(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウエハ上に複数のチップ及び該チップに対応するアライメントマークが形成され、所定のアライメント領域内に含まれる複数チップの所定のアライメント用チップのアライメントマークに光を照射し、その反射波形により前記アライメントマークの位置を検出し、前記所定のアライメント領域内の前記複数チップについて一括してアライメントを行うチップのアライメント方法であって、
前記反射波形が検出されなかったときには、前記アライメント領域内の前記アライメント用チップと異なる代替チップのアライメントマークに光を照射し、反射波形を検出して前記代替チップのアライメントマークの位置を検出するステップと、
前記アライメント用チップ及び前記代替チップのアライメントマークの位置に基づいて、前記アライメント領域内の複数チップの位置合わせを行うステップと、を含むことを特徴とするチップのアライメント方法。
【請求項２】
前記代替チップのアライメントマークの位置を検出するステップにおいて、前記代替チップのアライメントマークから前記反射波形が検出されなかったときには、前記代替チップと異なる再代替チップのアライメントマークに光を照射し、反射波形が検出されるまで所定回数内又は所定領域内で該再代替チップを変更し続け、該所定回数内又は該所定領域内で該反射波形が検出されたら、前記代替チップのアライメントマークの位置に代えて、該再代替チップのアライメントマークの位置を前記位置合わせに用いることを特徴とする請求項１に記載のチップのアライメント方法。
【請求項３】
前記アライメント用チップは、前記アライメント領域内の境界付近に位置するチップから選択されることを特徴とする請求項１又は２に記載のチップのアライメント方法。
【請求項４】
前記代替チップは、前記アライメント領域内において、前記アライメント用チップより内側にあるチップが選択されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のチップのアライメント方法。
【請求項５】
前記チップは、切断用のヒューズを有し、
前記チップ間にはスクライブラインが形成され、
前記アライメントマークは、前記チップ及び前記チップを囲む前記スクライブラインの領域内において、前記ヒューズよりも外側の位置に設けられたことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載のチップのアライメント方法。
【請求項６】
前記アライメントマークは、前記チップ間に形成されたスクライブラインに設けられたことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載のチップのアライメント方法。
【請求項７】
前記チップは、前記ヒューズの切断によりアナログ値の調整が可能なアナログ回路を有することを特徴とする請求項５に記載のチップのアライメント方法。
【請求項８】
前記ヒューズは、抵抗のトリミング用であることを特徴とする請求項５又は７に記載のチップのアライメント方法。
【請求項９】
前記ヒューズは、回路の切り換え用であり、該回路の切り換えによりメモリのビット救済が可能であることを特徴とする請求項５に記載のチップのアライメント方法。
【請求項１０】
前記アライメント用チップは、複数であることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載のチップのアライメント方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、チップのアライメント方法に関し、特に、半導体ウエハ上に形成された複数のチップに対応して設けられたアライメントマークを利用したチップのアライメント方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、半導体ウエハ上にレーザトリミングが必要なチップ（ダイ）が複数形成されている場合において、金属等で形成された各チップが有するアライメントマークにレーザ光を照射し、反射波形のピークを検出することにより、チップ位置を把握し、チップのアライメントを行う技術が知られている。かかるトリミング用のアライメント方法において、迅速にトリミングを行う観点から、連続的にトリミングが可能な所定領域内の複数チップについて、一括して位置合わせを行うマルチダイアライメントが行われていた。マルチダイアライメントは、所定領域内の隅に位置する２〜３個のチップのアライメントマークにレーザ光を照射し、この反射波形を検出することにより、所定領域全体についてのアライメントを一度に行う。これにより、所定領域全体のチップについて一括してアライメントを行うことができ、短時間でアライメントを行うことができた。また、所定領域全体のマルチダイアライメントを行う際、所定領域内の隅のチップにレーザ光を照射し、適正な反射波形が得られなかった場合には、個々のチップ（ダイ）について個別にアライメントを実行するシングルダイアライメントに切り換える処理を行い、アライメントが確実に行われる処理を行っていた。
【０００３】
また、かかるマルチダイアライメントを利用した技術として、基板上に形成された半導体チップの表面に、抵抗調整用のヒューズと、ヒューズと同じ材料からなる第１のアライメントマークと、第１のアライメントマークの材料とは反射率の異なる材料からなる第２のアライメントマークを備え、ヒューズをトリミングする際、アライメントマークを用いたトリミング方法において、第１のアライメントマークを用いたアライメントに失敗した場合、第２のアライメントマークを用いてアライメントを行い、ヒューズのトリミングを行うようにしたトリミング方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
特許文献１記載のトリミング方法においては、第１のアライメントマークにはヒューズと同じ材質のポリシリコンを同じマスクを用いて形成することにより、相対的位置ずれを生じない半導体装置を形成し、信頼性の高いアライメントマークとしている。そして、第１のアライメントマークが反射率不足でアライメントに失敗したときに、アルミで形成された第２のアライメントマークを用いてアライメントを行っている。これにより、ポリシリコンマークの利点とアルミマークの利点の両方を享受し、アライメントの成功率を良好に保ちながら、処理に必要な工程を効率的に削減している。
【特許文献１】特開２００１−３５９２４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述の従来技術においては、マルチダイアライメントに失敗し、シングルダイアライメントに切り換える処理を行ったときに、所定領域内のチップが微小で、例えば数１００個のチップが含まれている場合には、マルチダイアライメントが成功した場合と比較して数１００倍の時間を要することになり、タイムロスを生じるという問題があった。更に、近年、レーザトリミングを行うチップのサイズは微小化傾向にあり、同一面積におけるトリミングの対象となるチップ数は増加傾向にある。かかる観点から、シングルダイアライメントに切り替わった際のタイムロスは、無視できない問題となった。
【０００６】
また、上述の特許文献１に記載のアライメント方法では、アライメントマークを２種類の材料を用いて半導体装置を形成する必要があり、半導体装置の製造工程が複雑化するという問題があった。更に、第１のアライメントマークの代替選択枝は、同一チップの第２のアライメントマークのみであるため、例えば、アルミマークの反射率が悪い場合や、パターンが崩れていたり、前段階の粗いアライメント時に基板が傾いていたりした場合には、第２のアライメントマークを用いても第１のアライメントマークと同様の問題を抱えており、アライメントが失敗に終わってしまうという問題があった。特に、第２のアライメントマークを用いてアライメントが失敗に終わった場合には、リカバリーは不可能であり、アライメントは完全に失敗に終わってしまうという問題もあった。
【０００７】
そこで、本発明は、半導体ウエハの製造工程を何ら変化させることなく、アライメント工程の変更のみにより、マルチダイアライメントを確実に行うことができるチップのアライメント方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、第１の発明に係るチップ（１０）のアライメント方法は、半導体ウエハ（６０）上に複数のチップ（１０）及び該チップ（１０）に対応するアライメントマーク（４０）が形成され、所定のアライメント領域（５０）内に含まれる複数チップ（１０）の所定のアライメント用チップ（１１、１３、１５）のアライメントマーク（４１Ａ、４３Ａ、４５Ｂ）に光を照射し、その反射波形により前記アライメントマーク（１１、１３、１５）の位置を検出し、前記所定のアライメント領域（５０）内の前記複数チップ（１０）について一括してアライメントを行うチップ（１０）のアライメント方法であって、
前記反射波形が検出されなかったときには、前記アライメント領域（５０）内の前記アライメント用チップ（１１）と異なる代替チップ（１２）のアライメントマーク（４２Ａ）に光を照射し、反射波形を検出して前記代替チップ（１２）のアライメントマークの位置を検出するステップと、
前記アライメント用チップ（１３、１５）及び前記代替チップ（１２）のアライメントマーク（４２Ａ、４３Ａ、４５Ｂ）の位置に基づいて、前記アライメント領域（５０）内の複数チップ（１０）の位置合わせを行うステップと、を含むことを特徴とする。
【０００９】
これにより、アライメント領域内の複数チップについて一括してアライメントを行う際、所定のアライメント用チップのアライメントマークからの反射波形が得られない場合であっても、他のチップのアライメントマークで代用することができ、複数チップの一括アライメントを確実に行うことができる。
【００１０】
第２の発明は、第１の発明に係るチップ（１０）のアライメント方法において、
前記代替チップ（１２）のアライメントマーク（４２Ａ）の位置を検出するステップにおいて、前記代替チップ（１２）のアライメントマーク（４２Ａ）から前記反射波形が検出されなかったときには、前記代替チップ（１２）と異なる再代替チップ（１４）のアライメントマーク（４４Ａ）に光を照射し、反射波形が検出されるまで所定回数内又は所定領域内で該再代替チップ（１４）を変更し続け、該所定回数内又は該所定領域内で該反射波形が検出されたら、前記代替チップ（１２）のアライメントマーク（４２Ａ）の位置に代えて、該再代替チップ（１８）のアライメントマーク（４８Ａ）の位置を前記位置合わせに用いることを特徴とする。
【００１１】
これにより、代替チップのアライメントマークの反射波形が得られない場合でも、他の代替チップを探してマルチダイアライメントを確実に実行することができ、迅速なアライメントを確実に行うことができる。
【００１２】
第３の発明は、第１又は第２の発明に係るチップ（１０）のアライメント方法において、
前記アライメント用チップ（１１、１３、１５）は、前記アライメント領域（５０）内の境界付近に位置するチップ（１１、１３、１５）から選択されることを特徴とする。
【００１３】
これにより、マルチダイアライメントのアライメント用チップに、外周付近のチップを適用することができ、アライメントの精度を高めることができる。
【００１４】
第４の発明は、第１〜３のいずれかの発明に係るチップ（１０）のアライメント方法において、
前記代替チップ（１２）は、前記アライメント領域（５０）内において、前記アライメント用チップ（１１、１３、１５）より内側にあるチップ（１２）が選択されることを特徴とする。
【００１５】
これにより、代替チップについても外周付近のチップを利用してアライメント精度を保つことができ、かつ光の照射位置も大きく移動させないので、制御及び動作負担を少なくすることができる。
【００１６】
第５の発明は、第１〜４のいずれかの発明に係るチップ（１０）のアライメント方法において、
前記チップ（１０）は、切断用のヒューズ（２０）を有し、
前記チップ（１０）間にはスクライブライン（３０）が形成され、
前記アライメントマーク（４０）は、前記チップ（１０）及び前記チップ（１０）を囲む前記スクライブライン（３０）の領域内において、前記ヒューズ（２０）よりも外側の位置に設けられたことを特徴とする。
【００１７】
これにより、ヒューズ切断によりトリミング等が可能になるとともに、ヒューズに対するチップの位置合わせを適切に行うことができる。
【００１８】
第６の発明は、第１〜５のいずれかの発明に係るチップ（１０）のアライメント方法において、
前記アライメントマーク（４０）は、前記チップ（１０）間に形成されたスクライブライン（３０）に設けられたことを特徴とする。
【００１９】
これにより、チップの有効面積を狭めることなく、アライメントを適切に行うことができる。
【００２０】
第７の発明は、第５の発明に係るチップ（１０）のアライメント方法において、
前記チップ（１０）は、前記ヒューズ（２０）の切断によりアナログ値の調整が可能なアナログ回路を有することを特徴とする。
【００２１】
これにより、例えばＤ／ＡコンバータやＡ／Ｄコンバータ等を含むチップについて、アライメントを迅速かつ適切に行い、回路調整を行うことができる。
【００２２】
第８の発明は、第５又は第７の発明に係るチップ（１０）のアライメント方法において、
前記ヒューズ（２０）は、抵抗のトリミング用であることを特徴とする。
【００２３】
これにより、トリミング用のヒューズについて、アライメントを迅速かつ確実に行い、トリミングを行うことができる。
【００２４】
第９の発明は、第５の発明に係るチップ（１０）のアライメント方法において、
前記ヒューズ（２０）は、回路の切り換え用であり、該回路の切り換えによりメモリのビット救済が可能であることを特徴とする。
【００２５】
これにより、メモリの修復用のチップに対しても、アライメントを迅速かつ確実に行うことができる。
【００２６】
第１０の発明は、第１〜９のいずれかの発明に係るチップ（１０）のアライメント方法において、
前記アライメント用チップ（１１、１３、１５）は、複数であることを特徴とする。
【００２７】
これにより、２〜３個のアライメント用チップを用いて、マルチダイアライメントを確実に行うことができる。
【００２８】
なお、上記括弧内の参照符号は、理解を容易にするために付したものであり、一例に過ぎず、図示の態様に限定されるものではない。
【発明の効果】
【００２９】
本発明によれば、所定領域の複数チップについて、一括してマルチダイアライメントを行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下、図面を参照して、本発明を実施するための最良の形態の説明を行う。
【００３１】
図１は、本発明を適用した実施例に係るチップのアライメント方法の適用対象となる半導体ウエハ６０の一例を示した図である。半導体ウエハ６０上には、複数のチップ１０が形成されている。そして、複数のチップ１０は、所定のアライメント領域５０で群を形成している。
【００３２】
チップ１０は、各々が切断用のヒューズ（図示せず）を備え、ヒューズを切断することにより、アナログ回路の抵抗値調整や、メモリのビット救済等が可能な構成となっている。ヒューズの切断は、レーザトリミング装置、レーザトリマー、ビット救済装置、レーザ救済装置又はメモリリペアシステム等の、レーザ光を照射してヒューズを切断するレーザ光照射装置により実行される。これらは、加工にレーザ光を用いるので、チップ１０のアライメントについても、レーザを用いて行うことが好ましい。よって、チップ１０の各々について、金属等の光を反射する材質を用いて形成されたアライメントマークが設けられ、これにレーザ光を照射し、反射波形を検出してチップの位置を把握し、アライメントを行う。このとき、個々のチップ１０について各々アライメントを行うと、アライメント回数が多くなり、アライメントに長時間を要することになるので、複数チップ１０を含む所定のアライメント領域５０について、一括してアライメントを行う。
【００３３】
所定のアライメント領域５０は、上述のレーザトリミング装置等により、半導体ウエハ６０が載置されたステージを固定した状態で、レーザの移動が可能な範囲内の領域が定められる。例えば、チップ１０のサイズが０．５〔ｍｍ〕×０．５〔ｍｍ〕のときに、２０×２０＝４００個のチップ１０が所定のアライメント領域５０であったり（大きさで表すと１〔ｃｍ〕×１〔ｃｍ〕＝１〔ｃｍ２〕）、又は大きさで２〔ｃｍ〕×２〔ｃｍ〕＝４〔ｃｍ２〕がアライメント領域５０であったりする。従って、所定のアライメント領域５０は、チップ１０の大きさと、レーザ光照射装置のレーザ可動範囲により定められる。図１には、半導体ウエハ６０の全体に、複数のアライメント領域５０が示されているが、これは仮想的な領域区分であり、実際の半導体ウエハ６０上には、複数のチップが区分なく形成されている。
【００３４】
所定のアライメント領域５０に含まれる複数チップについて、一括してアライメント（以下、「マルチダイアライメント」と呼ぶ。）を行う場合には、アライメント領域５０を大きな１つのチップとみなしてアライメントを行えばよい。例えば、アライメント領域５０の４角のうち、任意の点の位置（１〜４個）を検出してアライメント領域５０の位置を把握し、これに基づいて半導体ウエハ６０の位置合わせを行うようにすればよい。図１においては、アライメント領域５０の右上角、右下角及び左下角の３点の位置が検出され、マルチダイアライメントが行われる例が示されている。
【００３５】
このように、本実施例に係るチップ１０のアライメント方法は、所定のアライメント領域５０に含まれる複数チップ１０について一括してアライメントを行うマルチダイアライメントに適用される。
【００３６】
次に、図２を用いて、本実施例に係るチップ１０のアライメント方法の内容について説明する。図２は、所定のアライメント領域５０及びこれに含まれるチップ１０の一例を示した拡大図である。
【００３７】
図２（ａ）は、所定のアライメント領域５０の一例を示した図である。図２（ａ）においては、所定のアライメント領域５０には、縦４個×横４個＝１６個のチップ１０が含まれている。よって、図２（ａ）の例においては、１６個のチップ１０について、マルチダイアライメントを行うことになる。また、各チップ１０には、切断用のヒューズ２０が備えられている。これを必要に応じて切断することにより、抵抗のトリミングやメモリのリペアを行うことができる。
【００３８】
図２（ａ）において、各チップ１０の間には、スクライブライン３０が形成されている。チップ１０が完成した後は、スクライブライン３０を切断することにより、個々のチップ１０として製品化される。スクライブライン３０には、アライメントマーク４０が設けられている。アライメントマーク４０は、各々のチップに対応して設けられ、図２（ａ）においては、各チップ１０間の横に存在するスクライブライン３０に、アライメントマーク４０が設けられている。アライメントマーク４０は、チップ１０を両横から挟むように、上側アライメントマーク４０Ａと下側アライメントマーク４０Ｂの２種類が存在している。スクライブライン３０は、縦も横も、チップ１０の数よりも１本ずつ多く、縦５本、横５本のラインで格子をなしており、アライメント領域５０の外周は、スクライブライン３０で囲まれている。
【００３９】
このような構成のアライメント領域５０についてマルチダイアライメントを行う場合、例えば、アライメント領域５０の対角線上の２点か、これに１点を加えた３点のチップ１０をアライメント用チップとして選択し、これに対応するアライメントマーク４０を用いて、アライメントを行うことが好ましい。図２（ａ）においては、左上隅チップ１１、右上隅チップ１３、左下隅チップ１５をアライメント用チップ１１、１３、１５として選択し、これらに対応するアライメントマーク４０を用いてアライメントを行う例について説明する。
【００４０】
左上隅チップ１１に対応するアライメントマーク４０は、左上隅チップの左側にある上側アライメントマーク４１Ａ及び下側アライメントマーク４１Ｂと、右側にある上側アライメントマーク４２Ａ及び下側アライメントマーク４２Ｂとがあるが、よりアライメント領域５０の角に近いアライメントマーク４０を選択した方が、アライメントマーク４０間の距離が長くなり精度が高まり、また実際のアライメント領域５０の外形に近くなり処理が容易になると考えられるので、最もアライメント領域５０の左上角に近い左側の上側アライメントマーク４１Ａをアライメントマークとして選択する。
【００４１】
同様に、右上隅チップ１３については、右上隅チップ１３の右上側に存在するアライメントマーク４３Ａが最もアライメント領域５０の右上角に近いので、これを右上隅チップ１３に対応するアライメントマーク４３Ａとして選択する。
【００４２】
同様に、左下隅チップ１５については、左下隅チップ１５の左下側に存在するアライメントマーク４５Ｂがアライメント領域５０の左下角に最も近いので、これを左下隅チップ１５に対応するアライメントマーク４５Ｂとして選択する。
【００４３】
このように、アライメント領域５０の角に存在するチップ１０がアライメント用チップ１１、１３、１５として選択され、更にこれに対応して設けられたアライメントマーク４０のうち、最もアライメント領域５０の角に近い外周端部に存在するアライメントマーク４１Ａ、４３Ａ、４５Ｂがマルチダイアライメントに用いられる。
【００４４】
なお、個々のアライメントマーク４０Ａ、４０Ｂは、Ｘ座標検出用とＹ座標検出用のアライメントマークの対で構成されている。例えば、アライメントマーク４１Ａにおいては、上側がＹ座標検出用アライメントマーク４１ＡＹであり、下側がＸ座標検出用アライメントマーク４１ＡＸである。また、アライメントマーク４１Ｂにおいては、上側がＸ座標検出用アライメントマーク４１ＢＸであり、下側がＹ座標検出用アライメントマーク４１ＢＹである。図２においては、チップ１１の横にアライメントマーク４１Ａ、４１Ｂが配置された構成となっているので、Ｙ座標を検出するには、外側（上辺側は上側、下辺側は下側）に配置されたアライメントマーク４１ＡＹ、４１ＢＹを用い、差の出ないＸ座標を検出するには、内側のアライメントマーク４１ＡＸ、４１ＢＸを用いている。なお、具体的なアライメントマーク４０の検出方法については、後述する。
【００４５】
マルチダイアライメントを行う際には、選択されたアライメントマーク４１Ａ、４３Ａ、４５Ｂに順次レーザ光を照射してスキャンし、アライメントマーク４１Ａ、４３Ａ、４５Ｂの位置を検出してゆく。
【００４６】
図２（ｂ）は、チップ１６と、これに対応するアライメントマーク４６Ａ、４６Ｂ、４９Ａ、４９Ｂの位置関係を示した図である。図２（ｂ）において、チップ１６の中心を原点として座標をとると、チップ１６の左側にある上側アライメントマーク４６Ａ及び下側アライメントマーク４６Ｂと、チップ１６の左側にある上側アライメントマーク４９Ａ及び下側アライメントマーク４９Ｂの各座標を表すことができる。即ち、チップ１６の左側については、Ｙ座標検出用上側アライメントマーク４６ＡＹ（−ｘ１，ｙ１）、Ｘ座標検出用上側アライメントマーク４６ＡＸ（−ｘ１，ｙ２）、Ｘ座標検出用下側アライメントマーク４６ＢＸ（−ｘ１，−ｙ２）及びＹ座標検出用下側アライメントマーク４６ＢＹ（−ｘ１，−ｙ１）となる。また、チップ１６の右側については、Ｙ座標検出用上側アライメントマーク４９ＡＹ（ｘ１，ｙ１）、Ｘ座標検出用上側アライメントマーク４９ＡＸ（ｘ１，ｙ２）、Ｘ座標用下側アライメントマーク４９ＢＸ（ｘ１，−ｙ２）及びＹ座標用上側アライメントマーク４９ＢＹ（ｘ１，−ｙ１）となる。結局、左側の上側アライメントマーク４６Ａ（−ｘ１，ｙ１）及び下側アライメントマーク４６Ｂ（−ｘ１，−ｙ１）、右側の上側アライメントマーク４９Ａ（ｘ１，ｙ１）及び下側アライメントマーク４９Ｂ（ｘ１，−ｙ１）が４隅のアライメントマークの座標であり、これとチップ１６との各角との距離及び座標差を考慮すれば、チップ１６の各４つの角の座標を検出できる。
【００４７】
図２（ｂ）で説明したような座標関係を用いれば、アライメント領域５０のアライメント用チップ１１、１３、１５に対応するアライメントマーク４１Ａ、４３Ａ、４５Ｂについて位置を把握し、これに基づいてマルチダイアライメントを行うことができる。マルチダイアライメントは、アライメント領域５０の座標と傾きを算出し、これを補正して位置合わせを行う処理を行うことにより、実行できる。
【００４８】
ここで、アライメント用チップ１１、１３、１５のアライメントマーク４１Ａ、４３Ａ、４５Ｂについて、総てレーザ光の照射に対する反射波形が得られれば、取得した３点座標を用いてマルチダイアライメントを実行できるが、アライメントマーク４１Ａ、４３Ａ、４５Ｂの反射波形が得られなかったときには、アライメントマーク４１Ａ、４３Ａ、４５Ｂの位置を検出することができない。例えば、アライメントマーク４１Ａ、４３Ａ、４５Ｂの金属の反射率が悪い場合や、パターンが崩れている場合や、前段階のθアライメントが適正に行われず、半導体ウエハ６０が傾いており、レーザ光の照射範囲からアライメントマーク４１Ａ、４３Ａ、４５Ｂが外れてしまっているような場合には、適正な反射波形が得られない。
【００４９】
このような場合に、本実施例に係るチップ１０のアライメント方法においては、反射波形が得られなかったアライメント用チップ１１、１３、１５のアライメントマーク４１Ａ、４３Ａ、４５Ｂについては、アライメント用チップ１１、１３、１５を変更して別の代替チップを選択し、代替チップに対応するアライメントマーク４０に対して、レーザ光を照射する処理を行う。
【００５０】
図２において、アライメント用チップ１１のアライメントマーク４１Ａから反射波形が得られなかった場合を例に挙げて説明する。図２において、アライメント用チップ１１に対応するアライメントマーク４１Ａから反射波形が得られなかった場合には、例えばその右側にあるチップ１２を代替チップとし、これに対応するアライメントマーク４２Ａにレーザ光を照射し、反射波形を得る動作を行う。これにより、代替チップ１２に対応するアライメントマーク４２Ａから反射波形が得られれば、代替チップ１２の位置を検出することができ、代替チップ１２及びアライメント用チップ１３、１５のアライメントマーク４２Ａ、４３Ａ、４５Ｂを用いてアライメント領域５０について一括してマルチダイアライメントを行うことができる。
【００５１】
同様に、アライメント用チップ１１の代替チップは、アライメント用チップ１１の下側にあるチップ１４であってもよく、これに対応するアライメントマーク４４Ａに光を照射し、反射波形を得ることによって、代替チップ１４の位置を検出するようにしてもよい。
【００５２】
また、アライメント用チップ１１の代替チップは、アライメント用チップ１１の斜め下内側のチップ１８であってもよく、この場合にも、対応するアライメントマーク４８Ａの位置をレーザ光により検出することにより、代替チップ１８の位置を検出できる。そして、代替チップ１８及びアライメント用チップ１３、１５に基づいて、アライメント領域５０に含まれる複数チップ１０のマルチダイアライメントを行うことができる。
【００５３】
このように、最初に選択されていた所定のアライメント用チップ１１のアライメントマーク４１Ａから反射波形が得られなかった場合でも、その周辺のチップ１２、１４、１８を代替チップとして選択し、代替チップ１２、１４、１８に対応するアライメントマーク４２Ａ、４４Ａ、４８Ａの反射波形を検出してその位置を検出し、他のアライメント用チップ１３、１５のアライメントマーク４３Ａ、４５Ｂの位置と合わせて、アライメントを行うことができる。
【００５４】
なお、代替チップ１２、１４、１８は、アライメント用チップ１１のアライメントマーク４１Ａの位置が検出できなかったときに、例えば１回だけ代替チップ１２を選択する処理だけでなく、代替チップ１２でも反射波形が検出されなかったら、更に再代替チップ１３のアライメントマーク４４Ａの検出を試み、それでも検出できなかったら、更に再代替チップ１８のアライメントマーク４８Ａの検出を試みる、というように、反射波形が検出できるまで、繰り返し代替チップ１２、１４、１８を順次選択してレーザ光を照射するような処理を実行してもよい。但し、あまり代替チップ１２、１４、１８が内側に入ると、アライメントの精度が低下するおそれがあるので、例えば代替回数の制限を行ったり、代替チップの許可範囲を予め決めておいたりしてもよい。
【００５５】
また、図２においては、アライメント用チップ１１と隣接したチップ１０を代替チップ１２、１４、１８として選択している例について説明したが、例えば、１つ置きに内側にシフトしたり、２つ置きに内側にシフトして代替チップ１２、１４、１８を選択したりするようにしてもよい。
【００５６】
また、図２においては、アライメント用チップ１１がアライメント領域５０の隅のチップ１０であり、代替チップ１２、１４、１８はこれよりも内側にシフトする例について説明したが、アライメント用チップ１１が少し内側に設定された場合には、逆に外側にシフトして代替チップ１２、１４、１８を選択してゆくような処理を行ってもよい。
【００５７】
更に、図２においては、アライメント用チップ１１に対応するアライメントマーク４１Ａの検出が不良である例を挙げて説明したが、他のアライメント用チップ１３、１５に同様に適用できることは言うまでも無い。この場合、アライメント用チップ１３の代替チップに対応するアライメントマーク４０は、代替チップの右側の上側アライメントマーク４０Ａとなり、アライメント用チップ１５の代替チップに対応するアライメントマーク４０は、代替チップの左側の下側アライメントマーク４０Ｂとなる。つまり、アライメント用チップ１１、１３、１５とアライメント用マーク４１Ａ、４３Ａ、４５Ｂとの位置関係は保った状態で、代替チップに対応するアライメントマーク４０は選択されることになる。これにより、代替チップのアライメントマークを用いた場合の演算処理を容易に行うことができる。
【００５８】
また、アライメント用チップ１１、１３、１５の総てのアライメントマーク４１Ａ、４３Ａ、４５Ｂについて位置検出ができなかった場合でも、総てに本実施例に係るチップ１０のアライメント方法を適用し、総てが代替チップとなった場合でも、アライメントを行うことが可能となる。
【００５９】
なお、アライメントマーク４０は、図２においては、スクライブライン３０の縦ラインに設けられ、チップ１０を両側から挟み込むように配置されている例を挙げて説明したが、例えば、スクライブラインの横ラインに形成されていてもよいし、チップ１０内に設けられていてもよい。ヒューズ２０に対して、これを外側から囲んでいる配置であれば、アライメントマーク４０は、種々の配置とすることができる。
【００６０】
このように、本実施例に係るチップ１０のアライメント方法によれば、所定のアライメント用チップ１１、１３、１５のアライメントマーク４１Ａ、４３Ａ、４５Ｂに反射不良があり、アライメントマーク４１Ａの位置が検出できなかった場合でも、代替チップ１２、１４、１８を選択し、これに対応するアライメントマーク４２Ａ、４４Ａ、４８Ａにレーザ光を照射し、その反射波形から位置を検出することにより、マルチダイアライメントを不能とさせず、リカバリーさせることができる。そして、マルチダイアライメントの失敗に起因するアライメント時間の増加を防ぐことができる。
【００６１】
次に、図３を用いて、アライメントマーク４０の検出方法について説明する。図３は、アライメントマーク４０の検出方法の説明図である。
【００６２】
図３（ａ）は、上側アライメントマーク４０Ａ、下側アライメントマーク４０Ｂの拡大図である。図３（ａ）に示すように、アライメントマーク４０は、上側アライメントマーク４０Ａと下側アライメントマーク４０Ｂで形状の組み合わせが異なっている。図３（ａ）において、白い部分が、アライメントマーク４０Ａ、４０Ｂの金属部分であり、照射されたレーザ光を反射させる部分である。反射波形は、座標の点が特定し易いように、小さい点又は細い線で、かつ確実に検出可能であることが好ましい。よって、照射されるレーザ光は、図３（ａ）に示したアライメントマーク４０の各金属部分を、切断するように横切ってスキャンする。つまり、Ｙ座標検出用上側アライメントマーク４０ＡＹ及びＹ座標検出用下側アライメントマーク４０ＢＹについては、レーザ光は縦方向（Ｙ方向）にスキャンし、Ｘ座標検出用上側アライメントマーク４０ＡＸ及びＸ座標検出用下側アライメントマーク４０ＢＸについては、レーザ光は横方向（Ｘ方向）にスキャンする。
【００６３】
図３（ｂ）は、Ｘ座標検出用アライメントマーク４０ＡＸ、４０ＢＸを拡大した模式図である。図３（ｂ）に示すように、Ｘ座標検出用アライメントマーク４０ＡＸ、４０ＢＸをレーザ光がＸ方向にスキャンすることにより、Ｘ座標検出用アライメントマーク４０ＡＸ、４０ＢＸの金属部分で反射波形のピーク４０Ｆが得られる。この反射波形のピーク４０Ｆを検出することにより、Ｘ座標検出用アライメントマーク４０ＡＸ、４０ＢＸの位置を検出できる。反射波形のピーク４０Ｆの形状は、あまり幅が大きくない方が精度高く位置の検出をでき、また、レーザ光のスキャン位置がアライメントマーク４０の上下に若干ずれたとしても、反射波形を検出できることが好ましいので、長方形の長手方向を垂直に横切るように、レーザ光はスキャンする。
【００６４】
なお、アライメントマーク４０の金属部分は、反射率の大きい金属であれば、種々の材料が適用されてもよいが、例えば、アルミニウムが適用されてもよい。
【００６５】
また、図３（ａ）において、上側アライメントマーク４０Ａについては、上側がＹ座標検出用アライメントマーク４０ＡＹであり、下側アライメントマーク４０Ｂについては、下側がＹ座標検出用アライメントマーク４０ＢＹであるのは、よりチップ１０の外形に近い点で座標検出を行うためである。
【００６６】
次に、図４を用いて、ヒューズ２０の構成の例について説明する。図４は、チップ１０に備えられた、切断用のヒューズ２０の構成例を示した図である。
【００６７】
図４において、ヒューズ２０の中に、切断部２１が設けられている。切断部の幅は、例えば数ミクロンのオーダーで、長さは例えば、その５〜６倍程度であってよい。ヒューズ２０の大きさは、チップ１０に比して極めて小さく、例えば、チップ１０のサイズが０．５〔ｍｍ〕×０．５〔ｍｍ〕のときには、ヒューズ２０の大きさは、数ミクロン程度の極めて小さい値となる。
【００６８】
また、図４において、切断部２１には、開口した窓枠２３が設けられている。窓枠２３を介して、ヒューズ２０の切断部２１にレーザ光を照射することにより、ヒューズ２０を切断することができ、トリミング等の回路調整や、メモリの回路切り換え等を行うことができる。
【００６９】
このように、ヒューズ２０の切断加工にもレーザ光を用いるため、本実施例に係るチップ１０のアライメント方法により、レーザ光を用いてマルチダイアライメントを確実に行うことができれば、ヒューズ切断工程の処理時間を極めて短時間とすることができる。
【００７０】
次に、図５を用いて、本実施例に係るチップ１０のアライメント方法の、半導体ウエハ６０の位置に応じた適用方法について説明する。図５は、半導体ウエハ６０上の種々の位置における本実施例の係るチップ１０のアライメント方法の適用例を示した図である。
【００７１】
図５（ａ）は、半導体ウエハ６０の左上エッジ部における本実施例に係るチップ１０のアライメント方法の適用例を示した図である。図５（ａ）において、半導体ウエハ６０の左上エッジ部が所定のアライメント領域５０ａとして選択された場合には、アライメント領域５０ａ内の左上角にチップ１１ａは存在しないので、他の３点をアライメント用チップとして選択する。図５（ａ）においては、アライメント領域５０ａ内の右上隅チップ１３ａ、左下隅チップ１５ａ及び右下隅チップ１７ａをアライメント用チップ１３ａ、１５ａ、１７ａとして選択している。そして、これらのアライメント用チップ１３ａ、１５ａ、１７ａに対応するアライメントターゲット４３Ａ、４５Ｂ、４７Ｂ（図５においては図示せず、図２と同じ関係）に順次レーザ光を照射し、これらの位置を検出してゆく。ここで、アライメントターゲット４３Ａ、４５Ｂ、４７Ｂから反射波形が得られなかったときには、内側にシフトして代替チップを選択し、アライメントマークを変更し、反射波形の検出を試みる。代替チップは、図５（ａ）に示すように、複数方向からの選択が可能である。半導体ウエハ６０の左上エッジ部に面している右上隅チップ１３ａ及び左下隅チップ１５ａは、略２方向への変更となり、３方向への変更が可能な右下隅チップ１７ａよりも代替チップの対象は少なくなるが、チップ１０の存在する方向であれば、種々の代替チップ選択を行うことができる。
【００７２】
図５（ｂ）は、半導体ウエハ６０の右上エッジ部における本実施例に係るチップ１０のアライメント方法の適用例を示した図である。図５（ｂ）において、半導体ウエハ６０の右上エッジ部が所定のアライメント領域５０ｂとして選択された場合には、アライメント領域５０ｂ内の右上角にチップ１３ｂは存在しないので、他の３点をアライメント用チップとして選択する。図５（ｂ）においては、アライメント領域５０ｂ内の左上隅チップ１１ｂ、左下隅チップ１５ｂ及び右下隅チップ１７ｂをアライメント用チップ１１ｂ、１５ｂ、１７ｂとして選択している。そして、これらのアライメント用チップ１１ｂ、１５ｂ、１７ｂに対応するアライメントターゲット４１Ａ、４５Ｂ、４７Ｂに順次レーザ光を照射し、これらの位置を検出してゆくが、反射波形が検出されなかったときには、代替チップを内側のチップ１０から選択し、これに対応するアライメントターゲット４０にレーザ光を照射してアライメントのリカバリーを行う点は、図５（ａ）と同様であるので、その説明を省略する。
【００７３】
図５（ｃ）は、半導体ウエハ６０の中央部における本実施例に係るチップ１０のアライメント方法の適用例を示した図である。図５（ｃ）において、半導体ウエハ６０の中央部が所定のアライメント領域５０ｃとして選択された場合には、アライメント領域５０ｃ内にチップ１０が総て存在する。よって、アライメント用チップは、左上隅チップ１１ｃ、右上隅チップ１３ｃ、左下隅チップ１５ｃ及び右下隅チップ１７ｃから任意に選択することができる。アライメント用チップは、装置により１点から４点を使用するものがある。アライメント用チップを、例えば、左上隅チップ１１ｃ、右上隅チップ１３ｃ及び左下隅チップ１５ｃとすると、図２で説明した例と同様になり、対象とするアライメント領域５０ｃ内のチップ数が異なる以外は、ほぼ同様の内容となる。よって、図５（ｃ）の詳細な説明は省略するが、半導体ウエハ６０の中央部がアライメント領域５０ｃの場合は、最も選択肢が多く、自由度が高いアライメント処理を行うことができる。
【００７４】
図５（ｄ）は、半導体ウエハ６０の左下エッジ部における本実施例に係るチップ１０のアライメント方法の適用例を示した図である。図５（ｄ）において、半導体ウエハ６０の左下エッジ部が所定のアライメント領域５０ｄとして選択された場合には、アライメント領域５０ｄ内の左下角にチップ１５ｄは存在しないので、他の３点をアライメント用チップとして選択する。図５（ｄ）においては、アライメント領域５０ｄ内の左上隅チップ１１ｄ、右上隅チップ１３ｄ及び右下隅チップ１７ｄをアライメント用チップ１１ｄ、１３ｄ、１７ｄとして選択している。そして、これらのアライメント用チップ１１ｄ、１３ｄ、１７ｄに対応するアライメントターゲット４１Ａ、４３Ａ、４７Ｂに順次レーザ光を照射し、これらの位置を検出してゆく。反射波形が検出されなかったときには、代替チップを内側のチップ１０から選択し、これに対応するアライメントターゲット４０にレーザ光を照射してアライメントのリカバリーを行う。この点は、図５（ａ）（ｂ）と同様であるので、その説明を省略する。
【００７５】
図５（ｅ）は、半導体ウエハ６０の右下エッジ部における本実施例に係るチップ１０のアライメント方法の適用例を示した図である。図５（ｅ）において、半導体ウエハ６０の右下エッジ部が所定のアライメント領域５０ｅとして選択された場合には、アライメント領域５０ｅ内の右下角にチップ１７ｅが存在しないので、他の３点をアライメント用チップとして選択する。図５（ｅ）においては、アライメント領域５０ｅ内の左上隅チップ１１ｅ、右上隅チップ１３ｅ及び左下隅チップ１５ｄをアライメント用チップ１１ｅ、１３ｅ、１７ｅとして選択している。そして、これらのアライメント用チップ１１ｅ、１３ｅ、１７ｅに対応するアライメントターゲット４１Ａ、４３Ａ、４７Ｂに順次レーザ光を照射し、これらの位置を検出してゆくが、反射波形が検出されなかったときには、代替チップを内側のチップ１０から選択し、これに対応するアライメントターゲット４０にレーザ光を照射してアライメントのリカバリーを行う点は、図５（ａ）（ｂ）（ｃ）と同様であるので、その説明を省略する。
【００７６】
なお、図５においては、アライメント領域５０ａ〜ｅ内の角にアライメント用チップ１１ｂ〜ｅ、１３ａ，１３ｃ〜ｅ、１５ａ〜ｃ，１５ｅ、１７ａ〜ｄを設定する例について説明したが、必ずしもアライメント領域５０ａ〜ｅの角にアライメント用チップ１１ｂ〜ｅ、１３ａ，１３ｃ〜ｅ、１５ａ〜ｃ，１５ｅ、１７ａ〜ｄを設けなくてもよい。例えば、アライメント領域５０ａ〜ｅの外周境界付近であれば、辺に沿った位置でも良いし、角からやや内側に入った位置であってもよい。但し、アライメントの精度と、演算処理の容易さを考慮すると、図５に示したように、アライメント領域５０ａ〜ｅ内の角にアライメント用チップ１１ｂ〜ｅ、１３ａ，１３ｃ〜ｅ、１５ａ〜ｃ，１５ｅ、１７ａ〜ｄを設けることが好ましい。
【００７７】
図６は、半導体ウエハ６０の周辺部にアライメント領域５０ｆが設定され、アライメント領域５０ｆ内の角にチップ１０が１つしか無い場合に、本実施例に係るチップ１０のアライメント方法を適用する例を示した図である。
【００７８】
図６において、アライメント領域５０ｆ内で、角に存在するチップは、右下隅チップ１７ｆのみである。他の左上角、右上角及び左下角には、有効なチップが存在しない。このような場合には、例えば、半導体ウエハ６０の端部で、かつアライメント領域５０ｆ内の境界外周付近に、アライメント用チップ１３ｆ、１５ｆを設定するようにしてもよい。これにより、３点のアライメント用チップ１３ｆ、１５ｆ、１７ｆを用いて、通常通りのマルチダイアライメントを行うことができる。この場合、アライメント用チップ１３ｆ、１５ｆ、１７ｆのアライメントマーク４３Ａ、４５Ｂ、４７Ｂにレーザ光を照射して反射波形が得られなかったときには、やはり内側に移動して代替チップを選択し、図５（ａ）において説明したのと同様の処理を行う。アライメント用チップ１３ｆ、１５ｆについては、有効チップ１０の存在する２方向で代替チップを選択し、アライメント用チップ１７ｆについては、３方向で代替チップを選択できる点も、図５（ａ）と同様である。
【００７９】
このように、アライメント領域５０ｆ内の角に有効なチップ１０が存在しない場合であっても、適切なアライメント用チップ１３ｆ、１５ｆを選択することができる。また、このアライメントマーク４３Ａ、４５Ｂから反射波形が検出されず、位置を検出できない場合にも、代替チップを有効チップ１０から選択し、これに対応するアライメントマーク４０の位置を検出することにより、マルチダイアライメントを確実に実行することができる。
【００８０】
次に、図７を用いて、本実施例に係るチップ１０のアライメント方法の処理フローについて説明する。図７は、本実施例に係るチップ１０のアライメント方法の処理フロー図である。なお、参照符号は、便宜上、図２における説明と同一の参照符号を用いて説明するが、他の図面における実施形態も、同様に含まれるものとする。
【００８１】
ステップ１００では、マルチダイアライメント（Multi Die Alignment、ＭＤＡ）が成功したか否かが判定される。これは、アライメント用チップ１１、１３、１５のアライメントマーク４１Ａ、４３Ａ、４５Ｂから、総て反射波形が得られたか否かにより判定してよい。
【００８２】
ステップ１００において、マルチダイアライメントが失敗したと判定されたときにはステップ１１０に進み、マルチダイアライメントが成功したと判定されたときには、ステップ１７０に進む。
【００８３】
ステップ１１０では、アライメント用チップ１１のアライメントマーク４１Ａから代替チップ１２のアライメントマーク４２Ａにレーザ光の照射対象が変更される。アライメントマーク４２Ａからも反射波形が得られないときには、再代替チップ１４、１８が順次選択され、レーザ光の照射対象もアライメントマーク４４Ａ、４８Ａにシフトする。
【００８４】
ステップ１２０では、アライメントマーク４２Ａ、４４Ａ、４８Ａのいずれかから反射波形が得られたら、代替チップ１２又は再代替チップ１４、１８が、シフトリミット内、つまり代替可能な所定回数又は所定領域内であるか否かが判定される。これにより、代替チップ１２又は再代替チップ１４、１８が内側に入りすぎて、アライメントの精度を低下させるおそれが無いかを判定確認する。
【００８５】
ステップ１２０において、代替チップ１２又は再代替チップ１４、１８がシフトリミット内であったときには、ステップ１００に戻り、シフトリミット外であったときには、ステップ１３０に進む。
【００８６】
再度、ステップ１００において、マルチダイアライメントが成功と判定されたときには、ステップ１７０に進む。
【００８７】
ステップ１７０では、アライメント処理が実行され、次いで、トリミング処理が実行され、ヒューズ２０が切断される。なお、トリミング処理の代わりに、メモリのリペアが実行されてもよい。トリミング処理の実行により、Ａ／ＤコンバータやＤ／Ａコンバータを含むアナログ回路の抵抗値のトリミングがなされ、アナログ値が調整される。トリミング処理は、容量値のトリミングであってもよい。アナログ回路の搭載されたチップ１０は、チップサイズが小さく、アライメント領域５０内に多くのチップ１０が含まれるため、アライメント処理に時間を要するが、本実施例に係るチップ１０のアライメント方法により、マルチダイアライメントが成功すれば、アライメント処理の時間は大幅に短縮される。
【００８８】
ステップ１８０では、アライメント処理及びトリミング処理を行ったアライメント領域５０が、半導体ウエハ６０上の最後のマルチダイアライメント及びトリミング処理領域のアドレスであったか否かが判定される。
【００８９】
ステップ１８０において、最後のマルチダイアライメント及びトリミング処理領域のアドレスであったと判定された場合には、処理フローを終了し、半導体ウエハ６０のトリミング処理を総て終了する。一方、最後のマルチダイアライメント及びトリミング処理領域のアドレスではないと判定された場合には、ステップ１９０に進む。
【００９０】
ステップ１９０では、次のマルチダイアライメント及びトリミング処理を行うアライメント処理領域５０のアドレスに処理対象を進めるとともに、最初から処理フローを繰り返す。
【００９１】
ステップ１２０に戻り、代替チップ１２又は再代替チップ１４、１８のアライメントマーク４２Ａ、４４Ａ、４８Ａがシフトリミット内に無い、つまり所定回数をオーバーしていたか、所定領域内を超えており、例えば内側に入り過ぎていた場合には、ステップ１３０に進む。
【００９２】
ステップ１３０では、マルチダイアライメントブロック、つまり所定のアライメント領域５０内でシングルダイアライメント（Single Die Alignment、ＳＤＡ）が成功したか否かが判定される。つまり、ステップ１２０において、マルチダイアライメントが所定の回数又は領域等の範囲内に収まらず、失敗に終わったと判定された場合には、シングルダイアライメントに切り換えてアライメント処理を行う。なお、シングルダイアライメントの成功の判定は、個々のダイ１０のアライメントマーク４０についてレーザ光を照射し、反射波形が取得されたか否かにより判定を行ってよい。この場合、総てのダイ１０に対して、図２で説明したようなアライメントのための位置検出を行うため、処理量は増加してしまうが、本実施例に係るチップ１０のアライメント方法においては、マルチダイアライメントでリカバリーが出来なかった場合には、従来通りのシングルダイアライメントでアライメント処理を行い、機能的な補償を行う。
【００９３】
ステップ１３０において、シングルダイアライメントに成功したと判定された場合には、ステップ１４０に進む。シングルダイアライメントの成功は、アライメント領域５０内の１つのチップ１０について、個別のアライメントが成功したことを意味する。一方、ステップ１３０において、シングルダイアライメントに失敗したと判定された場合には、ステップ１５０に進む。
【００９４】
ステップ１４０では、ヒューズ２０にレーザ光が照射されて切断され、トリミング処理又はメモリのリペア処理が実行される。
【００９５】
ステップ１５０では、現在の対象チップ１０が、マルチダイアライメントブロック、つまりアライメント領域５０内の最後のシングルダイアライメントアドレスであるか否かが判定される。これは、個々シングルダイアライメントが、アライメント領域５０内の総てのチップ１０に対して行われたか否かを判定している。
【００９６】
ステップ１５０において、現在の対象チップ１０が、アライメント領域５０内の最後のシングルダイアライメントアドレスであると判定された場合には、ステップ１８０に進む。一方、現在の対象チップ１０が、アライメント領域５０内の最後のシングルダイアライメントアドレスでないと判定された場合には、ステップ１６０に進む。
【００９７】
ステップ１６０では、アライメント領域５０内の次のシングルダイアライメントのアドレスに進む。そして、ステップ１３０に戻り、アライメント領域５０内で、シングルダイアライメント及びステップ１４０のトリミング処理を繰り返し、ステップ１５０で最後のアドレスに到達するまで、同じ処理を繰り返す。
【００９８】
ステップ１８０では、マルチダイアライメントの単位、つまりアライメント領域５０の単位で、半導体ウエハ６０上の処理が総て終了しているか否かを判定し、処理が終了していなければ、最初から処理フローを繰り返す。一方、半導体ウエハ６０上の総てのアライメント領域５０について処理が終了していれば、当該半導体ウエハ６０のトリミング処理を終了する。
【００９９】
このように、図７に示した本実施例に係るチップ１０のアライメント方法の処理フローによれば、ステップ１００でマルチダイアライメントが失敗しても、すぐにステップ１３０のシングルダイアライメントに移行するのではなく、ステップ１１０及びステップ１２０で代替チップを見付けてマルチダイアライメントを再試行するので、マルチダイアライメントによるアライメント機会が増加し、全体のスループットを向上させることができる。
【０１００】
次に、比較対象の参考例として、図８を用いて、従来のチップのアライメント方法による処理フローを説明する。図８は、従来のチップ１０のアライメント方法の処理フローを示した図である。なお、比較及び理解を容易にするため、図７と同様のステップには、同一のステップ番号を付するとともに、その説明を省略する。
【０１０１】
ステップ１００では、マルチダイアライメントが成功したか否かが判定される。図７と同様のステップであるので、その説明を省略する。
【０１０２】
ステップ１００において、マルチダイアライメントが成功した場合には、ステップ１７０に進み、失敗した場合には、ステップ１３０に進む。
【０１０３】
ステップ１３０では、マルチダイアライメントブロック、つまり所定のアライメント領域５０内で、シングルダイアライメントが成功したか否かが判定される。このように、図８の処理フローにおいては、ステップ１００でマルチダイアライメントに失敗した場合には、すぐにシングルダイアライメントに移行してしまう。シングルダイアライメントは、マルチダイアライメントで行った処理を、個々のチップ１０に対して行うので、アライメント領域に含まれているチップ数が数１００個の場合には、マルチダイアライメントの数１００倍の時間を要してしまう。一般に、１回のチップアライメント処理に要する時間は、約１秒であるため、このタイムロスは数１００秒に相当する。これが積み重なると、全体のスループットは、大幅に低下する。
【０１０４】
よって、図７で説明した本実施例にかかるチップ１０のアライメント方法の処理フローにおいては、ステップ１００でマルチダイアライメントに１回失敗しても、ステップ１１０及びステップ１２０でマルチダイアライメントのリカバリー処理を実行し、すぐにステップ１３０のシングルダイアライメントに入らないようにしている。これにより、可能な限りマルチダイアライメントを実行し、タイムロスを低減させることができる。
【０１０５】
なお、図８において、ステップ１３０〜ステップ１６０及びステップ１７０〜ステップ１９０は、図７で説明した処理フローと、内容、順番とも同様である。従って、これらは図７と同一のステップ番号を付し、その説明を省略する。
【０１０６】
以上、本発明の好ましい実施例について詳説したが、本発明は、上述した実施例に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、上述した実施例に種々の変形及び置換を加えることができる。
【図面の簡単な説明】
【０１０７】
【図１】本実施例に係るチップのアライメント方法の適用対象となる半導体ウエハ６０の一例を示した図である。
【図２】所定のアライメント領域５０及びチップ１０の一例を示した拡大図である。図２（ａ）は、所定のアライメント領域５０の一例を示した図である。図２（ｂ）は、チップ１６と対応するアライメントマーク４６Ａ、４６Ｂ、４９Ａ、４９Ｂの位置関係図である。
【図３】図３は、アライメントマーク４０の検出方法の説明図である。図３（ａ）は、上側アライメントマーク４０Ａ、下側アライメントマーク４０Ｂの拡大図である。図３（ｂ）は、Ｘ座標検出用アライメントマーク４０ＡＸ、４０ＢＸの拡大模式図である。
【図４】チップ１０に備えられた、切断用のヒューズ２０の構成例を示した図である。
【図５】半導体ウエハ６０上の各位置での本実施例の係るチップ１０のアライメント方法の適用例を示した図である。図５（ａ）は、半導体ウエハ６０の左上エッジ部での適用例を示した図である。図５（ｂ）は、半導体ウエハ６０の右上エッジ部での適用例を示した図である。図５（ｃ）は、半導体ウエハ６０の中央部での適用例を示した図である。図５（ｄ）は、半導体ウエハ６０の左下エッジ部での適用例を示した図である。図５（ｅ）は、半導体ウエハ６０の右下エッジ部での適用例を示した図である。
【図６】半導体ウエハ６０の周辺部にアライメント領域５０ｆが設定された場合の適用例を示した図である。
【図７】本実施例に係るチップ１０のアライメント方法の処理フロー図である。
【図８】従来のチップ１０のアライメント方法の処理フローを示した図である。
【符号の説明】
【０１０８】
１０    チップ
１１、１１ｂ〜ｅ、１３、１３ａ、ｃ〜ｆ、１５、１５ａ〜ｃ、ｅ〜ｆ、１７ａ〜ｄ、ｆ    アライメント用チップ
１２、１４、１８    代替チップ（再代替チップ）
２０    ヒューズ
２１    切断部
２３    窓枠
３０    スクライブライン
４０、４０Ａ〜４９Ａ、４０Ｂ〜４９Ｂ    アライメントマーク
４０Ｆ    反射波形のピーク
５０、５０ａ〜５０ｆ    アライメント領域
６０    半導体ウエハ
【図１】
0005266857.tif 000002
【図２】
0005266857.tif 000003
【図３】
0005266857.tif 000004
【図４】
0005266857.tif 000005
【図５】
0005266857.tif 000006
【図６】
0005266857.tif 000007
【図７】
0005266857.tif 000008
【図８】
0005266857.tif 000009