(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極と陰極と、
前記陽極と前記陰極との間に挟持される有機化合物からなる層と、から構成され、
前記有機化合物からなる層に、下記構造式のいずれかで示されるビスフルオレン化合物が少なくとも一種類含まれることを特徴とする、有機発光素子。
【化１】
0005311785.tif 000026
【請求項２】
陽極と陰極と、
前記陽極と前記陰極との間に挟持され、少なくとも発光層を有する有機化合物からなる層と、から構成され、
前記発光層に、下記一般式［１］で示されるビスフルオレン化合物が少なくとも一種類含まれることを特徴とする、有機発光素子。
【化２】
0005311785.tif 000027
（式［１］において、Ａは、アルキレン基、ジフェニルシリレン基、ジフェニルゲルミレン基、酸素原子、硫黄原子のいずれかである。前記アルキレン基は、アルキル基、フッ素化アルキル基、アリール基、ハロゲン原子を置換基として有してもよい。
Ｒ1とＲ4は、水素原子あるいはハロゲン原子を置換基として有してもよいアルキル基のいずれかで、互いに同じである。
Ｒ2とＲ3とＲ5とＲ6は、いずれも同じで、アルキル基を置換基として有してもよいターフェニル基、アルキル基を置換基として有してもよいフルオレニル基、カルバゾリル基、ジ−（ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）アミノ基から選ばれる。）
【請求項３】
前記一般式［１］において、Ａは前記アルキレン基であり、該アルキレン基はメチレン基であることを特徴とする、請求項２に記載の有機発光素子。
【請求項４】
前記ビスフルオレン化合物は、下記構造式のいずれかで示されることを特徴とする、請求項２又は３に記載の有機発光素子。
【化３】
0005311785.tif 000028
【請求項５】
前記発光層がさらに少なくとも一種類の蛍光性化合物又は燐光性化合物を含有することを特徴とする、請求項２乃至４のいずれか一項に記載の有機発光素子。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の有機発光素子を具備した表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機発光素子及び表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機発光素子のアプリケーションの１つとして、有機ＥＬディスプレイが挙げられる。ここで低消費電力性、高輝度性，長寿命等の性能を有する優れた有機ＥＬディスプレイを実現するためには、有機発光素子を構成する材料の更なる高性能化が必要である。一方で、有機ＥＬディスプレイの低コスト化を実現する方法として、高分子材料等を使用した塗布プロセスによる製造方法がある。この塗布プロセスによる製造方法は、現在有機ＥＬディスプレイの製造方法の主流となっている。
【０００３】
ところで高分子材料を使用した有機発光素子の課題として、低分子型の有機発光素子に比べて素子駆動寿命が短いことが挙げられる。一般に高分子材料は、一種類又は数種類のモノマーを重合することにより合成されるが、得られる高分子材料は分子量分布がありかつ精製が極めて困難である。このことが、素子駆動寿命に悪影響を及ぼす主要因となっている。
【０００４】
また、高分子材料からなる薄膜は、その成膜方法や処理条件により、膜の平坦性や電子的特性が大きく変化してしまうことがあり、これも問題となる。
【０００５】
以上に列挙される高分子材料が有する課題を克服する方法として、例えば、特許文献１に開示される、中分子量のデンドリマーを使用することによる素子駆動寿命改善の試みがある。また特許文献２に開示される、２位及び７位を連結部位とする中分子量のポリフルオレン（オリゴフルオレン）を使用することによる高発光効率化の試みもある。
【０００６】
ここでオリゴフルオレンに関して、９位同士で連結されたπ−スタッキング型のオリゴフルオレン化合物を光励起させた研究について、非特許文献１にて報告されている。しかし９位同士で連結されたビスフルオレン化合物を使用した有機発光素子は、まだ報告されていない。
【０００７】
【特許文献１】特開２００３−２３１６９２号公報
【特許文献２】特開２００３−０５５２７５号公報
【非特許文献１】Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１２５，１５４７４（２００３）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
以上のような技術的な課題を鑑み、本発明の目的は、塗布プロセスに対応し、発光効率及び輝度が良好な有機発光素子を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の有機発光素子の第一の態様は、陽極と陰極と、前記陽極と前記陰極との間に挟持される有機化合物からなる層と、から構成され、前記有機化合物からなる層に、下記構造式のいずれかで示されるビスフルオレン化合物が少なくとも一種類含まれることを特徴とする。
【００１０】
【化１】
0005311785.tif 000002
また本発明の有機発光素子の第二の態様は、陽極と陰極と、前記陽極と前記陰極との間に挟持され、少なくとも発光層を有する有機化合物からなる層と、から構成され、前記発光層に、下記一般式［１］で示されるビスフルオレン化合物が少なくとも一種類含まれることを特徴とする。
【化１−１】
0005311785.tif 000003
（式［１］において、Ａは、アルキレン基、ジフェニルシリレン基、ジフェニルゲルミレ
ン基、酸素原子、硫黄原子のいずれかである。前記アルキレン基は、アルキル基、フッ素
化アルキル基、アリール基、ハロゲン原子を置換基として有してもよい。
Ｒ1とＲ4は、水素原子あるいはハロゲン原子を置換基として有してもよいアルキル基のいずれかで、互いに同じである。
Ｒ2とＲ3とＲ5とＲ6は、いずれも同じで、アルキル基を置換基として有してもよいターフェニル基、アルキル基を置換基として有してもよいフルオレニル基、カルバゾリル基、ジ−（ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）アミノ基から選ばれる。）
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、塗布プロセスに対応し、発光効率及び輝度が良好な有機発光素子を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
次に、本発明の有機発光素子について詳細に説明する。
【００１３】
本発明の有機発光素子は、陽極と陰極と、該陽極と該陰極との間に挟持される有機化合物からなる層と、から構成される。
【００１４】
以下、図面を参照しながら本発明の有機発光素子を詳細に説明する。
【００１５】
図１は、本発明の有機発光素子における第一の実施形態を示す断面図である。図１の有機発光素子１０は、基板１上に、陽極２、発光層３及び陰極４が順次設けられている。図１の有機発光素子１０は、発光層３が、ホール輸送能、電子輸送能及び発光性の性能を全て有している有機化合物で構成されている場合に有用である。また、ホール輸送能、電子輸送能及び発光性の性能のいずれかの特性を有する有機化合物を混合して構成される場合にも有用である。
【００１６】
図２は、本発明の有機発光素子における第二の実施形態を示す断面図である。図２の有機発光素子２０は、基板１上に、陽極２、ホール輸送層５、電子輸送層６及び陰極４が順次設けられている。図２の有機発光素子２０は、ホール輸送性及び電子輸送性のいずれかを備える発光性の有機化合物と電子輸送性のみ又はホール輸送性のみを備える有機化合物とを組み合わせて使用する場合に有用である。また、図２の有機発光素子２０は、ホール輸送層５又は電子輸送層６が発光層を兼ねている。
【００１７】
図３は、本発明の有機発光素子における第三の実施形態を示す断面図である。図３の有機発光素子３０は、図２の有機発光素子２０において、ホール輸送層５と電子輸送層６との間に発光層３を設けたものである。この有機発光素子３０は、キャリア輸送の機能と発光の機能とを分離したものであり、ホール輸送性、電子輸送性、発光性の各特性を有した有機化合物を適宜組み合わせて使用することができる。このため、材料選択の自由度が増すとともに、発光波長を異にする種々の化合物を使用することができるので、発光色相の多様化が可能になる。さらに、中央の発光層３に各キャリアあるいは励起子を有効に閉じこめて、有機発光素子３０の発光効率の向上を図ることも可能になる。
【００１８】
図４は、本発明の有機発光素子における第四の実施形態を示す断面図である。図４の有機発光素子４０は、図３の有機発光素子３０において、陽極２とホール輸送層５との間にホール注入層７を設けたものである。図４の有機発光素子４０は、ホール注入層７を設けることにより、陽極２とホール輸送層５との密着性又はホール注入性が改善されるので、低電圧化に効果的である。
【００１９】
図５は、本発明の有機発光素子における第五の実施形態を示す断面図である。図５の有機発光素子５０は、基板１上に、陽極２、ホール注入層７、発光層３、電子注入層８及び陰極４が順次設けられている。図５の有機発光素子５０は、図３の有機発光素子３０を構成するホール輸送層５と電子輸送層６とが、それぞれホール注入層７と電子注入層９とに置き換わっている。これにより正孔及び電子の注入性がそれぞれ改善されるので、素子の低電圧化に効果的である。
【００２０】
図６は、本発明の有機発光素子における第六の実施形態を示す断面図である。図６の有機発光素子６０は、図３の有機発光素子において、発光層３と電子輸送層６との間にホールあるいは励起子（エキシトン）が陰極４側に抜けることを阻害する層（ホール／エキシトンブロッキング層９）を設けたものである。イオン化ポテンシャルの非常に高い有機化合物をホール／エキシトンブロッキング層９として使用することにより、発光効率が向上する。
【００２１】
ただし、図１乃至図６はあくまでもごく基本的な素子構成であり、本発明の有機発光素子の構成はこれらに限定されるものではない。例えば、電極と有機層界面に、絶縁性層、接着層又は干渉層を設ける、ホール輸送層がイオン化ポテンシャルの異なる二層から構成される、等多様な層構成をとることができる。
【００２２】
本発明の有機発光素子は、有機化合物からなる層に、下記一般式［１］で示されるビスフルオレン化合物が少なくとも一種類含まれることを特徴とする。
【００２３】
【化２】
0005311785.tif 000004
【００２４】
式［１］において、Ａは、置換あるいは無置換のアルキレン基、置換あるいは無置換のシクロアルキレン基、置換シリレン基、置換ゲルミレン基、酸素原子、硫黄原子を表す。
【００２５】
Ａで表されるアルキレン基として、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基等が挙げられる。
【００２６】
Ａで表されるシクロアルキレン基として、シクロプロピレン基、シクロブチレン基、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基等が挙げられる。
【００２７】
Ａで表される置換シリレン基として、ジフェニルシリレン基、ジメチルシリレン基、ジエチルシリレン基、ジトリフルオロメチルシリレン基、ジペンタフルオロエチルシリレン基等が挙げられる。
【００２８】
Ａで表される置換ゲルミレン基として、ジフェニルゲルミレン基、ジメチルゲルミレン基、ジエチルゲルミレン基、ジトリフルオロメチルゲルミレン基、ジペンタフルオロエチルゲルミレン基等が挙げられる。
【００２９】
上記アルキレン基及びシクロアルキレン基が有してもよい置換基として、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、２−メチルブチル基、４−メチルペンチル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基、２−エチル−オクチル基、ドデシル基等のアルキル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基等のフッ素化アルキル基、フェニル基、４−メチルフェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基等のアリール基、フッ素、塩素、ヨウ素、臭素等のハロゲン原子等が挙げられる。
【００３０】
Ａは、好ましくは、アルキレン基又はシクロアルキレン基であり、特に好ましくは、メチレン基である。
【００３１】
式［１］において、Ｒ1乃至Ｒ6は、それぞれ水素原子、置換あるいは無置換のアルキル基、置換あるいは無置換のアラルキル基、置換あるいは無置換のシクロアルキル基、置換あるいは無置換のアルケニル基、置換あるいは無置換のシクロアルケニル基、置換あるいは無置換のアルコキシ基、置換あるいは無置換のアリール基、置換あるいは無置換の縮合多環芳香族基、置換あるいは無置換のヘテロ環基、置換あるいは無置換のアリールオキシ基、置換アミノ基、置換シリル基、置換ゲルミル基又はハロゲン原子を表す。
【００３２】
Ｒ1乃至Ｒ6で表されるアルキル基として、メチル基、トリフルオロメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、オクチル基、２−エチル−オクチル基、ドデシル基等が挙げられる。
【００３３】
Ｒ1乃至Ｒ6で表されるアラルキル基として、ベンジル基、フェネチル基等が挙げられる。
【００３４】
Ｒ1乃至Ｒ6で表されるシクロアルキル基として、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基、アダマンチル基、メチルシクロヘキシル基等が挙げられる。
【００３５】
Ｒ1乃至Ｒ6で表されるアルケニル基として、ビニル基、アリル基（２−プロペニル基）、１−プロペニル基、ｉｓｏ−プロペニル基、２−ブテニル基等が挙げられる。
【００３６】
Ｒ1乃至Ｒ6で表されるシクロアルケニル基として、シクロペンテニル基、シクロへキセニル基、シクロヘキセジエニル基、シクロオクテニル基等が挙げられる。
【００３７】
Ｒ1乃至Ｒ6で表されるアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、２−エチル−オクチルオキシ基、ベンジルオキシ基等が挙げられる。
【００３８】
Ｒ1乃至Ｒ6で表されるアリール基として、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基等が挙げられる。
【００３９】
Ｒ1乃至Ｒ6で表される縮合多環芳香族基として、ナフチル基、フェナントリル基、アントラニル基、ピレニル基、フルオレニル基、フルオランテニル基等が挙げられる。
【００４０】
Ｒ1乃至Ｒ6で表されるヘテロ環基として、ピリジル基、ビピリジル基、メチルピリジル基、チエニル基、ターチエニル基、プロピルチエニル基、フリル基、キノリル基、カルバゾリル基、Ｎ−エチルカルバゾリル基等が挙げられる。
【００４１】
Ｒ1乃至Ｒ6で表されるアリールオキシ基として、フェノキシ基、４−ブチルフェノキシ基等が挙げられる。
【００４２】
Ｒ1乃至Ｒ6で表される置換アミノ基として、メチルアミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、メチルエチルアミノ基、ベンジルアミノ基、メチルベンジルアミノ基、アニリノ基、ジフェニルアミノ基、フェニルトリルアミノ基、ジトリルアミノ基、ジ−（ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）アミノ基等が挙げられる。
【００４３】
Ｒ1乃至Ｒ6で表される置換シリル基として、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリフェニルシリル基等が挙げられる。
【００４４】
Ｒ1乃至Ｒ6で表される置換ゲルミル基として、トリメチルゲルミル基、トリエチルゲルミル基、トリフェニルゲルミル基等が挙げられる。
【００４５】
Ｒ1乃至Ｒ6で表されるハロゲン原子として、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等が挙げられる。
【００４６】
上記アルキル基、アラルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルコキシ基、アリール基、ヘテロ環基、縮合多環芳香族基及びアリールオキシ基が有してもよい置換基として、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、２−メチルブチル基、４−メチルペンチル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基、２−エチル−オクチル基、ドデシル基等のアルキル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基等のフッ素化アルキル基、ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基、アダマンチル基、メチルシクロヘキシル基等のシクロアルキル基、ビニル基、アリル基（２−プロペニル基）、１−プロペニル基、ｉｓｏ−プロペニル基、２−ブテニル基等のアルケニル基、シクロペンテニル基、シクロへキセニル基、シクロヘキセジエニル基、シクロオクテニル基等のシクロアルケニル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、２−エチル−オクチルオキシ基、ベンジルオキシ基等のアルコキシ基、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基等のアリール基、ナフチル基、フェナントリル基、アントラニル基、ピレニル基、フルオレニル基、フルオランテニル基等の縮合多環芳香族基、ピリジル基、ビピリジル基、メチルピリジル基、チエニル基、ターチエニル基、プロピルチエニル基、フリル基、キノリル基、カルバゾリル基、Ｎ−エチルカルバゾリル基等のヘテロ環基、フェノキシ基、４−ブチルフェノキシ基等のアリールオキシ基、メチルアミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、メチルエチルアミノ基、ベンジルアミノ基、メチルベンジルアミノ基、アニリノ基、ジフェニルアミノ基、フェニルトリルアミノ基、ジトリルアミノ基等の置換アミノ基、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリフェニルシリル基等の置換シリル基、トリメチルゲルミル基、トリエチルゲルミル基、トリフェニルゲルミル基等の置換ゲルミル基、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子等が挙げられるが、もちろんこれらに限定されるものではない。
【００４７】
式［１］のビスフルオレン化合物は、好ましくは、下記式［２］で示される化合物である。
【００４８】
【化３】
0005311785.tif 000005
【００４９】
式［２］において、Ｒ7乃至Ｒ12は、それぞれ水素原子、置換あるいは無置換のアルキル基、置換あるいは無置換のアラルキル基、置換あるいは無置換のシクロアルキル基、置換あるいは無置換のアルケニル基、置換あるいは無置換のシクロアルケニル基、置換あるいは無置換のアルコキシ基、置換あるいは無置換のアリール基、置換あるいは無置換の縮合多環芳香族基、置換あるいは無置換のヘテロ環基、置換あるいは無置換のアリールオキシ基、置換アミノ基、置換シリル基、置換ゲルミル基又はハロゲン原子を表す。
【００５０】
Ｒ7乃至Ｒ12で表される、アルキル基、アラルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルコキシ基、アリール基、縮合多環芳香族基、ヘテロ環基、アリールオキシ基、置換アミノ基、置換シリル基、置換ゲルミル基及びハロゲン原子の具体例は、Ｒ1乃至Ｒ6と同様である。また上記アルキル基、アラルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルコキシ基、アリール基、縮合多環芳香族基、ヘテロ環基及びアリールオキシ基がさらに有してもよい置換基の具体例も、Ｒ1乃至Ｒ6と同様である。
【００５１】
式［１］又は［２］で示されるビスフルオレン化合物が昇華性を有すれば真空蒸着が可能である。このため、本発明の有機発光素子の製造プロセスは、真空蒸着プロセスと塗布プロセスとのいずれかに限定されるものではない。本発明の有機発光素子を塗布プロセスで製造する場合は、専ら適当な有機溶媒に溶解されている溶液の状態で使用される。このとき有機溶媒に対する式［１］又は［２］のビスフルオレン化合物の溶解度が十分ではない場合は、化合物の骨格に、溶解度を上げる置換基、例えばアルキル基やトリフルオロメチル基を導入してもよい。
【００５２】
式［１］又は［２］で示されるビスフルオレン化合物の具体例を以下に例示するが、本発明はもちろんこれらに限定されるものではない。
【００５３】
【化４】
0005311785.tif 000006
【００５４】
【化５】
0005311785.tif 000007
【００５５】
【化６】
0005311785.tif 000008
【００５６】
上述したように、本発明の有機発光素子は、有機化合物からなる層に、式［１］又は［２］で示されるビスフルオレン化合物が少なくとも一種類含まれることを特徴とする。ここで有機化合物からなる層とは、具体的には図１乃至６で示される発光層３、ホール輸送層５、電子輸送層６、ホール注入層７、電子注入層８及びホール／エキシトンブロッキング層９である。式［１］又は［２］で示されるビスフルオレン化合物は、好ましくは、発光層３に含まれる。このビスフルオレン化合物は、単一の層のみに含まれていてもよいし、複数の層に含まれていてもよい。
【００５７】
発光層３は、式［１］又は［２］で示されるビスフルオレン化合物のみで構成されていてもよいが、ホストとゲストとで構成されていてもよい。発光層３は、好ましくは、ホストとして式［１］又は［２］のビスフルオレン化合物を含有し、さらにゲストである少なくとも一種類の蛍光性化合物又は燐光性化合物を含有する。
【００５８】
ゲストである蛍光性化合物として、具体的には、ベンゾオキサゾール及びその誘導体、ベンゾイミダゾール及びその誘導体、ベンゾチアゾール及びその誘導体、スチリルベンゼン及びその誘導体、ポリフェニル及びその誘導体、ジフェニルブタジエン及びその誘導体、テトラフェニルブタジエン及びその誘導体、ナフタルイミド及びその誘導体、クマリン及びその誘導体、縮合芳香族化合物、ペリノン及びその誘導体、オキサジアゾール及びその誘導体、オキサジン及びその誘導体、アルダジン及びその誘導体、ピラリジン及びその誘導体、シクロペンタジエン及びその誘導体、ビススチリルアントラセン及びその誘導体、キナクリドン及びその誘導体、ピロロピリジン及びその誘導体、チアジアゾロピリジン及びその誘導体、シクロペンタジエン及びその誘導体、スチリルアミン及びその誘導体、ジケトピロロピロール及びその誘導体、芳香族ジメチリディン化合物、８−キノリノール及びその誘導体のいずれかを配位子とする金属錯体、ピロメテン及びその誘導体のいずれかを配位子とする金属錯体、希土類錯体、遷移金属錯体に代表される各種金属錯体等、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン等のポリマー化合物、有機シラン及びその誘導体等が挙げられる。
【００５９】
ゲストである燐光性化合物として、遷移金属錯体が好ましい。遷移金属錯体の中心金属は特に限定されないが、好ましくは、イリジウム、白金、レニウム又はルテニウムであり、より好ましくは、イリジウム又は白金であり、特に好ましくは、イリジウムである。具体的には、以下の文献に記載のオルトメタル化錯体を使用することができる。
１．山本明夫著「有機金属    基礎と応用」、１５０頁及び２３２頁、裳華房社（１９８２年）
２．エイチ・ヤルシン（Ｈ．  Ｙｅｒｓｉｎ）著「フォトケミストリー・アンド・フォトフィジックス・オブ・コーディネーション・コンパウンド（Ｐｈｏｔｏｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  ａｎｄ  Ｐｈｏｔｏｐｈｙｓｉｃｓ  ｏｆ  Ｃｏｏｒｄｉｎａｔｉｏｎ  Ｃｏｍｐｏｕｎｄ）」、７１乃至７７頁及び１３５乃至１４６頁、Ｓｐｒｉｎｇｅｒ−Ｖｅｒｌａｇ社（１９８７年）
３．（独）日本学術振興会「情報科学用有機材料  第１４２委員会」Ｃ部会（有機エレクトロシクス）、第９回研究会資料、２５乃至３２項（２００５年）
【００６０】
以上の文献以外にも、例えば、米国特許６３０３２３１号明細書、米国特許６０９７１４７号明細書、ＷＯ００／５７６７６パンフレット、ＷＯ００／７０６５５パンフレット、ＷＯ０１／０８２３０パンフレット、ＷＯ０１／３９２３４パンフレット、ＷＯ０１／４１５１２パンフレット、ＷＯ０２／０２７１４パンフレット、ＷＯ０２／１５６４５パンフレット、特開２００１−２４７８５９号公報、特願２０００−３３５６１号、特願２００１−１８９５３９号、特願２００１−２４８１６５号、特願２００１−３３６８４号、特願２００１−２３９２８１号、特願２００１−２１９９０９号、欧州特許１２１１２５７号明細書、特開２００２−２２６４９５号公報、特開２００２−２３４８９４号公報、特開２００１−２４７８５９号公報、特開２００１−２９８４７０号公報、特開２００２−１７３６７４号公報、特開２００２−２０３６７８号公報、特開２００２−２０３６７９号公報等の特許文献に記載のリン光性の発光材料が好適に利用できる。
【００６１】
また、ネイチャー（Ｎａｔｕｒｅ）、３９５巻、１５１頁（１９９８年）、アプライド・フィジックス・レターズ（Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ）、７５巻、４頁（１９９９年）、ポリマー・プレプリンツ（Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｐｒｅｐｒｉｎｔｓ）、４１巻、７７０頁（２０００年）、ジャーナル・オブ・アメリカン・ケミカル・ソシエティ（Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ａｍｅｒｉｃａｎ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｓｏｃｉｅｔｙ）、１２３巻、４３０４頁（２００１年）、アプライド・フィジックス・レターズ（Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ）、７９巻、２０８２頁（１９９９年）等の非特許文献に記載のリン光性の発光材料も好適に利用できる。
【００６２】
またホストである式［１］又は［２］で示されるビスフルオレン化合物の含有量は、発光層３を構成する材料の全重量に対して、１重量％乃至１００重量％である。
【００６３】
このように本発明の有機発光素子は、特に、発光層の構成材料として、式［１］又は［２］で示されるビスフルオレン化合物を使用するものである。また本発明の有機発光素子は、式［１］又は［２］で示されるビスフルオレン化合物の他に、必要に応じてこれまで知られているホール輸送性化合物、電子輸送性化合物等を一緒に使用することもできる。
【００６４】
ホール輸送性化合物として、具体的には、トリアリールアミン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラロゾン誘導体、オキサゾール誘導体、フルオレノン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリシリレン、ポリチオフェン等が挙げられる。
【００６５】
電子輸送性化合物として、具体的には、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、チアゾ−ル誘導体、チアジアゾール誘導体、ピラジン誘導体、トリアゾール誘導体、トリアジン誘導体、ペリレン誘導体、キノリン誘導体、キノキサリン誘導体、フルオレノン誘導体、アントロン誘導体、フェナントロリン誘導体、有機金属錯体等が挙げられる。
【００６６】
陽極を構成する材料としては、仕事関数がなるべく大きいものがよい。例えば、金、白金、ニッケル、パラジウム、コバルト、セレン、バナジウム等の金属単体あるいはこれらを複数組み合わせた合金、酸化錫、酸化亜鉛、酸化錫インジウム（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウム等の金属酸化物が使用できる。また、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリフェニレンスルフィド等の導電性ポリマーも使用できる。これらの電極物質は一種類を単独で使用してもよく、二種類以上を併用して使用してもよい。
【００６７】
一方、陰極を構成する材料としては、仕事関数が小さいものがよい。例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、カルシウム、マグネシウム、アルミニウム、インジウム、銀、鉛、錫、クロム等の金属単体あるいはこれらを複数組み合わせた合金を使用することができる。酸化錫インジウム（ＩＴＯ）等の金属酸化物も利用可能である。また、陰極は一層で構成されていてもよく、複数の層で構成されていてもよい。
【００６８】
本発明の有機発光素子で使用する基板は、特に限定するものではないが、金属製基板、セラミックス製基板等の不透明性基板、ガラス、石英、プラスチックシート等の透明性基板が使用される。また、基板にカラーフィルター膜、蛍光色変換フィルター膜、誘電体反射膜等を用いて発色光をコントロールすることも可能である。
【００６９】
尚、作製した素子に対して、酸素や水分等との接触を防止する目的で保護層あるいは封止層を設けることもできる。保護層としては、ダイヤモンド薄膜、金属酸化物、金属窒化物等の無機材料膜、フッ素樹脂、ポリパラキシレン、ポリエチレン、シリコーン樹脂、ポリスチレン樹脂等の高分子膜、さらには、光硬化性樹脂等が挙げられる。また、ガラス、気体不透過性フィルム、金属等をカバーし、適当な封止樹脂により素子自体をパッケージングすることもできる。
【００７０】
本発明の有機発光素子は、その構成材料が昇華性を有すれば真空蒸着可能である。このため、本発明の有機発光素子の製造プロセスは、真空蒸着プロセスと塗布プロセスとのいずれかに限定されるものではない。ただし、式［１］又は［２］で示されるビスフルオレン化合物は分子量が大きい場合が多いため、昇華性に乏しいことが予想される。このため、本発明の有機発光素子は、好ましくは、塗布プロセスによって製造される。ここで塗布プロセスとしては、スピンコート法、インクジェット法、印刷法（オフセット、グラビア、凸、凹、スクリーン印刷等）、スプレー法、電子写真法を応用した液体現像法等が挙げられるが、これに限られるものではない。
【００７１】
次に、本発明の表示装置について説明する。本発明の表示装置は、本発明の有機電界発光素子を具備するものである。また、本発明の表示装置は、この有機電界発光素子と薄膜トランジスタとを組み合わせてなるものであり、パッシブマトリックス方式又はアクティブマトリックス方式で駆動される。以下、図面を参照して、アクティブマトリクス方式を例にとって、本発明の表示装置を詳細に説明する。
【００７２】
図７は、表示装置の一形態である、本発明の有機電界発光素子と駆動手段とを備えた表示装置の構成例を模式的に示す図である。図７の表示装置１００は、走査信号ドライバー１０１、情報信号ドライバー１０２、電流供給源１０３が配置され、それぞれゲート選択線Ｇ、情報信号線Ｉ、電流供給線Ｃに接続される。ゲート選択線Ｇと情報信号線Ｉの交点には、画素回路１０４が配置される。走査信号ドライバー１０１は、ゲート選択線Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３・・・Ｇｎを順次選択し、これに同期して情報信号ドライバー１０２から画像信号が情報信号線Ｉ１、Ｉ２、Ｉ３・・・Ｉｎのいずれかを介して画素回路１０４に印加される。
【００７３】
次に、画素の動作について説明する。図８は、図７の表示装置に配置されている１つの画素を構成する回路を示す回路図である。図８の画素回路１１０では、ゲート選択線Ｇｉに選択信号が印加されると、第一の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ１）１１１がＯＮになり、コンデンサー（Ｃadd）１１２に画像信号Ｉｉが供給され、第二の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ２）１１３のゲート電圧を決定する。有機電界発光素子１１４には第二の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ２）（１１３）のゲート電圧に応じて電流供給線Ｃｉより電流が供給される。ここで、第二の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ２）１１３のゲート電位は、第一の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ１）１１１が次に走査選択されるまでコンデンサー（Ｃadd）１１２に保持される。このため、有機電界発光素子１１４には、次の走査が行われるまで電流が流れ続ける。これにより１フレーム期間中常に有機電界発光素子１１４を発光させることが可能となる。
【００７４】
図９は、図７の表示装置で用いられるＴＦＴ基板の断面構造の一例を示した模式図である。ＴＦＴ基板の製造工程の一例を示しながら、構造の詳細を以下に説明する。図９の表示装置１２０を製造する際には、まずガラス等の基板１２１上に、上部に作られる部材（ＴＦＴ又は有機層）を保護するための防湿膜１２２がコートされる。防湿膜１２２を構成する材料として、酸化ケイ素又は酸化ケイ素と窒化ケイ素との複合体等が用いられる。次に、スパッタリングによりＣｒ等の金属を製膜することで、所定の回路形状にパターニングしてゲート電極１２３を形成する。続いて、酸化シリコン等をプラズマＣＶＤ法又は触媒化学気相成長法（ｃａｔ−ＣＶＤ法）等により製膜し、パターニングしてゲート絶縁膜１２４を形成する。次に、プラズマＣＶＤ法等により（場合によっては２９０℃以上の温度でアニールして）シリコン膜を製膜し、回路形状に従ってパターニングすることで半導体層１２５を形成する。
【００７５】
さらに、この半導体膜１２５にドレイン電極１２６とソース電極１２７とを設けることでＴＦＴ素子１２８を作製し、図３に示すような回路を形成する。次に、このＴＦＴ素子１２８の上部に絶縁膜１２９を形成する。次に、コンタクトホール（スルーホール）１３０を、金属からなる有機電界発光素子用の陽極１３１とソース電極１２７とが接続するように形成する。
【００７６】
この陽極１３１の上に、多層あるいは単層の有機層１３２と、陰極１３３とを順次積層することにより、表示装置１２０を得ることができる。このとき、有機電界発光素子の劣化を防ぐために第一の保護層１３４や第二の保護層１３５を設けてもよい。本発明のフルオレン化合物を用いた表示装置を駆動することにより、良好な画質で、長時間表示にも安定な表示が可能になる。
【００７７】
尚、上記の表示装置は、スイッチング素子に特に限定はなく、単結晶シリコン基板やＭＩＭ素子、ａ−Ｓｉ型等でも容易に応用することができる。
【実施例】
【００７８】
以下、実施例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００７９】
（合成例１）化合物（２）の合成
下記に示す化合物（２）を、下記に示す反応により合成した。
【００８０】
【化７】
0005311785.tif 000009
【００８１】
（ｉ）５００ｍｌの三ツ口フラスコに、フルオレン１０ｇ（６０．２ｍｍｏｌ）及びジエチルエーテル３００ｍｌを仕込んだ後、窒素雰囲気下、−７８℃でｎ−ブチルリチウムの１５％ヘキサン溶液４０．６ｍｌ（６２．８ｍｍｏｌ）を滴下した。次に、反応溶液を室温まで除々に昇温した後、反応溶液を室温で１時間攪拌した。次に、反応溶液を−７８℃に冷却した後、ジヨードメタン２．２ｍｌ（２７．３ｍｍｏｌ）とジエチルエーテル１０ｍｌとの混合溶液を滴下した。次に、反応溶液を室温まで徐々に昇温した後、反応溶液を室温で８時間攪拌した。反応終了後、有機層をクロロホルムで抽出し無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を減圧留去した。これによって得られた粗生成物について、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサンとトルエンとの混合溶媒）で精製することにより、化合物（１）（ビスフルオレン）を白色結晶として５．６ｇ（収率６０％）得た。
【００８２】
（ｉｉ）次いで、２００ｍｌ三ツ口フラスコに、化合物（１）１．０ｇ（１．４ｍｍｏｌ）及びジエチルエーテル１２０ｍｌを仕込んだ後、窒素雰囲気下、−７８℃でｎ−ブチルリチウムの１５％ヘキサン溶液４．３ｍｌ（６．７ｍｍｏｌ）を滴下した。次に、反応溶液を室温まで除々に昇温した後、反応溶液を室温で１時間攪拌した。次に、反応溶液を−７８℃に冷却した後、ヨードエタン１．２７ｇ（８．１ｍｍｏｌ）とジエチルエーテル５ｍｌとを混合した溶液を滴下した。次に、反応溶液を室温まで徐々に昇温した後、反応溶液を室温で８時間攪拌した。反応終了後、有機層をクロロホルムで抽出し無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を減圧留去した。これによって得られた粗生成物について、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサンとトルエンとの混合溶媒）で精製することにより、化合物（２）を白色結晶として０．７７ｇ（収率６６％）得た。
【００８３】
（合成例２）化合物（３）の合成
下記に示す化合物（３）を、下記に示す反応により合成した。
【００８４】
【化８】
0005311785.tif 000010
【００８５】
２００ｍｌの三ツ口フラスコに、化合物（２）１．０ｇ（２．９ｍｍｏｌ）、臭素１．８ｇ（１１．６ｍｍｏｌ）、鉄粉少量（任意量）及びクロロホルム１２０ｍｌを仕込んだ後、反応溶液を室温で２時間攪拌した。反応終了後、反応溶液中にチオ硫酸ナトリウム水溶液を投入した。次に、有機層を抽出し、さらに有機層を水で洗浄してから無水硫酸ナトリウムを投入して有機層の脱水・乾燥を行った。次に、この有機層を減圧濃縮し、得られた濃縮物についてシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサンとトルエンとの混合溶媒）で精製した。次に、得られた精製物についてメタノール抽出を行うことにより、化合物（３）であるビスフルオレン臭素体を淡黄色結晶として１．４２ｇ（収率６８％）得た。
【００８６】
（合成例３）例示化合物Ｎｏ．１０７の合成
下記に示す化合物（５）（例示化合物Ｎｏ．１０７）を、下記に示す反応により合成した。
【００８７】
【化９】
0005311785.tif 000011
【００８８】
２００ｍｌの三ツ口フラスコに、以下に示す試薬、溶媒を仕込んだ後、８５℃で１６時間攪拌した。
化合物（３）：１．０ｇ（１．４ｍｍｏｌ）
化合物（４）：３．３ｇ（７ｍｍｏｌ）
テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（０）（Ｐｄ（ＴＰＰ）4）：０．１５ｇ（０．１３ｍｍｏｌ）
炭酸ナトリウム飽和水溶液：１５ｍｌ
トルエン：６０ｍｌ
【００８９】
反応終了後、有機層を分取して、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサンと酢酸エチルとの混合溶媒）で精製した。次に得られた精製物についてメタノール抽出を行うことにより、化合物（５）（例示化合物Ｎｏ．１０７）を白色結晶として０．６２ｇ（収率２５％）得た。
【００９０】
（合成例４）化合物（７）（例示化合物Ｎｏ．１１４）の合成
下記に示す化合物（７）（例示化合物Ｎｏ．１１４）を、下記に示す反応により合成した。
【００９１】
【化１０】
0005311785.tif 000012
【００９２】
２００ｍｌの三ツ口フラスコに、以下の試薬、溶媒を仕込んだ後、８５℃で１６時間攪拌した。
化合物（３）：１．０ｇ（１．４ｍｍｏｌ）
化合物（６）：３ｇ（７ｍｍｏｌ）
テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（０）（Ｐｄ（ＴＰＰ）4）：０．１５ｇ（０．１３ｍｍｏｌ）
炭酸ナトリウム飽和水溶液：１５ｍｌ
トルエン：６０ｍｌ
【００９３】
反応終了後、有機層を分取して、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサンと酢酸エチルとの混合溶媒）で精製した。得られた精製物についてメタノール抽出を行うことにより、化合物（７）（例示化合物Ｎｏ．１１４）を白色結晶として０．８５ｇ（収率３８％）得た。
【００９４】
（合成例５）化合物（９）（例示化合物Ｎｏ．１２０）の合成
下記に示す化合物（９）（例示化合物Ｎｏ．１２０）を、下記に示す反応により合成した。
【００９５】
【化１１】
0005311785.tif 000013
【００９６】
２００ｍｌ三ツ口フラスコに、以下の試薬、溶媒を仕込んだ後、８５℃で１６時間攪拌した。
化合物（３）：１．０ｇ（１．４ｍｍｏｌ）
化合物（８）：３ｇ（７ｍｍｏｌ）
テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（０）（Ｐｄ（ＴＰＰ）4）：０．１５ｇ（０．１３ｍｍｏｌ）
炭酸ナトリウム飽和水溶液：１５ｍｌ
トルエン：６０ｍｌ
【００９７】
反応終了後、有機層を分取して、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサンと酢酸エチルとの混合溶媒）で精製した。得られた精製物についてメタノール抽出を行うことにより、化合物（９）（例示化合物Ｎｏ．１２０）を白色結晶として１．１ｇ（収率４９％）得た。
【００９８】
（合成例６）化合物（１２）の合成
下記に示す化合物（１２）を、下記に示す反応により合成した。
【００９９】
【化１２】
0005311785.tif 000014
【０１００】
（ｉ）３００ｍｌの三ツ口フラスコに、Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃｓ，１９，１４３４（２０００）記載の方法に準拠して得られる化合物（１０）１ｇ（２．７６ｍｍｏｌ）と、脱水ジエチルエーテル５０ｍｌとを入れた。次に、反応溶液を、窒素雰囲気下、ドライアイス／メタノール浴で−６０℃に冷却した。次に、ｎ−ＢｕＬｉ（１．６ｍｏｌ／ｌヘキサン溶液）３．８ｍｌ（６．１１ｍｍｏｌ）をゆっくり滴下した。滴下終了後、さらに７時間攪拌した。次に、反応溶液にヨウ化エチル０．９５ｇ（６．１ｍｍｏｌ）を投入した後、反応溶液を−２５℃まで昇温して１時間攪拌した。次に、反応溶液を室温に昇温して１時間攪拌した。反応終了後、溶媒を減圧留去することで得られた析出物を、クロロホルムに溶解して、カラムクロマトグラフィー（充填材：シリカゲル、展開溶媒：クロロホルム／ヘプタン＝２／３）による精製を行った。次に、メタノールで再結晶することにより、化合物（１１）を０．５１ｇ（収率４４％）得た。
【０１０１】
（ｉｉ）２００ｍｌの三ツ口フラスコに、以下に示す試薬、溶媒を仕込みフラスコ内を窒素雰囲気にした。
化合物（１１）：０．５ｇ（１．２ｍｍｏｌ）
クロロホルム：３０ｍｌ
鉄粉：０．０５ｇ（０．９ｍｍｏｌ）
【０１０２】
次に、室温下で臭素０．７６ｇ（９．６ｍｍｏｌ）をゆっくり投入した後、反応溶液を３時間攪拌した。次いで、反応溶液を５０℃に加熱して４時間攪拌した。反応終了後、溶媒を減圧留去することで得られた析出物を、クロロホルムに溶解して、カラムクロマトグラフィー（充填材：シリカゲル、展開溶媒：クロロホルム／ヘプタン＝２／３）による精製を行った。次に、メタノールで再結晶することにより、化合物（１２）を０．７８ｇ（収率８９％）得た。
【０１０３】
（合成例６−１）例示化合物Ｎｏ．１１７の合成
下記に示す化合物（１３）（例示化合物Ｎｏ．１１７）を、下記に示す反応により合成した。
【０１０４】
【化１３】
0005311785.tif 000015
【０１０５】
３００ｍｌの三ツ口フラスコに、以下に示す試薬、溶媒を仕込み、フラスコ内を窒素雰囲気にした。
化合物（１２）：０．７５ｇ（１．０２ｍｍｏｌ）
化合物（６）：２．６５ｇ（６．１３ｍｍｏｌ）
Ｐｄ（ＴＰＰ）4（テトラホスフィノパラジウム触媒）：０．４６ｇ（０．４ｍｍｏｌ）
炭酸ナトリウム飽和水溶液：３ｍｌ
トルエン：１５ｍｌ
エタノール：３ｍｌ
【０１０６】
次に、反応溶液を８５℃に保ちながら２７時間攪拌した。反応終了後、溶媒を減圧留去することで得られた析出物をカラムクロマトグラフィー（充填材：シリカゲル、展開溶媒：ヘプタン／クロロホルム＝４／１）にて精製を行った。次に、メタノールで再結晶することにより、化合物（１３）（例示化合物Ｎｏ．１１７）を０．４３ｇ（収率２６％）得た。
【０１０７】
（合成例７）化合物（１６）の合成
下記に示す化合物（１６）を、下記に示す反応により合成した。
【０１０８】
【化１４】
0005311785.tif 000016
【０１０９】
（ｉ）Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃｓ，１９，１４３４（２０００）記載の方法に準拠して得られる化合物（１４）１ｇ（２．９ｍｍｏｌ）と、脱水ジエチルエーテル５０ｍｌとを３００ｍｌの三ツ口フラスコに入れた。次に、反応溶液を窒素雰囲気下、ドライアイス／メタノール浴で−６０℃に冷却した。次に、ｎ−ＢｕＬｉ（１．６ｍｏｌ／ｌヘキサン溶液）３．９６ｍｌ（６．３ｍｍｏｌ）をゆっくり滴下した。滴下終了後、反応溶液をさらに７時間攪拌した。次に、反応溶液にヨウ化エチル０．９９ｇ（６．３ｍｍｏｌ）を投入し、反応溶液を−２５℃まで昇温して１時間攪拌した。次に、反応溶液を室温に昇温して１時間攪拌した。反応終了後、溶媒を減圧留去することで得られた析出物を、クロロホルムに溶解して、カラムクロマトグラフィー（充填材：シリカゲル、展開溶媒：クロロホルム／ヘプタン＝２／３）による精製を行った。次に、メタノールで再結晶することにより、化合物（１５）を０．７３ｇ（収率６３％）得た。
【０１１０】
（ｉｉ）２００ｍｌの三ツ口フラスコに、以下に示す試薬、溶媒を仕込みフラスコ内を窒素雰囲気にした。
化合物（１５）：０．７ｇ（１．７４ｍｍｏｌ）
クロロホルム：３０ｍｌ
鉄粉：０．０５ｇ（０．９ｍｍｏｌ）
【０１１１】
次に、室温下で臭素１．１ｇ（１３．９ｍｍｏｌ）をゆっくり投入し、反応溶液を３時間攪拌した。次いで反応溶液を５０℃に加熱して４時間攪拌した。反応終了後、溶媒を減圧留去することで得られた析出物を、クロロホルムに溶解して、カラムクロマトグラフィー（充填材：シリカゲル、展開溶媒：クロロホルム／ヘプタン＝２／３）による精製を行った。次に、メタノールで再結晶することにより、化合物（１６）を１．１ｇ（収率８８％）得た。
【０１１２】
（合成例８）例示化合物Ｎｏ．１２１の合成
下記に示す化合物（１８）（例示化合物Ｎｏ．１２１）を、下記に示す反応により合成した。
【０１１３】
【化１５】
0005311785.tif 000017
【０１１４】
３００ｍｌの三ツ口フラスコに、以下に示す試薬、溶媒を仕込み、フラスコ内を窒素雰囲気にした。
化合物（１７）：１ｇ（１．４ｍｍｏｌ）
化合物（８）：３．６ｇ（８．６ｍｍｏｌ）
Ｐｄ（ＴＰＰ）4（テトラホスフィノパラジウム触媒）：０．４６ｇ（０．４ｍｍｏｌ）
炭酸ナトリウム飽和水溶液：４ｍｌ
トルエン：２０ｍｌ
エタノール：４ｍｌ
【０１１５】
次に、反応溶液を８５℃に保ちながら２４時間攪拌した。反応終了後、溶媒を減圧留去することで得られた析出物について、カラムクロマトグラフィー（充填材：シリカゲル、展開溶媒：ヘプタン／クロロホルム＝４／１）による精製を行った。次に、メタノールで再結晶することにより、目的化合物（１８）（例示化合物Ｎｏ．１２１）を０．６２ｇ（収率２７％）得た。
【０１１６】
（合成例９）化合物（２１）の合成
下記に示す化合物（２１）を、下記に示す反応により合成した。
【０１１７】
【化１６】
0005311785.tif 000018
【０１１８】
（ｉ）３００ｍｌの三ツ口フラスコに、フルオレン１．６ｇ（９．６ｍｍｏｌ）と脱水ジエチルエーテル５０ｍｌとを入れ、反応溶液を、窒素雰囲気下、ドライアイス／メタノール浴で−６０℃に冷却した。次に、ｎ−ＢｕＬｉ（１．６ｍｏｌ／ｌヘキサン溶液）７．２ｍｌ（１１．６ｍｍｏｌ）をゆっくり滴下し、滴下終了後、反応溶液をさらに５時間攪拌した。次に、反応溶液中にジフェニルジクロロシラン１．２ｇ（４．８ｍｍｏｌ）を投入し、０℃まで昇温してから４時間攪拌した。反応終了後、溶媒を減圧留去することで得られた析出物を、クロロホルムに溶解して、カラムクロマトグラフィー（充填材：シリカゲル、展開溶媒：クロロホルム／ヘプタン＝２／３）による精製を行った。次に、メタノールで再結晶することにより、化合物（１９）を１．９ｇ（収率７７％）得た。
【０１１９】
（ｉｉ）３００ｍｌの三ツ口フラスコに以下に示す試薬、溶媒を仕込み、フラスコ内を窒素雰囲気にした。
化合物（１９）：１．９ｇ（３．７ｍｍｏｌ）
ターシャリーブトキシナトリウム：０．８８ｇ（９．３ｍｍｏｌ）
ヨウ化エチル：１．４ｇ（９．３ｍｍｏｌ）
脱水ＤＭＦ（ジメチルホルムアミド）：５０ｍｌ
【０１２０】
次に、反応溶液を室温に保ちながら２４時間攪拌した。反応終了後、析出物をろ過し、クロロホルムに溶解して、カラムクロマトグラフィー（充填材：シリカゲル、展開溶媒：クロロホルム／ヘプタン＝１／４）による精製を行った。次に、メタノールで再結晶することにより、化合物（２０）を１．８ｇ（収率８６％）得た。
【０１２１】
（ｉｉｉ）２００ｍｌの三ツ口フラスコに、以下に示す試薬、溶媒を仕込み、フラスコ内を窒素雰囲気にした。
化合物（２０）：１．８ｇ（３．２ｍｍｏｌ）
クロロホルム：４０ｍｌ
鉄粉：０．０５ｇ（０．９ｍｍｏｌ）
【０１２２】
次に、室温下で臭素２．０ｇ（２５．３ｍｍｏｌ）をゆっくり投入した後、反応溶液を３時間攪拌した。次いで反応溶液を５０℃に加熱して７時間攪拌した。反応終了後、溶媒を減圧留去することで得られた析出物を、クロロホルムに溶解して、カラムクロマトグラフィー（充填材：シリカゲル、展開溶媒：クロロホルム／ヘプタン＝２／３）による精製を行った。次に、メタノールで再結晶することにより、化合物（２１）を２．３ｇ（収率８２％）得た。
【０１２３】
（合成例１０）例示化合物Ｎｏ．１１８の合成
下記に示す化合物（２２）（例示化合物Ｎｏ．１１８）を、下記に示す反応により合成した。
【０１２４】
【化１７】
0005311785.tif 000019
【０１２５】
３００ｍｌの三ツ口フラスコに、以下に示す試薬、溶媒を仕込み、フラスコ内を窒素雰囲気にした。
化合物（２１）：１ｇ（１．１ｍｍｏｌ）
化合物（６）：２．９ｇ（６．８ｍｍｏｌ）
Ｐｄ（ＴＰＰ）4（テトラホスフィノパラジウム触媒）：０．４６ｇ（０．４ｍｍｏｌ）
炭酸ナトリウム飽和水溶液：４ｍｌ
トルエン：２０ｍｌ
エタノール：４ｍｌ
【０１２６】
次に、反応溶液を８５℃に保ちながら２４時間攪拌した。反応終了後、溶媒を減圧留去することで得られた析出物について、カラムクロマトグラフィー（充填材：シリカゲル、展開溶媒：ヘプタン／クロロホルム＝４／１）による精製を行った。次に、メタノールで再結晶することにより、目的化合物（２２）（例示化合物Ｎｏ．１１８）を０．５５ｇ（収率２７％）得た。
【０１２７】
（合成例１１）化合物（２５）の合成
下記に示す化合物（２５）を、下記に示す反応により合成した。
【０１２８】
【化１８】
0005311785.tif 000020
【０１２９】
（ｉ）３００ｍｌの三ツ口フラスコに、フルオレン１．６ｇ（９．６ｍｍｏｌ）と脱水ジエチルエーテル５０ｍｌとを入れ、反応溶液を、窒素雰囲気下、ドライアイス／メタノール浴で−６０℃に冷却した。次に、ｎ−ＢｕＬｉ（１．６ｍｏｌ／ｌヘキサン溶液）７．２ｍｌ（１１．６ｍｍｏｌ）をゆっくり滴下し、滴下終了後、反応溶液をさらに５時間攪拌した。次に、反応溶液中にジフェニルジクロロゲルマン１．４ｇ（４．８ｍｍｏｌ）を投入し、０℃まで昇温して４時間攪拌した。反応終了後、溶媒を減圧留去することで得られる析出物を、クロロホルムに溶解して、カラムクロマトグラフィー（充填材：シリカゲル、展開溶媒：クロロホルム／ヘプタン＝２／３）による精製を行った。次に、メタノールで再結晶することにより、化合物（２３）を１．６８ｇ（収率６３％）得た。
【０１３０】
（ｉｉ）３００ｍｌの三ツ口フラスコに、以下に示す試薬、溶媒を仕込み、フラスコ内を窒素雰囲気にした。
化合物（２３）：１．６５ｇ（３．７ｍｍｏｌ）
ターシャリーブロキシナトリウム：０．７ｇ（７．４ｍｍｏｌ）
ヨウ化エチル：１．１５（７．４ｍｍｏｌ）
脱水ＤＭＦ（ジメチルホルムアミド）：５０ｍｌ
【０１３１】
次に、反応溶液を室温に保ちながら２４時間攪拌した。反応終了後、析出物をろ過し、クロロホルムに溶解して、カラムクロマトグラフィー（充填材：シリカゲル、展開溶媒：クロロホルム／ヘプタン＝１／４）による精製を行った。次に、メタノールで再結晶することにより、化合物（２４）を１．５ｇ（収率８２％）得た。
【０１３２】
（ｉｉｉ）２００ｍｌの三ツ口フラスコに、以下に示す試薬、溶媒を仕込み、フラスコ内を窒素雰囲気にした。
化合物（２４）：１．５ｇ（２．４ｍｍｏｌ）
クロロホルム：４０ｍｌ
鉄粉：０．０５ｇ（０．９ｍｍｏｌ）
【０１３３】
次に、室温下で臭素１．６ｇ（１９．６ｍｍｏｌ）をゆっくり投入した後、反応溶液を３時間攪拌した。次いで反応溶液を５０℃に加熱して７時間攪拌した。反応終了後、溶媒を減圧留去することで得られた析出物を、クロロホルムに溶解して、カラムクロマトグラフィー（充填材：シリカゲル、展開溶媒：クロロホルム／ヘプタン＝２／３）による精製を行った。次に、メタノールで再結晶することにより、化合物（２５）を１．４ｇ（収率６２％）得た。
【０１３４】
（合成例１２）例示化合物Ｎｏ．１２３の合成
下記に示す化合物（２７）（例示化合物Ｎｏ．１２３）を、下記に示す反応により合成した。
【０１３５】
【化１９】
0005311785.tif 000021
【０１３６】
３００ｍｌの三ツ口フラスコに、以下に示す試薬、溶媒を仕込み、フラスコ内を窒素雰囲気にした。
化合物（２６）：１ｇ（１．１ｍｍｏｌ）
化合物（８）：２．９ｇ（６．８ｍｍｏｌ）
Ｐｄ（ＴＰＰ）4（テトラホスフィノパラジウム触媒）：０．４６ｇ（０．４ｍｍｏｌ）
炭酸ナトリウム飽和水溶液：４ｍｌ
トルエン：２０ｍｌ
エタノール：４ｍｌ
【０１３７】
次に、反応溶液を８５℃に保ちながら２４時間攪拌した。反応終了後、溶媒を減圧留去することで得られた析出物について、カラムクロマトグラフィー（充填材：シリカゲル、展開溶媒：ヘプタン／クロロホルム＝４／１）による精製を行った。次に、メタノールで再結晶することにより、目的化合物（２７）（例示化合物Ｎｏ．１２３）を０．３３ｇ（収率１７％）得た。
【０１３８】
（実施例１）
図５に示される、例示化合物Ｎｏ．１０７を緑色燐光性材料に対するホストとして使用した有機発光素子を作製し、評価を行った。
【０１３９】
まずガラス基板（基板１）上に酸化錫インジウム（ＩＴＯ）をスパッタ法にて成膜し陽極２を形成した。このとき陽極２の膜厚を１２０ｎｍとした。次に陽極２が成膜されている基板を、アセトン、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）で順次超音波洗浄し、ＩＰＡで煮沸洗浄後、乾燥した。さらに、ＵＶ／オゾン洗浄した。このようにして処理した基板を透明導電性支持基板として使用した。
【０１４０】
次に、この透明導電性支持基板上に、ホール注入材料であるＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（Ｈ．Ｃ．Ｓｔａｒｋ社製，Ｂａｙｔｒｏｎ  Ｐ  ＡＩ  ４０８３）をスピンコートしてホール注入層７を形成した。このときホール注入層７の膜厚を３３０Åとした。
【０１４１】
次に、ホストである例示化合物Ｎｏ．１０７及びゲストである下記に示される緑色燐光材料を含むキシレン溶液を調製した。このキシレン溶液を調製する際に、溶質であるホスト及びゲストの全重量濃度を１．２重量％とし、ホストとゲストとの重量濃度比を９９：１とした。次に、調製したキシレン溶液をホール注入層７上に滴下し、１０００回転でスピンコートすることにより、発光層３を形成した。このとき発光層３の膜厚を６００Åとした。
【０１４２】
【化２０】
0005311785.tif 000022
【０１４３】
次に、発光層３上に、真空蒸着法で金属Ｃａを成膜することにより電子注入層８を形成した。このとき電子注入層８の膜厚を５０ｎｍとし、蒸着時の真空度を３×１０-6Ｔｏｒｒとし、Ｃａの成膜速度は０．５ｎｍ／ｓｅｃとした。
【０１４４】
次に、真空蒸着法で金属Ａｌを製膜することにより陰極４を形成した。このとき陰極４の膜厚を１００ｎｍとし、蒸着時の真空度を３×１０-6Ｔｏｒｒとし、Ａｌの成膜速度は２Å／ｓｅｃ乃至３Å／ｓｅｃとした。
【０１４５】
以上のようにして有機発光素子を得た。
【０１４６】
得られた素子について、ＩＴＯ電極を正極、Ａｌ電極を負極にして、電流密度が５ｍＡ／ｃｍ2の直流を流して素子を駆動したところ、輝度８００ｃｄ／ｍ2の緑色発光が得られた。
【０１４７】
（実施例２乃至実施例５）
実施例１において、発光層３のホストを例示化合物Ｎｏ．１０７に代えて、表１に示す化合物をそれぞれ使用した以外は、実施例１と同様の方法で素子を作製した。得られた素子について実施例１と同様に評価を行った。結果を表１に示す。
【０１４８】
（比較例１）
実施例１において、発光層のホストを例示化合物Ｎｏ．１０７に代えて、比較化合物であるポリフルオレン（Ｈ．Ｗ．Ｓａｎｄｓ社製、分子量７６，０００）とした以外は、実施例１と同様に素子を作製した。得られた素子について実施例１と同様に評価した。評価結果を表１に示す。
【０１４９】
【表１】
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【０１５０】
（実施例６）
図５に示される、例示化合物Ｎｏ．１１８を赤色燐光材料に対するホストとして使用した有機発光素子を作製し、評価を行った。
【０１５１】
まずガラス基板（基板１）上に酸化錫インジウム（ＩＴＯ）をスパッタ法にて成膜し陽極２を形成した。このとき陽極２の膜厚を１２０ｎｍとした。次にこのＩＴＯ膜付基板をアセトン、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）で順次超音波洗浄し、ＩＰＡで煮沸洗浄後、乾燥をした。さらに、ＵＶ／オゾン洗浄した。以上のように処理した基板を透明導電性支持基板として使用した。
【０１５２】
次に、この透明導電性支持基板上に、ホール注入材料であるＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（Ｈ．Ｃ．Ｓｔａｒｋ社製，Ｂａｙｔｒｏｎ  Ｐ  ＡＩ  ４０８３）をスピンコートしてホール注入層７を形成した。このときホール注入層７の膜厚を３３０Åとした。
【０１５３】
次に、ホストである例示化合物Ｎｏ．１１８及びゲストである下記に示される赤色燐光材料を含むキシレン溶液を調製した。このキシレン溶液を調製する際に、溶質であるホスト及びゲストの全重量濃度を１．２重量％とし、ホストとゲストとの重量濃度比を９９：１とした。次に、調製したキシレン溶液をホール注入層７上に滴下し、１０００回転でスピンコートすることにより、発光層３を形成した。このとき発光層３の膜厚を６００Åとした。
【０１５４】
【化２１】
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【０１５５】
次に、真空蒸着法により金属Ｃａを成膜し電子注入層８を形成した。このとき電子注入層８の膜厚を５０ｎｍとし、蒸着時の真空度を３×１０-6Ｔｏｒｒとし、Ｃａの成膜速度を０．５ｎｍ／ｓｅｃとした。次に、真空蒸着法により金属Ａｌを成膜し陰極４を形成した。このとき陰極４の膜厚を１００ｎｍとし、蒸着時の真空度を３×１０-6Ｔｏｒｒとし、Ａｌの成膜速度を２Å／ｓｅｃ乃至３Å／ｓｅｃとした。
【０１５６】
以上のようにして有機発光素子を得た。
【０１５７】
得られた有機発光素子について、ＩＴＯ電極を正極、Ａｌ電極を負極にして、電流密度が５ｍＡ／ｃｍ2である直流を流して素子を駆動したところ、輝度１９０ｃｄ／ｍ2の赤色発光が得られた。
【０１５８】
（実施例７）
実施例６において、発光層のホストを例示化合物Ｎｏ．１１８に代えて、例示化合物Ｎｏ．１２３とした以外は、実施例６と同様に素子を作製した。得られた素子について実施例６と同様に評価した。評価結果を表２に示す。
【０１５９】
（比較例２）
実施例６において、発光層のホストを例示化合物Ｎｏ．１１８に代えて、比較化合物であるポリフルオレン（Ｈ．Ｗ．Ｓａｎｄｓ社製、分子量７６，０００）とした以外は、実施例６と同様に素子を作製した。得られた素子について実施例６と同様に評価した。評価結果を表２に示す。
【０１６０】
【表２】
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【図面の簡単な説明】
【０１６１】
【図１】本発明の有機発光素子における第一の実施形態を示す断面図である。
【図２】本発明の有機発光素子における第二の実施形態を示す断面図である。
【図３】本発明の有機発光素子における第三の実施形態を示す断面図である。
【図４】本発明の有機発光素子における第四の実施形態を示す断面図である。
【図５】本発明の有機発光素子における第五の実施形態を示す断面図である。
【図６】本発明の有機発光素子における第六の実施形態を示す断面図である。
【図７】本発明の有機発光素子と駆動手段を備えた表示装置の一構成例を模式的に示した図である。
【図８】図７における表示装置に配置されている１つの画素を構成する回路の示す回路図である。
【図９】ＴＦＴ基板の断面構造の一例を示した模式図である。
【符号の説明】
【０１６２】
１  基板
２  陽極
３  発光層
４  陰極
５  ホール輸送層
６  電子輸送層
７  ホール注入層
８  電子注入層
９  ホール／エキシトンブロック層
１０，２０，３０，４０，５０，６０  有機発光素子
１００，１２０  表示装置
１０１  走査信号ドライバー
１０２  情報信号ドライバー
１０３  電流供給源
１０４，１１０  画素回路
１１１  第一の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
１１２  コンデンサー（Ｃadd）
１１３  第二の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
１２１  基板
１２２  防湿層
１２３  ゲート電極
１２４  ゲート絶縁膜
１２５  半導体膜
１２６  ドレイン電極
１２７  ソース電極
１２８  ＴＦＴ素子
１２９  絶縁膜
１３０  コンタクトホール（スルーホール）
１３１  陽極
１３２  有機層
１３３  陰極
１３４  第一の保護層
１３５  第二の保護層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
0005311785.tif 000032
【図５】
0005311785.tif 000033
【図６】
0005311785.tif 000034
【図７】
0005311785.tif 000035
【図８】
0005311785.tif 000036
【図９】
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