(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
過電圧保護素子の降伏電圧の規格下限値（ＶL）より高い電圧値（Ｖ1）で絶縁抵抗値を測定し、かつ降伏電圧の規格上限値（ＶH）より低い電圧値（Ｖ2）（Ｖ1＜Ｖ2）で絶縁抵抗値を測定する過電圧保護素子の検査方法において、前記測定電圧Ｖ1側において過電圧保護素子の絶縁抵抗値が規格値以上の抵抗値であり、かつ前記測定電圧Ｖ2側において過電圧保護素子の絶縁抵抗値が規格値未満の或るしきい値以下の抵抗値である場合に良品と判断するようにした過電圧保護素子の検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子機器を静電気やサージから保護する過電圧保護素子の検査方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化、高性能化が急速に進み、それに伴い電子機器に用いられる電子部品の小型化も急速に進んでいる。しかしながら、その反面、この小型化に伴って電子機器や電子部品の静電気やサージに対する耐性は低下しており、その対策としてギャップ型の過電圧保護素子等の部品を使用している。
【０００３】
なお、この出願の発明に関する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。
【特許文献１】特開平８−１０２３５５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ギャップ型の過電圧保護素子は、直流放電開始電圧（いわゆる降伏電圧に相当する）という規格を設けている場合が多く、これは電圧を徐々に昇圧していき、そしてギャップ間において放電が開始した電圧を読み取るというものであり、その値によって過電圧保護素子の静電気やサージの吸収能力を確認・保証するものである。このような測定方法による過電圧保護素子の良否判定は、放電開始電圧がある規格幅に入っているか否かによって判断される。しかしながら、直流放電開始電圧の測定は前記したように徐々に昇圧するため、測定時間が極めて長くかつ非効率であるため、大量に生産される部品の選別には不向きである。
【０００５】
本発明は上記従来の課題を解決するもので、過電圧保護素子の良否判定を迅速に行うことができ、大量に生産される部品の選別にも適応できる過電圧保護素子の検査方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、本発明は以下の構成を有するものである。
【０００７】
本発明の請求項１に記載の発明は、過電圧保護素子の降伏電圧の規格下限値（ＶL）より高い電圧値（Ｖ1）で絶縁抵抗値を測定し、かつ降伏電圧の規格上限値（ＶH）より低い電圧値（Ｖ2）（Ｖ1＜Ｖ2）で絶縁抵抗値を測定する過電圧保護素子の検査方法において、前記測定電圧Ｖ1側において過電圧保護素子の絶縁抵抗値が規格値以上の抵抗値であり、かつ前記測定電圧Ｖ2側において過電圧保護素子の絶縁抵抗値が規格値未満の或るしきい値以下の抵抗値である場合に良品と判断するようにしたもので、この検査方法によれば、測定電圧Ｖ1とＶ2における絶縁抵抗値を測定することによって過電圧保護素子の良否判定を迅速に行うことができるという作用効果を有するものである。
【発明の効果】
【００１２】
以上のように本発明の過電圧保護素子の検査方法は、過電圧保護素子の降伏電圧の規格下限値（ＶL）より高い電圧値（Ｖ1）で絶縁抵抗値を測定し、かつ降伏電圧の規格上限値（ＶH）より低い電圧値（Ｖ2）（Ｖ1＜Ｖ2）で絶縁抵抗値を測定する過電圧保護素子の検査方法において、前記測定電圧Ｖ1側において過電圧保護素子の絶縁抵抗値が規格値以上の抵抗値であり、かつ前記測定電圧Ｖ2側において過電圧保護素子の絶縁抵抗値が規格値未満の或るしきい値以下の抵抗値である場合に良品と判断するようにしたもので、測定電圧Ｖ1とＶ2における絶縁抵抗値を測定することによって、過電圧保護素子の良否判定を迅速に行うことができ、これにより、大量に生産される部品の選別にも適応できるという優れた効果を奏するものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
（実施の形態１）
以下、実施の形態１を用いて、本発明の特に請求項１に記載の発明について説明する。
【００１４】
図１は本発明の実施の形態１における過電圧保護素子の良否判定を行う回路図である。
【００１５】
図１において、１は電源、２は過電圧保護素子、３は電流計で、この電流計３は前記過電圧保護素子２と直列に接続し、かつこの直列回路の両端に電源１により直流電圧が印加できるようにしているもので、従来の過電圧保護素子の良否判定を行う回路図も図１と同じ構成となっているものである。
【００１６】
従来における過電圧保護素子の良否判定を行う測定方法は電源１の電圧を徐々に昇圧して急激に電流が流れ出す電圧値を読み取り、その電圧値を降伏電圧値として、これが規格内に入っているかどうかの判定を行っていた。
【００１７】
次に、本発明の実施の形態１における過電圧保護素子の良否判定方法について図２を用いて説明する。判定は２段階に分けて実施する。
【００１８】
まず、規格下限値より高い電圧に降伏電圧があることを確認するために、規格下限値（図２におけるＶL）より若干高めの電圧（図２におけるＶ1）を印加する。Ｖ1の値は測定誤差を考慮したもので、測定誤差が小さく測定精度が良好であれば、良品を不良品と判定してしまう誤検査が少なくなるため、Ｖ1の値はＶLになるべく近い方が望ましい。この場合の判定基準は、素子の絶縁抵抗値の規格値より高い抵抗値の場合、良品と判定する。降伏電圧に至らない場合は過電圧保護素子は絶縁状態であることが望ましいので、判定基準としては絶縁抵抗値が１０8Ω以上であることが望ましい。絶縁抵抗値は電源１の電源電圧値（Ｖ1）、電流計３の電流値より算出する。
【００１９】
次に、規格上限値より低い電圧に降伏電圧があることを確認するために、規格上限値（図２におけるＶH）より若干低めの電圧（図２におけるＶ2）を印加する。Ｖ2の値は規格下限値の際と同様の理由により、ＶHになるべく近い方が望ましい。この場合の判定基準は、過電圧保護素子の抵抗値がＶ1で測定した場合より、著しく低下した場合に良品と判定する。降伏電圧に至ると過電圧保護素子のインピーダンスは急激に低下するので、素子の抵抗値が著しく低下するのを見て、降伏電圧以上の電圧が印加されていると判断する。判定はＶ1印加時の抵抗値との相対的な差を確認するため、判定基準は１０4Ω以下であることが望ましい。
【００２０】
次に、従来の測定方法と本発明の実施の形態１における測定方法の素子の検査にかかる時間について説明する。（表１）に各々の測定方法にかかった時間を示す。
【００２１】
【表１】
0005151392.tif 000002
【００２２】
この（表１）から明らかなように、従来の測定方法に対して本発明の実施の形態１における測定方法は、検査時間が極めて短縮されていることがわかる。
【００２３】
以下、実施の形態２を用いて、本発明に関連する別の実施の形態について説明する。
【００２４】
図３、図４は本発明の実施の形態２における過電圧保護素子の良否判定を行う回路図である。
【００２５】
図３、図４において、１は電源、２は過電圧保護素子、３は電流計、４は抵抗器、５は電圧計である。そして図３においては、過電圧保護素子２と抵抗器４と電流計３を直列に接続し、かつ抵抗器４の両端に並列に電圧計５を接続し、さらに過電圧保護素子２と電流計３のそれぞれ開放されている方の端子に電源１を接続して直流電圧が印加できるようにしている。また、図４においては、過電圧保護素子２と抵抗器４と電流計３を直列に接続し、かつ過電圧保護素子２と電流計３のそれぞれ開放されている方の端子に電源１を接続して直流電圧が印加できるようにしている。
【００２６】
まず、図３の回路図を用いて、本発明の実施の形態２における過電圧保護素子の良否判定方法について説明する。規格下限値および上限値に対してそれぞれを判定するために印加する電圧は本発明の実施の形態１と同様、Ｖ1、Ｖ2とする。規格下限値における判定方法は本発明の実施の形態１と同様、規格値より高い絶縁抵抗値の場合、良品と判定する。降伏電圧以下の印加電圧の際には過電圧保護素子２は高抵抗値を示すが、直列に接続されている抵抗器４が絶縁抵抗値規格に対して同等以上の抵抗値である場合、その判定に誤差が生じる。したがって、抵抗器４の抵抗値は絶縁抵抗値判定基準に対して２桁以上小さい抵抗値のものを用いることが望ましい。例えば、１０8Ωが絶縁抵抗値の判定基準の場合、１０6Ωの抵抗器を使用する。
【００２７】
次に、本発明の実施の形態２において過電圧保護素子２と抵抗器４を直列に接続している効果について説明する。ここで（表２）に、抵抗器４の値を変えて上限規格に対する検査（Ｖ2印加）を行った際の、過電圧保護素子２のＩＲ劣化に至る検査回数を示す。
【００２８】
【表２】
0005151392.tif 000003
【００２９】
この（表２）から明らかなように、抵抗器４の抵抗値が十分大きい場合は１０5回以上の検査でもＩＲ劣化は生じないが、抵抗器４の抵抗値が小さくなるにつれてＩＲ劣化が見られ、１ｋΩの抵抗器を使用した場合には１０5回までで、また０Ω（抵抗器なし）では１０4回まででＩＲ劣化が発生した。これは検査で印加した電圧下で過電圧保護素子２の抵抗値が低くなった際には急激な電流が流れるが、抵抗器４を使用することにより、過電圧保護素子２に流れる電流量を制限することが可能となって、過電圧保護素子２に与える負荷を軽減しているためである。また上記（表２）の結果から、使用する抵抗器４の抵抗値は１０ｋΩ以上であることが望ましい。
【００３０】
次に、規格上限値における過電圧保護素子２の検査方法について説明する。Ｖ2の電圧を印加した際に良品であれば、過電圧保護素子２は急激に抵抗値が低下する。そのため、回路のインピーダンス（抵抗値）は抵抗器４の抵抗値が支配的になり抵抗器４にかかる電圧はＶ2に近い値を示すようになる。一方、不良品（Ｖ2まで電圧を上げても降伏電圧を迎えない）を検査した際には、過電圧保護素子２にかかる電圧が支配的になるため、抵抗器４にかかる電圧は極めて低い電圧を示す。この場合、抵抗器４の抵抗値が過電圧保護素子２の絶縁抵抗値に近い値であれば、抵抗器４にかかる電圧が小さく見えて不良品を良品と誤って判定してしまう可能性が考えられるので、先に示した規格下限値での良品判定の抵抗値の下限値より２桁程度抵抗値が低い必要があり、したがって、これに使用する抵抗器４の抵抗値は１０ＭΩ以下であることが望ましい。なお、図３においては、抵抗器４にかかる電圧を電圧計５で測定して過電圧保護素子２の良否判定を行ったが、図４に示すように、図３のような電圧計５を使用せずに、電流計３の値を測定した場合でも過電圧保護素子２の良否判定は可能である。ここで過電圧保護素子２が良品の場合は抵抗器４で制限される電流値の電流が流れ、一方、過電圧保護素子２が不良品の場合はほとんど電流が流れないので、電流計３の電流値をモニターして電流値の或るしきい値を持って良否判定することが可能である。
【産業上の利用可能性】
【００３１】
本発明に係る過電圧保護素子の検査方法は、過電圧保護素子の良否判定を迅速に行うことができるものであり、大量に生産される部品の選別に適用することにより有用となるものである。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明の実施の形態１における過電圧保護素子の良否判定を行う回路図
【図２】本発明の実施の形態１，２における過電圧保護素子の絶縁抵抗値の規格幅と測定電圧値を示した図
【図３】本発明の実施の形態２における過電圧保護素子の良否判定を行う回路図
【図４】本発明の実施の形態２における過電圧保護素子の良否判定を行う回路図
【符号の説明】
【００３３】
１  電源
２  過電圧保護素子
３  電流計
４  抵抗器
５  電圧計
【図１】
0005151392.tif 000004
【図２】
0005151392.tif 000005
【図３】
0005151392.tif 000006
【図４】
0005151392.tif 000007