には、GaAsが含まれる。
【００３７】
本発明のさらに別の実施形態では、ガス捕集器は、導管、複数の入口、出口、少なくとも１つのリップ及び封止部が形成された本体を備えている。さらに、上記本体は黒鉛を含んでいる。黒鉛は、高温で安定状態を保ち、汚染物質や微粒子を排出しないので有利である。さらに、GaAs等の反応物質は黒鉛に付着しやすく、黒鉛は、屈曲に耐えるとともに多くの金属と比較して低い熱膨張率を有する剛性材料である。加えて、黒鉛は、寸法公差のさらに厳密な制御を可能にする優れた機械加工性を有している。
【００３８】
本発明のさらに別の長所は、本発明を実施するための最良の形態を例示することによって本発明の一実施形態が提示され説明される以下の詳細な説明をみれば、当業者にとって容易に理解できるであろう。当然ながら、本発明はその他の異なる実施形態が可能であり、本発明から全く逸脱することなくその複数の細部を様々な点で変更可能である。したがって、図面および説明は、本質的に発明を例示するものと見なされるべきであり、限定するものと見なされるべきではない。
【００３９】
（発明の詳細な説明）
添付の図面を参照する。図中、同じ符号表示を有する要素は全体を通じて同じ要素を示す。
【００４０】
本発明は、反応室が室内に有害汚染物を発生させるという問題及び反応室からガス捕集器内への反応ガスの均一な流れを維持するという問題に対処し解決するものである。このことは、１つには、ガス捕集器に堆積された反応材料から汚染物質となる薄片を発生させるガス捕集器の屈曲を防止する剛性の本体を有するガス捕集器を提供することによって達成される。また、ガス捕集器は、ガスの流れをガス捕集器上の入口に導くことによって定常渦流の発生を低減させる。さらに、ガス捕集器と反応装置及び反応装置の蓋との間の密封状態を維持することにより、反応室を通過するガスの流れをより予測可能にする。
【００４１】
本発明の一態様にかかるガス捕集器を図６に示す。ガス捕集器１００は、反応装置の（図１及び図２に最良に示す）反応室からガスを受け入れる複数の入口１１６を有する本体１１０を備えている。ガス捕集器は、反応装置とともに使用されるが、特定の反応装置に対して使用を限定されるものではない。しかしながら、本発明のこの態様においては、ガス捕集器は、米国特許4,961,399号及び4,976,217号に開示されたエピタキシャル反応装置等のエピタキシャル反応装置とともに使用される。
【００４２】
本発明の一態様では、本体１１０は、互いに別体の少なくとも２つの部材１１２、１１４を備えている。本体１１０の部材１１２、１１４は、個別にあるいは組合せにより、反応装置の反応室内からガスを受け入れるとともに、反応装置、例えば、反応装置の蓋と協働して反応室からのガスの逃げを低減する封止部を形成する。ガス捕集器１００は、反応装置の反応室から導管１１８内に化学蒸気（すなわち、化学蒸着法による反応ガス）を捕集し、反応ガスを本体１１０の外壁に形成された出口１２４から（図２に符号２９で最良に示す）反応装置の排気管に導く。以下のやり方に限定されるものではないが、ガス捕集器１００は、パージガスの導管１１８内への導入を容易にするよう本体１１０の外壁に形成された少なくとも１つの別の入口１２６を備えていてもよい。本発明の一態様では、入口及び出口の孔１１６、１２６、１２４を除いて、本体１１０が導管１１８を取り囲み、導管１１８内からのガスの逃げを防止している。
【００４３】
本発明は、本体１１０と蓋との間において特定の封止部に限定されない。例えば、封止部は、本体１１０の上部に配置されたモリブデン等の屈曲性材料からなる細片であってもよい。しかしながら、本発明のこの態様では、封止部は本体１１０の上面である。
【００４４】
本体１１０の反応室に隣接する部分（すなわち、内壁）は、特定の形状に限定されない。しかしながら、ガス捕集器１００のこの態様では、ガス捕集器１００は、反応室の周囲の少なくとも一部を取り囲んでいる。さらに、ガス捕集器１００は、反応室の円形の周囲の一部を取り囲んでいてもよい。これにより、ガス捕集器１００は、反応室内のガスをガス捕集器１００内へと径方向外側に流れるように案内する。例えば、反応室が上方からの平面視から判断して円形の断面を有している場合には、本体１１０の反応室に隣接する部分がほぼ円形の形状を有していてもよい。
【００４５】
本発明の一態様では、第２の部材１１４は、反応装置の（図１に符号８で最良に示す）蓋と協働して反応室からの反応ガスの逃げを低減させることができる。動作時には、蓋が第２の部材１１４上に降ろされ、第２の部材１１４と蓋との間に封止部が形成される。本発明の一態様では、第２の部材１１４が第１の部材１１２に対して可能になっている。さらに、第１及び第２の部材１１２、１１４間に、（図７及び図８で示す）部材間封止部１２２を設けてもよい。部材間封止部１２２は、第１及び第２の部材１１２、１１４の相対的な移動を可能にするとともに、導管１１８から第１及び第２の部材１１２、１１４間の界面を介して反応ガスが逃げるのを低減する。そのような能力を有する部材間封止部１２２であれば何でも本発明とともに使用する条件を満たしている。
【００４６】
本態様では、部材間封止部１２２は、互いに嵌合する雌型部分１３０と雄型部分１３２を備えている。雌型部分１３０は、第１の部材１１２または第２の部材１１４のいずれかに配設され、雄型部分１３２は、第２の部材１１４または第１の部材１１２である反対側の部材に配設されている。さらに、本発明のこの態様では、ガス捕集器１００は、その内壁と外壁にそれぞれ配設された嵌合型の一対の部材間封止部１２２を備えている。両封止部１２２は、第１の部材１１２を第２の部材１１４に対して共通方向に移動可能にするので、嵌合される。嵌合型の一対の部材間封止部１２２を設けることにより、第２の部材１１４は、両部材１１２、１１４のどちらかを屈曲させることなく、第１の部材１１２に対して相対移動することができる。
【００４７】
対照的に、従来技術のガス捕集器は、隣接する２枚の板間に１つの封止部を設けるだけであり、２枚の隣接板の一方を他方の板に対して移動させるためにガス捕集器の本体を屈曲させる必要がある。このガス捕集器本体の屈曲は、本体上に形成された全ての堆積材料に応力を発生させ、薄片の不都合な形成を招く。しかしながら、本発明の一態様によれば、一対の嵌合型部材間封止部１２２が設けられているので、第１及び第２の部材１１２、１１４が剛性を維持することができるため有利である。
【００４８】
ガス捕集器１００は、反応室内から本体１１０の反応室に隣接する部分の入口１１６を通じてガスを受け取る。入口１１６は、部材１１０、１１２のいずれに形成してもよく、特定の形状や寸法に限定されないし、部材１１０、１１２において特定の配置パターンに限定されることもない。例えば、入口１１６の形状は、細いスリットであっても、楕円であっても、図示のように円形であってもよい。さらに、本体１１０は、形状及び／または寸法がそれぞれ異なる入口１１６を有していてもよい。ガス捕集器１００の本態様では、入口１１６は、反応室内からガス捕集器１００内に均一なガスの流れを形成するようにガス捕集器１００に設けられている。
【００４９】
本発明の一態様（図示せず）では、一定間隔で配設された入口１１６の面積を出口１２４から離れる方向に増加させることによって、均一なガスの流れが形成されている。したがって、出口１２４から最も遠い入口１１６の寸法は、出口１２４と直近の入口１１６の寸法より大きい。あるいは、同じ面積の入口１１６の数を出口１２４から離れる方向に増加させることによって、均一なガスの流れが形成される。したがって、各入口１１６は同じ面積を有しているが、本体１１０の入口１１６の密度は、出口１２４から離れる方向に増加している。さらに別の態様では、導管１１８の各出口１２４付近に邪魔板を配置し、邪魔板によって反応ガスの出口１２４への直進経路を妨げることによって、均一なガスの流れが形成される。
【００５０】
ガス捕集器１のこの態様では、以下の方法に限定されないが、入口１１６は、反応装置の反応室に対して定位置の部材１１２に配設される。図示のように、第１の部材１１２は、複数の入口１１６を有しており、（図９に最良に示す）反応室内の表面上に据え付けられ、したがって、反応室に対して定位置にある。その際、第１の部材１１２の入口１１６の反応室に対する位置関係は変わらない。したがって、入口１１６を反応室に対して定位置の部材１１２に配設することにより、反応室を通過するガスの流動パターンがバッチ処理ごとに及び／またはガス捕集器ごとに変動しない。対照的に、従来技術のガス捕集器のように、入口を反応室に対して可動の部材に配設すれば、反応室を通過するガスの流動特性がガス捕集器間で変動するとともに、処理バッチ間で変動することになる。
【００５１】
本体１１０は、導管１１８内の反応ガスを反応装置の排気管に対して排気させる少なくとも１つの出口１２４を備えている。出口１２４は、いずれの部材１１０、１１２に形成されてもよく、特定の形状や寸法に限定されないし、部材１１０、１１２において特定の配置パターンに限定されることもない。本態様では、複数の出口１２４が、導管１１８の周囲に沿って均一な圧力差をもたらすように本体１１０に設けられている。これにより、反応ガスは、反応室から入口１１６を経て導管１１８に、そしてこの導管から出口１２４を経て排気管に均一に流入する。
【００５２】
本体１１０の部材１１２、１１４の少なくとも一方は、以下に限定されるものではないが、剛性を有していてもよい。剛性を有する部材１１２、１１４は、反応室内のガス流動パターンを変動させたり反応室内からのガス漏れを引き起こす恐れがある本体１１０の屈曲を低減させるので有利である。また、剛性部材１１２、１１４があれば、寸法公差をより厳密に制御することができ、ガス捕集器１００と反応装置との間をより緊密な嵌め合せにすることができる。このガス捕集器１００と反応装置との間のより緊密な嵌め合せによっても、反応室内からのガス漏れを低減させることができる。また、ガス捕集器の表面上に堆積された堆積材料にかかる応力が薄片の形成を引き起こす恐れがあるため、剛性部材１１２、１１４が、ガス捕集器１００の屈曲によって発生する応力を低減させることにより薄片の形成を防止できるので有利である。ガス捕集器１００の本態様では、本体１００、したがって、第１の部材１１２及び第２の部材１１４が剛性を有している。
【００５３】
本体１１０の部材１１２、１１４は、反応装置の使用に起因するプロセス条件に対して、劣化することなく、耐えることができる全ての材料から形成することが可能である。例えば、GaAsを堆積する場合、反応装置の反応室内の温度は約７００℃に達し、ガス捕集器の温度は約６００℃ないし約６５０℃に達する。他のプロセスの場合の温度は、さらに高温になる可能性もあるが、反応室内で約１２００℃もの高温に達する。上記のプロセス条件に耐え得る材料の一例は、インコ・アロイズ・インターナショナル社(Inco Alloys International)製のInconelである。
【００５４】
本体１１０の部材１１２、１１４は、以下に限定されるものではないが、上述の温度でガス放出など汚染物質を生成しない材料から形成されていてもよい。汚染物質は、堆積プロセスを妨害する恐れがある反応物質や微粒子をさらに反応室内に導入する可能性がある。汚染物質を発生させない材料の一例は、チタンやモリブデン等の高純度材料である。
【００５５】
さらに、本体１１０の部材１１２、１１４は、以下に限定されるものではないが、堆積材料がさらによく付着する材料から形成されていてもよい。そうすることにより、堆積材料の付着性が高まるので、堆積材料がガス捕集器１００から薄片状に剥がれる程度を低減させることができる。当業者であれば分かるように、付着性に影響を及ぼす材料特性の例としては、表面組織と表面多孔性がある。堆積材料に対して優れた付着性をもたらす材料の一例は、黒鉛である。
【００５６】
本発明のこの態様では、本体１１０の部材１１２、１１４の少なくとも一方が黒鉛から形成されている。黒鉛は、高温で安定状態を維持し、汚染物質や微粒子をガス放出しないので有利である。さらに、黒鉛には、反応装置に堆積するGaAs等の反応材料が付着しやすく、黒鉛は、屈曲に耐える剛性材料である。したがって、黒鉛を使用して部材１１２、１１４を形成することは、部材１１２、１１４に堆積する反応材料の薄片化を防止するのに特に有利である。さらに、黒鉛は、優れた機械加工性を有しており、寸法公差のより厳密な制御を可能にする。さらに、黒鉛はかなりの剛性を有するので、本体１１０も剛性になり、上述したように、剛性の本体１１０により、反応室を通過する反応ガスの流れの一貫性を促進することができる。さらに、黒鉛は、多くの金属よりも熱膨張率が低いので、反応装置のプロセス周期に関連した温度条件の変化によって起こる部材１１２、１１４の屈曲を低減させることができる。
【００５７】
黒鉛等の機械加工可能な材料から製造される本体１１０は、本体１１０の反応室に隣接する部分をほぼ円形にすることが可能である。対照的に、従来技術のガス捕集器は、複数の多角形から形成されているので、反応室に隣接する部分が充分には円形でない。本体１１０の反応室に隣接する部分をほぼ円形に形成することにより、反応ガスのガス捕集器１００内への半径方向流れがより一貫したものになる。
【００５８】
ガス捕集器１００は、反応室に支持される特定の機構に限定されない。例えば、ガス捕集器１００の本体１１０の底部が反応室の表面上に据え付けられてもよい。本態様では、図９Ａ及び図９Ｂに示すように、ガス捕集器１００の本体１１０は、本体１１０から延出するリップ１２８によって反応室内の台２００の上面に支持されている。リップ１２８は、台２００の上面に沿って任意の距離だけ延出可能であるが、本発明の一態様では、リップ１２８は、台２００の上面の幅の少なくとも９０％に及ぶ。本態様では、リップ１２８は、台２００の上面の幅を完全に覆っている。台２００の上面の大部分をリップ１２８で覆うことにより、台２００の上面に形成される堆積材料による薄片の形成を低減もしくは防止することができる。
【００５９】
本態様では、第１の部材１１２は、複数の入口１１６を有しており、反応室内の台２００の上面に据え付けられているので、反応室に対して定位置にある。それにより、第１の部材１１２の入口１１６は、反応室に対してその位置が不変である。そのように、入口１１６を反応室に対して定位置の部材１１２に配設することにより、反応室を通過するガスの流動パターンが一貫したものになり、バッチ処理ごと及び／またはガス捕集器ごとに変動しない。
【００６０】
本発明の一態様では、本体１１０の反応室に隣接する部分が、ガスの流れを反応室からガス捕集器１００内に導くことによってガス捕集器１００付近での定常渦流の形成を低減させるよう形成されている。ガス捕集器１００付近の定常渦流は反応ガスを捕捉する可能性があり、捕捉された反応ガスは、後に、反応室内に再導入されてプロセスを台無しにする恐れがある。
【００６１】
本発明は、ガスの流れをガス捕集器１００内に導いて定常渦流の形成を防止するための本体１１０の反応室に隣接する部分に少なくとも１つのリップが設けられている。例えば、本体１１０は、図７及び図８に示すように、入口１１６に隣接して本体１１０から延びるリップ１２８を備えていてもよいし、図９Ａ及び図９Ｂに示すように、本体１１０から延出しかつ入口１１６に隣接する２つのリップ１２８ａ、１２８ｂを備えていてもよい。本態様では、リップ１２８は、反応室に向かって水平方向内側かつ入口１１６から垂直方向に離れる方向に傾斜している。これにより、１つ以上のリップ１２８がガスの流れをガス捕集器１００の入口１１６に導いてガス捕集器１００付近での定常渦流の形成を防止することができる。
【００６２】
本発明は、ガスの流れをガス捕集器１００の導管１１８に導いてガス捕集器１００付近の定常渦流の形成を防止するリップ１２８について特定の外形に限定されない。例えば、図９Ａに示すように、リップ１２８ａ、１２８ｂは、反応室に向かい入口１１６から離れる方向に延出する直線状の外形の部分を有している。しかしながら、リップ１２８は、湾曲した外形を有していても、図９Ｂに示すように、湾曲した外形と直線状の外形の両方を有していてもよい。外形は、湾曲している場合は、図９Ｂに示すような凸状であっても、あるいは凹状であってもよい。
【００６３】
各リップ１２８は、入口１１６に対して可動の本体１１０の部材１１４あるいは入口１１６に対して定位置にある本体１１０の部材１１２のどちらに配置されてもよい。例えば、図９Ａに示すように、リップ１２８は、入口１１６に対して定位置の部材１１２に配置されている。これにより、リップ１２８と入口１１６との位置関係が一定になり、したがって、リップ１２８からの入口１１６へのガスの流れが一貫したものになるので有利である。あるいは、図９Ｂに示すように、リップ１２８ｂが、入口１１６に対して可動の部材１１４に配置されてもよい。
【００６４】
本発明の一態様では、第１及び第２の部材１１２、１１４は、互いに対して可動であることに加えて、互いに対して分離可能である。例えば、第２の部材１１４は、第１の部材１１２から容易に取り外して導管１１８を露出させることができる。第１の部材１１２を第２の部材１１４に対して取り外し可能であることにより、導管１１８内に容易に接近できるようになる。このことは、堆積材料が導管内に形成される可能性がある場合にガス捕集器１００の定期的な洗浄時に特に有利であり、そうでなければ、導管１１８内のこの堆積材料に接近することは非常に困難となる。
【００６５】
なお、本発明にかかるガス捕集器１００は、以下に限定されないが、約２００ないし２２０回のプロセス周期後に洗浄される。さらに、ガス捕集器１００は、ガス捕集器１００に対して有害な影響を及ぼすことなく永久に繰返し洗浄することが可能である。しかしながら、従来技術のガス捕集器は、より頻繁な洗浄を必要とするが、通常、新しいガス捕集器と交換されるまでに３回しか洗浄されない。したがって、本発明にかかるガス捕集器１００は、洗浄頻度を大幅に低減させるとともに交換前の繰返し洗浄能力を大幅に上昇させるという点において、従来技術のガス捕集器に優る大きな利益をもたらす。
【００６６】
さらに、ガス捕集器１００は、第２の部材１１４を蓋に対して押圧してガス捕集器１００と蓋との間に封止部を形成する装置を１つ以上備えていてもよく、そのような能力をもつ装置であれば、ガス捕集器１００との使用条件を満たすことができる。さらに、装置は、第２の部材１１４に対して均等に配分された力が作用してガス捕集器１００と蓋との間に封止部を形成するように構成されてもよい。例えば、導管１１８内に、第１及び第２の部材１１２、１１４の両方と接触するピストンを配置してもよい。起動されると、ピストンは、第２の部材１１４を蓋に対して押圧し、ガス捕集器１００と蓋との間に封止部を形成することができる。
【００６７】
本態様では、第２の部材１１４を蓋に対して押圧する装置は、蓋の第２の部材１１４に対する押圧力に耐えるように弾性を有している。例えば、ばね状の装置が、第１の部材１１２及び第２の部材１１４の両方と接触する１つ以上のばね１２０から構成されていてもよい。ばねは、以下に限定されないが、導管１１８内に配置される。さらに、ばね１２０が、隙間があってそのコイルからガスを通過させるようになっていれば有利である。したがって、導管１１８内にばね１２０を配置することによって、導管１１８内の反応ガスの通過がほとんど妨害されない。これにより、各ばね対１２０間に出口１２４を必要とすることなく、より多数のばね１２０を導管１１８に配置することが可能になる。
【００６８】
ばね１２０を導管１１８内に配置する場合、第１及び／または第２の部材１１２、１１４は、ばね１２０に対応する座１３４を有していてもよい。座１３４は、導管１１８内での各ばね１２０の側方移動を防止するよう作用し、それが可能な座１３４は、ガス捕集器１００とともに使用される条件を満たす。本態様では、座１３４は、第１の部材１１２内の窪みすなわちざぐり孔の形状をしている。さらに、ばね１２０の直径は、導管１１８の幅よりもわずかに小さくてもよい。これにより、ばね１２０のガス捕集器１００径方向への側方移動を導管１１８の側壁によって防止することができる。
【００６９】
ばね１２０は、反応装置の使用に起因するプロセス条件に対して劣化を起こすことなく耐え得る全ての材料から形成することができる。上述したように、プロセス条件に耐え得る材料の一例は、インコ・アロイズ・インターナショナル社(Inco Alloys International)製のInconelである。
【００７０】
ばね１２０は、以下に限定されるものではないが、ガス捕集器１００が蓋と係合している時には、部材間封止部１２２の雄型部分１３２が雌型部分１３０内にその深さの約４０ないし６０％まで突出するよう選定される。さらに、ばね１２０は、ガス捕集器１００が蓋と係合されていない時には、部材間封止部１２２の雄型部分１３２が雌型部分１３０内に少なくとも部分的に突出するよう選定されており、それにより、ガス捕集器１００が蓋と係合されていない時に、第１の部材１１２に対する第２の部材１１４の側方移動を防止できるので有利である。さらに、ガス捕集器１００が蓋と係合されていない時は、雄型部分１３２の一部が雌型部分１３０内に突出するだけであるので、蓋が第２の部材１１４上に降ろされて第２の部材１１４と蓋との間に封止部が形成される際に、部材間封止部１２２が、第２の部材１１４に対する第１の部材１１２の移動を可能にする。
【００７１】
黒鉛から形成された剛性の本体を備えることにより、本発明のガス捕集器は、反応室からガス捕集器内への反応ガスの流れをより均一にすることができ、反応室内に堆積される材料の品質を向上させることができる。さらに、本発明のガス捕集器は、反応室内でコーティングされるウェハを不合格判定にする、汚染物質となる薄片の形成を低減させる。試験では、本発明のガス捕集器を使用した汚染によるウェハ不合格率は約４．５％である一方、従来技術のガス捕集器を使用したウェハ不合格率は約１３．５％であることが示された。したがって、本発明のガス捕集器は、従来技術のガス捕集器に比べて、耐久性の向上及び洗浄必要性の低減と相俟って、生産性の向上をもたらすので有利である。
【００７２】
本発明は、従来の材料、方法及び機器を使用することによって実施可能である。したがって、そのような材料、機器及び方法の詳細は、本明細書では詳しく記載されていない。上述の説明では、本発明の完全な理解を実現するため、特定の材料、構造、化学物質、プロセス等の多くの具体的な詳細が述べられている。しかしながら、本発明が、上記具体的に示された詳細に頼ることなく、実施可能であることを理解されるべきである。別の事例では、本発明を不必要に曖昧にしないため、周知のプロセス構造について詳細には説明を行わなかった。
【００７３】
本文の開示においては、本発明の例示的な態様とその汎用性を有する数個の実施例のみを示し記述している。本発明は、様々な他の組合せや環境において使用可能であり、本明細書中で述べた発明の概念の範囲内で変形や変更が可能であると理解すべきである。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、従来技術にかかるガス捕集器と反応装置の側面断面図である。
【図２】図２は、カバーが取り外された状態の図１に示す反応装置の平面図である。
【図３】図３は、図１のガス捕集器の斜視断面図である。
【図４】図４は、折り曲げることにより従来技術のガス捕集器が形成される板の平面図である。
【図５】図５は、反応装置内の台上に載っている従来技術のガス捕集器の部分側面断面図である。
【図６】図６は、本発明にしたがって構成されたガス捕集器の分解図である。
【図７】図７は、ガス捕集器の斜視断面図である。
【図８】図８は、ばねをガス捕集器の導管内に配置したガス捕集器の斜視断面図である。
【図９】図９Ａ及び図９Ｂは、それぞれガス捕集器の断面図である。
【図１】
0005124716.tif 000002
【図２】
0005124716.tif 000003
【図３】
0005124716.tif 000004
【図４】
0005124716.tif 000005
【図５】
0005124716.tif 000006
【図６】
0005124716.tif 000007
【図７】
0005124716.tif 000008
【図８】
0005124716.tif 000009
【図９】
0005124716.tif 000010