(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
環状オレフィン成分を共重合体成分として含む（Ａ）環状オレフィン系樹脂を６０質量部以上９０質量部以下、（Ｂ）エラストマー成分を１０質量部以上４０質量部以下、含む高周波用電子部品用材料であって、
前記（Ｂ）エラストマー成分は、（ｂ１’’）スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体（以下、ＳＢＳともいう）と、（ｂ２’’）スチレン−エチレン・ブチレン−スチレンブロック共重合体（以下、ＳＥＢＳともいう）と、を含む混合物であり、
前記（Ｂ）エラストマー成分における、よう素価法（ＪＩＳ  Ｋ  ６２３５準拠）にて測定した不飽和二重結合部の含有量が、４×１０−４ｍｏｌ／ｇ以上２３×１０−４ｍｏｌ／ｇ以下であり、
前記高周波用電子部品用材料からなる成形体における、空洞共振法で摂動法を用いて測定した１〜１０ＧＨｚにおける誘電損失（Ｔａｎδ）が、１３×１０−４以下である高周波用電子部品用材料。
【請求項２】
前記（Ｂ）エラストマー成分は、重合体成分としてスチレンを含むものである請求項１記載の高周波用電子部品用材料。
【請求項３】
ＩＳＯ１７９／１ｅＡに準拠して測定したシャルピー衝撃値が、２０ｋＪ／ｍ２以上である請求項１又は２記載の高周波用電子部品用材料。
【請求項４】
長さ７０ｍｍ、幅７０ｍｍ、厚み２ｍｍの成形体となし、クロム酸３００ｇ／Ｌと硫酸３５０ｇ／Ｌとの混合物であるクロム酸水溶液によって、６０℃において１時間以内エッチングした後のめっき密着強度が、０．６Ｎ／ｍｍ以上である請求項１から３いずれか記載の高周波用電子部品用材料。
【請求項５】
請求項１から４いずれか記載の高周波用電子部品用材料からなる高周波用電子部品。
【請求項６】
前記高周波用電子部品は、表面及び／又は内部の少なくとも一部に金属めっきが施されたものである請求項５記載の高周波用電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波用電子部品用材料及び当該材料からなる高周波用電子部品に関する。より詳しくは、環状オレフィン成分を共重合体成分として含む環状オレフィン系樹脂と、特定のエラストマー成分とを含み、高周波帯域での使用に好適な誘電特性を有し、同時に、良好なめっき性を有するとともに、めっきされた金属層との密着力が高く、且つ、耐衝撃性にも優れる高周波用電子部品用材料及び当該材料からなる高周波用電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
環状オレフィン系樹脂は、主鎖に環状オレフィンの骨格を有する樹脂であり、高透明性、低複屈折性、高熱変形温度、軽量性、寸法安定性、低吸水性、耐加水分解性、耐薬品性、低誘電率、低誘電損失、環境負荷物質を含まない等、多くの特徴をもつ樹脂である。このため、環状オレフィン系樹脂は、これらの特徴が必要とされる多種多様な分野に用いられている。
【０００３】
なかでも、優れた誘電特性、耐熱性及び耐溶剤性等を発揮できる点から、環状オレフィン系樹脂は、回路基板等の高分子絶縁材料や電子部品として用いられつつある。
【０００４】
例えば、特許文献１においては、環状オレフィン系樹脂と、硬化剤及びチオール化合物を含む硬化性組成物が提案されている。特許文献１に記載された硬化性組成物によれば、絶縁抵抗性、耐剥離性、耐熱性、及び耐薬品性に優れた回路基板を作成することができる。
【０００５】
また、特許文献２及び３においては、環状オレフィン系樹脂と、有機過酸化物及び架橋助剤を含む架橋性樹脂組成物が提案されている。特許文献２又は３に記載された樹脂組成物を架橋して得られる成形品は、高周波領域での低誘電特性、耐熱性、耐薬品性に優れ、また、線膨張率及び吸水率が低く、一方で、機械的強度が高いことから、例えば、高周波回路基板等として有用とされている。
【０００６】
更に、環状オレフィン系樹脂は、上記したような多くの特徴を有する一方で、脆く、耐衝撃性に劣る問題があった。このため、例えば、環状オレフィン系樹脂とは非相溶のゴム成分をアロイ化することにより、耐衝撃性を改良する方法が提案されている（特許文献４参照）。
【特許文献１】特開２００１−０６４５１７号公報
【特許文献２】特開平０６−２４８１６４号公報
【特許文献３】特開２００３−２３８７６１号公報
【特許文献４】特開平１１−０２１４１３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１に記載された硬化性組成物によれば、高周波領域における比誘電率（ε’）と誘電正接（ｔａｎδ）が高く、このため、高周波領域における誘電特性が不十分であった。近年の高度情報化社会の進展に伴い、通信・電子機器に使用される信号の周波数は、メガＨｚ帯からギガＨｚ帯へと移行している。一般に電気信号は、周波数が高くなるほど伝送損失が大きくなる傾向にあり、このため、高周波帯域に対応した、優れた高周波伝送特性を有する電気絶縁材料の開発が望まれている。
【０００８】
また、特許文献２及び３に記載された架橋性組成物は、高周波領域での誘電特性は良好であるものの、十分なめっき密着性が得られず、めっき層自体が形成されない場合もあった。元来、環状オレフィン系の硬化物は、化学的に不活性な構造であるがために、十分なめっき接着性を有していない。しかしながら、通常、配線板等における導体層は、基板表面への金属箔貼付やめっきによって形成されるものであり、特に、スルーホールに施すめっきについては、無電解めっきが選択されている。更に、ビルドアップ基板のようにビルドアップ法により電気的絶縁層を層間に介在させて配線版を積層する場合には、めっき密着性が悪いと、ビルドアップ層自体を形成することが困難であった。
【０００９】
更に、特許文献４に記載された組成物によれば、医療用途や包装用途に必要とされる耐衝撃性については、ある程度満足できるものの、用途によっては、更なる耐衝撃性が求められる場合があった。例えば、電子機器の超寿命化にとっては、耐衝撃性の向上は、大きな要素のひとつとなる。実装後の外部からの衝撃等に対しては、基板を構成している電気絶縁材料自体の耐衝撃性は、重要な役割を担うものであり、耐衝撃性の低さが原因となって、クラックが生じたり、断線や断裂等の問題が生じる場合があった。
【００１０】
本発明は、以上のような課題に鑑みてなされたものであり、環状オレフィン系樹脂が有する各種特性を失うことなく、高周波帯域での使用に好適な誘電特性を有し、同時に、良好なめっき性を有するとともに、めっきされた金属層との密着力が高く、且つ、耐衝撃性にも優れる高周波用電子部品用材料及び当該材料からなる高周波用電子部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明者らは、上記課題を解決するため、耐衝撃強度を向上させるためのエラストマー成分に着目して鋭意研究を重ねた。その結果、環状オレフィン系樹脂とエラストマー成分との配合割合、及び、エラストマー成分に含まれる不飽和二重結合の割合を、特定範囲とすることにより、上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。より具体的には、本発明は以下のようなものを提供する。
【００１２】
（１）  環状オレフィン成分を共重合体成分として含む（Ａ）環状オレフィン系樹脂を６０質量部以上９０質量部以下、（Ｂ）エラストマー成分を１０質量部以上４０質量部以下、含む高周波用電子部品用材料であって、前記（Ｂ）エラストマー成分における、よう素価法（ＪＩＳ  Ｋ  ６２３５準拠）にて測定した不飽和二重結合部の含有量が、４×１０−４ｍｏｌ／ｇ以上２３×１０−４ｍｏｌ／ｇ以下であり、前記高周波用電子部品用材料からなる成形体における、空洞共振法で摂動法を用いて測定した１〜１０ＧＨｚにおける誘電損失（Ｔａｎδ）が、１３×１０−４以下である高周波用電子部品用材料。
【００１３】
（１）の高周波用電子部品用材料は、（Ｂ）エラストマー成分を１０質量部以上４０質量部以下含むものである。（Ｂ）エラストマー成分の配合量が１０重量部未満であると、衝撃強度が低くなり好ましくない。一方で、４０重量部を超えると、（Ａ）環状オレフィン系樹脂中にエラストマーが分散するアロイ構造を安定して得ることができず、このため、成形性に問題が生じる。
【００１４】
また、（１）の高周波用電子部品用材料は、（Ｂ）エラストマー成分における不飽和二重結合部の含有量が、４×１０−４ｍｏｌ／ｇ以上２３×１０−４ｍｏｌ／ｇ以下である。ここで、「不飽和二重結合部の含有量」とは、よう素価を、よう素価法（ＪＩＳ  Ｋ  ６２３５準拠）にて測定した値である。
【００１５】
本発明においては、（Ｂ）エラストマー成分における不飽和二重結合部の含有量が４×１０−４ｍｏｌ／ｇより少ないと、エッチング時間が長くなるため、生産性に劣り好ましくない。ところで、一般的に、（Ｂ）エラストマー成分における不飽和二重結合含有量の増加は、めっき性やめっき密着力の向上に寄与するものである。しかしながら、（Ｂ）エラストマー成分における不飽和二重結合部の含有量が、２３×１０−４ｍｏｌ／ｇより多い場合には、下記に述べる誘電損失が大きくなり、このため、高周波用電子部品用材料としては好ましいものではない。したがって、本発明においては、高周波帯域での誘電特性と、めっき性及びめっき密着力との両者の要求物性の実現から、（Ｂ）エラストマー成分における不飽和二重結合部の含有量を、上記範囲内とする必要がある。
【００１６】
本発明の高周波用電子部品用材料は、空洞共振法で摂動法を用いて測定した１〜１０ＧＨｚにおける誘電損失（Ｔａｎδ）が、１３×１０−４以下である。ここで、誘電損失（ｔａｎδ）とは、空洞共振法で摂動法を用いて測定した場合のｔａｎδである。
【００１７】
一般に、誘電損失（ｔａｎδ）が高いと高周波が減衰してしまい、特に、ＧＨｚ帯域の高周波においては、誘電損失は大きな影響を与えてしまう。このため、１〜１０ＧＨｚにおける誘電損失（ｔａｎδ）は、１３×１０−４以下であることが必要である。本発明の高周波用電子部品用材料から得られる成形体は、１〜１０ＧＨｚ、好ましくは５．８ＧＨｚにおける誘電損失（ｔａｎδ）が、１３×１０−４以下であるため、高周波用電子部品として好適に用いることができる。
【００１８】
以上より、上記のような特定組成及び特定成分を含む（１）の高周波用電子部品用材料は、環状オレフィン系樹脂が有する各種特性を維持しつつ、高周波帯域での使用に好適な誘電特性を有し、同時に、良好なめっき性を有するとともに、めっきされた金属層との密着力が高く、且つ、耐衝撃性にも優れる材料となる。
【００１９】
（２）  前記（Ｂ）エラストマー成分は、重合体成分としてスチレンを含むものである（１）記載の高周波用電子部品用材料。
【００２０】
環状オレフィン系樹脂は、環状オレフィンをその骨格成分として含むものであり、環状オレフィンは、スチレン等の芳香族骨格を有する成分と構造や、極性が類似していることから、これらとの相溶性が高い。（２）の高周波用電子部品用材料は、（Ｂ）エラストマー成分の重合体成分としてスチレンを含むものであるため、（Ｂ）エラストマー成分が（Ａ）環状オレフィン系樹脂に混じりやすく、分散しやすい。このため、（２）の高周波用電子部品用材料によれば、（Ｂ）エラストマー成分に起因する、耐衝撃性、めっき性及びめっき接着力を、より向上させることができる。
【００２１】
（３）  前記（Ｂ）エラストマー成分は、（ｂ１）不飽和結合を有するエラストマーと、（ｂ２）実質的に不飽和結合を有さないエラストマーと、の混合物である（１）又は（２）記載の高周波用電子部品用材料。
【００２２】
（３）の高周波用電子部品用材料は、（Ｂ）エラストマー成分として、（ｂ１）不飽和結合を有するエラストマーと、（ｂ２）実質的に不飽和結合を有さないエラストマーと、の混合物を含むものである。
【００２３】
ここで、「（ｂ２）実質的に不飽和結合を有さないエラストマー」とは、重合直後に不飽和結合を有していないエラストマー以外に、不飽和結合を有しているエラストマーの不飽和結合を水素添加することによって得られる、水素添加エラストマーも含まれることを意味する。なお、不飽和結合を有するエラストマーの一部の不飽和結合部が水素添加され、一部の不飽和結合部はそのまま残留している場合には、このようなエラストマー成分は、（ｂ１）不飽和結合を有するエラストマーと、（ｂ２）実質的に不飽和結合を有さないエラストマーと、の混合物であるとする。
【００２４】
すなわち、（３）の高周波用電子部品用材料における（Ｂ）エラストマー成分となる、「（ｂ１）不飽和結合を有するエラストマーと、（ｂ２）実質的に不飽和結合を有さないエラストマーと、の混合物」とは、不飽和結合を有するエラストマーと不飽和結合を有さないエラストマーとのブレンドであってよいし、不飽和結合を有するエラストマーの不飽和結合の一部が水素添加されたものであってもよいし、あるいは、不飽和結合を有さないエラストマーの一部を酸化して、所定の不飽和結合含有率にしたものであってもよい。
【００２５】
一般に、（Ａ）環状オレフィン系樹脂に（ｂ１）不飽和結合を有するエラストマーを配合した場合には、めっきの前段階であるエッチングにおけるエッチング液への溶解度が高く、このため、めっき性及びめっき密着力には優れるものの、高周波帯域での誘電特性に劣る。一方で、（ｂ２）不飽和結合を有さないエラストマーを配合した場合には、エッチング液への溶解性が低いが、高周波帯域での誘電特性は維持した状態で衝撃特性が向上する。
【００２６】
このため、（３）の高周波用電子部品用材料においては、（Ｂ）エラストマー成分として、（ｂ１）不飽和結合を有するエラストマーと、（ｂ２）実質的に不飽和結合を有さないエラストマーと、の両者を含む混合物を用いることにより、めっき性及びめっき密着力と、高周波帯域での誘電特性の両者の要求物性を実現することができる。
【００２７】
（４）  前記（Ｂ）エラストマー成分は、（ｂ１’）スチレン系共重合体と、（ｂ２’）当該スチレン系共重合体の水素添加物と、を含む混合物である（１）から（３）いずれか記載の高周波用電子部品用材料。
【００２８】
（４）の高周波用電子部品用材料は、（Ｂ）エラストマー成分として、（ｂ１’）スチレン系共重合体と、（ｂ２’）当該スチレン系共重合体の水素添加物とを含む混合物を用いるものである。上記した通り、スチレン系共重合体は、（Ａ）環状オレフィン系樹脂に混じりやすく、分散しやすい。
そこで、（Ｂ）エラストマー成分として、とある（ｂ１’）スチレン系共重合体と、（ｂ２’）当該スチレン系共重合体の水素添加物を用いれば、これらエラストマー成分同士の相溶性が高く、しかも（Ａ）環状オレフィン系樹脂に分散し易いことから、（Ａ）環状オレフィン系樹脂への（Ｂ）エラストマー成分の分散性が均一となる。したがって、（Ｂ）エラストマー成分に起因する、耐衝撃性と、めっき性及びめっき接着力をより均一にすることができる。
【００２９】
（５）前記（Ｂ）エラストマー成分は、（ｂ１’’）スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体（以下、ＳＢＳともいう）と、（ｂ２’’）スチレン−エチレン・ブチレン−スチレンブロック共重合体（以下、ＳＥＢＳともいう）と、を含む混合物である（１）から（４）いずれか記載の高周波用電子部品用材料。
【００３０】
（５）の高周波用電子部品用材料は、（Ｂ）エラストマー成分として、ＳＢＳとＳＥＢＳとを含む混合物を用いるものである。ここで、ＳＥＢＳとは、ＳＢＳの水素添加体である。したがって、ＳＢＳとＳＥＢＳは相溶性が高く、また、（Ａ）環状オレフィンにおいては、同様の分散性を示す。このため、このような（Ｂ）エラストマー成分を含む（５）の高周波用電子部品用材料は、（Ｂ）エラストマー成分に起因する、耐衝撃性、めっき性及びめっき接着力が、より向上されたものとなる。
【００３１】
（６）  ＩＳＯ１７９／１ｅＡに準拠して測定したシャルピー衝撃値が、２０ｋＪ／ｍ２以上である（１）から（５）いずれか記載の高周波用電子部品用材料。
【００３２】
シャルピー衝撃値は、耐衝撃性を表す指標のひとつであり、シャルピー衝撃値が低い場合には、成形品の組み立て時における破損や、使用時の衝撃等による成形品の破損が容易に発生してしまう。このため、高周波用電子部品のシャルピー衝撃値としては、２０ｋＪ／ｍ２以上であることが好ましい。（６）の高周波用電子部品用材料から得られる成形体は、シャルピー衝撃値が２０ｋＪ／ｍ２以上であるため、高周波用電子部品として好適に用いることができる。
【００３３】
（７）  長さ７０ｍｍ、幅７０ｍｍ、厚み２ｍｍの成形体となし、クロム酸３００ｇ／Ｌと硫酸３５０ｇ／Ｌとの混合物であるクロム酸水溶液によって、６０℃において１時間以内エッチングした後のめっき密着強度が、０．６Ｎ／ｍｍ以上である（１）から（６）いずれか記載の高周波用電子部品用材料。
【００３４】
一般に、高周波用電子部品においては、めっき密着力が低いと、周囲の温度変化による成形品の膨張収縮や、組み立て時の摩擦により、めっきがはがれてしまう場合がある。このため、クロム酸３００ｇ／Ｌと硫酸３５０ｇ／Ｌとの混合物であるクロム酸水溶液によって、６０℃において１時間以内エッチングした後のめっき密着強度は、０．６Ｎ／ｍｍ以上であることが望ましい。（７）の高周波用電子部品用材料から得られる成形体は、めっき密着強度が、０．６Ｎ／ｍｍ以上であるため、当該成形体からなる高周波用電子部品の温度変化においても、また、組み立て時においても、十分にめっきの剥離を防止することができる。
【００３５】
（８）  （１）から（７）いずれか記載の高周波用電子部品用材料からなる高周波用電子部品。
【００３６】
高周波用電子部品は、高周波帯域での使用に好適な誘電特性を有することは勿論のこと、良好なめっき性、及び、めっきされた金属層との高い密着力を有し、且つ、耐衝撃性にも優れることが好ましい。本発明の高周波用電子部品用材料によれば、このような要求をバランスよく満足させることができ、したがって、高周波用電子部品として優れたものとなる。
【００３７】
（９）  前記高周波用電子部品は、表面及び／又は内部の少なくとも一部に金属めっきが施されたものである（８）記載の高周波用電子部品。
【００３８】
（９）の高周波用電子部品は、良好なめっき性、及び、めっきされた金属層との高い密着力を有することから、表面の少なくとも一部に金属めっきが施された場合には、他の材料からなる部品と比して、特に優れた耐久性を発揮することができる。
【発明の効果】
【００３９】
本発明の高周波用電子部品用材料は、環状オレフィン系樹脂が有する各種特性を維持しつつ、高周波帯域での使用に好適な誘電特性を有し、同時に、良好なめっき性を有するとともに、めっきされた金属層との密着力が高く、且つ、耐衝撃性にも優れる材料となる。したがって、本発明の高周波用電子部品用材料からなる成形体は、高周波用電子部品として好適に用いることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４０】
以下、本発明の実施形態について説明する。
【００４１】
＜高周波用電子部品用材料＞
本発明の高周波用電子部品用材料は、環状オレフィン成分を共重合成分として含む（Ａ）環状オレフィン系樹脂と、（Ｂ）エラストマー成分と、を必須成分とする組成物からなる。
【００４２】
［（Ａ）環状オレフィン系樹脂］
以下、本発明の高周波用電子部品用材の必須成分となる（Ａ）環状オレフィン系樹脂について説明する。本発明に用いられる（Ａ）環状オレフィン系樹脂は、環状オレフィン成分を共重合成分として含むものであり、環状オレフィン成分を主鎖に含むポリオレフィン系樹脂であれば、特に限定されるものではない。例えば、
（ａ１）環状オレフィンの付加重合体又はその水素添加物、
（ａ２）環状オレフィンとα−オレフィンの付加共重合体又はその水素添加物、
（ａ３）環状オレフィンの開環（共）重合体又はその水素添加物、を挙げることができる。
【００４３】
また、本発明に用いられる環状オレフィン成分を共重合成分として含む（Ａ）環状オレフィン系樹脂としては、
（ａ４）上記（ａ１）〜（ａ３）の樹脂に、極性基を有する不飽和化合物をグラフト及び／又は共重合したもの、を含む。
【００４４】
極性基としては、例えば、カルボキシル基、酸無水物基、エポキシ基、アミド基、エステル基、ヒドロキシル基等を挙げることができ、極性基を有する不飽和化合物としては、（メタ）アクリル酸、マレイン酸、無水マレイン酸、無水イタコン酸、グリシジル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリル酸アルキル（炭素数１〜１０）エステル、マレイン酸アルキル（炭素数１〜１０）エステル、（メタ）アクリルアミド、（メタ）アクリル酸−２−ヒドロキシエチル等を挙げることができる。
【００４５】
本発明においては、上記の環状オレフィン成分を共重合成分として含む環状オレフィン系樹脂（ａ１）〜（ａ４）は、１種単独であっても、二種以上を混合使用してもよい。本発明においては、（ａ２）環状オレフィンとα−オレフィンの付加共重合体又はその水素添加物を好ましく用いることができる。
【００４６】
また、本発明に用いられる環状オレフィン成分を共重合成分として含む環状オレフィン系樹脂としては、市販の樹脂を用いることも可能である。市販されている環状オレフィン系樹脂としては、例えば、ＴＯＰＡＳ（登録商標）（独Ｔｉｃｏｎａ社製）、アペル（登録商標）（三井化学社製）、ゼオネックス（登録商標）（日本ゼオン社製）、ゼオノア（登録商標）（日本ゼオン社製）、アートン（登録商標）（ＪＳＲ社製）等を挙げることができる。
【００４７】
本発明の組成物に好ましく用いられる（ａ２）環状オレフィンとα−オレフィンの付加共重合体としては、特に限定されるものではない。特に好ましい例としては、〔１〕炭素数２〜２０のα−オレフィン成分と、〔２〕下記一般式（Ｉ）で示される環状オレフィン成分と、を含む共重合体を挙げることができる。
【化１】
0005345753.tif 000002
（式中、
Ｒ１〜Ｒ１２は、それぞれ同一でも異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、及び、炭化水素基からなる群より選ばれるものであり、
Ｒ９とＲ１０、Ｒ１１とＲ１２は、一体化して２価の炭化水素基を形成してもよく、
Ｒ９又はＲ１０と、Ｒ１１又はＲ１２とは、互いに環を形成していてもよい。
また、ｎは、０又は正の整数を示し、
ｎが２以上の場合には、Ｒ５〜Ｒ８は、それぞれの繰り返し単位の中で、それぞれ同一でも異なっていてもよい。）
【００４８】
〔〔１〕炭素数２〜２０のα−オレフィン成分〕
本発明に好ましく用いられる環状オレフィン成分とエチレン等の他の共重合成分との付加重合体の共重合成分となる炭素数２〜２０のα−オレフィンは、特に限定されるものではない。例えば、エチレン、プロピレン、１−ブテン、１−ペンテン、１−へキセン、３−メチル−１−ブテン、３−メチル−１−ペンテン、３−エチル−１−ペンテン、４−メチル−１−ペンテン、４−メチル−１−へキセン、４，４−ジメチル−１−ヘキセン、４，４−ジメチル−１−ペンテン、４−エチル−１−へキセン、３−エチル−１−ヘキセン、１−オクテン、１−デセン、１−ドデセン、１−テトラデセン、１−ヘキサデセン、１−オクタデセン、１−エイコセン等を挙げることができる。また、これらのα−オレフィン成分は、１種単独でも２種以上を同時に使用してもよい。これらの中では、エチレンの単独使用が最も好ましい。
【００４９】
〔〔２〕一般式（Ｉ）で示される環状オレフィン成分〕
本発明に好ましく用いられる環状オレフィン成分とエチレン等の他の共重合成分との付加重合体において、共重合成分となる一般式（Ｉ）で示される環状オレフィン成分について説明する。
【００５０】
一般式（Ｉ）におけるＲ１〜Ｒ１２は、それぞれ同一でも異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、及び、炭化水素基からなる群より選ばれるものである。
【００５１】
Ｒ１〜Ｒ８の具体例としては、例えば、水素原子；フッ素、塩素、臭素等のハロゲン原子；メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等の低級アルキル基等を挙げることができ、これらはそれぞれ異なっていてもよく、部分的に異なっていてもよく、また、全部が同一であってもよい。
【００５２】
また、Ｒ９〜Ｒ１２の具体例としては、例えば、水素原子；フッ素、塩素、臭素等のハロゲン原子；メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ヘキシル基、ステアリル基等のアルキル基；シクロヘキシル基等のシクロアルキル基；フェニル基、トリル基、エチルフェニル基、イソプロピルフェニル基、ナフチル基、アントリル基等の置換又は無置換の芳香族炭化水素基；ベンジル基、フェネチル基、その他アルキル基にアリール基が置換したアラルキル基等を挙げることができ、これらはそれぞれ異なっていてもよく、部分的に異なっていてもよく、また、全部が同一であってもよい。
【００５３】
Ｒ９とＲ１０、又はＲ１１とＲ１２とが一体化して２価の炭化水素基を形成する場合の具体例としては、例えば、エチリデン基、プロピリデン基、イソプロピリデン基等のアルキリデン基等を挙げることができる。
【００５４】
Ｒ９又はＲ１０と、Ｒ１１又はＲ１２とが、互いに環を形成する場合には、形成される環は単環でも多環であってもよく、架橋を有する多環であってもよく、二重結合を有する環であってもよく、またこれらの環の組合せからなる環であってもよい。また、これらの環はメチル基等の置換基を有していてもよい。
【００５５】
一般式（Ｉ）で示される環状オレフィン成分の具体例としては、ビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２−エン（慣用名：ノルボルネン）、５−メチル−ビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２−エン、５，５−ジメチル−ビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２−エン、５−エチル−ビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２−エン、５−ブチル−ビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２−エン、５−エチリデン−ビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２−エン、５−ヘキシル−ビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２−エン、５−オクチル−ビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２−エン、５−オクタデシル−ビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２−エン、５−メチリデン−ビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２−エン、５−ビニル−ビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２−エン、５−プロペニル−ビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２−エン等の２環の環状オレフィン；
【００５６】
トリシクロ［４．３．０．１２，５］デカ−３，７−ジエン（慣用名：ジシクロペンタジエン）、トリシクロ［４．３．０．１２，５］デカ−３−エン；トリシクロ［４．４．０．１２，５］ウンデカ−３，７−ジエン若しくはトリシクロ［４．４．０．１２，５］ウンデカ−３，８−ジエン又はこれらの部分水素添加物（又はシクロペンタジエンとシクロヘキセンの付加物）であるトリシクロ［４．４．０．１２，５］ウンデカ−３−エン；５−シクロペンチル−ビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２−エン、５−シクロヘキシル−ビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２−エン、５−シクロヘキセニルビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２−エン、５−フェニル−ビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２−エンといった３環の環状オレフィン；
【００５７】
テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］ドデカ−３−エン（単にテトラシクロドデセンともいう）、８−メチルテトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］ドデカ−３−エン、８−エチルテトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］ドデカ−３−エン、８−メチリデンテトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］ドデカ−３−エン、８−エチリデンテトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］ドデカ−３−エン、８−ビニルテトラシクロ［４，４．０．１２，５．１７，１０］ドデカ−３−エン、８−プロペニル−テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］ドデカ−３−エンといった４環の環状オレフィン；
【００５８】
８−シクロペンチル−テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］ドデカ−３−エン、８−シクロヘキシル−テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］ドデカ−３−エン、８−シクロヘキセニル−テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］ドデカ−３−エン、８−フェニル−シクロペンチル−テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］ドデカ−３−エン；テトラシクロ［７．４．１３，６．０１，９．０２，７］テトラデカ−４，９，１１，１３−テトラエン（１，４−メタノ−１，４，４ａ，９ａ−テトラヒドロフルオレンともいう）、テトラシクロ［８．４．１４，７．０１，１０．０３，８］ペンタデカ−５，１０，１２，１４−テトラエン（１，４−メタノ−１，４，４ａ，５，１０，１０ａ−へキサヒドロアントラセンともいう）；ペンタシクロ［６．６．１．１３，６．０２，７．０９，１４］−４−ヘキサデセン、ペンタシクロ［６．５．１．１３，６．０２，７．０９，１３］−４−ペンタデセン、ペンタシクロ［７．４．０．０２，７．１３，６．１１０，１３］−４−ペンタデセン；ヘプタシクロ［８．７．０．１２，９．１４，７．１１１，１７．０３，８．０１２，１６］−５−エイコセン、ヘプタシクロ［８．７．０．１２，９．０３，８．１４，７．０１２，１７．１１３，ｌ６］−１４−エイコセン；シクロペンタジエンの４量体等の多環の環状オレフィンを挙げることができる。
【００５９】
これらの環状オレフィン成分は、１種単独でも、また２種以上を組み合わせて使用してもよい。これらの中では、ビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２−エン（慣用名：ノルボルネン）を単独使用することが好ましい。
【００６０】
〔１〕炭素数２〜２０のα−オレフィン成分と〔２〕一般式（Ｉ）で表される環状オレフィン成分との重合方法及び得られた重合体の水素添加方法は、特に限定されるものではなく、公知の方法に従って行うことができる。ランダム共重合であっても、ブロック共重合であってもよいが、ランダム共重合であることが好ましい。
【００６１】
また、用いられる重合触媒についても特に限定されるものではなく、チーグラー・ナッタ系、メタセシス系、メタロセン系触媒等の従来周知の触媒を用いて周知の方法により得ることができる。本発明に好ましく用いられる環状オレフィンとα−オレフィンの付加共重合体又はその水素添加物は、メタロセン系触媒を用いて製造されることが好ましい。
【００６２】
メタセシス触媒としては、シクロオレフィンの開環重合用触媒として公知のモリブデン又はタングステン系メタセシス触媒（例えば、特開昭５８−１２７７２８号公報、同５８−１２９０１３号公報などに記載）が挙げられる。また、メタセシス触媒で得られる重合体は無機担体担持遷移金属触媒等を用い、主鎖の二重結合を９０％以上、側鎖の芳香環中の炭素−炭素二重結合の９８％以上を水素添加することが好ましい。
【００６３】
〔その他共重合成分〕
本発明の組成物に特に好ましく用いられる（ａ２）環状オレフィンとα−オレフィンの付加共重合体は、上記の〔１〕炭素数２〜２０のα−オレフィン成分と、〔２〕一般式（Ｉ）で示される環状オレフィン成分以外に、本発明の目的を損なわない範囲で、必要に応じて他の共重合可能な不飽和単量体成分を含有していてもよい。
【００６４】
任意に共重合されていてもよい不飽和単量体としては、特に限定されるものではないが、例えば、炭素−炭素二重結合を１分子内に２個以上含む炭化水素系単量体等を挙げることができる。炭素−炭素二重結合を１分子内に２個以上含む炭化水素系単量体の具体例としては、１，４−ヘキサジエン、１，６−オクタジエン、２−メチル−１，５−ヘキサジエン、４−メチル−１，５−ヘキサジエン、５−メチル−１，５−ヘキサジエン、６−メチル−１，５−ヘプタジエン、７−メチル−１，６−オクタジエン等の鎖状非共役ジエン；シクロヘキサジエン、ジシクロペンタジエン、メチルテトラヒドロインデン、５−ビニル−２−ノルボルネン、５−エチリデン−２−ノルボルネン、５−メチレン−２−ノルボルネン、５−イソプロピリデン−２−ノルボンネン、６−クロロメチル−５−イソプロペニル−２−ノルボルネン、４，９，５，８−ジメタノ−３ａ，４，４ａ，５，８，８ａ，９，９ａ−オクタヒドロ−１Ｈ−ベンゾインデン等の環状非共役ジエン；２，３−ジイソプロピリデン−５−ノルボルネン；２−エチリデン−３−イソプロピリデン−５−ノルボルネン；２−プロペニル−２，２−ノルボルナジエン等を挙げることができる。これらのうちでは、１，４−ヘキサジエン、１，６−オクタジエン、及び環状非共役ジエン、とりわけ、ジシクロペンタジエン、５−エチリデン−２−ノルボルネン、５−ビニル−２−ノルボルネン、５−メチレン−２−ノルボルネン、１，４−ヘキサジエン、１，６−オクタジエンが好ましい。
【００６５】
［（Ｂ）エラストマー成分］
次に、本発明の高周波用電子部品用材料に用いられる（Ｂ）エラストマー成分について説明する。本発明に用いられる（Ｂ）エラストマー成分は、不飽和二重結合部の含有量が、４×１０−４ｍｏｌ／ｇ以上２３×１０−４ｍｏｌ／ｇ以下のものである。不飽和二重結合部の含有量は、好ましくは６×１０−４ｍｏｌ／ｇ以上２０×１０−４ｍｏｌ／ｇ以下、更に好ましくは８×１０−４ｍｏｌ／ｇ以上１７×１０−４ｍｏｌ／ｇ以下である。
【００６６】
また、（Ａ）環状オレフィン系樹脂と、（Ｂ）エラストマー成分との配合割合は、（Ａ）環状オレフィン系樹脂を６０質量部以上９０質量部以下、（Ｂ）エラストマー成分を１０質量部以上４０質量部以下の範囲である。また、好ましくは、（Ａ）環状オレフィン系樹脂を６５質量部以上８８質量部以下、（Ｂ）エラストマー成分を１２質量部以上３５質量部以下、更に好ましくは、（Ａ）環状オレフィン系樹脂を７０質量部以上８５質量部以下、（Ｂ）エラストマー成分を１５質量部以上３０質量部以下の範囲である。
【００６７】
本発明の高周波用電子部品用材料に用いられる（Ｂ）エラストマー成分としては、特に限定されるものではないが、（Ａ）環状オレフィン系樹脂との相溶性の観点から、重合体成分としてスチレンを含むものが好ましい。
【００６８】
また、本発明に用いられる（Ｂ）エラストマー成分としては、（ｂ１）不飽和結合を有するエラストマーと、（ｂ２）実質的に不飽和結合を有さないエラストマーと、の混合物であることが好ましい。
【００６９】
ここで、「（ｂ２）実質的に不飽和結合を有さないエラストマー」とは、重合直後に不飽和結合を有していないエラストマー以外に、不飽和結合を有しているエラストマーの不飽和結合を水素添加することによって得られる、水素添加エラストマーも含まれることを意味する。なお、不飽和結合を有するエラストマーの一部の不飽和結合部が水素添加され、一部の不飽和結合部はそのまま残留している場合には、このようなエラストマー成分は、（ｂ１）不飽和結合を有するエラストマーと、（ｂ２）実質的に不飽和結合を有さないエラストマーと、の混合物であるとする。
【００７０】
すなわち、本発明の（Ｂ）エラストマー成分となる、「（ｂ１）不飽和結合を有するエラストマーと、（ｂ２）実質的に不飽和結合を有さないエラストマーと、の混合物」とは、不飽和結合を有するエラストマーと不飽和結合を有さないエラストマーとのブレンドであってよいし、不飽和結合を有するエラストマーの不飽和結合の一部が水素添加されたものであってもよいし、あるいは、不飽和結合を有さないエラストマーの一部を酸化して、所定の不飽和結合含有率にしたものであってもよい。
【００７１】
本発明に用いられる（Ｂ）エラストマー成分の具体例としては、例えば、オレフィン系、スチレン系、エステル系、アミド系、ウレタン系等の熱可塑性エラストマーが挙げられる。これらの中では、上記した通り、環状オレフィン系樹脂との相溶性が高いことから、スチレン系エラストマーを好適に用いることができる。
【００７２】
本発明に用いられる（Ｂ）エラストマー成分として好ましいスチレン系エラストマーの具体例としては、例えば、ＳＥＢＳ（ポリスチレン−エチレン／ブチレン−スチレン）、ＳＥＰＳ（ポリスチレン−ポリ（エチレン／プロピレン）ブロック−ポリスチレン）、ＳＥＥＰＳ（ポリスチレン−ポリ（エチレン−エチレン／プロピレン）ブロック−ポリスチレン）、ＳＥＢＳ（ポリスチレン−ポリ（エチレン／ブチレン）ブロック−ポリスチレン）、ＳＥＰ（ポリスチレン−ポリ（エチレン／プロピレン）ブロック）等を挙げることができる。
【００７３】
更に、スチレン系エラストマーの中でも、（ｂ１’）スチレン系共重合体と、（ｂ２’）当該スチレン系共重合体の水素添加物と、を含む混合物であることが好ましく、最も好ましくは、（ｂ１’’）スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体（ＳＢＳ）と、その水素添加物である（ｂ２’’）スチレン−エチレン・ブチレン−スチレンブロック共重合体（ＳＥＢＳともいう）と、を含む混合物である。
【００７４】
［その他成分］
本発明の環状オレフィン系樹脂組成物には、その特性を損なわない範囲で、必要に応じて、その他の熱可塑性樹脂、各種配合剤等を添加することができる。
【００７５】
〔その他の熱可塑性樹脂〕
その他の熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリフェニレンスルフィド、ポリフェニレンエーテル、ポリエーテルスルホン、ポリスルフォン、ポリカーボネート、ポリアセタール等の他、液晶性ポリマー、芳香族ポリエステル、ポリアリレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート等のポリエステル系重合体；ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ４−メチルペンテン−１等のポリオレフィン系重合体；ナイロン６、ナイロン６６、芳香族ナイロン等のポリアミド系重合体；ポリメチルメタクリレート、ポリアクリロニトリルスチレン（ＡＳ樹脂）、ポリスチレン等を挙げることができる。
【００７６】
〔各種配合剤〕
各種配合剤としては、熱可塑性樹脂材料で通常用いられているものであれば特に限定されるものではなく、例えば、酸化防止剤、紫外線吸収剤、光安定剤、可塑剤、滑剤、帯電防止剤、難燃剤、染料や顔料等の着色剤、近赤外線吸収剤、蛍光増白剤等の配合剤を挙げることができる。
【００７７】
＜高周波用電子部品用材料の製造方法＞
本発明の高周波用電子部品用材料は、特に限定されるものではなく、公知の方法を採用できる。例えば、（Ａ）環状オレフィン系樹脂、（Ｂ）エラストマー成分、あるいは更に、必要に応じ配合される樹脂等を、一括で、又は逐次に溶融混練する方法が挙げられる。溶融混練する方法としては、例えば、樹脂組成物をドライブレンドした後、一軸若しくは二軸のスクリュー押出し機、バンバリーミキサー、ロール、各種ニーダー等で溶融混練する方法などが挙げられる。溶融混練における温度については、（Ａ）環状オレフィン系樹脂、（Ｂ）エラストマー成分、及び、必要に応じ配合される樹脂等が溶融していれば特に限定はないが、通常１６０〜３５０℃、好ましくは１８０℃〜３００℃の温度範囲で実施するのが一般的である。
【００７８】
＜高周波用電子部品用材料から得られる成形体＞
本発明の高周波用電子部品用材料は、空洞共振法で摂動法を用いて測定した場合の、５．８ＧＨｚにおける誘電損失（Ｔａｎδ）が、１３×１０−４以下であることが好ましい。５．８ＧＨｚにおける誘電損失（Ｔａｎδ）は、１１×１０−４以下であることがより好ましく、９×１０−４以下であることが特に好ましい。
【００７９】
また、本発明の高周波用電子部品用材料は、ＩＳＯ１７９／１ｅＡに準拠して測定した場合の、シャルピー衝撃値が、２０ｋＪ／ｍ２以上であることが好ましい。シャルピー衝撃値は２５ｋＪ／ｍ２以上であることがより好ましく、３０ｋＪ／ｍ２以上であることが特に好ましい。
【００８０】
本発明の高周波用電子部品用材料は、長さ７０ｍｍ、幅７０ｍｍ、厚み２ｍｍの成形体を形成し、クロム酸３００ｇ／Ｌと硫酸３５０ｇ／Ｌとの混合物であるクロム酸水溶液によって、６０℃において１時間以内エッチングした後のめっき密着強度は、０．６Ｎ／ｍｍ以上であることが好ましい。
【００８１】
生産性を考慮すると、エッチング時間は短時間であるほど好ましく、したがって、短時間であっても十分なめっき性及びめっき密着力が得られることが好ましい。エッチング時間は、１時間以内が好ましくは、更に好ましくは５０分以内、最も好ましくは４０分以内である。
【００８２】
このため、本発明の高周波用電子部品用材料から得られる成形体は、各種の高周波用電子部品として好適に用いることができ、例えば、高周波用のアンテナ、コネクタ、スイッチ、フィルタ、変換器、カプラ、サーキュレータ、アイソレータ、コンデンサ、インダクタ、コイル、共振器、ＦＰＣ等に用いることができる。
【００８３】
＜電子回路形成方法＞
本発明の高周波用電子回路作成方法としては、特に限定されるものではなく、電子部品に通常用いられている方法を適宜採用することができる。このような方法としては、例えば、化学めっき（無電解めっき）、電気めっき、金属インサート等を挙げることができる。また、電子回路は表面だけでなく、メッキした表面を樹脂で覆う方法やインサート金属を使用する方法等で成形品内部にも設けることが出来る。
【００８４】
化学めっき（無電解めっき）としては、例えば、銅、スズ、ニッケル、インジウム、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、金、又はこれらの金属の合金めっきや、ニッケル−リン系、ニッケル−ホウ素系、コバルト−リン系、コバルト−モリブデン系等の合金めっき等を挙げることができる。電子材料分野においては、これらの中でも、ニッケル、銅、金等を用いることが好ましい。
【００８５】
また、電気めっきとしては、例えば、銅、ニッケル、スズ、パラジウム、金、銀、ロジウム、クロム、又はこれらの金属の合金めっきや、スズ−鉛合金、ニッケル−リン合金、等の合金めっきを挙げることができる。電気めっきも化学めっきと同様に、電子材料分野においては、ニッケル、銅、金等を用いることが好ましい。
【実施例】
【００８６】
以下、実施例及び比較例を示し、本発明を具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
【００８７】
＜各種材料＞
実施例及び比較例において用いた各種材料を以下に示す。
【００８８】
［（Ａ）環状オレフィン系樹脂］
・日本ゼオン社製、商品名：ゼオネックス４８０Ｒ（環状オレフィンポリマー）
・ＴＩＣＯＮＡ社製、商品名：ＴＯＰＡＳ６０１３（環状オレフィンコポリマー）
【００８９】
［（Ｂ）エラストマー成分］
〔（ｂ１）不飽和結合を有するエラストマー〕
・クレイトン社製、ＳＢＳ（スチレン／ブタジエン＝７／３）
〔（ｂ２）不飽和結合を有しないエラストマー〕
・クレイトン社製、ＳＥＢＳ（スチレン／エチレン−ブチレン＝３３／６７）
【００９０】
＜測定・評価方法＞
本実施例及び比較例における各種物性の測定・評価方法を以下に説明する。
【００９１】
［不飽和二重結合の含有量］
実施例及び比較例において、（ｂ１）不飽和結合を有するエラストマーと（ｂ２）不飽和結合を有しないエラストマーとの混合物（（Ｂ）エラストマー成分）につき、よう素価法（ＪＩＳ  Ｋ  ６２３５準拠）にて不飽和二重結合の含有量の測定を行なった。
【００９２】
［シャルピー衝撃値］
型締め力７５ｔの電動式成形機（住友重機械工業株式会社製、ＳＥ７５Ｄ）を用いて、シリンダー温度２８０℃、金型温度１２０℃にて、４ｍｍｔ×１０ｍｍ幅の短冊を成形した。得られた短冊にノッチを設け、その後、２３℃×５０％ＲＨ雰囲気下において、ＩＳＯ１７９／１ｅＡに準拠して、東洋精機製作所社製、シャルピー衝撃値測定装置を用いて評価を行った。
【００９３】
［誘電損失（ｔａｎδ）］
型締め力７５ｔの電動式成形機（住友重機械工業株式会社製、ＳＥ７５Ｄ）を用いて、シリンダー温度２８０℃、金型温度１２０℃にて、１ｍｍ角×５０ｍｍ長さの棒を成形した。得られた棒を、２３℃×５０％ＲＨ雰囲気下で、株式会社関東電子応用開発社製の共振器、Ａｇｉｒｅｎｔ  ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社製Ｓｗｅｐｔ  ＣＷ  Ｇｅｎｅｒａｔｏｒ  ８３６５０Ｌ、Ａｇｉｒｅｎｔ  ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社製Ｓｃａｌｏｒ  Ｎｅｔｗｏｒｋ  Ａｎａｌｙｚｅｒ  ８７５８Ｄを用い、空洞共振法の摂動法にて評価を行った。
【００９４】
［めっき密着強度］
めっき密着強度については、以下の要領でサンプルの作成、エッチング、めっきを行い、その結果得られためっきの密着強度の測定を行なった。
【００９５】
〔サンプルの成形〕
金型として、サイドゲートの７０ｍｍ×７０ｍｍの２ｍｍ厚の平板を用いて、型締め力７５ｔの電動式成形機（住友重機械工業株式会社製、ＳＥ７５Ｄ）より、シリンダー温度２８０℃、金型温度１２０℃、射出速度３ｍ／ｍｉｎにて、平板の成形を行った。
【００９６】
〔脱脂工程〕
得られた平板につき、以下の脱脂工程を実施した。
１．脱脂：６０℃の奥野製薬工業社製、商品名：エースクリンＡ２２０中で、得られた平板の５分間浸漬処理
２．水洗
【００９７】
〔クロム酸エッチング工程〕
脱脂工程を経た平板につき、以下のクロム酸エッチング工程を実施した。
１．クロム酸処理：６０℃のクロム酸水溶液（クロム酸３００ｇ／Ｌ＋硫酸３５０ｇ／Ｌ）中で１時間浸漬処理
２．水洗
３．超音波洗浄：室温の水道水で１分間処理（超音波洗浄機：海上電気社製、商品名：ｓｏｎｏ  ｃｌｅａｎｅｒ  ２００ａ、周波数：３８ｋＨｚ、出力：０．３６Ｗ／ｃｍ２（以下の超音波洗浄も同条件とする））
４．水洗
５．中和：室温の１ｍｏｌ／Ｌ水酸化カリウム水溶液中で３分間浸漬処理して中和
６．水洗
【００９８】
〔湿式銅めっき工程〕
エッチング工程によりエッチングされた平板につき、以下の工程により、湿式銅めっきを実施した。
１．コンディショニング：室温の奥野製薬工業社製、商品名：ＯＰＣ−３５０コンディショナー中で３分間浸漬処理
２．水洗
３．触媒付与：室温の奥野製薬工業社製、商品名：Ａ−３０キャタリスト中で３分間浸漬処理
４．水洗
５．活性化：室温の５ｖｏｌ％塩酸水溶液中で２分間浸漬処理
６．水洗
７．無電解めっき：室温の奥野製薬工業社製、無電解めっき液（商品名：ＯＰＣ−７５０）の水溶液中で２０分間浸漬処理
８．水洗
９．コンディショニング：室温の奥野製薬工業社製、商品名：ＯＰＣ−３５０コンディショナー中で３分間浸漬処理
１０．水洗
１１．表面活性化：室温の５重量％硫酸水溶液中で３分間浸漬処理
１２．水洗
１３．電気めっき：室温の硫酸１０重量％、硫酸銅１０重量％、１Ｎ−塩酸０．１ｖｏｌ％の混合水溶液中に浸漬し、負電極には無電解めっきサンプルを接続し、一方、正電極には銅を接続し、４Ａ／ｄｍ２の電流を流して、析出物が３０μｍの膜厚になるまで処理
１４．水洗
１５．コンディショニング：室温の奥野製薬工業社製、商品名：ＯＰＣ−３５０コンディショナー中で３分間浸漬処理
１６．水洗
１７．乾燥：アセトンにて洗浄後、自然乾燥
【００９９】
〔めっき密着力〕
湿式銅めっき処理がなされた平板に、カッターナイフを用いて、１ｃｍ巾の帯状カットを入れた。引き続き、めっき金属層の先端を９０゜の角度にめくり上げて、先端部をバネばかりでつかみ、めっき層を引き剥がした際の力を、めっき密着力（Ｎ／ｍｍ）とした。なお、本評価は、それぞれのサンプルにつきそれぞれ５枚の測定を行い、その平均値を換算した。
【０１００】
＜実施例１＞
表１に示す割合で、（Ａ）環状オレフィン系樹脂、（ｂ１）不飽和結合を有するエラストマー、（ｂ２）不飽和結合を有しないエラストマーを、押出機（株式会社日本製鋼所製ＴＥＸ３０）を用いて、シリンダー温度２５０℃、スクリュー回転数１５０ｒｐｍ、押し出し量１０ｋｇ／ｈで押し出しを行い、ペレットを作成した。引き続き、得られたペレットに対して、１００℃で６時間の乾燥を実施した後、乾燥ペレットを用いて各種の測定・評価を実施した。結果を表１に示す。
【０１０１】
＜実施例２〜８及び比較例１〜７＞
表１、表２に示される材料及び配合処方により、実施例１と同様にペレットを作成し、乾燥を実施した。引き続き、得られたペレットを用いて、実施例１と同様に、各種の測定・評価を実施した。結果を表１、表２にまとめて示す。
【表１】
0005345753.tif 000003
【表２】
0005345753.tif 000004
【産業上の利用可能性】
【０１０２】
本発明の高周波用電子部品用材料は、高周波帯域での使用に好適な誘電特性を有し、同時に、良好なめっき性を有するとともに、めっきされた金属層との密着力が高く、且つ、耐衝撃性にも優れる材料となる。このため、本発明の高周波用電子部品用材料から得られる高周波用電子部品としては、例えば、高周波用のアンテナ、コネクタ、スイッチ、フィルタ、変換器、カプラ、サーキュレータ、アイソレータ、コンデンサ、インダクタ、コイル、共振器、ＦＰＣ等を挙げることができる。