(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶ポリマーを基材層とし、その片面又は両面に基材層側の表面粗度Ｒｚが０．５〜３μｍの回路導体層が設けられた複数枚の配線基板と、前記配線基板間に介在するシロキサン変性ポリイミドを含む樹脂から形成された絶縁層が積層された多層配線回路基板であって、前記配線基板の基材を構成する液晶ポリマーの熱変形温度Ｌｔ（℃）と絶縁層のシロキサン変性ポリイミドを含む樹脂の熱変形温度Ｓｔ（℃）との関係が、Ｌｔ＞Ｓｔであることを特徴とする多層配線回路基板。
【請求項２】
シロキサン変性ポリイミドが、下記式（１）及び（２）に示す構造単位を有し、熱変形温度が６０〜１７０℃の範囲にある請求項１記載の多層配線回路基板。
【化１】
0005186266.tif 000008
（式中、Ａｒ１は４価の芳香族基を、Ｒ１及びＲ２は２価の炭化水素基を、Ｒ３〜Ｒ６は炭素数１〜６の炭化水素基を、ｎは１〜２０の整数を表す。）
【化２】
0005186266.tif 000009
（式中、Ａｒ１は４価の芳香族基を、Ａｒ２は２価の芳香族基を表す。）
【請求項３】
シロキサン変性ポリイミドを含む樹脂から形成された絶縁層を２層以上有する請求項１又は２記載の多層配線回路基板。
【請求項４】
配線基板の基材を構成する液晶ポリマーの熱変形温度Ｌｔ（℃）とシロキサン変性ポリイミドを含む樹脂の熱変形温度Ｓｔ（℃）との関係が、Ｌｔ＞Ｓｔである材料を用いて、液晶ポリマーを基材層とし、その片面又は両面に基材層側の表面粗度Ｒｚが０．５〜３μｍの回路導体層が設けられた配線基板を２層以上準備し、前記配線基板間に、シロキサン変性ポリイミドを含む樹脂から形成された絶縁層を介在させた後、シロキサン変性ポリイミドを含む樹脂の熱変形温度Ｓｔ（℃）以上で、液晶ポリマーの熱変形温度Ｌｔ（℃）未満の温度範囲で加熱加圧処理することを特徴とする多層配線回路基板の製造方法。
【請求項５】
シロキサン変性ポリイミドを含む樹脂は、熱変形温度が６０〜１７０℃の範囲にある請求項４記載の多層配線回路基板の製造方法。
【請求項６】
シロキサン変性ポリイミドを含む樹脂から形成された絶縁層がフィルム状で供され、加熱加圧処理での圧力範囲が１ＭＰａ〜６ＭＰａの範囲である請求項４又は５記載の多層配線回路基板の製造方法。
【請求項７】
回路導体層が設けられた配線基板を２層以上準備する工程において、配線基板が、銅箔と液晶ポリマーの積層体の銅箔を任意の形状にエッチング除去して得られたものである請求項４〜６の何れかに記載の多層配線回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は多層配線回路基板に関し、特に液晶ポリマーを基材層とする配線基板を多層化して得られる多層配線回路基板及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の軽薄短小化に伴い、配線回路の高密度化が要求されている。これを実現する手法として配線基板を複数枚積層して一体化させた多層配線回路基板が知られている。一例として、ポリイミドを基材層とするフレキシブル配線基板を層間接着剤を用いて多層化した多層フレキシブル配線回路基板等が挙げられる。
【０００３】
更に、電子機器の高性能化が進み、伝送周波数の高周波化が必要とされる中、高周波に対応する代表的な基板として液晶ポリマーを基材層とした多層配線回路基板が好適に用いられている。液晶ポリマーは低誘電率、低誘電正接を特徴とした樹脂であり、同樹脂を絶縁層とした多層配線回路基板は、他の樹脂を絶縁層として用いる場合と比較して高周波領域の伝送損失を低減させる効果を有している。
【０００４】
液晶ポリマーを絶縁層とした多層配線回路基板は、熱可塑性樹脂である液晶ポリマー基材の融点付近まで加熱した状態で加熱圧着することにより製造される。しかしながら、その加熱温度は２５０℃以上にもなり、汎用的な熱プレス機では製造することができないという問題点がある。さらに、液晶ポリマー基材の熱変形により、回路導体の位置ズレが起きやすく、インピーダンスの不整合など電気特性に悪影響が出ることが懸念されている。また、液晶ポリマーを基材層とした多層配線回路基板は、多層接着界面が平滑であるとアンカー効果が発現せず層間接着力が不充分となるため、回路導体と液晶ポリマー基材それぞれの表面に粗化処理を必要とし、製造工程が煩雑であるという問題点もあった（特許文献１を参照）。
【０００５】
一般的に多層配線回路基板を作製する為の層間接着剤としては、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を半硬化させてシート状に成型したものが広く知られている。しかしこれらは、誘電率や誘電正接が高く、高周波基板の材料として用いるのに十分な電気特性を有するものではない。
【０００６】
一方、シロキサン変性ポリイミドからなる接着シートは、汎用的なエポキシ系接着材と比較して誘電率が低いという特徴を有し、且つ優れた接着特性を有することが分かっている。しかし、これらは、ポリイミドを基材とする配線基板に多く使用されるものであった（特許文献２を参照）。
【特許文献１】特開２００６−１７９６０９号公報
【特許文献２】特開２００１−２０３４６７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、上記従来技術の有する課題に鑑みてなされたものであり、液晶ポリマーを使用した多層配線回路基板における製造条件を緩和することができ、且つ液晶ポリマーの特長である高周波領域における伝送損失を低減した多層配線回路基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは、上記目的を達成すべく液晶ポリマーを基材層とした多層配線回路基板において、絶縁層にシロキサン変性ポリイミドからなる接着シートを用いることで、従来の液晶ポリマーを用いた多層配線回路基板と比べて緩和した条件で製造可能となり、且つ高周波領域における伝送特性に優れる多層配線回路基板を得ることができることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００９】
すなわち、本発明の多層配線回路基板は、液晶ポリマーを基材層とし、その片面又は両面に回路導体層が設けられた配線基板を複数枚積層し、前記配線基板間にシロキサン変性ポリイミドを含む樹脂から形成された絶縁層が介在していることを特徴とする多層配線回路基板であって、高周波領域における伝送特性に優れることを特徴とするものである。
【００１０】
また、本発明の多層配線回路基板の基材を構成する液晶ポリマーの熱変形温度Ｌｔ（℃）と絶縁層のシロキサン変性ポリイミドを含む樹脂の熱変形温度Ｓｔ（℃）との関係が、Ｌｔ＞Ｓｔである。
さらに、本発明の多層配線回路基板において、回路導体層は、配線基板の液晶ポリマーとそれに隣接する絶縁層のシロキサン変性ポリイミドを含む樹脂との界面の表面粗度Ｒｚが、０．５〜３μｍの範囲にあることが好ましい。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の多層配線回路基板によれば、シロキサン変性ポリイミドの樹脂を含む絶縁層を高密度の多層配線回路基板間には配置するので、その作製する際の製造条件を緩和し、液晶ポリマーの特性である高周波領域における伝送損失を低減を十分に達成することができ、優れた高密度配線を可能にする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明をその好適な実施形態に即して詳細に説明する。
先ず、本発明の多層配線回路基板について説明する。すなわち、本発明の多層配線回路基板は少なくとも２層以上の液晶ポリマー基材層と、前記配線基板間にシロキサン変性ポリイミドを含む樹脂から形成された配線回路層とを有するものである。
【００１３】
本発明に使用する液晶ポリマーは、光学的異方性の溶融相を形成するものである。液晶ポリマーは、特にその種類を限定するものではないが、いわゆる全芳香族液晶ポリマー、すなわち、脂肪族長鎖を含まず実質的に芳香族のみで構成される液晶ポリマーが好ましく、さらにそのなかでも、６−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸とｐ−ヒドロキシ安息香酸とからなる構造式（１）で示されるポリエステルがより好ましい（ｍ及びｎは整数）。
【００１４】
【化１】
0005186266.tif 000002
【００１５】
液晶ポリマーは、市販の液晶ポリマーフィルムまたは銅張積層板に絶縁層として用いられる液晶ポリマー等の各種の液晶ポリマーのなかから選定して用いることができ、あるいはまた、液晶ポリマーを適宜調製して用いることもできる。液晶ポリマーフィルムは、ベクスター（（株）クラレ社製）などを用いることができ、また、銅張積層板としては、エスパネッスクＬシリーズ（新日鐵化学（株）社製）を用いることができる。
なお、液晶ポリマーは、基板の安定した寸法精度を得る観点から、例えば、１×１０−６〜２５×１０−６／℃の範囲の線膨張係数を有するものであることが好ましい。
また、本発明に係る液晶ポリマーの熱変形温度Ｌｔ（℃）は、１８０℃以上、特に２１０〜３３０℃の範囲が好ましい。この範囲にあれば、後述する製造が容易に実施でき、加熱接着時に液晶ポリマーに悪影響を与えない。
【００１６】
本発明にかかる回路導体層は、以上説明したような液晶ポリマー配線回路層の片面又は両面に回路導体層が設けられたものである。そして、このような回路導体層は、金属箔等の導体層に公知の回路形成処理を施すことにより形成される。
このような金属箔の種類としては、銅、アルミニウム、鉄、銀、パラジウム、ニッケル、クロム、モリブテン、タングステン、亜鉛及びそれらの合金等の導電性金属を挙げることができ、これらの中でもステンレス、銅箔又は銅を９０％以上含む合金銅箔が好ましい。
液晶ポリマーの厚みは、例えば５〜１００μｍ程度とすることができ、好ましくは、１０〜５０μｍである。また、配線回路層および導体層の厚みは、例えば３〜３５μｍ程度とすることができ、好ましくは、５〜２５μｍである。
配線基板の液晶ポリマーとそれに隣接する絶縁層のシロキサン変性ポリイミドを含む樹脂との界面となる回路導体層の表面粗度Ｒｚは、０．５〜３μｍの範囲が好ましく、特に、０．７〜１．５μｍの範囲が好ましい。表面粗度Ｒｚがこのような範囲内であれば、境界面の粗さが顕著に大きい場合に生じうる高周波領域での伝送特性への悪影響を生じることなく、十分な層間密着強度を確保することができる。
なお、ここでいうＲｚとは、ＪＩＳＢ０６０１（１９９４）によって定義される１０点平均粗さのことをいう。
【００１７】
本発明における回路基板間の絶縁層（接着層）は、シロキサン変性ポリイミドを主成分として含有し、また、シロキサン変性ポリイミドに必要に応じてエポキシ樹脂を導入及び／又は配合し、硬化剤や他の添加剤を含有する熱硬化性の樹脂組成物とすることが好ましく、より好ましくは、シロキサン変性ポリイミド７０〜９９質量％とエポキシ樹脂１〜３０質量％を配合して得られる。
本発明におけるシロキサン変性ポリイミドの熱変形温度が６０〜１７０℃の範囲にあることが好ましく、より好ましくは、８０〜１７０℃である。シロキサン変性ポリイミドの熱変形温度が上記範囲内であれば、加熱接着温度の設定を無理なく設定することができる。
【００１８】
上記シロキサン変性ポリイミドにおいて、シリコンユニットを有する下記一般式（１）で表される構成単位と、下記一般式（２）で表される構成単位とを有するものが例示される。なお、一般式（２）において、Ａｒ２のうち少なくとも１モル％は下記一般式（３）で表されるエポキシ樹脂と反応性を有する官能基を有する２価の芳香族基であって良い。
【００１９】
【化２】
0005186266.tif 000003
【００２０】
一般式（１）中、Ａｒ１は４価の芳香族基を示す。Ｒ１及びＲ２は２価の炭化水素基を示すが、Ｒ１及びＲ２は炭素数１〜６の２価のアルキレン基又はフェニレン基である。Ｒ３〜Ｒ６は炭素数１〜６の炭化水素基を示し、メチル基、エチル基、プロピル基又はフェニル基からなるものが好ましい。ｎは平均繰り返し数であり、１〜２０の数を示すが、１〜１０の数が好ましい。
【００２１】
【化３】
0005186266.tif 000004
【００２２】
一般式（２）中、Ａｒ１は４価の芳香族基を、Ａｒ２は２価の芳香族基を表す。Ａｒ２の一部が下記一般式（３）で表される３価又は４価の芳香族基で置き換えられていても良い。
【００２３】
【化４】
0005186266.tif 000005
一般式（３）中、Ａｒ３は３価又は４価の芳香族基を表し、Ｘはエポキシ基と反応性を有する官能基であり、好ましくは、水酸基、アミノ基又はカルボキシル基であり、ｍは１又は２であるが、ｍが２の場合Ｘは同じであっても異なっていてもよい。
【００２４】
シリコンユニットを有する一般式（１）と一般式（２）で表される構成単位の構成比率（モル比）は、一般式（１）／一般式（２）＝１０／９０〜７０／３０の範囲であることが好ましく、一般式（１）／一般式（２）＝１０／９０〜４５／５５の範囲であることがより好ましく、一般式（１）／一般式（２）＝１０／９０〜４０／６０の範囲であることが最も好ましい。
【００２５】
シリコンユニットを有するポリイミドは、ジアミノシロキサン及び芳香族ジアミンとテトラカルボン酸二無水物とを、有機溶媒中で反応させて得られる。
ジアミノシロキサンとしては、下記一般式（４）で表されるジアミノシロキサンが用いられる。
【００２６】
【化５】
0005186266.tif 000006
【００２７】
上記式中ジアミノシロキサンの平均ｎ数は、１〜２０、好ましくは１〜１０の範囲であり、より好ましくは１〜８の範囲である。ｎの値がこの値より大きいと接着性が低下するので好ましくない。これらのジアミノシロキサンを用いてポリイミド中にシロキサン構造単位を導入することにより、樹脂フィルムに、可撓性や加熱圧着による流動性を与え、パターン金属層への充填性も良好なものとなる。
【００２８】
ジアミノシロキサンの具体的化合物の例としては、ω，ω’−ビス（２−アミノエチル）ポリジメチルシロキサン、ω，ω’−ビス（３−アミノプロピル）ポリジメチルシロキサン、ω，ω’−ビス（４−アミノフェニル）ポリジメチルシロキサン、ω，ω’−ビス（３−アミノプロピル）ポリジフェニルシロキサン、ω，ω’−ビス（２−アミノプロピル）ポリジメチルフェニルシロキサンなどが挙げられる。
【００２９】
芳香族ジアミンとしては、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−ジアミノジフェニルプロパン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、２，２−ビス（３−アミノフェノキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−アミノフェノキシフェニル）プロパン、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼンなどが例示される。
【００３０】
本発明で一般式（２）のＡｒ２一部を一般式（３）で表される３価又は４価の芳香族基で置き換える場合、エポキシ基と反応性を有する官能基を有する芳香族ジアミンを使用することができる。このようなエポキシ樹脂に対して反応性官能基を有する芳香族ジアミンとしては、２，５−ジアミノフェノール、３，５−ジアミノフェノール、４，４’−（３，３’−ジヒドロキシ）ジアミノビフェニル、４，４’−（２，２’−ジヒドロキシ）ジアミノビフェニル、２，２’−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、３，３’、４，４’−ビフェニルテトラアミン、３，３’、４，４’−テトラアミノジフェニルエーテル、４，４’−（３，３’−ジカルボキシ）ジフェニルアミン、３，３’−ジカルボキシ−４，４’−ジアミノジフェニルエーテル等が挙げられ、４，４’−（３，３’−ジヒドロキシ）ジフェニルアミンは好ましいものの１つである。
これらの芳香族ジアミンを用いることにより加熱硬化時にエポキシ樹脂と反応し架橋機構を形成するため、第１の樹脂層との接着強度、耐薬品性などを更に向上させることができる。上記エポキシ樹脂に対して反応性官能基を有する芳香族ジアミンは、全ジアミンの少なくとも１モル％以上用いることができるが、好ましくは１〜１０モル％の範囲である。
【００３１】
テトラカルボン酸二無水物としては、ピロメリット酸二無水物、３，３’，４，４’−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，３，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物などが例示される。
【００３２】
本発明において使用するエポキシ樹脂は、ポリイミドとの混合が可能であれば特に限定はされないが、好ましくはエポキシ当量が５００以下の範囲である液状又は粉末状エポキシ樹脂である。エポキシ当量が５００を超えると接着強度及び耐熱性が低下する。このようなエポキシ樹脂の具体例としては、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、フルオレンビスフェノール、４，４’−ビフェノール、２，２’−ビフェノール、ハイドロキノン、レゾルシン等のフェノール類、あるいは、トリス−（４−ヒドロキシフェニル）メタン、１，１，２，２−テトラキス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、フェノールノボラック、ｏ−クレゾールノボラック等の３価以上のフェノール類、又は、テトラブロモビスフェノールＡ等のハロゲン化ビスフェノール類から誘導されるグリシジルエーテル化物がある。これらのエポキシ樹脂は１種または２種以上を混合して使用することができる。
【００３３】
この他、必要により硬化促進の目的でエポキシ樹脂硬化剤を使用することもでき、その具体例としては、フェノールノボラック、ｏ−クレゾールノボラック等のフェノール類、無水ピロメリット酸、無水フタル酸等の酸無水物類などが挙げられる。
【００３４】
上記シリコンユニットを有するポリイミドにエポキシ樹脂を配合した樹脂組成物とする場合、その配合割合は、シロキサン変性ポリイミド７０〜９９質量％、エポキシ樹脂１〜３０質量％の範囲とすることが好ましい。この範囲とすることで、ポリイミド本来の特性を低下させることなく、耐熱性、接着性をさらに向上させることができる。なお、シリコンユニットを有するポリイミドは、エポキシ樹脂を硬化させる作用を有する場合もあるが、その場合であっても本発明ではポリイミドとして扱い、硬化剤とは区別される。
樹脂組成物に適宜配合される添加剤としては、カップリング剤、充填剤、顔料、チクソトロピー性付与剤、消泡剤等が例示される。
【００３５】
本発明におけるシロキサン変性ポリイミドを含む樹脂から形成された絶縁層の厚み範囲は、板厚設計値に合わせて適宜選択することができるが、１０〜１００μｍの範囲が好ましく、３５〜５０μｍの範囲がより好ましい。シロキサン変性ポリイミドを含む樹脂から形成された絶縁層として、は、ポリイミド系ボンデンィングシートＳＰＢ（新日鐵化学（株）社製）を用いることもできる。
【００３６】
本発明の多層配線回路基板は、以上説明したような液晶ポリマー基材層及び回路導体層をそれぞれ複数有するものである。具体的には、液晶ポリマー基材層の少なくとも片面に積層された回路導体層とを有するフレキシブル配線基板を用いて得られたものであることが好ましい。
【００３７】
次に、前記フレキシブル配線基板と前記シロキサン変性ポリイミドを含む樹脂から形成された絶縁層を使用して本発明の多層配線回路基板を製造する方法について、図を参照しながら説明する。
【００３８】
図１は、本発明の多層配線回路基板を製造する方法の好適な一実施形態を示す工程概略図である（図１（ａ）は配線基板作製工程に対応し、図１（ｂ）は積層工程に対応し、図１（ｃ）は外層形成工程に対応する。図２（ａ）は配線基板作製工程に対応し、図２（ｂ）は積層工程に対応する。）。
そして、本発明の多層配線回路基板は、例えば、両面フレキシブル配線基板を用いて配線基板を作製する工程（配線基板作製工程）と、前記配線基板とシロキサン変性ポリイミドを含む樹脂から形成された絶縁層を積層する工程（積層工程）と、前記配線基板の外層銅箔に回路形成処理を施して配線回路とした後に前記配線回路上に保護層を形成する工程（外層形成工程）とを含む方法により作製することができる。
【００３９】
配線基板作製工程においては、まず液晶ポリマーを基材層とした両面フレキシブル配線基板を少なくとも２つ準備する。そして、前記両面フレキブル配線基板の銅箔の片面のみに回路形成処理を施して配線基板１０並びに１１を作製する。回路形成処理の方法としては、公知の方法を適宜採用することができる。
このようにして、図１（ａ）に示すような、液晶ポリマー基材層１並びに２と液晶ポリマー基材層１並びに２の片面に形成された配線回路３’並びに４’とをそれぞれ有し、その反対面に銅箔５並びに６を有する配線基板１０、１１を作製することができる。
【００４０】
積層工程においては、先ず、液晶ポリマー基材層１並びに２と液晶ポリマー基材層１並びに２の片面に形成された配線回路３’並びに４’とをそれぞれ有し、その反対面に銅箔５並びに６を有する配線基板１０、１１を準備する。そして、図１（ｂ）に示すように、フレキシブル配線基板１０、１１の銅箔５並びに６がそれぞれ外側になるように、配線基板１０と２つ目の片面フレキシブル積層板１１とを対向させ、前記シロキサン変性ポリイミドを含む樹脂からなる接着シート（絶縁層）７を介して積層する。
【００４１】
また、積層条件は、シロキサン変性ポリイミドを含む樹脂の熱変形温度Ｓｔ（℃）以上で、液晶ポリマーの熱変形温度Ｌｔ（℃）未満の温度範囲で加熱加圧処理する。例えば、確実には、温度がシロキサン変性ポリイミドの熱変形温度より高い温度、より好ましくは１８０℃以上で、液晶ポリマーの熱変形温度２３５℃未満の温度設定をすることができる。また、設定上、液晶ポリマーの熱変形温度Ｌｔ（℃）とシロキサン変性ポリイミドを含む樹脂の熱変形温度Ｓｔ（℃）との関係が、Ｌｔ＞Ｓｔである。
【００４２】
更に、加熱加圧処理での圧力範囲が１ＭＰａ〜１０ＭＰａの範囲、より好ましくは、４〜６ＭＰａの範囲にあることが好ましい。また、保持時間は特に限定する必要はないが、一般に１０〜６０分の範囲とすることが好ましい。
なお、図１には図示していないが、配線基板１０並びに１１の両側に必要に応じて、カバーレイフィルムやソルダーレジストが設けられても良い。このようなカバーレイフィルムとしては、ポリイミドフィルムにエポキシ樹脂系接着剤又はアクリル樹脂系接着剤、シロキサン変性ポリイミド系接着材が設けられたカバーレイフィルムや液晶ポリマーフィルムが好ましく使用される。
【００４３】
外層形成工程においては、図１（ｃ）に示すように、両面フレキシブル配線基板１０並びに１１の銅箔５並びに６に回路形成処理を施して配線回路５’並びに６’とした後に配線回路５’並びに６’上に保護層としてカバーレイフィルムもしくはソルダーレジスト８並びに９を積層する。回路形成処理の方法としては、公知の方法を適宜採用することができる。また、カバーレイフィルム８並びに９としては、ポリイミドフィルムにエポキシ樹脂系接着剤又はアクリル樹脂系接着剤、シロキサン変性ポリイミド系接着剤が設けられたカバーレイフィルムや液晶ポリマーフィルムが好ましく使用される。
【００４４】
以上説明したような配線基板作製工程、積層工程、及び外層形成工程を含む方法により、本発明の多層配線回路基板１２を製造することができる。また、このような本発明の多層配線回路基板を製造する方法においては、４層の配線回路層を有する多層配線回路基板の製造する方法を例に挙げて説明したが、更に多層化を行うことで、例えば、６層〜８層の配線回路層を有する多層配線回路基板とすることもできる。なお、この場合においては、カバーレイフィルム８並びに９は最外層の配線回路層を保護するためだけに使用することが好ましい。
【００４５】
（実施例）
以下、実施例及び比較例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【００４６】
以下の測定評価を実施した。
［熱変形温度の測定］
熱機械分析装置（Ｂｒｕｋｅｒ製、４０００ＳＡ）を用いて、幅２ｍｍ、長さ３０ｍｍ、チャック間距離１５ｍｍにて、荷重２ｇ、昇温速度５℃／分の条件で試験片の長さ方向の熱膨張量を測定し、その変曲点を熱変形温度とする。
［接着強度の測定］
引張試験機（東洋精機株式会社製、ストログラフ−Ｍ１）を用いて、幅１０ｍｍ、長さ１００ｍｍの試験片を１８０°方向に５０ｍｍ／分の速度で引き剥がす時の力を接着強度とする。
【００４７】
［伝送損失の測定］
両面フレキシブル配線基板の銅箔に回路加工を施した後に接着シートと積層し、上下がグランド・中間は信号線の導体３層からなる伝送線路（オフセンターストリップライン）を作製した。伝送線路の設計は高周波回路設計用のソフトウェア（アジレント・テクノロジー社製、Ａｄｖａｎｃｅｄ  Ｄｅｓｉｇｎ  Ｓｙｓｔｅｍ）用いて行った。伝送線路の両末端には測定用にグランド・信号線・グランド３本からなる等間隔のパッドを配置した。伝送損失は、マイクロ波用ピコプローブ（ＧＧＢ社製）とネットワークアナライザ（アジレント・テクノロジー社製、Ｅ８３６４Ｂ）を用いてＳパラメータを測定することで算出した。
【００４８】
シロキサン変性ポリイミドフィルムの準備
（シロキサン変性ポリイミドの合成例）
反応容器に３，３’，４，４’−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物（ＯＤＰＡ）３７．１４ｇ（０．１１モル）、Ｎ−メチル−２−ピロリドン２００ｇ及びジエチレングリコールジメチルエーテル２００ｇを装入し、室温で良く混合した。次に、一般式（４）において、Ｒ１，Ｒ２：−（ＣＨ２）３−、及びＲ３〜Ｒ６：−ＣＨ３で表され、ｎ＝８．４、平均分子量７４０のジアミノシロキサン３１．５６ｇ（０．０３５モル）を滴下し、この反応溶液を攪拌下で氷冷し、２，２’−ビス（４−アミノフェノキシフェニル）プロパン（ＢＡＰＰ）３０．２５ｇ（０．０７モル）及び４，４’−（３，３’−ジヒドロキシ）ジアミノビフェニル（ＨＡＢ）１．０４ｇ（０．００５モル）を添加し、室温にて２時間攪拌し、ポリアミド酸溶液を得た。このポリアミド酸溶液を１９０℃に昇温し、２０時間加熱、攪拌し、対数粘度０．９ｄｌ／ｇのポリイミド溶液を得た。
【００４９】
（樹脂フィルムの製造例）
上記シロキサン変性ポリイミドの合成例によって得られたポリイミド溶液の固形分７５質量部に対し、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン（株）製、エピコート８２８）２５質量部を混合し、２時間室温にて攪拌させて、シロキサン変性ポリイミド含有樹脂組成物の樹脂溶液を調製した。この樹脂溶液をＰＥＴフィルム上に塗布し、乾燥してＰＥＴフィルム付樹脂フィルムとした。ＰＥＴフィルム上の樹脂の熱変形温度は８０℃であった。なお、下記実施例では、この樹脂フィルム（以下、ＳＰ−Ａと略する）を用いた。
【００５０】
（実施例１）
厚さ２５μｍの液晶ポリマー（熱変形温度：２３５℃）を基材層とし、その両面に厚さ９μｍの銅箔（表面粗度Ｒｚ：２．０μｍ）が設けられた両面フレキシブル配線基板を準備し、その片面の銅箔に回路加工を施し、任意の配線回路３’並びに４’を形成した図１（ａ）示すような２つの配線基板１０、１１を得た。
【００５１】
次に配線基板１０、１１の銅箔５並びに６がそれぞれ外側になるように配線基板１０と１１とを対向させ、シロキサン変性ポリイミドを含む樹脂から形成された接着シート７（ＳＰ−Ａ）を介して重ね、温度１８０℃、圧力４ＭＰａ、加圧保持時間６０分間の各条件で積層した（図１（ｂ））。このようにして得られた図１（ｂ）に示す多層配線回路基板の両側の銅箔を更に回路加工を施し、カバーレイフィルムを設けた（図１（ｃ））。
【００５２】
得られた多層配線回路基板は、配線回路と絶縁層（接着シート）、液晶ポリマー基材層と絶縁層（接着シート）間ともに隙間なく、きれいに充填されたものであった。配線回路と絶縁層（接着シート）の接着強度は０．７１ｋＮ／ｍと良好で、また、液晶ポリマー基材層と絶縁層（接着シート）の接着強度も０．６７ｋＮ／ｍと良好であった。
【００５３】
（比較例１）
接着シートに厚さ２５μｍ、熱変形温度：２３５℃の液晶ポリマーフィルムを用いた以外は、実施例１と同様に行った。但し、接着シートとして用いた、液晶ポリマーの熱変形温度が高いため、２００℃以下の低温での積層ができず、積層条件を、温度２６０℃、圧力６ＭＰａ、加圧保持時間１５分間とする必要があった。
また、得られた多層配線回路基板は、配線回路と絶縁層（接着シート）の接着強度が０．５２ｋＮ／ｍで、液晶ポリマー基材層と絶縁層（接着シート）の接着強度も０．２１ｋＮ／ｍと本発明の実施例１のものに対して劣っていた。
【００５４】
（実施例２）
実施例１で用いたものと同じ液晶ポリマー１３を基材層とする両面フレキシブル配線基板を準備し、両面の銅箔に回路加工を施して、任意の配線回路３’並びに４’を形成して図２（ａ）示すような配線基板１４を得た。また、実施例１と同様にして、液晶ポリマーを基材層とする両面フレキシブル配線基板の片側の銅箔を回路加工を施し、任意の配線回路が形成された２つの配線基板１０、１１を得た。次に、配線基板１４の両側に、実施例１で用いたものと同じシロキサン変性ポリイミドを含む樹脂から形成された接着シート（ＳＰ−Ａ）１５及び１６を介して、配線基板１０、１１を銅箔が外側になるように積層し多層配線基板１７を得た。なお、このときの積層条件は温度１８０℃、圧力４ＭＰａ、保持時間６０分とした。このようにして得られた図２（ｂ）に示す多層配線回路基板の両側の銅箔を更に回路加工を施し、カバーレイフィルムを設けた。
【００５５】
（実施例３）
実施例１と同様にして、図３に示した（ａ）〜（ｃ）の３つのストリップ線路構造の高周波伝送線路を準備した。各積層体の構成を表１に示す。
このようにして得られた高周波伝送線路において、ネットワークアナライザを用いてＤＣ〜４０の伝送損失を測定した。結果を表１に示す。表１に示したとおり、液晶ポリマーをボンディング材と用いた場合とほぼ同等であり、高周波領域の伝送損失を低減する効果が得られた。
【００５６】
【表１】
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【００５７】
参考例：従来のエポキシ樹脂使用、単位：ｄＢ／ｍｍ
表１に示すように、実施例１でのシロキサン変性ポリイミドでは、液晶ポリマーと遜色のない特性を示す、一方、接着強度に関しては上述したように実施例１のものは比較例１のものより優れていた。
【産業上の利用可能性】
【００５８】
以上、説明したように、本発明によれば、液晶ポリマーを使用した多層配線回路基板における製造条件を緩和することができ、且つ液晶ポリマーの特長である高周波領域における伝送損失を低減した多層配線回路基板を提供することが可能となる。従って、本発明の多層配線回路基板は、小型化、軽量化、高機能化等が要求されている電子情報機器に使用される多層配線回路基板として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】図１（ａ）〜（ｃ）は、本発明の多層配線回路基板とそれを製造する方法の好適な一実施形態を示す工程概略図である。
【図２】図２（ａ）及び（ｂ）は、本発明の多層配線回路基板とそれを製造する方法の好適な一実施形態を示す工程概略図である。
【図３】図３（ａ）〜（ｃ）は、本発明の効果を検証するための高周波領域の伝送特性を評価するためのサンプル概略図である。
【符号の説明】
【００６０】
１，２，１３・・・液晶ポリマー基材層、３’，４’・・・配線回路、５，６・・・銅箔、７，１５，１６・・・シロキサン変性ポリイミド接着シート、８，９・・・カバーレイフィルムもしくはソルダーレジスト、１０，１１，１４・・・配線基板、１２，１７・・・多層配線基板。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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