(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に金属配線を有する半導体装置の製造方法であって、
前記半導体基板上に層間絶縁膜を形成する工程と、
前記層間絶縁膜および前記半導体基板にダミー金属配線を形成するために、開口部の径が金属膜厚とレジスト膜厚の合算膜厚の２倍以上であって、アスペクト比が１〜３であるトレンチを形成する工程と、
前記層間絶縁膜の表面と前記トレンチの内面に、前記金属配線あるいは前記ダミー金属配線となる金属膜を堆積する工程と、
前記金属膜を堆積した前記トレンチ上に表面が凹んだプロファイルを有するレジストによるパターンを形成する工程と、
前記金属膜をエッチングして前記層間絶縁膜上の前記金属配線および前記トレンチ内面および周囲の前記ダミー金属配線を近接して形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記金属膜の上にレジストによるパターンを形成する工程において、前記トレンチ上の前記表面が凹んだプロファイルを有するレジストの一部の領域が露光されて、レジスト膜厚が薄くなっていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記領域は、平面視にて円形あるいは方形であることを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記領域は、一つのトレンチ上に複数個あることを特徴とする請求項２または３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記金属膜は、アルミニウム、または、シリコンあるいは銅を含有するアルミニウム合金であることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法、特に、金属配線のドライエッチング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
アルミのドライエッチング加工において、レジストから供給されるレジスト分解物が側壁保護膜の形成に寄与しており、側壁保護膜により異方性の微細加工が可能になることが知られている。エッチングの代表的なガス種は、Ｃｌ2、ＢＣｌ3、ＨＣｌ等の塩素系である。アルミは反応性の高い金属であり、Ｃｌ2分子と強く反応し、エッチングが高速に進む。このため、アンダーカットを抑えるために、パターン側壁に保護膜を形成することが必要である。ところが、パターンが微細になり、レジスト開口率が高くなると、レジスト分解物が不足して、側壁保護膜の形成が不十分になり、エッチング中にアンダーカットが発生し、エッチングされたアルミの異方性を保てなくなる。その結果、配線の信頼性低下や断線が懸念される。この対策として、特許文献１に示されるように、デバイスのパターンとは別に、同一ウェハ上にダミーのレジストパターンを形成して、レジスト量を増やすことで、レジスト分解物を補い、アルミの異方性を保つ方法が知られている。また、特許文献２に示されるように、アルミエッチングにおいて、アルミ膜中にあらかじめ側壁保護膜を形成する不純物である、例えばボロン元素を導入する方法が知られている。
【特許文献１】特開昭６３−２５０８２３号公報
【特許文献２】特開平７−４５５９０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
半導体装置あるいはＩＣの特性上、レジスト開口率が高くなることが当然ある。また、チップのシュリンクが進むと、配線レイアウトの自由度が狭くなり、レジストに覆われた大きなダミーのパターンを形成することが困難になることが予想される。大きなダミーのパターンが形成できるのは、配線パターンから離れた場所になってしまい、レジスト分解物が側壁保護膜形成に効果を発揮できない問題が考えられる。また、マイクロローディング効果の影響で、微細な配線パターンにおいては、レジスト分解物が供給できず、その結果、エッチング時のアルミ側壁の保護膜形成ができなくなり、アルミの異方性エッチングが困難になるという問題点がある。
【０００４】
本発明は、大きなダミーのパターンを形成せずに、かつ配線パターンの近くにレジスト分解物の供給源を配置することで、アルミの異方性エッチングが可能な半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するために、本発明の半導体装置の製造方法においては、半導体基板上に金属配線を有する半導体装置の製造方法において、半導体基板上に層間絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜および半導体基板にトレンチを形成する工程と、前記層間絶縁膜とトレンチの上に金属膜を堆積する工程と、前記金属膜の上にレジストパターンを形成する工程と、前記金属膜をエッチングして前記層間絶縁膜上の金属配線および前記トレンチ上のダミー金属配線を近接して形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法とする。
【０００６】
また、前記金属膜の上にレジストパターンを形成する工程において、トレンチ上のレジストの一部が露光されて、レジスト膜厚が薄くなっていることを特徴とする半導体装置の製造方法とする。
【０００７】
また、前記トレンチ上のレジストが露光された領域は、平面視にて円形または方形であることを特徴とする半導体装置の製造方法とする。
【発明の効果】
【０００８】
以上の半導体装置の製造方法を用いることにより、ドライエッチングによる配線金属形成において、エッチングによって露出する配線側面に対し、近接するトレンチ上に位置するレジストの表面積が大きいので、近接するトレンチ上のレジストから有機成分が供給されて側壁保護膜を形成するため、サイドエッチングの無い異方性エッチングが確保でき、良好な断面形状を有する金属配線を形成することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明の実施の形態を図１および図２に基づいて説明する。
【００１０】
図１−１、図１−２は、本発明の第一の実施例を示した工程断面図である。
【００１１】
図１−１（ａ）は、半導体基板１０２上に半導体素子を形成する途中の工程を示したもので、半導体素子のコンタクトホール形成後にトレンチ１００を形成する工程を示す断面図である。半導体基板１０２上には層間絶縁膜１０３が形成され、層間絶縁膜上にはレジスト１０１が塗布されている。レジスト１０１はパターニングされ、これをマスクとして下層の層間絶縁膜１０３および半導体基板１０２に開孔であるトレンチ１００がエッチングにより形成されている。半導体素子がトレンチ構造を有しない場合は、本実施例のようにコンタクトホール形成後にマスクを１枚追加してトレンチ１００を形成するが、トレンチ構造を有する半導体素子であれば、マスクパターンを追加せずに、トレンチ１００を形成することが可能である。
【００１２】
図１−１（ｂ）は、レジストを剥離して、層間絶縁膜１０３上およびトレンチ１００内に金属膜１０４を堆積した状態を示した工程断面図である。この金属膜１０４は、後に金属配線やダミー金属配線となるもので、例えば、純アルミにシリコンや銅を含有したアルミ合金である。
【００１３】
図１−２（ｃ）は、金属膜をドライエッチングするときにマスクとして用いるレジストをパターニングしたときの工程断面図である。金属膜１０４の上にはレジスト１０５が形成されている。トレンチ１００に中にもレジスト１０６が入り込んでいるが、その上部表面は凹んだプロファイルとなっており、平面に形成したレジストパターンに比べると単位面積当りの表面積を大きくすることができる。トレンチ部のレジスト１０６の凹状態はトレンチの形状やレジストの塗布条件によって異なるが、その表面積が広いほうが好ましい。トレンチの開口部の径（差し渡し）は金属膜厚とレジスト膜厚の合算膜厚の２倍以上であって、アスペクト比は１〜３であることが望ましい。また、レジストはトレンチ内の金属膜１０４にコンフォーマルに塗布されていることが望ましい。この場合スピン塗布法よりはスプレー塗布法によってレジスト塗布を行ったほうがトレンチ内の形状を反映したレジスト形状が得られる。
【００１４】
図１−２（ｄ）は、金属膜をドライエッチングした後の工程断面図を示している。レジスト１０５、１０６をマスクとして金属膜１０４がエッチングされ、金属配線１０８およびダミー金属配線１０９が近接して形成されている。金属配線１０８やダミー金属配線１０９の側面は側壁保護膜１０７によって被覆されている。側壁保護膜１０７は金属膜１０４のエッチング中にレジスト１０５、１０６が分解されて生成した有機成分が付着して形成されたものである。従来の構造ではトレンチ１００が無いために凹んだプロファイルを有するレジスト１０６からの有機成分の供給が無いため、金属配線１０８が疎であると、側壁保護膜１０７の厚さが十分でなくサイドエッチングが起こる。しかしながら、本発明では、金属配線が疎である場合にはその近傍にトレンチを配しているため、そこから有機成分が供給されて十分な厚みを有する側壁保護膜１０７が被着されるのでサイドエッチングは発生せず、良好な断面形状を有する金属配線１０８を形成できる。なお、上述の実施例では、レジスト１０６がトレンチ１００を覆う形状にて説明したが、次に変形例について説明する。
【００１５】
図２は、本発明の第二の実施例を示した工程断面図である。図１−１（ａ）および図１−１（ｂ）を経た後に図２（ａ）の工程に移る。図１−２（ｃ）と異なる点はトレンチ１００の上に形成したレジスト１１０の中に小さな穴が設けられていることである。レジストパターニングのときにトレンチ内の金属膜開口部面積よりも小さい穴をレジスト１１０の中央部に設けることで、より大きな表面積を有するレジスト１１０が形成される。この小さな穴はレジスト１０５、１０６をパターニングするときに同時に露光して形成すればよい。露光量を調整してレジスト１０６の中心の開口底面にレジストが残るようにしたほうが良い。このように、配線形成のためのレジストパターニングのときにトレンチ上のレジストに様々なパターニングを施すことによって、レジストの表面積を飛躍的に広げることができる。図示してないが、レジスト１１０に形成された小さな穴を上面から見ると円形であるが、方形であっても良いし、複数の円形や複数の方形からなる形状でも良い。なお、以上のような方法を用いれば、スピン塗布法にてレジスト塗布を行っても十分な表面積を有するレジスト形成できる。
【００１６】
図２（ｂ）は、金属膜をドライエッチングした後の工程断面図を示している。レジスト１０５、１１０をマスクとして金属膜１０４がエッチングされ、金属配線１０８およびダミー金属配線１０９が近接して形成されている。金属配線１０８やダミー金属配線１０９の側面は側壁保護膜１０７によって被覆されている。側壁保護膜１０７は金属膜１０４のエッチング中にレジスト１０５、１１０が分解されて生成した有機成分が付着して形成されたものである。従来の構造ではトレンチ１００が無いためにレジスト１１０からの有機成分の供給が無く、金属配線１０８が疎であると、側壁保護膜１０７の厚さが十分でなくサイドエッチングが起こってしまう。しかしながら、本発明では、金属配線が疎である場合にはその近傍にトレンチを配しているため、そこから有機成分が供給されて十分な厚みを有する側壁保護膜１０７が被着されるのでサイドエッチングは発生せず、良好な断面形状を有する金属配線１０８を形成できる。
【００１７】
以上説明したように、本発明の製造方法を用いれば、十分な厚みの側壁保護膜を確保でき、エッチング中のサイドエッチングを抑制し、信頼性低下の懸念の無い金属配線を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１−１】本発明の第一の実施例を示した工程断面図  （ａ）トレンチエッチング後の断面図  （ｂ）金属膜を堆積した後の断面図
【図１−２】本発明の第一の実施例を示した工程断面図  （ｃ）レジストパターニングした後の断面図  （ｄ）金属膜のドライエッチング後の断面図
【図２】本発明の第二の実施例を示した工程断面図  （ａ）レジストパターニングした後の断面図  （ｂ）金属膜のドライエッチング後の断面図
【符号の説明】
【００１９】
１００  トレンチ
１０１、１０５、１１０  レジスト
１０２  半導体基板
１０３  層間絶縁膜
１０４  金属膜
１０６  凹んだプロファイルを有するレジスト
１０７  側壁保護膜
１０８  金属配線
１０９  ダミー金属配線
【図１−１】
0005265939.tif 000002
【図１−２】
0005265939.tif 000003
【図２】
0005265939.tif 000004