(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
島状に形成されている複数のアノード電極と、該複数のアノード電極の周囲に形成されているＰＤＬ層は、該ＰＤＬ層から一定の距離をおいて離隔するように形成される衝撃緩和層と、該衝撃緩和層上に形成されるスペーサを含む第１基板と、
該第１基板に対向し、前記スペーサにより、前記第１基板と所定の間隔を置いて形成される第２基板と、を備え、
前記スペーサは、前記第２基板と離隔された状態を維持し、衝撃が加わる場合にのみ、前記第２基板と接触されて前記衝撃が前記衝撃緩和層に伝達され、
前記ＰＤＬ層上には、前記スペーサが形成されていないため、前記衝撃が伝達されない
ことを特徴とする有機電界発光表示装置。
【請求項２】
前記第１基板と前記第２基板との間の空間に不活性気体が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項３】
前記第１基板と前記第２基板との間の空間に有機物が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機電界発光表示装置及びその製造方法に関し、より詳細には、衝撃による損傷を防止することにより、耐久性が向上した有機電界発光表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、陰極線管（Ｃａｔｈｏｄｅ  Ｒａｙ  Ｔｕｂｅ）の短所である重量及び体積を減らすことができる各種平板表示装置が開発されている。平板表示装置には、液晶表示装置（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）、電界放出表示装置（Ｆｉｅｌｄ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ｄｉｓｐｌａｙ）、プラズマ表示パネル（Ｐｌａｓｍａ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｐａｎｅｌ）、及び有機電界発光表示装置（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｓｐｌａｙ；ＯＬＥＤ）などがある。
【０００３】
平板表示装置のうち、有機電界発光表示装置は、電子と正孔との再結合により光を発生する有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を用いて画像を表示する。
【０００４】
有機発光ダイオードは、アノード電極と、カソード電極と、アノード電極とカソード電極との間に位置する発光層とを含み、アノード電極からカソード電極方向に電流が流れると、光を発光して色を表現することができる。
【０００５】
このような有機電界発光表示装置は、高い色再現性や薄肉さなどといった様々な利点により、応用分野において、携帯電話のほか、ＰＤＡ、ＭＰ３などへと、市場が大きく拡大している。
【０００６】
有機電界発光表示装置は、薄膜トランジスタ、有機発光ダイオードなどが形成されている透明基板と、該透明基板を封止する封止基板とを備える。そして、透明基板と封止基板との間には、これらの間隔を一定に維持するためのスペーサが備えられる。
【０００７】
このように構成された有機電界発光表示装置は、外部から封止基板または透明基板に衝撃が加えられると、スペーサにその衝撃が伝達される。
【０００８】
スペーサに伝達された衝撃は、有機発光ダイオードにも伝達され得る。これにより、有機発光ダイオードが損傷し得るが、特に、伝達される衝撃の強度が大きければ、有機発光ダイオードの損傷の程度は大きくなる。これにより、損傷した有機発光ダイオードは、光を発光することができず、有機電界発光表示装置にムラができたようにみえるという問題があった。
【０００９】
このため、屈曲試験またはボール落下試験により、内部素子に欠陥が発生したか否かをテストして機構の強度を評価し、所定の強度に耐えられなかった場合は不良と判定して製品として出荷できないようにする。
【００１０】
したがって、有機電界放出表示装置の機構の強度は、非常に重要な要素であり、機構の強度を高めることは、非常に重要である。
【特許文献１】大韓民国特許公開第２００６−００７７８９８号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
そこで、本発明の目的は、衝撃緩和層を備えることにより、耐久性が向上した有機電界発光表示装置及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するため、本発明の第１の態様は、絶縁膜上に島状に形成されている複数のアノード電極と、該複数のアノード電極の周囲に形成されている複数のＰＤＬ層と、該ＰＤＬ層から一定の距離をおいて離隔するように形成されかつ透明基板の最上層の絶縁膜上に形成された衝撃緩和層と、該衝撃緩和層上に形成されるスペーサとを含む第１基板と、該第１基板に対向し、前記スペーサにより、前記第１基板と所定の間隔をおいて形成される第２基板とを備えることを特徴とする有機電界発光表示装置を提供する。
従来技術では、スペーサをＰＤＬ層上に設けざるを得なかったのに対して、本発明は、衝撃緩和層をＰＤＬ層から離隔するように形成し、この衝撃緩和層上にスペーサを形成する、すなわちスペーサをＰＤＬ層から離隔し、かつ、衝撃緩和層を介して絶縁膜上に設けたことにより、従来技術の問題点を解決したものである。
【００１３】
付加的な態様として、前記ＰＤＬ層及び前記衝撃緩和層は、同じ物質からなり、同じ工程によって形成される。
【００１４】
上記目的を達成するため、本発明の第２の態様は、ガラス上に薄膜トランジスタを形成するステップと、前記薄膜トランジスタ上に絶縁膜を形成するステップと、前記絶縁膜上に前記薄膜トランジスタと電気的に接続される複数のアノード電極を形成するステップと、前記アノード電極上に絶縁膜を形成した後、当該絶縁膜をパターニングし、前記アノード電極の周辺に位置する複数のＰＤＬ層と、該ＰＤＬ層から所定の間隔をおいて離隔する衝撃緩和層とを形成するステップと、前記衝撃緩和層上にスペーサを形成するステップとを含む有機電界発光表示装置の製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００１５】
以上、本発明に係る有機電界発光表示装置及びその製造方法によると、ＰＤＬ層１０８から離隔するように衝撃緩和層１０９を形成し、衝撃緩和層１０９上にスペーサ１１０を形成することにより、外部から伝達される衝撃によって有機発光ダイオードが損傷することを防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、添付の図面を参照して本発明の実施形態を詳細に説明する。
【００１７】
図１―１は、有機電界発光表示装置の参考例を示す平面図である。
図１―２は、図１―１のａ−ａ断面図である。
【００１８】
図１―１に示すように、有機電界発光表示装置は、透明基板（図示せず）と、封止基板（図示せず）とを備える。ここで、透明基板は、その上に形成された薄膜トランジスタ（図示せず）、絶縁膜（図示せず）、及び有機発光ダイオードのアノード電極１０などを含む。また、アノード電極１０上には、ＰＤＬ（Ｐｉｘｅｌ  Ｄｅｆｉｎｉｔｉｏｎ  Ｌａｙｅｒ）層１１が形成される。ＰＤＬ層１１の所定の領域には、アノード電極１０が露出し、露出した領域は、光を発光する発光領域１２になる。そして、発光領域１２には、発光層（図示せず）が形成され、有機発光ダイオードが形成される。このような有機発光ダイオードは、薄膜トランジスタと電気的に接続され、薄膜トランジスタから伝達される信号に対応して発光する。一方、ＰＤＬ層１１の一領域上には、複数のスペーサ１３が形成される。スペーサ１３は、透明基板と封止基板とが一定の間隔を維持するようにする。
【００１９】
このように構成された有機電界発光表示装置の封止基板または透明基板に外部から衝撃が加えられと、図１−１、図１−２に示すようにスペーサ１３にその衝撃が伝達される。
【００２０】
スペーサ１３に衝撃が伝達されると、その下のＰＤＬ層１１に衝撃が伝達され、ＰＤＬ層１１に伝達された衝撃は、発光層及びアノード電極１０にも伝達される。したがって、伝達される衝撃の強度が大きければ、有機発光ダイオードが損傷して光を発光しないことがある。これにより、有機電界発光表示にムラができたようにみえることがある。
【００２１】
したがって、本発明では、これを防止するため、衝撃緩和層を備えた有機電界発光表示装置を示し、これに関する詳細な説明は、図２を参照して後述する。
【００２２】
図２は、本発明に係る有機電界発光表示装置の断面図である。同図に示すように、有機電界発光表示装置は、透明基板１５０と、該透明基板１５０を封止する封止基板２００とで構成される。
【００２３】
透明基板１５０のガラス１００上には、バッファ層１０１が形成され、バッファ層１０１上には、半導体層１０２が形成される。そして、半導体層１０２上に絶縁膜１０３が形成され、絶縁膜１０３上に金属層を形成した後、パターニングを行い、ゲート電極１０４を形成する。そして、半導体層１０２にイオンドーピング工程を行う。
【００２４】
そして、ゲート電極１０４上に絶縁膜１０５を形成した後、所定の領域にコンタクトホールを形成する。そして、その上に金属層を形成してパターニングを行い、ソースドレインメタル１０６を形成する。ソースドレインメタル１０６は、コンタクトホールを介して、半導体層１０２の両端に接触する。
【００２５】
そして、その上に絶縁膜１０７を形成して平坦化を行った後、絶縁膜１０７にコンタクトホールを形成し、その上にアノード電極１１１が形成されるようにする。アノード電極１１１は、コンタクトホールを介して、ソースドレインメタル１０６と接触する。
【００２６】
そして、アノード電極１１１上に絶縁膜を形成する。そして、形成された絶縁膜をエッチングし、絶縁膜がＰＤＬ層１０８と衝撃緩和層１０９とになるようにする。ＰＤＬ層１０８は、有機発光ダイオードが形成される領域を画定する膜であって、ＰＤＬ層１０８の内部にアノード電極１１１が露出する。そして、アノード電極１１１上に発光層（図示せず）が形成され、その上にカソード電極（図示せず）が形成され、有機発光ダイオードが形成される。
【００２７】
衝撃緩和層１０９は、ＰＤＬ層１０８から離間するように形成される。このため、衝撃緩和層１０９に衝撃が加えられても、ＰＤＬ層１０８にはその衝撃は伝達されない。つまり、外部から衝撃が加えられて衝撃緩和層１０９に力が伝達されても、ＰＤＬ層１０８に形成されている発光層に力が加えられることを防止することができる。
【００２８】
そして、衝撃緩和層１０９上にスペーサ１１０が形成され、透明基板１５０と封止基板２００との間隔を維持する。このとき、スペーサ１１０は、封止基板２００に接触するように形成され得、一定の間隔を有して封止基板２００から離隔するように形成され得る。そして、外部から衝撃が加えられると、スペーサ１１０にその衝撃が伝達され、スペーサ１１０に伝達された衝撃は、衝撃緩和層１０９にのみ伝達されるために、発光層は保護されるようになる。
【００２９】
有機電界発光表示装置の透明基板１５０及び封止基板２００は、エポキシ（図示せず）やフリット（図示せず）などによって接合される。そして、透明基板１５０と封止基板２００との間の空間にＮ２のような不活性気体が注入される。
【００３０】
また、機構の強度を高めるため、透明基板１５０と封止基板２００との間に有機物などの様々な補強材を形成することにより、強度をさらに高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１−１】有機電界発光表示装置の参考例を示す平面図である。
【図１−２】図１−２は、図１−１のａ−ａ断面図である。
【図２】本発明に係る有機電界発光表示装置の断面図である。
【符号の説明】
【００３２】
１００；ガラス
１０１；バッファ層
１０２；半導体層
１０３、１０５、１０７；絶縁膜
１０４；ゲート電極
１０６；ソースドレインメタル
１１，１０８；ＰＤＬ層
１０９；衝撃緩和層
１３，１１０；スペーサ
１０，１１１；アノード電極
１５０；透明基板
２００；封止基板
【図１−１】
0005181112.tif 000002
【図１−２】
0005181112.tif 000003
【図２】
0005181112.tif 000004