(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、
第１の電極、第２の電極および前記第１の電極と前記第２の電極との間に設けられた発光層を有する発光素子が設けられた素子領域と、
前記素子領域の外側に設けられた接続領域と、を備え、
前記第２の電極は、前記素子領域から前記接続領域まで延在して設けられており、
前記接続領域には、前記基板と前記第２の電極との間の第１の層に設けられた第１の導電膜および第２の導電膜と、前記第２の電極と前記第１の層との間の第２の層に設けられた第３の導電膜と、前記基板と前記第１の層との間の第３の層に設けられた第４の導電膜と、が設けられており、
前記接続領域は、第１の接続領域と、第２の接続領域と、を有し、
前記第１の導電膜は、前記第１の接続領域に設けられており、
前記第２の導電膜は、前記第２の接続領域に設けられており、
前記第３の導電膜は、前記第１の接続領域および前記第２の接続領域にわたって設けられており、
前記第１の接続領域において、前記第２の電極、前記第１の導電膜および前記第３の導電膜は、電気的に接続されており、
前記第１の導電膜と前記第２の導電膜とは、前記第４の導電膜によって電気的に接続されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項２】
前記第１の導電膜および前記第３の導電膜は、前記基板の第１の辺に沿って設けられていることを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項３】
前記第１の層と前記第２の層との間には、絶縁層が設けられており、
前記第１の導電膜と前記第３の導電膜とは、前記絶縁層に設けられたコンタクト部を介して電気的に接続されていることを特徴とする請求項１または２に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項４】
前記第２の電極と前記第３の導電膜との間には、補助配線が設けられており、
前記補助配線は、前記素子領域から前記接続領域に延在しており、
前記第１の接続領域において、前記補助配線は、前記第２の電極および前記第３の導電膜と電気的に接続していることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項５】
前記発光素子は、第１の発光素子と、第２の発光素子と、を有し、
平面視において、前記補助配線は、前記第１の発光素子と前記第２の発光素子との間に設けられていることを特徴とする請求項４に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項６】
前記第１の発光素子と前記第２の発光素子との間には、隔壁が設けられており、
前記補助配線は、前記隔壁と平面視において重なるように設けられていることを特徴とする請求項５に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項７】
前記第１の導電膜および前記第３の導電膜は、前記基板の第１の辺に沿って設けられており、
前記補助配線は、前記第１の辺と交差する第２の辺に沿って設けられていることを特徴とする請求項４乃至６のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項８】
前記補助配線は、前記第１の辺および前記第２の辺に沿って設けられていることを特徴とする請求項７に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項９】
前記第１の電極は、前記第２の層に設けられていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項１０】
前記第２の接続領域において、前記第２の導電膜および前記第３の導電膜は、端子部と電気的に接続されていることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置を備えていることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、支持基板上に有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子という）を備えた有機エレクトロルミネッセンス装置（以下、有機ＥＬ装置という）、および当該有機ＥＬ装置を備えた電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ装置は、支持基板上に複数の画素が配列された画素領域を有し、複数の画素の各々には、絶縁膜の上層側で少なくとも第１電極層、発光層、および第２電極層が順に積層された有機ＥＬ素子が形成された構造を有している。かかる有機ＥＬ装置のうち、特に有機ＥＬ素子から出射された光が第２電極層を透過して出射されるトップエミッションタイプの有機ＥＬ装置では、第２電極層に透光性が求められることから、第２電極層の膜厚が薄く、第２電極層の電気的抵抗に起因する輝度ばらつきが発生しやすい。
【０００３】
そこで、図１３（ａ）、（ｂ）に示すように、隣接する画素１００ａで挟まれた領域において、第２電極層９ａの上層側または下層側に補助配線８ａを形成することにより、第２電極層９ａの電気的抵抗に起因する輝度ばらつきを防止する技術が提案されている（例えば特許文献１参照）。
【０００４】
このような補助配線８ａおよび第２電極層９ａは、端子１０４などを介して電位が印加されるが、補助配線８ａおよび第２電極層９ａに電位を印加するための下層側導電パターン６ｓは、絶縁膜１１３の下層側で端子１０４に電気的に接続されている。このため、一般的には、絶縁膜１１３の非形成領域によってコンタクト部１１３ｒを形成し、かかるコンタクト部１１３ｒにおいて、補助配線８ａの端部を下層側導電パターン６ｓの上面に重ね、補助配線８ａが下層側導電パターン６ｓに接する構造が採用されている。
【特許文献１】特開２００３−１２３９８８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、補助配線８ａは、隣接する画素１００ａで挟まれた領域に狭い幅寸法をもって形成されていることから、補助配線８ａと下層側導電パターン６ｓとの重なり面積を広くして接続抵抗を低減するには、補助配線８ａが下層側導電パターン６ｓとの重なり部分の長さ寸法Ｌを長くする必要があるので、図１３（ａ）、（ｂ）に示す構造では、コンタクト部１１３ｒの幅寸法Ｗ50を広げる必要がある。このため、支持基板１１０ｄにおいて、画素領域１１０ａの外側には、表示に直接寄与しない周辺領域１１０ｃが広い幅寸法をもって形成されてしまい、画素領域１１０ａの面積の割りには支持基板１１０ｄが大型化してしまうという問題点がある。
【０００６】
なお、補助配線８ａを形成せず、第２電極層９ａを直接、コンタクト部１１３ｒにおいて、下層側導電パターン６ｓの上面に重ね、第２電極層９ａと下層側導電パターン６ｓとを直接、電気的に接続する場合も、上記と同様、コンタクト部１１３ｒの幅寸法Ｗ50を広げなければならないという問題点がある。
【０００７】
また、上記の問題点は、有機ＥＬ素子から出射された光を支持基板の側からボトムエミッションタイプの有機ＥＬ装置でも、第２電極層９ａの薄くて電気的抵抗が大きい場合には同様に発生する。
【０００８】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、絶縁膜の上層に形成された有機ＥＬ素子の電極層と下層側の導電膜パターンとを電気的に接続するコンタクト部を広げなくても、電極層と導電膜パターンを確実に電気的に接続することのできる有機ＥＬ装置、および当該有機ＥＬ装置を備えた電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明では、支持基板上に複数の画素が配列された画素領域を有し、前記複数の画素の各々には、絶縁膜の上層側で少なくとも第１電極層、発光層、および第２電極層が順に積層された有機ＥＬ素子が形成された有機ＥＬ装置において、前記絶縁膜の下層側には、前記第２電極層に電位を印加するための下層側導電パターンが形成され、前記絶縁膜の上層側には、前記第２電極層よりシート抵抗が小さい導電膜によって、前記第２電極層を前記下層側導電パターンに接続するための上層側導電パターンが形成されており、前記上層側導電パターンは、前記絶縁膜の非形成領域からなるコンタクト部で前記下層側導電パターンの上面に重なって当該下層側導電パターンに接するベタパターン部を備えていることを特徴とする。
上記課題を解決するために、本発明では、基板上に、第１の電極、第２の電極および前記第１の電極と前記第２の電極との間に設けられた発光層を有する発光素子が設けられた素子領域と、前記素子領域の外側に設けられた接続領域と、を備え、前記第２の電極は、前記素子領域から前記接続領域まで延在して設けられており、前記接続領域には、前記基板と前記第２の電極との間の第１の層に設けられた第１の導電膜および第２の導電膜と、前記第２の電極と前記第１の層との間の第２の層に設けられた第３の導電膜と、前記基板と前記第１の層との間の第３の層に設けられた第４の導電膜と、が設けられており、前記接続領域は、第１の接続領域と、第２の接続領域と、を有し、前記第１の導電膜は、前記第１の接続領域に設けられており、前記第２の導電膜は、前記第２の接続領域に設けられており、前記第３の導電膜は、前記第１の接続領域および前記第２の接続領域にわたって設けられており、前記第１の接続領域において、前記第２の電極、前記第１の導電膜および前記第３の導電膜は、電気的に接続されており、前記第１の導電膜と前記第２の導電膜とは、前記第４の導電膜によって電気的に接続されていることを特徴とする。
【００１０】
本発明では、絶縁膜の下層側には、第２電極層に電位を印加するための下層側導電パターンが形成され、絶縁膜の上層側には、第２電極層よりシート抵抗が小さい導電膜によって、第２電極層を下層側導電パターンに接続するための上層側導電パターンが形成されているため、下層側導電パターンおよび上層側導電パターンを介して第２電極層に電位を印加することができる。ここで、上層側導電パターンは、コンタクト部において下層側導電パターンの上面に重なるベタパターン部を備えているため、コンタクト部を過度に大きくしなくても、下層側導電パターンと上層側導電パターンとの接続抵抗が低い。また、上層側導電パターンは、絶縁膜の上層に形成されているので、第２電極層と上層側導電パターンとの直接的な接続、あるいは第２電極層と上層側導電パターンとの補助配線を介しての電気的な接続は、上層側導電パターンにおいてコンタクト部の外側でも行なうことができる。それ故、第２電極層を上層側導電パターンに直接、電気的に接続する場合、あるいは補助配線を介して第２電極層を上層側導電パターンに電気的に接続する場合のいずれにおいても、コンタクト部の面積を過度に大きくしなくても、第２電極層を下層側導電パターンに確実に電気的に接続することができるので、画素領域の外側において表示に直接、寄与しない周辺領域が狭くてよい。
【００１１】
本発明は、前記有機ＥＬ素子から出射された光が前記第２電極層を透過して出射される場合に適用すると効果的である。
本発明の別の形態では、前記第１の導電膜および前記第３の導電膜は、前記基板の第１の辺に沿って設けられている構成を採用してもよい。
本発明の別の形態では、前記第１の層と前記第２の層との間には、絶縁層が設けられており、前記第１の導電膜と前記第３の導電膜とは、前記絶縁層に設けられたコンタクト部を介して電気的に接続されている構成を採用してもよい。
本発明の別の形態では、前記第２の電極と前記第３の導電膜との間には、補助配線が設けられており、前記補助配線は、前記素子領域から前記接続領域に延在しており、前記第１の接続領域において、前記補助配線は、前記第２の電極および前記第３の導電膜と電気的に接続している構成を採用してもよい。
本発明の別の形態では、前記発光素子は、第１の発光素子と、第２の発光素子と、を有し、平面視において、前記補助配線は、前記第１の発光素子と前記第２の発光素子との間に設けられている構成を採用してもよい。
本発明の別の形態では、前記第１の発光素子と前記第２の発光素子との間には、隔壁が設けられており、前記補助配線は、前記隔壁と平面視において重なるように設けられている構成を採用してもよい。
本発明の別の形態では、前記第１の導電膜および前記第３の導電膜は、前記基板の第１の辺に沿って設けられており、前記補助配線は、前記第１の辺と交差する第２の辺に沿って設けられている構成を採用してもよい。
本発明の別の形態では、前記補助配線は、前記第１の辺および前記第２の辺に沿って設けられている構成を採用してもよい。
本発明の別の形態では、前記第１の電極は、前記第２の層に設けられている構成を採用してもよい。
本発明の別の形態では、前記第２の接続領域において、前記第２の導電膜および前記第３の導電膜は、端子部と電気的に接続されている構成を採用してもよい。
【００１２】
本発明において、前記第２電極層の下層側あるいは上層側には、当該第２電極層と接する補助配線が、隣接する前記画素の各間を通って延在しており、当該補助配線の端部は、前記上層側導電パターンの前記ベタパターン部の上面に重なって当該ベタパターン部に接していることが好ましい。
【００１３】
この場合、前記補助配線の端部には、前記補助配線より幅広の接続用電極部が形成され、前記接続用電極部が前記上層側導電パターンの前記ベタパターン部の上面に重なって当該ベタパターン部に接していることが好ましい。
【００１４】
本発明の別の形態では、前記第２電極層の下層側あるいは上層側には、当該第２電極層と接する補助配線が、隣接する前記画素の各間を通って延在しており、当該補助配線の端部には、当該補助配線と一体に前記上層側導電パターンが形成されている構成を採用してもよい。
【００１５】
本発明のさらに別の形態では、前記第２電極層の端部は、前記上層側導電パターンの前記ベタパターン部の上面に重なって当該ベタパターン部に接している構成を採用してもよい。
【００１６】
本発明において、前記上層側導電パターンは、前記第１電極層と同層に形成されてなることが好ましい。このように構成すると、新たな導電膜を追加しなくても、上層側導電パターンを形成することができる。
【００１７】
本発明を適用した有機ＥＬ装置は、モバイルコンピュータや携帯電話機などの電子機器の表示部や、画像形成装置などの電子機器の露光ヘッド、さらには、各種電子機器の光源装置などとして用いることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
図面を参照して、本発明を適用した有機ＥＬ装置について説明する。なお、以下の説明に用いる各図においては、各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各部材毎に縮尺を異ならせてある。また、各要素の対応関係が分りやすいように、以下の説明では、図１３を参照して説明した要素のうち、共通する部分には同一の符号を付して説明する。
【００１９】
［実施の形態１］
図１は、本発明を適用した有機ＥＬ装置の電気的構成を示すブロック図である。図２（ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した有機ＥＬ装置を第２基板（封止基板）の側から見た平面図、およびそのＪ−Ｊ′断面図である。
【００２０】
図１に示す有機ＥＬ装置１００においては、素子基板としての第１基板１１０上に、複数の走査線３ａと、走査線３ａに対して交差する方向に延びる複数のデータ線６ａと、走査線３ａとデータ線６ａとの交差に対応する位置に形成された画素１００ａとを有しており、複数の画素１００ａがマトリクス状に配列されている領域によって画素領域１１０ａが構成されている。
【００２１】
また、第１基板１１０上では、データ線６ａに並列して複数の電源線６ｇが延在し、走査線３ａに並列して複数の容量線３ｅが延在している。データ線６ａにはデータ線駆動回路１０１が接続され、走査線３ａには走査線駆動回路１０７が接続されている。複数の画素１００ａの各々には、走査線３ａを介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用の薄膜トランジスタ３０ｂと、このスイッチング用の薄膜トランジスタ３０ｂを介してデータ線６ａから供給される画素信号を保持する保持容量７０と、保持容量７０によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用の薄膜トランジスタ３０ｃと、この薄膜トランジスタ３０ｃを介して電源線６ｇに電気的接続したときに電源線６ｇから駆動電流が流れ込む有機ＥＬ素子１８０とが構成されている。ここで、有機ＥＬ素子１８０は各々、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の光を出射し、かかる３つの色に対応する３つの画素１００ａがサブピクセルを構成している。本形態では、同一の色に対応する画素１００ａがデータ線６ａの延在方向に直線的に並ぶストライプ配列が採用されている。
【００２２】
かかる有機ＥＬ装置１００では、走査線３ａが駆動されてスイッチング用の薄膜トランジスタ３０ｂがオンになると、そのときのデータ線６ａの電位が保持容量７０に保持され、保持容量７０が保持する電荷に応じて、駆動用の薄膜トランジスタ３０ｃのオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用の薄膜トランジスタ３０ｃのチャネルを介して、電源線６ｇから第１電極層７ａに電流が流れ、さらに有機機能層を介して第２電極層９ａに電流が流れる。その結果、有機ＥＬ素子１８０は、これを流れる電流量に応じて発光する。
【００２３】
なお、図１に示す構成では、電源線６ｇおよび容量線３ｅが各々、データ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０７から延在しているが、いずれも定電位が印加されるため、電源線６ｇおよび容量線３ｅが直接、後述する端子から延在している構成などを採用してもよい。また、図１に示す構成では、走査線３ａと並列に容量線３ｅを形成したが、容量線３ｅを形成せずに、電源線６ｇと薄膜トランジスタ３０ｂのドレインとの間に保持容量７０を形成することもできる。
【００２４】
かかる有機ＥＬ装置１００は具体的には、図２（ａ）、（ｂ）に示すように構成される。図２（ａ）、（ｂ）において、有機ＥＬ装置１００では、素子基板としての第１基板１１０と、封止基板としての機能を担う第２基板１２０とを備えており、第１基板１１０において、複数の有機ＥＬ素子１８０が形成されている面側に第２基板１２０が重ねて配置されている。第１基板１１０と第２基板１２０とは、第１シール材層１９１および第２シール材層１９２によって貼り合わされている。第１シール材層１９１は、図２（ａ）にドットを密に付した領域で示してあるように、画素領域１１０ａの周りを囲む周辺領域１１０ｃに沿って枠状に形成されている。これに対して、第２シール材層１９２は、図２（ａ）にドットを疎に付した領域で示してあるように、第１シール材層１９１で囲まれた領域の全体にわたって形成されている。
【００２５】
本形態では、第１基板１１０において、第２基板１２０からの張り出し領域１１０ｆには端子１０２、１０３が形成されており、図１に示すデータ線駆動回路１０１や走査線駆動回路１０７を内蔵する駆動用ＩＣが実装されたフレキシブル基板（図示せず）が接続される。また、第１基板１１０において、張り出し領域１１０ｆには端子１０４が形成されており、かかる端子１０４は、第２電極層９ａに対する給電端子として利用される。
【００２６】
（有機ＥＬ素子の構成）
図３（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態１に係る有機ＥＬ装置の断面構成を模式的に示す断面図、および第１基板１１０の平面構成を模式的に示す説明図であり、図３（ａ）は、図３（ｂ）のＫ−Ｋ′線に相応する位置に沿って有機ＥＬ装置を切断したときの断面図に相当する。このため、図３（ａ）には、有機ＥＬ素子として、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）に対応する有機ＥＬ素子を１つずつ示し、青色（Ｂ）に対応する有機ＥＬ素子については２つ示してある。図４（ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した有機ＥＬ装置の相隣接する画素２つ分の平面図、および画素１つ分の断面図である。図４（ｂ）は図４（ａ）のＢ−Ｂ′線における断面図であり、図４（ａ）では、第１電極層７ａは長い点線で示し、データ線６ａおよびそれと同時形成された薄膜は一点鎖線で示し、走査線３ａは実線で示し、半導体層は短い点線で示してある。また、図４（ａ）では、補助配線に右上がりの斜線を付してある。
【００２７】
図３（ａ）に示すように、第１基板１１０は、石英基板、ガラス基板、セラミック基板、金属基板などからなる支持基板１１０ｄを備えている。支持基板１１０ｄの表面には、絶縁膜１１１、１１２、１１３、１１４、１１５が形成され、絶縁膜１１５の上層に赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の光を出射する有機ＥＬ素子１８０（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）が形成されている。本形態の有機ＥＬ装置１００は、トップエミッション型であり、矢印Ｌ１で示すように、支持基板１１０ｄからみて有機ＥＬ素子１８０（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）が形成されている側から光を取り出すので、支持基板１１０ｄとしては、アルミナなどのセラミックス、ステンレススチールなどといった不透明な基板を用いることができる。これに対して、第２基板２１０は石英基板やガラス基板などといった透光性基板が用いられる。なお、有機ＥＬ装置１００をボトムエミッション型で構成した場合、支持基板１１０ｄの側から光を取り出すので、支持基板１１０ｄとしては、ガラスなどの透明基板が用いられる。絶縁膜１１１、１１２、１１３、１１５は、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などにより形成された酸化シリコン膜や窒化シリコン膜などから形成され、絶縁膜１１４は、厚さが１．５〜２．０μｍの厚い感光性樹脂からなる平坦化膜として形成されている。
【００２８】
図４（ａ）、（ｂ）に示すように、絶縁膜１１１、１１２、１１３、１１４の層間などを利用して、有機ＥＬ素子１８０（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）に対する通電を制御する薄膜トランジスタや配線が形成されている。すなわち、第１基板１１０上には、マトリクス状に複数の透明な第１電極層７ａ（画素電極／陽極／長い点線で囲まれた領域）が画素１００ａ毎に島状に形成され、第１電極層７ａの縦横の境界領域に沿ってデータ線６ａ（一点鎖線で示す領域）、電源線６ｇ（一点鎖線で示す領域）、走査線３ａ（実線で示す領域）および容量線３ｅ（実線で示す領域）が形成されている。
【００２９】
第１基板１１０では、その基体たる支持基板１１０ｄの表面側に、第１電極層７ａに対応する領域に薄膜トランジスタ３０ｃが形成されている。薄膜トランジスタ３０ｃは、島状の半導体層１ａに対して、チャネル領域１ｇ、ソース領域１ｈ、およびドレイン領域１ｉが形成されている。半導体層１ａの表面側には絶縁膜１１１（ゲート絶縁層）が形成されており、絶縁膜１１１の表面にゲート電極３ｆが形成されている。かかるゲート電極３ｆは、薄膜トランジスタ３０ｂのドレインに電気的接続されている。なお、薄膜トランジスタ３０ｂの基本的な構成は、薄膜トランジスタ３０ｃと同様であるため、説明を省略する。
【００３０】
薄膜トランジスタ３０ｃの上層側には、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜からなる絶縁膜１１２、１１３や、厚さが１．５〜２．０μｍの厚い感光性樹脂からなる絶縁膜１１４（平坦化膜）、シリコン窒化膜などからなる絶縁膜１１５が形成されている。絶縁膜１１２の表面（絶縁膜１１２、１１３の層間）には、データ線６ａ（図４（ｂ）には図示せず）、電源線６ｇおよびドレイン電極６ｈが形成され、電源線６ｇは、絶縁膜１１２に形成されたコンタクトホール１１２ｇを介してソース領域１ｈに電気的接続している。また、ドレイン電極６ｈは、絶縁膜１１２に形成されたコンタクトホール１１２ｈを介してドレイン領域１ｉに電気的接続している。本形態において、データ線６ａ、電源線６ｇ、ドレイン電極６ｈは、モリブデン膜、アルミニウム膜、チタン膜、タングステン膜、タンタル膜、クロム膜などの金属単体膜、あるいはそれらの積層膜からなる。
【００３１】
絶縁膜１１５の表面にはＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）などの透光性導電膜からなる第１電極層７ａが形成されており、第１電極層７ａは、絶縁膜１１３、１１４、１１５に形成されたコンタクトホール１１４ｇ、１１５ｇを介してドレイン電極６ｈに電気的接続している。第１電極層７ａを構成するＩＴＯなどの酸化物材料についてはＥＣＲプラズマスパッタ法やプラズマガン方式イオンプレーティング法、マグネトロンスパッタ法などの高密度プラズマ成膜法により形成することができる。
【００３２】
絶縁膜１１４、１１５の層間には、真空蒸着法などにより形成されたアルミニウム、銀、それらの合金からなる光反射層５ａが形成されており、有機ＥＬ素子１８０（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）から支持基板１１０ｄに向けて出射された光を光反射層５ａで反射することにより、光を出射可能である。また、第１電極層７ａの上層には、発光領域を規定するための開口部を備えた感光性樹脂などからなる厚い隔壁１５１が形成されている。
【００３３】
第１電極層７ａの上層には、正孔注入層１８１、正孔輸送層１８２、各色の発光層１８３（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）、電子輸送層１８４などの有機機能層が形成され、かかる有機機能層の上層に、ＬｉＦからなる電子注入層１７０と、ＡｌやＭｇＡｇなどの薄膜金属からなる第２電極層９ａ（陰極）が積層されている。正孔注入層１８１は、トリアリールアミン（ＡＴＰ）多量体などからなり、正孔輸送層１８２は、ＴＰＤ（トリフェニルジアミン）などからなる。発光層１８３（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）は、アントラセン系ドーパントやルブレン系ドーパントなどを含むスチリルアミン系材料（ホスト）などからなり、電子輸送層１８４は、アルミニウムキノリノール（Ａｌｑ3）などからなる。このようにして、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の光を出射する有機ＥＬ素子１８０（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）が形成されている。これらの層（正孔注入層１８１、正孔輸送層１８２、発光層１８３（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）、電子輸送層１８４、電子注入層１７０、第２電極層９ａ）はいずれも、真空蒸着法で順次形成することができる。その際、メタルマスクやシリコンマスクなどを用いたマスク蒸着を行なう。
【００３４】
なお、有機ＥＬ素子は、白色光、または赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の混合色光を出射するように構成される場合があり、このような場合、第２基板１２０において、有機ＥＬ素子と対向する位置に赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）のカラーフィルタ層を形成して色変換を行なえば、フルカラー表示を行なうことができる。
【００３５】
このように構成した有機ＥＬ装置１００において、有機機能層（正孔注入層１８１、正孔輸送層１８２、発光層１８３（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）、電子輸送層１８４）は、水分により劣化しやすく、かかる劣化は、電子注入効果の劣化などを惹き起こし、ダークスポットと呼ばれる非発光部分を発生させてしまう。そこで、本形態では、図３（ａ）を参照して以下に説明するように、透光性の第２基板１２０を封止基板として第１基板１１０と貼り合せた構成と、第１基板１１０に対して以下に説明する封止膜６０を形成した構成とを併用する。
【００３６】
まず、第１基板１１０には、第２電極層９ａの上層に画素領域１１０ａよりも広い領域にわたって封止膜６０が形成されている。かかる封止膜６０として、本形態では、第２電極層９ａ上に積層されたシリコン化合物層からなる第１膜６１、この第１膜６１上に積層された樹脂層からなる第２膜６２、およびこの第２膜６２上に積層されたシリコン化合物からなる第３膜６３を備えた積層膜が用いられている。ここで、第１膜６１および第３膜６３は、高密度プラズマ源を用いた高密度プラズマ気相成長法、例えば、ブラズマガン方式イオンプレーティング、ＥＣＲプラズマスパッタなどを用いて蒸着されたシリコン窒化物（ＳｉＮx）やシリコン酸窒化物（ＳｉＯxＮy）などから構成されており、かかる薄膜は、低温で蒸着しても水分を確実に遮断する高密度ガスバリア層として機能する。また、第２膜６２は、樹脂層から構成されており、隔壁５１や配線などに起因する表面凹凸を平坦化して第１膜６１および第３膜６３にクラックが発生するのを防止する有機緩衝層として機能している。
【００３７】
次に、第１基板１１０と第２基板１２０との間では、周辺領域１１０ｃに沿って第１シール材層１９１が矩形枠状に形成されている。また、第１シール材層１９１で囲まれた領域の全体にわたって透光性の第２シール材層１９２が形成され、第１基板１１０と第２基板１２０とは、第１シール材層１９１および第２シール材層１９２によって貼り合わされている。本形態において、第１シール材層１９１には、紫外線によって硬化するエポキシ系接着剤が用いられている。第２シール材層１９２には、熱によって硬化するエポキシ系接着剤が用いられている。
【００３８】
（補助配線の構成）
図３（ａ）および図４（ａ）、（ｂ）に示すように、本形態の有機ＥＬ装置１００において、第２電極層９ａは、複数の画素１００ａに跨るようにマスク蒸着形成された薄膜によって形成されており、かかる第２電極層９ａの電気的抵抗が高い場合や、電気的抵抗が場所によってばらついた場合、有機ＥＬ装置１００では輝度ばらつきが発生してしまう。特に、本形態の有機ＥＬ装置１００は、有機ＥＬ素子１８０から出射された光を第２電極層９ａを透過させて出射するトップエミッションタイプであるため、第２電極層９ａに透光性が求められる。このため、第２電極層９ａの膜厚が薄いので、第２電極層９ａには場所毎に電気的抵抗がばらつき、かかる電気的抵抗のばらつきは、有機ＥＬ装置１００において輝度ばらつきの原因となる。
【００３９】
そこで、本形態では、図３（ａ）、（ｂ）および図４（ａ）、（ｂ）に示すように、支持基板１１０ｄ上において、一方向に延在する複数本の補助配線８ａが第２電極層９ａの下層側にマスク蒸着により形成されており、かかる補助配線８ａは第２電極層９ａと直接、接している。ここで、補助配線８ａは、隔壁１５１の上面部に形成されており、隣接する画素１００ａの各間を通って一方向に延在している。本形態において、補助配線８ａは、同一の色に対応する画素１００ａの間を通っているため、走査線３ａと並列するように延在している。また、補助配線８ａは、隣接する画素１００ａの間を通っているため、透光性が求められない。このため、補助配線８ａは、第２電極層９ａよりも膜厚が厚く、かつ、使用できる材料にも大きな制約がない。従って、補助配線８ａについては、アルミニウムや銀など、第２電極層９ａと同一の金属材料を用いることができる他、モリブデン膜、チタン膜、銅膜、タングステン膜、タンタル膜、クロム膜などの金属単体膜、あるいはそれらの積層膜などを用いることもできる。
【００４０】
本形態では、図３（ｂ）に示すように、複数本の補助配線８ａは、互いに独立して形成され、各々の端部が画素領域１１０ａの外側（周辺領域１１０ｃ）まで延在している。本形態において、補助配線８ａの幅寸法は１５μｍ程度である。
【００４１】
（第２電極層９ａと端子１０４との電気的接続構造）
図５（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態１に係る有機ＥＬ装置において、第１基板１１０上において端子と補助配線（第２電極層）との電気的な接続部分の平面構造を模式的に示す説明図、およびその断面構造を示すＳ１−Ｓ１′断面図である。なお、図５（ａ）には、多数本の補助配線のうち、３本の補助配線のみを図示するとともに、図５（ｂ）には、封止用の樹脂層や第２基板などの図示は省略してある。また、図３（ｂ）および図５（ａ）では、第１電極層７ａと同時形成された膜（上層側導電パターンなど）は長い点線で示し、データ線６ａと同時形成された膜（下層側導電パターンなど）は一点鎖線で示し、補助配線８ａは実線で示し、コンタクト部は太くて短い点線で示し、画素領域１１０ａは、細くて短い点線で示し、第２電極層９ａは二点鎖線で示してある。
【００４２】
図３（ｂ）および図５（ａ）、（ｂ）に示すように、本形態の有機ＥＬ装置１００においては、補助配線８ａを端子１０４に電気的に接続して、第２電極層９ａを補助配線８ａを介して端子１０４に電気的に接続した構造が採用されている。かかる構成を実現するにあたって、本形態では、まず、端子１０４の近傍において、絶縁膜１１１、１１２の層間には、走査線３ａと同層の導電膜３ｖが形成され、絶縁膜１１２、１１３の層間には、データ線６ａと同層の下層側導電パターン６ｓおよび下層側導電膜６ｔが形成されている。下層側導電パターン６ｓおよび下層側導電膜６ｔは各々、絶縁膜１１２に形成されたコンタクトホール１１２ｓ、１１２ｔを介して導電膜３ｖの電気的に接続しており、下層側導電パターン６ｓおよび下層側導電膜６ｔは導電膜３ｖを介して電気的に接続されている。
【００４３】
下層側導電膜６ｔは、その上層側に端子１０４を形成するのに用いられ、下層側導電パターン６ｓは、第２電極層９ａおよび補助配線８ａを端子１０４に電気的に接続するための下層側導電パターンとして利用される。このため、絶縁膜１１３、１１５において、下層側導電膜６ｔの端部に平面的に重なる部分にはコンタクトホール１１５ｔが形成されており、絶縁膜１１５の上層には、第１電極層７ａと同時形成されたＩＴＯ膜などからなる上層側導電膜７ｔが形成されている。このようにして端子１０４が構成されている。
【００４４】
また、絶縁膜１１３、１１５において、下層側導電パターン６ｓと平面的に重なる部分には、絶縁膜１１３、１１５の除去部分（非形成領域）からなるコンタクト部１１５ｓが形成されており、かかるコンタクト部１１５ｓは、画素領域１１０ａの辺に沿って延在する大きなコンタクトホールである。絶縁膜１１５の上層には、第１電極層７ａと同時形成されたＩＴＯ膜などからなる上層側導電パターン７ｓが形成されている。かかる上層側導電パターン７ｓは、下層側導電パターン６ｓの形成領域、導電膜３ｖの形成領域、および下層側導電パターン６ｓの形成領域に沿って端子１０４の形成領域まで延在し、上層側導電膜７ｔに繋がっている。このため、上層側導電パターン７ｓは、絶縁膜１１５の下層側に形成された下層側導電パターン６ｓ、導電膜３ｖ、および下層側導電膜６ｔを介して端子１０４に電気的に接続しているとともに、上層側導電パターン７ｓと一体に形成された上層側導電膜７ｔを介して絶縁膜１１５の上層も端子１０４に電気的に接続している。
【００４５】
ここで、上層側導電パターン７ｓは、コンタクト部１１５ｓの形成領域を含む広い領域にわたって形成されたベタパターン部７ｐを備えており、かかるベタパターン部７ｐの上面には複数の補助配線８ａの端部８ｓが各々、重なっている。従って、複数の補助配線８ａは各々、コンタクト部１１５ｓの内側で上層側導電パターン７ｓに接している。また、複数の補助配線８ａの端部８ｓは各々、絶縁膜１１５の上層側（コンタクト部１１５ｓの外側）でも、コンタクト部１１５ｓと画素領域１１０ａとによって挟まれた領域で、上層側導電パターン７ｓのベタパターン部７ｐの上面に重なり、上層側導電パターン７ｓに接している。このため、補助配線８ａは、上層側導電パターン７ｓと、下層側導電パターン６ｓ、導電膜３ｖ、および下層側導電膜６ｔを介して絶縁膜１１５の下層側で端子１０４に電気的に接続しているとともに、上層側導電パターン７ｓおよび上層側導電膜７ｔを介して絶縁膜１１５の上層側でも端子１０４に電気的に接続している。
【００４６】
さらに、本形態では、第２電極層９ａは、コンタクト部１１５ｓの形成領域まで延在している。このため、第２電極層９ａの端部９ｓは、コンタクト部１１５ｓの内側領域、およびコンタクト部１１５ｓの外側でも、補助配線８ａの端部８ｓの上面に重なって、補助配線８ａの端部８ｓに接しているとともに、補助配線８ａの端部８ｓが存在しない領域では、上層側導電パターン７ｓのベタパターン部７ｐの上面に重なり、上層側導電パターン７ｓに接している。
【００４７】
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態では、複数の画素１００ａに跨るように形成された第２電極層９ａの下層側に、第２電極層９ａと接する複数本の補助配線８ａが一方向に延在しているため、第２電極層９ａの電気的抵抗が高いのを補助配線８ａによって補うことができるとともに、第２電極層９ａの電気的抵抗の場所毎のばらつきを補助配線８ａによって吸収することができる。それ故、有機ＥＬ装置１００の輝度ばらつきを解消することができる。
【００４８】
また、本形態では、絶縁膜１１５の下層側には、第２電極層９ａに電位を印加するための下層側導電パターン６ｓが形成され、絶縁膜１１５の上層側には、第２電極層９ａよりシート抵抗が小さい導電膜によって、第２電極層９ａを下層側導電パターン６ｓに接続するための上層側導電パターン７ｓが形成されているため、端子１０４からは下層側導電パターン６ｓおよび上層側導電パターン７ｓを介して補助配線８ａおよび第２電極層９ａに電位を印加することができる。ここで、上層側導電パターン７ｓは、コンタクト部１１５ｓにおいて下層側導電パターン６ｓの上面に重なるベタパターン部７ｐを備えているため、コンタクト部１１５ｓが狭くても、下層側導電パターン６ｓと上層側導電パターン７ｓとの接続抵抗が低い。
【００４９】
また、上層側導電パターン７ｓは、絶縁膜１１５の上層に形成されているので、上層側導電パターン７ｓと補助配線８ａとの電気的な接続は、上層側導電パターン７ｓにおいてコンタクト部１１５ｓの外側でも行なうことができ、上層側導電パターン７ｓと補助配線８ａとが十分に広い面積で接している構造を実現することができる。それ故、コンタクト部１１５ｓの面積を過度に大きくしなくても、第２電極層９ａを補助配線８ａを介して下層側導電パターン６ｓに確実に電気的に接続することができるので、画素領域１１０ａの外側において表示に直接、寄与しない周辺領域１１０ｃが狭くてよい。
【００５０】
さらに、上層側導電パターン７ｓは、第１電極層７ａと同時形成されてなるため、新たな導電膜を追加しなくても、上層側導電パターン７ｓを形成することができる。
【００５１】
［実施の形態２］
図６（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態２に係る有機ＥＬ装置の断面構成を模式的に示す断面図、および第１基板１１０の平面構成を模式的に示す説明図であり、実施の形態１で参照した図３（ａ）、（ｂ）に対応する。図７（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態２に係る有機ＥＬ装置において、第１基板１１０上において端子と補助配線（第２電極層）との電気的な接続部分の平面構造を模式的に示す説明図、およびその断面構造を示すＳ２−Ｓ２′断面図であり、実施の形態１で参照した図５（ａ）、（ｂ）に対応する。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
【００５２】
図６（ａ）、（ｂ）および図７（ａ）、（ｂ）に示すように、本形態の有機ＥＬ装置１００においても、実施の形態１と同様、支持基板１１０ｄ上において、一方向に延在する複数本の補助配線８ａが第２電極層９ａの下層側に形成されており、かかる補助配線８ａは第２電極層９ａと直接、接している。また、本形態においても、実施の形態１と同様、補助配線８ａを端子１０４に電気的に接続するにあたって、下層側導電パターンとしての下層側導電パターン６ｓと平面的に重なる部分には、絶縁膜１１３、１１５の除去部分（非形成領域）からなるコンタクト部１１５ｓが形成されており、かかるコンタクト部１１５ｓは、画素領域１１０ａの辺に沿って延在する大きなコンタクトホールである。さらに、本形態においても、実施の形態１と同様、絶縁膜１１５の上層には、ベタパターン部７ｐを備えた上層側導電パターン７ｓが形成されており、上層側導電パターン７ｓのベタパターン部７ｐは、コンタクト部１１５ｓの内側で、下層側導電パターンとしての下層側導電パターン６ｓの上面に重なって下層側導電パターン６ｓに接している。
【００５３】
このように構成した有機ＥＬ装置１００において、実施の形態１では、補助配線８ａの端部８ｓは、幅寸法が細いまま、上層側導電パターン７ｓのベタパターン部７ｐの上面に重なっていたが、本形態において、補助配線８ａの端部８ｓは、複数本の補助配線８ａの端部８ｓ同士が繋がって、補助配線８ａより幅広の接続用電極部８ｒがベタ状に形成されており、かかる接続用電極部８ｒがコンタクト部１１５ｓの内側で上層側導電パターン７ｓに重なって上層側導電パターン７ｓに接している。また、補助配線８ａの端部８ｓ（接続用電極部８ｒ）は、絶縁膜１１５の上層側（コンタクト部１１５ｓの外側）でも、コンタクト部１１５ｓと画素領域１１０ａとによって挟まれた領域で、上層側導電パターン７ｓのベタパターン部７ｐの上面に重なり、上層側導電パターン７ｓに接している。
【００５４】
なお、本形態でも、実施の形態１と同様、第２電極層９ａは、コンタクト部１１５ｓの形成領域まで延在している。このため、第２電極層９ａの端部９ｓは、コンタクト部１１５ｓの形成領域、およびコンタクト部１１５ｓの外側でも、補助配線８ａの端部８ｓ（接続用電極部８ｒ）の上面に重なって、補助配線８ａの端部８ｓに接している。
【００５５】
このように本形態でも、実施の形態１と同様、絶縁膜１１５の上層側には、第２電極層９ａよりシート抵抗が小さい導電膜によって、第２電極層９ａを下層側導電パターン６ｓに接続するための上層側導電パターン７ｓが形成されているため、端子１０４から下層側導電パターン６ｓおよび上層側導電パターン７ｓを介して補助配線８ａおよび第２電極層９ａに電位を印加することができる。ここで、上層側導電パターン７ｓは、コンタクト部１１５ｓにおいて下層側導電パターン６ｓの上面に重なるベタパターン部７ｐを備えているため、コンタクト部１１５ｓが狭くても、下層側導電パターン６ｓと上層側導電パターン７ｓとの接続抵抗が低い。また、上層側導電パターン７ｓは、絶縁膜１１５の上層に形成されているので、上層側導電パターン７ｓと補助配線８ａとの電気的な接続は、上層側導電パターン７ｓにおいてコンタクト部１１５ｓの外側でも行なうことができ、上層側導電パターン７ｓと補助配線８ａとが十分に広い面積で接している構造を実現することができる。
【００５６】
しかも、本形態では、補助配線８ａの端部８ｓは、複数本の補助配線８ａの端部８ｓ同士が繋がって、補助配線８ａより幅広の接続用電極部８ｒがベタ状に形成されており、かかる接続用電極部８ｒが上層側導電パターン７ｓに重なって上層側導電パターン７ｓに接している。このため、補助配線８ａの端部８ｓと上層側導電パターン７ｓとの接触面積が広いので、コンタクト部１１５ｓの面積を過度に大きくしなくても、第２電極層９ａを補助配線８ａを介して下層側導電パターン６ｓに確実に電気的に接続することができるので、画素領域１１０ａの外側において表示に直接、寄与しない周辺領域１１０ｃが狭くてよい。
【００５７】
［実施の形態３］
図８（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態３に係る有機ＥＬ装置の断面構成を模式的に示す断面図、および第１基板１１０の平面構成を模式的に示す説明図であり、実施の形態１で参照した図３（ａ）、（ｂ）に対応する。図９（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態３に係る有機ＥＬ装置において、第１基板１１０上において端子と補助配線（第２電極層）との電気的な接続部分の平面構造を模式的に示す説明図、およびその断面構造を示すＳ３−Ｓ３′断面図であり、実施の形態１で参照した図５（ａ）、（ｂ）に対応する。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１、２と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
【００５８】
図８（ａ）、（ｂ）および図９（ａ）、（ｂ）に示すように、本形態の有機ＥＬ装置１００においても、実施の形態１と同様、支持基板１１０ｄ上において、一方向に延在する複数本の補助配線８ａが第２電極層９ａの下層側に形成されており、かかる補助配線８ａは第２電極層９ａと直接、接している。また、本形態においても、実施の形態１と同様、補助配線８ａを端子１０４に電気的に接続するにあたって、下層側導電パターンとしての下層側導電パターン６ｓと平面的に重なる部分には、絶縁膜１１３、１１５の除去部分（非形成領域）からなるコンタクト部１１５ｓが形成されており、かかるコンタクト部１１５ｓは、画素領域１１０ａの辺に沿って延在する大きなコンタクトホールである。
【００５９】
このように構成した有機ＥＬ装置１００において、本形態では、実施の形態２と同様、補助配線８ａの端部８ｓは、複数本の補助配線８ａの端部８ｓ同士が繋がって、補助配線８ａより幅広の接続用電極部８ｒがベタ状に形成されている。そこで、本形態では、実施の形態１、２と違って、補助配線８ａの幅広の接続用電極部８ｒが上層側導電パターンのベタパターン部として利用されており、図５および図７に示す上層側導電パターン７ｓが形成されていない。このため、本形態では、補助配線８ａの接続用電極部８ｒ自身がコンタクト部１１５ｓの内側で下層側導電パターン６ｓに重なって下層側導電パターン６ｓに接している。
【００６０】
なお、本形態でも、実施の形態１と同様、第２電極層９ａは、コンタクト部１１５ｓの形成領域まで延在している。このため、第２電極層９ａの端部９ｓは、コンタクト部１１５ｓの形成領域、およびコンタクト部１１５ｓの外側でも、補助配線８ａの端部８ｓ（接続用電極部８ｒ）の上面に重なって、補助配線８ａの端部８ｓに接している。
【００６１】
このように本形態でも、実施の形態１と同様、絶縁膜１１５の上層側において、第２電極層９ａよりシート抵抗が小さい導電膜により形成された補助配線８ａのベタ状の接続用電極部８ｒが、コンタクト部１１５ｓの内側および外側で下層側導電パターン６ｓの上面に重なって接している。このため、コンタクト部１１５ｓが狭くても、下層側導電パターン６ｓと補助配線８ａとの接続抵抗が低い。それ故、コンタクト部１１５ｓの面積を過度に大きくしなくても、第２電極層９ａを補助配線８ａを介して下層側導電パターン６ｓに確実に電気的に接続することができるので、画素領域１１０ａの外側において表示に直接、寄与しない周辺領域１１０ｃが狭くてよい。
【００６２】
［実施の形態４］
図１０（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態４に係る有機ＥＬ装置の断面構成を模式的に示す断面図、および第１基板１１０の平面構成を模式的に示す説明図であり、実施の形態１で参照した図３（ａ）、（ｂ）に対応する。図１１（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態４に係る有機ＥＬ装置において、第１基板１１０上において端子と第２電極層との電気的な接続部分の平面構造を模式的に示す説明図、およびその断面構造を示すＳ４−Ｓ４′断面図であり、実施の形態１で参照した図５（ａ）、（ｂ）に対応する。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１、２と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
【００６３】
図１０（ａ）、（ｂ）および図１１（ａ）、（ｂ）に示すように、本形態の有機ＥＬ装置１００においては、実施の形態１〜３と違って、補助配線８ａが形成されていない。但し、本形態においても、実施の形態１と同様、第２電極層９ａを端子１０４に電気的に接続するにあたって、下層側導電パターンとしての下層側導電パターン６ｓと平面的に重なる部分には、絶縁膜１１３、１１５の除去部分（非形成領域）からなるコンタクト部１１５ｓが形成されており、かかるコンタクト部１１５ｓは、画素領域１１０ａの辺に沿って延在する大きなコンタクトホールである。さらに、本形態においても、実施の形態１と同様、絶縁膜１１５の上層には、ベタパターン部７ｐを備えた上層側導電パターン７ｓが形成されており、上層側導電パターン７ｓのベタパターン部７ｐは、コンタクト部１１５ｓの内側で、下層側導電パターンとしての下層側導電パターン６ｓの上面に重なって下層側導電パターン６ｓに接している。
【００６４】
このように構成した有機ＥＬ装置１００において、本形態では、第２電極層９ａの端部９ｓは、コンタクト部１１５ｓの内側で上層側導電パターン７ｓに重なって上層側導電パターン７ｓに接している。また、第２電極層９ａの端部９ｓは、絶縁膜１１５の上層側（コンタクト部１１５ｓの外側）でも、コンタクト部１１５ｓと画素領域１１０ａとによって挟まれた領域で、上層側導電パターン７ｓのベタパターン部７ｐの上面に重なり、上層側導電パターン７ｓに接している。
【００６５】
このため、本形態でも、絶縁膜１１５の上層側には、第２電極層９ａよりシート抵抗が小さい導電膜によって、第２電極層９ａを下層側導電パターン６ｓに接続するための上層側導電パターン７ｓが形成されているため、下層側導電パターン６ｓおよび上層側導電パターン７ｓを介して第２電極層９ａに電位を印加することができる。ここで、上層側導電パターン７ｓは、コンタクト部１１５ｓにおいて下層側導電パターン６ｓの上面に重なるベタパターン部７ｐを備えているため、コンタクト部１１５ｓが狭くても、下層側導電パターン６ｓと上層側導電パターン７ｓとの接続抵抗が低い。また、上層側導電パターン７ｓは、絶縁膜１１５の上層に形成されているので、上層側導電パターン７ｓと第２電極層９ａとの電気的な接続は、上層側導電パターン７ｓにおいてコンタクト部１１５ｓの外側でも行なうことができ、上層側導電パターン７ｓと第２電極層９ａとが十分に広い面積で接している構造を実現することができる。それ故、コンタクト部１１５ｓの面積を過度に大きくしなくても、第２電極層９ａを下層側導電パターン６ｓに確実に電気的に接続することができるので、画素領域１１０ａの外側において表示に直接、寄与しない周辺領域１１０ｃが狭くてよい。
【００６６】
［他の実施の形態］
上記実施の形態１、２、４では、上層側導電パターン７ｓを第１電極層７ａと同時形成したが、第２電極層９ａよりシート抵抗が小さな導電膜であれば、第１電極層７ａと別工程で形成した導電膜を用いてもよい。
【００６７】
上記実施の形態１、２、４では、上層側導電パターン７ｓが、端子１０４を構成する上層側導電膜７ｔと繋がっている構成を採用したが、上層側導電パターン７ｓと上層側導電膜７ｔとが分離されている構成を採用してもよい。
【００６８】
上記実施の形態１〜４では、下層側導電パターン６ｓおよび下層側導電膜６ｔが導電膜３ｖを経由して電気的に接続している構成を採用したが、下層側導電パターン６ｓがコンタクト部１１５ｓから端子１０４の形成位置まで一体に延在している構成を採用してもよい。
【００６９】
上記実施の形態１〜３では、補助配線８ａを第２電極層９ａの下層側に形成したが、補助配線８ａが第２電極層９ａの上層側に形成された有機ＥＬ装置に本発明を適用してもよい。
【００７０】
上記実施の形態１〜４では、真空蒸着法により形成された有機機能層を検査対象としたが、インクジェット法などで形成した有機機能層を備えた有機ＥＬ装置に本発明を適用してもよい。すなわち、有機ＥＬ素子の正孔注入層を形成するにあたっては、３，４−ポリエチレンジオシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）などを溶媒に溶かした液状組成物をドット状に吐出した後、それを定着する方法が採用される場合があり、かかる方法を採用した場合に本発明を適用してもよい。また、有機ＥＬ素子の発光層を形成するにあたっては、ポリフルオレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体、またはこれらの高分子材料にペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、例えばルブレン、ペリレン、ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等をドープした材料などを溶媒に溶かした液状組成物をドット状に吐出した後、それを定着する方法が採用される場合があり、かかる方法を採用した場合に本発明を適用してもよい。
【００７１】
上記実施の形態では、本発明を適用した有機ＥＬ装置１００としてトップエミッション型の有機ＥＬ装置を説明したが、ボトムエミッション型の有機ＥＬ装置に本発明を適用してもよい。
【００７２】
［電子機器への搭載例］
次に、上述した実施形態に係る有機ＥＬ装置１００を適用した電子機器について説明する。図１２（ａ）に、有機ＥＬ装置１００を備えたモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す。パーソナルコンピュータ２０００は、表示ユニットとしての有機ＥＬ装置１００と本体部２０１０を備える。本体部２０１０には、電源スイッチ２００１及びキーボード２００２が設けられている。図１２（ｂ）に、有機ＥＬ装置１００を備えた携帯電話機の構成を示す。携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１及びスクロールボタン３００２、並びに表示ユニットとしての有機ＥＬ装置１００を備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、有機ＥＬ装置１００に表示される画面がスクロールされる。図１２（ｃ）に、有機ＥＬ装置１００を適用した情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）の構成を示す。情報携帯端末４０００は、複数の操作ボタン４００１及び電源スイッチ４００２、並びに表示ユニットとしての有機ＥＬ装置１００を備える。電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が有機ＥＬ装置１００に表示される。
【００７３】
なお、有機ＥＬ装置１００が適用される電子機器としては、図１２に示すものの他、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示部として、前述した有機ＥＬ装置１００が適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】本発明を適用した有機ＥＬ装置の電気的構成を示すブロック図である。
【図２】（ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した有機ＥＬ装置を第２基板（封止基板）の側から見た平面図、およびそのＪ−Ｊ′断面図である。
【図３】（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態１に係る有機ＥＬ装置の断面構成を模式的に示す断面図、および第１基板の平面構成を模式的に示す説明図である。
【図４】（ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した有機ＥＬ装置の相隣接する画素２つ分の平面図、および画素１つ分の断面図である。
【図５】（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態１に係る有機ＥＬ装置において、第１基板上において端子と補助配線（第２電極層）との電気的な接続部分の平面構造を模式的に示す説明図、およびその断面構造を示すＳ１−Ｓ１′断面図である。
【図６】（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態２に係る有機ＥＬ装置の断面構成を模式的に示す断面図、および第１基板の平面構成を模式的に示す説明図である。
【図７】（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態２に係る有機ＥＬ装置において、第１基板上において端子と補助配線（第２電極層）との電気的な接続部分の平面構造を模式的に示す説明図、およびその断面構造を示すＳ２−Ｓ２′断面図である。
【図８】（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態３に係る有機ＥＬ装置の断面構成を模式的に示す断面図、および第１基板の平面構成を模式的に示す説明図である。
【図９】（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態３に係る有機ＥＬ装置において、第１基板上において端子と補助配線（第２電極層）との電気的な接続部分の平面構造を模式的に示す説明図、およびその断面構造を示すＳ３−Ｓ３′断面図である。
【図１０】（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態４に係る有機ＥＬ装置の断面構成を模式的に示す断面図、および第１基板の平面構成を模式的に示す説明図である。
【図１１】（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態４に係る有機ＥＬ装置において、第１基板上において端子と第２電極層との電気的な接続部分の平面構造を模式的に示す説明図、およびその断面構造を示すＳ４−Ｓ４′断面図である。
【図１２】本発明に係る電気光学装置を用いた電子機器の説明図である。
【図１３】従来の有機ＥＬ装置の説明図である。
【符号の説明】
【００７５】
６ｓ・・下層側導電パターン、７ａ・・第１電極層、７ｓ・・上層側導電パターン、８ａ・・補助配線、８ｓ・・補助配線の端部、８ｒ・・補助配線の接続用電極部、９ａ・・第２電極層、９ｓ・・第２電極層の端部、１００・・有機ＥＬ装置、１００ａ・・画素、１０４・・端子、１１０・・第１基板、１１０ａ・・画素領域、１１０ｃ・・周辺領域、１１０ｄ・・支持基板、１１５・・絶縁膜、１１５ｓ・・コンタクト部、１８０（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）・・有機ＥＬ素子、１８１・・正孔注入層（有機機能層）、１８２・・正孔輸送層（有機機能層）、１８３（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）・・発光層（有機機能層）、１８４・・電子輸送層（有機機能層）、１７０・・電子注入層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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