(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、ゲート電極を形成する工程と、
該ゲート電極上に、ゲート絶縁膜を形成する工程と、
少なくとも該ゲート絶縁膜が形成されたゲート電極上に、空隙を隔ててソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、
該ソース電極及びドレイン電極が形成された基板上に、層間絶縁膜の一部を形成する工程と、
少なくとも前記空隙を含む領域に、該層間絶縁膜の一部と接触する有機半導体層を形成する工程と、
少なくとも該有機半導体層上に、層間絶縁膜の残部を形成する工程を有し、
前記層間絶縁膜の一部及び前記層間絶縁膜の残部を同一の材料で形成することを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項２】
前記層間絶縁膜の一部を格子状又はライン状に形成することを特徴とする請求項１に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項３】
印刷法を用いて、前記層間絶縁膜の一部及び前記層間絶縁膜の残部を形成することを特徴とする請求項１又は２に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項４】
スクリーン印刷法を用いて、前記層間絶縁膜の一部及び前記層間絶縁膜の残部を形成することを特徴とする請求項３に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項５】
前記層間絶縁膜の一部及び前記層間絶縁膜の残部は、結着樹脂及び粒子を含有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項６】
前記層間絶縁膜の一部及び前記層間絶縁膜の残部は、前記有機半導体層が吸収する光を吸収することが可能な材料及び／又は反射することが可能な材料を含有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項７】
前記有機半導体層が吸収する光は、波長が６００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項６に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項８】
前記層間絶縁膜の一部及び前記層間絶縁膜の残部は、前記有機半導体層を溶解又は膨潤させない溶媒に可溶な材料を含有することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項９】
印刷法を用いて、前記有機半導体層を形成することを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１０】
インクジェット印刷法を用いて、前記有機半導体層を形成することを特徴とする請求項９に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１１】
前記有機半導体層は、有機溶媒に可溶な有機半導体材料を含有することを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１２】
前記有機半導体材料は、トリアリールアミン骨格を有する高分子材料であることを特徴とする請求項１１に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法により製造されている有機薄膜トランジスタを有することを特徴とする有機薄膜トランジスタアレイ。
【請求項１４】
請求項１３に記載の有機薄膜トランジスタアレイを有することを特徴とする表示パネル。
【請求項１５】
メモリ性を有することを特徴とする請求項１４に記載の表示パネル。
【請求項１６】
可撓性を有することを特徴とする請求項１４又は１５に記載の表示パネル。
【請求項１７】
請求項１４乃至１６のいずれか一項に記載の表示パネルを有することを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機薄膜トランジスタの製造方法、有機薄膜トランジスタアレイ、表示パネル及び表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機半導体材料を用いた有機薄膜トランジスタが精力的に研究されている。このとき、有機薄膜トランジスタの利点としては、材料構成の多様性、製造方法、製品形態等でフレキシビリティが高いこと、大面積化が容易であること、単純な層構成とすることができ、製造プロセスが単純化できること、安価な製造装置を用いて製造できることが挙げられる。
【０００３】
有機薄膜トランジスタを製造する際には、印刷法、スピンコート法、浸漬法等を用いることにより、簡便に薄膜や回路を形成することが可能になり、従来のＳｉ半導体材料を用いた薄膜トランジスタより桁違いに安く製造することができる。なお、有機薄膜トランジスタを集積する場合、有機半導体層をパターニングすることが必須になる。有機半導体層をパターニングしないでトランジスタを集積化すると、トランジスタの動作時にオフ電流が上昇し、消費電力が上昇する。また、表示媒体を表示する際にクロストークの原因にもなる。なお、Ｓｉ半導体材料を用いて半導体層をパターニングする場合、フォトリソグラフィー及びエッチングが用いられる。具体的には、フォトレジストを塗布し、所望のパターンを露光及び現像して、レジストパターンを形成した後、これをエッチングマスクとして、エッチングを行い、レジストを剥離してパターニングする。
【０００４】
一方、有機半導体層をパターニングする際に、Ｓｉ半導体材料を用いる場合と同様に、フォトリソグラフィー及びエッチングを用いることは可能である。しかしながら、有機半導体材料として、高分子材料を用いる場合に、高分子有機半導体層上に、フォトレジストを塗布してパターン等を形成すると、トランジスタ特性が劣化することが十分に考えられる。一般に、フォトレジストとして、感光基にナフトキノンジアジドを有するノボラック系樹脂を有機溶媒（例えば、キシレン、セロソルブ系溶剤等）に溶解させたものが用いられているが、高分子材料は、フォトレジストに含まれる有機溶媒に溶解することが多いためである。また、有機半導体材料として、ペンタセン等の結晶性材料を用いた場合、程度の差はあるものの、トランジスタ特性の劣化が認められることがある。さらに、レジストを剥離する際に用いる剥離液（例えば、エチレングリコールモノブチルエーテル、モノエタノールアミン等）によりダメージを受けることがある。また、レジストを剥離した後に純水でリンスすることによりダメージを受けることもある。
【０００５】
また、ペンタセン等の結晶性材料を用いて、有機半導体層をパターニングする際に、シャドウマスクを用いる方法が知られている。しかしながら、パターン寸法に制限があり、大面積のパターニングには不向きである。また、シャドウマスクには寿命があり、結果として、Ｓｉ半導体材料を用いた薄膜トランジスタより桁違いに安く製造することは、実質的に困難である。
【０００６】
一方、有機半導体層をパターニングする際に、インクジェット印刷法を用いることが有望である。特許文献１には、塗布対象面の所定位置に電荷を付与するとともに前記電荷と反対極性の電荷を塗布材料に付与してクーロン力により前記電荷を付与した材料を前記所定位置に導く方法、塗布対象面の所定位置に凹部を形成して塗布材料を塗布して前記凹部に堆積する方法、または、材料塗布後に溶媒を蒸発させてパターンを形成した後に当該パターンにレーザを照射して成形する方法を適宜組み合わせて有機薄膜トランジスタを作製する方法が開示されている。また、特許文献２には、基板の表面にインデント領域を形成し、インデント領域に隣接して選択された場所の表面上へ液体材料を沈着することによってパターン化する方法が開示されている。
【０００７】
インクジェット印刷法は、パターンを直接描画できるため、材料使用率を格段に向上させることができる。有機半導体層をインクジェット印刷法によりパターニングすることによって、製造プロセスの簡略化、歩留まりの向上、低コスト化を実現できる可能性がある。
【０００８】
また、有機半導体材料として、有機溶媒に可溶な高分子材料を用いる場合は、有機溶媒に溶解させて有機半導体インクを調製することができるため、インクジェット印刷法を用いてパターニングすることができる。しかしながら、印刷精度を考慮すると、５０μｍ以下でパターニングすることが難しく、フォトリソグラフィー以上の高精細化が困難となる。解決策の一つとして、インクを小滴化することが挙げられるが、技術的に難しく、さらに安定性の問題があり、吐出詰まり、吐出曲がり等が起こりやすくなる。
【０００９】
さらに、パターニングする面積が大きい場合には、着弾精度等により、全てのトランジスタを良好にパターニングすることは非常に困難である。特に、有機半導体インクの物性（例えば、粘度、表面張力、乾燥性）は、使用する高分子材料の物性（例えば、純度、分子量、分子量分布）や有機溶媒の種類によって変化するため、適切な物性に調整することが難しい。このため、全てのノズルから良好に吐出することができるとは限らず、あるノズルだけ吐出曲がりが生じたり、吐出量が変化したりすることがある。また、ヘッド特性に関しても同様であり、全てのノズルが同じヘッド特性であるとは限らない。このとき、あるノズルに多少なりとも吐出曲がりが生じると、低解像度ではパターニングできても、高解像度になると、パターニングできなくなることがある。その結果、有機半導体層を島状にパターニングしようとしても、高精細なパターン（図１０（ａ）参照）が形成されずに、不完全なパターン（図１０（ｂ）参照）が形成される。なお、図１０に示す有機薄膜トランジスタアレイは、ガラス基板（不図示）上に、ゲート電極２、ゲート絶縁膜３、ソース電極４・ドレイン電極５及び有機半導体層６が順次積層されている。
【特許文献１】特開２００４−２９７０１１号公報
【特許文献２】特開２００４−１４１８５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、上記の従来技術が有する問題に鑑み、オフ電流を低下させることが可能な有機薄膜トランジスタの製造方法を提供することを目的とする。また、本発明は、該有機薄膜トランジスタの製造方法により製造されている有機薄膜トランジスタを有する有機薄膜トランジスタアレイ、該有機薄膜トランジスタアレイを有する表示パネル及び該表示パネルを有する表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
請求項１３に記載の発明は、有機薄膜トランジスタの製造方法において、基板上に、ゲート電極を形成する工程と、該ゲート電極上に、ゲート絶縁膜を形成する工程と、少なくとも該ゲート絶縁膜が形成されたゲート電極上に、空隙を隔ててソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、該ソース電極及びドレイン電極が形成された基板上に、層間絶縁膜の一部を形成する工程と、少なくとも前記空隙を含む領域に、該層間絶縁膜の一部と接触する有機半導体層を形成する工程と、少なくとも該有機半導体層上に、層間絶縁膜の残部を形成する工程を有し、前記層間絶縁膜の一部及び前記層間絶縁膜の残部を同一の材料で形成することを特徴とする。
【００２３】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法において、前記層間絶縁膜の一部を格子状又はライン状に形成することを特徴とする。
請求項３に記載の発明は、請求項１又は２に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法において、印刷法を用いて、前記層間絶縁膜の一部及び前記層間絶縁膜の残部を形成することを特徴とする。
請求項４に記載の発明は、請求項３に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法において、スクリーン印刷法を用いて、前記層間絶縁膜の一部及び前記層間絶縁膜の残部を形成することを特徴とする。
請求項５に記載の発明は、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法において、前記層間絶縁膜の一部及び前記層間絶縁膜の残部は、結着樹脂及び粒子を含有することを特徴とする。
請求項６に記載の発明は、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法において、前記層間絶縁膜の一部及び前記層間絶縁膜の残部は、前記有機半導体層が吸収する光を吸収することが可能な材料及び／又は反射することが可能な材料を含有することを特徴とする。
請求項７に記載の発明は、請求項６に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法において、前記有機半導体層が吸収する光は、波長が６００ｎｍ以下であることを特徴とする。
請求項８に記載の発明は、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法において、前記層間絶縁膜の一部及び前記層間絶縁膜の残部は、前記有機半導体層を溶解又は膨潤させない溶媒に可溶な材料を含有することを特徴とする。
請求項９に記載の発明は、請求項１乃至８のいずれか一項に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法において、印刷法を用いて、前記有機半導体層を形成することを特徴とする。
請求項１０に記載の発明は、請求項９に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法において、インクジェット印刷法を用いて、前記有機半導体層を形成することを特徴とする。
請求項１１に記載の発明は、請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法において、前記有機半導体層は、有機溶媒に可溶な有機半導体材料を含有することを特徴とする。
請求項１２に記載の発明は、請求項１１に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法において、前記有機半導体材料は、トリアリールアミン骨格を有する高分子材料であることを特徴とする。
【００２４】
請求項１３に記載の発明は、有機薄膜トランジスタアレイにおいて、請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法により製造されている有機薄膜トランジスタを有することを特徴とする。
【００２５】
請求項１４に記載の発明は、表示パネルにおいて、請求項１３に記載の有機薄膜トランジスタアレイを有することを特徴とする。
【００２６】
請求項１５に記載の発明は、請求項１４に記載の表示パネルにおいて、メモリ性を有することを特徴とする。
【００２７】
請求項１６に記載の発明は、請求項１４又は１５に記載の表示パネルにおいて、可撓性を有することを特徴とする。
【００２８】
請求項１７に記載の発明は、表示装置において、請求項１４乃至１６のいずれか一項に記載の表示パネルを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２９】
本発明によれば、オフ電流を低下させることが可能な有機薄膜トランジスタの製造方法を提供することができる。また、本発明によれば、該有機薄膜トランジスタの製造方法により製造されている有機薄膜トランジスタを有する有機薄膜トランジスタアレイ、該有機薄膜トランジスタアレイを有する表示パネル及び該表示パネルを有する表示装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
次に、本発明を実施するための最良の形態を図面と共に説明する。
【００３１】
図１に、本発明の有機薄膜トランジスタアレイの一例を示す。有機薄膜トランジスタアレイ１０は、有機薄膜トランジスタ１０ａを有する。有機薄膜トランジスタ１０ａは、ガラス基板１１上に、ゲート電極１２が形成されており、ゲート電極１２上に、ゲート絶縁膜１３が形成されている。さらに、ゲート絶縁膜１３上には、空隙を隔てて、ソース電極１４及びドレイン電極１５が形成されている。このとき、ソース電極１４及びドレイン電極１５を隔てる空隙は、ゲート電極１２上に形成されている。また、ソース電極１４及びドレイン電極１５を隔てる空隙を覆うように有機半導体層１６が形成されている。さらに、有機半導体層１６を覆うように層間絶縁膜１７が形成されている。このとき、有機半導体層１６の一部が層間絶縁膜１７上に形成されている。また、層間絶縁膜１７上に、ドレイン電極１５と接合されている導電層１８が形成されている。
【００３２】
次に、図２を用いて、有機薄膜トランジスタアレイ１０の製造方法を説明する。まず、ガラス基板１１上に、ゲート電極１２、ゲート絶縁膜１３及びソース電極１４・ドレイン電極１５を順次積層する（図２（ａ）参照）。次に、ソース電極１４及びドレイン電極１５を隔てる空隙の両側に、層間絶縁膜の一部１７ａを形成し（図２（ｂ）参照）、空隙を覆うように、層間絶縁膜の一部１７ａと接触する有機半導体層１６を形成する（図２（ｃ）参照）。これにより、有機半導体層１６のパターニング精度を向上させることができる。このとき、層間絶縁膜の一部１７ａは、ソース電極１４の一部を被覆していてもよい。さらに、有機半導体層１６上に、層間絶縁膜の残部１７ｂを形成し（図２（ｄ）参照）、層間絶縁膜１７上に、ドレイン電極１５と接合する導電層１８を形成する（図２（ｅ）参照）。
【００３３】
ゲート電極１２、ソース電極１４、ドレイン電極１５は、スクリーン印刷法、インクジェット印刷法、フレキソ印刷法、グラビア印刷法、オフセット印刷法等の印刷法を用いて形成することが好ましく、ソース電極１４、ドレイン電極１５は、パターニング精度、コスト、工程数等の理由から、インクジェット印刷法が好ましい。このとき、金属粒子が分散されている金属インクを用いることが好ましい。金属粒子としては、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｚｎ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｕ、Ｉｎ、Ｓｎ等が挙げられ、二種以上併用してもよい。中でも、電気抵抗、熱伝導率、腐食の面で、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉが好ましい。
【００３４】
金属インクは、平均粒径が数ナノメートルから数十ナノメートル程度の金属粒子が溶媒中に均一に分散されている。このような金属粒子は焼結するが、これは、金属粒子の粒径が小さくなると、活性の高い表面の原子の影響が大きくなることに起因している。したがって、金属インクをインクジェット印刷し、焼結することにより、電極を直接描画することができる。このとき、金属インクは、インクジェット印刷するために、表面張力が約３０ｍＮ／ｍであることが好ましい。また、金属インクは、粘度が２〜１３ｍＰａ・秒であることが好ましく、７〜１０ｍＰａ・秒がさらに好ましい。金属インクの表面張力及び粘度が適していないと、吐出が不能になったり、不良になったりして、丸い液滴になりにくく、さらにリガメントが長くなる。さらに、金属インクは、吐出する際に溶媒が揮発して金属粒子が固化しない程度の乾燥性も必要である。
【００３５】
また、ゲート電極１２、ソース電極１４、ドレイン電極１５は、導電性高分子で形成してもよい。導電性高分子としては、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリピロール、ポリパラフェニレン、ポリアセチレン等が挙げられる。また、これらのポリマーにドーピングを施したものも導電性高分子として用いることができる。中でも、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）とポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）の錯体（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）は、電気伝導度、安定性、耐熱性等の面で好ましい。導電性高分子は、重合度、構造により電気特性を調整することができ、さらに、焼結を必要としないため、低温で電極を形成することができる。
【００３６】
図２（ｃ）において、層間絶縁膜の一部１７ａは、図３（ａ）に示すように、チャネルに対して略平行なライン状に形成されている。これにより、例えば、インクジェット印刷法を用いて有機半導体層１６を形成する際に、インクの吐出が不完全であっても、インクの着弾ずれや着弾してからの広がりを、層間絶縁膜の一部１７ａで制御することができる。その結果、有機半導体層１６は、層間絶縁膜の一部１７ａの間の領域に形成されるため、有機半導体層１６経由のリーク電流の発生を抑制することができ、オフ電流を低下させ、オンオフ比を向上させることができる。さらに、有機半導体層１６のパターニング性が格段に向上し、隣接する有機薄膜トランジスタへの影響を抑制することができる。また、有機半導体層１６を形成する際のアライメント精度が一方向のみとなるため、スループット及び歩留りを向上させることができる。
【００３７】
また、層間絶縁膜の一部１７ａは、図３（ｂ）に示すように、チャネルに対して略垂直なライン状に形成されていてもよい。このとき、長さ方向でチャネルを除く領域に、層間絶縁膜の一部１７ａが形成されている。これにより、例えば、インクジェット印刷法を用いて有機半導体層１６を形成する際に、インクの吐出が不完全であっても、インクの着弾ずれや着弾してからの広がりを、層間絶縁膜の一部１７ａで制御することができる。その結果、有機半導体層１６は、層間絶縁膜の一部１７ａの間の領域に形成されるため、有機半導体層１６経由のリーク電流の発生を抑制することができ、オフ電流を低下させ、オンオフ比を向上させることができる。さらに、有機半導体層１６のパターニング性が格段に向上し、隣接する有機薄膜トランジスタへの影響を抑制することができる。また、有機半導体層１６を形成する際のアライメント精度が一方向のみとなるため、スループット及び歩留りを向上させることができる。
【００３８】
さらに、図２（ｃ）において、層間絶縁膜の一部１７ａは、図３（ｃ）に示すように、チャネルに対して略平行なライン状と略垂直なライン状の組み合わせ、即ち、格子状に形成されていてもよい。これにより、有機半導体層１６を形成する際の高度なアライメント精度が不必要となり、スループット及び歩留りを向上させることができる。このような層間絶縁膜の一部１７ａは、一つの工程で形成することが好ましいが、複数の工程により形成してもよい。複数の工程により層間絶縁膜の一部１７ａを形成する際には、第一のラインを形成した後に、第一のラインと直交する第二のラインを形成してもよいし、第一のラインを形成した後に、第一のラインの間にドットを形成してもよい。
【００３９】
また、有機半導体層１６は、スクリーン印刷法、インクジェット印刷法、フレキソ印刷法、グラビア印刷法、オフセット印刷法等の印刷法を用いて形成することが好ましく、パターニング精度、コスト、溶解性等から、インクジェット印刷法が好ましい。このとき、有機半導体層１６は、有機溶媒に可溶な有機半導体材料を含有することが好ましい。これにより、有機半導体材料が有機溶媒に溶解されている有機半導体インクを用いて、有機半導体層１６を形成することができる。このような有機半導体材料は、特に限定されず、有機溶媒に可溶な高分子材料、オリゴマー材料、低分子材料等を用いることができるが、トリアリールアミン骨格を有する高分子材料が好ましく、化学式（１）
【００４０】
【化１】
0005277675.tif 000002
で表される化合物が特に好ましい。この材料は、無配向性の高分子材料であり、成膜形状や方法に関わらず、特性のバラツキが小さい。
【００４１】
従来の有機薄膜トランジスタアレイにおいて、インクジェット印刷法を用いて有機半導体層１６を形成すると、図１０（ａ）に示すような高精細なパターンを形成することが困難であり、図１０（ｂ）に示すような不完全なパターンになりやすい。特に、パターニングする面積が大きい場合、不完全なパターンになりやすい。具体的には、有機半導体層１６がチャネル領域だけではなく、チャネル領域以外のソース電極１４とドレイン電極１５の間に余分に形成されること、有機半導体層１６が有機薄膜トランジスタアレイを構成する各有機薄膜トランジスタで分離されず、有機半導体層１６を介して隣接する有機薄膜トランジスタに影響を及ぼすことが挙げられる。有機半導体層１６の不完全にパターンが形成されるのは、ヘッド特性のばらつき、ノズルからの吐出曲がり等の影響によるものである。一方、全てのノズルを一様に同じ吐出状態とすることが難しい。さらに、液滴が着弾してからの乾燥状態も形状パターンにより異なり、その乾燥状態によっても液滴の広がりの度合いが異なる。また、有機半導体層用のインクとして、高分子溶液を用いる場合、物性の変化による吐出速度バラツキも考えられ、高精細なパターンを形成することが困難である。
【００４２】
有機半導体層１６のパターンが不完全であると、有機半導体層１６経由のリーク電流が発生し、リーク電流がオフ電流を増加させ、オンオフ比が低下する。さらに、有機薄膜トランジスタアレイを用いて表示媒体に画像を表示させる際に、画素間のクロストークが発生したりする。特に、有機薄膜トランジスタを高密度で配置する場合、リーク電流の影響が顕著になる。
【００４３】
本発明においては、層間絶縁膜の一部１７ａと接触する有機半導体層１６を形成するため、有機半導体層１６を物理的に分離することができる。これにより、リーク電流を層間絶縁膜の一部１７ａでせき止めることが可能となり、オフ電流の増加を抑制することができる。
【００４４】
また、インクジェット印刷法によって島状に形成された有機半導体層は、一般に、コーヒーステイン現象により、膜厚のムラが大きくなる。コーヒーステイン現象とは、着弾して広がった液滴のエッジ部分から溶媒が蒸発するために、液滴のエッジ部分の溶質の濃度が高くなって、エッジ部分が厚膜となり、中央部分が薄膜となる現象である。この現象による膜厚のムラによって、オフ電流が上昇したり、閾値電圧Ｖｔｈのシフトを引き起こしたりするため、トランジスタ特性のバラツキが大きくなる。
【００４５】
本発明においては、層間絶縁膜の一部１７ａと接触する有機半導体層１６を形成するため、コーヒーステイン現象を抑制することができ、有機半導体層１６の膜厚の均一性が高くなる。その結果、Ｖｔｈのシフトが抑えられ、トランジスタ特性のバラツキが小さくなる。
【００４６】
層間絶縁膜の残部１７ｂは、図３（ｃ）に示す層間絶縁膜の一部１７ａが形成された後、図４に示すように、有機半導体層１６上に形成される。その結果、貫通孔を有する層間絶縁膜が形成される。なお、層間絶縁膜の一部１７ａの形状が図３（ａ）及び（ｂ）に示す形状である場合にも、層間絶縁膜の残部１７ｂを有機半導体層１６上以外の領域にも形成することにより、図４と同様の貫通孔を有する層間絶縁膜１７を形成することができる。
【００４７】
なお、層間絶縁膜の一部１７ａ及び残部１７ｂを形成する際には、スクリーン印刷法、インクジェット印刷法、フレキソ印刷法、グラビア印刷法、オフセット印刷法等の印刷法を用いることが好ましく、スクリーン印刷法が特に好ましい。これにより、フォトリソグラフィーを用いる場合と比較して、スループットが向上し、工程数を低減し、コストを削減することができる。このとき、層間絶縁膜の一部１７ａ及び残部１７ｂは、同一の材料を用いて形成してもよいし、異なる材料を用いて形成してもよい。
【００４８】
層間絶縁膜１７は、結着樹脂及び粒子を含有することが好ましい。結着樹脂としては、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、アクリル系樹脂、エチルセルロース樹脂、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリアミド等が挙げられ、二種以上併用してもよい。
【００４９】
また、粒子は、層間絶縁膜１７中で粒子として存在することができれば、有機粒子及び無機粒子のいずれであってもよいが、粒度を制御しやすく、溶剤中で分散させることが可能であることから、無機粒子が好ましい。有機粒子としては、特に限定されないが、カーボンブラック、アゾ系顔料、フタロシアニン系顔料、ペリレン系顔料等が挙げられ、二種以上併用してもよい。また、無機粒子としては、特に限定されないが、シリカ、アルミナ、酸化チタン、酸化亜鉛、チタン酸バリウム等の金属酸化物、金属水酸化物、金属錯体等が挙げられ、二種以上併用してもよい。中でも、シリカ、アルミナ、酸化亜鉛等の比誘電率の低い材料が好ましい。また、粒子は、メソ孔又はマイクロ孔を有する多孔質粒子であってもよく、例えば、メソポーラスシリカが挙げられる。なお、層間絶縁膜１７を形成する際には、結着樹脂、粒子等を溶媒と混合し、必要に応じて、分散剤、可塑剤、粘度調整剤等を添加した絶縁ペーストを用いることができる。また、結着樹脂と粒子の混合比は、特に限定されず、形成するパターンに応じて、最適な物性のペーストとなるように適宜調整することができるが、層間絶縁膜１７の柔軟性を確保するためには、結着樹脂が多いことが好ましい。
【００５０】
一般に、有機半導体材料が光を吸収することにより、有機薄膜トランジスタのトランジスタ特性が経時劣化することが知られている。このため、層間絶縁膜１７は、有機半導体層１６が吸収する光を遮断することが可能であることが好ましい。このとき、層間絶縁膜１７は、このような光を吸収することが可能な材料及び／又は反射することが可能な材料を含有することが好ましい。
【００５１】
有機半導体層１６が吸収する光を吸収することが可能な材料としては、層間絶縁膜１７の絶縁性を維持できれば、特に限定されず、金属酸化物、金属水酸化物、金属錯体、カーボンブラック、アゾ系顔料、フタロシアニン系顔料、ペリレン系顔料等の着色顔料、アニリンブラック、インディゴ等の染料が挙げられ、二種以上併用してもよい。
【００５２】
また、有機半導体層１６が吸収する光を反射することが可能な材料としては、層間絶縁膜１７の絶縁性を維持できれば、特に限定されず、酸化亜鉛、酸化チタン等の白色顔料が挙げられ、二種以上併用してもよい。
【００５３】
有機半導体材料の一例として、化学式（１）で表される化合物について説明する。まず、図１１に、膜厚４０ｎｍの薄膜を用いて測定された、化学式（１）で表される化合物の紫外可視吸収スペクトルを示す。図１１より、化学式（１）で表される化合物は、波長が６００ｎｍ以下の光を吸収する傾向がある。なお、トリアリールアミン骨格を有する高分子材料は、同様に、波長が６００ｎｍ以下の光を吸収する。このため、有機半導体材料として、トリアリールアミン骨格を有する高分子材料を用いる場合、層間絶縁膜１７は、波長が６００ｎｍ以下の光を遮断することが可能であることが好ましい。これにより、有機薄膜トランジスタアレイ１０のトランジスタ特性の経時劣化を抑制することができる。
【００５４】
また、一般に、空気中の酸素による有機半導体材料の酸化や有機半導体材料に水が吸着することにより、有機薄膜トランジスタの特性が経時劣化することが知られている。このため、層間絶縁膜１７は、酸素及び水分を遮断することが可能であることが好ましい。このとき、層間絶縁膜１７の酸素透過率及び水蒸気透過率は、有機半導体層１６を構成する材料等に応じて、適宜選択することができる。例えば、有機薄膜トランジスタアレイ１０を有する有機ＥＬパネルの酸素透過率及び水蒸気透過率は、それぞれ１０−２ｃｃ／ｍ２／ｄａｙ／ａｔｍ／０．１ｍｍ未満及び１０−５ｇ／ｍ２／ｄａｙ／ａｔｍ／０．１ｍｍ未満であることが好ましい。これにより、有機ＥＬパネルの特性の経時劣化を抑制することができる。耐候性に優れるトリアリールアミン骨格を有する高分子材料等を用いて有機半導体層１６を形成することにより、有機ＥＬパネルの酸素透過率及び水蒸気透過率の上限を大きくすることができる。
【００５５】
以上のような層間絶縁膜１７を形成することにより、光酸化等による有機薄膜トランジスタアレイ１０の特性の経時劣化もさらに抑制することができる。
【００５６】
また、層間絶縁膜１７は、有機半導体層１６を溶解又は膨潤させない溶媒に可溶な材料を含有することが好ましい。これにより、層間絶縁膜１７を形成する際に、有機半導体層１６の劣化を抑制することができる。
【００５７】
有機半導体材料として、トリアリールアミン骨格を有する高分子材料を用いる場合、有機半導体層１６を溶解又は膨潤させない溶媒としては、特に限定されないが、エチレングリコールブチルエーテル、エチレングリコールヘキシルエーテル、ジプロピレングリコールブチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエーテルアセテート、トリプロピレングリコールメチルエーテル、ジエチレングリコールブチルエーテル、α−テルピネオール、エチレンアルコール、イソプロピルアルコール、２，２，４−トリメチル−１，３−ペンタンジオールモノイソブチレート等が挙げられ、二種以上併用してもよい。
【００５８】
また、これらの溶媒に可溶な層間絶縁膜１７の結着樹脂としては、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、アクリル系樹脂、エチルセルロース樹脂、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリアミド等が挙げられ、二種以上併用してもよい。
【００５９】
さらに、図４に示す層間絶縁膜の残部１７ｂが形成された後、図５に示すように、貫通孔内及び層間絶縁膜１７上の貫通孔を含む領域に、ドレイン電極１５と接合する導電層１８が形成される。このとき、導電層１８は、スクリーン印刷法を用いて、銀を含む熱硬化性のペーストをパターニングすることにより、形成することができる。
【００６０】
以上のようにして、本発明の有機薄膜トランジスタアレイを低工程数、低コストで作製することができる。
【００６１】
さらに、本発明の有機薄膜トランジスタアレイを、アクティブマトリックス基板として用い、電気泳動表示素子、液晶表示素子、有機ＥＬ表示素子等の表示素子と組み合わせることにより、電気泳動パネル、液晶パネル、有機ＥＬパネル等の表示パネルを作製することができる。
【００６２】
図１２に、本発明の表示パネルの一例として、電気泳動パネル２０を示す。以下、表示パネル２０の製造方法について説明する。まず、図２に示すように、フィルム基板（又は薄膜ＳＵＳ基板）１１上に、Ａｇ粒子が分散されているＡｇインクを用いて、インクジェット印刷し、ゲート電極（走査線）１２を形成する。次に、ゲート電極１２上に、ポリアミド酸をスピンコート塗布し、焼成することにより、ゲート絶縁膜１３を形成する。さらに、ゲート絶縁膜１３上に、フォトマスクを介して紫外線を照射し、表面に高エネルギーパターンを形成する。次に、高エネルギーパターン上に、Ａｇ粒子が分散されているＡｇインクを用いて、インクジェット印刷し、ソース電極（信号線）１４及びドレイン電極１５を形成する。さらに、絶縁ペーストを用いて、スクリーン印刷し、層間絶縁膜の一部１７ａを形成する。次に、有機半導体インクを用いて、インクジェット印刷し、層間絶縁膜の一部１７ａと接触する有機半導体層１６を形成する。さらに、絶縁ペーストを用いて、スクリーン印刷し、有機半導体層１６上に、層間絶縁膜の残部１７ｂを形成する。次に、導電性ペーストを用いて、スクリーン印刷し、ドレイン電極１５と接合する導電層１８を形成する。以上のようにして、有機トランジスタアレイ１０を作製することができる。
【００６３】
一方、フィルム基板２１ａ上に、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）からなる透明導電膜２１ｂをスパッタ成膜し、透明導電膜付きフィルム基板２１を作製する。
【００６４】
また、酸化チタン、シリコーンマクロマー／メタクリル酸共重合体、シリコーンポリマーグラフトカーボンブラック及びシリコーンオイルを混合し、超音波で分散させて、白黒粒子分散液を調製する。得られた白黒粒子分散液から、ゼラチン−アラビアゴム  コンプレックスコアセルベーション法を用いて、マイクロカプセル２２ａを作製する。次に、ワイヤーブレード法を用いて、マイクロカプセル２２ａをウレタン樹脂２２ｂの溶液中に分散させた分散液を展開して、透明電極膜付きフィルム基板２１上に電気泳動素子２２を形成する。さらに、電気泳動素子２２と、有機トランジスタアレイ１０の導電層１８を接合することにより、メモリ性及び可撓性を有する電気泳動パネル２０を作製することができる。
【００６５】
液晶パネルは、本発明の有機トランジスタアレイと、ラビング処理を施した配向膜を有する透明電極膜付き基板を、シリカスペーサーを介して接合し、そのギャップ間に液晶性材料を封入することにより、作製することができる。
【００６６】
また、有機ＥＬパネルは、本発明の有機トランジスタアレイに有機ＥＬ素子を形成し、大気遮蔽シールドを配置させることにより、作製することができる。
【００６７】
図１３に、本発明の表示装置の一例を示す。表示装置３０は、電気泳動パネル２０、表示する画像の情報を電気泳動パネル２０に入力する情報入力手段３１、筺体３２、駆動回路（不図示）、演算回路（不図示）、内部メモリ（不図示）、電気泳動パネル２０及び情報入力手段３１に電力を供給する電力供給手段（不図示）等を備えている。電気泳動パネル２０のゲート電極（走査線）１２及びソース電極（信号線）１４は、ドットマトリックスを形成し、指定のドットをＯＮ表示することにより、全体として画像を表示する。電力供給手段としては、電池等の内部電力を備えていてもよいし、外部の電源から受電するコンセント等の受電装置を備えていてもよい。
【００６８】
本発明の表示装置としては、本発明の表示パネルと、表示パネルに電力を供給する手段を有するものであれば、特に限定されないが、ＰＤＡ、電子書籍端末等の携帯端末等が挙げられる。
【実施例】
【００６９】
以下、実施例により、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、実施例により限定されて解釈されるものではない。
【００７０】
［比較例１］
ガラス基板１１上に、ポリアミド酸をスピンコート塗布し、２８０℃で加熱処理することにより、膜厚２００ｎｍの絶縁膜１９を形成した。次に、ＵＶランプ（照射量７Ｊ／ｃｍ２）を用いて、フォトマスクを介して、紫外線を照射し、表面に高エネルギーパターンを形成した。さらに、インクジェット印刷法を用いて、高エネルギーパターン上にＡｇ粒子が分散されているＡｇインクを吐出し、２８０℃で焼結させることにより、膜厚１００ｎｍのゲート電極１２を形成した。次に、ゲート電極１２上に、ポリアミド酸をスピンコート塗布し、２８０℃で加熱処理することにより、膜厚５００ｎｍのゲート絶縁膜１３を形成した。さらに、ＵＶランプ（照射量７Ｊ／ｃｍ２）を用いて、フォトマスクを介して、表面に高エネルギーパターンを形成した。次に、インクジェット印刷法を用いて、高エネルギーパターン上に、Ａｇインクを吐出し、２８０℃で焼結させることにより、膜厚１００ｎｍのソース電極１４及びドレイン電極１５を形成した。このとき、チャネル幅が１４０μｍ、チャネル長が１０μｍであった。
【００７１】
次に、インクジェット印刷法を用いて、化学式（１）で表される化合物がテトラリンに溶解されている有機半導体インクを塗布し、島状の有機半導体層１６を形成した（図１０（ｂ）参照）。さらに、スクリーン印刷法を用いて、ポリビニルブチラール樹脂と、シリカフィラーと、エチレングリコールヘキシルエーテルとを含有する絶縁ペーストを印刷し、乾燥させることにより、有機半導体層１６を覆うように層間絶縁膜１７を形成した。次に、スクリーン印刷法を用いて、銀を含む熱硬化性のペーストを印刷し、乾燥させることにより、ドレイン電極１５と接合する導電層１８を形成し、有機薄膜トランジスタアレイを得た（図６参照）。
【００７２】
［実施例１］
ガラス基板１１上に、ポリアミド酸をスピンコート塗布し、２８０℃で加熱処理することにより、膜厚２００ｎｍの絶縁膜１９を形成した。次に、ＵＶランプ（照射量７Ｊ／ｃｍ２）を用いて、フォトマスクを介して、紫外線を照射し、表面に高エネルギーパターンを形成した。さらに、インクジェット印刷法を用いて、高エネルギーパターン上にＡｇ粒子が分散されているＡｇインクを吐出し、２８０℃で焼結させることにより、膜厚１００ｎｍのゲート電極１２を形成した。次に、ゲート電極１２上に、ポリアミド酸をスピンコート塗布し、２８０℃で加熱処理することにより、膜厚５００ｎｍのゲート絶縁膜１３を形成した。さらに、ＵＶランプ（照射量７Ｊ／ｃｍ２）を用いて、フォトマスクを介して、表面に高エネルギーパターンを形成した。次に、インクジェット印刷法を用いて、高エネルギーパターン上に、Ａｇインクを吐出し、２８０℃で焼結させることにより、膜厚１００ｎｍのソース電極１４及びドレイン電極１５を形成した。このとき、チャネル幅が１４０μｍ、チャネル長が１０μｍであった。
【００７３】
次に、スクリーン印刷法を用いて、ポリビニルブチラール樹脂と、シリカフィラーと、エチレングリコールヘキシルエーテルとを含有する絶縁ペーストを印刷し、乾燥させることにより、チャネルに対して平行なライン状の層間絶縁膜の一部１７ａを形成した（図２（ｂ）及び図３（ａ）参照）。さらに、インクジェット印刷法を用いて、化学式（１）で表される化合物がテトラリンに溶解されている有機半導体インクを塗布し、層間絶縁膜の一部１７ａに接触する有機半導体層１６を形成した。次に、スクリーン印刷法を用いて、層間絶縁膜の一部１７ａと同じ絶縁ペーストを印刷し、有機半導体層１６上に層間絶縁膜の残部１７ｂを形成した。このとき、層間絶縁膜１７は、酸素透過率が６００ｃｃ／ｍ２／ｄａｙ／ａｔｍ／０．１ｍｍであり、水蒸気透過率が５０ｇ／ｍ２／ｄａｙ／ａｔｍ／０．１ｍｍであった。さらに、スクリーン印刷法を用いて、銀を含む熱硬化性のペーストを印刷し、乾燥させることにより、ドレイン電極１５と接合する導電層１８を形成し、有機薄膜トランジスタアレイを得た（図７参照）。
【００７４】
［実施例２］
チャネルに対して垂直なライン状の層間絶縁膜の一部１７ａを形成した（図３（ｂ）参照）以外は、実施例１と同様に、有機薄膜トランジスタアレイを得た。
【００７５】
［実施例３］
チャネルに対して平行なライン状及び垂直なライン状、即ち、格子状の層間絶縁膜の一部１７ａを形成した（図２（ｂ）及び図３（ｃ）参照）以外は、実施例１と同様に、有機薄膜トランジスタアレイを得た。
【００７６】
［トランジスタ特性の評価］
得られた有機薄膜トランジスタアレイのトランジスタ特性を、酸素１ｐｐｍ未満、水分１ｐｐｍ未満の雰囲気下で測定した。具体的には、ドレイン電圧Ｖｄｓを−２０Ｖとし、ゲート電圧Ｖｇを＋２０Ｖから−２０Ｖに走査した。その結果、Ｖｇが−２０Ｖのときのドレイン電流Ｉｄｓ（オン電流）及びＶｇが＋２０Ｖのときのドレイン電流Ｉｄｓ（オフ電流）は、図８のようになった。詳細には、比較例１、実施例１、２及び３のオン電流は、それぞれ−１．０×１０−８Ａ、−９．０×１０−９Ａ、−１．０×１０−８Ａ及び−９．０×１０−９Ａであり、オフ電流は、それぞれ−５．４×１０−１１Ａ、−２．１×１０−１２Ａ、−８．０×１０−１３Ａ及び−９．０×１０−１３Ａであった。また、比較例１、実施例１、２及び３の閾値電圧Ｖｔｈは、それぞれ４．１１Ｖ、３．６３Ｖ、４．１３Ｖ及び１．８２Ｖであった（図９参照）。
【００７７】
このことから、実施例１、２の有機薄膜トランジスタは、比較例１の有機薄膜トランジスタよりオフ電流が低下することでオンオフ比が向上し、良好なトランジスタ特性が得られることがわかる。また、実施例３の有機薄膜トランジスタは、実施例１、２の有機薄膜トランジスタよりＶｔｈが小さくなり、さらに良好なトランジスタ特性が得られることがわかる。
【００７８】
［光照射によるトランジスタ特性の劣化の評価］
照度１０００００ルクスの光源及びフィルターを用いて、波長が６００ｎｍ以下、５００ｎｍ以下及び４５０ｎｍ以下の光を遮断した光を、実施例３の有機薄膜トランジスタアレイに照射し（それぞれサンプルＡ、Ｂ及びＣとする）、移動度を測定した。なお、移動度は、ドレイン電圧Ｖｄｓを−２０Ｖとし、ゲート電圧Ｖｇを＋２０Ｖから−２０Ｖに走査して、測定した。
【００７９】
図１４に評価結果を示す。なお、光を照射する前の有機薄膜トランジスタアレイの移動度を１００％とした。図１４より、サンプルＡ以外は、照射時間の増加に伴って、移動度が低下することがわかる。これに対し、サンプルＡは、照射時間が増加しても、トランジスタ特性が劣化しにくいことがわかる。
【００８０】
［実施例４］
層間絶縁膜１７を形成する際に、ポリビニルブチラール樹脂と、シリカフィラーと、アニリンブラックと、エチレングリコールヘキシルエーテルとを含有する絶縁ペーストを用いた以外は、実施例１と同様に、有機薄膜トランジスタアレイを得た。
【００８１】
［光照射によるトランジスタ特性の劣化の評価］
照度１０００００ルクスの光源を用いて、波長が３００〜１４００ｎｍの光を、実施例４の有機薄膜トランジスタアレイに照射し、移動度を測定した。なお、移動度は、ドレイン電圧Ｖｄｓを−２０Ｖとし、ゲート電圧Ｖｇを＋２０Ｖから−２０Ｖに走査して、測定した。
【００８２】
図１４に評価結果を示す。なお、光を照射する前の有機薄膜トランジスタアレイの移動度を１００％とした。図１４より、実施例４の有機薄膜トランジスタアレイは、サンプルＡと同様に、照射時間が増加しても、トランジスタ特性が劣化しにくいことがわかる。
【００８３】
［比較例２］
有機半導体層１６上に層間絶縁膜の残部１７ｂを形成しなかった以外は、実施例３と同様に、有機薄膜トランジスタアレイを得た。
【００８４】
［高湿試験によるトランジスタ特性の劣化の評価］
実施例３及び比較例２の有機薄膜トランジスタアレイを用いて、２５℃、８５％ＲＨ環境で高湿試験を実施し、大気下で移動度を測定した。なお、移動度は、ドレイン電圧Ｖｄｓを−２０Ｖとし、ゲート電圧Ｖｇを＋２０Ｖから−２０Ｖに走査して、測定した。
【００８５】
図１５に評価結果を示す。なお、高湿試験を実施する前の有機薄膜トランジスタアレイの移動度を１００％とした。図１３より、比較例２の有機薄膜トランジスタアレイは、試験時間の増加に伴って、移動度が低下することがわかる。これに対し、実施例３の有機薄膜トランジスタアレイは、試験時間が増加しても、トランジスタ特性を維持していることがわかる。
【００８６】
［実施例５］
フィルム基板２１ａ上に、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）からなる透明導電膜２１ｂをスパッタ成膜し、透明導電膜付きフィルム基板２１を作製した。
【００８７】
一方、酸化チタン２０重量部、シリコーンマクロマー／メタクリル酸共重合体１重量部、シリコーンポリマーグラフトカーボンブラック２重量部及びシリコーンオイル７７重量部を混合し、超音波で１時間分散させて、白黒粒子分散液を調製した。得られた白黒粒子分散液から、ゼラチン−アラビアゴム  コンプレックスコアセルベーション法を用いて、マイクロカプセル２２ａを作製した。このとき、マイクロカプセル２２ａは、平均粒径が約６０μｍであった。次に、ブレードコート法を用いて、マイクロカプセル２２ａをウレタン樹脂２２ｂの溶液中に分散させた分散液を展開して、透明電極膜付きフィルム基板２１上に電気泳動素子２２を形成した。さらに、電気泳動素子２２と、実施例１の有機トランジスタアレイ１０の導電層１８を接合し、電気泳動パネルを得た（図１６参照）。
【図面の簡単な説明】
【００８８】
【図１】本発明の有機薄膜トランジスタアレイの一例を示す断面図である。
【図２】図１の有機薄膜トランジスタアレイの製造方法を説明する断面図である。
【図３】層間絶縁膜の一部の形状を示す上面図である。
【図４】層間絶縁膜の残部の形状を示す上面図である。
【図５】導電層の形状を示す上面図である。
【図６】比較例１の有機薄膜トランジスタアレイを示す断面図である。
【図７】実施例１の有機薄膜トランジスタアレイを示す断面図である。
【図８】有機薄膜トランジスタのオン電流及びオフ電流を示す図である。
【図９】有機薄膜トランジスタの閾値電圧を示す図である。
【図１０】従来の有機薄膜トランジスタを示す上面図である。
【図１１】化学式（１）で表される化合物の紫外可視吸収スペクトルを示す図である。
【図１２】本発明の表示パネルの一例を示す断面図である。
【図１３】本発明の表示装置の一例を示す斜視図である。
【図１４】光照射によるトランジスタ特性の劣化を示す図である。
【図１５】高湿試験によるトランジスタ特性の劣化を示す図である。
【図１６】実施例５の表示パネルを示す断面図である。
【符号の説明】
【００８９】
１０    有機薄膜トランジスタアレイ
１０ａ    有機薄膜トランジスタ
１１    ガラス基板
１２    ゲート電極（走査線）
１３    ゲート絶縁膜
１４    ソース電極（信号線）
１５    ドレイン電極
１６    有機半導体層
１７    層間絶縁膜
１７ａ    一部
１７ｂ    残部
１８    導電層
１９    絶縁膜
２０    電気泳動パネル
２１    透明導電膜付きフィルム基板
２１ａ    フィルム基板
２１ｂ    透明導電膜
２２    電気泳動素子
２２ａ    マイクロカプセル
２２ｂ    ウレタン樹脂
３０    表示装置
３１    情報入力手段
３２    筺体
【図１】
0005277675.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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