(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
反射面の形成された凹部を有する基体と、
前記反射面に光出射面が対向するように複数の半導体発光素子が実装され、前記基体に固定された実装部材と、
前記基体あるいは前記実装部材に固定され、前記半導体発光素子と前記反射面との間に、前記半導体発光素子及び前記反射面と離間して配置された波長変換層と、
を備えた半導体発光装置であって、
前記実装部材は、光取り出し用の開口部を有する実装基板から構成され、
前記基体は、金属基板、セラミック基板又は半導体基板で構成され、
前記実装部材は、前記半導体発光素子からの発熱を発熱可能な放熱性の高い材料から構成され、前記基体上の前記反射面の周囲に熱的に接触するように固定され、
前記波長変換層は、前記基体と前記実装部材との接着界面に熱的に埋め込まれた金属製メッシュに形成され、
前記半導体発光素子は、前記開口部より外側であって前記実装部材の前記基体の前記反射面の中心に向かって内側に傾斜した素子搭載部に実装され、前記半導体発光素子から出射する光が前記波長変換層に斜めに入射するように配置し、
前記開口部が、前記波長変換層の大きさよりも小さい、
半導体発光装置。
【請求項２】
前記波長変換層は、前記金属製メッシュの中央部に形成されている請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項３】
前記金属製メッシュの外周部には前記波長変換層を形成していないメッシュ開口部が設けられており、
前記素子搭載部は、前記半導体発光素子から出射された１次励起光の一部が前記波長変換層の表面に入射し、一部が前記メッシュ開口部を通って前記反射面に入射する位置に形成されている請求項２に記載の半導体発光装置。
【請求項４】
前記実装部材がシリコン基板により形成されている請求項１〜３の何れか１記載の半導体発光装置。
【請求項５】
前記基体と前記実装部材とで形成された空間に透光性樹脂からなる封止層が形成される請求項１〜４の何れか１記載の半導体発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体発光装置に関し、特に、半導体発光素子の光と波長変換層の光との混色光を発光する半導体発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、青色発光素子の光の一部を蛍光体で波長変換し、青色発光素子からの光と蛍光体からの光を合成して白色光を作り出す半導体発光装置が、一般照明、街路灯、ヘッドランプ等のように照明器具の光源として利用されている。
【０００３】
従来のこの種の半導体発光装置として、特許文献１に、簡単な構成で、効率よく、均一に色変換された光を提供するため、発光素子と、反射凹曲面を有する本体と、この本体に発光素子を、その発光面が反射凹曲面に対向し、発光面からの特定色光が反射凹曲面で反射した後、外部に放射するよう配設したリードフレームと、反射凹曲面に膜形成され、特定色光の一部を他色光に変換するための蛍光体を含有する色光変換樹脂膜とからなる発光ダイオードが開示されている。
【特許文献１】特開２００１−２３０４５１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、特許文献１に示された半導体発光装置では、蛍光体層が反射面に膜形成されている。そのため、反射凹曲面で反射され、上方に反射する割合はごく僅かであり、反射される光は樹脂膜の法線方向のみとなる。この半導体発光装置では反射凹曲面で反射される光を効率的に利用できていなかった。
【０００５】
また、構造上、発光素子と反射凹曲面との距離を一定間隔以上離す必要がある。そのため、色光変換樹脂膜に入射する発光素子からの励起光密度は小さくなり、光取り出し方向の光密度も小さくなるという問題があった。
【０００６】
また、発光素子はリードフレームを用いて中空状態で配置されており、発光素子を大電流で駆動した場合、リードフレームからだけでは放熱は充分でなかった。
【０００７】
また、発光素子が反射凹曲面の中心位置に配置されているので、反射凹曲面で反射された光を遮光するという問題があった。
【０００８】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、波長変換層の表面と裏面の両面を効率よく励起して外部に光を取り出すことができる半導体発光装置を提供できる。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記目的を達成するために、本発明の半導体発光装置は、反射面の形成された凹部を有する基体と、前記反射面に光出射面が対向するように複数の半導体発光素子が実装され、前記基体に固定された実装部材と、前記基体あるいは前記実装部材に固定され、前記半導体発光素子と前記反射面との間に、前記半導体発光素子及び前記反射面と離間して配置された波長変換層と、を備えた半導体発光装置であって、前記実装部材は、光取り出し用の開口部を有する実装基板から構成され、前記基体は、金属基板、セラミック基板又は半導体基板で構成され、前記実装部材は、前記半導体発光素子からの発熱を発熱可能な放熱性の高い材料から構成され、前記基体上の前記反射面の周囲に熱的に接触するように固定され、前記波長変換層は、前記基体と前記実装部材との接着界面に熱的に埋め込まれた金属製メッシュに形成され、前記半導体発光素子は、前記開口部より外側であって前記実装部材の前記基体の前記反射面の中心に向かって内側に傾斜した素子搭載部に実装され、前記半導体発光素子から出射する光が前記波長変換層に斜めに入射するように配置し、前記開口部が、前記波長変換層の大きさよりも小さい。
好ましくは、前記波長変換層は、前記金属製メッシュの中央部に形成されている。
好ましくは、前記金属製メッシュの外周部には前記波長変換層を形成していないメッシュ開口部が設けられており、前記素子搭載部は、前記半導体発光素子から出射された１次励起光の一部が前記波長変換層の表面に入射し、一部が前記メッシュ開口部を通って前記反射面に入射する位置に形成されている。
好ましくは、前記実装部材がシリコン基板により形成されている。
好ましくは、前記基体と前記実装部材とで形成された空間に透光性樹脂からなる封止層が形成される。
【００１０】
本発明によれば、反射面と離間するように波長変換層を配置することで、波長変換層の表面と裏面の両面を効率よく励起して外部に光を取り出すことができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、半導体発光素子と反射面との間に、反射面と離間するように波長変換層を配置することで、波長変換層の表面と裏面の両面を効率よく励起して外部に光を取り出すことができる半導体発光装置を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下添付図面に従って本発明の好ましい実施の形態について説明する。本発明は以下の好ましい実施の形態により説明されるが、本発明の範囲を逸脱すること無く、多くの手法により変更を行なうことができ、本実施の形態以外の他の実施の形態を利用することができる。従って、本発明の範囲内における全ての変更が特許請求の範囲に含まれる。
【００１９】
〔第１の実施形態〕
図１は本発明の半導体発光装置の第１の実施形態を示している。
【００２０】
半導体発光装置１０は、反射面２２の形成された凹部を有する基板２０と、基板２０に固定された波長変換層３２を備える放熱メッシュ３０と、基板２０に固定され、素子搭載部４２と光取り出し用の開口部４４を有する実装基板４０と、光出射面が反射面２２を向くように素子搭載部４２に実装された半導体発光素子５０と、基板２０と実装基板４０とで形成された空間に充填された封止層６０とから構成される。
【００２１】
基板２０は、熱伝導性の高い材料、例えば銅，アルミニウム等の金属基板や、酸化アルミニウム，炭化ケイ素，窒化ケイ素若しくは酸化ジルコニウム等のセラミック基板、またはシリコン等の半導体基板で構成される。
【００２２】
基板２０には反射面２２の形成された凹部が放物面形状で形成されている。反射面２２を放物面形状とすることで光を反射面２２の中心に集光することができ、開口部４４から効率の良い光取り出しが可能となる。基板２０が反射率の高い部材であれば、凹部を反射面２２としてそのまま使用できる。一方で基板２０が反射率の低い材料である場合、凹部に金属蒸着、又はメッキ等により反射率の高い薄膜を形成し反射面２２とすることもできる。
【００２３】
本実施の形態では、凹部の形状を放物面とした。しかし、これに限定されることなく、すり鉢状や楕円状等の形状とすることができる。
【００２４】
実装基板４０が、例えばシリコン等の放熱性の高い材料から構成されており、放熱性の接着剤等により、基板２０上の反射面２２の周囲に熱的に接触するよう固定される。ここで熱的に接触とは、実装基板４０と基板２０との間に熱の経路が形成されることを意味する。実装基板４０と基板２０が直接接触する場合に加えて、実装基板４０と基板２０との間に中間部材が挿入されている場合も含まれる。半導体発光素を放熱性の高い実装基板に実装しているので半導体発光素子からの発熱を効率よく発熱できる。
【００２５】
本実施の形態では、基板２０と略平行である素子搭載部４２が実装基板４０に形成されている。図１に示すように、実装基板４０は基板２０から上方に向かうにしたがい、反射面２２の中心に向かうよう内側に傾いている。実装基板４０は、基板２０から所定の高さ位置で、さらに反射面２２の中心方向に向かい、基板２０と略平行であるオーバーハング形状を有している。このオーバーハング形状の部分が素子搭載部４２となる。実装基板４０は、さらに素子搭載部４２から上方に向かって外側に傾斜している。それにより、図１に示すように、反射面２２の中心部の上方において、光取り出し用の開口部４４が実装基板４０に形成される。
【００２６】
半導体発光素子５０が、その光出射面が反射面２２に対向するように素子搭載部４２に接合剤を介して実装される。素子搭載部４２は反射面２２の周囲から内側に位置しているので、半導体発光素子５０は、反射面２２の周縁部近傍に配置されることになる。これにより、半導体発光素子５０が反射面２２の中心部を覆わないようにできる。
【００２７】
半導体発光素子５０は、例えば青色発光ＬＥＤで、透明基板や不透明基板上と、これらの基板上に形成されたＩｎＧａＮ系半導体で構成される発光部を有する半導体エピタキシャル層で構成される。半導体発光素子５０の数等は適宜決定される。
【００２８】
波長変換層３２が形成された放熱メッシュ３０が、基板２０及び実装基板４０との接着界面に熱的に埋め込まれている。波長変換層３２で発生した熱が放熱メッシュ３０を介して基板２０及び実装基板４０に放熱されるよう熱経路が形成される。
【００２９】
図２は、蛍光体を含有した波長変換層３２を備えた放熱メッシュ３０の正面図を示している。放熱メッシュ３０は金、アルミニウム、銅、タングステンなど熱伝導率の高いものから構成される。蛍光体はＹＡＧ系蛍光体やシリケート系蛍光体が使用される。これらの蛍光体は青色発光ＬＥＤから青色光で励起され、黄色光を発光する。青色発光ＬＥＤの青色光と蛍光体の黄色光が合成され白色光が作り出される。
【００３０】
本実施の形態では、波長変換層３２が放熱メッシュ３０の中央部に形成されている。しかし、これに限定されず波長変換層３２を放熱メッシュ３０の全面に形成することもできる。波長変換層３２の大きさは半導体発光装置１０に求められる発光色により適宜決定される。
【００３１】
波長変換層３２は、例えば蛍光体を所定濃度混合した光透過性樹脂を放熱メッシュ３０にスクリーン印刷、ステンシル印刷等することにより、放熱メッシュ３０の中央部に形成することができる。
【００３２】
封止層６０はエポキシ樹脂、シリコーン樹脂等の透光性樹脂から構成される。特に、シリコーン樹脂は耐熱性と熱応力緩和の点から好ましい。
【００３３】
次に、半導体発光装置１０の製造方法を簡単に説明する。まず、ウエットもしくはドライエッチング等により、基板２０の表面に反射面２２となる凹部を形成する。必要に応じて、凹部に金属蒸着、又はメッキ等により反射率の高い薄膜を形成することもできる。
【００３４】
実装基板４０としてシリコン基板を準備し、異方性エッチング等により素子搭載部４２を形成する。半導体発光素子５０が素子搭載部４２に例えばフリップチップ方式により実装される。半導体発光素子５０が実装された実装基板４０が予め準備される。
【００３５】
実装基板４０と同様に、スクリーン印刷、ステンシル印刷等により形成された波長変換層３２を有する放熱メッシュ３０が予め準備される。
【００３６】
放熱メッシュ３０が、波長変換層３２を反射面２２から離間するように、放熱性の接着剤等を介して基板２０に熱的に接触するよう固定される。さらに、実装基板４０が、放熱メッシュ３０と基板２０と熱的に接触するよう放熱性の接着剤等を介して固定される。
【００３７】
最後に、開口部４４から透光性樹脂が注入され、基板２０と実装基板４０とで形成された空間に充填され、封止層６０が形成される。このとき反射面２２へは、波長変換層３２の形成されていない放熱メッシュ３０の外周部のメッシュ開口部から液状の光透過性樹脂を容易に流し込むことができる。
【００３８】
波長変換層３２が放熱メッシュ３０の全面に形成されている場合でも、例えば、基板２０の反射面２２に最初に透光性樹脂を注入し、次いで放熱メッシュ３０と実装基板４０を固定した後、開口部４４から透光性樹脂を注入することで封止層６０を容易に形成することができる。
【００３９】
次に、本実施の形態の半導体発光装置１０の動作について図１を参照して説明する。
【００４０】
最初に光の経路について説明する。青色発光ＬＥＤからなる半導体発光素子５０から出射された青色光（以下１次励起光）の一部は波長変換層３２の表面に入射し、他は波長変換層３２の形成されていない放熱メッシュ３０の周縁部を透過して、反射面２２に入射する。
【００４１】
波長変換層３２の表面に入射した１次励起光の一部は、波長変換層３２に含まれるＹＡＧ：Ｃｅ等の蛍光体により吸収および波長変換されて、上方の開口部４４からに１次励起光よりも波長の長い反射１次波長変換光（黄色光）として取り出される。波長変換層３２の表面に入射した１次励起光の一部は、波長変換層３２の蛍光体により散乱され、波長変換されずに上方の開口部４４から反射１次励起光として取り出される。波長変換層３２から開口部４４に向かう２本の一点鎖線の矢印が、模式的に反射１次波長変換光と反射１次励起光を表している。また、１次励起光の一部は波長変換層３２を透過して反射面２２に入射する。
【００４２】
一方、波長変換層３２及び放熱メッシュ３０を透過して反射面２２に入射した１次励起光は、反射面２２で上方に反射され２次励起光となり、波長変換層３２の裏面に入射する。裏面で波長変換された２次励起光の一部は、波長変換層３２を透過し、上方の開口部４４から透過２次波長変換光として取り出される。２次励起光の一部は波長変換層３２の蛍光体により散乱され、波長変換されずに上方の開口部４４から透過２次励起光として取り出される。波長変換層３２から開口部４４に向かう１本の点線の矢印が、模式的に透過２次波長変換光と透過２次励起光を表している。
【００４３】
現実には反射１次励起光、反射１次波長変換光、透過２次励起光及び透過２次波長変換の一部は、実装基板４０と基板２０で形成される空間内を複数回反射し、最終的に開口部４４から取り出される場合がある。これらを含めて透過２次励起光及び透過２次波長変換と称する。
【００４４】
本発明において波長変換層３２が反射面２２から離間された位置に配置されているので波長変換層３２と反射面２２間に空間が形成される。空間により、反射面２２からの反射光を効率よく波長変換層３２に導くことができ、反射光を有効に波長変換できる。
【００４５】
また、図１に示すように、開口部４４を波長変換層３２の大きさよりも小さく形成することで、光を集光することが可能となり、光密度を向上させることもできる。開口部４４の大きさはシリコン基板の異方性エッチングを適宜の条件とすることで所望の大きさに形成できる。
【００４６】
また、本実施の形態において、半導体発光素子５０は放熱メッシュ３０の周縁部近傍に配置されている。これにより、光強度の高い反射面２２の中心部には光を遮光するものが配置されていないので、光を効率よく取り出すことができる。
【００４７】
次に熱の経路について説明する。半導体発光素子５０から発生した熱は熱伝導率の高いシリコン製の実装基板４０に伝達される。更に熱的に接触する放熱性の高い基板２０へと伝達される。波長変換層３２に含有される蛍光体からの発熱は、金属製の放熱メッシュ３０を介して放熱性の高い基板２０へと伝えられ、励起光の強度が上がっても蛍光体は蓄熱することない。さらに、本発明において、波長変換層３２が反射面２２から離間された位置に配置されているため、反射光と透過光を利用して色度調整をすることができる。尚、従来技術の特許文献１に示される反射面と隣接して形成された蛍光体層では、濃度や厚みを変えても、波長変換として寄与するのが主に一定の表層部分となり、蛍光体固有の吸収率、反射率が支配的となるため、ある一定の色度に近づくだけとなり、色度を制御することが極めて難しいものとなっている。波長変換層を保持する支持部材が放熱性の高い実装基板と基板に熱的に接触しているので、波長変換層からの発熱を効率よく放熱できる。これにより、蛍光体の効率が低下して発光色が変化したり、波長変換層の周辺の部材が劣化したりするのを防止することができる。
【００４８】
なお、本実施の形態では、波長変換層３２を放熱メッシュ３０上に形成したが、波長変換層３２を蛍光体が分散したガラス板とすることができる。
【００４９】
反射面２２と離間できる限りにおいて、波長変換層３２をどのような形状を有していても良い。
【００５０】
〔第２の実施形態〕
図３は本発明の半導体発光装置の第２の実施形態を示している。第１の実施形態に示した半導体発光装置と同様の構成には同一符号を付して説明を省略する場合がある。
【００５１】
本実施の形態の半導体発光装置１０は、反射面２２が形成された凹部を有する基板２０と、基板２０に固定された波長変換層３２を備える放熱メッシュ３０と、基板２０に固定され、素子搭載部４２と開口部４４を有する実装基板４０と、光出射面が反射面２２を向くように素子搭載部４２に実装された半導体発光素子５０と、基板２０と実装基板４０とで形成された空間に充填された封止層６０とから構成される。
【００５２】
本実施の形態の半導体発光装置１０は、素子搭載部４２が基板２０から上方に向かうにしたがい、反射面２２の中心に向かうよう内側に傾いている。この点が、図１に示す基板２０と略平行に形成された素子搭載部４２を備える第１の実施形態の半導体発光装置１０と異なる。
【００５３】
本実施の形態では、半導体発光素子５０が内側に傾斜した素子搭載部４２に実装され、半導体発光素子５０から出射される１次励起光は波長変換層３２に対して斜めに入射される。これにより波長変換層３２の大部分を励起することが可能となり、波長変換層３２の利用効率の高い半導体発光装置１０が可能となる。
【００５４】
また、素子搭載部４２の基板２０に対する傾きを調整することで、光強度の強い反射１次励起光と反射１次波長変換光の大部分を開口部４４に導くことができる。更に利用効率の高い半導体発光装置１０が可能となる。
【００５５】
本実施の形態によれば、素子搭載部４２を放熱性の高い基板２０に近い位置に配置とすることができ、半導体発光素子５０からの発熱を効率よく基板２０を介して放熱することができる。
【００５６】
光及び熱の経路に関して、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００５７】
〔第３の実施形態〕
図４は本発明の半導体発光装置の第３の実施形態を示している。第１の実施形態及び第２の実施形態に示した半導体発光装置と同様の構成には同一符号を付して説明を省略する場合がある。
【００５８】
本実施の形態の半導体発光装置１０は、反射面２２が形成された凹部を有する基板２０と、反射面２２に埋め込まれた波長変換層７２を備える光透過性基板７０と、基板２０に固定され、素子搭載部４２と開口部４４を有する実装基板４０と、光出射面が反射面２２を向くように素子搭載部４２に実装された半導体発光素子５０と、基板２０と実装基板４０とで形成された空間に充填された封止層６０とから構成される。
【００５９】
本実施の形態の半導体発光装置１０は、波長変換層７２が光透過性基板７０に形成されている。この点が、図１及び図３に示す波長変換層３２が放熱メッシュに３０に形成された第１及び第２の実施形態の半導体発光装置１０と異なる。
【００６０】
光透過性基板７０は例えばガラス、石英、サファイアなどから構成される。蛍光体を含有した波長変換層７２が光透過性基板７０の中央部に形成される。蛍光体はＹＡＧ系蛍光体やシリケート系蛍光体が使用される。これらの蛍光体は青色発光ＬＥＤから青色光で励起され、黄色光を発光する。青色発光ＬＥＤの青色光と蛍光体の黄色光が合成され白色光が作り出される。
【００６１】
本実施の形態において、図４に示すように、上面に波長変換層７２が形成された光透過性基板７０を反射面２２に埋め込まれている。これにより波長変換層７２が反射面２２と離間するように配置され、波長変換層７２と反射面２２の間に空間が形成される。
【００６２】
次に光透過性基板７０に波長変換層７２を形成する方法を説明する。まず、光透過性基板７０の上面にウエットもしくはドライエッチング等により凹部を形成する。次いで凹部へ光透過性樹脂と蛍光体を混合したものを、ディスペンサー注入方式やステンシル印刷方式等を用いて流し込み、光透過性樹脂を加熱硬化することで波長変換層７２が形成される。なお、波長変換層７２の厚さは光透過性基板７０の凹部の深さで決定される。また、光透過性基板７０に凹部を形成せずに、ステンシル印刷方式等を用いて、光透過性基板７０の上面に波長変換層７２を直接形成することもできる。
【００６３】
次に、本実施の形態の半導体発光装置１０の製造方法を簡単に説明する。まず、ウエットもしくはドライエッチング等により、基板２０の表面に反射面２２となる凹部を形成する。
【００６４】
上述の方法により光透過性基板７０に波長変換層７２を形成する。なお、波長変換層７２を形成する際に光透過性基板７０に光反射部（不図示）を形成しても良い。まず、光透過性基板７０の全面に、真空蒸着やスパッタリングにより高反射率の金属薄膜（例えばアルミニウム、銀）を形成する。次いで、波長変換層７２用の凹部をエッチング加工すると同時、光透過性基板７０の上面の金属薄膜を選択的に除去する。これにより光透過性基板７０の側面と底面に金属薄膜が選択的に形成される。
【００６５】
次に、光反射部が形成された波長変換層７２を有する光透過性基板７０が基板２０の反射面２２に埋め込まれる。次に、半導体発光素子５０が実装された実装基板４０を、放熱性接着剤（不図示）等により、基板２０に熱的に接触するよう固定する。
【００６６】
最後に、開口部４４から透光性樹脂が注入され、基板２０と実装基板４０とで形成された空間に充填され、封止層６０が形成される。
【００６７】
上述の製造方法では、光反射部が光透過性基板７０に形成される場合について説明した。光反射部の他の作製方法として、波長変換層７２が形成された光透過性基板７０を、基板２０の反射面２２に埋め込むときに、光反射率の高い白色系接着剤(例えばシリカ、チタニア、アルミナ等のフィラーが混入されたもの)で、光透過性基板７０と反射面２２を接着することにより、光反射部を形成することができる。特に、放熱性の高いアルミナ高充填の接着剤を使用することで、波長変換層７２の放熱には、更に有効となる。
【００６８】
次に、本実施の形態の半導体発光装置１０の動作について図４を参照して説明する。
【００６９】
最初に光の経路について説明する。青色発光ＬＥＤからなる半導体発光素子５０から出射された青色光（以下１次励起光）の一部は波長変換層７２の表面に入射し、他は波長変換層７２の形成されていない光透過性基板７０の周縁部を透過して反射面２２に入射する。
【００７０】
波長変換層７２の表面に入射した１次励起光の一部は、波長変換層７２に含まれるＹＡＧ：Ｃｅ等の蛍光体により吸収および波長変換されて、上方の開口部４４からに１次励起光よりも波長の長い反射１次波長変換光（黄色光）として取り出される。波長変換層７２の表面に入射した１次励起光の一部は、波長変換層７２の蛍光体により散乱され、波長変換されずに上方の開口部４４から反射１次励起光として取り出される。波長変換層７２から開口部４４に向かう２本の一点鎖線の矢印が、模式的に反射１次波長変換光と反射１次励起光を表している。また、１次励起光の一部は波長変換層７２を透過して反射面２２に入射する。
【００７１】
一方、波長変換層７２及び光透過性基板７０を透過して反射面２２に入射した１次励起光は、反射面２２で複数回反射され２次励起光となり、波長変換層７２の裏面に入射する。裏面で波長変換された２次励起光の一部は、波長変換層７２を透過し、上方の開口部４４から透過２次波長変換光として取り出される。２次励起光の一部は波長変換層７２の蛍光体により散乱され、波長変換されずに上方の開口部４４から透過２次励起光として取り出される。波長変換層７２から開口部４４に向かう１本の点線の矢印が、模式的に透過２次波長変換光と透過２次励起光を表している。
【００７２】
本発明において波長変換層７２が反射面２２から離間された位置に配置されているので波長変換層７２と反射面２２間に空間が形成される。空間により、反射面からの反射光を効率よく波長変換層に導くことができ、反射光を有効に波長変換できる。
【００７３】
また、図４に示すように、開口部４４を波長変換層３２の大きさよりも小さく形成することで、光を集光することが可能となり、光密度を向上させることもできる。開口部４４の大きさはシリコン基板の異方性エッチングを適宜の条件とすることで所望の大きさに形成できる。
【００７４】
また、本実施の形態において、半導体発光素子５０は光透過性基板７０の周縁部近傍に配置されている。これにより、光強度の高い反射面２２の中心部には光を遮光するものが配置されていないので、光を効率よく取り出すことができる。
【００７５】
次に熱の経路について説明する。半導体発光素子５０から発生した熱は熱伝導率の高いシリコン製の実装基板４０に伝達される。更に熱的に接触する放熱性の高い基板２０へと伝達される。波長変換層７２に含有される蛍光体からの発熱は、例えばガラス製の光透過性基板７０を介して放熱性の高い基板２０へと伝えられ、励起光の強度が上がっても蛍光体は蓄熱することない。これにより、蛍光体の効率が低下して発光色が変化したり、波長変換層の周辺の部材が劣化したりするのを防止することができる。
【００７６】
本発明は上記実施例に限定されるもではなく、上記の説明に基づいて多くの変形例が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】第１の実施形態に係る半導体発光装置を示す概略構成図
【図２】第１の実施形態に使用される放熱メッシュを示す概略構成図
【図３】第２の実施形態に係る半導体発光装置を示す概略構成図
【図４】第３の実施形態に係る半導体発光装置を示す概略構成図
【符号の説明】
【００７８】
１０…半導体発光装置、２０…基板、２２…反射面、３０…放熱メッシュ、３２…波長変換層、４０…実装基板、４２…素子搭載部、４４…開口部、５０…半導体発光素子、６０…封止層、７０…光透過性基板、７２…波長変換層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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