(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ファイバと、該光ファイバの端面上に形成された磁気光学材料からなる部材と、を有し、該部材の磁化容易軸の方向が、前記光ファイバのコアを進行するプローブ光の進行方向に対して垂直に形成された磁気プローブであって、
前記コアを覆うように前記部材が設けられ、該部材の幅が前記端面の幅以下に形成され、該部材の厚さに対する該部材の先端の幅のアスペクト比が、１より大きく１０以下であることを特徴とする磁気プローブ。
【請求項２】
前記光ファイバが、前記端面を上面とする略円錐台の形状を有する接続部と、該接続部に続けて設けられる信号伝送部とから形成される、請求項１に記載の磁気プローブ。
【請求項３】
前記光ファイバが、前記端面を含む接続部と、該接続部に続けて設けられる信号伝送部とからなり、前記接続部の外径が前記信号伝送部の外径より小さく形成されることにより前記光ファイバの先端が凸状に加工されている、請求項１に記載の磁気プローブ。
【請求項４】
光ファイバと、該光ファイバの端面上に形成された磁気光学材料からなる部材と、を有し、該部材の磁化容易軸の方向が、前記光ファイバのコアを進行するプローブ光の進行方向に対して垂直に形成された磁気プローブであって、
前記コアを覆うように前記部材が設けられ、該部材の幅が前記端面の幅以下に形成され、
前記部材が、先端部と、該先端部に続けて設けられる基板部とからなり、該基板部が前記端面上に形成されるとともに、前記先端部の幅を前記基板部の幅より小さくすることにより前記部材の断面が凸状に加工されていることを特徴とする磁気プローブ。
【請求項５】
前記先端部の厚さに対する幅のアスペクト比が、１より大きく１０以下である、請求項４に記載の磁気プローブ。
【請求項６】
前記部材が、エアロゾルデポジション法を用いて形成される、請求項１〜５のいずれか１項に記載の磁気プローブ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気プローブに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来からレーザー光、光ファイバ、および磁気光学材料（以下、本明細書においては、磁気光学材料をＭＯ材料という場合がある。）を用いて磁界を計測する光ファイバ型の磁気プローブが存在する。そして、こうした磁気プローブを活用したマイクロ波回路やアンテナの評価結果が報告されている（非特許文献１、２）。プローブは光ファイバとその先端に形成されたＭＯ材料からなる。図１０は、従来の磁気プローブの模式的な断面図である。具体的には、非特許文献２のＦｉｇ．１に示すプローブヘッドと同様の形状の磁気プローブが示してある。磁気プローブ２０は、ＭＯ材料１３の磁化容易軸１５の方向が、光ファイバ１６のコア１２を進行するプローブ光１４の進行方向に対して垂直に形成されている。このように、プローブ光１４の進行方向とＭＯ材料１３の自発磁化あるいは磁化容易軸１５の向きが垂直の関係にある磁気プローブ２０を用いるとギガヘルツ帯での計測が可能であることが知られている（非特許文献２）。このため、磁気プローブ２０による電子機器内部の高周波計測への適用が期待されている。
【０００３】
一方、エアロゾルデポジション（ＡＤ）法を用いて光ファイバ端面にＭＯ材料の一種であるガーネットを成膜すると、超小型の磁気プローブが実現するばかりでなく、プローブ光とＭＯ材料の磁化の向きの関係が上記のような関係となりギガヘルツ帯での計測が可能であることが見出されている（非特許文献３）。
【０００４】
また、磁気検知素子としての磁気光学結晶と光学装置とから成る磁界測定装置において、装置先端部に集光用レンズが組み込まれた磁界測定装置も知られている（特許文献１）。さらに、測定対象物から発生する電磁界を検出するための光学結晶が先端部に設けられた第１の光ファイバと、先端部から前記測定対象物までの距離の変位を測定するための第２の光ファイバとを有し、前記第１および第２の光ファイバは、それぞれの先端部の端面が同一の面となるように揃えられた状態で一体的に固定されている電磁界検出素子も知られている（特許文献２）。そして、磁界検出装置を構成する磁気光学素子を、フェルールを介して光ファイバの一端と接続し、光ファイバ及びフェルールを介して入射する入射光の反射光を、光ファイバ及びフェルールを介して出射するようにすることも知られている（特許文献３）。
【非特許文献１】S.Wakana,  T.Ohara,  M.Abe,  E.Yamazaki,  M.Kishi,  and  M.Tsuchiya,  “Fiber-Edge  Electrooptic/Magnetooptic  Probe  for  Spectral-Domain  Analysis  of  Electromagnetic  Field”,  IEEE  Trans.  Microwave  Theory  Tech.,vol.48,no.12,pp.2611-2616,2000.
【非特許文献２】E.Yamazaki,  S.Wakana,  H.Park,  M.Kishi,  and  M.Tsuchiya,  “High-Frequency  Magneto-Optic  Probe Based  on  BiRIG  Rotation  Magnetization”,  IEICE  Trans.  Electron.,vol.E86-C,no.7,pp.1338-1344,2003.
【非特許文献３】M.Iwanami,  M.Nakada,  H.Tsuda,  K.Ohashi,  and  J.Akedo,  “Ultra  small  magneto-optic  field  probe  fabricated  by  aerosol  deposition”,  IEICE  Electronics  Express,vol.4,no.17,pp.542-548,2007.
【特許文献１】特開２００５−２４１４８９号公報
【特許文献２】特開２００５−３０８４５５号公報
【特許文献３】特開２００７−１０６６５３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
図１０に示すような磁気プローブを用いると高周波磁界計測が可能であるが、本発明者等の検討によれば、電子機器内部の計測を汎用的に行うには感度が不十分となる課題があることが判明した。したがって、磁気プローブの計測帯域を大きく損なうことなく、感度を向上することが重要となる。
【０００６】
本発明の目的は、上記課題を解決するためになされたものである。すなわち、計測帯域を確保しつつ感度の高い磁気プローブを提供することにある。より具体的には、電子デバイスが高密度に実装された微細領域で、高感度で高周波磁界計測が可能な磁気プローブを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するための本発明の磁気プローブは、光ファイバと、該光ファイバの端面上に形成された磁気光学材料と、を有し、該磁気光学材料の磁化容易軸の方向が、前記光ファイバのコアを進行するプローブ光の進行方向に対して垂直に形成された磁気プローブであって、前記コアを覆うように前記磁気光学材料が設けられ、該磁気光学材料の幅が前記端面の幅以下に形成されている、ことを特徴とする。
【０００８】
本発明の磁気プローブの好ましい態様においては、前記磁気光学材料の厚さに対する幅のアスペクト比が、１より大きく１０以下である。
【０００９】
本発明の磁気プローブの好ましい態様においては、前記光ファイバが、前記端面を上面とする略円錐台の形状を有する接続部と、該接続部に続けて設けられる信号伝送部とから形成される。
【００１０】
本発明の磁気プローブの好ましい態様においては、前記光ファイバが、前記端面を含む接続部と、該接続部に続けて設けられる信号伝送部とからなり、前記接続部の外径が前記信号伝送部の外径より小さく形成されることにより前記光ファイバの先端が凸状に加工されている。
【００１１】
本発明の磁気プローブの好ましい態様においては、前記磁気光学材料が、先端部と、該先端部に続けて設けられる基板部とからなり、該基板部が前記端面上に形成されるとともに、前記先端部の幅を前記基板部の幅より小さくすることにより前記磁気光学材料の断面が凸状に加工されている。
【００１２】
本発明の磁気プローブの好ましい態様においては、前記先端部の厚さに対する幅のアスペクト比が、１より大きく１０以下である。
【００１３】
本発明の磁気プローブの好ましい態様においては、前記磁気光学材料が、エアロゾルデポジション法を用いて形成される。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の磁気プローブによれば、計測帯域を確保しつつ感度の高い磁気プローブを提供することができる。具体的には、電子デバイスが高密度に実装された微細領域で、高感度で高周波磁界計測が可能な磁気プローブを提供することができる。特に、先端が微小な高周波・高感度の磁気プローブが実現するため、電子機器内部の高密度実装領域で磁界計測が汎用的に行えるようになる結果、ノイズ電流などの詳細評価が可能となり、電気的に品質の良い回路設計を支援することができるようになる。さらには、本発明の磁気プローブを機器内部の微小デバイスの動作チェックや故障診断に適用することができるため、製品の信頼性を向上させることができるようになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の実施例につき説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において任意に変形して実施することができる。
【００１６】
本発明の磁気プローブは、光ファイバと、この光ファイバの端面上に形成された磁気光学材料と、を有し、磁気光学材料の磁化容易軸の方向が、光ファイバのコアを進行するプローブ光の進行方向に対して垂直に形成されている。そして、光ファイバのコアを覆うように磁気光学材料が設けられ、磁気光学材料の幅が光ファイバの端面の幅以下に形成される。具体的には、ギガヘルツ帯での計測が可能な光ファイバ型磁気プローブにおいて、光ファイバ端面に形成する磁気光学材料の横幅を、光ファイバのコアを覆うような大きさとしつつも、光ファイバの幅以下とする。これにより、計測帯域を確保しつつ感度の高い磁気プローブを提供することができる。そして、好ましくは、磁気光学材料の横幅に対する厚さのアスペクト比を小さくする。これにより、微細かつ高感度な磁気プローブをより提供しやすくなる。
【００１７】
本発明の磁気プローブの先端部の状態の具体例に述べると、光ファイバ端面におけるコアの領域とその周辺部分が微小な磁気光学材料によって覆われているようになる。また、磁気光学材料の幅を光ファイバの幅と同程度として、磁気プローブの先端形状を円錐台状、又は凸状となるように光ファイバ端面上にＭＯ材料を形成しても、微細で高感度なプローブを提供できる。そこで、本発明において、磁気プローブの先端形状を上記のような形状とすることにより、微細かつ高感度となる原理について説明する。
【００１８】
図１は、磁気プローブの先端付近の断面を模式的に示した図である。具体的には、プローブ光の進行方向とＭＯ材料の自発磁化の向きが垂直の関係にある光ファイバ型磁気プローブが外部磁界に晒されたときに、磁界に対するプローブ感度を決める要因を説明するための図である。
【００１９】
磁気プローブ１０においては、外部磁界により磁気光学材料３における自発磁化５は歳差運動を行うが、ある磁界強度での磁化の振れ幅が大きいほど磁気プローブ１０は高感度となる。従って、磁気プローブ１０を高感度化するには、自発磁化の向きを支配する力、言い換えると磁気異方性エネルギーを小さくすればよい。
【００２０】
光ファイバ型の磁気プローブにおける磁気光学材料の形状は、図１では、便宜的に磁気光学材料３の横幅を光ファイバ９の幅と同一とし、磁気光学材料３の厚さを拡大して記載しているが、一般的には、厚さが横幅よりも短い薄板状ないし膜状となっている。本発明者等の検討によれば、磁気光学材料の幅（横幅）を小さくすることにより、磁気プローブの感度を高くすることができることが判明した。より具体的には、形状に起因する磁気エネルギーの一般式を基に、磁気光学材料３の横幅（幅）に対する厚さのアスペクト比を小さくすると外部磁界による自発磁化の振れ幅が大きくなり、磁気プローブが高感度となることがわかった。そこで、この点につきより詳細に説明する。
【００２１】
図２は、ｘ，ｙ，ｚ軸に対して自発磁化を示した概念図である。図２に示す座標系を参照し、自発磁化ＩＳとｘ、ｙ、ｚ軸のなす角をθｘ、θｙ、θｚとすると形状に起因する磁気エネルギーＥｄは、式１のように表される。
【００２２】
【数１】
0005151460.tif 000002
【００２３】
式１において、μ０は真空の透磁率を、ＩＳは自発磁化を、Ｎｘ，Ｎｙ，Ｎｚは、ｘ，ｙ，ｚ方向の反磁界係数である。ここで、光ファイバの端部にｘ、ｙ方向に無限に広がっている薄板ないし膜状のＭＯ材料が形成されていると仮定する。このときＮｘ＝Ｎｙ＝０、Ｎｚ＝１となり、Ｅｄは、式２のようになる。
【００２４】
【数２】
0005151460.tif 000003
【００２５】
式２からわかるように、ＩＳが薄板表面に平行な方向あるいは膜面内方向に向いている場合がエネルギー最小となり、自発磁化は当該方向に向きたがる。そして、完全に薄板表面平行方向に向いている磁化を９０度ずれた垂直方向に向けようとすると、ＩＳ２／２μ０のエネルギーが必要となる。
【００２６】
実際にはｘ，ｙ方向に無限に広がっている薄板ないし膜状のＭＯ材料は存在しないが、膜状の磁気光学材料の自発磁化の向きは膜面内方向である場合が多く、磁化を膜面垂直方向に向けようとするとＩＳ２に比例したエネルギーが必要である。
【００２７】
図３は、磁気光学材料の幅を光ファイバの端面の幅以下とした場合における磁気プローブの先端付近の断面を模式的に示した図である。具体的には、光ファイバ端面に立方体状（アスペクト比１）の磁気光学材料３が形成されている場合を考える。ＭＯ材料の結晶磁気異方性を無視すると、球に対する反磁界係数を適用することができるので、Ｎｘ＝Ｎｙ＝Ｎｚ＝１／３となる結果、Ｅｄは式３のように表される。
【００２８】
【数３】
0005151460.tif 000004
【００２９】
式３においては、横方向と縦方向の自発磁化のエネルギー差はゼロであり、磁化が向きたがる方向は特に無く、言い換えると磁化を面内から垂直に向けるに必要なエネルギーはゼロである。これは、外部磁界に対するＩＳの振れ幅は最大であることを意味する。
【００３０】
実際には結晶磁気異方性が存在するため、磁化が向きたがる方向が無いということはないが、物質が同じ場合、アスペクト比が小さくなると形状に起因する磁気異方性エネルギーが小さくなり、磁化が運動しやすくなる。
【００３１】
以上より、光ファイバ型の磁気プローブの高感度化には、光ファイバの端部に設ける磁気光学材料を小さくすることが重要で、光ファイバのコアを覆うように磁気光学材料を設けつつも、磁気光学材料の幅を光ファイバの端面の幅以下に形成することが必要であることがわかる。好ましくは、光ファイバの先端に存在する磁気光学材料の横幅に対する厚さのアスペクト比を小さくすることが有効であることがわかる。こうした観点から、磁気光学材料の厚さに対する幅のアスペクト比は、１より大きく１０以下であることが好ましい。
【００３２】
図４は、本発明の磁気プローブの第１の実施例に用いた磁気プローブの先端付近の断面を模式的に示した図である。磁気プローブ１０ａは、光ファイバ９と、光ファイバ９の端面１７上に形成された磁気光学材料３と、を有し、磁気光学材料３の磁化容易軸５の方向が、光ファイバ９のコア２を進行するプローブ光４の進行方向に対して垂直に形成されている。そして、コア２を覆うように磁気光学材料３が設けられ、磁気光学材料３の幅が端面１７の幅以下に形成されている。
【００３３】
磁気プローブ１０ａは、より具体的には、光ファイバ９の端面１７にコア２の領域を覆うようにして磁気光学材料３が形成されている光ファイバ型の磁気プローブである。上述のとおり、光ファイバ９の端面１７の面積よりも磁気光学材料３を小さく形成することにより、磁気プローブの高感度化が図りやすくなる。好ましくは、磁気光学材料の横幅（幅）に対する厚さのアスペクト比を小さくすることにより、磁気プローブを高感度できるようになる。但し、横幅と厚さが等しくアスペクト比１となった場合、形状磁気異方性エネルギーがゼロとなるため自発磁化が歳差運動できず、高周波計測不可能となる。このため、磁気光学材料３の横幅（幅）と厚さのアスペクト比は、自発磁化の向きあるいは磁化容易軸方向がプローブ光４と垂直の関係を保つことができ、外部磁界により磁化が歳差運動可能な範囲とする必要がある。具体的には、磁気光学材料３の厚さに対する幅のアスペクト比は１よりも大きく１０以下であることが望ましい。なお、磁気光学材料３の形状は、直方体状であっても円盤状であってもよい。磁気光学材料３の形状が直方体状である場合には、その横幅（幅）は長辺又は対角線の長さであり、磁気光学材料３の形状が円盤状である場合には、その横幅（幅）は直径（外径）の長さとなる。また、磁気光学材料３の厚さは、通常１μｍ以上、１００μｍ以下とする。
【００３４】
磁気プローブ１０ａは、例えば、以下のようにして製造することができる。すなわち、例えばイットリウム鉄ガーネット単結晶の一部を切り出して研磨した上、切り出された結晶を磁気光学材料３とする。そして、磁気光学材料３の自発磁化（磁化容易軸）の向きが図４のようになるように、光ファイバ９の端面１７に接着することによって磁気プローブ１０ａを得ることができる。このとき磁気光学材料３が光ファイバ９のコア４を完全に覆うように接着する。結晶の形状は、例えば厚さ２０μｍ、横幅８０μｍの直方体である。この場合、アスペクト比が４となり、外部磁界に対する自発磁化の振れ幅が大きくなるため、高感度の磁気プローブが実現できる。尚、接着はエポキシ樹脂系接着剤など、光通信波長帯（１．５５ミクロン前後）で透明な樹脂を用いて行う。また、磁気光学材料３として、イットリウムの一部をビスマスや他の希土類元素で置換したガーネット単結晶を用いてもよい。
【００３５】
磁気プローブ１０ａは、光ファイバ９の端面１７上に磁気光学材料３の膜を直接形成することによっても製造することができる。磁気光学材料３の成膜は、例えば、エアロゾルデポジション（ＡＤ）法を用いて行う。ＡＤ法により、１μｍ以上２０μｍ以下の厚さのビスマス置換イットリウム鉄ガーネット等の磁気光学材料を光ファイバ９の端面１７に形成することができる。上述のとおり、ＡＤ法を用いて光ファイバ９の端面１７上にガーネットを成膜して磁気プローブ１０ａを製造すると、プローブ光４とガーネットの磁化容易軸の向きが垂直関係となり、ギガヘルツ帯での計測も可能である。
【００３６】
図５は、図４に示す磁気プローブをエアロゾルデポジション法で製造する方法を模式的に示す斜視図である。図５においては、説明の便宜から、光ファイバ９を途中で切断した形状として示している。図５に示すように、光ファイバ９のコア２の面積より大きいが光ファイバ９の端面の面積よりも小さい孔を開けたマスク８を光ファイバ９の端面とエアロゾル流７の間に挿入することにより、エアロゾルが孔の領域のみを通過するため光ファイバ９の端面上の一部のみに、磁気光学材料を成膜することができる。このような成膜手法により、例えば厚さ１０μｍ、横幅５０μｍ（アスペクト比５）の円盤状のビスマス置換イットリウム鉄ガーネット膜（磁気光学材料）を光ファイバ９の端面上、コア２の領域を覆う形で成膜することができ、高感度の磁気プローブ１０ａが実現できる。
【００３７】
図６は、本発明の磁気プローブの第２の実施例に用いた磁気プローブの先端付近の断面を模式的に示した図である。磁気プローブ１０ｂにおいては、光ファイバ９が、端面１７を上面とする略円錐台の形状を有する接続部１８ａと、接続部１８ａに続けて設けられる信号伝送部１９ａとから形成される。接続部１８ａも信号伝送部１９ａも光ファイバ９の一部であるが、説明の便宜上それぞれの部分を分けて説明している。
【００３８】
磁気プローブ１０ｂは、より具体的には、光ファイバ９の端部の角の部分が削り取られて面積が小さくなった端面１７上に磁気光学材料３が形成されている。そして、磁気光学材料３も、底面が光ファイバ９の端面１７と略同一の面積を有する円錐台状の形状となっている。言い換えれば、磁気光学材料３は、円錐の頭頂部を切り取ったような形状である。この場合の磁気光学材料３のアスペクト比は、線分ＡＡ’に対する線分ＢＢ’の比とすればよく、その値は１よりも大きく１０以下であることが好ましい。
【００３９】
磁気プローブ１０ｂは、例えば、以下のようにして製造することができる。すなわち、光ファイバ端部における角の部分を切削加工した光ファイバ９をあらかじめ用意する。そして、この光ファイバ９の端面１７上に、上記説明したＡＤ法を用いて直接磁気光学材料の膜を形成して製造すればよい。
【００４０】
図７は、図６に示す磁気プローブをエアロゾルデポジション法で製造する方法を模式的に示す図である。図７に示すように、端部の角の部分を切削加工した光ファイバ９の端面１７に向けて、例えばビスマス置換イットリウム鉄ガーネットのエアロゾル流７を噴射することにより、コア領域を覆う形でアスペクト比の小さなガーネット膜を形成できる。また、図６に示す磁気プローブ１０ｂは、端部が特別に加工されていない光ファイバを用いて、その端面上にＡＤ法により磁気光学材料の膜を形成し、その後、磁気プローブの端部における角の部分を切削加工することによっても製造することができる。
【００４１】
図８は、本発明の磁気プローブの第３の実施例に用いた磁気プローブの先端付近の断面を模式的に示した図である。磁気プローブ１０ｃにおいては、光ファイバ９が、端面１７を含む接続部１８ｂと、接続部１８ｂに続けて設けられる信号伝送部１９ｂとからなり、接続部１８ｂの外径が信号伝送部１９ｂの外径より小さく形成されることにより光ファイバ１０ｃの先端が凸状に加工されている。接続部１８ｂも信号伝送部１９ｂも光ファイバ９の一部であるが、説明の便宜上それぞれの部分を分けて説明している。
【００４２】
磁気プローブ１０ｃは、より具体的には、端面１７が凸状に削られた光ファイバ９の先端に、アスペクト比が１よりも大きく１０以下である磁気光学材料３が形成されている。磁気光学材料３は、コア２の端面を覆うように形成されている。接続部１８ｂとして形成される、光ファイバ９端部の突出した部分６の形状は、角柱状であっても円柱状であってもよい。
【００４３】
磁気プローブ１０ｃは、例えば、以下のようにして製造することができる。すなわち、光ファイバ端部の形状を凸型に切削加工して、その先端に接続部１８ｂを形成した光ファイバ９をあらかじめ用意する。そして、この光ファイバ９の端面１７上に、上記説明したＡＤ法を用いて直接磁気光学材料の膜を形成して製造すればよい。より具体的には、光ファイバ９端部の突出した部分６（接続部１８ｂ）における端面の横幅が４０μｍとなるように加工した上、ＡＤ法により１０μｍの厚さのビスマス置換イットリウム鉄ガーネット膜を形成する。その結果、光ファイバ９の端面１７上のコア２を覆う形でアスペクト比４のガーネット膜（磁気光学材料３）が形成され、高感度の磁気プローブ１０ｃが実現できる。
【００４４】
図９は、本発明の磁気プローブの第４の実施例に用いた磁気プローブの先端付近の断面を模式的に示した図である。磁気プローブ１０ｄにおいては、磁気光学材料３が、先端部２１ｂと、先端部２１ｂに続けて設けられる基板部２１ａとからなり、基板部２１ａが端面１７上に形成されるとともに、先端部２１ｂの幅を基板部２１ａの幅より小さくすることにより磁気光学材料３の断面が凸状に加工されている。先端部２１ｂも基板部２１ａも磁気光学材料３の一部であるが、説明の便宜上それぞれの部分を分けて説明している。
【００４５】
磁気プローブ１０ｄは、より具体的には、光ファイバ９の端面１７上に磁気光学材料が基板部２１ａとして形成され、基板部２１ａ上に更にアスペクト比の小さな磁気光学材料が先端部２１ｂとして形成されている。磁気光学材料３のうち先端部２１ｂのアスペクト比は１よりも大きく１０以下であることが望ましい。先端部２１ｂは、光ファイバ９のコア２の上方に形成され、その形状は直方体状であっても円盤状であってもよい。
【００４６】
磁気プローブ１０ｄは、例えば、以下のようにして製造することができる。すなわち、まず、上記説明したＡＤ法により、光ファイバ９の端面１７上に例えば５μｍの厚さのビスマス置換イットリウム鉄ガーネット膜を基板部２１ａとして形成する。次いで、図５で説明したようなマスク８を用いてＡＤ法による成膜を行い、例えば厚さ１０μｍ、横幅５０μｍ（アスペクト比５）の円盤状のビスマス置換イットリウム鉄ガーネット膜を先端部２１ｂとして形成する。その際、先端部２１ｂがコア２の上方に配置されるように先端部２１ｂの成膜を行う。このような製造プロセスにより磁気光学材料３の断面が凸状である光ファイバ型の磁気プローブ１０ｄが製造でき、高感度プローブが実現できる。
【００４７】
以上、本発明の磁気プローブにつき具体例を用いて説明してきたが、本発明の磁気プローブは上記具体例に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内において適宜設計変更等を行うことができる。
【００４８】
こうした磁気プローブは、例えば、実装電気設計支援ツールあるいは回路故障診断ツールの磁気プローブとして用いることができる。具体的には、ＬＳＩ上やＬＳＩパッケージ周辺で本発明の磁気プローブを用いて磁界計測を行って、電気設計にフィードバックするための情報を獲得する、又は回路の動作検証を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】磁気プローブの先端付近の断面を模式的に示した図である。
【図２】ｘ，ｙ，ｚ軸に対して自発磁化を示した概念図である。
【図３】磁気光学材料の幅を光ファイバの端面の幅以下とした場合における磁気プローブの先端付近の断面を模式的に示した図である。
【図４】本発明の磁気プローブの第１の実施例に用いた磁気プローブの先端付近の断面を模式的に示した図である。
【図５】図４に示す磁気プローブをエアロゾルデポジション法で製造する方法を模式的に示す斜視図である。
【図６】本発明の磁気プローブの第２の実施例に用いた磁気プローブの先端付近の断面を模式的に示した図である。
【図７】図６に示す磁気プローブをエアロゾルデポジション法で製造する方法を模式的に示す図である。
【図８】本発明の磁気プローブの第３の実施例に用いた磁気プローブの先端付近の断面を模式的に示した図である。
【図９】本発明の磁気プローブの第４の実施例に用いた磁気プローブの先端付近の断面を模式的に示した図である。
【図１０】従来の磁気プローブの模式的な断面図である。
【符号の説明】
【００５０】
１，１１  クラッド
２，１２  コア
３，１３  磁気光学材料
４，１４  プローブ光
５，１５  磁化容易軸（自発磁化）
６  光ファイバ端部の突出した部分
７  エアロゾル流
８  マスク
９，１６  光ファイバ
１０，２０  磁気プローブ
１７  端面
１８  接続部
１９  信号伝送部
２１ａ  基板部
２１ｂ  先端部
【図１】
0005151460.tif 000005
【図２】
0005151460.tif 000006
【図３】
0005151460.tif 000007
【図４】
0005151460.tif 000008
【図５】
0005151460.tif 000009
【図６】
0005151460.tif 000010
【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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