(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のパッド上に載置された導電性ボールをリフロー処理することにより、はんだバンプを形成するはんだバンプ形成方法であって、
前記複数のパッドを露出する複数の開口部を備えており、各開口部は１つの導電性ボールのみ搭載可能な大きさを有するソルダーレジストを、前記複数のパッド上に形成する工程と、
前記ソルダーレジストの各開口部から露出する前記複数のパッド上に粘着性付与化合物と化学反応可能な金属膜を形成する金属膜形成工程と、
前記粘着性付与化合物を含んだ溶液と前記金属膜とを化学反応させて、前記金属膜上に有機系粘着層を形成する有機系粘着層形成工程と、
前記ソルダーレジストの各開口部から露出する前記有機系粘着層上に１つの前記導電性ボールを供給することにより、前記有機系粘着層及び前記金属膜を介して、前記複数のパッドに前記導電性ボールを載置する導電性ボール載置工程と、
前記複数のパッドに載置された導電性ボールをリフロー処理してはんだバンプを形成するリフロー処理工程と、
を含むことを特徴とするはんだバンプ形成方法。
【請求項２】
前記複数のパッド上にそれぞれ１つの前記導電性ボールを載置することを特徴とする請求項１記載のはんだバンプ形成方法。
【請求項３】
前記粘着性付与化合物は、ナフトトリアゾール系誘導体、ベンゾトリアゾール系誘導体、イミダゾール系誘導体、ベンゾイミダゾール系誘導体、メルカプトベンゾチアゾール系誘導体、及びベンゾチアゾールチオ脂肪酸系誘導体のうち、少なくとも一種を含むことを特徴とする請求項１又は２記載のはんだバンプ形成方法。
【請求項４】
前記金属膜は、Ｃｕ膜又はＮｉ膜であることを特徴とする請求項１ないし３のうち、いずれか一項記載のはんだバンプ形成方法。
【請求項５】
前記金属膜として前記Ｎｉ膜を用いる場合、前記金属膜形成工程と前記有機系粘着層形成工程との間に、前記金属膜上にＡｕ層を形成するＡｕ層形成工程と、
前記有機系粘着層形成工程の直前に前記Ａｕ層を除去するＡｕ層除去工程と、を設けたことを特徴とする請求項４記載のはんだバンプ形成方法。
【請求項６】
前記導電性ボール載置工程では、前記有機系粘着層が形成された前記複数のパッド上に前記複数の導電性ボールを振り掛け、前記複数のパッドを振動又は揺動させることにより、前記複数のパッド上にそれぞれ１つの前記導電性ボールを載置することを特徴とする請求項１ないし５のうち、いずれか一項記載のはんだバンプ形成方法。
【請求項７】
前記金属膜形成工程の前に、前記複数のパッド上にめっき膜を形成するめっき膜形成工程を設けると共に、前記めっき膜上に前記金属膜を形成することを特徴とする請求項１ないし６のうち、いずれか一項記載のはんだバンプ形成方法。
【請求項８】
前記めっき膜は、Ｎｉ膜、Ｐｄ膜、Ａｕ膜のうち少なくとも１つの膜からなることを特徴とする請求項７記載のはんだバンプ形成方法。
【請求項９】
前記導電性ボールがはんだからなることを特徴とする請求項１乃至８いずれか一項に記載のはんだバンプ形成方法。
【請求項１０】
前記導電性ボール載置工程と、前記リフロー処理工程の間に、
前記導電性ボールに含まれるはんだを半溶融させて、前記金属膜を介して、前記複数のパッドに前記導電性ボールを仮固定する工程と、
前記導電性ボールを覆うようにフラックスを形成する工程と、を有し、
前記リフロー処理工程後に、フラックスを洗浄により除去する工程を有することを特徴とする請求項１乃至９いずれか一項に記載のはんだバンプ形成方法。
【請求項１１】
前記複数のパッドは、配線基板、チップサイズパッケージ、又は半導体チップのいずれかに設けられたものであることを特徴とする請求項１ないし１０のうち、いずれか一項記載のはんだバンプ形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、はんだバンプ形成方法に係り、特に配線基板、チップサイズパッケージ（Chip Size Package）等のパッケージ、半導体チップ等の基板に設けられた複数のパッド上にそれぞれ１つの導電性ボールを載置してはんだボールを形成するはんだバンプ形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１は、従来の基板の断面図である。
【０００３】
図１を参照するに、従来の基板１０は、基板本体１１と、貫通電極１２と、複数のパッド１３，１６と、ソルダーレジスト１４，１７と、はんだバンプ１９とを有する。ここでは、基板１０として、半導体パッケージとして用いられる配線基板を例に挙げて以下の説明を行う。
【０００４】
貫通電極１２は、基板本体１１を貫通するように設けられている。貫通電極１２の下端部は、パッド１３と接続されており、貫通電極１２の上端部は、パッド１６と接続されている。貫通電極１２は、パッド１３とパッド１６とを電気的に接続するためのものである。
【０００５】
複数のパッド１３は、基板本体１１の下面１１Ａに設けられている。複数のパッド１３は、基板１０の外部接続端子となる接続部１３Ａを有する。複数のパッド１３は、貫通電極１２の下端部と接続されている。
【０００６】
ソルダーレジスト１４は、接続部１３Ａ以外の部分の複数のパッド１３を覆うように、基板本体１１の下面１１Ａに設けられている。ソルダーレジスト１４は、接続部１３Ａを露出する開口部１４Ａを有する。
【０００７】
複数のパッド１６は、基板本体１１の上面１１Ｂに設けられている。複数のパッド１６は、バンプ形成領域１６Ａを有する。バンプ形成領域１６Ａは、はんだバンプ１９を形成する領域であると共に、はんだバンプ１９となる導電性ボールをバンプ形成領域１６Ａ上に仮固定するためのフラックスが形成される領域である。
【０００８】
ソルダーレジスト１７は、バンプ形成領域１６Ａ以外の部分の複数のパッド１６を覆うように、基板本体１１の上面１１Ｂに設けられている。ソルダーレジスト１７は、バンプ形成領域１６Ａを露出する開口部１７Ａを有する。
【０００９】
はんだバンプ１９は、複数のパッド１６のバンプ形成領域１６Ａに設けられている。はんだバンプ１９は、基板１０の接続端子である。はんだバンプ１９は、例えば、電子部品（例えば、半導体チップ等）と電気的に接続される。
【００１０】
図２〜図７は、従来のはんだバンプ形成工程を示す図である。図２〜図７において、図１に示す従来の基板１０と同一構成部分には同一符号を付す。
【００１１】
図２〜図７を参照して、従来のはんだバンプ形成方法について説明する。始めに、図２に示す工程では、基板１０が形成される基板形成領域Ｊを複数有した基材２１を準備し、その後、周知の手法により、基材２１に貫通電極１２、複数のパッド１３，１６、及びソルダーレジスト１４，１７を形成する。基材２１は、後述する図７に示す工程において、切断位置Ｋに沿って切断されることにより、図１に示す基板本体１１となるものである。
【００１２】
次いで、図３に示す工程では、複数のパッド１６のバンプ形成領域１６Ａ上を覆うようにフラックス２３を形成する。
【００１３】
次いで、図４に示す工程では、導電性ボール載置用装置２４のステージ２５上に、図３に示す構造体を固定すると共に、図３に示す構造体の上方に複数の導電性ボール載置用穴２６Ａ（複数のパッド１６のバンプ形成領域１６Ａにそれぞれ１つの導電性ボール２８を載置するための穴）を有した導電性ボール載置用マスク２６を配置する。その後、導電性ボール載置用マスク２６の上方から複数の導電性ボール２８を供給すると共に、導電性ボール載置用マスク２６及びステージ２５を振動させることにより、フラックス２３が形成された複数のパッド１６のバンプ形成領域１６Ａ上にそれぞれ１つの導電性ボール２８を載置する。
【００１４】
次いで、図５に示す工程では、導電性ボール載置用装置２４のステージ２５から図４に示す構造体を取り外す。次いで、図６に示す工程では、図５に示す導電性ボール２８をリフロー処理することにより、複数のパッド１６のバンプ形成領域１６Ａ上にはんだバンプ１９を形成する。
【００１５】
次いで、図７に示す工程では、図６に示す構造体を切断位置Ｋに沿って切断する。これにより、複数の基板１０が製造される（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開平１１−２９７８８６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
しかしながら、基板１０の製造工程上、製造された基板１０毎に、パッド１６やソルダーレジスト１７の開口部（バンプ形成領域１６Ａを露出する開口部）の基板本体１１上の位置や大きさにばらつきが生じてしまう。
【００１７】
これに対し、導電性ボール載置用マスク２６に設けられた複数の導電性ボール載置用穴２６Ａは、略設計どおりの位置に形成される。
【００１８】
図８は、従来のはんだバンプ形成方法の問題点を説明するための図である。
【００１９】
このため、従来のはんだバンプ形成方法のように、導電性ボール載置用マスク２６を用いて複数のパッド１６上に導電性ボール２８を載置する場合、図８に示すように、バンプ形成領域１６Ａに対する導電性ボール載置用穴２６Ａの相対的な位置ずれが生じ、導電性ボール２８が搭載されないパッド１６が発生してしまうという問題があった。この問題は、パッド１６や導電性ボール２８が微細化するに従い顕著となる。
【００２０】
また、従来のはんだバンプ形成方法では、導電性ボール載置用マスク２６を用いていたため、基板１０の製造コストが増加してしまうという問題があった。
【００２１】
そこで本発明は、上述した問題点に鑑みなされたものであり、製造コストを低減できると共に、複数のパッドにそれぞれ１つの導電性ボールを確実に載置することのできるはんだバンプ形成方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
本発明の一観点によれば、複数のパッド上に載置された導電性ボールをリフロー処理することにより、はんだバンプを形成するはんだバンプ形成方法であって、前記複数のパッドを露出する複数の開口部を備えており、各開口部は１つの導電性ボールのみ搭載可能な大きさを有するソルダーレジストを、前記複数のパッド上に形成する工程と、前記ソルダーレジストの各開口部から露出する前記複数のパッド上に粘着性付与化合物と化学反応可能な金属膜を形成する金属膜形成工程と、前記粘着性付与化合物を含んだ溶液と前記金属膜とを化学反応させて、前記金属膜上に有機系粘着層を形成する有機系粘着層形成工程と、前記ソルダーレジストの各開口部から露出する前記有機系粘着層上に１つの前記導電性ボールを供給することにより、前記有機系粘着層及び前記金属膜を介して、前記複数のパッドに前記導電性ボールを載置する導電性ボール載置工程と、前記複数のパッドに載置された導電性ボールをリフロー処理してはんだバンプを形成するリフロー処理工程と、
を含むことを特徴とするはんだバンプ形成方法が提供される。
【００２３】
本発明によれば、複数のパッド上に粘着性付与化合物と化学反応可能な金属膜を形成後、粘着性付与化合物を含んだ溶液と金属膜とを化学反応させて、金属膜上に有機系粘着層を形成することにより、有機系粘着層が形成される部分の金属膜の面積が狭い場合でも金属膜上に略均一な厚さの有機系粘着層を形成することが可能となる。これにより、複数のパッド上に導電性ボールを載置する際、従来、必要であった導電性ボール載置用マスクを用いることなく、有機系粘着層及び金属膜を介して、複数のパッド上にそれぞれ１つの導電性ボールを確実に載置することができる。また、導電性ボール載置用マスクが不要となることにより、複数のパッドが形成された構造体の製造コストを低減することができる。
【００２４】
また、前記粘着性付与化合物としては、ナフトトリアゾール系誘導体、ベンゾトリアゾール系誘導体、イミダゾール系誘導体、ベンゾイミダゾール系誘導体、メルカプトベンゾチアゾール系誘導体、及びベンゾチアゾールチオ脂肪酸系誘導体のうち、少なくとも一種を含んでもよい。このような粘着性付与化合物を用いることにより、金属膜上に導電性ボールを仮固体する有機系粘着層を形成することができる。
【００２５】
さらに、前記金属膜として、Ｃｕ膜又はＮｉ膜を用いてもよい。これにより、金属膜と粘着性付与化合物とを化学反応させることができる。
【００２６】
また、前記金属膜として前記Ｎｉ膜を用いる場合、前記金属膜形成工程と前記有機系粘着層形成工程との間に、前記金属膜上にＡｕ層を形成するＡｕ層形成工程と、前記有機系粘着層形成工程の直前に前記Ａｕ層を除去するＡｕ層除去工程と、を設けてもよい。このように、酸化されやすいＮｉ膜を金属膜として用いる場合、金属膜上にＡｕ層を形成することにより、Ｎｉ膜の酸化を防止することができる。
【００２７】
さらに、導電性ボール載置工程では、前記有機系粘着層が形成された前記複数のパッド上に前記複数の導電性ボールを振り掛け、前記複数のパッドを振動又は揺動させることにより、前記複数のパッド上にそれぞれ１つの前記導電性ボールを載置してもよい。これにより、複数のパッド上にそれぞれ１つの導電性ボールを載置することができる。
【００２８】
また、前記金属膜形成工程の前に、前記複数のパッド上にめっき膜（拡散防止膜）を形成するめっき膜形成工程を設けると共に、前記めっき膜上に前記金属膜を形成してもよい。このように、複数のパッド上にめっき膜を形成することにより、例えば、複数のパッドの材料としてＣｕを用いた場合、複数のパッドに含まれるＣｕがはんだバンプに拡散することを防止できる。
【００２９】
さらに、前記めっき膜は、めっき法により形成されたＮｉ膜、Ｐｄ膜、Ａｕ膜のうち少なくとも１つの膜から構成してもよい。これにより、複数のパッドに含まれるＣｕがはんだバンプに拡散することを防止できる。
【発明の効果】
【００３０】
本発明によれば、パッド上に形成された金属膜を化学反応させることにより、導電性ボールを仮固定する有機系粘着層を形成するため、導電性ボール載置用マスクを用いることなく、微細な導電性ボールを正確に配置することが可能となるため、製造コストを低減できると共に、複数のパッドにそれぞれ１つの導電性ボールを確実に載置することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
次に、図面に基づいて本発明の実施の形態について説明する。
【００３２】
（第１の実施の形態）
図９は、本発明の第１の実施の形態に係る基板の断面図である。
【００３３】
図９を参照するに、本実施の形態の基板１００は、基板本体１０１と、貫通電極１０２と、複数のパッド１０３，１０７と、ソルダーレジスト１０４，１０８と、めっき膜１０５，１０９と、金属膜１１１と、はんだバンプ１１２とを有する。本実施の形態では、基板１００として、半導体パッケージとして用いられる配線基板を例に挙げて以下の説明を行う。
【００３４】
基板本体１０１は、板状とされており、複数の貫通孔１１５を有する。貫通電極１０２は、複数の貫通孔１１５に設けられている。貫通電極１０２の下端部は、パッド１０３と接続されており、貫通電極１０２の上端部は、パッド１０７と接続されている。貫通電極１０２は、パッド１０３とパッド１０７とを電気的に接続するためのものである。貫通電極１０２としては、例えば、めっき法により形成されたＣｕめっき膜を用いることができる。
【００３５】
複数のパッド１０３は、貫通電極１０２の下端部の形成位置に対応する部分の基板本体１０１の下面１０１Ａに設けられている。複数のパッド１０３は、平面視円形状とされており、めっき膜１０５が形成される接続部１１７を有する。接続部１１７は、めっき膜１０５を介して、例えば、マザーボード等の実装基板（図示せず）と電気的に接続される。接続部１１７は、平面視円形状とされている。複数のパッド１０３としては、例えば、パターニングされたＣｕ膜を用いることができる。複数のパッド１０３の厚さは、例えば、１５μｍとすることができる。複数のパッド１０３の直径Ｒ１は、例えば、１２０μｍとすることができる。この場合、接続部１１７の直径Ｒ２は、例えば、８０μｍとすることができる。なお、パッド１０３及び接続部１１７の平面形状は、本実施の形態の形状に限定されない。パッド１０３及び接続部１１７の平面形状は、例えば、矩形や多角形等の形状、或いは他の形状としてもよい。
【００３６】
ソルダーレジスト１０４は、接続部１１７以外の部分の複数のパッド１０３を覆うように、基板本体１０１の下面１０１Ａに設けられている。ソルダーレジスト１０４は、接続部１１７の面１１７Ａを露出する開口部１１８を有する。
【００３７】
めっき膜１０５は、開口部１１８に露出された部分の接続部１１７を覆うように設けられている。めっき膜１０５としては、例えば、接続部１１７の面１１７ＡにＮｉ層、Ａｕ層の順に積層したＮｉ／Ａｕ積層膜、接続部１１７の面１１７ＡにＮｉ層、Ｐｄ層、Ａｕ層の順に積層したＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ積層膜、接続部１１７の面１１７ＡにＰｄ層、Ａｕ層の順に積層したＰｄ／Ａｕ積層膜、及び接続部１１７の面１１７Ａに形成したＡｕ層等を用いることができる。めっき膜１０５としてＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ積層膜を用いる場合、例えば、無電解めっき法により、Ｎｉ層（例えば、厚さ３μｍ以上）、Ｐｄ層（例えば、厚さ０．１μｍ以下）、Ａｕ層（例えば、厚さ０．０１μｍ〜０．５μｍ）を順次積層させることでＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ積層膜を形成する。
【００３８】
複数のパッド１０７は、貫通電極１０２の上端部の形成位置に対応する部分の基板本体１０１の上面１０１Ｂに設けられている。複数のパッド１０７は、平面視円形状とされており、めっき膜１０９が形成される接続部１２１を有する。接続部１２１は、めっき膜１０９及び金属膜１１１を介して、はんだバンプ１１２と電気的に接続されている。接続部１２１は、平面視円形状とされている。複数のパッド１０７としては、例えば、パターニングされたＣｕ膜を用いることができる。複数のパッド１０７の厚さは、例えば、１５μｍとすることができる。はんだバンプ１１２となる導電性ボールの直径が９０μｍの場合、複数のパッド１０７の直径Ｒ３は、例えば、１２０μｍとすることができる。また、この場合、接続部１２１の直径Ｒ４は、例えば、８０μｍとすることができる。なお、パッド１０７及び接続部１２１の平面形状は、本実施の形態の形状に限定されない。パッド１０７及び接続部１２１の平面形状は、例えば、矩形や多角形等の形状、或いは他の形状としてもよい。
【００３９】
ソルダーレジスト１０８は、接続部１２１以外の部分の複数のパッド１０７を覆うように、基板本体１０１の上面１０１Ｂに設けられている。ソルダーレジスト１０８は、パッド１０７の接続部１２１の面１２１Ａを露出する開口部１２２を有する。開口部１２２は、円筒形状の開口部である。開口部１２２の直径は、１つの導電性ボールのみ搭載可能な大きさにすることができる。はんだバンプ１１２となる導電性ボールの直径が９０μｍの場合、開口部１２２の直径は、例えば、８０μｍとすることができる。なお、開口部１２２の形状は、本実施の形態の形状に限定されない。開口部１２２の平面形状は、矩形や多角形、或いは他の形状としてもよい。
【００４０】
めっき膜１０９は、開口部１２２に露出された接続部１２１の面１２１Ａを覆うように設けられている。めっき膜１０９は、パッド１０７を形成する金属の成分が、はんだバンプ１１２に拡散することを防止し、かつ、はんだとパッド１０７との接合性を向上させるための膜である。めっき膜１０９は、特に、金属膜１１１，１５１の厚さが薄く、導電性ボールのリフローの際にはんだ中に完全に拡散する場合に有効である。
【００４１】
めっき膜１０９としては、例えば、開口部１２２に露出された接続部１２１の面１２１ＡにＮｉ層、Ａｕ層の順に積層したＮｉ／Ａｕ積層膜、接続部１２１の面１２１ＡにＮｉ層、Ｐｄ層、Ａｕ層の順に積層したＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ積層膜、接続部１２１の面１２１ＡにＰｄ層、Ａｕ層の順に積層したＰｄ／Ａｕ積層膜、及び接続部１２１の面１２１Ａに形成したＡｕ層等を用いることができる。めっき膜１０９としてＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ積層膜を用いる場合、例えば、無電解めっき法により、Ｎｉ層（例えば、厚さ３μｍ以上）、Ｐｄ層（例えば、厚さ０．１μｍ以下）、Ａｕ層（例えば、厚さ０．０１μｍ〜０．５μｍ）を順次積層させることでＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ積層膜を形成する。
【００４２】
金属膜１１１は、パッド１０７と接触する面とは反対側のめっき膜１０９の面を覆うように設けられている。金属膜１１１は、ナフトトリアゾール系誘導体、ベンゾトリアゾール系誘導体、イミダゾール系誘導体、ベンゾイミダゾール系誘導体、メルカプトベンゾチアゾール系誘導体、及びベンゾチアゾールチオ脂肪酸系誘導体のうち、少なくとも一種を含む粘着性付与化合物と化学反応可能な金属膜である。金属膜１１１は、上記粘着性付与化合物を含んだ溶液と反応することにより、後述する導電性ボール（導電性ボールをリフロー処理させることではんだバンプ１１２となる）を金属膜１１１に仮固定するための有機系粘着層を形成するための膜である。
【００４３】
金属膜１１１としては、例えば、Ｃｕ膜、Ｎｉ膜等を用いることができる。金属膜１１１としてＣｕ膜を用いた場合、Ｃｕ膜の厚さは、例えば、０．１μｍ〜１．０μｍとすることができる。金属膜１１１は、例えば、めっき法により形成することができる。
【００４４】
はんだバンプ１１２は、めっき膜１０９と接触する面とは反対側の金属膜１１１の面に設けられている。はんだバンプ１１２は、例えば、半導体チップ等の電子部品（図示せず）と電気的に接続される。
【００４５】
上記構成とされた基板１００（基板のパッドの構成）は、例えば、配線基板、チップサイズパッケージ（Chip Size Package）等のパッケージ、半導体チップ等に用いることができる。
【００４６】
なお、本実施の形態の基板１００では、めっき膜１０９に設けられた金属膜１１１の厚さが厚い場合（例えば、０．５μｍ以上。はんだバンプ１１２を形成する際、金属膜１１１の一部のみがはんだ中に拡散する場合）を例に挙げて説明したが、金属膜１１１の厚さが薄い場合（例えば、０．５μｍ未満）の場合は、後述する図１９に示す工程において、導電性ボール１２９のリフロー処理の際、全ての金属膜１１１がはんだ中へと拡散するため、はんだバンプ１１２を形成後に金属膜１１１は残らない。
【００４７】
つまり、後述する図１０に示すように、完成体である基板１２３には、めっき膜１０９を覆う金属膜１１１は存在しない。
【００４８】
図１０は、本発明の第１の実施の形態の変形例に係る基板の断面図である。図１０において、第１の実施の形態の基板１００と同一構成部分には同一符号を付す。
【００４９】
図１０を参照するに、第１の実施の形態の変形例の基板１２３は、第１の実施の形態の基板１００に設けられた金属膜１１１の全部がはんだバンプ１１２に拡散した以外は、基板１００と同様に構成される。
【００５０】
図１１〜図２０は、本発明の第１の実施の形態に係るはんだバンプ形成工程を示す図である。図１１〜図２０において、第１の実施の形態の基板１００と同一構成部分には同一符号を付す。
【００５１】
図１１〜図２０を参照して、第１の実施の形態の基板１００を製造する場合を例に挙げて、本実施の形態のはんだバンプ形成方法について説明する。
【００５２】
始めに、図１１に示す工程では、基板１００が形成される基板形成領域Ａを複数有した基材１２５に、周知の手法により、貫通孔１１５、貫通電極１０２、及び複数のパッド１０３，１０７を形成し、その後、基材１２５の面１２５Ａに接続部１１７の面１１７Ａを露出する開口部１１８を有したソルダーレジスト１０４と、基材１２５の面１２５Ｂ（面１２５Ａの反対側の面）に接続部１２１の面１２１Ａを露出する開口部１２２を有したソルダーレジスト１０８とを形成する。
【００５３】
基材１２５は、切断位置Ｂにおいて切断されることにより、複数の基板本体１０１となる。基材１２５としては、例えば、シリコン基板や、ガラスエポキシ基板等を用いることができる。貫通電極１０２、接続部１１７を有した複数のパッド１０３、及び接続部１２１を有した複数のパッド１０７は、例えば、めっき法により形成する。貫通電極１０２及び複数のパッド１０３，１０７としては、例えば、Ｃｕ膜を用いることができる。複数のパッド１０３，１０７の厚さは、例えば、１５μｍとすることができる。複数のパッド１０３の直径Ｒ１は、例えば、１２０μｍとすることができる。この場合、接続部１１７の直径Ｒ２は、例えば、８０μｍとすることができる。また、後述する図１６に示す工程で用いられる導電性ボール１２９の直径が９０μｍの場合、複数のパッド１０７の直径Ｒ３は、例えば、１２０μｍとすることができる。この場合、接続部１２１の直径Ｒ４は、例えば、８０μｍとすることができる。開口部１１８は、その直径が接続部１１７の直径Ｒ２と略等しくなるように形成する。また、開口部１２２の直径は、例えば、接続部１２１の直径Ｒ４と略等しくなるように形成することができる。
【００５４】
次いで、図１２に示す工程では、接続部１１７，１２１を洗浄処理及び活性化処理した後、めっき法により、接続部１１７の面１１７Ａにめっき膜１０５を形成すると共に、接続部１２１の面１２１Ａにめっき膜１０９を形成する（めっき膜形成工程）。洗浄及び活性化処理には、例えば、接続部１１７，１２１の面１１７Ａ，１２１Ａの脱脂処理、脱脂処理後の接続部１１７，１２１の面１１７Ａ，１２１Ａのエッチング処理、エッチング処理後の接続部１１７，１２１の面１１７Ａ，１２１Ａの酸洗浄処理、酸洗浄処理後の接続部１１７，１２１の面１１７Ａ，１２１Ａの活性化処理等が含まれる。
【００５５】
めっき膜１０５，１０９としては、例えば、Ｎｉ層、Ａｕ層の順に積層したＮｉ／Ａｕ積層膜、Ｎｉ層、Ｐｄ層、Ａｕ層の順に積層したＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ積層膜、Ｐｄ層、Ａｕ層の順に積層したＰｄ／Ａｕ積層膜、及びＡｕ層等を用いることができる。めっき膜１０５，１０９としてＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ積層膜を用いる場合、例えば、無電解めっき法により、Ｎｉ層（例えば、厚さ３μｍ以上）、Ｐｄ層（例えば、厚さ０．１μｍ以下）、Ａｕ層（例えば、厚さ０．０１μｍ〜０．５μｍ）を順次積層させることでＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ積層膜を形成する。
【００５６】
次いで、図１３に示す工程では、めっき法により、開口部１２２に露出された部分のめっき膜１０９の面を覆うように、ナフトトリアゾール系誘導体、ベンゾトリアゾール系誘導体、イミダゾール系誘導体、ベンゾイミダゾール系誘導体、メルカプトベンゾチアゾール系誘導体、及びベンゾチアゾールチオ脂肪酸系誘導体のうち、少なくとも一種を含む粘着性付与化合物と化学反応可能な金属膜１１１を形成する（金属膜形成工程）。
【００５７】
上記粘着性付与化合物と化学反応可能な金属膜１１１としては、例えば、Ｃｕ膜、Ｎｉ膜等を用いることができる。金属膜１１１は、例えば、めっき法により形成することができる。金属膜１１１としてＣｕ膜を用いた場合、金属膜１１１の厚さは、例えば、０．１μｍ〜１．０μｍとすることができる。このように、金属膜１１１となるＣｕ膜の厚さを薄くすることにより、電気的な特性に悪影響を及ぼすＣｕ−Ｐｄ化合物の影響を小さくすることができる。
【００５８】
次いで、図１４に示す工程では、上記粘着性付与化合物を含んだ溶液と金属膜１１１とを化学反応させて、開口部１２２に露出された部分の金属膜１１１を覆うように有機系粘着層１２７を形成する（有機系粘着層形成工程）。具体的には、ナフトトリアゾール系誘導体、ベンゾトリアゾール系誘導体、イミダゾール系誘導体、ベンゾイミダゾール系誘導体、メルカプトベンゾチアゾール系誘導体、及びベンゾチアゾールチオ脂肪酸系誘導体の少なくとも一種を０．０５重量％〜２０重量％含んだ溶液に、図１３に示す構造体を浸漬させるか、或いは、上記溶液を開口部１２２に露出された部分の金属膜１１１に塗布することで有機系粘着層１２７を形成する。有機系粘着層１２７は、後述する図１６に示す工程において、金属膜１１１上に導電性ボール１２９を仮固定するためのものである。有機系粘着層１２７の厚さは、例えば、５０ｎｍとすることができる。
【００５９】
このように、複数のパッド１０７に粘着性付与化合物と化学反応可能な金属膜１１１を形成後、粘着性付与化合物を含んだ溶液と金属膜１１１とを化学反応させて、開口部１２２に露出された部分の金属膜１１１に有機系粘着層１２７を形成することにより、有機系粘着層１２７が形成される金属膜１１１の面の面積が狭い場合でも金属膜１１１上に略均一な厚さの有機系粘着層１２７を形成することが可能となる。これにより、複数のパッド１０７上に導電性ボールを載置する際、従来、必要であった導電性ボール載置用マスク２６（図４及び図８参照）を用いることなく、有機系粘着層１２７及び金属膜１１１を介して、複数のパッド１０７上にそれぞれ１つの導電性ボールを確実に載置することができる。また、導電性ボール載置用マスク２６が不要となることにより、複数のはんだバンプ１１２が形成された基板１００の製造コストを低減することができる。
【００６０】
次いで、図１５に示す工程では、有機系粘着層１２７が形成された側の図１４に示す構造体上に複数の導電性ボールを落下可能なように、図１４に示す構造体を導電性ボール供給装置１３０のステージ１３１上に固定する。導電性ボール供給装置１３０は、ステージ１３１と、ステージ１３１を振動させる振動装置１３２と、振動装置１３２を介して、ステージ１３１を支持する支持体１３３と、ステージ１３１の上方に配置され、ステージ１３１に固定された構造体上に複数の導電性ボール１２９（図１６参照）を落下させる導電性ボール収容体１３４とを有した構成とされている。
【００６１】
次いで、図１６に示す工程では、ステージ１３１の上方に配置された導電性ボール収容体１３４から複数の導電性ボール１２９を落下させると共に、複数のパッド１０７を備えた構造体を振動させる（ステージ１３１を振動させる）ことにより、金属膜１１１及び有機系粘着層１２７が形成された複数のパッド１０７上にそれぞれ１つの導電性ボール１２９を載置する（導電性ボール載置工程）。
【００６２】
導電性ボール１２９としては、例えば、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ合金よりなるはんだボールやＳｎ−Ａｇ合金よりなるはんだボール等を用いることができる。また、導電性ボール１２９の直径は、例えば、８０μｍ〜９０μｍとすることができる。
【００６３】
次いで、図１７に示す工程では、複数の導電性ボール１２９を落下させることを停止した状態で、ステージ１３１上に固定された構造体を振動させることにより、金属膜１１１上に載置されなかった余分な導電性ボール１２９をソルダーレジスト１０８上から除去或いは回収する。
【００６４】
次いで、図１８に示す工程では、図１７に示す導電性ボール１２９が載置された構造体をステージ１３１から取り外す。
【００６５】
次いで、図１９に示す工程では、図１８に示す複数の導電性ボール１２９をリフロー処理して、金属膜１１１にそれぞれ１つのはんだバンプ１１２を形成する。これにより、基材１２５に設けられた複数の基板形成領域Ａに基板１００に相当する構造体が形成される。図１９に示す工程において、有機系粘着層１２７は、リフロー処理の際に揮発する。
【００６６】
図１９に示す工程における複数の導電性ボール１２９をリフロー処理は、フラックスを用いることなく行う。
【００６７】
このように、フラックスを用いることなく、複数の導電性ボール１２９のリフロー処理を行うことにより、フラックスの塗布処理や、導電性ボール１２９のリフロー処理後に行うフラックスの洗浄工程（有機溶剤を用いて行う洗浄工程）が不要になるため、基板１００の製造工程が簡略化されるため、基板１００の製造コストを低減することができる。
【００６８】
また、フラックスを使用しないことにより、従来必要であったリフロー炉の定期的なクリーニング作業が不要となる。
【００６９】
さらに、フラックスを使用しないことにより、はんだバンプ１１２の表面や基板１００の表面にフラックスの残渣が発生することがなくなるため、フラックスによるはんだバンプ１１２及びパッド１０７の腐食を防止することが可能となるので、基板１００及び基板１００に実装される半導体チップの電気的接続信頼性、及び半導体チップと基板１００との間の電気的接続信頼性を向上させることができる。
【００７０】
なお、先に説明したように、図１９に示す工程において、めっき膜１０９に設けられた金属膜１１１の厚さが厚い場合（例えば、０．５μｍ以上）は、図１９に示すように、めっき膜１０９に金属膜１１１が残るが、金属膜１１１の厚さが薄い場合（例えば、０．５μｍ未満）の場合は、導電性ボール１２９のリフロー処理の際、全ての金属膜１１１がはんだ中へと拡散するため、はんだバンプ１１２を形成後に金属膜１１１は残らない。
【００７１】
次いで、図２０に示す工程では、図１９に示す構造体を切断位置Ｂに沿って切断する。これにより、複数の基板１００が製造される。
【００７２】
本実施の形態のはんだバンプ形成方法によれば、複数のパッド１０７に粘着性付与化合物と化学反応可能な金属膜１１１を形成後、粘着性付与化合物を含んだ溶液と金属膜１１１とを化学反応させて、開口部１２２に露出された部分の金属膜１１１に有機系粘着層１２７を形成することにより、有機系粘着層１２７が形成される金属膜１１１の面の面積が狭い場合でも金属膜１１１上に略均一な厚さの有機系粘着層１２７を形成することが可能となる。これにより、複数のパッド１０７上に導電性ボール１２９を載置する際、従来、必要であった導電性ボール載置用マスク２６（図５参照）を用いることなく、有機系粘着層１２７及び金属膜１１１を介して、複数のパッド１０７上にそれぞれ１つの導電性ボール１２９を確実に載置することができる。また、導電性ボール載置用マスク２６が不要となることにより、複数のはんだバンプ１１２が形成された基板１００の製造コストを低減することができる。
【００７３】
図２１〜図２３は、本発明の第１の実施の形態の変形例に係るはんだバンプ形成工程を示す図である。図２１〜図２３において、先に説明した図１１〜図２０に示す構造体と同一構成部分には同一符号を付す。
【００７４】
図２１〜図２３を参照して、第１の実施の形態の基板１００を製造する場合を例に挙げて、本実施の形態の変形例に係るはんだバンプ形成方法について説明する。
【００７５】
始めに、先に説明した図１１〜図１８に示す工程と同様な処理を行うことにより、図１８に示す構造体を形成する。次いで、図２１に示す工程では、導電性ボール１２９に含まれるはんだを半溶融させて、金属膜１１１を介して、パッド１０７に導電性ボール１２９を仮固定する。
【００７６】
このように、導電性ボール１２９に含まれるはんだを半溶融させて、金属膜１１１を介して、パッド１０７に導電性ボール１２９を仮固定することにより、後述する図２２に示す工程において、導電性ボール１２９を覆うフラックス１４７を形成する際、パッド１０７から導電性ボール１２９が脱落することを防止できる。
【００７７】
次いで、図２２に示す工程では、図２１に示す構造体の導電性ボール１２９が仮固定された側の面及び導電性ボール１２９を覆うように、フラックス１４７を形成する。フラックス１４７は、例えば、塗布法により形成する。
【００７８】
次いで、図２３に示す工程では、リフロー処理により、導電性ボール１２９をリフローさせてはんだバンプ１１２を形成する。このとき、フラックス１４７の大部分が揮発するため、図２３に示す工程を処理した後のフラックス１４７の厚さは、図２２に示す構造体に設けられたフラックス１４７の厚さよりも薄くなる。
【００７９】
次いで、図２３に示す工程のフラックス１４７を洗浄により除去し、その後、先に説明した図２０に示す工程の処理を行うことで、複数の基板１００が製造される。
【００８０】
本実施の形態の変形例に係るはんだバンプ形成方法によれば、導電性ボール１２９をリフローさせてはんだバンプ１１２を形成する際にフラックス１４７を用いることにより、はんだバンプ１１２とパッド１０７との接合強度、及びはんだの濡れ性を十分に確保することができる。なお、本実施の形態の変形例に係るはんだバンプ形成方法を用いるか否かは、導電性ボール１２９を構成するはんだの組成により判断するとよい。
【００８１】
また、有機系粘着層１２７に導電性ボール１２９が単に接着された状態（図１８に示す状態）で、フラックスを塗布した場合、有機系粘着層１２７がフラックスにより溶解し、パッド１０７から導電性ボール１２９が脱落してしまうため、図２１に示すように、導電性ボール１２９を半溶解させて仮止めを行うとよい。
【００８２】
また、図１９に示すように、フラックス無しのリフロー工程を行う場合、有機系粘着層１２７が完全に揮発せず、残留してしまうことがある。このような場合、第１の実施の形態の変形例を適用することで、フラックスにより有機系粘着層１２７が完全に除去され、はんだの接合強度が向上するので好適である。
【００８３】
（第２の実施の形態）
図２４は、本発明の第２の実施の形態に係る基板の断面図である。図２４において、第１の実施の形態の基板１００と同一構成部分には同一符号を付す。
【００８４】
図２４を参照するに、第２の実施の形態の基板１５０は、第１の実施の形態の基板１００に設けられためっき膜１０９及び金属膜１１１の代わりに金属膜１５１を設けた以外は基板１００と同様に構成される。
【００８５】
金属膜１５１は、基板本体１０１の上面１０１Ｂと接触する面とは反対側の接続部１２１の面１２１Ａを覆うように設けられている。金属膜１５１は、第１の実施の形態で説明した粘着性付与化合物と化学反応可能な膜である。金属膜１５１は、第１の実施の形態で説明した粘着性付与化合物を含んだ溶液と反応することにより、導電性ボール１２９を金属膜１５１に仮固定するための有機系粘着層を形成するための膜である。金属膜１５１としては、例えば、めっき法により形成されたＮｉ膜等を用いることができる。金属膜１５１としてＮｉ膜を用いる場合、金属膜１５１の厚さは、例えば、３μｍ以上（例えば、３μｍ〜８μｍ）とすることができる。
【００８６】
上記構成とされた基板１５０（基板のパッドの構成）は、例えば、配線基板、チップサイズパッケージ（Chip Size Package）等のパッケージ、半導体チップ等に用いることができる。
【００８７】
なお、本実施の形態の基板１５０では、接続部１２１に設けられた金属膜１５１の厚さが厚い場合（例えば、０．５μｍ以上。はんだバンプ１１２を形成する際、金属膜１５１の一部のみがはんだ中に拡散する場合）を例に挙げて説明したが、金属膜１５１の厚さが薄い場合（例えば、０．５μｍ未満）の場合は、導電性ボール１２９のリフロー処理してはんだバンプ１１２を形成する際、全ての金属膜１５１がはんだ中へと拡散するため、はんだバンプ１１２を形成後に金属膜１５１は残らない。つまり、後述する図２５に示すように、完成体である基板１８０には、金属膜１５１は存在しない。
【００８８】
図２５は、本発明の第２の実施の形態の変形例に係る基板の断面図である。図２５において、第２の実施の形態の基板１５０と同一構成部分には同一符号を付す。
【００８９】
図２５を参照するに、第２の実施の形態の変形例の基板１８０は、第２の実施の形態の基板１５０に設けられた金属膜１５１の全部がはんだバンプ１１２に拡散した以外は、基板１５０と同様に構成される。
【００９０】
図２６〜図３０は、本発明の第２の実施の形態に係るはんだバンプ形成工程を示す図である。図２６〜図３０において、第２の実施の形態の基板１５０と同一構成部分には同一符号を付す。
【００９１】
始めに、図２６に示す工程では、第１の実施の形態で説明した図１１及び図１２に示す工程と同様な処理を行って、図２６に示す構造体を形成する。次いで、図２７に示す工程では、めっき法により、開口部１２２に露出された部分の接続部１２１の面１２１Ａを覆うように、ナフトトリアゾール系誘導体、ベンゾトリアゾール系誘導体、イミダゾール系誘導体、ベンゾイミダゾール系誘導体、メルカプトベンゾチアゾール系誘導体、及びベンゾチアゾールチオ脂肪酸系誘導体のうち、少なくとも一種を含む粘着性付与化合物と化学反応可能な金属膜１５１を形成する（金属膜形成工程）。上記粘着性付与化合物と化学反応可能な金属膜１５１としては、例えば、Ｎｉ膜等を用いることができる。金属膜１５１としてＮｉ膜を用いる場合、金属膜１５１の厚さは、例えば、３μｍ以上（例えば、３μｍ〜８μｍ）に設定することができる。
【００９２】
また、金属膜１５１は、めっき膜１０５の形成時に、同時に形成してもよい。例えば、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ積層膜からなる場合、めっき法により、面１１７ＡにＮｉ層を形成する際に面１２１Ａに同時にＮｉ層（Ｎｉ膜）を形成し、次いで、面１２１Ａをマスクして、面１１７ＡにＰｄ層、Ａｕ層を順次形成することで、めっき膜１０５と金属膜１５１とを同時に形成する。
【００９３】
次いで、図２８に示す工程では、上記粘着性付与化合物を含んだ溶液と金属膜１５１とを化学反応させて、開口部１２２に露出された部分の金属膜１５１を覆うように有機系粘着層１５５を形成する（有機系粘着層形成工程）。具体的には、ナフトトリアゾール系誘導体、ベンゾトリアゾール系誘導体、イミダゾール系誘導体、ベンゾイミダゾール系誘導体、メルカプトベンゾチアゾール系誘導体、及びベンゾチアゾールチオ脂肪酸系誘導体の少なくとも一種を０．０５重量％〜２０重量％含んだ溶液に、図２７に示す構造体を浸漬させるか、或いは、上記溶液を開口部１２２に露出された部分の金属膜１５１に塗布することで有機系粘着層１５５を形成する。有機系粘着層１５５は、後述する図２９に示す工程において、導電性ボール１２９を仮固定するための粘着層である。有機系粘着層１５５の厚さは、例えば、５０ｎｍとすることができる。
【００９４】
このように、複数のパッド１０７に粘着性付与化合物と化学反応可能な金属膜１５１を形成後、粘着性付与化合物を含んだ溶液と金属膜１５１とを化学反応させて、開口部１２２に露出された部分の金属膜１５１に有機系粘着層１５５を形成することにより、有機系粘着層１５５が形成される金属膜１５１の面の面積が狭い場合でも金属膜１５１上に略均一な厚さの有機系粘着層１５５を形成することが可能となる。これにより、複数のパッド１０７上に導電性ボール１２９を載置する際、従来、必要であった導電性ボール載置用マスク２６（図４及び８参照）を用いることなく、有機系粘着層１５５及び金属膜１５１を介して、複数のパッド１０７上にそれぞれ１つの導電性ボール１２９を確実に載置することができる。また、導電性ボール載置用マスク２６が不要となることにより、複数のはんだバンプ１１２が形成された基板１５０の製造コストを低減することができる。
【００９５】
次いで、図２９に示す工程では、導電性ボール供給装置１３０のステージ１３１の上方に配置された導電性ボール収容体１３４から複数の導電性ボール１２９を落下させると共に、複数のパッド１０７を備えた構造体を振動させる（ステージ１３１を振動させる）ことにより、金属膜１５１及び有機系粘着層１５５が形成された複数のパッド１０７上にそれぞれ１つの導電性ボール１２９を載置する（導電性ボール載置工程）。
【００９６】
その後、第１の実施の形態で説明した図１７〜図２０に示す工程と同様な処理を行うことにより、図３０に示すように、複数の基板１５０が製造される。
【００９７】
本実施の形態のはんだバンプ形成方法によれば、複数のパッド１０７に粘着性付与化合物と化学反応可能な金属膜１５１を形成後、粘着性付与化合物を含んだ溶液と金属膜１５１とを化学反応させて、開口部１２２に露出された部分の金属膜１５１に有機系粘着層１５５を形成することにより、有機系粘着層１５５が形成される金属膜１５１の面の面積が狭い場合でも金属膜１５１上に略均一な厚さの有機系粘着層１５５を形成することが可能となる。これにより、複数のパッド１０７上に導電性ボール１２９を載置する際、従来、必要であった導電性ボール載置用マスク２６（図４及び８参照）を用いることなく、有機系粘着層１５５及び金属膜１５１を介して、複数のパッド１０７上にそれぞれ１つの導電性ボール１２９を確実に載置することができる。また、導電性ボール載置用マスク２６が不要となることにより、複数のはんだバンプ１１２が形成された基板１５０の製造コストを低減することができる。
【００９８】
図３１及び図３２は、本発明の第２の実施の形態の変形例に係るはんだバンプ形成工程を示す図である。
【００９９】
図３１及び図３２を参照して、第２の実施の形態の変形例に係るはんだバンプ形成方法について説明する。始めに、先に説明した図２６及び図２７に示す工程と同様な処理を行って、図２７に示す構造体を形成する。
【０１００】
次いで、図３１に示す工程では、めっき法により、開口部１２２に露出された金属膜１５１の面を覆うようにＡｕ膜１６１を形成する。このように、金属膜１５１の面を覆うようにＡｕ膜１６１を形成することにより、金属膜１５１として
酸化されやすいＮｉ膜を用いた場合、Ｎｉ膜が酸化されることを防止することができる。したがって、金属膜１５１（この場合、Ｎｉ膜）の面を覆うようにＡｕ膜１６１を形成することは、金属膜１５１が形成された構造体をしばらく放置する場合（金属膜１５１を形成後に有機系粘着層１５５を直ぐに形成しない場合）に有効である。
【０１０１】
次いで、図３２示す工程では、図３１に示すＡｕ膜１６１を除去する。その後、先に説明した図２８〜図３０に示す工程と同様な処理を行うことにより、複数の基板１５０が製造される。
【０１０２】
以上、本発明の好ましい実施の形態について詳述したが、本発明はかかる特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【０１０３】
例えば、第１及び第２の実施の形態では、導電性ボール１２９を落下させることにより、有機系粘着層１２７，１５５に導電性ボール１２９を載置する場合を例に挙げて説明したが、後述する図３３及び図３４に示す方法や、図３５及び図３６に示す方法を用いて、有機系粘着層１２７，１５５に導電性ボール１２９を載置してもよい。
【０１０４】
図３３及び図３４は、他の導電性ボール載置方法を説明するための図であり、図３５及び図３６は、その他の導電性ボール載置方法を説明するための図である。
【０１０５】
図３３及び図３４に示すように、複数の導電性ボール１２９を収容した導電性ボール収容体１７１に図１４に示す構造体或いは図２８に示す構造体を挿入し、その後、挿入した構造体を抜き出すことにより、有機系粘着層１２７，１５５に導電性ボール１２９を接着してもよい。
【０１０６】
また、図３５及び図３６に示すように、複数の導電性ボール１２９が載置された板体１７３上に、図１４に示す構造体或いは図２８に示す構造体を押し当てることにより、有機系粘着層１２７，１５５に導電性ボール１２９を接着することで、導電性ボール１２９を載置してもよい。
【産業上の利用可能性】
【０１０７】
本発明は、配線基板、チップサイズパッケージ（Chip Size Package）等のパッケージ、半導体チップ等の基板に設けられた複数のパッド上にそれぞれ１つの導電性ボールを載置してはんだボールを形成するはんだバンプ形成方法に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１０８】
【図１】従来の基板の断面図である。
【図２】従来のはんだバンプ形成工程を示す図（その１）である。
【図３】従来のはんだバンプ形成工程を示す図（その２）である。
【図４】従来のはんだバンプ形成工程を示す図（その３）である。
【図５】従来のはんだバンプ形成工程を示す図（その４）である。
【図６】従来のはんだバンプ形成工程を示す図（その５）である。
【図７】従来のはんだバンプ形成工程を示す図（その６）である。
【図８】従来のはんだバンプ形成方法の問題点を説明するための図である。
【図９】本発明の第１の実施の形態に係る基板の断面図である。
【図１０】本発明の第１の実施の形態の変形例に係る基板の断面図である。
【図１１】本発明の第１の実施の形態に係るはんだバンプ形成工程を示す図（その１）である。
【図１２】本発明の第１の実施の形態に係るはんだバンプ形成工程を示す図（その２）である。
【図１３】本発明の第１の実施の形態に係るはんだバンプ形成工程を示す図（その３）である。
【図１４】本発明の第１の実施の形態に係るはんだバンプ形成工程を示す図（その４）である。
【図１５】本発明の第１の実施の形態に係るはんだバンプ形成工程を示す図（その５）である。
【図１６】本発明の第１の実施の形態に係るはんだバンプ形成工程を示す図（その６）である。
【図１７】本発明の第１の実施の形態に係るはんだバンプ形成工程を示す図（その７）である。
【図１８】本発明の第１の実施の形態に係るはんだバンプ形成工程を示す図（その８）である。
【図１９】本発明の第１の実施の形態に係るはんだバンプ形成工程を示す図（その９）である。
【図２０】本発明の第１の実施の形態に係るはんだバンプ形成工程を示す図（その１０）である。
【図２１】本発明の第１の実施の形態の変形例に係るはんだバンプ形成工程を示す図（その１）である。
【図２２】本発明の第１の実施の形態の変形例に係るはんだバンプ形成工程を示す図（その２）である。
【図２３】本発明の第１の実施の形態の変形例に係るはんだバンプ形成工程を示す図（その３）である。
【図２４】本発明の第２の実施の形態に係る基板の断面図である。
【図２５】本発明の第２の実施の形態の変形例に係る基板の断面図である。
【図２６】本発明の第２の実施の形態に係るはんだバンプ形成工程を示す図（その１）である。
【図２７】本発明の第２の実施の形態に係るはんだバンプ形成工程を示す図（その２）である。
【図２８】本発明の第２の実施の形態に係るはんだバンプ形成工程を示す図（その３）である。
【図２９】本発明の第２の実施の形態に係るはんだバンプ形成工程を示す図（その４）である。
【図３０】本発明の第２の実施の形態に係るはんだバンプ形成工程を示す図（その５）である。
【図３１】本発明の第２の実施の形態の変形例に係るはんだバンプ形成工程を示す図（その１）である。
【図３２】本発明の第２の実施の形態の変形例に係るはんだバンプ形成工程を示す図（その２）である。
【図３３】他の導電性ボール載置方法を説明するための図（その１）である。
【図３４】他の導電性ボール載置方法を説明するための図（その２）である。
【図３５】その他の導電性ボール載置方法を説明するための図（その１）である。
【図３６】その他の導電性ボール載置方法を説明するための図（その２）である。
【符号の説明】
【０１０９】
１００，１２３，１５０，１８０  基板
１０１  基板本体
１０１Ａ  下面
１０１Ｂ  上面
１０２  貫通電極
１０３，１０７  パッド
１０４，１０８  ソルダーレジスト
１０５，１０９  めっき膜
１１１，１５１  金属膜
１１２  はんだバンプ
１１５  貫通孔
１１７，１２１  接続部
１１７Ａ，１２１Ａ，１２５Ａ，１２５Ｂ  面
１１８，１２２  開口部
１２５  基材
１２７，１５５  有機系粘着層
１２９  導電性ボール
１３０  導電性ボール供給装置
１３１  ステージ
１３２  振動装置
１３３  支持体
１３４  導電性ボール収容体
１４７  フラックス
１６１  Ａｕ膜
１７１  導電性ボール収容体
１７３  板体
Ａ  基板形成領域
Ｂ  切断位置
Ｒ１〜Ｒ４  直径
【図１】
0005297083.tif 000002
【図２】
0005297083.tif 000003
【図３】
0005297083.tif 000004
【図４】
0005297083.tif 000005
【図５】
0005297083.tif 000006
【図６】
0005297083.tif 000007
【図７】
0005297083.tif 000008
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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