(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁性を有する被検出体と、該被検出体を一定の軌道に沿わせて所定位置に案内する案内レール部材と、外部より入射される磁束の方向を検出する磁気抵抗素子と、該磁気抵抗素子が組付けられる支持部材と、前記磁気抵抗素子にバイアス磁界を付与するバイアス磁石と、前記被検出体及びバイアス磁石により形成され、前記磁気抵抗素子によって検出された磁束の方向に基づいて前記被検出体の位置を検出する検出手段とを備えた位置検出装置であって、
前記バイアス磁石は、該バイアス磁石と前記被検出体との位置関係を規定すべく、前記案内レール部材に固設されているとともに、当該案内レール部材は、前記バイアス磁石が前記磁気抵抗素子に対して位置決めされた状態で前記支持部材に固設され、
前記バイアス磁石が、インサート成形により前記案内レール部材に一体的に埋設されていることを特徴とする位置検出装置。
【請求項２】
請求項１に記載の位置検出装置において、
前記案内レール部材は、該案内レール部材の表面で開口する開口部と、その開口部に連通して設けられ、前記被検出体を案内可能に収容する収容部とを備え、その収容部の底部に前記バイアス磁石がインサート成形されている位置検出装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の位置検出装置において、
前記磁気抵抗素子は磁気抵抗効果を用いたＭＲＥ素子であり、前記バイアス磁石を挟むように前記案内レール部材の両側に配置されている位置検出装置。
【請求項４】
請求項２又は３に記載の位置検出装置において、
前記収容部の底面には、長手方向に沿って延びるように一対の突起条が凸設されている位置検出装置。
【請求項５】
車両に搭載され、その自動変速機の接続状態を切り換えるためのシフトレバー装置であって、
複数箇所に移動可能とされたシフトレバーを被検出体とする請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載の位置検出装置と、前記シフトレバーの検出位置に基づいて、入力されたシフト操作を検知する検知手段とを具備することを特徴とするシフトレバー装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、位置検出装置及びシフトレバー装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、自動変速機を搭載した車両では、そのシフトレバー装置のシフトレバーを操作することにより自動変速機の接続状態を切り換えるようになっている。
かかるシフトレバー装置として、近年、シフトレバー等のシフト部材の切換位置を磁気抵抗素子等のセンサによって検出し、その検出信号に基づいて、前記シフト部材の切換位置を検出するとともに、アクチュエータを作動させて前記自動変速機の接続状態を切り換える、所謂シフトバイワイヤ方式が開発されている（例えば、特許文献１を参照）。
【０００３】
該シフトバイワイヤ方式を採用したシフトレバー装置では、リンク機構等の機械的な構成が不要になるため、比較的小さな力でシフト操作が可能になるとともに、小型化が実現され、車室内におけるシフトレバー装置のレイアウト等の設計に自由度を持たせることができる。
【０００４】
この種のシフトレバー装置において、自動変速機の接続状態を切り換えるためのシフト操作が入力される被検出体としてのシフトレバーと、該シフトレバーの切換位置（シフトポジション）を検出することにより入力されたシフト操作を検知する検知装置とを備えたものがある。
【０００５】
該検知装置は、外部より入射される磁束の方向を検出する磁気抵抗素子と、該磁気抵抗素子にバイアス磁界を付与するバイアス磁石とを備え、前記磁気抵抗素子から出力される検出信号に基づいて前記シフトレバーの切換位置を検出するように構成されている。
【０００６】
このシフトレバー装置では、磁気抵抗素子及びバイアス磁石が一つの回路基板上に組付けられ、シフトレバー（に設けられた磁性体）が前記磁気抵抗素子及びバイアス磁石に対して移動し、当該磁気抵抗素子によって検出された磁束の方向（検出信号）に基づいて前記シフトレバーの切換位置が検出される（例えば、特許文献２を参照）。
【０００７】
このようなシフトレバー装置では、磁気抵抗素子から出力される検出信号が、シフトレバー（磁性体）が所定位置（切換位置や移動途中の位置を含む。）にあるときに、当該所定位置に応じて想定されたとおりの出力レベル（出力電圧）であることが、位置検出誤差を極力低減する観点や、該位置検出誤差に由来する不測の事態を防止する観点から、シフトレバー装置の設計仕様上、強く要求されている。
【０００８】
そしてこのために、磁気抵抗素子及びバイアス磁石の組付け公差（配置位置ずれ）が僅小であることは勿論のこと、シフトレバー（磁性体）及びバイアス磁石の組付け公差も僅小であることが必要となる。
【特許文献１】特開２００５−６７２２８号公報
【特許文献２】特開２０００−３１８４７５号公報、第３０段落等
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、前記したシフトレバー装置では、磁気抵抗素子及びバイアス磁石は一つの回路基板上に組付けられている。このため、該両部材の同回路基板上への組付け公差の僅小化により、シフトレバーの位置検出誤差をある程度低減することが可能となっているものの、シフトレバー（磁性体）とバイアス磁石については、かかる位置検出誤差を低減する手段は何ら設けられていないのが現状である。
【００１０】
また、磁気抵抗素子及びバイアス磁石の組付け公差、シフトレバー（磁性体）及びバイアス磁石の組付け公差がそれぞれ僅小化されていても、両組付け公差が重畳されることにより、シフトレバーの位置検出誤差が顕在化する場合が考えられる。
【００１１】
本発明は、上記問題点を解決するためになされたものであって、その目的は、磁性を有する被検出体、磁気抵抗素子、及びバイアス磁石の組付け公差が僅小化され、被検出体の位置検出誤差が低減できる位置検出装置、及び該位置検出装置を用いたシフトレバー装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記問題点を解決するために、請求項１に記載の発明は、磁性を有する被検出体と、該被検出体を一定の軌道に沿わせて所定位置に案内する案内レール部材と、外部より入射される磁束の方向を検出する磁気抵抗素子と、該磁気抵抗素子が組付けられる支持部材と、前記磁気抵抗素子にバイアス磁界を付与するバイアス磁石と、前記被検出体及びバイアス磁石により形成され、前記磁気抵抗素子によって検出された磁束の方向に基づいて前記被検出体の位置を検出する検出手段とを備えた位置検出装置であって、前記バイアス磁石は、該バイアス磁石と前記被検出体との位置関係を規定すべく、前記案内レール部材に固設されているとともに、当該案内レール部材は、前記バイアス磁石が前記磁気抵抗素子に対して位置決めされた状態で前記支持部材に固設され、前記バイアス磁石が、インサート成形により前記案内レール部材に一体的に埋設されていること、を要旨とする。
【００１３】
同構成によれば、バイアス磁石は、該バイアス磁石と被検出体との位置関係を規定すべく、案内レール部材に固設されているとともに、当該案内レール部材は、バイアス磁石が磁気抵抗素子に対して位置決めされた状態で支持部材に固設されている。このため、案内レール部材により案内される被検出体及びバイアス磁石の組付け公差を僅小化することができ、磁性を有する被検出体、磁気抵抗素子、及びバイアス磁石の組付け公差を、磁気抵抗素子及びバイアス磁石の組付け公差のみに依存するようにすることができる。これにより、磁気抵抗素子及びバイアス磁石の支持部材への組付け精度を高めることで、磁性を有する被検出体、磁気抵抗素子、及びバイアス磁石の組付け公差が僅小化されるようになる。
特に、バイアス磁石がインサート成形により案内レール部材に一体的に埋設されているので、実用的且つ確実な手法で案内レール部材により案内される被検出体及びバイアス磁石の組付け公差を僅小とすることができる。
【００１４】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の位置検出装置において、前記案内レール部材は、該案内レール部材の表面で開口する開口部と、その開口部に連通して設けられ、前記被検出体を案内可能に収容する収容部とを備え、その収容部の底部に前記バイアス磁石がインサート成形されていること、を要旨とする。
【００１６】
請求項３に記載の発明は、請求項１又は２に記載の位置検出装置において、前記磁気抵抗素子は磁気抵抗効果を用いたＭＲＥ素子であり、前記バイアス磁石を挟むように前記案内レール部材の両側に配置されていること、を要旨とする。
【００１８】
請求項４に記載の発明は、請求項２又は３に記載の位置検出装置において、前記収容部の底面には、長手方向に沿って延びるように一対の突起条が凸設されていること、を要旨とする。
【００２０】
請求項５に記載の発明は、車両に搭載され、その自動変速機の接続状態を切り換えるためのシフトレバー装置であって、複数箇所に移動可能とされたシフトレバーを被検出体とする請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載の位置検出装置と、前記シフトレバーの検出位置に基づいて、入力されたシフト操作を検知する検知手段とを具備すること、を要旨とする。
【００２１】
同構成によれば、車両の自動変速機の接続状態を切り換えるべく複数箇所に移動されるシフトレバーの位置検出のために、請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載の位置検出装置が用いられているので、シフトレバーが案内レール部材上の所定位置にあるときに磁気抵抗素子からの検出信号の出力レベルが想定されたとおりとなり、シフトレバーの位置検出誤差が低減でき、シフトレバー装置の設計仕様を満足することが可能となる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、磁性を有する被検出体、磁気抵抗素子、及びバイアス磁石の組付け公差が僅小化され、被検出体の位置検出誤差が低減できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。
図１（ａ）に示すように、本実施形態のシフトレバー装置１は、車両の自動変速機のシフトポジションを切り換えるべく、複数箇所に移動される被検出体としてのシフトレバー２と、該シフトレバー２が挿通される変形Ｈ型（ｈ型）のシフトゲート３が形成されたシフトパネル４とを備えている。このシフトパネル４は、車両のインストルメントパネルに設けられている。尚、本実施形態のシフトレバー装置１は、シフトレバー２の位置検出装置として機能するものである。
【００２４】
詳しくは、前記シフトレバー２は、車両の自動変速機の接続状態を切り換えるべく、運転者のシフト操作により、前記シフトゲート３に沿って同シフトゲート３の複数箇所に設定された各ポジションＡ〜Ｅ（切換位置）に移動可能に設けられている。
【００２５】
前記シフトゲート３は、互いに平行に延びる第１ゲート１１及び第２ゲート１２と、これら第１ゲート１１及び第２ゲート１２間を接続する第３ゲート１３とからなり、第１ゲート１１は、第２ゲート１２の約半分の長さとされている。そして、第３ゲート１３は、第１ゲート１１の上方端部から同第１ゲート１１と略直交する方向に延設され、第２ゲート１２の略中央部において同第２ゲート１２に接続されている。
【００２６】
そして、前記ポジションＡ，Ｂ，Ｃは、それぞれ、第２ゲート１２の上方端部、同第２ゲート１２の略中央部に位置する第３ゲート１３との接続点、同第２ゲート１２の下方端部に設けられている。さらに、前記ポジションＤ，Ｅは、それぞれ、第１ゲート１１の上方端部（第３ゲート１３との接続点）、同第１ゲート１１の下方端部に設けられている。
【００２７】
図１（ａ）に示すシフトレバー装置１では、前記ポジションＡ，Ｂ，Ｃは、それぞれ、リバースポジション「Ｒ」、ニュートラルポジション「Ｎ」、ドライブポジション「Ｄ」として設定されている。さらに、前記ポジションＤ，Ｅは、それぞれ、中立位置、ブレーキポジション「Ｂ」として設定されている。このように前記ポジションＤは中立位置として設定されており、運転者のシフト操作によって、シフトレバー２が同ポジションＤから各ポジションＡ〜Ｅに移動させられると、再び中立位置であるポジションＤへ、図示しないモーメンタリー機構によって自動的に復帰するように構成されている。
【００２８】
図１（ａ）及び図１（ｂ）に示すように、本実施形態のシフトレバー装置１は、外部より入射される磁束の方向を検出する磁気抵抗素子としての四対（複数対）のセンサチップ１１ａ，１１ｂ、…、１３ａ，１３ｂと、該センサチップ１１ａ，１１ｂ、…にそれぞれバイアス磁界を付与するバイアス磁石１０１〜１０３と、シフトレバー２が運転者によりシフト操作された際に、同センサチップ１１ａ，１１ｂ、…から出力される検出信号に基づいてシフトレバー２の位置を検出するとともに、同シフトレバー２に入力されたシフト操作を検知する検出手段及び検知手段としてのコントローラ６とを備えている。このコントローラ６は、前記シフトパネル４の背面側に設けられており、前記検出信号に基づき、シフトレバー２が前記各ポジションＡ〜Ｅ（切換位置）のいずれにあるかの位置検出を行うとともに、該位置検出の結果に基づいて同シフトレバー２に入力されたシフト操作を検知する。
【００２９】
詳しくは、前記第１ゲート１１の下方において、前記ポジションＤ及びＥの中間位置には、バイアス磁石１０１が設けられるとともに、該バイアス磁石１０１を同第１ゲート１１を横断する方向（第３ゲート１３の長手方向）で挟み込むように一対のセンサチップ１１ａ，１１ｂが設けられている。また、前記第２ゲート１２の下方において、前記ポジションＡ及びＢの中間位置には、バイアス磁石１０２ａが設けられるとともに、該バイアス磁石１０２ａを同第２ゲート１２を横断する方向（第３ゲート１３の長手方向）で挟み込むように一対のセンサチップ１２ａ，１２ｂが設けられている。また、第２ゲート１２の下方において、前記ポジションＢ及びＣの中間位置には、バイアス磁石１０２ｂが設けられるとともに、該バイアス磁石１０２ｂを同第２ゲート１２を横断する方向（第３ゲート１３の長手方向）で挟み込むように一対のセンサチップ１２ｃ，１２ｄが設けられている。さらに、第３ゲート１３の下方において、前記ポジションＢ及びＤの中間位置には、バイアス磁石１０３が設けられるとともに、該バイアス磁石１０３を同第３ゲート１３を横断する方向（第１及び第２ゲート１１，１２の長手方向）で挟み込むように一対のセンサチップ１３ａ，１３ｂが設けられている。尚、本実施形態では、前記四対（複数対）のセンサチップ１１ａ，１１ｂ、…、１３ａ，１３ｂと、各センサチップ１１ａ，１１ｂ、…に対応するバイアス磁石１０１，…とは、それぞれ、図１（ａ）に示すシフトパネル４とコントローラ６との間に配設された支持部材としての回路基板５の裏面と表面に、組付け公差が僅小となるように、互いに位置決めされた状態で組み付けられている。
【００３０】
ここで、各センサチップ１１ａ〜１３ｂは、それぞれ、所定の挟み角（９０°）をなして配置された一対のＭＲＥ（Magneto-resistance effect；磁気抵抗効果）素子（磁気抵抗素子）７ａ，７ｂを電気的に接続してなるハーフブリッジ回路８により構成されている（図２（ａ）及び図２（ｂ）参照）。即ち、各ＭＲＥ素子７ａ，７ｂは、同ＭＲＥ素子７ａ，７ｂを貫く磁束の方向がその電流方向と平行となる方向に接近する程、その抵抗値（出力電圧値）が高くなるようにされている。
【００３１】
一方、図１（ｂ）に示すように、前記シフトレバー２の基端部には、扁平な四角柱状のカウンター磁石２ａが一体的に固設されており、当該シフトレバー２のシフト操作による移動に伴い、前記各ポジションＡ〜Ｅに移動する。
【００３２】
そして、本実施形態では、前記カウンター磁石２ａ及びバイアス磁石１０１〜１０３により形成され、前記ＭＲＥ素子７ａ，７ｂ（センサチップ１１ａ，１１ｂ、…）によって検出された磁束の方向に基づいて前記シフトレバー２の位置が検出される。
【００３３】
詳しくは、第３ゲート１３に配設された一対のセンサチップ１３ａ，１３ｂを例にとれば、その内のセンサチップ１３ａの出力端子Ｐoutにおける出力電圧Ｖ（中間電位）は、図２（ａ）及び図２（ｂ）を参照して、前記シフトレバー２（カウンター磁石２ａ）がシフトゲート３においてポジションＤに位置し、当該センサチップ１３ａのハーフブリッジ回路８における磁束の方向が接地側のＭＲＥ素子７ｂ（の電流方向）と平行となる方向に接近する程高くなる（図２（ａ）の状態）。一方、前記シフトレバー２（カウンター磁石２ａ）が前記シフトゲート３においてポジションＢに位置し、その磁束の方向が電源側のＭＲＥ素子７ａ（の電流方向）と平行となる方向に接近する程低くなる（図２（ｂ）の状態）。
【００３４】
このようにして、前記シフトレバー２がポジションＡ〜Ｅのいずれかに位置する場合に、前記各センサチップ１１ａ〜１３ｂにおいて、それぞれ、一対のＭＲＥ素子７ａ，７ａ（ハーフブリッジ回路８の出力端子Ｐout）から出力電圧Ｖが出力される。そして、図示しないコンパレータに入力されて閾値Ｖｔｈと比較され、当該各センサチップ１１ａ〜１３ｂにおいて、「１」（Ｖ≧Ｖｔｈの場合）又は「０」（Ｖ＜Ｖｔｈの場合）の２値化信号が生成される。そして、各一対のセンサチップ１１ａ，１１ｂ、…、１３ａ，１３ｂにおいて、２値化信号の組とされ、さらにコンパレータを介して四組の２値化信号の組（例えば、「０，０」、「０，０」、「０，０」、「１，０」等）が前記コントローラ６に入力される。そして、同コントローラ６において、当該四組の２値化信号の組が、各ポジションＡ〜Ｅとの対照テーブル（図示せず）と対照され、当該シフトレバー２（カウンター磁石２ａ）の切換位置（ポジションＡ〜Ｅのいずれか）が検出されるとともに、入力されたシフト操作が検知される。
【００３５】
図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すように、本実施形態のシフトレバー装置１は、前記シフトパネル４と回路基板５との間に配設され、前記カウンター磁石２ａを前記シフトゲート３のゲートパターン（図３（ａ）中、仮想線で示す一定の軌道）に正確に沿わせて前記各ポジションＡ〜Ｅ（所定位置）に案内する案内レール部材９を備えている。そして、前記バイアス磁石１０１〜１０３は、該バイアス磁石１０１〜１０３と、案内レール部材９により案内されるシフトレバー２（カウンター磁石２ａ）との位置関係を規定すべく、前記案内レール部材９にインサート成形により一体的に埋設（固設）されている。さらに、該案内レール部材９は、前記バイアス磁石１０１〜１０３が前記センサチップ１１ａ，１１ｂ、…（ＭＲＥ素子７ａ，７ａ、…）に対して位置決めされた状態で、複数対のピン９ｐ，９ｐ，…を介して回路基板５に固設されている（図３（ｂ）参照）。
【００３６】
詳しくは、該案内レール部材９は、前記シフトゲート３のゲートパターンに合致するように変形Ｈ型（ｈ型）に形成され、さらに案内レール部材９には、同じく変形Ｈ型に形成された案内レール９ａ（溝）が形成されている。該案内レール９ａは、前記シフトレバー２が挿通されるとともに、前記シフトゲート３に沿うように案内レール部材９の表面で開口する開口部９ｂと、同案内レール部材９の内部において前記開口部９ｂに連通して設けられ、前記カウンター磁石２ａを前記第１ゲート１１〜第３ゲート１３に沿って案内可能（移動可能）に収容する収容部９ｃとからなる。
【００３７】
そして、本実施形態のシフトレバー装置１は、前記シフトゲート３及び案内レール９ａの開口部９ｂに前記シフトレバー２が挿通されるとともに、前記カウンター磁石２ａが前記収容部９ｃに収容された状態で、同カウンター磁石２ａが前記第１ゲート１１〜第３ゲート１３に沿って案内され、前記各ポジションＡ〜Ｅに位置するように構成されている。
【００３８】
これにより、前記シフトレバー２は、前記シフトゲート３の変形Ｈ型のゲートパターン（一定の軌道）に正確に沿って移動するようになる。換言すれば、前記シフトレバー２（カウンター磁石２ａ）は、前記ゲートパターンに沿って、上下左右（案内レール９ａの深さ方向と幅方向）に振れることなく前後方向（進行方向）にのみ移動するようになる。尚、前記案内レール９ａの収容部９ｃの底面９ｄには、前記カウンター磁石２ａと当該底面９ｄとの摺動摩擦を低減すべく、前記第１ゲート１１〜第３ゲート１３の長手方向に沿って延びるように一対の突起条９ｅ，９ｅが凸設されている。
【００３９】
さらに、前記バイアス磁石１０１〜１０３は、前記案内レール９ａの収容部９ｃ内を移動するカウンター磁石２ａとの位置関係が想定されたとおりになるように、前記案内レール部材９にインサート成形により一体的に埋設されている。ここで、インサート成形とは、金属部品等（インサート品）を予め金型内に装填しておき、金型に注入した樹脂と一体化して複合部品を成形する方法をいい、金属部品等を樹脂中で高精度に配置することが可能となる。
【００４０】
前記シフトレバー２は、このように前記案内レール９ａの収容部９ｃ内にカウンター磁石２ａが収容された状態で、前記各ポジションＡ〜Ｅ（切換位置）に位置するようにシフト操作されることで、自動変速機の接続状態（「Ｒ」、「Ｎ」、「Ｄ」、「Ｂ」、「中立位置」のいずれか）が切り換えられる。
【００４１】
上述したように、本実施形態では、前記バイアス磁石１０１〜１０３が案内レール部材９にインサート成形により一体的に埋設（固設）されているとともに、当該案内レール部材９は、回路基板５に対して固設されている。このため、当該案内レール部材９とバイアス磁石１０１〜１０３との組付け公差、ひいては、前記カウンター磁石２ａとバイアス磁石１０１〜１０３との組付け公差が僅小化される。そして、前記シフトレバー２に固設されているカウンター磁石２ａが、前記シフトゲート３のゲートパターンに沿って、当該バイアス磁石１０１〜１０３に対して想定された位置関係のとおりに移動するようになる。
【００４２】
以下、図４に示すように、前記シフトレバー２（カウンター磁石２ａ）がシフトゲート３内においてポジションＤからポジションＢへ移動し、該移動に伴い、前記センサチップ１３ａのＭＲＥ素子７ａ，７ｂ（ハーフブリッジ回路８）における磁束の方向が、図２（ａ）に示す状態から図２（ｂ）に示す状態になる場合を例として説明する。この場合、図５に示すように、従来技術の如く、バイアス磁石１０３が案内レール部材９に固設されていない状態では、カウンター磁石２ａとバイアス磁石１０３との位置関係が、案内レール部材９及びバイアス磁石１０３の組付け公差の分、想定された状態から外れるようになる。そして、センサチップ１３ａからの出力電圧Ｖ（図５中、仮想線で示す。）もＸ軸方向（第３ゲート１３の長手方向）に図５中、ΔＸだけずれるようになる。これにより、当該センサチップ１３ａ，１３ｂの出力電圧Ｖに基づく２値化信号の組（例えば、「１，０」）が設計仕様とおりにコントローラ６に入力されず、シフトレバー装置１としての信頼性を損ねることになる。これにより、同シフトレバー装置１において、想定したとおりに２値化信号の組が得られないために、コントローラ６の動作が安定せず、さらに場合によっては、車両の自動変速機の接続状態に不具合を生じることすらある。これに対し、本実施形態では、案内レール部材９にバイアス磁石１０３が固設（一体化）されており、案内レール部材９及びバイアス磁石１０３の組付け公差が僅小化されるため、カウンター磁石２ａとバイアス磁石１０３との位置関係は、想定されたとおりとなる。そして、当該センサチップ１３ａ，１３ｂからの出力電圧Ｖ（図５中、実線で示す。）も想定されたとおりとなる。そしてこの結果、当該センサチップ１３ａ，１３ｂの出力電圧Ｖに基づく２値化信号の組（例えば、「１，０」）が設計仕様とおりにコントローラ６に入力され、シフトレバー装置１としての信頼性が高められるようになる。
【００４３】
本実施形態によれば、以下のような作用・効果を得ることができる。
（１）バイアス磁石１０１〜１０３は、該バイアス磁石１０１〜１０３とシフトレバー２（カウンター磁石２ａ）との位置関係を規定すべく、シフトレバー２をゲートパターンに正確に沿わせて案内する案内レール部材９に固設（一体化）されているとともに、当該案内レール部材９は、バイアス磁石１０１〜１０３がセンサチップ１１ａ，１１ｂ、…（ＭＲＥ素子７ａ，７ｂ、…）に対して位置決めされた状態で回路基板５に固設されている。これにより、ＭＲＥ素子７ａ，７ｂ、…及びバイアス磁石１０１〜１０３の回路基板５への組付け精度を高めることで、シフトレバー２、センサチップ１１ａ，１１ｂ、…、及びバイアス磁石１０１〜１０３の組付け公差が僅小化されるようになる。そしてこの結果、シフトレバー２が案内レール部材９上の所定位置（切換位置や移動途中の位置を含む。）にあるときにＭＲＥ素子７ａ，７ｂ、…から出力される出力電圧Ｖが想定されたとおりとなり、当該シフトレバー２の位置検出誤差が低減でき、シフトレバー装置１の設計仕様を満足することが可能となる。
【００４４】
（２）バイアス磁石１０１〜１０３がインサート成形により案内レール部材９に一体的に埋設されているので、実用的且つ確実な手法で案内レール部材９により案内されるシフトレバー２（カウンター磁石２ａ）及びバイアス磁石１０１〜１０３の組付け公差を僅小とすることができる。
【００４５】
尚、上記実施形態は以下のように変形してもよい。
・上記実施形態では、バイアス磁石１０１〜１０３は、該バイアス磁石１０１〜１０３とシフトレバー２（カウンター磁石２ａ）との位置関係を規定すべく、前記案内レール部材９に固設するとともに、当該案内レール部材９は、バイアス磁石１０１〜１０３がセンサチップ１１ａ，１１ｂ、…（ＭＲＥ素子７ａ，７ｂ、…）に対して位置決めされた状態で回路基板５に固設した。
【００４６】
しかし、本発明の技術的思想はこれに限られず、センサチップ１１ａ，１１ｂ、…（ＭＲＥ素子７ａ，７ｂ、…）とバイアス磁石１０１〜１０３との位置関係、及び、案内レール部材９´により一定の軌道に沿わせて所定位置に案内されるシフトレバー２（カウンター磁石２ａ）とバイアス磁石１０１〜１０３との位置関係を規定すべく、次のように構成されていてもよい。即ち、センサチップ１１ａ，１１ｂ、…及びバイアス磁石１０１〜１０３が、外部配線との接続に用いられ、所定の配線パターンをなすように導電性を有する金属材料からなるリードフレームに互いに位置決めされて組付けられているとともに、当該案内レール部材９´は、当該リードフレームを封止する際に用いる樹脂によって該リードフレームと一体的に金型成形されていてもよい。尚、ここで、リードフレームは、上記実施形態で示したような回路基板５の代わりに用いられるものが好ましいが、そのような回路基板５と組み合わせて用いられるものであってもよい。
【００４７】
ここで、案内レール部材９´は、リードフレームに組付けられたセンサチップ１１ａ，１１ｂ、…及びバイアス磁石１０１〜１０３との組付け交差が僅小となるように、且つ、上記実施形態で説明した案内レール部材９と同様な形状に封止樹脂を用いて金型成形することが好ましい。即ち、案内レール部材９´は、シフトレバー２（カウンター磁石２ａ）が、当該案内レール部材９´によって案内され、シフトゲート３のゲートパターン（一定の軌道）に正確に沿って移動するような形状とすることが好ましい。つまり、案内レール部材９´は、シフトレバー２が、前記ゲートパターンに沿って、上下左右（案内レール９ａの深さ方向と幅方向）に振れることなく前後方向（進行方向）にのみ移動するような形状にリードフレームの封止樹脂を用いて金型成形することが好ましい。
【００４８】
これによれば、センサチップ１１ａ，１１ｂ、…（ＭＲＥ素子７ａ，７ｂ、…）とバイアス磁石１０１〜１０３との位置関係、及び、案内レール部材９´により一定の軌道に沿わせて所定位置に案内されるシフトレバー２とバイアス磁石１０１〜１０３との位置関係を規定すべく、次のように構成されている。即ち、センサチップ１１ａ，１１ｂ、…及びバイアス磁石１０１〜１０３が、外部配線との接続に用いられ、所定の配線パターンをなすように導電性を有する金属材料からなるリードフレームに互いに位置決めされて組付けられている。さらに、案内レール部材９´が、当該リードフレームを封止する樹脂により金型を用いて成形されている。このため、案内レール部材９´により案内される被検出体及びバイアス磁石１０１〜１０３の組付け公差を僅小化することができ、シフトレバー２、センサチップ１１ａ，１１ｂ、…、及びバイアス磁石１０１〜１０３の組付け公差を、センサチップ１１ａ，１１ｂ、…及びバイアス磁石１０１〜１０３の組付け公差のみに依存するようにすることができる。しかも、センサチップ１１ａ，１１ｂ、…及びバイアス磁石１０１〜１０３を前記リードフレームに組付けた場合の組付け公差は、回路基板への組付け（実装）時の組付け公差（±０．２〜±０．３ｍｍ）と比較すると非常に小さい（±５０μｍ程度）。即ち、該組付け公差は、事実上皆無であって、そもそも僅小であることから、シフトレバー２、ＭＲＥ素子７ａ，７ｂ、…、及びバイアス磁石１０１〜１０３の組付け公差が僅小化されるようになる。
【００４９】
さらに、このように案内レール部材９´をリードフレームを封止する樹脂により金型を用いて成形する場合、所謂トランスファーモールド成形を用いることが好ましい。この成形法によれば、加熱加圧した封止樹脂を閉鎖され、加熱した金型内へ注入して加圧成形する方法であり、実用的であって、しかも、量産性良好にリードフレームを封止しつつ案内レール部材９´を一体的に成形することが可能となる。
【００５０】
・上記実施形態では、案内レール部材９に埋設したバイアス磁石１０１〜１０３が、回路基板５に直接組み付け（固設）されるように案内レール部材９から露出するようにした（図３（ｂ）参照）。しかしこれに限られず、バイアス磁石１０１〜１０３のセンサチップ１１ａ，１１ｂ、…に対する組付け公差を僅小となしうる限り、当該バイアス磁石１０１〜１０３は、案内レール部材９中に完全に埋め込まれていてもよい。
【００５１】
・上記実施形態では、バイアス磁石１０１〜１０３のみを案内レール部材９にインサート成形により埋設したが、さらにセンサチップ１１ａ，１１ｂ、…をバイアス磁石１０１〜１０３に対して位置決めした状態で当該バイアス磁石１０１〜１０３と共に案内レール部材９にインサート成形により埋設してもよい。
【００５２】
・上記実施形態では、被検出体の位置を検出する位置検出装置を、被検出体をシフトレバーとし、車両の自動変速機の接続状態を切り換えるシフトレバー装置に適用した。しかし、これに限られず、このような技術的思想の位置検出装置は、その他にも、被検出体の位置を検出するために、無接点のセンサスイッチが適用されうる装置に適用できる。例えば、車両のパドルシフト装置、車両の各種スイッチ装置（ニュートラルスタートスイッチ装置、ストップランプスイッチ装置、プッシュスタートスイッチ装置等）、車両のシートバックル装置に適用することも可能である。
【００５３】
・上記実施形態では、磁気抵抗素子として磁束の方向（磁気ベクトル）を検出するＭＲＥ素子を用いたが、磁気抵抗素子としては、例えば、所定方向の磁界の強度を検出するセンサであるホール素子を用いることもできる。
【００５４】
・上記実施形態では、各センサチップ１１ａ〜１３ｂは、それぞれ、所定の挟み角（９０°）をなして配置された一対のＭＲＥ素子（磁気抵抗素子）７ａ，７ｂを電気的に接続してなるハーフブリッジ回路８により構成したが、さらに検出感度を高めるべく、該ハーフブリッジ回路８を一対備えるフルブリッジ回路より構成することも勿論可能である。
【００５５】
・上記実施形態では、シフトゲート３のゲートパターンを変形Ｈ型としたが、該ゲートパターンは、これに限られず、階段状のゲートパターン等、その他の多様なゲートパターンであってもよい。
【００５６】
・上記実施形態では、シフトレバー装置１は、車両のインストルメントパネルに設けられるものとしたが、これに限られず、その他の箇所、例えば、センターコンソールやステアリングコラムに設けられるものであってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】（ａ）は、本発明の実施形態に係るシフトレバー装置の一部構成を示す斜視図、（ｂ）は、同シフトレバー装置のセンサチップ及びバイアス磁石の配置を示す立体図。
【図２】ＭＲＥ素子からなるハーフブリッジ回路を示す回路図であり、（ａ）は、磁束の方向が接地側のＭＲＥ素子（の電流方向）と平行となっている状態を示す図（シフトレバーがポジションＤにあるときに対応する図）、（ｂ）は、磁束の方向が電源側のＭＲＥ素子（の電流方向）と平行となっている状態を示す図（シフトレバーがポジションＢにあるときに対応する図）。
【図３】（ａ）は、本発明の実施形態に係るシフトレバー装置の全体構成を示す斜視図、（ｂ）は、（ａ）のａ−ａ矢視断面図。
【図４】図３（ａ）のｂ−ｂ矢視断面に対応する図であり、シフトレバーがポジションＤからポジションＢに移動している状態を示す作用図。
【図５】シフトパネルの第３ゲートに配設されたセンサチップ（ＭＲＥ素子）の出力電圧Ｖを示す図であり、実線は本発明の実施形態のセンサチップの出力状態を示し、仮想線（２点鎖線）は従来技術のセンサチップの出力状態を示すグラフ図。
【符号の説明】
【００５８】
１…シフトレバー装置、１１ａ，１１ｂ、１２ａ，１２ｂ、１２ｃ，１２ｄ、１３ａ，１３ｂ…センサチップ、１０１、１０２ａ、１０２ｂ、１０３（１０１〜１０３）…バイアス磁石、２…シフトレバー、２ａ…カウンター磁石、３…シフトゲート、４…シフトパネル、５…回路基板、６…コントローラ、７ａ，７ｂ…ＭＲＥ素子、８…ハーフブリッジ回路、９…案内レール部材。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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