(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部導体を有するセラミック素体に外部電極を設けたセラミック電子部品の製造方法であって、前記外部電極は導電性樹脂層を有し、前記導電性樹脂層を形成する工程は金属粉末と熱硬化性樹脂とを含む導電性ペーストを塗布した後、前記導電性ペーストを熱処理により硬化するものであって、前記熱処理における少なくとも最高温度のとき酸素濃度は１０-4ｐｐｍ以上から２．５×１０2ｐｐｍ以下であり、前記最高温度は、前記熱硬化性樹脂が炭化開始する温度近傍であるセラミック電子部品の製造方法。
【請求項２】
前記酸素濃度が１０-4ｐｐｍ以上から２．５×１０2ｐｐｍ以下である温度は、少なくとも前記熱硬化性樹脂のガラス転移温度から前記最高温度である請求項１に記載のセラミック電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電性樹脂の外部電極を有したセラミック電子部品の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
セラミック電子部品の代表的なものの１つに積層セラミックコンデンサがあり、積層セラミックコンデンサは、内部導体とセラミック層とを交互に積層したセラミック素体を備え、セラミック素体の両端部に露出した内部導体と導通するように外部電極が配設されたものである。
【０００３】
このような構造を有するセラミック電子部品の外部電極は、耐たわみ性や耐落下衝撃性等の機械的強度の向上を図るため導電性樹脂層を備えるものがある。
【０００４】
この導電性樹脂層は、銀等の金属粉末とエポキシ樹脂のような耐熱性樹脂とを混合した導電性ペーストをセラミック素体に直接塗布し、大気中で高温の熱処理を行い硬化して形成されている。
【０００５】
なお、この出願の発明に関する先行技術文献情報としては、例えば特許文献１に示すものが知られている。
【特許文献１】特開平６−２６７７８４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、このような従来のセラミック電子部品の製造方法は、導電性ペーストを硬化する熱処理時に導電性樹脂層が劣化し、高温高湿度環境において外部電極を通じて外部から湿気が侵入しセラミック素体の絶縁抵抗が著しく低下する課題があった。
【０００７】
本発明は、このような従来の課題を解決し、セラミック電子部品の絶縁抵抗が良好で、かつ湿気の侵入によるセラミック電子部品の絶縁抵抗の劣化を低減し、信頼性の高いセラミック電子部品の製造方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために本発明は、内部導体を有するセラミック素体に外部電極を設けたセラミック電子部品の製造方法であって、前記外部電極は導電性樹脂層を有し、前記導電性樹脂層を形成する工程は金属粉末と熱硬化性樹脂とを含む導電性ペーストを塗布した後、前記導電性ペーストを熱処理により硬化するものであって、前記熱処理における少なくとも最高温度のとき酸素濃度は１０-4ｐｐｍ以上から２．５×１０2ｐｐｍ以下であるセラミック電子部品の製造方法である。
【発明の効果】
【０００９】
以上のように本発明のセラミック電子部品の製造方法によれば、導電性ペーストを硬化する熱処理における少なくとも最高温度のとき酸素濃度が１０-4ｐｐｍ以上から２．５×１０2ｐｐｍ以下であることにより、導電性樹脂層の熱硬化性樹脂と金属粉末との密着性を損なうことがなく緻密な導電性樹脂層を形成できる。
【００１０】
これによって、セラミック電子部品の絶縁抵抗が優れ、かつ高温高湿環境において湿気が外部電極を通じてセラミック素体へ侵入することを防止しセラミック電子部品の絶縁抵抗の劣化を低減でき、セラミック電子部品の信頼性を向上することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
（実施の形態）
本発明の実施の形態のセラミック電子部品として、具体的に積層セラミックコンデンサについて説明する。
【００１２】
図１は本発明の実施の形態における積層セラミックコンデンサの断面図である。
【００１３】
図１に示すように、積層セラミックコンデンサは内部導体２を有する矩形状のセラミック素体３に外部電極４を設けたものである。
【００１４】
セラミック素体３は、セラミック層１と内部導体２とが交互に積層されたものであり、セラミック層１はチタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム等を主成分とする誘電体材料のセラミック粒子から構成され、内部導体２はニッケル、パラジウム、白金などの金属を主成分として含有している。
【００１５】
保護層８は、交互に積層されたセラミック層１と内部導体２の上下側のセラミック素体３に設けられ、セラミック粒子からなり絶縁性を有している。
【００１６】
外部電極４は、セラミック素体３の両端部に露出した内部導体２と導通してセラミック素体３の両端部に配設され、外部電極４はセラミック素体３の表面に設けた下地電極６と、この下地電極６の表面に形成された金属層７を備えている。
【００１７】
下地電極６は、導電性の金属粉末と熱硬化性樹脂とを含有する導電性樹脂層５であり、導電性樹脂層５の厚みは２μｍ〜８０μｍとすることが好ましい。
【００１８】
金属層７は、めっき処理により形成されたニッケル、銅、錫等のめっき層である。
【００１９】
また、下地電極６は、セラミック素体３の表面に設けた導電性焼成層（図示せず）の上に導電性樹脂層５を形成したものでもよく、導電性焼成層は銀、銅、ニッケル等の金属粉末とガラスフリットとを有機ビヒクルとともに混合して得られた導電性ペーストをセラミック素体３上に塗布し６００℃〜８００℃の温度で焼成したものである。
【００２０】
次に、外部電極４の導電性樹脂層５の製造方法について説明する。
【００２１】
導電性樹脂層５の製造方法は、セラミック素体３の端部に導電性ペーストを浸漬塗布、印刷、転写等により塗布した後、この導電性ペーストを熱処理により硬化させて導電性樹脂層５を形成するものである。
【００２２】
導電性樹脂層５の形成に用いる導電性ペーストは、金属粉末、バインダ樹脂、硬化促進剤、溶剤等を混合したものである。
【００２３】
前記導電性ペーストの金属粉末は、銀、パラジウム等の貴金属の導電性粉末、又はニッケル、銅等の卑金属の導電性粉末、これらの金属の合金の導電性粉末から選択することができる。
【００２４】
また、前記金属粉末は、低融点金属を含有することが好ましく、低融点金属の融点は１３０℃以上かつ導電性ペーストの熱処理の最高温度Ｔｍ以下であり、低融点金属は錫、又は錫に銀、銅、亜鉛、ビスマス等を添加した錫合金等の金属を用いることができる。
【００２５】
導電性ペーストに低融点金属を含有することによって、導電性樹脂層５を形成する熱処理の際に、低融点金属と内部導体２に含有する金属との拡散反応が生じ易くなるため、導電性樹脂層５と内部導体２との電気的接合性を良化することができる。
【００２６】
前記導電性ペーストのバインダ樹脂は、熱硬化性樹脂を主成分として含むものであり、熱硬化性樹脂はビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、フェノールノボラック型のエポキシ樹脂、又はレゾール型、ノボラック型のフェノール樹脂、シリコーン変性樹脂等から選択され、積層セラミックコンデンサの使用条件から熱硬化性樹脂は炭化開始する温度が３００℃以上であることが好ましい。
【００２７】
導電性ペーストの溶剤は、導電性ペーストの金属粉末、樹脂の種類と含有量、塗布方法等により選択される。
【００２８】
ここで、熱硬化性樹脂が炭化開始する温度は、熱硬化性樹脂の骨格を構成する炭素同士、又はその骨格に付いた官能基が切れる状態が開始する温度である。
【００２９】
炭化開始する温度は、熱重量測定による場合は以下のように行う。
【００３０】
まず、導電性ペーストを温度１５０℃の大気雰囲気中で６０分間乾燥させ、導電性ペーストに含有する溶剤を揮発させ固形化した導電性ペーストを得る。
【００３１】
次に、固形化した導電性ペーストを、後述する熱処理の最高温度Ｔｍで設定される酸素濃度雰囲気のガスを流入させて室温から毎分１０±１℃の温度で上昇させて加熱し、固形化した導電性ペーストの質量変化率を温度の関数として測定し、ＴＧ曲線を描く。
【００３２】
図３は本発明の実施の形態における導電性ペーストの熱重量測定のＴＧ曲線である。
【００３３】
図３に示すように縦軸は固形化した導電性ペーストの室温を基準とした質量変化率、横軸は温度を示す。
【００３４】
ＴＧ曲線の屈曲点の温度は、接線の勾配が極大値を有する接線Ａの接点を接点ａ、極小値を有する接線Ｂの接点を接点ｂとし、隣接する接点ａと接点ｂ間にあり、接線Ａと接線Ｂとの交点に対応する温度である。
【００３５】
続いて、ＴＧ曲線から炭化開始する温度を算出する。
【００３６】
炭化開始する温度は、温度が２５０℃以上の屈曲点の温度であり、屈曲点の低温側の接線Ａと高温側の接線Ｂとが交わる交点に対応する温度Ｔｃである。さらに炭化開始する温度の接線の勾配は、−０．０１０ｗｔ％／℃以下の値である。この条件を満たす屈曲点が複数ある場合、最も低い温度が炭化開始する温度である。
【００３７】
図２は本発明の実施の形態における導電性ペーストを硬化する熱処理の時間と温度、酸素濃度を示す図である。
【００３８】
図２に示すように、導電性ペーストを硬化する熱処理における温度パターンは、常温から最高温度Ｔｍまでは時間当たり所定の上昇温度を有して昇温させ、最高温度Ｔｍに達したときに最高温度Ｔｍに一定時間保持し、導電性ペーストの硬化を行うものである。
【００３９】
その後、最高温度Ｔｍから常温まで時間当たり所定の下降温度を有して降温させ冷却するものである。
【００４０】
昇温の温度勾配は、導電性ペーストの硬化反応の進行を制御するため適宜調整する。
【００４１】
導電性ペーストの熱処理における酸素濃度パターンは、昇温に従ってアルゴン、窒素等の不活性ガス中で酸素濃度を小さくしていき、少なくとも最高温度Ｔｍにおける酸素濃度が１０-4ｐｐｍ以上から２．５×１０2ｐｐｍ以下の範囲に入るようにする。また降温に従って酸素濃度を大きくするものである。
【００４２】
最高温度Ｔｍにおける酸素濃度が２．５×１０2ｐｐｍより高いと、熱硬化性樹脂が酸化劣化して導電性樹脂層５に含有する金属粉末と熱硬化性樹脂間の密着性が悪くなり、導電性樹脂層５の緻密性が低下し、高温高湿環境において湿気が外部電極を通じてセラミック素体３へ侵入し易くなり積層セラミックコンデンサの絶縁抵抗が低下する。
【００４３】
最高温度Ｔｍにおける酸素濃度が１０-4ｐｐｍより小さいと、セラミック層１の還元反応が生じ、積層セラミックコンデンサの初期の絶縁抵抗が低下してしまう。
【００４４】
導電性ペーストの熱処理の最高温度Ｔｍは、熱硬化性樹脂のガラス転移温度Ｔｇ以上であり、かつ熱硬化性樹脂が炭化開始する温度近傍以下である。
【００４５】
導電性ペーストの熱硬化性樹脂が、エポキシ樹脂と硬化剤のフェノール樹脂とを混合したものを主成分とする場合は、熱硬化性樹脂のガラス転移温度は１５０℃〜２５０℃であり、炭化開始の温度は３００℃〜４５０℃を有している。
【００４６】
熱処理の最高温度Ｔｍをガラス転移温度以上とすることにより、導電性樹脂層５の熱硬化性樹脂の構造を安定にさせることができ導電性樹脂層５と内部導体２との密着強度が向上し、プリント基板へ実装する際のリフロー温度等の高温環境において導電性樹脂層５と内部導体２との電気的接続を確実にすることができる。
【００４７】
また、熱処理の最高温度Ｔｍは、導電性樹脂層５の熱硬化性樹脂が炭化開始する温度近傍であることが好ましく、これによって導電性樹脂層５の緻密性を保ちながら、導電性樹脂層５の金属粉末と内部導体２の金属との金属拡散が生じ易くなり導電性樹脂層５と内部導体２の電気的接続を確実にすることができ、高温高湿環境における絶縁抵抗の劣化を低減しかつ静電容量のバラツキを小さくすることができる。
【００４８】
熱硬化性樹脂が炭化開始する温度近傍は、具体的には炭化開始する温度より３０℃低い温度から２０℃高い温度の範囲である。
【００４９】
また、酸素濃度が１０-4ｐｐｍ以上、２．５×１０2ｐｐｍ以下である温度が、少なくとも導電性樹脂層５の熱硬化性樹脂のガラス転移温度以下の温度から最高温度Ｔｍであることが好ましく、これによって、熱処理において熱硬化性樹脂の酸化劣化がより生じ難くなり、高温高湿環境で湿気がセラミック素体３に侵入することを防止する効果が大きくなり、より長時間の高温高湿環境においても積層セラミックコンデンサの絶縁抵抗劣化を低減でき、信頼性を向上させることができる。
【００５０】
また、導電性ペーストの熱処理の降温においても最高温度Ｔｍから少なくとも熱硬化性樹脂のガラス転移温度まで本発明の実施の形態の酸素濃度にすることがより好ましい。
【実施例】
【００５１】
以下、具体的な実施例について説明する。
【００５２】
（実施例１）
実施例１の積層セラミックコンデンサは、セラミック素体はチタン酸バリウムを主成分とするセラミック層とニッケルを主成分とする内部導体を交互に積層したものであり、外部電極はセラミック素体の両端部に形成され導電性樹脂層と金属層からなるものである。
【００５３】
まず、セラミックスラリーとニッケル金属ペーストを用意する。
【００５４】
セラミックスラリーは、ポリビニルブチラールを主成分とする有機ビヒクルにセラミック粉末を分散させたものであり、セラミック粉末は平均粒径が０．１〜１．０μｍの主成分となるチタン酸バリウムの誘電体粉末にマンガン化合物、シリカ、希土類元素の酸化物等の微量添加物を０．１〜５ｗｔ％を加えたものである。
【００５５】
ニッケル金属ペーストは、ニッケルを主成分とする金属粉末、アクリルの有機バインダ、溶剤、可塑剤等を混合したものであり、金属粉末は平均粒径が０．０１〜２μｍでありニッケル金属ペーストに２０〜７０ｗｔ％含有される。
【００５６】
次に、セラミックスラリーを基体上に塗布、乾燥して厚み１〜３μｍのグリーンシートを形成した。
【００５７】
さらに、このグリーンシート上にスクリーン印刷によりニッケル金属ペーストを印刷し厚み１〜２μｍの内部導体を形成し内部導体を設けたグリーンシートを形成した。
【００５８】
続いて、前記グリーンシートからなる保護層シートを複数枚積層し圧着し、この上に前記内部導体を設けたグリーンシートを１６０枚、積層圧着させ、さらにこのシート上に前記保護層シートを複数枚積層し圧着させて積層体を形成した。
【００５９】
次に、この積層体を切断し個片とした後、１１００〜１３００℃の還元雰囲気中で焼成しセラミック素体を得た。
【００６０】
さらに、セラミック素体の表面に外部電極の導電性樹脂層を形成する。
【００６１】
導電性樹脂層の形成は、まず導電性樹脂層用の導電性ペーストを基板に塗布しブレードでかき取り、一定の厚みの導電性ペーストの薄膜を形成する。次に前記薄膜にセラミック素体の端部を浸漬して、セラミック素体の両端部に導電性ペーストを塗布した。さらに導電性ペーストを熱処理により硬化し導電性樹脂層を形成した。
【００６２】
導電性樹脂層用の導電性ペーストは、金属粉末と熱硬化性樹脂を含有したものである。
【００６３】
導電性ペーストの金属粉末は平均粒径１〜１０μｍの銀粉末と平均粒径１〜１０μｍの錫粉末を混合したものであり、金属粉末は導電性ペーストに６０ｗｔ％〜９０ｗｔ％含有している。
【００６４】
導電性ペーストの熱硬化性樹脂はビスフェノールＡ型のエポキシ樹脂と硬化剤のレゾール型のフェノール樹脂を混合したものであり、熱硬化性樹脂は導電性ペーストに５ｗｔ％〜４０ｗｔ％含有している。
【００６５】
この導電性ペーストは、酸素濃度が８．０×１０-1ｐｐｍの窒素ガスを流入させ熱重量測定により測定したときの熱硬化性樹脂の炭化開始する温度は３３０℃、ガラス転移温度は２１０℃である。
【００６６】
熱処理の温度パターンは、最高温度は炭化開始する温度の３３０℃であり、常温から毎分７℃〜６０℃の温度勾配で最高温度まで昇温した後、最高温度を１０分〜６０分保持し、毎分７℃〜６０℃の温度勾配で常温まで降温し冷却したものである。
【００６７】
熱処理の酸素濃度は、常温からの昇温及び降温中に窒素ガスと酸素ガスの注入量を調整して制御した。
【００６８】
熱処理の昇温時の酸素濃度パターンは、常温の大気雰囲気から指数的に小さくしていき、２１０℃で酸素濃度が１．０×１０4ｐｐｍ、２７０℃で２．５×１０2ｐｐｍ、３３０℃で８．０×１０-1ｐｐｍとなるようにしたものである。
【００６９】
熱処理の降温時の酸素濃度パターンは、熱処理の温度に対する酸素濃度が昇温時と同じであるようにした。
【００７０】
次に、ニッケル、錫の電解めっきを順次行い導電性樹脂層の上に金属層を形成し外部電極を設け、６．３Ｖ１μＦの積層セラミックコンデンサを作製した。
【００７１】
（実施例２〜実施例５）
実施例２〜実施例５は、導電性ペーストの熱処理の酸素濃度パターンが実施例１と異なる以外は、実施例１と同様に作製した。
【００７２】
熱処理の最高温度は実施例１と同じ３３０℃である。
【００７３】
実施例２〜実施例５は、酸素濃度パターンは温度２７０℃の昇温まで実施例１と同じであり、温度２７０℃より高い温度では夫々異なるようにした。
【００７４】
実施例２の酸素濃度は、２７０℃より高い温度において２．５×１０2ｐｐｍの一定に保った。
【００７５】
実施例３は、２７０℃より高い温度では緩やかに酸素濃度を小さくしていき、３３０℃において１．０×１０2ｐｐｍとした。実施例４、実施例５は、３３０℃において夫々２．１×１０-3ｐｐｍ、１．０×１０-4ｐｐｍとした。
【００７６】
（実施例６、実施例７）
実施例６、実施例７は、導電性ペーストの熱処理の温度パターン、酸素濃度パターンが実施例１と異なる以外は、実施例１と同様に作製した。
【００７７】
実施例６、実施例７の熱処理の温度パターンは、最高温度は実施例１より低い２７０℃であり、常温から毎分３℃〜６０℃の温度勾配で最高温度まで昇温した後、最高温度を６０分〜１８０分保持し、毎分３℃〜６０℃の温度勾配で常温まで降温し冷却したものである。
【００７８】
酸素濃度パターンは、実施例６は、常温の大気雰囲気から指数的に小さくしていき２１０℃で２．５×１０2ｐｐｍ、２７０℃で１．０×１０-4ｐｐｍになるようにした。実施例７は、２１０℃で１．０×１０4ｐｐｍ、２７０℃で２．５×１０2ｐｐｍになるようにした。
【００７９】
（比較例１〜比較例５）
比較例１、比較例２は、実施例６と導電性ペーストの熱処理における酸素濃度パターンが異なる以外は実施例６と同様に作製した。
【００８０】
比較例１、比較例２の酸素濃度パターンは、常温から２１０℃まで実施例６と同じであり２１０℃で２．５×１０2ｐｐｍとして、さらに比較例１は２７０℃で４×１０-6ｐｐｍ、比較例２は３．０×１０-5ｐｐｍとなるようにした。
【００８１】
比較例３〜比較例５は、実施例７と導電性ペーストの熱処理における酸素濃度パターンが異なる以外は実施例７と同様に作製した。
【００８２】
比較例３、比較例４の酸素濃度パターンは、常温から２１０℃まで実施例７と同じであり、２１０℃で１．０×１０4ｐｐｍとして、さらに比較例３は２７０℃で５．０×１０2ｐｐｍ、比較例４は１．０×１０3ｐｐｍとなるようにした。比較例５は大気雰囲気で熱処理をした。
【００８３】
次に、実施例１〜実施例７及び比較例１〜比較例５の積層セラミックコンデンサについて、夫々３００個の試料を測定し、初期の絶縁抵抗値の平均値を算出した。
【００８４】
さらに、初期の絶縁抵抗値が１．０×１０8Ω以上となるものを選別し、夫々５００個の試料について温度８５℃湿度８５％、定格電圧６．３Ｖ印加の高温高湿負荷試験を１０００時間行い、試験後の絶縁抵抗値が５．０×１０6Ωより小さいものを異常とし絶縁抵抗値の不具合率を算出した。
【００８５】
その結果を表１に示す。
【００８６】
【表１】
0005266874.tif 000002
【００８７】
この表１に示されるように、実施例１〜実施例７は、初期の絶縁抵抗値は１．８×１０9Ω〜２．２×１０9Ωであり、高温高湿負荷試験の不具合率は０．０％であり、良好なものであった。
【００８８】
一方、比較例１、比較例２は、初期の絶縁抵抗値は夫々６．４×１０7Ω、７．９×１０8Ωであり実施例１〜実施例７に比べると低くなっている。このように導電性ペーストを硬化する熱処理における最高温度のときに酸素濃度が１．０×１０-4ｐｐｍより小さくなると、積層セラミックコンデンサの初期の絶縁抵抗の劣化が生じ、酸素濃度が小さいほど絶縁抵抗の劣化が大きくなっている。
【００８９】
また、比較例３〜比較例５は、高温高湿負荷試験の不具合率が夫々３．０％、８．４％、２５．０％であり実施例１〜実施例７に比べると大きくなっている。このように導電性ペーストを硬化する熱処理における最高温度のときに酸素濃度が２．５×１０2ｐｐｍより大きくなると、高温高湿負荷試験の不具合率が高くなり、酸素濃度が大きくなるほど不具合率が悪化している。
【００９０】
以上のように、導電性ペーストを硬化する熱処理における最高温度のとき酸素濃度が１０-4ｐｐｍ以上から２．５×１０2ｐｐｍ以下であることにより、積層セラミックコンデンサの初期の絶縁抵抗が高く、かつ高温高湿負荷試験での絶縁抵抗の不具合発生を低減することができる。
【００９１】
（実施例８）
実施例８は、導電性ペーストの熱処理の酸素濃度パターンが実施例１と異なる以外は、実施例１と同様に作製した。
【００９２】
実施例８の熱処理の温度パターンは、実施例１と同じであり最高温度は３３０℃である。
【００９３】
熱処理の昇温時の酸素濃度パターンは、常温の大気雰囲気から指数的に小さくしていき２１０℃で８．０×１０-1ｐｐｍになるようにし、これより高い温度では酸素濃度を８．０×１０-1ｐｐｍの一定にした。
【００９４】
次に、実施例８について実施例１と同様に温度８５℃、湿度８５％、定格電圧６．３Ｖ印加の高温高湿負荷試験を１０００時間行った。さらに実施例１、実施例８について高温高湿負荷試験の試験時間を２０００時間行い絶縁抵抗値の不具合率を算出した。
【００９５】
その結果を表２に示す。
【００９６】
【表２】
0005266874.tif 000003
【００９７】
表２に示されるように、実施例１と実施例８は、高温高湿負荷試験を２０００時間行った後の不具合率は夫々０．３％、０．０％であった。
【００９８】
実施例１と実施例８は、熱処理の最高温度での酸素濃度は８．０×１０-1ｐｐｍで同じであるが、実施例８は、酸素濃度が８．０×１０-1ｐｐｍである温度をガラス転移温度から最高温度の範囲にしたものであり、これによって高温高湿負荷試験における絶縁抵抗劣化が長時間において生じ難くできている。
【００９９】
（実施例９〜実施例１２）
実施例９〜実施例１２は、導電性ペーストの熱処理の温度パターンと酸素濃度パターンが実施例１と異なる以外は、実施例１と同様に作製した。
【０１００】
実施例９〜実施例１２の最高温度は夫々３００℃、３３０℃、３５０℃、２７０℃であり、最高温度における酸素濃度は実施例１と同じ８．０×１０-1ｐｐｍである。
【０１０１】
熱処理の温度パターンは、常温から毎分７℃〜６０℃の温度勾配で最高温度まで昇温した後、最高温度を１０分〜６０分保持し、毎分７℃〜６０℃の温度勾配で常温まで降温し冷却したものである。
【０１０２】
酸素濃度パターンは、実施例９〜実施例１１は、常温で大気雰囲気から２１０℃で１．０×１０4ｐｐｍ、２７０℃で２．５×１０2ｐｐｍ、３００℃で８．０×１０-1ｐｐｍになるようにし、３００℃以上で８．０×１０-1ｐｐｍに一定に保った。
【０１０３】
実施例１２は、２１０℃で２．５×１０2ｐｐｍにして２７０℃で８．０×１０-1ｐｐｍとした。
【０１０４】
実施例９〜実施例１２はいずれも、初期の絶縁抵抗値の平均値は１．９×１０9Ω以上であり、また温度８５℃、湿度８５％、定格電圧６．３Ｖ印加の高温高湿負荷試験を１０００時間の不具合率は０．０％で良好であった。
【０１０５】
次に、実施例９〜実施例１２、比較例６の夫々５００個の試料について、初期の静電容量を測定し静電容量のバラツキを算出した。静電容量のバラツキは静電容量の標準偏差値σを静電容量の平均値で割ったものである。
【０１０６】
その結果を表３に示す。
【０１０７】
【表３】
0005266874.tif 000004
【０１０８】
表３に示されるように、実施例９〜実施例１２、比較例６の静電容量のバラツキは夫々０．０１９、０．０１２、０．０１１、０．０５５、０．０５６であった。
【０１０９】
熱処理の最高温度は、実施例１２、比較例６は２７０℃であることに対し、実施例９〜実施例１１は炭化開始する温度の近傍の温度３００℃〜３５０℃であり、このように熱処理の最高温度を炭化開始する温度の近傍に設けることにより、高温高湿負荷試験における絶縁抵抗劣化を低減しながら、内部導体の各層と導電性樹脂層との電気的接合を向上でき静電容量のバラツキを小さくできる。
【産業上の利用可能性】
【０１１０】
本発明にかかるセラミック電子部品の製造方法によれば、導電性ペーストを硬化する熱処理の際に、導電性樹脂層の熱硬化性樹脂と金属粉末との密着性を損なうことがないので、セラミック電子部品として絶縁抵抗が優れ、高い信頼性を得ることができるので、各種電子機器や電気回路において、極めて有用なものである。
【図面の簡単な説明】
【０１１１】
【図１】本発明の実施の形態における積層セラミックコンデンサの断面図
【図２】本発明の実施の形態における導電性ペーストを硬化する熱処理の時間と温度、酸素濃度を示す図
【図３】本発明の実施の形態における導電性ペーストの熱重量測定のＴＧ曲線を示す図
【符号の説明】
【０１１２】
１  セラミック層
２  内部導体
３  セラミック素体
４  外部電極
５  導電性樹脂層
６  下地電極
７  金属層
８  保護層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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