(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
可動電極と固定電極とによって構成されるコンデンサの静電容量変化に基づいて、力学量を検出するセンサ部を有し、
前記センサ部は、支持基板に絶縁層と半導体層とが順次積層されて成る半導体基板に形成されており、
前記センサ部は、前記絶縁層と前記半導体層とから成る、前記支持基板に固定されたアンカ部と、前記絶縁層が除去されて、前記半導体層から成る、前記支持基板に対して浮いた浮遊部と、を有し、
前記アンカ部は、固定アンカ部と、可動アンカ部と、を有し、
前記浮遊部は、前記固定アンカ部に支持された固定電極と、前記可動アンカ部に支持された錘部と、該錘部を前記可動電極と前記固定電極とが対向する検出軸方向に変位可能とする梁部と、前記錘部に設けられた前記可動電極と、を有し、
前記錘部が、前記梁部を介して前記可動アンカ部に支持された力学量センサの製造方法であって、
前記センサ部の形状を形作るマスクを、前記半導体層に形成するマスク形成工程と、
該マスク形成工程後、異方性エッチングによって、前記マスクから露出された前記半導体層を除去する第１除去工程と、
該第１除去工程後、等方性エッチングによって、前記浮遊部直下の絶縁層を除去する第２除去工程と、を有し、
前記マスク形成工程において、前記梁部と前記可動アンカ部とを構成する前記半導体層が、前記絶縁層と前記半導体層との積層方向と前記検出軸方向とに交差する交差方向に延びた形状を成し、前記検出軸方向に沿う梁幅が、前記錘部から離れるにしたがって長くなるように、前記マスクを前記半導体層に形成し、
前記第２除去工程において、等方性エッチングの実施時間に応じて、前記梁部と前記可動アンカ部とを構成する前記半導体層直下の絶縁層を除去することで、前記交差方向における梁部の長さを決定することを特徴とする力学量センサの製造方法。
【請求項２】
前記マスク形成工程において、前記梁部と前記可動アンカ部を構成する前記半導体層の梁幅が、前記錘部から前記交差方向に離れるにしたがって連続的に長くなるように、前記マスクを前記半導体層に形成することを特徴とする請求項１に記載の力学量センサの製造方法。
【請求項３】
前記マスク形成工程において、前記梁部と前記可動アンカ部を構成する前記半導体層の梁幅が、前記錘部から前記交差方向に離れるにしたがって不連続的に段々と長くなるように、前記マスクを前記半導体層に形成することを特徴とする請求項１に記載の力学量センサの製造方法。
【請求項４】
前記マスク形成工程において、多数のスリットが前記錘部に形成されるように、前記マスクを前記半導体層に形成することを特徴とする請求項１〜３いずれか１項に記載の力学量センサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、可動電極と固定電極とによって構成されるコンデンサの静電容量変化に基づいて、力学量を検出する力学量センサの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、例えば特許文献１に示されるように、固定電極と、加速度に応じて変位可能な梁に連結された可動電極との間の容量に基づいて加速度を検出する半導体力学量センサが提案されている。この半導体力学量センサでは、上記した梁が、バネ定数の異なる複数の梁によって構成され、加速度に応じたバネ定数の梁が変位するようになっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−２８６５５４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
一般的に、特許文献１に記載の半導体力学量センサを製造する場合、支持基板に、絶縁層と半導体層とが順次積層されて成る半導体基板を用意し、その半導体基板の半導体層に、上記した固定電極や可動電極などの形状に対応したマスクを形成した後、マスクによって被覆されていない半導体層を、異方性エッチングによって除去する。その後、等方性エッチングによって、半導体層直下の絶縁層の一部を除去することで、半導体力学量センサを製造する。
【０００５】
ところで、特許文献１の図１に示されるように、バネ定数の異なる複数の梁を構成するためには、そのバネ定数に応じて、梁の形状（梁を構成する半導体層の形状）を適宜変更しなくてはならない。上記したように、梁の形状はマスクによって決定されるので、梁のバネ定数を変更する場合、その変更に応じて、マスクの形状を変更しなくてはならず、これによってコストが嵩む、という問題が生じる。
【０００６】
そこで、本発明は上記問題点に鑑み、マスクの形状を変更しなくとも、梁のバネ定数を調整することが可能な力学量センサの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記した目的を達成するために、請求項１に記載の発明は、可動電極と固定電極とによって構成されるコンデンサの静電容量変化に基づいて、力学量を検出するセンサ部を有し、センサ部は、支持基板に絶縁層と半導体層とが順次積層されて成る半導体基板に形成されており、センサ部は、絶縁層と半導体層とから成る、支持基板に固定されたアンカ部と、絶縁層が除去されて、半導体層から成る、支持基板に対して浮いた浮遊部と、を有し、アンカ部は、固定アンカ部と、可動アンカ部と、を有し、浮遊部は、固定アンカ部に支持された固定電極と、可動アンカ部に支持された錘部と、該錘部を可動電極と固定電極とが対向する検出軸方向に変位可能とする梁部と、錘部に設けられた可動電極と、を有し、錘部が、梁部を介して可動アンカ部に支持された力学量センサの製造方法であって、センサ部の形状を形作るマスクを、半導体層に形成するマスク形成工程と、該マスク形成工程後、異方性エッチングによって、マスクから露出された半導体層を除去する第１除去工程と、該第１除去工程後、等方性エッチングによって、浮遊部直下の絶縁層を除去する第２除去工程と、を有し、マスク形成工程において、梁部と可動アンカ部とを構成する半導体層が、絶縁層と半導体層との積層方向と検出軸方向とに交差する交差方向に延びた形状を成し、検出軸方向に沿う梁幅が、錘部から離れるにしたがって長くなるように、マスクを半導体層に形成し、第２除去工程において、等方性エッチングの実施時間に応じて、梁部と可動アンカ部とを構成する半導体層直下の絶縁層を除去することで、交差方向における梁部の長さを決定することを特徴とする。
【０００８】
このように本発明によれば、マスク形成工程において、梁部と可動アンカ部とを構成する半導体層が、交差方向に延びた形状を成し、検出軸方向に沿う梁幅が、錘部から離れるにしたがって長くなるように、マスクを半導体層に形成する。そして、このマスク形成工程を実施した後に、第１除去工程を実施して、マスクから露出された半導体層を除去する。
【０００９】
第１除去工程を実施した直後における、梁部と可動アンカ部とを構成する半導体層直下の絶縁層の形状は、梁部と可動アンカ部とを構成する半導体層と同様に、交差方向に延びた形状を成し、検出軸方向に沿う梁幅が、錘部から離れるにしたがって長くなっている。本発明では、錘部が、梁部を介して可動アンカ部に支持されているので、梁部を構成する半導体層直下の絶縁層の検出軸方向の長さは、可動アンカ部を構成する半導体層直下の絶縁層の検出軸方向の長さよりも短くなっている。したがって、第２除去工程にて、梁部を構成する半導体層直下の絶縁層の全てを除去する程度に、等方性エッチングを実施した場合においても、可動アンカ部を構成する半導体層直下の絶縁層の全てが除去されずに残ることとなる。
【００１０】
梁部と可動アンカ部とを構成する半導体層直下の絶縁層が除去される量は、第２除去工程における、等方性エッチングの実施時間に依存する。したがって、本発明に記載のように、第２除去工程において、等方性エッチングの実施時間に応じて、梁部と可動アンカ部とを構成する半導体層直下の絶縁層を除去することで、交差方向における梁部の長さを決定することができる。これによれば、マスクの形状を変更することなく、梁部のバネ定数を決定（調整）することができる。以上、示したように、梁部のバネ定数を変更する場合、マスクの形状を変更しなくともよいので、コストが嵩むことが抑制される。
【００１１】
マスク形成工程における、梁部と可動アンカ部を構成する半導体層の形状としては、請求項２に記載のように、梁幅が、錘部から交差方向に離れるにしたがって連続的に長くなる形状、若しくは、請求項３に記載のように、梁幅が、錘部から交差方向に離れるにしたがって不連続的に段々と長くなる形状を採用することができる。
【００１２】
特に、請求項２に記載の構成の場合、第２除去工程において、等方性エッチングの実施時間を調整することで、交差方向における梁部の長さを連続的に調整することができる。これにより、梁部のバネ定数を連続的に調整することができる。
【００１３】
請求項４に記載のように、マスク形成工程において、多数のスリットが錘部に形成されるように、マスクを半導体層に形成するのが良い。
【００１４】
錘部は、錘としての機能を果たすために、その形状が大きくなりがちである。そのため、上記したスリットが錘部に形成されていない場合、第２除去工程の最低実施時間、すなわち、交差方向における梁部の長さを調整せずに、力学量センサを製造するための第２除去工程の実施時間が、錘部に依存することとなる。これによれば、交差方向における梁部の最も短い長さが、錘部によって決定され、錘部が形成された時点における、梁部の長さを調整するための絶縁層が少なくなる。そのため、等方性エッチングの実施時間を調整することで、梁部の長さを調整するための時間を確保することができなくなる虞がある。
【００１５】
これに対して、請求項４に記載の発明では、第２除去工程において、多数のスリットが錘部に形成されている。これによれば、錘部直下の絶縁層と、等方性エッチングするための薬液との接触面積が増大するので、錘部の形成時間が短くなる。これにより、錘部が形成された時点における、梁部の長さを調整するための絶縁層が少なくなることが抑制され、梁部の長さを調整するための時間を確保することが困難となることが抑制される。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】第１実施形態に係る加速度センサの概略構成を示す平面図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。
【図３】図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う断面図である。
【図４】図１のＩＶ−ＩＶ線に沿う断面図である。
【図５】感度と、絶縁層のリリース量との関係を示すグラフである。
【図６】第２除去工程時における梁部と可動アンカ部との拡大平面図である。
【図７】図６のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿う断面図である。
【図８】梁部と可動アンカ部とを構成する半導体層の変形例を示す平面図である。
【図９】梁部と可動アンカ部とを構成する半導体層の変形例を示す平面図である。
【図１０】梁部と可動アンカ部とを構成する半導体層の変形例を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明に係る力学量センサを、加速度センサに適用した場合の実施形態を図に基づいて説明する。
（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係る加速度センサの概略構成を示す平面図である。図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。図３は、図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う断面図である。図４は、図１のＩＶ−ＩＶ線に沿う断面図である。図７は、感度と、絶縁層のリリース量との関係を示すグラフである。図６は、第２除去工程時における梁部と可動アンカ部との拡大平面図である。図７は、図６のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿う断面図である。なお、以下においては、後述する固定電極３８と可動電極４０とが対向する方向を検出軸方向と示し、絶縁層２２と半導体層２３とが積層する方向を積層方向と示し、検出軸方向と積層方向とに交差する方向を交差方向と示す。また、便宜上、図１では絶縁層２２を破線で示し、図２では梁部４２を破線で示す。
【００１８】
図１に示すように、加速度センサ１００は、要部として、半導体基板２０に形成されたセンサ部１０を有する。半導体基板２０は、図２〜図４に示すように、支持基板２１に、絶縁層２２と、半導体層２３とが順次積層されて成るＳＯＩ基板である。支持基板２１は単結晶シリコンから成り、絶縁層２２は酸化膜から成り、半導体層２３は単結晶シリコンから成る。センサ部１０は、支持基板２１に対して固定されたアンカ部３１と、支持基板２１に対して浮いた浮遊部３２と、を有する。アンカ部３１は絶縁層２２と半導体層２３とから成り、浮遊部３２は絶縁層２２が除去されて半導体層２３から成る。アンカ部３１は、絶縁層２２と半導体層２３とが積層されて成る部位の他に、その部位と連結された、絶縁層２２が除去されて、支持基板２１から浮いた半導体層２３も含む。このアンカ部３１に含まれる、支持基板２１から浮いた半導体層２３は、後述する、絶縁層２２を等方性エッチングによって除去する第２除去工程時において、副次的に形成されるもので、なんら機能を果たすものではない。
【００１９】
アンカ部３１は、固定アンカ部３３と、可動アンカ部３４と、を有する。固定アンカ部３３は、後述する固定電極３８を支持する機能を果たし、可動アンカ部３４は、後述する可動部３９を支持する機能を果たす。図１に示すように、固定アンカ部３３は、検出軸方向に長手方向が沿う形状を成し、可動アンカ部３４は、交差軸方向に長手方向が沿う形状を成す。このような形状を成す、２つの固定アンカ部３３と、４つの可動アンカ部３４とが半導体基板２０に形成されている。
【００２０】
本実施形態に係るアンカ部３１は、上記したアンカ部３３，３４の他に、可動アンカ部３４の一つと機械的及び電気的に接続されたＬ字状の接続部３５を有する。この接続部３５における、可動アンカ部３４と連結された端部とは反対側の端部に、バンプ（図示略）と接続するための可動パッド３７が形成され、２つの固定アンカ部３３それぞれにおける、接続部３５側の端部に、バンプ（図示略）と接続するための固定パッド３６が形成されている。固定パッド３６に接続されたバンプは、後述する固定電極３８と可動電極４０とによって構成されるコンデンサの静電容量変化を外部に出力するための機能を果たし、可動パッド３７に接続されたバンプは、後述する可動部３９（可動電極４０）に一定電圧を供給するための機能を果たす。
【００２１】
浮遊部３２は、固定アンカ部３３に支持された固定電極３８と、可動アンカ部３４に支持され、検出軸方向に変位可能とされた可動部３９と、可動部３９に設けられた可動電極４０と、を有する。上記した可動部３９は、検出軸方向に長手方向が沿う矩形状の錘部４１と、該錘部４１を検出軸方向に変位可能とする台形形状の梁部４２と、を有する。図１に示すように、錘部４１には、多数のスリットが形成されているが、このスリットは、後述する第２除去工程において、錘部４１を構成する半導体層２３直下の絶縁層２２と、等方性エッチングするための薬液との接触面積を増大させる機能を果たす。
【００２２】
図１及び図２に示すように、固定電極３８は、長手方向が交差方向に沿う矩形状を成し、その一端が、固定アンカ部３３によって支持され、その他端が、開放されている。同じく、可動電極４０も、長手方向が交差方向に沿う矩形状を成し、その一端が、錘部４１に連結され、その他端が、開放されている。複数の固定電極３８は、固定アンカ部３３から櫛歯状に延び、複数の可動電極４０は、錘部４１から櫛歯状に延びており、櫛歯状を成す複数の固定電極３８と櫛歯状を成す複数の可動電極４０とが互いに噛み合わさる事で、固定電極３８と可動電極４０とが検出軸方向で互いに対向している。これら２つの電極３８，４０によって複数のコンデンサが構成され、このコンデンサの静電容量の変動に基づいて、加速度が検出される。
【００２３】
図１に示すように、錘部４１の両端部それぞれに２つの梁部４２が連結され、錘部４１が、梁部４２を介して可動アンカ部３４と接続されている。検出軸方向に加速度が印加されると、その慣性力によって梁部４２が検出軸方向に撓み、その撓みに応じて、錘部４１が検出軸方向に変動し、その変動に伴って、固定電極３８と可動電極４０との電極間隔が変動するようになっている。
【００２４】
図１及び図４に示すように、梁部４２と可動アンカ部３４とを構成する半導体層２３は、錘部４１から交差方向に沿って延びた形状を成し、検出軸方向に沿う梁幅が、錘部４１から離れるにしたがって連続的に長くなった台形形状を成す。そして、可動アンカ部３４を構成する絶縁層２２は、検出軸方向に沿う幅が、錘部４１から交差方向に離れるにしたがって連続的に長くなる三角形状を成す。
【００２５】
梁部４２は、錘部４１から交差方向に沿って延びた形状を成し、梁幅が、錘部４１から離れるにしたがって連続的に長くなった台形形状を成す。梁部４２の交差方向に沿う長さｌ（以下、単に長さｌと示す）は、錘部４１から、可動アンカ部３４を構成する絶縁層２２の錘部４１側の端部までとなる。また、梁部４２の梁幅の最大梁幅ｄｍａｘは、可動アンカ部３４を構成する絶縁層２２の錘部４１側の端部直上の半導体層２３の幅に相当する。なお、梁部４２の積層方向の長さｈ（以下、厚さｈ）は、半導体層２３の積層方向の長さ（厚さ）と同一である。
【００２６】
次に、加速度の感度Ｓについて説明する。加速度の感度Ｓは、可動部３９の質量ｍに比例し、梁部４２のバネ定数ｋに反比例する性質を有するので、下式に示す関係を満たす。
【数１】
0005321538.tif 000002
【００２７】
バネ定数ｋは、錘部４１と梁部４２との連結状態に依存する係数をα、梁部４２（シリコン）のヤング率をＥ、梁部４２の断面２次モーメントをＩとすると、下式に示す関係式を満たす。
【数２】
0005321538.tif 000003
【００２８】
上記したように、梁部４２は台形形状を成し、図４に示すように、検出軸方向と積層方向とによって規定される断面形状が矩形となっているので、断面２次モーメントＩは、下式に示す関係式を満たす。
【数３】
0005321538.tif 000004
【００２９】
ここで、ａは、梁部４２の平面形状に依存する定数を示す。上記した数２〜数４により、感度Ｓは、下式に示すように、質量ｍ、長さｌ、最大梁幅ｄｍａｘ、及び厚さｈに依存することがわかる。また、バネ定数ｋは、長さｌ、最大梁幅ｄｍａｘ、及び厚さｈに依存することがわかる。
【数４】
0005321538.tif 000005
【００３０】
図５に、梁部４２の感度Ｓと、絶縁層２２のリリース量（除去量）との関係が示された実験データを示す。縦軸は、地球の１重力加速度（１Ｇ＝９．８ｍ／ｓ２）当たりの静電容量変化を電圧変化（ｍＶ）に変換した値を示し、横軸は、後述する第２除去工程において、検出軸方向と交差方向とによって規定される平面（以下、規定平面と示す）に沿う方向に除去される半導体層２３直下の絶縁層２２の長さ（μｍ）、若しくは、積層方向に除去される絶縁層２２の長さ（μｍ）を示している。多数の点が実験データを示し、実線が感度Ｓと絶縁層２２のリリース量との関係を示している。この実験結果によれば、感度Ｓは、絶縁層２２のリリース量に依存し、絶縁層２２がリリースされるにしたがって、感度Ｓが上昇することがわかる。これは、後述するように、絶縁層２２のリリース量に応じて、長さｌと最大梁幅ｄｍａｘとが変化し、バネ定数ｋが変化するためである。
【００３１】
次に、本発明に係る加速度センサ１００のセンサ部１０の製造方法について説明する。センサ部１０を製造するに当たり、先ず、半導体基板２０を用意する。そして、センサ部１０の形状を形作るマスクを、半導体層２３に形成する。このマスクの形状によって、半導体層２３の形状が決定される。このマスク形成工程において、梁部４２と可動アンカ部３４とを構成する半導体層２３が、交差方向に延びた形状を成し、梁幅が、錘部４１から離れるにしたがって連続的に長くなるように、マスクを形成する。また、錘部４１に多数のスリットが形成されるように、マスクを形成する。以上が、マスク形成工程である。
【００３２】
マスク形成工程後、異方性エッチングによって、マスクから露出された半導体層２３を除去する。この第１除去工程において、センサ部１０の形状（半導体層２３の形状）を形作る。以上が、第１除去工程である。なお、この第１除去工程時では、絶縁層２２は除去されない。
【００３３】
第１除去工程後、等方性エッチングによって、浮遊部３２を構成する半導体層２３直下の絶縁層２２を除去する。詳しく言えば、等方性エッチング用の薬液に、第１除去工程を経た半導体基板２０を所定時間浸漬することで、絶縁層２２の一部を除去する。以上が、第２除去工程である。上記工程を経ることで、本実施形態に係る加速度センサ１００のセンサ部１０が形成される。
【００３４】
なお、第２除去工程において、第１除去工程を経た半導体基板２０を薬液に浸漬する時間を調整することで、除去される絶縁層２２の量を決定することができる。図６及び図７に、第２除去工程を実施する時間がｔ１の場合における、梁部４２の長さｌ１と最大梁幅ｄｍａｘ１とを示す。この状態から、更に時間ｔ２だけ第２除去工程を実施すると、破線で囲まれた絶縁層２２が除去されて、実線で示された絶縁層２２のみが残る。この結果、規定平面に沿う方向における半導体層２３直下の絶縁層２２が除去され、梁部４２の長さがｌ１よりも長いｌ２となり、梁部４２の最大梁幅がｄｍａｘ１よりも長いｄｍａｘ２となる。このように、第２除去工程の実施時間を調整することで、梁部４２の長さｌと最大梁幅ｄｍａｘとを決定することができる。上記した梁部４２の長さが、図５に示したグラフの横軸の値に相当する。
【００３５】
なお、第２除去工程では、絶縁層２２の除去が等方的に行われるので、本来、規定平面に沿う方向における半導体層２３直下の絶縁層２２が除去される長さと、積層方向における絶縁層２２が除去される長さとは等しくなる。これに対して、図６及び図７では、規定平面に沿う方向における半導体層２３直下の絶縁層２２が除去される長さが、積層方向において絶縁層２２が除去される長さよりも長く図示している。これは、規定平面に沿う方向における半導体層２３直下の絶縁層２２が除去される長さを強調するためである。
【００３６】
次に、本実施形態に係る加速度センサ１００の製造方法の作用効果を説明する。上記したように、マスク形成工程において、梁部４２と可動アンカ部３４とを構成する半導体層２３が、交差方向に延びた形状を成し、梁幅が、錘部４１から離れるにしたがって連続的に長くなるように、マスクを半導体層２３に形成する。そして、このマスク形成工程を実施した後に、第１除去工程を実施して、マスクから露出された半導体層２３を除去する。
【００３７】
第１除去工程を実施した直後における、梁部４２と可動アンカ部３４とを構成する半導体層２３直下の絶縁層２２の形状は、半導体層２３と同様に、交差方向に延びた形状を成し、幅が、錘部４１から離れるにしたがって連続的に長くなっている。上記したように、梁部４２と可動アンカ部３４とを構成する半導体層２３は、錘部４１から交差方向に沿って延びた形状を成しているので、梁部４２を構成する半導体層２３直下の絶縁層２２の検出軸方向の長さは、可動アンカ部３４を構成する半導体層２３直下の絶縁層２２の検出軸方向の長さよりも短くなっている。したがって、第２除去工程にて、梁部４２を構成する半導体層２３直下の絶縁層２２の全てを除去する程度に、等方性エッチングを実施した場合においても、可動アンカ部３４を構成する半導体層２３直下の絶縁層２２の全てが除去されずに残ることとなる。
【００３８】
上記したように、加速度の感度Ｓは、質量ｍ、長さｌ、最大梁幅ｄｍａｘ、及び厚さｈに依存し、バネ定数ｋは、長さｌ、最大梁幅ｄｍａｘ、及び厚さｈに依存する。そして、等方性エッチングの実地時間に応じて、梁部４２の長さｌと、最大梁幅ｄｍａｘとが決定される。これによれば、等方性エッチングの実地時間を調整することで、梁部４２の感度Ｓとバネ定数ｋとを調整することができる。したがって、感度Ｓ（梁部４２のバネ定数ｋ）を調整するために、マスク形成工程において、マスクの形状を変更しなくとも良いので、コストが嵩むことが抑制される。
【００３９】
本実施形態では、梁部４２と可動アンカ部３４とを構成する半導体層２３は、錘部４１から交差方向に沿って延びた形状を成し、幅が、錘部４１から離れるにしたがって連続的に長くなった台形形状を成す。これによれば、第２除去工程において、等方性エッチングの実施時間を調整することで、交差方向における梁部４２の長さを連続的に調整することができる。これにより、梁部４２のバネ定数ｋを連続的に調整して、感度Ｓを連続的に調整することができる。
【００４０】
第２除去工程において、多数のスリットが錘部４１に形成されている。これにより、錘部４１直下の絶縁層２２と、等方性エッチングするための薬液との接触面積を増大させることができる。これにより、錘部４１の形成時間が短くなるので、錘部４１が形成された時点における、梁部４２の長さを調整するための絶縁層２２が少なくなることが抑制される。この結果、梁部４２の長さを調整するための時間を確保することができる。
【００４１】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上記した実施形態になんら制限されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々変形して実施することが可能である。
【００４２】
本実施形態では、本発明に係る力学量センサを、加速度センサに適用した例を示した。しかしながら、本発明に係る力学量センサとしては、上記例に限定されず、例えば、角速度センサに適用することができる。
【００４３】
本実施形態では、梁部４２と可動アンカ部３４とを構成する半導体層２３の幅が、錘部４１から離れるにしたがって連続的に長くなった例を示した。しかしながら、例えば、図８に示すように、梁部４２と可動アンカ部３４における梁部４２側の部位とを構成する半導体層２３の幅が、錘部４１から離れるにしたがって連続的に長くなり、可動アンカ部３４における梁部４２から離れた部位の幅が、一定となった形状を採用することもできる。若しくは、図９及び図１０に示すように、梁部４２と可動アンカ部３４とを構成する半導体層２３の幅が、錘部４１から離れるにしたがって不連続的に段々と長くなった形状を採用することもできる。図８〜図１０は、梁部と可動アンカ部とを構成する半導体層の変形例を示す平面図である。
【００４４】
本実施形態では、第１除去工程において、マスクから露出された半導体層２３のみを除去する例を示した。しかしながら、第１除去工程において、マスクから露出された半導体層２３のみではなく、その半導体層２３直下の絶縁層２２も除去しても良い。
【符号の説明】
【００４５】
１０・・・センサ部
２０・・・半導体基板
３１・・・アンカ部
３２・・・浮遊部
３４・・・可動アンカ部
４２・・・梁部
１００・・・加速度センサ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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