(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子源と、
荷電粒子源から発生した荷電粒子を試料上に照射させる光学機構と、
荷電粒子の照射により試料の被照射領域から発生した荷電粒子を検出する検出機構を有し、
前記被照射領域に対応した位置に配置可能に形成され、前記照射により前記試料から分離された試料の一部分を付着させる付着機構と、を備え、
前記付着機構が、走査される荷電粒子の試料上の位置に追従して動くことを特徴とする荷電粒子装置。
【請求項２】
請求項１において、前記試料から分離された試料の一部は、荷電粒子を走査したときに発生する前記試料による及び前記試料に付着していた飛散物質又は試料に含まれている試料成分と異なる物質を含むことを特徴とする荷電粒子装置。
【請求項３】
請求項１において、付着機構は温度制御機構を備えることを特徴とする荷電粒子装置。
【請求項４】
請求項３において、前記温度制御機構は冷却機構を備えることを特徴とする荷電粒子装置。
【請求項５】
請求項３において、前記温度制御機構は加熱機構を備えることを特徴とする荷電粒子装置。
【請求項６】
請求項３において、前記温度制御機構は温度制御動作前よりも低温にする冷却機構と前記温度制御動作前よりも高温にする加熱機構を備えることを特徴とする荷電粒子装置。
【請求項７】
請求項１において、前記付着機構は、前記荷電粒子の照射位置に対応する領域に配置される先端側領域の表面積は前記先端側領域より支持部側に位置する支持部側領域の表面積より大きく形成されていることを特徴とする荷電粒子装置。
【請求項８】
請求項１において、前記付着機構は正もしくは負の電圧を印加できる電圧印加機構を備えることを特徴とした荷電粒子装置。
【請求項９】
荷電粒子源から発生した荷電粒子を試料上の第一の領域に照射し、
前記照射により前記第一の領域から分離された前記試料の一部分を付着機構に付着させる第一の付着ステップと、
前記付着した一部分を除去する第一の除去ステップと、
荷電粒子を試料上の第二の領域に照射し、
前記照射により前記第二の領域から分離された前記試料の一部を前記除去後の前記付着機構に付着させる第二の付着ステップと、を備えることを特徴とする荷電粒子装置の使用方法。
【請求項１０】
請求項９において、前記第一の除去ステップに比べて、前記第一及び第二の付着ステップでの前記付着機構における前記試料の一部が付着する付着領域の温度が低くなるよう制御することを特徴とする荷電粒子装置の使用方法。
【請求項１１】
請求項９において、前記付着機構に対して、前記第一の付着ステップで正の電荷を印加し、前記第一の除去ステップで前記付着ステップより負側の電荷を印加するよう制御することを特徴とする荷電粒子装置の使用方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、走査電子顕微鏡（Scanning Electron Microscope：ＳＥＭ）や集束イオンビーム（Focused Ion Beam：ＦＩＢ）加工観察装置等の荷電粒子装置およびその使用方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
荷電粒子線加工装置として、ＦＩＢ加工観察装置やイオンミリング装置が知られている。これらの装置は、試料の欠陥箇所を透過電子顕微鏡（Transmission Electron Microscope：ＴＥＭ）やＳＥＭ等で断面観察する際の試料作製に用いられている。ＦＩＢ加工観察装置は、集束したイオンビームで試料表面を走査し、該走査時に発生する二次荷電粒子を検出し画像として観察しながら、欠陥等の特定部位を正確に断面加工できるため、半導体製造プロセスの評価装置として広く利用されている。
【０００３】
イオンビーム加工において、スパッタ粒子がマスクパターン及び加工面へ再付着して試料にバリが発生することを抑制するために、特開２００５−１３５８６７号公報では、被加工試料の被加工面上の空間に電界を発生させるための電極を配置し、試料に０Ｖもしくは負の電圧を印加することにより、イオンビームを照射したときに発生する飛散物質を試料表面に堆積させずに加工を行うことができる技術が開示されている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−１３５８６７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ＦＩＢ加工観察装置等で、荷電粒子線を用いて試料加工すると、加工時に発生する飛散物質が観察面を汚染したり、観察領域を狭くする等の像観察の弊害となる。また、ＳＥＭ等では、荷電粒子線を試料に走査して観察／分析を行うと、試料表面や内在しているガス分子および真空中の残留ガス分子が、荷電粒子線照射により重合し、試料表面に堆積する。これらの物質は、試料の加工／観察／分析を行う場合、加工中や観察中に発生する飛散物質又は汚染物質は、荷電粒子線を照射した場所もしくはその周りに堆積するため、観察領域を汚染したり、観察領域を狭くしてしまう等の原因となる。
【０００６】
観察領域を確保するためには、必要以上に加工したり、観察領域が堆積した飛散物質によって妨げられていないかを確認しながら加工／観察しなればならない。
【０００７】
これらの作業は、煩わしく作業効率の低下の原因となるため、飛散物質や汚染物質の影響を低減させる機構や手法の開発が望まれている。
【０００８】
しかし、前記公知例の方法では課題を解決するには充分でない。
【０００９】
そこで、本発明は荷電粒子線装置で荷電粒子照射により試料から生じる試料の飛散物質，汚染物質その他の試料から生じる試料の一部分による試料への堆積を効果的に抑制するものである、
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一つは、荷電粒子源と、荷電粒子源から発生した荷電粒子を試料上に照射させる光学機構と、荷電粒子の照射により試料の被照射領域から発生した荷電粒子を検出する検出機構を有し、前記被照射領域に対応した位置に配置可能に形成され、前記照射により試料から分離された試料の一部分を付着させる付着機構と、を備えることを特徴とする荷電粒子装置である。
【００１１】
なお、前記試料から分離された試料の一部は、荷電粒子を走査したときに発生する飛散物質又は試料の表面に堆積或は内部に内包されて含まれている試料成分と異なる物質（例えば汚染物質，ガス分子）であることができる。
【００１２】
または、荷電粒子源から発生した荷電粒子を試料上の第一の領域に照射し、前記照射により前記第一の領域から発生した前記試料の一部分を付着機構に付着させる第一の付着ステップと、前記付着した一部分を除去する第一の除去ステップとを有する荷電粒子装置の使用方法である。或はそれに加えて、荷電粒子を試料上の第二の領域に照射し、前記照射により前記第二の領域から発生した前記試料の一部を前記除去後の前記付着機構に付着させる第二の付着ステップと、前記付着した一部分を除去する第二の除去ステップと、を備える荷電粒子装置の使用方法である。
【００１３】
また、本発明では、加工／観察／分析を行う荷電粒子線装置で問題となる飛散物質又は汚染物質を低減する機能を持ったプローブ機構や、加工観察手法を提案する。
【００１４】
本発明の機構及び具体的な構成については、以下に示す発明の実施形態で説明する。
【００１５】
前記発明とは別の発明として以下のものが考えられる。荷電粒子線源と、荷電粒子線源から発生した荷電粒子線を試料上に走査させる光学系と、荷電粒子線照射により試料表面から発生した信号を検出する検出系を有し、試料の加工／観察／分析又は、表面に保護膜を形成する荷電粒子線装置において、プローブ機構を有し、そのプローブに正もしくは負の電圧を印加できる機構を備え、そのプローブに電圧を印加して、局所蒸着を行うものである。蒸着材料に電圧を印加して加熱できるように、カーボンもしくは金属その他の配線を備える。または、作製した蒸着物質を保護膜として用いることを特徴とした加工手法である。または、保護膜形成の際に、プローブを試料近傍及び試料に接触させることによって、荷電粒子線が保護膜形成用のガス分子との衝突により散乱し、指定した領域以外に保護膜を形成されることを防ぐことができることを特徴とした加工手法である。
【発明の効果】
【００１６】
本発明により、荷電粒子線装置で荷電粒子照射により試料から生じる試料の飛散物質，汚染物質その他の試料から生じる試料の一部分による試料への堆積を抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明の実施例は、ＳＥＭやＦＩＢ加工観察装置その他の荷電粒子装置に関して適用する可能性がある。また、荷電粒子線を用いた加工，観察や分析等の方法に係り、半導体，材料，生物等の分野を問わず適用する可能性がある。
【００１８】
また、本発明は、本実施例に限るものではなく、改良や変更を許容するものである。
【００１９】
（第１の実施形態）
図２に、荷電粒子線装置の中で一般的なＦＩＢの概略構成図を示す。
【００２０】
本装置は、荷電粒子線１０１を取り出すためのイオン源２０１を有するイオン銃室２０２と発生したイオンを試料上に走査その他照射する光学機構を有する。具体的には、集束レンズ２０３，偏向器２０４，対物レンズ２０５を有し、試料ステージ２１０，プローブ２０７，デポジションガス分子供給部２１３，検出器２０９を有する試料室２１２の真空を保つための排気ポンプ２１１らから構成されている。
【００２１】
イオン源２０１から取り出された荷電粒子線１０１は、集束レンズ２０３と対物レンズ２０５によって細く集束され、偏向器２０４によって試料１０２上を走査する。イオンビーム１０１照射によるイオンの試料１０２への衝突によって発生するスパッタリング現象で試料加工を行う。走査された試料１０２から放出された二次荷電粒子２０６を検出器２０９で捕らえることによって画像を形成する。
【００２２】
図３は、本発明の実施例を示す模式図であり、特にＦＩＢ加工観察装置に適用した場合を示したものである。
【００２３】
ここでは、イオンビーム１０１の試料における被照射領域に対応した位置に配置可能に形成され、照射により試料から分離された試料の一部分を付着させる付着機構として端部に向かって細くなる領域を有する棒状のプローブを用いた例を示す。例えば、プローブの先端は、ステージや試料室壁などと独立して移動させる駆動機構を有する形態である。これにより、試料上の所望の領域に位置させることができる。
【００２４】
図３ａに示すようにイオンビーム１０１の近傍に本発明の特徴を有するプローブ２０７を配置する。図３ａでは、荷電粒子線の左側に配置しているが、プローブ２０７は、イオンビーム１０１の近傍であれば任意の場所に配置可能である。
【００２５】
次に飛散物質１０３の捕集状態を、図３ｂに示す。イオンビーム１０１で加工を行うと、イオンビーム１０１を照射した箇所から飛散物質１０３が発生する。
【００２６】
イオンビーム１０１を照射して発生する飛散物質１０３は、イオンビーム１０１を照射することによって、熱が加わっている加工部やその周辺より温度の低いプローブ２０７に吸着する。そのため、飛散物質１０３による観察面１０４の汚染を低減して加工を行うことができる。
【００２７】
ここで、上記本発明の実施例を用いない場合の比較例を示す。ＦＩＢ加工観察装置による荷電粒子線での試料加工の一例を図１に示す。図１ａのように試料１０２に荷電粒子線１０１を走査すると、図１ｂのように荷電粒子線１０１を照射されるとその周りに飛散物質１０３が発生する。この飛散物質１０３が、作製した観察面１０４や加工領域１０５に堆積するため、像観察の弊害となる。一方、本発明の実施例の形態を実施することにより比較例の課題を効果的に抑制することができる。
【００２８】
このように、荷電粒子線装置で加工／観察／分析を行う際に問題となる、飛散物質又は汚染物質を低減する機能を持ったプローブを用いて、加工／観察／分析する手法や機構を提案することができる。
【００２９】
図４は、本発明の実施例を示す模式図であり、特にＳＥＭに適用した場合を示したものである。
【００３０】
図４ａに示すように電子線１０１の近傍にプローブ２０７を配置する。図４ａでは、電子線の左側に配置しているが、プローブ２０７は電子線１０１の近傍であれば任意の場所に配置可能である。電子線１０１を走査すると、走査した場所やその周りに熱が加わるため、試料１０２表面や内在しているガス分子が放出される。このガス分子が汚染物質１０３として試料汚染の原因となる。また、試料室内部の残留ガス分子も同様に汚染物質１０３として試料汚染の原因となる。
【００３１】
汚染物質１０３の捕集状態を、図４ｂに示す。この汚染物質１０３は、電子線１０１を照射することによって、熱が加わっている走査した場所やその周辺より温度の低いプローブ２０７に捕集される。これにより、試料１０２表面の汚染なく観察を行うことができる。
【００３２】
このように、試料加工時などに発生する飛散物質を捕集できる。または、試料観察時に試料表面に堆積する汚染物質を捕集することができる。このため、効果的に加工領域や観察領域にこれらの物質が付着することを抑制できる。
【００３３】
図５は、本発明の荷電粒子線とプローブを追従させる機構の実施例を示す模式図である。
【００３４】
プローブ２０７を追従させる機構は、図５に示すようにプローブ２０７とプローブ駆動部２０８からなるプローブ部と、プローブ駆動部２０８を制御するプローブ制御機構５０４で構成されている。また、荷電粒子線装置本体は、荷電粒子線源２０１から放出される荷電粒子線１０１を集束レンズ２０３と対物レンズ２０５によって細く集束され、偏向器２０４によって試料１０２上を走査する荷電粒子光学系と、それを制御するための荷電粒子線制御機構５０２で構成されている。これらの動作情報は、制御コンピュータ５０３で管理されており、プローブ２０７と荷電粒子線１０１の動きを追従させることができる。
【００３５】
例えば、図３に示すように、ＦＩＢ加工観察装置内でイオンビーム１０１を用いた試料加工を行うときは、プローブ２０７を荷電粒子線１０１の走査方向の後ろ側に配置することによって、観察面１０４を妨げる飛散物質１０３を低減することができる。
【００３６】
また、図４に示すように、電子線１０１を用いた観察を行うときは、観察視野に入らないようにプローブ２０７を配置することによって、像観察の弊害とならずに、汚染物質１０３を捕集することができる。これらの切り替えは、荷電粒子線装置の制御コンピュータ５０３で加工モードか観察モードを選択することによって、切り替え可能である。
【００３７】
また、プローブが、走査する荷電粒子線に追従して動くことで、汚染物質又は飛散物質の試料への堆積を低減可能とする加工観察手法を提供することができる。
【００３８】
なお、プローブの移動は、ビームの照射領域の試料上の位置の移動に対応して移動することも考えられる。一方、試料上に複数の照射対象を有する場合、第一の照射対象を照射しているときに当該照射領域の近傍の第一の位置にプローブを設置し、第二の照射領域を照射しているときに当該照射領域の近傍の第二の位置にプローブを設置するように移動することも考えられる。前者の方がビーム照射領域との距離をより均一に維持することができる、一方、後者の方ではビーム照射領域との距離は走査により多少変化するが、制御が容易で効率的に捕集できる。
【００３９】
図６は、本発明のプローブを冷却する機構の実施例を示す模式図である。
【００４０】
プローブ２０７を冷却する機構は、図６に示すようにプローブ２０７，プローブを駆動させるためのプローブ駆動部２０８，冷媒を入れる容器６０２，冷媒６０１，冷媒とプローブを繋ぐ配線６０３で構成されている。この冷媒６０１には、例えば、液体窒素，液体ヘリウム，ドライアイス等を用いる。また、冷媒とプローブを繋ぐ配線６０３には、例えば、Ｃｕ（銅），Ａｌ（アルミニウム）等熱伝導率の良い物質を用いる。少なくとも、配線の周囲の部材より熱伝導性のよい部材を用いる。
【００４１】
これにより、冷媒６０１の熱が、冷媒とプローブを繋ぐ配線６０３を通して伝わり、プローブ２０７を冷却することができる。
【００４２】
図６では、冷媒６０１を用いて冷却する方法を例としてあげたが、ペルチェ素子等を用いてもプローブ２０７の冷却は可能である。また、ヒーターを組み合わせることによって、プローブを任意の温度に調整することできる。
【００４３】
例えば、ＦＩＢ加工観察装置を用いて、熱によって形状が変形しやすい試料（ゴム，プラスチック等の高分子材料）を加工するとき、照射電流が高いイオンビーム１０１を用いて加工すると、未加工部にも熱が加わり、形状が変化してしまっていた。このような場合、試料の温度上昇を防ぐために照射電流が低いイオンビーム１０１を用いて、加工を行っているが、加工には長時間を要するため、作業効率の低下が問題であった。また、クライオステージを用いて、試料を冷却しながら加工することで、イオンビーム１０１による変形を防ぐことができるが、ステージの冷却に長時間を要する等の汎用性に欠けていた。
【００４４】
冷却機構が付いたプローブ２０７を接触もしくは近傍に配置することによって、冷却しながら加工を行うことができる。これにより、高い照射電流の荷電粒子線１０１を用いて試料加工しても、未加工部は冷却しているため、熱によって形状が変形することなく、短時間で加工を行うことができる。
【００４５】
また、プローブを試料近傍もしくは試料に接触させることで、試料の吸熱又は、局所冷却しながら加工観察できることを特徴とした加工観察手法を提供することができる。
【００４６】
また、プローブ２０７を冷却することによって、試料の冷却だけでなく、試料汚染の原因物質である飛散物質又は汚染物質１０３の捕集効率を向上させる効果がある。
【００４７】
図７は、本発明のプローブを加熱する機構の実施例を示す模式図である。
【００４８】
プローブ２０７を加熱する機構は、図７に示すようにプローブ２０７，プローブ駆動部２０８，ヒーター７０１，電源７０２，ヒーター７０１と電源７０２を繋ぐ配線７０３で構成されている。
【００４９】
ヒーター７０１が温まり、この熱がプローブ２０７先端に伝わってプローブ２０７先端が加熱される。ヒーター７０１の温度は、電源７０２で可変することができる。
【００５０】
図７では、ヒーター７０１を用いて加熱する方法を例としてあげたが、図６の冷媒を入れる容器６０２に温水等を入れても、プローブ２０７を加熱することが可能である。
【００５１】
例えば、ＳＥＭ観察時にガス分子を多く含有している試料の場合、観察前に試料を加熱していた。これにより、試料表面や内在していたガス分子を放出することができ、観察時に吸着する汚染物質を低減できた。しかし、大気中で加熱を行っているため、加熱をやめて、すぐに試料を観察しなければ、ガス分子が試料に再吸着が起こる上に、酸化しやすい試料では、試料の酸化を促進させる弊害もあった。
【００５２】
加熱機構を有するプローブを用いれば、観察領域近傍にプローブを接触もしくは配置することにより、試料室内で試料を局所加熱することができる。また、真空排気された試料室内で加熱を行うため、試料に内在するガス分子は、より効率良く放出させることが可能であり、酸化しやすい試料においても、加熱による酸化を極力抑えて加熱できる。
【００５３】
また、試料室２１２内に試料１０２が無い状態で、プローブ２０７を加熱することによって、プローブ２０７に吸着した飛散物質又は汚染物質１０３を解離させ、清浄化することができる。
【００５４】
また、プローブを試料近傍もしくは試料に接触させることで試料を局所加熱しながら加工観察できることを特徴とした加工観察手法を提供することができる。
【００５５】
本発明に用いるプローブは、加工／観察／分析の各用途に合わせた任意形状を選択することができる。図８は、本発明の任意形状プローブを用いた加工手法の実施例を示す模式図である。
【００５６】
例えば、飛散物質の付着機構であるプローブは、荷電粒子の照射位置に対応する領域に配置される先端側領域の表面積を先端側領域より支持部側領域の表面積より大きく形成されている。今回は例として、リング状プローブを示す。先端側に位置するリング部領域の表面積はそれより支持部側の棒状領域の表面積より大きくなるよう形成されている。例えば、先端側領域の幅は支持部側領域の幅より広くなっている。
【００５７】
任意形状プローブは、図８に示すように、荷電粒子線１０１，試料１０２，任意形状プローブ８０１で構成されている。荷電粒子線１０１を照射することによって、飛散物質又は汚染物質１０３は、プローブのリング形状の表面に吸着する。この形状の場合、前述してきた尖端型のプローブよりも表面積が大幅に広くなるため、効率よく飛散物質又は汚染物質１０３を捕集することができる。このように、プローブの形状を選択することで、飛散物質又は汚染物質１０３の捕集効率，試料の冷却効率，加熱効率を向上させることができる。
【００５８】
また、プローブの先端を試料近傍もしくは接触させその周りを加工することによって、保護膜の代わりとして使用することができる。これにより、今まで、表面保護膜を作製していた時間を短縮することができ、作業効率を向上させることができる。
【００５９】
また、端部を荷電粒子を照射する試料上に配置するよう制御しうる支持機構を有し、端部を荷電粒子源から発生した荷電粒子を試料に照射する照射領域に対応して配置し、荷電粒子を試料に照射し、荷電粒子を試料に照射する領域と、前記支持機構により荷電粒子を試料に照射するのを抑制する領域とを形成する。例えば、保護膜形成の際には、プローブを試料近傍及び試料に接触させることによって、荷電粒子線と保護膜形成用ガスとが供給された場合でも保護膜が形成される領域と保護膜の形成を抑制する領域を形成する。このため、荷電粒子線が保護膜形成用のガス分子との衝突により散乱し、指定した領域以外に保護膜を形成されることを防ぐことができる。
【００６０】
図９は、本発明のプローブ表面処理手法の実施例を示す模式図である。
【００６１】
今回は、荷電粒子線を用いてプローブ先端加工する例を示す。
【００６２】
図９ａのように、プローブ２０７の先端に荷電粒子線１０１を照射すると、図９ｂのように、プローブ２０７先端に凹凸形状を作製することができる。これにより、プローブ２０７先端の表面積を増大させることができるため、飛散物質又は汚染物質１０３の捕集効率を向上できる。
【００６３】
また、試料室２１２内に試料１０２が無い状態で、飛散物質又は汚染物質１０３が堆積しているプローブ２０７の先端部分を荷電粒子線１０１で切断することによって、吸着した飛散物質又は汚染物質を除去することができる。
【００６４】
図９では、荷電粒子線１０１を用いて、プローブ２０７の表面処理を行っているが、ケミカルエッチングやドライエッチングを行っても、同様の効果を得ることができる。
【００６５】
図１０は、本発明のプローブに電圧を印加する機構の実施例を示す模式図である。
【００６６】
プローブに電圧を印加する機構は、図１０に示すようにプローブ２０７，プローブを駆動させるためのプローブ駆動部２０８，電源７０２，プローブ２０７と電源７０２を繋ぐ配線７０３と電源とアース１００１を繋ぐ配線７０３で構成されている。この配線７０３は、Ｃｕ（銅）やＡｌ（アルミニウム），Ａｇ（銀）等導電性の良い物質を用いる。電源７０２で、電圧を印加することによって、その電圧がプローブ２０７と電源７０２を繋ぐ配線７０３に流れプローブ２０７に電圧が印加される。プローブ２０７にかかる電圧は、電源７０２で印加する電圧によって可変することができる。これにより、プローブ又は、試料に任意の電圧を印加することが可能である。プローブを試料に接触させ、試料に適正な負の電圧を印加させることで、飛散物質の試料への付着を抑制することが可能である。また、プローブに試料に接触させない状態で、適正な正の電圧を印加することによって、飛散物質の捕集効率を向上させることが可能である。
【００６７】
さらに、試料室２１２内に試料１０２が無い状態で、プローブ２０７に短時間正もしくは負の高い電圧を印加することによって加熱し、堆積した飛散物質又は汚染物質１０３をプローブ２０７から解離させて、清浄化することができる。
【００６８】
このように、清浄化する際には、付着する際に用いた電圧よりも負側の電圧、例えばゼロ或は負電圧等、を印加することが好ましい。
【００６９】
（第２の実施形態）
以下に、その他の実施例を示す。前記実施例の基本構成を用いて前記の実施例に関わらない応用例を示す。図２の基本的構成などについては説明を省略する。
【００７０】
図１１は、本発明のプローブを用いて局所蒸着する手法の実施例を示す模式図である。
【００７１】
プローブ２０７を用いて蒸着をする手法は、図１１に示すように、プローブ２０７，プローブを駆動させるためのプローブ駆動部２０８，電源７０２，プローブ２０７と電源７０２を繋ぐ配線７０３と蒸着材料１１０１で構成されている。
【００７２】
この蒸着材料１１０１には、例えば、Ｃ（カーボン），Ａｕ（金），Ｐｔ（白金）等を用いる。
【００７３】
図１２は、図１１のプローブ２０７，蒸着材料１１０１と試料１０２で構成されている部分の拡大図である。
【００７４】
まず、蒸着を行いたい場所の近傍に蒸着材料１１０１が付いているプローブ２０７を配置する。電源７０２で、電圧を印加することによって、電源７０２とプローブ２０７を繋ぐ配線７０３を通してプローブ２０７に伝わり、蒸着材料１１０１に電圧が印加される。
電源７０２で印加する電圧を、ある程度上昇させることによって、蒸着材料１１０１が飛散する温度に上昇する。これにより、蒸着を行いたい場所に蒸着を行い蒸着膜１２０１を形成することができる。さらに、試料１０２と蒸着材料１１０１が近いため、局所蒸着を行うことが可能である。これにより、例えば、蒸着材料に対応する程度の大きさの領域に蒸着を行うことができる。よって、試料のうちの一部の小さい部分だけを加熱するので周囲への影響が小さくできる。
【産業上の利用可能性】
【００７５】
荷電粒子線を用いて、真空内で加工／観察／分析／する手段を持つ装置において適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００７６】
【図１】比較例の荷電粒子線装置での加工の模式図。
【図２】集束イオンビーム加工観察装置の構成を示す断面図。
【図３】飛散物質を捕集する加工方法の模式図。
【図４】飛散物質を捕集する観察方法の模式図。
【図５】プローブと荷電粒子線の動きを追従させるための装置構成図。
【図６】プローブを冷却するための装置構成図。
【図７】プローブを加熱するための装置構成図。
【図８】他の形状のプローブを用いて加工を行う模式図。
【図９】プローブの表面処理を行う模式図。
【図１０】プローブに電圧を印加するための装置構成図。
【図１１】局所蒸着を行う手法の構成図。
【図１２】局所蒸着を行う手法のプローブ部の拡大模式図。
【符号の説明】
【００７７】
１０１  荷電粒子線，イオンビーム又は、電子線
１０２  試料
１０３  飛散物質又は、汚染物質
１０４  観察面
１０５  加工領域
２０１  イオン源又は、荷電粒子源
２０２  イオン銃室
２０３  集束レンズ
２０４  偏向器
２０５  対物レンズ
２０６  二次荷電粒子
２０７  プローブ
２０８  プローブ駆動部
２０９  検出器
２１０  試料ステージ
２１１  真空排気ポンプ
２１２  試料室
２１３  デポジションガス分子供給部
５０１  電子銃室
５０２  荷電粒子線制御機構
５０３  制御コンピュータ
５０４  プローブ制御機構
６０１  冷媒
６０２  冷媒を入れる容器
６０３  冷媒とプローブを繋ぐ配線
７０１  ヒーター
７０２  電源
７０３  配線
８０１  任意形状プローブ
１００１  アース
１１０１  蒸着材料
１２０１  蒸着膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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