(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
製膜室内に配置された基板の一方の面側に接地電極を配設し、他方の面側に前記接地電極と対面する高周波電極を配設し、プラズマ放電によって前記基板の他方の面に薄膜を成膜するプラズマ装置であって、
前記高周波電極の前記基板に対面する側の面とは反対側の面に対面すると共に該高周波電極に接続され、外部から供給される高周波電力を前記高周波電極に給電する電源接続平板電極と、
前記成膜を行うためのガスを溜めるガス溜り部と、該ガス溜り部に溜まったガスを前記基板側に導出する複数の孔とを有する前記高周波電極とを具備し、
前記電源接続平板電極は、外部から供給される前記成膜を行うためのガスを前記高周波電極のガス溜り部に導入するガス流通孔を内部に形成したことを特徴とするプラズマ装置。
【請求項２】
前記高周波電極は、前記基板に対面する領域が複数に分割形成され、該分割形成された各々のセルが前記電源接続平板電極に対して着脱可能であることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ装置。
【請求項３】
前記電源接続平板電極に形成された前記ガス流通孔と外部に設けられた前記ガスの供給源とを接続し、一部に可撓性の管部が設けられたガス供給管を具備することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のプラズマ装置。
【請求項４】
前記電源接続平板電極に固定される間隔維持接続板と、
前記間隔維持接続板に設けられ、前記高周波電極を接続位置に位置決めする位置決め部とを具備することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のプラズマ装置。
【請求項５】
一方が開口し、前記高周波電極及び前記電源接続平板電極を内部に収める函体を具備し、
前記函体の開口に対向する前記接地電極と前記函体の側壁の開口側端部との間に前記基板を挟むことにより、該基板と前記函体とによって成膜空間を形成することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のプラズマ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、平行平板電極間に電圧を印加してプラズマを発生させる容量結合型のプラズマ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
反応容器内に原料ガスを導入し、プラズマを発生させ、原料ガスの分解、反応により薄膜を形成するプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装置は、半導体製造を始めとする薄膜形成に広く利用されている。特に平行平板電極間に電圧を印加してプラズマを発生させるいわゆる容量結合型プラズマＣＶＤ装置は、装置構成が簡単であることから、一般に利用されている。
【０００３】
図４は、従来の容量結合型のプラズマＣＶＤ装置の断面図である。このプラズマＣＶＤ装置１においては、真空容器２の内部に、高周波電源３及び整合回路４から給電線５を通して高周波電力が供給される高周波電極１０と、この高周波電極１０に対向する接地電極２０とが配置されている。
【０００４】
真空容器２と給電線５とは、互いに電気的に絶縁されている。なお、接地電極２０は、必ずしも接地電位である必要はなく、目的に応じて直流又は高周波電圧の印加が可能な構成が設けられている場合もある。
【０００５】
係るプラズマＣＶＤ装置１を用いて、基板１７の表面に薄膜を形成する手順としては、基板温度を成膜する際の温度に設定し、数種類の原料ガスを適当な流量比で混合した混合ガスを真空容器２内に流して適当な圧力で保持した後に、高周波電極１０に電力を供給し、高周波電極１０と接地電極２０との間の放電空間１５にプラズマを発生させて基板１７の表面に薄膜を形成する。例えば、種々の成膜条件で基板１７表面に多層膜を形成し、薄膜太陽電池等を製造する。
【０００６】
一方、従来のプラズマＣＶＤ装置として、反応ガスの導入側である高周波電極側にガス分散板を配置することにより、第１及び第２のガス溜りを設けて反応ガスの不均一供給を防止するようにした構成のものが考えられている（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平６−１５１４１１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、近年、大型基板上に薄膜を形成する大面積成膜技術は急速に進歩しており、プラズマＣＶＤ装置において、生産性の向上を目的とした大面積基板上へ薄膜を形成する大面積成膜技術の研究もなされている。
【０００８】
基板のサイズとして例えば１辺が１ｍ以上となるような大面積成膜工程では、膜厚の均一性を得るため、反応容器の容積、基板の面積、成膜速度に合ったガス流量を制御し制度よく導入して成膜面内に混合ガスを均等に等配し、均等に排気し、広い成膜面上にガス流れの偏移がないことが重要であり、電極面から混合ガスをシャワー状に噴出させる供給方式が用いられている。
【０００９】
しかしながら、装置レイアウト上、反応容器外から混合ガスを電極に導くガス経路を確保することになるが、基板が大型化してガス経路が長くなる場合、耐食性のある金属細管を用い、また絶縁が必要な場合は絶縁細管によりガス経路を確保する必要がある。このようにガス経路を確保すると、電極の近傍に細管が這うこととなり、電極と細管との間において電磁波が影響して高周波電位の均一性が損なわれ、放電分布が悪化し、この結果、膜厚の均一性が低下する問題があった。
【００１０】
また、基板のサイズが大型化して成膜面積が大面積になると、成膜に必要な混合ガスの流量が増加し、未分解生成物であるパウダーが増える傾向にあり、高周波電極の裏面にパウダーが多く堆積する。従って、平行平板電極方式のプラズマＣＶＤ装置において、安定した成膜を行うためには、電極交換、反応室内のパウダー除去等のメンテナンスが不可欠となる。
【００１１】
しかしながら、電極面積は、成膜面積に比例して大きくなり、大面積成膜の場合は、電極面積も大面積となって重量が増加し、メンテナンスの施工性が悪くなるという問題があった。
【００１２】
このように、基板のサイズが大型化すると、膜厚の均一性の低下やメンテナンス性の低下といった問題が生じることとなった。
【００１３】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、成膜対象である基板の大型化に伴う問題点を解決し得るプラズマ装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明のプラズマ装置は、製膜室内に配置された基板の一方の面側に接地電極を配設し、他方の面側に前記接地電極と対面する高周波電極を配設し、プラズマ放電によって前記基板の他方の面に薄膜を成膜するプラズマ装置であって、前記高周波電極の前記基板に対面する側の面とは反対側の面に対面すると共に該高周波電極に接続され、外部から供給される高周波電力を前記高周波電極に給電する電源接続平板電極と、前記成膜を行うためのガスを溜めるガス溜り部と、該ガス溜り部に溜まったガスを前記基板側に導出する複数の孔とを有する前記高周波電極とを具備し、前記電源接続平板電極は、外部から供給される前記成膜を行うためのガスを前記高周波電極のガス溜り部に導入するガス流通孔を内部に形成したことを特徴とする。
【００１５】
この構成によれば、高周波電極に対面する電源接続平板電極の内部にガス流通路を形成することにより、基板に成膜された膜厚の均一性を保つことができる。
【００１６】
また本発明は、上記プラズマ装置において、前記高周波電極は、前記基板に対面する領域が複数に分割形成され、該分割形成された各々のセルが前記電源接続平板電極に対して着脱可能であることを特徴とする。
【００１７】
この構成によれば、高周波電極が複数のセルに分割され、その各々のセルが取り外し可能となっていることにより、各セルの重量は、高周波電極全体の重量よりも軽くなる。これにより、高周波電極を取り外してメンテナンスを行う際には、全体に比べて軽量のセルごとに取り外すことができ、取り扱いが容易になる。
【００１８】
また本発明は、上記プラズマ装置において、前記電源接続平板電極に形成された前記ガス流通孔と外部に設けられた前記ガスの供給源とを接続し、一部に可撓性の管部が設けられたガス供給管を具備することを特徴とする。
【００１９】
この構成によれば、電源接続平板電極とガスの供給源とを接続するガス供給管の一部を可撓性の管部としたことにより、構成部品の熱膨張によってガス供給管が破損することを防止することができる。
【００２０】
また本発明は、上記プラズマ装置において、前記電源接続平板電極に固定される間隔維持接続板と、前記間隔維持接続板に設けられ、前記高周波電極を接続位置に位置決めする位置決め部とを具備することを特徴とする。
【００２１】
この構成によれば、間隔維持接続板を介して、高周波電極を電源接続平板電極に接続すると共に、間隔維持接続板に高周波電極の位置決め用の位置決め部を設けることにより、高周波電極の着脱を容易に行うことができる。
【００２２】
また本発明は、上記プラズマ装置において、一方が開口し、前記高周波電極及び前記電源接続平板電極を内部に収める函体を具備し、前記函体の開口に対向する前記接地電極と前記函体の側壁の開口側端部との間に前記基板を挟むことにより、該基板と前記函体とによって成膜空間を形成することを特徴とする。
【００２３】
この構成によれば、未分解物質であるパウダーが函体の内部に溜ることとなり、メンテナンス性を一段と向上することができる。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、成膜対象である基板の大型化に伴う問題点を解決し得るプラズマ装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、本発明の一実施の形態について添付図面を参照して詳細に説明する。
（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施の形態に係るプラズマＣＶＤ装置１００を示す断面図である。このプラズマＣＶＤ装置１００は、アモルファスＳｉや微結晶Ｓｉ等のＳｉ系薄膜を基板１７上に堆積させることにより、薄膜Ｓｉ系太陽電池を製造する容量結合型の平行平板電極方式のプラズマＣＶＤ装置である。
【００２６】
このプラズマＣＶＤ装置１００においては、真空容器１０２の内部に、高周波電源１０３及び整合回路１０４から給電線１０５を介して高周波電力が供給される高周波電極１１０と、この高周波電極１１０に対向する接地電極１２０とが配置されている。
【００２７】
真空容器１０２と給電線１０５とは、互いに電気的に絶縁されている。なお、接地電極１２０は、必ずしも接地電位である必要はなく、目的に応じて直流又は高周波電位の印加が可能な構成が設けられる場合もある。
【００２８】
給電線１０５と高周波電極１１０との間には、電源接続平板電極１０６が設けられている。この電源接続平板電極１０６は、全体が平板状に形成されており、一方の主面１０６ａに給電線１０５が接続され、他方の主面１０６ｂの中心部には、間隔維持接続板１４０が固定され、この間隔維持接続板１４０を介して高周波電極１１０が接続されている。また、電源接続平板電極１０６の内部には、その端面１０６ｃから中心部に向かってガス流通孔１３１が形成されている。端面１０６ｃ及び主面１０６ｂの中心部には、ガス流通孔１３１の開口部１０６ｄ及び１０６ｅが形成されている。
【００２９】
開口部１０６ｄには、絶縁体からなる絶縁筒１０８が接続されており、この絶縁筒１０８には、空容器１０２の外部から供給される混合ガスの流路である可撓性のある円筒管１０９が接続されている。これにより、外部から供給された混合ガスは、円筒管１０９及び絶縁筒１０８を介して、電源接続平板電極１０６内のガス流通孔１３１に導入されるようになっている。なお、円筒管１０９は円筒部材であるが、図１においては、これを簡略的に線によって示している。
【００３０】
また、電源接続平板電極１０６の主面１０６ｂの中心部には、ガス流通孔１３１の開口部１０６ｅを覆う位置に、外形が略円板形状に形成された間隔維持接続板１４０が固定されている。この固定された間隔維持接続板１４０と電源接続平板電極１０６の主面１０６ｅとの間には、間隙１３５が形成されるようになっている。また、間隔維持接続板１４０の電源接続平板電極１０６との接続側の面には、凹状のガス共通路１４１が形成されている。このガス共通路１４１は、間隔維持接続板１４０の外形（円板形状）に沿った円環状に形成されており、その一部には、間隔維持接続板１４０の他方の面に連通する複数のガス導入孔１４２が等間隔で形成されている。これにより、外部からガス流通孔１３１に導入された混合ガスは、電源接続平板電極１０６の主面１０６ｂの開口部１０６ｅ、電源接続平板電極１０６と間隔維持接続板１４０との間に形成された間隙１３５、間隔維持接続板１４０のガス共通路１４１を介してガス導入孔１４２に導入されるようになされている。ガス導入孔１４２に導入された混合ガスは、間隔維持接続板１４０に接続された高周波電極１１０に導入される。
【００３１】
すなわち、高周波電極１１０は、裏面平板電極１１０ａと表面平板電極１１０ｂとが枠状の中間電極１１０ｃを介して接続された構成を有しており、裏面平板電極１１０ａと表面平板電極１１０ｂとの間に形成されると共に周囲を中間電極１１０ｃによって封止された間隙によってガス溜り部１１１を形成するようになっている。
【００３２】
間隔維持接続板１４０においては、高周波電極１１０を接続する面に円柱形状の案内突起１４３が複数形成されており、高周波電極１１０の中間電極１１０ｃに形成されている位置決め孔１１２に挿入されることによって、間隔維持接続板１４０と高周波電極１１０との接続位置を決めるようになっている。また、高周波電極１１０の裏面平板電極１１０ａには、間隔維持接続板１４０と高周波電極１１０との接続位置が決められた状態において、間隔維持接続板１４０のガス導入孔１４２と連通する位置にガス導入孔１１３が形成されており、ガス導入孔１４２に導入された混合ガスを、ガス導入孔１１３を介して、高周波電極１１０のガス溜り部１１１に導入するようになっている。
【００３３】
高周波電極１１０の表面平板電極１１０ｂには、複数の吹出し孔１１４が形成されており、ガス溜り部１１１に溜まった混合ガスは、この吹出し孔１１４を介して、表面平板電極１１０ｂに対向する接地電極１２０側に吹き出すようになっている。このように、複数の吹出し孔１１４が形成されていることにより、混合ガスは、この複数の吹出し孔１１４から真空容器１０２内に等配して導入されることになる。
【００３４】
接地電極１２０には、図示しない搬送手段によって基板１７が配置されており、複数の吹出し孔１１４から等配して吹出された混合ガスが基板１７の表面に均等に付着する。これにより、混合ガスにより基板１７に形成される薄膜は均一な膜厚となる。
【００３５】
次に、高周波電極１１０の詳細な構成について説明する。本実施の形態のプラズマＣＶＤ装置１００においては、複数の吹出し孔１１４が形成され、接地電極１２０に対面する高周波電極１１０が複数に分割可能となっている。
【００３６】
すなわち、図２は、高周波電極１１０及びこの裏面側に設けられる電源接続平板電極１０６を示す斜視図である。図２に示すように、高周波電極１１０は、外形が四角形の平板状に構成されており、複数のセル１１５ａ、１１５ｂ、１１５ｃ及び１１５ｄに分割されている。各セル１１５ａ、１１５ｂ、１１５ｃ及び１１５ｄは、それぞれ裏面平板電極１１０ａ、表面平板電極１１０ｂ及び中間電極１１０ｃによって構成されており、角部には、間隔維持接続板１１０の案内突起１４３を挿入するための位置決め孔１１２が設けられている。この位置決め孔１１２に対してそれぞれ案内突起１４３を挿入することにより、これら複数のセル１１５ａ、１１５ｂ、１１５ｃ及び１１５ｄは、外形が全体として１枚の平板状となるように間隔維持接続板１４０に接続される。
【００３７】
各セル１１５ａ、１１５ｂ、１１５ｃ及び１１５ｄにおいては、裏面平板電極１１０ａと表面平板電極１１０ｂとが枠状の中間電極１１０ｃを介して接続された構成を有しており、裏面平板電極１１０ａと表面平板電極１１０ｂとの間に形成されると共に周囲を中間電極１１０ｃによって封止された間隙によってガス溜り部１１１をそれぞれ形成するようになっている。このガス溜り部１１１は、各セル１１５ａ、１１５ｂ、１１５ｃ及び１１５ｄにおいてそれぞれ独立した空間を形成するようになっており、それぞれのガス溜り部１１１に対応して、間隔維持接続板１４０のガス導入孔１４２及び裏面平板電極１１０ａのガス導入孔１１３が設けられている。従って、各セル１１５ａ、１１５ｂ、１１５ｃ及び１１５ｄのガス溜り部１１１には、それぞれのガス導入孔１４２、１１３を介して混合ガスが導入されるようになっている。
【００３８】
なお、本実施の形態の場合、各セル１１５ａ、１１５ｂ、１１５ｃ及び１１５ｄの各位置決め孔１１２に間隔維持接続板１４０の案内突起１４３を挿入した状態において、この案内突起１４３に形成されているねじ孔にねじ１１６（図１）を螺合することにより、各セル１１５ａ、１１５ｂ、１１５ｃ及び１１５ｄを間隔維持接続板１４０に固定するようになっている。従って、各セル１１５ａ、１１５ｂ、１１５ｃ及び１１５ｄは、間隔維持接続板１４０に対して、ねじ１１６によって簡単に着脱することが可能となっている。
【００３９】
高周波電極１１０への高周波電圧の印加は、高周波電源１０３から整合回路１０４、給電線１０５、電源接続平板電極１０６及び間隔維持接続板１４０を介して行われる。
【００４０】
以上説明したプラズマＣＶＤ装置１００において、基板１７の表面に薄膜を形成する手順を説明する。まず、真空容器２内を図示しない排気機構によってある程度の真空まで真空引きを行い、その後に必要に応じて、接地電極１２０上の基板１７を加熱するヒータ（図示せず）によって基板１７を加熱する。真空引き直後の場合には、真空容器２の内壁面や基板１７の表面等に水分等が吸着している場合が多く、これらの不純物が十分に脱ガスされない状態で薄膜形成を行うと、膜中に大量の不純物が含まれてしまい、膜質の低下につながることとなる。そこで、真空容器２内の脱ガスを促進する目的で薄膜形成前に円筒管１０９及び絶縁筒１０８を介してガスを導入し、図示しない圧力制御器と図示しない原料ガス排気ラインによって真空容器２内を一定の圧力に保持したまま真空容器２内の加熱（ベーキング）を行う。
【００４１】
ベーキング中に流すガスは、Ｈ２等のような熱伝導性が比較的良いガス、Ｈｅ、Ａｒ等の不活性ガス、あるいは成膜を行う際に流す原料ガス等を採用する。脱ガス後に、基板１７の温度を成膜する際の温度に設定し、数種類の原料ガスを適当な流量比で混合した混合ガスを、円筒管１０９及び絶縁筒１０８を介して電源接続平板電極１０６の内部のガス流通孔１３１に所定の圧力で導入する。ガス流通孔１３１に導入された混合ガスは、間隔維持接続板１４０のガス共通路１４１、ガス導入孔１４２及び裏面平板電極１１０ａのガス導入孔１１３を介して、高周波電極１１０の各セル１１５ａ、１１５ｂ、１１５ｃ及び１１５ｄのガス溜り部１１１に導入される。
【００４２】
各セル１１５ａ、１１５ｂ、１１５ｃ及び１１５ｄのガス溜り部１１１に導入された混合ガスは、ここで一時滞留した後、各セル１１５ａ、１１５ｂ、１１５ｃ及び１１５ｄの表面平板電極１１０ｂに形成された複数の吹出し孔１１４から成膜室（真空容器１０２内の高周波電極１１０と接地電極１２０との間に形成される空間）に均等に導入される。この状態において、高周波電極１１０に電力を供給し、高周波電極１１０と接地電極１２０との間の放電空間にプラズマを発生させて基板１７の表面に薄膜を形成する。これにより、例えば、種々の成膜条件で基板１７表面に多層膜を形成し、薄膜太陽電池等を製造することができる。
【００４３】
本実施の形態のプラズマＣＶＤ装置１００においては、混合ガスを導入するための円筒管１０９として可撓のある管を途中に設けることにより、高周波電極１１０及び電源接続平板電極１０６が加熱された際に、絶縁筒１０８自体の線膨張及び他の構成部品の線膨張によって絶縁筒１０８が損傷することが防止される。
【００４４】
また、高周波電極１１０に対面する電源接続平板電極１０６の内部にガス流通路１３１を形成したことにより、従来（図４）に示したように、混合ガスを導入するための金属管９を高周波電極の近傍に這うように設ける場合に比べて、この金属管９を省いたことによる高周波電極１１０と金属管９との間の電磁波による影響が減少する。これにより、高周波電位の均一性が維持され、基板１７に成膜される膜厚が均一になる。
【００４５】
また、高周波電極１１０を複数のセル１１５ａ、１１５ｂ、１１５ｃ及び１１５ｄに分割し、個別に間隔維持接続板１４０に着脱自在に構成したことにより、着脱可能な各セル１１５ａ、１１５ｂ、１１５ｃ及び１１５ｄの個々の重量は、高周波電極１１０全体の重量よりも格段に軽量化される。これにより、電極交換や反応室（真空容器１０２）内の未分解生成物であるパウダー除去等のメンテナンスが容易になり、保守時間も短縮する。
【００４６】
また、ガス流通孔１３１が形成された電源接続平板電極１０６に対して、高周波電極１１０の各セル１１５ａ、１１５ｂ、１１５ｃ及び１１５ｄを取り外し可能な構成としたことにより、配管の着脱といった煩雑な作業を行うことなく、電極部分（セル１１５ａ、１１５ｂ、１１５ｃ及び１１５ｄ）のみを容易に取り外すことができ、メンテナンス性を向上することが可能となる。
【００４７】
また、平板状の電源接続平板電極１０６にガス流通孔１３１を形成して、混合ガスを高周波電極１１０の各セル１１５ａ、１１５ｂ、１１５ｃ及び１１５ｄに供給する構成としたことにより、電源接続平板電極１０６内であればどのようにガス流通路１３１を形成しても、成膜の均一性に影響を与えることがなくなるので、各セル１１５ａ、１１５ｂ、１１５ｃ及び１１５ｄへの混合ガスの導入位置の決定に自由度を与えることが可能となる。
【００４８】
（第２の実施の形態）
図３は、本発明の第２の実施の形態に係るプラズマＣＶＤ装置２００を示す断面図である。本実施の形態のプラズマＣＶＤ装置２００は、第１の実施の形態のプラズマＣＶＤ装置１００に比べて、基板１７自体で封止される反応室２０１を形成する点が異なる。従って、図３においては、図１との対応部分には同一符号を付して、重複した説明を省略する。
【００４９】
図３に示すように、プラズマＣＶＤ装置２００においては、真空容器１０２内の電源接続平板電極１０６が、枠体２０６及び絶縁枠２０７によって真空容器１０２に固定されている。枠体１０６は、真空容器１０２の接地電位と同電位である。電源接続平板電極１０６は、真空シールを介して絶縁枠２０７に固定されている。
【００５０】
接地電極１２０は、図示しないアクチュエータによって、矢印ｂ方向及びこれとは反対方向に移動可能となっている。接地電極１２０を矢印ｂ方向に移動させ、枠体２０６と接地電極１２０とによって、基板１７の周囲を挟むことにより、基板１７、枠体２０６、絶縁枠２０７及び電源接続平板電極１０６によって反応室２０１が形成される。この反応室２０１は、真空容器１０２内の他の空間から隔離された空間となる。
【００５１】
このように、プラズマＣＶＤ装置２００においては、隔離された反応室２０１が形成されることにより、基板１７に薄膜を成膜するために必要な空間を狭くすることができ、未分解生成物であるパウダーが反応室２０１にまとまるため、パウダー除去の保守時間の短縮が図られる。
【００５２】
（他の実施の形態）
上述の第１及び第２の実施の形態においては、高周波電極１１０の各セル１１５ａ、１１５ｂ、１１５ｃ及び１１５ｄにそれぞれ１つのガス溜り部１１１を形成する場合について述べたが、本発明はこれに限られるものではなく、各セル１１５ａ、１１５ｂ、１１５ｃ及び１１５ｄにそれぞれ表面平板電極１１０ｂと同様に複数の孔が形成された平板を設けることにより、各セル１１５ａ、１１５ｂ、１１５ｃ及び１１５ｄにそれぞれ複数段のガス溜り部を形成するようにしてもよい。このようにすれば、一段と均等混合ガスを吹き出して、基板１７に均一な薄膜を成膜することができる。
【００５３】
また、上述の第１及び第２の実施の形態においては、１つの真空容器１０２内に一組の高周波電極１１０及び接地電極１２０を設ける場合について述べたが、本発明はこれに限られるものではなく、高周波電極１１０及び接地電極１２０を複数組設け、給電線１０５をその組数設置し、これら複数の給電線をそれぞれ高周波電極１１０に接続するようにしてもよい。
【００５４】
また、上述の第１及び第２の実施の形態においては、高周波電極１１０を４つのセル（１１５ａ、１１５ｂ、１１５ｃ及び１１５ｄ）に分割する場合について述べたが、分割数はこれに限られるものではなく、種々の分割数で分割することができる。
【００５５】
また、上述の第１及び第２の実施の形態においては、本発明をプラズマＣＶＤ装置１００、２００に適用する場合について述べたが、本発明はこれに限られるものではなく、例えばプラズマエッチング装置等、要はプラズマを発生させるための高周波電極及び接地電極とガスを導入するための手段とが必要なプラズマ装置に広く適用することができる。
さらに、本発明の範囲を逸脱しない限りにおいて、適宜変更して実施することが可能である。
【産業上の利用可能性】
【００５６】
本発明は、基板上に薄膜を成膜して薄膜太陽電池を製造する場合に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係るプラズマＣＶＤ装置を示す断面図
【図２】図１のプラズマＣＶＤ装置の高周波電極及び電源接続平板電極を示す斜視図
【図３】本発明の第２の実施の形態に係るプラズマＣＶＤ装置を示す断面図
【図４】従来のプラズマＣＶＤ装置を示す断面図
【符号の説明】
【００５８】
１、１００、２００…プラズマＣＶＤ装置、２、１０２…真空容器、３、１０３…高周波電源、４、１０４…整合回路、５、１０５…給電線、９…金属管、１０、１１０…高周波電極、１５…放電空間、１７…基板、２０、１２０…接地電極、１０６…電源接続平板電極、１０８…絶縁筒、１０９…円筒管、１１０ａ…裏面平板電極、１１０ｂ…表面平板電極、１１０ｃ…中間電極、１１１…ガス溜り部、１１２…位置決め孔、１１３、１４２…ガス導入孔、１１４…吹出し孔、１１５ａ、１１５ｂ、１１５ｃ、１１５ｄ…セル、１１６…ねじ、１３１…ガス流通孔、１４０…間隔維持接続板、１４１…ガス共通路、１４３…案内突起
【図１】
0005119830.tif 000002
【図２】
0005119830.tif 000003
【図３】
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【図４】
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