(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
１０〜１００００Ｐａの圧力下で非接触ロール（Ｒ）と、非接触ロール（Ｒ）の移動方向と反対側に非接触ロール（Ｒ）と接触又は近接して配されたドクターとを、電子基板面に対して水平方向にかつ（Ｒ）の回転軸に対して垂直方向に移動速度（ｉ）（ｍｍ／秒）で直線移動させながら、（Ｒ）の回転軸より電子基板側の部分の回転方向が移動方向と逆となるようにして（ｉ）よりも大きい周速度（ｖ）（ｍｍ／秒）で（Ｒ）を回転させて電子基板の開口部を充填する工程用の電子基板充填用樹脂であって、
無機フィラー（Ｆ）及び硬化性樹脂（Ｋ）を含んでなり、
無機フィラー（Ｆ）及び硬化性樹脂（Ｋ）の合計重量に基づいて、（Ｆ）の含有量が５５〜９０重量％、（Ｋ）の含有量が１０〜４５重量％であり、
無機フィラー（Ｆ）が体積平均粒径が３〜８μｍの球状無機フィラー（Ｆ１）及び体積平均粒径が０．１〜３μｍの非球状無機フィラー（Ｆ２）を含んでなり、（Ｆ）の重量に基づいて、（Ｆ１）の含有量が５０〜９９重量％、（Ｆ２）の含有量が１〜５０重量％であり、
球状無機フィラー（Ｆ１）が球状シリカ及び／又は球状金属粉であり、非球状無機フィラー（Ｆ２）が酸化アルミニウム表面処理硫酸バリウム又は水酸化アルミニウム表面処理硫酸バリウムであり、
硬化性樹脂（Ｋ）がビスフェノールＡ型液状エポキシド及び／又はビスフェノールＦ型液状エポキシドと、体積平均粒径が１〜８μｍの固状硬化剤とを含んでなり、
周波数が１〜１０Ｈｚにおけるすべてのｔａｎδ｛損失弾性率（Ｇ”）／貯蔵弾性率（Ｇ’）｝が３〜３０であり、かつ揮発分（１３３Ｐａ、８０℃、４時間）が０．２重量％以下であることを特徴とする電子基板充填用樹脂。
【請求項２】
粘度（２３℃、ＪＩＳ  Ｚ８８０３−１９９１、８．単一円筒形回転粘度計による粘度測定方法）が２００〜２０００Ｐａ・ｓである請求項１に記載の電子基板充填用樹脂。
【請求項３】
硬化収縮率が２．０体積％以下である請求項１又は２に記載の電子基板充填用樹脂。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載の電子基板充填用樹脂を用いて充填された樹脂充填基板。
【請求項５】
請求項４に記載の樹脂充填基板を内蔵する電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子基板充填用樹脂に関する。更に詳しくはプリント配線板やシリコーンウェハー等の基板に設けられた開口部（スルーホールやビアホール等）の充填用として好適な電子基板充填用樹脂に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子基板充填用樹脂としては、周波数が１０〜１００ｒａｄ／ｓのいずれの周波数においても貯蔵弾性率（Ｇ’）の値が損失弾性率（Ｇ”）の値以上である｛ｔａｎδ（損失弾性率（Ｇ”）／貯蔵弾性率（Ｇ’）≦１｝樹脂が知られている（特許文献１）。【０００３】
【特許文献１】特開２００４−６３１０４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来の電子基板充填用樹脂では、基板に設けられた開口部（スルーホールやビアホール等）の最小径が０．３ｍｍ以下になると、未充填（凹みやボイドによる空洞等）の開口部が発生するという問題がある。
本発明の目的は、小さな開口部（最小径が０．３ｍｍ以下）に適用した場合でも開口部の未充填（凹みやボイドによる空洞等）が発生しにくい電子基板充填用樹脂を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明者は前記課題を解決すべき鋭意検討を重ねた結果本発明に達した。すなわち本発明の電子基板充填用樹脂の特徴は、１０〜１００００Ｐａの圧力下で非接触ロール（Ｒ）と、非接触ロール（Ｒ）の移動方向と反対側に非接触ロール（Ｒ）と接触又は近接して配されたドクターとを、電子基板面に対して水平方向にかつ（Ｒ）の回転軸に対して垂直方向に移動速度（ｉ）（ｍｍ／秒）で直線移動させながら、（Ｒ）の回転軸より電子基板側の部分の回転方向が移動方向と逆となるようにして（ｉ）よりも大きい周速度（ｖ）（ｍｍ／秒）で（Ｒ）を回転させて電子基板の開口部を充填する工程用の電子基板充填用樹脂であって、
無機フィラー（Ｆ）及び硬化性樹脂（Ｋ）を含んでなり、
無機フィラー（Ｆ）及び硬化性樹脂（Ｋ）の合計重量に基づいて、（Ｆ）の含有量が５５〜９０重量％、（Ｋ）の含有量が１０〜４５重量％であり、
無機フィラー（Ｆ）が体積平均粒径が３〜８μｍの球状無機フィラー（Ｆ１）及び体積平均粒径が０．１〜３μｍの非球状無機フィラー（Ｆ２）を含んでなり、（Ｆ）の重量に基づいて、（Ｆ１）の含有量が５０〜９９重量％、（Ｆ２）の含有量が１〜５０重量％であり、
球状無機フィラー（Ｆ１）が球状シリカ及び／又は球状金属粉であり、非球状無機フィラー（Ｆ２）が酸化アルミニウム表面処理硫酸バリウム又は水酸化アルミニウム表面処理硫酸バリウムであり、
硬化性樹脂（Ｋ）がビスフェノールＡ型液状エポキシド及び／又はビスフェノールＦ型液状エポキシドと、体積平均粒径が１〜８μｍの固状硬化剤とを含んでなり、
周波数が１〜１０Ｈｚにおけるすべてのｔａｎδ｛損失弾性率（Ｇ”）／貯蔵弾性率（Ｇ’）｝が３〜３０であり、かつ揮発分（１３３Ｐａ、８０℃、４時間）が０．２重量％以下である点を要旨とする。
【発明の効果】
【０００６】
本発明の電子基板充填用樹脂は、最小径が０．３ｍｍ以下の開口部に適用しても未充填（凹みやボイドによる空洞等）の発生が極めて少ない。したがって、本発明の樹脂を用いると、どのようなスルーホールやビアホールへも充填が容易となるのである。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】貯蔵弾性率（Ｇ’）及び損失弾性率（Ｇ”）を測定するための粘弾性測定装置のうち、上部コーン型円盤及び下部平面円盤の構成部分を模式的に示した断面図である。
【図２】ドクターの先端の先端形状の一例を模式的に示した断面図である。
【図３】ドクターの先端の先端形状の一例を模式的に示した断面図である。
【図４】本発明の電子基板充填用樹脂の充填工程（実施例）の開始時の状態を模式的に示した断面図である。
【図５】本発明の電子基板充填用樹脂の充填工程（実施例）の充填中の状態を模式的に示した断面図である。
【図６】本発明の電子基板充填用樹脂の充填工程（実施例）の充填終了時の状態を模式的に示した断面図である。
【図７】ガード（１３）を模式的に示した斜視図である。
【図８】ドクター（７）、非接触ロール（８）及びガード（１３）の位置関係を概念的に示す斜視図である。
【符号の説明】
【０００８】
１  上部コーン型円盤
２  下部平面円盤
３  真空チャンバー
４  電子基板固定台
５  離型フィルム
６  電子基板
７  ドクター
８  非接触ロール（Ｒ）
９  電子基板充填用樹脂
１０  非接触ロール（Ｒ）の回転軸
１１  ビアホール
１２  スルーホール
１３  ガード
２１  正弦振動の方向を示す矢印
２２  上部コーン型円盤の中心軸
２６  非接触ロールの回転方向を示す矢印
２７  ドクター、非接触ロール及びガードの移動方向を示す矢印
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本発明の電子基板充填用樹脂の、周波数が１〜１０Ｈｚにおけるすべての、ｔａｎδ｛損失弾性率（Ｇ”）／貯蔵弾性率（Ｇ’）｝は、３〜３０が好ましく、さらに好ましくは５〜２５、特に好ましくは７〜２０、最も好ましくは１０〜１５である。この範囲であると、未充填（凹みやボイドによる空洞等）の発生がさらに抑制できる。【００１０】
ｔａｎδ｛損失弾性率（Ｇ”）／貯蔵弾性率（Ｇ’）｝は、「レオロジー工学とその応用技術」（株）フジ・テクノシステム、２００１年１月１２日  初版第１刷発行、第２０４〜２０６頁に記載の応力制御方式で測定可能な粘弾性測定装置（例えば、ＨＡＡＫＥ社製レオストレスＲＳ７５）を用いて測定した値であり、次のようにして求められる。
測定治具｛上部コーン型円盤１と下部平面円盤２（図１参照、図１中の矢印２１は正弦振動の方向を示す）との間｝に測定サンプルを挟み込み、上部コーン型円盤１の上面に対して垂直な中心軸２２を軸として周波数（ｆ）（単位：Ｈｚ）を変化させながら正弦振動させることにより、測定サンプルに応力（σ）（単位：Ｐａ）をかけて、その結果発生するひずみ（ε）（単位：ｒａｄ）と位相角（δ）（単位：ｒａｄ）とを測定する。周波数が１〜１０Ｈｚにおける位相角（δ）よりｔａｎδを求める。
損失弾性率（Ｇ”）及び貯蔵弾性率（Ｇ’）はＪＩＳ  Ｋ７２４４−１−１９９８「プラスチック−動的機械特性の試験方法  第１部：通則」に準拠して、応力（σ）とひずみ（ε）との比（σ／ε）から複素弾性率（Ｇ＊＝σ／ε）（単位：Ｐａ）を算出した後、複素弾性率（Ｇ＊）の実数部分として、式｛Ｇ’＝Ｇ＊×ｃｏｓδ｝から貯蔵弾性率（Ｇ’）を、式｛Ｇ”＝Ｇ＊×ｓｉｎδ｝から損失弾性率（Ｇ”）を算出する。【００１１】
以下に測定条件を示す。
測定装置：動的粘弾性測定装置（たとえば、ＨＡＡＫＥ社製レオストレスＲＳ７５）
測定治具：直径２０ｍｍアルミニウム製円盤（上部コーン型円盤角度２度）
サンプル量：０．５ｍＬ
回転ずり応力：１０Ｐａ
測定温度：２３℃
周波数：１〜１０Ｈｚ【００１２】
ｔａｎδはペースト状物体の変形しやすさの尺度となり、ｔａｎδが小さいほど固体に近く変形しにくく、ｔａｎδが大きいほど液体に近く変形しやすいことを示す。ｔａｎδが３未満の場合、ペースト状物体がさらに変形しにくくなり充填時にペースト状物体中に巻き込んだボイドがさらに抜けにくなる。この結果、ペースト状物体の硬化後に開口部内にボイド残による空洞がさらに発生しやすくなる。一方、ｔａｎδが３０を超えるとペースト状物体の変形性が高くなりすぎるため硬化前にペースト状物体がさらにたれ落ちやすくなる。この結果、開口部に凹みや空隙がさらに発生しやすくなる。【００１３】
本発明の電子基板充填用樹脂の貯蔵弾性率（Ｇ’）（単位：Ｐａ）は、周波数１Ｈｚにおいて、１０〜１００００が好ましく、さらに好ましくは２０〜１０００、特に好ましくは３０〜５００、最も好ましくは４０〜２００である。また同様に周波数５Ｈｚにおいて、５０〜５００００が好ましく、さらに好ましくは１００〜５０００、特に好ましくは１５０〜２５００、最も好ましくは２００〜１０００である。また同様に周波数１０Ｈｚにおいて、１００〜１０００００が好ましく、さらに好ましくは２００〜１００００、特に好ましくは３００〜５０００、最も好ましくは４００〜２０００である。これらの範囲であると、未充填（凹みやボイドによる空洞）の発生がさらに抑制できる。【００１４】
また損失弾性率（Ｇ”）（単位：Ｐａ）は、周波数１Ｈｚにおいて、３０〜３０００００が好ましく、さらに好ましくは１００〜２５０００、特に好ましくは２１０〜１００００、最も好ましくは４００〜３０００である。また同様に周波数５Ｈｚにおいて、１５０〜１５０００００が好ましく、さらに好ましくは５００〜１２５０００、特に好ましくは１０５０〜５００００、最も好ましくは２０００〜１５０００である。また同様に周波数１０Ｈｚにおいて、３００〜３００００００が好ましく、さらに好ましくは１０００〜２５００００、特に好ましくは２１００〜１０００００、最も好ましくは４０００〜３００００である。この範囲であると、未充填（凹みやボイドによる空洞）の発生がさらに抑制できる。【００１５】
本発明の電子基板充填用樹脂の揮発分（単位：重量％、１３３Ｐａ、８０℃、４時間）は、０．２以下が好ましく、さらに好ましくは０．１５以下、特に好ましくは０．１以下である。この範囲であると、未充填（凹みやボイドによる空洞）の発生がさらに抑制できる。
なお、揮発分はＪＩＳ  Ｋ００６７−１９９２「化学製品の減量及び残分試験方法」３．１．１乾燥減量試験法に準拠して測定される。【００１６】
本発明の電子基板充填用樹脂の粘度（単位：Ｐａ・ｓ、２３℃、ＪＩＳ  Ｚ８８０３−１９９１、８．単一円筒型回転粘度計による粘度測定方法）は、２００〜２０００が好ましく、さらに好ましくは３００〜１５００、特に好ましくは４００〜１２００、最も好ましくは４５０〜１０００である。この範囲であると、未充填（凹みやボイドによる空洞）の発生がさらに抑制できる。なお、充填時や硬化時におけるボイドの巻き込みを防ぐ為に、粘度を上記の範囲未満にして流動性をさらに向上させてボイドを抜けやすくすることが考えられるけれども、粘度が低下する程、硬化前に電子基板充填用樹脂がたれ落ちやすくなる。この結果、開口部に凹みや空隙がさらに発生しやすくなる。一方、硬化前における電子基板充填用樹脂のたれ落ちを防ぐ為に、上記の範囲を超える粘度にして流動性を低下させることが考えられるけれども、粘度が高くなる程、電子基板充填用樹脂の充填自体が困難となりやすい。【００１７】
本発明の樹脂は、無機フィラー（Ｆ）及び硬化性樹脂（Ｋ）を含み、ｔａｎδ及び揮発分が上記範囲であれば制限がない。
無機フィラー（Ｆ）としては、酸化物｛シリカ（酸化ケイ素）、チタニア（酸化チタン）、アルミナ（酸化アルミニウム）、ジルコニア（酸化ジルコニウム）、チタン酸バリウム等｝、炭酸塩｛炭酸カルシウム等｝、硫酸塩｛硫酸バリウム等｝、金属｛銅、銀、ニッケル、スズ、タングステン、鉄等及びこれらの複合体（これらの混合成形体及び固溶体等を含む）等｝等が挙げられる。これらのうち、シリカ、アルミナ、銅、銀、硫酸バリウム及び炭酸カルシウムが好ましく、さらに好ましくはシリカ、銅及び硫酸バリウム、特に好ましくはシリカ及び硫酸バリウムである。【００１８】
無機フィラー（Ｆ）は、カップリング剤や無機物等で表面処理されていてもよい。
カップリング剤としては、有機シランカップリング剤や有機チタネートカップリング剤等が含まれる。
有機シランカップリング剤としては、特開２００４−２７７７２６号公報に記載の化合物等が使用できる。これらのうち、３，４−エポキシシクロヘキシルエチルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリドキシプロピルメチルジエトキシシラン及び３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシランが好ましく、さらに好ましくは３−グリシドキシプロピルトリメトキシシランである。表面処理方法としては特開２００３−１２８９３８号公報記載の方法等が使用できる。【００１９】
チタネートカップリング剤としては、特開２００４−２３８３７１号公報に記載の化合物等が使用できる。これらのうち、イソプロピルトリイソステアロイルチタネート、イソプロピルトリオクタノイルチタネート、イソプロピルジメタクリルイソステアロイルチタネート及びイソプロピルイソステアロイルジアクリルチタネートが好ましく、さらに好ましくはイソプロピルトリイソステアロイルチタネートである。
表面処理方法としては特開２００４−２３８３７１号公報の方法等が適用できる。カップリング剤で表面処理する場合、この使用量（重量％）は、処理前の無機フィラーの重量に基づいて、０．１〜１０が好ましく、さらに好ましくは０．２〜５、特に好ましくは０．３〜２である。この範囲であると、開口部の未充填やボイドの発生がさらに抑制される。【００２０】
無機物としては、特開２００５−９７４００号公報に記載された金属酸化物及び金属水酸化物等が使用できる。これらのうち、酸化アルミニウム及び水酸化アルミニウムが好ましく、さらに好ましくは酸化アルミニウムである。
表面処理方法としては、特開平８−２１７６３５号公報や特開平１０−１５８０１５号公報に記載の方法等が適用できる。
無機物で表面処理する場合、この使用量（重量％）は、処理前の無機フィラーの重量に基づいて、０．１〜２０が好ましく、さらに好ましくは０．５〜１０、特に好ましくは１〜５である。この範囲であると、開口部の未充填やボイドの発生がさらに抑制される。なお、無機物での表面処理後にさらにカップリング剤で表面処理してもよい。【００２１】
フィラー（Ｆ）の形状としては、球状、並びに涙滴状、角状、樹枝状、片状、粒状、不規則形状、針状及び繊維状｛ＪＩＳ  Ｚ２５００：２０００「粉末や金用語」４．用語および定義、４）粉末の粒子形状｝等の非球状が含まれる。これらのうち、球状、角状、粒状及び不規則形状が好ましい。
なお、球状とは、長径と短径との比が１．０〜１．５のものを含み、好ましくは１．０〜１．３のもの、さらに好ましくは１．０〜１．２のものである。【００２２】
フィラー（Ｆ）の体積平均粒径（μｍ）は、０．１〜８．０が好ましく、さらに好ましくは０．２〜７．５、特に好ましくは０．３〜７．０である。
この範囲であると、開口部の未充填やボイドの発生がさらに抑制される。
なお、体積平均粒径は、ＪＩＳ  Ｚ８８２５−１−２００１「粒子径解析−レーザー回折法」に準拠した測定原理を有するレーザー回折式粒度分布測定装置（例えば島津製作所製  商品名ＳＡＬＤ−１１００型等）で測定される。【００２３】
フィラー（Ｆ）は単独で用いてもよいが、２種以上を組み合わせて使用することが好ましい。２種類以上を組み合わせて使用する場合、球状無機フィラー（Ｆ１）と非球状無機フィラー（Ｆ２）とを組み合わせることが好ましい。そしてこの場合、球状無機フィラー（Ｆ１）及び非球状無機フィラー（Ｆ２）の体積平均粒径は以下の範囲であることが好ましい。すなわち、球状無機フィラー（Ｆ１）の体積平均粒径（μｍ）は、３〜８が好ましく、さらに好ましくは４〜７．５、特に好ましくは５〜７である。また、非球状無機フィラー（Ｆ２）の体積平均粒径（μｍ）は、０．１〜３が好ましく、さらに好ましくは０．２〜２、特に好ましくは０．３〜１．５である。この範囲であると、開口部の未充填やボイドの発生がさらに抑制される。【００２４】
球状無機フィラー（Ｆ１）としては、球状シリカ、球状アルミナ、球状銅粉及び球状銀粉が好ましく、さらに好ましくは球状シリカ及び球状銅粉、特に好ましくは球状シリカである。【００２５】
非球状無機フィラー（Ｆ２）としては、破砕シリカ、粒状硫酸バリウム及び粒状炭酸カルシウムが好ましく、さらに好ましくは粒状硫酸バリウム、特に好ましくは酸化アルミニウム又は水酸化アルミニウムで表面処理した粒状硫酸バリウムである。【００２６】
無機フィラー（Ｆ）の含有量（重量％）は、熱膨張係数の観点等から、無機フィラー（Ｆ）及び硬化性樹脂（Ｋ）の合計重量に基づいて、５５〜９０が好ましく、さらに好ましくは６０〜８５、特に好ましくは６５〜８０である。
球状無機フィラー（Ｆ１）と非球状無機フィラー（Ｆ２）とを組み合わせる場合、球状無機フィラー（Ｆ１）の含有量（重量％）は、無機フィラー（Ｆ）の重量に基づいて、５０〜９９が好ましく、さらに好ましくは６０〜９５、特に好ましくは７０〜９０である。また、非球状無機フィラー（Ｆ２）の含有量（重量％）は、無機フィラー（Ｆ）の重量に基づいて、１〜５０が好ましく、さらに好ましくは５〜４０、特に好ましくは１０〜３０である。この範囲であると、開口部の未充填やボイドの発生がさらに抑制される。【００２７】
硬化性樹脂（Ｋ）としては、熱硬化性樹脂及び活性エネルギー線硬化性樹脂等が含まれる。
熱硬化性樹脂としては、熱により硬化する樹脂であれば制限無く使用できるが、液状の熱硬化性樹脂が好ましく、さらに好ましくは液状エポキシ樹脂（液状エポキシド及び硬化剤から構成される）である。
液状エポキシドは２５℃で液状であるエポキシドを意味するが、２５℃で固状であるエポキシドを液状であるエポキシドと共に用いて全体として液状となるものも含まれる。なお、液状とは、垂直にした試験管（内径３０ｍｍ、高さ１２０ｍｍの平底円筒形のガラス製）に対象物を試験管の底からの高さが５５ｍｍとなるまで入れ、当該試験管を水平にした場合に、当該物品の移動面の先端が試験管の底からの距離が８５ｍｍの部分を通過するまでの時間が９０秒以内であることを意味する。また、固状とは、上記の時間が９０秒を超える状態を意味する。【００２８】
液状であるエポキシドとしては、特許第３１８１４２４号公報又は特許第３３７５８３５号公報に記載の液状エポキシド等が使用でき、これらのうち、ビスフェノールＦ型液状エポキシド、ビスフェノールＡ型液状エポキシド、フェノールノボラック型液状エポキシド、ナフタレン型液状エポキシド及びグリシジルアミン型液状エポキシドが好ましく、さらに好ましくはビスフェノールＦ型液状エポキシド及びビスフェノールＡ型液状エポキシドである。【００２９】
固状であるエポキシドとしては、ビスフェノールＡ型エポキシド（エポキシ当量３００〜５０００）、ビスフェノールＦ型エポキシド（エポキシ当量５００〜１００００）、クレゾールノボラック型エポキシド（エポキシ当量１９５〜２４０）、ビフェニル型エポキシド（エポキシ当量１５８〜１９８）、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシド（エポキシ当量１６２〜１７６）及びジシクロペンタジェンフェノール型エポキシド（エポキシ当量２５０〜３００）等が使用できる。【００３０】
硬化剤としては、エポキシドと反応して硬化体を与えるものであれば制限無く使用できるが、固状硬化剤（フェノール化合物、ジシアンジアミド、イミダゾール化合物、有機酸ヒドラジド化合物及びアミンアダクト化合物等）が好ましく、さらに好ましくはジシアンジアミド、イミダゾール化合物及びアミンアダクト化合物、特に好ましくはイミダゾール化合物である。これら硬化剤は単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて使用してもよい。【００３１】
フェノール化合物としては、クレゾール・ノボラック樹脂 （重量平均分子量３２０〜３２，０００）、フェノールノボラック樹脂 （重量平均分子量３６０〜３６，０００）、ナフチルクレゾール、トリス（ヒドロキシフェニル）メタン、ジナフチルトリオール、テトラキス（４−ヒドロキシフェニル）エタン及び４，４ −オキシビス（１，４−フェニルエチル）テトラクレゾール等が挙げられる。
なお、重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィにより、分子量既知のポリスチレンを標準物質として測定される。【００３２】
イミダゾール化合物しては、２−ウンデシルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニル−４， ５−ジ（シアノエトキシメチル）イミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾリウム・トリメリテート、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウム・トリメリテート、２−メチルイミダゾリウム・イソシアヌレート、２−フェニルイミダゾリウム・イソシアヌレート、１−ドデシル−２−メチル−３−ベンジルイミダゾリウム・クロライド、１，３−ジベンジル−２−メチルイミダゾリウム・クロライド、２，４−ジアミノ−６−［２−メチルイミダゾリル−（１Ｈ）］−エチル−Ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２−エチル−４−メチルイミダゾリル−（１Ｈ）］−エチル−Ｓ−トリアジン及び２，４−ジアミノ−６−［２−ウンデシルイミダゾリル−（１Ｈ）］−エチル−Ｓ−トリアジン等が挙げられる。【００３３】
有機酸ヒドラジド化合物としては、フェニルアミノプロピオン酸ヒドラジド、ｐ−オキシ安息香酸ヒドラジド、サリチル酸ヒドラジド、コハク酸ジヒドラジド、アジピン酸ジヒドラジド及びイソフタル酸ジヒドラジド等が挙げられる。【００３４】
アミンアダクト化合物としては、０〜４０℃においてエポキシドに溶解しない（硬化剤としてほとんど作用しない）が、８０〜１５０℃に加熱することによって溶解する（硬化剤として作用する）するものであれば制限なく、アミンとエポキシ樹脂との反応生成物（アミン−エポキシアダクト）やアミンとイソシアネート又は尿素との反応生成物（尿素型アダクト）等（特許第３３９１０７４号公報）が使用できる。この他に、これらの反応生成物の表面をイソシアネートや酸性化合物で処理したもの（特許第３３９１０７４号公報）等が使用できる。
アミンアダクト化合物は、市場から容易に入手でき、商品名として、アミキュアＰＮ−２３Ｊ、アミキュアＰＮ−３１、アミキュアＰＮ−３１Ｊ、アミキュアＰＮ−４０、アミキュアＰＮ−４０Ｊ、アミキュアＰＮ−Ｄ、アミキュアＭＹ−Ｈ、アミキュアＭＹ−ＨＫ及びアミキュアＭＹ−Ｄ（いずれも味の素ファインテクノ株式会社製）等が挙げられる。【００３５】
固状硬化剤の体積平均粒径（μｍ）は、１〜８が好ましく、さらに好ましくは２〜７、特に好ましくは３〜６である。この範囲であると、未充填（凹みやボイドによる空洞）の発生がさらに抑制できる。【００３６】
固形硬化剤の含有量（重量％）は、硬化性樹脂（Ｋ）の重量に基づいて、３〜１５が好ましく、さらに好ましくは５〜１２、特に好ましくは６〜１０である。この範囲であると、未充填（凹みやボイドによる空洞）の発生がさらに抑制できる。【００３７】
活性エネルギー線硬化性樹脂としては、活性エネルギー線（好ましくは紫外線及び電子線、さらに好ましくは紫外線）により硬化する樹脂であれば制限無く使用できるが、重合性二重結合を有する液状化合物及び光ラジカル発生剤からなる組成物が好ましい。
重合性二重結合を有する化合物としては、２００１−３３０９５１号公報に記載された重合性二重結合を有する液状化合物等が使用できる。
これらのうち、多価アルコール又は多価アルコールのアルキレンオキサイド付加物と（メタ）アクリル酸とのエステル｛ジペンタエリストールヘキサ（メタ）アクリレート、エトキシ化トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート等｝、ウレタン（メタ）アクリレート｛イソシアナトエチル（メタ）アクリレート、多価イソシアネートと活性水素含有基（ヒドロキシ基、カルボキシ基及びアミノ基等）を有する（メタ）アクリレートとの反応物（ヘキサメチレンジイソシアネートとヒドロキシエチルアクリレートとの反応物等）等｝及びエポキシ（メタ）アクリレート｛多官能エポキシドと（メタ）アクリル酸との反応物：ビスフェノールＡジグリシジルエーテルジ（メタ）アクリレート及びフェノールノボラック（メタ）アクリレート等｝が好ましく、さらに好ましくは多価アルコール又は多価アルコールのアルキレンオキサイド付加物と（メタ）アクリル酸とのエステルである。
これらの重合性二重結合を有する化合物は単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて使用してもよい。
本発明において、「・・・（メタ）アクリ・・」とは、「・・・アクリ・・」、「・・・メタクリ・・」を意味する。【００３８】
光ラジカル発生剤としては、２００１−３３０９５１号公報に記載された化合物等が使用できる。
これらのうち、ジフェニル−（２，４，６−トリエチルベンゾイル）フォスフィンオキサイド、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、ジメチルヒドロキシアセトフェノン、１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタノン及び２−メチル−１［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モリフォリノプロパン−１−オン等が好ましい。これらの光ラジカル発生剤は単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて使用してもよい。【００３９】
硬化性樹脂（Ｋ）は、単独で使用してもよいし、熱硬化性樹脂と活性エネルギー線硬化樹脂を組み合わせて使用してもよい。熱硬化性樹脂と活性エネルギー線硬化樹脂を組み合わせて使用する場合、活性エネルギー線硬化型樹脂の含有量（重量％）は、熱硬化性樹脂と活性エネルギー線硬化樹脂の合計重量に基づいて、５〜７０が好ましく、さらに好ましくは１０〜６０、特に好ましくは１５〜５０である。この範囲であると未充填（凹みやボイドによる空洞）の発生がさらに抑制できる。【００４０】
硬化性樹脂（Ｋ）の含有量（重量％）は、無機フィラー（Ｆ）及び硬化性樹脂（Ｋ）の合計重量に基づいて、１０〜４５が好ましく、さらに好ましくは１５〜４０、特に好ましくは２０〜３５である。この範囲であると、未充填（凹みやボイドによる空洞）の発生がさらに抑制できる。【００４１】
本発明の電子基板充填用樹脂には、通常使用される添加剤｛消泡剤、分散剤、有機・無機着色剤、難燃剤及び／又は揺変剤｝を添加してもよい。
消泡剤としては、「コーティング用添加剤の最新技術」（株）シーエムシー、２００１年２月２７日  第１刷発行、第７３〜８２、２５２〜２５６頁に記載の消泡剤等が使用でき、シリコーン消泡剤が好ましい。
分散剤としては、特許第２６０３０５３号公報に記載の分散剤等が使用でき、リン酸エステル化合物、プロピレンオキシド付加エステル化合物及び高級脂肪酸等が挙げられる。
有機・無機着色剤としては、酸化チタン、カーボンブラック及びフタロシアニンブルー等が挙げられる。
難燃剤としては、「コーティング用添加剤の最新技術」（株）シーエムシー、２００１年２月２７日  第１刷発行、第１９１〜１９９、２７５頁に記載の難燃剤等が使用でき、シリコーン化合物、水酸化アルミニウム及びトリアジン化合物が好ましく、さらに好ましくはシリコーン化合物及びトリアジン化合物である。
揺変剤としては、「コーティング用添加剤の最新技術」（株）シーエムシー、２００１年２月２７日  第１刷発行、第５９〜７１、２４９〜２５１頁に記載の揺変剤等が使用でき、有機ポリアマイドワックス及び水添ヒマシ油ワックスが好ましく、さらに好ましくは有機ポリアマイドワックスである。【００４２】
消泡剤を添加する場合、この含有量（重量％）は、硬化性樹脂（Ｋ）の重量に基づいて、０．０１〜５が好ましく、さらに好ましくは０．０５〜４、特に好ましくは０．１〜３である。分散剤を添加する場合、この含有量（重量％）は硬化性樹脂（Ｋ）の重量に基づいて、０．０１〜５が好ましく、さらに好ましくは０．０５〜４、特に好ましくは０．１〜３である。有機・無機着色剤を添加する場合、この含有量（重量％）は硬化性樹脂（Ｋ）の重量に基づいて、０．０１〜５が好ましく、さらに好ましくは０．０５〜４、特に好ましくは０．１〜３である。難燃剤を添加する場合、この含有量（重量％）は、硬化性樹脂（Ｋ）の重量に基づいて、０．５〜１０が好ましく、さらに好ましくは０．８〜８、特に好ましくは１〜５である。揺変剤を添加する場合、この含有量（重量％）は硬化性樹脂（Ｋ）の重量に基づいて、０．０１〜５が好ましく、さらに好ましくは０．０５〜４、特に好ましくは０．１〜３である。【００４３】
本発明の電子基板充填用樹脂のｔａｎδは、無機フィラー（Ｆ）｛含有量、体積平均粒径及び／又は形状等｝、硬化性樹脂（Ｋ）及び／又は添加剤（特に揺変剤；種類や含有量等）によって調整できる。
すなわち、ｔａｎδに影響を及ぼす因子は、フィラー等の粒子間相互作用が主であり、粒子間相互作用が小さいとｔａｎδは大きくなる傾向があり、粒子間相互作用が大きいとｔａｎδが小さくなる傾向がある｛「レオロジー工学とその応用技術」（株）フジ・テクノシステム、２００１年１月１２日  初版第１刷発行、第１７０〜１９８頁｝。
そして、フィラーや揺変剤等を含有しない場合、ｔａｎδは１００００以上の値となり、フィラーや揺変剤を多量に含有する場合はｔａｎδは０に近い値まで下げることができる。【００４４】
なお、フィラーによる制御の場合、同じ含有量でもフィラーの粒径、形状、表面の状態によりｔａｎδへの影響が異なる。フィラーの粒径が大きいほどｔａｎδは大きくなりやすい。また球状のフィラーは含有量を増やしてもｔａｎδが小さくなりにくいが、非球状のフィラー（特に樹枝状等のフィラー）は少量でｔａｎδが小さくなりやすい。
硬化性樹脂及び／又は添加剤による制御の場合、フィラーと相互作用をしやすい官能基や結合（水酸基、アミノ基及びカルボニル基やエーテル結合、エステル結合及びアミド結合等）が多い程、ｔａｎδは小さくなりやすい。
添加剤の内、揺変剤は水素結合や吸着等の化学的な作用によりｔａｎδが小さくなるが、フィラーと併用すると、少ない添加量でｔａｎδを小さくすることができる。逆に揺変剤の含有量の僅かな変動によってｔａｎδが大きく変化しやすい。一方、揺変剤以外の添加剤はｔａｎδへの影響が小さく、この添加量が多くないことから、揺変剤以外の添加剤でｔａｎδを制御することは困難である。
よって、ｔａｎδは、無機フィラー（Ｆ）（粒径、形状、含有量等）及び硬化性樹脂（Ｋ）により制御することが好ましく、さらに好ましくは非球状無機フィラー（Ｆ２）及び熱硬化性樹脂により制御すること、特に好ましくは酸化アルミニウムで表面処理した粒状硫酸バリウム又は水酸化アルミニウムで表面処理した粒状硫酸バリウムからなる非球状無機フィラー、及び液状エポキシ樹脂（液状エポキシド及び硬化剤）を用いて制御すること、最も好ましくは酸化アルミニウムで表面処理した粒状硫酸バリウム又は水酸化アルミニウムで表面処理した粒状硫酸バリウム、並びにビスフェノールＡ型液状エポキシド及び／又はビスフェノールＦ型液状エポキシドと、体積平均粒径が１〜８μｍの固状硬化剤で制御することである。【００４５】
本発明の電子基板充填用樹脂は、無機フィラー（Ｆ）、硬化性樹脂（Ｋ）及び必要により添加剤が均一撹拌混合することにより得られる。混合機としては、均一撹拌混合できるものであれば制限がなく、たとえば、プラネタリーミキサー、３本ロールミル、２本ロールミル、ニーダー、エクストルーダー及びハイスピードディスパーサーが使用できる。【００４６】
撹拌・混合温度（℃）としては、硬化性樹脂（Ｋ）の異常硬化やゲル化の防止の観点等から、５〜４０が好ましく、さらに好ましくは１０〜３５、特に好ましくは２０〜３０である。
混合時間としては、混合機の種類や大きさなどによって適宜決定でき、均一混合できれば制限がないが、３０〜２００分が好ましく、さらに好ましくは４５〜１２０分、特に好ましくは６０〜９０分である。なお、混合の際、減圧しながら混合してもよい。【００４７】
次に本発明の電子基板充填用樹脂の適用方法について説明する。
本発明の電子基板充填用樹脂は、開口部（スルーホールやビアホール等）等を充填するのに用いられ、特に電子基板に存在する開口部を充填するのに好適である。
適用できる電子基板としては、ＪＩＳ  Ｃ６４８０−１９９４「プリント配線板用銅張積層板通則」で定義されるプリント配線板用銅張積層板（ガラス布基材エポキシ樹脂、ガラス布基材ポリイミド樹脂、ガラス布基材ビスマレイミド／トリアジン／エポキシ樹脂等）等が挙げられる。この他、熱可塑性樹脂（ポリフェニレンエーテル等）や無機フィラー（シリカ等）が混合された電子基板や、シリコンウェハー等にも適用できる。また、銅張積層板を用いて回路形成や絶縁層形成がなされたプリント配線板用コア基板や、部品実装のため、基板の一部を削り取り凹部を形成した基板等にも適用できる。【００４８】
電子基板に存在する開口部とは、電子基板にドリルや炭酸ガスレーザー等を用いて形成した貫通孔や有底孔、貫通孔内をメッキにより導体形成したスルーホールや有底孔内をメッキにより導体形成したビアホール等を意味する。【００４９】
本発明の電子基板充填用樹脂を用いて電子基板の開口部を充填する方法としては特に制限がなく、スクリーン印刷法及びロールコーター印刷法等が適用できるが、つぎのような方法を適用することが好ましい。すなわち、１０〜１００００Ｐａの圧力下で非接触ロール（Ｒ）と、非接触ロール（Ｒ）の移動方向と反対側に非接触ロール（Ｒ）と接触又は近接して配されたドクターとを、電子基板面に対して水平にかつ（Ｒ）の回転軸に対して垂直方向に移動速度（ｉ）（ｍｍ／秒）で直線移動させながら、（Ｒ）の回転軸より電子基板側の部分の回転方向が移動方向と逆となるようにして（ｉ）よりも大きい周速度（ｖ）（ｍｍ／秒）で回転させて、電子基板に設けられた開口部を電子基板充填用樹脂で充填する方法である。このような充填方法からなる工程に、本発明の電子基板充填用樹脂を用いると、未充填（凹みやボイドによる空洞）の発生がさらに抑制できる。
ここで、非接触ロール（Ｒ）の直線移動は、非接触ロール（Ｒ）と基板とが相対的に直線移動すればよい。従って、停止している基板に対して非接触ロール（Ｒ）が移動してもよく、停止している（回転運動は行っている）非接触ロール（Ｒ）に対して基板が移動してもよい。【００５０】
非接触ロール（Ｒ）は、この回転軸を電子基板面に対して水平に保ちつつ直線移動できればその速度に制限はないが、非接触ロール（Ｒ）の直線移動速度（ｉ）（ｍｍ／秒）は、５〜１００が好ましく、さらに好ましくは１０〜７０、特に好ましくは２０〜５０である。この範囲であると、未充填（凹みやボイドによる空洞）の発生がさらに抑制できる。【００５１】
非接触ロール（Ｒ）の移動方向は、（Ｒ）の回転軸に対して垂直方向であるが、移動方向と回転軸との角度は、厳密に９０°だけではなく、６０〜１２０°を含むものである。
非接触ロール（Ｒ）の回転方向は、回転軸より電子基板側の部分の回転方向が移動方向と逆となる方向、すなわち、直線移動方向に非接触ロール（Ｒ）が転がるように回転する方向である。この反対方向（回転軸より電子基板側の部分の回転方向が移動方向と同じとなる方向、すなわち、非接触ロール（Ｒ）が、直線移動方向と逆方向に非接触ロール（Ｒ）が転がるように回転する方向）に回転すると、未充填（凹みやボイドによる空洞）の発生を効果的に抑制できない。【００５２】
非接触ロール（Ｒ）の周速度（ｖ）（ｍｍ／秒）は、｛ロールの角速度（ω）｝×｛ロールの半径（ｒ）｝で表され、移動速度（ｉ）と周速度（ｖ）との関係は（ｖ）＞（ｉ）であることが好ましく、さらに好ましくは式（１）を満たす関係が好ましく、特に好ましくは式（２）を満たす関係である。この関係を満たすと、未充填（凹みやボイドによる空洞）の発生がさらに抑制できる。
すなわち、充填体積が大きくなるほど、開口部への樹脂供給量が多く必要になるため、周速度（ｖ）を大きくして充填力を高めることが好ましい。一方、周速度（ｖ）を大きくしすぎると、未充填（凹みやボイドによる空洞）の原因となりやすいため、周速度（ｖ）は式（１）を満たすことが好ましく、さらに好ましくは式（２）を満たすことである。
（式（１））
（ｉ）×２０≧（ｖ）≧（ｉ）×（１＋ｔ×ｄ）    （１）
（式（２））
（ｉ）×１０≧（ｖ）≧（ｉ）×（１．５＋ｔ×ｄ）    （２）
なお、ｔは開口部の深さ（ｍｍ）、ｄは開口部の径を表し、同一基板内に深さ、径の異なる開口部が存在する場合はｔ×ｄの最大値を適用する。【００５３】
開口部の深さ（ｔ）（ｍｍ）は、開口部がスルーホール（貫通孔）である場合は基板厚みとなり、通常０．４〜１．６程度であるが、場合によっては０．４未満（０．１以下）の薄板基板や１．６を超える（３．０以上の）厚板基板等にも適用できる。一方、開口部がビアホール（有底孔）の場合、開口部の深さ（ｔ）（ｍｍ）は、０．１以下である場合が多い。開口部の深さ（ｔ）は、ＪＩＳ  Ｃ５０１２−１９９３「プリント配線板試験方法」に準拠して測定される。【００５４】
開口部の径（ｄ）（ｍｍ）は、スルーホール（貫通孔）やビアホール（有底孔）の開口径を表し、通常０．１〜０．５程度であるが、場合によっては０．１未満（０．０５以下）の小径基板や０．５を超える（１．０以上）の大径基板にも適用できる。開口部の径（ｄ）は、ＪＩＳ  Ｃ５０１２−１９９３「プリント配線板試験方法」に準拠して測定される。【００５５】
非接触ロール（Ｒ）には、ドクター｛電子基板充填用樹脂を掻き取るためのスキージー｝を配していることが好ましい。ドクターは、非接触ロール（Ｒ）の移動方向とは反対側に非接触ロール（Ｒ）と接触又は近接するように配され、非接触ロール（Ｒ）と共に直線移動するものである。また、ドクターの移動方向側の先端部分には、電子基板に対して５〜４５°の角度をもつ平面を有することが好ましく、この角度は約１５°であることがさらに好ましい（図２、３参照）。
ドクターの存在により、開口部の未充填（凹みやボイドによる空洞）がさらに減少する。すなわち、ドクターは非接触ロール（Ｒ）の回転により集められる電子基板充填用樹脂を（Ｒ）と共に移動方向に移動させる働きがある｛基板面に過剰の充填用樹脂を残さない｝。さらに、ドクターと非接触ロール（Ｒ）と電子基板との間に掻き集められる電子基板充填用樹脂を加圧状態に保持する働きがある｛非接触ロール（Ｒ）の回転により加圧される。この加圧状態が、充填用樹脂を開口部に押し込む作用を発生させる｝。
ドクターを配する場合、ドクターと非接触ロール（Ｒ）と基板との間に密閉空間が形成されるように、「ドクターと非接触ロール（Ｒ）と基板」の両末端に、ガード（堰板）（たとえば、図７及び８）を配することが好ましい。このガードは、非接触ロール（Ｒ）及びドクターと共に直線移動する。【００５６】
電子基板の表面と非接触回転ロール（Ｒ）の表面との最短間隔（ｍｍ）は、充填性の観点等から、０．１〜５が好ましく、さらに好ましくは０．３〜３、特に好ましくは０．５〜１．５である。この範囲であると、未充填（凹みやボイドによる空洞）の発生がさらに抑制される。【００５７】
充填工程の雰囲気圧力（Ｐａ）は、充填性の観点等から、１０〜１００００が好ましく、さらに好ましくは５０〜５０００、特に好ましくは１００〜１０００である。この範囲であると、未充填（凹みやボイドによる空洞）の発生がさらに抑制される。【００５８】
充填工程で充填された電子基板充填用樹脂は大気圧に戻した際に、体積減少により凹みが発生する場合があり、この凹み部分を充填するために、充填工程の後にさらに大気圧下で充填する工程｛大気圧補充工程｝を設けることが好ましい。
充填工程は、同じ電子基板面に対して複数回実施してもよい。充填工程を複数回実施した後に大気圧補充工程を実施することにより未充填（凹みやボイドによる空洞）の発生がさらに抑制される。【００５９】
充填工程｛必要により大気圧補充工程を含む。以下同様である。｝の後、仮硬化工程を実施することが好ましい。仮硬化工程は電子基板充填用樹脂が熱硬化性樹脂の場合は加熱処理、活性エネルギー線硬化型樹脂の場合は紫外線等の活性エネルギー線の照射処理を行う。仮硬化工程は次に平坦化工程で研磨を実施する場合、研磨の負荷を低減させるために電子基板充填用樹脂が半硬化状態になる条件が好ましく、電子基板充填用樹脂が熱硬化性樹脂の場合、１００〜１４０℃で１０〜５０分間程度加熱する。電子基板充填用樹脂が活性エネルギー線硬化型樹脂の場合は、は０．１〜１Ｊ／ｃｍ２の紫外線照射が好ましい。【００６０】
充填工程の後、基板表面上に残った硬化済み樹脂の薄膜状残渣を研磨して取り除いて平坦化する平坦化工程を設けてもよい。平坦化工程は不繊布ロールバフ、セラミックロールバフ、ベルトサンダー等を用いて実施する。
平坦化工程の後、後硬化工程を設けてもよい。後硬化工程は、平坦化工程で研磨負荷を低減するために半硬化状態とした場合等に完全に硬化させるために実施される。電子基板充填用樹脂が熱硬化性樹脂の場合、１５０℃〜１８０℃で１０〜１２０分間程度加熱する。電子基板充填用樹脂が活性エネルギー線硬化型樹脂の場合は、１〜５Ｊ／ｃｍ２程度の紫外線照射が好ましい。
本発明の電子基板充填用樹脂の硬化収縮率（体積％）は、開口部の凹みの観点等から、２．０以下が好ましく、さらに好ましくは１．５以下、特に好ましくは１．０以下である。なお、硬化収縮率（体積％）はＪＩＳ Ｋ６９０１−１９９９「液状不飽和ポリエステル樹脂試験方法」の付属書３体積収縮率に準拠して｛加熱硬化（１５０℃×１時間）又は紫外線硬化（１Ｊ／ｃｍ２）｝、測定される。【００６１】
充填工程は、開口部の径及び／又は深さの異なる開口部を同時に充填する工程を含んでもよい。開口部の径及び／又は深さの異なる開口部を同時に充填する工程とは、開口径の異なるスールーホール（貫通孔）を同時に充填する工程、開口径の異なるビアホール（有底孔）を同時に充填する工程、開口径が同じスルーホール（貫通孔）とビアホール（有底孔）とを同時に充填する工程、開口径の異なるスルーホール（貫通孔）とビアホール（有底孔）とを同時に充填する工程等を意味する。開口径が異なる場合とは、開口径５０μｍ、開口径５００μｍ、開口径２０００μｍからなる群より選ばれる少なくとも２種の組合せ等が例示される。深さが異なる場合とは、深さ３０μｍのビアホールと深さ３．２ｍｍのスルーホールとの組合せ等が例示される。【００６２】
充填工程は、開口部の充填と同時に、電子基板表面に形成された回路間の凹部を充填することができる。回路間の凹部とは、銅張り積層板の銅箔をエッチングして形成した回路パターンの回路間部分や絶縁基板上に銅めっきにより形成した回路パターンの回路間部分を意味する。【００６３】
本発明の電子基板充填用樹脂を上記の充填工程に適用する場合、印刷マスクを使用しなくても充填できるが、もし充填したくない開口部等が存在する場合や、電子基板上に電極バンプ等の吐出部を作成したい場合は充填時に印刷マスクを使用してもよい。印刷マスクは電子基板上に置かれ、充填が必要な開口部上に対応した位置に通孔を有し、充填が不必要な部分を覆ったステンレス製メタルマスク板、ポリエステル樹脂フィルム、スクリーンメッシュ版、感光性フィルム等が使用できる。【００６４】
電子基板の両面にビアホール（有底孔）がある場合、充填した電子基板面とは反対側の電子基板面にも同様にして充填する。
このようにして得られた樹脂充填基板に、絶縁層及び／又は配線層を（交互に）積層することによって（必要により、さらに上記の充填工程を設けてもよい）、いわゆるビルドアップ多層プリント配線板を得ることができる｛「ぷりんとばんじゅく  新入社員のためのビルドアップ配線板入門」、社団法人日本電子回路工業会発行（２００１年）｝。
例えば、配線層は、開口部へ樹脂を充填し、これを硬化させた後（基板表面に樹脂層を形成した場合を含む）、デスミア処理等により粗化し、無電解めっき（銅等）及び電解めっき（銅等）等により導電体層を形成し、さらに、不要部分をエッチング等して除去することにより形成される。
本発明の電子基板充填用樹脂は、充填後の開口部が平坦性に優れているため（凹みが発生しないため）、導体の厚みや幅が均一な配線層を容易に形成できる。
【実施例】
【００６５】
以下に本発明を実施例により説明するが、本発明は以下の実施例のみに限定されるものではない。特記しない限り、部は重量部を意味し、％は重量％を意味する。
＜実施例１＞
球状無機フィラー｛（Ｆ１１）；（株）龍森製ＴＳＳ８（体積平均粒径７．５μｍの球状シリカ｝４７部、非球状無機フィラー｛（Ｆ２１）；堺化学工業（株）製Ｂ−３４（体積平均粒径０．３μｍの酸化アルミニウム表面処理硫酸バリウム粉）｝１５部、硬化性樹脂｛（Ｋ１）；液状エポキシドＡ（ジャパンエポキシレジン（株）製エピコート８０７（ビスフェノールＦ型液状エポキシド））３４．５部と、硬化剤Ａ（四国化成（株）製イミダゾール２ＭＺＡ−ＰＷ（２，４−ジアミノ−６−〔２’−メチルイミダゾリル−（１’）〕−エチル−ｓ−トリアジン、体積平均粒径４μｍ））２．５部との混合物｝及び添加剤｛消泡剤Ａ；信越化学（株）製ＫＦ６００２（カルビノール変性シリコーン）｝１部を、プラネタリーミキサー（株式会社井上製作所製ＰＬＭ−５０）に投入し、公転回転数：２０ｒｐｍ及び温度：２２℃で、３０分間プレミックスして、プレミックス体を得た。
引き続き、このプレミックス体を３本ロール（株式会社井上製作所製ＨＨＣ−１７８Ｘ３５６、ロール間の圧力：３ＭＰａ、温度：２２℃、パス回数：２回）で混練して、本発明の電子基板充填用樹脂１を得た。
電子基板充填用樹脂１の貯蔵弾性率（Ｇ’）及び損失弾性率（Ｇ”）を粘弾性測定装置（ＨＡＡＫＥ社製レオストレスＲＳ７５）を用いて２３℃、応力１０Ｐａで測定し、周波数１、５及び１０Ｈｚにおける貯蔵弾性率（Ｇ’）、損失弾性率（Ｇ”）及びこれらから算出されるｔａｎδを表１ａに示した。
また、減圧乾燥装置（タバイ社製ＬＨＶ１１０、サンプル量５ｇ、１３３Ｐａ、８０℃、４時間）を用いて、電子基板充填用樹脂１の揮発分を測定し、表１ａに示した。
また、ＢＨ型粘度測定装置（東機産業社製ＴＶ−２０、Ａ７番ローター、２３℃、２ｒｐｍ）を用いて、電子基板充填用樹脂１の粘度を測定し、表１ａに示した。
また、硬化収縮率を測定し、表１ａに示した。【００６６】
＜実施例２〜１４＞
球状無機フィラー（Ｆ１１）４７部、非球状無機フィラー（Ｆ２１）１５部、硬化性樹脂（Ｋ１）｛液状エポキシドＡ３４．５部と硬化剤Ａ２．５部との混合物｝及び添加剤｛消泡剤Ａ１部｝を、表１に示した組成｛球状無機フィラー、非球状無機フィラー、硬化性樹脂及び添加剤｝及び使用量に変更した以外実施例１と同様にして本発明の電子基板充填用樹脂２〜１４を得た。
電子基板充填用樹脂２〜１４について、貯蔵弾性率（Ｇ’）、損失弾性率（Ｇ”）及びこれらから算出されるｔａｎδ、並びに揮発分及び粘度、硬化収縮率を実施例１と同様にして測定し、表１ａまたは表１ｂに示した。ただし、実施例１１，１２の電子基板充填用樹脂は、加熱処理（１３０℃、３０分）ではなく、１Ｊ／ｃｍ２（波長３６５ｎｍの積算光量）の紫外線硬化した。【００６７】
＜比較例１〜６＞
球状無機フィラー（Ｆ１１）４７部、非球状無機フィラー（Ｆ２１）１５部、硬化性樹脂（Ｋ１）｛液状エポキシドＡ３４．５部と硬化剤Ａ２．５部との混合物｝及び添加剤｛消泡剤Ａ１部｝を、表２に示した比較組成｛球状無機フィラー、非球状無機フィラー、硬化性樹脂及び添加剤｝及び使用量に変更した以外実施例１と同様にしての比較電子基板充填用樹脂１〜６を得た。
比較電子基板充填用樹脂１〜６について、貯蔵弾性率（Ｇ’）、損失弾性率（Ｇ”）及びこれらから算出されるｔａｎδ、並びに揮発分及び粘度、体積収縮率を実施例１と同様にして測定し、表２に示した。ただし、比較例例６の比較電子基板充填用樹脂は、加熱処理（１３０℃、３０分）ではなく、１Ｊ／ｃｍ２（波長３６５ｎｍの積算光量）の紫外線硬化した。
【００６８】
【表１ａ】
0005266461.tif 000002
【００６９】
【表１ｂ】
0005266461.tif 000003
【００７０】
【表２】
0005266461.tif 000004
・球状無機フィラー
（Ｆ１１）：（株）龍森製  ＴＳＳ８（体積平均粒径７．５μｍの球状シリカ）
（Ｆ１２）：（株）龍森製  ＭＳＳ４（体積平均粒径３．５μｍの球状シリカ）
（Ｆ１３）：福田金属箔粉（株）製  ＳＲＣ−Ｃｕ−１５（体積平均粒径１２μｍの球状銅粉）
（Ｆ１４）：アドマテックス（株）製  ＳＯ−Ｃ５（体積平均粒径１．５μｍの球状シリカ）
（Ｆ１５）：日本アトマイズ加工（株）製  ＨＸＲ−Ｃｕ（体積平均粒径５．０μｍの球状銅粉）
（Ｆ１６）：（株）龍森製  ＣＲＳ１１０１ＣＥ（体積平均粒径１．５μｍのグリシドキシプロピルトリメトキシシラン表面処理球状シリカ）
・非球状無機フィラー
（Ｆ２１）：堺化学工業（株）製  Ｂ−３４（体積平均粒径０．３μｍの酸化アルミニウム表面処理硫酸バリウム粉）
（Ｆ２２）：日東粉化工業（株）製  ＴＳＳ＃１０００（体積平均粒径１．２μｍの重質炭酸カルシウム）
（Ｆ２３）：（株）龍森製  ＲＤ−８（体積平均粒径１５μｍの不定形破砕シリカ）
（Ｆ２４）：日本アエロジル（株）製Ｒ２０２（体積平均粒径１４ｎｍの疎水性不定形シリカ）
・硬化性樹脂（Ｋ１）〜（Ｋ８）：液状エポキシドと硬化剤との混合物
（Ｋ９）：液状エポキシド、硬化剤、重合性二重結合を有する化合物及び光ラジカル発生剤の混合物
液状エポキシド
（Ａ）：ジャパンエポキシレジン（株）製  エピコート８０７（ビスフェノールＦ型液状エポキシド）
（Ｂ）：大日本インキ工業（株）製  エピクロン８４０Ｓ（ビスフェノールＡ型液状エポキシド）
硬化剤
（Ａ）：四国化成（株）製イミダゾール  ２ＭＺＡ−ＰＷ（２，４−ジアミノ−６−〔２’−メチルイミダゾリル−（１’）〕−エチル−ｓ−トリアジン、体積平均粒径４μｍ）
（Ｂ）：四国化成（株）製イミダゾール  ２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ（１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール、液状）
重合性二重結合を有する化合物
（ＤＰＰＡ）：サンノプコ（株）製ノプコマー４５１０（ジペンタエリストールペンタアクリレート）
光ラジカル発生剤：チバスペシャリティーケミカルス（株）製  イルガキュア１８４
・非硬化性樹脂
熱可塑性樹脂：日新化学（株）製エトセル（ヒドロキシエチルセルロース）
・添加剤
消泡剤Ａ：信越化学（株）製ＫＦ６００２（カルビノール変性シリコーン）
消泡剤Ｂ：共栄社（株）性ＡＣ３２６Ｆ（アクリルコポリマー）
揺変剤Ａ：楠本化成（株）製ディスパロン３９００（ポリアマイド、溶剤３０％含有）
溶剤Ａ：キシレン
溶剤Ｂ：ブチルカルビトール【００７１】
＜評価＞
（１）充填装置（図２〜図８を参照）
充填装置は、真空チャンバー（３）内に、電子基板固定台（４）、ドクター（７）、非接触ロール（８）及びガード（１３）を配してなるもの｛東海商事（株）製、真空コーターＳＶＭ｝を使用した。
そして、ドクター（７）及び非接触ロール（８）及びガード（１３）は一体となって、電子基板面に対して水平に、かつ非接触ロール（８）の回転軸に対して垂直方向に移動速度（ｉ）（ｍｍ／秒）で直線移動できるようになっている。図２、図３及び図５中にドクター（７）、非接触ロール（８）及びガード（１３）の移動方向を矢印２７で示している。
また、ドクター（７）は、電子基板の開口部に電子基板充填用樹脂（９）が充填された後に基板上に残る過剰の電子基板充填用樹脂をかきとることができるようになっている。
また、真空チャンバー（３）内は、減圧にすることができる。
また、非接触ロール（８）は、非接触ロール（８）の回転軸より電子基板側の部分の回転方向がドクター（７）及び非接触ロール（８）の移動方向とは逆となるようにして、周速度（ｖ）（ｍｍ／秒）で回転できるようになっている。図５中に非接触ロール（８）の回転方向を矢印２６で示している。
なお、非接触ロール（８）の表面材質はステンレス製であり、この大きさは直径５０ｍｍ、長さ５５０ｍｍである。また、ドクター（７）は硬度８０度のウレタン樹脂製であり、幅７０ｍｍ、厚み２０ｍｍ、長さ５５０ｍｍであり、この先端は図２の形状である。
ガード（１３）は、ドクター（７）及び非接触ロール（８）の両末端部から樹脂ペースト（Ｊ）がはみ出すの防止できるようになっている。ガード（１３）は、ポリアセタール製板（高さ８０ｍｍ、幅１００ｍｍ、厚さ２０ｍｍ）の中央部に直径５１ｍｍの貫通孔を設けたものである｛貫通孔は非接触ロール（８）と基板固定台（４）との間が０．１ｍｍとなる位置に存在する｝。そして、この穴に、非接触ロール（８）の末端部がはめ込まれるようになっている。また、ガード（１３）は、基板固定台（４）の上面、及びドクター（７）の両末端部と接するようになっている。【００７２】
（２）電子基板
ＦＲ−４両面銅張積層板（ＪＩＳ  Ｃ６４８０−１９９４「プリント配線板用銅張積層板通則」に準拠したもの）を用いて、表３に示す開口部を有する電子基板（コア基板；大きさは表３の通り）を特開２００２−１４１６６１号公報の００１３〜００３１段落の記載内容に準拠して作成した。
【００７３】
【表３】
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【００７４】
（３）充填工程
電子基板の底面に離型フィルム（５）｛電子基板と同じサイズのポリエステルフィルム：パナック株式会社製の再剥離フィルムＳＴ：厚み５０μｍ｝を貼り付け、固定台（４）の凹部（基板厚みと離型フィルム（５）厚み合計と同じ深さ）に、離型フィルム（５）が下になるようにして（電子基板表面が表に現れるようにして）、はめ込むことにより固定した。
次いで、電子基板充填用樹脂を電子基板の端部に載せた後（図４）、ドクター（７）と電子基板面との角度は１５°に設定し、真空チャンバー（３）内を１３３Ｐａまで減圧にした。次いで、表３に示した条件｛ロール移動速度、ロール周速度、非接触ロールと電子基板との間隔（ロール間隔）｝で、電子基板充填用樹脂を電子基板の開口部に充填した（図４〜６）。
減圧下での充填後、真空チャンバー（３）内の圧力を大気圧に戻し、ドクター（７）と電子基板面との角度を４０°に変更した後、充填条件７以外は、表３に示した条件（減圧下の場合と同じ条件）で、電子基板充填用樹脂を電子基板の開口部に充填した（大気圧補充工程図４〜６）。【００７５】
（４）仮硬化工程、研磨工程
上記のようにして電子基板充填用樹脂を充填して得た基板のうち、実施例１〜１０及び比較例１〜５で得た基板を、循風式加熱オーブン中で１３０℃、３０分間加熱することにより（仮硬化工程）樹脂硬化基板を得た。また、同様に実施例１１〜１２及び比較例６で得た基板を、１Ｊ／ｃｍ２の紫外線を照射することにより（仮硬化工程）樹脂硬化基板を得た。
樹脂硬化基板から基板底面に貼り付けた離型フィルム（５）を取り除いた後、１軸不繊布バフ（商品名「ＩＤＢ−６００」石井表記株式会社製、粗さ３２０番バフ２回、粗さ６００番バフ２回）を用い研磨して表面を平坦化して、樹脂充填基板を得た。【００７６】
（５）充填不良発生数の評価
開口部のあった充填箇所について、無作為に各１００個を選択し、次のようにして充填不良発生数を評価した。
卓上ハンドカッター（商品名「ハンドカッターＰＣ−３００」サンハヤト株式会社製）を用いて、作成した樹脂充填基板を基板面に対して垂直に切断し、研磨／琢磨機（商品名「Ｓｔｒｕｅｒｓ  Ｐｌａｎｏｐｏｌ−３」、丸本工業株式会社製）を用いて切断面を研磨して開口部のあった充填断面を整面した。そして、この充填断面を顕微鏡（倍率２００倍）で観察し、未充填（凹み、空洞）のある開口部を数え、その合計数を表１ａ、表１ｂ及び表２に示した。なお、充填された樹脂の表面と開口部周辺の基板面との段差が１０μｍ以上あるものを凹みとし、直径１０μｍ以上のボイド及びクラックを空洞とした。【００７７】
表１ａ、表１ｂ及び表２から明らかなように、比較例の電子基板充填用樹脂を用いると充填不良が多発するのに対して、本発明の電子基板充填用樹脂では、開口部に未充填（凹みやボイド及びクラックによる空洞）をほとんど発生させることなく樹脂充填基板を容易に製造できた。
【産業上の利用可能性】
【００７８】
本発明の電子基板充填用樹脂は、プリント配線板（ビルドアッププリント配線板や多層積層プリント配線板、及び両面プリント配線板等）等に存在する開口部（凹部及び／又は貫通孔）に充填するのに適している。プリント配線板以外に、金属、石、ガラス、コンクリート及び／又はプラスチック等で製造された板状のものに形成された開口部を充填するのにも適用できる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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