(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に無機絶縁層を形成し、
前記無機絶縁層上に有機化合物層を有する素子形成層を形成し、
前記素子形成層上に第１の有機樹脂層を形成し、
前記第１の有機樹脂層上に第１の可撓性基板を貼り付け、
前記基板から、前記無機絶縁層を有する前記素子形成層を分離し、
前記無機絶縁層の一部を除去して、前記無機絶縁層を分離すると共に前記素子形成層の前記有機化合物層の一部を露出し、
分離された前記無機絶縁層及び前記素子形成層の前記有機化合物層の露出部に、第２の有機樹脂層を用いて、第２の可撓性基板を貼りつけ、
前記第１の可撓性基板、前記素子形成層の前記有機化合物層の露出部、及び前記第２の可撓性基板が重畳する領域で切断することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に無機絶縁層を形成し、
前記無機絶縁層上に素子形成層を形成し、
前記素子形成層上に第１の有機樹脂層を形成し、
前記第１の有機樹脂層上に第１の可撓性基板を貼り付け、
前記基板から、前記無機絶縁層を有する前記素子形成層を分離し、
前記無機絶縁層及び前記素子形成層の一部を除去して、前記無機絶縁層及び前記素子形成層を分離すると共に前記第１の有機樹脂層の一部を露出し、
分離された前記無機絶縁層及び前記第１の有機樹脂層の露出部に、第２の有機樹脂層を用いて、第２の可撓性基板を貼りつけ、
前記第１の有機樹脂層の露出部、及び前記第２の可撓性基板が重畳する領域で切断することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に無機絶縁層を形成し、
前記無機絶縁層上に素子形成層を形成し、
前記素子形成層上に粘着部材を貼り付け、
前記基板から、前記無機絶縁層を有する前記素子形成層を分離し、
前記無機絶縁層に第１の有機樹脂層を用いて第１の可撓性基板を貼りあわせ、
前記粘着部材を除去し、
前記無機絶縁層及び前記素子形成層の一部を除去して、前記無機絶縁層及び前記素子形成層を分離すると共に前記第１の有機樹脂層の一部を露出し、
分離された前記素子形成層及び前記第１の有機樹脂層の露出部に、第２の有機樹脂層を用いて、第２の可撓性基板を貼りつけ、
前記第１の可撓性基板、前記第１の有機樹脂層の露出部、前記第２の有機樹脂層、及び前記第２の可撓性基板が重畳する領域で切断することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、剥離法を用いた半導体装置の作製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の薄型の半導体装置の作製方法には、耐熱性の高い基板と薄膜集積回路の下地絶縁層と間に金属酸化膜を設け、該金属酸化膜を結晶化により脆弱化して薄膜集積回路を剥離し、薄膜集積回路の下地絶縁層に別途用意した可撓性基板を接着剤を用いてを貼りあわせる例がある（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２００５−２２９０９８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、下地絶縁層が酸化珪素膜や窒化珪素膜のような無機絶縁層で形成されており、接着剤をポリマーや有機樹脂のような有機化合物で形成されている場合、下地絶縁層と接着剤との密着性が低いという問題がある。
【０００４】
また、上記の手法等により貼りあわせた薄膜集積回路と可撓性基板とを、複数に分断すると、分断された側面において、下地絶縁層と接着剤との界面が露出される。下地絶縁層が酸化珪素膜や窒化珪素膜のような無機絶縁層で形成されており、接着剤をポリマーや有機樹脂のような有機化合物で形成されている場合、下地絶縁層と接着剤との密着性が低いため、当該界面から水分等が浸入しやすく、下地絶縁層から可撓性基板が剥れるという問題が生じる。また、下地絶縁層から可撓性基板が剥れると薄膜集積回路が露出してしまい、水分によって、薄膜集積回路が正常な動作をしないという問題が生じる。
【０００５】
そこで本発明は、防水性を有し、信頼性の高い半導体装置の作製方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、基板上に剥離層、無機絶縁層、有機化合物層を有する素子形成層を順に形成し、基板から無機絶縁層が形成された素子形成層を分離し、無機絶縁層の一部、又は無機絶縁層及び素子形成層の一部を除去して、少なくとも無機絶縁層を分離し、分離された無機絶縁層の外縁において、有機化合物層、可撓性基板、接着剤のいずれか二つ以上を積層させ、有機化合物層、可撓性基板、接着剤のいずれか二つ以上が接着された領域において、分断することを要旨とする。
【０００７】
また、本発明の一は、基板上に剥離層を形成し、剥離層上に無機絶縁層を形成し、無機絶縁層上に有機化合物層を有する素子形成層を形成し、素子形成層上に第１の可撓性基板を貼り付け、基板から無機絶縁層が形成された素子形成層を分離し、無機絶縁層の一部を除去して、無機絶縁層を分離すると共に素子形成層の有機化合物層の一部を露出し、分離された無機絶縁層及び素子形成層の有機化合物層の露出部に第２の可撓性基板を貼りつけ、第１の可撓性基板、素子形成層の有機化合物層の露出部、及び第２の可撓性基板が重畳する領域で切断することを特徴とする半導体装置の作製方法である。
【０００８】
なお、上記素子形成層及び第１の可撓性基板の間に有機樹脂層を形成してもよい。
【０００９】
また、本発明の一は、基板上に剥離層を形成し、剥離層上に無機絶縁層を形成し、無機絶縁層上に素子形成層を形成し、素子形成層上に第１の可撓性基板を貼り付け、基板から無機絶縁層が形成された素子形成層を分離し、無機絶縁層及び素子形成層の一部を除去して、無機絶縁層及び素子形成層を分離すると共に第１の可撓性基板の一部を露出し、分離された無機絶縁層及び第１の可撓性基板の露出部に第２の可撓性基板を貼りつけ、第１の可撓性基板の露出部、及び第２の可撓性基板が重畳する領域で切断することを特徴とする半導体装置の作製方法である。
【００１０】
また、本発明の一は、基板上に剥離層を形成し、剥離層上に無機絶縁層を形成し、無機絶縁層上に素子形成層を形成し、素子形成層上に第１の接着剤を用いて第１の可撓性基板を貼り付け、基板から無機絶縁層が形成された素子形成層を分離し、無機絶縁層及び素子形成層の一部を除去して、無機絶縁層及び素子形成層を分離すると共に第１の接着剤の一部を露出し、分離された無機絶縁層及び第１の接着剤の露出部に第２の接着剤を用いて第２の可撓性基板を貼りつけ、第１の可撓性基板、第１の接着剤の露出部、第２の接着剤、及び第２の可撓性基板が重畳する領域で切断することを特徴とする半導体装置の作製方法である。
【００１１】
また、本発明の一は、基板上に剥離層を形成し、剥離層上に無機絶縁層を形成し、無機絶縁層上に素子形成層を形成し、素子形成層上に有機樹脂層を形成し、有機樹脂層上に第１の可撓性基板を貼り付け、基板から無機絶縁層が形成された素子形成層を分離し、無機絶縁層及び素子形成層の一部を除去して、無機絶縁層及び素子形成層を分離すると共に有機樹脂層の一部を露出し、分離された無機絶縁層及び有機樹脂層の露出部に第２の可撓性基板を貼りつけ、第１の可撓性基板、有機樹脂層の露出部、及び第２の可撓性基板が重畳する領域で切断することを特徴とする半導体装置の作製方法である。
【００１２】
また、本発明の一は、基板上に剥離層を形成し、剥離層上に無機絶縁層を形成し、無機絶縁層上に素子形成層を形成し、素子形成層上に有機樹脂層を形成し、有機樹脂層上に第１の接着剤を用いて第１の可撓性基板を貼り付け、基板から無機絶縁層が形成された素子形成層を分離し、無機絶縁層乃至有機樹脂層の一部を除去して、無機絶縁層乃至有機樹脂層を分離すると共に第１の接着剤の一部を露出し、分離された無機絶縁層及び第１の接着剤の露出部に第２の接着剤を用いて第２の可撓性基板を貼りつけ、第１の可撓性基板、第１の接着剤の露出部、第２の接着剤、及び第２の可撓性基板が重畳する領域で切断することを特徴とする半導体装置の作製方法である。
【００１３】
また、本発明の一は、基板上に剥離層を形成し、剥離層上に無機絶縁層を形成し、無機絶縁層上に素子形成層を形成し、素子形成層上に第１の可撓性基板を貼り付け、基板から無機絶縁層が形成された素子形成層を分離し、無機絶縁層及び素子形成層の一部を除去して、無機絶縁層及び素子形成層を分離すると共に第１の可撓性基板の一部を露出し、分離された無機絶縁層及び第１の可撓性基板の露出部に第２の可撓性基板を貼りつけ、第１の可撓性基板の露出部、及び第２の可撓性基板が重畳する領域で切断することを特徴とする半導体装置の作製方法である。
【００１４】
また、本発明の一は、基板上に剥離層を形成し、剥離層上に無機絶縁層を形成し、無機絶縁層上に素子形成層を形成し、素子形成層上に粘着部材を貼り付け、基板から無機絶縁層が形成された素子形成層を分離し、無機絶縁層に第１の可撓性基板を貼りあわせ、粘着部材を除去し、無機絶縁層及び素子形成層の一部を除去して、無機絶縁層及び素子形成層を分離すると共に第１の可撓性基板を露出し、分離された素子形成層及び第１の可撓性基板の露出部に第２の可撓性基板を貼りつけ、第１の可撓性基板の露出部、第２の可撓性基板が重畳する領域で切断することを特徴とする半導体装置の作製方法である。
【００１５】
また、本発明の一は、基板上に剥離層を形成し、剥離層上に無機絶縁層を形成し、無機絶縁層上に素子形成層を形成し、素子形成層上に粘着部材を貼り付け、基板から無機絶縁層が形成された素子形成層を分離し、無機絶縁層に第１の接着剤を用いて第１の可撓性基板を貼りあわせ、粘着部材を除去し、無機絶縁層及び素子形成層の一部を除去して、無機絶縁層及び素子形成層を分離すると共に第１の接着剤の一部を露出し、分離された素子形成層及び第１の接着剤の露出部に第２の接着剤を用いて第２の可撓性基板を貼りつけ、第１の可撓性基板、第１の接着剤の露出部、第２の接着剤、及び第２の可撓性基板が重畳する領域で切断することを特徴とする半導体装置の作製方法である。
【００１６】
また、本発明の一は、基板上に剥離層を形成し、剥離層上に無機絶縁層を形成し、無機絶縁層上に素子形成層を形成し、基板から無機絶縁層が形成された素子形成層を分離し、無機絶縁層に第１の可撓性基板を貼りつけ、無機絶縁層及び素子形成層の一部を除去して、無機絶縁層及び素子形成層を分離すると共に第１の可撓性基板の一部を露出し、分離された無機絶縁層及び第１の可撓性基板の露出部に第２の可撓性基板を貼りつけ、第１の可撓性基板、及び第２の可撓性基板が重畳する領域で切断することを特徴とする半導体装置の作製方法である。
【００１７】
また、本発明の一は、基板上に剥離層を形成し、剥離層上に無機絶縁層を形成し、無機絶縁層上に素子形成層を形成し、基板から無機絶縁層が形成された素子形成層を分離し、無機絶縁層に第１の可撓性基板を第１の接着剤を用いて貼り付けた後、無機絶縁層及び素子形成層の一部を除去して、無機絶縁層及び素子形成層を分離すると共に第１の接着剤の一部を露出し、分離された無機絶縁層及び第１の接着剤の露出部に第２の可撓性基板を貼りつけ、第１の可撓性基板、第１の接着剤の露出部、及び第２の可撓性基板が重畳する領域で切断することを特徴とする半導体装置の作製方法である。
【００１８】
また、本発明の一は、第１の可撓性基板と、薄膜集積回路と、薄膜集積回路に接する絶縁層と、絶縁層に接する第２の可撓性基板とを有し、絶縁層と薄膜集積回路との界面、及び絶縁層と第２の可撓性基板との界面は、露呈しないことを特徴とする半導体装置である。
【００１９】
また、本発明の一は、薄膜集積回路と、薄膜集積回路に接する絶縁層と、薄膜集積回路及び絶縁層に接する第１の可撓性基板と、絶縁層に接する第２の可撓性基板とを有し、薄膜集積回路と第１の可撓性基板との界面、絶縁層と第１の可撓性基板との界面、及び絶縁層と第２の可撓性基板との界面は、露呈しないことを特徴とする半導体装置である。
【００２０】
また、本発明の一は、第１の可撓性基板と、薄膜集積回路と、第１の可撓性基板及び薄膜集積回路の一方の面に接する有機樹脂層と、薄膜集積回路の他方の面に接する絶縁層と、絶縁層に接する第２の可撓性基板とを有し、絶縁層と薄膜集積回路との界面、及び絶縁層と第２の可撓性基板との界面は、露呈しないことを特徴とする半導体装置である。
【００２１】
また、本発明の一は、薄膜集積回路と、薄膜集積回路の一方の面に接する有機樹脂層と、薄膜集積回路の他方の面に接する絶縁層と、薄膜集積回路及び有機樹脂層に接する第１の可撓性基板と、絶縁層に接する第２の可撓性基板とを有し、有機樹脂層と第１の可撓性基板との界面、薄膜集積回路と第１の可撓性基板との界面、絶縁層と第１の可撓性基板との界面、及び絶縁層と第２の可撓性基板との界面は、露呈しないことを特徴とする半導体装置である。
【００２２】
また、本発明の一は、第１の可撓性基板と、薄膜集積回路と、第１の可撓性基板及び薄膜集積回路の一方の面を接着する第１の接着剤と、薄膜集積回路の他方の面に接する絶縁層と、第２の可撓性基板と、絶縁層及び第２の可撓性基板を接着する第２の接着剤とを有し、絶縁層と薄膜集積回路との界面、及び絶縁層と第２の接着剤との界面は、露呈しないことを特徴とする半導体装置である。
【００２３】
また、本発明の一は、第１の可撓性基板と、薄膜集積回路と、第１の可撓性基板及び薄膜集積回路の一方の面を接着する第１の接着剤と、薄膜集積回路の他方の面に接する絶縁層と、第２の可撓性基板と、絶縁層及び第２の可撓性基板を接着する第２の接着剤とを有し、薄膜集積回路と第１の接着材との界面、薄膜集積回路と絶縁層との界面、及び絶縁層と第２の接着剤との界面は、露呈しないことを特徴とする半導体装置である。
【００２４】
また、本発明の一は、第１の可撓性基板と、薄膜集積回路と、薄膜集積回路の一方の面に形成される有機樹脂層と、第１の可撓性基板及び有機樹脂層を接着する第１の接着剤と、薄膜集積回路の他方の面に接する絶縁層と、第２の可撓性基板と、絶縁層及び第２の可撓性基板を接着する第２の接着剤とを有し、絶縁層と第１の接着剤との界面、絶縁層と薄膜集積回路との界面、及び絶縁層と第２の接着剤との界面は、露呈しないことを特徴とする半導体装置である。
【００２５】
また、本発明の一は、第１の可撓性基板と、薄膜集積回路と、薄膜集積回路の一方の面に形成される有機樹脂層と、第１の可撓性基板及び有機樹脂層を接着する第１の接着剤と、薄膜集積回路の他方の面に接する絶縁層と、第２の可撓性基板と、絶縁層及び第２の可撓性基板を接着する第２の接着剤とを有し、第１の接着材と有機樹脂層との界面、有機樹脂層と薄膜集積回路との界面、薄膜集積回路と絶縁層との界面、及び絶縁層と第２の接着剤との界面は、露呈しないことを特徴とする半導体装置である。
【００２６】
なお、第１の可撓性基板、有機樹脂層、及び第２の可撓性基板の界面が露呈する。
【００２７】
または、第１の可撓性基板、有機樹脂層、薄膜集積回路、及び第２の可撓性基板の界面が露呈する。
【００２８】
または、第１の可撓性基板及び第２の可撓性基板の界面が露呈する。
【００２９】
または、第１の可撓性基板、薄膜集積回路、及び第２の可撓性基板の界面が露呈する。
【００３０】
または、第１の可撓性基板と、第１の接着剤と、有機樹脂層と、薄膜集積回路と、第２の接着剤と、第２の可撓性基板との界面が露呈する。
【００３１】
または、第１の可撓性基板と、第１の接着剤と、有機樹脂層と、第２の接着剤と、第２の可撓性基板との界面が露呈する。
【００３２】
または、第１の可撓性基板と、第１の接着剤と、有機樹脂層と、薄膜集積回路と、第２の可撓性基板との界面が露呈する。
【００３３】
または、第１の可撓性基板と、第１の接着剤と、薄膜集積回路と、第２の接着剤と、第２の可撓性基板との界面が露呈する。
【００３４】
または、第１の可撓性基板と、第１の接着剤と、第２の接着剤と、第２の可撓性基板との界面が露呈する。
【００３５】
または、第１の可撓性基板と、薄膜集積回路と、第２の接着剤と、第２の可撓性基板との界面が露呈する。
【００３６】
または、第１の可撓性基板と、第１の接着剤と、薄膜集積回路と、第２の可撓性基板との界面が露呈する。
【発明の効果】
【００３７】
本発明により作製される半導体装置は、その端部において、有機化合物層、有機化合物で形成される接着剤、及び有機化合物で形成される可撓性基板の２つ以上の積層体が露出しており、無機絶縁層及び有機化合物で形成される接着剤が接する領域は露出されない。このため、端部における有機化合物層、有機化合物で形成される接着剤、及び有機化合物で形成される可撓性基板の２つ以上は密着力が高く、界面から半導体装置に水分が浸入することを抑制することが可能である。即ち、薄膜集積回路を挟持する複数の可撓性基板の密着性が高い半導体装置を作製することが可能である。この結果、防水性の半導体装置を作製することが可能である。即ち、信頼性の高い半導体装置を作製することが可能である。また、可撓性基板を用いているため、薄型の半導体装置を作製することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３８】
以下に、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。但し、本発明は多くの異なる形態で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００３９】
（実施の形態１）
本実施の形態では、端部の密着性の高い半導体装置を作製する工程について説明する。
【００４０】
図１に示すように、基板１０１上に剥離層１０２を形成し、剥離層１０２上に絶縁層１０３を形成し、絶縁層１０３上に素子形成層１０４を形成し、素子形成層１０４に接着剤１０５を用いて第１の可撓性基板１０６を貼りあわせる。
【００４１】
基板１０１としては、ガラス基板、石英基板の他、金属基板、ステンレス基板、シリコンウエハー等の一表面に絶縁層を形成したもの、本工程の処理温度に耐えうる耐熱性があるプラスチック基板等を用いる。ガラス基板や、一表面に絶縁層が形成された金属基板及びステンレス基板には、大きさや形状に制約がないため、例えば、基板１０１として、１辺が１メートル以上であって、矩形状のものを用いれば、生産性を格段に向上させることができる。この利点は、円形のシリコン基板を用いる場合と比較すると、大きな優位点である。
【００４２】
剥離層１０２は、スパッタリング法やプラズマＣＶＤ法、塗布法、印刷法等により、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、亜鉛（Ｚｎ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、珪素（Ｓｉ）から選択された元素、又は元素を主成分とする合金材料、又は元素を主成分とする化合物材料からなる層を、単層又は積層して形成する。珪素を含む層の結晶構造は、非晶質、微結晶、多結晶のいずれの場合でもよい。
【００４３】
剥離層１０２が単層構造の場合、好ましくは、タングステン層、モリブデン層、又はタングステンとモリブデンの混合物を含む層を形成する。又は、タングステンの酸化物若しくは酸化窒化物を含む層、モリブデンの酸化物若しくは酸化窒化物を含む層、又はタングステンとモリブデンの混合物の酸化物若しくは酸化窒化物を含む層を形成する。なお、タングステンとモリブデンの混合物とは、例えば、タングステンとモリブデンの合金に相当する。
【００４４】
剥離層１０２が積層構造の場合、好ましくは、１層目としてタングステン層、モリブデン層、又はタングステンとモリブデンの混合物を含む層を形成し、２層目として、タングステン、モリブデン又はタングステンとモリブデンの混合物の酸化物、窒化物、酸化窒化物又は窒化酸化物を含む層を形成する。
【００４５】
剥離層１０２として、タングステン層とタングステンの酸化物を含む層の積層構造を形成する場合、タングステン層を形成し、その上層に酸化物で形成される絶縁層を形成することで、タングステン層と絶縁層との界面に、タングステンの酸化物を含む層が形成されることを活用してもよい。
【００４６】
タングステンの酸化物は、ＷＯｘで表される。Ｘは、２≦ｘ≦３の範囲内にあり、ｘが２の場合（ＷＯ２）、ｘが２．５の場合（Ｗ２Ｏ５）、ｘが２．７５の場合（Ｗ４Ｏ１１）、ｘが３の場合（ＷＯ３）などがある。
【００４７】
また、上記の工程によると、基板１０１に接するように剥離層１０２を形成しているが、本発明はこの工程に制約されない。基板１０１に接するように下地となる絶縁層を形成し、その絶縁層に接するように剥離層１０２を設けてもよい。
【００４８】
絶縁層１０３は、スパッタリング法やプラズマＣＶＤ法、塗布法、印刷法等により、無機化合物を用いて単層又は積層で形成する。無機化合物の代表例としては、酸化珪素、窒化酸化珪素、及び酸化窒化珪素等が挙げられる。また、絶縁層を積層で形成する場合、酸化珪素、窒化酸化珪素、及び酸化窒化珪素を積層して形成しても良い。また、剥離層１０２上に絶縁層を形成する前に、剥離層表面に、熱酸化処理、酸素プラズマ処理、Ｎ２Ｏプラズマ処理、オゾン水等の酸化力の強い溶液での処理等を行って酸化物層を形成してもよい。
【００４９】
素子形成層１０４は、絶縁層１０３上に形成される複数の薄膜集積回路で構成される。薄膜集積回路は、薄膜トランジスタ、ダイオード、抵抗、容量素子等の素子を適宜用いて形成される。なお、素子形成層１０４は有機化合物層を有する。
【００５０】
また、薄膜集積回路は、アンテナ、整流回路、保持容量、定電圧回路等の電源回路、復調回路、クロック生成・補正回路、コード認識及び判定回路、メモリコントローラ、メモリ、符号化回路、変調回路、インターフェースなどの演算処理手段（所謂ＣＰＵとしての機能を奏する。）等のいずれか複数の回路で構成される。なお、このような薄膜集積回路を有する半導体装置は、非接触でデータの伝送が可能な半導体装置として機能する。
【００５１】
また、薄膜集積回路は、画素回路、走査線駆動回路、信号線駆動回路、コントローラ、演算処理手段、メモリ、電源回路、音声処理回路、送受信回路、バッテリー、アンテナ、整流回路、保持容量、定電圧回路等の電源回路等のいずれか複数の回路で構成される。なお、このような薄膜集積回路を有する半導体装置は、表示装置として機能する。特に、アンテナ、整流回路、保持容量、定電圧回路等の電源回路を有することにより非接触で伝送されたデータの表示が可能な表示装置として機能する。
【００５２】
また、剥離層１０２、絶縁層１０３、及び素子形成層１０４として、ＳＯＩ（ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｎ  ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板、代表的にはＳＩＭＯＸ（ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ  ｂｙ  ｉｍｐｌａｎｔｅｄ  ｏｘｙｇｅｎ）基板を用いて用いても良い。代表的には、シリコンウエハーを剥離層１０２とし、シリコンウエハー上の酸化珪素層を絶縁層１０３とし、その上に形成される単結晶シリコンで形成されるＭＯＳトランジスタを有する層を素子形成層１０４としてもよい。この場合、図１（Ｂ）において、研削研磨装置や、エッチング剤を用いて、シリコンウエハーを除去して、剥離層１０２から絶縁層１０３及び素子形成層１０４を分離することができる。
【００５３】
接着剤１０５は、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等に代表される有機樹脂を用いる。
【００５４】
第１の可撓性基板１０６としては、代表的には、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＳ（ポリエーテルスルホン）、ポリプロピレン、ポリプロピレンサルファイド、ポリカーボネート、ポリエーテルイミド、ポリフェニレンサルファイド、ポリフェニレンオキサイド、ポリサルフォン、ポリフタールアミド等からなる基板、又は繊維質な材料からなる紙を用いることができる。
【００５５】
又、第１の可撓性基板１０６として、表面が熱可塑性樹脂層であるフィルム（ラミネートフィルム（ポリプロピレン、ポリエステル、ビニル、ポリフッ化ビニル、塩化ビニルなどからなる））を用いてもよい。ラミネートフィルムは、最外層に設けられた熱可塑性樹脂層（接着層ではない）を加熱処理によって溶かし、加圧により接着することで、被処理体にフィルムを接着することが可能である。
【００５６】
次に、図１（Ｂ）に示すように、基板１０１から絶縁層１０３を剥離する。
【００５７】
剥離方法として、剥離層１０２と絶縁層１０３との界面で、基板１０１及び素子形成層１０４を物理的手段により剥離する。物理的手段とは、力学的手段または機械的手段を指し、何らかの力学的エネルギー（機械的エネルギー）を変化させる手段を指している。物理的手段は、代表的には機械的な力を加えること（例えば人間の手や把持具で引き剥がすことや、ローラーを回転させる分離処理）である。なお、接着剤１０５を用いて素子形成層１０４に第１の可撓性基板１０６を貼りあわせる前に、レーザ光を素子形成層１０４に照射して絶縁層１０３から素子形成層１０４にかけて形成される開口部（剥離層１０２の一部を露出する開口部）を形成してもよい。当該処理を行うことで、物理的手段に剥離する際、剥離層１０２と絶縁層１０３との界面で剥離しやすくなり、歩留まり及びスループットを向上させることができる。
【００５８】
また、剥離方法として、基板１０１に透光性を有する基板を用い、剥離層１０２に水素を含む非晶質珪素膜を用い、基板１０１側からのレーザ光を照射して剥離層１０２である非晶質珪素膜に含まれる水素を気化させて、基板１０１と剥離層１０２との間、または剥離層１０２と絶縁層１０３との間で剥離する方法を用いることができる。
【００５９】
また、基板１０１を機械的に研磨し除去する方法や、ＨＦ等の基板を溶解する溶液を用いて基板１０１を除去して、絶縁層１０３から基板１０１を剥離する方法を用いることができる。この場合、剥離層１０２を用いなくともよい。
【００６０】
また、素子形成層１０４に接着剤１０５を用いて第１の可撓性基板１０６に貼りあわせる前に、素子形成層１０４及び絶縁層１０３に開口部を形成し、該開口部にＮＦ３、ＢｒＦ３、ＣｌＦ３等のフッ化ハロゲンガスを導入し、剥離層１０２をフッ化ハロゲンガスでエッチングし除去する。この後、素子形成層１０４に接着剤１０５を用いて第１の可撓性基板１０６を貼りあわせて、基板１０１から素子形成層１０４を剥離する方法を用いることができる。
【００６１】
また、接着剤１０５を用いて素子形成層１０４に第１の可撓性基板１０６を貼りあわせる前に、素子形成層１０４及び絶縁層１０３に開口部を形成し、該開口部にＮＦ３、ＢｒＦ３、ＣｌＦ３等のフッ化ハロゲンガスを導入し、剥離層１０２の一部をフッ化ハロゲンガスでエッチングし除去する。この後、素子形成層１０４に接着剤１０５を用いて第１の可撓性基板１０６を貼りあわせて、基板１０１から素子形成層１０４を物理的手段により剥離する方法を用いることができる。
【００６２】
ここでは、図１（Ｂ）に示すように、物理的手段により、剥離層１０２と絶縁層１０３との間で分離し、基板１０１から素子形成層１０４を剥離する。
【００６３】
次に、図１（Ｃ）に示すように、絶縁層１０３の一部を選択的に除去し素子形成層１０４の一部を露出して、分離された絶縁層１１１を形成する。図１２に示すように、素子形成層１０４において薄膜集積回路が形成される領域１１６の周辺部１１７と重複する絶縁層１０３を選択的に除去することが好ましい。絶縁層１０３の一部を選択的に除去する方法としては、ドライエッチング法やウエットエッチング法を用いた化学的除去方法や、ブレードを用いたダイシング法やレーザカット法等の物理的除去方法を適宜用いることができる。
【００６４】
上記物理的除去方法を用いることにより、素子形成層１０４の表面を若干エッチングする。このとき、エッチングされた表面には凹凸が形成される。このような凹凸があると、後に素子形成層１０４の表面に接着剤を用いて可撓性基板を貼り付ける場合、素子形成層１０４、接着剤１１４、及び第２の可撓性基板１１５の密着性が高まるため好ましい。
【００６５】
また、絶縁層１０３を選択的に除去したことにより露出される素子形成層１０４の表面は、有機化合物で形成されていることが好ましい。さらに、素子形成層１０４の表面が有機化合物層でない場合には、素子形成層の一部を除去して、素子形成層中の有機化合物層を露出すればよい。この結果、後に素子形成層１０４の表面に接着剤を用いて可撓性基板を貼り付ける場合、素子形成層と接着剤との密着性が高まる。
【００６６】
次に、図１（Ｄ）に示すように、分離された絶縁層１１１及び素子形成層１０４の露出部に、接着剤１１４を用いて第２の可撓性基板１１５を貼り付ける。接着剤１１４及び第２の可撓性基板１１５はそれぞれ、接着剤１０５及び第１の可撓性基板１０６と同じ材料を適宜用いることができる。ここでは、分離された絶縁層１１１の周囲において、素子形成層１０４の有機化合物層の表面と、有機化合物で形成される接着剤とが接着されているため、当該領域において密着性が高い。
【００６７】
次に、素子形成層１０４及び接着剤１１４が接着する領域、即ち第１の可撓性基板１０６、接着剤１０５、素子形成層１０４、接着剤１１４、第２の可撓性基板１１５が積層する領域を切断手段１１２により切断する。この結果、図１（Ｅ）に示すような、分離された第１の可撓性基板１０６ａ、分離された接着剤１０５ａ、分離された素子形成層１０４（以下、薄膜集積回路１０４ａとも示す。）、分離された絶縁層１１１、分離された接着剤１１４ａ、及び分離された第２の可撓性基板１１５ａで構成される半導体装置１１３を作製することができる。
【００６８】
ここでの半導体装置１１３は、端部において分離された絶縁層１１１が露呈していない。言い換えれば、分離された絶縁層１１１の端部は、分離された第１の可撓性基板１０６ａ及び分離された第２の可撓性基板１１５ａの端部より内側に位置する。即ち、分離された絶縁層１１１と薄膜集積回路１０４ａとの界面や、分離された絶縁層１１１と分離された接着剤１１４ａとの界面等の密着性の悪い界面が露呈せず、分離された第１の可撓性基板１０６ａと、分離された接着剤１０５ａと、薄膜集積回路１０４ａと、分離された接着剤１１４ａと、分離された第２の可撓性基板１１５ａとの界面が露呈している。このため、当該端部においてそれぞれの密着性が高い。切断手段１１２としては、ダイシング装置、スクライビング装置、レーザ照射装置等を適宜用いることができる。
【００６９】
なお、第１の可撓性基板として、表面が熱可塑性樹脂層である基板を用いる場合、接着剤を用いずとも、第１の可撓性基板に素子形成層を接着することが可能である。具体的には、第１の可撓性基板を加熱しながら素子形成層に圧着すると、表面の熱可塑性樹脂層が可塑化し、接着剤として機能し、素子形成層と第１の可撓性基板とを接着する。この後、第１の可撓性基板を冷却すると、熱可塑性樹脂層は硬化する。この結果、接着剤を用いずとも、素子形成層に第１の可撓性基板を接着することが可能である。なお、第２の可撓性基板として表面が熱可塑性樹脂層である基板を用いる場合も同様である。
【００７０】
第１の可撓性基板１０６及び第２の可撓性基板１１５として、表面が熱可塑性樹脂層である基板を用いると、図１（Ａ）において第１の可撓性基板１０６は素子形成層１０４に接し、図１（Ｄ）において第２の可撓性基板１１５は素子形成層１０４に接する。また、当該基板を用いて作製された半導体装置は、分離された第１の可撓性基板１０６ａと、薄膜集積回路１０４ａと、分離された第２の可撓性基板１１５ａとの界面が、端部において露呈される。
【００７１】
なお、図２（Ａ）に示すように、素子形成層１０４上に厚さ５〜１０μｍの有機樹脂層１０７を設けてもよい。このように素子形成層１０４上に有機樹脂層１０７を形成することにより、剥離工程において素子形成層に亀裂が入ることを防止することができ、歩留まりを向上させることができる。この後、図２（Ｂ）〜（Ｅ）に示すように図１（Ｂ）〜（Ｅ）と同様の工程を経て、半導体装置１１８を作製することができる。
【００７２】
なお、半導体装置１１８は、分離された第１の可撓性基板１０６ａ、分離された接着剤１０５ａ、分離された有機樹脂層１０７ａ、薄膜集積回路１０４ａ、分離された絶縁層１１１、分離された接着剤１１４ａ、及び分離された第２の可撓性基板１１５ａが積層される。ここでの半導体装置１１８は、端部において分離された絶縁層１１１が露呈していない。言い換えれば、分離された絶縁層１１１の端部は、分離された第１の可撓性基板１０６ａ及び分離された第２の可撓性基板１１５ａの端部より内側に位置する。即ち、分離された絶縁層１１１と薄膜集積回路１０４ａとの界面や、分離された絶縁層１１１と分離された接着剤１１４ａとの界面等の密着性の悪い界面が露呈せず、分離された第１の可撓性基板１０６ａと、分離された接着剤１０５ａと、分離された有機樹脂層１０７ａと、薄膜集積回路１０４ａと、分離された接着剤１１４ａと、分離された第２の可撓性基板１１５ａとの界面が露呈している。このため、当該端部においてそれぞれの密着性が高い。
【００７３】
第１の可撓性基板１０６及び第２の可撓性基板１１５として、表面が熱可塑性樹脂層である基板を用いると、図２（Ａ）において第１の可撓性基板１０６は有機樹脂層１０７に接し、図２（Ｄ）において第２の可撓性基板１１５は素子形成層１０４に接する。また、当該基板を用いて作製された半導体装置は、分離された第１の可撓性基板１０６ａと、分離された有機樹脂層１０７ａと、薄膜集積回路１０４ａと、分離された第２の可撓性基板１１５ａとの界面が、端部において露呈される。
【００７４】
本実施の形態により、薄膜集積回路を挟持する可撓性基板の密着性が高い半導体装置を作製方法することが可能である。この結果、防水性の半導体装置を作製することが可能である。即ち、信頼性の高い半導体装置を作製することが可能である。
【００７５】
（実施の形態２）
本実施の形態においては、実施の形態１と異なり絶縁層１０３の他に素子形成層１０４をエッチングした後、第２の可撓性基板を貼り付ける形態について、図３、４を用いて説明する。また、実施の形態１と異なり絶縁層１０３の他に素子形成層１０４及び有機樹脂層をエッチングした後、第２の可撓性基板を貼り付ける形態について、図５を用いて説明する。
【００７６】
図３（Ａ）に示すように、実施の形態１と同様に、基板１０１上に剥離層１０２を形成し、剥離層１０２上に絶縁層１０３を形成し、絶縁層１０３上に素子形成層１０４を形成し、素子形成層１０４に接着剤１０５を用いて第１の可撓性基板１０６を貼りあわせる。
【００７７】
次に、図３（Ｂ）に示すように、実施の形態１と同様に、剥離層１０２から絶縁層１０３を剥離する。
【００７８】
次に、図３（Ｃ）に示すように、絶縁層１０３及び素子形成層１０４それぞれの一部を選択的に除去して接着剤１０５の一部を露出し、分離された絶縁層１１１及び分離された素子形成層１０４（以下、薄膜集積回路１２１とも示す。）を形成する。本実施の形態においても、素子形成層１０４において、薄膜集積回路が形成される領域の周辺部、及び当該領域に形成される絶縁層を選択的に除去することが好ましい。
【００７９】
次に、図３（Ｄ）に示すように、分離された絶縁層１１１及び接着剤１０５の露出部に、接着剤１１４を用いて第２の可撓性基板１１５を貼り付ける。接着剤１１４及び第２の可撓性基板１１５はそれぞれ、接着剤１０５及び第１の可撓性基板１０６と同じ材料を適宜用いることができる。ここでは、分離された絶縁層１１１及び薄膜集積回路１２１の周囲において、有機化合物で形成される接着剤１０５及び接着剤１１４が接着されているため、当該領域において密着性が高い。
【００８０】
次に、接着剤１０５、接着剤１１４が接着する領域、即ち第１の可撓性基板１０６、接着剤１０５、接着剤１１４、第２の可撓性基板１１５が積層する領域を切断手段１１２により切断する。この結果、図３（Ｅ）に示すような、分離された第１の可撓性基板１０６ａ、分離された接着剤１０５ａ、薄膜集積回路１２１、分離された絶縁層１１１、分離された接着剤１１４ａ、及び分離された第２の可撓性基板１１５ａで構成される半導体装置１２２を作製することができる。
【００８１】
ここでの半導体装置１２２は、端部において分離された絶縁層１１１及び薄膜集積回路１２１が露呈していない。言い換えれば、分離された絶縁層１１１の端部及び薄膜集積回路１２１の端部は、分離された第１の可撓性基板１０６ａ及び分離された第２の可撓性基板１１５ａの端部より内側に位置する。即ち、分離された絶縁層１１１と、薄膜集積回路１２１と、分離された接着剤１１４ａとの密着性の悪い界面が露呈せず、分離された第１の可撓性基板１０６ａと、分離された接着剤１０５ａと、分離された接着剤１１４ａと、分離された第２の可撓性基板１１５ａとの界面が露呈している。このため、当該端部においてそれぞれの密着性が高い。切断手段１１２としては、実施の形態１に示すものを適宜用いることができる。
【００８２】
第１の可撓性基板１０６及び第２の可撓性基板１１５として、表面が熱可塑性樹脂層である基板を用いると、図３（Ａ）において第１の可撓性基板１０６は素子形成層１０４に接し、図３（Ｄ）において第２の可撓性基板１１５は第１の可撓性基板１０６、分離された絶縁層１１１、及び薄膜集積回路１２１の端部に接する。また、当該基板を用いて作製された半導体装置は、分離された第１の可撓性基板１０６ａと、分離された第２の可撓性基板１１５ａとの界面が、端部において露呈される。
【００８３】
なお、図３（Ａ）において素子形成層１０４上に有機樹脂層を設けてもよい。こののち、図３（Ｃ）において絶縁層１０３、素子形成層１０４の一部を選択的に除去して有機樹脂層の一部を露出する。この後、分離された絶縁層１１１及び露出された有機樹脂層に接着剤１１４を用いて第２の可撓性基板１１５を貼りあわせる。この後、図３（Ｄ）において、有機樹脂層と接着剤が接する領域、即ち第１の可撓性基板１０６、接着剤１０５、有機樹脂層、接着剤１１４、第２の可撓性基板１１５が積層する領域を切断手段１１２により切断する。
【００８４】
この結果、図４に示すような、分離された第１の可撓性基板１０６ａ、分離された接着剤１０５ａ、分離された有機樹脂層１２３、薄膜集積回路１２１、分離された絶縁層１１１、分離された接着剤１１４ａ、及び分離された第２の可撓性基板１１５ａが積層された半導体装置１２４を提供することができる。ここでの半導体装置１２４は、端部において分離された絶縁層１１１及び薄膜集積回路１２１が露呈していない。言い換えれば、分離された絶縁層１１１の端部及び薄膜集積回路１２１の端部は、分離された第１の可撓性基板１０６ａ及び分離された第２の可撓性基板１１５ａの端部より内側に位置する。即ち、分離された絶縁層１１１と、薄膜集積回路１２１と、分離された接着剤１１４ａとの密着性の悪い界面が露呈せず、分離された第１の可撓性基板１０６ａと、分離された接着剤１０５ａと、分離された有機樹脂層１２３と、分離された接着剤１１４ａと、分離された第２の可撓性基板１１５ａとの界面が露呈している。このため、当該端部においてそれぞれの密着性が高い。
【００８５】
なお、第１の可撓性基板１０６及び第２の可撓性基板１１５として、表面が熱可塑性樹脂層である基板を用いると、分離された第１の可撓性基板１０６ａと、分離された有機樹脂層１２３と、分離された第２の可撓性基板１１５ａとの界面が、端部において露呈される半導体装置となる。
【００８６】
また、図５（Ａ）に示すように、実施の形態１と同様に、基板１０１上に剥離層１０２を形成し、剥離層１０２上に絶縁層１０３を形成し、絶縁層１０３上に素子形成層１０４を形成し、素子形成層１０４上に有機樹脂層１０７を形成し、有機樹脂層１０７に接着剤１０５を用いて第１の可撓性基板１０６を貼りあわせる。
【００８７】
次に、図５（Ｂ）に示すように、実施の形態１と同様に、剥離層１０２から絶縁層１０３を剥離する。
【００８８】
次に、図５（Ｃ）に示すように、絶縁層１０３、素子形成層１０４、及び有機樹脂層１０７それぞれの一部を選択的に除去して接着剤１０５の一部を露出し、分離された絶縁層１１１、薄膜集積回路１２１、及び分離された有機樹脂層１４１を形成する。本実施の形態でも、素子形成層１０４において、薄膜集積回路が形成される領域の周辺部、及び当該領域に形成される絶縁層及び有機樹脂層を選択的に除去することが好ましい。
【００８９】
次に、図５（Ｄ）に示すように、分離された絶縁層１１１、薄膜集積回路１２１、有機樹脂層１４１、及び接着剤１０５の露出部に、接着剤１１４を用いて第２の可撓性基板１１５を貼り付ける。接着剤１１４及び第２の可撓性基板１１５はそれぞれ、接着剤１０５及び第１の可撓性基板１０６と同じ材料を適宜用いることができる。ここでは、分離された絶縁層１１１及び薄膜集積回路１２１の周囲において、接着剤１０５及び接着剤１１４が接着されているため、当該領域において密着性が高い。
【００９０】
次に、接着剤１０５、１１４、第１の可撓性基板１０６、及び第２の可撓性基板１１５が接着する領域を切断手段１１２により切断し、図５（Ｅ）に示すような、分離された第１の可撓性基板１０６ａ、分離された接着剤１０５ａ、分離された有機樹脂層１４１、薄膜集積回路１２１、分離された絶縁層１１１、分離された接着剤１１４ａ、及び分離された第２の可撓性基板１１５ａで構成される半導体装置１４２を作製することができる。
【００９１】
ここでの半導体装置１４２は、端部において分離された絶縁層１１１、薄膜集積回路１２１、及び分離された有機樹脂層１４１が露呈していない。言い換えれば、分離された絶縁層１１１の端部、薄膜集積回路１２１の端部、及び分離された有機樹脂層１４１の端部は、分離された第１の可撓性基板１０６ａ及び分離された第２の可撓性基板１１５ａの端部より内側に位置する。即ち、分離された絶縁層１１１と、薄膜集積回路１２１と、分離された有機樹脂層１４１と、分離された接着剤１１４ａとの密着性の悪い界面が露呈せず、分離された第１の可撓性基板１０６ａと、分離された接着剤１０５ａと、分離された接着剤１１４ａと、分離された第２の可撓性基板１１５ａとの界面それぞれが露呈している。このため、当該端部においてそれぞれの密着性が高い。切断手段１１２としては、実施の形態１に示すものを適宜用いることができる。
【００９２】
なお、第１の可撓性基板１０６及び第２の可撓性基板１１５として、表面が熱可塑性樹脂層である基板を用いると、図５（Ａ）において第１の可撓性基板１０６は有機樹脂層１０７に接し、図５（Ｄ）において第２の可撓性基板１１５は、第１の可撓性基板１０６、分離された絶縁層１１１、薄膜集積回路１２１の端部、及び分断された有機樹脂層１０７の端部に接する。また、当該基板を用いて作製された半導体装置は、分離された第１の可撓性基板１０６ａと、分離された接着剤１１４ａと、分離された第２の可撓性基板１１５ａとの界面が、端部において露呈される。
【００９３】
本実施の形態により、薄膜集積回路を挟持する可撓性基板の密着性が高い半導体装置を作製方法することが可能である。この結果、防水性の半導体装置を作製することが可能である。即ち、信頼性の高い半導体装置を作製することが可能である。
【００９４】
（実施の形態３）
本実施の形態においては、実施の形態２と異なり、絶縁層１０３及び素子形成層１０４の他に接着剤１０５をエッチングした後、分離された絶縁層１１１、薄膜集積回路１２１に可撓性基板を貼り付ける形態について、図６、７を用いて説明する。
【００９５】
図６（Ａ）に示すように、実施の形態１と同様に、基板１０１上に剥離層１０２を形成し、剥離層１０２上に絶縁層１０３を形成し、絶縁層１０３上に素子形成層１０４を形成し、素子形成層１０４に接着剤１０５を用いて第１の可撓性基板１０６を貼りあわせる。
【００９６】
次に、図６（Ｂ）に示すように、実施の形態１と同様に、剥離層１０２から絶縁層１０３を剥離する。
【００９７】
次に、図６（Ｃ）に示すように、絶縁層１０３、素子形成層１０４、及び接着剤１０５それぞれの一部を選択的に除去して第１の可撓性基板１０６の一部を露出し、分離された絶縁層１１１、薄膜集積回路１２１、及び分離された接着剤１３１を形成する。本実施の形態でも、素子形成層１０４において、薄膜集積回路が形成される領域の周辺部、及び当該領域に形成される絶縁層及び接着剤を選択的に除去することが好ましい。
【００９８】
次に、図６（Ｄ）に示すように、分離された絶縁層１１１、薄膜集積回路１２１、及び分離された接着剤１３１、及び第１の可撓性基板１０６の露出部に、接着剤１１４を用いて第２の可撓性基板１１５を貼り付ける。接着剤１１４及び第２の可撓性基板１１５はそれぞれ、接着剤１０５及び第１の可撓性基板１０６と同じ材料を適宜用いることができる。ここでは、分離された絶縁層１１１及び薄膜集積回路１２１の周囲において、接着剤１１４及び第１の可撓性基板１０６が接着されているため、当該領域において密着性が高い。
【００９９】
次に、接着剤１１４及び第１の可撓性基板１０６が接着する領域、即ち第１の可撓性基板１０６、接着剤１１４、第２の可撓性基板１１５が積層する領域を切断手段１１２により切断する。この結果、図６（Ｅ）に示すような、分離された第１の可撓性基板１０６ａ、分離された接着剤１３１、薄膜集積回路１２１、分離された絶縁層１１１、分離された接着剤１１４ａ、及び分離された第２の可撓性基板１１５ａが積層された半導体装置１３２を作製することができる。
【０１００】
ここでの半導体装置１３２は、端部において分離された絶縁層１１１、薄膜集積回路１２１、及び分離された接着剤１３１が露呈していない。言い換えれば、分離された絶縁層１１１の端部は、分離された第１の可撓性基板１０６ａ及び分離された第２の可撓性基板１１５ａの端部より内側に位置する。即ち、分離された絶縁層１１１と、薄膜集積回路１２１と、分離された接着剤１３１と、分離された接着剤１１４ａとの密着性の悪い界面が露呈せず、分離された第１の可撓性基板１０６ａと、分離された接着剤１１４ａと、分離された第２の可撓性基板１１５ａとの界面が露呈している。このため、当該端部においてそれぞれの密着性が高い。切断手段１１２としては、実施の形態１に示すものを適宜用いることができる。
【０１０１】
なお、第１の可撓性基板１０６及び第２の可撓性基板１１５として、表面が熱可塑性樹脂層である基板を用いると、図６（Ａ）において第１の可撓性基板１０６は素子形成層１０４に接し、図６（Ｄ）において第２の可撓性基板１１５は、第１の可撓性基板１０６、絶縁層１０３と、薄膜集積回路１２１の端部に接する。また、当該基板を用いて作製された半導体装置は、分離された第１の可撓性基板１０６ａと、分離された第２の可撓性基板１１５ａとの界面が、端部において露呈される。
【０１０２】
なお、図６（Ａ）において素子形成層１０４上に有機樹脂層を設けてもよい。こののち、図６（Ｃ）において絶縁層１０３、素子形成層１０４、有機樹脂層、及び接着剤１０５それぞれの一部を選択的に除去する。この後、分離された絶縁層１１１及び露出された第１の可撓性基板１０６に接着剤を用いて第２の可撓性基板１１５を貼りあわせる。この後、図６（Ｄ）において、接着剤１１４、第１の可撓性基板１０６、及び第２の可撓性基板１１５が接する領域、即ち第１の可撓性基板１０６、接着剤１１４、第２の可撓性基板１１５が積層する領域を切断手段１１２により切断する。この結果、図７に示すような、分離された第１の可撓性基板１０６ａ、分離された接着剤１３１、分離された有機樹脂層１３３、薄膜集積回路１２１、分離された絶縁層１１１、分離された接着剤１１４ａ、及び分離された第２の可撓性基板１１５ａが積層された半導体装置１３４を提供することができる。
【０１０３】
ここでの半導体装置１３４は、端部において分離された絶縁層１１１、薄膜集積回路１２１、分離された有機樹脂層１３３、及び分離された接着剤１３１が露呈していない。言い換えれば、分離された絶縁層１１１の端部、薄膜集積回路１２１の端部、分離された有機樹脂層１３３の端部、及び分離された接着剤１３１の端部は、分離された第１の可撓性基板１０６ａ及び分離された第２の可撓性基板１１５ａの端部より内側に位置する。即ち、分離された絶縁層１１１、薄膜集積回路１２１、分離された有機樹脂層１３３、分離された接着剤１３１と、分離された接着剤１１４ａの密着性の悪い界面が露呈せず、分離された第１の可撓性基板１０６ａと、分離された接着剤１１４ａと、分離された第２の可撓性基板１１５ａとの界面が露呈している。このため、当該端部においてそれぞれの密着性が高い。
【０１０４】
なお、第１の可撓性基板１０６及び第２の可撓性基板１１５として、表面が熱可塑性樹脂層である基板を用いると、分離された第１の可撓性基板１０６ａと分離された第２の可撓性基板１１５ａとの界面が、端部において露呈される半導体装置となる。
【０１０５】
本実施の形態により、薄膜集積回路を挟持する可撓性基板の密着性が高い半導体装置を作製方法することが可能である。この結果、防水性の半導体装置を作製することが可能である。即ち、信頼性の高い半導体装置を作製することが可能である。
【０１０６】
（実施の形態４）
本実施の形態においては、基板に剥離層、絶縁層、及び素子形成層を積層し、剥離層から絶縁層を剥離し、絶縁層に接着剤を用いて第１の可撓性基板を貼りあわせた後、絶縁層から素子形成層までの一部を除去して接着剤の一部を露出し、第２の可撓性基板を貼り付ける形態について、図８及び図９を用いて説明する。
【０１０７】
図８（Ａ）に示すように、実施の形態１と同様に、基板１０１上に剥離層１０２を形成し、剥離層１０２上に絶縁層１０３を形成し、絶縁層１０３上に素子形成層１０４を形成する。次に、素子形成層１０４上に粘着部材１０８を貼りあわせる。
【０１０８】
粘着部材１０８としては、光可塑型粘着フィルム、熱可塑型粘着フィルム、圧着フィルム等の粘着層を有する部材を用いることができる。尚、フィルムの代わりに、テープ、シート、基板等を適宜用いることができる。さらには、粘着部材の代わりに、静電気力や吸着力により素子形成層１０４の表面にテープ、シート、基板等の部材を着設してもよい。
【０１０９】
次に、図８（Ｂ）に示すように、実施の形態１と同様に、剥離層１０２から絶縁層１０３を剥離する。
【０１１０】
次に、図８（Ｃ）に示すように、絶縁層１０３に接着剤１５２を用いて第１の可撓性基板１５１を貼りあわせる。この後、粘着部材１０８を素子形成層１０４から剥す。
【０１１１】
次に、図８（Ｄ）に示すように、素子形成層１０４及び絶縁層１０３それぞれの一部を選択的に除去して接着剤１５２の一部を露出すると共に、分離された絶縁層１５４、分離された素子形成層（以下、薄膜集積回路１５３とも示す。）を形成する。本実施の形態でも、素子形成層１０４において、薄膜集積回路が形成される領域の周辺部、及び当該領域に形成される絶縁層を選択的に除去することが好ましい。
【０１１２】
なお、素子形成層１０４及び絶縁層１０３と共に、接着剤１５２の一部を選択的に除去して第１の可撓性基板１５１の一部を露出してもよい。
【０１１３】
次に、図８（Ｅ）に示すように、薄膜集積回路１５３及び接着剤１５２の露出部に、接着剤１５５を用いて第２の可撓性基板１５６を貼り付ける。接着剤１５５及び第２の可撓性基板１５６はそれぞれ、接着剤１０５及び第１の可撓性基板１０６と同じ材料を適宜用いることができる。ここでは、分離された絶縁層１５４及び薄膜集積回路１５３の周囲において、接着剤１５５及び接着剤１５２が接着されているため、当該領域において密着性が高い。
【０１１４】
なお、第１の可撓性基板１５１及び第２の可撓性基板１５６として、表面が熱可塑性樹脂層である基板を用いると、図８（Ｃ）において第１の可撓性基板１５１は絶縁層１０３に接し、図８（Ｅ）において第２の可撓性基板１５６は第１の可撓性基板１５１、薄膜集積回路１５３、及び分離された絶縁層１５４の端部に接する。また、当該基板を用いて作製された半導体装置は、分離された第１の可撓性基板１５１ａと、分離された第２の可撓性基板１５６ａとの界面が、端部において露呈される。
【０１１５】
次に、接着剤１５２、１５５、第１の可撓性基板１５１、及び第２の可撓性基板１５６が接着する領域を切断手段１１２により切断する。この結果、図８（Ｆ）に示すような、分離された第１の可撓性基板１５１ａ、分離された接着剤１５２ａ、分離された絶縁層１５４、薄膜集積回路１５３、分離された接着剤１５５ａ、及び分離された第２の可撓性基板１５６ａで構成される半導体装置１５７を作製することができる。
【０１１６】
ここでの半導体装置１５７は、端部において分離された絶縁層１５４、及び薄膜集積回路１５３が露呈していない。言い換えれば、分離された絶縁層１５４の端部及び薄膜集積回路１５３の端部は、分離された第１の可撓性基板１５１ａ及び分離された第２の可撓性基板１５６ａの端部より内側に位置する。即ち、分離された絶縁層１５４と、薄膜集積回路１５３と、分離された接着剤１５５ａとの界面や、分離された絶縁層１５４と、薄膜集積回路１５３と、分離された接着剤１５２ａとの界面等の密着性の悪い界面が露呈せず、分離された第１の可撓性基板１５１ａと、分離された接着剤１５５ａと、分離された接着剤１５２ａと、分離された第２の可撓性基板１５６ａとの界面が露呈している。このため、当該端部においてそれぞれの密着性が高い。切断手段１１２としては、実施の形態１に示すものを適宜用いることができる。
【０１１７】
なお、図８（Ａ）において、素子形成層１０４上に有機樹脂層を設けた後、有機樹脂層上に粘着部材１０８を貼りつけてもよい。この後、図８（Ｄ）において絶縁層１０３、素子形成層１０４、及び有機樹脂層それぞれの一部を選択的に除去して接着剤１５２の一部を露出する。この後、図８（Ｅ）において、分離された有機樹脂層、及び接着剤１５２の露出部に接着剤１５５を用いて第２の可撓性基板１５６を貼りあわせる。その後、第１の可撓性基板１５１、接着剤１５２、接着剤１５５、及び第２の可撓性基板１５６が接する領域を切断手段１１２により切断する。
【０１１８】
この結果、図９（Ａ）に示すような、分離された第１の可撓性基板１５１ａ、分離された接着剤１５２ａ、分離された絶縁層１５４、薄膜集積回路１５３、分離された有機樹脂層１５８、分離された接着剤１５５ａ、及び分離された第２の可撓性基板１５６ａが積層された半導体装置１５９を提供することができる。
【０１１９】
ここでの半導体装置１５９は、端部において分離された絶縁層１５４、薄膜集積回路１５３、及び分離された有機樹脂層１５８が露呈していない。言い換えれば、分離された絶縁層１５４の端部、薄膜集積回路１５３の端部、及び分離された有機樹脂層１５８の端部は、分離された第１の可撓性基板１５１ａ及び分離された第２の可撓性基板１５６ａの端部より内側に位置する。即ち、分離された絶縁層１５４と、薄膜集積回路１５３と、分離された有機樹脂層１５８と、分離された接着剤１５５ａとの界面や、分離された絶縁層１５４と、薄膜集積回路１５３と、分離された有機樹脂層１５８と、分離された接着剤１５２ａとの界面等の密着性の悪い界面が露呈せず、分離された第１の可撓性基板１５１ａと、分離された接着剤１５２ａと、分離された接着剤１５５ａと、分離された第２の可撓性基板１５６ａとの界面が露呈している。このため、当該端部においてそれぞれの密着性が高い。
【０１２０】
なお、第１の可撓性基板１５１及び第２の可撓性基板１５６として、表面が熱可塑性樹脂層である基板を用いると、分離された第１の可撓性基板１５１ａと、分離された第２の可撓性基板１５６ａとの界面が、端部において露呈される半導体装置となる。
【０１２１】
さらには、図８（Ａ）の素子形成層１０４内に形成される各薄膜集積回路の表面に接続端子を形成し、図８（Ｅ）の第２の可撓性基板１５６にアンテナとして機能する複数の導電層を有する基板を用い、接着剤１５５に異方性導電性接着剤を用いたのち、第１の可撓性基板１５１、接着剤１５２、異方性導電性接着剤、及び第２の可撓性基板１５６が接する領域を切断手段１１２により切断する。
【０１２２】
この結果、図９（Ｂ）に示すような、分離された第１の可撓性基板１５１ａ、分離された接着剤１５２ａ、分離された絶縁層１５４、表面に接続端子１６５を有する薄膜集積回路１５３、分離された異方性導電接着剤１６４、及び分離された第２の可撓性基板１６２が積層された半導体装置１６６を提供することができる。
【０１２３】
ここでの半導体装置１６６は、端部において分離された絶縁層１５４、及び薄膜集積回路１５３が露呈していない。言い換えれば、分離された絶縁層１５４の端部、及び薄膜集積回路１５３の端部は、分離された第１の可撓性基板１５１ａ及び分離された第２の可撓性基板１６２の端部より内側に位置する。即ち、分離された絶縁層１５４と、薄膜集積回路１５３と、分離された接着剤１５２ａとの界面や、分離された絶縁層１５４と、薄膜集積回路１５３と、分離された異方性導電接着剤１６４との界面等の密着性の悪い界面が露呈せず、分離された第１の可撓性基板１５１ａと、分離された接着剤１５２ａと、分離された異方性導電接着剤１６４と、分離された第２の可撓性基板１６２との界面が露呈している。このため、当該端部においてそれぞれの密着性が高い。
【０１２４】
なお、分離された異方性導電接着剤１６４には、導電性粒子１６３が分散されており、該導電性粒子により接続端子１６５、及び分離された第２の可撓性基板１６２上に設けられたアンテナとして機能する導電層１６１が電気的に接続されている。
【０１２５】
異方性導電接着剤１６４としては、  分散した導電性粒子１６３（粒径が、数ｎｍ〜数十μｍ、好ましくは３〜７μｍ程度）を含有する接着性樹脂であり、例えばエポキシ樹脂、フェノール樹脂等が挙げられる。また、導電性粒子１６３は、金、銀、銅、パラジウム、又は白金から選ばれた一元素、若しくは複数の元素で形成される。また、これらの元素の多層構造を有する粒子でも良い。更には、樹脂で形成された粒子の表面に、金、銀、銅、パラジウム、又は白金から選ばれた一元素、若しくは複数の元素で形成される薄膜が形成された導電性粒子を用いてもよい。
【０１２６】
本実施の形態により、薄膜集積回路を挟持する可撓性基板の密着性が高い半導体装置を作製方法することが可能である。この結果、防水性の半導体装置を作製することが可能である。即ち、信頼性の高い半導体装置を作製することが可能である。
【実施例１】
【０１２７】
実施例では、非接触でデータの伝送が可能な半導体装置の構成について、図１３を参照して説明する。
【０１２８】
本実施例の半導体装置は、大別して、アンテナ部２００１、電源部２００２、ロジック部２００３から構成される。
【０１２９】
アンテナ部２００１は、外部信号の受信とデータの送信を行うためのアンテナ２０１１からなる。また、半導体装置における信号の伝送方式は、電磁結合方式、電磁誘導方式またはマイクロ波方式等を用いることができる。
【０１３０】
アンテナとして２０１１の形状は、半導体装置における信号の伝送方式が電磁結合方式または電磁誘導方式（例えば１３．５６ＭＨｚ帯）を適用する場合には、磁界密度の変化による電磁誘導を利用するため、図１４（Ａ）に示すように、方形コイル状２７１や、円形コイル状（例えば、スパイラルアンテナ）とすることができる。また、図１４（Ｂ）に示すように方形ループ状２７２や円形ループ状とすることができる。
【０１３１】
また、マイクロ波方式（例えば、ＵＨＦ帯（８６０〜９６０ＭＨｚ帯）、２．４５ＧＨｚ帯等）を適用する場合には、信号の伝送に用いる電磁波の波長を考慮してアンテナとして機能する導電層の長さ等の形状を適宜設定すればよく、図１４（Ｃ）に示すように直線型ダイポール状２７３や曲線型ダイポール状、面状（例えば、パッチアンテナ）とすることができる。
【０１３２】
電源部２００２は、アンテナ２０１１を介して外部から受信した信号により電源を作る整流回路２０２１と、作りだした電源を保持するための保持容量２０２２と、各回路に供給する一定電圧を作り出す定電圧回路２０２３からなる。
【０１３３】
ロジック部２００３は、受信した信号を復調する復調回路２０３１と、クロック信号を生成するクロック生成・補正回路２０３２と、各コード認識及び判定回路２０３３と、メモリからデータを読み出すための信号を受信信号により作り出すメモリコントローラ２０３４と、符号化した信号を受信信号にのせるための変調回路２０３５と、読み出したデータを符号化する符号化回路２０３７と、データを保持するマスクＲＯＭ２０３９からなる。なお、変調回路２０３５は変調用抵抗２０３６を有する。
【０１３４】
メモリ２０３８は、ＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）、ＳＲＡＭ（Ｓｔａｔｉｃ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）、ＦＥＲＡＭ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）、マスクＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）、ＥＰＲＯＭ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ  Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）、ＥＥＰＲＯＭ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ  Ｅｒａｓａｂｌｅ  ａｎｄ  Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）、フラッシュメモリ、有機メモリなどを適宜選択する。ここでは、メモリ２０３８として、マスクＲＯＭ２０３９、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、ＦＥＲＡＭ、ＥＰＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ、フラッシュメモリ、または有機メモリのいずれか一つ以上で構成される追記メモリ２０４０を示す。
【０１３５】
各コード認識及び判定回路２０３３が認識・判定するコードは、フレーム終了信号（ＥＯＦ、Ｅｎｄ  ｏｆ  Ｆｒａｍｅ）、フレーム開始信号（ＳＯＦ、Ｓｔａｒｔ  ｏｆ  Ｆｒａｍｅ）、フラグ、コマンドコード、マスク長（ｍａｓｋ  ｌｅｎｇｔｈ）、マスク値（ｍａｓｋ  ｖａｌｕｅ）等である。また、各コード認識及び判定回路２０３３は、送信エラーを識別する巡回冗長検査（ＣＲＣ、ｃｙｃｌｉｃ  ｒｅｄｕｎｄａｎｃｙ  ｃｈｅｃｋ）機能も含む。
【実施例２】
【０１３６】
本実施例では、非接触でデータの伝送が可能な半導体装置の作製工程を図１０、１１を用いて説明する。なお、本実施例においては、実施例１及び図１３で示すアンテナ及び電源部２００２の定電圧回路２０２３の一部と、ロジック部２００３のメモリ２０３８の追記メモリ２０４０およびクロック生成・補正回路２０３２の一部の断面図を示す。また、ロジック部２００３のクロック生成・補正回路２０３２の一部として、ｎチャネル型ＴＦＴ及びｐチャネル型ＴＦＴを示し、メモリ２０３８の追記メモリ２０４０としてアクティブマトリクス型の有機メモリを示し、電源部２００２の定電圧回路２０２３の一部としてｎチャネル型ＴＦＴを示す。
【０１３７】
図１０（Ａ）に示すように、基板９０１上に剥離層９０２を形成し、剥離層９０２上に絶縁層９０３を形成し、絶縁層９０３上に薄膜トランジスタ９０４及び薄膜トランジスタを構成する導電層を絶縁する層間絶縁層９０５を形成し、薄膜トランジスタの半導体層に接続するソース電極及びドレイン電極９０６、９０７、及び導電層９０８を形成する。
【０１３８】
ここでは、基板９０１としてはガラス基板を用いる。剥離層９０２としては、スパッタリング法により厚さ３０ｎｍのタングステン層を形成する。つぎに、剥離層９０２の表面にＮ２Ｏプラズマを照射した後、絶縁層９０３として、厚さ２００ｎｍの酸化珪素層、厚さ５０ｎｍの窒化酸化珪素層、厚さ１００ｎｍの酸化窒化珪素層をそれぞれＣＶＤ法により順に形成する。
【０１３９】
薄膜トランジスタ９０４は、ソース領域、ドレイン領域、及びチャネル形成領域を有する半導体層、ゲート絶縁層、ゲート電極で構成される。薄膜トランジスタ９０４は、各回路の機能に応じてｎチャネル型ＴＦＴまたはｐチャネル型ＴＦＴを適宜用いる。
【０１４０】
半導体層は、結晶構造を有する半導体層である。厚さ６６ｎｍの非晶質珪素膜に連続発振レーザ光の照射若しくは繰り返し周波数が１０ＭＨｚ以上であって、パルス幅が１ナノ秒以下、好ましくは１乃至１００ピコ秒である高繰返周波数超短パルス光を照射して結晶構造を有する半導体膜を形成する。この後、フォトリソグラフィー工程により形成されたレジストマスクを用いて選択的に結晶構造を有する半導体膜をエッチングして、結晶構造を有する半導体層を形成する。
【０１４１】
ゲート絶縁層としては、ＣＶＤ法により厚さ４０ｎｍの酸化珪素層を形成する。
【０１４２】
ゲート電極としては、厚さ３０ｎｍの窒化タンタル層及び厚さ３７０ｎｍのタングステン層を順にスパッタリング法を用いて積層させて形成する。
【０１４３】
薄膜トランジスタを構成する導電層を絶縁する層間絶縁層９０５は、５０ｎｍの酸化窒化珪素層、厚さ１００ｎｍの窒化珪素層、厚さ６００ｎｍの酸化窒化珪素層をそれぞれＣＶＤ法を用いて順に形成する。
【０１４４】
ソース電極及びドレイン電極９０６、９０７並びに導電層９０８は、チタン層、アルミニウム層、及びチタン層をスパッタリング法により順に形成した後、フォトリソグラフィー工程により形成したレジストマスクを用いて選択的にエッチングして形成する。
【０１４５】
なお、薄膜トランジスタ９０４と同時に、図１３に示すマスクＲＯＭ２０３９を形成することができる。マスクＲＯＭは複数のトランジスタで形成する。その際、トランジスタの例えばドレイン領域と接続する配線用のコンタクトホールを開口するか開口しないかによってデータを書き込むことが可能であり、例えば開口する場合は１（オン）、開口しない場合は０（オフ）のデータ（情報）を、メモリセルに書き込むことが可能である。
【０１４６】
層間絶縁層９０５上に形成されるフォトレジストを露光する工程において、ステッパなどの露光装置を用いてレチクル（フォトマスク）を通して露光する工程の前又は後に、上記コンタクトホールが開口される領域上のフォトレジストに電子ビーム又はレーザを照射する。その後、通常どおり現像、エッチング、フォトレジストの剥離などの工程をおこなう。こうすることで、レチクル（フォトマスク）を交換せずに、電子ビーム又はレーザの照射領域を選択するのみで、上記コンタクトホールを開口するパターンと開口しないパターンをつくり分けることができる。すなわち、電子ビーム又はレーザの照射領域を選択することで、製造時において、半導体装置毎に異なるデータが書き込まれたマスクＲＯＭを作製することが可能となる。
【０１４７】
このようなマスクＲＯＭを用いて、製造時に半導体装置ごとの固有識別子（ＵＩＤ：Ｕｎｉｑｕｅ  Ｉｄｅｎｔｉｆｉｅｒ）等を形成することが可能となる。
【０１４８】
次に、図１０（Ｂ）に示すように、薄膜トランジスタ９０４、層間絶縁層９０５、ソース電極及びドレイン電極９０６、９０７、導電層９０８を覆う絶縁層９１１を形成する。次に、絶縁層９１１を介してソース電極またはドレイン電極９０６、９０７、導電層９０８に接続する導電層９１２〜９１４を形成する。次に、導電層９１２及び９１３の端部を覆う絶縁層９１５〜９１７を形成する。
【０１４９】
絶縁層９１１は、非感光性ポリイミドをスピンコート法により塗布し、３００℃で加熱した後、選択的にエッチングしてソース電極及びドレイン電極９０６、９０７及び導電層９０８の一部を露出する。また、絶縁層９１５〜９１７は、感光性ポリイミドをスピンコート法により塗布し、露光及び現像をして導電層９１２〜９１４の一部を露出し、３００℃で加熱し焼成して形成する。なお、このときの絶縁層９１５〜９１７の厚さを１．５μｍとする。導電層９１２〜９１４としては、厚さ２００ｎｍのチタン層をスパッタリング法を用いた形成した後、フォトリソグラフィー工程により形成したレジストマスクを用いて選択的にエッチングして形成する。
【０１５０】
次に、図１０（Ｃ）に示すように、導電層９１４上に厚さ５〜２０μｍの導電層９１８を形成する。ここでは、印刷法により銀粒子を有する組成物を印刷し、２００℃で３０分加熱して組成物を焼成して導電層９１８を形成する。なお、導電層９１４及び導電層９１８はアンテナとして機能する。
【０１５１】
なお、導電層９１４をニッケル層で形成した後、基板をＣｕを含むメッキ液に浸して、メッキ法により導電層９１８を形成してもよい。Ａｇは高価であるので、Ｃｕを用いてメッキ法により導電層９１８を形成することで、コスト削減が可能である。
【０１５２】
次に、図１０（Ｄ）に示すように、導電層９１２、９１３、その端部を覆う絶縁層９１６、及び絶縁層９１５、９１７の一部の上に有機化合物を含む層９１９を蒸着し、有機化合物を含む層９１９上に導電層９２０を蒸着する。導電層９１２、有機化合物を含む層９１９、及び導電層９２０により記憶素子を形成することができる。有機化合物を含む層９１９は、トンネル効果により導電層９２０または導電層９１２から有機化合物を含む層９１９へ正孔又は電子の電荷を注入する層（厚さ１ｎｍ以上４ｎｍ以下）と、正孔輸送性を有する有機化合物又は電子輸送性を有する有機化合物とを用いて形成することができる。ここでは、有機化合物を含む層９１９として、メタルマスクを用いた蒸着法により１ｎｍのＣａＦ２層を形成した後、１０ｎｍのＮＰＢ層を形成する。導電層９２０としては、厚さ１０ｎｍのＩｎ−Ｓｎ合金層と、厚さ１００ｎｍのアルミニウム層とをメタルマスクを用いた蒸着法により積層して形成する。
【０１５３】
なお、有機化合物を含む層９１９として、ＣａＦ２の代わりにＬｉＦ、ＮａＦ、ＫＦ、ＲｂＦ、ＣｓＦ、ＢｅＦ２、ＭｇＦ２、ＳｒＦ２、ＢａＦ２、ＡｌＦ３、ＮＦ３、ＳＦ６、ＡｇＦ、ＭｎＦ３等に代表される絶縁性を有するフッ化物、ＬｉＣｌ、ＮａＣｌ、ＫＣｌ、ＢｅＣｌ２、ＣａＣｌ２、ＢａＣｌ２、ＡｌＣｌ３、ＳｉＣｌ４、ＧｅＣｌ４、ＳｎＣｌ４、ＡｇＣｌ、ＺｎＣｌ２、ＴｉＣｌ４、ＴｉＣｌ３、ＺｒＣｌ４、ＦｅＣｌ３、ＰｄＣｌ２、ＳｂＣｌ３、ＳｂＣｌ２、ＳｒＣｌ２、ＴｌＣｌ３、ＣｕＣｌ、ＣｕＣｌ２、ＭｎＣｌ２、ＲｕＣｌ２等に代表される絶縁性を有する塩化物等を用いることができる。また、ＮＰＢの代わりに、フタロシアニン（略称：Ｈ２Ｐｃ）、銅フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ３）、（ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム）（略称：ＢＡｌｑ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、２，３−ビス（４−ジフェニルアミノフェニル）キノキサリン（略称：ＴＰＡＱｎ）、２，７−ジ（Ｎ−カルバゾリル）−スピロ−９，９’−ビフルオレン（略称：ＳＦＤＣｚ）、ＴＰＱ、９，１０−ジ（２−ナフチル）−２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）等を用いることができる。
【０１５４】
本実施例の記憶素子は、導電層９１２、９２０に電圧を印加させ、記憶素子の抵抗を変化させることによりデータ書き込みが可能である。また、導電層９２０を透光性導電層であるＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）やＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、酸化珪素を有するＩＴＯで形成し、レーザ光や電子ビームを記憶素子に照射し、記憶素子の抵抗を変化さえることによりデータ書き込みが可能である。さらに、記憶素子の抵抗を測定することにより、データを読み出すことが可能である。
【０１５５】
次に、図１０（Ｅ）に示すように、絶縁層９１１、絶縁層９１５〜９１７、導電層９２０、導電層９２８上に有機樹脂やポリマーで形成される厚さ５〜１０μｍの絶縁層９２２を形成する。絶縁層９２２は封止材として機能し、外部から薄膜トランジスタ９０４への不純物の侵入を防ぐことができる。また、絶縁層９２２を設けることにより、後の剥離工程において薄膜トランジスタ９０４、アンテナとして機能する導電層９１４、９１８、記憶素子９２１が形成される層において亀裂が入ることを防止することができ、歩留まりを向上させることができる。ここでは、エポキシ樹脂を印刷法により印刷し、１６０℃で３０分加熱して絶縁層９２２を形成する。
【０１５６】
次に、絶縁層９２２上に第１の可撓性基板９２４を貼りつける。ここでは、第１の可撓性基板９２４として、熱可塑性材料で形成される層９２３を有するＰＥＴフィルムを用いる。また、第１の可撓性基板９２４を８０〜１２０℃で熱圧着し、熱可塑性材料を可塑化した後、室温まで冷却することで、熱可塑性材料で形成させる層９２３を介して、絶縁層９２２と第１の可撓性基板９２４を接着する。
【０１５７】
ここでは、絶縁層９０３から絶縁層９２２までの積層体を素子形成層９２５とする。
【０１５８】
次に、図１１（Ａ）に示すように、剥離層９０２と絶縁層９０３との界面において分離して、剥離層９０２を有する基板９０１及び素子形成層９２５を物理的手段により剥離する。本実施例においては、剥離層と絶縁層の間に金属酸化膜を形成し、当該金属酸化膜において物理的手段により、素子形成層９２５を剥離する方法を用いる。本実施例において、物理的手段とは、基板９０１表面に粘着層を設け固定し、第１の可撓性基板９２４上で粘着層を有するローラーを回転させて、粘着層を有するローラーに第１の可撓性基板９２４を貼り付けると共に、剥離層９０２と絶縁層９０３との間で分離させることができる。
【０１５９】
次に、図１１（Ｂ）に示すように、素子形成層９２５において、薄膜集積回路が形成される領域の周辺部の絶縁層９０３から絶縁層９２２（つまり、絶縁層９０３、層間絶縁層９０５、絶縁層９１１、絶縁層９１５、及び絶縁層９２２）のそれぞれの一部を除去する。本実施例では、絶縁層９０３から絶縁層９２２の一部にレーザ光を照射して、絶縁層９０３から絶縁層９２２の一部を除去する。レーザ光としては、ＹＡＧレーザの第４高調波（波長２６６ｎｍ）を照射する。なお、レーザ光を照射した後、レーザ光照射領域においては、絶縁層９２２の一部が露出している。一部除去された絶縁層９２２を絶縁層９２６と示し、一部除去された絶縁層９０３を絶縁層９２７と示す。
【０１６０】
次に、図１１（Ｃ）に示すように、絶縁層９２７及び絶縁層９２６に第２の可撓性基板９３４を貼りあわせる。ここでは、第２の可撓性基板９３４としては、第１の可撓性基板９２４と同様に熱可塑性材料で形成される層９３３を有するＰＥＴフィルムを用いる。また、第１の可撓性基板９２４と同様に熱圧着し、熱可塑性材料を可塑化した後、室温まで冷却することで、熱可塑性材料で形成させる層９３３を介して、絶縁層９２７及び絶縁層９２６と、第２の可撓性基板９３４とを接着する。ここでは、第１の可撓性基板９２４、有機樹脂層で形成される絶縁層９２６、及び第２の可撓性基板９３４すべてが有機化合物で形成ており、これらが接着されている。このため、第１の可撓性基板９２４と、有機樹脂層で形成される絶縁層９２６と、第２の可撓性基板９３４との界面における密着性が高い。
【０１６１】
次に、第１の可撓性基板９２４、絶縁層９２６、及び第２の可撓性基板９３４が接する領域にレーザ光９３５を照射して、第１の可撓性基板９２４及び第２の可撓性基板９３４で挟持される層を複数に分断する。この結果、図１１（Ｄ）に示すような、分離された絶縁層９２７と分離された熱可塑性材料で形成される層９３３との界面や、分離された層間絶縁層９０５と分離された熱可塑性材料で形成される層９３３との界面などの密着性の悪い界面が露出せず、分離された第１の可撓性基板９４１と、分離された熱可塑性材料で形成させる層９４２と、分離された絶縁層９４３と、分離された熱可塑性材料で形成させる層９４４と、分離された第２の可撓性基板９４５との界面が露出された半導体装置９３６を作製する。ここでは、レーザ光９３５として、ＹＡＧレーザの第４高調波（波長２６６ｎｍ）を用いる。
【０１６２】
以上の工程により、非接触でデータの伝送が可能で信頼性の高い半導体装置を作製することができる。
【実施例３】
【０１６３】
上記実施例に示される非接触でデータの伝送が可能な半導体装置の用途は広範にわたるが、例えば、紙幣、硬貨、有価証券類、無記名債券類、証書類（運転免許証や住民票等、図１５（Ａ）参照）、包装用容器類（包装紙やボトル等、図１５（Ｃ）参照）、記録媒体（ＤＶＤソフトやビデオテープ等、図１５（Ｂ）参照）、乗物類（自転車等、図１５（Ｄ）参照）、身の回り品（鞄や眼鏡等）、食品類、植物類、衣類、生活用品類、電子機器等の商品や荷物の荷札（図１５（Ｅ）、図１５（Ｆ）参照）等の物品に設けて使用することができる。また、動物類、人体に取り付けることができる。なお、電子機器とは、液晶表示装置、ＥＬ表示装置、テレビジョン装置（単にテレビ、テレビ受像機、テレビジョン受像機とも呼ぶ）及び携帯電話等を指す。
【０１６４】
本実施例の半導体装置９２１０は、プリント基板に実装したり、表面に貼ったり、埋め込んだりして、物品に固定される。例えば、本なら紙に埋め込んだり、有機樹脂からなるパッケージなら当該有機樹脂に埋め込んだりして、各物品に固定される。本実施例の半導体装置９２１０は、小型、薄型、軽量を実現するため、物品に固定した後も、その物品自体のデザイン性を損なうことがない。また、紙幣、硬貨、有価証券類、無記名債券類、証書類等に本実施例の半導体装置９２１０を設けることにより、認証機能を設けることができ、この認証機能を活用すれば、偽造を防止することができる。また、包装用容器類、記録媒体、身の回り品、食品類、衣類、生活用品類、電子機器等に本実施例の半導体装置を設けることにより、検品システム等のシステムの効率化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【０１６５】
【図１】本発明の半導体装置の作製工程を示した断面図である。
【図２】本発明の半導体装置の作製工程を示した断面図である。
【図３】本発明の半導体装置の作製工程を示した断面図である。
【図４】本発明の半導体装置の構造を示した断面図である。
【図５】本発明の半導体装置の作製工程を示した断面図である。
【図６】本発明の半導体装置の作製工程を示した断面図である。
【図７】本発明の半導体装置の構造を示した断面図である。
【図８】本発明の半導体装置の作製工程を示した断面図である。
【図９】本発明の半導体装置の構造を示した断面図である。
【図１０】本発明の半導体装置の作製工程を示した断面図である。
【図１１】本発明の半導体装置の作製工程を示した断面図である。
【図１２】本発明の半導体装置の作製工程を示した上面図である。
【図１３】本発明の半導体装置の構造を示した図である。
【図１４】本発明に適用可能なアンテナの構造を示した図である。
【図１５】本発明の半導体装置の応用例を示した図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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