(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の領域を分割するスクライブラインによって囲まれる複数の領域それぞれに表示領域が形成される液晶表示装置用アレイ基板において、
前記表示領域内に、マトリクス状に形成された複数の走査線及び信号線と、前記走査線及び信号線上に形成された平坦化膜と、前記走査線及び信号線で囲まれた領域毎に絶縁膜を介して対向配置されたそれぞれ透明導電性材料からなる下電極と複数のスリットを有する上電極と、を有する表示部が形成されると共に、
前記表示領域の周辺部に、前記スクライブラインの外側を囲む短絡配線と、前記表示部と前記短絡配線とを接続して複数の前記表示部を同電位にする接続端子部と、が形成され、
前記接続端子部は、
接続端子用配線と、
前記接続端子用配線の表面を被覆する第１絶縁膜と、
前記接続端子用配線上の第１絶縁膜を貫通するように形成されたコンタクトホールと、
前記コンタクトホールの周囲及び内周面の前記第１絶縁膜の表面の一部を被覆すると共に、前記コンタクトホールの底で前記接続端子用配線と部分的に電気的に接続された第１導電性膜と、
前記コンタクトホールの周囲及び内周面の前記第１導電性膜及び前記第１絶縁膜の表面を被覆する第２絶縁膜と、
前記コンタクトホールの周囲及び内周面の前記第２絶縁膜表面と、前記コンタクトホールの底の前記第１導電性膜及び前記接続端子用配線の表面とを同時に被覆している第２導電性膜と、
を有する、液晶表示装置用アレイ基板。
【請求項２】
前記短絡配線は、前記第1導電性膜と電気的に接続されている、
請求項１に記載の液晶表示装置用アレイ基板。
【請求項３】
前記第１導電性膜及び前記第２導電性膜は、それぞれ前記下電極及び前記上電極と同材質であり、
前記第２絶縁膜は、前記下電極及び前記上電極間に配置された絶縁膜と同材質である、
請求項１に記載の液晶表示装置用アレイ基板。
【請求項４】
前記接続端子用配線は、前記表示領域の走査線と同材質の金属材料で形成されており、
前記第１絶縁膜は、前記表示領域の走査線上を被覆するゲート絶縁膜及び前記信号線上を被覆するパッシベーション膜と同材質の複層膜で形成されている、
請求項１に記載の液晶表示装置用アレイ基板。
【請求項５】
前記接続端子用配線は、前記表示領域の信号線と同材質の金属材料で形成されており、
前記第１絶縁膜は、前記表示領域の信号線上を被覆するパッシベーション膜と同材質の膜で形成されている、
請求項１に記載の液晶表示装置用アレイ基板。
【請求項６】
前記表示領域の前記平坦化膜と下電極の間には部分的に反射板が形成されている、
請求項１〜５のいずれかに記載の液晶表示装置用アレイ基板。
【請求項７】
基板上の領域を分割するスクライブラインによって囲まれる複数の領域それぞれに表示領域を形成する液晶表示装置用アレイ基板の製造方法において、
前記基板の前記表示領域内に、マトリクス状に形成された複数の走査線及び信号線と、前記走査線及び信号線上に形成された平坦化膜と、前記走査線及び信号線で囲まれた領域毎に絶縁膜を介して対向配置されたそれぞれ透明導電性材料からなる下電極と複数のスリットを有する上電極と、を有する前記表示部を形成し、
表示領域の周辺部に、前記スクライブラインの外側を囲む短絡配線を形成すると共に、前記接続端子用配線の表面を被覆する第１絶縁膜と、前記接続端子用配線上の第１絶縁膜を貫通するように形成されたコンタクトホールと、前記コンタクトホールの周囲及び内周面の前記第１絶縁膜の表面の一部を被覆すると共に、前記コンタクトホールの底で前記接続端子用配線と部分的に電気的に接続された第１導電性膜と、前記コンタクトホールの周囲及び内周面の前記第１導電性膜及び前記第１絶縁膜の表面を被覆する第２絶縁膜と、前記コンタクトホールの周囲及び内周面の前記第２絶縁膜表面と、前記コンタクトホールの底の前記第１導電性膜及び前記接続端子用配線の表面とを同時に被覆している第２導電性膜と、を有し、前記表示部と前記短絡配線とを接続して複数の前記表示部を同電位にする接続端子部と、を形成し、
前記スクライブラインに沿って、前記基板を前記表示領域毎に分断し、
それぞれの前記接続端子部を前記短絡配線から切断する、
液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、平坦化膜上に画素電極及び共通電極を配置したＦＦＳ（Fringe Field Switc
hing）モードの液晶表示装置及び液晶表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、マトリクス状に配置されたスイッチング素子及び画素電極を備えるア
レイ基板と、カラーフィルタ層を備えるカラーフィルタ基板とを対向配置し、両基板間に
液晶を封入した構成を備えている。このような液晶表示装置として、アレイ基板にのみ画
素電極及び共通電極からなる一対の電極を備えた横方向電界方式の液晶表示装置と称され
るＩＰＳ（In-Plane Switching）モードないしＦＦＳモード（下記特許文献１及び２参照
）の液晶表示装置が知られている。
【０００３】
このうち、ＩＰＳモードの液晶表示装置は液晶に電界を印加するための画素電極と共通
電極とをそれぞれ同一の絶縁膜上に配置したものである。また、ＦＦＳモードの液晶表示
装置は液晶に電界を印加するための画素電極と共通電極をそれぞれ絶縁膜を介して異なる
層に配置したものである。このＦＦＳモードの液晶表示装置は、ＩＰＳモードの液晶表示
装置よりも広視野角かつ高コントラストであり、更に低電圧駆動ができると共により高開
口率であるため明るい表示が可能となるという特徴を備えている。加えて、ＦＦＳモード
の液晶表示装置は、ＩＰＳモードの液晶表示装置よりも平面視で画素電極と共通電極との
重複面積が大きいために、より大きな保持容量が副次的に生じ、別途補助容量線を設ける
必要がなくなるという長所も存在している。
【０００４】
ここで、従来の小型ないし中型の液晶表示装置製造用のアレイ基板の概略を図１２を用
いて説明する。なお、この明細書における説明のために用いられた各図面においては、各
層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異な
らせて表示しており、必ずしも実際の寸法に比例して表示されているものではない。
【０００５】
従来の小型ないし中型の液晶表示装置は、図１２に示したように、アレイ基板５０上に
多数の液晶表示装置５１を作製した後、別途作製された多数のカラーフィルタ基板（図示
せず）と張り合わせた後に、スクライブライン５２に沿って分断することによって作製さ
れている。このような液晶表示装置の製造に際して装置上から基板搬送時に薄利帯電等が
発生し、静電気が基板上に帯電してしまう。そして各基板の最終工程の際には配向膜のラ
ビング処理工程が存在するが、この配向膜のラビング処理工程においては静電気が発生し
易すく、前工程で帯電したり、ラビング処理工程で発生した静電気によるスパークのため
に液晶表示装置５１内の構成要素が静電破壊され易い。
【０００６】
そこで、この静電気を分散させて個々の液晶表示装置５１内の構成要素の静電破壊を防
止するため、個々の液晶表示装置５１の周囲を囲むように短絡配線（同電位配線）５３（
下記特許文献３及び４参照）が形成されている。そして、全ての液晶表示装置５１の接続
端子部５４は、この短絡配線５３に直接或いは高抵抗で接続され、全て同電位となるよう
になされている。なお、この短絡配線５３は、スクライブライン５２に沿って分断するこ
とによって個々の液晶表示装置を得る際に全て切り離される。
【特許文献１】特開２００１−２３５７６３号公報
【特許文献２】特開２００２−１８２２３０号公報
【特許文献３】特開平  ６−２８９４１７号公報
【特許文献４】特開２００１−１６６３２７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述した従来例の短絡配線５３及び接続端子部５４は、ゲート配線ないしソース配線と
同時に形成されている。このゲート配線ないしソース配線は、アルミニウムないしアルミ
ニウム合金等の導電性は良好であるが腐食されやすい金属配線によって形成されている。
そのため、短絡配線５３及び接続端子部５４の間のスクライブライン５２に沿ってスクラ
イブ処理すると、得られた個々のアレイ基板の端部には腐食されやすい金属配線が露出し
てしまうため、液晶表示装置の使用時にこの金属配線の露出面から腐食が起こり易くなる
。
【０００８】
このような液晶表示装置５１の端部に腐食されやすい金属配線が露出しない構成として
は、接続端子部５４の表面に露出される接続端子と短絡配線５３とを透明導電性材料から
なる画素電極と同時に形成することが考えられる。すなわち、通常の液晶表示装置に使用
されている透明導電性材料からなる画素電極は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）又は
ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等の無機酸化物で形成されているが、これらのＩＴＯない
しＩＺＯは腐食され難いためである。
【０００９】
このような接続端子部の表面に露出される接続端子と短絡配線とを透明導電性材料から
なる画素電極と同時に形成した例を図１３〜図１５を用いて説明する。なお、図１３〜図
１５においては図１２に示したものと同一の構成部分には同一の参照符号を付与してある
。
【００１０】
ここで、図１３は図１２のXIII部分の拡大図である。図１４は図１３のXIV−XIV線に沿
った断面図である。図１５は図１３のXV−XV線に沿った断面図である。
【００１１】
この接続端子部５４の形成位置には、図１３〜図１５に示したように、例えばガラス基
板等の透明基板５６上に走査線やゲート電極と同時に形成された接続端子用配線５７が形
成されており、この接続端子用配線５７の表面はゲート絶縁膜５８及びパッシベーション
膜５９によって被覆されている。そして、この接続端子用配線５７は、パッシベーション
膜５９及びゲート絶縁膜５８を同時に貫通するように形成されたコンタクトホール６０を
介して、画素電極の形成と同時に透明導電性材料により形成された接続端子５５及び短絡
配線５３と配線部分６１を介して電気的に接続されている。この接続端子５５は、それぞ
れ接続端子用配線５７よりも高い位置に、かつ、接続端子用配線５７よりも幅が太くなる
ように設けられ、これらの接続端子５５に接続される各種接続部材との電気的接触が良好
となるようになされている。
【００１２】
一方、平坦化膜を有するＦＦＳモードの液晶表示装置は、それぞれの画素毎に、平坦化
膜の下部にスイッチング素子としての薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を備え、かつ、平坦化
膜の上部に絶縁膜を介して対向配置された透明導電性材料からなる下電極と複数のスリッ
トが形成された上電極を備えている。このような平坦化膜を有するＦＦＳモードの液晶表
示装置において、上述したように、接続端子部及び短絡配線を画素電極として機能する上
電極と同時に形成しようとすると、下電極上に絶縁膜、上電極、接続端子部及び短絡配線
を形成する必要がある。そのため、接続端子部が短絡配線で同電位に維持されるまでの工
数が増加するため、その間に静電気による不良品の発生が増大する可能性が大きくなって
しまう。加えて、上電極と同材料からなる接続端子と短絡配線との間の配線部分は、絶縁
膜の表面に剥き出し状態で接続されることになるが、このような配線部分が絶縁膜の表面
に多く剥き出し状態で残っていると、ラビング時にラビングムラの発生の懸念もある。
【００１３】
本発明は、以上の点に鑑みてなされたものであり、アレイ基板の端部に金属配線が露出しておらず、しかも、静電気発生を抑制し、ラビング時にラビングムラの発生が少なくなるようにした、平坦化膜を有するＦＦＳモードの液晶表示装置を提供することを目的とする。更に、本発明は、液晶表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成するため、本発明の液晶表示装置は、基板上の領域を分割するスクライブラインによって囲まれる複数の領域それぞれに表示領域が形成され、表示領域に表示部が形成された基板をスクライブラインに沿って分断して作製される液晶表示装置において、分断前の基板には、表示領域内に、マトリクス状に形成された複数の走査線及び信号線と、走査線及び信号線上に形成された平坦化膜と、走査線及び信号線で囲まれた領域毎に絶縁膜を介して対向配置されたそれぞれ透明導電性材料からなる下電極と複数のスリットを有する上電極と、を有する表示部が形成されると共に、表示領域の周辺部に、スクライブラインの外側を囲む短絡配線と、表示部と短絡配線とを接続して複数の表示部を同電位にする接続端子部と、が形成され、接続端子部は、接続端子用配線と、接続端子用配線の表面を被覆する第１絶縁膜と、接続端子用配線上の第１絶縁膜を貫通するように形成されたコンタクトホールと、コンタクトホールの周囲及び内周面の第１絶縁膜の表面の一部を被覆すると共に、コンタクトホールの底で接続端子用配線と部分的に電気的に接続された第１導電性膜と、コンタクトホールの周囲及び内周面の第１導電性膜及び第１絶縁膜の表面を被覆する第２絶縁膜と、コンタクトホールの周囲及び内周面の第２絶縁膜表面と、コンタクトホールの底の第１導電性膜及び接続端子用配線の表面とを同時に被覆している第２導電性膜と、を有する。
【００１５】
本発明の液晶表示装置においては、表示領域は、それぞれマトリクス状に形成された複数の走査線及び信号線と、平坦化膜上に形成され、走査線及び信号線で囲まれた領域毎に絶縁膜を介して対向配置されたそれぞれ透明導電性材料からなる下電極と複数のスリットを有する上電極とを備えている。かかる構成によって、本発明の液晶表示装置をＦＦＳモードの液晶表示装置として作動させることができる。
【００１６】
しかも、本発明の液晶表示装置においては、絶縁膜を介して対向配置されたそれぞれ透
明導電性材料からなる下電極と複数のスリットを有する上電極とが平坦化膜上に形成され
ているので、下電極や上電極にスイッチング素子やコモン配線等による段差が生じなくな
る。そのため、本発明のアレイ基板を用いて作製された液晶表示装置によれば、他方の基
板と上電極との間隔、すなわちセルギャップが均一となり、更に、表示領域内においてブ
ラックマトリクスで遮光しなければならない領域の面積が減少するために開口率が大きく
なる。従って、本発明のアレイ基板を用いて作製された液晶表示装置によれば、明るく表
示画質が良好なＦＦＳモードの液晶表示装置が得られる。なお、本発明の液晶表示装置に
おいては、上電極及び下電極のいずれをも画素電極ないし共通電極として作用させること
ができる。すなわち、上電極及び下電極のうち、スイッチング素子に接続された方が画素
電極となり、コモン配線に接続された方が共通電極となる。
【００１７】
加えて、本発明の液晶表示装置によれば、接続端子用配線と第１導電性膜とが部分的に
電気的に接続されており、更に第２導電性膜が接続端子用配線と第１導電性膜とを同時に
被覆するように形成されている。そのため、接続端子用配線、第１導電性膜及び第２導電
性膜は全て同電位となっている。従って、第１導電性膜を製造時に液晶表示装置周辺部に
配置されている短絡配線と接続するためのパターンとして引き出すことができるようにな
る。そのため、その後に第１導電性膜上に絶縁膜及び第２導電性膜を積層する際にも接続
端子用配線は外部からの静電気の影響を受け難くなり、静電気に起因する不良発生を大幅
に抑制することが可能となる。しかも、第１導電性膜の表面は絶縁膜によって被覆されて
いるため、アレイ基板の製造時に、短絡配線及びこの短絡配線と接続端子用配線とを接続
する配線部分が剥き出しにならないので、ラビング処理に際してラビングムラの発生が減
少する。
【００１８】
なお、本願発明の液晶表示装置においては、第１導電性膜は接続端子用配線と部分的に
電気的に接続されており、第２導電性膜が接続端子用配線及び第１導電性膜の両者と電気
的に接続されていることが必要である。第２導電性膜が第１導電性膜を介して接続端子用
配線と電気的に接続されている構成とすると、第１及び第２導電性膜はＩＴＯ（Indium T
in Oxide）又はＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等の透明導電性材料から形成される場合に
は、両者間の接触抵抗が大きくなるので、好ましくない。
【００１９】
また、本発明の液晶表示装置においては、第１導電性膜及び第２導電性膜はそれぞれ下電極及び上電極と同材質であり、第２絶縁膜は下電極及び上電極間に配置された絶縁膜と同材質であることが好ましい。
【００２０】
このような構成とすると、表示領域の形成の際に同時に接続端子部を形成できるため、
工数を増やすことなく表示領域と接続端子部を形成することができる。なお、本発明にお
ける「同材質」とは、それぞれ同じ材料で形成されている場合を含む外、例えば一方が複
層構造である場合には他方も同様の複層構造を備えていることを意味する。
【００２１】
また、本発明においては、下電極及び上電極としてはＩＴＯ又はＩＺＯ等の透明導電性
材料を使用することができる。この場合、下電極及び上電極とは同組成のものであっても
異なる組成のものであっても良い。また、本発明における平坦化膜は、少なくとも表面が
平坦性を有する透明な有機絶縁性膜であれば使用することができ、例えばアクリル樹脂や
ポリイミド等の透明樹脂を使用することができる。更に、本発明における各種絶縁膜とし
ては酸化ケイ素や窒化ケイ素等の無機絶縁膜を使用することができる。
【００２２】
本発明の液晶表示装置においては、接続端子用配線は表示領域の走査線と同材質の金属材料で形成されており、第１絶縁膜は表示領域の走査線上を被覆するゲート絶縁膜及び信号線上を被覆するパッシベーション膜と同材質の複層膜で形成されていることが好ましい。
【００２３】
表示領域の走査線は通常透明基板上に直接低位配線として形成されるから、この走査線
と同時に形成される接続端子用配線の表面はゲート絶縁膜及びパッシベーション膜の両者
で覆われているので、このゲート絶縁膜及びパッシベーション膜の両者が第１絶縁膜とな
る。係る態様の液晶表示装置によれば、接続端子用配線が直接基板上に形成される低位配
線の場合であっても、上記発明の効果を奏する液晶表示装置が得られる。但し、前述した
構成においては、ゲート絶縁膜及びパッシベーション膜の両者が第1絶縁膜となるが、接
続端子用配線上に形成されている絶縁膜は一層であっても多層であっても本発明で示す第
1絶縁膜に相当する。
【００２４】
また、本発明の液晶表示装置においては、接続端子用配線は表示領域の信号線と同材質の金属材料で形成されており、第１絶縁膜は表示領域の信号線上を被覆するパッシベーション膜と同材質の膜で形成されていることが好ましい。
【００２５】
表示領域の信号線は通常ゲート絶縁膜の表面に高位配線として形成されるから、この信
号線と同時に形成される接続端子用配線の表面はパッシベーション膜で覆われているので
、このパッシベーション膜が第１絶縁膜となる。係る態様の液晶表示装置によれば、接続
端子用配線がゲート絶縁膜の表面に形成された高位配線の場合であっても、上記発明の効
果を奏する液晶表示装置が得られる。
【００２６】
また、本発明の液晶表示装置においては、表示領域は、平坦化膜と下電極の間に部分的に反射板が形成されているものとすることができる。
【００２７】
係る態様の液晶表示装置によれば、平坦化膜と下電極の間に部分的に反射板が形成されている箇所が反射部として作用し、他の部分が透過部として作用するため、ＦＦＳモードの半透過型液晶表示装置を形成することができる。
【００２８】
更に、上記目的を達成するため、本発明の液晶表示装置の製造方法は、基板上の領域を分割するスクライブラインによって囲まれる複数の領域それぞれに表示領域を形成し、表示領域に表示部が形成された基板をスクライブラインに沿って分断して作製する液晶表示装置の製造方法において、分断前の基板の表示領域内に、マトリクス状に形成された複数の走査線及び信号線と、走査線及び信号線上に形成された平坦化膜と、走査線及び信号線で囲まれた領域毎に絶縁膜を介して対向配置されたそれぞれ透明導電性材料からなる下電極と複数のスリットを有する上電極と、を有する表示部を形成し、表示領域の周辺部に、スクライブラインの外側を囲む短絡配線を形成すると共に、接続端子用配線の表面を被覆する第１絶縁膜と、接続端子用配線上の第１絶縁膜を貫通するように形成されたコンタクトホールと、コンタクトホールの周囲及び内周面の第１絶縁膜の表面の一部を被覆すると共に、コンタクトホールの底で接続端子用配線と部分的に電気的に接続された第１導電性膜と、コンタクトホールの周囲及び内周面の第１導電性膜及び第１絶縁膜の表面を被覆する第２絶縁膜と、コンタクトホールの周囲及び内周面の第２絶縁膜表面と、コンタクトホールの底の第１導電性膜及び接続端子用配線の表面とを同時に被覆している第２導電性膜と、を有し、表示部と短絡配線とを接続して複数の表示部を同電位にする接続端子部と、を形成し、スクライブラインに沿って、基板を表示領域毎に分断し、それぞれの接続端子部を短絡配線から切断する。
【００２９】
係る態様の液晶表示装置の製造方法によれば、容易に上記効果を奏する液晶表示装置を
製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下、図面を参照して本発明の最良の実施形態を各種実施例より説明する。但し、以下
に示す実施例は、本発明の技術思想を具体化するための液晶表示装置としてＦＦＳモード
の液晶表示装置を例示するものであって、本発明をこのＦＦＳモードの液晶表示装置に特
定することを意図するものではなく、特許請求の範囲に含まれるその他の実施形態のもの
にも等しく適応し得るものである。また、以下に示す各実施例の液晶表示装置用のアレイ
基板の平面図は、図１２に示した従来例のものと同様であるので、必要に応じて図１２を
援用すると共に、図１２に示した部分と同一の構成部分には同一の参照符号を用いて説明
する。
【００３１】
なお、図１は実施例１のアレイ基板を使用した液晶表示装置のカラーフィルタ基板を透
視した１画素分の模式平面図である。図２は図１のII−II線に沿った断面図である。図３
は実施例１のアレイ基板の低位配線用接続端子部の平面図である。図４は図３のIV−IV線
に沿った断面図である。図５は図３のＶ−Ｖ線に沿った断面図である。図６は実施例１の
アレイ基板の高位配線用端子部の平面図である。図７は図６のVII−VII線に沿った断面図
である。図８は図６のVIII−VIII線に沿った断面図である。図９は実施例２のアレイ基板
を使用したＦＦＳモードの半透過型液晶表示装置のカラーフィルタ基板を透視した１画素
分の模式平面図である。図１０は図９のＸ−Ｘ線に沿った断面図である。図１１Ａは本発
明の液晶表示装置を搭載したパーソナルコンピュータを示す図であり、図１１Ｂは本発明
の液晶表示装置を搭載した携帯電話機を示す図である。
【実施例１】
【００３２】
実施例１の平坦化膜を有するＦＦＳモードの液晶表示装置１０Ａ用のアレイ基板ＡＲ及
び接続端子部の例を製造工程順に図１〜図５を用いて説明する。なお、このアレイ基板Ａ
Ｒは、図１２に示したように、アレイ基板５０として複数個の液晶表示装置５１を有する
ものとして作製され、最後に分断されて個々の液晶表示装置となるものである。しかしな
がら、全ての液晶表示装置５１は同じ工程では同じ構成に作製されるものであるため、説
明の都合上、以下では１個の液晶表示装置５１を作製するものとして説明する。同様に、
実施例１の平坦化膜を有するＦＦＳモードの液晶表示装置１０Ａ用のカラーフィルタ基板
ＣＦは、図示省略したが、複数のカラーフィルタ基板領域を有するカラーフィルタ基板と
して作製され、最後に分断されて個々の液晶表示装置となるものであるので、以下では１
個のカラーフィルタ基板領域を作製するものとして説明する。
【００３３】
この実施例１のアレイ基板５０の液晶表示装置５１の作製に際しては、最初にガラス基
板等の透明基板１１の表面全体に亘って例えばアルミニウム又はアルミニウム合金からな
る導電性層を形成する。その後、周知のフォトリソグラフィー法及びエッチング法によっ
て、表示領域に複数の走査線１２及び複数のコモン配線１３を互いに平行になるように形
成すると共に、表示領域の周縁部の低位配線用接続端子部３３Ａ（図３〜図５参照）には
ゲート配線からなる接続端子用配線３４を形成する。このゲート配線は、必ずしも走査線
１２用の配線として使用されるものではなく、走査線１２と同じ材質の配線であるために
「ゲート配線」と称されているものであり、図示省略したが適宜各種の配線用に使用され
るものである。また、ここではコモン配線１３は自画素の走査線１２に沿うように形成し
た例を示したが、隣接する画素の走査線１２側に沿うように形成しても、あるいは両走査
線１２の間に形成してもよい。
【００３４】
次いで、この表面全体に窒化ケイ素層ないし酸化ケイ素層からなるゲート絶縁膜１４を
被覆する。その後、ＣＶＤ（化学的気相成長）法によりたとえばアモルファス・シリコン
（以下「ａ−Ｓｉ」という。）層をゲート絶縁膜１４の表面全体に亘って被覆した後、同
じくフォトリソグラフィー法及びエッチング法によって、ＴＦＴ形成領域にａ−Ｓｉ層か
らなる半導体層１５を形成する。この半導体層１５が形成されている位置の走査線１２の
領域がＴＦＴのゲート電極Ｇを形成する。
【００３５】
次いで、ゲート絶縁膜１４及び半導体層１５の表面に例えばアルミニウム又はアルミニ
ウム合金からなる導電性層を形成する。更に、その導電性層を、フォトリソグラフィー法
及びエッチング法により、表示領域において走査線１２に交差するようにソース電極Ｓを
含む信号線１６を形成し、ＴＦＴ形成領域にドレイン電極Ｄを形成し、更に、高位配線用
接続端子部３３Ｂ（図６〜図８参照）にソース配線からなる接続端子用配線３５を形成す
る。このソース配線は、ゲート配線の場合と同様に、必ずしも信号線１６の配線として使
用されるものではなく、信号線１６と同じ材質の配線であるために「ソース配線」と称さ
れているものであり、図示省略したが適宜各種の配線用に使用されるものである。
【００３６】
その後、上記工程で得られた透明基板１１の表面全体にパッシベーション膜１７を被覆
する。このパッシベーション膜１７としては、窒化ケイ素層ないし酸化ケイ素層からなる
ものを使用することができるが、絶縁性の観点からは窒化ケイ素層の方が望ましい。この
うち、低位配線用接続端子部３３Ａの接続端子用配線３４の表面に存在するゲート絶縁膜
１４及びパッシベーション膜１７が本発明の第１絶縁膜に対応し、同じく高位配線用接続
端子部３３Ｂの接続端子用配線３５の表面に存在するパッシベーション膜１７も本発明の
第１絶縁膜に対応する。
【００３７】
次いで、フォトリソグラフィー法及びエッチング法により、コモン配線１３上及び低位
配線用接続端子部３３Ａの接続端子用配線３４上の表面のゲート絶縁膜１４及びパッシベ
ーション膜１７にそれぞれコンタクトホール２１及び３６ａを形成する。それと同時に、
高位配線用接続端子部３３Ｂの接続端子用配線３５上のパッシベーション膜１７にコンタ
クトホール３７ａを形成する。このコンタクトホール２１、３６ａ及び３７ａの形成には
、乾式エッチング法の１種であるプラズマエッチング法や緩衝フッ酸による湿式エッチン
グ法を採用し得る。これにより、コモン配線１３、接続端子用配線３４及び３５の表面が
露出される。なお、このときドレイン電極Ｄ上のパッシベーション膜１７には未だコンタ
クトホールは形成しない。更に、表示領域のパッシベーション膜１７の表面に、フォトリ
ソグラフィー法によって、コンタクトホール２１部分及びドレイン電極Ｄ上のコンタクト
ホール形成予定部分を除いて、例えばアクリル樹脂ないしポリイミド樹脂から成る平坦化
膜（層間膜とも称される）１８を積層する。
【００３８】
次いで、平坦化膜１８が形成された透明基板の表面全体に亘って例えばＩＴＯやＩＺＯ
からなる透明導電性層を被覆する。その後、フォトリソグラフィー法及びエッチング法に
よって、それぞれの画素毎に平坦化膜１８の表面に下電極２２を形成すると共に、接続端
子用配線３４及び３５の表面の一部及びこれらの周囲のパッシベーション膜１７の一部を
被覆すると共に、それぞれ第１透明導電性膜３８及び３９を形成する。このとき、アレイ
基板５０においては、図１２に示されているように、それぞれの液晶表示装置５１の周囲
を囲むように、且つ、全ての第１透明導電性膜３８及び３９と配線部分６１を介して電気
的に接続されるように、短絡配線５３が形成される。この際、接続端子用配線３４及び３
５の表面の一部が露出するように第１透明導電性膜３８及び３９を形成することが必要で
ある。接続端子用配線３４及び３５の表面全面を第１透明導電性膜３８及び３９で被覆す
ると、接続端子用配線３４及び３５は第１透明導電性膜３８及び３９を介して以降の工程
で被覆される第２透明導電性層と電気的に接続される状態となる。このような状態では、
第１透明導電性膜３８及び３９と第２透明導電性膜との間の接触抵抗が大きいので、静電
気の分散効果が抑制されてしまう。なお、この工程でそれぞれの画素毎の下電極２２はコ
ンタクトホール２１を介してコモン配線１３と電気的に接続される。
【００３９】
更に、下電極２２、第１透明導電性膜３８及び３９が形成された透明基板１１の表面全
体に亘って窒化ケイ素層ないし酸化ケイ素層からなる絶縁膜２３を形成する。このとき、
ドレイン電極Ｄ上のコンタクトホール形成予定部分のパッシベーション膜１７の表面、露
出していた接続端子用配線３４及び３５の表面、第１透明導電性膜３８及び３９の表面、
配線部分６１及び短絡配線５３の表面も絶縁膜２３によって被覆される。次いで、フォト
リソグラフィー法及びエッチング法によって、ドレイン電極Ｄ上のコンタクトホール形成
予定部分のパッシベーション膜１７及び絶縁膜２３に対してコンタクトホール２４を、接
続端子用配線３４、３５及び第１透明導電性膜３８及び３９の表面上に位置する絶縁膜２
３に対して開口３６ｂ及び３７ｂをそれぞれ形成する。それによって、ドレイン電極Ｄの
表面、接続端子用配線３４、３５及び第１透明導電性膜３８及び３９の表面を露出させる
。このコンタクトホール２４、開口３６ｂ及び３７ｂの形成には、乾式エッチング法の１
種であるプラズマエッチング法や緩衝フッ酸による湿式エッチング法を採用し得る。なお
、図１においては、絶縁膜２３は、以下に述べる上電極２６の部分を除いて全面に現れる
が、液晶表示装置１０Ａの理解を容易にするために図示省略されている。
【００４０】
また、この開口３６ｂ及び３７ｂは、接続端子用配線３４上のゲート絶縁膜１４及びパ
ッシベーション膜１７に形成されたコンタクトホール３６ａ及び接続端子用配線３５上の
パッシベーション膜１７に形成されたコンタクトホール３７ａよりも小径にされている。
そのため、接続端子用配線３４、３５及び第１透明導電性膜３８及び３９上の絶縁膜２３
は開口３６ｂ及び３７ｂの周縁側で部分的に接続端子用配線３４、３５及び第１透明導電
性膜３８及び３９を被覆していることになる。なお、この絶縁膜２３のうち、接続端子用
配線３４及び３５上に存在する第１透明導電性膜３８及び３９の表面に形成された部分が
本発明における第２絶縁膜に対応する。
【００４１】
更に、絶縁膜２３が形成された透明基板１１の表面全体に亘って例えばＩＴＯやＩＺＯ
からなる透明導電性層を被覆する。その後、フォトリソグラフィー法及びエッチング法に
よって、それぞれの画素毎に絶縁膜２３の表面に複数のスリット２５が形成された上電極
２６を形成すると共に、接続端子用配線３４、３５及び第１透明導電性膜３８及び３９の
表面及びこれらの周囲の絶縁膜２３を被覆するように、それぞれ第２透明導電性膜４１及
び４２を形成する。この第２透明導電性膜４１及び４２は、絶縁膜２３に形成された開口
３６ｂ及び３７ｂを介してそれぞれ接続端子用配線３４、３５及び第１透明導電性膜３８
及び３９の表面と接触しており、それぞれ本発明における接続端子部に対応する。この後
、表示部の上電極２６を含む表面全体に配向膜（図示せず）を設け、ラビング処理を行う
ことにより、複数個の液晶表示装置５１を備えたアレイ基板５０が得られる。
【００４２】
また、カラーフィルタ基板（図示せず）の個々のカラーフィルタ基板領域６２は、図２
に示したように、第２の透明基板２７の表面に、個々の液晶表示装置５１の走査線１２、
信号線１６及びＴＦＴに対応する位置を被覆するようにブラックマトリクス２８が形成さ
れている。更に、ブラックマトリクス２８で囲まれた第２の透明基板２７の表面には、所
定の色のカラーフィルタ層２９が形成され、また、ブラックマトリクス２８及びカラーフ
ィルタ層２９の表面を被覆するようにオーバーコート層３０が形成されている。そして、
オーバーコート層３０の表面には配向膜（図示せず）が形成されて、複数のカラーフィル
タ基板領域６２を有するカラーフィルタ基板が完成される。
【００４３】
そして、前述したアレイ基板５０に対し、上述の構成のカラーフィルタ基板を張り合わ
せた後、スクライブライン５２に沿って分断し、更に両基板間に液晶３１を封入すること
により実施例１のＦＦＳモードの液晶表示装置１０Ａが得られる。
【００４４】
なお、実施例１では下電極２２を共通電極とし、上電極２６を画素電極とした構成で記
載しているが、例えば、下電極２６を画素電極としてドレイン電極Ｄと接続させ、上電極
２２を共通電極とし画素内または表示領域周辺部に配置されているコモン電極１３に電気
的に接続させた構成とすることも可能である。
【００４５】
このように、実施例１のアレイ基板５０によれば、低位接続端子用配線３４及び高位接
続端子用配線３５と第１透明導電性膜３８、３９とが部分的に電気的に接続されており、
更に第２透明導電性膜４１、４２が低位接続端子用配線３４及び高位接続端子用配線３５
と第１導電性膜３８、３９とを同時に被覆するように形成されている。従って、第１透明
導電性膜３８、３９を形成した段階で、アレイ基板５０における全ての低位接続端子用配
線３４及び高位接続端子用配線３５は短絡配線５３によって短絡されて同電位となってい
る。そのため、その後に第１透明導電性膜３８、３９に絶縁膜２３及び第２透明導電性膜
４１、４２を積層する際にも低位接続端子用配線３４及び高位接続端子用配線３５は外部
からの静電気の影響を受け難くなり、静電気に起因する不良発生を大幅に抑制することが
可能となる。更に、第１透明導電性膜３８、３９と短絡配線５３との間の配線部分６１は
、絶縁膜２３によって被覆されているため、外部に直接露出することはないので、従来例
に比するとラビング時にラビングムラの発生が少なくなる。
【実施例２】
【００４６】
なお、実施例１の液晶表示装置１０Ａとしては透過型のＦＦＳモードの液晶表示装置の
例を示したが、半透過型のＦＦＳモードの液晶表示装置とすることもできる。ここで実施
例２として半透過型のＦＦＳモードの液晶表示装置１０Ｂの構成を図９及び図１０を用い
て説明する。なお、実施例２の液晶表示装置１０Ｂにおいては、実施例１の液晶表示装置
１０Ａと同一の構成部分には同一の参照符号を付与してその詳細な説明は省略する。
【００４７】
実施例２の半透過型のＦＦＳモードの液晶表示装置１０Ｂが実施例１の透過型のＦＦＳ
モードの液晶表示装置１０Ａと構成が相違している点は、平坦化膜１８の表面の一部に凹
凸が形成され（図示省略）、この凹凸が形成された平坦化膜１８の表面に光反射性金属か
らなる反射板１９が形成されている点である。この反射板１９は、平坦化膜１８の表面と
下電極２２との間に配置されている。従って、実施例２の液晶表示装置１０Ｂでは、それ
ぞれの上電極２６が形成されている部分において、反射板１９が形成されている部分が反
射部２０を形成し、その他の部分が透過部を形成する。なお、光反射性金属としては、ア
ルミニウム、アルミニウム合金ないし銀等の半透過型液晶表示装置の反射板形成材料とし
て汎用的に使用されているものを適宜選択して使用し得る。
【００４８】
この実施例２の液晶表示装置１０Ｂにおいては、平坦化膜１８の形成後に表面全体に亘
って光反射性金属膜を形成し、その後にフォトリソグラフィー法及びエッチング法によっ
て反射板１９を形成する。その後、フォトリソグラフィー法及びエッチング法により、最
初にそれぞれの画素毎の反射板１９の部分を残して他の部分の光反射性金属膜を除去する
。引き続いて、エッチングを進めることによって、コモン配線１３上及び低位配線用接続
端子部３３Ａの接続端子用配線３４上の表面のゲート絶縁膜１４及びパッシベーション膜
１７にそれぞれコンタクトホール２１及び３６ａを形成するとともに、高位配線用接続端
子部３３Ｂの接続端子用配線３５上のパッシベーション膜１７にコンタクトホール３７ａ
を形成する。その後の製造工程は実施例１の液晶表示装置１０Ａの場合と同様である。
【００４９】
なお、この実施例２の液晶表示装置１０Ｂにおける表示領域の周縁部に形成される接続
端子部３３Ａ及び３３Ｂの構成は実施例１の液晶表示装置１０Ａの場合と同一の構成とな
る。従って、実施例２の液晶表示装置１０Ｂによれば、実施例１の液晶表示装置１０Ａと
同様の効果を奏する半透過型のＦＦＳモードの液晶表示装置が得られる。
【００５０】
以上、本発明の実施例１及び２として透過型及び半透過型のＦＦＳモードの液晶表示装
置の例を説明した。このような本発明の液晶表示装置は、パーソナルコンピュータ、携帯
電話機、携帯情報端末などの電子機器に使用することができる。このうち、液晶表示装置
７１をパーソナルコンピュータ７０に使用した例を図１１Ａに、同じく液晶表示装置７６
を携帯電話機７５に使用した例を図１１Ｂに示す。ただし、これらのパーソナルコンピュ
ータ７０及び携帯電話機７５の基本的構成は当業者に周知であるので、詳細な説明は省略
する。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】実施例１のアレイ基板を使用した液晶表示装置のカラーフィルタ基板を透視した１画素分の模式平面図である。
【図２】図１のII−II線に沿った断面図である。
【図３】実施例１のアレイ基板の低位配線用接続端子部の平面図である。
【図４】図３のIV−IV線に沿った断面図である。
【図５】図３のＶ−Ｖ線に沿った断面図である。
【図６】実施例１のアレイ基板の高位配線用端子部の平面図である。
【図７】図６のVII−VII線に沿った断面図である。
【図８】図６のVIII−VIII線に沿った断面図である。
【図９】実施例２のアレイ基板を使用したＦＦＳモードの半透過型液晶表示装置のカラーフィルタ基板を透視した１画素分の模式平面図である。
【図１０】図９のＸ−Ｘ線に沿った断面図である。
【図１１】図１１Ａは本発明の液晶表示装置を搭載したパーソナルコンピュータを示す図であり、図１１Ｂは本発明の液晶表示装置を搭載した携帯電話機を示す図である。
【図１２】従来のアレイ基板の概略平面図である。
【図１３】図１２のXIII部分の拡大図である。
【図１４】図１３のXIV−XIV線に沿った断面図である。
【図１５】図１３のXV−XV線に沿った断面図である。
【符号の説明】
【００５２】
１０Ａ、１０Ｂ：液晶表示装置  １１：透明基板  １２：走査線  １３：コモン配線  １
４：ゲート絶縁膜  １５：半導体層  １６：信号線  １７：パッシベーション膜  １８：
平坦化膜  １９：反射板  ２０：反射部  ２１、２４：コンタクトホール  ２２：下電極
２３：絶縁膜  ２５：スリット  ２６：上電極  ２７：透明基板  ２８：ブラックマト
リクス  ２９：カラーフィルタ層  ３０：オーバーコート層  ３１：液晶  ３３Ａ：低位
配線用接続端子部  ３３Ｂ：高位配線用接続端子部  ３４：低位接続端子用配線  ３５：
高位接続端子用配線  ３６ａ、３７ａ：コンタクトホール  ３６ｂ、３７ｂ：開口  ３８
、３９：第１透明導電性膜  ４１、４２：第２透明導電性膜  ５０：アレイ基板  ５１：
液晶表示装置  ５２：スクライブライン  ５３：短絡配線  ５４：接続端子部  ５５：接
続端子  ５６：透明基板  ５７：接続端子用配線  ５８：ゲート絶縁膜  ５９：パッシベ
ーション膜  ６０：コンタクトホール  ６１：配線部分  ６２：カラーフィルタ基板領域
【図１】
0005275599.tif 000002
【図２】
0005275599.tif 000003
【図３】
0005275599.tif 000004
【図４】
0005275599.tif 000005
【図５】
0005275599.tif 000006
【図６】
0005275599.tif 000007
【図７】
0005275599.tif 000008
【図８】
0005275599.tif 000009
【図９】
0005275599.tif 000010
【図１０】
0005275599.tif 000011
【図１１】
0005275599.tif 000012
【図１２】
0005275599.tif 000013
【図１３】
0005275599.tif 000014
【図１４】
0005275599.tif 000015
【図１５】
0005275599.tif 000016