(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ケーシングにおいて、
ケーシング下部（２１）と、
該ケーシング下部（２１）内部のケーシングキャビティ（９）と、
１つのケーシング面（１０）に形成された開口部と、
前記ケーシングキャビティ（９）内に配置され電磁放射を送出する少なくとも１つの半導体チップ（３）と、
前記電磁放射に対し少なくとも部分的に透過性であり前記ケーシングキャビティ（９）を覆うカバー（４）と
が設けられており、
前記カバー（４）は、該カバー（４）の側面（１１）から出射する電磁放射が吸収されるよう、前記ケーシング下部（２１）と結合されており、
前記ケーシング下部（２１）は少なくとも１つのケーシング基部（１）とケーシングフレーム（２）とを有しており、該ケーシングフレーム（２）は切り欠きを有しており、該切り欠きに前記カバー（４）が取り付けられており、
前記カバー（４）の前記側面（１１）へ向かう電磁放射を吸収する吸収材料（５）が、前記カバー（４）の前記側面（１１）と前記ケーシングフレーム（２）との間に取り付けられており、
前記吸収材料（５）は接着剤であり、該接着剤により前記カバー（４）と前記ケーシング下部（２１）との間の機械的な結合が形成され、
前記カバー（４）の高さ（ｈ）はフレーム切り欠きの高さ（Ｈ）よりも小さく、かつ、前記吸収材料の高さは前記カバー（４）の高さ（ｈ）よりも大きい
ことを特徴とするケーシング。
【請求項２】
請求項１記載のケーシングにおいて、
吸収性接着剤（７）が前記カバ−（４）と前記ケーシング下部（２１）との間に配置されており、吸収性の層（８）が、前記ケーシングキャビティ（９）とは反対側に形成されている前記カバー（４）の上面の周縁領域に配置されていることを特徴とするケーシング。
【請求項３】
請求項１記載のケーシングにおいて、
前記ケーシングキャビティ（９）とは反対側に形成されている前記カバー（４）の上面の周縁領域は吸収性の層（８）により被覆されていることを特徴とするケーシング。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか１項記載のケーシングにおいて、
前記カバー（４）の側面（１１）が前記吸収性の層（８）により被覆されていることを特徴とするケーシング。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１項記載のケーシングにおいて、
前記カバー（４）は前記ケーシング下部（２１）と光学的に結合されていることを特徴とするケーシング。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか１項記載のケーシングにおいて、
前記カバー（４）の材料はガラスまたは硬化シリコーンであり、前記半導体チップ（３）の電磁放射に対し熱耐性を有することを特徴とするケーシング。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか１項記載のケーシングにおいて、
前記ケーシングフレーム（２）の材料および前記ケーシング基部（１）の材料は、セラミックであり、または、前記半導体チップ（３）の電磁放射に対し熱耐性を有するプラスチック材料であることを特徴とするケーシング。
【請求項８】
請求項１記載のケーシングにおいて、
前記ケーシング下部（２１）の材料は、窒化アルミニウムから成り、または、窒化アルミニウムを含むことを特徴とするケーシング。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか１項記載のケーシングにおいて、
前記ケーシングフレーム（２）の材料は酸化アルミニウムであり、前記ケーシング基部（１）の材料は窒化アルミニウムであることを特徴とするケーシング。
【請求項１０】
請求項１記載のケーシングにおいて、
前記カバー（４）の側面（１１）は所定の角度で研磨されていて、前記カバー（４）に入力結合された電磁放射が前記ケーシング下部（２１）に向けられることを特徴とするケーシング。
【請求項１１】
請求項１０記載のケーシングにおいて、
前記カバー（４）の側面（１１）が吸収性の層（８）により被覆されていることを特徴とするケーシング。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、動作中に電磁放射を放出するオプトエレクトロニクス素子のためのケーシングに関する。これによれば、ケーシングが側方で放射を送出するのが回避される。さらに本発明は、優先方向で電磁放射を送出させる方法にも関する。
【背景技術】
【０００２】
電磁放射を送出するオプトエレクトロニクス素子は今日、非常に大きな適用分野を有している。個々の適用事例のために、この種のオプトエレクトロニクス素子は色や出力や取り付け方式の点で多種多様に構成されている。それゆえオプトエレクトロニクス素子各々について適用事例に固有のケーシング形状、ケーシング形式および／またはケーシング取り付けを用いるのが目的に適っている。たとえばこの場合、発光ダイオードまたはルミネセンスダイオードとしても周知のＬＥＤ（Light Emitting Diode）は、電磁放射を送出するオプトエレクトロニクス素子とみなされる。
【０００３】
ＬＥＤは投光器ないしはヘッドライトあるいはプロジェクタ用途に適用されることが多い。DE 1031 5131 A1には、電磁放射を放出する発光ダイオードが利用される投光器の一例が記載されている。この文献では投光器は自動車用ヘッドライトであり、これによれば多数の半導体チップが１つの共通のケーシングキャビティ内に配置されている。
【０００４】
ヘッドライト用途のための白色光の生成は、たとえばチップレベルの変換により達成される。この目的で変換材料の薄い層がすでに半導体チップ製造プロセス中にチップに取り付けられ、このようにして白色チップが製造される。
【０００５】
この種のヘッドライト用途の場合、１つまたは複数の半導体チップから放出される電磁放射をまえもって設定された狭い空間角度にできるかぎり高い放射密度で放射させる努力がなされる。このようなヘッドライト用途は殊に自動車分野にますます大きく影響を及ぼしてきており、このためすでに今日の自動車ヘッドライト特にロービームはＬＥＤによって実現されることになる。その際にＬＥＤメーカが留意しなければならないのは、光が所望の放射角度を超えないようにすることであり、もしくは優先された放射角度以外の光強度をたとえば特別な機構によって強く抑圧することである。背景となるのは、殊に対向車両がヘッドライト装置によっても眩しくならないようにするための、道路交通において要求されるヘッドライトの特別な放射特性である。この目的で今日、たとえば投影レンズといった光学系を利用してコーンビームが所望の平面に投影される。
【０００６】
ここで欠点となるのは、この種の適用事例では用いられるＬＥＤの放射特性における不均一性が強まる可能性があり、殊に妨害となる点である。これに関連して、特にこの種の用途のために放射特性が構成されている素子に対する需要が存在する。特許出願DE 10 2005 059524 A1により知られているケーシング装置によれば、切り欠きを備えたケーシングボディが少なくとも１つのチップ取り付け面に配置されている。ケーシングの放射送出側に配置され切り欠きに接しているベースボディの少なくとも１つの外面に、電磁放射の遮蔽に適した遮蔽層が設けられている。
【０００７】
公知の従来技術の別の欠点は、ケーシングキャビティ内部の半導体チップおよびボンディングワイヤを保護するためのカバーが接着剤によりケーシング下部と結合されていることである。この接着剤により、ケーシング下部の周縁領域において製造プロセスにより隆起が生じる。この隆起によって光がカバーに光学的に入力結合され、カバー側面でようやく再び出射される。このカバーはいわば光導波体として動作する。カバーは平坦には研磨されていないことから、入力結合された光がカバー側面であらゆる可能な方向に屈折してしまい、したがって優先放射方向以外にも不所望な光の放射が生じてしまう。
【特許文献１】DE 1031 5131 A1
【特許文献２】DE 10 2005 059524 A1
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
そこで本発明の課題は、電磁放射を送出するオプトエレクトロニクス素子のためケーシングにおいて、技術的に簡単な手段によって放射特性を公知のケーシングよりも改善し、主放射方向に直交して送出される光が抑圧または吸収されるように構成することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明によればこの課題は、ケーシング下部と、該ケーシング下部内部のケーシングキャビティと、１つのケーシング面に形成された開口部と、該ケーシングキャビティ内に配置され電磁放射を送出する少なくとも１つの半導体チップと、該電磁放射に対し少なくとも部分的に透過性であり前記ケーシングキャビティを覆うカバーが設けられており、前記カバーは、該カバーの側面から出射する電磁放射が吸収されるよう、前記ケーシング下部と結合されていることを特徴とするケーシングにより解決される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
これによればたとえば光を最大限に抑圧または吸収することができる。つまりこのケースでは、もはや光が主放射方向に直交して送出されることは可能なかぎりまったくない。
【００１１】
換言すれば、妨害を及ぼす散乱光は上述のケーシング形態による構成によって十分に抑圧されることになる。このケーシングはたとえば投光器または前照灯の用途に、および／または投影の用途に適したものとなる。
【００１２】
本発明によるケーシングの少なくとも１つの実施形態によれば、ケーシングはケーシング下部を備えており、このケーシング下部はケーシングキャビティを有している。このケーシングキャビティはＬＥＤのケーシングの１つの側面に向かって開口部を有しており、それゆえこのキャビティを切り欠きとも称する。ケーシングキャビティ底部は、発光ダイオードチップ（以下では半導体チップと称する）を取り付けるために設けられている。キャビティの内壁を反射器として成形しておくことができ、そのようにすることで半導体チップから放出された電磁放射の一部分がこの反射性内壁によって所望の放射空間角度方向に向かうようになる。
【００１３】
本発明によるケーシングの少なくとも１つの実施形態によれば、ケーシングはケーシング下部を備えており、このケーシング下部の内部にケーシングキャビティが設けられ、１つのケーシング面のところに開口部が形成されており、電磁放射を送出する少なくとも１つの半導体チップがケーシングキャビティ内に配置されている。さらにケーシングキャビティを覆うカバーが設けられており、このカバーは電磁放射に対し少なくとも部分的に透過性である。この場合、カバーはその側面から出射する電磁放射が吸収されるよう、ケーシング下部と結合されている。さらに本発明によれば、電磁的なコンポーネントからの光が優先方向で放射されるようにした方法が提供される。たとえば電磁放射はケーシング下部により吸収される。
【００１４】
本発明によるケーシングならびに本発明による方法により有利には、ケーシングから不所望な空間角度で出射する電磁放射が著しく低減され、もしくは理想的には完全に阻止される。
【００１５】
１つの有利な実施形態によれば、ケーシングは吸収材料を有しており、これはカバー側面に向かって出射する電磁放射が吸収されるように配置されている。この吸収材料をたとえばカバー側面とケーシング下部との間に取り付けることによって、殊にカバーに入力結合される光が吸収される。このようにすれば、所望な放射角度以外の光の送出が回避される。
【００１６】
１つの有利な実施形態によれば、ケーシング下部はマルチピースとしてすなわち複数の部材として形成されており、この場合、ケーシング基部はケーシングフレームと結合されている。このフレームはフレーム切り欠きを有しており、そこにカバーが配置されている。この構成により、カバー側面のところで出射する光がすでにケーシングフレームにより吸収される。
【００１７】
たとえば、カバーとケーシングフレームとの間の結合を形成する吸収性の接着材料により、冒頭で述べた隆起部を介したカバーへの光の入射がすでに阻止され、これによって有利な実施形態が得られる。
【００１８】
１つの有利な実施形態によれば、カバーの高さｈはフレーム切り欠きＨの高さと等しいかまたはそれよりも低い。この構成により、側面から出射からする光すべてがケーシングフレームに入力結合され、適切なケーシング材料により吸収される。この構成は、所望のコーンビームの外側に生じる光を低減するためにきわめて効果的な保護を成すものである。
【００１９】
側面を吸収材料（層）により被覆することで、カバーに入力結合された放射の出射が阻止される。この有利な実施形態によればカバー側面から光は出射せず、したがってこれにより不所望な方向での放射が阻止される。
【００２０】
別の有利な実施形態によれば、カバーはケーシングキャビティとは反対側の上面周縁領域において、吸収性の層により被覆されている。カバーおよび殊にカバー側面は平坦には形成されているので、カバー側面においてあらゆる空間方向で光が出射することになる。理想的には、ケーシング下部によりすべての入射光が吸収される。極端な事例では、光は場合によってはケーシング下部により反射される。この実施形態により、光が自由空間に送出される領域がさらに小さくなる。これによって反射光は、特定の放射範囲外には現れない。
【００２１】
１つの有利な形態によれば、カバー上面に設けられる吸収性の層は吸収材料である。これにより製造ステップが削減されるし製造材料も節約され、製造プロセスが著しく簡単になる。
【００２２】
さらに別の有利な実施形態によれば、カバー側面が吸収性の層により被覆される。ケーシングフレームにカバーを配置しフレームとカバーとの間に吸収材料を設けることに加えて、この吸収性層は、カバー側面に向かって出射する光を低減するための付加的な改良形態を有している。
【００２３】
さらに別の有利な実施形態によれば、カバーはケーシング下部と光学的に結合されている。この構成により、カバーに入力結合される光がケーシング下部においてもう一度吸収され、したがってカバー側面のところで再び出射することはない。
【００２４】
１つの有利な実施形態によれば、ケーシング下部はセラミックス材料である。セラミックス材料を採用することにより、放出される電磁放射殊に紫外線領域の放射に対する熱耐性および放射耐性が高まる。１つの実施形態によれば、ケーシング下部の材料をプラスチック材料とすることもでき、これによれば簡単な射出成形技術によりケーシング形状を製造することができる。これは簡単な製造プロセスであり、したがって製造コスト低減となるものである。
【００２５】
さらに別の有利な実施形態によれば、カバー材料はガラス材料および／または硬化シリコーン材料である。このようにすることでヘッドライトの用途の場合には殊に、送出される電磁放射に対するカバーが少なくとも部分的に透過性であることに加えてさらに、カバーの十分な熱耐性が得られる。しかもこの種のカバーは、半導体チップおよびケーシングキャビティ内のワイヤボンディングに対する保護部材としての役割も果たす。
【００２６】
さらに別の有利な実施形態によれば、ケーシング基部は窒化アルミニウムから成る一方、ケーシングフレームは酸化アルミニウムから成る。これらの材料を使用することによって良好な熱放出が実現される。それぞれ異なる材料を使用することにより、ケーシングの放熱がケーシングの決められた領域のところで最適に整合される。この場合、ケーシング基部の方がいっそう高い放熱係数をもつようにすべきであって、それというのもそこには半導体チップが取り付けられているからである。
【００２７】
別の有利な実施形態によれば、ケーシング基部もケーシングフレームも同じ材料により形成される。理想的なケースでは、ケーシング基部とケーシングフレームは１つのケーシング部材であり、これによって簡単な製造が実現され、たとえば射出成形技術などによって製造を行うことができる。たとえば熱的に問題のない用途であれば、材料としてプラスチック材料を使用することも考えられる。これにより製造コストが最低限に抑えられる。
【００２８】
１つの別の実施形態によれば、カバー側面を角度をつけてないしは傾斜をつけて研磨すると有利である。この場合、２つの実施形態を実現することができる。１つの実施形態によれば研磨の角度を、カバー側面から出射する光がケーシング下部の方向へ向けられるよう選定することができる。材料が吸収性として構成されていれば、カバーに入力結合される光が減衰され、妨害作用を及ぼさない。これによりやはり、ケーシングの放射特性を向上させることができる。研磨の別の実施形態によれば、カバーに入力結合された光がＬＥＤの主放射方向に向けられるよう角度が選定される。この場合、付加的に吸収材料を側面に蒸着させることができ、これによって製造コストが低減される。
【００２９】
さらに本発明は半導体素子からの電磁放射を優先方向で送出させる方法にも関するものであり、この方法は以下のステップを有している。
【００３０】
次に、半導体素子ケーシング下部内において１つのケーシング面で開放されたケーシングキャビティに、半導体チップが配置される。これに続くステップにおいて、ケーシング下部が少なくとも部分的に透過性のカバー材料により覆われる。３つめの製造ステップにおいて、側面方向でカバーから出射する放射が吸収されるようケーシング下部がカバーと結合される。
【００３１】
つまりここで説明した方法の少なくとも１つの実施形態によれば、この方法は以下のステップを以下の順序で有している。
ａ）ケーシング下部内において１つのケーシング面で開放されたケーシングキャビティに、少なくとも１つの半導体チップが配置される。
ｂ）ケーシング下部が少なくとも部分的に透過性のカバーにより覆われる。
ｃ）このカバーは、側面でカバーから出射する放射が吸収されるようケーシング下部と結合される。
【００３２】
上述の方法に関する少なくとも１つの実施形態によれば、カバー側面とケーシング下部側面との間に付加的に吸収材料が配置される。
【００３３】
上述の方法に関する少なくとも１つの実施形態によれば、ケーシング下部はマルチパートで構成されており、すなわち複数の部材から成り、これは少なくとも１つのケーシングフレームを有しており、このケーシングフレームにカバーがはめ込まれる。
【００３４】
上述の方法に関する少なくとも１つの実施形態によれば、側面が所定の角度でないしは傾斜した角度で研磨される。
【００３５】
上述の方法に関する少なくとも１つの実施形態によれば、ケーシングキャビティとは反対側のカバー表側に吸収材料が部分的に取り付けられる。
【００３６】
上述の方法に関する少なくとも１つの実施形態によれば、ケーシング下部材料として窒化アルミニウムおよび／または酸化アルミニウムが用いられる。
【００３７】
上述の方法に関する少なくとも１つの実施形態によれば、カバー材料としてガラスまたは熱耐性のあるシリコーンが用いられる。
【００３８】
次に、図面を参照しながら実施例に基づき本発明について説明する。この場合、同じ構成部材または同じ機能を有する構成部材の図には同じ参照符号が付されている。また、図示されている構成要素は縮尺どおりに描かれたものではなく、理解を深める目的でむしろ個々の構成要素が誇張されたサイズで、もしくは誇張された簡略形態で描かれている場合もある。
【００３９】
図１には、ケーシングの１つの実施例が略示されている。この場合、ケーシングはケーシング基部１とケーシングフレーム２を有している。ケーシングフレーム２内部にケーシングキャビティ９が設けられている。ケーシングキャビティ９は１つのケーシング面１０に向けて開口部を有している。ケーシング基部１の上でケーシングキャビティ９内部に半導体チップ３が配置されており、それらはケーシング基部１と機械的に結合されている。ケーシングフレーム２にはカバー４が取り付けられている。この目的でケーシングフレーム２はケーシングフレーム切り欠き部を有しており、これによってカバー４が担持される。
【００４０】
半導体チップ３は動作中、電磁放射を送出する。この電磁放射は、ここではケーシング基部１とケーシングフレーム２とから成るケーシング下部２１の内面のところで反射し、優先放射方向で送出される。この場合、光はケーシング面１０におけるケーシングキャビティ９の開口部から出射する。半導体チップ３を動作させるために、それらはたとえばワイヤボンディング方式により図示されていないケーシング端子と電気的に接続されている。キャビティ９内部に存在する図示されていないボンディングワイヤを保護するために、カバー４が半導体チップ３の主ビーム方向に取り付けられる。たとえばカバー４をケーシング下部２１と接着することにより、ケーシング基部１とケーシングフレーム２とから成るケーシング下部２１に対するカバー４の結合が行われる。ケーシングキャビティ９内部のケーシング切り欠き部の周縁領域に隆起が生じないよう接着剤を配置させることができるのはごく希なケースであるため、接着剤の隆起によって光がカバー４内に光学的に入力結合される可能性がある。カバー４に光が入力結合することにより、カバー４が光導体となる。入力結合した光はさらにカバー４の側面１１のところで出射する可能性がある。カバー４の側面１１は通常の事例では平坦ではないので、側面から出射する際に光があらゆる方向へ自由に送出されることになる。ケーシング下部２１へカバー４をこのように取り付けることにより、入力結合された光はケーシング下部２１によって理想的には完全にまたは最大限に吸収される。この目的で、ケーシング材料を光吸収性材料とするのが有利である。
【００４１】
図１によればケーシング下部２１は、ケーシング基部１とケーシングフレーム２から成るマルチピースである。本願発明の着想から排除されることなくここでさらに考えられるのは、同じまたは類似の形状をもつワンピースのケーシング下部である。そのようにして製造手法が簡単になれば、製造コストが低減される。ケーシング下部の材料として、ヘッドライト用途の場合には耐熱性で熱伝導性の高い材料を優先的に利用すべきであり、その理由は、温度範囲が４０°Ｃ〜１５０°Ｃとなる可能性があるからである。その際、温度範囲の拡張もあり得る。ケーシング下部のために有利であるのはセラミックス材料である。さらにケーシング基部の材料として窒化アルミニウムが、また、ケーシングフレームのためには酸化アルミニウムが考えられる。同様に、ケーシング下部のための材料としてプラスチックも考えられる。
【００４２】
半導体チップ３を単一の半導体チップにより組み込むことも可能である。光強度を強めるために理想的であるのは、複数の半導体チップ３を１つのケーシング内に取り付けることである。
【００４３】
ケーシングの形状は図示の形状に限られるものではなく、半導体チップ、ケーシング下部、熱条件もしくは用途に応じて異ならせることができる。
【００４４】
図２には、図１に示したケーシングの発展形態に関する断面図が描かれている。さらにケーシング基部１はケーシングフレーム２を担持している。ケーシングフレーム２からの切り欠きにカバー４が配置されている。さらにケーシングキャビティ９に半導体チップ３が組み込まれており、これを接着剤６によりケーシング基部１上に機械的に結合することができる。製造公差に起因して、カバー４の側面１１とケーシングフレーム２との間にギャップが生じている。
【００４５】
図１とは異なりこのギャップを吸収材料５によって満たすことで、側面１１に向かって出射する光が付加的に吸収される。このような吸収は、ケーシング下部２１における吸収に対し支援として作用させることができるものであり、つまりケーシング下部２１における吸収に加えて作用させることができ、したがって側方で出射する光がいっそう効果的に減衰される。他方、吸収材料５がケーシングの吸収特性を担うように構成することも考えられ、これによって他のケーシング材料を使うことができるようになる。
【００４６】
ここに示されているように、カバーの高さｈはフレーム切り欠きＨの高さよりも低い。この構成により、側面に向かって出射する光をすべてケーシングフレーム２もしくは吸収材料５に確実に当射させることができる。
【００４７】
吸収材料５としてたとえばモールド材料、エポキシ樹脂、シリコーン（ないしはＳｉＣ）あるいは接着剤が有利であり、その際、接着剤は吸収材料としての役割に加えてカバー４とケーシング下部２１との機械的な結合の役割も果たす。さらに吸収材料５に、たとえば煤などから成る放射吸収性粒子を含有させることもできる。
【００４８】
図３には、図１に示したケーシングの択一的な発展形態が描かれている。図３は図２とかなり似ているので、ここでは図２との相違点についてのみ言及する。図２に示した吸収材料５の代わりに、ここではカバー４とケーシングフレーム２の機械的な結合手段として吸収性の接着材料７が取り付けられる。この接着剤７により、冒頭で説明したカバー４への光の入力結合が回避される。吸収性接着材料７として、たとえば着色されたエポキシ樹脂を利用することができる。
【００４９】
図４には、図３に示したケーシングの発展形態が描かれている。以下では、図３に示したケーシングとの相違点についてのみ言及する。この場合、吸収性接着材料７と吸収材料５との組み合わせについて描かれており、この吸収材料５は付加的にカバー４の上面周縁領域に取り付けられている。ここでカバー４の上面とは、ケーシングキャビティ９とは反対側の上面のことである。
【００５０】
カバー４の側面とケーシングフレーム２の側面との間のギャップに吸収材料５が組み込まれるので、カバーの高さｈとケーシングフレームの高さＨとの図示の関係に基づき、吸収材料５をカバー４の上側周縁領域にも著しく簡単に取り付けることができる。このような措置を講じた結果、側面で反射しあらゆる方位に送出される妨害光が、カバー上面の上に設けられた吸収材料においても付加的に吸収されることになる。したがって、ケーシングの所望の放射特性のコーンビームの外側に光は生じない。
【００５１】
カバー４の上面の上に設けられた吸収材料を「グローブトップ glob top」とも称する。
【００５２】
図５には図３に示したケーシングの別の発展形態が示されており、図４とは異なり図５によれば吸収材料５はケーシングフレーム２の上に突出して取り付けられており、カバー４の上面の一部分だけでなくケーシングフレームの上面１０の一部分も覆っている。この発展形態によれば、カバー側面１１のところで出射し側面１１の粗さゆえにあらゆる方向に反射する光が、ケーシングフレーム２の周縁領域においても付加的に吸収される。同様に有利であるのは、吸収材料５に特定の最小厚をもたせることである。その理由は、各波長に特徴的な最小厚を下回ると、吸収材料５における吸収が行われなくなってしまうからである。
【００５３】
図６には、図５に示したケーシングの発展形態に関する断面図が描かれている。ここでは図５とは異なり、吸収材料５と吸収性接着層７に加えて、ケーシングキャビティ９とは反対側のケーシング４の上面周縁領域に吸収性の層８が配置されている。図４および図５を参照しながら説明したのと同様、この吸収層は放射角度が大きくなるのを阻止するために用いられ、これは最小厚を下回らないようにすべきである。
【００５４】
図７〜図１０には、図１に示したケーシングの択一的な実施例が示されている。この場合にもケーシング基部１とケーシングフレーム２が設けられているが、ここではケーシングフレーム２はこれまで説明した図面とは異なり、カバー４を収容するための切り欠きは設けられていない。これまでの図面とは異なり、カバー４はケーシングフレーム２の上に配置されており、それと機械的に結合されている。この場合、図７には従来技術に従って構成された図面が描かれている。
【００５５】
図８には、図７に示したケーシングの択一的な発展形態が描かれている。この場合、付加的にカバー４の側面１１が吸収性の層により被覆されている。同様にこの構成によっても、カバー４に入力結合した光がカバー４の側面に出射するのが回避される。
【００５６】
図９には、図７に示したケーシングの発展形態に関する断面図が描かれている。これによれば、カバー４とケーシング下部２１との間に吸収性接着剤７が設けられている。この構成に関しては、図４、図５および図６に基づき説明した内容を参照されたい。
【００５７】
図１０には、図９に示したケーシングの発展形態に関する断面図が描かれている。ここでは図９とは異なり、カバー４の側面１１が所定の角度でないしは傾斜のある角度で切断されている。このような研磨は基本的に２つの角度で行うことができる。この図には示されていない第１の実施形態によればこの角度は、付加的な製造ステップにより側面１１に吸収性の層８を設けてカバー４の側面１１へ出射する光を吸収できるよう選定される。これによればこの角度は、単に蒸着プロセスを簡単にするための役割を果たす。
【００５８】
ここに描かれている第２の実施形態によればこの角度は、カバー４に入力結合した光がケーシングフレーム２もしくはケーシング下部２１の方向に曲げられて、ケーシング材料の吸収特性に基づきその光が吸収され、それに応じて光が出射しないよう選定されている。
【００５９】
図１〜図１０に示した手法を任意に組み合わせることができる。各図における部材の材料または幾何学的形状に対する記載および例示は、特に言及しないかぎり、原則的にそれぞれ他の図面にも同様に適用される。
【００６０】
チップのカバーとして一例を挙げると、高度な温度安定性を有することからガラスプレートが用いられる。温度安定性を有する他の透過性材料を用いることも可能であり、たとえば赤外線の用途のためにはケイ素を使用することができるし、あるいは炭化ケイ素（ＳｉＣ）を使用することもできる。
【００６１】
本願は、ドイツ連邦共和国特許出願第102007041133.4号の優先権を主張するものであり、その開示内容は参照により本願に含まれるものとする。
【００６２】
本発明は、実施例に基づく既述の説明によってそれらの実施例に限定されるものではない。むしろ本発明はあらゆる新規の特徴ならびにそれらの特徴のあらゆる組み合わせを含むものであり、これには殊に特許請求の範囲に記載した特徴の組み合わせ各々が含まれ、このことはそのような組み合わせ自体が特許請求の範囲あるいは実施例に明示的には記載されていないにしてもあてはまる。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】ケーシングに関する１つの実施例の概略図
【図２】図１に示したケーシングの発展形態に関する断面図
【図３】図１に示したケーシングの択一的な発展形態を示す図
【図４】図３に示したケーシングの発展形態を示す図
【図５】図３に示したケーシングの発展形態を示す図
【図６】図５に示したケーシングの発展形態に関する断面図
【図７】図１に示したケーシングに関して従来技術による択一的な形態を示す図
【図８】図７に示したケーシングの発展形態を示す図
【図９】図７に示したケーシングの発展形態に関する断面図
【図１０】図９に示したケーシングの発展形態に関する断面図
【符号の説明】
【００６４】
１  ケーシング基部
２  ケーシングフレーム
３  半導体チップ
４  カバー
５  吸収材料
６  接着剤
７  吸収性接着剤
８  吸収性の層
９  ケーシングキャビティ
１０  ケーシング面
１１  側面
【図１】
0005345358.tif 000002
【図２】
0005345358.tif 000003
【図３】
0005345358.tif 000004
【図４】
0005345358.tif 000005
【図５】
0005345358.tif 000006
【図６】
0005345358.tif 000007
【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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