(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の第１の面の上方に設けられた走査線と、
前記第１の面の上方に前記走査線と交差して設けられたデータ線と、
前記走査線又は前記データ線と同一の層に位置する第１遮光膜と、
前記第１遮光膜の上方に設けられた絶縁膜と、
前記絶縁膜の上方に設けられたアライメントマークと、
前記絶縁膜の上方に設けられた第２遮光膜と、を有し、
前記基板は、前記第１の面に対して垂直な方向から見た平面視において、
画像表示をするための画素領域と、
前記画素領域の周囲に位置する周辺領域と、を含み、
前記第２遮光膜は、前記周辺領域のうち前記基板の角部近傍において、前記第１遮光膜と重なる部分に開口部又は切欠き部を有し、
前記アライメントマークは、前記第１の面に対して垂直な方向から見た平面視において、前記開口部又は前記切欠き部の内部に位置し、
前記第１遮光膜の前記基板と逆側の面の反射率が、前記アライメントマークの前記基板と逆側の面の反射率よりも低いことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
請求項１に記載の電気光学装置において、
前記第１遮光膜は、複数の層が積層された膜であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
請求項２に記載の電気光学装置において、
前記複数の層は、アルミニウムからなる層と、窒化チタンからなる層と、を含むことを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載の電気光学装置において、
前記絶縁膜は、窒化ケイ素を含むことを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載の電気光学装置において、
前記アライメントマークと前記第２遮光膜とは同一の層に位置することを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
請求項５に記載の電気光学装置において、
前記第２遮光膜は複数の層が積層された膜であり、
前記アライメントマークは、前記第２遮光膜よりも少ない層の膜であり、
前記アライメントマークの前記基板と逆側の面の反射率は、前記第２遮光膜の前記基板と逆側の面の反射率と異なる反射率であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置、及び該電気光学装置を備えた、例えば液晶プロジェクタ等の電子機器に関し、特に、電気光学装置を製造する際に、該電気光学装置を構成する基板の位置決めをするためのアライメントマークの技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置には、該電気光学装置を構成する一対の基板をアライメントするためのアライメントマークが各基板に形成されている。例えば特許文献１には、一対の基板のうち一方の基板には、該基板の遮光領域内に窓枠形状の開口パターンからなるアライメントマークが形成されており、他方の基板には、中心指向形状の幾何パターンからなるアライメントマークが形成されている、電気光学装置の一例としての積層光学パネルが記載されている。
【０００３】
【特許文献１】特開平７−９２４５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら上述の背景技術によれば、アライメントマーク部分は遮光膜を除去しているため、例えば電気光学装置の小型化に伴い、画素領域及びアライメントマーク間の距離が小さくなるとアライメントマークからの光漏れが、画像表示の際に発生する可能性があるという技術的問題点がある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００６】
［適用例１］本適用例の電気光学装置は、基板と、該基板上に、画素領域の周囲に、開口部又は切り欠き部を有する額縁遮光膜と、前記開口部又は切り欠き部の内側に形成されたアライメントマークと、前記基板側から前記開口部又は切り欠き部を覆うように形成された遮光膜とを備えることを特徴とする。
【０００７】
この構成によれば、例えばＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）基板等の基板上には、該基板上で平面的に見て、額縁遮光膜が、画素領域の周囲を規定する額縁領域に形成されている。ここに「画素領域」とは、個々の画素の領域を意味するのではなく、複数の画素がマトリックス状に配列されてなる領域の全体を意味し、典型的には「画像表示領域」となるべき領域を意味する。額縁遮光膜には、所定箇所例えば平面的に画素領域とシール材が配された領域（以降、シール領域と呼ぶ）との間に、アラインメントマークを配置するための開口部が開けられている又は切り欠かれていてもよい。開口部では、額縁遮光膜が存在しないが故に、額縁遮光膜に遮光されることなく、そのままでは光が通過可能である。開口部は、所定箇所として、基板上で平面的に見て、基板の隅に位置してもよいし、辺に位置してもよい。また、開口部は一つに限らず、複数個開けられても又は切り欠かれてもよい。
【０００８】
基板上で平面的に見て、開口部内にはアライメントマークが形成されている。当該電気光学装置は、例えばＴＦＴ基板と対向する、例えば対向基板を備えており、ＴＦＴ基板上に形成されたアライメントマークと対をなすアライメントマークが対向基板上に形成されている。
【０００９】
開口部遮光膜は、基板上で平面的に見て、開口部を覆うように、アライメントマークが形成されている層とは異なる層に形成されている。
【００１０】
本願発明者の研究によれば、一般に、例えば大型ガラス基板等のマザー基板上にＴＦＴ等の素子を形成し、該素子が形成されたマザー基板上に複数の対向基板を貼り合わせて電気光学装置を製造する場合、対向基板毎にアライメントマークを設けなければならない。
【００１１】
そして、電気光学装置の小型化に伴い、画素領域及びアライメントマーク間の距離が小さくなるとアライメントマークからの光漏れが発生する可能性がある。仮に、画素領域及びアライメントマーク間の距離を大きくするために、例えばシール領域にアライメントマークを形成すると、シール材の影響によりアライメントマークを正しく認識することができないことが判明している。
【００１２】
しかるに本適用例では、基板上で平面的に見て、アライメントマークが形成される開口部を覆うように、額縁遮光膜とは別に（即ち、額縁遮光膜とは別層に）、開口部遮光膜が形成されている。このため、画素領域及びアライメントマーク間の距離が小さくなったとしても、開口部遮光膜によりアライメントマークからの光漏れを防止することができる。他方、開口部遮光膜の反射率をアライメントマークに比べて低くすれば、コントラスト差を利用してアライメントマークを読み取ることができ、アライメントをとることが可能となる。
【００１３】
加えて、開口部遮光膜を、当該電気光学装置を駆動する駆動回路を構成する配線や電気素子等が配置されている層のうちの一層と同一層に形成すれば、開口部遮光膜を形成することによる当該電気光学装置の高さの増加を無くすことができ、基板上における積層構造及び製造工程の複雑高度化をも回避できる。
【００１４】
［適用例２］上記適用例の電気光学装置において、前記開口部遮光膜は、前記アライメントマークを構成する材料よりも低い反射率を有する材料を含んで構成されていることが好ましい。
【００１５】
この態様によれば、反射率の違いによって生じるコントラスト差を利用して、アライメントマークを読み取ることができる。尚、開口部遮光膜は、アライメントマークを構成する材料よりも高い光吸収率を有する材料を含んで構成されてもよい。
【００１６】
［適用例３］上記適用例の電気光学装置では、前記画素領域において互いに交差するデータ線及び走査線を更に備え、前記開口部遮光膜は、前記データ線又は前記走査線と同一層に形成されていることが好ましい。
【００１７】
この態様によれば、開口部遮光膜を形成することによって、当該電気光学装置の高さが増加することを防止することができ、実用上非常に有利である。加えて、当該電気光学装置の製造工程において、開口部遮光膜をデータ線又は走査線と同時に形成することができ、開口部遮光膜を形成するために工程数が増加することを防止することができ、実用上非常に有利である。
【００１８】
［適用例４］上記適用例の電気光学装置において、前記開口部は、前記所定箇所として、前記基板の隅に開けられている。
【００１９】
この態様によれば、開口部は、基板上で平面的に見て、基板の隅に開けられている、即ち、基板の隅にアライメントマークが形成されている。開口部は、典型的には、基板の四隅夫々、或いは、対角線上に位置する二隅夫々に開けられている。
【００２０】
［適用例５］上記適用例の電気光学装置において、前記アライメントマークは、前記基板上において、前記開口部遮光膜より上層側に形成されている。
【００２１】
この態様によれば、アライメントマークは、開口部遮光膜より上層側に形成されている。言い換えれば、基板とアライメントマークが形成されている層との間に、開口部遮光膜が形成された層が配置されている。したがって、開口部側から入射した光は開口部遮光膜により遮光され、基板側に射出（光漏れ）することはない。あるいは、基板側から入射した光は、開口部遮光膜により遮光され、開口部側に射出（光漏れ）することはない。
【００２２】
［適用例６］本適用例の電子機器は、上記適用例の電気光学装置（但し、その各種態様を含む）を備えることを特徴とする。
【００２３】
この構成によれば、上記適用例の電気光学装置を備えてなるので、アライメントマークからの光漏れを防止しつつ、小型化に適した、投射型表示装置、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下図１乃至図７を参照しながら、本発明に係る電気光学装置及び電子機器の各実施形態を説明する。尚、以下の図では、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。また、本実施形態では、電気光学装置の一例として、駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリックス駆動方式の液晶装置を例に挙げる。
【００２５】
先ず、本実施形態に係る液晶装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。ここに図１は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ’線断面図である。
【００２６】
図１及び図２において、本実施形態に係る液晶装置１００では、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０が対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば、石英基板、ガラス基板、シリコン基板等の透明基板からなり、対向基板２０は、例えば、石英基板、ガラス基板等の透明基板からなる。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、本発明に係る「画素領域」の一例としての画像表示領域１０ａの周囲に設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【００２７】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂や熱硬化樹脂、又は紫外線・熱併用型硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（即ち、ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が混入されている。尚、ギャップ材を、シール材５２に混入されるものに加えて若しくは代えて、画像表示領域１０ａ又は画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域に、配置するようにしてもよい。
【００２８】
図１において、シール材５２が配置されたシール領域５２ａの内側に並行して、画像表示領域１０ａを規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。額縁遮光膜５３が形成された額縁領域５３ａは、ＴＦＴアレイ基板上で平面的に見て、矩形枠形状を有している。
【００２９】
周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域５２ａの外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。この一辺に沿ったシール領域５２ａよりも内側に、サンプリング回路７が額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿ったシール領域５２ａの内側の額縁領域５３ａに、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。また、後述するアライメントマークが、額縁遮光膜５３の隅部とシール領域５２ａとの間に設けられている。
【００３０】
ＴＦＴアレイ基板１０上には、対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域に、両基板間を上下導通材１０７で接続するための上下導通端子１０６が配置されている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。更に、外部回路接続端子１０２と、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４、上下導通端子１０６等とを電気的に接続するための引回配線９０が形成されている。
【００３１】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、駆動素子である画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成される。この積層構造の詳細な構成については図２では図示を省略してあるが、この積層構造の上に、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）等の透明材料からなる画素電極９ａが、画素毎に所定のパターンで島状に形成されている。
【００３２】
画素電極９ａは、後述する対向電極２１に対向するように、ＴＦＴアレイ基板１０上の画像表示領域１０ａに形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０における液晶層５０の面する側の表面、即ち画素電極９ａ上には、配向膜１６が画素電極９ａを覆うように形成されている。
【００３３】
対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上に、遮光膜２３が形成されている。遮光膜２３は、例えば対向基板２０における対向面上に平面的に見て、格子状に形成されている。対向基板２０において、遮光膜２３によって非開口領域が規定され、遮光膜２３によって区切られた領域が、例えばプロジェクタ用のランプや直視用のバックライトから射出された光を透過させる開口領域となる。尚、遮光膜２３をストライプ状に形成し、該遮光膜２３と、ＴＦＴアレイ基板１０側に設けられたデータ線等の各種構成要素とによって、非開口領域を規定するようにしてもよい。
【００３４】
遮光膜２３上に、ＩＴＯ等の透明材料からなる対向電極２１が複数の画素電極９ａと対向して形成されている。遮光膜２３上に、画像表示領域１０ａにおいてカラー表示を行うために、開口領域及び非開口領域の一部を含む領域に、図２には図示しないカラーフィルタが形成されるようにしてもよい。対向基板２０の対向面上における、対向電極２１上には、配向膜２２が形成されている。
【００３５】
尚、図１及び図２に示したＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４、サンプリング回路７等に加えて、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該液晶装置１００の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
【００３６】
次に、図３を参照して、液晶装置１００を駆動するデータ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０４の構成について具体的に説明する。図３は、本実施形態に係る液晶装置の要部の概略構成を示す概略構成図である。
【００３７】
図３に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０における画像表示領域１０ａには、マトリックス状に配置された複数の画素部１００ｃと、互いに交差して配列された複数の走査線１００ａ及び複数のデータ線１００ｂとが形成されている。尚、ここでは図示しないが、複数の画素部１００ｃの各々は、画素電極９ａと、該画素電極９ａをスイッチング制御するためのＴＦＴと、画素電極９ａに印加された電圧を維持するための蓄積容量とを備えて構成されている。
【００３８】
データ線駆動回路１０１は、入力されるスタートパルスＤＸ及びデータ転送クロックＣＬＸと、サンプリング回路駆動信号とをサンプリング回路７に供給する。サンプリング回路７は、このサンプルリング回路駆動信号に応じて、入力されるデータ信号Ｄｓを、サンプリングする。これらにより、液晶装置１００のデータ線１００ｂに対して、データ信号ｄｉ（ｉ＝１、２、３、…、ｍ）が供給される。走査線駆動回路１０４は、入力されるスタートパルスＤＹ及び走査側転送クロックＣＬＹに基づいて、走査信号Ｇｊ（ｊ＝１、２、３、…、ｎ）を、各段から順次出力する。
【００３９】
尚、走査線駆動回路１０４、及びデータ線駆動回路１０１は、その他にも各種の信号が入出力されるが、本実施形態と特に関係の無いものについては説明を省略する。
【００４０】
次に、図４乃至図６を参照して、本実施形態に係る液晶装置１００におけるアライメントマークについて説明する。図４は、当該液晶装置におけるアライメントマークの位置を示す説明図であり、図５は、アライメントマークの構成を対向基板の側から見た平面図であり、図６は、図５のＡ−Ａ’線断面図である。尚、図４乃至図６では、説明の便宜上、アライメントマークと関係のある構成要素のみを表示し、それ以外の構成要素については省略している。
【００４１】
先ず、図４に示すように、アライメントマーク２００は、額縁領域５３ａの隅であって額縁遮光膜５３が設けられていない位置に設けられている。図４では、図１における左上隅に設けられたアライメントマーク２００を示しているが、本実施形態に係る液晶装置には、他の三隅にも同様のアライメントマーク２００が設けられている。
【００４２】
次に、図５及び図６を参照して、アライメントマーク２００の構成について具体的に説明する。図５に示すように、アライメントマーク２００は、開口部２１１に設けられたＸＹズレ量及びθズレ量を計測するための第１アライメントマーク２２１及び２３１と、開口部２１２に設けられた組みズレ量を計測するための第２アライメントマーク２２２ａ及び２２２ｂ並びに２３２とを備えて構成されている。これらの開口部２１１及び２１２は、配線４００に設けられている。
【００４３】
図６に示すように、第１アライメントマーク２２１はＴＦＴアレイ基板１０上に形成されており、第１アライメントマーク２３１は対向基板２０上に形成されている。また、第２アライメントマーク２２２ａ及び２２２ｂはＴＦＴアレイ基板１０上の第１アライメントマーク２２１が形成されている層と同一層に形成されている。第２アライメントマーク２３２は対向基板２０上の第１アライメントマーク２３１が形成されている層と同一層に形成されている。
【００４４】
第１アライメントマーク２２１、並びに第２アライメントマーク２２２ａ及び２２２ｂは、アルミニウムを含んで形成されている。第１アライメントマーク２３１及び第２アライメントマーク２３２は、アルミニウム−クロム合金又はクロムを含んで形成されている。
【００４５】
図５に示すように、基板上で平面的に見て、開口部２１１及び２１２を覆うように、本発明に係る「開口部遮光膜」の一例としてのマーク遮光膜３００が形成されている。図６に示すように、マーク遮光膜３００は、ＴＦＴアレイ基板１０上において、第１アライメントマーク２２１が形成されている層より下層に、即ちＴＦＴアレイ基板１０側に形成されている。尚、ここでは図示しないが、マーク遮光膜３００が形成されている層と同一層には、走査線１００ａ又はデータ線１００ｂが形成されている。マーク遮光膜３００は、配線４００に開口された開口部２１１及び２１２をＴＦＴアレイ基板１０側から完全に覆うように設けられている。
【００４６】
マーク遮光膜３００は、例えば下層から順にアルミニウムからなる層、窒化チタンからなる層、プラズマ窒化膜からなる層の三層構造を有している。
【００４７】
開口部２１１及び２１２の周囲に、「額縁遮光膜」の一例としての配線４００を含む複数の配線を配置することによって、アライメントマーク２００を除いた部分の遮光を行っている。即ち、複数の配線を配置することによって、額縁遮光膜５３が額縁領域５３ａ全体に設けられている場合と同様の効果を得ることができる。そして、アライメントマーク２００が形成される部分に配線を配置しないことにより、開口部２１１及び２１２が開けられている。
【００４８】
配線４００は、下層にアルミニウムを含んでなる層４００ｂ、上層に窒化チタンを含んでなる層４００ａの二層構造を有している。尚、ここでは図示しないが、平面的に見て、図５における配線間の隙間を覆うように他の層に配線が形成されている。また、図５に示す配線４００等は、具体的には例えば検査回路等の信号配線や電源配線であるが、アライメントマーク２００が形成される位置によっては、例えば、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４、サンプリング回路７等の信号配線や電源配線がアライメントマーク２００の周囲に配置される。
【００４９】
図６に示すように、第１アライメントマーク２２１は、同一層に形成された配線４００と異なり、窒化チタンを含んでなる層を有していない。これは、第１アライメントマーク２２１を、アルミニウムを含んでなる層のみで形成することによって、配線４００に対して第１アライメントマーク２２１の反射率を向上させるためである。
【００５０】
ＴＦＴアレイ基板１０とマーク遮光膜３００が形成されている層との間には層間絶縁膜４１が設けられ、マーク遮光膜３００が形成されている層と第１アライメントマーク２２１等が形成されている層との間には層間絶縁膜４２が設けられ、第１アライメントマーク２２１等が形成されている層の上には層間絶縁膜４３が設けられており、各要素間が短絡することを防止している。また、これら各種の層間絶縁膜４１，４２及び４３には、各層に含まれる配線等を相互に電気的に接続するためのコンタクトホール等が形成されている。
【００５１】
上述の如く、第１アライメントマーク２２１、並びに第２アライメントマーク２２２ａ及び２２２ｂは反射率の比較的高いアルミニウムを含んで形成され、第１アライメントマーク２３１及び第２アライメントマーク２３２は、反射率の比較的高いアルミニウム−クロム合金又はクロムを含んで形成されている。一方、マーク遮光膜３００は、反射率の比較的低い、例えばプラズマ窒化膜が最上層に形成されている。このため、アライメントをとる際に、対向基板２０上方からアライメントマーク２００を見ると、反射率の違いによってコントラスト差が生じ、アライメントマーク２００を認識することができる。
このような液晶装置１００によれば、マーク遮光膜３００によって、対向基板２０側から入射する光がアライメントマーク２００の開口部２１１，２１２からＴＦＴアレイ基板１０側に光漏れすることを防止することができる。これにより、ＴＦＴアレイ基板１０において画素領域または周辺領域に配置されたＴＦＴ（薄膜トランジスタ）が漏れた光で誤動作するなどの不具合を防止することができる。
あるいは、ＴＦＴアレイ基板１０側から入射する光がアライメントマーク２００の開口部２１１，２１２から対向基板２０側へ光漏れすることを防止することができる。これにより、漏れた光で液晶装置１００の光学的な特性が変化することを防止することができる。
【００５２】
＜電子機器＞
次に、図７を参照しながら、上述した液晶装置１００を電子機器の一例であるプロジェクタに適用した場合を説明する。上述した液晶装置１００は、プロジェクタのライトバルブとして用いられている。図７は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。
【００５３】
図７に示すように、本実施形態のプロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶装置１１１０Ｒ，１１１０Ｂ及び１１１０Ｇに入射される。
【００５４】
液晶装置１１１０Ｒ，１１１０Ｂ及び１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置１００と同等の構成を有しており、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶装置１１１０Ｒ，１１１０Ｂ，１１１０Ｇによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、Ｒ及びＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。したがって、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。
【００５５】
ここで、各液晶装置１１１０Ｒ，１１１０Ｂ及び１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶装置１１１０Ｒ，１１１０Ｂによる表示像は、液晶装置１１１０Ｇによる表示像に対して左右反転することが必要となる。
【００５６】
尚、液晶装置１１１０Ｒ，１１１０Ｂ及び１１１０Ｇには、４枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。
【００５７】
また、液晶装置１１１０Ｒ，１１１０Ｂ及び１１１０Ｇは、対向基板側からＲ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するようにダイクロイックプリズム１１１２に対して配置されている。更に、各液晶装置１１１０Ｒ，１１１０Ｂ及び１１１０Ｇの光の入射側と射出側とに偏光素子などの光学素子が配置されることは言うまでもない。
【００５８】
このようなプロジェクタ１１００は、アライメントマーク２００の開口部２１１，２１２からの光漏れが防止されたライトバルブとしての液晶装置１１１０Ｒ，１１１０Ｂ及び１１１０Ｇを備えているので、安定した動作と、優れた投写品質とを有する。
【００５９】
尚、図７を参照して説明した電子機器の他にも、モバイル型のパーソナルコンピュータや、携帯電話、液晶テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器に上記実施形態の液晶装置１００を適用可能なのは言うまでもない。
【００６０】
また本発明は、上述の実施形態で説明した液晶装置１００以外にも、シリコン基板上に素子を形成する反射型液晶装置（ＬＣＯＳ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、電界放出型ディスプレイ（ＦＥＤ、ＳＥＤ）、有機ＥＬディスプレイ、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、電気泳動装置等にも適用可能である。
【００６１】
尚、本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨、或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置、及び該電気光学装置を具備してなる電子機器もまた、本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】本実施形態に係る液晶装置の全体構成を示す平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ’線断面図である。
【図３】本実施形態に係る液晶装置の要部の概略構成を示す概略構成図である。
【図４】本実施形態に係るアライメントマークの位置を示す説明図である。
【図５】本実施形態に係るアライメントマークの構成を示す平面図である。
【図６】図５のＡ−Ａ’線断面図である。
【図７】電気光学装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクタの構成を示す平面図である。
【符号の説明】
【００６３】
１０…ＴＦＴアレイ基板、２０…対向基板、５２ａ…シール領域、５３ａ…額縁領域、１００…電気光学装置としての液晶装置、２１１，２１２…開口部、２２１，２３１…第１アライメントマーク、２２２ａ，２２２ｂ，２３２…第２アライメントマーク、３００…開口部遮光膜としてのマーク遮光膜。
【図２】
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【図１】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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