(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上に配置され、第１の開口部を有する第１の配線パターンと、
前記第１の絶縁層上で前記第１の配線パターンの前記第１の開口部内に配置される第１のグランドパターンとを備えたことを特徴とする配線回路基板。
【請求項２】
前記第１の配線パターンは、一定の範囲で互いに離間した複数の第１の配線部を有し、前記複数の第１の配線部間に前記第１の開口部が形成されることを特徴とする請求項１記載の配線回路基板。
【請求項３】
前記複数の第１の配線部の幅の合計は、第１の配線パターンの離間していない部分の幅と等しいことを特徴とする請求項２記載の配線回路基板。
【請求項４】
金属基板をさらに備え、
前記第１の絶縁層は、前記金属基板上に形成され、
前記第１のグランドパターンは、前記金属基板に電気的に接続されることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の配線回路基板。
【請求項５】
前記金属基板に設けられ、信号の読み書きを行うためのヘッド部をさらに備え、
前記第１の配線パターンは、前記ヘッド部に電気的に接続されることを特徴とする請求項４記載の配線回路基板。
【請求項６】
前記第１の配線パターンおよび前記第１のグランドパターンを覆うように前記第１の絶縁層上に形成された第２の絶縁層をさらに備えることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の配線回路基板。
【請求項７】
前記第１の絶縁層上に前記第１の配線パターンに間隔をおいて配置され、第２の開口部を有する第２の配線パターンと、
前記第１の絶縁層上で前記第２の配線パターンの前記第２の開口部内に配置される第２のグランドパターンとをさらに備え、
前記第１および第２の配線パターンは、信号線路対を形成することを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の配線回路基板。
【請求項８】
第１の絶縁層上に第１の開口部を有する第１の配線パターンを形成する工程と、
前記第１の絶縁層上で前記第１の配線パターンの前記第１の開口部内に第１のグランドパターンを形成する工程とを備えたことを特徴とする配線回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線回路基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスクドライブ装置等のドライブ装置にはアクチュエータが用いられる。このようなアクチュエータは、回転軸に回転可能に設けられるアームと、アームに取り付けられる磁気ヘッド用のサスペンション基板とを備える。サスペンション基板は、磁気ディスクの所望のトラックに磁気ヘッドを位置決めするための配線回路基板である。
【０００３】
図８は、従来のサスペンション基板（例えば特許文献１参照）の縦断面図である。
【０００４】
このサスペンション基板９１０においては、金属基板９０２上に第１の絶縁層９０４が形成されている。第１の絶縁層９０４上には、書込用配線パターンＷ２および読取用配線パターンＲ２が距離Ｌ１離間するように形成されている。
【０００５】
第１の絶縁層９０４上には、書込用配線パターンＷ２および読取用配線パターンＲ２を覆うように第２の絶縁層９０５が形成されている。第２の絶縁層９０５上には、読取用配線パターンＲ２の上方位置で書込用配線パターンＷ１が形成され、書込用配線パターンＷ２の上方位置で読取用導体Ｒ１が形成されている。
【０００６】
上下に位置する読取用配線パターンＲ１と書込用配線パターンＷ２との間の距離、および上下に位置する読取用配線パターンＲ２と書込用配線パターンＷ１との間の距離は、ともにＬ２である。
【０００７】
上記構成を有するサスペンション基板９１０においては、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２と読取用配線パターンＲ１との間の距離が、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２と読取用配線パターンＲ２との間の距離とそれぞれほぼ等しい。これにより、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２に書込み電流が流れる場合には、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２に発生する誘導起電力の大きさがほぼ等しくなると考えられる。そのため、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２と読取用配線パターンＲ１，Ｒ２との間のクロストークを低減することができる。
【特許文献１】特開２００４−１３３９８８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、近年、電子機器の低消費電力化のために、サスペンション基板のインピーダンスを低くすることが望まれる。
【０００９】
本発明の目的は、インピーダンスを低減することが可能な配線回路基板およびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
（１）第１の発明に係る配線回路基板は、第１の絶縁層と、第１の絶縁層上に配置され、第１の開口部を有する第１の配線パターンと、第１の絶縁層上で第１の配線パターンの第１の開口部内に配置される第１のグランドパターンとを備えたものである。
【００１１】
この配線回路基板においては、第１の絶縁層上で第１の配線パターンの第１の開口部内に第１のグランドパターンが配置される。それにより、良好な伝送特性が得られるとともに、インピーダンスを低減することが可能となる。
【００１２】
また、第１の配線パターンおよび第１のグランドパターンが同一平面上に形成される。そのため、第１の配線パターンおよび第１のグランドパターンを同一の材料で形成する場合、共通の工程で第１の配線パターンおよび第１のグランドパターンの両方を形成することができる。それにより、製造コストを抑制することができるとともに、生産効率を向上させることができる。
【００１３】
（２）第１の配線パターンは、一定の範囲で互いに離間した複数の第１の配線部を有し、複数の第１の配線部間に第１の開口部が形成されてもよい。
【００１４】
この場合、良好な伝送特性が得られるとともに、インピーダンスを低減することが可能となる。
【００１５】
（３）複数の第１の配線部の幅の合計は、離間していない第１の配線パターンの部分の幅と等しくてもよい。
【００１６】
この場合、互いに離間した複数の第１の配線部と離間していない第１の配線パターンの部分とにおいて抵抗値が等しくなる。そのため、より良好な伝送特性が得られる。
【００１７】
（４）配線回路基板は、金属基板をさらに備え、第１の絶縁層は、金属基板上に形成され、第１のグランドパターンは、金属基板に電気的に接続されてもよい。
【００１８】
この場合、第１のグランドパターンの電位が安定に維持される。
【００１９】
（５）配線回路基板は、金属基板に設けられ、信号の読み書きを行うためのヘッド部をさらに備え、第１の配線パターンは、ヘッド部に電気的に接続されてもよい。
【００２０】
この場合、配線回路基板をハードディスクドライブ装置等のドライブ装置のサスペンション基板として用いることができる。
【００２１】
（６）配線回路基板は、第１の配線パターンおよび第１のグランドパターンを覆うように第１の絶縁層上に形成された第２の絶縁層をさらに備えてもよい。
【００２２】
この場合、第１の配線パターンおよび第１のグランドパターンが外的負荷から保護される。
【００２３】
（７）配線回路基板は、第１の絶縁層上に第１の配線パターンに間隔をおいて配置され、第２の開口部を有する第２の配線パターンと、第１の絶縁層上で第２の配線パターンの第２の開口部内に配置される第２のグランドパターンとをさらに備え、第１および第２の配線パターンは、信号線路対を形成してもよい。
【００２４】
この場合、第１および第２の配線パターンにより差動信号が伝送される。また、第１の配線パターンの第１の開口部内に第１のグランドパターンが配置され、第２の配線パターンの第２の開口部内に第２のグランドパターンが配置されることにより、差動信号の伝送時に、良好な伝送特性が得られるとともにインピーダンスが低減される。
【００２５】
（８）第２の発明に係る配線回路基板の製造方法は、第１の絶縁層上に第１の開口部を有する第１の配線パターンを形成する工程と、第１の絶縁層上で第１の配線パターンの第１の開口部内に第１のグランドパターンを形成する工程とを備えたものである。
【００２６】
この配線回路基板の製造方法においては、第１の絶縁層上で第１の配線パターンの第１の開口部内に第１のグランドパターンが形成される。それにより、良好な伝送特性が得られるとともに、インピーダンスを低減することが可能となる。
【００２７】
また、第１の配線パターンおよび第１のグランドパターンが同一平面上に形成される。そのため、第１の配線パターンおよび第１のグランドパターンを同一の材料で形成する場合、共通の工程で第１の配線パターンおよび第１のグランドパターンの両方を形成することができる。それにより、製造コストを抑制することができるとともに、生産効率を向上させることができる。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によれば、良好な伝送特性が得られるとともに、インピーダンスを低減することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、本発明の一実施の形態に係る配線回路基板およびその製造方法について図面を参照しながら説明する。以下、本発明の一実施の形態に係る配線回路基板として、ハードディスクドライブ装置のアクチュエータに用いられるサスペンション基板の構造およびその製造方法について説明する。
【００３０】
（１）サスペンション基板の構造
図１は本発明の一実施の形態に係るサスペンション基板の上面図である。図１に示すように、サスペンション基板１は、金属製の長尺状基板により形成されるサスペンション本体部１０を備える。サスペンション本体部１０上には、太い点線で示すように、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２が形成されている。
【００３１】
サスペンション本体部１０の先端部には、Ｕ字状の開口部１１を形成することにより磁気ヘッド搭載部（以下、タング部と呼ぶ）１２が設けられている。タング部１２は、サスペンション本体部１０に対して所定の角度をなすように破線Ｒの箇所で折り曲げ加工される。タング部１２の端部には４つの電極パッド２１，２２，２３，２４が形成されている。
【００３２】
サスペンション本体部１０の他端部には４つの電極パッド３１，３２，３３，３４が形成されている。タング部１２上の電極パッド２１〜２４とサスペンション本体部１０の他端部の電極パッド３１〜３４とは、それぞれ書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読込用Ｒ１，Ｒ２により電気的に接続されている。また、サスペンション本体部１０には複数の孔部Ｈが形成されている。
【００３３】
サスペンション基板１を備える図示しないハードディスク装置においては、磁気ディスクに対する情報の書込み時に一対の書込用配線パターンＷ１，Ｗ２に電流が流れる。また、磁気ディスクに対する情報の読込み時に一対の読込用配線パターンＲ１，Ｒ２に電流が流れる。
【００３４】
次に、サスペンション基板１の書込用配線パターンＷ１，Ｗ２およびその周辺部分について詳細に説明する。図２は、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の一部およびその周辺部分の拡大平面図である。図３（ａ）は図２のＡ−Ａ線断面図であり、図３（ｂ）は図２のＢ−Ｂ線断面図であり、図３（ｃ）は図２のＣ−Ｃ線断面図である。
【００３５】
図２に示すように、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２は互いに離間して延びている。書込用配線パターンＷ１は、所定の領域において互いに離間した２本の配線部Ｗ１ａ，Ｗ１ｂに分離している。配線部Ｗ１ａ，Ｗ１ｂの一端部は互いに結合して１本の書込用配線パターンＷ１に一体化し、配線部Ｗ１ａ，Ｗ１ｂの他端部は互いに結合して１本の書込用配線パターンＷ１に一体化している。それにより、書込用配線パターンＷ１に配線部Ｗ１ａ，Ｗ１ｂで囲まれた開口部Ｈ１が形成されている。
【００３６】
同様に、書込用配線パターンＷ２は、所定の領域において互いに離間した２本の配線部Ｗ２ａ，Ｗ２ｂに分離している。配線部Ｗ２ａ，Ｗ２ｂの一端部は互いに結合して１本の書込用配線パターンＷ２に一体化し、配線部Ｗ２ａ，Ｗ２ｂの他端部は互いに結合して１本の書込用配線パターンＷ２に一体化している。それにより、書込用配線パターンＷ２に配線部Ｗ２ａ，Ｗ２ｂで囲まれた開口部Ｈ２が形成されている。
【００３７】
配線部Ｗ１ａ，Ｗ１ｂおよび配線部Ｗ２ａ，Ｗ２ｂは、それぞれ互いに平行に延びている。配線部Ｗ１ａ，Ｗ１ｂで囲まれた開口部Ｈ１内の領域にグランドパターンＧ１が配置され、配線部Ｗ２ａ，Ｗ２ｂで囲まれた開口部Ｈ２内の領域にグランドパターンＧ２が配置されている。このようにして、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２およびグランドパターンＧ１，Ｇ２は同一平面上に配置されている。
【００３８】
図３（ａ）に示すように、サスペンション本体部１０上に第１の絶縁層４１が形成されている。第１の絶縁層４１上に書込用配線パターンＷ１，Ｗ２が形成されている。
【００３９】
図３（ｂ）に示すように、書込用配線パターンＷ１は互いに離間した配線部Ｗ１ａ，Ｗ１ｂに分離し、その間にグランドパターンＧ１が形成されている。また、書込用配線パターンＷ２は互いに離間した配線部Ｗ２ａ，Ｗ２ｂに分離し、その間にグランドパターンＧ２が形成されている。書込用配線パターンＷ１，Ｗ２およびグランドパターンＧ１，Ｇ２を覆うように、第１の絶縁層４１上に第２の絶縁層４２が形成されている。
【００４０】
なお、図３（ｃ）に示すように、グランドパターンＧ１，Ｇ２の両端部は、第１の絶縁層４１に形成されたスルーホールｈを通してサスペンション本体部１０に接続されている。これにより、グランドパターンＧ１，Ｇ２の電位が安定に維持される。
【００４１】
（２）サスペンション基板の製造
サスペンション基板１の製造方法を説明する。ここでは、図１のタング部１２、電極パッド２１〜２４，３１〜３４、孔部Ｈおよび読込用配線パターンＲ１，Ｒ２の形成工程についての説明は省略する。
【００４２】
図４は、本発明の一実施の形態に係るサスペンション基板１の製造工程を示す縦断面図である。なお、図４に示す断面は、上記の図２のＢ−Ｂ線断面に対応している。
【００４３】
初めに、図４（ａ）に示すように、ステンレス鋼（ＳＵＳ）からなる長尺状基板をサスペンション本体部１０として用意する。そして、サスペンション本体部１０上に第１の絶縁層４１を形成する。
【００４４】
サスペンション本体部１０としては、ステンレス鋼に代えてアルミニウム（Ａｌ）等の他の材料を用いてもよい。サスペンション本体部１０の厚みは例えば５μｍ以上５０μｍ以下であり、１０μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましい。第１の絶縁層４１の厚みは例えば３μｍ以上２０μｍ以下であり、５μｍ以上１５μｍ以下であることが好ましい。
【００４５】
第１の絶縁層４１および後の工程で形成される第２の絶縁層４２は、例えばポリイミド樹脂に高い比誘電率を有するチタン酸バリウムを添加して分散させることにより形成することができる。ポリイミド樹脂へのチタン酸バリウムの添加量を調整することにより、第１および第２の絶縁層４１，４２の比誘電率を調整することができる。また、例えばポリイミド樹脂に空気を分散させることにより第１および第２の絶縁層４１，４２の比誘電率を低下させることもできる。
【００４６】
本実施の形態において、第１および第２の絶縁層４１，４２の比誘電率は例えば２以上１２以下であり、２．５以上８以下であることが好ましい。第１および第２の絶縁層４１，４２には、ポリイミド樹脂に代えてエポキシ樹脂を用いてもよい。また、チタン酸バリウムに代えて、チタン酸鉛等の他のチタン酸塩、ジルコン酸バリウム等のジルコン酸塩、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）等の他の高誘電率物質を用いてもよい。
【００４７】
続いて、図４（ｂ）に示すように、第１の絶縁層４１上に例えばスパッタリングにより銅（Ｃｕ）からなる金属層５０を形成する。そして、図４（ｃ）に示すように、金属層５０上に所定のパターンを有するエッチングレジスト５１を形成する。エッチングレジスト５１は、例えば、ドライフィルムレジスト等により金属層５０上にレジスト膜を形成し、そのレジスト膜を所定のパターンで露光し、その後、現像することにより形成される。
【００４８】
次に、図４（ｄ）に示すように、エッチングにより、エッチングレジスト５１の下の領域を除く金属層５０の領域を除去する。そして、図４（ｅ）に示すように、エッチングレジスト５１を剥離液により除去する。これにより、書込用配線パターンＷ１（配線部Ｗ１ａ，Ｗ１ｂ）、書込用配線パターンＷ２（配線部Ｗ２ａ，Ｗ２ｂ）およびグランドパターンＧ１，Ｇ２が形成される。
【００４９】
なお、金属層５０の形成前に、グランドパターンＧ１，Ｇ２の端部が配置される第１の絶縁層４１の部分に予めスルーホールｈ（図３（ｃ））を形成しておく。この場合、そのスルーホールｈを通してグランドパターンＧ１，Ｇ２の端部をサスペンション本体部１０に接続することができる。
【００５０】
その後、図４（ｆ）に示すように、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２およびグランドパターンＧ１，Ｇ２を覆うように第１の絶縁層４１上に第２の絶縁層４２を形成する。これにより、サスペンション基板１が完成する。
【００５１】
なお、図４においては、サブトラクティブ法により書込用配線パターンＷ１，Ｗ２およびグランドパターンＧ１，Ｇ２を形成する場合について説明したが、セミアディティブ法等の他の方法により書込用配線パターンＷ１，Ｗ２およびグランドパターンＧ１，Ｇ２を形成してもよい。
【００５２】
書込用配線パターンＷ１，Ｗ２およびグランドパターンＧ１，Ｇ２は、銅に限らず、金（Ａｕ）、アルミニウム等の他の金属、または銅合金、アルミニウム合金等の合金を用いて形成することができる。
【００５３】
書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の厚みは例えば３μｍ以上１６μｍ以下であり、６μｍ以上１３μｍ以下であることが好ましい。配線部Ｗ１ａ，Ｗ１ｂ，Ｗ２ａ，Ｗ２ｂに分離していない書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の部分の幅は例えば１２μｍ以上６０μｍ以下であり、１６μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。配線部Ｗ１ａ，Ｗ１ｂ，Ｗ２ａ，Ｗ２ｂの幅は例えば６μｍ以上３０μｍ以下であり、８μｍ以上２５μｍ以下であることが好ましい。
【００５４】
配線部Ｗ１ａ，Ｗ１ｂに分離していない書込用配線パターンＷ１の部分の幅は、配線部Ｗ１ａ，Ｗ１ｂの幅の合計に等しいことが好ましい。同様に、配線部Ｗ２ａ，Ｗ２ｂに分離していない書込用配線パターンＷ２の部分の幅は、配線部Ｗ２ａ，Ｗ２ｂの幅の合計に等しいことが好ましい。
【００５５】
グランドパターンＧ１，Ｇ２の厚みは例えば３μｍ以上１６μｍ以下であり、６μｍ以上１３μｍ以下であることが好ましい。グランドパターンＧ１，Ｇ２の幅は例えば１０μｍ以上８０μｍ以下であり、１５μｍ以上６０μｍ以下であることが好ましい。
【００５６】
書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の間隔は、例えば５μｍ以上１００μｍ以下であり、１０μｍ以上６０μｍ以下であることが好ましい。また、配線部Ｗ１ａ，Ｗ１ｂとグランドパターンＧ１との間隔および配線部Ｗ２ａ，Ｗ２ｂとグランドパターンＧ２との間隔は例えば５μｍ以上５０μｍ以下であり、１０μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましい。
【００５７】
上記構成において、第１の絶縁層４１と書込用配線パターンＷ１，Ｗ２との間および第１の絶縁層４１とグランドパターンＧ１，Ｇ２との間にそれぞれ金属薄膜を形成してもよい。この場合、第１の絶縁層４１と書込用配線パターンＷ１，Ｗ２との密着性および第１の絶縁層４１とグランドパターンＧ１，Ｇ２との密着性が向上される。
【００５８】
第２の絶縁層４２の厚みＴ１（図４（ｆ））は例えば５μｍ以上３０μｍ以下であり、１０μｍ以上２０μｍ以下であることが好ましい。
【００５９】
（３）効果
本実施の形態に係るサスペンション基板１においては、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の一部が互いに離間した配線部Ｗ１ａ，Ｗ１ｂ，Ｗ２ａ，Ｗ２ｂに分離し、配線部Ｗ１ａ，Ｗ１ｂで囲まれた開口部Ｈ１および配線部Ｗ２ａ，Ｗ２ｂで囲まれた開口部Ｈ２にグランドパターンＧ１，Ｇ２がそれぞれ配置される。このような構成により、良好な伝送特性が得られるとともに、インピーダンスを低減することが可能となる。
【００６０】
（４）実施例および比較例
（４−１）実施例
実施例として、図１〜図３に示したサスペンション基板１を作製した。なお、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２およびグランドパターンＧ１，Ｇ２の材料として銅を用いた。また、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の分離していない部分の幅をそれぞれ２０μｍとし、配線部Ｗ１ａ，Ｗ１ｂ，Ｗ２ａ，Ｗ２ｂの幅をそれぞれ１０μｍとし、グランドパターンＧ１，Ｇ２の幅をそれぞれ１０μｍとした。また、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２およびグランドパターンＧ１，Ｇ２の厚みをそれぞれ１０μｍとした。
【００６１】
また、配線部Ｗ１ａ，Ｗ１ｂとグランドパターンＧ１との間隔および配線部Ｗ２ａ，Ｗ２ｂとグランドパターンＧ２との間隔をそれぞれ１０μｍとした。また、第１の絶縁層４１の厚みを１０μｍとし、第２の絶縁層４２の厚みを５μｍとした。また、第１および第２の絶縁層４１，４２の比誘電率をそれぞれ３とした。
【００６２】
（４−２）比較例
図５は、比較例としてのサスペンション基板を示す模式的断面図である。図５のサスペンション基板１ａが実施例２のサスペンション基板１と異なるのは次の点である。
【００６３】
サスペンション基板１ａにおいては、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２が配線部Ｗ１ａ，Ｗ１ｂ，Ｗ２ａ，Ｗ２ｂに分離していない。また、グランドパターンＧ１，Ｇ２の代わりにサスペンション本体部１０と第１の絶縁層４１との間に銅からなるグランド層４５が形成されている。
【００６４】
なお、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の厚みをそれぞれ１０μｍとし、幅をそれぞれ２０μｍとした。また、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の間隔を２０μｍとした。また、グランド層４５の厚みを３μｍとした。
【００６５】
ここで、実施例のサスペンション基板１の製造時には、上記のようにスパッタリングを１回しか行わない。それに対して、比較例のサスペンション基板１ａの製造時には、グランド層４５の形成時および書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の形成時のそれぞれにおいてスパッタリングを行う必要がある。
【００６６】
このように、本実施の形態では、製造時におけるスパッタリングの回数を削減することができる。それにより、製造コストを抑制することができるとともに、生産効率を向上させることができる。
【００６７】
（４−３）評価
実施例および比較例のサスペンション基板１，１ａにおいて、差動モード入力および差動モード出力（Ｓｄｄ２１）における利得を調べた。また、実施例および比較例のサスペンション基板１，１ａにおけるインピーダンスをタイムドメインリフレクトメトリ（ＴＤＲ）の原理を用いて計算した。なお、負の利得は損失を示す。
【００６８】
図６は差動モード入力および差動モード出力における利得を計算した結果を示す図である。図６において、縦軸が利得を示し、横軸が信号の周波数を示す。図７は、実施例および比較例のサスペンション基板１，１ａにおけるインピーダンスを計算した結果を示す図である。図７において、解析を行った区間は約０．１〜０．５ｎｓである。
【００６９】
図６に示すように、実施例のサスペンション基板１での損失は、低周波領域から高周波領域まで比較例のサスペンション基板１ａでの損失よりも小さかった。また、図７に示すように、実施例のサスペンション基板１におけるインピーダンスは約４０〜４５Ωであり、比較例のサスペンション基板１ａにおけるインピーダンスは約８０〜９０Ωであった。
【００７０】
この結果から、配線部Ｗ１ａ，Ｗ１ｂの間および配線部Ｗ２ａ，Ｗ２ｂの間にグランドパターンＧ１，Ｇ２がそれぞれ配置されることにより、良好な伝送特性が得られるとともに、インピーダンスが低減されることがわかった。
【００７１】
（５）他の実施の形態
上記実施の形態では、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の一部が配線部Ｗ１ａ，Ｗ１ｂおよび配線部Ｗ２ａ，Ｗ２ｂにそれぞれ分離し、その間の開口部Ｈ１，Ｈ２にグランドパターンＧ１，Ｇ２が形成されるが、同様に、読込用配線パターンＲ１，Ｒ２の一部がそれぞれ分離し、その間の開口部にグランドパターンが形成されてもよい。
【００７２】
また、上記実施の形態のサスペンション基板１において、サスペンション本体部１０を設けなくてもよい。
【００７３】
（６）  請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
【００７４】
上記実施の形態においては、書込用配線パターンＷ１が第１の配線パターンの例であり、書込用配線パターンＷ２が第２の配線パターンの例であり、グランドパターンＧ１が第１のグランドパターンの例であり、グランドパターンＧ２が第２のグランドパターンの例であり、配線部Ｗ１ａ，Ｗ１ｂが第１の配線部の例であり、配線部Ｗ２ａ，Ｗ２ｂが第２の配線部の例である。
【００７５】
また、サスペンション本体部１０が金属基板の例であり、タング部１２がヘッド部の例である。
【００７６】
請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
【産業上の利用可能性】
【００７７】
本発明は、種々の電気機器または電子機器等に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】本発明の一実施の形態に係るサスペンション基板の平面図である。
【図２】書込用配線パターンの一部およびその周辺部分の拡大平面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ線断面、Ｂ−Ｂ線断面およびＣ−Ｃ線断面である。
【図４】本発明の一実施の形態に係るサスペンション基板の製造工程を示す図である。
【図５】比較例のサスペンション基板の模式的断面図である。
【図６】差動モード入力および差動モード出力における利得を計算した結果を示す図である。
【図７】実施例および比較例におけるインピーダンスの計算結果を示す図である。
【図８】従来のサスペンション基板の縦断面図である。
【符号の説明】
【００７９】
１  サスペンション基板
１０  サスペンション本体部
１２  タング部
４１  第１の絶縁層
４２  第２の絶縁層
Ｇ１，Ｇ２  グランドパターン
Ｒ１，Ｒ２  読取用配線パターン
Ｗ１，Ｗ２  書込用配線パターン
Ｗ１ａ，Ｗ１ｂ，Ｗ２ａ，Ｗ２ｂ  配線部
Ｈ１，Ｈ２  開口部
【図１】
0005190291.tif 000002
【図２】
0005190291.tif 000003
【図３】
0005190291.tif 000004
【図４】
0005190291.tif 000005
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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