(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子と、
前記半導体素子の電子回路形成部に対向して配置された板状部材と、
前記半導体素子と前記板状部材との間に、圧縮状態で配設された弾性体と、を備え、
前記弾性体は、前記半導体素子の前記電子回路形成部に対向して形成された少なくとも１つの突起部を有し、
前記半導体素子と前記板状部材とは接着剤により固着されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置であって、
前記弾性体は、前記半導体素子と前記板状部材とが少なくとも一部の箇所で接続された状態で、弾性回復して前記弾性体の前記突起部が前記半導体素子の前記電子回路形成部に接触することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２記載の半導体装置であって、
前記半導体素子と前記板状部材との間に配置される可溶性部材を備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３記載の半導体装置であって、
前記可溶性部材は、前記弾性体と前記半導体素子との間に配置される第１の樹脂部であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４いずれか一項記載の半導体装置であって、
前記板状部材に形成された電極端子と、前記半導体素子の前記電子回路形成部に形成された外部接続端子とは、バンプを介して接合されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項３記載の半導体装置であって、
前記可溶性部材は、前記弾性体のうち、少なくとも前記突起部を封止する第２の樹脂部であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項６記載の半導体装置であって、
前記第２の樹脂部の上面には、前記弾性体に到達する凹部が形成され、
前記弾性体の前記突起部は、前記第２の樹脂部の上面よりも下側に位置していることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
第１の電子回路形成部を有する第１の半導体素子と、
前記第１の電子回路形成部に対向して配置された第２の電子回路形成部を有する第２の半導体素子と、
前記第１の半導体素子と前記第２の半導体素子との間に、圧縮状態で配設され、前記第１の電子回路形成部に対向して形成された第１の突起部と前記第２の電子回路形成部に対向して形成された第２の突起部とを有する弾性体と、
前記第１の半導体素子と前記第２の半導体素子とを固着する接着剤と、を備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
板状部材と半導体素子の電子回路形成部との隙間に、圧縮状態の弾性体を、前記弾性体に形成された突起部が前記電子回路形成部に対向する姿勢で配置する工程と、
前記板状部材と前記半導体素子と接着剤により固着する工程と、
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
板状部材と半導体素子の電子回路形成部との間に、可溶性部材に保持された圧縮状態の弾性体を、前記弾性体に形成された突起部が前記可溶性部材に対向する姿勢で配置する工程と、
前記板状部材と前記半導体素子とを接着剤により固定する工程と、
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置および半導体装置の製造方法に関し、特に内部に含まれる情報の不正解読等を防止することができる半導体装置、及び当該半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
高度情報化社会の進展に伴い、ディジタル機器が取り扱う音楽情報又は映像情報等の著作権の保護、或いはＩＣカードなどが取り扱うディジタルキャッシュ、そして個人情報の保護が強く要請されている。
【０００３】
このため、これらの機密情報を処理或いは保存する半導体装置にあっては、第三者が不正な手段を用いて当該半導体装置の内部を解析することを防止すべく、防護策を講じて耐タンパー性（ｔａｍｐｅｒ  ｒｅｓｉｓｔａｎｔ）を高めることが要求されている。ここで、耐タンパー性とは、ソフトウェア又はハードウェアが備える、回路等の内部構造又は記憶しているデータ若しくはプログラム等の解析（リバースエンジニアリング）、不正改版、又は改竄の困難さをいう。
【０００４】
半導体装置に於ける耐タンパー性を向上させる態様として、一つに、プログラム或いはデータなどの情報を破壊する機構を設ける態様、或いは半導体素子自体の機密性を高める態様がある。
【０００５】
半導体装置の外部から当該半導体装置に含まれる情報の解析又は解読を実行しようとすると、プログラム又はデータ及び半導体素子そのものを破壊する機構を設けた例として、半導体装置を分解して半導体素子を取り出そうとすると、情報取得対象である半導体素子に形成された回路又は半導体素子そのものが物理的に破壊され易い構造にするハードウェア的態様、或いは半導体装置を分解しようとする動作を、光、圧力又は電圧等の変化に基づき検知して記録内容を消去する機構を半導体装置内に設けたハードウェア的態様とソフトウェア的態様とを組み合わせた態様が知られている。
【０００６】
例えば、カード状基板の上にフリップチップ実装されたＩＣチップの厚さを０．１μｍ〜２０μｍとし、カード基板から当該ＩＣチップを取り出そうとすると、半導体基板が破損して使用不能になる態様が提案されている（特許文献１参照）。
【０００７】
また、基板上にフリップチップ実装された半導体チップの背面に板バネを貼り付け、当該板バネの上に補強板を貼り付け、これらを封止樹脂により封止した構造として、モジュール内より半導体チップを取り出そうとすると、板バネの弾性力が半導体チップに作用して当該半導体チップが破壊される態様が提案されている（特許文献２参照）。
【０００８】
また、半導体装置の外部から、当該半導体装置の解析又は内部情報の解読を実行しようとすると、プログラム又はデータ及び半導体素子そのものを破壊する機構を設ける態様としては、半導体素子の回路の暗号化又はプログラムの冗長化若しくは複雑化等のソフトウェア的態様、及び、半導体素子の表面を特殊材料でコーティングして内部観察を困難にする又は当該表面に凹凸を形成して光学観察を困難にするハードウェア的態様が知られる。
【０００９】
例えば、半導体基板の裏面に凹部を形成して、不正に取り外そうとして応力を加えると当該半導体基板が容易に破砕され、更にレーザ計測等を用いた光学的手法による観測を阻止することもできる態様が提案されている（特許文献３参照）。
【００１０】
また、裏面に観察阻止用の防御膜又は乱反射用の凹凸等が形成された集積回路チップを、配線基板上に湾曲した状態をもって実装することにより、観察阻止用の防御膜又は乱反射用の凹凸等を研削又は研磨などの機械的方法で研削除去しようすると、湾曲した集積回路チップの一部をも除去されてしまい、また防御膜等のみを除去することはできず、更に半導体チップの裏面から赤外線等を用いて基板表面の回路パタンを観察しようと試みても、除去されなかった防御膜又は乱反射用の凹凸等により観察を妨げることができる態様が提案されている（特許文献４参照）。
【特許文献１】特開２０００−１１１２９号公報
【特許文献２】特開２００４−６２５７２号公報
【特許文献３】特開平１１−３１２０８号公報
【特許文献４】特開平１１−２０４５６６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
前述の如く、半導体装置の耐タンパー性を向上させる態様は、半導体装置が備える情報の情報秘匿性の重要度、半導体装置のパッケージ又はモジュールの外形形状、又は要求コスト等に応じて、適宜選択適用される。そして、要求されるセキュリティレベルに対応して、複数の態様を組み合わせ、半導体装置の耐タンパー性を向上させる必要がある場合もあり、従来と異なるより効果的な態様が求められている。
【００１２】
前記特許文献１記載の態様では、極薄の厚に加工したＩＣチップの取り扱いは困難なため、半導体装置の製造にあっては特殊な製造装置が必要となり、また製造歩留まり又は生産性が低下することにより、製造コストが大幅に上昇する恐れがある。更に、薬液処理又は加熱等の手段により容易にＩＣカードからＩＣチップが取り出される可能性がある。
【００１３】
また、特許文献２記載の態様では、フリップチップ実装された半導体チップの背面に板バネが貼り付けられ、当該板バネの上に補強板が貼り付けられるため、半導体装置を薄型化することは困難である。特に、半導体チップを破壊可能な弾性力を有する板バネを平坦にし、樹脂からなる補強板に固定する場合、当該補強板が反らないようにするためには当該補強板の厚さを十分に厚くする必要があり、半導体装置の薄型化が困難となる。
【００１４】
更に、薬液により封止樹脂及び補強板を溶解除去すると、板バネの一端を支持する部分が除去されるため、板バネが弾性回復しても半導体チップに板バネのバネ弾性力を十分伝達できず、当該半導体チップを破壊することは困難である。
【００１５】
また、特許文献３記載の態様では、半導体基板の裏面に凹部を形成した構造により、半導体素子を割れ易くしているため、半導体装置の信頼性が低下してしまう。
【００１６】
更に、特許文献４記載の態様では、配線基板上に集積回路チップを湾曲した状態で実装するため、半導体装置の薄型化を図ることが困難である。また、内部残留応力が大きくなるため、半導体装置の信頼性が低下する。更に、当該半導体装置の製造にあっては専用の製造装置が必要になり、製造コストが上昇する恐れがある。
【００１７】
本発明は、第三者が不正な手段により半導体素子を取り出し、その内部を解析することを防止することができるところの、所謂耐タンパー性を高めた構造を有し、且つ大形化並びに信頼性の低下を招くことのない半導体装置、及び当該半導体装置の製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明の実施の形態の一観点によれば、半導体素子と、前記半導体素子の電子回路形成部に対向して配置された板状部材と、前記半導体素子と前記板状部材との間に、圧縮状態で配設された弾性体と、を備え、前記弾性体は、前記半導体素子の前記電子回路形成部に対向して形成された少なくとも１つの突起部を有し、前記半導体素子と前記板状部材とは接着剤により固着されていることを特徴とする半導体装置が提供される。
本発明の実施の形態の別の観点によれば、第１の電子回路形成部を有する第１の半導体素子と、前記第１の電子回路形成部に対向して配置された第２の電子回路形成部を有する第２の半導体素子と、前記第１の半導体素子と前記第２の半導体素子との間に、圧縮状態で配設され、前記第１の電子回路形成部に対向して形成された第１の突起部と前記第２の電子回路形成部に対向して形成された第２の突起部とを有する弾性体と、前記第１の半導体素子と前記第２の半導体素子とを固着する接着剤と、を備えることを特徴とする半導体装置が提供される。
【００１９】
本発明の実施の形態の別の観点によれば、板状部材と半導体素子の電子回路形成部との隙間に、圧縮状態の弾性体を、前記弾性体に形成された突起部が前記電子回路形成部に対向する姿勢で配置する工程と、前記板状部材と前記半導体素子と接着剤により固着する工程と、を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【００２０】
本発明の実施の形態の別の観点によれば、板状部材と半導体素子の電子回路形成部との間に、可溶性部材に保持された圧縮状態の弾性体を、前記弾性体に形成された突起部が前記可溶性部材に対向する姿勢で配置する工程と、前記板状部材と前記半導体素子とを接着剤により固定する工程と、を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、第三者が不正な手段により半導体素子を取り出してその内部を解析することを防止することができる、耐タンパー性を向上させた構造を具備し、且つ大形化並びに信頼性の低下を招くことのない半導体装置、並びに当該半導体装置を容易に製造することができる製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【００２３】
１．第１の実施の形態
本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置１００を、図１に示す。
【００２４】
当該半導体装置１００にあっては、配線基板１１の一方の主面（上面）上に、半導体集積回路素子（以下、半導体素子と称する）１２が所謂フリップチップ（フェイスダウン）方式をもって搭載・固着されている。
【００２５】
配線基板１１は、インターポーザー或いは支持基板とも称される板状部材であり、半導体素子１２の電子回路形成部１３は、当該配線基板１１に対向して配置されている。
【００２６】
配線基板１１としては、例えば、シリコン（Ｓｉ）若しくはセラミックスなどの向き材料を基材とする基板、又はポリイミド基板若しくはガラスクロス入りの有機基板等の有機材料を基材とする基板を用いることができる。
【００２７】
当該配線基板１１の表面及び／又は内部には、例えば銅（Ｃｕ）等からなる配線層が選択的に配設され、配線基板１１の一方の主面であって、半導体素子１２が搭載される面上には、前記配線層に接続された導電層が選択的に配設されている。
【００２８】
そして、当該導電層を選択的に覆って、即ち、半導体素子１２の外部接続端子１４が接続される部位及びその周囲を除いて、ソルダーレジスト層（絶縁樹脂膜）１５が選択的に被覆されている。ソルダーレジスト層１５は、エポキシ系、アクリル系、ポリイミド系等の樹脂又はこれらの混合樹脂等からなる。ソルダーレジスト層１５に設けられた開口部において、前記導電層の一部がボンディング端子１６として表出している。
【００２９】
当該ボンディング端子１６は、例えばアルミニウム（Ａｌ）又はこれらの合金等から構
成される。また、ボンディング端子１６の表面には、下層より、例えばニッケル／金（Ｎ
ｉ／Ａｕ）の２層めっき、銅／ニッケル／金（Ｃｕ／Ｎｉ／Ａｕ）の３層めっき、或いは
半田被覆を施しておいてもよい。当該半田被覆は、半田析出法、半田粉付着法、印刷法、又は電解めっき法等により形成される。
【００３０】
また、配線基板１１の表面には、ボンディング端子１６と同じ材料から構成されるバックアップパターン１７が選択的に配設され、当該バックアップパターン１７上にも、ソルダーレジスト層１５が形成されている。当該バックアップパターン１７は、前記半導体素子１２の電子回路形成部１３に対応して（対向して）配設される。
【００３１】
配線基板１１として有機材料を基材とする基板を用いる場合には、当該有機材料は、後述するアンダーフィル材２７ならびにスペーサ樹脂２６の薬液溶解速度よりも遅い薬液溶解速度を有するよう選択される。一方、配線基板１１として、シリコン（Ｓｉ）を基材とする基板を用いる場合には、配線基板１１のボンディング端子１６の構成は、半導体素子１２の外部接続用電極パッド１９の構成と同じであってもよい。
【００３２】
なお、配線基板１１の他方の主面（裏面）にも、選択的に導電層が設けられ、当該導電層には、半田を主体とする球状電極端子等の外部接続端子（図示せず）が複数配設される。
【００３３】
一方、前記半導体素子１２は、周知の半導体製造プロセスが適用されて、シリコン（Ｓｉ）等の半導体材料から構成された半導体基板１８の一方の主面に多層配線構造からなる電子回路形成部１３が形成されている。当該電子回路形成部１３にあっては、トランジスタ等の能動素子、容量素子或いは抵抗素子等の受動素子、ならびにこれらの機能素子を相互に接続する銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）等からなる配線層をもって電子回路が形成されている。
【００３４】
そして、当該電子回路形成部１３の周囲部分であって多層配線の最上層には、配線に接続された複数の外部接続用電極パッド１９が形成されている。外部接続用電極パッド１９は、例えばアルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、及びこれらを含む合金等で構成される。尚、外部接続用電極パッド１９の表面には、下層より、例えばニッケル／金（Ｎｉ／Ａｕ）の２層めっき被膜を形成しておいてもよい。
【００３５】
当該外部接続用端子パッド１９上には、凸状外部接続端子（バンプ）１４が配設されている。当該凸状外部接続端子１４は、例えば金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、又はこれらの金属の合金などから形成される。即ち、当該凸状外部接続端子１４は、外部接続用端子パッド１９上に、所謂ボールボンディング法によって金（Ａｕ）又は銅（Ｃｕ）からなるボールが固着されて台座部が形成され、更に当該台座部上に突出して凸状部が一体に形成される。尚、凸状外部接続端子１４の頂部は、必要に応じて平坦化処理が施される。
【００３６】
また、凸状外部接続端子１４を、電解めっき法等により形成してもよい。この場合、外部接続用電極パッド１９上に例えば、チタン／タングステン（Ｔｉ／Ｗ）、チタン／パラジウム（Ｔｉ／Ｐｄ）、チタン／ニッケル／パラジウム（Ｔｉ／Ｎｉ／Ｐｄ）等の下地金属（ＵＢＭ：Ｕｎｄｅｒ  Ｂｕｍｐ  Ｍｅｔａｌ）層が配設されてもよい。
【００３７】
そして、当該下地金属層上に、ニッケル（Ｎｉ）からなる凸状外部接続端子１４を配設する。この場合、外部接続用端子パッド１９の表面に、金（Ａｕ）めっきを施してもよい。
【００３８】
かかる半導体素子１２の凸状外部接続端子１４の少なくとも凸状部と、これに対応する配線基板１１上のボンディング端子１６は、再溶融性を有する導電部材２０によって共通に被覆され、機械的・電気的に接続されている。再溶融性を有する導電部材２０としては、半田又は銀（Ａｇ）粒子等を含んだ導電性樹脂等の再溶融性導電材が用いられる。
【００３９】
この様な構造を有する凸状外部接続端子１４を介して、半導体素子１２の外部接続用電極パッド１９と配線基板１１のボンディング端子１６とが機械的及び電気的に接続される。
【００４０】
尚、ここでは半導体素子１２の外部接続用端子パッド１９上に凸状外部接続端子１４が配設されているが、当該凸状外部接続端子１４は、配線基板１１のボンディング端子１６上に形成してもよく、また半導体素子１２の外部接続用端子パッド１９及び配線基板１１のボンディング端子１６の双方に形成してもよい。
【００４１】
そして、当該半導体装置１００にあっては、前記配線基板１１の表面に選択的に形成されたバックアップパターン１７上に被覆されたソルダーレジスト層１５上に、バネ部材２５が搭載される。
【００４２】
図１に示す構造にあっては、当該バネ部材２５は、２個が半導体素子１２のほぼ中央部に対応して配設されているが、当該個数ならびに配置位置に特定されるものではない。
【００４３】
当該バネ部材２５は、図２に示すように、断面形状が略「Ｖ」字状（屈曲部が円弧状であるＶ字状）を有する圧縮バネであり、その一方の開放端に、鋭角形状を有する複数の突起部２５ａが鋸の刃状に形成されてなる板バネである。かかるバネ部材２５は、その突起部２５ａが、前記半導体素子１２の電子回路形成部１３の表面に対向するように、圧縮状態（前記Ｖ字状開放が閉じている状態）で搭載・配置されている。
【００４４】
バネ部材２５の材料は、バネの形状及び製法に応じて適宜選択され、例えば銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、鉄（Ｆｅ）、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）等の金属、或いはこれら金属の何れかを含む合金から形成される。
【００４５】
即ち、当該バネ部材２５は、例えば厚みが２０μｍ以上の金属からなる板材、又は直径が約１０μｍの線材を用いて機械加工又は化学加工等により形成される。尚、バネ部材２５を機械加工により形成する場合、バネ特性及び加工性の観点から、その材料としてリン青銅を選択してもよい。また、当該バネ部材２５を電鋳法によって形成してもよい。電鋳法を用いることにより、より微細で精密なバネ部材を形成することができる。
【００４６】
また、前記突起部２５ａは、バネ部材２５の製造時に一体に成形される。例えば機械加工によりバネ部材２５を形成する場合には、バネの端部を切断する際に、意図的にバリを生じさせることにより、突起部２５ａを形成することができる。
【００４７】
前述の如く、当該バネ部材２５は、突起部２５ａが半導体素子１２の電子回路形成部１３の表面に対向するように、圧縮状態で搭載される。圧縮された状態から弾性力を開放した状態に於けるバネ部材２５の伸長方向の長さは、半導体素子１２と配線基板１１との間隙距離よりも大きく設定される。
【００４８】
そして、圧縮された状態から弾性力が開放された状態になった際にバネ部材２５の突起部２５ａにより半導体素子１２の電子回路形成部１３に印加される圧力は、例えば２０ＧＰａ程など、当該電子回路形成部１３の少なくとも一部を破壊することが可能な圧力以上に設定される。
【００４９】
かかる構造を有するバネ部材２５と半導体素子１２との間には、スペーサ樹脂２６が配設されている。当該スペーサ樹脂２６の厚さは、バネ部材２５の構成に従うが、バネ部材２５のバネのストローク、即ち、バネ部材２５の圧縮状態と弾性回復状態における伸長方向の長さの差よりも小さな厚さに設定されている。当該スペーサ樹脂２６の厚さは、例えば１μｍ乃至３００μｍに設定される。図１に示すように、バネ部材２５が圧縮状態にあるときには、当該バネ部材２５の突起部２５ａは、スペーサ樹脂２６の表面にほぼ接している。
【００５０】
また、前述の如く配線基板１１の一方の主面上にフリップチップ（フェイスダウン）方式をもって搭載された半導体素子１２と当該配線基板１１の一方の主面との間には、熱硬化性樹脂接着剤等のアンダーフィル材２７が充填され、両者の接続を補強している。
【００５１】
前記スペーサ樹脂２６及びアンダーフィル材２７は、発煙硝酸、硫酸、又は例えば発煙硝酸と硫酸とを１０：１の割合で混合してなる混酸等の薬液により溶解するエポキシ樹脂系又はアクリル樹脂系材料から構成される。当該スペーサ樹脂２６及びアンダーフィル材２７は同一材料から構成されてもよいが、スペーサ樹脂２６は、その薬液溶解速度が、アンダーフィル材２７の薬液溶解速度と同等又はより早い樹脂材からなるよう設定される。
【００５２】
このような構造を有する半導体装置１００から、前記半導体素子１２を取り出すべく、アンダーフィル材２７等を薬液により溶解除去すると、圧縮されていたバネ部材２５は開放されて弾性回復し、当該バネ部材２５に於ける突起部２５ａによって、半導体素子１２の電子回路形成部１３が破壊される。これについて、図３を参照して説明する。
【００５３】
当該半導体装置１００から半導体素子１２を取り出すにあたっては、発煙硝酸、硫酸、又は例えば発煙硝酸と硫酸とを１０：１の割合で混合してなる混酸等の薬液が用いられる。そして、加熱された当該薬液中に半導体装置１００を浸漬するか、或いは前記薬液を半導体装置１００に於けるアンダーフィル材２７の外周部に滴下する。
【００５４】
かかる薬液により、アンダーフィル材２７、スペーサ樹脂２６、及びソルダーレジスト層１５は溶解する。尚、配線基板１１として有機材料を基材とする基板を用いる場合、その材料としては、アンダーフィル材２７及びスペーサ樹脂２６の薬液溶解速度よりも遅い薬液溶解速度を有する有機材料が選定される。従って、アンダーフィル材２７及びスペーサ樹脂２６が溶解しても配線基板１１は溶解されない。
【００５５】
そして、半導体素子１２と配線基板１１との間の距離（間隔）は、前記凸状外部接続端子１４、ボンディング端子１６及び導電部材２０により設定されている。
【００５６】
スペーサ樹脂２６は、その薬液溶解速度が、アンダーフィル材２７の薬液溶解速度と同等又は早い樹脂材からなるよう設定されているため、アンダーフィル材２７が全て溶解する前にスペーサ樹脂２６も溶解除去され、圧縮されていたバネ部材２５は弾性を回復し、伸長して、当該バネ部材２５に於ける突起部２５ａは半導体素子１２の電子回路形成部１３に侵入する。これにより、当該半導体素子１２の電子回路形成部１３は、物理的（機械的）に破壊される。
【００５７】
この様に、第三者が不正に半導体素子１２の内部を解析すべく、薬液を用いてアンダーフィル材２７、スペーサ樹脂２６、及びソルダーレジスト層１５を溶解除去し、半導体装置１００から半導体素子１２を取り出そうとすると、圧縮されていたバネ部材２５がその弾性を回復して伸長し、当該バネ部材２５に於ける突起部２５ａにより半導体素子１２の電子回路形成部１３は物理的に破壊される。
【００５８】
従って、当該半導体素子１２の電子回路形成部１３内の情報の読み出し、ならびに当該電子回路形成部１３の物理構造の観察を確実に防止することができ、また当該電子回路形成部１３の回路が動作することを不可能にする。この様に、当該半導体装置１００は、高い耐タンパー性、即ち不正解析に対して高い困難性を有する。
【００５９】
前述の如く、配線基板１１としては、アンダーフィル材２７及びスペーサ樹脂２６の薬液溶解速度よりも遅い薬液溶解速度を有する有機材料が選択され、アンダーフィル材２７及びスペーサ樹脂２６等が溶解しても配線基板１１は溶解せず残存している。従って、バネ部材２５が弾性の回復により伸長する際に、当該バネ部材２５の他端（突起部２５ａを備えない端部）は配線基板１１により支持される。これにより、当該バネ部材２５は、半導体素子１２の電子回路形成部１３の回路を確実に破壊することができる。
【００６０】
また、半導体素子１２の凸状外部接続端子１４と、これに対応する配線基板１１上のボンディング端子１６とは、導電部材２０によって接続されており、アンダーフィル材２７、スペーサ樹脂２６、及びソルダーレジスト層１５が薬液によって溶解除去されても、半導体素子１２と配線基板１１との機械的な接続は維持される。従ってバネ部材２５の他端（突起部２５ａを備えない端部）は、配線基板１１によって確実に支持される。
【００６１】
かかる点からも、バネ部材２５が弾性の回復により伸長する際に、当該バネ部材２５の他端（突起部２５ａを備えない端部）は配線基板１１により支持され、バネ部材２５の伸長力が半導体素子１２の電子回路形成部１３に伝えられ、当該電子回路形成部１３の回路を確実に破壊することができる。
【００６２】
また、アンダーフィル材２７及びソルダーレジスト層１５の溶解前、バネ部材２５は配線基板１１の表面に選択的に形成されたバックアップパターン１７上に設けられたソルダーレジスト層１５上に配設されている。従って、アンダーフィル材２７及びソルダーレジスト層１５が薬液により溶解された後は、当該バネ部材２５の他端（突起部２５ａを備えない端部）はバックアップパターン１７により支持される。当該バックアップパターン１７は、配線基板１１の変形を低減する。従って、バネ部材２５は、半導体素子１２に於ける電子回路形成部１３の回路を、より確実に破壊することができる。
【００６３】
更に、前記スペーサ樹脂２６の厚さは、バネ部材２５のストローク、即ち、バネ部材２５の圧縮状態と弾性回復状態における伸長方向の長さの差よりも小さい厚さに設定されている。従って、アンダーフィル材２７、スペーサ樹脂２６、及びソルダーレジスト層１５を溶解除去し、バネ部材２５が弾性を回復する過程において、バネ部材２５の突起部２５ａにより、半導体素子１２の電子回路形成部１３を確実に破壊することができる。
【００６４】
このように、本発明によれば、耐タンパー性を向上させたフリップチップ型の半導体装置を、当該半導体装置の厚さを増加することなく構成することができ、もって、半導体装置の小形化並びに薄型化に対応することができる。
【００６５】
ところで、前記バネ部材２５は、断面形状が略「Ｖ」字状（屈曲部が円弧状であるＶ字状）を有する板バネであり、伸長方向（本例では図１おける上方向）の端部に鋭角形状を有する突起状の刃である突起部２５ａが形成されているが、バネ部材２５の形状は、かかる形状に限定されるものではない。例えば図４乃至図９に示す形状とすることができる。
【００６６】
図４乃至図９に示すバネ部材は、前記図２に示すバネ部材２５と同一材料から構成することができ、また、バネ部材２５と同様に、厚みが２０μｍ以上の金属板材、又は直径が約１０μｍの線材を用いて、機械加工若しくは化学加工、或いは電鋳法等により形成することができる。
【００６７】
図４に示すバネ部材３０は、断面形状が略「Ｖ」字状（屈曲部が円弧状であるＶ字状）を有する圧縮バネであり、伸長方向の端部に、鋭角形状を有する突起部３０ａが連続した一枚の刃状に形成されている。
【００６８】
図５（ａ）に示すバネ部材３５は、断面形状が略「Ｚ」字状（屈曲部がともに円弧状であるＺ字状）を有する圧縮バネであり、伸長方向の端部に、鋭角形状を有する突起部３５ａが形成されている。
【００６９】
図５（ｂ）に示すバネ部材４０は、断面形状が略「Ｚ」字状（屈曲部がともに円弧状であるＺ字状）を有する圧縮バネであり、上面に鋭角形状を有する突起部４０ａが複数個配設されている。当該複数個の突起部４０ａにより、半導体素子１２に於ける電子回路形成部１３の複数の部位を、破壊することができる。
【００７０】
図５（ｃ）に示すバネ部材４５は、断面形状が略「Σ」字状（屈曲部が何れも円弧状を有するΣ字状）を有する圧縮バネであり、伸長方向の端部に鋭角形状を有する突起部４５ａが形成されている。
【００７１】
また、図５（ｄ）に示すバネ部材５０は、図２又は図４に示すバネ部材２５又は３０の他端を接続してなるステープラ形状の圧縮バネであり、伸長方向の二つの端部のそれぞれに鋭角形状を有する突起部５０ａが形成されている。
【００７２】
更に、図５（ｅ）に示すバネ部材５５は、断面形状が略「Ｖ」字状（屈曲部が円弧状であるＶ字状）を有する板バネであり、その伸長部の両端に、鋭角形状を有する突起部５５ａ及び５５ｂが形成されている。
【００７３】
かかる構造により、バネ部材５５を配設する際に、上下を反転して配設することも可能となり、当該バネ部材５５の装着作業の効率化を図ることができる。また、配線基板１１等の板状部材であって半導体素子１２に対向する面に於いても破壊すべき部位が形成されている場合に、バネ部材５５を、配線基板１１と半導体素子１２との間隙に圧縮状態で配設し、その圧縮状態を解くことにより、突起部５５ａ及び５５ｂによって、半導体素子１２及び前記配線基板１１の破壊すべき部位を共に破壊することができる。
【００７４】
特に、突起部５５ａと突起部５５ｂを、鉛直方向に略同じ箇所に配置することにより、破壊すべき部位が鉛直方向に重なる位置にある場合には、双方とも破壊することができる。従って、部品点数を少なくして、半導体素子１２及び前記配線基板１１の破壊すべき部位を破壊することができ、低コスト化を図ることができる。更に、当該バネ部材５５を高密度に配設することにより、半導体素子１２と配線基板１１に於ける破壊箇所を増加せしめることができる。
【００７５】
図４並びに図５に示すところのバネ部材３０、３５、４０、４５、５０或いは５５のそれぞれに於ける突起部は、前記図２に示すバネ部材２５に於ける突起部２５ａと同様、バネ部材３０、３５、４０、４５、５０或いは５５の形成時に一体成形される。即ち、バネ部材３０、３５、４０、４５、５０或いは５５を機械加工により形成する場合には、バネの端部を切断する際に意図的にバリを生じさせることにより当該突起部を形成することができる。
【００７６】
尚、突起部３０ａ、３５ａ、４０ａ、４５ａ、５０ａ、５５ａ或いは５５ｂを、バネ部材３０、３５、４０、４５、５０或いは５５と別個に形成し、当該バネ部材に結合してもよい。
【００７７】
また、前記突起部３０ａ、３５ａ、４０ａ、４５ａ、５０ａ、５５ａ或いは５５ｂは、鋭角形状を有しているが、かかる形態に限られず、針状、円錐状、角錐状、刃状或いは略球面状であってもよい。
【００７８】
例えば、図６（ａ）に示す断面が略「Ｚ」字状を有するバネ部材６０は、その伸長部の上面に、硬質粒材が分散固定されて、突起部６０ａが形成されている。
【００７９】
また、図６（ｂ）に示す断面が略「Ｚ」字状を有するバネ部材６５は、その上面ならびに下面に硬質粒材が分散固定されて、突起部６５ａ及び６５ｂが形成されている。
【００８０】
図６（ａ）に於いて点線Ａにより囲まれた部分（図６（ｂ）に於いて点線Ｂにより囲まれた部分）を、図６（ｃ）に拡大して示す。
【００８１】
バネ部材６０（６５）のバネ材６１（６６）の表層上に、電解めっき法又は無電解めっき法等の電着法により、金属めっき層６２（６７）が形成され、更に当該金属めっき層６２（６７）層上に角状の硬質粒材６３（６８）が分散固定されて突起部６５ａ及び６５ｂが形成されている。
【００８２】
かかる構成にあっては、電着法の適用可能性及びバネ特性から、バネ材６１（６６）の材料として、ニッケル−マンガン（Ｎｉ−Ｍｎ）又はニッケル−コバルト（Ｎｉ−Ｃｏ）等のニッケル合金が選択される。
【００８３】
また、硬質粒材６３（６８）としては、アルミナ（Ａｌ）、ジルコニア（ＺｒＯ２）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）、炭化珪素（ＳｉＣ）、窒化アルミ（ＡｌＮ）等の各種セラミックス、Ａｌ−Ｍｎ系、Ａｌ−Ｓｉ系、Ａｌ−Ｍｇ系等の各種アルミニウム（Ａｌ）系合金、二酸化ケイ素（ＳｉＯ４）、ダイヤモンド、シリコン（Ｓｉ）、タングステン（Ｗ）等からなる角状粉体を適用することができる。
【００８４】
かかる電着法によれば、突起部６０ａ、６５ａ或いは６５ｂの材料として高硬度の材料を適用することができ、半導体素子１２の電子回路形成部１３など破壊対象の材料又は層構成に応じて、当該突起部の材料を選択することができる。また機械加工を伴わず、当該突起部６０ａ、６５ａ或いは６５ｂの微細形成を容易に行うことができる。これにより、半導体装置の薄型化を実現することが可能となる。
【００８５】
尚、突起部６０ａ、６５ａ或いは６５ｂを形成する際、当該硬質粒材６３（６８）を被着させることを希望しない領域には、予め樹脂等により絶縁被覆が施される。
【００８６】
また、前記図２、図４乃至図６に示すバネ部材２５、３０、３５、４０、４５、５０、５５或いは６０において、突起部の形成方法として、当該バネ材の表面を、砥石研削加工、砥粒噴出加工、或いはレーザ加工等の機械的手段により粗面化加工する方法も適用することができる。
【００８７】
一方、前記バネ部材として、前述の如き板バネに代えて、所謂コイルバネを適用することもできる。
【００８８】
一つに、図７に示す様に、切り込みがなされたリング状スプリングワッシャ７０を、バネ部材として用いることができる。切り込みにより形成された端部に、伸長方向に延出された鋭角部７０ａが形成される。
【００８９】
また、図８に示す様に、バネ部材として、コイルバネ７５を用いることができる。当該コイルバネ７５は、図８（ａ）に示される様な伸張状態、或いは図８（ｂ）に示される様に圧縮状態を呈する。当該コイルバネ７５の上端部に、伸長方向に延出された鋭角部７５ａが形成される。
【００９０】
更に、バネ部材として、図９に示す様に、螺旋状に巻回されて形成されたコイルバネ８０が用いられる。当該コイルバネ８０の上端部に、伸長方向に延出された鋭角部８０ａが形成される。
【００９１】
かかるコイルバネに於いては、その伸長時、鋭角部が半導体素子１２の電子回路形成部１３に対し損傷を与える。この様なコイルバネは、周知の方法により容易に製造することができ、またその小形化が容易である。従って、配線基板１１と半導体素子１２との間隙に、複数個のバネ部材を配設しようとする場合に有利である。
【００９２】
また、バネ部材として、前述の如き板バネ、コイルバネに代えて、所謂皿バネを適用することもできる。当該皿バネの一例を、図１０に示す。尚、図１０（ａ）は、皿バネ８５の斜視外観を示し、図１０（ｂ）は当該皿バネ８５の平面を、また図１０（ｃ）は、図１０（ｂ）の線Ａ−Ａに於ける断面を示す。
【００９３】
当該皿バネ８５は、円形状を有し、その略中央部に開口８６が形成され、当該開口８６から外周部に向かって傾斜する側面８７が設けられている。また、開口８６の外周部（側面８７の上端部）の３箇所に、伸長方向に延出された鋭角部８５ａが配設されている。
【００９４】
この様に、図４乃至図１０に示されるバネ部材３０、３５、４０、４５、５０、５５、６０、６５、７０、７５、８０或いは８５は、それぞれに於ける突起部が半導体素子１２の電子回路形成部１３に対向するように配置される。
【００９５】
圧縮されず弾性力を開放した状態に於けるバネ部材３０、３５、４０、４５、５０、５５、６０、６５、７０、７５、８０或いは８５の伸長方向の長さは、半導体素子１２と配線基板１１との間隙の有する距離よりも大きく設定される。
【００９６】
そして、当該バネ部材は、当該バネ部材３０、３５、４０、４５、５０、５５、６０、６５、７０、７５、８０或いは８５が圧縮された状態から弾性力が開放され伸長した状態に於いて、その突起部により半導体素子１２の電子回路形成部１３に印加する圧力が、例えば２０ＧＰａ程と、当該半導体素子１２の電子回路形成部１３の少なくとも一部を確実に破壊することができる圧力以上となる様に設定される。
【００９７】
この様な構造を有する半導体装置１００の製造方法について、図１１及び図１２を参照して説明する。
【００９８】
先ず、周知の半導体製造プロセスが適用されて、シリコン（Ｓｉ）等の半導体材料からなる半導体基板１８の一方の主面に、電子回路形成部１３が形成されてなる半導体素子１２を用意する。（図１１（ａ）参照）
当該電子回路は、トランジスタ等の能動素子、容量素子或いは抵抗素子等の受動素子、ならびにこれらの機能素子を相互に接続する銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）或いはこれらの金属の合金からなる配線層をもって形成されている。
【００９９】
当該半導体素子１２の電子回路形成部１３の周囲部分であって多層配線の最上層には、配線に接続された複数の外部接続用電極パッド１９が形成されている。当該外部接続用電極パッド１９は、前記配線層と同様、例えばアルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、及びこれらを含む合金等で構成される。尚、外部接続用電極パッド１９の表面には、下層より、例えばニッケル／金（Ｎｉ／Ａｕ）のめっき層を配設しておいてもよい。
【０１００】
そして、当該半導体素子１２の電子回路形成部１３上に、スペーサ樹脂２６を選択的に配設する。
【０１０１】
当該スペーサ樹脂２６は、発煙硝酸、硫酸、又は例えば発煙硝酸と硫酸とを１０：１の割合で混合してなる混酸等の薬液により溶解するエポキシ樹脂系又はアクリル樹脂系材料から構成される。当該スペーサ樹脂２６は、その薬液溶解速度がアンダーフィル材２７の薬液溶解速度と同等以上の樹脂材から形成される。また、当該スペーサ樹脂２６の厚さは、バネ部材２５のバネのストローク、即ちバネ部材２５の圧縮状態と弾性回復状態における伸長方向の長さの差よりも小さな厚さに設定される。
【０１０２】
尚、当該スペーサ樹脂２６は、適用する樹脂の種類に従って、例えばフィルム状の樹脂を貼り付け、これを熱硬化又は光硬化させて形成することもできる。
【０１０３】
次いで、前記半導体素子１２の外部接続用端子パッド１９上に、所謂ボールボンディング法により金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、又はこれらの合金等の金属からなる凸状外部接続端子１４を形成する。（図１１（ｂ）参照）
当該凸状外部接続端子１４は、無電解めっき法、電気めっき法等によって形成されたニッケル（Ｎｉ）から構成されていてもよい。凸状外部接続端子１４の頂部には、必要に応じて平坦化処理が施される。
【０１０４】
尚、かかる製造工程に於いて、先ず半導体素子１２の外部接続用端子パッド１９上に凸状外部接続端子１４を形成し、次いで半導体素子１２の電子回路形成部１３の上にスペーサ樹脂２６を配設してもよい。かかる場合には、半導体素子１２の電子回路形成部１３上にペースト状の樹脂をスピンコート等により塗布し、当該樹脂を圧気などにより押し広げた後に熱硬化させる方法、或いはフィルム状の樹脂を、半導体素子１２の電子回路形成部１３の面上に貼り付け、当該樹脂を熱硬化又は光硬化させる方法を用いることができる。
【０１０５】
尚、ここでは、スペーサ樹脂２６及び凸状外部接続端子１４を、個片化された半導体素子に対して形成しているが、一枚の半導体基板に形成された複数個の半導体素子に於ける電子回路形成部に対し、スペーサ樹脂２６、凸状外部接続端子１４を一体に形成した後、個片化処理を施してもよい。
【０１０６】
即ち、半導体基板の一方の主面に形成された複数個の半導体素子それぞれに於ける電子回路形成部上に、フィルム状のスペーサ樹脂２６材料を一体に貼り付け、当該樹脂材料を熱硬化又は光硬化せしめる。或いはペースト状のスペーサ樹脂２６材料を、複数個の半導体素子１２それぞれに於ける電子回路形成部１３上に一体に塗布する。
【０１０７】
次いで、少なくともバネ部材２５により破壊すべき箇所を残すように、且つ、外部接続用端子パッド１９を露出するように、フォトリソグラフィによるパターニング等によりスペーサ樹脂２６を選択的に除去する。
【０１０８】
しかる後、外部接続用端子パッド１９上に凸状外部接続端子１４を形成し、次いで半導体基板の裏面を研削して薄肉化し、更にダイシング処理を施して、個片化された半導体素子１２を形成する。
【０１０９】
或いは、半導体基板の大きさ以上の幅を有するベースフィルム上に、当該半導体基板に形成された複数個の半導体素子１２それぞれに於ける電子回路形成部１３上に対応して、フィルム状のスペーサ樹脂２６形成用の樹脂をＢステージ状態で選択的に形成する。
【０１１０】
次いで、当該ベースフィルムと半導体基板との位置合わせを行い、更に、ロール式ラミネータ等を用いて前記フィルム状の樹脂を半導体基板上に転写して貼り付ける。
【０１１１】
次いで、当該樹脂を熱硬化又は光硬化せしめる。しかる後、外部接続用端子パッド１９上に凸状外部接続端子１４を形成し、次いで半導体基板の裏面を研削して薄肉化し、更にダイシング処理を施して、個片化された半導体素子１２を形成する。
【０１１２】
この様に、半導体素子１２の電子回路形成部１３上にスペーサ樹脂２６が配設され、また外部接続用端子パッド１９上に凸状外部接続端子１４を形成する方法、或いは先ず半導体素子１２の外部接続用端子パッド１９上に凸状外部接続端子１４を形成し、次いで半導体素子１２の電子回路形成部１３の面上にスペーサ樹脂２６を形成する方法の何れに於いても、当該スペーサ樹脂２６が硬化した後に、配線基板１１と半導体素子１２を位置合わせする。（図１１（ｃ）参照）
前述の如く、当該配線基板１１としては、無機材料を機材とする絶縁基板或いは有機材料を機材とする絶縁基板が用いられる。そして、当該配線基板１１の表面及び／又は内部には、例えば銅（Ｃｕ）等からなる配線層が選択的に配設され、配線基板１１の一方の主面であって、半導体素子１２が搭載される面上には、前記配線層に接続された導電層が選択的に配設されている。また、当該導電層に於ける、半導体素子１２の外部接続端子１４が接続される部位、及びその周囲を除いて、ソルダーレジスト層１５が選択的に被覆されている。
【０１１３】
この結果、ソルダーレジスト層１５に設けられた開口部に於いて、前記導電層の一部がボンディング端子１６として表出されている。尚、ソルダーレジスト層１５は、エポキシ系、アクリル系、或いはポリイミド系等の樹脂又はこれらの混合樹脂から形成される。
【０１１４】
また、ボンディング端子１６は、アルミニウム（Ａｌ）またはその合金から形成される。尚、当該ボンディング端子１６の表面には、下層より、ニッケル／金（Ｎｉ／Ａｕ）の２層めっき、銅／ニッケル／金（Ｃｕ／Ｎｉ／Ａｕ）の３層めっき皮膜、或いは半田皮膜を施しておいてもよい。当該半田皮膜は、例えば半田析出法、半田粉付着法、印刷法、又は電解めっき法等により形成される。
【０１１５】
また、ボンディング端子１６の表面には、予め半田又は銀（Ａｇ）粒子等を含む導電性樹脂等の再溶融性導電材２０を被覆しておく。
【０１１６】
一方、配線基板１１の表面には、ボンディング端子１６と同一の材料から構成されるバックアップパターン１７が選択的に形成され、当該バックアップパターン１７上には、ソルダーレジスト層１５が配設されている。当該ソルダーレジスト層１５上に、接着剤を介してバネ部材２５が配設される。
【０１１７】
尚、配線基板１１として有機材料を基材とする基板を用いる場合には、当該有機材料として、アンダーフィル材２７及びスペーサ樹脂２６の薬液溶解速度よりも遅い薬液溶解速度を有する有機材料が適用される。
【０１１８】
当該配線基板１１は、ボンディングステージ（図示せず）に吸着支持される。当該ボンディングステージを加熱することにより、当該配線基板１１を５０℃乃至１００℃に予熱しておいてもよい。
【０１１９】
かかる状態に於いて、前記半導体素子１２を、例えば約１８０℃乃至２８０℃に加熱したボンディングツール９０に、吸着孔９１を介して吸着保持し、前記バネ部材２５の突起部２５ａがスペーサ樹脂２６に対向する様に当該半導体素子１２の電子回路形成部１３の主面と配線基板１１とを対向せしめる。そして、前記凸状外部接続端子１４と、配線基板１１上に配設されたボンディング端子１６とを位置合わせする。
【０１２０】
しかる後、前記ボンディングツール９０を降下せしめ、半導体素子１２の凸状外部接続端子１４を配線基板１１のボンディング端子１６に押圧し、接触させて、ボンディング端子１６の表面に被覆された前記導電材２０を加熱溶融して、半導体素子１２の凸状外部接続端子１４と配線基板１１のボンディング端子１６とを接続する。（図１１（ｄ）参照）
この時、前記バネ部材２５は、スペーサ樹脂２６を介して半導体素子１２により圧縮される。
【０１２１】
当該スペーサ樹脂２６は、既に硬化しているため、バネ部材２５の突起部２５ａの侵入を阻止し、当該突起部２５ａが半導体素子１２の電子回路形成部１３に到達することは無い。従って、半導体素子１２の電子回路形成部１３は破壊されず、バネ部材２５は配線基板１１と半導体素子１２との間に圧縮状態をもって配置される。
【０１２２】
次いで、ディスペンサ（図示せず）からノズル９５を介してペースト状のアンダーフィル材２７を供給し、半導体素子１２の一つの端部近傍に塗布する。（図１２（ｅ）参照）
当該アンダーフィル材２７は、毛細管現象により、半導体素子１２と配線基板１１との間隙部に充填され、更に当該半導体素子１２の外周部に配設される。
【０１２３】
尚、アンダーフィル材２７の注入の際、当該アンダーフィル材２７の硬化が開始しない温度（例えば約５０℃乃至１００℃）をもって配線基板１１を加熱してもよい。これによりアンダーフィル材２７は高い流動性を維持しつつ流れ、充填時間が短縮される。また、当該アンダーフィル材２７の未充填箇所及の発生、ボイドの発生が、防止・低減される。
【０１２４】
しかる後、恒温槽等に於いて加熱処理し、アンダーフィル材２７を硬化せしめる。かかる加熱工程にあっては、加熱温度を例えば約１２０℃乃至１８０℃に設定する。また加熱時間は、約３０分乃至９０分に設定される。これにより、アンダーフィル材２７は硬化し、半導体素子１２の配線基板１１への実装がなされる。（図１２（ｆ）参照）
この結果、配線基板１１の一方の主面上にフリップチップ（フェイスダウン）方式をもって搭載・固着された半導体素子１２と当該配線基板１１の一方の主面との間に、アンダーフィル材２７が充填され、両者の接続が補強される。
【０１２５】
当該アンダーフィル材２７は、前記スペーサ樹脂２６と同様に、発煙硝酸、硫酸、又は例えば発煙硝酸と硫酸とを１０：１の割合で混合してなる混酸等の薬液により溶解するエポキシ樹脂系又はアクリル樹脂系材料から構成される。尚、スペーサ樹脂２６ならびにアンダーフィル材２７が同様の材料から構成される場合には、スペーサ樹脂２６は、その薬液溶解速度がアンダーフィル材２７の薬液溶解速度と同等以上である樹脂材をもって形成される。
【０１２６】
しかる後、配線基板１１の他方の主面（裏面）に、外部接続用電極端子を構成する半田ボール（図示せず）を複数個配設する。これにより、図１に示す半導体装置１００が形成される。
【０１２７】
２．第２の実施の形態
本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置２００を、図１３に示す。
尚、当該半導体装置２００に於いて、前記半導体装置１００に於ける部位に対応する部位には同じ符号を付し、その説明を省略する。
【０１２８】
当該半導体装置２００は、半導体装置１００と基本的な構造を同じくするが、主として以下の点に於いて構造を異にする。
【０１２９】
一つに、半導体素子１２の凸状外部接続端子１４と、これに対応する前記配線基板１１上のボンディング端子１６は、再溶融性を有する導電部材２０を介することなく、熱圧着により接続されている。
【０１３０】
また、ボンディング端子１６と同じ材料から構成され、配線基板１１の表面に選択的に配設されたバックアップパターン１７上には、突起部２５ａを具備するバネ部材２５が、圧縮された状態をもって樹脂封止されたバネ固定用樹脂個片（弾性体固定用樹脂個片）２８−１が配設されている。
【０１３１】
即ち、各バネ部材２５は、図１４に示されるように、全体が圧縮された状態で、バネ固定用樹脂個片２８−１内に封止されている。尚、図１４（ａ）は、バネ部材２５を圧縮した状態で樹脂封止するバネ固定用樹脂個片２８−１の断面を示し、図１４（ｂ）は、当該バネ固定用樹脂個片２８−１内に於けるバネ部材２５の形態を透過的に示している。
【０１３２】
この様に、バネ部材２５の全体が圧縮された状態で、バネ固定用樹脂個片２８−１に収容されている為、本実施の形態にあっては、スペーサ樹脂は配置されない。
【０１３３】
当該バネ固定用樹脂個片２８−１は、アンダーフィル材２７と同様に、発煙硝酸、硫酸、又は例えば発煙硝酸と硫酸とを１０：１の割合で混合してなる混酸等の薬液により溶解するエポキシ樹脂系又はアクリル樹脂系材料から構成される。また、バネ固定用樹脂個片２８−１及びアンダーフィル材２７が同一材料から構成される場合には、当該バネ固定用樹脂個片２８−１の薬液溶解速度が、アンダーフィル材２７の薬液溶解速度と同等以上となるよう設定されている。
【０１３４】
そして、バネ固定用樹脂個片２８−１中に封止されたバネ部材２５は、半導体素子１１の電子回路形成部１３とバックアップパターン１７との間隙であって、当該半導体素子１１の中央部を除いた領域に対応して配設されている。
【０１３５】
このような構造を有する半導体装置２００から、半導体素子１２を取り出すべく、アンダーフィル材２７等を薬液により溶解除去すると、バネ固定用樹脂個片２８−１も溶解し、圧縮されていたバネ部材２５は弾性回復し、伸長する。この結果、当該バネ部材２５の突起部２５ａにより、半導体素子１２の電子回路形成部１３が破壊される。これについて、図１５を参照して説明する。
【０１３６】
図１５（ａ）は、アンダーフィル材２７が、その外周部から前記薬液により溶解される途中の段階を示し、図１５（ｂ）は、当該アンダーフィル材２７の溶解が更に進行して、当該アンダーフィル材２７が除去され、更にバネ固定用樹脂個片２８−１がほぼ溶解除去された状態を示す。
【０１３７】
半導体装置２００から半導体素子１２を取り出すにあっては、前述の如く、発煙硝酸、硫酸、又は例えば発煙硝酸と硫酸とを１０：１の割合で混合してなる混酸等の薬液が用いられる。
【０１３８】
そして、加熱された前記薬液中に半導体装置２００を浸漬するか、或いは当該薬液を半導体装置２００に於けるアンダーフィル材２７の外周部分に滴下する。かかる薬液により、アンダーフィル材２７及びバネ固定用樹脂個片２８−１は、溶解する。
【０１３９】
尚、配線基板１１として有機材料を基材とする基板を用いる場合、その材料としては、アンダーフィル材２７及びバネ固定用樹脂個片２８−１の薬液溶解速度よりも遅い薬液溶解速度を有する有機材料が選択されている。従って、アンダーフィル材２７及びバネ固定用樹脂個片２８−１が溶解しても、当該配線基板１１は溶解されない。
【０１４０】
また、バネ固定用樹脂個片２８−１は、その薬液溶解速度が、アンダーフィル材２７の薬液溶解速度と同等以上である樹脂材から形成されている。従って、図１５（ｂ）に示すように、アンダーフィル材２７が全て溶解する前にバネ固定用樹脂個片２８−１は溶解除去され、圧縮されていたバネ部材２５は弾性回復して伸長する。これにより、当該バネ部材２５の突起部２５ａが半導体素子１２の電子回路形成部１３に圧接し、当該電子回路形成部１３は破壊される。
【０１４１】
前述の如く、配線基板１１として有機材料を基材とする基板を適用する場合、当該有機材料は、アンダーフィル材２７ならびにバネ固定用樹脂個片２８−１の薬液溶解速度よりも遅い薬液溶解速度を有する材料が選択される。従って、アンダーフィル材２７及びバネ固定用樹脂個片２８−１が溶解しても、配線基板１１は溶解しない。よって、バネ部材２５が弾性回復により伸長する際、配線基板１１は当該バネ部材２５の一端を支持することができ、電子回路形成部１３は確実に破壊される。
【０１４２】
バネ固定用樹脂個片２８−１により樹脂封止されたバネ部材２５は、半導体素子１１の電子回路形成部１３とバックアップパターン１７との間隙に於いて、半導体素子１１の中央部から遠い箇所、即ち半導体素子１２の周縁部近傍に配設されている。
【０１４３】
従って、薬液により、半導体素子１２と配線基板１１との間隙に設けられたアンダーフィル材４３が半導体素子１２の周縁部から徐々に溶解・除去され、更にバネ固定用樹脂個片２８−１が溶解・除去されても、半導体素子１２の中央部に位置するアンダーフィル材２７は溶解されずに残存する。即ち、半導体素子１２の中央部に位置して残存するアンダーフィル材２７により、半導体素子１２と配線基板１１との間隙は、当初の間隔が維持されている。
【０１４４】
この為、バネ固定用樹脂個片２８−１の溶解により露出したバネ部材２５が弾性回復により伸長する際、当該バネ部材２５の一端は、配線基板１１により支持され、半導体素子１２に於ける電子回路形成部１３は確実に破壊される。即ち、凸状外部接続端子１４と配線基板１１との接続が解除され、バネ固定用樹脂個片２８−１が溶解した状態であっても、半導体素子１１の中央部に位置してアンダーフィル材１４が残存していることにより、バネ部材２５の弾性力は半導体素子１２の電子回路形成部１３に伝えられ、押圧により当該電子回路形成部１３を破壊することができる。
【０１４５】
この様に、第三者が不正に半導体素子１２の内部を解析等すべく、薬液を用いてアンダーフィル材２７及びバネ固定用樹脂個片２８−１の溶解し、半導体装置２００から半導体素子１２を取り出そうとすると、バネ固定用樹脂個片２８−１中に圧縮・保持されていたバネ部材２５が弾性回復して伸長し、当該バネ部材２５の突起部２５ａにより半導体素子１２の電子回路形成部１３が物理的に破壊される。
【０１４６】
これにより、当該電子回路形成部１３内の情報の読み出し及び電子回路形成部１３の物理構造の観察を確実に防止することができ、更に、当該電子回路形成部１３に於ける電子回路が動作することを不可能にする。
【０１４７】
即ち、本発明によれば、耐タンパー性を向上させたフリップチップ型の半導体装置を、その厚さを増加させることなく構成することができ、半導体装置の小形化及び薄形化に対応することができる。
【０１４８】
本実施の形態にあっては、図２に示すバネ部材２５がバネ固定用樹脂個片２８−１に樹脂封止された態様を示した。しかしながら、本発明にあっては、かかる構成に限らず、前記図４乃至図１０に示したバネ部材３０、３５、４０、４５、５０、５５、６０、６５、７０、７５、８０或いは８５を、バネ固定用樹脂個片内に、圧縮された状態をもって収容し、樹脂封止することができる。
【０１４９】
また、この時、一つのバネ固定用樹脂個片内に、複数個のバネを収容・配置する構成を選択することができる。
【０１５０】
図１６（ａ）は、図６（ａ）に示されるところの、硬質粒材が分散固定されてなる突起部６０ａを含むバネ部材６０が、バネ固定用樹脂個片２８−２に樹脂封止された態様を示す。
【０１５１】
また、図１６（ｂ）は、前記バネ部材２５が２個、所定距離離間してバネ固定用樹脂個片２８−３中に樹脂封止された態様を示す。
【０１５２】
また、図１７は、図８に示すバネ部材７５を、３列４行の態様で配設し、当該バネ部材７５全体を一つのバネ固定用樹脂個片２８−４に樹脂封止した態様を示す。なお、図１７（ａ）は、バネ部材７５の収容形態を透過斜視状に示し、図１７（ｂ）は、バネ部材７５の収容形態を、断面をもって示す。
【０１５３】
また、前記図８に示すバネ部材７５を複数個、バネ固定用樹脂個片２８−５に樹脂封止した態様を、図１８に示す。かかる構成に於いては、複数個のバネ部材７５に於いて、幾つかのバネ部材７５の突起部７５ａはバネ固定用樹脂個片２８−５の上面側に位置し、他のバネ部材７５の突起部７５ａはバネ固定用樹脂個片２８−５の下面側に位置する。
【０１５４】
かかる構造により、当該バネ固定用樹脂個片２８−５を、半導体素子とこれに対向する配線基板など板状部材との間隙に配設する際、その表裏を逆にして配設することも可能になり、作業の効率化を図ることができる。
【０１５５】
また、配線基板１１等の板状部材であって、半導体素子１２に対向する面にも破壊すべき部位が形成されている場合、当該バネ固定用樹脂個片２８−５を、半導体素子と板状部材との間隙に配設し、バネ部材７５の圧縮状態を解くことにより、バネ固定用樹脂個片２８−５の上面側に位置する突起部７５ａ、ならびにバネ固定用樹脂個片２８−５の下面側に位置する突起部７５ａにより、半導体素子１２ならびに板状部材に於ける破壊すべき部位を共に破壊することができる。
【０１５６】
前記バネ部材２５を樹脂封止するバネ固定用樹脂個片２８−６に、選択的に凹部３１が配設された例を、図１９に示す。
【０１５７】
図１９（ａ）は、バネ部材２５を圧縮した状態で樹脂封止するバネ固定用樹脂個片２８−６の断面を示し、図１９（ｂ）は、当該バネ部材２５の収容形態を透過構造をもって示している。
【０１５８】
かかる構成に於いて、凹部３１は、バネ部材２５の突起部２５ａよりも内側に形成されている。当該凹部３１の先端はバネ部材２５に到達しており、また当該凹部３１は、バネ固定用樹脂個片２８−６の上面において、幅方向に側面を連通するように形成されている。そして、バネ部材２５の突起部２５ａは、バネ固定用樹脂個片２８−６の上表面から離間して樹脂中に内包されている。
【０１５９】
かかる凹部３１の配設により、半導体素子１２と配線基板１１との間隙にバネ固定用樹脂個片２８−６を配設した後、アンダーフィル材２７を注入する際に、当該アンダーフィル材２７の流動を容易とし、その未充填に因るボイドの発生を抑制・防止することができる。
【０１６０】
また、かかる凹部３１の配設により、バネ部材２５の突起部２５ａの近傍に於けるバネ固定用樹脂個片２８−６の樹脂量は、前記図１４に示す構造に比べ少ない。従って、当該バネ固定用樹脂個片２８−６の溶解に要する時間が短縮される。
【０１６１】
なお、当該溝状凹部３１に代えて、所定の開口寸法を有する孔３２を配置してもよい。（図２０参照）
かかる構成にあっても、バネ固定用樹脂個片２８−６の樹脂量は、前記図１４に示す構造に比して少ない。勿論、当該孔３２を複数個配設することも可能である。
【０１６２】
ここで、前記図１４、図１６乃至図１８に示されるバネ固定用樹脂個片２８−１乃至２８−５の製造方法について、図１４に示すバネ固定用樹脂個片２８−１を例に挙げ、図２１乃至図２３を参照して説明する。
【０１６３】
まず、樹脂封止装置の下金型保持部１２０に固定されている下金型１２１上であって、上金型保持部１２５に固定されている上金型１２６に凹状に形成されたキャビティ部１２７に対応する箇所に、複数個のバネ部材２５を配置する。（図２１（ａ）参照）
当該下金型１２１に於いて前記キャビティ部１２７に対応する領域から離間した領域と、当該領域に対応する下金型固定部１２０には、バネ固定用樹脂個片２８−１を構成する樹脂１２９が投入されるポット部１２８が連通して配設されている。
【０１６４】
当該ポット部１２８内には、駆動部（図示せず）により鉛直方向に運動自在なプランジャ１３０が配置されている。当該ポット部１２８の開口部は、上金型１２６の下金型側に形成されたカル部１３１に接続され、当該カル部１３１は、ゲート部１３２を介して、キャビティ部１２７に接続されたランナ部１３３に連通している。
【０１６５】
前記バネ固定用樹脂個片２８−１を形成する樹脂１２９としては、アンダーフィル材２７を溶解・除去するに適用される発煙硝酸、硫酸、又は発煙硝酸と硫酸とを１０：１の割合で混合してなる混酸等の薬液によって溶解するエポキシ樹脂系或いはアクリル樹脂系材料が適用される。当該樹脂１２９の個片は、前記ポット部１２８に於いてプランジャ１３０上に配置され、加熱される。ポット部１２８内に於いて加熱された樹脂１２９は、プランジャ１３０により押圧されて、カル部１３１に導入・配置される。
【０１６６】
この段階で、上金型１２６ならびに下金型１２１は、上金型固定部１２５及び下金型固定部１２０に設けられた加熱機構（図示せず）により、加熱されている。
【０１６７】
しかる後、上金型固定部１２５に固定された上金型１２６を下金型１２１に接触させて型閉じを行い、次いで所定のプレス圧力で型締めを行う。（図２１（ｂ）参照）
このとき、下金型１２１上に設けられたバネ部材２５は、上金型１２６からの圧力により圧縮される。更に、この時点で、加熱機構により加熱されている下金型１２１内に設けられたプランジャ１２５上に載置されている固形状の樹脂１２９は溶融する。
【０１６８】
次いで、上面に樹脂１２９が載置されたプランジャ１２５を、駆動部により鉛直方向に上昇せしめる。（図２２（ｃ）参照）
プランジャ１２５によりカル部１３１に圧入された溶融樹脂は、ランナ部１３３及びゲート部１３２を介して前記キャビティ部１２７内に流入し、キャビティ部１２７の内部に置かれている複数個のバネ部材２５を一体に被覆して、樹脂封止する。
【０１６９】
かかる樹脂封止処理を行った後、型開きを行い、複数のバネ部材２５を一体に樹脂封止して構成された樹脂成形品１２９Ａを、金型から取り出す。（図２２（ｄ）参照）
この時、カル部１３１、ランナ１３３、及びゲート部１３２に充填されている樹脂１２９Ｂも同時に取り出される。樹脂成形品１２９Ａ及び１２９Ｂは固化されている。尚、ランナ部１３３は、上金型１２６の下面に向かって先細るテーパー状の断面形状を有しているため、樹脂１２９Ａが樹脂１２９Ｂに接触している部分は容易に破断・分離される。
【０１７０】
しかる後、回転ブレード１３５を用いて、樹脂成形品１２９Ａを切断し、バネ部材２５が少なくとも一つ樹脂封止されたバネ固定用樹脂個片２８−１を形成する。（図２３（ｅ）参照）
この様な樹脂成形法によれば、バネ部材２５を樹脂封止するバネ固定用樹脂個片２８−１を、容易且つ効率的に製造することができる。
【０１７１】
尚、此処では固定樹脂個片２８−１の製造方法を挙げたが、バネ固定用樹脂個片２８に樹脂封止されるバネ部材及びその配設の形態を変え、図２１乃至図２３に示す製造方法を適用することにより、図１６乃至図１８に示すバネ固定用樹脂個片２８−２乃至２８−５を形成することができる。
【０１７２】
次に、図１９及び図２０に示されるバネ固定用樹脂個片２８−６、或いは２８−７の製造方法について、図１９に示すバネ固定用樹脂個片２８−６を例に挙げ、図２４及び図２５を参照して説明する。尚、図２４及び図２５において、図２１及び図２２に示す部位と対応付する部位には同じ符号を付し、その説明を省略する。
【０１７３】
本方法に於いて適用される樹脂封止装置にあっては、上金型１２６のキャビティ部１２７形成部に於いて、下金型１２１上に配置されるバネ部材２５に対応する箇所に、バネ押し用突起部材１４０が配設されている。当該バネ押し用突起部材１４０は、バネ部材２５の突起部２５ａの近傍であって、バネ部材２５が屈曲している箇所に対応して配置される。
【０１７４】
当該バネ押し用突起部材１４０は、板状を有する。当該バネ押し用突起部材１４０は、上金型１２６のキャビティ１２７を形成する際に研削加工等により一体形成してもよく、また、上金型１２６のキャビティ１２７の内面（下金型対向面）に嵌装配置してもよい。
【０１７５】
当該バネ押し用突起部材１４０のキャビティ１２７の内面からの突出量は、上金型１２６と下金型１２１とを型締めした際に、バネ部材２５の突起部２５ａがバネ部材２５を押し込み、当該バネ部材２５の突起部２５ａが上金型１２６のキャビティ１２７の内面に接しないように、当該バネ部材２５を圧縮することができる長さに設定される。
【０１７６】
一方、下金型１２１上面の、上金型１２６に於ける前記キャビティ部１２７に対応する部位には、前記バネ押し用突起部材１４０に対応して、バネ部材２５をセットするバネ部材位置決め用凹部１４１が配設されている。これにより、バネ部材２５は、前記バネ押し用突起部材１４０の配設箇所に対応して配置される。
【０１７７】
かかる構成を有する樹脂封止金型を用い、まず、下金型１２１上の複数のバネ部材位置決め用凹部１４１のそれぞれに、バネ部材２５をセットする。また、バネ固定用樹脂個片を形成する樹脂１２９の個片は、前記ポット部１２８に於いてプランジャ１３０上に配置され、加熱される。（図２４（ａ）参照）
この段階で、上金型１２６ならびに下金型１２１は、上金型固定部１２５及び下金型固定部１２０に設けられた加熱機構（図示せず）により加熱されている。
【０１７８】
次いで、上金型１２６を下金型１２１に接触させて型閉じを行い、次いで、所定のプレス圧力で型締めを行う。（図２４（ｂ）参照）
このとき、バネ押し用突起部材１４０の先端は下金型１２１上に配置されたバネ部材２５に接触し、当該バネ押し用突起部材１４０はバネ部材２５の突起部２５ａの近傍を下金型１２１方向に押圧する。この時点で、プランジャ１２５の上面上に載置されている固形状の樹脂１２９は溶融する。
【０１７９】
次いで、当該プランジャ１３０を、駆動部（図示せず）により鉛直方向に上昇せしめる。（図２５（ｃ）参照）
プランジャ１３０によりカル部１３１に圧入された溶融樹脂は、ランナ部１３３及びゲート部１３２を介して前記キャビティ部１２７内に流入し、キャビティ部１２７の内部に置かれている複数のバネ部材２５を一体に被覆して、樹脂封止する。
【０１８０】
かかる樹脂封止が行われた後、型開きを行い、複数のバネ部材２５を一体に樹脂封止して構成された樹脂成形品１２９Ａを、金型から取り出す。（図２５（ｄ）参照）
この時、カル部１３１、ランナ１３３、及びゲート部１３２に充填されている樹脂１２９Ｂも同時に取り出される。樹脂成形品１２９Ａ及び１２９Ｂは固化されている。尚、ランナ部１３３は、上金型１２６の下面に向かって先細るテーパー状の断面形状を有しているため、樹脂１２９Ａが樹脂１２９Ｂに接触している部分は容易に破断される。
【０１８１】
しかる後、前記回転ブレードを用いて、樹脂成形品１２９Ａを切断し、バネ部材２５が少なくとも一つ樹脂封止されたバネ固定用樹脂個片２８−６を形成する。
【０１８２】
かかるバネ固定用樹脂個片２８−６に収容されているバネ部材２５は、前記バネ押し用突起部材１４０により押圧された状態に於いて樹脂封止された結果、湾曲した状態をもって樹脂封止されている。
【０１８３】
この様にして、バネ部材２５の突起部２５ａの先端がバネ固定用樹脂個片２８−６の表面よりも内側に位置する構造を、容易且つ効率的に製造することができる。
【０１８４】
なお、かかる製造方法に於いて、前記バネ押し用突起部材１４０の形状は板状に限られず、ピン状或いは棒状としてもよい。また、バネ押し用突起部材１４０の形状・寸法を、バネ部材の形状に対応させて適宜変更することもできる。
【０１８５】
次に、前記半導体装置２００の製造方法について、図２６及び図２７を参照して説明する。
【０１８６】
先ず、周知の半導体製造プロセスが適用されて、シリコン（Ｓｉ）等の半導体材料からなる半導体基板１８の一方の主面に、電子回路形成部１３が形成されてなる半導体素子１２を用意する。（図２６（ａ）参照）
当該電子回路は、トランジスタ等の能動素子、容量素子或いは抵抗素子等の受動素子、ならびにこれらの機能素子を相互に接続する銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）等からなる配線層をもって形成されている。
【０１８７】
当該半導体素子１２の電子回路形成部１３の周囲部分であって多層配線の最上層には、配線に接続された複数の外部接続用電極パッド１９が形成されている。そして、当該外部接続用端子パッド１９上には、ワイヤボンディング技術を用いた所謂ボールボンディング法によって金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、又はこれらの合金等の金属からなる凸状外部接続端子１４が形成される。凸状外部接続端子１４の頂部は、必要に応じて平坦化処理が施される。また、当該凸状外部接続端子１４は、無電解めっき法、或いは電気めっき法等によって被着されたニッケル（Ｎｉ）から構成されていてもよい。
【０１８８】
一方、シリコン（Ｓｉ）若しくはセラミックスを基材とする基板、又はポリイミド基板若しくはガラスクロス入りの有機基板等の有機材料を基材とする基板を用いた配線基板１１を、ボンディングステージ（図示せず）上に、吸着・保持する。
【０１８９】
当該配線基板１１の一方の主面（上面）には、例えばアルミニウム又はこれらの合金等からなるボンディング端子１６が導電層の一部として配設され、また当該配線基板１１の表面には、ボンディング端子１６と同じ材料から構成されるバックアップパターン１７が選択的に形成されている。この時、当該ボンディングステージを加熱して、配線基板１１を約５０℃乃至１００℃に予熱してもよい。
【０１９０】
そして、当該配線基板１１に於ける前記バックアップパターン１７上に、前記バネ固定用樹脂個片２８−１を複数個配設する。この時、当該バネ固定用樹脂個片２８−１は、その内部に収容されているバネ部材２５の突起部２５ａが半導体素子１２の回路形成部１３に対向する方向とされ、接着剤（図示せず）を介してバックアップパターン１７上に固着される。
【０１９１】
尚、配線基板１１として有機材料を基材とする基板を用いる場合には、当該有機材料は、アンダーフィル材２７ならびにバネ固定用樹脂個片２８−１の薬液溶解速度よりも遅い薬液溶解速度を有するよう選択される。
【０１９２】
しかる後、ディスペンサ（図示せず）を用い、ノズル９５から、ペースト状のアンダーフィル材２７を、配線基板１１上及びバネ固定用樹脂個片２８−１上に塗布する。（図２６（ｂ）参照）
次いで、配線基板１１上に、前記半導体素子１２を位置合わせする。（図２６（ｃ）参照）
即ち、外部接続用端子パッド１９上に凸状外部接続端子１４が形成された半導体素子１２の背面（他方の主面）を、予め約１８０℃乃至２６０℃に加熱したボンディングツール９０に、吸着孔９１を介して吸着保持する。そして、当該半導体素子１２の凸状外部接続端子１４と、配線基板１１のボンディング端子１６とを対向せしめ、位置合わせする。
【０１９３】
次いで、ボンディングツール９０を降下し、半導体素子１２の凸状外部接続端子１４を配線基板１１のボンディング端子１６に押圧し、接触させる。（図２７（ｄ）参照）
即ち、半導体素子１２の凸状外部接続端子１４に荷重を印加する。この時、前記アンダーフィル材２７を半導体素子１２の下面全域に流動せしめ、当該半導体素子１２と配線基板１１との間隙部、並びに半導体素子１２の側面外周部に配置し、かかる状態に於いて熱硬化せしめる。
【０１９４】
この時、前記バネ固定用樹脂個片２８−１が、配線基板１１と半導体素子１２との間隙に位置していることにより、当該バネ固定用樹脂個片２８−１により、配線基板１１と半導体素子１２との間隔（距離）が定められる。従って、荷重の印加の際、前記凸状外部接続端子１４が大きく変形することが防止され、当該凸状外部接続端子１４に於けるショート（短絡）の発生を防止することができる。
【０１９５】
尚、半導体素子１２を固着方法としては、かかる荷重の印加・加熱法の他、半導体素子１２に超音波を付与する方法、或いは加熱せずに荷重の印加と超音波を付与する方法を用いることもできる。
【０１９６】
次いで、前記アンダーフィル材２７を加熱硬化せしめる。かかる工程にあっては、処理槽として恒温槽を適用して、加熱温度を例えば約１２０℃乃至１８０℃に設定し、また加熱時間を約３０分乃至９０分に設定する。
【０１９７】
これにより、アンダーフィル材２７は硬化し、半導体素子１２の配線基板１１への実装がなされる。（図２７（ｅ）参照）
なお、前記図２７（ｄ）に示す工程に於いて、アンダーフィル材２７が完全に硬化する場合には、本工程を省略してもよい。
【０１９８】
しかる後、配線基板１１の他方の主面（裏面）に、外部接続端子を構成する半田ボール（図示せず）を複数個配設し、半導体装置２００が形成される。
【０１９９】
３．第３の実施の形態
本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置３００を、図２８に示す。尚、当該半導体装置３００に於いて、前述の二つの実施の形態に於ける部位に対応する部位には同じ符号を付し、その説明を省略する。また、図２８に於いて点線Ａにより囲まれた部分を拡大し、図２９に示す。図２９に於いては、封止樹脂３１１の図示を省略している。
【０２００】
本実施の形態にあっては、配線基板１１上に搭載された半導体素子３０１の上に半導体素子１２が実装され、当該半導体素子３０１と半導体素子１２との間隙に、２つのバネ部材２５が配設されている。即ち、配線基板１１の一方の主面上に、接着剤３０２を介して半導体素子３０１が搭載されている。
【０２０１】
当該半導体素子３０１は、前記半導体素子１２と同様に、周知の半導体製造プロセスが適用されて、シリコン（Ｓｉ）等の半導体材料から構成された半導体基板３０３の一方の主面に多層配線構造からなる電子回路形成部３０４が形成されている。当該電子回路形成部３０４の多層配線の最上層には、配線に接続された複数の外部接続用電極パッド３０５が配設されている。
【０２０２】
そして、当該半導体素子３０１の上には、フリップチップ（フェイスダウン）方式をもって半導体素子１２が搭載され、当該半導体素子１２の外部接続用電極パッド１９と半導体素子３０１の外部接続用電極パッド３０５は、錫（Ｓｎ）を主体とする半田から構成された半田バンプ３０６により接続されている。
【０２０３】
半田バンプ３０６は、例えば、電解めっき法、転写法、又は印刷法等により形成することができる。
【０２０４】
なお、半導体素子１２の外部接続用電極パッド１９又は半導体素子３０１の外部接続用電極パッド３０５の下には、例えば、ニッケル、チタン／銅／ニッケル（Ｎｉ／Ｔｉ／Ｃｕ／Ｎｉ）、又はチタン／クロム／銅／ニッケル（Ｔｉ／Ｃｒ／Ｃｕ／Ｎｉ）等の下地金属層（ＵＢＭ：Ｕｎｄｅｒ  Ｂｕｍｐ  Ｍｅｔａｌ）を配設してもよい。
【０２０５】
半導体素子３０１の電子回路形成部３０４上並びに半導体素子１２の電子回路形成部１３上であって、その外部接続用電極パッド１９よりも内側には、それぞれスペーサ樹脂２６が配設されている。
【０２０６】
そして、半導体素子３０１の電子回路形成部３０４上に配設されたスペーサ樹脂２６と、半導体素子１２の電子回路形成部１３上に配設されたスペーサ樹脂２６との間には、２つのバネ部材２５が配置されている。
【０２０７】
図２９に示される様に、一方のバネ部材２５の突起部２５ａは、半導体素子３０１上に配設されたスペーサ樹脂２６に対向しており、他方のバネ部材２５の突起部２５ａは、半導体素子１２上に配設されたスペーサ樹脂２６に対向している。そして、当該半導体素子１２と半導体素子３０１との間隙には、熱硬化性樹脂接着剤等からなるアンダーフィル材２７が充填され、両半導体素子の接続を補強している。
【０２０８】
また、半導体素子３０１上面の縁部近傍に設けられた外部接続用電極パッド３０５と、配線基板１２の一方の主面（表面）に設けられたボンディング端子１６とは、金（Ａｕ）ワイヤ等のボンディングワイヤ３１０により接続され、更に、配線基板１１の一方の主面ならびに半導体素子３０１及び半導体素子１２は、エポキシ樹脂等の封止樹脂３１１により樹脂封止されている。
【０２０９】
当該配線基板１１の他方の主面（裏面）には、選択的に導電層が設けられ（図示せず）、当該導電層には、半田を主体とする球状電極端子からなる外部接続端子３２０が複数個配設されている。
【０２１０】
この様な構造を有する半導体装置３００から、半導体素子１２及び／或いは半導体素子３０１を取り出すべく、アンダーフィル材２７等を薬液により溶解除去すると、スペーサ樹脂２６も溶解する。
【０２１１】
この時、薬液によりアンダーフィル材２７及びスペーサ樹脂２６は溶解するが、スペーサ樹脂２６は、その薬液溶解速度がアンダーフィル材２７の薬液溶解速度と同等又は高い樹脂材から形成されている。従って、アンダーフィル材２７が全て溶解する前に、スペーサ樹脂２６が溶解除去され、圧縮されていたバネ部材２５は弾性回復する。
【０２１２】
即ち、当該アンダーフィル材２７ならびにスペーサ樹脂２６の溶解は、半導体素子１２の外周部から漸次進行するが、当該半導体素子１２と半導体素子３０１との間の距離は、半田バンプ３０６により維持される。これにより、アンダーフィル材２７ならびにスペーサ樹脂２６が溶解・除去されても、半導体素子１２と半導体素子３０１との間には、当初の間隔が維持される。
【０２１３】
この結果、図３０に示すように、半田バンプ３０６によって支持された半導体素子１２と半導体素子３０１との間隙に於いて圧縮されていたバネ部材２５のそれぞれは弾性回復し、当該バネ部材２５の突起部２５ａによって、半導体素子１２の電子回路形成部１３ならびに半導体素子３０１の電子回路形成部３０４は破壊される。
【０２１４】
即ち、図３０に於いて、左側に位置するバネ部材２５は、一端が半導体素子１２に支持された状態で下方に伸張し、その突起部２５ａにより半導体素子３０１の電子回路形成部３０４が破壊される。また図中、右側に位置するバネ部材２５は、一端が半導体素子３０１に支持された状態で上方向に伸張し、その突起部２５ａにより半導体素子１２の電子回路形成部１３が破壊される。
【０２１５】
この様に、本発明は、半導体装置３００の如き所謂チップ積層型の半導体装置にも適用することができる。従って、多機能化及び高機能化がなされた半導体装置から、第三者が不正な手段により半導体素子を取り出し、その内部を解析することを防止することが可能である。しかも、当該半導体装置の厚みを不要に増加することがなく、半導体装置ならびに電子機器の小型化ならびに薄型化に対応することができる。
【０２１６】
４．第４の実施の形態
本発明の第４の実施の形態に係る半導体装置４００を、図３１に示す。なお、当該半導体装置４００に於いて、前記実施の形態に於ける部位に対応する部位には同じ符号を付し、その説明を省略する。また、図３１に於いて点線Ａにより囲まれた部分を拡大して図３２に示す。図３２に於いては、封止樹脂３１１の図示を省略している。
【０２１７】
本実施の形態に於いては、バネ部材７５を複数個樹脂封止してなる板状のバネ固定用樹脂個片２８−８を、半導体素子３０１と半導体素子１２との間隙に配設している。当該バネ固定用樹脂個片２８−８に内包された複数個のバネ部材７５は、その突起部７５ａの突出方向が異なり、あるバネ部材７５の突起部７５ａは半導体素子３０１方向に向いており、また他のバネ部材７５の突起部７５ａは、半導体素子１２方向を向いている。（図１８参照）
この様な構造を有する半導体装置４００から、半導体素子１２及び半導体素子３０１を取り出すべく、アンダーフィル材２７等を薬液により溶解除去すると、バネ固定用樹脂個片２８−８は、その薬液溶解速度がアンダーフィル材２７の薬液溶解速度と同等以上の樹脂材から形成されているため、アンダーフィル材２７が全て溶解すると同時或いはこれよりも前に溶解除去される。この結果、半導体素子１２と半導体素子３０１との間隙において、圧縮されていたバネ部材７５は弾性回復する。
【０２１８】
この時、当該アンダーフィル材２７ならびにバネ固定用樹脂個片２８−８の溶解は、半導体素子１２の外周部から漸次進行するが、当該半導体素子１２と半導体素子３０１との間の距離は、半田バンプ３０６により維持される。即ち、アンダーフィル材２７ならびにスペーサ樹脂２６が溶解・除去されても、半導体素子１２と半導体素子３０１との間には、当初の間隔が維持される。
【０２１９】
従って、図３３に於いて左側に位置するバネ部材７５は、一端が半導体素子１２に支持された状態で下方向に伸張し、その突起部７５ａにより半導体素子３０１の電子回路形成部３０４を破壊する。一方、同図に於いて、右側に位置するバネ部材７５は、一端が半導体素子３０１に支持された状態で上方向に伸張し、その突起部７５ａにより半導体素子１２の電子回路形成部１３を破壊する。
【０２２０】
５．第５の実施の形態
本発明の第５の実施の形態に係る半導体装置５００を、図３４に示す。なお、当該半導体装置５００に於いて、前記実施の形態に於ける部位に対応する部位には同じ符号を付し、その説明を省略する。また、図３４に於いて点線Ａにより囲まれた部分を拡大して図３５に示す。図３５に於いては、封止樹脂３１１の図示を省略している。
【０２２１】
本実施の形態に於いては、半導体素子３０１の表面に配設されたスペーサ樹脂２６と半導体素子１２の表面に設けられたスペーサ樹脂２６との間に、断面形状が略「Ｖ」字状（屈曲部が円弧状であるＶ字状）を有する圧縮バネであり、伸長方向の両端部に鋭角形状を有する突起部５５ａ、５５ｂが形成されているバネ部材５５（図５（ｅ）参照）が、複数個配設されている。
【０２２２】
この様な構造を有する半導体装置５００に於いて、半導体素子１２及び半導体素子３０１を取り出すべく、アンダーフィル材２７等を薬液により溶解除去すると、スペーサ樹脂２６も溶解する。
【０２２３】
この結果、図３６に示す様に、半田バンプ３０６によって支持された半導体素子１２と半導体素子３０１との間隙において圧縮されていたバネ部材５５は弾性回復し、突起部５５ａにより半導体素子１２の電子回路形成部１３が、また突起部５５ｂにより半導体素子３０１の電子回路形成部３０４が破壊される。
【０２２４】
当該アンダーフィル材２７ならびにスペーサ樹脂２６の溶解は、半導体素子１２の外周部から漸次進行するが、当該半導体素子１２と半導体素子３０１との間の距離は、半田バンプ３０６により維持される。即ち、アンダーフィル材２７ならびにスペーサ樹脂２６が溶解・除去されても、半導体素子１２と半導体素子３０１との間には、当初の間隔が維持される。
【０２２５】
従って、アンダーフィル材２７ならびにスペーサ樹脂２６の溶解により露出したバネ部材５５が弾性回復により伸長する際、当該バネ部材５５の両端に於ける突起部５５ａならびに突起部５５ｂにより、半導体素子１２に於ける電子回路形成部１３ならびに半導体素子３０１に於ける電子回路形成部３０４は確実に破壊される。
【０２２６】
また、この時、突起部５５ａならびに突起部５５ｂが、鉛直方向に略同じ箇所に位置して配置されているため、破壊すべき部位が鉛直方向に重なる位置にある場合でも、バネ部材５５により、双方ともに破壊することができる。
【０２２７】
従って、部品点数を減少させても、半導体素子１２の電子回路形成部１３ならびに半導体素子３０１の電子回路形成部３０４を破壊することができる。
【０２２８】
また、半導体素子３０１と半導体素子１２との間隙に、当該バネ部材５５を２個以上、またより高密度に配設することもできる。これにより、半導体素子１２の電子回路形成部１３ならびに半導体素子３０１の電子回路形成部３０４に於ける破壊箇所数を増加せしめ、破壊をより確実に実施することができる。
【０２２９】
６．第６の実施の形態
本発明の第６の実施の形態に係る半導体装置６００を、図３７に示す。なお、当該半導体装置６００に於いて、前術の実施の形態に於ける部位に対応する部位には同じ符号を付し、その説明を省略する。また、図３７に於いて点線Ａにより囲まれた部分を拡大して図３８に示す。図３８に於いては、封止樹脂３１１の図示を省略している。
【０２３０】
本実施の形態に於いては、半導体素子３０１上に、半導体素子１２の電子回路非形成面が接着剤４６０を介して固着されており、当該半導体素子３０１と半導体素子１２との間であって、当該半導体素子１２の外周部近傍に、複数個のバネ部材７５を樹脂封止してなるバネ固定用樹脂個片２８−９（図１７参照）が、複数個配設されている。
【０２３１】
バネ固定用樹脂個片２８−９に樹脂封止されているバネ部材７５の突起部７５ａは、何れも半導体素子３０１の表面に於ける電子回路形成部３０４に対向している。
【０２３２】
尚、半導体素子３０１上に固着されている半導体素子１２の電子回路形成部１３に設けられた外部接続用電極パッド１９と、配線基板１１の外周近傍に設けられたボンディング端子１６との間は、金（Ａｕ）ワイヤ等のボンディングワイヤ４６５により接続されており、更に、配線基板１１の表面、半導体素子３０１及び半導体素子１２は、エポキシ樹脂等の封止樹脂３１１により樹脂封止されている。
【０２３３】
この様な構造を有する半導体装置６００から、半導体素子３０１を取り出すべく、接着剤４６０ならびにバネ固定用樹脂個片２８−９等を薬液により溶解除去すると、バネ固定用樹脂個片２８−９も溶解する。この結果、図３９に示すように、圧縮されていたバネ部材７５は弾性回復し、一端が半導体素子１２に支持された状態のバネ部材７５の突起部７５ａにより、半導体素子３０１の電子回路形成部３０４は破壊される。
【０２３４】
この時、当該接着剤４６０ならびにバネ固定用樹脂個片２８−９の溶解は、半導体素子１２の外周部から漸次進行してゆく。従って、当該接着剤４６０は、その周囲部が溶解・除去されてから、半導体素子３０１ならびに半導体素子１２の中央部に位置する部位が溶解されるに至る時間は長い。即ち、残存している接着剤４６０により、半導体素子３０１と半導体素子１２との間には、当初の間隔が維持されている。
【０２３５】
このため、バネ固定用樹脂個片２８−９の溶解により露出したバネ部材７５が弾性回復により伸長する際、当該バネ部材７５の一端は、半導体素子５２０により支持され、当該バネ部材７５の突起部７５ａにより、半導体素子３０１に於ける電子回路形成部３０４は確実に破壊される。
【０２３６】
７．第７の実施の形態
本発明の第７の実施の形態に係る半導体装置７００を、図４０に示す。尚、当該半導体装置７００に於いて、前術の実施の形態に於ける部位に対応する部位には同じ符号を付し、その説明を省略する。また、図４０に於いて点線Ａにより囲まれた部分を拡大して図４１に示す。尚、図４１に於いては、封止樹脂３１１の図示は省略している。
【０２３７】
本実施の形態に於いては、配線基板１１上に接着剤３０２を介して固着された半導体素子３０１上に、接着剤５１０を介して、複数個のバネ部材７５を樹脂封止してなる板状のバネ固定用樹脂個片２８−１０（図１７参照）が固着されている。
【０２３８】
そして、当該バネ固定用樹脂個片２８−１０上に、接着剤５１５を介して、半導体素子３０１より若干大きい寸法を有する半導体素子５２０が搭載されている。バネ固定用樹脂個片２８−１０に樹脂封止されているバネ部材７５の突起部７５ａは、何れも半導体素子３０１の表面に於ける電子回路形成部３０４に対向している。
【０２３９】
当該半導体素子５２０は、半導体素子３０１と同様に、周知の半導体製造プロセスが適用されて、シリコン（Ｓｉ）等の半導体材料から構成された半導体基板５２１の一方の主面に多層配線構造からなる電子回路形成部５２５が形成されている。そして、当該電子回路形成部５２５の多層配線の最上層には、配線に接続された複数の外部接続用電極パッド５３０が配設されている。
【０２４０】
そして、当該半導体素子５２０の外部接続用電極パッド５３０と、配線基板１１に設けられたボンディング端子１６は、金（Ａｕ）ワイヤ等のボンディングワイヤ４６５により接続され、更に、配線基板１１の表面、半導体素子３０１及び半導体素子５２０は、エポキシ樹脂等の封止樹脂３１１により樹脂封止されている。
【０２４１】
この様な構造を有する半導体装置７００から、半導体素子３０１を取り出すべく、接着剤３０２、５１５ならびに接着剤５１０を薬液により溶解除去すると、バネ固定用樹脂個片２８−１０も溶解する。
【０２４２】
この結果、図４２に示すように、圧縮されていたバネ部材７５は弾性回復し、一端が半導体素子５２０に支持された状態のバネ部材７５の突起部７５ａにより、半導体素子３０１の電子回路形成部３０４は破壊される。
【０２４３】
この時、当該接着剤３０２、５１５、接着剤５１０の溶解、ならびにバネ固定用樹脂個片２８−１０の溶解は、半導体素子３０１ならびに半導体素子５２０の外周部から漸次進行してゆく。従って、これらの接着剤ならびにバネ固定用樹脂個片２８−１０は、その周囲部が溶解・除去されても、半導体素子３０１と半導体素子５２０との対向部の中央に位置する部位が溶解されるに至る時間は長い。
【０２４４】
即ち、残存している接着剤ならびにバネ固定用樹脂個片２８−１０により、半導体素子３０１と半導体素子５２０との間には、当初の間隔が維持されている。このため、バネ固定用樹脂個片２８−１０の溶解により露出したバネ部材７５が弾性回復により伸長する際、当該バネ部材７５の一端は、半導体素子５２０により支持され、半導体素子３０１に於ける電子回路形成部３０４は確実に破壊される。
【０２４５】
本実施の形態にあっては、バネ固定用樹脂個片２８−１０をスペーサとしても用いており、ボンディングワイヤ３１０による接続を行った半導体素子３０１の上方に、当該半導体素子３０１と同等のサイズ、又はこれよりも大きな寸法を有する半導体素子を積層して配設することができる。従って、チップ積層型半導体装置に於ける半導体素子の組合せの自由度を高めることができる。
【０２４６】
８．本発明の第８の実施の形態
本発明の第８の実施の形態に係る半導体装置８００を、図４３に示す。当該半導体装置８００に於いても、前術の実施の形態に於ける部位に対応する部位には同じ符号を付し、その説明を省略する。尚、図４３に於いて点線Ａにより囲まれた部分を拡大して図４４に示す。
【０２４７】
本実施の形態にあっては、配線基板１１上に接着剤３０２を介して固着された半導体素子３０１上に、バネ部材６０を樹脂封止してなる板状のバネ固定用樹脂個片２８−１１が複数個配設されている。
【０２４８】
そして、配線基板１１の表面、及びバネ固定用樹脂個片２８−１１を除く半導体素子３０１上には、エポキシ樹脂等の封止樹脂３１１が配設され、当該封止樹脂３１１の上面及びバネ固定用樹脂個片２８−１１の上面に接して、板状の放熱体（ヒートスプレッダ）６５０が配設されている。当該放熱体６５０は、銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）、アルミニウム（Ａｌ）、若しくはニッケル（Ｎｉ）等の金属及びこれらの合金、又はアルミナ、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、若しくはムライト等のセラミックス等から形成される。
【０２４９】
そして、バネ固定用樹脂個片２８−１１内に封止されているバネ部材６０は、断面が略「Ｚ」字状を有し、その伸長部の外側面に、硬質粒材が分散固定されて、突起部６０ａが形成されている。（図６（ａ）、図１６（ａ）参照）
この様な構造を有する半導体装置８００から、半導体素子３０１を取り出すべく、接着剤３０２及びバネ固定用樹脂個片２８−１１等を薬液により溶解除去すると、バネ固定用樹脂個片２８−１１も溶解する。この結果、図４５に示すように、圧縮されていたバネ部材６０は弾性回復し、一端が放熱板部６５０に支持された状態のバネ部材６０の突起部６０ａにより、半導体素子３０１の電子回路形成部３０４は破壊される。
【０２５０】
この様な本実施の形態にあっては、金属からなるバネ部材６０は伝導路としても機能し、半導体素子３０１の動作時に生じる熱は当該バネ部材６０を介して放熱体６５０に伝導される。従って、当該半導体装置８００の動作時に発生する熱は、効率良く放散される。
【０２５１】
以上、本発明の実施の形態について開示したが、本発明は特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された発明の要旨の範囲内に於いて、種々の変形及び変更することが可能である。
【０２５２】
以上の説明に関し、更に以下の項を開示する。
（付記１）
半導体素子と、
前記半導体素子の電子回路形成部に対向して配置された板状部材と、
前記半導体素子と前記板状部材との間に、圧縮状態で配設された弾性体と、を備え、
前記弾性体は、前記弾性体の伸長方向の一端に、前記半導体素子の前記電子回路形成部に対向して形成された少なくとも１つの突起部を有し、
前記半導体素子と前記板状部材とは接着剤により固着されていることを特徴とする半導体装置。
（付記２）
付記１記載の半導体装置であって、
前記弾性体は、前記半導体素子と前記板状部材とが少なくとも一部の箇所で接続された状態で、弾性回復して前記弾性体の前記突起部が前記半導体素子の前記電子回路形成部に接触することを特徴とする半導体装置。
（付記３）
付記１又は２記載の半導体装置であって、
前記半導体素子と前記板状部材との間に配置される可溶性部材を備えることを特徴とする半導体装置。
（付記４）
付記３記載の半導体装置であって、
前記可溶性部材は、前記弾性体と前記半導体素子との間に配置される第１の樹脂部であることを特徴とする半導体装置。
（付記５）
付記１乃至４いずれか一項記載の半導体装置であって、
前記板状部材に形成された電極端子と、前記半導体素子の前記電子回路形成部に形成された外部接続端子とは、バンプを介して接合されていることを特徴とする半導体装置。
（付記６）
付記４記載の半導体装置であって、
前記第１の樹脂部の厚さは、前記弾性体が前記圧縮状態から解放されて伸長する長さよりも小さいことを特徴とする半導体装置。
（付記７）
付記３記載の半導体装置であって、
前記可溶性部材は、前記弾性体のうち、少なくとも前記突起部を封止する第２の樹脂部であることを特徴とする半導体装置。
（付記８）
付記７記載の半導体装置であって、
前記第２の樹脂部は、前記半導体素子の中心部分を除いた箇所に配設されることを特徴とする半導体装置。
（付記９）
付記８記載の半導体装置であって、
前記外部接続端子と前記電極端子とは、再溶融性を有する導電部材又は圧着により接合されていることを特徴とする半導体装置。
（付記１０）
付記７記載の半導体装置であって、
前記第２の樹脂部の上面には、前記弾性体に到達する凹部が形成され、
前記弾性体の前記突起部は、前記第２の樹脂部の上面よりも下側に位置していることを特徴とする半導体装置。
（付記１１）
付記１０記載の半導体装置であって、
前記凹部は、前記第２の樹脂部の上面において前記第２の樹脂部の幅方向に延びており、前記第２の樹脂部の側面に連通していることを特徴とする半導体装置。
（付記１２）
付記１乃至１１いずれか一項記載の半導体装置であって、
前記板状部材の、前記半導体素子と対向する面には、電子回路形成部が形成され、
前記弾性体は、前記伸長方向の他端に、前記板状部材の電子回路形成部に対向して形成された少なくとも１つの突起部を有していることを特徴とする半導体装置。
（付記１３）
付記１２記載の半導体装置であって、
前記弾性体は複数設けられ、
少なくとも１つの弾性体の突起部は、前記板状部材の電子回路形成部と対向していることを特徴とする半導体装置。
（付記１４）
付記１３記載の半導体装置であって、
前記弾性体と前記板状部材との間に、前記第２の樹脂部が設けられていることを特徴とする半導体装置。
（付記１５）
付記４記載の半導体装置であって、
前記接着剤及び前記第１の樹脂部は、硝酸、硫酸、及びこれらの混酸から構成される群から選択される物質からなる薬液により溶解し、
前記薬液による前記第１の樹脂部の溶解速度は、前記薬液による前記接着剤の溶解速度以上の速度であることを特徴とする半導体装置。
（付記１６）
付記７又は８記載の半導体装置であって、
前記接着剤及び前記第２の樹脂部は、硝酸、硫酸、及びこれらの混酸から構成される群から選択される物質からなる薬液により溶解し、
前記薬液による前記第２の樹脂部の溶解速度は、前記薬液による前記接着剤の溶解速度以上の速度であることを特徴とする半導体装置。
（付記１７）
板状部材と半導体素子の電子回路形成部との隙間に、圧縮状態の弾性体を、前記弾性体の伸長方向の端部に形成された突起部が前記電子回路形成部に対向する姿勢で配置する工程と、
前記板状部材と前記半導体素子と接着剤により固着する工程と、
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記１８）
板状部材と半導体素子の電子回路形成部との間に、可溶性部材に保持された圧縮状態の弾性体を、前記弾性体に形成された突起部が前記可溶性部材に対向する姿勢で配置する工程と、
前記板状部材と前記半導体素子とを接着剤により固定する工程と、
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記１９）
付記１８記載の半導体装置の製造方法であって、
前記板状部材と前記半導体素子の電子回路形成部との隙間に前記弾性体を配置する工程の前に、前記電子回路形成部に可溶性部材を形成する工程とを具備し、
前記弾性体は、前記板状部材と前記半導体素子とに加重をかけることにより圧縮状態とすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記２０）
付記２２記載の半導体装置の製造方法であって、
前記半導体素子の外部接続端子と前記板状部材の端子とを、再溶融性を有する導電部材によって被覆することによって、前記半導体素子の前記外部接続端子と前記板状部材の前記端子とを接合することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【図面の簡単な説明】
【０２５３】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の部分断面図である。
【図２】圧縮状態から解放された、図１に示すバネ部材の斜視図である。
【図３】図１に示す半導体装置における、バネ部材による半導体素子の回路形成面の破壊を示す部分断面図である。
【図４】図１に示すバネ部材の変形例（その１）を示す斜視図である。
【図５】図１に示すバネ部材の変形例（その２）乃至（その６）を示す断面図である。
【図６】図１に示すバネ部材の変形例（その７）及び（その８）を示す断面図である。
【図７】図１に示すバネ部材の変形例（その９）を示す斜視図である。
【図８】図１に示すバネ部材の変形例（その１０）を示す斜視図である。
【図９】図１に示すバネ部材の変形例（その１１）を示す斜視図である。
【図１０】図１に示すバネ部材の変形例（その１２）を示す図である。
【図１１】図１に示す半導体装置の製造方法を説明するための図（その１）である。
【図１２】図１に示す半導体装置の製造方法を説明するための図（その２）である。
【図１３】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の部分断面図である。
【図１４】図１３に示すバネ部材を被覆するバネ固定用樹脂部を示す図である。
【図１５】図１３に示す半導体装置における、バネ部材による半導体素子の回路形成面の破壊を示す部分断面図である。
【図１６】図１３に示すバネ部材を被覆するバネ固定用樹脂部の変形例（その１）及び（その２）を示す断面図である。
【図１７】図１３に示すバネ部材を被覆するバネ固定用樹脂部の変形例（その３）を示す図である。
【図１８】図１３に示すバネ部材を被覆するバネ固定用樹脂部の変形例（その４）を示す断面図である。
【図１９】図１３に示すバネ部材を被覆するバネ固定用樹脂部の変形例（その５）を示す図である。
【図２０】図１３に示すバネ部材を被覆するバネ固定用樹脂部の変形例（その６）を示す斜視図である。
【図２１】バネ部材を樹脂封止するバネ固定用樹脂部の製造方法（その１）を説明するための図（その１）である。
【図２２】バネ部材を樹脂封止するバネ固定用樹脂部の製造方法（その１）を説明するための図（その２）である。
【図２３】バネ部材を樹脂封止するバネ固定用樹脂部の製造方法（その１）を説明するための図（その３）である。
【図２４】バネ部材を樹脂封止するバネ固定用樹脂部の製造方法（その２）を説明するための図（その１）である。
【図２５】バネ部材を樹脂封止するバネ固定用樹脂部の製造方法（その２）を説明するための図（その２）である。
【図２６】図１３に示す半導体装置の製造方法を説明するための図（その１）である。
【図２７】図１３に示す半導体装置の製造方法を説明するための図（その２）である。
【図２８】本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の部分断面図である。
【図２９】図２８において点線Ａで囲んだ部分の拡大図である。
【図３０】図２８に示す半導体装置における、バネ部材による半導体素子の回路形成面の破壊を示す部分断面図である。
【図３１】本発明の第４の実施の形態に係る半導体装置の部分断面図である。
【図３２】図３１において点線Ａで囲んだ部分の拡大図である。
【図３３】図３１に示す半導体装置における、バネ部材による半導体素子の回路形成面の破壊を示す部分断面図である。
【図３４】本発明の第５の実施の形態に係る半導体装置の部分断面図である。
【図３５】図３４において点線Ａで囲んだ部分の拡大図である。
【図３６】図３４に示す半導体装置における、バネ部材による半導体素子の回路形成面の破壊を示す部分断面図である。
【図３７】本発明の第６の実施の形態に係る半導体装置の部分断面図である。
【図３８】図３７において点線Ａで囲んだ部分の拡大図である。
【図３９】図３７に示す半導体装置における、バネ部材による半導体素子の回路形成面の破壊を示す部分断面図である。
【図４０】本発明の第７の実施の形態に係る半導体装置の部分断面図である。
【図４１】図４０において点線Ａで囲んだ部分の拡大図である。
【図４２】図４０に示す半導体装置における、バネ部材による半導体素子の回路形成面の破壊を示す部分断面図である。
【図４３】本発明の第８の実施の形態に係る半導体装置の部分断面図である。
【図４４】図４３において点線Ａで囲んだ部分の拡大図である。
【図４５】図４３に示す半導体装置における、バネ部材による半導体素子の回路形成面の破壊を示す部分断面図である。
【符号の説明】
【０２５４】
１１                        配線基板
１２、３０１                半導体素子
１３、３０４、５２５        電子回路形成部
１４、３２０                外部接続端子
１６                        ボンディング端子
１９、３０５                外部接続用電極パッド
２０                        導電部材
２５、３０、３５、４０、４５、５０、５５、６０        バネ部材
２５ａ、３０ａ、３５ａ、４０ａ、４５ａ、５０ａ、５５ａ、５５ｂ、６５ａ、６５ｂ      突起部
２６                        スペーサ樹脂
２７                        アンダーフィル材
２８                        バネ部材固定用樹脂個片
３１、３２                  凹部
１００、２００、３００、４００、５００、６００、７００、８００    半導体装置
３０６                      半田バンプ
６５０                      放熱板部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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