(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
長手方向の中心軸を有する円筒領域を取り囲み、この中心軸に沿って互いに離間した２つの軸端を有し、前記円筒領域の上方に配置された一体となっている処理チューブをさらに備えている、ガスを含むプラズマチャンバと、
前記一体となっている処理チューブに囲まれ、前記プラズマチャンバの上方の軸端に位置されているガス射出集合体と、
フイールド発生電流を前記プラズマチャンバ内でＲＦ磁界に変換して、前記円筒領域内にプラズマを維持させるために、ガスと相互作用を果たし、前記中心軸と同心的で、この中心軸から夫々異なる距離の所に配置された複数の環状ゾーン領域を有するコイルシステムとを具備し、
このコイルシステムは、各々が前記一体となっている処理チューブの外で隣接するように位置され、前記円筒領域の夫々の環状ゾーン領域に影響するＲＦ磁界を発生するようなディメンションを有する複数の独立のコイルを有し、また
前記一体となっている処理チューブは、材料の単一部材から製造され、円錐状に成形され、前記複数の独立のコイルの各々のコイルの端部を通過するように延びた連続表面を有し、
処理される基板は、前記円筒領域の下方に位置されている、プラズマを発生させるための装置。
【請求項２】
前記複数の独立のコイルの各々のコイルは、互いに異なる平均直径を有する請求項１の装置。
【請求項３】
前記複数の独立のコイルの各々のコイルは、複合巻回コイルである請求項２の装置。
【請求項４】
前記複数の独立のコイルの少なくとも１つのコイルは、前記中心軸に垂直な共通平面上に位置する複数の巻き線を有するフラットコイルである請求項３の装置。
【請求項５】
前記複数の独立のコイルの少なくとも１つのコイルは、円錐面上に位置する複数の巻き線を有する円錐コイルである請求項３の装置。
【請求項６】
前記複数の独立のコイルの少なくとも１つのコイルは、円筒面上に位置する複数の巻き線を有する円筒コイルである請求項３の装置。
【請求項７】
前記複数の独立のコイルの各々のコイルは、ヘリカル共振コイルである請求項３の装置。
【請求項８】
前記ヘリカル共振コイルの各々のコイルは、接地された第１の端と、開回路となった第２の端とを有する請求項７の装置。
【請求項９】
前記複数の独立のコイルの全ては、同じ周波数で共振するように巻かれている請求項７の装置。
【請求項１０】
前記複数の独立のコイルの全ては、夫々異なる周波数で共振するように巻かれている請求項７の装置。
【請求項１１】
前記複数の独立のコイルは、前記中心軸に沿う方向で互いに離間されている請求項２の装置。
【請求項１２】
前記複数の独立のコイルの各々のコイルは、単一巻回コイルである請求項２の装置。
【請求項１３】
前記各々のコイルが各コイルの一端と接地点との間に接続された複数のキャパシタをさらに具備する請求項１２の装置。
【請求項１４】
前記キャパシタの各々は、可変キャパシタである請求項１３の装置。
【請求項１５】
前記各々のコイルは、前記中心軸に沿う方向で互いに離間されている請求項１２の装置。
【請求項１６】
前記複数の独立のコイルの各々のコイルに、個々に制御されるフイールド発生電圧を印加するための手段と組合わされた請求項１の装置。
【請求項１７】
前記複数の独立のコイルの各々のコイルに、個々に制御されるフイールド発生電圧を印加するように前記各々のコイルに接続された手段をさらに具備する請求項１の装置。
【請求項１８】
長手方向の中心軸を有する円筒領域を取り囲み、この中心軸に沿って互いに離間した２つの軸端を有し、前記円筒領域の上方に配置された一体となっている処理チューブをさらに備えている、ガスを含むプラズマチャンバと、
前記一体となっている処理チューブに囲まれ、前記プラズマチャンバの上方の軸端に位置されているガス射出集合体と、
フイールド発生電流を前記プラズマチャンバ内でＲＦ磁界に変換して、前記円筒領域内にプラズマを維持させるために、ガスと相互作用を果たし、前記中心軸と同心的で、この中心軸から夫々異なる距離の所に配置された複数の環状ゾーン領域を有するコイルシステムとを具備し、
このコイルシステムは、各々が前記一体となっている処理チューブの外で隣接するように位置され、前記円筒領域の夫々の環状ゾーン領域に影響するＲＦ磁界を発生するようなディメンションを有する複数の独立のコイルを有し、また
前記一体となっている処理チューブは、材料の単一部材から製造され、円錐状に成形され、前記複数の独立のコイルの全てにより囲まれた場所から全てのガスを導入させるように位置されており、
処理される基板は、前記円筒領域の下方に位置されている、プラズマを発生させるための装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、処理チャンバ内でのプラズマの発生、特に、堆積並びにエッチング処理をするためにチャンバ内に誘導結合高密度プラズマを発生させることに関する。
【０００２】
【従来の技術】
誘導結合高密度プラズマは、集積回路の製造において、半導体ウエハのような基板上への層堆積並びに基板からの層のエッチング除去を含む処理動作と関連して広く使用されている。
【０００３】
このような形式の装置は、内部が低圧に維持され、中に半導体ウエハのような基板が搬入される処理チャンバを有する。この処理チャンバは、処理チャンバ内にＲＦ磁界を発生させる高周波（ＲＦ）電流が供給されるコイルにより、代表的には囲まれている。このようなＲＦ磁界は、電子を加速するＲＦ電界を発生させ、この加速された電子は、原子や分子をイオン化させるように作用する。イオン化可能な処理物質がチャンバ中に導入されると、この物質の分子はＲＦ磁界内でイオン化されてプラズマを発生させる。そして、プラズマ内のイオンは、基板面上に層を堆積するか、基板面から層の物質をエッチングするように、基板の面へと向けられる。処理チャンバ内に発生されている電界は、プラズマ内のイオンを基板面へと、そして中へとイオンを推進させる。また、このプラズマは、導入されたガスをより活性化させる。この活性化の程度は、分子をこれらの行路に沿って基板へと導くプラズマの密度と、電子の電子エネルギー分布とに依存している。
【０００４】
この形式の実際の全ての処理動作において、基板面の全体に渡ってイオン密度を制御することが望まれている。基板に対してなされる作用は、度々基板面全体に渡って可能な限り均一でなければならない。即ち、堆積された層もしくは基板面からエッチングされる物質は、可能な限り厚さが均一となるようにされなければならない。この厚さの均一性は、電界密度の均一性と、基板面に平行な面での、即ち、処理チャンバの長軸に垂直な面でのプラズマ密度の均一性との実質的な程度に依存している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
種々の形態のコイルが、コイルにより発生されるＲＦ磁界を制御するために提案されている。これら形態の多くは、かなり均一な密度のプラズマを発生させることができるけれども、今まで提案されている形態は、期待されている将来の要求を満たすのに必要な状態をつくることはできない。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、長手方向の中心軸を有する円筒領域を取り囲み、この軸に沿って互いに離間した２つの軸端を有し、ガスを含むプラズマチャンバと、フイールド発生電流を前記チャンバ内でＲＦ磁界に変換して、前記円筒領域内にプラズマを維持させるために、ガスと相互作用を果たし、前記中心軸と同心的で、この中心軸から夫々異なる距離の所に配置された複数の環状ゾーン領域を有するコイルシステムとを具備し、このコイルシステムは、各々が前記円筒領域の夫々の環状ゾーン領域に特に影響するＲＦ磁界を発生するようなディメンションを有し、かつ位置された複数の独立のコイルを有し、また前記チャンバは、前記独立のコイルの各々の端部を通過するように延びた連続表面を有するように成形されている、プラズマを発生させるための装置で実現される。
【０００７】
チャンバの形状に関連してここで使用されているような「連続表面」“ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ  ｓｕｒｆａｃｅ”は、１もしくは複数の平面もしくは１もしくは複数の曲面に沿って位置している面ではあるが、各場合とも、個々のコイル間に突出もしくは延出する如何なる部分も有さないか、個々のコイルの端部を含む平面もしくは曲面を通らない。
【０００８】
本発明は、さらに、上述した幾何学形状での静電シールドの選択的な使用を含む、これは、コイルとプラズマとの間の容量結合の大きさを減じ、プラズマ駆動の質を向上させることができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】
図１は、基板の支持体４を備えた下部を有する処理チャンバ２を含むシステムの概略図である。この支持体４は、製造処理がなされる基板６のための支持面をチャンバ２内に提供する。また、この支持体は、イオンを吸引する負の電圧を与えるようにＲＦバイアスされる。ウエハは、静電チャックにより、ウエハからチャックへの熱伝達を良くするように支持体に固定され得る。ウエハの周りのチャックの表面と静電チャックとは、チャックのスパッターによる損傷を防止すると共に、チャックを構成している物質がウエハを汚染するのを防止するように、絶縁、又は、抵抗材料で覆われる。このチャンバは、基板６上への膜の堆積、表面層もしくは表面層の選択された部分の基板からのエッチングのような処理をするために使用され得る。
【００１０】
考慮中でのシステムにおいて、上記処理は、チャンバ２の中に処理材料を入れて、上述したように、処理材料をイオン化してプラズマを形成する電子を加速するＲＦ電界を発生させることにより、行われる。
【００１１】
前記処理材料は、射出集合体１０によってチャンバ２の中に導入されるガスで有り得る。チャンバ２の中には、射出集合体１０を横切って延びた処理チューブ１２が、上部に設けられている。処理ガスは、図示された以外の種々の場所からも射出され得る。例えば、ガスは、コイル間の空間を介して、コイルの下から、もしくは支持体から射出され得る。また、ガスは、処理チューブを構成している誘電材、もしくは処理チャンバ２の側壁からも射出され得る。
【００１２】
ここで考慮されている形式のシステムにおいては、処理チャンバ２に関連して適当に位置されている誘導コイルにＲＦ電流を供給することにより、誘導結合プラズマを発生させることが共通の実施事項である。例えば、処理チャンバの上部並びに／もしくは垂直側部の周りに、処理チャンバの垂直長軸と同軸の垂直長軸１４を有するコイルを設けることがこの分野では共通の実施事項である。このようなコイルもしくはコイル集合体は、処理チャンバ２の外側に好ましくは配置されるが、処理チャンバ内に配置されても良い。
【００１３】
プラズマに依存するほとんど全ての処理動作において、基板６の上面になされる作用が、可能な限り制御され得ることが望ましい。換言すれば、処理が基板面上に層を堆積することであれば、この層の厚さと組成とは、高度の均一性を有することが一般的に望まれる。一方、エッチング動作は、基板面全体に渡って均一なエッチング深さを有することが一般に望まれている。
【００１４】
どの処理チャンバでも、チャンバの物理的な形状とプラズマ発生用部材との適当な選定により、所望の処理のために変更され得る。広範囲の処理状態にわたって要求されている均一性で各処理を連続して果たしながら幾つかの処理をするように変更され得るチャンバは、価値があると考えられ、また、チャンバ製造コストを減じ得るであろう。
【００１５】
前記チャンバ２内に発生されるプラズマの密度は、物質が基板６の上面に堆積されるか、上面からエッチングされる速度に非常に影響し、また、このような堆積もしくはエッチング動作の均一性は、プラズマ密度の径方向の均一性、即ち、軸１４に垂直な方向でのプラズマ密度の均一性に依存していることが、知られている。
【００１６】
本発明に係われば、チャンバ２内のプラズマ密度分布は、複数のフイールド発生コイル１６，１８，２０の提供により、非常に効果的に制御される。これらコイルは、全て軸１４と同心的に巻回されると共に、この軸１４に対して異なる水平間隔を有している。かくして、コイル１６の平均巻回直径は、コイル１８よりも短く、このコイル１８の平均巻回直径は、コイル２０）よりも短い。
【００１７】
かくして、各コイルは、プラズマの異なる径方向延長セグメントに著しく影響するＲＦ磁界を発生させる。換言すれば、コイル１６は、軸に近いプラズマの部分に著しい影響を与え、一方、コイル２０により発生される磁界は、チャンバふの側壁に近いプラズマの部分に著しい影響を与え、そして、コイル１８により発生される磁界は、上記２つの部分の間のプラズマの部分に著しい影響を与える。
【００１８】
さらに、前記コイル１６，１８，２０は、夫々異なる高さを有し、内側のコイル１６は、一番高く、外側のコイル２０は、一番低い。かくして、チャンバ２内に発生されるＲＦ磁界源の断面は、基板６の上面を規定している面からの垂直方向の距離が長くなるのに従って、径が小さくなる。
【００１９】
チャンバ２内のプラズマ密度を効果的に制御するために、コイル１６，１８，２０の各々は、夫々独立して制御可能なＲＦパワー源によるか、個々に調節可能なパワー供給制御装置により各コイルに接続された単一のＲＦパワー源により、好ましくは駆動される。各コイルに供給されるＲＦパワーを個々に制御することにより、対応したプラズマ密度変化が、プラズマの各関連した部分でなされ得る。例えば、上側のコイル１６へのパワー供給が増すと、軸１４に最も接近したゾーン領域でのプラズマ密度が大きくなる。
【００２０】
図１に示された実施の形態において、コイル１６，１８，２０の各々は、夫々個々のパワー源２２，２４，２６に接続された一端を有する。そして、各コイルの他端と各パワー源の他側とは、接地されている（図示せず）。パワー源２２，２４，２６の各々は、如何なる一般的な形式のもので良く、パワーのレベル、周波数、並びに位相が調節可能であることが望ましい。
さらに、  図１に示された実施の形態において、コイル１６，１８，２０の各々は、上方に広がった円錐形のセクションの形状を有するように、巻回されている。
【００２１】
図２は、フイールド発生コイルの形状が図１の実施の形態とは主に異なる本発明の第２の実施の形態を示す。この実施の形態において、各コイルは、フラットなコイルである。しかし、図１の実施の形態の場合と同様に、最上側のコイル２６は、最少の平均直径を有し、一方、最下側のコイル３０は、最大の平均直径を有する。これらコイル１６，１８，２０は、図１に示された実施の形態のコイル１６，１８，２０と同様に、チャンバ２内のプラズマの夫々の部分に影響する。
【００２２】
図３に示された実施の形態は、図１に示された円錐コイル１６，１８，２０が、円筒、即ち、ソレノイドコイル３６，３８，４０に代えられていることで、図１の実施の形態とは異なる。再び、ここで、最上側のコイル３６は、最少の平均直径を有し、一方、最下側のコイルは、最大の平均直径を有し、これらコイルは、図１のコイル１６，１８，２０と同様に、チャンバ２内のプラズマに影響する。
【００２３】
図１，２，３は、夫々円錐形の上側チャンバ部分に装着されたフィールド発生コイルの配置を示している。本発明の実施の形態は、また、図４に示されたチャンバ４２のような、ドーム形状の上側部分を有するチャンバを利用することができる。この実施の形態において、コイル４６，４８，５０は、ドーム形状の上側部分上に図示された方法で装着されている。ここで再び、前述された実施の形態と同様に、最高の平均高さを有するコイル４６が、最内側のコイルであり、最低の平均高さを有するコイル５０が、最外側のコイルである。これらコイル４６，４８，５０は、図１に示されたコイル１６，１８，２０と同様に制御されて、同様の効果を果たすであろう。
【００２４】
図１ないし４に示された実施の形態において、フィールド発生コイルは、上述されたように全てが処理チャンバの上部に設けられ、また配置されて、最上側のコイルが最少の平均直径を有している。しかし、本発明の実施の形態は、基板の近くに設けられたフィールド発生コイルを有することができ、また、最上側のコイルが最大の直径を有するように配設され得る。
【００２５】
このような配置の一例が、図５に示されている。ここで、軸方向で比較的コンパクトな処理チャンバ５２は、基板５６を支持する基板の支持体を下部に有し、これら部材は、図１に示された実施の形態の部材４，６に類似している。処理チャンバ５２の上部には、チャンバ５２により囲まれた処理領域の中に処理ガスを射出し、また、チャンバ内に真空圧レベルを確立するポンプにアクセスするための射出／ポンピング集合体６０が設けられている。
【００２６】
前記チャンバ５２は、上方に広がった円錐漏斗の形状を有し、このチャンバ５２の円錐形の側壁は、処理チューブ６２により覆われている。３つのコイル集合体６６，６８，７０が、チャンバの円錐形の側壁近くで、チャンバ５２の外側に装着されており、また、チャンバの側壁と平行に延びた静電シールドにより覆われている。この実施の形態において、最上側のコイル６６は、最大の直径を有し、一方、最下側のコイル７０は、最少の直径を有する。
【００２７】
処理操作がこの実施の形態で行われるときに、最下側のコイル７０により発生されるパワーは、チャンバ５２の長軸近くのゾーン領域内のプラズマ密度に著しく影響するであろうことが、理解できる。
【００２８】
図１ないし４は、複合巻回コイルが設けられた実施の形態を示しているが、図５は、単一巻回コイルを備えた実施の形態を示す。しかし、図示されたどの実施の形態のコイルも、複合巻回コイルでも単一巻回コイルでも良いことは、理解できるであろう。また、どの実施の形態においても、１もしくは複数のコイルが複合巻回コイルで、１もしくは複数のコイルが単一巻回コイルでも良い。さらに、図示された各実施の形態において、コイルは、図１に示されたような円錐形状でも、図２に示されたようなプレナー形状でも、また、図３に示されたようなソレノイド形状でも良い。
【００２９】
前記図示された実施の形態の各々において、コイルの全てはプラズマに対してのみ相互作用し、互いに実質的に電気的に絶縁されている。各実施の形態のコイルは、全てが同じ周波数と位相とに同調されるか、全てが同じ周波数であるが異なる位相に同調されるか、または、全てが夫々異なる周波数と位相とに同調されたヘリカル共振器である共振コイルで良い。ヘリカル共振器の場合には、これの一端は、接地され、そして、他端は、開回路にされる。この共振器は、接地された端部近くに代表的には設けられたタップ部（ｔａｐ  ｌｏｃａｔｉｏｎ）を有する。
【００３０】
各コイルは、キャパシタの負荷により共振するようにできる単一巻回コイルで良い。前記タップ部は、単一巻回／複合巻回コイルの一端側に配置され、また、接地される可変キャパシタは、このコイルの他端側に配置されている。単一巻回コイルの使用により、複数のコイルは、比較的小さいプラズマゾーン領域を囲むことができて、空間制御（ｓｐａｔｉａｌ  ｃｏｎｔｒｏｌ）を良くすることができる。
【００３１】
いずれの場合でも、共振ヘリックス、即ち、共振単一巻回コイルは、初期状態の間のプラズマへパワー結合効率を良くすることができる。これは、非共振コイルと比較して有効である。さらに、この単一巻回コイルは、基板の近くの比較的小さいプラズマ容量を可能にすることにより、即ち、短くされたチャンバを与えることにより、パワー伝達効率を高くすることができる。また、プラズマ特性の特別な均一性を制御するのに使用される幾つかのコイルの使用を可能にしている。可変キャパシタにより接地された単一巻回コイルの使用による更なる効果は、マッチングネットワークが省略されることである。
これら両コイル構造は、従来技術に対して特有の効果がある。
図６は、２つのコイルが、異なる周波数並びに／もしくは位相並びに／もしくはパワーレベルで、効果的に別々に駆動され、処理ガスが、プラズマ領域の周りの種々の場所から供給される、本発明のさらなる実施の形態を示す。即ち、この実施の形態は、各々がチャンバ２の垂直軸を中心として巻回された２つの環状コイル８０，８２を有する。コイル８０は、上方に傾斜した漏斗形状の面に巻回されており、また、コイル８２は、円筒形状の面に巻回されている。コイル８０は、第１のＲＦパワー源８６にマッチングネットワーク８８を介して接続されており、また、コイル８２は、第２のＲＦパワー源９０にマッチングネットワーク９２を介して接続されている。各パワー源は、周波数並びに／もしくは位相並びに／もしくはパワーレベルが個々に調節可能である。一例として挙げると、パワー源８０，８２の一方は、他方のパワー源により供給されるパワーの周波数の２倍の周波数のパワーを供給する。処理ガスは、射出集合体１０並びに／もしくはコイル８０，８２間の環状ゾーン領域９６に配置された複数の導管もしくはノズルによって、プラズマ領域に供給され得る。図６に示された上記形態は、処理ガスが如何なる対のコイル間に供給され得る、図１ないし５に示された実施の形態を含む他の実施の形態にも適用され得る。
【００３２】
図１ないし６を参照して説明した実施の形態を含む、本発明の実施の形態は、ウエハ上のプラズマの射出光並びに／もしくは進行中のエッチングもしくは堆積レートの特別な分布をモニターする手段を有するその場でモニターするシステムからのフイードバックを受けるようにされ得る。
【００３３】
図７は、１つの適当なモニターシステムを備えた、本発明の実施の形態を示す。このシステムは、窓の上方で、複合コイルプラズマ反応器の上部に設けられているセンサー１０２を有する。このセンサーは、前記窓を通る、図示されるようにウエハ６を囲む視野を有する。このセンサー１０２の出力は、コンピュータ１０６に送られる。コンピュータは、個々のコイル８０，８２に供給されるＲＦパワーを制御並びに変更するように、２つのＲＦ発生器１１０，１１２の各々に電気信号を送る。さらに、位相シフター１１６が、前記コンピュータ１０６からの制御信号に応答して、各コイルへ供給されるＲＦパワー間の相対的な位相を制御するように、コンピュータ１０６とＲＦ発生器１１０，１１２とに接続されている。前記センサー１０２は、薄膜のエッチングもしくは堆積レート、レート均一性、終端、終端均一性、並びにウエハ全体に渡ってのプラズマ射出光の測定がリアルタイムで可能な、Ｌｅｙｂｏｌｄ  Ｉｎｆｉｃｏｎにより販売されているＬＥＳ１２００  Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｍｅｔｒｏｌｏｇｙ  Ｓｅｎｓｏｒで良い。
【００３４】
一動作モードにおいて、前記センサー１０２は、エッチングレートの特別な分布をモニターするのに利用され得る。例えば、前記構成要素１０２ないし１１６が、図１の実施の形態に使用され、エッチングレートがウエハ６の周囲近くで低くなっていることが判ると、コイル２０に供給されるＲＦパワーが、増加され得る。代わって、エッチングレートが、ウエハの中央で低い場合には、コイル１６に供給されるＲＦパワーが、減少され得る。即ち、処理プラズマの領域に供給されるＲＦパワーは、エッチングレートでの如何なる特別な不均一性を補うように調節される。ウエハの処理前に、ブランケットウエハが、コイルへのパワー分布条件、即ち、振幅、位相、並びに周波数を同調するように使用され得る。さらに、種々の種に対するプラズマの射出光は、エッチングもしくは堆積化学を最適にするために、モニターされ得る。同様に、個々のコイルに供給される並びに／もしくは相対位相の相違で異なる周波数で個々のコイルに供給されるＲＦパワーは、プラズマ化学を最適にするように調節され得る。
【００３５】
上述した実施の形態のいずれか１つの各コイルは、プラズマが発生されていないときに、コイルに結合するように所定のマッチングされたネットワークと関連されたフリーランニング発振器により、駆動され得る。この発振器は、プラズマ点火やプラズマ密度の変化で生じるインピーダンスの変化を許容するように、周波数が変化するＲＦ電流を生じさせることができる。このようなフリーランニング発振器は、内容が参照として組入れられる、代理人ドケットがＮｏ．２５１１０５で、名称がＲＡＤＩＯ  ＦＲＥＱＵＥＮＣＹ  ＰＯＷＥＲ  ＳＯＵＲＣＥ  ＦＯＲ  ＧＥＮＥＲＡＴＩＮＧ  ＡＮ  ＩＮＤＵＣＴＩＶＥＬＹ  ＣＯＵＰＬＥＤ  ＰＬＡＳＭＡで１９９９年７月１３日に出願された先願仮出願Ｎｏ．６０／１４３，５４８に記載されているようなチューブ形式のものでも、関連したコイルに物理的に近くに配置されたソリッドステート装置、もしくは現在の状態と合うような方法でコイルに供給される電流の周波数を制御するように関連したコイルの所に配置されたセンサーと関連付けられ、遠くに配置された広周波数増幅器で良い。
【００３６】
使用され得る他の駆動装置構造は、所定の素子マッチングネットワークに設けられ、既に知られており、米国特許Ｎｏ．５，６８８，３５７に開示されている位相兼大きさ検出器により周波数が決定される可変周波数パワー源を使用するものと、全てのコイルのための位相がロックされた複数のパワー供給源を使用するものと、各コイルを混合周波数で駆動されることを可能にする複数の可変周波数もしくは複合周波数パワー源を使用するものとを含む。最後の構造のものは、プラズマ密度と同様に電子温度をコイル径の関数として変更されることを可能にしている。この最後の構造の形式のコイルは、代理人ドケットがＮｏ．＃７１４６９／２５８０６１で、名称がＡＣＴＩＶＥ  ＣＯＮＴＲＯＬ  ＯＦ  ＥＬＥＣＴＲＯＮ  ＴＥＭＰＥＲＡＴＵＲＥ  ＩＮ  ＡＮ  ＥＬＥＣＴＲＯＳＴＡＴＩＣＡＬＬＹ  ＳＨＩＥＬＤＥＤ  ＲＡＤＩＯ  ＦＲＥＱＵＥＮＣＹ  ＰＬＡＳＭＡ  ＳＯＵＲＣＥで２０００年２月１５日にＪｏｈｎｓｏｎにより出願された先願仮出願に記載されている。
【００３７】
ここで説明かつ図示されたコイルとは別に、本発明を実用化するための処理チャンバは、この分野での一般的なプラクテスに従って構成されるであろう。
【００３８】
本発明の少数の例示としての実施の形態のみが、詳しく説明されているけれども、この分野の者は、多くの変更が、本発明の新規な技術並びに効果から実質的に逸脱しないで、例示としての実施の形態に可能であることは容易に判るであろう。従って、このような変更の全ては、本発明の範囲に含まれるように意図されている。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の一実施の形態に従って構成された装置の概略的な正面図である。
【図２】  本発明の他の実施の形態の、図１と同様の図である。
【図３】  本発明の他の実施の形態の、図１と同様の図である。
【図４】  本発明の他の実施の形態の、図１と同様の図である。
【図５】  本発明の他の実施の形態の、図１と同様の図である。
【図６】  本発明の他の実施の形態の、図１と同様の図である。
【図７】  本発明の他の実施の形態の、図１と同様の図である。
【図１】
0005184730.tif 000002
【図２】
0005184730.tif 000003
【図３】
0005184730.tif 000004
【図４】
0005184730.tif 000005
【図５】
0005184730.tif 000006
【図６】
0005184730.tif 000007
【図７】
0005184730.tif 000008