(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板の基板間に封入された分散媒中に分散され、絶対値が第１の閾値以上の第１の電圧が前記基板間に印加されることにより移動する第１の粒子群と、前記第１の粒子群と色が異なり、前記分散媒中に分散され、絶対値が前記第１の閾値より小さい第２の閾値以上の第２の電圧が前記基板間に印加されることにより移動する第２の粒子群と、を有する表示媒体に対して、
前記第１の電圧を印加して前記第１の粒子群を移動させた後に前記第２の電圧を印加して前記第２の粒子群を移動させる場合、予め定められた複数の前記第１の電圧の電圧値及び電圧印加時間のうち、前記第１の電圧を印加した後に前記第２の電圧を前記基板間に印加しても前記第１の粒子群が移動せず且つ最も駆動エネルギーが低くなる前記第１の電圧の電圧値及び電圧印加時間を設定する設定手段と、
前記設定手段により設定された前記第１の電圧を前記基板間に印加した後、前記第２の電圧を前記基板間に印加する電圧印加手段と、
を備えた表示媒体の駆動装置。
【請求項２】
前記設定手段は、前記第１の電圧の電圧値を固定にすると共に、前記第２の粒子群の表示濃度に応じて、前記第１の電圧の前記電圧印加時間を変更する
請求項１記載の表示媒体の駆動装置。
【請求項３】
前記電圧印加手段が、
前記第１の粒子群が前記一対の基板のうち一方の基板に移動し且つ前記第２の粒子群が前記一対の基板のうち他方の基板に移動するように前記第１の電圧を前記基板間に印加し、
前記設定手段により設定された前記第１の電圧であって、前記第１の粒子群の表示濃度に応じた前記第１の電圧を前記基板間に印加し、
絶対値が前記第１の閾値未満で且つ前記第２の閾値以上の前記第２の電圧であって、前記第２の粒子群の表示濃度に応じた前記第２の電圧を前記基板間に印加する
請求項１又は請求項２記載の表示媒体の駆動装置。
【請求項４】
コンピュータを、請求項１〜請求項３の何れか１項に記載の表示媒体の駆動装置を構成する各手段として機能させるための表示媒体の駆動プログラム。
【請求項５】
一対の基板と、前記一対の基板間に封入された分散媒中に分散され且つ前記基板間に形成された電界に応じて前記基板間を移動するように前記基板間に封入された色及び帯電極性が異なる複数種類の粒子群と、を有する表示媒体と、
前記請求項１〜請求項３の何れか１項に記載の前記表示媒体の駆動装置と、
を備えた表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示媒体の駆動装置、駆動プログラム、及び表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、少なくとも一方が透光性を有すると共に間隙をもって対向して配置された一対の基板と、前記一対の基板間に封入された透光性を有する分散媒と、前記分散媒中に移動可能に分散され、前記基板間に形成される電界に応じて移動すると共に、互いに色及び前記基板からの離脱する力が異なる複数種類の粒子群と、を備えた画像表示媒体が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−２４９１８８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、第１の粒子を移動させた後に第１の粒子より低閾値の第２の粒子を移動させる場合に、第２の粒子の表示濃度に関わらず第１の粒子を移動させる際の電圧を固定にした場合と比較して、第１の粒子を移動させる際の駆動エネルギーを抑制することができる表示媒体の駆動装置、駆動プログラム、及び表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
請求項１記載の発明の表示媒体の駆動装置は、一対の基板の基板間に封入された分散媒中に分散され、絶対値が第１の閾値以上の第１の電圧が前記基板間に印加されることにより移動する第１の粒子群と、前記第１の粒子群と色が異なり、前記分散媒中に分散され、絶対値が前記第１の閾値より小さい第２の閾値以上の第２の電圧が前記基板間に印加されることにより移動する第２の粒子群と、を有する表示媒体に対して、前記第１の電圧を印加して前記第１の粒子群を移動させた後に前記第２の電圧を印加して前記第２の粒子群を移動させる場合、予め定められた複数の前記第１の電圧の電圧値及び電圧印加時間のうち、前記第１の電圧を印加した後に前記第２の電圧を前記基板間に印加しても前記第１の粒子群が移動せず且つ最も駆動エネルギーが低くなる前記第１の電圧の電圧値及び電圧印加時間を設定する設定手段と、前記設定手段により設定された前記第１の電圧を前記基板間に印加した後、前記第２の電圧を前記基板間に印加する電圧印加手段と、を備える。
【０００６】
請求項２記載の発明は、前記設定手段は、前記第１の電圧の電圧値を固定にすると共に、前記第２の粒子群の表示濃度に応じて、前記第１の電圧の前記電圧印加時間を変更する。
【０００７】
請求項３記載の発明は、前記電圧印加手段が、前記第１の粒子群が前記一対の基板のうち一方の基板に移動し且つ前記第２の粒子群が前記一対の基板のうち他方の基板に移動するように前記第１の電圧を前記基板間に印加し、前記設定手段により設定された前記第１の電圧であって、前記第１の粒子群の表示濃度に応じた前記第１の電圧を前記基板間に印加し、絶対値が前記第１の閾値未満で且つ前記第２の閾値以上の前記第２の電圧であって、前記第２の粒子群の表示濃度に応じた前記第２の電圧を前記基板間に印加する。
【０００８】
請求項４記載の発明の表示媒体の駆動プログラムは、コンピュータを、請求項１〜請求項３の何れか１項に記載の表示媒体の駆動装置を構成する各手段として機能させる。
【０００９】
請求項５記載の発明の表示装置は、一対の基板と、前記一対の基板間に封入された分散媒中に分散され且つ前記基板間に形成された電界に応じて前記基板間を移動するように前記基板間に封入された色及び帯電極性が異なる複数種類の粒子群と、を有する表示媒体と、前記請求項１〜請求項３の何れか１項に記載の前記表示媒体の駆動装置と、を備える。
【発明の効果】
【００１０】
請求項１、３、４、５記載の発明によれば、第１の粒子を移動させた後に第１の粒子より低閾値の第２の粒子を移動させる場合に、第２の粒子の表示濃度に関わらず第１の粒子を移動させる際の電圧を固定にした場合と比較して、駆動エネルギーを抑制することができる、という効果を有する。
【００１１】
請求項２記載の発明によれば、第１の電圧の電圧印加時間を固定にすると共に、第２の表示濃度に応じて電圧値を変更する場合と比較して、駆動時間を短縮することができる、という効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】表示装置を示す概略図である。
【図２】各泳動粒子の閾値特性を示す図である。
【図３】電界強度と駆動時間との関係を示す線図である。
【図４】駆動エネルギーと閾値電界強度との関係を示す線図である。
【図５】電界強度と駆動速度との関係を示す線図である。
【図６】各泳動粒子の閾値特性を示す図である。
【図７】各泳動粒子の移動の様子を示す図である。
【図８】各泳動粒子の移動の様子を示す図である。
【図９】各泳動粒子の閾値特性を示す図である。
【図１０】駆動エネルギーと閾値電界強度との関係を示す線図である。
【図１１】マゼンダ粒子Ｍの閾値特性とシアン粒子の濃度と混色との関係を示す表である。
【図１２】電圧印加のシーケンスを示す図である。
【図１３】各泳動粒子の閾値特性を示す図である。
【図１４】マゼンダ粒子Ｍの閾値特性とシアン粒子の濃度と混色との関係を示す表である。
【図１５】電圧印加のシーケンスを示す図である。
【図１６】電圧印加のシーケンスを示す図である。
【図１７】電圧印加のシーケンスを示す図である。
【図１８】制御部で実行される処理のフローチャートである。
【図１９】各泳動粒子の閾値特性を示す図である。
【図２０】マゼンダ粒子Ｍの第２の行程の電圧とシアン粒子の濃度と混色との関係を示す表である。
【図２１】マゼンダ粒子Ｍの第２の行程の電圧とシアン粒子の濃度と混色との関係を示す表である。
【図２２】マゼンダ粒子Ｍの第２の行程の電圧とシアン粒子の濃度と混色との関係を示す表である。
【図２３】シアン粒子Ｃの第２の行程の駆動条件と濃度との関係を示す表である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しつつ説明する。作用・機能が同じ働きを担う部材には、全図面を通して同じ符合を付与し、重複する説明を省略する場合がある。また、説明を簡易化するために、適宜１つのセルに注目した図を用いて本実施形態を説明する。
【００１４】
また、シアン色の粒子をシアン粒子Ｃ、マゼンタ色の粒子をマゼンタ粒子Ｍ、黄色の粒子を黄色粒子Ｙと記し、各粒子とその粒子群は同じ記号（符号）によって示す。
【００１５】
図１（Ａ）は、本実施形態に係る表示装置を概略的に示している。この表示装置１００は、表示媒体１０と、表示媒体１０を駆動する駆動装置２０と、を備えている。駆動装置２０は、表示媒体１０の表示側電極３、背面側電極４間に電圧を印加する電圧印加部３０と、表示媒体１０に表示させる画像の画像情報に応じて電圧印加部３０を制御する制御部４０と、を含んで構成されている。
【００１６】
表示媒体１０は、画像表示面とされる、透光性を有する表示基板１と、非表示面とされる背面基板２と、が間隙を持って対向して配置されている。
【００１７】
これらの基板１、２間を定められた間隔に保持すると共に、該基板間を複数のセルに区画する間隙部材５が設けられている。
【００１８】
上記セルとは、背面側電極４が設けられた背面基板２と、表示側電極３が設けられた表示基板１と、間隙部材５と、によって囲まれた領域を示している。セル中には、例えば絶縁性液体で構成された分散媒６と、分散媒６中に分散された第１粒子群１１、第２粒子群１２、及び白色粒子群１３とが封入されている。
【００１９】
第１粒子群１１と第２粒子群１２は、色及び帯電極性が互いに異なり、一対の電極３、４間に予め定めた閾値電圧以上の電圧を印加することにより、第１粒子群１１及び第２粒子群１２がそれぞれ単独で泳動する特性を有している。一方、白色粒子群１３は、第１粒子群１１、第２粒子群１２よりも帯電量が少なく、第１粒子群１１、第２粒子群１２が何れか一方の電極側まで移動する電圧が電極間に印加されても、何れの電極側まで移動しない粒子群である。
【００２０】
なお、分散媒に着色剤を混合することで、泳動粒子の色とは異なる白色を表示させてもよい。
【００２１】
駆動装置２０（電圧印加部３０及び制御部４０）は、表示媒体１０の表示側電極３、背面側電極４間に表示させる色に応じた電圧を印加することにより、粒子群１１、１２を泳動させ、それぞれの帯電極性に応じて表示基板１、背面基板２の何れか一方に引き付ける。
【００２２】
電圧印加部３０は、表示側電極３及び背面側電極４にそれぞれ電気的に接続されている。また、電圧印加部３０は、制御部４０に信号授受されるように接続されている。
【００２３】
制御部４０は、図１（Ｂ）に示すように、例えばコンピュータ４０として構成される。コンピュータ４０は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）４０Ａ、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）４０Ｂ、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）４０Ｃ、不揮発性メモリ４０Ｄ、及び入出力インターフェース（Ｉ／Ｏ）４０Ｅがバス４０Ｆを介して各々接続された構成であり、Ｉ／Ｏ４０Ｅには電圧印加部３０が接続されている。この場合、各色の表示に必要な電圧の印加を電圧印加部３０に指示する処理をコンピュータ４０に実行させるプログラムを、例えば不揮発性メモリ４０Ｄに書き込んでおき、これをＣＰＵ４０Ａが読み込んで実行させる。なお、プログラムは、ＣＤ−ＲＯＭ等の記録媒体により提供するようにしてもよい。
【００２４】
電圧印加部３０は、表示側電極３及び背面側電極４に電圧を印加するための電圧印加装置であり、制御部４０の制御に応じた電圧を表示側電極３及び背面側電極４に印加する。
【００２５】
本実施形態では、一例として背面側電極４を接地し、表示側電極３に電圧を印加する場合について説明する。
【００２６】
図２には、背面側電極４をグランド（０Ｖ）として表面側電極３に電圧を印加した場合に基板間に印加される電界強度（Ｖ／μｍ）と、各粒子群による表示濃度との関係（閾値特性）を示したものである。図２では、シアン粒子Ｃの閾値特性を５０Ｃ、マゼンダ粒子Ｍの閾値特性を５０Ｍで表わしている。なお、本実施形態では、一例としてマゼンダ粒子Ｍが負に帯電し、シアン粒子Ｃが正に帯電されたものとして説明する。
【００２７】
図２に示すように、背面基板２側の負に帯電されたマゼンダ粒子Ｍが表示基板１側へ移動開始する電界強度（閾値電界強度）は＋ＶＭＬであり、全てのマゼンダ粒子Ｍが表示基板１側に移動終了する電界強度（閾値電界強度）は＋ＶＭＨである。また、表示基板１側のマゼンダ粒子Ｍが背面基板２側へ移動開始する電界強度（閾値電界強度）は−ＶＭＬであり、全てのマゼンダ粒子Ｍが背面基板２側に移動終了する電界強度（閾値電界強度）は−ＶＭＨである。
【００２８】
従って、＋ＶＭＬ以上の電界強度が基板間に印加されることにより背面基板２側のマゼンダ粒子が表示基板１側へ移動開始し、＋ＶＭＨ以上の電界強度が基板間に印加されることにより全てのマゼンダ粒子Ｍが表示基板１側に移動する。また、−ＶＭＬ以下の電界強度が基板間に印加されることにより表示基板１側のマゼンダ粒子Ｍが背面基板２側へ移動開始し、−ＶＭＨ以下の電界強度が基板間に印加されることにより全てのマゼンダ粒子Ｍが背面基板２側に移動する。
【００２９】
また、背面基板２側のシアン粒子Ｃが表示基板１側へ移動開始する電界強度（閾値電界強度）は−ＶＣＬであり、全てのシアン粒子Ｃが表示基板１側に移動終了する電界強度（閾値電界強度）は−ＶＣＨである。また、表示基板１側のシアン粒子Ｃが背面基板２側へ移動開始する電界強度（閾値電界強度）は＋ＶＣＬであり、全てのシアン粒子Ｃが背面基板２側に移動終了する電界強度（閾値電界強度）は＋ＶＣＨである。
【００３０】
従って、−ＶＣＬ以下の電圧を印加することで背面基板２側のシアン粒子Ｃが表示基板１側へ移動開始し、−ＶＣＨ以下の電界強度が基板間に印加されることにより全てのシアン粒子Ｃが表示基板１側に移動する。また、＋ＶＣＬ以上の電圧を印加することで表示基板１側のシアン粒子Ｃが背面基板２側へ移動開始し、＋ＶＣＨ以上の電界強度が基板間に印加されることにより全てのシアン粒子Ｃが背面基板２側に移動する。
【００３１】
ここで、電界強度と粒子の駆動時間（粒子の移動時間）との関係は、図３に示すような関係となる。図３では、マゼンダ粒子Ｍの電界強度と粒子の駆動時間との関係を示す特性を特性５２Ｍ、シアン粒子Ｃの電界強度と粒子の駆動時間との関係を示す特性を特性５２Ｃで表している。図３に示すように、基板間に印加される電界強度が大きいほど、駆動時間は短くなる。また、閾値電界強度が小さい粒子ほど、駆動時間も短い。
【００３２】
また、図４に示すように、粒子が一方の基板から他方の基板へ移動開始する電界強度の絶対値をＶＬ、全ての粒子が一方の基板から他方の基板へ移動終了する電界強度の絶対値をＶＨとすると、粒子を移動させるための駆動エネルギーによって閾値電界強度は変動し、駆動エネルギーが小さいほど、閾値電界強度も小さくなる。例えばマゼンダ粒子Ｍの閾値特性が、図４に示すように駆動エネルギーがＡの場合の閾値特性であって図２に示す閾値特性５０Ｍであったとする。そして、例えば電圧値を固定にして電圧印加時間を短くすることで駆動エネルギーを図４に示す駆動エネルギーＢにした場合、駆動エネルギーＢは駆動エネルギーＡよりも小さいので、閾値特性は、図２に示すように、閾値特性５０Ｍから５０Ｍ’にシフトする。また、図３に示すように、マゼンダ粒子Ｍの電界強度と粒子の駆動時間との関係を示す特性は、特性５２Ｍ’のようになる。なお、一方の粒子の駆動エネルギーの増減に連鎖して他方の粒子の駆動エネルギーも増減する。例えば、マゼンダ粒子Ｍを移動させる駆動エネルギーが減少すれば、シアン粒子Ｃを移動させる駆動エネルギーも連鎖的に減少する。
【００３３】
また、図５には、各粒子の電界強度と駆動速度との関係を示した。同図では、マゼンダ粒子Ｍの特性を５４Ｍ、マゼンダ粒子Ｍの閾値特性をシフトさせた場合の特性を５４Ｍ’、シアン粒子Ｃの特性を５４Ｃで示した。同図に示すように、閾値電界強度が小さいシアン粒子Ｃの方が、マゼンダ粒子Ｍよりも駆動速度が速い。
【００３４】
図２の例では、マゼンダ粒子Ｍの閾値特性が閾値特性５０Ｍ’にシフトしても、マゼンダ粒子Ｍが背面基板２側から表示基板１側に移動開始する電界強度ＶＭＬ’よりもシアン粒子Ｃが背面基板２側に移動終了する電界強度ＶＣＨの方が小さいため、混色は発生せず、駆動時間が短縮される。
【００３５】
これに対して、図６に示すように、閾値特性５０Ｍ’がシアン粒子Ｃの閾値特性５０Ｃとクロスする場合、すなわち、マゼンダ粒子Ｍの閾値電界強度ＶＭＬ’が、シアン粒子Ｃの閾値電界強度ＶＣＨよりも小さい場合、例えばシアン粒子Ｃを駆動するために閾値電界強度ＶＣＨを基板間に印加した場合に、マゼンダ粒子Ｍも移動して混色が発生する場合がある。ただし、シアン粒子Ｃの表示濃度によっては混色が発生しない条件でマゼンダ粒子Ｍを駆動することも可能である。
【００３６】
そこで、本実施形態では、混色が発生しない範囲で駆動時間が短くなるように、マゼンダ粒子Ｍの駆動条件を設定する。
【００３７】
まず、粒子の色を階調表示する場合、すなわち粒子の色の濃度を調整する場合の基本的な駆動のシーケンスについて説明する。
【００３８】
階調表示する場合には、基本的には、一方の基板に粒子を全て移動させる第１の行程と、階調に応じて粒子を一方の基板から他方の基板に移動させる第２の行程と、を含む。
【００３９】
具体的には、例えば図７（Ａ）に示すように、マゼンダ粒子Ｍを全て表示基板１側に移動させるための電圧を表示側電極３に印加し、マゼンダ粒子Ｍの全てを表示基板１側に移動させると共に、シアン粒子Ｃの全てを背面基板２側に移動させる（マゼンダ粒子Ｍの第１の行程）。
【００４０】
次に、図７（Ｂ）に示すように、階調に応じた量のマゼンダ粒子Ｍを表示基板１側に残し、その他のマゼンダ粒子Ｍを背面基板２側に移動させるための電圧を表示側電極３に印加する。これにより、階調に応じた量のマゼンダ粒子Ｍが表示基板１側に残り、その他のマゼンダ粒子Ｍが背面基板２側に移動すると共に、全てのシアン粒子Ｃが表示基板１側に移動する（マゼンダ粒子Ｍの第２の行程、シアン粒子Ｃの第１の行程）。
【００４１】
次に、図７（Ｃ）に示すように、階調に応じた量のシアン粒子Ｃを表示基板１側に残し、その他のシアン粒子Ｃを背面基板２側に移動させると共に、マゼンダ粒子Ｍを移動させないための電圧を表示側電極３に印加する。これにより、階調に応じた量のシアン粒子Ｃが表示基板１側に残り、その他のマゼンダ粒子Ｃが背面基板２側に移動する（シアン粒子Ｃの第２の行程）。
【００４２】
また、図８に示すようなシーケンスで駆動してもよい。具体的には、図８（Ａ）に示すように、図７（Ａ）と同様に駆動した後（マゼンダ粒子Ｍの第１の行程）、図８（Ｂ）に示すように、図７（Ｂ）と同様に駆動し（マゼンダ粒子Ｍの第２の行程）、図８（Ｃ）に示すように、シアン粒子Ｃを全て背面基板２側に移動させると共にマゼンダ粒子Ｍを移動させないための電圧を表示側電極３に印加し（シアン粒子Ｃの第１の行程）、図８（Ｄ）に示すように、階調に応じた量のシアン粒子Ｃを表示基板１側に移動させると共に、マゼンダ粒子Ｍを移動させないための電圧を表示側電極３に印加するようにしてもよい（シアン粒子Ｃの第２の行程）。
【００４３】
なお、図７、８に示したシーケンスは一例であり、これに限られるものではない。例えば、最初に全てのマゼンダ粒子Ｍを背面基板２側に移動させると共に全てのシアン粒子Ｃを表示基板１側に移動させ、次に階調に応じた量のマゼンダ粒子Ｍを表示基板１側に移動させると共に全てのシアン粒子Ｃを背面基板２側に移動させ、次に階調に応じた量のシアン粒子Ｃを表示基板１側に移動させるようにしてもよい。
【００４４】
次に、具体的な駆動のシーケンスについて説明する。
【００４５】
図９には、マゼンダ粒子Ｍを移動させる際に印加する電圧の電圧値を固定し、電圧印加時間を変化させることで閾値特性を変化させた場合の閾値特性を示した。
【００４６】
図９では、マゼンダ粒子Ｍの閾値特性をＶｔｈＭ３、ＶｔｈＭ２、ＶｔｈＭ１、シアン粒子Ｃの閾値特性をＶｔｈＣで示している。また、マゼンダ粒子Ｍの表示濃度をＤＭ３（最高濃度）にする場合にマゼンダ粒子Ｍの第１の行程で表示側電極３に印加する電圧の電圧値を−ＶＭ３、マゼンダ粒子Ｍの第２の行程（シアン粒子Ｃの第１の行程）で表示側電極３に印加する電圧の電圧値をＶＭ３、シアン粒子Ｃの第２の行程でシアン粒子Ｃの表示濃度をＤＣ３（最高濃度）にする場合に表示側電極３に印加する電圧の電圧値を−ＶＣ３、シアン粒子Ｃの表示濃度をＤＣ２にする場合に表示側電極３に印加する電圧の電圧値を−ＶＣ２、シアン粒子Ｃの表示濃度をＤＣ１にする場合に表示側電極３に印加する電圧の電圧値を−ＶＣ１で示している。
【００４７】
図１０には、マゼンダ粒子Ｍの閾値特性ＶｔｈＭ３、ＶｔｈＭ２、ＶｔｈＭ１と駆動エネルギーとの関係を示した。ここでは、駆動エネルギーは、表示側電極３に電圧値ＶＭ３の電圧を印加した場合の電圧印加時間である。図１０に示すように、閾値特性ＶｔｈＭ３は、電圧値ＶＭ３、電圧印加時間ｔＭ３３の電圧を表示側電極３に印加した場合の閾値特性である。また、閾値特性ＶｔｈＭ２は、電圧値ＶＭ３、電圧印加時間ｔＭ３２の電圧を表示側電極３に印加した場合の閾値特性である。また、閾値特性ＶｔｈＭ１は、電圧値ＶＭ３、電圧印加時間ｔＭ３１の電圧を表示側電極３に印加した場合の閾値特性である。そして、図１０に示すように、ｔＭ３３＞ｔＭ３２＞ｔＭ３１である。
【００４８】
また、図１１には、マゼンダ粒子Ｍの濃度をＤＭ３とした場合の各閾値特性とシアン粒子Ｃの濃度との関係を示した。図９に示すように、シアン粒子Ｃの閾値特性ＶｔｈＣとマゼンダ粒子Ｍの閾値特性ＶｔｈＭ２、ＶｔｈＭ１とはクロスするため、シアン粒子Ｃの濃度がＤＣ２以上の場合、マゼンダ粒子Ｍの閾値特性としてＶｔｈＭ２、ＶｔｈＭ１とを用いた場合には、図１１に示すように混色が発生する場合がある。
【００４９】
一方、混色が発生しない場合においては、なるべく駆動時間、すなわち電圧印加時間が短いことが好ましい。このため、図１１に示すように、シアン粒子Ｃの濃度をＤＣ０またはＤＣ１とする場合には、マゼンダ粒子Ｍの閾値特性として混色が発生せず且つ電圧印加時間が最も短くなるＶｔｈＭ１を選択し、電圧印加時間をｔＭ３１に設定する。
【００５０】
また、シアン粒子Ｃの濃度をＤＣ２とする場合には、マゼンダ粒子Ｍの閾値特性として混色が発生せず且つ電圧印加時間が最も短くなるＶｔｈＭ２を選択し、電圧印加時間をｔＭ３２に設定する。
【００５１】
また、シアン粒子Ｃの濃度をＤＣ３とする場合には、マゼンダ粒子Ｍの閾値特性としてＶｔｈＭ３を選択し、電圧印加時間をｔＭ３３に設定する。
【００５２】
具体的には、シアン粒子Ｃの濃度と、混色が発生せず且つ第２の行程でマゼンダ粒子Ｍを駆動する際の電圧印加時間が最も短くなる電圧印加時間と、の関係を示すテーブルデータをマゼンダ粒子Ｍの濃度毎に予め不揮発性メモリ４０Ｄに記憶しておき、マゼンダ粒子Ｍの濃度に応じたテーブルデータから、シアン粒子Ｃの濃度に応じた電圧印加時間を読み出して電圧印加部３０に指示すればよい。
【００５３】
図１２には、具体的な電圧印加のシーケンスを示した。
【００５４】
図１２（Ａ）に示すように、マゼンダ粒子Ｍの濃度をＤＭ３、シアン粒子Ｃの濃度をＤＣ３とする場合、まず、マゼンダ粒子Ｍの第１の行程として、電圧値−ＶＭ３、電圧印加時間ｔＭ３３の電圧を表示側電極３に印加する。これにより、全てのマゼンダ粒子Ｍが背面基板２側に移動すると共に、全てのシアン粒子Ｃが表示基板１側に移動する。
【００５５】
次に、マゼンダ粒子Ｍの第２の行程及びシアン粒子Ｃの第１の行程として、電圧値＋ＶＭ３、電圧印加時間ｔＭ３３の電圧を表示側電極３に印加する。これにより、濃度ＤＭ３に応じた量のマゼンダ粒子Ｍ、すなわち全てのマゼンダ粒子Ｍが表示基板１側に移動すると共に、全てのシアン粒子Ｃが背面基板２側に移動する。
【００５６】
次に、シアン粒子Ｃの第２の行程として、シアン粒子Ｃの濃度ＤＣ３に応じた電圧値−ＶＣ３、電圧印加時間ｔＣの電圧を表示側電極３に印加する。これにより、濃度ＤＣ３に応じた量のシアン粒子Ｃ、すなわち全てのシアン粒子Ｃが表示基板１側に移動する。
【００５７】
また、図１２（Ｂ）に示すように、マゼンダ粒子Ｍの濃度をＤＭ３、シアン粒子Ｃの濃度をＤＣ２とする場合、まず、マゼンダ粒子Ｍの第１の行程として、電圧値−ＶＭ３、電圧印加時間ｔＭ３３の電圧を表示側電極３に印加する。これにより、全てのマゼンダ粒子Ｍが背面基板２側に移動すると共に、全てのシアン粒子Ｃが表示基板１側に移動する。
【００５８】
次に、マゼンダ粒子Ｍの第２の行程及びシアン粒子Ｃの第１の行程として、電圧値＋ＶＭ３、電圧印加時間ｔＭ３２の電圧を表示側電極３に印加する。これにより、濃度ＤＭ３に応じた量のマゼンダ粒子Ｍ、すなわち全てのマゼンダ粒子Ｍが表示基板１側に移動すると共に、全てのシアン粒子Ｃが背面基板２側に移動する。
【００５９】
次に、シアン粒子Ｃの第２の行程として、シアン粒子Ｃの濃度ＤＣ２に応じた電圧値−ＶＣ２、電圧印加時間ｔＣの電圧を表示側電極３に印加する。これにより、濃度ＤＣ２に応じた量のシアン粒子Ｃが表示基板１側に移動する。
【００６０】
また、図１２（Ｃ）に示すように、マゼンダ粒子Ｍの濃度をＤＭ３、シアン粒子Ｃの濃度をＤＣ１とする場合、まず、マゼンダ粒子Ｍの第１の行程として、電圧値−ＶＭ３、電圧印加時間ｔＭ３３の電圧を表示側電極３に印加する。これにより、全てのマゼンダ粒子Ｍが背面基板２側に移動すると共に、全てのシアン粒子Ｃが表示基板１側に移動する。
【００６１】
次に、マゼンダ粒子Ｍの第２の行程及びシアン粒子Ｃの第１の行程として、電圧値＋ＶＭ３、電圧印加時間ｔＭ３１の電圧を表示側電極３に印加する。これにより、濃度ＤＭ３に応じた量のマゼンダ粒子Ｍ、すなわち全てのマゼンダ粒子Ｍが表示基板１側に移動すると共に、全てのシアン粒子Ｃが背面基板２側に移動する。
【００６２】
次に、シアン粒子Ｃの第２の行程として、シアン粒子Ｃの濃度ＤＣ１に応じた電圧値−ＶＣ１、電圧印加時間ｔＣの電圧を表示側電極３に印加する。これにより、濃度ＤＣ１に応じた量のシアン粒子Ｃが表示基板１側に移動する。
【００６３】
次に、マゼンダ粒子Ｍの濃度をＤＭ１とした場合の例について説明する。
【００６４】
図１３には、マゼンダ粒子Ｍ及びシアン粒子Ｃの閾値特性を示した。各粒子の閾値特性は図９と同一である。また、図１３では、マゼンダ粒子Ｍの第１の行程で表示側電極３に印加する電圧の電圧値を＋ＶＭ３、マゼンダ粒子Ｍの第２の行程（シアン粒子Ｃの第１の行程）で表示側電極３に印加する電圧の電圧値を−ＶＭ３１、−ＶＭ２１、−ＶＭ１１、シアン粒子Ｃの第２の行程でシアン粒子Ｃの表示濃度をＤＣ０（最低濃度）にする場合に表示側電極３に印加する電圧の電圧値を＋ＶＣ、シアン粒子Ｃの表示濃度をＤＣ１にする場合に表示側電極３に印加する電圧の電圧値を＋ＶＣ１、シアン粒子Ｃの表示濃度をＤＣ２にする場合に表示側電極３に印加する電圧の電圧値を＋ＶＣ２で示している。
【００６５】
図１４には、マゼンダ粒子Ｍの濃度をＤＭ１とした場合の各閾値特性とシアン粒子Ｃの濃度との関係を示した。図１３に示すように、シアン粒子Ｃの閾値特性ＶｔｈＣとマゼンダ粒子Ｍの閾値特性ＶｔｈＭ２、ＶｔｈＭ１とはクロスするため、シアン粒子Ｃの濃度がＤＣ１以下の場合、マゼンダ粒子Ｍの閾値特性としてＶｔｈＭ２、ＶｔｈＭ１とを用いた場合には、図１４に示すように混色が発生する場合がある。
【００６６】
一方、混色が発生しない場合においては、なるべく駆動時間、すなわち電圧印加時間が短いことが好ましい。このため、図１４に示すように、シアン粒子Ｃの濃度をＤＣ２と又はＤＣ３とする場合には、マゼンダ粒子Ｍの閾値特性として混色が発生せず且つ電圧印加時間が最も短くなるＶｔｈＭ１を選択し、電圧印加時間をｔＭ３１に設定する。
【００６７】
また、シアン粒子Ｃの濃度をＤＣ１とする場合には、マゼンダ粒子Ｍの閾値特性として混色が発生せず且つ電圧印加時間が最も短くなるＶｔｈＭ２を選択し、電圧印加時間をｔＭ３２に設定する。
【００６８】
また、シアン粒子Ｃの濃度をＤＣ０とする場合には、マゼンダ粒子Ｍの閾値特性としてＶｔｈＭ３を選択し、電圧印加時間をｔＭ３３に設定する。
【００６９】
図１５には、マゼンダ粒子Ｍの濃度をＤＭ１、シアン粒子Ｃの濃度をＤＣ０とする場合の具体的な電圧印加のシーケンスを示した。
【００７０】
図１５に示すように、マゼンダ粒子Ｍの濃度をＤＭ１、シアン粒子Ｃの濃度をＤＣ０とする場合、まず、マゼンダ粒子Ｍの第１の行程として、電圧値＋ＶＭ３、電圧印加時間ｔＭ３３の電圧を表示側電極３に印加する。これにより、全てのマゼンダ粒子Ｍが表示基板１側に移動すると共に、全てのシアン粒子Ｃが背面基板２側に移動する。
【００７１】
次に、マゼンダ粒子Ｍの第２の行程及びシアン粒子Ｃの第１の行程として、電圧値−ＶＭ３１、電圧印加時間ｔＭ３３の電圧を表示側電極３に印加する。これにより、濃度ＤＭ１に応じた量のマゼンダ粒子Ｍが表示基板１側に残り、他のマゼンダ粒子Ｍが背面基板２側に移動すると共に、全てのシアン粒子Ｃが表示基板１側に移動する。
【００７２】
次に、シアン粒子Ｃの第２の行程として、シアン粒子Ｃの濃度ＤＣ０に応じた電圧値＋ＶＣ、電圧印加時間ｔＣの電圧を表示側電極３に印加する。これにより、全てのシアン粒子Ｃが表示基板１側に移動する。
【００７３】
また、図１６（Ａ）に示すように、マゼンダ粒子Ｍの濃度をＤＭ１、シアン粒子Ｃの濃度をＤＣ１とする場合、まず、マゼンダ粒子Ｍの第１の行程として、電圧値＋ＶＭ３、電圧印加時間ｔＭ３３の電圧を表示側電極３に印加する。これにより、全てのマゼンダ粒子Ｍが表示基板１側に移動すると共に、全てのシアン粒子Ｃが背面基板２側に移動する。
【００７４】
次に、マゼンダ粒子Ｍの第２の行程及びシアン粒子Ｃの第１の行程として、電圧値−ＶＭ３１、電圧印加時間ｔＭ３２の電圧を表示側電極３に印加する。これにより、濃度ＤＭ１に応じた量のマゼンダ粒子Ｍが表示基板１側に残り、他のマゼンダ粒子Ｍが背面基板２側に移動すると共に、全てのシアン粒子Ｃが表示基板１側に移動する。
【００７５】
次に、シアン粒子Ｃの第２の行程として、シアン粒子Ｃの濃度ＤＣ１に応じた電圧値＋ＶＣ１、電圧印加時間ｔＣの電圧を表示側電極３に印加する。これにより、濃度ＤＣ１に応じた量のシアン粒子Ｃが表示基板１側に残り、他のシアン粒子Ｃが背面基板２側に移動する。
【００７６】
また、図１７（Ａ）に示すように、マゼンダ粒子Ｍの濃度をＤＭ１、シアン粒子Ｃの濃度をＤＣ２とする場合、まず、マゼンダ粒子Ｍの第１の行程として、電圧値＋ＶＭ３、電圧印加時間ｔＭ３３の電圧を表示側電極３に印加する。これにより、全てのマゼンダ粒子Ｍが表示基板１側に移動すると共に、全てのシアン粒子Ｃが背面基板２側に移動する。
【００７７】
次に、マゼンダ粒子Ｍの第２の行程及びシアン粒子Ｃの第１の行程として、電圧値−ＶＭ３１、電圧印加時間ｔＭ３１の電圧を表示側電極３に印加する。これにより、濃度ＤＭ１に応じた量のマゼンダ粒子Ｍが表示基板１側に残り、他のマゼンダ粒子Ｍが背面基板２側に移動すると共に、全てのシアン粒子Ｃが表示基板１側に移動する。
【００７８】
次に、シアン粒子Ｃの第２の行程として、シアン粒子Ｃの濃度ＤＣ２に応じた電圧値＋ＶＣ２、電圧印加時間ｔＣの電圧を表示側電極３に印加する。これにより、濃度ＤＣ２に応じた量のシアン粒子Ｃが表示基板１側に残り、他のシアン粒子Ｃが背面基板２側に移動する。
【００７９】
なお、シアン粒子Ｃの濃度がＤＣ１の場合はマゼンダ粒子Ｍの閾値特性としてＶｔｈＭ２を選択しても混色は発生しないことから、図１６（Ｂ）に示すように、マゼンダ粒子Ｍの第１の行程として、電圧値＋ＶＭ３、電圧印加時間ｔＭ３２の電圧を表示側電極３に印加するようにしてもよい。また、マゼンダ粒子Ｍの第２の行程として、電圧値−ＶＭ２１（｜ＶＭ２１｜＜｜ＶＭ３１｜）、電圧印加時間ｔＭ２２（＞ｔＭ３２）の電圧を表示側電極３に印加するようにしてもよい。
【００８０】
また、シアン粒子Ｃの濃度がＤＣ２の場合はマゼンダ粒子Ｍの閾値特性としてＶｔｈＭ２を選択しても混色は発生しないことから、図１７（Ｂ）に示すように、マゼンダ粒子Ｍの第１の行程として、電圧値＋ＶＭ３、電圧印加時間ｔＭ３２の電圧を表示側電極３に印加するようにしてもよい。また、マゼンダ粒子Ｍの第２の行程として、電圧値−ＶＭ２１（｜ＶＭ２１｜＜｜ＶＭ３１｜）、電圧印加時間ｔＭ２１（＞ｔＭ３１）の電圧を表示側電極３に印加するようにしてもよい。
【００８１】
さらに、シアン粒子Ｃの濃度がＤＣ２の場合はマゼンダ粒子Ｍの閾値特性としてＶｔｈＭ１を選択しても混色は発生しないことから、図１７（Ｃ）に示すように、マゼンダ粒子Ｍの第１の行程として、電圧値＋ＶＭ３、電圧印加時間ｔＭ３１の電圧を表示側電極３に印加するようにしてもよい。また、マゼンダ粒子Ｍの第２の行程として、電圧値−ＶＭ１１（｜ＶＭ１１｜＜｜ＶＭ２１｜）、電圧印加時間ｔＭ１１（＞ｔＭ２１）の電圧を表示側電極３に印加するようにしてもよい。
【００８２】
次に、制御部４０のＣＰＵ４０Ａで実行される制御について図１８に示すフローチャートを参照して説明する。
【００８３】
まず、ステップＳ１０では、表示媒体１００に表示させるべき画像の画像情報を例えばＩ／Ｏ４０Ｅを介して図示しない外部装置から取得する。
【００８４】
ステップＳ１２では、マゼンダ粒子Ｍの第１の行程で印加する電圧の電圧値及び電圧印加時間を電圧印加部３０に設定する。例えばマゼンダ粒子Ｍの濃度がＤＭ３、シアン粒子Ｃの濃度がＤＣ３の場合は図１２（Ａ）に示すように、予め定めた電圧値として−ＶＭ３、予め定めた電圧印加時間としてｔＭ３３を設定する。
【００８５】
ステップＳ１４では、マゼンダ粒子Ｍの第２の行程（シアン粒子Ｃの第２の行程）で印加する電圧の電圧値及び電圧印加時間を電圧印加部３０に設定する。具体的には、マゼンダ粒子Ｍの濃度に対応したテーブルデータ、すなわち、シアン粒子Ｃの濃度と、混色が発生せず且つ混色が発生せず且つ第２の行程でマゼンダ粒子Ｍを駆動する際の電圧印加時間が最も短くなる電圧印加時間と、の関係を示すテーブルデータを不揮発性メモリ４０Ｄから読み出す。そして、読み出したテーブルデータからシアン粒子Ｃの濃度に応じた第２の行程におけるマゼンダ粒子Ｍを駆動する際の電圧印加時間を設定する。
【００８６】
例えば図１２（Ａ）に示すように、マゼンダ粒子Ｍの濃度がＤＭ３、シアン粒子Ｃの濃度がＤＣ３の場合は、マゼンダ粒子Ｍの濃度ＤＭ３に対応したテーブルデータを読み出し、シアン粒子Ｃの濃度ＤＣ３に対応した電圧印加時間ｔＭ３３をテーブルデータから読み出し、これを電圧印加部３０に設定する。なお、電圧値は、図１２（Ａ）に示すように、予め定めた電圧値として＋ＶＭ３を設定する。
【００８７】
ステップＳ１６では、シアン粒子Ｃの第２の行程で印加する電圧の電圧値及び電圧印加時間を電圧印加部３０に設定する。具体的には、例えば図１２（Ａ）に示すように、マゼンダ粒子Ｍの濃度がＤＭ３、シアン粒子Ｃの濃度がＤＣ３の場合は、シアン粒子Ｃの濃度ＤＣ３に対応して予め定められた電圧値−ＶＣ３及び予め定めた電圧印加時間ｔＣを電圧印加部３０に設定する。
【００８８】
なお、本実施形態では、電圧値を固定して電圧印加時間を変更にすることでマゼンダ粒子Ｍの閾値特性を変更する場合について説明したが、電圧印加時間を固定にして電圧値を変更することでマゼンダ粒子Ｍの閾値特性を変更するようにしてもよい。
【００８９】
また、本実施形態では、粒子群がマゼンダ粒子Ｍとシアン粒子Ｃの２種類の場合について説明したが、粒子の種類は３種類以上でもよい。例えば、粒子群がマゼンダ粒子Ｍ、シアン粒子Ｃ、黄色粒子Ｙの３種類の場合についても本発明は適用される。
【００９０】
（実施例）
【００９１】
次に、本発明の実施例について説明する。
【００９２】
＜非帯電白粒子の調製＞
【００９３】
還流冷却管を取り付けた１００ｍｌ三口フラスコに、２−ビニルナフタレン（新日鐵化学社製）を５質量部、サイラプレーンＦＭ−０７２１（チッソ社製）を５質量部、開始剤として過酸化ラウロイル（和光純薬社製）を０．３質量部、シリコーンオイルＫＦ−９６Ｌ−１ＣＳ（信越化学社製）を２０質量部加え、窒素ガスによるバブリングを１５分間行った後、窒素雰囲気下にて６５°Ｃ、２４時間の重合を行い、白粒子を作製した。
【００９４】
得られた白粒子は、遠心分離装置を用いて粒子の沈降とシリコーンオイルでの洗浄を繰り返し、精製を行なった。このようにして、粒子固形分が４０質量％の、白色粒子が分散した分散液を作製した。作製した白粒子の体積平均粒子径（大塚電子社製、ＦＰＡＲ−１０００で測定）は、５５０ｎｍであった。
【００９５】
＜シアン泳動粒子Ｃ１の調製、正帯電、低閾値＞
【００９６】
サイラプレーンＦＭ−０７１１（チッソ社製）９５質量部、メタクリル酸メチル３質量部、グリシジルメタクリレート２質量部をシリコーンオイル（信越化学社製ＫＦ−９６Ｌ−２ＣＳ）５０質量部と混合し、重合開始剤としてＡＩＢＮ（２，２−アゾビスイソブチルニトリル）を０．５質量部添加して、重合を実施し、エポキシ基をもった反応性シリコーン系高分子Ａ（反応性分散剤）を作製した。
【００９７】
次に、Ｎ−ビニルピロリドンとＮ，Ｎ−ジエチルアミノエチルアクリレートとの質量比で９／１の共重合体を通常のラジカル溶液重合で合成した。
【００９８】
次に、水分散顔料溶液（Ｃｉｂａ社製、ユニスパース・シアン色：顔料濃度２６質量％）１質量部に、上記共重合体の１０質量％水溶液３質量部を混合し、この混合溶液を上記反応性シリコーン系高分子Ａの３質量％シリコーン溶液１０質量部に混合し、これを超音波破砕機で１０分間攪拌し、高分子および顔料を含む水溶液をシリコーンオイル中に分散・乳化した懸濁液を調製した。
【００９９】
次に、この懸濁液を減圧（２ＫＰａ）、加熱（７０°Ｃ）して水分を除去し、シリコーンオイル中に高分子および顔料を含んだ着色粒子が分散したシリコーンオイル分散液を得た。さらに、この分散液を１００°Ｃで３時間加熱して上記反応性シリコーン系高分子に反応させて結合させた。次に分散液中に粒子固形分中のＮ，Ｎ−ジエチルアミノエチルアクリレートのモル量の５０％に相当する臭化ブチルを添加し８０℃で３時間加熱し、アミノ基の４級化処理を行なった後、遠心分離装置を用いて粒子の沈降とシリコーンオイルでの洗浄を繰り返し、精製を行なった。このようにして、粒子固形分が４質量％の、シアン顔料を含んだ着色粒子が分散した分散液を作製した。
【０１００】
作製したシアン粒子の体積平均粒子径（大塚電子社製、ＦＰＡＲ−１０００で測定）は、６８０ｎｍであった。
【０１０１】
＜マゼンタ泳動粒子Ｍ１の調製、負帯電、高閾値＞
【０１０２】
サイラプレーンＦＭ−０７２５（チッソ社製）１９質量部、サイラプレーンＦＭ−０７２１（チッソ社製）２９質量部、メタクリル酸メチル（和光純薬社製）９質量部、メタクリル酸オクタフルオロペンチル（和光純薬社製）５質量部、ヒドロキシエチルメタクリレート  （和光純薬社製）３８質量部を、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）３００質量部に混合し、重合開始剤としてＡＩＢＮ（２，２−アゾビスイソブチルニトリル）１質量部を溶解し、窒素下で７０°Ｃ、６時間重合を行なった。これによる生成物を、ヘキサンを再沈殿溶媒として精製、乾燥し、シリコーン系高分子Ｂを得た。
【０１０３】
次に、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）９質量部に上記シリコーン系高分子Ｂ  ０．５質量部を加え、溶解させた後、山陽色素製マゼンタ顔料（Ｐｉｇｍｅｎｔ  Ｒｅｄ  ３０９０）０．５質量部を添加し、０．５ｍｍ径のジルコニアボールを使用し、４８時間分散させ、顔料含有高分子溶液を得た。
【０１０４】
この顔料含有高分子溶液を３質量部取り出し、これを４０℃に加熱させた後、超音波を印加させながら、シリコーンオイル（信越化学社製ＫＦ−９６Ｌ−２ＣＳ）１２質量部を少量ずつ滴下させたところ、シリコーン系高分子が顔料表面に析出した。その後、溶液を６０℃に加温・減圧乾燥させ、ＩＰＡをエバポレートさせ、シリコーン系高分子が顔料表面に付着したマゼンタ粒子を得た。
【０１０５】
得られたマゼンタ粒子は、遠心分離装置を用いて粒子の沈降とシリコーンオイルでの洗浄を繰り返し、精製を行なった。このようにして、粒子固形分が４質量％の、マゼンタ顔料を含んだ着色粒子が分散した分散液を作製した。作製したマゼンタ粒子の体積平均粒子径（大塚電子社製、ＦＰＡＲ−１０００で測定）は、３８０ｎｍであった。
【０１０６】
＜ＣＭ２粒子系の混合液の調整＞
【０１０７】
前述の白粒子分散液、シアン粒子分散液、マゼンタ粒子分散液を次の比率で混合し、ＣＭ２粒子系の混合液を作製した。
【０１０８】
混合比  Ｗ：Ｃ：Ｍ  ＝  ２：１：１（ｗｔ％）
【０１０９】
＜表示媒体の作製＞
【０１１０】
表面基板及び背面基板として、５０ｍｍ×５０ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板上に電極としてＩＴＯをスパッタリング法により５０ｎｍの厚さで成膜し、その上にフッ素樹脂（旭硝子社製、ＣＹＴＯＰ）をスピンコート法により１００ｎｍの厚さで成膜した。
【０１１１】
５０ｍｍ×４０ｍｍ×５０μｍのフッ素樹脂シートの中央部から２０ｍｍ×２０ｍｍの正方形を切り抜いたものをスペーサとして使用し、これを背面基板上に置いた。
【０１１２】
上記調整したＣＭ２粒子系の混合液を、該スペーサの中央の正方形に切り抜かれた空間に注入した。その後、スペーサ上に表面基板を密着させ、両基板をダブルクリップで加圧保持して、スペーサーと両基板とを密着させ、表示媒体を作製した。
【０１１３】
＜評価方法＞
【０１１４】
前記作製した表示媒体の電極間に電圧を印加し、分光器（ＯｃｅａｎＯｐｔｉｃｓ社製ＵＳＢ２０００＋）で反射光を測定して表示特性を評価した。なお、図１９に前記作製した表示媒体の閾値特性を示した。
【０１１５】
＜駆動評価結果＞
【０１１６】
前記作製した表示媒体に、高閾値粒子であるマゼンタ粒子の第１の工程として、表示基板側が正極となるように１５Ｖを１秒印加したところ、表面基板がマゼンタ色、背面基板がシアン色に変化した。続いて、高閾値粒子であるマゼンタ粒子の第２の工程、兼、低閾値粒子であるシアン粒子の第１の工程として、表示基板側が負極となるように電圧を印加して表示基板をシアン色、背面基板をマゼンタ色にした。続いて、低閾値粒子であるシアン粒子の第２の工程として、表示基板側が負極となるように電圧を印加した。
【０１１７】
この時のシアン粒子濃度とマゼンタ粒子の第２の工程の駆動条件と混色の有無の関係は、図２０〜２２に示すような結果となった。なお、シアン粒子Ｃの第２の行程において印加する電圧の電圧値、電圧印加時間、及び濃度の関係を図２３に示した。
【０１１８】
図２０、２１は、電圧値を固定にして電圧印加時間を変化させた場合の結果であり、図２０は電圧値を１５Ｖ、図２１は電圧値を３０Ｖとした場合の結果である。また、図２２は、電圧印加時間を固定にして電圧値を変化させた場合の結果である。
【０１１９】
混色の有無は、混色の無い状態のシアン表示色との色差ΔＥ（Ｌ＊軸、ａ＊軸、ｂ＊軸の差をそれぞれ二乗したものの和の平方根）で判別した。ΔＥ＜５であれば混色なし：○、ΔＥ≧５であれば混色あり：×、とした。
【０１２０】
図２１及び図２２の結果を比較すれば判るように、電圧値を固定にして電圧印加時間を変えた方が、総駆動時間を短縮できることが判った。
【０１２１】
また、従来は、マゼンダ粒子Ｍの第２の行程における駆動条件は固定であり（図２０〜２２の最も左側の条件）、本発明と比較して総駆動時間は長くなることが判った。
【符号の説明】
【０１２２】
１ 表示基板
２ 背面基板
３ 表示側電極
４ 背面側電極
５ 間隙部材
６ 分散媒
１０ 表示媒体
１１  第１泳動粒子（群）
１２  第２泳動粒子（群）
１３ 白色粒子（群）
２０ 駆動装置
３０ 電圧印加部
４０ 制御部
１００ 表示装置
Ｃ シアン粒子（群）
Ｍ マゼンタ粒子（群）
Ｙ 黄色粒子（群）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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