(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、結晶方位を示すノッチが外縁部に形成されたベースウェーハとボンドウェーハを前記ベースウェーハとボンドウェーハのそれぞれのノッチを利用して所望の回転角度で貼り合わせ、前記ボンドウェーハを薄膜化して製造された貼り合わせウェーハの前記ベースウェーハと前記ボンドウェーハとの回転角度を測定する方法であって、
前記薄膜化され、前記ベースウェーハよりも小径となったボンドウェーハの輪郭を観測し、
該観測したボンドウェーハの輪郭を利用して前記貼り合わせウェーハの中心からみた前記ボンドウェーハのノッチの位置方向を算出し、
該算出したボンドウェーハのノッチの位置方向と前記ベースウェーハのノッチの位置方向とのなす角度を算出し、
前記ベースウェーハと前記ボンドウェーハとの回転角度を測定することを特徴とする貼り合わせウェーハの回転角度の測定方法。
【請求項２】
前記薄膜化されたボンドウェーハの輪郭の観測はパーティクルカウンターを使用することを特徴とする請求項１に記載の貼り合わせウェーハの回転角度の測定方法。
【請求項３】
前記ボンドウェーハのノッチの位置方向を算出する際、前記貼り合わせウェーハの中心から前記ボンドウェーハの輪郭までの距離が最短となる位置方向を前記ボンドウェーハのノッチの位置方向として算出することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の貼り合わせウェーハの回転角度の測定方法。
【請求項４】
前記ボンドウェーハのノッチの位置方向を算出する際、前記ボンドウェーハの輪郭において凸から凹へ変化する２つの変極点を算出し、前記貼り合わせウェーハの中心からみた前記２つの変極点の中点の位置方向を前記ボンドウェーハのノッチの位置方向として算出することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の貼り合わせウェーハの回転角度の測定方法。
【請求項５】
前記ボンドウェーハのノッチの位置方向を算出する際、前記ボンドウェーハの輪郭に接する接線のうち、該接線と前記ボンドウェーハの輪郭の交点と、前記接線の接点との距離が等しい２本の接線を選択し、前記貼り合わせウェーハの中心からみた前記２本の接線の交点の位置方向を前記ボンドウェーハのノッチの位置方向として算出することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の貼り合わせウェーハの回転角度の測定方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ベースウェーハとボンドウェーハとがそれぞれの有するノッチを利用して、所望の回転角度で貼り合わせられた貼り合わせウェーハ、特にはイオン注入剥離法等により製造されたＳＯＩウェーハの測定方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
２枚のシリコンウェーハを貼り合わせた貼り合わせウェーハの１つに、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）ウェーハがある。このＳＯＩウェーハは、絶縁膜であるシリコン酸化膜の上にシリコン層（以下、ＳＯＩ層と呼ぶことがある）を形成した貼り合わせウェーハであり、デバイス作製領域となる基板表層部のＳＯＩ層が埋め込み絶縁層（埋め込み酸化膜層（ＢＯＸ層））により基板内部と電気的に分離されているため、寄生容量が小さく、耐放射性能力が高いなどの特徴を有する。そのため、高速・低消費電力動作、ソフトエラー防止などの効果が期待され、高性能半導体素子用の基板として有望視されている。
【０００３】
このようなＳＯＩウェーハ等の貼り合わせウェーハは、例えばシリコン単結晶からなるボンドウェーハとベースウェーハのうちの少なくとも一方の表面に熱酸化膜を形成した後、この形成した熱酸化膜を介して２枚のウェーハを密着させ、結合熱処理を施すことによって結合力を高め、その後にボンドウェーハを研削や鏡面研磨により薄膜化してＳＯＩ層とすることによって製造される。
【０００４】
一方、ボンドウェーハを薄膜化する方法として、研削・研磨による方法のほか、貼り合わせる前のボンドウェーハに予め水素イオンなどのイオン注入層を形成しておき、ベースウェーハと貼り合わせた後にそのイオン注入層で剥離することによりボンドウェーハを薄膜化する方法がある。このイオン注入剥離法は、作製されるＳＯＩ層の膜厚を薄く、かつ膜厚均一性を極めて優れたものとすることができるため、盛んに使用されるようになってきている。
【０００５】
上記のように貼り合わせウェーハを製造する際、準備されるベースウェーハ、ボンドウェーハには、その結晶方位を示すためにウェーハの外縁部にオリエンテーションフラット（ＯＦ）や切り欠け（ノッチ）を入れる。このＯＦやノッチは、デバイス製造においてマスク合わせ等の位置の基準に使われている。特に直径が３００ｍｍ以上のウェーハには、ＯＦの場合、チョクラルスキー法で作製されたインゴットを円筒研削する時、削られる面積が大きくなってしまうため、近年ではノッチを形成することが多い。
【０００６】
そして、ＭＯＳトランジスター等のデバイス特性を向上させるため、材料となる貼り合わせウェーハを製造する際に、ボンドウェーハの結晶方位をデバイスパターン形成にあうようにベースウェーハに貼り付けることがある。その際、ベースウェーハとボンドウェーハに形成されている結晶方位の指標であるノッチを利用し、２つのノッチの先端が一致するように貼り合わせたり、ベースウェーハとボンドウェーハのノッチをたとえば４５°等所定の角度回転させて貼り合わせたりするといった技術がある（例えば、特許文献１参照）。
【０００７】
しかし、貼り合わせウェーハの製造においてベースウェーハとボンドウェーハのノッチの回転角度を調整して貼り合わせても、正確に２枚のウェーハが貼り合わないことがあった。その代表的なものはノッチズレといわれている回転角度のズレである。
所望の回転角度よりも角度がずれてボンドウェーハが貼り付けられた貼り合わせウェーハがデバイス製造工程に流れると、ノッチズレによる結晶方位等の違いにより、エッチング、パターン形成等でばらつき、デバイス特性が変わってしまうという危険性があった。
この様な危険性を回避するためには、貼り合わせ後にノッチの回転角度を１枚ずつ測定し、ノッチズレが起こっている貼り合わせウェーハを特定し、その回転角度のズレ量を測定できればよいが、貼り合わせウェーハの製造ライン中で正確にベースウェーハとボンドウェーハのノッチの回転角度を測定する方法はなかった。
【０００８】
【特許文献１】特開２００２−１３４３７４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、このような問題点に鑑みてなされたもので、貼り合わせウェーハの製造ライン中でベースウェーハとボンドウェーハのノッチの回転角度を正確且つ簡単に測定できる貼り合わせウェーハの回転角度の測定方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するため、本発明は、少なくとも、結晶方位を示すノッチが外縁部に形成されたベースウェーハとボンドウェーハを前記ベースウェーハとボンドウェーハのそれぞれのノッチを利用して所望の回転角度で貼り合わせ、前記ボンドウェーハを薄膜化して製造された貼り合わせウェーハの前記ベースウェーハと前記ボンドウェーハとの回転角度を測定する方法であって、前記薄膜化され、前記ベースウェーハよりも小径となったボンドウェーハの輪郭を観測し、該観測したボンドウェーハの輪郭を利用して前記貼り合わせウェーハの中心からみた前記ボンドウェーハのノッチの位置方向を算出し、該算出したボンドウェーハのノッチの位置方向と前記ベースウェーハのノッチの位置方向とのなす角度を算出し、前記ベースウェーハと前記ボンドウェーハとの回転角度を測定することを特徴とする貼り合わせウェーハの回転角度の測定方法を提供する（請求項１）。
【００１１】
このように本発明では、薄膜化されたボンドウェーハの輪郭を観測し、該観測したボンドウェーハの輪郭を利用して貼り合わせウェーハの中心からみたボンドウェーハのノッチの位置方向を算出し、該算出したボンドウェーハのノッチの位置方向とベースウェーハのノッチの位置方向とのなす角度を算出し、貼り合わせウェーハの具備するベースウェーハとボンドウェーハとの回転角度を測定することにより、貼り合わせウェーハの製造ライン中でボンドウェーハの輪郭を観測するだけであとは、計算により貼り合わせウェーハの具備するベースウェーハとボンドウェーハとの回転角度を正確且つ簡単に測定できる。
【００１２】
また、本発明のように貼り合わせウェーハの具備するベースウェーハとボンドウェーハとの回転角度を貼り合わせウェーハの製造ライン中で正確に測定できるので、回転角度の測定に費やす時間を短縮でき、貼り合わせウェーハの生産性を向上させることができる。その上、貼り合わせウェーハの具備するベースウェーハとボンドウェーハとの回転角度を正確に知ることができるので、製造された貼り合わせウェーハをデバイス製造で使用する際、ノッチの回転角度を知ることによってデバイス製造においてもその特性、及び歩留の向上につながる。
【００１３】
この場合、前記薄膜化されたボンドウェーハの輪郭の観測はパーティクルカウンターを使用することが好ましい（請求項２）。
このように、薄膜化されたボンドウェーハの輪郭を観測する際、その観測にパーティクルカウンターを使用することにより、ボンドウェーハの薄膜化後に貼り合わせウェーハのパーティクル測定をすると同時に、貼り合わせウェーハの具備するベースウェーハとボンドウェーハの回転角度の測定をすることができるので、より貼り合わせウェーハ製造にかかる時間を短縮することができる。
【００１４】
そして、前記ボンドウェーハのノッチの位置方向を算出する際、前記貼り合わせウェーハの中心から前記ボンドウェーハの輪郭までの距離が最短となる位置方向を前記ボンドウェーハのノッチの位置方向として算出することができ（請求項３）、また、前記ボンドウェーハの輪郭において凸から凹へ変化する２つの変極点を算出し、前記貼り合わせウェーハの中心からみた前記２つの変極点の中点の位置方向を前記ボンドウェーハのノッチの位置方向として算出することもでき（請求項４）、さらには、前記ボンドウェーハの輪郭に接する接線のうち、該接線と前記ボンドウェーハの輪郭の交点と、前記接線の接点との距離が等しい２本の接線を選択し、前記貼り合わせウェーハの中心からみた前記２本の接線の交点の位置方向を前記ボンドウェーハのノッチの位置方向として算出することもできる（請求項５）。
【００１５】
このように、ボンドウェーハのノッチの位置方向を算出する際、貼り合わせウェーハの中心からボンドウェーハの輪郭までの距離が最短となる位置方向をボンドウェーハのノッチの位置方向として算出したり、ボンドウェーハの輪郭において凸から凹へ変化する変極点を２点算出し、貼り合わせウェーハの中心からみた２つの変極点の中点の位置方向をボンドウェーハのノッチの位置方向として算出したり、ボンドウェーハの輪郭に接する接線のうち、該接線とボンドウェーハの輪郭の交点と、接線の接点との距離が等しい２本の接線を選択し、貼り合わせウェーハの中心からみた２本の接線の交点の位置方向をボンドウェーハのノッチの位置方向として算出したりすれば、簡単且つ正確に貼り合わせウェーハの具備するベースウェーハとボンドウェーハとの回転角度を算出することができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の貼り合わせウェーハの回転角度の測定方法であれば、貼り合わせウェーハの製造ライン中でベースウェーハとボンドウェーハのノッチの回転角度を正確且つ簡単に測定でき、さらにこれによって、貼り合わせウェーハの製造において回転角度の測定にかかる時間を短縮でき、デバイス製造においてもその特性、及び歩留の向上につながる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
従来、貼り合わせウェーハの製造においてベースウェーハとボンドウェーハとを貼り合わせる工程では、所望の位置で正確に２枚のウェーハが貼り合わないことがあり、その１つとしてノッチズレといわれている角度方向のズレが知られている。ノッチは、ウェーハの結晶方位の指標であるため、ボンドウェーハを貼り付けた時にベースウェーハのノッチより角度方向がずれた場合、そのようなノッチズレの起きた貼り合わせウェーハがデバイス製造工程に流れると、ノッチズレのない貼り合わせウェーハに対して、結晶方位が異なるため、エッチング、デバイスパターン形成等でばらつきが発生し、所望のデバイス特性が得られなくなる危険性がある。そのため、この様なノッチズレが起こらないように正確なノッチの回転角度の測定が必要であった。また、任意にベースウェーハのノッチからボンドウェーハのノッチを回転させて貼り合わせる場合、その実際の貼り合わせウェーハでのボンドウェーハの回転角度をインラインで正確に測定する方法がなかった。
【００１８】
このような問題を解決すべく、本発明者らは鋭意研究を重ねた。
貼り合わせウェーハを製造する際、貼り合わせられる２枚の鏡面研磨ウェーハの外周部には研磨ダレが存在し、その部分は未結合部分として残ってしまう。未結合部分が存在したまま薄膜化を行うと、ベースウェーハよりも薄膜化後のボンドウェーハは小径となり、ボンドウェーハのノッチ部分はその先端が丸くなってしまう。
【００１９】
このように丸くなったボンドウェーハのノッチ位置を、ＸＹステージ付光学顕微鏡に、回転角度を測定する貼り合わせウェーハを載せ、ベースウェーハのノッチを基準位置に固定して回転角度を目視で測定することも考えられるが、貼り合わせウェーハの製造ラインにその測定をのせることはできず、ラインからはずして貼り合わせウェーハの回転角度を測定しても、多くの時間がかかり、このような方法は現実的ではなかった。
従って、薄膜化後のボンドウェーハとベースウェーハの回転角度を測定しようとしても困難であった。
【００２０】
そこで本発明者らは、薄膜化後の丸くなったボンドウェーハのノッチから、丸くなる前のノッチ先端の位置方向さえ算出することができれば、貼り合わせウェーハの具備するベースウェーハとボンドウェーハの回転角度を正確に測定することができることに想到し、薄膜化されたボンドウェーハの輪郭を観測し、該観測したボンドウェーハの輪郭を利用して貼り合わせウェーハの中心からみたボンドウェーハのノッチの位置方向を算出し、該算出したボンドウェーハのノッチの位置方向とベースウェーハのノッチの位置方向とのなす角度を算出し、ベースウェーハとボンドウェーハとの回転角度を測定するという本発明の方法を完成させた。
【００２１】
以下、本発明の実施形態を、図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
図１は、本発明に係る貼り合わせウェーハの回転角度の測定方法の一実施形態を説明するための図である。
以下の説明において、例えばノッチの位置方向とは貼り合わせウェーハ１０の中心Ｃからみたノッチの方向を意味する。また、位置を特定する座標系は特に限定されないが、例えば、極座標で算出することにより、回転角度を簡単に測定することができる。
【００２２】
まず、回転角度を測定する貼り合わせウェーハ１０は、例えば、シリコンからなるベースウェーハ１とボンドウェーハ２を具備し、これら２枚のウェーハには同じ結晶方位＜１１０＞を示すノッチ１Ｎ、２Ｎが外縁部に形成されている。そして、ベースウェーハ１とボンドウェーハ２は２つのノッチ１Ｎ、２Ｎを利用し、例えばそれらが貼り合わせウェーハ１０の中心でなす角度が０°や４５°となるように貼り合わせ、イオン注入剥離法によってボンドウェーハ２を薄膜化して製造された貼り合わせウェーハ１０である（図１は、４５°回転させて貼り合わせた例である）。
【００２３】
そして、イオン注入剥離法によってボンドウェーハ２を薄膜化した際、ボンドウェーハのノッチ２Ｎは、図１のようにノッチ先端が丸くなる（２ｎ）。
また、ベースウェーハのノッチ１Ｎによる未結合部分は、ボンドウェーハ２の薄膜化によってボンドウェーハに図１のように形成される（１ｎ）。
ベースウェーハのノッチ１Ｎは、ボンドウェーハの薄膜化後は、貼り合わせウェーハ１０自体の基準ノッチ１Ｎとなる。
【００２４】
このように製造された貼り合わせウェーハ１０の具備するベースウェーハ１とボンドウェーハ２との回転角度を測定するには、まず、薄膜化されたボンドウェーハ２の輪郭２Ｒを観測する。
このとき使用される観測装置は、薄膜化後のボンドウェーハの輪郭２Ｒが観測できるものであれば特に限定されないが、貼り合わせウェーハ１０の製造ライン中で、別の測定に使用される測定装置を利用することにより、回転角度を測定するための新たな装置を導入する必要がなくなる。従って、例えばレーザー光を使用したウェーハ表面検査装置等が好適に用いられる。
【００２５】
特に、上記のような条件を具備する装置として最適なものとして、パーティクルカウンター（不図示）を使用することが望ましい。
このように、薄膜化されたボンドウェーハの輪郭２Ｒを観測する際、その観測にパーティクルカウンターを使用することにより、ボンドウェーハ２の薄膜化後に貼り合わせウェーハ１０のパーティクル測定をすると同時に、貼り合わせウェーハの具備するベースウェーハ１とボンドウェーハ２の回転角度の測定をすることができるので、貼り合わせウェーハの回転角度の測定にかかる時間を短縮することができる。
【００２６】
尚、ボンドウェーハの輪郭２Ｒをパーティクルカウンターで観測する際、通常の設定ではボンドウェーハの輪郭が見える必要がないので、パーティクルカウンターの視野範囲を必要最小限の範囲で狭く取っている。しかし、本発明のように、ボンドウェーハの輪郭２Ｒを観測するには、パーティクルカウンターの観測視野の範囲をボンドウェーハの輪郭が観測される範囲にまで広げればよい。この場合、ボンドウェーハの輪郭は、必ずしも全体が観測される必要はなく、少なくともノッチ２ｎの輪郭が見えればよい。
【００２７】
次に、観測したボンドウェーハの輪郭２Ｒを利用して、貼り合わせウェーハ１０の中心Ｃからみたボンドウェーハのノッチ２Ｎの位置方向を算出する。
ベースウェーハ１からのボンドウェーハ２の回転角度を測定するには、薄膜化前のボンドウェーハのノッチ２Ｎの先端のある方向さえ知ることができればよいが、薄膜化のときに、ボンドウェーハのノッチ２Ｎは図１のようになる（２ｎ）。そのため、本発明においては、この丸くなったノッチ２ｎの部分から、薄膜化前のボンドウェーハのノッチ２Ｎにおける先端の位置方向を算出する。
【００２８】
ベースウェーハのノッチ１Ｎの位置は、ボンドウェーハの輪郭２Ｒを観測する際に使用される装置（不図示）のノッチ位置合わせ機能に合わせるため、貼り合わせウェーハの座標系は、これにより固定される。極座標の場合、ベースウェーハのノッチ１Ｎの先端を基準にして、貼り合わせウェーハ１０の中心Ｃを原点にすればよい。
【００２９】
ボンドウェーハのノッチ２Ｎの位置方向を算出する具体的な方法としては、以下にあげる３つの方法がある。
１つ目は、図１のように、ボンドウェーハの輪郭２Ｒ上において、貼り合わせウェーハ１０の中心Ｃからボンドウェーハの輪郭２Ｒまでの距離が最短となる位置を割り出し、その位置方向をボンドウェーハのノッチ２Ｎの位置方向として算出する。
この算出は、パーティクルカウンター等の測定装置に接続されている計算装置（不図示）により、自動的に簡単に算出することができる。
【００３０】
ボンドウェーハのノッチ２Ｎの位置方向を算出する方法の２つ目の方法は、図２に示すように算出することができる。図２は、このボンドウェーハのノッチの位置方向を算出する方法を説明するための図である。
まず、ボンドウェーハの輪郭２Ｒ上のボンドウェーハのノッチ２Ｎにより形成された丸いノッチ２ｎにおいて、凸から凹へ変化する変極点を２点算出する。そして、この２つの変極点の中点をとり、貼り合わせウェーハの中心Ｃからみた２つの変極点の中点の位置方向を、ボンドウェーハのノッチ２Ｎの位置方向として算出する。
【００３１】
ボンドウェーハのノッチ２Ｎの位置方向を算出する方法の３つ目の方法は、図３に示すように算出することができる。図３は、ボンドウェーハのノッチの位置方向を算出する方法を説明するための図である。
まず、ボンドウェーハの輪郭２Ｒに接する接線のうち、該接線とボンドウェーハの輪郭の交点と、接線の接点との距離が等しい２本の接線を選択する。そして、２本の接線の交点をとり、貼り合わせウェーハの中心Ｃからみた２本の接線の交点の位置方向を、ボンドウェーハのノッチ２Ｎの位置方向として算出する。
【００３２】
次に、上記のいずれかの方法で算出したボンドウェーハのノッチ２Ｎの位置方向と、ベースウェーハのノッチ１Ｎの位置方向とで、貼り合わせウェーハ１０の中心Ｃでなす角度を算出する。極座標において、ベースウェーハのノッチ１Ｎの先端を基準とした場合は、算出によるボンドウェーハのノッチ２Ｎの位置方向がそのまま、回転角度となる。
このようにして、貼り合わせウェーハ１０のベースウェーハ１とボンドウェーハ２との回転角度を測定することができる。
【００３３】
以上のような貼り合わせウェーハの回転角度の測定方法により、貼り合わせウェーハの製造ライン中でベースウェーハとボンドウェーハのノッチの回転角度を新たな測定時間を費やすことがなく、正確且つ簡単に測定できるようになる。
【００３４】
尚、本実施形態では、ボンドウェーハをベースウェーハのノッチから４５°回転させたときの例で説明したが、この場合、ベースウェーハのノッチによりボンドウェーハに形成されるノッチ１ｎも観測される。しかし、このベースウェーハのノッチ１Ｎによってボンドウェーハ２にできるノッチ１ｎの位置方向は、ベースウェーハのノッチ１Ｎの位置方向と一致することになるので、この測定値は除外すればよい。また、回転角度は４５°のみならず、０°〜３６０°のいずれの角度であっても本発明により測定可能である。
【実施例】
【００３５】
以下に本発明の実施例を挙げて、本発明をより詳細に説明するが、これらは本発明を限定するものではない。
（実施例１）
ノッチを任意に回転させたＳＯＩウェーハをイオン注入剥離法により作製し、ＳＯＩウェーハのＳＯＩ層（薄膜化されたボンドウェーハ）とベースウェーハの回転角度を測定した。
＜測定するためのＳＯＩウェーハの製造＞
ＳＯＩウェーハの材料としては、直径が３００ｍｍのシリコンからなるボンドウェーハとベースウェーハを用意した。ボンドウェーハは熱酸化により酸化膜を形成して、水素イオンを注入し、ベースウェーハと貼り合わせた。
この貼り合わせの際、ボンドウェーハのノッチをベースウェーハのノッチに対し右回りに４５°回転させ、ベースウェーハと貼り合わせた。
次に、貼り合わせたウェーハに剥離熱処理を施して剥離した後、犠牲酸化処理によってＳＯＩ層の膜厚を調整したＳＯＩウェーハを３枚製造した。
【００３６】
＜ベースウェーハに対するボンドウェーハの回転角度の測定＞
ＳＯＩ層（薄膜化したボンドウェーハ）の輪郭を観測するため、パーティクルカウンターで観測を行った。使用したパーティクルカウンターは、ＳＰ１（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製）で、ＳＯＩ層の輪郭を観測するため、観測視野の範囲、つまり、除外領域設定を周辺１ｍｍとし、ＳＯＩウェーハのノッチ（ベースウェーハのノッチ）を位置合わせ機構に固定して、ＳＯＩ層の輪郭を観測した。
【００３７】
次に、パーティクルカウンターにより観測されたＳＯＩ層の輪郭のデータを利用し、座標を確定するため、貼り合わせウェーハの中心Ｃを原点（０、０）とし、貼り合わせウェーハのノッチ１Ｎの先端位置を極座標の角度θ＝０°の基準とした。
そして、ＳＯＩウェーハの中心からＳＯＩ層の輪郭まで距離が最短となるＳＯＩ層の輪郭上の点を１点選択した。選択された１点の極座標の方向を薄膜化前のボンドウェーハのノッチ先端の位置方向とみなして算出し、ボンドウェーハのノッチとベースウェーハのノッチの回転角度を算出した。
同様の測定を合計３枚のＳＯＩウェーハで行った結果を下の表１に示した。
【００３８】
（実施例２）
＜ベースウェーハに対するボンドウェーハの回転角度の測定＞
実施例１で作製されたＳＯＩウェーハを２つ目の方法で測定するため、実施例１でパーティクルカウンターにより観測されたＳＯＩ層の輪郭のデータを利用した。
まず、座標を確定するため、貼り合わせウェーハの中心Ｃを原点（０、０）とし、貼り合わせウェーハのノッチ１Ｎの先端位置を極座標の角度θ＝０°の基準とした。
次に、ＳＯＩ層の輪郭において、ボンドウェーハのノッチ２Ｎにより形成されたＳＯＩ層の丸くなったノッチの凸から凹へ変化する変極点を２点選択し、その２点の位置の極座標を求め、この２点の中点の極座標を算出した。そして、２つの変極点の中点の位置方向を、ボンドウェーハのノッチの位置方向とみなして算出し、ボンドウェーハのノッチとベースウェーハのノッチの回転角度を算出した。
同様の測定を合計３枚のＳＯＩウェーハで行った結果を下の表１に示した。
【００３９】
（実施例３）
実施例１で作製されたＳＯＩウェーハを３つ目の方法で測定するため、実施例１でパーティクルカウンターにより観測されたＳＯＩ層の輪郭のデータを利用した。
まず、座標を確定するため、貼り合わせウェーハの中心Ｃを原点（０、０）とし、貼り合わせウェーハのノッチ１Ｎの先端位置を極座標の角度θ＝０°の基準とした。
次に、ＳＯＩ層の輪郭において、この輪郭に引ける無数の接線のうち、接線の接点と、接線とＳＯＩ層の輪郭の交点との距離が等しい２本の接線を選択した。そして、選択された２本の接線の交点の極座標を求めた。この２本の接線の交点の位置方向を、ボンドウェーハのノッチ２Ｎの位置方向とみなして算出し、ボンドウェーハのノッチとベースウェーハのノッチの回転角度を算出した。
同様の測定を合計３枚のＳＯＩウェーハで行った結果を下の表１に示した。
【００４０】
（比較例）
比較のため、実施例で測定したＳＯＩウェーハの３枚をＸＹステージ付き光学顕微鏡に載せて、手動でベースウェーハのノッチに対するボンドウェーハのノッチの回転角度を測定した。その結果を実施例の結果と共に表１に示した。
【００４１】
【表１】
0005190666.tif 000002
【００４２】
上記実施例１〜３、比較例の結果より、ＸＹステージ付き光学顕微鏡による測定方法でも、回転角度はほぼ同じ値が算出されることから、パーティクルカウンターでのいずれの測定方法でも正確な値とみなせる。これにより、光学顕微鏡による測定は調整及び測定に長時間必要であり、測定効率が悪いので、本発明の貼り合わせウェーハの回転角度の測定方法であれば、貼り合わせウェーハの製造ライン中でベースウェーハとボンドウェーハのノッチの回転角度を正確且つ簡単、迅速に測定できることがわかる。
【００４３】
以上に説明した本発明の実施例では、座標系として極座標を選択して算出したが、これに限られず、貼り合わせウェーハの中心Ｃを原点（０，０）に定め、求めるべき点の位置ベクトルを算出してベースウェーハのノッチ先端とボンドウェーハのノッチ先端とが貼り合わせウェーハ中心でなす角を算出してもよい。
【００４４】
尚、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明に係る貼り合わせウェーハの回転角度の測定方法の一実施形態を説明するための図である。
【図２】ボンドウェーハのノッチの位置方向を算出する方法を説明するための図である。
【図３】ボンドウェーハのノッチの位置方向を算出する方法を説明するための図である。
【符号の説明】
【００４６】
１…ベースウェーハ、
１Ｎ…ベースウェーハのノッチ（貼り合わせウェーハのノッチ）、
１ｎ…ベースウェーハのノッチにより薄膜化後にボンドウェーハにできるノッチ、
２…ボンドウェーハ、
２Ｎ…薄膜化前のボンドウェーハのノッチ、
２ｎ…薄膜化後のボンドウェーハのノッチ、
２Ｒ…薄膜化後のボンドウェーハの輪郭、
１０…貼り合わせウェーハ、
Ｃ…貼り合わせウェーハの中心。
【図１】
0005190666.tif 000003
【図２】
0005190666.tif 000004
【図３】
0005190666.tif 000005