(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板間に液晶層が挟持され、複数の画素がマトリクス状に配置されるとともに、一つの前記画素が、カラーフィルターの異なる色の色材層がそれぞれ配置された隣接する複数のサブ画素で構成される液晶表示装置であって、
前記一対の基板間に設けられた複数のスペーサと、
前記スペーサの形成位置と少なくとも平面的に重なるスペーサ遮光部を含む遮光層と、を備え、
前記画素を構成する隣接する複数のサブ画素が、前記スペーサが配置された第１サブ画素と前記スペーサが配置されていない第２サブ画素とを含み、
前記第１サブ画素内に前記スペーサ遮光部が配置され、前記隣接する複数のサブ画素の中に、前記第１サブ画素の開口率よりも高い開口率を有する前記第２サブ画素が存在し、
前記画素を構成する隣接する複数のサブ画素の中に前記スペーサが配置されていない第２サブ画素が２個以上存在し、前記２個以上の第２サブ画素の中の一部の第２サブ画素に、前記スペーサ遮光部と同一形状で同一面積のダミー遮光部が設けられ、
前記スペーサ遮光部及び前記ダミー遮光部は、隣接する画素との境界に位置する液晶表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載の液晶表示装置を備えた電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本技術は、液晶表示装置および電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置の分野において、液晶層を挟持する一対の基板間の間隔、いわゆるセルギャップを均一にするために、一対の基板間に柱状のスペーサを形成する方法が従来から知られている。柱状スペーサは、アクリル樹脂等を用いてフォトリソグラフィー技術により形成することができるため、基板上に球状のスペーサを散布する従来法と異なり、スペーサの位置や密度を確実に制御できる点で優れている。
【０００３】
スペーサの形成位置として、アクティブマトリクス型液晶表示装置において、画素スイッチング用の薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor, 以下、ＴＦＴと略記する）上に柱状スペーサを形成する例が知られている（例えば、特許文献１参照）。しかしながら、この構成では、ＴＦＴが形成される位置は多くの層が重なっているため、製造バラツキ等によってＴＦＴの高さが安定せず、セルギャップが不均一になる虞がある。そのため、柱状スペーサをＴＦＴから離れた位置に形成するものも知られている。
【０００４】
柱状スペーサの数は、セルギャップを確実に保持できる限りにおいて少ない方が望ましい。例えば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色に対応した３個のサブ画素で１個の画素が構成されるカラー液晶表示装置の場合、サブ画素毎にスペーサを配置するのではなく、１個の画素（３個のサブ画素）に対して１個のスペーサを配置する構成が提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２００１−２７７６２号公報
【特許文献２】特開２００２−２１９００号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、柱状スペーサの形成位置の周辺では液晶の配向が乱れるため、光抜け等の表示への悪影響を防止する目的で遮光膜が配置されることが多い。特許文献１のように、柱状スペーサをＴＦＴ上に形成した場合、ＴＦＴ自体も柱状スペーサの遮光膜として機能する。そのため、ＴＦＴ周辺を覆う遮光膜を設ければ充分であり、柱状スペーサによる液晶の配向乱れの表示への悪影響はそれ程問題とならない。ところが、この構成では上述したようにセルギャップの安定性に問題が生じる。
【０００６】
一方、特許文献２のように柱状スペーサをＴＦＴから離れた位置に形成した場合、図９に示すように、サブ画素１０１Ｒ，１０１Ｇ，１０１Ｂの各辺の中央部では、ブラックマトリクスＢＭ（遮光膜）を細く形成し、柱状スペーサ１０２の形成位置に、柱状スペーサ１０２の周辺を覆うようにブラックマトリクスＢＭを幅広に形成した部分（符号ＢＭＳで示す部分）を設け、ＴＦＴの形成位置には、ＴＦＴを遮光する部分（符号ＢＭｔで示す部分）を設ける構成が採用されていた。この構成によれば、表示不良を抑制しつつ開口率を上げることができ、明るい表示が得られる。
【０００７】
このような構成において、３個のサブ画素１０１Ｒ，１０１Ｇ，１０１ＢでブラックマトリクスＢＭの開口部形状を揃えておいた方がブラックマトリクス形成用フォトマスクの汎用性があるために好ましいとの考えから、柱状スペーサ１０２が形成されているか否かに係わらず、ブラックマトリクスＢＭにスペーサ遮光用の幅広部分ＢＭＳを設ける、というマスク設計が行われていた。しかしながら、この液晶表示装置は表示の色再現性が悪く、特定の色味がかった表示になってしまう、という問題があった。
【０００８】
本技術は、上記の課題を解決するためになされたものであって、特定の色味がかった表示を防止し、色再現性に優れた表示が可能な液晶表示装置、およびこれを用いた電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の目的を達成するために、本技術の液晶表示装置は、一対の基板間に液晶層が挟持され、複数の画素がマトリクス状に配置されるとともに、一つの前記画素が、カラーフィルターの異なる色の色材層がそれぞれ配置された隣接する複数のサブ画素で構成される液晶表示装置であって、前記一対の基板間に設けられた複数のスペーサと、前記スペーサの形成位置と少なくとも平面的に重なるスペーサ遮光部を含む遮光層と、を備え、前記画素を構成する隣接する複数のサブ画素が、前記スペーサが配置された第１サブ画素と前記スペーサが配置されていない第２サブ画素とを含み、前記第１サブ画素内に前記スペーサ遮光部が配置され、前記隣接する複数のサブ画素の中に、前記第１サブ画素の開口率よりも高い開口率を有する前記第２サブ画素が存在することを特徴とする。なお、本技術における「サブ画素」とは、カラーフィルターの異なる色の色材層に対応し、隣接する複数個で１つの画素を構成する最小単位領域のことである。
【００１０】
本技術の液晶表示装置によれば、スペーサの形成位置と少なくとも平面的に重なるスペーサ遮光部を含む遮光層が備えられているので、スペーサによる液晶配向異常に起因する光抜け等の表示不良を抑制することができる。また、隣接する複数のサブ画素がスペーサが配置された第１サブ画素とスペーサが配置されていない第２サブ画素を含む場合であっても、複数のサブ画素の全てにスペーサ遮光部が設けられ、全てのサブ画素が一様の開口率を有しているのではなく、第１サブ画素の開口率よりも高い開口率を有する第２サブ画素が存在している。そのため、その液晶表示装置の特性に合わせて色味の調整を行うことができ、色再現性に優れた液晶表示装置を実現することができる。
【００１１】
本技術の液晶表示装置において、前記画素を構成する隣接する複数のサブ画素の中に前記スペーサが配置されていない第２サブ画素が２個以上存在し、前記２個以上の第２サブ画素の中の一部の第２サブ画素に、前記スペーサ遮光部と同一形状で同一面積の遮光部が設けられた構成を採用することができる。
【００１２】
この構成は、画素を構成する隣接する複数のサブ画素の中にスペーサが配置されていない第２サブ画素が２個以上存在する場合、それら全ての第２サブ画素にスペーサ遮光部を設けないのではなく、一部の第２サブ画素には、スペーサ遮光部と同一形状で同一面積の遮光部を設けるというものである。この構成によれば、第２サブ画素の中で色味が強いサブ画素があったときにそのサブ画素に遮光部を設けることによって色味を調整することができる。このとき、スペーサ遮光部と同一形状で同一面積の遮光部を設けることとすれば、マスク設計を容易に行うことができる。
【００１３】
あるいは、本技術の液晶表示装置において、前記第２サブ画素に、前記スペーサ遮光部よりも小さい面積の遮光部が設けられた構成を採用することができる。
この構成によれば、色味の調整をよりきめ細かく行うことができ、調整の自由度が向上する。
【００１４】
本技術の電子機器は、上記本技術の液晶表示装置を備えたことを特徴とする。
本技術によれば、上記本技術の液晶表示装置を備えているので、色再現性に優れた液晶表示部を備えた電子機器を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
［第１実施形態］
以下、本技術の第１実施形態の液晶表示装置を、図１〜図４を参照して説明する。
本実施形態の液晶装置は、横電界駆動方式の一種であるＦＦＳ方式のカラー液晶表示装置の例である。
図１は、本実施形態の液晶表示装置の等価回路図である。図２は、同液晶表示装置の１個のサブ画素の構成を示す平面図である。図３は、図２のＡ−Ａ'線に沿う断面図である。図４は、同液晶表示装置の１個の画素におけるブラックマトリクスとスペーサの構成を示す平面図である。なお、以下の各図面においては、図面を見やすくするため、各構成部材毎の縮尺等は適宜異ならせてある。また、図２、図４は１個の画素のみを拡大して示してあるが、図示しない部分はこのパターンの繰り返しである。
【００１６】
本実施形態の液晶表示装置は、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各色光を出力する３個のサブ画素で１個の画素を構成するカラー液晶表示装置である。ここで、表示を構成する最小単位となる表示領域を「サブ画素」、隣接する１組３個（Ｒ、Ｇ、Ｂ）のサブ画素から構成される表示領域を「画素」と称する。
【００１７】
本実施形態の液晶表示装置１において、図１に示すように、表示領域を構成すべくマトリクス状に配置された複数のサブ画素には、画素電極１１がそれぞれ設けられている。また、画素電極１１には、当該画素電極１１への通電制御を行うための画素スイッチング素子であるＴＦＴ素子１２が接続されている。このＴＦＴ素子１２のソースにはデータ線１３が電気的に接続されている。各データ線１３には、データ線駆動回路１６から画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎがそれぞれ供給される。
【００１８】
また、ＴＦＴ素子１２のゲートには走査線１４が電気的に接続されている。各走査線１４には、走査線駆動回路１７から所定のタイミングでパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍが供給される。走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍは、各走査線１４に対してこの順に線順次で印加される。また、ＴＦＴ素子１２のドレインには画素電極１１が電気的に接続されている。そして、走査線１４から供給された走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍにより、スイッチング素子であるＴＦＴ素子１２を一定期間だけオン状態にすると、データ線１３から供給された画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが、各画素の液晶に所定のタイミングで書き込まれる。
【００１９】
液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、画素電極１１と後述する共通電極との間に形成される液晶容量で一定期間保持される。なお、保持された画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎがリークするのを防止するため、画素電極１１と容量線２０との間に蓄積容量１８が形成され、液晶容量と並列に配置されている。そして、液晶に電圧信号が印加されると、印加電圧レベルにより液晶分子の配向状態が変化する。これにより、液晶に入射した光が変調されて階調表示がなされる。なお、容量線２０は必ずしも必要というわけではない。
【００２０】
次に、本実施形態の液晶表示装置１の画素構成について説明する。
図２は、１個のサブ画素（ここではＲのサブ画素を示す）のパターン構成を示す平面図である。図２に示すように、サブ画素２１Ｒ内に設けられた画素電極１１は略長方形であり、画素電極１１の内部にはスリット１１ａが複数本形成されている。各スリット１１ａは、図２における右上がりに傾いて形成されている。符号４１は画素電極１１の下層に形成された共通電極である。
【００２１】
図２におけるサブ画素２１Ｒの右上隅には、ＴＦＴ素子１２が設けられている。ＴＦＴ素子１２は、走査線１４（ゲート電極）、半導体層４２、データ線１３と一体形成されたソース電極４３、ドレイン電極４４を有している。また、符号４５はスペーサ、符号３３ａはドレイン電極４４と画素電極１１とを電気的に接続するためのコンタクトホール、符号４５は柱状スペーサである。なお、図２ではブラックマトリクスの図示を省略する。
【００２２】
次に、本実施形態の液晶表示装置１の断面構造について説明する。
本実施形態の液晶表示装置１は、図３に示すように、素子基板２１と、素子基板２１と対向配置された対向基板２２と、素子基板２１と対向基板２２との間に挟持された液晶層２３と、素子基板２１の外面側（液晶層２３と反対側）に設けられた偏光板２４と、対向基板２２の外面側に設けられた偏光板２５とを備えている。そして、液晶表示装置１には、素子基板２１の外面側に配置されたバックライト（図示略）から照明光が照射される構成となっている。
【００２３】
液晶表示装置１には、素子基板２１と対向基板２２との対向面の周縁に沿ってシール材（図示略）が設けられており、シール材と素子基板２１と対向基板２２によって囲まれた空間内に液晶層２３が封止されている。素子基板２１と対向基板２２との間には、素子基板２１と対向基板２２との間の間隔、いわゆるセルギャップを一定に保持するための柱状スペーサ４５が設けられている。柱状スペーサ４５は、感光性アクリル樹脂等の樹脂材料から構成されている。本実施形態の場合、柱状スペーサ４５は対向基板２２上に形成され、先端面が素子基板２１に接触するものとするが、逆に素子基板２１上に形成されるものであっても良い。
【００２４】
また、素子基板２１は、例えばガラス、石英、プラスチックなどの透光性材料からなる基板本体３１と、基板本体３１の内側（液晶層２３側）の表面に順に積層されたゲート絶縁膜３２、層間絶縁膜３３、および液晶層２３の初期配向方向（ラビング方向）を規制する配向膜３４とを備えている。
【００２５】
素子基板２１は、基板本体３１の内側の表面に配置された走査線１４、各サブ画素に対応して設けられた共通電極４１、共通電極４１同士を接続する共通線４０、ゲート絶縁膜３２の内側の表面に配置されたデータ線１３（図２に示す）、半導体層４２、ソース電極４３、ドレイン電極４４、層間絶縁膜３３の表面に配置された画素電極１１を備えている。ゲート絶縁膜３２は、窒化シリコンや酸化シリコン等の絶縁性を有する透光性材料で構成されており、基板本体３１上に形成された走査線１４、共通線４０、共通電極４１を覆うように設けられている。
【００２６】
層間絶縁膜３３は、ゲート絶縁膜３２と同様、窒化シリコンや酸化シリコン等の絶縁性を有する透光性材料で構成されており、ゲート絶縁膜３２上に形成された半導体層４２、ソース電極４３、ドレイン電極４４を覆うように設けられている。そして、層間絶縁膜３３のうち、図２に示す平面視でドレイン電極４４と画素電極１１とが重なる部分には、画素電極１１とＴＦＴ素子１２との導通を図るための貫通孔であるコンタクトホール３３ａが形成されている。配向膜３４は、例えばポリイミド等の有機材料から構成され、層間絶縁膜３３上の画素電極１１を覆うように設けられている。配向膜３４の上面には、液晶層２３を構成する液晶分子を配向規制するための配向処理が施されている。
【００２７】
一方、対向基板２２は、例えばガラス、石英、プラスチックなどの透光性材料で構成された基板本体５１と、基板本体５１の内側（液晶層２３側）の表面に順に積層されたブラックマトリクスＢＭ１（遮光層）、カラーフィルターの色材層５２、配向膜５３を備えている。色材層５２は、サブ画素に対応して配置され、例えばアクリルなどで構成され、各サブ画素で表示するＲ，Ｇ，Ｂの各色に対応する色材を含有している。配向膜５３は上記配向膜３４と同様、例えばポリイミドなどの有機材料やシリコン酸化物などの無機材料で構成されており、その配向方向が配向膜３４の配向方向と同じ方向となっている。
【００２８】
素子基板２１、対向基板２２の外面に設けられた偏光板２４、２５は、それぞれの透過軸が互いに直交するように設けられている。したがって、一方の偏光板の透過軸は配向膜３４の配向方向と平行、他方の偏光板の透過軸は配向膜３４の配向方向と垂直となっている。
【００２９】
次に、本技術の特徴点であるブラックマトリクスと柱状スペーサの構成について説明する。
図４は、１個の画素におけるブラックマトリクスＢＭ１および柱状スペーサ４５の構成を示す平面図である。図４における右側のサブ画素２１ＲがＲ、中央のサブ画素２１ＢがＢ、左側のサブ画素２１ＧがＧの各色に対応している。そして、図示は省略するが、同色のサブ画素が図４における縦方向に並んで配置されている。本実施形態においては、１個の画素を構成する３個のサブ画素のうち、Ｇのサブ画素２１Ｇ（第１サブ画素）に柱状スペーサ４５が配置されており、Ｒのサブ画素２１Ｒ（第２サブ画素）とＢのサブ画素２１Ｂ（第２サブ画素）には柱状スペーサ４５は配置されていない。
【００３０】
ブラックマトリクスＢＭ１は格子状に形成されており、データ線１３に沿う直線部分ＢＭ１ａは幅が狭く、走査線１４および共通線４０に沿う直線部分ＢＭ１ｂはデータ線１３に沿う直線部分ＢＭ１ａよりも幅が広く形成されている。ブラックマトリクスＢＭ１の各サブ画素２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂの短辺方向に隣接する２つの角部にあたる部分には、ＴＦＴ素子１２を遮光するＴＦＴ遮光部ＢＭ１ｔと、柱状スペーサ４５とその周囲を遮光するスペーサ遮光部ＢＭ１ｓとがサブ画素２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂの内部に張り出すように形成されている。なお、図４では柱状スペーサ４５を見やすくするため、白抜きで示したが、この場所にもスペーサ遮光部ＢＭ１ｓが存在している。
【００３１】
ＴＦＴ遮光部ＢＭ１ｔは全てのサブ画素２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂに形成されている一方、スペーサ遮光部ＢＭ１ｓはＧのサブ画素２１Ｇにのみ形成されており、Ｒのサブ画素２１Ｒ、およびＢのサブ画素２１Ｂには形成されていない。したがって、サブ画素の全面積に対するサブ画素中のブラックマトリクスの開口面積を「開口率」と定義すると、Ｒのサブ画素２１Ｒの開口率とＢのサブ画素２１Ｂの開口率とは互いに等しく、これらのサブ画素２１Ｒ，２１Ｂの開口率はＧのサブ画素２１Ｇの開口率よりも大きくなっている。
【００３２】
従来の液晶表示装置においては、１個の画素（３個のサブ画素）に対して１個のスペーサを配置する場合、スペーサの有無に係わらず、全てのサブ画素に対してブラックマトリクスにスペーサ遮光部を設ける設計としていた。その結果、従来の液晶表示装置では、例えば表示が黄色味がかるというように、特定の色味がかった表示となり、色再現性に劣るという問題が生じていた。
【００３３】
これに対し、本実施形態の液晶表示装置１においては、柱状スペーサ４５が配置されたＧのサブ画素２１Ｇにのみスペーサ遮光部ＢＭ１ｓを設け、Ｒのサブ画素２１ＲおよびＢのサブ画素２１Ｂにはスペーサ遮光部ＢＭ１ｓを設けていない。これにより、Ｒのサブ画素２１Ｒの開口率とＢのサブ画素２１Ｂの開口率がＧのサブ画素２１Ｇの開口率よりも大きくなる結果、従来よりもＲ光、Ｂ光の光量が相対的に多くなり、例えば表示が黄色味がかる等の不具合を解消でき、色再現性に優れた液晶表示装置を提供することができる。
【００３４】
［第２実施形態］
以下、本技術の第２実施形態の液晶表示装置を、図５を参照して説明する。
本実施形態の液晶表示装置の基本構成は第１実施形態と同様であり、ブラックマトリクスと柱状スペーサの構成が第１実施形態と異なるのみである。
図５は、本実施形態の液晶表示装置の一画素のブラックマトリクスと柱状スペーサの構成を示す平面図である。図５において第１実施形態で用いた図４と共通の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００３５】
第１実施形態においては、Ｇのサブ画素２１Ｇにのみ柱状スペーサ４５が設けられていたのに対し、本実施形態の液晶表示装置においては、図５に示すように、Ｇのサブ画素２１ＧとＢのサブ画素２１Ｂに柱状スペーサ４５がそれぞれ設けられ、Ｒのサブ画素２１Ｒにのみ柱状スペーサ４５が設けられていない。これに伴い、スペーサ遮光部ＢＭ２ｓも、Ｇのサブ画素２１ＧとＢのサブ画素２１Ｂに設けられ、Ｒのサブ画素２１Ｒには設けられていない。この構成により、Ｇのサブ画素２１Ｇの開口率とＢのサブ画素２１Ｂの開口率は等しく、これらのサブ画素２１Ｇ，２１Ｂの開口率はＲのサブ画素２１Ｒの開口率よりも小さくなっている。
【００３６】
本実施形態の液晶表示装置においても、表示が特定の色味がかるといった不具合を解消でき、色再現性に優れた液晶表示装置が提供できる、といった第１実施形態の同様の効果を得ることが可能である。また、第１実施形態に比べて柱状スペーサ４５の密度が高くなっているので、セルギャップをより強固に保持することができる。
【００３７】
［第３実施形態］
以下、本技術の第３実施形態の液晶表示装置を、図６を参照して説明する。
本実施形態の液晶表示装置の基本構成は第１、第２実施形態と同様であり、ブラックマトリクスと柱状スペーサの構成が第１、第２実施形態と異なるのみである。
図６は、本実施形態の液晶表示装置の一画素のブラックマトリクスと柱状スペーサの構成を示す平面図である。図６において第１実施形態で用いた図４と共通の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００３８】
本実施形態の液晶表示装置においては、図６に示すように、第１実施形態と同様、Ｇのサブ画素２１Ｇにのみ柱状スペーサ４５が設けられている。一方、ブラックマトリクスＢＭ２の構成は第２実施形態と同様であり、Ｇのサブ画素２１Ｇにスペーサ遮光部ＢＭ２ｓが設けられ、Ｂのサブ画素２１Ｂにも遮光部ＢＭ２ｄが設けられている。すなわち、Ｂのサブ画素２１Ｂには、柱状スペーサ４５がないにも係わらず、スペーサ遮光部ＢＭ２ｓと同一形状、同一面積のダミーの遮光部ＢＭ２ｄが同一位置に設けられている。この構成により、Ｇのサブ画素２１Ｇの開口率とＢのサブ画素２１Ｂの開口率は等しく、これらのサブ画素２１Ｇ，２１Ｂの開口率はＲのサブ画素２１Ｒの開口率よりも小さくなっている。
【００３９】
本実施形態の液晶表示装置においても、表示が特定の色味がかるといった不具合を解消でき、色再現性に優れた液晶表示装置が提供できる、といった第１実施形態の同様の効果を得ることが可能である。また、柱状スペーサ４５がないＢの画素２１Ｂにスペーサ遮光部ＢＭ２ｓと同一形状、同一面積の遮光部ＢＭ２ｄを同一位置に設けたため、マスク設計を容易にしつつ色味の調整を行うことができる。
【００４０】
［第４実施形態］
以下、本技術の第４実施形態の液晶表示装置を、図７を参照して説明する。
本実施形態の液晶表示装置の基本構成は第３実施形態と同様であり、ブラックマトリクスの構成が第３実施形態と異なるのみである。
図７は、本実施形態の液晶表示装置の一画素のブラックマトリクスと柱状スペーサの構成を示す平面図である。図７において第１実施形態で用いた図４と共通の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００４１】
本実施形態の液晶表示装置においては、図７に示すように、第３実施形態と同様、Ｇのサブ画素２１Ｇにのみ柱状スペーサ４５が設けられ、Ｇのサブ画素２１Ｇにスペーサ遮光部ＢＭ３ｓが設けられ、Ｂのサブ画素２１Ｂにも遮光部ＢＭ３ｄが設けられている。ただし、第３実施形態では、Ｂのサブ画素２１Ｂの遮光部はスペーサ遮光部と同一形状、同一面積であったのに対し、本実施形態では、Ｂのサブ画素２１Ｂの遮光部ＢＭ３ｄはスペーサ遮光部ＢＭ３ｓと相似形状であり、スペーサ遮光部ＢＭ３ｓよりも面積が小さい。この構成により、各サブ画素の開口率は、Ｇのサブ画素２１Ｇ、Ｂのサブ画素２１Ｂ、Ｒのサブ画素２１Ｒの順で大きくなっている。
【００４２】
本実施形態の液晶表示装置においても、表示が特定の色味がかるといった不具合を解消でき、色再現性に優れた液晶表示装置が提供できる、といった第１実施形態の同様の効果を得ることが可能である。このように、スペーサ４５を配置しないサブ画素（本実施形態ではＢのサブ画素２１Ｂ）に設ける遮光部ＢＭ３ｄの面積を意図的にスペーサ遮光部ＢＭ３ｔと異ならせることによって、色味の調整をよりきめ細かく行うことができ、調整の自由度が向上する。
【００４３】
［電子機器］
次に、上述の液晶表示装置を備える電子機器について説明する。
図８は、本技術の液晶表示装置を備える電子機器の一例である携帯電話機を示す斜視図である。図８に示すように、携帯電話機３００は、本体部３０１と、これに開閉可能に設けられた表示体部３０２とを有している。表示体部３０２の内部には表示装置３０３が配置されており、電話通信に関する各種表示が表示画面３０４において視認可能となっている。また、本体部３０１には操作ボタン３０５が配列されている。
【００４４】
そして、表示体部３０２の一端部には、アンテナ３０６が伸縮自在に取り付けられている。また、表示体部３０２の上部に設けられた受話部３０７の内部には、スピーカ（図示略）が内蔵されている。さらに、本体部３０１の下端部に設けられた送話部３０８の内部には、マイク（図示略）が内蔵されている。ここで、表示装置３０３には上記実施形態の液晶表示装置が用いられている。
【００４５】
本実施形態の携帯電話機によれば、上記実施形態の液晶表示装置を備えているので、明るく、色再現性に優れた表示が可能な液晶表示部を備えた携帯電話機を実現することができる。
【００４６】
また、液晶表示装置を備える電子機器としては、携帯電話機に限らず、パーソナルコンピュータ、ノート型パーソナルコンピュータ、ワークステーション、デジタルスチルカメラ、車載用モニタ、カーナビゲーション装置、ヘッドアップディスプレイ、デジタルビデオカメラ、テレビジョン受像機、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ページャ、電子手帳、電卓、電子ブックやプロジェクタ、ワードプロセッサ、テレビ電話機、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備える機器などのような他の電子機器であってもよい。
【００４７】
なお、本技術の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本技術の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。例えば上記実施形態では、表示領域内で柱状スペーサの配置やブラックマトリクスの構成が一様であることを想定して説明したが、表示領域内で色味の分布や偏り等がある場合には、場所によって柱状スペーサの配置や密度、ブラックマトリクスの遮光部の構成を適宜変えても良い。また、各部材の具体的な形状、各構成部材の材料等については適宜変更が可能であり、本技術は、上記実施形態で示した横電界方式に限らず、種々の方式の液晶表示装置に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本技術の第１実施形態の液晶表示装置の等価回路図である。
【図２】同液晶表示装置の一画素構成を示す平面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ'線に沿う断面図である。
【図４】同液晶表示装置のブラックマトリクスの構成を示す平面図である。
【図５】第２実施形態のブラックマトリクスの構成を示す平面図である。
【図６】第３実施形態のブラックマトリクスの構成を示す平面図である。
【図７】第４実施形態のブラックマトリクスの構成を示す平面図である。
【図８】本技術の電子機器の一例を示す斜視図である。
【図９】従来の液晶表示装置のブラックマトリクスの一例を示す平面図である。
【符号の説明】
【００４９】
１…液晶表示装置、２１…素子基板、２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂ…サブ画素、２２…対向基板、２３…液晶層、４５…柱状スペーサ、５２…色材層、ＢＭ１，ＢＭ２，ＢＭ３…ブラックマトリクス（遮光層）、ＢＭ１ｓ，ＢＭ２ｓ，ＢＭ３ｓ…スペーサ遮光部、ＢＭ２ｄ，ＢＭ３ｄ…遮光部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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