(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
・光入射面として使用される第１の主表面と、裏面として使用される第２の主表面とを有する、ｎ型ドーピングされた半導体基板と、
・前記第１の主表面に設けられｎ＋型ドーピングされた大面積のベース領域（Front Surface Field）と、
・前記第２の主表面に設けられｐ＋型ドーピングされた大面積のエミッタ領域と、
・前記第１の主表面に設けられたフィンガ状のベースコンタクトパターン部と
を有する太陽電池セルであって、
前記第２の主表面に、それぞれはんだ付け用の面コンタクトを有するベースコンタクト路とエミッタコンタクトパターン部とが設けられており、
前記第１の主表面のフィンガ状のコンタクトパターン部と前記第２の主表面に設けられたコンタクト路とを接続する複数のスルーコンタクトを有し、該スルーコンタクトによって、前記エミッタ領域の他にベース領域にも、前記第２の主表面に設けられたはんだ面コンタクトを介してコンタクトすることができ、
前記第２の主表面は局所的にｐ＋型エミッタドーピングを有さない部分を有し、少なくとも前記ベースコンタクト路の領域において、ｐ＋型エミッタドーピングを有さない部分を有し、
前記第１の主表面と前記第２の主表面の所定の領域とが、少なくとも前記スルーコンタクトの周辺において、ｎ＋ｎ接合部を有し、ひいては表面電界層を有する
ことを特徴とする、太陽電池セル。
【請求項２】
前記第２の主表面上において、前記ベース領域と該ベース領域を包囲する前記エミッタ領域との間の狭幅の領域がドーピングギャップを形成することにより、すなわち初期材料のベースドーピングのみを有することにより、高ドーピング領域を分離するために後で行われる絶縁手段が不要となる、請求項１記載の太陽電池セル。
【請求項３】
前記第１の主表面のｎ＋型ドーピングはリンを含有し、前記第２の主表面のｐ＋型ドーピングはアルミニウムを含有する、請求項１または２記載の太陽電池セル。
【請求項４】
前記フィンガ状のコンタクトパターン部のフィンガ部分より下方の前記第１の主表面のｎ＋型ドーピング濃度は、該フィンガ部分間のｎ＋型ドーピング濃度より高い、請求項１から３までのいずれか１項記載の太陽電池セル。
【請求項５】
前記第２の主表面において、前記エミッタの局所的または大面積のコンタクトを行うために、全面的な金属層が設けられ、
前記金属層は薄膜アルミニウムから成り、
前記金属層は、前記ベースコンタクトのために設けられた領域において凹部を有する、請求項１から４までのいずれか１項記載の太陽電池セル。
【請求項６】
前記第２の主表面において、該第２の主表面と全面的な金属層との間に、パッシベーション層が設けられており、
前記パッシベーション層には、複数のコンタクト箇所と、ｎ＋ｎ接合部を有するすべての領域とにおいて、開口が設けられており、
前記開口は、前記スルーコンタクトの周辺に設けられたｎ＋ｎ領域より小さい、請求項１から５までのいずれか１項記載の太陽電池セル。
【請求項７】
前記第２の主表面に設けられメタライジングされたｎ＋ｎ領域は、それぞれウェハ全長に及ぶ少なくとも２つの繋がったバスバーストリップとして形成されているか、または、前記第１の主表面のコンタクトパターン部のフィンガ間隔の１倍または複数倍の間隔を相互間において配置された複数の領域として形成されている、請求項１から６までのいずれか１項記載の太陽電池セル。
【請求項８】
前記第２の主表面上の前記誘電体層において前記ベース面コンタクトの下方のｎ＋ｎ接合部領域に設けられた凹部は、前記エミッタ領域の凹部および表面の金属層の凹部の形状と一致するが、両凹部より小さく形成されており、
前記エミッタ領域はＡｌドーピングにより形成されている、請求項５から７までのいずれか１項記載の太陽電池セル。
【請求項９】
前記第１の主表面に設けられたフィンガ状のコンタクトパターン部は、銀含有スクリーン印刷ペーストまたはエアロゾル印刷インクから形成され、焼成によって設けられた反射防止コーティングが貫通するように形成されている、請求項１から８までのいずれか１項記載の太陽電池セル。
【請求項１０】
請求項１から９までのいずれか１項記載の太陽電池セルの製造方法であって、
前記第１の主表面のｎ＋型ドーピングおよび前記第２の主表面の所定の領域のｎ＋型ドーピングを気相で行い、
前記第１の主表面に設けられたコンタクトパターン部のフィンガ部分の下方のドーピング濃度を、選択的エミッタの作製手法により、該フィンガ部分間のドーピング濃度より高く調整することにより、選択的表面電界層を形成する
ことを特徴とする、製造方法。
【請求項１１】
前記第２の主表面の全面にＡｌ含有ソース層またはＡｌ含有ソース積層を設け、前記ｎ＋ｎ接合部が設けられるかまたはより高濃度のドーピングが設けられない所定の領域において前記Ａｌ含有ソース層または前記Ａｌ含有ソース積層を除去し、
前記Ａｌ含有ソース層または前記Ａｌ含有ソース積層上に誘電体カバー層を設ける、
請求項１０記載の製造方法。
【請求項１２】
前記第２の主表面に設けられる、前記Ａｌ含有ソース層または前記Ａｌ含有ソース積層と、前記誘電体カバー層とを、エッチングペーストを使用してパターニングするか、または、マスクを使用するエッチングを使用してパターニングする、請求項１１記載の製造方法。
【請求項１３】
前記第２の主表面の各エミッタ領域のｐ＋型ドーピングを前記Ａｌ含有ソース層または前記Ａｌ含有ソース積層からのアルミニウムの拡散導入によって行う、請求項１２記載の製造方法。
【請求項１４】
前記第１の主表面と前記スルーコンタクトの内壁と前記第２の主表面の所定の領域とにリンを拡散導入した後、リンドーピングで形成されたリンケイ酸ガラス層を前記表面電界層の領域においてエッチングにより除去し、その後、該第２の主表面を成膜工程により、各エミッタ領域のコンタクトを行うための金属層によって全面的にカバーし、該金属層を、ｎ＋ｎ接合部のための領域によって位置が予め決められた領域において、エッチング法とマスクの使用とによって局所的に除去し、前記予め決められた領域は、前記ｎ＋ｎ接合部のための領域より大きい、
請求項１３記載の製造方法。
【請求項１５】
前記第２の主表面上に前記金属層を成膜するステップの前に、該第２の主表面上にパッシベーション層を全面に設け、
前記パッシベーション層の、複数のコンタクト点とｎ＋ｎ接合部のための領域とにおいて、局所的に開口を形成する、
請求項１４記載の製造方法。
【請求項１６】
さらに、前記第２の主表面に、誘電体保護層を全面に被覆し、
その後、前記誘電体保護層に、ｐ＋型領域およびｎ＋型領域におけるはんだ面コンタクトのための領域においてのみ、局所的に開口を形成する、
請求項１４または１５記載の製造方法。
【請求項１７】
前記第２の主表面に前記エミッタ面コンタクトとして設けられたｐ＋型領域に銀含有スクリーン印刷ペーストを印刷し、乾燥させる、
請求項１６記載の製造方法。
【請求項１８】
前記リン拡散をＰＯＣｌ３を使用して行う、請求項１４から１７までのいずれか１項記載の製造方法。
【請求項１９】
前記Ａｌ含有ソース層または前記Ａｌ含有ソース積層を、真空成膜法ないしは気相成膜法によって前記第２の主表面に設ける、請求項１１から１８までのいずれか１項記載の製造方法。
【請求項２０】
前記Ａｌ含有ソース層または前記Ａｌ含有ソース積層を、蒸着法またはスパッタリング法によって設ける、請求項１８記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、とりわけシリコンから成るｎドーピング半導体基板と、前面ベース領域と、前面に設けられたフィンガ状のベースコンタクトパターン部と、裏面に設けられたベースコンタクト導体路と、前記フィンガ状のベースコンタクトパターン部と前記ベースコンタクト導体路とを接続するスルーコンタクト（ビア）とを含む太陽電池セルに関し、さらに、このような太陽電池セルの製造方法とに関する。
【０００２】
レーザ穿孔によって形成された後に金属が充填された孔によって裏面のはんだ付け可能なコンタクト導体路（バスバー）に接続された前面のコンタクトフィンガを有する太陽電池セルは、すでに長い間公知となっている（特開昭５８−０３９０７１号公報の要約（１９８３年）、特許第４２２３３７８号（１９９２年））。このような太陽電池セルは、ｐドーピングされ大抵は多結晶であるベース材料で、リン拡散によって生成された前面エミッタを有するように製造され、ＭＷＴ（Metal Wrap Through）セルという名称で知られている（F. Clement et al, 23rd EUPVSEC, Valencia (2008), paper 2DV.1.10）。ここでは、裏面は標準的な太陽電池セルのように、裏面エミッタバスバーとベースコンタクトはんだ付け箇所との間にアルミニウムペーストによって大面積で被覆されることにより、いわゆるバックサーフィスフィールド（ＢＳＦ）を形成して裏面を鏡面化する。
【０００３】
たとえばＥＰ０９８５２３３Ｂ１またはＷＯ１９９８／０５４７６３に、ｎドーピングウェハ上のＭＷＴセルとｐドーピングウェハ上のＭＷＴセルとが初期材料として記載されている。これらのウェハは、前面とスルーコンタクトと裏面の領域とにおいてスルーコンタクトの周囲に均質なエミッタを有する。後で裏面にベースコンタクトが設けられる領域は、エミッタのＰＯＣｌ３拡散中にマスク層によって被覆される。その後、このマスク層が除去された後、裏面メタライジングが設けられる。
【０００４】
また数十年前には、エミッタのパッシベーションの他に、いわゆるＰＥＲＣセル（Passivated Emitter and Rear (local) Contacts）用のローカルのコンタクトを備えたパッシベーション裏面ＢＳＦも提案されている（A.W. Blakers et al., Appl. Phys. Lett., 55 (1989), p.1363-1365; G. Agostinelli et al., 20th European Photovoltaic Solar Energy Conference (2005), Barcelona, p. 647, P. Choulat et al, 22nd European Photovoltaic Solar Energy Conference (2007), Milano）。
【０００５】
公知のＭＷＴセルの欠点として、以下の点が挙げられる：
標準的なＭＷＴセルは前面にエミッタを有し、裏面にあるエミッタバスバーに接続するためには、大抵はレーザ穿孔によって開けられる孔の孔壁に閉じられたエミッタドーピング部を有し、このようなエミッタドーピング部によって、ベース材料まで短絡が発生しないようにする。したがってこの孔には、気相からのたとえばＰＯＣｌ３（ｐ型材料の場合）またはＢＢｒ３（ｎ型材料の場合）の拡散によって完全に裏打ちしなければならない。
【０００６】
さらにこのことによって、裏面にエミッタバスバーが設けられた領域内のストリップでも、エミッタドーピング部を隣接する裏面ドーピング部（ＢＳＦ）から絶縁しなければならないという難しい課題が生じる。従来は裏面ＢＳＦは、上記で言及したように、Ａｌスクリーン印刷および焼結によって、すなわち、両表面に導入されたリンドーピングの過補償によって作製されていた。スクリーン印刷時にＢＳエミッタストリップは露出されるものの、ｐ＋型領域とｎ＋型領域とはその後で、たとえばエミッタバスバーを包囲するレーザトレンチによって絶縁しなければならない。
【０００７】
本発明の課題は、裏面から完全にコンタクトすることができ、高信頼性かつ高い歩留まりで作製することができ、固有のコンタクトおよびパッシベーションに関してフレキシブルなオプションを提供できる、改善された太陽電池セルと、相応の製造方法とを提供することである。
【０００８】
前記課題は、装置に関しては、請求項１記載の構成を有する太陽電池セルによって解決され、製造方法に関しては、請求項１０記載の方法によって解決される。各従属請求項に本発明の基本的思想の好適な実施形態が記載されている。
【０００９】
本発明で提供する新規の太陽電池セル構造は、ｎ型シリコンの裏面に全面に設けられたアルミニウムエミッタと前面のＦＳＦコンタクトフィンガとを有し、これらのＦＳＦコンタクトフィンガはレーザ孔によって、裏面に設けられたはんだコンタクト路またははんだコンタクト部材に接続される。このはんだコンタクト路またははんだコンタクト部材はエミッタおよびアルミニウムメタライジングの凹部に設けられているか、または、アルミニウムメタライジングに局所的なスルーコンタクトが設けられた誘電体のパッシベーション層の凹部に設けられている。このようなエミッタやアルミニウムメタライジングは、凹部やスルーコンタクトが設けられている以外は全面で設けられている。
【００１０】
好適な実施形態では、本発明の新規のＭＴＷセルのコンセプトは以下のことを特徴としている：
ａ）初期材料は、任意の形状の単結晶のｎ型シリコンウェハである（ｎ型シリコンウェハは有利には単結晶であり、単結晶である必要はない）。
ｂ）従来技術のどの思想とも異なり、エミッタはｎ型ウェハの裏面に設けられる。すなわち、前面および孔の内壁はｐｎ接合部を有さず、ｎ＋ｎ接合部を有する。
ｃ）蒸着またはスパッタリングによって作製された薄膜のソース層またはソース積層からＡｌ拡散によってｐ＋型エミッタドーピングが行われる。
ｄ）裏面のエミッタにＡｌベースの薄膜メタライジングが選択的に直接かつ大面積で設けられるか、または、エミッタのコンタクトを局所的に行うことによってパッシベーションすることにより設けられる（ＰＥＲＣ）。
ｅ）エミッタの（パッシベーションされたかまたはパッシベーションされない）Ａｌベース薄膜メタライジング上と、エミッタにおいて露出されたＢＳＦの領域とに、はんだ付け可能な（Ａｇ）面コンタクトを設けることができる。
ｆ）裏面エミッタと、ビアから裏面まで貫通するＢＳＦドーピング領域との間の絶縁部を、作製工程中にすでに作製する。このことにより、後でレーザトレンチ絶縁を行わなくてもよくなる。
【００１１】
本発明の有利な実施形態のＭＷＴ太陽電池セルでは、とりわけアルミニウム拡散されたｐ＋型エミッタがｎ型ドーピングウェハの裏面に設けられ、該ｎ型ドーピングウェハは前面に、窒化シリコンパッシベーションないしは反射防止層（ＡＲＣ）が設けられたリンベースのｎ＋型ドーピング部上に、標準的な銀フィンガＨ型グリッドを有し、該銀フィンガＨ型グリッドもまた、レーザ穿孔によって形成され銀ペースト充填された孔（ビア）を介して、裏面に設けられたバスバーに接続されている。このバスバーもまた、線形に相互に整列された多数のバスバースポットから構成することができる。このような実施形態のＭＷＴ太陽電池セルは、以下の利点を有する：
１）ｎ型ベースドーピングされたウェハの少数キャリア（ここでは正孔）の寿命は比較的長いので、このようなウェハにより、現在のところ通常のウェハ厚さである１８０μｍ±２０μｍのウェハ厚さですでに、裏面エミッタを有するＭＷＴセルを構成することができる。
【００１２】
２）ビアの壁は前面と同様にｎ＋ｎ型の高低の接合部を有するだけであるから、（ｐ型ウェハをベースとし前面にｎ＋エミッタを有しビアにｎ＋型エミッタドーピングが施された標準的なＭＷＴセルと異なり）ビアで短絡やｊ０２上昇が発生する危険性がなくなる。というのも、高ドーピングのｎ＋型層を貫通して孔メタライジングにコンタクトしなければならない場合、コンタクトはベース極性領域内にとどまるからである。
【００１３】
３）裏面のベースコンタクト面領域と孔と前面とがｎ＋型ドーピングされ、ＡＲＣを貫通して銀ペーストにリスク無しでコンタクトしたり、裏面ではＡＲＣ無しでもｎ＋型層を貫通して銀ペーストにリスク無しでコンタクトできることにより（上記２）を参照されたい）、ペースト１とペースト２とを同じにすることができる。
【００１４】
４）前面の銀フィンガと裏面のベース面コンタクトと孔メタライジングとを焼成した後に初めて、裏面パッシベーション層を成膜することにより、この層はＴ＞８００°の高温処理に耐えなくてもよくなる。この層が後で耐えなければならない最大温度は、裏面エミッタ面コンタクトペースト３を焼結する際の低い焼結温度（５６０°未満）であるから、裏面パッシベーションを成功させることができる確率は高くなる。
【００１５】
５）裏面のＦＳＦバスバー領域が、エミッタで露出されたストリップないしはスポットよりも狭幅のストリップないしはスポットで形成されるように、アルミニウムエミッタドーピング部をパターニングすることにより、太陽電池セルの作製工程の終了時に、ｐ＋領域およびｎ＋領域をレーザトレンチ方式で絶縁しなくてもよくなる。
【００１６】
図面を参照して以下の実施例の説明を読めば、その他の本発明の利点および効果を導き出すことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の一実施形態の太陽電池セルの一部ないしは製造方法の概略的な断面図である。
【図２】本発明の一実施形態の太陽電池セルの一部ないしは製造方法の概略的な断面図である。
【図３】本発明の一実施形態の太陽電池セルの一部ないしは製造方法の概略的な断面図である。
【図４】本発明の一実施形態の太陽電池セルの一部ないしは製造方法の概略的な断面図である。
【図５】本発明の一実施形態の太陽電池セルの一部ないしは製造方法の概略的な断面図である。
【図６】本発明の一実施形態の太陽電池セルの一部ないしは製造方法の概略的な断面図である。
【図７】本発明の一実施形態の太陽電池セルの一部ないしは製造方法の概略的な断面図である。
【図８】本発明の一実施形態の太陽電池セルの一部ないしは製造方法の概略的な断面図である。
【図９】本発明の一実施形態の太陽電池セルの一部ないしは製造方法の概略的な断面図である。
【図１０】本発明の一実施形態の太陽電池セルの一部ないしは製造方法の概略的な断面図である。
【図１１】本発明の一実施形態の太陽電池セルの一部ないしは製造方法の概略的な断面図である。
【図１２】本発明の一実施形態の太陽電池セルの一部ないしは製造方法の概略的な断面図である。
【図１３】本発明の一実施形態の太陽電池セルの一部ないしは製造方法の概略的な断面図である。
【図１４】本発明の一実施形態の太陽電池セルの一部ないしは製造方法の概略的な断面図である。
【図１５】本発明の一実施形態の太陽電池セルの一部ないしは製造方法の概略的な断面図である。
【図１６】本発明の一実施形態の太陽電池セルの一部ないしは製造方法の概略的な断面図である。
【図１７】本発明の一実施形態の太陽電池セルの一部ないしは製造方法の概略的な断面図である。
【図１８】本発明の一実施形態の太陽電池セルの一部ないしは製造方法の概略的な断面図である。
【図１９ａ】本発明の一実施形態の太陽電池セルの一部ないしは製造方法の概略的な断面図である。
【図１９ｂ】本発明の一実施形態の太陽電池セルの一部ないしは製造方法の概略的な断面図である。
【図２０ａ】本発明の一実施形態の太陽電池セルの一部ないしは製造方法の概略的な下面図（第２の主表面から見た平面図）である。
【図２０ｂ】本発明の一実施形態の太陽電池セルの一部ないしは製造方法の概略的な下面図（第２の主表面から見た平面図）である。
【図２１】本発明の一実施形態の太陽電池セルの一部ないしは製造方法の概略的な下面図（第２の主表面から見た平面図）である。
【図２２】本発明の一実施形態の太陽電池セルの一部ないしは製造方法の概略的な断面図ないしは下面図（第２の主表面から見た平面図）である。
【００１８】
各図の成膜過程により、各図はそれ自体で本発明を十分に図解しているので、下記の説明は概略的であり、図面の補足としてなされていると解釈すべきである。
【００１９】
とりわけ、前面に設けられた銀フィンガより下方に選択的ドーピング部を形成するための、従来技術から公知の手法を説明するのは省略する。しかしこの説明を省略しても、本発明の太陽電池セルにおいて前面の青色光感度を改善するためにこの公知の手法を適用することが排除されることはない。
【００２０】
本発明の太陽電池セルの基本的構成の１つの有利な実施形態では、粗洗浄されたｎ型シリコンウェハから出発して以下の（実施例の）処理ステップを行う：
1.) ウェハ表面の鋸歯状欠損エッチングおよび（オプションの）ＲＣＡ洗浄（図１）を行うステップ。
【００２１】
2.) 裏面にアルミニウム含有ソース層またはアルミニウム含有ソース積層をコーティングするステップ（図２）。
【００２２】
3.) 後でベースバスバー領域となる領域の周辺において前記ソース層／ソース積層を、有利にはマスクエッチングによって除去するステップ。このステップでは、エッチングにより露出された領域（図３、幅ｄ１）は、後で形成されるベースバスバーより広幅になる。このベースバスバーは、メタライジングされたビアを介して前面金属フィンガに接続される。
【００２３】
4.) ＫＯＨに対してエッチング耐性を有する誘電体のカバー積層を、裏面のアルミニウム含有ソース層／アルミニウム含有ソース積層に成膜するステップ（図４）。
【００２４】
5.) 前記誘電体の絶縁層に、後でベースバスバーが形成される領域において、有利にはマスクエッチングまたはエッチングペースト印刷によって開口を形成する。この開口の幅ｄ２はｄ１より小さく、この開口が、後で設けられるｎ＋型ドーピング部と、該ｎ＋型ドーピング部に印刷されるベース面コンタクトのパターンを画定する（図５）。
【００２５】
6.) 幅ｄ２の露出領域の中央に、レーザショック法によってビアを形成するステップ（図６）。
【００２６】
7.) 前面と、孔内壁と、ステップ５によって露出された裏面のベースバスバー領域とに、アルカリエッチング溶液によってテクスチャエッチングを施し、カバー積層の最上部のＫＯＨ耐性の層をエッチングにより除去するステップ（図７）。
【００２７】
8.) 誘電体のカバー層より下方においてＡｌエミッタの高温拡散を、有利には温度Ｔ＞１０００℃で不活性ガス雰囲気中で行うステップ（図８）。
【００２８】
9.) Ｔ＜１０００℃で、前面と孔内壁と、ステップ５によって露出された裏面のベースバスバー領域とにｎ＋型ドーピング部を形成するために、リン拡散を行うステップ（図９）。
【００２９】
10.) リンケイ酸ガラス層（ＰＳＧ）と、裏面のカバー層と、ソース層の残りまたはソース積層の残りとを適切なウェットケミカルバス中または適切なプラズマ中でバックエッチングすることにより、裏面のエミッタと、前面に設けられたＦＳＦおよび裏面に局所的に設けられたＦＳＦとを露出させるステップ（図１０）。エミッタにおいてエッチングにより露出された領域がＦＳＦ領域より広幅であることにより、エミッタ領域とＦＳＦドーピング領域との間に横方向の間隔が得られ（図１０中のｎ＋‐ｐ＋ギャップ）、これによってレーザ絶縁が不要になる。
【００３０】
11.) 前面にパッシベーション／反射防止層を、有利には窒化シリコンのＰＥＣＶＤにより、半導体表面に直接成膜するか、または、酸化または成膜によって形成された薄い酸化物に成膜するステップ。適切なパッシベーション層と適切な反射防止層とから成る別の任意の二重層を形成することも可能であり、パッシベーション層はたとえばアモルファスシリコン（ａ‐Ｓｉ：Ｈ）または炭化シリコン（ＳｉＣｘ）とすることができる（図１１）。
【００３１】
12.) 適切な第１の銀含有ペーストを使用して裏面にベース面コンタクトを印刷し、その後にレーザ穿孔によって開けられた孔（ビア）内にペーストを吸引し、ペーストを乾燥させるステップ（図１２）。
【００３２】
13.) 第２の銀含有ペーストを使用して、前面に、前記ビアの領域において前記孔内の第１の銀含有ペーストに接触するフィンガ構造を印刷して乾燥させ、前面の反射防止パッシベーション層（積層）を貫通して焼成することにより、第１の銀含有ペーストおよび第２の銀含有ペーストを同時に焼結するステップ（図１３）。
【００３３】
14.) オプション：パッシベーション層を裏面に全面に成膜するステップ。このパッシベーション層はたとえばアモルファスシリコン（ａ‐Ｓｉ：Ｈ）または酸化アルミニウムまたはフッ化アルミニウム等であり、これらのパッシベーション作用は特にｐ＋型エミッタに適合している（図１４）。
【００３４】
15.) オプション：裏面に設けられる前記オプションのパッシベーション層をマスクエッチングまたはエッチングペースト印刷によってパターニングするステップ。このステップでは、エミッタにコンタクトを形成するための局所的な開口を形成し、ステップ１２において第１のＡｇ含有ペーストが印刷されたビア周辺のベース面コンタクトを露出させる（図１５）。
【００３５】
16.) 有利にはアルミニウム含有材料の蒸着またはスパッタリングによって、裏面を半導体上で直接完全にメタライジングするか、または、前記オプションのエミッタパッシベーション部に完全にメタライジングし、かつ、ステップ１５において該エミッタパッシベーション部に開けられた窓内にメタライジングするステップ（図１６）。
【００３６】
17.) 塩素含有プラズマ中でマスクエッチングを行うかまたはエッチングペースト印刷を行うことにより、裏面のメタライジングをパターニングするステップ。このステップでは、とりわけベースコンタクトを露出させる（図１７）。
【００３７】
18.) オプション：パターニングされた前記裏面のメタライジングを誘電体保護層によってカバーするステップ（図１８）。
【００３８】
19.) オプション：ステップ１８においてオプションで裏面に設けられたカバー層に局所的に開口を形成するステップ。すなわち、とりわけベースバスバー面コンタクト（図１９ａ）の領域と、側方において後でエミッタはんだコンタクトが設けられる領域（図１９ｂ）とに開口を形成するステップ。
【００３９】
20.) ここで、ステップ１８において裏面のメタライジングに形成された開口の横方向の形状と、ステップ１９においてオプションの保護層に形成された開口の横方向の形状とは異なることができ、
（ａ）２つ以上のビアを相互に接続する、相互に分離された複数のストリップ部分（図２０ａ中の平面図）であるか、または、
（ｂ）すべてのビアを相互に接続して１つのバスバーを形成する一続きのストリップである（図２０ｂ中の平面図）。
前記相互に分離された複数のストリップ部分間にはなお、局所的なコンタクトを有するエミッタ領域が存在する。
【００４０】
21.) エミッタ面コンタクトの領域に、ステップ１９で開口が形成された領域において、第３の銀含有（低温）ペーストを印刷、乾燥する。隣接する長さＬのエミッタコンタクトはんだスポット間の間隔は任意に選択することができ、０にすることもできる。
【００４１】
本発明は上記実施例に限定されることはなく、当業者の対応手段の枠内にある多数の変更を行うことができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９ａ】
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【図１９ｂ】
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【図２０ａ】
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【図２０ｂ】
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【図２１】
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