(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属ベース板に絶縁層を介して配線パターンが構成されている回路基板と、この回路基板の配線パターンにリード端子を介して接続され、前記リード端子に接合された外部電極を有するセラミック電子部品からなるコンデンサと、このコンデンサの上面または側面に設けられた高熱伝導率を有する絶縁材と、この絶縁材を介して前記リード端子が延びる側とは反対側の前記コンデンサの上面に接合され、前記コンデンサで発生した熱を放熱する金属からなる放熱板とを備え、前記放熱板と前記回路基板の金属ベース板とを接合すると共に、前記コンデンサで発生した熱を前記リード端子を介した前記回路基板と前記放熱板の両方から放熱するようにしたコンデンサの冷却構造。
【請求項２】
金属ベース板に絶縁層を介して配線パターンが構成されている回路基板と、この回路基板の配線パターンにリード端子を介して接続され、前記リード端子に接合された外部電極を有するセラミック電子部品からなるコンデンサと、このコンデンサの上面または側面に設けられた高熱伝導率を有する絶縁材と、この絶縁材を介して前記リード端子が延びる側とは反対側の前記コンデンサの上面に接合され、前記コンデンサで発生した熱を放熱する金属からなる放熱板と、前記回路基板の金属ベース板に接合されたヒートシンクとを備え、前記ヒートシンクと前記放熱板とを接合すると共に、前記コンデンサで発生した熱を前記リード端子を介した前記回路基板と前記放熱板の両方から放熱するようにしたコンデンサの冷却構造。
【請求項３】
前記コンデンサの外部電極と放熱板との間に絶縁スペーサを設けた請求項１または請求項２に記載のコンデンサの冷却構造。
【請求項４】
前記高熱伝導率を有する絶縁材は、０．１Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱伝導率を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のコンデンサの冷却構造。
【請求項５】
金属ベース板に絶縁層を介して配線パターンが構成されている回路基板と、この回路基板上に配置され、電力を変換するための複数の半導体スイッチング素子で構成されたインバータ回路と、前記回路基板の配線パターンにリード端子を介して前記半導体スイッチング素子に並列に接続され、前記リード端子に接合された外部電極を有するセラミック電子部品からなるコンデンサと、このコンデンサの上面または側面に設けられた高熱伝導率を有する絶縁材と、この絶縁材を介して前記リード端子が延びる側とは反対側の前記コンデンサの上面に接合され、前記コンデンサで発生した熱を放熱する金属からなる放熱板とを備え、前記放熱板と前記回路基板の金属ベース板とを接合すると共に、前記コンデンサで発生した熱を前記リード端子を介した前記回路基板と前記放熱板の両方から放熱するようにしたインバータ装置。
【請求項６】
金属ベース板に絶縁層を介して配線パターンが構成されている回路基板と、この回路基板上に配置され、電力を変換するための複数の半導体スイッチング素子で構成されたインバータ回路と、前記回路基板の配線パターンにリード端子を介して前記半導体スイッチング素子に並列に接続され、前記リード端子に接合された外部電極を有するセラミック電子部品からなるコンデンサと、このコンデンサの上面または側面に設けられた高熱伝導率を有する絶縁材と、この絶縁材を介して前記リード端子が延びる側とは反対側の前記コンデンサの上面に接合され、前記コンデンサで発生した熱を放熱する金属からなる放熱板と、前記回路基板の金属ベース板に接合されたヒートシンクとを備え、前記ヒートシンクと前記放熱板とを接合すると共に、前記コンデンサで発生した熱を前記リード端子を介した前記回路基板と前記放熱板の両方から放熱するようにしたインバータ装置。 
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、回路基板上に実装されるセラミック電子部品からなるコンデンサ、特にスナバコンデンサの冷却構造、およびコンデンサの冷却構造を使用したインバータ装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、省エネの流れからインバータを備えた電動機が増加している。図６は、電動機１２を駆動するための三相インバータ回路図の一例である。図に示すように、Ｕ相、Ｖ相、Ｗ相の各相において、上アーム側の半導体スイッチ素子２a、２ｃ、２ｅと下アーム側の半導体スイッチ素子２ｂ、２ｄ、２ｆの複数の半導体スイッチ素子２（以下、総称する場合は添字を省略）で構成され、配線インダクタンス１１ａにより電源１３に接続されている。また、上下アームの半導体スイッチング素子間には並列にスナバコンデンサ１が配線インダクタンス１１ｂを介して接続されている。
【０００３】
上述のスナバコンデンサ１は半導体スイッチ素子２のスイッチング時に発生するサージ電圧を抑制するために用いられる。このサージ電圧ΔＶは、インバータ装置の主回路インダクタンスをＬとすると、ΔＶ＝−Ｌ（ｄｉ／ｄｔ）によって求められる。サージ電圧が大きくなると、十分なサージ除去効果を得るために必要となるコンデンサ容量が増加し、インバータ装置全体が大型化する。
主回路インダクタンスの低減のためには、平滑コンデンサと半導体スイッチ素子を接続する外部配線や、スナバコンデンサと半導体スイッチ素子を接続する内部配線などの寄生インダクタンスを小さくする必要があり、スナバコンデンサ１は、半導体スイッチング素子２近傍に配置して、寄生インダクタンスを低減することが望ましい。
【０００４】
また近年、半導体スイッチ素子のスイッチング速度には高速化が求められており、上述のスナバコンデンサ１は高周波におけるインピーダンス(ＥＳＲ)の低いコンデンサが望ましい。またコンデンサに含まれるインピーダンス(ＥＳＲ)成分が発熱の原因となるため、インピーダンス(ＥＳＲ)の低いコンデンサが望ましい。
このような背景から、スナバコンデンサ１には、高周波側でのインピーダンス(ＥＳＲ)が低く、かつ、半導体スイッチング素子近傍に配置が可能な積層セラミックコンデンサが多用されるようになってきている。
【０００５】
しかし、自動車に使用されるインバータ装置のように、温度変化・温度サイクルの大きい環境では、積層セラミックコンデンサは、それらが実装される回路基板との熱膨張率の差から、両者の間に機械的な応力が発生し、積層セラミックコンデンサにクラックが発生することがある。
特に、高放熱基板である金属の回路基板は熱膨張率が大きく、積層セラミックコンデンサを金属の回路基板に実装する場合、熱膨張率の差から生じるクラックの発生が顕著になり、コンデンサの信頼性が十分に保てないという問題がある。
【０００６】
そこで、例えば、図７に示すように、コンデンサ１として、セラミック電子部品素子１０１の外部電極１０２に、金属板を加工してなるリード端子１０３を取り付け、このリード端子１０３を介して、回路基板などに実装することにより、セラミック電子部品素子１０１と回路基板との熱膨張率の差から生じる機械的応力を緩和するようにした積層セラミックコンデンサ１ａが用いられる。
【０００７】
また、図８に示すコンデンサ１では、セラミック電子部品素子１０１の両端の外部電極
１０２に導電ペーストを塗布して、外部電極１０２と接合した金属板１０４に、リード端子１０３を取り付けることにより、リード端子１０３の接合強度に優れた、信頼性の高い積層セラミックコンデンサ１ｂを得ることを可能にしている。（特許文献１参照）
【０００８】
また、図９に示すコンデンサ１では、セラミック電子部品素子１０１とベース板がアルミで構成された金属基板（図示省略）との間に、セラミック電子部品素子１０１の熱膨張係数よりも大きく、アルミの金属基板の熱膨張係数よりも小さい熱膨張係数を有する材料１０７を介在させて、セラミック電子部品素子１０１の外部電極１０２に接する導電路１０６を、はんだ１０５で接合することにより、セラミック電子部品素子１０１のクラックを防止して、信頼性の高い積層セラミックコンデンサ１ｃを得ることを可能にしている。（特許文献２参照）
【０００９】
また、インバータ回路の半導体スイッチ素子に並列に接続されるスナバコンデンサの冷却構造として、スナバコンデンサを吸湿による絶縁劣化から防止するためにモールド材が充填されたモジュール内に収納すると共に、スナバコンデンサの電極と半導体スイッチ素子を冷却する冷却フィンに接続された導体とを高絶縁性でかつ高熱伝導性のシートを介して接続したものがある。（特許文献３参照）
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２０００−３０６７６４号公報
【特許文献２】特開平６−７７６３１号公報
【特許文献３】特開２００８−１１３５１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
ところで、数百Ａの大電流、かつ、高速スイッチングを有するインバータ装置では、サージ電圧によって発生するピーク電流が大きく、このピーク電流が流れ込むスナバコンデンサの自己発熱が無視できないものとなる。
【００１２】
上述のような大電流用のインバータ装置では、高放熱基板である金属基板やセラミック基板の回路基板を用いて、回路基板に実装された半導体スイッチやスナバコンデンサなどの放熱を行うが、従来の機械的応力を緩和した図７〜図９に示される積層セラミックコンデンサ１ａ、１ｂ、１ｃをスナバコンデンサとして実装する場合、金属基板に放熱される経路は、リード端子や導電路に限られ、リード端子や導電路に用いられる材料の熱伝導率やその厚みが十分でないと、スナバコンデンサで発生する熱が基板側に十分に放熱されず、積層セラミックコンデンサが温度上昇する。コンデンサの温度上昇は、コンデンサの寿命を早め、その信頼性が低下するという問題があった。
【００１３】
また、特許文献３に示されるスナバコンデンサの冷却構造は、高絶縁性でかつ高熱伝導性のシートが用いられるものの、スナバコンデンサの電極と冷却フィンに接続された導体とを介在するだけで、冷却フィンに放熱される経路は、元々のコンデンサ電極や導体に限られ、コンデンサ電極や導体に用いられる材料の熱伝導率が十分でないと、依然としてスナバコンデンサで発生する熱が冷却フィン側に十分に放熱されず、スナバコンデンサが温度上昇するという問題があった。
【００１４】
この発明は、上記問題点を解決するものであり、外部電極にリード端子を接合したセラミック電子部品からなるコンデンサの冷却構造を提供し、コンデンサの温度上昇を抑制することにより信頼性を向上することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
この発明のコンデンサの冷却構造は、金属ベース板に絶縁層を介して配線パターンが構成されている回路基板と、この回路基板の配線パターンにリード端子を介して接続され、リード端子に接合された外部電極を有するセラミック電子部品からなるコンデンサと、このコンデンサの上面または側面に設けられた高熱伝導率を有する絶縁材と、この絶縁材を介してリード端子が延びる側とは反対側のコンデンサの上面に接合され、コンデンサで発生した熱を放熱する金属からなる放熱板とを備え、放熱板と回路基板の金属ベース板とを接合すると共に、コンデンサで発生した熱をリード端子を介した回路基板と放熱板の両方から放熱するようにしたものである。
【００１６】
また、この発明のコンデンサの冷却構造は、金属ベース板に絶縁層を介して配線パターンが構成されている回路基板と、この回路基板の配線パターンにリード端子を介して接続され、リード端子に接合された外部電極を有するセラミック電子部品からなるコンデンサと、このコンデンサの上面または側面に設けられた高熱伝導率を有する絶縁材と、この絶縁材を介してリード端子が延びる側とは反対側のコンデンサの上面に接合され、コンデンサで発生した熱を放熱する金属からなる放熱板と、回路基板の金属ベース板に接合されたヒートシンクとを備え、ヒートシンクと放熱板とを接合すると共に、コンデンサで発生した熱をリード端子を介した回路基板と放熱板の両方から放熱するようにしたものである。
【００１７】
この発明のインバータ装置は、金属ベース板に絶縁層を介して配線パターンが構成されている回路基板と、この回路基板上に配置され、電力を変換するための複数の半導体スイッチング素子で構成されたインバータ回路と、回路基板の配線パターンにリード端子を介して半導体スイッチング素子に並列に接続され、リード端子に接合された外部電極を有するセラミック電子部品からなるコンデンサと、このコンデンサの上面または側面に設けられた高熱伝導率を有する絶縁材と、この絶縁材を介してリード端子が延びる側とは反対側のコンデンサの上面に接合され、コンデンサで発生した熱を放熱する金属からなる放熱板と、回路基板の金属ベース板に接合されたヒートシンクとを備え、ヒートシンクと放熱板とを接合すると共に、コンデンサで発生した熱をリード端子を介した回路基板と放熱板の両方から放熱するようにしたものである。
【００１８】
また、この発明のインバータ装置は、金属ベース板に絶縁層を介して配線パターンが構成されている回路基板と、この回路基板上に配置され、電力を変換するための複数の半導体スイッチング素子で構成されたインバータ回路と、回路基板の配線パターンにリード端子を介して半導体スイッチング素子に並列に接続され、リード端子に接合された外部電極を有するセラミック電子部品からなるコンデンサと、このコンデンサの上面または側面に設けられた高熱伝導率を有する絶縁材と、この絶縁材を介してリード端子が延びる側とは反対側のコンデンサの上面に接合され、コンデンサで発生した熱を放熱する金属からなる放熱板と、回路基板の金属ベース板に接合されたヒートシンクとを備え、ヒートシンクと放熱板とを接合すると共に、コンデンサで発生した熱をリード端子を介した回路基板と放熱板の両方から放熱するようにしたものである。
【発明の効果】
【００１９】
この発明によれば、外部電極にリード端子を接合した積層セラミック電子部品からなるコンデンサと放熱板との間に高熱伝導率を有する絶縁材を設けて、リード端子や導電路の放熱経路と併せた経路でコンデンサからの熱を放熱しているから、コンデンサの温度上昇を抑制し、コンデンサの長期使用が可能となり、信頼性を向上できる。
またインバータ回路の半導体スイッチ素子に並列に接続されるスナバコンデンサの冷却構造として用いることにより、信頼性の高いインバータ装置が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】この発明の実施の形態１に係るインバータ装置を示す概略側面図である。
【図２】この発明の実施の形態２に係るインバータ装置を示す概略側面図である。
【図３】この発明の実施の形態３に係るインバータ装置を示す概略側面図である。
【図４】この発明の実施の形態４に係るインバータ装置を示す概略側面図である。
【図５】この発明の実施の形態５に係るインバータ装置を示す概略側面図である。
【図６】インバータ装置の回路図である。
【図７】従来のセラミック電子部品を示す側面図である。
【図８】従来のセラミック電子部品を示す側面図である。
【図９】従来のセラミック電子部品を示す側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
実施の形態１．
以下、この発明の実施の形態１に係るコンデンサの冷却構造およびインバータ装置を図１に基づいて説明する。
図１はコンデンサの冷却構造およびこのコンデンサの冷却構造を用いたインバータ装置の構成を示す概略側面図であり、ここでは代表してインバータ回路のＵ相のみを示す。また、実際のインバータ装置には、ヒートシンクやインバータケースを備えるが、ここでは省略している。
【００２２】
図１に示すように、実施の形態１によるインバータ装置は、金属の回路基板３にスナバコンデンサ１およびインバータ回路の上下アームの半導体スイッチ素子２ａ、２ｂが実装されている。半導体スイッチ素子２ａ、２ｂは、図示していない他のＶ相、Ｗ相の半導体スイッチ素子とでインバータ回路を構成し、電力を変換する。スナバコンデンサ１は半導体スイッチ素子２ａ、２ｂに並列に接続される。
スナバコンデンサ１は、セラミック電子部品素子１０１の両端部に設けられた外部電極１０２に金属板のリード端子１０３が接続された積層セラミックコンデンサとなっている。この積層セラミックコンデンサ（スナバコンデンサ）１は、図７に示すように外部電極１０２にリード端子１０３が直接接合されているものでも、図８に示すように外部電極１０２とリード端子１０３が金属板１０４を介して接合されているものでもよい。
【００２３】
金属の回路基板３は、例えば銅やアルミからなる高熱伝導性の金属ベース板３０１に絶縁層３０２を介して電気回路を形成している配線パターンの銅箔３０３が配置された構成となっており、配線パターンの銅箔３０３に、スナバコンデンサ１のリード端子１０３と半導体スイッチ２ａ、２ｂがはんだで接合されている。
【００２４】
また、スナバコンデンサ１の上面には、高熱伝導率を有する絶縁材４を介在して放熱板５が直接接合されている。勿論、この放熱板５も銅やアルミの金属からなる高熱伝導性で面積が大きいほど放熱効果が向上するため好ましい。また放熱板５はスナバコンデンサ１の上面に対応する個所はその他の個所よりも厚みを厚くすると放熱効果が一層向上する。
さらに、コンデンサ１の外部電極１０２と放熱板５の間に絶縁性の突起物などからなる絶縁スペーサ６を設けることにより、コンデンサ１の外部電極１０２と放熱板５との絶縁距離を確実に確保することが可能となる。
【００２５】
なお、高熱伝導率を有する絶縁材４は、０．１Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱伝導率を有し、例えば、グラファイトシート、熱伝導ゲル、ゴムシート、ゲルシート、シリコンゴムシート、シリコーングリスなどに代表されるものである。
【００２６】
上述の構成により、半導体スイッチング素子２のスイッチングサージ発生時に、ピーク電流が流れ込むことで発熱するセラミック電子部品のスナバコンデンサ１の熱を、コンデンサ１と放熱板５の間に介在された高熱伝導率を有する絶縁材４を介して放熱板５に放熱することが可能となり、スナバコンデンサ１の温度上昇を抑制した信頼性の高いスナバコンデンサ１の実現が可能となる。
勿論、スナバコンデンサ１からの熱は、今まで通りコンデンサ１のリード端子１０３を介して金属の回路基板３からも放熱され、上述した放熱板５からの放熱と併せて放熱されるので、スナバコンデンサ１の温度上昇が一層抑制される。
【００２７】
実施の形態２．
次に、この発明の実施の形態２に係るコンデンサの冷却構造およびインバータ装置を図２に基づいて説明する。
図２はコンデンサの冷却構造およびコンデンサの冷却構造を用いたインバータ装置の構成を示す概略側面図であり、ここでは図１と同様に、代表してインバータ回路のＵ相のみ
を示す。また、実際のインバータ装置には、ヒートシンクやインバータケースを備えるが、ここでは省略している。なお、図２において、図１に示す実施の形態１における構成要素と同じまたは相当する個所には同一の符号が付されている。
【００２８】
この実施の形態２は、放熱板５が延長されてその端部と金属の回路基板３の金属ベース板３０１が、金属ねじ７で接合されている点が実施の形態１と異なるだけで、その他の構成は実施の形態１と同じであるので、説明を省略する。
【００２９】
このように放熱板５を金属ベース板３０１に接合することにより、放熱板５の面積を増加させることが可能である。また、図２では省略しているが、金属ベース板３０１はヒートシンクに接続されるため、放熱効果が高く、セラミック電子部品素子１０１の温度上昇を抑制した信頼性の高いスナバコンデンサ（積層セラミックコンデンサ）１の実現が可能となる。
【００３０】
実施の形態３．
次に、この発明の実施の形態３に係るコンデンサの冷却構造およびインバータ装置を図３に基づいて説明する。
図３はコンデンサの冷却構造およびコンデンサの冷却構造を用いたインバータ装置の構成を示す概略側面図であり、ここでは図１と同様に、代表してインバータ回路のＵ相のみを示す。なお、図３において、図１に示す実施の形態１における構成要素と同じまたは相当する個所には同一の符号が付されている。
【００３１】
この実施の形態３は、回路基板３にスナバコンデンサ１およびインバータ回路を構成する半導体スイッチ素子２ａ、２ｂを実装したものに、これらスナバコンデンサ１およびインバータ回路を覆う外装としてのインバータケース８を放熱板としたものである。勿論、このインバータケース８は、高熱伝導率を有する金属で構成される。スナバコンデンサ１の上面に高熱伝導率を有する絶縁材４を介在させて、インバータケース８に接続するようにする。
さらにインバータケース８は、回路基板３の金属ベース３０１の背面に熱伝導グリス９を介在して接続されたヒートシンク１０に、金属ねじ７で固定される。その他の構成は実施の形態１と同じであるので、説明を省略する。
【００３２】
このような構成により、インバータ装置のインバータケース８が実施の形態１、２の放熱板５と同様の放熱効果を有することが可能となり、セラミック電子部品素子１０１の温度上昇を抑制した信頼性の高いスナバコンデンサ（積層セラミックコンデンサ）１の実現が可能となる。
【００３３】
実施の形態４．
次に、この発明の実施の形態４に係るコンデンサの冷却構造およびインバータ装置を図４に基づいて説明する。
図４は図１〜図３に示す側面図を右側または左側から見たコンデンサの冷却構造の構成を示す概略側面図であり、ここでは半導体スイッチ素子２を含むインバータ回路は省略して示す。なお、図４において、図１に示す実施の形態１における構成要素と同じまたは相当する個所には同一の符号が付されている。
【００３４】
実施の形態１から実施の形態３において、高熱伝導率を有する絶縁材４はスナバコンデンサ１の上面に接合されていたが、実施の形態４の発明は、高熱伝導率を有する絶縁材４をスナバコンデンサ１の側面に接合して設けたものである。
即ち、図４において、スナバコンデンサ１の外部電極１０２およびリード端子１０３が設けられていないセラミック電子部品素子１０１の側面に高熱伝導率を有する絶縁材４を
接合し、高熱伝導率を有する絶縁材４の上面を放熱板５に接合している。
【００３５】
このような構成により、半導体スイッチング素子２のスイッチングサージ発生時に、ピーク電流が流れ込むことで発熱するセラミック電子部品のスナバコンデンサ１の熱を、コンデンサ１の側面と放熱板５の間に介在された高熱伝導率を有する絶縁材４を介して放熱板５に放熱することが可能となり、スナバコンデンサ１の温度上昇を抑制した信頼性の高い積層セラミックコンデンサからなるスナバコンデンサ１の実現が可能となる。
なお、実施の形態４の発明における高熱伝導率を有する絶縁材４と、実施の形態１〜３の発明における高熱伝導率を有する絶縁材４を併用して用いると、さらにスナバコンデンサ１の温度上昇を抑制した信頼性の高い積層セラミックコンデンサからなるスナバコンデンサ１の実現が可能となる。
【００３６】
実施の形態５．
次に、この発明の実施の形態５に係るコンデンサの冷却構造およびインバータ装置を図５に基づいて説明する。
図５はコンデンサの冷却構造およびコンデンサの冷却構造を用いたインバータ装置の構成を示す概略側面図であり、ここでは図１と同様に、代表してインバータ回路のＵ相のみを示す。また、実際のインバータ装置には、ヒートシンクやインバータケースを備えるが、ここでは省略している。なお、図５において、図１に示す実施の形態１における構成要素と同じまたは相当する個所には同一の符号が付されている。
【００３７】
実施の形態５の発明は、図５に示すように、積層セラミックコンデンサからなるスナバコンデンサ１のリード端子１０３の内側と回路基板３の絶縁層３０２との間に、高熱伝導率を有する絶縁材４を設け、放熱板５を用いない点が実施の形態１と異なる。その他の構成は実施の形態１と同じであるので、説明を省略する。
【００３８】
このような構成により、半導体スイッチ素子２のスイッチングサージ発生時に、ピーク電流が流れ込むことで発熱するセラミック電子部品１０１からなるスナバコンデンサ１の熱は、スナバコンデンサ１のリード端子１０３に加え、高熱伝導率を有する絶縁材４を介在して金属の回路基板３に放熱されるため、スナバコンデンサ１のリード端子１０３のみで放熱するよりも、放熱効果を高めることが可能となる。
また、上述の構成は、実施の形態１の放熱板５を用いないため、簡易な構成で信頼性を向上したスナバコンデンサ１の実現が可能となる。
【００３９】
なお、実施の形態５では、高熱伝導率を有する絶縁材４はセラミック電子部品１０１からなるスナバコンデンサ１の下側に備えているが、スナバコンデンサ１の側面に接合されても同様の効果を実現できる。
【００４０】
また、この発明は上述した実施の形態のみに限られるものではなく、この発明の範囲内においてほかに種々の実施の形態が可能であることは当業者にとって明らかである。
例えば、コンデンサ１はインバータ装置に用いられるスナバコンデンサ１に限らず、一般のコンデンサの冷却構造に適用してもよい。
【符号の説明】
【００４１】
１…スナバコンデンサ（積層セラミックコンデンサ）、
２（２a，２ｂ，２ｃ，２ｄ，２ｅ，２ｆ）…半導体スイッチ素子
３…金属の回路基板、                    ４…高熱伝導率を有する絶縁材、
５…放熱板、                            ６…絶縁突起、
７…金属ねじ、                          ８…インバータケース、
９…熱伝導グリス、                    １０…ヒートシンク、
１０１…セラミック電子部品素子、    １０２…外部電極、
１０３…リード端子、                ３０１…金属ベース板、
３０２…絶縁層、                    ３０３…銅箔回路パターン、
【図１】
0005351107.tif 000002
【図２】
0005351107.tif 000003
【図３】
0005351107.tif 000004
【図４】
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【図５】
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【図６】
0005351107.tif 000007
【図７】
0005351107.tif 000008
【図８】
0005351107.tif 000009
【図９】
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