(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の方向及び前記第１の方向とは異なる第２の方向にそれぞれ配列された複数の画素電極と、
前記複数の画素電極と対向配置された対向電極と、
前記複数の画素電極と前記対向電極との間に封入された液晶層と、
前記複数の画素電極にそれぞれ接続された複数の画素トランジスタと、
前記第１の方向に沿って配設された複数の第１の座標検知配線と、
前記第２の方向に沿って配設された複数の第２の座標検知配線と、
前記複数の画素用トランジスタに表示信号を供給する前記第２の方向に沿って配設された複数の信号線と、
それぞれ第１の接点を有し、前記複数の第１の座標検知配線にそれぞれ接続され、外部からの押圧を受けて前記第１の接点が前記対向電極に接触することにより前記対向電極と前記第１の座標検知配線とを導通させる複数の第１の座標検知部と、
それぞれ第２の接点を有し、前記複数の第２の座標検知配線にそれぞれ接続され、前記外部からの前記押圧を受けて前記第２の接点が前記対向電極に接触することにより当該対向電極と前記第２の座標検知配線とを導通させる複数の第２の座標検知部と、
を具備し、
前記第２の座標検知配線は、前記複数の画素電極のうち、前記第１の方向に連続して配列された第１の画素電極、第２の画素電極、第３の画素電極及び第４の画素電極における、前記第２の画素電極と前記第３の画素電極との間に配設され、
前記信号線は、前記第１の画素電極と前記第２の画素電極との間、前記第３の画素電極と前記第４の画素電極との間、のうちの一方の間に２本配設され、
前記第２の画素電極と前記第３の画素電極とには、前記画素トランジスタが前記第２の座標検知配線を挟んで前記第２の座標検知配線から離れる側に配置されてそれぞれ接続され、
前記第１の座標検知部及び前記第２の座標検知部は、前記第２の画素電極に接続された前記画素トランジスタと前記第３の画素電極に接続された前記画素トランジスタとの間に配置される、
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記第１の座標検知部と前記第２の座標検知部とは、一対で配置されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記第２の画素電極に接続された前記画素トランジスタと前記第３の画素電極に接続された前記画素トランジスタとの前記第１の方向の間隔は、前記一対の前記第１の座標検知部及び前記第２の座標検知部の前記第１の方向の長さよりも長いことを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記一対の前記第１の座標検知部及び前記第２の座標検知部は、前記第１の座標検知配線上に配置されていることを特徴とする請求項２又は３に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記複数の画素トランジスタに走査信号を供給する前記第１の方向に沿って配設された複数の走査線をさらに備え、
前記走査線は、前記画素電極と前記第１の座標検知配線の間に配置され、前記第１の座標検知配線に向かって前記走査線から張り出した張出部を有し、
前記画素トランジスタは、前記張出部がゲート電極になっていることを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記複数の第１の座標検知部と前記対向電極との間隔及び前記複数の第２の座標検知部と前記対向電極との間隔をそれぞれ保持するスペーサと、前記押圧を受けていないときの前記第１の接点及び前記第２の接点と前記対向電極との間隔を予め設定された接点間隔に設定する複数の土台部と、をさらに備え、
前記第２の座標検知配線は、前記複数の画素電極のうち、前記第１の方向に連続して配列された第５の画素電極、第６の画素電極、第７の画素電極及び第８の画素電極における、前記第６の画素電極と前記第７の画素電極との間に配設され、
前記信号線は、前記第５の画素電極と前記第６の画素電極との間、前記第７の画素電極と前記第８の画素電極との間、のうちの一方の間に２本配設され、
前記第６の画素電極と前記第７の画素電極とには、前記画素トランジスタが前記第２の座標検知配線を挟んで前記第２の座標検知配線から離れる側に配置されてそれぞれ接続され、
前記土台部は、前記第６の画素電極に接続された前記画素トランジスタと前記第７の画素電極に接続された前記画素トランジスタとの間に配置されていることを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記第６の画素電極に接続された前記画素トランジスタと前記第７の画素電極に接続された前記画素トランジスタとの前記第１の方向の間隔は、前記土台部の前記第１の方向の長さよりも長いことを特徴とする請求項６に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記土台部は、前記第１の座標検知配線上に配置されていることを特徴とする請求項６又は７に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記複数の信号線と前記複数の第２の座標検知配線とは、前記複数の画素電極のうち、前記第１の方向に連続して配列された前記画素電極の連続した複数の間に、１本の前記信号線と１本の前記第２の座標検知配線と２本の前記信号線とが配置された配置順序、又は、２本の前記信号線と１本の前記第２の座標検知配線と１本の前記信号線とが配置された配置順序、で繰り返し配設されていることを特徴とする請求項６乃至８の何れか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記複数の第１の座標検知部及び前記複数の第２の座標検知部は、それぞれ一対であって前記第１の方向に沿って形成され、前記第１の座標検知配線と前記第２の座標検知配線との交差部分上で、前記第１の方向に沿った行に２つの前記交差部分毎に配置され、且つ、前記第２の方向に隣接する行毎に前記第１の方向に１つの前記交差部分だけずらして配置され、
前記複数の土台部は、前記第１の方向に沿って形成され、前記複数の第１の座標検知部及び前記複数の第２の座標検知部が配置された領域以外の前記交差部分上に配置されていることを特徴とする請求項９に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
前記複数の第１の座標検知部及び前記複数の第２の座標検知部は、それぞれ前記押圧を受けたときに前記対向電極に生じる湾曲の量が最大となるところに配置されていることを特徴とする請求項１０に記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
第１の方向及び前記第１の方向とは異なる第２の方向にそれぞれ配列された複数の画素電極と、
前記複数の画素電極と対向配置された対向電極と、
前記複数の画素電極にそれぞれ接続された複数の画素トランジスタと、
前記第１の方向に沿って配設された複数の第１の座標検知配線と、
前記第２の方向に沿って配設された複数の第２の座標検知配線と、
前記複数の画素トランジスタに表示信号を供給する前記第２の方向に沿って配設された複数の信号線と、
それぞれ第１の接点を有し、前記複数の第１の座標検知配線にそれぞれ接続され、外部からの押圧を受けて前記第１の接点が前記対向電極に接触することにより前記対向電極と前記第１の座標検知配線とを導通させる複数の第１の座標検知部と、
それぞれ第２の接点を有し、前記複数の第２の座標検知配線にそれぞれ接続され、前記外部からの前記押圧を受けて前記第２の接点が前記対向電極に接触することにより前記対向電極と前記第２の座標検知配線とを導通させる複数の第２の座標検知部と、
前記複数の第１の座標検知部と前記対向電極との間隔及び前記複数の第２の座標検知部と前記対向電極との間隔をそれぞれ保持するスペーサを有し、前記押圧を受けていないときの前記第１の接点及び前記第２の接点と前記対向電極との間隔を予め設定された接点間隔に設定する複数の土台部と、
を具備し、
前記第２の座標検知配線は、前記複数の画素電極のうち、前記第１の方向に連続して配列された第１の画素電極、第２の画素電極、第３の画素電極及び第４の画素電極における、前記第２の画素電極と前記第３の画素電極との間に配設され、
前記信号線は、前記第１の画素電極と前記第２の画素電極との間、前記第３の画素電極と前記第４の画素電極との間、のうちの一方の間に２本配設されるとともに他方の間に１本配設され、
前記第２の画素電極と前記第３の画素電極とには、前記画素トランジスタが前記第２の座標検知配線を挟んで前記第２の座標検知配線から離れる側に配置されてそれぞれ接続され、
前記土台部、又は、前記第１の座標検知部及び前記第２の座標検知部は、前記第２の画素電極に接続された前記画素トランジスタと前記第３の画素電極に接続された前記画素トランジスタとの間に配置されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１３】
前記第２の画素電極に接続された前記画素トランジスタと前記第３の画素電極に接続された前記画素トランジスタとの前記第１の方向の間隔は、前記第１の座標検知部及び前記第２の座標検知部の前記第１の方向の長さよりも長く、前記土台部の前記第１の方向の長さよりも長いことを特徴とする請求項１２に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、タッチパネル機能を有する液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置には、タッチパネル機能を内蔵するものがある。この装置には、第１の基板（ＴＦＴ基板）と第２の基板（カラーフィルタ基板）とが対向配置されている。ＴＦＴ基板上には、複数の画素電極が第１の方向（Ｘ方向）と第２の方向（Ｙ方向）とに一定間隔で形成されている。これら画素電極は、矩形状に形成されている。カラーフィルタ基板には、対向電極が形成されている。複数の画素電極と対向電極との間には、液晶が封入されて液晶層を形成している。
【０００３】
図１５は同装置の平面配置図を示す。複数の画素電極１がＸ方向とＹ方向にそれぞれ一定間隔で配置されている。画素電極１の端部には、画素用トランジスタとしての薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと称する）２が接続されている。各画素電極１のＸ方向における隣り合う間には、信号線としてのデータ配線３が配置されている。又、各画素電極１のＸ方向における隣り合う３つの間のうちの１つの間には、Ｘ座標検知配線４が配置されている。図１５に示したように、各画素電極１のＸ方向における間には、図面上の左側から右側方向に順次、１本のデータ配線３、その右隣の間に１本のデータ配線３、さらにその右隣の間に１本のＸ座標検知配線４及び１本のデータ配線３、の順序で繰り返し配置されている。
【０００４】
一方、各画素電極１のＹ方向における隣り合う間には、ＴＦＴ２と、走査線としてのゲート配線５と、Ｙ座標検知配線６と、補助容量配線７と、が配置されている。ＴＦＴ２は、ゲート電極がゲート配線５に接続され、ドレイン電極がデータ配線３に接続され、ソース電極が画素電極１に接続されている。
【０００５】
画素電極１のＹ方向における間で、各画素電極１のＸ方向における、１本のデータ配線３とその右隣のＸ座標検知配線４の間で、かつＹ座標検知配線６上には、土台部８が設けられている。図１６は土台部８の配置周辺部の平面配置図を示す。
【０００６】
又、画素電極１のＹ方向における間で、Ｘ方向における、１本のデータ配線３とその右隣のＸ座標検知配線４の間で、かつＹ座標検知配線６上には、Ｘ座標検知接点部９及びＹ座標検知接点部１０が設けられている。図１７はＸ座標検知接点部９及びＹ座標検知接点部１０の配置周辺部の平面配置図を示す。
【０００７】
Ｘ座標検知接点部９及びＹ座標検知接点部１０は、一対で設けられている。Ｘ座標検知接点部９は、ＴＦＴ基板とカラーフィルタ基板とにそれぞれ接点を設け、これら接点が導通することによりＸ座標信号を生じる。Ｙ座標検知接点部１０も同様にＴＦＴ基板とカラーフィルタ基板とにそれぞれ接点を設け、これら接点が導通することによりＹ座標信号を生じる。土台部８は、外部からの押圧を受けていないときのＸ座標検知接点部９及びＹ座標検知接点部１０の各接点間隔を予め設定された間隔に設定する。
【０００８】
タッチパネルの技術としては、例えば特許文献１がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００７−９５０４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、タッチパネル機能を有する液晶表示装置では、各画素電極１のＹ方向の間にそれぞれＴＦＴ２と、ゲート配線５と、Ｙ座標検知配線６と、補助容量配線７と、を配置し、Ｘ方向における、１本のデータ配線３とその右隣のＸ座標検知配線４の間で、かつＹ座標検知配線６上には、土台部８または一対のＸ座標検知接点部９とＹ座標検知接点部１０を配置している。  
液晶表示装置の表示性能、例えば表示の輝度等の向上に寄与する要因としては、例えば各画素電極１の大きさ、すなわち液晶表示装置としての開口率を大きくすることが挙げられる。ところが、上記液晶表示装置では、各画素電極１のＹ方向の間にそれぞれＴＦＴ２と、ゲート配線５と、Ｙ座標検知配線６と、補助容量配線７と、を配置し、さらにタッチ機能としてＹ座標検知配線６を配置し、Ｘ方向における、１本のデータ配線３とその右隣のＸ座標検知配線４の間で、かつＹ座標検知配線６上に、土台部８または一対のＸ座標検知接点部９とＹ座標検知接点部１０を配置している。このため、各画素電極１の大きさ、すなわち液晶表示装置としての開口率を大きくすることが出来ない。
【００１１】
本発明の目的は、開口率を大きくすることができ、表示性能を向上できる液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の主要な局面に係る液晶表示装置は、第１の方向及び前記第１の方向とは異なる第２の方向にそれぞれ配列された複数の画素電極と、前記複数の画素電極と対向配置された対向電極と、前記複数の画素電極と前記対向電極との間に封入された液晶層と、前記複数の画素電極にそれぞれ接続された複数の画素トランジスタと、前記第１の方向に沿って配設された複数の第１の座標検知配線と、前記第２の方向に沿って配設された複数の第２の座標検知配線と、前記複数の画素用トランジスタに表示信号を供給する前記第２の方向に沿って配設された複数の信号線と、それぞれ第１の接点を有し、前記複数の第１の座標検知配線にそれぞれ接続され、外部からの押圧を受けて前記第１の接点が前記対向電極に接触することにより前記対向電極と前記第１の座標検知配線とを導通させる複数の第１の座標検知部と、それぞれ第２の接点を有し、前記複数の第２の座標検知配線にそれぞれ接続され、前記外部からの前記押圧を受けて前記第２の接点が前記対向電極に接触することにより当該対向電極と前記第２の座標検知配線とを導通させる複数の第２の座標検知部と、を具備し、前記第２の座標検知配線は、前記複数の画素電極のうち、前記第１の方向に連続して配列された第１の画素電極、第２の画素電極、第３の画素電極及び第４の画素電極における、前記第２の画素電極と前記第３の画素電極との間に配設され、前記信号線は、前記第１の画素電極と前記第２の画素電極との間、前記第３の画素電極と前記第４の画素電極との間、のうちの一方の間に２本配設され、前記第２の画素電極と前記第３の画素電極とには、前記画素トランジスタが前記第２の座標検知配線を挟んで前記第２の座標検知配線から離れる側に配置されてそれぞれ接続され、前記第１の座標検知部及び前記第２の座標検知部は、前記第２の画素電極に接続された前記画素トランジスタと前記第３の画素電極に接続された前記画素トランジスタとの間に配置される液晶表示装置である。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、開口率を大きくすることができ、表示性能を向上できる液晶表示装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明に係るタッチパネル機能を有する液晶表示装置の第１の実施の形態を示す構成図。
【図２】同装置を示す具体的な一部平面構成図。
【図３】同装置における土台部の周辺部を示す平面構成図。
【図４】同装置における土台部を示すＡ−Ａ断面図。
【図５】同装置におけるＸ座標検知部及びＹ座標検知部の周辺部を示す平面構成図。
【図６】同装置におけるＸ座標検知部及びＹ座標検知部を示すＢ−Ｂ断面図。
【図７】同装置におけるＴＦＴ、Ｘ座標検知部、Ｙ座標検知部及び土台部に対応する各部分における最初の段階の作成工程を示す図。
【図８】同装置におけるＴＦＴ、Ｘ座標検知部、Ｙ座標検知部及び土台部に対応する各部分における次の段階の作成工程を示す図。
【図９】同装置におけるＴＦＴ、Ｘ座標検知部、Ｙ座標検知部及び土台部に対応する各部分における次の段階の作成工程を示す図。
【図１０】同装置におけるＴＦＴ、Ｘ座標検知部、Ｙ座標検知部及び土台部に対応する各部分における次の段階の作成工程を示す図。
【図１１】同装置におけるＴＦＴ、Ｘ座標検知部、Ｙ座標検知部及び土台部に対応する各部分における次の段階の作成工程を示す図。
【図１２】同装置と従来装置との対比を示す図。
【図１３】本発明に係るタッチパネル機能を有する液晶表示装置の第２の実施の形態を示す構成図。
【図１４】本発明に係るタッチパネル機能を有する液晶表示装置の第３の実施の形態を示す構成図。
【図１５】従来の液晶表示装置を示す平面配置図。
【図１６】同装置の土台の周辺部を示す平面配置図。
【図１７】同装置のＸ座標検知接点部及びＹ座標検知接点部の配置周辺部を示す平面配置図。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
［第１の実施の形態］
以下、本発明の第１の実施の形態について図面を参照して説明する。なお、図１５と同一部分には同一符号を付してその詳しい説明は省略する。  
図１はタッチパネル機能を有する液晶表示装置の構成図を示す。本装置１００には、互いに対向配置された第１の基板（ＴＦＴ基板）と第２の基板（カラーフィルタ基板）とが設けられている。ＴＦＴ基板上には、複数の画素電極１が設けられている。これら画素電極１は、矩形状に形成されている。これら画素電極１は、Ｘ方向（横方向とも称する）とＹ方向（縦方向とも称する）とにそれぞれ複数ずつ一定間隔毎に配置されている。例えば、図１中、Ｙ方向の最上側に配置されたＸ方向の各画素電極１の行を横第１行とし、この横第１行の下側に配置されたＸ方向の各画素電極１の行を横第２行とし、順次下方に向かって、横第３行、横第４行とする。  
又、図１中、Ｘ方向の最左側に配置されたＹ方向の各画素電極１の列を縦第１列とし、この縦第１列の右側に配置されたＹ方向の各画素電極１の列を縦第２列とし、以下順次右側に向かって、縦第３列、縦第４列とする。
【００１６】
第２の基板上には、カラーフィルタ層を介して対向電極２０が設けられている。画素電極１と対向電極２０とは、対向配置されている。画素電極１と対向電極２０との間には、液晶が封入されて液晶層Ｑを形成している。なお、対向電極２０は、図面上、画素電極１の上方に配置されている。
【００１７】
図１に示したように、画素電極１には、画素用トランジスタとしての薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）２が接続されている。これらＴＦＴ２は、それぞれゲート電極がゲート配線５に接続され、ドレイン電極がデータ配線３に接続され、ソース電極が画素電極１に接続されている。ＴＦＴ２のソース電極は、図面上、対向電極２０側から画素電極１を見て、画素電極１におけるＹ方向の下端辺で、かつ当該下端辺におけるＸ方向の左側又は右側のいずれか一方に接続されている。  
具体的に、複数の画素電極１のＸ方向における各間には、後述するように、１本又は２本のデータ配線３が配置される。これにより、ＴＦＴ２のソース電極は、データ配線３が配置されている側の画素電極１における下端辺の左側又は右側のいずれか一方に接続されている。ＴＦＴ２は、データ配線３が配置されている側の画素電極１の下端辺に接続することにより、ＴＦＴ２自体は、画素電極１における下端辺の左側又は右側のいずれか一方に配置される。  
例えば、図１の図面上において、横第１行中で、最も左側に配置された画素電極１に対してＴＦＴ２のソース電極は、当該画素電極１における下端辺の左側に接続されている。これにより、ＴＦＴ２自体は、当該画素電極１における下端辺の左側に配置される。同横第１行中で、上記画素電極１の右側に隣接する画素電極１に対してＴＦＴ２のソース電極は、当該画素電極１における下端辺の右側に接続されている。これにより、当該ＴＦＴ２自体は、画素電極１における下端辺の右側に配置される。さらに右側に隣接する画素電極１に対してＴＦＴ２のソース電極は、当該画素電極１における下端辺の左側に接続されている。これにより、当該ＴＦＴ２自体は、画素電極１における下端辺の左側に配置される。
【００１８】
以下、上記同様に、右側に隣接する画素電極１に対してＴＦＴ２のソース電極は、当該画素電極１における下端辺の左側に接続され、当該ＴＦＴ２自体は、画素電極１における下端辺の左側に配置される。次に右側に隣接する画素電極１に対してＴＦＴ２のソース電極は、当該画素電極１における下端辺の右側に接続され、当該ＴＦＴ２自体は、画素電極１における下端辺の右側に配置される。次に右側に隣接する画素電極１に対してＴＦＴ２のソース電極は、当該画素電極１における下端辺の左側に接続され、当該ＴＦＴ２自体は、画素電極１における下端辺の左側に配置されることを繰り返す。  
一方、複数の画素電極１のＹ方向における各間には、Ｘ座標検知部２５及びＹ座標検知部２６と、土台部２７とが交互に配置されている。これらＸ座標検知部２５及びＹ座標検知部２６と、土台部２７とは、Ｘ座標検知配線４が配置された縦の列の各画素電極１の間に配置されている。Ｘ座標検知部２５及びＹ座標検知部２６は、互いに隣接した一対として配置されている。
【００１９】
例えば、図１中で、横第１行と横第２行との各画素電極１との間で、かつＸ座標検知配線４上の縦第１列と縦第２列との各画素電極１との間には、土台部２７が配置されている。この土台部２７は、図中、左斜め上方に配置されている。  
横第２行と横第３行との各画素電極１との間で、かつＸ座標検知配線４上の縦第１列と縦第２列との各画素電極１との間には、一対のＸ座標検知部２５及びＹ座標検知部２６が配置されている。
【００２０】
横第３行と横第４行との各画素電極１との間で、かつＸ座標検知配線４上の縦第１列と縦第２列との各画素電極１との間には、再び、土台部２７が配置されている。  
以下、各画素電極１の横方向の各行の各間のＸ座標検知配線４上には、土台部２７と、一対のＸ座標検知部２５及びＹ座標検知部２６とが交互に繰り返して配置されている。
【００２１】
又、横第１行と横第２行との各画素電極１との間で、かつＸ座標検知配線４上の縦第４列と縦第５列との各画素電極１との間には、一対のＸ座標検知部２５及びＹ座標検知部２６が配置されている。
【００２２】
横第２行と横第３行との各画素電極１との間で、かつＸ座標検知配線４上の縦第４列と縦第５列との各画素電極１との間には、土台部２７が配置されている。
【００２３】
横第３行と横第４行との各画素電極１との間で、かつＸ座標検知配線４上の縦第４列と縦第５列との各画素電極１との間には、再び、一対のＸ座標検知部２５及びＹ座標検知部２６が配置されている。  
以下、各画素電極１の横方向の各行の各間の各Ｘ座標検知配線４上には、土台部２７と、一対のＸ座標検知部２５及びＹ座標検知部２６とが交互に繰り返して配置されている。
【００２４】
本装置１００には、データドライバ（データ駆動回路）２１と、走査ドライバ（走査駆動回路）２２と、Ｘ座標検出回路２３と、Ｙ座標検出部２４とが設けられている。  
データドライバ２１は、信号線としての複数のデータ配線３が接続され、データ配線３に画像信号を供給する。データ配線３は、ＴＦＴ２のドレイン電極に接続されている。  
走査ドライバ２２は、複数のゲート配線５が接続され、ゲート配線５に走査信号を予め設定された走査タイミングでＹ方向に走査させながら送る。この走査信号は、各ＴＦＴ２を順次オン動作させる。ゲート配線５は、ＴＦＴ２のゲート電極に接続されている。
【００２５】
走査ドライバ２２から出力される走査信号とデータドライバ２１から出力される画像信号とのタイミングは、走査ドライバ２２が各ゲート配線５に順次走査信号を出力するとき、各ゲート配線５に走査信号を出力している期間毎に、データドライバ２１から全てのデータ配線３に同時に画像信号を出力する。これにより、複数のＴＦＴ２のうち走査信号がゲート配線５によりゲート電極に供給され、かつ画像信号がデータ配線３によりドレイン電極に供給されたＴＦＴ２のドレイン電極とソース電極が導通し、当該導通したソース電極に接続した画素電極１に画像信号に対応した電圧が書き込まれることになる。そして画素電極１と対向電極２０との間に電圧差が発生して当該液晶層Ｑが駆動される。
【００２６】
Ｘ座標検出回路２３は、複数のＸ座標検知配線４が接続されている。Ｘ座標検知配線４上には、複数のＸ座標検知部２５が設けられている。Ｘ座標検知部２５は、接点を有し、外部からの押圧を受けて当該接点が対向電極２０に接触することにより当該対向電極２０とＸ座標検知配線４とを導通させる。これにより、Ｘ座標検出回路２３は、例えば操作者のタッチにより外部から押圧を受けた部分においてＸ座標検知部２５が導通したときに生じるＸ座標信号をＸ座標検知配線４を経由して入力し、このＸ座標検知配線４の配置位置からタッチ部分のＸ座標を検出する。
【００２７】
Ｙ座標検出回路２４は、複数のＹ座標検知配線７が接続されている。Ｙ座標検知配線７上には、複数のＹ座標検知部２６が設けられている。Ｙ座標検知部２６は、接点を有し、上記外部からの押圧を受けて当該接点が対向電極２０に接触することにより当該対向電極２０とＹ座標検知配線７とを導通させる。これにより、Ｙ座標検出回路２４は、上記押圧を受けた部分においてＹ座標検知部２６が導通したときに生じるＹ座標信号をＹ座標検知配線７を経由して入力し、このＹ座標検知配線７の配置位置からタッチ部分のＹ座標を検出する。
【００２８】
土台部２７は、上記押圧を受けていないときのＸ座標検知部２５の接点と対向電極２０との間隔、及びＹ座標検知部２６の接点と対向電極２０との間隔を予め設定された接点間隔に設定する。この土台部２７は、Ｙ座標検知配線７上に設けられている。  
なお、Ｙ方向における画素電極１の隣り合う間に補助容量配線６が配置されている。画素電極１と補助容量配線６とにより補助容量２８が形成され、補助容量配線６は各補助容量２８を接続する。
【００２９】
上記構成において、複数の画素電極１の横方向における各間には、図面上の左側から右側の方向に向かって順次、１本のデータ配線３、Ｘ座標検知配線４、２本のデータ配線３が繰り返し配置されている。なお、１本のデータ配線３、Ｘ座標検知配線４、２本のデータ配線３の繰り返し配置の順番は、１本のデータ配線３を開始基準にするのに限らず、Ｘ座標検知配線４又は２本のデータ配線３を開始基準にしてもよい。例えばＸ座標検知配線４を開始基準にすれば、Ｘ座標検知配線４、２本のデータ配線３、１本のデータ配線３が繰り返し配置されるものとなる。  
このように１本のデータ配線３、Ｘ座標検知配線４、２本のデータ配線３の順序で配置することにより、１本のデータ配線３と２本のデータ配線３との配置位置によって各ＴＦＴ２の横方向における配置位置は、画素電極１に対して右側又は左側に配置されるものとなる。例えば、図１の図面上において、横第１行中で、最も左側に配置された画素電極１に対してＴＦＴ２は、当該画素電極１における下端辺の左側に配置される。次に右側に隣接する画素電極１に対してＴＦＴ２は、当該画素電極１における下端辺の右側に配置される。次に右側に隣接する画素電極１に対してＴＦＴ２は、当該画素電極１における下端辺の左側に配置される。
【００３０】
以下、同様に、次に右側に隣接する画素電極１に対してＴＦＴ２は、画素電極１における下端辺の左側に配置される。次に右側に隣接する画素電極１に対してＴＦＴ２は、画素電極１における下端辺の右側に配置される。次に右側に隣接する画素電極１に対してＴＦＴ２は、当該画素電極１における下端辺の左側に接続されることを繰り返す。  
かかる各ＴＦＴ２の配置により、Ｘ座標検知配線４の左右両側に配置されている各ＴＦＴ２の横方向の間隔は、図１５に示す各ＴＦＴ２の横方向の間隔よりも広く形成される。すなわち、Ｘ座標検知配線４の左右両側に配置される各画素電極１に対して各ＴＦＴ２は、Ｘ座標検知配線４から離れる側の画素電極１の下端辺、例えばＸ座標検知配線４の左側の画素電極１に対してその下端辺の左側に配置され、Ｘ座標検知配線４の右側の画素電極１に対してその下端辺の右側に配置される。
【００３１】
土台部２７と、一対のＸ座標検知部２５及びＹ座標検知部２６は、それぞれＸ座標検知配線４上に配置されている。土台部２７は、横方向において当該土台部２７の中心部にＸ座標検知配線４が通るように配置される。一対のＸ座標検知部２５及びＹ座標検知部２６は、横方向に並設され、これらＸ座標検知部２５とＹ座標検知部２６との間にＸ座標検知配線４が通るように配置される。
【００３２】
Ｘ座標検知配線４の左右両側に配置されている各ＴＦＴ２の横方向の間隔は、土台部２７の横方向の長さや、並設された一対のＸ座標検知部２５とＹ座標検知部２６との横方向の長さよりも長い。従って、土台部２７と、一対のＸ座標検知部２５及びＹ座標検知部２６とは、それぞれ縦方向上でＴＦＴ２と共に配列されずに、横方向の各ＴＦＴ２の間に配置することが可能である。土台部２７と一対のＸ座標検知部２５及びＹ座標検知部２６とをそれぞれ横方向上の各ＴＦＴ２の間に配置することにより、各画素電極１の縦方向の間隔を図１５に示す従来の各画素電極１の縦方向の間隔よりも狭くすることが可能である。  
なお、本装置１００における表示エリアの右端の画素電極１の右側及び同表示エリアの左端の画素電極１の左側も、画素電極１のＸ方向における間に含めるものとする。
【００３３】
Ｘ座標検知部２５及びＹ座標検知部２６は、Ｘ座標検知配線４を挟んで一対で横方向に配置される。一対のＸ座標検知部２５及びＹ座標検知部２６は、上記押圧を受けたときに対向電極２０に生じる湾曲の量が最大となる複数箇所に配置される。すなわち、Ｘ座標検知部２５及びＹ座標検知部２６は、一対でＸ座標検知配線４とＹ座標検知配線７との交差部分上で、かつ横方向において６つの画素電極１毎に配置されている。  
土台部２７は、Ｘ座標検知部２５及びＹ座標検知部２６が配置された以外のＸ座標検知配線４とＹ座標検知配線７との交差部分上で、かつ横方向において６つの画素電極１毎に配置されている。
【００３４】
これにより、Ｘ座標検知部２５及びＹ座標検知部２６は、それぞれ対向電極２０に生じる湾曲の量が最大となる各土台部２７の配置位置の中央部に配置される。例えば、図１において３つの土台部２７が存在する。なお、当該３つの土台部２７に加えて４つ目の土台部２７が存在し、これら土台部２７の配置位置を各コーナとして正四辺形を形成する。実際には、土台部２７は、図１中に存在しない箇所にも複数存在する。Ｘ座標検知部２５及びＹ座標検知部２６は、４つの土台部２７の配置位置を各コーナとする正四辺形の中央部に配置される。
【００３５】
図２は本装置１００の具体的な一部平面構成図を示す。複数の画素電極１の横方向における各間には、上記の通り、図面上の左側から右側の方向に向かって順次、１本のデータ配線３、Ｘ座標検知配線４、２本のデータ配線３が繰り返し配置されている。かかる配置により各ＴＦＴ２の横方向における配置位置は、画素電極１に対して右側又は左側に配置される。例えば、図２の図面上において、横第１行中で、最も左側に配置された画素電極１に対してＴＦＴ２は、当該画素電極１における下端辺の左側に配置される。次に右側に隣接する画素電極１に対してＴＦＴ２は、当該画素電極１における下端辺の右側に配置される。次に右側に隣接する画素電極１に対してＴＦＴ２は、当該画素電極１における下端辺の左側に配置される。以下、ＴＦＴ２は、上記図１に示す配置と同様に配置される。  
かかる各ＴＦＴ２の配置により、Ｘ座標検知配線４の左右両側に配置される各画素電極１に対して各ＴＦＴ２は、Ｘ座標検知配線４から離れる側の画素電極１の下端辺、例えばＸ座標検知配線４の左側の画素電極１に対してその下端辺の左側に配置され、Ｘ座標検知配線４の右側の画素電極１に対してその下端辺の右側に配置される。これにより、Ｘ座標検知配線４の左右両側に配置されている各ＴＦＴ２の横方向の間隔は、図１５に示す各ＴＦＴ２の横方向の間隔よりも広く形成される。  
土台部２７と、一対のＸ座標検知部２５及びＹ座標検知部２６は、それぞれＸ座標検知配線４上に配置されている。土台部２７は、横方向において当該土台部２７の中心部にＸ座標検知配線４が通るように配置される。一対のＸ座標検知部２５及びＹ座標検知部２６は、横方向に並設され、これらＸ座標検知部２５とＹ座標検知部２６との間にＸ座標検知配線４が通るように配置される。  
Ｘ座標検知配線４の左右両側に配置されている各ＴＦＴ２の横方向の間隔は、土台部２７の横方向の長さや、並設された一対のＸ座標検知部２５とＹ座標検知部２６との横方向の長さよりも長い。従って、土台部２７と、一対のＸ座標検知部２５及びＹ座標検知部２６とは、それぞれ縦方向上でＴＦＴ２と共に配列されずに、横方向の各ＴＦＴ２の間に配置することが可能である。土台部２７と一対のＸ座標検知部２５及びＹ座標検知部２６とをそれぞれ横方向上の各ＴＦＴ２の間に配置することにより、各画素電極１の縦方向の間隔を図１５に示す従来の各画素電極１の縦方向の間隔よりも狭くなる。  
Ｘ座標検知部２５及びＹ座標検知部２６とは、Ｘ座標検知配線４を挟んで横方向に一対で配置される。一対のＸ座標検知部２５及びＹ座標検知部２６は、上記押圧を受けたときに対向電極２０に生じる湾曲の量が最大となる箇所に配置される。  
すなわち、Ｘ座標検知部２５及びＹ座標検知部２６は、一対で、Ｘ座標検知配線４とＹ座標検知配線７との交差部分上で、かつ横方向において６つの画素電極１毎に配置されている。  
土台部２７は、Ｘ座標検知部２５及びＹ座標検知部２６が配置された以外のＸ座標検知配線４とＹ座標検知配線７との交差部分上で、かつ横方向において６つの画素電極１毎に配置されている。
【００３６】
又、Ｘ座標検知部２５及びＹ座標検知部２６と土台部２７とは、縦方向の画素電極１の配置において１列毎に、横方向に３つの画素電極１ずつずれて配置されている。この配置によりＸ座標検知配線４の縦方向上において、一対のＸ座標検知部２５及びＹ座標検知部２６と土台部２７とが交互に配置され、次に右側に配置されたＸ座標検知配線４の縦方向上において土台部２７と一対のＸ座標検知部２５及びＹ座標検知部２６とが交互に配置されている。すなわち、横方向においても、Ｘ座標検知部２５及びＹ座標検知部２６と土台部２７とが３つの画素電極１毎に交互に配置されている。  
かかる配置により、Ｘ座標検知部２５及びＹ座標検知部２６は、それぞれ対向電極２０に生じる湾曲の量が最大となる各土台部２７の配置位置の中央部に配置される。例えば、図２においてＸ座標検知部２５及びＹ座標検知部２６は、４つの土台部２７の配置位置を各コーナとする正四辺形Ｗの中央部に配置される。
【００３７】
図３は土台部２７の周辺部の平面構成図を示す。複数の画素電極１の横方向における各間には、図面上の左側から右側の方向に向かって順次、１本のデータ配線３、Ｘ座標検知配線４、２本のデータ配線３が繰り返し配置されている。データ配線３は、上記の通りＹ方向に配線され、かつゲート配線５と交差するところで当該ゲート配線５と同一方向（Ｙ方向）に延出して配置されている。当該延出されたデータ配線（データ配線延出部）３ａは、ＴＦＴ２のドレイン電極に接続されている。  
各ＴＦＴ２の横方向における配置位置は、画素電極１に対して右側又は左側に配置される。例えば、図３の図面上において、最も左側に配置された画素電極１とその右側に隣接する画素電極１との間には、Ｘ座標検知配線４が配置されている。かかる最も左側に配置された画素電極１に対してＴＦＴ２は、当該画素電極１における下端辺の左側に配置される。次に右側に隣接する画素電極１に対してＴＦＴ２は、当該画素電極１における下端辺の右側に配置される。これにより、Ｘ座標検知配線４の左右両側に配置されている各ＴＦＴ２の横方向の間隔は、図１６に示す各ＴＦＴ２の横方向の間隔よりも広く形成される。  
このＸ座標検知配線４の左右両側に配置されている各ＴＦＴ２の横方向の間隔は、土台部２７の横方向の長さよりも長い。従って、土台部２７は、縦方向上でＴＦＴ２と共に配列されずに、横方向の各ＴＦＴ２の間に配置することが可能であり、各画素電極１の縦方向の間隔を図１６に示す従来の各画素電極１の縦方向の間隔よりも狭くすることができる。
【００３８】
図４は図３に示す土台部２７のＡ−Ａ断面図を示す。ＴＦＴ基板には、ＴＦＴ２が形成されている。このＴＦＴ２は、例えばアルミニウム、クロム又はモリブデンからなるゲート膜と、例えばシリコン窒化膜からなるゲート絶縁膜１００ａと、例えば真性アモルファスシリコンからなる真性シリコン膜と、例えばシリコン窒化膜からなるチャネル保護膜と、例えばｎ＋アモルファスシリコンからなるｎ＋シリコン膜と、例えばアルミニウム、クロム又はモリブデンからなるソース・ドレイン膜と、例えばシリコン窒化膜からなるオーバーコート絶縁膜１００ｂとを積層して形成されている。
【００３９】
一方、カラーフィルタ基板には、カラーフィルタ１０３と、ブラックマトリックス１０４と、複数の接点用突起部１０５とが設けられている。これら接点用突起１０５は、それぞれＸ座標検知部２５、Ｙ座標検知部２６及び土台部２７の各部分に対峙して設けられている。これら接点用突起部１０５、カラーフィルタ１０３及びブラックマトリックス１０４上には、対向電極２０が設けられている。
【００４０】
土台部２７は、オーバーコート絶縁膜１００ｂ上に画素電極１と同じ材料、例えばＩＴＯを使用して電極１０８が形成され、さらに例えばシリコン窒化膜からなる絶縁体の高さ調整部１１ａを形成して配置されている。接点用突起部１０５は、柱状スペーサの役割を果たして高さ調整部１１ａに接触している。これにより、外部からの押圧を受けていないときのＸ座標検知部２５とＹ座標検知部２６との各接点間隔は、予め設定された同じ接点間隔に設定される。
【００４１】
図５はＸ座標検知部２５及びＹ座標検知部２６の周辺部の平面構成図を示す。上記同様に、複数の画素電極１の横方向における各間には、図面上の左側から右側の方向に向かって順次、１本のデータ配線３、Ｘ座標検知配線４、２本のデータ配線３が繰り返し配置されている。Ｘ座標検知部２５及びＹ座標検知部２６は、一対で、Ｘ座標検知配線４とＹ座標検知配線７との交差部分上で、かつＹ方向において、２つの画素電極１毎に配置されている。
【００４２】
各ＴＦＴ２の横方向における配置位置は、画素電極１に対して右側又は左側に配置される。例えば、図５の図面上において、最も左側に配置された画素電極１とその右側に隣接する画素電極１との間には、Ｘ座標検知配線４が配置されている。かかる最も左側に配置された画素電極１に対してＴＦＴ２は、当該画素電極１における下端辺の左側に配置される。次に右側に隣接する画素電極１に対してＴＦＴ２は、当該画素電極１における下端辺の右側に配置される。これにより、Ｘ座標検知配線４の左右両側に配置されている各ＴＦＴ２の横方向の間隔は、図１７に示す各ＴＦＴ２の横方向の間隔よりも広く形成される。  
このＸ座標検知配線４の左右両側に配置されている各ＴＦＴ２の横方向の間隔は、一対のＸ座標検知部２５及びＹ座標検知部２６の横方向の長さよりも長い。従って、一対のＸ座標検知部２５及びＹ座標検知部２６は、縦方向上でＴＦＴ２と共に配列されずに、横方向の各ＴＦＴ２の間に配置することが可能であり、各画素電極１の縦方向の間隔を図１７に示す従来の各画素電極１の縦方向の間隔よりも狭くすることができる。
【００４３】
図６は図５に示すＸ座標検知部２５及びＹ座標検知部２６のＢ−Ｂ断面図を示す。Ｘ座標検知部２５は、オーバーコート絶縁膜１００ｂ上に画素電極と同じ材料、例えばＩＴＯを使用してＸ座標検知接点電極１０７が形成されている。このＸ座標検知接点電極１０７は、積層構造１０２中のＸ座標検知配線４に接続されている。これにより、Ｘ座標検知部２５は、外部からの押圧を受けて対向電極２０とＸ座標検知接点電極１０７とが導通すると、Ｘ座標検知配線４にＸ座標信号を生成する。  
Ｙ座標検知部２６は、オーバーコート絶縁膜１００ｂ上に画素電極と同じ材料、例えばＩＴＯを使用してＹ座標検知接点電極１０６が形成されている。このＹ座標検知接点電極１０６は、積層構造１０２中のＹ座標検知配線７に接続されている。これにより、Ｙ座標検知部２６は、外部からの押圧を受けて対向電極２０とＹ座標検知接点電極１０６とが導通すると、Ｙ座標検知配線７にＹ座標信号を生成する。
【００４４】
次に、図７乃至図１１を参照して第１の基板（ＴＦＴ基板）上におけるＴＦＴ２、Ｘ座標検知部２５、Ｙ座標検知部２６、土台部２７に共通の作成工程について詳しく説明する。  
なお、図７乃至図１１の各分図（Ａ）は、それぞれ図３に示すＩＶＡ−ＩＶＡ部分においてＴＦＴ２が順次形成される様子の断面図を示す。  
図７乃至図１１の各分図（Ｂ）は、それぞれ図３に示すＡ−Ａ（ＩＶＢ−ＩＶＢ）部分においてＴＦＴ２の作成と同時に順次形成される土台部２７の様子の断面図を示す。  
図７乃至図１１の各分図（Ｃ）は、それぞれ図５に示すＩＶＣ−ＩＶＣ部分においてＴＦＴ２の作成と同時に順次形成されるＸ座標検知部２５の様子の断面図を示す。  
図７乃至図１１の各分図（Ｄ）は、それぞれ図５に示すＩＶＤ−ＩＶＤ部分においてＴＦＴ２の作成と同時に順次形成されるＹ座標検知部２６の様子の断面図を示す。  
最初、図７（Ａ）〜（Ｄ）に示すようにＴＦＴ２、土台部２７、Ｘ座標検知部２５、Ｙ座標検知部２６に対応する各部分には、第１基板（ＴＦＴ基板）上にフォトリソグラフィ法により、例えばアルミニウム、クロム又はモリブデンからなるゲート膜を使用してゲート配線５及びゲート配線５に沿い延伸しているＹ座標検知配線７が形成される。そして、ゲート配線５においてＴＦＴ２に対応した部分はＴＦＴ２のためのゲート電極５ｃを提供している。またＹ座標検知配線７においてＹ座標検知部２６に対応した部分は、当該Ｙ座標検知部２６のための接続部分７ｂを提供している。
【００４５】
次に、図８（Ａ）〜（Ｄ）に示すようにＴＦＴ２、土台部２７、Ｘ座標検知部２５、Ｙ座標検知部２６に対応する各部分には、第１基板（ＴＦＴ基板）上に例えばシリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）を使用した透明なゲート絶縁膜１００がゲート配線５及びＹ座標検知配線７を覆うよう形成される。  
次に、例えば真性アモルファスシリコンからなるａ−Ｓｉ層５２及び例えばｎ＋アモルファスシリコンからなるｎ＋ａ−Ｓｉ層５４が、部分的に例えばＳｉＮｘを使用したチャネル保護膜５６を間に介して、積層される。
【００４６】
次に、ｎ＋ａ−Ｓｉ層５４を覆うように例えばアルミニウム、クロム又はモリブデンからなるソース・ドレイン膜５８が形成される。ソース・ドレイン膜５８は、ＴＦＴ２の近傍のデータ配線３及びＸ座標検知部２５の近傍のＸ座標検知配線４を提供している。そして、Ｘ座標検知配線４においてＸ座標検知部２５に対応した部分は、当該Ｘ座標検知部２５のための接続部分２５ｂを提供している。  
ｎ＋ａ−Ｓｉ層５４及びソース・ドレイン膜５８は、図８（Ａ）中に示されているように、画素電極１に近い側と画素電極１から遠い側とで２分割される。  
ａ−Ｓｉ層５２、チャネル保護膜５６，そしてこの様に２分割されたｎ＋ａ−Ｓｉ層５４の積層の組み合わせは、ＴＦＴ２のオーミックス層２４ｄを提供している。また、このように２分割されたソース・ドレイン膜５８は、画素電極１に近い側がＴＦＴ２のソース電極２４ａを、また画素電極１から遠い側がＴＦＴ２においてデータ配線３から延びているドレイン電極２４ｂを提供している。
【００４７】
次に、図９（Ａ）〜（Ｄ）に示すようにＴＦＴ２、土台部２７、Ｘ座標検知部２５、Ｙ座標検知部２６に対応する各部分には、ソース・ドレイン膜５８を覆う例えばシリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）を使用した透明なオーバーコート絶縁膜１０１が形成される。  
ここで、図９（Ａ）中に図示されているように、オーバーコート絶縁膜１０１においてＴＦＴ２の対応部分においては、ソース・ドレイン膜５８のソース電極２４ａに対応した位置にソース電極２４ａを露出させるためのコンタクトホール１０１ａが形成される。
【００４８】
また、図９（Ｃ）中に示すようにオーバーコート絶縁膜１０１においてＸ座標検知配線４のＸ座標検知部２５のための接続部分２５ｂに対応した部分に、当該接続部分２５ｂを露出させるためのコンタクトホール１０１ｂが形成されている。
【００４９】
さらに、図９（Ｄ）中に図示されているように、オーバーコート絶縁膜１０１においてＹ座標検知配線７のＹ座標検知部２６のための接続部分２６ｂに対応した部分に、当該接続部分２６ｂを露出させるためのコンタクトホール１０１ｃが形成される。コンタクトホール１０１ｃは、オーバーコート絶縁膜１０１とＹ座標検知部２６のための接続部分２６ｂとの間に存在しているゲート絶縁膜１００も貫通している。
【００５０】
この段階で、図９（Ａ）中に図示されているＴＦＴ２の対応部分においては、ゲート配線５によるゲート電極５ｃ、ゲート電極５ｃに重なったゲート絶縁膜１００の部分、ゲート絶縁膜１００の前記部分に重なった、ａ−Ｓｉ層５２、チャネル保護膜５６、そして２分割されたｎ＋ａ−Ｓｉ膜５４を含む半導体のためのオーミックス層２４ｄ、オーミックス層２４ｄの２分割されたｎ＋ａ−Ｓｉ膜５４上のソース電極２４ａ及びドレイン電極２４ｂ、そしてソース電極２４ａ及びドレイン電極２４ｂを覆うオーバーコート絶縁膜１０１が、ＴＦＴ２を提供している。
【００５１】
次に、図１０（Ａ）〜（Ｄ）に示すようにＴＦＴ２、土台部２７、Ｘ座標検知部２５、Ｙ座標検知部２６、土台部２７に対応する各部分には、オーバーコート絶縁膜１０１を覆うよう例えばＩＴＯからなる透明導電膜６２が形成される。  
透明導電膜６２は、図１０（Ａ）中に示すように、ソース電極２４ａを露出させるためのコンタクトホール１０１ａ中にも形成されてソース電極２４ａと電気的に接続される。透明導電膜６２は、図１０（Ｃ）中に示すように、Ｘ座標検知部２５のための接続部分２５ｂを露出させるためのコンタクトホール１０１ｂ中にも形成されて当該接続部分２５ｂと電気的に接続される。透明導電膜６２はさらに、図１０（Ｄ）中に示すように、Ｙ座標検知部２６のための接続部分２６ｂを露出させるためのコンタクトホール１０１ｃ中にも形成されて当該接続部分２６ｂと電気的に接続される。
【００５２】
透明導電膜６２が形成された時点で、図１０（Ａ）〜（Ｄ）中に示すようにＴＦＴ２の断面の一部、土台部２７の断面の一部、Ｘ座標検知部２５の断面の一部、そしてＹ座標検知部２６の断面の一部のそれぞれは、ＴＦＴ２を形成するための前述した作成方法よって第１基板（ＴＦＴ基板）上に共通して同時に形成されているので、第１基板（ＴＦＴ基板）上からの高さは相互に同じである。
【００５３】
次に、土台部２７の断面の一部を示している図１０（Ｂ）においては、透明導電膜６２の上にさらに、所定の高さの例えばシリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）を使用した透明な土台部絶縁膜により高さ調整部２７ａが形成され、その頂点が土台部２７の突出端面（先端）２７ｂを提供している。
【００５４】
最後に透明導電膜６２は、ＴＦＴ２の対応部分では図１１（Ａ）中に示すように、ソース電極２４ａと電気的に接続されたコンタクトホール１０１ａ中の部分及びＴＦＴ２に隣接した画素電極１を提供する部分を除き削除される。  
また最後に透明導電膜６２は、土台部２７の対応部分では図１１（Ｂ）中に示すように、高さ調整部２７ａに覆われている部分１０８を除き削除される。  
また、最後に透明導電膜６２は、Ｘ座標検知部２５の対応部分及びＸ座標検知配線４の接続部分４ｂにおいて図１１（Ｃ）中に示すように、Ｘ座標検知接点電極１０６を提供するＸ座標検知部２５の対応部分、及び当該Ｘ座標検知部２５をＸ座標検知配線４の接続部分４ｂに電気的に接続させるコンタクトホール１０１ｂ中の部分を除き削除される。  
さらに最後に透明導電膜６２は、Ｙ座標検知部２６の対応部分及びＹ座標検知配線７の接続部分７ｂにおいて図１１（Ｄ）中に示すように、Ｙ座標検知接点電極１０７を提供するＹ座標検知部２６の対応部分、及び当該Ｙ座標検知部２６をＹ座標検知配線７の接続部分７ｂに電気的に接続させるコンタクトホール１０１ｃ中の部分を除き除去される。  
図１１（Ａ）〜（Ｄ）に示すＴＦＴ２、土台部２７、Ｘ座標検知部２５、Ｙ座標検知部２６に対応する各部分を対比すると、第１基板（ＴＦＴ基板）から図１１（Ｃ）に示すＸ座標検知部２５の突出端面（先端）までの高さ及び図１１（Ｄ）に示すＹ座標検知部２６の突出端面（先端）までの高さは相互に同じである。  
第１基板（ＴＦＴ基板）から図１１（Ａ）に示すＴＦＴ２の突出端面（先端）までの高さは、図１１（Ｃ）に示す前述したＸ座標検知部２５の突出端面（先端）までの高さ及び図１１（Ｄ）に示すＹ座標検知部２６の突出端面（先端）までの高さよりも、最後にＴＦＴ２の突出端面（先端）から除去された透明導電膜６２の厚さ分だけ低い。  
さらに、第１基板（ＴＦＴ基板）から土台部２７の突出端面（先端）２７ｂまでの高さは、図１１（Ｃ）に示す前述したＸ座標検知部２５の突出端面（先端）までの高さ及び図１１（Ｄ）に示すＹ座標検知部２６の突出端面（先端）までの高さよりも、最後に透明導電膜６２の上に形成された高さ調整部２７ａの突出端面（先端）２７ｂまでの高さ分だけ高い。
【００５５】
このように上記第１の実施の形態によれば、複数の画素電極１の横方向（Ｘ方向）における各間に、例えば１本のデータ配線３、Ｘ座標検知配線４、２本のデータ配線３を繰り返し配置するので、これら１本のデータ配線３と２本のデータ配線３との配置位置によって画素電極１に対する各ＴＦＴ２の横方向における配置位置を当該画素電極１に対して右側又は左側に配置するものとなる。かかる各ＴＦＴ２の配置により、Ｘ座標検知配線４の左右両側に配置されている各ＴＦＴ２の横方向の間隔を図１５に示す従来の各ＴＦＴ２の横方向の間隔よりも広く形成することができる。このＸ座標検知配線４の左右両側に配置されている各ＴＦＴ２の横方向の間隔は、土台部２７の横方向の長さや、並設された一対のＸ座標検知部２５とＹ座標検知部２６との横方向の長さよりも長くできる。従って、土台部２７と一対のＸ座標検知部２５及びＹ座標検知部２６とは、それぞれ横方向の各ＴＦＴ２の間に詰めて配置することが可能である。この結果、各画素電極１の縦方向の間隔は、図１５に示す従来の各画素電極１の縦方向の間隔よりも狭くすることができる。
【００５６】
すなわち、縦方向（Ｙ方向）においてＴＦＴ２と、Ｘ座標検知部２５及びＹ座標検知部２６と、土台部２７と、をＹ方向に詰めて配列することができ、同縦方向（Ｙ方向）における各画素電極１の間隔を狭くすることができる。この結果、各画素電極１の間隔を狭くした長さに相当する分だけ本装置１００としての開口率を大きくすることができ、本装置１００の表示性能、例えば表示の輝度等の画質を向上することが出来る。
【００５７】
本装置１００と従来装置とを比較すると、図１２に示すように本装置１００の画素電極１間のＹ方向の間隔Ｌａは、従来装置の画素電極１間の間隔Ｌｂよりも狭く形成されている（Ｌａ＜Ｌｂ）。従って、本装置１００の各画素電極１のＹ方向の長さは、従来装置の各画素電極１のＹ方向の長さよりも長く形成することができる。これにより、本装置１００の各画素電極１の面積Ｓａは、従来装置の各画素電極１の面積Ｓｂよりも広くすることが出来る（Ｓａ＞Ｓｂ）。  
本装置１００の各画素電極１のＸ方向の長さは、従来装置の各画素電極１の同方向の長さと同一であるものの、各画素電極１のＹ方向の長さは、本装置１００の方が従来装置よりも長くなっている。これにより、本装置１００の各画素電極１の面積Ｓａは、従来装置の各画素電極１の面積Ｓｂよりも広くなっている。
【００５８】
例えば、図２においてＸ座標検知部２５及びＹ座標検知部２６は、４つの土台部２７の配置位置を各コーナとする正四辺形Ｗの中央部に配置されている。Ｘ座標検知部２５及びＹ座標検知部２６の配置位置は、タッチ操作による外部からの押圧を受けたときに対向電極２０に生じる湾曲の量が最大となるところである。すなわち、正四辺形Ｗ内で対向電極２０が最も湾曲しやすいところであり、タッチ操作による僅かな押圧によってＸ座標検知部２５及びＹ座標検知部２６は、それぞれＸＹ座標信号を生成することができる。すなわち、タッチ操作を受けてのＸ座標及びＹ座標検知の感度を高くできる。
【００５９】
［第２の実施の形態］
次に、本発明の第２の実施の形態について図面を参照して説明する。なお、図２と同一部分には同一符号を付してその詳しい説明は省略する。  
図１３はタッチパネル機能を有する液晶表示装置の構成図を示す。本装置１００は、各画素電極１のＸ方向における間には、図面上の左側から右側方向に順次、２本のデータ配線３、その右隣の間にＸ座標検知配線４、さらにその右隣の間に１本のデータ配線３、の順序で繰り返し配置されている。
【００６０】
このような２本のデータ配線３と、Ｘ座標検知配線４と、１本のデータ配線３との配置順序であれば、上記第１の実施の形態と同様に、Ｘ座標検知配線４の左右両側に配置されている各ＴＦＴ２の横方向の間隔を図１５に示す従来の各ＴＦＴ２の横方向の間隔よりも広く形成することができ、これらＴＦＴ２の横方向の間内に、一対のＸ座標検知部２５及びＹ座標検知部２６と、土台部２７とをＹ方向に詰めて配列することができ、Ｙ方向における各画素電極１の間隔を狭くすることができる。  
この結果、各画素電極１の間隔を狭くした長さに相当する分だけ本装置１００としての開口率を大きくすることができ、本装置１００の表示性能、例えば表示の輝度等の画質を向上することが出来る等、上記第１の実施の形態と同様の効果を奏することができる。
【００６１】
［第３の実施の形態］
次に、本発明の第３の実施の形態について図面を参照して説明する。なお、図２と同一部分には同一符号を付してその詳しい説明は省略する。  
図１４はタッチパネル機能を有する液晶表示装置の構成図を示す。本装置１００は、各画素電極１のＸ方向における間には、図面上の左側から右側方向に順次、１本のデータ配線３、その右隣の間にＸ座標検知配線４、さらにその右隣の間に２本のデータ配線３、の順序で繰り返し配置されている
又、本装置１００は、一対のＸ座標検知部２５及びＹ座標検知部２６をＹ方向に配線された１本のＸ座標検知配線４上に配置している。これと共に本装置１００は、土台部２７をＹ方向に配線された１本のＸ座標検知配線４上に配置している。そして、一対のＸ座標検知部２５及びＹ座標検知部２６と土台部２７とは、Ｘ方向に配置された３つの画素電極１毎に交互に配置されている。
【００６２】
このような構成であれば、上記第１の実施の形態と同様に、Ｘ座標検知配線４の左右両側に配置されている各ＴＦＴ２の横方向の間隔を図１５に示す従来の各ＴＦＴ２の横方向の間隔よりも広く形成することができ、これらＴＦＴ２の横方向の間内に、一対のＸ座標検知部２５及びＹ座標検知部２６と、土台部２７とをＹ方向に詰めて配列することができ、Ｙ方向における各画素電極１の間隔を狭くすることができる。  
この結果、本装置１００としての開口率を大きくすることができ、本装置１００の表示性能、例えば表示の輝度等の画質を向上することが出来る等、上記第１の実施の形態と同様の効果を奏することができる。
【００６３】
なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【符号の説明】
【００６４】
１００：本装置、１：画素電極、２０：対向電極、Ｑ：液晶層、２：薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、２１：データドライバ（データ駆動回路）、２２：走査ドライバ（走査駆動回路）、２３：Ｘ座標検出回路、２４：Ｙ座標検出部、３：データ配線、４：Ｘ座標検知配線、５：ゲート配線、２５：Ｘ座標検知部、２６：Ｙ座標検知部、７：Ｙ座標検知配線、２７：土台部、６：補助容量配線、２８：コンデンサ、３ａ：データ配線（データ配線延出部）、１００ａ：ゲート絶縁膜、１００ｂ：オーバーコート絶縁膜、１０３：カラーフィルタ、１０４：ブラックマトリックス、１０５：接点用突起部、１１ａ：高さ調整部、１０６：Ｘ座標検知接点電極、１０７：Ｙ座標検知接点電極、１０２：積層構造。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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