(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線方向に沿って延在する第１電極を複数本配列して有する第１回路形成体と、
上記第１回路形成体の複数の上記第１電極にそれぞれ対向して配置されて電気的に接続された複数の第２電極を有する第２回路形成体と、
上記第１回路形成体と上記第２回路形成体との対向領域に配置されて両者を接合する絶縁性接合樹脂とを備え、
上記対向領域の両端部近傍部分において、上記第１回路形成体の隣接する上記第１電極間の領域が上記配線方向に対して湾曲して延在するように形成されるとともに、上記第１電極間の領域の幅が上記対向領域の中央部分よりも大きく形成され、上記第１電極間の領域の幅の変化部分はなだらかな形状を有し、上記第１電極間の領域に上記絶縁性接合樹脂が充填されており、
上記第１回路形成体において、上記対向領域の上記両端部近傍部分に配置される上記それぞれの第１電極が同一の湾曲形状を有し、上記対向領域の上記中央部分に配置される上記それぞれの第１電極が上記配線方向沿いに直線状の形状を有する、電極接合構造体。
【請求項２】
上記対向領域の上記両端部近傍部分に配置される上記それぞれの第１電極の湾曲形状には、湾曲方向の反転部が含まれる、請求項１に記載の電極接合構造体。
【請求項３】
上記第１回路形成体の上記それぞれの第１電極は、銀により形成されている、請求項１または２に記載の電極接合構造体。
【請求項４】
上記第２回路形成体の上記それぞれの第２電極が、上記対向領域の上記両端部近傍部分において、上記それぞれの第１電極と同じ形状及び配置にて形成されている、請求項１から３のいずれか１つに記載の電極接合構造体。
【請求項５】
上記絶縁性接合樹脂中に分散され、上記第１回路形成体の複数の上記第１電極と、それらに対向する上記第２回路形成体の複数の上記第２電極とをそれぞれ電気的に接合する導電性粒子をさらに備える、請求項１から４のいずれか１つに記載の電極接合構造体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路形成体の電極に他の回路形成体の電極を、絶縁性接合樹脂を用いて接合する電極接合構造体に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ガラス基板やフレキシブル基板等の回路形成体の電極に、他のガラス基板やフレキシブル基板、あるいは電子部品等の回路形成体の電極を電気的に接合する技術として、絶縁性接合樹脂、例えば絶縁性樹脂材料内に導電性粒子が分散された樹脂シート材料である異方性導電性シートを用いる技術が知られている。この技術は、接合対象となる電極間に異方性導電性シートを配置し、回路形成体を介して異方性導電性シートを圧着ツールで加圧するとともに加熱することで、絶縁性接合樹脂を溶融させて、導電性粒子を介して電極間を導通させる技術である。
【０００３】
この異方性導電性シートを用いる電極接合技術は、様々な形態の電極接合に適応可能であり、例えば、ガラス基板とフレキシブル基板との電極接合（ＦＯＧ）、ガラス基板とＩＣチップ部品との電極接合（ＣＯＧ）、フレキシブル基板とＩＣチップ部品との電極接合（ＣＯＦ）、プリント配線基板とＩＣチップ部品との電極接合、フレキシブル基板とフレキシブル基板との電極接合、フレキシブル基板とプリント配線基板との電極接合等、幅広く適用されている。
【０００４】
近年、例えばガラス基板とフレキシブル基板との電極接合に代表されるフラットパネルの接合技術においては、電極間に高電圧が印加されるときの信頼性の確保とともに、電子機器の高密度化に伴って隣接配線電極間の更なる狭ピッチ化（微細化）が求められている。具体的には、その隣接配線電極間のピッチは、従来求められていた２００μｍ〜１００μｍから、１００μｍ〜５０μｍ以下まで狭ピッチ化することが求められている。
【０００５】
このように隣接配線電極間の狭ピッチ化が進むと、異方性導電性シートを用いる電極接合技術においては、隣接する電極間がショート（短絡）して接合不良となる可能性が高くなり、接合の信頼性を向上させることが求められる。そこで、従来の電極接合方法においては、接合の信頼性を向上させるための様々な工夫がなされている（例えば、特許文献１、２参照）。
【０００６】
ここで、従来における電極接合方法の一般的な例として、ガラス基板にフレキシブル基板を接合するフラットパネルの接合方法について、模式図を用いて説明する。
【０００７】
まず、図１１の模式平面図に示すように、フラットパネルの接合構造においては、図示上下方向である配線方向に延在して配列された複数の第１電極１０３がその上面に形成されたガラス基板１０４と、これらの第１電極１０３に対向するように同様の配置にて形成された複数の第２電極１０５がその下面に形成されたフレキシブル基板１０６とが、絶縁性接合樹脂１０７をその間に介して接合された構造となっている。
【０００８】
具体的には、図１２の模式断面図に示すように、フレキシブル基板１０６とガラス基板１０４との間の対向領域Ｒの中央付近（樹脂配置（貼付）領域Ｒ１）に、絶縁性接合樹脂１０７中に、導電性粒子１０８が分散された異方性導電性シート（ＡＣＦ）１０９を配置し、その後、ヒータ２１を内蔵した加熱加圧ツール２０にて、フレキシブル基板１０６の上面側から、加圧しながら加熱することにより両者の接合を行う。このような加熱加圧処理が行われると、図１３の模式断面図に示すように、両者の対向領域の中央付近にのみ配置されていたＡＣＦ１０９が、加熱されて溶融状態とされ、この状態にて加圧されることにより、対向領域Ｒ全体へと拡がって、対向領域Ｒから僅かにはみ出した状態とされる。このような樹脂１０７の流動により、対向領域Ｒの空間が樹脂１０７により埋められながら分散されていた導電性粒子１０８が、第１電極１０３と第２電極１０５との間に介在することにより、両者の電気的接続がなされる。このような状態で樹脂１０７がさらに加熱されることにより、樹脂１０７が熱硬化されて、ガラス基板１０４とフレキシブル基板１０６との接合が維持される。
【０００９】
【特許文献１】特開平０６−３４９３３９号公報
【特許文献２】特開平０５−０１３１１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、図１１〜図１３の電極接合構造においては、図１１の接合構造におけるＡ−Ａ線断面図である図１３と、Ｂ−Ｂ線断面図である図１４に示すように、対向領域Ｒにおける端部近傍の領域（図１２におけるＡＣＦ１０９の樹脂配置（貼付）領域Ｒ１に隣接する領域、以降、「樹脂流動領域」とする。）Ｒ２において、樹脂１０７中にボイド１１０が形成されてしまう。このようにボイド１１０が樹脂１０７中に存在するような接合構造においては、マイグレーション不良が起きやすくなる。
【００１１】
ここで、このようなボイド１１０が形成されてしまう原因について図面を用いて説明する。まず、ガラス基板１０４上にＡＣＦ１０９が配置された状態の模式平面図を図１５に示し、加熱加圧処理が行われた後、すなわち接合後におけるガラス基板１０４上のＡＣＦ１０９の状態を示す模式平面図を図１６に示す。なお、図１５及び図１６においては、説明の便宜上、フレキシブル基板１０６を省略し、かつＡＣＦ１０９の内部を半透過させた状態の図としている。
【００１２】
図１５において、フレキシブル基板１０６とガラス基板１０４との対向領域の中央付近の樹脂配置領域Ｒ１に配置されたＡＣＦ１０９に対して、加圧力が付与されると、溶融された状態の樹脂１０７が、図１６に示すように、配線方向（図示上下方向）に沿って、押し拡げられるように流動を開始する。隣接電極間が狭ピッチ化された構造においては、隣接する第１電極１０５間の領域（空間）幅も小さくなり、このように流動する樹脂１０７の流速Ｖ０が増大する。流速Ｖ０が増大すれば、第１電極１０５間の領域への樹脂１０７の充填性が低下し、図１６に示すように樹脂１０７の樹脂流動領域Ｒ２において、樹脂１０７が十分に充填されない部分、すなわちボイド１１０が形成されることになる。このようにボイドが形成されることにより、マイグレーション不良が起き易くなり、その結果、接合の信頼性が低下することになる。
【００１３】
従って、本発明の目的は、上記問題を解決することにあって、回路形成体の電極に他の回路形成体の電極を、絶縁性接合樹脂を用いて接合する電極接合において、マイグレーション不良の発生を抑えて、接合の信頼性を高めることができる電極接合構造体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成するために、本発明は以下のように構成する。
【００１５】
本発明の第１態様によれば、配線方向に沿って延在する第１電極を複数本配列して有する第１回路形成体と、
上記第１回路形成体の複数の上記第１電極にそれぞれ対向して配置されて電気的に接続された複数の第２電極を有する第２回路形成体と、
上記第１回路形成体と上記第２回路形成体との対向領域に配置されて両者を接合する絶縁性接合樹脂とを備え、
上記対向領域の両端部近傍部分において、上記第１回路形成体の隣接する上記第１電極間の領域が上記配線方向に対して湾曲して延在するように形成されるとともに、上記第１電極間の領域の幅が上記対向領域の中央部分よりも大きく形成され、上記第１電極間の領域の幅の変化部分はなだらかな形状を有し、上記第１電極間の領域に上記絶縁性接合樹脂が充填されており、
上記第１回路形成体において、上記対向領域の上記両端部近傍部分に配置される上記それぞれの第１電極が同一の湾曲形状を有し、上記対向領域の上記中央部分に配置される上記それぞれの第１電極が上記配線方向沿いに直線状の形状を有する、電極接合構造体を提供する。
【００１９】
本発明の第２態様によれば、上記対向領域の上記両端部近傍部分に配置される上記それぞれの第１電極の湾曲形状には、湾曲方向の反転部が含まれる、第１態様に記載の電極接合構造体を提供する。
【００２０】
本発明の第３態様によれば、上記第１回路形成体の上記それぞれの第１電極は、銀により形成されている、第１態様または第２態様に記載の電極接合構造体を提供する。
【００２１】
本発明の第４態様によれば、上記第２回路形成体の上記それぞれの第２電極が、上記対向領域の上記両端部近傍部分において、上記それぞれの第１電極と同じ形状及び配置にて形成されている、第１態様から第３態様のいずれか１つに記載の電極接合構造体を提供する。
【００２２】
本発明の第５態様によれば、上記絶縁性接合樹脂中に分散され、上記第１回路形成体の複数の上記第１電極と、それらに対向する上記第２回路形成体の複数の上記第２電極とをそれぞれ電気的に接合する導電性粒子をさらに備える、第１態様から第４態様のいずれか１つに記載の電極接合構造体を提供する。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、第１回路形成体において、隣接する第１電極間の領域の幅が、第１及び第２回路形成体の対向領域の少なくとも１つの端部近傍において、対向領域の中央部よりも大きく形成されていることにより、第１及び第２回路形成体の接合時における加熱加圧処理が行われる際に、絶縁性接合樹脂の流動が積極的に行われる上記対向領域の端部近傍において、樹脂の流動速度を中央部に比して遅くすることができる。従って、対向領域において、中央部よりもボイドが発生し易い領域である端部近傍にて、樹脂の充填性を向上させて、ボイドの発生を抑制することができる。よって、マイグレーション不良の発生を抑えて、高電圧での接続信頼性を確保することができるとともに、狭ピッチ化（例えば０．１ｍｍ以下）に対応することができる電極接合構造体を提供することができる。
【００２４】
また、本発明の別の態様によれば、対向領域の少なくとも１つの端部近傍において、第１回路形成体の隣接する第１電極間の領域が、第１回路形成体の配線方向に対して湾曲して延在するように形成されていることにより、第１及び第２回路形成体の接合時における加熱加圧処理が行われる際に、絶縁性接合樹脂の流動が積極的に行われる上記対向領域の端部近傍において、樹脂の流動速度を中央部に比して遅くすることができる。従って、対向領域において、中央部よりもボイドが発生し易い領域である端部近傍にて、樹脂の充填性を向上させて、ボイドの発生を抑制することができる。よって、マイグレーション不良の発生を抑えて、高電圧での接続信頼性を確保することができるとともに、狭ピッチ化（例えば０．１ｍｍ以下）に対応することができる電極接合構造体を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下に、本発明にかかる実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００２６】
（第１実施形態）
本発明の第１の実施形態にかかる電極接合構造体の模式平面図を図１に示す。本第１実施形態では、フラットパネルの端子部の接合構造であるガラス基板とフレキシブル基板の接合構造体１０を、電極接合構造体の例として説明する。
【００２７】
本明の第１実施形態にかかる電極接合構造体１０は、複数の第１電極３を有する第１回路形成体の一例であるガラス基板４と、ガラス基板４の複数の第１電極３にそれぞれ対向して配置された複数の第２電極５を有する第２回路形成体の一例であるフレキシブル基板６と、ガラス基板４とフレキシブル基板６との対向領域Ｒに配置されて両者を接合する絶縁性接合樹脂７と、絶縁性接合樹脂７中に分散され、ガラス基板４のそれぞれの第１電極３と、それらに対向するフレキシブル基板６のそれぞれの第２電極５とを電気的に接続する導電性粒子８（図３参照）とを備えている。なお、この導電性粒子８と絶縁性接合樹脂７とを用いた接合構成は、例えば、絶縁性接合樹脂７中に導電性粒子８が分散された異方性導電性シート（ＡＣＦ）９を用いて構成される。
【００２８】
ガラス基板４の複数の第１電極３は、例えば厚さ３〜１５μｍ程度の銀で形成された銀電極で構成されている。一般に銀はマイグレーション不良を起こしやすい材質として知られている。フレキシブル基板６の複数の第２電極５は、例えば厚さ２０μｍ程度の銅で形成された銅電極で構成されている。ガラス基板４において、それぞれの第１電極３は、ガラス基板４の配線が形成されている方向、すなわち図１の図示上下方向である配線方向Ｓに沿って延在するように形成され、配線方向Ｓと直交する方向に、例えば所定の間隔ピッチにて配列されている。同様に、フレキシブル基板６において、それぞれの第２電極５は、配線方向Ｓに沿って延在するように形成され、配線方向Ｓと直交する方向に、同じ間隔ピッチにて配列されている。従って、ガラス基板４に対して、フレキシブル基板６を対向させて接合することで、第１電極３と第２電極４とが互いに接続されるように構成されている。
【００２９】
ここで、ガラス基板４の模式平面図を図２に示し、図１の接合構造体１０におけるＣ−Ｃ線断面図を図３に示し、Ｄ−Ｄ線断面図を図４に示す。
【００３０】
図２に示すように、ガラス基板４の第１電極３は、その電極幅が細く設定されている部分を含むように形成されている。具体的には、ガラス基板４とフレキシブル基板６との対向領域Ｒにおいて、その中央部付近（後述する「樹脂配置領域Ｒ１」）の電極幅Ｗ１に対して、対向領域Ｒの端部近傍（後述する「樹脂流動領域Ｒ２」）の電極幅Ｗ２が小さくなるように、それぞれの第１電極３が形成されている。このように第１電極３の電極幅に、対向領域Ｒの中央部付近と端部近傍との間で大小の差が設けられていることにより、図２〜図４に示すように、隣接する第１電極３間の領域（空間）の幅が、対向領域Ｒの中央部付近の領域幅Ｗ３に比して、端部近傍の領域幅Ｗ４が拡大された構成となっている。ここで、第１電極３において電極幅Ｗ２にて形成されている部分を、電極幅狭小部３Ａとする。電極接合構造体１０においては、ガラス基板４のそれぞれの第１電極３の電極幅狭小部３Ａが形成されている位置に、フレキシブル基板６の端部が位置されるように、絶縁性接合樹脂７を介して両者の接合が行われた構造を有している。
【００３１】
また、絶縁性接合樹脂７は、ガラス基板４の複数の第１電極３とフレキシブル基板６の複数の第２電極５とを封止するように、対向領域Ｒの全体に拡がるとともに、対向領域Ｒより外側にはみ出すように配置されている。絶縁性接合樹脂７は、熱硬化性樹脂で形成され、例えば、加圧されるとともに加熱されたときに低温でかつ短時間で硬化するアクリル樹脂や、耐熱性、耐吸湿性、接着性、絶縁性等の面で機能的に優れたエポキシ樹脂等で形成されている。導電性粒子８は、例えば、ニッケル等の導電性の金属で構成された粒子である。導電性粒子８の平均粒子径は、３〜１５μｍの範囲内で形成されることが好ましい。導電性粒子８の平均粒子径が３μｍ未満である場合には電極間の導通（電気的接続）を確保することが困難であり、導電性粒子８の平均粒子径が１５μｍを越える場合には、電極間のピッチが０．１ｍｍ以下ではショート不良が発生しやすくなる。なお、本第１実施形態においては、絶縁性接合樹脂７中に導電性粒子８が分散配置されたＡＣＦ９を用いて、ガラス基板４とフレキシブル基板６との接合が行われるような場合について説明するが、このような場合のみについて本発明が限定されるものではない。このような場合に代えて、例えば、導電性粒子が含まれていない絶縁性接合樹脂を用いて、両者の接合を行い、第１電極３と第２電極５とを直接的に接続するような構成を採用することもできる。
【００３２】
次に、このような構造を有する本第１実施形態の電極接合構造体の製造方法、すなわち、ガラス基板４とフレキシブル基板６との接合方法について図５及び図６の模式断面図を用いて説明する。なお、図６の模式断面図は、図１の接合構造体１０におけるＥ−Ｅ線の断面図である。
【００３３】
図５の模式断面図に示すように、フレキシブル基板６とガラス基板４との間の対向領域Ｒの中央部付近の領域である樹脂配置領域Ｒ１に、絶縁性接合樹脂７中に導電性粒子８が分散された異方性導電性シート（ＡＣＦ）９を配置する。このようなＡＣＦ９の配置は、例えば、ガラス基板４の第１電極３が形成されている面における樹脂配置領域Ｒ１に、ＡＣＦ９を貼り付けることにより行われる。その後、ＡＣＦ９が貼り付けられたガラス基板４とフレキシブル基板６との位置合わせを行い、ガラス基板４上にＡＣＦ９を介してフレキシブル基板６が配置される。このような配置により、ガラス基板４とフレキシブル基板６との間に対向領域Ｒが形成されることになるが、この状態では対向領域Ｒにおける樹脂配置領域Ｒ１にのみ、ＡＣＦ９が配置された状態となっている。
【００３４】
その後、ヒータ２１を内蔵した加熱加圧ツール２０の下降を開始し、フレキシブル基板６の上面に接した加熱加圧ツール２０により、両者の接合にための加熱加圧処理を開始する。具体的には、両者の対向領域Ｒの中央部付近である樹脂配置領域Ｒ１にのみ配置されていたＡＣＦ９が、加熱加圧ツール２０からの伝熱により加熱されると、熱可塑性樹脂である絶縁性接合樹脂７が溶融状態へと移行される。このように溶融状態とされ、さらに加熱加圧ツール２０により加圧力が付加されることにより、絶縁性接合樹脂７が、樹脂配置領域Ｒ１から隣接する樹脂流動領域Ｒ２へと流動し、やがて対向領域Ｒの全体へと拡がる。この流動の際に、樹脂７とともに導電性粒子８も流動され、対向領域Ｒの全体へと拡散される。一部の樹脂７は、対向領域Ｒから僅かにはみ出した状態とされる。その結果、対向領域Ｒにおける空間が樹脂７により埋められるとともに、第１電極３と第２電極５との間に流動して配置された導電性粒子８を介して、第１電極３と第２電極５とが電気的に接続された状態とされる。
【００３５】
さらに、加熱加圧が行われることにより、溶融状態にあった樹脂７がその熱硬化性により熱硬化されて、ガラス基板４とフレキシブル基板６との接合が維持される。その結果、それぞれの第１電極３と第２電極５との電気的な接続がなされた状態にて、ガラス基板４とフレキシブル基板６とが接合されて、両者の電気的な接続が維持されるとともに、この電気的な接続部分を封止するように対向領域Ｒ全体が樹脂７により埋め尽くされた状態とされる。
【００３６】
ここで、ガラス基板４とフレキシブル基板６との接合のための加熱加圧処理の際に、対向領域Ｒにおける樹脂７の流動について、図７及び図８に示す模式説明図を用いて説明する。なお、図７及び図８においては、説明の便宜上、フレキシブル基板６を省略し、かつＡＣＦ９の内部を半透過させた状態の図としている。
【００３７】
まず、図７において、フレキシブル基板６とガラス基板４との対向領域の中央付近の樹脂配置領域Ｒ１に配置されたＡＣＦ９に対して加圧力が付与されると、溶融された状態の樹脂７が、それぞれの第１電極３の形成方向（配線方向Ｓ）に沿って流動し、隣接する樹脂流動領域Ｒ２へと流れ込む。ガラス基板４において、第１電極３の樹脂流動領域Ｒ２の電極幅Ｗ２が、樹脂配置領域Ｒ１の電極幅Ｗ１よりも小さくなるように、電極幅狭小部３Ａが形成されているため、樹脂流動領域Ｒ２における第１電極３間の領域幅Ｗ４が、樹脂配置領域Ｒ１における領域幅Ｗ３よりも大きくなっている。また、対向領域Ｒにおいて、第１電極３と第２電極５とは互いに近接して、導電性粒子８を介して接続されるため、溶融状態の樹脂７は、第１電極３同士の間あるいは第２電極同士の間の領域を主として流動することになる。そのため、樹脂流動領域Ｒ２における溶融された樹脂７の流動の流速Ｖ１は、樹脂配置領域Ｒ１における溶融された樹脂７の流動の流速Ｖ０よりも低減（抑制）されることになる。このような流速Ｖ１の低減は、第１電極３間の領域幅Ｗ３／Ｗ４の比に応じたものとなる。
【００３８】
このように、樹脂配置領域Ｒ１から流動される樹脂７の流速Ｖ１がＶ０に比して低減されていることにより、樹脂流動領域Ｒ２における樹脂７の充填性が向上されることになる。すなわち、流速Ｖ１がＶ０に比して低減されていることにより、図８に示すように、樹脂流動領域Ｒ２において流動される樹脂７を、第１電極３間の領域の隅々にまで行き渡らせることができ、流速がＶ０で流動されるような場合に比して、ボイドの発生等を確実に防止することができ、樹脂７の充填性を高めることができる。
【００３９】
また、このように樹脂７の充填性が高められ、ボイド等の発生が抑制できることにより、電極接合構造体１０において、マイグレーション不良の発生を抑制することができ、接合の信頼性を向上することができる。特に、マイグレーション不良の問題が比較的懸念される銀電極が、第１電極３として用いられるような場合であっても、樹脂流動領域Ｒ２において電極幅狭小部３Ａを形成することで、マイグレーション不良の発生を効果的に抑制することができる。
【００４０】
なお、このように第１電極３の配線幅を領域により変化させることで、樹脂７の流動における流速を制御して、その充填性を向上させるという考え方からは、第１電極３の配線幅の変化部分の形状は、なだらかな形状を有することが好ましい。なだらかな形状とすることで、樹脂７の充填性をより向上させることができる。したがって、高電圧での接続信頼性を確保するとともに、狭ピッチ化（例えば０．１ｍｍ以下）に対応することができる。
【００４１】
また、本第１実施形態にかかる電極接合構造体１０によれば、このようにマイグレーションの発生が抑えられるので、ガラス基板４の第１電極３を銀で形成することができ、フラットディスプレイパネルなどへの適用が可能となる。
【００４２】
具体的な実施例における電極寸法の例としては、例えば、第１電極３間の間隔ピッチが１００μｍ、樹脂配置領域Ｒ１の配線幅Ｗ１が４５μｍ、領域Ｒ１の配線間の領域幅Ｗ３が５５μｍに設定されるとき、樹脂流動領域Ｒ２の配線幅Ｗ２が２０〜２５μｍ、領域Ｒ２の配線間の領域幅Ｗ４が８０〜７５μｍに設定することができる。なお、配線方向における樹脂配置領域Ｒ１の長さは３ｍｍ、樹脂流動領域Ｒ２の長さが１ｍｍに設定される。
【００４３】
また、樹脂配置領域Ｒ１は、第１電極３と第２電極５との間でより確実な電気的接続が要求されるような領域であり、この領域Ｒ１においては、電気的な接続を重視する観点から電極幅Ｗ１が決定されることが好ましい。これに対して、樹脂流動領域Ｒ２は、電気的な接続よりもマイグレーションの発生を抑制するための樹脂の充填性が強く要求されるような領域であり、このような観点から、第１電極３の配線としての配線方向Ｓにおける電気的導通性を確保できる限度において、その配線幅Ｗ２がＷ１に対して縮小されて決定されることが好ましい。
【００４４】
また、このように樹脂流動領域Ｒ２における流速が抑制されていることにより、対向領域Ｒから外側にはみ出す樹脂７の量を抑制することができ、配線の狭小化設計において効果的である。
【００４５】
また、本第１実施形態の電極接合構造体１０においては、図２の配線方向Ｓの上方側の樹脂流動領域Ｒ２における樹脂７の流速が抑制されるように電極幅狭小部３Ａが形成されていればよい。特にこの部分は、フレキシブル基板６の端部近傍であり、銀電極である第１電極３が延在する側の対向領域Ｒの端部近傍であるため、マイグレーションの発生を効果的に抑制することが求められる領域でもあるからである。ただし、このような場合についてのみ限られず、図７及び図８に示すように、配線方向Ｓにおける図示下方側の領域、すなわちガラス基板４の端部側の領域においても、第１電極３の配線幅を狭小化させることで、マイグレーション抑制やはみ出し部分の縮小化の効果を得ることができる。
【００４６】
さらに、本第１実施形態では、ガラス基板４の第１電極３に電極幅狭小部３Ａを形成するような場合について説明したが、電極幅狭小部は、第１電極３及び第２電極５のいずれか一方にのみ形成されていれば、本第１実施形態の効果を得ることができ、両方に同様な形状にて電極幅狭小部が形成されていることがより好ましい。ただし、第１電極３が銀電極として形成されているような場合には、少なくとも第１電極３に電極幅狭小部３Ａを形成することがマイグレーション抑制にはより効果的である。
【００４７】
（第２実施形態）
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その他種々の態様で実施できる。例えば、本発明の第２の実施形態にかかる電極接合構造体について説明する。ここで、本第２実施形態の電極接合構造体におけるガラス基板３４の模式平面図を図９及び図１０に示し、ガラス基板３４における電極構造及び樹脂７の流動について説明する。なお、図９及び図１０は、上記第１実施形態の図７及び図８に対応する図である。
【００４８】
図９に示すように、本第２実施形態におけるガラス基板３４には、樹脂流動領域Ｒ２に相当する領域にて、第１電極３３に電極湾曲部３３Ａが形成されている点において、上記第１実施形態とは異なる構成を有している。図９に示すように、電極湾曲部３３Ａはその配線幅はＷ１と略同じにて形成されながら、配線方向Ｓに対して湾曲するように、具体的にはＳ字形状を有するように形成されている。また、樹脂流動領域Ｒ２において、隣接する第１電極３３間の領域もＳ字形状を有するように湾曲して形成されている。
【００４９】
このように電極湾曲部３Ａが形成されていることにより、図９及び図１０に示すように、樹脂配置領域Ｒ１において流速Ｖ０にて流動した樹脂７が、樹脂流動領域Ｒ２において例えば流速Ｖ０にてその流動方向が配線方向Ｓに対して傾斜されかつ可変されながら流動されることになる。そのため、樹脂７はＳ字を描くように流動され、配線方向Ｓにおける実質上の流速は、流速Ｖ０に対して流速Ｖ２に減少されることとなる。このように実質上減少された流速Ｖ２にて、図１０に示すように、樹脂流動領域Ｒ２に樹脂７が流動されて、樹脂７が充填される。
【００５０】
本第２実施形態のように、樹脂流動領域Ｒ２において、第１電極３３を湾曲させて形成することで、樹脂７の流動における実質上の流速を抑制し、樹脂７の充填性を向上させることができる。従って、マイグレーションの発生を抑制することができ、狭ピッチな接合構造体において、接合の信頼性を高めることができる。
【００５１】
また、このように第１電極３３に電極湾曲部３３Ａを形成することで、第１電極３３の電極幅を縮小しなくても、樹脂７の充填性を向上させることができるという利点を得ることができる。ただし、電極幅狭小部が設けられても電気的な導通性を十分に確保できるような場合には、例えば、上記第１実施形態の電極幅狭小部３Ａと、本第２実施形態の電極湾曲部３３Ａとを組み合わせた構造として、電極湾曲部の幅が狭小化されているような構造を採用することもできる。このような構造においては、樹脂の流動における流速を大幅に低減することができ、その充填性をより高めることができる。
【００５２】
また、このような第１電極３３の湾曲構造は、その湾曲方向の反転部３３Ｂが含まれるように形成されることが好ましい。具体的には、図９に示すように、湾曲方向の反転部３３Ｂが含まれることで、樹脂７の流動方向をも反転させることができ、樹脂流動領域Ｒ２における樹脂７の充填性をより均一な状態とすることができる。
【００５３】
また、上記それぞれの実施形態では、ガラス基板４を第１の回路形成体の一例として挙げたが、第１の回路形成体としては、ガラス基板の他、ガラエポ配線基板、ポリエチレンテレフタレート基板、ポリカーボネート基板、ポリエチレンナフタレート基板、ポリイミド基板、セラミック基板、プリント配線基板、フレキシブル基板等が用いられてもよい。
また、フレキシブル基板６を第２の回路形成体の一例して挙げたが、第２の回路形成体としては、フレキシブル基板の他に、ガラス基板、ガラエポ配線基板、ポリエチレンテレフタレート基板、ポリカーボネート基板、ポリエチレンナフタレート基板、ポリイミド基板、セラミック基板、プリント配線基板、ＩＣチップ等が用いられてもよい。第１及び第２回路形成体をこのような構成にすることにより、高い生産性を保ちつつ高品質な電極接合構造体を安価に提供することができる。
【００５４】
なお、上記様々な実施形態のうちの任意の実施形態を適宜組み合わせることにより、それぞれの有する効果を奏するようにすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の第１実施形態にかかる電極接合構造体の模式平面図
【図２】第１実施形態のガラス基板の模式平面図
【図３】図１の電極接合構造体のＣ−Ｃ線断面図
【図４】図１の電極接合構造体のＤ−Ｄ線断面図
【図５】第１実施形態の電極接合構造体に接合方法の模式説明図（接合前）
【図６】第１実施形態の電極接合構造体に接合方法の模式説明図（接合後）
【図７】第１実施形態のガラス基板において、樹脂が配置された状態の模式図
【図８】第１実施形態のガラス基板において、樹脂が流動された状態の模式図
【図９】本発明の第２実施形態のガラス基板において、樹脂が配置された状態の模式図
【図１０】第２実施形態のガラス基板において、樹脂が流動された状態の模式図
【図１１】従来の電極接合構造体の模式平面図
【図１２】従来の電極接合構造体に接合方法の模式説明図（接合前）
【図１３】従来の電極接合構造体に接合方法の模式説明図（接合後）
【図１４】図１１の電極接合構造体のＢ−Ｂ線断面図
【図１５】従来の電極接合構造体に接合方法の模式説明図（接合前）
【図１６】従来の電極接合構造体に接合方法の模式説明図（接合後）
【符号の説明】
【００５６】
３  第１電極
３Ａ  電極幅狭小部
４  ガラス基板
５  第２電極
６  フレキシブル井板
７  絶縁性接合樹脂
８  導電性粒子
９  ＡＣＦ
１０  電極接合構造体
３３  第１電極
３３Ａ  湾曲電極部
３３Ｂ  反転部
３４  ガラス基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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