(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、
第１電極と、
前記第１電極の形成位置に対応した凹部を区画する隔壁と、
前記凹部に設けられた発光層と、
前記発光層上に設けられた第２電極と、
前記第２電極と電気的に接続された補助電極と、を備え、
前記隔壁は、前記基板上における第１の方向に沿って設けられており、
前記補助電極は、前記第１の方向と交差する第２の方向に沿って設けられており、
前記隔壁は、前記第２の方向には設けられていないことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項２】
基板上に、
第１電極と、
前記第１電極の形成位置に対応した第１凹部を区画する隔壁と、
前記第１凹部に設けられた発光層と、
前記発光層上に設けられた第２電極と、
前記第２電極と電気的に接続された補助電極と、を備え、
前記隔壁は、前記第１凹部とは異なる位置に第２凹部を区画しており、
前記補助電極は、前記隔壁上および前記第２凹部に設けられていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項３】
基板上に、
第１電極と、
前記第１電極の形成位置に対応した凹部を区画する隔壁と、
前記凹部に設けられた発光層と、
前記発光層上に設けられた第２電極と、
前記第２電極と電気的に接続された補助電極と、を備え、
前記補助電極は、前記凹部に設けられており、
前記凹部において、前記発光層と前記補助電極とは、平面視で重ならないように設けられていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項４】
前記補助電極は、前記発光層および前記隔壁上に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項５】
前記第２電極は、前記発光層および前記隔壁上に設けられていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項６】
前記補助電極は、前記第２電極より厚く形成されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項７】
前記第２電極がＭｇＡｇからなることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項８】
前記補助電極は、前記第２電極より高導電性の材料からなることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項９】
前記補助電極は、厚さが２００ｎｍ以上であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項１０】
前記補助電極は、マスク蒸着法で形成されてなることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項１１】
前記補助電極は、Ａｌからなることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、情報機器の多様化等に伴い、消費電力が少なく軽量化された平面表示装置のニーズが高まっている。このような平面表示装置の一つとして、有機発光層を含む機能層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）を発光させて表示を行う、有機エレクトロルミネッセンス装置（有機ＥＬ装置）が提案されている。
【０００３】
有機ＥＬ装置には、有機ＥＬ素子が放つ光を該素子が形成された基板側とは反対側から取り出す所謂トップエミッション方式と、有機ＥＬ素子が形成された基板側から該基板を透過させて取り出す所謂ボトムエミッション方式の２種類の表示方式がある。この２種類の表示方式を比較すると、トップエミッション方式の有機ＥＬ装置は、画素開口率を上げやすく、表示画面の高精細化・高画質化に有利な構造となっている。
【０００４】
また、有機ＥＬ装置では、発光層で発光した光を取り出す側の電極として、光透過性を有したものを用いる必要がある。したがって、トップエミッション方式では、光取り出し側となる陰極（電極）を、光透過性にする必要がある。このような光透過性の陰極（電極）としては、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide:インジウム錫酸化物）等の透明導電材料を用いたり、銀やアルミニウム、ＭｇＡｇ等の金属材料（合金材料）を十分薄膜に形成することなどにより、光透過性を付与している。
【０００５】
しかしながら、このようにして形成される透明（光透過性）の陰極は、形成材料自体の物性（導電性）や、薄膜に形成されることでその断面積が小さくなることにより、抵抗値が高くなる。そのため、特に大型の有機ＥＬディスプレイ（有機ＥＬ装置）の場合、抵抗値が高いことで顕著となる陰極の電圧降下に起因して、例えば表示領域の外周部と内部とで前記有機ＥＬ素子間に輝度のバラツキが生じ、発光ムラや輝度ムラ等の表示ムラによって表示品質が低下するという課題があった。
【０００６】
そこで、透明陰極に導通させた状態で補助配線を形成し、透明電極の抵抗を、これら透明陰極と補助電極とを合わせた電極全体の抵抗にすることで、透明陰極の実質的な低抵抗化を実現し、表示ムラを解消することが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
ところで、有機ＥＬ素子については、機能層の形成材料に高分子材料を用いる場合、機能層の形成材料を含む液状体（機能液）を所定の位置に塗布・配置し、溶媒を蒸発させることで所望の形成材料の膜（機能膜）を成膜する、湿式塗布法（液相法）が用いられる。
【０００７】
この湿式塗布法の有効な手段の１つとして、液滴吐出法を用いた製造方法が知られている。中でもインクジェット法は、パターニングにマスクが不要、高解像度の塗りわけが可能、インクの損失が少ない、大面積の塗布が容易、といった様々な利点がある。そのため微細なパターン、例えばフルカラー表示を行うための微細なＲＧＢパターンに機能膜を塗り分け、形成するのに適しており、高精細で高品質な有機ＥＬ装置とすることが可能になる。
【０００８】
液滴吐出法を用いた製造方法では、それぞれの機能液の配置箇所を区画するため機能液を塗布する領域の周囲に隔壁を設けている。隔壁を設けることで位置精度が向上する上に、塗布された機能液が他の領域に塗布される機能液と混ざり合うことを抑制することができるからである。
また、このような隔壁は、湿式塗布法だけでなく、蒸着法等の気相法にも用いられる。隔壁を用いることで、画素電極（陽極）間での短絡を防止して絶縁性を確保し、また、機能層を蒸着法で全面に形成した場合にも、各画素を分離独立させることができ、さらに、発光した光が隣の画素側に出射してしまい、所望の表示性能が得られなくなるのを防止することができるからである。
【特許文献１】特開２００５−１５８５８３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところで、前記の隔壁は、機能層の成膜方法等によっても異なるものの、例えば１〜３μｍ程度の高さに形成される。これに対し、例えば透明の陰極としては、特に光透過性を確保するため薄膜に形成する場合、蒸着法等によって５〜１０ｎｍ程度に形成される。例えば前記のＭｇＡｇを用いた場合では、１０ｎｍ程度の薄膜に形成される。
【００１０】
すると、この陰極は隔壁の高さに対して格段に薄いことから、隔壁の側面に形成される段差によって段切れを起こし、隔壁内の凹部に形成された機能層を覆う部位が隔壁上の陰極から断線してしまうおそれがある。すなわち、このように隔壁内の凹部の機能層を覆う部位が電気的に陰極に接続されないと、機能層に電流が流れなくなり、発光がなされなくなってしまう。
【００１１】
本発明は前記事情に鑑みてなされたもので、隔壁による段差に起因して段切れ（断線）が生じ、発光がなされなくなってしまうことを防止して、良好な表示品質を確保した、有機エレクトロルミネッセンス装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
前記課題を解決するため本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置は、基板上に、第１電極と、前記第１電極の形成位置に対応した凹部を区画する隔壁と、前記凹部に設けられた発光層と、前記発光層上に設けられた第２電極と、前記第２電極と電気的に接続された補助電極と、を備え、前記隔壁は、前記基板の第１の方向に沿って設けられており、前記補助電極は、前記第１の方向と交差する第２の方向に沿って設けられており、前記隔壁は、前記第２の方向には設けられていないことを特徴とする。
また、基板上に、第１電極と、前記第１電極の形成位置に対応した第１凹部を区画する隔壁と、前記第１凹部に設けられた発光層と、前記発光層上に設けられた第２電極と、前記第２電極と電気的に接続された補助電極と、を備え、前記隔壁は、前記第１凹部とは異なる位置に第２凹部を区画しており、前記補助電極は、前記隔壁上および前記第２凹部に設けられていることを特徴とする。
また、基板上に、第１電極と、前記第１電極の形成位置に対応した凹部を区画する隔壁と、前記凹部に設けられた発光層と、前記発光層上に設けられた第２電極と、前記第２電極と電気的に接続された補助電極と、を備え、前記補助電極は、前記凹部に設けられており、前記凹部において、前記発光層と前記補助電極とは、平面視で重ならないように設けられていることを特徴とする。
前記補助電極は、前記発光層および前記隔壁上に設けられていることが好ましい。
前記補助電極は、前記基板の第１の方向に沿って設けられていることが好ましい。
前記第２電極は、前記発光層および前記隔壁上に設けられていることが好ましい。
前記補助電極は、前記第２電極より厚く形成されていることが好ましい。
本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置は、第１電極と第２電極とに挟持された機能層を有した有機エレクトロルミネッセンス素子を備えてなる有機エレクトロルミネッセンス装置であって、
前記機能層は少なくとも有機発光層を含み、凹部を区画し、かつ、該凹部内に前記有機エレクトロルミネッセンス素子の形成領域を配して該凹部内に前記機能層を配置する隔壁と、前記隔壁上と前記凹部内とに連続して設けられた補助電極と、を備え、
前記第２電極は、前記機能層と前記補助電極とに電気的に接続するように、前記有機エレクトロルミネッセンス素子の形成領域と前記有機エレクトロルミネッセンス素子の非形成領域との両方に重なる領域に設けられ、少なくとも前記凹部内に配置された前記機能層及び前記補助電極に接した状態で、該凹部内の機能層と補助電極との間に連続して設けられ、前記補助電極は、前記第２電極より厚く形成されていることを特徴とする。
【００１３】
この有機エレクトロルミネッセンス装置によれば、第２電極が、機能層と補助電極とに電気的に接続するように、有機エレクトロルミネッセンス素子の形成領域と有機エレクトロルミネッセンス素子の非形成領域との両方に重なる領域に設けられ、少なくとも凹部内に配置された機能層及び補助電極に接した状態で、該凹部内の機能層と補助電極との間に連続して設けられているので、この第２電極がたとえ隔壁の段差によって段切れを起こしても、凹部内に設けられた補助電極に接することで、この補助電極を介して段切れを起こした隔壁上と凹部内とが導通するようになる。したがって、この第２電極が凹部内に配置された機能層に接しているので、有機エレクトロルミネッセンス素子の形成領域の機能層に十分に電流が流れるようになり、これにより、良好な発光がなされるようになる。なお、補助電極は第２電極より厚く形成されているので、隔壁の段差によって段切れが生じにくくなっている。よって、この有機エレクトロルミネッセンス装置は、隔壁の段差による段切れ（断線）によって発光がなされなくなるのが防止された、良好な表示品質を有するものとなる。
【００１４】
また、前記有機エレクトロルミネッセンス装置においては、前記隔壁がストライプ状に配設され、前記凹部が前記隔壁間に形成されることでストライプ状に配設されてなり、前記補助電極が、前記隔壁と交差するストライプ状に配設されていてもよい。その場合に、前記第１電極は、隣合う一対の前記隔壁と隣合う一対の前記補助電極とに区画された領域に島状に形成されていてもよい。
このようにすれば、隔壁間に形成されたストライプ状の凹部において、第２電極が補助電極に接するので、この第２電極がたとえ隔壁の段差によって段切れを起こしても、補助電極を介して段切れを起こした隔壁上と凹部内とが導通するようになる。
また、第１電極が、隣合う一対の隔壁と隣合う一対の補助電極とに区画された領域に島状に形成されていれば、この島状に形成された第１電極に対応する箇所が、独立した発光素子として機能するようになる。
【００１５】
また、前記有機エレクトロルミネッセンス装置においては、前記隔壁の側方に形成される前記凹部が、前記有機エレクトロルミネッセンス素子の形成領域を配する第１凹部と、前記有機エレクトロルミネッセンス素子の非形成領域を配するとともに、前記補助電極を設ける第２凹部と、を有していてもよい。
このようにすれば、第２電極が第１凹部と第２凹部との間に連続して形成されることで、特に第１凹部内の部位が第２凹部内の補助電極に接するので、この第２電極がたとえ隔壁の段差によって段切れを起こしても、補助電極を介して段切れを起こした隔壁上と第１凹部内とが導通するようになる。
【００１６】
また、前記有機エレクトロルミネッセンス装置においては、前記凹部が前記隔壁に囲まれて形成され、該凹部内における前記有機エレクトロルミネッセンス素子の形成領域に前記機能層が配置され、該凹部内における前記有機エレクトロルミネッセンス素子の非形成領域に前記補助電極が配置され、これによって該凹部内にて前記第２電極が前記機能層と前記補助電極との間に連続して設けられていてもよい。
このようにすれば、第２電極が凹部内にて機能層と補助電極との間に連続して設けられているので、この第２電極がたとえ隔壁の段差によって段切れを起こしても、補助電極を介して段切れを起こした隔壁上と凹部内とが導通するようになる。
【００１７】
また、前記有機エレクトロルミネッセンス装置においては、前記第２電極がＭｇＡｇからなっていてもよい。
第２電極としてＭｇＡｇを用いる場合、その厚さは１０ｎｍ程度に形成されるが、例えば隔壁が高さ２μｍ程度になっても、前記構成を備えることで良好な発光性能が得られる。
【００１８】
また、前記有機エレクトロルミネッセンス装置においては、前記補助電極が、前記第２電極より高導電性の材料からなっているのが好ましい。
このようにすれば、第２電極と補助電極とを合わせた電極全体の抵抗をより良好に下げることができ、したがって第２電極の実質的な低抵抗化を実現し、表示ムラを解消することが可能になる。
【００１９】
また、前記有機エレクトロルミネッセンス装置においては、前記補助電極は、厚さが２００ｎｍ以上であるのが好ましい。
このようにすれば、隔壁の高さが例えば１〜３μｍ程度であっても、この隔壁の段差に起因して補助電極に断線（段切れ）が生じることが確実に防止される。
【００２０】
また、前記有機エレクトロルミネッセンス装置においては、前記補助電極が、マスク蒸着法で形成されているのが好ましい。
補助電極をマスク蒸着法で形成することにより、機能層に対してエッチングによるダメージを与えることなく、この補助電極を所望のパターンに成膜することができる。
【００２１】
また、前記有機エレクトロルミネッセンス装置においては、前記補助電極が、Ａｌからなっているのが好ましい。
Ａｌは抵抗が低く、また、蒸着によって容易に成膜できることから、第２電極の実質的な低抵抗化を可能にし、かつ、マスク蒸着によって所望のパターンに成膜することが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置（以下、有機ＥＬ装置と記す）について、図面を参照して詳しく説明する。なお、以下で参照する各図面においては、図面を見易くするために各部の大きさ等を適宜変更して示している。
まず、本発明の有機ＥＬ装置の概略構成について、図１、図２を参照して説明する。
【００２３】
図１は、本発明に係る有機ＥＬ装置１の配線構造を示す模式図である。この有機ＥＬ装置１は、スイッチング素子として薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：以下、ＴＦＴ）を用いたアクティブマトリクス方式のもので、複数の走査線１０１と、各走査線１０１に対して略直角に交差する方向に延びる複数の信号線１０２と、各信号線１０２に並列に延びる複数の電源線１０３とからなる配線構成を有し、走査線１０１と信号線１０２との各交点付近にサブ画素Ｘを形成したものである。本発明の技術的思想に沿えば、ＴＦＴなどを用いるアクティブマトリクスは必須ではなく、単純マトリクス向けの素子基板を用いて本発明を実施し、単純マトリクス駆動しても全く同じ効果が低コストで得られる。
【００２４】
信号線１０２には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備えるデータ線駆動回路１０４が接続されている。また、走査線１０１には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査線駆動回路１０５が接続されている。
さらに、サブ画素Ｘの各々には、走査線１０１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用ＴＦＴ１１２と、このスイッチング用ＴＦＴ１１２を介して信号線１０２から共有される画素信号を保持する保持容量１１３と、該保持容量１１３によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用ＴＦＴ１２３と、この駆動用ＴＦＴ１２３を介して電源線１０３に電気的に接続したときに該電源線１０３から駆動電流が流れ込む画素電極（陽極、第１電極）２０と、該画素電極２０と共通電極（陰極、第２電極）６０との間に挟み込まれた機能層４０と、が設けられている。
【００２５】
この有機ＥＬ装置１によれば、走査線１０１が駆動されてスイッチング用ＴＦＴ１１２がオン状態になると、そのときの信号線１０２の電位が保持容量１１３に保持され、該保持容量１１３の状態に応じて、駆動用ＴＦＴ１２３のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用ＴＦＴ１２３のチャネルを介して、電源線１０３から画素電極２０に電流が流れ、さらに機能層４０を介して共通電極６０に電流が流れる。これにより、機能層４０を構成する有機発光層は、これを流れる電流量に応じて発光する。
【００２６】
図２は、本発明に係る有機ＥＬ装置１の構成を模式的に示す平面図である。
図２に示すように有機ＥＬ装置１は、基板１０を有し、この基板１０に、平面視矩形状の画素部１３０を形成したものである。画素部１３０は、サブ画素Ｘがマトリクス状に配置された実表示領域１４０と、実表示領域１４０の周囲に配置されたダミー領域１５０とに区画されている。
【００２７】
各々のサブ画素Ｘが備える機能層４０は、本実施形態では発光することで赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）または青色（Ｂ）のいずれかの光を取り出すことが可能となっている。ただし、後述するように白色光を発光し、Ｒ、Ｇ、Ｂに対応するカラーフィルタによって赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）を出射させるように構成することもできる。
実表示領域１４０においては、図の縦方向に同一色のサブ画素Ｘが配列しており、いわゆるストライプ配置を構成している。そして、実画素領域１４０では、マトリクス状に配置されたサブ画素Ｘから出射したＲＧＢの光を混色させることにより、フルカラー表示を可能にしている。
【００２８】
実表示領域１４０の図２中両側には走査線駆動回路１０５が配置されており、これら走査線駆動回路１０５は、ダミー領域１５０の下層側に配置されている。また、実表示領域１４０の図２中上側には検査回路１６０が配設されており、この検査回路１６０は、ダミー領域１５０の下層側に配設されている。この検査回路１６０は、有機ＥＬ装置１００の作動状況を検査するための回路であって、例えば検査結果を外部に出力する検査情報出力手段（図示せず）を備え、製造途中や出荷時における表示装置の品質、欠陥の検査を行うことができるように構成されている。
【００２９】
（第１実施形態）
次に、有機ＥＬ装置の具体的な構成例として、本発明の第１実施形態を説明する。図３は、本発明の有機ＥＬ装置の第１実施形態を示す要部拡大平面図、図４（ａ）は図３のＡ−Ａ線矢視断面図、図４（ｂ）は図３のＣ−Ｃ線矢視断面図、図４（ｃ）は図３のＤ−Ｄ線矢視断面図である。
本実施形態の有機ＥＬ装置１は、図３に示すように、隔壁３４をストライプ状に多数配設し、隣り合う隔壁３４、３４間に凹部１５を形成するとともに、前記隔壁３４と直交（交差）して、補助陰極配線（補助電極）５０をストライプ状に多数配設したものである。ここでいうストライプ状とは、多数の隔壁３４同士、多数の補助陰極配線５０同士がそれぞれ端部で接続されているものも含む。
【００３０】
そして、隣合う一対の隔壁３４、３４と隣合う一対の補助電極５０、５０とに区画された矩形の領域内に、図３中破線で示すように、平面視が長円形状（トラック形状）の複数のサブ画素Ｘを形成したものである。ここで、このサブ画素Ｘの平面視形状は、前記凹部１５内に臨んで露出した画素電極（第１電極）２０の平面視形状に対応しており、画素電極２０は、各サブ画素Ｘ毎に島状に独立して形成されている。したがって、サブ画素Ｘは、それぞれ独立して形成されたものとなり、独立した発光素子として機能するようになっている。
なお、図３に示したように本実施形態では、隔壁３４を図面の縦方向にストライプ状に配置し、補助陰極配線５０を図面の横方向にストライプ状に配置しているが、逆に、隔壁３４を図面の横方向に配置し、補助陰極配線５０を図面の縦方向に配置してもよい。
【００３１】
また、この有機ＥＬ装置１では、図４（ａ）、（ｂ）に示すように、基体１３と、基体１３上に形成される画素電極２０と、画素電極２０の周縁部を覆ってその開口３２ａ内に画素電極２０を臨ませ、露出させる絶縁膜３２と、画素電極２０の露出面を覆って形成された機能層４０と、少なくとも機能層４０を覆って基体１３上に形成された共通電極６０と、を備えている。そして、本実施形態では、絶縁膜３２の開口３２ａ内に露出した画素電極（陽極、第１電極）２０と、これの直上に配置された機能層４０と、この機能層４０を覆う共通電極（陰極、第２電極）６０とから、有機ＥＬ素子７０が形成されている。また、本実施形態の有機ＥＬ装置１では、有機ＥＬ素子７０で発光した光を、共通電極６０側に射出するトップエミッション方式が採用されている。
【００３２】
基体１３は、基板１０と、基板１０上に形成されて配線や駆動素子等を備える素子層１１と、を備えている。基板１０としては、本実施形態ではトップエミッション方式を採用しているので、透明基板及び不透明基板のいずれも用いることができる。不透明基板としては、例えばアルミナ等のセラミックス、ステンレススチール等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したもの、また熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂、さらにはそのフィルム（プラスチックフィルム）などが挙げられる。透明基板としては、例えばガラス、石英ガラス、窒化ケイ素等の無機物や、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂等の有機高分子（樹脂）を用いることができる。また、前記材料を積層または混合して形成された複合材料を用いることもできる。本実施形態では、基板１０の材料として前述した不透明のプラスチックフィルムを用いる。
【００３３】
素子層１１は、有機ＥＬ装置１を駆動させるための各種配線や図１に示すスイッチング用ＴＦＴや駆動用ＴＦＴなどの駆動素子、及び無機材料または有機材料からなる絶縁膜などを備えて構成されている。各種配線や駆動素子は、フォトリソグラフィ技術やエッチング技術等を用いてパターニングすることで形成されており、また、絶縁膜は、蒸着法やＣＶＤ法、スパッタ法などの公知の成膜法によって形成されている。
【００３４】
素子層１１上には、図４（ａ）に示すように、素子層１１に含まれる駆動用ＴＦＴ（図示せず）のソース電極と接続する電極２２が形成されてる。また、この素子層１１上には、前記電極２２を覆って平坦化層１２が形成されている。平坦化層１２は、素子層１１に形成される各構成要素による凹凸をなくし、有機ＥＬ素子を形成するのに適した平坦な面を実現するために形成されたものである。平坦化層１２の形成材料としては、アクリル樹脂等の有機絶縁材料や無機絶縁材料が用いられる。
【００３５】
平坦化層１２には、前記電極２２に通じるコンタクトホール１２ａが形成されており、このコンタクトホール１２ａを含む平坦化層１２上の領域には、画素電極２０が形成されている。これにより、このコンタクトホール１２ａを介して、前記電極２２と画素電極２０とが電気的に接続されている。
【００３６】
画素電極２０は、仕事関数が５ｅＶ以上の正孔注入効果が高い材料によって形成されたものである。このような材料としては、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide:インジウム錫酸化物）等の金属酸化物が用いられる。なお、本実施形態ではトップエミッション方式が採用されているため、画素電極２０は透光性を備える必要がない。したがって、本実施形態では、前記ＩＴＯからなる透明導電層の下側に、Ａｌ等の光反射性金属層が形成されて積層構造とされ、この積層構造によって画素電極２０が形成されている。このような画素電極２０は、公知の成膜法で成膜された後、パターニングされることにより、それぞれ独立した島状に形成されている。
【００３７】
また、平坦化層１２の上には、前記絶縁膜３２が形成されている。この絶縁膜３２は、前記したように画素電極２０の周縁部に一部が乗り上げることで該周縁部を覆い、かつ、その開口３２ａ内に画素電極２０を臨ませ、露出させたものである。ここで、開口３２ａは、図３中に破線で示したように、平面視長円形状（トラック形状）に形成されている。また、この絶縁膜３２は、酸化シリコン（ＳｉＯ２）、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）等の無機絶縁材料で形成されたもので、後述する隔壁３４に比べて十分に薄いものであり、エッチング等の公知のパターニング方法によって開口３２ａが形成されたものである。したがって、この絶縁膜３２の上面と開口３２ａ内に露出する画素電極２０の上面との間には、ほとんど段差が形成されておらず、よって絶縁膜３２の上面と画素電極２０の上面とはほぼ平坦な面を形成している。
【００３８】
この絶縁膜３２上には、図４（ａ）に示すように隔壁３４が形成されている。この隔壁３４は、図３に示したようにストライプ状に形成されたもので、隣り合う隔壁３４、３４間に凹部１５を形成している。そして、この凹部１５内に前記絶縁膜３２の開口３２ａが配置され、したがってこの凹部１５内に画素電極２０が露出している。また、この隔壁３４は、アクリル樹脂等の有機材料によって形成されたもので、公知のパターニング方法によってストライプ状に形成されたものであり、高さが１〜３μｍの範囲、本実施形態では２μｍ程度に形成されている。
【００３９】
前記凹部１５内には、前記機能層４０が形成されている。この機能層４０は、本実施形態では低分子系の有機ＥＬ材料からなる有機発光層を含んで形成されたものである。この機能層４０としては、例えば陽極（画素電極２０）側から正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層、電子注入層が順次積層された構造が知られており、さらに正孔輸送層や電子輸送層を省略した構造や、正孔注入層と正孔輸送層との両方の機能を備えた正孔注入・輸送層を用いたり、電子注入層と電子輸送層との両方の機能を備えた電子注入・輸送層を用いた構造などが知られている。本発明では、このような構造のうち適宜な構造が選択され、用いられている。
【００４０】
また、機能層４０の材料としては、公知のものを用いることができ、具体的には以下のようなものが挙げられる。
正孔注入層の材料として、ポリチオフェン誘導体、ポリアニリン誘導体、ポリピロール誘導体等が挙げられる。
正孔輸送層の材料としては、ＴＡＰＣ、ＴＰＤ、α−ＮＰＤ、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ、２−ＴＮＡＴＡ、ＴＣＴＡ、スピロ-ＴＡＤ、（ＤＴＰ）ＤＰＰＤ、ＨＴＭ１、ＴＰＴＥ１、ＮＴＰＡ、ＴＦＬＴＦ、ポリフルオレン誘導体（ＰＦ）やポリパラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）等のポリシラン系有機高分子材料等が挙げられる。
【００４１】
有機発光層の材料としては、前記した正孔輸送層の形成材料の他、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドンなどの低分子有機材料、さらにはＣＢＰ（４．４．―ジカルバゾール−４，４−ビフェニル）誘導体、ＰｔＯＥＰ（白金ポルフィリン錯体）誘導体、Ｉｒ（ｐｐｙ）３（イリジウム錯体）誘導体、ＦＩｒｐｉｃ（イリジウム錯体）誘導体等の燐光材料等が挙げられる。なお、本実施形態では、有機発光層としては赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のそれぞれの色で発光する材料が用いられている。そして、図３においてＲ、Ｇ、Ｂで示すように、ストライプ状に配置された各凹部１５毎に、赤色のサブ画素Ｘ、緑色のサブ画素Ｘ、青色のサブ画素Ｘがそれぞれ配列されている。また、横方向に整列させられた各凹部１５間では、例えば赤、緑、青の順に各サブ画素Ｘが繰り返し配列されている。なお、有機発光層については、後述するように全て白色光を発光させるように構成することもできる。
【００４２】
電子輸送層の材料としては、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、フェナンソロリン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタン誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン誘導体、ジフェノキノン誘導体、ヒドロキシキノリン誘導体等が挙げられる。
【００４３】
ここで、前記凹部１５において、その長さ方向、すなわち隔壁３４の長さ方向には、図４（ｂ）に示すように隔壁３４が形成されていない。したがって、前記機能層４０は、凹部１５内に露出する前記絶縁膜３２およびその開口３２ａ内の画素電極２０上にほぼ平坦に形成されている。なお、機能層４０は、マスクを用いた蒸着法によって凹部１５内に選択的に成膜されることにより、隔壁３４上を除いた凹部１５内のみに形成されている。
【００４４】
そして、この機能層４０上には、補助陰極配線（補助電極）５０が形成されている。この補助陰極配線５０は、絶縁膜３２の開口３２ａ内の直上に配置されることなく、隣り合う開口３２ａ、３２ａ間に配置されたもので、後述する共通電極６０より高導電性の材料によって形成されたものである。高導電性の材料として具体的には、金、銀、銅、アルミニウム、クロムといった低抵抗金属材料が用いられる。本実施形態では、Ａｌがマスクを用いた蒸着法（マスク蒸着法）で選択的に、すなわち前記隔壁３４と略直交するようにストライプ状に形成されている。
【００４５】
また、この補助陰極配線５０は、その厚さが２００ｎｍ程度と、前記隔壁３４の高さである２μｍに比べて十分に薄く形成されており、したがって、下地である機能層４０との間に大きな段差を形成しないようになっている。ただし、隔壁３４の高さよりは十分に薄いものの、後述する共通電極６０の厚さに比べると十分に厚く形成されており、したがって、図４（ｃ）に示すように隔壁３４上と機能層４０上との間においても段切れ（断線）することなく、これらの間に形成される段差を良好に覆っている。
【００４６】
そして、図４（ａ）〜（ｃ）に示すように、隔壁３４、機能層４０、補助陰極配線５０を覆って共通電極（陰極、第２電極）６０が形成されている。この共通電極６０は、本実施形態ではトップエミッション方式であり、光取り出し側となることから、光透過性を有するように形成されている。そして、本実施形態では、ＭｇＡｇが蒸着法によって厚さ１０ｎｍ程度に形成されている。
【００４７】
ところが、このように薄厚に形成されていることから、この共通電極６０は、図４（ａ）に示すように隔壁３４と凹部１５内の機能層４０との間で大きな段差を形成し、これによってこの段差の境界部分（隔壁３４と機能層４０との境界部分）などにおいて、前述したように段切れ（断線）を起こしてしまうことがある。すると、従来では、隔壁３４内の凹部１５の機能層４０を覆う部位が隔壁３４上の共通電極６０と電気的に接続されなくなり、機能層６０に電流が流れなくなってしまうことになる。
【００４８】
しかしながら、本実施形態では、この補助陰極配線５０は、図４（ｃ）に示したように隔壁３４による段差で段切れ（断線）を起こしておらず、また図４（ｂ）に示したように共通電極６０は凹部１５内および隔壁３４上で補助陰極配線（補助電極）５０に接することで電気的に接続している。よって、隔壁３４上の共通電極６０は、該隔壁３４の段差に起因して凹部１５内の共通電極６０と断線していても、補助陰極配線５０を介して凹部１５内に導通しており、したがって、凹部１５内の機能層４０に電気的に接続している。なお、共通電極６０は、陰極取り出し端子（図示せず）へつながる陰極コンタクト部に接続されている。さらに補助陰極配線５０も陰極コンタクト部に接続されてもよい。ここで本実施例においては、共通電極６０は補助陰極配線５０の上層に、言い換えれば補助陰極配線５０は共通電極６０の下層に形成されているが、補助陰極配線５０を共通電極６０の上層に形成するようにしても良い。この場合においても補助陰極配線５０は、隔壁３４による段差で段切れ（断線）を起こさず、共通電極６０は凹部１５内および隔壁３４上で補助陰極配線５０に接するため、本実施例と同様に、共通電極６０は、該隔壁３４の段差に起因して凹部１５内の共通電極６０と断線しても、補助陰極配線５０を介して凹部１５内に導通することで、凹部１５内の機能層４０に電気的に接続することが可能である。これは後述の第２実施形態、第３実施形態においても同様である。
【００４９】
そして、このような構成のもとに、画素電極２０と機能層４０と共通電極６０とからなる有機ＥＬ素子７０が形成されている。すなわち、画素電極２０と共通電極６０との間に電圧が印加されると、画素電極２０から正孔注入層に正孔が注入され、正孔輸送層を介して有機発光層に輸送される。また、共通電極６０から電子注入層に電子が注入され、電子輸送層を介して有機発光層に輸送される。すると、有機発光層に輸送された正孔と電子とが再結合することにより、有機発光層が発光するようになっている。
【００５０】
有機発光層から画素電極２０側に出射した光は、前記した透明導電層を透過して光反射性金属層に反射され、再度有機発光層側に入射するようになっている。なお、共通電極２０の透明導電層は半透過反射膜として機能するので、所定範囲の波長以外の光は光反射性金属層側に反射され透明導電層と光反射性金属層との間で往復する。このようにして、透明導電層と光反射性金属層との間の光学的距離に対応した共振波長の光だけが増幅されて取り出される。すなわち、透明導電層と光反射性金属層とを含んだこれらの間が共振器として機能するようになっており、発光輝度が高くしかもスペクトルがシャープな光を射出させることが可能になっている。なお、前記光学的距離は、透明導電層と光反射性金属層との間に含まれる層の光学的距離の和によって求められ、各層の光学的距離は、その膜厚と屈折率との積によって求められる。
【００５１】
なお、図示しないものの、前記共通電極６０の表面には、水分や酸素を遮断するための透明封止薄膜が形成され、この透明封止膜上には透明な接着材を介して、ガラスやプラスチック、樹脂フィルム等の透明な保護部材（封止基板）が貼り合わされている。
このような有機ＥＬ装置１に通電すると、有機ＥＬ素子７０を流れる電流は共通電極６０のみならず補助陰極配線５０にも流れるため、陰極側では全体として実質的な抵抗値が下がり、導電率が上がる。そのため、陰極側の抵抗が高いことに起因した電圧降下による輝度のバラツキがなくなる。
【００５２】
したがって、本実施形態の有機ＥＬ装置１にあっては、特に隔壁３４の段差に起因して共通電極６０に段切れ（断線）が生じても、補助陰極配線５０を介することで隔壁３４上の共通電極６０と凹部１５内の共通電極６０とを良好に導通させているので、全ての有機ＥＬ素子７０（発光素子）からなるサブ画素Ｘを良好に点灯させることができる。また、前記したように輝度のバラツキをなくしているので、発光ムラや輝度ムラ等の表示ムラが無い高品質な表示性能を有するものとなる。
【００５３】
なお、前記第１実施形態では、隔壁３４、３４間に形成される凹部１５内に、それぞれ赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のうちの一色に対応するサブ画素Ｘを配置したが、一列の凹部１５内に、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色のサブ画素Ｘを配置し、これら３色のサブ画素Ｘからなる画素を、一つの凹部１５内に配列するようにしてもよい。また、複数の画素を一つの凹部１５内に配列するようにしてもよい。
さらに、前記第１実施形態では、凹部１５の長さ方向に沿って配列されるサブ画素Ｘのそれぞれの間に、補助陰極配線５０を配置するようにしたが、共通電極６０についての配線抵抗にほとんど影響が無い範囲で、全てのサブ画素Ｘ間に形成することなく、補助陰極配線５０をある程度間引いて配置してもよい。
【００５４】
（第２実施形態）
次に、本発明の有機ＥＬ装置の第２実施形態を説明する。図５は、本発明の有機ＥＬ装置の第２実施形態を示す要部拡大平面図、図６（ａ）は図５のＥ−Ｅ線矢視断面図、図６（ｂ）は図５のＦ−Ｆ線矢視断面図、図６（ｃ）は図５のＨ−Ｈ線矢視断面図である。
図５に示す本実施形態の有機ＥＬ装置が、図３に示した第１実施形態の有機ＥＬ装置と異なるところは、隔壁とこれによって形成される凹部、および補助陰極配線の構成にある。
【００５５】
すなわち、本実施形態の有機ＥＬ装置は、図５に示すように隔壁３４が第１隔壁３４ａと第２隔壁３４ｂとからなっており、これら第１隔壁３４ａ、第２隔壁３４ｂの側方、言い換えると第１隔壁３４ａ、第２隔壁３４ｂの間に形成される凹部１５も、第１凹部１５ａと第２凹部１５ｂとからなっている。第１隔壁３４ａは、平面視細長い矩形状に形成されたもので、図５において図面の縦横方向にそれぞれ所定間隔をおいて配列されている。第２隔壁３４ｂは、平面視、第１隔壁３４ａより小さい矩形状のもので、第１隔壁３４ａと同様に縦横方向にそれぞれ所定間隔をおいて配列されている。なお、これら第１隔壁３４ａと第２隔壁３４ｂとは、それぞれ独立した島状に形成されており、したがって互いに離間して配設されている。また、縦方向、横方向共に、互いにずれて配置されており、したがって、図面を斜め方向に見た場合に、第１隔壁３４ａと第２隔壁３４ｂとは交互に配置されている。
【００５６】
このような構成のもとに、第１隔壁３４ａの一方の辺（長辺）の側方は第１凹部１５ａとなっており、第１隔壁３４ａの他方の辺（短辺）の側方は第２凹部１５ｂとなっている。すなわち、隣り合う一対の第１隔壁３４ａの長辺間に挟まれ、かつ、隣り合う一対の第２隔壁３４ｂの長辺間に挟まれてなる位置が、第１凹部１５ａとなっており、この第１凹部１５ａには、有機ＥＬ素子７０の形成領域、すなわち前記絶縁膜３２の開口３２ａが配置されている。また、隣り合う一対の第１隔壁３４ａの短辺間に挟まれ、かつ、隣り合う一対の第２隔壁３４ｂの短辺間に挟まれてなる位置が、第２凹部１５ｂとなっている。この第１凹部１５ｂには、画素電極２０、機能層４０が形成されず、したがって有機ＥＬ素子７０が形成されないことから、有機ＥＬ素子７０の非形成領域となっている。
【００５７】
第１凹部１５ａには、前記実施形態と同様に、前記開口３２ａ内に画素電極２０が臨んで配置され、これによってサブ画素Ｘが形成されている。このサブ画素Ｘは、各第１凹部１５ａ毎に、赤色のサブ画素Ｘ、緑色のサブ画素Ｘ、青色のサブ画素Ｘがそれぞれ配列されている。これら各色のサブ画素Ｘは、第１実施形態と同様に、同色のものが図面の縦方向に沿って配列させられており、横方向には、例えば赤、緑、青の順に繰り返し配列されている。なお、各色のサブ画素Ｘを構成する機能層４０は、マスク蒸着法等により、第１凹部１５ａ内の全域に選択的に形成されている。
【００５８】
第２凹部１５ｂには、これを横切るようにしてその横方向、すなわち前記第２隔壁３４ｂを前記第２隔壁３４ｂの長辺方向に沿って横切る方向に、補助陰極配線５０が形成されている。したがって、この補助陰極配線５０は、第２凹部１５ｂに露出する絶縁膜３２と、第２隔壁３４ｂとを覆って配設されており、第１実施形態と異なって機能層４０上に配置されないようになっている。
【００５９】
そして、図６（ａ）に示すように、第１凹部１５ａには、図４（ａ）に示した構成と同様に、絶縁膜３２の開口３２ａ上に、有機ＥＬ素子７０が形成されており、これによってサブ画素Ｘが構成されている。
ところが、本第２実施形態においても、共通電極６０は厚さ１０ｎｍ程度のＭｇＡｇからなっているので、高さ２μｍ程度の第１隔壁３４ａと第１凹部１５ａ内の機能層４０との間で大きな段差が形成されていることにより、この段差の境界部分（第１隔壁３４ａと機能層４０との境界部分）などにおいて、前述したように段切れ（断線）を起こしてしまうことがある。また、図示しないものの、第２隔壁３４ｂも第１隔壁３４ａと同じ高さに形成されることから、この第２隔壁３４ｂと第１凹部１５ａ内の機能層４０との間においても、共通電極６０は同様に段切れ（断線）を起こしてしまうことがある。
【００６０】
しかしながら、本実施形態では、図６（ｂ）に示すように、第１凹部１５ａと第２凹部１５ｂとを結ぶ位置、すなわち、斜め方向に隣り合う第１隔壁３４ａと第２隔壁３４ｂとの間を通る位置において、共通電極６０は第２凹部１５ｂ側で補助陰極配線（補助電極）５０に接している。すなわち、第１隔壁３４ａ、第２隔壁３４ｂのいずれも形成されておらず、したがってこれら隔壁３４ａ、３４ｂによる段差が形成されていない、第１凹部１５ａ、第２凹部１５ｂ内において、共通電極６０は補助陰極配線５０に接している。
【００６１】
また、この補助陰極配線５０は、前述したように厚さが２００ｎｍ程度と、共通電極６０の厚さに比べると十分に厚く形成されているので、図６（ｃ）に示すように第２隔壁３４ｂによる段差で段切れ（断線）を起こすことなく、第２隔壁３４ｂ上で共通電極６０に接している。よって、第１隔壁３４ａ上の共通電極６０が、該第１隔壁３４ａの段差に起因して第１凹部１５ａ内の共通電極６０との間で断線していても、第２隔壁３４ｂ上、及び第２凹部１５ｂ内の補助陰極配線５０を介して第１凹部１５ａ内に導通しており、したがって、第１隔壁３４ａ上及び第２隔壁３４ｂ上の共通電極６０は、第１凹部１５ａ内の機能層４０に電気的に接続している。
【００６２】
したがって、本実施形態の有機ＥＬ装置にあっても、特に第１隔壁３４ａの段差に起因して共通電極６０に段切れ（断線）が生じても、補助陰極配線５０を介することで第１隔壁３４ａ上や第２隔壁３４ｂ上の共通電極６０と凹部１５内の共通電極６０とを良好に導通させているので、全ての有機ＥＬ素子７０（発光素子）からなるサブ画素Ｘを良好に点灯させることができる。また、補助陰極配線５０を設けたことで輝度のバラツキをなくしているので、発光ムラや輝度ムラ等の表示ムラが無い高品質な表示性能を有するものとなる。
【００６３】
なお、前記第２実施形態では、第１隔壁３４ａ、第２隔壁３４ｂの平面視形状を矩形状に形成したが、円形や長円形など、サブ画素Ｘ（有機ＥＬ素子７０）の発光に影響しない範囲で任意の形状に形成することができる。ただし、共通電極６０上に形成する封止層の付き回りやピンホールの発生のし易さを考慮すると、鋭角パターンより円弧のパターンを用いる方が好ましい。
【００６４】
また、第１隔壁３４ａ、３４ａの長辺間に形成される第１凹部１５ａ内に、それぞれ赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のうちの一色に対応するサブ画素Ｘを配置したが、一つの第１凹部１５ａ内に、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色のサブ画素Ｘを配置し、これら３色のサブ画素Ｘからなる画素を、一つの第１凹部１５ａ内に配置するようにしてもよい。また、複数の画素を一つの第１凹部１５ａ内に配置するようにしてもよい。
【００６５】
さらに、図５に示したように本実施形態では、補助陰極配線５０を、図面の横方向に配置したが、第１隔壁３４ａ上と第２凹部１５ｂ上とを通るように図面の縦方向に配置してもよい。
また、前記第２実施形態では、横方向に配列された第２凹部１５ｂからなる列の全てに対して補助陰極配線５０を配置するようにしたが、共通電極６０についての配線抵抗にほとんど影響が無い範囲で、全ての列に形成することなく、補助陰極配線５０をある程度間引いて配置してもよい。
【００６６】
（第３実施形態）
次に、本発明の有機ＥＬ装置の第２実施形態を説明する。図７は、本発明の有機ＥＬ装置の第３実施形態を示す要部拡大平面図、図８（ａ）は図７のＪ−Ｊ線矢視断面図、図８（ｂ）は図７のＫ−Ｋ線矢視断面図、図８（ｃ）は図７のＬ−Ｌ線矢視断面図である。
図７に示す本実施形態の有機ＥＬ装置が、図３に示した第１実施形態の有機ＥＬ装置と異なるところは、隔壁とこれによって形成される凹部、および補助陰極配線の構成にある。
【００６７】
すなわち、本実施形態の有機ＥＬ装置は、図７に示すように、隔壁３４がストライプ状でなく縦横に配置された格子状に形成されており、この隔壁３４に囲まれた平面視矩形状の部位が、凹部１５となっている。そして、この凹部１５内には、有機ＥＬ素子７０の形成領域と非形成領域の両方が配置されている。つまり、この凹部１５内には、有機ＥＬ素子７０の形成領域となる前記絶縁膜３２の開口３２ａが配置されており、また、その側方（図７において図面の上側、すなわち隔壁３４と機能槽４０とに囲まれた領域）には開口３２ａが形成されておらず、機能層４０も配されていない有機ＥＬ素子７０の非形成領域１４が配されている。
【００６８】
凹部１５内の前記開口３２ａ内には、有機ＥＬ素子７０の形成領域内（中央部から図面の下側にかけて）に画素電極２０が臨んで配置されており、これによってサブ画素Ｘが形成されている。このサブ画素Ｘは、各凹部１５毎に、赤色のサブ画素Ｘ、緑色のサブ画素Ｘ、青色のサブ画素Ｘがそれぞれ配列されている。これら各色のサブ画素Ｘは、第１実施形態と同様に、同色のものが図面の縦方向に沿って配列させられており、横方向には、例えば赤、緑、青の順に繰り返し配列されている。なお、各色のサブ画素Ｘを構成する機能層４０は、マスク蒸着法等により、凹部１５内における前記非形成領域１４を除いた全域に、選択的に形成されている。
【００６９】
また、凹部１５内において、図面の上側に形成された前記非形成領域１４には、これを横切るようにしてその横方向に補助陰極配線５０が形成されている。したがって、この補助陰極配線５０は、凹部１５内に露出する絶縁膜３２と、隔壁３４とを覆って配設されており、第２実施形態と同様に機能層４０上に配置されないようになっている。
【００７０】
そして、図８（ａ）に示すように、凹部１５の前記形成領域には、図４（ａ）に示した構成と同様に、絶縁膜３２の開口３２ａ上に、有機ＥＬ素子７０が形成されており、これによってサブ画素Ｘが構成されている。
ところが、本第３実施形態においても、共通電極６０は厚さ１０ｎｍ程度のＭｇＡｇからなっているので、高さ２μｍ程度の隔壁３４と凹部１５内の機能層４０との間で大きな段差が形成されていることにより、この段差の境界部分（隔壁３４と機能層４０との境界部分）などにおいて、前述したように段切れ（断線）を起こしてしまうことがある。
【００７１】
しかしながら、本実施形態では、共通電極６０は図８（ｂ）に示すように凹部１５内において、前記形成領域における機能層４０上と非形成領域１４に形成された補助陰極配線５０との間に連続して設けられている。すなわち、凹部１５内においてはほとんど段差がなく、したがって共通電極６０は補助陰極配線５０を覆って形成されることでこれと良好に接している。
【００７２】
また、この補助陰極配線５０は、前述したように厚さが２００ｎｍ程度と、共通電極６０の厚さに比べると十分に厚く形成されているので、図８（ｃ）に示すように隔壁３４による段差で段切れ（断線）を起こすことなく、隔壁３４上で共通電極６０に接している。よって、隔壁３４上の共通電極６０が、該隔壁３４の段差に起因して凹部１５内の共通電極６０との間で断線していても、隔壁３４上の補助陰極配線５０を介して凹部１５内の形成領域に導通しており、したがって、隔壁３４上の共通電極６０は凹部１５内の機能層４０に電気的に接続している。
【００７３】
したがって、本実施形態の有機ＥＬ装置にあっても、隔壁３４の段差に起因して共通電極６０に段切れ（断線）が生じても、補助陰極配線５０を介することで隔壁３４上の共通電極６０と凹部１５内の共通電極６０とを良好に導通させているので、全ての有機ＥＬ素子７０（発光素子）からなるサブ画素Ｘを良好に点灯させることができる。また、補助陰極配線５０を設けたことで輝度のバラツキをなくしているので、発光ムラや輝度ムラ等の表示ムラが無い高品質な表示性能を有するものとなる。
【００７４】
なお、前記第３実施形態では、凹部１５内に、それぞれ赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のうちの一色に対応するサブ画素Ｘを配置したが、一つの凹部１５内に、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色のサブ画素Ｘを配置し、これら３色のサブ画素Ｘからなる画素を、一つの凹部１５内に配置するようにしてもよい。また、複数の画素を一つの凹部１５内に配置するようにしてもよい。
さらに、前記第３実施形態では、矩形状に形成された凹部１５の長辺方向に沿って配列されるサブ画素Ｘのそれぞれの間に、補助陰極配線５０を配置するようにしたが、共通電極６０についての配線抵抗にほとんど影響が無い範囲で、全てのサブ画素Ｘ間に形成することなく、補助陰極配線５０をある程度間引いて配置してもよい。
【００７５】
また、本発明は前記実施形態に限定されることなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。例えば、前記第１、第２、第３実施形態では、機能層４０の発光層に赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色を発光させるようにしたが、例えば白色発光する有機発光層（機能層４０）を基板１０上（凹部、隔壁上を含む）に共通に設け、共通電極（陰極）６０の上方に配設される保護部材（封止基板）の内面側にカラーフィルターを形成し、フルカラー表示を可能に構成してもよい。
さらに、前記実施形態では、機能層４０における発光層の形成材料として低分子系材料を用い、これを蒸着法で成膜することによって発光層を形成するようにしたが、高分子系の材料を用いることもでき、その場合にはインクジェット法（液滴吐出法）等の液相法で発光層を形成することができる。
【００７６】
（電子機器）
次に、本発明の有機ＥＬ装置の応用例として、電子機器について説明する。図９は、本発明の有機ＥＬ装置を用いた電子機器の一例を示す斜視図である。図９に示す携帯電話１３００は、本発明の有機ＥＬ装置を小サイズの表示部１３０１として備え、複数の操作ボタン１３０２、受話口１３０３、及び送話口１３０４を備えて構成されている。これにより、本発明の有機ＥＬ装置によって構成された表示品質に優れる表示部を具備した、優れた携帯電話１３００となる。
【００７７】
なお、本発明の有機ＥＬ装置は、前記携帯電話に限らず、電子ブック、プロジェクタ、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、テレビジョン受像機、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等々の画像表示手段として好適に用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】本発明の有機ＥＬ装置の配線構造を示す模式図である。
【図２】本発明の有機ＥＬ装置の構成を模式的に示す平面図である。
【図３】第１実施形態の有機ＥＬ装置の要部拡大平面図である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は図３の断面図である。
【図５】第２実施形態の有機ＥＬ装置の要部拡大平面図である。
【図６】（ａ）〜（ｃ）は図５の断面図である。
【図７】第３実施形態の有機ＥＬ装置の要部拡大平面図である。
【図８】（ａ）〜（ｃ）は図７の断面図である。
【図９】本発明の有機ＥＬ装置を備える電子機器の概略図である。
【符号の説明】
【００７９】
１…有機ＥＬ装置（有機エレクトロルミネッセンス装置）、１０…基板、１４…被形成領域、１５…凹部、１５ａ…第１凹部、１５ｂ…第２凹部、２０…画素電極（陽極、第１電極）、３２…絶縁膜、３２ａ…開口、３４…隔壁、３４ａ…第１隔壁、３４ｂ…第２隔壁、４０…機能層、５０…補助陰極配線（補助電極）、６０…共通電極（陰極、第２電極）、７０…有機ＥＬ素子（有機エレクトロルミネッセンス素子）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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