(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の上の画素領域に配列された複数の画素電極と、
前記複数の画素電極を夫々スイッチング制御する複数の薄膜トランジスタと、
を備え、
前記複数の薄膜トランジスタの各々の半導体層は、チャネル領域を挟んでソース領域及びドレイン領域を有し、前記半導体層は前記ソース領域から前記ドレイン領域へ延び、
前記薄膜トランジスタのゲート電極は、前記チャネル領域に重なる部分の脇から、前記画素電極に電気的に接続された前記ソース領域又は前記ドレイン領域に沿って突出する突出部を有し、
前記突出部は、前記チャネル領域から前記ソース領域又は前記ドレイン領域に向かう方向に第１の幅で突出する第１突出部と、前記第１突出部からさらに前記チャネル領域から前記ソース領域又は前記ドレイン領域に向かう方向に第２の幅で突出する第２突出部と、を有し、
前記第１の幅は前記第２の幅より狭く、
前記第１突出部と、前記半導体層のチャネル領域と前記ソース領域又は前記ドレイン領域との間にある接合領域と、の距離である第１距離より、前記第２突出部と、前記半導体層の前記ソース領域又は前記ドレイン領域と、の距離である第２距離は短いことを特徴とする電気光学装置用基板。
【請求項２】
前記基板の上から平面的に見て、前記突出部と前記半導体層との距離は、前記第１距離から前記第２距離へ不連続に変化していることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置用基板。
【請求項３】
前記基板の上から平面的に見て、前記突出部と前記半導体層との距離は、前記第１距離から前記第２距離へ連続的に変化していることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置用基板。
【請求項４】
前記ゲート電極は、ゲート絶縁膜を介して前記半導体層の上に形成されており、
前記突出部は、前記ゲート絶縁膜に掘られた溝又は貫通口内に埋め込まれている部分を含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電気光学装置用基板。
【請求項５】
前記接合領域は、ＬＤＤ領域であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電気光学装置用基板。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかに一項に記載の電気光学装置用基板を備えたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
請求項６に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置に用いられる電気光学装置用基板、及び該電気光学装置用基板を備えてなる電気光学装置、並びに該電気光学装置を備えた、例えば液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置の一例である液晶装置は、例えば、直視型ディスプレイ、投射型表示装置の変調手段（例えば、液晶ライトバルブ）等として多用されている。特に投射型表示装置の場合、光源からの強い光が液晶ライトバルブに入射されるため、この光によって液晶ライトバルブ内の薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＴＦＴ）がリーク電流の増大や誤動作等を生じないように、入射光を遮る遮光手段としての遮光膜が液晶ライトバルブに内蔵されている。
【０００３】
このような遮光手段或いは遮光膜について、例えば、特許文献１には、ＴＦＴのチャネル領域において、ゲート電極として機能する走査線によって遮光する技術が記載されている。特許文献２には、チャネル領域上に形成された複数の遮光膜と、内面反射光を吸収する層とを設けることによってＴＦＴのチャネル領域に到達する光を低減する技術が記載されている。特許文献３には、四つの画素電極を想定した時に、隣接し、且つ対向する角部間のちょうど中間地点に、ＴＦＴのチャネル領域が位置するように当該ＴＦＴを形成し、該ＴＦＴのチャネル領域に対向する部分にゲート電極としての幅広部を有する走査線によってチャネル領域に対する光入射を極力防止する技術が記載されている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−４７２２号公報
【特許文献２】特許３７３１４４７号公報
【特許文献３】特開２００３−２６２８８８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述のような遮光膜によってＴＦＴを遮光する場合、遮光膜とＴＦＴを構成する半導体層との間は、３次元的に見て、例えば絶縁膜等を介して離間しており、遮光膜の脇から斜めに入射する入射光がＴＦＴを構成する半導体層に到達してしまい、ＴＦＴにおける光リーク電流が発生してしまうおそれがある。このようなＴＦＴにおける光リーク電流に起因して、フリッカ、画素ムラ等が生じ、表示画像の品質が低下してしまう可能性があるという技術的問題点がある。
【０００６】
本発明は、例えば上記問題点に鑑みてなされたものであり、例えばアクティブマトリックス方式で駆動される液晶装置等の電気光学装置であって、画素スイッチング用のＴＦＴにおける光リーク電流の発生を低減でき、高品質な画像を表示可能な電気光学装置に用いられる電気光学装置用基板、及びそのような電気光学装置用基板を備えた電気光学装置、並びにそのような電気光学装置を具備してなる電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様の電気光学装置用基板は、基板と、前記基板の上の画素領域に配列された複数の画素電極と、前記複数の画素電極を夫々スイッチング制御する複数の薄膜トランジスタと、を備え、前記複数の薄膜トランジスタの各々の半導体層は、チャネル領域を挟んでソース領域及びドレイン領域を有し、前記半導体層は前記ソース領域から前記ドレイン領域へ延び、前記薄膜トランジスタのゲート電極は、前記チャネル領域に重なる部分の脇から、前記画素電極に電気的に接続された前記ソース領域又は前記ドレイン領域に沿って突出する突出部を有し、前記突出部は、前記チャネル領域から前記ソース領域又は前記ドレイン領域に向かう方向に第１の幅で突出する第１突出部と、前記第１突出部からさらに前記チャネル領域から前記ソース領域又は前記ドレイン領域に向かう方向に第２の幅で突出する第２突出部と、を有し、前記第１の幅は前記第２の幅より狭く、前記第１突出部と、前記半導体層のチャネル領域と前記ソース領域又は前記ドレイン領域との間にある接合領域と、の距離である第１距離より、前記第２突出部と、前記半導体層の前記ソース領域又は前記ドレイン領域と、の距離である第２距離は短いことを特徴とする。
上記の本発明に係る電気光学装置用基板は、基板と、該基板上の画素領域に配列された複数の画素電極と、該複数の画素電極を夫々スイッチング制御する複数の薄膜トランジスタとを備え、前記薄膜トランジスタの半導体層は、チャネル領域を挟んでソース領域及びドレイン領域間で長手状に延び、前記薄膜トランジスタのゲート電極は、前記チャネル領域に重なる部分の脇から、前記画素電極に電気的に接続された前記ソース領域又は前記ドレイン領域に沿って突出する突出部を有し、該突出部は、その根元側における前記チャネル領域と前記ソース又はドレイン領域との間にある接合領域との第１距離よりも、その先端側における前記ソース又はドレイン領域との第２距離の方が、短くなる形状を有する。
【０００８】
本発明の電気光学装置用基板によれば、例えば、データ線から画素電極へ画像信号が制御され、所謂アクディブマトリックス方式による画像表示が可能となる。尚、画像信号は、データ線及び画素電極間に電気的に接続されたスイッチング素子である薄膜トランジスタがオン又はオフされることによって、所定のタイミングでデータ線から薄膜トランジスタを介して画素電極に供給される。画素電極は、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）等の透明導電材料からなる透明電極であり、データ線及び走査線の交差に対応して、基板上の画素領域にマトリックス状に複数設けられる。ここに、本発明に係る「画素領域」とは、画像表示領域となるべき領域を意味する。
【０００９】
薄膜トランジスタの半導体層は、チャネル領域を挟んでソース領域及びドレイン領域間で長手状に延びる。このような半導体層の長手方向は、例えば基板上でマトリクス状に規定された複数の画素の行方向、即ち複数のデータ線が配列される配列方向或いは複数の走査線の各々が延びる方向（即ちＸ方向）、又は例えば基板上でマトリクス状に規定された複数の画素の列方向、即ち複数の走査線が配列される配列方向或いは複数のデータ線の各々が延びる方向（即ちＹ方向）とされる。
【００１０】
データ線側ソース領域又はドレイン領域（例えば、ドレイン領域）はデータ線と互いに電気的に接続され、画素電極側ソース領域又はドレイン領域（例えばソース領域）は画素電極と互いに電気的に接続される。更に、半導体層のチャネル領域とデータ線側ソース領域又はドレイン領域との間には第１接合領域が存在し、半導体層のチャネル領域と画素電極側ソース領域又はドレイン領域との間には第２接合領域が存在する。
【００１１】
即ち、第１及び第２接合領域は、例えば、薄膜トランジスタが例えばＮＰＮ型或いはＰＮＰ型トランジスタ（即ち、Ｎチャネル型或いはＰチャネル型トランジスタ）として形成された場合におけるＰＮ接合領域や、薄膜トランジスタがＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ  Ｄｏｐｅｄ  Ｄｒａｉｎ）構造を有する場合におけるＬＤＤ領域（即ち、例えばイオンプランテーション法等の不純物打ち込みによって半導体層に不純物を打ち込んでなる不純物領域）を意味する。
【００１２】
ゲート電極は、例えば半導体層よりもゲート絶縁膜を介して上層側に配置される。ゲート絶縁膜は、半導体層を覆うように、典型的には、基板上の全面に積層される。尚、典型的には、薄膜トランジスタよりも上層側に、半導体層の少なくとも一部（例えば、半導体層のチャネル領域、第１及び第２接合領域）を覆う遮光膜等の遮光手段が設けられる。これにより、薄膜トランジスタにおける光リーク電流の発生の低減が図られる。
【００１３】
本発明では、典型的には基板上で平面的に見て、或いは３次元的に見て、ゲート電極は、チャネル領域に重なる部分の脇から、半導体層と距離を隔てたまま半導体層に沿って、即ち、半導体層の長手方向に沿って突出する突出部を有する。ここに「チャネル領域に重なる脇」とは、両脇であってもよいし、即ち一対の突出部が長手状に延びる半導体層の両側に突出してもよい。或いは、「チャネル領域に重なる脇」とは、片脇であってもよい。また、「チャネル領域に重なる脇」とは、半導体層の長手方向に交わる方向にチャネル領域から距離があいており、突出部はこのようにその根元側で半導体層から距離を隔てたまま突出している。更に、突出部は、ソース領域へ向かう側にのみ半導体層の両脇又は片脇から突出していてもよいし、ドレイン領域へ向かう側にのみ半導体層の両脇又は片脇から突出していてもよいし、ソース領域及びドレイン領域の各々へ突出していてもよい。即ち、突出部は、一つの半導体層が有する４つの脇から最大で４つまで突出していてもよい。好ましくは、一対の突出部が、後述のように画素電極に接続されたソース又はドレイン領域へ向かう側にのみ半導体層の両脇から突出していれば遮光による利益が効率的に得られる。
【００１４】
ここで特に、突出部は、その根元側における接合領域（即ち、上述の第１又は第２接合領域）との第１距離よりも、その先端側におけるソース又はドレイン領域との第２距離の方が、短くなる形状を有する。
【００１５】
本願発明者の研究によれば、仮に、基板上で平面的に見て、突出部及び接合領域間の距離を短くすると、ゲート電極と同電位である突出部が接合領域に対して、大なり小なりゲート電圧と動電位を印加する電極として機能してしまう。即ち、接合領域でも想定外のキャリア密度の変化が発生してしまう。このため、本来は、チャネル領域にゲート電圧が印加されてチャネルが形成されることが想定されている薄膜トランジスタにおける、リーク電流の発生、オンオフ閾値の変化などに代表される動作不良につながってしまう。他方、仮に、突出部及び接合領域間の距離を長くすると、長手方向に沿う方向から斜めに入射し、半導体層における第１及び第２接合領域の少なくとも一方に到達する光を遮る効果が低減してしまうことが判明している。
【００１６】
しかるに本発明では、突出部と接合部との第１距離を、リーク電流が増加しないように長くすると共に、突出部とソース又はドレイン領域との第２距離を短くしている。これにより、接合領域に突出部からの電界が印加されることによるリーク電流の発生等を抑制しつつ、斜めの光などの接合領域に到達しようとする光をより確実に低減することができる。
【００１７】
尚、第１距離から第２距離への変化は、連続的に変化していてもよいし（例えば、突出部の形状が「台形」）、不連続に変化していてもよい（例えば、突出部の形状が「Ｌ字型」）。また、ゲート電極の材料としては、ポリシリコンゲート、金属ゲートなどの遮光性に優れた材料を用いることが望ましいが、いずれの材料であっても、半導体層に近接配置することで、遮光の効果は相応に得られる。
【００１８】
以上説明したように、本発明の電気光学装置用基板によれば、画素電極に電気的に接続されたトランジスタにおける光リーク電流を低減でき、フリッカや画素ムラが低減された高品質な画像を表示可能な電気光学装置を提供することが可能である。
【００２１】
本発明の電気光学装置用基板の一態様では、前記半導体層は、前記基板上で平面的に見て、前記長手状に延び、前記突出部は、前記基板上で平面的に見て、前記半導体層から突出し、前記第１距離よりも前記第２距離の方が短くなる形状を有する。
【００２２】
この態様によれば、基板上で平面的に見て、半導体層は長手状に延び、突出部は、半導体層から突出すると共に第１距離よりも第２距離の方が短くなる形状を有する。尚、平面的に加えて、立体的に即ち３次元的に距離を隔てていてもよい。
【００２３】
本発明の他の態様では、前記基板上で平面的に見て、前記突出部及び前記半導体層間の距離は、前記第１距離から前記第２距離へ不連続に変化している。
【００２４】
この態様によれば、一対の突出部を夫々、先端側が内側に折れ曲がる単純なＬ字状にすれば、そのフォトリソプロセスは、比較的容易である。
【００２５】
本発明の他の態様では、前記基板上で平面的に見て、前記突出部及び前記半導体層間の距離は、前記第１距離から前記第２距離へ連続的に変化している。
【００２６】
この態様によれば、例えば一対の突出部を夫々、先端側に向かって窄まる単純な細長い長方形や台形の棒状に形成すれば、そのフォトリソプロセスは非常に容易であり、実用上非常に有利である。
【００２７】
本発明の他の態様では、前記ゲート電極は、ゲート絶縁膜を介して前記半導体層上に形成されており、前記突出部は、前記ゲート絶縁膜に掘られた溝又は貫通口内に埋め込まれている部分を含む。
【００２８】
この態様によれば、貫通口内に埋め込まれた部分は、３次元的に見て、半導体層における第１及び第２接合領域の少なくとも一方に沿った、壁状の遮光体として形成される。従って、半導体層の近傍に配置された壁状の遮光体としての貫通口内に埋め込まれた部分により、半導体層に対して斜めに入射する光の遮光性能を高めることができる。
【００２９】
本発明の他の態様では、前記接合領域は、ＬＤＤ領域である。
【００３０】
この態様によれば、薄膜トランジスタは、ＬＤＤ構造を有する。よって、薄膜トランジスタの非動作時において、データ線側ソース領域又はドレイン領域と画素電極側ソース領域又はドレイン領域とに流れるオフ電流を低減し、且つ薄膜トランジスタの飽和動作時におけるドレイン端の電界緩和を低減でき、ホットキャリア現象による閾値の上昇（トランジスタ特性劣化に関する信頼性上の課題）に起因したオン電流の低下を抑制できる。
【００３１】
特に、画素電極側のＬＤＤは、データ線側のＬＤＤと比べて、仮に多少のリークがあっても所定電位の信号供給により電位が回復されない分だけ、光リークを起こし易い。このため、データ線側のＬＤＤに比べて、画素電極電位側のＬＤＤに対し、このような突出部等を利用しての遮光をより手厚く行うことが好ましい。或いは、データ線側のＬＤＤに対し、このような突出部等を利用しての遮光を行うのであれば、画素電極電位側のＬＤＤに対しては同等以上に遮光を手厚く行うことが好ましい。
【００３２】
本発明の電気光学装置は、上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置用基板を備える。
【００３３】
本発明の電気光学装置によれば、上述した本発明の電気光学装置用基板（但し、その各種態様を含む）を備えているため、フリッカや画素ムラが低減された高品質な画像を表示可能な電気光学装置を提供することができる。
【００３４】
本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置を具備してなる。
【００３５】
本発明の電子機器によれば、上述した本発明の電気光学装置を具備してなるので、高品質な表示を行うことが可能な、投射型表示装置、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明に係る電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置等も実現することが可能である。
【００３６】
本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための最良の形態から明らかにされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３７】
以下図面を参照しながら、本発明に係る電気光学装置用基板及び電気光学装置、並びに電子機器の各実施形態を説明する。尚、本実施形態では、電気光学装置の一例として、駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリックス駆動方式の液晶装置を例に挙げる。
【００３８】
先ず、本実施形態に係る液晶装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。ここに図１は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側からみた平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ´線断面図である。
【００３９】
図１及び図２において、本実施形態に係る液晶装置では、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０が対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば、石英基板、ガラス基板、シリコン基板等の透明基板からなり、対向基板２０は、例えば、石英基板、ガラス基板等の透明基板からなる。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、複数の画素１００ｃが設けられた領域に対応する、本発明に係る「画素領域」の一例としての画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【００４０】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂や熱硬化樹脂、又は紫外線・熱併用型硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（即ち、ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。尚、ギャップ材を、シール材５２に混入されるものに加えて若しくは代えて、画像表示領域１０ａ又は画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域に、配置するようにしてもよい。
【００４１】
図１において、シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。
【００４２】
周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。この一辺に沿ったシール領域よりも内側に、サンプリング回路７が額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿ったシール領域の内側に、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。
【００４３】
ＴＦＴアレイ基板１０上には、対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域に、両基板間を上下導通材１０７で接続するための上下導通端子１０６が配置されている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。更に、外部回路接続端子１０２と、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４、上下導通端子１０６等とを電気的に接続するための引回配線９０が形成されている。
【００４４】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、駆動素子である画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成される。この積層構造の詳細な構成については図２では図示を省略してあるが、この積層構造の上に、ＩＴＯ等の透明材料からなる画素電極９ａが、画素毎に所定のパターンで島状に形成されている。
【００４５】
画素電極９ａは、後述する対向電極２１に対向するように、ＴＦＴアレイ基板１０上の画像表示領域１０ａに形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０における液晶層５０の面する側の表面、即ち画素電極９ａ上には、配向膜１６が画素電極９ａを覆うように形成されている。
【００４６】
対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上に、遮光膜２３が形成されている。遮光膜２３は、例えば対向基板２０における対向面上に平面的に見て、格子状に形成されている。対向基板２０において、遮光膜２３によって非開口領域が規定され、遮光膜２３によって区切られた領域が、例えばプロジェクタ用のランプや直視用のバックライトから出射された光を透過させる開口領域となる。尚、遮光膜２３をストライプ状に形成し、該遮光膜２３と、ＴＦＴアレイ基板１０側に設けられたデータ線等の各種構成要素とによって、非開口領域を規定するようにしてもよい。
【００４７】
遮光膜２３上に、ＩＴＯ等の透明材料からなる対向電極２１が複数の画素電極９ａと対向して形成されている。遮光膜２３上に、画像表示領域１０ａにおいてカラー表示を行うために、開口領域及び非開口領域の一部を含む領域に、図２には図示しないカラーフィルタが形成されるようにしてもよい。対向基板２０の対向面上における、対向電極２１上には、配向膜２２が形成されている。
【００４８】
尚、図１及び図２に示したＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４、サンプリング回路７等に加えて、複数のデータ線１００ｂに所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
【００４９】
次に、本実施形態に係る液晶装置の画素部の電気的な構成について、図３を参照して説明する。ここに図３は、本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域を構成するマトリックス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。
【００５０】
図３において、画像表示領域１０ａを構成するマトリックス状に形成された複数の画素の夫々には、画素電極９ａ、及び本発明に係る「薄膜トランジスタ」の一例としてのＴＦＴ３０が形成されている。ＴＦＴ３０は、画素電極９ａに電気的に接続されており、液晶装置の動作時に画素電極９ａをスイッチング制御する。画像信号が供給されるデータ線６ａは、ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
【００５１】
ＴＦＴ３０のゲートに走査線１１が電気的に接続されており、本実施形態に係る液晶装置は、所定のタイミングで、走査線１１にパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが所定のタイミングで書き込まれる。画素電極９ａを介して電気光学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。
【００５２】
液晶層５０（図２参照）を構成する液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として液晶装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射される。
【００５３】
ここで保持された画像信号がリークすることを防ぐために、画素電極９ａと対向電極２１（図２参照）との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０が付加されている。蓄積容量７０は、画像信号の供給に応じて各画素電極９ａの電位を一時的に保持する保持容量として機能する容量素子である。蓄積容量７０の一方の電極は、画素電極９ａと並列してＴＦＴ３０のドレインに接続され、他方の電極は、定電位となるように、電位固定の容量線３００に接続されている。蓄積容量７０によれば、画素電極９ａにおける電位保持特性が向上し、コントラスト向上やフリッカの低減といった表示特性の向上が可能となる。尚、蓄積容量７０は、後述するように、ＴＦＴ３０へ入射する光を遮る内蔵遮光膜としても機能する。
【００５４】
次に、上述の動作を実現する画素部の具体的な構成について、図４乃至図６を参照して説明する。ここに図４は、相隣接する複数の画素部の平面図である。図５は、図４のＡ−Ａ´線断面図である。図６は、図４のＢ−Ｂ´線断面図である。尚、図４から図６では、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。この点については、後述する図７乃至図１０についても同様である。図４乃至図６では、説明の便宜上、画素電極９ａより上側に位置する部分の図示を省略している。図５において、ＴＦＴアレイ基板１０から画素電極９ａまでの部分が、本発明に係る「電気光学装置用基板」の一例を構成している。
【００５５】
図４において、画素電極９ａは、ＴＦＴアレイ基板１０上に、マトリックス状に複数設けられている。画素電極９ａの縦横の境界にそれぞれ沿ってデータ線６ａ及び走査線１１（即ち、走査線１１ａ及び１１ｂ）が設けられている。即ち、走査線１１ａ及び１１ｂは、Ｘ方向に沿って延びており、データ線６ａは、走査線１１ａ或いは１１ｂと交差するように、Ｙ方向に沿って延びている。走査線１１及びデータ線６ａが互いに交差する個所の各々には画素スイッチング用のＴＦＴ３０が設けられている。
【００５６】
走査線１１、データ線６ａ、蓄積容量７０、下側遮光膜１１ａ、中継層９３及びＴＦＴ３０は、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、画素電極９ａに対応する各画素の開口領域（即ち、各画素において、表示に実際に寄与する光が透過又は反射される領域）を囲む非開口領域内に配置されている。即ち、これらの走査線１１、蓄積容量７０、データ線６ａ、下側遮光膜１１ａ、及びＴＦＴ３０は、表示の妨げとならないように、各画素の開口領域ではなく、非開口領域内に配置されている。
【００５７】
図４及び図５において、ＴＦＴ３０は、半導体層１ａ、ゲート電極３１ａ及び３１ｂを含んで構成されている。
【００５８】
半導体層１ａは、例えばポリシリコンからなり、Ｙ方向に沿ったチャネル長を有するチャネル領域１ａ´、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ及び画素電極側ＬＤＤ領域１ｃ、並びにデータ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅからなる。即ち、ＴＦＴ３０はＬＤＤ構造を有している。尚、本実施形態に係る「データ線側ＬＤＤ領域１ｂ」及び「画素電極側ＬＤＤ領域１ｃ」は、夫々、本発明に係る「第１接合領域」及び「第２接合領域」の一例である。
【００５９】
データ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅは、チャネル領域１ａ´を基準として、Ｙ方向に沿ってほぼミラー対称に形成されている。データ線側ＬＤＤ領域１ｂは、チャネル領域１ａ´及びデータ線側ソースドレイン領域１ｄ間に形成されている。画素電極側ＬＤＤ領域１ｃは、チャネル領域１ａ´及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅ間に形成されている。データ線側ＬＤＤ領域１ｂ、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃ、データ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅは、例えばイオンプランテーション法等の不純物打ち込みによって半導体層１ａに不純物を打ち込んでなる不純物領域である。
【００６０】
データ線側ＬＤＤ領域１ｂ及び画素電極側ＬＤＤ領域１ｃはそれぞれ、データ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅよりも不純物の少ない低濃度な不純物領域として形成される。このような不純物領域によれば、ＴＦＴ３０の非動作時において、ソース領域及びドレイン領域に流れるオフ電流を低減し、且つＴＦＴ３０の動作時に流れるオン電流の低下を抑制できる。尚、ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ構造を有することが好ましいが、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに不純物打ち込みを行わないオフセット構造であってもよいし、ゲート電極をマスクとして不純物を高濃度に打ち込んでデータ線側ソースドレイン領域及び画素電極側ソースドレイン領域を形成する自己整合型であってもよい。
【００６１】
図４及び図５に示すように、ゲート電極３１ａは、走査線１１ａの一部として形成されている。走査線１１ａは、半導体層１ａよりも絶縁膜１２を介して上層側に配置され、例えば導電性ポリシリコンから形成されている。走査線１１ａは、Ｘ方向に沿って延びる本線部分と共に、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ´のうち該本線部分が重ならない領域と重なるようにＹ方向に沿って延在する部分を有している。このような走査線１１ａのうちチャネル領域１ａ´と重なる部分がゲート電極３１ａとして機能する。ゲート電極３１ａ及び半導体層１ａ間は、本発明に係る「ゲート絶縁膜」の一例としての絶縁膜２（図５参照）によって絶縁されている。
【００６２】
図４及び図５に示すように、ゲート電極３１ｂは、走査線１１ｂの一部として形成されている。走査線１１ｂは、半導体層１ａよりも下地絶縁膜１２を介して下層側に配置され、例えばタングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、チタンナイトライド（ＴｉＮ）等の高融点金属材料等の遮光性の導電材料からなる。走査線１１ｂは、平面的にみて、Ｘ方向に沿うように、ストライプ状にパターニングされた本線部１１ｂｘと、該本線部１１ｂｘからＹ方向に沿って延在する延在部１１ｂｙとを有している。
【００６３】
このような走査線１１ｂのうちチャネル領域１ａ´と重なる部分がゲート電極３１ｂとして機能する。走査線１１ｂは、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ´、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ及び画素電極側ＬＤＤ領域１ｃ、並びにデータ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅに対向する領域を含むように形成されている。よって、走査線１１ｂによって、ＴＦＴアレイ基板１０における裏面反射や、複板式のプロジェクタ等で他の液晶装置から発せられ合成光学系を突き抜けてくる光などの、戻り光に対してＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ´を殆ど或いは完全に遮光できる。即ち、走査線１１ｂは、走査信号を供給する配線として機能すると共に戻り光に対するＴＦＴ３０の遮光膜として機能することが可能である。従って、液晶装置の動作時に、ＴＦＴ３０における光リーク電流は低減され、コントラスト比を向上させることができ、高品位の画像表示が可能となる。
【００６４】
走査線１１ｂ及び半導体層１ａ間は、下地絶縁膜１２によって絶縁されている。下地絶縁層１２は、走査線１１ｂからＴＦＴ３０を絶縁する機能の他、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面の研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用のＴＦＴ３０の特性の劣化を防止する機能を有する。
【００６５】
このように、本実施形態では、ＴＦＴ３０は、半導体層１ａと、半導体層１ａよりも絶縁膜２を介して上層側に形成された走査線１１ａの一部として構成されるゲート電極３１ａと、半導体層１ａよりも下地絶縁膜１２を介して下層側に形成された走査線１１ｂの一部として構成されるゲート電極３１ｂとを有している。即ち、ＴＦＴ３０は、ダブルゲート構造を有している。よって、半導体層１ａのチャネル領域１ａ´における上面側及び下面側の両方にチャネルを形成することができる。従って、仮に半導体層１ａよりも上層側又は下層側の一方だけにゲート電極が形成される場合と比較して、ＴＦＴ３０のオン電流を大きくすることができる。
【００６６】
図４において、本実施形態では、ゲート電極３１ａ（言い換えれば、走査線１１ａの一部）は、本発明に係る「突出部」の一例として、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃの両側に沿うように延設された延設部３２ａを有している。言い換えれば、ゲート電極３１ａは、チャネル領域１ａ´に重なると共に画素電極側ＬＤＤ領域１ｃをその両側から部分的に囲むような形状（即ち、いわば逆Ｕ字形状）を有している。尚、図７及び図８を参照して後に詳細に説明するが、絶縁膜２及び下地絶縁膜１２には、ここでは図示しない溝８１０が形成されており、ゲート電極３１ａは、延在部３２ａの一部が溝８１０内に形成されてなる溝内部分３３を有している。
【００６７】
図５において、ＴＦＴアレイ基板１０上のＴＦＴ３０よりも層間絶縁膜４１を介して上層側には、蓄積容量７０が設けられている。
【００６８】
蓄積容量７０は、下部容量電極７１と上部容量電極３００ａが誘電体膜７５を介して対向配置されることにより形成されている。
【００６９】
上部容量電極３００ａは、容量線３００の一部として形成されている。容量線３００は、画素電極９ａが配置された画像表示領域１０ａからその周囲に延設されている。上部容量電極３００ａは、容量線３００を介して定電位源と電気的に接続され、固定電位に維持された固定電位側容量電極である。上部容量電極３００ａは、例えばＡｌ（アルミニウム）、Ａｇ（銀）等の金属又は合金を含んだ非透明な金属膜から形成されており、ＴＦＴ３０を遮光する上側遮光膜（内蔵遮光膜）としても機能する。尚、上部容量電極３００ａは、本発明に係る「導電性遮光膜」として、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｐｄ（パラジウム）等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等から構成されていてもよい。
【００７０】
図４乃至図６において、下部容量電極７１は、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａに電気的に接続された画素電位側容量電極である。より具体的には、下部容量電極７１は、コンタクトホール８３（図４及び図５参照）を介して画素電極側ソースドレイン領域１ｅと電気的に接続されると共に、コンタクトホール８４（図４及び図６参照）を介して中継層９３に電気的に接続されている。更に、中継層９３は、コンタクトホール８５（図４及び図６参照）を介して画素電極９ａに電気的に接続されている。即ち、下部容量電極７１は、中継層９３と共に画素電極側ソースドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａ間の電気的な接続を中継する。下部容量電極７１は、導電性のポリシリコンから形成されている。よって、蓄積容量７０は、所謂ＭＩＳ構造を有している。尚、下部容量電極７１は、画素電位側容量電極としての機能の他、上側遮光膜としての上部容量電極３００ａとＴＦＴ３０との間に配置される、光吸収層或いは遮光膜としての機能も有する。
【００７１】
誘電体膜７５は、例えばＨＴＯ（Ｈｉｇｈ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｏｘｉｄｅ）膜、ＬＴＯ（Ｌｏｗ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｏｘｉｄｅ）膜等の酸化シリコン膜、或いは窒化シリコン膜等から構成された単層構造、或いは多層構造を有している。
【００７２】
尚、下部容量電極７１を、上部容量電極３００ａと同様に金属膜から形成してもよい。即ち、蓄積容量７０を、金属膜−誘電体膜（絶縁膜）−金属膜の３層構造を有する、所謂ＭＩＭ構造を有するように形成してもよい。この場合には、ポリシリコン等を用いて下部容量電極７１を構成する場合に比べて、液晶装置の駆動時に、当該液晶装置全体で消費される消費電力を低減でき、且つ各画素部における素子の高速動作が可能になる。
【００７３】
図５及び図６において、ＴＦＴアレイ基板１０上の蓄積容量７０よりも層間絶縁膜４２を介して上層側には、データ線６ａ及び中継層９３が設けられている。
【００７４】
データ線６ａは、半導体層１ａのデータ線側ソースドレイン領域１ｄに、層間絶縁膜４１、誘電体膜７５及び層間絶縁膜４２を貫通するコンタクトホール８１を介して電気的に接続されている。データ線６ａ及びコンタクトホール８１内部は、例えば、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｃｕ等のＡｌ（アルミニウム）含有材料、又はＡｌ単体、若しくはＡｌ層とＴｉＮ層等との多層膜からなる。データ線６ａは、ＴＦＴ３０を遮光する機能も有している。
【００７５】
図４及び図６において、中継層９３は、層間絶縁膜４２上においてデータ線６ａ（図５参照）と同層に形成されている。データ線６ａ及び中継層９３は、例えば金属膜等の導電材料で構成される薄膜を層間絶縁膜４２上に薄膜形成法を用いて形成しておき、当該薄膜を部分的に除去、即ちパターニングすることによって相互に離間させた状態で形成される。従って、データ線６ａ及び中継層９３を同一工程で形成できるため、装置の製造プロセスを簡便にできる。
【００７６】
図５及び図６において、画素電極９ａは、データ線６ａよりも層間絶縁膜４３を介して上層側に形成されている。画素電極９ａは、下部容量電極７１、コンタクトホール８３、８４及び８５、並びに中継層９３を介して半導体層１ａの画素電極側ソースドレイン領域１ｅに電気的に接続されている。コンタクトホール８５は、層間絶縁層４３を貫通するように形成された孔部の内壁にＩＴＯ等の画素電極９ａを構成する導電材料が成膜されることによって形成されている。画素電極９ａの上側表面には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜が設けられている。
【００７７】
以上に説明した画素部の構成は、図４に示すように、各画素部に共通である。画像表示領域１０ａ（図１参照）には、かかる画素部が周期的に形成されている。
【００７８】
次に、本実施形態に係る液晶装置の走査線及び蓄積容量の形状について、図７及び図８を参照して詳細に説明する。ここに図７は、本実施形態に係る液晶装置の走査線、及び蓄積容量を構成する一対の容量電極の平面形状を示す平面図である。図８は、図７のＣ−Ｃ´線断面図である。尚、図７では、図４に示した画素部を構成する構成要素のうち、ＴＦＴ３０、走査線１１及び蓄積容量７０を拡大して示し、その他の構成要素については図示を省略している。また、図８では、層間絶縁膜４２より上層側の構成要素については図示を省略している。
【００７９】
図７に示すように、蓄積容量７０を構成する上部容量電極３００ａは、データ線側ＬＤＤ領域１ｂを覆う第１容量部分３０１と、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃを覆う第２容量部分３０２とを有している。よって、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ及び画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに上層側から入射する光を、第１容量部分３０１及び第２容量部分３０２の各々によって遮光できる。従って、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ及び画素電極側ＬＤＤ領域１ｃにおける光リーク電流の発生を低減できる。
【００８０】
更に、本実施形態では特に、上部容量電極３００ａにおける第２容量部分３０２は、第１容量部分３０１よりもＸ方向の幅が広くなるように構成されている。即ち、第２容量部分３０２のＸ方向の幅Ｗ２は、第１容量部分３０１のＸ方向の幅Ｗ１よりも広くなっている。よって、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに入射する光を、データ線側ＬＤＤ領域１ｂに入射する光よりも確実に遮光できる。即ち、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに到達する光を遮る遮光性を、データ線側ＬＤＤ領域１ｂに到達する光を遮る遮光性よりも高める或いは強化することができる。
【００８１】
ここで、本願発明者は、ＴＦＴ３０の動作時に、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃにおいて、データ線側ＬＤＤ領域１ｂに比べて光リーク電流が相対的に発生しやすいと結論づけている。即ち、ＴＦＴ３０の動作時に、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに光が照射された場合には、データ線側ＬＤＤ領域１ｂに光が照射された場合よりも、ＴＦＴ３０における光リーク電流が発生しやすいと結論づけている。従って、第２容量部分３０２が第１容量部分３０１の幅Ｗ１よりも広い幅Ｗ２を有するように形成されることによって、光リーク電流が相対的に生じ易い画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに対する遮光性を高めることができ、ＴＦＴ３０に流れる光リーク電流を効果的に低減できる。
【００８２】
逆に言えば、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに比べて光リーク電流が相対的に発生しにくいデータ線側ＬＤＤ領域１ｂを覆う第１容量部分３０１が、第２容量部分３０２よりも狭い幅Ｗ１を有するように形成されることによって、開口率の無駄な低下を防止できる。尚、ここで「開口率」とは、開口領域及び非開口領域を加えた画素のサイズにおける開口領域の割合を意味し、開口率が大きいほど、液晶装置の表示性能が向上する。
【００８３】
図７において、走査線１１ｂは、上述したように、Ｘ方向に沿う本線部１１ｂｘと、該本線部１１ｂｘからＹ方向に沿って延在する延在部１１ｂｙ（図４参照）とを有している。延在部１１ｂｙは、データ線側ＬＤＤ領域１ｂに対向する領域を含むように形成された第１容量部分１１ｂｙ１と、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに対向する領域を含むように形成された第２容量部分１１ｂｙ２とからなる。よって、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ及び画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに下層側から入射する光を、第１容量部分１１ｂｙ１及び第２容量部分１１ｂｙ２の各々によって遮光できる。従って、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ及び画素電極側ＬＤＤ領域１ｃにおける光リーク電流の発生を低減できる。
【００８４】
更に、本実施形態では特に、走査線１１ｂにおける第２容量部分１１ｂｙ２は、第１容量部分１１ｂｙ１よりもＸ方向の幅が広くなるように構成されている。即ち、第２容量部分１１ｂｙ２のＸ方向の幅Ｗ４は、第１容量部分１１ｂｙ１のＸ方向の幅Ｗ３よりも広くなっている。よって、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに入射する光を、データ線側ＬＤＤ領域１ｂに入射する光よりも確実に遮光できる。よって、光リーク電流が相対的に生じ易い画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに対する遮光性を高めることができ、ＴＦＴ３０に流れる光リーク電流を効果的に低減できる。
【００８５】
図７及び図８に示すように、絶縁膜２には、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに沿った長手状の溝８１０が掘られている。溝８１０は、Ｙ方向に沿って延びるように形成された半導体層１ａにおける画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに沿った両側に、所定距離Ｌ１だけ離れて、Ｙ方向に沿って長手状に形成されている。溝８１０は、絶縁膜２の表面に、例えばエッチングを施すことによって形成できる。溝８１０は、絶縁膜２及び下地遮光膜１２を貫通して、走査線１１ｂ（より正確には、走査線１１ｂｙ２）の表面が露出するように形成されている。
【００８６】
更に、ゲート電極３１ａは、溝８１０内に延設された溝内部分３３を有している。より具体的には、ゲート電極３１ａ（言い換えれば、走査線１１ａの一部）は、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃの両側に沿うように延設された延設部３２ａを有しており、延設部３２ａの一部が溝８１０内に形成された溝内部分３３として形成されている。溝内部分３３は、溝８１０における半導体層１ａ側の内側壁部８１０ａ及び該内側壁部８１０ａに対向する外側壁部８１０ｃ並びに底部８１０ｂに沿って形成されている。
【００８７】
よって、溝内部分３３は、３次元的に見て、半導体層１ａにおける画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに沿った、壁状の遮光体として形成されている。従って、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに対して斜めに入射する光（即ち、Ｘ方向或いはＹ方向に沿った成分を有する光、例えば、図８中、矢印Ｐ１或いはＰ２で示す方向に沿って入射する光）を、溝内部分３３によって遮ることができる。つまり、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃの近傍に配置された壁状の遮光体として形成される溝内部分３３によって、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに対して斜めに入射する光を遮る遮光性を強化できる。この結果、画像表示におけるフリッカや画素ムラを低減できる。
【００８８】
図７及び図８において、溝内部分３３は、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃの両側に形成されている。よって、データ線側ＬＤＤ領域１ｂに比べて光リーク電流が相対的に発生しやすい傾向にある画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに対して両側から斜めに入射される光を遮光できる。つまり、溝内部分３３によって、光リーク電流が相対的に発生しやすい画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに対して、図８中、左右いずれの側から入射される光も確実に遮断できる。従って、ＴＦＴ３０における光リーク電流を効率的に且つ確実に低減できる。
【００８９】
尚、溝８１０を画素電極側ＬＤＤ領域１ｃの片側（即ち、図７中、左側又は右側）のみに設けて、溝内部分３３を画素電極側ＬＤＤ領域１ｃの片側のみに形成してもよい。この場合にも画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに対して斜めに入射する光を遮る遮光性を相応に強化できる。但し、遮光性を強化するという観点からは、本実施形態のように、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃの両側に溝内部分３３を形成することが好ましい。
【００９０】
図８に示すように、溝８１０は、絶縁膜２及び下地絶縁膜１２を貫通して、走査線１１ｂに達するまで掘られており、溝内部分３３と走査線１１ｂとは互いに電気的に接続されている。言い換えれば、溝８１０は、溝内部分３３によってゲート電極３１ａと走査線１１ｂとを互いに電気的に接続するためのコンタクトホールとして形成されている。よって、溝８１０の深さは、層間絶縁膜４１の上側表面から半導体層１ａの上側表面までの層間距離よりも大きくなっている。そして、溝内部分３３は、絶縁膜２の上側表面から半導体層１ａよりも下層側に配置された走査線１１ｂに達するように、壁状に形成されている。
【００９１】
従って、半導体層１ａに対して斜め上側から入射する光（即ち、例えば、図８中、矢印Ｐ１で示す方向に沿って入射する光、つまり、入射光のうちＸ方向或いはＹ方向成分を有する光）を確実に遮ることができると共に、半導体層１ａに対して斜め下側から入射する光（即ち、例えば、図８中、矢印Ｐ２で示す方向に沿って入射する光、つまり、戻り光のうちＸ方向或いはＹ方向成分を有する光）を遮ることができる。
【００９２】
尚、図８に示すように、ゲート電極３１ａが延設されてなる溝内部分３３は、蓄積容量７０（より具体的には、例えば第２容量部分３０２）及び走査線１１ｂ（より具体的には、第２容量部分１１ｂｙ２）と共に、積層構造において（或いは断面的に見て）画素電極側ＬＤＤ領域１ｃを囲むように形成されている。このため、溝内部分３３、蓄積容量７０及び走査線１１ｂによって、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに向かう光の大部分を遮ることができる。
【００９３】
図７に示すように、本実施形態では特に、延設部３２ａ及び画素電極側ＬＤＤ領域１ｃ間の距離αは、延設部３２ａ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅ間の距離βより長くなるように延設部３２ａが形成されている。このため、延設部３２ａによって、半導体層１ａに対して、図７中、矢印Ｐｙで示す方向に沿って入射する光をより確実に低減することができる。尚、本実施形態に係る「距離α」及び「距離β」は、夫々、本発明に係る「第１距離」及び「第２距離」の一例である。
【００９４】
ここで、図９を参照して、距離αについて説明を加える。図９は、ＴＦＴ３０におけるＶｇｓ−Ｉｄ特性の一例を示す特性図である。尚、図９において、実線ａは距離αが大きい場合を、破線ｂは距離αが小さい場合を示している。
【００９５】
図９に示すように、距離αが大きくゲートソース間電圧Ｖｇｓが負の場合、ドレイン電流Ｉｄの値は小さく、ほぼ一定である。一方、距離αが小さくゲートソース間電圧Ｖｇｓが負の場合、ドレイン電流Ｉｄの値はゲートソース間電圧Ｖｇｓの絶対値に比例して増加する。本願発明者の研究によれば、距離αが、ゲート絶縁膜（即ち、図８における絶縁膜２）の厚さの約１０倍以内である場合に、図９中、破線ｂで示すような傾向を示すことが判明している。従って、距離αを絶縁膜２の厚さの約１０倍より大きく保つことによって、ゲートソース間電圧Ｖｇｓが負の場合におけるドレイン電流Ｉｄを抑制することができ、輝点を防止することができる。
【００９６】
他方、距離βは、小さくなるほど遮光性が高くなり、画像表示におけるフリッカや画素ムラを低減できる。尚、距離βはゼロであってもよい。
【００９７】
（変形例）
次に、図１０を参照しながら、ダイクロイックミラー１１０４及びアクチュエータ１１０５の第１変形例を説明する。本実施形態に係る液晶装置の走査線及び蓄積容量の形状の変形例について説明する。ここに図１０は、図７と同趣旨の、本実施形態の変形例に係る液晶装置の走査線、及び蓄積容量を構成する一対の容量電極の平面形状を示す平面図である。
【００９８】
図１０に示すように、延設部３２ａ及び半導体層１ａ間の距離が連続的に変化しており（即ち、延設部３２ａのＸ方向の幅が連続的に変化しており）、当該液晶装置を製造する際におけるフォトリソプロセスにおいて、延設部３２ａを比較的容易に形成することができる。尚、延設部３２ａは、図１０における距離αが、絶縁膜２の厚さの約１０倍より大きくなるように形成される。
【００９９】
＜電子機器＞
次に、図１１を参照しながら、上述した電気光学装置を電子機器の一例であるプロジェクタに適用した場合を説明する。上述した電気光学装置２００における液晶パネル１００は、プロジェクタのライトバルブとして用いられている。図１１は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。
【０１００】
図１１に示すように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６および２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇに入射される。
【０１０１】
液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等の構成を有しており、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、ＲおよびＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。したがって、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。
【０１０２】
ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像に対して左右反転することが必要となる。
【０１０３】
尚、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。
【０１０４】
尚、図１１を参照して説明した電子機器の他にも、モバイル型のパーソナルコンピュータや、携帯電話、液晶テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。
【０１０５】
尚、本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨、或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置用基板、及びそのような電気光学装置用基板を備えた電気光学装置、並びにそのような電気光学装置を具備してなる電子機器もまた、本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【０１０６】
【図１】本発明の実施形態に係る液晶装置の全体構成を示す平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ´線断面図である。
【図３】本発明の実施形態に係る液晶装置の複数の画素部の等価回路図である。
【図４】本発明の実施形態に係る液晶装置の複数の画素部の平面図である。
【図５】図４のＡ−Ａ´線断面図である。
【図６】図４のＢ−Ｂ´線断面図である。
【図７】本発明の実施形態に係る液晶装置の走査線及び蓄積容量の平面図である。
【図８】図７のＣ−Ｃ´線断面図である。
【図９】本発明の実施形態に係るＴＦＴにおけるＶｇｓ−Ｉｄ特性の一例を示す特性図である。
【図１０】本発明の実施形態の変形例に係る液晶装置の走査線及び蓄積容量の平面図である。
【図１１】電気光学装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクタの構成を示す平面図である。
【符号の説明】
【０１０７】
１ａ…半導体層、１ａ´…チャネル領域、１ｂ…データ線側ＬＤＤ領域、１ｃ…画素電極側ＬＤＤ領域、１ｄ…データ線側ソースドレイン領域、１ｅ…画素電極側ソースドレイン領域、２…絶縁膜、１１、１１ａ、１１ｂ…走査線、６ａ…データ線、９ａ…画素電極、１０…ＴＦＴアレイ基板、１０ａ…画像表示領域、１２…下地絶縁膜、２０…対向基板、２１…対向電極、２３…遮光膜、３１ａ、３１ｂ…ゲート電極、３３、３５…溝内部分、４１、４２、４３…層間絶縁膜、５０…液晶層、５２…シール材、５３…額縁遮光膜、７０…蓄積容量、７１…下部容量電極、７５…誘電体膜、１０１…データ線駆動回路、１０２…外部回路接続端子、１０４…走査線駆動回路、３００…容量線、３００ａ…上部容量電極、３０１…第１容量部分、３０２…第２容量部分、８１０…溝、８１０ａ…内側壁部、８１０ｂ…底部、８１０ｃ…外側壁部
【図１】
0005292738.tif 000002
【図２】
0005292738.tif 000003
【図３】
0005292738.tif 000004
【図４】
0005292738.tif 000005
【図５】
0005292738.tif 000006
【図６】
0005292738.tif 000007
【図７】
0005292738.tif 000008
【図８】
0005292738.tif 000009
【図９】
0005292738.tif 000010
【図１０】
0005292738.tif 000011
【図１１】
0005292738.tif 000012