(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバ内部に設置されて基板を支持する基板支持部と、
前記基板上に蒸着されるターゲット物質を含むターゲット部と、
前記基板のエッジを取り囲むように、前記基板と所定間隔離隔されて配置されるマスク部と、
前記マスク部を支持し、アース電位に接続されるシールド部と、
前記マスク部とシールド部とを結合させ、絶縁性物質を含む絶縁部材と、
スパッタリング装置の非放電時に、前記マスク部の短絡如何を検出できるマスク短絡検出手段と、を備え、
前記マスク短絡検出手段は、
スパッタリング装置の非放電時にのみ前記マスク部に所定電源を供給する電源供給部と、
スパッタリング装置の非放電時にのみ前記電源供給部と前記マスク部とを電気的に連結するスイッチと、を備えることを特徴とするスパッタリング装置。
【請求項２】
前記マスク短絡検出手段は、前記マスク部と前記電源供給部との間の所定領域の電圧を測定することによって、前記マスク部の短絡如何を検出することを特徴とする請求項１に記載のスパッタリング装置。
【請求項３】
前記マスク短絡検出手段は、前記マスク部と前記電源供給部との間の電流を測定することによって、前記マスク部の短絡如何を検出することを特徴とする請求項１に記載のスパッタリング装置。
【請求項４】
前記マスク短絡検出手段は、前記検出された電圧または電流値を作業者に表示できる表示画面を備えた表示装置をさらに備えることを特徴とする請求項２または３に記載のスパッタリング装置。
【請求項５】
前記マスク短絡検出手段は、前記検出された電圧または電流値が特定電圧値または電流値の範囲に属する場合、警報音を鳴らす警報装置をさらに備えることを特徴とする請求項２または３に記載のスパッタリング装置。
【請求項６】
前記マスク短絡検出手段は、前記検出された電圧または電流値が特定電圧値または電流値の範囲に属する場合、光を放出する発光装置をさらに備えることを特徴とする請求項２または３に記載のスパッタリング装置。
【請求項７】
前記シールド部は、前記マスク部の外郭領域を取り囲むように配置されることを特徴とする請求項１に記載のスパッタリング装置。
【請求項８】
請求項１ないし７のうち何れか１項に記載のスパッタリング装置を使用して平板表示装置を製造する方法。
【請求項９】
前記平板表示装置は、有機発光表示装置であることを特徴とする請求項８に記載の平板表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記平板表示装置は、液晶表示装置であることを特徴とする請求項８に記載の平板表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スパッタリング装置に係り、さらに詳細には、非放電時にマスクの短絡如何をチェックできるスパッタリング装置及びそれを利用した平板表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
金属膜または透明導電膜などの無機膜を成膜する方法として、イオン粒子の物理的衝突によってターゲット物質が粒状に放出される現象であるスパッタリング現象を利用する方法が広く使われている。
【０００３】
このようなスパッタリング現象を利用するスパッタリング装置で、ソースターゲットに衝突するイオン粒子は、チャンバ内のプラズマ励起によって作られるが、その過程を説明すれば、次の通りである。まず、チャンバを高真空にした後、低圧のスパッタリング気体、通常、アルゴン（Ａｒ）またはその他の反応性ガスをチャンバ内部に流す。そして、ソースターゲット及び基板に連結された二つの電極間に直流（Ｄｉｒｅｃｔ Ｃｕｒｒｅｎｔ：ＤＣ）または高周波（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ：ＲＦ）電源を印加して、陰極から放出されて加速された自由電子がアルゴン原子と衝突してアルゴン原子をイオン化させる。アルゴンイオンが作られて放出される電子と電極から供給される電子とが継続的に加速衝突してさらに多くのイオンを作り出し、一方では、電子−イオンの再結合、電極及びチャンバ内部壁との衝突によって電子が消滅することもある。このように、自由電子の生成及び消滅の比率が同一であるとき、安定した平衡状態のプラズマが形成される。ターゲット物質で覆われた陰極板は、基板に比べて、（−）電位に維持されるので、陽電荷であるアルゴンイオンは、ソースターゲット側に加速されてソースターゲットと衝突する。このとき、ｈｖほどのエネルギーを有する各アルゴンイオンは、衝突時にエネルギーがターゲット側に転移され、ターゲットを構成する元素の結合力と電子の仕事関数とを克服できるとき、ターゲット物質が蒸気状に放出されて基板上に蒸着する。
【０００４】
このようなスパッタリング装置は、ＴＦＴ−ＬＣＤ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）や有機発光表示装置などの平板表示装置及び電子デバイスの成膜工程で広く使われている。ところが、前記のような成膜工程に使われる平板表示装置の基板は、ガラスのような絶縁体であるため、基板表面がプラズマ中の電子によって充電されて数十ボルトのフローティング電位を有する。このとき、成膜面が少しでもアース電位と接触すれば、成膜面上の電荷が電流になって、接触部分に集中した放電痕を残すため、大きいダメージを起こす。
【０００５】
このような問題を防止するために、従来のスパッタリング装置は、基板の近くに配置されるマスクを、通常的に、アース（ｅａｒｔｈ）電位と電気的に連結されるシールドとを絶縁部材を介して結合することによって、絶縁状態を維持するように構成した。しかし、スパッタリング装置の稼動時間が長くなれば、チャンバ内の放電空間に属するほとんどの部材に金属膜が付着され、シールドとマスクとの間に配置された絶縁部材にも金属膜が付着される場合が発生するため、マスクと絶縁部材とが導通してマスクが短絡される現象が発生する。したがって、周期的にマスクが絶縁状態を維持しているか否かを確認する必要があり、これを検出するために、成膜中にマスクにチャージングされる電圧を測定する方法、例えば、マスクの電圧が０を指す場合には、マスクが短絡されたと判断するなどの方式でマスクの短絡如何を判断した。
【０００６】
ところが、前記のような装置では、チャンバの稼動中にマスクに連結された電圧が０を指すとしても、このような現象が絶縁部材とマスクとの短絡によって発生するか、またはチャンバ内部の他の原因によって発生するかが不明であるという問題点があった。また、一つのチャンバで数回の成膜工程を行う場合、マスクと絶縁部材との短絡が成膜工程の間に発生したか、または成膜工程前に発生するかについて不明確であるという問題点があった。したがって、成膜工程の間や成膜工程前に、すなわち、非放電時に絶縁部材とマスクとの短絡が発生した場合には、これを知らずに不要な後続成膜工程を進め続けることによって、これによる時間及び原料の損失が不回避な問題があった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、前記問題及びその他の多様な問題を解決するために、非放電時にもマスクの短絡如何を検出できるスパッタリング装置及びそれを利用した平板表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、チャンバ内部に設置されて基板を支持する基板支持部と、前記基板上に蒸着されるターゲット物質を含むターゲット部と、前記基板のエッジを取り囲むように前記基板と所定間隔離隔されて配置されるマスク部と、前記マスク部を支持し、アース電位と接続されるシールド部と、前記マスク部とシールド部とを結合させ、絶縁性物質を含む絶縁部材と、スパッタリング装置の非放電時に前記マスク部の短絡如何を検出できるマスク短絡検出手段と、を備えるスパッタリング装置を提供する。
【０００９】
また、本発明の他の特徴によれば、前記マスク短絡検出手段は、スパッタリング装置の非放電時にのみ、前記マスク部に所定電源を供給する電源供給部をさらに備えうる。
【００１０】
本発明の他の特徴によれば、前記マスク短絡検出手段は、非放電時にのみ電源供給部とマスク部とを電気的に連結するスイッチをさらに備えうる。
【００１１】
本発明の他の特徴によれば、前記マスク短絡検出手段は、前記マスク部と前記電源供給部との間の所定領域の電圧を測定することによって、前記マスク部の短絡如何を検出しうる。
【００１２】
本発明の他の特徴によれば、前記マスク短絡検出手段は、前記マスク部と前記電源供給部との間の電流を測定することによって、前記マスク部の短絡如何を検出しうる。
【００１３】
本発明の他の特徴によれば、前記マスク短絡検出手段は、前記検出された電圧または電流値を表示できる表示画面を備えた表示装置をさらに備えうる。
【００１４】
本発明の他の特徴によれば、前記マスク短絡検出手段は、前記検出された電圧または電流値が特定電圧値または電流値の範囲に属する場合、警報音を鳴らす警報装置をさらに備えうる。
【００１５】
本発明の他の特徴によれば、前記マスク短絡検出手段は、前記検出された電圧または電流値が特定電圧値または電流値の範囲に属する場合、光を放出する発光装置をさらに備えうる。
【００１６】
本発明の他の特徴によれば、前記シールド部は、前記マスク部の外郭領域を取り囲むように配置される。
【００１７】
また、本発明は、前述したスパッタリング装置を使用して、平板表示装置を製造する方法を提供する。
【００１８】
本発明の他の特徴によれば、前記平板表示装置は、有機発光表示装置でありうる。
【００１９】
本発明の他の特徴によれば、前記平板表示装置は、液晶表示装置でありうる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、次のような一つ以上の効果を提供する。
【００２１】
第一に、成膜工程の転移や成膜工程の間に、マスク部の短絡如何を測定できるため、不要な後続工程を進めないことによって、時間及び原料を画期的に低減しうる。
【００２２】
第二に、非放電時にのみマスク部１６０の短絡如何を検査するため、放電時のマスク部の短絡ではないそれ以外の他の影響によって、マスク部が短絡されたと誤って判断する可能性を減らせる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、添付された図面に示された本発明の望ましい実施形態を参照して、本発明をさらに詳細に説明する。
【００２４】
図１は、本発明の一実施形態によるスパッタリング装置の構成を概略的に示す断面図である。
【００２５】
前記図面を参照すれば、本実施形態によるスパッタリング装置１００は、チャンバ１１０内に基板支持部１２０、ターゲット部１３０、シールド部１５０、マスク部１６０、絶縁部材１７０、及びマスク短絡検出手段１８０を備える。
【００２６】
前記チャンバ１１０は、真空チャンバであって、前記チャンバ１１０の内部は、１０−８Ｔｏｒｒほどの真空度を維持させうる。そして、前記図面には示されていないが、チャンバ１１０には、スパッタリングガス流出入口が配置され、ポンプによってアルゴン（Ａｒ）のようなスパッタリングガスをスパッタリングガス流入口（図示せず）を通じてチャンバ１１０の内部に流入させることもでき、スパッタリングガス流出口（図示せず）を通じて排出させることもできる。
【００２７】
前記基板支持部１２０は、金属薄膜の蒸着のために真空チャンバ１１０の内部にローディングされる基板Ｓを固定させる。前記図面には示されていないが、基板支持部１２０は、チャンバ１１０の一側に備えられたゲート（図示せず）に投入される基板Ｓを水平状態に受けて垂直状態に旋回させうるように、一側がヒンジ軸からなる構成をさらに含むこともあるなど、本発明の範囲内でその形状及び位置において多様な変形が可能である。
【００２８】
ターゲット部１３０は、基板Ｓ上に蒸着される物質で構成されたスパッタリングターゲット１３１と、前記ターゲット１３１を支持するターゲット支持台１３２とを備える。
【００２９】
前記スパッタリングターゲット１３１は、基板Ｓ上に蒸着しようとする金属を含む物質からなる。例えば、有機発光表示装置の製造においては、前記スパッタリングターゲット１３１は、有機発光表示装置の薄膜トランジスタのソースまたはドレイン電極、またはゲート電極を形成するためのアルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）のような多様な金属を含み、有機発光膜のアノード電極または共通電極の成膜材料であるＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）を含むこともある。
【００３０】
一方、前記図面上には、一つのスパッタリングターゲット１３１が示されているが、これは、一例示に過ぎず、本発明によるスパッタリング装置１００は、一つ以上のスパッタリングターゲット１３１を備えうる。例えば、二つのスパッタリングターゲットを備える場合には、各ターゲットが異なる物質で構成されることによって、基板Ｓ上に形成される物質を多様に調節しうる。
【００３１】
ターゲット支持台１３２には、前述したスパッタリングターゲット１３１を支持し、場合によっては、スパッタリングターゲット１３１を支持して回転することもある。
【００３２】
また、前記ターゲット支持台１３２は、前記図面に示されたように、第１電源供給部１４０から負（−）の電圧を印加されてプラズマ放電時にカソードの役割を行う。一方、前記図面には、第１電源供給部１４０の電源が直流（Ｄｉｒｅｃｔ Ｃｕｒｒｅｎｔ：ＤＣ）電源の場合のみが示されているが、本発明は、これに限定されず、第１電源供給部１４０が供給する電源は、高周波（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ：ＲＦ）電源またはＤＣパルス電源を使用することもある。
【００３３】
前記図面には詳細に示されていないが、前記ターゲット部１３０は、薄膜蒸着を促進するために、マグネットのような磁界発生手段（図示せず）をさらに備えうる。このようなマグネットは、前記スパッタリングターゲット１３１の上部に設置されて薄膜蒸着工程の進行時に回転し、磁場を形成することもある。
【００３４】
シールド部１５０は、後述するマスク部１６０を支持し、スパッタリングターゲット１３１及び基板支持部１２０の一部領域を隠す。
【００３５】
前記シールド部１５０は、アルミニウム（Ａｌ）のような導電性のある材質からなり、アース電位に接続されてプラズマ放電時にアノードの役割を行う。
【００３６】
また、前記シールド部１５０は、マスク部１６０の外郭領域を含んで、チャンバ１１０の内壁を遮断するように配置され、アルゴン（Ａｒ）ガスによって噴出されるターゲット１３１の金属物質が真空チャンバ１１０の内壁に蒸着される現象を防止する役割も行える。
【００３７】
マスク部１６０は、基板Ｓと所定間隔離隔されて前記基板Ｓのエッジを取り囲むように配置されることによって、基板Ｓのエッジをスパッタリングターゲット１３１によって噴出される金属物質で蒸着させない。基板Ｓのエッジが金属物質で蒸着される場合には、基板Ｓをチャンバ１１０の外部に移動するか、または基板Ｓに成膜された金属物質のパターンをエッチングするとき、成膜面にダメージが起る恐れがあるため、これを防止するために、基板Ｓのエッジを非成膜領域として残すことが必要である。
【００３８】
また、前記マスク部１６０は、チタンのような導電性物質で形成される。そして、前述したように、成膜工程中にマスク部１６０が基板Ｓに接触または隣接することによって、成膜面に放電痕のようなダメージが発生するため、前記マスク部１６０は、常にフローティング状態を維持せねばならない。したがって、マスク部１６０は、前述したシールド部１５０とは電気的に絶縁されねばならない。
【００３９】
前記シールド部１５０とマスク部１６０との間には、電気絶縁性の高い材質からなる絶縁部材１７０が介在される。
【００４０】
前記絶縁部材１７０は、シールド部１５０とマスク部１６０との結合を助け、マスク部１６０をアース電位に接続されたシールド部１５０から電気的に絶縁させる。しかし、スパッタリング装置１００の稼動時間が長くなれば、チャンバ１１０内の放電空間に属するほとんどの部材に金属膜が付着され、前記絶縁部材１７０にも金属膜が付着される。このとき、マスク部１６０が絶縁部材１７０に付着された金属によって短絡される現象が発生する。
【００４１】
従来のスパッタリング装置は、マスク部１６０の絶縁状態を確認するために、マスク部１６０に連結された電圧計を利用して、成膜中にマスク部１６０にチャージングされる電圧を測定する方式でマスク部１６０の短絡如何を判断した。しかし、このような装置のみでは、前述したように、マスク部１６０の短絡現象が必ずしも絶縁部材１７０とマスク部１６０との短絡によるのか明確に分からないという点と、前記のようなマスク部１６０の短絡現象が必ずしも成膜中に発生したのかについて明確に分からないという問題点とがあった。
【００４２】
したがって、本発明の一実施形態によるスパッタリング装置１００は、スパッタリング装置１００が放電しない間にも、前記マスク部１６０の短絡如何の検出可能なマスク短絡検出手段１８０がさらに結合される。
【００４３】
図２は、前記マスク短絡検出手段をさらに詳細に示す図面である。
【００４４】
前記図面を参照すれば、マスク短絡検出手段１８０は、スパッタリング装置１００の非放電時にのみ、マスク部１６０に所定電源を印加する第２電源供給部１８１、スイッチ１８２及び検出部１８３を備えている。
【００４５】
第２電源供給部１８１は、マスク部１６０に所定の電源を供給し、第２電源供給部１８１の一端はグラウンドされている。第２電源供給部１８１から供給される電源は、直流電源、または交流電源など多様な電源を使用でき、本実施形態では、ＵＬＶＡＣ社のＳＭＤ−９５０を使用してマスク部１６０に約６０ｍＡ、２４Ｖの直流電源を供給した。
【００４６】
スイッチ１８２は、第１電源供給部１４０がターゲット部１３０に電源を印加しない間、すなわち、スパッタリング装置１００がプラズマ放電を行わない間、第２電源供給部１８１とマスク部１６０とを電気的に連結する。このようなスイッチ１８２の動作は、事前にプログラミング化されていることが望ましいが、一方では、作業者の判断によって直接行われることもある。このように、放電時には、第２電源供給部１８１のような別途の電源がマスク部１６０に直接供給されることを防止することによって、プラズマ放電を行っている間、チャンバ１１０の内部に発生する恐れのあるエラーを防止する。
【００４７】
検出部１８３は、前記スイッチ１８２が閉じつつ、第２電源供給部１８１の電源がマスク部１６０に印加される間、第２電源供給部１８１とマスク部１６０との間に発生する電圧または電流値の変化を利用して、前記マスク部１６０が短絡されたか否かを判断する。
【００４８】
前記図面に示された検出部１８３は、第２電源供給部１８１とスイッチ１８２との間に設置された所定抵抗Ｒ１８４、及び第２電源供給部１８１から供給された電圧が前記抵抗Ｒ１８４を経つつ、どれだけの電圧降下を経たかを測定する電圧計１８５を備えている。
【００４９】
もちろん、前記図面には、一つの抵抗Ｒ１８４のみが配置されているが、場合によって、二つ以上の抵抗を配置するなど多様な回路構成が可能である。また、前記図面には、電圧を検出するために電圧計１８５が配置されているが、第２電源供給部１８１とマスク部１６０との間に流れる電流を検出する電流計（図示せず）を備えることもある。
【００５０】
また、前記図面には示されていないが、本発明は、前記検出部１８３が検出した電圧または電流値を作業者に表示できる表示画面を備えた表示装置（図示せず）をさらに備えうる。
【００５１】
それだけでなく、前記マスク短絡検出手段１８０は、検出部１８３の測定した電圧または電流値が、特定電圧値または電流値の範囲に属する場合、例えば、電圧計１８５の検出した電圧が５Ｖ以下である場合には、作業者に警報音を鳴らす警報装置（図示せず）をさらに備え、ＬＥＤのような発光装置（図示せず）をさらに備えうる。
【００５２】
前記のように、電圧計１８５を含む構成のマスク短絡検出手段１８０によれば、次のような方式でマスク部１６０の短絡如何を検出する。
【００５３】
まず、スパッタリング装置１００が成膜工程を進行しない間、すなわち、スパッタリング装置１００の非放電時にスイッチ１８２が閉じつつ、第２電源供給部１８１でマスク部１６０に電源を印加する。このとき、電圧計１８５で測定される電圧が２４Ｖである場合には、マスク部１６０がフローティング状態を維持していると判断しうる。逆に、電圧計１８５で測定される電圧が０Ｖである場合には、マスク部１６０が短絡されたと判断しうる。
【００５４】
もちろん、前記マスク短絡検出手段１８０の電圧計１８５に測定される電圧は、２４Ｖと０Ｖとの間の値を有しうる。プラズマ放電時間が長くなるほど、マスク部１６０の抵抗値が次第に減少するため、前記電位計１８５に検出される電圧値が次第に減少して、ついにＯＶを表せる。
【００５５】
したがって、前述した装置によれば、マスク部１６０の完全な短絡が発生する前に、ある程度の範囲でマスク部１６０の短絡の推移を観察でき、これに基づいて、マスク部１６０の短絡が発生する前の適切な時間に装備の稼動を止めて検討することによって、原料の浪費を防止しうる。
【００５６】
また、前述した装置によれば、非放電時にのみマスク部１６０の短絡如何を検査するため、放電時のマスク部１６０の短絡ではない、その他の影響によってマスク部が短絡されたと誤って判断する可能性を減らせる。例えば、よく使われるマグネトロン方式のスパッタリング装置の場合には、成膜中に、すなわち、放電する間には、ターゲット部１３０の永久磁石及び磁界発生手段の動きによる磁界変化によって、マスク部１６０の電位に影響を与えて、マスク部１６０が短絡されたと誤って判断する可能性があるが、本実施形態のように、非放電時にのみマスク部１６０の電圧を測定する場合には、このような外部的な影響を排除しうる。
【００５７】
また、前述した装置によれば、成膜工程の転移や成膜工程の間に、すなわち、プラズマ放電を行わないマスク部１６０の短絡如何を測定するため、もし、この時にマスク部１６０の短絡如何が発見されれば、不要な後続工程を行う必要がないため、これによる時間及び原料を画期的に低減しうる。
【００５８】
一方、前述したマスク部短絡検出手段１８０を含むスパッタリング装置１００は、前述した有機発光表示装置の製造段階で電極または絶縁膜を成膜する工程だけでなく、液晶表示装置のような平板表示装置の製造段階で電極または絶縁膜を成膜する工程に使われる。
【００５９】
また、前述した図面には、チャンバ１１０の内部に一板の基板Ｓを装着したスパッタリング装置１００について示しているが、本発明は、これに限定されず、複数の基板を装着するスパッタリング装置に対しても使われる。このとき、マスク部は、複数の基板に対応するように複数個が備えられ、各マスク部に前述したマスク短絡検出手段が連結されうる。
【００６０】
一方、前述した説明には、非放電時にのみ作動するマスク短絡検出手段１８０を含むスパッタリング装置１００についてのみ説明したが、とはいえ、本発明が従来の技術によるスパッタリング装置のように、放電中にマスク部１６０の電圧変化を測定してマスク部１６０の短絡如何を測定できないというものではない。
【００６１】
すなわち、本発明によるスパッタリング装置１００も、従来の技術によるスパッタリング装置と同様に、放電時には、マスク部１６０にチャージングされた電圧を直接測定してマスク部１６０の短絡如何を測定し、一方、非放電時には、第２電源供給部１８１がマスク部１６０に所定電源を供給し、その電圧または電流が変化することを測定してマスク部１６０の短絡如何を検出することもできる。
【００６２】
本発明は、前述した実施形態を参照して説明されたが、これは、例示的なものに過ぎず、当業者ならば、これから多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるということが分かるであろう。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想によって決定されねばならない。
【産業上の利用可能性】
【００６３】
本発明は、ＴＦＴ−ＬＣＤ、平板表示装置及び電子デバイスなどの成膜工程関連の技術分野に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】本発明の一実施形態によるスパッタリング装置の構成を概略的に示す断面図である。
【図２】図１のマスク短絡検出手段をさらに詳細に示す図面である。
【符号の説明】
【００６５】
１００  スパッタリング装置
１１０  チャンバ
１２０  基板支持部
１３０  ターゲット部
１３１  スパッタリングターゲット
１３２  ターゲット支持台
１４０  第１電源供給部
１５０  シールド部
１６０  マスク部
１７０  絶縁部材
１８０  マスク短絡検出手段
１８１  第２電源供給部
１８２  スイッチ
１８３  検出部
１８４  抵抗（Ｒ）
１８５  電圧計
【図１】
0005131774.tif 000002
【図２】
0005131774.tif 000003